(57)【要約】      （修正有）【課題】罫書き屑による特性不良を低減し、歩留りを向上させる基板の分割方法、罫書き屑除去装置、罫書き装置および接着テープを提供する。【解決手段】基板１１０を固定する工程と、基板１１０の一方の面を予め設定された位置に基づいて罫書く工程と、罫書き工程において基板１１０の一方の面に発生した罫書き屑を接着体１１６により接着して除去する工程と、罫書き工程において罫書かれた位置に切断して基板１１０を分割する工程とを有する。固定工程において、基板１１０を他方の面から固定用のテープ１１４で固定して、除去工程において、固定された基板１１０を前記基板の周辺部よりも高い位置に移動して、基板の一方の面の罫書き屑を除去する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を固定する工程と、
前記基板の一方の面を予め設定された位置に基づいて罫書く工程と、
前記罫書き工程において前記基板の一方の面に発生した罫書き屑を接着体により接着して除去する工程と、
前記罫書き工程において罫書かれた位置に切断して前記基板を分割する工程と
を有する基板の分割方法。
【請求項２】
前記固定工程は、前記基板を他方の面から固定用のテープに固定する
請求項１記載の基板の分割方法。
【請求項３】
前記除去工程は、固定された前記基板を前記基板の周辺部よりも高い位置に移動して、前記基板の一方の面の罫書き屑を除去する
請求項１記載の基板の分割方法。
【請求項４】
前記除去工程は、前記接着体として前記基板に対して易剥離性を有する接着体を用いる
請求項１記載の基板の分割方法。
【請求項５】
前記除去工程は、フィルム状およびロール状のいずれか一方の形状を有する前記接着体を前記基板に貼り付ける
請求項１記載の基板の分割方法。
【請求項６】
基板を固定して保持する手段と、
前記基板の一方の面を罫書くことにより発生する罫書き屑を接着して除去する手段と
を有する罫書き屑除去装置。
【請求項７】
基板を固定して保持する手段と、
前記基板の一方の面を予め設定された位置に基づいて罫書く手段と、
前記罫書き手段によって罫書かれた前記基板の一方の面に発生する罫書き屑を接着して除去する手段と
を有する罫書き装置。
【請求項８】
前記保持手段は、前記基板と実質的に同じ大きさの領域において移動可能に設けられており、前記除去手段によって前記基板の一方の面の罫書き屑を除去する際に、前記基板を前記基板の周辺部における前記保持手段より高い位置に移動させる
請求項７記載の罫書き装置。
【請求項９】
前記除去手段は、接着性を有するロールおよびフィルムのいずれか一方である
請求項７記載の罫書き装置。
【請求項１０】
前記除去手段は、前記基板に対し易剥離性を有する
請求項７記載の罫書き装置。
【請求項１１】
可とう性を有する基材と、
前記基材の一方の面に形成された接着層と
を有し、
前記接着層は、接着対象物よりも前記基材に強く接着され、前記接着対象物に対し易剥離性を有する
接着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の分割方法、罫書き屑除去装置、罫書き装置および接着テープに関し、特に、基板の罫書き屑を除去する基板の分割方法、罫書き屑除去装置、罫書き装置および接着テープに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
集積回路などの半導体装置は、１枚の基板に複数の半導体素子を一括して形成された後、これを切断（ダイシング）することにより個々の半導体チップに分割される。
【０００３】
図１５および図１６は、上記の分割工程の一例を順次模式的に示す概略断面図である。
【０００４】
図１５（ａ）に示すように、基板固定用のテープ５１４の接着層側（裏面側）と基板５１０の裏面側とが接するように、固定用テープ５１４と基板５１０とを貼り付ける。
次に、図１５（ｂ）に示すように、ダイヤモンドカッターなどを用いて、固定された基板５１０の表面を格子状に罫書く。
次に、図１６（ｃ）に示すように、固定用テープ５１４の表面から、つまり、基板５１０の裏面側から固定用テープ５１４を介して罫書き跡に沿ってブレード５１８を押し当てる。その結果、基板５１０は罫書き跡に沿って切断される。
次に、図１６（ｄ）に示すように、基板５１０を固定用テープ５１４の表面に保持した状態で、固定用テープ５１４の両端を引っ張る。その結果、切断された基板５１０は、各チップ５２０ごとに分割される。その後、固定用テープ５１４に紫外線を照射して接着力を弱めてから分割されたチップ５２０を剥離する。
【０００５】
上記のような方法において、図１５（ｂ）に示すように基板表面を罫書くと、必然的に基板の罫書き屑や基板から完全に分離されない破片などが基板表面に残留する。以下、基板の罫書き屑や基板から完全に分離されない破片を合わせて罫書き屑と称する。これらの罫書き屑は、切断および分割する際においてもチップ上に飛び散り、ショートの原因となるなど半導体素子の品質に問題を与える。
【０００６】
罫書き屑の飛散を防止する一般的な方法として、ダイヤモンドカッターなどを用いて基板を罫書く際に、水を流しながら行う方法がある。
しかしながら、近年開発されている特殊な構造、たとえば、中空構造を有する半導体装置は、水を流しながら装置表面を罫書くと、構造内に入った水がその後の工程においても除去されなかったり、除去する工程において装置が破損する可能性があった。そのため、図１５および図１６に示すように水を用いずに罫書き、その際に生じる罫書き屑を除去する方法が望まれ、複数の提案がなされている。
【０００７】
水を用いずに基板表面の罫書き屑を除去する方法としては、ブラッシング、エアブロー、真空吸着、あるいはそれらを組み合わせた方法が一般的に使用されている。
しかしながら、基板表面を強くブラッシングすると基板表面に形成された回路パターンを傷つける可能性がある。また、上記のいずれの方法においても、基板と完全に分離されずに残留している破片までを取り除くことは困難であった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、罫書き屑による特性不良を低減し、歩留りを向上させる基板の分割方法、罫書き屑除去装置、罫書き装置および接着テープを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、上記の本発明の基板の分割方法は、基板を固定する工程と、基板の表面を予め設定された位置に基づいて罫書く工程と、罫書き工程において基板表面に発生した罫書き屑を接着体により接着して除去する工程と、罫書き工程において罫書かれた位置に沿って切断して基板を分割する工程とを有する。
【００１０】
本発明の基板の分割方法によれば、基板を固定する。
次に、基板の表面を予め設定された位置に基づいて罫書く。
次に、罫書き工程において基板表面に発生した罫書き屑を接着体により接着して除去する。
次に、罫書き工程において罫書かれた位置に沿って基板を切断し分割する。
【００１１】
上記目的を達成するため、上記の本発明の罫書き屑除去装置は、基板を固定して保持する手段と、基板の表面を罫書く際に発生する罫書き屑を接着して除去する手段とを有する。
【００１２】
本発明の罫書き屑除去装置によれば、基板の表面を罫書く際に発生する罫書き屑を除去手段により接着して除去する。
【００１３】
上記目的を達成するため、上記の本発明の罫書き装置は、基板を固定して保持する手段と、基板の表面を予め設定された位置に基づいて罫書く手段と、罫書き手段によって罫書かれた基板の表面に発生する罫書き屑を接着して除去する手段とを有する。
【００１４】
本発明の罫書き装置によれば、基板の表面を罫書く際に発生する罫書き屑を除去手段により接着して除去する。
【００１５】
上記目的を達成するため、上記の本発明の接着テープは、可とう性を有する基材と、基材の一方の面に形成された接着層とを有し、接着層は、接着対象物よりも基材に強く接着され、接着対象物に対し易剥離性を有する。
【００１６】
本発明の接着テープによれば、接着対象物よりも基材に強く接着し、接着対象物に対し易剥離性を有する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の基板の分割方法によれば、罫書き屑による特性不良を低減し、歩留りを向上させることができる。
本発明の罫書き屑除去装置によれば、罫書き屑による特性不良を低減し、歩留りを向上させることができる。
本発明の罫書き装置によれば、罫書き屑による特性不良を低減し、歩留りを向上させることができる。
本発明の接着テープによれば、罫書き屑を基板に影響を与えることなく除去し、罫書き屑による特性不良を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して説明する。
【００１９】
図１〜図９は、本実施形態に係る半導体チップの分割工程を順次模式的に示す概略図である。
【００２０】
まず、図１（ａ）に示すように、表面に集積回路が形成されたシリコン基板１１０に保護テープ１１２を貼り付ける。具体的には、シリコン基板１１０を平らな場所に置いて、シリコン基板１１０との間に気泡が入らないようにローラー１１３などを用いて均一に保護テープ１１２をシリコン基板１１０の表面に貼り付ける。その結果、図１（ｂ）に示すように、シリコン基板１１０の表面に保護テープ１１２が形成される。また、このときのシリコン基板１１０の厚さは、６２０〜６３０μｍ程度である。
【００２１】
保護テープ１１２は、シリコン基板１１０の表面を保護する。また、保護テープ１１２は、たとえば、３０００ｍＮ／２５ｍｍ程度の接着力を有する。接着力の測定方法に関しては後述する。保護テープ１１２の接着力は、紫外線を照射することにより後述のように低下する。
【００２２】
次に、図２（ａ）に示すように、シリコン基板１１０の裏面側を研磨する。その結果、図２（ｂ）に示すように、シリコン基板１１０は１００〜２００μｍ程度の厚さになる。シリコン基板１１０の研磨は、シリコン基板１１０の裏面上に研削砥石１１５を回転させるなど通常の方法を用いて行われる。裏面研磨の後、必要に応じてシリコン基板１１０の裏面をさらにエッチング処理などを行う。
【００２３】
次に、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、シリコン基板１１０の接着された保護テープ１１２に紫外線を照射した後に、保護テープ１１２を剥離する。このとき、紫外線を照射することにより保護テープ１１２の接着力は低下して、２５ｍＮ／２５ｍｍ程度になる。その結果、集積回路が形成されたシリコン基板１１０の表面が破損したり、保護テープ１１２の接着層がシリコン基板１１０の表面に残存することなく、保護テープ１１２をシリコン基板１１０から剥離することができる。
【００２４】
次に、図４（ａ）に示すように、ダイシングフレーム１２にダイシングテープ１１４を装着し、ダイシングテープ１１４の接着面とシリコン基板１１０の裏面とを接着する。その結果、図４（ｂ）に示すように、ダイシングフレーム１２と、ダイシングテープ１１４と、シリコン基板１１０とが固定される。
ダイシングテープ１１４は、たとえば、９８００ｍＮ／２５ｍｍの接着力を有し、力を加えた方向に延伸する。
【００２５】
その後、裏面にダイシングテープ１１４が接着されたシリコン基板１１０を後述する罫書き装置に設置する。具体的には、シリコン基板１１０およびダイシングフレーム１２を罫書き装置のステージに固定する。その結果、シリコン基板１１０は、ダイシングテープ１１４を介してステージと接するように保持される。
【００２６】
次に、図５（ａ）に示すように、シリコン基板１１０が保持された状態において、罫書き部を用いてシリコン基板１１０の表面を罫書く。具体的には、罫書き部は予め設定された罫書き位置に基づいてシリコン基板１１０を２〜３μｍの深さでｘ軸およびｙ軸方向に格子状に罫書く。このとき、図５（ｂ）に示すように、シリコン基板１１０に罫書き跡が形成されると共に、シリコン基板１１０上には罫書き屑ｋが生じる。
【００２７】
次に、図６（ａ）に示すように、シリコン基板１１０を周囲のステージよりも高くなるように上昇させて、シリコン基板１１０の表面に接着テープ１１６を貼り付ける。具体的には、シリコン基板１１０を周囲のステージ１０から１〜４ｍｍ、あるいは少なくともシリコン基板１１０と同じ厚さ程度高くなるように上昇させる。このとき、ダイシングテープ１１４は、周囲をダイシングフレーム１２に固定され、中央部を突き上げられたステージおよびシリコン基板１１０によって固定されているので、図６（ｂ）に示すように接着対象物のない周辺部が延伸される。
【００２８】
次に、図７（ａ）に示すように、接着テープ１１６をシリコン基板１１０の表面に貼り付けた後に、直ちに剥がす。このとき、図７（ｂ）に示すようにシリコン基板１１０が周囲のステージ１０よりも高い位置に配置されているので、接着テープ１１６とダイシングテープ１１４とが接着することはない。
その結果、シリコン基板１１０の表面に残留した罫書き屑ｋは、接着テープ１１６に付着し、シリコン基板１１０の表面から取り除かれる。
【００２９】
接着テープ１１６は、シリコン基板１１０に対し易剥離性を有し、上記のダイシングテープ１１４などと比較して弱い接着力を有することが望ましい。ここで、易剥離性とは、たとえば、１０〜２００ｍＮ／２５ｍｍ程度の接着力とする。接着テープ１１６の詳細に関しては、後述する。
【００３０】
次に、図８（ａ）に示すように、シリコン基板１１０およびダイシングテープ１１４を罫書き装置から取り外した後に、ブレード１１８を具備するブレード装置にシリコン基板１１０およびダイシングテープ１１４を保持する。次に、罫書き装置と同様のダイシングフレーム１３によってシリコン基板１１０を固定する。そして、シリコン基板１１０の裏面側、つまり、ダイシングテープ１１４の表面からシリコン基板１１０の表面の罫書き線に沿ってブレード１１８を押し当てる。その結果、図８（ｂ）に示すように、シリコン基板１１０は、罫書き跡に沿って切断される。なお、このとき、ブレード１１８は、ダイシングテープ１１４を破損しない程度の強度で押し当てる。
【００３１】
次に、図９（ａ）に示すように、ダイシングテープ１１４を両端から延伸して、図９（ｂ）に示すようにシリコン基板１１０を罫書き線に沿って格子状に個々のチップに分割する。また、ダイシングテープ１１４の表面から紫外線を照射して、ダイシングテープ１１４の接着力を１５０ｍＮ／２５ｍｍ程度に低下させる。その後、分割された個々の半導体チップ１２０をダイシングテープ１１４から剥離する。
その結果、１枚のシリコン基板１１０に形成された複数の半導体チップ１２０を得る。得られた半導体チップ１２０において、シリコン基板１１０を罫書いた後の罫書き屑が接着テープ１１６により接着され除去されているので切断および分割しても罫書き屑が飛び散ることがなく、罫書き屑が原因となる半導体素子の特性劣化を低減することができる。
【００３２】
ここで、上記の各テープの接着力の測定方法に関して記述する。上記の接着力は、以下のようにして測定される。
図１０は、接着力の測定方法の工程を順次模式的に示す概略図である。
図１０（ａ）に示すように、幅Ｗ２５ｍｍ、長さＬ２００ｍｍに成形されたテープ５１をステンレス板５０に接着する。図１０（ｂ）に示すように、接着されたテープ５１の長手方向の一方の端部を把持して、ステンレス板５０と把持されたテープ５１によって形成される角度が１８０°になるように他方の端部側へ引っ張って剥離する。ここで、テープ５１を剥離する速度は、３００±３０ｍｍ／ｍｉｎの一定の速度とする。上記の条件で２５ｍｍ幅のテープ５１を剥離するために加えられた力が３０００ｍＮであったとき、３０００ｍＮ／２５ｍｍと称する。なお、上記の接着力の測定は、気温２３±２℃および湿度６５±５％ＲＨの雰囲気下において行われる。
【００３３】
上記の接着テープの詳細について記述する。
図１１は、本実施形態に係る接着テープの構成を模式的に示す概略側面図である。
【００３４】
接着テープ１１６は、基材２１０と、基材２１０の一方の面に形成された接着層２１２とを有する。接着テープ１１６は、基材２１０の膜厚Ｔａを１００μｍ程度、接着層２１２の膜厚Ｔｂを２０μｍ程度とし、全体で１３０〜１５０μｍの厚さを有する。接着層２１２は、接着層２１２表面に付着する付着対象物よりも基材２１０へ強い接着力を有する。また、接着層２１２は、シリコン基板などの使用する基体に対し易剥離性を有し、基体への汚染がない材料を用いる。基材２１０は可とう性を有し、たとえば、ポリオレフィン系などの材料から構成されるのが望ましい。接着テープ１１６は、上記の実施形態のように罫書き屑除去用テープとして用いられる。
【００３５】
また、上記の半導体チップの分割工程のうち、図５〜図７に示す工程は、以下の装置を用いて行うことができる。
図１２は、本実施形態に係る罫書き装置１の構成の一部を模式的に示す概略構成図である。
【００３６】
本実施形態に係る罫書き装置１は、ステージ１０と、罫書き部１４と、除去部１８と、制御部２０とを有する。
【００３７】
ステージ１０は、罫書かれるシリコン基板１１０を固定して保持する。ステージ１０は、制御部２０からの指示により予め設定された範囲内においてｘ軸方向およびｙ軸方向に移動し、さらに、θ角度を調節する。ステージ１０は、ダイシングフレーム１２と、突き上げ部１６とを有する。本発明の保持手段の一実施態様がステージ１０に相当する。θ角度とは、たとえば、ｘｙ平面におけるステージ１０の角度とする。
【００３８】
ダイシングフレーム１２は、シリコン基板１１０の裏面側に貼り付けられたダイシングテープ１１４を固定する。ダイシングフレーム１２は、ステージ１０の一部に組み込まれ、たとえば、ステージ１０に保持されるシリコン基板より大きい半径を有する環状の形状を有する。
突き上げ部１６は、ステージ１０に保持されるシリコン基板１１０と同じ大きさであって、ステージ１０の中央部に組み込まれている。突き上げ部１６は、制御部２０からの指示によりｚ軸方向に移動して、シリコン基板１１０を周囲のステージ１０よりも高い位置に移動する。突き上げ部１６は、たとえば、上面に吸着部を有し、上面に保持されたシリコン基板１１０およびダイシングテープ１１４を固定する。
【００３９】
罫書き部１４は、制御部２０からの指令に基づいてステージ１０上をｘ軸方向およびｙ軸方向に移動する。さらに、罫書き部１４は、ｚ軸方向に移動してステージ１０上に保持されたシリコン基板１１０と接する。罫書き部１４の一例としてダイヤモンドカッターなどが挙げられる。本発明の罫書き手段の一実施態様が罫書き部１４に相当する。
【００４０】
除去部１８は、シリコン基板１１０表面の罫書き屑を接着して除去する。除去部１８は、制御部２０からの指令に応じてｘ軸方向、ｙ軸方向およびｚ軸方向に移動して、必要に応じてステージ１０上に保持されたシリコン基板１１０の上部に配置される。除去部１８の一例として、シリコン基板１１０と同じ大きさの領域に成形された接着テープが挙げられる。本発明の除去手段の一実施態様が除去部１８に相当する。
【００４１】
制御部２０は、ステージ１０と、罫書き部１４と、除去部１８と接続されている。制御部２０は、ステージ１０と、罫書き部１４と、除去部１８との相対位置を制御する。制御部２０は、ＣＰＵやメモリなどから構成され、シリコン基板１１０の罫書き位置などを記憶する。
【００４２】
たとえば、図６においては、シリコン基板１１０が保持された状態において、罫書き部１４を用いてシリコン基板１１０の表面を罫書く。具体的には、制御部２０は、初期位置に待機する罫書き部１４に指令を送る。罫書き部１４は、予め制御部２０に設定された寸法に基づいて罫書き位置を決定し、ｚ軸方向に移動して基板１１０と接し、ｘｙ軸方向に移動してシリコン基板１１０を格子状に罫書く。罫書いた後、罫書き部１４は再び初期位置に戻る。
【００４３】
次に、図７においては、シリコン基板１１０が固定された突き上げ部１６を周囲のステージ１０よりも高くなるように上昇させて、シリコン基板１１０の表面に接着テープ１１６を貼り付ける。
上記の状態で、制御部２０は、除去部１８をシリコン基板１１０の上部に移動させる。
【００４４】
次に、図８においては、除去部２０の設置された接着テープ１１６をシリコン基板１１０に貼り付けることによってシリコン基板１１０の表面に残留した罫書き屑ｋをシリコン基板１１０の表面から取り除く。
【００４５】
あるいは、上記の本実施形態において、既存の罫書き装置を用いてシリコン基板１１０の表面を罫書いた後に、後述する罫書き屑除去装置を用いて罫書き屑を除去してもよい。
【００４６】
図１３は、本発明に係る罫書き屑除去装置３の一例を模式的に示す概略構成図である。
罫書き屑除去装置３は、ステージ３１０と、除去部３１８と、制御部３２０とを有する。
ステージ３１０は、基板を固定して保持する。ステージ３１０は、制御部３２０の指示によりｘ軸方向およびｙ軸方向に移動し、θ角度を調整する。ステージ３１０は、フレーム３１２と、突き上げ部３１６とを有する。フレーム３１２は、基板１１０の裏面に貼り付けられたダイシングテープ１１４を固定する。突き上げ部３１６は、ステージ３１０に保持されるシリコン基板１１０と同じ大きさであって、固定されたシリコン基板１１０を周囲のステージ３１０よりも高い位置に移動させる。本発明の保持手段の一実施態様がステージ３１０に相当する。
【００４７】
除去部３１８は、基板１１０表面の罫書き屑を接着して除去する。除去部１８は、制御部３２０からの指令に応じてｘ軸方向、ｙ軸方向およびｚ軸方向に移動して、必要に応じてステージ１０上に保持されたシリコン基板１１０の上部に配置される。
除去部３１８の一例として、罫書き装置１と同様に基板と同じ大きさの接着テープが挙げられる。あるいは、他の例として、たとえば、図１３に示すような送り出し部３２２と、巻き取り部３２４と、ローラー３２６とを有していてもよい。このとき、送り出し部３２２および巻き取り部３２４には、接着テープが搭載されている。巻き取り部３２４は、予め設定された速度で接着テープを巻き取る。送り出し部３２２は、巻き取り部３２４と連動して接着テープを送り出す。送り出し部３２２と巻き取り部３２４とはステージ３１０に載置される基板の直径よりも長い距離離れて設置されている。ローラー３２６は、送り出し部３２２と巻き取り部３２４との間に設置され、送り出し部３２２と巻き取り部３２４との間をステージ３１０に保持される基板の直径に相当する距離を移動する。なお、接着テープは、ローラー３２６により基板と接着した後に巻き取り部３２４に巻き取られる。本発明の除去手段の一実施態様が除去部３１８に相当する。
【００４８】
制御部３２０は、ステージ３１０と、除去部３１８と接続され、ステージ３１０と除去部３１８との相対距離を制御する。制御部３２０は、ＣＰＵやメモリなどから構成され、基板の罫書き位置などを記憶する。
【００４９】
罫書き屑除去装置３は、上記の罫書き装置１が罫書き部１４によってシリコン基板１１０表面を罫書いた後と同様に、除去部３１８によって基板表面に接着テープを貼り付けた後、直ちに剥がして基板表面の罫書き屑を除去する。なお、用いる接着テープは、上記のような易剥離性を有するテープとする。
【００５０】
既述のように本発明は、中空構造などの特殊な構造を有する半導体装置を分断する際に有用である。
図１４は、中空構造を有する半導体装置の一例を模式的に示す概略断面図である。
【００５１】
図１４は、圧電薄膜共振器（Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ、以下、ＦＢＡＲとも称する）の構造の一例を示す。図１４に示すように、ＦＢＡＲは、基板４１０上に形成された絶縁膜４１４と、絶縁膜４１４上の少なくとも一部に形成された下部電極４１６と、下部電極４１６上に形成された厚電膜４１８と、厚電膜４１８上に形成された上部電極４２０とを有する。ここで、基板４１０と絶縁膜４１４との間に中空部４１２をさらに有する。
上記のＦＢＡＲは、中空部４１２に相当する領域に予め犠牲膜を形成した後に、たとえば、ビアホールを形成してエッチングすることによって犠牲膜を除去して中空部４１２を形成する。そのため、罫書き屑の発生を回避するために水を用いて罫書き、分割することは、ビアホールや中空部４１２などに水が残留したり、それらを除去するために乾燥工程を要し、ＦＢＡＲの性能に影響を与える可能性がある。しかしながら、本実施形態を用いれば、水を用いずに基板表面を罫書き、発生する罫書き屑を接着テープにより除去することができるので、性能に影響を与えることはない。
【００５２】
上記の基板の分割方法や罫書き装置などは、ＦＢＡＲの他に、モノリシック化マイクロ波ＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  ＩＣ、以下、ＭＭＩＣとも称する）のような中空構造を有する半導体装置や、液晶基板など水を用いることができない基板を分割する際に有用である。
【００５３】
本実施形態の基板の分割方法によれば、シリコン基板に易剥離性を有し、シリコン基板を汚染しない接着テープを用いて罫書き屑を除去することにより、従来では完全に取りきれていなかった基板から完全に分離していない破片を含む罫書き屑を除去することができる。そのため、罫書き屑による半導体チップの汚染が抑制され、半導体チップの特性不良が低減される。その結果、歩留りが向上する。また、水を用いることがないので、水分により半導体チップの性能の劣化を防ぐこともできる。
【００５４】
本実施形態の罫書き屑除去装置によれば、シリコン基板に易剥離性を有し、シリコン基板を汚染しない接着テープを用いて罫書き屑を除去することにより、完全に分離していない破片を含む従来では取りきれていなかった罫書き屑を除去することができる。その結果、後の工程において罫書き屑により半導体チップの汚染が抑制され、歩留りが向上する。
【００５５】
本実施形態の罫書き装置によれば、シリコン基板に易剥離性を有し、シリコン基板を汚染しない接着テープを用いて罫書き屑を除去することにより、完全に分離していない破片を含む従来では取りきれていなかった罫書き屑を除去することができる。その結果、後の工程において罫書き屑により半導体チップの汚染が抑制され、歩留りが向上する。
【００５６】
本実施形態の接着テープによれば、シリコン基板に易剥離性を有し、シリコン基板を汚染しない接着テープを用いることにより、罫書き屑を除去することができる。その結果、罫書き屑による半導体チップの汚染が抑制され、歩留りが向上する。
【００５７】
なお、上記の実施形態において、除去部としてシート状の接着テープを用いたが、同様の接着性を有するロール状の接着テープを用いてもよい。そのとき、図１２に示す罫書き装置１の除去部１８は、ロール状の接着テープをシリコン基板上に移動する構成とする。ロール状の接着テープは、接着力を保つように、たとえば、予め設定された使用回数ごとに使用テープを取り替える。
【００５８】
本発明は、上記の実施形態に限定されない。
たとえば、本実施形態において、シリコン基板の表面を罫書いて、接着テープを貼り付けたが、罫書く面は基板に形成される半導体素子などに応じて適宜変更することができる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明の基板の分割方法、罫書き屑除去装置、罫書き装置および接着テープは、半導体装置の分割に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】図１（ａ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略斜視図であって、図１（ｂ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略断面図である。
【図２】図２（ａ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略斜視図であって、図２（ｂ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略断面図である。
【図３】図３（ａ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略斜視図であって、図３（ｂ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略断面図である。
【図４】図４（ａ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略斜視図であって、図４（ｂ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略断面図である。
【図５】図５（ａ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略斜視図であって、図５（ｂ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略断面図である。
【図６】図６（ａ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略斜視図であって、図６（ｂ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略断面図である。
【図７】図７（ａ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略斜視図であって、図７（ｂ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略断面図である。
【図８】図８（ａ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略斜視図であって、図８（ｂ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略断面図である。
【図９】図９（ａ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略斜視図であって、図９（ｂ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略断面図である。
【図１０】図１０は、接着力の測定方法の工程の一部を順次模式的に示す概略図である。
【図１１】図１１は、本実施形態に係る接着テープの一部を模式的に示す概略断面図である。
【図１２】図１２は、本実施形態に係る罫書き装置を模式的に示すブロック図である。
【図１３】図１３は、本発明に係る罫書き屑除去装置の一部を模式的に示す構成図である。
【図１４】図１４は、本発明に好適な半導体装置の一例を模式的に示す概略断面図である。
【図１５】図１５（ａ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略断面図であって、図１５（ｂ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略断面図である。
【図１６】図１６（ｃ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略断面図であって、図１６（ｄ）は、本実施形態に係る半導体チップを分割する工程の一部を模式的に示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１…罫書き装置、１０…ステージ、１２…ダイシングフレーム、１４…ダイヤモンドカッター、１６…突き上げ部、１８…除去部、２０…制御部、１１０…シリコン基板、１１２…保護テープ、１１３…ローラー、１１４…ダイシングテープ、１１５…研削砥石、１１６…接着テープ、１１８…ブレード、１２０…半導体チップ、５０…ステンレス板、５１…テープ、２１０…基材、２１２…接着層、３…罫書き屑除去装置、３１０…ステージ、３１２…フレーム、３１６…突き上げ部、３１８…除去部、３２０…制御部、３２２…送り出し部、３２４…巻き取り部、３２６…ローラー、４１０…基板、４１２…中空部、４１４…絶縁膜、４１６…下部電極、４１８…厚電層、４２０…上部電極、５１０…基板、５１４…ダイシングテープ、５１８…ブレード、５２０…半導体チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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