(57)【要約】【課題】  無電解めっき方法により均一かつ密着性よく欠陥のない導電被膜を形成した光ディスク用原盤を製造する光ディスク用原盤製造方法及び該方法で製造される光ディスク用原盤、該光ディスク用原盤を用いた光ディスク用スタンパ製造方法及び該方法で製造される光ディスク用スタンパ並びに該光ディスク用スタンパを用いて製造された光ディスク用基板を提供する。【解決手段】  現像及び洗浄された原盤に導電被膜形成処理を行う。本処理では、現像処理後の原盤に図４のフロー図に示す導電性被膜形成処理に従って原盤表面親水化処理、感受性化処理、第１の活性化処理、第２の活性化処理、無電解酸化亜鉛めっき処理、無電解ニッケルめっき処理を順に行うことにより原盤３の情報パタン面側にニッケルの導電皮膜を形成する。【選択図】    図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を研磨してフォトレジストを塗布し、露光及び現像して情報パタンを形成した原盤表面に導電被膜形成処理を行い光ディスク用原盤を製造する光ディスク用原盤製造方法であって、
前記導電被膜形成処理において、情報パタンを形成した原盤表面を親水化し、親水化した原盤表面にスズイオンを吸着させ、スズイオンを吸着させた原盤表面に銀の触媒核を形成し、銀の触媒核を形成した原盤表面にパラジウムの触媒核を形成し、パラジウムの触媒核を形成した原盤表面に無電解めっきにより酸化亜鉛被膜を形成し、酸化亜鉛被膜を形成した原盤表面に無電解めっきによりニッケル被膜を形成することを特徴とする光ディスク用原盤製造方法。
【請求項２】
前記原盤は、情報パタンを形成する原盤表面の周囲を面取りされており、
情報パタンを形成する原盤表面と面取りされた領域とにのみ前記導電被膜形成処理を行う請求項１に記載の光ディスク用原盤製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の光ディスク用原盤製造方法により製造された光ディスク用原盤。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の光ディスク用原盤製造方法により光ディスク用原盤を製造し、
前記光ディスク用原盤のニッケル被膜を形成した表面にニッケルを積層して情報パタンを転写したニッケル盤を形成し、
形成されたニッケル盤を前記光ディスク用原盤から剥離し、
剥離されたニッケル盤の酸化亜鉛被膜を除去し、
酸化亜鉛被膜を除去したニッケル盤の情報パタンが転写された面の裏面を研磨し、
研磨された前記ニッケル盤の内外径を加工して光ディスク用スタンパを製造する光ディスク用スタンパ製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の光ディスク用スタンパ製造方法により製造された光ディスク用スタンパ。
【請求項６】
請求項５に記載の光ディスク用スタンパを用いて製造された光ディスク用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光ディスク用原盤製造方法及び該方法で製造される光ディスク用原盤、光ディスク用スタンパ製造方法及び該方法で製造される光ディスク用スタンパ並びに該光ディスク用スタンパを用いて製造された光ディスク用基板に関し、半導体プロセスにおける微細パタン形成方法にも応用できる。
【背景技術】
【０００２】
光ディスク用原盤にはスパイラル状又は同心円上に、トラッキング用やデータ記録再生用の微細溝パタンが予め形成されている。これらの微細溝パタンは、原盤となるガラス板、金属板、シリコンウエハ等の基板上にフォトレジスト層を形成し、原盤露光装置を用いて形成する微細溝パタンに応じてレーザービームを強度変調しながら対物レンズで収束してフォトレジスト層を露光した後現像して形成される。
【０００３】
微細溝パタンが形成された光ディスク用原盤の表面に導電皮膜を形成し、その上にニッケル電鋳によりニッケル層を約３００μｍ程度積層させて剥離し、内外径を加工して裏面研磨して光ディスク用スタンパを製造する。スタンパから射出成形等の手段により光ディスク用基板を製造する。
【０００４】
光ディスク用原盤の表面に導電皮膜を形成する方法としては、蒸着またはスパッタリングによる方法や無電解めっきによる方法が知られている。蒸着またはスパッタリングによる方法として、特許文献１及び特許文献２で提案されている方法が知られており。無電解めっきによる方法として、特許文献３、特許文献４、特許文献５で提案されている方法が知られている。
【０００５】
特許文献１には、現像したフォトレジスト層上にめっき材料と異種の金属薄膜を導電膜として蒸着等により形成し、金属薄膜上にニッケル（Ｎｉ）でめっきして剥離した後金属薄膜をエッチング等で除去する方法が提案されている。特許文献２は、現像したフォトレジスト層上に銀（Ａｇ）薄膜、ＮｉまたはＮｉ合金の薄膜を順に形成した後、Ｎｉでめっきして剥離した後Ａｇを除去する方法を提案し、Ａｇ薄膜及びＮｉまたはＮｉ合金の薄膜の膜厚を５０Åから１００Åに規定してＡｇの変色を防いで剥離性を良好にしている。
【０００６】
特許文献１や特許文献２のように蒸着法を用いると、光ディスク基板として必要とされる面積にわたって膜厚及び膜質を均一に形成するためには、装置が大がかりとなりコストアップとなる。さらに、蒸着法やスパッタ法では、溝パタン側面に導電皮膜を積層させることが難しく導電皮膜を均一に形成できず、後のニッケル電鋳時に溝パタン形状を忠実に転写できない。
【０００７】
無電解めっきによれば、装置等にかかる投資はスパッタリングと比較して圧倒的に小さく済み、めっきの金属粒子はフォトレジストに沿って乗りながら積層するためフォトレジストの奥に刺さり込むこともなく、後のスタンパ洗浄が容易である。一方、無電解めっきでは、フォトレジスト層を侵すことなく密着性を得ることが難しく、フォトレジスト層を侵すとニッケル電鋳時に膨れや剥がれ欠陥が発生する。
【０００８】
特許文献３では、導電皮膜を形成する方法に無電解めっき方法を採用し、無電解めっき前に原盤表面を側鎖に第４級アンモニウム塩残基及びエチレングリコール鎖残基を有する共重合体で処理することによって、原盤表面に触媒核を良好に形成させて無電解めっきを良好に行うことにより、良好なスタンパを製造する方法が提案されている。
【０００９】
特許文献４では、導電皮膜を形成する方法に無電解めっき方法を採用し、スピンコート法を用い、無電解めっき前に原盤表面をマイナス電荷中和剤で処理し、次いでスズ−パラジウム系処理剤で処理し、さらに促進剤でスズ成分を除去してから無電解めっき処理を行うことにより、良好なスタンパを製造する方法が提案されている。
【００１０】
特許文献３または特許文献４で提案されているような導電被膜を形成する方法では、被めっき物表面の濡れ性は高まる。一方、特許文献３のようにスズ感受性化からパラジウム活性化を行ったり、特許文献４のようにスズ−パラジウムコロイド処理を行うと、パラジウム触媒核が凝集して偏在するため、均一で欠陥のない無電解めっき被膜を得ることが難しく、無電解めっき被膜の密着力が弱くなり後のニッケル電鋳時に剥離欠陥を起こし、無電解めっき被膜の表面が粗くなり信号ノイズを悪化させる。
【００１１】
特許文献５には、樹脂材料表面に波長３５０ｎｍ以下の紫外線を照射して界面活性剤を吸着させることにより無電解めっきの密着力を向上させる無電解めっき方法が提案されている。フォトレジストのような感光性樹脂は紫外線に対する反応性が非常に高いため、特許文献５の無電解めっき方法を用いると、形成された微細パタンが紫外線照射により崩れる。
【特許文献１】特公平６−４８５５１号公報
【特許文献２】特許第２６４６５３３号公報
【特許文献３】特開平８−２８３９５０号公報
【特許文献４】特開平９−１０９２７６号公報
【特許文献５】特開平１０−３１０８７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、無電解めっき方法により均一かつ密着性よく欠陥のない導電被膜を形成した光ディスク用原盤を製造する光ディスク用原盤製造方法及び該方法で製造される光ディスク用原盤、該光ディスク用原盤を用いた光ディスク用スタンパ製造方法及び該方法で製造される光ディスク用スタンパ並びに該光ディスク用スタンパを用いて製造された光ディスク用基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１の光ディスク用原盤製造方法は、表面を研磨してフォトレジストを塗布し、露光及び現像して情報パタンを形成した原盤表面に導電被膜形成処理を行い光ディスク用原盤を製造する光ディスク用原盤製造方法であって、導電被膜形成処理において、情報パタンを形成した原盤表面を親水化し、親水化した原盤表面にスズイオンを吸着させ、スズイオンを吸着させた原盤表面に銀の触媒核を形成し、銀の触媒核を形成した原盤表面にパラジウムの触媒核を形成し、パラジウムの触媒核を形成した原盤表面に無電解めっきにより酸化亜鉛被膜を形成し、酸化亜鉛被膜を形成した原盤表面に無電解めっきによりニッケル被膜を形成する。さらに、本発明の第２の光ディスク用原盤製造方法において原盤は、情報パタンを形成する原盤表面の周囲を面取りされており、情報パタンを形成する原盤表面と面取りされた領域とにのみ導電被膜形成処理を行うとよい。また、本発明の光ディスク用原盤は、上記第１の光ディスク用原盤製造方法または第２の光ディスク用原盤製造方法により製造される。
【００１４】
本発明の光ディスク用スタンパ製造方法は、上記第１の光ディスク用原盤製造方法または第２の光ディスク用原盤製造方法により製造され、光ディスク用原盤のニッケル被膜を形成した表面にニッケルを積層して情報パタンを転写したニッケル盤を形成し、形成されたニッケル盤を光ディスク用原盤から剥離し、剥離されたニッケル盤の酸化亜鉛被膜を除去し、酸化亜鉛被膜を除去したニッケル盤の情報パタンが転写された面の裏面を研磨し、研磨されたニッケル盤の内外径を加工して光ディスク用スタンパを製造する。また、本発明の光ディスク用スタンパは上記光ディスク用スタンパ製造方法により製造される。また、本発明の光ディスク用基板は上記光ディスク用スタンパを用いて製造される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の第１の光ディスク用原盤製造方法によれば、原盤表面に形成された微細溝パタンを損なうことなく、抜け、欠陥、凝集突起等のない均一な導電被膜を低コストで形成し、さらに原盤に対する密着力が高く電鋳時の剥離欠陥を防ぐことができる導電被膜を形成した光ディスク用原盤を製造できる。
【００１６】
本発明の第２の光ディスク用原盤製造方法によれば、電鋳時に無電解めっきが裏面にまで回り込まず均一性良好にめっき膜厚を制御された光ディスク用原盤を製造できる。
【００１７】
本発明の光ディスク用原盤は、上記第１の光ディスク用原盤製造方法または第２の光ディスク用原盤製造方法により原盤表面に形成された微細溝パタンを損なうことなく、抜け、欠陥、凝集突起等のない均一な導電被膜が形成され、さらに原盤に対する密着力が高く電鋳時の剥離欠陥を防ぐことができる導電被膜が形成されているため、これを用いて高い寸法精度で低コスト及び低欠陥の光ディスク用スタンパ、光ディスク用基板、光ディスクを製造でき、さらに信号ノイズの小さい光ディスクを製造できる。
【００１８】
本発明の光ディスク用スタンパ製造方法によれば、第１の光ディスク用原盤製造方法または第２の光ディスク用原盤製造方法により、原盤表面に形成された微細溝パタンを損なうことなく、抜け、欠陥、凝集突起等のない均一な導電被膜を低コストで形成し、さらに原盤に対する密着力が高く電鋳時の剥離欠陥を防ぐことができる導電被膜を形成した光ディスク用原盤を用いて高い寸法精度で低コスト及び低欠陥の光ディスク用スタンパを製造でき、もろくて耐久性に劣るスタンパ上の酸化亜鉛被膜を薬剤によって除去しているため、高い耐久性のスタンパを得ることができる。
【００１９】
本発明の光ディスク用スタンパは、上記光ディスク用スタンパ製造方法により高い寸法精度で低コスト及び低欠陥で製造されているため、これを用いて高い寸法精度で低コスト及び低欠陥の光ディスク用基板、光ディスクを製造でき、さらに信号ノイズの小さい光ディスクを製造できる。
【００２０】
本発明の光ディスク用基板は、上記光ディスク用スタンパを用いて高い寸法精度で低コスト及び低欠陥で製造されているため、これを用いて高い寸法精度で低コスト及び低欠陥、低信号ノイズの光ディスクを製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１のフロー図に示す光ディスク作成方法に従って、原盤洗浄、フォトレジスト層塗布、露光、現像・洗浄、導電皮膜形成、ニッケル電鋳、スタンパ剥離、酸化亜鉛被膜除去、マスタスタンパ化、基板成形を行うことにより原盤から光ディスクを作成する。
【００２２】
原盤材料には一般的な研磨ガラス板を用いるが、金属やシリコン等を研磨したものを用いてもよい。なお、ガラス板は、薄すぎるとニッケル電鋳時に内部応力によりガラス板が反り、厚すぎると重くなり作業性に支障を来すため、１ｍｍ〜１０ｍｍの間の厚さが望ましい。原盤のフォトレジストを塗布して微細パタンを形成する面側（情報パタン面側）の外周部を面取りしておく。面取りにより、洗浄時やフォトレジスト塗布時の回転で外周に運ばれた液体がスムーズに振り切られるため、引き戻しにより膜厚が変動したり、跳ね返りにより汚染されることを防ぐことができる。面取りのサイズは原盤の厚さに対して２割から４割程度が良く、例えば、厚さ６ｍｍのガラス原盤に対しＣ２の面取りを行う。
【００２３】
まず、ガラス板に原盤洗浄を行う（ステップＳ１０）。ガラス板をＵＶ／Ｏ3と呼ばれる紫外線オゾン処理装置で約２分間表面処理して表面を親水化するとともに、ガラス板表面の有機物を除去して表面に酸化皮膜を形成する。これにより、ガラス板に対する水溶性樹脂の濡れ性（親水性）が向上し、水溶性樹脂の膜厚を均一化できるとともに、水溶性樹脂とガラス板の密着性を強められる。表面処理は、水に対する濡れ性が向上できればオゾン処理以外の方法を用いてもよい。例えば、イソプロピルアルコールなどの溶剤で表面を洗浄して有機物を除去した後、純水で十分に洗浄することでガラス表面を親水性に置換できる。有機物の除去性に優れている点や、薬品を使わない等、環境への影響、コスト、作業性の点でＵＶ／Ｏ3処理を用いることが望ましい。ガラス板表面に浮いた不純物を高圧純水シャワーや超音波を印加した純水シャワーで完全に洗浄除去し、高速回転振り切り及びＮ2ブローで乾燥させる。
【００２４】
原盤洗浄後のガラス板にフォトレジスト層塗布を行う（ステップＳ１１）。本処理では、図２（ａ）に示すようなガラス板１１の情報パタン面側にフォトレジストをスピンコートして加熱乾燥及び冷却し、フォトレジスト層１２を形成する。加熱条件は、オーブンで９０℃〜１３０℃、３０分〜１時間である。高密度記録が必要な場合、フォトレジスト材料には短波長紫外線露光用の高解像度タイプが適する。フォトレジスト層１２の膜厚は、要求される光ディスクメディアのパタン深さと同等となるように調整する。
【００２５】
図３に示す光学系２０をもつ露光装置を用い、フォトレジスト層塗布後の原盤１を搭載したターンテーブル２１を回転モータ２２で回転させ、回転モータ２２を搭載したスライダ２３で横送りしながらレーザ光源２４から出射した紫外線または青紫色のレーザ光３０をスタビライザ２５と変調器２６と偏向器２７とミラー２８と対物レンズ２９とを通過させて露光し（ステップＳ１２）、フォトレジスト層１２に図２（ｂ）に示すようなスパイラル状の潜像１３を形成する。露光光量を調整してフォトレジスト層１２に形成するパタン幅を制御する。スタンパに要求されるパタン幅に、導電性被膜形成処理で形成する酸化亜鉛被膜の厚さの２倍分だけ予め加えたパタン幅に制御して露光することにより、後に酸化亜鉛皮膜を除去して凹凸逆転したスタンパを形成した時に所望の溝幅が得られる。
【００２６】
露光された原盤２をアルカリ性の現像液で現像し、露光されて潜像１３が形成されたフォトレジストを除去し、純水で洗浄して高速回転で振り切り乾燥し（ステップＳ１３）、図２（ｃ）に示すようなパタンのフォトレジスト層１４を形成する。露光後できるだけ速やかに導電被膜形成を行うのが望ましく、導電性被膜形成処理まで時間があく場合には、乾燥した窒素やアルゴン等の不活性ガス中、または、減圧して真空に近い雰囲気中に露光されて微細パタンが形成された原盤３を保管することにより、大気中に放置して水分や酸素により原盤３の表面が侵されて劣化したり親水性が低下することを防止できる。
【００２７】
現像及び洗浄された原盤３に導電被膜形成処理を行う（ステップＳ１４）。本処理では、現像処理後の原盤３に図４のフロー図に示す導電性被膜形成処理に従って原盤表面親水化処理、感受性化処理、第１の活性化処理、第２の活性化処理、無電解酸化亜鉛めっき処理、無電解ニッケルめっき処理を順に行うことにより原盤３の情報パタン面側にニッケルの導電皮膜を形成する。
【００２８】
導電性被膜形成処理では途中の水洗を含めて、図５の処理装置に示すようにチャック治具３１に搭載した原盤３を矢印の方向に回転させながら、原盤３の上方に設置した液吐出ノズル３２を移動範囲３３を移動させながら各処理液を吐出させる。原盤３を回転させるのは原盤表面親水化処理、純水洗浄（水洗）、振り切り乾燥の時のみとし、感受性化処理、第１の活性化処理、第２の活性化処理、無電解酸化亜鉛めっき処理、無電解ニッケルめっき処理の時には回転を停止させ、処理液の流れにより反応が阻害されることを防止する。
【００２９】
チャック治具３１の原盤３を搭載する面は図６（ａ）の断面図に示すように原盤３とほぼ同等の半径をもち、最外周部に近い部分にオーリング等のシール部材３４を設置する。これにより導電皮膜は、原盤３の情報パタン形成面及び面取り部のみに形成されて原盤３の裏面に形成されないため、次の電鋳時に原盤３の裏面に回り込んだ電鋳液により原盤３の裏面に電鋳されることを防止でき、めっき膜厚を容易にコントロールできる。
【００３０】
導電性被膜形成処理では、まず、無電解めっきの前処理の初期段階において原盤３を脱脂洗浄及びエッチングすることなく原盤３の表面の親水性及びめっき密着性を向上させる原盤表面親水化処理を行う（ステップＳ２０）。薬品には界面活性剤系の湿潤剤、例えば、日鉱メタルプレーティング製のＵＰ−Ｓやワールドメタル製のＮＳ−ＡＰ等を使用する。
【００３１】
一般的に使用される処理液は強アルカリ性や強酸性を示し、かつ室温より高温で使用されるため、図２（ｃ）に示すガラス板１１上に形成されたフォトレジスト層１４を侵して情報パタンを崩す。一方、本実施形態で使用する界面活性剤系の湿潤剤は、弱酸性から弱アルカリ性を示し、かつ室温状態で使用できるため、フォトレジスト層１４を侵さずに原盤３の表面の親水性を向上させ、低発泡性であるため作業性に優れる。その他、タンニン酸はフォトレジスト層１４を侵すことなく原盤３の表面の親水性を向上できる。
【００３２】
原盤表面親水化処理後の原盤３を水洗した後に感受性化処理を行う（ステップＳ２１）。本処理では、塩化第一スズを含有したスズ系処理剤により原盤３の表面に還元剤であるスズイオンを吸着させて、触媒付与のために感受性化する。処理剤として、例えば、上村工業製のＳ−１０Ｘやワールドメタル製のＭＣ−Ｓ等を使用する他、一般試薬の塩化第一スズの水溶液を使用する。
【００３３】
感受性化処理後の原盤３を水洗して第１の活性化処理（第１触媒化処理）を行う（ステップＳ２２）。本処理では、硝酸銀を含有した水溶液により原盤３の表面に銀の触媒核を形成させる。なお、硝酸銀を含有した水溶液の他、市販の硝酸銀系処理液を使用してもよい。
【００３４】
第１の活性化処理後の原盤３を水洗して第２の活性化処理（第２触媒化処理）を行う（ステップＳ２３）。本処理では、塩化パラジウムを含有したパラジウム系処理剤により原盤３の表面にパラジウムの触媒核を形成させる。処理剤として、例えば、上村工業製のＡ−１０Ｘやワールドメタル製のＭＣ−Ａ等を使用する他、一般試薬の塩化パラジウム水溶液も使用できる。
【００３５】
第１の活性化処理と第２の活性化処理との２段階の活性化処理を行うことにより、触媒核を凝集して偏在せずに緻密かつ均一に原盤３の表面に形成できる。感受性化処理から第２の活性化処理までの処理を２回から３回繰り返すことにより、一層緻密かつ均一なパラジウム触媒核を原盤３の表面に形成できる。
【００３６】
第２の活性化処理後に次の無電解酸化亜鉛めっき処理で用いる無電解酸化亜鉛めっき液の液温程度の純水温水を液吐出ノズル３２から３０秒ほど吐出して原盤３を事前に暖めておく。これにより、原盤３にめっき液を滴下して表面に広げる際、めっき液の温度に比べて大幅に温度の低い原盤３と接触しためっき液の急激な温度低下により反応が極端に低下して酸化亜鉛皮膜がムラになることを防止できる。さらに、チャック治具３１にヒーター等の加温手段を設け、第２の活性化処理後の水洗中に加温を開始し、原盤３の温度が無電解酸化亜鉛めっき液の液温程度になったところで水洗を止め、時間を置かずに無電解めっき液を滴下することにより、めっき液が滴下されたときの原盤３の温度低下を防止できる。
【００３７】
第２の活性化処理及び温水洗浄後の原盤３に対して無電解めっき処理により原盤３の表面に酸化亜鉛被膜を形成する無電解酸化亜鉛めっき処理を行う（ステップＳ２４）。酸化亜鉛を析出できるめっき液として、硝酸亜鉛等の亜鉛塩、ジメチルアミンボラン、次亜りん酸ナトリウム等の還元剤、微量のｐＨ緩衝剤等が含有された水溶液を使用できる他、市販の無電解酸化亜鉛用めっき液を使用できる。ただし、ｐＨの高い強アルカリ性水溶液は、フォトレジスト層１４の微細パタンを侵すため、めっき液のｐＨは酸性から弱アルカリ性（ｐＨ値８以下）が望ましい。
【００３８】
無電解めっき処理では図６（ｂ）に示すように、原盤３の外周側面を原盤３の上面（情報パタン面）以上の高さのリング３５で囲い、図６（ｃ）に示すようにリング３５と原盤３とにより形成したごく浅い水槽状の中に無電解めっき液３６を溜め、情報パタン面を完全に無電解めっき液３６に浸らせる。リング３５の材質は無電解めっきが析出しない材質であることが望ましく、例えば、シリコン系またはフッ素樹脂系であれば続けて繰り返し使用できる。図６（ｄ）のリング３５と原盤３との接触部３７の拡大図に示すように、接触部３７は密着性のよい材質であることが望ましく、例えば、シリコンゴム系またはフッ素樹脂ゴム系であれば無電解めっき処理中に無電解めっき液が接触部から漏れることを防止できる。また、リング３５全体を密着性のよい材質で作ってもよい。図６（ｄ）に示すようにリング３５を原盤３の面取り部分の下側寄りに載せることにより、取り外しを容易とし、かつ、無電解めっき液３６のもれを防止できる。
【００３９】
無電解酸化亜鉛めっき処理により図２（ｄ）に示すような酸化亜鉛被膜１５が形成される。酸化亜鉛被膜１５は、密着力向上を目的として形成されるため厚くする必要はなく、また、厚すぎると微細パタン幅の寸法精度を悪化させることから、膜厚を５０Å〜３００Å程度にするのがよい。
【００４０】
原盤３の表面にはパラジウム触媒核を凝集させることなく均一かつ緻密に形成させているため、酸化亜鉛被膜１５は均一かつ原盤との密着力よく形成される。酸化亜鉛皮膜１５の表面の活性度は高く表面を親水性に保つため、表面に無電解ニッケル皮膜を密着力よく形成でき、ニッケル電鋳時における電鋳初期の電流上昇ショックによる被膜剥離の発生を防止できる。
【００４１】
無電解酸化亜鉛めっき処理後の原盤４に対して無電解めっき処理により原盤４の表面にニッケル被膜を形成する無電解ニッケルめっき処理を行う（ステップＳ２５）。無電解ニッケルめっき浴には、フォトレジスト層１４の微細パタンを侵さないようにｐＨが酸性から弱アルカリ性（ｐＨ値が８以下）のめっき液を使用し、一般的な市販のめっき液を使用できる。ニッケル被膜は、薄すぎるとピット等の欠陥を発生しやすく、厚すぎると内部応力によるクラックを発生しやすいため、膜厚を５００Å〜２０００Å程度にするのがよい。無電解ニッケルめっき処理により図２（ｅ）に示すようなニッケル皮膜１６が形成される。
【００４２】
無電解めっき処理は無電解酸化亜鉛めっき処理と同様であり、無電解めっき処理中には原盤３及び原盤４を回転させないことにより、無電解めっき液が遠心力で振り飛ばされることを防止できるとともに、無電解めっき液が動くことによる初期のニッケル析出反応が阻害されることを防止できる。無電解めっきの皮膜膜厚が所望の厚さまで析出したところで、リング３５を取り外して原盤４を回転させながら水洗し、高速回転振り切り及びＮ2ブローにより乾燥させる。
【００４３】
なお、無電解めっきによる導電被膜形成処理は、滴下による方式の他、治具等を用いてガラス板１１の裏面にめっき液が回り込まないようにして浸漬法により行ってもよい。
【００４４】
導電性被膜形成処理の実施例を示す。原盤親水化処理では、日鉱メタルプレーティング製のＵＰ−Ｓの原液を使用して温度２５℃で１分間処理し、その後水洗３０秒を２回行った。感受性化処理では、ワールドメタル製のＭＣ−Ｓを１００ｍＬ／Ｌの割合で純水中に添加した処理液を使用して温度２５℃で１分３０秒間処理し、その後水洗３０秒を行った。第１の活性化処理では、硝酸銀１．５ｇ／Ｌ水溶液中で温度２５℃で１分間処理し、その後水洗３０秒を行った。第２の活性化処理では、ワールドメタル製のＭＣ−Ａを２００ｍＬ／Ｌの割合で純水中に添加した処理液で温度２５℃で１分間処理し、その後水洗３０秒を行った。原盤親水化処理から第２の活性化処理まで３回繰り返し、６０℃の純水温水処理を３０秒して温水洗浄した。無電解酸化亜鉛めっき処理では、硝酸亜鉛３５ｇ／Ｌ、ジメチルアミンボラン８ｇ／Ｌ、ｐＨ=６．０、浴温度６０℃で１０分間処理し、その後６０℃の温水水洗３０秒を行った。無電解ニッケルめっき処理では、ワールドメタル製のリンデン−２００無電解ニッケルめっき浴（Ｎｉ−Ｐタイプ）２００ｍＬ／Ｌ、ｐＨ=６．９、浴温度６０℃で２分３０秒間処理し、その後水洗３０秒を行ってから高速スピン乾燥した。本実施例の条件により、原盤上のフォトレジストパタンを損なうことなくピット等の欠陥なく良好な導電被膜を形成できた。
【００４５】
原盤洗浄（ステップＳ１０）から導電性被膜形成処理（ステップＳ１４）までの工程により光ディスク用原盤５が形成される。
【００４６】
導電皮膜形成処理後の光ディスク用原盤５に導電被膜を陰極としてニッケル電鋳処理し（ステップＳ１５）、図７（ａ）の原盤６に示されるようにニッケル層１７を積層させてスタンパ化する。導電皮膜形成処理後、時間を置かずにニッケル電鋳処理を施すことにより、時間とともに空気中の酸素によって導電被膜の劣化が進み被膜欠陥が出るとともに皮膜表面の親水性が低下することを防止できる。無電解ニッケルめっき処理後１時間以内にニッケル電鋳処理を行うと導電被膜の劣化が起こらず濡れ性も保たれるため望ましい。
【００４７】
光ディスク用原盤５を入槽してから３分間〜５分間０.２Ａ／ｄｍ2未満の弱電流密度で通電して導電皮膜をニッケル電鋳液に馴染ませて濡れ性を向上させ、ピット発生や電鋳時剥離を防ぐことができる。弱通電終了後に通電電流値を上昇させ、最終的に、１２Ａ／ｄｍ2〜２０Ａ／ｄｍ2程度まで電流値を上昇させてから一定に保ち、所定の電鋳膜厚（３００μｍ程度）を得るまで通電を続ける。導電皮膜は光ディスク用原盤５の面取りされた部分にも形成されており、この面取り部分とコンタクトリングの端面とを接触させることにより通電不良を防止し、接触部から電鋳時スタンパ剥離が発生するのを防止できる。また、導電皮膜は光ディスク用原盤５の裏面には形成されておらずニッケル電鋳によりニッケルめっきが余分につかず正確にめっき厚を制御できる。
【００４８】
ニッケル電鋳処理終の原盤６から図７（ｂ）に示すようにスタンパ７を剥離する（ステップＳ１６）。スタンパ７に応力を加わえてスタンパ７を曲げないように注意する。
【００４９】
酸化亜鉛被膜１５はもろく基板形成用スタンパとしての耐久性に劣るため、原盤６から剥離したスタンパ７の情報パタン面側に形成された酸化亜鉛被膜１５を、酸化亜鉛に反応しニッケルに反応しない薬品１８、例えば、塩酸等やりん酸、ＫＯＨやＮａＯＨ等のアルカリ水溶液を用いて図７（ｃ）に示すように除去する（ステップＳ１７）。実施例として、液温４０℃〜５０℃、１０ｗｔ％のＮａＯＨ水溶液中に３０分〜６０分浸漬させて酸化亜鉛皮膜１５を完全に除去した後、純水流水で十分に洗浄することにより、酸化亜鉛皮膜１５やフォトレジスト１４の残さのない低欠陥スタンパが得られた。酸化亜鉛被膜除去液処理に際して超音波を印加してもよい。薬品による湿式プロセスの他、ＲＩＥなどのドライプロセスによるエッチング手段を用いてもよい。
【００５０】
原盤６から剥離して酸化亜鉛被膜１５を除去したスタンパ８の情報パタン面側に、プラスチックコートで保護膜をつけて裏面研磨し、内外径を所望の寸法にプレス加工して図７（ｄ）に示すようなマスタスタンパとしての光ディスク用スタンパ９を形成する（ステップＳ１８）。なお、スタンパ７を原盤６から剥離する前に裏面研磨をしてもよく、この場合は保護膜を付ける必要がない。
【００５１】
裏面研磨された光ディスク用スタンパ９を用いて射出成形により光ディスク基板を成形する（ステップＳ１９）。図８の断面図に示すように接離自在に設けられた金型としての固定金型４１と可動金型４２との接合部に形成されるキャビティ内に光ディスク用スタンパ９を固定し、そのキャビティ内に矢印が示す射出方向４３に溶融樹脂を射出充填し、固定金型４１と可動金型４２とで圧縮した後、固定金型４１と可動金型４２とを分離し、樹脂を冷却固化した後取り出して光ディスク基板を得る。光ディスク基板に、記録層、誘電体層、反射層、保護層等を成膜及び形成して光ディスクが作成される。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】光ディスク作成方法のフロー図である。
【図２】光ディスク用原盤の製造工程における原盤形状を示す図である。
【図３】露光装置の光学系の概略図である。
【図４】導電被膜形成処理のフロー図である。
【図５】導電性被膜形成を行う処理装置の斜視図である。
【図６】原盤を搭載したチャック治具の構造を示す図である。
【図７】光ディスク用スタンパの製造工程における原盤形状を示す図である。
【図８】固定金型及び可動金型の断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１；原盤、２；原盤、３；原盤、４；原盤、５；光ディスク用原盤、６；原盤、
７；スタンパ、８；スタンパ、９；光ディスク用スタンパ、１１；ガラス板、
１２；フォトレジスト層、１３；潜像、１４；フォトレジスト層、１５；酸化亜鉛被膜、
１６；ニッケル被膜、１７；ニッケル層、１８；薬品、２０；光学系、
２１；ターンテーブル、２２；回転モータ、２３；スライダ、２４；レーザ光源、
２５；スタビライザ、２６；変調器、２７；偏向器、２８；ミラー、２９；対物レンズ、
３０；レーザ光、３１；チャック治具、３２；液吐出ノズル、３３；移動範囲、
３４；シール部材、３５；リング、３６；無電解めっき液、３７；接触部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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