(57)【要約】【課題】  被処理体の帯電抑制用の電子源として、従来技術よりも低い引出し電圧で低エネルギーの電子を多量に発生させることができる電子源を備えるイオンビーム照射装置を提供する。【解決手段】  このイオンビーム照射装置は、ホルダ６よりも上流側におけるイオンビーム２の経路の側方に配置されていて電子２２をイオンビーム２の経路に向けて放出する電界放射型電子源１０と、それ用の引出し電源３０とを備えている。この電界放射型電子源１０は、導電性の基板１２上に先端が尖った形状をした多数の微小なエミッタ１４を形成し、かつ各エミッタ１４の先端付近を微小な間隙をあけて取り囲むゲート電極１８と、ゲート電極１８と基板１２との間を絶縁する絶縁層とを設けた構造をしている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホルダに保持された被処理体にイオンビームを照射して処理を施すイオンビーム照射装置において、
前記ホルダよりも上流側におけるイオンビームの経路の側方に配置されていて電子をイオンビームの経路に向けて放出する電子源であって、導電性の基板上に先端が尖った形状をした多数の微小なエミッタを形成し、かつこの各エミッタの先端付近を微小な間隙をあけて取り囲むゲート電極と、このゲート電極と基板との間を絶縁する絶縁層とを設けて成る電界放射型電子源と、
この電界放射型電子源の基板とゲート電極との間に後者を正極側にして直流の引出し電圧を印加する引出し電源とを備えており、
かつ前記電界放射型電子源の基板を前記ホルダと同電位にしていることを特徴とするイオンビーム照射装置。
【請求項２】
前記電界放射型電子源の基板を前記ホルダと同電位にする代わりに、前記ホルダに対する前記電界放射型電子源の基板の電位を制御する直流のエネルギー設定電源を設けている請求項１記載のイオンビーム照射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、被処理体（例えば半導体基板等）にイオンビーム（この明細書では正イオンビーム）を照射してイオン注入等の処理を施すイオンビーム照射装置に関し、より具体的には、イオンビーム照射の際の被処理体表面の帯電（チャージアップ）を抑制する手段の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオンビーム照射において、例えばイオン注入による半導体デバイスの製造等において、イオンビーム照射の際の被処理体表面の帯電を小さく抑制することが重要であり、その手段の一つとして、即ちイオンの正電荷を電子によって中和する手段の一つとして、特許文献１には、電界放出によって電子を発生する複数（例えば１０個程度）の突起電極と、この突起電極の前方に配置されていて発生した電子を引き出す引出し電極と、この引出し電極の前方に配置されていて引き出された電子を減速する減速電極と、これら用の電源とを備える電子シャワー装置を用いたイオン注入装置が記載されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平４−１４４０５０号公報（第３頁左上、右上欄、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記電子シャワー装置においては、突起電極から電界放出によって電子を発生させるためには、引出し電源から、突起電極と引出し電極との間に数ｋＶという高電圧を印加しなければならないので、その分、容量の大きな引出し電源が必要になる。高圧配線も必要になる。
【０００５】
また、引出し電極からはエネルギーの大きな電子が引き出され、それが被処理体に過剰に供給されるとその表面が負に大きく帯電する（最大で、被処理体に供給される電子のエネルギーに相当する電圧まで帯電する）ので、これを防止するために、上記電子シャワー装置は電子を減速する減速電極およびそれ用の減速電源を必ず用いる必要があり、その分、構造が複雑になる。
【０００６】
そこでこの発明は、被処理体の帯電抑制用の電子源として、従来技術よりも低い引出し電圧で低エネルギーの電子を多量に発生させることができる電子源を備えるイオンビーム照射装置を提供することを主たる目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係るイオンビーム照射装置は、ホルダに保持された被処理体にイオンビームを照射して処理を施すイオンビーム照射装置において、前記ホルダよりも上流側におけるイオンビームの経路の側方に配置されていて電子をイオンビームの経路に向けて放出する電子源であって、導電性の基板上に先端が尖った形状をした多数の微小なエミッタを形成し、かつこの各エミッタの先端付近を微小な間隙をあけて取り囲むゲート電極と、このゲート電極と基板との間を絶縁する絶縁層とを設けて成る電界放射型電子源と、この電界放射型電子源の基板とゲート電極との間に後者を正極側にして直流の引出し電圧を印加する引出し電源とを備えており、かつ前記電界放射型電子源の基板を前記ホルダと同電位にしていることを特徴としている（請求項１に相当）。
【０００８】
上記電界放射型電子源においては、上記引出し電圧を印加すると、各エミッタの先端部に電界が集中し、電界放射現象により、各エミッタの先端から法線方向に電子が放射される。
【０００９】
その場合、各エミッタは微小でしかも先端が尖った形状をしており、かつその先端付近を取り囲むゲート電極との間隙も微小であるので、各エミッタの先端部に電界が強く集中する。従って、前記従来技術よりも遙かに低い（例えば５０Ｖ〜１００Ｖ程度の）引出し電圧で電子を発生（放射）させることができる。しかも、多数のエミッタを有しているので、電子を多量に発生させることができる。
【００１０】
従って、前記従来技術に比べて、引出し電源の容量を小さくすることができる。高圧配線も不要になる。また、前記従来技術の場合に必要だった減速電極およびそれ用の電源が不要になる。
【００１１】
ところで、上記電界放射型電子源から発生させた電子の、ホルダ上の被処理体に対するエネルギーは、当該ホルダに対する電界放射型電子源の基板（換言すれば、当該基板上に形成された各エミッタ）の電位によって決まる。この発明では、当該基板をホルダと同電位にしているので、上記電子のエネルギーはほぼ０ｅＶであり、非常に低エネルギーである。
【００１２】
通常だと、つまりイオンビームを考慮しない場合は、上記電子は、電界放射型電子源の正電位のゲート電極に引き戻されて、ホルダ上の被処理体へは到達しにくい。しかし、イオンビーム照射装置の場合は、被処理体に照射されるイオンビームは必ず正のビームポテンシャル（ビーム電位）を有しているので、上記電子は、上記のように非常に低エネルギーであっても、この正のビームポテンシャルによってイオンビーム中に引き込まれて、イオンビームと共に被処理体に到達する。そしてそこで、イオンビーム中のイオンの正電荷を中和して、被処理体表面の帯電を抑制する作用効果をうまく奏する。これは重要な作用効果である。しかもこの場合、被処理体に到達する電子のエネルギーは上記のように非常に低エネルギーであるので、当該電子が仮に過剰に供給されたとしても、被処理体の負の帯電電圧を非常に小さく抑えることができる。これも重要な効果である。
【００１３】
なお、前記電界放射型電子源の基板を前記ホルダと同電位にする代わりに、前記ホルダに対する前記電界放射型電子源の基板の電位を制御する直流のエネルギー設定電源を設けても良い（請求項２に相当）。
【００１４】
このようなエネルギー設定電源を設けると、被処理体に到達する電子のエネルギーを制御することが可能になる。また、電界放射型電子源の基板の電位を制御することによって、ひいては前記ビームポテンシャルに対する電界放射型電子源のゲート電極の電位を制御することができるので、そこから引き出された電子がビームポテンシャルによってイオンビーム中に引き込まれる状況を制御することも可能になる。これらによって、被処理体の帯電をより効果的に抑制することが可能になる。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように請求項１に記載の発明によれば、前記従来技術よりも低い引出し電圧で電子を多量に発生させることができる。従って、前記従来技術に比べて、引出し電源の容量を小さくすることができる。また、前記従来技術の場合に必要だった減速電極およびそれ用の電源も不要になる。
【００１６】
しかも、電界放射型電子源から発生させた電子の、ホルダ上の被処理体に対するエネルギーは、ほぼ０ｅＶであり非常に低エネルギーであるにも拘わらず、当該電子は、イオンビームの正のビームポテンシャルによってイオンビーム中に引き込まれてイオンビームと共に被処理体に到達するので、被処理体の帯電を抑制する作用効果をうまく奏する。しかも当該電子が仮に過剰に供給されたとしても、被処理体の負の帯電電圧を非常に小さく抑えることができる。従って、被処理体の帯電抑制に優れた効果を発揮する。
【００１７】
請求項２に記載の発明によれば、エネルギー設定電源によって、被処理体に到達する電子のエネルギーを制御することが可能になる。また、電界放射型電子源から発生された電子がビームポテンシャルによってイオンビーム中に引き込まれる状況を制御することも可能になる。これらによって、被処理体の帯電をより効果的に抑制することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は、この発明に係るイオンビーム照射装置の一実施形態を示す側面図であり、電界放射型電子源は拡大すると共に大幅に簡略化して示している。図２は、図１の装置の平面図であり、電界放射型電子源は図１のそれより若干小さく図示している。
【００１９】
このイオンビーム照射装置は、ホルダ６に保持された被処理体（例えば半導体基板、ガラス基板等）４にイオンビーム２を照射して、当該被処理体４にイオン注入等の処理を施すものである。なお、この図１および図２の例では、電源３０、３２以外は、全て真空容器（図示省略）内に配置されている。
【００２０】
被処理体４の全面に均一にイオンビーム２を照射するために、イオンビーム２の照射時に、イオンビーム２および被処理体４を保持したホルダ６の少なくとも一方を走査する場合がある。この例では、イオンビーム２およびホルダ６を互いに直交するＸ、Ｙ方向にそれぞれ走査するようにしている。ホルダ６の電位は、この例では接地電位に固定している。
【００２１】
このホルダ６の上流側近傍であって、しかもイオンビーム２の経路の側方近傍に、電子２２をイオンビーム２の経路に向けて放出する電界放射型電子源１０が設けられている。この電界放射型電子源１０は、ホルダ６の近くに、かつイオンビーム２の経路にできるだけ近づけて配置するのが好ましい。その方が、電界放射型電子源１０から放出した電子２２をイオンビーム２中に、ひいては被処理体４に、より効率良く供給することができるからである。
【００２２】
電界放射型電子源１０は、図４にその一部分を拡大して示すように、導電性の基板１２と、この基板１２の表面に形成されていて先端が尖った形状をした多数の微小なエミッタ１４と、この各エミッタ１４の先端付近を微小な間隙２１をあけて取り囲む、各エミッタ１４に共通のゲート電極１８と、このゲート電極１８と基板１２との間に設けられていて両者間を絶縁する絶縁層１６とを備えている。
【００２３】
このような構造の電界放射型電子源１０は、例えば、半導体デバイスの製造プロセスと同様の製造プロセスを用いて、より具体的にはエッチングプロセスおよび薄膜形成プロセス等を用いて、簡単に製造することができる。
【００２４】
基板１２は、例えばシリコン基板（より具体的には単結晶シリコン基板）であるが、その他の導電性材料、例えば金属から成るものでも良い。また、絶縁性の基板の表面にシリコン（より具体的には単結晶シリコン）等の導電性膜（層）を形成して表層部のみが導電性を有する構造のものでも良い。
【００２５】
各エミッタ１４は、例えばシリコン（より具体的には単結晶シリコン）から成るが、その他の導電性材料、例えば金属から成るものでも良い。各エミッタ１４は、図４に示すように、上記基板１２の表面に、当該基板１２と一体的に形成しても良い。いずれにしても、基板１２と各エミッタ１４とは電気的に導通状態にある。
【００２６】
各エミッタ１４は、先端が鋭く尖った形状をしている。換言すれば、先端ほど尖った形状をしている。図４に示した例は円錐状をしているが、それ以外に角錐状等の形状をしていても良い。
【００２７】
各エミッタ１４は、微小なものである。微小というのは、簡単に言えば、μｍ単位の大きさということである。具体例を示せば、各エミッタ１４の基底部の直径Ｄ2 は、約０．５μｍ〜３μｍ程度である。各エミッタ１４の高さ（基板１２から先端までの高さ）Ｈは、約０．５μｍ〜３μｍ程度である。
【００２８】
このようなエミッタ１４を基板１２上に多数形成している。多数というのは、前記従来技術の突起電極のように１０個程度というような数ではなく、簡単に言えば、少なくとも１万個程度以上ということである。具体例を示せば、この実施形態の電界放射型電子源１０は、図３に示すように、１個の電界放射型電子源１０内に、６個の電子源アレイ２６を有しており、各電子源アレイ２６はそれぞれ１６，０００個のエミッタ１４を有している。従って、合計で９６，０００個のエミッタ１４を有している。なお、図３中の２４はケースであり、その直径は例えば６ｍｍ〜２０ｍｍ程度であり、この電界放射型電子源１０は非常に小型にユニット化されている。２８はピン端子である。
【００２９】
再び図４を参照して、ゲート電極１８は、例えば、リン（Ｐ）をドープした多結晶シリコンから成るが、その他の導電性材料、例えば金属から成るものでも良い。このゲート電極１８は、各エミッタ１４に対応する位置に微小な穴（開口）２０を有している。各穴２０は、例えば円形をしており、この各穴２０の中心部に各エミッタ１４の先端付近が、穴２０の内壁との間に微小な間隙２１をあけて位置している。ここでも微小というのは、簡単に言えば、前記と同様、μｍ単位の寸法ということである。具体例を示せば、各穴２０の直径Ｄ1 は、約０．５μｍ〜３μｍ程度である。従って各間隙２１の寸法は、それよりも小さく、約０．２５μｍ〜１．５μｍ程度である。
【００３０】
絶縁層１６は、例えば二酸化シリコン（ＳiＯ2 ）から成るが、その他の絶縁材から成るものでも良い。
【００３１】
上記各エミッタ１４は、被処理体４と同じまたは同系の材質から成るのが好ましい。例えば、被処理体４がシリコン基板の場合は、各エミッタ１４もシリコンまたはシリコン系の材質から成るのが好ましい。そのようにすると、各エミッタ１４からその構成粒子（シリコン）が飛び出して被処理体４に到達したとしても、被処理体４にそれと同系の粒子が付着するだけであるので、コンタミネーション（汚染）の問題を少なくすることができる。基板１２、絶縁層１６、ゲート電極１８についても同様である。そのために、上においては、これらの材質の例として、シリコンまたはシリコン系を第１に挙げている。
【００３２】
上記のように、この電界放射型電子源１０は、エミッタ１４のサイズ、数、各エミッタ１４とゲート電極１８との位置関係等において、前記従来技術の電子シャワー装置とは構造が大きく異なる。それに伴う作用効果も大きく異なる。これについては後述する。
【００３３】
再び図１を参照して、上記電界放射型電子源１０の基板１２（換言すれば、当該基板１２と導通状態にある各エミッタ１４）とゲート電極１８との間には、ゲート電極１８を正極側にして（換言すれば基板１２ないし各エミッタ１４を負極側にして）、直流の引出し電圧ＶE を印加する引出し電源３０が接続されている。図３に示した例では、１枚の共通の基板１２に対して、各電子源アレイ２６を構成する６個のゲート電極１８を有しており、この６個のゲート電極１８はピン端子２８を経由して引出し電源３０に互いに並列に接続されている。引出し電圧ＶE は、例えば、５０Ｖ〜１００Ｖ程度である。
【００３４】
電界放射型電子源１０の基板１２（換言すれば、当該基板１２と導通状態にある各エミッタ１４）は、ホルダ６と同電位（例えば接地電位）にしておく。あるいは、そうする代わりに、図１に示す例のように、基板１２とホルダ６との間に、ホルダ６に対する基板１２の電位を制御する直流のエネルギー設定電源３２を設けておいても良い。このエネルギー設定電源３２は、基板１２を負極側にして単極性の出力電圧ＶC を出力する単極性の直流電源でも良いし、正負両極性の出力電圧ＶC を出力する両極性の直流電源でも良い。
【００３５】
上記電界放射型電子源１０は、１個でも良いし、複数個設けても良い。特に、イオンビーム２が前記のようにＸ方向に走査される場合は、例えば図２に示す例のように、Ｘ方向に複数個設けるのが好ましい。イオンビーム２の走査領域の全域にほぼ対応するように複数個設けるのがより好ましい。このように複数個設けると、イオンビーム２がどの走査位置にあっても、電界放射型電子源１０から電子２２をイオンビーム２の近傍に効率良く供給することができる。電界放射型電子源１０を複数個設ける場合、上記引出し電源３０およびエネルギー設定電源３２は、それぞれ１台で共用するのが簡単で良いが、個別に設けても良い。
【００３６】
ホルダ６と電界放射型電子源１０との間には、図１および図２に示す例のように、イオンビーム２が被処理体４に照射される部分３４から電界放射型電子源１０が直視できないように遮る遮蔽板３８を設けておくのが好ましい。この遮蔽板３８は、イオンビーム２の進行およびホルダ６の機械的走査を妨げないものにする。
【００３７】
イオンビーム２が被処理体４に照射されることによって上記部分３４からスパッタ粒子３６が発生しても、特に被処理体４の表面にホトレジストのようなイオンビーム２によってスパッタされやすい膜が形成されているとスパッタ粒子３６が発生しやすいけれども、このスパッタ粒子３６が電界放射型電子源１０に入射するのを上記遮蔽板３８によって防止（阻止）して、電界放射型電子源１０（より具体的にはそのエミッタ１４周りの部分）が汚染されることによって寿命が短くなるのを防止することができる。
【００３８】
このような遮蔽板３８を設ける代わりに、あるいはそれと併せて、電界放射型電子源１０から発生させた電子２２を磁場によって曲げて輸送する磁気輸送器を設けて、電界放射型電子源１０をそれが上記スパッタ粒子３６によって汚されにくい場所に設置しても良い。
【００３９】
このイオンビーム照射装置の作用について説明すると、上記電界放射型電子源１０においては、上記引出し電圧ＶE を印加すると、各エミッタ１４の先端部に電界が集中し、電界放射現象により、各エミッタ１４の先端から法線方向に電子２２が放射される。
【００４０】
その場合、各エミッタ１４は上記のように微小でしかも先端が鋭く尖った形状をしており、かつその先端付近を取り囲むゲート電極１８との間隙２１も微小であるので、各エミッタ１４の先端部に電界が強く集中する。従って、前記従来技術よりも遙かに低い引出し電圧ＶE で電子２２を発生（放射）させることができる。前記従来技術では数ｋＶもの高い引出し電圧が必要であったけれども、この電界放射型電子源１０では、例えば、５０Ｖ〜１００Ｖ程度の引出し電圧ＶE で電子２２を引き出すことができる。
【００４１】
しかも、上記のように多数のエミッタ１４を有しているので、電子２２を多量に発生させることができる。例えば、図３を参照して具体例を示した電界放射型電子源１０では、上記のような低い引出し電圧ＶE で、１個の電子源アレイ２６から１００μＡ〜１ｍＡ程度、従ってそれを６個有する電界放射型電子源１０からは６００μＡ〜６ｍＡ程度の電子２２を発生させることができる。また、必要に応じてこのような電界放射型電子源１０を複数個設ければ、その分、電子２２の発生量を増やすことができる。電界放射型電子源１０は、前述したようにユニット化されているので、それを複数個設けることも簡単である。
【００４２】
従って、前記従来技術に比べて、引出し電源３０の容量を小さくすることができる。高圧配線も不要になる。また、前記従来技術の場合に必要だった減速電極およびそれ用の電源も不要になる。
【００４３】
ところで、上記電界放射型電子源１０から発生させた電子２２の、ホルダ６上の被処理体４に対するエネルギーは、当該ホルダ６に対する電界放射型電子源１０の基板１２（換言すれば、当該基板１２上に形成された各エミッタ１４）の電位によって決まる。先に例示したようにこの基板１２をホルダ６と同電位にしていると、上記電子２２のエネルギーはほぼ０ｅＶであり、非常に低エネルギーである。
【００４４】
通常だと、つまりイオンビーム２が存在しない状況下では、上記電子２２は、電界放射型電子源１０の正電位のゲート電極１８にその正電位によって引き戻されて、ホルダ６上の被処理体４へは到達しにくい。しかし、このイオンビーム照射装置の場合は、被処理体４に照射されるイオンビーム２は必ず正のビームポテンシャル（ビーム電位）ＶP を有しているので、上記電子２２は、上記のように非常に低エネルギーであっても、この正のビームポテンシャルＶP によってイオンビーム２中に引き込まれて、イオンビーム２と共に被処理体４に到達する。そしてそこで、イオンビーム２中のイオンの正電荷を中和して、被処理体４表面の帯電を抑制する作用効果をうまく奏する。これは重要な作用効果である。
【００４５】
上記イオンビーム２のビームポテンシャルＶP の例を示すと、例えば、当該イオンビーム２のイオン種がホウ素、エネルギーが１ｋｅＶ、ビーム電流が１ｍＡ、直径が約４０ｍｍの場合で、数百Ｖある。このビームポテンシャルＶP は、イオンビーム２のエネルギーが低くなれば上がり、同エネルギーが高くなれば下がるけれども、５ｋｅＶのエネルギーの場合でも１００Ｖ程度はある。従って、このようなイオンビーム２であれば、エネルギー設定電源３２を設けずに電界放射型電子源１０の基板１２を接地してホルダ６と同電位にしていても、ゲート電極１８の電位は上記引出し電圧ＶE の電位であり、これと上記ビームポテンシャルＶP とを比べれば、数１の条件が成立するので、ビームポテンシャルＶP の方が打ち勝って当該ビームポテンシャルＶP によって、電子２２をイオンビーム２中に引き込むことができる。
【００４６】
［数１］
ＶE ＜ＶP 
【００４７】
ビームポテンシャルＶP が低くて上記条件が成立しない場合は、それが成立するように引出し電圧ＶE を下げても良いし、上記エネルギー設定電源３２を設けて電界放射型電子源１０の基板１２の電位、ひいてはゲート電極１８の電位を下げても良い。この場合、エネルギー設定電源３２から基板１２に負の出力電圧ＶC を印加する場合は、ゲート電極１８の電位はＶE −ＶC となるので、数２の関係を満たせば良い。
【００４８】
［数２］
（ＶE −ＶC ）＜ＶP 
【００４９】
ちなみに、前記従来技術においては、仮に、減速電極を設けるのを止めて引出し電極を最前面に位置させると共に、突起電極が接地電位になる接続の仕方を採用したとすると、その引出し電極の電位は正でしかも前述したように数ｋＶと非常に高いので、それの方がイオンビームのビームポテンシャルよりも遙かに高く、上記数１の関係を満たすことはできない。従って、本発明のように電子をビームポテンシャルによってイオンビーム中に引き込む作用を奏することはできない。
【００５０】
しかもこのイオンビーム照射装置の場合は、被処理体４に到達する電子２２のエネルギーは上記のように非常に低エネルギーであるので、当該電子２２が仮に被処理体４に過剰に供給されたとしても、被処理体４の負の帯電電圧を非常に小さく抑えることができる。これも重要な効果である。
【００５１】
また、上記のようなエネルギー設定電源３２を設けると、被処理体４に到達する電子２２のエネルギーを制御することが可能になる。例えば、エネルギー設定電源３２から電界放射型電子源１０の基板１２に負の出力電圧ＶC を印加すると、被処理体４に到達する電子２２のエネルギーは、約ＶC ｅＶになる。また、電界放射型電子源１０の基板１２の電位を制御することによって、ひいては前記ビームポテンシャルＶP に対する電界放射型電子源のゲート電極１８の電位を制御することができるので、そこから引き出された電子２２がビームポテンシャルＶP によってイオンビーム２中に引き込まれる状況を制御することも可能になる。これらによって、被処理体４の帯電をより効果的に抑制することが可能になる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
この発明は、例えば、イオン注入装置、イオンビーム照射を利用した薄膜形成装置等の半導体製造装置に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】この発明に係るイオンビーム照射装置の一実施形態を示す側面図であり、電界放射型電子源は拡大すると共に大幅に簡略化して示している。
【図２】図１の装置の平面図であり、電界放射型電子源は図１のそれより若干小さく図示している。
【図３】図１および図２に示す電界放射型電子源のより具体例を、電子放出面側から見て示す正面図である。
【図４】図１〜図３に示す電界放射型電子源の一つのエミッタ周りを拡大して示す断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
２  イオンビーム
４  被処理体
６  ホルダ
１０  電界放射型電子源
１２  基板
１４  エミッタ
１６  絶縁層
１８  ゲート電極
２１  間隙
２２  電子
３０  引出し電源
３２  エネルギー設定電源
【図１】
2005026189.tif 000003
【図２】
2005026189.tif 000004
【図３】
2005026189.tif 000005
【図４】
2005026189.tif 000006