(57)【要約】【課題】ピンチャック盤の各支持ピン先端面等の小被検面からの反射光が光検出面に到達することは許容し他の部分からの反射光が到達することは抑制する不要光除去手段を設けて、小被検面に全体的に接する仮想接面の形状に対応した干渉縞情報を得ることにより、小被検面の高さ方向に対する全体的な位置分布を測定できるようにする。【解決手段】不要光除去手段としての遮光マスク１９が基準板２１の裏面２１ｂに設置される。光検出面２７は複数の検出単位領域に分割されており、それらの各々に、各支持ピン５３の先端面５５の像が形成されるようになっている。検出単位領域ごとに平均化されて検出された各光強度に基づき、各先端面５５に接する仮想接面の各部分の位相をそれぞれ求め、これら各位相に基づき仮想接面の全体的な形状に対応した干渉縞情報を得る。【選択図】          図１
2005274317.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準仮想面上に所定の配置パターンで位置するように形成された小被検面を有する被検体、および干渉計の基準面に測定光を照射し、前記小被検面からの反射光と前記基準面からの反射光とを合波して干渉光を得る干渉光学系と、前記干渉光の光強度分布を検出する光検出面とを備えた干渉計装置であって、
前記干渉光学系の光路中において、前記小被検面からの反射光が前記光検出面に到達することは許容し他の部分からの反射光が前記光検出面に到達することは抑制する、および／または前記小被検面からの反射光と合波される前記基準面からの反射光が前記光検出面に到達することは許容し前記他の部分からの反射光と合波される前記基準面からの反射光が前記光検出面に到達することは抑制する不要光除去手段と、
前記光検出面上に分割設定された複数の検出単位領域の各々に、前記小被検面の像の少なくとも一部分が形成されるようにする像形成調整手段と、
前記検出単位領域ごとに平均化されて検出された各光強度に基づき、前記小被検面に接する仮想接面の形状に対応した干渉縞情報を得る干渉縞情報取得手段とを備えていることを特徴とする仮想接面測定用の干渉計装置。
【請求項２】
前記干渉縞情報取得手段は、前記各光強度に基づき前記仮想接面の前記各検出単位領域に対応する各部分の位相をそれぞれ求め、これら各位相に基づき前記仮想接面の全体的な位相分布を求め、これにより前記干渉縞情報を得るように構成されていることを特徴とする請求項１記載の仮想接面測定用の干渉計装置。
【請求項３】
前記不要光除去手段が、前記小被検面からの反射光または該反射光と合波される前記基準面からの反射光が前記光検出面に到達することを許容する開口を、前記配置パターンに対応した位置に備えていることを特徴とする請求項１または２記載の仮想接面測定用の干渉計装置。
【請求項４】
前記不要光除去手段が、前記干渉光学系の光路に対して出し入れ可能に構成されていることを特徴とする請求項１〜３までのうちいずれか１項記載の仮想接面測定用の干渉計装置。
【請求項５】
マイケルソン型の干渉計装置であって、
前記不要光除去手段が前記基準面上に設置されていることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項記載の仮想接面測定用の干渉計装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は形状測定用の干渉計装置に関し、特に半導体ウエハ等を真空手段や静電手段等の吸着手段で裏面から吸着して所定位置に保持するための矯正用ウエハチャック装置（以下、「チャック盤」と称する）において、吸着目的物の裏面に接触して吸着目的物を支持する複数の接触部の各先端面の高さ方向（先端面に垂直な方向）に対する均一性の測定等に利用可能な干渉計装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ保持用のチャック盤として真空チャック盤が知られている。これは、高精度に平面加工された基盤に複数の通気穴あるいは通気溝を設けて、その上に載置した半導体ウエハを裏面から支持して、通気穴あるいは通気溝を通じて排気することで半導体ウエハを大気圧により基盤に吸着固定するものである。
【０００３】
この真空チャック盤を用いて半導体ウエハを支持した場合に、基盤に設けられた複数の通気穴あるいは通気溝以外の接触部と半導体ウエハとの間に塵埃粒子等が挟み込まれると、その部分が盛り上がってしまいパターン露光時にパターンずれやピント外れなどの問題を引き起こすことがある。このために、接触部の面積をなるべく少なくして粒子の挟み込みを回避することを目的に、接触部を複数の突起状にしたチャック盤（以下、「ピンチャック盤」と称する）が使われるようになってきている（下記特許文献１参照）。
【０００４】
ピンチャック盤としては、基盤のウエハ支持面側に開口した真空室中に林立する複数の支持ピンを備え、各支持ピンの先端面で半導体ウエハを裏面側から支持しつつ真空室の排気を行ない各支持ピン上に吸着固定する真空チャック盤や、電極板を埋め込んだ誘電体基板上に形成された林立する複数の微小突起を備え、電極板と突起上に載置された半導体ウエハとの間に電位差を与えることで発生するクーロン力等によって、半導体ウエハを微小突起に吸着する静電チャック盤などが知られている。このようなピンチャック盤においては、ウエハとの接触面積が小さいためウエハとこれに接触する支持ピン（あるいは小突起）の先端面との間にゴミ等が挟持される可能性が少なくなり良好な平面性を得ることができるようになる。
【０００５】
これらの各支持ピンの先端面は半導体ウエハとの密着性を高めるため鏡面状態に研磨されており、また吸着保持した半導体ウエハの表面が高精度な平面となるように、各先端面は仮想の平面（基準仮想面）上に均一に揃うように形成されている（下記特許文献１，２，３参照）。
【０００６】
このようなピンチャック盤においては、縮小露光時の線幅や縮小露光光学系の焦点深度の関係から、各支持ピン先端面の高さ位置のばらつきが全体として数μｍ以下に収まるような精度が求められている。このような要求に応えるため、ピンチャック盤の作製過程あるいは作製後において、各支持ピン先端面の高さ位置の全体的ばらつきを高精度に測定することができる測定装置が求められている。
【０００７】
従来、このようなピンチャック盤における各支持ピン先端面の高さ位置の均一性を、干渉計を用いて間接的に測定する方法が知られている。この方法は、形状測定の基準となる基準ウエハをピンチャック盤に吸着保持させ、各支持ピン先端面の高さ位置分布に沿って変形する基準ウエハの表面形状を干渉計により測定するものである（下記特許文献１，３参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開昭５７−０３４３３６号公報
【特許文献２】特開２０００−１９５９３１号公報
【特許文献３】特開２０００−１４６５５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、このような測定方法においては、測定に際し基準ウエハをピンチャック盤により吸着保持させることが必要であり、また可能性は低いものの、基準ウエハと支持ピン先端面との間に塵埃等が挟持されることにより基準ウエハが変形し測定精度が大きく低下する虞があるなど、特にインプロセス測定には向かないという問題を有している。
【００１０】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、基準仮想面上に所定の配置パターンで位置するように形成された小被検面を有するピンチャック盤等の被検体において、複数の小被検面の高さ方向に対する均一性を高精度に測定することが可能な仮想接面測定用の干渉計装置を提供することを目的とする。
渉計装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る仮想接面測定用の干渉計装置は、被検体および干渉計の基準面に測定光を照射し、被検体からの反射光と基準面からの反射光とを合波して干渉光を得る干渉光学系と、干渉光の光強度分布を検出する光検出面とを備えた干渉計装置において、基準仮想面上に所定の配置パターンで位置するように形成された複数の小被検面に接する仮想接面の形状を測定するため以下の構成を備えている。
【００１２】
すなわち、本発明に係る仮想接面測定用の干渉計装置は、前記干渉光学系の光路中において、前記小被検面からの反射光が前記光検出面に到達することは許容し他の部分からの反射光が前記光検出面に到達することは抑制する、および／または前記小被検面からの反射光と合波される前記基準面からの反射光が前記光検出面に到達することは許容し前記他の部分からの反射光と合波される前記基準面からの反射光が前記光検出面に到達することは抑制する不要光除去手段と、前記光検出面上に分割設定された複数の検出単位領域の各々に、前記小被検面の像の少なくとも一部分が形成されるようにする像形成調整手段と、前記検出単位領域毎に平均化されて検出された各光強度に基づき、前記仮想接面の形状に対応した干渉縞情報を得る干渉縞情報取得手段とを備えていることを特徴とする。
【００１３】
本発明において、前記干渉縞情報取得手段は、前記各光強度に基づき前記仮想接面の前記各検出単位領域に対応する各部分の位相をそれぞれ求め、これら各位相に基づき前記仮想接面の全体的な位相分布を求め、これにより前記干渉縞情報を得るように構成されたものとすることができる。
【００１４】
また、前記不要光除去手段に関しては、前記小被検面からの反射光または該反射光と合波される前記基準面からの反射光が前記光検出面に到達することを許容する開口を、前記配置パターンに対応した位置に備えた構成とすることや、前記干渉光学系の光路に対して出し入れ可能に構成することができる。
【００１５】
また、本発明をマイケルソン型の干渉計装置に適用する場合、前記不要光除去手段は前記基準面上に設置することが好ましい。
【００１６】
なお、本発明は、上記被検体の被検領域が互いに分離した複数の小被検面で構成される場合の他に、上記被検領域が、極めて幅が細く長さの長い１つの小被検面で構成される場合でも、その小被検面が上記基準仮想面上を蛇行するように分布するような場合あるいは渦巻き状に分布するような場合等に対して適用することができる。また、小被検面の形状については、円形や正方形のものに拘るものではなく、直線状や曲線状のものなど種々の形状の場合を含む。
【００１７】
また、上記基準仮想面は平面に限定されない。球面、非球面など光干渉計測可能な種々の曲面で形成される場合を含む。
【００１８】
また、上記仮想接面が「小被検面に接する」とは、被検体の被検領域が、極めて幅が細く長さの長い蛇行あるいは渦巻き状等に分布した１つの小被検面で構成される場合は小被検面の各部分に連続的に接することを意味し、小被検面が複数ある場合は各小被検面に連続的に接することを意味する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る仮想接面測定用の干渉計装置によれば、上記構成を備えていることにより、ピンチャック盤の各支持ピン先端面のように所定面上に位置するように形成された複数の小被検面の高さ方向に対する全体的な位置分布（均一性）を、各小被検面に接する仮想接面の形状に対応した干渉縞を得ることによって高精度に測定することが可能となる。
【００２０】
また、本発明に係る仮想接面測定用の干渉計装置は、小被検面からの反射光と基準面からの反射光とが合波されてなる干渉光の強度を検出して、小被検面に全体的に接する仮想接面の形状を示す干渉縞情報を得るので、小被検面上に基準ウエハ等の介在物を設置する必要がなく被検体のインプロセス測定に適している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
まず図１に基づいて、本発明の一実施形態に係る仮想接面測定用の干渉計装置の構成について概略的に説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係る仮想接面測定用の干渉計装置の概略構成図である。
【００２２】
図１に示す仮想接面測定用の干渉計装置（以下、単に「干渉計装置」と称することがある）１０は、レーザ光源等の可干渉距離の長い光源１１を搭載したフィゾー型の干渉計装置であり、光源１１から射出された光の進む順に配置された、拡大レンズ１３，ビームスプリッタ１５，コリメータレンズ１７，遮光マスク１９，基準板２１，およびビームスプリッタ１５の上方に配置された結像レンズ２５からなる干渉光学系と、ＣＣＤやＣＭＯＳ等の固体撮像素子からなる光検出面２７を有する撮像手段２９とを備えている。また、干渉計装置１０は、被検体５０を載置する載置台２３と、撮像手段２９における結像倍率の調整や画像処理等の各種演算を行なうコンピュータを含むコントローラ３１と、干渉縞画像等を表示するモニタ装置３３と、コントローラ３１に対する各種入力を行なうための入力装置３５とを備えている。なお、図示されていないが基準板２１には、フリンジスキャン計測を実施する際に基準板２１を光軸方向に微動させるためのフリンジスキャンアダプタが設けられている。
【００２３】
図１に示す被検体５０は、半導体ウエハ保持用のピンチャック盤であり、円板上の基板５１上に林立する複数の支持ピン５３を備えている。各支持ピン５３の先端面５５は本発明における小被検面に相当するものであり、それぞれが鏡面状態に研磨されているとともに、吸着保持した半導体ウエハの平面性を維持するため各先端面５５の高さ位置は所定の仮想平面（基準仮想面）上に揃うように形成されている。
【００２４】
本実施形態の干渉計装置１０は、このような支持ピン５３の各先端面５５の高さ方向に対する全体的な位置分布（高さ位置のばらつき）を、各先端面５５に接する仮想の接面（仮想接面）を想定しその形状に対応する干渉縞情報を得ることにより測定するものであり、上記遮光マスク１９はこのような干渉縞情報を良好に得る（干渉縞のコントラストを良くする）ために設置されている。
【００２５】
すなわち、この遮光マスク１９は、干渉光学系の光路中において、上記各支持ピン５３の先端面５５からの反射光が前記光検出面に到達することは許容し他の部分からの反射光が前記光検出面に到達することは抑制する不要光除去手段を構成するものであり、上記支持ピン５３の径よりも若干大きい径を有する複数の開口１９ａを備えている。この遮光マスク１９においては、各開口１９ａに入射した光の通過は許容される一方で、開口１９ａを除く他の部分に入射した光は吸収および／または反射されることによりその通過が抑制されるようになっている。
【００２６】
また、遮光マスク１９は光路に対して出し入れ可能に構成されており、上記複数の開口１９ａは、上記各先端面５５の上記基準仮想面上での配置パターンと一致するように設けられている。すなわち、遮光マスク１９は、ピンチャック盤を測定する場合に上記基準板２１の上面２１ｂに設置され、その際上記各開口１９ａが上記各先端面５５の真上に位置するように調整がなされる。一方、他の被検体を測定する際には遮光マスク１９は光路中から退避される。なお、支持ピンの配置パターンが互いに異なる複数のピンチャック盤を測定するような場合には、その配置パターンの違いに対応した複数の遮光マスクを用意しておき、測定時に適合する遮光マスクに交換することも可能である。
【００２７】
なお、上記各開口１９ａの大きさは、遮光マスク１９が正しく配置された状態において、上記各先端面５５からの反射光の多くの部分が各開口１９ａを通過して上記光検出面２７に到達する一方、上記基板５１からの反射光の多くは光検出面２７に到達しないように設定される。このためには、開口１９ａと支持ピン先端面５５の大きさが略一致していることが好ましいが、一般にピンチャック盤の基板表面は粗面状態であり、基板表面からの反射光の強度は支持ピン先端面５５からの反射光の強度に比べてかなり小さくなるので、開口１９ａが若干大きい場合でも十分な測定精度が得られる。
【００２８】
次に、図２および図３に基づいて、上記コントローラ３１の構成および作用について説明する。図２は図１に示すコントローラの概略構成図、図３は光検出面における結像状態の一例を示す図である。
【００２９】
図２に示すようにコントロ−ラ３１は、上記コンピュータ内の演算回路やメモリおよびこのメモリに格納されたプログラム等によってそれぞれ構成されている、像形成調整部３７および干渉縞情報取得部３９を備えている。これらは、本発明の像形成調整手段および干渉縞情報取得手段をそれぞれ構成するものであり、それぞれ以下のように作用する。
【００３０】
すなわち上記像形成調整部３７は、図３に示すように光検出面２７上に分割設定された複数の検出単位領域４１（小矩形で示す。付番一部省略）の各々に、黒丸で示す上記各先端面５５（図１参照）の像（先端面像４３、付番一部省略）の少なくとも一部分が形成されるように、上記撮像手段２９（図１参照）の結像倍率を調整するように構成されている。なお、図３において小矩形で表された複数の領域のうち上記先端面像４３が全く形成されていない領域は上記検出単位領域４１とはならない。この検出単位領域４１は、光検出面２７の１つの画素が１つの検出単位領域４１に対応するようにしてもよいし、隣接する複数（例えば４，９，１６個）の画素を１組として１つの検出単位領域４１に対応するようにしてもよい。なお、図３において小リング状に示されている部分は、上記各開口１９ａ（図１参照）の像（開口像４５、付番一部省略）であり、大円状に示されている部分は、上記基板５１（図１参照）の像（基板像４７）である。
【００３１】
また、上記干渉縞情報取得部３９は、上記各検出単位領域４１に対応する上記仮想接面の各部分の位相をそれぞれ求め、これら各位相に基づき上記仮想接面の全体的な位相分布を求めるように構成されている。なお、この位相分布算定は、フリンジスキャン計測の手順に基づいて行なわれる。
【００３２】
フリンジスキャン計測では、干渉計の基準面からの反射光と被検面からの反射光の位相差を段階的に変化させ、各段階で得られた干渉縞の強度分布に対して所定の演算を施すことによって、干渉縞の各小部分に対応した位相を算定することができる。本実施形態においては、図１に示す基準板２１の基準面２１ａの位置を光軸方向に移動させることにより、基準面２１ａからの反射光と各支持ピン５３の先端面５５からの反射光との位相差を微調整し、調整ごとに光検出面２７において上記検出単位領域４１ごとに光強度を平均化して検出する（光検出面２７の１つの画素が１つの検出単位領域４１に対応する場合には通常の検出過程においてこの平均化がなされるが、隣接する複数の画素が１つの検出単位領域４１に対応する場合には複数の画素がそれぞれ検出した光強度をソフト的に平均化処理する）。
【００３３】
図３に示す各先端面像４３上には、上記基準面２１ａからの反射光と上記各先端面５５からの反射光との干渉光による干渉縞情報が重畳されており、このため、フリンジスキャン計測の各段階において各先端面像４３における光強度は変化する。一方、先端面像４３以外の部分の光強度は、フリンジスキャン計測の各段階において変化しない。したがって、フリンジスキャン計測の各段階において上記検出単位領域４１ごとに平均化された光強度情報には、各検出単位領域４１に含まれる各先端面像４３の平均化された位相情報が重畳されることとなり、通常のフリンジスキャン計測と同様の演算処理を実施することにより、各検出単位領域４１に対応する上記仮想接面の各部分の位相をそれぞれ求めることができ、これら各位相に基づき上記仮想接面の全体的な位相分布を求めることができる。
【００３４】
なお、このような位相分布算定が可能となるためには、隣接する各検出単位領域４１にそれぞれ含まれる各先端面像４３に対応する各先端面５５（図１参照）の高さ位置のばらつきが測定光の波長の４分の１未満であることが前提となる。半導体ウエハ保持用のピンチャック盤は、一般的にこのような条件を満たしている。
【００３５】
また、上記干渉縞情報取得部３９は、求められた上記仮想接面の全体的な位相分布に基づき、この仮想接面の形状に対応した干渉縞情報を得るように構成されている。すなわち干渉縞情報取得部３９は、隣接する各検出単位領域４１に対応して求められた位相は略連続するものとしてアンラップ処理を行ない、仮想接面の形状に対応した干渉縞画像を形成したり、仮想接面の形状解析を行なったりしてその結果を上記モニタ装置３３（図１参照）に表示する。この得られた干渉縞情報に基づき、各支持ピン先端面の高さ方向に対する全体的な位置分布を求めることができる。上述したように本実施形態装置によれば、測定に際し従来技術においては必要とされる基準ウエハを吸着保持させる必要がないので、基準ウエハと各支持ピン先端面との間に塵埃等が介在する虞がなく高精度な測定を行なうことが可能であり、特にインプロセス測定に適している。
【００３６】
なお、上記像形成調整部３７において、上記各検出単位領域４１に上記各先端面像４３が同数あるいは同密度ずつ含まれるような調整がなされた場合には、フリンジスキャン計測を実施しない場合においても、検出単位領域４１ごとに平均化されて検出された各光強度に基づき、上記仮想接面の形状に対応した干渉縞情報を得ることが可能となる。
【００３７】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、種々の実施形態をとることが可能である。
【００３８】
例えば上記実施形態においては、光路に対して出し入れ可能な遮光マスクにより不要光除去手段が構成されているが、基準板の基準面やその裏面（コリメータレンズ側の面）にコーティング処理を施すことにより、不要光除去手段を構成することもできる。コーティング処理の態様としては、基準板の裏面全体にＡＲコートを形成するとともに、上記開口（１９ａ）の形成位置に相当する部分以外の領域に吸収型ＮＤコートを積層するものや、基準板の裏面全体にＡＲコートを形成するとともに、基準面において上記開口の形成位置に相当する部分以外の領域にＡＲコートを形成するものを採用することができる。
【００３９】
また、上述の干渉計装置はフィゾー型であるが、本発明は図４に示すようなマイケルソン型等の等光路長型の干渉計装置にも適用することが可能である。等光路長型の干渉計装置に本発明を適用する場合には、不要光除去手段を基準面上に設置する、被検体の支持ピンの先端面上に設置する、あるいはその両方に設置する形態（図４の設置形態）のいずれかを採用可能である。その何れの場合においても、不要光除去手段を基準面あるいは被検面に近接して設置すれば、光検出面における不要光除去手段の像と被検面の像のピントを共に合わせることが可能となる。不要光除去手段を基準面に設置した場合、基準面に設置された不要光除去手段は、干渉光学系の光路中において、小被検面からの反射光と合波される基準面からの反射光が光検出面に到達することは許容し、小被検面以外の他の部分からの反射光と合波される基準面からの反射光が光検出面に到達することは抑制する機能を果たす。また、不要光除去手段を被検面上にも設置した場合は、被検面上の不要光除去手段は、小被検面からの反射光が光検出面に到達することは許容し、小被検面以外の他の部分からの反射光が光検出面に到達することは抑制する機能を果たすので、基準面に設置された不要光除去手段との相乗効果で、一層コントラストの良い干渉縞情報を得ることができる。なお、図４では、上記第１の実施形態と対応する構成部材について、図１中の番号に１００を付加した番号を付している。
【００４０】
また、図５のようなマッハツェンダ型干渉計装置に本発明を適用した場合は、図５（ａ）のように不要光除去手段を設置する以外に、（ｂ），（ｃ），（ｄ）のような配置で被検面あるいは基準面に対して不要光除去手段を設置することも可能である。この場合、光の入射側に設置された不要光除去手段は、基準面あるいは被検面に対する照明光照射範囲を制限する働きをして、基準面あるいは被検面からの反射光が光検出面に到達することは許容しそれ以外の不要光が発生することを抑制することで光検出面に不要光が到達することを抑制する。一方、光の出射側に設置された不要光除去手段は、基準面あるいは被検面からの反射光が光検出面に到達することは許容し、それ以外の不要光が発生する場合に光検出面に不要光が到達することを抑制する機能を発揮する。なお、図５では、上記第１の実施形態と対応する構成部材について、図１中の番号に２００を付加した番号を付している。
【００４１】
また、本出願人は、本願発明者により考案された、インプロセス測定に適した耐振動型干渉計装置を特許庁に対して既に開示している（特願２００３−２９２９６５号明細書）が、本発明はこの耐振動型干渉計装置に適用することも可能である。
【００４２】
また、本発明に係る仮想接面測定用の干渉計装置の測定対象となる被検体は、ピンチャック盤に限られない。基準仮想面上に所定の配置パターンで位置するように形成された単数または複数の小被検面を有する種々の被検体について、ピンチャック盤と同様に測定することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る仮想接面測定用の干渉計装置の概略構成図
【図２】図１に示すコントローラの概略構成図
【図３】図１に示す光検出面における結像状態の一例を示す図
【図４】本発明の第２の実施形態に係る仮想接面測定用の干渉計装置の概略構成図
【図５】本発明の第３の実施形態に係る仮想接面測定用の干渉計装置の概略構成図
【符号の説明】
【００４４】
１０，１１０，２１０    仮想接面測定用の干渉計装置
１１，１１１，２１１    光源
１３，１１３，２１３    拡大レンズ
１５，１１５，２１５    ビームスプリッタ
１７，１１７，１１８，２１７，２１８    コリメータレンズ
１９，１１９，２１９    遮光マスク
１９ａ                  開口
２１，１２１，２２１    基準板
２１ａ，１２１ａ，２２１ａ    基準面
２１ｂ                  基準板の裏面
２３                    載置台
２５，１２５，２２５    結像レンズ
２７，１２７，２２７    光検出面
２９，１２９，２２９    撮像手段
３１                    コントローラ
３３                    モニタ装置
３５                    入力装置
３７                    像形成調整部
３９                    干渉縞情報取得部
４１                    検出単位領域
４３                    先端面像
４５                    開口像
４７                    基板像
５０，１５０，２５０    被検体
５１                    基板
５３                    支持ピン
５５                    先端面（小被検面）
【図１】
2005274317.tif 000003
【図２】
2005274317.tif 000004
【図３】
2005274317.tif 000005
【図４】
2005274317.tif 000006
【図５】
2005274317.tif 000007