(57)【要約】  【課題】  各加熱ゾーンの間の雰囲気ガスの干渉を防いで所定の温度条件で基板を加熱することによって、半田付けの品質を高め、かつ、高い加熱の効率を実現する基板の加熱装置と加熱方法、及び、この装置を備えたリフロー炉を提供する。【解決手段】  基板２を各加熱ゾーンごとに温度設定を行って加熱する加熱装置であって、循環ファンと、雰囲気ガスを加熱するヒータと、加熱された雰囲気ガスを吹き出して回路基板に吹き付ける吹出ノズルと、雰囲気ガスを吸引するための吸込口とを備え、各加熱ゾーンの入側と出側の基板２の搬送方向と垂直な方向に吹出ノズル６ｂが配置されたシール領域と、シール領域のゾーンにおける内隣に吸込口７ｂが配置された第１吸込専用領域と、吹出ノズル６ａと吸込口７ａが近接して配置された混在領域とが設けられた回路基板の加熱装置等を提供する。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
雰囲気ガスが充填されたシェル内で、搬送装置によって搬送される回路基板を、各加熱ゾーンごとに温度設定を行って加熱する加熱装置であって、
前記シェル内の雰囲気ガスを循環させる循環ファンと、
前記循環ファンによって循環する雰囲気ガスを加熱するヒータと、
前記ヒータによって加熱された雰囲気ガスを吹き出して、前記回路基板に吹き付ける吹出ノズルと、
前記シェル内の雰囲気ガスを前記循環ファンへ吸引するための吸込口と、
を備え、
前記吹出ノズルが前記回路基板の搬送方向と垂直な方向に配置されたシール領域が、各加熱ゾーンの入側と出側に設置され、
前記吹出ノズルと前記吸込口が近接して配置された混在領域が、前記シール領域の各ゾーンにおける内側に設置されたことを特徴とする回路基板の加熱装置。
【請求項２】
前記吸込口が前記回路基板の搬送方向と垂直な方向に配置された第１吸込専用領域が、前記シール領域の各ゾーンにおける内側に隣接されたことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の加熱装置。
【請求項３】
前記吸込口が前記回路基板の搬送方向と平行な方向に配置された第２吸込専用ラインが、前記搬送装置の搬送レールよりも外側に設置されたことを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板の加熱装置。
【請求項４】
前記混在領域において、前記吹出ノズルと前記吸込口が交互に並ぶように配置されたことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の回路基板の加熱装置。
【請求項５】
前記混在領域において、前記吹出ノズルのノズル口と前記吸込口が同一平面状に並ぶように配置されたことを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の回路基板の加熱装置。
【請求項６】
前記吸込口からの吸込圧が１５０Ｐａ以下の吸込圧であることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の回路基板の加熱装置。
【請求項７】
雰囲気ガスを吹き出す流路が、雰囲気ガスを吸引する流路よりも外側に配置されたことを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の回路基板の加熱装置。
【請求項８】
請求項１から７の何れか１項に記載の回路基板の加熱装置を用いて、回路基板の半田付けを行うリフロー炉。
【請求項９】
シェル内に雰囲気ガスを充填して、各加熱ゾーンごとに温度設定を行い、搬送装置によって回路基板を搬送しながら加熱する方法であって、
前記シェル内の雰囲気ガスを循環ファンで循環させる工程と、
前記循環ファンによって循環する雰囲気ガスをヒータで加熱する工程と、
前記ヒータによって加熱された雰囲気ガスを吹出ノズルを用いて吹き出して、前記回路基板に吹き付ける工程と、
前記シェル内の雰囲気ガスを吸込口を用いて前記循環ファンへ吸引する工程と、
を備え、
前記吹出ノズルと前記吸込口が近接して配置された混在領域において、前記回路基板を加熱しながら、
各加熱ゾーンの入側と出側において前記回路基板の搬送方向と垂直な方向に配置されたシール領域の吹出ノズルから、雰囲気ガスを吹き出して、各加熱ゾーンの雰囲気ガスが他のゾーンへ流れるのを防ぐことを特徴とする回路基板の加熱方法。
【請求項１０】
前記シール領域の吹出ノズルから吹き出された雰囲気ガスを、前記シール領域の各ゾーンにおける内側に隣接された第1吸込専用領域の吸込口から吸い込んで、該雰囲気ガスが他のゾーンへ流れるのを防ぐことを特徴とする請求項９に記載の回路基板の加熱方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、雰囲気ガスの中で、電子部品を登載した回路基板に熱風を吹き付けて加熱を行う加熱装置と加熱方法、及び、その加熱装置を用いて回路基板の半田付けを行うリフロー炉に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、様々な電子部品が回路基板の表面に登載されて半田付けされたＳＭＤ（Surface Mounted Device）が、電子機器に広く用いられている。このＳＭＤを製作するには、多くの場合、クリーム半田が印刷された回路基板に電子部品を登載して、リフロー炉で加熱することによって半田付けを行っている。このリフロー炉は、炉内を、電子部品が搭載された回路基板を搬送装置で水平に搬送する間に、回路基板を加熱することによって、半田を溶融させて、回路基板と電子部品の半田付けを行う加熱炉である。このリフロー炉は、通常、雰囲気炉になっており、窒素等の雰囲気ガスの中で回路基板の加熱を行って、半田付けの間に生じる酸化等を防いでいる。
【０００３】
この回路基板の加熱装置としては、熱風を回路基板に吹き付けて半田を溶融する加熱装置が広く用いられている。この加熱装置は、リフロー炉内の雰囲気ガスを循環させる循環ファンと、循環する雰囲気ガスを加熱するヒータと、加熱された雰囲気ガスを回路基板に吹き付けるための吹付ノズルを備えている。この加熱装置が、回路基板の上方と下方に設置されており、回路基板の上面と下面を加熱する。
【０００４】
この加熱装置を用いた加熱方法は下記のようになる。
雰囲気ガスが循環ファンによって、炉内を循環するようになっている。そして、循環する雰囲気ガスがヒータで加熱された後に、吹出ノズルから吹き出され、回路基板に吹き付けられて回路基板を加熱する。その後、循環ファンに吸引されて炉内を循環する間に、再びヒータで加熱されて同様のサイクルを繰り返す。以上によって、次々と搬送されてくる回路基板を加熱することができる。
【０００５】
この加熱装置において、回路基板を有効に加熱するためには、回路基板への熱風の吹き付け方法が重要である。そのため、熱風を吹き出すための吹出ノズルについて、様々な提案がなされている。
【０００６】
その一例として、図７（ａ）に示されるような、搬送装置によって矢印Ａの方向に搬送される回路基板１０２に加熱された雰囲気ガスを吹き付ける熱風吹付部１０６と、吹き付けた熱風を吸い込む熱風吸込部１０７が備えられた加熱装置が提案されている。また、この熱風吹付部１０６と熱風吸込部１０７は、回路基板１０２の長さよりも短い間隔で設置されている。（特許文献１参照。）
図７（ａ）に、矢印で熱風の流れが示されているが、この加熱装置では、図示されていない熱風発生器によって加熱された雰囲気ガスが、熱風吹付部１０６から吹き出されて回路基板１０２に当たり加熱を行う。そして、跳ね返された雰囲気ガスが、熱風吸込部１０７で吸引されて再び熱風発生部へ戻され、同様のサイクルを繰り返す。
【特許文献１】特許第２６８２１３８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
リフロー炉では、通常、複数の加熱ゾーンを有し、各加熱ゾーンごとに吹き付ける雰囲気ガスの温度設定を変えて、徐々に回路基板の昇温していって半田付けを行う。図７（ｂ）に、特許文献１記載された加熱装置を用いた加熱ゾーンにおいて、ゾーンごとに異なる雰囲気ガスの温度を設定した場合を示す。具体的には、雰囲気ガスの温度をｔ１に設定した加熱ｎ１ゾーンと、雰囲気ガスの温度をｔ２に設定した加熱ｎ２ゾーンにおける、雰囲気ガスの流れを模式的に表している。
【０００８】
図７（ｂ）から明らかなように、加熱ｎ１ゾーンと加熱ｎ２ゾーンの境界の位置では、温度ｔ１の雰囲気ガスと温度ｔ２の雰囲気ガスが混合する状態になる。従って、ゾーンごとに雰囲気ガスの温度を設定しても、ゾーンの境界部で隣のゾーンの雰囲気ガスどうしが干渉するため、所定の温度制御が困難になる。        
よって、各加熱ゾーンごとにあらかじめ定めた加熱条件に従って、最適な温度カーブで回路基板を昇温していくことは困難となるので、半田付けの品質に悪影響を与え、また、回路基板を加熱する効率も低下する問題も生じる。
【０００９】
従って、本発明の目的は上述の問題を解決して、各加熱ゾーンの間での雰囲気ガスの干渉を防ぐことによって、所定の温度条件で回路基板を加熱することによって、半田付けの品質を高め、かつ、高い加熱の効率を実現する回路基板の加熱装置と加熱方法、及び、この加熱装置を備えたリフロー炉を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するため、本発明の回路基板の加熱装置の第１の実施態様は、雰囲気ガスが充填されたシェル内で、搬送装置によって搬送される回路基板を、各加熱ゾーンごとに温度設定を行って加熱する加熱装置であって、シェル内の雰囲気ガスを循環させる循環ファンと、循環ファンによって循環する雰囲気ガスを加熱するヒータと、ヒータによって加熱された雰囲気ガスを吹き出して、回路基板に吹き付ける吹出ノズルと、
シェル内の雰囲気ガスを循環ファンへ吸引するための吸込口と、を備え、吹出ノズルが回路基板の搬送方向と垂直な方向に配置されたシール領域が、各加熱ゾーンの入側と出側に設置され、吹出ノズルと吸込口が近接して配置された混在領域が、シール領域の各ゾーンにおける内側に設置されたことを特徴とする。
【００１１】
本発明の回路基板の加熱装置の他の実施態様は、吸込口が回路基板の搬送方向と垂直な方向に配置された第１吸込専用領域が、シール領域の各ゾーンにおける内側に隣接されたことを特徴とする。
【００１２】
本発明の回路基板の加熱装置の他の実施態様は、吸込口が回路基板の搬送方向と平行な方向に配置された第２吸込専用ラインが、搬送装置の搬送レールよりも外側に設置されたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の回路基板の加熱装置の他の実施態様は、混在領域において、吹出ノズルと吸込口が交互に並ぶように配置されたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の回路基板の加熱装置の他の実施態様は、混在領域において、吹出ノズルのノズル口と吸込口が同一平面状に並ぶように配置されたことを特徴とする。
【００１５】
本発明の回路基板の加熱装置の他の実施態様は、吸込口からの吸込圧が１５０Ｐａ以下の吸込圧であることを特徴とする。
【００１６】
本発明の回路基板の加熱装置の他の実施態様は、雰囲気ガスを吹き出す流路が、雰囲気ガスを吸引する流路よりも外側に配置されたことを特徴とする。
【００１７】
本発明の回路基板のリフロー炉の第１の実施態様は、上記の回路基板の加熱装置を用いて、回路基板の半田付けを行うリフロー炉である。
【００１８】
本発明の回路基板の加熱方法の第１の実施態様は、シェル内に雰囲気ガスを充填して、各加熱ゾーンごとに温度設定を行い、搬送装置によって回路基板を搬送しながら加熱する方法であって、シェル内の雰囲気ガスを循環ファンで循環させる工程と、循環ファンによって循環する雰囲気ガスをヒータで加熱する工程と、ヒータによって加熱された雰囲気ガスを吹出ノズルを用いて吹き出して、回路基板に吹き付ける工程と、シェル内の雰囲気ガスを吸込口を用いて循環ファンへ吸引する工程とを備え、吹出ノズルと吸込口が近接して配置された混在領域において、回路基板を加熱しながら、各加熱ゾーンの入側と出側において回路基板の搬送方向と垂直な方向に配置されたシール領域の吹出ノズルから、雰囲気ガスを吹き出して、各加熱ゾーンの雰囲気ガスが他のゾーンへ流れるのを防ぐことを特徴とする。
【００１９】
本発明の回路基板の加熱方法の他の実施態様は、シール領域の吹出ノズルから吹き出された雰囲気ガスを、シール領域の各ゾーンにおける内側に隣接された第1吸込専用領域の吸込口から吸い込んで、雰囲気ガスが他のゾーンへ流れるのを防ぐことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の回路基板の加熱装置と加熱方法、及び、この加熱装置を備えたリフロー炉においては、各加熱ゾーンの端部に設けられたシール領域の吹出ノズルから吹き出された雰囲気ガスが、エアカーテンの機能を果たすことによって、各加熱ゾーン間での雰囲気ガスの干渉を防ぐことができる。
【００２１】
更に、シール領域の内隣の第１吸込専用領域を設けることによって、シール領域の吹出ノズルから吹き出された雰囲気ガスを吸引して、より確実に各加熱ゾーン間での雰囲気ガスの干渉を防ぐことができる。
【００２２】
上記のシール機構によって、温度設定に応じた最適な回路基板の加熱を行うことが可能であり、高い品質の半田付けと、効率のよい回路基板の加熱を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
（リフロー炉全体の説明）
図１に、本発明の加熱装置を備えたリフロー炉の１つの実施形態を示す。電子部品を登載した回路基板は、図示されていない搬送装置によって、リフロー炉の内部を矢印Ａの方向へ水平に搬送される。リフロー炉は、９ゾーンの加熱帯と、２ゾーンの冷却帯から構成される。また、この炉体はシール構造になっており、内部に窒素等の雰囲気ガスが充填されている。シール性を保つため、リフロー炉の入側（図１の左側）と出側（図１の右側）はラビリンス構造となっている。
【００２４】
回路基板は、上面に通常の半田又は鉛フリー半田が印刷されており、その上に電子部品が登載され、本実施形態では、チェーンコンベア方式の搬送装置よって搬送される。電子部品を載せた回路基板は、リフロー炉の入側から炉内に入り、加熱帯の１〜６ゾーン中を搬送される間に予熱され、加熱帯の７〜９ゾーン中を搬送される間に、半田が溶融されて半田付けが行われる。更に、冷却帯の１〜２ゾーン中を搬送される間に冷却されて、その後、リフロー炉出側から搬出される。
【００２５】
リフロー炉の加熱帯の１〜９ゾーンには、搬送される回路基板の上面側と下面側に、熱風を吹き付けて加熱する加熱装置が備えられている。また、予熱を行う１〜６ゾーンにおいては、１ゾーンから徐々に吹き付ける雰囲気ガスの温度が高くなるように、温度制御が行われる。１〜６ゾーンで徐々に加熱された回路基板は、７〜９ゾーンで最高温度となり、半田が溶融されて半田付けが行われる。また、各ゾーンの加熱装置の構造は、ほぼ同様である。
【００２６】
加熱帯の７〜９ゾーンで半田付けが行われた後、回路基板は冷却帯の1〜2ゾーンで徐々に温度が下げられ、リフロー炉の出側から搬出される。冷却帯の１ゾーンには、搬送される回路基板の上面と下面を加熱する加熱装置が備えられ、その構造は、ほぼ加熱帯の１〜９ゾーンの加熱装置と同様である。また冷却帯２ゾーンのリフロー装置には、上側にだけ加熱装置が設置されている。
【００２７】
（加熱装置の説明）
次に、図２を用いて、本発明の加熱装置の実施形態の説明を行う。図２は、図１の矢印Ｂで示す加熱帯７ゾーンの断面を示した図である。ただし、その他の加熱帯各ゾーンも同様の構造を有している。
【００２８】
初めに、本実施形態の加熱装置の構造を説明する。
リフロー炉は、シール構造のシェル１で覆われ、窒素等の雰囲気ガスが充填されている。ほぼシェル１の中央に設置された搬送装置３によって、電子部品を載せた回路基板２は紙面手前側へ搬送される。この回路基板２の上面側と下面側に、同じ構造の加熱装置がそれぞれ取り付けられており、搬送される回路基板２の上面と下面を加熱する。ここでは、上側の加熱装置を例に取って説明する。
【００２９】
回路基板２の上側には、熱風の吹出ノズル６と、筒状の吸込口７を有する吹出パネル１１が備えられ、この吹出パネル１１とシェル１によって、箱状の加熱装置チャンバ４が形成されている。
吹出パネル１１の上方には、筒状の吸込口７を介して吹出パネル１１と接続された吸込チャンバ５が設置されている。更に、その上方には、ファンモータ９によって駆動されてシェル１内の雰囲気ガスを循環させる循環ファン８と、循環する雰囲気ガスを加熱する電熱ヒータ１０が設置されている。ファンモータ９は、シェル１の外側に取り付けられているが、シール装置１２によって外気が流入しない構造になっている。以上の部材によって、加熱装置が構成されている。
【００３０】
次に、この加熱装置を用いて回路基板の上面を加熱する方法を説明する、
シェル１内であって吹出パネル１１の下方にある雰囲気ガスが、循環ファン８の吸引力によって、矢印Ｃに示されるように、吸込口７から吸込チャンバ５内に吸い込まれる。そして、吸い込まれた雰囲気ガスは、循環ファン８によって、矢印Ｄに示されるように、シェル１の上側の内面に沿って左右に流れ、吸込チャンバ５の両脇に吹き出される。このとき、雰囲気ガスは、電熱ヒータ１０によって所定のガス温度まで加熱される。
【００３１】
そして、加熱された雰囲気ガスは、矢印Ｅに示されるように、吹出ノズル６から吹き出されて回路基板２の上面へ吹き付けられる。加熱装置チャンバ４は、吹出ノズル６と吸込口７以外は密封状態となっているので、循環ファン８によって左右へ吹き出された雰囲気ガスは、吹出ノズル６以外には流路はなく、吹出ノズル６から回路基板２の上面へ強く吹き付けることができる。その後、雰囲気ガスは、再び吸込口７から吸込チャンバ５に吸い込まれ、同じ循環サイクルを繰り返す。
【００３２】
図２からも明らかなとおり、本実施形態では吹出側の流路（正圧側）が、吸込側の流路（負圧側）の外側に配置されており、効率のよい雰囲気ガスの流れを実現している。この配置により、シール性やメンテナンス性のよい加熱装置を提供可能であり、ランニングコスト等の低減が可能となる。
また、循環ファン８の吸込圧力を調整して、回路基板２の位置における雰囲気ガスの吹付速度を所定値にコントロールすることができる。通常、この吸込圧を１５０Ｐａ又はそれよりも低い吸込圧に設定することによって、所望の吹付速度を得ることができる。
また、回路基板２の下面側の加熱装置についても、上述の上面側の加熱装置と同様の構造を有し、加熱の方法も同様である。
【００３３】
（吹出パネルの説明）
次に、吹出ノズルと吸込口を有する本発明の吹出パネル１１の実施形態について説明する。図３（ａ）は、図２の矢印Ｆから見た図であり、加熱帯７ゾーンの上側の吹出パネルを下側から見た平面図である。回路基板２は、図３（ａ）において、矢印Ａの方向へ搬送される。
また、図３（ｂ）は、図３（ａ）の矢印Ｇから見た側面図であり、リフロー炉の幅方向における、回路基板２、搬送装置のレール３ａと、吹出パネル１１、吹出ノズル６、吸込口７の位置関係を示す。
【００３４】
この図３（ａ）に示される実施形態の各領域を曲線で囲んで示した図が、図４（ａ）である。この図４（ａ）を用いて各領域を説明すると、吹出パネル１１は、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚで示される領域に区分される。
Ｗ：シール領域
シール領域は、吹出ノズル６ｂが搬送方向と垂直な方向に配置されており、この実施形態では一直線状に配置されている。このシール領域は、回路基板の搬送方向における入側端と出側端に設けられている。
Ｘ：第１吸込専用領域
第１吸込専用領域は、吸込口７ｂが回路基板２の搬送方向と垂直な方向に配置されており、この実施形態では一直線状に配置されている。この第１吸込専用領域は、上記のシール領域の吹出パネル１１のゾーンの内側に隣接されている。
Ｙ：第２吸込専用領域
第２吸込専用領域は、吸込口７ｃが回路基板２の搬送方向と平行な方向に配置されており、この実施形態では一直線状に配置されている。この第２吸込専用領域は、吹出パネル１１の幅方向において、搬送装置の搬送レール３ａよりも外側に設けられている。
Ｚ：混在領域
混在領域は、縦横に吹出ノズル６ａと吸込口７ａが交互に配置されており、図における上下の第１吸込専用領域と、図における左右の第２吸込専用領域に囲まれた領域である。
【００３５】
この吹出パネル１１の吹出ノズルと吸込口の詳細な寸法は下記のようになる。  
Ｗ：シール領域
吹出ノズル６ａの口径：４ｍｍ
隣接する吹出ノズル６ａの間隔（ピッチ）：２０ｍｍ
Ｘ：第１吸込専用領域
吸込口７ｂの口径  ：１２ｍｍ
隣接する吸込口７ｂの間隔（ピッチ）：１６ｍｍ
Ｙ：第２吸込専用領域
吸込口７ｃの口径  ：１２ｍｍ
隣接する吸込口７ｃの間隔（ピッチ）：１６ｍｍ
Ｚ：混在領域
吹出ノズル６ａの口径：４ｍｍ
吸込口７ａの口径  ：９ｍｍ
隣接する吹出ノズル６ａと吸込口７ａの間隔（ピッチ）：１０ｍｍ
【００３６】
本実施形態では、回路基板２の加熱は、混在領域に設置された吹出ノズル６から吹き付けられる加熱された雰囲気ガスによって行われる。この場合、雰囲気ガスを吹き出す場所と吸い込む場所が近接して交互に配置され、かつ、ゾーン全域で一様に配置されているので、均一な加熱が可能であり、良質な半田付けを可能にし、また、高い加熱効率を得ることができる。
更に、多数の吹出ノズル６と吸込口７ａが交互に配置されているので、搬送に伴う回路基板の有無による雰囲気ガスの流れの変動は、従来の加熱装置に比べて少なくなるので、炉圧の変動も小さく抑えることができる。
【００３７】
また、回路基板２の搬送方向と平行な方向に吸込口７ｃが配置された第２吸込専用領域は、搬送レール３ａの外側に設置されているため、搬送による回路基板２の有無によって、雰囲気ガスを吸い込む流れが乱されることが少ない。従って、回路基板２の搬送による炉圧の変動が少ないといえる。
【００３８】
（本発明のシール領域の説明）
次に、本発明のシール領域と第１吸込専用領域について更に詳しく説明する。
図５は、回路基板の上側に設置された本発明の加熱装置を、搬送方向に平行な断面で切った断面図である。搬送方向における位置としては、加熱第ｎ１ゾーンの出側から加熱第ｎ２ゾーンの入側かけての位置を示している。そして、従来型の加熱装置において、図５と同じ位置における従来型の加熱装置の断面図を図６に示す。
【００３９】
この図では、設定温度がｔ１である加熱ｎ１ゾーンの雰囲気ガスと、設定温度がｔ２である加熱ｎ２ゾーンの雰囲気ガスの流れを模式的に表している。加熱ｎ１ゾーンの出側と、加熱ｎ２ゾーンの入側にはそれぞれシール領域が設けられており、このシール領域の吹出ノズル６ｂから、雰囲気ガスを吹き出してエアカーテンの役割を果たしている。つまり、この雰囲気ガスの流れによって、ゾーン内を流れる雰囲気ガスが、他のゾーンへ流れないようにしている。
【００４０】
また、どちらのゾーンにおいても、このシール領域の内隣に第１吸込専用領域が設けられており、このシール領域の吹出ノズル６ｂから吹き出された雰囲気ガスは、同じゾーンの第１吸込専用領域の吸込口７ｂへ吸い込まれ、他のゾーンへ流れることを防ぐようになっている。
また、この第１吸込専用領域は、混在領域の外側に設けられているので、搬送による回路基板２の有無によって、仮に雰囲気ガスを吸い込む流れが変動しても、回路基板２の加熱を行う混在領域への影響を最小限に留めることができる。従って、回路基板２の搬送による炉圧の変動も少なくすることができる。
【００４１】
図５においても上述の説明と同様に、第１吸込専用領域の内側の混在領域では、この混在領域の吹出ノズル６ａから吹き出された雰囲気ガスによって、回路基板２が加熱される。ヒータで加熱された雰囲気ガスが吹出ノズル６ａから吹き出され、回路基板２に吹き付けられて回路基板２は加熱され、その後、雰囲気ガスは、吹き出した吹出ノズル６ａに近接した吸込口７ａから吸引されると考えられる。
【００４２】
以上のように、各ゾーンの端部に設置されたシール領域によって、炉内の雰囲気ガスは各ゾーンの範囲内で循環して、ゾーン間での干渉を防ぐようになっている。また、シール領域の内隣に設けられた第１吸込専用領域によって、シール領域の吹出ノズル６ｂから吹き出された雰囲気ガスが他のゾーンに流れることを、より確実に防ぐようにしている。
【００４３】
一方、図６に示されるようなシール領域を有さない加熱装置では、混在領域の雰囲気ガスがゾーン間のスペースを越えて隣のゾーンへ到達し、ゾーン間での雰囲気ガスの干渉が生じる。図５と図６を対比することで明らかなように、本発明の加熱装置では、従来は困難であった各ゾーンの雰囲気ガスの干渉を防ぐことができるので、所定の温度設定に応じた回路基板の加熱が可能となり、半田付けの品質を向上させ、また、効率よい加熱を実現することができる。
【００４４】
（その他の実施形態）
次に、その他の実施形態を説明する。
上述の実施形態では、主に加熱７ゾーンを例にとって説明したが、他のゾーンの加熱装置についても同様の構造を有する。
【００４５】
また、本発明の吹出パネルは、上述の寸法に限られることなく、必要に応じてその他の様々な寸法を採ることができる。また、上述の実施形態では、シール領域、第１吸込専用領域、及び、第２吸込専用領域は、一直線状をなしているが、その他の形状を有する場合も考えられる。
【００４６】
また、上述の実施形態では、シール領域の他に、第１吸込専用ラインと第２吸込専用ラインが備えられているが、必要に応じて、どちらか一方だけのラインを備えた形態、又は、どちらのラインも有さない形態も考えられる。
【００４７】
また、吹出ノズルと吸込口の位置関係については、上述の実施形態では、同一平面上にあるような配置を示しているが、本発明はその配置に限定されるものではなく、その他のあらゆる配置が考えられる。
【００４８】
また、上述の実施形態では、回路基板の両面に本発明の加熱装置を設置しているが、この加熱装置と、電熱ヒータ等のその他の加熱機器と組み合わせることも可能である。
更に、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その他の様々な実施形態が考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の加熱装置を備えたリフロー炉の全体を示す概要図である。
【図２】本発明の加熱装置の構造を示す断面図である。
【図３】本発明の吹出パネルの１つの実施形態を示す（ａ）平面図と（ｂ）側面図である。
【図４】本発明の吹出パネルのシール領域と、第１吸込専用領域と、第２吸込専用領域と、混在領域を示す図である。
【図５】本発明のシール領域の機能を説明する断面図である。
【図６】シール領域を有さない加熱装置の雰囲気ガスの流れを示した断面図である。
【図７】従来型の吹出ノズルから吹き出された雰囲気ガスの流れを示した図であり、（ａ）は一般的な流れを説明するものであり、（ｂ）はゾーンごとに異なる温度を設定した場合を説明するものである。
【符号の説明】
【００５０】
１      シェル
２      回路基板
３      搬送装置
３ａ    搬送レール
４      加熱装置チャンバ
５      チャンバ
６      吹出ノズル
６a    吹出ノズル
６ｂ    吹出ノズル
７      吸込口
７ａ    吸込口
７ｂ    吸込口
７ｃ    吸込口
８      循環ファン
９      ファンモータ
１０    電熱ヒータ
１１    吹出パネル
１２    シール装置
１０２  回路基板
１０６  吹出ノズル
１０７  吸込口
【図１】
2005175287.tif 000003
【図２】
2005175287.tif 000004
【図３】
2005175287.tif 000005
【図４】
2005175287.tif 000006
【図５】
2005175287.tif 000007
【図６】
2005175287.tif 000008
【図７】
2005175287.tif 000009