(57)【要約】【課題】コア抜き加工の生産性を向上する方法を提供する。【解決手段】  直径１５０ｍｍ以上で３００ｍｍ以下の単結晶シリコンウェハをコア抜き加工して外径５５ｍｍ以下の複数のドーナツ状基板を得るコア抜き工程を含んでなる磁気記録媒体用基板の製造方法であって、該コア抜き工程が、抜き出された複数のコア以外の残ウェハが一体となるようにコア抜きされる磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。コア抜き工程は、好ましくは、レーザ加工又はウォータージェット加工を用い、複数コア抜き後の残ウェハ表面の一番短い幅が、上記ウェハ厚みの１．５倍以上２．５倍以下の間隔となるようにコア抜きされる。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
直径１５０ｍｍ以上で３００ｍｍ以下の単結晶シリコンウェハをコア抜き加工して外径５５ｍｍ以下の複数のドーナツ状基板を得るコア抜き工程を含んでなる磁気記録媒体用基板の製造方法であって、該コア抜き工程において、抜き出される複数の基板以外の残ウェハが一体となるようにコア抜きされる磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項２】
上記コア抜き工程が、上記複数コア抜き後の残ウェハ表面の一番短い幅が、上記ウェハ厚みの１倍以上５倍以下の間隔となるようにコア抜きされる請求項１に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項３】
上記コア抜き工程が、レーザ加工又はウォータージェット加工を用い、上記複数コア抜き後の残ウェハ表面の一番短い幅が、上記ウェハ厚みの１．５倍以上２．５倍以下の間隔となるようにコア抜きされる請求項１又は請求項２に記載の記録媒体用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録の記録媒体基板、好ましくは５５ｍｍ径以下、より好ましくは５０ｍｍ径以下の小口径基板として最適な磁気記録の記録媒体基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録の記録密度（面密度）の向上は非常に急激で、ここ１０年間の間、年率５０％〜２００％の急激な向上が継続的に進んできた。量産レベルで７０ Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2の製品が出荷され、実験室レベルではその倍以上の１６０ Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2の面記録密度が報告されている。量産レベルの面記録密度は、３.５"（「"」はインチを表す。）ＨＤＤで１プラッター当たり８０ Ｇｂｙｔｅに相当し、２.５"ＨＤＤでいうと１プラッター当たり４０ Ｇｂｙｔｅに相当する。この記録容量は、通常のデスクトップパソコン（３.５"ＨＤＤ搭載）やノートブックパソコン（２.５"ＨＤＤ搭載）の使用用途では、１プラッターの記録メディア搭載で十分な容量である。
【０００３】
記録密度は今後も向上が期待されている。ただ、従来の水平磁気記録方式は熱揺らぎの記録限界が迫っており、１００ Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2〜２００ Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2の記録密度に到達するところで、垂直磁気記録に順次移行していくものと考えられている。垂直磁気記録の記録限界がどの当たりにあるかは現時点では定かではないが、１０００ Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2（１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ2）は達成可能と考えられている。このような高記録密度が達成できると、２.５" ＨＤＤ１プラッター当たり６００〜７００ Ｇｂｙｔｅの記録容量が得られることになる。
【０００４】
パソコンの通常の用途でここまでの大容量は使い切れない可能性が高いため、２.５"よりも小口径の記録メディアが徐々に使われ始めている。代表的には１.８"基板、１"基板であり、過去には１.３"ＨＤＤが発売されたこともある。２"以下のＨＤＤは現時点では量的に非常に僅かであるが、今後磁気記録密度が向上すれば、１.８"ＨＤＤでパソコン（特にノートパソコン）では十分な記録容量が確保できる。また、１"ＨＤＤの記録容量は現在では１〜４Ｇｂｙｔｅ程度であるが、容量が数倍大きくなればデジタルカメラなどのみならず、パソコンやデジタルビデオカメラ・情報端末や携帯音楽機器・携帯電話など幅広いモバイル用途に使える可能性が出てくる。２"以下の小口径ＨＤＤと小口径記録メディア・基板は今後の有望な用途である。
【０００５】
ＨＤＤの記録メディアの基板としては、３.５"基板には主にＡｌ合金基板、２.５"には主にガラス基板が使用されている。ノートブックパソコンのようなモバイル用途ではＨＤＤが衝撃を受ける可能性が高く、これらに搭載される２.５"ＨＤＤは、ヘッドの面打ちで記録メディアやヘッドが傷つき、データ破壊の可能性が高いため、硬度の高いガラス基板が使用されるようになった。したがって、２"以下の小口径基板においてもガラス基板が使用される可能性が高い。
【０００６】
しかし、２"以下の小口径基板はモバイル用途として主に用いられるため、ノートブックパソコンに搭載されている２.５"基板以上に、耐衝撃性が重要である。また、より小型にする必要から基板を含めた部品全体の小型化・薄型化が求められる。２.５"基板の標準厚みである０.６３５ｍｍより更に薄い板厚が、２"以下の基板では求められる。このような小口径基板に要求される仕様から、ヤング率が高く薄板でも十分な強度が得られ、製作しやすい基板が求められている。この点でガラス基板には幾つか問題がある。
【０００７】
まず、現行用いられている結晶化ガラス基板では、０.６３５ｍｍ以下の板厚ではヤング率が十分でなく、回転時の共振周波数が実用回転域に存在してしまう。したがって、これ以上の薄板化がしにくい。また、ガラス原板は概ね０.８ｍｍ台の板厚のものを使用するが、ＨＤＤ用原板に要求されるガラス組成では製作上これ以上の薄板化はしにくい。そのため、０.８ｍｍ台の板厚から０.５ｍｍ台や更にそれ以下の板厚まで、ラップ研磨で調厚する必要がある。調厚するため、研磨時間がかなり長くなり、加工時間や加工コストの上昇を招き望ましくない。
【０００８】
また、ガラス基板は当然非導電体であるため、スパッタ成膜において基板上のチャージアップの問題があるため、磁性膜との良好なコンタクトを確保するため、基板と磁性膜との間にバッファ金属膜を入れる必要がある。この技術課題は基本的に克服されているが、スパッタ成膜過程でガラス基板の使用を難しいものにしている要因の１つである。そのため、基板に導電性が付与できるのであればそれに越したことはないが、ガラス基板では難しい。
【０００９】
２.５"ＨＤＤでも主にガラス基板が使用されているように、Ａｌ合金基板はモバイル用途には全く不向きである。基板の硬度が足りないことは既に述べたが、また基板剛性の不足のため共振周波数を実用回転域より上にするには板厚を厚くするしかなく、モバイル用途には全く候補基板となり得ない。
【００１０】
その他のサファイアガラス、ＳｉＣ基板、エンジニアリングプラスティック基板、カーボン基板などの代替基板が幾つも提案されたが、強度・加工性・コスト・表面平滑性・成膜親和性などの評価基準から、小口径基板の代替基板としては何れも不十分である。
【００１１】
Ｓｉ単結晶基板をＨＤＤ記録膜基板として使用することが提唱されている（特許文献１）。Ｓｉ単結晶基板は、基板平滑性や環境安定性、信頼性に優れ、剛性もガラス基板と比較して高いため、ＨＤＤ基板として優れている。ガラス基板とは異なり、導電性は少なくとも半導体特性である。また、通常のウェハでは何等かのＰ型もしくはＮ型のドーパントが含まれていることが多いため、導電性は更に高い。したがって、ガラス基板のようなスパッタ成膜時のチャージアップ問題はなく、金属膜のＳｉ基板上への直接スパッタ成膜が可能である。また、熱伝導性も良好であるため、基板加熱も容易で、３００℃以上の高温でも成膜が可能であり、スパッタ成膜工程との親和性も大変良好である。Ｓｉ単結晶基板は半導体ＩＣ用に、直径１００ｍｍから３００ｍｍまでのウェハが量産されている。
【００１２】
【特許文献１】特開平６−１７６３３９号公報
【特許文献２】特開平１０−３３４４６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかし、１００ｍｍ径以下の小口径ウェハは、現在では入手が困難である。したがって、現在流通量の多い６"ないし８"ウェハからコア抜きにより、所望の小口径基板を切り抜くのが実際的である。Ｓｉ単結晶基板の価格は廉価ではないため、ウェハ１枚当たりからできるだけ多くのＨＤＤ基板を切り抜くことが重要である。
本発明は、コア抜き加工の生産性を向上する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、直径１５０ｍｍ以上で３００ｍｍ以下の単結晶シリコンウェハをコア抜き加工して外径５５ｍｍ以下、好ましい内径２０ｍｍ以下、より好ましい内径１２ｍｍ以下のドーナツ状基板を得るコア抜き工程を含んでなる磁気記録媒体用基板の製造方法であって、該コア抜き工程において、抜き出された複数の基板以外の残ウェハが一体となるようにコア抜きされる磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。
コア抜き工程は、好ましくは、複数コア抜き後の残ウェハ表面の一番短い幅が、ウェハ厚みの１倍以上５倍以下の間隔となるようにコア抜きされる。また、コア抜き工程は、単結晶シリコン基板にカップ砥石加工よりもコア抜き圧がかかりにくい方法が好ましい。コア抜き工程は、好ましくは、レーザ加工又はウォータージェット加工を用い、複数コア抜き後の残ウェハ表面の一番短い幅が、ウェハ厚みの１．５倍以上２．５倍以下の間隔となるようにコア抜きされる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、残ウェハであるカレットを破損することなく一体で残すことにより、コア抜き加工の生産性が向上される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明は、ＨＤＤ記録膜用基板において、Ｓｉ単結晶ウェハからコア抜き加工により、できるだけ多くの小口径基板を効率よくコア抜きする製造方法に関する。
【００１７】
図１は、Ｓｉ単結晶ウェハを原板として使用し、ＨＤＤ用磁気記録媒体基板を製作する一例を示す概略工程である。
単結晶シリコン棒１をスライスして直径２００ｍｍ単結晶Ｓｉウェハ２を得た後、コア抜き工程において外径５５ｍｍ以下の複数のドーナツ状基板３を得る。
ドーナツ基板３は、好ましくは、内周端面と外周端面を面取りされ、端面研磨される。その後、通常は、アルカリエッチング工程、両面研磨工程及び洗浄工程を経て、小口径基板が製造される。
好ましくは、コア抜き工程の前又は後、例えば、コア抜き工程の前、コア抜き工程と面取り工程との間、面取り工程と端面研磨工程との間、又は端面研磨工程の後に、より好ましくは、コア抜き工程の前、面取り工程と端面研磨工程との間、又は端面研磨工程の後に、単結晶シリコンウェハ又はドーナツ状基板の表面を好ましくは１０μｍ〜１００μｍ研削除去するラップ工程とを含んでもよい。
【００１８】
コア抜き工程に用いられる単結晶シリコンウェハは、好ましくは、面方位（１００）であって、直径１５０ｍｍ以上で３００ｍｍ以下、厚み０．４〜１ｍｍである。
半導体グレードＳｉ単結晶ウェハは高価であり、該単結晶原板を使用して６５ｍｍ径基板を製作しても、ガラス基板の数倍から１０倍近くのコストになってしまう。幾らＳｉ単結晶基板の特性が優れていたとしても、これだけのコスト差があっては実用化が難しい。
【００１９】
コア抜き工程において、例えば図２に示すように、８"ウェハから２.５"ＨＤＤ基板を７枚コア抜きできる。この方法については、特許文献２に提案している技術を用いることで可能となる。この場合、２.５"基板コア抜き時の加工取り代部分が、隣接コア抜き基板間で重なるようにすることにより、８"ウェハより最大７枚の２.５"基板がコア抜きできるようになった。しかし、７枚のコア抜きをした残りの残部分（以下、「カレット」と呼ぶ。）は、お互い連結しておらず、加工時にバラバラになってしまう。ウェハからのコア抜き枚数を可能なかぎり多くしたいが、カレットが加工過程でバラバラになってしまうと、作業上の工程が複雑で面倒なものになってしまい、また、バラバラになったカレットがディスクに衝突してチッピングの原因になったり、基板表面を傷つけてしまうといった不都合が生じる。
【００２０】
まず、基板下面をエア吸着することはウェハ保持に有効であるが、２.５"基板以下ではカレット部は小さく、エア吸着だけで飛び散らないように抑えることは難しい。物理的に後から抑えるか、取り除けば問題はないが、人力の手間がかかる。ロボットなどによる自動化も可能ではあるが、連結されていないカレットは加工時に動いてしまうため、取り除くのは容易でない。
【００２１】
また、コア抜きする小口径基板の枚数を少なくすれば、カレット同士は連結しており、コア抜き後も一体として扱える。したがって、ウェハの最低３箇所を固定しておけばカレットはバラバラになることなく保持できるので、コア抜きの製造工程が非常に簡略化できる。しかし、コア抜き枚数の減少は小口径基板のコストを上げてしまうため望ましくない。コア抜き工程でのカレット処理は、相反する要素を如何に両立させるかが大きな問題となっている。
【００２２】
従来のカップ砥石によるコア抜きでは、コア抜き時に原板ウェハに圧力がかかるため、カレットが破損せず一体で残存するためには、コア抜き後の隣接コア間のカレット最短幅が５ｍｍ程度（ウェハ厚の６倍以上）はどうしても必要であった。それ以下では一定比率でカレットが割れてしまう。コア抜き後においても、一体カレットとし、かつ最短幅をできるだけ小さくすることを考案した。なお、最短幅は、カットレット表面の最短幅をいい、コア間の距離やコアと原板ウェハとの距離のうち最短のものである。コア間の距離がコアと原板ウェハとの距離より短いとき、三つのコア間の距離ｄ１が同一幅である図３では最短幅はｄ１であるが、同一幅でなければそのうちの最も短い幅である。
本発明者らは、コア抜き法にレーザによる加工法やウォータージェット加工法を適用することにより、カレット最短幅がウェハの５倍以下でもカレットを一体に保ってコア抜きを完了できることを見出した。
【００２３】
レーザ加工は、ＣＯ2ガスレーザ、ＹＡＧレーザ、レーザダイオード等の発振器からのレーザ光を集光して加工を行なう方法である。
レーザ加工のような熱的コア加工の場合、ウェハ基板に圧力は生じないため、最短幅は望ましくはウェハ厚の１.５倍以上２.５倍以下でよいことが分かった。
ただ、圧力の代わりにレーザ照射部が昇温するため、最短幅がウェハ厚の１倍未満ではヒートショックに耐えられない場合があるため、１倍以上であることが好ましい。また、最短幅がウェハ厚の５倍を超えると、コア抜き枚数の減少によりコストを上げてしまうため好ましくない。レーザ加工法においても、ＣＯ2レーザを光源にする場合は、トータルパワーが大きいわりに、パワー密度は低いので、コア抜き基板やカレットに熱が加わり易く、ヒートショックによる割れを起こし易い。パワー密度の高い固体レーザ（ＹＡＧレーザなど）の方が、レーザパワーがコア抜きそのものに使用され、回りの部材への熱流出が少なくより望ましい。
【００２４】
ウォータージェット加工は、１００ＭＰａ以上の高圧水に、平均粒径２０〜２００μｍのガーネット等の研磨材を混合させて照射し加工方法である。ウォータージェット加工は、加工幅は小さく、基板には大きな圧力はかからず、また熱影響は殆ど無いので有利である。カレット最短部の幅は、レーザ加工法とほぼ同じでよく、好ましくはウェハ厚の１倍以上５倍以下、より好ましくはウェハ厚の１.５倍以上２.５倍以下でもよい。
【００２５】
もちろん、従来のカップ砥石でも、加工工程の工夫をすることにより、最短幅５倍以下でも一体カレットとして残すことは可能である。例えば、カップ切断ではコアを抜き切る直前が一番カレット最短部に歪みがかかり割れ易くなるので、抜き切る直前（例えば厚みで０.１ｍｍ〜０.２ｍｍ程度加工厚が残っている段階）から、砥石送り速度を２分の１以下に落とし、切断圧力を大きく低減することにより、生産性は著しく低下するが、一体カレット処理が可能である。しかし、レーザ加工法のような圧力フリーではないため、最短幅を２.５倍以下まで小さくすることはできない。
【００２６】
カレットが一体で残せることにより、原板ウェハは少なくとも３点で固定してやれば、加工最後まで余分な工程を入れる必要はない。また、コア抜きする基板径が２“以下の小口径基板では、残カレットの各部の大きさがより小さくなる。エア吸着などの手法もより使用しにくくなるため、カレット一体化による、加工工程の簡略化は非常に有利となる。
【００２７】
コア抜き工程には、外径コア抜き（外周コア抜き）と内径コア抜き（内周コア抜き）が含まれる。内径コア抜きと外径コア抜きは、どちらを先に行なってもよい。
【００２８】
コア抜き工程前後のどちらでも構わないが、ウェハ表面を好ましくは１０μｍから１００μｍ研削除去するラップ工程を設けることが好ましい。コア抜き工程後としては、例えば、コア抜き工程と面取り工程との間、面取り工程と端面研磨工程との間、又は端面研磨工程の後にラップ工程も設け、好ましくは、面取り工程と端面研磨工程との間、又は端面研磨工程の後にラップ工程を設ける。
ラップ工程により、ウェハ原板又はドーナツ状円形基板のそりやうねりを抑制でき、また、後工程の適切な研磨量を設定するための調厚をすることができる。
【００２９】
図１に示すＨＤＤ用基板製作において、ウェハ等の原板に対するコア抜き工程後、内外周端面の面取り工程及び端面研磨工程を設けてもよい。
面取り角度や寸法は標準寸法として概ね規定されている。通常は、面取り工程により製品とすることができる。しかし、端面に付着した砥粒や加工屑などが基板強度低下の原因として働き、基板破壊の起点となる可能性があるので、面取り工程後に端面研磨を行い、その後エッチング処理により歪み層を取り除くことが好ましい。端面は、ドーナツ状基板の内径側面と外径側面の部分をいう。
【００３０】
端面研磨工程の後、又は端面研磨工程後のラップ工程の後に、好ましくは、更に、上記基板をアルカリエッチングする工程と、アルカリエッチングされた基板の表裏面を研磨する工程と、その後の洗浄工程とを含んでもよい。
アルカリエッチング工程は、ラップ工程、端面研磨工程の加工歪を除去するために、例えば４０〜６０℃にした２〜６０重量％ＮａＯＨ水溶液に浸漬することにより行なわれる。
アルカリエッチングされた基板の表裏面を研磨する工程は、公知の方法で行なえば良い。例えば、キャリアに装着した基板を、上定盤と下定盤で挟み回転させて、コロイダルシリカを砥粒として研磨すれば良い。
洗浄工程は、公知の方法で行なえば良い。例えば、ブラシ洗浄、アルカリ及び／又は酸溶液に薬液洗浄等である。
【００３１】
本発明の磁気記録媒体用基板は、従来の基板と同様に扱うことかでき、例えば、軟磁性層と記録層を設けて垂直磁気記録媒体とすることができる。軟磁性層の密着性を高めるため、軟磁性層の形成に先立って下地層を設けてもよい。
記録層の上には、保護層と潤滑層を設けてよい。
【実施例】
【００３２】
以下、本発明を実施例に基づき説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
以下は、実施例の概要である。
大口径単結晶シリコン棒よりスライスが行われ、ウェハが形成される。次に、ウェハの厚みと表面を整えるために砥粒を用いてラップを行う。次に、ＹＡＧレーザ発振装置からのレーザ光により、または、カップ砥石加工により、ウェハからドーナツ状の円形基板を切り出す。以上により、複数枚の基板が形成される。次に、基板の内周端面と外周端面の砥石による面取りが行われる。引き続き基板の表裏面の研磨加工が行われ、所望の基板ができ上がる。次に、洗浄工程で基板に付着した研磨剤等を除去し基板の製造を完了する。
【００３３】
実施例１
大口径単結晶シリコンインゴットをスライスして、直径２００ｍｍのウェハを得た。カップ砥石加工装置により直径４８ｍｍ、内径１２ｍｍのドーナツ状円形基板を１１枚得た。この時、各ドーナツ状円形基板間の最短幅ｄ１をウェハ厚みの５倍とし、コアを抜き切る０．２ｍｍ前に、砥石送り速度を２分の１に落としたところ、残ウェハであるカレットは、破損することなく一体で残った。引き続き、コア抜きを行い、ウェハを５枚加工するのに４００分かかり、５５枚の基板が得られた。得られた基板は、カレットによるチッピング、表面の損傷は見られず、短時間に多くの基板が得られた。
【００３４】
実施例２
最短幅ｄ１をウェハ厚みの３倍とした他は、実施例１と同様の処理を行い、残ウェハであるカレットは、破損することなく一体で残った。引き続き、コア抜きを行い、ウェハを５枚加工するのに４４０分かかり、６０枚の基板が得られた。
得られた基板は、カレットによるチッピング、表面の損傷は見られず、短時間に多くの基板が得られた。
【００３５】
実施例３
最短幅ｄ１をウェハ厚みの８倍とし、砥石送り速度を通常のままとした他は、実施例１と同様の処理を行い、残ウェハであるカレットは、破損することなく一体で残ったが、得られたドーナツ状円形基板は８枚と少なかった。引き続き、コア抜きを行い、ウェハを５枚加工するのに３７０分かかり、４０枚の基板が得られた。得られた基板は、カレットによるチッピング、表面の損傷は見られなかった。
【００３６】
比較例１
最短幅ｄ１をウェハ厚みの０．５倍とした他は、実施例１と同様の処理を行い、残ウェハであるカレットは破損し、バラバラになった。破損したカレットを取り除き、引き続き、コア抜きを行ったが、ウェハを５枚加工するのに５６０分かかり、６０枚の基板が得られたが、カレット破損時に基板も傷つき実際に使用できるのは、４０枚であった。
【００３７】
以上のように、カップ砥石加工では最短幅をウェハ厚みの２．５倍から５倍にした場合、カレットが一体で残り、効率よく基板を得ることができることが判る。
【００３８】
実施例４
大口径単結晶シリコン棒１を用いて、直径２００ｍｍのウェハを得た。ＹＡＧレーザ加工装置（ＹＡＧレーザ）により直径４８ｍｍ、内径１２ｍｍのドーナツ状円形基板３を１２枚得た。この時、各ドーナツ状円形基板間の最短幅ｄ１をウェハ厚みの２倍とし、残
ウェハであるカレットは、破損することなく一体で残った。引き続き、コア抜きを行い、ウェハを５枚加工するのに５０分かかり、６０枚の基板が得られた。
得られた基板は、カレットによるチッピング、表面の損傷は見られず、短時間に多くの基板が得られた。
【００３９】
実施例５
大口径単結晶シリコン棒を用いて、直径２００ｍｍのウェハを得た。ＹＡＧレーザ加
工装置（ＹＡＧレーザ）により直径２６ｍｍ、内径７ｍｍのドーナツ状円形基板を３０枚得た。この時、各ドーナツ状円形基板間の最短幅ｄ１をウェハ厚みの３倍とし、残ウェハであるカレットは、破損することなく一体で残った。引き続き、コア抜きを行い、ウェハ２を５枚加工するのに６０分かかり、１５０枚の基板が得られた。
得られた基板は、カレットによるチッピング、表面の損傷は見られず、短時間に多くの基板が得られた。
【００４０】
実施例６
最短幅ｄ１をウェハ厚みの１．２倍とした他は、実施例５と同様の処理を行い、残ウェハであるカレットは、破損することなく一体で残った。引き続き、コア抜きを行い、ウェハを５枚加工するのに７０分かかり、１８０枚の基板が得られた。
得られた基板は、カレットによるチッピング、表面の損傷は見られず、短時間に多くの基板が得られた。
【００４１】
比較例２
コア抜きをカップ砥石で行った他は、実施例５と同様の処理を行い、大口径単結晶シリコン棒を用いて、直径２００ｍｍのウェハを得た。カップ砥石加工装置により直径２６ｍｍ、内径７ｍｍのドーナツ状円形基板を３０枚得ようとしたが、ウェハが破損し、バラバラになり基板は得られなかった。
【００４２】
比較例３
最短幅ｄ１をウェハ厚みの０．５倍とした他は、実施例５と同様の処理を行い、残ウェハであるカレットは一部破損した。破損したカレットを取り除き、引き続き、コア抜きを行ったが、ウェハを５枚加工するのに１００分かかり、２００枚の基板が得られたが、カレット破損時に基板も傷つき実際に使用できるのは、１４０枚であった。
【００４３】
以上のように、レーザ加工により最短幅をウェハ厚みの１倍から２．５倍にした場合、カレットが一体で残り、更に効率よく基板を得ることができることが判る。
【００４４】
実施例７
大口径単結晶シリコン棒を用いて、直径２００ｍｍのウェハを得た。ウォータージェット加工装置（ガーネット粒子＃２２０）により直径４８ｍｍ、内径１２ｍｍのドーナツ状円形基板を１１枚得た。この時、各ドーナツ状円形基板間の最短幅ｄ１をウェハ厚みの３倍とし、残ウェハであるカレットは、破損することなく一体で残った。引き続き、
コア抜きを行い、ウェハを５枚加工するのに４０分かかり、５５枚の基板が得ら
れた。
得られた基板は、カレットによるチッピング、表面の損傷は見られず、短時間に多くの基板が得られた。
【００４５】
実施例８
最短幅ｄ１をウェハ厚みの１．２倍とした他は、実施例７と同様の処理を行い、残ウェハであるカレットは、破損することなく一体で残った。引き続き、コア抜きを行い、ウェハを５枚加工するのに４５分かかり、６０枚の基板が得られた。
得られた基板は、カレットによるチッピング、表面の損傷は見られず、短時間に多くの基板が得られた。
【００４６】
比較例４
最短幅ｄ１をウェハ厚みの０．５倍とした他は、実施例６と同様の処理を行い、残ウェハであるカレットは一部破損した。破損したカレットを取り除き、引き続き、コア抜きを行ったが、ウェハを５枚加工するのに６０分かかり、５６枚の基板が得られたが、カレット破損時に基板も傷つき実際に使用できるのは、５０枚であった。
【００４７】
以上のように、ウォータージェット加工により最短幅をウェハ厚みの１倍から２．５倍にした場合、カレットが一体で残り、更に効率よく基板を得ることができることが判る。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】Ｓｉ単結晶ウェハを原板として使用し、ＨＤＤ用磁気記録媒体基板を製作する一例を示す概略工程である。
【図２】直径２００ｍｍ単結晶Ｓｉウェハ２から６５ｍｍのＨＤＤ基板を７枚コア抜きする方法を示す。
【図３】コア抜き工程における最短幅ｄ１を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  単結晶シリコン棒
２  単結晶Ｓｉウェハ
３  ドーナツ状基板
【図１】
2005050507.tif 000002
【図２】
2005050507.tif 000003
【図３】
2005050507.tif 000004