(57)【要約】【課題】処理対象となる平板状の基板を略水平な載置面上に載置するときに、基板の横すべりを防止することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。【解決手段】本発明に係る熱処理装置は、基板Ｗの下面と、基板Ｗを載置する載置面９９とを、互いに非平行な状態で近接させて、載置面９９上に基板Ｗを載置する。このようにすると、基板Ｗの下面と載置面９９とに挟まれた気体層Ｇは側方へ容易に抜ける。このため、基板Ｗが載置面９９から気体層Ｇを介して浮上した状態となることを回避することができ、基板Ｗの横すべりを防止することができる。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状の基板を処理対象とする熱処理装置であって、
基板を支持可能な基板支持手段と、
前記基板支持手段から受け渡される基板を水平姿勢に載置可能な載置面と、
前記基板支持手段と前記載置面とを相対的に移動させて、前記基板支持手段と前記載置面との間で基板を受け渡す駆動手段と、
前記載置面に載置された基板の加熱または冷却を行う熱処理手段と、
を備え、
前記基板支持手段による基板支持姿勢と前記載置面の面姿勢との少なくとも一方を水平姿勢とは異なる姿勢にすることが可能とされており、
基板を前記基板支持手段から前記載置面に受け渡すにあたって、基板の下面と前記載置面とを互いに非平行な状態で近接させることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の熱処理装置であって、
前記基板支持手段が、前記基板支持姿勢を水平姿勢から傾斜させることにより前記載置面に対して基板の下面を非平行な状態に支持可能であることを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の熱処理装置であって、
前記基板支持手段は、頂部の高さを相違させて固定的に立設され、基板を下面側から支持する３本以上の支持ピンであることを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の熱処理装置であって、
処理対象とする基板は、２００ｍｍまたは３００ｍｍの径を有する円板状の半導体ウェハーであって、
前記３本以上の支持ピンのうち、頂部が最も高い支持ピンと頂部が最も低い支持ピンの頂部の高さの差が、０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ未満であることを特徴とする熱処理装置。
【請求項５】
請求項２に記載の熱処理装置であって、
前記基板支持手段は、
１本以上の昇降可能な支持ピンを含み、基板を下面側から支持する３本以上の支持ピンと、
前記１本以上の昇降可能な支持ピンを昇降駆動する駆動手段と、
とを備え、
前記昇降可能な支持ピンを昇降駆動することによって前記基板支持姿勢を水平姿勢から傾斜可能とされていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項６】
請求項２に記載の熱処理装置であって、
前記基板支持手段は、
基板を下面側から支持しつつ昇降可能な３本以上の支持ピン、
を備えるとともに、
前記駆動手段は、前記３本以上の支持ピンを非一様な速度で下降させる非一様駆動手段とされており、
前記３本以上の支持ピンを非一様な速度で下降させることによって前記基板支持姿勢を前記載置面に対して相対的に非平行とすることを特徴とする熱処理装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれかに記載の熱処理装置であって、
前記載置面の周縁を環囲するテーパ面
をさらに備えたことを特徴とする熱処理装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７までのいずれかに記載の熱処理装置であって、
前記加熱手段は、前記載置面に載置された基板に対して閃光を照射するキセノンフラッシュランプを含むことを特徴とする熱処理装置。
【請求項９】
平板状の基板を処理対象とする熱処理方法であって、
基板の下面と、基板を載置する載置面とを、互いに非平行な状態で近接させて、前記載置面に基板を載置する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記載置面に載置された基板に熱処理を行う第２工程と、
を備えたことを特徴とする熱処理方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の熱処理方法であって、
前記第１工程は、基板を水平姿勢から傾斜させることにより前記載置面に対して基板の下面を非平行にした状態で、基板の下面と前記載置面とを近接させて、前記載置面に基板を載置する工程であることを特徴とする熱処理方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の熱処理方法であって、
前記第１工程は、頂部の高さを相違させて固定的に立設された３本以上の支持ピン上に基板を支持した状態で前記載置面を上昇させることにより、基板の下面と前記載置面とを近接させて、前記載置面に基板を載置する工程であることを特徴とする熱処理方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の熱処理方法であって、
処理対象とする基板は、２００ｍｍまたは３００ｍｍの径を有する円板状の半導体ウェハーであって、
前記３本以上の支持ピンのうち、頂部が最も高い支持ピンと頂部が最も低い支持ピンの頂部の高さの差が、０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ未満であることを特徴とする熱処理方法。
【請求項１３】
請求項１０に記載の熱処理方法であって、
前記第１工程は、３本以上の支持ピン上に基板を支持した後に前記３本以上の支持ピンのうちの１本以上の支持ピンを上方または下方へ変位させた状態で、基板の下面と前記載置面とを近接させて、前記載置面に基板を載置する工程であることを特徴とする熱処理方法。
【請求項１４】
請求項１０に記載の熱処理方法であって、
前記第１工程は、３本以上の支持ピン上に基板を支持した状態で、前記３本以上の支持ピンを非一様な速度で下降させて、前記載置面に基板を載置する工程であることを特徴とする熱処理方法。
【請求項１５】
請求項９から請求項１４までのいずれかに記載の熱処理方法であって、
前記第２工程は、前記載置面に載置された基板に対してキセノンフラッシュランプからの閃光を照射することによって、基板をフラッシュ加熱する工程を含むことを特徴とする熱処理方法。
【請求項１６】
平坦な載置面上に平板状の基板を載置する機構であって、
基板を前記載置面とは非平行に支持可能な基板支持機構と、
前記基板支持機構によって基板を前記載置面とは非平行に支持した状態で前記支持機構と前記載置面とを近接させて前記載置面上に基板を着面させる駆動機構と、
を備えることを特徴とする基板載置機構。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハーやガラス基板等の平板状の基板（以下、単に「基板」という。）を処理対象とする熱処理装置及び熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体ウェハーのイオン活性化工程においては、イオン注入後の半導体ウェハーを、例えば１０００〜１１００℃程度の温度まで加熱（アニール）することによって、注入されたイオンの活性化を行っている。
【０００３】
イオン活性化工程における半導体ウェハーの加熱には、ランプアニール装置等の熱処理装置が使用される。ランプアニール装置は、略水平な載置面上に載置した半導体ウェハーに対して、ハロゲンランプ等から照射される光のエネルギーを与えることによって、半導体ウェハーを昇温させる装置である。
【０００４】
また、近年では、半導体ウェハーを加熱するための熱処理装置として、キセノンフラッシュランプ等を用いたフラッシュランプアニール装置が提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。フラッシュランプアニール装置は、略水平な載置面上に載置した半導体ウェハーに対して、キセノンフラッシュランプ等からの閃光を照射することによって、半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリセカンド以下）に昇温させる装置である。ハロゲンランプを用いたランプアニール装置では、半導体ウェハーの昇温速度は毎秒数百℃程度であるため、注入したイオンが加熱中に拡散してしまうところ、フラッシュランプアニール装置では、イオンが拡散するための十分な時間がないため、注入されたイオンを拡散させることなくイオン活性化を実行することができる。
【０００５】
これらの熱処理装置においては、半導体ウェハーの加熱を均一に行うために、略水平な載置面上に半導体ウェハーを載置した後、その半導体ウェハーを加熱することになる。また、このような半導体ウェハーのイオン活性化工程における熱処理装置に限らず、一般に平板状の基板を処理対象とする熱処理装置の多くは、略水平な載置面上に基板を載置した後、その基板を加熱する構成となっている（例えば、特許文献３参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開昭５９−１６９１２５号公報
【特許文献２】
特開昭６３−１６６２１９号公報
【特許文献３】
特開平１０−２２９１１４号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
図１０は、このような従来の熱処理装置において、略水平な載置面１００上に基板２００を載置するときの様子を示した側断面図である。図１０に示したように、基板２００は、水平姿勢（基板２００の上面および下面が水平面に対して平行となる姿勢）の状態で載置面１００の上方から接近し、載置面１００上に載置される。このとき、基板２００の下面と載置面１００とは、互いに平行関係を保ちつつ近接し、両者の間には気体層３００が挟み込まれることになる。
【０００８】
したがって、基板２００が載置面１００上に載置された後、気体層３００が側方へ抜けるまでの間、基板２００は、気体層３００を介して載置面１００から僅かに浮上した状態となっている。このような状態では、基板２００は横方向に移動が自由となり、載置面１００の僅かな傾斜などの些細な原因によって簡単に横方向に移動してしまうことになる（以下、この現象を「横すべり」という。）。
【０００９】
このようにして、載置面１００に対して基板２００が横すべりした場合、目標とした位置において基板２００に熱処理を施すことができず、基板２００が受ける熱の分布が不均一になるなどの問題が生じる。
【００１０】
この横すべりの問題は、載置面１００の側方に基板２００の位置を規制するための側壁やガイドピンなどが形成されていない場合には、特に生じやすい問題となる。
【００１１】
また、この横すべりの問題は、載置面１００上に基板を空間（プロキシミティギャップ）を隔てて支持するためのスペーサ（ボール状の支持ピンなど）が形成されている場合にも、そのプロキシミティギャップが狭小である場合には生じ得る問題であるが、載置面１００上にこのようなスペーサが形成されておらず平坦な場合に、特に生じやすい問題である。なぜならば、載置面１００が平坦な場合には、気体層３００が側方へ抜けるための抜け道となる凹部が無く、また、基板２００の下面に接触して横すべりを規制し得る凸部も無い、ということになるからである。例えば、上述したフラッシュランプアニール装置では、急激な熱膨張によって基板２００が損傷することを防止するために、載置面１００は平坦に形成されていることが多い。このため、フラッシュランプアニール装置では、この横すべりの問題は、特に生じやすい問題となる。
【００１２】
また、この横すべりの問題は、処理対象となる基板２００の径が大きいほど、挟み込まれた気体層３００が抜け難くなるため、生じやすい問題となる。
【００１３】
更に、この横すべりの問題は、処理対象となる基板２００が３００ｍｍ径の半導体ウェハーである場合には、その下面側の表面が極めて滑らかに形成されるため、特に生じやすい問題となる。
【００１４】
また、この横すべりの問題は、載置面１００の材質が石英である場合には、その表面が極めて滑らかに形成されるため、特に生じやすい問題となる。
【００１５】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、処理対象となる平板状の基板を略水平な載置面上に載置するときに、基板の横すべりを防止することができる熱処理装置および熱処理方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、平板状の基板を処理対象とする熱処理装置であって、基板を支持可能な基板支持手段と、前記基板支持手段から受け渡される基板を水平姿勢に載置可能な載置面と、前記基板支持手段と前記載置面とを相対的に移動させて、前記基板支持手段と前記載置面との間で基板を受け渡す駆動手段と、前記載置面に載置された基板の加熱または冷却を行う熱処理手段と、を備え、前記基板支持手段による基板支持姿勢と前記載置面の面姿勢との少なくとも一方を水平姿勢とは異なる姿勢にすることが可能とされており、基板を前記基板支持手段から前記載置面に受け渡すにあたって、基板の下面と前記載置面とを互いに非平行な状態で近接させることを特徴とする。
【００１７】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の熱処理装置であって、前記基板支持手段が、前記基板支持姿勢を水平姿勢から傾斜させることにより前記載置面に対して基板の下面を非平行な状態に支持可能であることを特徴とする。
【００１８】
請求項３に係る発明は、請求項２に記載の熱処理装置であって、前記基板支持手段は、頂部の高さを相違させて固定的に立設され、基板を下面側から支持する３本以上の支持ピンであることを特徴とする。
【００１９】
請求項４に係る発明は、請求項３に記載の熱処理装置であって、処理対象とする基板は、２００ｍｍまたは３００ｍｍの径を有する円板状の半導体ウェハーであって、前記３本以上の支持ピンのうち、頂部が最も高い支持ピンと頂部が最も低い支持ピンの頂部の高さの差が、０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ未満であることを特徴とする。
【００２０】
請求項５に係る発明は、請求項２に記載の熱処理装置であって、前記基板支持手段は、１本以上の昇降可能な支持ピンを含み、基板を下面側から支持する３本以上の支持ピンと、前記１本以上の昇降可能な支持ピンを昇降駆動する駆動手段と、とを備え、前記昇降可能な支持ピンを昇降駆動することによって前記基板支持姿勢を水平姿勢から傾斜可能とされていることを特徴とする。
【００２１】
請求項６に係る発明は、請求項２に記載の熱処理装置であって、前記基板支持手段は、基板を下面側から支持しつつ昇降可能な３本以上の支持ピン、を備えるとともに、前記駆動手段は、前記３本以上の支持ピンを非一様な速度で下降させる非一様駆動手段とされており、前記３本以上の支持ピンを非一様な速度で下降させることによって前記基板支持姿勢を前記載置面に対して相対的に非平行とすることを特徴とする。
【００２２】
請求項７に係る発明は、請求項１から請求項６までのいずれかに記載の熱処理装置であって、前記載置面の周縁を環囲するテーパ面をさらに備えたことを特徴とする。
【００２３】
請求項８に係る発明は、請求項１から請求項７までのいずれかに記載の熱処理装置であって、前記加熱手段は、前記載置面に載置された基板に対して閃光を照射するキセノンフラッシュランプを含むことを特徴とする。
【００２４】
請求項９に係る発明は、平板状の基板を処理対象とする熱処理方法であって、基板の下面と、基板を載置する載置面とを、互いに非平行な状態で近接させて、前記載置面に基板を載置する第１工程と、前記第１工程の後に、前記載置面に載置された基板に熱処理を行う第２工程と、を備えたことを特徴とする。
【００２５】
請求項１０に係る発明は、請求項９に記載の熱処理方法であって、前記第１工程は、基板を水平姿勢から傾斜させることにより前記載置面に対して基板の下面を非平行にした状態で、基板の下面と前記載置面とを近接させて、前記載置面に基板を載置する工程であることを特徴とする。
【００２６】
請求項１１に係る発明は、請求項１０に記載の熱処理方法であって、前記第１工程は、頂部の高さを相違させて固定的に立設された３本以上の支持ピン上に基板を支持した状態で前記載置面を上昇させることにより、基板の下面と前記載置面とを近接させて、前記載置面に基板を載置する工程であることを特徴とする。
【００２７】
請求項１２に係る発明は、請求項１１に記載の熱処理方法であって、処理対象とする基板は、２００ｍｍまたは３００ｍｍの径を有する円板状の半導体ウェハーであって、前記３本以上の支持ピンのうち、頂部が最も高い支持ピンと頂部が最も低い支持ピンの頂部の高さの差が、０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ未満であることを特徴とする。
【００２８】
請求項１３に係る発明は、請求項１０に記載の熱処理方法であって、前記第１工程は、３本以上の支持ピン上に基板を支持した後に前記３本以上の支持ピンのうちの１本以上の支持ピンを上方または下方へ変位させた状態で、基板の下面と前記載置面とを近接させて、前記載置面に基板を載置する工程であることを特徴とする。
【００２９】
請求項１４に係る発明は、請求項１０に記載の熱処理方法であって、前記第１工程は、３本以上の支持ピン上に基板を支持した状態で、前記３本以上の支持ピンを非一様な速度で下降させて、前記載置面に基板を載置する工程であることを特徴とする。
【００３０】
請求項１５に係る発明は、請求項９から請求項１４までのいずれかに記載の熱処理方法であって、前記第２工程は、前記載置面に載置された基板に対してキセノンフラッシュランプからの閃光を照射することによって、基板をフラッシュ加熱する工程を含むことを特徴とする。
【００３１】
請求項１６に係る発明は、平坦な載置面上に平板状の基板を載置する機構であって、基板を前記載置面とは非平行に支持可能な基板支持機構と、前記基板支持機構によって基板を前記載置面とは非平行に支持した状態で前記支持機構と前記載置面とを近接させて前記載置面上に基板を着面させる駆動機構と、を備えることを特徴とする。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００３３】
＜１．第１実施形態＞
図１および図２は、本発明の第１実施形態に係る熱処理装置の構成を示す側断面図である。また、図３および図４は、その熱処理装置に備わるサセプタ７３および支持ピン７０の拡大側断面図および平面図である。
【００３４】
本実施形態に係る熱処理装置は、キセノンフラッシュランプ６９からの閃光によって、円板状の基板Ｗに対して熱処理を施す装置である。この熱処理装置は、透光板６１、底板６２、および一対の側板６３、６４を備え、これらによって囲まれた内部が、基板Ｗを収納して熱処理するためのチャンバー６５となっている。チャンバー６５の上部を構成する透光板６１は、例えば、石英などの赤外線透過性を有する材料で構成されており、光源５から出射された光を透過してチャンバー６５内に導くチャンバー窓として機能する。また、チャンバー６５の底部を構成する底板６２には、後述するサセプタ７３および加熱プレート７４を貫通して基板Ｗを下面側から支持するための支持ピン７０が立設されている。本実施形態において基板支持手段として機能する支持ピン７０の詳細な構成については、後述する。
【００３５】
また、チャンバー６５の側部を構成する側板６４には、基板Ｗの搬出入口となる開口部６６が形成されている。開口部６６は、軸６７を中心に回動するゲートバルブ６８により開閉可能となっている。基板Ｗが図示しない搬送ロボットによりチャンバー６５の内外へ搬入および搬出されるときには、開口部６６は開放され、基板Ｗがチャンバー６５内にて熱処理を受けるときには、開口部６６は閉鎖される。
【００３６】
チャンバー６５の上方には、光源５が設けられている。光源５は、複数（本実施形態においては２７本）のキセノンフラッシュランプ６９（以下、単に「フラッシュランプ６９」とも称する）と、リフレクタ７１とを備える。複数のフラッシュランプ６９は、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が水平方向に沿うようにして互いに平行に列設されている。リフレクタ７１は、複数のフラッシュランプ６９の上方にそれらの全体を被うように配設されている。
【００３７】
このキセノンフラッシュランプ６９は、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極及び陰極が配設されたガラス管と、当該ガラス管の外局部に巻回されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であるため、通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのジュール熱でキセノンガスが加熱されて光が放出される。このキセノンフラッシュランプ６９においては、予め蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。
【００３８】
光源５と透光板６１との間には、光拡散板７２が配設されている。この光拡散板７２は、赤外線透過材料としての石英ガラスの表面に光拡散加工を施したものである。
【００３９】
フラッシュランプ６９から放射された光の一部は、直接に光拡散板７２および透光板６１を透過してチャンバー６５内へと向かう。また、フラッシュランプ６９から放射された光の他の一部は、一旦リフレクタ７１によって反射されてから光拡散板７２および透光板６１を透過してチャンバー６５内へと向かう。
【００４０】
チャンバー６５内には、加熱プレート７４とサセプタ７３とが設けられており、サセプタ７３は加熱プレート７４の上面に貼着されている。
【００４１】
加熱プレート７４は、基板Ｗを予備加熱（アシスト加熱）するためのものである。この加熱プレート７４は、窒化アルミニウムにて構成され、その内部にヒータと当該ヒータを制御するためのセンサとを収納した構成を有する。なお、加熱プレート７４は、ステンレス等の金属で形成してもよい。
【００４２】
一方、サセプタ７３は、基板Ｗを位置決めして保持するとともに、加熱プレート７４からの熱エネルギーを拡散して基板Ｗを均一に予備加熱するためのものである、このサセプタ７３の材質としては、窒化アルミニウムや石英等の比較的熱伝導率が小さいものが採用される。
【００４３】
図３および図４に示したように、本実施形態のサセプタ７３は、円板形状の部材に上面視円形の凹部９７が形成されており、その凹部９７の底面が基板Ｗを水平姿勢に載置可能な載置面９９となっている。載置面９９は、基板Ｗの径よりも若干大きな径を有する円形の平坦面である。また、円形の載置面９９の周縁を環囲するようにテーパ面９５が形成されており、載置面９９とテーパ面９５とが、全体として凹部９７を形成している。テーパ面９５は、円形の載置面９９の径方向外側に向かって高くなるような、５°以上３０°未満程度の浅い傾斜角度を有している。
【００４４】
このように、載置面９９の周縁部を垂直な側壁で環囲せず、テーパ面９５で環囲しているのは、主として基板Ｗが急激な熱膨張によって破損することを防止するためである。仮に、載置面９９の周縁部を垂直な側壁で環囲すると、フラッシュランプ６９からの閃光照射によって基板Ｗの表面が急激に熱膨張したときに、その膨張が側壁によって規制されることにより基板Ｗに過大な応力が発生し、基板Ｗの破損に至る可能性がある。これに対し、本実施形態に係る熱処理装置では、載置面９９の周縁部をテーパ面９５とすることによって、急激に熱膨張した場合にも、基板Ｗの端部がテーパ面９５にある程度乗り上がるようになっており、基板Ｗに過大な応力が発生しないようになっている。
【００４５】
しかしながら、このように載置面９９の周縁部をテーパ面９５で環囲する場合には、基板Ｗの熱膨張が自由になるばかりでなく、基板Ｗの横方向の移動までもが比較的自由となる。したがって、基板Ｗを載置面９９に載置したときに、挟み込まれた気体層の影響によって生じる基板Ｗの横すべりを許容し易い構成となっている。横すべりによって、基板Ｗがテーパ面９５に乗り上がった状態で急激に加熱された場合には、受ける熱の分布が不均一となるばかりでなく、かえって基板Ｗが破損する可能性が高くなる。
【００４６】
加熱プレート７４は、筒状体４１を介して移動板４２に連結されており、移動板４２は、チャンバー６５の底板６２に釣支されたガイド部材４３により案内されて昇降可能となっている。また、ガイド部材４３の下端部には、固定板４４が固定されており、この固定板４４の中央部にはボールネジ４５を回転駆動するモータ４０が配設されている。そして、ボールネジ４５はナット４８と螺合しており、ナット４８は連結部材４６、４７を介して移動板４２と連結されている。このため、サセプタ７３および加熱プレート７４は、モータ４０の駆動によって、図１に示す基板Ｗの搬入・搬出位置と図２に示す基板Ｗの熱処理位置との間を昇降することが可能な構成となっている。
【００４７】
図１に示す基板Ｗの搬入・搬出位置は、図示しない搬送ロボットを使用して開口部６６から搬入した基板Ｗを支持ピン７０上に受け渡し、あるいは、支持ピン７０上に支持された基板Ｗを開口部６６から搬出することができるように、サセプタ７３および加熱プレート７４が下降した位置である。この状態においては、支持ピン７０の上端は、サセプタ７３および加熱プレート７４に形成された貫通孔を通過し、載置面９９より上方に突出する。
【００４８】
一方、図２に示す基板Ｗの熱処理位置は、基板Ｗに対して熱処理を行うために、サセプタ７３および加熱プレート７４が支持ピン７０の上端より上方に上昇した位置である。サセプタ７３および加熱プレート７４が図１の搬入・搬出位置から図２の熱処理位置に上昇する過程において、支持ピン７０上に支持された基板Ｗは載置面９９によって受け取られ、載置面９９上に支持されて上昇し、チャンバー６５内の透光板６１に近接した位置に水平姿勢に保持される。すなわち、このときサセプタ７３および加熱プレート７４とともに上昇する載置面９９が、基板Ｗと載置面９９とを近接させる近接手段として機能している。逆に、サセプタ７３および加熱プレート７４が熱処理位置から搬入・搬出位置に下降する過程においては、載置面９９上に支持された基板Ｗは支持ピン７０に受け渡される。
【００４９】
基板Ｗを支持するサセプタ７３および加熱プレート７４が熱処理位置に上昇した状態においては、載置面９９上に保持された基板Ｗと光源５との間に透光板６１が位置することとなる。なお、このときのサセプタ７３と光源５との間の距離についてはモータ４０の回転量を制御することにより任意の値に調整することが可能である。
【００５０】
また、チャンバー６５の底板６２と移動板４２との間には筒状体４１の周囲を取り囲むようにしてチャンバー６５を気密状態に維持するための伸縮自在の蛇腹７７が配設されている。サセプタ７３および加熱プレート７４が熱処理位置まで上昇したときには蛇腹７７が収縮し、サセプタ７３および加熱プレート７４が搬入・搬出位置まで下降したときには蛇腹７７が伸長してチャンバー６５内の雰囲気と外部雰囲気とを遮断する。
【００５１】
本実施形態に係る熱処理装置では、載置面９９上に載置された基板Ｗは、上述した加熱プレート７４の発熱によって予備加熱された後、上述した光源５の閃光照射によって、イオンが活性化し得る温度まで昇温される。したがって、加熱プレート７４と、光源５とが全体として、基板Ｗを加熱する加熱手段として機能することになる。
【００５２】
チャンバー６５における開口部６６と反対側の側板６３には、開閉弁８０に連通接続された導入路７８が形成されている。この導入路７８は、チャンバー６５内に、処理に必要なガス、例えば不活性な窒素ガスを導入するためのものである。一方、側板６４における開口部６６には、開閉弁８１に連通接続された排出路７９が形成されている。この排出路７９は、チャンバー６５内の気体を排出するためのものであり、開閉弁８１を介して図示しない排気手段と接続されている。
【００５３】
本実施形態における支持ピン７０について、更に説明を続ける。底板６２には、基板Ｗを下面側から支持するための３本の支持ピン７０が固定的に（すなわち昇降自由度をもたない形で）立設されている。図４に示したように、３本の支持ピン７０は、平面視において、支持対象となる基板Ｗの半分以上の径を有する同心円の円周に沿って等間隔に配設されており、基板Ｗを安定して支持することができるようになっている。なお、図１、図２、および図３では、図示の便宜上、基板Ｗの下方に２本の支持ピン７０を示している。
【００５４】
図３に示したように、本実施形態の３本の支持ピン７０のうち少なくとも１本の支持ピン７０は、その頂部の高さを他の支持ピン７０の頂部の高さと相違させている。具体的には、１本の支持ピン７０の頂部の高さのみを他の２本の支持ピン７０の頂部の高さと相違させてもよく、３本の支持ピン７０の頂部の高さを全て相違させてもよい。このような構成により、３本の支持ピン７０上に基板Ｗを支持したときには、基板Ｗの姿勢（基板支持姿勢）が水平から僅かに傾斜した姿勢となることにより、載置面９９に対して基板Ｗの下面が非平行な状態となる。すなわち、本実施形態においては、頂部の高さを相違させて固定的に立設した３本の支持ピン７０が、基板Ｗを水平姿勢から傾斜させる傾斜手段として機能する。このような構成により、サセプタ７３および加熱プレート７４を上昇させたときには、基板Ｗの下面と載置面９９とが互いに非平行な状態で近接し、基板Ｗと載置面９９との間に存在する気体層Ｇが側方（図３の矢印の方向）へ容易に抜けてから、基板Ｗが載置面９９上に着面することとなる。
【００５５】
ここで、基板Ｗの傾斜角度は、気体層Ｇが側方へ容易に抜け得る角度であって、かつ、基板Ｗが支持ピン７０上から滑り落ちずに支持され得る角度であることが必要である。処理対象となる基板Ｗが２００ｍｍまたは３００ｍｍの径を有する円板状の半導体ウェハーである場合には、３本の支持ピン７０のうち、頂部が最も高いものと最も低いものとの差を０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ未満とすれば、上述の条件を十分に満足する傾斜角度となり、例えば、１本の支持ピン７０の頂部の高さを他の２本の支持ピン７０の頂部の高さより１．０ｍｍ低くなるように、支持ピン７０の寸法を決定すればよい。
【００５６】
次に、上述したような熱処理装置を用いて、一枚の基板Ｗに対して一連の熱処理を行うときの動作について、以下に説明する。
【００５７】
まず、サセプタ７３および加熱プレート７４が、図１に示す基板Ｗの搬入・搬出位置に配置された状態で、図示しない搬送ロボットにより開口部６６を介して基板Ｗを搬入し、基板Ｗを支持ピン７０上に受け渡す。基板Ｗの搬入が完了すれば、開口部６６はゲートバルブ６８により閉鎖される。しかる後、サセプタ７３および加熱プレート７４が、モータ４０の駆動により図２に示す基板Ｗの熱処理位置まで上昇し、支持ピン７０上に支持された基板Ｗが載置面９９上に受け渡される。また、開閉弁８０および開閉弁８１を開いてチャンバー６５内に窒素ガスの気流を形成する。
【００５８】
ここで、サセプタ７３および加熱プレート７４が上昇し、支持ピン７０上に支持された基板Ｗが載置面９９に受け渡される過程について、更に詳述する。本実施形態では、頂部の高さを相違させた３本の支持ピン７０によって、基板Ｗは水平姿勢から僅かに傾斜した姿勢で支持されているため、基板Ｗの下面と載置面９９とは、互いに非平行な状態で近接することとなる。やがて、傾斜姿勢の基板Ｗの最も低位置に在る一端が、載置面９９に接触する。この接触によって、載置面９９に対する基板Ｗの横方向の移動がある程度自由でなくなる。そして、更にサセプタ７３が上昇を続けることによって、基板Ｗは傾斜角度を次第に緩めつつ載置面９９に載置される。このような載置動作においては、互いに非平行な関係にある基板Ｗの下面と載置面９９との間に挟まれた気体層Ｇは、側方（図３の矢印の方向）へ容易に抜け得るため、基板Ｗが載置面９９から浮上した状態となることはない。したがって、横すべりを生じることなく基板Ｗを載置面９９に載置することができる。
【００５９】
載置面９９は、加熱プレート７４に内蔵されたヒータの作用により、予め所定温度に加熱されている。このため、サセプタ７３および加熱プレート７４が基板Ｗの熱処理位置まで上昇した状態においては、基板Ｗが過熱状態にある載置面９９と接触することにより予備加熱され、基板Ｗの温度が次第に上昇する。
【００６０】
この状態においては、基板Ｗは継続して加熱される。そして、基板Ｗの温度上昇時には図示しない温度センサにより基板Ｗの表面温度が予備加熱温度Ｔ１に到達したか否かを常に監視する。
【００６１】
なお、この予備加熱温度Ｔ１は、例えば２００℃ないし６００℃程度の温度である。基板Ｗをこの程度の予備加熱温度Ｔ１まで加熱したとしても、基板Ｗに打ち込まれたイオンが拡散してしまうことはない。
【００６２】
やがて、基板Ｗの表面温度が予備加熱温度Ｔ１に到達すると、フラッシュランプ６９を点灯してフラッシュ加熱を行う。このフラッシュ加熱工程におけるフラッシュランプ６９の点灯時間は、０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンド程度の時間である。このように、フラッシュランプ６９においては、予め蓄えられていた静電エネルギーがこのように極めて短い光パルスに変換されることから、極めて強い閃光が照射されることになる。
【００６３】
このようなフラッシュ加熱により、基板Ｗの表面温度は瞬間的に温度Ｔ２に到達する。この温度Ｔ２は、１０００℃ないし１１００℃程度の基板Ｗのイオン活性化処理に必要な温度である。基板Ｗの表面がこのような処理温度Ｔ２にまで昇温されることにより、基板Ｗ中に打ち込まれたイオンが活性化される。
【００６４】
このとき、基板Ｗの表面温度が０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンド程度の極めて短い時間で処理温度Ｔ２まで昇温されることから、基板Ｗ中のイオン活性化は短時間で完了する。従って、基板Ｗに打ち込まれたイオンが拡散することはなく、基板Ｗに打ち込まれたイオンのプロファイルがなまるという現象の発生を防止することが可能となる。なお、イオン活性化に必要な時間はイオンの拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンド程度の短時間であってもイオン活性化は完了する。
【００６５】
また、フラッシュランプ６９を点灯して基板Ｗを加熱する前に、加熱プレート７４を使用して基板Ｗの表面温度を２００℃ないし６００℃程度の予備加熱温度Ｔ１まで加熱していることから、フラッシュランプ６９により基板Ｗを１０００℃ないし１１００℃程度の処理温度Ｔ２まで速やかに昇温させることが可能となる。
【００６６】
フラッシュ加熱工程が終了した後に、サセプタ７３および加熱プレート７４がモータ４０の駆動により図１に示す基板Ｗの搬入・搬出位置まで下降するとともに、ゲートバルブ６８により閉鎖されていた開口部６６が開放される。サセプタ７３および加熱プレート７４が下降する過程において、載置面９９上に水平姿勢に載置された基板Ｗが支持ピン７０上に受け渡される。本実施形態では、基板Ｗは支持ピン７０上に、再び傾斜姿勢で支持されることになる。そして、支持ピン７０上に支持された基板Ｗが図示しない搬送ロボットにより搬出される。以上のようにして、一連の熱処理動作が完了する。
【００６７】
このように、本実施形態においては、頂部の高さを相違させて固定的に立設された３本の支持ピン７０上に基板Ｗを支持することによって、基板Ｗと載置面９９とを、互いに非平行な状態で近接させるため、基板Ｗの下面と載置面９９とに挟まれた気体層Ｇが側方へ容易に抜ける。このため、基板Ｗを、載置面９９から浮上した状態とすることなく載置面９９に載置することができ、基板Ｗの横すべりを防止することができる。
【００６８】
また、本実施形態では、載置面９９の周縁をテーパ面９５で環囲しているため、基板Ｗが急激な熱膨張によって破損することを防止しつつ、基板Ｗの横すべりを防止することができる。
【００６９】
＜２．第２実施形態＞
続いて、本発明の第２実施形態について説明する。上述した第１実施形態では基板Ｗの下面と載置面９９とを、互いに非平行な状態で近接させるために、３本の支持ピン７０を、頂部の高さを相違させて固定的に立設させていたが、本実施形態では、基板Ｗを下方から支持する３本の支持ピン７５のうちの１本の支持ピン７５ｂを上下に可動な構成とする。
【００７０】
図５および図６は、本実施形態に係る熱処理装置の構成を示す側断面図である。また、図７および図８は、その熱処理装置に備わるサセプタ７３および支持ピン７５の拡大側断面図および平面図である。図５から図８では、第１実施形態と同一の構成となる箇所については第１実施形態と同一の符号を付しており、以下では、それらの箇所についての重複説明は省略する。
【００７１】
本実施形態に係る熱処理装置の底板６２には、基板Ｗを下面側から支持するための３本の支持ピン７５が配設されている。３本の支持ピン７５のうちの２本の支持ピン７５ａは、第１実施形態と同様に、底板６２に固定的に立設されている。また、その頂部の高さは同一に設計されている。そして、３本の支持ピン７５のうちの他の１本の支持ピン７５ｂは、第１実施形態と異なり、その下端部が支持ピン駆動機構７６に連結されている。支持ピン駆動機構７６としては、例えば、図５および図６に示したカム機構を採用することができるが、この他にも、エアシリンダを用いた機構など種々の公知の機構を採用することができる。また、支持ピン７５ｂと、底板６２との間の隙間には、チャンバー６５内の気密を保つために、図示しないダイヤフラムなどの密閉手段が介挿されている。なお、図５、図６、および図７では、図示の便宜上、基板Ｗの下方に１本の支持ピン７５ａと１本の支持ピン７５ｂを示している。
【００７２】
支持ピン７５ｂは、このような支持ピン駆動機構７６の動作によって上下に可動となり、その頂部の高さを、他の２本の支持ピン７５ａと同一の状態と、相違する状態との間で切り替えることが可能となる。頂部の高さを相違させた状態においては、１本の支持ピン７５ｂの頂部の高さが他の２本の支持ピン７５ａの頂部の高さより高くなっていてもよく、あるいは、低くなっていてもよい。３本の支持ピン７５上に基板Ｗを支持した状態で、支持ピン７５ｂの頂部の高さを他の２本の支持ピン７５ａと相違させることによって、基板Ｗを水平姿勢から僅かに傾斜させ、基板Ｗの下面と載置面９９とを互いに非平行な状態とすることが可能となる。すなわち、本実施形態においては、１本の上下に可動な支持ピン７５ｂを含む３本の支持ピン７５が、基板Ｗを水平姿勢から傾斜させる傾斜手段として機能する。このように基板Ｗを水平姿勢から傾斜させることにより、基板Ｗが支持ピン７５から載置面９９に受け渡されるときに、基板Ｗの下面と載置面９９とを互いに非平行な状態で近接させ、基板Ｗと載置面９９との間に存在する気体層Ｇを側方（図７の矢印の方向）へ容易に抜け得るようにすることができる。
【００７３】
ここで、基板Ｗを傾斜させる角度は、第１実施形態の場合と同じく、気体層Ｇが側方へ容易に抜け得る角度であって、かつ、基板Ｗが支持ピン７０上から滑り落ちずに支持され得る角度であることが必要である。処理対象となる基板Ｗが２００ｍｍまたは３００ｍｍの径を有する円板状の半導体ウェハーである場合には、支持ピン７５ｂの変位量を０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ未満とすれば、上述の条件を十分に満足する傾斜角度を得ることができ、例えば、支持ピン７５ｂの変位量が１．０ｍｍとなるように、支持ピン駆動機構７６を設計すればよい。
【００７４】
次に、本実施形態に係る熱処理装置を用いて、一枚の基板Ｗに対して一連の熱処理と行うときの動作について、以下に説明する。ここでも、第１実施形態と同様の動作過程については重複説明を省略し、第１実施形態との相違点を中心に説明する。
【００７５】
本実施形態においては、搬入された基板Ｗが支持ピン７５上に支持され、支持ピン７５から載置面９９へ受け渡される過程、および、加熱処理後の基板Ｗが載置面９９からから支持ピン７５へ受け渡される過程において、第１実施形態と異なる動作を含む。
【００７６】
本実施形態では、図示しない搬送ロボットににより基板Ｗが支持ピン７０上に支持される時点においては、３本の支持ピン７５の頂部の高さは均一な状態となっている。したがって、搬送ロボットから支持ピン７５への基板Ｗの受け渡しは、基板Ｗを水平姿勢としたまま行うことができる。このため、基板Ｗに余計な衝撃を与えることなく、搬送ロボットから支持ピン７５への受け渡しを行うことができる。
【００７７】
その後、サセプタ７３および加熱プレート７４が上昇する前、あるいは、サセプタ７３および加熱プレート７４の上昇と同時に、支持ピン駆動機構７６を作動させることによって、支持ピン７５ｂを上方または下方へ変位させ、基板Ｗの姿勢（基板支持姿勢）を水平姿勢から僅かに傾斜させた状態とする。したがって、サセプタ７３および加熱プレート７４が上昇したときには、基板Ｗの下面と載置面９９とは、互いに非平行な状態で近接することとなる。
【００７８】
やがて、傾斜姿勢の基板Ｗの最も低位置に在る一端が、載置面９９に接触する。この接触によって、載置面９９に対する基板Ｗの横方向の移動がある程度自由でなくなる。そして、更にサセプタ７３が上昇を続けることによって、基板Ｗは傾斜角度を次第に緩めつつ載置面９９に載置される。このような載置動作においては、互いに非平行な関係にある基板Ｗの下面と載置面９９との間に挟まれた気体層Ｇは、側方（図７の矢印の方向）へ容易に抜け得るため、基板Ｗが載置面９９から浮上した状態となることはない。したがって、横すべりを生じることなく基板Ｗを載置面９９に載置することができる。
【００７９】
フラッシュ加熱工程が終了した後にサセプタ７３および加熱プレート７４が下降する過程において、載置面９９上に水平姿勢に載置された基板Ｗが支持ピン７０上に受け渡される。このとき、支持ピン７５ｂは、他の２本の支持ピン７５ａと頂部の高さが同一の状態に戻されており、基板Ｗは支持ピン７０上に、水平姿勢のまま支持されることになる。そして、支持ピン７０上に水平姿勢に支持された基板Ｗが図示しない搬送ロボットにより搬出される。
【００８０】
このように、本実施形態においては、３本の支持ピン７５のうちの１本の支持ピン７５ｂを変位させることによって、基板Ｗと載置面９９とを、互いに非平行な状態で近接させるため、基板Ｗの下面と載置面９９とに挟まれた気体層Ｇが側方へ容易に抜ける。このため、基板Ｗを、載置面９９から浮上した状態とすることなく載置面９９に載置することができ、基板Ｗの横すべりを防止することができる。
【００８１】
また、特に本実施形態においては、支持ピン７５から載置面９９へ基板Ｗを受け渡すときにのみ基板Ｗを傾斜姿勢とすることができ、その他の過程は基板Ｗを水平姿勢に支持した状態で行うことができる。したがって、基板に対して余計な衝撃などを与えるおそれを排除することができる。
【００８２】
また、本実施形態では、載置面９９の周縁をテーパ面９５で環囲しているため、基板Ｗが急激な熱膨張によって破損することを防止しつつ、基板Ｗの横すべりを防止することができる。
【００８３】
＜３．変形例＞
以上、本発明の主たる実施形態について説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。
【００８４】
例えば、上述の第１実施形態および第２実施形態では、支持ピン７０と支持ピン７５とは、何れも３本である場合について説明したが、４本以上の支持ピンによって基板Ｗを下面側から支持する形態であってもよい。４本以上の支持ピンのうちの１本の支持ピンを可動な構成とする場合には、基板Ｗを水平姿勢から適切に傾斜させるために、その１本の支持ピンを他の支持ピンより高い位置へ変位させる形態であることが望ましい。
【００８５】
また、上述の第２実施形態では、１本の支持ピンのみを上下に可動な構成とする場合について説明したが、２本以上の支持ピンを上下に可動な構成としてもよい。
【００８６】
また、上述の第１実施形態および第２実施形態では、基板Ｗと載置面９９とを近接させるために、支持ピン７０または支持ピン７５上に支持された基板Ｗに向かって、載置面９９を上昇させる場合について説明したが、基板Ｗを下面側から支持しつつ昇降可能な３本以上の支持ピンを備え、固定配置された載置面９９に向かって、基板Ｗを下降させる形態であってもよい。これは、例えば各支持ピンに対応して図５および図６のような支持ピン駆動機構７６をそれぞれ同一に設けて同期駆動するか、あるいは単一の駆動源によって３本以上の支持ピンを同期させつつ等速度で下降させることによって達成可能である。
【００８７】
また、このように基板を下面側から支持しつつ昇降可能な３本以上の支持ピンを備える場合には、その３本以上の支持ピンのそれぞれを、非一様な速度で下降させることによって、基板Ｗを傾斜させ、基板Ｗの下面と載置面９９とを互いに非平行な状態とする形態であってもよい。例えば、３本の支持ピンを使用するときには、各支持ピンに対応して図５および図６のような支持ピン駆動機構７６をそれぞれ個別に設けるとともに、それぞれの支持ピン駆動機構７６による下降速度が非一様になるようにしておけば、このような装置が実現可能である。具体的態様として、支持ピン駆動機構７６としてカム機構を採用したときには、それぞれのカムの径や周縁形状の曲率を相違させたり、それぞれのカムの回転速度を異なるものとすることによって支持ピンの下降速度の違いを実現することが可能であり、エアシリンダを用いた機構の場合には、各エアシリンダに与えるエアーの流量を相違させることによって支持ピンの下降速度の違いを実現することが可能である。
【００８８】
また、上述の第１実施形態および第２実施形態では、３本の支持ピン７０または７５が基板Ｗを支持する場合について説明したが、図９に側断面図を示したように、１本の支持部材８３が、基板Ｗの下面の一部と面接触しつつ支持する形態であってもよい。このような形態であっても、支持部材８３の支持面８２を水平姿勢から傾斜させることによって、基板Ｗを水平姿勢から傾斜させ、基板Ｗの下面と載置面９９とを互いに非平行な状態で近接させることが可能である。ここでは、図９（ａ）に示した状態が、上述の第１実施形態および第２実施形態における基板Ｗの搬入・搬出位置に相当し、図９（ｂ）に示した状態が、上述の第１実施形態および第２実施形態における基板Ｗの熱処理位置に相当する。
【００８９】
また、上述の第１実施形態および第２実施形態では、基板Ｗを水平姿勢から傾斜させることによって、載置面９９に対して基板Ｗの下面を非平行な状態とする場合について説明したが、載置面９９に傾斜機構を付設し、載置面９９の面姿勢を水平姿勢から傾斜させることによって、基板Ｗの下面と載置面９９とを互いに非平行な状態とする形態であってもよい。また、支持ピンによる基板支持姿勢の傾斜と、載置面９９の傾斜との双方を用いることも、この発明の範囲に含まれる。
【００９０】
また、上述の第１実施形態および第２実施形態では、熱処理装置は、キセノンフラッシュランプを用いたフラッシュランプアニール装置である場合について説明したが、このようなフラッシュランプアニール装置に限らず、一般に平板状の基板を処理対象とする熱処理装置であれば、本発明を適用することが可能である。放熱手段または吸熱手段を備えることによって、基板の冷却を行うような除熱タイプの熱処理装置についてもこの発明は適用可能である。
【００９１】
また、請求項１５の発明は、請求項１〜請求項１４の発明の特徴をより一般化して基板載置機構として特定されたものであり、基板を載置面と非平行な状態で近接して着面させることにより、平坦な載置面上に平板上の基板を載置する場合一般において、基板の横すべりを防止可能である。
【００９２】
【発明の効果】
以上のように、請求項１から請求項１５に記載の発明によれば、処理対象の基板を載置面上に載置するときに、基板の下面と載置面とを互いに非平行な状態で近接させるため、基板の下面と載置面との間に挟まれた気体層が側方へ容易に抜ける。このため、基板を、載置面から浮上した状態とすることなく載置面に載置することができ、基板の横すべりを防止することができる。
【００９３】
特に、請求項４または請求項１２に記載の発明によれば、基板の傾斜角度を、気体層が側方へ容易に抜け得る角度であって、かつ、基板が支持ピン上から滑り落ちずに支持され得る角度とすることができる。
【００９４】
特に、請求項５または請求項１３に記載の発明によれば、支持ピンから載置面へ基板を受け渡すときにのみ基板を傾斜姿勢とすることができ、その他の過程は基板を水平姿勢に支持した状態で行うことができる。したがって、基板に対して余計な衝撃などを与えるおそれを排除することができる。
【００９５】
特に、請求項７に記載の発明によれば、基板が急激な熱膨張によって破損することを防止しつつ、基板の横すべりを防止することができる。
【００９６】
特に、請求項８または請求項１５に記載の発明によれば、基板に打ち込まれたイオンの拡散を防止しつつ、基板の横すべりを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る熱処理装置の構成を示す側断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る熱処理装置の構成を示す側断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る熱処理装置に備わるサセプタ７３および支持ピン７０の拡大側断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る熱処理装置に備わるサセプタ７３および支持ピン７０の平面図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る熱処理装置の構成を示す側断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る熱処理装置の構成を示す側断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る熱処理装置に備わるサセプタ７３および支持ピン７５の拡大側断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る熱処理装置に備わるサセプタ７３および支持ピン７５の平面図である。
【図９】１本の支持部材８３が、基板Ｗの下面の一部と面接触しつつ支持する形態を示した側断面図である。
【図１０】従来の熱処理装置において、略水平な載置面１００上に基板２００を載置するときの様子を示した側断面図である。
【符号の説明】
５  光源
６２  底板
６５  チャンバー
６９  キセノンフラッシュランプ
７０  支持ピン
７３  サセプタ
７４  加熱プレート
７５  支持ピン
７５ａ  支持ピン
７５ｂ  支持ピン
７６  支持ピン駆動機構
９５  テーパ面
９９  載置面
Ｇ  気体層
Ｗ  基板
【図１】
2005050904.tif 000003
【図２】
2005050904.tif 000004
【図３】
2005050904.tif 000005
【図４】
2005050904.tif 000006
【図５】
2005050904.tif 000007
【図６】
2005050904.tif 000008
【図７】
2005050904.tif 000009
【図８】
2005050904.tif 000010
【図９】
2005050904.tif 000011
【図１０】
2005050904.tif 000012