(57)【要約】【課題】煩雑な製造工程を経ることなく、液晶分子において８０度以上８８度未満のプレチルト角を安定に再現性よく得ることが可能な配向膜を形成する液晶パネルの製造方法および液晶パネルを提供する。【解決手段】本発明は、表面に配向膜１５が形成された一対の基板Ｓ間に液晶層１７を封止してなる液晶パネルの製造方法であって、基板Ｓの一主面の法線Ｌｖに対して４５度を超える６０度以下の蒸着角度θ１から蒸着分子を供給する斜方蒸着法により、配向膜１５を形成することを特徴とする液晶パネルの製造方法および液晶パネルである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に配向膜が形成された一対の基板間に液晶層を封止してなる液晶パネルの製造方法であって、
前記基板の一主面の法線に対して４５度を超える６０度以下の角度から蒸着分子を供給する斜方蒸着法により、前記配向膜を形成する
ことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項２】
前記配向膜の膜厚を２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下に形成する
ことを特徴とする請求項１記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項３】
前記配向膜を疎水性の無機材料により形成する
ことを特徴とする請求項１記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項４】
前記配向膜と少なくとも一方の前記基板との間に親水性の無機材料からなる吸着層を形成する
ことを特徴とする請求項３記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項５】
前記基板の一主面の法線に対して４５度を超える６０度以下の角度から蒸着分子を供給する斜方蒸着法により、前記吸着層を形成する
ことを特徴とする請求項４記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項６】
表面に配向膜が形成された一対の基板間に液晶層を封止してなる液晶パネルであって、
前記配向膜は、前記基板の一主面の法線方向に対して４５度を超える６０度以下の角度から蒸着分子を供給する斜方蒸着により得られた
ことを特徴とする液晶パネル。
【請求項７】
前記配向膜の膜厚は２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項６記載の液晶パネル。
【請求項８】
前記液晶層に含まれる液晶分子と、前記基板の表面に蒸着された前記配向膜を形成する蒸着分子とが、前記基板の一主面に対して略同一方向に傾斜している
ことを特徴とする請求項６記載の液晶パネル。
【請求項９】
前記液晶層に含まれる液晶分子が、前記基板の一主面に対して８０度以上８８度未満に傾斜している
ことを特徴とする請求項８記載の液晶パネル。
【請求項１０】
前記配向膜が疎水性の無機材料で形成されている
ことを特徴とする請求項６記載の液晶パネル。
【請求項１１】
前記配向膜と少なくとも一方の前記基板との間に、親水性の無機材料からなる吸着層が設けられている
ことを特徴とする請求項１０記載の液晶パネル。
【請求項１２】
前記吸着層は、前記基板の一主面の法線に対して４５度を超える６０度以下の角度から蒸着分子を供給する斜方蒸着により得られた
ことを特徴とする請求項１１記載の液晶パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネルの製造方法および液晶パネルに関するものであって、特に、斜方蒸着により配向膜を形成する液晶パネルの製造方法およびこれによって得られる液晶パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶パネルは、直視型のみではなく、プロジェクションテレビ等の投射型表示素子としても需要が高まってきている。そして、ＡＶ機器としての需要の高まりとともに、長寿命、高信頼性に対する要求も強まってきている。
【０００３】
このような液晶パネルにおいて、液晶分子を基板に対して略垂直に配向させる垂直配向（Vertically Aligned（ＶＡ））モードは、広視野角、高速応答の動作モードとして、注目されている。
【０００４】
このようなＶＡモードを実現するための方法としては、有機材料により配向膜を形成し、ＯＤＳ、ＤＭＯＡＰ等に代表される長鎖アルキルを有するシランカップリング剤で配向膜の表面を処理する方法や、アルキル側鎖を有するポリイミド、またはポリアミド等の有機材料により配向膜を形成する方法がある。
【０００５】
上述した方法では、配向膜を形成する有機材料の溶液を、印刷法またはスピンコート法等により基板の表面に塗布した後、焼成等の工程を経て、バフ材等を用いたラビング処理を行うことで、配向性を付与している。しかし、ラビング処理に用いるバフ材からは不純物の発生が多く見られるため、液晶パネルとしての信頼性や寿命が低下し易く、歩留まりも低くなり易い。また、強い光を照射するプロジェクター等の投射型液晶表示装置に用いる液晶パネルにおいては、有機材料からなる配向膜では耐光性が低いことが知られている。
【０００６】
これに対し、無機材料により配向膜を形成することで、耐光性に優れた液晶パネルが開発検討されている。この場合には、斜方蒸着等により基板上に無機材料を成膜することで配向膜を形成した後、ラビング処理を行わなくても、配向性を付与することができる。このような方法としては、（１）酸化物を斜方から、または基板を移動しながらスパッタリングする方法（例えば、特許文献１参照）、（２）一酸化珪素などを基板に対して平行方向からみた入射角を４５度以上７０度以下、すなわち、基板の一主面の法線に対して入射角２０度以上４５度以下で、斜方蒸着する方法（例えば、特許文献２参照）等が報告されている。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−１６０７０７号公報
【特許文献２】特開平８−１３６９３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上述した（１）の方法では、スパッタリングを行うための諸条件の設定が煩雑であるため、製造工程に時間を要し、生産管理が困難である等、生産性に問題があった。また、（２）の方法では、液晶分子のプレチルト角が基板の一主面に対してほぼ垂直に、具体的には、この面に対して８８度以上に設けられる。このため、液晶パネルを駆動した場合の液晶分子の倒れる方向が揃い難く、リバースチルトドメイン等の配向の乱れた領域が生じることで、画像表示が悪化したり、画面が暗くなる等の問題があった。また、液晶パネルを駆動した場合に液晶分子が倒れるまでの時間が長く、応答速度が遅い傾向があった。
【０００９】
また、液晶分子のプレチルト角が基板の一主面に対して８０度未満である場合には、液晶分子が倒れることによる垂直方向からの光抜けにより、黒が灰色のように浮いて見える「黒浮き」が生じ、画像表示におけるコントラストが悪化する傾向があった。
【００１０】
したがって、煩雑な製造工程を経ることなく、液晶分子において８０度以上８８度未満のプレチルト角を安定に再現性よく得ることが可能な配向膜を形成する液晶パネルの製造方法および液晶パネルが望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述したような課題を解決するために、本発明における液晶パネルの製造方法は、表面に配向膜が形成された一対の基板間に液晶層を封止してなる液晶パネルの製造方法であって、基板の一主面の法線に対して４５度を超える６０度以下の角度から蒸着分子を供給する斜方蒸着法により、配向膜を形成することを特徴としている。
【００１２】
このような液晶パネルの製造方法およびこれによって得られる液晶パネルによれば、斜方蒸着法による蒸着角度を４５度を超える６０度以下に制御して配向膜を形成する。これにより、配向膜が形成された一対の基板間に液晶層を封入した液晶パネルにおいて、液晶層に含まれる液晶分子のプレチルト角を、８０度以上８８度未満の範囲に確実に傾斜させることができる。
【００１３】
このため、ＶＡモードの液晶パネルにおいて、プレチルト角が８８度未満であることで、プレチルト角が８８度以上である場合と比較して、液晶パネルを駆動した場合の液晶分子の倒れる方向が揃い易くなるため、液晶分子の配向乱れによる画像表示の悪化が防止されるとともに画面の明るさも向上する。また、液晶分子が倒れ易くなることで、応答速度も速くなる。さらに、プレチルト角が８０度以上であることで、プレチルト角が８０度未満である場合と比較して、液晶分子が倒れることによる垂直方向からの光抜けを抑制するため、画像表示における黒浮きを抑制し、コントラストを向上させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明における液晶パネルの製造方法およびこれによって得られる液晶パネルによれば、煩雑な製造工程を経ることなく、液晶分子のプレチルト角を８０度以上８８度未満の範囲に、確実に傾斜させることができる。これにより、ＶＡモードの液晶パネルにおいて、画像表示の悪化を防止するとともに、画面の明るさや応答速度を向上させることができる。さらに、画像表示のコントラストを向上させることができる。
【００１５】
したがって、液晶パネルの製造方法における生産性を向上させることができるとともに、画像表示の悪化を防止することで歩留まりを向上させることができる。さらに、応答速度や画面の明るさ、画像表示のコントラストを向上させることで、液晶パネルとしての長期信頼性や表示品質を向上させることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（第１実施形態）
以下、本発明の液晶パネルの製造方法および液晶パネルに係わる実施の形態の一例を、詳細に説明する。ここでは、負の誘電異方性を有するとともに、常温下でネマティック層を呈するＶＡモードの透過型の液晶パネルを形成する場合を例示し、液晶パネルの構成を製造工程順に説明する。
【００１７】
まず、図１（ａ）に示すように、一対のガラスからなる基板を用意する。そして、一方の基板の一主面側に、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor(ＴＦＴ)）１１およびこれに接続された配線１２および画素電極１３を形成し、これをＴＦＴ基板Ｓ１とする。また、他方の基板の一主面側には、共通電極１４を形成し、これを対向基板Ｓ２とする。なお、画素電極１３および共通電極１４は、透明電極であることとする。ここで、ＴＦＴ基板Ｓ１および対向基板Ｓ２を基板Ｓとする。
【００１８】
次に、これらの基板Ｓの一主面側、すなわち、ＴＦＴ基板Ｓ１および対向基板Ｓ２における電極形成面側に、斜方蒸着法により疎水性の無機材料からなる配向膜１５を形成する。ここでは、例えば疎水性の無機材料として、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）を用いることとする。
【００１９】
なお、ここでは、疎水性の無機材料で配向膜１５を形成することとしたが、本発明は、これに限定されず、親水性の無機材料を用いてもよい。ただし、疎水性の無機材料により配向膜１５を形成することで、水分が配向膜１５に吸着することがなく、水分による液晶分子の配向異常が防止されるため好ましい。
【００２０】
このような配向膜１５に用いられる疎水性の無機材料としては、本実施形態で用いるＭｇＦ2の他に、フッ化セリウム（ＣｅＦ3）、フッ化ランタン（ＬａＦ3）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、フッ化ネオジウム（ＮｄＦ3）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）等がある。
【００２１】
また、配向膜１５に用いられる親水性の無機材料としては、二酸化珪素（ＳｉＯ2）、一酸化珪素（ＳｉＯ）を含む酸化珪素や、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等の金属酸化物がある。これらの親水性の無機材料および上述した疎水性の無機材料は、いずれも従来の方法により蒸着が可能である。
【００２２】
ここで、本実施形態における斜方蒸着法による配向膜１５の形成方法について、図２を用いて詳細に説明する。本発明においては、基板Ｓの一主面の法線Ｌｖに対して４５度を超える６０度以下の角度（蒸着角度θ１）から蒸着分子を供給する斜方蒸着法により、配向膜１５を形成することがポイントとなる。
【００２３】
図２に示す真空蒸着装置２０は、装置内の底部に設けられるとともに加熱可能に構成された蒸着源２１と、蒸着源２１の上方に配置され、基板Ｓを保持する基板保持部材２２とを備えている。この基板保持部材２２は、蒸着源２１に対する基板装着面２２ａの傾きを変更可能に設けられている。また、真空蒸着装置２０内の蒸着源２１と基板保持部材２２との間には、蒸着源２１を覆う位置と、蒸着源２１からの蒸着方向から外れる位置とに移動自在なシャッター２３が設けられている。さらに、真空蒸着装置２０には、基板Ｓを搬入、搬出するための開閉扉２４が設けられており、装置内を脱気することで真空度を調整するための排気口２５が設けられている。
【００２４】
このような真空蒸着装置２０を用いて、基板Ｓの電極形成面側に斜方蒸着法により配向膜１５（図１（ａ）参照）を形成するには、まず、装置内に基板Ｓを搬入し、基板保持部材２２に電極形成面を下方に向けた状態で基板Ｓを装着する。そして、基板Ｓ表面の法線Ｌｖに対して４５度を超える６０度以下の蒸着角度θ１で、蒸着源２１から蒸着分子が供給されるように、基板装着面２２ａを傾ける。
【００２５】
次に、蒸着源２１となる「るつぼ」内に、疎水性の無機材料Ｇとして、上述したフッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）の粉末を投入する。この粉末の平均粒径０．１〜５．０ｍｍが好ましく、１．０〜５．０ｍｍであることがさらに好ましい。粒径が５．０ｍｍより大きいと、十分に溶解するまでに時間がかかる。また、０．１ｍｍ未満のものはコストがかかり実用的でない。粒形にはとくに制限はなく、不定形、球状などのものを用いることができる。また、この粉末の平均粒径差は、±２．０ｍｍ以内程度が好ましい。粒径差が２．０ｍｍより大きいと溶解速度が不均一となり、基板Ｓ表面に形成する配向膜１５の膜厚に差が生じるなど、膜の均一性が低下する。
【００２６】
次いで、真空蒸着装置２０の開閉扉２４を閉じ、密閉状態とした後、所定の真空度に達するまで排気口２５から真空脱気装置（図示省略）により十分な真空度になるまで脱気する。真空脱気装置としては、特に制限はないが、クライオポンプ、ドライポンプ、油回転ポンプ、水封式ポンプ等を使用することができる。
【００２７】
次に、シャッター２３により蒸着源２１を覆った状態で、イオンビーム（ＥＢ）源２６などにより蒸着源２１を加熱し、シャッター２３を蒸着方向から外れた位置に移動させた状態で斜方蒸着を開始する。この蒸着源２１の加熱方式としては特に制限はなく、上述したイオンビームによる加熱の他に、高周波誘導加熱、抵抗加熱、電子線加熱などの従来公知の加熱方法を用いることができる。なお、ここでは、基板装着面２２ａを予め傾けた状態で、真空蒸着装置２０内の減圧および蒸着源２１の加熱を行ったが、真空蒸着装置２０内の減圧および蒸着源２１の加熱を行った後、蒸着する直前に基板装着面２２ａを傾斜させてもよい。
【００２８】
この斜方蒸着においては、上述したように、基板Ｓが保持された基板保持部材２２の基板装着面２２ａを傾けることで、蒸着源２２から蒸発させた無機材料の蒸気の蒸着角度θ１を、基板Ｓ表面の法線Ｌｖに対して４５度を超える６０度以下に制御する。この際、この蒸着角度θ１は、基板Ｓ表面の法線Ｌｖに対して一定の方向からの角度であることとする。
【００２９】
これにより、図１（ａ）に示すように、後工程で配向膜１５が形成されたＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２とを対向配置した状態で、液晶層１７を封入し、液晶パネルを形成した場合に、図１（ｂ）の拡大模式図に示すように、液晶層１７（図１（ａ）参照）に含まれる液晶分子１８のプレチルト角θ２が８０度以上８８度未満に制御される。また、蒸着角度θ１を４８度以上５７度以下に制御することがより好ましく、液晶分子１８のプレチルト角θ２の制御性が向上し、パネル面内での均一性を向上させることができるため、表示品質の高い液晶パネルの作成が容易になる。
【００３０】
また、この液晶分子１８と、基板Ｓの表面に蒸着された配向膜１５を形成する蒸着分子１５’とは、基板Ｓ表面に対して略同一方向に傾斜される。これにより、液晶分子１８が蒸着分子１５’とは逆方向に傾斜された場合と比較して、配向規制力が増大するため、表示ムラが発生し難くなり、表示品質を向上させるとともに長期信頼性が得られる。
【００３１】
ここで、蒸着角度θ１（図２参照）が４５度以下である場合には、得られる液晶分子１８のプレチルト角θ２は８８度以上となり、８０度以上８８度未満のプレチルト角θ２を安定して得ることができない。また、蒸着角度θ１が６０度より大きい場合には、配向膜１５における基板Ｓ表面に蒸着された蒸着分子１５’の傾斜方向に対して、液晶分子１８の配向方向が逆転する現象がみられ、配向異常が発生し易い。
【００３２】
ここでの斜方蒸着における蒸着時の温度に関しては本発明において規定するものではないが、２０℃以上２００℃未満であって、２５℃以上１５０℃以下であることが好ましい。２０℃未満に蒸着時の温度を設定する場合には、冷却装置など、装置に多くの費用がかかるうえに、生産において毎回常温以下に蒸着装置を冷却することは効率的ではない。また、一般に蒸着時の温度をあげることは、蒸着機内の真空度や水分などを制御する面で効果があるが、１５０℃程度まででその効果は十分であり、２００℃以上とすることに配向膜の特性および生産性の利点はみられない。
【００３３】
また、この斜方蒸着により形成する配向膜１５の膜厚は、２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましい。このような膜厚に形成することで、後工程でＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２との間に封入する液晶層１７（図１（ａ）参照）における液晶分子１８のプレチルト角θ２を所望のプレチルト角に対して±１度を上回る精度で制御することが可能となる。また、配向膜１５の膜厚が２０ｎｍ以上であることで、液晶分子１８を安定に配向させることができるとともに、リーク電流の発生も抑えられるため、画像表示の悪化が防止される。さらに、配向膜１５の膜厚が１５０ｎｍ以下であることで、電圧降下が防止されるため、電圧保持率の低下が抑制され、焼きつきの発生、すなわち、画像表示において液晶分子１８の応答速度が遅くなることによる画像表示の悪化が防止される。
【００３４】
また、配向膜１５の膜厚は３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることがさらに好ましく、３０ｎｍ以上であれば、量産におけるマージンをとり、より確実な配向特性を得ることができる。また、より高い電圧保持率と焼きつき特性を加味すると膜厚は１００ｎｍ程度までが最適となる。
【００３５】
以上のようにして、２枚の基板Ｓ上に配向膜１５を形成する。なお、ここでは、るつぼ方式の真空蒸着装置２０を用いて吸着層３１と配向膜１５を形成することとしたが、原料連続供給機構を有するフラッシュ蒸着装置を用いてもよい。
【００３６】
その後、図１（ａ）に示すように、これらの基板Ｓ、すなわち、ＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２とを用いて、透過型の液晶パネルを組み立てる。
【００３７】
この際、まず、ＴＦＴ基板Ｓ１における画素電極１３および上述の配向膜１５の形成面側、または対向基板Ｓ２における共通電極１４および上述の配向膜１５の形成面側にスペーサ（図示省略）を散布するとともに、その周囲にシール剤１６を土手状に形成する。その後、これらのＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２とを配向膜１５を対向させた状態で配置する。この際、ＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２における配向膜１５の配向方向がアンチパラレルとなるようにする。
【００３８】
このような状態で、シール剤１６に設けられた液晶層１７を注入するための注入口（図示省略）から、ＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２との間に液晶分子１８を含む液晶層１７を充填する。その後、シール剤１７の注入口を塞ぎ、透過型の液晶パネルを完成させる。この液晶パネルは、負の誘電異方性を有するとともに、常温下でネマティック層を呈するＶＡモードの液晶パネルである。
【００３９】
以上の液晶パネルの製造方法およびこれによって得られる液晶パネルによれば、基板Ｓの一主面の法線Ｌｖに対して４５度を超える６０度以下の蒸着角度θ１から蒸着分子を供給する斜方蒸着法により、配向膜１５を形成する。これにより、ＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２との間に封入する液晶層１７に含まれる液晶分子１８のプレチルト角θ２を、８０度以上８８度未満の範囲に確実に傾斜させることができる。したがって、配向膜１５を形成した後の表面処理等、煩雑な製造工程を行わなくてもよく、斜方蒸着法による蒸着角度θ１を制御することで、液晶分子１８のプレチルト角θ２を制御することができる。これにより、液晶パネルの製造方法における生産性を向上させることができる。
【００４０】
また、液晶分子１８のプレチルト角θ２が８８度未満であることで、プレチルト角が８８度以上である場合と比較して、液晶パネルを駆動した場合の液晶分子１８の倒れる方向が揃い易くなるため、液晶分子１８の配向乱れによる画像表示の悪化が防止され、光の透過率も向上するため、画面も明るくなる。また、液晶分子１８が倒れ易くなることで、応答速度も速くなり、残像のない高画質が可能となる。さらに、プレチルト角θ２が８０度以上であることで、プレチルト角θ２が８０度未満である場合と比較して、液晶分子１８が倒れることによる垂直方向からの光抜けを抑制するため、画像表示における黒浮きを抑制し、コントラストを向上させることができる。
【００４１】
したがって、液晶パネルの画像表示の悪化を防止することで歩留まりを向上させることができる。さらに、応答速度や画面の明るさ、画像表示のコントラストを向上させることで、液晶パネルとしての長期信頼性や表示品質を向上させることが可能である。
【００４２】
また、本実施形態の液晶パネルの製造方法によれば、配向膜１５に疎水性の無機材料を用いることで、配向膜１５に水分が吸着することを防ぐため、水分による液晶分子１８の配向乱れを防止することができる。これにより、高湿度下に本実施形態の液晶パネルを保存した場合であっても、配向膜１５に親水性の無機材料を用いた場合と比較して、水分による液晶分子１８の配向異常が防止され、液晶パネルとしての長期信頼性や表示品質を向上させることができる。
【００４３】
なお、上記実施形態では、図１（ａ）に示すような各画素電極にそれぞれＴＦＴを接続させたアクティブ型の液晶表示素子について述べたが、これに限らず、単純マトリクス型の液晶パネルにも適用することができ、斜方蒸着法により形成する配向膜１５により液晶分子１８を配向規制する種々の液晶パネルに広く適用することができる。
【００４４】
また、本実施形態ではＴＦＴ基板Ｓ１に形成される画素電極１３と、対向基板Ｓ２に形成される共通電極１４を透明電極とすることで、透過型の液晶パネルの例について説明したが、画素電極１３または共通電極１４に反射性の材料を用いた、反射型の液晶パネルであっても、本発明は適用可能である。
【００４５】
さらに、本実施形態の液晶パネルは、この液晶パネルを挟む状態で配置された入射側偏光板と出射側偏光板を備えるとともに、入射側偏光板に光を入射する光源と、出射側偏光板から出射した光を投射させる投射レンズとを備えた、プロジェクター等の投射型液晶表示装置にも適用可能である。
【００４６】
また、この投射型液晶表示装置には、光源と入射側偏光板との間の光路中に、光源からの光を、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の光に分解する色分解部と、出射側偏光板と投射レンズとの光路中に各色の光を１つの光軸に合成する色合成部とを有していてもよい。
【００４７】
上述したような投射型液晶表示装置に、本実施形態の液晶パネルを用いる場合には、配向膜１５に疎水性の無機材料を用いていることから、ポリイミド等の有機材料を配向膜に用いる場合と比較して、プロジェクターに用いる強い光に対する耐光性に優れ、配向膜の破壊や液晶分子１８の配向異常が防止される。また、高湿度下での放置または駆動に対しても水分による液晶分子１８の配向異常が防止されるため、長期信頼性や表示品質を向上させることができる。
【００４８】
（第２実施形態）
本実施形態の液晶パネルの製造方法について、図３（ａ）の模式図を用いて説明する。なお、第１実施形態と同様の方法により、ＴＦＴ基板Ｓ１および対向基板Ｓ２を形成することとし、これらの基板を基板Ｓとする。
【００４９】
そして、基板Ｓの一主面側、すなわちＴＦＴ基板Ｓ１および対向基板Ｓ２における電極形成面側に、真空蒸着法によって、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ2）からなる親水性の無機材料により吸着層３１を形成する。このような吸着層３１を形成することで、水分が吸着層３１に吸着され、水分による液晶分子１８の配向異常が抑制される。
【００５０】
なお、ここでは、ＳｉＯ2により吸着層３１を形成することとしたが、吸着層３１は、親水性の無機材料であればよく、一酸化珪素（ＳｉＯ）であってもよく、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等の金属酸化物であってもよい。
【００５１】
その後、この吸着層３１上に、第１実施形態と同様に、基板Ｓ表面の法線Ｌｖ（図２参照）に対して無機材料の蒸気の蒸着角度θ１（図２参照）を４５度を超える６０度以下に制御した状態で、例えばＭｇＦ2からなる疎水性の無機材料により配向膜１５を形成する。これにより、この後の工程において、対向配置された状態のＴＦＴ基板Ｓ１および対向基板Ｓ２の間に封入する液晶層１７（図１（ａ）参照）に含まれる液晶分子１８のプレチルト角θ２が８０度以上８８度未満に制御される。また、吸着層３１を形成するとともに、疎水性の無機材料により配向膜１５を形成することで、水分による液晶分子１８の配向異常がより確実に防止されるため、好ましい。
【００５２】
ここで、上述した吸着層３１と配向膜１５の合計膜厚は、１５０ｎｍ以下であることが好ましく、１５０ｎｍ以下とすることで、電圧降下が防止されるため、電圧保持率の低下が抑制され、画像表示における焼きつきの発生が防止される。また、より高い電圧保持率と焼きつき特性を加味すると、１００ｎｍ程度までが最適となる。これにより、吸着層３１と配向膜１５の各膜厚の上限が決定される。
【００５３】
そして、吸着層３１の膜厚は、２０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以上であれば、吸着層３１を均一な膜厚で形成することが可能であり、液晶パネル内に侵入した水分を十分に吸着することができる。また、３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、３０ｎｍ以上であれば、量産におけるマージンをとり、より確実に均一な膜厚で形成することができる。
【００５４】
また、この場合の配向膜１５の膜厚は、２０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下であることが好ましい。配向膜１５の膜厚が２０ｎｍ以上であることで、図１（ａ）に示すＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２との間に封入される液晶層１７の液晶分子３４を安定に配向させることができるとともに、リーク電流の発生も防止されるため、画像表示の悪化が防止される。また、３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、３０ｎｍ以上であれば、量産におけるマージンをとり、より確実な配向特性を得ることができる。
【００５５】
この後の工程は第１実施形態と同様に行うこととし、図１（ａ）に示すように、吸着層３１と配向膜１５が設けられた基板Ｓ、すなわち、ＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２とを用いて液晶パネルを組み立てる。なお、ここでは、吸着層３１をＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２にそれぞれ形成する例について説明したが、どちらか一方の基板Ｓのみに吸着層３１が形成されていてもよい。ただし、ＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２の両方に吸着層３１を形成する方が、吸着層３１への水分の吸着が促進され、水分による液晶分子１８の配向乱れを防止できるため、好ましい。
【００５６】
このような液晶パネルの製造方法およびこれによって得られる液晶パネルによっても、第１実施形態と同様に、基板Ｓの一主面の法線Ｌｖに対して４５度を超える６０度以下の蒸着角度θ１から蒸着分子を供給する斜方蒸着法により、配向膜１５を形成することで、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００５７】
さらに、本実施形態では、疎水性の無機材料からなる配向膜１５と基板Ｓとの間に、親水性の無機材料からなる吸着層３１を形成することから、吸着層３１に水分が吸着されるため、水分による液晶分子１８の配向異常を確実に防止することができ、液晶パネルとしての長期信頼性や表示品質を向上させることができる。
【００５８】
なお、本実施形態では、吸着層３１を単なる蒸着法により形成することとしたが、配向膜１５と同様に、基板Ｓの一主面の法線Ｌｖに対して４５度を超える６０度以下の角度から蒸着分子を供給する斜方蒸着法により、吸着層３１を形成してもよい。これにより、図３（ｂ）に示すように、基板Ｓ表面に対して、吸着層３１の蒸着分子３１’を配向膜１５の蒸着分子１５’と同一の方向に傾斜させることができ、さらに、液晶分子１８も同一方向に傾斜させることができる。したがって、吸着層３１によっても、液晶分子１８に配向性を付与することが可能となり、液晶分子１８への配向力を強化することが可能である。これにより、吸着層３１と配向膜１５の合計膜厚を薄膜化することが可能となるため、電圧保持率を向上させることができ、画像の焼き付きをより確実に防止することができる。
【００５９】
さらに、吸着層３１とその上層に形成する配向膜１５を、蒸着角度θ１を変えずに斜方蒸着した場合には、吸着層３１を形成した後、図２に示す真空蒸着装置２０における基板保持部材２２の基板装着面２２ａの角度は維持した状態で、蒸着源２１のみを変更すればよく、配向膜１５と吸着層３１の形成工程が容易である。
【実施例】
【００６０】
ここで、第１実施形態で説明した製造方法と同様の方法により、液晶パネルを製造した実施例について、図１（ａ）および図１（ｂ）を用いて説明する。ここでは、図１（ａ）に示すように、配向膜１５を形成する際の蒸着角度θ１（図２参照）を基板Ｓの一主面の法線Ｌｖ（図２参照）に対して５０度、５５度、６０度と５度間隔で変化させて、基板Ｓ上に配向膜１５をそれぞれ形成した。その後、蒸着角度θ１を変えて配向膜１５を形成したＴＦＴ基板Ｓ１および対向基板Ｓ２の間に、それぞれ液晶層１７を封入し、３種類の液晶パネルを形成した。そして、図１（ｂ）に示すように、各液晶パネルにおける液晶層１７に含まれる液晶分子１８のプレチルト角θ２を測定した。ここでの蒸着温度は２５℃であり、配向モードをＶＡモードとして、各条件につき８つの液晶パネルを作成した。各液晶パネルにおける液晶分子１８のプレチルト角θ２についての平均値を表１に示す。
【００６１】
【表１】
2005274641.tif 000003
【００６２】
また、上記の比較例として、蒸着時の蒸着角度θ１を基板Ｓの一主面の法線Ｌｖに対して４０度、４５度、６５度にして、上記と同様の条件で基板Ｓ上に配向膜１５をそれぞれ形成した場合の液晶パネルにおける液晶分子１８のプレチルト角θ２を測定した。この場合においても、各条件につき８つの液晶パネルを作成した。各液晶パネルにおける液晶分子１８のプレチルト角θ２についての平均値を表１に示す。
【００６３】
表１に示すように、蒸着時の基板Ｓの一主面の法線Ｌｖに対する蒸着角度θ１を５０度、５５度、６０度として配向膜１５を形成した場合には、ＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２との間に封入する液晶層１７に含まれる液晶分子１８のプレチルト角θ２が８０度以上８８度未満に制御されることが確認された。さらに、液晶分子１８の配向方向は、配向膜１５における蒸着分子１５’の蒸着方向と略同一であることが認められた。また、蒸着角度θ１を４０度、４５度とした場合には、プレチルト角θ２は８８度以上となり、８０度以上８８度未満のプレチルト角θ２を安定して得ることができなかった。また蒸着角度θ１を６５度とした場合には、配向方向が蒸着方向に対して逆転する現象がみられ、配向異常が発生することが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法に係る第１実施形態を説明するための液晶パネルの構成図（ａ）および拡大模式図（ｂ）である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法に係る第１実施形態に用いる真空蒸着装置の構成図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法に係る第２実施形態を説明するための模式図（ａ）、（ｂ）である。
【符号の説明】
【００６５】
Ｓ…基板、Ｓ１…ＴＦＴ基板、Ｓ２…対向基板、θ１…蒸着角度、θ２…プレチルト角、１５…配向膜、１５’…蒸着分子、１７…液晶層、１８…液晶分子、３１…吸着層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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