(57)【要約】      （修正有）【課題】指の特性（指紋や内部構造）を測定する指センサの光源や光学系の構成を簡略化する。【解決手段】半導体基板１１の表面側に設けられた光電変換手段２０を有する指センサにおいて、前記照明手段１４から発せられた照明光は前記基板１１を透過し、前記基板１１の裏面側に置かれた指１８を照明し、前記指１８によって反射された反射光は前記光電変換手段２０に導かれ、それによって前記指１８の特性の検出を行うことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明手段と、半導体基板の表面側に設けられた光電変換手段を有する指センサにおいて、前記照明手段から発せられた照明光は前記基板を透過し前記基板の裏面側に置かれた指を照明し、前記指によって反射された反射光は前記光電変換手段に導かれ、それによって前記指の特性の検出を行う事を特徴とする指センサ。
【請求項２】
特許請求の範囲１に記載の照明手段とは、面状の発光素子である事を特徴とする指センサ。
【請求項３】
特許請求の範囲１に記載の照明手段とは、有機ＥＬ発光素子である事を特徴とする指センサ。
【請求項４】
特許請求の範囲１に記載の照明手段とは、前記半導体基板の表面側あるいは前記基板を支持する支持基盤上に形成されている事を特徴とする指センサ。
【請求項５】
特許請求の範囲１に記載の照明手段とは、前記光電変換素子の外方に配置されている事を特徴とする指センサ。
【請求項６】
特許請求の範囲１に記載の半導体基板とは、単結晶シリコン基板である事を特徴とする指センサ。
【請求項７】
特許請求の範囲１に記載の光電変換素子とは、ホトダイオードである事を特徴とする指センサ。
【請求項８】
特許請求の範囲１に記載の照明手段と光電変換手段の形状はライン状であり、前記指を前記ラインに対して大略垂直に移動して前記指の特性の検出を行う事を特徴とする指センサ。
【請求項９】
特許請求の範囲１に記載の照明手段と光電変換手段は、特定の領域に混在して存在する事を特徴とする指センサ。
【請求項１０】
特許請求の範囲１に記載の照明光とは、赤外光である事を特徴とする指センサ。
【請求項１１】
特許請求の範囲１０に記載の赤外光とは、波長９７５〜１１５０ｎｍである事を特徴とする指センサ。
【請求項１２】
特許請求の範囲１に記載の指の特性とは、指紋である事を特徴とする指センサ。
【請求項１３】
特許請求の範囲１に記載の指の特性とは、指の内部構造である事を特徴とする指センサ。
【請求項１４】
特許請求の範囲１に記載の半導体基板の上方の、指と直接接触する部分には、保護膜が形成されている事を特徴とする指センサ。
【請求項１５】
特許請求の範囲１に記載の半導体基板は、前記基板よりも機械的な強度を有する支持基盤によって支持されており、前記基板に存在する複数の電極は前記基盤まで引き出されており、前記基板と前記基盤は接着手段により接着されている事を特徴とする指センサ。
【請求項１６】
特許請求の範囲１５に記載の接着手段の表面は、耐湿性の有る部材で覆われている事を特徴とする指センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は指の特性を検出するセンサ、特に半導体基板の裏面を利用する裏面型センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、指の特性を検出するセンサには、指紋センサ等が有った。前記指紋は個人に固有なため、これを用いて本人認証を行う事が出来る。
【０００３】
また近年、前記指紋以外に、指の内部構造、指紋支持層や内部の血管、静脈の分布等を検出して、本人認証を行う例も報告されている。
【０００４】
これらは広く、指センサであると言う事ができる。
【０００５】
また前記指の特性の検出方法には、光学式や電気式が有る。
【０００６】
前記光学方式の検出方法には、プリズム等の光学部材を用いる方法、撮像センサの表面に光学薄膜を形成する方法、半導体基板の赤外透過特性を利用した裏面入射型センサ等がある。
【０００７】
前記裏面入射型センサは、例えば特開２００２−３３４６９号公報等で開示されている。
【０００８】
また前記指紋検出に用いられるセンサのタイプには、２次元状のエリアセンサ、１次元状のラインセンサ、あるいは両者の中間の、数ラインから数十ラインを持つ小規模エリアセンサ等がある。
【０００９】
前記ラインセンサを用いて指紋を行う方法は、例えば特開平１０−９１７６９等に開示されている。
【００１０】
前記ラインセンサが撮像した画像から全体の指画像を再生するには、スキャナのような指の移動速度の検出か、パノラマ画像合成のような画像合成が必要である。
【００１１】
また、面光源上に光電変換手段を設けた例には、例えば特開平１１−５３５２３、５３５２４、２５９６３８等が有る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、光学方式の指紋検出や指検出には、
１）光源や光学系の構成に問題がある、
２）半導体基板が指に近いため、静電破壊が深刻、
３）センサのパッケージングが問題、
等の問題がある。
【００１３】
光学式のセンサは他の静電容量式や電界検出式、圧力検知式や温度検知式のそれと比べると、光源や光学系を余分に必要とするため、体積がかさばり、また製造コストも上昇ぎみである。
【００１４】
前記光源に外光を利用すればこの問題は半分解決するが、前記外光の強度は４桁以上変化するため、前記センサには大きなダイナミックレンジが必要とされる。これは前記指紋の検出を困難にし、また前記センサのコストを上昇させる。
【００１５】
また、前記光学系を安価、コンパクトに作り込む必要もある。
【００１６】
２）の問題は光学式だけに限らず、他の半導体基板を用いる検出方法全てに共通する問題である。
【００１７】
指／人体と直接接触を行う指紋センサ等は、前記人体からの放電が直撃する恐れがある。
【００１８】
この静電気に対する対策は、特に前記静電容量式センサによって発達した。前記センサは前記指紋を検出する容量素子の上にたった数μｍの薄膜を堆積しただけであり、従って前記指との距離が非常に近い。その為、前記静電気の影響が大きいためである。
【００１９】
また光学式である薄膜方式においても、前記受光素子上の構造は前記静電容量方式と類似なため、同様に問題は深刻である。
【００２０】
前記薄膜の膜厚を厚くした厚膜方式である、ＦＯＰ（ファイバーオプティカルプレート）を使用する光学方式では、前記静電気には強くなるものの、前記光学系の厚みが数ｍｍと厚くなり、前記指紋センサ自体がかさばるようになる。また前記ＦＯＰの価格は一般には高価であり、前記センサのコストもかなり上昇する。
【００２１】
また公知のプリズム方式では現在では旧式であり、そのセンサ大きさから、例えば携帯機器には搭載出来ない。またその価格にももはや競争力は無い。
【００２２】
３）の問題とは、前記センサが使用される環境の問題である。そこには、機械的なストレス、化学的なストレス、２）で説明した電気的なストレス等が存在する。
【００２３】
まず、指センサにおいては、指による圧力が前記センサに加わる。また、前記指先の爪や鉛筆等の攻撃を受ける。従って、前記センサの表面には、ある程度の硬度が必要となる。
【００２４】
また前記生体である指は、かなりのナトリウムやカリウムを含んでいる。
【００２５】
前記センサが形成されている半導体基板は、前記ナトリウム等の汚れに極めて弱いため、前記半導体基板／センサを適切な方法で封止、保護してやる必要がある。
【００２６】
例えば、前記薄膜を堆積する指センサにおいては、前記薄膜の緻密性、ピンホール、クラックフリーと、前述のように膜自体の硬度を必要とする。これは前記堆積させる膜の種類を、かなり制限してしまう。
【００２７】
例えば、シリコン窒化膜、シリコンカーバイド、ダイヤモンドライクカーボン等がその候補に上がっているが、これら硬すぎる膜は、例えば残留応力や熱膨張による下地膜へのダメージ等、新たな問題を生じさせる可能性も有る。
【００２８】
また光学式では、可視光や赤外光を透過させるために透明なガラスやプラスチックが必要となるが、それらの実装にはパッケージ構造の複雑さとコストアップを伴う。
【００２９】
例えば、前記窓材にガラスを選択した場合には、前記ガラスが割れないように前記ガラスの板厚をある一定値以上確保する必要が有る。そしてこれは、前記パッケージの厚さとコストを増大させる。
【００３０】
また前記ガラスとそれを取り囲むプラスチックとの界面には、絶えず汚れの侵入の恐れが伴う。また前記ガラスと前記プラスチックとの熱膨張率差も問題となる。
【００３１】
また前記パッケージにセラミックパッケージを使用した場合にはこのような問題は生じないが、前記パッケージは一般に高価であり、また微細なパッケージを製造し難い、という報告も有る。
【００３２】
また、前記窓材にプラスチックを採用した場合にも、上述とほぼ同様な事が成り立つ。また前記窓材であるプラスチックは、上述したように硬質である必要がある。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
本発明は上述の問題点を、以下の方法で解決する。
【００３４】
１）の問題は、前記光源と前記光学系からなる照明手段を、以下のように構成する事によって対処する。
【００３５】
前記光源は、前記センサが形成されている半導体基板あるいはその基板を支持する支持基盤上に設ける事で解決する。前記光源は例えば面状光源であり、容易に前記基板等に集積可能である。このような面状光源には、例えば有機ＥＬ発光素子が挙げられる。
【００３６】
また前記光学系は、特に新たな光学部品を必要とせず、主に前記半導体基板の内部を用いて構成する。単結晶シリコン等の半導体基板は、赤外光に対してはかなり透明である。例えば、前記光源から赤外光を発し、前記赤外光に対して透明な半導体基板を透過し、前記特性の検出対象である指を照明する。
【００３７】
前記指に当たった照明光の一部は反射して、前記半導体基板の表面側に設けられた光電変換手段に到達、入射する。
【００３８】
また本発明は先の特開平１１−５３５２３、５３５２４のような凹凸検出光学素子を有していない。
【００３９】
本発明の光源、光学系の構成は、他の光学式のそれと比べても最小である。これにより前記指センサの大きさやコストを、改善する事ができる。
【００４０】
また２）の問題は、前記裏面入射型センサに固有な、厚い半導体基板を用いる事で解決する。
【００４１】
前記裏面入射型センサでは、例えば比較的厚さの厚い半導体基板が、前記センサの電気回路が形成されている前記基板表面と前記静電気を発生させる指との間に存在するので、前記ＥＳＤに対してはかなり丈夫である。
【００４２】
また本発明は、先の特開平１１−２５９６３８のような透明導電層を有していない。
【００４３】
また必要であるならば、前記基板の導電率を適正に保ち、前記基板への電気的コンタクトを確実に取る事によって前記基板の電位を安定化させ、発生した前記静電気を速やかに前記センサ外部へと除去する事が可能である。
【００４４】
３）の問題は、前記センサが形成されている半導体基板とその支持基盤、および両者を接着する接着手段と、両者の外周を囲う若干の材料とによって解決する。
【００４５】
前記指と接触する部分には、単結晶シリコン等の比較的硬い半導体基板あるいは前記基板上に形成された保護膜が存在する。これにより、前述した爪等による傷付きや破壊は生じる事がない。
【００４６】
また前記保護膜に前述のような硬質な膜を採用したとしても、前記保護膜の厚さ（数μｍ）に比べて前記半導体基板の板厚（数十μｍ以上）の方が圧倒的に厚いので、前述の残留応力や熱膨張による下地膜へのダメージは生じる事がない。
【００４７】
また比較的板厚の厚い前記半導体基板は稠密、完全であり、前述したナトリウムや水分等の浸透、透過等の恐れはない。
【００４８】
また本発明に用いる照明光は前記半導体基板自身を透過するので、前述した新たな窓材等は不要である。
【００４９】
また、本発明の指センサのパッケージを形成する際に、公知の液晶セル製造技術や、基板貼合せ技術である陽極接合技術等を用いる事は、とても有用である。
【発明の効果】
【００５０】
本発明によれば、光源、光学系を最小にした、製造容易で信頼性の高い、指紋等を検出する指センサを、安価に製造する事ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５１】
（実施例１）
本発明の第一実施例である、指センサの概略断面図を図１に示す。１１は大きさ１．５ｃｍ角、厚さ５０μｍ、抵抗率１００Ω−ｃｍの単結晶シリコン基板であり、その表面には発光源である有機ＥＬ素子１４と、光電変換手段であるホトダイオード２０が形成されている。
【００５２】
前記ホトダイオード２０は公知の半導体プロセスで形成されている。また前記有機ＥＬ素子１４は、前記半導体プロセスの後工程で形成されている。
【００５３】
前記素子１４は、波長１μｍの赤外光を発する。また前記単結晶シリコン製のホトダイオード２０は、この１μｍに分光感度を有している。
【００５４】
図１２に示したグラフは、前記単結晶シリコン基板を通して光を入射した際の、前記ホトダイオードが示す分光感度特性である。
【００５５】
両素子１４、２０が形成された後、前記半導体基板は薄板化され、厚さ５０μｍとなる。
１２は前記半導体チップ１１を搭載するための支持基盤であり、大きさ２ｃｍ角、厚さ１ｍｍのＰＣＢ基板である。前記基盤１２は前記基板１１よりも機械的強度を有しており、前記基板１１を機械的に支持、保護している。
【００５６】
また両基板１１、１２は半導体グレードの柔らか目の接着剤、ゲル型接着剤１３で接着されている。
【００５７】
図７は本実施例の半導体基板の表面側の、概略平面図である。
【００５８】
前記基板１１には、外部引出し用の複数の電極２３が形成されており、公知の金バンプ法によって前記基盤１２との電気的導通を果たしている。前記バンプの高さは５０μｍであり、従って前記接着剤１３の厚さはこの値に規定されている。
【００５９】
前記有機ＥＬ素子１４は図７に示したように巾０．５ｍｍの面状光源であり、大きさ１ｃｍ角の前記ホトダイオード２０領域を取り囲んでいる。前記ホトダイオード領域は、大きさ５０μｍ角のホトダイオード２０が２００＊２００＝計４００００個集積したものである。
【００６０】
また１５は前記光源１４の周囲を囲むアルミ製の遮光膜であり、前記光源から意図しない方向へ前記照明光が漏れ出るのを防止している。
【００６１】
前記半導体基板上の電気回路は一般には光敏感であるので、前記遮光膜１５を設けないと、入射した迷光によって前記回路が誤動作する恐れがある。
【００６２】
１６は前記基板１１側方に設けられた樹脂材料からなる遮光膜である。
【００６３】
前記遮光膜１６は、前記照明光が外部へ漏れ出る事と、外部光の内部への侵入の両方を防止している。
【００６４】
前記素子１４から出射された照明光１７は、前記基板１１中を透過し、前記基板１１の裏面側の界面に到達する。そこで一部の照明光は反射される。
【００６５】
その他の照明光は撮像対象である指１８まで到達し、前記指１８の表面あるいは内部の光学的な特性に応じて前記照明光は散乱、屈折、反射され、一部の光１９は前記界面を透過して前記光電変換手段であるホトダイオード２０に到達する。
【００６６】
これにより前記指の光学的な特性は、前記ホトダイオード２０アレーによって検出される。
【００６７】
検出された２次元的な光情報は前記ホトダイオード２０によって光電変換され、前記チップ１１に搭載されている電気回路２２によって電気的に処理され、画像情報となって前述の電極２３から前記ＰＣＢ１２へと出力される。
【００６８】
また、前記回路２２中では、前記基板１１へのオーミックコンタクト（基板電極）が１００Ω以下の低抵抗で取られており、また前記基板電極は前記チップ上に存在する配線を介して前記引出し電極２３まで引き出されている。
【００６９】
前記電極２３と前記ＰＣＢ１２は、前述のように低抵抗な金バンプで導通している。
【００７０】
前記ＰＣＢ基板１２上には低抵抗なＧＮＤラインが存在し、前記ラインは本実施例である指センサの外部に存在するＧＮＤ端子と接続して使用する。そのため、前記基板１１に発生した静電気を、容易に前記指センサの外部へと導く事ができる。
【００７１】
また前記ＧＮＤ配線は、前記指センサに発生するノイズを防止する効果も有る。
【００７２】
本実施例によれば、指紋や静脈分布等の指の光学的な生体情報を検出可能である。前記検出された生体情報は、例えばバイオメトリクス認証、本人認証等に利用できる。本実施例は大きさ２ｃｍ角、厚さ１．１ｍｍ程度の薄型、小型な指センサである。そのためその応用用途は膨大であり、例えば携帯機器へも搭載する事ができる。また、本実施例の製造工程にも、特に価格を上昇させるようなプロセスは存在しない。
【００７３】
本実施例の単結晶シリコン基板はダイヤモンドに次ぐ硬さを有するため、爪等で傷が付く事はない。
【００７４】
また前記指が接触する部分からのナトリウムや水、油脂等の汚染物質の侵入も、同様の理由で確実にブロックする事ができる。
【００７５】
また前記半導体基板表面以外からの汚染の侵入に対しても、前記センサを構成する部材に高品質な材料を使用しているため、かなり強い。
【００７６】
また指を前記センサに接触する事によって生じる深刻な静電気問題も、前述した原理により防ぐ事ができる。
【００７７】
本発明に用いる半導体基板は、何も単結晶シリコン基板である必要はなく、他の単結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム基板、ポリシリコン基板、アモルファスシリコン基板等、光電変換素子が形成可能な基板であり、特定の波長の光を透過する基板で有りさえすれば良い。
【００７８】
また前記光電変換手段は、何もホトダイオードである必要は無く、ポテンシャルウェル、ホトトランジスタ、Ｊ−ＦＥＴ等で有っても良い。
【００７９】
本発明に用いる接着剤は、公知の半導体実装工程で用いられるもので有れば任意である。また前記支持基盤であるＰＣＢ基板は、公知の他の基板、例えばガラス基板等で有っても良い。
【００８０】
（実施例２）
本発明の第二実施例である、指センサの概略断面図を図２に示す。
【００８１】
３４は支持基盤である、ガラス基板３２上に設けられた無機ＥＬ素子である。前記素子３４は波長９５０μｍの赤外光を発する。
【００８２】
３５はホトダイオード４０の表面に形成された遮光膜であり、前記赤外光が直接入射する事を防止している。
【００８３】
４１は指紋による汚れ（油脂）付着を防止するための保護膜である。
【００８４】
単結晶シリコン基板の表面は活性で有って、油脂等からなる残留指紋等が残り易い。これは、指紋検出の際にはノイズ成分として働く。その為、前記基板表面の清掃が必要となって煩わしい。
【００８５】
従って本実施例では前記基板３１表面に、前記残留指紋が残りにくく掃除が容易なテフロン（登録商標）系有機物４１を、前記裏面側の指が直接接触する部分に形成している。
【００８６】
前記光源３４から発せられた赤外光３７は、接着剤３２、基板３１、保護膜４１を通り、指３８に入射する。
【００８７】
入射した光は一部分反射して反射光３９となり、保護膜４１、基板３１を通りホトダイオード４０に入射する。
【００８８】
本実施例によれば、前記半導体基板には通常の半導体装置、ＩＣを用いる事が出来るため、前記基板を安価に製造可能である。
【００８９】
また前記支持基盤に搭載する光源の種類も、前記半導体基板のように半導体プロセス互換性を気にする事なくより選択の余地が広がるため、より広範なものを選べるようになる。
【００９０】
前記光源に用いる素子は何も無機ＥＬ素子に限る事はなく、例えば公知のＬＥＤ等で有っても良い。
【００９１】
図１２に示したように、光電変換手段に単結晶シリコン基板上に形成されたホトダイオードを用いる場合には、前記照明光の波長は９７５ｎｍから１１５０ｎｍの範囲にある事が望ましい。しかしながら、多少外れた場合で有っても、前記指センサには使用可能であるのも確かである。波長９４５ｎｍのＬＥＤは、広く市販されているために安価である。
【００９２】
また前記保護膜の材質は、適度な爪／機械的防御性、指紋／耐汚染性を有しておれば任意の材料で良い。そのような材料としては、ガラス、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等が挙げられる。
【００９３】
（実施例３）
本発明の第三実施例である、指センサの概略断面図を図３に示す。５１は巾１ｍｍ、長さ２０ｍｍ、厚さ１００μｍの単結晶シリコン基板である。本実施例はライン型指センサで、前記センサ上に指５８を乗せてスライドさせる事で、前記指５８全体の画像を取得する。前記基板５１中には、赤外光源５４とホトダイオード６０が搭載されている。本実施例の概略平面図を図８に示す。
【００９４】
前記光源５４は巾１０μｍ、長さ１６ｍｍのそれである。前記光源５４から出射される波長１．１μｍの照明光５７は、他の実施例に比べるとより指向性が強くなっている。
【００９５】
また前記ホトダイオード６０は図８に示したように３本のライン状であり、画素大きさ５０μｍ角の画素が縦方向に３２０個並んだものが３本存在する。前記各ライン間の繰り返しピッチは１００μｍである。
【００９６】
前記光源５４から発せられた照明光５７は前記指５８によって正反射気味に反射されて、前記３本のホトダイオード６０へと入射する。これにより、前記指５８の特定の部分の光学特性が、前記３本のライン６０に取得される。
【００９７】
前記各ライン６０で取得されたライン画像は次いで電気回路６２に出力され、前記回路６２において３本のライン画像間の相関を取って、前記指５８のスライド速度を推定する。このスライド速度の推定方法は、公知の手法を用いる。前記撮像されたライン画像と、前記推定されたスライド速度は、電極６３を通して前記支持基盤５２へと出力される。
【００９８】
前記出力されたライン画像は、前記支持基盤である大きさ１０ｍｍ＊２５ｍｍ、厚さ１ｍｍのＰＣＢ５２において、全体画像へと統合される。前記ＰＣＢ５２には、画像処理用のＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）とメモリが搭載されている。
【００９９】
本実施例によれば、前記半導体基板の巾が１ｍｍと非常に小さいため、前記指センサのサイズを最小化する事ができる。
【０１００】
本実施例で行っている全体画像の構築は、何も前記支持基盤で行う必要はなく、他のプロセッサ機能を有する基板、回路で行ってもよい。これにより、前記指センサの大きさを桁違いに小さくする事ができる。
【０１０１】
（実施例４）
また、本発明の第四実施例である、指センサの概略断面図を図４に示す。照明光７７を発するＬＥＤ光源７４は、厚さ１ｃｍの支持基盤７２中に埋め込まれている。前記光源７４の外形は砲弾型をしており、前方にのみ指向性の強い光を発する。本実施例によれば、多少センサ大きさは大きくなるものの、前記照明光の指向性が強まるため、前記ホトダイオード８０に取得されるライン画像の空間解像度が更に向上する。
【０１０２】
（実施例５）
本発明の第五実施例である、指センサの模式断面図を図５に示す。
【０１０３】
本実施例では、大きさ１５ｍｍ角、厚さ５０μｍの半導体基板９１に２次元エリア状の光源９４と、ホトダイオード１００を集積する。
【０１０４】
また図９に本実施例の模式平面図を示す。
【０１０５】
図５、９には光源９４とホトダイオード１００は３行３列分しか図示していないが、実際には大きさ１０ｍｍ角の領域の中に、大きさ５０μｍ角の光源９４がピッチ１００μｍで２００＊２００／２＝２万個、同様に大きさ５０μｍ角のホトダイオード１００がピッチ１００μｍで２万個並んでいる。また両者の配列は、図９のように市松状である。
【０１０６】
本実施例では、前記光源９４は全て同時に点灯し、前記ホトダイオードアレー１００も、同時に蓄積を開始する。前記アレー１００によって取得された指９８の全体画像は、電気回路１０２によって処理され、電極１０３から支持基盤９２へと出力される。
【０１０７】
本実施例によれば、前記光源９４が半導体チップ９１中のホトダイオード領域中に有るため、更に前記チップ９１を小さくする事ができる。
【０１０８】
また空間解像度を向上させるため、任意の画素をその周辺の光源をセットにして、その光源のみを発光させる事で、更に前記解像度を向上させることができる。
【０１０９】
また、前記解像度を向上させるためには、前記半導体基板の厚さを薄くする事も効果的である。但し前記基板の厚さを余りにも薄くすると、前記基板裏面から入射する外光の対策が必要となる。
【０１１０】
（実施例６）
本発明の第六実施例である、指センサの概略断面図を図６に示す。
【０１１１】
１１４は支持基盤１１２上に形成された赤外光源であり、第二実施例と同様に照明光１１７は接着剤１１３、基板１１１、保護膜１２１を通り、指１１８を照射する。
【０１１２】
本実施例は、前記基板１１１に通常の半導体装置、ＩＣを用いる事ができるため、安価に製造する事ができる。
【０１１３】
（実施例７）
本発明の第七実施例である、指センサの概略断面図を図１０に示す。
【０１１４】
１３９は熱硬化型樹脂で、ゲル型樹脂１３３から水分が浸透するのを防ぐ為に、半導体基板１３１とその支持基盤１３２の間の隙間部分を埋めている。
【０１１５】
前記樹脂１３３は、前記両基板１３１、１３２をストレスなく接着する必要が有ることから、かなり柔らか目の樹脂となりがちである。そして前記柔らかい樹脂は、一般には水分やガスの浸透に対する阻止能力が低いのが常である。
【０１１６】
それに対して、前記熱硬化型樹脂は樹脂の中でも耐湿性に優れた樹脂であり、前記樹脂の使用は、前記指センサのパッケージ信頼性を高めている。
【０１１７】
本実施例を用いれば、前記両基板１３１、１３２を接着する樹脂１３３の選択の余地をかなり広げる事ができる。
【０１１８】
また本発明に使用する樹脂１３９は、何も熱硬化型樹脂である必要は無く、例えばＵＶ硬化型樹脂、２液混合型接着剤等、耐湿性を有する樹脂であっても良い。
【０１１９】
（実施例８）
本発明の第八実施例である、指センサの概略断面図を図１１に示す。
【０１２０】
１５１は単結晶シリコン半導体基板、１５２はその支持基盤である、熱膨張係数を前記基板１５１と合わせたガラス基板である。１５３は両基板１５１、１５２を接着するための樹脂である。
【０１２１】
前記両基板１５１、１５２の基板大きさは大略同じで、液晶セルの実装技術を利用して形成されている。前記液晶セルと違う点は、前記基板１５１の厚さが５０μｍ、前記基板１５２の厚さが０．７ｍｍと厚さが異なる点である。
【０１２２】
前記接着剤１５２には、前記液晶セルで使用されるシール材が用いられている。
【０１２３】
また前記シール材１５３の表面は、耐湿性の有る樹脂１５９で覆われている。
【０１２４】
本実施例によれば、前記指センサの実装組み立ての自動化が容易であり、また前記指センサを構成する部品が最小で済む事から、前記センサの製造コストをかなり安価にする事ができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】本発明の第一実施例である、指センサの概略断面図。
【図２】本発明の第二実施例である、指センサの概略断面図。
【図３】本発明の第三実施例である、指センサの概略断面図。
【図４】本発明の第四実施例である、指センサの概略断面図。
【図５】本発明の第五実施例である、指センサの模式断面図。
【図６】本発明の第六実施例である、指センサの概略断面図。
【図７】本発明の第一実施例の半導体基板の表面側の概略平面図。
【図８】本発明の第三実施例の概略平面図。
【図９】本発明の第五実施例の模式的平面図。
【図１０】本発明の第七実施例である、指センサの概略断面図。
【図１１】本発明の第八実施例である、指センサの概略断面図。
【図１２】分光特性データを示す図。
【符号の説明】
【０１２６】
１１、３１、５１、７１、９１、１１１  基板
１２、３２、５２、７２、９２、１１２  支持基盤
１３、３３、５３、７３、９３、１１３  樹脂
１４、３４、５４、７４、９４、１１４  光源
１５、３５、５５、７５、９５、１１５  遮光膜
１６、３６、５６、７６、９６、１１６  遮光膜
１７、３７、５７、７７、９７、１１７  照明光
１８、３８、５８、７８、９８、１１８  指
１９、３９、５９、７９、９９、１１９  反射光
２０、４０、６０、８０、１００、１２０  ホトダイオード
２２、６２、１０２  回路
２３、６３、１０３  電極
４１、６１、８１、１０１、１２１  保護膜
１３９、１５９  樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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