(57)【要約】【課題】非磁性下地膜を用いた場合でも飽和磁束密度Ｂｓが２３ｋＧ以上、共鳴周波数が１ＧＨｚ以上の特性を実現することが可能な軟磁性薄膜、その製造方法、および磁気ヘッドを提供すること。【解決手段】基板１１０上に下地膜１２０および磁性膜１３０が形成されている構造を基本構造とし、下地層１２０としてＣｕ膜を用い、磁性膜１３０としてＦｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ磁性膜を用いることによって、非磁性の下地層を有する構造でも磁性の下地層を有する構造と同程度の軟磁性特性を実現できると共に、Ｃｕ膜を中間層として挟むようにＦｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ磁性膜を積層した多層膜の構造とすることによって、反磁場の影響を軽減できる構成を有している。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下地膜としてＣｕ膜を形成し、前記Ｃｕ膜上にＦｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ磁性膜が形成されていることを特徴とする軟磁性薄膜。
【請求項２】
下地膜とするＣｕ膜の膜厚が、０．２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲のいずれかの厚さであることを特徴とする請求項１に記載の軟磁性薄膜。
【請求項３】
前記Ｆｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ磁性膜は、Ｃｕ膜を中間層として複数層分離されて積層されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の軟磁性薄膜。
【請求項４】
２５０℃から４２０℃までの温度範囲内で磁場中熱処理して製造されたことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の軟磁性薄膜。
【請求項５】
軟磁性薄膜として、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の軟磁性薄膜を用いたことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項６】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の軟磁性膜を、２５０℃から４２０℃までの温度範囲内で磁場中熱処理することを特徴とする軟磁性薄膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＶＣＲ（Ｖｉｄｅｏ  Ｃａｓｓｅｔｔｅ  Ｒｅｃｏｒｄｅｒ）、磁気ディスク記録などに用いる磁気ヘッド用の軟磁性薄膜、その製造方法、および磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、記録装置の小型化、大容量化への要請から磁気記録の高密度化を図るために、記録媒体の高保磁力化と磁気ヘッドの狭トラック化が推し進められ、それに伴う高転送レート化のために、ヘッド動作周波数の広帯域化が進められている。高保磁力媒体を飽和記録するためには高飽和磁束密度を持つ記録ヘッド磁極用の軟磁性薄膜が必要である。実際に、ＨＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ）等の固定ディスク装置においては、記録密度の向上とともに、記録ヘッド磁極材料は、飽和磁束密度Ｂｓが５ｋＧのフェライトから１０ｋＧのＮｉ８１Ｆｅ１９、１６ｋＧのＮｉ５０Ｆｅ５０へと変遷してきた。
【０００３】
今後、記録密度の向上を図るためには、より大きな飽和磁束密度Ｂｓをもつ軟磁性薄膜が必要である。Ｆｅ−Ｃｏ薄膜は２５−３５ａｔ％Ｃｏ組成において２４．５ｋＧという高い飽和磁束密度Ｂｓを持つが、磁歪が３〜８ｘ１０−５と大きく軟磁気特性の導出が容易ではない。スタンフォード大学のＳ．Ｘ．Ｗａｎｇらは、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜を下地膜とし、かつＦｅ−Ｃｏ製膜中に窒素を添加することによって、飽和磁束密度Ｂｓ＝２４．５ｋＧ、強磁性共鳴周波数ｆｒ＝１．５ＧＨｚが実現できることを報告している（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００４】
この報告を契機として、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜を下地膜とすることによって高飽和磁束密度Ｂｓを持つＦｅ−Ｃｏ軟磁性薄膜材料の研究が精力的に行われてきた。富士通の池田らは、Ｆｅ８０Ｃｏ２０とＡｌ２Ｏ３とで構成されるターゲットを用い飽和磁束密度Ｂｓ＝２２ｋＧ、保持力Ｈｃ＝１Ｏｅの磁気特性を持つ軟磁性薄膜を開発した（例えば、非特許文献２参照。）。秋田県高度技術研究所の新宅らは、Ｆｅ−Ｃｏ材料に微量のＡｌ２Ｏ３を添加し、さらに下地膜としてＮｉ−Ｆｅ薄膜あるいはＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ薄膜からなる軟磁性下地膜を用いることによって、飽和磁束密度Ｂｓが２４ｋＧと大きく保持力Ｈｃが１Ｏｅ以下の軟磁性薄膜を開発することに成功している（例えば、非特許文献３）。
【０００５】
ヘッド動作周波数の広帯域化に関しては、ヘッド材料の有効透磁率μ’の周波数特性を改善することが必要である。理論的には、飽和磁束密度Ｂｓと異方性磁界Ｈｋを大きくすることによって、共鳴周波数ｆｒを大きくし共鳴損失を小さくでき、優れたμ’の周波数特性を実現できる。電気磁気材料研究所の大河らは、Ｃｏ−Ａｌ−Ｏグラニュラー構造膜が、１ＧＨｚ以上の共鳴周波数ｆｒを示し、５００ＭＨｚにおけるμ’＞１００の特性を有することを報告しているが、Ｂｓが１０ｋＧ程度と小さい（例えば、非特許文献４参照。）。
【０００６】
【非特許文献１】
エス．エックス．ワン、エヌ．エックス．サン、エム．やまぐち、エス．やぶかみ著：ネイチャー、第４０７巻、頁１５０−１５１、２０００（Ｓ．Ｘ．Ｗａｎｇ，Ｎ．Ｘ．Ｓｕｎ，Ｍ．Ｙａｍａｇｕｃｈｉ  ａｎｄ  Ｓ．Ｙａｂｕｋａｍｉ：Ｎａｔｕｒｅ，Ｖｏｌ．４０７，ｐｐ．１５０−１５１，２０００）
【非特許文献２】
エス．いけだ、アイ．たがわ、ワイ．うえはら、ティー．くぼみや、ジェイ．かね、エム．かけい、エイ．ちかざわ著：アイイーイーイー、トランザクションズ  オン  マグネティックス、第３８巻、５号、頁２２１９−２２２１，２００２（Ｓ．Ｉｋｅｄａ，Ｉ．Ｔａｇａｗａ，Ｙ．Ｕｅｈａｒａ，Ｔ．Ｋｕｂｏｍｉｙａ，Ｊ．Ｋａｎｅ，Ｍ．Ｋａｋｅｉ，Ａ．Ｃｈｉｋａｚａｗａ：ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎ  Ｍａｇｎ．，Ｖｏｌ．３８，Ｎｏ．５，ｐｐ．２２１９−２２２１，２００２）
【非特許文献３】
新宅、山川、大内著：電子情報通信学会技術研究報告，ＭＲ２００２−２０，２００２
【非特許文献４】
大沼、三谷、藤森、増本著：日本応用磁気学会誌，第２０巻，２号，頁４８９−４９２，１９９６
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような従来の軟磁性薄膜の製造技術では、記録ヘッド用の軟磁性薄膜として高い飽和磁束密度Ｂｓと高い共鳴周波数ｆｒを有するものが必要であるが、非磁性下地膜上にＦｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ磁性膜を成膜しても高い飽和磁束密度Ｂｓと高い共鳴周波数ｆｒを有する軟磁性薄膜を製造することは困難であるという問題があった。
【０００８】
本発明はこのような問題を解決するためになされたもので、非磁性下地膜を用いた場合でも飽和磁束密度Ｂｓが２３ｋＧ以上、共鳴周波数が１ＧＨｚ以上の特性を実現することが可能な軟磁性薄膜、その製造方法、および磁気ヘッドを提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
以上の点を考慮して、請求項１に係る発明は、基板上に下地膜としてＣｕ膜を形成し、前記Ｃｕ膜上にＦｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ磁性膜が形成されている構成を有している。
この構成により、非磁性下地膜を用いた場合でも飽和磁束密度Ｂｓが２３ｋＧ以上、共鳴周波数が１ＧＨｚ以上の特性を実現することが可能な軟磁性薄膜を実現することができる。
【００１０】
また、請求項２に係る発明は、請求項１において、下地膜とするＣｕ膜の膜厚が、０．２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲のいずれかの厚さである構成を有している。
この構成により、請求項１の効果に加え、軟磁性特性を好適にすることが可能な軟磁性薄膜を実現することができる。
【００１１】
また、請求項３に係る発明は、請求項１または請求項２において、前記Ｆｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ磁性膜は、Ｃｕ膜を中間層として複数層分離されて積層されている構成を有している。
この構成により、請求項１または請求項２の効果に加え、Ｃｕ膜を中間層とすることによって、Ｎｉ−Ｆｅ膜では不可能な磁区制御ができると共に、中間層を構成する元素Ｃｕが非磁性体であるため、隣り合う磁性膜の端部の漏れ磁束を減らすことができ、透磁率の低下、ノイズの発生といった磁区構造に起因する課題を回避することが可能な軟磁性薄膜を実現することができる。
【００１２】
また、請求項４に係る発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかにおいて、前記軟磁性薄膜が、２５０℃から４２０℃までの温度範囲内で磁場中熱処理して製造された構成を有している。
この構成により、請求項１ないし請求項３の効果に加え、成膜時または熱処理時に印加する磁界方向によって、その磁化容易軸方向を所望の方向に設定することが可能な軟磁性薄膜を実現することができる。
【００１３】
また、請求項５に係る発明は、磁気ヘッドの軟磁性薄膜として、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の軟磁性薄膜を用いた構成を有している。
この構成により、非磁性下地膜を用いた場合でも飽和磁束密度Ｂｓが２３ｋＧ以上、共鳴周波数が１ＧＨｚ以上の特性を有する高性能の軟磁性体を有する磁気ヘッドを実現することができる。
【００１４】
また、請求項６に係る発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の軟磁性膜を、２５０℃から４２０℃までの温度範囲内で磁場中熱処理する構成を有している。
この構成により、非磁性下地膜を用いた場合でも飽和磁束密度Ｂｓが２３ｋＧ以上、共鳴周波数が１ＧＨｚ以上の特性を有する軟磁性薄膜を生成することができると共に、成膜時または熱処理時に印加する磁界方向によって、その磁化容易軸方向を所望の方向に設定することが可能な軟磁性薄膜の製造方法を実現することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る軟磁性薄膜の断面構造を概念的に示す図である。図１において、軟磁性薄膜は、基板１１０上に成膜された、下地膜１２０および磁性膜１３０によって構成される。ここで、下地膜１２０としては、Ｃｕ膜を用い、磁性膜１３０としては、Ｆｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ磁性膜を用いるものとする。基板１１０としては、表面酸化膜付のシリコンウェハー、コーニング７０５９（商標）またはアルミナチタンカーバイトなどを用いることができる。また、下地膜１２０として、Ｃｕ膜以外にＮｉ−Ｆｅ膜やＴａ膜も成膜した。
【００１６】
以下に、本発明の第１の実施の形態に係る軟磁性薄膜の製造方法について説明する。
成膜には、米国ＩｏｎＴｅｃｈ．社製、ホローカソード型イオンソースを用いた。ターゲットには純度９９．９９％の（Ｆｅ７５Ｃｏ２５）９９（Ａｌ２Ｏ３）１［ａｔ．％］を使用し、装置内を２ｘ１０−８Ｔｏｒｒ以下まで真空排気した後、ビーム電圧を１２００Ｖ、ビーム電流を１２０ｍＡに設定し、クリプトンガス圧を０．８ｘ１０−４Ｔｏｒｒとなるように導入して成膜した。また、成膜に用いる基板をターゲットと平行に設置し、毎分５回転で自転させた。また、マグネットを基板上に設置し１５０Ｏｅの磁界を基板に印加しながら成膜した。堆積した膜の膜厚は２０−５００ｎｍとし、成膜後、５ｘ１０−７Ｔｏｒｒ以下の真空中において１ｋＯｅの磁界を印加しながら２５０−５００℃で１時間熱処理した。
【００１７】
作製した軟磁性薄膜の飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃを、振動試料型磁力計を使用して測定した。なお、本実施例では飽和磁束密度Ｂｓを磁界１００Ｏｅにおける磁束密度Ｂ０．０１で評価した。また、高周波透磁率は、パーミアンスメータを使用して０．５ＭＨｚから２ＧＨｚにおける複素透磁率μ’−ｊμ”（μ’実部、μ”虚部）として測定した。また、以上の磁気特性は、いずれも磁化容易軸方向と直交する方向（磁化困難軸方向）について測定した。
【００１８】
図２は、本発明の第１の実施の形態に係る軟磁性薄膜の実施例の製造情報およびその諸特性を示す図である。図２には、軟磁性薄膜の実施例１〜１５のほかに、比較例１６〜２８についても示す。ここで、軟磁性薄膜におけるＦｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ膜の膜厚は、１００ｎｍである。なお、図２中の「下地膜」の欄内の右側の欄に示す数字は、下地膜の膜厚であり、その単位はｎｍである。また、μ’３００ＭＨｚとして示された数値は、３００ＭＨｚにおける複素透磁率の実部μ’の値である。さらに、図２中の”−”は測定不能を示し、「熱処理温度」の欄における「なし」という記載は、熱処理がないことを示す。
【００１９】
図２に示す結果に基づいて、概ね以下の事実が示される。
▲１▼膜厚０．５ｎｍから１０ｎｍのＮｉ８１Ｆｅ１９下地膜を用いることで、Ｂ０．０１＞２２ｋＧ、Ｈｃ＜６．７Ｏｅ、ｆｒ＞１ＧＨｚの特性が得られる（比較例１８−２１、２４−２８参照）。
▲２▼膜厚０．５ｎｍから１０ｎｍのＮｉ８１Ｆｅ１９下地膜を用いたとき、２５０℃から４２０℃の熱処理によってＨｃは３．５Ｏｅ以下に低下し、μ’３００ＭＨｚは概ね増大する（比較例１９−２１、２４−２７参照）。特に、比較例２０で示す３８０℃で熱処理した膜厚２ｎｍのＮｉ８１Ｆｅ１９下地膜を用いた場合、μ’３００ＭＨｚ＝１３３０と比較例中最大値を示す。
▲３▼膜厚０．２ｎｍから１ｎｍのＣｕ膜を下地膜とすることによって、Ｆｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ薄膜はＢ０．０１＞２３ｋＧ、Ｈｃ＜２．５Ｏｅ、ｆｒ＞１．３ＧＨｚの特性が熱処理なしで得られる（実施例４−６参照）。
▲４▼膜厚０．２ｎｍから１０ｎｍのＣｕ膜を下地膜とするＦｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ薄膜に対して、２５０℃から４２０℃の熱処理を施すことによって、Ｈｃは２．４Ｏｅ以下に低下し、μ’３００ＭＨｚは１０００以上に増大する（実施例１−１５）。
以上のことから、Ｃｕ膜を下地膜とすることによりＮｉ−Ｆｅ薄膜と同様に、軟磁気特性が改善されることが明らかである。
【００２０】
図３は、本発明の第１の実施の形態に係る軟磁性薄膜の特性の、Ｃｕ膜の膜厚依存性を示す図である。図３に示すＣｕ膜厚依存性は、軟磁性薄膜を構成するＦｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ膜の膜厚が１００ｎｍのものである。図３における下部に示すグラフ（Ｃｕ膜厚が０から２ｎｍまでの範囲を拡大した図）と図２から、わずか０．２ｎｍのＣｕ膜を堆積するだけでＦｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ薄膜の磁気特性が大幅に改善され、Ｈｃ＝２．５Ｏｅ、Ｂ０．０１＝２４ｋＧ、μ’３００ＭＨｚ＝７９０、ｆｒ＝１．７ＧＨｚの軟磁気特性が得られることが分かる。
【００２１】
図４は、図３に示す特性を有する上記の試料を３５０℃で１時間熱処理した後の特性を示す図である。図３および図４から、３５０℃で１時間熱処理することによって、軟磁気特性（Ｈｃ、μ’３００ＭＨｚ）は改善され、膜厚０．２ｎｍから１０ｎｍのＣｕ下地膜を用いたときにＨｃ＜２．４Ｏｅ、Ｂ０．０１＞２３ｋＧ、μ’３００ＭＨｚ＞１０００、ｆｒ＞１．３ＧＨｚの特性が得られることが分かる。
【００２２】
図５は、図２に示す本発明の実施例１４の複素透磁率μ’−ｊμ”の周波数特性を示す図である。図５に示す複素透磁率は、１ｍＯｅ０−ｐの磁場を印加して計測されたものである。複素透磁率の実部μ’は、１０ＭＨｚから１．９ＧＨｚの周波数において１１４０〜２３２０の範囲内にあり、虚部μ”が極大となる周波数（強磁性共鳴周波数）は、１．９ＧＨｚ程度であることが分かる。
【００２３】
以上説明したように、本発明の第１の実施の形態に係る軟磁性薄膜およびその製造方法は、下地層としてＣｕ膜を用いることとしたため、非磁性下地膜を用いた場合でも飽和磁束密度Ｂｓが２３ｋＧ以上、共鳴周波数が１ＧＨｚ以上の特性を実現することができる。
また、Ｃｕ膜の膜厚を０．２ｎｍから１０ｎｍとすることによって、軟磁性薄膜の軟磁性特性を好適にすることができる。
さらに、本発明の軟磁性薄膜は、２５０℃から４２０℃までの温度範囲内で熱処理を施すことによって軟磁気特性が改善され、ヘッド試作プロセス時の処理温度（２８０℃）に対する耐熱性を有する。
【００２４】
（第２の実施の形態）
図６（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る磁性膜１３０の構造を概念的に示す図である。図６（ｂ）に示す磁性膜１３０は、非磁性膜であるＣｕ膜６０２が中間層として２層のＦｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ磁性膜６０３ａ、６０３ｂによって挟まれた構造を有する。図６（ｂ）では、Ｆｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ磁性膜が２層の場合を示したが、Ｃｕ膜を中間層としてＦｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ磁性膜とＣｕ膜が交互に積層された多層膜となっているのでもよい。
【００２５】
このように、非磁性膜を中間層として挟んで２層のＦｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ磁性膜を積層することによって、以下に示すように磁区の制御が可能となる。図６（ａ）は、磁性膜が単層の場合の磁区の形成の様子を示す概念図である。図６（ａ）に示す矢印は、磁化の向きを示す矢印である。
【００２６】
図６（ａ）に示すように、磁性膜１３０が単層の磁性膜によって形成される場合、磁束の漏れが最小となるように磁性膜１３０の面内で磁束のループが形成され、磁性膜の端部で磁化の向き６０１の異なる磁区が形成される。特に、磁性膜のサイズが小さくなって、磁性膜の幅と膜厚が同じオーダーになると、反磁場（形状磁気異方性）は磁気特性を決める支配的な要因となる。
【００２７】
このような場合に磁性膜１３０を、Ｃｕ膜を中間層６０２とする多層構造とすることによって、非磁性中間層を介して隣り合う２層のＦｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ磁性膜６０３ａ、６０３ｂの端部では、お互いの磁化方向を反対にして静磁的に結合し、漏れ磁束（反磁場エネルギー）を減らすことが可能となる（図６（ｂ））。このように、多層膜では磁区構造が簡単になり、容易軸に平行な磁化を持つ領域が大幅に増える。一般に、単層膜に比して多層膜の方が高い透磁率を持ち、周波数特性も優れている。
【００２８】
本発明の軟磁性薄膜の磁化容易軸方向は、成膜時の磁場印加方向あるいは熱処理時の磁場印加方向に対して平行である。したがって、磁化容易軸方向を所望の方向に設定可能である。実施例１５の試料は、成膜時の磁化容易軸方向に対して直交する方向に磁界を設定して熱処理を施して、磁化容易軸方向を９０度回転させたものである。なお、磁場印加における熱処理の温度としては、本発明の第１の実施の形態において示した熱処理温度（２５０℃から４２０℃までの温度範囲内の温度）とすることができる。
【００２９】
この試料においてもＢ０．０１＝２４ｋＧ、Ｈｃ＝２Ｏｅ、ｆｒ＝１．３ＧＨｚの特性が得られている。この様な特性を有することは、本発明を磁気ヘッドへ適用する場合に非常に有用なものである。以下では、図７に概念的に示す垂直磁気記録ヘッドを例にとり説明する。図７に示す垂直磁気記録ヘッドでは、記録磁極７０４、垂直記録媒体７０１、およびリターンヨーク７０３から磁気回路が構成され、垂直記録媒体７０１に磁化７０２が記録されるようになっている。ここで、トラック幅（図７中Ｗ）方向を磁化容易軸に平行とすることによって、記録磁極７０４からの磁界強度を大きくでき、垂直記録媒体７０１への記録感度を向上することが可能となる。
【００３０】
以上説明したように、本発明の第２の実施の形態に係る軟磁性薄膜、その製造方法、および軟磁性薄膜を用いた磁気ヘッドは、Ｃｕ膜を中間層とすることによって、Ｎｉ−Ｆｅ膜では不可能な磁区制御が可能となる。
また、本発明の多層膜は、中間層を構成する元素Ｃｕが非磁性体であるため、隣り合う磁性膜の端部の漏れ磁束を減らすことができ、透磁率の低下、ノイズの発生といった磁区構造に起因する課題を回避することができる。
【００３１】
また、本発明の軟磁性薄膜は、成膜時または熱処理時に印加する磁界方向によって、その磁化容易軸方向を所望の方向に設定できる。
これによって、軟磁性薄膜を垂直磁気ヘッドの磁極に使用する場合、その磁化容易軸方向をトラック幅方向と並行とすることによって、記録磁極からの磁界強度を向上でき垂直媒体への記録感度を高めることが可能となる。
【００３２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、非磁性下地膜を用いた場合でも飽和磁束密度Ｂｓが２３ｋＧ以上、共鳴周波数が１ＧＨｚ以上の特性を実現することが可能な軟磁性薄膜、その製造方法、および磁気ヘッドを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る軟磁性薄膜の断面構造を概念的に示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る軟磁性薄膜の実施例等の製造情報およびその諸特性を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る軟磁性薄膜の特性の、Ｃｕ膜の膜厚依存性を示す図である。
【図４】図３に示す特性を有する試料を３５０℃で１時間熱処理した後の特性を示す図である。
【図５】図２に示す本発明の実施例１０の複素透磁率μ’−ｊμ”の周波数特性を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る磁性膜１３０の概念的な構造およびその効果を説明するための図である。
【図７】垂直磁気記録ヘッドの概念的な構造を示す図である。
【符号の説明】
１１０  基板
１２０  下地膜
１３０  磁性膜
６０１  磁化の向き
６０２  中間層
６０３ａ、ｂ  Ｆｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ磁性膜
７０１  垂直記録媒体
７０２  磁化
７０３  リターンヨーク
７０４  記録磁極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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