(57)【要約】【課題】接続部における電気接続状態を確実にし、安定化し、信頼性の高い接続を確保すること、さらに、接続工程の歩留まりを向上させ安価な端子接続を提供する。【解決手段】基板３に形成された接続端子２の表面上に、導電性物質の超微粒子を堆積してなる微粒子層１を形成し、この接続端子２ともう一方の基板５に形成された接続端子４とを微粒子層を介して導電接続する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基体に設けられた第１の導電性端子部と、第２の基体に設けられた第２の導電性端子部とを導電接続した導電接続部の構造において、
前記第１の導電性端子部と前記第２の導電性端子部との間に導電性物質の超微粒子を堆積してなる微粒子層を形成し、該微粒子層を介して前記第１の導電性端子部と前記第２の導電性端子部とを導電接続したことを特徴とする導電接続部の構造。
【請求項２】
請求項１において、前記超微粒子の粒子平均径は約６０ｎｍから３μｍであることを特徴とする導電接続部の構造。
【請求項３】
請求項１において、前記第１の導電性端子部の表面上に前記微粒子層を被着し、前記微粒子層に直接に、前記第２の導電性端子部を接触させたことを特徴とする導電接続部の構造。
【請求項４】
請求項１において、前記微粒子層は、ガス中蒸発法により形成したものであることを特徴とする導電接続部の構造。
【請求項５】
請求項４において、前記微粒子層は、不活性ガスにより搬送される導電性物質の蒸気を前記第１または第２の導電性端子部にノズルを介して選択的に吹き付けることにより形成したものであることを特徴とする導電性接続部の構造。
【請求項６】
請求項１において、前記第１の導電性端子部の表面上に前記微粒子層を被着し、前記微粒子層に異方性導電材を介して前記第２の導電性端子部を導電接続したことを特徴とする導電接続部の構造。
【請求項７】
請求項１において、前記第１の基体は配線基板であり、前記第２の基体は電子素子である導電接続部の構造。
【請求項８】
請求項１において、前記第１及び第２の基体の少なくとも一方はガラス基板である導電接続部の構造。
【請求項９】
請求項８において、前記第１及び第２の基体の他方は電子素子である導電接続部の構造。
【請求項１０】
請求項１において、前記第１及び第２の基体の少なくとも一方は可撓性プラスチックフィルム基板またはプラスチック基板である導電接続部の構造。
【請求項１１】
請求項１０において、前記第１及び前記第２の基体の他方は電子素子である導電接続部の構造。
【請求項１２】
前記第１の基体は透明導電膜を形成した液晶表示装置のガラス、プラスチック若しくはプラスチックフィルムで構成された液晶基板であり、前記第１の導電性端子部は、前記透明導電膜に接続され、前記液晶基板の端部の露出面に導出された外部接続端子である請求項１の導電接続部の構造を備えた液晶表示装置。
【請求項１３】
請求項１２において、前記第２の基体は液晶駆動用の電子素子である液晶表示装置。
【請求項１４】
請求項１２において、前記微粒子層は、ガス中蒸発法により形成したものであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
請求項１４において、前記微粒子層は、不活性ガスにより搬送される導電性物質の蒸気を前記第１又は第２の導電性端子部にノズルを介して選択的に吹き付けることにより形成したものであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第１の基体はサーマルプリンタヘッドであり、前記第１の導電性端子部は、該サーマルプリンタヘッドの外部接続端子である請求項１の導電接続部の構造を備えた電子印字装置。
【請求項１７】
請求項１６において、前記第２の基体は、サーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップである電子印字装置。
【請求項１８】
請求項１６において、前記微粒子層は、ガス中蒸発法により形成したものであることを特徴とする電子印字装置。
【請求項１９】
請求項１８において、前記微粒子層は、不活性ガスにより搬送される導電性物質の蒸気を前記第１又は第２の導電性端子部にノズルを介して選択的に吹き付けることにより形成したものであることを特徴とする電子印字装置。
【請求項２０】
請求項１において、前記微粒子層の厚さは前記超微粒子の粒径以上であることを特徴とする導電接続部の構造。
【請求項２１】
請求項１において、前記微粒子層には突起が設けられていることを特徴とする導電接続部の構造。
【請求項２２】
第１の導電性端子部と第２の導電性端子部とを導電接続する導電接続方法において、
ノズルを介して選択的に前記第１の導電性端子部の延設方向に沿って微粒子を前記第１の導電性端子部に被着させることによって、前記第１の導電性端子部の延設方向に沿って前記第１の導電性端子部に微粒子層を形成する工程と、
前記微粒子層を介して前記第１の導電性端子部及び前記第２の導電性端子部を導電接続する工程と、
を備えることを特徴とする導電接続方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の導電接続方法を備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２４】
導電性端子部に微粒子層を形成する成膜方法であって、
ノズルを介して選択的に導電性端子部の延設方向に沿って微粒子を前記導電性端子部に被着させることによって、前記導電性端子部の延設方向に沿って前記導電性端子部に前記微粒子層を形成する工程を備えることを特徴とする成膜方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の成膜方法を備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基体に設けられた導電性端子部同士の導電接続部の構造に関し、それを用いた液晶表示装置および電子印字装置の外部接続端子の接続構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、２つの基体にそれぞれ設けられた導電性端子部を相互に導電接続した導電接続部は、種々の電子機器、電気機器に形成されている。この導電接続部において、導電性端子部自体が微細であったり、その形成ピッチが小さくなったりした場合には、接続作業が困難であるため、特殊な接続方法が用いられる。例えば、接続端子の接続ピッチが０．３ｍｍ以下の細密ピッチになった場合には半田付けは難しくなることから、図４０に示すように接着剤１０６を介して接続端子１０２、１０４間を直接接触させて導通をとる電気接続構造や、図４２に示すように異方性導電膜１０９を使って接続端子１０２、１０４間を導電粒子１０８を介して導通をとる方法が採用される。
【０００３】
ところで、上記導電接続部の構造としては、図４０に示すように、ポリカーボネートのようなプラスチック基板１０３上にパターニングされたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）のような透明電極の接続端子１０４と、ポリイミドベースフィルムの基板１０１上に銅箔をパターニングし表面を錫メッキした接続端子１０２とを、エポキシ系樹脂を主成分とした接着剤１０６を介して、加熱加圧ツールにより接続端子１０２、１０４を直接接触させて接続した構造がある。
【０００４】
この場合には、導電接続部を構成する際に、ＩＴＯの接続端子１０４に接続端子１０２が接触した部分（周辺部分を含む）に亀裂１０５が発生し、導通が当初から取れないか又は導通状態が非常に不安定になり、充分な接続信頼性が得られないという不具合があった。図４１に、図４０で示した接続部を剥離して基板１０３のＩＴＯの接続端子１０４に接続端子１０２が接触した部分（周辺部分を含む）に亀裂１０５が縦横に発生して、ＩＴＯの接続端子１０４が寸断され、導通が取れていないことが確認される。
【０００５】
また、図４２のように、上記の構造と同様のポリカーボネートのようなプラスチック基板１０３上にパターニングされたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）のような透明電極の接続端子１０４と、ポリイミドベースフィルムの基板１０１上に銅箔をパターニングし表面を錫メッキした接続端子１０２とを、ポリスチレン系樹脂のようなプラスチック粒子にＮｉ−Ａｕのメッキ処理を施した導電粒子１０８をエポキシ系樹脂を主成分とする接着剤１０７の中に分散させた異方性電動膜１０９を介して接続する場合もある。
【０００６】
この場合にも、ＩＴＯの接続端子１０４に導電粒子１０８が接触した部分及びその周辺部分に亀裂１０５が発生し、導通が当初から取れないか又は導通状態が非常に不安定になり、充分な接続信頼性が得られないという不具合があった。図４３に、図４２で示した接続部を剥離して基板１０３のＩＴＯの接続端子１０４の表面を露出させ、表面を拡大した状態を示す。ＩＴＯの接続端子１０４に導電粒子１０８が接触した部分及びその周辺部分に亀裂１０５が全周囲に又は部分的に発生することにより、ＩＴＯの接続端子１０４と導電粒子の接続部分が寸断されるため、導通が取れていないことが確認された。そこで、本発明は上記欠点を解決するために２つの基体間の導電接続部において、導電性端子部の破損を防止し、確実な導電接続を行うことのできる構造を提供することを目的とする。
【０００７】
特に、本発明は微細な導電接続部の電気的接続を確実なものとし、その接続状態を安定化し信頼性の高い接続を確保することを目的とし、例えば液晶表示装置の液晶基板や電子印字装置のサーマルプリンタヘッドの外部接続端子のように、微細なピッチで形成された導電性端子部の導電接続に適した技術を得ることを目的とするものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の導電接続部の構造は、第１の基体に設けられた第１の導電性端子部と、第２の基体に設けられた第２の導電性端子部とを導電接続した導電接続部の構造において、前記第１の導電性端子部と前記第２の導電性端子部との間に導電性物質の超微粒子を堆積してなる微粒子層を形成し、該微粒子層を介して前記第１の導電性端子部と前記第２の導電性端子部とを導電接続したことを特徴とするものである。
【０００９】
ここで、前記超微粒子の粒子平均径は約６０ｎｍから３μｍであることが好ましい。
【００１０】
第１の基体に設けられた第１の導電性端子部と第２の基体に設けられた第２の導電性端子部との間に、導電性物質の超微粒子を堆積してなる微粒子層を介して導電接続することにより、第１及び第２の導電性端子部の間に加えられる応力を微粒子層が吸収するため、導電接続部に亀裂等が発生することを防止できるとともに、亀裂等が発生しても微粒子層の変化により導電接続を確保することができる。
【００１１】
また、微粒子層を構成する超微粒子は、第１または第２の導電性端子部の端子の細り、端子切れ、端子欠如等の欠陥部に充填されてこれらの欠陥を補完することができるので、欠陥に起因する接続不良を回避することができる。
【００１２】
更に、超微粒子は、第１の導電性端子部と第２の導電性端子部との間の導通に寄与する接触面積を大きくするため、導電接続部の抵抗値の低減を図ることができる。このような理由により、導電接続部における電気的接続を確実にし、接続状態を安定化させ、信頼性の高い導電接続を確保できる。
【００１３】
さらに、導電接続を行う行程における適正な接続条件（温度、圧力、機械精度等）の範囲を広くとることができ、歩留まり良く、効率的に導電接続部を形成することができる。
また、前記第１の導電性端子部の表面上に前記微粒子層を被着し、前記微粒子層に直接に、前記第２の導電性端子部を接触させることが好ましい。
【００１４】
更に、前記微粒子層は、ガス中蒸発法により形成したものであることが好ましい。
【００１５】
この場合には特に、前記超微粒子層は、不活性ガスにより搬送される導電性物質の蒸気を前記第１又は第２の導電性端子部にノズルを介して選択的に吹き付けることにより形成したものであることが望ましい。
【００１６】
ガス中蒸発法は、比較的容易かつ安価に微粒子層を制御性良く形成することができるので、製造コストを増加させずに確実に導電接続を行うことが可能である。特にノズルを介して吹き付けることによる微粒子層の形成は、マスク等の形成が不要であるとともに微細領域にも選択性良く層形成を行うことができるから、効率的に導電接続部を形成することができる。
【００１７】
更に、前記第１の導電性端子部の表面上に前記微粒子層を被着し、前記微粒子層に異方性導電材を介して前記第２の導電性端子部を導電接続する場合がある。
また、前記第１の基体は配線基板であり、前記第２の基体は電子素子ある場合がある。
更に、前記第１及び第２の基体の少なくとも一方がガラス基板である場合がある。
【００１８】
この場合には更に、前記第１及び第２の基体の他方は電子素子である場合がある。
【００１９】
第１又は第２の基体を硬質のガラス基板とする場合には、その上の導電接続部を微粒子層の変形により柔軟に接続させることによって、信頼性の高い導電接続を取ることができるとともに、第１又は第２の導電性端子部の端子の細り、端子切れ、端子欠如等の欠陥を補正することができる。
【００２０】
また、前記第１及び第２の基体の少なくとも一方が可撓性プラスチックフィルム基板またはプラスチック基板である場合がある。
【００２１】
この場合において、前記第１及び第２の基体の他方は電子素子である場合がある。
【００２２】
第１又は第２の基体を可撓性プラスチックフィルム基板またはプラスチック基板とする場合には、微粒子層の変形により、基体の可撓性又は加熱加圧接続もしくは加圧接続による第１又は第２の導電性端子部の亀裂の発生を押さえ、また、第１又は第２の導電性端子部に亀裂が発生しても、亀裂部分に超微粒子が補填されることにより電気的接続状態が確保される。
【００２３】
次に、液晶表示装置としては、前記第１の基体を透明導電膜を形成した液晶表示装置のガラス、プラスチック若しくはプラスチックフィルムで構成された液晶基板とし、前記第１の導電性端子部を、前記透明導電膜に接続され、前記液晶基板の端部の露出面に導出された外部接続端子とするものである。
【００２４】
ここで、前記第２の基体は液晶駆動用の電子素子である場合がある。
【００２５】
また、前記微粒子層を、ガス中蒸発法により形成したものとすることが好ましい。
この場合特に、前記微粒子層を、不活性ガスにより搬送される導電性物質の蒸気を前記第１又は第２の導電性端子部にノズルを介して選択的に吹き付けることにより形成したものであることが望ましい。
【００２６】
液晶表示装置においては、ガラス、可撓性プラスチックフィルム基板またはプラスチック基板等からなる液晶基板の外部接続端子の端子の細り、端子切れ、端子欠如等の欠陥を補正することができる。また、液晶基板上の外部接続端子を補強できるとともに、外部接続端子自体の抵抗値を小さくすることができる。更に、導電接続部における接触面積を広げること、また接続状態を安定化することが可能であるため、導電接続部の接続抵抗値を小さくできる。特に、液晶駆動用半導体チップまたは液晶駆動用半導体チップを搭載した電子素子を容易に液晶基板の外部接続端子に接続できることにより、製品形成や用途に最適な形状の液晶表示装置を提供できる。さらにまた、接続工程における適正な接続条件（温度、圧力、機械精度等）の範囲を広くとることができ、歩留まり良く、効率的な端子接続ができ、安価な液晶表示装置を提供できる。
【００２７】
次に、電子印字装置としては、前記第１の基体をサーマルプリンタヘッドとし、前記第１の導電性端子部を、該サーマルプリンタヘッドの外部接続端子とするものである。
【００２８】
ここで、前記第２の基体を、サーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップとする場合がある。
【００２９】
また、前記微粒子層は、ガス中蒸発法により形成したものであることが好ましい。
この場合には、前記微粒子層は、不活性ガスにより搬送される導電性物質の蒸気を前記第１又は第２の導電性端子部にノズルを介して選択的に吹き付けることにより形成したものであることが望ましい。
【００３０】
電子印字装置においては、サーマルプリンタヘッドの外部接続端子の端子の細り、端子切れ、端子欠如等の欠陥を補正することができる。また、外部接続端子自体の抵抗値を小さくすることができる。さらに、導電接続部における接触面積を広げること、また接続状態を安定化することが可能であるため、導電接続部の接続抵抗値を小さくできる。特に、サーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ自体やサーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップを搭載した電子素子を容易にサーマルプリンタヘッドの外部接続端子に接続できることにより、製品形態や用途に最適な形状の電子印字装置を提供できる。さらにまた、接続工程における適正な接続条件（温度、圧力、機械精度等）の範囲を広くとることができ、歩留まりが良く、効率的に端子接続ができ、安価な電子印字装置を提供できる。
【００３１】
また、上記導電接続部の構造において、前記微粒子層の厚さは前記超微粒子の粒径以上であることが好ましい。
【００３２】
また、上記導電接続部の構造において、前記微粒子層には突起が設けられていることが好ましい。
【００３３】
また、本発明の導電接続方法は、第１の導電性端子部と第２の導電性端子部とを導電接続する導電接続方法において、ノズルを介して選択的に前記第１の導電性端子部の延設方向に沿って微粒子を前記第１の導電性端子部に被着させることによって、前記第１の導電性端子部の延設方向に沿って前記第１の導電性端子部に微粒子層を形成する工程と、前記微粒子層を介して前記第１の導電性端子部及び前記第２の導電性端子部を導電接続する工程と、を備えることを特徴とする。
【００３４】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記導電接続方法を備えることを特徴とする。
【００３５】
また、本発明の成膜方法は、導電性端子部に微粒子層を形成する成膜方法であって、ノズルを介して選択的に導電性端子部の延設方向に沿って微粒子を前記導電性端子部に被着させることによって、前記導電性端子部の延設方向に沿って前記導電性端子部に前記微粒子層を形成する工程を備えることを特徴とする。
【００３６】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記成膜方法を備えることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
本発明をより詳細に示すために、添付の図面に基づいてこれを説明する。
【００３８】
〔実施例１〕
図１、図２は、本発明に係る導電接続部の構造の第１実施例の主要部分を示すための相互に直交する平面で切断した状態を示す断面図である。一方の基板３には導電性の金属薄膜からなる接続端子２が形成され、他方の基板５にも、同様の接続端子４が形成されている。接続端子２の表面の一部分または全部には超微粒子を堆積させた微粒子層１が被着されている。この微粒子層１と接続端子４とが相互に接触するように配置され、この接触部の周囲に接着剤６が充填され、基板３と基板５とを、微粒子層１が接続端子２と接続端子４との間に挟持された状態に固定している。
【００３９】
図３は導電接続部の構造の１実施例の斜視図であり、基板３の接続端子２と基板５の接続端子４とが接続している様子を示している。図３の断面Ａ−Ａは図１に対応し、断面Ｂ−Ｂは図２に対応している。
【００４０】
図４は基板３の接続端子２の表面に超微粒子を堆積して形成された微粒子層１を形成する方法を示す概略図である。微粒子層１は、図４に示すガス中蒸発法（ガスデポジション法）により形成される。このガス中蒸発法は、超微粒子を構成する原料物質を抵抗加熱、誘導加熱、レーザー加熱、電子ビーム加熱等の種々の方法で蒸発させ、この蒸気を不活性ガスの流れによって搬送して所定の場所において超微粒子として堆積させる方法である。  
【００４１】
通常、不活性ガスＧが供給されている高圧の超微粒子生成室Ａで原料物質Ｂを蒸発させ、この蒸気を不活性ガス中に拡散させた状態で、不活性ガスの流れ１１に従って搬送管１２を通して搬送し、低圧に保持された膜形成室Ｃ内に開口するノズル１３から、基板３の接続端子２の表面に蒸気を吹き付け、所望の超微粒子を堆積させて成膜するものである。
基板３をＸ方向１４とＹ方向１５に移動する移動方向と移動速度、ノズル１３からのガスと超微粒子の流れ１１、およびノズル１３と接続端子２との距離を制御することにより、基板３の接続端子２の表面に所望の形状及び厚みの微粒子層１を形成することができる。  
【００４２】
また、超微粒子生成室と膜形成室との差圧と温度を制御することによっても微粒子１の粒子径、密度、厚み等を所望のものとすることができる。
【００４３】
例えば、ノズル１３と被着部とのギャップは０．３〜０．５ｍｍであり、この条件では、ノズル内径が３０μｍの場合、微粒子層１の幅は３１〜３６μｍ、ノズル内径が１００μｍの場合、微粒子層１の幅は１０５〜１２０μｍとなる。この形成幅は、ノズル内径及びギャップの他に、超微粒子生成室と膜形成室との圧力差及び膜形成室の圧力に依存する。
【００４４】
一般に圧力差が大きくなるほど、膜形成室の圧力が高くなるほど、微粒子の形成幅が大きくなる傾向にあるが、膜形成室の圧力が１０Ｔｏｒｒ以下であれば大きな影響をもたらさない。本実施例では、上記のようにノズル１３の内径とほぼ同様の形成幅が得られる成膜条件で微粒子層１を形成した。
【００４５】
本実施例では、０．４ｍｍ厚のガラスエポキシ基材３上に形成された１８μｍ厚の銅箔からなる接続端子２の表面上に、Ａｇの微粒子層１を形成している。ガス中蒸発法を使い、超微粒子生成室Ａと膜形成室Ｃとの差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室Ｃの温度は室温（約２５℃）の条件で行った。このＡｇの微粒子層１においては、平均６０ｎｍ位の粒子径の超微粒子が若干の隙間がある状態で堆積された。微粒子層１の厚さは０．５〜２．０μｍである。
【００４６】
このようにして形成された接続端子２上の微粒子層１の表面に、１８μｍ厚のポリイミドベースフィルムの基板５上において１８μｍ厚の銅箔をパターニングして形成された接続端子４を接着剤６を介して固着した。接着剤６は接続端子２又は接続端子４の上部に塗布しても良く、あるいは接着剤６を予め接続端子２又は接続端子４の対応部分にシート状に成形して、この接着シートを基板３又は基板５に載せてもよい。
【００４７】
この接着剤６としては、スチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物が用いられる。例えば、この接着剤６に熱硬化性又は熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った接着工程では、接着剤６を接続端子２と接続端子４との間に配置し、加熱加圧ヘッドを基板５に押し当てることによって接着剤６を硬化させ、基板３と基板５とを固着させる。
【００４８】
この導電接続部においては、接続端子２の表面に被着された微粒子層１と接続端子４とが直接接触し電気的導通がとられており、その状態を、端子上及び端子間に充填された接着剤６が機械的に固定保持し、また、この接続部部分を外部環境（例えば、温度、腐食性ガス、塵埃等）から保護し接続状態を安定化させている。ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤６を使用し、加熱加圧を温度１７５℃、圧力３ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。実施した導電接続は、一定の形成ピッチで並列した複数の接続端子同士を導電接続したものであり、接続端子の形成ピッチは２００μｍで、接続端子数は３２０端子である。この導電接続部に対して、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）５００時間、冷熱サイクル試験（−３０℃で３０分、８０℃で３０分）５００サイクルを実施したが、この接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【００４９】
ここで、微粒子層１の材質としては、上記のＡｇの他にＡｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｚｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等その他の金属物質または金属以外の炭素、導電性樹脂等の各種導電性物質が利用できる。
また、微粒子層１内に堆積する超微粒子の粒子径は、６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【００５０】
微粒子層１については、内部の超微粒子が相互に導電接続され、特に平面的に接続されている必要があるために、超微粒子層の厚さを形成された超微粒子の粒径以上とする必要がある。例えば、上記のように平均粒径が６０ｎｍである場合には、微粒子層の厚さは０．１μｍから３．０μｍの範囲であることが好ましい。但し、厚さの上限は厚さが大きくなる程広がる層幅と、接続端子の形成ピッチとを勘案して決定されることが望ましく必ずしも上記範囲内に抑える必要はない。しかし、必要以上に成膜時間をかけること、隣接する端子との間がショートする危険性が生じる程に厚く形成することは避けるべきである。  
【００５１】
本実施例のように微粒子層１を他方の接続端子と直接接触させる場合には、厚さを０．３〜０．６μｍ、後述するように導電性接着剤を介して接続する場合には１．５〜２．５μｍ、異方性導電膜を介して接続する場合には２．５〜３．５μｍの範囲に形成することが、特に望ましい。なぜならば、導電性接着剤や異方性導電膜を介する場合には、導電粒子との接触を確実に行うために、微粒子層１にある程度の柔軟性が要求されるからである。
【００５２】
上述のような構成によれば、接続端子２の端子幅の細りや断線を微粒子層１の超微粒子が覆うこと又は充填することにより補修ができ、接続端子４との接続幅又は接続長さを最大限に確保でき、接続抵抗値を低減でき、更に導電接続状態を安定化できる。
【００５３】
また、超微粒子の粒子径を６０ｎｍ位の微細にし、粒子間に隙間がある状態に形成することにより、微粒子層１がクッション材的な働きをして、接続端子２又は接続端子４の破損や亀裂の発生を防止できるとともに、接続端子２又は接続端子４の凸凹を緩和して接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、更に接続状態を安定化できる。
【００５４】
また、接続端子２の表面上の微粒子層１と接続端子４とが直接接続するため、端子位置合わせズレや加熱加圧接続時のズレによる端子間ショートを除けば、接続不良となる他の要因が入らないため、接続端子の形成ピッチの微細化が容易になる。
【００５５】
〔実施例２〕
図５、図６は本発明に係る導電接続部の構造の第２の実施例の主要部分を示す断面図である。基板３に形成された接続端子２の表面の一部分または全部を、超微粒子の堆積した微粒子層１が覆っていて、この接続端子２上の微粒子層１ともう一方の基板５に形成された接続端子４とが導電性接着剤７を介して接続されている。
【００５６】
この実施例２においては、実施例１と同様に図３に導電接続部の構造が示されており、図３の断面Ａ−Ａは図５に対応し、断面Ｂ−Ｂは図６に対応している。
【００５７】
本実施例では、１ｍｍ厚のアルミナ基材の基板３に、２μｍ厚のＡｇ−Ｐｔペーストでパターニングする事により複数並列した接続端子２が形成されている。
【００５８】
この接続端子２の表面上には、図４に示す実施例１と同様のガス中蒸発法によりＡｕの超微粒子からなる微粒子層１を形成している。この場合、超微粒子生成室Ａと膜形成室Ｃとの差圧を１気圧とし、膜形成室内の基板３の温度を２００℃とした条件で超微粒子の形成を行った。このＡｕの微粒子層１内の超微粒子は平均１μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは２〜４μｍである。
【００５９】
この接続端子２上の微粒子層１には、１８μｍ厚のポリイミドベースフィルムの基板５に１８μｍ厚の銅箔をパターニングして形成した接続端子４が導電性接着剤７を介して接続される。この導電性接着剤７は、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物の接着剤の中に、０．１〜５μｍの粒子径のＡｇを混合分散したものである。
【００６０】
導電性接着剤７はスクリーン印刷、ディスペンス載置等により微粒子層１または接続端子４の表面上に選択的に配置される。この後、基板３と基板５を位置合わせして重ね合わせる。この導電性接着剤７に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には、導電性接着剤７を接続端子２と接続端子４との間に配置した状態で、加熱加圧ヘッドを基板５に押し当てることによって硬化接着させる。また、図示は省略してあるが、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、接続端子間または導電接続部全体を合成樹脂からなるモールド材で覆ってもよい。
【００６１】
本実施例では、エポキシ系を主成分とする接着剤中に１〜２μｍの粒子径の銀粉末を混合分散した導電性接着剤７を使用し、加熱加圧を温度１７５℃、圧力３ＭＰａ、時間２０秒の条件で接続を行った。接続端子の形成ピッチは２３０μｍで、端子数は３２０端子である。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）５００時間、冷熱サイクル試験（−３０℃で３０分、８０℃で３０分）５００サイクルを実施したが、この接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【００６２】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【００６３】
上述のような構成によれば、導電性接着剤７を介在させることにより、接続端子２または接続端子４の凸凹、または接続端子２および接続端子４の凸凹を補完して接続面積を更に大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。
【００６４】
また、導電性接着剤７の中の導電材として、０．１μｍ〜３μｍのカーボン粒子を使うこともでき、この場合には接続抵抗値は銀の場合と比較すると高くなるが、材料費が安くなり、またマイグレーション等の発生が無く、安価で信頼性の高い端子接続ができる。
【００６５】
〔実施例３〕
図７、図８は本発明に係る導電接続部の構造の第３の実施例の主要部分を示す断面図である。基板３に形成された接続端子２の表面の一部分または全部を、超微粒子を堆積させて形成した微粒子層１が覆っていて、この接続端子２ともう一方の基板５に形成された接続端子４とが異方性導電材８を介して接続されている。
【００６６】
本実施例では、実施例１と同様に図３に導電接続部を示し、図３の断面Ａ−Ａは図７に対応し、断面Ｂ−Ｂは図８に対応している。
【００６７】
本実施例では、１ｍｍ厚のアルミナ基材からなる基板３上に、２μｍ厚のＡｇ−Ｐｔペーストでパターニングして形成した複数並列した接続端子２が設けられている。この接続端子２の表面に、実施例１と同様に図４に示すガス中蒸発法によりＡｕの超微粒子を堆積させて、微粒子層１を形成している。超微粒子生成室Ａと膜生成室Ｃとの差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室Ｃ内の基板３の温度を１２０℃として成膜した。この微粒子層１内のＡｕの超微粒子の平均粒子径は３μｍ位であった。微粒子層１の厚さは３〜８μｍである。
【００６８】
この接続端子２上の微粒子層１上には、１８μｍ厚のポリイミドベースフィルムの基板５に１８μｍ厚の銅箔をパターニングした接続端子４が異方性導電材８を介して接続されている。
【００６９】
ここで使用する異方性導電材８は異方性導電膜であり、層厚方向に圧力をかけることにより、層厚方向にのみ導電性を有する特性を呈するものである。この異方性導電膜は主に導電粒子９を分散させた接着剤１０より構成されている。この導電粒子９は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。
【００７０】
接着剤１０はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物である。
【００７１】
この異方性導電材８を接続端子２の表面の微粒子層１と基板５の接続端子４との間に配置し、異方性導電材の材質に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板５に押し当てることによって硬化接続させる。
ここでは、粒子径が５μｍ〜１０μｍのポリスチレン系のプラスチック粒子に３μｍ厚のＮｉメッキと０．５μｍ厚のＡｕメッキをした導電粒子９をエポキシ系を主成分とする接着剤１０中に５重量％混合分散させた異方性導電膜（異方性導電材８）を使用し、加熱加圧条件は温度１７５℃、圧力３ＭＰａ、時間２０秒である。接続端子２、４の形成ピッチは２００μｍで、それぞれの端子数は３２０個である。
【００７２】
このようにして導電接続した導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）５００時間、冷熱サイクル試験（−３０℃で３０分、８０℃で３０分）５００サイクルを実施した。この接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【００７３】
他の異方性導電材８の例としては、異方性導電接着剤がある。この異方性接着剤は、主に導電粒子を分散させた接着剤より構成されている。この導電粒子は、半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合物、合金、若しくはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系等）に、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。
【００７４】
また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合若しくは化合物である。この異方性導電材８の異方性導電接着剤は液状、またはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、接続端子２の接続部分に配置される。異方性導電接着剤に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板５に押し当てることによって硬化接続させる。
【００７５】
また、図示は省略してあるが、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、端子間または接続部全体をモールド材で覆ってもよい。上述のような構成によれば、異方性導電材を介在させることにより、接続端子２及び／または接続端子４の凸凹を導電粒子９が補完して、多数の粒子が導通に寄与するようになるため、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。特に、異方性導電材は平面方向の絶縁性を有しているので、細ピッチの接続端子の導電接続に際しても異方性導電材の塗布工程はきわめて容易である。
【００７６】
〔実施例４〕
図１１は本発明に係る導電接続構造の第４の実施例の主要部分を示す断面図である。基板３に形成された接続端子２の表面上の一部分または全部を超微粒子からなる微粒子層１が覆っていて、この接続端子２と半導体チップ１６に形成されたバンプ１７とが直接接触した状態で接着剤６により固定されている。
【００７７】
図９は導電接続構造の全体構成を示す斜視図であり、基板３の接続端子２と半導体素子の実装構造チップ１６に形成されたバンプ１７とが接続している。図９の断面Ａ−Ａは図１１に対応している。
【００７８】
図１０は基板３の接続端子２の表面に微粒子層１を形成する際の状況を示す概略図である。上記と同様のガス中蒸発法により、超微粒子生成室（図示せず）で生成した蒸気を搬送管１２を通して、ガスと微粒子の流れ１１により運び、膜形成室（おおむね図１０に示したものが入っている室）にあるノズル１３から、基板３の接続端子２の表面に吹き付けて超微粒子を形成し、微粒子層１を成膜する。
【００７９】
基板３をＸ方向１４とＹ方向１５に移動する移動方向と移動速度、ノズル１３からのガスと超微粒子の流れ１１、およびノズル１３と接続端子２との距離を制御することにより、基板３の接続端子２の表面に所望の形状および厚みの微粒子層１を形成することができる。また、超微粒子生成室と膜形成室との差圧と温度を制御することによっても超微粒子の粒子径、密度、厚み等を所望のものとすることができる。ここで、ノズル１３よりも上流側にシャッタ装置が取り付けられており、一つの成膜部分のトレースが完成すると、ノズル１３が次の成膜部分に移動するまで蒸気の供給が停止される。
【００８０】
本実施例では、０．８ｍｍ圧の低温焼成セラミック基材の基板３に形成された３μｍ厚のＣｕの接続端子２の表面上に、Ａｇの超微粒子からなる微粒子層１を形成している。超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室の温度は室温（約２５℃）の条件で行った。このＡｇの微粒子層１は６０ｎｍ位の粒子径の超微粒子間に隙間がある状態で形成されていた。微粒子層１の厚さは０．３〜２μｍである。
【００８１】
この接続端子２の表面上の微粒子層に半導体チップ１６のバンプ１７が接着剤６を介して接続されている。この接着剤６としてはスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独又は複数の混合物若しくは化合物である。
【００８２】
この接着剤６を接続端子２と半導体チップ１６との間に配置し、この接着剤６に熱硬化性又は熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当てることによって硬化接続させる。
【００８３】
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤６を使用し、加熱加圧を温度１７５℃、圧力０．２ＭＰａ、時間２０秒の条件で接続を行った。接続バンプの形成ピッチは１２０μｍで、バンプ数は１００である。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）５００時間、冷熱サイクル試験（−３０℃で３０分、８０℃で３０分）５００サイクルを実施した。この接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【００８４】
この実施例では、接続端子２の表面上の微粒子層１の超微粒子とバンプ１７が直接接触し電気的導通がとられており、その状態を接着剤６が機械的に固定保持し、また、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護し接続状態を安定化している。
【００８５】
ここで微粒子層１の材質としては、その他にＡｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質又は導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子計が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【００８６】
上記のような構成によれば、接続端子２の端子幅の細りや断線を微粒子層１が覆うことまたは充填することにより補修ができ、バンプ１７との接続面積を最大限に確保でき、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。
【００８７】
また、超微粒子の粒子径を６０ｎｍ位の微細にし、粒子間に隙間がある状態に形成することにより、微粒子層１がクッション材的な働きをして、接続端子２またはバンプ１７の凸凹、または接続端子２およびバンプ１７の凸凹を緩和して接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。また、接続端子２の表面上の微粒子層１とバンプ１７とが直接接続するため、位置合わせズレや加熱加圧接続時のズレによる端子間ショートを除けば、接続不良となる他の要因が入らないだけ接続端子乃至はバンプの形成ピッチの微細化が可能である。
【００８８】
〔実施例５〕
図１２は本発明に係る導電接続構造の第５の実施例の主要部分を示す断面図である。基板３に形成された接続端子２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子２上の微粒子層１と半導体チップ１６のバンプ１７とが導電性接着剤７を介して接続されている。
【００８９】
本実施例では、実施例４と同様に、図９に示すような全体構成を有しており、基板３の接続端子２と半導体チップ１６のバンプ１７とが接続されている。図９の断面Ａ−Ａは図１２に対応する。
【００９０】
本実施例では、１ｍｍ厚のアルミナ基材の基板３に、２μｍ厚のＡｇ−Ｐｔペーストでパターニングして接続端子２を形成している。この接続端子２の表面上に、Ａｕの微粒子層１を、実施例４と同様に図１０に示すガス中蒸発法で形成している。超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１気圧とし、膜形成室内の基板３の温度は２００℃の条件で行った。このＡｕの超微粒子は平均１μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは１〜３μｍである。
【００９１】
この接続端子２の表面上の微粒子層１に半導体チップ１６のバンプ１７が導電性接着剤７を介して接続される。この導電性接着剤７は、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物の接着剤の中に、０．１〜５μｍの粒子径の銀を混合分散したものであり、この導電性接着剤７を接続端子２とバンプ１７との間に配置する。導電性接着剤７の配置は、スクリーン印刷、ディスペンス載置等の公知の方法でなされる。
【００９２】
導電性接着剤７に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には、加熱加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当てることによって硬化接続させる。ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤中に１〜２μｍの粒子径の銀粉末を混合分散した導電性接着剤７を使用し、加熱加圧を温度１７５℃、圧力０．２ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。接続端子及びバンプの形成ピッチは１２０μｍで、これらの形成数は１００個である。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）５００時間、冷熱サイクル試験（−３０℃で３０分、８０℃で３０分）５００サイクルを実施した。この接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【００９３】
なお、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、接続端子間または接続部全体をモールド材で覆っている。
【００９４】
ここで微粒子層１の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
上述のような構成によれば、導電性接着剤７を介在させることにより、接続端子２またはバンプ１７の凸凹、または接続端子２及びバンプ１７の凸凹を補完して接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。
【００９５】
なお、導電性接着剤７の中の導電材として、０．１μｍ〜３μｍのカーボン粒子を使うこともでき、この場合には接続抵抗値はＡｇの場合と比較すると高くなるが、材料費が安くなり、またマイグレーション等の発生防止対策が必要無く、安価で信頼性の高い端子接続ができる。
【００９６】
〔実施例６〕
図１３は本発明に係る導電接続構造の第６の実施例の主要部分を示す断面図である。基板３に形成された接続端子２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子２と半導体チップ1６のバンプ１７とが異方性導電材８を介して接続されている。
【００９７】
本実施例では、実施例４と同様の図９に示す全体構成を備えており、図９の断面Ａ−Ａは図１３に対応している。
【００９８】
本実施例では、１ｍｍ厚のアルミナ基材の基板３上に、２μｍ厚のＡｇ−Ｐｔペーストをパターニングして接続端子２を形成している。この接続端子２の表面上に、実施例４と同様の図１０に記すガス中蒸発法によりＡｕの超微粒子からなる微粒子層１を形成している。超微粒子生成室と膜形成室との差圧を３気圧とし、膜形成室内の基板３の温度を２５０℃として成膜した。この微粒子層１内のＡｕの超微粒子は平均０．５μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは０．５〜４μｍである。
【００９９】
この微粒子層１上に半導体チップ１６のバンプ１７が異方性導電材８を介して接続される。ここで使用する異方性導電材８は異方性導電膜であり、主に導電粒子９を分散させた接着剤１０より構成されている。
【０１００】
この導電粒子９は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｓｎ等の単独または複数の混合物、合金、メッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。
【０１０１】
また、接着剤１０はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合若しくは化合物である。この異方性導電材８の異方性導電膜を接続端子２の表面の微粒子層１と半導体チップ１６のバンプ１７との間に配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当てることによって硬化接続される。
【０１０２】
ここでは、粒子径が１μｍ〜３μｍのポリスチレン系のプラスチック粒子に１μｍ厚のＮｉメッキと０．５μｍ厚のＡｕメッキをした導電粒子９をエポキシ系を主成分とする接着剤１０中に５重量％混合分散させた異方性導電膜（異方性導電材８）を使用し、加熱加圧条件は温度１７５℃、圧力１０ｇｆ／バンプ、時間３０秒の条件で接続を行った。接続端子乃至はバンプの形成ピッチは１００μｍで、これらの数は１２０個である。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）５００時間、冷熱サイクル試験（−３０℃で３０分、８０℃で３０分）５００サイクルを実施した結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０１０３】
他の異方性導電材８として、異方性導電接着剤があり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。
【０１０４】
また、接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物である。
【０１０５】
この異方性導電材８の異方性導電接着剤は液状、またはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、接続端子２の接続部分に配置される。異方性導電接着剤に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当てることによって硬化接続させる。
【０１０６】
また、図示は省略してあるが、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、接続部または半導体チップ全体をモールド材で覆ってもよい。
【０１０７】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０１０８】
上述のような構造によれば、異方性導電材８を介在させることにより、接続端子２またはバンプ１７の凸凹、または接続端子２及びバンプ１７の凸凹を導電粒子９が補完して、多数の粒子が導通に寄与して、接続抵抗を低減でき、また接続状態を安定化できる。
【０１０９】
〔実施例７〕
この実施例は、実施例１と同様の図１、図２に示す主要部分を備えている。即ち、基板３上に形成された接続端子２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子２上の微粒子層１と基板５に形成された接続端子４とが接着剤６を介して接続されている。
【０１１０】
本実施例の全体構造は図３に示すようになっており、基板３の接続端子２と基板５の接続端子４とが微粒子層１を介して接続されている。図３の断面Ａ−Ａは図１に対応し、断面Ｂ−Ｂは図２に対応する。
【０１１１】
本実施例では、１．１ｍｍ厚のガラス基材の基板３上に、１０００Åの厚さのＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の接続端子２が複数並列して形成されている。この接続端子２の表面に、Ａｇの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が、実施例１と同様の図４に示すガス中蒸発法により形成されている。
【０１１２】
ここで、超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室の温度は室温（約２５℃）の条件で成膜を行った。このＡｇの微粒子層１は６０ｎｍ位の粒子径の超微粒子間に隙間がある状態で形成されていた。微粒子層１の厚さは０．１〜１．５μｍである。
【０１１３】
この接続端子２上の微粒子層１に、１８μｍ厚のポリイミドベースフィルムの基板５に１８μｍ厚の銅箔をパターニングした接続端子４が接着剤６を介して接続されている。この接着剤６としてはスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物を用いることができる。
【０１１４】
この接着剤６を接続端子２と接続端子４との間に配置し、この接着剤６に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板５に押し当てることによって硬化接続させる。また、この接着剤６にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを基板５に押し当て、基板３（ガラス基板）側からＵＶ照射して硬化させる。
【０１１５】
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤６を使用し、加熱加圧を温度１７５℃、圧力３ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。接続端子の形成ピッチは２００μｍで、端子数は３２０個である。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）５００時間、冷熱サイクル試験（−３０℃で３０分、８０℃で３０分）５００サイクルを実施し、この結果、その接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０１１６】
接続端子２の表面の微粒子層１と接続端子４とは直接接触し電気的導通がとられており、その状態を接着剤６が機械的に固定保持し、また、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護し接続状態を安定化している。
【０１１７】
ここで微粒子層１の材質としては、その他にＡｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物資等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０１１８】
上述のような構造によれば、実施例１と同様の効果に加えて、特に、ガラス基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。
【０１１９】
〔実施例８〕
本実施例の主要部分は実施例２と同様に図５、図６に示されている。基板３上に形成された接続端子２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子２上の微粒子層１と基板５に形成された接続端子４とが導電接着剤７を介して接続されている。
【０１２０】
本実施例の全体構成は、実施例７と同様の図３に示すものであり、図３の断面Ａ−Ａは図５に対応し、断面Ｂ−Ｂは図６に対応する。
【０１２１】
本実施例では、１．１ｍｍ厚のガラス基材の基板３上に、８００Åの厚さのＩＴＯをパターニングして接続端子２が形成されている。この接続端子２の表面上に、Ａｕの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が形成されている。微粒子層１は、実施例１と同様の図４に示すガス中蒸発法によりＡｕの超微粒子で形成されている。超微粒子生成室と膜形成室との差圧を３気圧とし、膜形成室内の基板３の温度は１００℃として成膜した。このＡｕの超微粒子は平均１μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは１〜３μｍである。
【０１２２】
この微粒子層１上には、１８μｍ厚のポリイミドベースフィルムの基板５に１８μｍ厚の銅箔をパターニングした接続端子４が導電性接着剤７を介して接着されている。
【０１２３】
この導電性接着剤７は、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物の接着剤の中に、０．１〜５μｍの粒子径のＡｇを混合分散したものである。
【０１２４】
この導電性接着剤７を接続端子２と接続端子４との間に配置し、この導電性接着剤７に熱硬化性又は熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板５に押し当てることによって硬化接続させる。
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤中に１〜２μｍの粒子径の銀粉末を混合分散した導電性接着剤７を使用し、加熱加圧を温度１７５℃、圧力３ＭＰａ、時間２０秒の条件で接続を行った。接続端子の形成ピッチは２３０μｍで、端子数は３２０である。このようにして形成した導電性接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）５００時間、冷熱サイクル試験（−３０℃で３０分、８０℃で３０分）５００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０１２５】
また、図示は省略してあるが、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、端子間又は接続部全体をモールド材で覆ってもよい。
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質又は導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０１２６】
上述のような構成によれば、上記実施例２と同様の効果を奏する他、特に、ガラス基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。
【０１２７】
〔実施例９〕
本実施例は、実施例３と同様に、図７、図８に示す主要部分を備えたものである。基板３上に形成された接続端子２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子２上の微粒子層１と基板５に形成された接続端子４とが異方性導電材８を介して接続されている。
【０１２８】
ここで、本実施例では、実施例７と同様に、図３に示す全体構成を備えており、図３の断面Ａ−Ａは図７に対応し、断面Ｂ−Ｂは図８に対応している。
本実施例では、０．７ｍｍ厚のガラス基材の基板３上に、１０００Åの厚さのＩＴＯでパターニングして複数並列した接続端子２が形成されている。この接続端子２の表面上に、Ａｕの超微粒子からなる微粒子層１を上記実施例１と同様の図４に示すガス中蒸発法により形成している。超微粒子生成室と膜形成室との差圧を３気圧とし、膜形成室内の基板３の温度は１００℃の条件で成膜を行った。
【０１２９】
このＡｕの超微粒子は平均１μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは１〜３μｍである。
【０１３０】
この接続端子２の微粒子層１上に、１８μｍ厚のポリイミドベースフィルムの基板５に１８μｍ厚の銅箔をパターニングした接続端子４が異方性導電材８を介して接続されている。ここで使用する異方性導電材８は異方性導電膜であり、主に導電粒子９を分散させた接着剤１０より構成されている。この導電粒子９は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｓｎ等の単独又は複数の混合物、合金若しくはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系統）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独又は複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤１０はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独又は複数の混合物若しくは化合物である。
【０１３１】
この異方性導電材８の異方性導電膜を接続端子２の表面の微粒子層１と基板５の接続端子４との間に配置し、異方性導電膜に熱硬化性又は熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板５に押し当てることによって硬化接続させる。また、異方性導電膜にＵＶ（紫外線）硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを基板５に押し当て、接続端子２（ガラス基板側）側からＵＶ照射して硬化させる。
【０１３２】
ここでは、粒子径が５μｍ〜１０μｍのポリスチレン系のプラスチック粒子に３μｍ厚のＮｉメッキと０．５μｍ厚のＡｕメッキをした導電粒子９をエポキシ系を主成分とする接着剤１０中に５重量％混合分散させた異方性導電膜（異方性導電材８）を使用し、加熱加圧は温度１７５℃、圧力３ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。接続端子の形成ピッチは２００μｍで、端子数は３２０である。このようにして形成した導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）５００時間、冷熱サイクル試験（−３０℃で３０分、８０℃で３０分）５００サイクルを実施し、その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０１３３】
他の異方性導電材８として、異方性導電接着剤があり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独又は複数の混合物、合金、又はメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独又は複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。
【０１３４】
また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独又は複数の混合物若しくは化合物である。
【０１３５】
この異方性導電材８の異方性導電接着剤は液状あるいはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、接続端子２の接続部分に配置される。異方性導電接着剤に熱硬化性又は熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板５に押し当てることによって硬化接続させる。また、異方性導電接着剤にＵＶタイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを基板５に押し当て、基板３（ガラス基板）側からＵＶ照射して硬化させる。
【０１３６】
また、図示は省略してあるが、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、端子間又は接続部全体をモールド材で覆ってもよい。
【０１３７】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また超高温電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０１３８】
上述のような構成によれば、上記実施例３と同様の効果を奏することに加えて、特に、ガラス基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。
【０１３９】
〔実施例１０〕
本実施例は、実施例４と同様に図１１に示す主要部分を備え、基板３上に形成された接続端子２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子２上の微粒子層１と半導体チップ１６に形成されたバンプ１７とが接着剤６を介して接続されている。
【０１４０】
図９は本実施例の斜視図であり、図９の断面Ａ−Ａは図１１に対応している。
【０１４１】
本実施例では、０．７ｍｍ厚のガラス基材の基板３上に、７００Åの厚さのＩＴＯと、その上に形成された２μｍの厚さのＮｉ層を持つ接続端子２が形成されている。この接続端子２の表面に、Ａｇの超微粒子を堆積してなる微粒子層１を、実施例４と同様の図１０に示すガス中蒸発法により形成している。超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室の温度は室温（約２５℃）の条件で成膜した。このＡｇの微粒子層１は６０ｎｍ位の粒子径の超微粒子間に隙間がある状態で形成されていた。微粒子層１の厚さは０．１〜１．５μｍである。
【０１４２】
この接続端子２の表面上の微粒子層１に半導体チップ１６のバンプ１７が接着剤６を介して接続されている。この接着剤６としてはスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物である。
【０１４３】
この接着剤６を接続端子２と半導体チップ１６のバンプ１７との間に配置し、この接着剤６に熱硬化性又は熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当てることによって硬化接続させる。また、この接着剤６にＵＶ硬化タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当て、基板３（ガラス基板）側からＵＶ照射して硬化させる。
【０１４４】
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤６を使用し、加熱加圧を温度１７５℃、圧力０．２ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。接続端子及びバンプの形成ピッチは１２０μｍで、端子数及びバンプ数は１００個である。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）５００時間、冷熱サイクル試験（−３０℃で３０分、８０℃で３０分）５００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０１４５】
接続端子２の表面上の微粒子層１とバンプ１７とは直接接触し電気的導通がとられており、その状態を接着剤６が機械的に固定保持し、また、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護し接続状態を安定化している。
【０１４６】
ここで微粒子層１の材質としては、その他にＡｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０１４７】
上述のような構成によれば、実施例４と同様の効果を奏する上に、特に、ガラス基板の表面に形成されたＩＴＯ、ＩＴＯ＋Ｎｉ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、湿式メッキ法のような複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。
【０１４８】
〔実施例１１〕
本実施例は、実施例５と同様の図１２に示す主要部分を備えたものであり、基板３上に形成された接続端子２の表面の一部分または全部を微粒子１が覆っていて、この接続端子２上の微粒子層１と半導体チップ１６のバンプ１７とが導電性接着剤７を介して接続されている。
【０１４９】
本実施例においては、実施例１０と同様に、図９に示す全体構成を有する導電接続部の構造を有し、図９の断面Ａ−Ａは図１２に対応している。
【０１５０】
本実施例では、０．７ｍｍ厚のガラス基材の基板３上に、１０００Åの厚さのＩＴＯでパターニングしてなる接続端子２が形成されている。この接続端子２の表面上には、Ａｕの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が実施例１０と同様の図１０に示すガス中蒸発法により成膜されている。超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室内の基板３の温度は１２０℃の条件で成膜した。このＡｕの超微粒子は平均３μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは３〜８μｍである。
【０１５１】
この接続端子２の表面上の微粒子層１に半導体チップ１６のバンプ１７が導電接着剤７を介して接続されている。この導電性接着剤７は、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合若しくは化合物の接着剤の中に、０．１〜５μｍの粒子径のＡｇを混合分散したものである。
【０１５２】
この導電性接着剤７を接続端子２とバンプ１７との間に配置し、この導電性接着剤に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当てることによって硬化接続させる。また、この導電性接着剤にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当て、基板３（ガラス基板）側からＵＶ照射して硬化させる。
【０１５３】
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤中に１〜２μｍの粒子径の銀粉末を混合分散した導電性接着剤７を使用し、加熱加圧を温度１７５℃、圧力０．２ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。接続端子及びバンプの形成ピッチは１２０μｍで、接続端子及びバンプ数は１００個である。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）５００時間、冷熱サイクル試験（−３０℃で３０分、８０℃で３０分）５００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。なお、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、端子間または接続部全体をモールド材で覆ってもよい。
【０１５４】
ここで微粒子層１の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０１５５】
上述のような構成によれば、実施例５と同様の効果に加えて、特に、ガラス基板の表面に形成されたＩＴＯ、ＩＴＯ＋Ｎｉ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、湿式メッキ法のような複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。
【０１５６】
〔実施例１２〕
本実施例は、実施例６と同様に図１３に示す主要部分を備えたものであり、基板３上に形成された接続端子２の表面の一部分または全部を微粒子１層が覆っていて、この接続端子２上の微粒子層１と半導体チップ１６のバンプ１７とが異方性導電材８を介して接続されている。
【０１５７】
本実施例では、実施例１０と同様に、図９に示す全体構成を有する。
【０１５８】
図９の断面Ａ−Ａは図１３に対応している。
【０１５９】
本実施例では、０．７ｍｍの厚さのガラス基材の基板３上に、１０００Åの厚さのＩＴＯでパターニングしてなる接続端子２が形成されている。この接続端子２の表面上に、Ａｕの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が実施例６と同様に図１０に示すガス中蒸発法により形成されている。超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室内の基板３の温度は１２０℃の条件で行った。このＡｕの超微粒子は平均３μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層の厚さは３〜８μｍである。
【０１６０】
この接続端子２の表面上の微粒子層１には半導体チップ１６のバンプ１７が異方性導電材８を介して接続されている。ここで使用する異方性導電材８は異方性導電膜であり、主に導電粒子９と接着剤１０より構成されている。この導電粒子９は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。
【０１６１】
また、この接着剤１０はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物である。
【０１６２】
この異方性導電材８の異方性導電膜を接続端子２の表面上の微粒子層１と半導体チップ１６のバンプ１７との間に配置し、異方性導電膜に熱硬化性又は熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当てることによって硬化接続させる。また、異方性導電膜にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当て、基板３（ガラス基板）側からＵＶ照射して硬化させる。
【０１６３】
ここでは粒子径が１μｍ〜３μｍのポリスチレン系のプラスチック粒子に１μｍ厚のＮｉメッキと０．５μｍ厚のＡｕメッキをした導電粒子９をエポキシ系を主成分とする接着剤１０中に５重量％混合分散させた異方性導電膜（異方性導電材８）を使用し、加熱加圧は温度１７５℃、圧力１０ｇｆ／バンプ、時間３０秒の条件で行った。接続端子及びバンプの形成ピッチは１００μｍで、接続端子及びバンプ数は１２０個である。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）５００時間、冷熱サイクル試験（−３０℃で３０分、８０℃で３０分）５００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０１６４】
他の異方性導電材８として、異方性導電接着剤があり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｓｎ等の単独または複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、ジベニルベンゼン系等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。
【０１６５】
また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物である。この異方性導電材８の異方性導電接着剤は液状、またはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、接続端子２の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化性又は熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当てることによって硬化接続させる。また、異方性導電接着剤にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当て、基板３（ガラス基板）側からＵＶ照射して硬化させる。
【０１６６】
また、図示は省略してあるが、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、接続部または半導体チップ全体をモールド材で覆ってもよい。
【０１６７】
ここで超微粒子の材料としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０１６８】
上述のような構成によれば、実施例６の効果に加えて、特に、ガラス基板の表面に形成されたＩＴＯ、ＩＴＯ＋Ｎｉ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。
【０１６９】
〔実施例１３〕
本実施例１３の主要部分は実施例１と同様の図１、図２に示すものであり、基板３上に形成された接続端子２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子２上の微粒子層１ともう一方の基板５に形成された接続端子４とが接着剤６を介して接続されている。
【０１７０】
図３は本実施例の導電接続部の構造を示し、図３の断面Ａ−Ａは図１に対応し、断面Ｂ−Ｂは図２に対応する。
【０１７１】
本実施例では、０．１ｍｍ温のポリカーボネート基材の基板３上に、５００Åの厚さのＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の接続端子２が形成されている。この接続端子の表面上に、Ａｇの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が実施例１と同様に図４に示すガス中蒸発法を使い形成されている。超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室の温度は室温（約２５℃）の条件で行った。このＡｇの微粒子層１は平均６０ｎｍ位の粒子径の超微粒子間に隙間がある状態で形成されていた。微粒子層１の厚さは０．１〜１．５μｍである。
【０１７２】
この接続端子２上の微粒子層１に、１８μｍ厚のポリイミドベースフィルムの基板５に１８μｍ厚の銅箔をパターニングしてなる接続端子４が接着剤６を介して接続されている。この接着剤６としてはスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物である。
この接着剤６を接続端子２と接続端子４との間に配置し、この接着剤６に熱硬化性又は熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板５に押し当てることによって硬化接続させる。また、この接着剤６にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを基板５に押し当て、基板３側からＵＶ照射して硬化させる。
【０１７３】
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤６を使用し、加熱加圧を温度１３５℃、圧力０．５ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。接続端子の形成ピッチは２００μｍで、端子数３２０である。この導電接続部に耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−３０℃で３０分、８０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、この接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０１７４】
接続端子２の表面上の微粒子層１と接続端子４が直接接触し電気的導通がとられており、その状態を接着剤６が機械的に固定保持し、また、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護し接続状態を安定化している。
【０１７５】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０１７６】
また、基板３の基材としては、ポリカーボネート（ＰＣ）の他にポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、アクリル、ポリアリレートまたはポリヒドロキシポリエーテル等の厚み１８μｍから５００μｍのプラスチックフィルムまたはプラスチック板も使用できる。
【０１７７】
上述のような構成によれば、実施例１の効果に加えて、特に、プラスチック基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。特に、低抵抗化の方法としては、一般的に湿式法によるメッキ処理があるが、このプラスチック基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子についてはこの湿式法によるメッキ処理をすると使用するアルカリ性や酸性の薬品により変色、腐食、浸食等の悪影響を強く受けるため好ましくない。これに対して、本実施例の方法は、このような薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化に最適である。
【０１７８】
更に、微粒子層１のクッション性には接続時の圧力や温度等によるＩＴＯ薄膜に加わる影響を減少させる効果があるとともに、万が一ＩＴＯ薄膜に亀裂等のダメージを生じても、この微粒子層１が適度に変形することにより、接続部の導通は確保される。
【０１７９】
〔実施例１４〕
本実施例の主要部分は、実施例２と同様に図５、図６に示されており、基板３上に形成された接続端子２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子２ともう一方の基板５に形成された接続端子４とが導電性接着剤７を介して接続されている。
【０１８０】
実施例１３と同様に、図３は本実施例の導電接続構造を示し、図３の断面ＡＡは図５に対応し、断面Ｂ−Ｂは図６に対応する。
【０１８１】
本実施例では、０．１ｍｍの厚さのポリカーボネート基材の基板３上に、５００Åの厚さのＩＴＯの接続端子２が形成されている。この接続端子２の表面上に、Ａｇの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が実施例２と同様のガス中蒸発法を使い形成されている。超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室の温度は室温（約２５℃）の条件で成膜した。このＡｇの微粒子層１は平均６０ｎｍ位の粒子径の超微粒子間に隙間がある状態で形成されていた。微粒子層１の厚さは０．１〜１．５μｍである。
【０１８２】
この接続端子２上の微粒子層１に、１８μｍ厚のポリイミドベースフィルムの基板５に１８μｍ厚の銅箔をパターニングしてなる接続端子４が導電性接着剤７を介して接続されている。この導電性接着剤７は、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独又は複数の混合物若しくは化合物の接着剤の中に、０．１〜５μｍの粒子径のＡｇ等の導電性物質を混合分散したものである。
【０１８３】
この導電性接着剤７を接続端子２と接続端子４との間に配置し、この導電性接着剤７に熱硬化性又は熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板５に押し当てることによって硬化接続させる。また、この導電性接着剤７にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを基板５に押し当て、基板３側からＵＶ照射して硬化させる。また、図示は省略してあるが、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、端子間または接続部全体をモールド材で覆ってもよい。
【０１８４】
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤中に１〜２μｍの微粒子径の銀粉末を混合分散した導電性接着剤７を使用し、加熱加圧を温度１３５℃、圧力０．５ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。接続端子の形成ピッチは２３０μｍで、端子数３２０である。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−３０℃で３０分、８０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０１８５】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０１８６】
また、基板３の基材としては、ポリカーボネート（ＰＣ）の他にポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、アクリル、ポリアリレートまたはポリヒドロキシポリエーテル等の厚み１８μｍから５００μｍのプラスチックフィルムまたはプラスチック板も使用できる。
【０１８７】
上述のような構成によれば、実施例２の効果に加えて、特に、プラスチック基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。特に、低抵抗化の方法としては、一般的に湿式法によるメッキ処理があるが、このプラスチック基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子についてはこの湿式法によるメッキ処理をすると使用するアルカリ性や酸性の薬品により変色、腐食、浸食等の悪影響を強く受けるため好ましくない。これに対して、本実施例の方法は、このような薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化に最適な方法である。
【０１８８】
また、微粒子層１のクッション性には接続時の圧力や温度等によるＩＴＯ薄膜への影響を減少させる効果があると共に、万が一ＩＴＯ薄膜に亀裂等のダメージを生じても、この微粒子層１が適度に変形することにより、導通が確保される。
【０１８９】
〔実施例１５〕
本実施例の主要部分は実施例３と同様に図７、図８に示され、基板３上に形成された接続端子２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子２上の微粒子層１ともう一方の基板５に形成された接続端子４とが異方性導電材８を介して接続されている。
【０１９０】
本実施例の全体構成は、実施例１３と同様に図３に示され、図３の断面Ａ−Ａは図７に対応し、断面Ｂ−Ｂは図８に対応する。
【０１９１】
本実施例では、０．４ｍｍ厚さのポリカーボネート基材の基板３上に、８００Åの厚さのＩＴＯでパターニングしてなる接続端子２が形成されている。この接続端子２の表面上に、Ａｕの超微粒子を堆積してなる微粒子層１を実施例１と同様の図４に示すガス中蒸発法を使い形成している。超微粒子生成室と膜形成室との差圧を３気圧とし、膜形成室内の基板３の温度は１００℃の条件で行った。このＡｕの微粒子層１内の超微粒子は平均１μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは１〜３μｍである。
【０１９２】
この接続端子２上の微粒子層１に、１８μｍ厚のポリイミドベースフィルムの基板５に１８μｍ厚の銅箔をパターニングした接続端子４が異方性導電材８を介して接続されている。
【０１９３】
ここで使用する異方性導電材８は異方性導電膜であり、主に導電粒子９と接着剤１０より構成されている。この導電粒子９は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤１０はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物である。この異方性導電材８の異方性導電膜を接続端子２の表面の微粒子層１と基板５の接続端子４との間に配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板５に押し当てることによって硬化接続させる。また、異方性導電膜にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを基板５に押し当て、接続端子２側からＵＶ照射して硬化させる。
【０１９４】
ここでは、粒子径が５μｍ〜１０μｍのポリスチレン系のプラスチック粒子に３μｍ厚のＮｉメッキと０．５μｍ厚のＡｕメッキをした導電粒子９をエポキシ系を主成分とする接着剤１０中に５重量％混合分散させた異方性導電膜（異方性導電材８）を使用し、加熱加圧は温度１３５℃、圧力０．５ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。接続端子の形成ピッチは２３０μｍで、端子数３２０である。
【０１９５】
この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−３０℃で３０分、８０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０１９６】
他の異方性導電材８として、異方性導電接着剤があり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。
【０１９７】
また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物である。この異方性導電材８の異方性導電接着剤は液状、またはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、接続端子２の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化性又は熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板５に押し当てることによって硬化接続させる。また、異方性導電接着剤にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを基板５に押し当て、基板３側からＵＶ照射して硬化させる。
【０１９８】
なお図示は省略してあるが、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、端子間または接続部全体をモールド材で覆ってもよい。
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０１９９】
また、基板３の材質としては、ポリカーボネート（ＰＣ）の他にポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、アクリル、ポリアリレートまたはポリヒドロキシポリエーテル等の厚み１８μｍから５００μｍのプラスチックフィルムまたはプラスチック板も使用できる。
【０２００】
上述のような構成によれば、実施例３と同様の効果に加えて、特に、プラスチック基材の基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。特に、低抵抗化の方法としては、一般的に湿式法によるメッキ処理があるが、このプラスチック基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子についてはこの湿式法によるメッキ処理をすると使用するアルカリ性や酸性の薬品により変色、腐食、浸食等の悪影響を強く受けるため好ましくない。これに対して、本実施例の方法は、このような薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化に最適な方法である。
【０２０１】
さらに、微粒子層１のクッション性により接続時の圧力や温度等によるＩＴＯ薄膜への影響を減少させたり、万が一ＩＴＯ薄膜に亀裂等のダメージを生じても、この微粒子層１は適度に変形することにより、導通が確保される。また、異方性導電材８を介在させることにより、接続端子４の凸凹を導電粒子９が補完して、多数の粒子が導通に寄与して、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。
【０２０２】
〔実施例１６〕
本実施例の主要部分は、実施例４と同様に図１１に示され、基板３上に形成された接続端子２の表面の一部または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子２上の微粒子層１と半導体チップ１６に形成されたバンプ１７とが接着剤６を介して接続されている。
本実施例の全体構成は、図９に示されており、図９の断面Ａ−Ａは図１１に対応している。
【０２０３】
本実施例では、０．１ｍｍの厚さのポリカーボネート基材の基板上３に、７００Åの厚さのＩＴＯをパターニングしてなる接続端子２が形成されている。この接続端子２の表面上に、Ａｇの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が、実施例４と同様に図１０に示すガス中蒸発法を使い形成されている。超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室の温度は室温（約２５℃）の条件で行った。このＡｇの微粒子層１は６０ｎｍ位の粒子径の超微粒子間に隙間がある状態で形成されていた。微粒子層１の厚さは０．１〜１．５μｍである。
【０２０４】
この接続端子２の表面上の微粒子層１に半導体チップ１６のバンプ１７が接着剤６を介して接続されている。この接着剤６としてはスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独又は複数の混合物若しくは化合物である。
【０２０５】
この接着剤６を接続端子２と半導体チップ１６及びバンプ１７との間に配置し、この接着剤６に熱硬化性又は熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当てることによって硬化接続させる。また、この接着剤６にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当て、基板３側からＵＶ照射して硬化させる。
【０２０６】
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤６を使用し、加熱加圧を温度１３５℃、圧力０．２ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。接続端子及びバンプの形成ピッチは１２０μｍで、バンプ数１００である。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−３０℃で３０分、８０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０２０７】
接続端子２の表面の微粒子層１とバンプ１７が直接接触し電気的導通がとられており、その状態を接着剤６が機械的に固定保持し、また、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護し接続状態を安定化している。
【０２０８】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０２０９】
また、基板３の材質としては、ポリカーボネート（ＰＣ）の他にポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、アクリル、ポリアリレートまたはポリヒドロキシポリエーテル等の厚み１８μｍから５００μｍのプラスチックフィルムまたはプラスチック板も使用できる。上述のような構成によれば、上記実施例４の効果の他に、特に、プラスチック基材の基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。特に、低抵抗化の方法としては、一般的に湿式法によるメッキ処理があるが、このプラスチック基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子についてはこの湿式法によるメッキ処理をすると使用するアルカリ性や酸性の薬品により変色、腐食、浸食等の悪影響を強く受けるため好ましくない。これに対して、本実施例の方法は、このような薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化に最適な方法である。さらに、ＩＴＯ薄膜に接続時の圧力や温度等による影響を減少させたり、万が一に亀裂等のダメージを生じても、この微粒子層１は適度に変形することにより、導通が確保される。また、超微粒子の粒子径を６０ｎｍ位の微細にし、粒子間に隙間がある状態に形成することにより、微粒子層１がクッション材的な働きをして、接続端子２またはバンプ１７の凸凹、または接続端子２及びバンプ１７の凸凹を緩和して接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。また、接続端子２の表面の微粒子層１とバンプ１７とが直接接触するため、位置合わせズレや加熱加圧接続時のズレによる端子間のショートを除けば、接続不良となる他の要因が入らないだけ、接続ピッチの微細化が可能である。
【０２１０】
〔実施例１７〕
本実施例の主要部分は実施例５と同様に図１２に示され、基板３上に形成された接続端子２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子２上の微粒子層１と半導体チップ１６のバンプ１７とが導電性接着剤７を介して接続されている。
本実施例の全体構成は、実施例１０と同様に図９に示され、図９の断面Ａ−Ａは図１２に対応している。
【０２１１】
本実施例では、０．１ｍｍの厚さのポリカーボネート基材の基板３上に、１０００Åの厚さのＩＴＯでパターニングしてなる接続端子２が形成されている。接続端子２の表面上には、Ａｕの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が実施例５と同様に図１０に示すガス中蒸発法を使い形成されている。超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室内の基板３の温度は１２０℃の条件で成膜した。この微粒子層１内のＡｕの超微粒子は平均３μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは３〜８μｍである。
【０２１２】
この接続端子２の表面上の微粒子層１に半導体チップ１６のバンプ１７が導電性接着剤７を介して接続されている。この導電性接着剤７は、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独又は複数の混合物若しくは化合物の接着剤の中に、０．１〜５μｍの粒子径のＡｇを混合分散したものである。
【０２１３】
この導電性接着剤７を接続端子２上に印刷法やディスペンス法等の公知の方法によって載置し、合わせて接着剤６をバンプ１７との間に配置し、この導電性接着剤７または接着剤６に熱硬化性又は熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当てることによって硬化接続させる。また、この導電性接着剤にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当て、基板３側からＵＶ照射して硬化させる。
【０２１４】
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤の中に１〜２μｍの粒子径の銀粉末を混合分散した導電性接着剤７を使用し、加熱加圧を温度１３５℃、圧力１０ｇｆ／バンプ、時間３０秒の条件で行った。接続端子及びバンプの形成ピッチは１２０μｍで、バンプ数は１００である。この導電接続部に耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−３０℃で３０分、８０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。なお、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、端子間または接続部全体をモールド材で覆ってもよい。
【０２１５】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０２１６】
上述のような構成によれば、実施例５の効果に加えて、特に、プラスチック基材の基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。さらに、低抵抗化の方法としては、一般的に湿式法によるメッキ処理があるが、このプラスチック基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子についてはこの湿式法によるメッキ処理をすると使用するアルカリ性や酸性の薬品により変色、腐食、浸食等の悪影響を強く受けるため好ましくない。これに対して、本実施例の方法は、このような薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化に最適な方法である。さらに、接続時の圧力や温度等によるＩＴＯ薄膜への影響を減少させたり、万が一ＩＴＯ薄膜に亀裂等のダメージを生じても、この微粒子層１が適度に変形することにより、導通が確保される。
【０２１７】
〔実施例１８〕
本実施例１８は、実施例６と同様に図１３に示す主要部分を備えたものである。基板３上に形成された接続端子２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子２上の微粒子層１と半導体チップ１６のバンプ１７とが異方性導電材８を介して接続されている。
【０２１８】
この実施例では、実施例１０と同様に、図９にその全体構成が示されている。
【０２１９】
図９の断面Ａ−Ａは図１３に対応している。
【０２２０】
本実施例では、０．１ｍｍ厚のポリカーボネート基材の基板３上に、１０００Åの厚さのＩＴＯでパターニングしてなる接続端子２が形成されている。この接続端子の表面上には、Ａｕの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が実施例６と同様に図１０に示すガス中蒸発法を使い形成されている。超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室内の基板３の温度は１２０℃の条件で行った。この微粒子層１内のＡｕの超微粒子は平均３μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは３〜８μｍである。
この接続端子２の表面上の微粒子層１に半導体チップ１６のバンプ１７が異方性導電材８を介して接続されている。ここで使用する異方性導電材８は異方性導電膜であり、主に導電粒子９と接着剤１０より構成されている。
【０２２１】
この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独又は複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独又は複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。
【０２２２】
また、この接着剤１０はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独又は複数の混合物若しくは化合物である。この異方性導電材８の異方性導電膜を接続端子２の表面の微粒子層１と半導体チップ１６のバンプ１７との間に配置し、異方性導電膜に熱硬化性又は熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当てることによって硬化接続させる。また、異方性導電膜にＵＶ硬化タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当て、基板３側からＵＶ照射して硬化させる。
ここでは、粒子径が１μｍ〜３μｍのポリスチレン系のプラスチック粒子に１μｍ厚のＮｉメッキと０．５μｍ厚のＡｕメッキをした導電粒子９をエポキシ系を主成分とする接着剤１０中に５重量％混合分散させた異方性導電膜（異方性導電材８）を使用し、加熱加圧は温度１７５℃、圧力１０ｇｆ／バンプ、時間３０秒の条件で行った。接続端子及びバンプの形成ピッチは１００μｍで、バンプ数は１２０である。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）５００時間、冷熱サイクル試験（−３０℃で３０分、８０℃で３０分）５００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０２２３】
他の異方性導電材８として、異方性導電接着剤があり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独又は複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独又は複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独又は複数の混合物若しくは化合物である。
【０２２４】
この異方性導電材８の異方性導電接着剤は液状、またはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、接続端子２の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化性又は熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当てることによって硬化接続させる。また、異方性導電接着剤にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを半導体チップ１６に押し当て、基板３側からＵＶ照射して硬化させる。
【０２２５】
なお、図示は省略してあるが、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、接続部または半導体チップ全体をモールド材で覆ってもよい。
【０２２６】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子形が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０２２７】
また、基板３の材質としては、ポリカーボネート（ＰＣ）の他にポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、アクリル、ポリアリレートまたはポリヒドロキシポリエーテル等の厚み１８μｍから５００μｍのプラスチックフィルムまたはプラスチック板も使用できる。
上述のような構成によれば、実施例６の効果に加えて、特に、プラスチック基材の基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。さらに、低抵抗化の方法としては、一般的に湿式法によるメッキ処理があるが、このプラスチック基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子についてはこの湿式法によるメッキ処理をすると使用するアルカリ性や酸性の薬品により変色、腐食、浸食等の悪影響を強く受けるため好ましくない。これに対して、本実施例の方法は、このような薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化に最適な方法である。
【０２２８】
また、微粒子層１の柔軟性は接続時の圧力や温度等によるＩＴＯ薄膜への影響を減少させ、万が一ＩＴＯ薄膜に亀裂等のダメージを生じても、この微粒子層１が適度に変形することにより、導通が確保される。
【０２２９】
〔実施例１９〕
本実施例１９は、図１６、図１７に示す主要部分を備えた本発明に係る液晶表示装置の実施例である。パネル基板２４に形成された接続端子２６の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子２６上の微粒子層１ともう一方の基板２０に形成された接続端子２５とが接着剤６を介して接続されている。
【０２３０】
図１４は本実施例の液晶表示装置の斜視図であり、図１５は図１４の液晶表示装置の主要部分の拡大斜視図であり、パネル基板２４の接続端子２６（図示せず）と基板２０の接続端子２５とが接続している。図１５の断面Ａ−Ａは図１６に対応し、断面Ｂ−Ｂは図１７に対応している。ここでは、液晶パネル１８に液晶駆動用半導体チップ１９を搭載した基板２０がＸ側、Ｙ側に複数個接続されている。
【０２３１】
図１８はパネル基板２４の接続端子２６の表面に微粒子層１を形成する方法を示す概略図である。ガス中蒸発法により、超微粒子生成室（図示せず）で生成した導電性物質の蒸気が不活性ガスとともに搬送管１２を通って流れ１１により運ばれ、膜形成室（おおむね図１８に示したものが入っている室）にあるノズル１３から、パネル基板２４の接続端子２６の表面に吹き付けられ、超微粒子からなる微粒子層１を成膜する。パネル基板２４をＸ方向１４とＹ方向１５に移動する移動方向と移動速度、ノズル１３からの流れ１１、およびノズル１３と接続端子２６との距離を制御することにより、パネル基板２４の接続端子２６の表面に所望の形状および厚みの微粒子層１を形成することができる。また、超微粒子生成室と膜形成室との差圧と温度を制御することによっても微粒子層１の粒子径、密度、厚み等を所望のものとすることができる。
【０２３２】
本実施例では、１．１ｍｍ厚さのガラス基材からなるパネル基板２４上に１０００Å厚さのＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の接続端子２６を形成している。この接続端子２６の表面に、Ａｇの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が形成されている。微粒子層１を成膜するガス中蒸発法においては、超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室の温度は室温（約２５℃）の条件で成膜した。このＡｇの微粒子層１は平均６０ｎｍ位の粒子径の超微粒子間に隙間がある状態で形成されていた。超微粒子層１の厚さは０．１〜１．５μｍである。この接続端子２上の微粒子層１に、５０μｍ厚のポリイミドベースフィルムの基板２０に３５μｍ厚の銅箔をパターニングしてなる接続端子２５が接着剤６を介して接続されている。
【０２３３】
この接着剤６としてはスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独又は複数の混合物若しくは化合物である。この接着剤６を接続端子２６と接続端子２５との間に配置し、この接着剤６に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板２０に押し当てることによって硬化接続させる。また、この接着剤６にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを基板２０に押し当て、パネル基板２４（ガラス基板）側からＵＶ照射して硬化させる。ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤６を使用し、加熱加圧を温度１７５℃、圧力３ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。接続端子の形成ピッチは２００μｍで、合計１１２０個の端子数を備えたもの（表示容量が６４０×４８０ドットの液晶表示装置に対応するもの）である。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−２０℃で３０分、６０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０２３４】
この実施例では、接続端子２６の表面の微粒子層１と接続端子２５とが直接接触し電気的導通がとられており、その状態を接着剤６が機械的に固定保持し、また、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護し接続状態を安定化している。
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超伝導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０２３５】
上述のような構成によれば、接続端子２６の端子幅の細りや断線を微粒子層１が覆うことまたは充填することにより補修ができ、また接続端子２５との接続幅または接続長さを最大限に確保でき、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。特に、ＩＴＯ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、湿式メッキ法のような複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。
【０２３６】
また、微粒子層１の粒子径を６０ｎｍ位の微細にし、粒子間に隙間がある状態に形成することにより、微粒子層１がクッション材的な働きをして、接続端子２５の凹凸を緩和して接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。また、接続端子２６の表面の微粒子層１と接続端子２５とが直接接触するため、端子位置合わせズレや加熱加圧接続時のズレによる端子間ショートを除けば、接続不良となる他の要因が入らないだけ、接続ピッチの微細化が可能である。
【０２３７】
〔実施例２０〕
図１９、図２０は本発明に係る液晶表示装置の実施例の主要部分を示す断面図である。パネル基板２４に形成された接続端子２６の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子２６上の微粒子層１ともう一方の基板２０に形成された接続端子２５とが接着剤６を介して接続されている。
【０２３８】
図１４は本実施例の液晶表示装置の１実施例の斜視図であり、図１５は図１４の液晶表示装置の主要部分の拡大斜視図であり、パネル基板２４の接続端子２６（図示せず）と基板２０の接続端子２５とが接続されている。図１５の断面ＡＡは図１９に対応し、断面Ｂ−Ｂは図２０に対応している。
【０２３９】
図１８はパネル基板２４の接続端子２６の表面上に微粒子層１を形成する状態を示す概略図である。ガス中蒸発法により、超微粒子生成室（図示せず）で生成した導電性物質の蒸気を不活性ガスにより搬送管１２を通して流れ１１に沿って搬送し、膜形成室（おおむね図１８に示したものが入っている室）にあるノズル１３から、パネル基板２４の接続端子２６の表面に吹き付けることにより超微粒子が堆積してなる微粒子層１が成膜される。パネル基板２４をＸ方向１４とＹ方向１５に移動する移動方向と移動速度、ノズル１３からの流れ１１、およびノズル１３と接続端子２６との距離を制御することにより、パネル基板２４の接続端子２６の表面に所望の形状および厚みの微粒子層１を形成することができる。また、超微粒子生成室と膜形成室との差圧と温度を制御することによっても微粒子層１の粒子径、密度、厚み等を所望のものとすることができる。
【０２４０】
本実施例では、１．１ｍｍの厚さのガラス基材からなる基板２４上に、１０００Åの厚さのＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の接続端子２６が形成されている。この接続端子２６の表面上に、Ａｇの超微粒子を堆積してなる微粒子層１がガス中蒸発法により成膜される。超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室の温度は室温（約２５℃）の条件で行った。このＡｇの微粒子層１は平均６０ｎｍ位の粒子径の超微粒子間に隙間がある状態で形成されていた。
【０２４１】
この微粒子層１は接続端子２６の表面をほぼ全面に亘って被覆しているが、ここに、高さが２μｍから５μｍ程度あり、凸部間のピッチが５０μｍから３００μｍ程度ある突起２７が形成されている。この結果、微粒子層１の厚さは０．１〜６．５μｍとなっている。突起２７は、ノズル１３の移動速度を変化させることにより容易に形成できる。
この接続端子２６上の微粒子層１上に、５０μｍのポリイミドベースフィルムの基板２０に３５μｍ厚の銅箔をパターニングしてなる接続端子２５が接着剤６を介して接続されている。
【０２４２】
この接着剤６としてはスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独又は複数の混合物若しくは化合物である。
この接着剤６を接続端子２６と接続端子２５との間に配置し、この接着剤６に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板２０に押し当てることによって硬化接続させる。また、この接着剤６にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを基板２０に押し当て、パネル基板２４（ガラス基板）側からＵＶ照射して硬化させる。
【０２４３】
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤６を使用し、加熱加圧を温度１７５℃、圧力３ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。接続端子の形成ピッチは２００μｍで、合計１１２０端子を備えたもの（表示容量が６４０×４８０ドットの液晶表示装置に対応するもの）である。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−２０℃で３０分、６０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が維持確保されていた。
【０２４４】
この実施例では接続端子２６の表面上の微粒子層１と接続端子２５とが直接接触し電気的導通がとられており、その状態を接着剤６が機械的に固定保持し、また、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護し、接続状態を安定化している。
【０２４５】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０２４６】
上述のような構成によれば、超微粒子の粒子径を６０ｎｍ位の微細にし、粒子間に隙間がある状態に形成すること、突起２７を形成することにより、この微粒子層１と接続端子２５との接続部において、突起２７のクッション材的な働きにより、及び突起間の隙間から接着剤６が速やかにこの突起部の接触部分より排除されることにより、導電接続が確実になされるので、接続抵抗値を低減でき、接続状態を安定化できる。
【０２４７】
〔実施例２１〕
図２１、図２２は本発明に係る液晶表示装置の実施例の主要部分を示す断面図である。パネル基板２４に形成された接続端子２６の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子２６上の微粒子層１ともう一方の基板２０に形成された接続端子２５とが導電性接着剤７を介して接続されている。
【０２４８】
図１４は本実施例の液晶表示装置の斜視図であり、図１５は図１４の液晶表示装置の主要部分の拡大斜視図であり、パネル基板２４の接続端子２６（図示せず）と基板２０の接続端子２５とが接続している。図１５の断面Ａ−Ａは図２１に対応し、断面Ｂ−Ｂは図２２に対応している。液晶パネル１８に液晶駆動用半導体チップ１９を搭載した基板２０がＸ側、Ｙ側に複数個接続されている。本実施例では、１．１ｍｍの厚さのガラス基材からなるパネル基板２４上に、１０００Åの厚さのＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の接続端子２６が形成されている。この接続端子２６の表面上に、Ａｕの超微粒子からなる微粒子層１が図１８に示すガス中蒸発法を使い成膜されている。ここで、超微粒子生成室と膜形成室との差圧を３気圧とし、膜形成室の温度は１００℃の条件で行った。このＡｕの超微粒子は平均１μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは１〜３μｍである。
【０２４９】
この接続端子２６上の微粒子層１に、５０μｍ厚のポリイミドベースフィルムの基板２０に３５μｍ厚の銅箔をパターニングしてなる接続端子２５が導電性接着剤７を介して接続されている。
【０２５０】
この導電性接着剤７は、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独又は複数の混合物若しくは化合物の接着剤の中に、０．１〜５μｍの粒子径のＡｇ等の導電性物質を混合分散したものである。
【０２５１】
この導電性接着剤７を接続端子２６上に印刷法やデイスペンス法等の公知の方法により載置し、合わせて接着剤６を使ってもよく、この導電性接着剤７と接着剤６を接続端子２５との間に配置し、この導電性接着剤７または接着剤６に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板２０に押し当てることによって硬化接続させる。また、この導電性接着剤７または接着剤６にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを基板２０に押し当て、パネル基板２４（ガラス基板）側からＵＶ照射して硬化させる。また、この接続部分および接続端子２６の露出部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、端子間または接続部全体をモールド２３で覆っている。ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤中に１〜２μｍの粒子径の銀粉末を混合分散した導電性接着剤７を使用し、加熱加圧を温度１７５℃、圧力４ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。接続端子の形成ピッチは２００μｍで、合計１１２０個の端子を備えたもの（表示容量が６４０×４８０ドットの液晶表示装置に対応するもの）である。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−２０℃で３０分、６０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が維持確保されていた。
【０２５２】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することにより使用可能である。
【０２５３】
上述のような構成によれば、導電性接着剤７を介在させることにより、接続端子２５の凹凸を補完して接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。また、導電性接着剤７の中の導電材として、０．１μｍ〜３μｍのカーボン粒子を使うこともでき、この場合には接続抵抗値はＡｇの場合と比較すると高くなるが、材料費が安くなり、またマイグレーション等の発生防止対策としての防湿モールド材を省け、安価で信頼性の高い端子接続ができる。
【０２５４】
〔実施例２２〕
図２３、図２４は本発明に係る液晶表示装置の実施例２２の主要部分を示す断面図である。パネル基板２４に形成された接続端子２６の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子２６上の微粒子層１ともう一方の基板２０に形成された接続端子２５とが異方性導電材８を介して接続されている。
【０２５５】
図１４は液晶表示装置の斜視図であり、図１５は図１４の液晶表示装置の主要部分の拡大斜視図であり、パネル基板２４の接続端子２６（図示せず）と基板２０の接続端子２５とが接続している。図１５の断面Ａ−Ａは図２３に対応し、断面Ｂ−Ｂは図２４に対応する。液晶パネル１８に液晶駆動用半導体チップ１９を搭載した基板２０がＸ側、Ｙ側に複数個接続されている。
【０２５６】
本実施例では、０．７ｍｍの厚さのガラス基材からなるパネル基板２４上に、１０００Åの厚さのＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の接続端子２６が形成されている。この接続端子２６の表面上に、Ａｕの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が図１８に示すガス中蒸発法により形成される。ここで、超微粒子生成室と膜形成室との差圧を３気圧とし、膜形成室の温度は１００℃の条件で行った。このＡｕの超微粒子は平均１μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは１〜３μｍである。
【０２５７】
この接続端子２６上の微粒子層１の上に、５０μｍ厚のポリイミドベースフィルムの基板２０に２５μｍ厚の銅箔をパターニングしてなる接続端子２５が異方性導電材８を介して接続されている。
【０２５８】
ここで使用する異方性導電材８は異方性導電膜であり、主に導電粒子９と接着剤１０より構成されている。この導電粒子９は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独又は複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系樹脂等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独又は複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。
【０２５９】
また、この接着剤１０はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独又は複数の混合物若しくは化合物である。この異方性導電材８の異方性導電膜をパネル基板２４および接続端子２６の表面の微粒子層１と基板２０の接続端子２５との間に配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板２０に押し当てることによって硬化接続させる。また、異方性導電膜にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを基板２０に押し当て、接続端子２６（ガラス基板側）側からＵＶ照射して硬化させる。
【０２６０】
ここでは、粒子径が５μｍ〜１０μｍのジベニルベンゼン系のプラスチック粒子に２μｍ厚のＮｉメッキと０．５μｍ厚ののＡｕメッキをした導電粒子９をエポキシ系を主成分とする接着剤１０中に５重量％混合分散させた異方性導電膜（異方性導電材８）を使用し、加熱加圧は温度１５５℃、圧力２ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。接続端子の形成ピッチは２００μｍで、合計１１２０個の端子を持つもの（表示容量が６４０×４８０ドットの液晶表示装置に対応するもの）である。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル（−２０℃で３０分、６０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０２６１】
他の異方性導電材８として、異方性導電接着剤があり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｓｎ等の単独又は複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系樹脂等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。
【０２６２】
また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独又は複数の混合物若しくは化合物である。この異方性導電材８の異方性導電接着剤は液状、またはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、接続端子２６の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板２０に押し当てることによって硬化接続させる。また、異方性導電接着剤にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを基板２０に押し当て、パネル基板２４（ガラス基板側）側からＵＶ照射して硬化させる。
【０２６３】
なお、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、端子間または接続部全体をモールド２３で覆ってもよい。
【０２６４】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０２６５】
上述のような構成によれば、接続端子２６の端子幅の細りや断線を微粒子層１が覆うことまたは充填することにより補修ができ、また接続端子２５との接続幅または接続長さを最大限に確保でき、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。特に、ガラス基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。
【０２６６】
また、異方性導電材８を介在させることにより、接続端子２５の凹凸を補完して導電粒子９の接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。
【０２６７】
〔実施例２３〕
図２５は本発明に係る液晶表示装置の実施例２３の主要部分を示す断面図である。パネル基板２４に形成された接続端子２６の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子２６上の微粒子層１ともう一方の基板２０に形成された接続端子２５とが接着剤６を介して接続されている。
【０２６８】
図１４は本実施例の液晶表示装置の斜視図であり、図１５は図１４の液晶表示装置の主要部分の拡大斜視図であり、パネル基板２４の接続端子２６（図示せず）と基板２０の接続端子２５とが接続されている。図１５の断面Ｂ−Ｂは図２５に対応している。液晶パネル１８に液晶駆動用半導体チップ１９を搭載した基板２０がＸ側、Ｙ側に複数個接続されている。
【０２６９】
本実施例では、０．１ｍｍの厚さのプラスチック基材からなる基板２４上に、７００Åの厚さのＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の接続端子２６が形成されている。この接続端子の表面上に、Ａｇの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が図１８に示すガス中蒸発法により形成されている。ここで、超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室の温度は室温（約２５℃）の条件で行った。このＡｇの微粒子層１は平均６０ｎｍ位の粒子径の超微粒子間に隙間がある状態で形成されていた。微粒子層１の厚さは０．１〜１．５μｍである。
【０２７０】
この接続端子２６上の微粒子層１に、５０μｍ厚のポリイミドベースフィルムの基板２０に３５μｍの銅箔をパターニングした接続端子２５が接着剤６を介して接続されている。
この接着剤６としてはスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独又は複数の混合物若しくは化合物である。この接着剤６を接続端子２６と接続端子２５との間に配置し、この接着剤６に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板２０に押し当てることによって硬化接続させる。また、この接着剤６にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを基板２０に押し当て、パネル基板２４側からＵＶ照射して硬化させる。
【０２７１】
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤６を使用し、加熱加圧を温度１３５℃、圧力０．２ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。接続端子の形成ピッチは２５０μｍで、合計５６０端子を備えたもの（表示容量が３２０×２４０ドットの液晶表示装置に対応するもの）である。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−２０℃で３０分、６０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０２７２】
本実施例では、接続端子２６の表面上の微粒子層１と接続端子２５とが直接接触し電気的導通がとられており、その状態を接着剤６が機械的に固定保持し、また、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護し接続状態を安定化している。ここで、本実施例では図２５に示すように、接続時の応力により接続端子２６の一部に変形部２８が生じ、接続端子２６の上に被着されている微粒子層１にも大きな変形が発生している。
【０２７３】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０２７４】
また、パネル基板２４の基材としては、ポリカーボネート（ＰＣ）の他にポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、アクリル、ポリアリレートまたはポリヒドロキシポリエーテル等の厚み１８μｍから５００μｍのプラスチックフィルムまたはプラスチック板も使用できる。
【０２７５】
上述のような構成によれば、微粒子層１の柔軟性は接続時の圧力や温度等によるＩＴＯ薄膜への影響を減少させ、万が一、変形部２８に亀裂等のダメージを生じても、微粒子層１が適度に変形することにより、導通が確保される。また、超微粒子の粒子径を６０ｎｍ位の微細にし、粒子間に隙間がある状態に形成することにより、微粒子層１がクッション材的な働きをして、接続端子２５の凹凸を緩和して接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。また、接続端子２６の表面上の微粒子層１と接続端子２５とが直接接続するため、端子位置合わせズレや加熱加圧接続時のズレによる端子間ショートを除けば、接続不良となる他の要因が入らないだけ接続ピッチの微細化が可能である。
【０２７６】
〔実施例２４〕
図２６は本発明に係る液晶表示装置の実施例２４の主要部分を示す断面図である。パネル基板２４に形成された接続端子２６の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子２６上の微粒子層１ともう一方の基板２０に形成された接続端子２５とが導電性接着剤７を介して導電接続されている。
【０２７７】
図１４は液晶表示装置の斜視図であり、図１５は図１４の液晶表示装置の主要部分の拡大斜視図であり、パネル基板２４の接続端子２６（図示せず）と基板２０の接続端子２５とが接続されている。図１５の断面Ｂ−Ｂは図２６に対応している。液晶パネル１８に液晶駆動用半導体チップ１９を搭載した基板２０がＸ側、Ｙ側に複数個接続されている。
【０２７８】
本実施例では、０．４ｍｍの厚さのプラスチック基材からなる基板２４上に、１０００Åの厚さのＩＴＯ（Ｉｎｄｅｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の接続端子２６が形成されている。この接続端子２６の表面上に、Ａｕの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が図１８に示すガス中蒸発法により形成されている。ここで、超微粒子生成室と膜形成室との差圧を３気圧とし、膜形成室の温度は１００℃の条件で成膜した。このＡｕの超微粒子は平均１μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは１〜３μｍである。
【０２７９】
この接続端子２６上の微粒子層１に、５０μｍ厚のポリイミドベースフィルムの基板２０に２５μｍ厚の銅箔をパターニングしてなる接続端子２５が導電性接着剤７を介して接続されている。
【０２８０】
この導電性接着剤７は、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独又は複数の混合物若しくは化合物の接着剤の中に、０．１〜５μｍの粒子径のＡｇ等の導電性物質を混合分散したものである。
【０２８１】
この導電性接着剤７を接続端子２６上に印刷法やディスペンス法等の公知の方法により載置し、合わせて接着剤６を介してもよく、この導電性接着剤７と接着剤６を接続端子２５との間に配置し、この導電性接着剤７または接着剤６に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板２０に押し当てることによって硬化接続させる。また、この導電性接着剤７または接着剤６にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを基板２０に押し当て、パネル基板２４側からＵＶ照射して硬化させる。また、この接続部分および接続端子２６の露出部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、端子間または接続部全体をモールド２３で覆っている。
【０２８２】
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤中に１〜２μｍの粒子径の銀粉末を混合分散した導電性接着剤７を使用し、加熱加圧を温度１３５℃、圧力０．４ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。接続端子の形成ピッチは２５０μｍで、合計５６０個の端子を備えたもの（表示容量が３２０×２４０ドットである液晶表示装置に対応するもの）である。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−２０℃で３０分、６０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が維持確保されていた。
【０２８３】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０２８４】
また、パネル基板２４の基材としては、ポリカーボネート（ＰＣ）の他にポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、アクリル、ポリアリレートまたはポリヒドロキシポリエーテル等の厚み１８μｍから５００μｍのプラスチックフィルムまたはプラスチック板も使用できる。
【０２８５】
ここで、本実施例では図２６に示すように、接続時の応力により接続端子２６の一部に変形部２８が生じ、同時に接続端子２６の上に被着されている微粒子層１、導電性接着剤７にも大きな変形が発生している。
【０２８６】
上述のような構成によれば、上記のような薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化に最適な方法であり、微粒子層１の柔軟性は接続時の圧力や温度等によるＩＴＯ薄膜への影響を減少させ、万が一接続端子２６の変形部２８に亀裂等のダメージを生じても、この微粒子層１が適度に変形することにより、導通が確保される。
【０２８７】
また、導電性接着剤７を介在させることにより、接続端子２５の凹凸を補完して接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。また、同時に、導電性接着剤７には接続時の応力を緩和する効果もある。
【０２８８】
また、導電性接着剤７の導電材として、０．１μｍ〜３μｍのカーボン粒子を使うこともでき、この場合には接続抵抗値はＡｇの場合と比較すると高くなるが、材料費が安くなり、またマイグレーション等の発生防止対策としての防湿モールド材を省け、安価で信頼性の高い端子接続ができる。
【０２８９】
〔実施例２５〕
図２７は本発明に係る液晶表示装置の実施例２５の主要部分を示す断面図である。パネル基板２４に形成された接続端子２６の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子２６上の微粒子層１ともう一方の基板２０に形成された接続端子２５とが異方性導電材８を介して接続されている。
【０２９０】
図１４は液晶表示装置の斜視図であり、図１５は図１４の液晶表示装置の主要部分の拡大斜視図であり、パネル基板２４の接続端子２６（図示せず）と基板２０の接続端子２５とが接続している。図１５の断面Ｂ−Ｂは図２７に対応している。液晶パネル１８に液晶駆動用半導体チップ１９を搭載した基板２０がＸ側、Ｙ側に複数個接続されている。
【０２９１】
本実施例では、０．１ｍｍ厚のプラスチック基材の基板２４に形成された１０００Åの厚さのＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の接続端子２６が形成されている。この接続端子２６の表面上に、Ａｕの超微粒子を堆積させてなる微粒子層１が図１８に示すガス中蒸発法により形成されている。ここで、超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室の温度は１２０℃の条件で成膜した。このＡｕの超微粒子は平均３μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは３〜８μｍである。
この接続端子２６上の微粒子層１上に、５０μｍ厚のポリイミドベースフィルムの基板２０に２５μｍ厚の銅箔をパターニングした接続端子２５が異方性導電材８を介して接続されている。
【０２９２】
ここで使用する異方性導電材８は異方性導電膜であり、主に導電粒子９と接着剤１０より構成されている。この導電粒子９は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独又は複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系樹脂等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独又は複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤１０はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独又は複数の混合物若しくは化合物である。
【０２９３】
この異方性導電材８の異方性導電膜をパネル基板２４および接続端子２６の表面上の微粒子層１と基板２０の接続端子２５との間に配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板２０に押し当てることによって硬化接続させる。また、異方性導電膜にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを基板２０に押し当て、接続端子２６側からＵＶ照射して硬化させる。
【０２９４】
ここでは、粒子径が８μｍ〜１５μｍのポリスチレン系のプラスチック粒子に２μｍ厚のＮｉメッキと０．５μｍ厚のＡｕメッキをした導電粒子９をエポキシ系を主成分とする接着剤１０中に５重量％混合分散させた異方性導電膜（異方性導電材８）を使用し、加熱加圧は温度１３５℃、圧力０．３ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。接続端子の形成ピッチは２５０μｍで、合計５６０個の端子を備えたもの（表示容量が３２０×２４０ドットの液晶表示装置に対応するもの）である。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−２０℃で３０分、６０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０２９５】
他の異方性導電材８として、異方性導電接着剤があり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系樹脂等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。
【０２９６】
また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物である。
この異方性導電材８の異方性導電接着剤は液状、またはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、パネル基板２４および接続端子２６の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板２０に押し当てることによって硬化接続させる。また、異方性導電接着剤にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを基板２０に押し当て、パネル基板２４側からＵＶ照射して硬化させる。なお、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、端子間または接続部全体をモールド２３で覆ってもよい。
【０２９７】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
また、パネル基板２４の基材としては、ポリカーボネート（ＰＣ）の他にポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、アクリル、ポリアリレートまたはポリヒドロキシポリエーテル等の厚み１８μｍから５００μｍのプラスチックフィルムまたはプラスチック板も使用できる。
【０２９８】
上述のような構成によれば、微粒子層１により、接続時の圧力や温度等に起因する異方性導電材８の導電粒子により受ける局部的な応力を緩和させる効果があるためＩＴＯ薄膜への影響を減少させ、万が一ＩＴＯ薄膜に生ずる局部的な変形部２８に亀裂等のダメージを生じても、この微粒子層１の適度な変形により、導通が確保される。
【０２９９】
また、異方性導電材８を介在させることにより、接続端子２５の凹凸を補完して導電粒子９の接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。
【０３００】
〔実施例２６〕
図２９は本発明に係る液晶表示装置の実施例２６の主要部分を示す断面図である。パネル基板２４に形成された入力配線３１、出力配線３２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この入力配線３１、出力配線３２上の微粒子層１と液晶駆動用半導体チップ１９に形成されたバンプ３０とが接着剤６を介して接続されている。
【０３０１】
図２８は液晶表示装置の斜視図であり、パネル基板２４上の入力配線３１、出力配線３２、バス配線３３等は図示してないが、パネル基板２４上に液晶駆動用半導体チップ１９が接続されている。図２８の断面Ａ−Ａは図２９に対応している。液晶パネル１８に液晶駆動用半導体チップ１９がＸ側、Ｙ側に複数個接続されている。
【０３０２】
本実施例では、１．１ｍｍのガラス基材の基板２４に、１０００Åの厚さのＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の入力配線３１、出力配線３２が形成されている。この入力配線の表面上に、Ａｇの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が図１０、図１８に示す方法と同様の方法で、ガス中蒸発法により形成される。ここで、超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室の温度は室温（約２５℃）の条件で成膜を行った。このＡｇの微粒子層１は平均６０ｎｍ位の粒子径の超微粒子間に隙間がある状態で形成されていた。微粒子層１の厚さは０．１〜１．５μｍである。
【０３０３】
この入力配線３１、出力配線３２上の微粒子層１の上に、液晶駆動用半導体チップ１９に形成されたバンプ３０が接着剤６を介して接続されている。
【０３０４】
この接着剤６としてはスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系の単独または複数の混合物若しくは化合物である。この接着剤６を入力配線３１、出力配線３２の微粒子層１と液晶駆動用半導体チップ１９およびバンプ３０との間に配置し、この接着剤６に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを液晶駆動用半導体チップ１９に押し当てることによって硬化接続させる。また、この接着剤６にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを液晶駆動用半導体チップ１９に押し当て、パネル基板２４側からＵＶ照射して硬化させる。
【０３０５】
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤６を使用し、加熱加圧を温度１７５℃、圧力１０ｇｆ／バンプ、時間３０秒の条件で行った。この接続端子及びバンプの形成ピッチは最小１２０μｍで、表示容量が６４０×４８０ドットの液晶表示装置に対応するものである。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−２０℃で３０分、６０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が維持確保されていた。
【０３０６】
本実施例では、入力配線３１、出力配線３２上の微粒子層１とバンプ３０が直接接触し電気的導通をとられており、その状態を接着剤６が機械的に固定保持し、また、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等から保護し接続状態を安定化している。
【０３０７】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０３０８】
上述のような構成によれば、入力配線３１、出力配線３２の端子幅の細りや断線を微粒子層１が覆うことまたは充填することにより補修ができ、バンプ３０との接続面積を最大限に確保でき、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。特に、ＩＴＯ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、湿式メッキ法のような複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。また、超微粒子の粒子径を６０ｎｍ位の微細にし、粒子間に隙間がある状態に形成することにより、微粒子層１がクッション材的な働きをして、バンプ３０の凹凸を緩和して接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。また、入力配線３１、出力配線３２の表面上の微粒子１とバンプ３０とが直接接続するため、端子位置合わせズレや加圧接続時のズレによる端子間ショートを除けば、接続不良となる他の要因が入らないだけ、接続ピッチの微細化が可能である。
【０３０９】
〔実施例２７〕
図３０は本発明に係る液晶表示装置の実施例２７の主要部分を示す断面図である。パネル基板２４に形成された入力配線３１、出力配線３２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この入力配線３１、出力配線３２上の微粒子層１と液晶駆動用半導体チップ１９に形成されたバンプ３０とが導電性接着剤７を介して接続されている。
【０３１０】
図２８は液晶表示装置の斜視図であり、パネル基板２４上の入力配線３１、出力配線３２、バス配線３３等は図示してないが、パネル基板２４上に液晶駆動用半導体チップ１９が接続されている。図２８の断面Ａ−Ａは図３０に対応している。液晶パネル１８に液晶駆動用半導体チップ１９がＸ側、Ｙ側に複数個接続されている。
【０３１１】
本実施例では、１．１ｍｍ厚のガラス基材からなる基板２４上に、１０００Å厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の入力配線３１、出力配線３２が形成されている。これらの入力配線及び出力配線の表面上に、Ａｕの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が図１０、図１８に示すガス中蒸発法により形成されている。ここで、超微粒子生成室と膜形成室との差圧を３気圧とし、膜形成室の温度は１００℃の条件で行った。このＡｕの超微粒子は平均１μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは１〜３μｍである。
【０３１２】
この入力配線３１、出力配線３２の微粒子層１上に、液晶駆動用半導体チップ１９に形成されたバンプ３０が導電性接着剤７を介して接続されている。
【０３１３】
この導電性接着剤７は、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物の接着剤の中に、０．１〜５μｍの粒子径のＡｇ等の導電性物質を混合分散したものである。
【０３１４】
この導電性接着剤７を入力配線３１、出力配線３２上に印刷法やディスペンス法等の公知の方法により載置し、合わせて接着剤６を介してもよく、この導電性接着剤７と接着剤６を液晶駆動用半導体チップ１９およびバンプ３０との間に配置し、この導電性接着剤７または接着剤６に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを液晶駆動用半導体チップ１９に押し当てることによって硬化接続させる。また、この導電性接着剤７または接着剤６にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを液晶駆動用半導体チップ１９に押し当て、パネル基板２４側からＵＶ照射して硬化させる。また、図示してないが、この接続部分および入力配線３１、出力配線３２の露出部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、端子間または接続部全体をモールドで覆ってもよい。
【０３１５】
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤中に１〜２μｍの粒子径の銀粉末を混合分散した導電性接着剤７を使用し、加熱加圧を温度１７５℃、圧力１０ｇｆ／バンプ、時間３０秒の条件で接続を行った。この接続端子の形成ピッチは最小１２０μｍで、表示容量が６４０×４８０ドットの液晶装置に対応するものである。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−２０℃で３０分、６０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０３１６】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０３１７】
上述のような構成によれば、入力配線３１、出力配線３２の端子幅の細りや断線を微粒子層１が覆うことまたは充填することにより補修ができ、またバンプ３０との接続面積を最大限に確保でき、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。特に、ガラス基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。
【０３１８】
また、導電性接着剤７を介在させることにより、バンプ３０の凹凸を補完して接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。
【０３１９】
また、導電性接着剤７の中の導電材として、０．１μｍ〜３μｍのカーボン粒子を使うこともでき、この場合には接続抵抗値はＡｇの場合と比較すると高くなるが、材料費が安くなり、またマイグレーション等の発生防止対策としての防湿モールド材を省け、安価で信頼性の高い端子接続ができる。
【０３２０】
〔実施例２８〕
図３１は本発明に係る液晶表示装置の実施例２８の主要部分を示す断面図である。パネル基板２４に形成された入力配線３１、出力配線３２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この入力配線３１、出力配線３２上の微粒子層１ともう一方の液晶駆動用半導体チップ１９に形成されたバンプ３０とが異方性導電材８を介して接続されている。
【０３２１】
図２８は液晶表示装置の斜視図であり、パネル基板２４上の入力配線３１、出力配線３２、バス配線３３等は図示していないが、パネル基板２４上に液晶駆動用半導体チップ１９が接続されている。図２８の断面Ａ−Ａは図３１に対応している。液晶パネル１８に液晶駆動用半導体チップ１９がＸ側、Ｙ側に複数個接続されている。
【０３２２】
本実施例では、０．７ｍｍ厚のガラス基材のパネル基板２４上に、１０００Å厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の入力配線３１、出力配線３２が形成されている。これらの表面上には、Ａｕの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が図１０、図１８に示すガス中蒸発法により形成されている。ここで、超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室の温度は１２０℃の条件で成膜を行った。このＡｕの超微粒子は平均３μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは３〜８μｍである。
【０３２３】
この入力配線３１、出力配線３２上の微粒子層１に、液晶駆動用半導体チップ１９に形成されたバンプ３０が異方性導電材８を介して接続されている。ここで使用する異方性導電材８は異方性導電膜であり、主に導電粒子９と接着剤１０より構成されている。この導電粒子９は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系樹脂等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤１０はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物である。
【０３２４】
この異方性導電材８の異方性導電膜をパネル基板２４および入力配線３１、出力配線３２の表面上の微粒子層１と液晶駆動用半導体チップ１９およびバンプ３０との間に配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを液晶駆動用半導体チップ１９に押し当てることによって硬化接続させる。また、異方性導電膜にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを液晶駆動用半導体チップ１９に押し当て、パネル基板２４側からＵＶ照射して硬化させる。
【０３２５】
ここでは、粒子径が２μｍ〜３μｍのスチレン系のプラスチック粒子に２μｍ厚のＮｉメッキと０．５μｍ厚のＡｕメッキをした導電粒子９をエポキシ系を主成分とする接着剤１０中に５重量％混合分散させた異方性導電膜（異方性導電材８）を使用し、加熱加圧は温度１７５℃、圧力１０ｇｆ／バンプ、時間３０秒の条件で行った。接続端子及びバンプの形成ピッチは最小１２０μｍで、表示容量が６４０×４８０ドットの液晶表示装置に対応するものである。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−２０℃で３０分、６０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０３２６】
他の異方性導電材８として、異方性導電材接着剤があり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系樹脂等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。
【０３２７】
また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物である。この異方性導電材８の異方性導電接着剤は液状、またはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、入力配線３１、出力配線３２の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを液晶駆動用半導体チップ１９に押し当てることによって硬化接続させる。また、異方性導電性接着剤にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを液晶駆動用半導体チップ１９に押し当て、パネル基板２４側からＵＶ照射して硬化させる。
【０３２８】
なお、図示はしていないが、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、端子間または接続部全体をモールドで覆ってもよい。
【０３２９】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０３３０】
上述のような構成によれば、入力配線３１、出力配線３２の端子幅の細りや断線を微粒子層１が覆うことまたは充填することにより補修ができ、またバンプ３０との接続面積を最大限に確保でき、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。特に、ガラス基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。
【０３３１】
また、異方性導電材８を介在させることにより、バンプ３０の凹凸を補完して接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。
【０３３２】
〔実施例２９〕
図２９は本発明に係る液晶表示装置の実施例２９の主要部分を示す断面図である。パネル基板２４に形成された入力配線３１、出力配線３２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この入力配線３１、出力配線３２上の微粒子層１と液晶駆動用半導体チップ１９に形成されたバンプ３０とが接着剤６を介して接続されている。
【０３３３】
図２８は液晶表示装置の斜視図であり、パネル基板２４上の入力配線３１、出力配線３２、バス配線３３等は図示してないが、パネル基板２４上に液晶駆動用半導体チップ１９が接続されている。図２８の断面Ａ−Ａは図２９に対応している。液晶パネル１８に液晶駆動用半導体チップ１９がＸ側、Ｙ側に複数個接続されている。
【０３３４】
本実施例では、０．１ｍｍ厚のポリカーボネート基材からなるパネル基板２４上に、７００Å厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の入力配線３１、出力配線３２が形成されている。これらの表面上に、Ａｇの超微粒子を堆積させた微粒子層１が図１０、図１８に示すガス中蒸発法により形成されている。
【０３３５】
ここで、超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室の温度は室温（約２５℃）の条件で行った。このＡｇの微粒子層１は６０ｎｍ位の粒子径の超微粒子に隙間がある状態で形成されていた。微粒子層１の厚さは０．１〜１．５μｍである。
この入力配線３１、出力配線３２上の微粒子層１の上に、液晶駆動用半導体チップ１９に形成されたバンプ３０が接着剤６を介して接続されている。この接着剤６としてはスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系の単独または複数の混合物若しくは化合物である。
【０３３６】
この接着剤６を入力配線３１、出力配線３２の微粒子層１と液晶駆動用半導体チップ１９およびバンプ３０との間に配置し、この接着剤６に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを液晶駆動用半導体チップ１９に押し当てることによって硬化接続させる。また、この接着剤６にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを液晶駆動用半導体チップ１９に押し当て、パネル基板２４側からＵＶ照射して硬化させる。
【０３３７】
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤６を使用し、加熱加圧を温度１３５℃、圧力１０ｇｆ／バンプ、時間３０秒の条件で行った。この接続端子及びバンプの形成ピッチは最小１２０μｍで、表示容量が３２０×２４０ドットの液晶表示装置に対応するものである。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−２０℃で３０分、６０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０３３８】
本実施例では、入力配線３１、出力配線３２上の微粒子層１とバンプ３０が直接接触し電気的導通がとられており、その状態を接着剤６が機械的に固定保持し、また、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等から保護し接続状態を安定化している。
【０３３９】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０３４０】
また、パネル基板２４の基材としては、ポリカーボネート（ＰＣ）の他にポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、アクリル、ポリアリレートまたはヒドロキシポリエーテル等の厚み１８μｍから５００μｍのプラスチックフィルムまたはプラスチック板も使用できる。
上述のような構成によれば、入力配線３１、出力配線３２の端子幅の細りや断線を微粒子層１が覆うことまたは充填することにより補修ができ、バンプ３０との接続面積を最大限に確保でき、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。
【０３４１】
特に、プラスチック基材の基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。低抵抗化の方法としては、一般的に湿式法によるメッキ処理があるが、このプラスチック基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子についてはこの湿式法によるメッキ処理をすると使用するアルカリ性や酸性の薬品により変色、腐食、浸食等の悪影響を強く受けるため好ましくない。これに対して本実施例の方法は、このような薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化に最適な方法である。
【０３４２】
さらに、微粒子層１には、接続時の圧力や温度等によるＩＴＯ薄膜への影響を減少させ、万が一ＩＴＯ薄膜に亀裂等のダメージを生じても、この微粒子層１が適度に変形することにより、導通が確保される。
【０３４３】
また、超微粒子の粒子径を６０ｎｍ位の微細にし、粒子間に隙間がある状態に形成することにより、微粒子層１がクッション材的な働きをして、バンプ３０の凹凸を緩和して接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。また、入力配線３１、出力配線３２の表面の微粒子層１とバンプ３０とが直接接続するため、端子位置合わせズレや加圧接続時のズレによる端子間ショートを除けば、接続不良となる他の要因が入らないだけ、接続ピッチの微細化が可能である。
【０３４４】
〔実施例３０〕
図３０は本発明に係る液晶表示装置の実施例３０の主要部分を示す断面図である。パネル基板２４に形成された入力配線３１、出力配線３２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この入力配線３１、出力配線３２上の微粒子層１と液晶駆動用半導体チップ１９に形成されたバンプ３０とが導電性接着剤７を介して接続されている。
【０３４５】
図２８は液晶表示装置の斜視図であり、パネル基板２４上の入力配線３１、出力配線３２、バス配線３３等は図示してないが、パネル基板２４上に液晶駆動用半導体チップ１９が接続されている。図２８の断面Ａ−Ａは図３０に対応している。液晶パネル１８に液晶駆動用半導体チップ１９がＸ側、Ｙ側に複数個接続されている。
【０３４６】
本実施例では、０．１ｍｍ厚のポリカーボネート基材からなる基板２４上に、７００Å厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の入力配線３１、出力配線３２が形成されている。これらの表面上に、Ａｕの超微粒子を堆積させてなる微粒子層１が図１０、図１８に示すガス中蒸発法により形成されている。ここで、超微粒子生成室と膜形成室との差圧を３気圧とし、膜形成室の温度は１００℃の条件で行った。このＡｕの超微粒子は平均１μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは１〜３μｍである。
【０３４７】
この入力配線３１、出力配線３２の微粒子層１上に、液晶駆動用半導体チップ１９に形成されたバンプ３０が導電性接着剤７を介して接続されている。
【０３４８】
この導電性接着剤７は、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物の接着剤の中に、０．１〜５μｍの粒子径のＡｇ等の導電性物質を混合分散したものである。この導電性接着剤７を入力配線３１、出力配線３２上に印刷法やディスペンス法等の公知の方法により載置し、合わせて接着剤６を介してもよく、この導電性接着剤７と接着剤６を液晶駆動用半導体チップ１９およびバンプ３０との間に配置し、この導電性接着剤７または接着剤６に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイブの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを液晶駆動用半導体チップ１９に押し当てることによって硬化接続させる。また、この導電性接着剤７または接着剤６にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを液晶駆動用半導体チップ１９に押し当て、パネル基板２４側からＵＶ照射して硬化させる。また、図示していないが、この接続部分および入力配線３１、出力配線３２の露出部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、端子間または接続部全体をモールドで覆ってもよい。
【０３４９】
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤中に１〜２μｍの粒子径の銀粉末を混合分散した導電性接着剤７を使用し、加熱加圧を温度１３５℃、圧力１０ｇｆ／バンプ、時間３０秒の条件で行った。この接続端子の形成ピッチは最小１２０μｍで、表示容量が３２０×２４０ドットの液晶表示装置に対応するものである。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−２０℃で３０分、６０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０３５０】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０３５１】
また、パネル基板２４の基材としては、ポリカーボネート（ＰＣ）の他にポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、アクリル、ポリアリレートまたはポリヒドロキシポリエーテル等の厚み１８μｍから５００μｍのプラスチックフィルムまたはプラスチック板も使用できる。
【０３５２】
上述のような構成によれば、入力配線３１、出力配線３２の端子幅の細りや断線を微粒子層１が覆うことまたは充填することにより補修ができ、またバンプ３０との接続面積を最大限に確保でき、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。
特に、ガラス基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。
【０３５３】
低抵抗化の方法としては、一般的に湿式法によるメッキ処理があるが、このプラスチック基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子についてはこの湿式法によるメッキ処理をすると使用するアルカリ性や酸性の薬品により変色、腐食、浸食等の悪影響を強く受けるため好ましくない。これに対して本実施例の方法は、このような薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化に最適な方法である。
【０３５４】
さらに、微粒子層１には、接続時の圧力や温度等によるＩＴＯ薄膜への影響を減少させ、万が一ＩＴＯ薄膜に亀裂等のダメージを生じても、この微粒子層１が適度に変形することにより、導通が確保される。
【０３５５】
また、導電性接着剤７を介在させることにより、バンプ３０の凹凸を補完して接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。
また、導電性接着剤７の中の導電材として、０．１μｍ〜３μｍのカーボン粒子を使うこともでき、この場合には接続抵抗値はＡｇの場合と比較すると高くなるが、材料費が安くなり、またマイグレーション等の発生防止対策としての防湿モールド材を省け、安価で信頼性の高い端子接続ができる。
【０３５６】
〔実施例３１〕
図３１は本発明に係る液晶表示装置の実施例３１の主要部分を示す断面図である。パネル基板２４に形成された入力配線３１、出力配線３２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この入力配線３１、出力配線３２上の微粒子層１ともう一方の液晶駆動用半導体チップ１９に形成されたバンプ３０とが異方性導電材８を介して接続されている。
【０３５７】
図２８は液晶表示装置の斜視図であり、パネル基板２４上の入力配線３１、出力配線３２、バス配線３３等は図示していないが、パネル基板２４上に液晶駆動用半導体チップ１９が接続されている。図２８の断面Ａ−Ａは図３１に対応している。液晶パネル１８に液晶駆動用半導体チップ１９がＸ側、Ｙ側に複数個接続されている。
【０３５８】
本実施例では、０．４ｍｍ厚のポリカーボネート基材からなるパネル基板２４上に、８００Å厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の入力配線３１、出力配線３２が形成されている。これらの表面上に、Ａｕの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が図１０、図１８に示すガス中蒸発法により形成されている。ここで、超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室の温度は１２０℃の条件で行った。このＡｕの超微粒子は平均３μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは３〜８μｍである。
【０３５９】
この入力配線３１、出力配線３２上の微粒子層１に、液晶駆動用半導体チップ１９に形成されたバンプ３０が異方性導電材８を介して接続されている。ここで使用する異方性導電材８は異方性導電膜であり、主に導電粒子９と接着剤１０より構成されている。この導電粒子９は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系樹脂等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。また、この接着剤１０はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物である。
【０３６０】
この異方性導電材８の異方性導電膜をパネル基板２４および入力配線３１、出力配線３２の表面上の微粒子層１と液晶駆動用半導体チップ１９およびバンプ３０との間に配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを液晶駆動用半導体チップ１９に押し当てることによって硬化接続させる。また、異方性導電膜にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを液晶駆動用半導体チップ１９に押し当て、パネル基板２４側からＵＶ照射して硬化させる。
【０３６１】
ここでは、粒子径が２μｍ〜３μｍのスチレン系のプラスチック粒子に２μｍ厚のＮｉメッキと０．５μｍ厚のＡｕメッキをした導電粒子９をエポキシ系を主成分とする接着剤１０中に５重量％混合分散させた異方性導電膜（異方性導電材８）を使用し、加熱加圧は温度１３５℃、圧力１０ｇｆ／バンプ、時間３０秒の条件で行った。接続端子及びバンプの形成ピッチは最小１２０μｍで、表示容量が３２０×２４０ドットの液晶表示装置に対応するものである。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−２０℃で３０分、６０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０３６２】
他の異方性導電材８として、異方性導電材接着剤があり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系樹脂等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。
【０３６３】
また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物である。
この異方性導電材８の異方性導電接着剤は液状、またはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、入力配線３１、出力配線３２の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを液晶駆動用半導体チップ１９に押し当てることによって硬化接続させる。また、異方性導電性接着剤にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧ヘッドを液晶駆動用半導体チップ１９に押し当て、パネル基板２４側からＵＶ照射して硬化させる。
【０３６４】
なお、図示はしていないが、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、端子間または接続部全体をモールドで覆ってもよい。
【０３６５】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０３６６】
また、パネル基板２４の基材としては、ポリカーボネート（ＰＣ）の他にポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、アクリル、ポリアリレートまたはポリヒドロキシポリエーテル等の厚み１８μｍから５００μｍのプラスチックフィルムまたはプラスチック板も使用できる。
【０３６７】
上述のような構成によれば、入力配線３１、出力配線３２の端子幅の細りや断線を微粒子層１が覆うことまたは充填することにより補修ができ、またバンプ３０との接続面積を最大限に確保でき、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。
【０３６８】
特に、プラスチック基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。低抵抗化の方法としては、一般的に湿式法によるメッキ処理があるが、このプラスチック基板の表面に形成されたＩＴＯ等の薄膜接続端子についてはこの湿式法によるメッキ処理をすると使用するアルカリ性や酸性の薬品により変色、腐食、浸食等の悪影響を強く受けるため好ましくない。これに対して本実施例の方法は、このような薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化に最適な方法である。
【０３６９】
さらに、微粒子層１には、接続時の圧力や温度等によるＩＴＯ薄膜への影響を減少させ、万が一ＩＴＯ薄膜に亀裂等のダメージを生じても、この微粒子層１が適度に変形することにより、導通が確保される。
【０３７０】
また、異方性導電材８を介在させることにより、バンプ３０の凹凸を補完して接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。
【０３７１】
〔実施例３２〕
図３３は本発明に係る電子印字装置の実施例の主要部分を示す断面図である。
【０３７２】
サーマルプリンタヘッド３４に形成された接続端子３９の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子３９上の微粒子層１ともう一方の基板３６に形成された接続端子４０とが接着剤６を介して接続されている。
【０３７３】
図３２は電子印字装置の斜視図であり、図示はしていないが、サーマルプリンタヘッド３４の接続端子３９と基板３６の接続端子４０とが接続している。図３２の断面Ａ−Ａは図３３に対応している。サーマルプリンタヘッド３４にサーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ３５を搭載した基板３６が複数個接続されていて、それそれの配線（図示を省略）が施されている。本実施例では、サーマルプリンタヘッド３４上に、３μｍ厚のＮｉの接続端子３９が形成されている。この接続端子３９の表面上に、Ａｇの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が図１８に示すものと同様のガス中蒸発法により形成されている。ここで、超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室の温度は室温（約２５℃）の条件で行った。このＡｇの微粒子層１は平均６０ｎｍ位の粒子径の超微粒子間に隙間が存在するように形成されていた。微粒子層１の厚さは０．１〜１．５μｍである。
【０３７４】
この接続端子３９上の微粒子層１の上に、５０μｍ厚のポリイミドベースフィルムの基板３６に３５μｍ厚の銅箔をパターニングした接続端子４０が接着剤６を介して接続されている。
【０３７５】
この接着剤６としてはスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系の単独または複数の混合物若しくは化合物である。
【０３７６】
この接着剤６を接続端子３９と接続端子４０との間に配置し、この接着剤６に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板３６に押し当てることによって硬化接続させる。
【０３７７】
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤６を使用し、加熱加圧を温度１７５℃、圧力３ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。接続端子の形成ピッチは２００μｍで、合計９６０個の端子を有するものである。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−２０℃で３０分、６０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０３７８】
本実施例では、接続端子３９上の微粒子層１と接続端子４０が直接接触し電気的導通がとられており、その状態を接着剤６が機械的に固定保持し、また、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等から保護し接続状態を安定化している。
【０３７９】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０３８０】
上述のような構成によれば、接続端子３９の端子幅の細りや断線を微粒子層１が覆うことまたは充填することにより補修ができ、接続端子４０との接続幅または接続長さを最大限に確保でき、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。特に、Ｎｉ等の金属薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、湿式メッキ法のような複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。
【０３８１】
また、超微粒子の粒子径を６０ｎｍ位の微細にし、粒子間に隙間がある状態に形成することにより、微粒子層１がクッション材的な働きをして、接続端子４０の凹凸を緩和して接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。
【０３８２】
また、接続端子３９の表面上の微粒子１と接続端子４０とが直接接続するため、端子位置合わせズレや加圧接続時のズレによる端子間ショートを除けば、接続不良となる他の要因が入らないだけ、接続ピッチの微細化が可能である。
【０３８３】
〔実施例３３〕
図３４は本発明に係る電子印字装置の実施例の主要部分を示す断面図である。
【０３８４】
サーマルプリンタヘッド３４に形成された接続端子３９の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子３９上の微粒子層１ともう一方の基板３６に形成された接続端子４０とが導電性接着剤７を介して接続されている。
【０３８５】
図３２は液晶表示装置の斜視図であり、図示はしていないが、サーマルプリンタヘッド３４上の接続端子３９と基板３６の接続端子４０とが接続されている。
【０３８６】
図３２の断面Ａ−Ａは図３３に対応している。サーマルプリンタヘッド３４にサーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ３５を搭載した基板３６が複数個接続されていて、それそれの配線（図示を省略）が施されている。
【０３８７】
本実施例では、サーマルプリンタヘッド３４上に、３μｍ厚のＮｉの接続端子３９が形成されている。この表面上に、Ａｕの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が図１８に示すガス中蒸発法により形成されている。ここで、超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１気圧とし、膜形成室の温度は２００℃の条件で成膜を行った。このＡｕの微粒子層１は平均１μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは１〜３μｍである。
【０３８８】
この接続端子３９上の微粒子層１の上に、５０μｍ厚のポリイミドベースフィルムの基板３６に３５μｍ厚の銅箔をパターニングした接続端子４０が導電性接着剤７を介して接続されている。
【０３８９】
この導電性接着剤７は、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物の接着剤の中に、０．１〜５μｍの粒子径のＡｇ等の導電性物質を混合分散したものである。
【０３９０】
この導電性接着剤７を接続端子３９に形成された微粒子層１の一部分または全部分に印刷法やディスペンス法等の公知の方法により載置し、合わせて接着剤６を介してもよく、この導電性接着剤７と接着剤６を接続端子４０との間に配置する。この導電性接着剤７または接着剤６に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板３６に押し当てることによって硬化接続させる。また、この接続部分および接続端子３９の露出部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、端子間または接続部全体をモールド２３で覆っている。
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤中に１〜２μｍの粒子径の銀粉末を混合分散した導電性接着剤７を使用し、加熱加圧を温度１７５℃、圧力４ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。この接続端子の形成ピッチは２００μｍで、合計９６０個の端子を備えている。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−２０℃で３０分、６０℃で３０分）２００サイクルを実施し、その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０３９１】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０３９２】
上述のような構成によれば、接続端子３９の端子幅の細りや断線を微粒子層１が覆うことまたは充填することにより補修ができ、また接続端子４０との接続幅または接続長さを最大限に確保でき、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。
【０３９３】
特に、Ｎｉ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。
【０３９４】
また、導電性接着剤７を介在させることにより、接続端子４０の凹凸を補完して接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。
【０３９５】
また、導電性接着剤７の中の導電材として、０．１μｍ〜３μｍのカーボン粒子を使うこともでき、この場合には接続抵抗値はＡｇの場合と比較すると高くなるが、材料費が安くなり、またマイグレーション等の発生防止対策としての防湿モールド材を省け、安価で信頼性の高い端子接続ができる。
【０３９６】
〔実施例３４〕
図３５は本発明に係る電子印字装置の実施例の主要部分を示す断面図である。
【０３９７】
サーマルプリンタヘッド３４に形成された接続端子３９の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この接続端子３９上の微粒子層１ともう一方の基板３６に形成された接続端子４０とが異方性導電材８を介して接続されている。
【０３９８】
図３２は電子印字装置の斜視図であり、図示はしていないが、サーマルプリンタヘッド３４上の接続端子３９と基板３６の接続端子４０とが接続されている。
【０３９９】
図３２の断面Ａ−Ａは図３３に対応している。サーマルプリンタヘッド３４にサーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ３５を搭載した基板３６が複数個接続されていて、それそれの配線（図示を省略）が施されている。
【０４００】
本実施例では、サーマルプリンタヘッド３４上に、３μｍ厚のＮｉの接続端子３９が形成されている。この表面上に、Ａｕの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が図１８に示すガス中蒸発法により形成されている。ここで、超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室の温度は１２０℃の条件で行った。このＡｕの微粒子層１は平均３μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは３〜８μｍである。
この接続端子３９上の微粒子層１の上に、５０μｍ厚のポリイミドベースフィルムの基板３６に２５μｍ厚の銅箔をパターニングした接続端子４０が異方性導電材８を介して接続されている。
【０４０１】
ここで使用する異方性導電材８は異方性導電膜であり、主に導電粒子９と接着剤１０より構成されている。この導電粒子９は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系樹脂等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。
【０４０２】
また、この接着剤１０はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物である。
【０４０３】
この異方性導電材８の異方性導電膜をサーマルプリンタヘッド３４および接続端子３９の表面上の微粒子層１と基板３６の接続端子４０との間に配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板３６に押し当てることによって硬化接続させる。
【０４０４】
ここでは、粒子径が５μｍ〜１０μｍのジベニルベンゼン系のプラスチック粒子に２μｍ厚のＮｉメッキと０．５μｍ厚のＡｕメッキをした導電粒子９をエポキシ系を主成分とする接着剤１０中に５重量％混合分散させた異方性導電膜（異方性導電材８）を使用し、加熱加圧は温度１７５℃、圧力３ＭＰａ、時間２０秒の条件で行った。接続端子の形成ピッチは２００μｍで、合計９６０個の端子を備えている。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−２０℃で３０分、６０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０４０５】
他の異方性導電材８として、異方性導電材接着剤があり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系樹脂等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。
【０４０６】
また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物である。
【０４０７】
この異方性導電材８の異方性導電接着剤は液状、またはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、接続端子３９の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを基板３６に押し当てることによって硬化接続させる。
【０４０８】
また、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、端子間または接続部全体をモールド２３で覆ってもよい。
【０４０９】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０４１０】
上述のような構成によれば、接続端子３９の端子幅の細りや断線を微粒子層１が覆うことまたは充填することにより補修ができ、また接続端子４０との接続幅または接続長さを最大限に確保でき、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。特に、Ｎｉ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。
【０４１１】
また、異方性導電材８を介在させることにより、接続端子４０の凹凸を補完して導電粒子９の接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。
【０４１２】
〔実施例３５〕
図３７は本発明に係る電子印字装置の実施例の主要部分を示す断面図である。
【０４１３】
サーマルプリンタヘッド３４に形成された入力配線４１、出力配線４２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この入力配線４１、出力配線４２上の微粒子層１とサーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ３５に形成されたバンプ４３とが接着剤６を介して接続されている。
【０４１４】
図３６は電子印字装置の斜視図であり、サーマルプリンタヘッド３４の入力配線４１、出力配線４２、バス配線４４等は図示してないが、サーマルプリンタヘッド３４上にサーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ３５が接続されている。図３６の断面Ａ−Ａは図３７に対応している。
【０４１５】
本実施例では、サーマルプリンタヘッド３４上に、３μｍ厚のＮｉの入力配線４１、出力配線４２が形成されている。これらの表面上には、Ａｇの超微粒子を堆積させた微粒子層１が図１０、図１８に示すガス中蒸発法により形成されている。ここで、超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室の温度は室温（約２５℃）の条件で行った。このＡｇの微粒子層１は６０ｎｍ位の粒子径の超微粒子に隙間がある状態で形成されていた。微粒子層１の厚さは０．１〜１．５μｍである。
【０４１６】
この入力配線４１、出力配線４２上の微粒子層１の上に、サーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ３５に形成されたバンプ４３が接着剤６を介して接続されている。
【０４１７】
この接着剤６としてはスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系の単独または複数の混合物若しくは化合物である。
この接着剤６を入力配線４１、出力配線４２の微粒子層１とサーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ３５およびバンプ４３との間に配置し、この接着剤６に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドをサーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ３５に押し当てることによって硬化接続させる。
【０４１８】
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤６を使用し、加熱加圧を温度１７５℃、圧力１０ｇｆ／バンプ、時間３０秒の条件で行った。この接続端子及びバンプの形成ピッチは最小１２０μｍで、印字容量が９６０ドットの電子印字装置に対応する。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−２０℃で３０分、６０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が維持確保されていた。
【０４１９】
本実施例では、入力配線４１、出力配線４２上の微粒子層１とバンプ４３が直接接触し電気的導通をとられており、その状態を接着剤６が機械的に固定保持し、また、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等から保護し接続状態を安定化している。
【０４２０】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０４２１】
上述のような構成によれば、入力配線４１、出力配線４２の端子幅の細りや断線を微粒子層１が覆うことまたは充填することにより補修ができ、バンプ４３との接続面積を最大限に確保でき、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。特に、Ｎｉ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。また、超微粒子の粒子径を６０ｎｍ位の微細にし、粒子間に隙間がある状態に形成することにより、微粒子層１がクッション材的な働きをして、バンプ４３の凹凸を緩和して接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。また、入力配線４１、出力配線４２の表面の微粒子１とバンプ４３とが直接接続するため、端子位置合わせズレや加圧接続時のズレによる端子間ショートを除けば、接続不良となる他の要因が入らないだけ、接続ピッチの微細化が可能である。
【０４２２】
〔実施例３６〕
図３８は本発明に係る電子印字装置の実施例の主要部分を示す断面図である。
【０４２３】
サーマルプリンタヘッド３４に形成された入力配線４１、出力配線４２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この入力配線４１、出力配線４２上の微粒子層１とサーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ３５に形成されたバンプ４３とが導電性接着剤７を介して接続されている。
【０４２４】
図３６は電子印字装置の斜視図であり、サーマルプリンタヘッド３４上の入力配線４１、出力配線４２、バス配線４４等は図示してないが、サーマルプリンタヘッド３４上にサーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ３５が接続されている。図３６の断面Ａ−Ａは図３８に示してある。
【０４２５】
本実施例では、サーマルプリンタヘッド３４上に、３μｍ厚のＮｉの入力配線４１、出力配線４２が形成されている。これらの表面上に、Ａｕの超微粒子を堆積させてなる微粒子層１が図１０、図１８に示すガス中蒸発法により形成されている。ここで、超微粒子生成室と膜形成室との差圧を３気圧とし、膜形成室の温度は１００℃の条件で行った。このＡｕの超微粒子は平均１μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは１〜３μｍである。
【０４２６】
この入力配線４１、出力配線４２の微粒子層１上に、サーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ３５に形成されたバンプ４３が導電性接着剤７を介して接続されている。
この導電性接着剤７は、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物の接着剤の中に、０．１〜５μｍの粒子径のＡｇ等の導電性物質を混合分散したものである。
【０４２７】
この導電性接着剤７を入力配線４１、出力配線４２上に印刷法やディスペンス法等の公知の方法により載置し、合わせて接着剤６を介してもよく、この導電性接着剤７と接着剤６をサーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ３５およびバンプ４３との間に配置し、この導電性接着剤７または接着剤６に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドをサーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ３５に押し当てることによって硬化接続させる。また、この接続部分および入力配線４１、出力配線４２の露出部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、端子間または接続部全体をモールド２３で覆ってもよい。
【０４２８】
ここでは、エポキシ系を主成分とする接着剤中に１〜２μｍの粒子径の銀粉末を混合分散した導電性接着剤７を使用し、加熱加圧を温度１７５℃、圧力１０ｇｆ／バンプ、時間３０秒の条件で行った。この接続端子の形成ピッチは最小１２０μｍで、印字容量が９６０ドットの電子印字装置に対応する。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−２０℃で３０分、６０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０４２９】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。
【０４３０】
上述のような構成によれば、入力配線４１、出力配線４２の端子幅の細りや断線を微粒子層１が覆うことまたは充填することにより補修ができ、またバンプ４３との接続面積を最大限に確保でき、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。特に、Ｎｉ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。
【０４３１】
また、導電性接着剤７を介在させることにより、バンプ４３の凹凸を補完して接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。
【０４３２】
また、導電性接着剤７の中の導電材として、０．１μｍ〜３μｍのカーボン粒子を使うこともでき、この場合には接続抵抗値はＡｇの場合と比較すると高くなるが、材料費が安くなり、またマイグレーション等の発生防止対策としての防湿モールド材を省け、安価で信頼性の高い端子接続ができる。
【０４３３】
〔実施例３７〕
図３９は本発明に係る電子印字装置の実施例の主要部分を示す断面図である。
【０４３４】
サーマルプリンタヘッド３４に形成された入力配線４１、出力配線４２の表面の一部分または全部を微粒子層１が覆っていて、この入力配線４１、出力配線４２上の微粒子層１とサーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ３５に形成されたバンプ４３とが異方性導電材８を介して接続されている。
【０４３５】
図３６は電子印字装置の斜視図であり、サーマルプリンタヘッド３４上の入力配線４１、出力配線４２、バス配線４４等は図示していないが、サーマルプリンタヘッド３４上にサーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ３５が接続されている。図３６の断面Ａ−Ａは図３９に対応している。
【０４３６】
本実施例では、サーマルプリンタヘッド３４上に、３μｍ厚のＮｉの入力配線４１、出力配線４２が形成されている。これらの表面上に、Ａｕの超微粒子を堆積してなる微粒子層１が図１０、図１８に示すガス中蒸発法により形成されている。ここで、超微粒子生成室と膜形成室との差圧を１００Ｔｏｒｒとし、膜形成室の温度は１２０℃の条件で行った。このＡｕの超微粒子は平均３μｍ位の粒子径で形成されていた。微粒子層１の厚さは３〜８μｍである。
【０４３７】
この入力配線４１、出力配線４２上の微粒子層１に、サーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ３５に形成されたバンプ４３が異方性導電材８を介して接続されている。ここで使用する異方性導電材８は異方性導電膜であり、主に導電粒子９と接着剤１０より構成されている。この導電粒子９は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系樹脂等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。
【０４３８】
また、この接着剤１０はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物である。
【０４３９】
この異方性導電材８の異方性導電膜をサーマルプリンタヘッド３４および入力配線４１、出力配線４２の表面上の微粒子層１とサーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ３５およびバンプ４３との間に配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドをサーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ３５に押し当てることによって硬化接続させる。
【０４４０】
ここでは、粒子径が２μｍ〜３μｍのスチレン系のプラスチック粒子に２μｍ厚のＮｉメッキと０．５μｍ厚のＡｕメッキをした導電粒子９をエポキシ系を主成分とする接着剤１０中に５重量％混合分散させた異方性導電膜（異方性導電材８）を使用し、加熱加圧は温度１７５℃、圧力１０ｇｆ／バンプ、時間３０秒の条件で行った。接続端子及びバンプの形成ピッチは最小１２０μｍで、印字容量が９６０ドットの電子印字装置に対応する。この導電接続部に、耐湿放置試験（６０℃、９０％ＲＨ）２００時間、冷熱サイクル試験（−２０℃で３０分、６０℃で３０分）２００サイクルを実施した。その結果、これらの接続信頼性評価後も安定した接続状態が確保されていた。
【０４４１】
他の異方性導電材８として、異方性導電材接着剤があり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合物、合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン系、ポリカーボネート系、アクリル系、ジベニルベンゼン系樹脂等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カーボン粒子等である。
【０４４２】
また、この接着剤はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合物若しくは化合物である。
この異方性導電材８の異方性導電接着剤は液状、またはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使ったディスペンス方法等の公知の方法により、入力配線４１、出力配線４２の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドをサーマルプリンタヘッド駆動用半導体チップ３５に押し当てることによって硬化接続させる。
【０４４３】
また、この接続部分を外部環境（例えば、湿度、腐食性ガス、塵埃等）から保護するために、端子間または接続部全体をモールド２３で覆ってもよい。
【０４４４】
ここで超微粒子の材質としては、その他にＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｎ等の金属やＣｕ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｐｄ系等の合金、また高温超電導物質等の金属物質または導電性物質が利用できる。また、超微粒子の粒子径が６０ｎｍから３μｍのものをガスデポジションの条件を適宜選定することによって使用可能である。
【０４４５】
上述のような構成によれば、入力配線４１、出力配線４２の端子幅の細りや断線を微粒子層１が覆うことまたは充填することにより補修ができ、またバンプ４３との接続面積を最大限に確保でき、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。特に、Ｎｉ等の薄膜接続端子の補修、補強、低抵抗化が、複雑な処理工程を必要とせず簡単にできるというメリットがある。
【０４４６】
また、異方性導電材８を介在させることにより、バンプ４３の凹凸を補完して導電粒子９の接続面積を大きくとることができ、接続抵抗値を低減でき、また接続状態を安定化できる。
【産業上の利用可能性】
【０４４７】
本発明は、２つの基体上にそれぞれ形成された導電性端子部の間に超微粒子を堆積してなる微粒子層を介在させることにより、導電性端子部の端子の細り、端子切れ、端子欠如等の欠陥、或いは端子表面の凹凸、段差等を補正することができ、抵抗値を低減することができ、また導通に寄与する接続面積を大きくすることができるため、接続部における電機接続状態を確実にし、安定化し信頼性の高い導電接続を確保することができる。
【０４４８】
また、微粒子層の柔軟性によって、接続時に加わる導電性端子部への応力を緩和することができ、導電性端子部の変形、亀裂等を防止することができると共に、仮に導電性端子部及びその周囲に亀裂等が発生しても、微粒子層の変形に基づく補填によって、導電接続を維持確保できるという効果を奏する。
【０４４９】
さらに、上記のような導電接続部の接続特性の向上によって、導電接続工程における適正な接続条件（温度、圧力、機械精度等）の範囲を広くとることができることから、導電接続部を歩留まり良く、効率的に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０４５０】
【図１】本発明の一実施例の主要部分を示す断図面である。
【図２】本発明の一実施例の主要部分を示す断図面である。
【図３】本発明の一実施例を示す斜視図である。
【図４】本発明の一実施例の加工方法を示す概略図である。
【図５】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図６】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図７】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図８】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図９】本発明の他の一実施例を示す斜視図である。
【図１０】本発明の他の一実施例の加工方法を示す概略図である。
【図１１】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図１２】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図１３】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図１４】本発明の他の一実施例を示す斜視図である。
【図１５】本発明の他の一実施例の主要部分を示す斜視図である。
【図１６】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図１７】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図１８】本発明の他の一実施例の加工方法を示す概略図である。
【図１９】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図２０】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図２１】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図２２】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図２３】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図２４】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図２５】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図２６】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図２７】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図２８】本発明の他の一実施例を示す斜視図である。
【図２９】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図３０】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図３１】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図３２】本発明の他の一実施例を示す斜視図である。
【図３３】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図３４】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図３５】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図３６】本発明の他の一実施例を示す斜視図である。
【図３７】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図３８】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図３９】本発明の他の一実施例の主要部分を示す断面図である。
【図４０】従来の導電接続部を示す断面図である。
【図４１】従来の導電接続部の基板剥離面を示す図である。
【図４２】従来の他の導電接続部を示す断面図である。
【図４３】従来の他の導電接続部の基板剥離面を示す図である。
【図１】
2005175507.tif 000003
【図２】
2005175507.tif 000004
【図３】
2005175507.tif 000005
【図４】
2005175507.tif 000006
【図５】
2005175507.tif 000007
【図６】
2005175507.tif 000008
【図７】
2005175507.tif 000009
【図８】
2005175507.tif 000010
【図９】
2005175507.tif 000011
【図１０】
2005175507.tif 000012
【図１１】
2005175507.tif 000013
【図１２】
2005175507.tif 000014
【図１３】
2005175507.tif 000015
【図１４】
2005175507.tif 000016
【図１５】
2005175507.tif 000017
【図１６】
2005175507.tif 000018
【図１７】
2005175507.tif 000019
【図１８】
2005175507.tif 000020
【図１９】
2005175507.tif 000021
【図２０】
2005175507.tif 000022
【図２１】
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【図２２】
2005175507.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
2005175507.tif 000028
【図２７】
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【図２８】
2005175507.tif 000030
【図２９】
2005175507.tif 000031
【図３０】
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【図３１】
2005175507.tif 000033
【図３２】
2005175507.tif 000034
【図３３】
2005175507.tif 000035
【図３４】
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【図３５】
2005175507.tif 000037
【図３６】
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【図３７】
2005175507.tif 000039
【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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