(57)【要約】【課題】ポリシラン膜を露光、現像して形成された溝パターン表面部に存在するシラノール基の量、分布をコントロールすることができ、均一かつ効率的に金属パターンを形成することができるパターン形成方法を提供する。【解決手段】基板１上にポリシラン膜２を形成し、ポリシラン膜２に所望のパターンを露光し、現像により露光部分を除去して、ポリシラン膜２に溝パターン３を形成する。現像により溝パターン３を形成した後に、溝パターン３を再び露光して、溝パターン３の表層にシラノール基含有層４を形成することにより、シラノール基の量、分布が制御される。このようにして、シラノール基の量、分布が制御されたシラノール基含有層４に触媒が吸着され、触媒層を触媒として無電解メッキが行われて、溝パターン内に金属パターンが形成される。【選択図】図２
2005181454.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にポリシラン膜を形成する工程と、
前記ポリシラン膜に所望のパターンを露光する第１の露光工程と、
現像により露光部分を除去して、前記ポリシラン膜に溝パターンを形成する工程と、
前記溝パターンを露光して、前記溝パターンの表層にシラノール基含有層を形成する第２の露光工程と、
前記シラノール基含有層に触媒を吸着させて触媒層を形成する工程と、
前記触媒層に無電解メッキ液を接触させ、前記溝パターン内に金属を析出させて金属パターンを形成する工程と
を有するパターン形成方法。
【請求項２】
前記第１の露光工程において、第１のマスクを用いて前記所望のパターンを露光し、
前記第２の露光工程において、前記第１のマスクを用いて前記溝パターンを露光する
請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記第２の露光工程において、前記第１の露光工程における露光量よりも大きい露光量をもって露光する
請求項２記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記第１の露光工程において、前記所望のパターンを露光し得る第１のマスクを用いて前記所望のパターンを露光し、
前記第２の露光工程において、前記所望のパターンよりも大きい寸法のパターンを露光し得る第２のマスクを用いて前記溝パターンを露光する
請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項５】
基板上にポリシラン膜を形成する工程と、
前記ポリシラン膜に所望のパターンを露光する第１の露光工程と、
前記ポリシラン膜に前記所望のパターンよりも大きい寸法のパターンを露光する第２の露光工程と、
前記第１の露光工程と前記第２の露光工程により重複して露光された露光部分を現像により除去して、第２の露光工程での露光により形成されたシラノール基含有層が表層に残存した溝パターンを形成する工程と、
前記シラノール基含有層に触媒を吸着させて触媒層を形成する工程と、
前記触媒層に無電解メッキ液を接触させ、前記溝パターン内に金属を析出させて金属パターンを形成する工程と
を有するパターン形成方法。
【請求項６】
前記第１の露光工程と前記第２の露光工程により重複して露光された露光部分が、現像に必要な露光量に達するように、前記第１の露光工程および前記第２の露光工程における露光量を調整する
請求項５記載のパターン形成方法。
【請求項７】
基板上にポリシラン膜を形成する工程と、
前記ポリシラン膜に所望のパターンよりも大きい寸法のパターンを露光する第１の露光工程と、
前記ポリシラン膜に前記所望のパターンを露光する第２の露光工程と、
前記第１の露光工程と前記第２の露光工程により重複して露光された露光部分を現像により除去して、第１の露光工程での露光により形成されたシラノール基含有層が表層に残存した溝パターンを形成する工程と、
前記シラノール基含有層に触媒を吸着させて触媒層を形成する工程と、
前記触媒層に無電解メッキ液を接触させ、前記溝パターン内に金属を析出させて金属パターンを形成する工程と
を有するパターン形成方法。
【請求項８】
前記第１の露光工程と前記第２の露光工程により重複して露光された露光部分が、現像に必要な露光量に達するように、前記第１の露光工程および前記第２の露光工程における露光量を調整する
請求項７記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、ポリシラン膜を用いてパターンを形成するパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリシランは、珪素から成る高分子材料で、その珪素の特有の金属性と電子非局在性、及び高い耐熱性などの特徴を有し、従来の炭素系高分子材料とは異なったユニークな材料として注目されてきた。
【０００３】
ポリシランの特徴として、σ共役といわれる主鎖のＳｉ連鎖のσ電子非局在化、紫外吸収、発光、光伝導、光分解などが挙げられ、様々な用途に使用される材料として数多く研究、応用されている。
【０００４】
ポリシランの物性で特に注目されているものの１つに、紫外（ＵＶ）光照射により主鎖の切断を伴う分解があるため、光に活性な主鎖を有するポリシランは、光、電子機能材料として応用できる。
【０００５】
ポリシランに大気中でＳｉ−Ｓｉ結合におけるσ−σ＊吸収帯に相当するＵＶ光照射を行うと、Ｓｉ−Ｓｉ連鎖の切断に伴うＳｉ−Ｏ−ＳｉやＳｉ−ＯＨの生成が引き起こされ、ＵＶ照射部分の膜の特性が変化する。
【０００６】
上述した特徴を応用して、微細パターンを形成するためのフォトレジストとしてポリシランを用いた２層レジストの開発や、ポリシラン薄膜に紫外線照射後、これを染料や顔料を含む金属酸化物のゾルに浸漬し、着色パターンからなるカラーフィルターを形成する方法などが報告されている（特許文献１参照）。
【０００７】
また、ポリシランに、酸素の存在下で紫外線等の光を照射すると、Ｓｉ−Ｓｉ結合が切断されて、Ｓｉ−ＯＨもしくはＳｉ−Ｏ−Ｓｉが生成する。生成されたＳｉ−ＯＨ基（シラノール基）は弱酸性で、アルカリ水溶液に溶解し、アルカリ水溶液に対し、未露光部と露光部で不溶、可溶のコントラストができる。すなわち、露光した部分に、アルカリ水溶液を接触させると、露光部分がアルカリ水溶液に溶解し、露光部分を除去して現像することができる。
【０００８】
一方、露光部分で発生したＳｉ−ＯＨ基（シラノール基）の還元性を利用して、ポリシラン単独の膜に光を照射した後に、無電解メッキの触媒であるパラジウム塩を露光部分にドープして、これを触媒として無電解メッキにより金属パターンを形成する方法が開示されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平５−２７３４１０号公報
【特許文献２】特開平１０−３２６９５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述の通り、紫外（ＵＶ）光照射により主鎖の切断を伴う分解があり、光に活性な主鎖を有するポリシランは、光、電子機能材料として応用できるが、ポリシランの光分解は、反応速度が遅く、低感度であるという課題がある。
【００１０】
さらに、ポリシランに、酸素の存在下で紫外線等の光を照射し、露光部分をアルカリ水溶液で除去して溝パターンを形成し、その溝表面に残存するシラノール基を利用して、無電解メッキにより溝部に金属パターンを堆積させることができるが、均一で効率的、かつ欠陥のない金属パターンを形成することは難しい。
【００１１】
なぜならば、溝パターン形成の際、露光部分がアルカリ現像液に除去されるわけであるから、生成したシラノール基のほとんどが溶解し消失しているからである。そのため、無電解メッキ処理一連の反応に必要なシラノール基残存量のコントロールや均一性の制御は困難であり、均一かつ効率的な金属パターンの形成は非常に困難となる。
【００１２】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ポリシラン膜を露光、現像して形成された溝パターン表面部に存在するシラノール基の量、分布をコントロールすることができ、均一かつ効率的に金属パターンを形成することができるパターン形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成するため、本発明のパターン形成方法は、基板上にポリシラン膜を形成する工程と、前記ポリシラン膜に所望のパターンを露光する第１の露光工程と、現像により露光部分を除去して、前記ポリシラン膜に溝パターンを形成する工程と、前記溝パターンを露光して、前記溝パターンの表層にシラノール基含有層を形成する第２の露光工程と、前記シラノール基含有層に触媒を吸着させて触媒層を形成する工程と、前記触媒層に無電解メッキ液を接触させ、前記溝パターン内に金属を析出させて金属パターンを形成する工程とを有する。
【００１４】
上記の本発明のパターン形成方法では、現像により溝パターンを形成した後に、溝パターンを再び露光して、溝パターンの表層にシラノール基含有層を形成することにより、シラノール基量、分布が制御される。
このようにして、シラノール基の量、分布が制御されたシラノール基含有層に触媒が吸着され、触媒層を触媒として無電解メッキが行われて、溝パターン内に金属パターンが形成される。
【００１５】
上記の目的を達成するため、本発明のパターン形成方法は、基板上にポリシラン膜を形成する工程と、前記ポリシラン膜に所望のパターンを露光する第１の露光工程と、前記ポリシラン膜に前記所望のパターンよりも大きい寸法のパターンを露光する第２の露光工程と、前記第１の露光工程と前記第２の露光工程により重複して露光された露光部分を現像により除去して、第２の露光工程での露光により形成されたシラノール基含有層が表層に残存した溝パターンを形成する工程と、前記シラノール基含有層に触媒を吸着させて触媒層を形成する工程と、前記触媒層に無電解メッキ液を接触させ、前記溝パターン内に金属を析出させて金属パターンを形成する工程とを有する。
【００１６】
上記の本発明のパターン形成方法では、ポリシラン膜に所望のパターンを露光した後に、現像せずに、再びポリシラン膜に先の所望のパターンよりも大きい寸法のパターンを露光する。そして、２回の露光工程により重複して露光された露光部分を現像により除去することにより溝パターンを形成している。これにより、溝パターンの表層にはシラノール基の量、分布が制御されたシラノール基含有層が形成される。
このようにして、シラノール基の量、分布が制御されたシラノール基含有層に触媒が吸着され、触媒層を触媒として無電解メッキが行われて、溝パターン内に金属パターンが形成される。
【００１７】
上記の目的を達成するため、本発明のパターン形成方法は、基板上にポリシラン膜を形成する工程と、前記ポリシラン膜に所望のパターンよりも大きい寸法のパターンを露光する第１の露光工程と、前記ポリシラン膜に前記所望のパターンを露光する第２の露光工程と、前記第１の露光工程と前記第２の露光工程により重複して露光された露光部分を現像により除去して、第１の露光工程での露光により形成されたシラノール基含有層が表層に残存した溝パターンを形成する工程と、前記シラノール基含有層に触媒を吸着させて触媒層を形成する工程と、前記触媒層に無電解メッキ液を接触させ、前記溝パターン内に金属を析出させて金属パターンを形成する工程とを有する。
【００１８】
上記の本発明のパターン形成方法では、ポリシラン膜に所望のパターンよりも大きい寸法のパターンを露光した後に、現像せずに、再びポリシラン膜に所望のパターンを露光している。そして、２回の露光工程により重複して露光された露光部分を現像により除去することにより溝パターンを形成している。これにより、溝パターンの表層にはシラノール基の量、分布が制御されたシラノール基含有層が形成される。
このようにして、シラノール基の量、分布が制御されたシラノール基含有層に触媒が吸着され、触媒層を触媒として無電解メッキが行われて、溝パターン内に金属パターンが形成される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ポリシラン膜を露光、現像して形成された溝パターン表面部に存在するシラノール基の量、分布をコントロールすることができ、均一かつ効率的に金属パターンを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、本発明のパターン形成方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２１】
（第１実施形態）
本実施形態に係るパターン形成方法について、図１〜図３を参照して説明する。
【００２２】
図１（ａ）に示すように、例えば４インチウエハからなる基板１に、ポリシラン組成物（Ｇｌａｓｉａ，日本ペイント株式会社製）をスピンコートにより塗布する。その後、塗布膜を乾燥させるため、１２０℃、６０分の加熱処理（プリベーク）を実施し、例えば５０μｍのポリシラン膜２を形成する。
【００２３】
ここで用いる基板１としては、特に制限はなく、シリコン等の半導体以外にも、使用目的に応じたものを使用することができ、例えば石英ガラス、セラミックス等の絶縁体、アルミニウム等の導体でもよい。
【００２４】
また、使用するポリシラン組成物は、特に限定されるものではない。光反応を促進させることを目的とした補助添加剤（増感剤など）や塗布特性を向上させることを目的とした界面活性剤なども組成物の一部として含んでも構わない。
【００２５】
ポリシラン組成物を用いて基板１上にポリシラン膜２を形成する方法としては、特に制限されない。スピンコート以外にも、ディッピング法、キャスト法、真空蒸着法、ＬＢ法（ラングミュアー・プロジェット法）等の通常のポリシラン薄膜形成法が好適に採用できる。しかし、特に基板１上にポリシラン組成物の溶液を展開し、基板を高速で回転させながら成膜するスピンコート法が好適に用いられる。
【００２６】
次に、図１（ｂ）に示すように、所望のパターン形成用の第１のマスク１１を用いて、酸素の存在下で露光する。露光部分には、弱酸性で、アルカリ溶液に溶解するシラノール基が生成される。
【００２７】
露光に用いる光源としては、紫外線が望ましい。例えば、水素放電管、希ガス放電管、タングステンランプ、ハロゲンランプのような連続スペクトル光源や、各種レーザ、水銀灯のような不連続スペクトル光源が挙げられる。紫外線としては、ポリシランのσ−σ*吸収域である、２５０〜４００nmの波長をもつ紫外線を照射することが望ましい。例えば、Ｂｒｏａｄｂａｎｄのコンタクトアライナー（高圧水銀灯）により、４０００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量にて露光する。
【００２８】
その後、露光後の基板１を現像する。露光部で生成されるシラノール基は、アルカリ水溶液を用いて除去することができる。アルカリ性水溶液としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ（ＴＭＡＨ）等のアミン系、水酸化ナトリウム等の無機塩基を使用することができる。本実施形態では、例えば、露光後の基板１を２０％ＴＭＡＨ水溶液に２０分間漬け、露光部を現像した。この際、５分おきに３回現像液を交換した。
【００２９】
その後、現像した基板を純水で洗浄し、乾燥する。例えば、１００℃で５分間乾燥する。これにより、図２（ａ）に示すように、ポリシラン膜２に溝パターン３が形成される。
【００３０】
次に、図２（ｂ）に示すように、再度、溝パターン３を露光して、溝パターン３の表層にシラノール基をもつシラノール基含有層４を形成する。露光光源については、図１（ｂ）に示す工程と同様である。
【００３１】
本実施形態では、当該工程に用いるマスクとして、溝パターン３の形成のための露光工程（図１（ｂ））で使用した第１のマスク１１を用いる。この場合、溝パターン３の表面のみに再露光する時の露光量を、所望寸法を確保する溝パターン形成時露光量（図１（ｂ）に示す工程の露光量）よりも大きい過剰露光量で露光を実施する。これは、溝パターン３の寸法値よりも基板１に両側各１〜１０ｎｍ程度大きいサイズで露光して、溝パターン３の表層に十分なシラノール基量をもつシラノール基含有層４を形成するためである。例えば、５０００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量で露光する。また、図１（ｂ）に示す露光における露光位置と同じ位置、すなわち溝パターン３の部位が露光されるように、第１のマスク１１に対する基板１の位置を正確にアライメントする必要がある。
【００３２】
次に、図３（ａ）に示すように、シラノール基含有層４に触媒となる金属塩を接触させ、シラノール基含有層４のみに触媒となる金属を吸着させて、触媒層５を形成する。シラノール基含有層４では、触媒となる金属の塩が金属に還元されるが、シラノール基含有層４のない未露光部では金属が生成せず、金属塩が容易に除去される。例えば、塩化パラジウム−塩化錫のエタノール溶液中に上記基板１を５分間浸漬させる。エタノールで洗浄後、１００℃、５分間乾燥させることにより、シラノール基含有層４にパラジウム錫が吸着されて、触媒層５が形成される。
【００３３】
次に、図３（ｂ）に示すように、基板１を無電解メッキ液と接触させ、触媒層４を触媒として、溝パターン３内に金属を析出させて金属パターン６を形成する。
【００３４】
無電解メッキ液としては、例えば、銅、ニッケル、パラジウム、金、白金、ロジウム等の金属イオンを含んでいるものが用いられる。この無電解メッキ液は、通常、水溶性金属塩に次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、水素化ホウ素ナトリウム等の還元剤、酢酸ナトリウム、フェニレンジアミンや酒石酸ナトリウムカリウム等の錯化剤を配合して調製されるものであるが、無電解メッキ液として市販されており、安価に入手することができる。
【００３５】
無電解メッキ液との接触条件は、例えば２５〜８０℃で１分〜１６時間、特に１０分〜６０分接触させることが好適である。例えば、無電解メッキ液に、５０℃、４０分間浸漬することにより、金属パターン６を形成した。
【００３６】
さらに必要に応じて、図３（ｃ）に示すように、最後に高温処理を行い、ポリシラン膜２全体をセラミックス化して絶縁層７に変換させる。
【００３７】
高温処理条件は、通常２００〜１２００℃、特に３００〜９００℃で１分〜２４時間、特に３分〜４時間とすることが好適である。この高温処理により形成された絶縁層７は、より高い耐熱性と絶縁性と密着性をもつことになるが、処理温度が２００℃より低いと耐熱性に劣る場合がある。なお、無電解メッキが無電解ニッケルメッキ等である場合には、当該高温処理により硬度が高くなり、密着性が向上する。
【００３８】
この高温処理では、ポリシラン膜２のＳｉ−Ｓｉ結合が切断され、様々な元素が入り安定化するため、このときの雰囲気を空気中のような酸化系で行った場合は酸化珪素系、また、アンモニアガスのような還元性雰囲気下で行った場合は窒化珪素系、アルゴン等の不活性雰囲気下や真空系で行った場合は炭化珪素系のセラミックスからなる絶縁層７を形成することができる。
【００３９】
以上説明したように、本実施形態に係るパターン形成方法によれば、溝パターン３の表面を再度露光することにより、溝パターン３の表層にシラノール基の量および分布が制御されたシラノール基含有層４を形成することができ、このシラノール基含有層４に触媒を吸着させて、無電解メッキを行うことにより、溝パターン３内に、均一で効率的、かつ欠陥のない金属パターン６を形成することができる。
【００４０】
溝パターン３のみを再度露光する際に、溝パターンの形成のために用いた第１のマスク１１を使用することにより、溝パターン３のみを効率的かつ容易に再露光することができる。
【００４１】
（第２実施形態）
第１実施形態では、図２（ｂ）に示す溝パターン３の再露光工程において、図１（ｂ）に示す溝パターン３の形成のための第１のマスク１１を使用したが、本実施形態では、第１のマスク１１とは異なる第２のマスクを用いる。
【００４２】
図４は、第２のマスク１２を説明するための図である。
第２のマスク１２として、溝パターン３を形成する為に必要な第１のマスク１１に比べて、溝パターン３の寸法値よりもウエハ上両側各１〜１０ｎｍ程度大きいサイズ（単純拡大）のパターンを露光し得るように、光を透過する開口部あるいは透明部が拡大形成されているものを用いる。
【００４３】
本実施形態に係るパターン形成方法では、第１実施形態における図２（ｂ）に示す工程のみが異なり、その他は第１実施形態と同様のためその説明は省略する。
【００４４】
すなわち、溝パターン３を再露光する工程において、図５に示すように、第２のマスク１２を用いて溝パターン３を露光して、溝パターン３の表層にシラノール基をもつシラノール基含有層４を形成する。
【００４５】
これにより、必然的に、溝パターン３の寸法値よりも基板１に両側各１〜１０ｎｍ程度大きいサイズで露光されるため、溝パターン３の表層に十分なシラノール基量をもつシラノール基含有層４が形成される。従って、このときの露光量は、第１実施形態のように過剰露光量とする必要はなく、例えば、４０００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量で露光する。なお、溝パターン３の部位が露光されるように、第２のマスク１２に対する基板１の位置を正確にアライメントする必要がある。
【００４６】
以降の工程としては、第１実施形態と同様に、シラノール基含有層４への触媒の吸着による触媒層５の形成工程（図３（ａ）参照）、触媒層５を触媒とした無電解メッキによる金属パターン６の形成工程（図３（ｂ）参照）、高温処理による絶縁層７の形成工程（図３（ｃ）参照）を経ることにより、最終的にパターンが形成される。
【００４７】
本実施形態に係るパターン形成方法によっても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００４８】
（第３実施形態）
本実施形態に係るパターン形成方法について、図６〜図７を参照して説明する。
【００４９】
図６（ａ）に示すように、例えば、第１実施形態と同様にして、基板１にポリシラン膜２を形成する。
【００５０】
次に、図６（ｂ）に示すように、第２のマスク１２を用いて、酸素の存在下で露光する。第２のマスク１２を用いて露光された露光部分Ａｒ２には、シラノール基が生成される。このときの露光量としては、後に現像されるのに必要な露光量よりも小さい露光量で露光する。例えば、２８００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量で露光する。
【００５１】
このときに用いる第２のマスク１２としては、図４を用いて説明したように、溝パターン３の寸法値よりもウエハ上両側各１〜１０ｎｍ程度大きいサイズ（単純拡大）のパターンを露光し得るように、光を透過する開口部あるいは透明部が拡大形成されているものを用いる。
【００５２】
そして、現像せずに、引き続き、図７（ａ）に示すように、溝パターン形成用の第１のマスク１１を用いて、酸素の存在下で露光する。第１のマスク１１を用いて露光された露光部分Ａｒ１には、シラノール基が生成される。このときの露光量は、第２のマスク１２のマスクを用いた際の露光量との和が、現像するのに必要な露光量となるようにする。例えば、１２００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量で露光する。これにより、溝パターンで露光された露光部分Ａｒ１は、現像に必要な露光量に達するが、その周囲の露光部分Ａｒ２は、現像に必要な露光量には達していない状態にある。
【００５３】
次に、第１実施形態と同様にして、露光後の基板１を現像し、現像した基板を純水で洗浄し乾燥する。これにより、図７（ｂ）に示すように、露光部分Ａｒ１のみが現像により除去されて溝パターン３が形成される。そして、溝パターン３の表層には第２のマスク１２を用いた露光工程（図６（ｂ）参照）での露光により形成されたシラノール基含有層４が残存することとなる。
【００５４】
以降の工程としては、第１実施形態と同様に、シラノール基含有層４への触媒の吸着による触媒層５の形成工程（図３（ａ）参照）、触媒層５を触媒とした無電解メッキによる金属パターン６の形成工程（図３（ｂ）参照）、高温処理による絶縁層７の形成工程（図３（ｃ）参照）を経ることにより、最終的にパターンが形成される。
【００５５】
本実施形態に係るパターン形成方法によっても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００５６】
（第４実施形態）
本実施形態は、第３実施形態での第１のマスク１１を用いた露光工程と、第２のマスク１２を用いた露光工程の順序が逆の例である。第１のマスク１１と第２のマスク１２については、第３実施形態と同様である。本実施形態に係るパターン形成方法について、図８〜図９を参照して説明する。
【００５７】
図８（ａ）に示すように、例えば、第１実施形態と同様にして、基板１にポリシラン膜２を形成する。
【００５８】
次に、図８（ｂ）に示すように、溝パターン形成用の第１のマスク１１を用いて、酸素の存在下で露光する。第１のマスク１１を用いて露光された露光部分Ａｒ１には、シラノール基が生成される。このときの露光量としては、後に現像されるのに必要な露光量よりも小さい露光量で露光する。例えば、２８００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量で露光する。
【００５９】
そして、現像せずに、引き続き、図９（ａ）に示すように、第２のマスク１２を用いて、酸素の存在下で露光する。第２のマスク１２を用いて露光された露光部分Ａｒ２には、シラノール基が生成される。このときの露光量は、第１のマスク１１のマスクを用いた際の露光量との和が、現像するのに必要な露光量となるようにする。例えば、１２００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量で露光する。これにより、溝パターンで露光された露光部分Ａｒ１は、現像に必要な露光量に達するが、その周囲の露光部分Ａｒ２は、現像に必要な露光量には達していない状態にある。
【００６０】
次に、第１実施形態と同様にして、露光後の基板１を現像し、現像した基板を純水で洗浄し乾燥する。これにより、図９（ｂ）に示すように、露光部分Ａｒ１のみが現像により除去されて溝パターン３が形成される。そして、溝パターン３の表層には第２のマスク１２を用いた露光工程（図９（ａ）参照）での露光により形成されたシラノール基含有層４が残存することとなる。
【００６１】
以降の工程としては、第１実施形態と同様に、シラノール基含有層４への触媒の吸着による触媒層５の形成工程（図３（ａ）参照）、触媒層５を触媒とした無電解メッキによる金属パターン６の形成工程（図３（ｂ）参照）、高温処理による絶縁層７の形成工程（図３（ｃ）参照）を経ることにより、最終的にパターンが形成される。
【００６２】
本実施形態に係るパターン形成方法によっても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００６３】
本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。本実施形態で挙げた種々の材料や数値は一例であり、種々の変更が可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明は、例えば、各種微小なマイクロ発熱体、バッテリー電極、太陽電池、センサー、集積回路等に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】第１実施形態に係るパターン形成方法の工程断面図である。
【図２】第１実施形態に係るパターン形成方法の工程断面図である。
【図３】第１〜第４実施形態に係るパターン形成方法の工程断面図である。
【図４】第２実施形態に係るパターン形成方法に使用する第２のマスクについて説明するための図である。
【図５】第２実施形態に係るパターン形成方法の工程断面図である。
【図６】第３実施形態に係るパターン形成方法の工程断面図である。
【図７】第３実施形態に係るパターン形成方法の工程断面図である。
【図８】第４実施形態に係るパターン形成方法の工程断面図である。
【図９】第４実施形態に係るパターン形成方法の工程断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１…基板、２…ポリシラン膜、３…溝パターン、４…シラノール基含有層、５…触媒層、６…金属パターン、７…絶縁層、１１…第１のマスク、１２…第２のマスク、Ａｒ１…露光部分、Ａｒ２…露光部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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