(57)【要約】【課題】  光学的端面損傷（ＣＯＤ；Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄａｍａｇｅ）の抑制がなされる半導体発光装置と、この半導体発光装置の簡便な製造方法を提供する。【解決手段】  本発明による半導体発光装置１は、主たる電流通路が形成されるストライプ部の少なくとも一端部に非電流注入領域７ａが形成され、電流注入領域形成のために導入される不純物導入領域８がリッジ溝６ｂに達することのない構成とする。また、本発明による半導体発光装置の製造方法は、エピタキシャル成長によって活性層５と各クラッド層４及び６を積層形成するエピタキシャル成長工程と、第２導電型クラッド層６のリッジ６ａのストライプ方向の少なくとも一端部の非電流注入領域７ａを除き、かつ上記電流阻止層７の少なくとも一部の厚さを残して電流注入領域を形成するための不純物導入工程とを有する構成とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、少なくとも第１導電型クラッド層と、活性層と、第２導電型クラッド層と、第１導電型の電流阻止層と、ストライプ状の電流注入領域を形成する第２導電型の不純物導入領域と、該ストライプ状電流注入領域のストライプ方向の少なくとも一端部に不純物導入がなされない非電流注入領域とが形成されて成ることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
上記第２導電型クラッド層の、上記ストライプ状電流注入領域の形成部にリッジが形成され、該リッジの両側に上記電流阻止層が形成されて成ることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
上記第１導電型が、ｎ型であり、上記第２導電型が、ｐ型であり、上記不純物がＺｎであることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
上記非電流注入領域が、上記ストライプ状電流注入領域のストライプ方向の両端部に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
上記電流注入領域が、上記電流阻止層の少なくとも一部を残して形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
基体上に、少なくとも第１導電型クラッド層と、活性層と、第２導電型クラッド層とを形成する第１のエピタキシャル成長工程と、
上記第２導電型クラッド層に、ストライプ状リッジを形成する工程と、
上記ストライプ状リッジを埋め込んで第１導電型の電流阻止層を少なくとも形成する第２のエピタキシャル成長工程と、
上記電流阻止層に、上記リッジに達し、かつ該リッジのストライプ方向の少なくとも一端部の非電流注入領域を除き、かつ上記電流阻止層の、少なくとも第２導電型クラッド層側の一部の厚さを残して上記第２導電型の不純物を限定的に導入して電流注入領域を形成する不純物導入工程とを有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項７】
上記第１導電型が、ｎ型であり、上記第２導電型が、ｐ型であり、上記不純物がＺｎであることを特徴とする請求項６に記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ等の半導体発光素子を有する半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、光学記録媒体例えばＣＤ−Ｒ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）等の光ディスクにおける記録／再生装置には、半導体レーザ装置等の半導体発光装置が用いられる。
光学記録媒体における記録に関しては、その記録密度の上昇とともに、年々高速化が求められる傾向にある。記録速度の上昇は、単位面積に光が照射される時間の短縮を余儀なくされるため、必然的に半導体発光装置の出力増加が求められる。
【０００３】
この従来の半導体発光装置の製造においては、まず、図１０Ａに示すように、第１導電型例えばｎ型のＧａＡｓによる基板１０２を用意し、第１導電型例えばｎ型のＧａＡｓよりなるバッファ層１０３と、第１導電型例えばｎ型のＡｌＧａＡｓよりなる第１導電型クラッド層１０４と、例えばＡｌＧａＡｓとＧａＡｓとの多重量子井戸（ＭＱＷ）構造による活性層１０５と、第２導電型例えばｐ型のＡｌＧａＡｓよりなる第２導電型クラッド層１０６とを、例えばＣＶＤによるエピタキシャル成長によって順次積層形成する第１のエピタキシャル成長工程を行う。
そして、第２導電型クラッド層１０６のリッジ１０６ａ形成部の上面にエッチングマスク（図示せず）を形成した後、上面よりエッチングを行ってリッジ溝１０６ｃを形成し、その後エッチングマスクを除去して、図１０Ａに示すように、ストライプ状のリッジ１０６ａを形成する工程を行う。
【０００４】
次に、図１０Ｂに示すように、電流阻止層１０７の上面に対して全体的に、例えば亜鉛（Ｚｎ）等の不純物の拡散を、電流阻止層の少なくとも一部の厚さを残して、例えばリッジ１０６ａに至り、かつリッジ溝１０６ｂに至らない深さにまで行い、強制的に第２導電型例えばｐ型として不純物導入領域１０８を形成して、不純物導入工程を行う。
その後、図９に示すように、第１導電型電流阻止層１０７の上面に、例えばＣＶＤによって第２導電型例えばｐ型のＧａＡｓよりなるキャップ層１０９を成膜し、キャップ層１０９の上面に例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの多層膜よりなる第１電極１１１を、基板２の裏面に例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕの多層膜よりなる第２電極１１２を、それぞれオーミックに被着することにより、図９に示すような半導体発光装置１０１を作製する。
【０００５】
この種の半導体発光装置１０１においては、第１導電型電流阻止層１０７内に形成された不純物導入領域１０８によって、第２導電型クラッド層１０６のリッジ１０６ａとキャップ層１０９とが連通され、第１電極１１１及び第２電極１１２による順方向電圧の印加によって、リッジ１０６ａにおいて主たる電流注入領域が形成され、リッジ１０６ａの直下部に相当する活性層１０５の中央部１０５ａにおいて、主たるレーザ発光がなされるものである。
【０００６】
近年、半導体発光装置例えば半導体レーザの出力増加に伴い、端面近傍での非発光再結合中心の増加による急速劣化すなわち光学的端面損傷（ＣＯＤ；Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄａｍａｇｅ）の抑制が求められるようになった。
これに対し、活性層を半導体発光装置の端面に露出させることなく、活性層と半導体発光装置端面との間に、活性層よりも禁制帯幅が大きい拡散防止層と光学損傷抑制層とを配することで、端面付近への電流の注入を低減し、光学的端面損傷の抑制を図った半導体発光素子が提案された（例えば特許文献１）。
【特許文献１】特開２００２−６４２３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上述した活性層やクラッド層等を形成するエピタキシャル成長工程とは別の工程によって拡散防止層と光学損傷抑制層とを形成する構成とするときは、構造の複雑さと、これによる製造の煩雑性が問題となる。
【０００８】
また、クラッド層の一主面にコンタクト層から成るリッジを形成し、その後絶縁層を別途形成するなどの方法によって電流を狭窄し、電流注入領域を所望の形状及び大きさに形成することの提案もなされているが、このように半導体の製造工程中に絶縁層を形成する工程を伴うことは、製造の煩雑さと歩留りの低下を来たすなどの問題が生じる。
【０００９】
本発明は、半導体発光装置に関する上述の諸問題の解決を図るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による半導体発光装置は、基体上に、少なくとも第１導電型クラッド層と、活性層と、第２導電型クラッド層と、第１導電型の電流阻止層と、ストライプ状の電流注入領域を形成する第２導電型の不純物導入領域と、このストライプ状電流注入領域のストライプ方向の少なくとも一端部に不純物導入がなされない非電流注入領域とが形成されて成ることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、上述の半導体発光装置において、上述の第２導電型クラッド層の、上記ストライプ状電流注入領域の形成部にリッジが形成され、このリッジの両側に上述の電流阻止層が形成されて成ることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、上述の半導体発光装置において、第１導電型が、ｎ型であり、第２導電型が、ｐ型であり、上述の不純物がＺｎであることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明は、上述の半導体発光装置において、非電流注入領域が、ストライプ状電流注入領域のストライプ方向の両端部に形成されることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、上述の半導体発光装置において、電流注入領域が、電流阻止層の少なくとも一部を残して形成されることを特徴とする。
【００１５】
本発明による半導体発光装置の製造方法は、基体上に、少なくとも第１導電型クラッド層と、活性層と、第２導電型クラッド層とを形成する第１のエピタキシャル成長工程と、第２導電型クラッド層に、ストライプ状リッジを形成する工程と、ストライプ状リッジを埋め込んで第１導電型の電流阻止層を少なくとも形成する第２のエピタキシャル成長工程と、電流阻止層に、上述のリッジに達し、かつこのリッジのストライプ方向の少なくとも一端部の非電流注入領域を除き、かつ電流阻止層の、少なくとも第２導電型クラッド層側の一部の厚さを残して上述の第２導電型の不純物を限定的に導入して電流注入領域を形成する不純物導入工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、上述の半導体発光装置の製造方法において、第１導電型が、ｎ型であり、第２導電型が、ｐ型であり、上述の不純物がＺｎであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明による半導体発光装置によれば、例えば電流阻止のｐｎ接合を形成することによって電流狭窄がなされる。
そして本発明構成においては、ストライプ部の少なくとも一端部における非電流注入領域の形成によってＣＯＤの抑制が図られることが確認され、端面の劣化が低減されることが確認された。これにより、本発明構成によれば、高出力の半導体発光装置が得られるものである。
【００１８】
また、本発明による半導体発光装置によれば、電流注入領域形成のための不純物が活性層に達することのない構成としたことによって、活性層の結晶性の低下を回避できる。
【００１９】
そして、本発明による半導体発光装置の製造方法によれば、例えばエピタキシャル成長によって活性層及び各クラッド層を積層形成する工程と、電流注入領域を形成するための不純物導入工程のみによって、非電流注入領域の形成ならびに電流狭窄がなされることから、本発明による半導体発光装置を容易に製造することができるなど、本発明構成によれば、重要かつ多くの効果をもたらすことができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態例を説明するが、本発明は、この実施の形態例に限られるものでないことは、言うまでもない。
【００２１】
本発明による半導体発光装置の実施の形態例について、その理解を容易にするために、本発明による半導体発光装置の製造方法の実施の形態例とともに図１〜図３を参照して説明する。
まず、図２Ａに示すように、第１導電型例えばｎ型のＧａＡｓによる基板２を用意し、第１導電型例えばｎ型のＧａＡｓよりなるバッファ層３と、第１導電型例えばｎ型のＡｌＧａＡｓよりなる第１導電型クラッド層４と、例えばＡｌＧａＡｓとＧａＡｓとの多重量子井戸（ＭＱＷ）構造による活性層５と、第２導電型例えばｐ型のＡｌＧａＡｓよりなる第２導電型クラッド層６とを、例えばＣＶＤによるエピタキシャル成長によって順次積層形成する第１のエピタキシャル成長工程を行う。
そして、第２導電型クラッド層６のリッジ６ａ形成部の上面にエッチングマスク（図示せず）を形成した後、上面よりエッチングを行ってリッジ溝６ｂを形成し、その後エッチングマスクを除去してストライプ状のリッジ６ａを形成する工程を行う。
【００２２】
次に、図２Ｂに示すように、第２導電型クラッド層６の上面に、リッジ６ａとリッジ溝６ｂとに差し渡って、電流阻止のｐｎ接合を形成する第１導電型電流阻止層７を、例えばＣＶＤによって形成する第２のエピタキシャル成長工程を行う。
その後、第１導電型電流阻止層７の上面に対して例えばＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）による表面平坦化処理を行った後、例えばＳｉＯ２による不純物拡散防止膜１３を、例えばＣＶＤによって、第１導電型電流阻止層の上面に、全面的に形成する。
【００２３】
その後、図３Ａに示すように、不純物拡散防止膜１３を、例えばフォトレジストによって、半導体発光装置１の例えば共振器方向、すなわち上述のストライプ状リッジ６ａのストライプ方向の少なくとも一端部、この例においては両端部のみを残して除去する。
そして、図３Ｂに示すように、第１導電型電流阻止層７の上面に対して、第２導電型この例ではｐ型の例えば亜鉛（Ｚｎ）等の不純物の拡散を、不純物拡散防止膜１３の残存部の直下部を除き、リッジ６ａに至り、かつリッジ溝６ｂに至らない深さまで、つまり電流阻止層の少なくとも一部を残して選択的な深さにまで至るように行い、強制的に第２導電型例えばｐ型として不純物導入領域８を形成して電流注入領域とすることによって、不純物導入工程を行う。
【００２４】
ここで、本発明による半導体発光装置の、図３Ｂにおいて二点鎖線ａで示した断面の概略図を、図４に示す。
この実施の形態例では、本発明による半導体発光装置のストライプ６ｃの長手方向の端面においては、非電流注入領域７ａの存在によって、不純物導入領域８が露出しない構造となっている。
しかし、非電流注入領域７ａが形成されない内部においては、不純物導入領域８によって電流注入領域が形成されることから、第２導電型クラッド層６と、次の工程で形成されるキャップ層９とが連通される構成とするものである。
【００２５】
不純物導入工程の後、図１に示すように、第１導電型電流阻止層７の上面に、例えばＣＶＤによって第２導電型例えばｐ型のＧａＡｓよりなるキャップ層９を成膜し、キャップ層９の上面に例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの多層膜よりなる第１電極１１を、基板２の裏面に例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕの多層膜よりなる第２電極１２を、それぞれオーミックに被着形成することにより、図１に示すように、この実施の形態例による半導体発光装置１を作製する。
【００２６】
この実施の形態例においては、第１導電型電流阻止層７内に選択的に、このストライプの少なくとも一端部、この例では両端部を非電流注入領域７ａとするように、これら領域７ａを除いて、第２導電型不純物例えば亜鉛（Ｚｎ）等の不純物の拡散などによって第２導電型とされた不純物導入領域８を形成するものである。
そして、この第２導電型不純物導入領域８によって、第２導電型クラッド層６のリッジ６ａと第２導電型のキャップ層９とが連通される。この構成によって、第１電極１１及び第２電極１２に対する順方向電圧の印加によって、リッジ６ａにおいて主たる電流注入領域がストライプ状に形成され、このストライプの少なくとも一端部すなわちこの例では両端部の非電流注入領域１４を除き、リッジ６ａの直下部に相当する活性層５の中央部５ａにおいて、主たるレーザ発光がなされるものである。
【００２７】
次に、本発明による半導体発光装置の一例における発光特性及び測定結果について、図５〜図８を参照して説明する。
【００２８】
図５Ａ及び図５Ｂに、本発明による半導体発光装置の一例と従来の半導体発光装置とにおける光出力と注入電流との測定結果の一例を示す。
この測定結果の例は、本発明による半導体発光装置を構成する半導体レーザの一方のレーザ光出射端面近傍（前部；Ｆと記す）と、その反対側（後部；Ｒと記す）とに、ストライプ６ｃの長手方向にそれぞれ２０μｍ及び７０μｍの非電流注入領域１４を設けた例である。
本発明による半導体発光装置においては、図５Ａに示すように、０〜６００ｍＡの全測定範囲において、光出力の急激な変化は生じていない。
従来の半導体発光装置においては、図５Ｂに示すように、例えば注入電流が４００ｍＡを越えたところで光出力の急激な低下が生じている。これは、ＣＯＤの発生によるものと考えられる。
この結果より、本発明構成による半導体発光装置は、従来の半導体発光装置に比して良好な特性を有することが確認できた。
【００２９】
続いて、本発明による半導体発光装置の一例における、リッジ６ａによって形成されるストライプ６ｃの、不純物導入領域８すなわちＺｎ拡散領域の長さｌと光出力との関係の、温度をパラメータとする測定結果を、図６Ｂ〜Ｇに示す。図６Ａは、非電流注入領域７ａを設けない場合に関する同様の測定結果を対比して示したものである。
この場合、本発明による半導体発光装置を構成する半導体レーザの一方のレーザ光出射端面近傍（前部；Ｆと記す）と、その反対側（後部；Ｒと記す）との少なくともいずれか一方に非電流注入領域１４を設けた例であって、いずれの結果においても、光出力が０ｍＷ〜１８０ｍＷの間では、温度に関わらずキンク及びＣＯＤの発生は確認されなかった。
【００３０】
続いて、リッジ６ａによって形成されるストライプの、不純物導入領域８の長さｌと、閾値電流Ｉｔｈの温度依存性を表す指標の温度特性Ｔｏ、動作電流Ｉｏｐ、発振波長λｐ、電流閾値Ｉｔｈとのそれぞれの関係について測定した結果に関して、図７を参照して説明する。
【００３１】
まず、リッジ６ａによって構成されるストライプにおける、不純物導入領域８の長さｌによる特性温度Ｔｏの変化について、図７Ａを参照して説明する。
この例においては、リッジ６ａによって形成される長さ９００μｍのストライプ６ｃにおいて、その全域に渡って不純物導入がなされて電流通路が形成される場合と、本発明構成による、一部に非電流注入領域１４を形成した場合とを比較した。非電流注入領域１４が形成される本発明による半導体発光装置において、ｌの変化に応じてＴｏに変化は生じていない。したがって、本発明による半導体発光装置において、ストライプの一端部に非電流注入領域を設け、またその長さを変化させることによってＴｏが低下することはないと考えられる。
【００３２】
次に、リッジ６ａによって構成されるストライプにおける、不純物導入領域８の長さｌによる発振波長λｐの変化について、図７Ｂを参照して説明する。
この例では、温度（２５℃及び８０℃）をパラメータとして、長さ９００μｍのストライプの全域に渡って不純物導入がなされる場合と比較して、本発明構成における、不純物導入領域８の長さｌに対する発振波長λｐの変化を測定した。この測定においても、ストライプの一端部に限定領域を設けることによって、Ｉｏｐに特別な変化が生じていないことから、本発明による半導体発光装置においては、ストライプの一端部に非電流注入領域を設け、またその長さを変化させることによって発振波長λｐの変動は生じないものと考えられる。
【００３３】
次に、リッジ６ａによって構成されるストライプにおける、不純物導入領域８の長さｌによる動作電流Ｉｏｐの変化について、図７Ｃを参照して説明する。
この例では、温度（２５℃及び８０℃）をパラメータとして、長さ９００μｍのストライプの全域に渡って不純物導入がなされる場合と比較して、本発明構成における、不純物導入領域８の長さｌに対する動作電流Ｉｏｐの変化を測定した。この測定においても、ストライプの一端部に限定領域を設けることによって、Ｉｏｐに特別な変化が生じていないことから、本発明による半導体発光装置においては、ストライプの一端部に非電流注入領域を設け、またその長さを変化させることによって動作電流Ｉｏｐの変動は生じないものと考えられる。
【００３４】
次に、リッジ６ａによって構成されるストライプにおける、不純物導入領域８の長さｌによる電流閾値Ｉｔｈの変化について、図７Ｄを参照して説明する。
この例では、温度（２５℃及び８０℃）をパラメータとして、長さ９００μｍのストライプの全域に渡って不純物導入がなされる場合と比較して、本発明構成における、不純物導入領域８の長さｌに対する電流閾値Ｉｔｈの変化を測定した。この測定においても、ストライプの一端部に限定領域を設けることによって、電流閾値Ｉｔｈに特別な変化が生じていないことから、本発明による半導体発光装置においては、ストライプの一端部に非電流注入領域を設け、またその長さを変化させることによって電流閾値Ｉｔｈの変動は生じないものと考えられる。
【００３５】
続いて、本発明による半導体発光装置の一実施例における、リッジ６ａによって構成されるストライプにおける、不純物導入領域８の長さｌとＣＯＤの発生レベル（所期ＣＯＤレベル）との実験結果について、図８Ａを参照して説明する。
図８Ａにおいて矢印をもってその傾向を示すように、ストライプの全長に亘ってＺｎ拡散した、ｒｅｆを付したプロットに比し、不純物導入領域を減少するにつれて光学損傷ＣＯＤの発生出力が高められることが確認されたことから、非電流注入領域の長さを大とすることにより、ＣＯＤの発生を抑制できることが明らかとなった。
【００３６】
続いて、本発明による半導体発光装置の一実施例における、リッジ６ａによって構成されるストライプにおける、不純物導入領域８の長さｌと、光出力―動作電流曲線（Ｌ−Ｉ曲線）における特異点との関係について、図８Ｂを参照して説明する。
本発明による半導体発光装置においては、非電流注入領域の長さが１０μｍである場合に、Ｌ−Ｉ曲線における特異点が約０．５ｍＷとなり、非電流注入領域の長さが２０μｍである場合に、Ｌ−Ｉ曲線における特異点が約１．０ｍＷとなる結果が得られた。
通常、ＣＤの読み込みに用いられる半導体発光装置例えば半導体レーザは、その出力が３ｍＷ程度であることから、使用に際しては特異点を１ｍＷ程度までに保持することが望ましい。
【００３７】
以上の実験結果より、この実施の形態例における半導体発光装置は、特に非電流注入領域の長さを２０μｍ以下として構成することにより、良好な特性を有すると考えられる。
また、本発明構成による半導体発光装置においては、第１導電型電流阻止７層の上面から活性層５までの距離が通常数μｍであることから、再現性及び歩留りの低下を考慮する観点から、リッジ６ａによるストライプにおいて、非電流注入領域を３μｍ以上の長さに渡って設ける構成とすることが望ましい。
【００３８】
以上、本発明による半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法の実施の形態例について説明したが、本発明による半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法は、この実施の形態例に限られるものでないことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明による半導体発光装置の一例の要部の構造を示す概略斜視図である。
【図２】Ａ及びＢは、本発明による半導体発光装置の製造方法の一例の説明に供する、製造の一工程における概略斜視図である。
【図３】Ａ及びＢは、本発明による半導体発光装置の製造方法の一例の説明に供する、製造の一工程における概略斜視図である。
【図４】本発明による半導体発光装置の製造方法の一例の一工程における、要部の概略断面図である。
【図５】Ａ及びＢは、本発明による半導体発光装置の一例における、光出力と動作電流との関係を表す概略図である。
【図６】Ａ〜Ｇは、それぞれ本発明による半導体発光装置の一例における、不純物導入領域の長さｌと光出力との関係の温度をパラメータとする測定結果を示す図である。
【図７】Ａ〜Ｄは、それぞれ本発明による半導体発光装置の一例における、不純物導入領域の長さｌと、特性温度Ｔｏ、動作電流Ｉｏｐ、発振波長λｐ、電流閾値Ｉｔｈとのそれぞれの関係について測定した結果を示す概略図である。
【図８】Ａ及びＢは、それぞれ本発明による半導体発光装置の一例における、不純物導入領域の長さｌと初期ＣＯＤレベルとの関係を示す概略図と、限定領域を除くストライプの長さｌと特異点との関係を示す概略図である。
【図９】従来の半導体発光装置の要部の構造を示す概略斜視図である。
【図１０】Ａ及びＢは、従来の半導体発光装置の製造方法の説明に供する、製造の一工程における概略斜視図である。
【符号の説明】
【００４０】
１・・・半導体発光装置、２・・・基板、３・・・バッファ層、４・・・第１導電型クラッド層、５・・・活性層、５ａ・・・中央部、６・・・第２導電型クラッド層、６ａ・・・リッジ、６ｂ・・・リッジ溝、６ｃ・・・ストライプ、７・・・第１導電型電流阻止層、７ａ・・・非電流注入領域、８・・・不純物導入領域、９・・・キャップ層、１０・・・積層半導体層、１１・・・第１電極、１２・・・第２電極、１３・・・不純物拡散防止膜、１４・・・限定領域、１０１・・・従来の半導体発光装置、１０２・・・基板、１０３・・・バッファ層、１０４・・・第１導電型クラッド層、１０５・・・活性層、１０５ａ・・・中央部、１０６・・・第２導電型クラッド層、１０６ａ・・・リッジ、１０６ｂ・・・リッジ溝、１０７・・第１導電型電流阻止層、１０８・・・不純物導入領域、１０９・・・キャップ層、１１０・・・積層半導体層、１１１・・・第１電極、１１２・・・第２電極
【図１】
2005235940.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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