(57)【要約】      （修正有）【課題】貯蔵燐光体又はパネルに有利に適用される、均質に分布されたドーパント又はアクチベータ要素を含む構造化された粒子を有する貯蔵燐光体の提供。【解決方法】高い相対感度のために刺激性燐光体スクリーン又はパネルの被覆層に使用するために好適な貯蔵燐光体粒子は、燐光体粒子の表面及びそれらの内部体積において該燐光体を構成する成分としてＣｓＢｒ等のマトリックス成分及び均質に混入されるＥｕ等のドーパント又はアクチベータ要素を含有し、粒子は２：１より大きく５０：１より小さいアスペクト比が好ましい。前記アスペクト比は前記粒子の二つの最大サイズの比として規定され、前記サイズは互いに垂直な三次元でとられ、前記二つの最大サイズの一つが１０μｍより小さい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
貯蔵燐光体粒子であって、その粒子表面及びその内部容積において前記燐光体を構成する成分として、
−  マトリックス成分（１−ｘ）ＭＩＸ．ｘＭＩＩＸ２
式中、ＭＩは一価Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｓの少なくとも一つであり、ＭＩＩはＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ及びＮｉからなる群から選択される二価金属元素であり、０≦ｘ＜０．５；及び
−  アクチベータ成分Ｌｎ
式中、ＬｎはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｂｉ，Ｉｎ又はＧａを表す、
を含有し、
前記粒子が２．０より大きいアスペクト比を有し、前記アスペクト比が前記粒子の二つの最大サイズの比として規定され、前記サイズが互いに垂直な三次元でとられ、前記二つの最大サイズの一つが１０μｍより小さい貯蔵燐光体粒子。
【請求項２】
前記マトリックス成分がＣｓＢｒであり、前記アクチベータ要素がＥｕである請求項１に記載の貯蔵燐光体粒子。
【請求項３】
前記粒子がブロック、角柱、円柱及び針形状形態からなる群から選択される構造化された形であり、前記アスペクト比が５０：１より小さい請求項１又は２に記載の貯蔵燐光体粒子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の貯蔵燐光体粒子を含む貯蔵燐光体層。
【請求項５】
前記粒子が整列されていない配置で存在する請求項４に記載の貯蔵燐光体層。
【請求項６】
支持体及び前記支持体の少なくとも一つの側上の請求項４又は５に記載の少なくとも一つの貯蔵燐光体層を含む貯蔵燐光体パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は貯蔵燐光体スクリーン又はパネルに有利に適用される、均質に分布されたドーパント又はアクチベータ要素を含む構造化された粒子を有する貯蔵燐光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線源によって放出される放射線エネルギーを吸収及び貯蔵する媒体として刺激性燐光体を利用するときにＸ線潜像が貯蔵されるスクリーンとして貯蔵燐光体スクリーンが業界で知られている。かかるＸ線は物体（例えば人体）を通過したときにスクリーンの燐光体粒子に“潜像”を与え、それはその“潜像”を医者による検査の準備のために見えるようにするために読み出されるべきである。Ｘ線像の読み出しは燐光体を（長波長の）刺激線で励起することによって達成され、それによって燐光体を刺激して短波長の放射線を放出し、それは検出器によって捕獲されるべきである。かかるルミネセント貯蔵スクリーンは例えばＥＰ−Ａ  ０１７４８７５に開示されている。
【０００３】
正孔は入射放射線強度によって刺激性燐光体に生成され、そこではこれらの正孔はより高いエネルギーレベルを有するトラップに貯蔵され、従ってＸ線潜像はスクリーンに貯蔵され、そのプロセスは古典的な写真におけるハロゲン化銀結晶の潜像形成に極めて匹敵するように思える。しかしながら、処理は極めて異なる方法で行なう：古典的なハロゲン化銀写真ではハロゲン化銀フィルム材料の湿潤処理は現像、定着、リンス及び乾燥の工程中ずっと処理サイクルで行なわれるが、デジタル像の処理は貯蔵スクリーン又パネルの全領域又は表面の読み出しを要求する：例えばレーザのような別の放射線源による画素ごとの刺激は刺激された放射線を貯蔵パネルに残し、検出器によって検出させる。刺激放射線によって、トラップに貯蔵される正孔のエネルギーは増加され、それらはより低いエネルギーに戻ることができ、それによってエネルギー差は光量子の形で放射される。刺激性燐光体はそれによって燐光体に貯蔵されたエネルギーに依存して光を放出する。この刺激の結果として放出された光は検出されて可視化され、かくしてスクリーンに潜在的に貯蔵されたＸ線像を読み出すことができる。かかるスクリーンの読み出しの問題は刺激性燐光体が刺激性レーザ光に対して十分に透明でないことである。刺激性燐光体の最小厚さは適切なＸ線量子吸収を達成できることを要求される。しかしながら、透明でなく、強く圧縮されるか又は焼結された燐光体の場合には、レーザビームは燐光体によって極めて強く減衰されるので、レーザビームの透過深さは極めて小さい。エネルギーは正孔を量子放出のために要求されるエネルギーレベルへ増加するためにもはや適切でないので、より深いレベルに貯蔵された情報を読み出すことができず、貯蔵燐光体スクリーンのスピードが低下される。さらに貯蔵燐光体粒子は結合剤に埋め込まれているので、前記結合剤が燐光体粒子を固定する光透過性キャリア材料から作られることが重要である。刺激放射線及び刺激された放射線の両方に対する透明性はＥＰ−Ａ  １３７６６１４に開示されているようにスピードに有利なため要求される。スピードに対するその影響に加えて、捕獲された像のシャープネスに対する影響が別の弱点である：入射放射線は燐光体粒子における放射線ビームの散乱のため、透過深さの増加とともに強く分散し、かくしてシステム全体の変調伝達関数が劣化される。ＥＰ−Ａ  １２０３３９４に記載されたように作られかつＥＰ−Ａ  １１１３４５８に開示されたように針状形態で高減圧でキャリア上に蒸着された結合剤のない刺激性ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体を与えることは、優れたスピード対シャープネスのバランスに対する好適な解決策を形成していた。針状結晶の間に間隙を持つことは避けられなかったので、前記間隙を満たすためのさらなる試みはＥＰ−Ａ  １３１６９７０，１３４７４６０，及び１３４９１７７において最近記載されており、そこでは間隙を満たすことは放射線硬化性保護層液、ポリマー化合物及び昇華染料のそれぞれの適用と関連した手段によって実現されている。間隙を満たすことは、スクリーンにおける充填密度を増加するために粉末燐光体のための良く知られた適用技術のように圧縮によって針状結晶の破壊を避けるために針状���光体のための代替策として考えられるべきである。かかる圧縮作用によってスピードに対して利点を有する粉末燐光体は粉末粒子間の粒子境界が読み出し放射線のための散乱中心として作用しうるのでシャープネスに関して劣化することは除外されない。
【０００４】
同じ燐光体を有するパネルに対してスピード及びシャープネスのためになされる、支持体又は前記支持体上への下塗り層と関連したさらなる手段は最近のＥＰ−Ａ  １３１６９７２，１３１６９７１及び１３４１１８８に記載されている。
【０００５】
しかしながら、燐光体の固有感度と特に関連した要因はかなりの程度、ドーパント又はアクチベータ要素の混入（体積分布）、量及び原子価と関連する。従って、一価金属化合物から構成される燐光体マトリックス構造中への二価又は三価のＥｕの混入が角柱（斜方晶）の燐光体結晶構造の変形を生じることは明らかである。
【０００６】
従って、ＵＳ出願２００３／００４７６９７では層の表面で測定されたユウロピウム信号は結晶層のバルクで測定されたユウロピウムアクチベータ信号より大きい。燐光体の表面はそこでは“結晶層の全厚さの１％”として規定される。結晶格子構造の変形の結果として、層における不確定な結晶面配向の形成及び電子線蒸着によって蒸着されたアルカリハロゲン化物燐光体の層における“クラック形成”の問題が解決される。放射線像貯蔵パネルはそこでは下表面から｛画分（９９／１００）｝の深さまでの部分のアクチベータ成分の濃度及び上表面から｛画分（１／１００）｝の深さまでの部分のアクチベータ成分の濃度の両方が好ましい例では０≦ｐ／ｑ＜０．１の条件を満足し、そこではｐは下表面から｛画分（９９／１００）｝の深さまでの部分の濃度を表し、ｑは上表面から｛画分（１／１００）｝の深さまでの部分の濃度を表す。
【０００７】
ＵＳ出願２００３／００４２４２９は燐光体フィルム上の所望により測定されたある位置におけるマザー成分Ｒａに対するアクチベータ要素のモル比と燐光体フィルム上の所望により測定された別の位置におけるマザー成分Ｒｂに対するアクチベータ要素のモル比の関係をさらにクレームし、前記比は１：１０〜１０：１の広い比の値の間にあり、それによって特に高感度を示す放射線像貯蔵パネルを提供する。
【０００８】
ＵＳ出願２００３／０３４４５８はさらに、かくして得られた貯蔵燐光体の最高感度を達成するために１０−４〜１０−２の範囲の原子比として表示される量のＣｓＸ含有燐光体結晶におけるＥｕアクチベータとしての存在をクレームする。
【０００９】
ＵＳ出願２００３／１８６０２３はさらに、支持体と、刺激性ユウロピウム活性化セシウム臭化物燐光体を含む燐光体フィルムとを含む放射線像貯蔵パネルの製造方法を記載し、前記方法は高感度で高品質の再生された放射線像を与えるために、整列された燐光体結晶層の形で気相ユウロピウム活性化セシウム臭化物から支持体上に蒸着し、その蒸着工程後のアニール工程で結晶層を加熱する工程を含む。
【００１０】
前に与えられた貯蔵燐光体パネルのスピードと関連した考慮から、スピードのあらゆる考えられる損失を克服しながら感度をさらに増強するための手段に対して厳しい要求が残っていることは明らかである。
【発明の開示】
【００１１】
それゆえ本発明の目的は高い像形成シャープネスを有する高いＸ線量子吸収、優れた変調伝達関数を有する貯蔵スクリーンを製造し、かつ簡単に製造できる上記タイプの貯蔵スクリーンの貯蔵燐光体粒子を提供することである。
【００１２】
上述の目的は本発明によれば特許請求の範囲に規定されたように貯蔵燐光体粒子、これらの粒子が被覆される層、及びかかる層を含むスクリーン、シート又はパネルを提供することによって達成される。
【００１３】
マトリックス又はマザー結晶格子化合物におけるドーパント（アクチベータ）の改良された混入に加えて、それらの燐光体粒子に対する特性は本発明によれば構造化された燐光体粒子を与えることが要求され、その粒子は２より大きいアスペクト比を有し、前記アスペクト比は前記粒子の二つの最大サイズの比として規定され、前記サイズは互いに垂直な三次元でとられ、前記二つの最大サイズの一つは１０μｍより小さい（又は他の方法では前記粒子間の寸法の比として説明され、前記寸法は比例して最も大きく異なる）。
【００１４】
特に、改良されたユウロピウムをドープされたアルカリハロゲン化物、特にＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体が考えられ、そこでは前記ユウロピウムドーパント又はアクチベータが存在する。結合剤層で被覆されるとき、燐光体を微粉砕又は粉砕することによって２未満のアスペクト比を有しかつ蒸着された針状燐光体から生じる２．０より大きいアスペクト比を有する好ましい燐光体はもし同じ化学組成及び対応する容積を有する球状粒子と比較されるなら感度において優れる。
【００１５】
上述の有利な効果は特許請求の範囲で述べられた特別な特徴を有する貯蔵燐光体粒子、貯蔵燐光体層及び貯蔵燐光体シート、スクリーン又はパネルを提供することによって実現される。本発明の好ましい例の特別な特徴は従属請求項に述べられている。
【００１６】
本発明のさらなる利点及び具体例は以下の記述から明らかになるだろう。
【００１７】
図面の簡単な記述
図１は平均燐光体粒子直径の関数としての感度を示す。
図２Ａはあまり構造化されていない、針状でない、円柱状でない、角柱状でない、又はブロック状でない、ＣｓＢｒ：Ｅｕ結晶を示し、図２Ｂは構造化された針状燐光体の写真を示す。
図３は試料ＣＢ１０３０５＿７／Ｋ／ＡＡ／Ａからとった写真３Ａ及び３Ｂを示し、それらは針状燐光体の機械的なＡｌｐｉｎｅ  Ｍｉｌｌｉｎｇの後に現れる凝集を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明によれば、貯蔵燐光体粒子が、その粒子表面及びその内部容積において前記燐光体を構成する成分として、
−  マトリックス成分（１−ｘ）ＭＩＸ．ｘＭＩＩＸ２
式中、ＭＩは一価Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｓの少なくとも一つであり、ＭＩＩはＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ及びＮｉからなる群から選択される二価金属元素であり、０≦ｘ＜０．５；及び
−  アクチベータ成分Ｌｎ
式中、ＬｎはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｂｉ，Ｉｎ又はＧａを表す、
を含有し、
前記粒子が２：１より大きいアスペクト比を有し、前記アスペクト比が前記粒子の二つの最大サイズの比として規定され、前記サイズが互いに垂直な三次元でとられ、前記二つの最大サイズの一つが１０μｍより小さいことが有利であることを実験的に見出した。
【００１９】
好ましい例では前記アスペクト比は２：１より大きく、さらに好ましくは５：１より大きいが、好ましくは５０：１以下、さらに最も好ましくは１０：１以下である。しかしながら、実際の使用のためアスペクト比（高いアスペクト比は燐光体粒子に高い感度を与える）とシャープネス（ＳＷＲ）（前記シャープネスは低いアスペクト比に対して好都合を示す）の間の好適な妥協を求めるべきである。なぜならば両パラメータはアスペクト比が変化している間、反対の方法で反応するからである。
【００２０】
しかしながら、“対抗パラメータ”としてスピード及びシャープネスに関するアスペクト比と関連する考慮を別として、マトリックス又はマザー成分の体積についてのアクチベータ又はドーパント要素の均質分布を努力することは最も重要であり、そこではかかる均質性はブロック状、角柱状、及び針状形態からなる群から選択される結晶構造化形態の貯蔵燐光体粒子について表面と５μｍの深さの濃度の測定から計算された濃度比の測定値から規定されることが好ましい。アクチベータ要素部分の測定は５μｍの深さで測定されたマザー又はマトリックス成分濃度に対するアクチベータ要素又はドーパント濃度の測定及びかかる結晶の表面で測定されたマザー成分濃度に対するアクチベータ要素又はドーパント濃度の測定として行なわれるべきである。５μｍの部位深さにおける差によって割った、それらの差はμｍで表示するなら絶対値で０．２０の値を越えないようにすべきであり、両寸法の最大寸法は以下にさらに記載されているように蒸着プロセスを使用することによって前に作られた前記燐光体を微粉砕又は粉砕する結果として整列されていない形の支持体上に整列されていない形で存在するとき５００μｍを越えるべきでなく、さらに好ましくは、１００μｍ以下であるべきである。
【００２１】
本発明による貯蔵燐光体粒子について、最も好ましい例では、前記マトリックス又はマザー成分はＣｓＢｒであり、前記アクチベータ又はドーパント要素はＥｕである。
【００２２】
さらにより好ましい例では本発明による貯蔵燐光体粒子では前記アクチベータ要素は二価Ｅｕである。
【００２３】
ドーパントの平均量に関して、本発明による貯蔵燐光体粒子は前記マトリックス成分に対して最大４０００ｐ．ｐ．ｍ．、より好ましくは最大１０００ｐ．ｐ．ｍ．、さらにより好ましくは２０〜７００ｐ．ｐ．ｍ．の範囲の量で前記アクチベータ要素を有する。
【００２４】
本発明によれば、微粉砕又は粉砕された後であっても、所望の貯蔵燐光体粒子はブロック状、角柱状、円柱状及び針状形態からなる群から選択された構造化された形態であり、前記アスペクト比は５０：１より小さい（さらに前に要求したように２：１より大きいアスペクト比を有する）。さらにより好ましい例では、微粉砕又は粉砕後、前記アスペクト比は１０：１より小さい。
【００２５】
従って、構造化されたＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体結晶におけるドーパント又はアクチベータ要素Ｅｕの均質な混入及び分布は２０μｍまでの範囲の前記燐光体結晶の直径に対する感度の急な直線的な増加に導くが、この増加はいったんその平均粒子サイズ（直径）が限界を越えると低下することが明らかに示された（図１参照）。
【００２６】
ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体粒子は下記の一般的な処方に従って作られることが有利である。所望の組成物を与えるために所望の比量で存在するＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体粒子、ＣｓＢｒ及びＥｕＢｒ３についての燐光体プリカーサ成分はるつぼでの燃焼前に完全に混合されることが有利である。燐光体の溶融温度Ｔｍｅｌｔに等しいか又はそれより高い温度Ｔで加熱することが実施される。従って、マトリックス要素ＣｓＢｒの溶融温度は６４０℃であり、その混合物は５７０℃の範囲の少し低い温度で溶融するだろう。るつぼにおいて溶融された燐光体の焼結を防止するために、ＳｉＯ２、あるいはＡｌ２Ｏ３の粒子は燐光体混合物に添加されることが有利である。加熱は燃焼された燐光体組成において二価ユウロピウムアクチベータを得るために１ａｔｍ〜１０−６ｍｂａｒの間にある減圧された雰囲気圧下でわずかに減圧した窒素雰囲気で実施されることが有利である。窒素を別として、他の別の不活性ガス、例えばＡｒを使用してもよい。減圧雰囲気は少量の水素を含むことが有利である。燃焼及び冷却後、アニール工程（例えば燐光体を例えば約１７０℃まで例えば４時間加熱することによる）が実施され、その後、燐光体が所望の平均燐光体粒子半径まで微粉砕又は粉砕され、かくして生じたＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体粒子はマトリックス又はマザー化合物の格子において均質に分布されたアクチベータ又はドーパント化合物を含み、平均粒子サイズ直径に対する最適な感度を与える。
【００２７】
さらに本発明による貯蔵燐光体層が与えられ、そこでは前記層は前に開示されたような貯蔵燐光体粒子を含む。その被覆された層において前記粒子を分散してもよいが、本発明による好ましい例では前記層は結合剤がない。
【００２８】
別の例では本発明による貯蔵燐光体層は前に開示されたような貯蔵燐光体粒子を含み、好ましい例では、前記層は透明である。かかる透明は達成可能であり、燐光体粒子と（ほぼ）同じ屈折率を有する結合剤を使用することを別として又は支持体上に前記燐光体粒子を蒸着することを別として、前記粒子を構成する層を溶融することは同様に透明層に導く。かかる透明は例えばＥＰ−Ａ  １３７６６１４の粉末燐光体、及びＥＰ出願Ｎｏ．３１０４８４２（２００３年１２月１９日出願）の構造化された蒸着燐光体に対して説明されている。
【００２９】
前記燐光体層における本発明の別の例によれば前記粒子は整列されていない配置で存在する。これは前記燐光体が整列された平行な形で存在する蒸着された燐光体層の配置とは対照的に、燐光体粒子がブロック、角柱、円柱又は針の形で前記層に構造化されてなお存在するが燐光体層ではもはや整列されていない形であることを意味する。
【００３０】
前に開示された層において所望の感度（及び粒子サイズと達成可能な感度の間の最適な関係）を与えるために、構造化された燐光体粒子は微粉砕又は粉砕される。それゆえ燐光体結晶で開始することが必要であり、そこでは好ましいＥｕアクチベータ要素は二価ユウロピウムとして存在し、前記アクチベータ要素は前記貯蔵燐光体粒子に均質に存在する。そうでなければ被覆された燐光体層にわたるユウロピウムアクチベータの分布に関する予期せぬ結果が出現するだろう。本発明のような粉砕又は微粉砕された燐光体針状結晶の場合について、被覆層が与えられるように結合剤媒体に燐光体を分散することが推奨される。
【００３１】
さらに本発明によれば貯蔵燐光体パネルは前に開示されたような少なくとも一つの貯蔵燐光体層を支持体の少なくとも一つの側上に含む。特別な例では、前記層は前にも開示したように結合剤がなくかつ／または透明である。
【００３２】
本発明による貯蔵燐光体パネルは少なくとも一つの保護層を支持体から遠い貯蔵燐光体層の側に含むことが有利である。さらに本発明によれば前記貯蔵燐光体パネルは貯蔵燐光体層と支持体の間に少なくとも一つの中間層を含む。
【００３３】
本発明によれば放射線像貯蔵燐光体プレート又はパネルが提供され、前記プレート又はパネルは１μｇ／ｍ２〜１０００μｇ／ｍ２の量で一種以上の染料を含む。解像度のためにはＵＳ−Ａ  ４３９４５８１のように染料を与えられたプレート又はパネルをさらに持つことが推奨され、そこでは染料又は着色剤は前記刺激する燐光体についての刺激線の波長領域における前記パネルの平均反射率が刺激によって前記刺激性燐光体によって放出される光の波長領域の前記パネルの平均反射率より低いようにパネルに加えられる。ちょうどＵＳ−Ａ  ４４９１７３６のように露光時に刺激線の波長より長い波長の光放出を示さない有機着色剤が加えられてもよい。あるいはＥＰ−Ａ  ０１６５３４０及び対応ＵＳ−Ａ  ４６７５２７１のように染料の混入によって良好な解像度を示す貯蔵燐光体スクリーンが開示される。染料又は着色剤の混入によって像貯蔵パネルの燐光体層にもたらされる類似の効果はさらにＥＰ−Ａ  ０２５３３４８及び対応するＵＳ−Ａ  ４８７９２０２及びＥＰ−Ａ  ０２８８０３８に記載されている。
【００３４】
本発明によれば前述のような放射線像貯蔵燐光体パネルを使用することによって放射線像を貯蔵及び再現するための像形成方法は有利には下記工程を含む：
−  対象物を通過した又は前記対象物によって放出された放射線エネルギーで前記放射線像貯蔵パネルを露光し、前記放射線エネルギーを前記像貯蔵パネル上に潜像の形で貯蔵する；
−  可視又は赤外領域の刺激線での照射で貯蔵されたエネルギーを光の形で放出し、それによって紫外又は可視波長領域から光を放出する；
−  光収集手段によって貯蔵パネルから放出された前記光を収集し、収集された光を一連の電気信号に変換する；及び
−  電気信号から潜像に相当する像を生成する。
【００３５】
本発明をその好ましい例と関連して以下に記載するが、本発明をそれらの例に限定することを意図しないことは理解されるだろう。
【実施例】
【００３６】
Ａ．均質化された燐光体粉末ＣＥＢＬＡ  ９４０３／０１／１からの燐光体粒子試料の製造：
５３０ｇのＣｓＢｒ粉末及び１６５６ｍｇＥｕＢｒ３溶液（０．００１ｍｏｌのＥｕＢｒ３）をＷＡＢ、スイスからのＴｕｒｂｕｌａ装置で４５分間混合した。
【００３７】
粉末混合物を次いで窒素雰囲気において５７５℃に６時間加熱した。粉末は減圧下で１８０℃に６０分で加熱され、１８０℃から（溶融温度付近の）５７５℃まで２時間でもたらされた。燃焼した粉末は３０分間冷却された。
【００３８】
粉末はさらに１４０℃に３０分で暖められ（アニール工程）、１４０℃から（溶融温度付近の）５７５℃まで２時間で加熱された。
【００３９】
非晶質燐光体は不活性４８μｍボールを有する乳鉢においてかくして得られたＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体粒子（ＣＥＢＬＡ９４０３／０１／１と称する）を手で微粉砕した後、図２Ａの燐光体粒子の写真（ＳＥＭ顕微鏡によって作られる）に示されるように得られた。
【００４０】
粒子サイズ分布について１２．６５μｍの平均粒子サイズが得られ、その分散は０．６５であった。
【００４１】
Ｂ．均質化された燐光体針状試料ＣＢ５９１１Ａからの燐光体粒子試料の製造：
針状燐光体は陽極酸化されたアルミニウム支持体上に７００℃でアルゴン雰囲気で蒸着プロセスによって作られた。
【００４２】
ＣＢ５９１１Ａ燐光体はＥｕＯＢｒ（使用された全量に対して１０重量％）の存在下で作られた。針状燐光体層は１７０℃で４時間アニールされた。
【００４３】
感度は両プレートに対して測定された。
【００４４】
アルミニウム支持体での接着はＣＢ５９１１Ａ針状燐光体に対して完全であった。
【００４５】
アルミニウム支持体から針状層を剥離した後、針状結晶はちょうどＣＥＢＬＡ９４０３／０１／１に対して前にしたように手で微粉砕された。
【００４６】
平均粒子サイズ（μｍで表示されるｄ５０）は１４．０１μｍであり、０．５１の燐光体分布に対する分散率（ｄｉｓｐｅｒｓｉｔｙ  ｆａｃｔｏｒ）Ｑｄを有していた。
【００４７】
平方ｃｍあたりのｍｇでの被覆量、及び粉末燐光体粒子としての感度も測定された。データは以下の表１にまとめられた：手による微粉砕後に計算されたアスペクト比がそこに加えられた。
【００４８】
参照試料ＭＤ１０に関する感度が測定された（Ｘ線露光及び光刺激後、ＳＯＬＯ（登録商標）デジタイザーで読み出した）。
【００４９】
【表１】
2005232454.tif 000002
【００５０】
表１から２より大きい平均アスペクト比を有する物理蒸着された針状燐光体の微粉砕による感度の損失は粒子サイズ分布の比較しうる分散を有するほぼ同じ平均粒子サイズまで、２より小さい平均アスペクト比を有する粉末燐光体を微粉砕する場合（約１０倍の感度減少）より顕著に低い（約４倍）ことが結論づけられる。
【００５１】
ＣｓＢｒ：Ｅｕ粉末燐光体の微粉砕後に得られた低い感度はＴＯＦＳＩＭＳ分析によって確認されているように、固体状態ガス反応を利用することによって合成された、ＣｓＢｒマトリックスにおける二価Ｅｕアクチベータの不均質な分布のためであると解釈される。さらに、大きい非晶質ＣｓＢｒ粉末の徹底的な微粉砕は二価Ｅｕドーパントに富む上部層の減少を生じるようである。
【００５２】
それとは対照的に整列されていない、微粉砕又は粉砕された針状ＣｓＢｒ：Ｅｕ結晶の感度の少ない損失は蒸発によって作られた二価ユウロピウムドーパントの均質な分布のおかげで観察された。蒸着プロセスによって支持体上に蒸着されかつ三次元のうち二次元で既に固有的にスリットされた元々整列された針状結晶の微粉砕はあまり強裂でなかった。
【００５３】
Ｃ．均質化された燐光体針状試料ＣＢ５０５１２／Ｋ０２ＡＡ／Ｍ及びＣＢ１０３０５  ７ＡＡ／Ａからの燐光体粒子試料の製造：
針状燐光体は陽極酸化されたアルミニウム支持体上に７００℃でアルゴン雰囲気で蒸着プロセスによって作られた。前記燐光体は針状形態で結合剤のない層に整列された形で蒸着された。
【００５４】
ＣＢ５０５１２／Ｋ０２ＡＡ／Ｍ燐光体はＥｕＯＢｒ（使用された全量に対して１０重量％）の存在下で作られた。針状燐光体層は１７０℃で４時間アニールされた。アルミニウム支持体での接着は針状燐光体に対して完全であった。
【００５５】
アルミニウム支持体から針状層を剥離した後、針状結晶はちょうどＣＥＢＬＡ９４０３／０１／１及びＣＢ５９１１Ａ試料に対して前にしたように手で微粉砕された。
【００５６】
ＣＢ１０３０５  ７ＡＡ／Ａ燐光体は同じようにして作られたが、手で微粉砕する代わりに、微粉砕をＡｌｐｉｎｅ  Ｍｉｌｌで機械的に行なった。
【００５７】
平均粒子サイズ（μｍで表示されるｄ５０）は微粉砕された針状燐光体の両方に対して比較可能であり、機械的に微粉砕された燐光体に対して低い分散率を示した（表２にまとめられた結果参照）。
【００５８】
以下の表２には微粉砕（機械によるものと手によるもの）後に計算されたアスペクト比がそこに加えられた。
【００５９】
参照試料ＭＤ１０に関する感度が再び測定された（Ｘ線露光及び光刺激後、ＮＯＬＯ（登録商標）デジタイザーで読み出した）。
【００６０】
以下の表２のデータからＡｌｐｉｎｅ  Ｍｉｌｌのような機械的手段による針状結晶の微粉砕は感度の損失を導くだけでなく、針状燐光体粒子の“最大幅”を結合又は凝集によって１０μｍを越える値に増大させることが結論づけられる。
【００６１】
【表２】
2005232454.tif 000003
【００６２】
図３Ａ及び３Ｂでは、針状燐光体のＡｌｐｉｎｅ微粉砕後に現れる凝集について示されるような写真が試料ＣＢ１０３０５＿７／Ｋ／ＡＡ／Ａからとられた。
【００６３】
それとは対照的に図２Ｂに示された手であまり完全に微粉砕されていない燐光体針状結晶は図３に示された機械的に（Ａｌｐｉｎｅで）微粉砕された燐光体結晶又は粒子より薄い層で被覆されているが、Ａｌｐｉｎｅで微粉砕された結晶より高い感度のままであることは明らかである。
【００６４】
本発明によればアスペクト比はさらに２．０より高く、針状結晶の最大幅は１０μｍより小さい（図２Ｂ参照）。
【００６５】
完全な機械的な微粉砕後、図３に示された燐光体粒子の燐光体分布について低い分散が計算される：２：１より大きいアスペクト比はなお維持されたが、感度は強く低下し、針状結晶最大幅は明らかに１０μｍの値を越えず、従ってクレームされたような所望の燐光体粒子寸法に相当しない。
【００６６】
本発明の好ましい例を詳細に記載したが、特許請求の範囲に規定された発明の範囲を逸脱せずに多数の変更をその中でなしうることは当業者に明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】平均燐光体粒子直径の関数としての感度を示す。
【図２】図２Ａはあまり構造化されていない、針状でない、円柱状でない、角柱状でない、又はブロック状でない、ＣｓＢｒ：Ｅｕ結晶を示し、図２Ｂは構造化された針状燐光体の写真を示す。
【図３】試料ＣＢ１０３０５＿７／Ｋ／ＡＡ／Ａからとった写真３Ａ及び３Ｂを示す。
【図１】
2005232454.tif 000004
【図２】
2005232454.tif 000005
【図３】
2005232454.tif 000006