(57)【要約】【課題】サーミスタ素子としての抵抗値の経時変化率を小さくすることを目的とする。【解決手段】この目的を達成するために本発明は、Ｍｇ（Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ）２Ｏ４系、Ｍｇ（Ａｌ，Ｃｒ）２Ｏ４系、Ｍｇ（Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｎ）２Ｏ４系、（Ｍｇ，Ｚｎ）（Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｎ）２Ｏ４系、（Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ）２Ｏ３系から選ばれた一つの材料系を用い、特に、前記一つの材料系の各材料を混合、粉砕して粉砕粒径が０．１μｍ〜１．０μｍの粉砕粉を得る粉砕工程（ステップ４）を有するものとしたものである。【選択図】  図１
2005026399.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍｇ（Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ）２Ｏ４系、Ｍｇ（Ａｌ，Ｃｒ）２Ｏ４系、Ｍｇ（Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｎ）２Ｏ４系、（Ｍｇ，Ｚｎ）（Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｎ）２Ｏ４系、（Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ）２Ｏ３系から選ばれた一つの材料系を用いたサーミスタ素子の製造方法であって、前記一つの材料系の各材料を混合、粉砕して粉砕粒径が０．１μｍ〜１．０μｍの粉砕粉を得る粉砕工程を有するサーミスタ素子の製造方法。
【請求項２】
粉砕する方法として媒体攪拌ミルを用い、この媒体攪拌ミルのメディアとして部分安定化ジルコニアを用いる請求項１に記載のサーミスタ素子の製造方法。
【請求項３】
メディアの径は、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍの範囲である請求項２に記載のサーミスタ素子の製造方法。
【請求項４】
選ばれた一つの材料系の構成金属原子を１００原子％としたときのＣｒの含有量は、２０原子％以上である請求項１に記載のサーミスタ素子の製造方法。
【請求項５】
混合する方法として媒体攪拌ミルを用いる請求項１に記載のサーミスタ素子の製造方法。
【請求項６】
粉砕工程の後粉砕粉をスラリー化するスラリー工程を有し、そのスラリーの固形分比率は、６０〜８０重量％である請求項１に記載のサーミスタ素子の製造方法。
【請求項７】
粉砕工程の後粉砕粉をスラリー化するスラリー工程を有し、そのスラリーのｐＨは、６〜９である請求項１に記載のサーミスタ素子の製造方法。
【請求項８】
粉砕工程の後粉砕粉をスラリー化するスラリー工程を有し、そのスラリーの分散剤としてポリカルボン酸系を用いる請求項１に記載のサーミスタ素子の製造方法。
【請求項９】
粉砕工程の後粉砕粉をスラリー化するスラリー工程を有し、そのスラリーのバインダーとしてポリビニルアルコールを用いる請求項１に記載のサーミスタ素子の製造方法。
【請求項１０】
ポリビニルアルコールとして重合度の異なる複数のものを用いる請求項９に記載のサーミスタ素子の製造方法。
【請求項１１】
重合度のより高いポリビニルアルコールの比率が、ポリビニルアルコール全量に対して５０重量％以上である請求項１０に記載のサーミスタ素子の製造方法。
【請求項１２】
粉砕工程の後粉砕粉をスラリー化するスラリー工程を有し、そのスラリーのバインダー重量が、前記スラリーに対して１．５重量％〜５．０重量％である請求項１に記載のサーミスタ素子の製造方法。
【請求項１３】
粉砕工程の後粉砕粉をスラリー化するスラリー工程を有し、そのスラリーは離型剤を含有する請求項１に記載のサーミスタ素子の製造方法。
【請求項１４】
粉砕工程の後粉砕粉をスラリー化するスラリー工程と、スラリーを造粒する造粒工程と、を有し、造粒する方法としてディスクロータータイプのスプレー造粒装置を用いる請求項１に記載のサーミスタ素子の製造方法。
【請求項１５】
造粒工程において作製される造粒粉の粒径は、５０〜１００μｍである請求項１４に記載のサーミスタ素子の製造方法。
【請求項１６】
造粒工程において作製される造粒粉の含水率は、０．０５〜０．２０重量％である請求項１４に記載のサーミスタ素子の製造方法。
【請求項１７】
粉砕工程の後スラリー工程と、造粒工程と、この造粒工程にて得た造粒粉を用いて成形体を形成する成形工程と、を有し、前記成形体は、成形圧力として５００〜２０００ｋｇ／ｃｍ２にて形成される請求項１に記載のサーミスタ素子の製造方法。
【請求項１８】
粉砕工程の後この粉砕工程にて得た粉砕粉をスラリー化するスラリー工程と、このスラリー工程にて得たスラリーを造粒する造粒工程と、この造粒工程にて得た造粒粉を用いて成形体を形成する成形工程と、前記成形体に電極を挿入して形成する電極形成工程と、この電極形成工程にて得た成形体を焼成する焼成工程と、を有し、この焼成工程における焼成温度は、１３００〜１８００℃である請求項１に記載のサーミスタ素子の製造方法。
【請求項１９】
電極の材料として白金もしくは白金とロジウムとの合金を用いる請求項１８に記載のサーミスタ素子の製造方法。
【請求項２０】
電極の形状としてパイプ状のものを用いる請求項１８に記載のサーミスタ素子の製造方法。
【請求項２１】
Ｍｇ（Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ）２Ｏ４系、Ｍｇ（Ａｌ，Ｃｒ）２Ｏ４系、Ｍｇ（Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｎ）２Ｏ４系、（Ｍｇ，Ｚｎ）（Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｎ）２Ｏ４系、（Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ）２Ｏ３系から選ばれた一つの材料系を用いたサーミスタ素子の製造方法であって、前記一つの材料系の各材料を混合、粉砕して粉砕粒径が０．１μｍ〜１．０μｍの粉砕粉を得る粉砕工程と、前記粉砕粉をスラリー化するスラリー工程と、このスラリー工程で得たスラリーを造粒する造粒工程と、この造粒工程にて得た造粒粉を用いて成形体を形成する成形工程と、前記成形体に電極を挿入して形成する電極形成工程と、この電極形成工程にて得た成形体を焼成してサーミスタ素子を形成する焼成工程と、前記サーミスタ素子を耐熱キャップに収納するとともに前記サーミスタ素子と電気的に接続された一本以上のリード線を前記耐熱キャップから引き出すように形成する組立工程と、からなる温度センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、サーミスタ素子の製造方法およびこのサーミスタ素子を用いた温度センサの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、サーミスタ素子の製造方法としては、まず各材料を秤量、配合したものをボールミルにより混合し、次にこの混合粉を仮焼し、この仮焼粉をボールミルにて粉砕する。次にこの粉砕粉を乾式成形して成形体を作製し、この成形体に電極を挿入して形成し、焼成炉にて焼成していた。
【０００３】
また、温度センサの製造方法としては、前記サーミスタ素子を外装ケースに収納するとともに前記サーミスタ素子の電極に接続されたリード線を前記外装ケースから引き出すように形成していた。
【０００４】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平５−２７５２０６号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来のサーミスタ素子は、主として金属酸化物により形成されているため、高温状態に長時間さらされるとサーミスタの抵抗値が変化する。この原因としては酸化、還元作用により前記金属酸化物の酸素組成比が変化するためであり、サーミスタとしての抵抗値の経時変化率が大きく、信頼性という点で充分なものではなかった。
【０００７】
そこで本発明はサーミスタとしての抵抗値の経時変化率を小さくすることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために本発明の請求項１に記載の発明は、特に、粉砕粒径が０．１μｍ〜１．０μｍの粉砕粉を得る粉砕工程を有するものであり、前記サーミスタ素子の焼結体密度をより高めることができる。これによりサーミスタ素子を高温状態に長時間さらしても材料である金属酸化物の酸素組成比が変化するのを抑制することができ、その結果、サーミスタ素子としての抵抗値の経時変化率を小さくすることができるという作用効果を奏する。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、粉砕する方法として媒体攪拌ミルを用い、この媒体攪拌ミルのメディアとして部分安定化ジルコニアを用いるものであり、効率よく所望粒径の粉砕粉を得ることができるという作用効果を奏する。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、特に、メディアの径は、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍの範囲としたものであり、請求項２と同様の作用効果を奏する。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、特に、選ばれた一つの材料系の構成金属原子を１００原子％としたときのＣｒの含有量は、２０原子％以上としたものであり、本発明の効果が顕著に得られ、サーミスタ素子としての抵抗値の経時変化率を小さくすることができるものである。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、特に、混合する方法として媒体攪拌ミルを用いるものであり、混合および粉砕という二つの作業を同一設備で行うことができる。
【００１３】
請求項６に記載の発明は、特に、粉砕工程の後粉砕粉をスラリー化するスラリー工程を有し、そのスラリーの固形分比率は、６０〜８０重量％としたものであり、高い粉砕効率と低いメディアからの混入を両立させることができるという作用効果を奏する。
【００１４】
請求項７に記載の発明は、特に、粉砕工程の後粉砕粉をスラリー化するスラリー工程を有し、そのスラリーのｐＨは、６〜９としたものであり、前記スラリー中の粉砕された仮焼粉の分散性を向上させることができ、その結果、スラリーのゲル化等の不具合を防止することができるという作用効果を奏する。
【００１５】
請求項８に記載の発明は、特に、スラリーの分散剤としてポリカルボン酸系を用いるものであり、スラリー中の粉砕された仮焼粉の分散性を向上させることができるという作用効果を奏する。
【００１６】
請求項９に記載の発明は、特に、スラリーのバインダーとしてポリビニルアルコールを用いるものであり、成形性および成形体の強度を向上させることができるという作用効果を奏する。
【００１７】
請求項１０に記載の発明は、特に、ポリビニルアルコールとして重合度の異なる複数のものを用いるものであり、成形性をさらに向上させることができるという作用効果を奏する。
【００１８】
請求項１１に記載の発明は、特に、重合度のより高いポリビニルアルコールの比率が、ポリビニルアルコール全量に対して５０重量％以上のものであり、成形体の強度をさらに向上させることができるという作用効果を奏する。
【００１９】
請求項１２に記載の発明は、特に、スラリーのバインダー重量が、前記スラリーに対して１．５重量％〜５．０重量％としたものであり、請求項１０と同様の作用効果を奏する。
【００２０】
請求項１３に記載の発明は、特に、スラリーは離型剤を含有するとしたものであり、成形金型からの成形体の離型性を向上させるという作用効果を奏する。
【００２１】
請求項１４に記載の発明は、特に、造粒する方法としてディスクロータータイプのスプレー造粒装置を用いるものであり、造粒を容易に作製することができるという作用効果を奏する。
【００２２】
請求項１５に記載の発明は、特に、造粒粉の粒径は、５０〜１００μｍとしたものであり、成形金型への造粒粉の充填性が向上するとともに充填量のばらつきを低減することができるという作用効果を奏する。
【００２３】
請求項１６に記載の発明は、特に、造粒粉の含水率は、０．０５〜０．２０重量％としたものであり、成形金型への造粒粉の充填性を向上させることができるという作用効果を奏する。
【００２４】
請求項１７に記載の発明は、特に、成形工程で作製する成形体は、成形圧力を５００〜２０００ｋｇ／ｃｍ２としたものであり、成形体の密度を向上させることができるので成形体の機械的強度を向上させることができるという作用効果を奏する。
【００２５】
請求項１８に記載の発明は、特に、焼成工程における焼成温度は、１３００〜１８００℃としたものであり、焼結体の密度を向上させることができるという作用効果を奏する。
【００２６】
請求項１９に記載の発明は、特に、電極の材料として白金もしくは白金とロジウムとの合金を用いるものであり、融点が高いので成形体と一体焼成することができる。
【００２７】
請求項２０に記載の発明は、特に、電極の形状としてパイプ状のものを用いるものであり、成形体と一体焼成する際の熱的応力を緩衝することができる。
【００２８】
請求項２１に記載の発明は、特に、粉砕粒径が０．１μｍ〜１．０μｍの粉砕粉を得る粉砕工程を有する温度センサの製造方法であり、温度センサとしての抵抗値の経時変化率を小さくすることができるという作用効果を奏する。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のサーミスタ素子の製造方法およびこのサーミスタ素子を用いた温度センサの製造方法の一実施の形態について図面を用いて説明する。
【００３０】
図１は本発明の一実施の形態における温度センサの製造工程図、図２はサーミスタ素子の斜視図、図３は同分解斜視図、図４は本発明の一実施の形態における温度センサの断面図、図５は本発明の一実施の形態における抵抗値変化率から換算した温度誤差と粉砕粒径との関係を示すグラフ、図６は本発明の一実施の形態におけるサーミスタ素子の密度と粉砕粒径の関係を示すグラフである。
【００３１】
まず図１を用いて各ステップ毎に順を追って説明する。
【００３２】
サーミスタ材料として（Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ）２Ｏ３系の一つである、（Ａｌ０．４０，Ｃｒ０．４２，Ｆｅ０．１８）２Ｏ３系＋Ｍｎ１．０原子％の組成になるように各材料を秤量、配合する（ステップ１）。次にこの配合したものを混合する（ステップ２）。混合した材料を仮焼する（ステップ３）。ステップ２において得られた仮焼粉に分散剤を加えて、直径０．４ｍｍの部分安定化ジルコニアボールをメディアとして、媒体攪拌ミルを用いて平均粉砕粒径１．０、０．６μｍの２水準に粉砕する（ステップ４）。これら粉砕した仮焼粉にそれぞれ分散剤、バインダー、離型剤、純水を加えてスラリー化し、ディスクロータータイプのスプレードライヤーにより造粒粉の平均粒径が７０μｍになるように造粒し造粒粉を得る。この際にバインダーとして２種類の重合度の異なるポリビニルアルコールの混合物を用意した。これは重合度のより高いポリビニルアルコールを７０％、重合度のより低いポリビニルアルコールを３０％含有するものである（ステップ５）。ここでいう重合度とは、重量平均重合度を意味している。なお、前記重合度は、一般に数平均重合度、重量平均重合度、Ｚ平均重合度などで表されるが、本発明でいう重合度とは、上記表現方法のいずれか一つに限定されるものではなく、ある一つの表現方法において、より重合度の高いものとより重合度の低いものを用いるということを意味するものである。ステップ４において得られた造粒粉を乾式成型により、成型圧力１０００ｋｇ／ｃｍ２にて成形して成形体３０１をそれぞれ形成する（ステップ６）。図２、図３に示すように、成形体３０１を容器内に収容し前記成形体に白金製のパイプ状の電極４０２ａ，４０２ｂを挿入形成する（ステップ７）。前記容器を蓋で被覆後、焼成炉にて１６００℃にて焼成し（ステップ８）、平均粉砕粒径１．０、０．６μｍのサーミスタ素子を得る（ステップ９）。得られたサーミスタ素子２０１を金属製の耐熱キャップ４０５内に収納し、このサーミスタ素子２０１の電極４０２ａ，４０２ｂに電気的に接続するとともに前記耐熱キャップ外に引き出した２本のリード線４０４ａ，４０４ｂを備えた温度センサを組み立てた（ステップ１０）。以上のステップにより、図４に示す本発明の一実施の形態における温度センサを完成させた（ステップ１１）。
【００３３】
得られた温度センサを用いて１０００℃１００時間の耐久試験を実施した。また、比較のために、前記ステップ４の粉砕工程で用いた媒体攪拌ミルに代えてボールミルを用いて、仮焼粉に分散剤を加えて平均粉砕粒径１．２μｍに粉砕し、それ以外は全く同じ製造方法により作製したサーミスタ素子を用い、温度センサを作製し、同様に評価した。評価結果を図５に示す。図５中横軸は平均粉砕粒径、縦軸は、抵抗値変化率から換算した温度誤差である。図５から明らかなように、平均粉砕粒径が小さくなるに従って、温度誤差が小さくなっていることがわかる。また、平均粉砕粒径１．０μｍ以下において温度センサに望まれる信頼性である、温度誤差１５℃以下を実現できている。
【００３４】
すなわち、本発明のサーミスタ素子の製造方法によれば、サーミスタ材料の粉砕粉の粉砕粒径を制御することにより、焼結体密度が高いサーミスタ素子を作製でき、抵抗値の経時変化率の小さいサーミスタ素子および温度センサを作製する事ができる。
【００３５】
サーミスタ素子の信頼性劣化の大きな原因の一つとしては、高温下でサーミスタ素子が酸化、還元されることが挙げられる。サーミスタ素子は金属酸化物により形成されているため酸化、還元により酸素組成比が変化し、その結果、サーミスタ素子としての特性が変化してしまい、信頼性が著しく損なわれることが良く知られている。この問題に対して、発明者らは鋭意検討の結果サーミスタ材料の粉砕粉の粉砕粒径を制御し、その他の製造条件を最適化することにより、サーミスタ素子の焼結体密度を高め、サーミスタ素子および温度センサの信頼性を顕著に向上できることを見出した。本一実施の形態により作製したサーミスタ素子の焼結体密度と平均粉砕粒径の関係を図６に示す。図６から明らかなように粉砕粒径を小さくすることによりサーミスタ素子を緻密化することができる。
【００３６】
以下本発明のポイントについて記載する。
【００３７】
（１）本一実施の形態においては、抵抗値変化率から換算した温度誤差と粉砕粒径との間には、図５に示すような関係がある。図５をみれば明らかなように、抵抗値変化率から換算した温度誤差と平均粉砕粒径との間に正の相関関係があり、平均粉砕粒径が小さくなるに従って、抵抗値変化率は小さくなり、抵抗値変化率から換算した温度誤差は小さくなっていることがわかる。この実験結果は同一のサーミスタ材料を用いてサーミスタ素子を作製し評価した結果である。つまり、同じサーミスタ材料を用いても粉砕粒径を制御することにより、抵抗値の経時変化率を小さくすることができる。この原因は、図６に示すように平均粉砕粒径を小さくすることにより、サーミスタ素子の焼結体密度が向上、緻密化することにより、高温等の環境雰囲気による影響を小さくできたものと考えられる。
【００３８】
（２）サーミスタ材料の粉砕にはセラミック量産工程において通常用いられているボールミルではなくより粉砕効率の高い媒体攪拌ミルを用いるとより微細なサーミスタ材料粉末を効率よく得ることができる。この際に媒体攪拌ミルのメディアとして部分安定化ジルコニア製のメディアを用いる事が望ましい。一般に高温系のサーミスタ材料は硬度の高いものが多いため、通常用いられるアルミナなどでは充分な粉砕効率を得ることが難しい。しかし上記メディアを用いることにより効率よく粉砕粉を得ることができる。部分安定化ジルコニア製のメディアの径は０．１〜０．５ｍｍのものを用いる事が粉砕効率とメディア磨耗による混入を防止するうえで望ましい。そのなかでも、特に、０．３〜０．４ｍｍの部分安定化ジルコニア製のメディアの径のものを用いると粉砕効率が良い。粉砕工程（ステップ４）でのサーミスタ材料の粉砕粒径は用いるサーミスタ材料により異なるものの一般的には粉砕粒径を０．１から１．０μｍの範囲にて調整すればよい。０．１μｍ以下ではサーミスタ材料が凝集してしまい後工程での作業が難しくなり、１．０μｍ以上では充分に密度の高いサーミスタ焼結体を得ることが難しいからである。
【００３９】
（３）ここで粉砕粒径を小さくすると、サーミスタ材料同士が凝集するなどして、その後の製造プロセスに悪影響を及ぼす場合がある。すなわち、粉砕粒径が０．５μｍ以下程度になると、粉砕したサーミスタ材料同士が凝集することがある。粉砕したサーミスタ材料同士が凝集したのでは、粉砕した効果を充分に得ることはできない。そこでこのサーミスタ材料同士の凝集を防ぐためステップ４の粉砕工程において分散剤を用いるのが効果的である。また、この分散剤は粉砕後の造粒工程（ステップ５）においても同様に有効である。分散剤としてはポリカルボン酸系の分散剤を用いると良い。また、サーミスタ材料スラリーのｐＨを６〜９に調整すれば、さらに分散性を向上させることができる。
【００４０】
（４）造粒工程（ステップ５）においては加圧ノズル型のスプレードライヤーではなくディスクロータータイプのスプレードライヤーを用いると粒度分布がシャープな造粒粉を得ることができ、後の成形工程（ステップ６）において緻密な成形体を作製でき焼結体密度の高いサーミスタ素子を得ることができる。このときの造粒工程（ステップ５）において造粒される造粒粉の粒径は５０〜１００μｍに調整することが望ましい。
【００４１】
（５）電極の材料としては高い融点を有する白金もしくは白金とロジウムとの合金を用いることにより例えば自動車用などの高信頼性高温サーミスタとしても使用できる。この場合前記電極とサーミスタ素子の成形体を一体にして焼結することができる。
【００４２】
ここで、電極形状をパイプ状のものにすることにより焼結時の成形体の応力を吸収もしくは緩和することができるという効果を有する。特に、粉砕粒径が小さくなればなるほど前記成形体の収縮率が大きくなるため、前記パイプ状の電極を用いることが望ましい。
【００４３】
（６）一般にサーミスタ材料などの酸化物は今回のような高い焼成温度での焼成においては、その一部の物質が蒸発する。サーミスタ材料から一部の物質が蒸発するとその組成が変化する事となり、最終的にはサーミスタ素子の特性がそれに応じて変化する事となる。これらの現象は本一実施の形態で用いているサーミスタ材料においてはＣｒの含有量が高い場合、特にその含有率が２０原子％を越える場合に顕著である。サーミスタからの蒸発が多いと緻密な焼結体を得ることが非常に困難になる。そこで本発明のように粉砕粒径を小さくし、焼成温度を下げることにより、蒸発の絶対量を抑制することが効果的である。つまり、本発明の製造方法を用いることにより、従来の製造方法では緻密なサーミスタ素子を作製することができなかった、サーミスタ材料を用いても充分緻密で抵抗値の経時変化率の小さいサーミスタ素子を作製できる。
【００４４】
また、サーミスタ材料の焼成温度は、その材料の特性に応じて、１３００〜１８００℃の範囲に調整されるが、１０００℃でのサーミスタの抵抗値の経時変化率および、焼成時のエネルギー消費、焼成炉の寿命などの要因から１５００〜１６００℃の範囲にて焼成することが望ましい。
【００４５】
（７）本発明の実施の形態においては、サーミスタ材料として（Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ）２Ｏ３系の一つである、（Ａｌ０．４０，Ｃｒ０．４２，Ｆｅ０．１８）２Ｏ３系＋Ｍｎ１．０原子％の組成のものを用いたが、サーミスタ材料として、一実施の形態で示した（Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ）２Ｏ３系だけでなく、Ｍｇ（Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ）２Ｏ４系、Ｍｇ（Ａｌ，Ｃｒ）２Ｏ４系、Ｍｇ（Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｎ）２Ｏ４系、（Ｍｇ，Ｚｎ）（Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｎ）２Ｏ４系から選ばれた一つの材料系を用いても同様の効果が得られる。
【００４６】
【発明の効果】
以上のように本発明は、特に、粉砕粒径が０．１μｍ〜１．０μｍの粉砕粉を得る粉砕工程を有するものであり、前記サーミスタ素子の焼結体密度を高めることができ、その結果、サーミスタとしての抵抗値の経時変化率を小さくすることができるという作用効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態におけるサーミスタの製造工程図
【図２】本発明の一実施の形態におけるサーミスタ素子の斜視図
【図３】同分解斜視図
【図４】本発明の一実施の形態における温度センサの断面図
【図５】本発明の一実施の形態における抵抗値変化率から換算した温度誤差と粉砕粒径との関係を示すグラフ
【図６】本発明の一実施の形態におけるサーミスタ素子の密度と粉砕粒径の関係を示すグラフ
【符号の説明】
２０１  サーミスタ素子
３０１  成形体
４０２ａ，４０２ｂ  電極
【図１】
2005026399.tif 000003
【図２】
2005026399.tif 000004
【図３】
2005026399.tif 000005
【図４】
2005026399.tif 000006
【図５】
2005026399.tif 000007
【図６】
2005026399.tif 000008