(57)【要約】【課題】  ディスクリネーションの発生に起因した表示欠陥や画質低下を抑制すると共にコントラスト特性の低下を回避して、高い表示品位と良好なコントラスト特性とを両立する。【解決手段】  内側領域には第１の配向膜１を形成し、周縁領域には第１の配向膜よりも強い配向規制力を備えた第２の配向膜を形成する。個々の画素電極１０１の周縁領域のプレチルト角θ２を、第２の配向膜２によって、画像表示に最も重大に関与する領域である内側領域のプレチルト角θ１よりも大きい角度に配向規制する。周縁領域ではディスクリネーションの発生に起因した表示欠陥や画質低下が抑制され、かつそのような周縁領域よりも内側の領域では画像表示のコントラスト特性の低下が回避される。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向して配置されシール材にて周囲をシールされた一対の基板どうしの間隙に液晶層を挟持してなる液晶表示素子であって、
前記一対の基板のうちの一方の基板上にはマトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記複数の画素電極をそれぞれ駆動する複数のスイッチング手段と、前記複数のスイッチング手段にそれぞれ接続された複数のデータ線および複数の走査線とが設けられ、前記一対の基板のうちの他方の基板上には対向電極が設けられ、前記一対の基板のうち少なくとも前記画素電極が設けられた一方の基板の有効表示領域に配向膜が設けられており、
前記配向膜は、個々の前記画素電極の周縁領域における、基板法線と液晶分子のダイレクタとのなす角であるプレチルト角が、当該周縁領域よりも内側の領域におけるプレチルト角よりも大きい角度に設定されている
ことを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】
前記配向膜は、個々の前記画素電極の周縁領域における配向規制力が、当該周縁領域よりも内側の領域における配向規制力よりも強い規制力となっている
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項３】
前記内側の領域には第１の配向膜が形成され、前記周縁領域には前記第１の配向膜よりも強い配向規制力を備えた第２の配向膜が形成されている
ことを特徴とする請求項２記載の液晶表示素子。
【請求項４】
前記第１の配向膜と前記第２の配向膜とで互いに膜厚を異ならせることによって、前記第２の配向膜の配向規制力を前記第１の配向膜の配向規制力よりも強い規制力とした
ことを特徴とする請求項３記載の液晶表示素子。
【請求項５】
前記内側の領域では、前記第２の配向膜の上に前記第１の配向膜が積層されて、前記第１の配向膜が前記液晶層に対面し、前記周縁領域では、前記第２の配向膜が前記液晶層に対面するように設定されている
ことを特徴とする請求項３記載の液晶表示素子。
【請求項６】
前記第２の配向膜は、基板法線方向から４０°ないし６０°の角度で、１０［ｎｍ］以上ないし１００［ｎｍ］以下の膜厚に無機配向膜を蒸着してなるものであり、
前記第１の配向膜は、前記第２の配向膜と同じ角度で、１００［ｎｍ］〜２５０［ｎｍ］の膜厚に無機配向膜を蒸着してなるものである
ことを特徴とする請求項３記載の液晶表示素子。
【請求項７】
前記配向膜が、無機斜方蒸着膜である
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項８】
光源と、ライトバルブと、前記ライトバルブによって変調された光を投射面に拡大投影する拡大投影光学系とを有する投射型液晶表示装置に組み込まれて前記ライトバルブとして用いられる
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項９】
隣り合う前記画素電極どうしの間の領域を覆う遮光帯が設けられており、
前記周縁領域の少なくとも一部分が前記遮光帯で覆われずに露出するように設定されている
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無機配向膜のような配向膜を有して、例えば液晶プロジェクタのライトバルブとして好適に用いられる液晶表示素子に関する。
【０００２】
いわゆる液晶プロジェクタと呼ばれる投射型液晶表示装置には、従来、ＴＮ（Twisted Nematic ）型の液晶表示素子（液晶表示パネル）が用いられているが、そのＴＮ型の液晶表示素子では、有機配向膜が用いられていた。
【０００３】
しかし、近年の液晶プロジェクタの高輝度化、コスト削減による小型化などに起因して、ライトバルブに入射する光量がますます強大なものとなって行く傾向にあるため、その光や熱による有機配向膜の劣化・変質が懸念される。このため、近年では特に液晶プロジェクタ用の液晶表示素子に対しては、ＳｉＯ2 のような無機材料を蒸着してなる無機配向膜を用いることが提案されている。
【０００４】
ところが、無機配向膜は、ＴＮ型の液晶との化学的相互作用が弱い傾向にあるので、配向の安定性が低く、必ずしも未だ実用化に十分な段階に達しているとは言い難い。
【０００５】
他方、ＳｉＯ2 を斜方蒸着してなる無機蒸着膜を配向膜として用いると、垂直配向型であれば安定して配向することが知られている。しかし、これについても、ポリイミド等の有機垂直配向膜における配向性高分子と液晶分子との分子相互作用による液晶分子配向規制力と比較すると、液晶分子の配向規制力が弱い傾向にある。
【０００６】
しかも、ライトバルブようの液晶表示素子では、いわゆるＴＦＴ基板と呼ばれるような能動素子基板側にはＴＦＴスイッチング素子や走査線や信号線などが高精細に配設されているので、画素電位を印加した際に、隣り合った画素の近傍には基板面と平行な方向に、いわゆる横方向電界が生じる。この横方向電界に起因して、電圧印加時に液晶分子の傾斜方向が乱れて、いわゆるディスクリネーションが発生し、これが明暗の顕著なムラやコントラスト比の低下や残像として表示画面中に顕れて、見苦しい表示欠陥として視認されてしまうこととなる。
【０００７】
このようなディスクリネーションの発生を抑えるための対策としては、基板法線方向から液晶分子のダイレクタを傾けて、いわゆるプレチルト角を与えること、換言すれば配向規制力を大きくするという方法が提案され、また実際に採用されている。
【０００８】
しかし、配向規制力を極力大きくしてプレチルト角を大きくすると、いわゆる垂直配向型の液晶表示素子ではコントラスト比（特性）の低下を招く虞がある。
【０００９】
そこで、そのようなディスクリネーションの抑制とコントラスト特性低下の回避とを両立させるために、横方向電界の影響を受けやすいＴＦＴ基板側の配向膜ではプレチルト角を大きくし、対向基板側の配向膜では僅かなプレチルト角とするという手法が考案されている（特許文献１）。
【特許文献１】特開平１０−１６１１２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記のような従来の手法では、透過型の液晶ライトバルブに一般的に適用されているような、１ライン反転駆動方式などの強い横方向電界が発生しやすい傾向にある駆動方式の液晶表示素子の場合には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板側に一様に大きなプレチルト角を与えてもなお、ディスクリネーションが発生してしまう場合があるという問題がある。
【００１１】
また、そのような強い横方向電界が発生しやすい、隣り合った画素どうしの間の領域をＴＦＴ基板に設けた遮光帯によって覆い隠すことでディスクリネーションが視認されないようにする、という手法が有効であるようにも考えられるが、この手法でもなお、ＴＦＴ基板側に大きなプレチルト角を与えていることには変りないので、上記のような従来の手法と同様に、コントラスト比の低下が発生することについては回避することができないという問題がある。
【００１２】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、ディスクリネーションの発生に起因した表示欠陥や画質低下を抑制すると共にコントラスト特性の低下を回避して、高い表示品位と良好なコントラスト特性とを両立することを可能とした液晶表示素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明による液晶表示素子は、一対の基板のうちの一方の基板上にはマトリクス状に配置された複数の画素電極と、それら複数の画素電極をそれぞれ駆動する複数のスイッチング手段と、それら複数のスイッチング手段にそれぞれ接続された複数のデータ線および複数の走査線とが設けられ、一対の基板のうちの他方の基板上には対向電極が設けられ、それら一対の基板のうち少なくとも画素電極が設けられた一方の基板の有効表示領域には配向膜が設けられており、その配向膜は、個々の画素電極の周縁領域における、基板法線と液晶分子のダイレクタとのなす角であるプレチルト角が、その周縁領域よりも内側の領域におけるプレチルト角よりも大きい角度に設定されている。
【００１４】
本発明による液晶表示素子では、隣り合う画素電極どうしの間の横方向電界に起因してディスクリネーションが発生しやすい、個々の画素電極の周縁領域（画素電極の周縁部の所定の幅の領域）の配向膜によるプレチルト角を、そのような周縁領域よりも内側の領域すなわち画像表示に最も重大に関与する領域の配向膜によるプレチルト角よりも大きい角度に配向規制（制御）することで、周縁領域では大きなプレチルト角によって、ディスクリネーションの発生に起因した表示欠陥や画質低下が抑制され、かつそのような周縁領域よりも内側の領域では小さなプレチルト角によって、画像表示のコントラスト特性の低下が回避される。
【００１５】
なお、上記の配向膜は、個々の画素電極の周縁領域における配向規制力が、内側の領域における配向規制力よりも強い規制力となるように設定することで、上記のように周縁領域のプレチルト角を、それよりも内側の領域におけるプレチルト角よりも大きい角度とするようにしてもよい。また、内側の領域には第１の配向膜を形成し、周縁領域には第１の配向膜よりも強い配向規制力を備えた第２の配向膜を形成してもよい。あるいは、第１の配向膜と第２の配向膜とで互いに膜厚を異ならせることによって、第２の配向膜の配向規制力を第１の配向膜の配向規制力よりも強い規制力とするようにしてもよい。また、内側の領域では第２の配向膜の上に第１の配向膜を積層して第１の配向膜が液晶層に対面するようにし、周縁領域では第２の配向膜を液晶層に対面するように設定することなども可能である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の液晶表示素子によれば、隣り合う画素電極どうしの間の横方向電界に起因してディスクリネーションが発生しやすい、個々の画素電極の周縁領域（画素電極の周縁部の所定の幅の領域）の配向膜によるプレチルト角を、そのような周縁領域よりも内側の領域すなわち画像表示に最も重大に関与する領域の配向膜によるプレチルト角よりも大きい角度に設定することで、周縁領域では大きなプレチルト角によって、ディスクリネーションの発生に起因した表示欠陥や画質低下が抑制され、かつそのような周縁領域よりも内側の領域では小さなプレチルト角によって、画像表示のコントラスト特性の低下が回避されるようにしたので、ディスクリネーションの発生に起因した表示欠陥や画質低下を抑制すると共にコントラスト特性の低下を回避して、高い表示品位と良好なコントラスト特性とを両立することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本発明の一実施の形態に係る液晶表示素子の概要構成を表したものである。なお、図示の繁雑化を避けるために、以下の説明では、いわゆるＴＦＴ基板における走査線、信号線、ＴＦＴスイッチング素子など、配向膜およびそのプレチルト角ならびに配向規制力に対して直接的な関係性の低い部位の詳細な説明については省略または簡略化する。
【００１９】
この液晶表示素子は、互いに対向して配置されシール材にて周囲をシールされた、一対のＴＦＴ基板１００と対向電極基板２００との間（セルギャップ）に液晶層３００を挟持してなるものである。
【００２０】
図２に示したように、対向電極基板２００には、ガラス基板２１０の表面に、有効表示領域の表面ほぼ全面に亘って対向電極２０１が設けられている。ＴＦＴ基板１００には、ガラス基板１１０の表面に、マトリクス状に配置された複数の画素電極１０１、それら複数の画素電極１０１をそれぞれ駆動するゲート１０２・ソース１０３・ドレイン１０４等を備えた複数のＴＦＴスイッチング素子１０５、それら複数のＴＦＴスイッチング素子１０５にそれぞれ接続された複数の信号線１０５および複数の走査線１０６、いわゆる蓄積容量を形成するための画素電位容量誘電体層１０７、平坦化層１０８等が設けられている。
【００２１】
また、ＴＦＴ基板１００側では、個々の画素電極１０１の周縁領域におけるプレチルト角θ２が、その周縁領域よりも内側の領域（これを内側領域と呼ぶこととする）におけるプレチルト角θ１よりも大きい角度となっている。ここで言う「プレチルト角」とは、基板の法線方向と液晶分子３０１のダイレクタとのなす角であるものとする（図１にθ１，θ２として示した）。
【００２２】
さらに具体的には、ＴＦＴ基板１００側では、内側領域には、第２の配向膜２の上に第１の配向膜１が積層されて、その第１の配向膜１が液晶層３００に対面し、第１の配向膜１による配向規制力ではディスクリネーションが発生する虞の高い周縁領域には、ガラス基板１１０の表面上に直接的に第２の配向膜２が形成されて、その第２の配向膜２が液晶層３００に対面して、液晶分子３０１を第１の配向膜１によるプレチルト角θ１よりも大きなプレチルト角θ２で配向規制するように設定されている。
【００２３】
また、対向電極基板２００側でも同様に、ＴＦＴ基板１００の個々の画素電極１０１の内側領域と正対する領域では、第２の配向膜２の上に第１の配向膜１が積層されて、その第１の配向膜１が液晶層３００に対面し、周縁領域と正対する領域では、ガラス基板２１０の表面上に直接的に第２の配向膜２が形成されて、その第２の配向膜２が液晶層３００に対面するように設定されている。
【００２４】
これら第１の配向膜１および第２の配向膜２は、いわゆる無機斜方蒸着膜からなるものである。
【００２５】
周縁領域に形成された第２の配向膜２は、内側領域に形成された第１の配向膜１よりも強い配向規制力を備えている。これによって、個々の画素電極１０１の周縁領域における配向規制力が、周縁領域よりも内側で主に画像表示に関与する内側領域における配向規制力よりも強い規制力となって、周縁領域におけるプレチルト角θ２が内側領域におけるプレチルト角θ１よりも大きな角度となる。すなわち、第１の配向膜１によって液晶層３００の液晶分子３０１に付与されるプレチルト角θ１と、第２の配向膜２によって液晶層３００の液晶分子３０１に付与されるプレチルト角θ２との間に、θ１＜θ２の関係が成り立つことになる。
【００２６】
そのような配向規制力の強弱（延いてはプレチルト角の大小）は、第２の配向膜２の膜厚の方が第１の配向膜１の膜厚よりも薄く形成されていることによって実現されている。すなわち、図１に示したように、第１の配向膜１の膜厚をｄ１とし、第２の配向膜２の膜厚をｄ２とすると、ｄ１＞ｄ２となっている。
【００２７】
そして、ＴＦＴ基板１００には、隣り合う画素電極１０１どうしの間の領域を覆う遮光帯１１１が設けられており、周縁領域の内周寄りの一部分が遮光帯１１１で覆われずに露出するように設定されている。すなわち、遮光帯１１１は、各画素電極１０１の外周端から内側に延伸して設けられて、その画素電極１０１の周縁と部分的にオーバーラップするように設けられているが、図１に示したように、その遮光帯１１１がオーバーラップする幅をＷＢとし、第２の配向膜２の幅をＷ１とすると、Ｗ１＞ＷＢとなっている。
【００２８】
次に、本実施の形態の液晶表示素子における作用について説明する。
【００２９】
図２に一例を示したような構成の、いわゆるＴＦＴアクティブマトリックス型の液晶表示素子では、一般に、微細なＴＦＴスイッチング素子１０５や信号線１０５や走査線１０６等が高密度に作り込まれて、極めて高精細な画素配列となるので、隣り合う画素電極１０１どうしの間が数μｍと極めて狭い。このため、隣り合う画素電極１０１どうしの間には横方向電界が生じ、これに起因してディスクリネーション（配向不良）が発生しやすくなる。
【００３０】
そこで、本実施の形態の液晶表示素子では、各画素電極１０１の周縁領域でのディスクリネーションの発生を抑制するために、各画素電極１０１の周縁領域には、配向規制力の強い第２の配向膜２を配置することで、液晶分子３０１のプレチルト角θ２を大きくしている。
【００３１】
他方、周縁領域よりも内側、換言すれば画素電極１０１の中央寄りで画像表示に関与する主要な領域では、垂直配向型の無機斜方蒸着膜を配向膜として備えた液晶表示素子が本来備えている筈の高いコントラスト比（良好なコントラスト特性）の低下を回避するために、周縁領域に配置された第２の配向膜２よりも配向規制力の弱い第１の配向膜１を配置することで、液晶分子３０１のプレチルト角θ１を小さくしている。
【００３２】
その結果、ディスクリネーションの発生を抑制することが可能となると共に、高いコントラスト比の画像表示が実現可能となる。
【００３３】
図３，図４は、第１の配向膜１および第２の配向膜２の形成プロセスの主要な流れを表したものである。
【００３４】
まず、第１の配向膜１および第２の配向膜２を形成する以前の状態のＴＦＴ基板１００または対向電極基板２００を（図３のＡ）、基板法線方向からφ傾けた角度に保ちながら、その表面にＳｉＯ2膜を蒸着することで、第２の配向膜２を成膜する（図３のＢ）。
【００３５】
続いて、パターニングマスク４００等を用いたフォトリソグラフィ法によって（図３のＤ）、画素電極１０１上で第２の配向膜２の周縁部を幅Ｗ１に亘ってフォトレジスト４０１で被覆して（図３のＣ〜図４のＡ）、ＳｉＯ２を蒸着する（図４のＢ）。そしてフォトレジスト４０１を剥離して、第１の配向膜１を形成する（図４のＣ）。
【００３６】
そして、ＴＦＴ基板１００と対向電極基板２００とを対向配置し、スペーサ（図示省略）を包含したシール剤（図示省略）によって両基板を接着して、その両基板の対向してなる空間（セルギャップ）内に液晶層３００を注入・封止することにより、図２に示したような液晶表示素子が完成する。
【００３７】
実施例として、上記の製造プロセスによって作製される液晶表示素子の仕様として、露出幅Ｗ１をオーバーラップの幅ＷＢよりも大きくし、第１の配向膜１によって付与されるプレチルト角θ１を２°に固定しながら、第２の配向膜２によって付与されるプレチルト角θ１を８°から１４°まで変化させた場合の各々について、そのディスクリネーションの変化およびコントラスト比のシミュレーションを行った。
【００３８】
また、比較例として、第１の配向膜１を設けずに、有効表示領域のほぼ全面に第２の配向膜２のみを設けた場合の、ディスクリネーションの変化およびコントラスト比についても、シミュレーションにより求めた。
【００３９】
その結果、図５に示したように、上記の各実施例の液晶表示素子の場合には、コントラスト比を低下させることなく、ディスクリネーションをＴＦＴ基板１００の遮光帯１１１に隠せるほどに小さなもの以下にまで抑制ないし解消することができ、その結果、表示品位の劣化を防ぐことに成功していることが確認できた。他方、図６に示したように、上記の比較例の場合には、ディスクリネーションは遮光帯１１１で隠すことができないほど大きく顕著なものとなり、遮光帯１１１から画素電極１０１の画像表示内にまで延展して、顕著に視認されてしまう状態となることが確認された。
【００４０】
また、例えば特開平１０−１６１１２７号公報にて開示されたような従来の手法による液晶表示装置におけるディスクリネーションの発生とコントラスト比とプレチルト角との関係についてもシミュレーションを行った。
【００４１】
その結果、図７に示したように、本実施例の液晶表示素子によれば、周縁領域での第２の配向膜２による大きなプレチルト角の付与と、内側領域での第１の配向膜１による小さなプレチルト角の付与とにより、ディスクリネーションの抑制と高コントラスト比の達成（コントラスト特性の低下の回避）とを共に実現できることが確認された。
【００４２】
他方、図８に示したように、先行技術として特開平１０−１６１１２７号公報にて開示された液晶表示装置の場合には、ディスクリネーションは遮光帯１１１で隠すことができないほど大きく、遮光帯１１１から画素電極１０１の画像表示内にまで展開して顕著に視認されてしまう状態となることが確認された。
【００４３】
ここで、上記の実施例では、第２の配向膜２として基板法線方向から５０°の角度で蒸着してなる無機斜方蒸着膜を用いているが、この場合、ディスクリネーションの低減には、プレチルト角θ２を、θ２≧８°とすることが望ましい。そしてそのようなプレチルト角θ２を液晶分子３０１に付与するためには、第２の配向膜２の膜厚ｄ２を、ｄ２≦７０［ｎｍ］とする。
【００４４】
また、コントラスト特性に着目すると、θ１は内側領域にランダムなディスクリネーションが発生しない範囲内で、可能な限り小さくすることが望ましい。上記の実施例の場合には、θ１≦６°とすることが望ましい。そしてそのようなプレチルト角θ１を液晶分子３０１に付与するためには、図９に示した膜厚ｄとプレチルト角θとの相関関係に基づいて、第１の配向膜１の膜厚ｄ１を、１００［ｎｍ］≦ｄ１とすればよいことが分かる。但し、より実際的には、プレチルト角θ１は２５０［ｎｍ］の膜厚でほぼθ１＝０となるので、１００［ｎｍ］≦ｄ１≦２５０［ｎｍ］とすることが望ましい。
【００４５】
以上のように、本実施の形態に係る液晶表示素子では、無機配向膜を用いることにより、液晶表示素子の耐光性、耐熱性を向上させることができる。
【００４６】
また、横方向電界の発生する確率の高い周縁領域でのプレチルト角を大きくすることによってディスクリネーションの発生を抑制し、かつ画像表示に主要に関与する内側領域でのプレチルト角を大きくすることによってコントラスト比の低下や残像等の表示特性の悪化を回避することができる。更に、斜方蒸着膜の膜厚によってプレチルト角を制御するようにしたので、製造プロセスにおける水晶振動子などによる蒸着膜厚管理によってプレチルト角を制御することができるようになり、その結果、得られる配向膜の配向特性の安定化が達成出来る。
【００４７】
以上説明したような本実施の形態に係る液晶表示素子は、例えば光源と、ライトバルブと、そのライトバルブによって変調された光を投射面に拡大投影する拡大投影光学系とを有する投射型表示装置に組み込まれて、そのライトバルブとして好適に用いられることなどが可能である。
【００４８】
なお、上記の実施の形態では、第１の配向膜１および第２の配向膜２の膜厚によってプレチルト角を制御するようにした場合について説明したが、蒸着角度を変えることによってプレチルト角を制御するようにしてもよい。
【００４９】
また、内側領域では第１の配向膜１と第２の配向膜２とをそれら合計で２段に積層するようにしたが、さらに緩やかに膜厚が変化するように、膜厚の異なる３段以上の多層に配向膜を積層して多段の段差を設けるようにしてもよい。更に、上記の実施の形態では、プレチルト角を付与する配向膜としてはＳｉＯ2を斜方蒸着法によって成膜する手法を採用した場合について説明したが、最も一般的に用いられている有機配向膜であるポリイミド高分子膜をラビング処理してなる配向膜などにも、本実施の形態で説明したような手法は適用可能である。但しその場合には、例えば周縁領域と内側領域とでラビング強度を変えることでプレチルト角を制御することが可能である。
【００５０】
また、上記の実施の形態で説明した手法は、透過方式の液晶表示素子以外にも、反射方式の垂直配向型の液晶表示素子などにも適用可能であることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明の液晶表示素子は、例えば液晶プロジェクタのライトバルブとして利用されるような、無機配向膜を有する透過型の液晶表示パネルとして用いることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施の形態に係る液晶表示素子の概要構成を表した図である。
【図２】第１の配向膜および第２の配向膜を形成してなる透過方式の液晶表示素子の１画素分の構造を表した断面図である。
【図３】第１の配向膜および第２の配向膜の形成プロセスの主要な流れを表した図である。
【図４】図３に引き続いて第１の配向膜および第２の配向膜の形成プロセスの主要な流れを表した図である。
【図５】各実施例の液晶表示素子の場合のディスクリネーション発生についてのシミュレーション結果を表した図である。
【図６】比較例の液晶表示素子の場合のディスクリネーション発生についてのシミュレーション結果を表した図である。
【図７】実施例と先行技術とでの、ディスクリネーションの発生とコントラスト比とプレチルト角との関係性についてを表した図である。
【図８】先行技術による液晶表示素子の場合のディスクリネーション発生についてのシミュレーション結果を表した図である。
【図９】膜厚ｄとプレチルト角θとの相関関係を表した図である。
【符号の説明】
【００５３】
１…第１の配向膜、２…第２の配向膜、１００…ＴＦＴ基板、１０１…画素電極、１１１…遮光帯、２００…対向電極基板、３００…液晶層、３０１…液晶分子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2005107373.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005107373.tif 000009
【図８】
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【図９】
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