(57)【要約】【課題】安定した放電を維持し高い成膜レートでダイヤモンドライクカーボン膜を形成する。【解決手段】排気系を備えた真空槽の中に、不活性ガスによってプラズマ放電を起こすようになされているイオン源２０と、成膜ガス導入機構２とを具備してなり、前記成膜ガス導入機構２は、前記イオン源２０と支持体１との間に配置されてなり、イオン源２０の支持体１に対する対向面２０ａと、成膜ガス導入機構２との間が、１０ｍｍ以上の空隙となされている成膜装置１０を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に、プラズマＣＶＤ法によって膜形成を行う成膜装置であって、
排気系を備えた真空槽の中に、
不活性ガスによってプラズマ放電を起こすようになされているイオン源と、成膜ガス導入機構とを具備してなり、
前記成膜ガス導入機構は、前記イオン源と前記支持体との間に配置されてなり、
前記イオン源の前記支持体に対する対向面と、前記成膜ガス導入機構との間が、１０ｍｍ以上の空隙となされていることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記不活性ガスは、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒの、少なくともいずれかよりなるものであることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記イオン源のイオン励起方式として、グリッド型イオンソース、エンドホール型イオンソース、冷陰極型イオンソースのいずれかを用いることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記成膜ガス導入機構より、炭化水素ガスが供給され、
前記支持体上に、炭素膜、あるいは水素含有炭素膜が形成されるようになされていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項５】
非磁性支持体上に、磁性層及び保護層が形成されてなる磁気記録媒体であって、
前記保護層は、
排気系を備えた真空槽の中に、不活性ガスによってプラズマ放電を起こすようになされているイオン源と、成膜ガス導入機構とを具備し、前記成膜ガス導入機構は、前記イオン源と、前記非磁性支持体上に磁性層が形成されてなる被処理体との間に配置されてなり、前記イオン源の前記被処理体に対する対向面と、前記成膜ガス導入機構との間が、１０ｍｍ以上の空隙となされている成膜装置を用いて、プラズマＣＶＤ法により、形成されたものであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
前記非磁性支持体が、長尺形状を有してなり、前記真空槽中において、連続的に搬送させることによって前記保護層の形成がなされたことを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記磁性層は、真空蒸着により形成されてなる金属磁性薄膜であって、
磁気抵抗効果型ヘッド、もしくは巨大磁気抵抗効果型ヘッドにより、記録信号の再生がなされることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜ガスをプラズマ励起し、支持体上に析出させる成膜装置、及びこれを用いて保護層を形成した磁気記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種磁気記録媒体においては、大容量のデータを取り扱うために、高密度記録化への要求が益々高まってきている。
高密度記録型の磁気記録媒体においては、体積当たりの記録密度を向上させるため、薄層型化が進められているが、かかる薄層型の磁気記録媒体においては、耐摩耗性や走行耐久性の向上を図るために、通常、磁性層上には、カーボン保護層が形成される。
【０００３】
カーボン保護層の形成方法としては、従来、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法等が知られているが、最終的に得られる磁気記録媒体の走行耐久性の向上効果、及び高い生産性を鑑みて、プラズマＣＶＤ法が多く利用されている。
【０００４】
例えば、金属磁性薄膜よりなる磁性層を有する蒸着テープの保護層を形成する際に、プラズマＣＶＤ法を適用する場合、所定の排気手段を備えた真空槽内に、成膜用の炭化水素系原料ガスを導入し、蒸着テープと電極の間に高電圧を印加してプラズマを励起し、プラズマにより原料ガスを分解してカーボン保護層を蒸着テープ表面に形成する。
このとき、電極として蒸着テープの磁性層を用いるため、磁性層の構成（膜組成、膜厚）が変化すると、プラズマを励起する電圧も変動することになる。励起電圧によりカーボン保護層の特性は大きく変化することから、異なる磁性層の構成に対し、同一の特性を有する保護層を形成することは困難となる。また、磁性層の組成の変動が保護層の変動につながることから、著しく生産性にばらつきが生じる。
【０００５】
さらに、近年の高記録密度化に伴い、磁性層の膜厚を一層薄くする必要が生じており、磁性層のシート抵抗は上昇する傾向にある。磁性層のシート抵抗が増加すると、蒸着テープと電極の間に高電圧を印加することはいっそう困難となる。
このような問題に鑑み、磁性層の構成に影響されない保護層形成方法が求められてきた。
【０００６】
上記のような、磁性層の構成に影響されない保護層の成膜方法のひとつとして、イオンソースによる成膜方法が挙げられる。
これは原理的に、イオンソースによって、原料ガスである炭化水素ガスをプラズマ励起し支持体上に析出させる技術である。
この方法は、例えば、エンドホール型イオンソースを用いた例が知られている（例えば、非特許文献１、２参照。）。
【０００７】
しかしながら、これらに開示されている技術においては、いずれも成膜装置の構成上、必然的にイオンソースの電極付近に、原料ガスである炭化水素ガスが流入することになり、プラズマ化した炭化水素が、電極側に再付着してしまい、成膜速度の急激な低下を招来したりし、長時間の成膜に不適である。
【０００８】
例えば、エンドホール型では、陰極としてイオンソース前面にフィラメントが配置された構成を有しており、これに成膜ガスである炭化水素ガスが接触すると、ここで炭化水素の分解反応が起こり、フィラメント材のタングステンと反応し、炭化物を形成し、非常に脆くなり長時間の成膜を行うことができなくなってしまう。
【０００９】
また、冷陰極型のイオンソースにおいては、プラズマ密度を高めるべく、磁場を集中させるために、カソード側のプラズマの出口の幅が非常に狭く設計されている。このため、成膜途中において、上記プラズマの出口（ギャップ）付近において炭素膜が形成されてしまい、次第に放電状態が劣化していき、長時間成膜を行うことができない。
また、グリット式イオンソースを用いても成膜は可能であるが、この場合においてもメッシュ状の引出し電極上に炭化物が形成されてしまい、やはり長時間に亘って、安定した放電状態を維持することは困難である。
【００１０】
上述したような、従来技術における不都合を回避すべく、長時間、成膜効率の低下を回避する方法として、エンドホール型で、陰極の構成をフィラメントではなく、自己持続性陰極電子源（ホローカソード）とし、電磁石を用いてプラズマを特定領域に留め、なおかつ放電維持ガスとは別の位置から炭化水素ガスをイオンソース内にフローさせる方式が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
この場合、イオンソースの電極に、炭素膜、および炭化物が析出したとしても、比較的安定に放電を持続することができる。
【００１１】
【非特許文献１】IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, VOL. 39(2003),594
【非特許文献２】Advanced Energy社のWrite Paper：Industrial Ion Sources and Their Application for DLC Coating (1999)
【特許文献１】特表２００２−５４１６０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、ホローカソード型のイオンソースは、一般に構造が非常に複雑であるため、高精度の加工技術を必要とし、また、成膜工程においては、充分に冷却処理を施した後に、不活性ガスをフローさせた状態でしか、大気を導入することができないといった、操作上の制限が多く、ランニングコストが非常に高くなるという問題を有している。
このため、装置維持費用が比較的安価で、かつ成膜工程における操作上の制限が少ないエンドホール型や冷陰極型のイオンソースを利用して、長時間の安定成膜を行う技術が望まれていた。
【００１３】
そこで本発明においては、上述した各問題に鑑みて、長時間安定した成膜を行うことができ、かつコストの低減化が可能である成膜装置、及びこれを用いて保護層の成膜が行われた磁気記録媒体を提供することとした。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の成膜装置は、支持体上に、プラズマＣＶＤ法によって膜形成を行う成膜装置であって、排気系を備えた真空槽の中に、不活性ガスによってプラズマ放電を起こすようになされているイオン源と、成膜ガス導入機構とを具備し、成膜ガス導入機構は、イオン源と支持体との間に配置されてなり、イオン源の支持体に対する対向面と、成膜ガス導入機構との間が、１０ｍｍ以上の空隙となされている構成を有しているものとする。
【００１５】
また、本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体上に、磁性層及び保護層が形成されてなる構成を有するものとし、前記保護層は、排気系を備えた真空槽の中に、不活性ガスによってプラズマ放電を起こすようになされているイオン源と、成膜ガス導入機構とを具備し、成膜ガス導入機構は、イオン源と、非磁性支持体上に磁性層が形成されてなる被処理体との間に配置されてなり、イオン源の前記被処理体に対する対向面と、成膜ガス導入機構との間が１０ｍｍ以上の空隙となされている成膜装置を用いてプラズマＣＶＤ法により形成されたものとする。
【００１６】
本発明によれば、成膜装置のイオン源の支持体側対向面と、成膜ガス導入機構との間に意図的に距離を設け、かつこの距離を数値的に特定したことにより、成膜ガスのイオン源に対する再付着を効果的に回避される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、成膜装置のイオン源の、支持体側対向面と、成膜ガス導入機構との間に意図的に距離を設け、かつこの距離を数値的に特定したことにより、成膜ガスのイオン源に対する再付着を効果的に回避することができ、その結果、長時間に亘って安定した成膜効率を維持することができた。
また、長時間に亘って優れた成膜効率を維持可能な成膜装置を用いて保護層の形成を行うこととしたため、磁気記録媒体の製造コストの低減化を図ることができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の具体的な実施形態について図を参照して説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
図１に、本発明の成膜装置１０の一例の概略構成図を示す。
この成膜装置１０は、排気系を備えた真空槽（図示せず）の中に、イオン源２０と、成膜ガス導入機構２とを具備してなり、この成膜ガス導入機構２は、イオン源２０と、成膜を行う支持体１との間に配置されてなる構成を有している。
【００１９】
先ず、イオン源２０について説明する。図１中のイオン源２０は、冷陰極型のイオン源である。
イオン源２０は、成膜対象である支持体１の対向面２０ａにギャップ２２が形成された筐体２１内に、電極（陽極）２３、電磁石２４を具備している。
筐体２１は電気的に陰極となっており、さらに高透磁率の材料により構成され、磁気回路を形成している。
筐体２１に形成されたギャップ２２は漏れ磁束を発生するようになされており、陽極２３は筐体２１と電気的に絶縁されて設置されている。
磁気回路の一部には、電磁石２４が配置され磁場をかけることができるようになっている。
筐体２１にはプラズマ形成用ガス導入口２５が設けられており、プラズマ形成用ガスを流入させた状態で、陽極２３と筐体２１との間に電圧を印加するとプラズマが形成され、さらに電磁石２４の磁場により高密度のプラズマがギャップ２２から放出されるようになされている。
【００２０】
本発明の成膜装置１０においては、特に、成膜ガス導入機構２が、イオン源２０と支持体１との間に配置されてなり、かつイオン源２０の支持体１に対する対向面２０ａと、成膜ガス導入機構２との間に、距離Ｈ（Ｈ≧１０ｃｍ）の空隙が設けられている点に特徴を有している。
【００２１】
この成膜装置１０を用いた成膜工程について以下に説明する。
イオン源２０のプラズマ形成用ガス導入口２５から、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒのいずれかよりなる不活性ガスを導入しながら、電極に高電圧を印加して放電させ、イオン源２０のギャップ２２の表面近傍にプラズマＰを形成する。このとき、電磁石２４を励磁させることにより、プラズマＰの密度を高めることができる。
【００２２】
ギャップ形成面２０ａから距離Ｈ離れた位置に設けられた成膜ガス導入機構２から、例えば炭化水素ガス等の原料ガスを供給すると、原料ガスはプラズマＰ中で分解される。
プラズマ中でイオン化された原料ガスは支持体１側で加速され、被着して成膜が行われる。
【００２３】
発明の成膜装置１０によれば、イオン源２０と支持体１との間のプラズマ領域中に成膜ガス導入機構２を設け、かつイオン源２０と成膜ガス導入機構２との間の距離Ｈについての数値的特定を行い、イオン源２０の電極への成膜ガスの接触を防止したことにより、長時間の安定放電、及び安定成膜が可能となった。
なお、この距離Ｈを１０ｍｍ以上に特定し、成膜ガス導入機構２よりイオン源２０側に流れる成膜ガスを排気手段により排気することにより、電極との接触を確実に回避することができ、安定放電、及び安定成膜の長時間の維持が可能となることがわかった。
【００２４】
従来技術として挙げた特許文献１（特表２００２−５４１６０４号公報）においては、アノード電極と成膜ガス導入機構（ガス導入部）とは同一の容器内に配置されており、アノード電極側に流れた成膜を排除することができず、アノード電極側に材料の析出が起こってしまうという課題を有している。
また、この特許文献１に開示されている技術においては、プラズマ密度を高め、イオンの持つエネルギーを高めた成膜を実現しようとした際には、磁気回路のギャップを狭める必要があるが、上記のように材料の析出が起こってしまうことから、ギャップを狭めると、プラズマの密度の低下を招来し、長時間安定した成膜を維持することは困難である。
【００２５】
本発明の構成による成膜装置１０と、上記特許文献１に挙げられている装置とを適用して、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜の成膜を長時間連続して行ったところ、上記特許文献１の装置によるＤＬＣ膜は、硬度のばらつきが見られたが、本発明装置を用いたＤＬＣ膜は、いずれも高硬度で高品質であることが確かめられた。
【００２６】
なお、イオン源２０のイオン励起方式としては、冷陰極型イオンソースに限定されるものではなく、従来公知のグリッド型イオンソースや、エンドホール型イオンソースについても、同様に適用可能であり、これらを用いた場合においても、上記構成によれば、長時間安定した放電を維持することができた。
【００２７】
また、支持体１の形状については何ら限定されるものではなく、ディスク状、カード状、テープ状等、従来公知のいずれの形状であってもよい。
【００２８】
次に、本発明の磁気記録媒体について図２を参照して説明する。
磁気記録媒体３０は、磁気テープ媒体であるものとし、長尺形状の非磁性支持体３１の一主面上に磁性層３２、保護層３３、潤滑剤層３４が形成されてなり、磁性層形成面側とは反対側の主面にバックコート層３５が形成された構成を有している。
【００２９】
非磁性支持体３１は、従来磁気テープ用の長尺形状のベースフィルムとして公知のものを適用することができ、例えばポリアミド、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のプラスチックフィルムが挙げられる。なお、非磁性支持体１の表面性（粗度）については、最終的に目的とする磁気記録媒体における所望の表面性に従い、選定するようにしてもよい。
【００３０】
磁性層３２は、強磁性金属材料、あるいはこの合金を被着することにより形成されたものとする。
磁性材料としては、通常の蒸着テープに使用されるものであればいずれも適用でき、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｕ 、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ａｕ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｍｎ−Ｂｉ、Ｍｎ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金が挙げられ、これらの単層膜であってもよいし多層膜であってもよい。
【００３１】
非磁性支持体３１と磁性層３２間、あるいは多層膜の場合には各層間の付着力向上、並びに抗磁力の制御等のため、所定の下地層や中間層を設けてもよい。また、磁性層表面近傍が耐蝕性改善等のために酸化物となっていてもよい。
上記磁性層３２の形成方法としては、真空下で強磁性材料を加熱蒸発させ非磁性支持体上に沈着させる真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こして生じたアルゴンイオンでターゲット表面の原子をたたき出すスパッタ法等の、いわゆるＰＶＤ技術によればよい。
【００３２】
次に、保護層３３について説明する。
保護層３３は、図１に示した構成の成膜装置１０を用いて形成されてなるダイヤモンドライクカーボン膜であるものとする。
図３は、図１の成膜装置１０を具備するＣＶＤ装置の模式的構成図である。
【００３３】
このＣＶＤ装置４０は、真空排気系４１によって内部が高真空状態となされた真空室４２内に、定速度で回転する送りロール４３と巻き取りロール４４とが設けられ、これら送りロール４３から巻き取りロール４４に、非磁性支持体３１上に磁性層３２が成膜された被処理体４５が順次走行するようになされている。
【００３４】
送りロール２３から巻き取りロール２４に被処理体４５が走行する途中部には、冷却キャン４６が設けられている。冷却キャン４６は、被処理体４５を図中下方に引き出すように設けられ、図中の矢印Ａ方向に定速度で回転する構成となされている。
なお、冷却キャン４６の内部には冷却機構（図示せず）が設けられ、被処理体４５の温度上昇による変形等を抑制している。従って被処理体４５は、送りロール４３から順次送り出され、冷却キャン４６の周面を通過し、巻き取りロール４４に巻き取られるようになされる。
送りロール４３と冷却キャン４６との間、及び冷却キャン４６と巻き取りロールとの間には、それぞれガイドロール４７が設けられ、被処理体４５に所定のテンションをかけ円滑に走行するようになされている。
【００３５】
真空室４２内には、図中冷却キャン４６の下方に、図１に示した冷陰極型のイオン源２０が設けられている。このイオン源２０において、上述したようにプラズマが生成され、成膜ガス導入機構２から供給される原料ガスが分解、イオン化し、被処理体４５上に被着し、ＤＬＣ膜が形成される。
【００３６】
非磁性支持体１の磁性層形成面とは反対側の面にバックコート層３５を設ける。バックコート層３５は、例えばカーボンブラック、ポリウレタン樹脂、及び所定の溶剤をボールミルに投入して分散、混合し、架橋剤を添加して塗料を調整し、これを塗布することにより形成することができる。
バックコート層３５を形成することにより、表面の電気抵抗が低下し、帯電により走行不良を防止し、耐久性が向上し、また、テープ間の摩擦を低減化する等の効果が得られる。
【００３７】
潤滑剤層３４は、例えば従来公知のパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を塗布することにより形成される。潤滑剤層３４は、磁気ヘッドやガイドロールとの摺動を滑らかにし、耐久性、走行性を向上させる重要な役割を果たす。
【００３８】
上述したように、本発明の磁気記録媒体は、上述した成膜装置により保護層を形成することとしたことにより、磁性層に依存することなく、極めて薄層で膜質の安定したＤＬＣ膜の形成が可能となるので、特に、極めて薄層の金属磁性薄膜を有する、磁気抵抗効果型ヘッドや巨大磁気抵抗効果型ヘッドにより記録信号の再生を行う高感度型の磁気記録媒体に好適である。
【実施例】
【００３９】
次に、本発明の具体的な実施例について実験結果に基づいて説明する。
図１に示した成膜装置１０を用いて、支持体１としてハードディスク用のＡｌ基板を適用し、これをイオン源２０の正面に配置し、イオン源２０と支持体１との間に、成膜ガス導入機構２を設置した。
なお、イオン源２０は径９０ｍｍの円筒形状であり、成膜ガス導入機構２はこれより大きい、１００ｍｍの環状とし、内周側に５ｍｍのピッチにて０．１ｍｍの穴を開け、ここから成膜用の原料ガスが放出される構造とした。
イオン源２０と成膜ガス導入機構２は、それぞれ支持体１からの距離を任意に設定できる構造とした。
さらにこれらは排気速度３０００Ｌ／ｓのターボ分子ポンプにて排気可能な容器内に設置されているものとする。
上記条件下において、放電開始から異常放電発生までの時間を記録した。
また、同一条件にて成膜を３０秒間行い、成膜レートの評価を行った。
【００４０】
〔実施例１〕
イオン源２０を支持体１から５０ｍｍの距離の位置に配置し、イオン源２０の支持体１に対する対抗面２０ａと、成膜ガス導入機構２との間の距離を１０ｍｍに設定した。
そして、成膜ガス導入機構２から１００ｓｃｃｍのプロピレンガスを供給し、イオン源のプラズマ形成用ガス導入口２５からは５０ｓｃｃｍのアルゴンガスを導入し、１．２ｋＷの電力にて放電を行った。
【００４１】
〔実施例２〕
イオン源２０を支持体１から５０ｍｍの距離の位置に配置し、イオン源２０の支持体１に対する対抗面２０ａと、成膜ガス導入機構２との間の距離を２０ｍｍに設定した。
そして、成膜ガス導入機構２から１００ｓｃｃｍのプロピレンガスを供給し、イオン源のプラズマ形成用ガス導入口２５からは５０ｓｃｃｍのアルゴンガスを導入し、１．２ｋＷの電力にて放電を行った。
【００４２】
〔実施例３〕
イオン源２０を支持体１から５０ｍｍの距離の位置に配置し、イオン源２０の支持体１に対する対抗面２０ａと、成膜ガス導入機構２との間の距離を３０ｍｍに設定した。
そして、成膜ガス導入機構２から１００ｓｃｃｍのプロピレンガスを供給し、イオン源のプラズマ形成用ガス導入口２５からは５０ｓｃｃｍのアルゴンガスを導入し、１．２ｋＷの電力にて放電を行った。
【００４３】
〔実施例４〕
イオン源２０を支持体１から５０ｍｍの距離の位置に配置し、イオン源２０の支持体１に対する対抗面２０ａと、成膜ガス導入機構２との間の距離を４０ｍｍに設定した。
そして、成膜ガス導入機構２から１００ｓｃｃｍのプロピレンガスを供給し、イオン源のプラズマ形成用ガス導入口２５からは５０ｓｃｃｍのアルゴンガスを導入し、１．２ｋＷの電力にて放電を行った。
【００４４】
〔実施例５〕
イオン源２０を支持体１から７０ｍｍの距離の位置に配置し、イオン源２０の支持体１に対する対抗面２０ａと、成膜ガス導入機構２との間の距離を６０ｍｍに設定した。
そして、成膜ガス導入機構２から１００ｓｃｃｍのプロピレンガスを供給し、イオン源のプラズマ形成用ガス導入口２５からは５０ｓｃｃｍのアルゴンガスを導入し、１．２ｋＷの電力にて放電を行った。
【００４５】
〔実施例６〕
イオン源２０を支持体１から９０ｍｍの距離の位置に配置し、イオン源２０の支持体１に対する対抗面２０ａと、成膜ガス導入機構２との間の距離を８０ｍｍに設定した。
そして、成膜ガス導入機構２から１００ｓｃｃｍのプロピレンガスを供給し、イオン源のプラズマ形成用ガス導入口２５からは５０ｓｃｃｍのアルゴンガスを導入し、１．２ｋＷの電力にて放電を行った。
【００４６】
〔実施例７〕
イオン源２０を支持体１から５０ｍｍの距離の位置に配置し、イオン源２０の支持体１に対する対抗面２０ａと、成膜ガス導入機構２との間の距離を１０ｍｍに設定した。
そして、成膜ガス導入機構２から１００ｓｃｃｍのプロピレンガスを供給し、イオン源のプラズマ形成用ガス導入口２５からは５０ｓｃｃｍのアルゴンガスを導入し、さらに、排気手段（ターボ分子ポンプ）の排気速度を１０００Ｌ／ｓに低下させ、１．２ｋＷの電力にて放電を行った。
【００４７】
〔比較例１〕
イオン源２０を支持体１から５０ｍｍの距離の位置に配置し、図４に示すように、イオン源２０に設置されたガス供給機構５０から１００ｓｃｃｍのプロピレンガスを導入し、１．２ｋＷの電力にて放電を行った。
【００４８】
〔比較例２〕
イオン源２０を支持体１から５０ｍｍの距離の位置に配置し、図４に示すように、イオン源２０に配置されたガス供給機構５０から５０ｓｃｃｍのプロピレンガスを導入し、１．２ｋＷの電力にて放電を行った。
【００４９】
〔比較例３〕
イオン源２０を支持体１から５０ｍｍの距離の位置に配置し、図４に示すように、イオン源２０に配置されたガス供給機構５０から５０ｓｃｃｍのプロピレンガス、及び５０ｓｃｃｍのアルゴンガスの混合ガスを導入し、１．２ｋＷの電力にて放電を行った。
【００５０】
〔比較例４〕
イオン源２０を支持体１から５０ｍｍの位置に配置し、図１に示す成膜ガス導入機構２をイオン源の支持体対向面２０ａに接するように配置した（Ｈ＝０ｍｍ）。成膜ガス導入機構２から１００ｓｃｃｍのプロピレンガスを供給し、イオン源のプラズマ形成用ガス導入口２５から、５０ｓｃｃｍのアルゴンガスを導入し、１．２ｋＷの電力にて放電を行った。
【００５１】
〔比較例５〕
イオン源２０を支持体１から５０ｍｍの位置に配置し、図１に示す成膜ガス導入機構２をイオン源の支持体対向面２０ａから５ｍｍの位置に配置した（Ｈ＝５ｍｍ）。成膜ガス導入機構２から、１００ｓｃｃｍのプロピレンガスを供給し、イオン源のプラズマ形成用ガス導入口２５から、５０ｓｃｃｍのアルゴンガスを導入し、１．２ｋＷの電力にて放電を行った。
【００５２】
〔比較例６〕
イオン源２０を支持体１から５０ｍｍの位置に配置し、図５に示すように、イオン源２０の背面側に配置された成膜ガス導入機構２から、１００ｓｃｃｍのプロピレンガスを供給し、イオン源のプラズマ形成用ガス導入口２５から、５０ｓｃｃｍのアルゴンガスを導入し、１．２ｋＷの電力にて放電を行った。
【００５３】
〔比較例７〕
イオン源２０を支持体１から５０ｍｍの位置に配置し、図５に示すように、イオン源２０の背面側に配置された成膜ガス導入機構２から、３００ｓｃｃｍのプロピレンガスを供給し、イオン源のプラズマ形成用ガス導入口２５から、５０ｓｃｃｍのアルゴンガスを導入し、１．２ｋＷの電力にて放電を行った。
【００５４】
上述した実施例１〜７、及び比較例１〜７における、それぞれの成膜条件と、放電開始から異常放電発生までの時間、及び３０秒間成膜を行ったときの膜厚を下記表１に示す。
【００５５】
【表１】
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【００５６】
上記表１に示すように、プロピレンガスを供給する成膜ガス導入機構２を、イオン源２０と支持体１との間に配置し、イオン源の支持体に対する対抗面２０ａと、成膜ガス導入機構２との間の距離を、１０ｍｍ以上に設定した実施例１〜７においては、いずれも、３時間以上の長時間の安定放電が実現され、実用上充分な成膜レートが得られた。
さらに、成膜後にイオン源の表面２０ａを観察したところ、いずれにおいても若干の炭素付着が見られたものの、５ｍｍ以上のサイズの脱落物は見られず、安定した放電が長時間持続できたことが確認された。
【００５７】
比較例１〜３においては、イオン源２０に設置されたガス供給機構５０からプロピレンガスを導入するようにしたため、短時間でイオン源２０の電極に成膜材料が付着してしまい、安定した放電を持続させることができなかった。
【００５８】
比較例４、５においては、成膜ガス導入機構２を、イオン源２０と支持体１との間に配置したが、イオン源の支持体に対する対抗面２０ａと成膜ガス導入機構２との間の距離がいずれも１０ｍｍ未満と近すぎるため、イオン源の電極に成膜材料が付着してしまい、安定した放電を長時間維持することができなかった。
【００５９】
比較例６、７においては、イオン源２０の背面側に成膜ガス導入機構２を配置したため、安定した放電を長時間維持することはできたが、支持体１と成膜ガス導入機構２との距離が大きすぎるため、成膜ガスが充分に支持体１に到達せず、実用上充分な成膜レートが得られなかった。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の成膜装置の要部の概略構成図を示す。
【図２】本発明の磁気記録媒体の概略断面図を示す。
【図３】本発明の成膜装置を適用したＣＶＤ装置の概略構成図を示す。
【図４】比較例における成膜装置の要部の概略構成図を示す。
【図５】比較例における成膜装置の要部の概略構成図を示す。
【符号の説明】
【００６１】
１……支持体、２……成膜ガス導入機構、２０……イオン源、２１……筐体、２２……ギャップ、２３……電極（陽極）、２４……電磁石、２５……プラズマ形成用ガス導入口、３０……磁気記録媒体、３１……非磁性支持体、３２……磁性層、３３……保護層、３４……潤滑剤層、３５……バックコート層、４０……ＣＶＤ装置、４１……真空排気系、４２……真空室、４３……送りロール、４４……巻き取りロール、４５……被処理体、４６……冷却キャン、４７……ガイドロール、５０……ガス供給機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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