(57)【要約】【課題】  配向能力が高く、配向安定性及び信頼性に優れた配向膜を容易に形成することのできる液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】  対向する一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板の少なくとも一方の基板１０の表面に無機配向膜１２を形成する工程を備え、前記無機配向膜１２の形成工程が、前記一方の基板１０の表面に金属膜を形成する工程と、前記金属膜を電解液を用いて陽極酸化することにより、前記一方の基板１０の表面に、複数の微細孔Ｐを有する陽極酸化膜１２ａを形成する工程と、電解メッキにより、前記陽極酸化膜１２ａの微細孔Ｐに、前記液晶を配向させるための繊維状の金属メッキ膜１２ｂを形成する工程とを含むようにする。【選択図】    図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板の表面に無機配向膜を形成する工程を備え、
前記無機配向膜の形成工程が、前記一方の基板の表面に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜を電解液を用いて陽極酸化することにより、前記一方の基板の表面に、複数の微細孔を有する陽極酸化膜を形成する工程と、電解メッキにより、前記陽極酸化膜の微細孔に、前記液晶を配向させるための繊維状の金属メッキ膜を形成する工程とを含むことを特徴とする、液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記複数の微細孔が２次元配列されたことを特徴とする、請求項１記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記複数の微細孔が前記一方の基板に対して略垂直に形成されたことを特徴とする、請求項２記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記陽極酸化膜の形成工程が磁界中で行なわれることを特徴とする、請求項１又は２記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記陽極酸化膜の形成工程が、前記磁界を前記一方の基板に対して平行又は斜めに印加し、前記複数の微細孔を前記一方の基板に対して傾斜した状態で配列形成する工程であることを特徴とする、請求項４記載の液晶装置の製造方法。
【請求項６】
前記金属膜がアルミニウムからなることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかの項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記電解液が酸性の電解液からなることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかの項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
前記陽極酸化膜の形成工程が、前記金属膜の表面のみを陽極酸化し、それ以外の前記金属膜を前記液晶に電圧を印加するための電極として残す工程であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかの項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項９】
前記一方の基板の表面に前記液晶に電圧を印加するための電極を備え、
前記無機配向膜の形成工程が、前記電極と前記金属膜との間に前記電極の表面を保護するための保護膜を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれかの項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
前記無機配向膜の形成工程が、前記金属メッキ膜の形成後に前記陽極酸化膜を除去する工程を含むことを特徴とする、請求項１〜９のいずれかの項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１１】
前記一対の基板の他方の基板の表面に前記無機配向膜を形成する工程を備えたことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかの項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１２】
前記一対の基板の他方の基板の表面に有機配向膜を形成する工程を備えたことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかの項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１３】
対向する一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶装置であって、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板の表面に、液晶を配向させるための複数の微細な繊維状の導電性突起からなる無機配向膜を備えたことを特徴とする、液晶装置。
【請求項１４】
前記複数の導電性突起が２次元配列されたことを特徴とする、請求項１３記載の液晶装置。
【請求項１５】
前記複数の導電性突起が前記一方の基板に対して略垂直に形成されたことを特徴とする、請求項１４記載の液晶装置。
【請求項１６】
前記複数の導電性突起が前記一方の基板に対して傾斜して形成されたことを特徴とする、請求項１４記載の液晶装置。
【請求項１７】
前記液晶が、誘電異方性が負のネマチック液晶からなることを特徴とする、請求項１５又は１６記載の液晶装置。
【請求項１８】
前記複数の導電性突起が一定のピッチで規則的に配列されたことを特徴とする、請求項１４〜１７のいずれかの項に記載の液晶装置。
【請求項１９】
前記複数の導電性突起のサイズ，形状，高さが略等しく構成されたことを特徴とする、請求項１４〜１８のいずれかの項に記載の液晶装置。
【請求項２０】
前記一対の基板の双方の基板の表面に前記無機配向膜を備えたことを特徴とする、請求項１４〜１９のいずれかの項に記載の液晶装置。
【請求項２１】
前記一対の基板の他方の基板の表面に有機配向膜を備えたことを特徴とする、請求項１４〜１９のいずれかの項に記載の液晶装置。
【請求項２２】
請求項１〜１３のいずれかの項に記載の方法を用いて製造された液晶装置を備えたことを特徴とする、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の配向制御技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶プロジェクタのライトバルブや携帯電話等のディスプレイとして用いられる液晶装置には、その液晶層を挟持する基板の最表面に、液晶分子の配列を制御するための配向膜が形成されている。この配向膜としては、ポリイミド等の有機膜をラビング処理したものが広く使用されている。しかし、このような有機配向膜は配向力に優れる反面、熱や光に弱く、長期間の使用によって、その配向力が次第に低下してしまうという問題があった。例えば光束密度が２〜１０（ｌｍ／ｍｍ２）程度の高強度の光が照射されるプロジェクタに搭載した場合には、配向膜は光源からの光や熱によって次第に分解されてしまい、液晶分子を所望のプレチルト角に配列できなくなる場合がある。
これに対して、前記配向膜に無機配向膜を用い、この無機配向膜の形状効果によって液晶を配向させる技術が提案されている。例えば特許文献１では、斜方蒸着法により基板に対して斜めに配列した柱状構造物を形成する方法が開示されている。このような無機配向膜は、ポリイミド等の有機配向膜に比べて耐光性や耐溶剤性に優れており、液晶装置の信頼性を向上させることが可能である。
【特許文献１】特開昭５７−１１２７１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このような従来の無機配向膜は成膜工程に真空プロセスを用いるため、製造装置が大掛かりなものになってしまう。また、アクティブマトリクス型の液晶装置の電極面に配向膜を形成する場合、スイッチング素子の形成位置に対応して電極表面に段差部が形成され、その段差部において斜方蒸着方向から影となる部分ができる場合がある。このような不具合は、配向膜としての信頼性低下につながり、例えば液晶装置を表示装置として用いた場合、表示不良を生じさせる原因となる。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、配向能力が高く、配向安定性及び信頼性に優れた配向膜を容易に形成することのできる液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記の課題を解決するため、本発明の液晶装置の製造方法は、対向する一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板の少なくとも一方の基板の表面に無機配向膜を形成する工程を備え、前記無機配向膜の形成工程が、前記一方の基板の表面に金属膜を形成する工程と、前記金属膜を電解液を用いて陽極酸化することにより、前記一方の基板の表面に、複数の微細孔を有する陽極酸化膜を形成する工程と、電解メッキにより、前記陽極酸化膜の微細孔に、前記液晶を配向させるための繊維状の金属メッキ膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【０００５】
一般に、金属膜を陽極酸化した場合、その陽極酸化の条件を変えることによって緻密で欠陥のない膜から多孔質な膜まで様々な膜を形成することができる。例えば大きな電流で短時間陽極酸化を行なった場合には、多数の微細孔がランダムに開孔した多孔質膜が形成され、逆に小さな電流で長時間陽極酸化を行なった場合には、緻密で欠陥のない膜が形成される。また、その中間の条件をとった場合には、多数の微細孔が規則的に配列した２次元配列構造を有する多孔質膜が形成されるようになる。本方法は、陽極酸化法を用いて形成した微細孔の内部に金属メッキ膜を形成し、これによって得られた繊維状の金属メッキ膜によって基板表面に多数の微細な導電性突起（柱状構造物）を形成するようにしたものである。このような突起は、基板表面に一定の密度で２次元配列して形成されることで、その突起に沿った方向に配向力を持つようになる。
本方法によれば、液晶がこれらの突起に沿って確実に配向されるため、高い配向能力を実現することができる。また、この配向膜は無機材料からなるため、ポリイミド等の有機配向膜に比べて耐光性や耐溶剤性に優れており、又、微細な柱状構造物で液晶配向を実現している（即ち、形状配向膜の一種である）ので、安定した配向が得られる。さらに、斜方蒸着のように影になる部分がないので配向ムラが生じることもない。また、陽極酸化法を用いた場合には、前記微細孔のピッチ，サイズ，形状，深さ等を陽極酸化の条件によって調節することができるため、最適化によって安定な配向状態を容易に実現することが可能である。
【０００６】
本発明の液晶装置の製造方法では、前記複数の微細孔が２次元配列された（即ち、前記繊維状の導電性突起が２次元配列された）ものとすることができる。こうすることで、液晶を概ね一方向に配向させることができる。具体的には、前記複数の微細孔が前記一方の基板に対して略垂直に形成された（即ち、前記繊維状の導電性突起が前記一方の基板に対して略垂直に２次元配列された）ものとすることができる。この場合、液晶は初期状態（電圧無印加状態）において垂直配向を示すことになる。
【０００７】
また本発明の液晶装置の製造方法では、前記陽極酸化膜の形成工程が磁界中で行なわれるものとすることができる。この場合、磁界の制御によって微細孔の延在方向を制御することが可能である。つまり、陽極酸化は、電解液中の酸素イオンを電気的な作用によって金属膜の表面に引き寄せて金属表面を酸化するものであるため、陽極酸化を磁界中で行なった場合には、このイオンの動きに異方性が生じ、酸化膜の成長方向が指向性を持つようになる。このような酸化膜の成長方向の異方性は磁界の強さによって変化するため、この磁界の強さを調節することによって微細孔の傾斜量（即ち、液晶のチルト角）を制御することが可能である。
【０００８】
この方法では、前記陽極酸化膜の形成工程が、前記磁界を前記一方の基板に対して平行又は斜めに印加し、前記複数の微細孔を前記一方の基板に対して傾斜した状態で配列形成する（即ち、前記繊維状の導電性突起を前記一方の基板に対して傾斜させた状態で配列形成する）工程であるものとすることができる。このように微細孔を傾斜させた場合には、液晶は初期状態において基板面に対して一様にチルトした配向状態を示すことになる。その傾斜に応じて液晶のチルト角を制御することができ、リバースドメイン等の配向欠陥をなくすことが可能である。また、このような微細孔を２次元的に配列することで、液晶を概ね一方向に配向させることができる。なお、この方法では、前記陽極酸化膜の形成工程における前記磁界の強さが１Ｔ以上であることが望ましい。こうすることで、十分なチルトが得られるようになる。
【０００９】
また本発明の液晶装置の製造方法では、前記金属膜がアルミニウム（Ａｌ）からなるものとすることができる。前記金属膜としては、この他にタングステン（Ｔａ），チタン（Ｔｉ），マグネシウム（Ｍｇ）等のいわゆるバルブ金属と呼ばれるものやその合金を使用することができるが、この中でもアルミニウムは前記のような微細孔を形成しやすい。また本発明の液晶装置の製造方法では、前記電解液がシュウ酸，リン酸，硫酸，クロム酸等の弱酸性の電解液からなるものを好適に用いることができる。
【００１０】
また本発明の液晶装置の製造方法では、前記陽極酸化膜の形成工程が、前記金属膜の表面のみを陽極酸化し、それ以外の前記金属膜を前記液晶に電圧を印加するための電極として残す工程であるものとすることができる。こうすることで、別途、液晶配向用の電極を形成する必要がなくなり、工程が簡単になる。
【００１１】
また本発明の液晶装置の製造方法では、前記一方の基板の表面に前記液晶に電圧を印加するための電極を備え、前記無機配向膜の形成工程が、前記電極と前記金属膜との間に前記電極の表面を保護するための保護膜を形成する工程を含むものとすることができる。このように保護膜を形成してから陽極酸化を行なうようにすることで、下地の電極膜が電解液によって腐食されるのを防止することができる。また、電極と金属膜との間に絶縁性の保護膜を設けた場合には、例えば前記陽極酸化膜の形成工程において前記金属膜の一部が酸化されずに残ったとしても、これによって電極間に短絡が生じることはない。
【００１２】
本発明の液晶装置の製造方法では、前記無機配向膜の形成工程が、前記金属メッキ膜の形成後に前記陽極酸化膜を除去する工程を含むものとすることができる。この場合、前記無機配向膜は前記導電性突起のみによって構成されることになる。このため、従来の絶縁材料からなる配向膜（ポリイミド等の有機配向膜やＳｉＯ２斜方蒸着膜等の無機絶縁配向膜など）と違って、液晶に電圧を印加した際に、この無機配向膜が誘電体として機能して電圧降下が起きるといった問題は生じない。すなわち、電極に印加した電圧をフルに液晶に印加することが可能になる。
【００１３】
また本発明の液晶装置の製造方法では、前記一対の基板の他方の基板の表面に前記無機配向膜を形成する工程を備えることができる。このように双方の基板の配向膜を無機配向膜とすることで、液晶装置の信頼性をより高めることができる。
【００１４】
また本発明の液晶装置の製造方法では、前記一対の基板の他方の基板の表面に有機配向膜を形成する工程を備えることができる。このように他方の基板の配向膜を配向能力に優れる有機配向膜とすることで、液晶充填後の初期の配向状態（例えば液晶注入直後の配向状態）を安定させることができる。つまり、形状効果によって液晶を配向させる形状配向膜では、液晶は準安定な配向状態をとり易く、液晶充填直後の配向状態は不安定になり易い。このため、液晶が最も安定な配向状態に遷移できるように、前述の形状効果による配向力の他に、これをアシストするような何らかの配向力を付与することが望ましい。一方、ポリイミド等の有機配向膜では、液晶の配向は有機配向膜と液晶との分子間力によって強固に規制されるため、前述の形状配向膜に比べて安定配向への遷移が確実に行なわれ、遷移するまでの時間も短い。このため、本方法のように対向基板側を有機配向膜とすることで、その有機配向膜の配向規制力を液晶層を介して間接的に前記一方の基板側に伝えることができ、この結果、無機配向膜近傍の液晶の配向状態を最も安定な状態に短時間で確実に遷移させることが可能になる。
【００１５】
本発明の液晶装置は、対向する一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶装置であって、前記一対の基板の少なくとも一方の基板の表面に、液晶を配向させるための複数の微細な繊維状の導電性突起からなる無機配向膜を備えたことを特徴とする。
本構成によれば、液晶がこれらの導電性突起に沿って確実に配向されるため、高い配向能力を実現することができる。また、この配向膜は無機材料からなるため、ポリイミド等の有機配向膜に比べて信頼性に優れており、又、形状効果によって配向を実現しているので、安定した配向が得られる。また本構成では、従来の絶縁材料からなる配向膜と違って、電圧印加時に前記無機配向膜の存在によって電圧降下が生じることがなく、電圧をフルに液晶に印加できるようになる。
【００１６】
本発明の液晶装置では、前記複数の導電性突起が２次元配列されたものとすることができる。こうすることで、液晶を概ね一方向に配向させることができる。具体的には、前記複数の導電性突起が前記一方の基板に対して略垂直に形成されたものとすることができる。この場合、液晶は初期状態（電圧無印加状態）において垂直配向を示すことになる。或いは、前記複数の導電性突起が前記一方の基板に対して傾斜して形成されたものとすることができる。この場合、液晶は初期状態においてチルト配向を示すことになる。これらの場合において、前記液晶を誘電異方性が負のネマチック液晶とすることで、垂直配向型の液晶装置を実現することができる。
また本発明の液晶装置では、前記複数の導電性突起が一定のピッチで規則的に配列されることが望ましい。また、前記複数の導電性突起のサイズ，形状，高さが略等しく構成されることが望ましい。こうすることで、均一な配向が得られるようになる。
【００１７】
また本発明の液晶装置では、前記一対の基板の双方の基板の表面に前記無機配向膜を備えたものとすることができる。このように双方の基板の配向膜を無機配向膜とすることで、液晶装置の信頼性をより高めることができる。
また本発明の液晶装置では、前記一対の基板の他方の基板の表面に有機配向膜を備えたものとすることができる。このように他方の基板の配向膜を配向能力に優れる有機配向膜とすることで、液晶充填後の初期の配向状態を安定させることができる。
【００１８】
本発明の電子機器は、前述の方法を用いて製造された液晶装置を備えたことを特徴とする。これにより、表示品質が高く信頼性にも優れた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。尚、以下で参照する各図面では図を見易くするために各部の大きさや厚さを適宜異ならせている。
【００２０】
［第１の実施の形態］
［液晶装置］
図１は本実施形態の液晶装置の概略構成を示す模式的断面図である。図１に示す液晶装置１は、対向する一対の基板１０，２０の間に液晶層３０を挟持した構成を有する。下基板１０の内面側（液晶層側）には下電極１１と配向膜１２とが順次形成されており、上基板２０の内面側には上電極２１と配向膜２２とが順次形成されている。この液晶装置１は、アクティブマトリクス型若しくはパッシブ型のいずれの構造をとってもよい。アクティブマトリクス型の構造を採る場合には、画素スイッチング素子として、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；三端子素子）又はＭＩＭ構造を有するＴＦＤ（Thin Film Diode；二端子素子）のいずれを用いることもできる。また、この液晶装置１は透過型若しくは反射型のいずれの構造であってもよい、さらに、これらの基板には必要に応じてカラーフィルタを設けることができる。
【００２１】
本実施形態において配向膜１２，１３は、表面に多数の突起を有する無機配向膜として構成されている。具体的には、配向膜１２，１３は、多孔質なアルミナ陽極酸化膜１２ａと、その陽極酸化膜の細孔内にメッキ形成した多数の微細な繊維状の金属メッキ膜１２ｂとを備えており（図４参照）、これらの金属メッキ膜１２ｂが前記陽極酸化膜１２ａの表面から突出して形成されることによって、前述の多数の突起が形成されている。この配向膜１２，１３は、形状効果（膜面に形成された構造物と対象物との相互作用）によって配向制御を行なう形状配向膜の一種であって、本例では、酸化膜表面に形成された突起構造によって、配向膜近傍の液晶Ｌの配向状態を規定している。
【００２２】
一般に、金属膜を陽極酸化した場合、その陽極酸化の条件を変えることによって緻密で欠陥のない膜から多孔質な膜まで様々な膜を形成することができる。例えば大きな電流で短時間陽極酸化を行なった場合には、多数の微細孔がランダムに開孔した多孔質膜が形成され、逆に小さな電流で長時間陽極酸化を行なった場合には、緻密で欠陥のない膜が形成される。また、その中間の条件をとった場合には、多数の微細孔が規則的に配列した２次元配列構造を有する多孔質膜が形成されるようになる。このような微細孔は、陽極酸化の条件によって、数ｎｍ〜数百ｎｍの径のものを形成することが可能である。このような微細な孔を有する陽極酸化膜を配向膜として使用した場合、係る微細孔に液晶Ｌを吸着させることによって、液晶Ｌをその孔の内壁に沿う方向又はそれに垂直な方向に配向させることができる。本実施形態では、適切な陽極酸化条件を選択して、このような微細孔を膜面に規則的に配列形成し、更にこの微細孔内に微細な繊維状の金属膜をメッキ形成している。そして、陽極酸化膜から突出した多数の繊維状の金属メッキ膜によって、液晶Ｌのダイレクタの方向を概ね一方向に揃えている。具体的には、これらの微細孔（即ち、前記繊維状の金属メッキ膜）を基板に対して略垂直に形成し、液晶Ｌを初期状態において垂直配向させるようにしている。
【００２３】
このような垂直配向型の配向膜１２，２２を形成した場合には、前記液晶Ｌとして誘電異方性が負のネマチック液晶を用いることで、電圧による液晶Ｌの配向制御が可能になる。つまり、係る構成の液晶装置１では、液晶層３０を構成する液晶分子Ｌは、両電極１１，２１に電圧が印加されていない状態（非選択状態、初期配向状態）では、配向膜１２，２２の配向規制力によって基板１０，２０に対して概ね垂直方向に配向し、前記両電極間に電圧が印加される（選択状態とされる）と、基板１０，２０の面方向に向かって倒れるように動作する。よって、この液晶装置１を、偏光方向をクロスした２枚の偏光板で挟み込めば、非選択状態において黒表示、選択状態において白表示を実現することができる。
【００２４】
［液晶装置の製造方法］
次に、図２〜図４を参照しながら、本発明の液晶装置の製造方法の一例について説明する。図２は基板に配向膜を形成する工程の一例を示す模式図、図３は陽極酸化膜の構造を示す模式図、図４は陽極酸化膜の細孔に繊維状の金属膜をメッキ形成する工程を示す模式図である。
【００２５】
本方法ではまず、図２に示すように、電極１１を備えた基板１０の全面に陽極酸化可能な金属膜（陽極）Ｍ１を形成し、アセトン等で脱脂処理を行なった後、所定の電解液Ｅを用いて前記金属膜Ｍ１を陽極酸化する。ここで、基板１０や電極１１としては公知のものを用いることができる。本例では、透過表示を行なうために、例えば基板１０をガラス等の透光性基板とし、電極１１をＩＴＯ等の透光性導電膜とする。基板１０には、必要に応じて、画素スイッチング用の回路やカラーフィルタ等を形成することができる。金属膜Ｍ１としては、アルミニウム（Ａｌ），タングステン（Ｔａ），チタン（Ｔｉ），マグネシウム（Ｍｇ）等のいわゆるバルブ金属と呼ばれるものやその合金を使用することができる。中でもアルミニウムは前述のような規則的な細孔配列構造を形成し易いため、本例では前記金属膜Ｍ１としてアルミニウムを用いる。この金属膜Ｍ１は、例えば純度９９．９９％のアルミニウムをスパッタ等により基板１０上に２００ｎｍ程度堆積させることにより得られる。また、前記電解液Ｅとしては、シュウ酸，リン酸，硫酸，クロム酸等の弱酸性の電解液が好適である。本例では、０．３Ｍ（ｍｏｌ／ｌ）の硫酸水溶液を用いる。
【００２６】
陽極酸化は、例えば以下の条件で行なう。電解液Ｅの液温：２０℃、印加電圧：直流３０Ｖ、陰極Ｍ２：白金（Ｐｔ）、陽極酸化時間：１時間。このような陽極酸化処理を行なうと、金属膜Ｍ１の表面には、電気分解反応によって微細な孔が垂直に開いていく。そして、反応の進行に伴って、金属膜Ｍ１の表面にナノメートルスケールの小さな孔（ナノホール）が規則的に配列した酸化アルミニウムの薄い膜１２ａが形成される。これは、酸化によってアルミニウム膜の体積が増加し、これによって生じた膜中のストレスを緩和するように、前記孔が自己組織的に再配列されることによる。そして更に反応を進めていくと、前記孔は孔径を広げながら下層側に延びていき、最終的に、下地の層（基板１０や電極１１）まで貫通したナノホールアレイが形成される。
【００２７】
図３は、陽極酸化膜１２ａの概略構造を示す模式図であり、図３（ａ）はその部分斜視図、図３（ｂ）はその部分断面図である。この陽極酸化膜１２ａは、セルと呼ばれる一定サイズの円柱状のアルミナ層Ｃが細密充填した構造からなる。各セルＣの中心には均一な径の微細孔（ポア）Ｐが開孔しており、この微細孔Ｐが膜面に垂直に配向して配列するという特異な幾何学構造となっている。各微細孔Ｐのピッチ（即ち、セルＣのサイズ），サイズ，深さ、下地のアルミニウムの残存率は、電解液Ｅの濃度，温度、陽極酸化時の電圧，電流密度，時間を変えることによって制御することができる。また、適切な条件を選択することで、これらの微細孔Ｐが、形状，サイズ，深さ等において均一で、且つこれらが長距離にわたって一定のピッチで規則配列したホールアレイ構造を形成することが可能である。
なお、本例では、長時間（例えば１時間）の陽極酸化を行なうことによって、下地のアルミニウムを略ゼロとした。こうすることによって、可視光が透過可能になり、透過型の表示装置に利用できるようになる。
【００２８】
次に、図４に示すように、陽極酸化膜１２ａの各微細孔Ｐ内に繊維状の金属膜１２ｂをメッキ形成する。本例では、前記陽極酸化膜１２ａの形成された基板１０を１ｍｏｌ／ｌの硫酸ニッケルと３０ｇ／ｌの硼酸からなる２０℃のメッキ浴に入れて、交流電析法によってニッケルを微細孔Ｐ内に電解析出し、該微細孔Ｐから突き出るようにしている。このような突起状の金属メッキ膜１２ｂは、基板表面に一定の密度で配列形成されることで、その金属メッキ膜１２ｂの延在方向に沿った方向に配向力を持つようになる。本例では、このような金属メッキ膜１２ｂが基板に一定のピッチで規則的に配列されているため、広い範囲で均一な配向状態が得られる。
【００２９】
次に、同様の方法を用いて上基板２０に配向膜２２を形成する。そして、これらの基板１０，２０を用いて空セルを作製し、この空セルの中に誘電異方性が負の液晶を充填（例えば真空注入）する。
以上により、液晶装置１が製造される。
【００３０】
以上説明したように、本実施形態によれば、液晶Ｌが配向膜１２，２２に設けられた金属メッキ膜１２ｂに沿って確実に配向されるため、高い配向能力を実現することができる。また、この配向膜１２，２２は無機材料からなるため、ポリイミド等の有機配向膜に比べて耐光性や耐溶剤性に優れており、又、微細な柱状構造物で液晶配向を実現している（即ち、形状配向膜の一種である）ので、安定した配向が得られる。さらに、斜方蒸着のように影になる部分がないので配向ムラが生じることもない。また、陽極酸化法を用いた場合には、前記微細孔のピッチ，サイズ，形状，深さ等を陽極酸化の条件によって調節することができるため、最適化によって安定な配向状態を容易に実現することが可能である。
【００３１】
なお、本実施形態では陽極酸化膜１２ａに高度に規則的な２次元配列構造を形成したが、この配列構造は必ずしも膜面全体にわたって完全に規則的である必要はない。例えば、前述のような微細孔Ｐがその配列状態を維持したまま不規則な位置にまばらに形成されるようなものであってもよい。また、各微細孔Ｐは膜面に完全に垂直でなくてもよく、全体としてそれらの延在方向に方向性を持っていればよい。
また、本実施形態では陽極酸化の条件を最適化することによって前述のような２次元配列構造を形成したが、規則的な細孔構造を形成する方法はこのようなものに限定されない。例えば、金属膜Ｍ１の表面に予め規則的な突起形状を作っておき、これを陽極酸化する方法も考えられる。この場合、酸化膜は前記突起部を核として成長するため、結果として、微細孔が規則的に２次元配列したポーラスな陽極酸化膜が形成されることになる。
【００３２】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態を図５，図６を用いて説明する。本実施形態において、前記第１の実施の形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態において前記第１の実施形態と異なる点は、電極と配向膜との間に前記電極を保護するための保護膜を配置した点と、陽極酸化膜の孔内に金属メッキ膜を形成した後にこの陽極酸化膜を除去し、導電性突起である前記金属メッキ膜のみを配向膜として残すようにした点のみである。すなわち、前記第１の実施形態では、ＩＴＯ等の電極１１，２１の表面に直接金属膜Ｍ１を形成したが、本実施形態では、金属膜Ｍ１を形成する前に予め電極１１，２１の表面に電解液Ｅ（本例では０．５Ｍのシュウ酸）に対して耐食性を有する保護膜１３，２３を形成している。このように保護膜１３，２３を形成してから陽極酸化を行なうようにすることで、下地の電極１１，２１が電解液Ｅによって腐食されるのを防止することができる。なお、保護膜１３，２３はＳｉＯ２等の無機絶縁膜によって構成されている。このため、仮に陽極酸化工程において金属膜Ｍ１の一部が酸化されずに残ったとしても、これによって電極間に短絡が生じることはない。
【００３３】
また、本実施形態では金属メッキ膜を形成した後、陽極酸化膜をエッチングによって除去しているので、基板１０（２０）の配向膜は繊維状の金属メッキ膜１５（２５）のみで構成されることになる（図６参照）。このため、従来の絶縁材料からなる配向膜（ポリイミド等の有機配向膜やＳｉＯ２斜方蒸着膜等の無機絶縁配向膜など）と違って、液晶Ｌに電圧を印加した際に、この無機配向膜１５，２５が誘電体として機能して電圧降下が起きるといった問題は生じない。すなわち、電極１１，２１に印加した電圧をフルに液晶Ｌに印加することが可能になる。なお、陽極酸化膜の除去は、３０ｇ／ｌの酸化クロムと３５ｍｌ／ｌのリン酸とを含むエッチング液に基板を１分間浸漬することによって行なうことができる。
このように本実施形態によれば、液晶装置２の配向安定性や信頼性を更に高めることができ、液晶装置２を製造する際の歩留まりを高めることも可能である。また、配向膜１５，２５を導電材料によって構成したことで、電気的特性にも優れたものとなる。
【００３４】
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態を図７〜図１０を用いて説明する。本実施形態において、前記第１の実施の形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態において前記第１の実施形態と異なる点は、陽極酸化膜の微細孔が基板に対して傾斜した状態で配列形成されている点のみである。本例では、これらの微細孔を基板の法線に対して概ね５°傾斜させた状態で形成し、液晶Ｌを初期状態において一方向にチルト配向（基板面からのプレチルト角は概ね８５°）させるようにしている。
【００３５】
このような配向膜１６，２６を形成した場合には、前記液晶Ｌとして誘電異方性が負のネマチック液晶を用いることで、電圧による液晶Ｌの配向制御が可能になる。つまり、係る構成の液晶装置２では、液晶層３０を構成する液晶分子Ｌは、両電極１１，２１に電圧が印加されていない状態（非選択状態、初期配向状態）では、配向膜１６，２６の配向規制力によって基板１０，２０に対して概ね垂直方向に配向し、前記両電極間に電圧が印加される（選択状態とされる）と、基板１０，２０の面方向に向かって倒れるように動作する。よって、この液晶装置３を、偏光方向をクロスした２枚の偏光板で挟み込めば、非選択状態において黒表示、選択状態において白表示を実現することができる。この際、本実施形態では、液晶Ｌが前述の微細孔によって基板に対して傾斜配向されているので、液晶Ｌは選択状態においてその傾斜方向に一様に傾倒されるようになる。このため、傾倒方向の異なる領域（リバースドメイン）が複数形成されるのを防ぐことができ、これらの境界に生じるディスクリネーション等の表示むらを抑えることができる。
【００３６】
［液晶装置の製造方法］
次に、図８〜図１０を参照しながら、本発明の液晶装置の製造方法の一例について説明する。図８は基板に配向膜を形成する工程の一例を示す模式図、図９は陽極酸化膜の構造を示す模式図、図１０は陽極酸化膜の細孔に繊維状の金属膜をメッキ形成する工程を示す模式図である。
【００３７】
本方法ではまず、図８に示すように、電極１１を備えた基板１０の全面に陽極酸化可能な金属膜（陽極）Ｍ１を形成し、アセトン等で脱脂処理を行なった後、所定の電解液Ｅを用いて、基板面に平行な磁界Ｈ′中で前記金属膜Ｍ１を陽極酸化する。ここで、基板１０や電極１１としては公知のものを用いることができる。本例では、透過表示を行なうために、例えば基板１０をガラス等の透光性基板とし、電極１１をＩＴＯ等の透光性導電膜とする。基板１０には、必要に応じて、画素スイッチング用の回路やカラーフィルタ等を形成することができる。金属膜Ｍ１としては、アルミニウム（Ａｌ），タングステン（Ｔａ），チタン（Ｔｉ），マグネシウム（Ｍｇ）等のいわゆるバルブ金属と呼ばれるものやその合金を使用することができる。中でもアルミニウムは前述のような規則的な細孔配列構造を形成し易いため、本例では前記金属膜Ｍ１としてアルミニウムを用いる。この金属膜Ｍ１は、例えば純度９９．９９％のアルミニウムをスパッタ等により基板１０上に２００ｎｍ程度堆積させることにより得られる。また、前記電解液Ｅとしては、シュウ酸，リン酸，硫酸，クロム酸等の弱酸性の電解液が好適である。本例では、０．３Ｍ（ｍｏｌ／ｌ）の硫酸水溶液を用いる。
【００３８】
陽極酸化は、例えば以下の条件で行なう。電解液Ｅの液温：２０℃、磁界Ｈ′：２Ｔ（２０ｋＧ）、印加電圧：直流３０Ｖ、陰極Ｍ２：白金（Ｐｔ）、陽極酸化時間：１時間。このような陽極酸化処理を行なうと、金属膜Ｍ１の表面には、電気分解反応によって微細な孔が開いていく。そして、反応の進行に伴って、金属膜Ｍ１の表面にナノメートルスケールの小さな孔（ナノホール）が規則的に配列した酸化アルミニウムの薄い膜１６ａが形成される。これは、酸化によってアルミニウム膜の体積が増加し、これによって生じた膜中のストレスを緩和するように、前記孔が自己組織的に再配列されることによる。そして更に反応を進めていくと、前記孔は孔径を広げながら下層側に延びていき、最終的に、下地の層（基板１０や電極１１）まで貫通したナノホールアレイが形成される。
ところで、このような微細孔は通常、基板に対して垂直な方向に開いていく。しかし、本実施形態では、このような陽極酸化処理を基板面に平行な磁界中で行なっているため、前記微細孔は基板に対して斜め方向に開孔されることになる。つまり、陽極酸化は、電解液中の酸素イオンを電気的な作用によって金属膜の表面に引き寄せて金属表面を酸化するものであるため、陽極酸化を磁界中で行なった場合には、このイオンの動きに異方性が生じ、酸化膜の成長方向が指向性を持つようになる。例えば、磁界を基板の法線に対して非平行な方向に印加した場合には、酸化膜は、基板の法線方向から磁界の方位角方向側に傾いた方向に成長するようになる。本例では、磁界を基板面に平行な方向に印加しているので、微細孔はその磁界の方向に向けて傾倒した状態で開孔されることになる。
【００３９】
図９は、陽極酸化膜１６ａの概略構造を示す模式図であり、図９（ａ）はその部分斜視図、図９（ｂ）はその部分断面図である。この陽極酸化膜１６ａは、セルと呼ばれる一定サイズの円柱状のアルミナ層Ｃが細密充填した構造からなる。各セルＣの中心には均一な径の微細孔（ポア）Ｐが開孔しており、この微細孔Ｐが膜面に垂直に配向して配列するという特異な幾何学構造となっている。各微細孔Ｐのピッチ（即ち、セルＣのサイズ），サイズ，深さ、下地のアルミニウムの残存率は、電解液Ｅの濃度，温度、陽極酸化時の電圧，電流密度，時間を変えることによって制御することができる。また、適切な条件を選択することで、これらの微細孔Ｐが、形状，サイズ，深さ等において均一で、且つこれらが長距離にわたって一定のピッチで規則配列したホールアレイ構造を形成することが可能である。
【００４０】
また、本実施形態では、陽極酸化膜を磁界Ｈ′によって斜めに成長させているので、各微細孔Ｐは基板の法線に対して一定の角度θで傾斜している。この傾斜角θは、酸化膜の成長過程における異方性の大きさ、即ち、磁界Ｈ′の強さを変えることによって制御することができる。例えば、磁界Ｈ′が１Ｔ（１０ｋＧ）以上になると、微細孔Ｐは基板法線に対して傾斜を生じるようになる。本例では、磁界Ｈ′を２Ｔとして微細孔Ｐの傾斜角θを５°程度としている。
なお、本例では、長時間（例えば１時間）の陽極酸化を行なうことによって、下地のアルミニウムを略ゼロとした。こうすることによって、可視光が透過可能になり、透過型の表示装置に利用できるようになる。
【００４１】
次に、図１０に示すように、陽極酸化膜１６ａの各微細孔Ｐ内に繊維状の金属膜１６ｂをメッキ形成する。本例では、前記陽極酸化膜１６ａの形成された基板１０を１ｍｏｌ／ｌの硫酸ニッケルと３０ｇ／ｌの硼酸からなる２０℃のメッキ浴に入れて、交流電析法によってニッケルを微細孔Ｐ内に電解析出し、該微細孔Ｐから突き出るようにしている。このような突起状の金属メッキ膜１６ｂは、基板表面に一定の密度で配列形成されることで、その金属メッキ膜１６ｂの延在方向に沿った方向に配向力を持つようになる。本例では、このような金属メッキ膜１２ｂが基板に一定のピッチで規則的に配列されているため、広い範囲で均一な配向状態が得られる。
【００４２】
次に、同様の方法を用いて上基板２０に配向膜２６を形成する。そして、これらの基板１０，２０を用いて空セルを作製し、この空セルの中に誘電異方性が負の液晶を充填（例えば真空注入）する。
以上により、液晶装置３が製造される。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態では陽極酸化を磁界中で行なっているので、一様なチルト配向を実現することができる。また、この磁界の方向及び大きさを制御することによって、微細孔Ｐの傾き（即ち、液晶Ｌのチルト）を制御することが可能である。
【００４４】
［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態を図１１，図１２を用いて説明する。本実施形態において、前記第３の実施の形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態において前記第３の実施形態と異なる点は、電極と配向膜との間に前記電極を保護するための保護膜を配置した点と、陽極酸化膜の孔内に金属メッキ膜を形成した後にこの陽極酸化膜を除去し、導電性突起である前記金属メッキ膜のみを配向膜として残すようにした点のみである。すなわち、前記第３の実施形態では、ＩＴＯ等の電極１１，２１の表面に直接金属膜Ｍ１を形成したが、本実施形態では、金属膜Ｍ１を形成する前に予め電極１１，２１の表面に電解液Ｅ（本例では０．５Ｍのシュウ酸）に対して耐食性を有する保護膜１３，２３を形成している。このように保護膜１３，２３を形成してから陽極酸化を行なうようにすることで、下地の電極１１，２１が電解液Ｅによって腐食されるのを防止することができる。なお、保護膜１３，２３はＳｉＯ２等の無機絶縁膜によって構成されている。このため、仮に陽極酸化工程において金属膜Ｍ１の一部が酸化されずに残ったとしても、これによって電極間に短絡が生じることはない。
【００４５】
また、本実施形態では金属メッキ膜を形成した後、陽極酸化膜をエッチングによって除去しているので、基板１０（２０）の配向膜は繊維状の金属メッキ膜１７（２７）のみで構成されることになる（図１２参照）。このため、従来の絶縁材料からなる配向膜（ポリイミド等の有機配向膜やＳｉＯ２斜方蒸着膜等の無機絶縁配向膜など）と違って、液晶Ｌに電圧を印加した際に、この無機配向膜１７，２７が誘電体として機能して電圧降下が起きるといった問題は生じない。すなわち、電極１１，２１に印加した電圧をフルに液晶Ｌに印加することが可能になる。なお、陽極酸化膜の除去は、３０ｇ／ｌの酸化クロムと３５ｍｌ／ｌのリン酸とを含むエッチング液に基板を１分間浸漬することによって行なうことができる。
このように本実施形態によれば、液晶装置４の配向安定性や信頼性を更に高めることができ、液晶装置４を製造する際の歩留まりを高めることも可能である。また、配向膜１７，２７を導電材料によって構成したことで、電気的特性にも優れたものとなる。
【００４６】
［電子機器］
次に、前述の液晶装置を備えた電子機器について説明する。ここでは、一例として、前記液晶装置を光変調手段として備えた透過型の投射型表示装置について説明する。
図１３は、本例の投射型表示装置の一例である３板式のカラー液晶プロジェクタの概略構成を示す図である。この図において、５１０は光源、５１３、５１４はダイクロイックミラー、５１５、５１６、５１７は反射ミラー、５１８は入射レンズ、５１９はリレーレンズ、５２０は出射レンズ、５２２、５２３、５２４は透過型液晶ライトバルブ、５２５はクロスダイクロイックプリズム、５２６は投射レンズを示す。
【００４７】
光源５１０はメタルハライド等のランプ５１１とランプの光を反射するリフレクタ５１２とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー５１３は、光源５１０からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー５１７で反射されて、前記実施形態の液晶装置を備えた赤色光用液晶ライトバルブ５２２に入射される。一方、ダイクロイックミラー５１３で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー５１４によって反射され、前記実施形態の液晶装置を備えた緑色光用液晶ライトバルブ５２３に入射される。なお、青色光は第２のダイクロイックミラー５１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ５１８、リレーレンズ５１９、出射レンズ５２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段５２１が設けられ、これを介して青色光が前記実施形態の液晶装置を備えた青色光用液晶ライトバルブ５２４に入射される。赤色光用液晶ライトバルブ５２２、緑色光用液晶ライトバルブ５２３、青色光用液晶ライトバルブ５２４の前後にはそれぞれ入射側偏光板５２２ａ、５２３ａ、５２４ａと出射側偏光板５２２ｂ、５２３ｂ、５２４ｂが設置されている。入射側偏光板で直線偏光となった光は液晶ライトバルブにより変調された後、出射側偏光板を通過するが、この時決められた振動方向の光しか透過できないため調光が可能となる。
【００４８】
各液晶ライトバルブと２枚の偏光板により調光された３つの色光はクロスダイクロイックプリズム５２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ５２６によってスクリーン５２７上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００４９】
本例の投射型表示装置は、前記実施形態の液晶装置を備えたものであるので、量産性に優れ、液晶層を構成する液晶分子に対する配向規制力が高く、さらに光や熱に対する耐久性に優れた、高信頼性の表示装置である。本例では、従来、ポリイミド有機膜を配向膜に用いた場合に２０００時間であった寿命を１００００時間以上にすることができた。
なお、本例では赤色光用，緑色光用，青色光用の各液晶ライトバルブに前記実施形態の液晶装置を用いたが、係る液晶装置は必ずしも全ての液晶ライトバルブに適用される必要はなく、少なくともいずれかの液晶ライトバルブに適用すれば、耐久性の向上を図ることができる。この場合、特に光のエネルギーが高い青色光用の液晶ライトバルブに適用するのが効果的である。
【００５０】
［第５の実施の形態］
次に、本発明の第５の実施の形態を図１４を用いて説明する。本実施形態において、前記第１の実施の形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態において前記第１の実施形態と異なる点は、下基板１０側の電極を高反射率の金属反射電極１４とし、上基板２０側の配向膜をポリイミド等の有機配向膜２４とした点のみである。すなわち、前記第１の実施形態では、電極１１，２１の表面に、これとは別の金属膜Ｍ１を形成し、この金属膜Ｍ１を全て陽極酸化することによって電極１１，２１の表面にポーラスな無機配向膜１２，２２を形成した。これに対して本実施形態の液晶装置５では、基板１０に電極１１を設けずに、基板表面に直接陽極としての金属膜Ｍ１を成膜する。そして、陽極酸化膜の形成工程において、該金属膜Ｍ１の表面のみを陽極酸化し、それ以外の前記金属膜Ｍ１を液晶Ｌに電圧を印加するための電極１４として残している。こうすることで、別途、液晶配向用の電極を形成する必要がなくなり、工程を簡単にすることができる。
【００５１】
また、上基板側の配向膜を配向能力に優れる有機配向膜２４としたため、液晶充填後の初期の配向状態（例えば液晶注入直後の配向状態）を安定させることができる。つまり、無機配向膜１２のように形状効果によって液晶Ｌを配向させる形状配向膜では、液晶Ｌは準安定な配向状態をとり易く、液晶充填直後の配向状態は不安定になり易い。このため、液晶Ｌが最も安定な配向状態に遷移できるように、前述の形状効果による配向力の他に、これをアシストするような何らかの配向力を付与することが望ましい。一方、ポリイミド等の有機配向膜では、液晶Ｌの配向は有機配向膜と液晶Ｌとの分子間力によって強固に規制されるため、前述の無機配向膜１２に比べて安定配向への遷移が確実に行なわれ、遷移するまでの時間も短い。このため、本実施形態のように上基板２０側を有機配向膜２４とすることで、その有機配向膜２４の配向規制力を液晶層３０を介して間接的に下基板１０側に伝えることができ、この結果、無機配向膜１２近傍の液晶Ｌの配向状態を最も安定な状態に短時間で確実に遷移させることが可能になる。
このように本実施形態によれば、液晶装置５の配向安定性や信頼性を更に高めることができる。
【００５２】
［第６の実施の形態］
次に、本発明の第６の実施の形態を図１５を用いて説明する。本実施形態において、前記第５の実施の形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態において前記第５の実施形態と異なる点は、下基板１０側の陽極酸化膜の微細孔が基板に対して傾斜した状態で配列形成されている点のみである。本例では陽極酸化する際の磁界等の条件を調節することにより、液晶Ｌのチルト角を概ね５°（即ち、非選択状態において液晶Ｌは基板に対して平行配向から概ね５°傾斜したチルト配向をする）としている。そして、液晶Ｌに誘電異方性が正のネマチック液晶を用いて、これを上下基板間でハイブリッド配向させている。
このように本実施形態でも、液晶装置６の配向安定性や信頼性を更に高めることができる。
【００５３】
［電子機器］
次に、前述の液晶装置を備えた電子機器について説明する。ここでは、一例として、前記液晶装置を光変調手段として備えた反射型の投射型表示装置について説明する。図１６は、本例の投射型表示装置の一例である３板式のカラー液晶プロジェクタの概略構成を示す図である。
【００５４】
本例の液晶プロジェクタは、システム光軸Ｌに沿って配置した光源部７１０、インテグレータレンズ７２０、偏光変換素子７３０から概略構成される偏光照明装置７００、この偏光照明装置７００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面７４１により反射させる偏光ビームスプリッタ７４０、偏光ビームスプリッタ７４０のＳ偏光光束反射面７４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロックミラー７４２、分離された青色光（Ｂ）を変調する反射型液晶ライトバルブ７４５Ｂ、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロックミラー７４３、分離された赤色光（Ｒ）を変調する反射型液晶ライトバルブ７４５Ｒ、ダイクロックミラー７４３を通過する残りの光の緑色光（Ｇ）を変調する反射型液晶ライトバルブ７４５Ｇ、３つの反射型液晶ライトバルブ７４５Ｒ、７４５Ｇ、７４５Ｂにて変調された光をダイクロックミラー７４３、７４２、偏光ビームスプリッタ７４０にて合成し、この合成光をスクリーン７６０に投写する投写レンズからなる投写光学系７５０から構成されている。前記３つの反射型液晶ライトバルブ７４５Ｒ、７４５Ｇ、７４５Ｂには、それぞれ前述の実施形態で説明した液晶装置が用いられている。
【００５５】
光源部７１０から出射されたランダムな偏光光束は、インテグレータレンズ７２０により複数の中間光束に分割された後、第２のインテグレータレンズを光入射側に有する偏光変換素子７２０により偏光光束がほぼ揃った一種類の偏光光束（Ｓ偏光光束）に変換されてから偏光ビームスプリッタ７４０に至るようになっている。偏光変換素子７３０から出射されたＳ偏光光束は、偏光ビームスプリッタ７４０のＳ偏光光束反射面７４１によって反射され、反射された光束のうち、青色光（Ｂ）の光束がダイクロックミラー７４２の青色光反射層にて反射され、反射型液晶ライトバルブ７４５Ｂによって変調される。また、ダイクロックミラー７４２の青色光反射層を透過した光束のうち、赤色光（Ｒ）の光束はダイクロックミラー７４３の赤色光反射層にて反射され、反射型液晶ライトバルブ７４５Ｒによって変調される。一方、ダイクロックミラー７４３の赤色光反射層を透過した緑色光（Ｇ）の光束は反射型液晶ライトバルブ７４５Ｇにより変調される。以上のようにして反射型液晶ライトバルブ７４５Ｒ、７４５Ｇ、７４５Ｂによって色光の変調がなされる。
これらの液晶パネルの画素から反射された色光のうち、Ｓ偏光成分はＳ偏光を反射する偏光ビームスプリッタ７４０を通過せず、Ｐ偏光成分は通過する。この偏光ビームスプリッタ７４０を透過した光により画像が形成される。
【００５６】
本例の投射型表示装置は、前記実施形態の液晶装置を備えたものであるので、量産性に優れ、液晶層を構成する液晶分子に対する配向規制力が高く、さらに光や熱に対する耐久性に優れた、高信頼性の表示装置である。
なお、本例では赤色光用，緑色光用，青色光用の各液晶ライトバルブに前記実施形態の液晶装置を用いたが、係る液晶装置は必ずしも全ての液晶ライトバルブに適用される必要はなく、少なくともいずれかの液晶ライトバルブに適用すれば、耐久性の向上を図ることができる。この場合、特に光のエネルギーが高い青色光用の液晶ライトバルブに適用するのが効果的である。
【００５７】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。例えば、前記各実施の形態の液晶装置は、前述した投射型表示装置に限らず、種々の電子機器に搭載することができる。この電子機器としては例えば、携帯電話、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等があり、前記液晶装置はこれらの画像表示手段として好適に用いることができる。また、上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す断面模式図。
【図２】同、液晶装置の製造方法を説明するための図。
【図３】同、液晶装置の陽極酸化膜の構造を模式的に示す斜視図。
【図４】同、陽極酸化膜の微細孔に金属膜をメッキ形成する工程を示す図。
【図５】本発明の第２実施形態に係る液晶装置の構成を示す断面模式図。
【図６】同、液晶装置の配向膜の構造を示す断面模式図。
【図７】本発明の第３実施形態に係る液晶装置の構成を示す断面模式図。
【図８】同、液晶装置の製造方法を説明するための図。
【図９】同、液晶装置の陽極酸化膜の構造を模式的に示す斜視図。
【図１０】同、陽極酸化膜の微細孔に金属膜をメッキ形成する工程を示す図。
【図１１】本発明の第４実施形態に係る液晶装置の構成を示す断面模式図。
【図１２】同、液晶装置の配向膜の構造を示す断面模式図。
【図１３】本発明の電子機器の一例である投射型表示装置の概略構成を示す図。
【図１４】本発明の第５実施形態に係る液晶装置の構成を示す断面模式図。
【図１５】本発明の第６実施形態に係る液晶装置の構成を示す断面模式図。
【図１６】本発明の電子機器の一例である投射型表示装置の概略構成を示す図。
【符号の説明】
【００５９】
１，２，３，４，５，６・・・液晶装置、１０，２０・・・基板、１１，１４，２１・・・電極、１２，１６，２２，２６・・・無機配向膜、１２ａ，１６ａ・・・陽極酸化膜、１２ｂ，１６ｂ・・・金属メッキ膜、１５，１７，２５，２７・・・導電性突起（無機配向膜）、１３，２３・・・保護膜、２４・・・有機配向膜、３０・・・液晶層、Ｅ・・・電解液、Ｌ・・・液晶、Ｍ１・・・金属膜、Ｐ・・・微細孔
【図１】
2005275194.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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