(57)【要約】【目的】大型液晶表示装置の液晶セル組み立て工程を短縮し生産効率を向上し、かつ歩留りをあげ、液晶表示装置の生産コストを低減する。【構成】カラーフィルター基板やＴＦＴアレイ基板に対して互いに１８０度異なる方向から同時にまたは交互にイオンビームを基板の水平方向に対して１度から２０度の範囲の入射角で帯状に基板に照射し、基板を基板の水平方向に対して垂直に基板を上下することで帯状のイオンビームを基板表面上で走査することで基板表面を均一に配向処理した後、洗浄工程を通さずに直接液晶滴下真空合着アライメント工程に移ることを特徴とする液晶セル工程。【選択図】図８
2005107468.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに１８０度異なる２方向から同時にまたは、それぞれ交互にイオンビームを帯状に基板上に照射し、前記帯状イオンビームを基板上で走査させて基板全面に均一に同じ密度でイオンを照射した後、純水洗浄や有機溶剤による洗浄をおこなわないで、直接、液晶滴下真空合着アライメント工程に移ることを特徴とする横電界方式液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
シクロブタンテトラカルボン酸系ポリイミドや、ベンゾシクロブテン化合物や、フルオレン骨格を有する高分子有機物をパッシベーション膜かつ平担化層として用い、これらの膜に、互いに１８０度異なる２方向から同時にまたは、それぞれ交互にイオンビームを帯状に基板上に照射し、前記帯状イオンビームを基板上で走査させて基板全面に均一に同じ密度でイオンを照射した後、純水洗浄や有機溶剤による洗浄をおこなわないで、直接、液晶滴下真空合着アライメント工程に移ることを特徴とする横電界方式液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
シクロブタンテトラカルボン酸系ポリアミック酸や、ベンゾシクロブテン化合物や、フルオレン骨格を有するカルドポリマー液を基板に塗布した後、真空チェンバー内で室温で溶媒を蒸発させた後、真空の加熱チェンバーで１５０〜２５０度の範囲で加熱し、反応固化させた後連続して真空中で互いに１８０度異なる２方向から同時にまたはそれぞれ交互にイオンビームを帯状に基板上に照射し、前記帯状イオンビームを基板上で走査させて基板全面に均一に同じ密度でイオンを照射した後、純水洗浄や、有機溶剤による洗浄をおこなわないで、直接に、液晶滴下真空合着アライメント工程に移ることを特徴とする横電界方式液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
イオンビームを基板の水平面に対して、１度から２０度の入射角の範囲で帯状に基板表面に照射しながら、基板を基板の水平面に対して垂直方向に上下させることで、帯状のイオンビームを基板表面上で走査することを特徴とするイオンビーム配向処理装置。
【請求項５】
互いに１８０度異なる２方向から同時にまたはそれぞれ交互にイオンビームを基板の水平面に対して、１度から２０度の入射角の範囲で帯状に基板表面に照射しながら、基板を基板の水平面に対して垂直方向に上下させることで、帯状のイオンビームを基板表面上で走査することを特徴とするイオンビーム配向処理装置。
【請求項６】
イオンビームを基板の水平面に対して、１度から２０度の入射角の範囲でかつ加速電圧５００Ｖ〜５０００Ｖの範囲で、帯状に基板表面に照射しながら、基板を基板の水平面に対して垂直方向に上下させることで、帯状のイオンビームを基板表面上で走査することを特徴とするイオンビーム配向処理装置。
【請求項７】
互いに１８０度異なる２方向から同時にまたはそれぞれ交互にイオンビームを基板の水平面に対して、１度から２０度の入射角の範囲でかつ加速電圧５００Ｖ〜５０００Ｖの範囲で、帯状に基板表面に照射しながら、基板を基板の水平面に対して垂直方向に上下させることで帯状のイオンビームを基板表面上で走査することを特徴とするイオンビーム配向処理装置。
【請求項８】
請求項１または請求項２または請求項３の製造方法または請求項４または請求項５のイオン配向装置を用いて作られたことを特徴とする横電界方式液晶表示装置。
【請求項９】
請求項４または請求項５または請求項６または請求項７に記載の製造装置に関して、基板を基板の水平面に対して垂直方向に上下させる時、上下方向の基板の移動速度が、基板が上方にある時よりも基板が下方にある時の方が小さくなるように制御することを特徴とするイオンビーム配向処理装置
【請求項１０】
請求項４または請求項５または請求項６または請求項７に記載の製造装置に関して、イオン源を構成しているグリットＧ１とグリットＧ２とグリットＧ３とがタングステンワイヤーやモリブデンワイヤーなどの高融点金属ワイヤーからなり、多数の同一径の支柱にまきつけられ互いに平行に一定の張力をかけられてはられていることを特徴とするイオンビーム配向処理装置
【請求項１１】
請求項４または請求項５または請求項６または請求項７に記載の製造装置に関して、イオン源が、グリッドＧ１，グリッドＧ２，グリッドＧ３の３電極から構成されており、イオンビームの発散をおさえるために、さらに後段加速用のグリッドＧ４を設置してあり、グリッドＧ３とグリッドＧ４の加速電圧が１０００〜４０００Ｖの範囲にあり、かつ、グリッドＧ１とグリッドＧ２間に印加される電圧よりも２倍以上大きな加速電圧になっていることを特徴とするイオンビーム配向処理装置
【請求項１２】
カラーフィルター基板やＴＦＴアレイ基板を真空チェンバー中にいれた後ビニルトリメトキシシラン（ＶＴＭＳ）やジメチルジエトキシシラン（ＤＭＤＥＳ）や、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）などの有機シラン系モノマーガスを２×１０−１ｔｏｒｒ以下のガス圧でグロー放電させ、プラズマ重合反応により、負の誘電率異方性液晶分子を垂直配向させる垂直配向用プラズマ重合膜を１００〜２０００オングストロームの膜厚で形成した後、大気にもどす。その後、純水を用いた洗浄をおこなわず、ただちに、液晶滴下真空合着アライメント工程に移り液晶セルを組み立てることを特徴とする垂直配向方式液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
カラーフィルター基板やＴＦＴアレイ基板を真空チェンバー中にいれた後、まずはじめにビニルトリメトキシシラン（ＶＴＭＳ）やジメチルジエトキシシラン（ＤＭＤＥＳ）やヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）などの有機シラン系モノマーガスを２×１０−１ｔｏｒｒ以下のガス圧でグロー放電させ、１００〜１０００オングストロームのプラズマ重合反応膜を形成した後、メタンやエタンやプロパンなどのハイドロカーボン系のガスにきりかえ、１．０ｔｏｒｒ以下のガス圧でふたたびグロー放電させ、プラズマ重合反応をおこさせて、１００〜１０００オングストロームの厚さの２層めの垂直配向用プラズマ重合膜を形成した後、大気にもどす。その後、純水を用いた洗浄をおこなわないで、ただちに液晶滴下真空合着アライメント工程に移り、液晶セルを組み立てることを特徴とする垂直配向方式液晶表示装置の製造方法
【請求項１４】
請求項１２または請求項１３の製造方法を用いて垂直配向用プラズマ重合膜を形成する時に、１３．５６メガヘルツと３．２メガヘルツの２周波を重畳した高周波電圧をガラス基板を保持する電極に印加することを特徴とする成膜装置。
【請求項１５】
イオンビームを基板の水平面に対して１度から２０度の入射角の範囲で帯状に基板表面に照射しながら、イオン源を上下に移動させることで、帯状のイオンビームを基板表面上で走査することを特徴とするイオンビーム配向処理装置
【請求項１６】
互いに１８０度異なる２方向から同時に、またはそれぞれ交互にイオンビームを基板の水平面に対して１度から２０度の入射角の範囲で帯状に基板表面に照射しながら、イオン源を上下に移動させることで帯状のイオンビームを基板表面上で走査することを特徴とするイオンビーム配向処理装置
【請求項１７】
イオンビームを基板の水平面に対して１度から２０度の入射角の範囲でかつ、加速電圧５００Ｖ〜５０００Ｖの範囲で帯状に基板表面に照射しながら、イオン源を上下に移動させることで、帯状のイオンビームを基板表面上で走査することを特徴とするイオンビーム配向処理装置
【請求項１８】
互いに１８０度異なる２方向から同時に、またはそれぞれ交互にイオンビームを基板の水平面に対して１度から２０度の入射角の範囲で、かつ加速電圧５００Ｖ〜５０００Ｖの範囲で、帯状に基板表面に照射しながら、イオン源を上下に移動させることで帯状のイオンビームを基板表面上で走査することを特徴とするイオンビーム配向処理装置
【請求項１９】
請求項１５または請求項１６または請求項１７または請求項１８に記載の製造装置に関して、イオン源を基板に対して垂直方向に上下させる時、上下方向のイオン源の移動速度が、イオン源が下方にある時よりもイオン源が上方にある時の方が小さくなるように制御することを特徴とするイオンビーム配向処理装置
【請求項２０】
請求項１２または請求項１３または請求項１４の製造方法と装置を用いて作られた、垂直配向方式液晶表示装置
【請求項２１】
請求項４，５，６，７，１５，１６，１７，１８に記載のイオンビーム配向処理装置と、基板に塗布されたポリアミック酸タイプの高分子膜を加熱して脱水反応させてポリイミド高分子膜を形成する加熱真空脱水反応チェンバーを複数個クラスター構造に配置し、真空加熱チェンバー内でイミド化反応と脱水と脱ガス処理をおこなった後、真空をやぶらずにただちに、形成されたポリイミド高分子膜の表面にイオンビームを照射してポリイミド高分子膜の表面に配向機能を発現させる真空配向装置
【請求項２２】
請求項４，５，６，７，１５，１６，１７，１８に記載のイオンビーム配向処理装置と、基板に塗布されたベンゾシクロブテン化合物を真空で加熱して重合反応をおこさせて高分子膜を形成するための真空加熱チェンバーを複数個クラスター構造に配置し、真空加熱チェンバー内でベンゾシクロブテン化合物の重合反応と脱ガス処理をおこなった後、真空をやぶらずにただちに、形成されたベンゾシクロブテン化合物の高分子膜の表面にイオンビームを照射してベンゾシクロブテン化合物の高分子膜の表面に配向機能を発現させる真空配向処理装置。
【請求項２３】
請求項２１または、請求項２２の真空処理装置を用いて製造された横電界方式液晶表示装置。
【請求項２４】
２枚の基板を真空中ではりあわせて液晶パネルを組み立てる装置に関して、上側の基板を保持しながら上側の静電チャックが回転して反転状態になった後に固定してある下側の静電チャックのまうえまで横方向に移動する。真空チェンバーの上ぶたと下ぶたを合体させて密閉しチェンバー内の大気を排気しチェンバー内部を真空にしながら下側の静電チャックのＸ，Ｙ，θ，Ｚ（上下方向）軸を動かして上下基板のアライメント調整をしながら基板の最外周部に塗布したダミーシールが全周囲完全に密閉されるまで上下基板を接近させる。アライメント動作が終了した後チェンバー内の真空をやぶり、上下の基板に均一に大気圧を印加し、メインシールが均一につぶれるようにする。チェンバー内が大気圧になった後上側の静電チャックを上側基板からはずし、横方向に移動させた後回転反転させもとの状態にもどす。この動作中に紫外線ランプを取り付けた上ぶたが、固定されている下側の静電チャックの上まで横方向に移動し、合着された２枚の基板をうごかさずに、大気圧でつぶれたメインシールに紫外線を照射して、メインシールを硬化させる。次に紫線ランプを取り付けた上ぶたをもとの位置にもどした後、合着アライメントされた液晶パネルを取り出す。上記の工程で液晶パネルを組み立てる真空合着アライメント装置
【請求項２５】
２枚の基板を真空中ではりあわせることで液晶パネルを組み立てる装置に関して、真空中で上下のガラス基板を保持する上側の静電チャックと下側の静電チャックの両方がそれぞれ３分割以上に分割されており、分割された静電チャックのすきまに、上下の基板を搬送するためのロボットのアームがはいりこみ、上下の基板をそれぞれ対応する上下の静電チャックに接触させ、真空吸着により基板を静電チャックに吸着させた後、搬送用のロボットアームをそれぞれの基板からはなして静電チャックのすきまから引きぬく。それからチェンバーをとじて真空引きをはじめてから、上下の静電チャックに電圧を印加して静電チャックを動作させる。上記の方法で上下２枚の基板を真空チェンバー内にローディングすることを特徴とする真空合着アライメント装置。
【請求項２６】
請求項２５に記載されている真空圧着アライメント装置に関して、上下ともにそれぞれ３分割以上に分割されている静電チャックが、上下対称に配置されていることを特徴とする真空合着アライメント装置
【請求項２７】
請求項２５において、上下の２枚の基板を同時に上下の静電チャックのすきまに搬送し、搬送ロボットのアームをそれぞれ上下方向に同時に移動させることで、同時に２枚のガラス基板を上側の静電チャックと下側の静電チャックに吸着させた後、上下の搬送用ロボットアームを同時に静電チャックのすきまから引きぬくことで、最短時間で２枚の上下の基板を上下の静電チャックに同時にローディングすることを特徴とする真空合着アライメント装置
【請求項２８】
２枚の基板を真空中ではりあわせることで液晶パネルを組み立てる装置に関して、真空中で上下の基板を保持する静電チャックのうち、上側の静電チャックのみが３分割以上に分割されており、分割された静電チャックのすきまに、上側の基板を搬送するためのロボットアームがはいりこみ上側の静電チャックに接触させ、真空吸着により基板を静電チャックに吸着させた後、搬送用のロボットアームを上側基板からはなして、静電チャックのすきまから引きぬく。下側の静電チャックは一体物で、複数のリフトアップ用ピンが内蔵されている。下側基板を搬送してきたロボットアームから下側基板をリフトアップ用ピンにうけわたした後、下側の搬送用ロボットアームを引きぬく。リフトアップ用ピンをさげて下側基板を下側静電チャックに接触させてから真空吸着させる。これらの上下の基板のうけわたし動作をほぼ同時におこなうことを特徴とする真空合着アライメント装置。
【請求項２９】
２枚の基板を真空中ではりあわせて液晶パネルを組み立てる装置に関して静電チャックの最外周部にガラス基板の最外周部とかさなりあうように、連続にまたは、ところどころ周期的に中空の弾性体（ゴム状のチューブ）が配置されており、真空チェンバー内の大気を排気した後、真空中で上下の２枚の基板のラフ・アライメント動作をおこなっている時には、この中空の弾性体（ゴム状チューブ）の表面とガラス基板とは接触しておらず、ダミーシールやメインシールの一部が上側と下側の基板が接近することによりつぶれはじめる直前に、この中空の弾性体の内部の圧力を高くして中空の弾性体をふくらませて、上下の２枚の基板の最外周部の表面と中空の弾性体とを接触させる。そして、基板の最外周部に閉ループ状に連続塗布されたダミーシールが完全に基板の全周囲で閉ループ状につぶれ２枚の基板の内部が完全に密閉されるように基板の最外周部のみを中空の弾性体（ゴム状チューブ）をふくらませて加圧する。この加圧動作をおこないながらファイン・アライメント動作をおこなった後、真空チェンバーの真空をやぶり２枚の基板全面に大気圧がかかるようにする。上記の工程で液晶パネルを組み立てる真空合着アライメント装置．
【請求項３０】
２枚の基板を真空中ではりあわせて液晶パネルを組み立てる装置に関して、上側または下側のすくなくともどちらか一方の基板の最外周部に閉ループ状に塗布されたダミーシールとかさなりあうように、静電チャックの最外周部に、連続またはところどころに周期的に厚さ２０ミクロンから１００ミクロンのゴム状弾性体を塗布するか、または、静電チャックの水平面から２０ミクロンから１００ミクロン程度連続的またはところどころ周期的にもりあがったゴム状弾性体をうめこむ。上記の静電チャックが、上下対称に配置されており、真空チェンバーの大気を排気しつづけながら、上下の静電チャックに吸着している２枚の基板のすきまをじょじょにちかづけていき、２枚の基板を、塗布されたシールで密閉する時、ガラス基板の最外周部に塗布されたダミーシールの領域だけをまず最初に完全にすきまなく連結してつぶしながら、アライメント動作をおこない２枚の基板をダミーシールで完全に密閉する。その後真空チェンバーの真空をやぶり２枚の基板全面に大気圧がかかるようにする。
上記の工程で液晶パネルを組み立てる真空合着アライメント装置．
【請求項３１】
２枚の基板を真空中ではりあわせて液晶パネルを組み立てる装置に関して、２枚の基板をはりあわせるために基板の最外周部に閉ループ状に塗布されたダミーシールと、有効画素領域の周囲に閉ループ状に塗布されたメインシールとのあいだの領域の上下基板のすきまの距離（セルギャップ）をウォラストンプリズムを用いる白色干渉計を用いて複数点計測する。これらの複数の計測値をもとに、上下の基板のすきまの平行度を調整して、基板の最外周領域に塗布された閉ループ状のダミーシールが均一に連続してすきまなくつぶれるように上下基板を加圧合着しながらファインアライメント動作をおこなう。基板最外周部のダミーシールが均一につぶれて２枚の基板の内部が完全に密閉された後、真空チェンバーの真空をやぶり、２枚の基板全面に大気圧がかかるようにする。
上記の工程で液晶パネルを組み立てる真空合着アライメント装置
【請求項３２】
請求項３１に記載の真空合着アライメント装置に関して、２枚の基板のセルギャップを計測するためのウォラストンプリズムを用いた白色干渉計に用いる光源が可視光の緑から赤外領域の波長までを利用しており、かつ上記ウォラストンプリズムを用いた白色干渉計が複数個下側の静電チャック側に配置されていることを特徴とする液晶パネル真空合着アライメント装置．
【請求項３３】
請求項１４に記載の垂直配向用プラズマ重合膜形成装置に関して、高周波（Ｒｆ）電圧を印加する電極は、下方に位置している時は、水冷している冷却プレートに接しており、基板を高周波電圧を印加する電極（Ｒｆ電極）の上にのせた後、Ｒｆ電極は上方にもちあがり、有効画素領域のみにプラズマ重合膜を形成するためのシャドーフレーム（セラミック製）と合体して、密閉されたプラズマ反応ボックスを形成する。密閉されたプラズマボックスの側面と反応ガスを放出するシャワー天井板は、ヒーターにより２００℃以上に加熱されていて、メタン（ＣＨ４），エタン（Ｃ２Ｈ６），プロパン（Ｃ３Ｈ８）などのハイドロカーボン系のガスをプラズマ反応させてもプラズマ重合膜が形成されないようになっている。ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ），ジメチルジエトキシシラン（ＤＭＤＥＳ），ビニルトリメトキシシラン（ＶＴＭＳ）などの有機シラン系モノマーガスとハイドロカーボン系のガスをプラズマ反応させてプラズマ重合膜を基板の有効画素領域のみに１００〜２０００オングストロームの膜厚の範囲に形成した後、Ｒｆ電極を下方に移動させ、シャドーフレームとＲｆ電極とを分離させ、Ｒｆ電極は、冷却プレートにふたたび接触し、冷却される。上記の構造とプロセス動作を特徴とするプラズマ重合膜形成装置。
【請求項３４】
請求項４、または、請求項５または請求項６または請求項７に記載のイオン配向処理装置に関して、基板を保持し、基板の水平面に対して垂直方向に基板を上下させる基板ホルダーにペルチェ素子が組み込まれており基板に直接接触する基板ホルダーが窒化アルミニウムからなり、表面温度が室温より低い１０度以下にたもたれていることを特徴とするイオンビーム配向処理装置。
【請求項３５】
請求項３３に記載の垂直配向膜形成装置を用いて作られたことを特徴とする垂直配向方式液晶表示装置．
【請求項３６】
請求項２５から請求項３２までに記載の液晶滴下真空合着アライント装置を用いて作られたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３７】
液晶滴下真空合着アライメント装置に用いる静電チャックに関して、静電チャックの最外周部にガラス基板の最外周部とかさなりあうように連続にまたは、ところどころ周期的に中空の弾性体（ゴム状のチューブ）が配置されておりかつ上下の静電チャックに上記中空の弾性体は上下対称に配置されていることを特徴とする静電チャック。
【請求項３８】
液晶用イオン配向機に関して、イオンビームを５００〜５０００Ｖの範囲の加速電圧で基板に対して水平にうち出し、２枚の平板静電偏向電極の領域でイオンビームを基板に対して水平面から１〜２０度の範囲で入射するように偏向する。上記２枚の平板静電偏向機能と基板の水平方向の移動の両方を利用してイオンビームが基板全面を均一に走査できることを特徴とするイオン配向装置
【請求項３９】
液晶セル組み立て工程で用いる液晶滴下装置に関して、圧電素子を用いたインクジェットノズルを用い、１枚の基板に滴下するのに十分な量の液晶を脱気モジュールを通してシリンジ内に供給し、シリンジ内の液晶の液面の高さをレーザー光線を用いて計測し、この液晶の液面の高さの変化からインクジェットのノズルを通して滴下した液晶の量を精密に計測することを特徴とする連続脱気液晶滴下装置。
【請求項４０】
請求項３１に記載の真空合着アライメント装置に関して、２枚の基板をはりあわせるために基板の最外周部に閉ループ状に塗布されたダミーシールと、有効画素領域の周囲に閉ループ状に塗布されたメインシールとのあいだの領域の上下基板のすきまの距離（セルギャップ）をウォラストンプリズムを用いる白色干渉計で複数点計測し、これらの複数の計測値をもとに、上下の基板のすきまの平行度を、上側静電チャックまたは下側静電チャックのどちらか１方の静電チャックの支持柱に組みこまれた複数のアクチェエーター（磁歪素子など）を用いて調整しながら、上下の基板のすきまを平行度をたもちながらせばめていき、ダミーシールやメインシールの一部がつぶれはじめる直前に、静電チャックの最外周部にうめこまれた中空弾性体（ゴム状チューブ）をふくらませて、基板の最外周部に閉ループ状に連続塗布されたダミーシールを均一に完全につぶしながら上下基板のアライメント動作をおこなった後真空チェンバーの真空をやぶり、上下の基板全面に大気圧がかかるようにしたことを特徴とする真空圧着アライメント装置
【請求項４１】
請求項３９に記載の連続脱気液晶滴下装置を用いて作られたことを特徴とする液晶表示装置
【請求項４２】
請求項３７と請求項４０に記載の静電チャックと真空合着アライメント装置を用いて作られたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４３】
請求項４に記載のイオンビーム配向処理装置に関して、基板に１方向から１度〜２０度の入射角の範囲で帯状イオンビームを照射し、基板を基板の水平面に対して垂直方向に上下移動させることで、帯状イオンビームを基板表面上で走査し、基板全面に均一にイオンを照射した後、基板を１８０度基板の中央を回転軸として回転させた後、再度帯状イオンビームを基板を上下させることで基板全面にイオンビームを走査し、均一にイオンを照射することでイオンビームの照射されない影の領域を完全になくすことができることを特徴とするイオンビーム配向処理装置。
【請求項４４】
液晶セルギャップを計測する装置に関して、液晶を滴下した後、２枚の基板を真空中ではりあわせて液晶パネルを組み立てた後、各セルごとに分断せずに一括はりあわされた状態で、基板の最外周部に閉ループ状に塗布されたダミーシールと、有効表示画素領域の周囲に閉ループ状に塗布されたメインシールとのあいだの液晶の存在していない真空にたもたれている領域でかつメインシールにできるだけ近い部分のセルギャップをウォーラ・ストンプリズムを用いる白色干渉計によって複数点計測することを特徴とするセルギャップ計測装置。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】
【０００１】本発明は、低コスト大画面のアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法と製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】アルゴンイオンを加速して有機膜や無機膜に衝突させることで配向処理をおこなう技術は特開平２−２５９７２５や特開平７−５６１７２特開平１０−０９６９２７，特開平１１−２７１７７４，特開平８−３１３９１２などで公開されている。線状，帯状のイオンビームを用いて液晶分子に直接接触する有機物や無機物の表面を一方向からイオンを照射することで配向機能を発現させている。基板全面にイオンビームを均一に照射するため、従来の場合図１にあるように基板を基板平面に対して水平方向に移動させている。イオンビームのイオン源は１個で１方向からのみイオンを照射していた。【０００３】従来の垂直配向モードの垂直配向膜形成工程は、図１８にあるように、エキシマＵＶ光を照射して基板表面のぬれ性を改善してからフレキソ印刷法やインクジェット印刷法を用いて垂直配向用ポリイミド配向膜の溶解した溶液を基板の表面に塗布している。塗布後基板温度を４０度〜６０度上昇させて有機溶剤を揮発させてから２００度〜２３０度まで基板温度を上昇させイミド化反応をおこさせてポリイミド配向膜を形成している。２０〜３０分間２００度〜２３０度に基板をたもち配向膜を硬化させてから配向膜表面に付着している不純物を純水洗浄にてとりのぞいてから再度加熱してポリイミド膜にしみこんだ水分をおい出している。【０００４】従来の液晶滴下真空合着アライメント装置は、平行平板状の２枚の静電チャックで２枚の基板を上下に保持し、真空中で上下の２枚の基板を近接させ圧着させていた。２枚の基板の空間ギャップは測定せず、圧着時の圧力コントロールだけでアライメント中の空間ギャップをコントロールしていた。
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】横電界方式の液晶表示装置では、ホトリソグラフィー技術を用いてセルギャップを決定するためのホトスペーサーをカラーフィルター基板側かＴＦＴ基板側に形成している。従来のイオン配向方法では一方向からイオンビームを基板の水平面から１０〜２０度の角度で入射させていた。この方法だとホトスペーサーが障害物となり図１１にあるようにイオンビームがあたらない領域ができてしまう。ホトスペーサーの高さが３ミクロン以上だとこのイオンビームのあたらない領域は１５ミクロンから３０ミクロン以上にも長くのびてしまい有効表示領域にまでおよんでしまう。イオンビームが照射されていない領域は配向機能が発現しないため液晶分子はランダム配向となり光の制御をおこなうことができない。このため従来の方法では黒レベルの表示時に光リークが生じ、いちじるしくコントラストが悪化してしまうことをさけられなかった。
【０００６】図１にあるような従来のイオン照射装置では、イオン発生源は、照射処理をほとごす基板の端部に配置されており基板を基板の平面と平行な方向に移動させることで、イオンビームを基板全面に均一に照射できるようにしていた。この方式では真空チェンバー全体が非常に大きく長く設計しなければならず、装置の価格が高くなってしまうことをさけられなかった。
【０００７】さらに真空中で基板を保持するステージを移動させるための機構部分からの発塵を完全に防止することができないため定期的なメンテナンスをおこなう必要があった。駆動部を大気中に設置する場合、多数の真空シール部分が必要となり、真空リークのトラブルが発生しやすいためイオン発生源のタングステンフィラメントの寿命が短かくなってしまうことがあった。
【０００８】従来の垂直配向モードの垂直配向膜形成工程は、図１８の左側にあるように、工程数が多く、多くの装置を必要としている。基板サイズがメートル以上では全工程の長さは７０メートル以上にもなりクリーンルームのスペースを非常に大きく占有しており、ランニングコストも非常に高価にならざるを得なかった。
【０００９】さらに、垂直配向用配向膜は、従来のＴＮモード用や横電界モード用の配向膜にくらべてぬれ性が悪るく塗布しにくい性質のためピンホールやはじきが生じやすく均一コーティングの歩留りが良くなかった。うまく塗布できたとしても熱硬化してイミド反応をおこさせた後、純水洗浄が必要なため、洗浄後に配向膜中にしみこんだ水分をとりのぞくために加熱乾燥工程が必要となり、工程全体の簡略化をおこなうことがむずかしかった。
【００１０】従来の液晶滴下真空合着アライメント装置は、上下２枚の静電チャックの平行度と平面度を±５ミクロン以内にはいるように超精密加工していた。しかしカラーフィルター基板やＴＦＴアレイ基板の加工平面度は±１０〜±１５ミクロン程度しかなく上下２枚の静電チャックの平行度をダイナミックに計測器を用いて計測し、その計測値をもとに平行度を補正しても、２枚の基板の加工精度が悪るいために上下基板の空間ギャップの平行度の精度をあげることができなかった。このため上下基板が全面で均一に接触することができず、局所的な部分接触が生じることをさけられなかった。このため基板最外周部に閉ループ状に塗布されたダミーシールが全周囲均一につぶれないことが多発していた。ダミーシールが十分につぶれていない所ではチェンバー内の真空をやぶった時に、大気圧の圧力に耐えきれずシール破れが発生しやすかった。
【００１１】ダミーシールが全周囲均一につぶれるようにするために、下側の静電チャックの全面を、薄いラバーシートで被覆したり、下側の基板ホルダーに粘着性ラバーシートや粘着性吸着パッドを多数配置する方法も実用化されているが、この方法では、上下基板の平行度の精度は、悪るくなり局所的部分接触がさけられない。この方式を採用するとダミーシールやメインシールがつぶれはじまてからアライメント調整をおこなおうとしても局所的に大きくシールがつぶれている領域が存在するために、アライメント調整ができない。そのためアライメント精度が悪るく大きな問題となっていた。
【００１２】本発明は、上記の問題を解決するためのものであり、その目的とするところは、大型の液晶表示パネルを安価に歩留り良く製造することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】前記課題を解決し上記目的を達成するために、本発明では、下記の手段を用いる。
【００１４】〔手段１〕イオン配向処理工程において、帯状（または線状）イオン源を互いに１８０度異なる方向に配置して、２方向から同時にまたは、それぞれ交互にイオンビームを帯状に基板に照射し、イオンビームを基板上で走査させて、基板全面に均一に同じ密度でイオンを照射した後、純水洗浄や有機溶剤による洗浄をおこなわないで、直接、液晶滴下真空合着アライメント工程に移るようにした。
【００１５】〔手段２〕イオン配向処理工程において、シクロブタンテトラカルボン酸系ポリアミック酸や、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）や、フルオレン骨格を有するカルドポリマー液を基板に塗布した後、溶媒を蒸発させ２００度付近まで加熱して反応固化させた後真空中で互いに１８０度異なる２方向から同時にまたは、それぞれ交互にイオンビームを帯状に基板上に照射し、前記帯状イオンビームを基板上で走査させて基板全面に均一に同じ密度でイオンを照射した後、純水洗浄や有機溶剤による洗浄をおこなわないで、直接に、液晶滴下真空合着アライメント工程に移るようにした。
【００１６】〔手段３〕イオンビームを基板の水平面に対して、１度から２０度の入射角の範囲で帯状に基板表面に照射しながら、基板を基板の水平面に対して垂直方向に上下させることで、帯状のイオンビームを基板表面上で走査できるようにした。
【００１７】〔手段４〕互いに１８０度異なる２方向から同時に、またはそれぞれ交互にイオンビームを基板の水平面に対して、１度から２０度の入射角の範囲で帯状に基板表面に照射しながら、基板を基板の水平面に対して垂直方向に上下させることで、帯状のイオンビームを基板表面上で走査できるようにした。
【００１８】〔手段５〕手段１から手段４に用いられるイオンビームの加速電圧を５００Ｖ〜５０００Ｖの範囲とした。
【００１９】〔手段６〕手段３，手段４において、基板を基板の水平面に対して垂直方向に上下させる時、上下方向の基板の移動速度が、基板が上方にある時よりも基板が下方にある時の方が小さくなるように制御して、イオン照射密度が基板全面で均一になるようにした。
【００２０】〔手段７〕イオン配向処理装置のイオン源を構成しているグリットＧ１とグリットＧ２とグリットＧ３とがタングステンワイヤーやモリブデンワイヤーなどの高融点金属ワイヤーからなり、多数の同一径の支柱にまきつけられ互いに平行に一定の張力をかけられるようにした。
【００２１】〔手段８〕イオン配向処理装置のイオン源がグリッドＧ１，グリッドＧ２，グリッドＧ３の３電極から構成されており、イオンビームの発散をおさえるためにさらに後段加速用のグリッドＧ４を設置し、グリッドＧ３とグリッドＧ４の加速電圧が１０００〜４０００Ｖの範囲にあり、かつグリッドＧ１とグリッドＧ２間に印加される電圧よりも２倍以上大きな加速電圧に設定した。
【００２２】〔手段９〕カラーフィルター基板やＴＦＴアレイ基板を真空チェンバー中に入れた後、ビニルトリメトキシシラン（ＶＴＭＳ）やジメチルジエトキシシラン（ＤＭＤＥＳ）や、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）などの有機シラン系モノマーガスを２×１０−１ｔｏｒｒ以下のガス圧で、グロー放電させ、プラズマ重合反応により、負の誘電率異方性液晶分子を垂直配向させる機能を有する垂直配向用プラズマ重合膜を１００〜２０００オングストロームの膜厚で形成した後、大気にもどす、その後、純水を用いた洗浄をいっさいおこなわず、ただちに、液晶滴下真空合着アライメント工程に移るようにした。
【００２３】〔手段１０〕カラーフィルター基板やＴＦＴアレイ基板を真空チェンバー中にいれた後、まずはじめにビニルトリメトキシシラン（ＶＴＭＳ）やジメチルジエトキシシラン（ＤＭＤＥＳ）やヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）などの有機シラン系モノマーガスを２×１０−１ｔｏｒｒ以下のガス圧でグロー放電させ、１００〜１０００オングストロームのプラズマ重合反応膜を形成した後、メタンやエタンやプロパンなどのハイドロカーボン系のガスにきりかえて、１．０ｔｏｒｒ以下のガス圧でふたたびグロー放電させプラズマ重合反応をおこさせて、１００〜１０００オングストロームの膜厚の２層めの垂直配向用プラズマ重合膜を形成した後、大気にもどす。その後、純水を用いた洗浄をおこなわず、ただちに液晶滴下真空合着アライメント工程に移るようにした。
【００２４】〔手段１１〕手段９，手段１０で垂直配向用プラズマ重合膜を形成する時に１３．５６メガヘルツと３．２メガヘルツの２周波を重畳した高周波電圧をガラス基板を保持する電極に印加した。
【００２５】〔手段１２〕フレキソ印刷法やインクジェット印刷法により基板上に塗布されたポリアミック酸タイプの高分子膜を加熱して脱水反応させてイミド化させ、ポリイミド高分子膜を形成するための加熱真空脱水反応チェンバーを複数個クラスター構造に配置し、真空加熱チェンバー内でイミド化反応と脱水と脱ガス処理をおこなった後、真空をやぶらずにただちに形成されたポリイミド高分子膜の表面にイオンビームを照射してポリイミド高分子膜の表面に配向機能を発現させた。
【００２６】〔手段１３〕フレキソ印刷法やインクジェット印刷法により基板上に塗布されたベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）モノマーを真空中で加熱して重合反応をおこさせて高分子膜を形成するための真空加熱チェンバーを複数個クラスター構造に配置し、真空加熱チェンバー内でベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）の重合反応と脱ガス処理をおこなった後、真空をやぶらずに、ただちに形成されたベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）の高分子膜の表面にイオンビームを照射して、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）の高分子膜の表面に配向機能を発現させた。
【００２７】〔手段１４〕２枚の基板を真空中ではりあわせて液晶パネルを組み立てる装置に関して、上側の基板を保持しながら上側の静電チャックが回転して反転状態になった後に固定してある下側の静電チャックのまうえまで横方向に水平移動する。真空チェンバーの上ぶたと下ぶたを合体させて密閉しチェンバー内の大気を排気し、チェンバー内部を真空にしながら下側の静電チャックのＸ，Ｙ，θ，Ｚ（上下方向）軸を動かして上下基板のアライメント調整をしながら基板の最外周部に塗布したダミーシールが全周囲完全に密閉されるまで上下基板を接近させる。アライメント動作が終了した後チェンバー内の真空をやぶり上下の基板に均一に大気圧を印加し、メインシールが均一につぶれるようにする。チェンバー内が大気圧になった後、上側の静電チャックを上側基板からはずし、横方向に移動させた後回転反転させ、もとの状態にもどす。この動作中に、紫外線ランプを取り付けた上ぶたが、固定されている下側の静電チャックの上まで横方向に移動し、合着された２枚の基板をうごかさずに、大気圧でつぶれたメインシールに紫外線を照射して、メインシールを硬化させる。メインシールが十分に硬化した後、紫外線ランプを取り付けた上ぶたをもとの位置に水平移動させてから、合着アライメントされた液晶パネルを取り出すようにした。
【００２８】〔手段１５〕２枚の基板を真空中ではりあわせることで液晶パネルを組み立てる装置に関して、真空中で上下のガラス基板を保持する上側の静電チャックと下側の静電チャックの両方が、それぞれ３分割以上に分割されており、分割された静電チャックのすきまに、上下の基板を搬送するためのロボットのアームがはいりこみ、上下の基板をそれぞれ対応する上下の静電チャックに接触させ、真空吸着により、基板を静電チャックに吸着させた後、搬送用のロボットアームをそれぞれの基板から、はなして静電チャックのすきまから引きぬく。それからチェンバーをとじて、真空引きをはじめてから上下の静電チャックに電圧を印加して静電チャックを動作させる。上記の方法で上下２枚の基板を真空チェンバー内にローディンするようにした。
【００２９】〔手段１６〕手段１５において、上下ともにそれぞれ３分割以上に分割されている静電チャックが上下対称に配置されているようにした。
【００３０】〔手段１７〕手段１５において、上下の２枚の基板を同時に上下の静電チャックのすきまに搬送し、搬送ロボットのアームをそれぞれ上下方向に同時に移動させることで同時に２枚のガラス基板を上側の静電チャックと下側の静電チャックに吸着させた後、上下の搬送ロボットアームを同時に静電チャックのすきまから引きぬくことで、最短時間で２枚の上下の基板を上下の静電チャックに同時にローディングできるようにした。
【００３１】〔手段１８〕２枚の基板を真空中ではりあわせることで、液晶パネルを組み立てる装置に関して、真空中で上下の基板を保持する静電チャックのうち、上側の静電チャックのみが３分割以上に分割されており、分割された静電チャックのすきまに、上側の基板を搬送するためのロボットアームがはいりこみ、上側の静電チャックに基板を接触させた後、真空吸着により基板を静電チャックに吸着させてから、搬送用のロボットアームを上側基板からはなして静電チャックのすきまから引きぬく。下側の静電チャックは、一体物で、複数のリフトアップ用ピンが内蔵されている。下側基板を搬送してきたロボットアームから下側基板をリフトアップ用ピンにうけわたした後、下側の搬送用ロボットアームを引きぬく。リフトアップ用ピンをさげて下側基板を下側静電チャックに接触させてから真空吸させる。これらの上下の基板のうけわたし動作をほぼ同時におこなうようにした。
【００３２】〔手段１９〕２枚の基板を真空中ではりあわせて液晶パネルを組み立てる装置に関して、静電チャックの最外周部にガラス基板の最外周部とかさなりあうように、連続にまたはところどころ周期的に中空の弾性体（ゴム状のチューブ）が配置されており、真空チェンバー内の大気を排気した後、真空中で上下の２枚の基板のアライメント動作をおこなっている時には、この中空の弾性体（ゴム状のチューブ）の表面とガラス基板とは接触しておらず、ダミーシールやメインシールの一部が上側と下側の基板が接近することによりつぶれはじめる直前に、この中空の弾性体の内部の圧力を高くして、中空の弾性体をふくらませて、上下の２枚の基板の最外周部の表面と中空の弾性体とを接触させ、基板の最外周部に閉ループ状に連続塗布されたダミーシールが、完全に基板の全周囲で閉ループ状につぶれ２枚の基板の内部が完全に密閉されるように基板の最外周部のみを、中空の弾性体（ゴム状チューブ）をふくらませて加圧する。この動作をおこないながらアライメント動作をおこなった後、真空チェンバーの真空をやぶり２枚の基板全面に大気圧がかかるようにした。
【００３３】〔手段２０〕２枚の基板を真空中ではりあわせて液晶パネルを組み立てる装置に関して、上側または下側のすくなくともどちらか一方の基板の最外周部に閉ループ状に塗布されたダミーシールとかさなりあうように、静電チャックの最外周部に、連続またはところどころに周期的に厚さ２０ミクロンから１００ミクロン程度のゴム状弾性体を塗布するか、または、静電チャックの水平面から２０ミクロンから１００ミクロン程度連続的または、ところどころ周期的にもりあがったゴム状弾性体をうめこむ。上記の静電チャックが上下対称に配置されており、真空チェンバーの大気を排気しつづけながら、上下の静電チャックに吸着している２枚の基板のすきまをじょじょにちかづけていき、２枚の基枚を、塗布されたシールで密閉する時、ガラス基板の最外周部に塗布されたダミーシールの領域だけをまず最初に完全にすきまなく連結してつぶしながら、アライメント動作をおこない、２枚の基板を基板の最外周部に閉ループ状に塗布されたダミーシールで完全に密閉する。その後真空チェンバーの真空をやぶり２枚の基板全面に大気圧がかかるようにした。
【００３４】〔手段２１〕２枚の基板を真空中ではりあわせて液晶パネルを組み立てる装置に関して、２枚の基板をはりあわせるために基板の最外周部に閉ループ状に塗布されたダミーシールと、有効画素領域の周囲に閉ループ状に塗布されたメインシールとのあいだの液晶が滴下されていない領域の上下基板のすきまの距離（セルギャップ）を、ウォラストンプリズムを用いる白色干渉計を用いて複数点計測する。これらの複数の計測値をもとに、上下の基板のすきまの平行度を調整して、基板の最外周領域に塗布された閉ループ状のダミーシールが均一に連続してすきまなくつぶれるように上下基板を加圧合着しながらアライメント動作をおこなう。基板の最外周部のダミーシールが均一につぶれて２枚の基板の内部が完全に密閉された後、真空チェンバーの真空をやぶり、２枚の基板全面に大気圧がかかるようにした。
【００３５】〔手段２２〕手段２１に用いられている２枚の基板のすきまの距離（セルギャップ）を計測するためのウォラストンプリズムを用いた白色干渉計に用いる光源が可視光の緑から赤外領域の波長までを利用しており、かつ上記ウォラストンプリズムを用いた白色干渉計を複数個下側の静電チャック側に配置した。
【００３６】〔手段２３〕手段９，１０で記載した垂直配向用プラズマ重合膜形成装置に関して、高周波（Ｒｆ）電圧を印加する電極は上下方向に運動可能な構造で作られている。下方に位置している時は、水冷している冷却プレートに接しており、基板を高周波電圧を印加する電極（Ｒｆ電極）の上にのせた後、Ｒｆ電極は、上方に、もちあがり、有効画素領域のみにプラズマ重合膜を形成するためのシャドーフレーム（セラミック製）と合体して、密閉されたプラズマ反応ボックスを形成する。密閉されたプラズマボックスの側面と反応ガスを放出するシャワー天井板は、ヒーターにより２００℃以上に加熱されていて、メタン（ＣＨ４），エタン（Ｃ２Ｈ６），プロパン（Ｃ３Ｈ８）などのハイドロカーボン系のガスをプラズマ反応させてもプラズマ重合膜が形成されないようになっている。ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ），ジメチルジエトキシシラン（ＤＭＤＥＳ），ビニルトリメトキシシラン（ＶＴＭＳ）などの有機シラン系モノマーガスと、ハイドロカーボン系のガスをプラズマ反応させてプラズマ重合膜を基板の有効表示画素領域のみに１００〜２０００オングストロームの膜厚の範囲に形成した後、Ｒｆ電極を下方にさげてシャドーフレームとＲｆ電極とを分離させ、Ｒｆ電極は、冷却プレートにふたたび接触し、冷却されるようにした。
【００３７】〔手段２４〕手段１，２，３，４に記載のイオン配向処理装置に関して基板を保持する基板ホルダーにペルチェ素子を組み込んでおき、基板に直接接触する基板ホルダーの表面に熱伝導の良い窒化アルミニウムを用いて、基板を室温よりも低い１０度以下に冷却できるようにした。
【作用】
【００３８】手段１，２を用いることで図１１にあるようなイオンビームの照射されない領域をなくすことができる。これにより液晶分子が配向不良をおこす領域が消滅するため偏光板を通過してきた偏光光を完全に制御することができるので光もれのない良好な黒表示が可能となりコントラストを大幅に向上することができる。さらにイオン配向処理後純水洗浄をおこなわないことで有機膜中への水分の浸透を防止できるので表示ムラなどが生じにくく、長期信頼性を高めることが可能となる。
【００３９】手段３，４，６により、図１５，図１６にあるようにイオン配向処理装置を非常にコンパクトにしかも簡単な構造にすることができる。図１にあるような従来のイオン配向装置では基板を基板の水平面方向に対して水平に移動させるため移動距離が大きくなることがさけられなかったが、本発明によれば図１５にあるようにほんのわずかな基板の上下運動でイオンビームを走査することができるので、機構が単純で発塵も低減でき、装置コストを大幅に低減できる。トラブル発生も少ないのでメンテナンスもほとんど必要なくなり、ランニングコストも低減できる。
【００４０】手段５，７，８，２４を用いることでイオンビームの方向性をそろえることができる。従来のイオン配向で用いられていた５００Ｖ以下の加速電圧では、イオンビームの方向性をそろえることができずイオンビームの発散角が大きくなってしまい液晶分子の配向方向をそろえることがむずかしかった。イオンビームの加速電圧を大きくしていくと、イオン源のグリッド電極の熱変形の問題や、配向膜の熱変質の問題が発生してくるが手段７，８，２４を用いることでこれらの問題を解決することができる。イオン配向処理では配向膜の表面温度上昇をおさえることが特に重要である。液晶分子配向機能は配向膜の表面のみに付与すれば十分であるためイオンビームの入射角は小さければ小さいほど良いが実用的には１０〜２０度の範囲であれば配向膜の表面温度上昇を低減できる。
【００４１】手段２，１２，１３を用いることでアンカリングエネルギーの大きなしかも長期信頼性の点ですぐれたイオン配向機能を発現できる。特にシクロブタンテトラカルボン酸系ポリイミド高分子は最も信頼性が高くイオン照射時の熱変質を生じにくい。
【００４２】手段９，１０を用いることで基板に対して密着力のある垂直配向膜を簡単に形成できる。有機シラン系の膜のため、大気中の水分を吸収しにくく、いちじるしく信頼性を向上させることが、できる。プラズマ重合膜は凹凸面にもピンホールなしでカバレージの良い膜を均一に成膜できるため、メートルサイズのガラス基板にも歩留り良く垂直配向膜を形成できる。本発明の工程と液晶滴下真空合着アライメント工程を直結することでいちじるしく工程を簡素化できる。人体に有害な有機溶剤がクリーンルーム内に拡散することもないので安全性がいちじるしく向上する。従来のフレキソ印刷法とくらべてメンテナンスがほとんどいらなくなりランニングコストも大幅に低減できる。熱硬化処理も必要ないので、製造工程をいちじるしく短縮化できる。純水洗浄工程も必要なくなり配向膜中の残留水分の問題も完全になくなり、長期信頼性を高めることが可能である。
【００４３】手段１１，２３を用いることで、垂直配向膜を高周波電圧が印加されるＲｆ電極側にのみ形成することができるようになり、メンテナンスがほとんど必要なくなる。特にハイドロカーボンを原料とするアモルファスカーボンはアースに接地された温度の高い側壁やガス放射ノズルには成膜しないので、セルフクリーニングをおこなう回数が少なくなり装置の稼働率を高めることができる。
【００４４】手段１４を用いることで真空合着アライメント動作後、合着された２枚の基板をまったく動かさずにダミーシールとメインシールに紫外線を照射してシールを硬化することができるようになる。このためアライメントの精度を保持しながらシールを硬化できるため、アライメント精度を搬送時に低下させることがなくなる。ガラス基板が大きくなるとガラス基板をたるまさないで搬送することが非常に難しくなります。本発明を用いることでメインシールとダミーシールを紫外線硬化させた後らんぼうに搬送してもアライメント精度がズレないので搬送系の設計がやりやすくなり搬送スピードも高めることができる。
【００４５】手段１５，１６，１７，１８を用いることで上下２枚の基板を最短時間で上下の静電チャックに同時にローディングできるので生産性を大幅に向上できる。ローディングの機構が非常に単純で簡単になるので発塵しなくなり真空合着アライメント装置のメンテナンスが非常にやりやすくなる。静電チャックに基板を吸着させるとき上下２枚の基板が近接してかさなりあっているため、基板の内面にゴミが付着しにくい。このためセルギャップが３ミクロン以下になっても、ゴミ付着によるセルギャップ不良の発生がいちじる低減する。
【００４６】手段１９，２０，２１を用いることで、真空合着アライメント装置で上下２枚の基板をはりあわせる時、必ず基板の最外周部に閉ループ状に塗布されたダミーシールの領域が、まず最初に接触しはじめるようにすることができる。ダミーシールの領域が接触しても接触領域が基板の最外周部に限定されるのでアライメント動作をおこなってもわずかな力で基板を水平方向にズラすことができる。このためアライメント動作に必要な基板の吸着力がわずかですむため、静電チャックと基板とのスリップ現象が発生しにくくなる。本発明により基板の最外周部に塗布されたダミーシールは、完全に閉ループ状につぶれるため、真空チェンバーの真空をやぶるとメインシールの領域には全面均一に大気圧が印加されることになり均一にメインシールがつぶれるようになる。
【００４７】手段１９，２０，２１を用いることで２枚の基板がどれほど大きなサイズになろうとも２枚の基板のすきまを正確に計測することができるので２枚の基板のすきまの平行度を補正しながら基板の最外周部に塗布されたダミーシールの領域のみを、最初に均一に接触させることが可能となる。これにより基板が大きくなっても局部的な異常接着が生じないので正確なアライメント動作をおこなうことができる。
【００４８】手段２２を用いることで、ダミーシールやメインシールの硬化反応がアライメント動作中に生じることを防止できる。手段２１で用いているウォラストンプリズムを用いた白色干渉計は、瞬時に上下基板のセルギャップを計測することが可能であるため青の領域の波長を用いて計測してもダミーシールやメインシールの硬化現象はほとんど生じない。本発明を用いれば、真空チェンバーをとじてから連続的に白色干渉形を動作させ続けてもダミーシールやメインシールの硬化反応は生じないのでアライメント動作に影響をあたえることもない。
【実施例】
【００４９】〔実施例１〕図３は本発明の第１の実施例であるイオン配向機のイオン源の配置の原理図である。イオン源が２組みむかいあって配置されており、１８０度反対方向からイオンビームが、基板に入射するようになっている。この構造により図１にあるような従来のイオン配向機で問題となっていたイオンビームのあたらない影の部分を完全に解消することができる。図１１にあるように、一方向だけのイオン照射では必ずイオンビームのあたらない領域が発生する。基板に対するイオンビームの入射角θが１０度以下になるとホトスペーサーの高さが３ミクロン程度でも影の領域の長さが２０ミクロン以上にもなり有効画素領域にまでのびてしまうため配向不良によるコントラスト低下を防止できなかった。【００５０】イオン配向で使用するイオンは、ヘリウムやネオンやアルゴンがおもに用いられるが水素や窒素でも良い。加速電圧はイオンの発散角をできるだけ小さくして方向性をそろえる必要性があるため５００〜５０００ボルトの範囲を用いている。イオンビームの基板に対する入射角は２０度以下が好ましい。２０度以上になると配向膜がイオンビームの照射エネルギーの大部分を吸収してしまい配向膜表面温度が数百度以上にもなってしまい有機配向膜の場合、炭化現象が生じてしまう。液晶分子を配向させるために必要な配向処理の深さは、配向膜の表面だけで十分であるためイオンビームの基板に対する入射角θは、小さければ小さいほど良い。実用的には５度〜１５度の範囲が適している。イオン照射密度は配向膜の材質にもよるが１０１５個／ｃｍ２５×１０１６個／ｃｍ２の範囲が良い。少なすぎても多すぎても良い配向は得られない。【００５１】イオン配向プロセスでは、液晶分子のプレチルト角はほとんどゼロに近い０．２〜０．３度がたやすく得られ、横電界方式液晶モード（ＩＰＳモード）に適している。しかし図７にあるように乾式方法で真空中に形成されたダイヤモンドライクカーボン膜（ＤＬＣ膜）では、プレチルト角を発現させることは可能であるが、長期間にわたりプレチルト角を一定に、かつ全面にたもつことは不可能である。ＤＬＣ膜は垂直配向能力を持っており時間がたつにつれ、垂直配向能力が復元してくる。
イオン配向膜としては、アンカリングエネルギーが大きくしかも長期信頼性のすぐれたものでなければならない。アンカリングエネルギーの大きなイオン配向膜として図５３から図７７までの有機または無機の物質を原料とするものや、高分子類があげられる。そのうち長期信頼性のすぐれたものとして、図５７，図６４，図６５，図６６，図７６，図７７などのベンゾシクロブテン化合物や、フルオレン骨格を有する高分子や、シクロブタンテトラカルボン酸系ポリイミドなどがＩＰＳモード用のイオン配向膜として最適である。図５７，図６４，図６５，図６６，図７６，図７７などの高分子膜をカラーフィルター基板のオーバーコート膜やＴＦＴ基板のパッシベーション膜として用いることで、従来のように配向膜を塗布する工程は必要なくなり液晶セル工程が非常に短縮化される。【００５２】〔実施例２〕図８，図９は、本発明の第２の実施例であるイオン配向法を用いた液晶セル組み立てプロセスのプロセスフロー図とイオン配向処理装置の構成図である。本発明のプロセスでは従来の液晶セル工程で用いていた配向膜塗布工程部分を削除している点に特徴がある。本発明ではカラーフィルター基板の最終工程である平坦化オーバーコート膜の材料にイオン配向機能の発現しやすい図５７，図６４，図６５，図６６，図７６，図７７などのベンゾシクロブテン化合物や、フルオレン骨格を有する高分子や、シクロブタンテトラカルボン酸系ポリイミド化合物を用いる点が特に重要となります。同様にＴＦＴアレイ基板側のパッシベーション（保護層）膜にも、イオン配向機能の発現しやすい図５７，図６４，図６５，図６６，図７６，図７７の高分子化合物を用いている点が重要である。本発明では図８にあるようにイオン配向処理後洗浄工程をおこなわない点も特に重要である。イオン配向処理では、従来のラビング布を用いるラビング法とは異なりラビング布の毛がぬけたり、配向膜がこすれて削りカスが発生したりするようなことがないため、イオン配向処理後、純水洗浄や、有機溶剤を用いた洗浄は必要ない。このため本発明ではイオン配向処理後ただちに真空合着アライメント工程に移ることができるので大幅な工程縮が可能となっている。従来のラビング工程ではラビング処理後必ず洗浄工程と洗浄後の脱水乾燥工程が必要となり工程が非常に長くなっていた。
本発明のイオン配向処理では１０−５トール以上の高真空状態でイオン配向処理するため、十分な脱気処理が同時におこなわれるため、イオン配向処理後ただちに真空合着アライメント工程に移ることができる。十分な脱気処理がおこなわれているため、真空合着アライメント工程のタクトタイムを短かくすることが可能となり、残留気泡の問題も低減することができる。【００５３】〔実施例３〕図１５，図１６，図８２，図１３，図１４は、本発明の第３の実施例であるイオン配向機の断面構造図と平面構造図とイオン源の回転機構図である。図１５ではイオン源が真空チェンバーに固定されており、基板を保持している基板ホルダーが基板の平面に対して垂直方向に上下することでむかいあった２つのイオン源から照射される帯状イオンビームが基板表面を走査できるようになっている。本発明で用いられているイオン源はタングステンフィラメントを用いた熱電子によりアルゴンなどのガスをイオン化しているが、コイルを用いた高周波放電を用いたイオン源でも適用可能である。帯状オンビームは、遠方にいくほど発散して広がる傾向にあるので、基板が下方に移動するにつれ移動速度をおそくしてイオン照射密度を均一にしなければならない。イオンビームの発散をおさえるため真空チェンバーの天井部分にイオンを中和するためのタングステンフィラメントを２列配置しておくとイオンビームの発散をおさえるのに効果的である。【００５４】図８２では、基板を基板の水平面に対して上下させるのではなく、イオン源の方を上下させることで基板の表面を帯状イオンビームが走査出来るようになっている。図８２も図１５と同様に２つのイオン源がたがいに向かいあっており１８０度異なる方向から基板に対してイオン照射できるようになっている。図１５の構造では左右から放射されるイオンビームは、基板の中央で同じ領域を照射することになりこの時のこの領域の基板表面温度がいちじるしく高くなり、配向膜表面が炭化したりする場合もあるのでイオン照射密度を高くすることには注意が必要であるが、図８２の構造では、左右のイオン源の高さを変化させることで２つの帯状イオンビームがかさならないようにして基板表面を走査することが可能である。【００５５】図１５，図８２の両方ともに、帯状イオンビーム照射による基板表面の温度上昇が問題となる場合、まずはじめは左側のイオン源だけを利用してイオン照射し、その後右側のイオン源だけを利用してイオン照射することも可能である。図１５では、イオン源は真空チェンバーに固定してあるが、図１３，図１４にあるような回転機構をもうけたイオン源を取りつけることも可能である。このような回転機構をもうければイオンビームの入射角度を変化させられるので、配向膜に最適な入射角を調整することが可能となる。【００５６】〔実施例４〕図６，図２，図５，図１０は、本発明の第４の実施例であるイオン配向機の断面構造図とイオン源の構造図である。図６では、基板ホルダーは、水平方向に移動する機構になっているが図１５にあるように基板ホルダーを上下に移動させる機構でも良い。イオンビームを偏光させるための平板電極に印加される電界強度を調整することで基板に対してイオンビームの入射角θを変化させること���可能である。イオンビームを偏光させるための平板電極に直流電界のほかに交流電界を重畳させることで基板ホルダーを水平方向に移動させなくても帯状イオンビームを基板表面で走査することが可能である。この方法は高速で帯状イオンビームを走査することができるのでイオンビームの照射密度を高める場合に、基板表面温度の上昇をおさえることができる。【００５７】図１３，図１４にあるように従来のイオン源のグリッドＧ１グリッドＧ２，グリッドＧ３は、円形状の穴をあけたモリブデン金属板がおもに用いられるが、本発明では図２，図５にあるようにワイヤーグリッド電極を採用している。タングステンワイヤーやモリブデンワイヤーを用いて張力を印加することでグリッド電極の熱変形が生じないようになっている。さらに本発明のイオン配向機では、グリッド電極Ｇ４を追加することで後段加速をおこないイオンの進行方向性をそろえることも配向機能を高めるために有効である。【００５８】〔実施例５〕図９は、本発明の第５の実施例である真空加熱反応炉とイオン配向処理装置とを一体化した装置として用いることもできる。従来の液晶プロセスでは、ポリアミック酸タイプの高分子を溶解させた液を塗布した後、大気中で加熱して脱水反応させてイミド化反応を進めてポリイミド配向膜を形成していたが、本発明では、大気中ではなく真空中で加熱して脱水反応させてイミド化反応をおこさせている。真空中で２００度〜２３０度に加熱しているためイミド化反応で生じた水分は完全に膜から脱離してしまうため大気中での反応よりもイミド化率を高めることが可能である。配向膜としてベンゾシクロブテン化合物モノマーを塗布した場合には、真空中で加熱され重合反応が進むため、酸素による酸化反応が完全に防止できるため高分子膜の黄変問題が生じない。図９の構造を持つ装置で、配向膜を形成し、かつ真空をやぶらずに配向膜に連続してイオン配向処理をおこない、配向膜に配向機能を発現させる方法は、従来方式とくらべて配向膜中の水分量を大幅に低減できるため、加水分解しやすいシアノ系液晶分子を用いて横電界方式液晶パネルを作っても信頼性の高い液晶パネルを得ることができる。【００５９】〔実施例６〕図１７，図１２，は本発明の第６の実施例である垂直配向膜形成装置と垂直配向モードの液晶セルプロセスフローの説明図である。図１７にあるように本発明のプラズマ重合反応真空チェンバーは、垂直配向膜の原料となる有機シラン系モノマーガスやハイドロカーボン系のガスを放出するシャワー天井壁と側壁をヒーターによって加熱し２００度以上の高温に常にたもっている。一方基板を保持し高周波電圧を印加する電極には、加熱機能はなく、プラズマ放電していない時には、真空チェンバーの下部に設置された冷却プレートによって高周波電極は冷却されている。２００度以上の高温になっている領域には、プラズマ重合膜は、ほとんど成膜されないため、メンテナンスをおこなう必要がなくなります。プラズマ重合反応膜は温度が低い方が成膜速度が大きく、かつ高周波電圧が印加される電極の成膜速度がアースに接地されている領域よりもはるかに大きいという特徴がある。図１７にあるように本発明では１３．５６ＭＨｚの高周波と３．２ＭＨｚの高周波���重畳させて高周波電極に印加している。本方式を用いることで基板に衝突するイオンのエネルギーを高めることができ垂直配向膜の成長速度を大幅に高めることができる。そして膜の付着強度をさらに向上することができる。【００６０】本発明では図１２にあるようにプラズマ重合法を用いて垂直配向膜を形成した後、洗浄工程をおこなわずに、Ａｇ（銀）ドット形成（上下導通のための銀点）とダミーシールやメインシールを描画塗布した後液晶を滴下して、ただちに真空合着アライメント工程に移っている点に特徴がある。プラズマ重合膜は真空中で形成されるため脱ガス工程をおこなう必要がないため工程に必要な時間を大幅に短縮することができる（図１８参照）【００６１】図４は、本発明のプラズマ重合法を用いて基板に垂直配向膜を形成するとき、有効表示画素領域のみに垂直配向膜を形成させるためのシャドーフレームである。図４の場合には１枚の基板に４個の画面が配置されている。図１７にあるように本発明のプラズマ重合配向膜形成装置では、シャドーフレームは側壁板の内部に組み込まれており、プラズマ重合反応をおこなう時のみ基板と合体して、有効表示画素領域のみにプラズマ重合反応膜を形成できるようになっている。シャドーフレームの材質は絶縁材料物のセラミックが用いられる。図１７に示されているように高周波電圧が印加される基板ホルダー（Ｒｆ電極）に近接しているシャドーフレームつりさげ側壁板は絶縁物材料で作られている。これによりＲｆ電極の周辺による異常放電の発生を防止することができる。【００６２】〔実施例７〕図７８，図７９，図８０にあるような有機シラン系モノマーガスを図１７にある真空チェンバー内に導入し２×１０−１ｔｏｒｒ以下のガス圧でグロー放電させ、負の誘電率異方性液晶分子を垂直配向させる機能を有するプラズマ重合膜を形成することができる。プラズマ重合膜の膜厚は１００〜２０００オングストロームあれば十分である。これ以上の膜厚でも同様に垂直配向機能は発現するが製造コストが高くなってしまう。図１２にあるように本発明の垂直配向モードの液晶セル組み立て工程では、プラズマ重合垂直配向膜を形成した後、純水洗浄や有機溶剤洗浄はいっさいおこなわず、加熱脱ガス工程もおこなわず、すぐに真空合着アライメント工程に移ることができる。これにより従来１０時間程度必要だった液晶セル組み立て全工程が、わずか１〜２時間程度で終了させることが可能となった。プラズマ重合膜はピンホールなどのはじき現象がまったくなく、膜厚のムラも生じにくいため歩留りが大幅に向上する。【００６３】〔実施例８〕実施例７で用いている有機シラン系モノマーガスだけでプラズマ重合垂直配向膜を形成することが可能であるが、有機シラン系モノマーガスのグロー放電では、ガス圧が２×１０−１ｔｏｒｒ以上に高くなるとパウダー状の粉が気相中で発生し、真空チェンバー内がパーティクルにより汚染されてしまう。この現象をさけるために１０−２ｔｏｒｒ〜１０−１ｔｏｒｒのガス圧でグロー放電を発生させ基板の表面にシロキサン化合物をプラズマ重合させた後、有機シラン系のガス供給を止め、ハイドロカーボン系のガスに切りかえてグロー放電によりプラズマ重合反応を再度おこなう。図１７にあるようにプラズマ重合膜を形成する基板側にＲｆ電極を設置することで基板の水平面に対して垂直方向の電界を強めることができ、垂直方向にアルキル側鎖を成長させることが可能となります。アルキル側鎖の長さは炭素数が５から１２個程度の長さが垂直配向膜としての機能を発現させるのに適している。そのためメタンガスよりもプロパンガスやヘキサンガスやオクタンガスの方が短時間で目的とするアルキル側鎖を形成することができる。
本発明のように基板表面にシロキサン重合膜を形成してからアルキル側鎖を成長させる方法を用いることで真空チェンバーのクリーニング回数を激減させることが可能となります。ハイドロカーボン膜は、酸素プラズマにより簡単にアッシングして消滅させることができます。シロキサン重合膜を形成する前に酸素ガスとフッ素系のガスを混合して基板の表面をプラズマクリーニングする時に自動的に側壁や天井壁に形成されたシロキサン重合膜やハイドロカーボン膜は分解してなくなってしまう。本発明の室温（低温）基板上へのプラズマ重合垂直配向膜形成技術を用いることでプラスチック基板にも直接配向膜を形成することができる。ＴＦＴアレイ基板のパッシベーション膜も１００〜１２０度程度の低温に基板をたもち図１７にあるプラズマ装置をもちいてシリコン窒化膜を２０００〜３０００オングストロームの膜厚に形成することが可能である。この低温パッシベーション膜形成工程と本発明の低温プラズマ重合垂直配向膜形成プロセスと用いると、アモリファスシリコン（リンをドープしたｎ＋アモルファスシリコン）に直接アルミニウム合金（Ａｌ−Ｎｉ−ＮｄまたはＡｌ−Ｎｉ−Ｙなど）をコンタクトさせても、アルミニウムの異常拡散現象が生じないので、ＴＦＴアレイ基板の製造工程が簡略化できる。単層ゲート電極構造と単層ソース・ドレイン電極構造をアルミニウム合金を用いて実現できるので大型液晶ＴＶの製造コストを大幅に低減することが可能となる。【００６４】〔実施例９〕図１９は本発明の第９の実施例である超精密液晶滴下装置の概念構成図である。圧電素子を用いたインクジェットノズルを複数個有するインクジェットヘッドにシリンジを取り付けシリンジには、電磁弁をかいして液晶中に溶解している気体をぬきとるための脱気モジュールが連結されている。シリンジの内部に一定量たくわえられている液晶の液面にはレーザー光線の反射板が浮かんでおり液晶の液面の高さをリアルタイムで計測できるようにレーザー高さ計測器がシリンジの上部に設置されている。レーザー高さ計測器の精度は±０．１ミクロンメートルでありシリンジの内部断面積を４ｃｍ２とするとインクジェットノズルからの滴下液晶量の精度は±４×１０−５ｃｍ３となります。セルギャップ３ミクロンメートルの２インチ液晶パネルに必要な液晶量は約４×１０−３ｃｍ３であるのでセルギャップ精度は±０．０３ミクロンメートルとなり、小型液晶パネルを組み立てるのに十分な液晶滴下量の精度コントロールをおこなうことができる。【００６５】図１９にあるインクジェット方式液晶滴下装置を用いると、超大型液晶ＴＶ表示装置の製造工程でも、有効表示画素全域に均一に液晶を分配滴下できるので、液晶が局部的に集中して滴下された場合発生しやすい残留気泡の問題が激減する。さらに上下基板のアライメント動作中にも液晶がほぼ全面にひろがっているため真空チェンバーの真空をやぶった時に、上側基板の湾曲が少ないためにアライメント精度がいちじるしく向上する。液晶中に溶解している気体をとりのぞくための脱気モジュールがシリンジに電磁弁をかいして直結しているため、シリンジ交換なしで、液晶を連続滴下できるため、生産効率をいちじるしく向上できる。【００６６】〔実��例１０〕図２０，図２１，図２５，図２６，図２７，図２２，図２３，図２４は、本発明の第１０の実施例である液晶滴下真空合着アライメント装置の断面構造図と平面図、ならびに動作説明図である。真空チェンバーは上下に分離されており上側のチェンバーは、回転機能がついており上側基板をうけとった後回転反転した後水平方向に移動して下側チェンバーと合体して真空チェンバーを形成する。上下基板を真空中で合着しアライメント調整した後、真空をやぶり上下基板に大気圧を印加しメインシールを完全に均一におしつぶす。上側のチェンバーは、水平方向に移動してから再度回転反転する。合着された上下の基板は、下側の静電チャックの上に保持しておき、大気圧によって完全に均一につぶれたシールに紫外光を照射するための紫外線照射ユニットが水平方向に移動してきて合着された基板の上にきて、シール部分のみに紫外光を照射してシールを硬化させる。シールが十分に紫外線により硬化した後、チェンバー内部の圧力を上昇させ大気圧の１．５倍〜２．０倍程度の圧力を基板全面に印加して残留気泡を完全に消滅させる。シールが完全に硬化した後、合着基板を搬送するため、上下基板が搬送中にズレることがない。【００６７】図２２，図２３，図２４にあるように、紫外線は石英ファイバーをもちいて石英ロッドに伝送される。石英ロッドは、帯状に紫外光が均一に放射されるように表面をあらしてある。カラーフィルター部分や液晶に紫外光があたらないように遮光板（アルミニウム板）もとりつけてある。液晶パネルが大型化すればするほどシールに紫外線を照射してシールを硬化させる時、上側基板と下側基板の紫外線照射時の温度上昇の差による応力発生を無視できなくなります。最悪の場合紫外線照射後にシール硬化時の応力発生によりシール部のはくりが生じ液晶がもれてしまうことになる。この現象をさけるためにカラーフィルターに紫外線や可視光や熱線が照射されないように、カラーフィルターの領域を遮光板でおおったり、石英ファイバーには、紫外線のみを入射させたりする工夫が必要である。紫外線硬化型のシール材は硬化による体積収縮反応が必ず生じるため、一度に短時間で硬化反応を終了させるのではなく、複数回に分割して紫外線を照射して、硬化反応を徐々に段階的に進めることで硬化による内部応力の増大を防止することが重要である。【００６８】〔実施例１１〕図２８，図２９，図３０は、本発明の第１１の実施例である液晶滴下真空合着アライメント装置の上下基板を真空中で吸着する静電チャックの断面図と平面図と、基板を静電チャックにローディングするためのロボットアームの構造図である。上下の静電チャックはそれぞれ三つ以上に分割されており図３０にあるように上下対称の構造となっている。三つ以上に分割されている静電チャックのすきまに基板をローディングするためのロボットアームがはいりこみ基板をそれぞれ上下の静電チャックに同時に上下の基板をローディングできるようになっている。図３０は、基板のローディングの動作説明図である。本発明では図２８にあるようなロボットアームを用いている。上側の基板はロボットアームによって回転反転されて下側基板と平行に近接配置されこの状態のまま上下静電チャックの��きまに挿入される。同時に上下の基板を平行近接配置してローディングするため内側にゴミが付着することがなくしかもローディング時間を短縮することができる。本発明の図２９には、片側の基板を３本のロボットアームで保持しているが２メートル角の基板では、６本から７本程度のロボットアームが必要となる。ロボットアームの本数が多ければ多いほど基板のたわみが小さくなり、合着後にはりあわされた２枚の基板を取り出すときに発生するアライメントズレを小さくおさえこむことができる。特に図２９にあるように合着後のはりあわされた基板を点ではなく帯状に複数の位置でささえて持ちあげる方法は基板のたわみや変形をおさえる点で非常に効果的である。【００６９】〔実施例１２〕図８５は、本発明の第１２の実施例である液晶滴下真空合着アライメント装置の上下基板を真空中で吸着する静電チャックの断面図と動作説明図である。上下の静電チャックへの上下の基板のローディング方法はほぼ実施例１１の場合と同様に図２８にあるようなロボットアームを用いて上下の２枚の基板は平行に近接配置された状態で同時に上下静電チャックのすきまに挿入される。上側の静電チャックは３つ以上に分割されておりロボットアームは図２９にあるように分割された静電チャックのすきまに挿入される。下側の静電チャックは、一体型になっており下側基板を受け取るための複数のピンが上下方向に運動できる構造になっている。本発明の静電チャックは上下対称にはなっていないが、この構造でも、上下基板を同時に上下の静電チャックにローディングすることができるので、ゴミ付着を防止できタクトタイムを短縮することが可能である。【００７０】〔実施例１２〕図３１，図３２，図３３，図３４，図３６，図３７，図３９，図４０，図４１，図４３，図４５，図４６，図４７，図４８，図８６，図８７は、本発明の第１３の実施例である液晶滴下真空合着アライメント装置に用いる上下の静電チャックの断面構造図と平面図である。静電チャックの最外周部の領域にゴム状の弾性体を厚み２０ミクロンから１００ミクロン程度均一に連続的または周期的に０．５ｃｍから２ｃｍ程度はなして塗布するか、静電チャックの水平面から２０ミクロンから１００ミクロン程度均一に連続的または周期的に０．５ｃｍから２ｃｍ程度はなれてもりあがったゴム状弾性体をうめこんである。上下の静電チャックは上下対称になっている。【００７１】図８１にあるように液晶滴下真空合着アライメントプロセスでは基板の最外周部分にダミーシールが閉ループ状に塗布されており、メインシールはダミーシールの内部領域で閉ループ状に塗布されている。真空合着アライメントプロセスでは、ダミーシールが完全に均一に全周囲でつぶれていれば、メインシールは、完全につぶれていなくても良い。真空をやぶると大気圧により全面が均一におしつぶされるので、この時にメインシールも自動的に均一に完全におしつぶされる。本発明のように基板のダミーシールの塗布領域に対応する位置にゴム状の弾性体を塗布または、うめこんでおくことで、アライメント動作時にダミーシールのみを閉ループ状に均一につぶすことが可能となります。ダミーシールとメインシールの両方がつぶれてしまうと接触抵抗が大��くなりアライメント動作をおこなおうとしても静電チャックと基板がすべってしまいアライメント動作がおこなえなくなってしまう。従来方法では下側の基板ホルダーにゴム状のシートを全面にひいたり、ゴム状の凸状パッドを全面に多数個配置したものが、あるが、このような構造では、ダミーシールの領域だけを限定して均一につぶすことはできない。従来の方法では、ダミーシールとメインシールの両方ともに均一につぶれてしまうため、アライメント動作をシールがつぶれはじめてからおこなうことができないので、精度の良いアライメントが得られなかった。本発明のダミーシールにあわせてゴム状弾性体を塗布または、うめこんだ構造の静電チャックを用いることで、ダミーシールのみを完全に均一につぶしながらアライメント動作をおこなうことができるため、精度の良いアライメントを得ることが、できる。【００７２】〔実施例１４〕図３５，図３８，図４２，図４４，図８４，は、本発明の第１４の実施例である液晶滴下真空合着アライメント装置に用いる上下の静電チャックの断面構造と平面図である。静電チャックの最外周部に、ガラス基板の最外周部に閉ループ状に塗布されたダミーシールとかさなりあうように、連続的または、ところどころ周期的に中空の弾性体（ゴム状のチューブ）が配置されている。真空チェンバー内の大気を排気した後、真空中で上下の２枚の基板のラフ・アライメント動作をおこなっている時には、この中空の弾性体（ゴム状のチューブ）の内部も真空チェンバーと同じ気圧になっており、中空弾性体の表面とガラス基板とは接触していない。図８３にあるように上下の基板が近接してきて、シールがつぶれはじめる直前に、中空の弾性体（ゴム状のチューブ）に窒素ガスまたは乾燥した大気を注入して、中空の弾性体をふくらませる。ガラス基板の最外周部に閉ループ状に塗布されたダミーシールのみがつぶれるような状態で２枚の基板のファイン・アライメント動作をおこないながら、上下の基板をさらに近接させていく。ある一定の圧力を印加させた後、中空の弾性体をふくらませたまま局所的に、紫外線を、仮止め紫外線硬化樹脂が塗布された領域に照射して、仮止めをおこなった後、真空チェンバーの真空をやぶり、２枚の合着された基板に均一に大気圧がかかるようにする。本発明の静電チャックを用いると、基板の最外周部に閉ループ状に塗布されたダミーシールのみがつぶれた状態を作り出すことができるのでファイン・アライメント動作を確実におこなうことができる。図８３にあるように上下の基板を上下対称に基板の最外周部のみをほんのわずか（約２０ミクロンから１００ミクロン程度の範囲）互いに近接させる機能を持たせたことで、基板サイズが２メートル角以上に大型化しても、安定したファイン・アライメント動作を再現性よくおこなうことができる。【００７３】図４２，図４４，図８４には連続した中空弾性体をもちいているが図８６，図８７にあるようにある一定の周期で中空の弾性体を静電チャックの最外周部領域にうめこんでおく構造でも、同じ機能を発現させることができる。【００７４】〔実施例１５〕図４９，図５０，図５１，図５２，図８１は、本発明の第１５の実施例であるウォーラストンプリズムを用いた白色干渉��による二枚の透明ガラス基板の基板間のすきま（セルギャップ）を瞬時に計測する原理説明図と応用図である。セルギャップｄ，真空の屈折率ｎ＝１の試料に白色光源からの光を照射すると、試料の内側の２つの表面から反射波面が生じ、その間には光路差に対応した位相差をもちます。
入射角Ωで入射した光の光路差Ｘは
2005107468.tif 000003
ここで屈折の法則からｓｉｎΩ＝ｎｓｉｎφ  ，Ｐ＝２ｄｔａｎφｓｉｎΩこれにより
2005107468.tif 000004
これらの波面は、ウォーラストン・プリズムの結晶軸に対して４５度方向の偏光軸をもつ偏光板に入射し、紙面に平行、および垂直な、等強度の偏光成分に分割される。これらの波面の中、紙面に平行な成分は、ウォーラストン・プリズム中で屈折し、＋γだけティルトしてでていきます。また紙面に垂直な成分は、その逆になり、−γだけティルトします。これらの波面は、それぞれが交差する場所の近傍で干渉をおこし、白色干渉縞として観察される。干渉をおこす場所までの光軸からの距離をｙとすると、
２γ・ｙ＝２ｎｄｃｏｓφ
ウォーラストン・プリズムは屈折率の異なる２つのプリズムが接合されており、垂直に直交する直線偏光を互いに異なる方向に分岐することができます。ティルト角ρは、
γ＝（ｎｅ−ｎｏ）ｔａｎρ
ここで、ｎｅ，ｎｏはウォーラストン・プリズムを構成する複屈折性結晶の屈折率である。ρはプリズムの頂角であり分離角γは、プリズム固有の定数となります。これらから、
ｙ＝ｎｄｃｏｓφ／（ｎｅ−ｎｏ）ｔａｎρ
照明に顕微鏡用の同軸落射照明装置を利用して、測定したい２枚のガラス基板に垂直に光を照射させるとφは０度になります。液晶滴下真空合着アライメント装置での２枚のガラス基板のセルギャップの空間は真空であり屈折率ｎ＝１となります。
干渉縞の生じる位置は、試料の光学的厚さｄに比例することになり、その位置間隔を検出することにより、セルギャップｄを測定することが可能となります。白色干渉縞はウォーラストン・プリズムの中にローカライズするので、それと同一の面に試料の表面を顕微鏡対物レンズを用いてＣＣＤカメラ上に結像されます。
このためモニターテレビ画面には、通常の顕微鏡と同様に、試料面の像が映し出されると同時にセルギャップの厚さを示す白色干渉縞が観測されます。実際にセルギャップｄの値を求めるためには、ＣＣＤカメラに結像された映像信号上の白色干渉縞の間隔を計測します。【００７５】図８１にあるように、ウォーラストン・プリズムを用いた白色干渉計は、基板の最外周部に閉ループ状に塗布されたダミーシールと、有効表示画素領域の周囲に閉ループ状に塗布されたメインシールとのあいだの領域に配置されている。この２つのシールにはさまれている領域には液晶は存在していないため２枚のガラス基板のすき間は真空であり屈折率ｎ＝１となっている。本発明のように液晶が存在していない領域の２枚の基板のセルギャップｄを白色干渉計で計測することで２枚の基板のセルギャップが均一であるかないかを瞬時に計測することができる。この計測値をもとに、図８８にあるように複数個のアクチュエーターで２枚の基板のセルギャップが均一になるように補正をかけながら、２枚の基板のセルギャップをちぢめながら、ラフ・アライメント調整をおこなう。ダミーシールやメインシールがつぶれはじめる直前に図８３にあるように、静電チャックの最外周部に設置しておいた中空弾性体チューブをふくらませて、ダミーシールのみを、完全に閉ループ状に均一につぶす。中空弾性体チューブをふくらませながらファイン・アライメント調整をおこなうことで静電チャックと基板とのスリップ現象を完全に防止することができるので、非常に精度の高いファイン・アライメント調整を再現性よくおこなえる。【００７６】ガラス基板の板厚のうねりは±１０〜±２０ミクロン程度もあり、静電チャックのうねりを±５ミクロンの精度で加工しても、ガラス基板の加工精度の方が悪るいために、超大型ガラス基板の一括はりあわせ工程では、基板のどこかで局所的にシールが異常につぶれすぎてしまう現象をさけることができなかった。局所的にシールが異常につぶれてしまうと、ファイン・アライメント動作がおこなえなくなり、むりにアライメント動作をおこなうと静電チャックと基板とが互いにすべってしまうスリップ現象が発生してしまう。本発明では、上下ガラス基板のすきま（セルギャップ）を白色干渉計により正確に計測し、セルギャップが基板全面で均一になるようにアクチュエーターを用いて補正をかけている点に特徴があります。さらに本発明のようにダミーシールのみを閉ループ状に均一につぶしながらファインアライメント動作をおこなうことで、ガラス基板がどれほど大きくなっても、静電チャックと基板とのスリップ現象は発生しない。ダミーシールの領域のみを閉ループ状に完全に均一につぶした後、真空をやぶり基板全面に均一に大気圧が印加されるようにする。本発明の工程では有効表示画素領域に異常な圧力が局所的に印加されることがないため有効表示画素領域でのセルギャップ不良の発生がまったくないため、表示ムラのない良好な画像を得ることが可能である。【００７７】〔実施例１６〕図４９，図５０，図５１，図８９，図８１は、本発明の第１６の実施例である。図８９にあるように、液晶滴下真空合着アライメント工程を終了しシール部分に紫外線を照射してシールを硬化した後、各セルごとに分断しないで一括合着はりあわせされた状態のまま、ダミーシールとメインシールとのあいだの液晶の存在していない真空の領域でできるだけメインシールに近接した位置のセルギャップを図４９にあるウォーラストン・プリズムを用いた白色干渉計で計測するものである。本発明を用いると、液晶の種類や液晶表示モードが異なっても同じ装置を用いて瞬時にセルギャップを計測することが可能である。従来のセルギャップ計測法では液晶の種類や液晶表示モードが異なると、いろいろな液晶のパラメーターをかえて計算しなければならないため、インライン計測に用いることができなかったが、本発明の方法では、どのような液晶表示モードにも適用することができるのと、計測が瞬時に終了してしまうためインライン全数検査が可能である。【００７８】実施例１５で用いる白色干渉計の光源では、紫外線と紫色と青色の領域の短波長光をカットした光源を用いないとダミーシールやメインシールが硬化してしまうので注意が必要である。実施例１６では、すでにダミーシールやメインシールには紫外線が十分に照射され硬化されているので、光源は通常の白色光源を用いることができる。実施例１５では計測範囲が７０ミクロンメーターから１０ミクロンメーターの範囲で精度は±１ミクロン程度で十分であるが、実施例１６では計測範囲が５ミクロンメーターから２ミクロンメーターの範囲で精度は±０．０１ミクロンメーターが要求される。本発明の白色干渉計による真空セルギャップの精密計測により不良発生を発見し真空合着アライメント装置にフィードバックをかけることができる。
【発明の効果】
【００７９】本発明のイオン配向機を用いることで、配向不良の領域のないかつムラのない横電界方式液晶表示装置を生産することが可能となった。本発明のイオン配向機はガラス基板が２メートル角以上の超大型サイズになってもイオン配向機をコンパクトに設計することができるので装置コストの上昇をおさえることが可能である。さらに装置の設置面積を小さくおさえられることができるためクリーンルームの有効活用とレイアウトの自由度が拡大できる。イオン配向処理後の純水洗浄工程と乾燥工程が必要なくなるためＴＡＴを短縮できるので生産性を大幅に向上できる。イオン源にタングステンフィラメントを用いる方式では１０００時間（約１ヶ月半）程度まったくメンテナンスを必要としないので装置の稼働率を大幅に向上することができる。イオン配向処理そのものが真空中でおこなわれるため、脱気処理工程が必要なくなりイオン配向処理後ただちに液晶滴下真空合着アライメント工程に移ることができるので信頼性の高い横電界方式液晶パネルを生産できる。
【００８０】本発明のプラズマ重合垂直配向膜形成プロセスを用いることで、おどろくべき工程短縮が可能となり、工程内在庫の数を激減できる。ポリイミド配向膜の塗布工程から焼成工程ならびに洗浄工程がなくなってしまうため、クリーンルームの面積が小さくてすみます。大幅に投資効率が向上するため、超大型液晶パネル製造工場建設費用とランニングコストを激減することが可能です。プラズマ重合膜の原料はポリイミドにくらべて安価な有機シラン系モノマーとハイドロカーボン系ガスを用いるため、製造コストを低減できる。プラズマ重合膜を形成する基板温度は室温で良い。従来ポリイミド膜の場合イミド化反応を促進させるため２２０度〜２４０度の熱処理が必要であったのでカラーフィルター基板やＴＦＴアレイ基板ではこの熱処理にたえられる材料しか用いることができなかった。しかし本発明のプラズマ重合膜ではこのような制限がなくなるのでいろいろな材料を用いることが可能となるため材料選択の自由度が拡大できる。さらに、プラズマ重合膜形成法は、ガラス基板がどれほど大型化しても膜形成のためのプラズマ装置は構造が簡単なためスケールアップがしやすい。さらに形成された膜は非常に均一でピンホールなどのはじき現象がまったくないため、歩留りを大幅に向上することが可能である。
【００８１】本発明の液晶滴下合着アライメント装置を用いることでガラス基板がどれほど大きくなってもガラス基板の最外周領域に閉ループ状に塗布されたダミーシールのみを完全に均一につぶすことができるので精度の高いファイン・アライメント動作をおこなうことができる。ガラス基板の厚みの精度のバラツキも、本発明のウォーラストン・プリズムを用いた白色干渉計を用いたセルギャップ計測とアクチュエーター（磁歪素子など）を用いたダイナミック補正により均一なセルギャップを作り出すことができるので大幅な歩留り向上を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のイオン配向装置
【図２】本発明のワイヤーグリッド電極
【図３】本発明の１８０度反対方向からイオンを照射できるイオン配向装置
【図４】本発明のプラズマ重合垂直配向膜形成装置で用いるシャドーフレームの平面図
【図５】本発明のワイヤーグリッド電極の断面構造図
【図６】本発明のイオン配向装置
【図７】従来のイオン配向プロセスフロー図
【図８】本発明のイオン配向プロセスフロー図
【図９】本発明のイオン配向装置
【図１０】本発明の後段加速型イオン配向装置
【図１１】従来のイオン配向方法でイオンが照射されない影の部分が発生する原理説明図
【図１２】本発明のプラズマ重合法を用いた垂直配向膜形成プロセスと液晶滴下真空合着アライメントプロセスのプロセスフロー図
【図１３】本発明の回転機能を有するイオン源
【図１４】本発明の回転機能を有するイオン源を組みこんだイオン配向装置
【図１５】本発明のイオン配向装置
【図１６】本発明のイオン配向装置
【図１７】本発明のプラズマ重合垂直配向膜形成装置
【図１８】本発明のプラズマ重合垂直配向膜形成工程と従来の垂直配向膜形成工程の比較検討図
【図１９】本発明の液晶滴下真空合着アライメント工程で用いる液晶滴下装置
【図２０】本発明の上側基板を反転させる液晶滴下真空合着アライメント装置の断面構造図
【図２１】本発明の上側基板を反転させる液晶滴下真空合着アライメント装置の平面図
【図２２】本発明の紫外線光源
【図２３】本発明の紫外線  照射装置の平面図
【図２４】本発明の紫外線  照射装置の断面図
【図２５】本発明の液晶滴下真空合着アライメント装置の動作説明図
【図２６】本発明の液晶滴下真空合着アライメント装置の動作説明図
【図２７】本発明の液晶滴下真空合着アライメント装置の動作説明図
【図２８】本発明の液晶滴下真空合着アライメント装置に用いる基板ローディング用ロボット
【図２９】本発明の静電チャックと基板搬送用ロボットアームの位置関係図
【図３０】本発明の静電チャックと基板搬送用ロボットアームの動作説明図
【図３１】本発明の静電チャック断面図
【図３２】本発明の静電チャック平面図
【図３３】本発明の静電チャック断面図
【図３４】本発明の静電チャック断面図
【図３５】本発明の静電チャック断面図
【図３６】本発明の静電チャック断面図
【図３７】本発明の静電チャック断面図
【図３８】本発明の静電チャック断面図
【図３９】本発明の静電チャック平面図
【図４０】本発明の静電チャック平面図
【図４１】本発明の静電チャック平面図
【図４２】本発明の静電チャック平面図
【図４３】本発明の静電チャック平面図
【図４４】本発明の静電チャック平面図
【図４５】本発明の静電チャック平面図
【図４６】本発明の静電チャック平面図
【図４７】本発明の静電チャック平面図
【図４８】本発明の静電チャック平面図
【図４９】本発明のウォーラストンプリズムを用いる白色干渉計の光学原理説明図
【図５０】２枚のガラス基板の真空ギャップによる光路差
【図５１】白色干渉パターンの説明図
【図５２】本発明のウォーラストンプリズムを用いる白色干渉計の計測位置の断面説明図
【図５３】ジビニルシロキサンベンゾブテン（ＤＶＳ−ＢＣＢ）モノマー
【図５４】マレイミドベンゾシクロブテンモノマー
【図５５】フッ化ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ−Ｆ８）
【図５６】ベンゾシクロブテン化合物
【図５７】ベンゾシクロブテン化合物
【図５８】ベンゾシクロブテン化合物
【図５９】ベンゾシクロブテン化合物
【図６０】ベンゾシクロブテン化合物
【図６１】ベンゾシクロブテン化合物
【図６２】ベンゾシクロブテン化合物
【図６３】フルオレン骨格を有するポリエステル重合体
【図６４】フルオレン骨格を有するポリエステル重合体
【図６５】フルオレン骨格を有するポリイミド重合体
【図６６】フルオレン骨格を有するポリイミド重合体
【図６７】フルオレン骨格を有するポリイミド重合体
【図６８】フェニルポリシラザン骨格を有する高分子
【図６９】フェニルシロキサン骨格を有する高分子
【図７０】ボラジン骨格を有する高分子（ポリボラジレン）
【図７１】ボラジン骨格を有する高分子（ポリボラジニルアミン）
【図７２】パラキシレン重合体
【図７３】パラキシレン系重合体
【図７４】パラキシレン系重合体
【図７５】パラキシレン系重合体
【図７６】シクロブタンテトラカルボン酸系ポリイミド重合体
【図７７】シクロブタンテトラカルボン酸系ポリイミド重合体
【図７８】ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）
【図７９】ジメチルジエトキシシラン（ＤＭＤＥＳ）
【図８０】ビニルトリメトキシシラン（ＶＴＭＳ）
【図８１】本発明のウォーラストンプリズムを用いる白色干渉計の計測位置の平面説明図
【図８２】本発明のイオン配向装置
【図８３】本発明の静電チャック動作断面説明図
【図８４】本発明の静電チャック平面図
【図８５】本発明の静電チャックと基板搬送用ロボットアームの動作説明図
【図８６】本発明の静電チャック平面図
【図８７】本発明の静電チャック平面図
【図８８】本発明の真空合着アライメント装置
【図８９】本発明のウォーラストン・プリズムを用いる白色干渉計によるセルギャップ計測装置
【符号の説明】
１・・・・パルス高圧電圧発生装置
２・・・・イオンビーム形状整形スリット
３・・・・基板
４・・・・基板ホルダー
５・・・・イオン源
６・・・・ワイヤーグリッドテンションピン
７・・・・ワイヤーグリッド
８・・・・イオンビーム
９・・・・プラズマ重合法を用いて垂直配向膜を形成する時に用いるシャドーフレーム
１０・・・イオンを中性原子にかえるためのタングステンフィラメント
１１・・・イオンビームを偏向させるための平板電極
１２・・・イオンを発生させるためのタングステンフィラメント
１３・・・磁石
１４・・・液晶セルのギャップを成形するためのスペーサー
１５・・・イオンビームが照射されない影の領域
１６・・・イオン源を回転させるための支柱
１７・・・真空をたもつためのオーリングシール
１８・・・イオン源を回転させるためのボールベアリング
１９・・・基板の水平面に対して垂直方向に上下する基板ホルダー
２０・・・ベローズ
２１・・・反応ガスを放出するシャワー状天井壁を加熱するためのヒーター
２２・・・側壁板を加熱するためのヒーター
２３・・・有機シラン系モノマーガス
２４・・・反応ガスを放出するシャワー状天井板
２５・・・高周波電圧が印加される基板ホルダー（Ｒｆ電極）
２６・・・ＲＦ電極を冷却するための冷却プレート
２７・・・１３．５６メガヘルツと３．２メガヘルツの２周波を重畳した高周波電源
２８・・・脱気モジュール
２９・・・電磁弁
３０・・・レーザー変位計
３１・・・液晶
３２・・・圧電インクジェット方式液晶滴下ノズル
３３・・・上側基板
３４・・・上下反転上側静電チャック
３５・・・エアーベアリング
３６・・・下側基板
３７・・・下側静電チャック
３８・・・上下反転上部真空チャンバー
３９・・・下部真空チャンバー
４０・・・Ｘ，Ｙ，Ｚ，θアライメント機構部
４１・・・石英ファイバー
４２・・・石英ロッド
４３・・・水銀ランプまたはメタルハライドランプ
４４・・・拡散紫外線
４５・・・石英板
４６・・・遮光板
４７・・・フッ素系透明ラバー
４８・・・上部反転ロボットアーム
４９・・・下部ロボットアーム
５０・・・上側分割静電チャック
５１・・・滴下された液晶
５２・・・閉ループ状に塗布されたメインシール
５３・・・基板の最外周部に閉ループ状に塗布されたダミーシール
５４・・・下側分割静電チャック
５５・・・有効画素表示領域に対応する部分がくぼんでいる上側静電チャック
５６・・・バイポーラ型静電チャックの電極
５７・・・有効画素表示領域に対応する部分がくぼんでいる下側静電チャック
５８・・・ゴム状弾性体
５９・・・弾性体チューブ
６０・・・弾性体オーリング
６１・・・ウォーラストンプリズムを用いる白色干渉計の計測位置
６２・・・ふくらんだ弾性体チューブ
６３・・・中空弾性体
６４・・・コーナー部の中空弾性体
６５・・・上下移動するイオン源
６６・・・シリンジ（テフロン製）
６７・・・レーザー光
６８・・・レーザー光反射板
６９・・・リフトアップ用ピン
７０・・・ウォーラストンプリズムを用いる白色干渉計の光学システム
７１・・・アクチュエーター（磁歪素子）
７２・・・Ｘ，Ｙ，θ調整機構
７３・・・下側静電チャック
７４・・・上側静電チャック
７５・・・シャドーフレームつりさげ側壁板（絶縁材）
７６・・・アースに接地されている側壁板
７７・・・ＵＶ反射カバー
【図１】
2005107468.tif 000005
【図２】
2005107468.tif 000006
【図３】
2005107468.tif 000007
【図４】
2005107468.tif 000008
【図５】
2005107468.tif 000009
【図６】
2005107468.tif 000010
【図７】
2005107468.tif 000011
【図８】
2005107468.tif 000012
【図９】
2005107468.tif 000013
【図１０】
2005107468.tif 000014
【図１１】
2005107468.tif 000015
【図１２】
2005107468.tif 000016
【図１３】
2005107468.tif 000017
【図１４】
2005107468.tif 000018
【図１５】
2005107468.tif 000019
【図１６】
2005107468.tif 000020
【図１７】
2005107468.tif 000021
【図１８】
2005107468.tif 000022
【図１９】
2005107468.tif 000023
【図２０】
2005107468.tif 000024
【図２１】
2005107468.tif 000025
【図２２】
2005107468.tif 000026
【図２３】
2005107468.tif 000027
【図２４】
2005107468.tif 000028
【図２５】
2005107468.tif 000029
【図２６】
2005107468.tif 000030
【図２７】
2005107468.tif 000031
【図２８】
2005107468.tif 000032
【図２９】
2005107468.tif 000033
【図３０】
2005107468.tif 000034
【図３１】
2005107468.tif 000035
【図３２】
2005107468.tif 000036
【図３３】
2005107468.tif 000037
【図３４】
2005107468.tif 000038
【図３５】
2005107468.tif 000039
【図３６】
2005107468.tif 000040
【図３７】
2005107468.tif 000041
【図３８】
2005107468.tif 000042
【図３９】
2005107468.tif 000043
【図４０】
2005107468.tif 000044
【図４１】
2005107468.tif 000045
【図４２】
2005107468.tif 000046
【図４３】
2005107468.tif 000047
【図４４】
2005107468.tif 000048
【図４５】
2005107468.tif 000049
【図４６】
2005107468.tif 000050
【図４７】
2005107468.tif 000051
【図４８】
2005107468.tif 000052
【図４９】
2005107468.tif 000053
【図５０】
2005107468.tif 000054
【図５１】
2005107468.tif 000055
【図５２】
2005107468.tif 000056
【図５３】
2005107468.tif 000057
【図５４】
2005107468.tif 000058
【図５５】
2005107468.tif 000059
【図５６】
2005107468.tif 000060
【図５７】
2005107468.tif 000061
【図５８】
2005107468.tif 000062
【図５９】
2005107468.tif 000063
【図６０】
2005107468.tif 000064
【図６１】
2005107468.tif 000065
【図６２】
2005107468.tif 000066
【図６３】
2005107468.tif 000067
【図６４】
2005107468.tif 000068
【図６５】
2005107468.tif 000069
【図６６】
2005107468.tif 000070
【図６７】
2005107468.tif 000071
【図６８】
2005107468.tif 000072
【図６９】
2005107468.tif 000073
【図７０】
2005107468.tif 000074
【図７１】
2005107468.tif 000075
【図７２】
2005107468.tif 000076
【図７３】
2005107468.tif 000077
【図７４】
2005107468.tif 000078
【図７５】
2005107468.tif 000079
【図７６】
2005107468.tif 000080
【図７７】
2005107468.tif 000081
【図７８】
2005107468.tif 000082
【図７９】
2005107468.tif 000083
【図８０】
2005107468.tif 000084
【図８１】
2005107468.tif 000085
【図８２】
2005107468.tif 000086
【図８３】
2005107468.tif 000087
【図８４】
2005107468.tif 000088
【図８５】
2005107468.tif 000089
【図８６】
2005107468.tif 000090
【図８７】
2005107468.tif 000091
【図８８】
2005107468.tif 000092
【図８９】
2005107468.tif 000093