(57)【要約】【課題】電圧源発生回路の低電圧化を実現する電圧源発生回路を提供する。【解決手段】デプレッションタイプのトランジスタである第１の電界効果トランジスタと第１の電界効果トランジスタと同一導電型のトランジスタである第２の電界効果トランジスタとを直列に接続した回路と、第３の電界効果トランジスタと複数の抵抗体からなるソースフォロア回路とで構成し、第１の電界効果トランジスタのゲート端子と第３の電界効果トランジスタのゲート端子とを接続し、この接続点を第１の電界効果トランジスタのソース端子に接続し、第２の電界効果トランジスタのゲート端子をソースフォロア回路の抵抗体間の接続点に接続し、ソースフォロア回路の出力端子から電圧を取り出す電圧源発生回路において、第３の電界効果トランジスタに流れる電流をＺＴＣ（Ｚｅｒｏ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）点に設定するようにした。【選択図】        図１
2005050947.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デプレッションタイプのトランジスタである第１の電界効果トランジスタと該第１の電界効果トランジスタと同一導電型のトランジスタである第２の電界効果トランジスタとを直列に接続した回路と、第３の電界効果トランジスタと複数の抵抗体からなるソースフォロア回路とで構成し、前記第１の電界効果トランジスタのゲート端子と前記第３の電界効果トランジスタのゲート端子とを接続し、この接続点を前記第１の電界効果トランジスタのソース端子に接続し、前記第２の電界効果トランジスタのゲート端子をソースフォロア回路の前記抵抗体間の接続点に接続し、該ソースフォロア回路の出力端子から電圧を取り出す電圧源発生回路において、前記第３の電界効果トランジスタに流れる電流をＺＴＣ（Ｚｅｒｏ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）点に設定することを特徴とする電圧源発生回路。
【請求項２】
請求項１に記載の電圧源発生回路において、前記第２の電界効果トランジスタは、前記第１の電界効果トランジスタと同一導電型でチャンネル領域の不純物濃度を該第１の電界効果トランジスタと異なる条件にして、該第１の電界効果トランジスタの閾値と異なる閾値を持たせ、その閾値差を該第２の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧とすることを特徴とする電圧源発生回路。
【請求項３】
請求項１に記載の電圧源発生回路において、前記第２の電界効果トランジスタは、前記第１の電界効果トランジスタと同一導電型でポリシリコンゲート電極の不純物濃度を該第１の電界効果トランジスタと異なる条件にして、該第１の電界効果トランジスタの閾値と異なる閾値を持たせ、その閾値差を該第２の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧とすることを特徴とする電圧源発生回路。
【請求項４】
請求項１に記載の電圧源発生回路において、前記第２の電界効果トランジスタが前記第１の電界効果トランジスタと同一導電型でポリシリコンゲート電極の極性を該第１の電界効果トランジスタと異なる極性にして該第１の電界効果トランジスタの閾値と異なる閾値を持たせて、その閾値差を該第２の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧とすることを特徴とする電圧源発生回路。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の電圧源発生回路において、前記ソースフォロア回路にトリミング手段を有する複数の抵抗体を設けたことを特徴とする電圧源発生回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、広い温度範囲において温度変化により最低動作電圧が変動することなく、低電圧で動作する電界効果トランジスタを用いた電圧源発生回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電界効果トランジスタを用いた基準電圧回路として特許文献１があり、その回路図を図１に示す。この基準電圧回路は、第１の電界効果トランジスタＭ１と第２の電界効果トランジスタＭ２を直列に接続した回路と、第３の電界効果トランジスタＭ３と抵抗体Ｒからなるソースフォロア回路で構成されている。
【０００３】
図１において、第１の電界効果トランジスタＭ１はｎチャネルのデプレッショインタイプの電界効果トランジスタであり、Ｍ１のソース端子とゲート端子は第２の電界効果トランジスタＭ２のドレイン端子に接続されている。
第２の電界効果トランジスタＭ２はｎチャネルのエンハンスタイプの電界効果トランジスタであり、Ｍ２のゲート端子はソースフォロア回路の出力ＶＯＵＴに接続されている。
【０００４】
ソースフォロア回路は、第３の電界効果トランジスタＭ３と抵抗体（Ｒ１，Ｒ２）からなり、第３の電界効果トランジスタＭ３はｎチャネルの電界効果トランジスタであり、Ｍ３のソース端子は抵抗体Ｒ１に、Ｍ３のゲート端子は第１の電界効果トランジスタＭ１と第２の電界効果トランジスタＭ２の接続点に接続されている。
【０００５】
この回路では、基準電圧回路の出力電圧とその温度変化率が第１の電界効果トランジスタＭ１と第２の電界効果トランジスタＭ２の閾値と誘電係数のみで決まるため、出力電圧の温度特性及び出力電圧も自由に調節でき、出力インピーダンスも低くできる。
【０００６】
【特許文献１】
特許第３３４３１６８号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の基準電圧回路の場合、回路を正常動作させるために必要な最低動作電圧は、第１の電界効果トランジスタＭ１のドレイン・ソース電圧と第３の電界効果トランジスタＭ３のゲート・ソース電圧と出力電圧の和で決まる。
しかし、ソースフォロア回路の第３の電界効果トランジスタＭ３の特性が温度依存性を持つため、最低動作電圧は温度変化とともに変動する。
以下に、第３の電界効果トランジスタＭ３の温度特性について説明する。
【０００８】
図２は、従来の基準電圧回路において、ソースフォロア回路の第３の電界効果トランジスタＭ３の温度変化によるゲート電圧（Ｖｇｓ）・ドレイン電流（Ｉｄｓ）特性を示すグラフであり、曲線１は高温での特性、曲線２は室温での特性、曲線３は低温での特性を示す。以下に、それぞれの温度範囲における特性について説明する。
【０００９】
第３の電界効果トランジスタＭ３に、抵抗体と出力電圧で決まる（出力電圧／抵抗）一定電流（図２のＡ）が流れる場合、まず、低温領域では、室温での曲線２は温度の低下と共に曲線３に変り、第３の電界効果トランジスタＭ３のゲート・ソース間電圧はＶｇｓ２からＶｇｓ１に低下する。
一方、高温領域では、室温での曲線２は温度の上昇に伴い曲線１に変り、第３の電界効果トランジスタＭ３は上記同様出力電圧／抵抗（Ａ）の一定電流を流す必要があるため、第３の電界効果トランジスタＭ３のゲート・ソース間電圧はＶｇｓ２からＶｇｓ３に上昇する。
【００１０】
従って、上記に述べた第３の電界効果トランジスタＭ３の温度特性により、従来の基準電圧回路の最低動作電圧が温度により変動してしまう問題がある。
また、高温領域では電界効果トランジスタのＶｇｓの増加に伴い最低動作電圧が上がるため低電圧動作が困難である。
【００１１】
本発明は、上述の実情を考慮してなされたものであって、最低動作電圧が温度変化に依存せず、また低電圧動作が可能な電圧源発生回路を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するために、本発明の請求項１は、デプレッションタイプのトランジスタである第１の電界効果トランジスタと該第１の電界効果トランジスタと同一導電型のトランジスタである第２の電界効果トランジスタとを直列に接続した回路と、第３の電界効果トランジスタと複数の抵抗体からなるソースフォロア回路とで構成し、前記第１の電界効果トランジスタのゲート端子と前記第３の電界効果トランジスタのゲート端子とを接続し、この接続点を前記第１の電界効果トランジスタのソース端子に接続し、前記第２の電界効果トランジスタのゲート端子をソースフォロア回路の前記抵抗体間の接続点に接続し、該ソースフォロア回路の出力端子から電圧を取り出す電圧源発生回路において、前記第３の電界効果トランジスタに流れる電流をＺＴＣ（Ｚｅｒｏ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）点に設定することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の請求項２は、請求項１に記載の電圧源発生回路において、前記第２の電界効果トランジスタは、前記第１の電界効果トランジスタと同一導電型でチャンネル領域の不純物濃度を該第１の電界効果トランジスタと異なる条件にして、該第１の電界効果トランジスタの閾値と異なる閾値を持たせ、その閾値差を該第２の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧とすることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の請求項３は、請求項１に記載の電圧源発生回路において、前記第２の電界効果トランジスタは、前記第１の電界効果トランジスタと同一導電型でポリシリコンゲート電極の不純物濃度を該第１の電界効果トランジスタと異なる条件にして、該第１の電界効果トランジスタの閾値と異なる閾値を持たせ、その閾値差を該第２の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧とすることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の請求項４は、請求項１に記載の電圧源発生回路において、前記第２の電界効果トランジスタが前記第１の電界効果トランジスタと同一導電型でポリシリコンゲート電極の極性を該第１の電界効果トランジスタと異なる極性にして該第１の電界効果トランジスタの閾値と異なる閾値を持たせて、その閾値差を該第２の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧とすることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の請求項５は、請求項１乃至４のいずれかに記載の電圧源発生回路において、前記ソースフォロア回路にトリミング手段を有する複数の抵抗体を設けたことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
まず、本発明で低電圧動作が可能な電圧源発生回路を実現するために用いた電界効果トランジスタのＶｇｓに、温度により変化しないドレイン・ソース電流値、いわゆるＺＴＣ（Ｚｅｒｏ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）点（図２参照）ができる理由について説明する。
【００１８】
一般に、飽和領域（Ｖｄｓ＞Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）で動作するＭＯＳＦＥＴのドレイン・ソース電流は次のように表される。
【００１９】
【数１】
2005050947.tif 000003
【００２０】
ここで、μ：キャリアの移動度、Ｃｏｘ：酸化膜中の単位面積当たりの静電容量、Ｗ：チャネル幅、Ｌ：チャネル長である。
上記式（１）で、温度依存性を持っているのは、キャリアの移動度μと閾値Ｖｔｈの二つのパラメータであり、以下にそれぞれの温度依存性について考える。
【００２１】
まず、閾値Ｖｔｈは、次の式（２）のように表される。
【００２２】
【数２】
2005050947.tif 000004
【００２３】
ここで、φｍｓ：ゲートの仕事関数と基板の仕事関数の差、Ｑｆ：酸化膜中の固定電荷、φｆ：基板のフェルミレベル、ＱＤ：反転層と基板間の空乏層内の単位面積当たりの電荷、Ｃｏｘ：単位面積当たりの酸化膜の静電容量である。
【００２４】
従って、閾値の温度依存性を知るためには、上記式（２）を構成するそれぞれのパラメータの温度特性を調べればよい。
一般に、周囲温度変化による閾値の変動は、次式（３）のように表すことができる。
【００２５】
【数３】
2005050947.tif 000005
【００２６】
ここで、αは基板のドーピングレベルや注入量などプロセスに依存するパラメータであり、通常のＣＭＯＳプロセスの場合、約１〜２ｍＶ／℃である。上記式（３）は、２００〜４００Ｋの温度範囲で有効である。式（３）から、閾値Ｖｔｈは温度に対して反比例の関係にあることが分かる。
このことは、温度が上昇すると閾値が下がり、同じＶｇｓの条件では式（１）のドレイン・ソース電流（Ｉｄｓ）が上昇することを意味する。
【００２７】
次に、キャリアの移動度について述べる。キャリアの移動度μは温度に対して強い依存性を持っており、次の式（４）のように表される。
【００２８】
【数４】
2005050947.tif 000006
【００２９】
ここでｎの値は１〜２．５程度であり、酸化膜の成長条件や温度範囲に依存する。上式（４）から分かるように、移動度の温度依存性はＴ−ｎに比例関係にあるため、温度上昇に伴い移動度が下がり、その結果同じＶｇｓの条件では式（１）のドレイン・ソース電流（Ｉｄｓ）は低下する。
【００３０】
従って、ドレイン・ソース電流の温度特性は、与えられたバイアス条件で、どちらが支配的になるかにより決まる。上記で述べたように、閾値（式（３））と移動度（式（４））の温度係数は、ドレイン・ソース電流（式（１））に対してそれぞれ反対の働きをするため、あるバイアス点でキャンセルされる傾向があり、これら二つの効果が相殺されるバイアス点がＺＴＣ点になる。このＺＴＣ点は、トランジスタのサイズ、酸化膜厚、閾値や移動度の温度係数に依存している。
【００３１】
以下、図面を用いて本発明の電圧源発生回路の実施形態について説明する。
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１の回路構成は図１と同じである。即ち、本実施形態１の回路構成は、デプレッションタイプの第１の電界効果トランジスタＭ１と、第１の電界効果トランジスタＭ１と同一導電型の第２の電界効果トランジスタＭ２と、第３の電界効果トランジスタＭ３と抵抗体（Ｒ１，Ｒ２）で構成されるソースフォロア回路からなっている。
【００３２】
しかし、第２の電界効果トランジスタＭ２は、第１の電界効果トランジスタＭ１と同一導電型であり、チャンネル領域の不純物濃度を第１の電界効果トランジスタＭ１と異なる条件にして第１の電界効果トランジスタＭ１の閾値と異なる閾値を持たせてあり、第３の電界効果トランジスタＭ３に流れる電流をＺＴＣに設定するようにしてある。
第１の電界効果トランジスタＭ１は、ゲート端子とソース端子を結線して定電流源となる。
第２の電界効果トランジスタＭ２は、第３の電界効果トランジスタＭ３と抵抗体（Ｒ１，Ｒ２）からなるソースフォロア回路によりゲート電位が与えられる。
第１及び第２の電界効果トランジスタ（Ｍ１，Ｍ２）には同一電流が流れるため、第２の電界効果トランジスタＭ２のゲート・ソース間電圧は、第２の電界効果トランジスタＭ２と第１の電界効果トランジスタＭ１との閾値の差ΔＶｔｈとなる。さらに、
【００３３】
【数５】
2005050947.tif 000007
【００３４】
となり、所望の温度特性を抵抗比でも設定可能な電圧源発生回路ができる。
【００３５】
次に、本実施形態１の最低動作電圧について考える。この場合、最低動作電圧を決めるパスとして次の３つのパス（Ｐａｔｈ１，Ｐａｔｈ２，Ｐａｔｈ３）が考えられる。
まず、Ｐａｔｈ１は、第１の電界効果トランジスタＭ１のドレイン・ソース電圧（ＶｄｓＭ１）と第２の電界効果トランジスタＭ２のドレイン・ソース電圧（ＶｄｓＭ２）の和になり、次式（５）で表される。
【００３６】
【数６】
2005050947.tif 000008
【００３７】
ここで、第１の電界効果トランジスタＭ１のゲート・ソース電圧（ＶｇｓＭ１）はゲート・ソース結線であるため０になる。また、第２の電界効果トランジスタＭ２のゲート・ソース電圧（ＶｇｓＭ２＝Ｖ１）は、第２の電界効果トランジスタＭ２と第１の電界効果トランジスタＭ１の閾値の差ΔＶｔｈとして扱うことができる。
【００３８】
Ｐａｔｈ２は、第３の電界効果トランジスタＭ３のドレイン・ソース電圧（ＶｄｓＭ３）と出力電圧（ＶＯＵＴ）の和になり、次式（６）で表される。
【００３９】
【数７】
2005050947.tif 000009
【００４０】
ここで、第３の電界効果トランジスタＭ３のゲート・ソース電圧（ＶｇｓＭ３）と閾値（ＶｔｈＭ３）との差は０とみなす。
【００４１】
Ｐａｔｈ３は、第１の電界効果トランジスタＭ１のドレイン・ソース電圧（ＶｄｓＭ１）と第３の電界効果トランジスタＭ３のゲート・ソース電圧（ＶｇｓＭ３）と出力電圧（ＶＯＵＴ）の和になり、次式（７）で表される。
【００４２】
【数８】
2005050947.tif 000010
【００４３】
ここで、第１の電界効果トランジスタＭ１のゲート・ソース電圧（ＶｇｓＭ１）は、ゲート・ソース結線であるため０になる。
【００４４】
これら３つのパスの式に、実際の値を入れて最低動作電圧を求めてみる。第１、２、３の電界効果トランジスタ（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３）の閾値（Ｖｔｈ）はすべて−０．４Ｖであり、ＶＯＵＴは１Ｖの場合、次のように示される。
【００４５】
2005050947.tif 000011
【００４６】
上記の結果から、本実施形態１の回路で最低動作電圧を決めるのはＰａｔｈ３であり、最終的な最低動作電圧は、ＶｇｓＭ３の温度特性により決まる。
【００４７】
図３は、本発明で用いた第３の電界効果トランジスタＭ３の温度変化によるゲート電圧（Ｖｇｓ）・ドレイン電流（Ｉｄｓ）特性を示すグラフである。
図３は、第３の電界効果トランジスタＭ３の閾値を−０．４Ｖ、サイズをゲート幅／ゲート長＝１０μｍ／５０μｍとし、温度範囲を−５０℃〜１５０℃としたときのグラフである。
【００４８】
図３によると、第３の電界効果トランジスタＭ３に流れる電流（Ｉｄｓ）が０．６μＡの場合、Ｖｇｓは−５０℃〜１５０℃の温度範囲において−０．０８Ｖから−０．０３Ｖの間で変化する。
一方、ＺＴＣ点は、ドレイン・ソース電流（Ｉｄｓ）＝０．３３μＡ、ゲート・ソース電圧（Ｖｇｓ）＝−０．１５Ｖのバイアス条件で生じる。
【００４９】
従って、本実施形態１においては、ＶＯＵＴ＝０．０５Ｖであるから、抵抗体Ｒ２＝１５１ＫΩとして第３の電界効果トランジスタＭ３に流れる電流を０．３３μＡとなるようにした。なお、低電圧動作をより高精度に制御するためには抵抗体にも温度特性の無いもの、たとえば高濃度のポリシリコンやＳｉＣｒ薄膜などを用いるほうが望ましい。
【００５０】
図４は、上記各条件での温度変化と最低動作電圧の関係を示すグラフである。
上記の各条件でのＶｇｓを式（７−１）に代入して、最低動作電圧を求めると、Ｉｄｓ＝０．６μＡの場合、最低動作電圧は−５０℃〜１５０℃の温度範囲において１．３７Ｖから１．３２Ｖの間で変化する。
一方、Ｉｄｓ＝０．３３μＡ（ＺＴＣ）の場合は、最低動作電圧が１．２５Ｖまで低減することができ、また広い温度範囲においても温度による変動はなくなる。
【００５１】
以上のように本実施形態１を構成することによって、ソースフォロア回路の電界効果トランジスタに流れる電流を、温度上昇に伴い閾値Ｖｔｈが低下しドレイン・ソース電流が上昇する効果と、移動度が低下しドレイン・ソース電流が低下する効果が相殺され、温度変化によるゲート・ソース間電圧Ｖｇｓの変動のないドレイン・ソース電流値（ＺＴＣ）に設定することにより、温度変動に強い安定した低電圧動作が可能な電圧源発生回路を提供することができる。
【００５２】
＜実施形態２＞
図５は、本実施形態２の回路図であり、図１の回路において同じ極性の導電型で高濃度と低濃度のポリシリコンゲートを有する第１の電界効果トランジスタＭ１及び第２の電界効果トランジスタＭ２のそれぞれのゲート材の仕事関数差を利用するものである。
【００５３】
本実施形態２における第２の電界効果トランジスタＭ２を三角形で囲んだシンボルで示した。第１及び第２の電界効果トランジスタ（Ｍ１，Ｍ２）は、すべてｎチャネルで、基板やチャネルドープの不純物濃度は等しく、ｎ型基板の独立したｐウェル内に形成され、第１及び第２の電界効果トランジスタ（Ｍ１，Ｍ２）の基板電位は、ソース電位と等しくする。また、チャネル幅Ｗとチャネル長Ｌの比Ｓ＝Ｗ／Ｌは、ＳＭ１＝ＳＭ２である。
【００５４】
第１の電界効果トランジスタＭ１は、ゲート端子とソース端子を結線して定電流源となる。第２の電界効果トランジスタＭ２は、ｎ型チャネルの第３の電界効果トランジスタＭ３と抵抗体（Ｒ１，Ｒ２）からなる増幅回路によりゲート電位が与えられる。
【００５５】
本実施形態２の場合も、実施形態１と同様に、最低動作電圧はＰａｔｈ３で決まり、ソースフォロア回路の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧に大きく依存する。したがって、ソースフォロア回路の電界効果トランジスタに流れる電流を温度変化によるゲート・ソース間電圧の変動のないドレイン・ソース電流値（ＺＴＣ）に設定することにより、温度変動に強い安定した低電圧動作が可能な電圧源発生回路を提供することができる。
【００５６】
＜実施形態３＞
図６は、本実施形態３の回路図であり、図１の回路において同じ極性の導電型で異なる極性のポリシリコンゲートを有する第１の電界効果トランジスタＭ１及び第２の電界効果トランジスタＭ２のそれぞれのゲート材の仕事関数差を利用するものである。
【００５７】
本実施形態３における第２の電界効果トランジスタＭ２を○で囲んだシンボルで示した。第１及び第２の電界効果トランジスタ（Ｍ１，Ｍ２）は、すべてｎチャネルで、基板やチャネルドープの不純物濃度は等しく、ｎ型基板の独立したｐウェル内に形成され、第１及び第２の電界効果トランジスタ（Ｍ１，Ｍ２）の基板電位は、ソース電位と等しくする。また、チャネル幅Ｗとチャネル長Ｌの比Ｓ＝Ｗ／Ｌは、ＳＭ１＝ＳＭ２である。
【００５８】
第１の電界効果トランジスタＭ１は、ゲート端子とソース端子を結線して定電流源となる。第２の電界効果トランジスタＭ２は、ｎ型チャネルの第３の電界効果トランジスタＭ３と抵抗体（Ｒ１，Ｒ２）からなるソースフォロア回路によりゲート電位が与えられる。
【００５９】
本実施形態３の場合も、実施形態１と同様に、最低動作電圧はＰａｔｈ３で決まり、ソースフォロア回路の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧大きく依存する。したがって、ソースフォロア回路の電界効果トランジスタに流れる電流を温度変化によるゲート・ソース間電圧の変動のないドレイン・ソース電流値（ＺＴＣ）に設定することにより、温度変動に強い安定した低電圧動作が可能な電圧源発生回路を提供することができる。
【００６０】
＜変形例＞
上述した各実施形態のソースフォロア回路において、トリミング手段を有する複数の抵抗体Ｒを設け（図７参照）、抵抗値を微調整できるようにする。電界効果トランジスタＭ３に流れる電流Ｉは、図１、５、６のＶ１の電圧とＲ２の抵抗値により次式のように決まる。
Ｉ＝Ｖ１／Ｒ２              （８）
従って、Ｖ１がある一定の電圧の場合、Ｒ２にトリミング手段を有する複数の抵抗体Ｒを設けることにより、電界効果トランジスタＭ３に流れる電流を任意の値に設定することが出来る。さらに、小さい値の抵抗を用意すれば、電界効果トランジスタＭ３に流れる電流を所望の値（ＺＴＣ）に合わせる際、高精度に制御することができる。
【００６１】
【発明の効果】
本発明によれば、最低動作電圧が温度変化に依存せず、また低電圧動作が可能な電圧源発生回路を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の電界効果トランジスタを用いた基準電圧回路の回路図である。
【図２】図１の回路において第３の電界効果トランジスタの温度変化によるゲート電圧・ドレイン電流特性を示すグラフである。
【図３】実施形態１の回路で用いた第３の電界効果トランジスタの温度変化によるゲート電圧・ドレイン電流特性を示すグラフである。
【図４】実施形態１で定めた条件による温度変化と最低動作電圧の関係を示すグラフである。
【図５】実施形態２に係る電圧源発生回路の回路図である。
【図６】実施形態３に係る電圧源発生回路の回路図である。
【図７】本発明で用いるトリミング手段の回路図である。
【符号の説明】
Ｍ１…第１の電界効果トランジスタ、Ｍ２…第２の電界効果トランジスタ、Ｍ３…第３の電界効果トランジスタ、Ｒ，Ｒ１，Ｒ２…抵抗体、ＺＴＣ…Ｚｅｒｏ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ、Ｉｄｓ…ドレイン・ソース電流、Ｖｇｓ…ゲート・ソース間電圧、Ｖｄｓ…ドレイン・ソース電圧、Ｖｔｈ…閾値。
【図１】
2005050947.tif 000012
【図２】
2005050947.tif 000013
【図３】
2005050947.tif 000014
【図４】
2005050947.tif 000015
【図５】
2005050947.tif 000016
【図６】
2005050947.tif 000017
【図７】
2005050947.tif 000018