(57)【要約】【課題】横方向電界方式の液晶表示装置において、プロセス要因によるシールド共通電極とドレイン配線の層間ショートが発生しても、レーザーリペア等で層間ショート部を分離することが出来るＴＦＴアレイ基板を提供する。【解決手段】ドレイン配線と異層で重なっているシールド共通電極の中央にスリット部を設ける。ドレイン配線とシールド共通電極との層間ショートが発生した場合、画面表示上は重大な線欠陥となるが、ショート発生部のスリットの両脇をレーザーリペア等で切断し、ショート箇所を分離することで、線欠陥をリペア・消滅することができる。【選択図】      図１
2005164746.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、前記第１基板上に設けた互いに平行なゲート配線及び共通配線と、前記ゲート配線及び前記共通配線を覆って前記第１基板上に設けた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に設けられ、前記ゲート配線及び前記共通配線と交差するドレイン配線と、前記ドレイン配線を覆って前記第１絶縁膜上に設けた第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に設けられ共に透明材料からなり、対向する平行な電極部を有する共通電極及び画素電極と、前記第１基板と対向して配置される第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持される液晶層とを備え、前記共通電極及び前記画素電極の対向する平行な電極部の間に電界を発生させて前記液晶層の液晶分子を前記第１基板に平行な平面内で回転させて表示を行う液晶表示装置であって、前記共通電極は、前記ドレイン配線の幅よりも広い幅で前記ドレイン配線を幅方向に覆い、前記ドレイン配線と重なりあう一部にスリット部(電極なし部)が設けていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記共通電極の前記スリット部(電極なし部)が、極力、共通配線に近づけて設置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記共通電極のスリット部のドレイン配線方向の長さは、レーザーリペアでカットできる程度に小さいことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスタを画素電極とともに多数配列した液晶表示装置に関するものであり、特に横方向電界を用いる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図３は従来の液晶表示装置のＴＦＴ基板側の平面図である。図４は図３のＩ−Ｉ間の断面図である。先ず、図３，４を参照して、従来の液晶表示装置について説明する。透明基板１の上にＣｒ膜からなる走査線２及びそれと平行に延びる共通配線３が形成される。次に、走査線２、共通配線３を覆って絶縁膜を堆積させ、画素信号を供給するためのドレイン配線７が形成される。半導体層６にはドレイン配線７の一部としてのドレイン電極８及びソース電極９が接続される。ソース電極９は共通配線３の上ではストレージ電極１０を構成し、更に画素の中央方向に延びて画素電極１１を構成する。半導体層６、ドレイン電極８、ソース電極９、半導体層６下方の走査線２によりスイッチング素子２１としての薄膜トランジスタが構成されている。符号２０はストレージである。
【０００３】
次に、絶縁膜５の上に、層間絶縁膜１３を形成する。層間絶縁膜１３上には液晶に電界を印加するための上部画素電極１４とシールド共通電極１５を形成する。
【０００４】
このとき、シールド共通電極１５は、ドレイン配線７から画素の表示領域に漏れる電界をシールドする。上部画素電極１４、シールド共通電極１５は同層に設けられ、走査線２、ドレイン配線７よりも液晶側に位置し、配線層としては最上層に位置してＩＴＯ等の透明材料で形成される。上部画素電極１４は、絶縁膜を上下に貫通するコンタクトホール１７を通して下部画素電極１１に接続される。一方、シールド共通電極１５も同様に絶縁膜を上下に貫通するコンタクトホール１８を通して下層の共通配線３に接続される。
【０００５】
この後、層間絶縁膜１３上に上部画素電極１４、シールド共通電極１５を形成した後は、配向膜（図示せず）で表示領域の表面を覆いラビング処理を施してＴＦＴ基板１００を完成させる。更に、ＴＦＴ基板１００に対向してカラーフィルタ（ＣＦ）基板３００を配置して、それらの間に液晶層２００を挟み、保持する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述のように構成された従来の液晶表示装置においては、シールド共通電極とドレイン配線との間の層間ショートが発生した場合、レーザーカットでショート箇所を分離できない構造を有している。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、シールド共通電極とドレイン配線間で層間ショートが発生した場合でも、レーザーカットでショート箇所を分離できる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板上に設けた互いに平行なゲート配線及び共通配線と、前記ゲート配線及び前記共通配線を覆って前記第１基板上に設けた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に設けられ、前記ゲート配線及び前記共通配線と交差するドレイン配線と、前記ドレイン配線を覆って前記第１絶縁膜上に設けた第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に設けられ共に透明材料からなり、対向する平行な電極部を有する共通電極及び画素電極と、前記第１基板と対向して配置される第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持される液晶層とを備え、前記共通電極及び前記画素電極の対向する平行な電極部の間に電界を発生させて前記液晶層の液晶分子を前記第１基板に平行な平面内で回転させて表示を行う液晶表示装置であって、前記共通電極は、前記ドレイン配線の幅よりも広い幅で前記ドレイン配線を幅方向に覆い、前記ドレイン配線と重なりあう一部にスリット部(電極なし部)が設けていることを特徴とする。
【０００９】
この場合に、前記共通電極の前記スリット部(電極なし部)が、極力、共通配線に近づけて設置されていることが好ましい。また、前記共通電極のスリット部のドレイン配線方向の長さは、レーザーリペアでカットできる程度に極力小さい(数μｍオーダー)ことが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の液晶表示装置は、ドレイン配線の上層にオーバーラップするシールド共通電極にスリット部(電極なし部)を設けることによって、ドレイン配線とシールド共通電極間の層間ショートが発生した場合、画面表示上は重大欠陥である線欠陥となるが、スリットの両脇をレーザーリペアで切断することで、ショート箇所を分離し、線欠陥をリペアすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に、本発明の実施形態の液晶表示装置について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板側の１画素を示す平面図である。なお、図４は図１のＩ−Ｉ線による断面図であり、従来の液晶表示装置を示す図３のＩ−Ｉ線による断面図と共通である。なお、以下の実施形態においては、画素電極及びそれに平行して設けられる共通電極の形状はくの字状に屈曲した形状としている。勿論、これらを直線状に形成したものに本発明の構成は適用し得る。
【００１２】
透明基板１の上にＣｒ膜からなる走査線２及びそれと平行する共通配線３が形成される。次に、走査線２、共通配線３を覆って絶縁膜を堆積させ、画素信号を供給するためのドレイン配線７が形成される。半導体層６にはドレイン配線７の一部としてのドレイン電極８及びソース電極９が接続される。ソース電極９は共通配線３の上ではストレージ電極１０を構成し、更に画素の中央方向に延びて画素電極１１を構成する。半導体層６、ドレイン電極８、ソース電極９、半導体層６下方の走査線２によりスイッチング素子２１としての薄膜トランジスタが構成されている。符号２０はストレージである。
【００１３】
次に、絶縁膜５の上に、層間絶縁膜１３を形成する。層間絶縁膜１３上には液晶層に電界を印加するための上部画素電極１４とシールド共通電極１５を形成する。
【００１４】
このとき、シールド共通電極１５は、ドレイン配線７から画素の表示領域に漏れる電界をシールドする。上部画素電極１４、シールド共通電極１５は同層に設けられ、走査線２、ドレイン配線７よりも液晶層側に位置し、配線層としては最上層に位置して透明材料で形成される。上部画素電極１４は、絶縁膜を上下に貫通するコンタクトホール１７を通して下部画素電極１１に接続される。一方、シールド共通電極１５も同様に絶縁膜を上下に貫通するコンタクトホール１８を通して下層の共通配線３に接続される。
【００１５】
また、シールド共通電極１５は、下層に形成されたドレイン配線７とオーバーラップして設けられ、ドレイン配線７よりも幅広く形成される。また、ドレイン配線７とオーバーラップする箇所にスリット部１６(電極なし部)を設けている。
【００１６】
層間絶縁膜１３上に上部画素電極１４、シールド共通電極１６を形成した後は、配向膜（図示せず）で表示領域の表面を覆いラビング処理を施してＴＦＴ基板１００を完成させる。更に、ＴＦＴ基板１００に対向してカラーフィルタ基板３００を配置してそれらの間に液晶層２００を挟み、保持する。
【００１７】
この液晶表示装置は、シールド共通電極１５及び画素電極１１，１４の対向する平行な電極部の間に電界を発生させて、液晶層２００の液晶分子をＴＦＴ基板１００に平行な平面内で回転させて表示を行う液晶表示装置である。そして、シールド共通電極１５は、ドレイン配線７の幅よりも広い幅でドレイン配線７を幅方向に覆い、ドレイン配線７と重なりあう一部にスリット部１６(電極なし部)が設けている。
【００１８】
このように、本実施形態の液晶表示装置においては、ドレイン配線７の上層にオーバーラップするシールド共通電極１５に、スリット部１６(電極なし部)を設けている。この場合に、シールド共通電極１５とドレイン配線７との間に、プロセス起因によるショート箇所１２が発生したときは、画面表示上は重大な欠陥であるドレイン配線７の線欠陥として表示される。そこで、スリット部１６の両側をレーザーカット部１９で示すようにレーザーカットすることにより、シールド共通電極１５のショート箇所１２を分離することができ、線欠陥を消滅・リペアすることができる。
【００１９】
次に、本発明の第２の実施形態に係る液晶層表示装置について、図２の平面図を参照して説明する。シールド共通電極１５に設けているスリット部１６(電極なし部)が、なんらかの問題で共通配線３上に設けることができない場合、このスリット部１６を極力共通配線３に近くなるよう配置した例である。本実施形態も第１実施形態と同様の作用効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の平面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置の平面図である。
【図３】従来の液晶表示装置の平面図である。
【図４】図１、図３のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００２１】
１；透明基板
２；走査線
３；共通配線
５；絶縁膜
６；半導体層
７；ドレイン配線
８；ドレイン電極
９；ソース電極
１０；ストレージ電極
１１、１４；画素電極
１２；ショート箇所
１３；層間絶縁膜
１５；シールド共通電極
１６；スリット部
１７，１８；コンタクトホール
１９；レーザーカット部
１００；ＴＦＴ基板
２００；液晶層
３００；カラーフィルタ基板
【図１】
2005164746.tif 000003
【図２】
2005164746.tif 000004
【図３】
2005164746.tif 000005
【図４】
2005164746.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月26日(2005.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この後、層間絶縁膜１３上に上部画素電極１４、シールド共通電極１５を形成した後は、配向膜（図示せず）で表示領域の表面を覆いラビング処理を施してＴＦＴ基板１００を完成させる。更に、ＴＦＴ基板１００に対向してカラーフィルタ（ＣＦ）基板３００を配置して、それらの間に液晶層２００を挟み、保持する。
【特許文献１】特開２００３−２９２８２号公報
【特許文献２】特開平０２−３０２２号公報
【特許文献３】特開平０６−２８１９５９号公報