(57)【要約】      （修正有）【課題】光接合の高集積化が可能な光導波路配線基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】光回路パターンに対応する光導波路及び１つ以上の光方向変換手段を有し、光方向変換手段と光方向変換手段との間、及び／又は光方向変換手段と光入出力部との間に光導波路が形成されている光導波路配線基板であって、光方向変換手段が光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光方向変換手段Ａを少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する光方向変換手段Ｂを少なくとも１つ有することを特徴とする光導波路配線基板、及び基材上に光方向変換手段Ａ及び／又はＢを形成し、その上に光導波路を形成する光導波路配線基板の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光回路パターンに対応する光導波路及び１つ以上の光方向変換手段を有し、光方向変換手段と光方向変換手段との間、及び／又は光方向変換手段と光入出力部との間に光導波路が形成されている光導波路配線基板であって、前記光方向変換手段が光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光方向変換手段Ａを少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する光方向変換手段Ｂを少なくとも１つ有することを特徴とする光導波路配線基板。
【請求項２】
前記光方向変換手段が光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光方向変換手段Ａを少なくとも１つと、光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する光方向変換手段Ｂとを少なくとも１つ有することを特徴とする請求項１に記載の光導波路配線基板。
【請求項３】
前記光方向変換手段Ａ及び光方向変換手段Ｂが、光を反射させることにより光の方向を変換する反射面を有することを特徴とする請求項１に記載の光導波路配線基板。
【請求項４】
前記光方向変換手段Ａ及び／又は光方向変換手段Ｂが、光の方向変換と光の分岐を行うことを特徴とする請求項１に記載の光導波路配線基板。
【請求項５】
前記反射面に光反射膜が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の光導波路配線基板。
【請求項６】
前記反射面が凹面であることを特徴とする請求項３に記載の光導波路配線基板。
【請求項７】
前記凹面を形成する材料の光学的特性が、クラッド部の光学的特性と同一又は近いことを特徴とする請求項６に記載の光導波路配線基板。
【請求項８】
前記光方向変換手段Ｂから方向変換された光を光導波路配線基板外部に取り出すための開口部、又は光導波路配線基板外部からの光を光方向変換手段Ｂにより方向変換させるための開口部を設けた請求項１に記載の光導波路配線基板。
【請求項９】
前記開口部に導波路材料が充填されていることを特徴とする請求項８に記載の光導波路配線基板。
【請求項１０】
前記光導波路が、光回路パターンに対応して、光導波路配線基板平面に平行な面内において交差する部分を有することを特徴とする請求項１に記載の光導波路配線基板。
【請求項１１】
前記光導波路が２層以上積層され、光回路パターンに対応して、垂直に交差する部分を有することを特徴とする請求項１に記載の光導波路配線基板。
【請求項１２】
請求項１に記載の光導波路配線基板の製造方法であって、基材上に光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光方向変換手段Ａの少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する光方向変換手段Ｂの少なくとも１つを形成する工程、及び光方向変換手段Ａ及び／又は光方向変換手段Ｂを形成した基材の上に光回路パターンに対応する光導波路を作製する工程、を有する光導波路配線基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の光導波路配線基板の製造方法であって、型基板上に光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光方向変換手段Ａに対応する第１のピットが少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する光方向変換手段Ｂに対応する第２のピットが少なくとも１つ形成された型を作製する工程、
前記型のピットに樹脂を充填してピットの形状を転写することにより光方向変換手段Ａ及び／又は光方向変換手段Ｂが作製された樹脂基材を作製する工程、
及び前記樹脂基材上に光回路パターンに対応する光導波路を作製する工程、を有する光導波路配線基板の製造方法。
【請求項１４】
光導波路配線基板を作製するための光導波路配線基板作製用原板であって、少なくとも１つ以上の光方向変換手段と光導波路を構成する下部クラッドが形成され、前記光方向変換手段が光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光方向変換手段Ａを少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する光方向変換手段Ｂを少なくとも１つ有することを特徴とする光導波路配線基板作製用原板。
【請求項１５】
請求項１に記載の光導波路配線基板と電気回路基板とを積層した光電気混載基板。
【請求項１６】
請求項１に記載の光導波路配線基板と電気回路基板とを積層し、電気回路基板の上に光デバイス又は光デバイス及び電気デバイスを搭載した光電気混載基板。
【請求項１７】
前記光デバイスとの光信号の入出力を光導波路配線基板に設けた基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する光方向変換手段Ｂにより行うことを特徴とする請求項１６に記載の光電気混載基板。
【請求項１８】
前記光デバイスの光信号が前記光デバイスの搭載面と反対側に取り出せるか、反対側の面に搭載された光デバイスと光信号で結合させることが可能な請求項１６に記載の光電気混載基板。
【請求項１９】
前記光導波路配線基板の光入出力開口部及び電気回路基板の光入出力開口部に光導波路材料が充填されていることを特徴とする請求項１５に記載の光電気混載基板。
【請求項２０】
請求項１に記載の光導波路配線基板と電気回路基板とを積層後、光デバイス又は光デバイス及び電気デバイスを搭載し、一括して半田づけすることを特徴とする請求項１６に記載の光電気混載基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に光電気混載基板に適した光導波路配線基板、それを用いる光電気混載基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、ＩＣ技術やＬＳＩ技術において、動作速度や集積度向上のために、高密度に電気配線を行なう代わりに、機器装置間、機器装置内のボード間、チップ内において光配線を行なうことが注目されている。また、高速大容量の光通信システムにおける光インターコネクションでは、電送された光信号の処理は電子デバイスで行われており、光−電気混合デバイスが必要となる。
光配線のための素子として、例えば、特許文献１には、複数の光電変換素子が設けられたアレイ型光電変換素子ユニットと、複数の異なる長さをもち、その端部がミラーとなるように４５°にカットされた光導波路が形成されたアレイ型光導波路ユニットと、各光電変換素子と光導波路を結合する光結合用光導波路を備えた光路変換デバイスが記載されている。
【０００３】
さらに、近年、無線通信機能を備えた携帯機器の発達が著しいが、電気基板からの電磁放射ノイズ（ＥＭＩ）、外界からの電波混入に対する耐性、不完全接続による信号の乱れ（ＳＩ）の問題に対処するため、電気接続の一部を高速であり且つ電磁無誘導である光接続に変える試みがなされている。
例えば、以下の特許文献２には、光導波路基板と電気回路基板を積層した光電気混載基板と、発光素子、受光素子等の光素子との光接合を、光素子及び光ピンを備えた電気チップの光ピンを光導波路基板に設けたガイド穴に挿入することにより行うことが記載されている。更に、以下の特許文献３には、光導波路シートに、光路変換手段付き光素子（発光素子、受光素子）を光導波路シートのコア部に埋め込んだものを電気回路基板に積層した光電気混載基板が記載されている。
【０００４】
しかしながら、特許文献１ないし３に記載のアレイ型光導波路ユニット、光導波路基板、光導波路シートは、いずれも光導波路又は光導波シート中に光の進行方向を変換する光方向変更手段をあらかじめ形成したものではなく、特に、光導波路又は光導波シートにおいてその面に平行な面内において光の方向を変更する手段を設けたものは記載されていない。
また、特許文献３に記載の光電気混載基板は光導波路ではなく光導波シートを用いており、光導波シート側には特別な加工が不要であるが、用いられている光路変換手段付き光素子はサイズが大きいため、大きな集積化は期待できず、また、光路変換の種類ごとに光路変換手段付き光素子を用意する必要がある。さらに、光導波シートは、光を目的の信号伝搬先に向かって収束させられないため、その一部のみが実質的な信号として伝搬されることになり、エネルギー効率がきわめて悪く、発光デバイスの発光量を引き上げなければならず、短寿命化の問題も引き起こす。
【特許文献１】特開２００３−１１４３６５号公報
【特許文献２】特開２００３−１３１０８１号公報
【特許文献３】特開２００３−５７４６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、光接合の高集積化が可能な、光回路パターン中に光方向変換手段が設けられた光導波路配線基板及びその製造方法を提供すること、また、光電気混載基板及びその製造方法、並びに光導波路配線基板作製用原板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題は、以下の光導波路配線基板及びその製造方法、光電気混載基板及びその製造方法、並びに光導波路配線基板作製用原板を提供することにより解決される。
（１）光回路パターンに対応する光導波路及び１つ以上の光方向変換手段を有し、光方向変換手段と光方向変換手段との間、及び／又は光方向変換手段と光入出力部との間に光導波路が形成されている光導波路配線基板であって、前記光方向変換手段が光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光方向変換手段Ａを少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する光方向変換手段Ｂを少なくとも１つ有することを特徴とする光導波路配線基板。
（２）前記光方向変換手段が光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光方向変換手段Ａを少なくとも１つと、光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する光方向変換手段Ｂとを少なくとも１つ有することを特徴とする前記（１）に記載の光導波路配線基板。
【０００７】
（３）前記光方向変換手段Ａ及び光方向変換手段Ｂが、光を反射させることにより光の方向を変換する反射面を有することを特徴とする前記（１）に記載の光導波路配線基板。
（４）前記光方向変換手段Ａ及び／又は光方向変換手段Ｂが、光の方向変換と光の分岐を行うことを特徴とする前記（１）に記載の光導波路配線基板。
（５）前記反射面に光反射膜が形成されていることを特徴とする前記（３）に記載の光導波路配線基板。
（６）前記反射面が凹面であることを特徴とする前記（３）に記載の光導波路配線基板。
（７）前記凹面を形成する材料の光学的特性が、クラッド部の光学的特性と同一又は近いことを特徴とする前記（６）に記載の光導波路配線基板。
【０００８】
（８）前記光方向変換手段Ｂから方向変換された光を光導波路配線基板外部に取り出すための開口部、又は光導波路配線基板外部からの光を光方向変換手段Ｂにより方向変換させるための開口部を設けた前記（１）に記載の光導波路配線基板。
（９）前記開口部に導波路材料が充填されていることを特徴とする前記（８）に記載の光導波路配線基板。
（１０）前記光導波路が、光回路パターンに対応して、光導波路配線基板平面に平行な面内において交差する部分を有することを特徴とする前記（１）に記載の光導波路配線基板。
（１１）前記光導波路が２層以上積層され、光回路パターンに対応して、垂直に交差する部分を有することを特徴とする前記（１）に記載の光導波路配線基板。
【０００９】
（１２）前記（１）に記載の光導波路配線基板の製造方法であって、基材上に光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光方向変換手段Ａの少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する光方向変換手段Ｂの少なくとも１つを形成する工程、及び光方向変換手段Ａ及び／又は光方向変換手段Ｂを形成した基材の上に光回路パターンに対応する光導波路を作製する工程、を有する光導波路配線基板の製造方法。
【００１０】
（１３）前記（１）に記載の光導波路配線基板の製造方法であって、型基板上に光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光方向変換手段Ａに対応する第１のピットが少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する光方向変換手段Ｂに対応する第２のピットが少なくとも１つ形成された型を作製する工程、前記型のピットに樹脂を充填してピットの形状を転写することにより光方向変換手段Ａ及び／又は光方向変換手段Ｂが作製された樹脂基材を作製する工程、及び前記樹脂基材上に光回路パターンに対応する光導波路を作製する工程、を有する光導波路配線基板の製造方法。
【００１１】
（１４）光導波路配線基板を作製するための光導波路配線基板作製用原板であって、少なくとも１つ以上の光方向変換手段と光導波路を構成する下部クラッドが形成され、前記光方向変換手段が光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光方向変換手段Ａを少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する光方向変換手段Ｂを少なくとも１つ有することを特徴とする光導波路配線基板作製用原板。
【００１２】
（１５）前記（１）に記載の光導波路配線基板と電気回路基板とを積層した光電気混載基板。
（１６）前記（１）に記載の光導波路配線基板と電気回路基板とを積層し、電気回路基板の上に光デバイス又は光デバイス及び電気デバイスを搭載した光電気混載基板。
（１７）前記光デバイスとの光信号の入出力を光導波路配線基板に設けた基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する光方向変換手段Ｂにより行うことを特徴とする前記（１６）に記載の光電気混載基板。
（１８）前記光デバイスの光信号が前記光デバイスの搭載面と反対側に取り出せるか、反対側の面に搭載された光デバイスと光信号で結合させることが可能な前記（１６）に記載の光電気混載基板。
（１９）前記光導波路配線基板の光入出力開口部及び電気回路基板の光入出力開口部に光導波路材料が充填されていることを特徴とする前記（１５）に記載の光電気混載基板。
（２０）前記（１）に記載の光導波路配線基板と電気回路基板とを積層後、光デバイス又は光デバイス及び電気デバイスを搭載し、一括して半田づけすることを特徴とする前記（１６）に記載の光電気混載基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の光導波路配線基板は光方向変換手段Ａ及び／又はＢを光導波路に設けたため、光導波路配線基板内において、前記基板平面に平行な面内において光の方向を変換する、又は前記基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する、あるいはこの両者の変換を行うことができる。したがって、本発明の光導波路配線基板は任意の位置で光の入力及び出力が可能となり、光接続も高密度で行え、光電気混載基板に用いるのに適している。また、本発明の光導波路配線基板は光の方向を変換するだけでなく、光を分岐させることもできる。
また、本発明の光導波路配線基板の製造方法は、基材に予め光方向変換手段Ａ及び／又はＢを一括して形成し、この上に光導波路を作製するため、生産性に優れている。また、本発明の光導波路配線基板の製造方法により、パターン密度が高い又はパターンが複雑な光回路パターンを容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
［光導波路配線基板］
本発明の光導波路配線基板は、光回路パターンに対応する光導波路及び１つ以上の光方向変換手段を有し、光方向変換手段と光方向変換手段との間及び／又は光方向変換手段と光入出力部との間に光導波路が形成されており、前記光方向変換手段が光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光方向変換手段Ａを少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する光方向変換手段Ｂを少なくとも１つ有することを特徴とする。
ここで「光入出力部」とは、必ずしも光導波路のコア端面が露出している光導波路基板端部を意味するものではなく、コアが欠如している開口部の端部をも意味する（したがって、例えば前記光方向変換手段Ｂ自体が光入出力部になりうる）。また、「光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する光方向変換手段Ｂ」とは、「光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向からの光を前記基板平面に平行な方向に光の方向を変換する光方向変換手段」も当然含む。
【００１５】
光方向変換手段が１つの場合には、光方向変換手段と光の入力部及び光の出力部との間には光導波路（コア部）が設けられる。また、光方向変換手段が２以上の場合には、光回路パターンに従い、各光方向変換手段の間、光方向変換手段と光入力部の間、及び光方向変換手段と光出力部との間には光導波路が設けられる。
光導波路配線基板に光方向変換手段Ａ及びＢを設けた場合には、これらを組み合わせることにより多様な光回路パターンが作製され、光接続の集積度を上げることができる。
また、光導波路パターン形状を、例えば、平行な複数の光導波路及び前記平行な複数の光導波路の間を直角に結ぶ光導波路のごとき単純なパターンの組み合わせにし、所定の箇所に光方向変換手段Ａ及びＢを置くことにより、簡易な製造方法で光接続の集積度が高い光導波路配線基板を作製することができる。
【００１６】
本発明の光導波路配線基板において、光導波路は、下部クラッド部、コア部、及び上部クラッド部を有し、コア部は下部クラッド部及び上部クラッド部により周囲を包囲されている。また、光導波路は目的とする光回路パターンに対応したパターン形状を有している。そして、光導波路と光方向変換手段とにより光回路が形成される。
光方向変換手段Ａは、光導波路配線基板平面に平行な面内において光の進行方向を１方向又は複数の方向に分けて変換するものである。
光方向変換手段Ａは光を反射させることにより光の方向を変換する反射面を設けたものが好ましい。光方向変換手段Ａが光反射面を設けたものである場合、その形状は、光導波路配線基板平面の面内において光の方向を変換するため、少なくとも前記基板平面に対し垂直な光反射面を有するものであれば、どのような形状のものであってもよい。また、作製方法の容易性を考慮して形状を選択してもよい。形状としては、三角柱、直方体、立方体などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。光を入射方向に対し９０°変換するためには、入射方向に対し反射面を４５°傾斜させればよく、９０°より更に大きく鋭角に曲げるためには、入射光に対し反射面を４５°より大きい角度で傾斜させればよい。
また、光反射面は平面でも凹面のような曲面でもよい。
例えば、図１に示す光方向変換手段Ａは、１つの面が正方形である直方体を、その対向する正方形の面の対角線同士を結ぶ面に沿って切断した三角柱である。また、図１中、１０は光方向変換手段Ａを、１２は光導波路のコアをそれぞれ示し、また矢印は光の進行方向を表す（図２ないし図８において同様である）。
また、図２に示す光方向変換手段Ａは、光の入射角度に対し４５°より大きく傾いた反射面（平面）を有しているため、より鋭角に光の進行が変換される。
【００１７】
また、光方向変換手段Ａには、１つの入射光を２つ以上の方向に変更（分岐）させるものも含まれる。図３に平面の反射面をもつ光方向変換手段Ａを用いて光を分岐させる態様を示す。図３（Ａ）は、１方向からの光を２つに分岐させ、かつその各々の光の進行方向を９０°変換するものである。図３（Ｂ）は、１方向からの光を２つに分岐させ、その１つは進行方向を変えず直進させ、もう一方は進行方向を９０°変換するものである。図３（Ｃ）は、１方向からの光を３つに分岐させ、その１つは進行方向を変えず直進させ、２つは進行方向を９０°変換するものである。図３（Ｄ）における光方向変換手段Ａは、光の入射方向に対し４５°より大きく傾斜した反射面と、この反射面に隣接して、光の入射方向に対し４５°より小さい角度で傾斜した反射面とを有し、入射光は、９０°より大きい角度に曲げられるものと、９０°より小さい角度に曲げられるものの、２つに分岐される。
【００１８】
更に、図４に、光反射面が凹面を有する光方向変換手段Ａを用いる態様を示す。この態様の光方向変換手段Ａは、方向の変換と集光を兼ねている。図４中、１０は光方向変換手段Ａであり、図１における光方向変換手段Ａの切断面を平面ではなく凹面になるように切断したものである。
【００１９】
光方向変換手段Ｂは、入射光を光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換するものである。
光方向変換手段ＢはＡと同様、光方向変更面として光反射面を有するものが好ましい。光反射面は平面でも凹面のような曲面でもよい。また、光反射面は、光導波路配線基板平面に対し角度を有し、かつ変更前後の光が伝達される光導波路に対し直角に置かれる。
光方向変換手段Ｂが光反射面を設けたものである場合、その形状は、光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換するものであるため、少なくとも前記基板平面に対し角度を持った光反射面を有するものであれば、どのような形状のものであってもよい。また、作製方法の容易性を考慮して形状を選択してもよい。形状としては、断面が三角形、台形のものなどが挙げられ、例えば、図１１（Ｃ）の２０で示される形状のものなどが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
光を入射方向に対し９０°変換するためには、入射方向に対し反射面を４５°傾斜させればよく、９０°より更に大きく（鋭角に）曲げるためには、入射光に対し反射面を４５°より大きい角度で傾斜させればよい。
【００２０】
図５に光方向変換手段Ｂの一例を示す。図５（Ａ）中、２０は光方向変換手段Ｂを、１２は光導波路のコアを示す。光の入射方向は矢印で示すものと逆方向でもよい。また、図５（Ｂ）で示すものは、光の反射面を基板平面に対し４５°より大きく傾けたものを示し、光は、９０°より大きく曲げられ、開口部（光接続口）である光出力口１８から出力する。（図６ないし図８において符号１８は光出力口を意味する。）また、図５（Ｂ）において１４はクラッドを示す。
【００２１】
また、光方向変換手段Ｂには、光の１入射に対し２つ以上の方向に変更（分岐）させるものも含まれる。図６にその例を示す。図６（Ａ）は、開口部である光入力口１９から入射した光に対し、２つの４５°傾斜反射面を有する光方向変換手段Ｂを用いるもので、入射光は２つに分岐され、各々の分岐光は９０°方向変換される。また、図６（Ｂ）は、入射光に対し１つの４５°傾斜反射面を有する光方向変換手段Ｂを用い、かつ該光方向変換手段Ｂの高さ（光導波路配線基板平面に垂直な方向における高さ）がコアの高さより低いことを特徴としており、入射光は直進光と９０°方向変換されたものの２つに分岐される。更に、図６（Ｃ）は、該光方向変換手段Ｂの高さがコアの高さ以上であり、かつ、入射光に対し、光反射面が、基板平面に対し異なる角度の傾斜面を有する２つの光反射面により構成されているので、入射光は、２つの異なる方向に分岐される。（図８において符号１９は光入力口を意味する。）
【００２２】
光方向変換手段Ａ及びＢの反射面には、光反射膜を形成することが好ましい。光反射膜としては、Au、Al等の金属、TiN等の所謂金属光沢を有する膜が挙げられる。
【００２３】
本発明の光導波路配線基板においては、光導波路が前記基板に平行な面内において相互に交差するような構造を有していてもよく、また、前記基板平面に平行な光導波路と前記基板に垂直な方向の光導波路が相互に交差するような構造を有していてもよい。
図７（Ａ）は、光導波路が前記基板に平行な面内において相互に交差する構造を有する光導波路配線基板を示す概念図であり、図７（Ｂ）は、前記基板平面に平行な光導波路と前記基板平面に垂直な方向の光導波路が相互に交差する構造を有する光導波路配線基板を示す概念図である。図７（Ｂ）中、２０は光方向変換手段Ｂを示す。
【００２４】
更に、本発明の光導波路配線基板には、両面に光接続口たる開口部（光入力口又は光出力口）を設けることもできる。図８（Ａ）は、光導波路配線基板の両面に光出力口１８を設けた例を示し、また、図８（Ｂ）は、片面に設けた光入力口１４からの光信号を反対面に設けた光出力口１８から出力する例を示す。
【００２５】
本発明の光導波路を構成する材料としては、公知のコア材料及びクラッド材料が用いられる。
また、本発明の光導波路配線基板を電気回路基板に積層していわゆる光電気混載基板を作製する場合には、コア及びクラッド材料は、光電気混載基板を作製する際の半田付けの温度に耐えられるよう、耐熱性の材料を用いることが好ましい。耐熱温度は２８０℃、好ましくは３００℃程度である。例えば耐熱性材料としてはポリイミド系、エポキシアクリル系、ポリシラン系等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２６】
また、前記光方向変換手段Ａ及びＢを構成する材料としては、光学的には反射特性に優れるものが好ましい。また、反射面が凹面の場合も同様である。
更に、前記光方向変換手段Ａ及びＢを構成する材料も、前記クラッド及びコアと同程度の耐熱性を有することが必要である。
【００２７】
光方向変換手段Ａ、Ｂの底面からの高さ、下部クラッドの厚さ及びコアの厚さは、光方向変換手段Ａ、Ｂの上に下部クラッド、コア及び上部クラッドを積層した場合、光方向変換手段Ａ、Ｂの頂部がコアと上部クラッドの境界に達するか又は光方向変換手段Ａ、Ｂの頂部が上部クラッドの中にまで侵入するような、高さ及び厚さとすることが好ましい（図１２（Ｃ）を参照）。ただし図６（Ｂ）に示すような光方向変換手段を形成する場合には、光方向変換手段Ｂの頂部がコア内部にとどまるようにする。
【００２８】
［光導波路配線基板の製造方法］
本発明の光導波路配線基板は、例えば以下のごとき製造方法により作製される。第１の方法は、型基板上に光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光方向変換手段Ａに対応する第１のピットが少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する光方向変換手段Ｂに対応する第２のピットが少なくとも１つ形成された型を作製し、次に前記型のピットに樹脂を充填してピットの形状を転写することにより光方向変換手段Ａ及び／又は光方向変換手段Ｂが作製された樹脂基材を作製し、次いで前記樹脂基材上に光回路パターンに対応する光導波路を作製する方法である。
また、第２の方法は、基材上に、光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光方向変換手段Ａの少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する光方向変換手段Ｂの少なくとも１つを形成し、その後、光方向変換手段Ａ及び／又は光方向変換手段Ｂを形成した基材の上に光回路パターンに対応する光導波路を作製する方法である。
【００２９】
＜第１の方法＞
最初に第１の方法について説明する。まず、型基板上に光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光方向変換手段Ａに対応する第１のピットが少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する光方向変換手段Ｂに対応する第２のピットが少なくとも１つ形成された型を作製するには、例えば、前記光方向変換手段Ａ又はＢの底面形状に対応する開口部を有するエッチングマスク（例えばポジ型のフォトレジスト層を、フォトマスクを介して露光・現像して作製）を型基板の上に設け、次にエッチングによりピットを形成する方法が挙げられる。
この他に、切削等の機械加工的な方法も有力である。型基板としてはシリコン（１００）基板、機械的な方法においては、通常の金属板やAlブロック等が用いられる。
また、前記方法において型基板としてシリコン（１００）基板を用いると、異方性エッチングを行うことにより斜面が形成されたピットを容易に作製することができる。
【００３０】
次に前記のようにして作製した型のピットに樹脂を充填してピットの形状を転写することにより光方向変換手段Ａ及び／又は光方向変換手段Ｂが形成された樹脂基材を作製する。具体的な作製方法としては、型のピット形成面に、硬化性樹脂を塗布・硬化して硬化層を形成し、硬化層と型の間を剥離する方法や、型のピット形成面に、加熱により軟化する樹脂基材を置き、加熱して軟化させた状態でプレスしてピットの形状を転写してもよい。
前記硬化性樹脂としては熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等が用いられる。本発明の光導波路配線基板を光電気混載基板に用いる場合（組み立て工程で半田工程を必要とする場合）には、耐熱性を有する硬化性樹脂を用いることが好ましい。耐熱温度は略２８０℃以上、好ましくは３００  ℃以上で、例えば、ポリイミド等が用いられる。また、前記の加熱により軟化する樹脂基材としては、例えば前記のごとき耐熱性を有するポリイミド基材等が挙げられる。
また、前記のごとき樹脂層又は樹脂基材に他の支持基材を貼り合わせて型を補強することもできる。樹脂の硬化と支持基材の接合を同時に行ってもよい。支持基材としては、例えば、樹脂基板のごときものが用いられる。
【００３１】
更に、光方向変換手段Ａ及びＢが作製された樹脂基材の表面に光学的ミラー特性を改善するための反射膜を形成することができる。反射膜は金、金合金、ＴｉＮのごとき窒化膜等であり、イオンプレーティング法、スパッタ法等により形成される。前記反射膜は、例えば、光方向変換手段Ａ、ＢをＡｌやＳｉで形成した結果、反射部での反射特性が良好な場合には省略することができる。
【００３２】
次に、光方向変換手段Ａ等が形成された樹脂基材の上に、光回路パターンに対応する光導波路を形成する。光方向変換手段と光方向変換手段との間、及び／又は光方向変換手段と光入出力部との間に光導波路が形成されることはもちろんである。光導波路は前記光方向変換手段Ａ及び／又はＢ光導波路は下部クラッド、コア及び上部クラッドを有する。下部クラッドはクラッド用材料を含む液を塗布する等により形成される。下部クラッドを形成した後、光方向変換手段Ａ、Ｂの露出表面に付着している極く薄いクラッド材料を酸素プラズマ等により除去してもよい。
【００３３】
次に、下部クラッドの上にコアを形成する。コアは光回路パターンに対応したパターンを有している。コアの形成は、下部クラッドの上にコア材料の層を形成し、これを通常の方法によりパターニングしてコアを形成する。パターニング方法としては例えば、１）フォトブリーチング法、２）反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）、３）直接露光法等が用いられる。
フォトブリーチング法は、有機ポリシラン材料（日本ペイント（株）製の「グラシア」等）を用い、コア部分だけを紫外線非露光とし、露光部と未露光部に屈折率の変化を起こさせる（紫外線露光部の屈折率が小さくなる）方法であり、露光部分を除去する必要がない方法である。
前記２）の反応性イオンエッチング法は、コア材料の層の上にフォトレジスト（ネガ型）を塗布し、フォトマスクを用いて露光現像し、コア部の上にレジスト層を残し、これを反応性イオンエッチング法を用いて非コア部を除去し、コア部の上のフォトレジストを除去する方法である。この方法においてはマスク材料としてシリコン含有レジストを用いると、通常の酸素プラズマにより容易にエッチングが可能である。
また、３）の直接露光法は、コア材料として感光性を有する材料を用い、これをフォトマスクを介して直接露光し、その後現像してパターニングする方法である。
【００３４】
中でも、有機ポリシラン材料を用いるフォトブリーチング法は、コア材料からなる層を露光するだけでよく、現像あるいはエッチング工程が不要で、作製プロセスが簡易である。また、有機ポリシラン材料は、３００℃程度の耐熱性を有しているため、光電気混載基板を作製する場合に特に有用である。
【００３５】
次に、コアの上に上部クラッドを形成する。上部クラッドの形成法は、下部クラッドの形成法と同様である。
上部クラッドの表面を研磨等により平坦化してもよい。また、研磨に代え、クラッド層の多層コーティングにより平坦性を得ても良い。
【００３６】
以下に、型基板としてシリコン（１００）基板（Ｓｉ基板）を用い、異方性エッチングにより第１のピット及び第２のピットが形成された型を作製し、その型を用いて光方向変換手段Ａ及びＢが形成された樹脂基材を作製し、次いで樹脂基材の上に光導波路を作製する方法の一例について、図を用いて説明する。
（第１のピット及び第２のピットが形成された型を作製する工程）
図９は型基板に第１のピットを形成するまでの工程を示す概念図である。図９（Ａ）はＳｉ基板１０２に後の工程である異方性エッチングからＳｉ基板を保護するための保護膜１０４を設けたものを示す。保護膜１０４は、例えばＳｉ3Ｎ4膜やＳｉＯ2膜を用いることができる。Ｓｉ3Ｎ4膜を用いる場合には、Ｓｉ3Ｎ4膜に対して行うプロセスの際、該膜に傷がつかないように該膜の上にポリシリコン膜を積層することが好ましいが、必ずしも必要としない。保護膜の着膜方法はプラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法等の公知の方法が使用可能で特に制限はない。また、ＳｉＯ2膜は熱酸化法やＣＶＤ法により形成することができる。また、図９（Ａ）では保護膜は片面に設けられているように描かれているが、エッチング液から裏面も保護する必要があり、両面に設ける必要がある。
【００３７】
次に、前記保護膜の上にポジ型フォトレジストを塗布し、光方向変換手段の底面形状に対応する光透過部（例えば、光方向変換手段が図５（Ａ）で示すような三角柱の場合、その底面形状である長方形）を設けたフォトマスクを介して露光現像し、フォトレジスト層１０６に前記底面形状に対応する形状でフォトレジスト層を除去し開口部を形成する（図９（Ｂ）参照）。
また、光方向変換手段の底面形状が矩形の場合には、フォトマスクの開口部の形状を正確な矩形とせずに、４隅にＲをつけることが好ましい。これにより、以下の図９（Ｄ）で示す工程において、保護膜１０４の開口形状が４隅にＲをつけた矩形となり、後述の異方性エッチングを施す（図９（Ｆ）参照）工程において、クラックの発生が防止できる。（Ｒをつけないと、エッチングの際、４隅の保護膜が庇のように残り（庇の下の方までエッチングされ）、クラックが発生することがある。）
【００３８】
その後、図９（Ｂ）の状態のものに、等方性ドライエッチング等を施し、前記開口部に対応する形状で、保護膜を除去し（図９（Ｃ）参照）、次に、レジスト１０６を剥離する（図９（Ｄ）参照）。レジスト剥離は熱硫酸と過酸化水素の混液等により行われる。
【００３９】
この後、異方性エッチングにより第１のピットＰ1（光方向変換手段Ｂに対応するピット）を形成する（図９（Ｅ）参照）。異方性エッチングには異方性エッチング液が用いられる。異方性エッチング液にはエチレンジアミン、ＫＯＨ等のアルカリが含まれる。具体的には、エチレンジアミンとピロカテコールの混液や、ＫＯＨとイソプロピルアルコールの混液が用いられるが、シリコンの結晶異方性エッチングが可能なものであれば何でもよい。
このような異方性エッチングを行うと、結晶異方性のため、正確な４５°の断面の傾斜をもったピットが形成される。
【００４０】
次に、保護膜１０４を除去する（図９（Ｆ）を参照）。保護膜がＳｉ3Ｎ4膜の場合には、例えば熱燐酸が用いられる。また、保護膜がＳｉＯ2膜の場合には、フッ化水素酸水溶液が用いられる。このようにして、Ｓｉ基板に第１のピットが形成される。
【００４１】
次に、図１０（Ａ）に示すように、第２のピット（光方向変換手段Ａ）を作製するために、エッチングマスク１１４を形成する。エッチングマスクは、フォトレジストを露光現像して作製してもよいし、また、熱酸化法やＣＶＤ法等の着膜方法によってＳｉＯ2膜を作製し、ＳｉＯ2膜をフォトリソグラフィー法により、光方向変換手段の底面形状（図１（Ａ）に示す光方向変換手段の場合、直角三角形）に対応する形状に開口するＳｉＯ2膜とする方法で作製してもよい。なお、以下のドライエッチングを用いる場合には、隅にＲを設ける必要はない。
その後、ドライエッチング法、例えば反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）を用いてエッチングし、第２のピットＰ2を形成する（図１０（Ｂ）参照）。次いで、エッチングマスク１１４を除去し、型１００を得る（図１０（Ｃ）参照。エッチングマスクがＳｉＯ2膜の場合には、フッ化水素酸水溶液が用いられ、レジスト膜の場合には熱硫酸と過酸化水素の混液等により行われる。第１及び第２のピットが形成されたＳｉ基板（型）が得られる。
【００４２】
エッチングによる第１及び第２のピットの深さは、光方向変換手段Ｂ及びＡの高さに相当するので、その深さは、後の工程で形成される下部クラッド、コア、上部クラッドの厚さと、前記のごとき関係を有していることが好ましい。
【００４３】
（光方向変換手段Ａ及び光方向変換手段Ｂが形成された樹脂基材を作製する工程）
図１１（Ａ）ないし図１１（Ｃ）により、光方向変換手段Ａ及び光方向変換手段Ｂが形成された樹脂基材を作製する工程を説明する。
前記のようにして作製した型に、図１１（Ａ）に示すように、硬化性樹脂２２０ａを塗布する。硬化性樹脂を薄く形成する場合には、補強のために、図１１（Ｂ）に示すように支持基材２２２を積層することが好ましい。次に塗布した硬化性樹脂を硬化させ、硬化層２２０を形成する。硬化層２２０と型１００の間から剥離すると、符号１０で示される光方向変換手段Ａ及び２０で示される光方向変換手段Ｂが形成された樹脂基材２００が得られる（図１１（Ｃ）参照）。また、図示しないが、この後、光方向変換手段Ａ及びＢが作製された樹脂基材の表面に光学的ミラー特性を改善するための反射膜を形成することができる。
【００４４】
（光方向変換手段が形成された樹脂基材の上に光導波路を作製する工程）
次に、図１２（Ａ）ないし図１２（Ｃ）が示すように、光方向変換手段が形成された樹脂基材の上に光導波路を作製する。図１２（Ａ）は下部クラッドを、図１２（Ｂ）はコアを、図１２（Ｃ）は上部クラッドを作製する工程を示す。図１２（Ａ）中、２２０は硬化層、１０は光方向変換手段Ａ、２０は光方向変換手段Ｂ、３３０は下部クラッドをそれぞれ示し、図１２（Ｂ）中、３３２はコアを示し、図１２（Ｃ）中、３３４は上部クラッドを示す。これらの工程を経て本発明の光導波路配線基板３００が作製される。
【００４５】
前記のようにして、本発明の光導波路配線基板の基本的部分が作製されるが、このようにして作製した光導波路配線基板に、更に光接続のための開口部が設けられる。これについては、以下の光電気混載基板の箇所で説明する。
【００４６】
前記第１の方法において、Ｓｉ基板からなる型を用いて樹脂基板を作製する代わりに、前記型に電鋳（例えばＮｉ電鋳）を施し、これに再び金属メッキ（例えばＮｉメッキ）を行って、耐久性に優れた金属製の型を作製することもできる。
【００４７】
＜第２の方法＞
次に第２の方法について説明する。第２の方法では、予め光方向変換手段Ａ及び／又は光方向変換手段Ｂを少なくとも１つ作製し、これを基材上の所定の位置に接着等により固定する。光方向変換手段Ａ又は光方向変換手段Ｂは、精密加工により作製することができる。また、シリコン基板に異方性エッチングを行い、斜面を形成したものを用いることもできる。
次いで前記樹脂基板上に光回路パターンに対応する光導波路を作製する。光導波路の作製方法は、前記第１の方法と同様に行われる。
【００４８】
［光電気混載基板］
本発明の光電気混載基板は、光導波路配線基板の上に電気回路基板を積層したものである。電気回路基板としては、印刷回路基板等の電気回路基板が用いられる。光導波路配線基板と電気回路基板の積層は、半田、接着等の積層方法のほかに、光導波路基板上に電気回路基板を形成していく所謂ビルドアップ等の手法も利用できる。
また、光導波路配線基板と電気回路基板を積層した光電気混載基板の上に、光デバイス又は光デバイス及び電気デバイスを更に接続することができる。光デバイスとしては、VCSEL/LED/PDの様な単体の光デバイスの他に、LSIと光I/Oデバイスを一体にした、所謂、光マルチチップモジュール(MCM)等が挙げられ、電気デバイスとしては、チップコンデンサ等の受動素子からLSI/マルチチップモジュールの様な大規模な半導体素子に至るまで、通常PWBAに搭載されるすべての素子が挙げられる。
光導波路配線基板には、光方向変換手段Ｂから方向変換された光を光導波路配線基板外部に取り出すための開口部、又は光導波路配線基板外部からの光を光方向変換手段Ｂにより方向変換させるための開口部（光接続のための開口部）が設けられ、この開口部を通って光が入力あるいは出力される。開口部は上部クラッドをエッチングによりコアに到達するまで除去することにより形成され、開口部にはコアと同程度の屈折率を有する導波路材料を充填することが好ましい。コアと開口部の接続部には光方向変換手段Ｂが設けられ、入力光は開口部を通り光方向変換手段Ｂにより、光導波路配線基板平面に平行な方向に変換され、また、面内に平行な光が光方向変換手段Ｂにより方向変換され、開口部を通って出力光となる。
前記開口部は光導波路配線基板の片面に設けても両面に設けてもよい。さらには、電気デバイス、光デバイスの実装も片面に限定されるものでない。
また、本発明の光電気混載基板は、光デバイスの光信号を前記光デバイスの搭載面と反対側に取り出せるようにしたり、あるいは反対側の面に搭載された光デバイスと光信号で結合させるようにすることが可能である。光デバイスの実装精度は、光接続の効率の点から５μｍ以下が望ましい。
【００４９】
図１３（Ａ）ないし図１３（Ｄ）を用いて本発明の光電気混載基板及びその製造方法を説明する。図９ないし図１２で示すような工程により作製した光方向変換手段及び光導波路を有する光導波路配線基板３００に、光接続のための開口部（光入出力開口部）３４０を形成する（図１３（Ａ）参照）。この例では光導波路配線基板の片面に開口部が形成される。開口部の作製には、例えばフォトリソグラフィー法によりエッチングマスクを作製した後、酸素プラズマによるエッチングを行う方法が容易であるが、これに限定されるものではない。また、エッチングマスクを作製せずに、光導波路配線基板に印刷回路基板等の電気回路基板を積層し、印刷回路基板の光入出力開口部を利用してエッチングすることも可能である。
次に、図１３（Ｂ）に示すように、光接続用の開口部３４０を設けた光導波路配線基板に印刷回路基板４００を積層する。光導波路配線基板と印刷回路基板の接合方法は特に規定されない。また、印刷回路基板は光導波路配線基板上にビルドアップ方式で作製してもよい。
前記開口部はこのままでもよいが、図１３（Ｃ）に示すように、光導波路配線基板開口部及び印刷回路基板の開口部にコアと略同一の屈折率を有する材料（導波路材料）３４２を充填することにより接続効率を高めることができる。また、前記材料を充填する代わりに、光ピンを挿入してもよい。
更に図１３（Ｄ）で示すように、印刷回路基板４００の上に、ＭＣＭモジュール５００を半田付けして光電気混載基板６００とする。ＭＣＭモジュールの代わりにＳＭＴデバイスをマウントしてもよい。
【００５０】
［光導波路配線基板作製用原板］
また、本発明の光導波路配線基板作製用原板は、光導波路配線基板平面に平行な面内において光の方向を変換する光方向変換手段Ａを少なくとも１つ、及び／又は光導波路配線基板平面に平行な面に対して角度を有する方向へ光の方向を変換する光方向変換手段Ｂを少なくとも１つ、及び光導波路を構成する下部クラッドとを有する。光方向変換手段Ａ及び／又はＢの高さと下部クラッドの厚さとは、後工程でコア及び上部クラッドを形成した場合、光方向変換手段Ａ及び／又はＢの頂部が、コアと上部クラッドの境界部まで達するか、あるいは上部クラッド内に侵入するような高さ及び厚さとすることが好ましい。
この光導波路配線基板作製用原板を用い、下部クラッドの上にコア及び上部クラッドを形成して本発明の光導波路配線基板を製造することができる。
【実施例】
【００５１】
以下に実施例を示し本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
実施例１
厚さ６５０μｍのＳｉ基板に、プラズマＣＶＤ法を用い、Ｓｉ3Ｎ4膜及びポリシリコン膜をこの順に着膜させ保護膜を形成した。前記保護膜の上にポジ型フォトレジストを塗布し、露光現像して、４００×２００μｍの長方形にレジスト層を除去して開口部を形成した。開口部の１辺は、以下で形成される第１のピットと第２のピットを結ぶラインに対して直角となるようにした。また、長方形の四隅にＲを付けた。その後、反応性イオンエッチングにより前記開口部に対応する形状で保護膜を除去した。次いで、熱硫酸と過酸化水素の混液を用いてレジスト層を除去した。この後、エチレンジアミンとピロカテコールの混液からなる異方性エッチング液を用いて、ピットの深さが１００μｍになるまでＳｉ基板をエッチングした。略４５°の斜面を有するピットが形成された。次に熱燐酸を用いて保護膜を除去した。光方向変換手段Ｂに対応する第１のピット（図９（Ｆ）で示す断面形状を有する）が形成された。
【００５２】
第１のピットが形成されたＳｉ基板の上に、ポジ型フォトレジストを塗布し、露光現像して、１００×１００μｍの正方形にレジスト層を除去して開口部を形成し、エッチングマスクを作製した。正方形の開口部は、その１辺が、第１のピットと以下のエッチングにより形成される第２のピットを結ぶライン（光伝達方向）に対して４５°の角度をなすようにした。エッチングマスクを介して反応性イオンエッチングを行い、ピットの深さが１００μｍになるまでＳｉ基板をエッチングした。光方向変換手段Ａに対応する第２のピットが形成された。次に熱硫酸と過酸化水素の混液によりレジスト層を除去した。得られたものを、以下の工程で用いる型とした。
【００５３】
前記型を原盤として、ポリイミド板（宇部興産（株）製のユーピレックス）を約２８０℃に熱し、軟化させた状態でプレスして、前記の第１及び第２のピット形状を転写し、光方向変換手段Ａ、Ｂを得た。この上に、真空蒸着法によりＡｕを１μｍの厚さで着膜し、反射膜とした。光方向変換手段Ａ、Ｂが形成された樹脂基材が得られた。
【００５４】
光方向変換手段が形成された樹脂基材の上に、日本ペイント（株）製のクラッド用グラシアを塗布し、下部クラッドを形成した。次に、下部クラッドの上にコアを形成した。コアのパターンは、光が、光方向変換手段ＡとＢとの間を通り、かつ光方向変換手段Ａにより９０°方向変換されて、光導波路配線基板の端部から出射するようなパターンとした。コアは日本ペイント（株）製のコア用グラシアを用い、パターン形状に露光して（非露光部がコアとなる）作製した。コアの上に日本ペイント（株）製のクラッド用グラシアを塗布し、上部クラッドを形成した。コアの厚さは５０μｍとし、光方向変換手段ＡとＢがコアより上に出るようにした。
【００５５】
上部クラッドの上にポジ型レジストを塗布して露光現像することによりエッチングマスクを形成し、上部クラッドにエッチングを行って開口部（光接続口）を形成した。開口部の位置は、開口部からの入射光が光方向変換手段Ｂの反射面により反射されコア内を伝達されるような位置とした（図１３（Ａ）参照）。
開口部を設けた光導波路配線基板に印刷回路基板（同じ位置に開口部を有する）を積層し（図１３（Ｂ）参照）、前記開口部に前記コアに用いた有機ポリシラン材料を充填した。
前記印刷回路基板の上にあらかじめ、半田をプリントし、その後、光MCMを高精度マウンターにて搭載し、半田リフロー工程を通して接続した。以上の工程により光電気混載基板が得られた。
光MCMの光出力ポートから光導波路配線基板に入力された光は、光方向変換手段Ｂにより光方向を変換されコア内を伝達され、光方向変更手段Ａにより９０°方向変換され、光導波路配線基板の端部から出力された。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】光の方向を９０°変更する光方向変換手段Ａを設けた光導波路の一例を示す図である。
【図２】光の方向を９０°より大きく変更する光方向変換手段Ａを設けた光導波路の一例を示す図である。
【図３】光方向変換手段Ａにより光を分岐させる光導波路の例を示す図である。
【図４】凹面反射部を有する光方向変換手段Ａを設けた光導波路の例を示す。
【図５】光方向変換手段Ｂを設けた光導波路の例を示す図である。
【図６】光方向変換手段Ｂにより光を分岐させる光導波路の例を示す図である。
【図７】光が交差する光導波路を示す例であり、図７（Ａ）は水平交差を、図７（Ｂ）は垂直交差を示す。
【図８】両面に光接続口を有する光導波路配線基板の一例を示す図である。
【図９】Ｓｉ基板に異方性エッチングを用いて光方向変換手段Ｂに対応する第１のピットを形成するまでの工程を示す図である。
【図１０】第１のピットを形成したＳｉ基板に光方向変換手段Ａに対応する第２のピットを形成し、型を作製するまでの工程を示す図である。
【図１１】型を用いて光方向変換手段Ａ及びＢが形成された樹脂基材を作製するまでの工程を示す図である。
【図１２】樹脂基材の上に下部クラッド、コア及び上部クラッドを形成する工程を示す図である。
【図１３】光導波路配線基板を用いて光電気混載基板を作製するまでの工程を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０    光方向変換手段Ａ
２０    光方向変換手段Ｂ
１２    コア
１４    クラッド
１８    光出力口
１９    光入力口
１００  型
２００  樹脂基材
３００  光導波路配線基板
３３０  下部クラッド
３３２  コア
３３４  上部クラッド
３４０  開口部
３４２  導波路材料
４００  電気回路基板
５００  光デバイス
６００  光電気混載基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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