(57)【要約】【課題】本発明は、積層セラミックコンデンサ素子の側面においても、十分に沿面放電の発生開始電圧を高め、耐電圧の高い積層セラミックコンデンサを提供することを目的とするものである。【解決手段】誘電体セラミック８表面の電解集中を緩和する放電抑制用電極１２は、容量形成用電極９ａ〜９ｉの積層方向および積層セラミックコンデンサ素子１０の長手方向に面状に設ける。この構成により、放電抑制用電極１２は、誘電体セラミック８と交互に積層されるのではなく十分な面積をとることができる。この結果として、セラミック表面の電解集中が緩和され、特にセラミックコンデンサ素子１０の側面における沿面放電を十分に抑制し耐電圧の高い積層セラミックコンデンサ７を提供することができる。【選択図】図１
2005235976.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量形成用電極と誘電体セラミックとを交互に積層し、前記容量形成用電極の対向する端部が交互に露出したセラミックコンデンサ素子と、このセラミックコンデンサ素子の端面に前記容量形成用電極と電気的に接続する一対の外部電極と、前記セラミックコンデンサ素子の内部に設けられるとともに、前記セラミックコンデンサ素子の上方ないし下方から見て長手方向の中央線を境に前記容量形成用電極の両側に設けた放電抑制用電極とを備え、前記放電抑制用電極は、前記容量形成用電極の積層方向および前記セラミックコンデンサ素子の長手方向に面状に設け、かつ、前記外部電極のいずれか一方に電気的に接続した積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
容量形成用電極と誘電体セラミックとを交互に積層し、前記容量形成用電極の対向する端部が交互に露出したセラミックコンデンサ素子と、このセラミックコンデンサ素子の端面に前記容量形成用電極と電気的に接続する一対の外部電極と、前記セラミックコンデンサ素子の内部に設けられるとともに、前記セラミックコンデンサ素子の上方ないし下方から見て長手方向の中央線を境に前記容量形成用電極の両側に設けた放電抑制用電極とを備え、前記放電抑制用電極は、前記容量形成用電極の積層方向および前記セラミックコンデンサ素子の長手方向に面状に設け、かつ、前記セラミックコンデンサ素子の上方ないし下方から見て前記中央線に直交する短手方向の中心線を境に対に設け互いにそれぞれ前記外部電極に接続した積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
セラミック生シートを積層して下側の無効層を形成し、次にこの無効層上に上方から見て長手方向の中央線を通る略長方形状をなす容量形成用電極および前記中央線を境に容量形成用電極の両側に放電抑制用電極を形成し、次に、セラミック誘電体ペーストを前記放電抑制用電極に対応する部分以外の面に印刷し、続いて、前記放電抑制用電極に対応する部分に放電抑制用電極を印刷し、前記セラミック誘電体ペーストおよび前記放電抑制用電極の印刷を所定の厚みに至るまで繰り返し、さらにこれら前記セラミック生シート、前記放電抑制用電極、前記容量形成用電極を形成する工程を繰り返し、この上に前記セラミック生シートを積層して上側の無効層を形成し積層体を得た後に、この積層体を所望の寸法に切断分離して個片の生チップを得た後、この生チップを焼成し焼結体を得るとともに、この焼結体の両端面に前記容量形成用電極および前記放電抑制用電極を露出させ、前記焼結体の両端面に形成した外部電極に接続する積層セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法に関するものであり、特に中高圧用積層セラミックコンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来の積層セラミックコンデンサについて、図１１から図１４により説明する。図１１は、従来の積層セラミックコンデンサの斜視図である。また、図１２は従来の積層セラミックコンデンサのＣａ−Ｃａ面で切った断面図である。さらに、図１３は従来の積層セラミックコンデンサの積層方向の断面図である。そして、図１４は従来のセラミックコンデンサをＣｂ−Ｃｂ面（図１２参照）で切った縦断面図である。
【０００３】
図１１から図１４において、従来の積層セラミックコンデンサ１は、積層セラミックコンデンサ素子４と、この積層セラミックコンデンサ素子４の端面に設けた外部電極５ａ、５ｂとからなる。
【０００４】
積層セラミックコンデンサ素子４は、誘電体セラミック２と複数の容量形成用電極３ａ〜３ｉを交互に積層した積層体からなり、この積層体の両端から容量形成用電極３ａ〜３ｉの対向する端部を交互に露出してなる。この露出した容量形成用電極３ａ〜３ｉの対向する端部は、外部電極５ａ、５ｂと電気的に接続している。
【０００５】
また、セラミックコンデンサ素子４は、その内部にセラミックコンデンサ素子４の長手方向の中央線を境に、容量形成用電極３ａ〜３ｉの両側に設けた複数の放電抑制用電極６を有する。この複数の放電抑制用電極６は、外部電極５ｂに電気的に接続される。この複数の放電抑制用電極６は、セラミックコンデンサ素子４の側面における沿面放電を抑制するものである。沿面放電は、容量形成用電極３ａ〜３ｉが誘電体セラミック２表面の電界集中をもたらすことにより発生する。放電抑制用電極６は、容量形成用電極３ａ〜３ｉが、誘電体セラミック２表面の電界に及ぼす影響を遮蔽するものである。
【０００６】
なお、本発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００２−１１８０２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来の構成では、セラミックコンデンサ素子４の側面における沿面放電を十分に抑制することができなかった。すなわち、放電抑制用電極６は容量形成用電極３ａ〜３ｉが誘電体セラミック２表面の電解に及ぼす影響を十分に遮蔽するために、その面積を広くすることが求められる。しかし、放電抑制用電極６は、誘電体セラミック２と交互に積層されるため、誘電体セラミック２が面積の拡張の妨げになる。この結果として、セラミックコンデンサ素子４の側面における沿面放電の発生開始電圧を十分に高めることができず、積層セラミックコンデンサ素子４の耐電圧を高めることができないものであった。
【０００８】
そこで、本発明は、積層セラミックコンデンサ素子の側面においても、十分に沿面放電の発生開始電圧を高め、耐電圧の高い積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そして、上記目的を達成するために、本発明は、特に、放電抑制用電極は、容量形成用電極の積層方向および前記セラミックコンデンサ素子の長手方向に面状に設け、かつ、外部電極のいずれか一方に電気的に接続した積層セラミックコンデンサである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の効果は、積層セラミックコンデンサ素子の側面において、十分に沿面放電の発生開始電圧を高め、耐電圧の高い積層セラミックコンデンサを提供することである。すなわち、放電抑制用電極は、積層方向および長手方向へ面状に形成されているため、積層セラミックコンデンサ素子の側面と平行な面状となるように、その面積を十分に大きくすることができ積層セラミックコンデンサ素子の側面における誘電体セラミック表面の電解集中が緩和される。この結果として、積層セラミックコンデンサ素子の沿面放電の発生開始電圧を十分に高め、耐電圧の高い積層セラミックコンデンサを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（実施の形態１）
以下、実施の形態１を用いて、特に、本発明の請求項１、３に記載の発明について説明する。
【００１２】
図１は本発明の実施の形態１における積層セラミックコンデンサの斜視図である。図２は同積層セラミックコンデンサのＡａ−Ａａ面（図１参照）で切った断面図である。図３は、同積層方向の断面図である。また、図４は同Ａｂ−Ａｂ面（図１参照）で切った断面図である。
【００１３】
図１において、本発明の実施の形態１の積層セラミックコンデンサ７は、積層セラミックコンデンサ素子１０と、この積層セラミックコンデンサ素子１０の端面に設けた外部電極１１ａ、１１ｂとからなる。
【００１４】
積層セラミックコンデンサ素子１０は、誘電体セラミック８と複数の容量形成用電極９ａ〜９ｉを交互に積層した積層体からなり、この積層体の両端から容量形成用電極９ａ〜９ｉの対向する端部を交互に露出してなる。この露出した容量形成用電極９ａ〜９ｉの対向する端部は、外部電極１１ａ、１１ｂと電気的に接続している。
【００１５】
また、セラミックコンデンサ素子１０は、その内部にセラミックコンデンサ素子１０の上方ないし下方から見て長手方向の中央線１９を境に、容量形成用電極９ａ〜９ｉの両側に設けた放電抑制用電極１２を有する。
【００１６】
ここで、中央線１９とは、セラミックコンデンサ素子１０の中心を通り、セラミックコンデンサ素子１０の長手方向の長辺と平行な直線をいうものとする。また中心線２０とは、セラミックコンデンサ素子１０の中心を通り、セラミックコンデンサ素子１０の短手方向の短辺と平行な直線をいうものとする。なお、中央線１９と中心線２０とはセラミックコンデンサ素子１０の中心において直交する。
【００１７】
この中央線１９を境に、容量形成用電極９ａ〜９ｉの両側に設けた放電抑制用電極１２は、外部電極１１ｂに電気的に接続される。さらに、放電抑制用電極１２は、図４に示すように容量形成用電極９ａ〜９ｉの積層方向および積層セラミックコンデンサ素子１０の長手方向へ面状に設ける。
【００１８】
なお、図３に示すように、最上層の容量形成用電極９ａおよび、最下層の容量形成用電極９ｉは、積層セラミックコンデンサ素子１０の上方ないし下方から見て長手方向の長辺（図２に示すＬ）の２分の１程度の長さとしている。また、この放電抑制用電極１２は外部電極１１ａに接続し、その長さ（図２に示すＥ）は、積層セラミックコンデンサ素子１０の上方ないし下方から見て長手方向の長辺（図２に示すＬ）の０．２５倍〜０．７５倍とした。
【００１９】
以上のような構成において、積層セラミックコンデンサ素子１０の側面においても、十分に沿面放電の発生開始電圧を高め、耐電圧の高い積層セラミックコンデンサ７を提供することができる。すなわち、放電抑制用電極１２は、誘電体セラミック８と交互に積層されるのではない。つまり、誘電体セラミック８が放電抑制用電極１２の面積拡張の妨げとなるものではない。このため、容量形成用電極９ａ〜９ｂの積層方向および積層セラミックコンデンサ素子１０の長手方向に、積層セラミックコンデンサ素子１０の側面と平行な面状となるように、その面積を大きくすることができる。
【００２０】
これにより、誘電体セラミック８の内部に設けられた容量形成用電極９ａ〜９ｂが、誘電体セラミック８表面の電界に及ぼす影響を十分に遮蔽することができる。したがって、側面における誘電体セラミック８表面の電界集中が緩和されるため、特に、セラミックコンデンサ素子１０の側面における沿面放電の発生開始電圧が十分に高められ、沿面放電を十分に抑制することができる。この結果として、耐電圧の高い積層セラミックコンデンサ７を提供することができる。
【００２１】
なお、図３に示すように、最上層の容量形成用電極９ａおよび、最下層の容量形成用電極９ｉは、積層セラミックコンデンサ素子１０の上方ないし下方から見て長手方向の長辺（図２に示すＬ）の２分の１程度の長さが好ましい。これは、誘電体セラミック８の上面および下面における沿面放電を抑制するためである。すなわち、容量形成用電極９ｂ〜９ｈが誘電体セラミック８の上面および下面の電界に及ぼす影響を遮蔽することができる。
【００２２】
次に、本実施の形態１における積層セラミックコンデンサおよび比較例の積層セラミックコンデンサについて、沿面放電の発生開始電圧を測定した結果を示す。
【００２３】
本実施の形態１における積層セラミックコンデンサ７は、後述する積層セラミックコンデンサの製造方法で作製したもので、長手方向寸法が３．２ｍｍ、幅方向寸法が１．６ｍｍ、厚み方向寸法が、１．１５ｍｍで、ＬＣＲメーターで１Ｖｒｍｓ、１ｋＨｚで測定した結果、静電容量が０．０１μＦ、Ｔａｎδが１．０％、絶縁抵抗が１×１０11Ωであった。
【００２４】
また、比較例１として、図１１〜図１４に示した従来の積層セラミックコンデンサ１についても上記と同一の条件で作製した。すなわち、この比較例１の積層セラミックコンデンサ１もまた、長手方向寸法が３．２ｍｍ、幅方向寸法が１．６ｍｍ、厚み方向寸法が、１．１５ｍｍとし、ＬＣＲメーターで１Ｖｒｍｓ、１ｋＨｚで測定した結果、静電容量が０．０１μＦ、Ｔａｎδが１．０％、絶縁抵抗が１×１０11Ωであった。
【００２５】
ここで、本実施の形態１の積層セラミックコンデンサ７と比較例１の積層セラミックコンデンサ１の比較方法として、両積層セラミックコンデンサ７、１の沿面放電の発生開始電圧を測定するため、ＤＣ電圧を昇圧させていき、沿面放電が発生した電圧を測定した。なお、試験数は各３０個で行った。
【００２６】
この測定結果は、（表１）に示したようになった。
【００２７】
【表１】
2005235976.tif 000003
【００２８】
すなわち、本実施の形態１における積層セラミックコンデンサ７は、比較例１の従来の積層セラミックコンデンサ１に比べ、沿面放電の発生開始電圧を高くすることができた。
【００２９】
また、放電抑制用電極１２の長さを積層セラミックコンデンサ素子１０の上方ないし下方から見て、長手方向の長辺（図２で示したＬ）の０．２５倍〜０．７５倍の範囲にすることにより、沿面放電の発生開始電圧をさらに高くすることができ、耐電圧の高い積層セラミックコンデンサ７が得られ、この結果として、耐電圧の高い積層セラミックコンデンサ７を得ることができる。すなわち、放電抑制用電極１２の長さが、積層セラミックコンデンサ素子１０の上方ないし下方から見て長手方向の長辺Ｌの０．２５倍未満の場合は、誘電体セラミック２表面の電界強度が高くなるため、放電抑制効果が少なく沿面放電の発生開始電圧は低くなる。また、放電抑制用電極１２の長さが、積層セラミックコンデンサ素子１０の上方ないし下方から見て、長手方向の長辺Ｌの０．７５倍を超える場合は、対向する外部電極１１ｂとの距離が短くなることにより、誘電体セラミック２表面の電界強度が高くなり、沿面放電の発生開始電圧は低くなる。
【００３０】
なお、回路設計上、沿面放電開始電圧の平均値が３ｋＶ以上であることで信頼性が向上し、また、沿面放電開始電圧の平均値が４ｋＶ以上であることがより信頼性向上に繋がる。
【００３１】
次に、本実施の形態１の積層セラミックコンデンサの製造方法を図５（ａ）〜（ｇ）を用いて説明する。図５（ａ）〜（ｇ）は同積層セラミックコンデンサの製造方法を示す図である。
【００３２】
本実施の形態１の積層セラミックコンデンサの製造方法は、本実施の形態１および本実施の形態２における積層セラミックコンデンサと、従来例との比較の際、積層セラミックコンデンサの製造方法としても用いたものであり、以下、工程順に説明する。
【００３３】
まず、チタン酸バリウムを主成分とするセラミック粉末と、有機バインダからなるセラミック生シート８ａを作製する（図示せず）。この時、セラミック生シートの厚みは９０μｍとした。
【００３４】
次に、セラミック生シート８ａを複数枚積層して下側の無効層８ｂを形成する。続いて、この無効層８ｂ上にニッケルを主成分とする金属ペーストを用い、スクリーン印刷法で、図５（ａ）に示すように最下層の容量形成用電極９ｉを形成する。この時、最下層の容量形成用電極９ｉは、無効層８ｂの上方から見て、長手方向の中央線１９を通る略長方形状をなす。最下層の容量形成用電極９ｉの長手方向の長辺の長さは、積層セラミックコンデンサ素子４の長手方向の長辺Ｌの約２分の１となるように形成した。
【００３５】
さらに、図５（ｂ）に示すようにセラミック生シート８ａを積層し、このセラミック生シート８ａ上にニッケルを主成分とする金属ペーストを用いスクリーン印刷法で、図５（ｃ）に示すように、上方から見て長手方向の中央線を通る略長方形状をなす容量形成用電極１２および放電抑制用電極９ｈを形成する。
【００３６】
続いて、図５（ｄ）に示すように、セラミック誘電体ペースト８ｃをスクリーン印刷法にて放電抑制用電極１２に対応する部分以外の面に印刷する。次に、図５（ｅ）に示すように、放電抑制用電極１２に対応する部分にニッケルを主成分とする金属ペーストを用いスクリーン印刷法で、放電抑制用電極１２となる導電体層を厚み方向に形成する。このセラミック誘電体ペーストおよび放電抑制用電極の印刷は、所定の厚みに至るまで繰り返す。
【００３７】
その後、図５（ｆ）に示すように、次の容量形成用電極９ｇを形成する。さらに、上記した図５（ｄ）〜（ｅ）に示す工程を繰り返し、その上に図５（ｆ）に示すように次の容量形成用電極９ｆを形成する。同様に、他の各容量形成用電極９ｅから９ｂまでを形成する。
【００３８】
さらに、図５（ｇ）に示すように、最上層の容量形成用電極９ａを形成する。この時、最上層の容量形成用電極９ａとなる導電体層の形状は、最下層の容量形成用電極９ｉとなる導電体層と同様に、その長さを積層セラミックコンデンサ素子１０の長手方向の長辺（図２に示すＬ）の約２分の１程度となるように形成した。そして、この上面に前記セラミック生シートを複数枚積層して上側の無効層を形成し積層セラミックコンデンサ素子１０を得る。
【００３９】
次に、上記積層セラミックコンデンサ素子１０を所望の寸法に切断分離して個片の生チップとする。さらにこの生チップを窒素ガス中で脱バインダ処理をした後、ニッケルが酸化されない窒素・水素の混合ガス雰囲気中で約１３００℃まで加熱して焼成し、焼結体を得る。そして、この焼結体を面取りして、焼結体の両端面に容量形成用電極９ａ〜９ｉおよび放電抑制用電極１２を露出させ、焼結体の両端面および側面に銅を主成分とする電極ペーストを塗布した後、約８００℃の窒素雰囲気中で焼付けを行って、端子電極を形成する。そして、この上にニッケル、はんだのめっきを施し、セラミックコンデンサ７を作製する。
【００４０】
この製造方法により、積層セラミックコンデンサ素子１０の側面においても、十分に沿面放電の発生開始電圧を高め、耐電圧の高い積層セラミックコンデンサ７を製造することができる。すなわち、放電抑制用電極１２は、誘電体セラミック８と交互に積層されるのではなく、容量形成用電極９ａ〜９ｉの積層方向およびセラミックコンデンサ素子１０の長手方向に面状に形成するため、図５（ｄ）に示すように、セラミック誘電体ペーストを放電抑制用電極１２に対応する部分以外の面に印刷する。その後、図５（ｅ）に示すように、この放電抑制用電極１２に対応する部分に金属ペーストを用いて放電抑制用電極１２を厚み方向に形成する。これにより、放電抑制用電極１２を、容量形成用電極９ａ〜９ｉの積層方向および積層セラミックコンデンサ素子１０の長手方向に、面状に形成することができる。この結果として、積層セラミックコンデンサ素子１０の側面においても、十分に沿面放電の発生開始電圧を高め、耐電圧の高い積層セラミックコンデンサ７を製造することができる。
【００４１】
（実施の形態２）
以下、実施の形態２を用いて、特に、本発明の請求項２に記載の発明について説明する。
【００４２】
図６は、本発明の実施の形態２における積層セラミックコンデンサの斜視図である。図７、図８は、同積層セラミックコンデンサのＢａ−Ｂａ面及びＢｂ−Ｂｂ面（図６参照）で切った断面図である。また、図９は、同積層方向の断面図である。さらに、図１０は、同積層セラミックコンデンサをＢｃ−Ｂｃ面（図６参照）で切った断面図である。
【００４３】
本発明の実施の形態２の積層セラミックコンデンサ１３は、上記実施の形態１とは次の点で異なる。すなわち、放電抑制用電極１８は、積層セラミックコンデンサ素子１３の上方ないし下方から見て長手方向の中央線１９を境に容量形成用電極１５ａ〜１５ｉの両側に設けるとともに、この中央線１９に直交する中心線２０を境に対に形成され、互いにそれぞれ外部電極１７ａ、１７ｂに接続されている点である。換言すると、積層セラミックコンデンサ１３は、放電抑制用電極１８ａ〜１８ｄという計４つの放電抑制用電極を有する。
【００４４】
以上のような構成により、積層セラミックコンデンサ１３の側面においても、十分に沿面放電の発生開始電圧を高め、耐電圧の高い積層セラミックコンデンサ１３を提供することができる。すなわち、放電抑制用電極１８ａ、１８ｂが、中央線１９を境に容量形成用電極１５ａ〜１５ｉの両側に設けられるだけでなく、積層セラミックコンデンサ素子１３の上方ないし下方から見て中心線２０を境に対に形成されるため、放電抑制用電極１８ａ〜１８ｄの計４つ設けられて、それぞれ外部電極１７ａ、１７ｂに接続される。このため、誘電体セラミック１４の内部に設けられた容量形成用電極１５ａ〜１５ｉが、誘電体セラミック１４表面の電界に及ぼす影響を十分に遮蔽することができる。したがって、さらに積層セラミックコンデンサ素子１６の側面における誘電体セラミック１４表面の電解集中が緩和される。この結果として、積層セラミックコンデンサ素子１６の側面においても、十分に沿面放電の発生開始電圧を高め、耐電圧の高い積層セラミックコンデンサ１３を提供することができる。
【００４５】
次に、本実施の形態２における積層セラミックコンデンサ素子１３および比較例２の積層セラミックコンデンサ２１について、沿面放電の発生開始電圧を測定した結果を示す。
【００４６】
本実施の形態２における積層セラミックコンデンサ１３は、上記実施の形態１と同様に、先述の積層セラミックコンデンサの製造方法で作製したもので、長手方向寸法が３．２ｍｍ、幅方向寸法が１．６ｍｍ、厚み方向寸法が、１．１５ｍｍで、ＬＣＲメーターで１Ｖｒｍｓ、１ｋＨｚで測定した結果、静電容量が０．０１μＦ、Ｔａｎδが１．０％、絶縁抵抗が１×１０11Ωであった。
【００４７】
また、比較例２として、図１５〜図１８に示した従来の積層セラミックコンデンサ２１についても誘電体セラミック２２の形成は全て積層する形に変え、その他は上記と同一の条件で作製した。すなわち、この比較例２の積層セラミックコンデンサ２１もまた、長手方向寸法が３．２ｍｍ、幅方向寸法が１．６ｍｍ、厚み方向寸法が、１．１５ｍｍで、ＬＣＲメーターで１Ｖｒｍｓ、１ｋＨｚで測定した結果、静電容量が０．０１μＦ、Ｔａｎδが１．０％、絶縁抵抗が１×１０11Ωであった。
【００４８】
ここで、本実施の形態２の積層セラミックコンデンサ１３と比較例２の積層セラミックコンデンサ２１の比較方法として、両積層セラミックコンデンサ１３、２１の沿面放電の発生開始電圧を測定するため、ＤＣ電圧を昇圧させていき、沿面放電が発生した電圧を測定した。なお、試験数は各３０個で行った。
【００４９】
この測定結果は、上述の実施の形態１における測定結果に併せて（表１）に示す。すなわち、（表１）に示したように、本実施の形態２における積層セラミックコンデンサ１３（図６参照）は、比較例２の従来の積層セラミックコンデンサ２１（図１５参照）に比べ、沿面放電の発生開始電圧を十分に高くすることができた。また、放電抑制用電極１８ａ、１８ｂ間の長さ（図７、図８参照）を積層セラミックコンデンサ１３の全長（図２で示したＬ）の０．２５倍〜０．７５倍の範囲にすることにより、沿面放電の発生開始電圧をさらに高くすることができ、耐電圧の高い積層セラミックコンデンサ１３が得られた。
【００５０】
なお、放電抑制用電極１８ａ、１８ｂ間の長さを積層セラミックコンデンサ１３の全長Ｌの０．２５倍〜０．７５倍の範囲にすることにより、沿面放電の発生開始電圧をさらに高くすることができ、耐電圧の高い積層セラミックコンデンサ１３が得られ、この結果として、耐電圧の高い積層セラミックコンデンサ１３を得ることができる。すなわち、放電抑制用電極１８ａ、１８ｂ間の長さが、積層セラミックコンデンサ素子１６の全長Ｌの０．２５倍未満の場合は、放電抑制効果が少なく、セラミック表面の電界強度が高いため、沿面放電の発生開始電圧は低くなる。また、放電抑制用電極１２の長さが、積層セラミックコンデンサ７の全長Ｌの０．７５倍を超える場合は、対向する外部電極１１ｂとの距離が短くなることにより、セラミック表面の電界強度が高くなり、沿面放電の発生開始電圧は低くなる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、積層セラミックコンデンサ素子の側面においても、十分に沿面放電の発生開始電圧を高め、耐電圧の高い積層セラミックコンデンサを提供という効果を有し、中高圧用積層セラミックコンデンサに有用である。すなわち、放電抑制用電極は、容量形成用電極の積層方向および積層セラミックコンデンサ素子の長手方向に、面状に形成されているため、セラミック表面の電解集中が緩和される。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施の形態１における積層セラミックコンデンサの斜視図
【図２】同積層セラミックコンデンサをＡａ−Ａａ面で切った断面図
【図３】同積層セラミックコンデンサの積層方向の断面図
【図４】同積層セラミックコンデンサをＡｂ−Ａｂ面で切った断面図
【図５】同積層セラミックコンデンサの製造方法を示す図
【図６】本発明の実施の形態２における積層セラミックコンデンサの斜視図
【図７】同積層セラミックコンデンサをＢａ−Ｂａ面で切った断面図
【図８】同積層セラミックコンデンサをＢｂ−Ｂｂ面で切った断面図
【図９】同積層セラミックコンデンサの積層方向の断面図
【図１０】同積層セラミックコンデンサをＢｃ−Ｂｃ面で切った断面図
【図１１】従来（比較例１）の積層セラミックコンデンサの斜視図
【図１２】同積層セラミックコンデンサをＣａ−Ｃａ面で切った断面図
【図１３】同積層セラミックコンデンサの積層方向の断面図
【図１４】同積層セラミックコンデンサのＣｂ−Ｃｂ面の縦断面図
【図１５】従来（比較例２）の積層セラミックコンデンサの断面図
【図１６】同積層セラミックコンデンサの横断面図
【図１７】同積層セラミックコンデンサの積層方向の断面図
【図１８】同積層セラミックコンデンサのＤａ−Ｄａ面の断面図
【符号の説明】
【００５３】
１、７、１３、２１  積層セラミックコンデンサ
２、８、１４、２２  誘電体セラミック
３ａ〜３ｉ、９ａ〜９ｉ、１５ａ〜１５ｉ、２３ａ〜２３ｉ  容量形成用電極
４、１０、１６、２４  積層セラミックコンデンサ素子
５ａ、５ｂ、１１ａ、１１ｂ、１７ａ、１７ｂ、２５ａ、２５ｂ  外部電極
６、１２、１８、２６ａ、２６ｂ  放電抑制用電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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