(57)【要約】【課題】コントラスト及び鮮鋭性に非常に優れた放射線像変換パネルを提供する。【解決手段】放射線像変換パネルは、支持体１１上に気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層１２を備えており、この輝尽性蛍光体層１２の下面から支持体１１側に向けて０ｍｍ〜３．０ｍｍの距離に、５０μｍ〜３００μｍの膜厚を有するＰｂ層１５を設ける。【選択図】図１
2005164535.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を備えた放射線像変換パネルにおいて、
前記輝尽性蛍光体層の下面から前記支持体側に向けて０ｍｍ〜３．０ｍｍの距離に、５０μｍ〜３００μｍの膜厚を有するＰｂ層を設けることを特徴とする放射線像変換パネル。
【請求項２】
前記輝尽性蛍光体層の膜厚が３００μｍ〜８００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の放射線像変換パネル。
【請求項３】
前記輝尽性蛍光体層は、下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線像変換パネル。
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’2・ｂＭ3Ｘ”3：ｅＡ
［式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＭ1以外のＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ3はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙからなる群から選ばれる少なくとも一種の希土類元素であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持体上に気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を備えた放射線像変換パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、放射線画像を得るために銀塩を使用した、いわゆる放射線写真法が利用されているが、銀塩を使用しないで放射線像を画像化する方法が開発されている。すなわち、被写体を透過した放射線を輝尽性蛍光体に吸収させ、その後、この輝尽性蛍光体をある種のエネルギーで励起してこの輝尽性蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射させ、この蛍光を検出して画像化する方法が開示されている。
具体的な方法としては、支持体上に輝尽性蛍光体層を設けたパネルを用い、励起エネルギーとして可視光線及び赤外線の一方又は両方を用いる放射線画像変換方法が知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、近年、高輝度、高感度、高鮮鋭性の輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換方法として、ＣｓＢｒなどのハロゲン化アルカリを母体にＥｕを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルが提案されている。特にＥｕを賦活剤とすることで、従来不可能であったＸ線変換効率の向上が可能になるとされている。
【０００４】
また、診断画像の解析においてより高鮮鋭性の放射線画像変換パネルが要求されており、鮮鋭性改善のための手段として、例えば形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールし感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされている。
これらの試みの１つとして、例えば、気相堆積法によって支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルが提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】米国特許第３，８５９，５２７号明細書
【特許文献２】特開平２−５８０００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献２に記載の柱状結晶を有する輝尽性蛍光体層において、柱状結晶間には空隙があるため、その空隙を透過した輝尽性蛍光体層に補足されていない高エネルギーのＸ線がパネル後方にて散乱して後方散乱Ｘ線を生じ、再び放射線像変換パネルに吸収されることがある。そのため、コントラスト及び鮮鋭性の悪化を招き、診断能を損なうことが問題とされている。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、コントラスト及び鮮鋭性に非常に優れた放射線像変換パネルを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、支持体上に気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を備えた放射線像変換パネルにおいて、
前記輝尽性蛍光体層の下面から前記支持体側に向けて０ｍｍ〜３．０ｍｍの距離に、５０μｍ〜３００μｍの膜厚を有するＰｂ層を設けることを特徴とする。
【０００７】
請求項１の発明によれば、輝尽性蛍光体層の下面から支持体側に向けて０ｍｍ〜３．０ｍｍの距離に、５０μｍ〜３００μｍの膜厚を有するＰｂ層を設けるので、輝尽性蛍光体層の柱状結晶間における空隙を透過し輝尽性蛍光体層に捕捉されていない高エネルギーのＸ線をＸ線吸収率の高いＰｂ層によって吸収する、若しくはＸ線がパネル後方にて散乱することによって後方散乱Ｘ線が生じた場合に、Ｘ線吸収率の高いＰｂ層によって、後方散乱Ｘ線が、再び支持体の裏面側から輝尽性蛍光体層に向かうことを遮蔽し除去することができる。このように、輝尽性蛍光体層に後方散乱Ｘ線が吸収されるのを防げるので、後方散乱Ｘ線によるコントラスト及び鮮鋭性の悪化を防止することができ、放射線画像を格段に向上させることができる。
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１に記載の放射線像変換パネルにおいて、
前記輝尽性蛍光体層の膜厚が３００μｍ〜８００μｍであることを特徴とする。
【０００９】
請求項２の発明によれば、輝尽性蛍光体層の膜厚が３００μｍ〜８００μｍであるので、必要とされる放射線吸収量を満たすことができ、輝度、鮮鋭性及びコントラストに優れた画質を得ることができる。
【００１０】
請求項３の発明は、請求項１又は２に記載の放射線像変換パネルにおいて、
前記輝尽性蛍光体層は、下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有していることを特徴とする。
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’2・ｂＭ3Ｘ”3：ｅＡ
［式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＭ1以外のＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ3はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙからなる群から選ばれる少なくとも一種の希土類元素であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。］
【００１１】
請求項３の発明によれば、輝尽性蛍光体層が上記一般式（１）で表されるハロゲン化アルカリを母体としているので、高感度、高精鋭性を両立する輝尽性蛍光体層とすることができ、放射線画像の画質を格段に向上させることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る放射線像変換パネルによれば、輝尽性蛍光体層の下面から支持体側に向けて０ｍｍ〜３．０ｍｍの距離に、５０μｍ〜３００μｍの膜厚を有するＰｂ層を設けるので、Ｘ線吸収率の高いＰｂ層によって、後方散乱Ｘ線を、再び、支持体の裏面側から輝尽性蛍光体層に向かうことを遮蔽し除去することができる。よって、後方散乱Ｘ線によるコントラスト及び鮮鋭性の悪化を防止することができ、放射線画像を格段に向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明に係る放射線像変換パネルについて詳細に説明する。
本発明の放射線像変換パネルは、図１に示すように支持体１１と、該支持体１１上に形成されて輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層１２とを備えている。また、必要に応じて輝尽性蛍光体層１２を保護する保護層（図示しない）が設けられている。なお、輝尽性蛍光体層１２において、輝尽性蛍光体の柱状結晶１３間には間隙１４が形成されている。
そして、本発明者等は、輝尽性蛍光体層１２の下面から支持体１１側に向けて０ｍｍ〜３．０ｍｍの距離に、膜厚５０μｍ〜３００μｍのPｂ層１５を配置することにより、コントラスト及び鮮鋭性に優れた放射線像変換パネルとすることができることを見いだした。
【００１４】
輝尽性蛍光体層１２の下面から支持体１１側に向けて０ｍｍ〜３．０ｍｍの距離とは、例えば、支持体１１の裏面にＰｂ層１５を設けたり、支持体１１自体をＰｂ層としても良い。さらには、支持体１１と輝尽性蛍光体層１２との間にＰｂ層を設けても良い。この場合、Ｐｂ層が輝尽性蛍光体層１２の下面から３．０ｍｍ内に配置されるように支持体１１の膜厚を調整する必要がある。なお、図１は、支持体１１の裏面にＰｂ層１５を設けた場合である。
【００１５】
ここで、Ｐｂ層を設ける範囲を上記範囲としたのは、輝尽性蛍光体層の下面から３．０ｍｍを越える範囲に設けると、輝尽性蛍光体層とＰｂ層との間における空間が大きくなり、該空間にて、柱状結晶間にある間隙を透過した輝尽性蛍光体層に捕捉されていない高エネルギーのＸ線が散乱することにより散乱Ｘ線が生じやすくなるため、後方散乱Ｘ線によるコントラスト及び鮮鋭性の悪化を防止することができないからである。
【００１６】
また、配置するＰｂ層としては、例えばシート状のＰｂ箔等が挙げられ、支持体の裏面や上面に接着剤や両面テープ等により貼り付けることが好ましい。このようなＰｂ層は、柱状結晶間にある空隙を透過した輝尽性蛍光体層に補足されていない高エネルギーのＸ線がパネル後方にて散乱して後方散乱Ｘ線を生じ、この後方散乱Ｘ線のうち支持体の裏面側から輝尽性蛍光体層に向かう散乱線を吸収するために設けられている。
【００１７】
本発明で使用される支持体は、従来の放射線像変換パネルの支持体として公知の材料から任意に選ぶことができるが、気相堆積法により蛍光体層を形成する際の支持体となる場合には、石英ガラスシート、アルミニウム、鉄、スズ、クロムなどからなる金属シート及び炭素繊維強化シートが好ましい。
また、支持体には、その表面を平滑な面とするために樹脂層を有することが好ましい。
樹脂層は、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、パラフィン、グラファイト等の化合物を含有することが好ましく、その膜厚は、約５μｍ〜５０μｍであることが好ましい。この樹脂層は、支持体の表面に設けても裏面に設けても両面に設けても良い。
また、支持体上に樹脂層を設ける手段としては、貼合法、塗設法等の手段が挙げられる。
貼合は加熱、加圧ローラを用いて行い、加熱条件としては約８０〜１５０℃が好ましく、加圧条件としては４．９０×１０〜２．９４×１０2Ｎ／ｃｍ、搬送速度は０．１〜２．０ｍ／秒が好ましい。
【００１８】
本発明の輝尽性蛍光体層の膜厚は、放射線像像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から５０μｍ〜２０００μｍであり、好ましくは５０μｍ〜１０００μｍであり、さらに好ましくは３００μｍ〜８００μｍである。
輝尽性蛍光体層の膜厚を３００μｍ〜８００μｍとするのが最も好ましい理由は、膜厚が３００μｍ未満と薄い場合には、放射線吸収量が少なく透過量が多くなり、得られた放射線画像の画質が低下してしまうためである。一方、膜厚が８００μｍより厚い場合には、輝尽発光成分の散乱が大きくなるため、画質低下、特に鮮鋭性低下を招くこととなるためである。
【００１９】
また、輝尽性蛍光層は、下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有している。
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’2・ｂＭ3Ｘ”3：ｅＡ
［式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＭ1以外のＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ3はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙからなる群から選ばれる少なくとも一種の希土類元素であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。］
【００２０】
上記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体において、Ｍ1は、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ等の各原子から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属原子を表し、中でもＲｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子が好ましく、さらに好ましくはＣｓ原子である。
【００２１】
Ｍ2は、Ｍ1以外のＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属原子を表し、中でもＮａ、Ｋ、Ｒｂの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子が好ましい。
【００２２】
Ｍ3はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属原子を表し、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｌａ、Ｇｄ及びＬｕ等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。
【００２３】
Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙからなる群から選ばれる少なくとも一種の希土類元素であり、中でも好ましくはＥｕ原子である。
【００２４】
輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも一種のハロゲン原子を表すが、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒから選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が好ましく、Ｂｒ原子が更に好ましい。
【００２５】
また、一般式（１）において、ｂ値は０≦ｂ＜０．５であるが、好ましくは、０≦ｂ＜１０-2である。
【００２６】
本発明の一般式（１）で表される輝尽性蛍光体は、例えば以下に述べる方法により製造される。
蛍光体原料としては、
（ａ）ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩから選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物が用いられる。
【００２７】
（ｂ）ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｇＩ2、ＣａＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＢｒ2、ＣａＩ2、ＳｒＦ2、ＳｒＣｌ2、ＳｒＢｒ2、ＳｒＩ2、ＢａＦ2、ＢａＣＩ2、ＢａＢｒ2、ＢａＢｒ2・２Ｈ2Ｏ、ＢａＩ2、ＺｎＦ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、ＣｄＦ2、ＣｄＣｌ2、ＣｄＢｒ2、ＣｄＩ2、ＣｕＦ2、ＣｕＣｌ2、ＣｕＢｒ2、ＣｕＩ、ＮｉＦ2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＢｒ2及びＮｉＩ2の化合物から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の化合物が用いられる。
【００２８】
（ｃ）前記一般式（１）において、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇ等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。
【００２９】
上記の数値範囲の混合組成になるように前記（ａ）〜（ｃ）の蛍光体原料を秤量し、純水にて溶解する。
この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合しても良い。
次に、得られた水溶液のｐＨ値Ｃを０＜Ｃ＜７に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。
次に、得られた原料混合物を石英ルツボあるいはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。焼成温度は５００〜１０００℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、０．５〜６時間が好ましい。
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。
【００３０】
なお、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば輝尽性蛍光体の発光輝度を更に高めることができ、また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の輝尽性蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気もしくは中性雰囲気のままで冷却しても良い。
【００３１】
また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気もしくは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた輝尽性蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができ好ましい。
【００３２】
また、本発明の輝尽性蛍光体層は気相堆積法によって形成される。
輝尽性蛍光体の気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、その他を用いることができるが、本発明では特に蒸着法が好ましい。
【００３３】
以下、本発明に好適な蒸着法について説明する。なお、ここでは図２に示す蒸着装置を使用して支持体に輝尽性蛍光体を蒸着するので、蒸着装置の説明とともに説明する。
図２に示すように、蒸着装置１は、真空容器２と、該真空容器２内に設けられて支持体１１に蒸気を蒸着させる蒸着源３と、支持体１１を保持する支持体ホルダ４と、該支持体ホルダ４を蒸着源３に対して回転させることによって該蒸着源３からの蒸気を蒸着させる支持体回転機構５と、真空容器２内の排気及び大気の導入を行う真空ポンプ６等を備えている。
【００３４】
蒸着源３は、輝尽性蛍光体を収容して抵抗加熱法で加熱するため、ヒータを巻いたアルミナ製のるつぼから構成しても良いし、ボートや、高融点金属からなるヒータから構成しても良い。また、輝尽性蛍光体を加熱する方法は、抵抗加熱法以外に電子ビームによる加熱や、高周波誘導による加熱等の方法でも良いが、本発明では、比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、かつ、非常に多くの物質に適用可能である点から抵抗加熱法が好ましい。また、蒸着源３は分子源エピタキシャル法による分子線源でも良い。
【００３５】
支持体回転機構５は、例えば、支持体ホルダ４を支持するとともに支持体ホルダ４を回転させる回転軸５aと、真空容器２外に配置されて回転軸５aの駆動源となるモータ（図示しない）等から構成されている。
また、真空容器２内には、支持体１１を加熱する支持体表面温度制御ヒータ７が設けられている。支持体１１を加熱することによって、支持体１１表面の吸着物を離脱・除去し、支持体１１表面と輝尽性蛍光体との間に不純物層の発生を防いだり、密着性の強化や輝尽性蛍光体層の膜質調整を行うことができる。
さらに、支持体１１と蒸着源３との間に、蒸着源３から支持体１１に至る空間を遮断するシャッタ（図示しない）を備えるようにしても良い。シャッタによって輝尽性蛍光体の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着の初期段階で蒸発し、支持体１１に付着するのを防ぐことができる。
【００３６】
このように構成された蒸着装置１を使用して、支持体１１に輝尽性蛍光体層を形成するには、まず、支持体ホルダ４に支持体１１を取り付ける。
次いで、真空容器２内を真空排気する。その後、支持体回転機構５により支持体ホルダ４を蒸着源３に対して回転させ、蒸着可能な真空度に真空容器２が達したら、加熱された蒸着源３から輝尽性蛍光体を蒸発させて、支持体１１表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。この場合において、支持体１１と蒸着源３との距離ｄ1は、１００ｍｍ〜１５００ｍｍに設置するのが好ましい。また、図２では、蒸着源３は、支持体１１の平面方向と、支持体１１中心と蒸着源３の中心とを結ぶ法線とが直交するように配置しているが、これに限らず支持体１１の平面方向と、支持体１１中心と蒸着源３の中心とを結ぶ法線とによって形成される角度を適宜変更して所望の位置に配置しても構わない。
【００３７】
なお、蒸着源として使用する輝尽性蛍光体は、加圧圧縮によりタブレットの形状に加工しておくことが好ましい。
また、輝尽性蛍光体の代わりにその原料もしくは原料混合物を用いても構わない。
【００３８】
さらに、ここでは、図１に示すように結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層１２が形成されるが、柱状結晶１３の間に形成された間隙１４に結着剤等の充填物を充填しても良く、輝尽性蛍光体層１２の補強となるほか、高光吸収の物質、高光反射の物質を充填しても良い。これにより補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層１２に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効である。
【００３９】
また、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。さらに、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
【００４０】
また、蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて、被蒸着体（支持体、保護層又は中間層）を冷却あるいは加熱しても良い。
さらに、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理しても良い。また、蒸着法においては必要に応じてＯ2、Ｈ2等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行っても良い。
【００４１】
上記の気相堆積法による輝尽性蛍光体層の形成にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される支持体の温度は、室温（ｒｔ）〜３００℃に設定することが好ましく、さらに好ましくは５０〜２００℃である。
【００４２】
以上のようにして、輝尽性蛍光体層を形成した後、必要に応じて輝尽性蛍光体層の支持体とは反対の側に保護層を設けることにより本発明の放射線像変換パネルを製造する。保護層は、保護層用の塗布液を輝尽性蛍光体層の表面に直接塗布して形成もよいし、また、予め別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層に接着してもよい。
【００４３】
保護層の材料としては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体などの通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層として用いることもできる。
【００４４】
また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3等の無機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は０．１μｍ〜２０００μｍが好ましい。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の実施態様はこれに限定されるものではない。
下記の方法にしたがって実施例１〜実施例８、比較例１〜比較例３の放射線像変換パネルを作製した。
［実施例１］
（放射線像変換パネルの作製）
図２に示す蒸着装置１を用いて、輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）からなる柱状結晶構造の輝尽性蛍光体層を支持体の片面に形成した。
支持体としては、５００ｍｍ×５００ｍｍのＣＦＲＰ支持体を使用した。
まず、上記蛍光体原料を蒸着材料として抵抗加熱ルツボに充填し、また回転する支持体ホルダ４に支持体１１を設置した。また、支持体１１の平面方向と、支持体１１中心と蒸着源３の中心を結ぶ法線とが直交するように蒸着源３を配置し、さらに、支持体１１と蒸着源３との距離ｄ1を６００ｍｍに調節した。
続いて蒸着装置１内を一旦排気し、Ａｒガスを導入して１．０×１０-2Ｐａに真空度を調整した後、１０ｒｐｍの速度で支持体１１を回転しながら支持体１１の温度を１００℃に保持した。次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して輝尽性蛍光体を蒸着し、輝尽性蛍光体層の膜厚が３００μｍとなったところで蒸着を終了させた。
このように形成したサンプルにおいて、輝尽性蛍光体層が形成されている支持体１１面の裏側に、輝尽性蛍光体層の下面からの距離が１．０ｍｍとなるように厚さ５０μｍのＰｂ箔を貼り付けることにより放射線像変換パネル試料を作製した。
【００４６】
［実施例２］
輝尽性蛍光体層の下面からの距離が１．０ｍｍとなるように厚さ１００μｍのＰｂ箔を貼り付けた以外は、実施例１と同様にして膜厚３００μｍの輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルを作製した。
【００４７】
［実施例３］
輝尽性蛍光体層の下面からの距離が１．０ｍｍとなるように厚さ２００μｍのＰｂ箔を貼り付けた以外は、実施例１と同様にして膜厚３００μｍの輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルを作製した。
【００４８】
［実施例４］
輝尽性蛍光体層の下面からの距離が１．０ｍｍとなるように厚さ３００μｍのＰｂ箔を貼り付けた以外は、実施例１と同様にして膜厚３００μｍの輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルを作製した。
【００４９】
［実施例５］
輝尽性蛍光体層の下面からの距離が３．０ｍｍとなるように厚さ３００μｍのＰｂ箔を貼り付けた以外は、実施例１と同様にして膜厚３００μｍの輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルを作製した。
【００５０】
［実施例６］
輝尽性蛍光体層の下面からの距離が１．０ｍｍとなるように厚さ５０μｍのＰｂ箔を貼り付け、さらに、輝尽性蛍光体層の膜厚を５００μｍとした以外は、実施例１と同様にして放射線像変換パネルを作製した。
【００５１】
［実施例７］
輝尽性蛍光体層の下面からの距離が１．０ｍｍとなるように厚さ５０μｍのＰｂ箔を貼り付け、さらに、輝尽性蛍光体層の膜厚を８００μｍとした以外は、実施例１と同様にして放射線像変換パネルを作製した。
【００５２】
［実施例８］
輝尽性蛍光体層の下面からの距離が１．０ｍｍとなるように厚さ５０μｍのＰｂ箔を貼り付け、さらに、輝尽性蛍光体層の膜厚を１０００μｍとした以外は、実施例１と同様にして放射線像変換パネルを作製した。
【００５３】
［比較例１］
輝尽性蛍光体層下層からの距離が５．０ｍｍとなるように厚さ３００μｍのＰｂ箔を貼り付けた以外は、実施例１と同様にして膜厚３００μｍの輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルを作製した。
【００５４】
［比較例２］
輝尽性蛍光体層の下面からの距離が１．０ｍｍとなるように厚さ１０μｍのＰｂ箔を貼り付けた以外は、実施例１と同様にして膜厚３００μｍの輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルを作製した。
【００５５】
［比較例３］
輝尽性蛍光体層の下面からの距離が１．０ｍｍとなるように厚さ３０μｍのＰｂ箔を貼り付けた以外は、実施例１と同様にして膜厚３００μｍの輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルを作製した。
【００５６】
そして、以上のようにして得られた放射線像変換パネルについて下記のような評価を行った。
《コントラスト評価》
コントラストは、放射線像変換パネルに直径の異なる円形の鉛ディスク（５／１０／２０／４０ｍｍφ）を貼り付け、管電圧８０ｋＶｐのＸ線撮影を行い、上記と同様の方法で画像データを得た。各ディスク中心部と周辺部の信号値差（コントラスト）をコンピュータで分析し、ディスク径との近似より０ｍｍのコントラスト値を求めた。
コントラスト値は低いほど良好であることを示し、実施例１の放射線像変換パネルの値を１００として相対評価を行った。表１にその結果を示す。
【００５７】
《鮮鋭性》
鮮鋭性は、放射線像変換パネルにＭＴＦ測定用矩形波チャートｔｙｐｅ．Ｎｏ９（極光（株）製）を通して管電圧８０ｋＶｐのＸ線を照射した後、パネルを１００ｍＷの半導体レーザー（６８０ｎｍ）で走査して励起し、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を、光電子増倍管（浜松ホトニクス製：光電子増倍管Ｒ１３０５）を用いて受光して電気信号に変換し、アナログ／デジタル変換して磁気テープにより記録した。記録した磁気テープをコンピュータで分析して磁気テープに記録されているＸ線増の変調伝達関数（ＭＴＦ）値を求めた。ＭＴＦは空間周波数１サイクル（１ｐ）／ｍｍＭＴＦ％で示した。
鮮鋭性は高いほど良好であることを示し、実施例１の放射線像変換パネルの値を１００とし、相対評価を行った。表１にその結果を示す。
【００５８】
【表１】
2005164535.tif 000003
以上、表１の結果から明らかなように、輝尽性蛍光体層の下面から支持体側に向けて０ｍｍ〜３．０ｍｍの距離に、膜厚５０μｍ〜３００μｍのＰｂ箔を貼り付けた実施例１〜実施例８は、上記範囲の距離外に、上記範囲外の膜厚を有するＰｂ箔を貼り付けた比較例１〜比較例３に比して、コントラストが低く優れていた。
特に、輝尽性蛍光体層の膜厚は、実施例１〜実施例５のように３００μｍと薄い方が、５００μｍ〜１０００μｍの膜厚である実施例６〜実施例８よりも鮮鋭性が高くなるため好ましい。
したがって、輝尽性蛍光体層の下面から支持体側に向けて０ｍｍ〜３．０ｍｍの距離に、５０μｍ〜３００μｍのＰｂ箔を貼り付けることにより、コントラスト及び鮮鋭性に優れ、放射線画像の画質を格段に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】支持体上に形成した輝尽性蛍光体層の一例を示す概略断面図である。
【図２】回転方式による蒸着装置の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  蒸着装置
２  真空容器
３  蒸着源
５  支持体回転機構
７  支持体表面温度制御ヒータ
１１  支持体
１２  輝尽性蛍光体層
１５  Ｐｂ層
【図１】
2005164535.tif 000004
【図２】
2005164535.tif 000005