(57)【要約】【課題】読み出し時間を短縮して遅延を縮小する。【解決手段】（ａ）リセット・スイッチ（４４）を作動させてフィードバック・キャパシタ（４５）に保持されている全残留信号を放電し、（ｂ）リセット・スイッチを作動停止し、（ｃ）電界効果トランジスタ（４２）を作動させ、（ｄ）電界効果トランジスタ作動中にアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器（２２）から電気信号をサンプリングし、（ｅ）電気信号がサンプリングされた後に、電界効果トランジスタ作動中にリセット・スイッチを作動させてフィードバック・キャパシタに保持されている全残留信号を放電し、（ｆ）リセット・スイッチ作動中に電界効果トランジスタを作動停止し、（ｇ）リセット・スイッチを作動停止し、（ｈ）ステップ（ｃ）〜ステップ（ｇ）を必要に応じて繰り返して所定の放射線画像を得る。【選択図】        図３
2005110220.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器（２２）での読み出し時間を短縮して遅延を縮小するサンプリング方法であって、
（ａ）フィードバック・キャパシタ（４５）に保持されている全残留信号を放電するようにリセット・スイッチ（４４）を作動させるステップと、
（ｂ）前記リセット・スイッチ（４４）を作動停止させるステップと、
（ｃ）電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（４２）を作動させるステップと、
（ｄ）前記電界効果トランジスタ（４２）が作動している状態で、前記アモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器（２２）から電気信号をサンプリングするステップと、
（ｅ）前記電気信号がサンプリングされた後に、前記電界効果トランジスタ（４２）が依然として作動している状態で、前記フィードバック・キャパシタ（４５）に保持されている全残留信号を放電するようにリセット・スイッチ（４４）を作動させるステップと、
（ｆ）前記リセット・スイッチ（４４）が依然として作動している状態で、前記電界効果トランジスタ（４２）を作動停止させるステップと、
（ｇ）前記リセット・スイッチ（４４）を作動停止させるステップと、
（ｈ）所定の放射線画像を得るようにステップ（ｃ）〜ステップ（ｇ）を必要に応じて繰り返すステップと、
を備えたサンプリング方法。
【請求項２】
サンプリングの前にＦＥＴオフ安定化時間を設ける必要性を解消する態様で、前記電界効果トランジスタ（４２）が作動している状態で前記電気信号をサンプリングする、請求項１に記載のサンプリング方法。
【請求項３】
従来のアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器での遅延に比べて遅延を縮小する態様で、前記リセット・スイッチ（４４）が作動している状態で前記電界効果トランジスタ（４２）を作動停止させる、請求項１に記載のサンプリング方法。
【請求項４】
秒当たり３０フレームを超えるフレーム・レートを達成することを可能にする請求項１に記載のサンプリング方法。
【請求項５】
従来のアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器サンプリング方法よりも短い工程時間しか必要としない請求項１に記載のサンプリング方法。
【請求項６】
アモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器（２２）での読み出し時間を短縮して遅延を縮小するシステムであって、ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）オン時間に電気的サンプルを得る手段と、前記電気的サンプルが得られた後にＦＥＴオフ時間に切り換える手段と、ＲＥＳＥＴオン時間が所定の時間にわたって前記ＦＥＴオン時間及び前記ＦＥＴオフ時間の両方に跨がることを可能にする手段と、を備えたシステム。
【請求項７】
前記電気的サンプルを得る前に前記ＦＥＴオフ時間を設ける必要性がないように、前記ＦＥＴオン時間に前記電気信号をサンプリングする、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
従来のアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器での遅延に比べて遅延を縮小するように、前記ＦＥＴオフ時間が前記ＲＥＳＥＴオン時間に開始する、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
秒当たり３０フレームを超えるフレーム・レートを達成することが可能な請求項６に記載のシステム。
【請求項１０】
従来のアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器よりもよりも短い工程時間しか必要としない請求項６に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般的には、医療イメージング・システムに関する。さらに具体的には、本発明は、アモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器に関する。さらに一層具体的には、本発明は、アモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器での読み出し時間を短縮して遅延を縮小するサンプリング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
医学の発展に伴って、新たな先進的医療撮像技術が次々と開発されている。診断手順から放射線治療にわたる応用での高性能医療撮像の重要性は計り知れない。幾つかの高性能医療イメージング・システムは、動的撮像（すなわち運動する事象又は状況の撮像）を可能にする。しかしながら、これらのイメージング・システムは、高フレーム・レート（すなわち≧３０フレーム／秒）での撮像が可能でなければならない。かかるイメージング・システムに、アモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器を用いるものがある。
【０００３】
一般的には、アモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器では、ガラス基材の上にアモルファス・シリコン・アレイを配設し、アモルファス・シリコン・アレイを覆ってシンチレータを配設する。シンチレータがＸ線フォトンを可視光へ変換し、次いでアモルファス・シリコン・アレイが光を電荷へ変換する。次いで、アモルファス・シリコン・アレイ上の各々のピクセルでの電荷を低雑音電子回路によってディジタル式で読み出して画像プロセッサへ送る。この後に、表示器に画像を表示し、また後の検索のためにメモリに画像を記憶させてもよい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
アモルファス・シリコン・アレイは、典型的には横列及び縦列を成して配列されている電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）とフォトダイオードとを含んでおり、ＦＥＴはフォトダイオードの充電を制御するスイッチとして作用する。各々のＦＥＴのソースはフォトダイオードに接続されており、各々のＦＥＴのドレインはデータ線又は接点リードを介して読み出し電子回路に接続されている。
【０００５】
現在のアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器は、撮像に問題を生ずる幾つかの電気的な現象、すなわちメモリ効果及び遅延効果を生ずる。アモルファス・シリコンＦＥＴの性質が不完全であるため、一旦ＦＥＴをオフにすると電荷が一時的にＦＥＴに保持される。この現象はメモリ効果として知られている。この過渡的保持電荷が経時的に流出するすなわち減衰すると、画像プロセッサに送られる信号が損なわれる。従って、一般的には、一旦ＦＥＴがオフになったら、信号サンプリングが生ずる前に一定量の安定化時間を設けることが必要である。この安定化時間は利用可能な全読み出し時間のかなりの部分を占める可能性がある（すなわち場合によっては利用可能な全読み出し時間の１／３を占めることもある）ため、この安定化時間を短縮するか又は排除することにより、信号サンプリングにさらに長時間を割くことができ、且つ／又は工程時間（line time）を短縮することができる。工程時間の短縮は、望ましい高フレーム・レート撮像（すなわち３０フレーム／秒を超える）を達成する鍵となる。
【０００６】
現在のアモルファス・シリコン・フラット・パネル表示器に存在するもう一つの望ましくない特性は、遅延である。遅延効果は、前回の画像フレームから持ち越された残留信号によって生じ、これによりフルオロスコピィのような撮像手法では「ゴースト画像」が生ずる場合がある。一般的には、この遅延効果は、複雑で扱いの難しいソフトウェア補正方式によって管理されている。従って、代わりに、検出器ハードウェア内部の単純で且つ堅牢な手段を介してこの遅延を縮小することができると望ましい。
【０００７】
既存のアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器は撮像制限を有しているため、これらの制限の存在しないアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器を提供できると望ましい。明確に述べると、読み出し時間を短縮してその遅延を縮小するサンプリング方法を利用したアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器を提供できると望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
従って、既存のアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器及び該検出器に関連する信号サンプリングの方法の以上に述べた短所は、本発明の各実施形態によって克服される。本発明のアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器及び信号サンプリング方法は、複雑なコンピュータ方式での実行を必要とせずに読み出し時間を短縮して遅延を縮小する。
【０００９】
本発明の実施形態は、アモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器での読み出し時間を短縮して遅延を縮小するサンプリング方法及びシステムを含んでいる。これらの方法及びシステムは、（ａ）リセット・スイッチを作動させてフィードバック・キャパシタに保持されている全残留信号を放電するステップと、（ｂ）リセット・スイッチを作動停止させるステップと、（ｃ）電界効果トランジスタを作動させるステップと、（ｄ）電界効果トランジスタが作動している状態でアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器から電気信号をサンプリングするステップと、（ｅ）電気信号がサンプリングされた後に、電界効果トランジスタが依然として作動している状態で、リセット・スイッチを作動させてフィードバック・キャパシタに保持されている全残留信号を放電するステップと、（ｆ）リセット・スイッチが依然として作動している状態で、電界効果トランジスタを作動停止させるステップと、（ｇ）リセット・スイッチを作動停止させるステップと、（ｈ）ステップ（ｃ）〜ステップ（ｇ）を必要に応じて繰り返して所定の放射線画像を得るステップと、を含んでいる。
【００１０】
実施形態では、サンプリングの前にＦＥＴオフ安定化時間を設ける必要性を解消する態様で、電界効果トランジスタが作動している状態で電気信号をサンプリングする。実施形態では、従来のアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器での遅延に比べて遅延を縮小する態様で、リセット・スイッチが作動している状態で電界効果トランジスタを作動停止させる。これらのサンプリング方法は、秒当たり３０フレームを超えるフレーム・レートを達成することを可能にして、従来のアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器サンプリング方法よりも短い工程時間しか必要としない。
【００１１】
本発明はまた、アモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器での読み出し時間を短縮して遅延を縮小するサンプリング方法及びシステムを含んでいる。これらの方法及びシステムは、ＦＥＴオン時間に電気的サンプルを得るステップと、電気的サンプルが得られた後にＦＥＴオフ時間に切り換えるステップと、ＲＥＳＥＴオン時間が所定の時間にわたってＦＥＴオン時間及びＦＥＴオフ時間の両方に跨がることを可能にするステップと、を含んでいる。
【００１２】
実施形態では、電気的サンプルを得る前にＦＥＴオフ時間を設ける必要性がないように、ＦＥＴオン時間に電気信号をサンプリングする。実施形態では、ＦＥＴオフ時間はＲＥＳＥＴオン時間に開始して、従来のアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器での遅延に比べて遅延を縮小する。これらのサンプリング方法は、秒当たり３０フレームを超えるフレーム・レートを達成することを可能にして、従来のアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器サンプリング方法よりも短い工程時間しか必要としない。
【００１３】
本発明のさらに他の特徴、観点及び利点は、当業者には以下の記載からさらに容易に明らかとなろう。以下では、本発明の幾つかの好ましい形態を図示した図面を参照する。図面では類似の参照符号は全図面を通して類似の部材を表わしている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、様々な図面を参照して本発明のシステム及び方法を説明する。
【００１５】
本発明の理解を促す目的のために、図１〜図５に示されているような本発明の幾つかの好適実施形態を参照し、またこれらを記述する特定の言語を参照する。本書で用いられる術語は説明を目的とするものであって限定するものではない。本書に開示する特定の構造的詳細及び作用の詳細は限定するものと解釈すべきではなく、単に当業者に本発明を様々に用いることを教示するための典型例としての請求項の基礎を成すものとして解釈すべきである。図示したサポート構造及び方法のあらゆる改変又は変形、並びに本書に記載する本発明の原理のさらなる応用で当業者に通常想到されるようなものは、本発明の範囲内に含まれると見做される。
【００１６】
本発明は、アモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器での読み出し時間を短縮して遅延を縮小するサンプリング方法に関する。本発明は新たな読み出し方法を利用しており、この方法ではＦＥＴオン時間にサンプルを採取して、サンプルを得た後にＦＥＴオフへの切り換えが生じ、これにより読み出し時間を短縮する。加えて、ＦＥＴオン状態及びＦＥＴオフ状態の両方がＲＥＳＥＴオン時間と重なり合う比較的短い時間を設け、これにより多くのアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器に広く見受けられる遅延を縮小する。
【００１７】
図１について説明する。同図には、本発明の実施形態において用いられる例示的なアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器２２が示されている。一般的には、単一部材のガラス基材７６の上に縦列電極６８及び横列電極７０が配設されており、これによりアモルファス・シリコン・アレイ７８が画定されている。アモルファス・シリコン・アレイ７８は、フォトダイオード４１と電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）４２とから成るアレイを含んでいる。アモルファス・シリコン・アレイ７８を覆ってシンチレータ８０が配設されている。シンチレータ８０は線量効率の高いヨウ化セシウムシンチレータで構成されることができ、動作時にはＸ線を受光して、Ｘ線に含まれるＸ線フォトンを可視光へ変換する。高フィル・ファクタ（有効面積率）のアモルファス・シリコン・アレイ７８では、内部の各々のフォトダイオードがピクセルに相当しており、光を電荷へ変換する。次いで、各々のピクセルでの電荷を低雑音電子回路によって（接点フィンガ８２及び接点リード８４を介して）ディジタル式で読み出して画像プロセッサ２８へ送る。
【００１８】
図２について説明する。同図には、本発明の実施形態において用いられるＸ線システムの構造概念を示す模式図が示されている。Ｘ線システムは一般的には、Ｘ線源１５と、Ｘ線検出器２２と、検出器２２を動作させる電子回路を含んだＸ線検出器制御器２７とを含んでいる。動作時には、Ｘ線１７がＸ線源１５から、シンチレータ８０及びアモルファス・シリコン・アレイ７８（フォトダイオード４１と電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）４２とを含む）を含んだＸ線検出器２２に向かって照射される。Ｘ線１７は、撮像対象（すなわち患者）を透過した後にシンチレータ８０に入射し、シンチレータ８０はＸ線に含まれるＸ線フォトンを可視光へ変換する。次いで、可視光はフォトダイオード４１のアレイによって電荷へ変換される。各々のフォトダイオード４１は、シンチレータによって発生される可視光の大部分を確実に受光するのに十分な面積を有する。各々のフォトダイオード４１はまた、比較的大きいキャパシタンスを有しており、フォトン励起から生ずる電荷を記憶することを可能にしている。次いで、電荷を画像プロセッサ２８へ送り、ここで画像信号を処理して強調する。次いで、処理済の画像を陰極線管表示器３２若しくは他の適当な表示器に表示してもよいし、且つ／又は画像を後の検索のために大容量記憶装置３０に記憶させることもできる。画像プロセッサ２８はまた、輝度制御信号を発生して照射制御回路３４に印加して電源１６を調節し、これによりＸ線源１５を調節する。Ｘ線システムの全体的な動作はシステム制御器３６によって制御されており、システム制御器３６は操作者インタフェイス３８から命令を受け取ることができる。操作者インタフェイス３８は、キーボード、タッチパッド又は他の適当な入力装置を含んでいてよい。付設されている陰極線管表示器３２（又は他の適当な表示器）によって、操作者は再構成画像及び画像プロセッサ２８からのその他のデータを観察することができる。操作者が供給した命令及びパラメータは、システム制御器３６によって用いられて、画像プロセッサ２８、Ｘ線検出器制御器２７及び／又は照射制御回路３４へ制御信号及び情報を供給することができる。
【００１９】
本発明の実施形態は、システム制御器３６で走行するソフトウェア又はファームウェアを利用して、本発明の方法及びシステムにおけるデータの処理を実行することができる。マウス又はポインティング・デバイスを用いてデータ及び／又は画像位置の入力を容易にすることができる。本発明の他の実施形態は、メモリ、及び／又は画像を記憶し若しくは印刷する印刷能力を有する汎用コンピュータやワークステーションを用いていてもよい。適当なメモリ装置は周知であり、限定しないがＲＡＭ、ディスクケット、ハード・ドライブ及び光媒体等がある。
【００２０】
図３について説明する。同図には、本発明の実施形態において用いられるピクセル及び読み出し電子回路を図示した単純化した等価回路図４０が示されている。ここに示すように、ピクセルはフォトダイオード４１及び走査スイッチ４２（実際にはＦＥＴである）によって表わされ、参照番号５０は、パネルとパネルの背後の電子回路との間の境界を表わしている。データ線４３が各々のピクセルを読み出し回路のサーキットリに接続している。読み出し回路は、演算増幅器電荷積算器４９と、続いてサンプル・アンド・ホールド（sample and hold）回路４６とを含んでいる。一般的には、読み出しサイクルは、リセット・スイッチ４４を短時間閉じることにより発生されるリセット・パルスで開始し、これにより前回の読み出しサイクルから持ち越されたフィードバック・キャパシタ４５の信号が放電される。次いで、ＦＥＴオン時間に（すなわち走査スイッチ４２が閉じているときに）ピクセル信号がフィードバック・キャパシタ４５に積算される。ＦＥＴをオフに切り換えた後に（すなわち走査スイッチ４２を開いた後に）、積算器出力がサンプル・キャパシタ４７にサンプリングされる。この過程は本質的に、完全サイクル型サンプリング方法である。というのは、ＦＥＴのオン／オフの完全な１サイクルの後にサンプルが採取されるからである。フィードバック・キャパシタ４５に記憶される最終的な信号は、ピクセル電荷と、ＦＥＴオン過渡電荷及びＦＥＴオフ過渡電荷とを含み、これらの信号はＦＥＴのゲート電極からのデータに容量結合されている。ＦＥＴオン過渡電荷及びＦＥＴオフ過渡電荷は、大きさが等しく極性が反対であるので、最終的な信号では互いに相殺して極く狭域のオフセット分散を結果として生ずる。この回路はまた、２箇所の接地４８を含んでいる。
【００２１】
この完全サイクル型サンプリング方法では、一旦ＦＥＴがオフになったら（すなわち走査スイッチ４２が開いたら）、電荷はＦＥＴに一時的に保持される。この過渡的保持電荷が経時的に流出するすなわち減衰すると、画像プロセッサに送られる信号が損なわれる。従って、信号サンプリングが生ずる前に一定量の安定化時間を設けることが必要である。この安定化時間は利用可能な全読み出し時間のかなりの部分を占める可能性がある（すなわち場合によっては利用可能な全読み出し時間の１／３を占めることもある）ため、この安定化時間を短縮するか又は排除することにより、信号サンプリングにさらに長時間を割くことができ、且つ／又は工程時間を短縮することができる。工程時間の短縮は、望ましい高フレーム・レート撮像（すなわち３０フレーム／秒を超える）を達成する鍵となる。
【００２２】
図４について説明する。同図には、従来のサンプリング方式のタイミング６０を示すタイミング図が示されている。一般的には、既存のアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器では、読み出しサイクルは、リセット・スイッチを閉じて（参照番号６１）前回の読み出しサイクルからフィードバック・キャパシタ４５に持ち越された可能性のあるあらゆる信号を放電することにより開始する。この後に、サンプリング／走査は一般的には、約２０μ秒間にわたって行なわれる（すなわちＦＥＴが約２０μ秒間にわたってオンとなっているように走査スイッチを閉じる（参照番号６２）ことにより）。この後に、約１０μ秒間〜２０μ秒間の安定化時間が必要である（すなわちＦＥＴが約１０μ秒間〜２０μ秒間にわたってオフとなるように走査スイッチを開く（参照番号６３））。次いで、信号をサンプリングする直前に、サンプル・アンド・ホールド・スイッチを閉じて（参照番号６４）、電流がサンプル・キャパシタ４７に流れるようにする。一旦、時刻＝ｔ＋１に信号サンプルが得られたら（参照番号６５）、リセット・スイッチを再び閉じて（参照番号６１）、次回の読み出しサイクルを開始する前にフィードバック・キャパシタ４５の信号を放電することができる。次いで、以上に記載した同じサイクルを繰り返す。
【００２３】
図５について説明する。同図には、本発明の実施形態において用いられる新規のサンプリング方式のタイミング９０を示すタイミング図が示されている。本発明では、読み出しサイクルは、リセット・スイッチを閉じて（参照番号９１）、前回の読み出しサイクルからフィードバック・キャパシタ４５に持ち越された可能性のあるあらゆる信号を放電することにより開始する。この後に、サンプリング／走査は一般的には、約２０μ秒間にわたって行なわれる（すなわちＦＥＴが約２０μ秒間にわたってオンとなっているように走査スイッチを閉じる（参照番号９２）ことにより）。本発明では、安定化時間は必要とされず、ＦＥＴオン過渡電荷はサンプリング前には相殺されない。信号がサンプリングされる直前に、ＦＥＴが依然としてオンとなっている状態（参照番号９２）で、サンプル・アンド・ホールド・スイッチを閉じて（参照番号９４）、電流がサンプル・キャパシタ４７に流れるようにする。サンプル・アンド・ホールド・スイッチが再び開いたら（参照番号９６）直ちに、ＦＥＴが依然としてオンになっている状態で時刻＝ｔ＋１に信号がサンプリングされる（参照番号９５）。信号サンプルが得られた（参照番号９５）直後に、リセット・スイッチを再び閉じて（参照番号９１）、次回の読み出しサイクルを開始する前にフィードバック・キャパシタ４５の信号を放電することができる。この後短時間の後に、リセット・スイッチが依然として閉じている状態で、ＦＥＴがオフになるように走査スイッチを再び開くことができる（参照番号９３）。次いで、以上に記載した同じサイクルを繰り返す。
【００２４】
図５に示すように、本発明のサンプリング方式では、ＦＥＴオン９２及びＦＥＴオフ９３の両方が、閉じた状態のリセット・スイッチ（参照番号９１）と重なり合う短い時間（参照番号９７）を設ける。これにより、ＦＥＴオフ安定化時間を設ける必要性が解消されている。加えて、リセット・スイッチが閉じている状態（参照番号９１）でＦＥＴをオフに切り換える（参照番号９３）ことにより、図４に示すサンプリング方式に比べて遅延が大幅に縮小する。さらに、従来のサンプリング方式（図４）に必要とされていた工程時間は、本発明のサンプリング方式（図５）に必要とされる工程時間よりも遥かに長い。従って、本発明のサンプリング方式は、さらに高いフレーム・レート（すなわち３０フレーム／秒を超える）での撮像を可能にする。
【００２５】
図４及び図５に示すように、本発明は、従来のアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器に比べて読み出し時間を短縮して遅延を縮小する。本発明では、ＦＥＴオン時間９２にフィードバック・キャパシタ４５にピクセル信号が積算され、このことについては図４に示す完全サイクル型サンプリング方法と同じである。しかしながら、本発明では、サンプリング９５はＦＥＴが依然としてオンになっている状態（参照番号９２）で生じ、ＦＥＴオフへの切り換え（参照番号９３）は、サンプルが得られた後に始めて生ずる。このことは本質的には、図４に示す完全サイクル型サンプリング方法に対して半サイクル型サンプリング方法となる。本発明では、フィードバック・キャパシタ４５に記憶される最終的な信号は、ピクセル電荷とＦＥＴオン過渡電荷とを含んでいるが、ＦＥＴオフ過渡電荷は含まない。本発明では安定化時間は最早必要でないため、信号サンプルを得るのに必要とされる工程時間は、従来の方法で必要とされていたものよりも大幅に短くなる。
【００２６】
以上に述べたように、本発明は、既存のアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器システム及び方法で現状で可能であるよりも短い読み出し時間を得ることを可能にする。加えて、遅延は本発明によって縮小する。有利な点として、本発明を実施するために、既存のアモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器システム及び方法に対する改変があったとしても僅かな改変しか必要でなく、これによりこの解決法が特に魅力あるものとなっている。本発明と同じ利点及び単純さを提供する容易に明らかとなる解決法は存在していない。その他多くの利点も当業者には明らかであろう。
【００２７】
本発明が満たす様々な必要性の満足について本発明の様々な実施形態を説明した。これらの実施形態は本発明の様々な実施形態の原理を例示するに過ぎないことを理解されたい。当業者には、本発明の要旨及び範囲から逸脱しない多数の改変及び適応構成が明らかであろう。本発明の手法は、本発明の要旨及び範囲から逸脱しない多くの異なる方法で実行することができ、かかる全ての変形は、本書で網羅されているものとする。このため、本発明は特許請求の範囲及びその均等構成に相当する全ての適当な改変及び変形を網羅するものとする。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施形態において用いられる単一部材のアモルファス・シリコン・フラット・パネルの構成要素を示す模式図である。
【図２】本発明の実施形態において用いられるＸ線システムの構造概念を示す模式図である。
【図３】本発明の実施形態において用いられるピクセル及び読み出し電子回路を示す単純化した等価回路図である。
【図４】従来のサンプリング方式のタイミングを示すタイミング図である。
【図５】本発明の実施形態において用いられるサンプリング方式のタイミングを示すタイミング図である。
【符号の説明】
【００２９】
１７  Ｘ線
２２  アモルファス・シリコン・フラット・パネルＸ線検出器
３２  陰極線管表示器
４０  等価回路図
４１  フォトダイオード
４２  電界効果トランジスタ（走査スイッチ）
４３  データ線
４４  リセット・スイッチ
４５  フィードバック・キャパシタ
４６  サンプル・アンド・ホールド回路
４７  サンプル・キャパシタ
４８  接地
４９  演算増幅器電荷積算器
５０  パネルと電子回路との間の境界
６０  従来のサンプリング方式のタイミング
６１  リセット・スイッチを閉じる
６２  走査スイッチを閉じる
６３  走査スイッチを開く
６４  サンプル・アンド・ホールド・スイッチを閉じる
６５  サンプルを得る
６８  縦列電極
７０  横列電極
７６  ガラス基材
７８  アモルファス・シリコン・アレイ
８０  シンチレータ
８２  接点フィンガ
８４  接点リード
９０  本発明のサンプリング方式のタイミング
９１  リセット・スイッチを閉じる
９２  走査スイッチを閉じる
９３  走査スイッチを開く
９４  サンプル・アンド・ホールド・スイッチを閉じる
９５  信号をサンプリングする
９６  サンプル・アンド・ホールド・スイッチを開く
９７  ＦＥＴオン及びＦＥＴオフとリセット・スイッチの閉との重なり
【図１】
2005110220.tif 000003
【図２】
2005110220.tif 000004
【図３】
2005110220.tif 000005
【図４】
2005110220.tif 000006
【図５】
2005110220.tif 000007
【外国語明細書】
2005110220000001.pdf