(57)【要約】  【課題】基板周囲の雰囲気の排気によるレジスト剥離液の液温低下（基板の温度低下）を抑制し、レジスト剥離液の混合時の発熱反応により得られた熱エネルギーを無駄にすることなく、効率良くレジスト剥離処理を行うことができるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供する。  【解決手段】スピンチャック１を収容したカップ３には、排気管３４が接続されており、この排気管３４の途中部には、ダンパ開閉機構３５によって開閉されるダンパ３６が介装されている。ノズル２からウエハＷの表面にＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水との混合液）が吐出されている期間（ウエハＷの表面にＳＰＭが供給されている期間）およびウエハＷの表面上にＳＰＭの液膜が形成されている期間は、ダンパ３６が全閉状態にされて、カップ３内の雰囲気の排気が停止される。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
混合時に発熱反応を呈する混合液をレジスト剥離液として用いて、基板の表面からレジスト膜を剥離して除去する方法であって、
ノズルから基板の表面に向けて上記レジスト剥離液を吐出する液吐出工程と、
少なくとも上記液吐出工程が行われている間、上記液吐出工程の開始以前よりも排気量を減少させて基板の周囲の雰囲気を排気するか、または、基板の周囲の雰囲気の排気を停止させる低排気工程と
を含むことを特徴とするレジスト剥離方法。
【請求項２】
上記液吐出工程の後に、基板の表面に上記レジスト剥離液の液盛りによる液膜が形成された状態を維持するパドル工程をさらに含み、
上記低排気工程は、上記液吐出工程およびパドル工程を通じて行われることを特徴とする請求項１記載のレジスト剥離方法。
【請求項３】
混合時に発熱反応を呈する混合液をレジスト剥離液として用いて、基板の表面からレジスト膜を剥離して除去する装置であって、
基板を保持する基板保持手段と、
この基板保持手段に保持された基板に向けて上記レジスト剥離液を吐出するノズルと、
上記基板保持手段に保持された基板の周囲の雰囲気を排気するための排気管と、
この排気管に介装されていて、少なくとも当該排気管における排気の流量が異なる２つの位置に変位可能なダンパと、
少なくとも上記ノズルから上記レジスト剥離液が吐出されている間、上記ダンパを制御して、そのレジスト剥離液の吐出開始以前よりも上記排気管からの排気量を減少させるか、または、上記排気管からの排気を停止させる排気制御手段と
を含むことを特徴とするレジスト剥離装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの各種基板の表面から不要となったレジスト膜を剥離して除去するためのレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の表面に形成されたレジスト膜を剥離して除去するための処理（レジスト剥離処理）が行われる。このレジスト剥離処理の方式としては、複数枚の基板を一括して処理するバッチ式が従来の主流であったが、最近では、処理対象の基板の大型化に伴って、基板の表面にレジスト剥離液を供給して、基板を１枚ずつ処理する枚葉式が注目されてきている。
【０００３】
枚葉式のレジスト剥離処理を実施する装置は、処理室内に、基板をほぼ水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板の表面（上面）にレジスト剥離液を供給するためのノズルとを備えている。レジスト剥離処理では、スピンチャックによって基板が保持されて静止した状態か、または、スピンチャックによって基板がその中心を通る鉛直軸線まわりにごく低速で回転されている状態で、そのスピンチャックに保持されている基板の表面にノズルから高温のレジスト剥離液が供給される。これにより、基板の表面にレジスト剥離液の液盛りによる液膜が形成され、基板の表面に形成されているレジスト膜が酸化して剥離される。
【０００４】
スピンチャックは、有底筒状の処理カップ内に配置されていて、処理カップの底面には、スピンチャックの周囲の雰囲気を排気するための排気口が形成されている。レジスト剥離液を含む雰囲気の拡散を抑制するため、装置稼働中は、基板に対するレジスト剥離液の供給時／非供給時に関係なく、処理カップの底面の排気口から処理カップ内の雰囲気が一定の排気量で常に排気されている。
【特許文献１】特開昭６１−１２９８２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
レジスト剥離液は、一定の温度以上で良好なレジスト剥離性能を発揮する。そこで、ノズルから基板の表面に供給されるレジスト剥離液は、その良好なレジスト剥離性能を発揮可能な温度よりも十分高い温度に昇温されている。しかしながら、処理カップの底面の排気口からの排気によって、スピンチャックに保持された基板の周囲には気流が形成されるため、ノズルから基板の表面に供給されたレジスト剥離液が急速に温度低下し、基板の表面に形成されているレジスト膜を良好に剥離できないという問題があった。
【０００６】
そこで、この発明の目的は、基板周囲の雰囲気の排気によるレジスト剥離液の液温低下（基板の温度低下）を抑制できるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、混合時に発熱反応を呈する混合液をレジスト剥離液として用いて、基板（Ｗ）の表面からレジスト膜を剥離して除去する方法であって、ノズル（２）から基板の表面に向けて上記レジスト剥離液を吐出する液吐出工程（Ｓ３）と、少なくとも上記液吐出工程が行われている間、上記液吐出工程の開始以前よりも排気量を減少させて基板の周囲の雰囲気を排気するか、または、基板の周囲の雰囲気の排気を停止させる低排気工程（Ｓ３，Ｓ４）とを含むことを特徴とするレジスト剥離方法である。
【０００８】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
請求項１記載の発明によれば、少なくともノズルから基板の表面に向けてレジスト剥離液が吐出されている間は、レジスト剥離液の吐出開始以前よりも少ない排気量で基板の周囲の雰囲気の排気が行われるか、または、基板の周囲の雰囲気の排気が停止される。これにより、基板の周囲に排気による気流が形成されないので、混合時の発熱反応によって昇温された後にノズルから基板の表面に供給されるレジスト剥離液の液温低下を抑制することができる。よって、レジスト剥離液のレジスト剥離能力を十分に発揮させることができ、基板の表面に形成されている不要なレジスト膜を良好に剥離して除去することができる。すなわち、レジスト剥離液の混合時の発熱反応により得られた熱エネルギーを無駄にすることなく、効率の良いレジスト剥離処理を行うことができる。
【０００９】
請求項２記載の発明は、上記液吐出工程の後に、基板の表面に上記レジスト剥離液の液盛りによる液膜が形成された状態を維持するパドル工程（Ｓ４）をさらに含み、上記低排気工程は、上記液吐出工程およびパドル工程を通じて行われることを特徴とする請求項１記載のレジスト剥離方法である。
この発明によれば、液吐出工程だけでなく、これに引き続いて行われるパドル工程中も、レジスト剥離液の吐出開始以前よりも少ない排気量で基板の周囲の雰囲気の排気が行われるか、または、基板の周囲の雰囲気の排気が停止される。これにより、基板の表面上に溜められているレジスト剥離液の液温低下を抑制することができ、基板の表面に供給されたレジスト剥離液の液温を維持することができる。よって、レジスト剥離液のレジスト剥離能力を十分に発揮することができ、基板の表面に形成されている不要なレジスト膜を良好に剥離して除去することができる。すなわち、パドル工程中であっても、レジスト剥離液の混合時の発熱反応により得られた熱エネルギーを無駄にすることなく、効率の良いレジスト剥離処理を行うことができる。
【００１０】
請求項３記載の発明は、混合時に発熱反応を呈する混合液をレジスト剥離液として用いて、基板（Ｗ）の表面からレジスト膜を剥離して除去する装置であって、基板を保持する基板保持手段（１）と、この基板保持手段に保持された基板に向けて上記レジスト剥離液を吐出するノズル（２）と、上記基板保持手段に保持された基板の周囲の雰囲気を排気するための排気管（３４）と、この排気管に介装されていて、少なくとも当該排気管における排気の流量が異なる２つの位置に変位可能なダンパ（３６）と、少なくとも上記ノズルから上記レジスト剥離液が吐出されている間、上記ダンパを制御して、そのレジスト剥離液の吐出開始以前よりも上記排気管からの排気量を減少させるか、または、上記排気管からの排気を停止させる排気制御手段（５）とを含むことを特徴とするレジスト剥離装置である。
【００１１】
この構成によれば、レジスト剥離液が混合時の発熱反応によって昇温された後、少なくともノズルから基板の表面に向けてレジスト剥離液が吐出されている間は、レジスト剥離液の吐出開始以前よりも少ない排気量で基板の周囲の雰囲気の排気が行われるか、または、基板の周囲の雰囲気の排気が停止される。これにより、基板の周囲に排気による気流が形成されないので、ノズルから基板の表面に供給されるレジスト剥離液の液温低下を抑制することができる。よって、レジスト剥離液のレジスト剥離能力を十分に発揮させることができ、基板の表面に形成されている不要なレジスト膜を良好に剥離して除去することができる。すなわち、レジスト剥離液の混合時の発熱反応により得られた熱エネルギーを無駄にすることなく、効率の良いレジスト剥離処理を行うことができる。
【００１２】
なお、上記ノズルからのレジスト剥離液の吐出停止後、基板の表面に上記レジスト剥離液の液盛りによる液膜が形成されたパドル状態が所定時間維持される場合、上記排気制御手段は、上記レジスト液が吐出されている期間および上記パドル状態が維持されている期間を通じて、レジスト剥離液の吐出開始以前よりも上記排気管からの排気量を減少させるか、または、上記排気管からの排気を停止させるものであることが好ましい。こうすることにより、基板の表面上に液膜の状態で溜められているレジスト剥離液の液温低下を抑制することができ、基板の表面に供給されたレジスト剥離液の液温をより高温に維持することができる。上記パドル状態が維持されている期間であっても、レジスト剥離液の混合時の発熱反応により得られた熱エネルギーを無駄にすることなく、効率の良いレジスト剥離処理を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係るレジスト剥離装置の構成を図解的に示す図である。このレジスト剥離装置は、基板の一例であるシリコン半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）の表面（上面）にレジスト剥離液を供給して、そのウエハＷの表面から不要になったレジスト膜を剥離して除去するレジスト剥離処理を行う枚葉式の装置であり、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるスピンチャック１と、このスピンチャック１に保持されたウエハＷの表面にレジスト剥離液を供給するためのノズル２と、ウエハＷから流下または飛散するレジスト剥離液を受け取るためのカップ３とを備えている。
【００１４】
スピンチャック１は、たとえば、ほぼ鉛直な方向に延びたスピン軸１１と、スピン軸１１の上端に取り付けられたスピンベース１２と、このスピンベース１２の周縁部に配設された複数個の挟持部材１３とを有している。複数個の挟持部材１３は、ウエハＷの外形に対応した円周上に配置されていて、ウエハＷの周面を異なる複数の位置で挟持することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持することができる。また、モータなどの駆動源を含む回転駆動機構１４がスピン軸１１に結合されていて、複数個の挟持部材１３でウエハＷを保持した状態で、回転駆動機構１４からスピン軸１１に駆動力を入力することにより、ウエハＷをスピン軸１１の中心軸線まわりに回転させることができる。
【００１５】
ノズル２は、レジスト剥離液の供給位置を変更できるスキャンノズルとしての基本形態を有している。具体的には、カップ３の側方には、旋回軸２１が鉛直方向にほぼ沿って配置されており、ノズル２は、その旋回軸２１の上端部からほぼ水平に延びたノズルアーム２２の先端部に取り付けられている。旋回軸２１には、アーム駆動機構２３からの駆動力が与えられるようになっていて、旋回軸２１を回転させることにより、ノズル２をスピンチャック１に保持されたウエハＷの上方に配置したり、カップ３の外側に設定された待機位置に配置したりすることができる。また、旋回軸２１を所定の角度範囲内で往復回転させることにより、スピンチャック１に保持されたウエハＷの上方でノズルアーム２２を揺動させることができ、これに伴って、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表面上で、ノズル２からのレジスト剥離液の供給位置をスキャン（移動）させることができる。
【００１６】
ノズル２には、混合液供給路４１が接続されている。この混合液供給路４１には、硫酸供給路４２からの硫酸と、過酸化水素水供給路４３からの過酸化水素水とが、ミキシングバルブ４４で合流して供給されるようになっている。硫酸供給路４２の途中部には、ミキシングバルブ４４への硫酸の供給／停止を切り換えるための硫酸バルブ４５が介装されている。一方、過酸化水素水供給路４３の途中部には、ミキシングバルブへの過酸化水素水の供給／停止を切り換えるための過酸化水素水バルブ４６が介装されている。
【００１７】
ミキシングバルブ４４では、硫酸供給路４２からの硫酸と過酸化水素水供給路４３からの過酸化水素水とが単に合流するだけであり、ミキシングバルブ４４から混合液供給路４１に流出する混合液は、硫酸と過酸化水素水とが十分に混ざり合っていない。そこで、混合液供給路４１には、その混合液供給路４１を流れる硫酸および過酸化水素水の混合液を撹拌するための撹拌フィン付流通管４７が介装されている。
【００１８】
撹拌フィン付流通管４７は、管部材内に、それぞれ液体流通方向を軸にほぼ１８０度のねじれを加えた長方形板状体からなる複数の撹拌フィンを、液体流通方向に沿う管中心軸まわりの回転角度を９０度ずつ交互に異ならせて配置した構成のものであり、たとえば、株式会社ノリタケカンパニーリミテド・アドバンス電気工業株式会社製の商品名「ＭＸシリーズ：インラインミキサー」を用いることができる。撹拌フィン付流通管４７では、硫酸および過酸化水素水の混合液が十分に撹拌されることにより、硫酸と過酸化水素水との化学反応（Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2→Ｈ2ＳＯ5＋Ｈ2Ｏ）が生じて、強い酸化力を有するＨ2ＳＯ5を含むＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水）が生成される。その際、化学反応による発熱（反応熱）を生じ、この発熱によって、ＳＰＭの液温は、ウエハＷの表面に形成されているレジスト膜を良好に剥離可能な温度よりも十分高い温度（たとえば、８０〜１３０℃）に昇温する。
【００１９】
撹拌フィン付流通管４７で生成された高温のＳＰＭは、レジスト剥離液として、混合液供給路４１を通ってノズル２に供給され、ノズル２からスピンチャック１に保持されたウエハＷの表面に向けて吐出される。
カップ３は、スピンチャック１の周囲を取り囲む側面３１と、スピンチャック１のスピン軸１１が貫通した底面３２とを有する容器状に形成されている。底面３２には、カップ３に受け取られたレジスト剥離液（廃液）を排出するためのドレン配管３３と、カップ３内の雰囲気を排気するための排気管３４とが接続されている。排気管３４の途中部には、ロータリアクチュエータなどを含むダンパ開閉機構３５によって開閉されるダンパ３６が介装されている。
【００２０】
このレジスト剥離装置はさらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御部５を備えている。制御部５は、レジスト剥離処理に際して、回転駆動機構１４およびアーム駆動機構２３の動作を制御する。また、硫酸バルブ４５および過酸化水素水バルブ４６の開閉を制御して、ノズル２からレジスト剥離液（ＳＰＭ）を吐出させたり、そのレジスト剥離液の吐出を停止させたりする。さらには、ダンパ開閉機構３５を制御して、ダンパ３６の開閉を切り替える。
【００２１】
図２は、レジスト剥離処理について説明するためのフローチャートである。レジスト剥離処理の開始に際して、ノズル２がカップ３の外側に設定された待機位置に配置されている状態で、硫酸バルブ４５および過酸化水素水バルブ４６が開かれることにより、混合液供給路４１に溜まったレジスト剥離液がプリディスペンス（廃棄）される（ステップＳ１）。このとき、ダンパ３６は全開状態であり、カップ３内の雰囲気が排気管３４から１５０ｍｍＨ2Ｏの排気圧（排気管３４内の管内圧力）で排気されている。
【００２２】
プリディスペンスの後、カップ３外の待機位置に配置されているノズル２が、スピンチャック１によって一定の低回転速度（たとえば、３０ｒｐｍ）で回転されているウエハＷの上方に移動される（ステップＳ２）。そして、硫酸バルブ４５および過酸化水素水バルブ４６が開かれて、ノズル２からレジスト剥離液としてのＳＰＭがウエハＷの表面に供給される（ステップＳ３）。ウエハＷの表面へのＳＰＭの供給が行われている間（たとえば、１５秒間）、ウエハＷの表面上におけるＳＰＭの供給位置が、ウエハＷの回転中心を含むセンタ位置とウエハＷの周縁部を含むエッジ位置との間で繰り返し移動（スキャン）させられる。具体的には、ウエハＷの回転中心を含むセンタ位置からスキャンが開始され、ＳＰＭの供給位置がウエハＷの周縁部を含むエッジ位置に達すると、スキャン方向が反転されて、ＳＰＭの供給位置がセンタ位置に戻され、さらに、ＳＰＭの供給位置がセンタ位置に達すると、スキャン方向が再び反転されるといったようにして、ＳＰＭの供給位置がセンタ位置とエッジ位置との間で８．５往復される。このように、スピンチャック１によってウエハＷが低速回転される一方で、ＳＰＭの供給位置のスキャンが行われることにより、ウエハＷの表面に対してＳＰＭがむらなく供給されて、ウエハＷの表面上にＳＰＭが液膜の状態となって溜められる（液盛り）。
【００２３】
なお、ＳＰＭの供給位置がセンタ位置とエッジ位置との間で８．５往復されて、ノズル２がウエハＷの周縁部上（エッジ位置）に位置したときに、ノズルアーム２２の旋回（揺動）を一定時間（たとえば、２秒間）停止させて、ノズル２からのＳＰＭがウエハＷの周縁部に集中的に供給されるようにしてもよい。こうすることにより、ウエハＷの周縁部にＳＰＭを十分に供給することができ、ウエハＷの周縁部におけるＳＰＭの液温低下（ウエハＷの温度低下）をより効果的に抑制することができる。
【００２４】
ウエハＷへのＳＰＭの供給開始と同時に、ダンパ開閉機構３５が制御されて、ダンパ３６が全閉状態にされる。すなわち、ＳＰＭの供給開始と同時に、カップ３内の雰囲気の排気が停止される。これにより、スピンチャック１に保持されたウエハＷの周囲に排気による気流が形成されないので、ノズル２からウエハＷの表面に供給されるＳＰＭの液温低下を抑制することができる。
【００２５】
ノズル２からウエハＷの表面へのＳＰＭの供給が終了してから所定のパドル時間（たとえば、３０秒間）、ウエハＷの表面上にＳＰＭが液盛りされた状態のままにされる（ステップＳ４）。このパドル時間中も引き続き、ダンパ３６が全閉状態にされており、カップ３内の雰囲気の排気が停止されている。これにより、ウエハＷの表面上に溜められているＳＰＭの液温低下を抑制することができ、ウエハＷの表面に供給されたＳＰＭの高温状態を維持することができる。よって、ＳＰＭのレジスト剥離能力を十分に発揮することができ、ウエハＷの表面に形成されている不要なレジスト膜をＳＰＭに含まれるＨ2ＳＯ5の強い酸化力によって剥離することができる。
【００２６】
上記パドル時間が経過すると、スピンチャック１によるウエハＷの回転速度が予め定めるリンス回転速度（たとえば、５００ｒｐｍ）まで上げられる。その後、図示しないＤＩＷノズルからウエハＷの表面へのＤＩＷ（脱イオン化された純水）の供給が開始される（ステップＳ５）。ＤＩＷノズルからのＤＩＷは、ウエハＷの表面のほぼ中央部に供給されるようになっている。ウエハＷの表面上に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転に伴って受ける遠心力により、その供給位置からウエハＷの回転半径方向外方側へと導かれる。これにより、ウエハＷの表面の全域にＤＩＷが隈無く行き渡り、ウエハＷの表面に付着しているＳＰＭがきれいに洗い流される。ＤＩＷの供給が所定のリンス時間（たとえば、３０秒間）にわたって行われると、ウエハＷの回転速度が予め定める高回転速度（たとえば、２５００ｒｐｍ）に上げられて、ウエハＷに付着しているＤＩＷを振り切って乾燥させる処理が行われる（ステップＳ６）。この乾燥処理は所定の乾燥時間（たとえば、３０秒間）にわたって行われる。乾燥処理後はウエハＷの回転速度が減速されていき、ウエハＷが静止すると、図示しない搬送ロボットにより、スピンチャック１から処理後のウエハＷが搬出されていく。
【００２７】
上記パドル時間が経過して、ウエハＷの回転速度が上記リンス回転速度に上げられるのと同時に、ダンパ３６が全開状態にされて、１５０ｍｍＨ2Ｏの排気圧での排気管３４からの排気が再開される。そして、ウエハＷに対するＤＩＷによる処理およびウエハＷを乾燥させる処理が行われている間、その排気管３４からのカップ３内の雰囲気の排気が継続される。これにより、スピンチャック１に保持されたウエハＷの周辺に、カップ３の底面に向かう気流が発生し、ＤＩＷの供給時などにウエハＷから流下または飛散することによって発生するＳＰＭ成分を含むミストは、その気流に流されて、排気管３４から排気とともに排出される。これにより、ＳＰＭ成分を含むミストによるウエハＷの汚染を防止することができ、高品質なウエハＷを提供することができる。
【００２８】
また、乾燥処理後もカップ３内の雰囲気の排気は続けられる。これにより、スピンチャック１から処理後のウエハＷを搬出する際に、カップ３内の雰囲気が外部（処理室外）に漏れ出すのを防止することができる。
図３は、ＳＰＭ（Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2）の吐出開始からの経過時間とウエハＷの温度との関係を示すグラフである。ノズル２からのＳＰＭの吐出開始と同時にダンパ３６を全閉状態にし、ノズル２からＳＰＭを１５秒間にわたって吐出させた後、ウエハＷの表面上にＳＰＭの液膜が形成されている状態で放置した場合において、ウエハＷの温度を放射温度計で測定した結果が実線で示されている。また、ノズル２からのＳＰＭの吐出開始後もダンパ３６を全開状態のままにして、ノズル２からＳＰＭを１５秒間にわたって吐出させた後、ウエハＷの表面上にＳＰＭの液膜が形成されている状態で放置した場合において、ウエハＷの温度を放射温度計で測定した結果が破線で示されている。
【００２９】
これらの結果を比較して、ノズル２からＳＰＭが吐出されている期間（ウエハＷの表面にＳＰＭが供給されている期間）およびウエハＷの表面上にＳＰＭの液膜が形成されている期間を通じて、ダンパ３６を全閉状態にして、カップ３内の雰囲気の排気を停止させることにより、ウエハＷの温度低下、つまりウエハＷの表面に供給されたＳＰＭの液温低下を抑制できることが理解される。
【００３０】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、全開状態と全閉状態とに切替可能なダンパ３６を用いた構成を例にとったが、このダンパ３６に代えて、ダンパ開閉機構によって開度を段階的または無段階に調整可能なシーケンシャルダンパが用いられてもよい。このシーケンシャルダンパが用いられる場合、ノズル２からＳＰＭが吐出されている期間およびウエハＷの表面上にＳＰＭの液膜が形成されている期間における排気量（排気圧）を、必ずしも零にしなくても、ノズル２からＳＰＭが吐出される以前およびウエハＷに対するＤＩＷによる処理以後の期間における排気量（排気圧）よりも小さくなるように調整すれば、ウエハＷの表面に供給されたＳＰＭの液温低下の抑制という効果を得ることができる。
【００３１】
また、上記の実施形態では、硫酸と過酸化水素水との混合液であるＳＰＭをレジスト剥離液として用いているが、硫酸とオゾン水との混合液や硫酸とフッ酸との混合液がレジスト剥離液として用いられてもよい。
さらにまた、処理対象となる基板の一例としてウエハＷを取り上げたが、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板および磁気／光ディスク用基板などの他の種類の基板が処理の対象とされてもよい。
【００３２】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】この発明の一実施形態に係るレジスト剥離装置の構成を図解的に示す図である。
【図２】レジスト剥離処理について説明するためのフローチャートである。
【図３】ＳＰＭ（Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2）の吐出開始からの経過時間とウエハの温度との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３４】
１      スピンチャック
２      ノズル
３      カップ
５      制御部
３４    排気管
３５    ダンパ開閉機構
３６    ダンパ
Ｗ      シリコン半導体ウエハ
【図１】
2005175228.tif 000003
【図２】
2005175228.tif 000004
【図３】
2005175228.tif 000005