(57)【要約】【課題】  本発明は、物性面及びコスト面で有利である、磁気記録の記録媒体基板、好ましくは６５ｍｍ径以下の小口径基板を提供する。【解決手段】  本発明は、一回以上の熱履歴及び／又はエッチングを経ている単結晶シリコンウェハを用いる磁気記録媒体用基板を提供する。また、本発明は、一回以上の熱履歴及び／又はエッチングを経た直径１５０ｍｍ以上で３００ｍｍ以下の単結晶シリコンウェハをコア抜き加工して外径６５ｍｍ以下の複数のドーナツ状基板を得るコア抜き工程を含んでなる磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。好ましくは、得られたドーナツ状基板の内周端面と外周端面の面取り及び研磨を行なう面取り工程と端面研磨工程を更に含んでなる。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一回以上の熱履歴及び／又はエッチングを経ている単結晶シリコンウェハを用いる磁気記録媒体用基板。
【請求項２】
一回以上の熱履歴及び／又はエッチングを経た直径１５０ｍｍ以上で３００ｍｍ以下の単結晶シリコンウェハをコア抜き加工して外径６５ｍｍ以下の複数のドーナツ状基板を得るコア抜き工程を含んでなる磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項３】
上記ドーナツ状基板の内周端面と外周端面の面取りを行う面取り工程と、面取りされた内周端面と外周端面の研磨を行う端面研磨工程とを更に含み、上記コア抜き工程の前、上記コア抜き工程と該面取り工程との間、該面取り工程と該端面研磨工程との間、又は該端面研磨工程の後に、単結晶シリコンウェハ又はドーナツ状基板の表面を１０μｍ〜１００μｍ研削除去するラップ工程を含んでなる請求項２に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項４】
上記コア抜き工程に用いる単結晶シリコンウェハが、面方位（１００）であって厚み０．７ｍｍ以下である請求項２又は請求項３に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項５】
上記端面研磨工程の後、又は上記端面研磨工程後のラップ工程の後に、更に、上記基板をアルカリエッチングする工程と、アルカリエッチングされた基板の表裏面を研磨する工程と、その後の洗浄工程とを含んでなる請求項３に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の基板を含んでなる垂直磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録の記録媒体基板、好ましくは６５ｍｍ径以下、より好ましくは５０ｍｍ径以下の小口径基板として最適な磁気記録の記録媒体基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録の記録密度（面密度）の向上は非常に急激で、ここ１０年間の間、年率５０〜２００％の急激な向上が継続的に進んできた。量産レベルで７０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2の製品が出荷され、実験室レベルではその倍の１６０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2の面記録密度が報告されている。量産レベルの面記録密度は、３．５"（「"」はインチを表す。）ＨＤＤで１プラッター当たり８０Ｇｂｙｔｅに相当し、２．５"ＨＤＤでいうと１プラッター当たり４０ Ｇｂｙｔｅに相当する。この記録容量は、通常のデスクトップパソコン（３.５"ＨＤＤ搭載）やノートブックパソコン（２.５"ＨＤＤ搭載）の使用用途では、１プラッターの記録メディア搭載で十分な容量である。
【０００３】
記録密度は今後も向上が期待されている。ただ、従来の水平磁気記録方式は熱揺らぎの記録限界が迫っており、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2〜２００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2の記録密度に到達するところで、垂直磁気記録に順次以降していくものと考えられている。垂直磁気記録の記録限界がどの当たりにあるかは現時点では定かではないが、１０００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2（１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ2）は達成可能と考えられている。このような高記録密度が達成できると、２.５" ＨＤＤ１プラッター当たり６００〜７００ Ｇｂｙｔｅの記録容量が得られることになる。
【０００４】
パソコンの通常の用途でここまでの大容量は使い切れない可能性が高いため、２.５"よりも小口径の記録メディアが徐々に使われ始めている。代表的には１.８"基板、１"基板であり、過去には１.３"ＨＤＤが発売されたこともある。２"以下のＨＤＤは現時点では量的に非常に僅かであるが、今後磁気記録密度が向上すれば、１.８"ＨＤＤでパソコン（特にノートパソコン）では十分な記録容量が
確保できる。また、１"ＨＤＤの記録容量は現在では１〜４Ｇｂｙｔｅ程度であるが、容量が数倍大きくなればデジタルカメラなどのみならず、パソコンやデジタルビデオカメラ・情報端末や携帯音楽機器・携帯電話など幅広いモバイル用途に使える可能性が出てくる。２"以下の小口径ＨＤＤと小口径記録媒体・基板は今後の有望な用途である。
【０００５】
ＨＤＤの記録メディアの基板としては、３.５"基板では主にＡｌ合金基板、２.５"では主にガラス基板が使用されている。ノートブックパソコンのようなモバイル用途ではＨＤＤが衝撃を受ける可能性が高く、これらに搭載される２.５"ＨＤＤは、ヘッドの面打ちで記録メディアやヘッドが傷つき、データが破壊される可能性が高いため、硬度の高いガラス基板が使用されるようになった。したがって、２"以下の小口径基板においてもガラス基板が使用される可能性が高い。
【０００６】
しかし、２"以下の小口径基板はモバイル用途に主に用いられるため、ノートブックパソコンに搭載されている２.５"基板以上に、耐衝撃性が重要である。また、より小型にする必要から基板を含めた部品全体の小型化・薄型化が求められる。２.５"基板の標準厚みである０.６３５ｍｍより更に薄い板厚が、２"以下の基板では求められる。このような小口径基板に要求される仕様から、ヤング率が高く薄板でも十分な強度が得られ、製作しやすい基板が求められている。この点でガラス基板には幾つか問題がある。
【０００７】
まず、現行用いられている結晶化ガラス基板では、０.６３５ｍｍ以下の板厚ではヤング率が十分でなく、回転時の共振周波数が実用回転域に存在してしまう。したがって、これ以上の薄板化がしにくい。また、ガラス原板は概ね０.８ｍｍ台の板厚のものを使用するが、ＨＤＤ用原板に要求されるガラス組成では製作上これ以上の薄板化はしにくい。そのため、０.８ｍｍ台の板厚から０.５ｍｍ台や更にそれ以下の板厚まで、ラップ研磨で調厚する必要がある。調厚するため、研磨時間がかなり長くなり、加工時間や加工コストの上昇を招き望ましくない。
【０００８】
また、ガラス基板は当然非導電体であるので、スパッタ成膜において基板上のチャージアップの問題があり、磁性膜との良好なコンタクトを確保するため、基板と磁性膜との間にバッファ金属膜を入れる必要がある。この技術課題は基本的に克服されているが、スパッタ成膜過程でガラス基板の使用を難しいものにしている要因の１つである。そのため、基板に導電性が付与できるのであればそれに越したことはないが、ガラス基板では難しい。
【０００９】
２.５"ＨＤＤでも主にガラス基板が使用されているように、Ａｌ合金基板はモバイル用途には全く不向きである。基板の硬度が足りないことは既に述べたが、また基板剛性の不足のため共振周波数を実用回転域より上にするには板厚を厚くするしかなく、モバイル用途には全く候補基板となり得ない。
【００１０】
その他のサファイアガラス、ＳｉＣ基板、エンジニアリングプラスティック基板、カーボン基板などの代替基板が幾つも提案されたが、強度・加工性・コスト・表面平滑性・成膜親和性などの評価基準から、小口径基板の代替基板としては何れも不十分である。
【００１１】
Ｓｉ単結晶基板をＨＤＤ記録膜基板として使用することが提唱されている（特許文献１）。Ｓｉ単結晶基板は、基板平滑性や環境安定性、信頼性に優れ、剛性もガラス基板と比較して高いため、ＨＤＤ基板として優れている。ガラス基板とは異なり、導電性は少なくとも半導体特性である。また、通常のウェハでは何等かのＰ型もしくはＮ型のドーパントが含まれていることが多いため、導電性は更に高い。したがって、ガラス基板のようなスパッタ成膜時のチャージアップ問題はなく、金属膜のＳｉ基板上への直接スパッタ成膜が可能である。また、熱伝導性も良好であるため、基板加熱も容易で、３００℃以上の高温でも成膜が可能であり、スパッタ成膜工程との親和性も大変良好である。Ｓｉ単結晶基板は半導体ＩＣ用に、直径１００ｍｍから３００ｍｍまでのウェハが量産されている。
【００１２】
【特許文献１】特開平６−１７６３３９号公報
【特許文献２】特開平１０−３３４４６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかし、１００ｍｍ径以下の小口径ウェハは、現在では入手が困難である。したがって、現在流通量の多い６"ないし８"ウェハからコア抜きにより、所望の小口径基板を切り抜くのが実際的である。しかしながら、半導体グレードのＳｉ単結晶基板の価格は廉価ではないため、コスト面でガラス原板やＡｌ原板に比較して著しく不利である。
本発明は、物性面及びコスト面で有利である、磁気記録の記録媒体基板、好ましくは６５ｍｍ径以下、より好ましくは５０ｍｍ径以下の小口径基板を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、一回以上の熱履歴及び／又はエッチングを経ている単結晶シリコンウェハを用いる磁気記録媒体用基板を提供する。
また、本発明は、一回以上の熱履歴及び／又はエッチングを経た直径１５０ｍｍ以上で３００ｍｍ以下の単結晶シリコンウェハをコア抜き加工して外径６５ｍｍ以下、好ましい内径２０ｍｍ以下、より好ましい内径１２ｍｍ以下の複数のドーナツ状基板を得るコア抜き工程含んでなる磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。この製造方法は、好ましくは、得られたドーナツ状基板の内周端面と外周端面の面取りを行う面取り工程と、面取りされた内周端面と外周端面の研磨を行う端面研磨工程とを更に含んでなる。この製造方法は、好ましくは、コア抜き工程の前又は後、例えば、コア抜き工程の前、コア抜き工程と面取り工程との間、面取り工程と端面研磨工程との間、又は端面研磨工程の後に、より好ましくは、コア抜き工程の前、面取り工程と端面研磨工程との間、又は端面研磨工程の後
に、単結晶シリコンウェハ又はドーナツ状基板の表面を１０μｍ〜１００μｍ研削除去するラップ工程とを含んでなる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、物性面及びコスト面で有利である、ＨＤＤ磁気記録媒体基板に適したＳｉ単結晶基板が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明は、ＨＤＤ磁気記録媒体用基板において、一回以上熱処理及び／又はエッチングを経験したＳｉ単結晶ウェハからコア抜き加工により製作した、６５ｍｍ径以下(ここで記述している口径は呼び径である)のＳｉ単結晶よりなる磁気記録媒体用基板とその製法に関するものである。
【００１７】
図１は、Ｓｉ単結晶ウェハを原板として使用し、ＨＤＤ用磁気記録媒体基板を製作する一例を示す概略工程である。
単結晶シリコン棒１をスライスして直径２００ｍｍ単結晶Ｓｉウェハ２を得た後、コア抜き工程により、外径６５ｍｍのドーナツ状基板３を得る。特許文献２に開示した方法によって、２００ｍｍ単結晶Ｓｉウェハから６５ｍｍのＨＤＤ基板を７枚コア抜きすることもできる。ドーナツ状基板３は、好ましくは、内周端面と外周端面を面取りされ、端面研磨される。その後、通常は、アルカリエッチング工程、両面研磨工程及び洗浄工程を経て、小口径基板が製造される。
好ましくは、コア抜き工程の前又は後、例えば、コア抜き工程の前、コア抜き工程と面取り工程との間、面取り工程と端面研磨工程との間、又は端面研磨工程の後に、より好ましくは、コア抜き工程の前、面取り工程と端面研磨工程との間、又は端面研磨工程の後に、単結晶シリコンウェハ又はドーナツ状基板の表面を好ましくは１０μｍ〜１００μｍ研削除去するラップ工程とを含んでもよい。
【００１８】
コア抜き工程に用いられる単結晶シリコンウェハは、好ましくは、面方位（１００）であって、直径１５０ｍｍ以上で３００ｍｍ以下、厚み０．４〜１ｍｍ（より好ましくは０．７ｍｍ以下）である。
半導体グレードＳｉ単結晶ウェハ(プライムウェハ)は高価であり、該単結晶原板を使用して６５ｍｍ径基板を製作しても、ガラス基板の数倍から１０倍近くのコストになってしまう。幾らＳｉ単結晶基板の特性が優れていたとしても、これだけのコスト差があっては実用化が難しい。
【００１９】
一方、半導体ＩＣプロセスにおいて、工程のモニタリングを行うため、同じ口径のＳｉ単結晶モニタウェハを使用する。モニタウェハとプライムウェハの使用比率は、新規の口径や工程を立ち上げる場合には、１：１近くになることもある。モニタウェハの品質はプライムウェハに劣るものではないが、価格的には少し安価になる。モニタウェハの使用は半導体ＩＣの製作工程において不可避のものであり、該基板を任意の枚数ＨＤＤ用基板に使用することは難しいし、原板価格としても大幅に低下するものではない。
【００２０】
半導体ＩＣプロセスのＳｉ単結晶基板において、プライムウェハ、モニタウェハの他にダミーウェハ（もしくは再生ウェハ）が使用される。ダミーウェハは工程のチェックや検査のため少なくとも１回以上、繰り返し使用される。モニタウェハが１回使用され、該基板上の酸化膜や金属膜などを削り取ったものが、再生ウェハである。基板価格としては、当然のことながら、プライムウェハ＞モニタウェハ＞再生ウェハの順である。再生ウェハは通常１回以上５〜６回程度まで使用され、一度使用する毎に上面の種々の付着膜は研磨除去される。このとき、該再生ウェハは徐々に削り込まれる為、１回使用する毎に１０〜１００μｍ程度ずつ薄くなる。ある基準値厚み以下に薄くなった再生ウェハは、工程チェックに不向きとなるため、それ以上使用されることなく廃棄される。厚みの基準値はまちまちであるが、概ね０．７ｍｍ厚から０．５ｍｍ厚以下まで薄くなった時、廃棄される。
【００２１】
再生ウェハは、何回も繰り返して使用されるため、半導体プロセスの色々な工程を各々経験する。したがって、各々のウェハの熱履歴やイオンインプランテーションの種類、ドーパント、電気抵抗値などもまちまちとなるため、太陽電池用途などにも使用しにくく、廃棄されるのが一般的である。
【００２２】
ＨＤＤ用のＳｉ単結晶基板では、単結晶ウェハ原板がどのような熱履歴を経験したかやドーパントの種類などは重要でない。Ｎ型・Ｐ型に関わらず半導体レベルの導電性があればよく、研磨面に粒界の存在しない単結晶であることが重要である。ＨＤＤ基板として重要な項目は、研磨後の表面平滑性であり、基板として必要な強度である。再生ウェハはＳｉ単結晶であることは変わりないので、研磨後の平滑性に全く問題はない。
【００２３】
再生ウェハは一回以上の熱履歴を有しているため、原子レベルの結晶欠陥や転位、またミクロなキズやクラックにより、ＨＤＤ基板に加工した時に該基板強度が低下することが考えられるが、基板表面にこれら欠陥が存在しなければ、逆に基板強度は強くなることを見出した。この理由は明らかでないが、溶融酸素が一部Ｓｉと結合し骨材として挙動しているためと考えられる。このため、比較的廉価なＨＤＤ用原料基板として、所定厚み以下の該廃棄再生ウェハを用いることが可能となる。
【００２４】
本発明は、一回以上の熱履歴及び／又はエッチングを経た直径１５０ｍｍ以上で３００ｍｍ以下の単結晶シリコンウェハをコア抜き加工して外径６５ｍｍ以下の複数のドーナツ状基板を得るコア抜き工程と、好ましくは、該ドーナツ状基板の内外周端面の面取り工程と端面研磨工程と含んでなる磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。
【００２５】
一回以上の熱履歴及び／又はエッチングを経た直径１５０ｍｍ以上で３００ｍｍ以下の単結晶シリコンウェハとは、プライムウェハ以外のもので、再生ウェハ及び使用後のモニタウェハを含む。
一回以上の熱履歴を経た単結晶シリコンウェハとしては、モニタウェハとして一回の熱処理（例えば４００〜１３５０℃）を受けたウェハ、再生ウェハとして二回以上の熱処理を受けたウェハ等が含まれる。
一回以上のエッチングを経た単結晶シリコンウェハとしては、モニタウェハとして半導体製造プロセス中の各種エッチングを一回受けたウェハ、再生ウェハとして二回以上のエッチングを受けたウェハが含まれる。
【００２６】
コア抜き工程では、例えば、カップ砥石加工、ＣＯ2ガスレーザ、ＹＡＧレーザ等のレーザ加工法、研磨材を混合した高圧水を用いるウォータージェット加工法、ブラスト法等用いて、直径１５０ｍｍ以上で３００ｍｍ以下の単結晶シリコンウェハから外径６０ｍｍ以下の複数の基板が得られる。
【００２７】
コア抜き工程には、外径コア抜き（外周コア抜き）と内径コア抜き（内周コア抜き）が含まれる。
カップ砥石加工の場合、先に内径コア抜き加工を行った後、内径コア部を押え穴として用い、外径コア抜き加工する方が効率は良い。内径コア抜き加工を行った後、所定の検査を合格したものだけ外径コア抜き加工に供すると効率良く製造できる等の理由である。しかし、逆の順序でも可能である。
【００２８】
本発明では、好ましくは、再生ウェハをコア抜き工程前後のどちらでも構わないが、１０μｍから１００μｍ研削除去するラップ工程を設けてもよい。コア抜き工程後としては、例えば、コア抜き工程と面取り工程との間、面取り工程と端面研磨工程との間、又は端面研磨工程の後にラップ工程を設け、好ましくは、面取り工程と端面研磨工程との間、又は端面研磨工程の後にラップ工程を設ける。
ラップ工程により、ウェハ原板表面のピットや欠陥が概ね除去可能であり、該欠陥やピットが除去できれば基板強度に影響しない事を見出した。再生ウェハが経験した半導体各種工程に由来する欠陥やピットは、表面から極浅い部分に留まっており、表面を１０μｍから１００μｍラップ除去することにより概ね取り除ける。２００ｍｍモニタウェハの厚みが０.８３５ｍｍであり、廃棄再生ウェハ厚みが０.６〜０.７ｍｍである。６５ｍｍ基板の標準厚みは０.６３５ｍｍであるため、本発明のＨＤＤ基板は６５ｍｍ以下の小口径基板に適用することが望ましい。
【００２９】
また、本発明で欠陥除去の研削除去層が比較的薄くて済む事情がある。ＨＤＤ基板では両面を使用するが、半導体ウェハは基本的に片面しか使用しないため、裏面は各種のプロセスを経験しなくて済む（熱履歴以外は）。したがって裏面のダメージは比較的少なく、再生ウェハ使用面の欠陥を中心に除去すればよい。強度低下を引き起こす大半の欠陥は、１０〜１００μｍのラップ研削で除去可能であるが、内部に存在する結晶欠陥や転位で（プライムウェハなどより欠陥密度が増えている）、表面に出て来たものが問題となる。ＨＤＤ基板表面に存在し基板強度低下の問題となる欠陥は、コア抜き工程後、エッチング処理されたウェハについて両面研磨後の超鏡面状態での検査で除去できるので、問題は端面に存在する欠陥である。
【００３０】
図１に示すＨＤＤ用基板製作において、再生ウェハ等の原板に対するコア抜き工程後、内外周の面取り工程及び端面研磨工程を設けてもよい。
面取り角度や寸法は標準寸法として概ね規定されている。プライムウェハやモニタウェハを原板として用いる場合は、面取りを行うことで製品とできる。しかし、本発明の再生ウェハを原板として用いる場合は、端面に露出した内部欠陥などが基板強度低下の原因として働く。端面は、ドーナツ状基板の内径側面と外径側面の部分をいう。基板破壊の起点となる可能性があるので、面取り後の該端面に露出した欠陥が問題である。本発明者らは、面取り後に端面研磨を行い、その後エッチング処理により歪み層を取り除くことにより、再生ウェハ原板を使用した場合でもモニタウェハなどと同等の基板強度を確保できることを見出した。
【００３１】
端面研磨工程の後に、又は端面研磨工程後のラップ工程の後に、好ましくは、更に、上記基板をアルカリエッチングする工程と、アルカリエッチングされた基板の表裏面を研磨する工程と、その後の洗浄工程とを含んでもよい。
アルカリエッチング工程は、ラップ工程、端面研磨工程の加工歪を除去するために、例えば、４０〜６０℃にした２〜６０重量％のＮａＯＨ水溶液に浸漬することにより行なわれる。
アルカリエッチングされた基板の表裏面を研磨する工程は、公知の方法で行えば良く、キャリアに装着した基板を上定盤と下定盤とに挟み回転させて、例えばコロイダルシリカを砥粒として研磨すればよい。
洗浄工程は、公知であるブラシ洗浄、アルカリ又は／及び酸溶液による薬液洗浄を行なえば良い。
【００３２】
本発明の磁気記録媒体用基板は、従来の基板と同様に扱うことかでき、例えば、軟磁性層と記録層を設けて垂直磁気記録媒体とすることができる。軟磁性層の密着性を高めるため、軟磁性層の形成に先立って下地層を設けてもよい。
記録層の上には、保護層と潤滑層を設けてよい。
【実施例】
【００３３】
以下、本発明を実施例に基づき説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
以下は、実施例の概要である。
半導体ＩＣプロセス等、熱履歴及び／又はエッチングを経た直径２００ｍｍのＳｉ単結晶ウェハ（面方位（１００））を、ピット、欠陥除去のために砥粒を用いて１０μｍ〜１００μｍラップを行う。次にレーザ光発生装置からのレーザ光により、ウェハから外径６５ｍｍ以下のドーナツ状の円形基板を切り出し、複数枚の基板が形成される。次に、基板の内周端面と外周端面の砥石による面取りが行われる。アルカリエッチング後、基板の表裏面の研磨加工が行われ、所望の基板ができ上がる。最後に、洗浄工程で基板に付着した研磨剤等を除去し基板の製造を完了する。
【００３４】
実施例１
最高１０００℃の熱履歴を４回経た直径２００ｍｍ、厚さ０．６１ｍｍのウェハを用意して、５０μｍをラップにより除去した後、ＹＡＧレーザ加工装置により直径４８ｍｍ、内径１２ｍｍのドーナツ状円形基板を得た。次に、基板の内周端面と外周端面の砥石（ダイヤモンド）による面取りを行い、内外径の端面研磨、５０℃にて５０重量％水酸化ナトリウムを用いて２０分間アルカリエッチング後、５重量％コロイダルシリカで鏡面が出るまで基板の両面研磨加工を行った。次に、洗浄工程で基板に付着した研磨剤等を除去し磁気記録媒体基板を得た。得られた磁気記録媒体基板を直径４５ｍｍのパイプの円端に載せ、その円の中心上でその基板上に直径３０ｍｍのＺｒボールを配し、ロードセルを用いてボールの頂点からその基板に負荷を加えて圧縮破壊強度を測定したところ、５サンプルの平均５００Ｎであった。
【００３５】
実施例２
ラップ量を１００μｍとした他は、実施例１と同様の処理を行い、圧縮破壊強度を測定したところ、５サンプルの平均５５０Ｎであった。
【００３６】
実施例３
最高１０００℃の熱履歴を６回、エッチングを４回経た直径２００ｍｍ、厚さ０．５５ｍｍのウェハを用意して、１００μｍをラップにより除去した後、ＹＡＧレーザ加工装置により直径２６ｍｍ、内径７ｍｍのドーナツ状円形基板を得た。次に、基板の内周端面と外周端面の砥石（ダイヤモンド）による面取りを行い、内外径の端面研磨後、５０℃にて５０重量％水酸化ナトリウムを用いて２０分間アルカリエッチング後、５重量％コロイダルシリカで鏡面が出るまで基板の両面研磨加工を行った。次に、洗浄工程で基板に付着した研磨剤等を除去し磁気記録媒体基板を得た。得られた磁気記録媒体基板を直径２０ｍｍのパイプに載せ、内径側に直径１０ｍｍのＺｒボールを配して、圧縮破壊強度を測定したところ、５サンプルの平均７０Ｎであった。
【００３７】
比較例１
熱履歴及びエッチングを経ていない厚さ０．７４ｍｍのウェハを用意して、厚みと表面を整えるための砥粒を用いたラップ後、ＹＡＧレーザ加工装置により直径４８ｍｍ、内径１２ｍｍのドーナツ状円形基板を得た。次に、基板の内周端面と外周端面の砥石（ダイヤモンド）による面取りを行い、内外径の端面研磨、５０℃にて５０重量％水酸化ナトリウムを用いて２０分間アルカリエッチング後、５重量％コロイダルシリカで鏡面が出るまで基板の両面研磨加工を行った。次に、洗浄工程で基板に付着した研磨剤等を除去し磁気記録媒体基板を得た。得られた磁気記録媒体基板を直径４５ｍｍのパイプに載せ、内径側に直径３０ｍｍのＺｒボールを配して、圧縮破壊強度を測定したところ、５サンプルの平均３００Ｎであった。
【００３８】
比較例２
直径２６ｍｍ、内径７ｍｍのドーナツ状円形基板に加工した他は、比較例１と同様の処理を行い、直径２０ｍｍのパイプに載せ、内径側に直径１０ｍｍのＺｒボールを配して、圧縮破壊強度を測定したところ、５サンプルの平均５０Ｎであった。
【００３９】
以上のように、熱履歴及び／又はエッチングを経たウェハを用いて磁気記録媒体基板を製作した場合、高い強度で効率よく得られることが判った。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】Ｓｉ単結晶ウェハを原板として使用し、ＨＤＤ用磁気記録媒体基板を製作する一例を示す概略工程である。
【符号の説明】
【００４１】
１  単結晶シリコン棒
２  単結晶Ｓｉウェハ
３  ドーナツ状基板
【図１】
2005050506.tif 000002