(57)【要約】【課題】封着処理の段階において、温度制御とこれに組み合わせた圧力制御により不純ガス等を適切に除去することができ、封着処理後のガラスパネル組立体内に残留する不純ガス等の量を低減することが可能なガラスパネル組立体の封着処理方法および封着処理炉を提供する。【解決手段】重ね合わされる一対のガラス基板間にシールフリットを介在させたガラスパネル組立体を、シールフリットを溶融化させて封着処理するに際し、内部雰囲気を強制的に流動させ、この内部雰囲気によってガラスパネル組立体をシールフリットの溶融開始温度近くの予備加熱温度Ｔ１まで加熱し、次いで、予備加熱温度を維持した状態で減圧（Ｐ１）し、次いで、内部雰囲気を強制的に流動させ、この内部雰囲気によってガラスパネル組立体を予備加熱温度から封着処理温度Ｔ２まで加熱し、その後、内部雰囲気を強制的に流動させ、この内部雰囲気によってガラスパネル組立体を冷却する。【選択図】図１
2005235660.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重ね合わされる一対のガラス基板間にシールフリットを介在させたガラスパネル組立体を、当該シールフリットを溶融化させて封着処理するに際し、
熱媒を強制的に流動させつつ、この熱媒によって上記ガラスパネル組立体を上記シールフリットの溶融開始温度近くの予備加熱温度まで加熱し、
次いで、予備加熱温度を維持した状態で減圧し、
次いで、熱媒を強制的に流動させつつ、この熱媒によって上記ガラスパネル組立体を予備加熱温度から封着処理温度まで加熱し、
その後、冷媒を強制的に流動させつつ、この冷媒によって上記ガラスパネル組立体を冷却するようにしたことを特徴とするガラスパネル組立体の封着処理方法。
【請求項２】
重ね合わされる一対のガラス基板間にシールフリットを介在させたガラスパネル組立体を搬送する搬送手段を有し、該搬送手段で該ガラスパネル組立体を搬送しつつ、当該シールフリットを融着させる封着処理を行うガラスパネル組立体の封着処理炉において、
上記搬送手段による上記ガラスパネル組立体の搬送方向に、熱媒を強制的に流動させつつ、この熱媒によって該ガラスパネル組立体を上記シールフリットの溶融開始温度近くの予備加熱温度まで加熱する予備加熱部と、予備加熱温度を維持した状態で減圧する減圧部と、熱媒を強制的に流動させつつ、この熱媒によって該ガラスパネル組立体を予備加熱温度から封着処理温度まで加熱する封着処理加熱部と、冷媒を強制的に流動させつつ、この冷媒によって該ガラスパネル組立体を冷却する冷却部とを順次連設するとともに、上記予備加熱部と上記減圧部との間および該減圧部と上記封着処理加熱部との間に、加減圧可能な圧力調整部をそれぞれ設けたことを特徴とするガラスパネル組立体の封着処理炉。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封着処理の段階において、温度制御とこれに組み合わせた圧力制御により不純ガス等を適切に除去することができ、封着処理後のガラスパネル組立体内に残留する不純ガス等の量を低減することが可能なガラスパネル組立体の封着処理方法および封着処理炉に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）の製造工程では、電極や誘電体、蛍光体、隔壁等の焼成体が形成された一対のガラス基板間に介在されることとなるシールフリットを仮焼成処理する段階と、その後、このシールフリットによりガラス基板同士を封着処理する段階とがある。
【０００３】
具体的には、仮焼成処理の段階では、一対のガラス基板の一方に、封着剤である軟質ガラスなどからなるシールフリットを塗布し、これを仮焼成炉で加熱処理して仮焼成する。次いで、シールフリットを仮焼成したガラス基板に対し、当該シールフリットを挟み込むようにして、他方のガラス基板を重ね合わせ、クリップ等のクランプ治具で一体的に固定することにより、内部に上記隔壁等の焼成体を組み込んだガラスパネル組立体が製作される。その後の封着処理の段階では、ガラスパネル組立体を封着処理炉に搬入し、シールフリットをその溶融温度以上の封着処理温度にまで加熱して一定時間保持し、これによりシールフリットを介してガラス基板同士を封着処理する。封着処理後は必要な冷却処理を行った上で、ガラスパネル組立体内部から排気する排気処理を行い、その後、発光ガスをガラスパネル組立体内部に封入することで、ＰＤＰが完成される。
【０００４】
仮焼成処理後にこの種の封着処理を行うものとして、例えば特許文献１および２の製造装置や封着炉が知られている。これら特許文献にあっては、封着処理に関し、上部ヒータや下部ヒータ、あるいは伝熱ヒータ等を備えて、所定の温度制御は実施しているものの、これら装置内部や炉内の圧力については、特段の制御を行ってはいなかった。
【特許文献１】特開平６−３６６８８号公報
【特許文献２】特開平１１−３７６６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
シールフリットはこれを加熱すると、ＰＤＰの性能に悪影響をもたらす不純ガスを放出する。この不純ガスが封着処理の際にガラスパネル組立体内に侵入してしまうことを防止するために、封着処理の前に予めシールフリットを仮焼成処理することとし、これによりシールフリットから放出される相当量の不純ガスを除去するようにしている。
【０００６】
このように封着処理の前段階で、事前に不純ガスを除去する操作がなされてはいるものの、封着処理の際、シールフリットをさらに高温の封着処理温度へ昇温していく過程あるいはこの封着処理温度に一定時間保持する過程で、シールフリット表面の凹凸部に付着していたり、そのポーラス部に残留している分解ガス等の不純ガスがさらに放出され、これがガラス基板間に侵入してしまうこととなっていた。また、シールフリットからの不純ガスだけでなく、空気や隔壁等の焼成体から放出された不純ガスもガラスパネル組立体の内部に残留していた。ガラスパネル組立体内部に残存する不純ガス等の量が多いと、後工程のガラスパネル組立体に対する排気処理に長時間を要するとともに、完成されたＰＤＰにあっては、不純ガス等の再度の放出によって発光状態が劣化するおそれがあるという課題があった。
【０００７】
本発明は上記従来の課題に鑑みて創案されたものであって、封着処理の段階において、温度制御とこれに組み合わせた圧力制御により不純ガス等を適切に除去することができ、封着処理後のガラスパネル組立体内に残留する不純ガス等の量を低減することが可能なガラスパネル組立体の封着処理方法および封着処理炉を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明にかかるガラスパネル組立体の封着処理方法は、重ね合わされる一対のガラス基板間にシールフリットを介在させたガラスパネル組立体を、当該シールフリットを溶融化させて封着処理するに際し、熱媒を強制的に流動させつつ、この熱媒によって上記ガラスパネル組立体を上記シールフリットの溶融開始温度近くの予備加熱温度まで加熱し、次いで、予備加熱温度を維持した状態で減圧し、次いで、熱媒を強制的に流動させつつ、この熱媒によって上記ガラスパネル組立体を予備加熱温度から封着処理温度まで加熱し、その後、冷媒を強制的に流動させつつ、この冷媒によって上記ガラスパネル組立体を冷却するようにしたことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明にかかるガラスパネル組立体の封着処理炉は、重ね合わされる一対のガラス基板間にシールフリットを介在させたガラスパネル組立体を搬送する搬送手段を有し、該搬送手段で該ガラスパネル組立体を搬送しつつ、当該シールフリットを融着させる封着処理を行うガラスパネル組立体の封着処理炉において、上記搬送手段による上記ガラスパネル組立体の搬送方向に、熱媒を強制的に流動させつつ、この熱媒によって該ガラスパネル組立体を上記シールフリットの溶融開始温度近くの予備加熱温度まで加熱する予備加熱部と、予備加熱温度を維持した状態で減圧する減圧部と、熱媒を強制的に流動させつつ、この熱媒によって該ガラスパネル組立体を予備加熱温度から封着処理温度まで加熱する封着処理加熱部と、冷媒を強制的に流動させつつ、この冷媒によって該ガラスパネル組立体を冷却する冷却部とを順次連設するとともに、上記予備加熱部と上記減圧部との間および該減圧部と上記封着処理加熱部との間に、加減圧可能な圧力調整部をそれぞれ設けたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明にかかるガラスパネル組立体の封着処理方法および封着処理炉にあっては、封着処理の段階において、温度制御とこれに組み合わせた圧力制御により不純ガス等を適切に除去することができ、封着処理後のガラスパネル組立体内に残留する不純ガス等の量を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に、本発明にかかるガラスパネル組立体の封着処理方法および封着処理炉の好適な一実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。本実施形態にかかるガラスパネル組立体の封着処理炉１は基本的には、図１〜図３に示すように、重ね合わされる一対のガラス基板間にシールフリットを介在させたガラスパネル組立体２を搬送する搬送手段３を有し、搬送手段３でガラスパネル組立体２を搬送しつつ、当該シールフリットを融着させる封着処理を行うガラスパネル組立体２の封着処理炉において、搬送手段３によるガラスパネル組立体２の搬送方向に、熱媒を強制的に流動させつつ、この熱媒によってガラスパネル組立体２をシールフリットの溶融開始温度近くの予備加熱温度Ｔ１まで加熱する予備加熱部としての第１強制対流加熱室４と、予備加熱温度Ｔ１を維持した状態で減圧（圧力Ｐ１）する減圧部としての真空排気室５と、熱媒を強制的に流動させつつ、この熱媒によってガラスパネル組立体２を予備加熱温度Ｔ１から封着処理温度Ｔ２まで加熱する封着処理加熱部としての第２強制対流加熱室６と、冷媒を強制的に流動させつつ、この冷媒によってガラスパネル組立体２を冷却する冷却部としての強制対流冷却室７とを順次連設するとともに、第１強制対流加熱室４と真空排気室５との間および真空排気室５と第２強制対流加熱室６との間に、加減圧可能な圧力調整部としての第１置換室８および第２置換室９をそれぞれ設けて構成され、特にこれら各室４〜９は、それぞれ独立して温度制御されるようになっている。
【００１２】
ガラスパネル組立体２は従来と同様にして製作される。このガラスパネル組立体２を搬送しつつ封着処理する封着処理炉１として本実施形態にあっては、搬送手段３がローラハース式搬送装置であるローラハース式連続封着炉が例示されている。搬送手段３は、封着処理炉１の内部に、第１強制対流加熱室４の装入端から強制対流冷却室７の抽出端にわたって一連に設けられる。そして複数のガラスパネル組立体２はそれぞれ個別にトレイに載せられ、これらトレイに搭載された各ガラスパネル組立体２は、この搬送手段３によってその搬送方向である第１強制対流加熱室４から強制対流冷却室７に向かって順次連続的に搬送されるようになっている。
【００１３】
第１強制対流加熱室４は、その装入端に装入扉１０が、また抽出端に抽出扉１１が開閉自在に設けられるとともに、搬送手段３の搬送方向に沿って複数個の区画領域４ａが仕切り部１２で区画形成されて構成される。各区画領域４ａでは、それらの内部温度が隣接するもの同士で、搬送手段３の搬送方向に順次高温となるように温度制御される。そしてこれにより、第１強制対流加熱室４では、搬送手段３で搬送されるガラスパネル組立体２を、装入扉１０位置における室温から順次、抽出扉１１位置における、不純ガスが放出されるシールフリットの溶融開始温度未満でその近傍の予備加熱温度Ｔ１、例えば３５０℃に達するまで昇温させる加熱処理が行われるようになっている。また、第１強制対流加熱室４では、この温度制御と組み合わされる圧力制御として、大気圧（Ｐ２）が維持されるようになっている。
【００１４】
第１強制対流加熱室４の各区画領域４ａの構造について説明すると、これら区画領域４ａはそれぞれ、炉体１３と、炉体１３内部に形成された断熱壁１４と、断熱壁１４との間に通路１５を形成すべく当該断熱壁１４内部にこれより間隔を隔てて配置され、その内方をローラ３ａに担持されたガラスパネル組立体２が通過するマッフル１６と、炉体１３上部に配置され、熱媒である内部雰囲気を通路１５を介して強制的に循環対流させる循環ファン１７と、マッフル１６内にこれを通過するガラスパネル組立体２と循環ファン１７との間に位置させて設けられた多孔板からなる整流部材１８と、断熱壁１４とマッフル１６との間に設けられ、内部雰囲気を加熱するためのラジアンチューブバーナ１９と、区画領域４ａ内へ清浄化した空気を導入するための供給管２０と、区画領域４ａ内から排気するための排気管２１とを備えて構成される。
【００１５】
そして各区画領域４ａでは、供給管２０から導入され排気管２１から排気されつつ当該区画領域４ａ内に充満する熱媒としての内部雰囲気が、温度制御に従ってラジアンチューブバーナ１９によって加熱され、かつ循環ファン１７により強制的に流動されて、通路１５や整流部材１８を介してガラスパネル組立体２へ向かって循環的に流通され、これによりほぼ大気圧状態（Ｐ２）下で、ガラスパネル組立体２を加熱するようになっている。
【００１６】
真空排気室５は、その装入端に装入扉２２が、また抽出端に抽出扉２３が開閉自在に設けられるとともに、搬送手段３の搬送方向に沿って複数個の区画領域５ａが仕切り部１２で区画形成されて構成される。この真空排気室５では、搬送手段３によりガラスパネル組立体２が搬送されていく当該室内全域に亘って予備加熱温度Ｔ１を維持しつつ、この温度制御に組み合わされる圧力制御として、減圧（Ｐ１）する操作、例えば約１Ｐａ程度にまで真空排気する操作が行われるようになっている。
【００１７】
真空排気室５の各区画領域５ａの構造について説明すると、これら区画領域５ａはそれぞれ、外殻２４と、外殻２４内部に配置され、その内方をローラ３ａに担持されたガラスパネル組立体２が通過するラジエーションシールド２５と、ラジエーションシールド２５内に設けられ、ガラスパネル組立体２周囲の温度を予備加熱温度Ｔ１に維持するための伝熱ヒータ２６と、外殻２４内部と接続され、区画領域５ａ内から真空引きして排気する真空排気装置２７と、区画領域５ａ内、ひいては真空排気室５を大気圧（Ｐ２）に戻す気体を導入する気体供給管２８とを備えて構成される。そして各区画領域５ａでは、ガラスパネル組立体２は、ラジエーションシールド２５および伝熱ヒータ２６によって予備加熱温度Ｔ１が保持されつつ、真空排気装置２７により減圧状態に晒されるようになっている。
【００１８】
第２強制対流加熱室６は、強制対流冷却室７への抽出扉を有しないこと以外、上記第１強制対流加熱室４と同様に構成される。この第２強制対流加熱室６においても、各区画領域６ａでは、それらの内部温度が隣接するもの同士で、搬送手段３の搬送方向に順次高温となるように温度制御される。そしてこれにより、第２強制対流加熱室６では、搬送手段３で搬送されるガラスパネル組立体２を、装入扉２９位置における予備加熱温度Ｔ１から順次、強制対流冷却室７との境界位置Ｂにおける封着処理温度Ｔ２、例えば４５０℃に達するまで昇温させる加熱処理が行われるようになっている。また、第２強制対流加熱室６では、この温度制御と組み合わされる圧力制御として、大気圧（Ｐ２）が維持されるようになっている。各区画領域６ａの構造も、第１強制対流加熱室４の区画領域４ａの構造と同様である。
【００１９】
強制対流冷却室７も、第２強制対流加熱室６からの装入扉を有しないこと以外、上記第１強制対流加熱室４と同様に構成される。この強制対流冷却室７にあっては、各区画領域７ａでは、それらの内部温度が隣接するもの同士で、搬送手段３の搬送方向に順次低温となるように温度制御される。そしてこれにより、強制対流冷却室７では、搬送手段３で搬送されるガラスパネル組立体２を、第２強制対流加熱室６との境界位置Ｂにおける封着処理温度Ｔ２から順次、抽出扉３０位置における抽出温度、例えば１００℃まで降温させる冷却処理が行われるようになっている。また、強制対流冷却室７でも、この温度制御と組み合わされる圧力制御として、大気圧（Ｐ２）が維持されるようになっている。
【００２０】
強制対流冷却室７の各区画領域７ａの構造も、第１強制対流加熱室４と同様であるが、冷却操作を行う関係上、供給管２０から導入され排気管２１から排気されつつ当該区画領域７ａ内に充満する冷媒としての内部雰囲気が、温度制御に従い降温処理に応じた温度でラジアントチューブバーナ１９によって加熱され、かつ循環ファン１７により強制的に流動されて、整流部材１８を介してガラスパネル組立体２へ向かって流通され、これによりほぼ大気圧（Ｐ２）状態下で、ガラスパネル組立体２を冷却するようになっている。
【００２１】
第１置換室８および第２置換室９は、搬送手段３によるガラスパネル組立体２の搬送方向に互いに隣接する真空排気室５、並びに第１および第２強制対流加熱室４，６における圧力制御に基づくこれら間の圧力を調整するために、第１強制対流加熱室４と真空排気室５との間および真空排気室５と第２強制対流加熱室６との間にそれぞれ設けられる。これら第１および第２置換室８，９は、真空排気室５と同様に構成され、装入扉３１，３２および抽出扉３３，３４を有していて、第１置換室８は、ガラスパネル組立体２が真空排気室５へ装入される際に真空排気装置２７によって内部圧力が減圧（Ｐ１）され、また第１強制対流加熱室４から抽出される際に気体供給管２８からの気体の導入で昇圧されて大気圧（Ｐ２）に戻され、また、第２置換室９は、ガラスパネル組立体２が真空排気室５から抽出される際に真空排気装置２７によって内部圧力が減圧（Ｐ１）され、また第２強制対流加熱室６へ装入される際に気体供給管２８からの気体の導入で昇圧されて大気圧（Ｐ２）に戻されるように、加減圧制御されるようになっている。
【００２２】
次に、本実施形態にかかるガラスパネル組立体の封着処理方法について説明する。重ね合わされる一対のガラス基板間にシールフリットを介在させたガラスパネル組立体２は、搬送手段３により封着処理炉１内を、その第１強制対流加熱室４の装入端から、強制対流冷却室７の抽出端へと向かって順次搬送されていく。
【００２３】
まず、第１強制対流加熱室４の装入扉１０が開かれ、各トレイに搭載された複数のガラスパネル組立体２が装入されると、その後、装入扉１０が閉じられる。ガラスパネル組立体２は搬送手段３により、大気圧（Ｐ２）状態の第１強制対流加熱室４内で搬送されていき、各区画領域４ａを順次経過していく過程で順次加熱昇温され、不純ガスが放出されるシールフリットの溶融開始温度近くの予備加熱温度Ｔ１まで加熱される。ガラスパネル組立体２は、予備加熱温度Ｔ１に達した位置から第１強制対流加熱室４の抽出扉１１までの距離と、搬送手段３の搬送速度とによって、予備加熱温度Ｔ１に保持される予備加熱処理時間が設定される。
【００２４】
この加熱処理の際、熱媒である内部雰囲気を循環ファン１７で強制的に流動させるようにしたので、第１強制対流加熱室４内を通過するガラスパネル組立体２を各区画領域４ａにおける制御温度に均一に加熱昇温させることができる。大気圧（Ｐ２）状態に圧力制御した状態でこのように予備加熱温度Ｔ１までガラスパネル組立体２を加熱すると、シールフリット表面の凹凸部に付着していたり、そのポーラス部に残留している分解ガス等の不純ガスを放出させることができる。また、シールフリットからの不純ガスのみならず、電極や、誘電体、蛍光体、隔壁等の焼成体からも不純ガスを放出させることができる。
【００２５】
ガラスパネル組立体２が第１強制対流加熱室４の抽出端に達すると、当該第１強制対流加熱室４の抽出扉１１および第１置換室８の装入扉３１が開かれ、第１置換室８に移行すると、両扉１１，３１が閉じられる。このとき、第１置換室８は大気圧（Ｐ２）状態となっている。第１置換室８では、真空排気装置２７により真空排気室５とほぼ同一の圧力まで減圧（Ｐ１）する減圧操作が実行される。
【００２６】
減圧操作が完了すると、第１置換室８の抽出扉３３および真空排気室５の装入扉２２が開かれ、ガラスパネル組立体２が真空排気室５へ装入されると、その後、両扉２２，３３が閉じられる。ガラスパネル組立体２は搬送手段３により真空排気室５の長さ寸法分、搬送されていく過程において、ラジエーションシールド２５と伝熱ヒータ２６の作用で予備加熱温度Ｔ１に維持されつつ、真空排気装置２７の作用で相当の時間、減圧状態（Ｐ１）に晒される。このように予備加熱温度Ｔ１に維持する温度制御の下で、排気処理のための減圧状態を相当時間保持することにより、第１強制対流加熱室４で放出されてガラスパネル組立体２内に残留している不純ガスや空気等を強制的に除去することができる。
【００２７】
ガラスパネル組立体２が真空排気室５の抽出端に達すると、当該真空排気室５の抽出扉２３および第２置換室９の装入扉３２が開かれ、第２置換室９に移行すると、両扉２３，３２が閉じられる。このとき、第２置換室９は真空排気室５相当の減圧状態（Ｐ１）とされている。第２置換室９では、気体供給管２８からの気体の導入により第２強制対流加熱室６とほぼ同一の大気圧（Ｐ２）まで昇圧する加圧操作が実行される。
【００２８】
加圧操作が完了すると、第２置換室９の抽出扉３４および第２強制対流加熱室６の装入扉２９が開かれ、ガラスパネル組立体２が第２強制対流加熱室６へ装入されると、その後、両扉２９，３４が閉じられる。ガラスパネル組立体２は搬送手段３により、大気圧（Ｐ２）状態の第２強制対流加熱室６内で搬送されていき、各区画領域６ａを順次経過していく過程で順次加熱昇温され、封着処理温度Ｔ２まで加熱される。ガラスパネル組立体２は、封着処理温度Ｔ２に達した位置から第２強制対流加熱室６の抽出端（強制対流冷却室７との境界位置Ｂ）までの距離と、搬送手段３の搬送速度とによって、封着処理温度Ｔ２に保持される封着処理時間が設定される。この加熱処理にあっても第１強制対流加熱室４と同様に、ガラスパネル組立体２を各区画領域６ａにおける制御温度に均一に加熱昇温させることができる。
【００２９】
大気圧（Ｐ２）状態に圧力制御した状態で封着処理温度Ｔ２までガラスパネル組立体２を加熱すると、シールフリットが溶融化してガラス基板同士を封着することができる。この封着処理に際しては、先行する予備加熱温度Ｔ１への加熱処理と排気処理によって不純ガスを事前にほとんど除去することができており、たとえ不純ガスが放出されるとしてもその量は僅かであって、後工程のガラスパネル組立体２からの排気作業を軽減することが可能であるとともに、製品としてのＰＤＰの発光状態も良好なものとすることができる。
【００３０】
ガラスパネル組立体２は、第２強制対流加熱室６を経過すると、搬送手段３により継続的に搬送されてそのまま強制対流冷却室７へと搬入され、大気圧（Ｐ２）状態の強制対流冷却室７の各区画領域７ａを順次経過していく過程で順次冷却降温されていく。この冷却処理にあっても第１強制対流加熱室４と同様に、ガラスパネル組立体２を各区画領域７ａにおける制御温度に均一に冷却降温させることができる。そして、ガラスパネル組立体２が強制対流冷却室７の抽出端に達すると、当該強制対流冷却室７の抽出扉３０が開かれ、封着処理炉１の外方へ搬出されることにより抽出扉３０が閉じられる。以上のような封着処理は、搬送手段３によるガラスパネル組立体２の搬送に応じて各装入扉１０，２２，２９，３１，３２および抽出扉１１，２３，３０，３３，３４の開閉操作を順次行うことにより、ガラスパネル組立体２を連続的に搬送しつつ実行されるようになっている。
【００３１】
以上説明したように、本実施形態にかかるガラスパネル組立体の封着処理方法および封着処理炉にあっては、シールフリットの封着処理温度への昇温途中で、適切な予備加熱温度Ｔ１を選定し、当該予備加熱温度Ｔ１にて減圧操作（Ｐ１）により排気処理を行うようにしていて、当該封着処理の段階において、このような温度制御とこれに組み合わせた圧力制御により不純ガス等を適切に除去することができ、封着処理後のガラスパネル組立体２内に残留する不純ガス等の量を低減することができる。
【００３２】
上記実施形態にあっては、ガラスパネル組立体２としてＰＤＰを例示して説明したが、真空二重断熱ガラスパネルなどその他のガラスパネル組立体であってもよい。また、搬送手段３としても、ローラハース式に限らず、カート式など、その他の形式の搬送手段であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明にかかるガラスパネル組立体の封着処理方法および封着処理炉の好適な一実施形態を示す封着処理炉の構成、並びに温度制御・圧力制御の状態を説明する説明図である。
【図２】図１に示す封着処理炉の第１，第２強制対流加熱室および強制対流冷却室を示す断面図である。
【図３】図１に示す封着処理炉の真空排気室および第１，第２置換室を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１  封着処理炉
２  ガラスパネル組立体
３  搬送手段
４  第１強制対流加熱室
５  真空排気室
６  第２強制対流加熱室
７  強制対流冷却室
８  第１置換室
９  第２置換室
Ｔ１  予備加熱温度
Ｔ２  封着処理温度
Ｐ１  減圧状態
【図１】
2005235660.tif 000003
【図２】
2005235660.tif 000004
【図３】
2005235660.tif 000005