(57)【要約】【課題】  パターンの形成工程の簡素化を図り、パターンを容易に形成できるようにする。【解決手段】  基板１２は、パターン形成領域がマイナスに帯電させてあり、成膜チャンバ１４内の電極板１８に装着され、非パターン形成領域が可変直流電源３８によってプラスに帯電させてある。噴霧手段１６は、液体供給手段２０から供給された液体成膜材料２２の微小液滴２４を基板１２に向けて噴射する。液体成膜材料２２は、溶媒２８に金属などの溶質の微粒子３０が分散させてある。微小液滴２４は、可変直流電源２６によってプラスに帯電し、飛翔中に溶媒２８が蒸発して溶質微粒子となって基板１２のパターン形成領域に付着し、パターンを形成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体または半導体からなる基板のパターン形成領域を帯電させ、
噴射して形成した液体成膜材料の微小液滴を前記基板に向けて飛翔させるとともに、
前記微小液滴中の溶媒を前記飛翔中に蒸発させて溶質を前記パターン形成領域に付着させる、
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のパターン形成方法において、
前記微小液滴は、前記パターン形成領域と逆極性に帯電させることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
請求項２に記載のパターン形成方法において、
前記基板は、非パターン形成領域を前記パターン形成領域と逆極性に帯電させることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項４】
請求項３に記載のパターン形成方法において、
前記パターン形成領域に前記溶質によるパターンを形成したのち、界面活性剤を添加した第２液体成膜材料を噴射して第２微小液滴を前記基板に向けて飛翔させるとともに、第２微小液滴中の溶媒を飛翔中に蒸発させ、第２溶質を前記基板の非パターン形成領域に付着させることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のパターン形成方法において、
前記飛翔している液滴を加熱することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のパターン形成方法において、
前記微小液滴を気流によって前記基板に向けて搬送することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項７】
絶縁体または半導体からなる基板のパターン形成領域を帯電させる第１帯電手段と、
液体成膜材料を噴射して微小液滴にする噴霧手段と、
前記パターン形成領域を帯電させた前記基板を前記噴霧手段に対向させて支持する基板支持手段と、
前記噴霧手段を介して前記微小液滴を帯電させる第２帯電手段と、
を有することを特徴とするパターン形成装置。
【請求項８】
請求項７に記載のパターン形成装置において、
前記基板支持手段は、導電性材料によって形成され、前記基板の非パターン形成領域を前記パターン形成領域と逆極性に帯電させる第３帯電手段に接続してあることを特徴とするパターン形成装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項６に記載のパターン形成方法により形成したパターンを有することを特徴とする電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスや液晶デバイスなどの電子デバイスの製造工程において、薄膜による微細なパターンを形成するのに好適なパターン形成方法および装置並びにそれを利用して製造した電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶デバイスなどの電子デバイスにおいては、素子や配線などの微細なパターンが高密度に形成されている。従来、このような微細なパターンは、特許文献１に記載されているように、一般にフォトリソグラフィー技術を利用したエッチング（フォトエッチング）法によって形成していた。すなわち、例えば配線パターンを形成する場合、まず絶縁膜の表面にスパッタリングや蒸着またはＣＶＤなどによって金属薄膜を形成する。その後、金属薄膜の上にフォトレジストを塗布してレジスト膜を形成し、これを露光、現像してレジスト膜をパターニングする。さらに、パターニングしたレジスト膜をマスクとして金属薄膜をプラズマエッチングなどによりエッチングし、不要な部分の金属薄膜を除去する。その後、レジスト膜をアッシングして除去することにより、絶縁膜の表面に所定の配線パターンが形成される。
【特許文献１】特開平５−１４４７７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記したように、従来のパターンの形成は、薄膜の形成→マスクの形成→薄膜のエッチング→マスクの除去、という多くの工程を経て形成される。このため、従来のパターン形成方法は、多くの手間と時間とを必要とする。また、従来のパターン形成方法においては、薄膜の形成や薄膜のエッチングを真空中で行なっており、高価な真空装置を必要とするとともに、高い真空度にして保持するために多くのエネルギーと時間とを必要とする。これらは、半導体デバイスや液晶デバイスなどの生産効率を高めるための障害となっており、生産コスト低減の妨げとなっている。しかも、真空装置の洗浄にＣＨＦ3やＣＦ4などの地球温暖化係数の高いハイドロフルオロカーボン類（ＨＦＣ）やパーフルオロカーボン類（ＰＦＣ）を使用するため、環境への負荷が大きい。
【０００４】
本発明は、前記従来技術の欠点を解消するためになされたもので、パターンの形成工程の簡素化が図れ、パターンを容易に形成できるようにすることを目的としている。
また、本発明は、パターンの形成に要する時間を短縮できるようにすることを目的としている。
さらに、本発明は、真空装置を必要とせず、パターン形成に要するエネルギーの低減と環境への負荷を低減できるようにすることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明に係るパターン形成方法は、絶縁体または半導体からなる基板のパターン形成領域を帯電させ、噴射して形成した液体成膜材料の微小液滴を前記基板に向けて飛翔させるとともに、前記微小液滴中の溶媒を前記飛翔中に蒸発させて溶質を前記パターン形成領域に付着させる、ことを特徴としている。
【０００６】
このようになっている本発明は、基板のパターン形成領域を帯電させ、基板に向けて液体成膜材料を噴射して微小液滴を形成する。微小液滴は、径が例えば数１０μｍ程度であるとすると、常温において２０〜３０ｃｍの距離を飛翔する間に、多くの種類の溶媒は蒸発して溶質だけの微粒子となる。この溶質の微粒子は、帯電しているパターン形成領域に静電引力によって吸引され、パターン形成領域に選択的に付着する。すなわち、本発明は、基板のパターン形成領域を帯電させ、予め濃度などを調整した液体成膜材料を微小液滴化して基板に向けて飛翔させるだけでパターンを形成することができる。したがって、パターン形成工程を大幅に簡素化することができ、パターンを容易に形成することができる。しかも、本発明は、液体成膜材料を噴射するなど、微小液滴を基板に向けて飛翔するだけでよいため、パターンを形成するための時間を大幅に短縮することができる。また、本発明は、液体成膜材料を微小液滴にして飛翔させるようにしており、高価な真空装置などを必要とせず、パターン形成のための消費エネルギーを大幅に節減することができ、ＨＦＣ、ＰＦＣなどによる洗浄が不要であって、環境負荷を低減することができる。
【０００７】
微小液滴は、パターン形成領域と逆極性に帯電させるとよい。これにより、微小液滴または溶質とパターン形成領域との間の静電引力を大きくすることができ、より効率的に溶質をパターン形成領域に付着させることができる。また、基板は、パターン形成領域以外の非パターン形成領域をパターン形成領域と逆極性に帯電させることが望ましい。すなわち、基板の非パターン形成領域を微小液滴と同極性に帯電させる。これにより、溶質が非パターン形成領域に付着するのを確実に阻止することができ、形状精度に優れたパターンを形成することができ、微細なパターンを容易に形成することができる。
【０００８】
そして、前記パターン形成領域に前記溶質によるパターンを形成したのち、界面活性剤を添加した第２液体成膜材料を噴射して第２微小液滴を前記基板に向けて飛翔させるとともに、第２微小液滴中の溶媒を飛翔中に蒸発させ、第２溶質を前記基板の非パターン形成領域に付着させることができる。
【０００９】
すなわち、まず、基板のパターン形成領域を例えばマイナスに帯電させ、非パターン形成領域と微小液滴とをプラスに帯電させてパターン形成領域に溶質を付着、堆積させてパターンを形成する。その後、第２の液体成膜材料に陰イオン系界面活性剤（アニオン界面活性剤）を添加して微小液滴化する。界面活性剤は、疎水基（親油基）が微小液滴中の溶質に吸着し、親水基が外側を向く。アニオン界面活性剤は、親水基がマイナスイオンとなるため、微小液滴の溶媒が蒸発すると、第２溶質はマイナスに帯電した状態と同様となり、基板のパターン形成領域との間で斥力が作用し、非パターン形成領域との間で静電引力が作用する。したがって、第２微小液滴から形成された第２溶質は、基板の非パターン形成領域に選択的に付着、堆積される。このため、例えば配線パターンの周囲に絶縁膜を設けたい場合に、パターン形成領域や微小液滴の帯電極性を変化させることなく配線パターンと絶縁膜とを形成することができ、工程の簡素化を図ることができる。
【００１０】
微小液滴は、加熱することができる。通常の溶媒は、微小液滴を加熱しなくとも飛翔中に溶媒が蒸発する。しかし、蒸発温度の高い溶媒など、特別な溶媒を使用する場合、微小液滴を加熱することによって溶媒を確実に蒸発させることができる。このため、液体成膜材料の選択の自由度を大きくすることができ、種々の物質（溶質）によるパターン形成が可能となる。また、通常の溶媒であっても、蒸発速度が高められるため、微小液滴の飛翔距離を短くすることができる。そして、微小液滴は、気流によって基板に向けて搬送するとよい。微小液滴は、大気中においては浮遊しやすいため、気流によって搬送することにより、パターン形成領域への付着、成膜速度を大きくすることができる。気流は、窒素などの不活性ガスにより形成してよい。しかし、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）からなるパターンを形成する場合などは、オゾンを含むガスなどのように活性なガスによる気流を用いることができる。
【００１１】
上記のパターン形成方法を実施するためのパターン形成装置は、絶縁体または半導体からなる基板のパターン形成領域を帯電させる第１帯電手段と、液体成膜材料を噴射して微小液滴にする噴霧手段と、前記パターン形成領域を帯電させた前記基板を前記噴霧手段に対向させて支持する基板支持手段と、前記噴霧手段を介して前記微小液滴を帯電させる第２帯電手段と、を有することを特徴としている。
【００１２】
第１帯電手段によって基板のパターン形成領域を帯電させ、噴霧手段によって液体成膜材料を微小液滴にすると、微小液滴がパターン形成領域と逆極性に帯電する。そして、この微小液滴を基板に向けて飛翔させることにより、微小液滴中の溶質からなるパターン形成領域と逆極性に帯電した微粒子がパターン形成領域に吸引され、パターン形成領域に付着してパターンを形成する。このため、パターン形成工程を大幅に簡素化することができ、パターンを容易に形成することができる。しかも、本発明は、液体成膜材料を噴射して微小液滴を基板に向けて飛翔させるだけでよいため、パターンを形成するための時間を大幅に短縮することができる。また、本発明は、液体成膜材料を微小液滴にするようにしており、高価な真空装置などを必要とせず、パターン形成のための消費エネルギーを大幅に節減することができ、ＨＦＣ、ＰＦＣなどによる洗浄が不要であるため、環境負荷を低減することができる。
【００１３】
微小液滴から生成される溶質の微粒子の大きさは、噴霧手段のノズル径、液体成膜材料の溶質の濃度、溶質の粒径、液体成膜材料の粘度などを調整することにより制御することができる。すなわち、噴霧手段のノズル径を大きくすれば、微小液滴の径が大きくなって、基板に付着させる溶質粒子の径が大きくなる。また、溶質の濃度を小さくすれば、微小液的中に含まれる溶質の量が少なくなり、溶質微粒子の径を小さくでき、ナノメータサイズの溶質微粒子を容易に形成することができる。
【００１４】
基板支持手段は、導電性材料によって形成し、基板の非パターン形成領域をパターン形成領域と逆極性に帯電させる第３帯電手段に接続するとよい。これにより、非パターン形成領域が微小液滴と同極性に帯電されるため、微小液滴中の溶質からなる微粒子を非パターン形成領域に付着させることなく、パターン形成領域のみに確実に付着させることができる。したがって、パターンの形状精度が向上し、微細なパターンを形成することができる。
【００１５】
そして、本発明に係る電子デバイスは、上記のパターン形成方法により形成したパターンを有することを特徴としている。これにより、上記の効果を有する電子デバイスを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明に係るパターン形成方法および装置並びにそれを用いて製造した電子デバイスの好ましい実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係るパターン形成装置の概略構成図である。図１において、パターン形成装置１０は、基板１２を配置する成膜チャンバ１４を有する。基板１２は、例えばガラス板や樹脂板またはシリコンウエハなどの絶縁体または半導体から構成してある。すなわち、基板１２は、表面を帯電させることが可能な材質からなっている。そして、基板１２は、後述するように、パターンを形成するパターン形成領域が帯電（この実施形態においてはマイナスに帯電）させてある。パターン形成領域の帯電は、例えば図示しない電子線描画装置（第１帯電手段）を用いた電子ビームによる描画、または基板１２が光帯電材によって形成してある場合、第１帯電手段である紫外線照射装置（図示せず）による紫外線の照射によって行なうことができる。さらに、基板１２と電気陰性度の異なる針を第１帯電手段として使用し、針によってパターン形成領域を罫書くことにより帯電させることができる。
【００１７】
成膜チャンバ１４は、内部に噴霧手段１６と電極板１８とが設けてある。噴霧手段１６は、成膜チャンバ１４の一側に配置してあり、それに対向させて電極板１８が成膜チャンバ１４の他側に配置してある。そして、電極板１８は、基板支持手段となっていて、噴霧手段１６に対面している前面に基板１２を着脱可能に装着できるようになっている。
【００１８】
噴霧手段１６は、液体供給手段２０に接続してある。液体供給手段２０は、噴霧手段１６に液体成膜材料２２を供給する。そして、噴霧手段１６は、液体供給手段２０から供給された液体成膜材料２２を噴射して微小液滴（エアロゾル）２４にする。また、噴霧手段１６は、第２帯電手段である可変直流電源２６に接続してあって、噴霧手段１６から噴射された微小液滴２４を基板１２のパターン形成領域と逆極性、すなわちプラスに帯電できるようになっている。なお、液体成膜材料２２は、一部を模式的な拡大図として示したように、溶媒２８の中に溶質である金属やシリコン、二酸化ケイ素などの微粒子３０が分散させてある。微粒子３０は、実施形態の場合、金属からなっていて、粒径が数ｎｍ〜数１００ｎｍ程度のものを使用している。そして、溶媒２８は、微粒子３０を分散可能なものであれば、有機溶媒でも無機溶媒でも何でもよい。また、液体成膜材料２２は、金属などの無機物質を酸やアルカリに溶解させたものや、有機金属化合物を有機溶媒に溶解させたものであってもよい。
【００１９】
成膜チャンバ１４内の適宜の位置には、赤外線ヒータやレーザ光源などのような加熱手段３２が設けてあって、飛翔する微小液滴２４を加熱して微小液滴２４中の溶媒２８を容易に蒸発させることができるようになっている。また、成膜チャンバ１４には、基板１２の前方側に図示しないガス導入口が設けてあって、矢印３４のように窒素などのキャリアガスを成膜チャンバ１４内に導入できるようにしてある。さらに、成膜チャンバ１４には、電極板１８の背面側に排気口（図示せず）が設けてあり、この排気口から成膜チャンバ１４内を矢印３６のように排気できるようなっている。これにより、キャリアガス３４は、基板１２の前方において成膜チャンバ１４に導入され、基板１２に向けた気流を形成し、噴霧手段１６から噴射された微小液滴２４を気流に乗せて基板１２に向けて搬送する。
【００２０】
電極板１８は、実施形態の場合、金属などの導電性材料によって構成してあって、第３帯電手段である可変直流電源３８に接続してある。この可変直流電源３８は、電極板１８を介して基板表面のパターン形成領域以外の非パターン形成領域をパターン形成領域と逆極性に帯電する。
【００２１】
このようになっている実施形態に係るパターン形成装置１０による基板１２へのパターン形成は、次のようにして行なうことができる。まず、ガラス基板や半導体基板などの基板１２のパターン形成領域を、電子線描画装置の電子ビームによって描画し、パターン形成領域をマイナスに帯電させる。
【００２２】
その後、成膜チャンバ１４内の電極板１８に、基板１２を噴霧手段１６に対向させて装着する。そして、可変直流電源３８をオンにして電極板１８にマイナスの直流電圧を印加する。これにより、絶縁体または半導体からなる基板１２は、静電誘導により分極され、表面の非パターン形成領域が、パターン形成領域と逆極性のプラスに帯電される。また、噴霧手段１６に接続した可変直流電源２６をオンにし、噴霧手段１６にプラスの直流電圧を印加する。さらに、窒素などの不活性ガスからなるキャリアガス３４を成膜チャンバ１４内に供給するとともに、矢印３６のように成膜チャンバ１４内を排気し、基板１２に向かう気流を形成する。そして、液体供給手段２０から液体成膜材料２２を噴霧手段１６に供給し、噴霧手段１６から液体成膜材料２２を基板１２に向けて噴射し、液体成膜材料２２からなる微小液滴２４を基板１２に向けて飛翔させる。
【００２３】
噴霧手段１６から噴射された微小液滴２４は、噴霧手段１６が可変直流電源２６によってプラスの直流電源が印加されているため、パターン形成領域と逆極性のプラスに帯電する。そして、微小液滴２４は、キャリアガス３４の気流によって基板１２に向けて搬送される。このとき、加熱手段３２によって微小液滴２４を加熱する。これにより、微小液滴２４は、基板１２に向けて飛翔する間に溶媒２８が蒸発し、プラスに帯電した溶質である微粒子３０となる。この微粒子３０は、プラスに帯電している基板１２の非パターン形成領域から斥力を受け、パターン形成領域から静電引力を受ける。このため、微粒子３０は、基板１２のパターン形成領域に選択的に付着し、堆積されてパターンを形成する。
【００２４】
なお、実施形態の場合、噴霧手段１６と基板１２との距離は、約３０ｃｍとなっていて、通常の無機酸や有機溶媒は、加熱手段３２による加熱を行なわなくとも、飛翔中の微小液滴２４の溶媒２８を容易に蒸発させることができる。しかし、加熱手段３２により微小液滴２４の加熱を行なうと、沸点の高い溶媒などを蒸発させることができ、液体成膜材料２２の選択の自由度を高めることができ、種々の材料を用いたパターンを形成することができる。
【００２５】
このように実施の形態においては、基板１２のパターン形成領域を帯電させ、予め濃度などを調整した液体成膜材料２２を微小液滴２４にして基板１２に向けて飛翔させるだけでパターンを形成することができる。すなわち、実施形態に係るパターン形成装置１０およびパターン形成方法を用いることにより、基板上にトランジスタなどの素子や配線などのパターンを容易に形成することができ、これらのパターンを有する半導体デバイスや液晶デバイス、有機ＥＬデバイスなどの電子デバイスを得ることができる。
【００２６】
そして、基板１２のパターン形成領域を帯電させ、噴射した微小液滴を基板に向けて飛翔させるだけでよいため、パターン形成工程を大幅に簡素化することができ、パターンを容易に形成することができる。しかも、パターン形成装置１０は、液体成膜材料２２を噴射して微小液滴２４を基板に向けて飛翔するだけでよいため、パターンを形成するための時間を大幅に短縮することができる。そして、実施形態においては、液体成膜材料２２を微小液滴２４にして飛翔させるようにしており、高価な真空装置などを必要とせず、パターン形成のための消費エネルギーを大幅に節減することができ、ＨＦＣ、ＰＦＣなどによる洗浄が不要で、環境への負荷を低減することができる。
【００２７】
また、実施形態においては、キャリアガス３４の気流によって微小液滴２４を基板１２に向けて搬送するようにしているため、大気中で浮遊するような微小液滴２４、溶質の微粒子３０を確実に基板１２に到達させることができ、パターンの形成効率を高めることができる。さらに、実施の形態においては、基板１２の非パターン形成領域をパターン形成領域と逆極性に帯電させているため、パターン形成領域と逆極性に帯電している溶質の微粒子３０が非パターン形成領域に付着するのを確実に防ぐことができ、パターンの形状精度が向上してナノメータサイズの微細なパターンを形成することが可能となる。
【００２８】
なお、図１の状態において、基板１２のパターン形成領域に液体成膜材料２２を用いてパターンを形成したのち、次のようにして基板１２の非パターン形成領域に薄膜を形成することが可能である。すなわち、第２液体成膜材料（例えば、二酸化ケイ素（第２溶質）の微粒子を分散させたもの）に少量のアニオン界面活性剤を添加し、これを前記と同様にして第２微小液滴にして基板１２に向けて飛翔させる。アニオン界面活性剤は、疎水基が溶質の微粒子に吸着し、マイナスイオンを有する親水基が外側を向く。このため、第２溶質の微粒子は、基板１２のパターン形成領域との間に斥力が作用し、非パターン形成領域との間に静電引力が作用する。したがって、第２溶質の微粒子が非パターン形成領域に選択的に付着するため、非パターン形成領域を第２溶質により成膜することができる。これにより、例えば基板１２のパターン形成領域に金属薄膜からなる配線パターンを形成し、配線パターン間の非パターン形成領域を二酸化ケイ素などの絶縁膜によって埋めて絶縁する、などを行なうことができる。
【００２９】
前記実施形態においては、液体成膜材料２２が金属などの微粒子３０を溶媒２８に分散させたものである場合について説明したが、液体成膜材料は、金属などを酸やアルカリなどの無機溶媒や有機溶媒に溶解したもの、または有機金属化合物を有機溶媒に溶解したものなどであってもよい。これらの液体成膜材料は、微小液滴中の溶媒が蒸発すると、無機の溶質の微粒子となって基板１２のパターン形成領域に付着する。また、前記実施形態においては、第１帯電手段が電子線描画装置である場合について説明したが、基板が光帯電材で形成されている場合、第１帯電手段は紫外線照射装置であってもよい。この場合、ハードマスクを使用することにより、パターン形成領域の広い範囲を一度に帯電させることができる。さらに、基板１２のパターン形成領域を帯電させる場合、基板１２と電気陰性度の異なる部材からなる針を用いて基板１２を罫書くことによって行なうことができる。そして、前記実施形態においては、基板１２のパターン形成領域をマイナスに帯電させた場合について説明したが、パターン形成領域はプラスに帯電させてもよい。
【００３０】
また、前記実施形態においては、成膜チャンバ１４に１つの噴霧手段１６を設けた場合について説明したが、成膜チャンバ１４には、複数の噴霧手段１６を設置し、それぞれから異なる液体成膜材料を噴射できるようにしてもよいし、異なる粒径の溶質微粒子が形成できるような液体成膜材料を噴射できるようにしてもよい。これにより、複数種類の溶質を混合させたパターンなどを容易に形成することができる。
【実施例】
【００３１】
図１に示したパターン形成装置１０を用いてパターンの形成実験を行なった。まず、図２に示したように、シリコンウエハからなる基板１２の表面を、ステンレス鋼の針（ステンレス針）４０によって擦って罫書きし、直線状のパターン形成領域４２をマイナスに帯電させた。その後、基板１２を図１に示したパターン形成装置１０の電極板１８に、パターン形成領域４２が噴霧手段１６と対面するように基板１２を装着した。また、可変直流電源３８により電極板１８に−５００Ｖの直流電圧を印加し、基板１２の非パターン形成領域４４（図２参照）を静電誘導によりパターン形成領域４２と逆極性のプラスに帯電させた。そして、噴霧手段１６に可変直流電源２６により約＋１０ｋＶの直流電圧を印加し、金（Ａｕ）の微粒子を分散させた液体成膜材料を噴射して微小液滴２４を形成し、基板１２に向けて飛翔させた。
【００３２】
なお、液体成膜材料は、米国ＥＹラボラトリーズ社の平均粒径２０ｎｍの金微粒子を溶媒（トルエン）に分散させたものを使用した。また、噴霧手段１６と基板１２との距離は、約３０ｃｍに設定した。そして、成膜チャンバ１４に１Ｌ／分の窒素ガスを導入し、微小液滴２４を窒素ガスの気流によって基板１２に搬送するようにした。この結果、図３に示すように、基板１２のパターン形成領域に、金微粒子からなる幅約１００ｎｍの直線状のパターン５０を形成することができた。なお、図３（２）は、同図（１）の一部拡大図である。
【００３３】
また、上記の実験において、ケイ素（シリコン）の１５〜２５ｎｍの微粒子を水に分散させるとともに少量のアニオン界面活性剤を添加し、この液体成膜材料を噴射して微小液滴にして基板１２に飛翔させたところ、基板１２の非パターン形成領域４４にシリコンの微粒子を堆積することができた。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】実施の形態に係るパターン形成装置の概略構成図である。
【図２】パターン形成領域を帯電させる方法の一例の説明図である。
【図３】実施形態のパターン形成方法により形成したパターンの顕微鏡写真の模式図である。
【符号の説明】
【００３５】
１０………パターン形成装置、１２………基板、１４………成膜チャンバ、１６………噴霧手段、１８………基板支持手段（電極板）、２０………液体供給手段、２２………液体成膜材料、２４………微小液滴、２６………第２帯電手段（可変直流電源）、２８………溶媒、３０………溶質（微粒子）、３２………加熱手段、３４………キャリアガス、３８………第３帯電手段（可変直流電源）、４０………第１帯電手段（ステンレス針）、４２………パターン形成領域、４４………非パターン形成領域、５０………パターン。
【図１】
2005175033.tif 000003
【図２】
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【図３】
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