(57)【要約】    【課題】  ウエハ上に複数の弾性表面波素子の電極をフォトリソグラフィ−リフトオフにより形成するに際し、レジスト層の剥離を容易に行うことがきるとともに、電極の損傷が生じ難い、弾性表面波素子の製造方法を提供する。    【解決手段】  圧電体よりなるウエハ１上に、複数の弾性表面波素子の各電極構造に対応した開口部を有するようにパターニングされたレジスト層を形成し、レジスト層を覆うようにウエハ１上に金属膜を形成し、レジスト層状の金属膜をリフトオフし、開口部に付与されている金属膜により複数の弾性表面波素子の電極構造を形成する弾性表面波素子の製造方法において、レジスト層には、隣接する弾性表面波素子構成領域Ａ１，Ａ２間及びＡ１，Ａ３間において、連ねられるように、レジスト層２Ａがパターニングされる弾性表面波素子の製造方法。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体よりなるウエハを用意する工程と、
前記ウエハ上に構成される複数の弾性表面波素子の各電極構造に対応した開口部を有するようにパターニングされたレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層を覆うようにウエハ上に金属膜を形成する工程と、
前記レジスト層上の金属膜をリフトオフし、前記開口部に付与されている金属膜により複数の弾性表面波素子の電極構造を形成する工程とを備え、
前記パターニングされたレジスト層がウエハ上において、少なくとも一方向に隣接する弾性表面波素子構成領域間で繋げられていることを特徴とする、弾性表面波素子の製造方法。
【請求項２】
前記レジスト層の形成が、前記ウエハ上にフォトレジストを全面に付与する工程と、該フォトレジストにマスクを介して光を照射する工程と、光照射後に現像し、前記開口部を有するようにパターニングされたレジスト層を得る工程とを備える請求項１に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項３】
前記リフトオフにより前記レジスト層上の金属膜を除去するに際し、剥離液中に前記ウエハを浸漬した状態でウエハを揺動することを特徴とする、請求項１または２に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項４】
前記金属膜として、複数の金属膜が積層された積層膜を形成する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項５】
前記複数の金属膜が、主電極層と、主電極層の下地層として形成されており、主電極層よりもウエハに対する密着性に優れた密着層とを備える、請求項４に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項６】
前記密着層の下地に設けられており、前記密着層よりも柔らかい金属材料からなる応力緩和層をさらに備える請求項５に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項７】
前記主電極層がＡｌまたはＡｌ合金からなり、前記密着層がＮｉＣｒあるいはＴｉからなり、前記応力緩和層がＡｌＣｕからなる、請求項６に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項８】
前記フォトレジストは、ポジ型またはネガ型のフォトレジストである請求項２に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項９】
前記フォトレジストへの露光が、前記ウエハ上の複数の領域に分けて行われる請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波共振子や弾性表面波フィルタなどの弾性表面波素子の製造方法に関し、より詳細にはフォトリソグラフィによりウエハ上において電極を形成する工程が改良された弾性表面波素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、弾性表面波素子の製造に際し、フォトリソグラフィ技術を用いた電極形成方法が知られている。例えば、下記の特許文献１には、図１０（ａ）〜（ｆ）に示す電極形成方法が開示されている。特許文献１に記載の製造方法では、まず、図１０（ａ）に示すように、圧電体よりなるウエハ１０１が用意される。
【０００３】
次に、図１０（ｂ）に示すように、ウエハ１０１の上面の全面に、フォトレジスト１０２が形成される。そして、図１０（ｃ）に示すように、フォトレジスト１０２の上面に、開口部１０３ａを有するマスク１０３が載置され、３６０ｎｍ以下の波長を持つ紫外光により露光が行われる。
【０００４】
しかる後、現像を行うことにより、図１０（ｄ）に示すように、パターニングされたレジスト層１０２Ａが形成される。次に、全面に金属膜１０４を形成する（図１０（ｅ））。最後に、図１０（ｆ）に示すように、レジスト層１０２Ａ上の金属膜をリフトオフ法により除去することにより、電極としてパターニングされた金属膜１０４Ａが形成される。
【０００５】
上記電極形成方法はウエハ状態で行われ、しかる後、ウエハ１０１が、個々の弾性表面波素子単位に分割される。
【特許文献１】特開平５−３７２７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載のように、ウエハ状態で複数の弾性表面波素子の電極をリフトオフ法により形成した場合、以下のような問題があった。
【０００７】
すなわち、従来、ウエハ上において複数の弾性表面波素子を構成するために、例えば図１１に示す電極パターン１１１が形成されていた。この電極パターン１１１では、複数の弾性表面波素子構成部分がマトリックス状に配置されている。すなわち、図１１の縦方向に延びる金属パターン１１２，１１２，１１２と、横方向に延びる金属膜パターン１１３，１１３，１１３に沿ってウエハが最終的に分割され、個々の弾性表面波素子が構成される。この金属膜パターン１１２，１１３は、分割に際し、ダイシングにより除去される部分に相当する。このように、隣接する弾性表面波素子構成部分が、金属膜パターン１１２，１１３で区画されていた。
【０００８】
他方、上記電極パターン１１１を形成するに際しては、個々の弾性表面波素子が構成される領域ごとにレジストパターンが分割されて形成されることとなる。そのため、電極を構成する金属材料の応力が大きい場合には、レジストを剥離するに際し、レジストの一部が剥離し難いことがあった。
【０００９】
通常、リフトオフ法によりレジストを剥離する場合には、ウエハを剥離液に浸漬した状態で、ウエハを揺動する。ところが、金属膜の応力が大きい場合には、図１２のハッチングを付して示す領域Ａでレジストが剥離しないことがあった。なお、図１２においては、ウエハ１１０の平面図が示されており、該ウエハ１１０の上面において前述した電極パターン１１１が形成される前のレジスト及びレジスト上に金属膜が付与されている状態が示されている。そして、図１２では、この状態からリフトオフによりレジスト層１１５が部分的に剥離されている状態が略図的に示されている。すなわち、揺動処理を行ったとしてもレジスト層１１５のみが剥離し、残りのレジスト層が剥離し難いことがあった。この場合には、従来、さらに超音波を印加することにより残存しているレジスト層の剥離が行われていた。
【００１０】
しかしながら、超音波を加えた場合には、図１０（ｅ）に示されているレジスト層１０２Ａ上の金属膜１０４Ｂが超音波により加速され、電極として残っている金属膜部分に衝突し、電極が損傷するという問題があった。
【００１１】
従来、個々の弾性表面波素子が構成される領域において形成されるレジストパターンがウエハ上において独立していた。これは、以下の理由による。ダイシングにより切断される部分である金属膜パターン１１２，１１３上にレジスト層を設け、ウエハ上で隣接する弾性表面波素子のレジストパターンを接続した場合を考える。この場合、電極膜を構成する金属材料として特に、最下層にＮｉＣｒ膜のような応力の大きな金属膜を用いると、該金属膜の応力により、レジストがウエハのある部分で裂けるという問題があった。そこで、上記のように、各弾性表面波素子構成領域毎にレジストパターンを独立させ、金属膜の応力による影響を防止していた。
【００１２】
なお、ＮｉＣｒ膜を用いた電極構成では、通常、密着層として、２００ｎｍ程度のＮｉＣｒ膜上に、主電極層として８４０ｎｍ程度のＡｌＣｕ金属膜が形成されていた。
【００１３】
他方、個々の弾性表面波素子の電極に対応するレジストパターン開口部以外の部分では、ウエハ上においてレジストパターンが繋がっている場合には、リフトオフに際しての剥離液が浸透し難い。従って、剥離に長時間を要するという問題があった。さらに、電極を構成している金属膜の応力が大きい場合には、上述したように、レジストパターン上に形成されている金属膜部分の応力により、レジストパターンが変形したり、裂けたりするという問題があった。
【００１４】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、レジストパターンの変形や裂けを生じることなく弾性表面波素子の電極の損傷を招くことなく、リフトオフ法により容易にレジスト層及びレジスト層状の金属膜部分を除去し得る工程を備えた弾性表面波素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、圧電体よりなるウエハを用意する工程と、前記ウエハ上に構成される複数の弾性表面波素子の各電極構造に対応した開口部を有するようにパターニングされたレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層を覆うようにウエハ上に金属膜を形成する工程と、前記レジスト層上の金属膜をリフトオフし、前記開口部に付与されている金属膜により複数の弾性表面波素子の電極構造を形成する工程とを備え、前記パターニングされたレジスト層がウエハ上において、少なくとも一方向に隣接する弾性表面波素子構成領域間で繋げられていることを特徴とする。
【００１６】
本発明に係る弾性表面波素子の製造方法のある特定の局面では、前記レジスト層の形成が、前記ウエハ上にフォトレジストを全面に付与する工程と、該フォトレジストにマスクを介して光を照射する工程と、光照射後に現像し、前記開口部を有するようにパターニングされたレジスト層を得る工程とが備えられる。
【００１７】
本発明に係る弾性表面波素子の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記リフトオフにより前記レジスト層状の金属膜を除去するに際し、剥離液中に前記ウエハを浸漬した状態でウエハの揺動処理が行われる。
【００１８】
本発明に係る製造方法のさらに別の特定の局面では、金属膜として、複数の金属膜が積層された積層金属膜が形成される。
【００１９】
本発明に係る弾性表面波素子の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記複数の金属膜が、主電極層と、主電極層の下地層として形成されており、主電極層よりもウエハに対する密着性に優れた密着層とを備える。
【００２０】
本発明に係る弾性表面波素子の製造方法の別の他の特定の局面では、前記密着層の下地に設けられており、前記密着層よりも柔らかい金属材料からなる応力緩和層をさらに備えられる。
【００２１】
本発明に係る弾性表面波素子の製造方法のさらに別の特定の局面では、前記主電極層がＡｌまたはＡｌ合金からなり、前記密着層がＮｉＣｒあるいはＴｉからなり、前記応力緩和層がＡｌＣｕからなる。
【００２２】
本発明に係る弾性表面波素子の製造方法では、上記フォトレジストとしては、ポジ型またはネガ型のフォトレジストのいずれが用いられてもよい。また、好ましくは、前記フォトレジストへの露光が、前記ウエハ上の複数の領域に分けて行われる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る弾性表面波素子の製造方法では、リフトオフ法によりウエハ上に複数の弾性表面波素子の電極構造を形成するに当り、パターニングされたレジスト層が、少なくとも一方向に隣接している弾性表面波素子構成領域間で繋げられており、すなわち、複数の弾性表面波素子が構成される領域に設けられている各レジスト層部分が繋げられている。そのため、リフトオフに際しウエハを剥離液に浸漬し、揺動した場合、該レジスト層がウエハ上から容易にかつ確実に剥離される。
【００２４】
しかも、隣接する弾性表面波素子を分断する部分においてレジスト層部分が繋げられているため、応力の大きな金属膜を電極構成材料の少なくとも一部に用いたとしてもレジスト層の変形や剥離が生じ難い。
【００２５】
従って、レジスト層の変形や裂けを招くことなく、かつ弾性表面波素子の電極構造に損傷を与えることなく、レジスト層及びレジスト層上の金属膜部分をリフトオフ法により確実かつ容易に除去することができる。
【００２６】
特に、リフトオフに際し、ウエハを揺動し、剥離が進行していくと、先に剥離している部分の自重によりさらに剥離が進行する。従って、成膜後の応力が小さい電極、あるいは多層化等により膜厚が厚くなった電極を用いた場合にも、リフトオフが容易に行われ得る。
【００２７】
本発明において、レジスト層の形成が、ウエハ上にフォトレジストを全面に付与し、フォトレジストにマスクを介して光を照射し、光照射後に現像し、それによって開口部及び第２の開口部を有するようにパターニングされたレジスト層を得る場合には、従来のフォトレジストグラフィ技術を用いて容易にパターニングされたレジスト層を形成することができる。
【００２８】
本発明においてリフトオフによりレジスト層上の金属膜を除去するに際し、剥離液中にウエハを浸漬した状態でウエハを揺動した場合には、レジストの剥離をより一層速やかに行うことができる。
【００２９】
金属膜として、複数の金属膜が積層された積層膜を用いた場合には、複数の金属膜の種類を選択することにより電極のウエハへの密着を高めたり、電気抵抗が低い金属膜を用いたりすることにより、電気的及び機械的に優れた特性を備えた弾性表面波素子を提供することができる。
【００３０】
複数の金属膜が主電極層と、主電極層の下地層として形成されており、主電極層よりウエハに対する密着性に優れた密着層を備える場合には、密着層によりウエハに対する密着強度に優れた電極を形成することができる。
【００３１】
密着層の下地に設けられており、密着層よりも柔らかい金属材料からなる応力緩和層を電極がさらに備える場合には、バンプ接合時のウエハの損傷を抑制することができ、弾性表面波素子の生産性を高めることができる。
【００３２】
主電極層がＡｌまたはＡｌ合金からなり、密着層がＮｉＣｒからなり、応力緩和層がＡｌＣｕからなる場合には、ＮｉＣｒによりウエハへの電極の密着性が高められ、さらにＡｌＣｕによりバンプ接合時のウエハの損傷が抑制され、ＡｌまたはＡｌ合金からなる主電極層により十分な低抵抗の電極を構成することができる。
【００３３】
フォトレジストとしては、ポジ型またはネガ型のいずれのフォトレジストを用いてもよい。フォトレジストへの露光が、ウエハ上の複数の領域に分けて行われる場合には、大きなウエハを用いた場合であっても、本発明に従って、確実にフォトレジストを露光し、現像し、パターニングされたレジスト層を容易に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００３５】
本発明に係る弾性表面波素子の製造に際しては、まず、圧電体よりなるウエハが用意される。次に、ウエハ上に構成される複数の弾性表面波素子の各電極構造に対応した開口部を有するようにパターニングされたレジスト層が形成される。すなわち、図２（ａ）に略図的部分切欠正面断面図で示すように、パターニングされたレジスト層２Ａが形成される。このレジスト層２Ａの形成は、ウエハ１の上面にレジスト層を全面に付与し、しかる後フォトマスクを通して、光を照射し、光照射後に現像することにより行われる。この場合、レジスト層２Ａを構成するための上記レジストとしては、ポジ型フォトレジストまたはネガ型フォトレジストを適宜用いることができる。すなわち、レジスト層２Ａの形成は、図１０（ａ）〜（ｄ）に示した従来法と同様にして行われる。
【００３６】
次に、図２（ｂ）に示すように、レジスト層２Ａを覆うように、ウエハ１上に全面に金属膜３を形成する。金属膜３は、ウエハ１上に直接付着している金属膜部分３Ａと、レジスト層２Ａ上に位置している金属膜部分３Ｂとを有することになる。
【００３７】
すなわち、金属膜部分３Ａは、レジスト層２Ａに設けられた開口部２ａ内に形成されている。
【００３８】
次に、図２（ｃ）に示すように、リフトオフ法によりレジスト層２Ａが、レジスト層２Ａ上の金属膜部分３Ｂとともにリフトオフされる。従って、図３に示すように、ウエハ１上に金属膜部分３Ａからなる電極が形成される。
【００３９】
本実施形態では、この電極３Ａの形成に際して用いられる、パターニングされたレジスト層２Ａが、少なくとも一方向に隣接する弾性表面波素子構成領域を繋げるように形成されていることを特徴とする。これを、図１（ａ）及び（ｂ）を参照して説明する。
【００４０】
図１（ａ）は、ウエハ１の上面に最終的に形成される電極パターン及びレジスト層を示す模式的平面図である。ウエハ１上においては、図１１に示した従来の製造方法における電極パターン１１１と同様に、電極パターン１１が形成されている。また、ウエハ１上においては、電極パターン１１が設けられている部分以外の領域には、多点のハッチングオフして示すパターニングされたレジスト層２Ａが形成されている。なお、実際の電極形成方法では、レジスト層２Ａ上に図２（ｂ）に示したように、金属膜部分３Ａが積層されているが、図１では、レジスト層２Ａの平面形状を示すために、金属膜部分３Ｂの図示は省略されている。
【００４１】
電極パターン１１は、マトリックス状に個々の弾性表面波素子の電極構造が連ねられた構造を有する。すなわち、図１（ｂ）において、１つの弾性表面波素子の電極構造が取り出して図示されているが、ここでは、略図的にインターデジタル電極構成部分１２ａと、反射器構成部分１２ｂ，１２ｃとを有する弾性表面波共振子の電極が形成されている。なお、図１（ａ），（ｂ）では、インターデジタル電極１２ａ及び反射器１２ｂ，１２ｃの具体的な複数本の電極指等は図示されておらず、略図的にインターデジタル電極１２ａ及び反射器１２ｂ，１２ｃが形成される電極部分がハッチングを付して示されている。
【００４２】
また、図１（ａ），（ｂ）において、金属膜パターン１３ａ，１３ｂは、各弾性表面波素子の電極構造を取り囲む金属膜パターンであり、最終的にダイシングに際し切断され、除去される部分に相当する。
【００４３】
すなわち、図１（ａ）に示されている電極パターン１１では、個々の弾性表面波素子の電極構造を囲むように独立した金属膜パターン１３ａ，１３ｂが設けられている。金属膜パターン１３ａは、図１（ａ）において横方向に延び、隣接する弾性表面波素子構成用電極間において、金属膜パターン１３ａ，１３ａ間に、レジスト層が存在する開口部Ｘ１が存在する。
【００４４】
他方、金属膜パターン１３ａと、レジスト層が存在する開口部Ｙ１を介して、金属膜パターン１３ｂの縦方向に延びる部分が配置されている。金属膜パターン１３ｂは、縦方向に延びる部分と、該縦方向に延びる部分の端部から直交するように延ばされており、金属膜パターン１３ａと平行に延びる部分とを有する。
【００４５】
金属膜パターン１３ｂの金属膜パターン１３ａと平行に延びる部分の端部は、レジスト層が存在する開口部Ｘ２を介して、隣接する金属膜パターン部分１３ｂと隔てられている。
【００４６】
なお、図１（ｂ）において、ハッチングは付されていないが、実線で示す金属膜パターン１４ａ〜１４ｄは、弾性表面波素子上において設けられる配線電極部分に相当する。この部分においても、現実には、細い金属膜が形成されている。
【００４７】
図１（ａ）から明らかなように、本実施形態では、最終的にウエハの上面に電極パターン１１が形成されるが、ここでは、個々の弾性表面波素子を構成している電極構造を取り囲む金属膜パターン１３ａ，１３ｂは繋がっていない。すなわち、隣接する弾性表面波素子の電極構造は、レジスト層が存在する開口部Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１を介して分離されている。
【００４８】
従って、図２（ａ）〜（ｃ）及び図３を参照して説明した製造方法により電極パターン１１を形成するに当たっては、図１（ａ）に示すようにパターニングされたレジスト層２Ａが形成されることになる。言い換えれば、図１（ａ）に示した電極が形成されていない部分にレジスト層２Ａが形成される。
【００４９】
従って、レジスト層２Ａは、隣接する弾性表面波素子構成領域間において繋げられている。言い換えれば、開口部Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１においてもレジスト層が存在するため、隣接する弾性表面波素子を分断する部分において両側のレジスト層が繋げられることになる。
【００５０】
よって、本実施形態の製造方法では、ウエハ１上において複数の弾性表面波素子の電極構造が上記フォトリソグラフィ／リフトオフ法によって形成されるが、個々の弾性表面波素子構成領域において設けられたレジスト層が繋げられているため、リフトオフにより、レジスト層２Ａ上の金属膜をレジスト層２Ａとともに除去するに際し、レジスト層２Ａを容易にかつ確実に除去することができる。
【００５１】
すなわち、レジスト層及びレジスト層上の金属膜をリフトオフ法により除去する際には、例えば、剥離液中にウエハが浸漬され、その状態でウエハが揺動される。本実施形態では、個々の弾性表面波素子構成領域間においてレジスト層が繋がっているため、レジスト層の剥離が進行した場合、繋がっているレジスト層が徐々に剥離していき、図４に略図的に示すように、ウエハ１からレジスト層２Ａが円滑に剥離され得る。
【００５２】
なお、図４では、レジスト層２Ａは、ウエハ１のある領域の全面を覆うように形成され、該レジスト層２Ａが全面的に剥離されるように図示されているが、現実には、図１（ａ）の電極パターン１１が形成されている部分上にはレジスト層は存在しない。
【００５３】
上記のように、本実施形態では、ウエハ１上において、レジスト層２Ａが隣接する弾性表面波素子構成部分間において繋げられているため、レジスト層２Ａが無理なくウエハ１の上面から剥離され、レジスト層が部分的にウエハ１上に残存し難い。
【００５４】
なお、本実施形態では、レジスト層２Ａが容易に剥離され得るため、応力の大きな金属膜を用いて電極を構成することができる。これを、図５を参照して説明する。
【００５５】
図５は、ウエハ１上に形成されている電極としての金属膜部分３Ａの一例を示す部分切欠正面断面図である。金属膜部分３Ａは、応力緩和層２１、密着層２２及び主電極層２３及び易バンプ結合層２４をこの順序で積層した構造を有する。応力緩和層２１は、金属膜部分３Ａに金属バンプを接合した際のウエハ１の損傷を防止するために設けられている。このような応力緩和層２１を構成する金属としては、主電極層２３よりも柔らかい適宜の金属材料を用いることができる。本実施形態では、応力緩和層２１は、ＡｌＣｕからなり、例えば、５００ｎｍ程度の厚みとされる。
【００５６】
密着層２２は、金属膜部分３Ａのウエハ１への密着性を高めるために設けられている。密着層２２を構成する金属は、主電極層２３よりもウエハ１に対する密着性が優れている限り、特に限定されず、本実施形態では、ＮｉＣｒからなり、その厚さは２００ｎｍとされている。
【００５７】
主電極層２３は、金属膜部分３Ａを電極として動作させ得るのに十分な低抵抗の金属材料で構成される。このような金属材料としては特に限定されないが、例えば、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇなどの適宜の低抵抗の金属を挙げることができ、本実施形態では、ＡｌＣｕからなり、その厚さは７４０ｎｍとされている。
【００５８】
また、易バンプ接合層２４は、主電極層２３よりもＡｕなどからなるバンプを個々に接合し得る適宜の金属からなり、本実施形態では、Ａｌからなりその厚みは４００ｎｍとされている。
【００５９】
なお、金属膜部分３Ａとは異なり、密着層２２よりも上部を全てＡｌにより構成した場合には、Ａｕからなるバンプが接合されると、ＮｉＣｒからなる密着層までＡｕが拡散してくる。そのため、Ａｕ−Ａｌ合金化による体積膨張により大きな応力が生じ、バンプ接合部の下方においてウエハ１にクラックが生じるおそれがある。
【００６０】
これに対して、本実施形態では上記密着層２２の上方に、ＡｌＣｕからなる主電極層２３が形成されているため、並びに応力緩和層２１が設けられているため、バンプ接合部分の下方におけるウエハ１のクラックを効果的に抑制することができる。
【００６１】
また、上記のように、応力緩和層２１を設けた場合、応力の大きなＮｉＣｒからなる密着層２２からの応力が、電極形成工程においてレジスト層２Ａに直接付与されることが防止される。そのため、前述した実施形態のように、隣接する弾性表面波素子構成部分におけるレジスト層が繋げられていたとしても、レジストの裂けが抑制される。
【００６２】
なお、応力緩和層を構成するＡｌＣｕ合金においては、Ｃｕの含有割合は１０重量％程度とされ、該ＡｌＣｕ合金は、バンプ接合時の衝撃を緩和するのに十分な柔らかさを有するように構成されている。
【００６３】
上記のように、上述した実施形態では、ウエハ１上に複数の弾性表面波素子がマトリックス状に形成される構成において、電極形成に際してのレジスト層２Ａが、全ての隣接する弾性表面波素子構成領域間で繋がるように配置されているため、レジスト層の塗布に際しての剥離を容易にかつ確実に行うことができる。このような効果は、少なくとも一方向に隣接している弾性表面波素子構成領域間においてレジスト層が接続されていればよい。従って、本発明で形成されるウエハ上の電極パターンは、図１に示した電極パターン１１に限定されるものではない。例えば、図６〜図９に示す変形例の電極パターン３１，４１，５１，６１をウエハ上に形成してもよい。
【００６４】
図６に示す電極パターン３１では、周囲が矩形枠状の金属膜パターン３２で囲まれているが、隣接する弾性表面波素子構成領域、例えば弾性表面波素子構成領域Ａ１とＡ２との間においては、連続している開口部Ｘ３が形成されており、弾性表面波素子構成領域Ａ１と弾性表面波素子構成領域Ａ３との間では、開口部Ｙ３が設けられている。このように、電極パターン３１においても、隣接する弾性表面波素子の電極構造を形成するに際し、レジスト層が上記開口部Ｘ３，Ｙ３に存在しているので、隣接する弾性表面波素子構成領域に設けられるレジストが、連ねられることになる。従って、図１に示した電極パターン１１の場合と同様に、レジスト層をリフトオフに際し確実に剥離することができる。
【００６５】
同様に、図７に示す電極パターン４１においては、隣接する弾性表面波素子構成領域Ａ１，Ａ２間に開口部Ｘ４が、設けられている。また、縦方向においては、金属膜パターン４２の縦方向に延びる金属膜パターン部分４２ａの先端と、隣接する金属膜パターン４２との間に開口部Ｙ４が設けられている。
【００６６】
図８に示す金属膜パターン５１では、隣接する弾性表面波素子構成領域Ａ１，Ａ２間に、開口部Ｘ５が、弾性表面波素子構成領域Ａ１，Ａ３間において開口部Ｙ５が設けられている。
【００６７】
さらに、図９に示す電極パターン６１では、全ての弾性表面波素子構成領域を囲むように矩形枠上の金属膜パターン６２が設けられているものの、隣接する弾性表面波素子構成領域Ａ１，Ａ２間及び弾性表面波素子構成領域Ａ１，Ａ３間には、開口部Ｚが設けられている。
【００６８】
従って、図７〜図９に示した電極パターン４１，５１，６１を形成する際においても、上述した開口部Ｘ４，Ｙ４，Ｘ５，Ｙ５及びＺにおいてレジスト層が存在し、少なくとも一つの方向において隣接している弾性表面波素子構成領域間においてレジスト層が繋げられることになる。
【００６９】
図６〜図９に示した各変形例の電極パターンから明らかなように、本発明においては、ウエハ上に形成される電極パターンの形状は種々変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態において、ウエハ上に形成される電極パターン及びパターニングされたレジスト層と、一つの弾性表面波素子構成領域上に構成される電極パターンとを拡大して示す平面図。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態においてウエハ上に電極を構成するための各部分切欠正面断面図。
【図３】図２（ａ）〜（ｃ）の工程を経て得られたウエハ上に形成された金属膜を説明するための部分切欠正面断面図。
【図４】発明の一実施形態においてレジスト層２をウエハ１から剥離する工程を説明するための略図的斜視図。
【図５】本発明の一実施形態において形成される電極構造を説明するための部分切欠拡大正面断面図。
【図６】本発明の弾性表面波素子の製造方法の第１の変形例において形成されるウエハ上の電極パターンを示す模式的平面図。
【図７】本発明の弾性表面波素子の製造方法の第２の変形例において形成されるウエハ上の電極パターンを示す模式的平面図。
【図８】本発明の弾性表面波素子の製造方法の第３の変形例において形成されるウエハ上の電極パターンを示す模式的平面図。
【図９】本発明の弾性表面波素子の製造方法の第４の変形例において形成されるウエハ上の電極パターンを示す模式的平面図。
【図１０】（ａ）〜（ｆ）は、従来の弾性表面波素子の電極を形成する工程を説明するための各部分切欠正面断面図。
【図１１】従来の弾性表面波素子の製造方法において、ウエハ上に形成される電極パターンを説明するための模式的平面図。
【図１２】従来の弾性表面波素子の製造方法において、レジスト層を剥離する場合の問題点を説明するための模式的平面図。
【符号の説明】
【００７１】
１…ウエハ
２…レジスト層
２Ａ…レジスト層
２ａ…開口部
３…金属膜
３Ａ…電極を構成する金属膜部分
３Ｂ…金属膜部分
１１…電極パターン
１２ａ…インターデジタル電極
１２ｂ，１２ｃ，１３…反射器
１３ａ，１３ｂ…金属膜パターン
１４ａ〜１４ｄ…金属膜パターン
Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４…開口部
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４…開口部
２１…応力緩和層
２２…密着層
２３…主電極層
２４…易パンプ接合層
３１…電極パターン
３２…金属膜パターン
４１…電極パターン
４２ａ，４２ｂ…金属膜パターン
５１…電極パターン
６１…電極パターン
６２…金属膜パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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