(57)【要約】【課題】位置精度と形状精度に優れたバンプ部を備えた多層配線基板形成用部材とその製造方法ならびにこの部材を用いた多層配線基板を提供する。【解決手段】絶縁膜１１と、バンプ部１２ａとビア部１２ｂと配線部１２ｃとが一体的形成された金属膜１２と、を有する多層配線基板形成用部材１０は、表面がミラー指数（１００）面であるシリコン基板２１の表面に金属マスク２２を形成し、シリコン基板２１を薬液で結晶異方性エッチングして略四角錐状または略四角錐台状の凹部２４を形成し、金属マスク２２を除去した後にシリコン基板２１の表面に分離膜２５を形成し、分離膜２５上の凹部２４を除いた部分に絶縁膜１１を形成し、絶縁膜１１上に金属膜１２を形成し、金属膜１１に所定のパターンを形成し、シリコン基板２１から絶縁膜１１と金属膜１２とからなる多層配線基板形成用部材１０を剥離することによって製造される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層配線基板の製造に用いられる多層配線基板形成用部材であって、
厚さ方向に貫通する孔部を所定位置に有する絶縁膜と、
前記孔部を埋設するビア部と、
前記絶縁膜の一方の表面側に設けられ、略四角錐状または略四角錐台状の形状を有し、その底面が前記ビア部と一体的に接続されたバンプ部と、
前記絶縁膜の他方の表面に設けられ、前記ビア部と一体的に接続された、所定のパターンを有する配線部と、
を具備することを特徴とする多層配線基板形成用部材。
【請求項２】
前記絶縁膜はレジスト膜であることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板形成用部材。
【請求項３】
前記ビア部と前記バンプ部と前記配線部は銅または銅合金なることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の多層配線基板形成用部材。
【請求項４】
多層配線基板の製造に用いられる多層配線基板形成用部材の製造方法であって、
主面が（１００）面であるシリコン基板の表面に所定の開口パターンを有するマスクを形成する工程と、
前記シリコン基板を前記マスクの開口パターンを通して所定の薬液によって結晶異方性エッチングし、略四角錐状または略四角錐台状の凹部を前記シリコン基板に形成する工程と、
前記シリコン基板から前記マスクを除去する工程と、
前記シリコン基板の前記凹部が形成されている部分を除いた部分の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を覆い、かつ、前記凹部を埋るように導体膜を形成する工程と、
前記絶縁膜および前記導体膜と前記シリコン基板とを分離し、前記絶縁膜と前記導体膜とからなる多層配線基板形成用部材を得る工程と、
を有することを特徴とする多層配線基板形成用部材の製造方法。
【請求項５】
前記凹部が形成されたシリコン基板の表面に前記絶縁膜および前記導体膜と前記シリコン基板とを分離するための分離層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項４に記載の多層配線基板形成用部材の製造方法。
【請求項６】
前記シリコン基板から前記絶縁膜および前記導体膜を分離する工程は、所定の処理液によって前記分離層を溶解することによって行うことを特徴とする請求項５に記載の多層配線基板形成用部材の製造方法。
【請求項７】
前記導体膜に所定の配線パターンを形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項４から請求項６のいずれか１項に記載の多層配線基板形成用部材の製造方法。
【請求項８】
前記マスクは酸化シリコン膜または所定の金属からなる膜であることを特徴とする請求項４から請求項７のいずれか１項に記載の多層配線基板形成用部材の製造方法。
【請求項９】
前記所定の薬液は水酸化カリウム水溶液またはエチレンジアミン・ピロカテコール水溶液またはテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液のいずれかであることを特徴とする請求項４から請求項８のいずれか１項に記載の多層配線基板形成用部材の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁膜はレジスト膜であることを特徴とする請求項４から請求項９のいずれか１項に記載の多層配線基板形成用部材の製造方法。
【請求項１１】
前記導体膜は銅または銅合金なり、かつ、メッキ法により形成されることを特徴とする請求項４から請求項１０のいずれか１項に記載の多層配線基板形成用部材の製造方法。
【請求項１２】
厚さ方向に貫通する孔部を所定位置に有する絶縁膜に、前記孔部を埋設するビア部と、前記絶縁膜の一方の表面側に設けられ、略四角錐状または略四角錐台状の形状を有し、その底面が前記ビア部と接続されたバンプ部と、前記絶縁膜の他方の表面に設けられ、所定のパターンを有し、前記ビア部と接続された配線部とが一体的に設けられてなる多層配線基板形成用部材を用いて作製されたことを特徴とする多層配線基板。
【請求項１３】
前記多層配線基板形成用部材として前記孔部の位置および／または前記配線のパターンの異なる複数のものを用い、これらが積み重ねられて一体化されていることを特徴とする請求項１２に記載の多層配線基板。
【請求項１４】
前記多層配線基板形成用部材と所定のベースに所定パターンの配線が形成された基板とが積み重ねられて一体化されていることを特徴とする請求項１２に記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板を製造するために用いられる多層配線基板形成用部材およびその製造方法、ならびにこの多層配線基板形成用部材を用いてなる多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板を高集積化するためには、配線基板に形成する配線回路を微細化し、このような配線基板を多層化し、さらに上下の配線間の接続を高信頼度で微細に形成する必要がある。このような多層配線基板を製造する方法としては、予め配線パターンを形成した素材を一括積層で一体化し、ドリル等による貫通孔加工で層間の接続を取ったプリント配線基板（コア基板）を作製し、このコア基板上に絶縁層と配線層とを交互に形成することで微細な配線を実現する、所謂、ビルドアップ工法が知られている。
【０００３】
しかしながら、ビルドアップ工法は、プリント配線基板上に絶縁層と配線層とを交互に積み上げる方式のために工数が多くなり、生産コストが高くなるという問題を有している。また、コア基板の作製方法である貼り合わせ工法では、ドリルによる貫通孔の径を小さくすることが困難であり、また貫通孔が配線の障害となるために配線を迂回させなければならず、配線の高密度化が妨げられるという問題がある。
【０００４】
このような問題を解決するための１つの手段として、例えば、特許文献１には、バンプ形成用金属層にエッチングストップ層を介して配線膜形成用金属層または配線膜を形成した多層金属板を複数枚用意し、まず第１の多層金属板のバンプ形成用金属層をパターニングしてバンプを形成し、このバンプの形成面にバンプの頂部のみが露出するように絶縁層を形成し、その後、この第１の多層金属板のバンプと第２の多層金属板の配線層とが対向するように、第１の多層金属板と第２の多層金属板とを積層し、次いで、第２の多層金属板のバンプ形成用金属層をパターニングしてバンプを形成し、このバンプの形成面にバンプの頂部のみが露出するように絶縁層を形成し、この第２の多層金属板のバンプと第３の多層金属板の配線層とが対向するように、第２の多層金属板と第３の多層金属板とを積層するという工程を繰り返すことによって、多層配線基板を作製する方法が開示されている。
【０００５】
しかし、この特許文献１に開示された多層配線基板の作製方法においては、多層金属板にバンプを形成する工程をエッチング処理（特許文献１の第２１段落参照）によって行っているために、バンプの形状精度を高めることが困難であり、また、個々のバンプで形状のばらつきが生じやすいという問題がある。また、微細なバンプを形成することが困難であり、このために配線の微細化と高密度化が難しいという問題がある。
【特許文献１】特開２００２−３５９４７１号公報（第１〜３図、第２０段落〜第２９段落）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、位置精度と形状精度に優れたバンプ部を備えた多層配線基板形成用部材と、安価にこのような多層配線基板形成用部材を製造する方法を提供することを目的とする。また、本発明は、配線の微細化と高密度化を可能とする多層配線基板形成用部材とその製造方法を提供することを目的とする。さらに本発明は、このような多層配線基板形成用部材を用いてなる多層配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、多層配線基板の製造に用いられる多層配線基板形成用部材であって、
厚さ方向に貫通する孔部を所定位置に有する絶縁膜と、
前記孔部を埋設するビア部と、
前記絶縁膜の一方の表面側に設けられ、略四角錐状または略四角錐台状の形状を有し、その底面が前記ビア部と一体的に接続されたバンプ部と、
前記絶縁膜の他方の表面に設けられ、前記ビア部と一体的に接続された、所定のパターンを有する配線部と、
を具備することを特徴とする多層配線基板形成用部材、が提供される。
【０００８】
また本発明によれば、このような多層配線基板形成用部材の製造方法が提供される。すなわち、多層配線基板の製造に用いられる多層配線基板形成用部材の製造方法であって、
主面が（１００）面であるシリコン基板の表面に所定の開口パターンを有するマスクを形成する工程と、
前記シリコン基板を前記マスクの開口パターンを通して所定の薬液によって結晶異方性エッチングし、略四角錐状または略四角錐台状の凹部を前記シリコン基板に形成する工程と、
前記シリコン基板から前記マスクを除去する工程と、
前記シリコン基板の前記凹部が形成されている部分を除いた部分の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を覆い、かつ、前記凹部を埋るように導体膜を形成する工程と、
前記絶縁膜および前記導体膜と前記シリコン基板とを分離し、前記絶縁膜と前記導体膜とからなる多層配線基板形成用部材を得る工程と、
を有することを特徴とする多層配線基板形成用部材の製造方法、が提供される。
【０００９】
このような多層配線基板形成用部材およびその製造法によれば、所定形状の凹部が形成されたシリコン基板を型として用いることによって、位置精度と形状精度に優れたバンプ部を備えた多層配線基板形成用部材を、安価に再現性よく製造することができる。また、バンプ部の微細化が容易であり、これによって配線の微細化と高密度化を実現することができる。
【００１０】
本発明によれば、このような多層配線基板形成用部材を用いて製造された多層配線基板が提供される。すなわち、厚さ方向に貫通する孔部を所定位置に有する絶縁膜に、前記孔部を埋設するビア部と、前記絶縁膜の一方の表面側に設けられ、略四角錐状または略四角錐台状の形状を有し、その底面が前記ビア部と接続されたバンプ部と、前記絶縁膜の他方の表面に設けられ、所定のパターンを有し、前記ビア部と接続された配線部とが一体的に設けられてなる多層配線基板形成用部材を用いて作製されたことを特徴とする多層配線基板、が提供される。
【００１１】
本発明に係る、位置精度と形状精度に優れたバンプ部を備えた多層配線基板形成用部材を用いることによって、多層化の処理を容易に行うことができ、これによって、集積度の高い多層配線基板を低コストで製造することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、位置精度と形状精度に優れたバンプ部を備えた多層配線基板形成用部材を製造することができる。また、最初の多層配線基板形成用部材の製造に用いたシリコン基板を再利用して、再び、同等の多層配線基板形成用部材を製造することができるため、生産性も高い。本発明の多層配線基板形成用部材のバンプ部は略四角錐状または略四角錐台状の先細り形状を有しているために、バンプ部と接続される配線部の幅が短くても、その幅に対応させた形状を有するバンプ部を形成することができる。これにより配線パターンを微細化、高集積化することができる。さらに、本発明に係る多層配線基板形成用部材を用いることにより、微細な配線パターンを有する多層配線基板を歩留まりよく製造することができる。さらに、多層配線基板形成用部材のバンプ部の先端の面積を小さくすることによって、熱プレスによる積層処理時の圧力を低減し、試料へのダメージを軽減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、多層配線基板の製造に用いられる多層配線基板形成用部材１０（以下、単に「基板形成部材１０」という）の概略断面図である。基板形成部材１０は、厚さ方向に貫通する孔部１１ａを所定位置に有する絶縁膜１１と金属膜１２から構成され、金属膜１２は、孔部１１ａを埋設するビア部１２ｂと、略四角錐台状の形状を有し、その底面がビア部１２ｂと接続されたバンプ部１２ａと、ビア部１２ｂと接続されている所定の回路パターンを有する配線部１２ｃとを有し、これらバンプ部１２ａとビア部１２ｂと配線部１２ｃは一体である。また、配線部１２ｃは絶縁膜１１の一方の表面に設けられており、バンプ部１２ａはこれと対向する面側に設けられている。孔部１１ａの開口形状は略正方形とすることが好ましい。
【００１４】
この基板形成部材１０の製造方法について図２〜図４を参照して説明する。図２は基板形成部材１０の概略の製造工程を示すフローチャートであり、図３および図４は図２に示す各工程における被処理物の状態を模式的に示す説明図である。最初に、図３（ａ）に示すように、表面がミラー指数（１００）面であるシリコン基板２１（図３において「Ｓｉ−ｓｕｂ」と記す）を用意して、その表面に後にマスクとして使用される金属膜（以下、上述した金属膜１２と区別するために「金属マスク」と記す）２２を形成する（ステップ１）。後述するように、後にシリコン基板２１の結晶異方性エッチングを行う際に用いられる薬液に金属マスク２２が溶解しないように、金属マスク２２の材料を選択する必要がある。
【００１５】
次に、図３（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いて、金属マスク２２の表面にレジスト膜２３を、例えばスピンコート法により形成するレジスト膜２３を形成し、これを所定のパターンで露光し、現像し、必要な熱処理等を行うことにより、レジスト膜２３をパターニングする（ステップ２）。このレジスト膜２３に形成するパターンは、所定の位置に略正方形の孔が形成されるように行われる。続いて、図３（ｃ）に示すように、パターニングされたレジスト膜２３をエッチングマスクとして用いて金属マスク２２をエッチングし、金属マスク２２をパターニングする（ステップ３）。さらに、図３（ｄ）に示すように、レジスト膜２３をシリコン基板２１から、例えば、アッシングや薬液処理によって除去する（ステップ４）。
【００１６】
次いで、図３（ｅ）に示すように、パターニングされた金属マスク２２をマスクとして用いて、所定の薬液（エッチャント）によるシリコン基板２１のエッチング処理を行う（ステップ５）。ここではエッチャントとして、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液、エチレンジアミン・ピロカテコール（ＥＤＰ）水溶液、テトラメチル水酸化アンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液が好適に用いられる。ステップ５のエッチング処理は、シリコン基板２１の結晶構造に依存して、その形状が略四角錐状となるように進行する。このような結晶異方性エッチングを所定時間行うことによって、シリコン基板２１に略四角錐台状の凹部２４が形成される。凹部２４の斜面がシリコン基板２１の（１００）面となす角度は約５４．７度である。
【００１７】
なお、このステップ５の処理で用いるエッチャントに対して、金属マスク２２が耐性を有していることが必要である。エッチャントとして水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用いる場合には、金属マスク２２にはＰｔ／Ｔｉが好適に用いられる。また、エチレンジアミン・ピロカテコール（ＥＤＰ）水溶液を用いる場合には、金属マスク２２にはＴｉ、ＴｉＮ、ＴｉＮ／Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｔ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ｃｒ、Ａｕ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｃｒが好適に用いられる。さらに、テトラメチル水酸化アンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いる場合には、金属マスク２２として、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｚｒ、ＴｉＮ／Ｔｉ、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｐｔ／Ｃｒ、Ａｕ／Ｃｒが好適に用いられる。
【００１８】
シリコン基板２１に凹部２４が形成されたら、図３（ｆ）に示されるように、エッチング処理によって金属マスク２２をシリコン基板２１から除去する（ステップ６）。その後、図３（ｇ）に示すように、シリコン基板２１の表面に、例えば、スパッタ法等によって分離膜２５を凹部２４の表面をも覆われるように形成する（ステップ７）。この分離膜２５は、後にシリコン基板２１上に形成される絶縁膜１１および金属膜１２を一体的にシリコン基板２１から剥離する処理を容易ならしめるために形成されるものであり、例えば、所定の薬液に溶解する金属薄膜をスパッタ法等により形成する。
【００１９】
次に、図３（ｈ）に示すように分離膜２５上に絶縁膜１１を形成し、さらに図４（ａ）に示すように、この絶縁膜１１を分離膜２５において凹部２４が形成されている部分を除いた部分の上にだけ絶縁膜１１が残るように、つまり、絶縁膜１１の凹部２４が形成されている位置に対応する部分に孔部１１ａが形成されるように、パターニングする（ステップ８）。このようなパターニングされた絶縁膜１１は、例えば、分離膜２５上にレジスト膜を凹部２４が埋設されるように形成し、このレジスト膜の凹部２４とその上の部分を現像処理によって除去することができるように、露光、現像することによって形成することができる。
【００２０】
次いで、図４（ｂ）に示されるように、絶縁膜１１上に金属膜１２を、凹部２４および孔部１１ａが埋められるように、例えば、メッキ法により形成する（ステップ９）。この金属膜１２としては銅または銅合金が好適に用いられる。なお、メッキ法により金属膜１２を形成する場合には、メッキ処理に先立って絶縁膜１１の表面をアッシングにより粗し、かつ、シード層をスパッタ法等により形成する。こうして形成された金属膜１２は、凹部２４を埋める略四角錐台状のバンプ部１２ａと、孔部１１ａを埋めるビア部１２ｂと、後に所定のパターンに調整される配線部１２ｃとが一体となった構造を有している。
【００２１】
続いて、図４（ｃ）に示されるように、フォトリソグラフィー技術を用いて金属膜１２の表面にさらにレジスト膜２６を形成し、このレジスト膜２６を所定のパターンで露光し、さらに現像して、レジスト膜２６をパターニングする（ステップ１０）。その後、図４（ｄ）に示されるように、このパターニングされたレジスト膜２６をマスクとして用いて、金属膜１２をエッチングする（ステップ１１）。これにより金属膜１２の配線部１２ｃに所定の配線パターンが形成される。
【００２２】
ステップ１１が終了したら、図４（ｅ）に示されるように、ステップ４と同様にして、レジスト膜２６を金属膜１２上から除去する（ステップ１２）。このとき、絶縁膜１１（レジスト膜）がレジスト膜２６と同時に除去されることがないように、絶縁膜１１とレジスト膜２６の材質とレジスト膜２６の除去方法を定める必要がある。このステップ１２が終了した時点では、基板形成部材１０が分離膜２５を介してシリコン基板２１上に形成されている状態にある。そこで、図４（ｆ）に示されるように、分離膜２５をウエットエッチングによってシリコン基板２１から除去する（ステップ１３）。これによって、絶縁膜１１と金属膜１２とが一体となった基板形成部材１０を、シリコン基板２１から剥離させて得ることができる。
【００２３】
上述した基板形成部材１０の製造工程のステップ５（結晶異方性エッチング処理）においては、処理時間をより長く調整することによって、図５の概略断面図に示すように、シリコン基板２１に略四角錐状の凹部２４´を形成することができる。この凹部２４´を有するシリコン基板２１を用いて、ステップ６以降の処理を行うことにより、図６の概略断面図に示すような、略四角錐形状のバンプ部１２ａ´を有する金属膜１２´を有する基板形成部材１０´を製造することもできる。この基板形成部材１０´は基板形成部材１０と同等に使用することができる。凹部２４´の深さは孔部１１ａの大きさ（辺の長さ）によって決まる。
【００２４】
このような基板形成部材１０の製造方法によれば、フォトリソグラフィー技術の位置決め精度と同等の精度でバンプ部１２ａを形成することができるために、微細なパターンの配線部１２ｃ（５〜１０μｍ程度）に対応した微細なバンプ部１２ａの形成を容易に実現することができる。また、シリコン基板２１の結晶異方性エッチングを利用することによってバンプ部１２ａの形状を一定に制御することができる。つまり、位置精度と形状精度に優れたバンプ部１２ａを形成することができる。さらに、結晶異方性エッチング処理の時間を調整することによってバンプ部１２ａの高さを調節することにより、バンプ部１２ａの先端部の面積を調節することができる。つまり、バンプ部１２ａと接続される配線部１２ｃの幅が短くても、その配線幅に対応させたバンプ部１２ａを形成することができる。これにより配線パターンを微細化し、また高集積化することができる。さらにまた、凹部２４が形成されたシリコン基板２１は再利用することができる。
【００２５】
次に上述した基板形成部材１０の製造方法を用いて製造した複数の基板形成部材を用いた多層配線基板の製造方法について説明する。図７は多層配線基板４０の製造工程を模式的に示す説明図である。上述した基板形成部材１０の製造方法を用いて製造した基板形成部材１０ａ〜１０ｃと、ポリイミドシート（ＰＩシート）３２の表面に所定のパターンの銅配線３３が形成されたＣｕ／ＰＩシート３１を準備する。
【００２６】
最初に、図７（ａ）に示すように、Ｃｕ／ＰＩシート３１の銅配線３３と基板形成部材１０ａ（図７において基板形成部材１０ａ〜１０ｃを構成する各要素の符号は省略する）のバンプ部とが対面するようにＣｕ／ＰＩシート３１と基板形成部材１０ａとを重ねる。そして、これらをホットプレスすることにより、図７（ｂ）に示すされるように、Ｃｕ／ＰＩシート３１と基板形成部材１０ａとが積層化された多層配線基板４０ａが得られる。基板形成部材１０ａのバンプ部は先細り形状を有しているために、このバンプ部とＣｕ／ＰＩシート３１の銅配線３３との接続は、熱プレス時の圧力を小さくして行うことができる。これにより、基板形成部材１０ａとＣｕ／ＰＩシート３１へのダメージが低減される。また、熱プレスの際、バンプ部は銅配線３３の中にめり込みつつ、潰れてしまうことになる。
【００２７】
次に、図７（ｃ）に示すように、こうして作製された多層配線基板４０ａからＰＩシート３２を剥離し、その後に図７（ｄ）に示されるように、基板形成部材１０ｂをそのバンプ部が銅配線３３側を向くように、また、基板形成部材１０ｃをそのバンプ部が基板形成部材１０ａの配線部を向くようにして重ね、これらをホットプレスする。これにより、図７（ｅ）に示されるように、多層配線基板４０ａと基板形成部材１０ｂ・１０ｃとが積層化された多層配線基板４０が得られる。
【００２８】
なお、このような多層配線基板４０ａから多層配線基板４０を作製した工程を繰り返すことによって、つまり多層配線基板４０の表面にさらに別の基板形成部材を積層することによって、さらに多層化された多層配線基板を得ることができる。また、図７では、基板形成部材１０ｂ・１０ｃとして、共に所定パターンの配線部を有している形態を示したが、基板形成部材１０ｂ・１０ｃの配線部のパターン形成は、多層配線基板４０を作製した後に、この多層配線基板４０の表裏面に対して、マスクの形成、エッチング、マスクの除去、という一連の処理を行うことによって形成してもよい。
【００２９】
このように本発明に係る基板形成部材を用いることにより、微細な配線パターンを有する多層配線基板を歩留まりよく製造することができる。また、多層配線基板を製造する方法としてはハンダボールを使用する方法が知られているが、この場合には、ハンダボールの溶融を考慮する必要性から、ハンダボールを配置する配線領域をハンダボールの直径よりも広くする必要があり、このために、配線の高集積化が困難となっている。しかし、このような多層配線基板の製造方法によれば、バンプ部の先端が先細りであるために、バンプ部と接続される配線部の領域を狭くして、配線の集積度を高めることができる。さらにハンダボールは銅に対しては異種金属であり、デバイスの高速化には適しておらず、本発明によれば、接合部を同種金属（Ｃｕ−Ｃｕ接合）で接合することが可能である。
【００３０】
さらに、図７（ｅ）に示す多層配線基板４０の左側の配線部分に示されるように、多層配線基板４０の表面と裏面との間を貫通するような配線を銅のバルクで形成することが容易であり、部分的な層間での銅または銅合金のバルクによる配線も容易に形成することができる。従来、多層配線基板の表面と裏面を貫通する配線の形成方法としては、多層配線基板に貫通孔を形成してその内面をメッキ処理する方法が知られているが、このような貫通孔は他の配線に迂回を余儀なくし、配線の高密度化を妨げる問題がある。しかし、本発明に係る基板形成部材を用いて多層配線基板を作製すれば、配線の迂回を回避することが容易である。
【００３１】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、基板形成部材１０の製造方法のステップ１では、シリコン基板２１の表面に金属マスク２２を形成した場合を示したが、ステップ１では、金属マスク２２に代えて酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜）を形成し、これに所定の方法によって所定のパターンを形成してもよい。このパターニングされたＳｉＯ２膜をシリコン基板２１の結晶異方性エッチング処理（ステップ５）におけるエッチングマスクとして用いることができる。
【００３２】
また、基板形成部材１０の製造方法のステップ８では絶縁膜１１としてレジスト膜を形成した場合について説明したが、絶縁膜１１として多孔質ＳｉＯ２膜等のｌｏｗ−ｋ膜を形成してもよく、ｌｏｗ−ｋ膜のパターニングは、ｌｏｗ−ｋ膜の表面に所定パターンのレジスト膜を形成し、エッチングやアッシング等によってｌｏｗ−ｋ膜をパターニングし、その後にレジスト膜を除去することによって行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明に係る多層配線基板形成用部材の概略断面図。
【図２】多層配線基板形成用部材の概略の製造工程を示すフローチャート。
【図３】図２に示す多層配線基板形成用部材の製造工程における被処理物の状態を模式的に示す第１の説明図。
【図４】図２に示す多層配線基板形成用部材の製造工程における被処理物の状態を模式的に示す第２の説明図。
【図５】シリコン基板の結晶異方性エッチングによって形成される凹部の別の形態を示す概略断面図。
【図６】図５に示すシリコン基板を用いて製造された多層配線基板形成用部材の概略断面図。
【図７】多層配線基板の製造工程を模式的に示す説明図。
【符号の説明】
【００３４】
１０；多層配線基板形成用部材（基板形成部材）
１１；絶縁膜
１１ａ；孔部
１２；金属膜
１２ａ；バンプ部
１２ｂ；ビア部
１２ｃ；配線部
２１；シリコン基板
２２；金属マスク
２３；レジスト膜
２４；凹部
２５；分離膜
２６；レジスト膜
３１；Ｃｕ／ＰＩシート
３２；ＰＩシート
３３；銅配線
４０・４０ａ；多層配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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