(57)【要約】【課題】  液晶滴下貼り合せ方式液晶滴下貼り合せ方式の液晶表示装置の製造方法において、光を用いることなく、加熱のみでシール材を硬化させることにより、液晶表示装置の構成要素のうち光に弱い要素に支障が生じるのを回避して、高品質の液晶表示装置を製造できるようにする。【解決手段】  基板上にシール材を形成する工程（Ｐ１８）と、基板上に液晶を滴下する工程（Ｐ５）と、一対の基板を真空環境下で貼り合わせる工程（Ｐ２１）とを有する液晶表示装置の製造方法である。シール材を構成する材料の時間−粘度曲線におけるボトムポイントは、シール材を熱硬化させたときに液晶とシール材との間でシールパスを生じさせない粘度値に設定する。また、ボトムポイントは、シール材を熱硬化させたときに一対の基板間で組ズレを生じさせない粘度値に設定する。【選択図】        図１
2005221944.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
閉じた環状のシール材を介して液晶を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であって、
前記一対の基板の少なくとも一方に前記シール材を形成する工程と、
前記一対の基板の少なくとも一方に液晶を滴下する工程と、
前記一対の基板を貼り合わせる工程と、
を有し、
前記シール材を構成する材料の時間−粘度曲線におけるボトムポイントは、前記シール材を熱硬化させたときに前記液晶と前記シール材との間でシールパスを生じさせない粘度値である
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
閉じた環状のシール材を介して液晶を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であって、
前記一対の基板の少なくとも一方に前記シール材を形成する工程と、
前記一対の基板の少なくとも一方に液晶を滴下する工程と、
前記一対の基板を貼り合わせる工程と、
を有する液晶表示装置の製造方法において、
前記シール材を構成する材料の時間−粘度曲線におけるボトムポイントは、前記シール材を熱硬化させたときに前記一対の基板間で組ズレを生じさせない粘度値である
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記シール材を形成する工程は、少なくとも１つのパネル部シールを形成する工程と、該パネル部シールを取り囲む外周シールを形成する工程とを有し、
前記液晶を滴下する工程では、前記パネル部シールで囲まれる領域に液晶を滴下する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の液晶表示装置の製造方法において、前記シール材の材料は、熱硬化性樹脂を主材とし、これに硬化開始材が混合されて成ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の液晶表示装置の製造方法において、前記硬化開始材は前記主材に複数種類、混合されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の液晶表示装置の製造方法において、前記硬化開始材は、融点が７０℃より大きい硬化開始材及び融点が７０℃又はそれよりも小さい硬化開始材の２種類であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の液晶表示装置の製造方法において、前記主材はエポキシ系化合物であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の液晶表示装置の製造方法において、前記硬化開始材は脂肪族ポリアミン、アミドアミン、ポリアミド、芳香族ポリアミン、又は酸無水物から選択される１つであることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶滴下貼り合せ方式の液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置は、一対の基板をシール材によって貼り合せ、それらの基板間に形成される間隙内、いわゆるセルギャップ内に液晶を封入することによって形成される。このとき、従来の液晶表示装置の製造方法では、シール材の一部に液晶注入用の開口を形成しておき、一対の基板をそのシール材によって貼り合せてパネル構造体を形成した後に、シール材の一部に設けた上記の開口を通してシール材によって囲まれる領域、すなわちセルギャップ内に液晶を注入していた。
【０００３】
このような従来の液晶表示装置の製造方法に対して、最近、液晶滴下貼り合せ方式と称される液晶表示装置の製造方法が提案されている。この製造方法では、液晶注入用の開口を持たない環状のシール材を一対の基板の少なくとも一方に形成し、そのシール材によって囲まれる領域内又は他方の基板の対応する領域内に必要量の液晶を滴下し、その後にそれらの基板を貼り合わせて液晶パネルを形成する。つまり、この製造方法によれば、一対の基板の貼り合せが完了したときには、セルギャップ内に液晶が封入された状態になっている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
ところで、液晶滴下貼り合せ方式の液晶表示装置の製造方法においては、液晶を挟持した一対の基板が大気圧下に解放された際、一対の基板間で液晶が膨張する。このとき、シール材が液晶の膨張力に耐えられないと、液晶が液晶パネルの外部に漏れ出してしまう。この現象は、シールパスと言われている。このシールパスの発生を防止するためには、シール材の強度が大気解放時の液晶の膨張力を上回らなければならない。このことから、液晶滴下貼り合せ方式の液晶表示装置の製造方法においては、シール材の粘度（すなわち、強度）が、製造された液晶表示装置の良否に非常に大きく関係することが分かる。
【０００５】
上記のシールパスの発生を防止するため、従来、液晶滴下貼り合せ方式の液晶表示装置の製造方法において、粘度が２５℃で５０Ｐａ・ｓ以上のシール材を用いることが知られている（例えば、特許文献２参照）。また、シール材の硬化過程において上記のシールパスの発生を防止するため、光硬化性材料を用いることが知られている（例えば、特許文献３参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開昭６３−１７９３２３号公報（第２〜３頁、第１図）
【特許文献２】特開平８−１０６１０１号公報（第５頁、図１）
【特許文献３】特開２００２−１２２８７２号公報（第６〜７頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、粘度の高いシール材を使用する従来の製造方法においては、シール材を希望の形状にパターニングすることが非常に難しかった。また、光硬化性材料を用いてシール材を構成するようにした従来の製造方法においては、シール材の硬化のために光を照射したとき、液晶表示装置を構成する要素、例えば液晶、配向膜に光が当たって、それらの要素に悪影響を与えるおそれがある。例えば、配向膜は紫外光を受けたときに損傷するおそれがある。
【０００８】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、液晶滴下貼り合せ方式の液晶表示装置の製造方法において、光を用いることなく、加熱のみでシール材を硬化させることにより、液晶表示装置の構成要素のうち光に弱い要素に支障が生じるのを回避して、高品質の液晶表示装置を製造できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、閉じた環状のシール材を介して液晶を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であって、前記一対の基板の少なくとも一方に前記シール材を形成する工程と、前記一対の基板の少なくとも一方に液晶を滴下する工程と、前記一対の基板を貼り合わせる工程とを有し、前記シール材を構成する材料の時間−粘度曲線におけるボトムポイントは、前記シール材を熱硬化させたときに前記液晶と前記シール材との間でシールパスを生じさせない粘度値であることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係る他の液晶表示装置の製造方法は、閉じた環状のシール材を介して液晶を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であって、前記一対の基板の少なくとも一方に前記シール材を形成する工程と、前記一対の基板の少なくとも一方に液晶を滴下する工程と、前記一対の基板を貼り合わせる工程とを有する液晶表示装置の製造方法において、前記シール材を構成する材料の時間−粘度曲線におけるボトムポイントは、前記シール材を熱硬化させたときに前記一対の基板間で組ズレを生じさせない粘度値であることを特徴とする。
【００１１】
ここで、液晶を滴下する基板に関しては、一対の基板うちの任意のいずれか一方であっても良いし、あるいは、一対の基板の両方であっても良い。また、上記の「真空」とは、完全な真空の場合はもとより、真空に近い減圧状態も含むものである。
【００１２】
次に、上記シールパス、上記組ズレ、及び上記ボトムポイントについて説明する。
液晶滴下貼り合せ方式の液晶表示装置の製造方法においては、液晶が滴下された基板と、シール材が形成された基板とが互いに貼り合わされる。なお、液晶が滴下される基板とシール材が形成される基板とは同一であったり、別々であったりする。こうして形成されたパネル構造体は、次に、大気圧等によって加圧されて確実に貼り合わされる。そして次に、加熱等によってシール材が硬化されて液晶パネルが完成する。
【００１３】
上記の一連の工程において、シール材を加熱等によって硬化する際、シール材の粘度が低下して液晶がそのシール材の内部に進入することがある。この現象がシールパスである。また、一対の基板を貼り合わせ、さらにシール材を加熱等によって硬化させる際、シール材の粘度が低下したときに、貼り合わされた一対の基板の相対的な位置関係がずれることがある。この現象が組ズレである。
【００１４】
図４（ａ）は、一対の基板を貼り合わせた後において、それらの基板を貼り合わせているシール材を硬化可能な温度まで上昇させた場合の、時間の経過に対するシール材の粘度の変化の様子を示している。図４（ａ）では、横軸に時間をとり、縦軸に粘度をとっている。
【００１５】
図示の通り、当初１００％であった粘度は、時間の経過と共に一旦軟化した後、硬化を開始し、最終的に材料に応じた所定の硬さまで硬化する。粘度が一旦軟化する際、時間ｔ０で粘度が最も小さくなるポイントが到来する。このポイントＰＢがボトムポイントである。
【００１６】
また、図４（ａ）に示した曲線の要素を解析すると、図４（ａ）に示す曲線は、図４（ｂ）に示すように、温度上昇による材料の粘度の低下成分と、硬化成分による強度（すなわち、粘度）の増加成分との足し合わせになっている。この足し合わせにおいて、上昇させる温度と時間軸との間で最も低い強度をとる所がボトムポイントＰＢとなることが分かる。
【００１７】
このボトムポイントになった所でシール材の全体的な強度が液晶の膨張力を下回ると、上記のシールパスが発生する。また、シール材の粘度の低下に伴ってシール材の流動性が大きくなると、上記の組ズレが発生する。これらのシールパスや組ズレの現象を防止するためには、シール材の硬化過程において時間−粘度曲線にボトムポイントが到来したときに、そのボトムポイントに対応する粘度が、シールパスや組ズレを起こさせない大きさであることが重要である。
【００１８】
上記本発明のように、パネル部シールを構成する材料の時間−粘度曲線におけるボトムポイントを、（１）パネル部シールを熱硬化させたときに液晶とパネル部シールとの間でシールパスを生じさせない粘度値に設定したり、あるいは、（２）パネル部シールを熱硬化させたときに一対の基板間で組ズレを生じさせない粘度値に設定したりすれば、液晶滴下貼り合せ方式の液晶表示装置の製造方法において、一対の基板を貼り合わせているシール材を硬化させる際に、その硬化を光を用いることなく熱硬化のみによって行った場合でも、シールパスや組ズレを発生させることなく、液晶表示装置を製造することができる。
【００１９】
光を用いてシール材を硬化させる場合には、液晶表示装置を構成する構成要素であって光に対して弱い性質を持った要素、例えば、配向膜、液晶等に悪影響が出るおそれがある。これに対し、光を用いることなく加熱のみによってシール材を硬化できれば、そのような悪影響がでることがないので、高品位の液晶表示装置を安定して製造できる。
【００２０】
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法において、前記シール材を形成する工程は、少なくとも１つのパネル部シールを形成する工程と、該パネル部シールを取り囲む外周シールを形成する工程とを有し、前記液晶を滴下する工程では、前記パネル部シールで囲まれる領域に液晶を滴下することが望ましい。
【００２１】
ここで、パネル部シールは液晶に接触するシールである。一般に、このパネル部シールは、１つの大きな面積の基材、いわゆるマザー基材の上に、複数個形成される。そして、上記の外周シールは、それら複数のパネル部シールを取り囲むように形成される。なお、「外周シールが複数のパネル部シールを取り囲む」というのは、一対の基板を貼り合せた状態においてのことである。従って、パネル部シール及び外周シールを形成する際には、両者を同一の基板上に形成しても良いし、あるいは、両者を別々の基板上に形成しても良い。
【００２２】
また、「前記パネル部シールで囲まれる領域に液晶を滴下する」とは、
（１）シールが形成されている基板に液晶を滴下する場合には、シールによって囲まれた領域に液晶を滴下することであり、他方、
（２）シールが形成されていない基板に液晶を滴下する場合には、基板を貼り合せて液晶パネルになった時にシールによって囲まれることになる領域に液晶を滴下することである。
【００２３】
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法において、前記シール材の材料は、熱硬化性樹脂を主材とし、これに硬化開始材が混合されて成ることが望ましい。こうすれば、シール材料の時間−粘度曲線におけるボトムポイントを硬化開始材の特性に応じて上げることができる。ボトムポイントを上げるためには、材料そのものの粘度を上げる方法も考えられる。しかしながらこの場合には、基板上にシール材を希望の形状にパターニングすることが難しくなるおそれがある。これに対し、硬化開始材を主材に混合することによってボトムポイントを上げる方法を採用すれば、シール材のパターニングは容易である。
【００２４】
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法において、前記主材はエポキシ系化合物であることが望ましい。エポキシ系化合物とは、構成される分子内にエポキシ基を有する化合物である。このエポキシ系化合物は、耐薬品性、接着力に優れ、しかも、溶剤が不要である。これらのことは、液晶滴下貼り合せ方式の液晶表示装置の製造方法を実施する上で非常に好都合である。また、エポキシ系化合物は反応性に富んでいるため、硬化剤や変性成分の選択如何で広範囲な硬化物が得られる。しかも、硬化時の硬化収縮が小さい。これらにより、エポキシ系化合物は、シール材の硬化を熱硬化のみによって行うことに関して非常に好適な材料である。
【００２５】
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法において、前記硬化開始材は前記主材に複数種類、混合されることが望ましい。こうすれば、硬化材の種類に応じて主材を段階的に硬化させることができる。主材、すなわちシール材を段階的に硬化させれば、１種類の硬化材を用いてボトムポイントを上げる場合に比べて、ボトムポイントをより一層上げることができる。つまり、シール材の硬化時にそのシール材の粘度が高く維持されて、シールパス、組ズレの発生を確実に防止できる。
【００２６】
硬化材には、大きく分けて、芳香族アミン化合物、脂肪族アミン化合物、アミドアミン、ポリアミド、酸無水物、触媒硬化剤がある。これらの硬化材は、その相状態、硬化に寄与する温度等、様々な特性を有している。従って、特性の異なる硬化材を適切に組み合わせれば、非常に広い温度範囲で硬化に寄与できる硬化材を構成できる。このことは、シール材の時間−粘度曲線におけるボトムポイントを上げることに関して、非常に有利である。
【００２７】
次に、複数種類の硬化開始材を主材に混合させるようにした本発明に係る液晶表示装置の製造方法において、前記硬化開始材は、融点が７０℃より大きい硬化開始材及び融点が７０℃又はそれよりも小さい硬化開始材の２種類であることが望ましい。このことについて以下に簡単に説明する。
【００２８】
本発明者は、エポキシ系化合物から成る主材に１種類の硬化開始材を混合してシール材を形成し、このシール材を用いて液晶表示装置を製造した。その際、融点が６０℃の硬化開始材と融点が８０℃の硬化開始材のそれぞれについて液晶表示装置を製造した。これら２種類の液晶表示装置に関して表示を確認したところ。融点が６０℃の硬化開始材を用いた液晶表示装置に関してはシールパス及び組ズレが見られた。これに対し、融点が８０℃の硬化開始材を用いた液晶表示装置については、ボトムポイントの上がる程度が、シールパスや組ズレを回避する上で大き過ぎることが分かった。この実験結果から考えれば、主材に混合する硬化開始材としては、融点が７０℃より大きい硬化開始材及び融点が７０℃又はそれよりも小さい硬化開始材の２種類とすることが望ましいと考えられる。
【００２９】
次に、シール材における硬化過程について考察する。
シール材における硬化過程は、一般に、（１）ラジカル反応による硬化と、（２）求核等の構造変化による化学変化による硬化とに大別される。ラジカル反応により硬化を起こす主材となるのがアクリル系の化合物である。また、化学変化により硬化を起こす主材となるのがエポキシ系化合物である。一般に硬化材とは、ラジカル反応による硬化及び化学変化による硬化を助長する触媒又はそれらの硬化を開始させる触媒のことである。
【００３０】
上記の硬化材には、（１）熱によって溶解するもの、又は（２）熱によって分解するものが考えられる。ここで言う「分解」とは、熱によって化合物が分解することである。熱によって溶解する硬化材は、主材がエポキシ系樹脂のときに有効である。また、熱によって分解する硬化材は、主材がアクリル系樹脂であるときに有効である。熱によって分解する硬化材については、潜在性熱硬化剤といわれるものがあり、これは、分解して酸やアルカリとなった成分が、熱によって分解する硬化材として機能するものである。この潜在性熱硬化剤については、特開平５−２９５０８７号公報に記載されている。
【００３１】
熱によって溶解する硬化材としては、脂肪族アミン、アミドアミン、ポリアミド、芳香族ポリアミン、酸無水物、触媒性硬化剤等がある。
【００３２】
また、熱によって分解する硬化材としては、過酸化物、アゾ化合物等がある。過酸化物としては、過酸化アセチル、  過酸化クミル、  過酸化ｔｅｒｔ−ブチル、  過酸化プロピオニル、  過酸化ベンゾイル、  過酸化２−クロロベンゾイル、  過酸化３−クロロベンゾイル、  過酸化４−クロロベンゾイル、  過酸化２，４−ジクロロベンゾイル、  過酸化４−ブロモメチルベンゾイル、  過酸化ラウロイル、  過硫酸カリウム、  ペルオキシ炭酸ジイソプロピル、  テトラリンヒドロペルオキシド、  １−フェニル−２−メチルプロピル−１−ヒドロペルオキシド、  過トリフェニル酢酸−ｔｅｒｔ−ブチル、  ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド、  過ギ酸ｔｅｒｔ−ブチル、  過酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、  過安息香酸ｔｅｒｔ−ブチル、  過フェニル酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、  過４−メトキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、  過Ｎ−（３−トルイル）カルパミン酸ｔｅｒｔ−ブチル、等がある。
【００３３】
また、アゾ化合物としては、２，２’−アゾビスプロパン、  ２，２’−ジクロロ−２，２’−アゾビスプロパン、  １，１’−アゾ（メチルエチル）ジアセテート、  ２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）塩酸塩、  ２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）硝酸塩、  ２，２’−アゾビスイソブタン、  ２，２’−アゾビスイソブチルアミド、  ２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、  ２，２’−アゾビスイソブチロニトリル／ＳｎＣｌ４（１／２１．５）、  ２，２’−アゾビス−２−メチルプロピオン酸メチル、  ２，２’−ジクロロ−２，２’−アゾビスブタン、  ２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル、  ２，２’−アゾビスイソ酪酸ジメチル、  ２，２’−アゾビスイソ酪酸ジメチル（ＳｎＣｌ４（１／１９．５３）、  １，１’−アゾビス（１−メチルブチロニトリル−３−スルホン酸ナトリウム）、  ２−（４−メチルフェニルアゾ）−２−メチルマロノジニトリル、  ４，４’−アゾビス−４−シアノ吉草酸、  ３，５−ジヒドロキシメチルフェニルアゾ−２−メチルマロノジニトリル、  ２−（４−プロモフェニルアゾ）−２−アリルマロノジニトリル、  ２，２’−アゾビス−２−メチルバレロニトリル、  ４，４’−アゾビス−４−シアノ吉草酸ジメチル、  ２，２’−アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル、  １，１’−アゾビスシクロヘキサンニトリル、  ２，２’−アゾビス−２−プロピルブチロニトリル、  １，１’−アゾビス−１−クロロフェニルエタン、  １，１’−アゾビス−１−シクロヘキサンカルボニトリル、  １，１’−アゾビス−１−シクロヘプタンニトリル、  １，１’−アゾビス−１−フェニルエタン、  １，１’−アゾビスクメン、  ４−ニトロフェニルアゾベンジンシアノ酢酸エチル、  フェニルアゾジフェニルメタン、  フェニルアゾトリフェニルメタン、  ４−ニトロフェニルアゾトリフェニルメタン、  １，１’−アゾビス−１、２−ジフェニルエタン、  ポリ（ビスフェノールＡ−４，４’−アゾビス−４−シアノベンタノエート）、  ポリ（テトラエチレングリコール−２，２’−アゾビスイソプチレート）、等がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
（液晶表示装置の製造方法の第１実施形態）
以下、本発明に係る液晶表示装置の製造方法を、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用いた半透過反射型の液晶表示装置を製造する場合を例に挙げて説明する。なお、本発明がその他任意の構造の液晶表示装置を製造する際に適用できることはもちろんである。
【００３５】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法を説明するのに先立って、まず、本発明方法によって製造する液晶表示装置について説明する。図５は、その液晶表示装置の一例の断面構造を示している。図６は、図５において矢印Ａで示す部分を拡大して示している。図７は、図６において上側に図示された素子基板を矢印Ｂ方向から見た場合のその素子基板の平面的な構成を示している。図８（ａ）は、図７において矢印Ｃで示す部分を示している。図８（ｂ）は、図８（ａ）のＴＦＴ素子の断面構造を示している。図９は、図５の液晶表示装置の電気的な等価回路を示している。
【００３６】
なお、以上の各図において、液晶表示装置を構成する複数の要素の相互の寸法比は、それらの要素の構造を分かり易く示すために、実際の寸法比とは異ならせてあることに注意を要する。
【００３７】
図５において、液晶表示装置１は、液晶パネル２に液晶駆動用ＩＣ３、偏光板４ａ，４ｂ、そして照明装置６を装着することによって形成されている。照明装置６は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）７と、そのＬＥＤ７から発生する光を液晶パネル２へ導く導光体８とを有する。液晶パネル２は、矢印Ｄ方向から見て方形の環状であるシール材９によって貼り合わされた一対の基板、すなわち素子基板１１ａ及びカラーフィルタ基板１１ｂを有する。なお、方形とは、正方形又は長方形のことである。
【００３８】
素子基板１１ａとカラーフィルタ基板１１ｂとの間であってシール材９によって囲まれた間隙、いわゆるセルギャップ内に液晶が封入されて液晶層１３が形成される。符号１５で示すスペーサは概ね球形に形成されており、セルギャップが均一な寸法を維持するように機能する。照明装置６から光が発生すると、その光が液晶層１３によって画素領域ごとに変調され、素子基板１１ａの側に像を表示することができる。すなわち、観察者は矢印Ｄ方向から表示を観察する。
【００３９】
素子基板１１ａは、ガラス、プラスチック等によって形成された透光性を有する基材１２ａを有する。この基材１２ａは、矢印Ｄ方向から見て方形状に形成されている。基材１２ａの液晶側の表面には、下地層１４が形成され、その上にスイッチング素子としてのＴＦＴ素子１６及びドット電極１７が形成され、その上に配向膜１８ａが形成される。配向膜１８ａには液晶層１３内の液晶分子を配向させるための配向処理、例えば、ラビング処理が施される。偏光板４ａは、基材１２ａの外側の表面に貼着等によって装着される。
【００４０】
カラーフィルタ基板１１ｂは、ガラス、プラスチック等によって形成された透光性を有する基材１２ｂを有する。この基材１２ｂは、素子基板１１ａ側の基材１２ａと同様に、矢印Ｄ方向から見て方形状に形成されている。基材１２ｂの液晶側の表面には、反射膜１９が形成され、その上に遮光膜２１が形成され、その遮光膜２１によって囲まれる領域に着色要素２２が形成され、それらの上にオーバーコート層２３が形成され、その上に電極２４が形成され、その上に配向膜１８ｂが形成される。配向膜１８ｂには液晶層１３内の液晶分子を配向させるための配向処理、例えば、ラビング処理が施される。偏光板４ｂは、基材１２ｂの外側の表面に貼着等によって装着される。
【００４１】
着色要素２２は、光の３原色、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）や、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の各色光を選択的に透過する要素であり、これらの着色要素２２によってカラーフィルタが構成される。これらの着色要素２２としてＲ，Ｇ，Ｂを用いた場合、各色着色要素２２は図５の矢印Ｄ方向から見て所定の配列、例えば、図１０（ａ）に示すようなストライプ配列、図１０（ｂ）に示すようなモザイク配列、又は図１０（ｃ）に示すようなデルタ配列に並べられる。
【００４２】
図５において、素子基板１１ａを構成する基材１２ａ上に形成された複数のドット電極１７は、矢印Ｄ方向から見て、縦方向及び横方向へマトリクス状に並べられる。また、個々のドット電極１７は、図７に示すように、略方形状に形成される。一方、図５において、素子基板１１ａに対向するカラーフィルタ基板１１ｂ側の電極２４は、複数のドット電極１７の全てに対向する面状の電極として形成される。図６及び図７に示すように、個々のドット電極１７と面状の共通電極２４とが対向する領域が表示の最小単位である表示用ドット領域Ｄを構成する。そして、Ｒ，Ｇ，Ｂの３つの着色要素２２に対応する３つの表示用ドット領域Ｄによって１つの画素が形成される。なお、着色要素２２を用いることなく白黒のモノクロ表示を行う場合には、１つの表示用ドット領域Ｄによって１つの画素が形成される。
【００４３】
図６において、個々の表示用ドット領域Ｄに対応して、反射膜１９に開口２６が設けられる。これらの開口２６は、図５において、照明装置６から発生した光を図６の矢印Ｌ１のように通過させる。この透過光Ｌ１により、透過型の表示が行われる。一方、太陽光、室内光等といった外部光は矢印Ｌ０で示すように素子基板１１ａを透過し、次いでように反射膜１９で反射する。この反射光Ｌ０により、反射型の表示が行われる。つまり、表示用ドット領域Ｄのうち、反射膜１９が存在する領域が反射領域Ｒであり、開口２６が存在する領域が透過領域Ｔである。
【００４４】
図７において、素子基板１１ａの基材１２ａ上の略全面に形成された下地層１４の上に直線状のゲート電極線３１が複数本、互いに平行に形成される。また、それらのゲート電極線３１の個々につながるように通電パターン３２が形成される。この通電パターン３２は各ゲート電極線３１に電流を供給する。
【００４５】
ゲート電極線３１とドット電極１７は、ＴＦＴ素子１６によって接続されている。ＴＦＴ素子１６は、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、下地層１４の上に次の各層、すなわち、ゲート電極３３、ゲート絶縁膜としての陽極酸化膜３４、もう１つのゲート絶縁膜としての窒化膜３６、チャネル部真性半導体膜としてのａ−Ｓｉ（アモルファス・シリコン）膜３７、コンタクト部半導体膜としてのＮ＋ａ−Ｓｉ（ドープド・アモルファス・シリコン）膜３８，３８、そして、チャネル部保護用窒化膜３９の各層を順次に積層することによって形成されている。
【００４６】
図７において、基材１２ａの表面には、ゲート電極線３１に直交する位置関係で直線状のソース電極線４１が複数本、互いに平行に形成される。これらのソース電極線４１は、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、Ｎ＋ａ−Ｓｉ膜３８の片側（図８（ｂ）の左片側）の上に積層される。また、Ｎ＋ａ−Ｓｉ膜３８のもう一方の片側（すなわち、図８（ｂ）の右片側）の上に、ドット電極１７が積層される。
【００４７】
上記構成のＴＦＴ素子１６は、例えば、次のようにして形成される。すなわち、まず、図７において、基材１２ａの上にスパッタリング等によってＴａ２Ｏ５を一様な厚さに形成して下地層１４を形成する。次に、周知のパターニング技術、例えば、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理から成るフォトエッチング処理によって下地層１４の上にＴａ（タンタル）をパターニングして複数の直線状のゲート電極線３１、及びそれらのゲート電極線３１から張り出すＴＦＴ素子用のゲート電極３３、及び各ゲート電極線３１をつなぐ通電パターン３２を形成する。
【００４８】
その後、基材１２ａを化成液、すなわち陽極酸化処理溶液に浸漬し、さらに通電パターン３２に所定の電圧を印加することにより陽極酸化処理を実行し、これにより、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、ゲート電極３３及びその他のパターン上に陽極酸化膜３４を形成する。
【００４９】
次に、図８（ｂ）において、個々の陽極酸化膜３４の上に、例えばＣＶＤ法によってＳｉ３Ｎ４をパターニングしてゲート絶縁膜３６を形成する。次に、ａ−Ｓｉを一様な厚さに堆積し、さらにその上にＮ＋ａ−Ｓｉを一様な厚さに堆積し、さらにフォトエチング等によってＮ＋ａ−Ｓｉをパターニングしてコンタクト部半導体膜３８を形成する。さらに、ａ−Ｓｉをパターニングしてチャネル部真性半導体膜３７を形成する。
【００５０】
その後、Ｓｉ３Ｎ４を周知のパターニング技術を用いてパターニングしてチャネル部保護膜３９を形成する。さらに、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）をその一部がＮ＋ａ−Ｓｉ膜３８に重なるように且つ所定のドット形状にパターニングすることによって、複数のドット電極１７をマトリクス状に形成する。さらに、Ａｌ（アルミニウム）をその一部がＮ＋ａ−Ｓｉ膜３８に重なるように且つ互いに平行に配列するようにパターニングすることによってソース電極線４１を形成する。
【００５１】
図５に戻って、素子基板１１ａはカラーフィルタ基板１１ｂの外側に張り出す張出し部４６を有する。この張出し部４６の表面には、図７の素子基板１１ａ上のゲート電極線３１につながる配線４７ａと、ソース電極線４１につながる配線４７ｂと、カラーフィルタ基板１１ｂ上の共通電極２４につながる配線４７ｃとが周知のパターニング技術、例えばフォトエチング処理によって適宜のパターンで形成される。また、張出し部４６の辺縁には、外部回路との間で電気的な接続をとるための外部接続用端子４８が同様のパターニング技術によって形成される。
【００５２】
素子基板１１ａとカラーフィルタ基板１１ｂとを貼り合わせているシール材９の中には導電粒子４９がランダムな分散状態で混ぜられている。図５では、楕円球状の導電粒子が描かれているが、これは図面を分かり易く描く上での便宜的な描かれ方であり、実際には、球状又は円柱状の導電粒子４９がシール材９の幅内に複数個含まれる。素子基板１１ａの張出し部４６上に設けられた配線４７ｃと、カラーフィルタ基板１１ｂ上に設けられた共通電極２４との間の電気的な接続は、シール材９内に含まれる上記の導電粒子４９によって行われる。
【００５３】
外部接続用端子４８と配線４７ａ，４７ｂ，４７ｃとの間には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）等といった導電接合材を用いてＣＯＧ（Chip On Glass）技術に基づいて液晶駆動用ＩＣ３が実装される。もちろん、その他任意の実装技術、例えば、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）技術を用いることもできる。
【００５４】
液晶駆動用ＩＣ３には、図７のＴＦＴ素子１６を駆動するための、図９に示す走査線駆動回路５１及びデータ線駆動回路５２が含まれる。走査線駆動回路５１は図７のゲート電極線３１につながり、それらの線に走査信号を伝送する。一方、データ線駆動回路５２は図７のソース電極線４１につながり、それらの線にデータ信号を伝送する。走査信号はＴＦＴ素子１６のゲートへ送られ、データ信号はＴＦＴ素子１６のソースへ送られる。ＴＦＴ素子１６がＯＮ状態になると、対応するドット電極１７への通電が成されて対応する表示用ドット領域Ｄ内の液晶への書き込みが行われる。また、引き続いてＴＦＴ素子１６がＯＦＦ状態になると、書き込まれた状態が保持される。この一連の書き込み動作及び保持動作により、液晶の配向が光透過及び光遮断の間で制御される。
【００５５】
以上の構成より成る液晶表示装置は、太陽光、室内光等といった外部光を用いた反射型表示と、図５の照明装置６を用いた透過型表示とを、希望に応じて選択して実行する。反射型表示が選択された場合には、図６において、外部光Ｌ０が素子基板１１ａ及び液晶層１３を透過してカラーフィルタ基板１１ｂへ入り、反射膜１９で反射して再び液晶層１３へ供給される。一方、透過型表示が選択された場合には、図５のＬＥＤ７が点灯し、ＬＥＤ７からの光が導光体８によって液晶パネル２へ供給される。供給された光Ｌ１は、図６において、反射膜１９に表示用ドット領域Ｄごとに設けた開口２６を透過して液晶層１３へ供給される。
【００５６】
以上のようにして反射型表示及び透過型表示のそれぞれの場合に液晶層１３へ光が供給される際、液晶層１３はドット電極１７及び共通電極２４によって表示用ドット領域Ｄごとに印加電圧が制御され、その内部の液晶分子の配向が制御される。液晶層１３へ供給された光は上記の配向制御により変調され、この変調された光が図５の素子基板１１ａ側の偏光板４ａを選択的に通過することにより、図５の観察側に文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００５７】
以下、上記構成より成る液晶表示装置を製造するための、本発明に係る液晶表示装置の製造方法の一実施形態を説明する。なお、本発明方法がこの実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。
【００５８】
図１は、その液晶表示装置の製造方法の一実施形態を工程図によって示している。この工程図において、工程Ｐ１から工程Ｐ５に至る工程が図５の素子基板１１ａを形成するための工程である。また、工程Ｐ１１から工程Ｐ１９に至る工程が図５のカラーフィルタ基板１１ｂを形成する工程である。また、工程Ｐ２１から工程Ｐ２７に至る工程が素子基板１１ａとカラーフィルタ基板１１ｂとを貼り合わせて液晶表示装置を完成させる工程である。
【００５９】
なお、本実施形態では、１つの素子基板用マザー基材の上に１組の素子基板用要素を形成して素子基板用マザー基板を形成し、他方、１つのカラーフィルタ基板用マザー基材の上に１組のカラーフィルタ基板用要素を形成してカラーフィルタ基板用マザー基板を形成し、それらのマザー基板を貼り合わせて１つの液晶表示装置を形成するものとする。つまり、いわゆる１個取りの方法によって液晶表示装置を製造するものとする。
【００６０】
この方法とは別に、１つの素子基板用マザー基材の上に複数組の素子基板用要素を形成して素子基板用マザー基板を形成し、他方、１つのカラーフィルタ基板用マザー基材の上に複数組のカラーフィルタ基板用要素を形成してカラーフィルタ基板用マザー基板を形成し、それらのマザー基板を貼り合わせて複数の液晶表示装置を同時に形成する方法、いわゆる多数個取りの方法もある。
【００６１】
なお、以下の説明で、切断によって図５の素子基板用基材１２ａを得る前の面積の大きい基材を素子基板用マザー基材１２ａ’と呼ぶことにする。また切断によってカラーフィルタ基板用基材１２ｂを得る前の面積の大きい基材をカラーフィルタ基板用マザー基材１２ｂ’と呼ぶことにする。
【００６２】
図１の工程Ｐ１において、素子基板用マザー基材１２ａ’の上に図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すＴＦＴ素子１６を形成する。次に、工程Ｐ２において、図８及び図５のドット電極１７を形成する。ＴＦＴ素子１６やドット電極１７を形成する際に、図５の配線４７ａ，４７ｂ，４７ｃ及び外部接続用端子４８を同時に形成することが望ましい。
【００６３】
次に、工程Ｐ３において、図５の配向膜１８ａを形成し、さらに、工程Ｐ４において、その配向膜１８ａに対してラビング処理を行う。次に、工程Ｐ５において、図５の液晶層１３を形成するために必要となる量の液晶をディスペンサ等を用いてマザー基材１２ａ’上に滴下する。以上により、図５の素子基板１１ａのための各要素がマザー基材１２ａ’上に形成されて、素子基板用マザー基板１１ａ’が形成される。
【００６４】
以上の素子基板用マザー基板１１ａ’を製造する一方で、工程Ｐ１１において、カラーフィルタ基板用マザー基材１２ｂ’の上に図５の反射膜１９を形成し、同時に光透過用の開口２６を形成する。次に、工程Ｐ１２において、図５の遮光膜２１を形成し、さらに工程Ｐ１３において、図５の着色要素２２を形成する。これにより、カラーフィルタが形成される。
【００６５】
次に、工程Ｐ１４において、図５のオーバーコート層２３を形成して表面を滑らかにした後、工程Ｐ１５において、図５の共通電極２４をＩＴＯによって形成する。次に、工程Ｐ１６において、図５の配向膜１８ｂを形成し、さらに工程Ｐ１７において、その配向膜１８ｂに対してラビング処理を行う。
【００６６】
次に、工程Ｐ１８において、図２（ａ）に示すように、カラーフィルタ基板用マザー基材１２ｂ’上にパネル部シール９及び外周シール２９を形成する。パネル部シール９は閉ざされたシール部であり、液晶注入用の開口は設けられない。外周シール２９はパネル部シール９との間で後述する真空領域を形成するためのものである。そして、その真空領域は、素子基板用マザー基板１１ａ’とカラーフィルタ基板用マザー基板１２ｂ’とを後述のように貼り合わせた後に大気圧との相互作用でそれらの基板に加圧力を発生させるためのものである。従って、パネル部シール９と外周シール２９との間の間隔は、必要とされる加圧力が得られるように適切に決められる。
【００６７】
パネル部シール９は、図５のシール材９そのものである。このパネル部シール９は、熱硬化性樹脂によって形成されている。熱硬化性樹脂は、一般に、図４（ａ）に示すような時間−粘度特性を持っている。具体的には、加熱を開始した当初に粘度が、一旦、最下粘度値すなわちボトムポイントＰＢまで下がり、その後再び粘度が上昇して所定の粘度に硬化する。本実施形態では、このボトムポイントＰＢの粘度を、後述するシールパス及び後述する組ズレを発生させない粘度値以上の値に設定する。このような設定は、例えば、エポキシ系化合物を主材として、これに１種類又は複数種類の硬化開始材を混合した材料によってシール材を形成することによって実現できる。
【００６８】
図４（ｂ）に示したグラフを見れば理解できるように、主材に硬化開始材を混合すれば時間−粘度曲線のボトムポイントＰＢの粘度値を上げることができるので、硬化開始材を適切に選定すれば、ボトムポイントＰＢの粘度値をシールパスや組ズレを生じさせない粘度値に容易に設定できる。なお、外周シール２９は、光硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂のいずれを用いることもできる。光硬化性樹脂としは、例えば、アクリル系樹脂を用いることができる。
【００６９】
次に、図１の工程Ｐ１９において、図５のスペーサ１５をマザー基材１２ｂ’上にランダムにばら撒く。そしてさらに、それらのスペーサ１５をマザー基材１２ｂ’上、すなわち配向膜１８ｂ上に固着させる。この固着は、例えば、スペーサ１５を加熱することによって行われる。以上により、図５のカラーフィルタ基板１１ｂのための各要素がマザー基材１２ｂ’上に形成されて、カラーフィルタ基板用マザー基板１１ｂ’が形成される。
【００７０】
以上のようにして図５の素子基板用マザー基板１１ａ’及びカラーフィルタ基板用マザー基板１１ｂ’が形成された後、図１の工程Ｐ２１において、それらのマザー基板を真空環境下、例えば真空チャンバ内、において互いに貼り合わせる。なお、貼り合わせ作業を大気中で行うようにしていた従来の製造方法においては、素子基板用マザー基板１１ａ’及びカラーフィルタ基板用マザー基板１１ｂ’を個々に真空チャックによって吸着して保持した上でそれらの基板を貼り合わせていた。
【００７１】
しかしながら、マザー基板の貼り合わせを真空環境下で行うようにした本実施形態では、環境が真空であるが故に真空チャックを用いた保持を行うことができない。それ故、本実施形態では、静電チャックを用いてマザー基板を保持した上で貼り合わせの作業を行うことにする。ここで、静電チャックとは、チャック部材に電圧を印加したときに発生するクーロン力を利用してマザー基板を吸着して保持するチャック方法である。この静電チャックを用いることにより、真空環境下であってもマザー基板を支持して貼り合わせ作業を行うことができる。
【００７２】
工程Ｐ２１において素子基板用マザー基板１１ａ’とカラーフィルタ基板用マザー基板１１ｂ’との貼り合わせが終了すると、図２（ｂ）に示すように、素子基板用マザー基板１１ａ’とカラーフィルタ基板用マザー基板１１ｂ’とがパネル部シール９及び外周シール２９によって貼り合わされた構造のパネル構造体が形成される。素子基板用マザー基板１１ａ’上には図１の工程Ｐ５で液晶が滴下されていたので、両方のマザー基板を貼り合わせた時点で液晶層１３が形成される。また、外周シール２９とパネル部シール９との間に真空領域Ｖが形成される。
【００７３】
次に、工程Ｐ２２において、図２（ｂ）のパネル構造体を真空環境から解放し、さらに工程Ｐ２３において、図２（ａ）及び図２（ｂ）のパネル部シール９及び外周シール２９に対して硬化処理を実行する。本実施形態では、パネル部シール９を熱硬化性樹脂によって形成したので、パネル部シール９は加熱のみによって硬化させることができる。なお、外周シール２９は熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂のいずれにおって形成しても良いが、光照射による硬化を行わないという観点からすれば、外周シール２９も熱硬化性樹脂によって形成しておくことが望ましい。
【００７４】
ところで、工程Ｐ２２において図２（ｂ）のパネル構造体が大気圧に解放されると、真空領域Ｖの圧力と大気圧との間の差分の圧力Ｅが一対の基板の外側に加わる。この力Ｅは図３（ｂ）に示すように液晶層１３を加圧し、さらに図３（ａ）に示すようにパネル部シール９を加圧する。加圧された液晶層１３は、図３（ｂ）に示すように、これに接触するパネル部シール９をさらに加圧する。また、加圧されたパネル部シール９は、図３（ａ）に示すように、液晶層１３及び真空領域Ｖをそれぞれ押し付ける。
【００７５】
以上の加圧関係の結果、液晶層１３とパネル部シール９との界面では、液晶がパネル部シール９を侵食してシールパスが発生するおそれがある。こうなると、液晶表示装置による表示特性の低下や、信頼性の低下が生じるおそれがある。また、パネル部シール９と真空領域Ｖとの界面では、パネル部シール９が真空領域Ｖ内で広がり続けるおそれがある。こうなると、一対の基板１１ａ’及び１１ｂ’の間で位置ズレ、すなわち組ズレが発生するおそれがある。
【００７６】
上記のシールパス及び組ズレに関しては、パネル部シール９の粘度が高ければそれらの発生を防止できる。本実施形態では、図１のパネル部シール９の形成工程Ｐ１８において、図４（ａ）の時間−粘度曲線におけるボトムポイントＰＢの粘度を、シールパス及び組ズレを発生させない粘度値以上の値に設定した。従って、本実施形態の製造方法によれば、パネル部シール９を加熱によって硬化させているにも拘わらず、パネル部シール９のボトムポイントにおける粘度値が十分に高い粘度値を維持し、それ故、シールパス及び組ズレの発生を完全に防止できる。
【００７７】
仮に、パネル部シール９を光硬化性樹脂を用いて形成すれば、それを硬化させる際には光照射が行われる。この場合には、熱硬化に見られるようなシールパス及び組ズレが生じることはないが、反面、液晶表示装置の構成要素のうち光に弱い要素、例えば、配向膜、液晶等が光照射によって悪影響を受けるおそれがある。これに対し、パネル部シール９を熱硬化のみによって硬化させるようにした本実施形態によれば、光照射の場合に見受けられる上記のような悪影響の心配がない。
【００７８】
つまり、本実施形態によれば、配向膜等といった光に弱い構成要素に対して悪影響を与えることがなく、しかも熱硬化処理の際にシールパス及び組ズレの発生もない、非常に信頼性の高いシール材の硬化処理を実現できる。
【００７９】
以上によりシールの硬化が終了した後、図１の工程Ｐ２４においてブレイク処理を行って、図２（ｂ）のパネル構造体を、例えば矢印Ｇの所でブレイク、すなわち切断する。これにより、真空領域Ｖの真空状態が解放される。また、このブレイクにより、図５の液晶パネル２が完成する。その後、工程Ｐ２５において、図５の液晶駆動用ＩＣ３を素子基板１１ａの張出し部４６の表面に実装し、さらに工程Ｐ２６において、図５の偏光板４ａ及び４ｂを装着し、さらに工程Ｐ２７において照明装置６を装着することにより、液晶表示装置１が完成する。なお、偏光板４ａ，４ｂを装着する際、必要に応じて、他の光学要素、例えば位相差板等を装着しても良い。
【００８０】
（変形例）
以上の説明では、図２（ａ）に示したように、マザー基材１２ｂ’に液晶表示装置の構成要素を液晶表示装置の１つ分だけ形成するようにした。つまり、１個取りの製造方法を実施した。しかしながら、液晶表示装置の構成要素は素子基板側のマザー基材１２ａ’及びカラーフィルタ基板側のマザー基材１２ｂ’上に複数組分、形成することもできる。つまり、複数個取りの製造方法を実施することもできる。この場合には、それら複数組分の液晶表示装置の構成要素を取り囲むように外周シール２９を形成する。これにより、図１の工程Ｐ２１で素子基板用マザー基板１１ａ’とカラーフィルタ基板用マザー基板１１ｂ’とを貼り合わせたとき、複数の液晶表示装置部分の周囲に真空領域Ｖが形成される。
【００８１】
（液晶表示装置の製造方法の第２実施形態）
図１１は、本発明に係る液晶表示装置の製造方法の他の実施形態を示している。この実施形態は下記の点で図１に示した先の実施形態と異なっている。その他の点は図１の実施形態と同じである。
【００８２】
図１に示した実施形態では、一対の基板を貼り合わせた後の工程Ｐ２３においてパネル部シール９を硬化させた。これに対し、図１１に示す本実施形態では、融点の異なる２種類の硬化開始材をパネル部シール９を形成する材料の中に混合する。そして、一対の基板を貼り合わせる前に行われるカラーフィルタ基板の製造過程における工程Ｐ２０において、パネル部シール９を比較的低い温度で数％〜数十％程度硬化させる。そして、一対の基板を貼り合わせた後の工程Ｐ２３において、パネル部シール９を所定の温度で加熱してパネル部シール９の硬化を完了させる。第１回目のシール硬化工程Ｐ２０における加熱温度及び第２回目のシール硬化工程Ｐ２３における加熱温度は、パネル部シール９を構成するシール材に含まれる硬化開始材の特性、例えば融点に応じて決めれば良い。
【００８３】
以上のように、本実施形態では、パネル部シール９を１回の工程だけで硬化させるのではなく、２回、すなわち複数の段階で硬化させることにした。場合によっては、３回以上の段階で硬化を終わらせることもできる。このように、パネル部シール９を段階的に硬化させるようにすれば、図４（ａ）における粘度変化曲線におけるボトムポイントＰＢの粘度値を、必要に応じてさらに高くすることができ、これにより、シールパス及び組ズレの発生をより一層確実に抑えることができる。
【００８４】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【００８５】
例えば、上記実施形態では、スイッチング素子としてＴＦＴ素子を用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置を製造する場合に本発明を適用したが、本発明はスイッチング素子を用いない単純マトリクス、すなわちパッシブマトリクス方式の液晶表示装置を製造する場合にも適用できる。また、本発明は、スイッチング素子としてＴＦＤ（Thin Film Diode）素子等といった２端子型のスイッチング素子を用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置を製造する場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、液晶表示装置を液晶滴下貼り合せ方式で製造する場合に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明に係る液晶表示装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図２】図１の主要工程を示す図であって、（ａ）はシール形成工程時の平面図を示し、（ｂ）は貼り合わせ工程時の断面図を示している。
【図３】図１の主要工程である真空解放工程における加圧力のかかり方を示す図である。
【図４】（ａ）は、シール材を硬化温度以上に加熱したときの、時間の経過に従ったシール材の粘度の変化の様子を示すグラフである。（ｂ）は、（ａ）の曲線を要素ごとに解析したグラフである。
【図５】本発明に係る製造方法によって製造される液晶表示装置の一例を示す断面図である。
【図６】図５において矢印Ａで示す部分を拡大して示す図である。
【図７】図６における素子基板を矢印Ｂ方向から見た場合の図である。
【図８】図７において矢印Ｃで示すＴＦＴ素子を示す図であって、（ａ）は平面図を示し、（ｂ）は側面断面図を示している。
【図９】図５の液晶表示装置の電気的な等価回路を示す図である。
【図１０】図５の液晶表示装置で用いられるカラーフィルタにおける着色要素の配列例を示す図である。
【図１１】本発明に係る液晶表示装置の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。
【符号の説明】
【００８８】
１．液晶表示装置、  ２．液晶パネル、  ３．液晶駆動用ＩＣ、  ４ａ，ｂ．偏光板、
６．照明装置、  ９．シール材（パネル部シール）、  １１ａ．素子基板、
１１ａ’．素子基板用マザー基板、  １１ｂ．カラーフィルタ基板、
１１ｂ’.カラーフィルタ基板用マザー基板、  １２ａ，１２ｂ．基材、
１２ａ’．素子基板用マザー基材、  １２ｂ’．カラーフィルタ基板用マザー基材、
１３．液晶層、  １４．下地層、  １５．スペーサ、  １６．ＴＦＴ素子、
１７．ドット電極、  １８ａ，１８ｂ．配向膜、  １９．反射膜、  ２１．遮光膜、
２２．着色要素、  ２３．オーバーコート層、  ２４．電極、  ２６．開口、
２９．外周シール、  ３１．ゲート電極線、  ３２．通電パターン、
３３．ゲート電極、  ３４．陽極酸化膜（ゲート絶縁膜）、
３６．窒化膜（ゲート絶縁膜）、  ３７．ａ−Ｓｉ膜（チャネル部真性半導体膜）、
３８．Ｎ＋ａ−Ｓｉ膜（コンタクト部半導体膜）、
３９．チャネル部保護用窒化膜（チャネル部保護膜）、  ４１．ソース電極線、
４６．張出し部、  ４７ａ，４７ｂ，４７ｃ．配線、  ４８．外部接続用端子、
４９．導電粒子、  Ｄ．表示用ドット領域、  Ｌ０．反射光、  Ｌ１．透過光、
Ｖ．真空領域、  Ｒ．反射領域、  Ｔ．透過領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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