(57)【要約】【課題】予め予備の入出力パッドを配置し、メタル配線層の追加のみで一度開発したフラッシュメモリを有効に使用することができる半導体回路装置を提供する。【解決手段】入出力パッドを有する半導体回路装置であって、入出力パッド１０２ａの位置領域のデッドスペース２０４に予備の入出力パッドを配置する。入出力配置の切り替えを可能にすることにより、マイコン展開品種の開発におけるマスク生成費用の抑制ないし拡散工程の削減により日程の短縮を図ることが可能となる。入出力パッド１０２ａと予備の入出力パッドとの切り替えを１つの配線層またはコンタクト層で行うことが可能になる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入出力パッドを有する半導体回路装置であって、前記入出力パッドの位置領域の空き領域に予備の入出力パッドを配置したことを特徴とする半導体回路装置。
【請求項２】
入出力パッドを接続している配線層に交差して予備の入出力パッドを接続してる予備の配線層を引出した請求項１記載の半導体回路装置。
【請求項３】
入出力パッドを接続している配線層上であって予備の入出力パッドの近辺にコンタクト層を設けた請求項１記載の半導体回路装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路に関し、特に、最初に用いられた入出力パッドに代えて用いるための予備の入出力パッドを予め備えた半導体集積回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来は、半導体集積回路の開発において、予めトランジスタ、抵抗、コンデンサ等の予備素子を機能ブロック内のデッドスペースに配置はするが、配線は接続せず、回路の部分に間違いがあった場合にメタル配線をつなぎ替えることにより、回路の間違いの修復を行っていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−２０３９０３（第１−６頁、第１図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
近年の半導体集積回路の代表であるシステムＬＳＩには、種々の機能ブロックが搭載されており、その中にはマイコンおよびフラッシュメモリが別々のＬＳＩで生成され、図１に示すように、それらを圧着した形で１つのシステムＬＳＩを構成されている。このような技術を以下システム・イン・パッケージと呼ぶ。図１において、１０１はマイコンチップ、１０２はフラッシュチップ、１０３はマイコンとフラッシュメモリ間を接続するワイヤ、１０４はマイコンとリードフレーム間を接続するワイヤ、１０５はリードフレームである。
【０００５】
このシステム・イン・パッケージにおいても例えば先に述べた通り、マイコンおよびフラッシュメモリのそれぞれのＬＳＩには予備素子が配置されており、回路の不具合をメタル配線で修正を行っているがこれらの予備素子は回路の機能修正を目的としている。
【０００６】
このような予備素子では、例えばシステム・イン・パッケージにおいて次に述べる場合等においては役割を果たすことができない。
【０００７】
システム・イン・パッケージでは例えば図１の場合はマイコンからフラッシュメモリのデータを読み出す場合、入出力パッド、ワイヤーを介して行わなければならない。この場合入出力パッドの配置によりワイヤー長が長くなるなど設計規約違反を起こすため、入出力パッドの配置には十分注意を払う必要がある。
【０００８】
しかしながら、通常マイコンは内蔵ＲＯＭ、回路機能削減等の展開品種を開発し、この場合に一度開発したフラッシュメモリを流用してシステム・イン・パッケージを組み上げようとした場合にワイヤー長等の規約違反になってしまう。
【０００９】
上述した従来の予備素子は、回路の機能修正を目的としたもので、このような状態を想定したものではないため、メタル配線層のみで修正を行うことは困難であり、全ての層を修正するなど開発期間・開発コストなど無駄が発生するという問題がある。
【００１０】
本発明は、このような問題を解決するために成されたものであり、予め予備の入出力パッドを配置し、メタル配線層の追加のみで一度開発したフラッシュメモリを有効に使用することができる半導体回路装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の半導体集積回路装置は、入出力パッドを有する半導体回路装置であって、入出力パッドの位置領域の空き領域に予備の入出力パッドを配置したことを特徴とするものである。
【００１２】
請求項１記載の半導体集積回路装置によれば、入出力パッドの位置領域の空き領域に予備の入出力パッドを配置したため、入出力配置パッド位置の変更時に予備の入出力パッドを利用することにより、マスク設計完了後に発生する入出力パッド位置の変更に対応することができ、例えばメタル配線層のみで一度開発したフラッシュメモリを有効に使用することができる。したがって、ある入出力パッド位置の変更を行う場合には、予め予備に配置した入出力パッド、予め施した配線を使用することにより、修正時にはメタル配線の工程から作業を開始すればよく、その開発期間とコストを大幅に削減することが可能である。
【００１３】
請求項２記載の半導体集積回路装置は、請求項１において、入出力パッドを接続している配線層に交差して予備の入出力パッドを接続してる予備の配線層を引出したものである。
【００１４】
請求項２記載の半導体集積回路装置によれば、請求項１と同様のほか、入出力パッドと予備の入出力パッドとの切り替えを１つのコンタクト層で行うことができコスト削減になる。
【００１５】
請求項３記載の半導体集積回路装置は、請求項１において、入出力パッドを接続している配線層上であって予備の入出力パッドの近辺にコンタクト層を設けたものである。
【００１６】
請求項３記載の半導体集積回路装置によれば、請求項１と同様な効果のほか、入出力パッドと予備の入出力パッドとの切り替えを、予備の入出力パッドに接続される１つの配線層で行うことができコスト削減になる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
この発明の第１の実施の形態を図１から図３により説明する。図１に示したように、別に生成されたマイコンチップ１０１およびフラッシュチップ１０２をシステム・イン・パッケージにより１つのシステムＬＳＩにする場合には、ＬＳＩのサイズが変更されるマイコンチップ１０１が上側にくることが多い。この場合にフラッシュチップ１０２には図２に示すように、空き領域であるデッドスペース２０４が多くできるため、入出力パッド位置領域のデッドスペース２０４に予備の入出力パッドを配置しておく。
【００１８】
このようにすることによって、サイズが異なるマイコンチップ１０１側の入出力パッド１０１ａとワイヤー可能なフラッシュチップ１０２側の入出力パッド１０２ａを選択し、配線することができる。例えば図３の場合に置いては、フラッシュメモリ３０１と接続される入出力セル３０２に位置する入出力パッド１０２ａでも、予備の入出力セル３０３、３０４に位置する入出力パッド１０２ａでも自由に選択し、メタル配線層３０５〜３０９で接続することができ、コスト削減になる。３０５はアルミ配線（第２配線層）、３０６はアルミ配線（第１配線層と第２配線層のコンタクト層）、３０７はアルミ配線（第１配線層）、３０８はアルミ配線（第１配線層と第２配線層のコンタクト層）、３０９はアルミ配線（第２配線層）である。この回路修正対応用の予備の入出力パッドは予めマスクの入出力パッド位置領域の空き領域に配置されることにより実現できる。
【００１９】
このように、入出力配置の切り替えを可能にすることにより、マイコン展開品種の開発におけるマスク生成費用の抑制ないし拡散工程の削減により日程短縮を図ることが可能となる。
【００２０】
この発明の第２の実施の形態を図４により説明する。近年の集積度増大に伴う、メタル配線層数の増加においては第１の実施の形態のような変更を行った場合、全てのメタル配線層を修正すればコストが膨大になってしまう。
【００２１】
したがって、本発明は上述した予備入出力パッドを予め配置しておき、さらに予め配線を施すことにより、修正するメタル配線層の数を削減する。
【００２２】
例えば、図４の場合においては、第１の実施の形態のようにフラッシュメモリ３０１に接続されている入出力パッド３０２を予備の入出力セル３０３あるいは３０４にも接続することができるようにするには、フラッシュメモリ３０１から入出力セル３０２の入出力パッド１０２ａを接続しているアルミ配線（第１メタル配線）３０７上に予備のアルミ配線（第２メタル配線）４１０、４１１を引き出しておく。アルミ配線３０７とアルミ配線４１０、４１１は層が異なるためショートはしない。このようにしておけば、予備の入出力セル３０３、３０４の入出力パッド１０２ａへ配置を変更したい場合にアルミ配線層３０７と予め引き出しておいた予備のアルミ配線４１０、４１１が交差する部分に両者を接続するコンタクト層（図示せず）を配置し、もとに接続されていたコンタクト層３０８を外せば入出力パッド１０２ａの配置を１枚のコンタクト層で切り替えることができる。
【００２３】
この発明の第３の実施の形態を図５により説明する。図５の場合において、第１の実施の形態のようにフラッシュメモリ３０１に接続されている入出力セル３０２の入出力パッド１０２ａを予備の入出力セル３０３あるいは３０４の入出力パッド１０２ａにも接続することができるようにするには、フラッシュメモリ３０１から入出力セル３０２の入出力パッド１０２ａを接続しているメタル配線３０７上の入出力パッド３０３、３０４と同一Ｙ軸上の近辺にコンタクト層５０８、５０９を予め施しておく。このようにしておけば、入出力パッド３０３、３０４への配置を変更したい場合に、それぞれの入出力パッド３０３、３０４からメタル配線を引き出し、もとに接続されていた入出力パッド１０２ａからのメタル配線３０９を削除すれば、１枚のメタル配線層で切り替えることができる。
【００２４】
従来は、このようなマイコンの展開品種の開発に併せて、フラッシュメモリのＬＳＩも再度開発し直しており、この場合多くのマスクを作成する必要があり、マスク生成のコストがかかり、また拡散工程をすべてやり直すという日程遅延の弊害も出てくる。今回の発明のような対策をしておけば、チップサイズの異なる展開品種の開発は、アルミ配線層の１層あるいは、コンタクト層の１層で切り替えが可能となり、マスク生成費用も抑えることができ拡散工程も上位層からの拡散になり、製品出荷の日程が早くなるという効果がある。
【００２５】
【発明の効果】
請求項１記載の半導体集積回路装置によれば、入出力パッドの位置領域の空き領域に予備の入出力パッドを配置したため、入出力配置パッド位置の変更時に予備の入出力パッドを利用することにより、マスク設計完了後に発生する入出力パッド位置の変更に対応することができ、例えばメタル配線層のみで一度開発したフラッシュメモリを有効に使用することができる。したがって、ある入出力パッド位置の変更を行う場合には、予め予備に配置した入出力パッド、予め施した配線を使用することにより、修正時にはメタル配線の工程から作業を開始すればよく、その開発期間とコストを大幅に削減することが可能である。
【００２６】
請求項２記載の半導体集積回路装置によれば、請求項１と同様のほか、入出力パッドと予備の入出力パッドとの切り替えを１つのコンタクト層で行うことができコスト削減になる。
【００２７】
請求項３記載の半導体集積回路装置によれば、請求項１と同様な効果のほか、入出力パッドと予備の入出力パッドとの切り替えを、予備の入出力パッドに接続される１つの配線層で行うことができコスト削減になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態のシステム・イン・パッケージの断面図を示している。
【図２】パッケージを外した状態でのＬＳＩの上面図を示している。
【図３】フラッシュメモリのＬＳＩにおける入出力パッドの拡大図を示している。
【図４】第２の実施の形態におけるフラッシュメモリのＬＳＩにおける入出力パッドの拡大図を示している。
【図５】第３の実施の形態におけるフラッシュメモリのＬＳＩにおける入出力パッドの拡大図を示している。
【符号の説明】
１０１    マイコンチップ
１０１ａ    入出力パッド
１０２    フラッシュメモリチップ
１０３    ワイヤ
１０４    ワイヤ
１０５    リードフレーム
２０４    デッドスペース
３０１    フラッシュメモリ
３０２    入出力セル
３０３    予備の入出力セル
３０４    予備の入出力セル
３０５    アルミ配線
３０６    コンタクト層
３０７    アルミ配線
３０８    コンタクト層
３０９    アルミ配線
４１０、４１１    アルミ配線
５０８、５０９    コンタクト層
【図１】
2005026568.tif 000003
【図２】
2005026568.tif 000004
【図３】
2005026568.tif 000005
【図４】
2005026568.tif 000006
【図５】
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