(57)【要約】【課題】光ファイバやＬＤ，ＶＣＳＥＬ，ＬＥＤ等との結合効率が高いスポットサイズ変換構造の光導波路とその製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】下部クラッド層５２と、この下部クラッド層５２の上に光ファイバと接続する入力部または出力部を有するコア５５と、このコア５５を覆う上部クラッド層５６とからなり、コア５５の光の伝搬方向が連続的に変化し、コア５５の断面形状が光の入力部と出力部で異なる形状を有し、かつ略円形または楕円形とした光導波路であり、コア５５の入力部または出力部の径を光ファイバのコア径や、ＬＤ，ＶＣＳＥＬ，ＬＥＤ等の発光素子の出射光の径と略等しい形状、大きさで形成することができるため、光ファイバやＬＤ，ＶＣＳＥＬ，ＬＥＤ等の発光素子との結合効率を高めることができる。【選択図】図１
2005140822.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部クラッド層と、この下部クラッド層上に光ファイバと接続する入力部または出力部を有するコアと、このコアを覆う上部クラッド層とからなり、前記コアの光の伝搬方向が連続的に変化し、前記コアの断面形状が光の入力部と出力部で異なる形状を有し、かつ略円形または楕円形とした光導波路。
【請求項２】
コアの硬度を下部クラッド層の硬度よりも大きくした請求項１に記載の光導波路。
【請求項３】
下部クラッド層に金型を用いて凹状のコアパターンを加熱プレスして成型する工程と、前記凹状のコアパターンに前記下部クラッド層より屈折率および硬度の大きいガラス素材を少なくとも溢れるように充填する工程と、前記凹状のコアパターンに充填したガラス素材を加熱してコアを形成し溢れたガラス素材を除去する工程と、前記下部クラッド層とコアとを覆うように下部クラッド層とほぼ等しい屈折率のガラス素材または樹脂からなる上部クラッド層を形成する工程とからなり、前記金型によりコアの光の伝搬方向が連続的に変化し、断面形状が少なくとも一部に円弧または楕円弧の形状を形成する光導波路の製造方法。
【請求項４】
コアを形成する工程を下部クラッド層の上面の研磨と前記コアの上部を丸くする研磨で構成する請求項３に記載の光導波路の製造方法。
【請求項５】
コアの上面を下部クラッド層の表面より高くなるように形成した請求項３に記載の光導波路の製造方法。
【請求項６】
加熱を真空中で行う請求項３に記載の光導波路の製造方法。
【請求項７】
ガラス素材をスパッタ法により凹状のコアパターンに充填する請求項３に記載の光導波路の製造方法。
【請求項８】
上部クラッド層をスパッタ法、ＣＶＤ法、プレス成型または粉末状に粉砕したガラス素材を塗布して加熱する方法のいずれか１つにより形成する請求項３に記載の光導波路の製造方法。
【請求項９】
上部クラッド層に樹脂を用いてスピンコート法または滴下法のいずれか１つにより形成する請求項３に記載の光導波路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光通信分野において用いられる光導波路およびその製造方法に係り、特にコアの入力部および出力部の断面が略円形または楕円形に形成されたスポットサイズ変換構造の光導波路とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の光導波路の製造工程としては、図６に示すものがある。
【０００３】
図６（ａ）〜（ｄ）は従来の光導波路の製造工程の一例を示す断面図である。
【０００４】
まず、光導波路のクラッドに相当するガラス基板１が用意される。ガラス基板１は表面研磨が施されている。次に超硬合金（ＷＣ９５〜８０％、Ｃｏ５〜２０％）の型母材２ａの表面上にＴｉＮで厚さ６μｍの凸状の矩形光導波路パターン２ｂが作製された金型２が用意される。ＴｉＮによる凸状の矩形光導波路パターン２ｂはフォトレジスト・エッチング法とスパッタリング法で作製し、その表面をダイヤモンドパウダーで表面粗さＲmax＝０．０１μｍまで研磨することにより得ることができる。
【０００５】
そこで、図６（ａ）に示すようにガラス基板１と金型２を成形装置（図示せず）に収納し、これをＮ2ガス中で温度６５０℃まで加熱して軟化させ、ガラス基板１の表面に対して金型２を押圧して冷却することにより、図６（ｂ）に示すように凹状のコアパターンが成形されたガラス基板１を得る。
【０００６】
このガラス基板１には深さ６μｍの溝３が金型２の凸状パターン２ｂに対応して形成され、その底面は電子顕微鏡にて観察した結果、極めて微細な鏡面仕上りが得られた。
【０００７】
次に、図６（ｃ）に示すようにガラス基板１の溝３を有する表面上にガラス基板１より高い屈折率を有する光学素子材料４をスパッタ法により堆積形成する。
【０００８】
そして、図６（ｄ）に示すように研磨機（図示せず）を用いて、光学素子材料４を光学素子材料４の溝３以外の部分が除去されるまで研磨することによりコア５が形成される。
【０００９】
以上の工程により光導波路を作製することができる。
【００１０】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【００１１】
また、従来のスポットサイズ変換構造の光導波路としては、図７に示すものがある。
【００１２】
図７は従来のスポットサイズ変換構造の光導波路のコアの概略図である。図７に示すようにコア１１の入出力部１２，１３は、光ファイバと素子とを実装する際に比屈折率差が大きくなるに従って光ファイバとの接続損失が大きくなるため、この接続損失が小さくなるようにコア１１の幅方向及び高さ方向に入出力部１２，１３に向かって広くなるテーパ状のテーパ部１４が形成されている。このテーパ部１４の角度は０．３°から１°の範囲である。上記構成によれば、光導波路の入出力部１２，１３のコア幅及びコア高さが光ファイバのコア径と等しくなり、光導波路のコア断面形状が光ファイバのコア断面形状に近い形となる。これによりモードフィールド径が大きくなり、光ファイバとの接続損失が低減される。
【００１３】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献２が知られている。
【特許文献１】特開昭６４−０２６８０６号公報
【特許文献２】特開２００１−０９１７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら上記従来の光導波路の製造工程では、光導波路のコアの形状が金型の形状と略等しい形状のものしか作製することができないという問題点を有していた。また、上記従来のスポットサイズ変換構造の光導波路では、コアの断面形状が矩形のため、断面が円形状である光ファイバとの接続損失が大きくなってしまうという問題点を有していた。
【００１５】
本発明は光導波路のコアの断面形状が略円形状または楕円形状に等しい光導波路を作製することができ、またコアの入力部または出力部のサイズを光ファイバのコアやＬＤ，ＶＣＳＥＬ，ＬＥＤ等からの出射光の径と略等しい大きさで形成することができるため、光ファイバやＬＤ，ＶＣＳＥＬ，ＬＥＤ等との結合効率が高いスポットサイズ変換構造の光導波路とその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有する。
【００１７】
本発明の請求項１に記載の発明は、下部クラッド層と、この下部クラッド層上に光ファイバと接続する入力部または出力部を有するコアと、このコアを覆う上部クラッド層とからなり、前記コアの光の伝搬方向が連続的に変化し、前記コアの断面形状が光の入力部と出力部で異なる形状を有し、かつ略円形または楕円形とした光導波路であり、コアの入力部または出力部の径を光ファイバのコア径や、ＬＤ，ＶＣＳＥＬ，ＬＥＤ等の発光素子の出射光の径と略等しい形状、大きさで形成することができるため、光ファイバやＬＤ，ＶＣＳＥＬ，ＬＥＤ等の発光素子との結合効率を高めることができる。
【００１８】
請求項２に記載の発明は、コアの硬度を下部クラッド層の硬度よりも大きくした請求項１に記載の光導波路であり、下部クラッド層より高くかつ光導波路のコアの断面形状を円形または楕円形に略等しく容易に加工することができる。
【００１９】
請求項３に記載の発明は、下部クラッド層に金型を用いて凹状のコアパターンを加熱プレスして成型する工程と、前記凹状のコアパターンに前記下部クラッド層より屈折率および硬度の大きいガラス素材を少なくとも溢れるように充填する工程と、前記凹状のコアパターンに充填したガラス素材を加熱してコアを形成し溢れたガラス素材を除去する工程と、前記下部クラッド層とコアとを覆うように下部クラッド層とほぼ等しい屈折率のガラス素材または樹脂からなる上部クラッド層を形成する工程とからなり、前記金型によりコアの光の伝搬方向に垂直な断面形状が連続的に変化し少なくとも一部に円弧または楕円弧の形状を形成する光導波路の製造方法であり、光導波路のコアの断面形状を接続する光ファイバ、発光素子等のフィールドパターンと同様の形状に製造することができる。
【００２０】
請求項４に記載の発明は、コアを形成する工程を下部クラッド層の上面の研磨と前記コアの上部を丸くする研磨で構成する請求項３に記載の光導波路の製造方法であり、光導波路のコアの断面形状を接続する光ファイバ、発光素子等のフィールドパターンと同様の形状に製造することができる。
【００２１】
請求項５に記載の発明は、コアの上面を下部クラッド層の表面より高くなるように形成する請求項３に記載の光導波路の製造方法であり、光導波路のコアの断面形状を接続する光ファイバ、発光素子等のフィールドパターンと同様の形状に製造することができる。
【００２２】
請求項６に記載の発明は、加熱を真空中で行う請求項３に記載の光導波路の製造方法であり、光導波路のコアへの気泡の混入を防止することができる。
【００２３】
請求項７に記載の発明は、ガラス素材をスパッタ法により凹状のコアパターンに充填する請求項３に記載の光導波路の製造方法であり、光導波路のコア材として軟化点が高いガラス材料を用いることができるため、上部クラッド層の形成においてコアへの影響を低減することができる。
【００２４】
請求項８に記載の発明は、上部クラッド層をスパッタ法、ＣＶＤ法、プレス成型または粉末状に粉砕したガラス素材を塗布して加熱する方法のいずれか１つにより形成する請求項３に記載の光導波路の製造方法であり、光導波路の上部クラッド層を第３のガラス素材で容易に形成することができる。
【００２５】
請求項９に記載の発明は、上部クラッド層に樹脂を用いてスピンコート法または滴下法のいずれか１つにより形成する請求項３に記載の光導波路の製造方法であり、光導波路の上部クラッド層を樹脂で形成することができるため、低コスト化が図れる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明は、下部クラッド層と、この下部クラッド層上に光ファイバと接続する入力部または出力部を有するコアと、このコアを覆う上部クラッド層とからなり、前記コアの光の伝搬方向に垂直な断面形状が連続的に変化し、かつ光の入力部と出力部で異なる形状を有し、前記コアの断面形状が略円形または楕円形とした光導波路であり、これにより、コアの入力部または出力部の径を光ファイバのコア径や、ＬＤ，ＶＣＳＥＬ，ＬＥＤ等の発光素子の出射光の径と略等しい形状、大きさで形成することができるため、光ファイバやＬＤ，ＶＣＳＥＬ，ＬＥＤ等の発光素子との結合効率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について、図を用いて説明する。
【００２８】
（実施の形態１）
図１（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施の形態１における光導波路の製造工程の一例を示す断面図、図２は本発明の実施の形態１における金型の一例を示す斜視図、図３（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施の形態１における金型の形状を示す断面図である。
【００２９】
図１（ａ）〜（ｅ）、図２に示すように４１は金型の凸形状のコアパターン、４２および４３は光の入力部または出力部、４４は金型基材、５１は金型、５２は下部クラッド層、５３は凹状のコアパターン、５４はコア層、５５はコア、５６は上部クラッド層である。
【００３０】
金型基材４４にはＷＣ−Ｃｏ等からなる超硬合金、コアパターン４１にはＷＣ−Ｃｏ，ＴｉＮ，Ｎｉ−Ｐ等からなる合金を用いることが望ましい。光の入力部または出力部４２，４３の形状は半円形または半楕円形を含む。
【００３１】
以下、本発明のスポットサイズ変換構造の光導波路の製造工程の一例について説明する。
【００３２】
図３（ｂ）に示すように金型５１の上に形成された凸形状のコアパターン４１のＣ−Ｃ’断面の形状は短辺６μｍ、長辺１５μｍの長方形の短辺上に直径６μｍの半球が形成されたような形状である。また図３（ｃ）に示すように金型５１の上に形成された凸形状のコアパターン４１のＤ−Ｄ’断面の形状は短辺１０μｍ、長辺１５μｍの長方形の短辺上に直径１０μｍの半球が形成されたような形状である。
【００３３】
下部クラッド層５２は金型５１での成型性を考慮し、軟化点が６００℃程度以下の第１のガラス材料を用いる。このような金型５１と下部クラッド層５２とをプレス成型機（図示せず）に収納し、これをＮ2ガス中で下部クラッド層５２に用いる第１のガラス材料の軟化点以上に加熱する。
【００３４】
そして、図１（ａ）のように金型５１を下部クラッド層５２に押圧または金型５１の自重により下部クラッド層５２にコアパターン５３を形成して冷却することにより図１（ｂ）に示すように凹状のコアパターン５３を成型した下部クラッド層５２が得られる。
【００３５】
次に、本発明の実施の形態１において、コア材は屈折率が下部クラッド層５２よりも高く、かつ軟化点が４５０℃程度以下であり、硬度が下部クラッド層５２よりも大きい第２のガラス材料を用いる。このような第２のガラス材料を粉末状に粉砕したものを凹状のコアパターン５３を成型した下部クラッド層５２の上に塗布する。その際、凹状のコアパターン５３以外に溢れるように充分に粉末状の第２のガラス材料が塗布されるようにする。
【００３６】
そして、この第２のガラス材料が塗布された下部クラッド層５２を温度５００℃程度に加熱して第２のガラス材料を軟化させ、図１（ｃ）に示すようにコアパターン５３内および下部クラッド層５２の上にコア層５４が形成される。なお、この加熱工程を真空中で行うことによりコア層５４の内部の気泡の除去を促進することができる。
【００３７】
次に、コア層５４が形成された下部クラッド層５２を研磨機（図示せず）を用いて、凹状のコアパターン５３から溢れ出たコア層５４を除去し、さらに表面から約１０〜１５μｍの深さまで下部クラッド層５２を除去する。ここでコア層５４の硬度は下部クラッド層５２の硬度よりも大きいため、コア層５４の形状は下部クラッド層５２の表面に対して上に凸形状になる。したがって、図１（ｄ）に示すように断面形状が略円形または楕円形に等しいコア５５を形成することができる。
【００３８】
そして、図１（ｅ）に示すように、コア５５を形成した下部クラッド層５２の上にスパッタ法を用いて第３のガラス材料からなる上部クラッド層５６を形成する。スパッタ法は高軟化点のガラス材料でも低温で成膜できるという特徴を持つ。そこで第３のガラス材料としては屈折率が下部クラッド層５２に略等しいものであれば良く、第１のガラス材料をそのまま用いても良い。
【００３９】
以上の製造工程により、例えば直径６μｍの光導波路のコアと直径１０μｍのシングルモード光ファイバに用いることができるスポットサイズ変換構造の光導波路を製造することができる。
【００４０】
なお、スパッタ法を用いて下部クラッド層５２の上にコア層５４を形成しても良い。この場合は第２のガラス素材として、軟化点の高い材料でも用いることが可能になるという利点がある。また被成膜材料である下部クラッド層５２にＲＦバイアスを印加しながら成膜を行うことにより、凹状のコアパターン５３へのスパッタ粒子の埋め込み性を向上させることができる。
【００４１】
また、スパッタ法を用いて第３のガラス素材からなる上部クラッド層５６を形成したが、ＣＶＤ法、プレス成型法等の方法を用いても良い。
【００４２】
さらに、上部クラッド層５６に第３のガラス素材を用いたが、本発明においてはこれに限ることはなく、第２のクラッド層５６として樹脂を用いても良い。例えばフッ素化ポリイミド等を用いることができる。
【００４３】
フッ素化ポリイミドを用いた場合、スピンコート法または滴下法を用いて下部クラッド層５２の上に形成することができる。
【００４４】
なお、上部クラッド層５６に樹脂としてフッ素化ポリイミドを例にして説明したが、本材料に限るものではなく、ＰＭＭＡや感光性ポリシラン等の様々な樹脂を用いることができる。
【００４５】
（実施の形態２）
図４は本発明の実施の形態２における一心双方向光送受信モジュールの構成を示す概略図である。
【００４６】
図４に示すように２１はクラッド層、２２はコア、２３ａ，２３ｂはスポットサイズ変換部、２４は溝、２５は波長選択フィルタ、２６はシングルモード光ファイバ、２７はＬＤ、２８はＰＤ、２９は基板、３０は光分岐部である。
【００４７】
この一心双方向光送受信モジュールの機能を簡単に説明する。
【００４８】
まず、光ファイバ２６から出射された波長１．５５μｍ帯の光信号はスポットサイズ変換部２３ａを介してコア２２を伝搬し、光分岐部３０に挿入された波長選択フィルタ２５を透過してＰＤ２８に入射し、電気信号に変換される。一方発光素子としてのＬＤ２７から出射された波長１．３μｍ帯の光信号はスポットサイズ変換部２３ｂを介してコア２２を伝搬し、波長選択フィルタ２５により反射して光分岐部３０を介して光ファイバ２６が接続されたコア２２を伝搬し、スポットサイズ変換部２３ａを通して光ファイバ２６に入射され伝搬する。
【００４９】
基板２９の上にクラッド層２１が形成され、このクラッド層２１の上に断面が略円形のコア２２が形成されている。このコア２２には光分岐部３０が形成されており、この光分岐部３０は低損失かつ構造が単純なＹ分岐を用いて構成されている。さらにこの光分岐部３０の近傍にはコア２２と交差して溝２４が形成されており、溝２４には波長選択フィルタ２５が挿入されている。コア２２の非分岐側の出力部にはＰＤ２８が結合されている。またコア２２の分岐側の一方は入力部として用いられ、端部にはスポットサイズ変換部２３ｂが形成されておりＬＤ２７と結合されている。コア２２の分岐側の他方は入力出力部として用いられ、端部にはスポットサイズ変換部２３ａが形成されており、シングルモード光ファイバ２６と結合されている。なおＬＤ２７およびＰＤ２８には、これらを駆動するための電気回路（図示せず）が近接して配置される。
【００５０】
光導波路の小型化のためにクラッド層２１とコア２２の屈折率差を大きくした場合、コア２２の径の小型化が可能となるが、コア２２とシングルモード光ファイバ２６とのスポットサイズの不整合が増大する。例えばクラッド層２１とコア２２の屈折率差を０．６％とすると、コア２２の径は６μｍとなるのに対してシングルモード光ファイバ２６のコア径は約１０μｍであるため、コア２２とシングルモード光ファイバ２６との結合損失は約２．０ｄＢと非常に大きくなってしまう。
【００５１】
そこで、本発明ではコア２２の断面形状が円形に略等しいスポットサイズ変換部２３ａを用いてシングルモード光ファイバ２６と結合した。例えば一方のコア２２の端部の径を約６μｍ、他方のコア２２の端部の径を約１０μｍとしたスポットサイズ変換部２３ａを用いて結合した結果、結合損失は約０．５ｄＢとなり損失を大きく低減することができた。従来のスポットサイズ変換部として断面形状が矩形のものを用いて結合した場合、結合損失は約１．０ｄＢであった。
【００５２】
また、ＬＤ２７の出射光は一般的に楕円偏波面となる。そのため従来はＬＤ２７と光導波路はレンズを用いて結合を行っていた。本発明ではＬＤ２７とコア２２の結合にスポットサイズ変換部２３ｂを用いた。例えば一方の端部を略楕円形に加工して長軸方向の長さを約４．５μｍ、短軸方向の長さを約３．４μｍとし、他方の端部を直径略６μｍの円形状に加工したスポットサイズ変換部２３ｂを用いて結合を行ったところ、結合損失は３ｄＢと非常に小さくなった。
【００５３】
（実施の形態３）
図５は本発明の実施の形態３におけるＬＮ（ＬｉＮｂＯ3）光変調器の構成を示す概略図である。
【００５４】
図５に示すように３１はクラッド層、３２はコア、３３ａ，３３ｂはスポットサイズ変換部、３４はＬＤ、３５は電極、３６はシングルモード光ファイバ、３７は基板、３８ａ，３８ｂは光分岐部である。
【００５５】
このＬＮ光変調器の機能を簡単に説明する。
【００５６】
ＬＮは電圧（電界）を加えると媒質の屈折率が変化する電気光学効果を持つ材質である。屈折率が変化すると光路長も変化するため、そこを通過する光の位相変化に換算される。つまり本発明のＬＮ光変調器においては電極３５に電圧Ｖ＝Ｖ0を印加した場合、光分岐部３８ａから光分岐部３８ｂへ到達する二つの光導波路を通過する光には位相差が生じていないので、この二つの光はそのまま足し算となり、信号は“１”となる。一方、電極３５に電圧Ｖ＝Ｖ1を印加した場合に、光分岐部３８ａから光分岐部３８ｂへ到達する二つの光導波路を通過する光は、位相が１８０°異なる。したがって光の波は互いに打ち消し合って出力は“０”となる。つまり、光分岐部３８ｂから出射する光はコア２２を伝搬せず、放散する光となる。
【００５７】
基板３７の上にＬＮからなるクラッド層３１が形成され、クラッド層３１の上にＴｉ熱拡散によりコア３２が形成されている。コア３２には二ヶ所の光分岐部３８ａ，３８ｂが形成されており、この光分岐部３８ａ，３８ｂは低損失かつ構造が単純なＹ分岐を用いて構成されている。またこの光分岐部３８ａ，３８ｂにより二つに分岐されたコア３２に電圧を印加するために、電極３５が設置されている。コア３２の入出力部にはそれぞれスポットサイズ変換部３３ａ，３３ｂが設けられ、入力部側にはＬＤ３４、出力部側にはシングルモード光ファイバ３６が結合されている。
【００５８】
ＬＮからなる光導波路のコア３２の径は約４μｍである。そのためシングルモード光ファイバ３６とのスポットサイズ不整合が増大する。そこで、本発明のスポットサイズ変換部３３ａを用いて、コア３２とシングルモード光ファイバ３６の結合を行った結果、結合損失は約０．７ｄＢとなり、スポットサイズ変換部３３ａを用いなかった場合と比較して、結合損失を約２ｄＢ低減することができた。
【００５９】
また、ＬＤ３４とコア３２の結合においてもスポットサイズ変換部３３ｂを用いた。例えば一方の端を略楕円形に加工し、長軸を約４．０μｍ、短軸を約３．４μｍとし、他方の端を直径略４μｍの円形状に加工したスポットサイズ変換部３３ｂを用いて結合を行った結果、結合損失は３．３ｄＢと非常に小さくなった。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明にかかる光導波路とその製造方法は、光導波路のコアの断面形状が略円形状または楕円形状に等しい光導波路を製造することができ、またコアの入力部または出力部の径を光ファイバのコア径やＬＤ，ＶＣＳＥＬ，ＬＥＤ等の発光素子からの出射光の径と略等しい大きさで形成することが可能になり、光ファイバやＬＤ，ＶＣＳＥＬ，ＬＥＤ等の発光素子との結合効率が高いスポットサイズ変換構造の光導波路およびその製造方法を提供することができるという効果を有し、一心双方向光送受信モジュール、光変調器、ＡＷＧ、カップラー等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】（ａ）〜（ｅ）本発明の実施の形態１における光導波路の製造工程の一例を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態１における金型の一例を示す斜視図
【図３】（ａ）〜（ｃ）本発明の実施の形態１における金型の形状を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態２における一心双方向光送受信モジュールの構成を示す概略図
【図５】本発明の実施の形態３におけるＬＮ（ＬｉＮｂＯ3）光変調器の構成を示す概略図
【図６】（ａ）〜（ｄ）従来の光導波路の製造工程の一例を示す断面図
【図７】従来のスポットサイズ変換構造の光導波路のコアの概略図
【符号の説明】
【００６２】
２１  クラッド層
２２  コア
２３ａ，２３ｂ  スポットサイズ変換部
２４  溝
２５  波長選択フィルタ
２６  シングルモード光ファイバ
２７  ＬＤ
２８  ＰＤ
２９  基板
３０  光分岐部
３１  クラッド層
３２  コア
３３ａ，３３ｂ  スポットサイズ変換部
３４  ＬＤ
３５  電極
３６  シングルモード光ファイバ
３７  基板
３８ａ，３８ｂ  光分岐部
４１  コアパターン
４２，４３  光の入力部または出力部
４４  金型基材
５１  金型
５２  下部クラッド層
５３  凹状のコアパターン
５４  コア層
５５  コア
５６  上部クラッド層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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