(57)【要約】【課題】光ヘッドの光学系のＮＡを高めることで、容易に記録密度の向上が図れるようにする。【解決手段】反射層１０２に、粒径が小さく表面荒さを小さく膜を形成できる、ＡｇあるいはＣｕあるいはＴｉあるいはＮｉを主成分とした膜を用いる。また、記録層１０５が結晶状態にあるときのディスクの反射率を、記録層１０５が非晶質状態にあるときのディスクの反射率より低くし、Ａｃ／Ａａを大きくする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に少なくとも第１の誘電体層と反射層と第１の界面層と記録層と第２の界面層と第２の誘電体層と第３の誘電体層と第４の誘電体層とが順次積層され、さらに、これらの上に光透過層を備え、この光透過層側から照射されたレーザ光により、前記記録層の結晶状態を変化させて情報の記録・再生・消去を行う相変化光ディスクであって、
前記記録層が結晶状態にあるときのディスク反射率Ｒｃが３％以上１２％以下であり、
前記記録層が非晶質状態にあるときのディスク反射率Ｒａと前記反射率Ｒｃとの差の絶対値が１０％であり、
前記レーザ光の波長λにおける前記第１の界面層もしくは前記第２の界面層の屈折率が２より大きく、
前記反射層は、銀，銅，チタン，ニッケルのいずれか１つ、またはこれらのうちの複数からなる混合物を主成分とする
ことを特徴とする相変化光ディスク。
【請求項２】
請求項１記載の相変化光ディスクにおいて、
前記反射層は、膜厚が２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする相変化光ディスク。
【請求項３】
請求項１または２記載の相変化光ディスクにおいて、
前記反射層は、熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする相変化光ディスク。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか１項記載の相変化光ディスクにおいて、
前記記録層が結晶状態にあるときの光吸収率Ａｃと、前記記録層が非晶質状態にあるときの光吸収率Ａａとの関係Ａｃ／Ａａが、１．１以上である
ことを特徴とする相変化光ディスク。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか１項記載の相変化光ディスクにおいて、
前記第２の誘電体層の屈折率ｎ２より前記第３の誘電体層の屈折率ｎ３の方が小さく、前記第４の誘電体層の屈折率ｎ４より前記屈折率ｎ３の方が小さいものである
ことを特徴とする相変化光ディスク。
【請求項６】
支持基板上に少なくとも第１の誘電体層と反射層と第１の界面層と記録層と第２の界面層と第２の誘電体層とが順次積層され、さらに、これらの上に光透過層を備え、この光透過層側から照射されたレーザ光により、前記記録層の結晶状態を変化させて情報の記録・再生・消去を行う相変化光ディスクであって、
前記記録層が結晶状態にあるときのディスク反射率Ｒｃが３％以上１２％以下であり、
前記記録層が非晶質状態にあるときのディスク反射率Ｒａと前記反射率Ｒｃとの差の絶対値が１０％であり、
前記レーザ光の波長λにおける前記第１の界面層もしくは前記第２の界面層の屈折率が２より大きく、
前記反射層は、銀，銅，チタン，ニッケルのいずれか１つ、またはこれらのうちの複数からなる混合物を主成分とする
ことを特徴とする相変化光ディスク。
【請求項７】
支持基板上に少なくとも第１の誘電体層と反射層と第１の界面層と記録層と第２の界面層と第２の誘電体層と第３の誘電体層と第４の誘電体層とが順次積層され、さらに、これらの上に光透過層を備え、この光透過層側から照射されたレーザ光により、前記記録層の結晶状態を変化させて情報の記録・再生・消去を行う相変化光ディスクであって、
前記記録層が結晶状態にあるときの光吸収率Ａｃと、前記記録層が非晶質状態にあるときの光吸収率Ａａとの関係Ａｃ／Ａａが、１．１以上である
ことを特徴とする相変化光ディスク。
【請求項８】
請求項７記載の相変化光ディスクにおいて、
前記第２の誘電体層の屈折率ｎ２より前記第３の誘電体層の屈折率ｎ３の方が小さく、前記第４の誘電体層の屈折率ｎ４より前記屈折率ｎ３の方が小さいものである
ことを特徴とする相変化光ディスク。
【請求項９】
請求項７または８記載の相変化光ディスクにおいて、
前記反射層は、熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする相変化光ディスク。
【請求項１０】
請求項１〜９いずれか１項記載の相変化光ディスクにおいて、
前記レーザ光の波長λにおける前記第１の界面層および第２の界面層の消衰係数が１以下である
ことを特徴とする相変化光ディスク。
【請求項１１】
請求項１〜１０いずれか１項記載の相変化光ディスクにおいて、
前記第１の界面層および第２の界面層は、ＸをＡｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＳｉのいずれかとしたＧｅＸＮ，もしくはこれらの混合物から構成されたものである
ことを特徴とする相変化光ディスク。
【請求項１２】
請求項１〜１０いずれか１項記載の相変化光ディスクにおいて、
前記第１の界面層および第２の界面層の膜厚が、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下である
ことを特徴とする相変化光ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光の照射により情報の記録と再生とを行う光学情報記録媒体である、記録層における相状態を変化させて記録を行い、この記録相の非晶質状態と結晶状態との光特性の差の違いを利用して情報の再生を行う相変化光ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の光技術を利用した光学情報記録媒体として、光磁気ディスクや相変化光ディスクが提供されている。このうち相変化光ディスクは、記録層を結晶状態と非晶質状態と似変化させることで情報の記録を行い、また、記録相の結晶状態と非晶質状態とでの光反射率あるいは光透過率の違いを利用して情報の再生を行っている。従来の相変化光ディスクは、一般に非晶質状態でのＡａが、結晶状態の光吸収率Ａｃよりも高くされている。
【０００３】
このため、高密度化のために相変化光ディスクの記録トラックのピッチを狭めていくと、ある記録トラックに対してレーザ光を照射して記録層の相（結晶状態）を変化させて記録を行った際に、隣接する記録トラックに存在している光吸収率の高い非晶質記録マークで光吸収による昇温・結晶化、いわゆるクロス消去が生じることになる。このようなクロス消去を防止するためには、非晶質状態での光吸収率Ａａを、結晶状態の光吸収率Ａｃよりも低くすることが有効である（特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１０５９４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、上述したような光情報記録において、記録密度の向上のために、光ヘッドに用いる対物レンズ（光学系）の開口数（ＮＡ）を０．８５にまで高める技術が提案されている。この技術では、光ディスクの支持基板とは反対側に形成された光透過層を通してレーザ光を記録層に照射するため、反射層や記録層からなる各層の膜形成順番が従来とは逆になる。このため、基板直上に粒径が大きい金属膜などからなる反射層が形成されることになり、反射面の平坦性が低く、光ノイズが高くなるという問題が生じていた。また、開口数を高めてビーム径を小さくしているため、ビームが記録層のある微小な点を通過する時間が短くなるため、記録層が結晶化温度以上に保持される時間が減少し、消去率が低下してしまうという問題が生じていた。以上説明したように、光ヘッドの光学系のＮＡを高めることでは、容易に記録密度を向上させることができないという問題があった。
【０００６】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、光ヘッドの光学系のＮＡを高めることで、容易に記録密度の向上が図れるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の相変化光ディスクは、支持基板上に少なくとも第１の誘電体層と反射層と第１の界面層と記録層と第２の界面層と第２の誘電体層と第３の誘電体層と第４の誘電体層とが順次積層され、さらに、これらの上に光透過層を備え、この光透過層側から照射されたレーザ光により、記録層の結晶状態を変化させて情報の記録・再生・消去を行う相変化光ディスクであって、記録層が結晶状態にあるときのディスク反射率Ｒｃが３％以上１２％以下であり、記録層が非晶質状態にあるときのディスク反射率Ｒａと反射率Ｒｃとの差の絶対値が１０％であり、レーザ光の波長λにおける第１の界面層もしくは第２の界面層の屈折率が２より大きく、反射層は、銀，銅，チタン，ニッケルのいずれか１つ、またはこれらのうちの複数からなる混合物を主成分とするものである。
この発明によれば、反射層の平坦性の向上が図れ、反射層に起因したディスクノイズが低減する。
【０００８】
上記発明において反射層は、膜厚が２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であればよく、また、反射層は、熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上である方がよい。
また、上記発明において、記録層が結晶状態にあるときの光吸収率Ａｃと、記録層が非晶質状態にあるときの光吸収率Ａａとの関係Ａｃ／Ａａが、１．１以上であればよく、このためには、第２の誘電体層の屈折率ｎ２より第３の誘電体層の屈折率ｎ３の方が小さく、第４の誘電体層の屈折率ｎ４より屈折率ｎ３の方が小さいものであるようにすればよい。
【０００９】
本発明の相変化光ディスクは、支持基板上に少なくとも第１の誘電体層と反射層と第１の界面層と記録層と第２の界面層と第２の誘電体層とが順次積層され、さらに、これらの上に光透過層を備え、この光透過層側から照射されたレーザ光により、記録層の結晶状態を変化させて情報の記録・再生・消去を行う相変化光ディスクであって、記録層が結晶状態にあるときのディスク反射率Ｒｃが３％以上１２％以下であり、記録層が非晶質状態にあるときのディスク反射率Ｒａと反射率Ｒｃとの差の絶対値が１０％であり、レーザ光の波長λにおける第１の界面層もしくは第２の界面層の屈折率が２より大きく、反射層は、銀，銅，チタン，ニッケルのいずれか１つ、またはこれらのうちの複数からなる混合物を主成分とするものである。
この発明によれば、反射層の平坦性の向上が図れ、反射層に起因したディスクノイズが低減する。
【００１０】
本発明の相変化光ディスクは、支持基板上に少なくとも第１の誘電体層と反射層と第１の界面層と記録層と第２の界面層と第２の誘電体層と第３の誘電体層と第４の誘電体層とが順次積層され、さらに、これらの上に光透過層を備え、この光透過層側から照射されたレーザ光により、記録層の結晶状態を変化させて情報の記録・再生・消去を行う相変化光ディスクであって、記録層が結晶状態にあるときの光吸収率Ａｃと、記録層が非晶質状態にあるときの光吸収率Ａａとの関係Ａｃ／Ａａが、１．１以上としたものである。
この発明によれば、クロス消去が低減される。
【００１１】
上記発明において、第２の誘電体層の屈折率ｎ２より第３の誘電体層の屈折率ｎ３の方が小さく、第４の誘電体層の屈折率ｎ４より屈折率ｎ３の方が小さいものとすればよい。
また、反射層は、熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上がよく、レーザ光の波長λにおける第１の界面層および第２の界面層の消衰係数が１以下でればよい。
【００１２】
また、上述した発明において、第１の界面層および第２の界面層は、ＸをＡｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＳｉのいずれかとしたＧｅＸＮ，もしくはこれらの混合物から構成すればよく、また、第１の界面層および第２の界面層の膜厚が、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下とした方がよい。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように、本発明によれば、光ノイズが抑制され、クロス消去が低減された消去率の低下が抑制されるようになるので、光ヘッドの対物レンズのＮＡを高めることで、容易に記録密度の向上が図れるようになるというすぐれた効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態における相変化光ディスクの構成を概略的に示す断面図である。この相変化光ディスクは、ポリカーボネートやガラスなどからなる厚さ０．６ｍｍ〜２ｍｍ程度の支持基板１０１上に、反射層１０２，誘電体層Ａ１０３，界面層Ａ１０４，記録層１０５，界面層Ｂ１０６，誘電体層Ｂ１０７，誘電体層Ｃ１０８，誘電体層Ｄ１０９，光透過層１１０を備えた構造である。この層変化光ディスクに対する情報の記録、再生・消去は、光透過層１１０よりレーザ光を照射して行う。なお、支持基板１０１には、アルミニウム（Ａｌ）およびこの合金を用いるようにしても良い。
【００１５】
支持基板側からレーザ光を入射して情報の記録・消去・再生を行う従来の相変化光ディスクに用いる反射層としては、Ａｌを主成分とした金属膜が良く用いられてきた。Ａｌを主成分とした反射層の形成では、プロセスの時間の短縮などのため、スパッタリング法が用いられている。しかしながら、スパッタリング法により高速に膜を形成しようとすると、膜を構成する粒径が大きくなり、また表面荒さも大きくなりやすい。また、反射層としてＡｌ膜を形成し、引き続いて、他の膜を形成した場合、Ａｌ膜の表面荒さの影響で他の膜の表面荒れも大きくなる。この結果、反射面に表面荒れが存在し、また信号光が通過する膜においても膜荒れが存在することになり、信号光におけるノイズが増大してしまうという問題が生じていた。
【００１６】
これら反射層に起因したノイズを低減するためには、反射層１０２に、粒径が小さく表面荒さを小さく膜を形成できるＡｇあるいはＣｕあるいはＴｉあるいはＮｉを主成分とした膜を用いることが望ましい。いずれの場合でも主成分の組成比は７０ａｔ％以上であることが望ましく、Ａｇの場合には、Ｐｄ，Ｃｕ，Ｒｔ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｎｉなどを添加成分として用いることができる。Ｃｕ，Ｔｉ，Ｎｉの場合には、Ｓｉ，Ｃｒ，Ｗなど、または、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｎｉを相互に、あるいはＡｇを添加成分として用いることができる。
【００１７】
上述した材料を用いたいずれの反射層１０２でも、厚くしすぎるとノイズ上昇を招くので、膜厚は２００ｎｍ以下とすることが望ましい。しかしながら、薄すぎると反射率が低くなってしまい反射層としての機能を十分に果たすことができず、また、ヒートシンクとしての機能も十分に果たすことができないので、２０ｎｍ以上の膜厚が必要である。
【００１８】
また、反射層に起因したディスクノイズを低減するためには、ディスク反射率を低くすることが有効である。ディスク反射率は、光透過層１１０より入射した光の反射状態を示すものであり、反射層のみの反射率ではなく、相変化光ディスク全体の反射率である。反射層に起因したディスクノイズは、反射率と相関（一般には二乗で比例）があるので、ディスク反射率が低いほどディスクノイズを抑制することが可能になる。
【００１９】
したがって、記録層１０５が結晶状態にあるときのディスク反射率Ｒｃは、１２％以下であることが望ましい。ただし、この反射率が低すぎると、信号読み出しのためのサーボが不安定になり、また、アドレス検出用などに形成されたプリピット信号の読み取り精度が低下するなどの問題が生じる。したがって、Ｒｃは３％以上であることが望ましい。また、十分な信号振幅を得るためには、ＲｃとＲａとの差が１０％以上であることが望ましい。
【００２０】
一方、クロス消去低減のためには、Ａｃ／Ａａは大きい方が望ましく、少なくとも１．１以上であることが望ましい。Ａｃ／Ａａを大きくするには、記録層１０５が結晶状態にあるときのディスクの反射率を、記録層１０５が非晶質状態にあるときのディスクの反射率より低くすればよい。
このためには、光透過層１１０と記録層１０５の間に、誘電体層Ｂ１０７，誘電体層Ｃ１０８，誘電体層Ｄ１０９からなる多層誘電体層を形成し、各層の屈折率の関係が、ｎ２＞ｎ３かつｎ４＞ｎ３を満たすようにすると良い。なお、誘電体層Ｂ１０７の屈折率をｎ２，誘電体層Ｃ１０８の屈折率をｎ３，誘電体層Ｄ１０９の屈折率をｎ４としている。
【００２１】
さらに、ｎ２とｎ３の屈折率の差およびｎ３とｎ４の屈折率の差を大きくすればするほど、Ａｃ／Ａａを大きくできる各層の膜厚の組み合わせが多くなり、設計の自由度が増すので、ｎ２とｎ３の差、およびｎ３とｎ４の差は０．４以上あることが望ましい。なお、上述では記録層１０５と光透過層１１０との間に３つの誘電体層を備えるようにしたが、これに限るものではなく、４層以上の誘電体層を備えるようにしても良い。なお、クロス消去低減のためには、反射層１０２の熱伝導率は高い方が望ましく、少なくとも２０Ｗ／ｍＫ以上であることが望ましい。
【００２２】
また、界面層Ａ１０４および界面層Ｂ１０６は、記録層１０５の結晶化を促進する役割を果たしており、光ヘッドの光学系のＮＡが高くビーム径が小さい場合に、記録層１０５が結晶化温度以上に保持される時間が減少した際の消去率低下を抑制している。記録層１０５の剥離等によるピンホールやバースト等の欠陥を生じさせないためには、界面層としては、応力が低く、記録層との付着力（接着力）が良好な材料が適しており、具体的には、ＧｅＮＸ（ＸはＡｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｓｉのいずれか、あるいは、これらの混合物；Ｘの組成比は５〜３０ａｔ％）が好適である。
【００２３】
しかしながら、窒化物と相変化記録膜（記録層１０５）との付着力はそれほど高くないので、界面層を厚くしすぎると剥離が生じやすくなる。この薄利を防ぐため、界面層の膜厚は、１０ｎｍ以下であることが望ましいが、薄すぎると膜自体の欠陥が多くなってしまうので、３ｎｍ以上の膜厚が必要である。
また、界面層でのレーザ光吸収が大きい場合には、記録層での光吸収が低下してしまい、記録に際して高いレーザーパワーが必要となるため、界面層での光吸収はできるだけ小さい方が望ましく、そのためには、波長λにおける界面層の消衰係数ｋは１以下であることが望ましい。
【実施例】
【００２４】
＜実施例１＞
以下、本発明の実施例を説明する。図１において、支持基板１０１として厚さ１．２ｍｍのポリカーボネイトを用い、この支持基板１０１上に、まず、以下の各膜をスパッタリング法により順次積層した。反射層１０２としてＡｇ９８ａｔ％，Ｐｄ１ａｔ％，Ｃｕ１ａｔ％からなる金属膜を１５０ｎｍ、誘電体層Ａ１０３としてＳｉＯ2膜を３０ｎｍ、界面層Ａ１０４および界面層Ｂ１０６として（ＧｅＮ）９０ａｔ％，Ａｌ１０ａｔ％からなる膜を５ｎｍ、記録層１０５としてＡｇＧｅＳｂＴｅ膜を１５ｎｍ、誘電体層Ｂ１０７としてＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる膜を３０ｎｍ、誘電体層Ｃ１０８としてＳｉＯ2膜を３０ｎｍ、誘電体層Ｄ１０９としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を５０ｎｍ積層した。この後、厚さ０．１ｍｍのポリカーボネートフィルムを紫外線硬化樹脂（接着剤）を用いて、誘電体層Ｄ１０９上に接着させ、光透過層１１０とした。また、支持基板１０１の図示しない案内溝のピッチ（トラックピッチ）は０．６μｍとした。
【００２５】
この相変化光ディスクにおいて記録層１０５の結晶状態と非晶質状態の各光吸収率を測定したところ、Ａｃは９０％、Ａａは６０％であった。この相変化光ディスクを線速度５ｍ／ｓで回転させ、波長４００ｎｍのレーザビームを照射するＮＡ０．８５の光学系から構成された光ヘッドを用いて測定を行った。なお、波長４００ｎｍにおける各層の光学定数（ｎ，ｋ）は、ＧｅＮＡｌが（２．３，０．３）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2が（２．３５，０．０１）、ＳｉＯ2が（１．５４，０）であった。
【００２６】
記録再生特性評価では、まず、ランド部（支持基板の案内溝間の平坦部）に４ＭＨｚ、ｄｕｔｙ＝５０％の信号を記録した後、隣接する両側グルーブ部に５ＭＨｚ、ｄｕｔｙ＝５０％の信号を繰り返し記録し、４ＭＨｚ信号のキャリアの変化を測定した。図２から明らかなように、隣接グルーブ部で情報の書き換えを繰り返し行っても、４ＭＨｚの信号はまったく影響を受けない。
【００２７】
なお、図２には、隣接するトラックに情報を記録していない状態で測定した４ＭＨｚ信号のキャリアＣｉと、隣接トラックで５ＭＨｚの信号を所定回数繰り返し記録した後で測定した４ＭＨｚ信号のキャリアＣａとの差（Ｃｉ−Ｃａ）を示した。なお、４ＭＨｚ信号のＣ／Ｎは５５Ｂと高い値であった。
また、この相変化光ディスクを用いて、消去率を測定したところ、図３に示すように、３０ｄＢ以上の高い消去率が得られた。なお、消去率は、４ＭＨｚ信号に１６ＭＨｚ信号をオーバライトした際の４ＭＨｚ信号の減衰比として測定した。
【００２８】
＜比較例１＞
上記実施例と同じ支持基板，反射層，記録層，誘電体層，光透過層を用い、界面層Ａおよび界面層Ｂを付加していないディスクを作製し、上記実施例と同じ条件で消去率の測定を行った。図４に示すように、１５ｄＢ程度の低い消去率しか得られなかった。界面層の付加により消去率が著しく向上していることが判る。
【００２９】
＜比較例２＞
上記実施例と同じ支持基板，記録層，界面層，誘電体層，光透過層を用い、反射層としてＡｌ９０ａｔ％，Ｔｉ１０ａｔ％の金属膜を膜厚１５０ｎｍに形成したディスクを作製し、上記実施例と同じ光ヘッド、同じ記録再生条件でＣ／Ｎの測定を行った。ノイズが高く、Ｃ／Ｎは５０ｄＢ程度であり、上記実施例に比べて５  ｄＢ低い値しか得られなかった。
【００３０】
＜実施例２＞
つぎに、本発明の他の実施例について説明する。
前述した実施例１とほぼ同一の層構成とし、誘電体層Ｂ１０７，誘電体層Ｃ１０８，誘電体層Ｄ１０９の各膜厚を変化させ、Ｒｃを３％から１５％の間で変化させた複数のディスクを形成した。これら各ディスクを前述した実施例１と同じ光ヘッドを用い、線速度５ｍ／ｓ，記録線密度０．１１６μｍ／ｂｉｔの条件で、エラーレートの測定を行った。この測定の結果、以下の表１に示すように、反射率１２％以下で１ｅ−４以下のビットエラーレートが得られていることが判る。
【００３１】
［表１］
Ｒｃとビットエラーレート
──┬─────
Ｒｃ│ヒ゛ットエラーレート
──┼─────
３％│３ｅ−６
８％│１ｅ−５
12％│９ｅ−５
13％│２ｅ−４
15％│５ｅ−４
──┴─────
【００３２】
＜実施例３＞
つぎに、他の実施例について説明する。
前述した実施例１と同じ支持基板１０１を用い、反射層１０２としてＮｉ８０ａｔ％，Ｃｒ２０ａｔ％の金属膜を１００ｎｍ形成し、誘電体層Ａ１０３としてＡｌ2Ｏ3膜を２０ｎｍ形成し、界面層Ａ１０４として（ＧｅＮ）８０ａｔ％，Ｃｒ２０ａｔ％の膜を２ｎｍ〜１２ｎｍ形成し、記録層１０５としてＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5の膜を１３ｎｍ形成し、界面層Ｂ１０６として（ＧｅＮ）８０ａｔ％，Ｃｒ２０ａｔ％の膜を２ｎｍ〜１２ｎｍ形成し、誘電体層Ｂ１０７としてＳｉＮ膜を４０ｎｍ形成し、誘電体層Ｃ１０８としてＳｉＯ2膜を２０ｎｍ形成し、誘電体層Ｄ１０９としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を５０ｎｍ形成し、かつ、光透過層１１０として厚さ０．１ｍｍのポリカーボネートフィルムを紫外線硬化樹脂を用いて接着させた。なお、光透過層１１０以外は、スパッタリング法により順次積層した。
【００３３】
このように形成した相変化光ディスクについて、前述した実施例１と同じ光ヘッド、同じ記録再生条件で、界面層Ｂ１０６の膜厚と消去率および繰り返しオーバライト特性の関係を調べた。繰り返しオーバライト回数は、４ＭＨｚの信号を繰り返し記録してＣ／Ｎを測定し、初回のＣ／Ｎから３ｄＢ低下する回数として定義した。表２に示すように、消去率は膜厚が薄いほど高く、また、繰り返しオーバライト特性は、３〜１０ｎｍの膜厚範囲で良好である。したがって、界面層の膜厚としては、３〜１０ｎｍが望ましく、消去率も加味すると、３〜４ｎｍが最適であることが判る。
【００３４】
［表２］
界面層膜厚とオーバーライト特性
─────┬───┬──────
界面層膜厚│消去率│繰り返し回数
─────┼───┼──────
２ｎｍ│３８％│  ５ｅ＋４
３ｎｍ│３８％│  ２ｅ＋５
４ｎｍ│３６％│  ２ｅ＋５
５ｎｍ│３３％│  ３ｅ＋５
１０ｎｍ│３０％│  ２ｅ＋５
１２ｎｍ│２５％│  １ｅ＋４
─────┴───┴──────
【００３５】
＜実施例４＞
つぎに、他の実施例について説明する。
前述した実施例１と同じ基板を用い、反射層１０２としてＣｕ９５ａｔ％，Ｓｉ５ａｔ％の膜を１５０ｎｍ、誘電体層Ａ１０３としてＺｎＳ−ＳｉＯ2の膜を１５ｎｍ、界面層Ａ１０４として（ＧｅＮ）９０ａｔ％，Ｔｉ１０ａｔ％の膜を３ｎｍ、記録層１０５としてＡｇＧｅＳｂＴｅ膜を１８ｎｍ、界面層Ｂ１０６として（ＧｅＮ）９０ａｔ％，Ｔｉ１０ａｔ％の膜を３ｎｍ、誘電体層Ｂ１０７としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を４０ｎｍ、誘電体層Ｃ１０８としてＳｉＯ2膜を３５ｎｍ、誘電体層Ｄ１０９としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を４５ｎｍ、スパッタリング法により順次積層し、これらの上に、光透過層１１０として厚さ０．１ｍｍのポリカーボネートフィルムを紫外線硬化樹脂を用いて接着させた。なお、界面層をスパッタリング法で形成するときのガス圧を変化させることにより、界面層の波長４００ｎｍにおける消衰係数を０．２〜１．１の範囲で変化させて複数のディスクを作製した。
【００３６】
前述実施例１と同じ光ヘッド、同じ記録再生条件で、最適記録パワーと界面層の消衰係数の関係を調べた。最適記録パワーは、４ＭＨｚ信号の２次高調波歪み（２ｎｄＨ／Ｃ）が最小となる記録パワーとして定義した。なお、本実施例に用いたレーザ光の最大出射パワー上限は、５ｍＷであった。以下の表３に示すように、消衰係数が大きくなるにつれ、最適記録パワーが高くなる傾向があり、消衰係数が１．１の場合には５ｍＷでも２ｎｄＨ／Ｃは最小値とはならなかった。
【００３７】
［表３］
消衰係数と記録パワー
────┬─────
消衰係数│記録パワー
────┼─────
０．２０│４.２ｍＷ
０．５０│４.５ｍＷ
１．００│４.９ｍＷ
１．１０│５mW以上
────┴─────
【００３８】
＜実施例５＞
つぎに、他の実施例について説明する。
前述した実施例１と同じ支持基板１０１を用い、反射層１０２としてＴｉ９５ａｔ％，Ｃｒｉ５ａｔ％の膜を２０ｎｍ、誘電体層Ａ１０３としてＳｉＯ2膜を３０ｎｍ、界面層Ａ１０４として（ＧｅＮ）８５ａｔ％，Ｃｒ１５ａｔ％の膜を３ｎｍ、記録層１０５としてＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5の膜を１８ｎｍ、界面層Ｂ１０６として（ＧｅＮ）８５ａｔ％，Ｃｒ１５ａｔ％の膜を３ｎｍ、誘電体層Ｂ１０７としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を３５ｎｍ、誘電体層Ｃ１０８としてＳｉＯ2膜を３０ｎｍ、誘電体層Ｄ１０９としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を４５ｎｍ、スパッタリング法により順次積層し、これらの上に、光透過層１１０として厚さ０．１ｍｍのポリカーボネートフィルムを紫外線硬化樹脂を用いて接着させた。本実施例において、Ａｃ／Ａａは、１．１であった。なお、反射層１０２を形成するときのガス圧を変化させることにより、反射層１０２の熱伝導率を１０〜２５Ｗ／ｍＫの間で変化させた。
【００３９】
実施例１と同じ光ヘッド、同じ記録再生条件で、反射層１０２の熱伝導率とクロス消去の関係を調べた。表４に示すように、熱伝導率が低いほどクロス消去が大きくなる傾向が確認された。クロス消去が無いのは、反射層１０２の熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上の場合である。
【００４０】
［表４］
熱伝導率とクロス消去
────┬─────
熱伝導率│記録パワー
────┼─────
１０W/mK│−１．２mW
１８W/mK│−０．３mW
２０W/mK│  ０
２５W/mK│  ０
────┴─────
【００４１】
＜実施例６＞
つぎに、他の実施例について説明する。
前述した実施例１と同じ支持基板１０１を用い、反射層１０２としてＴｉ９５ａｔ％，Ｃｒｉ５ａｔ％の膜を２０ｎｍ、誘電体層Ａ１０３としてＳｉＯ2膜を３０ｎｍ、界面層Ａ１０４として（ＧｅＮ）８５ａｔ％，Ｃｒ１５ａｔ％の膜を３ｎｍ、記録層１０５としてＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5膜を１８ｎｍ、界面層Ｂ１０６として（ＧｅＮ）８５ａｔ％，Ｃｒ１５ａｔ％の膜を３ｎｍ、誘電体層Ｂ１０７としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜、誘電体層Ｃ１０８としてＳｉＯ2膜、誘電体層Ｄ１０９としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜をスパッタリング法により順次積層し、これらの上に、光透過層１１０として厚さ０．１ｍｍのポリカーボネートフィルムを紫外線硬化樹脂を用いて接着させた。
【００４２】
また、本実施例においては、誘電体層Ｂ１０７，誘電体層Ｃ１０８，誘電体層Ｄ１０９の各膜厚を変化させることにより、Ａｃ／Ａａを１．０２〜１．１３の範囲で変化させ、Ａｃ／Ａａとクロス消去の関係を調べた。実施例１と同じ光ヘッド、同じ記録再生条件で、Ａｃ／Ａａとクロス消去の関係を調べた。以下の表５に示すように、Ａｃ／Ａａが大きいほどクロス消去が小さくなる傾向が確認された。クロス消去が無いのは、Ａｃ／Ａａが１．１以上の場合である。
【００４３】
［表５］
Ａｃ／Ａａとクロス消去
─────┬─────
Ａｃ／Ａａ│記録パワー
─────┼─────
１．０２│−１．０mW
１．０８│−０．２mW
１．１０│  ０
１．１３│  ０
─────┴─────
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施の形態における相変化光ディスクの構成を示す構成図である。
【図２】本発明の実施の形態の相変化光ディスクにおけるクロス消去特性を示す特性図である。
【図３】本発明の実施の形態の相変化光ディスクにおける消去特性を示す特性図である。
【図４】従来の相変化光ディスクにおける消去特性を示す特性図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０１…支持基板、１０２…反射層、１０３…誘電体層Ａ、１０４…界面層Ａ、１０５…記録層、１０６…界面層Ｂ、１０７…誘電体層Ｂ、１０８…誘電体層Ｃ、１０９…誘電体層Ｄ、１１０…光透過層。
【図１】
2005235394.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2005235394.tif 000006