(57)【要約】【課題】リード端子間で短絡が生じることを確実に防止できるとともに、回転ブレードによる切断が円滑に行なわれる半導体装置およびリードフレームを提供する。【解決手段】ＱＦＮパッケージ１は、半導体チップ２と、半導体チップ２が搭載される主表面３ａを含むダイパッド３と、ダイパッド３の周縁に沿って互いに間隔を隔てて配置され、半導体チップ２に電気的に接続される複数の外部リード４と、側面８ｃを含むモールド樹脂８とを備える。外部リード４は、半導体チップ２に向い合って位置する一方端５と、モールド樹脂８から露出し、側面８ｃと同一平面上に延在する他方端６とを含む。外部リード４は、複数の外部リード４が配置される方向の外部リード４の長さが、一方端５よりも他方端６の方が小さくなるように形成されている。【選択図】        図１
2005026466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップが搭載される主表面を含むダイパッドと、
前記ダイパッドの周縁に沿って互いに間隔を隔てて配置され、前記半導体チップに電気的に接続される複数のリード端子と、
前記半導体チップ、前記ダイパッドおよび前記リード端子の一部を覆うように設けられ、側面を含む樹脂部材とを備え、
前記リード端子は、前記半導体チップに向い合って位置する一方端と、前記樹脂部材から露出し、前記側面と同一平面上に延在する他方端とを含み、前記リード端子は、前記複数のリード端子が配置される方向の前記リード端子の長さが、前記一方端よりも前記他方端の方が小さくなるように形成されている、半導体装置。
【請求項２】
前記リード端子は、前記リード端子の厚みが、前記一方端よりも前記他方端の方が小さくなるように形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ダイパッドは、前記主表面とは反対側に位置し、前記樹脂部材から露出する第１の表面をさらに含み、前記リード端子は、前記第１の表面とほぼ同一平面上で前記一方端から前記他方端にまで延在し、前記樹脂部材から露出する第２の表面をさらに含む、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ダイパッドの周縁から放射状に延びる吊りリード部をさらに備え、前記吊りリード部は、前記第１の表面と平行に延在し、前記樹脂部材によって覆われた第３の表面を含む、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
隣り合う前記リード端子間を電気的に接続する接続端子をさらに備え、前記接続端子は、前記第２の表面と平行に延在し、前記樹脂部材によって覆われた第４の表面を含む、請求項３または４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１および第２の表面の少なくとも一方は、凹凸形状に形成されている、請求項３から５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ダイパッドは、前記第１の表面の角部に段差が形成されている、請求項３から６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造に用いられ、複数の半導体装置が切り出されるリードフレームであって、
前記ダイパッドと前記複数のリード端子とが連なった状態のユニットが格子状に配列された半導体装置形成領域と、
前記半導体装置形成領域の周縁に沿って帯状に延在し、互いに間隔を隔てて複数の開口部が形成された第１の周縁領域とを備える、リードフレーム。
【請求項９】
前記第１の周縁領域には、隣り合う前記開口部の間に延在する溝部が形成されている、請求項８に記載のリードフレーム。
【請求項１０】
前記第１の周縁領域の周りに帯状に延在し、隣り合う前記ユニットの境界線が延びる方向にスリットが形成された第２の周縁領域をさらに備える、請求項８または９に記載のリードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、一般的には、半導体装置およびその製造に用いられるリードフレームに関し、より特定的には、一括モールドタイプの半導体装置およびその製造に用いられるリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体パッケージの製造方法として、複数の半導体チップを格子状に配置したリードフレーム上の領域を一括してモールドし、そのリードフレームを所定のカットラインに沿って切断することによって、複数の半導体パッケージを切り出す方法が知られている。
【０００３】
この方法では、１つの半導体パッケージに相当する領域を別々にモールドする方法の場合と異なり、モールド時に形成された樹脂部材ごとリードフレームを切断しなければならない。このため、プレス用の金型ではなく円盤状のブレードが切断に用いられ、切断時にはこのブレードを回転させながらリードフレームのカットラインに沿って移動させる。
【０００４】
また、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ）パッケージの実装性の向上を目的とした半導体装置の製造方法が、特開２００２−２６１１９３号公報に開示されている（特許文献１）。
【０００５】
特許文献１に開示されている半導体装置の製造方法では、肉厚の薄い凹部が形成されたリードフレームが用いられている。その凹部は、リードフレームがブレードによって切断される部分に位置しており、たとえば、リードフレームの表裏両面に形成されている。このような凹部を形成することによって、ＱＦＮパッケージのリードの被接続面（ＱＦＮパッケージを配線基板に実装する場合に配線基板の実装面に向い合う表面）から突出して切断バリが形成されることを防止できる。これにより、リードの被接続面の平坦度を向上させ、ＱＦＮパッケージの実装性を向上させることができる。
【０００６】
また別に、インナリード先端とパッドとのアライメント精度の向上などを目的としたリードフレームおよびその製造方法が特開平６−２２４３４２号公報に開示されている（特許文献２）。さらに、片面封止型半導体パッケージのカット品質および生産性の向上を目的としたリードフレームおよびこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法が特開２００１−２４４３９９号公報に開示されている（特許文献３）。さらに、隣接するリード間の短絡を防止し、信頼性を向上させることを目的としたリードフレームおよびその製造方法が特開平１−１３３３４０号公報に開示されている（特許文献４）。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−２６１１９３号公報
【０００８】
【特許文献２】
特開平６−２２４３４２号公報
【０００９】
【特許文献３】
特開２００１−２４４３９９号公報
【００１０】
【特許文献４】
特開平１−１３３３４０号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
このように一括モールドされたリードフレームの切断には円盤状のブレードが使用されるが、この場合、リードフレームの切断面にはブレードの進行方向に延びるバリが形成されてしまう。特に、リードフレームが比較的軟らかい銅などによって形成されている場合、このようなバリが大きく形成される。バリが形成されると、ブレードの進行方向に配列されたリード端子間で短絡が発生するという問題が生じる。このような問題は、円盤状のブレードを用いて特許文献１に開示されたリードフレームを切断する場合にも生じ得る問題である。
【００１２】
また、円盤状のブレードを用いてリードフレームを切断する場合、切断作業の進行とともにブレードの刃先が著しく磨耗する。このため、ブレードを頻繁に交換しなければならない。刃先にダイヤモンドが使用されるブレードは非常に高価であるため、これによって、半導体パッケージの生産コストが増大するという問題が生じる。
【００１３】
そこでこの発明の目的は、上記の課題を解決することであり、リード端子間で短絡が生じることを確実に防止できるとともに、回転ブレードによる切断が円滑に行なわれる半導体装置およびリードフレームを提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明に従った半導体装置は、半導体チップと、半導体チップが搭載される主表面を含むダイパッドと、ダイパッドの周縁に沿って互いに間隔を隔てて配置され、半導体チップに電気的に接続される複数のリード端子と、半導体チップ、ダイパッドおよびリード端子の一部を覆うように設けられ、側面を含む樹脂部材とを備える。リード端子は、半導体チップに向い合って位置する一方端と、樹脂部材から露出し、側面と同一平面上に延在する他方端とを含む。リード端子は、複数のリード端子が配置される方向のリード端子の長さが、一方端よりも他方端の方が小さくなるように形成されている。
【００１５】
【発明の実施の形態】
この発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１６】
（実施の形態１）
図１は、この発明の実施の形態１におけるＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ）パッケージを示す斜視図である。図１では、ＱＦＮパッケージの内部構造を表わすために一部が透視されて描かれている。図２は、図１中の矢印ＩＩの方向から見たＱＦＮパッケージを示す底面図である。なお、ＱＦＮパッケージとは、リード端子が半導体チップを囲む四辺に配置された半導体パッケージのことである。そのリード端子は、パッケージの底面側に露出しており、パッケージの底面は平坦に形成されている。
【００１７】
図１および図２を参照して、ＱＦＮパッケージ１は、主表面３ａを有するダイパッド３と、主表面３ａ上に位置決めされた半導体チップ２と、ダイパッド３の周縁に沿って配置された複数の外部リード４と、半導体チップ２の端子から複数の外部リード４の各々へと延びるボンディングワイヤ９と、以上に挙げた部品を覆うモールド樹脂８とを備える。
【００１８】
モールド樹脂８は、直方体形状に形成されており、四方を向いた側面８ｃと、ＱＦＮパッケージ１が実装される配線基板に向い合う裏面８ｂとを有する。モールド樹脂８としては、たとえば、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂に硬化剤または充填剤などの添加剤を必要に応じてブレンドしたものが用いられる。
【００１９】
ダイパッド３は、四角形の板状に形成されており、主表面３ａの反対側に位置する裏面３ｂをさらに有する。主表面３ａの中央には、図示しない接着剤を介して半導体チップ２が固定されている。この半導体チップ２は、たとえばＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）である。半導体チップ２と、半導体チップ２から露出した主表面３ａの部分と、主表面３ａから裏面３ｂに連なるダイパッド３の側面とがモールド樹脂８によって覆われている。
【００２０】
これに対して、ダイパッド３の裏面３ｂは、モールド樹脂８から露出しており、モールド樹脂８の裏面８ｂと同一平面上に延在している。このようにダイパッド３の裏面３ｂを露出させる状態でモールド樹脂８を形成することによって、半導体チップ２で発生する熱を裏面３ｂ側から効率よく逃がすことができる。
【００２１】
ダイパッド３の周縁から所定の距離を隔てた位置には、ダイパッド３から遠ざかる方向に延びる外部リード４が設けられている。外部リード４は、たとえば銅から形成されている。
【００２２】
外部リード４は、主表面３ａ上の半導体チップ２に向い合う一方端５と、一方端５の反対側に位置する他方端６と、一方端５から他方端６に向けて延在する被接続面４ｂとを有する。一方端５は、モールド樹脂８によって覆われている。他方端６は、モールド樹脂８の側面８ｃと同一平面上に延在している。被接続面４ｂは、ＱＦＮパッケージ１が配線基板に実装される場合に、はんだを介して配線基板の回路に接続される端子面である。被接続面４ｂは、モールド樹脂８の裏面８ｂと同一平面上に延在している。
【００２３】
外部リード４は、ダイパッド３の周縁に沿った矢印１０に示す方向に複数設けられている。これにより、外部リード４は半導体チップ２の周縁を囲むように所定の間隔を隔てて配列されている。矢印１０に示す方向における外部リード４の長さ（以下、外部リード４の幅とも呼ぶ）は、一方端５では、幅Ｂであり、他方端６では、幅Ｂよりも小さい幅ｂとなっている。つまり、外部リード４は、他方端６側で幅が小さく絞られた形状を有している。被接続面４ｂに対して直角方向の外部リード４の長さ（以下、外部リード４の厚みとも呼ぶ）は、一方端５から他方端６にかけて常に一定となっている。
【００２４】
この発明の実施の形態１に従った半導体装置としてのＱＦＮパッケージ１は、半導体チップ２と、半導体チップ２が搭載される主表面３ａを含むダイパッド３と、ダイパッド３の周縁に沿って互いに間隔を隔てて配置され、半導体チップ２に電気的に接続される複数のリード端子としての外部リード４と、半導体チップ２、ダイパッド３および外部リード４の一部を覆うように設けられ、側面８ｃを含む樹脂部材としてのモールド樹脂８とを備える。
【００２５】
外部リード４は、半導体チップ２に向い合って位置する一方端５と、モールド樹脂８から露出し、側面８ｃと同一平面上に延在する他方端６とを含む。外部リード４は、複数の外部リード４が配置される方向としての矢印１０に示す方向の外部リード４の長さが、一方端５よりも他方端６の方が小さくなるように形成されている。
【００２６】
ダイパッド３は、主表面３ａとは反対側に位置し、モールド樹脂８から露出する第１の表面としての裏面３ｂをさらに含む。外部リード４は、裏面３ｂとほぼ同一平面上で一方端５から他方端６にまで延在し、モールド樹脂８から露出する第２の表面としての被接続面４ｂをさらに含む。
【００２７】
なお、本実施の形態では、本発明による半導体装置をＱＦＮパッケージ１に適用したが、当然これに限定されるものではない。ＱＦＮパッケージ１にかえて、たとえば、外部リードが半導体チップの周りで向い合う二辺に配置されたＳＯＮ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ）パッケージに適用しても良い。
【００２８】
また、外部リード４は、一方端５から他方端６にかけて外部リード４の幅が徐々に小さくなる形状に形成されていても良いし、一方端５と他方端６との中間部分で段付きに形成されていても良い。
【００２９】
続いて、図１および図３から図１１を参照しながら、図１中のＱＦＮパッケージ１の製造方法について説明を行なう。
【００３０】
図３は、図１に示すＱＦＮパッケージの製造方法の第１工程を示す斜視図である。図３を参照して、銅板にプレスまたはエッチング処理を施すことによって、銅板を所定形状にパターニングする。これにより、複数の半導体パッケージ形成領域１８が距離を隔てて位置するリードフレーム１７を形成する。半導体パッケージ形成領域１８には、後に続く工程で個々の半導体パッケージに分割される領域であるユニット１９が格子状に配列されている。
【００３１】
図４は、図３中の２点鎖線ＩＶで囲む領域を裏面側から見た平面図である。図４を参照して、ユニット１９は、４本のダイバー２３によって囲まれた領域に形成されている。ユニット１９は、ダイパッド３と、ダイパッド３とダイバー２３とを連結する吊りリード２１と、ダイバー２３に連なり、ダイバー２３からダイパッド３に向けて延びる複数の外部リード４とから構成されている。外部リード４は、ダイバー２３に連なる部分の幅がダイパッド３に向い合う部分の幅よりも小さくなるように形成されている。
【００３２】
図５は、図１に示すＱＦＮパッケージの製造方法の第２工程を示す断面図である。図５ならびに以下に続く図６、図８および図１１に示す断面は、図４中のＶ−Ｖ線上に沿った断面に相当する。図５を参照して、半導体チップ２の裏面に接着剤２６を塗布する。接着剤２６には、ペースト状の接着剤の他、フィルム状の接着剤も使用することができる。半導体チップ２をダイパッド３の主表面３ａに貼り付ける。
【００３３】
図６は、図１に示すＱＦＮパッケージの製造方法の第３工程を示す断面図である。図６を参照して、超音波熱圧着ボンディング法などを用いて、半導体チップ２の端子と外部リード４の頂面４ａとをボンディングワイヤ９によって接続する。ボンディングワイヤ９には、たとえば、金（Ａｕ）線を用いることができる。
【００３４】
図７は、図１に示すＱＦＮパッケージの製造方法の第４工程を示す斜視図である。図８は、図７中のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線上に沿った断面図である。図７および図８を参照して、半導体チップ２およびボンディングワイヤ９が完全に覆われるように、リードフレーム１７の表面をモールド樹脂２８で被覆する。この際、図３中のユニット１９ごとに区分けしてモールド樹脂２８で被覆するのではなく、半導体パッケージ形成領域１８の全体を一括して被覆する。
【００３５】
図９は、図１に示すＱＦＮパッケージの製造方法の第５工程を示す斜視図である。図９を参照して、モールド樹脂２８の頂面側にダイシングシート３０を貼り付けた後、リードフレーム１７が上側を向くように全体を裏返す。回転する回転ブレード３１を図４中のカットライン２２に沿って移動させ、リードフレーム１７を図３中のユニット１９ごとに切断する。回転ブレード３１の刃先の幅は、カットライン２２の幅に対応し、たとえば、０．３ｍｍ程度に形成されている。
【００３６】
この切断工程によって、リードフレーム１７から図１中に示すＱＦＮパッケージ１が複数個切り出される。リードフレーム１７とモールド樹脂２８とが同時に切断されるため、外部リード４の他方端６は、モールド樹脂８の側面８ｃと同一平面上に延在している。
【００３７】
図１０は、図１中の矢印Ｘの方向から見たＱＦＮパッケージを示す側面図である。図１０を参照して、回転ブレード３１でリードフレーム１７が切断されることによって、外部リード４の他方端６が切断面として形成される。このため、外部リード４の他方端６には、回転ブレード３１の移動方向に突出したバリ３２が形成されてしまう。
【００３８】
しかし、ＱＦＮパッケージ１では、外部リード４の幅が、一方端５では幅Ｂであり、他方端６では幅Ｂよりも小さい幅ｂとなっている。このため、外部リード４を設けるピッチを維持したまま、隣り合う外部リード４間の距離Ｌを大きくとることができる。また、他方端６を一方端５よりも小さい幅で形成することによって、切断時に発生する外部リード４と回転ブレード３１との間の抵抗を小さくすることができる。これにより、形成されるバリ３２の大きさは小さくなる。以上の理由から、外部リード４の他方端６に形成されるバリ３２が、その外部リード４の隣りに位置する別の外部リード４に接触することを防止できる。
【００３９】
図１１は、図１に示すＱＦＮパッケージを配線基板に実装する工程を示す断面図である。図１１を参照して、所定の回路が形成された表面３３ａを有する配線基板３３を準備する。表面３３ａとモールド樹脂８の裏面８ｂとが互いに向い合うように、ＱＦＮパッケージ１を配線基板３３の表面３３ａ上に位置決めする。表面３３ａに形成された回路と外部リード４の被接続面４ｂとをはんだで接続することによって、ＱＦＮパッケージ１を配線基板３３に実装する。この際、表面３３ａとダイパッド３の裏面３ｂとをはんだによって接続しても良い。この場合、半導体チップ２で発生する熱をダイパッド３およびはんだを介して配線基板３３側に逃がすことができる。
【００４０】
以上に説明したようにＱＦＮパッケージ１の製造方法では、複数のＱＦＮパッケージ１が切り出される領域を一括してモールド樹脂２８で被覆する方法が採用されている。このような方法を採用することによって、まず１つに、リードフレーム１７にパッケージ間の取り代を設ける必要がないというメリットがある。またＱＦＮパッケージ１においては、モールド樹脂８の側面から外部リード４が突出しないため、パッケージの小型化を図ることができる。
【００４１】
また別に、一括して形成するモールド樹脂２８の形状は個々のパッケージの形状によらないため、新規のパッケージを開発する際にモールド樹脂の金型を新たに製作する必要がないというメリットがある。これにより、新規のパッケージを開発する際の投資を小さくすることができ、さらにパッケージの開発期間を短縮することができる。
【００４２】
このように構成されたＱＦＮパッケージ１によれば、外部リード４の他方端６に形成されるバリ３２によって、隣り合う外部リード４間が短絡することを回避できる。これにより、所望の電気的特性を発揮する信頼性の高い半導体パッケージを実現することができる。また、切断時における外部リード４と回転ブレード３１との間の抵抗を小さくできるため、回転ブレード３１の磨耗を軽減させることができる。これにより、半導体パッケージの切断工程を円滑に進めることができるとともに、半導体パッケージの生産コストを削減することができる。
【００４３】
なお、リードフレームの切断時にバリが発生するという事態は、一括モールドの場合のみならず個々の半導体パッケージごとをモールド樹脂で覆う場合にも起こり得る。しかしこの場合、リードフレームの切断には、通常プレス用の金型が用いられるため、バリは半導体パッケージの被実装面側に突出するように形成される。このため、隣り合う外部リード間で発生する短絡を防止するという本発明の効果は、一括モールドによって形成された半導体パッケージで特に得ることができる効果である。
【００４４】
また、一括モールドによって形成された半導体パッケージでは、モールド樹脂の側面と外部リードの切断面とが同一平面上に形成される。このため、外部リードのバリはモールド樹脂に埋め込まれた形態で形成されやすい。このような形態でバリが形成された場合、後になってそのバリを取り除くことは非常に困難である。そこで、バリが大きく形成されることを防止し、さらにバリが形成されても短絡が発生しにくい本発明が有効にその効果を発揮する。
【００４５】
（実施の形態２）
この発明の実施の形態２におけるＱＦＮパッケージは、実施の形態１におけるＱＦＮパッケージ１と基本的には同様の構造を備える。以下において、重複する構造の説明は省略する。
【００４６】
図１２は、この発明の実施の形態２におけるＱＦＮパッケージを示す斜視図である。図１２では、ＱＦＮパッケージの内部構造を表わすために一部が透視されて描かれている。
【００４７】
図１２を参照して、ＱＦＮパッケージ４１では、外部リード４の幅が、一方端５では幅Ｂであり、他方端６では幅Ｂよりも小さい幅ｂとなっているのに加えて、外部リード４の厚みが、一方端５では厚みＴであり、他方端６では厚みＴよりも小さい厚みｔとなっている。つまり、外部リード４は、他方端６側で幅および厚みとも小さく絞られた形状を有している。
【００４８】
この発明の実施の形態２に従ったＱＦＮパッケージ４１では、外部リード４は、外部リード４の厚みが、一方端５よりも他方端６の方が小さくなるように形成されている。
【００４９】
このようなＱＦＮパッケージ４１は、実施の形態１における図３に示す工程において、外部リード４の他方端６に相当するリードフレームの部分にダイパッド３の主表面３ａ側からハーフエッチング処理を施すことによって得ることができる。
【００５０】
このように構成されたＱＦＮパッケージ４１によれば、実施の形態１における図９に示す工程において、外部リード４と回転ブレード３１との間の抵抗をさらに小さくすることができる。これにより、隣り合う外部リード４間で短絡が発生することをより確実に防止するとともに、回転ブレード３１の磨耗をさらに軽減させることができる。
【００５１】
なお、実施の形態１における図３に示す工程において、カットライン２２に重なるダイバー２３にハーフエッチング処理を施しておけば、回転ブレード３１の磨耗をより一層軽減させることができる。
【００５２】
（実施の形態３）
この発明の実施の形態３では、ＱＦＮパッケージの製造工程で用いられるリードフレームの形状が実施の形態１と異なる。以下において、重複する構造の説明は省略する。
【００５３】
図１３は、この発明の実施の形態３において、ＱＦＮパッケージの製造工程に用いられるリードフレームを示す平面図である。図１３は、実施の形態１における図４に対応する図である。
【００５４】
図１３を参照して、実施の形態３では、実施の形態１における図３に示す工程において、リードフレーム１７にかえてリードフレーム５０を用いる。リードフレーム５０は、リードフレーム１７と基本的には同様の構造を備えるが、ダイバー２３が互いに直交する位置に矩形の枠部５２が形成されている。矩形の枠部５２は、開口部５１を規定しており、その開口部５１は、カットライン２２に重なるように位置している。
【００５５】
このように構成されたリードフレーム５０によれば、実施の形態１における図９に示す工程において、回転する回転ブレード３１をカットライン２２に沿って移動させる際、開口部５１の位置でダイバー２３を切断する必要がない。このため、回転ブレード３１の磨耗をさらに軽減させることができる。
【００５６】
（実施の形態４）
この発明の実施の形態４におけるＱＦＮパッケージは、実施の形態１におけるＱＦＮパッケージ１と基本的には同様の構造を備える。以下において、重複する構造の説明は省略する。
【００５７】
図１４は、この発明の実施の形態４におけるＱＦＮパッケージを示す底面図である。図１４は、実施の形態１における図２に対応する図である。
【００５８】
図１４を参照して、ＱＦＮパッケージ６１では、４本の吊りリード２１がそれぞれダイパッド３の角部からモールド樹脂８の周縁に向かって延びている。吊りリード２１は、ダイパッド３の裏面３ｂに平行に延在し、裏面３ｂに対して段差をもって形成された表面２１ｂを有する。表面２１ｂは、モールド樹脂８によって覆われている。結果、ＱＦＮパッケージ６１の外観は、ＱＦＮパッケージ１の外観と変わらない。
【００５９】
図１５は、図１４中のＱＦＮパッケージの製造工程に用いられるリードフレームを示す平面図である。図１５は、実施の形態１における図４に対応する図である。
【００６０】
図１５を参照して、実施の形態４では、実施の形態１における図３に示す工程において、リードフレーム６２の吊りリード２１部分にハーフエッチング処理を施す。これにより、吊りリード２１の表面２１ｂが、ダイパッド３の裏面３ｂよりも後退した位置に形成される。
【００６１】
この発明の実施の形態４に従ったＱＦＮパッケージ６１は、ダイパッド３の周縁から放射状に延びる吊りリード部としての吊りリード２１をさらに備える。吊りリード２１は、裏面３ｂと平行に延在し、モールド樹脂８によって覆われた第３の表面としての表面２１ｂを含む。
【００６２】
このように構成されたＱＦＮパッケージ６１によれば、吊りリード２１の表面２１ｂはモールド樹脂８によって覆われている。このため、実施の形態１における図１１に示す工程において、ＱＦＮパッケージ６１が配線基板に対して誤差をもって位置決めされた場合であっても、吊りリード２１と配線基板とが短絡することを防止できる。たとえば、吊りリード２１と、その吊りリード２１に隣り合う外部リード４とが、配線基板上の同一端子に接続されるという事態を回避することができる。これにより、ＱＦＮパッケージ６１を所望の動作が可能な状態に配線基板上に実装することができる。
【００６３】
（実施の形態５）
この発明の実施の形態５におけるＱＦＮパッケージは、実施の形態１におけるＱＦＮパッケージ１と基本的には同様の構造を備える。以下において、重複する構造の説明は省略する。
【００６４】
図１６は、この発明の実施の形態５におけるＱＦＮパッケージを示す底面図である。図１６は、実施の形態１における図２に対応する図である。
【００６５】
図１６を参照して、ＱＦＮパッケージ７１では、隣り合う外部リード４間で接続リード７３が延びている。接続リード７３は、外部リード４の被接続面４ｂに平行に延在し、被接続面４ｂに対して段差をもって形成された表面７３ｂを有する。表面７３ｂは、モールド樹脂８によって覆われている。結果、ＱＦＮパッケージ７１の外観は、ＱＦＮパッケージ１の外観と変わらない。このような接続リード７３を設けることによって、接続リード７３に接続された外部リード４を互いに同電位に設定することができる。
【００６６】
図１７は、図１６中のＱＦＮパッケージの製造工程に用いられるリードフレームを示す平面図である。図１７は、実施の形態１における図４に対応する図である。
【００６７】
図１７を参照して、実施の形態５では、実施の形態１における図３に示す工程において、リードフレーム７２の接続リード７３部分にハーフエッチング処理を施す。これにより、接続リード７３の表面７３ｂが、外部リード４の被接続面４ｂよりも後退した位置に形成される。
【００６８】
この発明の実施の形態５に従ったＱＦＮパッケージ７１は、隣り合う外部リード４間を電気的に接続する接続端子としての接続リード７３をさらに備える。接続リード７３は、被接続面４ｂと平行に延在し、モールド樹脂８によって覆われた第４の表面としての表面７３ｂを含む。
【００６９】
このように構成されたＱＦＮパッケージ７１によれば、接続リード７３を露出させることなく、また金線等によって接続加工を行なうことなく、隣り合う外部リード４間を電気的に接続することができる。これにより、たとえば、隣り合う外部リード４をそれぞれ接続する配線基板の端子間に独立した配線が延在している場合であっても、その配線に絶縁被膜を設ける等の処理を施すことなく、隣り合う外部リード４間を電気的に接続することができる。
【００７０】
（実施の形態６）
この発明の実施の形態６におけるＱＦＮパッケージは、実施の形態１におけるＱＦＮパッケージ１と基本的には同様の構造を備える。以下において、重複する構造の説明は省略する。
【００７１】
図１８は、この発明の実施の形態６におけるＱＦＮパッケージを示す底面図である。図１８は、実施の形態１における図２に対応する図である。図１８を参照して、ＱＦＮパッケージ７６では、ダイパッド３の角部のうち一箇所に段差部７７が形成されている。段差部７７は、ダイパッド３の裏面３ｂに対して一段低く形成されている。段差部７７は、モールド樹脂８によって覆われている。
【００７２】
この発明の実施の形態６に従ったＱＦＮパッケージ７６では、ダイパッド３の裏面３ｂの角部に段差としての段差部７７が形成されている。
【００７３】
このようなＱＦＮパッケージ７６は、実施の形態１における図３に示す工程において、ダイパッド３の角部のうち一箇所に裏面３ｂ側からハーフエッチング処理を施すことによって得ることができる。
【００７４】
このように構成されたＱＦＮパッケージ７６によれば、ＱＦＮパッケージ７６を所定の位置に位置決めする際に、ダイパッド３の角部に形成された段差部７７をインデックス表示として利用することができる。たとえば、段差部７７が形成されている位置からＱＦＮパッケージ７６の向きを読み取り、ＱＦＮパッケージ７６を正しい方向で配線基板に実装することができる。
【００７５】
（実施の形態７）
この発明の実施の形態７におけるＱＦＮパッケージは、実施の形態１におけるＱＦＮパッケージ１と基本的には同様の構造を備える。以下において、重複する構造の説明は省略する。
【００７６】
図１９は、この発明の実施の形態７におけるＱＦＮパッケージを示す底面図である。図１９は、実施の形態１における図２に対応する図である。図１９を参照して、ＱＦＮパッケージ７８では、外部リード４の被接続面４ｂおよびダイパッド３の裏面３ｂに、幅の狭い溝が間隔を隔てて多数形成されている。また、溝形状にかえて外部リード４の被接続面４ｂおよびダイパッド３の裏面３ｂを梨地状に形成しても良い。
【００７７】
この発明の実施の形態７に従ったＱＦＮパッケージ７８では、被接続面４ｂおよび裏面３ｂの少なくとも一方は、凹凸形状に形成されている。
【００７８】
このようなＱＦＮパッケージ７８は、実施の形態１における図３に示す工程において、被接続面４ｂおよび裏面３ｂに適当なハーフエッチング処理を施すことによって得ることができる。
【００７９】
このように構成されたＱＦＮパッケージ７８によれば、実施の形態１における図１１に示す工程において、はんだを用いてＱＦＮパッケージ７８を配線基板に実装する際に、被接続面４ｂおよび裏面３ｂとはんだとの接触面積を大きくすることができる。これにより、被接続面４ｂおよび裏面３ｂに対するはんだの密着性を増大させることができるため、ＱＦＮパッケージ７８の実装の信頼性を向上させることができる。
【００８０】
（実施の形態８）
図２０は、この発明の実施の形態８におけるリードフレームを示す平面図である。図２０に示すリードフレームは、実施の形態１における図３に示す工程において、リードフレーム１７にかえて使用される。実施の形態１において説明した製造方法を実施することによって、このリードフレームから実施の形態１から７のいずれかに記載のＱＦＮパッケージが製造される。
【００８１】
図２０を参照して、リードフレーム８１の中央部には、矩形形状の半導体パッケージ形成領域９０が規定されている。図３中の半導体パッケージ形成領域１８と同様に、半導体パッケージ形成領域９０には、後に続く工程で個々の半導体パッケージに分割される領域であるユニット８２が格子状に配列されている。隣り合うユニット８２の間をカットライン８８が延在している。
【００８２】
半導体パッケージ形成領域９０の周縁から所定の距離を隔てた位置には、モールド端ライン８９が延在している。モールド端ライン８９は、図７および図８に示すモールド樹脂２８（半導体パッケージ形成領域９０の全体を一括して覆うモールド樹脂）の周縁が延在するラインである。半導体パッケージ形成領域９０の周りには、半導体パッケージ形成領域９０の周縁とモールド端ライン８９とに囲まれ、帯状に延在する周縁領域８３が規定されている。周縁領域８３には、所定の間隔を隔てて設けられた開口部８５と、隣り合う開口部８５の間に延在する溝部８６とが形成されている。
【００８３】
さらに周縁領域８３の周りには、リードフレーム８１の周縁に沿った周縁領域８４が規定されている。周縁領域８４には、カットライン８８の延長線上に延びるスリット８７が複数形成されている。
【００８４】
この発明の実施の形態８に従ったリードフレーム８１は、実施の形態１から７のいずれかに記載の半導体パッケージの製造に用いられ、複数の半導体パッケージが切り出されるリードフレームである。リードフレーム８１は、ダイパッド３と複数の外部リード４とが連なった状態のユニット８２が格子状に配列された半導体装置形成領域としての半導体パッケージ形成領域９０と、半導体パッケージ形成領域９０の周縁に沿って帯状に延在し、互いに間隔を隔てて複数の開口部８５が形成された第１の周縁領域としての周縁領域８３とを備える。
【００８５】
周縁領域８３には、隣り合う開口部８５の間に延在する溝部８６が形成されている。リードフレーム８１は、周縁領域８３の周りに帯状に延在し、隣り合うユニット８２の境界線が延びる方向にスリット８７が形成された第２の周縁領域としての周縁領域８４をさらに備える。
【００８６】
このように構成されたリードフレーム８１によれば、周縁領域８３には開口部８５が形成されている。このため、リードフレーム８１の周縁領域８３に対するモールド樹脂２８の密着性を向上させることができる。これにより、実施の形態１における図９に示す工程において、リードフレーム８１を回転ブレード３１によって切断する際に、リードフレーム８１の周縁領域８３がモールド樹脂２８から分離することを防止できる。その一方で、モールド樹脂２８はダイシングシート３０に貼り付けられた状態を維持している。この結果、リードフレーム８１の切断時にリードフレーム８１の切れ端が飛び散り、その切れ端によって半導体パッケージが傷付くという事態を回避することができる。
【００８７】
なお、開口部８５は、カットライン８８の延長線上からずれた位置に形成されていることが好ましい。これによって、上述の効果をより確実に得ることができる。また、リードフレーム８１では、開口部８５の間に溝部８６が形成されている。このため、リードフレーム８１の周縁領域８３に対するモールド樹脂２８の密着性をさらに向上させることができる。
【００８８】
さらに、リードフレーム８１の周縁領域８４には、カットライン８８の延長線に沿って延びるスリット８７が形成されている。このため、実施の形態１における図９に示す工程において、リードフレーム８１の周縁領域８４を回転ブレード３１によって切断する際に、回転ブレード３１をスリット８７に沿って移動させることとなる。これにより、回転ブレード３１の磨耗を軽減させることができる。
【００８９】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００９０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に従えば、リード端子間で短絡が生じることを確実に防止できるとともに、回転ブレードによる切断が円滑に行なわれる半導体装置およびリードフレームを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１におけるＱＦＮパッケージを示す斜視図である。
【図２】図１中の矢印ＩＩの方向から見たＱＦＮパッケージを示す底面図である。
【図３】図１に示すＱＦＮパッケージの製造方法の第１工程を示す斜視図である。
【図４】図３中の２点鎖線ＩＶで囲む領域を裏面側から見た平面図である。
【図５】図１に示すＱＦＮパッケージの製造方法の第２工程を示す断面図である。
【図６】図１に示すＱＦＮパッケージの製造方法の第３工程を示す断面図である。
【図７】図１に示すＱＦＮパッケージの製造方法の第４工程を示す斜視図である。
【図８】図７中のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線上に沿った断面図である。
【図９】図１に示すＱＦＮパッケージの製造方法の第５工程を示す斜視図である。
【図１０】図１中の矢印Ｘの方向から見たＱＦＮパッケージを示す側面図である。
【図１１】図１に示すＱＦＮパッケージを配線基板に実装する工程を示す断面図である。
【図１２】この発明の実施の形態２におけるＱＦＮパッケージを示す斜視図である。
【図１３】この発明の実施の形態３において、ＱＦＮパッケージの製造工程に用いられるリードフレームを示す平面図である。
【図１４】この発明の実施の形態４におけるＱＦＮパッケージを示す底面図である。
【図１５】図１４中のＱＦＮパッケージの製造工程に用いられるリードフレームを示す平面図である。
【図１６】この発明の実施の形態５におけるＱＦＮパッケージを示す底面図である。
【図１７】図１６中のＱＦＮパッケージの製造工程に用いられるリードフレームを示す平面図である。
【図１８】この発明の実施の形態６におけるＱＦＮパッケージを示す底面図である。
【図１９】この発明の実施の形態７におけるＱＦＮパッケージを示す底面図である。
【図２０】この発明の実施の形態８におけるリードフレームを示す平面図である。
【符号の説明】
１，４１，６１，７１，７６，７８  ＱＦＮパッケージ、２  半導体チップ、３  ダイパッド、３ａ  主表面、３ｂ  裏面、４  外部リード、４ｂ  被接続面、５  一方端、６  他方端、８  モールド樹脂、８ｃ  側面、１７，５０，６２，８１  リードフレーム、１８，９０  半導体パッケージ形成領域、１９，８２ユニット、２１  吊りリード、２１ｂ，７３ｂ  表面、７３  接続リード、７７  段差部、８３，８４  周縁領域、８５  開口部、８６  溝部、８７  スリット。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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