(57)【要約】【課題】  低転位で、クラックがなく、高品質を維持した大面積のＡｌＧａＮ層を、そして、そのＡｌＧａＮ層を用いた紫外発光素子を簡単且つ容易に実現しようとする。【解決手段】  Ｓｉ基板１１上に形成された非晶質または金属からなる１層以上の歪み緩和層１２と、該歪み緩和層１２の一部分を被覆して形成されて凹凸を生成するＡｌＧａＮとは異種の単結晶層、例えば、Ｓｉ（１１１）半導体層１３と、ＡｌＧａＮとは異質の単結晶層を形成することで生成された凹凸を被覆して形成されたＡｌＧａＮ（Ａｌ組成ｘ：０≦ｘ≦１）層１４とを備えるＡｌＧａＮ層を含む半導体構造、及び、その製造方法が基本になっている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶基板上に形成された非晶質または金属からなる１層以上の歪み緩和層と、        該歪み緩和層の一部分を被覆して形成されて凹凸を生成するＡｌＧａＮとは異種の単結晶層と、
該ＡｌＧａＮとは異質の単結晶層を形成することで生成された凹凸を被覆して形成されたＡｌＧａＮ（Ａｌ組成ｘ：０≦ｘ≦１）層と
を備えてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板上に非晶質或いは金属からなる１層以上の歪み緩和層を形成する工程と、
該非晶質或いは金属からなる歪み緩和層に半導体層を貼り合わせる工程と、
該貼り合わせた半導体層の一部を除去して下地の非晶質或いは金属からなる歪み緩和層の一部を表出させる工程と、
該下地の非晶質或いは金属からなる歪み緩和層の一部が表出された該半導体層上にＡｌＧａＮ層を形成する工程と
が含まれてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置に於けるＡｌＧａＮ層を含む半導体構造上に形成されたｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層を有すること
を特徴とする紫外発光素子。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置の製造方法で作製されたＡｌＧａＮ層を含む半導体構造上にｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層を形成する工程
が含まれてなることを特徴とする紫外発光素子の製造方法。
【請求項５】
請求項２記載の半導体装置の製造方法で作製されたＡｌＧａＮ層を含む半導体構造上にｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層を形成する工程と、
次いで、該ＡｌＧａＮ層を含む半導体構造のうちの該ＡｌＧａＮ層を残し他を除去する工程と
が含まれてなることを特徴とする紫外発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＡｌＧａＮを除く異種基板上に形成され、しかも、結晶欠陥が少ない窒化物半導体層であるＡｌＧａＮからなる層を含む半導体構造をもつ半導体装置及びその半導体装置に於けるの半導体構造を用いた紫外発光素子及びそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、紫外光を発生する素子、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ：ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）は、照明やディスプレイに於ける蛍光体励起用、細菌検出用、光触媒用、医療用などの分野で応用されつつある。
【０００３】
上記の紫外ＬＥＤ素子を実現する為の最も有望な材料としては窒化物半導体であるＡｌＧａＮ（Ａｌ組成ｘ：０≦ｘ≦１）が採り上げられているのであるが、バルクのＡｌＧａＮを作製することは困難であることから、通常、ＡｌＧａＮとは異なる基板にＭＯＶＰＥ（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ  ｖａｐｏｒ  ｐｈａｓｅ  ｅｐｉｔａｘｙ）法などの結晶成長方法を適用して形成されている。尚、本明細書では、ＡｌＧａＮについて特に断りがない場合、Ａｌ組成のｘ値は０≦ｘ≦１であるとする。
【０００４】
然しながら、ＡｌＧａＮを除く如何なる基板もＡｌＧａＮと比較した場合の格子不整合は大きく、従って、結晶成長中に該格子不整合に起因する歪み応力に依ってＡｌＧａＮに転位が発生し易いので、この転位を低減させることが大きな課題になっている。
【０００５】
従来、ＡｌＧａＮを成長させる方法として、数μｍおき、例えば、２μｍ〜３μｍおきに、基板の一部分から成長が始まるように周期的な加工を施し、該基板上に於いて、選択成長過程及び横方向成長過程を組み合わせたＥＬＯ（Ｅｐｉｔａｘｉａｌ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ）と呼ばれる成長方法を適用し、転位密度が１×１０7 ｃｍ-2程度のＧａＮが得られること、また、ＡｌＧａＮの場合も同じ方法を用いることが提案されている（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００６】
図１３はＥＬＯで成長したＧａＮ層を含む半導体構造を表す要部切断側面図であり、図に於いて、１は半導体基板、２はマスク、３はＧａＮ層をそれぞれ示している。
【０００７】
図から明らかなように、半導体基板１の表面には凹凸が形成されていて、その凹の部分はマスク２で覆われ、凸の部分は半導体基板１自体が表出されていることから、半導体基板１は、ＥＬＯの条件、即ち、２μｍ〜３μｍおきに、基板の一部分から成長が始まるように周期的な加工を施された構成であり、その上にＧａＮ層３が成長されている。
【０００８】
ＡｌＧａＮは、前記説明した転位の問題の他、高品質化についても問題がある。即ち、基板とＡｌＧａＮ層との間には熱膨張係数の差が存在すること、そして、ＡｌＧａＮ層は温度を１０００℃から１３００℃の高温にして成長させることから、成長後の温度降下時に基板とＡｌＧａＮ層との間の格子収縮量の差に起因してクラックが入ってしまうことである。
【０００９】
この問題は、ＡｌＧａＮ層の成長領域を局限することで解消しようとする提案もなされているが、実用上からすれば、広い領域で、クラックがない平坦なＡｌＧａＮ層が得られるならば、それに越したことはない。
【００１０】
また、Ｓｉ基板上にクラックや多結晶塊などがない半導体単結晶であるＧａＮを成長させる場合、Ｓｉ基板の全面を凹凸がある反応防止層及びバッファ層で覆い、その上にＧａＮ層を成長させることが知られている（例えば、特許文献２を参照。）。
【００１１】
然しながら、特許文献２に開示された発明に依れば、バッファ層が凹の部分にも存在する為、ＧａＮを成長させる際、凸の部分のみならず、凹の部分にもＧａＮがついてしまうので、安定したＥＬＯ成長は起こらず、また、クラックの発生を凹凸構造に依って抑止しようとしているので、その効果は通常のＥＬＯと同程度であって充分とは言えない。
【特許文献１】特開２００１−１６８０４２号公報
【特許文献２】特開２００２−２９３６９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明では、低転位であって、クラックがなく、高品質を維持した大面積のＡｌＧａＮ層を、そして、そのＡｌＧａＮ層を用いた紫外発光素子を簡単且つ容易に実現しようとする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に依る半導体装置及びその半導体装置に於ける半導体構造を用いた紫外発光素子及びそれらの製造方法に於いては、単結晶基板（例えば、Ｓｉ基板１１）上に形成された非晶質（例えば、ＳｉＯ2 ）または金属（例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒなど）からなる１層以上の歪み緩和層（例えば、歪み緩和層１２）と、該歪み緩和層の一部分を被覆して形成されて凹凸を生成するＡｌＧａＮとは異種の単結晶層（例えば、Ｓｉ（１１１）半導体層１３）と、該ＡｌＧａＮとは異質の単結晶層を形成することで生成された凹凸を被覆して形成されたＡｌＧａＮ（Ａｌ組成ｘ：０≦ｘ≦１）層（例えば、ＡｌＧａＮ層１４）とを備えてなることを特徴とする半導体装置、及び、その製造方法が基本になっている。
【発明の効果】
【００１４】
前記手段を採ることに依り、ＡｌＧａＮ層の成長用基板は、非晶質或いは金属からなる歪み緩和層をもつ為、その上に成長したＡｌＧａＮ層は、クラックがなく且つ大面積のものが得られ、また、成長用基板に於ける凹凸を利用したＥＬＯを適用して成長することに依って、ＡｌＧａＮ層に生成される転位は低減される。従って、本発明に依るＡｌＧａＮを用いれば、高性能の紫外発光素子を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明に於ける半導体装置及びその半導体装置に於ける半導体構造を用いた紫外発光素子及びそれらの製造方法に於いては、ＡｌＧａＮ層に発生するクラックの原因となる熱歪みがＡｌＧａＮ層に加わらないようにする歪み緩和層を基板に導入することが基本になっているが、その導入に際しては、種々と工夫が必要である。
【００１６】
さて、ＡｌＧａＮの熱膨張係数は、４．２〜５．６×１０-6Ｋ-1であって、基板にＳｉを用いた場合を考えると、基板の熱膨張係数は、３．５×１０-6Ｋ-1である。
【００１７】
一般に、ＡｌＧａＮ層の形成に適した結晶成長温度は１０００℃〜１３００℃であるから、ＡｌＧａＮ層を成長後、室温まで降温した場合、ＡｌＧａＮ層とＳｉ基板との格子収縮の違いは、約０．２％にもなり、ＡｌＧａＮ層には面内に引っ張り方向、Ｓｉ基板には圧縮方向の熱歪みに依る応力が加わる。
【００１８】
Ｓｉ基板の厚さは３００μｍ〜６００μｍであり、ＡｌＧａＮ層の厚さが１μｍ〜２μｍであるのに比較して２桁程度厚く、その熱歪みに起因する応力は、ＡｌＧａＮにクラックが入ることで開放される。
【００１９】
非晶質層は、半導体に比較して密度が小さく、また、原子同士の結合が結晶に比較して弱い為、結晶に加える応力よりも小さい応力で塑性変形することが可能である。
【００２０】
金属層は、定性的に完全結晶に於ける剪断応力の１００分の１以下の応力で塑性変形することが可能である。
【００２１】
従って、ＡｌＧａＮ層を成長させるべき基板に非晶質或いは金属からなる熱歪み緩和層を導入した場合、熱歪みに起因する応力は、熱歪み緩和層の塑性変形に依って緩和され、ＡｌＧａＮ層には、クラックを発生させる程度に大きい応力は加わらないので、高品質のＡｌＧａＮ層を実現することができる。
【００２２】
また、本発明では、ＡｌＧａＮ層の成長が開始される部分は、凹凸をもつ半導体面の凸の部分であり、凹の部分には、ＡｌＧａＮが成長しにくいマスク効果をもつ非晶質或いは金属からなる歪み緩和層が表面を露出して形成されているので、該凹の部分にＡｌＧａＮが堆積することは抑制され、従って、確実にＥＬＯを実施することができる。
【００２３】
更にまた、半導体基板としては、何らの制約を受けることなく、Ｓｉを用いることができるので、その場合には、安価で且つ大口径のＡｌＧａＮ層を容易に実現することができる。
【実施例１】
【００２４】
図１は本発明に於ける物の実施例であるＡｌＧａＮ層を含む半導体構造をもつ半導体装置を表す要部切断側面図であり、図に於いて、１１はＳｉ基板、１２はチタン（Ｔｉ）歪み緩和層、１３はＳｉ（１１１）半導体層、１３Ａは凹所、１４はＡｌＧａＮ層をそれぞれ示している。
【実施例２】
【００２５】
図２乃至図７は本発明に於ける方法の実施例であるＡｌＧａＮ層の成長に用いる凹凸基板の製造工程を説明する為の工程要所に於ける基板を表す要部切断側面図であり、図１に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【００２６】
図２参照
（１）  真空蒸着法を適用することに依り、Ｓｉ基板１１に厚さ例えば１００ｎｍのＴｉ      歪み緩和層１２を形成する。
【００２７】
図３参照
（２）  Ｔｉ歪み緩和層１２上にＳｉ（１１１）半導体層１３を載置し、１０００℃程度      の高速加熱を行って、Ｔｉ歪み緩和層１２とＳｉ（１１１）半導体層１３とを貼り      合わせ、３層構造の基板を作製する。
（３）  上記貼り合わせたＳｉ（１１１）半導体層１３は、当初、取り扱い容易性の面か      ら例えば５０μｍ〜１５０μｍ程度の厚さにしてあるので「層」よりも「板」と呼      ぶ方が相応しいが、Ｓｉ（１１１）半導体層１３は、ＡｌＧａＮ層の厚さに比較し      て薄い場合に効果的であり、従って、貼り合わせてから１００ｎｍ〜５００ｎｍ程      度に研磨して薄層化すると良い。
【００２８】
図４参照
（４）  リソグラフィ技術に於けるレジストプロセスを適用することに依り、レジストの      スピンコーティング及びリソグラフィを経て、Ｓｉ（１１１）半導体層１３上に線      幅２μｍ、周期４μｍのレジスト膜１５を形成する。
【００２９】
図５及び図６参照
（５）  レジスト膜１５をマスクとしてＳｉ（１１１）半導体層１３のエッチングを行な      って凹所１３Ａを生成し、この後、レジスト膜１５を除去する。
（６）  これに依り、表面に凹凸をもち、且つ、凹所１３Ａ内にＴｉ歪み緩和層１２の一      部が表出されている３層構造の基板が実現される。
【００３０】
図７参照
（７）  ＭＯＶＰＥ法を適用することに依り、３層構造の基板上に厚さ１μｍ乃至２μｍ      のＡｌＧａＮ層１４を成長させる。この場合、成長原料としては、例えば、トリメ      チルアルミニウム（ＴＭＡｌ：Ａｌ（ＣＨ3 ）3 ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ      ａ：Ｇａ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ）、アンモニア（ＮＨ3 ）を用いることができ、そして、       III族原料（ＴＭＡとＴＥＧの総和）とＶ族原料（ＮＨ3 ）との比率、即ち、Ｖ／       III比は、横方向の成長が促進される高Ｖ／ III比、即ち、５００〜５０００にす      ると良く、また、この際の成長温度は１０００℃〜１３００℃を適用する。
【００３１】
上記方法の実施例では、歪み緩和層１２の材料としてＴｉを用いた場合について説明したが、他の金属としてニッケル（Ｎｉ）やクロム（Ｃｒ）を用いることができ、そして、非晶質の材料であれば、ＳｉＯ2 やＳｉＮを用いて良い。
【００３２】
また、半導体層１３の材料としてはＳｉ（１１１）の他にＳｉＣやサファイアを用いることができ、更にまた、基板表面の凹凸はライン状のみでなく、多数の角形凸、或いは、多数の６角形凸を形成したものであって良い。
【実施例３】
【００３３】
図８乃至図１０は本発明に於ける方法の他の実施例であるＡｌＧａＮ層の成長に用いる凹凸基板の製造工程を説明する為の工程要所に於ける基板を表す要部切断側面図であり、図１乃至図７に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【００３４】
図８及び図９参照
（１）  Ｓｉ（１１１）基板１１Ａを温度５００℃に加熱した状態で酸素イオン１６を注      入する。この場合、イオン注入エネルギーは１８０ｋｅＶ、注入量は１×１０18ｃ      ｍ-2とした。図９には、上記条件でイオン注入されたＳｉ（１１１）基板１１Ａが      示されている。
【００３５】
図１０参照
（２）  水素雰囲気中に於いて、温度を１０００℃、時間を１０分の熱処理を行ない、酸      素イオン１６とＳｉ（１１１）基板１１Ａとが反応させてＳｉＯ2 からなる歪み緩      和層１２Ａを生成させ、且つ、Ｓｉ（１１１）基板１１Ａの表面に於ける結晶性を      回復させることで３層構造の基板が実現される。
（３）  この後、実施例２と同様にしてＳｉ（１１１）基板１１Ａの表面を加工し、凹凸      を形成する。
【００３６】
前記のようにして作製される本発明に依るＡｌＧａＮ層を含む半導体構造を用い、優れた性能をもつ紫外ＬＥＤ素子を作製することができるので、次に、それについて具体的に説明する。
【実施例４】
【００３７】
図１１は本発明に依るＡｌＧａＮ層を含む半導体構造を利用して作製した紫外ＬＥＤ素子を表す要部切断側面図であり、図１乃至図１０に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【００３８】
図に於いて、１７はｎ−Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ｎからなるｎ側コンタクト層、１８はＡｌ0.30Ｇａ0.70Ｎからなるバリア層、１９はＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎからなる井戸層、２０はＡｌ0.30Ｇａ0.70Ｎからなるバリア層、２１はｐ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ｎからなる電子障壁層、２２はｐ−Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ｎからなるｐ側クラッド層、２３はｐ−Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎからなる  ｐ側コンタクト層、２４は透明電極、２５はｐ側電極、２６はｎ側電極をそれぞれ示している。
【００３９】
この紫外ＬＥＤ素子を作製するには、本発明に依るＡｌＧａＮ層を含む半導体構造に於けるＡｌＧａＮ層１４上にＳｉを５×１０18ｃｍ-3程度ドーピングした厚さ１μｍのｎ−Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ｎからなるｎ側コンタクト層１７を成長し、次いで、厚さが２０ｎｍのＡｌ0.30Ｇａ0.70Ｎからなるバリア層１８、厚さが３ｎｍのＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎからなる井戸層１９、厚さが２０ｎｍのＡｌ0.30Ｇａ0.70Ｎからなるバリア層２０で構成される活性層を成長し、次いで、不純物濃度が５×１０20ｃｍ-3、厚さが１０ｎｍのｐ−Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ｎからなる電子障壁層２１を成長し、次いで、不純物濃度が１×１０20ｃｍ-3、厚さが１００ｎｍのｐ−Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ｎからなるｐ側クラッド層２２を成長し、その後、不純物濃度が１×１０21ｃｍ-3、厚さが１０ｎｍのｐ−Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎからなるｐ側コンタクト層２３を成長する。
【００４０】
前記したように、各半導体層を成長した後、リソグラフィ技術を適用し、ｐ側コンタクト層２３の表面一部からｎ側コンタクト層１７内に達するエッチングを行ってｎ側電極形成予定領域を形成する。
【００４１】
ｐ側コンタクト層２３上に透明電極２４を形成し、ｐ側電極２５及びｎ側電極２６を形成して完成する。尚、ｐ側電極２５にはＮｉ（１０ｎｍ）／Ａｕ（１０００ｎｍ）を、そして、ｎ側電極２６にはＴｉ（１０ｎｍ）／Ａｌ（１０ｎｍ）／Ｔｉ（１０ｎｍ）／Ａｕ（１０００ｎｍ）を例えば真空蒸着法を適用して成膜し、リソグラフィ技術を適用してパターニングして形成することができる。
【実施例５】
【００４２】
図１２は本発明に依るＡｌＧａＮ層を含む半導体構造を利用して作製した実施例４とは異なる紫外ＬＥＤ素子を表す要部切断側面図であり、図１乃至図１１に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【００４３】
実施例５の紫外ＬＥＤ素子は、最終的には凹凸基板を除去した構成になっているものでって、図１について説明した凹凸基板上のＡｌＧａＮ層１４にｎ型不純物をドーピングしてあることを除けば、各半導体層の成長については、ｎ側コンタクト層１７からｐ側コンタクト層２３まで実施例４の場合と全く同じである。
【００４４】
この後、Ｎｉ（１０ｎｍ）／Ａｕ（１０００ｎｍ）を真空蒸着してｐ側電極２５を形成し、そのｐ側電極２５と導電性ステム２７とを接合し、次いで、ウエットエッチング法、又は、研磨法を適用して凹凸基板を剥離してｎ−ＡｌＧａＮ層１４を表出させ、次いで、真空蒸着法及びリソグラフィ技術を適用することに依り、ｎ−ＡｌＧａＮ層１４上にＴｉ（１０ｎｍ）／Ａｌ（１０ｎｍ）／Ｔｉ（１０ｎｍ）／Ａｕ（１０００ｎｍ）からなるｎ側電極２６を形成して完成する。
【００４５】
紫外ＬＥＤ素子の構造については、実施例４や実施例５として説明した構造の他、従来から知られている種々な構造のものに応用することができ、また、レーザなどの半導体発光素子にも応用することができる。
【００４６】
本発明に於いては、前記説明した実施例を含め、多くの形態で実施することができ、以下、それを付記として例示する。
【００４７】
（付記１）
単結晶基板上に形成された非晶質または金属からなる１層以上の歪み緩和層と、該歪み緩和層の一部分を被覆して形成されて凹凸を生成するＡｌＧａＮとは異種の単結晶層と、該ＡｌＧａＮとは異質の単結晶層を形成することで生成された凹凸を被覆して形成されたＡｌＧａＮ（Ａｌ組成ｘ：０≦ｘ≦１）層とを備えてなることを特徴とする半導体装置。
【００４８】
（付記２）                                                                      単結晶基板がＳｉ基板であり且つＡｌＧａＮとは異質の単結晶層が面方位（１１１）のＳｉ層であることを特徴とする付記（１）記載の半導体装置。
【００４９】
（付記３）
半導体基板上に非晶質或いは金属からなる１層以上の歪み緩和層を形成する工程と、該非晶質或いは金属からなる歪み緩和層に半導体層を貼り合わせる工程と、該貼り合わせた半導体層の一部を除去して下地の非晶質或いは金属からなる歪み緩和層の一部を表出させる工程と、該下地の非晶質或いは金属からなる歪み緩和層の一部が表出された該半導体層上にＡｌＧａＮ層を形成する工程とが含まれてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００５０】
（付記４）
半導体基板上に非晶質或いは金属からなる１層以上の歪み緩和層を形成する工程をイオン注入に依って半導体基板内に歪み緩和層を形成する工程に代替し、且つ、歪み緩和層の一部が表出された半導体層上にＡｌＧａＮ層を形成するに際してＭＯＣＶＤ法或いはＨＶＰＥ法を適用することを特徴とする付記（３）記載の半導体装置の製造方法。
【００５１】
（付記５）
付記１記載の半導体装置に於けるＡｌＧａＮ層を含む半導体構造上に形成されたｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層を有することを特徴とする紫外発光素子。
【００５２】
（付記６）
付記３記載の半導体装置の製造方法で作製されたＡｌＧａＮ層を含む半導体構造上にｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層を形成する工程が含まれてなることを特徴とする紫外発光素子の製造方法。
【００５３】
（付記７）
付記３記載の半導体装置の製造方法で作製されたＡｌＧａＮ層を含む半導体構造上にｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層を形成する工程と、次いで、該ＡｌＧａＮ層を含む半導体構造のうちの該ＡｌＧａＮ層を残し他を除去する工程とが含まれてなることを特徴とする紫外発光素子の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明に於ける物の実施例であるＡｌＧａＮ層を含む半導体装置を表す要部切断側面図である。
【図２】本発明に於ける方法の実施例であるＡｌＧａＮ層の成長に用いる凹凸基板の製造工程を説明する為の工程要所に於ける基板を表す要部切断側面図である。
【図３】本発明に於ける方法の実施例であるＡｌＧａＮ層の成長に用いる凹凸基板の製造工程を説明する為の工程要所に於ける基板を表す要部切断側面図である。
【図４】本発明に於ける方法の実施例であるＡｌＧａＮ層の成長に用いる凹凸基板の製造工程を説明する為の工程要所に於ける基板を表す要部切断側面図である。
【図５】本発明に於ける方法の実施例であるＡｌＧａＮ層の成長に用いる凹凸基板の製造工程を説明する為の工程要所に於ける基板を表す要部切断側面図である。
【図６】本発明に於ける方法の実施例であるＡｌＧａＮ層の成長に用いる凹凸基板の製造工程を説明する為の工程要所に於ける基板を表す要部切断側面図である。
【図７】本発明に於ける方法の実施例であるＡｌＧａＮ層の成長に用いる凹凸基板の製造工程を説明する為の工程要所に於ける基板を表す要部切断側面図である。
【図８】本発明に於ける方法の他の実施例であるＡｌＧａＮ層の成長に用いる凹凸基板の製造工程を説明する為の工程要所に於ける基板を表す要部切断側面図である。
【図９】本発明に於ける方法の他の実施例であるＡｌＧａＮ層の成長に用いる凹凸基板の製造工程を説明する為の工程要所に於ける基板を表す要部切断側面図である。
【図１０】本発明に於ける方法の他の実施例であるＡｌＧａＮ層の成長に用いる凹凸基板の製造工程を説明する為の工程要所に於ける基板を表す要部切断側面図である。
【図１１】本発明に依るＡｌＧａＮ層を含む半導体構造を利用して作製した紫外ＬＥＤ素子を表す要部切断側面図である。
【図１２】本発明に依るＡｌＧａＮ層を含む半導体構造を利用して作製した実施例４とは異なる紫外ＬＥＤ素子を表す要部切断側面図である。
【図１３】ＥＬＯで成長したＧａＮ層を含む半導体構造を表す要部切断側面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１１  Ｓｉ基板
１２  チタン（Ｔｉ）歪み緩和層
１３  Ｓｉ（１１１）半導体層
１３Ａ  凹所
１４  ＡｌＧａＮ層
１５  レジスト膜
【図１】
2005235989.tif 000003
【図２】
2005235989.tif 000004
【図３】
2005235989.tif 000005
【図４】
2005235989.tif 000006
【図５】
2005235989.tif 000007
【図６】
2005235989.tif 000008
【図７】
2005235989.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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