(57)【要約】【課題】高精度な発振周波数の安定性が要求される発振回路において、金属層領域直下の半導体層の電荷蓄積を少なくし、時間の経過と共に金属層領域に付加された寄生容量値が変化することを抑制する。【解決手段】Ｐ型シリコンからなり一端を接地したＰ型半導体基板５３と、Ｐ型半導体基板５３の上にエピタキシャル成長させたＮ型半導体層５１と、Ｎ型半導体層５１を電気的に分離するためＮ型半導体層５１の上下の両面から拡散されたＰ型拡散層からなる素子分離層５２と、配線とボンディングパッドを形成する金属層５５と、金属層５５と拡散層等が形成されたＮ型半導体層５１とを絶縁させるための絶縁膜５０と、Ｎ型半導体層５１よりも高不純物濃度のＮ型埋め込み拡散層５４と、絶縁膜５０の下面に接し、Ｎ型半導体層５１上及び素子分離層５２上に跨がるように拡散によって形成されたＰ型半導体層７０とを備えた構成とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成した第１導電型とは異なる第２導電型の第２の半導体層と、前記第１の半導体層上でかつ前記第２の半導体層の周囲に形成され前記第２の半導体層を電気的に隔離する第１導電型の半導体領域からなる素子分離層と、前記第２の半導体層上に形成され前記素子分離層と接した第１導電型の第３の半導体層と、前記第３の半導体層上に形成した第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成され、配線あるいはボンディングパッドとなる金属層とを備えた半導体装置。
【請求項２】
第１導電型の第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成した第１導電型とは異なる第２導電型の第２の半導体層と、前記第１の半導体層上でかつ前記第２の半導体層の周囲に形成され前記第２の半導体層を電気的に隔離する素子分離層と、前記第２の半導体層上に形成した第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成され、配線あるいはボンディングパッドとなる金属層とを備え、前記第２の半導体層に所定の電位を供給可能にした半導体装置。
【請求項３】
第１の絶縁膜と金属層との間に、前記金属層を包含する領域に形成された第２の絶縁膜を設けたことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶発振回路などに適用され、配線やボンディングパッドとなる金属層を備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、水晶発振回路などでは、半導体装置内の金属領域により配線やボンディングパッドが形成されている。図７は水晶発振回路の構成を示す図であり、１０は半導体集積回路、１１は水晶発振子、１２は可変容量ダイオード、２３，２４，２５はボンディングパッド、２０，３７，３８，３９は抵抗、２１，２２は容量、３０，３１，３２，３３，３４，３５，３６は寄生容量、４０はトランジスタである。
【０００３】
この水晶発振回路は、半導体集積回路１０と、水晶発振子１１及び水晶発振子１１に作用して発振周波数を可変とするための可変容量ダイオード１２とによって構成される。水晶発振子１１と可変容量ダイオード１２の互いに接続されていない両端は、ボンディングパッド２３，２４を介して半導体集積回路１０に接続される。また、分布的に寄生容量が付加されている。たとえば、ボンディングパッド２３に寄生容量３３、抵抗３７に寄生容量３４、抵抗３８に寄生容量３５、抵抗３９に寄生容量３６、抵抗２０に寄生容量３０、容量２１に寄生容量３１、容量２２に寄生容量３２が付加される。
【０００４】
図７におけるボンディングパッド２３，２４，２５は金属層で形成され、これら金属層の下部の構造は同一であり、金属層の下部の構造を図８に示す。また、ボンディングパッドを形成する金属層の下部に付加された寄生容量の接続を図９に示す。
【０００５】
図８は配線，ボンディングパッドの共通構造でもある金属領域近傍の断面構造を示す図である。図８において、５３はＰ型シリコンからなるＰ型半導体基板である。このＰ型半導体基板５３の一端は接地されている。５１はＰ型半導体基板５３の上にエピタキシャル成長させたＮ型半導体（シリコン）層、５２はＮ型半導体層５１を電気的に分離するためＮ型半導体層５１の上下の両面から拡散されたＰ型拡散層からなる素子分離層、５５は、アルミを主成分とし、配線とボンディングパッドを形成する金属層、５０は金属層５５と拡散層等が形成されたＮ型半導体層５１とを絶縁させるための絶縁膜である。一例として、絶縁膜５０は、１５ｎｍの厚さのシリコン窒化膜で形成される。５４はＮ型半導体層５１よりも高不純物濃度のＮ型埋め込み拡散層である。Ｐ型半導体基板５３上にＮ型埋め込み拡散層５４を形成した後、Ｎ型半導体層５１をエピタキシャル成長させている。Ｎ型埋め込み拡散層５４は、エピタキシャル成長されたＮ型半導体層５１の抵抗成分を低下するとともに、Ｎ型半導体層５１とＰ型の半導体層（素子分離層５２，Ｐ型半導体基板５３）の耐圧を上げるために形成している。
【０００６】
以上の構成において、容量とＰ型半導体基板との間、抵抗とＰ型半導体基板との間で形成される各寄生容量は、図９に示されるように、配線とボンディングパッドとなる金属層５５からＮ型半導体層５１まで見た容量値をＣ１，Ｎ型半導体層５１とＰ型半導体基板５３との接合での容量値Ｃ２で構成される。ここで、仮想の電極Ａを金属層５５に接続し、仮想の電極ＢをＮ型半導体層５１に接続した。
【０００７】
図９は図８の各層間に発生する寄生容量の接続を示す等価回路図である。６０は絶縁膜５０の両面に接した金属層５５とＮ型半導体層５１との間に形成される寄生容量を示し、６１はＮ型埋め込み拡散層５４及びＮ型半導体層５１とＰ型半導体基板５３及び素子分離層５２との間に形成される寄生容量を示すものである。
【０００８】
金属層５５に接続した電極Ａから接地されたＰ型半導体基板５３の間の等価回路は、図９に示されるように、電極Ａと接地間に寄生容量６０及び寄生容量６１が直列に接続される。寄生容量６０と寄生容量６１の接続部に電極Ｂが接続される。ここで、寄生容量６０は、絶縁膜５０の誘電率及び厚さ、境界の面積によって決定され固定された値を有する。一方、寄生容量６１は、拡散層が接する面の空乏層の厚さ及び面積によって決定され、空乏層の厚さがこの空乏層の両面に印加される電圧の値によって変動するので寄生容量の値もその電圧の値に応じて変動する。
【０００９】
図１０は、横軸に図９の電極Ａに電圧が印加された時からの時間の経過をとり、縦軸に図９の電極Ａ，Ｂの電圧の変動を示したものである。波形Ａは、図９の電極Ａの波形を示すものであるが、図７においては金属層からなるボンディングパッド２３の波形を示すものである。波形Ｂは、図９の電極Ｂの波形を示すものであるが、図７においては抵抗３８の下部構造内にあって電極Ｂに対応する層の波形を示すものである。以下、図７の構成を基に図１０の波形を説明する。
【００１０】
図７において、ボンディングパッド２４に電圧源からの電圧が印加されるとともに、このボンディングパッド２４に連なる回路が動作し、抵抗３８には一連の回路によって決定された電圧が印加される。波形Ａはボンディングパッド２３に印加された電圧波形を示したものであり、この電圧は０．０１秒以下の時間で定常電圧値に移行し、同時に水晶発振子１１によって発生した約１３ＭＨｚの発振波形が持続する様子を示したものである。波形Ｂは、０．０１秒以下の時間で所定の電圧に到達し、その後徐々に下がる様子を示したものである。波形Ｂの電圧が下がることによって、図９で示した寄生容量６１の値が変動する。寄生容量６１の値の変動に伴って電極Ａと接地間の容量値も変動する。
【００１１】
波形Ｂの電圧変動について図９を基に以下さらに具体的に説明する。図９の電極Ａに電圧が印加されると寄生容量６０と寄生容量６１に急速に電荷が充電され、寄生容量６０，６１の値に応じて電極Ｂには電極Ａと接地間の電圧が分圧された電圧が出力される。しかし、寄生容量６１の接合からは接合の濃度に応じた微量の拡散電流が電極Ｂから接地に向かって流れ出ており、この電荷の流れに伴って電極Ｂの電位が下がる。電極Ｂの電位が接地にまで下がるには通常少なくとも１０秒以上の時間がかかる。
【００１２】
このように、図９において電極Ｂの電位が下がると寄生容量６１の容量値が変化するので、電極Ａと接地間の容量値が変動し、図７の抵抗３８に寄生的に付加した容量値も変化する。抵抗３８に付加する容量値の変動に伴い水晶発振子１１の発振周波数が変化する。
【００１３】
次に、この寄生容量の値と発振周波数の変動について説明する。半導体集積回路の各構造の占める面積、材料の一例から寄生容量値を計算で求めると、図９の寄生容量６０の値が１．１８ｐＦであり、寄生容量６１の値は、電源投入直後の値が４ｐＦあるのに対し、電源投入から１０秒後の値が５ｐＦに変動する。この場合について電極Ａと接地間の容量値を求めると、電源投入直後に０．９１１２ｐＦであるものが１０秒後には０．９５４７ｐＦに変化する。この容量値の変化の比率は４．６％である。一方、図７のボンディングパッド２３の発振波形の周波数を測定すると、電源投入から１０秒後に周波数値が０．３ｐｐｍ変動した。これは、例えば携帯電話機において基準となる信号を出力する発振器において許容される周波数の変動範囲はプラスマイナス０．２ｐｐｍであり、規格境界の値である。
【特許文献１】特開平１０−３３５３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
従来、携帯電話機において、図７に示すように、半導体集積回路１０、水晶発振子１１及び可変容量ダイオード１２によって発振回路が構成されている。半導体集積回路１０と水晶発振子１１等を接続するためには半導体集積回路１０内のボンディングパッドを介して接続する必要があるが、図９で示すように各容量、抵抗には寄生容量が付加されており、しかも、電荷の放電とともに寄生容量の値が変動していた。このような寄生容量値の変動は、電源の投入から１０秒以上の時間をかけて変動しており、この間この寄生容量値の変動に従って発振周波数が徐々に変化していた。この変化の割合は０．１Ｈｚ〜１０Ｈｚであったが、電源投入から１０秒後に携帯電話機に要求される周波数変動の許容値である０．３ｐｐｍに、これらの数値が及ぶことがあった。
【００１５】
本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、高精度な発振周波数の安定性が要求される携帯電話機等の発振回路に使用した場合に、安定した発振周波数を得ることのできる配線やボンディングパッドの構造を有した半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、第１導電型の第１の半導体層と、第１の半導体層上に形成した第１導電型とは異なる第２導電型の第２の半導体層と、第１の半導体層上でかつ第２の半導体層の周囲に形成され第２の半導体層を電気的に隔離する第１導電型の半導体領域からなる素子分離層と、第２の半導体層上に形成され素子分離層と接した第１導電型の第３の半導体層と、第３の半導体層上に形成した第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に形成された金属層とを備えている。
【００１７】
請求項２記載の発明は、第１導電型の第１の半導体層と、第１の半導体層上に形成した第１導電型とは異なる第２導電型の第２の半導体層と、第１の半導体層上でかつ第２の半導体層の周囲に形成され第２の半導体層を電気的に隔離する素子分離層と、第２の半導体層上に形成した第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に形成された金属層とを備え、第２の半導体層に所定の電位を供給可能にしたものである。
【００１８】
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の半導体装置において、第１の絶縁膜とポリシリコン層との間に、金属層を包含する領域に形成された第２の絶縁膜を設けたことを特徴とする。
【００１９】
請求項１記載の発明によれば、第１の半導体層と素子分離層と第３の半導体層とが同じ第１の導電型の領域からなるため、第１の半導体層を接地電位とすることで、第１の半導体層から素子分離層を通して第３の半導体層が接地電位となり、第３の半導体層と接する第１の絶縁膜の下面の電位を接地電位とすることができ、金属層に電圧が印加されても第２導電型の第２の半導体層に前記電圧による電荷が誘起されないので、金属層に付加される寄生容量の時間変化を抑えることができる。とくに、携帯電話機器等の発振回路を構成する容量，抵抗に、請求項１の構成を適用した場合に、発振周波数の変動を抑え、例えば０．３ｐｐｍの許容誤差を満たす発振回路を実現することができる。
【００２０】
請求項２記載の発明によれば、第２導電型の第２の半導体層に所定の電位を供給可能にしたことにより、第２の半導体層と接する第１の絶縁膜の下面の電位を固定電位とすることができ、金属層に電圧が印加されても第２の半導体層に前記電圧による電荷が誘起されないので、金属層に付加される寄生容量の時間変化を抑えることができる。とくに、携帯電話機器等の発振回路を構成する容量，抵抗に、請求項２記載の発明を適用した場合に、発振周波数の変動を抑え、例えば０．２ｐｐｍの許容誤差を満たす発振回路を実現することができる。
【００２１】
さらに、請求項３記載の発明によれば、第１の絶縁膜と金属層との間に、金属層を包含する領域に形成された第２の絶縁膜を設けたことにより、金属層直下の絶縁膜（第１及び第２の絶縁膜）の厚さを３５０ｎｍ程度の厚さに増やすことができ、金属層直下にある第２の半導体層に発生する電荷量をさらに減少させることができる。この電荷量を減少させることによって金属層に付加される寄生容量の時間経過による変化をより抑え、発振回路に適用した場合に発振周波数の変動する量をより減少させることができる。なお、第２の絶縁膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜若しくは樹脂によって形成する。
【発明の効果】
【００２２】
以上のように、請求項１記載の発明によれば、第１の半導体層と素子分離層と第３の半導体層とが同じ第１の導電型の領域からなるため、第１の半導体層を接地電位とすることで、第１の半導体層から素子分離層を通して第３の半導体層が接地電位となり、第３の半導体層と接する第１の絶縁膜の下面の電位を接地電位とすることができ、金属層に電圧が印加されても第２導電型の第２の半導体層に前記電圧による電荷が誘起されないので、金属層に付加される寄生容量の時間変化を抑えることができる。とくに、高精度な発振周波数の安定性が要求される携帯電話機器等の発振回路の容量，抵抗の構成に適用した場合に、高い周波数安定度を有する発振波形を得ることができる。
【００２３】
また、請求項２記載の発明によれば、第２導電型の第２の半導体層に所定の電位を供給可能にしたことにより、第２の半導体層と接する第１の絶縁膜の下面の電位を固定電位とすることができ、金属層に電圧が印加されても第２の半導体層に前記電圧による電荷が誘起されないので、金属層に付加される寄生容量の時間変化を抑えることができる。とくに、高精度な発振周波数の安定性が要求される携帯電話機器等の発振回路の容量，抵抗の構成に適用した場合に、高い周波数安定度を有する発振波形を得ることができる。
【００２４】
さらに、請求項３記載の発明によれば、第２の絶縁膜を設けて金属層直下の絶縁膜（第１及び第２の絶縁膜）の厚さを増やすことができ、金属層直下にある第２の半導体層に発生する電荷量をさらに滅少させることができ、時間の経過とともに金属層に付加される寄生容量値が変化することをより抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について図面に基づいて説明する。
【００２６】
〔第１の実施の形態；請求項１に対応〕
図１は本発明の第１の実施の形態の半導体装置における金属層とその近傍の断面構造を示す図であり、５０は絶縁膜（第１の絶縁膜）、５１はＰ型半導体基板５３の上にエピタキシャル成長させたＮ型半導体層（第２の半導体層）、５２はＮ型半導体層５１を電気的に分離するためＮ型半導体層５１の上下の両面から拡散されたＰ型拡散層からなる素子分離層、５３はＰ型半導体基板（第１の半導体層）、５４はＮ型埋め込み拡散層、５５は配線やボンディングパッドとなる金属層、７０はＰ型半導体層（第３の半導体層）である。なお、絶縁膜５０は、本実施の形態においては誘電率が３．９で厚さが約１５ｎｍのシリコン窒化膜で形成しているが、シリコン酸化膜で形成してもよい。
【００２７】
第１の実施の形態の半導体装置において、金属層５５は、配線やボンディングパッドとして形成されている。金属層５５の下部には、絶縁膜５０、Ｐ型半導体層７０、エピタキシャル成長されたＮ型半導体層５１、Ｎ型埋め込み拡散層５４及びＰ型半導体基板５３が存在する。
【００２８】
第１の実施の形態と図８に示す従来技術との主な相違は、第１の実施の形態には図１に示すようにＰ型半導体層７０が設けられていることである。Ｎ型半導体層５１は素子分離層５２によって他のＮ型半導体層と電気的に分離される。Ｐ型半導体層７０は、絶縁膜５０の下面に接し、Ｎ型半導体層５１上及び素子分離層５２上に跨がるように拡散によって形成されている。ここで接地されたＰ型半導体基板５３と接した素子分離層５２がＰ型拡散層で形成されているので、Ｐ型半導体層７０も接地電位となる。したがって、Ｎ型半導体層５１及びＮ型埋め込み拡散層５４は、その周囲が接地されたＰ型の半導体層（Ｐ型半導体基板５３，素子分離層５２，Ｐ型半導体層７０）によって覆われる。
【００２９】
図２は、図１の金属層５５に付加された寄生容量の接続を示した等価回路図である。なお、図９に示す従来技術と同様に、説明上、金属層５５に電極Ａ、素子分離層５２によって分離され金属層５５の下にあるＮ型半導体層５１に電極Ｂを付加した。
【００３０】
図１の構成により、Ｐ型半導体層７０と電極Ａとの間には、絶縁膜５０による寄生容量８０が付加され、電極Ａと接地間に、絶縁膜５０による寄生容量８０と寄生容量６１が直列に付加される。寄生容量６１は図９で示された従来の寄生容量６１と同様である。Ｐ型半導体層７０が接地されているため、電極Ａ（金属層５５）に電圧が印加されてもその電圧によりＮ型半導体層５１に電荷が誘起されることがなく、電極Ａに付加された寄生容量（すなわち金属層５５に付加された寄生容量）の値が変化しない。図７の水晶発振回路の容量２１，２２に図１の構成を用いた場合、金属層５５に電源電圧が印加され容量２１，２２に発振波形が現れた後も容量２１，２２の寄生容量が安定し、この発振波形の周波数の変動を抑えることができ、具体的には、金属層５５に電源電圧が印加されて金属層５５に発振波形が出現してから１１秒後の周波数の変動を０．１ｐｐｍ以下に抑制することができる。
【００３１】
〔第２の実施の形態；請求項３に対応〕
図３は本発明の第２の実施の形態の半導体装置における金属層とその近傍の断面構造を示す図であり、７１は絶縁膜（第２の絶縁膜）である。この絶縁膜７１はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜若しくはシリコンと温度膨張係数値がほぼ等しい樹脂で形成される。なお、図１に示す第１の実施の形態における部材と同一の部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００３２】
この第２の実施の形態においては、金属層５５と絶縁膜５０との間に絶縁膜７１が形成されており、その他の構成は、第１の実施の形態と同様である。絶縁膜７１は、その主面をＮ型半導体層５１に投影した面が、金属層５５をＮ型半導体層５１に投影した面を包含しており、さらに絶縁膜７１の投影面は素子分離層５２によってＮ型半導体層５１を分離した領域の中に存在する。すなわち、絶縁膜７１は、素子分離層５２によって囲まれたＮ型半導体層５１の上部領域内で、金属層５５の形成領域を包含する領域に形成される。
【００３３】
このような構成を有することにより、金属層５５の直下には絶縁膜５０及び絶縁膜７１が存在し、このため金属層５５とＰ型半導体層７０との間にはこれらの絶縁膜５０，７１によってできる寄生容量が直列に接続される。
【００３４】
図４は図３の金属層５５に付加された寄生容量の接続を示した等価回路図であり、８１は絶縁膜７１による寄生容量である。なお、図２に示す第１の実施の形態と同様に、説明上、電極Ａと電極Ｂを付加するとともに、図２に示す第１の実施の形態における部材と同一の部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００３５】
図３の構成によれば、図１の構成に絶縁膜７１が付加されているため、図４に示す回路では、図２に示す回路に対し、絶縁膜５２による寄生容量８０に、絶縁膜７１による寄生容量８１が直列に付加されている。このように電極Ａと電極Ｂとの間には寄生容量８０，８１が直列に付加されるので、図２に示す寄生容量８０のみの場合に比べて電極Ａと電極Ｂとの間に付加される容量値をさらに小さい値とすることができる。また、電極Ａと電極Ｂの間の寄生容量値を下げることにより、電極Ａに電圧が印加されたときに電極Ｂに生起される電荷量を相対的に下げることができ、その電荷の放電による電極Ａに付加される寄生容量値の変動を抑えることができる。言い換えれば、図１の構成に絶縁膜７１を付加したことにより、金属層５５直下の絶縁膜（絶縁膜５０，絶縁膜７１）の厚さを３５０ｎｍ程度の厚さに増やすことができ、金属層５５直下にあるＮ型半導体層５１に発生する電荷量をさらに減少させることができる。この電荷量を減少させることによって金属層５５に付加される寄生容量の時間経過による変化をより抑え、発振回路に適用した場合に発振周波数の変動する量をより減少させることができる。
【００３６】
なお、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜で形成される絶縁膜５０は、図示しないコンタクト部分の段差を小さくするために、第１の実施の形態でも述べたように膜厚を例えば約１５ｎｍと薄くしてあり、絶縁膜５０の膜厚を厚くすると、図示しないコンタクト部分の段差が大きくなり、その断差によるコンタクト部分の配線の切断等が問題となる。
【００３７】
〔第３の実施の形態；請求項２に対応〕
図５は、本発明の第３の実施の形態の半導体装置における金属層とその近傍の断面構造を示す図である。図５において、７２はＮ型半導体層５１の一部表面に形成した高不純物濃度のＮ型半導体層、７３はＮ型半導体層７２に接続された配線である。なお、図１に示す第１の実施の形態における部材と同一の部材には、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００３８】
この第３の実施の形態においては、第１の実施の形態におけるＰ型半導体層７３を設けずに、Ｎ型半導体層５１の表面の一部にＮ型半導体層７２を形成し、このＮ型半導体層７２に配線７３を接続してＮ型半導体層５１を所定の電位に固定できるように構成している。なお、Ｐ型半導体層７０（図１参照）を設けていないため、絶縁膜５０の下面に接しているのは、図８に示す従来技術と同様、Ｎ型半導体層５１である。
【００３９】
図６は、図５の金属層５５に付加された寄生容量の接続を等価的に示す回路図であり、８２は配線７３を介してＮ型半導体層７２及びＮ型半導体層５１に一定の電位を与えることを示す電源である。なお、第１の実施の形態と同様に説明上、電極Ａと電極Ｂを付加するとともに、図２に示す第１の実施の形態における部材と同一の部材には、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４０】
図５の構成によれば、Ｎ型半導体層５１と電極Ａとの間には、絶縁膜５０による寄生容量８０が付加されている。Ｎ型半導体層５１の電位を固定しているため電極Ａの電位が変動した際にも電極Ｂに影響を与えないので、電極Ａに付加された寄生容量（すなわち金属層５５に付加された寄生容量）の値が変化しない。図７に示す水晶発振回路の容量２１，２２に図５に示す構成を用いた場合、金属層５５に電源電圧が印加され容量２１，２２に発振波形が現れた後も容量２１，２２の寄生容量が安定し、この発振波形の周波数の変動を抑えることができ、例えば０．２ｐｐｍの許容誤差を満たす発振回路を実現することができる。
【００４１】
また、図１に示す構成に絶縁膜７１が付加されて図３に示す構成（第２の実施の形態）としているのと同様に、図５の構成に同様の絶縁膜７１を付加して金属層５５直下の絶縁膜の厚さを厚くすることにより、第２の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００４２】
なお、Ｐ型半導体層７０を設けた第１及び第２の実施の形態では、素子分離層５２を、半導体基板５３と同じ導電型のＰ型拡散層で形成する必要があるが、第３の実施の形態では、素子分離層５２を、Ｐ型拡散層で形成してもよいし、Ｎ型半導体層５１を電気的に分離可能な酸化膜などの絶縁膜で形成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明の半導体装置は、金属層により配線やボンディングパッドが形成された半導体装置として有用であり、高精度な発振周波数の安定性が要求される携帯電話機の発振回路等の分野に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第１の実施の形態の半導体装置における金属層とその近傍の断面構造を示す図
【図２】図１の金属層５５に付加された寄生容量の接続を示した等価回路図
【図３】本発明の第２の実施の形態の半導体装置における金属層とその近傍の断面構造を示す図
【図４】図３の金属層５５に付加された寄生容量の接続を示した等価回路図
【図５】本発明の第３の実施の形態の半導体装置における金属層とその近傍の断面構造を示す図
【図６】図５の金属層５５に付加された寄生容量の接続を示した等価回路図
【図７】水晶発振回路の構成を示す図
【図８】従来の半導体装置における金属層とその近傍の断面構造を示す図
【図９】図８の金属層５５に付加された寄生容量の接続を示した等価回路図
【図１０】図９の電極Ａ，Ｂの電圧の変動を示した図
【符号の説明】
【００４５】
１０  半導体集積回路
１１  水晶発振子
１２  可変容量ダイオード
２０，３７，３８，３９  抵抗
２１，２２  容量
２３，２４，２５  ボンディングパッド
３０，３１，３２，３３，３４，３５，３６，６０，６１  寄生容量
４０  トランジスタ
５０  絶縁膜
５１  Ｎ型半導体（シリコン）層
５２  素子分離層
５３  Ｐ型半導体基板
５４  Ｎ型埋め込み拡散層
５５  金属層
７０  Ｐ型半導体層
７１  絶縁膜
７２  Ｎ型半導体層
７３  配線
８０，８１，８２  寄生容量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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