(57)【要約】【課題】外形が円形状の成形体を焼成時に成形体が軟化して収縮する際、焼成治具における平面との接触が大きく、この平面に倣って収縮、焼成するため、焼成後の円筒体の内外周の真円度、円筒度が悪く、その後に機械仕上げ加工を行う必要があるため、作製時間が長く、コストを低減することができなかった。【解決手段】外形が円形状の成形体２３をＶ溝１２に載置して焼成するための焼成治具１４であって、上記Ｖ溝１２をなす２面が互いに成形体２３側に突出する円弧状面２１にすることにより、成形体２３が焼結して、収縮する際に起きる形状変形及びすべりによるキズがなくなる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外形が円形状の成形体をＶ溝に載置して焼成するための焼成治具であって、上記Ｖ溝をなす２面が互いに成形体側に突出する円弧状面からなることを特徴とする成形体焼成治具。
【請求項２】
上記円弧状面が、外周面同士を隣接するように配置した２本の円柱体により形成されることを特徴とする請求項１に記載の成形体焼成治具。
【請求項３】
上記円柱体が一定速度で回転することを特徴とする請求項２に記載の成形体焼成治具
【請求項４】
上記円弧状面の曲率半径が成形体の径に対し、１〜２倍であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の焼成治具。
【請求項５】
上記Ｖ溝を長手方向に設けるとともに、複数列設けることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の成形体焼成治具。
【請求項６】
高純度アルミナセラミックスからなることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の成形体焼成治具。
【請求項７】
上記Ｖ溝の真直度が５μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の成形体焼成治具。
【請求項８】
上記成形体が光通信用フェルールとなる円筒状セラミック成形体であることを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の成形体焼成治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミクロン単位の高い寸法精度が要求される光通信用フェルール等の外形が円形状をなす成形体を焼成する際に用いる焼成治具に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、セラミック焼結体は、高強度、高い耐磨耗性、高剛性、低熱膨張性、高い耐熱性、高硬度などの特性を利用して、光通信用部品、工作機械部品、測定装置、エンジン、送風機、軸受け、工具、潤滑剤等に用いられてきている。また化学的な安定性を利用して化学装置や断熱性あるいは伝熱性を利用した機器への応用も図られてきている。
【０００３】
また、通信における情報量の増大に伴い、光ファイバを用いた光通信が使用されている。この光通信において、光ファイバ同士の接続、あるいは光ファイバと各種光素子との接続には光コネクタが用いられている。
【０００４】
例えば、光ファイバ同士を接続するコネクタの場合、図５に示すように軸方向に貫通孔１ａを有する筒状のフェルール１を用いて、図６に示すようにフェルール１に形成された貫通孔１ａに光ファイバ３の端部を挿通保持し、一対のフェルール１をスリーブ４の両側から挿入して、その内部で凸球面状に加工した先端面１ｄ同士を当接させるようにした構造となっている。
【０００５】
上記フェルール１の材質としては、セラミック焼結体が大半を占めており、加工精度が高く、内径、外径の公差を１μｍ以下と高精度に加工することができ、摩擦係数が低いため光ファイバの挿入性に優れ、剛性が高く熱膨張係数が低いことから外部応力や温度変化に対して安定であり、耐食性にも優れているためである。
【０００６】
フェルール１の製品として要求される寸法精度の概要として図５に示すように、外周１ｃの円筒度、真円度及び貫通孔１ａの真円度、同芯度が各μｍ単位の要求寸法公差となる。
【０００７】
また、形状は後端面１ｂのコーン加工やＰＣ面である先端面１ｄの加工が必要である。
【０００８】
このようなフェルール１を製造する場合には、先ず、出発原料にバインダー樹脂を混合し成形前原料を形成し、この混合物を押出成形によって円筒状セラミック成形体を形成し、所定温度で焼成する。この焼成では、図７に示す焼成治具１４を用いて焼成しており、この焼成治具１４は、アルミナ、ジルコニア、等からなる薄い角板１０の上面の長手方向に平面１１からなるＶ溝１２を有し、このＶ溝１２を複数列形成したものであり、このＶ溝１２は、製品の大きさもしくは焼成炉によって決まるが焼成治具１４のＶ溝１２は２０〜４０列あり、上記Ｖ溝１２に成形体２３をのせて焼成することで、焼成時の変形を防止していた。その後、機械による仕上げ研磨や研削といった加工を施して仕上げた。
【特許文献１】特開２００１−１４５９０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、図７に示すように焼成治具１４のＶ溝１２は、２つの平面１１から形成されているため、焼成時に成形体２３が軟化して収縮する際、Ｖ溝１２を形成する平面１１との接触が大きく、この平面に倣って収縮、焼成するため、焼成後の円筒体の内外周の真円度、円筒度が悪いという問題があった。
【００１０】
また、焼成時にＶ溝１２をなす平面１１と成形体２３の収縮により、すべりが生じるが、Ｖ溝１２が平面１１からなるため、収縮時の接触面積が大きく、傷が生じやすいという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の問題に鑑み本発明は、外形が円形状の成形体をＶ溝に載置して焼成するための焼成治具であって、上記Ｖ溝をなす２面が互いに成形体側に突出する円弧状面からなることを特徴とする。
【００１２】
また、上記円弧状面が、外周面同士を隣接するように配置した２本の円柱体により形成されることを特徴とする。
【００１３】
さらに、上記円柱体が一定速度で回転することを特徴とする。
【００１４】
またさらに、上記円弧状面の曲率半径が成形体の径に対し、１〜２倍であることを特徴とする。
【００１５】
さらにまた、上記Ｖ溝を長手方向に設けるとともに、複数列設けることを特徴とする。
【００１６】
また、高純度アルミナセラミックスからなることを特徴とする。
【００１７】
さらに、上記Ｖ溝の真直度が５μｍ以下であることを特徴とする。
【００１８】
またさらに、上記成形体が光通信用フェルールとなる円筒状セラミック成形体であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、外形が円形状の成形体をＶ溝に載置して焼成するための焼成治具であって、上記Ｖ溝をなす２面が互いに成形体側に突出する円弧状面からなることから、成形体が焼結して、収縮する際にその接触面積を極めて小さなものとすることができ、形状変形やすべりによるキズの発生を防止することができる。
【００２０】
また、上記円弧状面が、外周面同士を隣接するように配置した２本の円柱体により形成されることから、形状変形やすべりによるキズの発生を有効に防止し、成形体の真円度を高くすることができる。
【００２１】
さらに、上記円柱体が一定速度で回転することから、収縮する際にその接触面積を極めて小さなものとすることができ、成形体の真円度をより高いものとすることができる。
【００２２】
またさらに、上記円弧状面の曲率半径が成形体の径に対し、１〜２倍であることから、成形体が容易にＶ溝をなす円弧状面に載置することができる。
【００２３】
さらにまた、上記Ｖ溝を長手方向に設けるとともに、複数列設けることから、多数の成形体を載置することができる。
【００２４】
また、高純度アルミナセラミックスからなることから、焼成時の高温によって焼成治具の変形が生じることはなく、Ｖ溝をなす２面の円弧状面に載置した成形体においても、焼成治具に倣って焼成するので形状変形を防止することができる。
【００２５】
さらに、上記Ｖ溝の真直度が５μｍ以下であることから、成形体の円筒度を高精度に保持したまま、焼成後においてもその真直度を５μｍ以下と高精度なものとすることができる。
【００２６】
またさらに、上記成形体が光通信用フェルールとなる円筒状セラミック成形体であることから、得られたフェルールの外周の円筒度、真円度及び貫通孔の真円度、同芯度を非常に高いものとでき、光ファイバ同士の接続、あるいは光ファイバと各種光素子との接続時に損失の小さなフェルールを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の成形体焼成治具の実施形態を図面を用いて詳細に説明する。
【００２８】
図１（ａ）は、本発明の成形体焼成治具２４（以下、単に焼成治具と称す）に外形が円形状の成形体２３を載置した際の一実施形態を示す斜視図であり、（ｂ）は同図（ａ）の拡大正面図である。
【００２９】
本発明の焼成治具２４は、外形が円形状の成形体２３をＶ溝２２に載置して焼成するための焼成治具２４であって、Ｖ溝２２をなす２面が互いに成形体２３側に突出する円弧状面状面２１からなる。
【００３０】
このように、成形体２３を円弧状面２１からなるＶ溝２２に載置すると、成形体２３の外周面と円弧状面２１とが互いに円弧状で線接触するため、その接触面積を非常に小さなものとすることができる。したがって、焼成中に成形体２３が収縮して、その自重で下側に移動する際にも曲率同士の線接触のため、非常に滑らかに接触移動するので、成形体２３に外周面に変形が生じるのを有効に防止でき、また、線接触面であるため焼成治具２４によって成形体２３にキズが生じることもない。
【００３１】
成形体２３が、セラミックスから成る場合、熱可塑性材料のため、雰囲気温度が４０℃程度から軟化し始め、原料粉末に添加されたバインダは８００℃までに完全に熱分解してしまう。
【００３２】
その後、成形体２３の粉体のみ粒子成長が始まる。一般的に粒子成長の温度は、比表面積が大きければ、８００℃くらいから始まるが比表面積が小さければ、１００〜２００℃遅くなる。つまり、比表面積が大きいということは、粒子径が小さいことを意味している。そのため、粒子径の小さいものは熱容量が低い状態でも核部分まで伝わり、成長し始める。
【００３３】
粒子成長と同時に、格子形状においても変位していき、単斜晶、正方晶、立方晶の順で変位して、立方晶の最終変態点で正方晶及び立方晶の混合格子にて、焼結体を作製している。このときの温度が一般的に１３００〜１６００℃で完全焼結体になる。
【００３４】
このように、成形体２３が雰囲気温度４０℃から軟化し始めるため、４０℃から成形体２３も形状変形が始まる。しかしながら、この状態の時にはバインダがまだ分解しておらず、成形体２３の形状変形は多少するものの、形状変形温度はバインダの完全熱分解後に始まる。つまり、完全熱分解と同時に粒子成長が始まり、追って収縮も始まる。そのため、完全熱分解時に焼成治具２４のＶ溝２２を成す面とすべりで変形をしてしまう。しかし、Ｖ溝２２が円弧状面２１からなるため、成形体２３の外周面と円弧状面２１とが線接触となり、成形体２３の収縮時と自重で下側にすべる際に曲率同士のため滑らかに接触移動するので、変形を防止でき、焼成治具２４によって成形体２３にキズが生じることもない。
【００３５】
また、本発明の焼成治具２４は、上記円弧状面２１の曲率半径が成形体２３の径に対し１〜２倍とすることがより好ましく、成形体２３を確実に保持するとともに、焼成収縮時に接触を滑らかとし、さらに焼成による熱を均一に伝えることができる。より好ましくは、成形体２３の径の１．５倍とすることで、成形体２３がより滑らかに接触移動することができる。
【００３６】
さらに、上記Ｖ溝２２を長手方向に複数列設けることで、一度に数多くの成形体２３を載置することができ効率を向上させることができる。
【００３７】
またさらに、上記Ｖ溝の真直度が５μｍ以下であることが好ましく、成形体２３の長手方向の変形も５μｍ以下の高精度なものとすることができる。真直度は、直線形体の幾何学的に正しい直線を意味し、真円度とは円形形体の幾何学的に正しい円からの狂いの大きさであり、円筒度とは直線形体の幾何学的に正しい直線からの差の大きさである。
【００３８】
なお、真直度は、いずれもＪＩＳ−Ｂ０６２１に規定されている。
【００３９】
また、焼成治具２４は、アルミナ、ジルコニア等からなり、特に、純度９９．９％以上の高純度アルミナセラミックスから形成することが好ましく、Ｖ溝２２を精度良く加工することができ、焼成時に高温になっても変形や割れが生じることはなく、成形体２３に影響を及ぼすことがない。また、繰り返しの使用にも変形や割れが生じ難く、長期間使用することができる。
【００４０】
上記高純度アルミナセラミックスは、一度、各格子を変位させて最終変態、つまり焼成治具２４として製品化しており、例えば、アルミナ純度９９．９９％の高純度アルミナ自体の最終変態点温度が１７００〜１９００℃であり、温度が１７００℃以上にならないと変位しないので形状変形が起きないため他のセラミックスに比較しても高温における変形を防止することができる。
【００４１】
また、成形体２３が最終変態点温度が１３００〜１６００℃のセラミックスから成る場合、焼成治具２４に高純度アルミナを使用することが有効であり、チタン酸バリウムのような最終変態点温度が１０００〜１３００℃のようなものは、最終変態点温度が１５００〜１７００℃のアルミナ純度８０〜９０％の低純度アルミナを使用しても同様な効果を得ることができる。
【００４２】
つまり、成形体２３の最終変態点温度より焼成治具２４の最終変態点温度が２００℃以上高ければ、どのような材料でも本発明と同様な効果を得ることができ、特に高純度アルミナから成る場合には、どのような材質の成形体２３を焼成する際においても焼成治具２４に変形が生じることはない。
【００４３】
なお、バインダに熱分解材料を使用したが酸素分解材料においても、同様な効果を得ることができる。
【００４４】
また、図１に示すように本発明の焼成治具２４は、Ｖ溝２２を成す２面が円弧状面２１であれば、種々の形態とすることが可能であり、図１の場合には、平板の長手方向に円弧形状をだすため、ダイヤモンドのマルチ刃等で研磨することによって複数の円弧状面２１を有するＶ溝２２を形成したものである。
【００４５】
また、図２（ａ）に示すように、同寸法の複数の角板の一部にダイヤモンド刃により曲率状になるよう研磨することによって円弧状面２１を形成し、各角板を固定板２７等で接合することで焼成治具２４を形成することで複数の成形体２３を容易に焼成することができる。
【００４６】
さらに、図２（ｂ）に示すように、Ｖ溝２２を成す上記円弧状面は、外周面同士を隣接するように配置した２本の円柱体２５により形成されることが好ましい。
【００４７】
これは、所定寸法に凹部を有する固定具２６と、この固定具２６の凹部内に円柱体２５を２本挿入、固定し、円柱体２５によって円弧状面２１からなるＶ溝２２を形成したものでもよい。このとき、円柱体２５の曲率半径は３〜１０ｍｍ程度であり、同じ形状となっており、２本の円柱体２５間が円弧状となり、成形体２３の外周面との接触が線接触となるため、より真円度の高い成形体を得ることができる。また、この構成において、所望の形状の円柱体２５を２個並べるだけで容易にＶ溝２２を形成することができ、寸法に応じて円柱体２５の径を変更することで種々の曲率半径を有するＶ溝２２を形成することができる。
【００４８】
また、上記円柱体２５が一定速度で回転することが好ましい。これにより、成形体２３の外周面と円柱体２５の側面とが互いに円弧状２１で線接触し、その接触面積を非常に小さなものとすることができるとともに、回転により成形体２３の外周が整形されることにより、真円度をより優れたものとすることができる。
【００４９】
具体的には、図３に示すような手段を用いることができる。図３（ａ）は、焼成治具２４に外形が円形状の成形体２３を載置した際の斜視図、（ｂ）は同図（ａ）の正面図である。
【００５０】
この焼成治具２４では、円弧状面２１が外周面同士を隣接するように配置した２本の円柱体２５からなり、円柱体２５は固定具２６に設置され一定速度で回転し、一方向に回転、移動して焼成することができる。円柱体２５を回転させるためには、円柱体２５の中心にシャフト３７を有したギア３８を具備しており、円柱体２５を設置している固定具２６が直線移動して、該ギア３８が溝路にて回転、シャフト３７を通じて円柱体２５が回転することができる。
【００５１】
このように、成形体２３を円柱体２５からなるＶ溝２２に載置すると、成形体２３の外周面と円柱体２５の側面とが互いに円弧状２１で線接触し、その接触面積を非常に小さなものとすることができる。
【００５２】
成形体２３は、焼成時に熱量により、粒成長が促進され、格子変態を起こし、セラミックスとなる。そのとき、熱分布の影響が寸法精度に左右される。
【００５３】
一般的に、焼成の熱量は、焼成する際に使用される焼成炉内からの輻射熱と円柱体２５からの熱伝導とがあるが、この場合、成形体２３に接している円柱体２５からの熱伝導と接していない輻射熱の影響で、成形体２３への熱移動が異なり、熱分布の均等化が困難となり、粒成長の不均等が起こり、寸法精度に影響が生じる。
【００５４】
本発明は、円柱体２５を回転しながら成形体２３を焼成することにより、円柱体２５の熱伝導、炉内の輻射熱の均等化が図られ、成形体２３への熱移動が均等化されて、熱分布が常に一定となり、粒成長の均一化が図ることができる。
【００５５】
本発明は、固定具２６を焼成炉（一般的：トンネルタイプ）で、焼成するが、このとき焼成炉の入口に固定具２６を置き、出口まで一定速度で送られるようになっている。
【００５６】
本発明は、炉内に溝４０付の溝路３９が設置されており、円柱体２５に具備しているギア３８が溝路３９の溝４０に噛み合い、固定具２６が直進するとギア３８が回転し、シャフト３７を伝導して円柱体２５が回転、円柱体２５の側面をなす２面が成形体２３側に突出するよう設置されているので成形体２３も回転をすることができる。
【００５７】
また、固定具２６の送り速度は、各々の条件によって変わるが、一般的にセラミックスの焼成速度（トンネルタイプ）は、熱容量や炉の容積や炉の長さによって決まるが、本発明の場合は、５ｍｍ／ｍｉｎ〜３０ｍｍ／ｍｉｎである。
【００５８】
上記は、５ｍｍ／ｍｉｎ以下だと成形体２３の回転が速く、円柱体２５との摩擦力で逆に変形が生じ、３０ｍｍ／ｍｉｎ以上だと成形体２３回転速度が遅く、熱の均等化が図れない、そのため、粒成長の均等化が困難となり変形を生じさせる。上記から好ましくは、１５ｍｍ／ｍｉｎがより熱の均等化が図れることができる。
【００５９】
また、本発明は、ギア３８に円柱体２５と同寸法である八角形を使用しているが、多角形でも本発明と同様な効果を得る事ができる。
【００６０】
さらに、ギア３８、溝路３９、シャフト３７を使用して、円柱体２５を回転、成形体２３を回転しているが、成形体２３が回転できればどうような方法でも本発明と同様な効果を得ることができる。
【００６１】
本発明のギア３８、シャフト３７、溝路３９は、アルミナ、ジルコニアからなっている。
【００６２】
このように本発明は、上記から焼成中に成形体２３が収縮して、その自重で下側に移動する際にも曲率同士の線接触のため、非常に滑らかに接触移動するので、成形体２３に外周面に変形が生じるのを有効に防止でき、また、線接触面であるため焼成治具２４によって成形体２３にキズが生じることもなく、収縮時の異形変形がなくなり、さらに成形体２３を回転することにより、均一な熱分布による粒成長の均一化が図られて、円筒度、真円度、同心度がより向上でき、信頼性の高い製品が提供できる。
【００６３】
なお、円柱体２５は、高純度アルミナから形成し、真直度が５μｍ以下であることが好ましい。
【００６４】
なぜなら、高純度アルミナは、焼成温度が１６００℃以上で焼結し、そのため本発明の成形体２３にジルコニアもしくはアルミナを使用しているが、上記焼成温度はいずれも１５００℃以下なため、円柱体２５と成形体２３が接触しながら焼成しても反応せずに焼結するからであり、さらに真円度を５μｍ以下にすることにより、成形体２３と円柱体２５の円弧状面２１が回転して形状転写する際に、成形体２３の外周が真円をなすことができ、真円度、同心度が向上できるからである。
【００６５】
また、このような焼成治具２４は、上記成形体２３が光通信用フェルールとなる円筒状セラミック成形体を焼成する場合に有効に用いることができる。
【００６６】
この焼成治具２４を用いて焼成したフェルールは、外周の円筒度、真円度及び貫通孔の真円度、同芯度が５μｍ以下の高精度なものとすることができ、光ファイバ同士を接続するための光コネクタ用フェル−ルとして、レーザダイオードやフォトダイオード等の光素子と光ファイバを接続する光モジュールに用いた場合、その接続損失をより小さくすることができる。
【００６７】
このように本発明は、焼成治具２４に円弧状面２１からなるＶ溝２２を設けることにより、焼成後の形状変形がなく、各寸法を高精度に焼成でき、殆ど仕上げ加工無しで、信頼性の高い製品が提供でき、大幅に時間を短縮でき、製品コストを低下させることができる。
【００６８】
なお、上記成形体は、セラミックス以外にもチタン酸バリユウム、酸化鉄、ガラス等、成形体２３を焼結させる材料からなる外形が円形状の成形体であれば、どの材料でも、本発明と同様な効果を得ることができる。
【実施例】
【００６９】
以下、本発明の実施例を説明する。
【００７０】
本発明の実施例１として図１に示すような焼成治具２４を作製した。
【００７１】
先ず、高純度アルミナ（アルミナ：９９．９９％）からなる平板の上面の長手方向に円弧状面２１からなるＶ溝２２を形成した。Ｖ溝２２の角度が４５°で円弧状面２１の曲率半径が５ｍｍの焼成治具２４を使用した。
【００７２】
また、実施例２として、図２（ｂ）に示すような焼成治具２４を得るため、高純度アルミナ（アルミナ：９９．９９％）からなり、外径５ｍｍの円柱体２５を２本準備し、アルミナからなる固定具２６の凹部に円柱体２５を載置しＶ溝２２を形成した。
【００７３】
各焼成治具２４のＶ溝２２の１列に、ジルコニアセラミックスからなり、外径３．３３ｍｍ、内径１．６７ｍｍ、長さ１４．３３ｍｍの成形体２３を２０本載置して１３５０℃で焼成した。
【００７４】
さらに、実施例３として、図３に示す焼成治具２４を作製した。
【００７５】
高純度アルミナ（アルミナ：９９．９９％）からなる外径５ｍｍの円柱体２５を２本準備し、固定具２６に設置、該円柱体２５は、予め内径２ｍｍの貫通孔が形成しており、上記貫通孔に高純度アルミナ（アルミナ：９９．９９％）からなるギア３８を具備したシャフト３７を挿入し固定した。
【００７６】
上記シャフト３７の寸法は外径１．９５ｍｍ〜２ｍｍで、円柱体２５の内径２ｍｍと現行勘合で固定していた。
【００７７】
さらに、ギア３８は、直径５ｍｍの八角形を使用し、ギア３８と噛み合う溝路３９の溝４０のピッチ幅は２ｍｍである。
【００７８】
上記焼成治具２４を使用して、トンネル炉で焼成し、固定具２６の送り速度は１５ｍｍ／ｍｉｎで、溝路３９は、予めトンネル炉内に設置していた。
【００７９】
上記焼成治具２４の円柱体２５に、ジルコニアセラミックスからなる外径３．３３ｍｍ、内径１．６７ｍｍ、長さ１４．３３ｍｍの性携帯２３を２０本載置して１３５０℃で焼成した。
【００８０】
比較例として、図５に示すように、高純度アルミナ（アルミナ：９９．９９％）からなる平板の上面の長手方向に平面からなるＶ溝１２を形成した焼成治具１４を作製した。
【００８１】
そして、同様に焼成治具１４のＶ溝１２の１列に、ジルコニアセラミックスからなり、外径３．３３ｍｍ、内径１．６７ｍｍ、長さ１４．３３ｍｍの成形体２３を２０本載置して１３５０℃で焼成した。
【００８２】
焼成後、実施例１、実施例２、実施例３、比較例の焼成治具を用いて得た焼結体の外周の円筒度、真円度、同心度を測定して比較した。
【００８３】
なお、円筒度、真円度は、図３（ａ）に示すように触針測定器２８を用いて、各試料２９の長手方向側を縦に回転治具３０に固定して、試料２９の所定位置から触針３１を所定の応力をかけて試料２９を回転させ、触針３１の試料２９に対する変動を測定する方法で、試料２９の長手方向の直線移動を測定するのが円筒度であり、試料２９の外周変動を測定するのが真円度である。また同心度においては、図３（ｂ）に示すように光学測定器３２を用いて、試料２９の長手方向側を横にして、試料２９を回転治具３０にて回転させる。その後、試料後端部３３から光３６を当てて試料先端部３４から光３６を透過させ、試料先端部３４から透過する光位置３５の変動を測定する。
【００８４】
結果を表１に示す。なお、数値は２０本の平均値である。
【表１】
2005274121.tif 000003
【００８５】
表１の結果より明らかなように、本発明の実施例１、２、３の焼成治具を用いた場合、焼結体試料の平均円筒度は５μｍ、５．５μｍ、３μｍ、平均真円度は１．０μｍ、０．５μｍ、平均同心度は３μｍ、２μｍと非常に小さなものであった。
【００８６】
これに対し、比較例では、平均円筒度３０μｍ、平均真円度５．０μｍ、平均同心度１５μｍとなり、高精度な焼成ができないことが判った。
【００８７】
このように、成形体２３を円弧状面２１からなるＶ溝２２に載置すると、各寸法精度が向上でき、さらに、成形体２３を回転させながら焼成するとより寸法精度が向上できることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】（ａ）は本発明の成形体焼成治具に成形体を載置した斜視図であり、（ｂ）は同図（ａ）の拡大正面図である。
【図２】（ａ）は本発明の成形体焼成治具の他の実施形態を示す斜視図であり、（ｂ）は本発明の成形体焼成治具の他の実施形態と、成形体を載置した斜視図である。
【図３】（ａ）は本発明の成形体焼成治具に成形体を載置した斜視図であり、（ｂ）は同図（ａ）の正面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は円筒度、真円度を測定する方法を説明するための斜視図である。
【図５】光通信用フェルールを示す部分断面平面図である。
【図６】光通信用フェルールを用いた光通信用コネクタを示す断面図である。
【図７】（ａ）は従来の成形体焼成治具に成形体を載置した斜視図であり、（ｂ）は同図（ａ）の拡大正面図である。
【符号の説明】
【００８９】
１：フェルール
１ａ：貫通孔
１ｂ：Ｃ面
１ｃ：外周
１ｄ：ＰＣ面
２  ：支持体
３  ：光ファイバ
４  ：スリーブ
１０：角板
１１：平面
１２：Ｖ溝
１４：焼成治具
２１：円弧状面
２２：Ｖ溝
２３：成形体
２４：焼成治具
２５：円柱体
２６：固定具
２７：固定板
２８：触針測定器
２９：製品
３０：回転治具
３１：触針
３２：光学測定器
３３：製品後端部
３４：製品先端部
３５：光位置
３６：光
３７：シャフト
３８：ギア
３９：溝路
４０：溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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