(57)【要約】【課題】特に従来に比べて簡単な方法で、適切に接触子を立体成形することが可能な接続装置の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】表面３０ａに複数の凸型条部３１が形成された基板３０用い、この基板３０上に接触子を所定形状で例えばメッキ形成する。よって前記凸型条部３１上に接触子を形成すると同時に立体成形もできる。従って従来のように、接触子を平面的に形成した後に行う立体フォーミング工程を必要とせず、工程の簡略化を図ることができる。【選択図】    図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台と、前記基台に設けられた複数の接触子とを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置の製造方法において、
（ａ）  表面に複数の凸型条部あるいは凹型条部が形成された基板を形成する工程と、
（ｂ）  前記凸型条部あるいは凹型条部上に、前記接触子を所定形状に立体成形する工程と、
（ｃ）  前記基板を除去し、前記複数の接触子を前記基台に接合する工程と、
を有することを特徴とする接続装置の製造方法。
【請求項２】
前記（ａ）工程において、
前記凸型条部あるいは前記凹型条部に、前記基板の表面から離れるに従って徐々に先細る領域を形成する請求項１記載の接続装置の製造方法。
【請求項３】
前記凸型条部あるいは前記凹型条部を、円錐形で形成する請求項２記載の接続装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板を電鋳あるいは鍛造で形成する請求項１ないし３のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項５】
前記（ｂ）工程を、以下の工程を有して行う請求項１ないし４のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
（ｄ）  前記基板の表面から前記凸型条部上あるいは凹型条部上にかけてレジスト層を形成する工程と、
（ｅ）  前記凸型条部上あるいは凹型条部上に形成されたレジスト層に前記接触子形状のパターンを形成する工程と、
（ｆ）  接触子を前記レジスト層のパターン内に形成して、立体形状の前記接触子を形成する工程と、
（ｇ）  前記レジスト層を除去する工程。
【請求項６】
前記（ｅ）工程で、ＹＡＧレーザを用いて、前記レジスト層に接触子形状のパターンを形成する請求項５記載の接続装置の製造方法。
【請求項７】
前記（ｄ）工程で、ＹＡＧレーザを吸収して発熱する物質が混入されたレジスト層を使用する請求項６記載の接続装置の製造方法。
【請求項８】
前記物質はカーボンである請求項７記載の接続装置の製造方法。
【請求項９】
前記（ｅ）工程で、ＨｅＣｄレーザリソグラフィ法を用いて、前記レジスト層に接触子形状のパターンを形成する請求項５記載の接続装置の製造方法。
【請求項１０】
前記（ｆ）工程で、前記接触子をメッキ形成する請求項５ないし９のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項１１】
前記（ｂ）工程後に、熱処理を施す請求項１ないし１０のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項１２】
前記（ｃ）工程で、前記基板を除去する前に、接合部材により、隣り合う前記接触子の端部間を繋ぎ、その後、前記基板を除去する請求項１ないし１１のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項１３】
前記接触子を螺旋状で形成する請求項１ないし１２のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項１４】
前記接触子を、その中心に向うほど突き出すあるいは凹む形状となるように立体成形する請求項１３記載の接続装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばＩＣ（集積回路）等が装着されるＩＣソケットである接続装置の製造方法に係わり、特に、前記接続装置内に搭載される接触子を容易に且つ適切に立体成形することが可能な接続装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
特許文献１に記載されている半導体検査装置は、半導体を外部の回路基板などに電気的に仮接続させるものである。半導体の背面側には格子状またはマトリックス状に配置された多数の球状接触子が設けられており、これに対向する絶縁基板上には多数の凹部が設けられ、この凹部内にスパイラル接触子が対向配置されている。
【０００３】
前記半導体の背面側を前記絶縁基板に向けて押圧すると、前記球状接触子の外表面に前記スパイラル接触子が螺旋状に巻き付くように接触するため、個々の球状接触子と個々のスパイラル接触子との間の電気的接続が確実に行われるようになっている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−１７５８５９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで特許文献１では特許公報に掲載された図２等を参照するに、スパイラル状接触子２は平面的に形成されており、立体フォーミングは施されていない。しかし、前記スパイラル状接触子２をある程度、立体フォーミングしておいた方が、前記球状接続端子７との電気的接続を良好且つ確実なものにできて好ましい。
【０００６】
例えば図１５は、従来における立体フォーミング方法を説明するための一工程図である。
【０００７】
図１５Ａに示す符号５０は、基板である。この基板５０上に複数のスパイラル接触子５１を形成する。図１５Ａに示す右図は平面図であり、斜線で示す部分がスパイラル接触子５１を示す。
【０００８】
図１５Ｂに示す工程では、ガイドフレーム５２を、前記ガイドフレーム５２に設けられた穴部５２ａがちょうど各スパイラル接触子５１と対面するように位置決めした後、前記ガイドフレーム５２を各スパイラル接触子５１間に貼り付ける。図１５Ｂの左図は、前記ガイドフレーム５２の平面形状である。
【０００９】
次に図１５Ｃの工程では、前記基板５０を例えばエッチングなどの方法を用いて除去する。各スパイラル接触子５１は前記ガイドフレーム５２によって繋げられている。
【００１０】
次に図１５Ｄの工程では、ちょうどスパイラル接触子５１と対面する位置に凹部５３ａが形成された基台５３に、前記スパイラル接触子５１を導電接着剤５４等を用いて接着固定する。
【００１１】
そして図１５Ｅ工程で、前記スパイラル接触子５１を立体フォーミングする。
図１５Ｅ工程では、ちょうど凹部５３ａ内に下方から突出調整部材７０を通し、各スパイラル接触子５１の各ターン毎の接触子片５１ａを上方に突き出す。
【００１２】
しかし、図１５Ｅに示す工程では、前記突出調整部材７０を別個用意し、立体フォーミング工程をわざわざ設けなければならないという煩雑さがある。
【００１３】
また、前記別個に用意した突出調整部材７０によって前記接触子片５１ａの突き出し量を調整する際に全てのスパイラル接触子５１を同じ突き出し量に調整するのは困難で各スパイラル接触子５１で突き出し量がばらばらになりやすい。
【００１４】
また図１５Ｅ工程後、前記突出調整部材７０を取り外してそのまま放置しておくと、応力により前記スパイラル接触子５１の各接触子片５１ａが図１５Ｃの状態の平面的な形状に戻りやすく、適切に前記スパイラル接触子５１を立体フォーミングされた状態のまま維持することが困難である。
【００１５】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に従来に比べて簡単な方法で、適切に接触子を立体成形することが可能な接続装置の製造方法を提供することを目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基台と、前記基台に設けられた複数の接触子とを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置の製造方法において、
（ａ）  表面に複数の凸型条部あるいは凹型条部が形成された基板を形成する工程と、
（ｂ）  前記凸型条部あるいは凹型条部上に、前記接触子を所定形状に立体成形する工程と、
（ｃ）  前記基板を除去し、前記複数の接触子を前記基台に接合する工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００１７】
本発明では、前記（ａ）工程のように、凸型条部あるいは凹型条部が設けられた基板を用いることで、前記接触子を形成すると同時に前記接触子を立体フォーミングできる。上記の方法によれば、全ての接触子をほぼ同じ形状に立体成形でき、また前記（ｃ）工程において基板を除去しても、各接触子を立体形状のまま維持しやすい。
【００１８】
また本発明では、前記（ａ）工程において、
前記凸型条部あるいは前記凹型条部に、前記基板の表面から離れるに従って徐々に先細る領域を形成することが好ましい。かかる場合、前記凸型条部あるいは前記凹型条部を、円錐形で形成することが好ましい。
【００１９】
上記による基板を用いて接触子を立体成形すれば、前記接触子に、なだらかに突出する山型形状の部分あるいはなだらかに下る谷型形状の部分を簡単に且つ適切に形成できる。かかる形状の接触子を用いれば、使用状態において前記接触子と接触する相手側（外部接続部）が球状等である場合、前記接触子と相手側との電気的接触を確実なものにしやすい。
【００２０】
また本発明では、前記基板を電鋳あるいは鍛造で形成することが好ましい。
また本発明では、前記（ｂ）工程を、以下の工程を有して行うことが好ましい。
【００２１】
（ｄ）  前記基板の表面から前記凸型条部上あるいは凹型条部上にかけてレジスト層を形成する工程と、
（ｅ）  前記凸型条部上あるいは凹型条部上に形成されたレジスト層に前記接触子形状のパターンを形成する工程と、
（ｆ）  接触子を前記レジスト層のパターン内に形成して、立体形状の前記接触子を成形する工程と、
（ｇ）  前記レジスト層を除去する工程。
【００２２】
上記の工程を用いることで、前記接触子を所定の立体形状にパターン成形しやすい。
【００２３】
また本発明では、前記（ｅ）工程で、ＹＡＧレーザを用いて、前記レジスト層に接触子形状のパターンを形成することが可能である。
【００２４】
かかる場合、前記（ｄ）工程で、ＹＡＧレーザを吸収して発熱する物質が混入されたレジスト層を使用することが好ましい。また前記物質はカーボンであることが好ましい。
【００２５】
上記のようにＹＡＧレーザを用いて前記接触子をパターン成形することで、前記接触子を高精度にパターン成形しやすい。
【００２６】
また本発明では、前記（ｅ）工程で、ＨｅＣｄレーザリソグラフィ法を用いて、前記レジスト層に接触子形状のパターンを形成してもよい。
【００２７】
また本発明では、前記（ｆ）工程で、前記接触子をメッキ形成することが好ましい。前記接触子をメッキで形成することで、レジストに形成されたパターン内に前記接触子を容易に且つ所定の膜厚等で形成できる。
【００２８】
また、前記（ｂ）工程後に、熱処理を施すことが好ましい。従来の製法に比べて本発明による製法を用いれば、前記接触子は前記接触子に内在する応力等によって立体形状から平面形状に変形しにくいが、前記接触子を例えばメッキ等で形成した際に、若干、前記接触子に応力等が内在してしまう。そのため、前記（ｂ）工程で成形した接触子の立体構造をより効果的に長期間、維持するには、前記接触子を立体成形した後、熱処理を施して前記応力を開放させることが好ましい。
【００２９】
また本発明では、前記（ｃ）工程で、前記基板を除去する前に、接合部材により、隣り合う前記接触子の端部間を繋ぎ、その後、前記基板を除去することが好ましい。
【００３０】
また本発明では、前記接触子を螺旋状で形成することが好ましい。かかる場合、前記接触子を、その中心に向うほど突き出すあるいは凹む形状となるように立体成形することが好ましい。これによって電子部品の外部接続部（相手側）がどのような形状であっても、前記外部接続部を接触子に確実に接触しやすくできる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
図１は電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、図２は図１の２−２線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図である。
【００３２】
図１に示すように、検査装置１０は基台１１と、この基台１１の一方の縁部に設けられたひんじ部１３を介して回動自在に支持された蓋体１２とで構成されている。前記基台１１および蓋体１２は絶縁性の樹脂材料などで形成されており、前記基台１１の中心部には図示Ｚ２方向に凹となる装填領域１１Ａが形成されている。そして、前記装填領域１１Ａ内に半導体などの電子部品１が装着できるようになっている。また基台１１の他方の縁部には、被ロック部１４が形成されている。
【００３３】
図２に示すように、この検査装置１０は、電子部品１の下面に多数の球状接触子（外部接続部）１ａがマトリックス状（格子状または碁盤の目状）に配置されたものを検査対象とするものである。
【００３４】
図２に示すように、前記装填領域１１Ａには所定の径寸法からなり、装填領域１１Ａの表面から基台１１の裏面に貫通する複数の凹部（スルーホール）１１ａが、前記電子部品１の球状接触子１ａに対応して設けられている。
【００３５】
前記凹部１１ａの上面（装填領域１１Ａの表面）には、接触子が渦巻き状に形成された複数のスパイラル接触子２０が設けられている。
【００３６】
図３は前記スパイラル接触子２０の斜視図である。図３に示すように、前記スパイラル接触子２０は基台１１に、図示Ｘ方向及びＹ方向に所定間隔を空けて複数形成されている。
【００３７】
前記各スパイラル接触子２０は、図３のように、前記凹部１１ａの上方の開口端の縁部に固定された基部２１を有し、スパイラル接触子２０の巻き始端２２が前記基部２１側に設けられている。そして、この巻き始端２２から渦巻き状に延びる巻き終端２３が前記凹部１１ａの中心に位置するようになっている。
【００３８】
前記凹部１１ａの内壁面には図示しない導通部が形成されており、導通部の上端と前記スパイラル接触子２０の前記基部２１とが導電性接着材などで接続されている。また凹部１１ａの下方の開口端は前記導通部に接続された接続端子１８で塞がれている。
【００３９】
図２に示すように、前記基台１１の下方には複数の配線パターンやその他の回路部品を有するプリント基板２９が設けられており、前記基台１１はこのプリント基板２９上に固定されている。前記プリント基板２９の表面には前記基台１１の底面に設けられた接続端子１８に対向する対向電極２８が設けられており、前記各接続端子１８が各対向電極２８にそれぞれ接触することにより、電子部品１とプリント基板２９とが検査装置１０を介して電気的に接続される。
【００４０】
一方、検査装置１０の蓋体１２の内面の中央の位置には、電子部品１を図示下方に押し付ける凸形状の押圧部１２ａが前記装填領域１１Ａに対向して設けられている。また前記ひんじ部１３と逆側となる位置にはロック部１５が形成されている。
【００４１】
前記蓋体１２の内面と押圧部１２ａとの間には前記押圧部１２ａを蓋体１２の内面から遠ざかる方向に付勢するコイルスプリングなどからなる付勢部材が設けられている（図示せず）。従って、電子部品１を前記凹部１１ａ内に装着して蓋体１２を閉じてロックすると、電子部品１を装填領域１１Ａの表面に接近する方向（Ｚ２方向）に弾性的に押し付けることが可能となっている。
【００４２】
前記基台１１の装填領域１１Ａの大きさは、前記電子部品１の外形とほぼ同じ大きさであり、電子部品１を前記装填領域１１Ａに装着して蓋体１２をロックすると、電子部品１側の各球状接触子１ａと検査装置１０側の各スパイラル接触子２０とが正確に対応して位置決めできるようになっている。
【００４３】
蓋体１２のロック部１５が基台１１の被ロック部１４にロックされると、電子部品１が前記押圧部１２ａによって図示下方に押し付けられるため、前記各球状接触子１ａが各スパイラル接触子２０を凹部１１ａの内部方向（図示下方）に押し下げる。同時に、スパイラル接触子２０の外形は、前記巻き終端２３から巻き始端２２方向（渦巻きの中心から外方向）に押し広げられるように変形し、前記球状接触子１ａの外表面を抱き込むように巻き付き、各球状接触子１ａと各スパイラル接触子２０とが接続される。
【００４４】
以下、本発明の特徴的部分について説明する。
図３に示すように、各スパイラル接触子２０を構成する各ターン毎の接触子片２０ａは、前記巻き始端２２から巻き終端２３方向に、螺旋階段のごとく斜め上方向に向けて傾斜して延びている。このため図３では、各スパイラル接触子２０は、その巻き終端２３が最も高く突き出した山型の立体形状として構成されている。
【００４５】
図４は、前記スパイラル接触子２０を図３に示す４−４線から切断し、その断面を矢印方向から見た部分拡大断面図である。
【００４６】
図４に示すように、各接触子片２０ａの断面は略菱形形状で、前記接触子２０片ａの４つの角部のうち、内側端面２０ａ１の上側縁部２０ａ２が最も高く突き出すように傾いている。
【００４７】
図４はちょうど、前記球状接触子（外部接続部）１ａが前記スパイラル接触子２０に、接触した状態を示している。この後、前記球状接触子１ａが下方（図示Ｚ２）に押圧されると、前記スパイラル接触子２０も下方に向けて変形し、図２のごとく前記球状接触子１ａの外表面を前記スパイラル接触子２０の各接触子片２０ａが包み込む状態となる。
【００４８】
図４のように、前記球状接触子１ａは、まず巻き終端２３付近における接触子片２０ａの内側端面２０ａ１の上側縁部２０ａ２と接触する。前記球状接触子１ａが下方に押圧されると、前記球状接触子１ａと接触する接触子片２０ａも下方に押され、このとき、斜めに傾いた接触子片２０ａの内側端面２０ａ１の上側縁部２０ａ２が直接、下方に荷重を受ける。
【００４９】
このとき、球状接触子１ａが接触している接触子片２０ａのばね性が高いと、前記接触子片２０ａが傾いた状態から倒れるように変形して、前記接触子片２０ａの上面２０ａ５が、前記球状接触子１ａと接触しやすくなる。
【００５０】
しかし前記巻き終端２３に近い接触片２０ａほどばね性は低下し剛性に近い状態となっているから、例えば図４で、今、前記球状接触子１ａと接触している前記巻き終端２３に近い位置の接触子片２０ａが下方に押されても、前記接触子片２０ａは、図４の斜めに傾いた形態をある程度、維持しながら下方に押されていく。
【００５１】
従って前記球状接触子１ａが下降していっても、このとき、前記接触子片２０ａの内側端面２０ａ１の上側縁部２０ａ２が前記球状接触子１の外表面に接触した状態を長く維持できる。前記接触子片２０ａの上側縁部２０ａ２は角張っているから、前記球状接触子１ａの表面に被膜された無機材あるいは有機材の被膜１ａ１が前記上側縁部２０ａ２との接触によって破損し、この結果、前記接触子片２０ａと前記球状接触子１ａとが電気的に接続された状態となる。図４のように、前記接触子片２０ａの内側端面２０ａ１の上側縁部２０ａ２が、外側端面２０ａ３の上側縁部２０ａ４よりも上向きに傾いた形態であれば、弱い荷重によっても容易に前記球状接触子１ａの外表面を覆っている被膜１ａ１が破られ、前記接触子２０と球状接触子１ａとの電気的接続状態を簡単に且つ適切に得ることができる。このような作用効果は、従来のように、接触子を平面的に形成した場合、あるいは図１５Ｅのように立体フォーミングしても、各接触子片５１ａの断面を適切に斜めに傾く形態に変形できないから得ることは難しい。
【００５２】
なお、図４に示す前記接触子片２０ａの外側端面２０ａ３の上側縁部２０ａ４が、内側端面２０ａ１の上側縁部２０ａ２よりも上向きに傾いた形態であっても上記効果を得ることができるが、以下の製造方法では、前記接触子片２０ａの内側端面２０ａ１の上側縁部２０ａ２が、外側端面２０ａ３の上側縁部２０ａ４よりも上向きに傾く形態に製造することが可能となっている。
【００５３】
また本発明では、前記接触子２０は、スパイラル形状以外の形状であってもよいが、スパイラル形状であると、相手側の接触子１ａ（ここで言う接触子１ａは図２や図４のような球状である必要はない）と適切且つ確実に接触でき、良好な電気的接続状態を得ることができる点で好ましい。
【００５４】
また、図３では前記スパイラル接触子２０は、その巻き終端２３が最も高く突き出した山型に立体成形されたものであるが、前記巻き終端２３が最も低く凹んだ谷型に立体成形されたものであってもよい。かかる場合、後述の製造方法を用いれば、前記接触子片２０ａを、その外側端面２０ａ３の上側縁部２０ａ４が、内側端面２０ａ１の上側縁部２０ａ２よりも上向きに傾く形態として形成できる。
【００５５】
以下、主に前記接触子２０の形成方法に関して説明する。
図５に示す符号３０は基板である。図５に示すように前記基板３０の表面３０ａには、複数の凸型条部３１が形成されている。図５に示すように前記凸型条部３１は、前記基板３０の幅方向（図示Ｘ方向）及び長さ方向（図示Ｙ方向）に所定間隔を空けながら規則的に形成されている。
【００５６】
本発明では、図５に示す基板３０を電鋳あるいは鍛造で形成している。これにより図５に示す基板３０上に複数の凸型条部３１を容易且つ均一な形状で形成することができる。
【００５７】
また図５に示すように、前記凸型条部３１を円錐形状で形成することが好ましい。前記凸型条部３１を円錐形状で形成すると、図３で説明したような、巻き終端２３が最も高く突き出した山型のスパイラル接触子２０を容易且つ適切に形成できる。
【００５８】
ただし前記凸型条部３１は円錐形でなくても、少なくとも前記凸型条部３１には、基板３０の表面３０ａから離れるに従って徐々に先細る領域を形成することが好ましい。例えば図１２のごとくである。図１２に示すように基板３０の表面３０ａから複数の凸型条部３１が設けられ、各凸型条部３１には、上方に向けて徐々に前記凸型条部３１の幅寸法が狭くなる傾斜面３１ａが形成されている。このような傾斜領域を形成しておくと、この傾斜領域上に形成される接触子片の断面を図４のように上向きに傾く形態で形成できる。
【００５９】
図６は、図５に示す基板３０の一部分のみを拡大した部分拡大断面図である。図６に示すように、前記基板３０の表面３０ａ及び前記凸型条部３１上にかけて、レジスト層３２を形成する。ここで前記レジスト層３２の形成は、スピンコート、スプレイコートなどで行ってもよいが、より前記レジスト層３２の膜厚を均一化するという観点から電着で形成することが好ましい。かかる場合、電着塗料を含有した前記レジスト層３２を使用する。
【００６０】
次に、図７の工程では、前記レジスト層３２に図３で説明したスパイラル接触子２０形状のパターン３２ａを形成する。このパターン形成には、いくつかの方法がある。例えばＵＶフォトリソグラフィー法を使用する。この方法では、前記レジスト層３２を露光現像し、例えば露光現像された箇所を薬品で除去して前記接触子２０のパターン３２ａを形成する。しかしこの方法では、特に前記レジスト層３２の膜厚が均一でないと、焦点深度が各箇所で異なる結果、高精度に前記接触子２０のパターン３２ａを形成できないといった問題がある。
【００６１】
このため本発明では、ＨｅＣｄレーザリソグラフィー法か、ＹＡＧレーザによる直接描画法、あるいはＸ線リソグラフィー法等を用いて、前記接触子２０のパターン３２ａを前記レジスト層３２に形成することが好ましい。これらの方法を用いれば、より高精度に前記接触子２０のパターンを形成できる。
【００６２】
前記ＹＡＧレーザによる直接描画法では、１．０６４μｍの発光をレーザとして用い、微細加工には最適である。しかし、前記ＹＡＧレーザによる直接描画法では、様々な要因により前記レーザによってパターン部分のみを鋭く焼き切れない場合に、特にパターン３２ａの境界部分を高精度に画定できないことがある。
【００６３】
よって本発明では高精度に接触子２０のパターン３２ａを成形するために、図１１に示すように、前記ＹＡＧレーザを吸収して発熱する物質３３を前記レジスト層３２内に混入することとした。前記物質３３は例えばカーボンであり、含有率としては３〜１０％程度である。
【００６４】
カーボンを含有したレジスト層３２を使用すると、ＹＡＧレーザを当てた部分では、前記カーボンは、ＹＡＧレーザによる光を吸収することで発熱し自己昇華するとともに、周囲のレジスト材を熱分解する。この結果、前記パターン３２ａの境界部分はカーボンを含まないレジスト層３２を用いた場合に比べて、きれいに鋭く焼き切れ、前記パターン３２ａの境界部分を高精度に画定することが可能になる。
【００６５】
そして図８に示す工程では、前記パターン３２ａ内に金属層３４をメッキ形成する。前記金属層３４は、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＮｉあるいはＮｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのうちいずれか１種以上）のいずれかからなる単層、あるいは２種以上選択された多層構造で形成される。なお、前記金属層３４を多層構造にする場合には、導電性に優れたＣｕ、Ａｕ、ＡｇあるいはＰｄから選択された導電性部材と、ばね性に優れたＮｉあるいはＮｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのうちいずれか１種以上）から選択された補助弾性部材との積層構造であることが好ましい。
【００６６】
なお前記金属層３４をメッキ形成するため、前記基板３０が導電性基板である場合には、この前記金属層３４を基板３０上に直接メッキ形成することは可能であるが、前記基板３０が導電性基板でない場合、図６工程前に、前記基板３０上に導電材料からなるメッキ下地層を設けておくことが必要である。
【００６７】
図８工程のように、基板３０の表面３０ａに予め設けられた凸型条部３１上に前記金属層３４をメッキ形成することで、従来の図１５Ｅ工程のように、接触子５１を形成した後、わざわざ立体フォーミングしなくても、前記金属層３４をメッキ形成したと同時に山型に立体成形することができる。このため本発明では、従来における図１５Ｅ工程を削除することが可能である。
【００６８】
また図８に示すように、前記凸型条部３１の表面は斜めに傾き、その上に金属層３４をメッキ形成するため、前記金属層３４の断面も斜めに傾いた形態となる。前記金属層３４は、内側端面３４ａ１の上側縁部３４ａ２の方が、外側端面３４ａ３の上側縁部３４ａ４よりも上向きに傾斜した形態としてメッキ形成される。
【００６９】
そして前記レジスト層３２を除去する。
ところで本発明では、図８工程で金属層３４をメッキ形成し前記レジスト層３２を除去した後に、前記基板３０を除去するが、前記基板３０を除去する前に、前記金属層３４に対し熱処理を施すことが好ましい。前記凸型条部３１上に立体成形された金属層３４の部分は、メッキ工程により若干の応力を内在してしまうため、前記基板３０を除去すると、前記応力の影響で前記金属層３４が若干、下方に下がる可能性がある。このため図８工程で基板３０を除去する前段階で、熱処理を施し前記金属層３４に内在する前記応力を開放させ、前記基板３０を除去しても前記金属層３４が適切に長期間に渡り立体形状を保つようにすることが好ましい。
【００７０】
また前記熱処理は、図８の基板３０を除去する前段階に施すことが好ましいが、前記基板３０を除去した後に施してもよく、あるいは、前記基板３０を除去する前段階と、前記基板３０を除去した後段階の両方の段階で前記熱処理を施しても良い。熱処理条件としては、加熱温度は、例えば１５０℃〜３００℃の間、加熱時間は１時間〜１００時間の間であることが好ましい。
【００７１】
ところで、前記金属層３４は、図３に示す複数のスパイラル接触子２０を構成しており、図８工程時で前記金属層３４をメッキ形成した状態では、前記金属層３４から成る複数の接触子２０間は、何ら繋がっていない状態である。このため前記基板３０を除去すると、各接触子２０がばらばらになってしまうので、前記基板３０を除去する前に、図９に示すように、各接触子２０の基部２１（図３を参照）間にポリイミド等で形成されたガイドフレーム（接合部材）３６を貼り付け、前記基部２１間を前記ガイドフレーム３６によって繋ぐことが好ましい。
【００７２】
前記ガイドフレーム３６によって前記金属層３４から成る各接触子２０間を繋いだ後、前記基板３０を除去する。
【００７３】
そして、図１０工程では、ちょうどスパイラル接触子２０と対面する位置に凹部１１ａが形成され、さらにその凹部１１ａの内壁面１１ａ１が例えばメッキなどされ、且つ前記スパイラル接触子２０の基部２１が対向する、前記凹部１１ａの上方の周縁部、及び隣り合う周縁部間に異方性導電接着剤４６が塗布された基台１１を用い、この基台１１に前記スパイラル接触子２０の基部２１を前記異方性導電接着剤４６を介して接着固定する。
【００７４】
ところで上記では、図３に示す、巻き始端２２から巻き終端２３に向けて、徐々に上方に向けて突き出す山型立体形状のスパイラル接触子２０の製造方法に関し説明したが、本発明での接触子２０はスパイラル形状に限るものではない。
【００７５】
また本発明では、例えば前記スパイラル接触子２０を、前記巻き始端２２から巻き終端２３に向けて、徐々に下方に向けて凹む谷型立体形状として形成してもよい。そのためには、図１３のように、図５に示す基板３０に代えて、表面４０ａに複数の凹型条部４１が形成された基板４０を用いて、図６以降と同様の工程を施す。前記凹型条部４１内に形成される金属層３４が、谷型立体形状として形成される。
【００７６】
前記凹型条部４１は、図１３のように円錐形状であってもよいし、それ以外の形状であってもよい。ただし少なくとも前記凹型条部４１に、前記基板４０の表面４０ａから下方へ離れるに従って徐々に先細る領域を形成することが好ましい。その理由は、前記凸型条部３１に関する説明のところで説明した通りである。
【００７７】
図１４は、図５に示す基板３０の変形例である。図１４に示す基板４５は部分断面図である。図１４に示す基板４５は、例えば鍛造により形成される。図１４に示すように、前記基板４５の表面４５ａからは図５と同様に円錐形状の凸型条部４７が複数個形成されている。ただしこの凸型条部４７は、裏側から見ると、円錐形の凹型条部４８を構成する。従って図１４に示す基板４５であれば、例えばスパイラル接触子２０を立体成形する際に、凸型条部４７側を使用して、図３に示すように巻き始端２２から巻き終端２３にかけて徐々に上方に向けて突き出る山型形状のスパイラル接触子２０を形成することも、凹型条部４８側を使用して、前記巻き始端２２から巻き終端２３にかけて徐々に下方に向けて凹む谷型形状のスパイラル接触子２０を形成することもできる。
【００７８】
本発明におけるスパイラル接触子２０の製造方法を用いれば、従来のように、前記スパイラル接触子２０を平面的に形成した後に行う立体フォーミング工程を必要とせず、前記スパイラル接触子２０を形成すると同時に立体成形でき、工程の簡略化を図ることができる。
【００７９】
また上記した製造方法では、基板３０上に形成された複数の凸型条部３１を用いて、複数のスパイラル接触子２０を同時に立体成形できるので、各スパイラル接触子２０の突き出し量を容易に且つ適切に均一化できる。
【００８０】
また本発明では、特に基板３０上にスパイラル接触子２０を立体成形し、その後、前記スパイラル接触子２０に対して熱処理を施すことで、前記スパイラル接触子２０を長期間、立体成形された状態を有効に保つことができる。
【００８１】
【発明の効果】
以上のように本発明における接触子の製造方法では、従来のように、接触子を平面的に形成した後に行う立体フォーミング工程を必要とせず、前記接触子を形成すると同時に立体成形でき、工程の簡略化を図ることができる。
【００８２】
また本発明における製造方法では、基板上に形成された複数の凸型条部あるいは凹型条部を用いて、複数の接触子を同時に立体成形できるので、各接触子の突き出し量あるいは凹み量を容易に且つ適切に均一化できる。
【００８３】
また本発明では、基板上にスパイラル接触子を立体成形し、その後、前記スパイラル接触子に対して熱処理を施すことで、前記スパイラル接触子を長期間、立体成形された状態を有効に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、
【図２】図１の２−２線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図、
【図３】本発明におけるスパイラル接触子の形状を示す拡大斜視図、
【図４】図３に示す４−４線から切断したスパイラル接触子の断面と、前記スパイラル接触子に電子部品側の接触子が接触した状態を示す部分拡大断面図、
【図５】本発明の接触子の製造に用いられる基板の斜視図、
【図６】本発明における接触子の製造方法を示す一工程図、
【図７】図６の次に行われる一工程図、
【図８】図７の次に行われる一工程図、
【図９】図８の次に行われる一工程図、
【図１０】図９の次に行われる一工程図、
【図１１】ＹＡＧレーザを用いたレジスト層へのパターン形成法を説明するための模式図、
【図１２】図５に示す基板と異なる形態の基板の部分断面図、
【図１３】図５に示す基板と異なる形態の基板の部分断面図、
【図１４】図５に示す基板と異なる形態の基板の部分断面図、
【図１５】従来のスパイラル接触子の製造方法を示す各工程図、
【符号の説明】
１  電子部品
１ａ  球状接触子（外部接続部）
１０  接続装置
１１  基台
２０  スパイラル接触子
２０ａ  接触子片
２１  基部
２２  巻き始端
２３  巻き終端
３０、４０、４５  基板
３１、４７  凸型条部
３２  レジスト層
３２ａ  パターン
３４  金属層
３６  ガイドフレーム
４１、４８  凹型条部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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