(57)【要約】【課題】  灰化処理後の基板の表裏面に付着した残渣を十分に除去することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】  基板搬送ロボットにより基板がアッシング部に搬入される。そして、アッシング部内で基板のアッシング処理が行われる。次に、クーリングプレート部内で基板の冷却処理が行われる。続いて、基板反転部内で基板の反転処理が行われる。この場合、基板の表面と裏面とが反転される。次に、洗浄処理部内で基板の裏面の洗浄処理が行われる。続いて、洗浄処理部内で洗浄処理後の基板の乾燥処理が行われる。続いて、基板反転部内で基板の反転処理が行われる。この場合、基板の裏面と表面とが反転される。次に、洗浄処理部内で基板の表面の洗浄処理が行われる。続いて、洗浄処理部内で洗浄処理後の基板の乾燥処理が行われる。その後、基板搬送ロボットにより洗浄処理部から基板が搬出される。【選択図】        図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を行う基板処理装置であって、
基板上に形成されたレジスト膜を灰化処理する灰化処理部と、
基板の一面および他面を反転させる反転手段と、
前記灰化処理部による灰化処理後に、基板の一面を洗浄し、前記反転手段により反転された基板の他面を洗浄する洗浄処理部とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記洗浄処理部は、基板の一面を洗浄する第１の洗浄処理ユニットと、基板の他面を洗浄する第２の洗浄処理ユニットとを含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板の他面はデバイスが形成されるべき基板の表面であり、前記基板の一面は前記基板の表面の反対側の裏面であり、
前記洗浄処理部は、前記灰化処理部による灰化処理後に、前記反転手段により反転された基板の裏面を洗浄した後、前記反転手段により反転された基板の表面を洗浄することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板の他面はデバイスが形成されるべき基板の表面であり、前記基板の一面は前記基板の表面の反対側の裏面であり、
前記洗浄処理部は、基板の表面を物理洗浄することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記物理洗浄は、ブラシによる洗浄、超音波振動が付与された洗浄液による洗浄、高圧の洗浄液による洗浄、および気体と液体とが混合されることにより生成される液滴による洗浄のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記洗浄処理部は、基板の裏面を前記物理洗浄することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
少なくとも前記灰化処理部と前記洗浄処理部との間および前記反転手段と前記洗浄処理部との間で基板を搬送する搬送手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板に処理を行う基板処理方法であって、
基板上に形成されたレジスト膜を灰化処理するステップと、
灰化処理後に、基板の一面を洗浄するステップと、
基板の一面および他面を反転させるステップと、
反転された基板の他面を洗浄するステップとを備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
灰化処理後に、基板の一面を洗浄する前に、基板の一面および他面を反転させるステップをさらに備えたことを特徴とする請求項８記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、液晶ディスプレイ等の製造工程では、半導体ウエハ、ガラス基板等の基板に対する洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、イオン注入、レジスト剥離、層間絶縁膜の形成、熱処理等の各種処理が行われる。
【０００３】
上記の処理のうち、レジスト剥離は、例えば、プラズマ化したガスと基板上のレジストとを反応させ、レジストを気化させて除去するプラズマ灰化処理（以下、アッシング処理と呼ぶ）によって行われる場合がある。レジストは炭素、酸素および水素からなる有機物質である。アッシング処理は、この有機物質と酸素プラズマとを化学反応させることによってレジスト除去を行う処理である。
【０００４】
実際のレジストには重金属等の気化しない不純物も含まれており、アッシング処理後の基板にはレジストの一部および不純物が残渣として付着している。このような残渣は、異物として基板の後の処理において悪影響を及ぼす。そのため、基板の表面に付着した残渣を薬液により除去している（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−４５６１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、アッシング処理後の基板の裏面においても残渣が付着している場合がある。そのため、残渣が付着した基板を基板処理装置外に搬出する搬送装置または上記基板を収納するキャリアを介して残渣が基板に悪影響を及ぼす可能性がある。
【０００６】
本発明の目的は、灰化処理後の基板の表裏面に付着した残渣を十分に除去することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う基板処理装置であって、基板上に形成されたレジスト膜を灰化処理する灰化処理部と、基板の一面および他面を反転させる反転手段と、灰化処理部による灰化処理後に、基板の一面を洗浄し、反転手段により反転された基板の他面を洗浄する洗浄処理部とを備えたものである。
【０００８】
本発明に係る基板処理装置においては、灰化処理された基板の一面が洗浄処理部により洗浄される。また、反転手段により反転された基板の他面が洗浄処理部により洗浄される。
【０００９】
このように、基板の一面および他面が洗浄処理部により洗浄されることにより、灰化処理によって基板上に付着した残渣が十分に除去される。
【００１０】
洗浄処理部は、基板の一面を洗浄する第１の洗浄処理ユニットと、基板の他面を洗浄する第２の洗浄処理ユニットとを含んでもよい。
【００１１】
この場合、基板の一面および他面が別個の洗浄処理ユニットで洗浄されるので、基板上に付着した残渣がさらに十分に除去される。
【００１２】
基板の他面はデバイスが形成されるべき基板の表面であり、基板の一面は基板の表面の反対側の裏面であり、洗浄処理部は、灰化処理部による灰化処理後に、反転手段により反転された基板の裏面を洗浄した後、反転手段により反転された基板の表面を洗浄してもよい。
【００１３】
この場合、灰化処理によって基板の裏面に回り込み付着した残渣が、基板の裏面に強固に付着する前に基板の裏面が洗浄される。その後、反転手段により反転された基板の表面が洗浄される。それにより、基板上の残渣を十分に除去することができる。
【００１４】
基板の他面はデバイスが形成されるべき基板の表面であり、基板の一面は基板の表面の反対側の裏面であり、洗浄処理部は、基板の表面を物理洗浄してもよい。
【００１５】
この場合、基板の表面に付着した残渣を確実に除去することができる。
【００１６】
物理洗浄は、ブラシによる洗浄、超音波振動が付与された洗浄液による洗浄、高圧の洗浄液による洗浄、および気体と液体とが混合されることにより生成される液滴による洗浄のうち少なくとも１つを含んでもよい。
【００１７】
この場合、ブラシによる洗浄、超音波振動が付与された洗浄液による洗浄、高圧の洗浄液による洗浄、または気体と液体とが混合されることにより生成される液滴による洗浄により、基板の表面に付着した残渣を確実に除去することができる。
【００１８】
洗浄処理部は、基板の裏面を物理洗浄してもよい。この場合、基板の裏面に付着した残渣を確実に除去することができる。
【００１９】
基板処理装置は、少なくとも灰化処理部と洗浄処理部との間および反転手段と洗浄処理部との間で基板を搬送する搬送手段をさらに備えてもよい。この場合、搬送手段により基板が効率的に搬送される。
【００２０】
本発明に係る基板処理方法は、基板に処理を行う基板処理方法であって、基板上に形成されたレジスト膜を灰化処理するステップと、灰化処理後に、基板の一面を洗浄するステップと、基板の一面および他面を反転させるステップと、反転された基板の他面を洗浄するステップとを備えたものである。
【００２１】
本発明に係る基板処理方法においては、灰化処理された基板の一面が洗浄される。その後、基板の一面および他面が反転され、反転された基板の他面が洗浄される。
【００２２】
このように、基板の一面および他面が洗浄されることにより、灰化処理によって基板上に付着した残渣が十分に除去される。
【００２３】
基板処理方法は、灰化処理後に、基板の一面を洗浄する前に、基板の一面および他面を反転させるステップをさらに備えてもよい。
【００２４】
この場合、灰化処理後に、基板の一面および他面が反転される。そして、灰化処理によって基板の裏面に回り込み付着した残渣が、基板の裏面に強固に付着する前に基板の裏面が洗浄される。それにより、基板の裏面に付着した残渣を十分に除去することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に係る基板処理装置および基板処理方法によれば、灰化処理された基板の一面が洗浄処理部により洗浄される。また、反転手段により反転された基板の他面が洗浄処理部により洗浄される。このように、基板の一面および他面が洗浄処理部により洗浄されることにより、灰化処理によって基板上に付着した残渣が十分に除去される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２７】
以下の説明において、基板とは、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。
【００２８】
図１は本実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。
【００２９】
処理領域Ａには、メイン制御部４、流体ボックス部２ａ、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２および流体ボックス部２ｂが配置されている。
【００３０】
流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２への処理液の供給および洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２からの使用済処理液の排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。
【００３１】
洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２では、後述するアッシング部ＡＳＨによるアッシング処理後の基板上に付着した不純物、パーティクル等の残渣を除去するために後述の二流体ノズルを用いた洗浄処理が行われるとともに、洗浄処理後の基板の乾燥処理も行われる。
【００３２】
なお、本実施の形態においては、洗浄処理部ＭＰＣ１と洗浄処理部ＭＰＣ２は、同等の機能を有しており、基板処理のスループットを向上させるために２台搭載されている。ただし、基板処理のスループットを十分に確保できる場合は、例えば洗浄処理部ＭＰＣ１を１台だけ搭載させてもよい。
【００３３】
処理領域Ｂには、アッシング部ＡＳＨ、クーリングプレート部ＣＰおよびアッシャ制御部３が配置されている。
【００３４】
アッシング部ＡＳＨでは、加熱プレート（図示せず）上に基板が載置された状態にて減圧下で酸素プラズマによりアッシング処理が行われる。このように、アッシング部ＡＳＨでは、減圧下でアッシング処理を行っているので、雰囲気中に拡散する不純物が残渣として基板の裏面に回り込み付着する場合がある。
【００３５】
また、クーリングプレート部ＣＰでは、冷却プレート（図示せず）上に基板が載置された状態でペルチェ素子または恒温水循環等により基板が所定温度（例えば２３℃）まで冷却される。ここでのクーリングプレート部ＣＰは、アッシング処理により昇温した基板を洗浄処理が可能な温度にまで冷却するためのものである。
【００３６】
以下、アッシング部ＡＳＨ、クーリングプレート部ＣＰ、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２を処理ユニットと総称する。搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。また、処理領域Ａと処理領域Ｂとの間の領域に基板Ｗを反転するための基板反転部５が設けられている。基板反転部５の詳細については後述する。
【００３７】
処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板の搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。本実施の形態においては、キャリア１として、基板Ｗを密閉した状態で収納するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を用いているが、これに限定されるものではなく、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド、ＯＣ（Open Cassette）等を用いてもよい。
【００３８】
インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。
【００３９】
基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された処理ユニットに搬送する。また、基板搬送ロボットＣＲは、処理ユニットから受け取った基板Ｗを他の処理ユニット、基板反転部５またはインデクサロボットＩＲに搬送する。
【００４０】
アッシャ制御部３は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａのアッシング部ＡＳＨおよびクーリングプレート部ＣＰの動作を制御する。また、メイン制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａ，Ｂの各処理ユニットの動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作、基板反転部５の動作およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。
【００４１】
図２は本実施の形態に係る基板処理装置１００の洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２の側面図である。なお、本実施の形態においては、洗浄処理部部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２において、基板Ｗを物理洗浄するために、後述の二流体ノズルにより気体と液体とが混合されて生成される混合流体を用いて基板Ｗを洗浄する。
【００４２】
図２の洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２は、アッシング処理後の基板Ｗの二流体ノズルによる洗浄処理および洗浄処理後の基板Ｗの乾燥処理等を行う。
【００４３】
図２に示すように、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２は、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２１を備える。スピンチャック２１は、チャック回転駆動機構３６によって回転される回転軸２５の上端に固定されている。基板Ｗは、アッシング処理後の洗浄処理、洗浄処理後の基板Ｗの乾燥処理等を行う場合に、スピンチャック２１により水平に保持された状態で回転する。
【００４４】
スピンチャック２１の外方には、第１の回動モータ６０が設けられている。第１の回動モータ６０には、第１の回動軸６１が接続されている。また、第１の回動軸６１には、第１のアーム６２が水平方向に延びるように連結され、第１のアーム６２の先端に二流体ノズル５０が設けられている。
【００４５】
二流体ノズル５０は、アッシング処理後の基板Ｗの表面に付着している残渣を除去するための後述する混合流体または基板Ｗを洗浄するための純水または薬液等の処理液を吐出する。
【００４６】
また、スピンチャック２１の外方に第２の回動モータ７１が設けられている。第２の回動モータ７１には、第２の回動軸７２が接続され、第２の回動軸７２には、第２のアーム７３が連結されている。また、第２のアーム７３の先端に洗浄ノズル７０が設けられている。本実施の形態では、洗浄ノズル７０は、基板Ｗを洗浄するための純水または薬液等の処理液を吐出する。
【００４７】
二流体ノズル５０を用いてアッシング処理後の基板Ｗ上の残渣を除去する際には、洗浄ノズル７０は、所定の位置に退避される。
【００４８】
スピンチャック２１の回転軸２５は中空軸からなる。回転軸２５の内部には、処理液供給管２６が挿通されている。処理液供給管２６には、純水またはエッチング液である薬液等の処理液が供給される。処理液供給管２６は、スピンチャック２１に保持された基板Ｗの下面に近接する位置まで延びている。処理液供給管２６の先端には、基板Ｗの下面中央に向けて処理液を吐出する下面ノズル２７が設けられている。
【００４９】
スピンチャック２１は、処理カップ２３内に収容されている。処理カップ２３の内側には、筒状の仕切壁３３が設けられている。また、スピンチャック２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液を排液するための排液空間３１が形成されている。さらに、排液空間３１を取り囲むように、処理カップ２３と仕切壁３３の間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間３２が形成されている。
【００５０】
排液空間３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管３４が接続され、回収液空間３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管３５が接続されている。
【００５１】
処理カップ２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード２４が設けられている。このガード２４は、回転軸２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝４１が環状に形成されている。
【００５２】
また、ガード２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４２が形成されている。回収液案内部４２の上端付近には、処理カップ２３の仕切壁３３を受け入れるための仕切壁収納溝４３が形成されている。
【００５３】
このガード２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード２４を、回収液案内部４２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝４１がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード２４が回収位置（図２に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部４２により回収液空間３２に導かれ、回収管３５を通して回収される。一方、ガード２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝４１により排液空間３１に導かれ、排液管３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。
【００５４】
なお、スピンチャック２１への基板Ｗの搬入の際には、ガード昇降駆動機構は、ガード２４を排液位置よりもさらに下方に退避させ、ガード２４の上端部２４ａがスピンチャック２１の基板Ｗ保持高さよりも低い位置となるように移動させる。
【００５５】
スピンチャック２１の上方には、中心部に開口を有する円板状の遮断板２２が設けられている。アーム２８の先端付近から鉛直下方向に支持軸２９が設けられ、その支持軸２９の下端に、遮断板２２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの上面に対向するように取り付けられている。
【００５６】
支持軸２９の内部には、遮断板２２の開口に連通した窒素ガス供給路３０が挿通されている。窒素ガス供給路３０には、窒素ガス（Ｎ2）が供給される。この窒素ガス供給路３０は、洗浄処理後の基板Ｗの乾燥処理時に、基板Ｗに対して窒素ガスを供給する。
【００５７】
ここで、基板Ｗの材料がシリコン（Ｓｉ）等のように疎水性を有する場合には、基板Ｗ上で乾燥むらが生じやすく、乾燥後に基板Ｗ上にしみ（以下、ウォーターマークと呼ぶ）が発生する。洗浄処理後の基板Ｗの乾燥処理時に、遮断板２２を基板Ｗに近接させた状態で、基板Ｗと遮断板２２との間の隙間に対して窒素ガスを供給することにより、基板Ｗ上にウォーターマークが発生することを防止することができる。
【００５８】
また、窒素ガス供給路３０の内部には、遮断板２２の開口に連通した処理液供給管３９が挿通されている。処理液供給管３９には、純水等のリンス液が供給される。リンス液を処理液供給管３９を通して基板Ｗ上に供給することにより、洗浄処理後の基板Ｗ上に残留する処理液が洗い流される。リンス液の他の例としては、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の有機溶剤、オゾンを純水に溶解させたオゾン水または水素を純水に溶解させた水素水等が挙げられる。
【００５９】
アーム２８には、遮断板昇降駆動機構３７および遮断板回転駆動機構３８が接続されている。遮断板昇降駆動機構３７は、遮断板２２をスピンチャック２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック２１から上方に離れた位置との間で上下動させる。
【００６０】
図３は図２の洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２の二流体ノズル５０に処理液および窒素ガスを供給する構成を示す模式図である。
【００６１】
図３に示すように、二流体ノズル５０には、処理液を供給するための処理液供給系５２０および窒素ガスを供給するための窒素ガス供給系５３０が接続されている。本実施の形態では、処理液として純水が用いられる。
【００６２】
処理液供給系５２０は、処理液源５０１、ポンプ５０２、温度調節器（以下、温調器と呼ぶ）５０３、フィルタ５０４および第１の吐出弁５０５を含む。なお、本実施の形態においては、処理液源５０１は、純水貯留タンクあるいは半導体製品生産工場の純水ユーティリティ等に相当する。
【００６３】
ポンプ５０２によって処理液源５０１から吸引された処理液は、温調器５０３により所定温度に加熱または冷却される。それにより、処理液の温度が所定の温度（例えば室温２２〜２５℃程度）に調節される。その後、温度調節された処理液がフィルタ５０４を通過することにより、処理液から汚染物質が除去される。その後、処理液は、第１の吐出弁５０５を通して二流体ノズル５０に供給される。
【００６４】
また、窒素ガス供給系５３０は、第２の吐出弁５０６および窒素ガス源５０７を含む。窒素ガス源５０７からの加圧された窒素ガスは、第２の吐出弁５０６を通して二流体ノズル５０に供給される。なお、本実施の形態においては、窒素ガス源５０７は、窒素ガスボンベあるいは半導体製品生産工場の窒素ガスユーティリティ等に相当する。
【００６５】
なお、洗浄ノズル７０に洗浄のための処理液を供給する構成は、上記処理液供給系５２０の構成と同様である。
【００６６】
図４は図１の基板処理装置の制御系の構成を示すブロック図である。図４に示すように、基板処理装置１００には、アッシャ制御部３およびメイン制御部４が設けられている。
【００６７】
アッシャ制御部３は、アッシング部ＡＳＨで行われる基板Ｗのアッシング処理についての各種動作を制御する。また、アッシャ制御部３は、クーリングプレート部ＣＰで行われる基板の冷却についての各種動作を制御する。
【００６８】
メイン制御部４は、インデクサロボットＩＲおよび基板搬送ロボットＣＲの基板搬送動作、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２の遮断板昇降駆動機構３７、遮断板回転駆動機構３８およびチャック回転駆動機構３６の駆動動作ならびに基板反転部５の反転動作を制御する。
【００６９】
また、メイン制御部４は、ポンプ５０２の吸引動作および温調器５０３の温度調節動作を制御する。さらに、メイン制御部４は、第１の吐出弁５０５および第２の吐出弁５０６の開閉動作、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２の第１の回動モータ６０および第２の回動モータ７１の回転動作を制御する。
【００７０】
図５は基板反転部５の概略斜視図である。基板反転部５は、基板Ｗの表面が上方に向く状態と基板Ｗの裏面が上方を向く状態とをとり得るように、基板Ｗを水平軸の周りに回転させ、基板Ｗの表裏反転を行う。
【００７１】
図５に示すように、基板反転部５は、昇降機構（図示せず）により上下移動する支持台５５を有する。支持台５５上には、基板Ｗの外周端面に当接するとともに裏面を支持する複数の基板支持ピン５６が設けられている。
【００７２】
また、支持台５５の上方には、複数の基板支持ピン５６により支持された基板Ｗの外周部を挟持する一対のチャック５７が設けられている。一対のチャック５７は、水平軸を中心に回転する支持部材５８により支持されている。
【００７３】
基板反転部５により基板Ｗを反転する場合には、基板支持ピン５６上に支持された基板Ｗの外周部を一対のチャック５７により挟持するとともに、支持台５５を下降させる。その後、支持部材５８を一対のチャック５７とともに水平軸を中心に１８０°回転させる。これにより、基板Ｗも１８０°回転し、基板Ｗの表裏反転が行われる。基板Ｗの表裏反転が完了すれば、支持台５５を上昇させて基板Ｗを基板支持ピン５６上に載置するとともに、一対のチャック５７による基板Ｗの挟持を解放する。
【００７４】
次に、基板処理装置１００を用いた基板Ｗの処理流れについてフローチャートを参照しながら説明する。
【００７５】
図６は本実施の形態に係る基板処理装置１００を用いた基板処理の一例を示すフローチャートである。
【００７６】
図６に示すように、基板搬送ロボットＣＲにより基板Ｗがアッシング部ＡＳＨに搬入される（ステップＳ１）。そして、アッシング部ＡＳＨ内で基板Ｗのアッシング処理が行われる（ステップＳ２）。
【００７７】
次に、基板搬送ロボットＣＲによる基板Ｗの搬送が行われる（ステップＳ３）。この場合、基板搬送ロボットＣＲは、アッシング処理後の基板Ｗをアッシング部ＡＳＨから搬出し、クーリングプレート部ＣＰに基板Ｗを搬入する。
【００７８】
続いて、クーリングプレート部ＣＰ内で基板Ｗの冷却処理が行われる（ステップＳ４）。この場合、アッシング処理により昇温した基板Ｗが冷却プレート（図示せず）により室温程度に冷却される。
【００７９】
次に、基板搬送ロボットＣＲによる基板Ｗの搬送が行われる（ステップＳ５）。この場合、基板搬送ロボットＣＲは、冷却された基板Ｗをクーリングプレート部ＣＰから搬出し、基板反転部５に基板Ｗを搬入する。
【００８０】
続いて、基板反転部５内で基板Ｗの反転処理が行われる（ステップＳ６）。この場合、基板Ｗの表面と裏面とが反転される。
【００８１】
次に、基板搬送ロボットＣＲによる基板Ｗの搬送が行われる（ステップＳ７）。この場合、基板搬送ロボットＣＲは、基板反転部５から基板Ｗを搬出し、洗浄処理部ＭＰＣ１または洗浄処理部ＭＰＣ２のうち既に基板Ｗが収容されていない方の洗浄処理部に搬入する。
【００８２】
次に、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２内で基板Ｗの裏面の洗浄処理が行われる（ステップＳ８）。この場合、図２の二流体ノズル５０から吐出される混合流体によりアッシング処理後の基板Ｗの裏面が洗浄される。
【００８３】
続いて、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２内で洗浄処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる（ステップＳ９）。この場合、遮断板２２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの上面に近接しつつ窒素ガス供給路３０から遮断板２２下面と基板Ｗ上面との間の空間に窒素ガスが供給されると同時に、スピンチャック２１により水平に保持された状態で基板Ｗが回転されることにより、基板Ｗ上に残留する液滴が振り切られ除去される。
【００８４】
次に、基板搬送ロボットＣＲによる基板Ｗの搬送が行われる（ステップＳ１０）。この場合、基板搬送ロボットＣＲは、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２から基板Ｗを搬出し、基板反転部５に基板Ｗを搬入する。
【００８５】
続いて、基板反転部５内で基板Ｗの反転処理が行われる（ステップＳ１１）。この場合、基板Ｗの裏面と表面とが反転される。
【００８６】
次に、基板搬送ロボットＣＲによる基板Ｗの搬送が行われる（ステップＳ１２）。この場合、基板搬送ロボットＣＲは、基板反転部５から基板Ｗを搬出し、洗浄処理部ＭＰＣ１または洗浄処理部ＭＰＣ２のうち既に基板Ｗが収容されていない方の洗浄処理部に搬入する。
【００８７】
次に、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２内で基板Ｗの表面の洗浄処理が行われる（ステップＳ１３）。この場合、図２の二流体ノズル５０から吐出される混合流体によりアッシング処理後の基板Ｗの表面が洗浄される。
【００８８】
続いて、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２内で洗浄処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる（ステップＳ１４）。
【００８９】
その後、基板搬送ロボットＣＲにより洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２から基板Ｗが搬出される（ステップＳ１５）。
【００９０】
本例では、灰化処理によって基板Ｗの裏面に回り込み付着する残渣が、基板Ｗの裏面に強固に付着する前に基板Ｗの裏面が洗浄される。その後、基板反転部５により反転された基板Ｗの表面が洗浄される。それにより、基板Ｗの表裏面に付着した残渣を十分に除去することができる。
【００９１】
また、本例では、二流体ノズル５０を用いて基板Ｗの表裏面を洗浄することにより、基板Ｗの表裏面に付着した残渣を確実にかつ短時間で除去することができる。
【００９２】
なお、上記ステップＳ８の前または後および上記ステップＳ１３の前または後において、洗浄ノズル７０あるいは処理液供給管３９によって純水または薬液等の処理液が基板Ｗの表面に吐出されることにより洗浄処理が行われてもよい。それにより、さらに洗浄効果を向上させることができる。
【００９３】
図７は本実施の形態に係る基板処理装置１００を用いた基板処理の他の例を示すフローチャートである。なお、本例においては、後述のステップＳ２１の処理が行われる前に、図６のステップＳ１〜Ｓ５の処理と同様の処理が行われる。
【００９４】
図７に示すように、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２内で基板Ｗの表面の洗浄処理が行われる（ステップＳ２１）。この場合、図２の二流体ノズル５０から吐出される混合流体によりアッシング処理後の基板Ｗの表面が洗浄される。
【００９５】
続いて、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２内で洗浄処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる（ステップＳ２２）。この場合、遮断板２２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの上面に近接しつつ窒素ガス供給路３０から遮断板２２下面と基板Ｗ上面との間の空間に窒素ガスが供給されると同時に、スピンチャック２１により水平に保持された状態で基板Ｗが回転されることにより、基板Ｗ上に残留する液滴が振り切られ除去される。
【００９６】
次に、基板搬送ロボットＣＲによる基板Ｗの搬送が行われる（ステップＳ２３）。この場合、基板搬送ロボットＣＲは、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２から基板Ｗを搬出し、基板反転部５に基板Ｗを搬入する。
【００９７】
続いて、基板反転部５内で基板Ｗの反転処理が行われる（ステップＳ２４）。この場合、基板Ｗの表面と裏面とが反転される。
【００９８】
次に、基板搬送ロボットＣＲによる基板Ｗの搬送が行われる（ステップＳ２５）。この場合、基板搬送ロボットＣＲは、基板反転部５から基板Ｗを搬出し、洗浄処理部ＭＰＣ１または洗浄処理部ＭＰＣ２のうち既に基板Ｗが収容されていない方の洗浄処理部に搬入する。
【００９９】
次に、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２内で基板Ｗの裏面の洗浄処理が行われる（ステップＳ２６）。この場合、図２の二流体ノズル５０から吐出される混合流体によりアッシング処理後の基板Ｗの裏面が洗浄される。
【０１００】
続いて、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２内で洗浄処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる（ステップＳ２７）。
【０１０１】
その後、基板搬送ロボットＣＲにより洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２から基板Ｗが搬出される（ステップＳ２８）。
【０１０２】
本例では、灰化処理された基板Ｗの表面が洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２により洗浄される。また、反転手段により反転された基板Ｗの裏面が洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２により洗浄される。それにより、灰化処理によって基板Ｗの表裏面に付着した残渣が十分に除去される。
【０１０３】
また、本例では、二流体ノズル５０を用いて基板Ｗの表裏面を洗浄することにより、基板Ｗの表裏面に付着した残渣を確実にかつ短時間で除去することができる。
【０１０４】
さらに、本例では、アッシング処理後に基板Ｗの反転処理を行わずに基板Ｗの表面が洗浄される。それにより、図６に示す基板処理の例と比べ基板反転処理の回数を減らすことができ、処理工程を削減することができる。
【０１０５】
なお、上記ステップＳ２１の前または後および上記ステップＳ２６の前または後において、洗浄ノズル７０あるいは処理液供給管３９によって純水または薬液等の処理液が基板Ｗの表面に吐出されることにより洗浄処理が行われてもよい。それにより、さらに洗浄効果を向上させることができる。
【０１０６】
本実施の形態においては、アッシング部ＡＳＨが灰化処理部に相当し、基板反転部５が反転手段に相当し、洗浄処理部ＭＰＣ１が第１の洗浄処理ユニットに相当し、洗浄処理部ＭＰＣ２が第２の洗浄処理ユニットに相当し、基板搬送ロボットＣＲが搬送手段に相当する。
【０１０７】
なお、図６および図７に示した基板処理の処理手順は一例であり、これらに限定されるものではなく、それぞれの処理の要旨を変更しない限り、適宜それぞれの処理の順序や繰り返し回数等を設定することができる。
【０１０８】
また、本実施の形態では、基板処理装置１００を用いた基板処理において、クーリングプレート部ＣＰ内で基板Ｗの冷却処理を行うこととしたが、基板Ｗを自然冷却することによりクーリングプレート部ＣＰ内で基板Ｗの冷却処理が必要でないのであれば省略してもよい。
【０１０９】
また、本実施の形態においては、基板Ｗ上に混合流体を吐出する二流体ノズル５０を用いて基板Ｗの表裏面を洗浄しているが、これに限定されるものではなく、基板Ｗ上に薬液等の処理液を吐出する洗浄ノズル７０による薬液洗浄、スポンジブラシ等のスクラブブラシによるブラシ洗浄、超音波が付与された洗浄液による超音波洗浄、および高圧の洗浄液による高圧洗浄のうち一つまたはいずれかを組み合わせて用いることにより基板Ｗを洗浄してもよい。なお、洗浄液としては、フッ酸、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、アンモニア、過酸化水素水、クエン酸、蓚酸、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド）等の薬液、炭酸水、還元水、イオン水、オゾン水等の機能水、および純水のうち少なくともいずれか１つを含む液体であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
本発明に係る基板処理装置および基板処理方法は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の種々の基板に処理を行うため等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】本実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】本実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部の側面図である。
【図３】図２の洗浄処理部の二流体ノズルに処理液および窒素ガスを供給する構成を示す模式図である。
【図４】図１の基板処理装置の制御系の構成を示すブロック図である。
【図５】基板反転部の概略斜視図である。
【図６】本実施の形態に係る基板処理装置を用いた基板処理の一例を示すフローチャートである。
【図７】本実施の形態に係る基板処理装置を用いた基板処理の他の例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１１２】
５  基板反転部
５０  二流体ノズル
１００  基板処理装置
ＡＳＨ  アッシング部
ＣＲ  基板搬送ロボット
ＭＰＣ１，ＭＰＣ２  洗浄処理部
Ｗ  基板
【図１】
2005175036.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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