(57)【要約】  【課題】  エアロゾルデポジション法による成膜方法において、膜の結晶性を向上させる。  【解決手段】  構造物が形成される基板１００が配置される成膜室４と、容器に配置された原料の粉体をキャリアガスによって吹き上げることにより、エアロゾルを生成するエアロゾル生成室３と、該エアロゾル生成室において生成されたエアロゾルを基板に向けて噴射することにより、原料の粉体の組成材料を基板に堆積させるノズル６と、基板に形成された堆積物の表面において該堆積物と反応させることにより、堆積物の表面を選択的にエッチングするための反応性ガスを成膜室内に導入する反応性ガス導入部１０とを含む。【選択図】  図１
2005319380.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エアロゾルの生成が行われる容器に配置された原料の粉体をキャリアガスによって吹き上げることにより、エアロゾルを生成する工程（ａ）と、
成膜室内に反応性ガスを導入する工程（ｂ）と、
前記成膜室に配置された基板に向けて、工程（ａ）において生成されたエアロゾルをノズルから噴射することにより、原料の粉体の組成材料を前記基板に堆積させると共に、前記基板に形成された堆積物の表面において、該堆積物と前記反応性ガスとを反応させることにより、堆積物の表面を選択的にエッチングする工程（ｃ）と、
を具備する成膜方法。
【請求項２】
工程（ｃ）が、前記反応性ガスを活性化させるためのプラズマを前記成膜室内に生成することを含む、請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
工程（ｂ）が、前記反応性ガスを、エアロゾルの生成が行われる前記容器に導入することを含む、請求項１又は２記載の成膜方法。
【請求項４】
前記反応性ガスが、塩素系ガス、フッ素系ガス、又は、塩素−フッ素系ガスのいずれかを含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の成膜方法。
【請求項５】
前記原料の粉体の組成材料が、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛：Pb(lead) zirconate titanate）を含み、
前記反応性ガスが、塩素系ガス又はフッ素系ガスと、アルゴンガスとの混合ガスを含む、
請求項１〜４のいずれか１項記載の成膜方法。
【請求項６】
構造物が形成される基板が配置される成膜室と、
容器に配置された原料の粉体をキャリアガスによって吹き上げることにより、エアロゾルを生成するエアロゾル生成手段と、
前記エアロゾル生成手段によって生成されたエアロゾルを前記基板に向けて噴射することにより、原料の粉体の組成材料を前記基板に堆積させるノズルと、
前記基板に形成された堆積物の表面において該堆積物と反応させることにより、堆積物の表面を選択的にエッチングするための反応性ガスを、前記成膜室内に導入する反応性ガス導入手段と、
を具備する成膜装置。
【請求項７】
前記反応性ガスを活性化させるためのプラズマを前記成膜室内に生成するプラズマ生成手段をさらに具備する請求項６記載の成膜装置。
【請求項８】
前記プラズマ生成手段が、前記基板に負電圧を印加することによってプラズマを生成する、請求項７記載の成膜装置。
【請求項９】
前記プラズマ生成手段が、高周波電源と、ブロッキングコンデンサと、前記基板を保持すると共に前記ブロッキングコンデンサを介して前記高周波電源と電気的に接続されている電極とを含む、請求項８記載の成膜装置。
【請求項１０】
前記プラズマ生成手段が、前記電極に対向して配置され、接地配線と接続されている第２の電極をさらに有する、請求項９記載の成膜装置。
【請求項１１】
前記反応性ガス導入手段が、前記エアロゾル生成手段を介して前記成膜室内に反応性ガスを導入するように配置されている、請求項６〜１０のいずれか１項記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原料を基板に向けて噴射することにより、基板上に原料の組成材料を堆積させる成膜方法、及び、それを用いた成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛：Pb(lead) zirconate titanate）等の圧電体の両側に電極を配置した構造体は、圧電アクチュエータ、圧電ポンプ、インクジェットプリンタのインクジェットヘッド、超音波トランスデューサ等の様々な用途に利用されている。近年、このような構造体において、複数の絶縁層と複数の電極層とを交互に積層することが行われている。即ち、積層された複数の層を並列に接続することにより、素子全体の電極間容量を大きくすることができる。そのため、素子の電気インピーダンスの上昇を抑えつつ、素子を微細化することができるので、例えば、ＭＥＭＳ（マイクロエレクトロメカニカルシステム）関連の機器への適用が進められている。
【０００３】
関連する技術として、特許文献１には、複数の柱状圧電体と、該複数の柱状圧電体の間に位置する誘電体部分と、該複数の柱状圧電体を横切るように、該複数の柱状圧電体の長手方向と交わる方向に伸びる少なくとも１つの内部導体とを有する複合圧電体が開示されている。このような構造とすることにより、微細でアスペクト比の高い複数の柱状圧電体を有し、電気的インピーダンスの小さい複合圧電体を、性能を低下させることなく安価に製造することができる。
【０００４】
ところで、特許文献１においては、圧電体グリーンシート及び導電性ペーストを用いることにより、積層体が作製されている。しかしながら、グリーンシートを用いる場合には、圧電体中にバインダが混入してしまうので、圧電体において十分な圧電性能を得ることができない。また、高温による熱処理が製造工程に含まれるので、圧電体と導電体との熱膨張率の違いにより、圧電体が反ったり、両者が剥離してしまうおそれがある。さらに、薄いシートを張り合わせる際にシートが割れやすいというハンドリング上の問題があるので、そのようなシートを含む積層体を分割して微細な素子を作製することは困難である。
【０００５】
そこで、積層体に含まれる各圧電体層の形成方法として、エアロゾルデポジション（aerosol deposition：ＡＤ）法と呼ばれる成膜方法が注目されている。ＡＤ法とは、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛：Pb(lead) zirconate titanate）等の原料の超微粒子をノズルから基板に向けて噴射し、基板や先に形成された膜に衝突させることによって原料を堆積させる成膜方法である。ＡＤ法においては、高速で噴射された原料の粉体が、基板や先に形成された堆積物等の下層に衝突して食い込むと共に破砕し、その際に生じた破砕面が下層に付着する。このような成膜メカニズムは、メカノケミカル反応と呼ばれており、この反応により、不純物を含まない、緻密で強固な膜を形成することが可能になる。そのため、ＡＤ法を用いることにより、圧電体等を含む素子の性能を向上させることができるものと期待されており、成膜装置や成膜方法について、様々な検討が為されている。例えば、特許文献２には、ガスデポジション法において、安定した膜質を提供するために、各工程における成膜条件を抽出して最適化することが開示されている。なお、ＡＤ法は、噴射堆積法又はガスデポジション法とも呼ばれている。
【０００６】
関連する技術として、特許文献３には、ＡＤ法において、超微粒子の流れが基板に衝突する以前においてこれら超微粒子や基板に、イオン、原子、分子ビームや低温プラズマなどの高エネルギー原子、分子である高速の高エネルギービームを照射することにより、超微粒子材料を溶解或いは分解せずに、超微粒子や基板表面に付着した水分子等による汚染層や酸化物層を除去したり、アモルファス化することで活性化し、超微粒子流の速度が遅くても、超微粒子と基板若しくは超微粒子相互の強固な接合をもたらし、被膜を形成する超微粒子成膜法が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−１８９３９５号公報（第１頁、第５頁、図１）
【特許文献２】特開２００１−１５２３６０号公報（第１頁）
【特許文献３】特開２０００−２１２７６６号公報（第１頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、このようなＡＤ法においては、原料の超微粒子が下層に衝突する際に熱が発生し、衝突部分がアモルファス化してしまうことがある。そのような場合には、形成された膜の結晶性が、原料の超微粒子の状態よりも悪くなってしまう。また、超微粒子が下層に衝突の際における微妙な条件により、形成された膜に結合の弱い部分が生じる場合がある。このような結晶性の悪い部分が形成された膜内に多く存在すると、膜の機能低下や、耐久性の低下を招くおそれがある。さらに、特許文献３に開示されているように、噴射される超微粒子材料を活性化した場合には、比較的良好な物性を有する膜を得ることができるものの、その際に生じたアモルファス層が膜中に残留したり、十分に満足できる結晶性を有する膜を得ることができないという問題がある。
そこで、上記の点に鑑み、本発明は、エアロゾルデポジション法による成膜方法において、膜の結晶性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明に係る成膜方法は、エアロゾルの生成が行われる容器に配置された原料の粉体をキャリアガスによって吹き上げることにより、エアロゾルを生成する工程（ａ）と、成膜室内に反応性ガスを導入する工程（ｂ）と、成膜室に配置された基板に向けて、工程（ａ）において生成されたエアロゾルをノズルから噴射することにより、原料の粉体の組成材料を基板に堆積させると共に、該基板に形成された堆積物の表面において、該堆積物と反応性ガスとを反応させることにより、堆積物の表面を選択的にエッチングする工程（ｃ）とを具備する。
【０００９】
また、本発明に係る成膜装置は、構造物が形成される基板が配置される成膜室と、容器に配置された原料の粉体をキャリアガスによって吹き上げることにより、エアロゾルを生成するエアロゾル生成手段と、該エアロゾル生成手段によって生成されたエアロゾルを基板に向けて噴射することにより、原料の粉体の組成材料を基板に堆積させるノズルと、基板に形成された堆積物の表面において該堆積物と反応させることにより、堆積物の表面を選択的にエッチングするための反応性ガスを、成膜室内に導入する反応性ガス導入手段とを具備する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、成膜室に反応性ガスを導入することにより、ＡＤ法による成膜を行いつつ堆積物の表面、即ち、膜の成長面における結合の弱い部分を選択的にエッチングするので、結晶性の良い部分のみを膜内に残留させることができる。そのため、高温プロセスを経ることなく、結晶性を含む膜質を向上させることが可能になる。従って、そのようにして作製された膜を適用した機器の性能及び性能歩留まりを向上させると共に、製造プロセス設計の自由度を増すことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る成膜装置を示す模式図である。この成膜装置は、原料の粉体を含むエアロゾルを基板に吹き付けることにより、原料を基板に堆積させるエアロゾルデポジション（aerosol deposition：ＡＤ）法を用いた成膜装置である。
【００１２】
図１に示す成膜装置は、ガスボンベ１と、搬送管２ａ及び２ｂと、エアロゾル生成室３と、成膜室４と、排気ポンプ５と、ノズル６と、基板ホルダ７と、高周波電源（ＲＦ）８と、マッチングボックス（ＭＢ）９と、反応性ガス導入部１０とを含んでいる。
【００１３】
ガスボンベ１には、キャリアガスとして使用される窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、又は、乾燥空気等が充填されている。また、ガスボンベ１には、キャリアガスの供給量を調節する圧力調整部１ａが設けられている。
【００１４】
エアロゾル生成室３は、成膜材料である原料の微小な粉体が配置される容器である。ガスボンベ１から搬送管２ａを介して、エアロゾル生成室３にキャリアガスを導入することにより、そこに配置された原料の粉体が噴き上げられてエアロゾル１０１が生成される。生成されたエアロゾル１０１は、搬送管２ｂを介してノズル６に供給される。
【００１５】
成膜室４には、エアロゾルを噴射するノズル６と、基板１００を保持する基板ホルダ７とが配置されている。また、成膜室４の内部は、排気ポンプ５によって排気されており、それにより、所定の真空度に保たれている。さらに、成膜室４は接地配線に接続されている。
ノズル６は、例えば、長さ５ｍｍ、幅０．５ｍｍ程度の開口を有しており、エアロゾル生成室３から供給されたエアロゾル１０１を基板１００に向けて高速で噴射する。
【００１６】
基板ホルダ７は、基板１００を保持するホルダであると共に、成膜室４内にプラズマを生成するための電極としても用いられる。基板ホルダ７は、成膜室４から絶縁されていると共に、マッチングボックス９を介して、高周波電源８に電気的に接続されている。また、基板ホルダ７には、基板ホルダ７を３次元的に移動させる基板ホルダ駆動部７ａが設けられている。これにより、ノズル６と基板１００との相対位置及び相対速度が制御される。
【００１７】
高周波電源８は、例えば、周波数１３．５６ＭＨｚの交流電圧を発生するプラズマ発生用高周波電源装置である。また、マッチングボックス９は、負荷の持つリアクタンス成分をキャンセルすることにより、負荷と高周波電源８との間でインピーダンス整合を行う。マッチングボックス９としては、例えば、ブロッキングコンデンサを用いたマッチングボックスを用いることができる。ブロッキングコンデンサは、直流成分をカットし、交流成分のみを通過させる。
【００１８】
さらに、成膜室４には、反応性ガス導入部１０が設けられている。反応性ガス導入部１０は、形成中の膜をエッチングするための反応性ガス（エッチングガス）を成膜室４内に導入する際に用いられる。成膜室に導入される反応性ガスの種類については、後述する。
【００１９】
次に、本実施形態に係る成膜方法について説明する。
本実施形態に係る成膜方法は、膜の成長面に存在する物理的に結合の弱い粒子や結晶をエッチングしながら、ＡＤ法によって膜を成長させる成膜方法である。即ち、膜の成長面における結晶性の良くない部分を選択的に除去し、結晶性の良い部分のみを基板上に残留させる。その結果、良好な結晶性を有し、緻密且つ強固で、下層への密着性の良い膜を形成することができる。
【００２０】
本実施形態においては、膜をエッチングする方法として、反応性イオンエッチングを用いている。ここで、反応性イオンエッチングとは、基板を戴置した電極（基板ホルダ）に高周波電力を印加することによって発生した負の自己バイアス電圧により、プラズマによって生成されたイオンを加速して基板上の堆積物に衝突させるエッチング法である。そのため、図１に示す成膜装置には、反応性ガスを成膜室４に導入するための反応性ガス導入部１０と、成膜室４内にプラズマを生成するための基板ホルダ７〜マッチングボックス９とが設けられている。
【００２１】
図２は、図１に示す成膜室４、基板ホルダ７、高周波電源８、及び、マッチングボックス９によって構成される回路を表している。
図２に示すように、成膜室４及び基板ホルダ７は、平行平板型高周波放電におけるアノード及びカソードとしてそれぞれ作用する。また、マッチングボックス９のブロッキングコンデンサは、アノード・カソード間のプラズマ負荷に直列に接続されており、カソードは、直流的には浮遊状態にある。高周波電源８により図２に示す回路に電力を供給すると、グロー放電が生じて容量結合（ＣＣＰ）型のプラズマが生成される。その際に、プラズマ空間中には、接地電位に対して正のプラズマ電位ＶＰＬが発生し、カソードには、自己バイアス作用により接地電位に対して負の電位ＶＢＩが発生する。これにより、アノード・カソード間に、図３に示すような電位分布が生じる。なお、自己バイアスが発生する原理の詳細については、小沼光晴著、「プラズマと成膜の基礎」（日刊工業新聞社）の第６３−６６頁を参照されたい。
【００２２】
グロー放電及びプラズマを生成する方法については、この他にも、スパッタリングやエッチング等において用いられているように、直流パルス法や、非対称バイポーラプラズマ法等の公知の方法を用いることができる。例えば、ブライアン・エヌ・チャップマン（Brain N. Chapman）著、岡本幸雄訳、「プラズマプロセシングの基礎」（電気書院）を参照されたい。
【００２３】
成膜室４に導入される反応性ガスの種類としては、例えば、「マイクロメカニカルシステム実用化技術総覧」（株式会社フジ・テクノシステム発行）の第３１２頁に記載されているように、四フッ化炭素（ＣＦ４）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、三フッ化窒素（ＮＦ３）を含むフッ素系ガス、四塩化炭素（ＣＣｌ４）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）を含む塩素系ガス、クロロトリフルオロメタン（ＣＣｌＦ３）を含む塩素−フッ素系ガス等の腐食性を有するガスを用いることができる。この場合には、成膜室４内のプラズマにより反応性イオンが生成されるので、膜は主に化学的作用によりエッチングされる。
【００２４】
成膜室４に導入されるガスは、形成される膜の材料に応じて適当なものを選択すると共に、所望の反応速度等を得るために、成膜速度や温度等の成膜条件に応じて、適当な濃度に希釈したものを用いることが望ましい。その際には、水素（Ｈ２）、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）等の単体ガスや、ヘリウム（Ｈｅ）やアルゴン（Ａｒ）等の希ガスや、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）等の有機化合物ガス等を用いることができる。例えば、ＰＺＴ膜を形成する場合には、Ｃｌ系又はＦ系のガスにアルゴンを混合して用いることが好ましい。
【００２５】
本実施形態に係る成膜方法を用い、次のようにＰＺＴ膜を作製した。
まず、図１に示す成膜装置において、ＳＵＳ（ステンレス鋼）３０４によって形成された基板（ＳＵＳ基板）を基板ホルダ７にセットすると共に、基板ホルダ７を５００℃程度に保った。また、成膜室４の内部を、排気ポンプ５を用いて５０Ｐａ程度まで排気した。次に、エアロゾル生成室３に、原料の粉体として、粒径約０．３μｍの酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）添加ＰＺＴ（５２／４８）粒子を配置し、キャリアガスとしてアルゴンガス又は酸素ガスを、所定の流量となるように供給することにより、エアロゾルを生成した。さらに、生成されたエアロゾルをノズル６に供給し、ノズル６からＳＵＳ基板に向けて噴射することにより、成膜を開始した。
【００２６】
一方、成膜の開始と同時に、反応性ガス導入部１０から、反応性ガスとして四フッ化炭素を流量５ＳＬＭ（Ｌ／ｍｉｎ，ａｔ  ０℃  １０１．３ｋＰａ）で導入すると共に、高周波電源８から電力を供給し、基板ホルダ７からグロー放電を生じさせた。その際に、ＳＵＳ基板に印加された直流成分は、−１２０Ｖであった。これにより、プラズマパワー約３Ｗ／ｃｍ２のプラズマ１０２が発生し、反応性ガスから生成された反応性イオンによりエッチングが行われた。さらに、成膜終了後、形成されたＰＺＴ膜を成膜室４から取り出し、分極処理を行った。
また、比較例として、上記の成膜装置及び成膜材料を用い、同様の成膜条件の下、エッチングを行わないでＰＺＴ膜を作製した。
【００２７】
そのように作製されたＰＺＴ膜の性能を測定したところ、比較例のＰＺＴ膜における圧電定数がｄ３３＝１５０であったのに対して、本実施形態に係る成膜方法によって形成されたＰＺＴ膜（実施例）においては、ｄ３３＝２５０であった。即ち、エッチングを行いつつＡＤ法による成膜を行うことにより、良好な圧電定数を有する結晶性の良い膜を形成できたことが分かる。また、実施例のＰＺＴ膜においては、基板への密着性及び硬度（ビッカース硬度）のいずれについても良好であった。なお、グロー放電を生じさせる際に、ＳＵＳ基板に印加される直流成分を−１０Ｖよりも大きく（絶対値を小さく）した場合には、あまりエッチングが行われなかったので、実施例と比較例との差異は少なかった。反対に、基板に印加される直流成分を−１０００Ｖよりも小さく（絶対値を大きく）した場合には、エッチングにおいて選択性が大きくなりすぎて、組成ズレが生じてしまった。
【００２８】
以上説明したように、本実施形態によれば、高温プロセスを経ることなく、ＡＤ法によって形成された膜の結晶性や強度等を向上させることができる。従って、そのような膜を適用した機器における性能や耐久性を向上させることができる。また、高温プロセス中に生じ易い膜の反りや、基板からの剥離を防ぐことができるので、製造歩留まりを向上させることができる。さらに、高温プロセスが不要になることにより、製造プロセス設計上の自由度を増すことができる。
【００２９】
本実施形態に係る成膜方法は、例えば、次のような機器の製造プロセスに適用することができる。
特開２００２−１９０５１２号公報に開示されているように、静電チャック用のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜は、硬くて緻密なものほど望ましく、ＡＤ法を用いることにより、スパッタ法やグリーンシート法を用いる場合と比較して、良好な特性を有する膜を作製することができる。そのＡＤ法を行う際に、先に説明したように、結合の弱い部分を選択的にエッチングすることにより、通常のＡＤ法よりも更に強固で緻密なアルミナ膜を得ることが可能になる。
【００３０】
また、インクジェットプリンタのインクジェットヘッド等に用いられる圧電体（ＰＺＴ）膜は、一般には、６００℃以上の高温で成膜することにより作製されている。このような高温で使用できる基板の種類は限られており、材料選択の幅が狭いと共に、高温に対応するため、成膜装置自体が高価になっているのが現状である。しかしながら、本実施形態に係る成膜方法を用いることにより、結晶性の良い、良好な性能を有するＰＺＴ膜を、より低温（例えば、５００℃）で形成することが可能になる。そのため、従来においては基板としてＳＵＳ４３０を用いるのが主流であったが、より汎用的なＳＵＳ３０４を使用することができるようになり、コストを低減することが可能になる。
【００３１】
次に、本発明の第２の実施形態に係る成膜装置について、図４を参照しながら説明する。
図４に示す成膜装置は、図１に示す反応性ガス導入部１０の替わりに、搬送管２０ｂを介してエアロゾル生成室３と接続されたガスボンベ２０を有している。その他の構成については、図１に示す成膜装置と同様である。
【００３２】
ガスボンベ２０には、ＡＤ法によって形成される膜をエッチングするために用いられる反応性ガスが充填されている。なお、反応性ガスの種類については、第１の実施形態において説明したものと同様である。
本実施形態においては、反応性ガスをエアロゾル生成室３に導入することにより、エアロゾル１０３と共に成膜室４内に導入する。その際には、ガスボンベ２０に設けられた圧力調整部２０ａを制御することにより、反応性ガスの濃度を調整することができる。これにより、成膜中の領域に反応性ガスが吹き付けられるので、少量の反応性ガスにより、膜の成長面における結合の弱い部分を効率的にエッチングすることができる。
【００３３】
次に、本発明の第３の実施形態に係る成膜装置について、図５を参照しながら説明する。
本実施形態に示す成膜装置は、図１に示す成膜装置に対して、対向電極３０をさらに設けたものである。その他の構成については、図１に示す成膜装置と同様である。
対向電極３０は、基板ホルダ７に対向するように配置されていると共に、接地配線に接続されている。このような対向電極３０は、図２に示す回路におけるアノードとして作用する。また、対向電極３０には、ノズル６から噴射されたエアロゾル１０１が通過するための開口３０ａが形成されている。
【００３４】
図５に示す成膜装置においては、高周波電源８から電力を供給することにより、基板ホルダ７と対向電極３０との間にグロー放電が生じ、プラズマ１０４が生成される。このプラズマ１０４は、基板ホルダ７と対向電極３０との間に閉じ込められるので、対向電極３０を設けない場合と比較して、より均一なプラズマ空間を形成することができる。従って、膜の成長面における結合の弱い部分を、より安定して選択的にエッチングすることができる。なお、本実施形態においても、第２の実施形態におけるのと同様に、反応性ガスをエアロゾルと共に供給しても良い。
【００３５】
以上説明した本発明の第１及び第２の実施形態においては、平行平板型の原理を用いてプラズマを生成したが、その他にも様々なプラズマ生成方式を用いることができる。例えば、応用物理学会編、「応用物理ハンドブック」第２版（丸善株式会社）の第７２９−７３１頁に記載されているように、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマを生成するプラズマ源や、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を生成するプラズマ源を用いても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、原料の粉体を基板に向けて噴射することにより、基板上に原料の組成材料を堆積させる成膜方法において利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る成膜装置の構成を示す模式図である。
【図２】図１に示す成膜装置におけるプラズマ生成の原理を説明するための回路図である。
【図３】図２に示すアノード−カソード間に生じる電位分布を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る成膜装置の構成を示す模式図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る成膜装置の構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【００３８】
１、２０  ガスボンベ
１ａ、２０ａ  圧力調整部
２ａ、２ｂ、２０ｂ  搬送管
３  エアロゾル生成室
３ａ  容器駆動部
４  成膜室
５  排気ポンプ
６  ノズル
７  基板ホルダ
７ａ  基板ホルダ駆動部
８  高周波電源
９  マッチングボックス
１０  反応性ガス導入部
３０  対向電極
３０ａ  開口
１００  基板
１０１、１０３  エアロゾル
１０２、１０４  プラズマ
【図１】
2005319380.tif 000003
【図２】
2005319380.tif 000004
【図３】
2005319380.tif 000005
【図４】
2005319380.tif 000006
【図５】
2005319380.tif 000007