(57)【要約】【課題】コスト上昇を抑制しながら、精度の高いリソグラフィを行なうことができるフォトマスクおよびその製造方法を提供する。【解決手段】フォトマスクは、第１の透明基板としての透明基板１と、透明基板１と対向し、それぞれ異なる遮光パターン５，６，７を有し、透明基板１に着脱自在に取り付けられた複数の第２の透明基板としての透明基板２，３，４とを備え、透明基板２，３，４に形成された遮光パターン５，６，７を組み合わせることで所定の遮光パターンが形成される。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の透明基板と、
前記第１の透明基板と対向し、それぞれ遮光パターンを有し、第１の透明基板に着脱自在に取り付けられた複数の第２の透明基板とを備え、
前記第２の透明基板に形成された前記遮光パターンを組み合わせることで所定の遮光パターンが形成されるフォトマスク。
【請求項２】
前記第２の透明基板は、それぞれ異なる遮光パターンを有する、請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記第１および第２の透明基板はアライメントマークを有する、請求項１または請求項２に記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記遮光パターンは前記第２の透明基板の表面部に埋め込まれた、請求項１から請求項３のいずれかに記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記第１の透明基板に光を回折させる光回折パターンを有する、請求項１から請求項４のいずれかに記載のフォトマスク。
【請求項６】
前記第２の透明基板の前記遮光パターンの形成面と反対側の面に、光を回折させる光回折パターンを有する、請求項１から請求項４のいずれかに記載のフォトマスク。
【請求項７】
第１の透明基板と遮光膜が表面に形成された複数の第２の透明基板とを準備する工程と、
複数の前記第２の透明基板上にそれぞれレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを行なうことにより、複数の前記第２の透明基板上にそれぞれ遮光パターンを形成する工程と、
前記遮光パターンを組み合わせることによって所定の遮光パターンが形成されるように、前記第１の透明基板に前記第２の透明基板をそれぞれ着脱自在に取り付ける工程とを備えたフォトマスクの製造方法。
【請求項８】
前記取り付け工程を真空チャンバ内で行なう、請求項７に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項９】
前記レジストパターンを描画によって形成し、前記レジストパターンの描画工程を複数の描画装置を用いて同時に行なう、請求項７または請求項８に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１０】
前記フォトマスクの製造方法は、前記遮光パターンの検査工程をさらに備え、
前記検査工程を複数の検査装置を用いて同時に行なう、請求項７から請求項９のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトマスクおよびその製造方法に関し、特に、半導体素子、液晶表示素子、映像素子、薄膜磁気ヘッドなどのマイクロデバイスを製造するためのフォトリソグラフィ工程において使用されるフォトマスクおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子などの製造工程においては、フォトマスクのパターン像を、投影光学系を介して感光性基板としてのフォトレジストが塗布されたウエハ上やガラスプレート上などに投影する投影露光装置が使用されている。
【０００３】
上記の露光装置において、露光工程の効率向上の観点からは、露光面積を大面積化して、一度に露光できる領域を拡大することが求められる。また、ウエハコスト削減の観点からは、チップ面積を縮小して、一枚のウエハから製造できる製品の数を増やすことが求められる。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−２９１６５２号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような露光装置においては、下記のような問題があった。
【０００６】
上述した露光面積の拡大およびチップ面積の縮小は、少品種大量生産を特徴とする製品の場合には、コスト削減のための有効な手段となる。
【０００７】
しかしながら、露光面積の拡大に伴ってフォトマスクの大型化が必要となる一方、チップ面積の縮小に伴って精度のよいリソグラフィが必要となる。フォトマスクが大型化した場合、一般に、フォトマスク全面における寸法の均一性が低下し、結果としてリソグラフィの精度が低下しやすい傾向にある。これを防止するために、フォトマスクの加工精度を上げる必要があり、それに伴って、該フォトマスクの作成コストが上昇する。
【０００８】
ところで、特開２００１−２９１６５２号公報（従来例１）において、複数の原版を一度に搭載可能なステージと、投影レンズなどからなる投影光学系とを具備し、原版ステージ上に搭載された複数の原版に対して各々位置検出（アライメント）を行なうことを可能にし、原版ステージを移動させ、原版ステージ上に搭載された複数の原版のうち任意の一原版を、投影光学系の直上に配置させることを可能にした投影露光装置が開示されている。
【０００９】
しかしながら、従来例１は、原版ステージ上に搭載された複数の原版のうちの１つの原版を選択して露光を行なうものであり、１つの原版のパターンを分割する思想は開示されていない。
【００１０】
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、コスト上昇を抑制しながら、精度の高いリソグラフィを行なうことができるフォトマスクおよびその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るフォトマスクは、第１の透明基板と、第１の透明基板と対向し、それぞれ遮光パターンを有し、第１の透明基板に着脱自在に取り付けられた複数の第２の透明基板とを備え、第２の透明基板に形成された遮光パターンを組み合わせることで所定の遮光パターンが形成される。
【００１２】
本発明に係るフォトマスクの製造方法は、第１の透明基板と遮光膜が表面に形成された複数の第２の透明基板とを準備する工程と、複数の第２の透明基板上にそれぞれレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとしてエッチングを行なうことにより、複数の第２の透明基板上にそれぞれ遮光パターンを形成する工程と、遮光パターンを組み合わせることによって所定の遮光パターンが形成されるように、第１の透明基板に第２の透明基板をそれぞれ着脱自在に取り付ける工程とを備える。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に基づくフォトマスクおよびその製造方法の実施の形態について図１から図１８を用いて説明する。
【００１４】
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１に係るフォトマスクの断面図である。
【００１５】
本実施の形態に係るフォトマスクは、図１に示すように、第１の透明基板としての透明基板１と、透明基板１と対向し、それぞれ異なる遮光パターン５，６，７を有し、透明基板１に着脱自在に取り付けられた複数の第２の透明基板としての透明基板２，３，４とを備え、透明基板２，３，４に形成された遮光パターン５，６，７を組み合わせることで所定の遮光パターンが形成される。
【００１６】
ここで、透明基板１，２，３，４は、合成石英を含むガラスなどによって形成される。一方遮光パターン５，６，７はクロムやモリブデン／シリコンなどを含む材料によって形成される。
【００１７】
なお、図１においては、透明基板２，３，４上に形成された遮光パターン５，６，７はそれぞれ異なるパターンであるが、これらを組み合わせることで所定の遮光パターンを得ることができる限り、遮光パターン５，６，７に同じパターンが含まれていてもよいし、全て同一のパターンであってもよい。
【００１８】
上記のフォトマスクを投影露光装置のマスクステージ上に保持し、紫外線などの光を照射すると、遮光パターン５，６，７によって遮光する部分と光を透過する部分とが生じる。これを、投影レンズを介して半導体基板に投影することにより、たとえばＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）の回路パターンなどが半導体基板上に形成される。
【００１９】
なお、図１においては、遮光パターン５，６，７は大きく誇張して描かれているが、これらは、ＬＳＩの回路パターンなどに対応するものであり、実際には、幅が０．２μｍ程度の微細なパターンが、０．４μｍ程度のピッチで透明基板２，３，４上に数億本形成されている。また、同じく図１において、第２の透明基板は透明基板２，３，４として３分割されているが、該分割数については、たとえばＬＳＩ上に搭載される素子（サブチップ）の数などに対応させて、任意に変更することが可能である。
【００２０】
また、上記のフォトマスクの製造方法は、図７から図１２に示すように、第１の透明基板としての透明基板１と第２の透明基板としての透明基板１Ａとを準備する工程と、透明基板１Ａ上に遮光膜１１を形成する工程（図７）と、透明基板１Ａを複数に分割して透明基板２，３，４を形成する工程と、分割された透明基板２，３，４上にレジストを塗布してレジスト膜１２を形成する工程（図８）と、レジスト膜１２をパターニングして、透明基板２，３，４上にそれぞれレジストパターン１３，１４，１５を形成する工程（図９）と、レジストパターン１３，１４，１５をマスクとしてエッチングを行なうことにより、透明基板２，３，４上にそれぞれ遮光パターン５，６，７を形成する工程（図１０，図１１）と、遮光パターン５，６，７を組み合わせることによって所定の遮光パターンが形成されるように、透明基板１に透明基板２，３，４をそれぞれ着脱自在に取り付ける工程（図１２）とを備える。
【００２１】
なお、上記のように、表面に遮光膜が形成された透明基板１Ａを作成した後、該基板１Ａを透明基板２，３，４に分割するかわりに、遮光膜を成膜する前から、第１の透明基板（透明基板１）とともに、複数の第２の透明基板（透明基板２，３，４）を準備してもよい。
【００２２】
図８から図９の工程において、レジスト膜１２は、たとえばレーザー描画などによってパターニングされ、レジストパターン１３，１４，１５が形成される。また、図１０から図１１の工程において、不要なレジストパターン１３，１４，１５は除去される。
【００２３】
上述したように、ウエハコスト削減のために２チップや３チップ構成のフォトマスクが求められる一方で、フォトマスクの大型化により、フォトマスク製造装置の中央部と周辺部との間における各種プロセス条件（たとえば、マスク作成時のエッチングガスの供給量やベーキング時の温度）の違いなどによって、フォトマスク全面にわたる寸法の均一性を確保しにくくなるという問題がある。上記の寸法のばらつきに対し、所定のマスク精度を確保するために、より精度の高いパターンの描画を行なう必要があり、この結果フォトマスクの作成コストは上昇し、作成に要する時間は増大する。
【００２４】
また、上記の寸法のばらつきによりフォトマスクの精度が低下した場合には、該マスクを使用して転写するＬＳＩパターンなどの寸法も不均一となる。該不均一性は、一般的に、フォトマスクよりもＬＳＩパターンなどにおいて増幅される傾向にあるため、ＬＳＩなどの作成プロセス上大きな問題となる。
【００２５】
なお、遮光膜の成膜工程や、レジスト膜の塗布・現像工程においてはガラス基板全面を一括して処理することが可能であるのに対し、レジストパターンの描画工程や、遮光パターンの検査工程においては、微細パターンを１つずつ描画または検査する必要がある。したがって、フォトマスクの作成に要するコストや時間に関しては、上記の描画工程や検査工程が極めて高い比率を占めている。
【００２６】
少品種大量生産の製品においては、製品の全コストに対するフォトマスクコストの割合は低く、フォトマスクを大型化しても、複数チップ構成なので、ウエハコストを低減させることができる。その結果、一方ではより精度の高い描画工程や検査工程を実施するためにフォトマスクコストが上昇しても、全体としては製品コストの上昇を抑えることができる。
【００２７】
しかしながら、多品種少量生産を特徴とする製品（たとえばＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）など）の場合においては、フォトマスクを交換する回数が多くなるので、製品の全コストにおけるフォトマスクコストの割合が高くなる。したがって、フォトマスクコストの上昇が製品コストの上昇を招く原因となる。
【００２８】
上記の問題に対し、本実施の形態に係るフォトマスクは、全体としては大面積のフォトマスクであっても、レジストパターン１３，１４，１５の描画を分離した透明基板２，３，４上でそれぞれ別々に行なうことができる。したがって、一度に描画する領域の面積を小さくすることができ、描画時における位置ずれ（ドリフト）量を抑えることができる。この結果、コストを上昇させることなく遮光パターン５，６，７の精度を改善することができる。
【００２９】
なお、透明基板２，３，４としては、長手方向に１．０×１０−３ｍ以上４．０×１０−２ｍ以下程度（より好ましくは５．０×１０−３ｍ以上１．０×１０−２ｍ以下程度）の大きさを有するものであれば、上記の効果を奏する。また、透明基板１，２，３，４を組み合わせて形成されるフォトマスクとしては、長手方向に２．５×１０−２ｍ以上４．０×１０−２ｍ以下程度（より好ましくは３．０×１０−２ｍ以上３．５×１０−２ｍ以下程度）の大きさを有するものが考えられ、該フォトマスクを用いて処理する被処理ウエハとしては、長手方向に２．０×１０−１ｍ以上５．０×１０−１ｍ以下程度（より好ましくは３．０×１０−１ｍ以上５．０×１０−１ｍ以下程度）の大きさを有するものが考えられる。
【００３０】
図２は、不良パターン６Ａを有するフォトマスクの断面図である。
従来のフォトマスクにおいては、図２に示すように、不良パターン６Ａが生じた場合に、フォトマスク全体を再度作成する必要があった。
【００３１】
これに対し、本実施の形態に係るフォトマスクにおいては、遮光パターン５，６，７が透明基板２，３，４に分割して形成されているため、不良パターン６Ａを含む透明基板３のみをフォトマスクから取り外し、図３に示すように所定の修正パターン６Ｂを有する透明基板３のみを再作成してフォトマスクに取り付けることによりパターンの修正を行なうことができる。したがって、不良パターンを有しない透明基板２，４については、再利用が可能である。本実施の形態においては、遮光パターンが透明基板２，３，４の３つに分割して形成されているので、不良パターン６Ａの修正に要するコストや時間などは１／３程度に低減できる。
【００３２】
また、遮光パターン５，６，７を有する透明基板を分割することによる効果は不良パターン６Ａを有する場合に限られるものではなく、たとえば、フォトマスク作成後にＬＳＩの一部にのみ改訂すべきパターンが生じた場合や、あるサブチップの製品寿命が尽きているがその他のサブチップの製品寿命が尽きていない場合などにおいても上記と同様の効果を奏する。
【００３３】
本実施の形態に係るフォトマスクは、透明基板１と、透明基板２，３，４とを遮光パターン５，６，７が内側となるように張り合わせることによって形成される。このような構造を採用することにより、異物などへの対策としてペリクル膜を使用する必要がなく、フォトマスクの作成コストを低減させることができる。
【００３４】
なお、透明基板１と透明基板２，３，４とは、必ずしも遮光パターン５，６，７が内側となるように張り合わせる必要はなく、遮光パターン５，６，７が外側となるように張り合わせてもよい。
【００３５】
図４は、フォトマスクの透明基板１に透明基板３を取り付ける様子を示す断面図である。ここで、フォトマスクを気相や液相中で組み立てると、透明基板１と透明基板３との間に残留している気体や液体が抜けていく時に、透明基板どうしの位置ずれが生じやすくなるという問題がある。
【００３６】
また、フォトマスクの平坦性は極めて高いので、一度２枚の基板を密着させると、気相や液相中では、はがれなくなってしまう。
【００３７】
これに対し、本実施の形態においては、図４に示すように、上記の取り付け工程を真空チャンバ８内で行なう。
【００３８】
これにより、透明基板１と透明基板３との間に気体や液体が存在しないので、透明基板どうしのアライメントが精度が向上する。なお、上記については、透明基板１と透明基板２，４との間のアライメントにおいても同様である。
【００３９】
図５は、透明基板３の平面図である。本実施の形態に係るフォトマスクは、図５に示すように、透明基板１，２，３，４にアライメントマークとしての凹部９および十字マーク１０を有する。なお、図５には透明基板３のみの平面図を示したが、透明基板１，２，４についても透明基板３と同様のアライメントマークを有する。
【００４０】
上記のようなアライメントマークによって、透明基板１と透明基板２，３，４とを張り合わせる際のアライメントが容易となる。なお、本実施の形態においては、アライメントマークの一例として、凹部９および十字マーク１０を示したが、アライメントマークの形状はこれらに限定されるものではなく、位置合わせに利用できる任意の形状（たとえば凸形状）に変更可能である。
【００４１】
ここで、一般的には、フォトマスクのパターンは被処理ウエハのパターンに対して４倍以上５倍以下程度の拡大倍率で製造されるので、透明基板１，２，３，４上のアライメントマークは被処理ウエハの１／５倍以上１／４倍以下程度の比較的粗い精度で設置してもよい。
【００４２】
図６は、本実施の形態に係るフォトマスクの変形例の断面図である。本変形例においては、図６に示すように、遮光パターン５，６，７が透明基板２，３，４の表面部に埋め込まれている。このような構造は、透明基板２，３，４上に、遮光パターン５，６，７に対応した溝を形成し、遮光膜を成膜した後、透明基板２，３，４の遮光パターン５，６，７が形成される面側を研磨することにより得ることができる。
【００４３】
なお、図６においては、透明基板１と透明基板２，３，４とを、遮光パターン５，６，７が内側となるように張り合わせているが、これらを遮光パターン５，６，７が外側となるように張り合わせてもよい。
【００４４】
本変形例に係るフォトマスクは、透明基板２，３，４の表面が平坦化されているため、遮光パターン５，６，７を内側にして張り合わせても、該遮光パターン５，６，７が機械的に破壊されることによる不良が生じにくくなる。
【００４５】
ところで、図７から図１２に示すフォトマスクの製造工程において、透明基板２，３，４は分離しているので、遮光パターン５，６，７の形成のためのレジスト膜１２上のパターニング（描画）工程は、複数の描画装置を用いて同時に行なうことができる。
【００４６】
従来のフォトマスクにおいては、上述したように、レジスト膜１２に対する選択露光において、１つの描画装置を用いて、微細パターンを１つずつ描画しているため、描画工程は非常に煩雑となる。なお、該描画工程は、一般的には、フォトマスク作成に要する全時間の約半分に近い時間を要する。
【００４７】
これに対し、本実施の形態に係るフォトマスクにおいては、複数の描画装置を用いて同時に作業するために、透明基板を分割した数ｎ（本実施の形態においてはｎ＝３）に応じて、上記の描画工程に要する時間を１／ｎ程度に短縮することが可能となる。このため、特殊な事情により特急進捗が必要なフォトマスクの作成にも対応しやすくなり、市場の動向に合わせて各製品の生産量を調整しやすくなる。
【００４８】
（実施の形態２）
図１３から図１６は、実施の形態２に係るフォトマスクの製造工程における検査工程の各工程を示す断面図である。
【００４９】
本実施の形態に係るフォトマスクの製造方法は、実施の形態１に係るフォトマスクの変形例であり、上述した各工程に加えて、遮光パターン５，６，７の検査工程をさらに備える。なお、その他の部分については実施の形態１と共通するので説明を省略する。
【００５０】
上述した各工程の実施によって作成されたフォトマスクにおいて、図１３に示すように、透明基板３が不良パターン６Ａを含む場合の検査工程およびパターン修正工程について以下に説明する。
【００５１】
上述した取り付け工程の実施によって組み立てられたフォトマスクは、再度透明基板２，３，４に分離してそれぞれ別々に検査される（図１４）。この結果、透明基板３上にのみ不良パターン６Ａが発見された場合、修正パターン６Ｂを有する透明基板３のみを再度作成（図１５）し、透明基板２，３，４上の遮光パターン５，６，７がすべて正常であることを再確認（図１６）した後、透明基板１，２，３，４を再度組み立てる。これにより、図１２に示すような、正常な遮光パターン５，６，７を有するフォトマスクを得ることができる。ここで、透明基板２，４は、パターン修正後のフォトマスクにおいても再利用される。
【００５２】
ところで、図１４から図１６においては、遮光パターン５，６，７が分割されているため、透明基板２，３，４上の遮光パターン５，６，７の検査工程は、複数の検査装置を用いて同時に行なうことができる。
【００５３】
従来のフォトマスクにおいては、上述したように、遮光パターン５，６，７に対する検査において、１つの検査装置を用いて、微細パターンを１つずつ検査しているため、検査工程は非常に煩雑となる。なお、該検査工程は、一般的には、フォトマスク作成に要する全時間の約半分に近い時間を要する。
【００５４】
これに対し、本実施の形態に係るフォトマスクにおいては、複数の検査装置を用いて同時に作業するために、透明基板を分割した数ｎ（本実施の形態においてはｎ＝３）に応じて、上記の検査工程に要する時間を１／ｎ程度に短縮することが可能となる。このため、特殊な事情により特急進捗が必要なフォトマスクの作成にも対応しやすくなり、市場の動向に合わせて各製品の生産量を調整しやすくなる。
【００５５】
（実施の形態３）
図１７は、実施の形態３に係るフォトマスクの断面図である。
【００５６】
本実施の形態に係るフォトマスクは、実施の形態１および実施の形態２に係るフォトマスクの変形例であり、図１７に示すように、透明基板１に光を回折させる光回折パターンとしての位相格子１６を有する。なお、その他の部分については、実施の形態１および実施の形態２に係るフォトマスクと共通するので説明を省略する。
【００５７】
ここで、位相格子１６の凸部パターン間のピッチ（図１７中のＰ１）と、遮光パターン５，６，７のピッチ（図１７中のＰ２）とは
Ｐ１＝２×Ｐ２
の関係を満たす。
【００５８】
上記の関係を満たす条件の具体例としては、たとえば、Ｐ１＝２．０μｍ，Ｐ２＝１．０μｍの場合が挙げられる。
【００５９】
上記の構造により、遮光パターン５，６，７を透過した光（図１７中の下向き矢印）が位相格子１６によって回折され、フォトマスクを斜めから照明するのと同様の効果を得ることができる。なお、位相格子１６の凸部パターン間のピッチＰ１と、遮光パターン５，６，７のピッチＰ２とが上記の関係を満たすことにより、所定の遮光パターンを被処理ウエハ上に欠損なく投影することができる。これにより、変形照明法の効果を得ることができ、焦点深度を拡大し、解像力を向上させることができる。
【００６０】
なお、位相格子１６の形状は、透明基板１の表面において凹凸を形成し、光を回折させて所定の角度の光（図１７中の斜め矢印）を得ることができるものであればよく、該凹凸の形状の具体例としては、たとえば縦縞模様、横縞模様、斜め縞模様、市松模様、曲線を含む波形模様などが考えられる。
【００６１】
また、本実施の形態に係るフォトマスクの変形例としては、たとえば図１８に示すように、透明基板２，３，４の遮光パターン５，６，７の形成面と反対側の面に、位相格子１７を有するものが考えられるが、このような構造においても、遮光パターン５，６，７に入射する光（図１８中の下向き矢印）が回折して所定の角度の光（図１８中の斜め矢印）が生じるので、上記と同様の効果を奏する。
【００６２】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【００６３】
【発明の効果】
本発明によれば、フォトマスクの寸法の均一性を保持しながら露光面積を大きくすることができるので、コスト上昇を抑制しながら、精度の高いリソグラフィを行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係るフォトマスクの断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る不良パターンを有するフォトマスクの断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る不良パターンを修正した透明基板の断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係るフォトマスクの透明基板を真空チャンバ内で取り付ける様子を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係るフォトマスクの透明基板の平面図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係るフォトマスクの変形例の断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係るフォトマスクの製造工程における遮光パターン形成工程の第１工程を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係るフォトマスクの製造工程における遮光パターン形成工程の第２工程を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１に係るフォトマスクの製造工程における遮光パターン形成工程の第３工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１に係るフォトマスクの製造工程における遮光パターン形成工程の第４工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態１に係るフォトマスクの製造工程における遮光パターン形成工程の第５工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態１および実施の形態２に係るフォトマスクの断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態２に係る不良パターンを含むフォトマスク断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態２に係るフォトマスクの製造工程における遮光パターン修正工程の第１工程を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態２に係るフォトマスクの製造工程における遮光パターン修正工程の第２工程を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態２に係るフォトマスクの製造工程における遮光パターン修正工程の第３工程を示す断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態３に係るフォトマスクの断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態３に係るフォトマスクの変形例の断面図である。
【符号の説明】
１，１Ａ，２，３，４  透明基板、５，６，７  遮光パターン、６Ａ  不良パターン、６Ｂ  修正パターン、８  真空チャンバ、９  凹部、１０  十字マーク、１１  遮光膜、１２  レジスト膜、１３，１４，１５  レジストパターン、１６，１７  位相格子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005003950.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2005003950.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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