(57)【要約】【課題】  エッチングによる配線部の加工ばらつきが低減された熱式センサを提供すること。【解決手段】  基板１０と、当該基板１０に形成された薄肉部としてのメンブレン２０と、当該メンブレン２０上に形成されたヒータ部３１を含み、同一材料をパターニングしてなる配線部３０とを備える熱式流量センサ１００において、配線部３０の形成領域を除く配線部非形成領域の幅が全て略等しくなるように、配線部非形成領域の少なくとも一部に配線部３０と電気的に接続されないダミー配線部４０を設けた。ダミー配線部４０を設けることで、設計上、配線部３０のパターニングにより配線部非形成領域の幅を全て略等しく設定できない場合であっても、配線部非形成領域の幅を全て略等しく設定することが可能となる。従って、露光時におけるレジストへの光の回り込み具合が一定となるため、エッチングによる各配線部３０の加工ばらつきが低減される。【選択図】        図１
2005181016.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
当該基板に形成された薄肉部としてのメンブレンと、
当該メンブレン上に形成されたヒータ部を含み、同一材料をパターニングしてなる配線部とを備える熱式センサであって、
前記メンブレンを含む前記基板上において、前記配線部の形成領域を除く配線部非形成領域の幅が全て略等しくなるように、前記配線部非形成領域の少なくとも一部に前記配線部と電気的に接続されないダミー配線部が設けられていることを特徴とする熱式センサ。
【請求項２】
前記ダミー配線部は、前記配線部と同一材料からなることを特徴とする請求項１に記載の熱式センサ。
【請求項３】
前記ダミー配線部は、前記配線部間に設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の熱式センサ。
【請求項４】
前記ダミー配線部は、前記メンブレン上に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の熱式センサ。
【請求項５】
前記ダミー配線部は、前記配線部の外周部位よりも前記基板の外周端部側に設けられていることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載の熱式センサ。
【請求項６】
測定対象としての流体の通路内に配置され、前記ヒータ部から前記流体へ伝わる熱量に基づいて前記流体の流量を検出することを特徴とする請求項１〜５いずれか１項に記載の熱式センサ。
【請求項７】
前記ヒータ部は一対からなり、一方が前記流体に対して上流側に配置され、他方が前記流体に対して下方側に配置されていることを特徴とする請求項６に記載の熱式センサ。
【請求項８】
前記基板は半導体基板であり、絶縁膜を介して、前記配線部が前記基板上に設けられていることを特徴とする請求項１〜７いずれか１項に記載の熱式センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板と、当該基板に形成された薄肉部としてのメンブレンと、当該メンブレン上に形成されたヒータ部を含み、同一材料をパターニングしてなる配線部とを備える熱式センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板と、当該基板に形成された薄肉部としてのメンブレンと、当該メンブレン上に形成されたヒータ部を含み、同一材料をパターニングしてなる配線部とを備える熱式センサとして、例えば熱式流量センサがある。
【０００３】
このセンサは、ヒータ部の生じる熱が、ヒータ部近傍を通過する流体によって奪われることを利用して、流体の流量を検出する構成となっている。このような熱式流量センサの一例として、本出願人は先に特許文献１を開示している。
【０００４】
特許文献１に示される熱式流量センサは、基板上に絶縁膜を介して抵抗膜（ヒータ、温度計を含む配線部）が積層されてなるものであり、配線部の少なくとも一部がエッチングによりパターニングされて、複数本の抵抗体が並列に接続された配線形状となっている。
【０００５】
すなわち、従来線幅の太い部分であった配線部を、複数本の抵抗体が並列に接続された配線形状とすることにより、線幅の細い部分の配線部の線幅に揃えている。このように、各配線部の線幅を略同一とすることで、各配線部間でのエッチングばらつきを同程度とし、各配線部の抵抗比が異なるチップ間でばらつくのを極力抑制している。
【特許文献１】特開２００３−３５５８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、エッチングによる配線部の加工ばらつきは配線部の線幅だけでなく、各配線部に接する配線部非形成領域の幅にも依存する。例えば、各配線部の線幅が略同一（すなわち所定の線幅）となるようにパターン設計しても、各配線部に接する配線部非形成領域の幅（例えば配線部間の抜き幅）が略同一となるようにパターン設計をしなければ、配線部非形成領域の幅によって露光時におけるレジストへの光の回り込み具合が異なるため、エッチングにより形成された配線部の線幅がばらつくこととなる。すなわち、隣接する配線部非形成領域の幅によって、配線部の線幅がばらつくこととなる。この場合、センサは所望のセンサ機能（例えばセンサ感度）を発揮できない恐れがある。また、補正回路により出力補正を行う構成の場合、補正回路が複雑化する恐れがある。
【０００７】
特許文献１に記載された熱式流量センサでは、流体を精度良く検出するために、ヒータが基板のメンブレン（薄肉部）に形成され、ヒータの周囲に広い配線部非形成領域が形成されている。このように、ヒータは他の配線部（例えば温度計）の熱的影響を受けないように構成されている。従って、配線部のパターニングにより、配線部非形成領域の幅を全て略等しくし、エッチングによる配線部の加工ばらつきを低減しようとすると、配線部非形成領域の幅の広い部分に合わせる必要があるので、センサの体格を小型化することが困難となる。
【０００８】
本発明は上記問題点に鑑み、エッチングによる配線部の加工ばらつきが低減された熱式センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成する為に、請求項１に記載の熱式センサは、基板と、当該基板に形成された薄肉部としてのメンブレンと、当該メンブレン上に形成されたヒータ部を含み、同一材料をパターニングしてなる配線部とを備える。そして、メンブレンを含む基板上において、配線部の形成領域を除く配線部非形成領域の幅が全て略等しくなるように、配線部非形成領域の少なくとも一部に配線部と電気的に接続されないダミー配線部が設けられていることを特徴とする。
【００１０】
このように、配線部非形成領域に配線部と電気的に接続されないダミー配線部を設けることで、配線部のパターン上、全ての配線部非形成領域の幅を略等しく設定できない場合であっても、配線部非形成領域の幅を全て略等しく設定することが可能となる。従って、露光時におけるレジストへの光の回り込み具合が一定となるため、エッチングによる配線部の加工ばらつき（線幅の加工誤差）が低減される。すなわち、センサは、所望のセンサ機能を発揮できる。また、補正回路により出力補正を行う構成の場合でも、補正回路が簡素化される。
【００１１】
また、配線部非形成領域の中で、幅の最も狭い部分に他の配線部形成領域の幅を合わせることができる。従って、センサの体格を小型化することができる。
【００１２】
請求項２に記載のように、ダミー配線部は、配線部と同一材料からなることが好ましい。
【００１３】
ダミー配線部は配線部と電気的に接続されないので、配線部と異なる材料からなる構成であっても良い。しかしながら、同一材料とすることで、製造コストを低減（製造工程を簡素化）することができる。
【００１４】
尚、ダミー配線部は、請求項３に記載のように、配線部間に設けられていても良く、特に請求項４に記載のように、メンブレン上に形成されていることが好ましい。
【００１５】
例えば、メンブレン上に形成されたヒータ部は、センサ感度を向上させるために、通常他の配線部との接続部を除いては、他の配線部と離間されて形成されている。すなわち、ヒータ部と他の配線部との配線部間には、他の配線部間の幅よりも幅の広い配線部非形成領域が存在する。この配線部非形成領域に、ヒータ部を除く他の配線部を形成することは、感度低下となるため、実用上困難である。また、他の配線部非形成領域の幅をこの（ヒータ部隣接の）配線部非形成領域の幅に合わせると、センサの体格を小型化するのが困難となる。
【００１６】
しかしながら、配線部と電気的に接続されないダミー配線部であれば、センサ感度を低下させることなく、全ての配線部非形成領域の幅を略等しくすることができる。
【００１７】
尚、ダミー配線部の形成位置は、ヒータ部に隣接する配線部非形成領域に限定されるものではなく、ヒータ部に隣接しない配線部間であっても良い。これにより、全ての配線部のエッチングによる加工ばらつきが低減されるので、センサは所望のセンサ機能を発揮することができる。
【００１８】
また、配線部のパターン上、配線部の外周部位と基板の外周端部との間に幅の広い配線部非形成領域が存在することとなる場合、請求項５に記載のように、配線部の外周部位よりも基板の外周端部側に、ダミー配線部が設けられれば良い。
【００１９】
この場合、配線部の外周部位よりも基板の外周端部側における配線部非形成領域の幅も、他の配線部非形成領域（すなわち配線部間）の幅と略等しくすることができるので、エッチングによる配線部の外周部位における加工ばらつきも低減することができる。
【００２０】
また、上述した熱式センサとしては、例えば請求項６に記載のように、測定対象としての流体の通路内に配置され、ヒータ部から流体へ伝わる熱量に基づいて流体の流量を検出するものであっても良い。
【００２１】
請求項１〜５いずれかに記載の熱式センサは、熱式流量センサとして好適である。しかしながら、それ以外にも、ガスセンサ等に適用が可能である。
【００２２】
尚、請求項７に記載のように、ヒータ部が一対からなり、一方が流体に対して上流側に配置され、他方が流体に対して下方側に配置された構成の熱式流量センサにおいても、本発明を適用することができる。
【００２３】
このような構成の熱式流量センサにおいては、流体の流量だけでなく、流体により上流側ヒータ部から奪われた熱量と下流側ヒータ部から奪われた熱量との差から流体の流通方向を検出するため、両ヒータ部は近接配置され、配線幅が狭く、抵抗値のペア性が良い（例えば同一の抵抗値）ことが望まれる。
【００２４】
この場合、配線部のパターン上、少なくともヒータ部とその他の配線部との間に、他の配線部間よりも幅の広い配線部非形成領域が存在することとなる。従って、この配線部非形成領域にダミー配線部を設けることで、エッチングによる配線部の加工ばらつきを低減でき、両ヒータ部のペア性（抵抗値）も向上される。
【００２５】
請求項８に記載のように、基板は半導体基板であり、絶縁膜を介して配線部が基板上に設けられていることが好ましい。
【００２６】
半導体基板を用いることで、一般的な半導体製造技術により容易にメンブレンを有する基板とすることができる。すなわち、熱式センサを低コストで製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。尚、本実施の形態においては、熱式センサとして、熱式流量センサを例にとり、以下に説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本実施形態における熱式流量センサの概略構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面における断面図である。図１（ａ）においては、便宜上、配線部及びダミー配線部を透過させて図示し、ダミー配線部にハッチングを施している。また、図１（ａ）において、白抜き矢印が流体の流通方向を示し、図１（ａ），（ｂ）において、２点鎖線よりも矢印側が、熱式流量センサのうち、流体が流通する吸気管（図示せず）内に配置される部位とする。
【００２８】
図1（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態に示す熱式流量センサ１００は、基板１０と、基板１０に形成された薄肉部としてのメンブレン２０と、メンブレン２０を含む基板１０上に同一材料をパターニングして形成された配線部３０と、基板１０上において、配線部３０が形成されない配線部非形成領域の少なくとも一部に形成されたダミー配線部４０とを備えている。
【００２９】
基板１０は、単結晶シリコンからなる半導体基板であり、薄肉部であるメンブレン２０形成位置に対応して、開口部１１を有している。本実施形態において、開口部１１は、基板１０の下面側において、図１（ａ）に一点鎖線にて示されるような矩形領域をもって開口されており、この開口面積が基板１０の上面側へ行くほど縮小され、基板１０の上面では、図１（ａ）に破線にて示されるような矩形領域となっている。
【００３０】
従って、メンブレン２０は、開口部１１の上面を架橋するように形成されており、熱式流量センサ１００の他の部位と比べて膜厚が薄く形成されているので、熱容量が低く抑えられ、他の部位との熱的な絶縁が確保されている。尚、図１（ａ）にて破線で示される矩形領域は、メンブレン２０の形成領域と同等である。
【００３１】
基板１０の下面には、開口部１１形成時のマスクとなる窒化シリコン膜１２が形成されている。また、基板１０の上面には、絶縁膜１３（例えば窒化シリコン膜）が形成されており、当該絶縁膜１３上には、酸化シリコン膜１４が形成されている。
【００３２】
そして、酸化シリコン膜１４上には、同一の多結晶シリコン膜をパターニングしてなる、配線部３０とダミー配線部４０が形成されている。
【００３３】
配線部３０は、メンブレン２０の形成部位に設けられた一対のヒータ部３１と、温度を検出する一対の感温部３２と、これらと後述するパッド部とを接続するリード部３３とにより構成される。
【００３４】
配線部３０としては種々の形態が可能であるが、本実施形態において、ヒータ部３１は、電流の供給によって発熱する発熱体としての機能に加えて、ヒータ部３１の抵抗温度係数の変化に基づいて、自身の温度をも感知する。そして、上流側ヒータ部３１ａと下流側ヒータ部３１ｂとの生じる熱のうち、流通する流体（例えば空気）によって奪われる熱に基づき流量を感知する。また、上流側ヒータ部３１ａと下流側ヒータ部３１ｂとのそれぞれに生じる熱のうち、流体によって奪われる熱量の差に基づき、流体の流通方向を感知する。
【００３５】
また、上流側ヒータ部３１ａ及び上流側感温体３２ａの温度差と、下流側ヒータ部３１ｂ及び下流側感温体３２ｂの温度差とに基づき、ヒータ部３１に供給される電流量が制御される。
【００３６】
ダミー配線部４０は、配線部３０と電気的に絶縁状態にあり、本実施形態においては、配線部３０同様、多結晶シリコン膜をパターニングしてなるものである。そして、図１（ａ）に示すように、ヒータ部３１とリード部３３との間の配線部非形成領域に形成されている。その詳細については後述する。
【００３７】
配線部３０及びダミー配線部４０上には、例えば窒化シリコン膜からなる保護膜１５が形成されており、当該保護膜１５にはコンタクトホール１５ａが形成されている。そして、コンタクトホール１５ａにはリード部３３の端部に接するパッド部１６が形成されており、配線部３０は、パッド部１６に接続されたボンディングワイヤ１７を介して出力補正用の回路基板（図示せず）等に電気的に接続されている。
【００３８】
尚、熱式流量センサ１００のうち、パッド部１６とボンディングワイヤ１７との接続部を含み、吸気管内に配置されない領域には、図１（ｂ）に示すように、ゲル等の保護材１８が形成されている。そして、熱式流量センサ１００は、例えばモールドケース（図示せず）に固定されて、吸気管に取り付けられている。尚、保護材１８の代わりに、直接モールドケースにより保護される構成であっても良い。
【００３９】
次に、本実施形態の特徴点について、図１（ａ）及び図２を用いて説明する。尚、図２は、図１（ａ）におけるダミー配線部４０とその周囲部を拡大した平面図である。図２においては、便宜上、ダミー配線部４０にハッチングを施している。
【００４０】
熱式流量センサ１００が所望のセンサ機能を発揮するためには、所望の抵抗となるように各配線部３０を加工する必要がある。同一材料をエッチングして各配線部３０を形成する場合、各配線部３０の抵抗は線幅の加工ばらつきの影響を強く受けるが、この加工ばらつきは配線部３０に接する配線部非形成領域の幅の影響を受ける。
【００４１】
具体的には、配線部非形成領域の幅によって露光時におけるレジストへの光の回り込み具合が異なるため、各配線部３０に接する配線部非形成領域の幅が略同一となるようにパターン設計をしなければ、エッチングにより形成された配線部３０の加工ばらつきが大きくなる。例えば、同一の線幅を有する一対のヒータ部３１（３１ａ，３１ｂ）を形成しようとしても、それぞれのヒータ部３１に隣接する配線部非形成領域の幅が異なれば、エッチングにより形成されたヒータ部３１の線幅が互いに異なることとなる。すなわち、熱式流量センサ１００は所望のセンサ機能を発揮できない（例えばセンサ感度が低下する）恐れがある。また、補正回路により出力補正を行う構成の場合、補正回路が複雑化する恐れがある。
【００４２】
熱式流量センサ１００は、流体を精度良く検出するために、通常、基板１０のメンブレン２０にヒータ部３１が形成され、ヒータ部３１の周囲に広い配線部非形成領域が存在するよう、配線部３０が設計される。
【００４３】
また、流体の流量だけでなく、流体により上流側ヒータ部３１ａから奪われた熱量と下流側ヒータ部３１ｂから奪われた熱量との差から、流体の流通方向を検出する場合、図１（ａ）に示すように、上流側ヒータ部３１ａ及び下流側ヒータ部３１ｂは近接配置され、配線幅が狭く、抵抗値のペア性が良い（例えば同一の抵抗値）ことが望まれる。
【００４４】
従って、配線部３０の設計上、配線部非形成領域の幅を全て略等しくし、エッチングによる配線部の加工ばらつきを低減しようとすることは困難である。仮に、配線部非形成領域の幅の広い部分に合わせて配線部３０を設計したとしても、熱式流量センサ１００の体格を小型化することが困難となる。従って、通常、熱式流量センサ１００においては、各配線部３０に接する配線部非形成領域の幅が不均一であるので、エッチングによる各配線部３０の加工ばらつきが大きい。
【００４５】
しかしながら、本実施形態における熱式流量センサ１００においては、図１（ａ）及び図２に示すように、配線部３０の設計上、配線部非形成領域の幅が広くなる上流側ヒータ部３１ａとリード部３３との間、及び、下流側ヒータ部３１ｂとリード部３３との間にダミー配線部４０が形成されている。そして、当該ダミー配線部４０を形成したことにより、全ての配線部非形成領域の幅が略同一となっている。尚、図２における矢印は、全ての配線部非形成領域（ヒータ部３１間、ヒータ部３１とリード部３３との間、感温体３２間、感温体３２とリード部３３との間、リード部３３間、リード部３３の外周部位と基板１０の外周端部間）の幅が略等しいことを示している。
【００４６】
このように、ダミー配線部４０を設けることで、全ての配線部非形成領域の幅を略等しくし、エッチングによる配線部３０の加工ばらつきを低減することができる。従って、熱式流量センサ１００は所望のセンサ機能を発揮できる。また、補正回路により感度補正を行う構成の場合でも、補正回路が簡素化される。
【００４７】
特に、本実施形態においては、センサ感度に対して重要なヒータ部３１（上流側ヒータ部３１ａ及び下流側ヒータ部３１ｂ）の加工ばらつきが低減されるので、両ヒータ部３１ａ，３１ｂの抵抗値のペア性も向上され、流体の流通方向を高精度に検出することができる。
【００４８】
また、ダミー配線部４０を設けることにより、配線部非形成領域中で、最も幅の狭い部分に他の配線部形成領域の幅を合わせることができるので、熱式流量センサ１００の体格を小型化することができる。
【００４９】
次に、上述した熱式流量センサ１００の製造方法の一例を、図１（ａ）に示す平面図と、図３（ａ）〜（ｃ）及び図４（ａ），（ｂ）に示す工程別断面図を用いて説明する。尚、図３（ａ）〜（ｃ）及び図４（ａ），（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面を示している。
【００５０】
先ず、図３（ａ）に示すように、単結晶シリコンからなる基板１０の上面側に、ＣＶＤ法により窒化シリコン膜からなる絶縁膜１３を形成する。この絶縁膜１３が後述する基板１０のエッチングの際に、エッチングストッパとなる。尚、絶縁膜１３は、メンブレン２０を構成する要素であるため、膜応力を制御して形成することが重要である。このため、必要に応じて例えば窒化シリコン膜と酸化シリコン膜からなる複合膜として形成しても良い。
【００５１】
そして、絶縁膜１３を覆うように酸化シリコン膜１４をＣＶＤ法により形成する。この酸化シリコン膜１４は、その直上に形成される多結晶シリコン膜からなる配線部３０の密着性を高め、配線部３０をエッチングにより形成する際のエッチングストッパとなる。
【００５２】
次に、酸化シリコン膜１４上に、多結晶シリコン膜をＣＶＤ法により形成し、リン等の不純物を導入して所定の抵抗値が得られるように調整する。続いて、多結晶シリコン膜をフォトリソグラフィー処理によりパターニングし、図１（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、ヒータ部３１，感温部３２，及びリード部３３を含む配線部３０と、ダミー配線部４０を形成する。
【００５３】
ここで、配線部３０の非形成領域である配線部非形成領域の幅が全て略等しくなるように、配線部３０をパターニングする。しかしながら、設計上（例えばセンサ感度の関係等により）どうしても幅を略等しくできない部位がある場合には、当該部位に配線部３０と電気的に接続されないダミー配線部４０が形成されるように多結晶シリコン膜をパターニングする。
【００５４】
本実施形態においては、配線部３０の設計上、ヒータ部３１とリード部３３との間の配線部非形成領域を除いた配線部非形成領域の幅が全て略等しくなるように、配線部３０が形成される。そして、ヒータ部３１とリード部３３との間の配線部非形成領域は、他の配線部非形成領域よりも広いため、ダミー配線部４０が形成される。これにより、ヒータ部３１とリード部３３との間の配線部非形成領域が縮小され、ヒータ部３１とダミー配線部４０との間、及び、リード部３３とダミー配線部４０との間の両配線部非形成領域の幅が、それ以外の各配線部非形成領域の幅と略等しくなる。従って、露光時のレジストへの光の回り込み具合が等しくなり、ドライエッチング時の各配線部３０の加工ばらつきが低減される。
【００５５】
尚、配線部３０及びダミー配線部４０を構成する材料は多結晶シリコン膜に限定されるものではない。それ以外にも、単結晶シリコン膜でも良いし、低抵抗金属材料（Ｐｔ、Ａｌ等）であっても良い。また、ダミー配線部４０は配線部３０と電気的に接続されないので、配線部３０を構成する材料と異なる材料から構成されても良い。尚、図示されないが、熱酸化により、配線部３０及びダミー配線部４０の表面に酸化シリコン膜を形成しても良い。
【００５６】
配線部３０及びダミー配線部４０の形成後、図３（ｃ）に示すように、保護膜１５を形成する。保護膜１５は、熱式流量センサ１００の使用環境に適した材料を選択して形成されれば良い。本実施形態における熱式流量センサ１００は、例えば車載内燃機関の吸気管に配置されるので、耐環境性（特に耐ダスト性）を確保するために、保護膜１５として例えばＣＶＤ法により窒化シリコン膜を形成する。尚、保護膜１５としては、それ以外の構成であっても良く、酸化シリコン膜であっても良いし、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の複合膜であっても良い。
【００５７】
保護膜１５形成後、保護膜１５をフォトリソグラフィー処理し、リード部３３の端部に対応する位置にコンタクトホール１５ａを形成する。そして、当該コンタクトホール１５ａを含む所定領域に例えばＡｌを成膜し、パターニングして外部接続端子としてのパッド部１６を形成する。
【００５８】
パッド部１６の形成後、基板１０の下面全面に、例えばプラズマＣＶＤ法によりエッチングマスク用の窒化シリコン膜１２を形成する。そして、フォトリソグラフィー処理により、メンブレン２０を形成する領域に開口部を形成し、基板１０を例えばＫＯＨ液等を用いてエッチングする。このエッチングでは、基板上面に設けられた絶縁膜１３が露出するまで基板１０のエッチングがなされ、図４（ａ）に示すように、基板１０に薄肉部としてのメンブレン２０が形成される。
【００５９】
その後、ダイシングにより個々のチップに分割し、図４（ｂ）に示すように、パッド部１６にボンディングワイヤ１７でボンディング処理することにより、配線部３０が外部（例えば出力補正用の回路基板）と電気的に接続される。そして、パッド部１６とボンディングワイヤ１７との接続部を腐食等から保護するために、当該接続部を含む所定領域（吸気管外に配置される部分）を覆うようにゲル等からなる保護材１８を形成する。以上の工程を経て、本実施形態における熱式流量センサ１００が形成される。
【００６０】
尚、上記製造工程において、酸化シリコン膜等、吸湿性を有する膜を形成する際には、吸湿による膜応力の変動を防ぐため、膜形成後に必要に応じて加熱処理しても良い。
【００６１】
以上本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態のみに限定されず、種々変更して実施する事ができる。
【００６２】
本実施形態において、熱式センサを、熱式流量センサ１００に適用する例を示した。しかしながら、それ以外にも、ガスセンサや圧力センサ等、種々のセンサに適用することができる。
【００６３】
また、本実施形態において、基板１０はシリコンからなる半導体基板であり、絶縁膜１３（及び酸化シリコン膜１４）を介して、基板１０上に配線部３０及びダミー配線部４０が形成される例を示した。このように半導体基板を用いると、一般的な半導体製造技術により、基板１０に容易にメンブレンを形成することができる。すなわち、熱式流量センサ１００を低コストで製造することができる。しかしながら、基板１０はガラス基板等により構成されても良い。
【００６４】
また、本実施形態において、ダミー配線部４０が、ヒータ部３１とリード部３３との間の配線部非形成領域に形成されている例を示した。しかしながら、ダミー配線部４０は、メンブレン２０を含む基板１０上において、配線部３０の形成領域を除く配線部非形成領域であれば形成することができる。特に、設計上、配線部３０のパターニングでは、配線部非形成領域の幅を略等しくすることができない領域に形成されるものである。従って、その形成位置、形状、及び個数は限定されるものではない。
【００６５】
例えば、配線部３０の設計上、配線部３０（リード部３３）の外周部位と基板１０の端部との間に幅の広い配線部非形成領域が存在することとなる場合、図５に示すように、当該領域にダミー配線部４０を設けることにより、全ての配線部非形成領域の幅を略等しくすることができる。尚、図５は、本実施形態の変形例を示す拡大平面図であり、便宜上、ダミー配線部４０にハッチングを施している。図５においては、ヒータ部３１とリード部３３との間の配線部非形成領域にもダミー配線部４０が形成されている。
【００６６】
それ以外にも、例えば感温体３２間にダミー配線部４０を設けることにより、上流側感温体３２ａと下流側感温体３２ｂの抵抗値のペア性を向上させることもできる。
【００６７】
また、図６に示すように、ヒータ部３１（３１ａ，３１ｂ）とリード部３３との間の配線部非形成領域に形成されるダミー配線部４０が、それぞれ複数から構成されても良い。また、上流側ヒータ部３１ａと下流側ヒータ部３１ｂとの間の配線部非形成領域に、ダミー配線部４０が形成されても良い。例えば、センサ感度を向上させるために、上流側ヒータ部３１ａと下流側ヒータ部３１ｂとの間に所定の距離をとりたい場合であっても、両ヒータ部３１ａ，３１ｂ間の配線部非形成領域にダミー配線部４０を形成することで、それぞれのヒータ部３１ａ，３１ｂの加工ばらつきを低減でき、抵抗値のペア性を確保することができる。尚、図６は、本実施形態の変形例を示す拡大平面図であり、便宜上、ダミー配線部４０にハッチングを施している。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第１の実施形態における熱式流量センサの概略構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面における断面図である。
【図２】特徴点を説明するためのダミー配線部を含む拡大平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、熱式流量センサの製造方法の概略を示す工程別断面図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は図３（ｃ）に引き続いて熱式流量センサの製造方法の概略を示す工程別断面図である。
【図５】変形例を示す拡大平面図である。
【図６】変形例を示す拡大平面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１０・・・基板
１１・・・開口部
２０・・・メンブレン
３０・・・配線部
３１・・・ヒータ部
３１ａ・・・上流側ヒータ部
３１ｂ・・・下流側ヒータ部
３２・・・感温体
３３・・・リード部
４０・・・ダミー配線部
１００・・・熱式流量センサ
【図１】
2005181016.tif 000003
【図２】
2005181016.tif 000004
【図３】
2005181016.tif 000005
【図４】
2005181016.tif 000006
【図５】
2005181016.tif 000007
【図６】
2005181016.tif 000008