(57)【要約】【課題】  インピーダンス変換機構を構成する可変インダクタンスの信頼性を向上する。【解決手段】  プラズマ処理装置は、プラズマ放電を生成する高周波電極とインピーダンス可変電極とを有し、インピーダンスの整合を行う整合器を介して前記高周波電極に高周波電力を印加し、基板を保持する基板保持部材にインピーダンス可変電極を設け、このインピーダンス可変電極をインピーダンスを可変するインピーダンス可変機構２７４を介して接地するように構成される。このインピーダンス可変機構２７４は可変コンデンサＣ0と可変インダクタンスＬ0とから構成される。このうちの可変インダクタンスＬ0は、可変コンデンサＣと第１のコイルＬとの直列回路２５に、第１のコイルＬと相互誘導結合された第２のコイルＬを並列接続した等価回路で構成する。【選択図】  図１
2005235432.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インピーダンスの整合を行う整合器を介して高周波電極に高周波電力を印加してプラズマ放電し、基板を保持する基板保持部材にはインピーダンスを可変するインピーダンス可変機構を介して接地するようにした電極を備え、前記基板保持部材に保持した基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、
前記インピーダンス可変機構は、可変コンデンサと第１のコイルとの直列回路に、前記第１のコイルと相互誘導結合された第２のコイルを並列接続した等価回路で構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置に係り、特に基板保持部材の接地インピーダンスを可変する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４に変形マグネトロン高周波放電型のプラズマ処理装置を示す。プラズマ処理装置は、処理室１０の外周に高周波電極１１を有し、処理室１０の内部に設けた基板保持部材（サセプタ）１２にインピーダンス可変電極１３を内蔵する。高周波電極１１にインピーダンスの整合を行う整合器１４を介して高周波電源１５から高周波電力を印加する。サセプタ１２に内蔵したインピーダンス可変電極１３を、インピーダンスを可変するインピーダンス可変機構１６を介して接地する。処理室１０にガスを供給しつつ排気して、高周波電極１１に高周波電力を印加してプラズマ放電させ、基板２０にプラズマ処理を行う。
【０００３】
サセプタ１２に内蔵されたインピーダンス可変電極１３を接地するインピーダンス可変機構１６は、可変コンデンサＣ1とコイルＬ1とを直列接続し、その一端をアースＥに接続する構成が採用されている。可変コンデンサＣ1を変化させることによりインピーダンス可変電極１３の電位を変化させるようになっている。可変コンデンサＣ1を変化させてインピーダンス可変電極１３の電位を変えることにより、基板２０に流入する高周波エネルギーを調整して、基板処理特性の調整を可能にしている。
【０００４】
ところで、種々の基板処理に対応するためには、インピーダンス可変機構１６のインピーダンス可変範囲を広く取る必要がある。インピーダンス可変範囲を広く取る場合、可変コンデンサＣ1のキャパシタンス可変範囲に加え、コイルＬ1のインダクタンスを可変にする必要がある。
従来、可変インダクタンスを構成する方法として、図５に示す様な、３つの方法が知られている。
【０００５】
図５（ａ）に示す方法１は、コイルＬ1の任意のターンを接触子２１により短絡し、巻数を変更する方法である。図５（ｂ）に示す方法２は、２個のコイルＬ1、Ｌ2を線材２２で可動自在に接続して、一方のコイルＬ2を矢印方向に回転させて鎖交磁束の数を変えたり、一方のコイルＬ2を矢印方向に移動して鎖交磁束を変更する方法である。図５（ｃ）に示す方法３は、各ターンに磁性体２３を挿入して鎖交磁束の数を変えたり、コイルＬ1内部に磁性体２３を挿入して鎖交磁束を変更する方法である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、インダクタンスを変化させる上述した従来の３つの方法では、次のような問題があった。
【０００７】
方法１では、機械的接触部の劣化や、接触子の繰り返し精度の信頼性確保が難しい。方法２では、２個の可動コイルを接続する方法が困難である。低周波では、細い線材で接続できるが、高周波ではある程度の断面積を持った銅板等での接続が必要となり、その場合、コイルの可動が困難になるからである。方法３では、挿入する磁性体のヒステリシス損による発熱・損失が欠点となる。
【０００８】
可変コンデンサは、機械的可動部分はあるものの、可動する電気的接触部は無く、比較的安定な動作であり、多く用いられている。しかし、上述したように可変インダクタンスは、可変コンデンサと比較して、信頼性が乏しいのが現状である。
【０００９】
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、インピーダンス変換機構を構成する可変インダクタンスの信頼性を向上したプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
第１の発明は、インピーダンスの整合を行う整合器を介して高周波電極に高周波電力を印加してプラズマ放電し、基板を保持する基板保持部材にはインピーダンスを可変するインピーダンス可変機構を介して接地するようにした電極を備え、前記基板保持部材に保持した基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、前記インピーダンス可変機構は、可変コンデンサと第１のコイルとの直列回路に、前記第１のコイルと相互誘導結合された第２のコイルを並列接続した等価回路で構成したことを特徴とするプラズマ処理装置である。
【００１１】
可変コンデンサを変化させると、可変コンデンサを含む直列回路に流れる電流が変化して、第１のコイルを介して相互誘導結合された第２のコイルの回路インピーダンスを変化させ、インピーダンス可変機構を構成するコイルのインピーダンスが変化する。したがって、コイルのインダクタンスを可変にすることができるので、インピーダンス可変機構の合成インピーダンスを広く取ることができる。また、等価回路を構成する可変コンデンサを変化させるだけで、コイルのインダクタンスを変化させることができるので、可変インダクタンスとするために接触子や可動部もしくは磁性体を必要とする従来のものに比べて、信頼性を向上させることができる。
【００１２】
第２の発明は、第１の発明において、前記整合器を構成するコイルを、可変コンデンサと第１のコイルとの直列回路に、第１のコイルと相互誘導結合された第２のコイルを並列接続した等価回路で構成したことを特徴とするプラズマ処理装置である。
整合器及びインピーダンス可変機構を構成する可変コンデンサを変化させるだけで、コイルのインダクタンスを変化させることができるので、可変インダクタンスとするために接触子や可動部もしくは磁性体を必要とする従来のものに比べて、信頼性を向上させることができる。
【００１３】
第３の発明は、プラズマ放電を生成する高周波電極とインピーダンス可変電極とを有し、インピーダンスの整合を行う整合器を介して前記高周波電極に高周波電力を印加し、基板を保持する基板保持部材に前記インピーダンス可変電極を設け、このインピーダンス可変電極をインピーダンスを可変するインピーダンス可変機構を介して接地するようにし、前記インピーダンス可変機構を構成するコイルを、可変コンデンサと第１のコイルとの直列回路に、第１のコイルと相互誘導結合された第２のコイルを並列接続した等価回路で構成したプラズマ処理装置を用いて、前記高周波電極に高周波電力を印加してプラズマ放電させ、基板にプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法である。
【００１４】
インピーダンス可変機構を構成する可変コンデンサを変化させるだけで、コイルのインピーダンスを変化させることができるので、可変インダクタンスとするために接触子や可動部もしくは磁性体を必要とする従来のものに比べて、信頼性の高いプラズマ処理を行うことができる。
【００１５】
第４の発明は、第３の発明において、前記整合器を構成するコイルを、可変コンデンサと第１のコイルとの直列回路に、第１のコイルと相互誘導結合された第２のコイルを並列接続した等価回路で構成したプラズマ処理装置を用いて、前記高周波電極に高周波電力を印加してプラズマ放電させ、基板にプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法である。
【００１６】
インピーダンス可変機構及び整合器を構成する可変コンデンサを変化させるだけで、コイルのインピーダンスを変化させることができるので、可変インダクタンスとするために接触子や可動部もしくは磁性体を必要とする従来のものに比べて、信頼性の高いプラズマ処理を行うことができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、インピーダンス変換機構を構成するコイルに、接触子や可動部もしくは磁性体を必要としないので、従来のものと比べて、可変インダクタンスの信頼性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に本発明の実施の形態を説明する。実施の形態によるプラズマ処理装置としてのプラズマ処理炉は、電界と磁界により高密度プラズマを生成できる変形マグネトロン型プラズマ源（Modified Magnetron Typed Plasma Source）を用いてウェハ等の基板をプラズマ処理する基板処理炉（以下、ＭＭＴ装置と称する）である。このＭＭＴ装置は、気密性を確保した処理室に基板を設置し、シャワープレートを介して反応ガスを処理室に導入し、処理室をある一定の圧力に保ち、放電用電極に高周波電力を供給して電界を形成するとともに磁界をかけてマグネトロン放電を起こす。放電用電極から放出された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続けて周回することにより長寿命となって電離生成率を高めるので高密度プラズマを生成できる。このように反応ガスを励起分解させて基板表面を酸化または窒化等の拡散処理、または基板表面に薄膜を形成する、または基板表面をエッチングする等、基板へ各種のプラズマ処理を施すことができる。
【００１９】
図３に、このようなＭＭＴ装置の概略構成図を示す。ＭＭＴ装置は、第２の容器である下側容器２１１と、該下側容器２１１の上に被せられる第１の容器である上側容器２１０とから処理室２０１が形成されている。上側容器２１０はドーム型の酸化アルミニウム又は石英で形成されており、下側容器２１１はアルミニウムで形成されている。また後述するヒータ一体型の基板保持手段であるサセプタ２１７を窒化アルミニウムや、セラミックス又は石英で構成することによって、処理の際に膜中に取り込まれる金属汚染を低減している。
【００２０】
上側容器２１０の上部にはガス分散空間であるバッファ室２３７を形成するシャワーヘッド２３６が設けられ、シャワーヘッド上壁にはガス導入用の導入口であるガス導入口２３４が設けられ、下壁はガスを噴出する噴出孔であるガス噴出孔２３４aを有するシャワープレート２４０からなっており、前記ガス導入口２３４は、ガスを供給する供給管であるガス供給管２３２により開閉弁であるバルブ２４３a流量制御手段であるマスフローコントローラ２４１を介して図中省略の反応ガス２３０のガスボンベに繋がっている。シャワーヘッド２３６から反応ガス２３０が処理室２０１に供給され、また、サセプタ２１７の周囲から処理室２０１の底方向へ基板処理後のガスが流れるように下側容器２１１の側壁にガスを排気する排気口であるガス排気口２３５が設けられている。ガス排気口２３５はガスを排気する排気管であるガス排気管２３１により圧力調整器であるＡＰＣ２４２、開閉弁であるバルブ２４３ｂを介して排気装置である真空ポンプ２４６に接続されている。
【００２１】
供給される反応ガス２３０を励起させる放電手段として断面が筒状であり、好適には円筒状の第１の電極（高周波電極）である筒状電極２１５が設けられる。筒状電極２１５は処理室２０１の外周に設置されて処理室２０１内のプラズマ生成領域２２４を囲んでいる。筒状電極２１５にはインピーダンスの整合を行う整合器２７２を介して高周波電力印加する高周波電源２７３が接続されている。
【００２２】
また、断面が筒状であり、好適には円筒状の磁界形成手段である筒状磁石２１６は筒状の永久磁石となっている。筒状磁石２１６は、筒状電極２１５の外表面の上下端近傍に配置される。上下の筒状磁石２１６、２１６は、処理室２０１の半径方向に沿った両端（内周端と外周端）に磁極を持ち、上下の筒状磁石２１６、２１６の磁極の向きが逆向きに設定されている。従って、内周部の磁極同士が異極となっており、これにより、筒状電極２１５の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線を形成するようになっている。
【００２３】
処理室２０１の底側中央には、基板であるウェハ２００を保持するための基板保持手段としてサセプタ２１７が配置されている。サセプタ２１７はウェハ２００を加熱できるようになっている。サセプタ２１７は、例えば窒化アルミニウムで構成され、内部に加熱手段としてのヒータ（図中省略）が一体的に埋め込まれている。ヒータは高周波電力が印加されてウェハ２００を５００℃程度にまで加熱できるようになっている。
【００２４】
また、サセプタ２１７の内部には、さらにインピーダンスを可変するための電極である第２の電極（インピーダンス可変電極）も装備されており、この第２の電極がインピーダンス可変機構２７４を介して接地されている。インピーダンス可変機構２７４は、コイルや可変コンデンサから構成され、コイルのインダクタンス値や可変コンデンサの容量値を制御することによって、上記電極及びサセプタ２１７を介してウェハ２００の電位を制御できるようになっている。
【００２５】
ウェハ２００をマグネトロン型プラズマ源でのマグネトロン放電により処理するための処理炉２０２は、少なくとも前記処理室２０１、サセプタ２１７、筒状電極２１５、筒状磁石２１６、シャワーヘッド２３６、及び排気口２３５から構成されており、処理室２０１でウェハ２００をプラズマ処理することが可能となっている。
【００２６】
筒状電極２１５及び筒状磁石２１６の周囲には、この筒状電極２１５及び筒状磁石２１６で形成される電界や磁界を外部環境や他処理炉等の装置に悪影響を及ぼさないように、電界や磁界を有効に遮蔽する遮蔽板２２３が設けられている。
サセプタ２１７は下側容器２１１と絶縁され、サセプタ２１７を昇降させる昇降手段であるサセプタ昇降機構２６８が設けられている。またサセプタ２１７には貫通孔２１７ａを有し、下側容器２１１底面にはウェハ２００を突上げるための基板突上手段であるウェハ突上げピン２６６が少なくとも３箇所に設けられている。そして、サセプタ昇降機構２６８によりサセプタ２１７が下降させられた時にはウェハ突上げピン２６６がサセプタ２１７と非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるような位置関係となるよう、貫通孔２１７ａ及びウェハ突上げピン２６６が設けられる。
【００２７】
また、下側容器２１１の側壁には仕切弁となるゲートバルブ２４４が設けられ、開いている時には図中省略の搬送手段により処理室２０１へウェハ２００が搬入、または搬出され、閉まっている時には処理室２０１を気密に閉じることができる。
【００２８】
また、制御手段であるコントローラ１２１は高周波電源２７３、整合器２７２、インピーダンス可変機構２７４、バルブ２４３ａ、マスフローコントローラ２４１、ＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ、真空ポンプ２４６、サセプタ昇降機構２６８、ゲートバルブ２４４、サセプタ２１７に埋め込まれたヒータ（図示せず）に高周波電力を印加する高周波電源（図示せず）と接続し、それぞれを制御している。
【００２９】
上記のような構成において、ウェハ２００表面を、又はウェハ２００上に形成された下地膜の表面を所定のプラズマ処理を施す方法について説明する。
【００３０】
ウェハ２００は処理炉２０２を構成する処理室２０１の外部からウェハを搬送する図中省略の搬送手段によって処理室２０１に搬入され、サセプタ２１７上に搬送される。この搬送動作の詳細は、まずサセプタ２１７が下った状態になっており、ウェハ突上げピン２６６の先端がサセプタ２１７の貫通孔２１７ａを通過してサセプタ２１７表面よりも所定の高さ分だけ突き出された状態で、下側容器２１１に設けられたゲートバルブ２４４が開き、図中省略の搬送手段によってウェハ２００をウェハ突上げピンの先端に載置し、搬送手段は処理室２０１外へ退避すると、ゲートバルブ２４４が閉まり、サセプタ２１７がサセプタ昇降機構２６８により上昇すると、サセプタ２１７上面にウェハ２００を載置することができ、更にウェハ２００を処理する位置まで上昇する。
【００３１】
サセプタ２１７に埋め込まれたヒータは予め加熱されており、搬入されたウェハ２００を室温〜５００℃の範囲内でウェハ処理温度に加熱する。真空ポンプ２４６、及びＡＰＣ２４２を用いて処理室２０１の圧力を０．１〜１００Ｐａの範囲内に維持する。
【００３２】
ウェハ２００を処理温度に加熱したら、ガス導入口２３４からシャワープレート２４０のガス噴出孔２３４ａを介して、反応ガスＮ2またはＯ2を処理室２０１に配置されているウェハ２００の上面（処理面）に向けてシャワー状に導入する。このときのガス流量は１００〜１０００ｓｃｃｍの範囲である。同時に筒状電極２１５に高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力を印加する。印加する電力は、１００Ｗ〜５００Ｗの範囲内の出力値を投入する。このとき整合器２７２、及びインピーダンス可変機構２７４は所望のインピーダンス値となるように制御する。
【００３３】
ここで、シャワーヘッド２３６の上蓋２３８はアルミニウムで構成されており、バッファ室２３７を形成すべく上側容器２１０へ気密に取り付けられる。また下容器２１１もアルミニウムでできている。上蓋２３８及び下容器２１１は接地される。したがって、筒状電極２１５に高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力を印加すると、筒状電極２１５と前記上蓋２３８及び下容器２１１間でプラズマ放電が生じる。
サセプタ２１７に設けられたインピーダンス可変電極１３は、インピーダンス可変機構２７４によりウェハ２００の表面電位と前記プラズマ放電が起きている空間の電位との電位差を制御することにより、ウェハ２００へのプラズマ処理量を制御することができる。
【００３４】
また、筒状磁石２１６、２１６の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、ウェハ２００の上方空間に電荷をトラップしてプラズマ生成領域２２４に高密度プラズマが生成される。そして、生成された高密度プラズマにより、サセプタ２１７上のウェハ２００の表面にプラズマ処理が施される。表面処理が終わったウェハ２００は、図示略の搬送手段を用いて、基板搬入と逆の手順で処理室２０１外へ搬送される。
【００３５】
なお、コントローラ１２１によって、高周波電源２７３の電力ＯＮ・ＯＦＦ、整合器２７２及びインピーダンス可変機構２７４の調整、バルブ２４３ａの開閉、マスフローコントローラ２４１の流量、ＡＰＣ２４２の弁開度、バルブ２４３ｂの開閉、真空ポンプ２４６の起動・停止、サセプタ昇降機構２６８の昇降動作、ゲートバルブ２４４の開閉、サセプタに埋め込まれたヒータに高周波電力を印加する高周波電源への電力ＯＮ・ＯＦＦをそれぞれを制御している。
【００３６】
ところで、前述したように、インピーダンス可変機構２７４は、種々の基板処理に対応するためには、そのインピーダンス可変範囲を広く取る必要があり、可変コンデンサＬ0のキャパシタンス可変範囲に加え、コイルＬ0のインダクタンスを可変にする必要がある。
【００３７】
そこで、実施の形態では、インピーダンス可変機構２７４を、図１に示すような回路で構成した。
【００３８】
すなわち、インピーダンス可変機構２７４を構成する可変コンデンサＣ0と可変インダクタンスＬ0のうち、可変インダクタンスＬ0は、可変コンデンサＣと第１のコイルＬとの直列回路２５に、第１のコイルＬと相互誘導結合された第２のコイルＬを並列接続した等価回路で構成されている。
【００３９】
２つのコイルＬは、それぞれ（Ｌ）の自己インダクタンスを持つ。また、相互誘導結合により（−Ｍ）の相互インダクタンスを持つ。２つのコイルＬの自己インダクタンスをそれぞれＬ1、Ｌ2とした場合、Ｌ1≦Ｌ2、あるいはＬ1＞Ｌ2のいずれであってもよいが、ここでは構成を単純化するためにＬ＝Ｌ1＝Ｌ2としている。また相互インダクタンスＭにマイナス符号を付けたのは、インダクタンスの可変範囲をより広く取れるようにするためである。すなわち、磁場が打ち消すように、２つのコイルＬ、Ｌの巻き方を逆にすると、並列回路の一方の直列回路２５の可変コンデンサＣを変えることにより、他方の回路２６のコイルＬが本来もつインダクタンスを減ずることになる。これにより、（＋Ｍ）の相互インダクタンスを持つ場合に比べて、インダクタンスの可変範囲をより広く取ることが可能となる。
【００４０】
このように実施の形態のコイルは、等価回路で構成され、可変コンデンサＣの値を変えることにより、可変コンデンサＣと第１のコイルＬとを接続した一方の直列回路２５に流れる電流が変り、マイナスの相互インダクタンスにより、コイルＬ0の全体のインダクタンスを変更できる。そして、この可変インダクタンスを変化させて、インピーダンス可変電極１３の電位を下げてＶｐｐ（ピークツウピーク電圧）を大きくすると、ウェハ２００に流入する高周波エネルギーが大きくなり、基板処理量が増加する。インピーダンス可変電極１３の電位を上げてＶｐｐを小さくすると、基板２０に流入する高周波エネルギーが小さくなり、基板処理量が減少する。ここで、基板処理量は、基板処理が成膜の場合、膜の増加量すなわち成膜レート（Å／ｍｉｎ）となる。
【００４１】
ここで、図１（ｂ）を用いて、可変インダクタンスＬ0の合成インピーダンスＺを算出する。電流Ｉ、Ｉ1、Ｉ2及び電圧Ｖを同図のように定義する。
Ｖ＝ｊＬωＩ1−ｊＭωＩ2                                （１）
Ｖ＝（−ｊ／Ｃω）Ｉ2＋ ｊＬωＩ2−ｊＭωＩ1            （２）
合成インピーダンスＺは、
Ｚ＝Ｖ／Ｉ＝Ｖ／（Ｉ1＋Ｉ2）                            （３）
である。
【００４２】
式（３）に式（１）を代入して整理すると
Ｚ＝｛ｊＬω（Ｉ1／Ｉ2）−ｊＭω｝／｛（Ｉ1／Ｉ2）＋１｝  （４）
が得られる。
式（１）＝式（２）として、これを整理すると
（Ｉ1／Ｉ2）＝｛（−１／Ｃω）＋Ｌω＋Ｍω｝／（Ｌω＋Ｍω）（５）
となる。
【００４３】
式（５）を式（４）に代入して、Ｚ／ｊを求めると、
Ｚ／ｊ＝（−Ｌ／Ｃ＋Ｌ2ω2−Ｍ2ω2）／                      （６）
（−１／Ｃω＋２Ｌω＋２Ｍω）
＝（−Ｌ＋Ｌ2Ｃω2−Ｍ2Ｃω2）／
（−１／ω＋２ＬＣω＋２ＭＣω）                      （７）
が得られる。
【００４４】
式（６）より、
Ｃ→∞とすると、｜Ｚ｜→（Ｌ−Ｍ）ω／２
となる。すなわち、１／Ｃω→０となり、電流Ｉ1＝Ｉ2となり、Ｌのみの並列回路となる。
式（７）より、
Ｃ→０とすると、｜Ｚ｜→Ｌω
となる。すなわち、１／Ｃω→∞となり、電流Ｉ2は存在せず、Ｌのみの単独回路となる。
【００４５】
式（６）、式（７）からもわかるように、可変コンデンサＣの値を変えることにより、電流Ｉのうちの一部を一方の直列回路２５にＩ2として分流して、Ｉ2により他方の回路２６のコイルＬに磁場を発生させる。この磁場の発生により他方の回路２６の磁場を減ずる。これによりコイルＬ0のインピーダンスＺが変化する。
【００４６】
図２に、このように構成した可変インダクタンスＬ0の高周波インピーダンス可変範囲を示す。Ｌ＝５００ｎＨ、Ｍ＝５００ｎＨ、ω＝２πｆの周波数ｆ＝１３．５６ＭＨｚである。可変コンデンサＬのキャパシタンスが１００ｐＦから５００ｐＦの範囲ではインピーダンスは約２２Ωから約６５Ωと大きく増加し、５００ｐＦを超えて１０００ｐＦの範囲では、インピーダンスは飽和傾向にあり約６５Ωから約６８Ωに漸増することがわかる。
【００４７】
同図中に、比較のために、破線にて従来の方法１による可変インダクタンスを用いたコイルのインピーダンス値を重ねて示す。コイルの直径は６０φであり、コイル１ターンあたりのインダクタンス値は、単純に比例しないが、２５０〜３００ｍＨ程度である。これによれば、実施の形態の可変インダクタンスのインピーダンス可変範囲は、従来方法１においてコイルの巻数を２ターンから５ターンに変更することに相当し、インピーダンスの値を大きく可変できることがわかる。
【００４８】
以上述べたように、本実施の形態によれば、インダクタンス可変要素として、比較的信頼性の高い可変コンデンサを使用して、可変インダクタンスを構成しており、従来の可変インダクタンスのように接触子や可動部もしくは磁性体を必要としないので、従来のものに比べて、信頼性を向上させることができる。
また、本実施の形態の可変インダクタンスは、可変コンデンサと、誘導結合された２つのコイルとから構成することができ、これらは一般に入手しやすいものであるので、安価に構成できる。
【００４９】
また、実施の形態では、本可変インダクタンスをインピーダンス可変機構のコイルに適用したが、高周波電力の供給経路に設ける整合器２７２を構成するコイルにも適用することができる。すなわち、整合器２７２を構成するコイルを、可変コンデンサと第１のコイルとの直列回路に、第１のコイルと相互誘導結合された第２のコイルを並列接続した等価回路で構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】実施の形態による可変インダクタンスの回路図である。
【図２】実施の形態による可変インダクタンスのインピーダンス特性図である。
【図３】実施の形態による基板処理炉（ＭＭＴ装置）の概略構成図である。
【図４】従来例によるプラズマ処理装置の概略構成図である。
【図５】従来例による各種の可変インダクタンスの原理説明図である。
【符号の説明】
【００５１】
Ｌ0  インピーダンス可変機構を構成するコイル
Ｃ    可変コンデンサ
Ｌ    第１のコイル、第２のコイル
２５  直列回路
【図１】
2005235432.tif 000003
【図２】
2005235432.tif 000004
【図３】
2005235432.tif 000005
【図４】
2005235432.tif 000006
【図５】
2005235432.tif 000007