(57)【要約】【課題】不純物イオンによる電圧保持の低下により生じる表示ムラ、シミ等を充分に解消し、長時間・長期使用の信頼性が向上された液晶表示装置を提供する。【解決手段】シールを介して構成される第一基板及び第二基板間に液晶層が形成されてなる液晶表示装置であって、該液晶表示装置は、基板の非表示領域の液晶層側に電極を有し、該電極の電位が略同一となるものであることを特徴とする液晶表示装置である。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シールを介して構成される第一基板及び第二基板間に液晶層が形成されてなる液晶表示装置であって、
該液晶表示装置は、基板の非表示領域の液晶層側に電極を有し、該電極の電位が略同一となるものである
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第一基板及び第二基板の少なくとも１つは、メタル配線を有し、前記非表示領域電極は、メタル配線と重なる領域以外に設けられてなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第一基板及び第二基板の少なくとも１つは、メタル配線及び層間絶縁膜を液晶層側に向かってこの順に有することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記非表示領域電極は、シール領域まで配置されてなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記非表示領域電極は、シール内側でコモン転移により導通されてなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記非表示領域電極は、シール外側でコモン転移により導通されてなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記非表示領域電極は、シール内導電性材料により導通されてなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。より詳しくは、マトリックス状に配置された画素電極をアクティブ素子によって選択駆動するアクティブマトリックス方式液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、情報や映像の表示手段として欠かすことができないものとなっているが、近年では、アクティブマトリックス方式液晶表示装置がＴＶやモニター等の用途に広く用いられている。このような用途においては、長時間点灯し、更に長期にわたり使用されることから、長時間・長期使用における信頼性を更に向上させることが求められている。
アクティブマトリックス方式液晶表示装置においては、電圧保持による表示の影響を大きく受けることになり、例えば、パネル内の不純物イオンによる電圧保持の低下による部分的な表示ムラ（輝度ムラ）、シミ等を充分に解消することが検討されている。
【０００３】
従来の液晶表示装置としては、不純物イオンの表示領域の染み出し（シミだし）による表示不良を防ぐため、ダミー電極やダミー画素を非表示領域に配置しダミー画素に電圧を印加することで、非表示領域部の不純物イオンを非表示領域内に留め信頼性向上を図ることが開示されている（例えば、特許文献１、２参照。）。
不純物イオンによる表示ムラ、シミの発生の機構と従来の液晶表示装置について説明する。図７（ａ）は、従来の液晶表示装置のパネル平面図を表す。また、図７（ｂ）は、図７（ａ）の切断面線Ｆ−Ｆ’から見たパネルの表示領域２１の一部及び非表示領域２２の断面図を表す。図７（ａ）に示されるように従来技術では、表示領域２１とシール２３との間の非表示領域２２に、ダミー電極又は画素と同じように駆動するダミー画素２４を配置している。
【０００４】
このような液晶表示装置においてシール内側非表示領域は、（I）第一基板、第二基板で対になったダミー画素、又は、ダミー電極部、（II）第二基板のＢＭ（ブラックマスク）剥き出し部と、その向かいの第一基板絶縁膜部、（III）シール液晶境界部からなっている。（II）からは、ＢＭ材からの不純物イオン、洗浄で落ちなかったＢＭ表面に付着している不純物イオンが染み出てくる。なお、表示領域は、配向膜を上に印刷するためこれらの影響は少ない。
また、（III）からは、シール硬化時の未反応不純物イオン等が染み出てくる。
これらの不純物イオンは、表示領域に入ると、電圧保持率の低下を引き起こし、輝度ムラ、シミが現れることになる。
【０００５】
これらを防ぐため、従来技術では、ダミー電極、又は、ダミー画素を駆動し電圧を印加することで、（I）の領域に不純物イオンを留め、表示領域の影響を防いでいる。
しかしながら、このような技術では下記の二点について工夫の余地がある。
（１）非表示領域内の不純物イオンの染み出しを加速させている。
（２）ダミー電極又はダミー画素に留めていた不純物イオンが電源ＯＦＦ時に表示領域に入り、輝度ムラ、シミの原因になっている。
【０００６】
（１）について説明すると、非表示領域には第一基板のメタル配線や、ダミー電極又はダミー画素の駆動の影響で、電場が発生しており、この電場は非表示領域のＢＭに付着した不純物イオンや、ＢＭやシールそのものから不純物イオンを引き出してしまい、結果として不純物イオンの染み出しを加速させている。
【０００７】
次に（２）について説明すると、従来技術では、染み出された不純物イオンはダミー電極、又は、ダミー画素を電圧印加することによって非表示領域に留められているが、電源をＯＦＦにすると、留められていた不純物イオンが表示領域内に染み出してしまう。
これらの点から長時間使用し、またＯＮ、ＯＦＦの回数も多いＴＶ等に液晶表示装置を使用する場合、従来の液晶表示装置のような不純物イオンをダミー電極又はダミー画素にトラップする方法では、充分な信頼性を得られないことから、不純物イオンによる電圧保持の低下により生じる表示ムラ、シミ等を充分に解消し、アクティブマトリックス方式等の液晶表示装置における長時間・長期使用の信頼性を更に向上させることが求められている。
【特許文献１】特開平４−２９５８２４号公報（第２、３頁、第１図）
【特許文献２】特開平９−５７８０号公報（第２、５頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、不純物イオンによる電圧保持の低下により生じる表示ムラ、シミ等を充分に解消し、長時間・長期使用の信頼性が向上された液晶表示装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者等は、表示ムラ、シミ等を抑制することができる液晶表示装置の構造について種々検討したところ、電圧保持の低下により引き起こる表示ムラ、シミは表示領域周辺の非表示領域から表示領域への不純物イオンの染み出しによるものが多く、これは非表示領域に隣り合う表示領域画素の駆動や、非表示領域のメタル配線の電場により、非表示領域のＢＭ表面に付着した不純物イオンが染み出したり、ＢＭ材やシールそのものから不純物イオンが染み出したりすることに起因することに着目した。そして、長時間・長期使用の充分な信頼性を得るには不純物イオンそのものの染み出しを防ぐのが有効であること、すなわち、従来技術のように染み出た不純物イオンを非表示領域に留め、表示領域への影響を防ぐことで信頼性向上を図るのではなく、不純物イオンが液晶層に染み出ることを防ぐことで信頼性向上を図ることが有効であり、長時間使用し、またＯＮ、ＯＦＦの回数も多いＴＶ等に適用する場合に特に有効であることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。
【００１０】
すなわち本発明は、シールを介して構成される第一基板及び第二基板間に液晶層が形成されてなる液晶表示装置であって、上記液晶表示装置は、基板の非表示領域の液晶層側に電極を有し、該電極の電位が略同一となるものである液晶表示装置である。
以下に本発明を詳述する。
【００１１】
本発明の液晶表示装置は、第一基板及び第二基板間にシール及び液晶層が形成されたものであり、通常では、第一基板及び第二基板間にシールを塗布して貼り合せ、液晶を充填して液晶層が形成されることになる。例えば、ＴＮモード(ツイステッド・ネマチック・モード)やＶＡモード(バーティカル・アライメント・モード)では、第一の基板にマトリックス状に複数本のメタル配線や画素電極が形成、配置され、また第二の基板に透明電極からなる共通電極が配置されることになる。また、ＩＰＳモード(インプレイン・スイッチング・モード)では、第一基板にメタル配線や電極が配置され、第二の基板には電極等が配置されないことになる。これら第一基板及び第二基板は、表示領域とその周辺に非表示領域とを有し、非表示領域にシールを有することになる。
【００１２】
本発明においては、基板の非表示領域の液晶層側に電極を有し、該電極の電位が略同一となる。例えば、ＴＮモードやＶＡモードでは、第一基板及び第二基板のそれぞれの非表示領域の液晶層側に額縁電極を設け、第一基板及び第二基板の額縁電極の電位が略同一となる。額縁電極とは、基板の非表示領域に形成されている電極をいい、例えば、画素電極が形成されている基板においては、非表示領域に、画素電極と同一又は異なる材料を用いて額縁電極を形成することになる。また、共通電極が形成されている基板においては、該共通電極を非表示領域まで延長して額縁電極を形成したり、非表示領域に、共通電極と同一又は異なる材料を用いて額縁電極を形成したりすることになる。
また、ＩＰＳモードでは、第一基板の非表示領域の液晶層側に信号電極と共通電極とを設け、これらの信号電極と共通電極の電位が略同一となる。
本発明においては、これらの形態において基板の非表示領域の液晶層側にある電極の電位が略同一、すなわち電極の電位が実質的に同一となればよく、非表示領域にあるＢＭ材やシール等から不純物イオンが染み出ることを抑制して、本発明の作用効果が発揮されることになればよい。また本発明においては、パネル駆動時に、基板の非表示領域の液晶層側にある電極の電位が略同一であり、また、パネル駆動時以外であっても電位が存在する場合には、電極の電位が略同一であるものであるが、特にパネル駆動時に電極の電位が略同一であることにより、本発明の効果が充分に発揮されることとなる。
【００１３】
このような液晶表示装置の好ましい形態を図１（ａ）及び（ｂ）に示す。図１（ａ）は、本発明の液晶表示装置を構成するパネルを概念的に示す平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）の切断面線Ａ−Ａ’から見たパネルの表示領域１の一部と非表示領域２を概念的に示す断面図である。
本発明においては、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第一基板及び第二基板の非表示領域２に額縁電極４（ダミー電極、非表示領域電極）を配置し、それら第一基板の額縁電極と第二基板の額縁電極とを同電位になるようにする。この場合、非表示領域２にある額縁電極４をシール領域３まで伸ばすことで液晶層への不純物イオンの染み出しをより充分に防ぐことができる。
【００１４】
上記図１（ａ）及び（ｂ）において本発明の作用効果を奏することになる理由としては、例えば、非表示領域電極を同電位にすると、図１（ｂ）の非表示領域２に発生する電場がほとんどなくなり、非表示領域２のＢＭ１１の表面、ＢＭ１１そのものからの不純物イオンの染み出しが防止されることが挙げられる。また、図１（ｂ）のシール部３と液晶層との境界領域（シール液晶境界領域）まで非表示領域電極を伸ばすことで、シール部３に印加されていた第一基板のメタル配線１０（メタル信号配線）からの電場をカットでき、シール材料からの不純物の染み出しが防止されることが挙げられる。
【００１５】
本発明の好ましい形態について、以下に説明する。
本発明の液晶表示装置において、上記第一基板及び第二基板の少なくとも１つは、メタル配線を有し、上記非表示領域電極は、メタル配線と重なる領域以外に設けられてなることが好ましい。また、上記第一基板及び第二基板の少なくとも１つは、メタル配線及び層間絶縁膜を液晶層側に向かってこの順に有すること、すなわちメタル配線部上に層間絶縁膜を有することが好ましい。
非表示領域からの不純物イオンの染み出しを防止する点からは、非表示領域電極が非表示領域全体にあることが好ましいが、例えば、非表示領域電極が層間絶縁膜を介してメタル配線と重なる領域に設けられる場合、絶縁体を介した容量によりソースやゲートの信号遅延が起こるおそれがある。この場合、メタル配線上の非表示領域を除いた形状で、すなわち、メタル配線と重なることになる非表示領域の一部を除いた形状で、非表示領域電極を形成すればよい。メタル配線としては、信号線（メタル信号配線、ソースライン）、走査線（ゲートライン）等が挙げられるが、信号線と重なることになる非表示領域の一部を除いた形状で非表示領域電極を形成することが好ましい。
【００１６】
上記非表示領域電極は、シール領域まで配置されてなることが好ましい。このような形態とすることにより、上述のように液晶層への不純物イオンの染み出しをより充分に防ぐことができる。また、（１）上記非表示領域電極は、シール内側でコモン転移により導通されてなる形態、（２）上記非表示領域電極は、シール外側でコモン転移により導通されてなる形態、（３）上記非表示領域電極は、シール内導電性材料により導通されてなる形態が好適である。
これらの場合、例えば、導電性物質（導電性材料）を介して、第一基板の非表示領域電極と第二基板の非表示領域電極とを接続することにより導通し、該電極の電位を略同一とすることになり、上述したように、シール材料からの不純物の染み出しをより充分に防止することが可能となる。
【００１７】
上記（１）の形態では、例えば、第二基板の非表示領域電極がシール内側でコモン転移にて第一基板の非表示領域電極と導通されることで同電位になる。この場合、例えば、図２に示すように、導電性ペースト１２等の導電性物質を塗布することにより、液晶層内で両基板の額縁電極４を接続して同電位とする。このような形態においては、上述のように非表示領域電極がシール領域まで配置されてなることが好ましい。
上記（２）の形態では、例えば、第二基板の非表示領域電極がシール外側でコモン転移にて第一基板の非表示領域電極と導通されることで同電位になる。この場合、例えば、図３に示すように、非表示領域電極の一部又は全部をシール３の外側まで伸ばして形成することにより額縁電極４とし、導電性ペースト１２等の導電性物質を塗布することにより、シール３を挟んで液晶層と対する側で両基板の額縁電極４を接続して同電位とする。
上記（３）の形態では、例えば、第二基板の非表示領域電極がシール内導電性材料で第一基板の非表示領域電極と導通されることで同電位になる。この場合、例えば、図４に示すように、表示領域電極の一部又は全部をシール３の内部まで伸ばして形成することにより額縁電極４とし、シール３内部において、導電性ビーズ１３等の導電性物質を両基板の額縁電極４と接するように配置して同電位とする。このような導電性ビーズ１３は、例えば、シール３を形成することになる樹脂に混合することにより、シール３内部に配置されることになる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の液晶表示装置は、上述の構成よりなり、非表示領域からの不純物イオンの染み出しを防止することができることから、不純物イオンによる電圧保持の低下により生じる表示ムラ、シミ等が充分に解消され、長時間・長期使用の信頼性が向上されたものであり、従来パネルより良好な表示品位を保つことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
【００２０】
実施形態１
発明の実施形態１を説明する。図５（ａ）は、本発明の実施形態１におけるパネルの第一基板の表示領域１及び非表示領域２の一部を概念的に示す平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）の切断面線Ｂ−Ｂ’から見た断面図であり、図５（ｃ）は、図５（ａ）の切断面線Ｃ−Ｃ’から見た断面図である。
まず、第一基板としては、ガラス基板５上に、Ａｌ膜をスパッタリング装置にて成膜し、フォトリソ工程及びドライエッチング等のエッチング工程により、ゲートライン１５（ゲート線、走査線）と、ゲート電極と、補助容量ラインとを同時に形成する。本実施の形態においては、透明絶縁性基板にガラスを用いているが、透明絶縁性を満たすものであればよく、例えばプラスチック基板等でも構わない。
次に、それらの上に、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなるゲート絶縁膜（層間絶縁膜）をプラズマＣＶＤ（プラズマ・ケミカル・ベイパー・デポジション）により成膜する。その後、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のアクティブ素子１４を形成するが、まず、活性半導体層をプラズマＣＶＤにより成膜する。次に、アモルファスシリコン（例えばｎ型アモルファスシリコン）層をプラズマＣＶＤにより成膜する。
更に、Ａｌ膜をスパッタリング装置にて成膜し、フォトリソ工程及びドライエッチング等のエッチング工程により、ソースライン１６（信号線）と、ソース電極と、ドレイン電極を形成する。
なお、ゲートライン、ゲート電極、補助容量ライン、ソースライン、ソース電極、ドレイン電極にはＡｌを用いたが、所望のバスライン抵抗が得られるものであればよく、例えばＴｉ、Ｃｒ等の金属やこれらの合金等を使用することも可能である。また、ＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ等の積層膜でも構わない。
【００２１】
次に、透明樹脂等の絶縁膜をスピンコーティング法等で形成し、この絶縁膜層７（層間絶縁膜）には、その上に形成する画素電極とドレインとをコンタクトするコンタクトホールや補助容量形成用のスルーホールを形成する。この絶縁膜層７の上にＩＴＯ（インジウムティンオキサイド）等の透明電極をスパッタリングで成膜し、フォトリソ、エッチング工程で画素電極９を形成する。このとき同時に非表示領域２に額縁電極４を形成する。この場合、シール領域３まで額縁電極４を形成することが好ましい。この非表示領域電極（額縁電極４、ダミー電極）は、非表示領域２全体にあることが望ましいが、額縁電極とメタル配線との絶縁体を介した容量により、ソースやゲートの信号遅延が起こる場合、図５（ｃ）で示すように、メタル配線（ソースライン１６）上の一部を除いた形状で非表示領域電極を形成すればよい。
【００２２】
次に、第二基板としては、ドライフィルム方式、スピンコーティング方式、インクジェット方式等により、第一基板の画素に対応するＲＧＢ（レッド・グリーン・ブルー）の画素、その他遮光部のＢＭを形成する。その後、対向電極（共通電極）として、ＩＴＯ等の透明電極を形成するが、そのとき対向電極を表示領域１部だけでなく非表示領域２、シール部３まで伸ばして形成し、額縁電極とする。
その後、第一基板及び第二基板ともに液晶分子が配向するようにポリイミドからなる配向膜を印刷又は塗布し、場合によってはラビング等の配向処理をした後、パネルのセル厚を保つことができるように、プラスチックビーズ等のスペーサーを散布するか、事前に柱スペーサーを第一基板又は第二基板に形成する。
【００２３】
次に、エポキシ樹脂等からなる熱硬化型シール材をディスペンサで描画し、両基板を貼り合わせ、シールを硬化させた後に液晶を注入することにより、又は、液晶を滴下した後に両基板を貼り合わせ、シールを硬化させることにより、パネルを作製する。シール材料は、ＵＶ（紫外線）硬化型材料を用い、ＵＶ照射により硬化させてもよい。第一基板と第二基板との導通は、基板を貼り合わせる前に、図２に示すように、第一基板及び第二基板の非表示領域２のシール３内側における額縁電極４に、例えばカーボン抵抗体ペースト等の導電性ペースト１２、又は、導電性ビーズを含む樹脂を塗布することで同電位にする。
【００２４】
従来の液晶表示装置おけるパネルは、７０℃通電試験１０００時間でパネル周辺部の輝度ムラが発生する場合があるが、本実施形態におけるＴＮモードのパネルは、１０００時間でも良好な表示品位を保つことができる。
この技術はＴＮモードだけでなく、ＶＡモードでも使用でき、また、ＩＰＳモードではアレイ基板対向基板に電極がないため、非表示領域の信号電極と共通電極を同電位にし、グランドに落とすことで同等の効果を得られる。
【００２５】
実施形態２
発明の実施形態２を説明する。図６（ａ）は、本発明の実施形態２におけるパネルの第一基板の表示領域１及び非表示領域２の一部を概念的に示す平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）の切断面線Ｄ−Ｄ’から見た断面図であり、図６（ｃ）は、図６（ａ）の切断面線Ｅ−Ｅ’から見た断面図である。
まず、第一基板としては、ガラス基板５上に、Ａｌ膜をスパッタリング装置にて成膜し、フォトリソ工程及びドライエッチング等のエッチング工程により、ゲートライン１５（ゲート線、走査線）と、ゲート電極と、補助容量ラインとを同時に形成する。本実施の形態においては、透明絶縁性基板にガラスを用いているが、透明絶縁性を満たすものであればよく、例えばプラスチック基板等でも構わない。
次に、それらの上に、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなるゲート絶縁膜（層間絶縁膜）をプラズマＣＶＤにより成膜する。その後、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のアクティブ素子１４を形成するが、まず、活性半導体層をプラズマＣＶＤにより成膜する。次に、アモルファスシリコン（例えばｎ型アモルファスシリコン）層をプラズマＣＶＤにより成膜する。
更に、ＩＴＯ等の透明電極、Ｍｏ膜をスパッタリング装置にて成膜し、フォトリソ工程及びドライエッチング等のエッチング工程により、ソースライン１６（信号線）と、ソース電極と、ドレイン電極を形成し、更にフォトリソ工程及びウエットエッチング等のエッチング工程で画素電極９を形成する。
なお、ゲートライン、ゲート電極、補助容量ラインにはＡｌを用い、ソースライン、ソース電極、ドレイン引き出し電極にはＭｏを用いたが、所望のバスライン抵抗が得られるものであればよく、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ等の金属やこれらの合金等を使用することも可能である。また、ＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ等の積層膜でも構わない。
【００２６】
次に、それらの上に、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる絶縁膜をプラズマＣＶＤにより成膜し、フォトリソ工程、エッチング工程でパターニングする。このとき、非表示領域２のメタル配線（ソースライン１６）上を絶縁膜（絶縁膜層７、層間絶縁膜）で覆う。
次に、非表示領域２にＴｉ膜をスパッタリングで成膜し、フォトリソ工程及びドライエッチング工程により非表示領域２のみに額縁電極４を形成する。この場合、シール領域３まで額縁電極4を形成することが好ましい。この額縁電極４（非表示領域電極、ダミー電極）にはＴｉを用いたが、例えばＡｌ、Ｃｒ等の金属やこれらの合金、ＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ等の積層膜やＩＴＯ、ＩＺＯ（インジウムジンクオキサイド）を使用することも可能である。非表示領域電極とメタル配線との絶縁体を介した容量により、ソースやゲートの信号遅延が起こる場合、図６（ｃ）に示すように、メタル配線（ソースライン１６）上の一部を除いた形状で非表示領域電極を形成すればよい。
【００２７】
次に、第二基板としては、ドライフィルム方式、スピンコーティング方式、インクジェット方式等により、第一基板の画素に対応するＲＧＢの画素、その他遮光部のＢＭを形成する。その後、対向電極（共通電極）として、ＩＴＯ等の透明電極を形成するが、そのとき対向電極を表示領域１部だけでなく非表示領域２、シール部３まで伸ばして形成し、額縁電極とする。
その後、第一基板及び第二基板ともに液晶分子が配向するようにポリイミドからなる配向膜を印刷又は塗布し、場合によってはラビング等の配向処理をした後、パネルのセル厚を保つことができるように、プラスチックビーズ等のスペーサーを散布するか、事前に柱スペーサーを第一基板又は第二基板に形成する。
【００２８】
次に、エポキシ樹脂等からなる熱硬化型シール材をディスペンサで描画し、両基板を貼り合わせ、シールを硬化させた後に液晶を注入することにより、又は、液晶を滴下した後に両基板を貼り合わせ、シールを硬化させることにより、パネルを作製する。シール材料は、ＵＶ硬化型材料を用い、ＵＶ照射により硬化させてもよい。第一基板と第二基板との導通は、基板を貼り合わせる前に、図２に示すように、第一基板及び第二基板の非表示領域２のシール３内側における額縁電極４に、例えばカーボン抵抗体ペースト等の導電性ペースト１２、又は、導電性ビーズを含む樹脂を塗布することで同電位にする。
【００２９】
従来の液晶表示装置におけるパネルは、７０℃通電試験１０００時間でパネル周辺部の輝度ムラが発生する場合があるが、本実施形態におけるＴＮモードのパネルは、１０００時間でも良好な表示品位を保つことが出来る。
この技術はＴＮモードだけでなく、ＶＡモードでも使用でき、また、ＩＰＳモードではアレイ基板対向基板に電極がないため、非表示領域の信号電極と共通電極を同電位にし、グランドに落とすことで同等の効果を得られる。
【００３０】
実施形態３
額縁電極４を一部シール３の外側まで伸ばして第一基板及び第二基板を作製する以外は、上記実施形態１又は実施形態２で述べた方法でパネルを作製する。この場合、図３に示すように、シール３の外側に出ている電極に、銀ペーストやカーボン抵抗体ペースト等の導電性ペースト１２を塗布し、第一基板と第二基板の額縁電極４を導通して同電位にする。このようにパネルを作製すると、実施形態１や実施形態２と同様の効果を得られる。
【００３１】
実施形態４
額縁電極４を一部シール３の内部まで伸ばして第一基板及び第二基板を作製する以外は、上記実施形態１又は実施形態２で述べた方法でパネルを作製する。この場合、図４に示すように、シール３内で、例えば金メッキされたプラスチックビーズ等の導電性ビーズ１３にて、第一基板と第二基板の額縁電極４を導通して同電位にする。このようにパネルを作製すると、実施形態１や実施形態２と同様の効果を得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】（ａ）は、本発明の液晶表示装置を構成するパネル平面図である。（ｂ）は、（ａ）の切断面線Ａ−Ａ’から見たパネル断面図である。
【図２】本発明における実施の一形態であるパネル断面図である（実施形態１又は２）。
【図３】本発明における実施の他の一形態あるパネル断面図である（実施形態３）。
【図４】本発明における実施の他の一形態あるパネル断面図である（実施形態４）。
【図５】（ａ）は、本発明における実施形態１のパネルの第一基板平面図である。（ｂ）は、（ａ）の切断面線Ｂ−Ｂ’から見た断面図である。（ｃ）は、（ａ）の切断面線Ｃ−Ｃ’から見た断面図である。
【図６】（ａ）は、本発明における実施形態２のパネルの第一基板平面図である。（ｂ）は、（ａ）の切断面線Ｄ−Ｄ’から見た断面図である。（ｃ）は、（ａ）の切断面線Ｅ−Ｅ’から見た断面図である。
【図７】（ａ）は、従来の液晶表示装置を構成するパネル平面図である。（ｂ）は、（ａ）の切断面線Ｆ−Ｆ’から見たパネル断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１、２１  表示領域
２、２２  非表示領域
３、２３  シール（部、領域）
４  額縁電極
５、２５  第一基板ガラス
６、２６  第二基板ガラス
７、２７  絶縁膜層
８、２８  共通電極
９、２９  画素電極
１０、３０  メタル配線（信号線）
１１、３１  ＢＭ（ブラックマスク）
１２  導電性ペースト
１３  導電性ビーズ
１４  アクティブ素子
１５  ゲートライン（メタル配線）
１６  ソースライン（メタル配線）
２４  ダミー画素又はダミー電極
【図１】
2005275144.tif 000003
【図２】
2005275144.tif 000004
【図３】
2005275144.tif 000005
【図４】
2005275144.tif 000006
【図５】
2005275144.tif 000007
【図６】
2005275144.tif 000008
【図７】
2005275144.tif 000009