(57)【要約】【課題】  試料の表面およびその表面から所定深さまでの試料内部を、３次元的に精密に分析することができる非破壊的３次元表面分析方法を提供する。【解決手段】  (イ)対象試料表面の一部位に特定波長のビームを照射し、試料表面の法線と励起された光電子の放出方向とがなす放出角度における光電子の強度を測定し、前記光電子の放出角度について測定された強度データを使用して前記対象試料の一部位の深さ方向における組成分布を検出する段階と、(ロ)前記対象試料に対する特定波長のビームの入射位置を変更して、対象試料の表面の各位置での対象試料の深さ方向における組成分布を検出する段階と、(ハ)前記対象試料の表面の各位置での深さによる組成分布についてのデータを集めて３次元的に分析をする段階とを含む３次元表面分析方法。【選択図】  図１
2005140767.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビームソースと、前記ビームソースから放出されたビームから特定波長のビームを分離するモノクロメーターと、前記モノクロメーターにより得られた特定波長のビームを対象試料に照射して、前記対象試料から放出された光電子のエネルギーを分析する検出器とにより、前記対象試料の表面およびその表面内部の組成を３次元的に分析する３次元表面分析方法において、
(イ)前記対象試料表面の一部位に特定波長のビームを照射し、試料表面の法線と励起された光電子の放出方向とがなす放出角度における光電子の強度を測定し、前記光電子の放出角度について測定された強度データを使用して前記対象試料の一部位の深さ方向における組成分布を検出する段階と、
(ロ)前記対象試料に対する特定波長のビームの入射位置を変更して、対象試料の表面の各位置での対象試料の深さ方向における組成分布を検出する段階と、
(ハ)前記対象試料の表面の各位置での深さによる組成分布についてのデータを集めて３次元的に分析をする段階とを含むことを特徴とする３次元表面分析方法。
【請求項２】
前記ビームは、Ｘ線または紫外線のいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載の３次元表面分析方法。
【請求項３】
前記対象試料の表面の各位置の調整および光電子の放出角度の調整は、前記対象試料を装着させて駆動するステージドライバーにより前記対象試料を駆動することによって行われることを特徴とする請求項１に記載の３次元表面分析方法。
【請求項４】
前記対象試料の表面からその内部への各深さ方向における組成分布の測定は、前記光電子の放出角度を調節して行われることを特徴とする請求項１に記載の３次元表面分析方法。
【請求項５】
前記光電子の放出角度は、０度ないし７０度の間の範囲で５ないし８の角度位置が選択されることを特徴とする請求項４に記載の３次元表面分析方法。
【請求項６】
前記光電子の放出角度による強度Ｉは、式１：
【数１】
2005140767.tif 000007
で表わされ、Ｉ0は試料表面に入射する特定波長の入射ビームの強度であり、ｎ(ｚ)は対象試料の深さｚ方向における元素の濃度分布であり、そして、θは試料表面に垂直な法線と放出される光電子の放出方向とがなす角度であり、λは光電子の非弾性平均自由行程であることを特徴とする請求項１に記載の３次元表面分析方法。
【請求項７】
前記対象試料の分析深さは、前記対象試料表面から約１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の３次元表面分析方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、３次元表面分析方法に係り、より詳細には電子分光化学分析法（Electron Spectroscopy for Chemical Analysis：ＥＳＣＡ）である角度分解型のＸ線光電子分光法 (Angle-Resolved Ｘ−ray Photoelectron Spectroscopy：ＡＲＸＰＳ)または紫外線光電子分光法(Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy：ＵＰＳ)で対象材料の表面を３次元的に分析する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多様な新物質が開発され、ナノレベルの薄膜を有する素子が開発されるとともに、表面分析方法に対する関心が高まっている。その理由は、物質の表面は外部と常に接しているので、物理的、化学的反応が内部よりその表面でまず行われるためである。表面分析とは、金属のように硬い表面を有した物質の場合は一般的にその表面から約２０Åほどの深さまで、有機物または高分子のような物質の場合は約１００Åほどの深さまでの表面と界面の構成元素、化学的結合状態またはエネルギーレベルなどを分析する方法である。これは、あらゆる先端材料の研究に重要な役割を果たす分析方法である。
【０００３】
表面分析方法として広く使われ、よく知られている方法として、Ｘ線光電子分光法(Ｘ−ray Photoelectron Spectroscopy：ＸＰＳ)、オージェ電子分光法 (Auger Electron Spectroscopy：ＡＥＳ)および二次イオン質量分析法 (Secondary Ion Mass Spectroscopy：ＳＩＭＳ)などがある。ここで、前記ＡＥＳでは、試料をスパッタリングして試料表面を分析するものであるが、分析する試料の膜質を悪化させて正確な試料の分析を困難にする、という問題点がある。
【０００４】
ＸＰＳは、前記ＡＥＳとは異なり、非破壊的な表面分析方法である。ＸＰＳは、光子が試料に入射される時、原子や分子から放出される電子のエネルギーを測定して試料の表面を分析する方法である。ＸＰＳは、ＥＳＣＡとして知られ、その原理は次の通りである。所定のエネルギーを有するＸ線(光子)を試料に入射させると、試料を構成する原子の内殻準位（core level）の光電子が放出される。このような内殻準位のエネルギー、すなわち、内部の結合エネルギーは試料を構成する元素によって異なる。結合エネルギーは、最初に入射された光子のエネルギーと、放出される光電子のエネルギーとの差として測定され、これを分析して元素を確認することができる。そして、原子から放出された光電子のエネルギーによって、化学結合の結果、原子が有する電荷値も決定することができる。ここで、Ｘ線の代わりに紫外線を使用するのがＵＰＳである。
【０００５】
一方、ＸＰＳ分析装置において、Ｘ線が高真空のチャンバ内で試料に照射されると、光電子が試料表面から放出されて電子エネルギー分析器に入って、その光電子のエネルギーが測定される。試料から放出される光電子の運動エネルギーは非常に小さく、その平均自由行程に限界があるため、試料の表面より約１０ｎｍの深さまでの領域から放出された光電子のみがモノクロメーターに入って分析される。
【０００６】
ＡＲＸＰＳは、深さ方向の成分組成を分析するための非破壊分析法として広く利用されている。しかし、現在までＡＲＸＰＳによって一般的に分析された結果は２次元のものであり、より精密で、信頼性を有する３次元の分析結果は期待し難しい、という問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明では、前記従来技術の問題点を解決するために、試料の表面およびその表面から所定深さまでの試料内部を分析する場合に、これを３次元的に精密に分析することができる非破壊的表面分析方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明では、前記課題を解決するために、ビームソース（beam source:照射線源）と、前記ビームソースから放出されたビーム(beam: 照射線)から特定波長のビームを分離するモノクロメーターと、前記モノクロメーターにより得られた特定波長のビームを対象試料に照射して、前記対象試料から放出された光電子のエネルギーを分析する検出器とにより、前記対象試料の表面およびその表面内部の組成を３次元的に分析する３次元表面分析方法において、(イ)前記対象試料表面の一部位に特定波長のビームを照射し、試料表面の法線と励起された光電子の放出方向とがなす放出角度における光電子の強度を測定し、前記光電子の放出角度について測定された強度データを使用して前記対象試料の一部位の深さ方向における組成分布を検出する段階と、(ロ)前記対象試料に対する特定波長のビームの入射位置を変更して、対象試料の表面の各位置での対象試料の深さ方向における組成分布を検出する段階と、(ハ)前記対象試料の表面の各位置での深さによる組成分布についてのデータを集めて３次元的に分析をする段階とを含む３次元表面分析方法を提供する。
【０００９】
本発明において、前記ビームは、Ｘ線または紫外線のいずれか一つであることを特徴とする。
【００１０】
本発明において、前記対象試料の表面の各位置の調整および光電子の放出角度の調整は、前記対象試料を装着させて駆動するステージドライバーにより前記対象試料を駆動することによって行われる。
【００１１】
本発明において、前記対象試料の表面からその内部への各深さ方向における組成分布の測定は、前記光電子の放出角度を調節して行われる。
【００１２】
本発明において、前記光電子の放出角度は、０度ないし７０度の間の範囲で５ないし８の角度位置が選択されることを特徴とする。
【００１３】
本発明において、前記光電子の放出角度による強度Ｉは、式１：
【数２】
2005140767.tif 000003
で表わされる。ここで、Ｉ0は試料表面に入射する特定波長の入射ビームの強度であり、ｎ(ｚ)は対象試料の深さｚ方向における元素の濃度分布であり、そして、θは試料表面に垂直な法線と放出される光電子の放出方向とがなす角度であり、λは光電子の非弾性平均自由行程である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、試料の表面および内部の組成を分析する場合、実験時に対象試料を回転および移動させ、各位置における組成分布および各位置での深さ方向の組成分布を測定してこれを集めることにより、対象試料を精密に３次元的に分析することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明による３次元表面分析方法についてより詳細に説明する。ここでは、本発明の一実施形態として、照射線としてＸ線を用いたＡＲＸＰＳを利用する表面分析方法について説明する。この実施形態は、照射線としてＸ線の代わりに紫外線を利用するＵＰＳによる表面分析にも適用することができる。
【００１６】
対象試料の元素濃度および化学的結合程度を得るためにＡＲＸＰＳによる試料分析をする場合、Ｘ線を対象試料に照射する。Ｘ線は、前記対象試料を構成する元素の内殻軌道電子を励起させ、各元素に固有の運動エネルギーを有する光電子の放出を誘導する。分析器により前記対象試料表面から放出された光電子の強度を、光電子の放出角度に対して測定する。試料の表面における元素分布および試料内部の所定深さの部位における元素分布を３次元的に分析する場合には、対象試料の表面の各位置での情報と、各位置の内部における深さ方向の情報を得る必要がある。そして、表面の各位置および各位置での深さ方向の情報を集めて３次元情報を得ることができる。
【００１７】
図１は、本発明に係るＡＲＸＰＳを利用する３次元表面分析方法に用いられる装置の概略構成を示す図である。
図１に示すとおり、まず、Ｘ線ソース１１から発生するＸ線は、結晶単色化装置、すなわちモノクロメーター１２に向けて照射される。前記Ｘ線ソース１１から出る放出Ｘ線は、広い波長範囲のＸ線成分を含むホワイトＸ線である。モノクロメーター１２では、特定波長のＸ線が発生し、前記特定波長のＸ線は試料１３の表面に照射される。この時、前記試料１３は、ステージドライバー１４により回転され、かつ傾けられて、入射Ｘ線に対して所定の入射角をなす。そして、対象試料１３を移動させ、Ｘ線が入射される試料１３の表面位置を変化させる。ここで、モノクロメーター１２によって特定波長のＸ線を発生させる理由は、対象試料を分析する時のエネルギー分解能を高くするためである。前記特定波長のＸ線を試料１３の表面に照射すると、試料１３から光電子が発生する。試料１３から放出される光電子は、光電子検出器１５で検出される。
【００１８】
光電子検出器１５で検出される光電子の強度Ｉは、試料の深さｚの関数として下記式１で表わされる。
【数３】
2005140767.tif 000004
【００１９】
ここで、Ｉ0は試料表面に入射するＸ線の強度であり、ｎ(ｚ)は対象試料の深さzの領域における元素の濃度分布である。そして、θは試料表面に垂直な法線と励起された光電子の放出方向とがなす角度であり、λは光電子の非弾性平均自由行程を示す。したがって、放出光電子のエネルギーを求めることができれば、光電子が放出された原子の化学的結合に関する情報を得ることができる。
【００２０】
図１において、特定波長のＸ線が試料１３に照射されると、試料１３の表面およびその内部から励起された光電子が放出される。この時、試料１３は、ステージドライバー１４により所定角度に傾けられたり、または回転される。試料１３を構成する元素内部の特定電子軌道に分布した軌道電子が励起されると、試料１３の表面の法線に対して所定の角度で放出される。光電子の放出方向と、試料１３の表面に対する法線とがなす特定角度（θ）で検出される電子の強度（Ｉ）から、前記式１によって試料１３の深さｚの領域における組成（ｎ(ｚ)）を決定することができる。
【００２１】
図２Ａおよび図２Ｂは、特定波長のＸ線を試料１３の表面に照射した場合、試料１３の深さによる光電子の放出角を説明する図である。
【００２２】
対象試料１３に対して特定波長のＸ線を照射すると、試料１３内部の構成元素の光電子が、試料１３から外部に放出される。この時、試料１３の表面に対する法線と放出される光電子の進行方向とは所定の角度θをなす。放出される光電子は、非弾性平均自由行程λの深さの内部から試料１３の外部に放出される。したがって、放出される光電子の試料１３表面での放出深さはλｃｏｓθとなる。
【００２３】
光電子の運動エネルギーのピーク領域の測定は、光電子検出器１５により０度＜θ＜７０度の範囲で５ないし８点の放出角度の位置で行われる。試料１３の深さ方向の元素の濃度は、前記計算されたデータを利用して線形関係式によって計算できる。このため、試料１３をその表面と平行に区分された多層領域に分ける。これを図３に示した。各層を構成する元素の濃度の和は一定であると仮定すると、前記線形関係式は、下記の式２で表わされる。
【数４】
2005140767.tif 000005
【００２４】
ここで、Ａは、図３Ａに示す試料１３の光電子脱出深さの内部を分けて構成される多数の層における各層での伝達関数である。すなわち、多層領域の各層の深さzから脱出角度θで放出される光電子の量に関する関数である。したがって、伝達関数Ａは、多層構造における各層別の情報が行列で表わされる。ｂは、光電子の実験的な強度値により決定されるベクトル値である。そして、Ｕは、規則化関数(regularization function)であり、各層の条件に対する拘束関数であって経験的な情報を使用して最適値を探すためのものである。この選択は、１９９５年に発行されたCumpson, P.J, J. Electron Spectrosc. Related Phenomena, vol.７３,no, pp.２５〜５２に記載されているので、詳細な説明は省略する。αは、Ｌ-カーブ分析を使用して経験的に決定される規則化係数(regularization parameter)である。この規則化係数の決定方法についての詳細な説明は、１９９４年に発行されたHansen, P.C,. Numerical Algorithms, vol.６, pp.１〜３に記載されている。
【００２５】
次に、本発明による対象試料の分析時における深さ分解能について説明する。この深さ分解能は、試料１３の表面から所定深さまでＡＲＸＰＳを利用して分析する時、多層形態に分けられる層の個数によって定義されるものである。前記で、光電子が放出される深さはλｃｏｓθで示し、最大放出深さはｃｏｓθが１である場合、すなわちλとなる。試料の表面からλまでの深さ内で分けられる多層の数はθの数値と同じである。これは、放出される光電子のエネルギープロファイルを放出角度によって分析した場合、光電子エネルギー量が大きいピークの数字で決定され、下記式３で表わされる。
【数５】
2005140767.tif 000006
【００２６】
ここで、εは放出される光電子の強度プロファイルでのピークの正確度値（exactness）(％)であり、ε＝１００(αI/Ｉ)と定義される。ここで、Ｉは前記式１に示す放出された光電子の強度を示し、αIは測定された光電子の放出強度の標準変位(standarad variation)である。Ｎは、放出された光電子のそれぞれのピークに該当する放出角度の数字、すなわち、考慮する放出角度の数字を示す。また、Ｚは試料の深さを示し、ΔＺは深さ分解能である。ＸＰＳまたはＵＰＳで分析できる試料表面内部の最大深さは、電子の非弾性平均自由行程によって決まり、通常、１０ｎｍ以下である。
【００２７】
前記のように、試料１３の一部位での深さ方向の濃度分布に関するデータを得た後に、図３Ｂに示すように、試料１３の位置をステージドライバー１４で精密に調整して移動させる。すなわち、Ｘ線の照射位置を試料１３のｘ-ｙ方向に移動させ、各位置での深さによる濃度分布に関するデータを得る。このように、試料１３の各位置での構成元素の濃度分布を分析した後、これを集めて３次元濃度分布に関するデータが得られる。
【００２８】
前記のような方法により、ＡＲＸＰＳによって試料１３の表面分析を実験的に行った例を具体的に説明する。
【００２９】
まず、厚さが０.７ｍｍであるＳｉＯXＮY(０＜Ｘ、Ｙ＜１)の試料４個を準備する。この試料は、Ｓｉ基板に酸化によりＳｉＯ2層をまず形成させ、さらに窒素をそのＳｉＯ2層の表面からドーピングさせたものである。ドーピングの深さは、それぞれ第１試料は４ｎｍ、第２試料は３ｎｍ、第３試料は２ｎｍ、第４試料は１.５ｎｍである。ＡＲＸＰＳを用いて、Ｘ線を前記各試料に照射して放出された光電子の放出角度による光電子の強度を測定し、図４Ａないし図４Ｃに示した。図４Ａは、Ｓｉの２ｐエネルギー準位で放出された光電子の強度分布を示す。
【００３０】
ここで、Ｓｉの２ｐエネルギー準位の領域で２個のピークが観察される。これは、Ｓｉが単一元素で存在するＳｉ基板と、Ｓｉが酸化物として存在する窒素がドーピングされたＳｉＯ2膜（ＳｉＯXＮY）とでは、Ｓｉの化学的状態が相異なることを意味する。そして、Ｎの１ｓエネルギー準位の領域でも２個のピークが観察される。これはＳｉ基板上のドーピング領域での窒素原子には、相異なる化学的状態であるものが存在することを意味している。低い結合エネルギーを有するＮ１ｓピーク(３９８ｅＶ)は三つのＳｉと結合した窒素(Ｎ―Ｓｉ3)に由来し、高いエネルギーのピーク(４０３ｅＶ)は２個のＯ原子と一つのＮと結合した窒素(Ｏ2−Ｎ−Ｓｉ)に由来する。
【００３１】
図５は、ＡＲＸＰＳで測定された光電子のエネルギー強度を放出角度に対して示したグラフである。規則化のために、理想的結果についての付加的な情報を分析する必要がある。まず、炭素、酸素、窒素および酸化シリコンは、試料の表面層にだけ分布し、その内部では存在しないと仮定する。そして、Ｓｉ単元素がその内部に分布すると仮定する。離散的な近似値を得るために、前記ＳｉＯXＮY層をその表面と平行に多層に分けた。前記式２の計算において、規則化係数αはＬ-カーブで得られる。
【００３２】
図６Ａないし図６Ｅでは、試料の深さ方向における元素の濃度を示した。図６ＡはＳｉＯXＮY層でのＳｉの濃度を示し、図６Ｂは基板のＳｉ単元素の濃度を示し、図６Ｃは酸素の濃度を示す。図６Ｄおよび図６Ｅは、前記で説明した相異なる化学的状態にある窒素の濃度を示す。図６Ｄは、４０３ｅＶのエネルギーを有する窒素の深さ方向における濃度分布を示し、これはＳｉＯXＮY層とＳｉ単元素の界面で最大濃度値を示す。これに対して、図６Ｅは、３９８ｅＶのエネルギーを有する窒素の深さ方向における濃度分布を示し、これは試料１３の表面に近い部位で高い濃度を示す。
【００３３】
このように、深さ方向における濃度分布と、表面における濃度分布とを組合わせると、３次元の組成分布に関する情報が得られる。この情報に基づいて、ＡＲＸＰＳの測定時に試料１３をステージドライバー１４により回転させたり、または傾けて表面および所定深さにおける情報が得られる。同じ試料サンプルを従来技術の破壊分析法であるＡＥＳで窒素の１ｓエネルギー準位の光電子の強度を測定したものを図６Ｆに示す。これに対応する図６Ｅと比較すると、その結果に多くの差があることが分かる。光電子の強度と濃度分布値とが比例することを考慮すれば、従来技術による分析実験時にその内部の構造が多く破壊されたことが分かる。
【００３４】
図７は、Ｓｉ基板７１の表面にＨｆＯ2膜７２を形成した試料サンプルを示す。Ｓｉ基板７１の上部表面は８０μｍ×８０μｍの大きさの四角形であり、ＨｆＯ2膜は最大６ｎｍの厚さになるようにした。この試料を、本発明による３次元表面分析方法により分析し、その結果を３次元グラフで図８Ａないし図８Ｆに示した。
【００３５】
この図８Ａないし図８Ｆから、Ｓｉはその表面部位にはほとんど存在せず、内部に入っていくほど増加し、約５ｎｍ以上の深さではほとんど１００%に近い濃度分布であることが分かる(図８Ａおよび図８Ｂ)。そして、Ｈｆは、表面では少量(約１０％内外)存在し、１ないし３ｎｍの深さの領域に集中的に分布していることが分かる(図８Ｃおよび図８Ｄ)。酸素は、表面に集中的に分布して３ｎｍより深い部位ではほとんど存在しないことが分かる(図８Ｅおよび図８Ｆ)。
【００３６】
本発明の技術分野における当業者であれば、前記の実施形態および特許請求の範囲に記載にしたがって、本発明から逸脱しない範囲で変形された各種の形態を想到できることが明らかである。したがって、前記の実施形態は、本発明を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではないことに留意すべきである。本発明の範囲は、特許請求の範囲に記載されたものであり、この範囲と均等の範囲にある全ての技術は、本発明の範囲に含まれるものと解釈しなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、電子分光化学分析法であるＡＲＸＰＳで対象材料の表面を３次元的に分析する方法であり、多様な試料表面および表面に近接した領域の表面下部を精密に分析するシステムに利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明による３次元表面分析方法に用いる装置の概略構成を説明する図である。
【図２Ａ】特定波長のビームを試料の表面に照射した場合、試料の深さによる光電子の放出角を示す図である。
【図２Ｂ】特定波長のビームを試料の表面に照射した場合、試料の深さによる光電子の放出角を示す図である。
【図３Ａ】対象試料の表面に対する法線と光電子の放出角度と対象試料の深さとの間の関係を示す図である。
【図３Ｂ】対象試料の表面に対する法線と光電子の放出方向との角度と対象試料の深さとの間の関係を示す図である。
【図４Ａ】Ｘ線を対象試料に照射して放出された光電子の放出角度による強度分布を測定した結果を示す図である。
【図４Ｂ】Ｘ線を対象試料に照射して放出された光電子の放出角度による強度分布を測定した結果を示す図である。
【図４Ｃ】Ｘ線を対象試料に照射して放出された光電子の放出角度による強度分布を測定した結果を示す図である。
【図５】ＡＲＸＰＳで測定された光電子のエネルギー強度と、光電子の放出角度との間の関係を示すグラフである。
【図６Ａ】ＳｉＯXＮY層の深さ方向におけるＳｉの濃度を示すグラフである。
【図６Ｂ】基板の深さ方向における単独元素Ｓｉの濃度を示すグラフである。
【図６Ｃ】深さ方向における酸素の濃度を示すグラフである。
【図６Ｄ】深さ方向において、高いエネルギーのピーク(４０３ｅＶ)を示す窒素(Ｏ2−Ｎ−Ｓｉ)の濃度を示すグラフである。
【図６Ｅ】深さ方向において、低い結合エネルギーを有するＮ１ｓピーク(３９８Ｎ)を示す窒素の濃度を示すグラフである。
【図６Ｆ】従来の表面分析方法（ＡＥＳ）により測定された深さ方向に対する元素の濃度分布を示すグラフである。
【図７】Ｓｉ基板の表面にＨｆＯ2膜を形成した試料サンプルを示す図である。
【図８Ａ】図７の試料サンプルの深さ方向におけるＳｉの濃度を示す３次元グラフである。
【図８Ｂ】図７の試料サンプルの深さ方向におけるＳｉの濃度を示す３次元グラフである。
【図８Ｃ】図７の試料サンプルの深さ方向におけるＨｆの濃度を示す３次元グラフである。
【図８Ｄ】図７の試料サンプルの深さ方向におけるＨｆの濃度を示す３次元グラフである。
【図８Ｅ】図７の試料サンプルの深さ方向における酸素の濃度を示す３次元グラフである。
【図８Ｆ】図７の試料サンプルの深さ方向における酸素の濃度を示す３次元グラフである。
【符号の説明】
【００３９】
１１      ビーム(Ｘ線、紫外線)ソース
１２      モノクロメーター
１３      対象試料
１４      ステージドライバー
１５      光電子検出器
７１      基板
７２      ＨｆＯ2膜
【図１】
2005140767.tif 000008
【図２Ａ】
2005140767.tif 000009
【図２Ｂ】
2005140767.tif 000010
【図３Ａ】
2005140767.tif 000011
【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
2005140767.tif 000013
【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
2005140767.tif 000015
【図５】
2005140767.tif 000016
【図６Ａ】
2005140767.tif 000017
【図６Ｂ】
2005140767.tif 000018
【図６Ｃ】
2005140767.tif 000019
【図６Ｄ】
2005140767.tif 000020
【図６Ｅ】
2005140767.tif 000021
【図６Ｆ】
2005140767.tif 000022
【図７】
2005140767.tif 000023
【図８Ａ】
2005140767.tif 000024
【図８Ｂ】
2005140767.tif 000025
【図８Ｃ】
2005140767.tif 000026
【図８Ｄ】
2005140767.tif 000027
【図８Ｅ】
2005140767.tif 000028
【図８Ｆ】
2005140767.tif 000029