(57)【要約】【課題】プラズマディスプレイパネルの基板へ金属酸化膜を成膜する工程を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、良質な金属酸化膜を形成することを実現することを目的とする。【解決手段】金属酸化膜であるＭｇＯ膜による保護層８を形成する工程において、その際の成膜は、成膜室である蒸着室２１内の、例えば酸素ガスの分圧を一定範囲内として行う。このことにより、蒸着室２１内での雰囲気を一定に制御した状態で成膜することとなるため、膜物性を安定とすることができ、画像表示を良質に行うことができるプラズマディスプレイパネルを製造することが可能となる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネルの基板へ金属酸化膜を成膜するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記金属酸化膜の成膜に際し、成膜室の所定のガスの分圧を一定範囲内とすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
プラズマディスプレイパネルの基板へ金属酸化膜を成膜するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記金属酸化膜の成膜に際し、成膜室の所定のガスの分圧を一定範囲内とし、かつ、成膜室の真空度は一定範囲内とすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
成膜室の所定のガスが酸素ガスであることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
酸素ガスの分圧は、成膜室を排気しながら酸素ガスを導入することで一定範囲内とすることを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
酸素ガスの分圧が、１×１０−３Ｐａ〜５×１０−２Ｐａであることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
成膜室の所定のガスが水、水素、一酸化炭素、二酸化炭素の中から選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
水、水素、一酸化炭素、二酸化炭素の中から選ばれる少なくとも一つのガスの分圧は、成膜室を排気しながら、水、水素、一酸化炭素、二酸化炭素の中から選ばれる少なくとも一つのガスを導入することで一定範囲内とすることを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
水の分圧が、１×１０−４Ｐａ〜５×１０−３Ｐａであることを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
水素ガスの分圧が、１×１０−３Ｐａ〜５×１０−２Ｐａであることを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
一酸化炭素ガスの分圧が、１×１０−３Ｐａ〜５×１０−２Ｐａであることを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
二酸化炭素ガスの分圧が、１×１０−４Ｐａ〜３×１０−３Ｐａであることを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１２】
真空度は、成膜室を排気しながら、不活性ガスを導入することで一定範囲内とすることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１３】
プラズマディスプレイパネルの基板へ金属酸化膜を成膜するプラズマディスプレイパネルの製造装置であって、成膜室と、前記成膜室にガスを導入するガス導入手段と、前記成膜室を排気する排気手段と、前記成膜室内のガスの分圧を検出する分圧検出手段と、前記分圧検出手段からのガスの分圧の情報に基づいて前記成膜室内のガスの分圧が一定範囲内となるように前記ガス導入手段からのガス導入量と前記排気手段による排気量とを制御する制御手段とを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造装置。
【請求項１４】
プラズマディスプレイパネルの基板へ金属酸化膜を成膜するプラズマディスプレイパネルの製造装置であって、成膜室と、前記成膜室にガスを導入するガス導入手段と、前記成膜室を排気する排気手段と、前記成膜室内のガスの分圧を検出する分圧検出手段と、前記成膜室内の真空度を検出する真空度検出手段と、前記分圧検出手段からのガスの分圧の情報と前記真空度検出手段からの真空度の情報とに基づいて前記成膜室内のガスの分圧と真空度とが一定範囲内となるように、前記ガス導入手段からのガス導入量と前記排気手段による排気量とを制御する制御手段とを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造装置。
【請求項１５】
分圧検出手段が、酸素ガスの分圧を検出するものであることを特徴とする請求項１３または１４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置。
【請求項１６】
分圧検出手段が、水、水素、一酸化炭素、二酸化炭素の中から選ばれる少なくとも一つのガスの分圧を検出するものであることを特徴とする請求項１３または１４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大画面で、薄型、軽量のディスプレイ装置として知られるプラズマディスプレイパネル用の基板への成膜を行う、プラズマディスプレイパネルの製造方法とその製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと呼ぶ）は、ガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で蛍光体を励起して発光させることにより画像表示を行っている。
【０００３】
ＰＤＰには、大別して、駆動方式としてＡＣ型とＤＣ型とがあり、放電方式では面放電型と対向放電型とがあり、高精細化、大画面化および構造の簡素性に伴う製造の簡便性から、現状では３電極構造のＡＣ型で面放電型のＰＤＰが主流である。ＡＣ型面放電のＰＤＰは前面板と背面板から構成されている。前面板は、ガラスなどの基板上に、走査電極と維持電極とからなる表示電極と、それを覆う誘電体層と、さらにそれを覆う保護層とを有している。一方、背面板は、複数のアドレス電極と、それを覆う誘電体層と、誘電体層上の隔壁と、誘電体層上と隔壁側面とに設けた蛍光体層とを有している。前面板と背面板とを、表示電極とアドレス電極とが直交するように対向配置し、表示電極とアドレス電極との交差部に放電セルを形成している。
【０００４】
このようなＰＤＰは、液晶パネルに比べて高速の表示が可能であり、視野角が広いこと、大型化が容易であること、自発光型であるため表示品質が高いことなどの理由から、フラットパネルディスプレイの中で最近特に注目を集めており、多くの人が集まる場所での表示装置や家庭で大画面の映像を楽しむための表示装置として各種の用途に使用されている。
【０００５】
このように、画像表示面側となる前面板のガラス基板には、電極を形成し、これを覆う誘電体層を形成し、さらに、この誘電体層を覆う保護層としての金属酸化膜である酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜を形成している。ここで、このＭｇＯ膜である保護層を形成する方法としては、成膜速度が高く比較的良質なＭｇＯ膜を形成することができる、電子ビーム蒸着法が広く用いられている（例えば、非特許文献１参照）。
【非特許文献１】２００１  ＦＰＤテクノロジー大全、株式会社電子ジャーナル、２０００年１０月２５日、ｐ５９８−ｐ６００
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、金属酸化膜であるＭｇＯ膜を成膜する際には、その成膜過程における酸素欠損や不純物混入によって膜物性に変化が生じる場合があるという課題を有する。
【０００７】
そこで、成膜の際に成膜場にガスを導入することで成膜場の雰囲気を制御し、膜物性の安定化を図るということが行われるが、成膜室へのガス導入の状態により膜物性が変化するため、膜物性を安定とするためには、ガス導入の状態を適正に制御することが必要となる。
【０００８】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、ＰＤＰの基板へ良質なＭｇＯ膜のような金属酸化膜を形成することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決するために、本発明のＰＤＰの製造方法は、ＰＤＰの基板へ金属酸化膜を成膜するＰＤＰの製造方法であって、金属酸化膜の成膜に際し、成膜室の所定のガスの分圧を一定範囲内としている。
【００１０】
このような製造方法によれば、ＰＤＰの基板に金属酸化膜を成膜する際に、膜物性が良質な金属酸化膜を形成することができる。
【００１１】
また、本発明のＰＤＰの製造方法は、ＰＤＰの基板へ金属酸化膜を成膜するＰＤＰの製造方法であって、金属酸化膜の成膜に際し、成膜室の所定のガスの分圧を一定範囲内とし、かつ、成膜室の真空度は一定範囲内としている。
【００１２】
このような製造方法によれば、ＰＤＰの基板に金属酸化膜を成膜する際に、膜物性が良質な金属酸化膜を形成することができる。
【００１３】
さらに、成膜室の所定のガスが酸素ガスであることが望ましく、金属酸化膜中の酸素欠陥を制御した良質な金属酸化膜を形成することができる。
【００１４】
さらに、酸素ガスの分圧は、成膜室を排気しながら酸素ガスを導入することで一定範囲内としてもよく、安定して金属酸化膜中の酸素欠陥を制御した良質な金属酸化膜を形成することができる。
【００１５】
さらに、酸素ガスの分圧が１×１０−３Ｐａ〜５×１０−２Ｐａであることが望ましく、電子放出特性などの膜物性に優れた金属酸化膜を形成することができる。
【００１６】
さらに、成膜室の所定のガスが水、水素、一酸化炭素、二酸化炭素の中から選ばれる少なくとも一つであってもよく、金属酸化膜中に含まれるＣやＨなどを制御するとともに、ダングリングボンドなどを制御した良質な金属酸化膜を形成することができる。
【００１７】
さらに、水、水素、一酸化炭素、二酸化炭素の中から選ばれる少なくとも一つのガスの分圧は、成膜室を排気しながら、水、水素、一酸化炭素、二酸化炭素の中から選ばれる少なくとも一つのガスを導入することで一定範囲内としてもよく、安定して金属酸化膜中に含まれるＣやＨなどを制御することができる。
【００１８】
さらに、水の分圧が１×１０−４Ｐａ〜５×１０−３Ｐａであることが望ましく、より良質な金属酸化膜を形成することができる。
【００１９】
さらに、水素ガスの分圧が１×１０−３Ｐａ〜５×１０−２Ｐａであることが望ましく、より良質な金属酸化膜を形成することができる。
【００２０】
さらに、一酸化炭素ガスの分圧が１×１０−３Ｐａ〜５×１０−２Ｐａであることが望ましく、より良質な金属酸化膜を形成することができる。
【００２１】
さらに、二酸化炭素ガスの分圧が１×１０−４Ｐａ〜３×１０−３Ｐａであることが望ましく、より良質な金属酸化膜を形成することができる。
【００２２】
さらに、真空度は、成膜室を排気しながら、不活性ガスを導入することで一定範囲内としてもよく、金属酸化膜の成分に影響を与えず真空度の調整を行うことができる。
【００２３】
また、本発明のＰＤＰの製造装置は、ＰＤＰの基板へ金属酸化膜を成膜するＰＤＰの製造装置であって、成膜室と、成膜室にガスを導入するガス導入手段と、成膜室を排気する排気手段と、成膜室内のガスの分圧を検出する分圧検出手段と、分圧検出手段からのガスの分圧の情報に基づいて成膜室内のガスの分圧が一定範囲内となるようにガス導入手段からのガス導入量と排気手段による排気量とを制御する制御手段とを有している。
【００２４】
このような構成によれば、金属酸化膜の膜物性を制御して良質な金属酸化膜を形成することができる。
【００２５】
また、本発明のＰＤＰの製造装置は、ＰＤＰの基板へ金属酸化膜を成膜するＰＤＰの製造装置であって、成膜室と、成膜室にガスを導入するガス導入手段と、成膜室を排気する排気手段と、成膜室内のガスの分圧を検出する分圧検出手段と、成膜室内の真空度を検出する真空度検出手段と、分圧検出手段からのガスの分圧の情報と真空度検出手段からの真空度の情報とに基づいて成膜室内のガスの分圧と真空度とが一定範囲内となるように、ガス導入手段からのガス導入量と排気手段による排気量とを制御する制御手段とを有している。
【００２６】
このような構成によれば、金属酸化膜の膜物性を安定的に制御して良質な金属酸化膜を形成することができる。
【００２７】
さらに、分圧検出手段が、酸素ガスの分圧を検出するものであってもよく、金属酸化膜中の酸素欠陥を制御した良質な金属酸化膜を形成することができる。
【００２８】
さらに、分圧検出手段が、水、水素、一酸化炭素、二酸化炭素の中から選ばれる少なくとも一つのガスの分圧を検出するものであってもよく、金属酸化膜中に含まれるＣやＨなどを制御するとともに、ダングリングボンドなどを制御した良質な金属酸化膜を形成することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、ＰＤＰの基板に金属酸化膜を成膜する際に、膜物性が良質な金属酸化膜を形成することができるＰＤＰの製造方法およびその製造装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の一実施の形態によるＰＤＰの製造方法について、図面を用いて説明する。
【００３１】
まず、ＰＤＰの構造の一例について説明する。図１は、本発明の一実施の形態におけるＰＤＰの製造方法により製造されるＰＤＰの概略構成の一例を示す断面斜視図である。
【００３２】
ＰＤＰ１の前面板２は、例えばガラスのような透明かつ絶縁性の基板３の一主面上に形成した走査電極４と維持電極５とからなる表示電極６と、その表示電極６を覆う誘電体層７と、さらにその誘電体層７を覆う、例えばＭｇＯによる保護層８とを有する構造である。走査電極４と維持電極５とは、電気抵抗の低減を目的として、透明電極４ａ、５ａに金属材料、例えばＡｇなどからなるバス電極４ｂ、５ｂを積層した構造としている。
【００３３】
また背面板９は、例えばガラスのような絶縁性の基板１０の一主面上に形成したアドレス電極１１と、そのアドレス電極１１を覆う誘電体層１２と、誘電体層１２上の隣り合うアドレス電極１１の間に相当する場所に位置する隔壁１３と、隔壁１３間の蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂとを有する構造である。
【００３４】
そして、前面板２と背面板９とは、隔壁１３を挟んで、表示電極６とアドレス電極１１とが直交するように対向配置され、画像表示領域外の周囲が封着部材により封止されている。前面板２と背面板９との間に形成された放電空間１５には、例えばＮｅ−Ｘｅ５％の放電ガスを６６．５ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の圧力で封入している。そして、放電空間１５の表示電極６とアドレス電極１１との交差部が放電セル１６（単位発光領域）として動作する。
【００３５】
次に、上述したＰＤＰ１について、その製造方法を同じく図１を参照しながら説明する。
【００３６】
前面板２は、基板３上にまず、走査電極４および維持電極５を形成する。具体的には、基板３上に、例えばＩＴＯによる膜を蒸着やスパッタなどの成膜プロセスにより形成し、その後、フォトリソ法などによってパターニングして透明電極４ａ、５ａを形成する。さらにその上から、例えばＡｇによる膜を、蒸着やスパッタなどの成膜プロセスにより形成し、その後、フォトリソ法などによってパターニングすることでバス電極４ｂ、５ｂを形成する。以上により、走査電極４および維持電極５からなる表示電極６を得ることができる。
【００３７】
次に、以上のようにして形成した表示電極６を誘電体層７で被覆する。誘電体層７は、鉛系のガラス材料を含むペーストを、例えばスクリーン印刷で塗布した後、焼成することによって形成する。上記鉛系のガラス材料を含むペーストとしては、例えば、ＰｂＯ（７０ｗｔ％）、Ｂ２Ｏ３（１５ｗｔ％）、ＳｉＯ２（１０ｗｔ％）、およびＡｌ２Ｏ３（５ｗｔ％）と有機バインダ（例えば、α−ターピネオールに１０％のエチルセルローズを溶解したもの）との混合物が使用される。次に、以上のようにして形成した誘電体層７を、金属酸化膜、例えばＭｇＯによる保護層８で被覆する。
【００３８】
一方、背面板９は、基板１０上に、アドレス電極１１を形成する。具体的には、基板１０上に、例えばＡｇ材料などによる膜を、蒸着やスパッタなどの成膜プロセスにより形成し、その後、フォトリソ法などによってパターニングしてアドレス電極１１を形成する。さらに、アドレス電極１１を誘電体層１２により被覆し、隔壁１３を形成する。
【００３９】
そして、隔壁１３間の溝に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各蛍光体粒子により構成される蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂを形成する。各色の蛍光体粒子と有機バインダとからなるペースト状の蛍光体インキを塗布し、これを焼成して有機バインダを焼失させることによって各蛍光体粒子が結着してなる蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂを形成する。
【００４０】
以上のようにして作製した前面板２と背面板９とを、前面板２の表示電極６と背面板９のアドレス電極１１とが直交するように重ね合わせるとともに、周縁に封着用ガラスによる封着部材を介挿し、これを焼成して気密シール層（図示せず）化することで封着する。そして、一旦、放電空間１５内を高真空に排気した後、放電ガス（例えば、Ｈｅ−Ｘｅ系、Ｎｅ−Ｘｅ系の不活性ガス）を所定の圧力で封入することによってＰＤＰ１を作製する。
【００４１】
ここで、上述したＰＤＰ１の製造工程における、ＭｇＯによる保護層８の成膜プロセスの一例について、図面を用いて説明する。
【００４２】
まず、成膜装置の構成の一例について説明する。図２は、保護層８を形成するための成膜装置２０の概略構成の一例を示す断面図である。
【００４３】
この成膜装置２０は、ＰＤＰの基板３に対しＭｇＯを蒸着してＭｇＯ薄膜である保護層８を形成する成膜室である蒸着室２１と、蒸着室２１に基板３を投入する前に基板３を予備加熱するとともに、予備排気を行うための基板投入室２２と、蒸着室２１での蒸着が終了後、取り出された基板３を冷却するための基板取出室２３とを備えている。
【００４４】
以上の、基板投入室２２、蒸着室２１、基板取出室２３の各々は、内部を真空雰囲気にできるよう密閉構造となっており、各室毎に独立して真空排気系２４ａ、２４ｂ、２４ｃをそれぞれ備えている。
【００４５】
また、基板投入室２２、蒸着室２１、基板取出室２３を貫いて、搬送ローラー、ワイヤー、チェーンなどによる搬送手段２５を配設している。また、外気と基板投入室２２との間、基板投入室２２と蒸着室２１との間、蒸着室２１と基板取出室２３との間、基板取出室２３と外気との間をそれぞれを開閉可能な仕切壁２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄで仕切っている。搬送手段２５の駆動と仕切壁２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄの開閉との連動によって、基板投入室２２、蒸着室２１、基板取出室２３のそれぞれの真空度の変動を最低限にしている。基板３を成膜装置２０外から基板投入室２２、蒸着室２１、基板取出室２３を順に通過させて、それぞれの室での所定の処理を行い、その後、成膜装置２０外に搬出することが可能であり、複数枚の基板３に対して連続してＭｇＯを成膜することができる。
【００４６】
また、基板投入室２２、蒸着室２１の各室には、基板３を加熱するための加熱ランプ２７ａ、２７ｂをそれぞれ設置している。なお、基板３の搬送は、通常、基板保持具３０に保持した状態で行われる。
【００４７】
次に、成膜室である蒸着室２１について説明する。蒸着室２１には、蒸着源２８ａであるＭｇＯの粒を入れたハース２８ｂ、電子銃２８ｃ、磁場を印加する偏向マグネット（不図示）などを設けている。電子銃２８ｃから照射した電子ビーム２８ｄを、偏向マグネットにより発生する磁場によって偏向して蒸着源２８ａに照射し、蒸着源２８ａであるＭｇＯの蒸気流２８ｅを発生させる。そして、発生させた蒸気流２８ｅを、基板保持具３０に保持させた基板３の表面に堆積させてＭｇＯの保護層８を形成する。
【００４８】
ここで、保護層８であるＭｇＯ膜の物性は、その成膜過程での酸素欠損や不純物混入により変化することを本発明者らは検討により確認している。これは、例えばＭｇＯにおいて、酸素が欠損したりＣやＨなどの不純物が混入したりすると、ＭｇＯ膜内のＭｇ原子とＯ原子との結合に乱れが生じ、これにより発生する結合に関与しない未結合手（ダングリングボンド）の存在によって２次電子放出の状態が変化するためであると考えられる。
【００４９】
そこで、ＭｇＯ膜の物性を安定させ、保護層８の特性を確保することを目的として、ＭｇＯ膜内の未結合手の量を制御するために、成膜時に、各種のガスを成膜室に導入してその雰囲気を制御することが行われる場合がある。この場合、各種のガスとしては、例えば、酸素欠損を防止し未結合手の量を抑制するという目的からは、酸素ガスを挙げることができる。また、積極的にＣ、Ｈなどの不純物を膜中に混入させて未結合手の量を増やすという目的からは、水、水素、一酸化炭素、二酸化炭素の中から選ばれる少なくとも一つのガスを挙げることができる。
【００５０】
しかしながら上述のような、蒸着室２１の雰囲気を制御して成膜する場合、蒸着室２１でのガスの状態により、膜物性が変化するため、膜物性を安定とするためには、ガス状態を適正に制御することが必要となる。
【００５１】
ここで、本発明者らは検討の結果、成膜室である蒸着室２１でのガス状態の適正な制御のための指標として、蒸着室２１での特に成膜場でのガスの分圧を用い、この分圧を一定範囲内に保ちながら成膜を行うことにより、良質な金属酸化膜を形成することができることを確認している。ここで、成膜場とは、蒸着室２１内での、ハース２８ｂと基板３との間の空間を指すものであり、また、以降の説明においては、分圧とは、その成膜場における分圧を指し、四重極質量分析装置で測定された各ガスのイオン電流値の比率と真空計により測定した全圧とから求めている。
【００５２】
成膜室である蒸着室２１には、蒸着室２１内の雰囲気を制御するための、各種ガスを導入することが可能なガス導入手段２９ａを少なくとも一つ設置している。このガス導入手段２９ａにより、例えば酸素ガスや、例えば水、水素、一酸化炭素、二酸化炭素の中から選ばれる少なくとも一つのガスや、例えばアルゴン、窒素、ヘリウムなどの不活性ガスなどを導入することができる。さらに、蒸着室２１内での上述のガスの分圧を検出するための分圧検出手段２９ｂと、この分圧検出手段２９ｂからの情報に基づき、蒸着室２１内でのガスの分圧が一定範囲内となるように、ガス導入手段２９ａからのガス導入量と真空排気系２４ｂによる排気量とを制御する制御手段（図示せず）とを有している。これらの構成により、成膜室である蒸着室２１の成膜場でのガス、すなわち、例えば酸素ガスや、例えば水、水素、一酸化炭素、二酸化炭素の中から選ばれる少なくとも一つのガスの分圧を一定範囲内を保った状態にして金属酸化膜である、例えばＭｇＯの蒸着を行うことができる。
【００５３】
次に、成膜の流れを説明する。まず、成膜室である蒸着室２１では、加熱ランプ２７ｂにより基板３を加熱してこれを一定温度に保つ。この温度は、基板３上にすでに形成されている表示電極６や誘電体層７が熱劣化することがないように、１００℃〜４００℃程度に設定される。そして、シャッタ２８ｆを閉じた状態で、電子銃２８ｃから電子ビーム２８ｄを蒸着源２８ａに照射して予備加熱することにより、不純ガスの脱ガスを行った後、ガス導入手段２９ａからガスを導入する。この際のガスとしては、例えば、ＭｇＯ膜中の酸素欠損を防止する目的からは、酸素、または酸素を含むガスを挙げることができ、積極的にＣ、Ｈなどの不純物を膜中に混入する目的からは、水、水素、一酸化炭素、二酸化炭素の中から選ばれる少なくとも一つのガスを挙げることができる。そしてこれらのガスは蒸着室２１の成膜場においてその分圧が一定範囲内となるように制御される。これは、例えば蒸着室２１に対して、真空排気系２４ｂにより排気しながら、ガス導入手段２９ａからガスを導入しその量を調整し、排気と平衡させることで行われる。そしてこの状態でシャッタ２８ｆを開けると、ＭｇＯの蒸気流２８ｅが基板３に向け噴射される。その結果、基板３に飛翔した蒸着材料により基板３上にはＭｇＯ膜による保護層８が形成される。
【００５４】
そして、基板３上に形成されたＭｇＯの蒸着膜である保護層８の膜厚が、所定の値（例えば、約０．５μｍ）に達したら、シャッタ２８ｆを閉じ、仕切壁２６ｃを通じて基板３を基板取出室２３へ搬送する。
【００５５】
以上において、成膜室である蒸着室２１内での酸素ガスの成膜場における分圧は、３×１０−３Ｐａ〜３×１０−２Ｐａであれば、得られる膜の物性は特に良好となり好ましい。
【００５６】
また、成膜室である蒸着室２１内での、例えば、水、水素、一酸化炭素、二酸化炭素の中から選ばれる少なくとも一つのガスの成膜場における分圧は、それぞれ水（ガス状態）は１×１０−４Ｐａ〜５×１０−３Ｐａ、水素は１×１０−３Ｐａ〜５×１０−２Ｐａ、一酸化炭素は１×１０−３Ｐａ〜５×１０−２Ｐａ、二酸化炭素は１×１０−４Ｐａ〜３×１０−３Ｐａであれば得られる膜の物性として特に良好となり好ましい。
【００５７】
また、分圧を一定範囲に保つとともに、成膜室である蒸着室２１の真空度を一定範囲に保つことは、成膜レートを一定とし良質な膜を効率的に得るという観点から好ましい。この場合、図２に示す成膜装置２０の蒸着室２１に対して、成膜場での真空度を検出する真空度検出手段（図示せず）をさらに設けることが可能である。この真空度検出手段からの真空度の情報とを併せて、ガス導入手段２９ａからのガス導入量と真空排気系２４ｂによる排気量とを制御し、蒸着室２１内でのガスの分圧が一定範囲内とし、かつ真空度も一定範囲内となるようにすればよい。この場合、真空度を一定範囲内と調整する方法としては、例えばアルゴン、窒素、ヘリウムなどの不活性ガスを用いれば、成膜されるＭｇＯの物性に影響を与えずに、真空度の調整を行うことが可能となる。不活性ガスは、ＭｇＯ膜に対し化学的な作用を与えることがないので、ＭｇＯ膜の物性に影響を与えずに真空度の調整のみに作用させることができ、好ましい。
【００５８】
また、以上の説明での、各種ガスは、その純度が１００％のものだけを指すものではなく、通常、一般的に入手できる程度の、例えば９９．９％程度の純度で一部不純物を含むガスをも含むものである。
【００５９】
また、成膜装置２０の構成としては、上述したもの以外に、例えば、基板３の温度プロファイルの設定条件に応じて、基板投入室２２と蒸着室２１の間に基板３を加熱するための基板加熱室が一つ以上あるものや、また、蒸着室２１と基板取出室２３の間に基板冷却室が一つ以上あるものなどでも構わない。
【００６０】
また、基板３に対する、蒸着室２１内でのＭｇＯの蒸着は、基板３の搬送を停止して静止した状態で行っても、搬送しながら行ってもどちらでも構わない。
【００６１】
また、成膜装置２０の構造も、上述のものに限らず、タクト調整などのために各室間にバッファー室を設けた構成や、加熱・冷却のためのチェンバー室を設けた構成、バッチ式で成膜を行う構造のものなどに対してでも、本発明による効果を得ることができる。
【００６２】
また、複数のガスを成膜室である蒸着室２１に導入する場合、その導入方法としては、個々のガス毎にガス導入手段２９ａを設け、そこから導入する方法や、予め、複数のガスを混合する混合室（図示せず）を設け、そこで混合した後、ガス導入手段２９ａを通じて導入する方法などが挙げられる。
【００６３】
なお、以上の説明においては、保護層８をＭｇＯにより蒸着で形成する例を用いて説明したが、本発明はＭｇＯや蒸着に限るものではなく、金属酸化膜を成膜する場合に対して、同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
以上説明したように本発明によれば、ＰＤＰの基板に金属酸化膜を成膜する際に、膜物性が良質な金属酸化膜を形成することができるＰＤＰの製造方法およびその製造装置を実現することができ、表示性能に優れたプラズマディスプレイ装置などを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の一実施の形態によるＰＤＰの概略構成の一例を示す断面斜視図
【図２】本発明の一実施の形態による成膜装置の概略構成の一例を示す断面図
【符号の説明】
【００６６】
３    基板
２０    成膜装置
２１    蒸着室（成膜室）
２２    基板投入室
２３    基板取出室
２４ａ，２４ｂ，２４ｃ    真空排気系
２５    搬送手段
２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ    仕切壁
２７ａ，２７ｂ    加熱ランプ
２８ａ    蒸着源
２８ｂ    ハース
２８ｃ    電子銃
２８ｄ    電子ビーム
２８ｅ    蒸気流
２８ｆ    シャッタ
２９ａ    ガス導入手段
２９ｂ    分圧検出手段
【図１】
2005050804.tif 000003
【図２】
2005050804.tif 000004