(57)【要約】【課題】簡単な構成でありながら温度補償を行うことができる安価な圧電発振器並びに、温度補償型圧電発振器を備える携帯電話装置及び温度補償型圧電発振器を備える電子機器を提供する。【解決手段】圧電振動片３２と、前記圧電振動片３２を収容するパッケージ９と、高温側の温度補償を行う高温補償回路１３と、を備え、前記パッケージ９の発熱を利用して低温側の温度補償を行う構成としたことを特徴とする温度補償型圧電発振器３０。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電振動片と、
前記圧電振動片を収容するパッケージと、
高温側の温度補償を行う高温補償回路と、を備え、
前記パッケージの発熱を利用して低温側の温度補償を行う構成とした
ことを特徴とする温度補償型圧電発振器。
【請求項２】
前記高温補償回路には、サーミスタが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の温度補償型圧電発振器。
【請求項３】
前記パッケージは、プラスチックであることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の温度補償型圧電発振器。
【請求項４】
前記パッケージの容積は、５．０ｍｍ３以上１６．２ｍｍ３以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の温度補償型圧電発振器。
【請求項５】
前記パッケージには、リード端子が設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の温度補償型圧電発振器。
【請求項６】
温度変化による発振周波数の変動を補償する温度補償型圧電発振器を利用した携帯電話装置であって、
前記圧電発振器が、
圧電振動片と、
前記圧電振動片を収容するパッケージと、
高温側の温度補償を行う高温補償回路と、を備え、
前記パッケージの発熱を利用して低温側の温度補償を行う構成である
ことを特徴とする温度補償型圧電発振器を備える携帯電話装置。
【請求項７】
温度変化による発振周波数の変動を補償する温度補償型圧電発振器を利用した電子機器であって、
前記圧電発振器が、
圧電振動片と、
前記圧電振動片を収容するパッケージと、
高温側の温度補償を行う高温補償回路と、を備え、
前記パッケージの発熱を利用して低温側の温度補償を行う構成である
ことを特徴とする温度補償型圧電発振器を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧電振動片を収容するパッケージに、高温側の温度補償を行う高温補償回路を内蔵する温度補償型圧電発振器並びに、温度補償型圧電発振器を備える携帯電話装置及び電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１０は、従来の圧電発振器１３０の電気的な構成例を示す回路図である。
例えばＡＴカット水晶振動子を利用した従来の圧電発振器には、例えば−４０℃〜＋９０℃の温度範囲で周波数変化を少なくするために、低温域の周波数温度補償回路（図示の低温補償回路１０３に相当）及び高温域の周波数温度補償回路（図示の高温補償回路１０５に相当）を設けている（例えば特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００３】
この圧電発振器１３０は、このような低温補償回路１０３及び高温補償回路１０５以外にも圧電振動片１０７及び発振回路１０９を備えている。圧電振動片１０７は、図示しない励振電極に印加された駆動信号に基づく圧電効果により、所定の周波数で振動する構成となっている。発振回路１０９は、圧電振動片１０７の周波数に基づいて所定の周波数で発振させ、端子１１１に出力する機能を有する。
【０００４】
【特許文献１】
特開平６−８５５３８号公報（第１図）
【特許文献２】
特開平６−４８４１３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年、圧電発振器１３０の小型化が進んでおり、従来よりも圧電発振器１３０のパッケージの放熱に関する要求が厳しくなっている。特にリード端子を有しない圧電発振器では、リード端子から実装基板に放熱されにくいため、さらに放熱に関する要求が厳しいものとなっている。また、上述のように温度補償を行うのに低温補償回路１０３及び高温補償回路１０５の両方を設けることは、製造コストがかかるばかりでなく構造が複雑となる要因の一つとなっていた。従って、このような課題を解決すると共にこのような要求を満たす圧電発振器１３０が望まれていた。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解消して、簡単な構成でありながら温度補償を行うことができる安価な温度補償型圧電発振器並びに、温度補償型圧電発振器を備える携帯電話装置及び電子機器を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述の目的は、第１の発明によれば、圧電振動片と、前記圧電振動片を収容するパッケージと、高温側の温度補償を行う高温補償回路と、を備え、前記パッケージの発熱を利用して低温側の温度補償を行う構成としたことを特徴とする温度補償型圧電発振器により、達成される。
上記構成によれば、近年、例えば小型化が進んだ圧電発振器においては放熱が徐々に困難となりつつあるが、この圧電発振器は、パッケージの発熱を利用して低温側の温度補償を行っている。従って、この圧電発振器は、低温側の温度補償回路を省略することができるので、構造を簡素化できると共に安価なものとなる。
【０００８】
第２の発明は、第１の発明の構成において、前記高温補償回路には、サーミスタが設けられていることを特徴とする。
上記構成によれば、圧電発振器は、パッケージの発熱を低温側の温度補償に用いた場合に高温側の温度特性に影響が出ることを防止するため、高温側の温度補償を安価なサーミスタを用いて行っている。従って、この圧電発振器は、安価なサーミスタを用いて、高温側及び低温側の両方の温度補償を簡単、且つ、安価に行うことができるようになる。
【０００９】
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明のいずれかの構成において、前記パッケージは、プラスチックであることを特徴とする。
上記構成によれば、プラスチックを材質とするパッケージは放熱効率が悪いものの、放熱しきれない熱を低温側の温度補償に用いることができる。従って、圧電発振器は、簡単な構成でありながら、低温側の温度補償を行うことができる。
【００１０】
第４の発明は、第１の発明ないし第３の発明のいずれかの構成において、前記パッケージの容積は、５．０ｍｍ３以上１６．２ｍｍ３以下であることを特徴とする。
上記構成によれば、容積が５．０ｍｍ３以上１６．２ｍｍ３以下の小型化が進んだパッケージの圧電発振器においては放熱が徐々に困難となりつつあるが、この圧電発振器は、小型なパッケージの放熱の困難性を敢えて利用して低温側の温度補償を行っている。従って、この圧電発振器は、低温側の温度補償回路を省略することができるので、構造を小型で、且つ、簡素化できると共に安価なものとなる。
【００１１】
第５の発明は、第１の発明ないし第４の発明のいずれかの構成において、前記パッケージには、リード端子が設けられていることを特徴とする。
上記構成によれば、圧電発振器は、パッケージにリード端子を有しないいわゆるリードレス型ではないためパッケージの放熱効率が低いものの、例えば放熱しきれない熱を低温側の温度補償に有効活用することができる。従って、例えば近年小型化された圧電発振器は、その小型化に伴う放熱の困難性を回避すると共に、熱を有効に利用することができる。
【００１２】
上述の目的は、第６の発明によれば、温度変化による発振周波数の変動を補償する温度補償型圧電発振器を利用した携帯電話装置であって、前記圧電発振器が、圧電振動片と、前記圧電振動片を収容するパッケージと、高温側の温度補償を行う高温補償回路と、を備え、前記パッケージの発熱を利用して低温側の温度補償を行う構成であることを特徴とする温度補償型圧電発振器を備える携帯電話装置により、達成される。
【００１３】
上述の目的は、第７の発明によれば、温度変化による発振周波数の変動を補償する温度補償型圧電発振器を利用した電子機器であって、前記圧電発振器が、圧電振動片と、前記圧電振動片を収容するパッケージと、高温側の温度補償を行う高温補償回路と、を備え、前記パッケージの発熱を利用して低温側の温度補償を行う構成であることを特徴とする温度補償型圧電発振器を備える電子機器により、達成される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて説明する。
＜第１実施形態＞
図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、それぞれ本発明の第１実施形態としての圧電発振器３０の構成例を示す平面図及び側面図である。
圧電発振器３０は、予め設定された周波数で発振を行い、リード端子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄのいずれかに出力する機能を有する。この圧電発振器３０は、例えば温度変化による発振周波数の変動を打ち消すように構成したいわゆる温度補償型の圧電発振器である。第１実施形態において、この圧電発振器３０は、例えば低温側の温度補償を行う構成とした温度補償型の圧電発振器であり、例えばＡＴカット水晶振動片を備えている。
【００１５】
圧電発振器３０は、圧電振動片及び発振回路を備える小型な圧電発振器である。この圧電発振器３０は、図１（Ａ）に示すように厚さの薄い箱形状のパッケージ９の側面９ａにリード端子５ａ，５ｂ及び側面９ｂにリード端子５ｃ，５ｄが設けられている。これらのリード端子５ａ，５ｂ及びリード端子５ｃ，５ｄは、それぞれ図１（Ｃ）に示すようにパッケージ９の側面９ａ，９ｂからほぼ垂直に多少延び、さらにパッケージ９に沿って延び、またさらにパッケージ９の底面９ｄに沿って多少延びた構成となっている。これらリード端子５ａ等は、例えば４２アロイにＡｇメッキが施されている。
【００１６】
ここで、パッケージ９の材質としては、例えばプラスチックを挙げることができる。このような構成とすると、プラスチックを材質とするパッケージ９は放熱性が低いものの、例えば放熱しきれない熱を低温側の温度補償に効率よく用いることができる。従って、圧電発振器３０は、簡単な構成でありながら、低温側の温度補償を行うことができる。
【００１７】
図１（Ｂ）に示すリード端子５ａ等は、それぞれ例えば実装基板７に形成された電極に対して接点７ａ等にて接触している。この圧電発振器３０においては、動作時に生じた熱がパッケージ９の表面やリード端子５ａ等から放熱される構成となっており、リード端子５ａ等の接点７ａ等がほぼ点接触であることから、リード端子５ａ等の代わりに面接触の電極を有する形態と比べて、パッケージ９からの放熱効率が良好とはいえない。
【００１８】
第１実施形態において特徴的なことは、この圧電発振器３０が、パッケージ９の発熱を利用して低温側の温度補償を行う構成であることである。近年、例えば小型化が進んだ圧電発振器３０においては放熱が徐々に困難となりつつあるが、この圧電発振器３０は、パッケージ９の発熱を利用して低温側の温度補償を行っているのである。つまり、この圧電発振器３０には、低温側の温度補償回路が設けられていないことが特徴的である。このように圧電発振器３０は、低温側の温度補償回路を省略することができるので、構造を簡素化できると共に安価なものとなる。
【００１９】
次に圧電発振器３０の具体的な構成例について説明する。まず、以下の説明において用いる各パラメータについて説明する。
まず、パッケージ９の熱抵抗とは、デバイスが１Ｗの電力を消費したときに生じる素子とパッケージ表面や周囲雰囲気との温度差をいう。その表示の仕方としては、１Ｗ当たりの発熱素子の接合部とパッケージ９の表面間の熱抵抗をθｊｃとする。また、１Ｗあたりのパッケージ９の表面と周囲雰囲気間の熱抵抗をθｃａとする。また、１Ｗあたりの発熱素子接合部と周囲雰囲気間の熱抵抗をθｊａ（＝θｊｃ＋θｃａ）とする。また、発熱素子上の接合部の温度をＴｊとする。ここで、発熱素子上の接合部の温度Ｔｊにおいて補償される最高温度を、特にＴｊｍａｘとする。
【００２０】
これらのパラメータは、以下に示すような熱抵抗の定義としての関係式（１）を満たす。
Ｔｊ＝（θｊｃ＋θｃａ）×Ｐ＋Ｔａ＝θｊａ×Ｐ＋Ｔａ・・・（１）
尚、Ｐは、発熱素子の消費電力を表しており、Ｔａは、周囲雰囲気温度を表している。
【００２１】
このような小型であって低温側の温度補償回路を省略することができる程度の発熱を行う圧電発振器３０としては、例えば以下の式（２）を満たす構成となっている。
θｃａ×Ｐ＞１５［℃］・・・（２）
このような式（２）を満たすと、圧電発振器３０の発熱する熱量により低温側の温度補償を行うため、圧電発振器３０は、低温補償回路を設ける必要が無くなる。
【００２２】
上述のように圧電発振器３０は、小型で放熱しにくい構成であることを利用して低温側の温度補償を行っており、次に圧電発振器３０の容量について説明する。
図２は、圧電発振器３０の容量に対する各パラメータの値の一例を示す図であり、図３は、圧電発振器３０の容量に対する熱抵抗の関係を表す図である。尚、図３は、図２に示す数値を具体的に図示した図であり、図３の縦軸は熱抵抗θｃａ［℃／Ｗ］を表しており、横軸は発振器の容積［ｍｍ３］を表している。
【００２３】
図２のサンプルＬＥ，ＬＢ，ＪＦ，ＪＣ，ＪＡは、それぞれ例えばリード端子が設けられたパッケージを備えている。また、各サンプルＬＥ，ＬＢ，ＪＦ，ＪＣ，ＪＡは、それぞれ幅×奥行き×厚さが以下のようになっている。
サンプルＬＥは、例えば２．５±０．２ｍｍ×３．２±０．２ｍｍ×１．０５±０．１５の容積を有する。サンプルＬＢは、例えば３．２±０．２ｍｍ×５．０±０．２ｍｍ×１．５ｍｍの容積を有する。サンプルＪＦは、例えば４．６±０．２ｍｍ×７．１±０．２ｍｍ×１．５ｍｍの容積を有する。サンプルＪＣは、例えば５．０ｍｍ×１０．５ｍｍ×２．７ｍｍの容積を有する。サンプルＪＡは、例えば８．６５ｍｍ×１４．０ｍｍ×４．０６ｍｍの容積を有する。
【００２４】
上述のように圧電発振器３０において発熱により低温側の温度補償を行うためには、そのパッケージ９の熱抵抗θｃａが例えば１４０［℃／Ｗ］以上であることが必要である。なぜならば、パッケージ９の熱抵抗θｃａが１４０［℃／Ｗ］未満であると、発熱素子による発熱量が不足し、圧電発振器３０の低温側の温度補償を行うのに発熱量が不足するおそれがあるためである。
【００２５】
このような熱抵抗θｃａを満たすのは、図３のサンプルＬＢ及びサンプルＬＥである。ここで、図示の特性によれば、熱抵抗θｃａが１４０［℃／Ｗ］以上となるのは、圧電発振器３０のパッケージ９の容量が例えば１６．２ｍｍ３以上の場合である。このような構成とすると、容積が１６．２ｍｍ３以下の小型化が進んだパッケージ９の圧電発振器３０においては放熱が徐々に困難となりつつあるが、この圧電発振器３０は、小型なパッケージ９の放熱の困難性を敢えて利用して低温側の温度補償を行っている。また、圧電発振器３０の容積の下限値としては、例えば５．０ｍｍ３以上であるのが望ましい。従って、この圧電発振器３０は、低温側の温度補償回路を省略することができるので、構造を簡素化、且つ、小型化することができると共に安価なものとなる。
【００２６】
圧電発振器３０は以上のような構成であり、次に図１〜図３を参照しつつ圧電発振器３０の発振周波数特性の一例について説明する。
図４は、圧電発振器３０の発熱による発振器温度特性の一例を示す図である。
図４においては、発振器温度特性ＧＢは、圧電発振器３０の熱抵抗θｃａが小さく発熱量が小さい場合の圧電発振器３０（水晶発振器）の周波数温度特性（例えば＋２５℃基準）の一例を示している。この発振器温度特性ＧＢは、電源電圧ＶＤＤを操作することで、例えば消費電力をＰ＝２２ｍＷ（ｆ０＝１２５ＭＨｚ，ＶＤＤ＝２．７Ｖ，８ｍＡ）として雰囲気温度による周波数を測定し、例えば＋２５℃基準の周波数偏差を求めたものである。
【００２７】
一方、発振器温度特性ＧＡは、例えば圧電発振器３０の熱抵抗θｃａが大きく発熱量が大きい場合の圧電発振器３０の周波数温度特性（例えば＋２５℃基準）の一例を示している。この発振器温度特性ＧＡは、電源電圧ＶＤＤを操作することで、例えば消費電力をＰ＝１５０ｍＷ（ｆ０＝１２５ＭＨｚ，ＶＤＤ＝５．０Ｖ，３０ｍＡ）として雰囲気温度による周波数を測定し、例えば＋２５℃基準の周波数偏差を求めたものである。
【００２８】
ここで、発振器温度特性ＧＡの熱抵抗θｃａをθｃａＡとし、発振器温度特性ＧＢの熱抵抗θｃａをθｃａＢとする。発振器温度特性ＧＢの熱抵抗θｃａＢが十分小さい場合には、圧電発振器３０の表面温度Ｔｏｓｃは、周囲雰囲気温度Ｔｏｐｒとほぼ同等となる。一方、発振器温度特性ＧＡの熱抵抗θｃａＡが大きい場合には、圧電発振器３０の表面温度Ｔｏｓｃが周囲雰囲気温度Ｔｏｐｒよりも上昇するため、発振器周波数温度偏差ｆＢは、内蔵する圧電振動片が周囲雰囲気温度と温度上昇分に影響された周波数温度偏差ｆＡとなり、式（３）、（４）で表される。
【００２９】
ｆＢ（Ｔｏｐｒ）＝ｆＡ（Ｔｏｓｃ）＝ｆＡ（θｃａ×Ｐ（Ｔｏｐｒ）＋Ｔｏｐｒ）・・・（３）
ｆＡ（Ｔｏｐｒ）＝ｆＢ（Ｔｏｓｃ）＝ｆＢ（θｃａ×Ｐ（Ｔｏｐｒ）＋Ｔｏｐｒ）・・・（４）
ここで、ｆＡ（），ｆＢ（）は、それぞれ式（５）で表されるＡＴカット水晶温度特性の３次元曲線を意味する。
ｆ（Ｔｏｐｒ）＝Ａ×Ｔｏｐｒ３＋Ｂ×Ｔｏｐｒ２＋Ｃ×Ｔｏｐｒ＋Ｃ・・・（５）
ここで、Ｔｏｐｒは発振器周囲雰囲気温度を示しており、Ｔｏｓｃは発振器表面温度を示している。
【００３０】
上記Ｔｏｐｒ，Ｔｏｓｃは、以下のような式（６）を満たしている。
Ｔｏｓｃ＝θｃａ×Ｐ＋Ｔｏｐｒ・・・（６）
ここで、Ｐは発振器の消費電力を示しており、θｃａは、１Ｗあたりの発振器表面と周囲雰囲気間の熱抵抗を示している。この熱抵抗θｃａは、例えばＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）で構成されている発振回路の動作時の発熱量と発振器構造による発熱量から固有に決定される。
【００３１】
また、発振器温度特性ＧＢが、（ｆＢ（Ｔｏｐｒ）−ｆＢ（２５））／ｆＢ（２５）で表されるものとすると、発振器温度特性ＧＡは、（ｆＢ（θｃａ×Ｐ（Ｔｏｐｒ）＋Ｔｏｐｒ）−ｆＢ（θｃａ×Ｐ（２５）＋２５））／ｆＢ（θｃａ×Ｐ（２５）＋２５）で表される。以上のような結果を図示すると、図４に示すようになる。
【００３２】
本発明の第１実施形態によれば、図４を参照するとわかるように、温度が例えば＋２５℃以下の低温側においては、周波数誤差［１×１０−６Ｈｚ］がより０に近づくため、圧電発振器３０は、低温側の温度補償回路を備えていないものの、低温側の温度補償を行うことができる。つまり、近年、例えば小型化が進んだ圧電発振器３０においては放熱が徐々に困難となりつつあるが、この圧電発振器３０は、パッケージ９の発熱を利用して低温側の温度補償を行っている。従って、この圧電発振器３０は、低温側の温度補償回路を省略することができるので、構造を簡素化できると共に安価なものとなる。
【００３３】
＜第２実施形態＞
図５は、第２実施形態としての温度補償型圧電発振器としての圧電発振器３０ａの電気的な構成例を示すブロック図である。
本発明の第２実施形態としての圧電発振器３０ａでは、図１〜図４において第１実施形態としての圧電発振器３０と同一の符号を付した箇所はほぼ同じ構成であるから、同一の構成は図１〜図４と共通の符号を用いてその説明を省略し、異なる点を中心として説明する。
【００３４】
第２実施形態としての圧電発振器３０ａは、第１実施形態と同様に発振回路１１及び圧電振動片３２を備え、さらに第２実施形態において特徴的なサーミスタ１３ｂを備える高温補償回路１３が設けられている。具体的には、高温補償回路１３は、その一端が接地されており、他端が圧電振動片３２に接続されている。
【００３５】
この高温補償回路１３は、コンデンサ１３ａとサーミスタ１３ｂが並列に接続された構成となっている。この高温補償回路１３は、＋２５℃の常温よりも高い温度において温度の上昇と共に、例えばサーミスタ１３ｂの抵抗値を減少させることによって、この高温補償回路１３の等価直列容量を増大させて発振周波数を低く機能させている。
【００３６】
圧電発振器３０ａは以上のような構成であり、次に図１〜図５を参照しつつ圧電発振器３０ａの発振周波数特性の一例について説明する。
図６は、圧電発振器３０ａの発熱による発振器温度特性の一例を示す図である。尚、図６における縦軸や横軸は、上記図４と同様であるので説明を省略する。また、発振器温度特性ＧＡは、上記図４に示す発振器温度特性ＧＡと同様であるので、その説明を省略する。
【００３７】
サーミスタ１３ｂを設けた場合の発振器温度特性ＧＣは、例えば＋２５℃の常温よりも高い温度において温度の上昇と共に、高温補償回路１３に設けられたサーミスタ１３ｂの抵抗値を減少させることによって、この高温補償回路１３の等価直列容量を増大させて発振周波数を低くした結果の特性を表している。図６を参照すると、発振器温度特性ＧＣは、例えば＋２５℃を基準とした常温以下の低温側においてはほぼ特性が変化しないのに対して、常温以上の高温側においては周波数誤差が、発振器温度特性ＧＡよりも０に近づきその特性が改善していることがわかる。
【００３８】
本発明の第２実施形態によれば、第１実施形態とほぼ同様の効果を発揮することができるとともに、これに加えて、圧電発振器３０ａは、パッケージ９の発熱を低温側の温度補償に用いた場合に、高温側の温度特性に影響が出てしまうことを防止するため、高温側の温度補償を安価なサーミスタを用いて、低温側及び高温側の両方の温度補償を簡単、且つ、安価に行うことができる。
【００３９】
＜第３実施形態＞
図７は、第３実施形態としての温度補償型圧電発振器としての圧電発振器３０ｂの電気的な構成例を示すブロック図である。
本発明の第３実施形態としての圧電発振器３０ｂでは、図１〜図４において第１実施形態としての圧電発振器３０と、図５及び図６において第２実施形態としての圧電発振器３０ａと同一の符号を付した箇所はほぼ同じ構成であるから、同一の構成は図１〜図６と共通の符号を用いてその説明を省略し、異なる点を中心として説明する。
【００４０】
第３実施形態としての圧電発振器３０ｂは、第２実施形態としての圧電発振器３０ａの構成に加えて、さらに調整抵抗Ｒが設けられている点が異なっている。具体的には、この調整抵抗Ｒは、圧電振動片３２と高温補償回路１３との間に設けられており、その抵抗値が調整されることで高温側において発振周波数を調整することができる。
【００４１】
圧電発振器３０ｂは以上のような構成であり、次に図１〜図７を参照しつつ圧電発振器３０ｂの発振周波数特性の一例について説明する。
図８は、圧電発振器３０ｂの発熱による発振器温度特性の一例を示す図である。尚、図８における縦軸や横軸は、上記図４や図６と同様であるので説明を省略する。また、発振器温度特性ＧＣは、上記図６に示す発振器温度特性ＧＣと同様であるので、説明を省略する。
【００４２】
調整抵抗Ｒを設けた場合の発振器温度特性ＧＤは、例えば＋２５℃の常温よりも高い高温側において温度の上昇と共に、例えば高温補償回路１３に設けられたサーミスタ１３ｂの抵抗値を減少させることによって、この高温補償回路１３の等価直列容量を増大させて発振周波数を低くした結果の特性を表している。図８を参照すると、発振器温度特性ＧＤは、例えば＋２５℃を基準とした常温以下の低温側においてはほぼ特性が変化しないのに対して、常温以上の高温側においては周波数誤差が、発振器温度特性ＧＣよりもより０に近づきその特性が改善していることがわかる。
本発明の第３実施形態によれば、第２実施形態とほぼ同様の効果を発揮することができるとともに、これに加えて、圧電発振器３０ｂは、高温側の温度補償をさらに向上させることができる。
【００４３】
＜応用例＞
図９は、本発明の上述した実施形態に係る圧電発振器３０，３０ａ，３０ｂを利用した電子機器の一例としてのデジタル式携帯電話装置３００の概略構成を示す図である。
図において、送信者の音声を受信するマイクロフォン３０８及び受信内容を音声出力とするためのスピーカ３０９を備えており、さらに、送受信信号の変調及び復調部に接続された制御部としての集積回路等でなるＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）３０１を備えている。
【００４４】
ＣＰＵ３０１は、送受信信号の変調及び復調の他に画像表示部としてのＬＣＤや情報入力のための操作キー等でなる情報の入出力部３０２や、ＲＡＭ，ＲＯＭ等でなるメモリ３０３の制御を行うようになっている。このため、ＣＰＵ３０１には、圧電発振器３０，３０ａ，３０ｂのいずれかが取り付けられて、その出力周波数をＣＰＵ３０１に内蔵された所定の分周回路（図示せず）等により、制御内容に適合したクロック信号として利用するようにされている。このＣＰＵ３０１に取付けられる圧電発振器３０，３０ａ，３０ｂは、圧電発振器３０，３０ａ，３０ｂ単体でなくても、圧電発振器３０，３０ａ，３０ｂと、所定の分周回路等とを組み合わせた発振器であってもよい。
【００４５】
ＣＰＵ３０１は、さらに、温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ）３０５（３０，３０ａ，３０ｂ）と接続され、温度補償水晶発振器３０５は、送信部３０７と受信部３０６に接続されている。これにより、ＣＰＵ３０１からの基本クロックが、環境温度が変化した場合に変動しても、温度補償水晶発振器３０５により修正されて、送信部３０７及び受信部３０６に与えられるようになっている。
【００４６】
このように、制御部を備えたデジタル式携帯電話装置３００のような電子機器に、上述した実施形態に係る圧電振動片３２と、この圧電振動片３２を有する圧電発振器３０，３０ａ，３０ｂを利用することにより、簡単かつ精密に周波数を調整することができるので、正確なクロック信号を生成することができる。
【００４７】
本発明は、上記実施の形態に限定されず、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことができる。例えば上記実施形態の各構成は、その一部を省略したり、上記とは異なるように任意に組み合わせることができる。また、本発明は、ケースやパッケージあるいは蓋体に被われるようにして、内部に発熱素子を収容するものであれば、温度補償を必要とする全てのデバイスに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】圧電発振器の構成例を示す平面図及び側面図。
【図２】圧電発振器の容量に対する各パラメータの値の一例を示す図。
【図３】圧電発振器の容量に対する熱抵抗の関係を表す図。
【図４】圧電発振器の発熱による発振器温度特性の一例を示す図。
【図５】圧電発振器の電気的な構成例を示すブロック図。
【図６】圧電発振器の発熱による発振器温度特性の一例を示す図。
【図７】圧電発振器の電気的な構成例を示すブロック図。
【図８】圧電発振器の発熱による発振器温度特性の一例を示す図。
【図９】デジタル式携帯電話装置の概略構成を示す図。
【図１０】従来の圧電発振器の電気的な構成例を示す回路図。
【符号の説明】
５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ・・・リード端子、９・・・パッケージ、１１・・・発振回路、１３・・・高温補償回路、１３ｂ・・・サーミスタ、３０，３０ａ，３０ｂ・・・圧電発振器（温度補償型圧電発振器）、３２・・・圧電振動片、３００・・・デジタル式携帯電話装置（携帯電話装置、電子機器）、Ｒ・・・調整抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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