(57)【要約】【課題】  エッチング時の応力変化を低減することができるウエハのエッチング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  ウエハ上に形成された所定膜の必要部分のみが残るように不要部分をエッチングによって除去するために、ウエハを少なくとも第１の領域及び第２の領域を含む複数の領域に分割し、第１の領域における所定膜の必要部分と第１の領域以外の領域とを覆う第１のフォトレジスト層を形成し、エッチングにより第１の領域における所定膜の不必要部分を除去した後、第１のフォトレジスト層を除去し、複数の領域における所定膜の必要部分を少なくとも覆う第２のフォトレジスト層を形成し、エッチングにより第２の領域における所定膜の不必要部分を除去した後、第２のフォトレジスト層を除去するウエハのエッチング方法、及びこのエッチング方法によって、ウエハ上に形成された所定膜の必要部分のみが残るように不要部分をエッチングによって除去する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ上に形成された所定膜の必要部分のみが残るように不要部分をエッチングによって除去するエッチング方法であって、前記ウエハを少なくとも第１の領域及び第２の領域を含む複数の領域に分割し、該第１の領域における前記所定膜の必要部分と該第１の領域以外の領域とを覆う第１のフォトレジスト層を形成し、エッチングにより前記第１の領域における前記所定膜の不必要部分を除去した後、前記第１のフォトレジスト層を除去し、前記複数の領域における前記所定膜の必要部分を少なくとも覆う第２のフォトレジスト層を形成し、エッチングにより前記第２の領域における前記所定膜の不必要部分を除去した後、前記第２のフォトレジスト層を除去することを特徴とするウエハのエッチング方法。
【請求項２】
ウエハ上に形成された所定膜の必要部分のみが残るように不要部分をエッチングによって除去するエッチング方法であって、前記ウエハを少なくとも第１の領域及び第２の領域を含む複数の領域に分割し、該第１の領域における前記所定膜の必要部分と該第１の領域以外の領域とを覆う第１のフォトレジスト層を形成し、エッチングにより前記第１の領域における前記所定膜の不必要部分を除去した後、前記第１のフォトレジスト層を除去し、前記第２の領域における前記所定膜の必要部分と該第２の領域以外の領域とを覆う第２のフォトレジスト層を形成し、エッチングにより前記第２の領域における前記所定膜の不必要部分を除去した後、前記第２のフォトレジスト層を除去することを特徴とするウエハのエッチング方法。
【請求項３】
前記複数の領域が、前記第１の領域及び前記第２の領域のみからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記複数の領域が、前記第１の領域及び前記第２の領域と、少なくとも１つの他の領域とからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記複数の領域の各々が、前記ウエハの中心点に関してほぼ点対称に分布していることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のフォトレジスト層を除去した後、前記複数の領域における前記所定膜の必要部分を覆う第３のフォトレジスト層を形成し、エッチングを行った後、前記第３のフォトレジスト層を除去することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記所定膜が、フレームめっき法によって形成されためっき膜であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記ウエハが薄膜磁気ヘッドを形成するためのウエハであり、前記所定膜が該薄膜磁気ヘッドの上部磁極層であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記ウエハが薄膜磁気ヘッドを形成するためのウエハであり、前記所定膜が該薄膜磁気ヘッドの下部磁極層であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記エッチングが、ウェットエッチングであることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ウェットエッチングが、エッチング液の前記ウエハへの印加及び純水による該ウエハの洗浄を複数回繰り返して行うものであることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記所定膜が、応力の強い材料による膜からなることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記応力の強い材料による膜が、ＣｏＦｅ膜であることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記応力の強い材料による膜が、ＮｉＦｅＣｏ膜であることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか１項に記載のエッチング方法によって、ウエハ上に形成された所定膜の必要部分のみが残るように不要部分をエッチングによって除去することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハのエッチング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、薄膜磁気ヘッドのウエハ工程においては、フレームめっき法によって他の薄膜に比して厚い膜を形成することが行われる。例えば、特許文献１には、上部磁気コアをフレームめっき法によって形成することが記載されている。
【０００３】
フレームめっき法では、本来形成すべきめっき膜の周りに不必要なめっき膜が必然的に形成されるため、この不要めっき膜を除去しなければならない。
【０００４】
従来より、このような不要めっき膜は、ウエハ上で除去すべきではないめっき膜部分を全てフォトレジスト層で覆った後、エッチングを行うことで除去している。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−０９１９１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来技術では、ウエハ上の不要めっき膜を一括してエッチング除去しているため、めっき膜の応力が強い場合、ウエハ上の応力変化が非常に大きくなってしまい、フォトレジスト層の変形が生じて、必要なめっき膜まで部分的にエッチングされてしまう不都合が発生する。
【０００７】
従って本発明の目的は、エッチング時の応力変化を低減することができるウエハのエッチング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、ウエハ上に形成された所定膜の必要部分のみが残るように不要部分をエッチングによって除去するために、ウエハを少なくとも第１の領域及び第２の領域を含む複数の領域に分割し、第１の領域における所定膜の必要部分と第１の領域以外の領域とを覆う第１のフォトレジスト層を形成し、エッチングにより第１の領域における所定膜の不必要部分を除去した後、第１のフォトレジスト層を除去し、複数の領域における所定膜の必要部分を少なくとも覆う第２のフォトレジスト層を形成し、エッチングにより第２の領域における所定膜の不必要部分を除去した後、第２のフォトレジスト層を除去するウエハのエッチング方法、及びこのエッチング方法によって、ウエハ上に形成された所定膜の必要部分のみが残るように不要部分をエッチングによって除去する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【０００９】
本発明によれば、さらに、ウエハ上に形成された所定膜の必要部分のみが残るように不要部分をエッチングによって除去するために、ウエハを少なくとも第１の領域及び第２の領域を含む複数の領域に分割し、第１の領域における所定膜の必要部分と第１の領域以外の領域とを覆う第１のフォトレジスト層を形成し、エッチングにより第１の領域における所定膜の不必要部分を除去した後、第１のフォトレジスト層を除去し、第２の領域における所定膜の必要部分と第２の領域以外の領域とを覆う第２のフォトレジスト層を形成し、エッチングにより第２の領域における所定膜の不必要部分を除去した後、第２のフォトレジスト層を除去するウエハのエッチング方法、及びこのエッチング方法によって、ウエハ上に形成された所定膜の必要部分のみが残るように不要部分をエッチングによって除去する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１０】
第１のフォトレジスト層で第１の領域における所定膜の必要部分と第１の領域以外の領域とを覆い、第１の領域における所定膜の不必要部分をエッチング除去した後、この第１のフォトレジスト層を除去する。次いで、第２のフォトレジスト層で複数の領域における所定膜の必要部分を少なくとも覆うか、又は第２の領域における所定膜の必要部分と第２の領域以外の領域とを覆い、第２の領域における所定膜の不必要部分をエッチング除去した後、この第２のフォトレジスト層を除去する。このように、所定膜の不必要部分をウエハ全体に渡って一度にエッチング除去するのではなく、ウエハを複数の領域に分割して各領域について別個に所定膜の不必要部分をエッチング除去しているので、各回のエッチング面積がその分小さくなり、発生する応力の変化が小さくなると共にその応力によるフォトレジスト層の変形が小さくなる。しかも、フォトレジスト層をその都度作り直して不必要部分をエッチング除去しているので、例えば１回目のエッチングによってフォトレジスト層に多少の変形が生じてもこれが剥離され２回目以降のエッチングではそれぞれ新たなフォトレジスト層が形成されるから、フォトレジスト層の変形によって必要部分までエッチングされてしまうような不都合発生を確実に防止することができる。
【００１１】
複数の領域が、第１の領域及び第２の領域のみからなるか、又は第１の領域及び第２の領域と、少なくとも１つの他の領域とからなることが好ましい。ウエハをより多くの領域に分割してエッチング処理すれば、その分、発生する応力が小さくなる。
【００１２】
複数の領域の各々が、ウエハの中心点に関してほぼ点対称に分布していることが好ましい。多くの場合、エッチング液が、回転するウエハの中心に滴下されて周囲に拡がって行くため、中心点に関して点対称であれば、各領域のエッチングも均等に行われ、また、発生する応力がウエハ全体で均衡されて最小となる。
【００１３】
第２のフォトレジスト層を除去した後、複数の領域における所定膜の必要部分を覆う第３のフォトレジスト層を形成し、エッチングを行った後、第３のフォトレジスト層を除去することも好ましい。これにより、表面に残存している変質膜を完全に除去することが可能となる。
【００１４】
所定膜が、フレームめっき法によって形成されためっき膜であることが好ましい。
【００１５】
ウエハが薄膜磁気ヘッドを形成するためのウエハであり、所定膜が該薄膜磁気ヘッドの上部磁極層であるか、下部磁極層であることも好ましい。
【００１６】
エッチングが、ウェットエッチングであることも好ましい。
【００１７】
ウェットエッチングが、エッチング液のウエハへの印加及び純水によるウエハの洗浄を複数回繰り返して行うものであることが好ましい。各エッチング工程自体についてもこのように分割して行うことにより、エッチングの進行がゆるやかとなり、発生する応力もより小さくなる。
【００１８】
所定膜が、応力の強い材料による膜、例えばＣｏＦｅ膜又はＮｉＦｅＣｏ膜である場合、本発明の効果がより顕著となる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ウエハを複数の領域に分割して各領域について別個に所定膜の不必要部分をエッチング除去しているので、各回のエッチング面積がその分小さくなり、発生する応力の変化が小さくなると共にその応力によるフォトレジスト層の変形が小さくなる。しかも、フォトレジスト層をその都度作り直して不必要部分をエッチング除去しているので、フォトレジスト層の変形によって必要部分までエッチングされてしまうような不都合発生を確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１及び図２はフレームめっき法の各工程及びめっき膜の不要部分のエッチング除去工程を概略的に説明するための断面図及び平面図である。
【００２１】
まず、図１（Ａ）に示すように、めっき膜を形成するべき絶縁層１０上にめっき用下地膜である電極膜１１をスパッタリング法等によって積層する。
【００２２】
次いで、図１（Ｂ）に示すように、フレームめっき用のフォトレジスト層１２を形成する。このフォトレジスト層１２の形成方法としては、電極膜１１上にフォトレジスト材料を塗布してフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜をフォトマスクを介して露光し、現像することによってフレーム状のパターンを得る一般的な方法が適用可能である。
【００２３】
次いで、図１（Ｃ）に示すように、電解めっきにより、所定膜、即ちここではめっき膜１３を析出させる。ここで、めっき膜１３のうち１３ａが必要とする部分、１３ｂがエッチング除去すべき不必要な部分である。
【００２４】
次いで、図１（Ｄ）に示すように、フォトレジスト層１２を剥離して除去し、図２（Ａ）に示すように、ミリングによりフォトレジスト層１２の存在していた部分の電極膜１１を除去する。
【００２５】
その後、図２（Ｂ）に示すように、めっき膜１３の必要部分１３ａのみを覆うようにフォトレジスト層１４を形成する。このフォトレジスト層１４の形成方法についても、めっき膜１３上にフォトレジスト材料を塗布してフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜をフォトマスクを介して露光し、現像することによって所望のパターンを得る一般的な方法が適用可能である。
【００２６】
次いで、図２（Ｃ）に示すように、ウェットエッチングによりフォトレジスト層１４で覆われていないめっき膜１３の不必要部分１３ｂを溶解除去する。
【００２７】
その後、図２（Ｄ）に示すように、フォトレジスト層１４を剥離して除去することにより、必要部分１３ａのみが残っためっき膜１３が得られる。
【００２８】
本発明においては、めっき膜１３の不必要部分１３ｂを、ウエハ全体に渡って一度にエッチング除去するのではなく、ウエハを複数の領域に分割して各領域について不必要部分１３ｂをエッチング除去する。しかも、そのエッチングの都度フォトレジスト層を作成し直す。以下、本発明のこのエッチング方法について詳細に説明する。
【００２９】
図３は従来のエッチング方法及び本発明のウエハのエッチング方法の一実施形態における工程を説明するためのウエハの平面図であり、図４はその各工程の流れを表すフローチャートである。
【００３０】
図３（Ａ）に示すように、従来のエッチング方法では、ウエハ３０全体に渡って所定膜３１の必要部分３１ａのみをフォトレジスト層３２で覆い、所定膜３１の不必要部分３１ｂを一度にエッチング除去していた。
【００３１】
これに対して、本発明のこの実施形態では、図３（Ｂ）に示すように、ウエハ３０を複数の領域、この場合、第１の領域３０ａ及び第２の領域３０ｂに分割しておき、第１の領域３０ａにおいては所定膜の必要部分３１ａのみを覆い、第２の領域３０ｂにおいては不必要部分も含めてその全てを覆うように第１のフォトレジスト層３２を形成する（図４のステップＳ１）。
【００３２】
次いで、ウエハ３０を回転させながらエッチング液（エッチャント）をその中心部分に滴下するか、又はウエハ３０をエッチング液に浸漬することにより、ウェットエッチング処理を行う（図４のステップＳ２）。これにより、図３（Ｃ）に示すように、第１の領域３０ａにおいては、所定膜の不必要部分３１ｂが除去され、必要部分３１ａのみが残る。もちろん、第２の領域３０ｂでは、所定膜はその全てが残っている。
【００３３】
ウェットエッチング処理は、ウエハ３０へ上述の方法でエッチング液を印加してエッチングを行わせた後、純水によってこのウエハを洗浄することによって行われる。エッチング液の印加及び純粋による洗浄を１サイクルのみ実施することによりエッチング処理を行っても良いが、複数サイクル繰り返してエッチング処理を行えば、ゆるやかにエッチングが進むことからウエハに生じる応力が少なくなるため、より望ましい。
【００３４】
なお、第１の領域３０ａ及び第２の領域３０ｂの各々は、ウエハ３０の中心に対してほぼ点対称に分布するように設定することが望ましい。エッチング液を回転するウエハの中心に滴下してエッチングを行う場合、エッチング液が中心から周囲に拡がって行くので、中心点に関して点対称であれば、各領域のエッチングが均等に行われるためである。さらに、中心点に関して点対称の各領域毎にエッチングが行われるので、発生する応力がウエハ全体で均衡されて最小となる。
【００３５】
次いで、第１のフォトレジスト層３２を剥離除去する（図４のステップＳ３）。
【００３６】
次いで、図３（Ｄ）に示すように、第１の領域３０ａ及び第２の領域３０ｂの両方の領域における所定膜の必要部分３１ａのみを覆うように第２のフォトレジスト層３３を形成する（図４のステップＳ４）。
【００３７】
次いで、ウエハ３０を回転させながらエッチング液をその中心部分に滴下するか、又はウエハ３０をエッチング液に浸漬することにより、ウェットエッチング処理を行う（図４のステップＳ５）。これにより、図３（Ｅ）に示すように、第２の領域３０ｂにおいても所定膜の不必要部分３１ｂが除去され、必要部分３１ａのみが残る。もちろん、第１の領域３０ａにおいては、所定膜の必要部分３１ａのみがそのまま残っている。
【００３８】
次いで、第２のフォトレジスト層３３を剥離除去する（図４のステップＳ６）。これにより、ウエハ３０全体に渡って必要部分３１ａのみが残った所定膜が得られる。
【００３９】
この状態でエッチング処理を終了しても良いが、ウエハ表面に付着している変質層やコンタミを完全に除去するために、もう一度エッチングを行うことが好ましい。このエッチングは、ウエハ全体に渡って所定膜の必要部分３１ａのみを覆うように第３のフォトレジスト層を形成し（図４のステップＳ７）、次いで、ウェットエッチングを行い（図４のステップＳ８）、その後、第３のフォトレジスト層を剥離除去する（図４のステップＳ９）ことによって行われる。
【００４０】
以上述べた実施形態によれば、ウエハ３０を第１の領域３０ａ及び第２の領域３０ｂに分割し、これら領域についてそれぞれ別個にエッチングを行っているので、各エッチングの面積がその分小さくなり、発生する応力の変化が小さくなると共にその応力によるフォトレジスト層の変形が小さくなる。しかも、フォトレジスト層をその都度作り直して不必要部分をエッチング除去しているので、例えば１回目のエッチングによって第１のフォトレジスト層３２に多少の変形が生じてもこれが剥離され２回目のエッチングでは新たな第２のフォトレジスト層３３が形成されるので、第１のフォトレジスト層３２の変形によって必要部分までエッチングされてしまうような不都合は生じない。
【００４１】
図５は本発明のウエハのエッチング方法の他の実施形態における工程を説明するためのウエハの平面図であり、図６はその各工程の流れを表すフローチャートである。
【００４２】
図５（Ａ）に示すように、ウエハ５０を複数の領域、この場合、第１の領域５０ａ及び第２の領域５０ｂに分割しておき、第１の領域５０ａにおいては所定膜の必要部分５１ａのみを覆い、第２の領域５０ｂにおいては不必要部分も含めてその全てを覆うように第１のフォトレジスト層５２を形成する（図６のステップＳ１１）。
【００４３】
次いで、ウエハ５０を回転させながらエッチング液をその中心部分に滴下するか、又はウエハ５０をエッチング液に浸漬することにより、ウェットエッチング処理を行う（図６のステップＳ１２）。これにより、図５（Ｂ）に示すように、第１の領域５０ａにおいては、所定膜の不必要部分５１ｂが除去され、必要部分５１ａのみが残る。もちろん、第２の領域５０ｂでは、所定膜はその全てが残っている。
【００４４】
ウェットエッチング処理は、ウエハ５０へ上述の方法でエッチング液を印加してエッチングを行わせた後、純水によってこのウエハを洗浄することによって行われる。エッチング液の印加及び純粋による洗浄を１サイクルのみ実施することによりエッチング処理を行っても良いが、複数サイクル繰り返してエッチング処理を行えば、ゆるやかにエッチングが進むことからウエハに生じる応力が少なくなるため、より望ましい。
【００４５】
なお、第１の領域５０ａ及び第２の領域５０ｂの各々は、ウエハ５０の中心に対してほぼ点対称に分布するように設定することが望ましい。エッチング液を回転するウエハの中心に滴下してエッチングを行う場合、エッチング液が中心から周囲に拡がって行くので、中心点に関して点対称であれば、各領域のエッチングが均等に行われるためである。さらに、中心点に関して点対称の各領域毎にエッチングが行われるので、発生する応力がウエハ全体で均衡されて最小となる。
【００４６】
次いで、第１のフォトレジスト層５２を剥離除去する（図６のステップＳ１３）。
【００４７】
次いで、図５（Ｃ）に示すように、第２の領域５０ｂにおいては所定膜の必要部分５１ａのみを覆い、第１の領域５０ａにおいては不必要部分も含めてその全てを覆うように第２のフォトレジスト層５３を形成する（図６のステップＳ１４）。
【００４８】
次いで、ウエハ５０を回転させながらエッチング液をその中心部分に滴下するか、又はウエハ５０をエッチング液に浸漬することにより、ウェットエッチング処理を行う（図６のステップＳ１５）。これにより、図５（Ｄ）に示すように、第２の領域５０ｂにおいても所定膜の不必要部分５１ｂが除去され、必要部分５１ａのみが残る。もちろん、第１の領域５０ａにおいては、所定膜の必要部分５１ａのみがそのまま残っている。
【００４９】
次いで、第２のフォトレジスト層５３を剥離除去する（図６のステップＳ１６）。これにより、ウエハ５０全体に渡って必要部分５１ａのみが残った所定膜が得られる。
【００５０】
この状態でエッチング処理を終了しても良いが、ウエハ表面に付着している変質層やコンタミを完全に除去するために、もう一度エッチングを行うことが好ましい。このエッチングは、ウエハ全体に渡って所定膜の必要部分５１ａのみを覆うように第３のフォトレジスト層を形成し（図６のステップＳ１７）、次いで、ウェットエッチングを行い（図６のステップＳ１８）、その後、第３のフォトレジスト層を剥離除去する（図６のステップＳ１９）ことによって行われる。
【００５１】
以上述べた実施形態によれば、ウエハ５０を第１の領域５０ａ及び第２の領域５０ｂに分割し、これら領域についてそれぞれ別個にエッチングを行っているので、各エッチングの面積がその分小さくなり、発生する応力の変化が小さくなると共にその応力によるフォトレジスト層の変形が小さくなる。しかも、フォトレジスト層をその都度作り直して不必要部分をエッチング除去しているので、例えば１回目のエッチングによって第１のフォトレジスト層５２に多少の変形が生じてもこれが剥離され２回目のエッチングでは新たな第２のフォトレジスト層５３が形成されるので、第１のフォトレジスト層５２の変形によって必要部分までエッチングされてしまうような不都合は生じない。
【００５２】
次に、以上説明したエッチング方法を薄膜磁気ヘッドの上部磁極層を形成する際に用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。
【００５３】
図７及び図８は図３又は図５のエッチング方法を薄膜磁気ヘッドの上部磁極層を形成する際に用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法における各工程を浮上面（ＡＢＳ）方向から見た断面図であり、図９は上部磁極層を形成した段階における薄膜磁気ヘッドをＡＢＳに垂直な平面による断面図である。
【００５４】
まず、絶縁層７０で覆われたウエハ上に下部シールド層７１、上部及び下部シールドギャップ層７２、磁気抵抗効果（ＭＲ）層７３、上部シールド層７４を順次積層してＭＲ読出しヘッド素子部を形成し、その上に絶縁層７５を介してインダクティブ書込みヘッド素子部を形成する。この製造工程としては、公知の工程を適用可能である。
【００５５】
インダクティブ書込みヘッド素子部は以下のようにして製造される。まず、絶縁層７５を介して下部磁極層７６を形成し、その上及び素子の周りの絶縁層７７上に絶縁層７８を積層する。次いで、図７及び図８には示されてないが、この絶縁層７８上にコイル導体８３（図９）及びこれを取り囲む絶縁層８４（図９）が形成される。この状態が図７（Ａ）に示されている。
【００５６】
次いで、図７（Ｂ）に示すように、絶縁層７８上にめっき用下地膜である電極膜７９をスパッタリング法等によって積層する。この例では、２層の電極膜が用いられている。
【００５７】
次いで、図７（Ｃ）に示すように、電極膜７９上にフレームめっき用のフォトレジスト層８０を形成する。このフォトレジスト層８０の形成方法としては、電極膜７９上に例えばノボラック系ポジ型レジスト材料等のフォトレジスト材料を塗布してフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜をフォトマスクを介して露光し、現像することによってフレーム状のパターンを得る公知の方法が適用可能である。
【００５８】
次いで、図７（Ｄ）に示すように、上部磁極層用の例えばＮｉＦｅ膜、ＣｏＦｅ膜又はＮｉＦｅＣｏ膜等の磁性体膜を電解めっきにより析出形成する。フレームめっき法を用いているため、磁性体膜として、上部磁極層として必要な部分８１ａと、エッチングで除去すべき不必要な部分８１ｂとが形成される。
【００５９】
次いで、図７（Ｅ）に示すように、フォトレジスト層８０を剥離して除去し、図８（Ａ）に示すように、ミリングによりフォトレジスト層８０の存在していたフレーム部分の電極膜７９を除去する。
【００６０】
次いで、図８（Ｂ）に示すように、磁性体膜の必要部分８１ａのみを覆うようにフォトレジスト層８２を形成する。このフォトレジスト層８２の形成方法についても、例えばノボラック系ポジ型レジスト材料等のフォトレジスト材料を塗布してフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜をフォトマスクを介して露光し、現像することによって所望のパターンを得る公知の方法が適用可能である。
【００６１】
次いで、図８（Ｃ）に示すように、ウェットエッチングによりフォトレジスト層８２で覆われていない磁性体膜の不必要部分８１ｂを溶解除去する。
【００６２】
次いで、図８（Ｄ）に示すように、フォトレジスト層８２を剥離して除去する。
【００６３】
このフォトレジスト層８２の形成（図８（Ｂ））、ウェットエッチング（図８（Ｃ））及びフォトレジスト層８２の除去（図８（Ｄ））を行う場合に、本発明では、前述の図３又は図５の実施形態のごとく、ウエハを複数の領域に分割し、これら領域についてそれぞれフォトレジスト層を形成してエッチングを別個に行っているのである。各領域についてそれぞれエッチングを行っているので、各エッチングの面積がその分小さくなり、発生する応力の変化が小さくなると共にその応力によるフォトレジスト層の変形が小さくなる。しかも、フォトレジスト層をその都度作り直して不必要部分をエッチング除去しているので、フォトレジスト層の変形によって必要部分までエッチングされてしまうような不都合は生じないのである。磁性体膜のうち、特にＣｏＦｅ膜及びＮｉＦｅＣｏ膜は応力が強いため、分割してエッチングを行うことは非常に効果的である。
【００６４】
その後、図８（Ｅ）に示すように、電極膜７９の残った部分をミリングによって除去する。
【００６５】
図９はこの状態の薄膜磁気ヘッドを表している。なお、同図において、８５はＭＲ層７３に電気的に接続されているリード導体層である。
【００６６】
なお、以上の説明は、薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の形成に関するものであるが、下部磁極層や他の磁性体層の形成時、又は磁性体以外の金属層の形成時に同様のエッチング方法を適用しても良いことは明らかである。
【００６７】
上述した実施形態では、ウエハを第１及び第２の領域という２つの領域に分割して別個にエッチング処理しているが、３つ以上の領域に分割して別個にエッチング処理するように構成しても良いことは明らかである。分割領域数が多くなればその分発生する応力が小さくなる。
【００６８】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】フレームめっき法の各工程及びめっき膜の不要部分のエッチング除去工程を概略的に説明するための断面図及び平面図である。
【図２】フレームめっき法の各工程及びめっき膜の不要部分のエッチング除去工程を概略的に説明するための断面図及び平面図である。
【図３】従来のエッチング方法及び本発明のウエハのエッチング方法の一実施形態における工程を説明するためのウエハの平面図である。
【図４】図３の実施形態における各工程の流れを示すフローチャートである。
【図５】本発明のウエハのエッチング方法の他の実施形態における工程を説明するためのウエハの平面図である。
【図６】図５の実施形態における各工程の流れを示すフローチャートである。
【図７】図３又は図５のエッチング方法を薄膜磁気ヘッドの上部磁極層を形成する際に用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法における各工程をＡＢＳ方向から見た断面図である。
【図８】図３又は図５のエッチング方法を薄膜磁気ヘッドの上部磁極層を形成する際に用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法における各工程をＡＢＳ方向から見た断面図である。
【図９】上部磁極層を形成した段階における薄膜磁気ヘッドをＡＢＳに垂直な平面による断面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１０、７０、７５、７７、７８、８４  絶縁層
１１、７９  電極膜
１２、１４、８０、８２  フォトレジスト層
１３  めっき膜
１３ａ、３１ａ、８１ａ  必要部分
１３ｂ、３１ｂ、８１ｂ  不必要部分
３０、５０  ウエハ
３０ａ、５０ａ  第１の領域
３０ｂ、４０ｂ  第２の領域
３１、５１  所定膜
３２、５２  第１のフォトレジスト層
３３、５３  第２のフォトレジスト層
７１  下部シールド層
７２  上部及び下部シールドギャップ層
７３  ＭＲ層
７４  上部シールド層
７６  下部磁極層
８３  コイル導体
８５  リード導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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