(57)【要約】【課題】欠陥画素の補正不足、あるいは過補正に対する画質の低下を避ける。【解決手段】固体撮像素子の欠陥画素の位置情報とその出力レベルに関する情報を読み込み（Ｓ６０１，Ｓ６０２）、読み込んだ情報をもとに補正対象となる欠陥画素を抽出し（Ｓ６０３、Ｓ６０４）、抽出した欠陥画素について、欠陥画素の位置に関する情報を有する補正データを生成する（Ｓ６０６）ことにより、補正すべき欠陥画素に対し、補正する個数を適切に選択することが可能となる。【選択図】      図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体撮像素子の欠陥画素の少なくとも位置に関する情報を有する補正用データを格納し、前記補正データを用いて、前記固体撮像素子からの出力信号の欠陥画素の補正処理を行う画像処理装置のデータ処理方法であって、
対象画素の画面内の座標によって変化する判定値を求め、
前記固体撮像素子の欠陥画素の位置情報とその出力レベルに関する情報を有する基本補正データから、前記判定値を基準に補正対象となる欠陥画素を抽出し、
抽出した欠陥画素について、前記欠陥画素の位置に関する情報を有する前記補正データを生成することを特徴とするデータ処理方法。
【請求項２】
前記補正データの生成は、前記画像処理装置に接続された外部処理装置にて行われることを特徴とする請求項１に記載のデータ処理方法。
【請求項３】
固体撮像素子の欠陥画素の少なくとも位置に関する情報を有する補正用データを格納し、前記補正データを用いて、前記固体撮像素子からの出力信号の欠陥画素の補正処理を行う画像処理装置のデータ処理方法であって、
撮影条件、または撮影環境に応じて区分される条件に応じて決定されるしきい値に、対象画素の画面内の座標によって変化する変換係数を乗じて得られる判定値を求め、
前記固体撮像素子の欠陥画素の位置情報とその出力レベルに関する情報を有する補正データから、前記判定値を基準に補正対象となる欠陥画素を抽出し、
抽出した欠陥画素について、前記欠陥画素の位置に関する情報を有する補正用データを生成するデータ処理方法。
【請求項４】
前記補正データの生成は、前記画像処理装置に接続された外部処理装置にて行われることを特徴とする請求項３に記載のデータ処理方法。
【請求項５】
前記画面内の座標により変化する変換係数は、画面内の読み出し順序に対応して決定される値であることを特徴とする請求項３または４のいずれかに記載のデータ処理方法。
【請求項６】
前記欠陥画素の抽出は、前記固体撮像素子の欠陥画素の少なくとも位置情報とその出力レベルに関する情報を有する補正データの中から、該出力レベルが、前記判定値を超えるものを抽出することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のデータ処理方法。
【請求項７】
前記撮影条件は少なくとも電荷蓄積期間およびＩＳＯ感度であることを特徴とする請求項３〜６のいずれかに記載のデータ処理方法。
【請求項８】
前記撮影環境は少なくとも温度であることを特徴とする請求項３〜７のいずれかに記載のデータ処理方法。
【請求項９】
前記欠陥画素は白キズであることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のデータ処理方法。
【請求項１０】
前記固体撮像素子はＣＭＯＳ型の撮像素子であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のデータ処理方法。
【請求項１１】
固体撮像素子の欠陥画素の少なくとも位置に関する情報を有する補正用データを格納する記憶手段と、前記補正データを用いて、前記固体撮像素子からの出力信号の欠陥画素の補正処理を行う補正処理手段とを有する画像処理装置であって、
前記補正処理手段は、対象画素の画面内の座標によって変化する判定値を求め、前記補正データから前記判定値を基準に補正対象となる欠陥画素を抽出し、該欠陥画素に対して補正処理を行うことを特徴とする画像処理装置。
【請求項１２】
固体撮像素子の欠陥画素の位置情報とその出力レベルに関する情報を有する補正データを格納する記憶手段と、前記補正データを用いて、前記固体撮像素子からの出力信号の欠陥画素の補正処理を行う補正処理手段とを有する画像処理装置であって、
前記補正処理手段は、撮影条件、撮影環境に応じて区分される条件に応じて決定されるしきい値に対し、対象画素の画面内の座標によって変化する変換係数を乗じて得られる判定値を求め、前記補正データから前記判定値を基準に補正対象となる欠陥画素を抽出し、該欠陥画素に対して補正処理を行うことを特徴とする画像処理装置。
【請求項１３】
固体撮像素子の欠陥画素の少なくとも位置に関する情報を有する補正用データを格納し、前記補正データを用いて、前記固体撮像素子からの出力信号の欠陥画素の補正処理を行う画像処理装置のデータ処理方法のプログラムであって、
対象画素の画面内の座標によって変化する判定値を求め、
前記固体撮像素子の欠陥画素の位置情報とその出力レベルに関する情報を有する基本補正データから、前記判定値を基準に補正対象となる欠陥画素を抽出し、
抽出した欠陥画素について、前記欠陥画素の位置に関する情報を有する前記補正データを生成するステップを有することを特徴とするプログラム。
【請求項１４】
固体撮像素子の欠陥画素の少なくとも位置に関する情報を有する補正用データを格納し、前記補正データを用いて、前記固体撮像素子からの出力信号の欠陥画素の補正処理を行う画像処理装置のデータ処理方法のプログラムであって、
撮影条件、または撮影環境に応じて区分される条件に応じて決定されるしきい値に、対象画素の画面内の座標によって変化する変換係数を乗じて得られる判定値を求め、
前記固体撮像素子の欠陥画素の位置情報とその出力レベルに関する情報を有する補正データから、前記判定値を基準に補正対象となる欠陥画素を抽出し、
抽出した欠陥画素について、前記欠陥画素の位置に関する情報を有する補正用データを生成するステップを有することを特徴とするプログラム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、補正データを用いて、固体撮像素子からの出力信号の欠陥画素の補正処理を行うデータ処理方法、画像処理装置、及びプログラムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、固体メモリ素子を有するメモリカードを記録媒体として、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等の固体撮像素子で撮像した静止画像や動画像を記録及び再生する電子カメラ等の画像処理装置は既に市販されている。
【０００３】
また、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等の固体撮像素子を用いて撮像する場合、個々の撮像素子固有の画素の微少な傷による画素欠陥、いわゆるキズ画素による画質劣化に対して、キズ画素に隣接する同色の正常画素の画像データを用いた補間演算処理により該キズ画素を補正する補正方法が知られている。この方法により固体撮像素子に起因する画質劣化をさらに低減することが可能である。
【０００４】
従来、キズ画素の補正方法では、センサの工場出荷時に、所定の条件下での標準蓄積時間での出力を評価し、所定の出力範囲を超える画素をキズ画素と判定し、この画素の種類（黒キズ、白キズ等）およびアドレス（水平方向座標ｘ、垂直方向座標ｙ）とそのキズの出力レベルのデータを得て、このデータを用いてキズ画素を補正するように構成されている。
【０００５】
出荷時の検査においては、高温長秒時におけるキズ画素を正確に検出できるよう、なるべく高温、長秒の蓄積時間という条件を選んでセンサの出力を求めている。
【０００６】
しかし、キズ画素、とくに白キズついては、撮影時の蓄積時間によって大きくその程度が異なることが知られている。
【０００７】
次に撮像素子の違いによる蓄積時間の違いについて説明する。図１２に示すように、通常のＣＣＤ型撮像素子は、マトリクス状に配置された各々の画素に対応する多数の受光部と、この各受光部の一方の側に垂直方向に沿って設けられた垂直転送レジスタと、各垂直転送レジスタの各終端側に設けられた水平転送レジスタからなる。
【０００８】
蓄積開始前に駆動信号によって、現時点で画素に蓄えられた電荷は一旦垂直転送レジスタに転送され、垂直転送レジスタに転送された信号電荷は高速駆動にて掃き捨てられるとともに画素では蓄積が開始される。
【０００９】
その後、メカ的なシャッターが開いて光が入射し、所定の設定された蓄積時間経過後、駆動パルスにより、再度、各受光部の受光光量に応じた信号電荷が各垂直ラインごとに対応する垂直転送レジスタに転送される。次に駆動パルスにより各垂直転送レジスタ部を通じて上記信号電荷が水平転送レジスタに転送される。そして、この水平転送レジスタ部より一水平ライン毎の信号電荷が電荷検出器を介し、出力端子より撮像出力として読み出される。
【００１０】
このように、蓄積の開始は画面内の全画素同時に最初の垂直転送レジスタに転送された時点で始まり、次に信号電荷を垂直転送レジスタに転送時点で、画面内の全画素同時に蓄積時間も終了する。したがって、画面内の全画素で実質的な蓄積時間は設定された蓄積時間と同一である。
【００１１】
一方、ＣＭＯＳ型撮像素子においては撮影画面内において領域により実質的な蓄積時間が異なるという現象が発生する。
【００１２】
ＣＭＯＳ型撮像素子では、例えば、特許文献１の実施形態６に開示されているように、光電変換部に残った電荷を排除するために、蓄積開始時に全画素に対し同時に蓄積電荷のリセット動作、いわゆる一括リセット動作を行う。
【００１３】
この様子を図１３に示す。同図は、各行における動作シーケンスを示すものであり、横方向の１ラインは撮像素子の１行を示し、横軸は時間を示している。一括リセット動作後、設定された蓄積時間が開始され、所定のタイミングでメカニカルシャッターが開き、撮像素子へ適正光量の露光が行われる。全画素露光時間のばらつきはない。シャッターを閉じ、所定の設定蓄積時間を経過した後、蓄積された撮影の読み出しに入る。
【００１４】
上記ＣＭＯＳ型撮像装置においては、垂直方向走査パルスにより指定される行の全画素の電荷が各画素ごとに設けられたアンプで増幅され、この出力が各列のラインメモリに転送される。その後、水平方向走査パルスにより、アンプを介して出力端子より順次前記各列ごとのラインメモリに記憶された信号が順次読み出される。１行分の水平方向走査パルスを送ると、該当行の画素の出力電圧が読み出される。
【００１５】
まず、最初の第一行の画素について転送が行われ、読み出し回路に電荷が転送される。その後、水平方向走査パルスにより、一行分の読み出し動作が完了される。続いて垂直走査パルスを駆動し、第２行の転送、読み出しが行われる。以降同様に、水平走査パルスと、垂直走査パルスの組み合わせにて全画面の画素分走査することにより全画面の出力を得ることが可能になる。
【００１６】
すなわち、画素の電荷を読み出し回路に転送するのは、垂直方向走査パルスが該当行を指定したところで開始される。したがって、垂直方向走査パルスがくるまで該当行の画素は電荷を蓄積したままの状態である。このため、画面内での実質の蓄積時間は、読み出し方向により異なり、第一行が最も短く、読み出す順序が遅くなる行ほど、この白キズ画素の出力に影響を与える実質の蓄積時間が長くなる。この様子を同図の下部に示す。
【００１７】
このような動作を行う撮像素子を用いた画像処理装置において、電荷の蓄積時間は傷画素を補正するための判定レベルを決める際の重要なパラメータであるが、従来は、蓄積開始から全行読み出し完了までの時間を、この撮影画像における蓄積時間とみなして、判定を行っていた。
【００１８】
【特許文献１】
特開２０００−２０１３００号公報
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のキズ補正では以下に示すような問題が生じることとなる。
【００２０】
すなわち、シャッター秒時が長く、設定された蓄積時間が、読み出しに要する時間に比較し十分長い場合にはこの画面内の蓄積時間の差は影響受けにくいが、シャッター秒時が短く、設定された蓄積時間も短い場合には、読み出し時間の方がかなり長くなってしまい、画面内で、最初に読み出しを開始する部分と、最後に読み出しを行うの蓄積時間の差が数倍〜十数倍に達してしまう可能性がある。
【００２１】
このため、短秒時で撮影した画像においては、撮影画面内で白キズの分布に偏りがあり、実質の蓄積時間が短い最初に読み出しを行う部分はキズが少なく、その出力レベルも小さい。
【００２２】
読み出しが最後となる部分においてはキズも多く、そのレベルは大きくなる。
【００２３】
画面上部から下部へ読み出しを行うセンサにおける、ダーク撮影時の出力画像におけるキズのイメージを図１４（ａ）に示す。
【００２４】
一方、傷データを取得する際には、蓄積時間１秒、あるいはそれ以上の長秒時という決まった蓄積時間での撮影した画像データを元にキズ画素の検出を行っており、実際の撮影時の蓄積時間と対応したデータを有しているわけではなく、通常は一定の換算計数を乗ずることで、最適な検出ができるようにしている。
【００２５】
また、キズデータ取得時の画像は設定する蓄積時間として長い時間を設定しているため、取得時の画像データにおいて、画面内の蓄積時間の差が影響することはほとんどない。
【００２６】
したがって、キズデータを取得する画像では、実質の蓄積時間が、最初に読み出しを行う部分と、読み出しが最後となる部分においても大差ないため、キズの分布、その出力レベルもほぼ画面内において均一となる。
【００２７】
画面上部から下部へ読み出しを行うセンサにおける、ダーク撮影時のキズデータ取得画像におけるキズのイメージを図１４（ｂ）に示す。
【００２８】
このように、画面内において実質の蓄積時間に差があるような撮像素子を用いた画像処理装置において、これまでは画面全体のキズを補正できるよう、実質の蓄積時間が最も長くなる画面内の部分にあわせて補正処理を行う判定レベルを決定していたので、たとえば読み出しの先頭の部分においては、本来必要のないキズ画素までも補正してしまい、補正処理に時間を要するとともに、キズ画素を記憶するメモリを圧迫していた。
【００２９】
さらに、撮像素子の画素数が増大し、それにともない補正すべき傷の個数も増加してくると、補正すべきキズのアドレス情報を格納するために画像処理装置のメモリを圧迫してしまうものであった。また補正すべき画素の個数が増加すると、その補正処理に要する時間も増大してしまい撮影動作に支障を来すおそれがある。
【００３０】
また、これらはコストダウンを進める上でも、操作性を向上させる上でも大きな問題となる。
【００３１】
また、補正する必要のない画素に対してキズ補正処理を行うと、補正を行ったことにより画質が低下する可能性もあった。
【００３２】
本発明は上述した問題点を解決するためのものであり、補正すべき欠陥画素に対し、補正する個数を適切に選択することが可能となり、欠陥画素の補正不足、あるいは過補正に対する画質の低下を避けることができるデータ処理方法、画像処理装置、及びプログラムを提供することを目的とする。
【００３３】
また、メモリ等のシステムリソースの増大や、制御ソフトウェアの複雑化を招くことなく、高速で高性能な欠陥画素に対する補正処理を実現できるデータ処理方法、画像処理装置、及びプログラムを提供することを目的とする。
【００３４】
また、補正すべき欠陥画素に対し、補正する個数を撮影条件、撮影環境に応じてより適切に選択することが可能となり、欠陥画素の補正不足、あるいは過補正に対する画質の低下を避けることができるデータ処理方法、画像処理装置、及びプログラムを提供することを目的とする。
【００３５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のデータ処理方法は、固体撮像素子の欠陥画素の少なくとも位置に関する情報を有する補正用データを格納し、前記補正データを用いて、前記固体撮像素子からの出力信号の欠陥画素の補正処理を行う画像処理装置のデータ処理方法であって、対象画素の画面内の座標によって変化する判定値を求め、前記固体撮像素子の欠陥画素の位置情報とその出力レベルに関する情報を有する基本補正データから、前記判定値を基準に補正対象となる欠陥画素を抽出し、抽出した欠陥画素について、前記欠陥画素の位置に関する情報を有する前記補正データを生成することを特徴とする。
【００３６】
また、本発明のデータ処理方法は、固体撮像素子の欠陥画素の少なくとも位置に関する情報を有する補正用データを格納し、前記補正データを用いて、前記固体撮像素子からの出力信号の欠陥画素の補正処理を行う画像処理装置のデータ処理方法であって、撮影条件、または撮影環境に応じて区分される条件に応じて決定されるしきい値に、対象画素の画面内の座標によって変化する変換係数を乗じて得られる判定値を求め、前記固体撮像素子の欠陥画素の位置情報とその出力レベルに関する情報を有する補正データから、前記判定値を基準に補正対象となる欠陥画素を抽出し、抽出した欠陥画素について、前記欠陥画素の位置に関する情報を有する補正用データを生成する。
【００３７】
また、本発明の画像処理装置は、固体撮像素子の欠陥画素の少なくとも位置に関する情報を有する補正用データを格納する記憶手段と、前記補正データを用いて、前記固体撮像素子からの出力信号の欠陥画素の補正処理を行う補正処理手段とを有する画像処理装置であって、前記補正処理手段は、対象画素の画面内の座標によって変化する判定値を求め、前記補正データから前記判定値を基準に補正対象となる欠陥画素を抽出し、該欠陥画素に対して補正処理を行うことを特徴とする。
【００３８】
また、本発明の画像処理装置は、固体撮像素子の欠陥画素の位置情報とその出力レベルに関する情報を有する補正データを格納する記憶手段と、前記補正データを用いて、前記固体撮像素子からの出力信号の欠陥画素の補正処理を行う補正処理手段とを有する画像処理装置であって、前記補正処理手段は、撮影条件、撮影環境に応じて区分される条件に応じて決定されるしきい値に対し、対象画素の画面内の座標によって変化する変換係数を乗じて得られる判定値を求め、前記補正データから前記判定値を基準に補正対象となる欠陥画素を抽出し、該欠陥画素に対して補正処理を行うことを特徴とする。
【００３９】
また、本発明のプログラムは、固体撮像素子の欠陥画素の少なくとも位置に関する情報を有する補正用データを格納し、前記補正データを用いて、前記固体撮像素子からの出力信号の欠陥画素の補正処理を行う画像処理装置のデータ処理方法のプログラムであって、対象画素の画面内の座標によって変化する判定値を求め、前記固体撮像素子の欠陥画素の位置情報とその出力レベルに関する情報を有する基本補正データから、前記判定値を基準に補正対象となる欠陥画素を抽出し、抽出した欠陥画素について、前記欠陥画素の位置に関する情報を有する前記補正データを生成するステップを有することを特徴とする。
【００４０】
また、本発明のプログラムは、固体撮像素子の欠陥画素の少なくとも位置に関する情報を有する補正用データを格納し、前記補正データを用いて、前記固体撮像素子からの出力信号の欠陥画素の補正処理を行う画像処理装置のデータ処理方法のプログラムであって、撮影条件、または撮影環境に応じて区分される条件に応じて決定されるしきい値に、対象画素の画面内の座標によって変化する変換係数を乗じて得られる判定値を求め、前記固体撮像素子の欠陥画素の位置情報とその出力レベルに関する情報を有する補正データから、前記判定値を基準に補正対象となる欠陥画素を抽出し、抽出した欠陥画素について、前記欠陥画素の位置に関する情報を有する補正用データを生成するステップを有することを特徴とする。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
【００４２】
図１は、本発明に関る画像処理装置の構成を示すブロック図である。
【００４３】
図１において、１００は画像処理装置の本体部分である。１２は撮像素子１４への露光量を制御するためのシャッター、１４は光学像を電気信号に変換するＣＭＯＳ型撮像素子である。
【００４４】
レンズ３１０に入射した光線は、一眼レフ方式によって、絞り３１２、レンズマウント３０６及び１０６、ミラー１３０、シャッター１２を介して導き、光学像として撮像素子１４上に結像することが出来る。
【００４５】
１６は撮像素子１４のアナログ信号出力をディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器である。
【００４６】
１８は撮像素子１４、Ａ／Ｄ変換器１６、Ｄ／Ａ変換器２６にクロック信号や制御信号を供給するタイミング発生回路であり、メモリ制御回路２２及びシステム制御回路５０により制御される。
【００４７】
２０は画像処理回路であり、Ａ／Ｄ変換器１６からのデータ或いはメモリ制御回路２２からのデータに対して所定の画素補間処理や色変換処理を行う。
【００４８】
また、画像処理回路２０においては、必要に応じて、撮像した画像データを用いて所定の演算処理を行い、得られた演算結果に基づいてシステム制御回路５０がシャッター制御手段４０、測距制御手段４２に対して制御を行う、ＴＴＬ（スルー・ザ・レンズ）方式のＡＦ（オートフォーカス）処理、ＡＥ（自動露出）処理、ＥＦ（フラッシュ調光）処理を行うことが出来る。
【００４９】
さらに、画像処理回路２０においては、撮像した画像データを用いて所定の演算処理を行い、得られた演算結果に基づいてＴＴＬ方式のＡＷＢ（オートホワイトバランス）処理も行っている。
【００５０】
なお、本実施携帯においては、測距回路４２及び測光回路４６を専用に備える構成としたため、測距回路４２及び測光回路４６を用いてＡＦ（オートフォーカス）処理、ＡＥ（自動露出）処理、ＥＦ（フラッシュ調光）処理の各処理を行い、上記画像処理回路２０を用いたＡＦ（オートフォーカス）処理、ＡＥ（自動露出）処理、ＥＦ（フラッシュ調光）処理の各処理を行わない構成としても良い。
【００５１】
或いは、測距回路４２及び測光手段４６を用いてＡＦ（オートフォーカス）処理、ＡＥ（自動露出）処理、ＥＦ（フラッシュ調光）処理の各処理を行い、さらに、上記画像処理回路２０を用いたＡＦ（オートフォーカス）処理、ＡＥ（自動露出）処理、ＥＦ（フラッシュ調光）処理の各処理を行う構成としても良い。
【００５２】
２２はメモリ制御回路であり、Ａ／Ｄ変換器１６、タイミング発生回路１８、画像処理回路２０、画像表示メモリ２４、Ｄ／Ａ変換器２６、メモリ３０、圧縮・伸長回路３２を制御する。
【００５３】
Ａ／Ｄ変換器１６のデータが画像処理回路２０、メモリ制御回路２２を介して、或いはＡ／Ｄ変換器１６のデータが直接メモリ制御回路２２を介して、画像表示メモリ２４或いはメモリ３０に書き込まれる。
【００５４】
２４は画像表示メモリ、２６はＤ／Ａ変換器、２８はＴＦＴ  ＬＣＤ等から成る画像表示部であり、画像表示メモリ２４に書き込まれた表示用の画像データはＤ／Ａ変換器２６を介して画像表示部２８により表示される。
【００５５】
画像表示部２８を用いて撮像した画像データを逐次表示すれば、電子ファインダー機能を実現することが可能である。
【００５６】
また、画像表示部２８は、システム制御回路５０の指示により任意に表示をＯＮ／ＯＦＦすることが可能であり、表示をＯＦＦにした場合には画像処理装置１００の電力消費を大幅に低減することが出来る。
【００５７】
３０は撮影した静止画像や動画像を格納するためのメモリであり、所定枚数の静止画像や所定時間の動画像を格納するのに十分な記憶量を備えている。
【００５８】
これにより、複数枚の静止画像を連続して撮影する連写撮影やパノラマ撮影の場合にも、高速かつ大量の画像書き込みをメモリ３０に対して行うことが可能となる。
【００５９】
また、メモリ３０はシステム制御回路５０の作業領域としても使用することが可能である。
【００６０】
３２は適応離散コサイン変換（ＡＤＣＴ）等により画像データを圧縮伸長する圧縮・伸長回路であり、メモリ３０に格納された画像を読み込んで圧縮処理或いは伸長処理を行い、処理を終えたデータをメモリ３０に書き込む。
【００６１】
４０は測光回路４６からの測光情報に基づいて、絞り３１２を制御する絞り制御回路３４０と連携しながら、シャッター１２を制御するシャッター制御回路である。
【００６２】
４２はＡＦ（オートフォーカス）処理を行うための測距回路であり、レンズ３１０に入射した光線を、一眼レフ方式によって、絞り３１２、レンズマウント３０６及び１０６、ミラー１３０そして不図示の測距用サブミラーを介して、測距回路４２に入射させることにより、光学像として結像された画像の合焦状態を測定することが出来る。
【００６３】
４４は温度計であり、撮影環境の温度を検出することができる。温度計がセンサー内にある場合はセンサーの暗電流をより正確に予想することが可能である。
【００６４】
４６はＡＥ（自動露出）処理を行うための測光回路であり、レンズ３１０に入射した光線を、一眼レフ方式によって、絞り３１２、レンズマウント３０６及び１０６、ミラー１３０及び１３２そして不図示の測光用レンズを介して、測光手段４６に入射させることにより、光学像として結像された画像の露出状態を測定することが出来る。
【００６５】
また、測光回路４６は、フラッシュ４８と連携することによりＥＦ（フラッシュ調光）処理機能も有するものである。
【００６６】
４８はフラッシュであり、ＡＦ補助光の投光機能、フラッシュ調光機能も有する。
【００６７】
なお、撮像素子１４によって撮像した画像データを画像処理回路２０によって演算した演算結果に基づき、システム制御回路５０がシャッター制御手段４０、絞り制御手段３４０、測距制御手段３４２に対して制御を行う、ビデオＴＴＬ方式を用いて露出制御及びＡＦ（オートフォーカス）制御をすることも可能である。
【００６８】
さらに、測距手段４２による測定結果と、撮像素子１４によって撮像した画像データを画像処理回路２０によって演算した演算結果とを共に用いてＡＦ（オートフォーカス）制御を行っても構わない。
【００６９】
そして、測光手段４６による測定結果と、撮像素子１４によって撮像した画像データを画像処理回路２０によって演算した演算結果とを共に用いて露出制御を行っても構わない。
【００７０】
５０は画像処理装置１００全体を制御するシステム制御回路、５２はシステム制御回路５０の動作用の定数、変数、プログラム等を記憶するメモリである。
【００７１】
５４はシステム制御回路５０でのプログラムの実行に応じて、文字、画像、音声等を用いて動作状態やメッセージ等を表示する液晶表示装置、スピーカー等の表示部であり、画像処理装置１００の操作部近辺の視認し易い位置に単数或いは複数個所設置され、例えばＬＣＤやＬＥＤ、発音素子等の組み合わせにより構成されている。また、表示部５４は、その一部の機能が光学ファインダー１０４内に設置されている。
【００７２】
表示部５４の表示内容のうち、ＬＣＤ等に表示するものとしては、例えば、シングルショット／連写撮影表示、セルフタイマー表示、圧縮率表示、ＩＳＯ感度表示、記録画素数表示、記録枚数表示、残撮影可能枚数表示、シャッタースピード表示、絞り値表示、露出補正表示、フラッシュ表示、赤目緩和表示、マクロ撮影表示、ブザー設定表示、時計用電池残量表示、電池残量表示、エラー表示、複数桁の数字による情報表示、記録媒体２００及び２１０の着脱状態表示、レンズユニット３００の着脱状態表示、通信Ｉ／Ｆ動作表示、日付け・時刻表示、外部コンピュータとの接続状態を示す表示、等がある。
【００７３】
また、表示部５４の表示内容のうち、光学ファインダー１０４内に表示するものとしては、例えば、合焦表示、撮影準備完了表示、手振れ警告表示、フラッシュ充電表示、フラッシュ充電完了表示、シャッタースピード表示、絞り値表示、露出補正表示、記録媒体書き込み動作表示、等がある。
【００７４】
さらに、表示部５４の表示内容のうち、ＬＥＤ等に表示するものとしては、例えば、合焦表示、撮影準備完了表示、手振れ警告表示、手振れ警告表示、フラッシュ充電表示、フラッシュ充電完了表示、記録媒体書き込み動作表示、マクロ撮影設定通知表示、二次電池充電状態表示、等がある。
【００７５】
そして、表示部５４の表示内容のうち、ランプ等に表示するものとしては、例えば、セルフタイマー通知ランプ、等がある。このセルフタイマー通知ランプは、ＡＦ補助光と共用して用いても良い。
【００７６】
５６は電気的に消去・記録可能な不揮発性メモリであり、例えばＥＥＰＲＯＭ等が用いられる。この不揮発性メモリ５６には、各種パラメータやＩＳＯ感度などの設定値、設定モードのデータが格納される。
【００７７】
６０、６２、６４、６６、６８、６９及び７０は、システム制御回路５０の各種の動作指示を入力するための操作部であり、スイッチやダイアル、タッチパネル、視線検知によるポインティング、音声認識装置等の単数或いは複数の組み合わせで構成される。
【００７８】
ここで、これらの操作部の具体的な説明を行う。６０はモードダイアルスイッチで、自動撮影モード、プログラム撮影モード、シャッター速度優先撮影モード、絞り優先撮影モード、マニュアル撮影モード、焦点深度優先（デプス）撮影モード、ポートレート撮影モード、風景撮影モード、接写撮影モード、スポーツ撮影モード、夜景撮影モード、パノラマ撮影モード等の各機能撮影モードを切り替え設定することが出来る。
【００７９】
６２はシャッタースイッチＳＷ１で、不図示のシャッターボタンの操作途中でＯＮとなり、ＡＦ（オートフォーカス）処理、ＡＥ（自動露出）処理、ＡＷＢ（オートホワイトバランス）処理、ＥＦ（フラッシュ調光）処理等の動作開始を指示する。
【００８０】
６４はシャッタースイッチＳＷ２で、不図示のシャッターボタンの操作完了でＯＮとなり、撮像素子１２から読み出した信号をＡ／Ｄ変換器１６、メモリ制御回路２２を介してメモリ３０に画像データを書き込む露光処理、画像処理回路２０やメモリ制御回路２２での演算を用いた現像処理、メモリ３０から画像データを読み出し、圧縮・伸長回路３２で圧縮を行い、記録媒体２００或いは２１０に画像データを書き込む記録処理という一連の処理の動作開始を指示する。
【００８１】
６６は再生スイッチで、撮影モード状態において、撮影した画像をメモリ３０或いは記録媒体２００或いは２１０から読み出して画像表示部２８によって表示する再生動作の開始を指示する。
【００８２】
６８は単写／連写スイッチで、シャッタースイッチＳＷ２を押した場合に１駒の撮影を行って待機状態とする単写モードと、シャッタースイッチＳＷ２を押している間は連続して撮影を行い続ける連写モードとを設定することが出来る。
【００８３】
６９はＩＳＯ感度設定スイッチで、撮像素子１４或いは画像処理回路２０におけるゲインの設定を変更することにより、ＩＳＯ感度を設定することができる。
【００８４】
７０は各種ボタンやタッチパネル等からなる操作部で、メニューボタン、セットボタン、マクロボタン、マルチ画面再生改ページボタン、フラッシュ設定ボタン、単写／連写／セルフタイマー切り替えボタン、メニュー移動＋（プラス）ボタン、メニュー移動−（マイナス）ボタン、再生画像移動＋（プラス）ボタン、再生画像−（マイナス）ボタン、撮影画質選択ボタン、露出補正ボタン、日付／時間設定ボタン、パノラマモード等の撮影及び再生を実行する際に各種機能の選択及び切り替えを設定する選択／切り替えボタン、パノラマモード等の撮影及び再生を実行する際に各種機能の決定及び実行を設定する決定／実行ボタン、画像表示部２８のＯＮ／ＯＦＦを設定する画像表示ＯＮ／ＯＦＦスイッチ、撮影直後に撮影した画像データを自動再生するクイックレビュー機能を設定するクイックレビューＯＮ／ＯＦＦスイッチ、ＪＰＥＧ圧縮の圧縮率を選択するため或いは撮像素子の信号をそのままディジタル化して記録媒体に記録するＣＣＤＲＡＷモードを選択するためのスイッチである圧縮モードスイッチ、再生モード、マルチ画面再生・消去モード、ＰＣ接続モード等の各機能モードを設定することが出来る再生スイッチ、シャッタースイッチＳＷ１を押したならばオートフォーカス動作を開始し一旦合焦したならばその合焦状態を保ち続けるワンショットＡＦモードとシャッタースイッチＳＷ１を押している間は連続してオートフォーカス動作を続けるサーボＡＦモードとを設定することが出来るＡＦモード設定スイッチ等がある。
【００８５】
また、上記プラスボタン及びマイナスボタンの各機能は、回転ダイアルスイッチを備えることによって、より軽快に数値や機能を選択することが可能となる。
【００８６】
７２は電源スイッチで、画像処理装置１００の電源オン、電源オフの各モードを切り替え設定することが出来る。また、画像処理装置１００に接続されたレンズユニット３００、外部ストロボ、記録媒体２００、２１０等の各種付属装置の電源オン、電源オフの設定も合わせて切り替え設定することが出来る。
【００８７】
８０は電源制御回路で、電池検出回路、ＤＣ−ＤＣコンバータ、通電するブロックを切り替えるスイッチ回路等により構成されており、電池の装着の有無、電池の種類、電池残量の検出を行い、検出結果及びシステム制御回路５０の指示に基づいてＤＣ−ＤＣコンバータを制御し、必要な電圧を必要な期間、記録媒体を含む各部へ供給する。
【００８８】
８２はコネクタ、８４はコネクタ、８６はアルカリ電池やリチウム電池等の一次電池やＮｉＣｄ電池やＮｉＭＨ電池、Ｌｉ電池等の二次電池、ＡＣアダプター等からなる電源回路である。
【００８９】
９０及び９４はメモリカードやハードディスク等の記録媒体とのインタフェース、９２及び９６はメモリカードやハードディスク等の記録媒体と接続を行うコネクタ、９８はコネクタ９２及び或いは９６に記録媒体２００或いは２１０が装着されているか否かを検知する記録媒体着脱検知回路である。
【００９０】
なお、本実施形態では記録媒体を取り付けるインターフェース及びコネクタを２系統持つものとして説明している。もちろん、記録媒体を取り付けるインターフェース及びコネクタは、単数或いは複数、いずれの系統数を備える構成としても構わない。また、異なる規格のインターフェース及びコネクタを組み合わせて備える構成としても構わない。
【００９１】
インターフェース及びコネクタとしては、ＰＣＭＣＩＡカードやＣＦ（コンパクトフラッシュ（登録商標））カード等の規格に準拠したものを用いて構成して構わない。
【００９２】
さらに、インタフェース９０及び９４、そしてコネクタ９２及び９６をＰＣＭＣＩＡカードやＣＦ（コンパクトフラッシュ（登録商標））カード等の規格に準拠したものを用いて構成した場合、ＬＡＮカードやモデムカード、ＵＳＢカード、ＩＥＥＥ１３９４カード、Ｐ１２８４カード、ＳＣＳＩカード、ＰＨＳ等の通信カード、等の各種通信カードを接続することにより、他のコンピュータやプリンタ等の周辺機器との間で画像データや画像データに付属した管理情報を転送し合うことが出来る。
【００９３】
１０４は光学ファインダであり、レンズ３１０に入射した光線を、一眼レフ方式によって、絞り３１２、レンズマウント３０６及び１０６、ミラー１３０及び１３２を介して導き、光学像として結像表示することが出来る。これにより、画像表示部２８による電子ファインダ機能を使用すること無しに、光学ファインダ１０４のみを用いて撮影を行うことが可能である。また、光学ファインダ１０４内には、表示部５４の一部の機能、例えば、合焦表示、手振れ警告表示、フラッシュ充電表示、シャッタースピード表示、絞り値表示、露出補正表示などが設置されている。
【００９４】
１１０は通信回路で、ＲＳ２３２ＣやＵＳＢ、ＩＥＥＥ１３９４、Ｐ１２８４、ＳＣＳＩ、モデム、ＬＡＮ、無線通信、等の各種通信機能を有する。
【００９５】
１１２は通信手段１１０により画像処理装置１００を他の機器と接続するコネクタ或いは無線通信の場合はアンテナである。
【００９６】
１２０は、レンズマウント１０６内において、画像処理装置１００をレンズユニット３００と接続するためのインタフェース、１２２は画像処理装置１００をレンズユニット３００と電気的に接続するコネクタ、１２４はレンズマウント１０６及び或いはコネクタ１２２にレンズユニット３００が装着されているか否かを検知するレンズ着脱検知回路である。
【００９７】
コネクタ１２２は、画像処理装置１００とレンズユニット３００との間で制御信号、状態信号、データ信号等を伝え合うと共に、各種電圧の電流を供給する機能も備えている。また、コネクタ１２２は電気通信のみならず、光通信、音声通信等を伝達する構成としても良い。
【００９８】
１３０、１３２はミラーで、レンズ３１０に入射した光線を、一眼レフ方式によって光学ファインダ１０４に導くことが出来る。なお、ミラー１３２は、クイックリターンミラーの構成としても、ハーフミラーの構成としても、どちらでも構わない。
【００９９】
２００はメモリカードやハードディスク等の記録媒体である。記録媒体２００は、半導体メモリや磁気ディスク等から構成される記録部２０２、画像処理装置１００とのインタフェース２０４、画像処理装置１００と接続を行うコネクタ２０６を備えている。
【０１００】
２１０はメモリカードやハードディスク等の記録媒体である。記録媒体２１０は、半導体メモリや磁気ディスク等から構成される記録部２１２、画像処理装置１００とのインタフェース２１４、画像処理装置１００と接続を行うコネクタ２１６を備えている。
【０１０１】
３００は交換レンズタイプのレンズユニットである。３０６は、レンズユニット３００を画像処理装置１００と機械的に結合するレンズマウントである。レンズマウント３０６内には、レンズユニット３００を画像処理装置１００と電気的に接続する各種機能が含まれている。
【０１０２】
３１０は撮影レンズ、３１２は絞りである。３２０は、レンズマウント３０６内において、レンズユニット３００を画像処理装置１００と接続するためのインタフェース、３２２はレンズユニット３００を画像処理装置１００と電気的に接続するｈコネクタである。
【０１０３】
コネクタ３２２は、画像処理装置１００とレンズユニット３００との間で制御信号、状態信号、データ信号等を伝え合うと共に、各種電圧の電流を供給される或いは供給する機能も備えている。また、コネクタ３２２は電気通信のみならず、光通信、音声通信等を伝達する構成としても良い。
【０１０４】
３４０は測光回路４６からの測光情報に基づいて、シャッター１２を制御するシャッター制御回路４０と連携しながら、絞り３１２を制御する絞り制御回路である。
【０１０５】
３４２は撮影レンズ３１０のフォーカシングを制御する測距制御回路、３４４は撮影レンズ３１０のズーミングを制御するズーム制御回路である。
【０１０６】
３５０はレンズユニット３００全体を制御するレンズシステム制御回路である。レンズシステム制御回路３５０は、動作用の定数、変数、プログラム等を記憶するメモリやレンズユニット３００固有の番号等の識別情報、管理情報、開放絞り値や最小絞り値、焦点距離等の機能情報、現在や過去の各設定値などを保持する不揮発メモリの機能も備えている。
【０１０７】
図２乃至図６を参照して、本実施形態における画像処理装置１００の動作を説明する。
【０１０８】
図２及び図３は、画像処理装置１００の主ルーチンのフローチャートを示す。図２及び図３を用いて、画像処理装置１００の動作を説明する。
【０１０９】
電池交換等の電源投入により、システム制御回路５０はフラグや制御変数等を初期化し、画像処理装置１００の各部において必要な所定の初期設定を行う（Ｓ１０１）。
【０１１０】
システム制御回路５０は、電源スイッチ６６の設定位置を判断し、電源スイッチ６６が電源ＯＦＦに設定されていたならば（Ｓ１０２）、各表示部の表示を終了状態に変更し、フラグや制御変数等を含む必要なパラメータや設定値、設定モードを不揮発性メモリ５６に記録し、電源制御手段８０により画像表示部２８を含む画像処理装置１００各部の不要な電源を遮断する等の所定の終了処理を行った後（Ｓ１０３）、ステップＳ１０２に戻る。
【０１１１】
電源スイッチ６６が電源ＯＮに設定されていたならば（Ｓ１０２）、システム制御回路５０は、電源制御手段８０により電池等により構成される電源８６の残容量や動作情況が画像処理装置１００の動作に問題があるか否かを判断し（Ｓ１０４）、問題があるならば表示部５４を用いて画像や音声により所定の警告表示を行った後に（Ｓ１０５）、ステップＳ１０２に戻る。
【０１１２】
電源８６に問題が無いならば（Ｓ１０４）、システム制御回路５０はモードダイアル６０の設定位置を判断し、モードダイアル６０が撮影モードに設定されていたならば（Ｓ１０６）、ステップＳ１０８に進む。
【０１１３】
モードダイアル６０がその他のモードに設定されていたならば（Ｓ１０６）、システム制御回路５０は選択されたモードに応じた処理を実行し（Ｓ１０７）、処理を終えたならばステップＳ１０２に戻る。
【０１１４】
システム制御回路５０は、記録媒体２００或いは２１０が装着されているかどうかの判断、記録媒体２００或いは２１０に記録された画像データの管理情報の取得、そして、記録媒体２００或いは２１０の動作状態が画像処理装置１００の動作、特に記録媒体に対する画像データの記録再生動作に問題があるか否かの判断を行い（Ｓ１０８）、問題があるならば表示部５４を用いて画像や音声により所定の警告表示を行った後に（Ｓ１０５）、ステップＳ１０２に戻る。
【０１１５】
記録媒体２００或いは２１０が装着されているかどうかの判断、記録媒体２００或いは２１０に記録された画像データの管理情報の取得、そして、記録媒体２００或いは２１０の動作状態が画像処理装置１００の動作、特に記録媒体に対する画像データの記録再生動作に問題があるか否かの判断を行った結果（Ｓ１０８）、問題が無いならば、ステップＳ１０９に進む。
【０１１６】
システム制御回路５０は表示部５４を用いて画像や音声により画像処理装置１００の各種設定状態の表示を行う（Ｓ１０９）。なお、画像表示部２８の画像表示がＯＮであったならば、画像表示部２８も用いて画像や音声により画像処理装置１００の各種設定状態の表示を行う。
【０１１７】
シャッタースイッチＳＷ１が押されていないならば（Ｓ１２１）、ステップＳ１０２に戻る。シャッタースイッチＳＷ１が押されたならば（Ｓ１２１）、システム制御回路５０は測距処理を行って撮影レンズ１０の焦点を被写体に合わせ、測光処理を行って絞り値及びシャッター時間を決定する、測距・測光処理を行い（Ｓ１２２）、ステップＳ１２３に進む。測光処理に於いて、必要であればフラッシュの設定も行う。この測距・測光処理ステップＳ１２２の詳細は図４を用いて後述する。
【０１１８】
シャッタースイッチＳＷ２が押されていないならば（Ｓ１３２）、システム制御回路５０はステップＳ１３３でシャッタースイッチＳＷ１の状態を確認し、シャッタースイッチＳＷ１がオンであるならば、ステップＳ１３２に戻る。一方シャッタースイッチＳＷ１がオフであるならば、ステップＳ１０２に戻る。
【０１１９】
シャッタースイッチＳＷ２が押されたならば（Ｓ１３２）、システム制御回路５０は、撮影した画像データを記憶可能な画像記憶バッファ領域がメモリ３０にあるかどうかを判断し（Ｓ１３４）、メモリ３０の画像記憶バッファ領域内に新たな画像データを記憶可能な領域が無いならば、表示部５４を用いて画像や音声により所定の警告表示を行った後に（Ｓ１３５）、ステップＳ１０２に戻る。
【０１２０】
例えば、メモリ３０の画像記憶バッファ領域内に記憶可能な最大枚数の連写撮影を行った直後で、メモリ３０から読み出して記憶媒体２００或いは２１０に書き込むべき最初の画像がまだ記録媒体２００或いは２１０に未記録な状態であり、まだ１枚の空き領域もメモリ３０の画像記憶バッファ領域上に確保出来ない状態である場合等が、この状態の一例である。
【０１２１】
なお、撮影した画像データを圧縮処理してからメモリ３０の画像記憶バッファ領域に記憶する場合は、圧縮した後の画像データ量が圧縮モードの設定に応じて異なることを考慮して、記憶可能な領域がメモリ３０の画像記憶バッファ領域上にあるかどうかをＳ１３４にて判断することになる。
【０１２２】
メモリ３０に撮影した画像データを記憶可能な画像記憶バッファ領域があるならば（Ｓ１３４）、システム制御回路５０は、撮像して所定時間蓄積した撮像信号を撮像素子１４から読み出して、Ａ／Ｄ変換器１６、画像処理回路２０、メモリ制御回路２２を介して、或いはＡ／Ｄ変換器から直接メモリ制御回路２２を介して、メモリ３０の所定領域に撮影した画像データを書き込む撮影処理を実行する（Ｓ１３６）。この撮影処理ステップＳ１３６の詳細は図５を用いて後述する。
【０１２３】
撮影処理ステップＳ１３６を終えたならば、欠陥画素補正処理ステップＳ１３９に進む。このキズ補正処理ステップＳ１３９の詳細は図７を用いて後述する。
【０１２４】
システム制御回路５０は、メモリ３０の所定領域へ書き込まれたキズ補正処理後の画像データの一部をメモリ制御回路２２を介して読み出して、現像処理を行うために必要なＷＢ（ホワイトバランス）積分演算処理、ＯＢ（オプティカルブラック）積分演算処理を行い、演算結果をシステム制御回路５０の内部メモリ或いはメモリ５２に記憶する。
【０１２５】
そして、システム制御回路５０は、メモリ制御回路２２そして必要に応じて画像処理回路２０を用いて、メモリ３０の所定領域に書き込まれたキズ補正後の撮影画像データを読み出して、システム制御回路５０の内部メモリ或いはメモリ５２に記憶した演算結果を用いて、ＡＷＢ（オートホワイトバランス）処理、ガンマ変換処理、色変換処理を含む各種現像処理を行う（Ｓ１４０）。
【０１２６】
そして、システム制御回路５０は、メモリ３０の所定領域に書き込まれた画像データを読み出して、設定したモードに応じた画像圧縮処理を圧縮・伸長回路３２により行い（Ｓ１４１）、メモリ３０の画像記憶バッファ領域の空き画像部分に、撮影して一連の処理を終えた画像データの書き込みを行う。
【０１２７】
一連の撮影の実行に伴い、システム制御回路５０は、メモリ３０の画像記憶バッファ領域に記憶した画像データを読み出して、インタフェース９０或いは９４、コネクタ９２或いは９６を介して、メモリカードやコンパクトフラッシュ（登録商標）カード等の記録媒体２００或いは２１０へ書き込みを行う記録処理を開始する（Ｓ１４２）。
【０１２８】
この記録開始処理は、メモリ３０の画像記憶バッファ領域の空き画像部分に、撮影して一連の処理を終えた画像データの書き込みが新たに行われる度に、その画像データに対して実行される。
【０１２９】
なお、記録媒体２００或いは２１０へ画像データの書き込みを行っている間、書き込み動作中であることを明示するために、表示部５４において例えばＬＥＤを点滅させる等の記録媒体書き込み動作表示を行う。
【０１３０】
システム制御回路５０は、ステップＳ１４３に進み、シャッタースイッチＳＷ１が押されているかどうかを判断し、ＳＷ１が押されている間は、これが離されるのを待ち、押されていない場合にはステップＳ１０２へ戻る。
【０１３１】
図４は、図３のステップＳ１２２における測距・測光処理の詳細なフローチャートを示す。
【０１３２】
なお、測距・測光処理においては、システム制御回路５０と絞り制御回路３４０或いは測距制御回路３４２との間の各種信号のやり取りは、インタフェース１２０、コネクタ１２２、コネクタ３２２、インタフェース３２０、レンズ制御手段３５０を介して行われる。
【０１３３】
システム制御回路５０は、撮像素子１４、測距回路４２、及び測距制御回路３４２を用いて、ＡＦ（オートフォーカス）処理を開始する（Ｓ２０１）。
【０１３４】
システム制御回路５０は、レンズ３１０に入射した光線を、絞り３１２、レンズマウント３０６及び１０６、ミラー１３０、不図示の測距用サブミラーを介して、測距手段４２に入射させることにより、光学像として結像された画像の合焦状態を判断し、測距（ＡＦ）が合焦と判断されるまで（Ｓ２０３）、測距制御手段３４２を用いてレンズ３１０を駆動しながら、測距手段４２を用いて合焦状態を検出するＡＦ制御を実行する（Ｓ２０２）。
【０１３５】
測距（ＡＦ）が合焦と判断したならば（Ｓ２０３）、システム制御回路５０は、撮影画面内の複数の測距点の中から合焦した測距点を決定し、決定した測距点データと共に測距データ及び或いは設定パラメータをシステム制御回路５０の内部メモリ或いはメモリ５２に記憶しＳ２０５に進む。
【０１３６】
続いて、システム制御回路５０は、測光手段４６を用いて、ＡＥ（自動露出）処理を開始する（Ｓ２０５）。
【０１３７】
システム制御回路５０は、レンズ３１０に入射した光線を、絞り３１２、レンズマウント３０６及び１０６、ミラー１３０及び１３２そして不図示の測光用レンズを介して、測光手段４６に入射させることにより、光学像として結像された画像の露出状態を測定し、ＩＳＯ感度スイッチ６９にて事前に設定されたＩＳＯ感度において、露出（ＡＥ）が適正と判断されるまで（Ｓ２０６）、露光制御手段４０を用いて測光処理を行う（Ｓ２０６）。
【０１３８】
露出（ＡＥ）が適正と判断したならば（Ｓ２０７）、システム制御回路５０は、測光データ及び或いは設定パラメータをシステム制御回路５０の内部メモリ或いはメモリ５２に記憶し、ステップＳ２０８に進む。
【０１３９】
なお、測光処理ステップＳ２０６で検出した露出（ＡＥ）結果と、モードダイアル６０によって設定された撮影モードに応じて、システム制御回路５０は、絞り値（Ａｖ値）、シャッター速度（Ｔｖ値）が決定する。
【０１４０】
そして、ここで決定したシャッター速度（Ｔｖ値）に応じて、システム制御回路５０は、撮像素子１４の電荷蓄積時間を決定し、等しい電荷蓄積時間で撮影処理を行う。
【０１４１】
測光処理ステップＳ２０６で得られた測定データにより、システム制御回路５０はフラッシュが必要か否かを判断し（Ｓ２０８）、フラッシュが必要ならばフラッシュフラグをセットし、フラッシュ４８の充電が完了するまで（Ｓ２１０）、フラッシュ４８を充電する（Ｓ２０９）。
【０１４２】
フラッシュ４８の充電が完了したならば（Ｓ２１０）、測距・測光処理ルーチンステップＳ１２４を終了する。
【０１４３】
図５は、図３のステップＳ１３６における撮影処理の詳細なフローチャートを示すなお、撮影処理においては、システム制御回路５０と絞り制御手段３４０或いは測距制御手段３４２との間の各種信号のやり取りは、インタフェース１２０、コネクタ１２２、コネクタ３２２、インタフェース３２０、レンズ制御回路３５０を介して行われる。
【０１４４】
システム制御回路５０は、ミラー１３０を不図示のミラー駆動回路によってミラーアップ位置に移動すると共に（Ｓ３０１）、システム制御回路５０の内部メモリ或いはメモリ５２に記憶される測光データに従い、絞り制御回路３４０によって絞り３１２を所定の絞り値まで駆動する（Ｓ３０２）。
【０１４５】
システム制御回路５０は、撮像素子１４に対し一括リセット動作を指示し、電荷クリア動作を行った後に（Ｓ３０３）、撮像素子１４の電荷蓄積を開始した後（Ｓ３０４）、シャッター制御手段４０によって、シャッター１２を開き（Ｓ３０５）、撮像素子１４の露光を開始する（Ｓ３０６）。
【０１４６】
ここで、フラッシュ・フラグによりフラッシュ４８が必要か否かを判断し（Ｓ３０７）、必要な場合はフラッシュを発光させる（Ｓ３０８）。
【０１４７】
システム制御回路５０は、測光データに従って撮像素子１４の露光終了を待ち（Ｓ３０９）、シャッター制御手段４０によって、シャッター１２を閉じ（Ｓ３１０）、撮像素子１４の露光を終了する。
【０１４８】
システム制御回路５０は、絞り制御手段３４０によって絞り３１２を開放の絞り値まで駆動すると共に（Ｓ３１１）、ミラー１３０を不図示のミラー駆動手段によってミラーダウン位置に移動する（Ｓ３１２）。
【０１４９】
設定した電荷蓄積時間が経過したならば（Ｓ３１３）、システム制御回路５０は、撮像素子１４から順次電荷信号を読み出し、Ａ／Ｄ変換器１６、画像処理回路２０、メモリ制御回路２２を介して、或いはＡ／Ｄ変換器１６から直接メモリ制御回路２２を介して、メモリ３０の所定領域への撮影画像データを書き込む（Ｓ３１５）。
【０１５０】
一連の処理を終えたならば、撮影処理ルーチンステップＳ１３６を終了する。
【０１５１】
図６は、図３のステップＳ１３７におけるキズ補正処理の詳細なフローチャートを示す。
【０１５２】
ステップＳ４０１ではキズ補正処理を行う際に使用するための補正データの選択を行う。ここでは、複数の補正データが不揮発性メモリ５６もしくは、システム制御回路５０の内蔵メモリに保存されており、撮影後のキズ補正処理において実際に使用する補正データを選択する。図８を用いてこの補正データ選択シーケンスについて詳細に説明する。
【０１５３】
図７は、図６のステップＳ４０１におけるキズ補正のための補正データ選択の詳細なフローチャートである。
【０１５４】
ＣＭＯＳ型撮像素子１４はその出荷時に、所定の環境温度、所定の蓄積時間に得られた画像データより、各種のキズ画素を抽出される。これらのキズ画素の種別、アドレス、そのレベルが記載された出荷時データをもとに、本画像処理装置内のメモリに格納するデータを生成する。この処理は画像処理装置の外部で行われる。
【０１５５】
補正データの選択は、具体的には、撮影状況に応じて補正処理が必要な白キズの判別を行う。白キズの多くは露光時間（蓄積時間）に応じてレベルが大きくなる傾向があり、同じレベルの白キズであっても、設定されたＩＳＯ感度（撮像素子１４のゲインおよび画像処理部２０のゲイン）によっても、画像となった場合のキズのレベルが変わってしまう。このため、ここでは、設定された蓄積時間に応じて、適切な判定レベルとなるキズデータを選択する。
【０１５６】
すなわち、測光（Ｓ２０６）に決定されたシャッター速度（Ｔｖ値）に応じて、システム制御回路５０は、撮像素子１４の電荷蓄積時間（ｔ）を決定するが、以下この設定された電荷蓄積時間（ｔ）に応じた処理を行う。
【０１５７】
例えば、図８に示すように、図４におけるステップＳ２０６にて電荷蓄積時間（ｔ）の区分として、Ｔ１秒より高速（短い）の領域、Ｔ１秒からＴ２（＞Ｔ１）秒までの領域、さらにＴ２秒よりも低速（長い）秒時の３ゾーンに分割するテーブルとする。
【０１５８】
一般的に電荷蓄積時間が長くなると、白キズのキズレベルは蓄積時間とともに上昇し、短秒時では問題にならないレベルの画素の出力が長秒時では大きなキズレベルになることもある。
【０１５９】
これらの秒時で撮影した場合に、補正すべき白キズ画素を、出荷時データと照らし合わせそれぞれの領域で白キズとなる画素が含まれるように、出荷時データにおけるキズレベルの値で判別するレベルの設定が必要となる。
【０１６０】
常に出荷時データに記載されているキズ画素すべてを補正することは、画像処理装置内のメモリを圧迫し画像処理装置のコストの低減を妨げ、補正に要する処理時間を必要とし操作性の悪化を招くので、撮影条件ごとに本当に補正が必要なキズ画素のみ補正処理を行うことが望ましい。
【０１６１】
そこで図８に示すように、ステップＳ５０１にて設定されたシャッター速度に応じて補正データを選択する。ステップＳ５０２にて設定された蓄積時間がＴ２よりも長い場合には、補正データとしてステップＳ５０３にて、Ｄａｔａ３を選択する。次にステップＳ５０４にて設定された蓄積時間がＴ１よりも短い場合には補正データとしてステップＳ５０５にてｄａｔａ１を選択する。さらにステップＳ５０４にて設定された蓄積時間がＴ１をより短くならなければ、ステップＳ５０６にて補正データとしてｄａｔａ２を選択する。
【０１６２】
たとえば、補正データｄａｔａ１は時間Ｔ１よりも高速（短い）の電荷蓄積時間の範囲では、出荷時データに記載された出力レベルにおいてキズレベルが１００ｍＶ以上を示す白キズのみを補正すれば、補正後の画像の全領域から白キズが判別できなくなるので、その領域での判別レベルとして１００ｍＶと設定する。
【０１６３】
このレベルを基本判別レベルとする。
【０１６４】
これらの基本判別レベルは撮影画像の全画面において白傷が見えなくなる、すなわち画面内でもっとも電荷蓄積時間が長くなる部分において白傷が見えなくなる、という基準で決定されており、画面内をさらに細かく見ると、電荷蓄積時間がそれよりも短くなる部分においては、本来補正の必要のない微小な白傷に対しても補正を行うことになってしまう。
【０１６５】
そこで本実施形態では、この基本判別レベルに対し、実質の蓄積時間に応じた補正を行ったデータが記載されている。このデータの具体的な生成処理については図１１を用いて後述する。
【０１６６】
以上の動作をもとに基本判別レベルを記載したテーブルを示したのが図８である。
【０１６７】
こうして、測光（Ｓ２０６）にて決定されたシャッター速度（Ｔｖ値）に応じて、決定された電荷蓄積時間に応じて、使用する画面内の蓄積時間の差に応じたキズ補正データが選択される。
【０１６８】
ステップＳ４０１にて使用する補正データが選択されたら、システム制御回路５０は、撮像素子の白点キズを補償するために、ステップＳ４０１で選択された補正データに記載された白キズ画素のアドレスを示す情報を参照しながら、メモリ３０の所定領域に書き込まれた撮影画像の対応する画素に対し、隣接する同色画素の撮影画像データを用いて点キズ補正処理を行う。
【０１６９】
ステップＳ４０２にて、まず選択されたキズデータの先頭から１画素分のキズアドレス情報を読み込む。このアドレス情報を参照し、メモリ３０に書き込まれた撮影画像における該当画素のアドレスを特定することが可能である。
【０１７０】
次に、ステップＳ４０３にて、ステップＳ５０３で特定した該当画素に隣接する同色画素の撮影画像データを読み込む。
【０１７１】
次に、ステップＳ４０４にて、ステップＳ４０３で得られた隣接画素の値から、該当画素の補正量を算出する。
【０１７２】
続いて、ステップＳ４０５では、ステップＳ４０４で求められた補正量を、メモリ３０における該当画素のアドレスに書き込む。これにより、該当画素の補正処理は完了する。
【０１７３】
ステップＳ４０６にて、指定されたデータに記載されたキズ画素の補正処理がすべて完了したか否かを判定し、いまだ完了していない場合には、ステップＳ４０２に戻り、補正データに記載された次のキズアドレス情報を読出し、同様に繰り返す。
【０１７４】
ステップＳ４０６にて、指定されたデータに記載されたすべての補正処理が完了したと判断した場合には、補正処理をすべて完了し、終了する。
【０１７５】
次に、図９を用いて、傷の基本判定レベルに対し、画面内の実質的な電荷蓄積時間の差を補正する補正データの生成方法について述べる。
【０１７６】
たとえば、撮影された画像にて、画面上部（垂直方向の座標が小さい数字）から画面下部（垂直方向の座標が大きい数字）に読み出しを行うセンサを想定する。
【０１７７】
このセンサの場合撮影された画像の上部での実質の電荷蓄積時間は、設定された電荷蓄積時間とほぼ等しい。しかしながら撮影画面の下部での実質の電荷蓄積時間は、設定された電荷蓄積時間に加え、その行までの読み出し時間が加算された時間となってしまう。
【０１７８】
例えば、読み出し時間と設定された電荷蓄積時間が同じになるような条件の場合、基本判定レベルは読み出しの最後の部分において適切になるように定められた値なので、読み出し先頭の部分では実質の電荷蓄積時間はその半分となるので、傷のレベルが電荷蓄積時間に比例するものと考え、判定レベルは基本判定レベルの２倍とする。
【０１７９】
同様に、以下電荷蓄積時間の差に応じて行毎に、あるいは複数の行をまとめて補正された判定レベルを得ることが可能となる。
【０１８０】
すなわち、設定された電荷蓄積時間がＴａｃｃ、全画素を読み出すのに必要な読み出し時間がＴｒｅａｄのとき、最初に読み出される画素の電荷蓄積時間はほぼＴａｃｃで、最後に読み出される画素の電荷蓄積時間は約Ｔａｃｃ＋Ｔｒｅａｄとなる。そこで傷の補正レベルとして、ラインごとに補正レベルを判定する。Ｔａｃｃ＋Ｔｒｅａｄに対応したの補正レベルがＶのとき、全ｎ行中、第ｍ行目の補正レベルを
Ｖ×（Ｔａｃｃ＋Ｔｒｅａｄ）／（Ｔａｃｃ＋（ｍ／ｎ）×Ｔｒｅａｄ）
とする。ここでｍは出荷時データに記載されるキズ画素の垂直方向の座標を示すことになる。
【０１８１】
ここで設定された判定レベルによって、出荷時データに記載された全キズ画素について判定を行い、補正すべき画素を抽出する。この画像処理装置の外部に置いて実施するフローチャートを図９に示す。
【０１８２】
まず、ステップＳ６０１にて、基本判定レベルを選択する。これは使用する条件によって異なり、たとえば図８に示すように設定される。設定された電荷蓄積時間が最も短くなるｄａｔａ１を求める場合、基本判定レベルは１００ｍＶとなる。設定される電荷蓄積時間が長くなるにつれて、小さいレベルのキズ画素の出力も大きくなるので、抽出すべきキズ画素の基本判定レベルも小さくなってくる。電荷蓄積時間が一定値以上となる条件のｄａｔａ３を求める際には、基本判定レベルは２５ｍＶとなる。
【０１８３】
次に、ステップＳ６０２にて、出荷時データから記載されているキズ画素の一個分のデータ、すなわち該キズ画素の座標、所定条件下での出力レベルを読み出す。
【０１８４】
次に、ステップＳ６０３にて、該キズ画素の座標と、ステップＳ６０１で求めた基本判定レベルから定まる判定レベルと、出荷時データに記載された出力レベルを比較する。
【０１８５】
ここで、もし出荷時データに記載された出力レベルが、ステップＳ６０３で求めた判定レベルよりも大きい場合には、ここで読み込んだキズ画素は補正処理を行う必要があるものと判断しステップＳ６０４にて抽出する。
【０１８６】
出荷時データに記載された出力レベルが、ステップＳ６０３で求めた判定レベルを超えない場合には、ここで読み込んだキズ画素は補正処理を行う必要がないものと判断し、ステップＳ６０５に進む。
【０１８７】
次に、ステップＳ６０５にて出荷時データに記載されたデータのすべてに対し処理が終わったかどうかを判定し、終了していたらステップＳ６０６にて、抽出したキズ画素のデータを、画像処理装置内部のメモリに書き込み可能な形式への変換処理を行う。出荷時データの全データに対しての抽出処理が終了していなかったら、出荷時データに記載された次のキズ画素の処理に移るべくステップＳ６０２へ進み、次のキズアドレスの処理に移る。
【０１８８】
こうして得られた書き込み可能なデータをｄａｔａ１〜ｄａｔａ３と名づけ、画像処理装置内の所定のメモリ領域に書き込むことで、キズ画素の補正処理が可能となる。
【０１８９】
以上説明したように、本実施形態では、従来のように全画素に対して判定レベルＶで補正処理を行う場合に比べて、読み出し開始位置に近い方向では傷の判定レベルが高くなり、相対的により大きなレベルの傷のみを補正することになり、画面全体では補正すべき傷の個数が大幅に減少する。
【０１９０】
特に読み出し時間に比較し、設定された電荷蓄積時間が大幅に短い場合には、補正すべき傷の個数の大幅な減少する。
【０１９１】
また、本実施形態においては、補正すべきキズ画素の判定は撮影時に行うのではなく、事前に画像処理装置にデータを書き込む前に行っているので、判定時間の余裕はあるので、かなり詳細に演算を行うことも可能である。
【０１９２】
短秒時に使用する補正データは画面内における蓄積時間の差の影響が大きく、画面内の読み出し先頭部分の方には補正すべきキズが少なく、読み出し最後の方の部分に補正すべきキズが多く配置されるようなデータとなっている。一方長秒域で用いられる補正データでは、画面内の蓄積時間の差の影響が小さいため、画面内で補正すべきキズの分布に余り大きな差はない。
【０１９３】
したがって、本実施形態において効果が最も得られるのはシャッターが最も短秒時となる領域である。
【０１９４】
（第２の実施形態）
図９に示すような、出荷時データからキズ画素を抽出する演算処理を簡略にする必要がある場合、たとえば画像処理装置内で出荷時データに相当するような、傷の検出から行うような場合には、読み出し方向を複数ブロックに分割し、各ブロックごとに同じように演算し適切なレベルの判定を行っても良い。
【０１９５】
例えば、画面内を４分割した場合の判定レベルの模式図を、第１の実施形態における判定レベルと比較し、図１３に示す。ここでは基本判定レベルを１００ｍＶとしている。
【０１９６】
すなわち、画面上部から先に読み出す撮像素子において、垂直方向上部はより大きなレベルのキズ画素のみ補正すればよい。複数の領域に分割する場合、第一の実施形態において示される判定値（点線で示す）を超えないような判定値を設定すればよい。
【０１９７】
最も有効な値としては、基本判定レベルがＶであるとき、画面内の読み出し開始部分から先頭１／４の行数に着いては１／４行目の判定レベルである、
Ｖ×（Ｔａｃｃ＋Ｔｒｅａｄ）／（Ｔａｃｃ＋（１／４）×Ｔｒｅａｄ）
同様に１／４行目から１／２までは、
Ｖ×（Ｔａｃｃ＋Ｔｒｅａｄ）／（Ｔａｃｃ＋（１／２）×Ｔｒｅａｄ）
１／２行目から３／４行目までは、
Ｖ×（Ｔａｃｃ＋Ｔｒｅａｄ）／（Ｔａｃｃ＋（３／４）×Ｔｒｅａｄ）
そして３／４行目から読み出し順の最後の部分までが
Ｖ
というレベルにて補正を行う。
【０１９８】
このような処理を行うことで、判定すべきレベルをキズ画素ごとに演算で求める必要はなく、キズ画素の垂直方向の座標がどの領域に入るのかを判定すれば比較レベルが求まるので、演算の負荷を大幅に減少させることが可能となる。
【０１９９】
この場合のフローチャートを図１１に示す。まず、ステップＳ７０１にて、基本判定レベルを選択する。これは使用する条件によって異なり、たとえば図８に示すように設定される。
【０２００】
次に、ステップＳ７０２にて、出荷時データから記載されているキズ画素の一個分のデータ、すなわち、該キズ画素の座標、所定条件下での出力レベルを読み出す。
【０２０１】
次に、該キズ画素の垂直方向の座標がどの領域に含まれるのかを判定する。
【０２０２】
ステップＳ７０２においては垂直方向の座標が画面内の上部１／４の領域に入っているかどうかを判定する。この領域のキズ画素であればステップＳ７０４に進み、この領域の判定値は、
Ｖ×（Ｔａｃｃ＋Ｔｒｅａｄ）／（Ｔａｃｃ＋（１／４）×Ｔｒｅａｄ）
となる。次に、ステップＳ７１０にて、出荷時データに記載された読み出した出力レベルとステップＳ７０４で求めた判定レベルを比較する。
【０２０３】
同様に、ステップＳ７０５においては、垂直方向の座標が画面内の上部１／４から１／２の領域に入っているかどうかを判定する。この領域のキズ画素であればステップＳ７０６に進み、この領域の判定値は、
Ｖ×（Ｔａｃｃ＋Ｔｒｅａｄ）／（Ｔａｃｃ＋（１／２）×Ｔｒｅａｄ）
となる。次にステップＳ７１０にて、出荷時データに記載され読み出した出力レベルとステップＳ７０６で求めた判定レベルを比較する。
【０２０４】
同様にステップＳ７０７においては、垂直方向の座標が画面内の上部１／２から３／４の領域に入っているかどうかを判定する。この領域のキズ画素であればステップＳ７０８に進み、この領域の判定値は、
Ｖ×（Ｔａｃｃ＋Ｔｒｅａｄ）／（Ｔａｃｃ＋（３／４）×Ｔｒｅａｄ）
となる。次にステップＳ７１０にて、出荷時データに記載され読み出した出力レベルとステップＳ７０８で求めた判定レベルを比較する。
【０２０５】
最後に、ステップＳ７０７においては、垂直方向の座標が画面内の上部３／４から下の領域のキズ画素であればステップＳ７０９にすすみ、この領域の判定値は
Ｖ
となる。次にステップＳ７１０にて、出荷時データに記載され読み出した出力レベルとステップＳ７０９で求めた判定レベルを比較する。
【０２０６】
ここで、もしステップＳ７１０にて、出荷時データに記載された出力レベルが、ステップＳ７０４、Ｓ７０６、Ｓ７０８、Ｓ７０９で求めた判定レベルよりも大きい場合には、ここで読み込んだキズ画素は補正処理を行う必要があるものと判断し、ステップＳ７１１にて抽出する。出荷時データに記載された出力レベルが、ステップＳ７０４、Ｓ７０６、Ｓ７０８、Ｓ７０９で求めた判定レベルを超えない場合には、ここで読み込んだキズ画素は補正処理を行う必要がないものと判断し、ステップＳ７１２に進む。次にステップＳ７１２にて出荷時データに記載されたデータのすべてに対し処理が終わったかどうかを判定し、終了していたら、ステップＳ７１３にて抽出したキズ画素のデータを、画像処理装置内部のメモリに書き込み可能な形式への変換処理を行う。出荷時データの全データに対しての抽出処理が終了していなかったら、出荷時データに記載された次のキズ画素の処理に移るべく、ステップＳ７０２へ進み次のキズアドレスの処理に移る。
【０２０７】
このような処理を行うことで、出荷時データに記載されたキズ画素すべてについて判定値を求める必要がなく、事前に求めた４つの値と、出荷時データから読み込んだ出力データを比較するだけの処理となり、大幅に演算処理を削減することが可能となる。
【０２０８】
ここでの処理は４分割に限らないが、分割数を小さくすればより演算処理に要する負荷を低減することが可能となり、一方分割数を大きくすれば、より適切なキズ画素の抽出が可能となることはいうまでもない。
【０２０９】
（他の実施形態）
上記実施形態の説明において、電荷蓄積時間を用いて、キズ補正データを選択するテーブルを設定したが、これに限るものでは無く、例えばＩＳＯ感度、温度等の条件を付加し、テーブルを構成するようにしてもよい。
【０２１０】
また、上記実施形態の説明に於いては、ミラー１３０をミラーアップ位置、ミラーダウン位置に移動して撮影動作を行うとして説明したが、ミラー１３０をハーフミラーの構成として、移動せずに撮影動作を行う様にしても問題ない。
【０２１１】
なお、記録媒体２００及び２１０は、ＰＣＭＣＩＡカードやコンパクトフラッシュ（登録商標）等のメモリカード、ハードディスク等だけでなく、マイクロＤＡＴ、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲやＣＤ−ＷＲ等の光ディスク、ＤＶＤ等の相変化型光ディスク等で構成されていても勿論問題無い。
【０２１２】
また、記録媒体２００及び２１０がメモリカードとハードディスク等が一体となった複合媒体であっても勿論問題無い。さらに、その複合媒体から一部が着脱可能な構成としても勿論問題無い。
【０２１３】
そして、記録媒体２００及び２１０は画像処理装置１００と分離していて任意に接続可能なものとして説明したが、いずれか或いは全ての記録媒体が画像処理装置１００に固定したままとなっていても勿論問題無い。
【０２１４】
また、画像処理装置１００に記録媒体２００或いは２１０が、単数或いは複数の任意の個数接続可能な構成であっても構わない。
【０２１５】
そして、画像処理装置１００に記録媒体２００及び２１０が装着する構成として説明したが、記録媒体は単数或いは複数の何れの組み合わせの構成であっても、勿論問題無い。
【０２１６】
補正データは出荷時データをもとに、画像処理装置の外部で生成する構成として説明したが、画像処理装置自身で生成する構成であっても良い。
【０２１７】
また、画像処理装置で撮影したダーク画像から、画像処理装置内でキズ画素を検出し、上記実施形態で説明したように補正データを生成する構成であっても良く、その場合にも上記実施形態のフローチャートがそのまま適用できることは言うまでもない。
【０２１８】
補正データは電源投入時に不揮発性メモリからシステム制御回路５０の内蔵メモリに展開されていてもよい。
【０２１９】
上記実施形態では、補正しているキズは白点画素のみであるが、他の種別のキズ画素はすべての条件下で補正することが望ましい。その場合、これらの他の種別のキズ画素のアドレスに関する情報も、それぞれの補正データに記載する必要があり、この処理は、画像処理装置の外部で補正データを生成する際に対応可能である。
【０２２０】
また、上記第２の実施形態における領域の分割は撮影画面内を等間隔に分割する必要はなく、不等間隔であってもかまわない。
【０２２１】
上記各実施形態においては、デジタルカメラを例に本発明を説明したが、デジタルビデオムービーカメラやカメラ付き携帯端末等、他の装置やシステムにおいても本発明を適用可能であることは言うまでもない。
【０２２２】
また、本発明に係る処理を、パーソナルコンピュータ等、情報処理装置において実行するソフトウェア処理として実現してもよいことは言うまでもない。
【０２２３】
すなわち、本発明は、前述した実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記憶した記憶媒体をシステムあるいは装置に供給し、そのシステムあるいは装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出し実行することによっても、完成されることは言うまでもない。
【０２２４】
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が前述した実施形態の機能を実現することになり、そのプログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭを用いることができる。また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、前述した実施形態の機能が実現されるだけではなく、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳなどが実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって前述した実施形態の機能が実現される場合も含まれることは言うまでもない。
【０２２５】
さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書きもまれた後、次のプログラムコードの指示に基づき、その拡張機能を拡張ボードや拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが処理を行って実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって前述した実施形態の機能が実現される場合も含まれることは言うまでもない。
【０２２６】
また、このような記憶媒体を含む装置をネットワーク上に配置させておき、記憶媒体に記憶されたプログラムをネットワークを介して所定の装置へダウンロードし、ダウンロードしたプログラムを実行することによっても、本発明の上記実施形態の機能が実現されることは言うまでもない。
【０２２７】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、補正すべき欠陥画素に対し、補正する個数を適切に選択することが可能となり、欠陥画素の補正不足、あるいは過補正に対する画質の低下を避ける効果がある。
【０２２８】
また、これによりメモリ等のシステムリソースの増大や、制御ソフトウェアの複雑化を招くことなく、高速で高性能な欠陥画素に対する補正処理を実現できる効果がある。
【０２２９】
また、補正すべき欠陥画素に対し、補正する個数を撮影条件、撮影環境に応じてより適切に選択することが可能となり、欠陥画素の補正不足、あるいは過補正に対する画質の低下を避ける効果がある。
【０２３０】
また、固体撮像素子はＣＭＯＳ型の撮像素子である場合においては、補正すべき欠陥画素に対し、補正する個数を、ＣＭＯＳ型の撮像素子にて生ずる実質的な蓄積時間の変化に合わせて適切に選択することが可能となり、欠陥画素の補正不足、あるいは過補正に対する画質の低下を避ける効果がある。
【０２３１】
また、前記欠陥画素の抽出の際には、前記固体撮像素子の欠陥画素の少なくとも位置情報とその出力レベルに関する情報を有する補正データの中から、該出力レベルが、前記判定値を超えるものを抽出する構成としている。これにより、補正すべき欠陥画素に対し、補正する個数を、適切に選択することが可能となり、欠陥画素の補正不足、あるいは過補正に対する画質の低下を避ける効果がある。
【０２３２】
また、電荷蓄積期間およびＩＳＯ感度棟撮影条件が変化する場合においては、補正すべき欠陥画素に対し、補正する個数を電荷蓄積時間およびＩＳＯ感度に応じてより適切に選択することが可能となり、欠陥画素の補正不足、あるいは過補正に対する画質の低下を避ける効果がある。
【０２３３】
また、撮影環境における温度が変化する場合においては、補正すべき欠陥画素に対し、補正する個数を温度に応じてより適切に選択することが可能となり、欠陥画素の補正不足、あるいは過補正に対する画質の低下を避ける効果がある。
【０２３４】
また、欠陥画素が白キズである場合においては、補正すべき欠陥画素、特に白キズに対し、補正する個数を適切に選択することが可能となり、欠陥画素の補正不足、あるいは過補正に対する画質の低下を避ける効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に関る画像処理装置の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施形態における主ルーチンのフローチャートの一部である。
【図３】本発明の実施形態における主ルーチンのフローチャートの一部である。
【図４】本発明の実施形態における測距・測光処理ルーチンのフローチャートである。
【図５】本発明の実施形態における撮影処理ルーチンのフローチャートである。
【図６】本発明の実施形態におけるキズ補正処理ルーチンのフローチャートである。
【図７】本発明の実施形態におけるキズ補正処理で使用する補正データの選択方法を示すフローチャートである。
【図８】本発明の実施形態におけるキズ補正処理で用いる補正データの選択方法およびその内容を示す図である。
【図９】本発明の第１の実施形態における補正データの抽出方法を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の第１の実施形態と、第２の実施形態における判定値を比較する図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態における補正データの抽出方法を示すフローチャートである。
【図１２】ＣＣＤ型撮像素子の構成を示す図である。
【図１３】ＣＭＯＳ型撮像素子の駆動シーケンスを示すタイミングチャートである。
【図１４】ＣＭＯＳ型撮像素子の画面内における実質的な蓄積時間の差を示す図である。
【符号の説明】
１４  撮像素子
２０  画像処理回路
５０  システム制御回路
１００  画像処理装置
【図１】
2005026794.tif 000003
【図２】
2005026794.tif 000004
【図３】
2005026794.tif 000005
【図４】
2005026794.tif 000006
【図５】
2005026794.tif 000007
【図６】
2005026794.tif 000008
【図７】
2005026794.tif 000009
【図８】
2005026794.tif 000010
【図９】
2005026794.tif 000011
【図１０】
2005026794.tif 000012
【図１１】
2005026794.tif 000013
【図１２】
2005026794.tif 000014
【図１３】
2005026794.tif 000015
【図１４】
2005026794.tif 000016