(57)【要約】【課題】従来のランプ熱処理装置は、複数の半導体基板を連続処理した場合に、１枚目の熱処理前に加熱用のランプ群を点灯し、予備加熱を行っても１枚目が２枚目以降より成膜の膜厚が薄くなってしまう。これは、予備加熱を行っても十分に金属チャンバ内が温まらないためである。【解決手段】本発明のランプ熱処理装置は、加熱用のランプ群が半導体基板だけではなく、金属チャンバも加熱する機能を有する。このため、加熱用のランプ群を点灯し、予備加熱を行うことによって十分に金属チャンバ内を温めることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内の上部に設けた加熱用のランプ群と、
前記チャンバと前記ランプ群とを仕切る石英板と、
前記チャンバ内の下部に設けた温度計と、
前記チャンバ内に設けた半導体基板を載せる支持台とを備え、
前記ランプ群は前記半導体基板だけではなく、前記金属チャンバも加熱する機能を有することを特徴とするランプ熱処理装置。
【請求項２】
前記ランプ群は前記半導体基板より大きい範囲に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のランプ熱処理装置。
【請求項３】
前記ランプ群の外周部は前記金属チャンバに直接向いていることを特徴とする請求項１に記載のランプ熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板の加熱を行うランプ熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体基板に酸化、アニール、ＣＶＤなどを行う際に、急速加熱および急速冷却可能なランプ熱処理装置が用いられている。
【０００３】
以下、従来のランプ熱処理装置について図面を参照して説明する（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
図２は従来のランプ熱処理装置の概略図である。従来の装置は、図２に示すように金属チャンバ２０１を有し、金属チャンバ２０１内には、金属チャンバ２０１の上部に加熱用の複数のランプ（ランプ群）２０２と、金属チャンバ２０１と前記加熱用のランプ群２０２とを仕切る石英板２０３と、半導体基板を支持する支持リング２０４と、金属チャンバ２０１の下部に放射温度計２０５とを備えている。
【０００５】
金属チャンバ２０１は、金属チャンバ２０１内にプロセスガスを供給するためのガス供給口２０６と、処理ガスを排気するためのガス排気口２０７が設けられている。また、加熱用のランプ群２０２は、半導体基板と同じ大きさの範囲で構成され、主に半導体基板を加熱する機能のみを有している。
【０００６】
このような従来のランプ熱処理装置を用いて半導体基板を熱処理する場合には、半導体基板を金属チャンバ２０１内へ搬入し、支持リング２０４上に載せる。次いで、ガス供給口２０６から所望のプロセスガスを供給し、加熱用のランプ群２０２を点灯して熱処理を行う。
【０００７】
複数の半導体基板を連続熱処理する場合には、１枚目の熱処理の前に半導体基板が金属チャンバ２０１内にない状態で加熱用のランプ群２０２を点灯し予備加熱を行う。予備加熱を行う目的は、金属チャンバ２０１内を温め、１枚目と２枚目以降の加熱処理される金属チャンバ２０１内温度が同程度なるようにし、１枚目と２枚目以降の成膜の膜厚差をなくすことである。予備加熱後、１枚目の半導体基板から２枚目、３枚目と順番に熱処理を行う。
【特許文献１】特開２００１−１２７００５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上記従来のランプ熱処理装置では、複数の半導体基板を連続処理した場合、１枚目の熱処理の前に加熱用のランプ群を点灯し、予備加熱を行っても１枚目が２枚目以降より成膜の膜厚が薄くなってしまう。これは、従来のランプ熱処理装置の加熱用のランプ群は主に半導体基板のみを加熱するもので、予備加熱を行っても十分に金属チャンバ内が温まらないためである。
【０００９】
上記の課題を鑑み、本発明の目的は、予備加熱により十分に金属チャンバ内が温まる加熱用のランプ群を持つランプ熱処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明に係るランプ熱処理装置は、加熱用のランプ群は半導体基板だけではなく、金属チャンバも加熱する機能を有することを特徴とする。
【００１１】
本発明によると、加熱用のランプ群が半導体基板だけではなく、金属チャンバも加熱する機能を有するため、加熱用のランプ群を点灯し、予備加熱を行うことによって十分に金属チャンバ内を温めることができる。
【００１２】
上記のランプ熱処理装置において、加熱用のランプ群は半導体基板より大きい範囲に設けられていることが好ましい。
【００１３】
上記のランプ熱処理装置において、加熱用のランプ群の外周部は金属チャンバに直接向いていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係るランプ熱処理装置によると、複数の半導体基板を連続熱処理する場合において、１枚目の熱処理前の予備加熱により十分に金属チャンバ内が温まり、１枚目と２枚目以降の加熱処理される金属チャンバ内の温度が同程度となり、１枚目と２枚目以降の成膜の膜厚差をなくすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係る実施形態におけるランプ熱処理装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１６】
図１は本実施形態のランプ熱処理装置の概略図である。図１に示すように、本実施形態のランプ熱処理装置は、金属チャンバ１０１を有し、金属チャンバ１０１内には、金属チャンバ１０１の上部に加熱用の複数のランプ（ランプ群）１０２と、金属チャンバ１０１と前記加熱用のランプ群１０２とを仕切る石英板１０３と、半導体基板を支持する支持リング１０４と、金属チャンバ１０１の下部に放射温度計１０５とを備えている。また、金属チャンバ１０１は、金属チャンバ１０１内にプロセスガスを供給するためのガス供給口１０６と、処理ガスを排気するためのガス排気口１０７が設けられている。
【００１７】
加熱用のランプ群１０２は、半導体基板より大きい範囲に設けられており、半導体基板より大きい範囲（外周部）に位置しているランプは金属チャンバに直接向いている。従って、加熱用のランプ群１０２は、半導体基板だけではなく、金属チャンバも加熱する機能を有している。
【００１８】
本実施形態のランプ熱処理装置を用いて半導体基板を熱処理する場合には、半導体基板を金属チャンバ１０１内へ搬入し、支持リング１０４上に載せる。次いで、ガス供給口１０６から所望のプロセスガスを供給し、加熱用のランプ群１０２の中で半導体基板と同じ範囲に位置しているランプのみを点灯して熱処理を行う。
【００１９】
複数の半導体基板を連続熱処理する場合には、１枚目の熱処理の前に半導体基板が金属チャンバ１０１内にない状態で加熱用のランプ群１０２全てを点灯し、１〜１０分の予備加熱を行う。予備加熱後、１枚目の半導体基板から２枚目、３枚目と順番に熱処理を行う。
【００２０】
以上のように、本実施形態によると、複数の半導体基板を連続熱処理する場合において、１枚目の熱処理前の予備加熱により十分に金属チャンバ内が温まり、１枚目と２枚目以降の加熱処理される金属チャンバ２０１内の温度が同程度となり、１枚目と２枚目以降の成膜の膜厚差をなくすことができる。
【産業上の利用可能性】
【００２１】
以上説明したように、本発明は、金属チャンバも加熱する機能を有し、複数の半導体基板を連続熱処理するランプ熱処理装置等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施形態におけるランプ熱処理装置の概略を示す断面図
【図２】従来のランプ熱処理装置の概略を示す断面図
【符号の説明】
【００２３】
１０１  金属チャンバ
１０２  加熱用のランプ群
１０３  金属チャンバと加熱用のランプ群とを仕切る石英板
１０４  半導体基板を支持する支持リング
１０５  放射温度計
１０６  ガス供給口
１０７  ガス排気口
【図１】
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【図２】
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