(57)【要約】【課題】  半導体レーザの放熱を効率良く行なえ、光ディスク装置の小型化、半導体レーザの高出力化を図る上で有利な光ディスク装置を提供すること。【解決手段】熱伝動率の小さい材料からなる第２の支持部材２６の先部が、熱伝動率の大きい材料からなる第１の支持部材２４の孔３２に挿入され、第１の支持部材２４の基板部２４０２がキャリッジ１４の底壁１４０２から離れ、また、基板部２４０２の周囲がキャリッジ１４の側壁部１４０４から離れた状態で、孔３２内で第２の支持部材２６の先部が半田付けされて取着されている。熱伝導部材２８の一端はねじ４０、ねじ孔３４を介して第１の支持部材２４の基板部２４０２に取着され、他端は、ねじ４０およびねじ孔１４１０を介して熱容量の大きいキャリッジ１４の側壁部１４０４箇所に連結されている。【選択図】        図１
2005235288.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザから発せられるレーザ光により光ディスクへの情報の記録および／または再生を行なう光ディスク装置であって、
前記半導体レーザ、光検出器、前記レーザ光を光ディスクに導くと共にその反射光を前記光検出器に導く光学系を有する光ピックアップと、
前記光ピックアップが搭載されたキャリッジと、
前記キャリッジを前記光ディスクの径方向に移動させる移動機構とを備え、
前記半導体レーザは、熱伝導率の大きい材料からなる第１の支持部材で支持され、
前記第１の支持部材は、該第１の支持部材よりも熱伝導率の小さい材料からなる第２の支持部材を介して前記キャリッジから離れた状態で支持され、
熱伝動率の大きい材料で形成された熱伝導部材の一端が前記第１の支持部材に連結され、前記熱伝導部材の他端が、前記第１の支持部材以外の熱容量の大きい箇所に連結されている、
ことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
前記第１の支持部材の部分には、前記第２の支持部材で支持される被支持部が設けられ、前記第２の支持部材の部分には、前記被支持部を支持する支持部が設けられ、前記被支持部が前記支持部により支持されることで前記第１の支持部材が前記第２の支持部材で支持され、この支持状態で、前記被支持部を除く第１の支持部材の箇所と、前記支持部を除く第２の支持部材の箇所とは離れていることを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項３】
前記被支持部は、前記半導体レーザを挟んだ前記第１の支持部材の両側にそれぞれ設けられ、前記被支持部に対応して前記支持部が設けられていることを特徴とする請求項２記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記被支持部は、第１の支持部材に設けられた孔で構成され、前記支持部は、キャリッジから突設された支軸の先部で構成され、前記支軸が前記孔内に半田付けにより取着されることで前記第１の支持部材が前記第２の支持部材で支持され、この支持状態で、前記孔を除く第１の支持部材の箇所と、前記先部を除く支軸の箇所とは離れていることを特徴とする請求項２記載の光ディスク装置。
【請求項５】
前記被支持部は、第１の支持部材の側部の一部で構成され、前記支持部は、キャリッジに取着された第２の支持部材の側部の一部で構成され、前記第１の支持部材の側部の一部と前記支持片の先部とが取着されることで前記第１の支持部材が前記第２の支持部材で支持され、この支持状態で、前記第１の支持部材の側部の一部を除く第１の支持部材の箇所と、前記第２の支持部材の側部の一部を除く第２の支持部材の箇所とは離れていることを特徴とする請求項２記載の光ディスク装置。
【請求項６】
前記半導体レーザは、レーザチップと、このレーザチップを収容するパッケージとを備え、前記第１の支持部材による前記半導体レーザの支持は、前記パッケージが半田付けにより前記第１の支持部材に取着されことでなされていることを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項７】
前記第１の支持部材を構成する熱伝導率の大きい材料は銅または真ちゅうであり、前記第２の支持部材を構成する熱伝導率の小さい材料は鉄またはアルミニウムであることを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項８】
光ディスクへの情報の記録および／または再生を行なうためのレーザ光を発する半導体レーザを有しキャリッジに搭載された光ピックアップであって、
前記半導体レーザは、熱伝導率の大きい材料からなる第１の支持部材で支持され、
前記第１の支持部材は、該第１の支持部材よりも熱伝導率の小さい材料からなる第２の支持部材を介して前記キャリッジから離れた状態で支持され、
熱伝動率の大きい材料で形成された熱伝導部材の一端が前記第１の支持部材に連結され、前記熱伝導部材の他端が、前記第１の支持部材以外の熱容量の大きい箇所に連結されている、
ことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項９】
前記第１の支持部材の部分には、前記第２の支持部材で支持される被支持部が設けられ、前記第２の支持部材の部分には、前記被支持部を支持する支持部が設けられ、前記被支持部が前記支持部により支持されることで前記第１の支持部材が前記第２の支持部材で支持され、この支持状態で、前記被支持部を除く第１の支持部材の箇所と、前記支持部を除く第２の支持部材の箇所とは離れていることを特徴とする請求項８記載の光ピックアップ。
【請求項１０】
前記被支持部は、前記半導体レーザを挟んだ前記第１の支持部材の両側にそれぞれ設けられ、前記被支持部に対応して前記支持部が設けられていることを特徴とする請求項９記載の光ピックアップ。
【請求項１１】
前記被支持部は、第１の支持部材に設けられた孔で構成され、前記支持部は、キャリッジから突設された支軸の先部で構成され、前記支軸が前記孔内に半田付けにより取着されることで前記第１の支持部材が前記第２の支持部材で支持され、この支持状態で、前記孔を除く第１の支持部材の箇所と、前記先部を除く支軸の箇所とは離れていることを特徴とする請求項９記載の光ピックアップ。
【請求項１２】
前記被支持部は、第１の支持部材の側部の一部で構成され、前記支持部は、キャリッジに取着された第２の支持部材の側部の一部で構成され、前記第１の支持部材の側部の一部と前記支持片の先部とが取着されることで前記第１の支持部材が前記第２の支持部材で支持され、この支持状態で、前記第１の支持部材の側部の一部を除く第１の支持部材の箇所と、前記第２の支持部材の側部の一部を除く第２の支持部材の箇所とは離れていることを特徴とする請求項９記載の光ピックアップ。
【請求項１３】
前記半導体レーザは、レーザチップと、このレーザチップを収容するパッケージとを備え、前記第１の支持部材による前記半導体レーザの支持は、前記パッケージが半田付けにより前記第１の支持部材に取着されことでなされていることを特徴とする請求項８記載の光ピックアップ。
【請求項１４】
前記第１の支持部材を構成する熱伝導率の大きい材料は銅または真ちゅうであり、前記第２の支持部材を構成する熱伝導率の小さい材料は鉄またはアルミニウムであることを特徴とする請求項８記載の光ピックアップ。
【請求項１５】
半導体レーザ、光検出器、前記レーザ光を光ディスクに導くと共にその反射光を前記光検出器に導く光学系を有する光ピックアップと、
前記光ピックアップが搭載されたキャリッジと、
前記キャリッジを前記光ディスクの径方向に移動させる移動機構とを備え、
半導体レーザから発せられるレーザ光により光ディスクへの情報の記録および／または再生を行なう光ディスク装置において、
前記半導体レーザを、熱伝導率の大きい材料からなる第１の支持部材で支持し、
前記第１の支持部材を、熱伝導率の小さい材料からなる第２の支持部材を介して前記キャリッジから離れた状態で支持し、
前記半導体レーザで生じた熱を前記第１の支持部材に留め、
前記第１の支持部材に留められた前記半導体レーザからの熱を、熱伝動率の大きい材料で形成された熱伝導部材により熱容量の大きい箇所に伝導し該箇所で放熱するようにした、
ことを特徴とする光ディスク装置における半導体レーザの支持方法。
【請求項１６】
前記第２の支持部材による前記第１の支持部材の支持は、前記第１の支持部材の部分が前記第２の支持部材の部分で支持され、それら部分以外の第１の支持部材の箇所と記第２の支持部材の箇所とは離れた状態でなされていることを特徴とする請求項１５記載の光ディスク装置における半導体レーザの支持方法。
【請求項１７】
前記第１の支持部材を構成する熱伝導率の大きい材料は銅または真ちゅうであり、前記第２の支持部材を構成する熱伝導率の小さい材料は鉄またはアルミニウムであることを特徴とする請求項１５記載の光ディスク装置における半導体レーザの支持方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光ディスク装置および光ピックアップならびに半導体レーザの支持方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザから発せられるレーザ光によりＣＤ、ＣＤーＲＯＭ、ＤＶＤーＲＯＭなどのような光ディスクに情報を記録し、または、記録された情報を再生し、または、記録及び再生を行なう光ディスク装置は、一般に、シャーシ上に配設され光ディスクを回転駆動するスピンドルモータ（回転駆動手段）と、前記半導体レーザを有する光ピックアップと、光ピックアップが搭載されたキャリッジと、前記シャーシ上で前記キャリッジを前記光ディスクの径方向に移動させる移動機構とを備えている。
【０００３】
この種の光ディスク装置では、近年、更なる小型化が要求されると共に、記録速度の高速化（高倍速化）などから半導体レーザの高出力化が要求されている。
そして、半導体レーザの高出力化に伴いそこから生じる熱も大きなものとなるため、小型化を図る上で半導体レーザから生じる熱をどのように放熱させるかが重要な課題となっている。
半導体レーザから生じる熱の放熱は、従来、半導体レーザのパッケージに放熱体を設けたり、あるいは、この放熱体に熱伝導部材を接続させ、半導体レーザから生じる熱を、前記放熱体、前記熱伝導部材を介して適宜箇所に逃がすことで行なわれている。（例えば特許文献１）。
【特許文献１】特開２０００−３５７３４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の従来技術では、半導体レーザから生じる熱が、半導体レーザを支持している部材を経てその周辺の箇所に熱が伝導されるため、半導体レーザから生じる熱が大きなものとなった場合には、半導体レーザの周辺に配設される光ピックアップの構成部品や部材に悪影響を及ぼすなど、光ディスクの小型化、半導体レーザの高出力化を図る上での障害となっていた。
本発明は前記事情に鑑み案出されたものであって、本発明の目的は、半導体レーザの放熱を効率良く行なえ、光ディスク装置の小型化、半導体レーザの高出力化を図る上で有利な光ディスク装置および光ピックアップならびに半導体レーザの支持方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記目的を達成するため本発明は、半導体レーザから発せられるレーザ光により光ディスクへの情報の記録および／または再生を行なう光ディスク装置であって、前記半導体レーザ、光検出器、前記レーザ光を光ディスクに導くと共にその反射光を前記光検出器に導く光学系を有する光ピックアップと、前記光ピックアップが搭載されたキャリッジと、前記キャリッジを前記光ディスクの径方向に移動させる移動機構とを備え、前記半導体レーザは、熱伝導率の大きい材料からなる第１の支持部材で支持され、前記第１の支持部材は、該第１の支持部材よりも熱伝導率の小さい材料からなる第２の支持部材を介して前記キャリッジから離れた状態で支持され、熱伝動率の大きい材料で形成された熱伝導部材の一端が前記第１の支持部材に連結され、前記熱伝導部材の他端が、前記第１の支持部材以外の熱容量の大きい箇所に連結されていることを特徴とする。
また、本発明は、光ディスクへの情報の記録および／または再生を行なうためのレーザ光を発する半導体レーザを有しキャリッジに搭載された光ピックアップであって、前記半導体レーザは、熱伝導率の大きい材料からなる第１の支持部材で支持され、前記第１の支持部材は、該第１の支持部材よりも熱伝導率の小さい材料からなる第２の支持部材を介して前記キャリッジから離れた状態で支持され、熱伝動率の大きい材料で形成された熱伝導部材の一端が前記第１の支持部材に連結され、前記熱伝導部材の他端が、前記第１の支持部材以外の熱容量の大きい箇所に連結されていることを特徴とする。
また、本発明は、半導体レーザ、光検出器、前記レーザ光を光ディスクに導くと共にその反射光を前記光検出器に導く光学系を有する光ピックアップと、前記光ピックアップが搭載されたキャリッジと、前記キャリッジを前記光ディスクの径方向に移動させる移動機構とを備え、半導体レーザから発せられるレーザ光により光ディスクへの情報の記録および／または再生を行なう光ディスク装置において、前記半導体レーザを、熱伝導率の大きい材料からなる第１の支持部材で支持し、前記第１の支持部材を、熱伝導率の小さい材料からなる第２の支持部材を介して前記キャリッジから離れた状態で支持し、前記半導体レーザで生じた熱を前記第１の支持部材に留め、前記第１の支持部材に留められた前記半導体レーザからの熱を、熱伝動率の大きい材料で形成された熱伝導部材により熱容量の大きい箇所に伝導し該箇所で放熱するようにしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の光ディスク装置、光ピックアップ、半導体レーザの支持方法によれば、半導体レーザで生じる熱は、キャリッジから離れた第１の支持部材に留められ、熱伝導部材により半導体レーザから離れた箇所に効率良く伝導される。
したがって、半導体レーザから生じる熱が大きなものとなっても、この熱が半導体レーザの周辺に配設される光ピックアップの構成部品や部材に悪影響を及ぼすことを抑制でき、光ディスク装置の小型化、半導体レーザの高出力化を図る上で極めて有利となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明は、熱伝導率の大きい材料からなる第１の支持部材で半導体レーザを支持し、また、前記第１の支持部材よりも熱伝導率の小さい材料からなる第２の支持部材を介して前記キャリッジから離れた状態で第１の支持部材を支持し、第１の支持部材に留められた半導体レーザで生じる熱を、熱伝導部材で半導体レーザから離れた箇所に逃がすことで上記の目的を達成した。
以下、本発明の半導体レーザの支持方法を装置と共に図面にしたがって説明する。
【実施例１】
【０００８】
図５は、光ディスク装置の主要部分のブロック図を示す。
図５に示すように光ディスク装置１０は、スピンドルモータ１００、光ピックアップ１２、キャリッジ１４、送りモータ２００、コントローラ３００、信号処理回路４００などを備えている。
スピンドルモータ１００はチャック機構を介して光ディスク１６を保持し光ディスク１６を回転駆動するものであり、不図示のシャーシに配設され光ディスク１６の回転駆動手段を構成している。
光ピックアップ１２は、レーザ光を発する半導体レーザ１８（図１、図２参照）、フォトディテクタ（光検出器）、半導体レーザ１８から発せられたレーザ光を光ディスク１６の記録面に導くとともに、該記録面で反射された反射光を前記フォトディテクタに導く対物レンズを含む光学系、前記フォトディテクタで検出された検出信号を増幅あるいは演算することにより再生信号、トラッキングエラー信号、フォーカスエラー信号などを生成する増幅演算回路などを有している。
キャリッジ１４は光ピックアップ１２を搭載し、シャーシ上に配設されている。
送りモータ２００は、シャーシ上でキャリッジ１４を光ディスク１６の径方向に移動させるためのものである。
コントローラ３００は、スピンドルモータ１００および送りモータ２００の回転制御、前記各エラー信号に基づく光ピックアップ１２のフォーカシング方向およびトラッキング方向のサーボ制御、光ピックアップ１２のレーザ光（光ビーム）の出力制御や前記再生信号の復号処理などを行なうように構成されている。
信号処理回路４００は、前記再生信号に基づいて光ディスク１６に記録されている情報の再生を行ない、また、外部から入力される情報の光ディスク１６への記録をコントローラ１０６を介して行なうように構成されている。
【０００９】
図１は光ピックアップが搭載されたキャリッジの斜視図、図２は光ピックアップ部分のキャリッジの側面図を示している。なお、図１では説明の便宜上、光ピックアップを構成する部材のうち半導体レーザのみがキャリッジ上に描かれ、他の部材は省略されている。
キャリッジ１４は、底壁部１４０２と、底壁部１４０２の周囲から起立する側壁部１４０４などを有し、キャリッジ１４の両側部には、メインガイドロッドＲ１（図４参照）が挿通される軸受部２０と、サブガイドロッドＲ２（図４参照）が挿通される係合部２２とが設けられ、これらメインガイドロッドＲ１とサブガイドロッドＲ２によりシャーシ上において光ディスク１６の径方向に移動可能に支持されている。また、送りモータ２００に連結されたスクリューシャフトがキャリッジ１４の雌ねじ（不図示）に螺合され、送りモータ２００の駆動力で回動するスクリューシャフトによりキャリッジ１４は光ディスク１６の径方向に移動される。したがって、キャリッジ１４を移動させる移動機構は、メインガイドロッドＲ１、軸受部２０、サブガイドロッドＲ２、係合部２２、送りモータ２００、スクリューシャフトなどで構成されている。
【００１０】
半導体レーザ１８は、底壁１４０２の一側に、第１の支持部材２４および第２の支持部材２６ならびに熱伝導部材２８を介して配置されている。
底壁１４０２の他側には、光ピックアップ１２の光学系の一部を構成しレーザ光を４５度屈曲させて反射させる反射ミラーの取り付け壁１４１０や、レーザ光の通過用の開口１４１２が形成されている。
半導体レーザ１８は、半導体チップと、この半導体チップが収納された金属製のパッケージ２０とを備え、パッケージ２０の背面には３本のリード線（電源用、グランド用、モニター用など）２２が突設されている。
【００１１】
第１の支持部材２４は、銅や真ちゅうなどのような熱伝導率の大きい金属材料から形成されている。
第１の支持部材２４は、基板部２４０２と、基板部２４０２の一側から起立するフランジ部２４０４とを有している。
フランジ部２４０４を挟んだ基板部２４０２の両側箇所にそれぞれ孔３２が貫設され、また、基板部２４０２にはねじ孔３４が形成され、孔３２は第１の支持部材２４の被支持部を構成している。
フランジ部２４０４の中央には孔３６が貫設され、半導体レーザ１８は、パッケージ２０の背面をフランジ部２４０４の前面に合わせ半田付けによりフランジ部２４０４に取り付けられており、３本のリード線は孔３６から基板部２４０２上に位置し、フレキシブル基板６２（図４参照）を介してコントローラ３００に接続されている。
【００１２】
第２の支持部材２６は、鉄（鉄系材料）やアルミニウム（アルミニウム系材料）などのような熱伝導率の小さい金属材料から形成されている。
本実施例では、第２の支持部材２６は、キャリッジ１４の底壁１４０２から突設された支軸で形成され、第２の支持部材２６は第１の支持部材２４の孔３２に対応して２本設けられている。
そして、これら第２の支持部材２６の先部が第１の支持部材２４の孔３２に挿入され、第１の支持部材２４の基板部２４０２がキャリッジ１４の底壁１４０２から離れ、また、基板部２４０２の周囲がキャリッジ１４の側壁部１４０４から離れた状態で、孔３２内で第２の支持部材２６の先部が半田付けされて取着されている。したがって、本実施例では、第２の支持部材２４の先部が第１の支持部材２４の被支持部を支持する支持部に相当している。
【００１３】
熱伝導部材２８は、銅などのような熱伝動率の大きい材料で細長形状に形成され、熱伝導部材２８としては、市販品である銅製の可撓性を有するより線などが使用可能である。
熱伝導部材２８の一端はねじ４０、ねじ孔３４を介して第１の支持部材２４の基板部２４０２に取着され、他端は、ねじ４０およびねじ孔１４１０を介して熱容量の大きいキャリッジ１４の側壁部１４０４箇所に連結されている。
熱伝導部材２８として可撓性を有するものを用いると、半導体レーザ１８の取り付け調整時に、第２の支持部材２４に対して互いに直交する３軸方向やあるいは回転方向に第１の支持部材２４が微調節された場合でも、第１の支持部材２４と側壁部１４０４箇所とを確実に連結する上で有利となる。
【００１４】
実施例１によれば、半導体レーザ１８から発せられた熱は、熱伝導率の大きい材料からなる第１の支持部材２４に伝導される。
ここで、第１の支持部材２４はキャリッジ１４から離れた状態で、熱伝導率の小さい材料からなる第２の支持部材２６で支持されているので、半導体レーザ１８から第１の支持部材２４に伝導された熱の大半は、半導体レーザ１８の周辺のキャリッジ１４箇所に伝導されることなく第１の支持部材２４に留まる。
実施例では、第１の支持部材２４の全体と第２の支持部材２６の全体とが接触した状態で第１の支持部材２４が第２の支持部材２６で支持されておらず、第１の支持部材２４は第２の支持部材２６の先部で部分的に連結されて支持されているので、半導体レーザ１８から第１の支持部材２４に伝導された熱の大半は、第１の支持部材２４により効果的に留められる。
そして、第１の支持部材２４に留まった半導体レーザ１８からの熱は、熱伝導部材２８により熱容量の大きいキャリッジ１４の側壁部１４０４箇所に伝導され、この側壁部１４０４箇所から放熱される。
したがって、半導体レーザ１８で生じる熱は、キャリッジ１４から離れた第１の支持部材２４に留められ、熱伝導部材２８により半導体レーザ１８から離れた箇所に効率良く伝導されるので、半導体レーザ１８から生じる熱が大きなものとなっても、この熱が半導体レーザ１８の周辺に配設される光ピックアップ１２の構成部品や部材（回路素子や光学素子など）に悪影響を及ぼすことを抑制でき、光ディスク装置１０の小型化、半導体レーザ１８の高出力化を図る上で極めて有利となる。
【実施例２】
【００１５】
次に、実施例２について説明する。
図３はキャリッジの底壁部に配設された半導体レーザ、第１の支持部材、第２の支持部材の斜視図を示す。
実施例２では、第１の支持部材５４および第２の支持部材５６の構成が第１実施例と異なっている。
実施例１と同様な箇所、部材に同一の符号を付して説明すると、熱伝導率の大きい金属材料からなる第１の支持部材５４は、基板部５４０２と、基板部５４０２の長手方向の中間部から起立するフランジ部５４０４と、基板部５４０２の長手方向の両端から起立する側板部（側部）５４０６とを有している。
半導体レーザ１８は、実施例１と同様に、フランジ部５４０４に取着されている。
【００１６】
熱伝導率の小さい金属材料からなる第２の支持部材５６は、基板部５６０２と、基板部５６０２の長手方向の両端から起立する側板部（側部）５６０６とを有し、各側板部５６０６の上端の内面にそれぞれ球面状に突出し第１の支持部材５４の側板部５４０６の外面に当接可能な膨出部５６０８が設けられている。
そして、第２の支持部材５６の基板部５６０２がねじによりキャリッジ１４の底壁１４０２に取着され、基板部５４０２、側板部５４０６がそれぞれ基板部５６０２、側板部５６０６に平行するように第２の支持部材５６の内側に第１の支持部材５４が配置され、第１の支持部材５４の側板部５４０６の外面上端と膨出部５６０８とが半田付けにより固定され、すなわち第１の支持部材５４の部分と第２の支持部材５６の部分とが固定され、これら側板部５４０６の外面上端と膨出部５６０８以外の箇所が互いに離れた状態で第２の支持部材５６により第１の支持部材５４が支持され、これにより第１の支持部材５４はキャリッジ１４から離れた状態で支持されている。
【００１７】
熱伝導部材２８の一端２８Ａはねじ４０を介して第１の支持部材２４の基板部２４０２に取着され、他端は、実施例１と同様に熱容量の大きいキャリッジ１４の側壁部１４０４箇所に連結されている。
このような実施例２によっても、実施例１と同様に、半導体レーザ１８で生じる熱は、キャリッジ１４から離れた第１の支持部材５４に留められ、熱伝導部材２８により半導体レーザ１８から離れた箇所に効率良く伝導されるので、半導体レーザ１８から生じる熱が大きなものとなっても、この熱が半導体レーザ１８の周辺に配設される光ピックアップ１２の構成部品や部材（回路素子や光学素子など）に悪影響を及ぼすことを抑制でき、光ディスク装置１０の小型化、半導体レーザ１８の高出力化を図る上で極めて有利となる。
【００１８】
なお、半導体レーザ１８で生じる熱を逃がす箇所は、キャリッジ１４の箇所に限定されず、熱容量の大きい箇所であればよく、例えば、図４に示すように、キャリッジ１４が配設されるシャーシ６０の箇所であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】光ピックアップが搭載されたキャリッジの斜視図である。
【図２】光ピックアップ部分のキャリッジの側面図である。
【図３】キャリッジの底壁部に配設された半導体レーザ、第１の支持部材、第２の支持部材の斜視図である。
【図４】熱伝導部材の説明図である。
【図５】光ディスク装置の主要部分のブロック図である。
【符号の説明】
【００２０】
１０……光ディスク装置、１２……光ピックアップ、１４……キャリッジ、１８……半導体レーザ、２４，５４……第１の支持部材、２６，５６……第２の支持部材、２８……熱伝導部材。
【図１】
2005235288.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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