(57)【要約】【課題】  複数の磁気ブラシ帯電器において帯電を行う画像形成装置において、特に第１の磁気ブラシ帯電器における帯電能の低下を防ぐことのできる画像形成装置の提供。【解決手段】  感光体を帯電部材によって帯電し、該感光体に対し像露光手段によって静電潜像を形成し、現像剤を担持した現像剤担持体によって、該潜像を現像しトナー像を形成する現像手段を備え、該トナー像を転写材に転写し画像を形成する画像形成装置において、前記帯電部材は複数の接触帯電部材からなり、各々の帯電部材は磁性粒子を用いた磁気ブラシ帯電器であり、且つ、前記磁気ブラシ帯電器に収容される磁性粒子の量は、第１の磁気ブラシ帯電器が他の磁気ブラシ帯電器と比較して多いことを特徴とする画像形成装置。【選択図】  図１
2005201931.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光体を帯電部材によって帯電し、該感光体に対し像露光手段によって静電潜像を形成し、現像剤を担持した現像剤担持体によって、該潜像を現像しトナー像を形成する現像手段を備え、該トナー像を転写材に転写し画像を形成する画像形成装置において、前記帯電部材は複数の接触帯電部材からなり、各々の帯電部材は磁性粒子を用いた磁気ブラシ帯電器であり、且つ、前記磁気ブラシ帯電器に収容される磁性粒子の量は、第１の磁気ブラシ帯電器が他の磁気ブラシ帯電器と比較して多いことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記感光体はアモルファスシリコンを含む請求項１の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は被記録画像や画像データに対応して像担持体に形成された静電潜像を、現像剤により現像して用紙等に記録する画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真方式や静電記録方式を用いた画像形成装置は、数多く考案されているが図４を用いて概略構成ならびに動作について簡単に説明する。図４に示した画像形成装置において、コピー開始信号が入力されると感光体ドラム１がコロナ帯電器３により所定の電位になるように帯電される。一方、原稿台１０上におかれた原稿Ｇに対し原稿照射用ランプ、短焦点レンズアレイ、ＣＣＤセンサーが一体のユニット９となって原稿を照射しながら走査することにより、その照明走査光の原稿面反射光が、短焦点レンズアレイによって結像されてＣＣＤセンサーに入射される。ＣＣＤセンサーは受光部、転送部、出力部より構成されている。ＣＣＤ受光部において光信号が電荷信号に変えられ、転送部でクロックパルスに同期して順次出力部へ転送され、出力部において電荷信号を電圧信号に変換し、増幅、低インピーダンス化して出力する。得られたアナログ信号は周知の画像処理を行ってデジタル信号に変換してプリンター部に送られる。プリンター部においては、上記の画像信号を受けてＯＮ、ＯＦＦ発光されるＬＥＤ露光手段２により感光ドラム１面上に、原稿画像に対応した静電潜像を形成する。
【０００３】
次にこの静電潜像をトナー粒子を収容した現像器４にて現像し、感光ドラム１上にトナー像を得る。このようにして、感光ドラム１上に形成されたトナー像は、転写装置７によって転写材上に静電転写される。その後転写材は、静電分離されて定着器６へと搬送され、熱定着されて画像が出力される。一方、トナー像転写後の感光ドラム１の面は、クリーナー５によって転写残りトナー等の付着汚染物の除去、必要に応じて像露光の光メモリを除去する前露光手段８による露光を受けて繰り返し画像形成に使用される。上記のようにして画像形成される、電子写真画像形成装置に用いられる、感光体としては、有機感光体やアモルファスシリコン系感光体（以下、「ａ−Ｓｉ系感光体」と称する）。等がよく用いられているが、前記ａ−Ｓｉ系感光体は、表面硬度が高く、半導体レーザなどに高い感度を示し、しかも繰返し使用による劣化もほとんど認められないことから、高速複写機やレーザービームプリンタ（ＬＢＰ）などの電子写真用感光体として用いられている。前記のａ−Ｓｉ系感光体を帯電する方法としては、コロナ放電を用いたコロナ帯電方式、導電性ローラを用い直接放電で帯電を行うローラ帯電方式、磁性粒子等により接触面積を充分に取り電荷を感光体表面に直接注入することにより帯電を行う注入帯電方式などがある。この中で、コロナ帯電方式やローラ帯電方式は放電を用いるため放電生成物が表面に付着しやすく、またａ−Ｓｉ系感光体は表面高度が非常に高く磨耗しにくいため放電生成物が表面に残存しやすく、高湿環境下等で水分の吸着等による静電潜像が形成された感光体表面上の電荷の面方向へ移動に伴う画像流れ現象が発生しやすい。これに対して、前記注入帯電方式は放電を積極的に用いることはせずに感光体表面に接触した部分から直接電荷を注入する帯電方式であるため前記の画像流れといった現象は発生しにくい。上記のａ−Ｓｉ系感光体はその製造方法が、ガスを高周波やマイクロ波でプラズマ化して固体化し、アルミシリンダー上に堆積させて成膜するため、プラズマが均一でないと周方向や長手方向に膜厚ムラや組成ムラができてしまう。これにより、従来から現像部において、数１０Ｖ程度の電位ムラが発生してしまっていた。これは、膜厚ムラにより静電容量の違いができ帯電能の差が生じるの現象とともに、前周の光メモリーを消すために用いる前露光による帯電−現像間での暗状態での電位減衰（以降、暗減衰と呼ぶ）が、膜厚や組成の違いによって差が生じ現像部における電位ムラをより増大させることにより発生する。前述の暗減衰は、ａ−Ｓｉ系感光体を用いた場合、有機感光体に比べ暗状態でも非常に大きく、更に像露光の光メモリーによる電位減衰が増大するため、前周の光メモリーを消すための帯電前の前露光手段が必要となる。このため、帯電−現像間での暗減衰は非常に大きくなり、１００〜２００Ｖ程度の電位減衰が生じる。このとき前述の膜厚ムラ、組成ムラにより、数１０Ｖの電位ムラが発生してしまっていた。
【０００４】
このような電位ムラが生じると、静電容量の大きなａ−Ｓｉ系感光体は有機感光体に比べてコントラストも小さいため影響を大きく受けてしまい、濃度ムラも顕著になってしまう。このような問題点に対して、例えば複数回帯電を行うという方法が有効である（例えば特許文献１参照）。前述の光メモリーによる暗減衰の増大は複数帯電を行うことにより、第１の帯電で光メモリーを大幅に軽減できるため、第２の帯電を行った後には暗減衰を少なくすることが可能となる。これに伴い、電位ゴーストや電位ムラが大幅に良化される。ここで複数回の帯電を行う際に注入帯電方式を用いると帯電能が高く、電位収束性が高いため、電位ゴーストや電位ムラについて大きく改善される。また注入帯電方式は前記のように放電をほとんど用いないため、画像流れも発生しにくい。注入帯電器としては例えば磁性粒子を用いた磁気ブラシ帯電器が有効である。磁気ブラシ帯電器は磁性粒子の接触点によって帯電を行うため、帯電を行うための表面積が広く汚染に強い利点がある。このため長期にわたる耐久を行っても帯電性能を維持することが可能である。しかし、複数の磁気ブラシ帯電器を用いた場合には、マグネットローラ等高価な部品を複数必要としコストが高くなるため、通常の帯電器以上に交換間隔を長くすることが望まれる。更に、用いる感光体がａ−Ｓｉ系感光体のように高寿命の感光体の場合には、帯電器等の感光体周りのパーツを高寿命化していくことがランニングコストの低減に大きな効果となる。これに対し、前記のように磁性粒子を用いた磁気ブラシ帯電器は、粒子を用いるため感光体に接触する比表面積がローラ帯電等の接触帯電器に比べて大きいため汚染に強く、また、ローラ帯電等のように通電で抵抗が大幅にアップするようなことがないため帯電器寿命は長いが、長期にわたり耐久を行っていくとクリーナをすり抜けた外添剤やトナーが少しずつ混入してくるため、磁性粒子の表面を徐々に汚染し少しずつではあるが帯電性が低下してくる。
【０００５】
この磁性粒子の汚染は複数の磁気ブラシ帯電器を用いる場合には、第１の磁気ブラシ帯電器がより顕著である。これは、クリーナをすり抜けた外添剤やトナーは第１の磁気ブラシ帯電器でほとんど捕獲されるため、第２の磁気ブラシ帯電器以降には多くは到達しないためである。
【特許文献１】特開２００３−１７３０７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的としては複数の磁気ブラシ帯電器において帯電を行う構成において、特に第１の磁気ブラシ帯電器における帯電能の低下を防ぐことを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明においては、上記のように複数の磁気ブラシ帯電器において帯電を行う場合に、第１の磁気ブラシ帯電器が汚染しやすいことに対して第１の磁気ブラシ帯電器の磁性粒子の担持量を、他の帯電器に比べて多くすることにより実現している。磁性粒子の担持量を多くし循環させることにより、外添剤やトナーが混入した場合の汚染による抵抗アップを大幅に低減する事が可能となる。
【発明の効果】
【０００８】
以上説明のように、本発明のように第１の磁気ブラシ帯電器の磁性粒子担持量を第２の磁気ブラシ帯電器の磁性粒子担持量に比べ充分に多くしてやることにより、帯電器の寿命を充分に長くすることができ、コストが多少高くてもランニングコストの面では充分に安くすることができた。またサービスマンのメンテナンス間隔についても広く設定することが可能となり、アモルファスシリコン感光体の高寿命である特徴を充分に生かすことが可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（実施例１）
本実施例においては、ポジ帯電のアモルファスシリコン感光体を２つの磁気ブラシ帯電器により帯電する場合について述べる。また、本実施例においては図１に示すような画像形成装置を用いている。帯電工程に磁気ブラシ帯電器を３０、３１に示すように２つ設け、２回帯電を行うこと以外は従来例と同様の工程にて画像出力が可能となっている。
【００１０】
図５は、本実施例において用いたポジ帯電性のａ−Ｓｉ系感光体の構造を示す模式的な断面図である。図５に示すａ−Ｓｉ系感光体は、Ａｌなどからなる導電性支持体２０１と、導電性支持体２０１の表面上に順次堆積された感光層２０５（電荷注入阻止層２０２および光導電性を示す光導電層２０３）と表面層２０４とからなる。ここで、電荷注入阻止層２０２は導電性支持体２０１から光導電層２０３への電荷の注入を阻止するためのものであり、必要に応じて設けられる。また、光導電層２０３は少なくともシリコン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示すものである。さらに、表面層２０４はシリコン原子と炭素原子（さらに、必要により水素原子あるいはハロゲン原子またはその両方の原子）を含み、電子写真装置における潜像を保持する能力をもつものである。ａ−Ｓｉ系感光体はその製造方法が、ガスを高周波やマイクロ波でプラズマ化して固体化し、アルミシリンダー上に堆積させて成膜するため、プラズマが均一でないと膜厚ムラや組成ムラができてしまう。これにより、従来から現像部において、数１０Ｖ程度の電位ムラが発生してしまっていた。これは、膜厚ムラにより静電容量の違いができ帯電能の差が生じるの現象とともに、前周の光メモリーを消すために用いる前露光による帯電−現像間での電位減衰が、膜厚や組成によって差が生じ現像部における電位ムラをより増大させることにより発生する。
【００１１】
上記の光メモリーについて説明すると、ａ−Ｓｉ系感光体を帯電し像露光を行うと光キャリアを生成し電位を減衰させる。しかしこのとき、ａ−Ｓｉ系感光体は多くのタングリングボンド（未結合手）を有しており、これが局在準位となって光キャリアの一部を捕捉してその走行性を低下させ、あるいは光生成キャリアーの再結合確率を低下させる。したがって、画像形成プロセスにおいて、露光によって生成された光キャリアの一部は、次工程の帯電時にａ−Ｓｉ系感光体に電界がかかると同時に局在準位から開放され、露光部と非露光部とでａ−Ｓｉ系感光体の表面電位に差が生じて、これが最終的に光メモリーとなる。
【００１２】
そこで、前露光工程において均一露光を行うことによりａ−Ｓｉ系感光体内部に潜在する光キャリアを過多にし全面で均一になるようにして、光メモリーを消去することが一般的である。このとき、前露光源８から発する前露光の光量を増やしたり、前露光の波長をａ−Ｓｉ系感光体８の分光感度ピーク（約６８０〜７００ｎｍ）に近づけることにより、より効果的に光メモリ（ゴースト）を消去することが可能である。
【００１３】
しかしながら、上記のようにａ−Ｓｉ系感光体に例えば膜厚ムラが存在すると、光導電層間にかかる電界が異なるため、上記局在準位からの光キャリアの開放に差が生じ、膜厚が薄い部分ほど電位減衰が大きく、帯電部でたとえ均一に帯電できたとしても、現像部では電位ムラが生じてしまう。また、帯電能についても膜厚が薄い部分ほど静電容量が大きくなるため不利となり、帯電能が低下してくると上記の現像部での帯電ムラはより顕著となってしまう。この電位ムラは、画像露光を行った場合にも残り、現像行程を行うと特に目に認識されやすい低濃度領域で顕著な濃度ムラとして現れる。
【００１４】
また、ａ−Ｓｉ系感光体は膜厚が一定の場合においても製法上周方向や長手方向について組成ムラができやすく光キャリアの発生量が面内で差が生じ、前記と同様に暗減衰が面方向で一定にならないことによる電位ムラは生じる場合が多かった。
【００１５】
このような、光キャリアに起因される暗減衰や電位ムラを軽減する方法として複数回帯電を行う方法がある。第１の帯電において光キャリアを大幅に減らすことにより、第２の帯電後の暗減衰を大幅に軽減することが可能になるため、電位ムラや電位ゴーストを大幅に改善できる。
【００１６】
ここで、前述のａ−Ｓｉ系感光体の帯電部材としては、従来からコロナ帯電を用いた装置が実用化されている。しかし、ａ−Ｓｉは比誘電率が１１〜１２と有機感光体に比べ大きいため、静電容量が大きくなり、それに伴い帯電能の低下、放電による潜像の流れによる画像流れ等が発生しやすくなる。
【００１７】
これに対して、帯電部材として導電性ローラーやファーブラシローラー、磁性粒子を担持したマグネットローラ等を用いた、接触帯電部材を用い感光体に対して十分な接触状態を保つ条件で、ａ−Ｓｉ系感光体を帯電すると、ａ−Ｓｉ系感光体表面が１０９〜１０１４Ω・ｃｍの材質からなる層により形成されていることにより、接触帯電部材に印加したバイアスのうちの直流成分とほぼ同等の帯電電位を像担持体表面に得ることが可能である。このような帯電方法は、放電を用いずに電荷を直接感光体に注入し帯電を行うため、注入帯電と称する。この注入帯電を用いれば、像担持体への帯電がコロナ帯電器を用いて行われるような放電現象を利用しないので完全なオゾンレスかつ、低電力消費型帯電が可能となり注目されてきている。また、帯電能の低下や画像流れが防止できるとともに、印加した電圧近傍に帯電されるため電位の制御を行うことも容易となる。
【００１８】
図２中、３０及び３１は本実施例において用いた磁気ブラシ方式の注入帯電器である。本実施例においては磁気ブラシ帯電器を感光体回転方向に対し２つ設けている。このとき本実施例においては、第１の磁気ブラシ帯電器３０内には磁性粒子が２００ｇ収容され、第２の磁気ブラシ帯電器３１内には磁性粒子が６０ｇ担持されている。また、第１の磁気ブラシ帯電器３０内には、磁性粒子規制手段近傍に磁性粒子を撹拌する撹拌部材３０５が設けられている。
【００１９】
磁気ブラシ方式の注入帯電器は導電性の磁性粒子を直接マグネット、あるいは、マグネットを内包するスリーブ上に磁気的に拘束させ、停止、あるいは、回転しながら像担持体に接触させ、これに電圧を印加することによって帯電が開始される。本実施例で用いた磁気ブラシ帯電器３０、３１は、内部に図２のように４極構成の固定マグネット３０２が設けられ、回転自在の非磁性の帯電スリーブ３０３上に、磁性粒子規制手段３０１によって規制された帯電用磁性粒子３０４が磁界によってブラシ状に形成されて、非磁性スリーブ３０３の回転にともない帯電用磁性粒子３０４が搬送される。また、上記帯電スリーブ３４は感光ドラム１に対しカウンター方向に回転しており、感光ドラム１の回転速度３００ｍｍ／ｓｅｃに対し磁気ブラシ帯電器３０、３１は２５０ｍｍ／ｓｅｃで回転している。上記帯電スリーブ３０３に、帯電電圧を印加することにより、帯電用磁性粒子３０４から電荷が感光ドラム１上に与えられ、帯電電圧に対応した電位に近い値に帯電される。
【００２０】
磁気ブラシ帯電器３０、３１において、感光ドラム１に対して形成される帯電用磁性粒子３０４の接触ニップ幅は４ｍｍになるよう調整されている。また、帯電用磁性粒子としては、粒径が平均粒径が１０〜１００μｍ、飽和磁化が２０〜２５０ｅｍｕ／ｃｍ３、抵抗が１０２〜１０１０Ω・ｃｍのものが、好ましく感光ドラムにピンホールのような絶縁の欠陥が存在することを考慮すると１０６Ω・ｃｍ以上のものを用いることが好ましい。帯電性能を良くするにはできるだけ抵抗の小さいものを用いる方がよいので、本実施例においては、平均粒径２５μｍ、飽和磁化２００ｅｍｕ／ｃｍ３、抵抗が５×１０６Ω・ｃｍの帯電用磁性粒子を用いた。また本実施例において用いた帯電用磁性粒子は、フェライト表面を酸化、還元処理して抵抗調整を行ったものを用いている。
【００２１】
ここで、帯電用磁性粒子の抵抗値は、底面積が２２８ｍｍ２の金属セルに帯電用磁性粒子を２ｇ入れた後、６．６Ｋｇ／ｃｍ２で加重し、１００Ｖの電圧を印加して測定している。
【００２２】
また、本実施例において磁気ブラシ帯電器に対して印加したバイアスは、第１の磁気ブラシ帯電器には５５０Ｖの直流電圧を、第２の磁気ブラシ帯電器には５００Ｖの直流電圧を非磁性スリーブに対して印加している。このように電圧を印加して帯電工程を行うと、第１の磁気ブラシ帯電器により５５０Ｖ近傍まで帯電された後に、ａ−Ｓｉ感光体の場合には暗減衰による電位減衰が生じ、第２の磁気ブラシ帯電器の帯電直前においては５００Ｖ弱に減衰している。引き続き第２の磁気ブラシ帯電器で帯電を行うと、第１の磁気ブラシ帯電器によって５００Ｖ弱に帯電が施されているため、帯電ニップ内においては印加電圧に収束させるための帯電時間が充分取れるため、電位ムラのない均一な帯電状態が実現できる。また、第１の磁気ブラシ帯電において帯電した後に暗減衰を起こしているため、光キャリアを大幅に減らすことができ、第２の帯電後の暗減衰を大幅に軽減することが可能になる。このため、暗減衰の差によって生じる電位ムラや帯電不良による電位ムラ等について大幅に改善することができる。
【００２３】
ここで、本実施例においては前記のように、第１の磁気ブラシ帯電器には磁性粒子が２００ｇ担持され、第２の磁気ブラシ帯電器には磁性粒子が６０ｇ担持されている。図６は、画像比率７％の原稿を出力し耐久を行った場合の現像位置における電位の推移をあらわしており、図７は、前記条件における電位ムラの推移をあらわしている。比較例として、第１の磁気ブラシ帯電器、第２の磁気ブラシ帯電器ともに磁性粒子が６０ｇ担持されている場合と、第１の磁気ブラシ帯電器に磁性粒子が６０ｇ担持され、第２の磁気ブラシ帯電器に磁性粒子が２００ｇ担持されている場合について検討したところ、図６、図７のように第１の磁気ブラシ帯電器に２００ｇ、第２の磁気ブラシ帯電器に６０ｇ磁性粒子を収容した本実施例の場合は他の比較例に比べ帯電電位の推移及び電位ムラの推移について良好であることがわかる。
【００２４】
これは、磁性粒子の汚染は第１の磁気ブラシ帯電器において顕著であるため、比較例のように第１の磁気ブラシ帯電器のキャリア容量が６０ｇと少ない場合には１０万枚程度までは問題なく帯電できるが、それ以降第１の磁気ブラシ帯電器の帯電能が徐々に帯電能が低下してきてしまう。第１の磁気ブラシ帯電器の帯電能が低下してきてしまうと、第２の磁気ブラシ帯電器の帯電能が高い場合でも、前述の複数帯電によって光キャリアを低減する効果が低くなるため帯電電位が低下してしまう。また、第１の磁気ブラシ帯電器の帯電能が低くなり帯電電位ムラが大きくなってしまうと第２の磁気ブラシ帯電器で充分にならすことができなくなり電位ムラも増加してしまう。このため、比較例の第１の磁気ブラシ帯電器に磁性粒子が６０ｇ担持され、第２の磁気ブラシ帯電器に磁性粒子が２００ｇ担持されトータルでは本実施例と同量の磁性粒子を担持していても、帯電電位や電位ムラに差が生じてしまう。
【００２５】
本実施例のように第１の磁気ブラシ帯電器に２００ｇ、第２の磁気ブラシ帯電器に６０ｇ磁性粒子を収容した場合には、第１の磁気ブラシ帯電器の磁性粒子の容量を多くし循環させる構成をとったことにより、汚染の影響を大幅に低減することが可能となり長期にわたり帯電能を維持することが可能になったため、複数帯電のメリットである光キャリアの低減が実現できるとともに電位ムラについても第１の帯電時にも均一帯電が可能なため、第２の帯電器で更にならすことにより充分に低いレベルを維持することが可能となった。
【００２６】
第２の磁気ブラシ帯電器の磁性粒子の汚染は第１の磁気ブラシ帯電器の磁性粒子の汚染に比べ少ないため、磁性粒子の担持量は第１の磁気ブラシ帯電器に比べ少なくて構わないが、比較例の第１の磁気ブラシ帯電器、第２の磁気ブラシ帯電器ともに磁性粒子が６０ｇ担持されている場合と、第１の磁気ブラシ帯電器に磁性粒子が６０ｇ担持され、第２の磁気ブラシ帯電器に磁性粒子が２００ｇ担持されている場合について比較すると、第２の磁気ブラシ帯電器の磁性粒子担持量が２００ｇの方が若干良好なことから、第２の磁気ブラシ帯電器の磁性粒子も若干は汚染が生じていることがわかる。本実施例においては５０万枚の耐久で評価したため、第２の磁気ブラシ帯電器の磁性粒子容量を６０ｇとしたが、例えば１００万枚の寿命を目指す場合等には第２の磁気ブラシ帯電器の磁性粒子の担持量も、それあわせて多少増やす必要がある。ただし、その場合においても第１の磁気ブラシ帯電器の磁性粒子はより汚染しやすくなるので、磁性粒子の担持量は少なくとも第２の磁気ブラシ帯電器の磁性粒子担持量よりも充分に多いことが必要となる。
【００２７】
以上説明のように、本発明のように第１の磁気ブラシ帯電器の磁性粒子担持量を第２の磁気ブラシ帯電器の磁性粒子担持量に比べ充分に多くしてやることにより、帯電器の寿命を充分に長くすることができ、コストが多少高くてもランニングコストの面では充分に安くすることができた。またサービスマンのメンテナンス間隔についても広く設定することが可能となり、アモルファスシリコン感光体の高寿命である特徴を充分に生かすことが可能となった。
【００２８】
（実施例２）
実施例１においては、図２ように第１の磁気ブラシ帯電器の非磁性スリーブ内のマグネットについて、４極構成のマグネットを用いたが、本実施例においては図３ように５極構成のマグネットを用いた。具体的には撹拌部材３０５近傍に同極の反発極を設け非磁性スリーブ上にコーティングされた磁性粒子を磁力によって剥ぎ取る構成になっている。このように反発極を設けた５極構成のマグネットを用いると、磁性粒子の循環が良好に行なわれ一部の磁性粒子のみ汚染が促進するのを防止することが可能となる。本実施例のような構成をとることにより、実施例１と比較しても同等以上の耐久性を保つことが可能となり、長期にわたり高安定、高精度の帯電を行うことが可能となった。
【００２９】
実施例１、２においては、磁気ブラシ帯電器について、非磁性スリーブ内に固定マグネットを設け非磁性スリーブを回転させることにより、磁性粒子を搬送する構成をとったが、本発明はこのような構成に限られるものではなく、例えばマグネットローラに直接磁性粒子を担持してマグネットローラ自体の回転により磁性粒子を搬送する構成や、非磁性スリーブ内に回転するマグネットローラが配置され、マグネットローラの回転方向の逆方向に磁性粒子が搬送されることにより帯電を行う方法等においても適応可能である。複数の磁気ブラシ帯電器によって帯電工程を行う構成において、磁気ブラシ帯電器に収容される磁性粒子の量が第１の磁気ブラシ帯電器について、他の磁気ブラシ帯電器と比較して多い場合のすべての場合において効果が得られる。また、本実施例１、２においては、磁気ブラシ帯電器が２つの場合について述べたが、例えば３つ以上の磁気ブラシ帯電器で帯電を行う場合についても、第１の磁気ブラシ帯電器に収容される磁性粒子が最も多い場合について本発明は適用される。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施例１、２において用いた画像形成装置の概略図
【図２】本発明の実施例１において用いた磁気ブラシ帯電器の概略図
【図３】本発明の実施例１において用いた磁気ブラシ帯電器の概略図
【図４】従来例において用いた画像形成装置の概略図
【図５】アモルファスシリコン感光体の層構成の一例を示す断面図
【図６】実施例１において用いた磁性粒子容量と帯電電位の関係を示す概略図
【図７】実施例１において用いた磁性粒子容量と電位ムラの関係を示す概略図
【符号の説明】
【００３１】
１  感光ドラム
２  ＬＥＤ露光手段
３  コロナ帯電器
３０、３１、３２  磁気ブラシ帯電器
４  現像装置
５  クリーナー
６  定着器
７  転写装置
８  前露光ランプ
９  スキャナユニット
１０  原稿台
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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