(57)【要約】【課題】  集積回路チップの実装に用いられる接着剤と配線基板との界面における接着力を強化することができ、集積回路チップと配線基板との接着力が高い配線基板および電子回路素子並びに表示装置を提供する。【解決手段】  ベースフィルム４における、集積回路チップ１の実装時に該集積回路チップ１の実装に用いられるＮＣＰ９が配される領域に、上記ベースフィルム４を貫く貫通孔４０を設け、該貫通孔４０を覆うように、上記ベースフィルム４の裏面に接着剤付きカバーレイ６を設けることで、上記貫通孔４０内に、上記接着剤付きカバーレイ６に使用されている接着剤６ｂを充填する。上記貫通孔４０内に充填された接着剤６ｂとＮＣＰ９とは、上記集積回路チップ１の実装時に互いに強固に接着される。【選択図】  図１
2005175020.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された配線パターンと、上記配線パターンと集積回路チップのバンプとを電気的に接続するための接続端子とを備え、集積回路チップと絶縁性基板とを接続する接続材料（Ａ）により集積回路チップがフリップチップ実装される集積回路実装用の配線基板であって、
上記絶縁性基板における、集積回路チップの実装時に上記接続材料（Ａ）が配される領域に、上記絶縁性基板を貫く貫通孔が設けられ、該貫通孔内に、絶縁性基板に対する上記接続材料（Ａ）の接着性よりも上記接続材料（Ａ）との接着性が高い材料（Ｂ）が、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
上記絶縁性基板はポリイミドからなることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
上記絶縁性基板における集積回路チップ実装面とは反対側の面に、上記貫通孔を覆うように接着剤（Ｃ）を介してカバーレイが設けられていると共に、上記貫通孔内に、上記材料（Ｂ）として、接着剤（Ｃ）が充填されていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項４】
上記絶縁性基板における集積回路チップ実装面とは反対側の面に、上記貫通孔を覆うようにソルダーレジストからなる層が設けられていると共に、上記貫通孔内に、上記材料（Ｂ）として、上記ソルダーレジストが充填されていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項５】
上記材料（Ｂ）は、水蒸気を透過させる材料であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項６】
上記材料（Ｂ）は完全に硬化する前の状態にあることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載の配線基板上に、上記接続材料（Ａ）により集積回路チップが実装されてなり、上記接続材料（Ａ）と材料（Ｂ）とが、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置にて互いに接着されていることを特徴とする電子回路素子。
【請求項８】
請求項７に記載の電子回路素子を有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された配線パターンと、上記配線パターンと集積回路チップのバンプとを電気的に接続するための接続端子とを備えた集積回路実装用の配線基板上に、上記集積回路チップと絶縁性基板とを接続する接続材料（Ａ）により上記集積回路チップをフリップチップ実装する電子回路素子の製造方法であって、
上記絶縁性基板における、上記集積回路チップの実装時に上記接続材料（Ａ）が配される領域に、上記絶縁性基板を貫く貫通孔を設ける工程と、
上記絶縁性基板上に、上記配線パターンおよび接続端子を設ける工程と、
上記貫通孔内に、上記接続材料（Ａ）との接着性が、絶縁性基板に対する接続材料（Ａ）の接着性よりも高い材料（Ｂ）を、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填する工程と、
上記材料（Ｂ）を硬化させる工程と、
上記接続端子と上記集積回路チップのバンプとを位置合わせすると共に、上記接続材料（Ａ）を介して上記絶縁性基板上に上記集積回路チップを搭載する工程と、
上記接続材料（Ａ）を硬化させることにより、上記集積回路チップと上記絶縁性基板とを上記接続材料（Ａ）により接続すると共に、上記接続材料（Ａ）と材料（Ｂ）とを互いに接着させる工程とを含むことを特徴とする電子回路素子の製造方法。
【請求項１０】
絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された配線パターンと、上記配線パターンと集積回路チップのバンプとを電気的に接続するための接続端子とを備えた集積回路実装用の配線基板上に、上記集積回路チップと絶縁性基板とを接続する接続材料（Ａ）により上記集積回路チップをフリップチップ実装する電子回路素子の製造方法であって、
上記絶縁性基板における、上記集積回路チップの実装時に上記接続材料（Ａ）が配される領域に、上記絶縁性基板を貫く貫通孔を設ける工程と、
上記絶縁性基板上に、上記配線パターンおよび接続端子を設ける工程と、
上記貫通孔内に、上記接続材料（Ａ）との接着性が、絶縁性基板に対する接続材料（Ａ）の接着性よりも高い材料（Ｂ）を、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填する工程と、
上記材料（Ｂ）を、該材料（Ｂ）が完全には硬化しないように硬化させる工程と、
上記接続端子と上記集積回路チップのバンプとを位置合わせすると共に、上記材料（Ｂ）が完全に硬化する前の状態において、上記接続材料（Ａ）を介して上記絶縁性基板上に上記集積回路チップを搭載する工程と、
上記接続材料（Ａ）および材料（Ｂ）を硬化させることにより、上記集積回路チップと上記絶縁性基板とを上記接続材料（Ａ）により接続すると共に、上記接続材料（Ａ）と材料（Ｂ）とを互いに接着させる工程とを含むことを特徴とする電子回路素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路チップの実装に用いられる配線基板、並びに、該配線基板に集積回路チップが実装された電子回路素子およびその製造方法、並びに該電子回路素子を用いた表示装置に関するものであり、より詳細には、集積回路チップのバンプを配線基板の接続端子に接続することにより集積回路チップを実装するフリップチップ実装に用いられる配線基板、並びに、フリップチップ実装により該配線基板に集積回路チップが実装された電子回路素子およびその製造方法、並びに表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化、薄型化に伴って、配線基板のフィルム化が進んでいる。同時に、電子機器の高密度化に対応するため、配線基板をフィルム化したフィルム基板に、集積回路チップやチップ電子部品を搭載する実装技術の開発が進んでいる。
【０００３】
図５は、フィルム基板上に集積回路チップを実装した一般的な電子回路素子における集積回路チップ周辺の概略構成を示す断面図である。
【０００４】
電子回路素子１０７は、フィルム基板である配線基板１２０上に集積回路チップ１０１が実装された構成を有している。また、上記配線基板１２０は、ポリイミドからなるベースフィルム１０４の表面に第１配線パターン１３０が設けられていると共に、裏面に第２配線パターン１３１が設けられている構成を有している。第１配線パターン３０は、その一部に集積回路チップ１０１のバンプ１０２と接続するための接続端子（バンプ接続用端子）１３２を有している。また、第１配線パターン１３０を覆うようにソルダーレジスト１０５が設けられ、第２配線パターン１３１を覆うように、カバーレイ６ａの片面に接着剤層１０６ｂが設けられた接着剤付きカバーレイ６が貼り付けられている。このようなフィルム基板は、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）と呼ばれ、コンピュータ周辺機器を中心に多くの電子機器に使用されている。
【０００５】
ここで、上記構成を有するＦＰＣ（配線基板１２０）上への集積回路チップ１０１の実装方法、言い換えれば、上記電子回路素子１０７の製造方法について説明する。
【０００６】
まず、上記実装方法として、現在主流となっている異方性導電膜（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）を用いた実装方法（例えば、非特許文献１参照）について、図５を参照して以下に説明する。
【０００７】
図５に示すように、ＡＣＦ１０８は、プラスチックビーズにＮｉ、Ａｕ等をメッキした金属膜被覆プラスチック微粒子（以下、「導電粒子」と称する）１０８ａを、フィルム状のエポキシ樹脂等の接着剤１０８ｂ中に分散させたものである。
【０００８】
まず、接続端子１３２を覆うように配線基板１２０上にＡＣＦ１０８を配置する。そして、接続端子１３２とバンプ１０２とを位置合わせした後、ツール（図示せず）で集積回路チップ１０１を１８０〜２１０℃で加熱および加圧する。これにより、ＡＣＦ１０８に含まれる導電粒子１０８ａが、バンプ１０２と接続端子１３２との間で押さえつけられた状態となり、集積回路チップ１０１のバンプ１０２と、配線基板上の接続端子１３２とが電気的に接続される。それと同時に、ＡＣＦ１０８の接着剤１０８ｂが熱硬化し、バンプ１０２と接続端子１３２とが固定される。
【０００９】
このように集積回路チップのバンプと配線基板の接続端子とを接続することにより集積回路チップを配線基板に実装する方法は、一般的にフリップチップ実装と称されている。
【００１０】
次に、上記実装方法として、最近開発が進んでいるＮＣＰ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用いた実装方法（例えば、特許文献１参照）について、図６を参照して以下に説明する。
【００１１】
図６は、ＮＣＰ１０９として光または熱硬化性樹脂を用いてＦＰＣ（配線基板１２０）上に集積回路チップ１０１を実装した電子回路素子１０７における集積回路チップ１０１周辺の概略構成を示す断面図であり、図６に記載の電子回路素子１０７は、ＡＣＦ１０８の代わりにＮＣＰ１０９を使用していることを除けば図５に示す電子回路素子１０７と同じ構成を有している。
【００１２】
ＮＣＰ１０９とＡＣＦ１０８との主な相違点として、第１に、ＡＣＦ１０８は導電粒子１０８ａを含むのに対してＮＣＰ１０９は導電粒子を含まない点、第２に、集積回路チップ実装前の状態として、ＡＣＦ１０８はフィルム状であるのに対してＮＣＰ１０９はペースト状である点が挙げられる。
【００１３】
ＮＣＰ１０９を用いて集積回路チップ１０１を配線基板１２０に実装する場合、まず、接続端子１３２を覆うように配線基板１２０にＮＣＰ１０９を塗布する。続いて、接続端子１３２とバンプ１０２とを位置合わせした後、ツール（図示せず）で集積回路チップ１０１を加熱および加圧する。これにより、図６に示すように、バンプ１０２が接続端子１３２に接続され、集積回路チップ１０１が配線基板１２０に実装される。
【００１４】
一般的に、ＮＣＰ１０９には、エポキシ樹脂を主成分とする接着剤が用いられている。エポキシ樹脂からなる接着剤は、２００〜３５０℃で加熱することによって硬化するため、バンプ１０２と接続端子１３２とは、ＮＣＰ１０９が硬化収縮する力で押さえつけられた状態となる。これにより、バンプ１０２と接続端子１３２とは電気的に接続される。
【００１５】
このように、配線基板上への集積回路チップの実装には、通常、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂等の合成樹脂からなる有機系の接着剤が用いられている。これに対し、近年、マルチメディアに代表されるように、電子機器の高機能化、多機能化、小型化の要求に伴って、配線基板上に、集積回路チップだけでなく、チップ電子部品も実装されるケースが増えており、このようなチップ電子部品の実装には、主にはんだ接続が用いられている。はんだ接続は、以下のようにして行われる。
【００１６】
まず、配線基板に備えられた、はんだ接続用端子上に、クリームはんだを塗布する。その後、チップ電子部品に形成された電極がはんだ上に乗るようにチップ電子部品を配線基板上に搭載する。そして、２２０〜２４０℃程度でリフロー加熱を行い、はんだを溶融させる。これにより、チップ電子部品の電極と、配線基板に備えられた接続端子とが電気的に接続される。
【特許文献１】特公平２−７１８０号公報（公開日：１９９０年２月１５日）
【特許文献２】特開平１１−１８６２９４号公報（公開日：１９９９年７月９日）
【非特許文献１】春日壽夫著，「表面実装ポケットブック  実用化進む超小型パッケージ  ＣＳＰ実装技術」，日刊工業新聞社出版，１９９９年７月３０日，ｐ．９６−９７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
上記したように、同一配線基板上に集積回路チップとチップ電子部品とを実装する場合、はんだによる汚染を懸念して、先に集積回路チップが実装されることが多い。これは、先にチップ電子部品をはんだ接続により実装すると、はんだ片が集積回路チップを実装するための接続部に飛散する可能性があり、はんだ片が付着した状態で上記接続部に集積回路チップを実装すると、集積回路チップのリークや腐食が発生するという不具合が生じるおそれがあるためである。このため、上記配線基板と集積回路チップとの接続は、チップ電子部品の実装時におけるリフロー加熱に耐え得る必要がある。つまり、リフロー加熱後にも配線基板と集積回路チップとを信頼性よく接続するために、ＡＣＦやＮＣＰの耐熱性を向上させる必要がある。
【００１８】
さらに、近年、環境負荷を抑制する目的で、はんだ接続に使用されるはんだは、従来の鉛含有はんだから鉛フリーはんだへとシフトしつつある。鉛フリーはんだのリフロー加熱温度は、鉛含有はんだのそれに比べて約２０℃程度高くする必要があり、この温度に配線基板と集積回路チップとの接続が耐えられず、接続不良が発生する事例が生じている。このため、鉛フリーはんだによるはんだ接続を行うためには、配線基板と集積回路チップとの接続を維持しているＡＣＦやＮＣＰに、鉛フリーはんだに対応した改良、つまり、鉛フリーはんだのリフロー加熱温度に耐えうるように改良を施す必要がある。
【００１９】
しかしながら、ＡＣＦやＮＣＰの耐熱性を向上させると、ＡＣＦやＮＣＰと、配線基板や集積回路チップとの接着力が低下するというように、耐熱性の向上と接着力の向上とはトレードオフの関係になっていることが多い。そのため、ＡＣＦやＮＣＰの耐熱性を改良することで鉛フリーはんだのリフロー加熱時における配線基板と集積回路チップとの接続が維持できたとしても、その後の使用環境によっては、ＡＣＦやＮＣＰと配線基板との界面、あるいは、ＡＣＦやＮＣＰと集積回路チップとの界面で集積回路チップが配線基板から剥離して接続不良が発生する場合がある。
【００２０】
このため、ＡＣＦやＮＣＰの耐熱性を改良するのに加えて、配線基板と集積回路チップとの接着力を向上させることが望まれる。つまり、ＡＣＦやＮＣＰ等の接着剤の耐熱性を向上させることでリフロー後も信頼性の高い接続を行うことができるが、耐熱性を向上させることで密着力が低下した上記ＡＣＦやＮＣＰ等の接着剤を如何に強固に配線基板に接着させるかが問題である。特に、配線基板と集積回路チップとの間の剥離は、ＡＣＦやＮＣＰ等の接着剤と集積回路チップとの界面よりも、上記接着剤と配線基板との界面で発生することが非常に多い。このため、上記接着剤と配線基板との界面における両者の接着力を強化することは、上記剥離による接続不良の防止に非常に効果的である。
【００２１】
また、現在主流となっている配線基板（ＦＰＣ）は、表面を粗化処理した銅箔に、ポリイミド前駆体溶液を塗布、イミド化してなる銅張ベースフィルムを、耐エッチング性のフィルムをマスクとして銅箔側からエッチングすることにより、ポリイミドからなるベースフィルム上に銅製の配線パターンを形成する、いわゆるキャスティング方式と呼ばれる方法で作製されたものが多い。
【００２２】
キャスティング方式では、銅箔と、該銅箔上に形成されるベースフィルムとの密着性を向上させるため、銅箔表面には粗化処理で凹凸が設けられている。この銅箔表面の凹凸はベースフィルムに転写されるため、ベースフィルム表面の銅箔がエッチング除去された領域は、凹凸が形成された状態になっている。このベースフィルム表面の凹凸は、ベースフィルムとＡＣＦやＮＣＰ等の接着剤との界面の密着性に寄与している。
【００２３】
しかしながら、最近では、フィルム状のポリイミドをベースフィルムに使用し、その上に、触媒を付与してスパッタ、蒸着等の方法で金属種膜を薄く形成し、配線パターン形成部分が除去されたフィルムを用いて電解銅メッキを施して上記フィルムで被覆されていない部分に銅を析出させることにより、ポリイミドからなるベースフィルム上に銅製の配線パターンを形成する、いわゆるアディティブ方式を用いた配線基板（ＦＰＣ）が、上記キャスティング方式を用いた配線基板（ＦＰＣ）に代わって増加傾向にある。
【００２４】
アディティブ方式では、ベースフィルム表面は平坦であるため、ベースフィルム表面に凹凸を有するキャスティング方式と比較して、ベースフィルムと接着剤との密着力は弱い。しかし、アディティブ方式ではエッチングによる配線幅方向の細りがなく、また、高精細ピッチの配線パターンを形成するには、銅箔／ポリイミド界面の凹凸が小さいほうが有利であることから、将来的にアディティブ方式の割合がより一層増加すると考えられる。
【００２５】
このため、チップ電子部品の実装の有無、つまり、はんだ接続の有無に拘らず、上記集積回路チップと配線基板との接着力、すなわち、上記ＡＣＦやＮＣＰ等の接着剤と配線基板との接着力を強化することは、集積回路チップの実装に上記ＡＣＦやＮＣＰ等の接着剤を使用するフリップチップ実装における上記剥離による接続不良を防止する上で、重要な課題となっている。
【００２６】
そこで、チップ電子部品の実装の有無に拘らず、集積回路チップのフリップチップ実装に用いられる上記ＡＣＦやＮＣＰ等の接着剤と配線基板との接着力を強化し、上記剥離による接続不良を防止することが切に望まれている。
【００２７】
また、上記課題とは別の課題として、前記したように同一配線基板（ＦＰＣ）上に集積回路チップとチップ電子部品とを実装する場合、チップ電子部品のはんだ接続のためのリフロー加熱工程で、ＡＣＦやＮＣＰ等の接着剤に含まれる水分や溶剤が蒸発し、その蒸気圧が高くなることで、配線基板におけるチップ搭載部分が下方に膨れる、いわゆるポップコーン現象が発生する場合がある。
【００２８】
ポップコーン現象を解決する方法としては、例えば、プラスチック基板に集積回路チップをダイボンディングして封止樹脂で封止してなる半導体パッケージの分野において、種々検討がなされている（例えば、特許文献２参照）。
【００２９】
例えば、特許文献２には、半導体チップを回路基板に実装する際にリフロー半田付け法により半田ボールが回路基板の接続端子に接合されているプラスチックＢＧＡパッケージにおいて、リフロー半田付け工程でパッケージ全体がリフロー炉で加熱されるためにパッケージ内部で発生する蒸気を確実に外部に排出し、上記パッケージ内の水分によって生じるポップコーン現象や、封止樹脂とプラスチック基板との接合面やチップ接合面が剥離するデラミネーションを防止するための方法が記載されている。
【００３０】
図７は、特許文献２に記載の半導体パッケージにおける要部の概略構成を模式的に示す断面図である。
【００３１】
図７に示すように、特許文献２記載の半導体パッケージは、絶縁性のプラスチック基板５０の両面に図示しない配線パターンや接続端子が、銅箔やメッキにより形成されている。また、このプラスチック基板５０の下面には、接続電極として多数の半田ボール５３が形成されており、この半田ボール５３以外の露出面は、ソルダーレジスト膜５５ｂで被覆されている。
【００３２】
また、上記プラスチック基板５０の半導体チップ１１実装領域には、上下方向に貫通する１個または複数個の通気孔５６が形成されており、このプラスチック基板５０の上面には、接続端子部分を除く配線パターン領域を覆うようにソルダーレジスト膜５５ａが設けられていると共に、上記通気孔５６の上端面を覆うように、上記半導体チップ１１実装領域にもソルダーレジスト膜（ソルダーレジスト膜５５ｃ）が形成されている。これらソルダーレジスト膜５５ａ・５５ｂ・５５ｃは、上記プラスチック基板５０の両面に、液状またはドライフィルム状の感光性ソルダーレジストを、印刷、塗布、または貼着し、マスクを用いて露出部分を紫外線硬化させて不要な部分を取り除くことにより形成される。
【００３３】
半導体チップ１１は、上記ソルダーレジスト膜５５ｃの上から、Ａｇペースト等の接着剤５１でダイボンディングされており、該半導体チップ１１上に配置された電極（図示せず）と、プラスチック基板５０上面に配置された接続端子との間を、金線等のボンディングワイヤ５４で電気的に接続された後、上記ボンディングワイヤ５４ごと、エポキシ樹脂等の封止樹脂５２のトランスファー成形により封止されている。
【００３４】
上記特許文献２によれば、上記通気孔５６の上端面が、上記プラスチック基板５０における半導体チップ１１の実装領域を覆う、硬化した上記ソルダーレジスト膜５５ｃにより被覆されていることで、半導体チップ１１のダイボンディング時に、該半導体チップ１１の実装に使用されるＡｇペースト等の接着剤５１が上記通気孔５６内に流れ込むことを防止し、上記通気孔５６の通気性を確保するようになっている。
【００３５】
しかしながら、上記特許文献２の構成を、前述したフリップチップ実装に適用した場合、上記ソルダーレジスト膜（ソルダーレジスト膜５５ａ・５５ｂ・５５ｃ）の膜厚は、該ソルダーレジスト膜が、配線パターンを被覆して保護することを目的とするものであるため、通常、約１０〜２０μｍ程度であるのに対し、バンプの高さは、メッキバンプで約１０〜２０μｍ程度であり、また、ソルダーレジスト膜を形成する場合、その膜厚が均一となるように塗布制御することは困難であるため、上記特許文献２に示すように、配線基板と集積回路チップとの間にソルダーレジスト膜が形成されていると、集積回路チップのバンプが配線基板の接続端子に届かないケースが往々にしてでてくる。特に、集積回路チップの配線をカレット等から守る目的で、集積回路チップの配線パターン上に約３〜８μｍのポリイミド被膜がコーティングされている場合には、より一層バンプと接続端子とを接続することが困難になる。特に、コスト削減や装置の小型化のためには、集積回路チップのバンプ高さは低いほど有利であり、近年、集積回路チップのバンプ高さは、できるだけ低く形成される傾向にある。このため、上記特許文献２の構成を、フリップチップ実装、特に、近年のフリップチップ実装に適用することは困難である。
【００３６】
そこで、ソルダーレジストに代えて、膜厚の制御が容易な他の樹脂を使用することが考えられるが、本願発明者等が鋭意検討した結果、例えソルダーレジストに代えて他の樹脂を使用したとしても、塗布上の問題から、その膜厚を、フリップチップ実装に適用し得る程度に均一化し、集積回路チップ実装領域表面を平坦化することは容易ではなく、何れにしても、上記特許文献２の構成をフリップチップ実装に適用することは困難である。
【００３７】
フリップチップ実装を行う場合、ボンディングワイヤを用いる場合と異なり、集積回路チップ下面に上記したような硬化樹脂膜を形成した場合、該硬化樹脂膜が集積回路チップに当接することで、バンプと上記接続端子との接続に支障を来す、あるいは、例え接続できたとしても接続不良を招くおそれがある。そして、前記したように、近年、集積回路チップのバンプ高さは、できるだけ低く形成される傾向にあり、上記硬化性樹脂膜の膜厚のばらつきによる凹凸を抑え、フリップチップ実装に適用し得る程度に集積回路チップ実装領域表面を平坦化することは容易ではない。
【００３８】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、集積回路チップの実装に用いられる接着剤と配線基板との接着力を強化することができ、集積回路チップと配線基板との接着力が高い配線基板および電子回路素子並びに表示装置を提供することにある。また、本発明のさらなる目的は、上記配線基板を用いた、上記接着力に優れた電子回路素子の製造方法を提供することにある。また、本発明のさらなる目的は、上記接着力に優れると共に、リフロー加熱を行う必要がある場合にいわゆるポップコーン現象が発生することを防止することができる配線基板、集積回路素子およびその製造方法、並びに表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３９】
本発明の配線基板は、上記課題を解決するために、絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された配線パターンと、上記配線パターンと集積回路チップのバンプとを電気的に接続するための接続端子とを備え、集積回路チップと絶縁性基板とを接続する接続材料（Ａ）により集積回路チップがフリップチップ実装される集積回路実装用の配線基板であって、上記絶縁性基板における、集積回路チップの実装時に上記接続材料（Ａ）が配される領域に、上記絶縁性基板を貫く貫通孔が設けられ、該貫通孔内に、絶縁性基板に対する上記接続材料（Ａ）の接着性よりも上記接続材料（Ａ）との接着性が高い材料（Ｂ）が、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填されていることを特徴としている。
【００４０】
また、本発明の配線基板は、上記の構成に加えて、上記絶縁性基板はポリイミドからなることを特徴としている。
【００４１】
また、本発明の配線基板は、上記の構成に加えて、上記絶縁性基板における集積回路チップ実装面とは反対側の面に、上記貫通孔を覆うように接着剤（Ｃ）を介してカバーレイが設けられていると共に、上記貫通孔内に、上記材料（Ｂ）として、接着剤（Ｃ）が充填されていることを特徴としている。
【００４２】
また、本発明の配線基板は、上記の構成に加えて、上記絶縁性基板における集積回路チップ実装面とは反対側の面に、上記貫通孔を覆うようにソルダーレジストからなる層が設けられていると共に、上記貫通孔内に、上記材料（Ｂ）として、上記ソルダーレジストが充填されていることを特徴としている。
【００４３】
また、本発明の配線基板は、上記構成に加えて、上記材料（Ｂ）は、水蒸気を透過させる材料であることを特徴としている。
【００４４】
また、本発明の配線基板は、上記構成に加えて、上記材料（Ｂ）は完全に硬化する前の状態にあることを特徴としている。
【００４５】
さらに、本発明の電子回路素子は、上記課題を解決するために、配線基板上に、上記接続材料（Ａ）により集積回路チップが実装されてなり、上記接続材料（Ａ）と材料（Ｂ）とが、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置にて互いに接着されていることを特徴としている。
【００４６】
また、本発明の表示装置は、上記課題を解決するために、上記した本発明の電子回路素子を有することを特徴としている。
【００４７】
さらに、本発明の電子回路素子の製造方法は、絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された配線パターンと、上記配線パターンと集積回路チップのバンプとを電気的に接続するための接続端子とを備えた集積回路実装用の配線基板上に、上記集積回路チップと絶縁性基板とを接続する接続材料（Ａ）により上記集積回路チップをフリップチップ実装する電子回路素子の製造方法であって、上記絶縁性基板における、上記集積回路チップの実装時に上記接続材料（Ａ）が配される領域に、上記絶縁性基板を貫く貫通孔を設ける工程と、上記絶縁性基板上に、上記配線パターンおよび接続端子を設ける工程と、上記貫通孔内に、上記接続材料（Ａ）との接着性が、絶縁性基板に対する接続材料（Ａ）の接着性よりも高い材料（Ｂ）を、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填する工程と、上記材料（Ｂ）を硬化させる工程と、上記接続端子と上記集積回路チップのバンプとを位置合わせすると共に、上記接続材料（Ａ）を介して上記絶縁性基板上に上記集積回路チップを搭載する工程と、上記接続材料（Ａ）を硬化させることにより、上記集積回路チップと上記絶縁性基板とを上記接続材料（Ａ）により接続すると共に、上記接続材料（Ａ）と材料（Ｂ）とを互いに接着させる工程とを含むことを特徴としている。
【００４８】
さらに、本発明の電子回路素子の製造方法は、絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された配線パターンと、上記配線パターンと集積回路チップのバンプとを電気的に接続するための接続端子とを備えた集積回路実装用の配線基板上に、上記集積回路チップと絶縁性基板とを接続する接続材料（Ａ）により上記集積回路チップをフリップチップ実装する電子回路素子の製造方法であって、上記絶縁性基板における、上記集積回路チップの実装時に上記接続材料（Ａ）が配される領域に、上記絶縁性基板を貫く貫通孔を設ける工程と、上記絶縁性基板上に、上記配線パターンおよび接続端子を設ける工程と、上記貫通孔内に、上記接続材料（Ａ）との接着性が、絶縁性基板に対する接続材料（Ａ）の接着性よりも高い材料（Ｂ）を、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填する工程と、上記材料（Ｂ）を、該材料（Ｂ）が完全には硬化しないように硬化させる工程と、上記接続端子と上記集積回路チップのバンプとを位置合わせすると共に、上記材料（Ｂ）が完全に硬化する前の状態において、上記接続材料（Ａ）を介して上記絶縁性基板上に上記集積回路チップを搭載する工程と、上記接続材料（Ａ）および材料（Ｂ）を硬化させることにより、上記集積回路チップと上記絶縁性基板とを上記接続材料（Ａ）により接続すると共に、上記接続材料（Ａ）と材料（Ｂ）とを互いに接着させる工程とを含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【００４９】
以上のように、集積回路チップのフリップチップ実装に用いられる本発明の配線基板は、上記絶縁性基板における、集積回路チップの実装時に上記接続材料（Ａ）が配される領域に、上記絶縁性基板を貫く貫通孔を備えた構成を有し、該貫通孔内に、絶縁性基板に対する上記接続材料（Ａ）の接着性、例えばポリイミドからなる絶縁性基板に対する上記接続材料（Ａ）の接着性よりも、上記接続材料（Ａ）との接着性が高い材料（Ｂ）が、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填されていることで、集積回路チップの実装時に、上記貫通孔が存在する領域で、上記接続材料（Ａ）と材料（Ｂ）とを互いに強固に接着させることができる。それゆえ、上記の構成によれば、集積回路チップの実装時に、上記接続材料（Ａ）と上記配線基板との接続強度を高めることができ、上記配線基板に集積回路チップを強固に接着することができる。
【００５０】
また、本発明によれば、上記材料（Ｂ）が、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填されていることで、集積回路チップ実装時に、上記材料（Ｂ）が上記集積回路チップと当接することがなく、該材料（Ｂ）によって上記集積回路チップのフリップチップ実装（バンプ接続）が阻害されることがない。また、本発明によれば、上記材料（Ｂ）が、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填されていることで、バンプ高さが低い集積回路チップの実装にも好適に使用することができる。よって、上記の構成によれば、上記集積回路チップの実装時に、上記集積回路チップと配線基板との間にソルダーレジスト膜（ソルダーレジストからなる層）を形成する場合と比較して、上記集積回路チップの実装高さを増大させることがなく、上記集積回路チップを備えた装置の小型化を図ることができる。
【００５１】
さらに、本発明の配線基板は、集積回路チップの実装前に、上記貫通孔内に、上記材料（Ｂ）が予め充填されているため、上記材料（Ｂ）として、硬化速度は遅くても接着性の高い材料を使用することが可能になる。それゆえ、上記材料（Ｂ）の選択の自由度を高めることができると共に、上記材料（Ｂ）として、上記絶縁性基板との接着性がより高い材料を選択することができる。また、本発明の配線基板は、集積回路チップの実装前に、上記貫通孔内に、上記材料（Ｂ）が予め充填されているため、集積回路チップの実装時に、上記貫通孔から絶縁性基板裏面に上記接続材料（Ａ）が流出することを防止することができるという効果を併せて奏する。
【００５２】
このように、本発明は、絶縁性基板上に形成された配線パターンの一部に形成された接続端子に、集積回路チップのバンプが接続されることにより集積回路チップが実装される実装領域を備えた配線基板および電子回路素子に特に好適である。
【００５３】
また、本発明の配線基板は、以上のように、さらに上記絶縁性基板における集積回路チップ実装面とは反対側の面に、上記貫通孔を覆うように接着剤（Ｃ）を介してカバーレイが設けられていることで、配線基板裏面に上記カバーレイを貼り付ける際に、該カバーレイの貼り付けに使用する接着剤が貫通孔に染み込み、充填されるので、上記貫通孔に新たに上記材料（Ｂ）を充填する必要がなく、製造工程の簡略化を図ることができるという効果をさらに奏する。
【００５４】
集積回路チップのフリップチップ実装に一般的に用いられている接続材料（Ａ）は、集積回路チップ実装用の配線基板に用いられる絶縁性基板の裏面にカバーレイを設ける際に用いられる接着剤、例えば接着剤付カバーレイの接着剤との接着性に優れ、その接着性は、上記接続材料（Ａ）と絶縁性基板との接着性に比べて極めて高い。
【００５５】
本発明の配線基板は、以上のように、さらに上記絶縁性基板における集積回路チップ実装面とは反対側の面に、上記貫通孔を覆うようにソルダーレジストからなる層（ソルダーレジスト膜）が設けられていることで、配線基板裏面に上記ソルダーレジストからなる層を設ける際に、ソルダーレジストが貫通孔に染み込み、充填されるので、上記貫通孔に新たに上記材料（Ｂ）を充填する必要がなく、製造工程の簡略化を図ることができるという効果を併せて奏する。
【００５６】
集積回路チップのフリップチップ実装に一般的に用いられている接続材料（Ａ）は、集積回路チップ実装用の配線基板に用いられるソルダーレジスト、つまり、上記配線基板における配線パターンの保護に使用されるソルダーレジストとの接着性に優れ、その接着性は、上記接続材料（Ａ）と絶縁性基板との接着性に比べて極めて高い。
【００５７】
本発明の配線基板は、以上のように、さらに上記材料（Ｂ）は、水蒸気を透過させる材料であるので、上記配線基板に接着剤を用いて集積回路チップを実装した後、配線基板にチップ電子部品を搭載する場合のように、リフロー加熱により上記接続材料（Ａ）に含まれる水分が蒸発して蒸気圧が高くなったとしても、上記貫通孔から水蒸気を外部に排出することができる。それゆえ、上記蒸気圧に由来するいわゆるポップコーン現象を防止することができると共に、上記配線基板と集積回路チップとの剥離を防止することができるという効果を奏する。
【００５８】
本発明の電子回路素子は、以上のように、上記材料（Ｂ）は完全に硬化する前の状態にあるので、上記材料（Ｂ）と接続材料（Ａ）との接触界面（接続界面）において、上記接続材料（Ａ）と材料（Ｂ）とが、例えば化学結合、あるいは、局所的に混ざり合う等して、上記材料（Ｂ）と接続材料（Ａ）との接触界面で上記配線基板に集積回路チップをより強固に接着することができるという効果を奏する。
【００５９】
そして、この場合、特に、上記絶縁性基板における集積回路チップ実装面とは反対側の面に、上記貫通孔を覆うように、前記したように接着剤（Ｃ）を介してカバーレイが設けられるかあるいはソルダーレジストからなる層が設けられ、上記貫通孔内に、材料（Ｂ）として、上記接着剤（Ｃ）あるいは上記ソルダーレジストが充填されていることで、上記集積回路チップの実装時、すなわち、上記接続材料（Ａ）の硬化時に、上記接続材料（Ａ）と、上記貫通孔内および上記絶縁性基板裏面に設けられた材料（Ｂ）とが、櫛歯状に一体的に硬化成形される。このため、上記接続材料（Ａ）と上記配線基板との接着強度をより一層高めることができるため、上記配線基板を集積回路チップの実装に使用した時に、上記配線基板上から集積回路チップが剥離することをより一層確実に防止することができるという効果を奏する。
【００６０】
本発明の電子回路素子は、以上のように、上記配線基板上に、上記接続材料（Ａ）により集積回路チップが実装されてなり、上記接続材料（Ａ）と材料（Ｂ）とが、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置にて互いに接着されているので、集積回路チップと配線基板との接着力が高く、集積回路チップと配線基板との剥離を防止することができる。それゆえ、接続不良のない電子回路素子を提供することができるという効果を奏する。
【００６１】
本発明の表示装置は、以上のように、上記記載の電子回路素子を有するので、集積回路チップと配線基板との接着力が高く、集積回路チップと配線基板との剥離を防止することができる。それゆえ、表示装置の不良品の発生率を低下させることができるという効果を奏する。
【００６２】
また、以上のように、絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された配線パターンと、上記配線パターンと集積回路チップのバンプとを電気的に接続するための接続端子とを備えた集積回路実装用の配線基板上に、上記集積回路チップと絶縁性基板とを接続する接続材料（Ａ）により上記集積回路チップをフリップチップ実装する本発明の電子回路素子の製造方法は、上記絶縁性基板における、上記集積回路チップの実装時に上記接続材料（Ａ）が配される領域に、上記絶縁性基板を貫く貫通孔を設ける工程と、上記絶縁性基板上に、上記配線パターンおよび接続端子を設ける工程と、上記貫通孔内に、上記接続材料（Ａ）との接着性が、絶縁性基板に対する接続材料（Ａ）の接着性よりも高い材料（Ｂ）を、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填する工程と、上記材料（Ｂ）を硬化させる工程と、上記接続端子と上記集積回路チップのバンプとを位置合わせすると共に、上記接続材料（Ａ）を介して上記絶縁性基板上に上記集積回路チップを搭載する工程と、上記接続材料（Ａ）を硬化させることにより、上記集積回路チップと上記絶縁性基板とを上記接続材料（Ａ）により接続すると共に、上記接続材料（Ａ）と材料（Ｂ）とを互いに接着させる工程との有機的な結合により、集積回路チップの実装時に、上記貫通孔が存在する領域で、上記接続材料（Ａ）と材料（Ｂ）とを互いに強固に接着させることができる。
【００６３】
同様に、絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された配線パターンと、上記配線パターンと集積回路チップのバンプとを電気的に接続するための接続端子とを備えた集積回路実装用の配線基板上に、上記集積回路チップと絶縁性基板とを接続する接続材料（Ａ）により上記集積回路チップをフリップチップ実装する本発明の電子回路素子の製造方法は、上記絶縁性基板における、上記集積回路チップの実装時に上記接続材料（Ａ）が配される領域に、上記絶縁性基板を貫く貫通孔を設ける工程と、上記絶縁性基板上に、上記配線パターンおよび接続端子を設ける工程と、上記貫通孔内に、上記接続材料（Ａ）との接着性が、絶縁性基板に対する接続材料（Ａ）の接着性よりも高い材料（Ｂ）を、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填する工程と、上記材料（Ｂ）を、該材料（Ｂ）が完全には硬化しないように硬化させる工程と、上記接続端子と上記集積回路チップのバンプとを位置合わせすると共に、上記材料（Ｂ）が完全に硬化する前の状態において、上記接続材料（Ａ）を介して上記絶縁性基板上に上記集積回路チップを搭載する工程と、上記接続材料（Ａ）および材料（Ｂ）を硬化させることにより、上記集積回路チップと上記絶縁性基板とを上記接続材料（Ａ）により接続すると共に、上記接続材料（Ａ）と材料（Ｂ）とを互いに接着させる工程との有機的な結合により、集積回路チップの実装時に、上記貫通孔が存在する領域で、上記接続材料（Ａ）と材料（Ｂ）とを互いに強固に接着させることができる。
【００６４】
それゆえ、上記の各方法によれば、集積回路チップの実装時（すなわち、上記接続材料（Ａ）の硬化時）に、上記接続材料（Ａ）と配線基板との接着強度を高めることができ、上記配線基板に集積回路チップを強固に接着することができる。
【００６５】
また、上記の各方法によれば、上記材料（Ｂ）を、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填することで、集積回路チップ実装時に、上記材料（Ｂ）が上記集積回路チップと当接することがなく、該材料（Ｂ）によって上記集積回路チップのフリップチップ実装（バンプ接続）が阻害されることがない。また、上記の各方法によれば、上記材料（Ｂ）が、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填されることで、バンプ高さが低い集積回路チップの実装にも好適に使用することができる。よって、上記の各方法によれば、上記集積回路チップの実装時に、上記集積回路チップと配線基板との間にソルダーレジスト膜（ソルダーレジストからなる層）を形成する場合と比較して、上記集積回路チップの実装高さを増大させることがなく、上記集積回路チップを備えた装置の小型化を図ることができる。
【００６６】
さらに、上記の各方法によれば、集積回路チップの実装前に、上記貫通孔内に、上記材料（Ｂ）を予め充填することで、上記材料（Ｂ）として、硬化速度は遅くても接着性の高い材料を使用することが可能になる。それゆえ、上記材料（Ｂ）の選択の自由度を高めることができると共に、上記材料（Ｂ）として、上記絶縁性基板との接着性がより高い材料を選択することができる。また、上記の各方法によれば、集積回路チップの実装前に、上記貫通孔内に、上記材料（Ｂ）が予め充填されているため、集積回路チップの実装時に、上記貫通孔から絶縁性基板裏面に上記接続材料（Ａ）が流出することを防止することができるという効果を併せて奏する。
【００６７】
そして、さらに、後者の方法によれば、上記集積回路チップの実装時に、上記材料（Ｂ）は完全に硬化する前の状態にあるので、上記材料（Ｂ）と接続材料（Ａ）との接触界面（接続界面）において、上記接続材料（Ａ）と材料（Ｂ）とが、例えば化学結合、あるいは、局所的に混ざり合う等して、上記接続材料（Ａ）と配線基板との接着強度を高めることができるため、上記配線基板に集積回路チップをより強固に接着することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６８】
〔実施の形態１〕
本発明の一実施形態にかかる配線基板及び該配線基板を用いた電子回路素子並びに表示装置について図１ないし図３に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００６９】
なお、以下の実施形態では、本発明にかかる表示装置として、液晶表示装置、特に、ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置を例に挙げて説明するものとするが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００７０】
図３は、本実施の形態にかかる液晶表示装置の概略構成を示す平面図である。
図３に示すように、本実施の形態にかかる液晶表示装置１００は、液晶パネル１０と、該液晶パネル１０端部に接続された電子回路素子７とを備え、これら液晶パネル１０と電子回路素子７とが、例えば異方性導電膜（ＡＣＦ）等の接続材料によって接続されている構成を有している。
【００７１】
上記液晶パネル１０は、素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、これら両基板間に介在して設けられた液晶層（いずれも図示せず）とを備えている。
【００７２】
上記素子基板は、絶縁性基板上に、互いに並行に延設された複数のゲート配線と、互いに並行かつ上記ゲート配線に直交するように延設された複数のソース配線と、これらゲート配線とソース配線との各交差部に設けられたＴＦＴ等のスイッチング素子とを備え、上記各スイッチング素子に対応するように画素電極（いずれも図示せず）がそれぞれ設けられている構成を有している。
【００７３】
また、対向基板は、絶縁性基板上に、共通電極とカラーフィルター層（いずれも図示せず）とが設けられた構成を有している。上記共通電極は、上記絶縁性基板上に、表示装置の表示領域のほぼ全面を覆うように設けられている。また、液晶層は、電気光学特性を有するネマチック液晶材料から構成されている。
【００７４】
上記液晶パネル１０では、各画素電極毎に１つの画素が構成されている。各画素において、ゲート配線からゲート信号が送信され、ＴＦＴがオン状態になると、ソース配線から所定のソース信号が送信され、画素電極に電荷が書き込まれる。これにより、画素電極と共通電極との間で構成される液晶容量に印加される電圧を制御し、液晶層の液晶分子の配向状態を変化させて光の透過率を調整することで、画像の表示が行われる。
【００７５】
一方、上記電子回路素子７は、図３に示すように、配線基板２０上に、集積回路チップ１と、必要に応じてチップ電子部品２１とが実装された構成を有している。
【００７６】
以下に、上記電子回路素子７並びに配線基板２０の構成について、図１および２を参照してより詳細に説明する。
【００７７】
図１は、本実施の形態にかかる電子回路素子７における集積回路チップ１実装領域近傍の概略構成を示す断面図である。また、図２は、図１に示す電子回路素子を、集積回路チップ１搭載面側とは反対面側、つまり、配線基板裏面側から見たときの概略構成を一部破断にて示す、上記電子回路素子の底面図である。
【００７８】
図１に示すように、本実施の形態にかかる電子回路素子７は、配線基板２０と、集積回路チップ１とを備え、上記集積回路チップ１が、上記配線基板２０の一方の面に、例えばＮＣＰ９（接続材料（Ａ））を用いて実装されている構成を有している。本実施の形態において、上記集積回路チップ１は、突起状のボンディング用バンプ電極であるバンプ２を備えており、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式により配線基板２０にベアチップ実装されている。ＮＣＰ９は、上記配線基板２０と集積回路チップ１との加熱加圧接続時に流動化することで、上記配線基板２０と集積回路チップ１との間に設けられたＮＣＰ層９ａが、上記配線基板２０と集積回路チップ１との間の隙間から上記集積回路チップ１の外側にはみ出した状態で硬化する。このため、上記集積回路チップ１の周辺には、該集積回路チップ１の外側に拡がるように、フィレット（ひれ状部）９ｂが形成されている。
【００７９】
また、上記配線基板２０上には、必要に応じてさらにチップ電子部品２１（図３参照）が設けられている。チップ電子部品２１は、例えば抵抗やセラミックコンデンサ等、液晶パネル１０周辺の電子部品を指す。
【００８０】
本実施の形態にかかる上記配線基板２０は、絶縁性を有するベースフィルム（絶縁性基板）４、第１配線パターン３０、第２配線パターン３１、ソルダーレジスト膜５ａ、および接着剤付きカバーレイ６を備えている。
【００８１】
ベースフィルム４は、主にポリイミドからなる可撓性のフィルムである。なお、本実施の形態では、具体的に、厚さ２５μｍのベースフィルム４を用いた。また、第１配線パターン３０は、ベースフィルム４における集積回路チップ１搭載面、つまり集積回路チップ１が実装される側の面（以下、表面と記す）に設けられ、コントロール基板（図示せず）や液晶パネル１０と接続されている。該第１配線パターン３０の一部、具体的には、該第１配線パターンにおける、集積回路チップ１を実装するためのチップ実装領域には、該第１配線パターンを集積回路チップ１に接続するための端子部として、Ａｕメッキ処理が施された接続端子３２が形成されている。
【００８２】
ソルダーレジスト膜５ａは、好適にはエポキシ樹脂からなる絶縁性の樹脂被膜であり、上記第１配線パターン３０を覆うように形成されている。
【００８３】
一方、第２配線パターン３１は、ベースフィルム４の集積回路チップ１搭載面とは反対側の面（以下、裏面と記す）に設けられ、第１配線パターン３０と電気的に導通している。第２配線パターン３１は、例えば、第１配線パターン３０がベースフィルム４の表面で交差することを防止したり、高密度に配線パターンを配置することを目的として形成され、例えば、スルーホールを介して電気的に接続させることにより形成される。
【００８４】
接着剤付きカバーレイ６は、カバーレイ６ａの片面に、絶縁性の接着剤６ｂが設けられている構成を有し、カバーレイ６ａが、上記接着剤６ｂを介して上記第２配線パターン３１を覆うように貼り付けられている。なお、本実施の形態では、接着剤付きカバーレイ６が上記チップ実装領域を含む範囲で貼り付けられている。
【００８５】
また、図１および図２に示すように、上記配線基板２０におけるベースフィルム４のチップ実装領域およびその近傍には、上記ベースフィルム４の表面から裏面にかけて貫通する貫通孔４０（４０ａ・４０ｂ）が設けられている。該貫通孔４０には、上記ベースフィルム４の裏面に貼り付けられた接着剤付きカバーレイ６の接着剤６ｂ（材料（Ｂ）、接着剤（Ｃ））が、上記貫通孔４０内に染み出すことにより充填されている。すなわち、本実施の形態において上記貫通孔４０内に充填される接着剤６ｂとは、カバーレイ６ａの貼着（積層）に使用される接着剤であり、該接着剤６ｂとしては、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂等の合成樹脂からなる有機系の接着剤が使用される。
【００８６】
このように上記ベースフィルム４の裏面に貼り付けられた接着剤付きカバーレイ６の接着剤６ｂが、例えば毛細管現象により上記貫通孔４０内に染み出すことにより上記貫通孔４０内に上記接着剤６ｂが充填される場合、上記接着剤６ｂは、上記ベースフィルム４表面と略同一もしくはそれよりも低い高さ（位置）まで充填されることになる。このため、本実施の形態によれば、集積回路チップ１実装時に、上記接着剤６ｂが上記集積回路チップ１と当接することがなく、該接着剤６ｂによって上記集積回路チップ１のフリップチップ実装が阻害されることがない。
【００８７】
本実施の形態において、上記接着剤６ｂは、上記貫通孔４０内に、上記集積回路チップ１実装時に、上記接着剤６ｂが上記集積回路チップ１と当接しないように充填されていればよく、上記接着剤６ｂの上縁部または上端面が上記ベースフィルム４表面と略同一平面を形成するか、もしくは、上記接着剤６ｂの上縁部または上端面が上記ベースフィルム４表面よりも低い位置に位置するように充填されていればよい。
【００８８】
よって、本実施の形態において、上記接着剤６ｂが上記ベースフィルム４表面と略同一の高さまで充填されているとは、上記貫通孔４０内に充填された接着剤６ｂの上端面が上記ベースフィルム４表面と略同一平面を形成する場合のみならず、上記貫通孔４０内に充填された接着剤６ｂの表面張力等により、例えば図１に示すように上記貫通孔４０内に充填された接着剤６ｂの上縁部が上記ベースフィルム４表面と同じもしくはほぼ同じ高さであり、上記接着剤６ｂの上端面が上記集積回路チップ１に当接しない程度に僅かに上記ベースフィルム４表面よりも突出する場合、あるいは、接着剤６ｂの種類によっては、上記貫通孔４０内に充填された接着剤６ｂの上縁部が上記ベースフィルム４表面と同じもしくはほぼ同じ高さであり、該接着剤６ｂの上端面が上記ベースフィルム４表面よりも僅かに窪んでいる場合等を含む。
【００８９】
本実施形態では、ベースフィルム４に接着剤付きカバーレイ６を貼付けたあと、上記接着剤６ｂによりカバーレイ６ａを完全に固着させるためにプレス機で圧力と熱を与えているため、上記貫通孔４０内に充填されているカバーレイ６の接着剤６ｂは、上記集積回路チップ１実装時にはすでに硬化している。上記ＮＣＰ９は、硬化後の接着剤付きカバーレイ６の接着剤６ｂにもよく接着し、その接着性は、上記ＮＣＰ９とベースフィルム４との接着性に比べて極めて高い。このため、本実施の形態にかかる電子回路素子７において、上記集積回路チップ１の実装に用いられるＮＣＰ９（ＮＣＰ層９ａおよびフィレット９ｂ）と、上記貫通孔４０に充填された接着剤６ｂとは、上記貫通孔４０が存在する領域において、互いに強固に接着される。
【００９０】
つまり、本実施の形態において、上記貫通孔４０は、集積回路チップ１の実装時に該集積回路チップ１の実装に用いられる接着性材料（接着性材料（Ａ））である上記ＮＣＰ９が存在する領域に設けられている。すなわち、本実施の形態において、チップ実装領域の近傍とは、集積回路チップ１周囲のフィレット９ｂが存在する領域を示す。以下、上記配線基板２０と集積回路チップ１との接続領域、つまり、チップ実装領域およびその近傍を合わせて単に接続領域と記す。
【００９１】
本実施の形態にかかる電子回路素子７においては、ＮＣＰ層９ａは、ベースフィルム４に集積回路チップ１を実装したときに該集積回路チップ１で覆われる領域に形成された貫通孔４０ａにて、該貫通孔４０ａ内に充填された、接着剤付きカバーレイ６の接着剤６ｂと接合され、フィレット９ｂは、上記チップ実装領域近傍に、上記集積回路チップ１の周囲を囲むように設けられた貫通孔４０ｂにて、該貫通孔４０ｂ内に充填された、接着剤付きカバーレイ６の接着剤６ｂと接合されている。
【００９２】
次に、上記配線基板２０の製造方法について、キャスティング方式およびアディティブ方式を例に挙げて、図１を参照して以下に説明する。
【００９３】
まず、キャスティング方式により銅／ポリイミド／銅の積層基板から、第１配線パターン３０、第２配線パターン３１、および貫通孔４０が形成された配線基板２０を作製する方法について説明する。
【００９４】
まず、銅箔の表面を粗化処理した後、ポリイミド前駆体溶液を該銅箔上に塗布する。その後、ポリイミド前駆体溶液をイミド化させることで、銅／ポリイミドの積層基板、つまり、ポリイミドからなるベースフィルム４上に、配線パターン形成用の銅箔が積層されてなる銅張ベースフィルムを作製する。次いで、この銅／ポリイミド積層基板のポリイミド側からもう１枚、別の銅箔をラミネートし、銅／ポリイミド／銅の積層基板を作製する。
【００９５】
続いて、得られた銅／ポリイミド／銅の積層基板の両側の銅箔の導通、すなわち、上記銅箔をパターニングすることにより得られる第１配線パターン３０と第２配線パターン３１との導通を得るため、ドリル、パンチプレス、レーザ等で上記積層基板を貫通するように孔（スルーホール）を設ける。
【００９６】
次に、上記積層基板の両側の銅箔全面に銅メッキを施す。銅メッキは上記スルーホールの内部にも施されるため、上記積層基板の両側の銅箔が電気的に導通される。
【００９７】
本実施の形態では、集積回路チップ１と配線基板２０との接着力を強化させる目的で、上記スルーホールの形成工程において、導通用の上記スルーホール以外に、ドリルによる貫通孔を、接続領域、つまり、チップ実装領域およびその近傍に形成する。ただし、この段階では上記接着力強化用の貫通孔、つまり、貫通孔４０にも銅メッキが施された状態となっている。
【００９８】
続いて、上記積層基板の両側の銅箔上に、耐エッチング性材料である感光性フィルムを貼り付けて、その配線パターン形成予定領域（以下、配線パターン形成部分と記す）のみを露光、現像する。これにより、配線パターン形成部分にのみ、耐エッチング性の感光性フィルムが積層された状態とする。その後、エッチング液を上記積層基板の両側から噴射し、配線パターン形成部分以外の銅箔をエッチング除去する。このとき、接着力強化用の貫通孔４０に施された銅メッキも同時に除去される。
【００９９】
その後、上記積層基板上の感光性フィルムを有機溶媒等の薬品で除去して配線パターンを露出させることにより、ベースフィルム４上に第１配線パターン３０と第２配線パターン３１とが形成された配線基板が得られる。その後、上記第１配線パターン３０の一部、具体的には、第１配線パターン３０における接続領域を除く第１配線パターン３０を覆うようにソルダーレジスト膜５ａを形成する。このとき、第１配線パターン３０のうちソルダーレジスト膜５ａで被覆されていない部分は接続端子３２として用いられ、該接続端子３２の表面には、金メッキが施される。
【０１００】
その後、ベースフィルム４の裏面側に、第２配線パターン３１を覆うように、接着剤付きカバーレイ６を貼り付ける。このとき、接着剤付きカバーレイ６の未硬化状態の接着剤６ｂが貫通孔４０に染み込み充填される。その後、上記接着剤６ｂによりカバーレイ６ａを完全に固着させるためにプレス機で圧力と熱とを与えて上記接着剤６ｂを硬化させる。これにより、本実施の形態にかかる配線基板２０が完成する。
【０１０１】
次に、本実施の形態にかかる配線基板２０の製造方法の他の一例として、第１配線パターン３０をアディティブ方式で、第２配線パターン３１をキャスティング方式で作製する方法について説明する。
【０１０２】
まず、表面を粗化処理した銅箔にポリイミド前駆体溶液を塗布し、イミド化させることにより、銅／ポリイミドの積層基板を作製する。ここまではキャスティング方式と同じである。次いで、この銅／ポリイミドの積層基板にアディティブ方式で第１配線パターンを形成する場合、まず、レーザをポリイミド側から照射し、貫通孔を形成する箇所のポリイミドのみを蒸発させる。このとき、銅箔には貫通孔は形成されない。続いて、ポリイミドの表面に触媒を付与して、ポリイミド側のみに、金属からなる種膜を無電解めっき、またはスパッタ蒸着によって形成する。次に、上記積層基板の両面に感光性フィルムを貼り付ける。そしてポリイミド側は、配線パターン形成部分以外の領域を露光し、次いで現像処理を行って配線パターン形成部分のみ、感光性フィルムを除去する。これにより、ポリイミド側には、配線パターン形成部分以外の領域にのみ、硬化した上記感光性フィルムからなるフィルムが形成される。一方、銅箔側は、その全面を露光することで、その全面に、硬化した上記感光性フィルムからなるフィルムを形成する。その後、上記積層基板に電解メッキを施すと、上記フィルムに被覆されていない部分のみに銅が析出するので、該電解メッキ後に上記フィルムを除去すると、ポリイミド側に第１配線パターン３０が形成された銅／ポリイミド／銅の積層基板が作製できる。ただし、この段階では第１配線パターン３０が形成された側（表面）のポリイミド表面全面に種膜が形成されているため、後で種膜を除去する必要がある。
【０１０３】
次に、他方の銅箔側（裏面）に、キャスティング方式で第２配線パターン３１を形成する。まず、上記銅／ポリイミド／銅の積層基板の両面に感光性フィルムを形成する。その後、銅箔側（裏面）は、第２配線パターン３１形成部分のみを露光し、次いで現像することにより、上記積層基板の裏面の、第２配線パターン３１形成部分以外の感光性フィルムを除去する。一方、第１配線パターンが形成された側（表側）は、その全面を露光することで、その全面に、硬化した上記感光性フィルムからなる耐エッチング性のフィルムを形成する。その後、上記積層基板をエッチング溶液に浸すと、上記フィルムで覆われていない部分の銅箔、つまり、銅箔側の第２配線パターン３１となる部分以外の銅箔がエッチング除去される。これにより、第２配線パターン３１が形成される。さらに上記積層基板の両面に形成されている上記フィルムを除去した後、ソフトエッチングを行い、積層基板表面の種膜を除去する。これにより、上記フィルムで被覆されていた第１配線パターン３０が露出される。
【０１０４】
さらに、上で説明した例と同様に、ベースフィルム４の表面側の第１配線パターン３０を覆うように、ソルダーレジスト膜５ａを形成すると共に、第１配線パターン３０のソルダーレジスト膜５ａで被覆されていない部分に金メッキを施すことにより、接続端子３２が形成される。その後、ベースフィルム４の裏面側に接着剤付きカバーレイ６を設置し、プレス機で圧力と熱とを与えて上記接着剤付カバーレイ６に使用されている接着剤６ｂを硬化させることにより、本実施の形態にかかる配線基板２０が完成する。
【０１０５】
アディティブ方式によれば、エッチングによる配線パターンの幅方向の細りを少なくすることができるため、より高精細パターンに対応した配線基板２０を製造することが可能である。よって、第１配線パターン３０（表面）をアディティブ方式で作製した上記の配線基板２０では、アディティブ方式で形成された第１配線パターン３０側が、より高精細パターンに対応する。
【０１０６】
なお、本発明の配線基板２０の作製方法は、上記２つの方法に限定されるものではなく、その他現在採用されている様々な作製方法を適用することが可能である。また、先に第２配線パターン３１を形成した後、第１配線パターン３０を形成してもよく、また、第１配線パターン３０をキャスティング方式で、第２配線パターン３１（裏面）をアディティブ方式で形成してもよい。
【０１０７】
次に、本実施の形態にかかる配線基板２０に、ＮＣＰ９を用いて集積回路チップ１を実装する方法、つまり、本実施の形態にかかる電子回路素子７の製造方法について図１を参照して以下に説明する。
【０１０８】
なお、以下の説明においては、本発明にかかるフリップチップ実装の例として、前記したように、集積回路チップ１が、ＣＯＦ方式を用いて突起状のボンディング用バンプ電極であるバンプ２により配線基板２０にベアチップ実装される場合を例に挙げて説明するものとするが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１０９】
まず、接続端子３２を覆うように配線基板２０上に、ペースト状のＮＣＰ９を塗布する。続いて、接続端子３２とバンプ２とを位置合わせして搭載した後、ツール（図示せず）で集積回路チップ１を加熱および加圧する。
【０１１０】
ＮＣＰ９は、主成分がエポキシ樹脂からなる接着剤であり、２００〜３５０℃で加熱することによって硬化する。集積回路チップ１のバンプ２と、配線基板２０に設けられた接続端子３２とは、ＮＣＰ９が硬化することにより収縮する力で押さえつけられた状態となる。これにより、バンプ２と接続端子３２とが電気的に接続される。
【０１１１】
また、ＮＣＰ９は加熱によって粘度が急激に下がるため、流動化したＮＣＰ９が、ベースフィルム４上を濡らす。これにより、ＮＣＰ９はベースフィルム４に設けられた貫通孔４０に充填されている、接着剤付きカバーレイ６の硬化した接着剤６ｂと接着する。
【０１１２】
ＮＣＰ９と、配線基板２０との界面の接着力は、貫通孔４０が設けられていない領域ではＮＣＰ９とベースフィルム４との接着力、本実施の形態では、上記ベースフィルム４の材料であるポリイミドとの接着力に起因しており、貫通孔４０が設けられている領域ではＮＣＰ９と、貫通孔４０に充填されている接着剤との接着力に起因している。ＮＣＰ９は、ベースフィルム４よりも上記接着剤付きカバーレイ６の接着剤に対してより高い接着性を示すため、ＮＣＰ９と接着剤付きカバーレイ６の接着剤６ｂとは、両者の接着界面で強固に接着されている。このため、貫通孔４０が存在する領域では、ＮＣＰ９と上記接着剤６ｂとが互いに強固に接着される。
【０１１３】
また、図１に示す配線基板２０のベースフィルム４には、貫通孔４０ａだけでなく貫通孔４０ｂが設けられている。このため、貫通孔４０ｂに充填された接着剤６ｂとＮＣＰ９のフィレット９ｂとが互いに接着されることで、集積回路チップ１と配線基板２０との剥離をより一層確実に防止することができる。特に、フィレット９ｂが形成されている領域（以下、フィレット領域と記す）に設けられている貫通孔４０ｂは、ＮＣＰ９とベースフィルム４との剥離をフィレット領域で抑え、チップ実装領域まで剥離が進行しないようにする上で非常に効果的である。
【０１１４】
上記配線基板２０のベースフィルム４において、ＮＣＰ９と接着剤との接着力は、貫通孔４０が占める総面積が広ければ広いほど強くなる。しかし、ベースフィルム４に対する貫通孔４０の総面積の割合をあまり大きくすると、ベースフィルム４の面積、特に、接続領域に占めるベースフィルム４の面積が小さくなるため、ベースフィルム４の強度が低下し、ベースフィルム４が破損しやすくなるおそれがある。このため、接続領域に占める上記貫通孔４０の総面積の割合は、１０％以上、５０％以下の範囲内であることが好ましく、２０％以上、４０％以下の範囲内であることがより一層好ましい。
【０１１５】
また、チップ実装領域のうち、いずれの箇所が剥離しても接続不良となるため、配線基板２０におけるチップ実装領域、好適には、前記接続領域全面に、小さな多数の貫通孔４０を均等に形成することが好ましい。これにより、配線基板２０と集積回路チップ１との接着力を、チップ実装領域全面、好適には上記接続領域全面にわたって一様に高めることができる。
【０１１６】
前記したように、一般的に、集積回路チップ１と配線基板２０との間の剥離は、ＮＣＰ９と集積回路チップ１との界面よりも、ＮＣＰ９とベースフィルム４との界面で発生することが非常に多い。したがって、上記のように、配線基板２０におけるチップ実装領域に形成された貫通孔４０ａに充填された接着剤６ｂによりＮＣＰ９と配線基板２０との界面の接着力を強化することにより、配線基板２０からの集積回路チップ１の剥離による接続不良を防止することができる。しかも、図１に示す配線基板２０のようにフィレット９ｂが形成される領域に形成された貫通孔４０ｂに充填された接着剤６ｂによって、配線基板２０とフィレット９ｂとの接着力を強化することで、ＮＣＰ９と配線基板２０との界面の剥離をより一層確実に防止することができる。
【０１１７】
次に、上記配線基板２０にチップ電子部品２１を実装する方法について図１を参照して以下に説明する。なお、以下の説明においては、上記チップ電子部品２１をはんだ接続により上記配線基板２０に実装する場合を例に挙げて説明するものとするが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１１８】
前記したように、チップ電子部品２１は、配線基板２０に集積回路チップ１を実装した後で実装することが好ましい。
【０１１９】
まず、配線基板２０上に設けられた、チップ電子部品２１搭載用の接続端子（図示せず）に、印刷法やディスペンサ法によってクリームはんだを塗布する。クリームはんだは、はんだ粉と溶媒とフラックスとからなるクリーム状の混合物である。
【０１２０】
次いで、配線基板２０とチップ電子部品２１とを位置合わせして上記配線基板２０上に電子部品２１を搭載した後、約２３０℃〜２６０℃のリフロー炉に、チップ電子部品２１を搭載した配線基板２０を入れ、加熱する。これにより、クリームはんだを溶融させる（リフロー加熱工程）。この後、クリームはんだが硬化することで、チップ電子部品２１と配線基板２０とが電気的に接続される。このようにして、本実施形態にかかる電子回路素子７を製造することができる。
【０１２１】
このようにして得られた電子回路素子７は、さらに、例えばＡＣＦにより液晶パネル１０と接続されることにより、前記図３に示す本実施の形態にかかる液晶表示装置１００が製造される。
【０１２２】
ＡＣＦは、前記したように、例えばプラスチックビーズにＮｉ、Ａｕ等をメッキした導電粒子（金属膜被覆プラスチック微粒子）を、フィルム状のエポキシ樹脂等の接着剤中に分散させたものであり、上記電子回路素子７と液晶パネル１０とを位置合わせした後、例えば、図示しないツールにより上記電子回路素子７と液晶パネル１０との接続部を所定の温度、具体的には、例えば１８０〜２１０℃で加熱および加圧することにより、ＡＣＦに含まれる導電粒子が両者の接続部で押さえつけられた状態となり、電子回路素子７と液晶パネル１０とが電気的に接続されると同時に、上記ＡＣＦに用いられている接着剤が熱硬化して両者が接続した状態で固定される。
【０１２３】
以上のように、本実施の形態にかかる電子回路素子７は、チップ実装領域およびその近傍、具体的には、集積回路チップ１の実装時に上記集積回路チップ１の実装に用いられるＮＣＰ９（つまり、上記集積回路チップ１の実装に用いられる接着剤）が存在する領域に、上記ベースフィルム４を貫通する貫通孔４０が設けられていると共に、該貫通孔４０内に、接着剤付きカバーレイ６の接着剤６ｂが、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填されていることで、上記ベースフィルム４、つまり、配線基板２０に集積回路チップ１を実装したときに、上記接着剤６ｂが上記集積回路チップ１に当接することがなく、しかも、上記貫通孔４０内に充填された接着剤６ｂと、上記集積回路チップ１の実装に用いられるＮＣＰ９とが互いに強固に接合される。
【０１２４】
従って、本実施の形態によれば、集積回路チップ１と配線基板２０との接着力が高く、集積回路チップ１と配線基板２０との剥離を防止することができ、接続不良のない電子回路素子７および表示装置（例えば液晶表示装置１００）を提供することができる。また、本実施の形態によれば、上記電子回路素子７を提供することができる配線基板２０を提供することができる。
【０１２５】
なお、ＮＣＰ９の塗布直後の膜厚は１ｍｍ〜２ｍｍほどになるが、圧着時の温度上昇によりＮＣＰ９の粘度は低下するため、集積回路チップ１実装後、ＮＣＰ９はバンプ接続を阻害することなく集積回路チップ１とベースフィルム４との間に隙間なく充填される。これにより、集積回路チップ１のバンプ２と配線基板２０の接続端子３２とは電気的に接続される。
【０１２６】
さらに、本実施の形態によれば、上記貫通孔４０内に上記接着剤６ａが充填されていることで、ＮＣＰ９が上記貫通孔４０から集積回路チップ実装面の反対側に流出し、上記配線基板２０を保持しているステージに吸着することがない。
【０１２７】
本実施の形態において、上記接着剤付きカバーレイ６の接着剤６ｂは、絶縁性を有し、ベースフィルム４に対する上記ＮＣＰ９の接着性よりも上記ＮＣＰ９との接着性が高い材料であれば、特に限定されるものではないが、上記ＮＣＰ９との接着性をより高めるためには、上記ＮＣＰ９、つまり、上記集積回路チップ１の実装に用いられる接着性材料（接着剤）と互いに反応することにより化学的に結合する材料であることがより好ましい。上記貫通孔４０に充填される接着剤、つまり、接着剤付きカバーレイ６に用いられる接着剤６ｂとしては、具体的には、例えば、エポキシ樹脂等の材料を用いることができる。
【０１２８】
また、本実施の形態では、接着剤付きカバーレイ６を第２配線パターン３１と貫通孔４０が設けられている領域とを覆うように設ける構成としたが、接着剤付きカバーレイ６は、ベースフィルム４の裏面全体を覆うように設けられていても構わない。
【０１２９】
また、本実施の形態では、上記接着剤６ｂは、集積回路チップ１の実装時に予め硬化されている構成としたが、上記接着剤６ｂは、集積回路チップ１の実装時に完全には硬化していない状態を有していても構わない。つまり、本実施の形態によれば、上記ベースフィルム４の裏面に接着剤６ｂによりカバーレイ６を貼着して上記貫通孔４０内に上記接着剤６ｂを充填した後、加熱加圧もしくは光照射により、上記接着剤６ｂを、完全には硬化しないように硬化させてもよい。
【０１３０】
この場合、上記接着剤６ｂにおける上記ＮＣＰ９との接触界面が完全に硬化する前に上記集積回路チップ１のバンプ２と上記ベースフィルム４上に設けられた接続端子３２とを位置合わせすると共に上記ＮＣＰ９を介して上記ベースフィルム４上に上記集積回路チップ１を搭載し、その後、再び加熱加圧もしくは光照射することにより、上記ＮＣＰ９と接着剤６ｂとを完全に硬化させて上記集積回路チップ１とベースフィルム４とを上記ＮＣＰ９により接続すると共に、上記ＮＣＰ９と接着剤６ｂとを互いに接着させればよい。
【０１３１】
このように上記接着剤６ｂにおけるＮＣＰ９との接触界面（接続界面）が未硬化または半硬化状態、特に未硬化状態で上記集積回路チップ１の実装を行うことで、上記ＮＣＰ９と接着剤６ｂとの接触界面（接続界面）、すなわち、上記接続材料（Ａ）と材料（Ｂ）との接触界面（接続界面）において、上記接続材料（Ａ）と材料（Ｂ）とが、例えば化学結合、あるいは、局所的に混ざり合う等して、上記接触界面で上記配線基板に集積回路チップをより強固に接着することができる。
【０１３２】
また、配線基板２０の貫通孔４０内で、接着剤付きカバーレイ６の接着剤６ｂとＮＣＰ９との接触面積が小さく、十分な接着力が得られないおそれがある場合には、例えば、接着剤付きカバーレイ６を配線基板２０に設置した後、集積回路チップ１搭載面側から、貫通孔４０内に、上記ＮＣＰ９の接着性が上記ベースフィルム４に対するそれよりも高い材料（材料（Ｂ））、例えば前記接着剤６ｂ等の接着剤を追加することで、上述したように、ともに未硬化状態の接着剤６ｂとＮＣＰ９とを互いに接着し、硬化させることが可能なる。なお、このとき、追加する接着剤（材料（Ｂ））の種類は特に限定されるものではなく、前記接着剤６ｂ以外の接着剤を用いてもよい。前記接着剤６ｂ以外の接着剤を用いる場合には、前記接着剤６ｂおよびＮＣＰ９の両方と高い接着性を示す接着剤を用いることが好ましい。この場合、前記接着剤６ｂ以外の接着剤としては、上記ＮＣＰ９、つまり、上記集積回路チップ１の実装に用いられる接着剤（接着性材料（Ａ））と同じ接着剤、もしくは、前記接着剤６ｂおよびＮＣＰ９とそれぞれ反応する接着剤を用いることができる。
【０１３３】
また、本実施の形態では、上記ベースフィルム４の裏面に貼り付けた接着剤付きカバーレイ６の接着剤６ｂを上記貫通孔４０内に染み込ませる構成としたが、本発明はこれに限定されるものではなく、上記接着剤付きカバーレイ６の接着剤６ｂと同じ接着剤あるいは上述したように上記接着剤付きカバーレイ６の接着剤６ｂおよびＮＣＰ９の両方に強固に接着する接着剤、具体的には、上記接着剤付きカバーレイ６の接着剤６ｂおよびＮＣＰ９の両方に対して、上記ＮＣＰ９とベースフィルム４との接着性よりも高い接着性を示す接着剤を、例えば毛細管現象を利用する等して予め上記貫通孔４０内に充填させた上で、上記接着剤付きカバーレイ６の貼り付けや集積回路チップ１の実装を行っても構わない。つまり、本発明において、上記貫通孔４０内に充填される材料（Ｂ）（接着剤）は、上記集積回路チップ１の実装に用いられる接着剤（本実施の形態においてはＮＣＰ９）とは異なる接着剤である必要はなく、同じ接着剤であってもよい。また、この場合、上記接着剤付きカバーレイ６を、第２配線パターン３１のみを覆うように設ける構成とし、上記貫通孔４０を覆うように上記配線基板２０の裏面に、集積回路チップ１の実装に用いられる接着剤と同じ接着剤を配し、その上を、必要に応じて封止材、例えばカバーレイ（カバーフィルム）等の保護膜等で覆う構成としてもよい。このように、上記ベースフィルム４を貫く貫通孔４０を介して櫛歯状に設けられた接着剤層により上記集積回路チップ１が固定されていることで、特に、上記集積回路チップ１の実装に用いられる接着剤と配線基板２０（ベースフィルム４）との界面での接着力を高めることができ、上記集積回路チップ１が配線基板２０から剥離することを防止することができる。
【０１３４】
また、上記ＮＣＰ９としては、配線基板２０のベースフィルム４、接着剤付きカバーレイ６の接着剤６ｂの双方に対して高い接着性を示す材料を用いることが好ましい。ＮＣＰ９としては、例えば、エポキシ樹脂を主成分とする接着剤を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【０１３５】
通常、上記ＮＣＰ９等の、上記集積回路チップ１の実装に用いられる接着剤（接続材料（Ａ））には速乾性が必要とされる。このような接着剤は、複数種類の接着剤を混合して使用されることが一般的であり、通常、数秒程度、具体的には、例えば３秒程度で硬化するように、上記接着剤としては、混合される全ての材料（接着剤）に、速乾性を有する材料が使用される。しかしながら、通常、このような速乾性を有する材料（接着剤）は前記したようなベースフィルム４との接着性が劣ることが知られている。
【０１３６】
しかしながら、本実施の形態によれば、集積回路チップ１の実装に先立って、予め、前記貫通孔４０内に、前記接着剤６ｂ等の接着剤（材料（Ｂ））が充填されることで、該貫通孔４０内に充填される接着剤（材料（Ｂ））として、上記ＮＣＰ９等の、上記集積回路チップ１の実装に用いられる接着剤（接続材料（Ａ））とは異なる接着剤を使用することができ、選択の自由度が増す。このため、例えば、上記材料（Ｂ）として、硬化速度が遅くても、前記ベースフィルム４やＮＣＰ９との接着性が高い材料からなる接着剤、もしくは、前記接続材料（Ａ）に用いられる材料（接着剤）の一部を、上記したように硬化速度が遅くても、より接着性（接着強度）が高い材料に変更した接着剤等を使用することができる。
【０１３７】
なお、本実施の形態によれば、上記材料（Ｂ）を、集積回路チップ１の実装に先立って、完全に硬化、もしくは、完全には硬化しない程度に予め硬化させておくことで、上記したように硬化速度がＮＣＰ９の硬化速度よりも遅い材料を用いたとしても、上記集積回路チップ１の実装後、つまり、上記ＮＣＰ９の硬化終了時に、上記材料（Ｂ）が完全に硬化された状態とすることができる。
【０１３８】
但し、上記材料（Ｂ）の硬化終了時間とＮＣＰ９の硬化終了時間とは必ずしも一致させる必要はなく、例え上記ＮＣＰ９の通常の硬化時間内に上記材料（Ｂ）が完全に硬化する程度に予め硬化されていなかったとしても、上記ＮＣＰ９の硬化時に、上記ＮＣＰ９の硬化時間よりも長い時間、熱および圧力を加えるか、光照射を行うことで、上記材料（Ｂ）を完全に硬化させても構わない。
【０１３９】
すなわち、本実施の形態において、上記貫通孔４０内の材料（Ｂ）の硬化状態は特に限定されるものではない。つまり、上記貫通孔４０内の材料（Ｂ）は、必ずしも硬化している必要はなく、未硬化状態であってもよい。例えば、上記ベースフィルム４裏面側に接着剤付カバーレイ６を設ける場合、上記ベースフィルム４裏面側から光照射を行うことにより、上記カバーレイ６ａが上記ベースフィルム４から容易には剥離しない程度に上記ベースフィルム４とカバーレイ６ａとの間の接着剤６ｂを硬化させることにより、上記貫通孔４０内に充填されている材料（Ｂ）が未硬化もしくはその大部分が未硬化の状態で上記集積回路チップ１の実装を行っても構わない。
【０１４０】
但し、硬化条件上、上記ＮＣＰ９、つまり、上記集積回路チップ１の実装に使用される接着剤（接続材料（Ａ））に光硬化性の樹脂（接着剤）を使用する場合、上記材料（Ｂ）もまた光硬化性の樹脂（接着剤）を使用することが望ましく、上記ＮＣＰ９に熱硬化性の樹脂（接着剤）を使用する場合、上記材料（Ｂ）にも熱硬化性の樹脂（接着剤）を使用することが望ましい。
【０１４１】
一般的に、速乾性を有する接着剤よりも、時間をかけて硬化（具体的には数時間、例えば１〜２時間かけて硬化）させる長時間硬化型の接着剤の方が、樹脂成分の選択の幅が広く、接着強度が強い。このため、同じように貫通孔４０内に充填されるとしても、長時間硬化型の接着剤の方が、速乾性の接着剤よりも、接着剤とベースフィルム４との接着強度が強くなる。また、上記接着剤としてＮＣＰ９以外の接着剤を用いる場合、同様のことが、ベースフィルム４のみならず、ＮＣＰ９に対しても言える。
【０１４２】
ここで、上記接着剤（材料（Ｂ））の接着性、すなわち、上記接着剤のベースフィルム４およびＮＣＰ９に対する接着強度は、絶対値で、４００Ｎ／ｍより大きいことが望ましい。該接続強度が４００Ｎ／ｍ以下であると、使用環境により集積回路チップ１が配線基板２０から剥離する可能性が高くなる。このため、上記接着剤（材料（Ｂ））としては、上記接続強度が、４００Ｎ／ｍよりも大きくなるように選択されることが望ましい。
【０１４３】
また、上記ベースフィルム４として例えば前記したようにポリイミドを使用する場合には、ポリイミドからなるベースフィルム４と上記接着剤（材料（Ｂ））との間の接着強度は、一般的に１０００Ｎ／ｍ未満であるため、上記接着剤（材料（Ｂ））とＮＣＰ９との間の接着強度は、好適には１０００Ｎ／ｍ以上、より好適には１５００Ｎ／ｍ以上であることが望ましい。
【０１４４】
よって、上記接着剤（材料（Ｂ））としては、上記ベースフィルム４としてポリイミドを使用する場合、該ポリイミドからなるベースフィルム４とＮＣＰ９との接着性（接着強度）よりも、ＮＣＰ９との接着性（接着強度）がより高い材料であれば特に限定されるものではないが、前述した接着強度を満足するように選択されることがより望ましい。
【０１４５】
なお、本実施の形態では、上記ベースフィルム４としてポリイミドからなるフレキシブル基板を用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。上記ベースフィルム４としてフレキシブル基板を用いる場合には、高い絶縁性、寸法安定性、耐熱性、および低い誘電率を有する絶縁材料であれば、ポリイミド以外の材料、例えば、液晶ポリマー等を用いても構わない。上記ベースフィルム４の材質としては、上記性能を満足する材料として、ポリイミドが好適に使用される。
【０１４６】
また、上記ベースフィルム４としては、上記したように可撓性を有するフレキシブル基板のみならず、基材と樹脂とからなる、曲げることができない硬い積層板であるリジッド基板を用いることも可能である。このようなリジッド基板としては、具体的には、例えば、紙基材フェノール樹脂積層板、ガラス布基材エポキシ樹脂積層板、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂積層板、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂積層板等が挙げられる。
【０１４７】
また、上記ベースフィルム４の厚みは特に限定されるものではなく、種々の厚みのベースフィルムを用いることができるが、貫通孔４０を設けたとしても、該貫通孔４０内におけるＮＣＰ９とベースフィルム４との接着面積の増大によるアンカー効果（表面の凹凸による引っ掛かり）が期待できない１００μｍ以下の厚みのベースフィルム４、例えば本実施の形態で用いたように２５μｍから１００μｍの厚みのベースフィルム４を用いた配線基板に本願発明を適用することで、本願発明の効果を特に発揮することができる。なお、１００μｍよりも厚いベースフィルム４を用いた場合であっても本願発明を適用することで前記効果を得ることができることは、言うまでもないことである。
【０１４８】
また、本実施の形態では、ＮＣＰ９を用いて集積回路チップ１を配線基板２０に実装する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、その他の接続方法として、ＡＣＦによる接続方法や、Ａｕ−Ｓｎ共晶接合後に集積回路チップ１と配線基板２０との間にアンダーフィルを充填する接続方法も用いることもできる。
【０１４９】
このように、本発明は、絶縁性基板上に形成された配線パターンの一部に形成された接続端子に、集積回路チップのバンプが接続されることにより集積回路チップが実装される実装領域を備えた配線基板および電子回路素子に特に好適である。
【０１５０】
さらに、本実施の形態では、チップ電子部品２１をはんだ接続によって配線基板２０に実装する場合について説明したが、従来公知のその他の接続方法によってチップ電子部品２１を配線基板２０に実装しても構わない。
【０１５１】
さらに、本実施の形態では、液晶パネル１０と電子回路素子７とをＡＣＦを用いて接続する場合について説明したが、その他、ＮＣＰを用いる接続方法であっても、はんだ接続であってもよく、特に限定されるものではない。
【０１５２】
また、本実施の形態では、本発明にかかる表示装置として、スイッチング素子にＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置を例に挙げて説明したが、上記表示装置としては、ＴＦＴ等の３端子素子を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置以外にも、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）等の２端子素子をスイッチング素子とするアクティブマトリクス型液晶表示装置であってもよい。また、本発明の表示装置は、アクティブ駆動型の表示装置だけでなく、パッシブ（マルチプレックス）駆動型の表示装置にも適用することができる。さらに、本発明の表示装置は、透過型、反射型、透過反射両用型のいずれのタイプの表示装置にも適用でき、その他、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置、無機ＥＬ表示装置、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、真空蛍光表示（ＶＦＤ）装置、電子ペーパー等の各種表示装置に適用することも可能である。
【０１５３】
また、本発明の配線基板および電子回路素子は、表示装置のみならず種々の電子機器、例えば携帯電話、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ＯＡ機器等にも好適に用いることができる。
【０１５４】
〔実施の形態２〕
本発明にかかる実施の他の形態について、図４に基づいて説明すれば、以下の通りである。本実施の形態では、主に、前記実施の形態１との相違点について説明するものとする。なお、説明の便宜上、実施の形態１で説明した配線基板２０における構成要素と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０１５５】
図４は、本実施の形態にかかる電子回路素子７における集積回路チップ１実装領域近傍の概略構成を示す断面図である。
【０１５６】
図４に示すように、本実施の形態にかかる電子回路素子７における配線基板２０は、図１に示す配線基板２０において、集積回路チップ１実装面とは反対側の面（つまり、裏面）に、接着剤付きカバーレイ６の代わりに、ソルダーレジストからなるソルダーレジスト膜５ｂ（ソルダーレジストからなる層）が設けられ、ベースフィルム４における接続領域に設けられた貫通孔４０に、上記ソルダーレジストが充填されていることを除けば、図１に示す配線基板２０と同様の構成を有している。本実施の形態において、上記ソルダーレジスト膜５ｂは、第２配線パターン３１と、チップ実装領域を含む上記接続領域を覆うように設けられている。上記ソルダーレジスト膜５ｂは、マスクを使用して、上記配線基板２０における所定の領域にソルダーレジストを塗布し、乾燥後、オーブンで１２０〜１５０度に加熱することで形成した。また、上記した構成を除く構成要素に関しては、前記実施の形態１と同じ目的並びに材料で形成されている。
【０１５７】
上記貫通孔４０に充填されたソルダーレジスト（ソルダーレジスト膜５ｂ）と、上記集積回路チップ１の実装に用いられるＮＣＰ９（ＮＣＰ層９ａおよびフィレット９ｂ）とは上記貫通孔４０が存在する領域において互いに強固に接合されている。
【０１５８】
本実施の形態においても、上記電子回路素子７は、集積回路チップ１の実装に先立って、熱を加えることで、上記貫通孔４０内に充填されているソルダーレジストを予め硬化した状態で、上記集積回路チップ１を実装している。上記ＮＣＰ９は、硬化した上記ソルダーレジストに対してもよく接着し、その接着性は、上記ＮＣＰ９とベースフィルム４との接着性に比べて極めて高い。このため、本実施の形態においても、上記集積回路チップ１の実装に用いられるＮＣＰ９（ＮＣＰ層９ａおよびフィレット９ｂ）と、上記貫通孔４０に充填されたソルダーレジスト（ソルダーレジスト膜５ｂ）とは、上記貫通孔４０が存在する領域において、互いに強固に接着される。
【０１５９】
なお、上記ソルダーレジスト膜５ｂの形成方法は、上で述べた例に限定されるものではなく、配線基板２０全面にソルダーレジストを塗布後、マスクを通して光を照射することで、ソルダーレジストを形成しようとする領域、またはソルダーレジストを形成しない領域のいずれかの領域のソルダーレジストを反応させた後、エッチングにより不要部分のソルダーレジストを除去し乾燥した後、オーブン等で１２０〜１５０度に加熱することにより硬化させる方法を用いてもよい。
【０１６０】
なお、ソルダーレジスト膜５ａ・５ｂに用いることができるソルダーレジストの種類としては、特に限定されるものではないが、エポキシ系、ウレタン系、イミド系の樹脂等が挙げられる。また、ソルダーレジストは主に、感光性タイプと熱硬化タイプとに分けることができる。そのうち、感光性タイプはエポキシ系樹脂からなるものが多く、熱硬化タイプにはエポキシ系、ウレタン系、イミド系樹脂からなるもの等がある。
【０１６１】
ソルダーレジスト膜５ｂには、第１配線パターン３０を被覆するソルダーレジスト膜５ａと同じ材料を用いてもよいし、異なる材料を用いてもよく、その種類は限定されるものではないが、エポキシ系樹脂を用いることが好ましい。
【０１６２】
また、電子回路素子７において、配線基板２０の裏面にソルダーレジスト膜５ｂが形成されている場合、上記ソルダーレジスト膜５ｂは水蒸気を透過させる材料からなることが好ましい。水蒸気を透過させる材料としては、例えば、エポキシ系樹脂を挙げることができる。エポキシ系樹脂は、水蒸気の透過率が良いため、ＮＣＰ層９ａに含まれている水分から発生した水蒸気を、貫通孔４０ａを介して外部に排出することができる。このため、ＮＣＰ層９ａに含まれている水分が、チップ電子部品２１のはんだ接続のためのリフロー加熱工程で蒸発し、蒸気圧が高くなったとしても、貫通孔４０から水蒸気を排出することができるので、ＮＣＰ層９ａに含まれる水分から発生した水蒸気の蒸気圧によって集積回路チップ１が配線基板２０から剥離することを防止することができる。
【０１６３】
なお、本実施の形態でもソルダーレジスト膜５ｂは、第２配線パターン３１と貫通孔４０が設けられている領域（つまり、接続領域）とを覆うように設ける構成としたが、上記ソルダーレジスト膜５ｂは、前記実施の形態１同様、ベースフィルム４の裏面全体を覆うように設けられていても構わない。すなわち、少なくとも上記第２配線パターン３１と接続領域とを覆う構成とすればよい。
【０１６４】
また、本実施の形態でも、上記貫通孔４０内のソルダーレジストは、集積回路チップ１の実装時に予め硬化されている構成としたが、上記ソルダーレジストは、集積回路チップ１の実装時に完全には硬化していない状態を有していても構わない。つまり、本実施の形態によれば、上記ベースフィルム４の裏面にソルダーレジストを塗布（積層）して上記貫通孔４０内に上記ソルダーレジストを充填した後、加熱もしくは光照射により、上記ソルダーレジストを、完全には硬化しないように硬化させてソルダーレジスト膜５ｂを形成してもよい。
【０１６５】
この場合、上記ソルダーレジストにおける上記ＮＣＰ９との接触界面が完全に硬化する前に上記集積回路チップ１のバンプ２と上記ベースフィルム４上に設けられた接続端子３２とを位置合わせすると共に上記ＮＣＰ９を介して上記ベースフィルム４上に上記集積回路チップ１を搭載し、その後、再び加熱加圧もしくは光照射することにより、上記ＮＣＰ９とソルダーレジストとを完全に硬化させて上記集積回路チップ１とベースフィルム４とを上記ＮＣＰ９により接続すると共に、上記ＮＣＰ９とソルダーレジストとを互いに接着させればよい。このように上記ソルダーレジストにおけるＮＣＰ９との接触界面（接続界面）が未硬化または半硬化状態、特に未硬化状態で上記集積回路チップ１の実装を行うことで、上記ＮＣＰ９とソルダーレジストとが、例えば化学結合、あるいは、局所的に混ざり合う等して、より強固な接着を行うことも可能となる。
【０１６６】
また、本実施の形態においても、配線基板２０の貫通孔４０内で、ソルダーレジスト膜５ｂとＮＣＰ９との接触面積が小さく、十分な接着力が得られないおそれがある場合には、前記実施の形態１同様、例えば、ソルダーレジスト膜５ｂを配線基板２０に設置した後、集積回路チップ１搭載面側から、貫通孔４０内に、上記ソルダーレジスト膜５ｂおよびＮＣＰ９に強固に接着する材料を追加することも可能である。
【０１６７】
さらに、本実施の形態では、上記ベースフィルム４裏面の未硬化のソルダーレジストから該ソルダーレジストを上記貫通孔４０内に染み込ませる構成としたが、本発明はこれに限定されるものではなく、本実施の形態においても、前記実施の形態１同様、上記ソルダーレジストと同じ種類のソルダーレジストあるいは上記ソルダーレジストおよびＮＣＰ９の両方に強固に接着する材料を、例えば毛細管現象を利用する等して予め上記貫通孔４０内に充填させた上で、ソルダーレジスト膜５ｂの積層並びに集積回路チップ１の実装を行っても構わない。
【０１６８】
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【実施例１】
【０１６９】
以下に、本発明にかかる電子回路素子における配線基板と集積回路チップとの接着力と、従来の電子回路素子における配線基板と集積回路チップとの接着力との差を比較した結果を示す。
【０１７０】
なお、本発明にかかる電子回路素子の試験サンプルには、図１に示す構造を有する電子回路素子を使用し、従来の電子回路素子の試験サンプルには、図６に示したように、接続領域、つまり、チップ実装領域およびその近傍に貫通孔が設けられていない配線基板と集積回路チップとからなる電子回路素子を使用した。
【０１７１】
両試験サンプルは、本発明にかかる電子回路素子の試験サンプルに対してのみ、ベースフィルムにおける接続領域に、直径０．５ｍｍの貫通孔を、接続領域における該貫通孔の総面積の割合が４０％となるように均等に設け、該貫通孔内に、接着剤付きカバーレイの接着剤を染み込ませたことを除けば、それぞれ同条件で作製した。また、集積回路チップと配線基板との接続には、ＮＣＰを用いた。すなわち、従来の電子回路素子の試験サンプルにおいては、配線基板と集積回路チップとの接着力は、ＮＣＰとベースフィルムとの接着力に全て起因することになる。
【０１７２】
上記２つの試験サンプルについて、（１）集積回路チップ実装直後、（２）リフロー加熱工程後、（３）８０℃−９５％ＲＨの高温高湿槽に１２０時間投入後、における配線基板と集積回路チップとの接着強度をそれぞれ測定した。
【０１７３】
その結果、本発明の電子回路素子の試験サンプルは、従来の電子回路素子の試験サンプルに比べて、（１）集積回路チップ実装直後では３６％、（２）リフロー加熱工程後では８６％、（３）８０℃−９５％ＲＨ高温高湿層投入後には１３０％、接着力が向上していることが確認できた。
【０１７４】
したがって、本発明にかかる電子回路素子は、集積回路チップと配線基板とが従来よりも強固に接着されていることがわかる。したがって、本発明によれば、集積回路チップと配線基板との剥離による接続不良を抑制・防止することが可能であり、不良率の低減に貢献することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１７５】
本発明の配線基板は、集積回路チップを用いた電子回路素子用の配線基板であり、その絶縁性基板における、集積回路チップの実装時に該集積回路チップを実装するための接着材料（Ａ）が配される領域に設けられた貫通孔内に、絶縁性基板に対する上記接続材料（Ａ）の接着性よりも上記接続材料（Ａ）との接着性が高い材料（Ｂ）が、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填されていることで、集積回路チップの実装時に、上記接着性材料（Ａ）と絶縁性基板との界面における両者の接着力を強化することができる。このため、上記配線基板および該配線基板を用いた電子回路素子は、例えばアクティブマトリクス型の液晶表示装置やパッシブ（マルチプレックス）駆動型表示装置等の各種の表示装置に好適である。また、上記配線基板および電子回路素子は、表示装置のみならず、種々の電子機器、例えば携帯電話、ＰＤＡ、ＯＡ機器等の各種電子機器に広く用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１７６】
【図１】本発明の実施の一形態にかかる電子回路素子における集積回路チップ実装領域近傍の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１に示す電子回路素子における、集積回路チップ搭載面側とは反対面側の概略構成を一部破断にて示す底面図である。
【図３】本発明の実施の一形態にかかる液晶表示装置の概略構成を示す平面図である。
【図４】本発明の他の実施形態にかかる電子回路素子における集積回路チップ実装領域近傍の概略構成を示す断面図である。
【図５】一般的な電子回路素子における集積回路チップ実装領域近傍の概略構成を示す断面図である。
【図６】他の一般的な電子回路素子における集積回路チップ実装領域近傍の概略構成を示す断面図である。
【図７】従来のプラスチックＢＡＧパッケージにおける集積回路チップ実装領域近傍の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１７７】
１      集積回路チップ
２      バンプ
４      ベースフィルム（絶縁性基板）
５      ソルダーレジスト
５ａ    ソルダーレジスト
５ｂ    ソルダーレジスト（材料（Ｂ））
６      接着剤付きカバーレイ
６ａ    カバーレイ
６ｂ    接着剤（材料（Ｂ）、接着剤（Ｃ））
７      電子回路素子
９      ＮＣＰ（接続材料（Ａ））
９ａ    ＮＣＰ層（接続材料（Ａ））
９ｂ    フィレット（接続材料（Ａ））
１０    液晶パネル
２０    配線基板（ＦＰＣ）
２１    チップ電子部品
３０    第１配線パターン（配線パターン）
３１    第２配線パターン（配線パターン）
３２    接続端子
４０    貫通孔
４０ａ  貫通孔
４０ｂ  貫通孔
１００  液晶表示装置（表示装置）
【図１】
2005175020.tif 000003
【図２】
2005175020.tif 000004
【図３】
2005175020.tif 000005
【図４】
2005175020.tif 000006
【図５】
2005175020.tif 000007
【図６】
2005175020.tif 000008
【図７】
2005175020.tif 000009