(57)【要約】【課題】  変形容易な方向性が無く、樹脂ポストの変形による応力の吸収性を充分に発揮することが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】  絶縁樹脂層３を介して導電性基板１上に隆起して突起状に設けられた樹脂ポスト４の上面にシード層を形成する。前記樹脂ポスト４の側面４ｂに沿って斜めをなすライン状の領域を除いて、前記シード層上にレジスト膜を形成する。前記ライン状の領域に導電層７を形成する。前記レジスト膜とその下に位置するシード層を除去する。これにより、前記導電性基板１の一面と導通可能に設けられた第一導電部５に一端が接続され、前記樹脂ポスト４の頂上部４ａに設けられた第二導電部６に他端が接続された、前記樹脂ポスト４の側面４ｂに沿って斜めにライン状の導電層７を設けることで半導体装置１１とする。【選択図】  図１
2005175322.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基板と、前記導電性基板の一面を被覆する絶縁層と、前記導電性基板の一面と導通可能に設けられた第一導電部と、前記絶縁層上に隆起した突起状に形成された樹脂ポストと、前記第一導電部に一端が接続されており、前記樹脂ポストの頂上部に設けられた第二導電部に他端が接続されてなるライン状の導電層とを少なくとも備えてなる半導体装置であって、
前記導電層が、前記樹脂ポストの側面に沿って斜めに設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記導電層は、前記樹脂ポストの上方から見て螺旋状をなしていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記導電層により被覆されていない空隙部は、前記樹脂ポストの上方から見てその側面を被覆しない螺旋状をなしていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記導電層は、複数回折れ曲がった線状又は湾曲部を有する曲線状をなしていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
導電性基板と、前記導電性基板の一面を被覆する絶縁層と、前記導電性基板の一面と導通可能に設けられた第一導電部と、前記絶縁層上に隆起した突起状に形成された樹脂ポストと、前記第一導電部に一端が接続されており、前記樹脂ポストの頂上部に設けられた第二導電部に他端が接続されてなるライン状の導電層とを少なくとも備えてなり、前導電層が、前記樹脂ポストの側面に沿って斜めに設けられている半導体装置を具備したことを特徴とする電子機器。
【請求項６】
導電性基板と、前記導電性基板の一面を被覆する絶縁層と、前記導電性基板の一面と導通可能に設けられた第一導電部と、前記絶縁層上に隆起した突起状に形成された樹脂ポストと、前記第一導電部に一端が接続されており、前記樹脂ポストの頂上部に設けられた第二導電部に他端が接続されてなるライン状の導電層とを少なくとも備えてなり、前導電層が、前記樹脂ポストの側面に沿って斜めに設けられている半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂ポストの上面にシード層を形成する工程α１と、
前記樹脂ポストの側面に沿って斜めをなすライン状の領域を除いて、前記シード層上にレジスト膜を形成する工程α２と、
前記ライン状の領域に導電層を形成する工程α３と、
前記レジスト膜とその下に位置するシード層を除去する工程α４と、
を少なくとも具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
導電性基板と、前記導電性基板の一面を被覆する絶縁層と、前記導電性基板の一面と導通可能に設けられた第一導電部と、前記絶縁層上に隆起した突起状に形成された樹脂ポストと、前記第一導電部に一端が接続されており、前記樹脂ポストの頂上部に設けられた第二導電部に他端が接続されてなるライン状の導電層とを少なくとも備えてなり、前導電層が、前記樹脂ポストの側面に沿って斜めに設けられている半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂ポストの上面にシード層を形成する工程β１と、
前記樹脂ポストの側面に沿って斜めをなすライン状の領域を除いて、前記シード層上に感光性樹脂膜を形成する工程β２と、
前記ライン状の領域に導電層を形成する工程β３と、
を少なくとも具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
導電性基板と、前記導電性基板の一面を被覆する絶縁層と、前記導電性基板の一面と導通可能に設けられた第一導電部と、前記絶縁層上に隆起した突起状に形成された樹脂ポストと、前記第一導電部に一端が接続されており、前記樹脂ポストの頂上部に設けられた第二導電部に他端が接続されてなるライン状の導電層とを少なくとも備えてなり、前導電層が、前記樹脂ポストの側面に沿って斜めに設けられている半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂ポストの上面にシード層を形成する工程γ１と、
前記樹脂ポストの側面に沿って斜めをなすライン状の領域を酸化させる工程γ２と、
前記シード層上に導電層を形成する工程γ３と、
を少なくとも具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特にチップサイズ（スケール）パッケージ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ、以下「ＣＳＰ」と略記する場合がある）等、小型化が要求される半導体装置において、回路基板等への接続に対して充分な信頼性を持つパッケージを実現するための構造を有する半導体装置とその製造方法及びこの半導体装置を具備する電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体パッケージ構造として、たとえば半導体チップを樹脂により封止したパッケージ（所謂、「Ｄｕａｌ  Ｉｎｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ」や「Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ」）では、樹脂パッケージ周辺の側面に金属リード電極を配置する周辺端子配置型が主流であった。
【０００３】
これに対し、近年急速に普及している半導体パッケージ構造として、たとえばＣＳＰ（チップスケールパッケージ）と呼ばれる、パッケージの平坦な表面に電極を平面状に配置したパッケージ構造がある。このＣＳＰ（チップスケールパッケージ）は、所謂、ボールグリットアレイ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ、以下「ＢＧＡ」と略記する場合がある）技術の採用により、同一電極端子数を持つ同一投影面積の半導体チップを、従来よりも小さい面積で電子回路基板に高密度実装することを可能とする。
このＢＧＡタイプの半導体パッケージにおいては、パッケージの面積が半導体チップの面積にほぼ等しく、ＣＳＰと呼ばれる構造が、前述のＢＧＡ電極配置構造とともに開発され、電子機器の小型軽量化に大きく貢献している。そして、ＣＳＰ（チップスケールパッケージ）は、回路を形成したウエハ基板を切断し、個々の半導体チップに個別にパッケージ工程を施しパッケージを完成するものである。
【０００４】
また、一般的に「ウエハレベルＣＳＰ」（以下、「ウエハレベルパッケージ」と称する場合がある）と呼ばれる、ウエハの片面に絶縁樹脂層、再配線層、封止樹脂層、半田バンプ等が形成され、ウエハごと樹脂封止されたパッケージ構造がある。
このウエハレベルパッケージの製法においては、このウエハ上に、絶縁樹脂層、再配線層、封止層等を形成し、半田バンプを形成する。そして、最終工程においてウエハを所定のチップ寸法に切断することでパッケージ構造を具備した半導体チップを得ることができる。
したがって、ウエハレベルパッケージにおいては、ウエハ全面にこれらの回路を積層し、最終工程においてウエハをダイシングすることから、切断したチップそのものの大きさが、パッケージの施された半導体チップとなり、これにより実装基板に対して最小投影面積を有する半導体チップを得ることが可能となる。
このウエハレベルＣＳＰの製造方法における特徴は、パッケージを構成する部材を、すべてウエハの形成において加工することにある。すなわち、絶縁樹脂層、再配線層、封止樹脂層、半田バンプ等は、すべてウエハをハンドリングすることで形成される。
そして、ウエハレベルパッケージは、ウエハのデバイス回路側の面にパッケージ部材を積層した後に、ダイシング工程により個片化され、ウエハ上に形成された半導体パッケージの端子を用いて回路基板上に実装されることで電子機器に使用される。
【０００５】
ところで、一般的に、半導体パッケージと回路基板等との熱膨張率は相違しているので、この熱膨張率の相違に基づく応力が、半導体パッケージの端子に集中しやすく、この端子に集中する応力による歪みが大きくなると、電極剥離、抵抗値の増大等の問題が生じてくる。
このような問題を回避する手段として、例えば、チップ上に金属ポスト等の緩衝部材が設けられ、この緩衝部材上に端子が形成された半導体パッケージが提案されている。半導体パッケージを回路基板上に実装する際、半導体パッケージの緩衝部材上の端子と回路基板とが電気的に接続されるため、半導体パッケージのチップと回路基板とは、緩衝部材を介して接続することになり、応力緩和を図ることをできる。
しかしながら、この緩衝部材を利用した応力緩和では、半導体パッケージと回路基板とを接続した後の厚さ寸法が大きくなり、また、構造の複雑化、コストの上昇等を回避できない。
【０００６】
そこで、半導体パッケージの端子に対する回路基板等の接続に伴う応力集中を効率良く緩和でき、しかも、低コスト化、基板実装における接続信頼性の向上を実現できる、半導体パッケージ構造として、樹脂ポスト構造を採用した手段が提案されている。
この樹脂ポスト構造とは、絶縁樹脂層上に形成される半導体パッケージの端子（以下、「ポスト」と称する場合がある）を樹脂ポストとし、この樹脂ポスト全体を導電層（再配線層）で覆うようにしたものである。
このように上記樹脂ポスト構造においては、ポストが樹脂で形成されているために応力が加わったときに樹脂ポストが傾き、応力が吸収される。したがって、基板実装状態で加わる応力の緩和機能は非常に優れたものとなる。
【０００７】
しかしながら、上記樹脂ポスト構造では、図９及び図１０に示すように、樹脂ポスト５４全体が導電層（再配線層）５５で覆われているため、応力が加わったときの樹脂ポスト５４自由な変形が妨げられ、樹脂ポスト５４の傾き具合に限界が生じ、即ち応力緩和機能にも限界があった。
ここで、図中の符号５１はウエハ、符号５２は電極、符号５３は絶縁層、符号５９は封止樹脂層、をそれぞれ示す。
【０００８】
そこで、このような樹脂ポストの変形による応力吸収を充分に行えるようにするため、例えば、樹脂ポストを覆う導電層（再配線層）を、樹脂ポストの側面の一部と頂部の少なくとも一部とを被覆するもの、すなわち、樹脂ポストの側面に導電層が形成されない部分を残すようにした手段が提案されている（特許文献１乃至３等参照）。
【特許文献１】特開２００２−２８０４８６号公報
【特許文献２】特開２００３−１２４３８９号公報
【特許文献３】特開２００２−２８０４８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、上記樹脂ポストの側面に導電層が形成されない部分を残すようにした手段においては、樹脂ポストに変形容易な方向性が与えられており、変形容易な方向性が無く一層柔軟性に富むポスト構造が実現できれば、さらに信頼性向上が期待できることから、小型化が要求される半導体装置においては、回路基板等への接続に対して充分な信頼性を持つパッケージを実現するための新たな構造の実現が望まれている。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、変形容易な方向性が無く、樹脂ポストの変形による応力の吸収性を充分に発揮することが可能な半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、基板実装における接続信頼性の向上した電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は上記課題を解決するべく鋭意検討し、以下の半導体装置とその製造方法、及びこの半導体装置を具備する電子機器を発明した。
本発明の半導体装置は、導電性基板と、前記導電性基板の一面を被覆する絶縁層と、前記導電性基板の一面と導通可能に設けられた第一導電部と、前記絶縁層上に隆起した突起状に形成された樹脂ポストと、前記第一導電部に一端が接続されており、前記樹脂ポストの頂上部に設けられた第二導電部に他端が接続されてなるライン状の導電層とを少なくとも備えてなる半導体装置であって、前記導電層が、前記樹脂ポストの側面に沿って斜めに設けられていることを特徴とする。
ここで、導電層は、導電層を樹脂ポストの側面に沿って斜めに直接的に形成するものの他、樹脂ポストの側面を被覆するように形成された導電層に、側面を被覆しない斜めの空隙部を形成することで、間接的に導電層が樹脂ポストの側面に沿って斜めに形成されることとなるものの双方を含む。したがって、本発明の半導体装置は、樹脂ポストの側面に沿って導電層を直接的に形成した第一の構成と、樹脂ポストの側面に形成された導電層に空隙部を形成することで、間接的に導電層を形成した第二の構成との二通りを有するものである。
【００１２】
本発明の半導体装置によれば、樹脂ポストの側面を被覆するように形成される導電層が側面に沿って斜めに形成されているので、樹脂ポストの側面を直線的に上下に連続して被覆する部分が無く、あらゆる方向の応力に対応することが可能な半導体装置を提供することができる。したがって、樹脂ポストの変形による応力の分散・吸収性が充分に発揮され、基板実装における接続信頼性が向上する。
ここで、樹脂ポスト自体が露出した部分は、導電層を樹脂ポストの側面に沿って斜めに形成することに伴って一緒に形成され、また、樹脂ポスト自体が露出した部分を側面に沿って斜めに形成することに伴って、樹脂ポストの側面に沿って斜めに形成された導電層が一緒に形成されることとなる。
【００１３】
かかる半導体装置の構成において、前記導電層が、前記樹脂ポストの上方から見て螺旋状をなしていることを特徴とする。
【００１４】
かかる半導体装置の構成において、導電層により被覆されていない空隙部が、樹脂ポストの上方から見てその側面を被覆しない螺旋状をなしていることを特徴とする。
【００１５】
これにより、樹脂ポストの側面には導電層が形成されているものの、当該側面におけるあらゆる方向に導電層が被覆されていない部分、すなわち、樹脂ポスト自体が露出した部分が存在するので、応力の分散・吸収性をより一層効率良く発揮することが可能なものとなる。
【００１６】
かかる半導体装置の構成において、前記導電層は、複数回折れ曲がった線状又は湾曲部を有する曲線状をなしていることを特徴とする。
これにより、樹脂ポストの変形自由度が増し、接続時に発生する樹脂ポストの変形による応力を導電層が形成されない部分にて更に効率良く吸収することができる。
【００１７】
本発明の電子機器は、導電性基板と、前記導電性基板の一面を被覆する絶縁層と、前記導電性基板の一面と導通可能に設けられた第一導電部と、前記絶縁層上に隆起した突起状に形成された樹脂ポストと、前記第一導電部に一端が接続されており、前記樹脂ポストの頂上部に設けられた第二導電部に他端が接続されてなるライン状の導電層とを少なくとも備えてなり、前導電層が、前記樹脂ポストの側面に沿って斜めに設けられている半導体装置を具備したことを特徴とする。
これにより、基板実装における接続信頼性が向上し、電極剥離や抵抗値の増大等の問題が生じることなく製造された電子機器とすることが出来る。
【００１８】
本発明の半導体装置の製造方法αは、導電性基板と、前記導電性基板の一面を被覆する絶縁層と、前記導電性基板の一面と導通可能に設けられた第一導電部と、前記絶縁層上に隆起した突起状に形成された樹脂ポストと、前記第一導電部に一端が接続されており、前記樹脂ポストの頂上部に設けられた第二導電部に他端が接続されてなるライン状の導電層とを少なくとも備えてなり、前導電層が、前記樹脂ポストの側面に沿って斜めに設けられている半導体装置の製造方法であって、前記樹脂ポストの上面にシード層を形成する工程α１と、前記樹脂ポストの側面に沿って斜めをなすライン状の領域を除いて、前記シード層上にレジスト膜を形成する工程α２と、前記ライン状の領域に導電層を形成する工程α３と、前記レジスト膜とその下に位置するシード層を除去する工程α４と、を少なくとも具備したことを特徴とする。
このように少なくとも上記α１からα４の工程を有することにより、樹脂ポストの側面に沿って斜めに導電層が直接設計通りの形状に形成されることで、あらゆる方向の応力に対応することが可能とした本発明の第二の構成の半導体装置を簡易に製造することが出来る。
【００１９】
また、本発明の半導体装置の製造方法βは、導電性基板と、前記導電性基板の一面を被覆する絶縁層と、前記導電性基板の一面と導通可能に設けられた第一導電部と、前記絶縁層上に隆起した突起状に形成された樹脂ポストと、前記第一導電部に一端が接続されており、前記樹脂ポストの頂上部に設けられた第二導電部に他端が接続されてなるライン状の導電層とを少なくとも備えてなり、前導電層が、前記樹脂ポストの側面に沿って斜めに設けられている半導体装置の製造方法であって、前記樹脂ポストの上面にシード層を形成する工程β１と、前記樹脂ポストの側面に沿って斜めをなすライン状の領域を除いて、前記シード層上に感光性樹脂膜を形成する工程β２と、前記ライン状の領域に導電層を形成する工程β３と、を少なくとも具備したことを特徴とする。
これによっても、少なくとも上記β１からβ３の工程を有することにより、樹脂ポストの側面に沿って斜めに導電層が直接設計通りの形状に形成され、あらゆる方向の応力に対応することが可能とした本発明の半導体装置を簡易に製造することが出来る。しかも、上記レジスト膜の代わりに感光性封止樹脂層を用いることで、レジスト膜の代わりに用いた感光性封止樹脂層を後で除去する必要が無く、一層簡易に本発明の第二の構成の半導体装置を簡易に製造することが出来る。
【００２０】
さらに、本発明の半導体装置の製造方法γは、導電性基板と、前記導電性基板の一面を被覆する絶縁層と、前記導電性基板の一面と導通可能に設けられた第一導電部と、前記絶縁層上に隆起した突起状に形成された樹脂ポストと、前記第一導電部に一端が接続されており、前記樹脂ポストの頂上部に設けられた第二導電部に他端が接続されてなるライン状の導電層とを少なくとも備えてなり、前導電層が、前記樹脂ポストの側面に沿って斜めに設けられている半導体装置の製造方法であって、前記樹脂ポストの上面にシード層を形成する工程γ１と、前記樹脂ポストの側面に沿って斜めをなすライン状の領域を酸化させる工程γ２と、前記シード層上に導電層を形成する工程γ３と、を少なくとも具備したことを特徴とする。
これによっても、少なくとも上記γ１からγ３の工程を有することにより、樹脂ポストの側面に沿って斜めに空隙部が形成されことで、間接的に樹脂ポストの側面に沿って斜めに導電層が形成され、あらゆる方向の応力に対応することが可能とした本発明の第二の構成の半導体装置を簡易に製造することが出来る。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、緩衝部材を設けたり、樹脂ポストを大型化したりすること無く、接続時に発生する樹脂ポストの変形による応力を導電層が形成されない部分にて効率良く吸収することができることは勿論のこと、変形容易な方向性が無く、樹脂ポストの変形による応力の吸収性を充分に発揮することが可能な半導体装置とすることが出来る。すなわち、樹脂ポストの側面に、導電（メッキ再配線）層が無いエリアが用意されているので、樹脂ポストが応力を受けたとき、導電（メッキ再配線）層によって変形が妨げられ難くなり、応力緩和機能がより向上するものとなる。したがって、応力緩和機能を持つが、さらに新しい構造を有する半導体装置を提案することが出来る。
例えば、−４０℃〜１２５℃のヒートサイクル試験によって半導体装置の基板実装信頼性を評価した結果、従来の半導体装置では、１２００回で故障したが、本発明の半導体装置では１８００回以上の耐サイクル性能を示した。このように、本発明の半導体装置では、前記したように応力緩和機能が向上し、これにより優れた基板実装信頼性が実現できる。
【００２２】
また、本発明の半導体装置の製造方法によると、あらゆる方向の応力に対応することが可能とした本発明の半導体装置を簡易に製造することができる。
また、樹脂ポストの上面に形成したシード層表面を熱酸化させる工程を具備することによって、酸化させた領域には導電層が形成されず、間接的に樹脂ポストの側面に沿って斜めに導電層を簡易に形成させることができ、加工に要する時間を短縮できる。
さらに、半導体装置の小型化、低コスト化が可能であり、この半導体装置を具備した電子機器をも小型化、低コスト化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
本発明は、樹脂ポスト法によるウエハレベルＣＳＰの樹脂ポスト構造の改良に関するものである。図１は本発明を実施した半導体装置の一実施形態を示す断面図であり、図２はその平面図である。
図中、符号１はウエハ基板、符号２は電極、符号３は絶縁樹脂層、符号４は樹脂ポスト、符号５は第一導電部、符号６は第二導電部、符号７は導電層、符号１１は半導体パッケージ（ウエハ基板上に積層回路が形成されることで半導体装置）をそれぞれ示す。なお、図１では、後述するシード層２３やレジスト層２４、または感光性封止樹脂層２５の図示を省略している。
【００２４】
図１及び図２に示すように、半導体パッケージ１１は、電極２が設けられた導電性基板としてのウエハ基板１と、このウエハ基板１の一面を被覆する絶縁樹脂層３と、この絶縁樹脂層３の上に設けられた樹脂ポスト４と、前記ウエハ基板１に設けられた電極２と導通可能に設けられた第一導電部５と、前記樹脂ポスト４の頂上部４ａに設けられた第二導電部６と、前記第一導電部５と第二導電部６とを接続するように、前記樹脂ポスト４の側面４ｂに設けられた導電層（再配線層）７とを有している。
また、絶縁樹脂層３の前記電極２に整合する領域には開口部３ａが形成され、この開口部３ａを介して前記第一導電部５は電極２に接続されている。そして、ウエハ基板１、絶縁樹脂層３、樹脂ポスト４、第一導電部５、第二導電部６、及び導電層７は、封止樹脂層（図示せず）によって封止されている。
なお、ウエハ基板１は、ここではシリコンウエハを採用している。また、電極２としては、各種導電性材料が採用可能であるが、ここではアルミニウム製パッドを採用している。
【００２５】
樹脂ポスト４は、絶縁樹脂層３上に突出して形成され、例えば高さが１０〜１００μｍ程度の円錐台状している。この樹脂ポスト４は、頂上部４ａを覆う第二導電部６を有するとともに、側面４ｂを覆う導電層７を有している。また、樹脂ポスト４の頂上部４ａに設けられた第二導電部６上には、半田バンプ（図示せず）が形成されるようになっている。
【００２６】
第一導電部５は、ウエハ基板１上に設けられた電極２と導通可能であって、樹脂ポスト４の裾部４ｃ付近まで延伸するよう絶縁層３の上面に形成されている。第二導電部６は、樹脂ポスト４の頂上部４ａの少なくとも一部を覆うように設けられる。導電層７は、前記樹脂ポスト４の側面４ｂの一部を被覆するように、樹脂ポスト４の頂上部４ａ縁端部から樹脂ポスト４の裾部４ｃ付近まで側面４ｂに沿って斜めに連続して形成されている。
図２では、第一導電層５は、樹脂ポスト４の裾部４ｃ付近まで達するように連続する線状（帯状）に形成され、第二導電層６は、樹脂ポスト４の上面の頂上部４ａと略一致する平面円形に形成され、導電層７は、樹脂ポスト４の裾部４ｃ付近まで達する第一導電層５の端部と、樹脂ポスト４の頂上部４ａを覆う第二導電層６の縁端部とを連絡する、樹脂ポスト４の上方から見て螺旋状に形成されている。
この際、樹脂ポスト４の頂上部４ａに形成された第二導電層６は、半田バンプ（図示せず）を安定に設置することができるように、平坦なものとなっている。そして、導電層５は、この図示しない半田バンプを介して回路基板等と電気的に接続される構成となっている。
【００２７】
次に、上述した半導体装置１１の製造方法の一実施形態を、図面を参照して具体的に説明する。図３は、本形態に係る半導体装置１１の製造方法αであって、詳しくは樹脂ポスト４の側面４ｂに導電層７を形成する方法を工程順に示す断面図である。
まず、集積回路及びその電極（共に図示せず）が設けられたウエハ基板１の上面に、絶縁樹脂層３を形成する。絶縁樹脂層３は、電極２に整合する位置に開口部３ａを有する（図１参照）。絶縁樹脂層３は、例えばポリイミド系、エポキシ系又はシリコーン系の液状樹脂からなり、その厚さは、例えば５〜５０μｍ程度である。
【００２８】
絶縁樹脂層３は、例えばスピンコート法、キャスティング法、ディスペンス法等により、ウエハ基板１上に塗布することで形成することができる。また、絶縁樹脂層３に使われる材料は感光性をもち、フォトリソグラフィ技術を利用してパターニングすることにより形成するものも可能である。したがって、絶縁樹脂層３に設けられる開口部３ａは、このフォトリソグラフィ技術を利用して、例えば、絶縁樹脂層３を構成するポリイミド等の膜をウエハ基板１上に成膜した後に形成できる。また、絶縁樹脂層３を印刷法でパターン形成することも可能である。さらに、絶縁樹脂層３は、シート状の材料を貼ることで形成することも可能である。
【００２９】
次に、絶縁樹脂層３上に樹脂ポスト４を形成する。この樹脂ポスト４は、絶縁樹脂層３上に隆起した突起状をしており、図では、円錐の頂部付近を除いて平坦な上面とした頂上部４ａを形成した、断面が台形状（円錐台状）に示されている。この樹脂ポスト４は、例えばポリイミド系、エポキシ系又はシリコーン系の液状樹脂からなり、その厚さは、例えば２５〜１００μｍ程度である。なお、樹脂ポスト４は、ウエハ基板１上において電極とは離れた位置に形成される。
【００３０】
また、樹脂ポスト４は、例えばスピンコート法、キャスティング法、ディスペンス法等により、絶縁樹脂層３上に塗布することで形成することができる。また、樹脂ポスト４に使われる材料は感光性をもち、フォトリソグラフィ技術を利用してパターニングすることにより形成するものも可能である。
【００３１】
次に、図３（ａ）に示すように、絶縁樹脂層３及び樹脂ポスト４が形成されたウエハ基板１の上に、メッキ層の種となるシード層２３を形成する（工程α１）。
このシード層２３は、例えばスパッタ法又は蒸着法により形成できる。このシード層２３は、下地の絶縁樹脂層３との密着性を確保するための密着層（図示せず）、及びメッキ再配線層形成時の給電に使用する給電層（図示せず）から成る。この密着層にはクロム（Ｃｒ）が用いられ、その厚みは、例えば１０〜１００μｍ程度である。また、密着層にはその他に、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）等を用いても良い。一方、給電層には銅（Ｃｕ）が用いられ、その厚みは、例えば１００〜５００μｍ程度である。また、給田層にはその他に、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）、金（Ａｕ）等を用いても良い。
【００３２】
次に、図３（ｂ）に示すように、シード層５上にレジスト２４を形成する（工程α２）。このレジスト２４は、樹脂ポストの側面に沿って斜めに形成されることとなる導電層７の導電層形成領域１０を除いて形成される。したがって、次工程となるメッキ工程では、レジスト２４が無く開口（露出）している前記導電層形成領域１０において、メッキ成長させることで、樹脂ポスト４の側面４ｂに導電層（再配線層）７を形成することができる（工程α３）。なお、レジスト厚さは、次工程のメッキ工程で形成するメッキ再配線層である導電層７よりも厚くする。メッキ処理は、電解メッキまたは無電解メッキの両方式を利用できる。この工程により、ウエハ基板１上に第二導電部６、導電層７（及び第一導電部５）からなる回路パターンが形成される。
【００３３】
そして、図３（ｃ）に示すように、導電層５形成後、レジスト２４を除去する（工程α４）。また、メッキの無いエリアにはシード層２３が残っているので、そのエリアの不要なシード層２３もエッチング等により除去し、導電層７以外の部分に絶縁樹脂層３を露出させる。その後、導電層７を保護する目的で、封止樹脂層（図示せず）を形成する。
【００３４】
この封止樹脂層は、導電層７を覆い、半田バンプを載せるエリアを開口するようにパターン形成させる。封止樹脂層の材料は、例えばポリイミド系、エポキシ系又はシリコーン系の感光性液状樹脂からなり、その厚さは、例えば５〜５０μｍ程度である。樹脂封止層は、例えばスピンコート法、キャスティング法、ディスペンス法等により成膜することができる。また、封止樹脂層に使われる材料は感光性をもっているので、封止樹脂層はフォトリソグラフィ技術を利用してパターニングすることにより成膜するものも可能である。また、封止樹脂層を印刷法でパターン形成することも可能である。
【００３５】
封止樹脂層を形成したら、次に、樹脂ポスト４の頂上部４ａにおいて封止樹脂層の開口したエリアに半田バンプ（図示せず）を形成する。ここでは、印刷法によりハンダペストを載せ、リフロー処理で溶融させて半田バンプとする。半田は、共晶タイプや鉛タイプが利用できる。なお、この他の半田バンプの形成方法としては、メッキ方式、メタルジェット方式、半田ボールの搭載方式等が挙げられる。
【００３６】
このα１からα４の工程を少なくとも経ることで、ウエハレベルＣＳＰを得ることが出来る。このようにして製造された半導体装置の樹脂ポスト４の側面４ｂには、その一部を覆うようにした導電層７が形成される。なお、この際、樹脂ポスト４の頂上部４ａに設ける第二導電部６を、導電層７と一緒に形成するようにしても良い。
そして、樹脂ポスト４の側面４ｂに形成された導電層７は、ウエハ基板１に設けられた電極２と導通可能に設けられた第一導電部５と、半田バンプが設けられた第二導電部６との間を接続する機能を果たす。
【００３７】
そして、この半導体装置は、回路基板等に対する接続、実装時に生じた応力を、柔軟性を有する樹脂ポスト４により分散するため、ウエハ基板１に与える歪みを緩和できる。したがって、例えば、図９及び図１０に示すように、ウエハ基板５１上に形成した非常に厚い導電層５５によってポスト５４を形成して応力分散する場合に比べて、短時間で樹脂ポスト４を形成することができ、半導体装置の製造能率の向上、低コスト化を実現できる。
【００３８】
また、この半導体装置では、樹脂ポスト４の側面４ｂの一部を被覆形成した構成であり、樹脂ポスト４の側面４ｂに導電層７が被覆されていない部分が存在することから、導電層７によって樹脂ポスト４を拘束して変形しにくくしてしまうことが無く、樹脂ポスト４が変形し易くなっている。このため、樹脂ポスト４の変形による応力分散、吸収を効率良く行え、電極剥離、抵抗値の増大等の不都合を確実に防止できる。
しかも、樹脂ポスト４の側面４ｂに形成した導電層７が、側面に沿って斜めで平面螺旋状に形成されていると、この導電層７の変形性がより高められるため、樹脂ポスト４の変形が一層自由になり、応力の分散、吸収をさらに一層効率良く行えることとなる。
【００３９】
また、上述した樹脂ポスト４の側面４ｂに導電層７を形成するようにした半導体装置１１は、次の製造方法βによって実施することも出来る。図４は、本形態に係る半導体装置１１の他の製造方法を工程順に示す断面図である。
この方法は、樹脂ポストの側面に設けるメッキ再配線層の形成方法が相違するものであり、封止樹脂をレジストとして使用するものである。すなわち、レジストの代わりに封止樹脂層形成で使用する感光性樹脂材料を使うことにより、感光性樹脂材料にレジストの働きをさせるようにしたものである。
したがって、樹脂ポスト４の側面４ｂへの導電層７によるメッキパターン形成方法以外は前記製造方法の内容と同じであるので、ここではメッキパターン形成方法について述べる。
【００４０】
まず、集積回路及びその電極（共に図示せず）が設けられたウエハ基板１の上面に、絶縁樹脂層３を形成し、この絶縁樹脂層３上に樹脂ポスト４を形成する。
次いで、図４（ａ）に示すように、絶縁樹脂層３及び樹脂ポスト４が形成されたウエハ基板１の上に、メッキ層の種となるシード層２３を形成する（工程β１）。
シード層２３の形成後、図４（ｂ）に示すように、シード層２３上に感光性の封止樹脂層２５を形成する（工程β２）。感光性の封止樹脂材料としては、例えばポリイミド系、エポキシ系又はシリコーン系の感光性液状樹脂からなり、樹脂封止層は、例えばスピンコート法、キャスティング法、ディスペンス法等により成膜することができる。また封止樹脂層はフォトリソグラフィ技術を利用してパターニングすることにより成膜するものも可能である。さらに、封止樹脂層を印刷法でパターン形成することも可能である。この封止樹脂層２５は、レジスト２４と同様に、樹脂ポストの側面に沿って斜めに形成されることとなる導電層７の導電層形成領域１０を除いて形成される。
そして、図４（ｃ）に示すように、この導電層形成領域１０において、メッキ成長させることで樹脂ポスト４の側面４ｂに導電層（再配線層）７を形成する（工程β３）。この工程により、ウエハ基板１上に第二導電部６、導電層７（及び第一導電部５）からなる回路パターンが形成される。
【００４１】
これにより、樹脂ポスト４の側面４ｂに設けた感光性の封止樹脂層（パターン）２５がレジストの役割をし、樹脂ポスト４の側面４ｂに、導電層（メッキ再配線層）７がパターン形成される。
そして、導電層７形成後も、その樹脂ポスト４の側面４ｂのレジストとして使った封止樹脂層２５は残したままとし、後工程の封止樹脂層形成工程で、封止樹脂層と一体化される。
このβ１からβ３の工程を少なくとも経ることで、ウエハレベルＣＳＰを得ることが出来る。
【００４２】
また、本発明の半導体装置は、樹脂ポスト４の側面４ｂを覆うメッキ層に、メッキ層の連続していない部分（隙間）を設けることで、他の形態の導電層とすることもできる。すなわち、図５及び図６に示すように、樹脂ポスト４の一部又は全部を覆うようにして形成した導電層の一部を除去するようにしたものである。
図５は本発明を実施した半導体装置の他の実施形態を示す断面図であり、図６はその平面図である。なお、説明を容易にするため、前記半導体装置１１と同じ要素には同じ符号を用いることとし、その説明は省略した。したがって、図中、符号１５は第一導電部、符号１６は第二導電部、符号１７は導電層、符号１８は空隙部をそれぞれ示す。なお、図５は、後述する酸化層領域２６の図示を省略している。
【００４３】
この半導体パッケージ２１は、電極２が設けられた導電性基板としてのウエハ基板１と、このウエハ基板１の一面を被覆する絶縁樹脂層３と、この絶縁樹脂層３の上に設けられた樹脂ポスト４と、前記ウエハ基板１に設けられた電極２と導通可能に設けられた第一導電部１５と、前記樹脂ポスト４の頂上部４ａに設けられた第二導電部１６と、前記第一導電部１５と第二導電部１６とを接続するように、前記樹脂ポスト４の側面４ｂに設けられた導電層（再配線層）１７とを有している。
また、絶縁樹脂層３の前記電極２に整合する領域には開口部３ａが形成され、この開口部３ａを介して前記第一導電部５は電極２に接続されている。そして、ウエハ基板１、絶縁樹脂層３、樹脂ポスト４、第一導電部１５、第二導電部１６、及び導電層１７は、封止樹脂層（図示せず）によって封止されている。
【００４４】
第一導電部１５は、ウエハ基板１上に設けられた電極２と導通可能であって、樹脂ポスト４の裾部４ｃ付近まで延伸するよう絶縁層３の上面に形成されている。第二導電部１６は、樹脂ポスト４の頂上部４ａの少なくとも一部を覆うように設けられる。導電層１７は、前記樹脂ポスト４の側面４ｂの一部を被覆するように、樹脂ポスト４の頂上部４ａ縁端部から樹脂ポスト４の裾部４ｃ付近まで側面４ｂに沿って斜めに連続して形成されている。
図５では、第一導電層１５は、樹脂ポスト４の裾部４ｃ付近まで達するように連続する線状（帯状）に形成され、第二導電層１６は、樹脂ポスト４の上面の頂上部４ａと略一致する平面円形に形成され、導電層１７は、樹脂ポスト４の裾部４ｃ付近まで達する第一導電層５の端部と、樹脂ポスト４の頂上部４ａを覆う第二導電層６の縁端部とを連絡した形状であって、樹脂ポスト４の頂上部４ａと裾部４ｃ付近とを連絡する、樹脂ポスト４の上方から見て螺旋状に形成された２本の空隙部１８が形成された、樹脂ポスト４の上方から見て略螺旋状に形成されている。
この際、樹脂ポスト４の頂上部４ａに形成された第二導電層１６は、半田バンプ（図示せず）を安定に設置することができるように、平坦なものとなっている。そして、導電層５は、この図示しない半田バンプを介して回路基板等と電気的に接続される構成となっている。
【００４５】
次に、上述した半導体装置２１の製造方法の一実施形態を、図面を参照して具体的に説明する。図７は、本形態に係る半導体装置２１の製造方法γであって、詳しくは樹脂ポスト４の側面４ｂに導電層１７を形成する方法を工程順に示す断面図である。
この方法は、樹脂ポストの側面に設けるメッキ再配線層の形成方法が相違するものであり、レーザを使ったシート層酸化領域を使用するものである。すなわち、メッキを成長させないエリアに対しシード層の表面をレーザなどで熱酸化させ、メッキ金属が付着しないようにしたものである。
したがって、樹脂ポスト４の側面４ｂへの導電層１７によるメッキパターン形成方法以外は前記各製造方法の内容と同じであるので、ここではメッキパターン形成方法について述べる。
まず、半導体装置１１と同様に、集積回路及びその電極（共に図示せず）が設けられたウエハ基板１の上面に、絶縁樹脂層３を形成する。
【００４６】
そして、図７（ａ）に示すように、絶縁樹脂層３及び樹脂ポスト４が形成されたウエハ基板１の上に、メッキ層の種となるシード層２３を形成する（工程γ１）。
次いで、シード層２３の形成後、図７（ｂ）に示すように、樹脂ポスト４の側面４ｂに沿って斜めに形成されることとなる導電層１７，１７の導電層形成領域を除いて、レーザを使ってシード層２３の表面を焼いて酸化させ、酸化層領域２６を形成する（工程γ２）。シード層２３の表面を酸化させる加工用レーザとしては、例えばエキシマレーザ、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ、等を用いることが出来る。これにより、酸化した個所はメッキ工程でメッキ成長しないものとなる。
【００４７】
そして、図７（ｃ）に示すように、この導電層形成領域においてメッキ成長させることで、樹脂ポスト４の側面４ｂに導電層（再配線層）１７，１７を形成する（工程γ３）。この工程により、ウエハ基板１上に第二導電部１６、導電層１７（及び第一導電部１５）からなる回路パターンが形成される。
この際、絶縁樹脂層３、樹脂ポスト４が設けられたウエハ基板１上の樹脂ポスト４の側面４ｂ以外のエリアはレジスト形成し、樹脂ポスト４の側面４ｂだけレーザによる熱酸化でメッキによる回路パターンを得るようにすることも出来る。
このγ１からγ３の工程を少なくとも具備することによって、ウエハレベルＣＳＰを得ることが出来る。
【００４８】
次に、本発明の半導体装置の更に他の実施形態として、複数回折れ曲がった線状又は湾曲部を有する曲線状をなす導電層を有する半導体装置について以下に詳細に説明する。
図８は、湾曲部を有する曲線状をなす導電層３７が設けられた半導体装置の一例を示す平面図である。なお、説明を容易にするため、前記半導体装置１１と同じ要素には同じ符号を用いることとし、その説明は省略した。図中、符号３５は第一導電部、符号３６は第二導電部、符号３７は導電層をそれぞれ示す。
【００４９】
第一導電層３５は、樹脂ポスト４の裾部４ｃ付近まで達するように連続する線状（帯状）に形成され、第二導電層３６は、樹脂ポスト４の上面の頂上部４ａと略一致する平面円形に形成されている。
導電層３７は、湾曲部を有する曲線状をなし、第一導電層３５の端部と第二導電層３６の縁端部を結ぶ線分を軸とし、この軸の左右両側に交互に曲点を有するように、樹脂ポスト４の頂上部４ａ縁端部から樹脂ポスト４の裾部４ｃ付近まで側面４ｂに沿って斜めに連続して形成されている。
この導電層３７によって、第一導電層３５の端部と第二導電層３６の縁端部とが接続されている。
【００５０】
本実施形態によると、導電層３７が、複数回折れ曲がった線状をなし、樹脂ポスト４の側面４ｂに沿って斜めに設けられたことによって、樹脂ポスト４の変形自由度が増し、接続時に発生する樹脂ポスト４の変形による応力を導電層３７が形成されない部分にて更に効率良く吸収することができる。
【００５１】
前記導電層３７の折り曲げ幅、すなわち第一導電層３５の端部と第二導電層３６の縁端部を結ぶ線分と平行な２本の線分で導電層３７を挟んだ際の２本の線分間の距離は、第一導電層３５の線幅以上、第二導電層３６の直径以下であることが好ましい。
これにより、導電層３７の経路長を長くせず電気抵抗を低く抑え、かつ樹脂ポスト４の変形による応力を緩和できる。
導電層３７の折り曲げ幅が、第一導電層３５の線幅未満の場合、導電層３７が第一導電層３５の端部と第二導電層３６の縁端部とを結ぶ略直線状となり、樹脂ポスト４の変形による応力を十分に緩和できなくなるため好ましくない。
また、導電層３７の折り曲げ幅が、第二導電層３６の直径よりも大きい場合、導電層３７の経路長が長くなってしまい、電気抵抗が大きくなるため、好ましくない。
【００５２】
なお、導電層３７としては、第一導電層３５の端部と第二導電層３６の縁端部を結ぶ線分を軸とし、この軸の左右両側に交互に曲点を有する形状であれば、図８を用いて説明したように波状等の湾曲部を有する曲線状であっても構わない。また、曲点にて鋭角に折れ曲がった山形（図示せず）であっても構わない。更には、曲点が鋭角でかつ曲線で結ばれる形態や曲点が湾曲部をなし直線で結ばれる形態としても、上述した作用効果は満たされる。
【００５３】
次に、本発明に係る電子機器について説明する。電子機器とは、光電変換素子，レーザダイオード，光センサ等の光学素子や半導体素子等の種々の電子部品が実装されたフレキシブルプリント基板（Flexible Printed Circit）等の回路基板や周辺装置等を備えたものであり、例えばＰＤＡ（Personal Digital Assistants），携帯形電話，パーソナルコンピュータ，光送受信機器等をいう。
本発明の電子機器は、前述した本発明の半導体装置を具備したものである。
半導体装置では、樹脂ポスト４が接続端子として機能するようになっており、樹脂ポスト４の頂上部４ａに半田バンプが設けられ、この半田バンプを介して半導体装置と回路基板等の接続端子とが電気的に接続されている。
前述したように本発明の半導体装置では、回路基板等の接続端子に接続する際の樹脂ポストの変形による応力を効率良く吸収できるため、優れた基板実装信頼性が実現できる。このため、この半導体装置を具備したことによって、半導体装置と回路基板等の接続端子とを接続する際の歩留まりを向上させることができ、電子機器の低コスト化が可能となる。また、樹脂ポスト４の変形による応力が効率良く吸収できるため、この応力による電極剥離等の発生を抑制できる。
さらに、半導体装置の小型化、低コスト化が可能であり、この半導体装置を具備した電子機器をも小型化、低コスト化することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明の半導体装置では、回路基板等に実装する際の樹脂ポスト４の変形による応力を緩和でき、フレキシブルプリント基板（Flexible Printed Circit）等の回路基板に歩留まり良く実装できる。このため、例えばＰＤＡ（Personal Digital Assistants），携帯形電話，パーソナルコンピュータ，光送受信機器等のように、半導体装置が実装された回路基板を備えた各種電子機器に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明を実施した半導体装置の一実施形態を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の平面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の製造工程を順次示す側面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の他の製造工程を順次示す側面図である。
【図５】本発明を実施した半導体装置の他の実施形態を示す断面図である。
【図６】図５に示す半導体装置の平面図である。
【図７】図５に示す半導体装置の製造工程を順次示す側面図である。
【図８】本発明を実施した半導体装置の更に他の実施形態を示す平面図である。
【図９】従来の半導体装置を示す断面図である。
【図１０】図９に示す半導体装置の平面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１・・・ウエハ基板（導電性基板）、２・・・電極、３・・・絶縁樹脂層、４・・・樹脂ポスト、４ａ・・・頂上部、４ｂ・・・側面、４ｃ・・・裾部、５，１５，３５・・・第一導電部、６，１６，３６・・・第二導電部、７，１７，３７・・・導電層、１０・・・導電層形成領域、１１・・・半導体パッケージ（半導体装置）、１８・・・空隙部、２３・・・シード層、２４・・・レジスト層、２５・・・感光性封止樹脂層、２６・・・酸化部領域。
【図１】
2005175322.tif 000003
【図２】
2005175322.tif 000004
【図３】
2005175322.tif 000005
【図４】
2005175322.tif 000006
【図５】
2005175322.tif 000007
【図６】
2005175322.tif 000008
【図７】
2005175322.tif 000009
【図８】
2005175322.tif 000010
【図９】
2005175322.tif 000011
【図１０】
2005175322.tif 000012