(57)【要約】【課題】  スタンダードセル方式のセルであって、配線効率を悪化させることなく、電源配線に発生する電源ノイズの影響を他のセルに及ぼさないようにしたセルを提供すること。【解決手段】  拡散層、拡散層と異なる配線層Ａ内であって拡散層の略鉛直方向に設けられた接点、及び、拡散層及び配線層ａの間の中間層を貫通し、拡散層と接点とを接続する垂直配線を備えるセルを用いて、拡散層に対して接点を介して電位を供給する。【選択図】  図１Ｂ
2005175227.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路を構成するスタンダードセル方式のセルにおいて、
拡散層、前記拡散層と異なる配線層Ａ内であって前記拡散層の略鉛直方向に設けられた接点、及び、前記拡散層及び配線層ａの間の中間層を貫通し、前記拡散層と前記接点とを接続する垂直配線を備え、
前記拡散層に対して前記接点を介して電位を供給する
ことを特徴とするセル。
【請求項２】
請求項１に記載のセルにおいて、前記接点は、当該セルを含むセルアレイの縦電源電位配線に対し、前記配線層Ａに配線した配線ａを介して接続されることを特徴とするセル。
【請求項３】
請求項１に記載のセルにおいて、前記垂直配線は、前記接点及び前記中間層の夫々を、ビアを介して互いに接続してなることを特徴とするセル。
【請求項４】
請求項１に記載のセルにおいて、前記中間層は少なくとも３層からなることを特徴とするセル。
【請求項５】
請求項１に記載のセルにおいて、配置された状態で、当該セルの両隣に隣接する２つのセルの間の配線を接続するための配線ｂを前記中間層の一層に備えることを特徴とするセル。
【請求項６】
請求項１に記載のセルにおいて、前記接点及び垂直配線からなる組を、一の前記拡散層に対して複数備えることを特徴とするセル。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれかに記載のセルを含む半導体集積回路。
【請求項８】
スタンダードセル方式のセルアレイに電源電位配線を配線する方法において、
拡散層、前記拡散層と異なる配線層Ａ内であって前記拡散層の略鉛直方向に設けられた接点、及び、前記拡散層及び配線層Ａの間の中間層を貫通し、前記拡散層と前記接点とを接続する垂直配線を備え、前記拡散層に対して前記接点を介して電位を供給するセルを含むセルアレイに配線する方法であって、
前記接点と前記セルアレイの縦電源電位配線とを接続する配線ａを配線する段階を含む
ことを特徴とする電源電位配線方法。
【請求項９】
請求項８に記載の電源電位配線方法において、前記配線ａは、前記配線層Ａに配線されることを特徴とする電源電位配線方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の電源電位配線方法において、前記垂直配線は、前記接点及び前記中間層の夫々を、ビアを介して互いに接続してなることを特徴とする電源電位配線方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の電源電位配線方法において、前記中間層は少なくとも３層からなることを特徴とする電源電位配線方法。
【請求項１２】
請求項８に記載の電源電位配線方法において、前記セルは、配置された状態で、当該セルの両隣に隣接する２つのセルの間の配線を接続するための配線ｂを前記中間層の一層に備えることを特徴とする電源電位配線方法。
【請求項１３】
請求項８に記載の電源電位配線方法において、前記セルは、前記接点及び垂直配線からなる組を、一の前記拡散層に対して複数備えることを特徴とする電源電位配線方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電源の配線方法に関し、特に複数系統の電源配線および接地配線を有するセルを有するライブラリを用いるスタンダードセル方式の電源配線方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スタンダードセル方式では、予め定められた機能を有するセルを複数個一次元方向に配置してセルアレイを構成することにより、半導体集積回路のレイアウトを設計する。このとき、ＣＡＤを用いた配置配線ツールが広く利用されている。
【０００３】
この種の従来用いられている配置配線ツールにおいては、レイアウト処理の手順はフロアプランによってチップ上の概略レイアウトを決定し、それらのフロアプランに従ってセルの詳細な配置を決定し、配線を行うようにしている。
【０００４】
電源以外の信号配線については、各種の自動配線アルゴリズムが提案されて利用されている。他方、電源配線及び接地配線の配線については、一般に、所定の機能を有するように回路素子を配置した単位構造ないし単位回路、所謂セルを一列に配置し、その上に電源配線及び接地配線を組み込んでいる。特に、スタンダードセル方式の場合は、セル上に電源配線及び接地配線が組み込まれており、セルを並べて配置するだけで、配置した部分の電源配線及び接地配線が接続されるようになっている。
【０００５】
スタンダードセル方式のセルに係る従来例１について説明する。図５Ａ及び５Ｂを参照すると、セル枠１の内部基盤は、Ｐ型拡散層２、Ｎウェル３、Ｎ型拡散層４で構成されている。電源配線５は最下の金属配線層に配線されていて、コンタクト１８を介してＰ型拡散層２に接続されている。同様に、接地配線６は最下の金属配線層に配線されていて、コンタクト１９を介してＮ型拡散層４に接続されている。入力端子１３は金属配線層に配線されていて、コンタクトを介してゲートポリシリコン１５と接続されている。出力端子１４は金属配線層に配線されていて、コンタクトを介してＰ型拡散層２、Ｎ型拡散層４と接続されている。尚、ここではセル内部のトランジスタが１組からなるクロックバッファで説明しているが、トランジスタを複数横積みに並べ、各入力端子同士、出力端子同士を接続して出力を強化したクロックバッファでも同様である。
【０００６】
従来例１のセルを用いて行う自動配置配線処理について図６を参照して説明する。電源バス５、接地バス６を配線（ステップＳ１）し、次いで縦電源バス２０、縦接地バス２１を配線して、それぞれを電源配線５及び接地配線６とビア（ＶＩＡ）経由で接続する（ステップＳ２）。これらのバスの配線位置と、図５のセルの電源配線５及び接地配線６とが一致するよう一列に配置する（ステップＳ３）。これにより、セルを配置した段階でセル同士の電源電位配線は互いに接続されていることとなる。続いて各セル間の信号線を接続する（ステップＳ４）。この状態でタイミング等の見積もりを行い、設計上の制約事項に違反していないかどうかを判定（ステップＳ７）し、制約違反があればステップＳ６に戻って配線を変更し、なければ処理を終了する（ステップＳ８）。
【０００７】
一方で、昨今の自動配置配線では設計手法としてクロックツリーシンセシス方式（以下ＣＴＳと称する）が用いられている。ＣＴＳでは、セルアレイにクロックツリー用のバッファ（以下クロックバッファと称する）がランダムに配置される。
【０００８】
クロックバッファは高速でスイッチングされるが、このとき、電源配線にスイッチングノイズを発生する。このスイッチングノイズはセルアレイ内部の他のセルの動作に影響を与え、動作速度を始めとする特性を悪化させる要因となっている。
【０００９】
更に、クロックバッファは消費電力が大きなセルであるため、電源配線及び接地配線に対する電流密度を超過させてしまいエレクトロマイグレーション（ＥＭ）を発生させ、製品としての寿命を悪化させる要因となっている。
【００１０】
こうした問題を解決する一案として、電源配線及び接地配線を強化することが考えられた。従来例１では図７Ａに示すように電源配線及び接地配線を配線したものとする。このとき、例えば図７Ｂに示す従来例２のように、セルアレイの電源配線５及び接地配線６の幅を太くする、或いは金属配線層を厚くすることにより強化することが考えれた。または、図７Ｃに示す従来例３のように、セルアレイに対して電位を供給する縦電源配線２０及び縦接地配線２１の本数を増やし、縦配線の密度を高めることにより強化することが考えられた。図中、従来例１及び２では３組の縦電源配線２０及び縦接地配線２１が配線されているが、従来例３では４組配線されている。
【００１１】
しかし、電源配線５、接地配線６を太くすると縦方向へのセル密度が悪化し、半導体製品として設計したときに大きくなることでコスト高になってしまう問題を有する。金属配線層を厚くする場合は、製造にかかるコストが大きくなるため、これもコスト高になってしまう。
【００１２】
また、縦電源配線２０、縦接地配線２１の本数を増やすことはその分配線層における電源配線、接地配線の領域が増えることになり、配線効率を悪化させる、あるいはセル配置領域を減少させる問題を有する。
【００１３】
本願発明に関連する他の従来技術として特許文献１に記載の技術がある。図８Ａ及び８Ｂを参照して特許文献１に記載のセル構造について以下に説明する。
【００１４】
電源配線５と電源配線７が分割されており、電源配線７はＰ型拡散層２とコンタクト１８を介して接続されている。電源配線５はセル内部とは電気的に切り離されている。同様に接地配線６と接地配線８が分割されており、接地配線８はＮ型拡散層４とコンタクト１９を介して接続されている。接地配線６はセル内部とは電気的に切り離されている。
【００１５】
このセルを複数横に並べセルアレイを構築し、任意のセルアレイから電源配線７および接地配線８に電位を供給する配線を引くことで、１つのセルアレイのなかで複数の電源電圧に対応できるようにするものである。
【００１６】
同じく特許文献１に記載の他の技術によれば、図９Ａ及び９Ｂにあるように、電源配線５の上位配線層に、電圧の異なる電源を供給する電源配線５’が配線されている。同様に接地配線６の上位配線層に接地電源６’が配線されている。電源配線５と電源配線５’は接続されておらず、接地配線６と接地配線６’は接続されていない。
【００１７】
このセルを複数横に並べセルアレイを構築した場合、電源配線５、および電源配線５’に異なる電源電位を供給し、セル内部の電源配線７と接続することが可能となる。これにより、同じセルアレイの中で異なる電源電圧に対応することができる。
【特許文献１】特開２００３−２１８２１０公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
特許文献１に記載の技術を用いて電源配線の強化を図る場合、そのセルが含まれるセルアレイの電源配線からではなく他のセルアレイから電源を配線することになる。すなわち消費電流の大きなクロックバッファのセル内部に供給する電源を、電源配線と別のセルアレイから引くことで、電流の集中を避けることができる。しかしその電源は他のセルアレイから供給されるため、結果的にＥＭの発生箇所が移動するだけで根本的な解決にはならない。
【００１９】
また、電源配線が独立している為にＥＭおよびスイッチングノイズの影響を他のセルに与えずに済ませることができる。しかし、この技術によれば、クロックバッファに限らず、セルアレイの全てのセルに使用しない可能性のある電源配線５’及び接地配線６’が配線される。このため、配線効率が著しく悪化するという問題点を有する。
【００２０】
本発明は以上のような状況に鑑みてなされたものであり、本発明が解決しようとする課題は、上記問題点を解消し、配線効率を悪化させることなく、電源配線に発生する電源ノイズの影響を他のセルに及ぼさないようにするセル構造を有する半導体集積回路及び半導体集積回路における電源の配線方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上述の課題を解決するため、本発明は次のようなセル、半導体集積回路及び電源電位配線の配線方法を提供する。
【００２２】
即ち、本発明は、半導体集積回路を構成するスタンダードセル方式のセルにおいて、拡散層、拡散層と異なる配線層Ａ内であって拡散層の略鉛直方向に設けられた接点、及び、拡散層及び配線層ａの間の中間層を貫通し、拡散層と接点とを接続する垂直配線を備え、拡散層に対して接点を介して電位を供給することを特徴とするセルを提供する。
【００２３】
従来のセル構造によれば、中間層のいずれかに設けられた配線を介して拡散層に電位を供給する。一般に、中間層に当たる金属配線層の層厚は薄いため、こうした層の配線では電流密度が小さくなる。これに対して、上述のような構造では、配線層ａの層厚を中間層と比較して厚くすることが可能である。また、垂直配線の電流密度は中間層の層厚に左右されない。このため、本発明のセル構造によれば、縦電源電位配線から拡散層に至る配線に十分な断面積を与えることが可能となる。
【００２４】
配線効率の観点から、接点は、当該セルを含むセルアレイの縦電源電位配線に対し、配線層Ａに配線した配線ａを介して接続されることが望ましい。
【００２５】
垂直配線は、接点及び中間層の夫々を、ビアを介して互いに接続してなることが考えられる。
【００２６】
電源電位配線での電源ノイズの影響を効果的に防ぐため、中間層は少なくとも３層からなることが望ましい。
【００２７】
配置された状態で、当該セルの両隣に隣接する２つのセルの間の配線を接続するための配線ｂを中間層の一層に備えることにより、従来の構造を有するセルについては従来と同様に配置することができる。
【００２８】
接点及び垂直配線からなる組を、一の拡散層に対して複数備えることとしてもよい。このようにすれば、例えば配線層Ａにおいて接点の間に他の配線を通すことが可能となり、配線効率をより高めることができる。
【００２９】
また、本発明は、上述のようなセルを含む半導体集積回路を提供する。
【００３０】
更に、本発明は、スタンダードセル方式のセルアレイに電源電位配線を配線する方法において、拡散層、拡散層と異なる配線層Ａ内であって拡散層の略鉛直方向に設けられた接点、及び、拡散層及び配線層Ａの間の中間層を貫通し、拡散層と接点とを接続する垂直配線を備え、拡散層に対して接点を介して電位を供給するセルを含むセルアレイに配線する方法であって、接点とセルアレイの縦電源電位配線とを接続する配線ａを配線する段階を含むことを特徴とする電源電位配線方法を提供する。
【００３１】
より具体的に言えば、電源配線をＰ型拡散層から少なくとも最下位から３層目までの金属配線層までを順次接続し、接地配線をＮ型拡散層から少なくとも最下位から３層目までの金属配線層までを順次接続することと、セル間で共通して接続される電源配線、接地配線と電気的に分離されたセル構造にすることと、上位の金属配線層においてセルと直近になるように縦電源配線と電源配線を接続し、同様に縦接地配線と接地配線を接続したセルが得られる。また、このようなセルを含む半導体集積回路が得られる。更に、このようなセルを用いた電源電位配線方法が得られる。
【発明の効果】
【００３２】
セル配置可能領域を減少させることなく、また、配線効率を悪化させることなく、電源配線に発生する電源ノイズの影響が他のセルに及ぶのを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
本発明の実施の形態について説明する。本明細書及び特許請求の範囲では、電源配線及び接地配線を総称して電源電位配線と呼ぶものとする。また、縦電源配線及び縦接地配線を総称して縦電源電位配線と呼ぶものとする。
【００３４】
本発明では、クロックバッファのように、電源配線にスイッチングノイズを発生させる、または、電源配線及び接地配線に対する電流密度を超過させてエレクトロマイグレーションを惹起するセルを次のような構造とする。
【００３５】
即ち、拡散層の上に複数の金属配線層を中間層として挟み、中間層の上の金属配線層に接点を設ける。この接点と縦電源電位配線とを接続する配線を接点と同じ金属配線層に設けて、拡散層に電位を供給する。接点と拡散層の間は中間層に設けたビアを介して接続する。上述のようなセル以外のセルについては従来と同様のセル構造とする。このようなセルを前提としてレイアウトの自動配置配線処理を行う。
【００３６】
これにより、クロックバッファの拡散層に電位を供給する電源電位配線は、他のセルに電位を供給する配線と異なる経路を通過して拡散層上部にある接点まで到達する。接点からはビアを経由して拡散層に対して垂直方向に移動して拡散層に到達する。
【００３７】
クロックバッファへの電源電位配線は、他のセルの拡散層から離れた位置を通過するので、他セルの動作に悪影響を及ぼしにくくなる。また、このセル構造はクロックバッファのみに適用されるので、不要な配線が生じることがない。
【実施例１】
【００３８】
本発明の一実施例であるセル１００の構造について図１Ａ及びＢを参照して説明する。セル１００はクロックバッファである。
【００３９】
セル枠１の内部基盤は、Ｐ型拡散層２、Ｎウェル３、Ｎ型拡散層４で構成されている。
【００４０】
電源配線５は最下層の金属配線層に配線されていて、セル内部では電気的にどこにも接続されていない。接地配線６は最下層の金属配線層に配線されていて、セル内部では電気的にどこにも接続されていない。電源配線５及び接地配線６は、セル１００と隣接するクロックバッファ以外のセルの電源電位配線と接続するために設けられている。
【００４１】
電源配線７は最下層の金属配線層に配線されていて、コンタクト１８を介してＰ型拡散層２に接続されている。接地配線８は最下層の金属配線層に配線されていて、コンタクト１９を介してＮ型拡散層４に接続されている。尚、コンタクト１８及び１９は作図上の都合により図１Ａには図示されていない。
【００４２】
電源配線９は電源配線７が配線された最下層よりも上層に配線され、両層の間の層に設けられたビアを介して接続される。即ち、電源配線７の上層に配置配線される複数の金属配線層に設けたビアを介して接続される。図１Ｂが図１ＡのＡ−Ａ’断面であることからわかるように、このビアは、拡散層から垂直方向に延びる電源電位供給配線となり、拡散層の直上や近隣上位の金属配線層のような比較的薄い層で配線する場合と比較して、大きな断面積を有する垂直配線となる。これにより、電源配線に発生する電源ノイズの影響が他のセルに及ぶのを防ぐことができる。電源ノイズの影響を効果的に除去するため、中間層となる複数の金属配線層は少なくとも３層以上であることが望ましい。本例では３層の金属配線層を中間層としている。
【００４３】
電源配線９と同様に、接地配線１０は接地配線８が配線された最下層よりも上層に配線される。本例では接地配線１０は電源配線９と同じ層に配線されており、接地配線８及び１０が配線された層の間に３層の金属配線層を挟み、これら金属配線層に設けたビアを介して接地配線８と接地配線１０とを接続している。
【００４４】
入力端子１３は金属配線層に配線されていて、コンタクトを介してゲートポリシリコン１５と接続されている。出力端子１４は金属配線層に配線されていて、コンタクトを介してＰ型拡散層２、Ｎ型拡散層４と接続されている。
【００４５】
電源配線１６は、電源配線７と電源配線９を垂直に接続するように配線されており、各配線層間はビア１１で接続されている。接地配線１７は、接地配線７と接地配線９を垂直に接続するように配線されており、各配線層間はビア１２で接続されている。
【００４６】
実施例１のセル１００を用いた自動配置配線処理について図２及び３を参照して説明する。クロックバッファ２２はセル１００のような構造を有する。尚、理解を容易にするため、図３にはクロックバッファ２２のみを記し、他のセルについては記載を省略している。
【００４７】
ステップＳ１で各セルの電源配線５、接地配線６の配線位置を決める。ステップＳ２で縦電源配線２０及び縦接地配線２１を配線し、縦電源配線２０及び縦接地配線２１を、電源配線５及び接地配線６とそれぞれビアで接続する。ステップＳ３でセルを配置する。
【００４８】
ステップＳ４では、電源配線９と縦電源配線２０とを電源配線２３にて接続する。電源配線２３は電源配線９と同じ金属配線層に配線される。このとき、電源配線２３は配線長が最短となるように配線される。
【００４９】
同様に、ステップＳ５では、接地配線１０と縦接地配線２１とを接地配線２４にて接続する。接地配線２４もまた、接地配線１０と同じ金属配線層に配線長が最短となるように配線される。
【００５０】
ステップＳ６で各セル間の信号線を接続する。
【００５１】
ステップＳ７では配線した状態で各種の制約事項に違反がないか検証する。即ち、配置対象の各セルのタイミング情報であるセルタイミング情報と、あらかじめ設定されたタイミング制約とに基づいて、タイミング制約に違反するか否かを判定する。違反があればステップＳ６に戻って配線しなおす。
【００５２】
尚、クロックバッファのように、電源配線にスイッチングノイズを発生させることがなく、また、電源配線及び接地配線に対する電流密度を超過させてエレクトロマイグレーションを惹起することもないセルについては、セル１００のような構造を持たせる必要はなく、従来と同様のセル構造で構わない。
【００５３】
実施例１のセル１００及びこれを用いた自動配置配線処理によれば、余剰な配線を行うことなく、スイッチングノイズ及びエレクトロマイグレーションの影響が他のセルに及ぶのを防ぐことができる。
【実施例２】
【００５４】
上述の実施例１でのセル１００では、電源配線７、９及び１６は、それぞれ自身の下層の配線に２箇所で接しているが、それ自身は一体として形成されている。接地配線８、１０及び１７についても同様である。
【００５５】
これに対して、実施例２のセル２００では、図４Ａ及び４Ｂに示すように、電源端子９ａ、電源端子９ｂが物理的に独立しており、電気的には同じＰ型拡散層２に接続されている。また、接地端子１０ａ、接地端子１０ｂが物理的に独立しており、電気的には同じＮ型拡散層４に接続されている。同様に、中間層にある電源配線１６ａ、１６ｂは物理的に独立しており、それぞれ電源端子９ａと電源端子７ａを接続しており電源端子９ｂと電源端子７ｂを接続している。同じく中間層にある接地配線１７ａ、１７ｂは物理的に独立しており、それぞれ接地端子１０ａと接地端子８ａを接続しており接地端子１０ｂと接地端子８ｂを接続している。
【００５６】
このように、セル１００では各金属配線層で一体であった電源配線・接地配線が、セル２００ではそれぞれ２つの電源端子と２つの接地端子に分かれている。これにより、電源端子の間や接地端子の間に他の配線を通すことが可能となり、更なる配線効率の向上を図ることができる。
【００５７】
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、当業者の通常の知識の範囲内でその変更や改良が可能であることは勿論である。
【００５８】
例えば、実施例１及び２では、最下層の金属配線層と、縦電源配線及び縦接地配線が接続される金属配線層との間に、中間層として３層の金属配線層を挟む場合を例として説明したが、中間層とする層の数は３に限らない。
【００５９】
また、実施例１では電源配線７、９、１６及び接地配線８、１０、１７は全て一体であり、実施例２ではこれらに相当する電源端子として２分されているが、一体の電源配線を含む金属配線層と二対の電源電極を含む金属配線層とが混在しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１Ａ】本発明の実施例１であるセル１００の構造を表わす平面図である。
【図１Ｂ】図１Ａの線Ａ−Ａ’における断面図である。
【図２】セル１００を用いた自動配置配線処理を説明するためのフローチャートである。
【図３】図２の自動配置配線処理にて配置したセル１００（クロックバッファ２２）と、縦電源配線２０及び縦接地配線２１の接続について説明するための図である。
【図４Ａ】本発明の実施例２であるセル２００の構造を表わす平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａの線Ｂ−Ｂ’における断面図である。
【図５Ａ】従来例１のセルの構造を示す平面図である。
【図５Ｂ】図５Ａの線Ｃ−Ｃ’の断面図である。
【図６】従来例１のセルを用いた自動配置配線処理を説明するためのフローチャートである。
【図７Ａ】従来例１により配置された電源配線５、接地配線６、縦電源配線２０及び縦接地配線２１について説明するための図である。
【図７Ｂ】従来例２により配置された電源配線５、接地配線６、縦電源配線２０及び縦接地配線２１について説明するための図である。
【図７Ｃ】従来例３により配置された電源配線５、接地配線６、縦電源配線２０及び縦接地配線２１について説明するための図である。
【図８Ａ】特許文献１に記載のセルの構造を表わす平面図である。
【図８Ｂ】図８Ａの線Ｄ−Ｄ’の断面図である。
【図９Ａ】特許文献１に記載のセルの構造を表わす平面図である。
【図９Ｂ】図９Ａの線Ｅ−Ｅ’の断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１    セル枠
２    Ｐ型拡散層
３    Ｎウェル
４    Ｎ型拡散層
５、７、９、２３    電源配線
６、８、１０、２４    接地配線
１１、１２、１８、１９    ビア（ＶＩＡ）
２０    縦電源配線
２１    縦接地配線
２２    クロックバッファ
１００、２００    セル
【図１Ａ】
2005175227.tif 000003
【図１Ｂ】
2005175227.tif 000004
【図２】
2005175227.tif 000005
【図３】
2005175227.tif 000006
【図４Ａ】
2005175227.tif 000007
【図４Ｂ】
2005175227.tif 000008
【図５Ａ】
2005175227.tif 000009
【図５Ｂ】
2005175227.tif 000010
【図６】
2005175227.tif 000011
【図７Ａ】
2005175227.tif 000012
【図７Ｂ】
2005175227.tif 000013
【図７Ｃ】
2005175227.tif 000014
【図８Ａ】
2005175227.tif 000015
【図８Ｂ】
2005175227.tif 000016
【図９Ａ】
2005175227.tif 000017
【図９Ｂ】
2005175227.tif 000018