(57)【要約】【課題】  中心電極および接地電極の対向面に柱状の貴金属チップをレーザ溶接してなるスパークプラグにおいて、生産性を向上させた上で、接地電極側貴金属チップの接合信頼性を確保する。【解決手段】  貴金属チップ３５がレーザ溶接された中心電極３０と、曲がり形状をなすとともに貴金属チップ４５がレーザ溶接された接地電極４０とを備えるスパークプラグの製造方法において、接地電極４０を取付金具１０に溶接固定した後、曲げる前に、接地電極４０の対向面４３とチップ４５との接合界面近傍に対してレーザ照射して溶融部４４を形成する。このとき、対向面４３の面内においてチップ４５と取付金具１０の幅方向の端部とを結ぶ２本の仮想線同士のなす角度θ１の範囲内に、レーザ照射軸ＬＺが存在しないように、レーザ照射を行う。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
先端部（３１）が露出した状態で取付金具（１０）に収納され、前記先端部（３１）に柱状の貴金属からなる中心電極側貴金属チップ（３５）がレーザ溶接された中心電極（３０）と、
一端（４２）側が前記取付金具（１０）に溶接されて固定されるとともに、中間部が曲げられて他端（４１）側が前記中心電極（３０）と放電ギャップ（５０）を介して対向する接地電極（４０）と、
前記接地電極（４０）における前記中心電極（３０）との対向面（４３）にレーザ溶接された柱状の貴金属からなる接地電極側貴金属チップ（４５）とを備えるスパークプラグにおいて、
前記接地電極側貴金属チップ（４５）は、その軸方向において前記対向面（４３）から前記中心電極（３０）側へ突き出す突き出し量ｔが０．３ｍｍ以上であり、
前記対向面（４３）と前記接地電極側貴金属チップ（４５）との接合界面近傍に対して、レーザ照射することにより前記接地電極（４０）と前記接地電極側貴金属チップ（４５）とが溶け込みあった溶融部（４４）が形成されており、
前記溶融部（４４）を前記接合界面に沿って切断したときの前記溶融部（４４）の切断面における前記接地電極側貴金属チップ（４５）の内部側へ向かう中心軸を、溶融ナゲット軸（４６）とし、
曲げられる前の状態における前記接地電極（４０）の前記対向面（４３）の面内において、前記接地電極側貴金属チップ（４５）と前記取付金具（１０）の幅方向の端部とを結ぶ２本の仮想線同士のなす角度をθ１としたとき、
前記溶融ナゲット軸（４６）は前記角度θ１の範囲内には存在しないものであるとともに、前記溶融ナゲット軸（４６）は前記接地電極側貴金属チップ（４５）の全周にわたって不均一に複数個配置されており、
前記接地電極側貴金属チップ（４５）のうち前記溶融部（４４）に最も近い部位において前記接地電極側貴金属チップ（４５）の軸に直交する断面積をＡとし、
前記接地電極側貴金属チップ（４５）のうち前記接合界面に位置する面における未溶融部の面積をＢとし、
この未溶融部の面積Ｂが前記断面積Ａに対して占める比率を、未溶融断面積比率としてＣで表したとき、
前記未溶融断面積比率Ｃが５０％以内であることを特徴とするスパークプラグ。
【請求項２】
前記角度θ１を挟んで隣り合う２本の前記溶融ナゲット軸（４６ａ、４６ｂ）同士のなす角度をθ２としたとき、この角度θ２は前記角度θ１よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のスパークプラグ。
【請求項３】
前記接地電極側貴金属チップ（４５）の軸直交断面における中心点（Ｏ）を通る中心線であって前記接地電極（４０）の軸と平行な中心線をｘで表したとき、
前記角度θ１を挟んで隣り合う２本の前記溶融ナゲット軸（４６ａ、４６ｂ）と前記中心線ｘとの交点のうち少なくとも一つの交点が、前記接地電極側貴金属チップ（４５）の軸直交断面における中心点（Ｏ）よりも前記接地電極（４０）の前記一端（４２）側に位置することを特徴とする請求項１または２に記載のスパークプラグ。
【請求項４】
前記角度θ１を挟んで隣り合う２本の前記溶融ナゲット軸（４６ａ、４６ｂ）に直交する方向における前記接地電極側貴金属チップ（４５）の幅のうち、最大のチップ幅をＤ１とし、
当該２本の前記溶融ナゲット軸（４６ａ、４６ｂ）のうち前記接地電極側貴金属チップ（４５）の軸直交断面における前記中心点（Ｏ）よりも前記接地電極（４０）の前記一端（４２）側に位置する溶融ナゲット軸（４６ｂ）と、この溶融ナゲット軸（４６ｂ）と平行であって且つ前記中心点（Ｏ）を通る仮想線との距離をＬ１としたとき、
前記距離Ｌ１が前記幅Ｄ１の０．５倍以下であることを特徴とする請求項３に記載のスパークプラグ。
【請求項５】
前記中心電極側貴金属チップ（３５）は、Ｉｒを５０重量％以上含有したＩｒ合金よりなり、
前記接地電極側貴金属チップ（４５）は、Ｐｔを５０重量％以上含有したＰｔ合金よりなり、
前記中心電極側貴金属チップ（３５）の軸と直交する前記中心電極側貴金属チップ（３５）の断面積をＡ１とし、
前記接地電極側貴金属チップ（４５）の軸と直交する前記接地電極側貴金属チップ（４５）の断面積をＡ２としたとき、
これら断面積Ａ１および断面積Ａ２が、０．１ｍｍ2以上１．１５ｍｍ2以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載のスパークプラグ。
【請求項６】
前記中心電極側貴金属チップ（３５）および前記接地電極側貴金属チップ（４５）は、添加物としてＩｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ａｌ、Ｙ、Ｙ2Ｏ3のいずれかを含有するものであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載のスパークプラグ。
【請求項７】
先端部（３１）が露出した状態で取付金具（１０）に収納され、前記先端部（３１）に柱状の貴金属からなる中心電極側貴金属チップ（３５）がレーザ溶接された中心電極（３０）と、
一端（４２）側が前記取付金具（１０）に溶接されて固定されるとともに、中間部が曲げられて他端（４１）側が前記中心電極（３０）と放電ギャップ（５０）を介して対向する接地電極（４０）とを備え、
前記接地電極（４０）における前記中心電極（３０）との対向面（４３）に、柱状の貴金属からなる接地電極側貴金属チップ（４５）をレーザ溶接してなるスパークプラグの製造方法において、
前記接地電極（４０）を前記取付金具（１０）に溶接して固定した後、前記接地電極（４０）を曲げる前に、前記対向面（４３）と前記接地電極側貴金属チップ（４５）との接合界面近傍に対して、レーザ照射することにより前記接地電極（４０）と前記接地電極側貴金属チップ（４５）とが溶け込みあった溶融部（４４）を形成するレーザ照射工程を行うようにしており、
前記レーザ照射工程では、前記接地電極（４０）の前記対向面（４３）の面内において、前記接地電極側貴金属チップ（４５）と前記取付金具（１０）の幅方向の端部とを結ぶ２本の仮想線同士のなす角度をθ１としたとき、レーザ照射軸（ＬＺ）が前記角度θ１の範囲内に存在しないように、前記接地電極側貴金属チップ（４５）の周囲に前記レーザ照射を行うことを特徴とするスパークプラグの製造方法。
【請求項８】
前記曲げる前の状態における前記接地電極（４０）の前記対向面（４３）に前記レーザ照射軸（ＬＺ）を投影した軸を、レーザ照射投影軸（ＬＺ）ということとし、
前記レーザ照射工程では、前記角度θ１を挟んで隣り合う２本の前記レーザ照射投影軸（ＬＺ）同士のなす角度をθ３としたとき、
前記角度θ３が前記角度θ１よりも大きくなるように前記レーザ照射を行うことを特徴とする請求項７に記載のスパークプラグの製造方法。
【請求項９】
前記曲げる前の状態における前記接地電極（４０）の前記対向面（４３）に前記レーザ照射軸（ＬＺ）を投影した軸を、レーザ照射投影軸（ＬＺ）ということとし、
前記接地電極側貴金属チップ（４５）の軸直交断面における中心点（Ｏ）を通る中心線であって前記接地電極（４０）の軸と平行な中心線をｘで表したとき、
前記角度θ１を挟んで隣り合う２本の前記レーザ照射投影軸（ＬＺａ、ＬＺｂ）と前記中心線ｘとの交点のうち少なくとも一つの交点が、前記接地電極側貴金属チップ（４５）の軸直交断面における中心点（Ｏ）よりも前記接地電極（４０）の前記一端（４２）側に位置するような状態で、前記レーザ照射を行うことを特徴とする請求項７または８に記載のスパークプラグの製造方法。
【請求項１０】
前記角度θ１を挟んで隣り合う２本の前記レーザ照射投影軸（ＬＺａ、ＬＺｂ）に直交する方向における前記接地電極側貴金属チップ（４５）の幅のうち、最大のチップ幅をＤ２とし、
当該２本の前記レーザ照射投影軸（ＬＺａ、ＬＺｂ）のうち前記接地電極側貴金属チップ（４５）の軸直交断面における前記中心点（Ｏ）よりも前記接地電極（４０）の前記一端（４２）側に位置するレーザ照射投影軸（ＬＺｂ）と、このレーザ照射投影軸（ＬＺｂ）と平行であって且つ前記中心点（Ｏ）を通る仮想線との距離をＬ２としたとき、
前記距離Ｌ２が前記幅Ｄ２の０．５倍以下であることを特徴とする請求項９に記載のスパークプラグの製造方法。
【請求項１１】
前記中心電極側貴金属チップ（３５）として、Ｉｒを５０重量％以上含有したＩｒ合金よりなるものであって、その軸と直交する断面積Ａ１が０．１ｍｍ2以上１．１５ｍｍ2以下であるものを用い、
前記接地電極側貴金属チップ（４５）として、Ｐｔを５０重量％以上含有したＰｔ合金よりなるものであって、その軸と直交する断面積をＡ２が０．１ｍｍ2以上１．１５ｍｍ2以下であるものを用いることを特徴とする請求項７ないし１０のいずれか一つに記載のスパークプラグの製造方法。
【請求項１２】
前記中心電極側貴金属チップ（３５）および前記接地電極側貴金属チップ（４５）として、添加物としてＩｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ａｌ、Ｙ、Ｙ2Ｏ3のいずれかを含有するものを用いることを特徴とする請求項７ないし１１のいずれか一つに記載のスパークプラグの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極の耐久性向上や高着火性の実現等の目的で中心電極および接地電極の対向面に火花放電部材としての柱状の貴金属チップをレーザ溶接してなるスパークプラグおよびそのようなスパークプラグの製造方法に関し、特に、接地電極側の貴金属チップに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、スパークプラグは、先端部が露出した状態で取付金具に収納された中心電極と、一端側が取付金具に溶接されて固定されるとともに中間部が曲げられて他端側が中心電極と放電ギャップを介して対向する接地電極とを備えており、自動車のエンジンやガスエンジン等における点火栓として適用されている。
【０００３】
そして、電極の耐久性向上や高着火性の実現等のために、接地電極および中心電極における互いに対向する対向面に、Ｐｔ（白金）合金やＩｒ（イリジウム）合金からなる貴金属チップをレーザ溶接により接合している。
【０００４】
ここで、従来より、接地電極の対向面へ貴金属チップをレーザ溶接するスパークプラグとしては、取付金具がレーザ光を妨害しないような照射角度にてレーザ照射を行い、当該対向面と貴金属チップとの境界部分の全周溶接を実現したものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
この方法について、図２７を用いて具体的に説明する。図２７は、貴金属チップ４５を接地電極４０の他端４１側へレーザ溶接する一般的な方法を示す概略断面図である。ここで、接地電極４０の一端側は図示されていないが、同じく図示しない取付金具に溶接されることにより固定されている。
【０００６】
そして、接地電極４０の他端４１側に位置する対向面４３と接地電極側貴金属チップ４５との接合界面近傍に対して、レーザＬＺを照射することにより接地電極４０と接地電極側貴金属チップ４５とが溶け込みあった溶融部４４が形成されている。
【０００７】
ここで、照射角度θＬは、接地電極４０の対向面４３とレーザＬＺの照射方向の軸すなわちレーザ照射軸ＬＺとのなす角度θＬであり、つまり、接地電極４０の対向面４３へのレーザＬＺの入射角度である。なお、符号ＬＺはレーザだけでなく、レーザ照射軸を表すのにも用いる。
【０００８】
ここにおいて、上記した特許文献１に記載されているレーザ溶接方法では、接地電極４０の一端側を取付金具に溶接して固定した後、接地電極４０を曲げる前に、レーザ照射することにより溶融部４４を形成する。こうして、接地電極４０は、その軸方向にまっすぐな状態で取付金具に固定される。
【０００９】
その後、接地電極側貴金属チップ４５をレーザ溶接するが、ここにおいて、例えば、図２７中のレーザ照射軸ＬＺの方向に取付金具が存在するものとした場合に、照射角度θＬを十分大きくしてレーザＬＺが取付金具の上を越えて接地電極４０の対向面４３へ照射されるようにしている。
【００１０】
しかしながら、この方法では、レーザの照射角度θＬが大きくなり、図２７中に示される接地電極側貴金属チップ４５の径方向への溶け込み深さＤＷが小さくなる結果、接地電極４０と接地電極側貴金属チップ４５との接合界面における未溶融部が非常に大きくなってしまう。
【００１１】
近年のエンジンは、高出力、低燃費、低排出ガス等の傾向により、従来のエンジンに比して高温の燃焼雰囲気となっているため、電極に溶接されている貴金属チップが脱落してしまう可能性が高くなっている。特に、燃焼室内への突き出し量が大きい接地電極においては、熱応力の増大や高温酸化の促進等により、貴金属チップが脱落してしまう可能性が高い。
【００１２】
また、上記特許文献１に記載されているレーザ溶接方法では、接地電極側貴金属チップ４５の突き出し量ｔ（図２７参照）を小さいものとしているが、このように接地電極側貴金属チップ４５の突き出し量ｔを小さくした場合、接地電極側貴金属チップ４５の放電面４５ａに溶融部が存在する構成となりやすい（後述の図６参照）。
【００１３】
このように接地電極側貴金属チップ４５の放電面４５ａに溶融部が存在すると、火花放電により貴金属チップ４５よりも耐消耗性に劣る溶融部４４が先に消耗していまい、接地電極側貴金属チップ４５が脱落してしまうといった問題もある。
【００１４】
そこで、接地電極側貴金属チップ４５の接合信頼性を向上させるべく、貴金属チップを接地電極に接合する方法としては、上記照射角度θＬを小さくすることで、貴金属チップの径方向への溶け込み深さＤＷを大きくするようにしたものが提案されている（特許文献２参照）。
【００１５】
この特許文献２に記載されているレーザ溶接方法では、上記照射角度θＬを小さくすることで、この照射角度θＬに相当する溶融角度を６０°以下まで小さくするようにしている。ちなみに、この溶融角度とは、溶融部における最大溶け込み深さ方向の軸と接地電極の対向面とが交差する角度とされている。
【００１６】
それにより、上記特許文献２に記載の方法では、接地電極４０と接地電極側貴金属チップ４５との接合界面の未溶融部を小さくすることができ、高温の燃焼雰囲気においても接合信頼性を確保することができるとされている。
【００１７】
また、この方法では、接地電極側貴金属チップ４５の突き出し量ｔ（図２７参照）を大きくすることで、接地電極側貴金属チップ４５の放電面４５ａへ溶融部が存在しない構成とすることができ、溶融部への飛火を防止できるだけでなく、接地電極による火炎核成長の妨害を抑制できるため高着火性も実現できるとされている。
【特許文献１】特開２００１−１３５４５６号公報
【特許文献２】特開２００２−２３７３６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
しかしながら、上記した特許文献２に記載されている溶接方法では、取付金具がレーザ光を妨害してしまうため、取付金具へ接地電極を溶接した状態で、接地電極と貴金属チップの境界部分を全周にわたり溶接することは困難である。
【００１９】
そこで、当該特許文献２に記載の溶接方法においては、接地電極単独の状態で接地電極４０の対向面４３に接地電極側貴金属チップ４５を溶接し、その後に、接地電極４０を取付金具に溶接固定するような工程を採用している。
【００２０】
しかし、このような工程を採用した場合、生産性の悪化を招く。すなわち、接地電極４０を取付金具へ溶接する時に、接地電極側貴金属チップ４５が接地電極４０に溶接されていることにより、作業性が悪化してしまい、生産コストを増大させてしまう。最悪のケースでは、接地電極４０をチャックする治具によって接地電極側貴金属チップ４５が破損してしまうといった問題も発生する。
【００２１】
いずれにせよ、従来では、接地電極を取付金具に溶接固定した状態で、貴金属チップを接地電極にレーザ溶接してなるスパークプラグにおいて、十分な接合信頼性を確保することは困難である。
【００２２】
そこで、本発明は上記問題に鑑み、電極の耐久性向上や高着火性の実現等のために中心電極および接地電極の対向面に柱状の貴金属チップをレーザ溶接してなるスパークプラグにおいて、生産性を向上させた上で、接地電極側貴金属チップの接合信頼性を確保することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、先端部（３１）が露出した状態で取付金具（１０）に収納され、先端部（３１）に柱状の貴金属からなる中心電極側貴金属チップ（３５）がレーザ溶接された中心電極（３０）と、一端（４２）側が取付金具（１０）に溶接されて固定されるとともに、中間部が曲げられて他端（４１）側が中心電極（３０）と放電ギャップ（５０）を介して対向する接地電極（４０）と、接地電極（４０）における中心電極（３０）との対向面（４３）にレーザ溶接された柱状の貴金属からなる接地電極側貴金属チップ（４５）とを備えるスパークプラグにおいて、次のような点を特徴としている。
【００２４】
・接地電極側貴金属チップ（４５）は、その軸方向において接地電極（４０）の対向面（４３）から中心電極（３０）側へ突き出す突き出し量ｔが０．３ｍｍ以上であること。
【００２５】
・接地電極（４０）の対向面（４３）と接地電極側貴金属チップ（４５）との接合界面近傍に対して、レーザ照射することにより接地電極（４０）と接地電極側貴金属チップ（４５）とが溶け込みあった溶融部（４４）が形成されていること。
【００２６】
・溶融部（４４）を接合界面（対向面（４３）と同一）に沿って切断したときの溶融部（４４）の切断面における接地電極側貴金属チップ（４５）の内部側へ向かう中心軸を、溶融ナゲット軸（４６）とし、曲げられる前の状態における接地電極（４０）の対向面（４３）の面内において、接地電極側貴金属チップ（４５）と取付金具（１０）の幅方向の端部とを結ぶ２本の仮想線同士のなす角度をθ１としたとき、溶融ナゲット軸（４６）は前記角度θ１の範囲内には存在しないものであるとともに、溶融ナゲット軸（４６）は接地電極側貴金属チップ（４５）の全周にわたって不均一に複数個配置されていること。
【００２７】
・接地電極側貴金属チップ（４５）のうち溶融部（４４）に最も近い部位において接地電極側貴金属チップ（４５）の軸に直交する断面積をＡとし、接地電極側貴金属チップ（４５）のうち接合界面に位置する面における未溶融部の面積をＢとし、この未溶融部の面積Ｂが断面積Ａに対して占める比率を、未溶融断面積比率としてＣで表したとき、未溶融断面積比率Ｃが５０％以内であること。
【００２８】
請求項１に記載のスパークプラグはこれらの特徴点を有している。
【００２９】
本発明では、溶融部（４４）を接合界面に沿って切断したときの溶融部（４４）の切断面における接地電極側貴金属チップ（４５）の内部側へ向かう中心軸を、溶融ナゲット軸（４６）と定義している。
【００３０】
そして、この溶融ナゲット軸（４６）は、レーザ照射の方向すなわちレーザ照射軸（ＬＺ）を、曲げられる前の状態における接地電極（４０）の対向面（４３）に投影した軸と、略一致するものである。
【００３１】
つまり、溶融ナゲット軸（４６）を角度θ１の範囲内に存在させない構成とすることは、レーザ照射軸（ＬＺ）を角度θ１の範囲内に存在させないことになる。
【００３２】
また、この角度θ１の範囲は、曲げられる前の状態の接地電極（４０）を取付金具（１０）に溶接固定した状態で、レーザを照射しようとする際に、取付金具（１０）がレーザの障壁となる領域の範囲である。
【００３３】
そのため、本発明では、レーザ溶接を行う際に、レーザ照射軸（ＬＺ）を角度θ１の範囲内に存在しないようにできるため、レーザが取付金具（１０）に干渉せず、取付金具（１０）を回避した形でレーザを照射することができる。
【００３４】
このことは、接地電極（４０）の対向面（４３）とレーザ照射軸（ＬＺ）とのなす角度すなわち照射角度（レーザの対向面への入射角度）（θＬ）を、取付金具（１０）による制約を持たずに極力小さくできるということである。そのため、接地電極側貴金属チップ（４５）のレーザ溶接において、上記した貴金属チップの径方向への溶け込み深さ（図２７参照）を十分に確保することができる。
【００３５】
また、溶融ナゲット軸（４６）を角度θ１の範囲内に存在させない構成とすることにより、接地電極側貴金属チップ（４５）の全周にわたってレーザ照射を行おうとしても、結果的に、溶融ナゲット軸（４６）は接地電極側貴金属チップ（４５）の全周にわたって不均一に複数個配置された構成となる。
【００３６】
そして、このような溶融部（４４）の構成および接地電極側貴金属チップ（４５）の突き出し量ｔを０．３ｍｍ以上とした構成において、未溶融断面積比率Ｃを５０％以内となるように溶融部（４４）の大きさを確保すれば、接地電極側貴金属チップ（４５）の接合信頼性を十分に確保できることを実験的に確認した（図９参照）。
【００３７】
以上述べたように、本発明によれば、接地電極（４０）を取付金具（１０）に溶接固定した状態でレーザ溶接を行っても、十分な接合信頼性を得ることができる。そのため、接地電極（４０）単独の状態で貴金属チップをレーザ溶接する必要がなくなる。
【００３８】
つまり、本発明によれば、中心電極および接地電極の対向面に柱状の貴金属チップをレーザ溶接してなるスパークプラグにおいて、生産性を向上させた上で、接地電極側貴金属チップの接合信頼性を確保することができる。
【００３９】
請求項２に記載の発明では、前記角度θ１を挟んで隣り合う２本の溶融ナゲット軸（４６ａ、４６ｂ）同士のなす角度をθ２としたとき、この角度θ２は前記角度θ１よりも大きいことを特徴としている。
【００４０】
本発明は、請求項１に記載されているスパークプラグにおいて、溶融ナゲット軸（４６）を角度θ１の範囲内に存在しないものとした構成から導き出されるものである。
【００４１】
つまり、角度θ１を挟んで隣り合う２本の溶融ナゲット軸（４６ａ、４６ｂ）とは、角度θ１を挟み且つ当該２本の溶融ナゲット軸（４６ａ、４６ｂ）の間に溶融ナゲット軸が存在しない状態にて隣り合う２本の溶融ナゲット軸（４６ａ、４６ｂ）である。
【００４２】
請求項３に記載の発明では、接地電極側貴金属チップ（４５）の軸直交断面における中心点（Ｏ）を通る中心線であって接地電極（４０）の軸と平行な中心線をｘで表したとき、前記角度θ１を挟んで隣り合う２本の溶融ナゲット軸（４６ａ、４６ｂ）と中心線ｘとの交点のうち少なくとも一つの交点が、接地電極側貴金属チップ（４５）の軸直交断面における中心点（Ｏ）よりも接地電極（４０）の一端（４２）側に位置することを特徴としている。
【００４３】
それによれば、接地電極側貴金属チップ（４５）の周囲部のうち比較的溶融部（４４）が少ない取付金具（１０）側すなわち接地電極（４０）の一端（４２）側の部位に、溶融部（４４）をより多く形成することができ、接合信頼性をより高めることができるため、好ましい。
【００４４】
請求項４に記載の発明では、前記角度θ１を挟んで隣り合う２本の溶融ナゲット軸（４６ａ、４６ｂ）に直交する方向における接地電極側貴金属チップ（４５）の幅のうち、最大のチップ幅をＤ１とし、当該２本の溶融ナゲット軸（４６ａ、４６ｂ）のうち接地電極側貴金属チップ（４５）の軸直交断面における中心点（Ｏ）よりも接地電極（４０）の一端（４２）側に位置する溶融ナゲット軸（４６ｂ）と、この溶融ナゲット軸（４６ｂ）と平行であって且つ中心点（Ｏ）を通る仮想線との距離をＬ１としたとき、前記距離Ｌ１が前記幅Ｄ１の０．５倍以下であることを特徴としている。
【００４５】
それによれば、角度θ１を挟んで隣り合う２本の溶融ナゲット軸（４６ａ、４６ｂ）のうち接地電極側貴金属チップ（４５）の軸直交断面における中心点（Ｏ）よりも接地電極（４０）の一端（４２）側に位置する溶融ナゲット軸（４６ｂ）に沿って溶融部（４４）を形成した場合、当該溶融ナゲット軸（４６ｂ）に対応した溶融部（４４）がえぐれた形となるのを極力抑制することができる（図１２、図１３参照）。
【００４６】
もし、距離Ｌ１が幅Ｄ１の０．５倍よりも大きいと、当該溶融ナゲット軸（４６ｂ）に対応した溶融部（４４）を形成するためにレーザ照射される接地電極側貴金属チップ（４５）の部分が、容積が小さいものとなり、その結果、レーザ照射時の発熱が大きくなりすぎて、えぐれが発生するものと考えられる。
【００４７】
請求項５に記載の発明では、中心電極側貴金属チップ（３５）は、Ｉｒを５０重量％以上含有したＩｒ合金よりなり、接地電極側貴金属チップ（４５）は、Ｐｔを５０重量％以上含有したＰｔ合金よりなり、中心電極側貴金属チップ（３５）の軸と直交する中心電極側貴金属チップ（３５）の断面積をＡ１とし、接地電極側貴金属チップ（４５）の軸と直交する接地電極側貴金属チップ（４５）の断面積をＡ２としたとき、これら断面積Ａ１および断面積Ａ２が、０．１ｍｍ2以上１．１５ｍｍ2以下であることを特徴としている。
【００４８】
火花消耗の割合が高い中心電極側貴金属チップ（３５）に高融点材料であるＩｒ合金を用い、酸化揮発消耗の割合が高い接地電極側貴金属チップ（４５）に耐酸化揮発性に優れるＰｔ合金を用いることで、スパークプラグの寿命を大幅に拡大することができ、好ましい。
【００４９】
また、中心電極側貴金属チップ（３５）の軸直交断面積Ａ１、接地電極側貴金属チップ（４５）の軸直交断面積Ａ２がそれぞれ０．１ｍｍ2以上１．１５ｍｍ2以下であることが好ましい。
【００５０】
これは、各電極（３０、４０）の貴金属チップ（３５、４５）において、軸直交断面積が０．１ｍｍ2よりも小さいと熱引け性が極端に悪化するため、チップ温度が加速的に上昇してしまい、異常消耗、プレイグニッション等の問題が発生するからである。
【００５１】
一方、各電極（３０、４０）の貴金属チップ（３５、４５）において、軸直交断面積が１．１５ｍｍ2よりも大きいと着火性を悪化させてしまう。これは、火炎核成長時の貴金属チップによる冷却損失が大きくなり、火炎核の成長を妨げてしまうからである。
【００５２】
請求項６に記載の発明では、中心電極側貴金属チップ（３５）および接地電極側貴金属チップ（４５）は、添加物としてＩｒ（イリジウム）、Ｐｔ（白金、プラチナ）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｗ（タングステン）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｙ（イットリウム）、Ｙ2Ｏ3（三酸化二イットリウム、イットリア）のいずれかを含有するものであることを特徴としている。
【００５３】
中心電極側貴金属チップ（３５）および接地電極側貴金属チップ（４５）の添加物として、このようなものを採用することにより、耐消耗性をより向上できるだけでなく、チップ強度を増大することもでき、その結果、高温によるチップ割れや亀裂等を防止でき、好ましい。
【００５４】
また、請求項７以降の発明はスパークプラグの製造方法に関するものである。
【００５５】
請求項７に記載の発明では、先端部（３１）が露出した状態で取付金具（１０）に収納され、先端部（３１）に柱状の貴金属からなる中心電極側貴金属チップ（３５）がレーザ溶接された中心電極（３０）と、一端（４２）側が取付金具（１０）に溶接されて固定されるとともに、中間部が曲げられて他端（４１）側が中心電極（３０）と放電ギャップ（５０）を介して対向する接地電極（４０）とを備え、接地電極（４０）における中心電極（３０）との対向面（４３）に、柱状の貴金属からなる接地電極側貴金属チップ（４５）をレーザ溶接してなるスパークプラグの製造方法において、次のような点を特徴としている。
【００５６】
・接地電極（４０）を取付金具（１０）に溶接して固定した後、接地電極（４０）を曲げる前に、接地電極（４０）の対向面（４３）と接地電極側貴金属チップ（４５）との接合界面近傍に対して、レーザ照射することにより接地電極（４０）と接地電極側貴金属チップ（４５）とが溶け込みあった溶融部（４４）を形成するレーザ照射工程を行うようにしたこと。
【００５７】
・レーザ照射工程では、接地電極（４０）の対向面（４３）の面内において、接地電極側貴金属チップ（４５）と取付金具（１０）の幅方向の端部とを結ぶ２本の仮想線同士のなす角度をθ１としたとき、レーザ照射軸（ＬＺ）が前記角度θ１の範囲内に存在しないように、接地電極側貴金属チップ（４５）の周囲にレーザ照射を行うこと。
【００５８】
請求項７に記載のスパークプラグの製造方法ではこれらの特徴点を有している。
【００５９】
上記請求項１にて述べたのと同様、本発明の製造方法に記載されている角度θ１の範囲は、曲げられる前の状態の接地電極（４０）を取付金具（１０）に溶接固定した状態で、レーザを照射しようとする際に、取付金具（１０）がレーザの障壁となる領域の範囲である。
【００６０】
そのため、本製造方法では、レーザ溶接を行う際に、レーザ照射軸（ＬＺ）を角度θ１の範囲内に存在しないようにできるため、レーザが取付金具（１０）に干渉せず、取付金具（１０）を回避した形でレーザを照射することができる。
【００６１】
このことは、接地電極（４０）の対向面（４３）とレーザ照射軸（ＬＺ）とのなす角度すなわちレーザ照射角度（レーザの対向面への入射角度）（θＬ）を、取付金具（１０）による制約を持たずに極力小さくできるということである。そのため、接地電極側貴金属チップ（４５）のレーザ溶接において、上記した貴金属チップの径方向への溶け込み深さ（図２７参照）を十分に確保することができる。
【００６２】
以上述べたように、本発明によれば、接地電極（４０）を取付金具（１０）に溶接固定した状態でレーザ溶接を行っても、十分な接合信頼性を得ることができる。そのため、接地電極（４０）単独の状態で貴金属チップをレーザ溶接する必要がなくなる。
【００６３】
よって、本発明によれば、中心電極および接地電極の対向面に柱状の貴金属チップをレーザ溶接してなるスパークプラグにおいて、生産性を向上させた上で、接地電極側貴金属チップの接合信頼性を確保することができる。
【００６４】
また、本製造方法によれば、請求項１に記載されているスパークプラグを適切に製造することのできる製造方法が提供される。
【００６５】
本製造方法のように、レーザ照射軸（ＬＺ）を角度θ１の範囲内に存在させないように、接地電極側貴金属チップ（４５）の周囲にレーザ照射をすれば、結果的に、溶融ナゲット軸（４６）が接地電極側貴金属チップ（４５）の全周にわたって不均一に複数個配置された構成となる。
【００６６】
また、上記請求項１のスパークプラグに示したような、接地電極側貴金属チップ（４５）の突き出し量ｔを０．３ｍｍ以上とした構成や、未溶融断面積比率Ｃを５０％以内とする構成は、本製造方法においてレーザ照射条件を調節することで容易に実現することができる。
【００６７】
このように、本発明の製造方法によれば、上記請求項１に記載のスパークプラグを適切に製造することができる。
【００６８】
請求項８に記載の発明では、曲げる前の状態における接地電極（４０）の対向面（４３）にレーザ照射軸（ＬＺ）を投影した軸を、レーザ照射投影軸（ＬＺ）ということとし、レーザ照射工程では、前記角度θ１を挟んで隣り合う２本のレーザ照射投影軸（ＬＺ）同士のなす角度をθ３としたとき、前記角度θ３が前記角度θ１よりも大きくなるようにレーザ照射を行うことを特徴としている。
【００６９】
本発明は、請求項７に記載されているスパークプラグの製造方法において、レーザ照射軸（ＬＺ）を角度θ１の範囲内に存在しないようにしたことから、導き出されるものである。
【００７０】
そして、レーザ照射投影軸（ＬＺ）は、上記溶融ナゲット軸（４６）と略一致するものであるから、本製造方法によれば、上記請求項２に記載されているスパークプラグを適切に製造することができる。
【００７１】
請求項９に記載の発明では、曲げる前の状態における接地電極（４０）の対向面（４３）にレーザ照射軸（ＬＺ）を投影した軸を、レーザ照射投影軸（ＬＺ）ということとし、接地電極側貴金属チップ（４５）の軸直交断面における中心点（Ｏ）を通る中心線であって接地電極（４０）の軸と平行な中心線をｘで表したとき、前記角度θ１を挟んで隣り合う２本のレーザ照射投影軸（ＬＺａ、ＬＺｂ）と中心線ｘとの交点のうち少なくとも一つの交点が、接地電極側貴金属チップ（４５）の軸直交断面における中心点（Ｏ）よりも接地電極（４０）の一端（４２）側に位置するような状態で、レーザ照射を行うことを特徴としている。
【００７２】
それによれば、接地電極側貴金属チップ（４５）の周囲部のうち比較的溶融部（４４）が少ない取付金具（１０）側すなわち接地電極（４０）の一端（４２）側の部位に、溶融部（４４）をより多く形成することができ、接合信頼性をより高めることができるため、好ましい。
【００７３】
つまり、本製造方法によれば、上記請求項３に記載されているスパークプラグを適切に製造することができる。
【００７４】
請求項１０に記載の発明では、前記角度θ１を挟んで隣り合う２本のレーザ照射投影軸（ＬＺａ、ＬＺｂ）に直交する方向における接地電極側貴金属チップ（４５）の幅のうち、最大のチップ幅をＤ２とし、当該２本のレーザ照射投影軸（ＬＺａ、ＬＺｂ）のうち接地電極側貴金属チップ（４５）の軸直交断面における中心点（Ｏ）よりも接地電極（４０）の一端（４２）側に位置するレーザ照射投影軸（ＬＺｂ）と、このレーザ照射投影軸（ＬＺｂ）と平行であって且つ中心点（Ｏ）を通る仮想線との距離をＬ２としたとき、前記距離Ｌ２が前記幅Ｄ２の０．５倍以下であることを特徴としている。
【００７５】
それによれば、角度θ１を挟んで隣り合う２本のレーザ照射投影軸（ＬＺａ、ＬＺｂ）のうち接地電極側貴金属チップ（４５）の軸直交断面における中心点（Ｏ）よりも接地電極（４０）の一端（４２）側に位置するレーザ照射投影軸（ＬＺｂ）に沿って溶融部（４４）を形成した場合、当該溶融部（４４）がえぐれた形となるのを極力抑制することができる。
【００７６】
つまり、本製造方法によれば、上記請求項４に記載されているスパークプラグを適切に製造することができる。
【００７７】
請求項１１に記載の発明では、中心電極側貴金属チップ（３５）として、Ｉｒを５０重量％以上含有したＩｒ合金よりなるものであって、その軸と直交する断面積Ａ１が０．１ｍｍ2以上１．１５ｍｍ2以下であるものを用い、接地電極側貴金属チップ（４５）として、Ｐｔを５０重量％以上含有したＰｔ合金よりなるものであって、その軸と直交する断面積をＡ２が０．１ｍｍ2以上１．１５ｍｍ2以下であるものを用いることを特徴としている。
【００７８】
それによれば、火花消耗の割合が高い中心電極側貴金属チップ（３５）に高融点材料であるＩｒ合金を用い、酸化揮発消耗の割合が高い接地電極側貴金属チップ（４５）に耐酸化揮発性に優れるＰｔ合金を用いることで、スパークプラグの寿命を大幅に拡大することができ、好ましい。
【００７９】
また、中心電極側貴金属チップ（３５）の断面積Ａ１、接地電極側貴金属チップ（４５）の断面積Ａ２をそれぞれ０．１ｍｍ2以上１．１５ｍｍ2以下としているため、良好な熱引け性の確保による異常消耗、プレイグニッション等の発生防止や、良好な着火性の確保がなされやすくなる。
【００８０】
つまり、本製造方法によれば、上記請求項５に記載されているスパークプラグを適切に製造することができる。
【００８１】
請求項１２に記載の発明では、中心電極側貴金属チップ（３５）および接地電極側貴金属チップ（４５）として、添加物としてＩｒ（イリジウム）、Ｐｔ（白金、プラチナ）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｗ（タングステン）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｙ（イットリウム）、Ｙ2Ｏ3（三酸化二イットリウム、イットリア）のいずれかを含有するものを用いることを特徴としている。
【００８２】
中心電極側貴金属チップ（３５）および接地電極側貴金属チップ（４５）の添加物として、このようなものを採用することにより、耐消耗性をより向上できるだけでなく、チップ強度を増大することもでき、その結果、高温によるチップ割れや亀裂等を防止でき、好ましい。
【００８３】
つまり、本製造方法によれば、上記請求項６に記載されているスパークプラグを適切に製造することができる。
【００８４】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８５】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。なお、以下の各実施形態や各例の相互において同一または均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００８６】
（第１実施形態）
図１は本発明の第１実施形態に係るスパークプラグＳ１の全体構成を示す半断面図である。
【００８７】
このスパークプラグＳ１は、自動車用エンジンの点火栓等に適用されるものであり、該エンジンの燃焼室を区画形成するエンジンヘッド（図示せず）に設けられたネジ穴に挿入されて固定されるようになっている。
【００８８】
スパークプラグＳ１は、導電性の鉄鋼材料（例えば低炭素鋼等）等よりなる円筒形状の取付金具１０を有しており、この取付金具１０は、図示しないエンジンブロックに固定するための取付ネジ部１１を備えている。
【００８９】
取付金具１０の内部には、アルミナセラミック（Ａｌ2Ｏ3）等からなる絶縁体（絶縁碍子）２０が固定されており、この絶縁体２０の先端部２１は、取付金具１０の一端から露出するように設けられている。
【００９０】
絶縁体２０の軸孔２２には中心電極３０が固定されており、この中心電極３０は取付金具１０に対して絶縁保持されている。中心電極３０は、例えば、内材がＣｕ等の熱伝導性に優れた金属材料、外材がＮｉ基合金等の耐熱性および耐食性に優れた金属材料により構成された円柱体からなる。
【００９１】
そして、図１に示すように、中心電極３０は、その先端部３１が絶縁体２０の先端部２１から露出するように設けられている。こうして、中心電極３０は、その先端部３１が露出した状態で取付金具１０に収納されている。
【００９２】
一方、接地電極４０は、例えば、Ｎｉを主成分とするＮｉ基合金からなる角柱より構成されており、根元端部４２にて取付金具１０の一端に溶接により固定され、中間部が略Ｌ字に曲げられて、先端部４１の側面（以下、先端部側面という）４３において中心電極３０の先端部３１と放電ギャップ５０を介して対向している。
【００９３】
ここで、接地電極４０において、根元端部４２は接地電極４０の一端に相当し、先端部４１は接地電極４０の他端に相当し、先端部側面４３は接地電極４０の対向面に相当するものである。
【００９４】
図２に、スパークプラグＳ１における放電ギャップ５０近傍の拡大構成を概略断面図として示す。上記のように放電ギャップ５０を介して中心電極３０の先端部３１と接地電極４０の先端部側面４３とが対向して配置されており、これら中心電極３０の先端部３１および接地電極４０の先端部側面４３には、それぞれ貴金属チップ３５、４５がレーザ溶接により接合されている。
【００９５】
すなわち、中心電極３０の先端部３１には、貴金属チップ（以下、中心電極側貴金属チップという）３５が、また、接地電極４０の先端部側面４３には、貴金属チップ（以下、接地電極側貴金属チップという）４５が、それぞれ溶融部３４、４４を介して電極母材３０、４０と接合されている。
【００９６】
本例では、両貴金属チップ３５、４５は円柱状であり、その一端面側が各電極３０、４０の対向面３１、４３にレーザ溶接されている。そして、放電ギャップ５０は、両チップ３５、４５の先端部間の空隙であり、その大きさは例えば１ｍｍ程度である。
【００９７】
これら両貴金属チップ３５、４５は、Ｐｔ、Ｐｔ合金、Ｉｒ、Ｉｒ合金等の貴金属よりなるものを採用することができる。
【００９８】
また、これら両貴金属チップ３５、４５が合金である場合、添加物としてＩｒ（イリジウム）、Ｐｔ（白金、プラチナ）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｗ（タングステン）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｙ（イットリウム）、Ｙ2Ｏ3（三酸化二イットリウム、イットリア）のいずれかを含有するものが好ましい。
【００９９】
特に、中心電極側貴金属チップ３５としては、Ｉｒを５０重量％以上含有したＩｒ合金よりなるものであって、中心電極側貴金属チップ３５の軸と直交する中心電極側貴金属チップ３５の断面積Ａ１が、０．１ｍｍ2以上１．１５ｍｍ2以下であるものを採用することができる。
【０１００】
また、接地電極側貴金属チップ４５としては、Ｐｔを５０重量％以上含有したＰｔ合金よりなるものであって、接地電極側貴金属チップ４５の軸と直交する接地電極側貴金属チップ４５の断面積Ａ２が、０．１ｍｍ2以上１．１５ｍｍ2以下であるものを採用することができる。
【０１０１】
また、図２に示すように、特に、接地電極側貴金属チップ４５については、その軸方向において接地電極４０の先端部側面（対向面）４３から中心電極３０側へ突き出す突き出し量ｔが０．３ｍｍ以上であるものとしている。
【０１０２】
［レーザ溶接による接合方法］
このように、本実施形態のスパークプラグＳ１は、先端部３１が露出した状態で取付金具１０に収納され、先端部３１に柱状の貴金属からなる中心電極側貴金属チップ３５がレーザ溶接された中心電極３０と、根元端部（一端）４２側が取付金具１０に溶接されて固定されるとともに、中間部が曲げられて先端部（他端）４１側が中心電極３０と放電ギャップ５０を介して対向する接地電極４０とを備え、接地電極４０における中心電極３０との先端部側面（対向面）４３に、柱状の貴金属からなる接地電極側貴金属チップ４５をレーザ溶接してなる。
【０１０３】
このようなスパークプラグＳ１は、周知の製造方法を用いて製造することができるが、本実施形態では、特に、接地電極４０の先端部側面４３への接地電極側チップ４５のレーザ溶接方法に独自の方法を採用している。
【０１０４】
スパークプラグＳ１は、大きくは、中心電極３０の先端部３１に中心電極側貴金属チップ３５をレーザ溶接するとともに、中心電極３０を絶縁体２０の軸孔２２に挿入し、溶着ガラス等を用いて溶着することで、中心電極３０と絶縁体２０とを固定し両者２０、３０を一体化する。
【０１０５】
そして、接地電極４０の根元端部４２を取付金具１０の一端に溶接した後、この中心電極３０と絶縁体２０とが一体化したものを、取付金具１０へ挿入し、取付金具１０と絶縁体２０とをかしめることにより固定し、一体化する。
【０１０６】
ここで、取付金具１０に溶接固定されるときの接地電極４０は、上記図１や図２に示したような中間部で曲がった形状ではなく、根元端部４２と先端部４１との間でまっすぐな形状となっている。
【０１０７】
こうして、取付金具１０と絶縁体２０とを一体化した後、接地電極４０を曲げる前に、接地電極４０の先端部側面（対向面）４３に接地電極側貴金属チップ４５を配置し、レーザ溶接する。その後、接地電極４０を折り曲げて放電ギャップ５０を調整することでスパークプラグＳ１ができあがる。
【０１０８】
図３（ａ）、（ｂ）は、本実施形態の接地電極側貴金属チップ４５をレーザ溶接する接合方法を説明するための図であり、図４（ａ）、（ｂ）は比較例として従来の接地電極側貴金属チップ４５をレーザ溶接する接合方法を説明するための図である。なお、図３および図４において、それぞれ（ｂ）は（ａ）の上視図である。
【０１０９】
図３および図４ともに、接地電極４０を取付金具１０に溶接して固定した後、接地電極４０を曲げる前のまっすぐな状態にて、接地電極４０の先端部側面（対向面）４３と接地電極側貴金属チップ４５との接合界面近傍に対して、レーザＬＺを照射することにより接地電極４０と接地電極側貴金属チップ４５とが溶け込みあった溶融部４４を形成するレーザ照射工程を行う。なお、溶融部４４は、図３、図４では示していないが、上記図２を参照のこと。
【０１１０】
また、これら図３（ａ）および図４（ｂ）において示されている角度θＬは、上記図２７に示したものと同様に、照射角度θＬである。
【０１１１】
そして、この照射角度θＬは、接地電極４０の先端部側面（対向面）４３とレーザＬＺの照射方向の軸すなわちレーザ照射軸ＬＺとのなす角度θＬであり、つまり、レーザＬＺの対向面４３への入射角度である。なお、ここにおいても、符号ＬＺはレーザだけでなく、レーザ照射軸を表すのにも用いられている。
【０１１２】
図３に示す本実施形態の接合方法では、上記レーザ照射工程において、次のような独自の方法を採用している。
【０１１３】
図３（ｂ）に示すように、接地電極４０の先端部側面（対向面）４３の面内において、接地電極側貴金属チップ４５と取付金具１０の幅方向の端部とを結ぶ２本の仮想線（図中、破線にて図示）同士のなす角度をθ１とする。
【０１１４】
このように角度θ１を定義したとき、レーザ照射軸ＬＺが上記角度θ１の範囲内に存在しないように、接地電極側貴金属チップ４５の周囲にレーザ照射を行う。これが、本実施形態の独自の接合方法における主たる特徴点である。
【０１１５】
ここで、上記角度θ１の範囲は、曲げられる前の状態の接地電極４０を取付金具１０に溶接固定した状態で、レーザＬＺを照射しようとする際に、取付金具１０がレーザＬＺの障壁となる領域の範囲である。
【０１１６】
そのため、図３に示される本実施形態の製造方法では、レーザ溶接を行う際に、レーザ照射軸ＬＺを上記角度θ１の範囲内に存在しないようにすることができる。そのため、レーザＬＺが取付金具１０に干渉せず、取付金具１０を回避した形でレーザＬＺを照射することができる。
【０１１７】
このことは、接地電極４０の先端部側面（対向面）４３とレーザ照射軸ＬＺとのなすレーザ照射角度θＬを、取付金具１０による制約を持たずに極力小さくできるということである。
【０１１８】
そのため、本実施形態の製造方法によれば、接地電極側貴金属チップ４５のレーザ溶接において、上記した貴金属チップの径方向への溶け込み深さ（図２７参照）を十分に確保することができる。
【０１１９】
ちなみに、図４に示される従来のレーザ溶接方法では、接地電極側貴金属チップ４５の全周にわたり均等な方向からレーザＬＺするようにしている。なお、図４（ｂ）では、４５°おきに８点照射する例を示している。すると、従来では、レーザ照射軸ＬＺが上記角度θ１の範囲内に存在することになる。
【０１２０】
そのため、従来の照射方法では、図４（ａ）に示すように、レーザ照射軸ＬＺの方向に取付金具１０が存在する場合、レーザ照射角度θＬを十分大きくしてレーザＬＺが取付金具の１０上を越えて接地電極４０の先端部側面（対向面）４３へ照射されるようにしている。
【０１２１】
図４（ａ）では、接地電極４０の対向面４３における接地電極側貴金属チップ４５の接合点と、当該対向面４３に垂直な平面内においてレーザ照射側に位置する取付金具１０の幅方向の端部と、を結ぶ２本の仮想線（図中、破線にて図示）同士のなす角度をθとしている。
【０１２２】
そして、従来の方法では、図４（ａ）に示されるように、レーザ照射角度θＬを上記角度θよりも大きいもの、すなわちθＬ＞θの関係としている。このような関係とすることにより、レーザＬＺが取付金具の１０上を越えて接地電極４０の先端部側面（対向面）４３へ照射される。
【０１２３】
このような従来方法に対して、本実施形態の接合方法では、図３（ａ）に示されるように、レーザ照射角度θＬを上記角度θよりも小さいもの、すなわちθＬ＜θの関係とすることができ、その結果、上記した貴金属チップの径方向への溶け込み深さ（図２７参照）を十分に確保することができる。
【０１２４】
本実施形態の接合方法について、もう少し述べる。曲げる前の状態における接地電極４０の先端部（対向面）４３にレーザ照射軸ＬＺを投影した軸を、レーザ照射投影軸ＬＺということにする。
【０１２５】
このことは、接地電極４０の先端部（対向面）４３の上から見た図である図３（ｂ）において、レーザ照射軸ＬＺとレーザ照射投影軸ＬＺとは一致して表されていることを意味する。つまり、図３（ｂ）では、矢印ＬＺはレーザ照射軸とレーザ照射投影軸とレーザとを兼用して表すものである。
【０１２６】
そして、本実施形態の接合方法において、レーザ照射軸ＬＺを上記角度θ１の範囲内に存在しないようにレーザ照射することとは、図３（ｂ）に示されるように、上記角度θ１を挟んで隣り合う２本のレーザ照射投影軸ＬＺ（図中、符号ＬＺａ、ＬＺｂにて図示）同士のなす角度をθ３としたとき、当該角度θ３が上記角度θ１よりも大きくなるようにレーザ照射を行うことに相当するものである。
【０１２７】
このように、本実施形態の接合方法によれば、上記角度θ１よりも上記角度θ３を大きくする方法、すなわち取付金具１０側にレーザ照射軸ＬＺを設けない方法を採用することによって、小さな照射角度（θＬ＜θ、例えばθＬ＝２０°）でのレーザ照射が可能となっている。
【０１２８】
そのため、接地電極側貴金属チップ４５の径方向への溶け込み深さ（上記図２７参照）を大きくすることができる。その結果、接地電極側貴金属チップ４５と接地電極４０の先端部側面（対向面）４３との接合界面の未溶融部を小さくすることができ、接合信頼性を向上させることができる。
【０１２９】
なお、図３は、本実施形態の接合方法の一例を示しているのみであり、照射点数、照射方法を問わず、同様の効果が認められる。
【０１３０】
例えば、照射方法としては、レーザ照射口は一方向のみで、接地電極側貴金属チップ４５を軸にしてワークを回転させながら溶接する方法や、レーザの照射口を多数設け、ワークを移動させることなく溶接する方法等を採用することができる。
【０１３１】
このように、上記図３に示したような接合方法を採用する本実施形態の製造方法によれば、接地電極４０を取付金具１０に溶接固定した状態でレーザ溶接を行っても、十分な接合信頼性を得ることができる。そのため、接地電極４０単独の状態で貴金属チップをレーザ溶接する必要がなくなる。
【０１３２】
よって、本実施形態の製造方法によれば、中心電極３０および接地電極４０の対向面３１、４３に柱状の貴金属チップ３５、４５をレーザ溶接してなるスパークプラグＳ１において、生産性を向上させた上で、接地電極側貴金属チップ４５の接合信頼性を確保することができる。
【０１３３】
このようにして、接地電極側貴金属チップ４５は接地電極４０にレーザ溶接される。そして、上記図２に示されるように、接地電極側貴金属チップ４５は、その軸方向において接地電極４０の先端部側面４３から中心電極３０側（中心電極側貴金属チップ３５側）へ突出した形で、上記溶融部４４を介して接地電極４０に接合されている。
【０１３４】
［接地電極側貴金属チップ接合部の詳細構成］
次に、本実施形態の接合方法によって形成された接地電極側貴金属チップ４５接合部の詳細構成を、図５に基づいて説明する。
【０１３５】
図５は、接地電極側貴金属チップ４５接合部の詳細構成を示す図であり、（ａ）は（ｂ）中のＢ’−Ｂ’線に沿った断面図、（ｂ）は（ａ）のＡ’−Ａ’線に沿った断面図である。
【０１３６】
つまり、図５（ｂ）は、接地電極側貴金属チップ４５と接地電極４０の先端部側面４３との接合界面に平行に切断した断面図である。なお、図５においては、溶融する前の接地電極側貴金属チップ４５および接地電極４０の先端部側面４３の形状を、破線にて示してある。
【０１３７】
図５（ｂ）においては、溶融部４４を上記接合界面に沿って切断したときの溶融部４４の切断面における、接地電極側貴金属チップ４５の内部側へ向かう中心軸が、一点鎖線にて表された溶融ナゲット軸４６として示されている。図５に示される例では、溶融部４４の切断面が楕円形であり、溶融ナゲット軸４６は、当該楕円における長径側の中心軸に相当している。
【０１３８】
この溶融ナゲット軸４６は、上記図３（ｂ）に示した本実施形態の接合方法におけるレーザ照射投影軸ＬＺに沿って形成されるものであり、これら溶融ナゲット軸４６とレーザ照射投影軸ＬＺとは、その方向が略一致するものである。つまり、上記図３（ｂ）に示されるレーザ照射投影軸ＬＺと本図５（ｂ）に示されるナゲット溶融軸４６とは、実質的に同一配置となっている。
【０１３９】
上記接合方法では、取付金具１０側すなわち接地電極４０の根元端部（一端）４２側に位置する上記角度θ１の範囲内に、レーザ照射軸ＬＺを存在させないものとしているため（図３（ｂ）参照）、図５（ｂ）においても、溶融ナゲット軸４６は、取付金具１０側の上記角度θ１の範囲内に存在しない構成となっている。
【０１４０】
さらに言うならば、上記図３に示されている本実施形態の接合方法では、上記角度θ１を挟んで隣り合う２本のレーザ照射投影軸ＬＺ（ＬＺａ、ＬＺｂ）同士のなす角度θ３が上記角度θ１よりも大きくなるようにレーザ照射を行っているため、図５に示される本構成においても、上記角度θ１を挟んで隣り合う２本の溶融ナゲット軸４６（図中、符号４６ａ、４６ｂにて図示）同士のなす角度θ２が、上記角度θ１よりも大きいものとなっている。ここで、上記角度θ２と角度θ３とは略同一の大きさである。
【０１４１】
つまり、上記角度θ１を挟んで隣り合う２本の溶融ナゲット軸４６（４６ａ、４６ｂ）とは、角度θ１を挟み且つ当該２本の溶融ナゲット軸４６ａ、４６ｂの間に溶融ナゲット軸が存在しない状態にて隣り合う２本の溶融ナゲット軸４６ａ、４６ｂである。
【０１４２】
また、上記接合方法（図３）ｂ）参照）では、レーザ照射軸ＬＺを角度θ１の範囲内に存在させないように、接地電極側貴金属チップ４５の周囲にレーザ照射をする。そのため、図５（ｂ）に示すように、結果的に、溶融ナゲット軸４６が接地電極側貴金属チップ４５の全周にわたって不均一に複数個配置された構成となる。本例では、７個の溶融部４４が配置された形となっている。
【０１４３】
つまり、この図５に示すような接地電極側貴金属チップ４５接合部構成は、本実施形態の独自の構成であり、このような構成は、上記図３に示したような接合方法により適切に形成されうるものである。
【０１４４】
そのため、本実施形態において、図５に示すような接合部構成を採用すれば、レーザ溶接を行う際に、レーザ照射軸ＬＺを上記角度θ１の範囲内に存在しないようにできることから、レーザＬＺが取付金具１０に干渉せず、取付金具１０を回避した形でレーザＬＺを照射することができる。
【０１４５】
また、上述したが、本実施形態では、接地電極側貴金属チップ４５は、その軸方向において接地電極４０の先端部側面（対向面）４３から中心電極３０側へ突き出す突き出し量ｔが０．３ｍｍ以上である。
【０１４６】
また、図５（ａ）に示されるように、接地電極側貴金属チップ４５のうち溶融部４４に最も近い部位において接地電極側貴金属チップ４５の軸に直交する断面積をＡとしている。
【０１４７】
また、図５（ｂ）に示されるように、接地電極側貴金属チップ４５のうち上記接合界面に位置する面における未溶融部の面積をＢとしている。なお、当然ではあるが、未溶融部とは、接地電極側貴金属チップ４５のうち溶融部４４以外の部位であって、接地電極４０と接地電極側貴金属チップ４５とが溶け込まずに接地電極側貴金属チップ４５が残存している部位のことを意味する。
【０１４８】
そして、本実施形態では、この未溶融部の面積Ｂが上記断面積Ａに対して占める比率を、未溶融断面積比率としてＣで表したとき、未溶融断面積比率Ｃが５０％以内であることを主たる特徴としている。このことは式で表せば、Ｃ＝（Ｂ／Ａ）×１００（単位：％）、Ｃ≦５０となる。
【０１４９】
未溶融断面積比率Ｃを５０％以内となるように溶融部４４の大きさを確保すれば、このような溶融部４４の構成および接地電極側貴金属チップ４５の突き出し量ｔを０．３ｍｍ以上とした構成において、接地電極側貴金属チップ４５の接合信頼性を十分に確保するためである。具体的な根拠は後述する（後述の図７参照）。
【０１５０】
つまり、本実施形態において、図５に示すような構成を採用することによっても、接地電極４０を取付金具１０に溶接固定した状態でレーザ溶接を行って十分な接合信頼性を得ることができるため、生産性を向上させた上で、接地電極側貴金属チップ４５の接合信頼性を確保することができる。
【０１５１】
なお、接地電極側貴金属チップ４５の突き出し量ｔを０．３ｍｍ以上とした構成や、未溶融断面積比率Ｃを５０％以内とする構成は、例えば、上記した本実施形態の接合方法において、接地電極側貴金属チップ４５の長さを適宜選択したり、レーザ照射条件を調節したりすることで容易に実現することができる。
【０１５２】
つまり、上記した本実施形態の接合方法は、接地電極４０を取付金具１０に溶接して固定した後、接地電極４０を曲げる前に行うレーザ照射工程において、次のような条件に基づいて、接地電極側貴金属チップ４５の周囲にレーザＬＺを照射するようにしたものであるとも言える。
【０１５３】
一つには、接地電極４０の先端部側面（対向面）４３の面内において、接地電極側貴金属チップ４５と取付金具１０の幅方向の端部とを結ぶ２本の仮想線同士のなす角度をθ１としたとき、レーザ照射軸ＬＺが上記角度θ１の範囲内に存在しないようにすること。
【０１５４】
もうひとつには、接地電極側貴金属チップ４５の軸方向における接地電極４０の先端部側面４３からの中心電極３０側への突き出し量ｔを０．３ｍｍ以上となるようにすること。このことについては、例えば、少なくとも長さが０．３ｍｍ以上の接地電極側貴金属チップ４５を用いればよい。
【０１５５】
さらに、接地電極側貴金属チップ４５のうち溶融部４４に最も近い部位において接地電極側貴金属チップ４５の軸に直交する断面積Ａに対して、接地電極側貴金属チップ４５のうち接合界面に位置する面における未溶融部の面積Ｂが占める比率である未溶融断面積比率Ｃが５０％以内であること。
【０１５６】
これら三つの条件を満足するように、接地電極側貴金属チップ４５についてレーザ溶接を行うようにすればよい。それによって、図５に示したような接地電極側貴金属チップ４５接合部の構成を有するスパークプラグを適切に製造することができる。
【０１５７】
［突き出し量ｔの根拠］
次に、本実施形態において、接地電極側貴金属チップ４５がその軸方向において接地電極４０の先端部側面（対向面）４３から中心電極３０側へ突き出す突き出し量ｔを０．３ｍｍ以上とした根拠について述べる。
【０１５８】
図６は、接地電極側貴金属チップ４５接合部において溶融部４４が接地電極側貴金属チップ４５の放電面４５ａにまで形成された場合の詳細構成を示す図であり、（ａ）は上記図５（ａ）に対応した断面にて接地電極側貴金属チップ４５接合部を示す断面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。また、（ａ）は（ｂ）中のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。
【０１５９】
つまり、図６（ｂ）は、接地電極側貴金属チップ４５と接地電極４０の先端部側面４３との接合界面に平行に切断した断面図である。なお、図６においては、溶融する前の接地電極側貴金属チップ４５および接地電極４０の先端部側面４３の形状を、破線にて示してある。
【０１６０】
この図６において、放電面４５ａのうち溶融部４４以外の部位は健全部４５ｂである。接地電極側貴金属チップ４５の放電面４５ａに溶融部４４が存在すると、火花放電により貴金属チップ４５よりも耐消耗性に劣る溶融部４４が先に消耗していまい、チップ４５が脱落してしまう問題が起こりやすい。
【０１６１】
そのため、放電面４５ａの全体が健全部４５ｂであることが必要となる。そこで、溶接前における放電面４５ａの面積に対する溶接後の健全部４５ｂの面積の割合を、健全部面積比率と定義する。
【０１６２】
この健全部面積比率を式で表すと、健全部面積比率＝［（溶接後の健全部の面積）／（溶接前の放電面の面積）］×１００であり、単位は％である。つまり、スパークプラグとしては、健全部面積比率が１００％であることが好ましい。
【０１６３】
図７は、この健全部面積比率と接地電極側貴金属チップ４５の上記突き出し量ｔとの関係について調べた結果を示す図である。横軸に接地電極側貴金属チップの突き出し量ｔ（単位：ｍｍ）、縦軸に健全部面積比率（単位：％）をとってある。
【０１６４】
図７では、上記図３に示したような角度θＬ＜θの関係を採用した本実施形態の接合方法、および、上記図４に示したような角度θＬ＞θの関係を採用した従来の接合方法について、調査を行った。図７中では、本実施形態の接合方法は黒丸プロットで表され、従来接合方法は白丸プロットで表されている。
【０１６５】
図７から、本実施形態の接合方法および従来の接合方法の両方について、接地電極側貴金属チップ４５の上記突き出し量ｔを小さくして行くにつれて、健全部面積比率が小さくなっていき、より耐消耗性に優れた構成にできることがわかる。
【０１６６】
そして、従来の接合方法では、突き出し量ｔが０．６ｍｍ以上であるならば、健全部面積比率が１００％の状態を確保できるのに対して、本実施形態の接合方法では、突き出し量ｔがより短い０．３ｍｍ以上であるならば、健全部面積比率が１００％の状態を確保できる。
【０１６７】
健全部面積比率が１００％の時（つまり、溶融部４４が放電面４５ａに存在しない時）が最も耐消耗性に優れた構成であるので、接地電極側貴金属チップ４５の突き出し量ｔは、従来接合方法においては０．６ｍｍ以上、本実施形態の接合方法においては０．３ｍｍ以上であることが好ましい。
【０１６８】
つまり、本実施形態の接合方法ならば、従来よりも短い突き出し量ｔにて耐消耗性に優れた構成を実現できる。また、接地電極側貴金属チップ４５の突き出し量ｔを大きくするとチップのコストが上がってしまうことから、より小さな突き出し量ｔで健全部面積比率１００％を実現できる本実施形態の接合方法の方が、従来接合方法よりも優位であると言える。
【０１６９】
以上のことから、本実施形態では、接地電極側貴金属チップ４５がその軸方向において接地電極４０の先端部側面（対向面）４３から中心電極３０側へ突き出す突き出し量ｔを０．３ｍｍ以上としている。
【０１７０】
［未溶融部比率を５０％以下とすることの根拠］
次に、未溶融断面積比率Ｃを５０％以内とする根拠について述べる。この根拠は、上記図５に示されるような接地電極側貴金属チップ４５と接地電極４０との接合部における各寸法等について接合信頼性試験を行い、検討した結果に基づくものである。次に、その検討結果の一例について述べる。
【０１７１】
接合信頼性試験として、スパークプラグをエンジンに実装し耐久試験を行った。耐久試験は、６気筒２０００ｃｃエンジンで実施し、運転条件はアイドル１分保持、スロットル全開６０００ｒｐｍ１分保持の繰返しを１００時間行った。
【０１７２】
接合信頼性は、図８に示す剥離率で評価した。図８は、上記図５（ａ）に対応する断面を示すもので、剥離率は、接地電極側貴金属チップ４５と溶融部４４との界面における剥離率（これをチップ−溶融部剥離率という）と、溶融部４４と電極母材である接地電極４０との界面における剥離率（これを溶融部−母材剥離率という）とがある。
【０１７３】
図８では、各界面において、本来接合されている部分の長さ（接合長さ）をａ１、ａ２、ｃ１、ｃ２で示し、これら各接合長さのうち剥離している部分の長さ（剥離長さ）をｂ１、ｂ２、ｄ１、ｄ２で示している。これら各長さや切断面形状は、当該切断面を金属顕微鏡等で観察することで知ることができる。
【０１７４】
そして、上記チップ−溶融部剥離率は、｛（ｂ１＋ｂ２）／（ａ１＋ａ２）｝×１００（％）、上記溶融部−母材剥離率は、｛（ｄ１＋ｄ２）／（ｃ１＋ｃ２）｝×１００（％）にて求められるが、これら２つの剥離率のうち、上記耐久試験後において、より高い方の剥離率を評価対象とした。
【０１７５】
図９は、未溶融断面積比率Ｃと接合信頼性の指標としての剥離率との関係を示す図である。ここで、接地電極側貴金属チップ４５としては、直径がφ０．７ｍｍ（上記図５（ａ）に示した断面積Ａでは０．３８ｍｍ2に相当する）で、長さが０．８ｍｍの円柱状のＰｔ合金からなるものを使用した。
【０１７６】
一方、接地電極（電極母材）４０としては、先端部側面（対向面）４３の幅が２．８ｍｍ、厚さが１．６ｍｍであるＮｉ基合金としてのインコネル（登録商標）からなるものを使用した。また、この場合の接合方法において、レーザ照射角度θＬ（上記図３（ａ）参照）は２０°とした。
【０１７７】
図９では、横軸に未溶融部断面積比率Ｃ（単位：％）をとり、縦軸に剥離率（単位：％）をとってある。なお、ここでは、ｎ数：４で試験を行っている。
【０１７８】
この図９から、未溶融断面積比率Ｃが小さいほど剥離率が小さく、接地電極側貴金属チップ４５の接合信頼性が高くなっていることがわかる。特に、未溶融部断面積比率Ｃが５０％以下（Ｃ≦５０％）である場合は、剥離率が３０％以下であり、値のばらつきも小さいので、接合信頼性に優れていると言える。
【０１７９】
一方、未溶融部断面積比率Ｃが５０％を超える（Ｃ＞５０％）と、剥離率が急激に大きくなり、値のばらつきも大きくなる。つまり、未溶融部断面積比率Ｃが５０％よりも大きい場合は、接地電極側貴金属チップ４５の接合信頼性が大幅に低下することがわかる。これは、未溶融部の断面積が大きすぎて、溶融部４４が熱応力緩和層としての効果を十分に発揮できないためである。
【０１８０】
ここまでをまとめると、本実施形態によれば、中心電極３０および接地電極４０の互いの対向面３１、４３に貴金属チップ３５、４５がレーザ溶接されてなるスパークプラグにおいて、接地電極側貴金属チップ４５の上記突き出し量ｔが０．３ｍｍ以上であり、接地電極４０の対向面４３と接地電極側貴金属チップ４５との接合界面近傍に対して、レーザ照射することにより上記溶融部４４が形成されており、上記溶融ナゲット軸４６は上記角度θ１の範囲内には存在しないものであるとともに、溶融ナゲット軸４６は接地電極側貴金属チップ４５の全周にわたって不均一に複数個配置されており、さらに、未溶融断面積比率Ｃが５０％以内であることを特徴とするスパークプラグＳ１が提供される。
【０１８１】
さらに、このようなスパークプラグＳ１においては、上記角度θ１を挟んで隣り合う２本の溶融ナゲット軸４６ａ、４６ｂ同士のなす角度θ２が、上記角度θ１よりも大きいという特徴点を持つ。
【０１８２】
また、本実施形態によれば、中心電極３０および接地電極４０の互いの対向面３１、４３に貴金属チップ３５、４５をレーザ溶接してなるスパークプラグの製造方法において、接地電極４０を取付金具１０に溶接固定した後であって曲げる前に、対向面４３と接地電極側貴金属チップ４５との接合界面近傍に対して、レーザ照射することにより上記溶融部４４を形成するレーザ照射工程を行うようにしており、このレーザ照射工程では、レーザ照射軸ＬＺが上記角度θ１の範囲内に存在しないように、接地電極側貴金属チップ４５の周囲にレーザ照射を行うことを特徴とするスパークプラグの製造方法が提供される。
【０１８３】
さらに、このようなスパークプラグの製造方法においては、上記角度θ１を挟んで隣り合う２本の上記レーザ照射投影軸ＬＺａ、ＬＺｂ同士のなす角度θ３が、上記角度θ１よりも大きいという特徴点を持つ。
【０１８４】
そして、本実施形態によれば、取付金具１０を回避した形でレーザを照射することができ、上記した貴金属チップの径方向への溶け込み深さ（図２７参照）を十分に確保することができる。
【０１８５】
また、本実施形態によれば、接地電極側貴金属チップ４５の全周方向からレーザ照射するものではないが、溶融ナゲット軸４６を接地電極側貴金属チップ４５の全周にわたって不均一に複数個配置された構成とし、接地電極側貴金属チップ４５の突き出し量ｔを０．３ｍｍ以上とし、さらに、未溶融断面積比率Ｃを５０％以内とすることができるため、接地電極側貴金属チップ４５の接合信頼性を十分に確保できる。
【０１８６】
つまり、本実施形態によれば、接地電極単独の状態で貴金属チップをレーザ溶接することなく、接地電極４０を取付金具１０に溶接固定した状態でレーザ溶接を行うことができることから、生産性を向上させた上で、接地電極側貴金属チップの接合信頼性を確保可能なスパークプラグおよびその製造方法を提供することができる。
【０１８７】
また、本実施形態のスパークプラグおよびその製造方法では、上述したように、中心電極側貴金属チップ３５は、Ｉｒを５０重量％以上含有したＩｒ合金よりなり、接地電極側貴金属チップ４５は、Ｐｔを５０重量％以上含有したＰｔ合金よりなり、中心電極側貴金属チップ３５の軸と直交する中心電極側貴金属チップ３５の断面積をＡ１とし、接地電極側貴金属チップ４５の軸と直交する接地電極側貴金属チップ４５の断面積をＡ２としたとき、これら断面積Ａ１および断面積Ａ２が、０．１ｍｍ2以上１．１５ｍｍ2以下であることが好ましい。この理由は次の通りである。
【０１８８】
火花消耗の割合が高い中心電極側貴金属チップ３５に高融点材料であるＩｒ合金を用い、酸化揮発消耗の割合が高い接地電極側貴金属チップ４５に耐酸化揮発性に優れるＰｔ合金を用いることで、スパークプラグの寿命を大幅に拡大することができる。
【０１８９】
また、各電極３０、４０の貴金属チップ３５、４５において、軸直交断面積が０．１ｍｍ2よりも小さいと熱引け性が極端に悪化するため、チップ温度が加速的に上昇してしまい、異常消耗、プレイグニッション等の問題が発生する。
【０１９０】
一方、各電極３０、４０の貴金属チップ３５、４５において、軸直交断面積が１．１５ｍｍ2よりも大きいと着火性を悪化させてしまう。これは、火炎核成長時の貴金属チップによる冷却損失が大きくなり、火炎核の成長を妨げてしまうからである。
【０１９１】
これらのことから、上記したように、中心電極側貴金属チップ３５および接地電極側貴金属チップ４５の材質や軸直交断面積が規定される。
【０１９２】
また、本実施形態のスパークプラグおよびその製造方法では、上述したように、中心電極側貴金属チップ３５および接地電極側貴金属チップ４５は、添加物としてＩｒ（イリジウム）、Ｐｔ（白金、プラチナ）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｗ（タングステン）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｙ（イットリウム）、Ｙ2Ｏ3（三酸化二イットリウム、イットリア）のいずれかを含有するものであることが好ましい。
【０１９３】
中心電極側貴金属チップ３５および接地電極側貴金属チップ４５の添加物として、このようなものを採用することにより、耐消耗性をより向上できるだけでなく、チップの強度を増大することもでき、その結果、高温によるチップの割れや亀裂等を防止することができ、好ましい。
【０１９４】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態は接地電極側貴金属チップ４５の接合信頼性をさらに向上させるという観点から行われる形態である。本実施形態では、上記実施形態と相違する点を中心に述べる。
【０１９５】
図１０は、本実施形態に係る接地電極側貴金属チップ４５をレーザ溶接する接合方法を説明するための図であり、曲げられる前の接地電極４０の先端部側面（対向面）４３の上方から接地電極側貴金属チップ４５を見た図である。
【０１９６】
なお、この図１０においても、曲げる前の状態における接地電極４０の先端部側面４３にレーザ照射軸ＬＺを投影した軸を、レーザ照射投影軸ＬＺという。そして、矢印ＬＺはレーザ照射軸とレーザ照射投影軸とレーザとを兼用して表すものである。
【０１９７】
また、図１０では、接地電極側貴金属チップ４５の軸直交断面における中心点をＯとし、この中心点Ｏを通る中心線であって接地電極４０の軸と平行な中心線を符号ｘで表している。また、中心点Ｏを通る中心線のうち当該中心線ｘと直交する線を符号ｙにて表している。
【０１９８】
ここで、接地電極４０の軸とは、当然、接地電極４０の根元端部４２と先端部４１とを結ぶ方向における軸である。つまり、接地電極４０において根元端部４２は軸一端、先端部４１は軸他端となる。
【０１９９】
そして、本実施形態では、上記角度θ１を挟んで隣り合う２本のレーザ照射投影軸ＬＺａ、ＬＺｂと中心線ｘとの交点のうち少なくとも一つの交点が、接地電極側貴金属チップ４５の軸直交断面における中心点Ｏよりも接地電極４０の根元端部（一端）４２側に位置するような状態で、レーザＬＺの照射を行うことを特徴としている。
【０２００】
図１０では、当該２本のレーザ照射投影軸ＬＺａ、ＬＺｂのうち図中の下側に位置する１本のレーザ照射投影軸ＬＺｂと中心線ｘとの交点Ｋ１が、上記中心点Ｏよりも取付金具１０側に位置している。すなわち、当該交点Ｋ１は、上記中心点Ｏよりも接地電極４０の根元端部（一端）４２側に位置している。
【０２０１】
本実施形態の具体的な照射方法は、例えば、図１０においてレーザ照射投影軸ＬＺｂを除く他のレーザ照射投影軸ＬＺに対応した７本のレーザ照射軸ＬＺに沿って、まず、回転動作によってレーザ照射を行う。つまり、当該７本のレーザ照射軸ＬＺを接地電極側貴金属チップ４５の中心点Ｏへ向けて、接地電極側貴金属チップ４５を軸にワークを回転させながら溶接を行う。
【０２０２】
次に、ワークを、図１０に示すように平行移動させることにより、レーザ照射投影軸ＬＺｂに対応したレーザ照射軸ＬＺｂを設定し、この軸に沿ってレーザ照射を行うようにする。
【０２０３】
図１１（ａ）、（ｂ）は、このような本実施形態の接合方法によって形成された接地電極側貴金属チップ４５接合部の詳細構成を示す図である。図１１において、（ａ）は上記図５（ａ）に対応した断面にて接地電極側貴金属チップ４５接合部を示す断面図、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ線に沿った断面図である。また、（ａ）は（ｂ）中のＦ−Ｆ線に沿った断面図である。
【０２０４】
つまり、本実施形態における接合部構成では、上記角度θ１を挟んで隣り合う２本の溶融ナゲット軸４６ａ、４６ｂと中心線ｘとの交点のうち少なくとも一つの交点が、接地電極側貴金属チップ４５の軸直交断面における中心点Ｏよりも接地電極４０の根元端部（一端）４２側に位置することを特徴としている。
【０２０５】
そして、上記図１０に対応して、図１１では、当該２本の溶融ナゲット軸４６ａ、４６ｂのうち図中の下側に位置する１本の溶融ナゲット軸４６ｂと中心線ｘとの交点Ｋ１が、中心点Ｏよりも取付金具１０側に位置している。すなわち、当該交点Ｋ１は、上記中心点Ｏよりも接地電極４０の根元端部（一端）４２側に位置している。
【０２０６】
ところで、本実施形態のスパークプラグおよびその製造方法によれば、接地電極側貴金属チップ４５の周囲部のうち比較的溶融部４４が少ない取付金具１０側すなわち接地電極４０の根元端部（一端）４２側の部位において、上記第１実施形態よりもさらに溶融部４４を多く形成することができる。
【０２０７】
そのため、本実施形態では、さらに、未溶融部断面積Ｂを小さくすることができるので、接合信頼性をより高めることができる。
【０２０８】
ここにおいて、本実施形態の製造方法においては、接合信頼性向上の観点から、さらに次のような形態を採用することが好ましい。
【０２０９】
図１０では、上記角度θ１を挟んで隣り合う２本のレーザ照射投影軸ＬＺａ、ＬＺｂに直交する方向における接地電極側貴金属チップ４５の幅のうち、最大のチップ幅が寸法Ｄ２として表されている、
また、図１０では、当該２本のレーザ照射投影軸ＬＺａ、ＬＺｂのうち接地電極側貴金属チップ４５の軸直交断面における中心点Ｏよりも接地電極４０の根元端部（一端）４２側に位置するレーザ照射投影軸ＬＺｂと、このレーザ照射投影軸ＬＺｂと平行であって且つ中心点Ｏを通る仮想線との距離が、寸法Ｌ２として表されている。
【０２１０】
そして、本実施形態の製造方法におけるレーザ溶接方法（接合方法）としては、上記距離Ｌ２が上記幅Ｄ２の０．５倍以下となるようにレーザ照射を行うことが好ましい。これについては、ワークを上記中心線ｘに沿って平行移動させる際の移動距離を調整することで容易に実現可能である。
【０２１１】
この本実施形態の好ましい接合方法により形成された接地電極側貴金属チップ４５接合部の構成は、図１１を参照して説明すると次の通りになる。
【０２１２】
図１１（ｂ）では、上記角度θ１を挟んで隣り合う２本の溶融ナゲット軸４６ａ、４６ｂに直交する方向における接地電極側貴金属チップ４５の幅のうち、最大のチップ幅が寸法Ｄ１として表されている。なお、このチップ幅Ｄ１は、接地電極側貴金属チップ４５の放電面４５ａが１００％健全部であるため、上記図１０におけるチップ幅Ｄ２と実質的に同様のものである。
【０２１３】
また、図１１では、当該２本の溶融ナゲット軸４６ａ、４６ｂのうち接地電極側貴金属チップ４５の軸直交断面における中心点Ｏよりも接地電極４０の根元端部（一端）４２側に位置する溶融ナゲット軸４６ｂと、この溶融ナゲット軸４６ｂと平行であって且つ中心点Ｏを通る仮想線との距離が、寸法Ｌ１として表されている。
【０２１４】
なお、この距離Ｌ１は、溶融ナゲット軸４６とレーザ照射投影軸ＬＺとが実質的に一致するものであるため、上記図１０における距離Ｌ２と実質同様のものである。
【０２１５】
そして、本実施形態の好ましい製造方法により形成された接合部においては、上記距離Ｌ１が上記幅Ｄ１の０．５倍以下であることを特徴としている。
【０２１６】
この本実施形態における製造方法および接合部構成の好ましい形態によれば、角度θ１を挟んで隣り合う２本のレーザ照射投影軸ＬＺａ、ＬＺｂのうち接地電極側貴金属チップ４５の軸直交断面における中心点Ｏよりも接地電極４０の一端４２側に位置するレーザ照射投影軸ＬＺｂに沿って溶融部４４を形成した場合、当該溶融部４４がえぐれた形となるのを極力抑制することができる。
【０２１７】
つまり、レーザ照射投影軸ＬＺｂと一致する溶融ナゲット軸４６ｂに対応して形成された溶融部４４において、えぐれを防止することができる。
【０２１８】
もし、上記距離Ｌ１（Ｌ２）が上記幅Ｄ１（Ｄ２）の０．５倍よりも大きいと、レーザ照射投影軸ＬＺｂと一致する溶融ナゲット軸４６ｂに対応する溶融部４４を形成するためにレーザ照射される接地電極側貴金属チップ４５の部分が、容積が小さいものとなり、その結果として、レーザ照射時の発熱が大きくなりすぎて、えぐれが発生してしまうものと考えられる。
【０２１９】
この好ましい形態、すなわちＬ２≦０．５Ｄ２、Ｌ１≦０．５Ｄ１の関係を採用することによる効果は、本発明者の行った実験検討により実際に確認されている。つまり、この好ましい形態は、本発明者の行った検討結果を根拠としたものである。限定するものではないが、そのような実験検討結果の一例について述べる。
【０２２０】
図１２に示すように、上記幅Ｄ２と上記距離Ｌ２との関係を調べた。なお、図１２では、上記幅Ｄ２は、最大チップ幅Ｄ２（単位：ｍｍ）として横軸に表され、上記距離Ｌ２は、中心点Ｏとの距離Ｌ２（単位：ｍｍ）として縦軸に表されている。
【０２２１】
ここで、図１２において、丸プロットは上記した溶融部４４のえぐれが発生せず、正常な接合形態が実現された場合を示すものであり、クロスプロットは、上記した溶融部４４のえぐれが発生した場合を示すものである。
【０２２２】
なお、この溶融部４４のえぐれについては、図１３において具体的に示される。図１３は溶融部４４のえぐれの発生状態を示す図であり、（ａ）はえぐれ４４ａが発生した場合を示し、（ｂ）はえぐれが発生していない状態を示す。図１３（ａ）に示されるように、溶融部４４のえぐれ４４ａが発生すると、外観品質を低下させるだけでなく強度を低下させてしまうため、好ましくない。
【０２２３】
図１２から、最大チップ幅Ｄ２に関わらず、中心点Ｏとの距離Ｌ２が最大チップ幅Ｄ２の０．５倍よりも大きくなると、図１３（ａ）に示されるように、接地電極側貴金属チップ４５の溶融部４４がえぐれてしまい、好ましくない。
【０２２４】
一方、中心点Ｏとの距離Ｌ２を最大チップ幅Ｄ２の０．５倍以下（Ｌ２≦０．５Ｄ２）にすることにより、図１３（ｂ）に示されるように、溶融部４４のえぐれの発生を防止でき、外観品質と接合信頼性を確保できる。なお、図１２には、Ｌ２＝０．５Ｄ２の線を示してある。
【０２２５】
ここで、上述したようにレーザ照射軸ＬＺと溶融ナゲット軸４６とは略一致するため、溶融ナゲット軸およびチップ中心点Ｏ間の距離Ｌ１と最大チップ幅Ｄ１の関係も、この図１２に示される、レーザ照射投影軸ＬＺおよびチップ中心点Ｏ間の距離Ｌ２と最大チップ幅Ｄ２の関係と同様になる。
【０２２６】
以上が、本実施形態の好ましい形態、すなわちＬ２≦０．５Ｄ２、Ｌ１≦０．５Ｄ１の関係を採用することになる根拠である。
【０２２７】
このように、本実施形態は、上記第１実施形態に加えて、上記角度θ１を挟んで隣り合う２本のレーザ照射投影軸ＬＺａ、ＬＺｂの少なくとも一方を、接地電極側貴金属チップ４５の軸直交断面における中心点Ｏから接地電極４０の一端４２側にずらすことを基本としたものである。
【０２２８】
そして、本実施形態のスパークプラグおよびその製造方法においても、上記実施形態と同様に、中心電極側貴金属チップ３５は、Ｉｒを５０重量％以上含有したＩｒ合金よりなり、接地電極側貴金属チップ４５は、Ｐｔを５０重量％以上含有したＰｔ合金よりなり、中心電極側貴金属チップ３５の軸と直交する中心電極側貴金属チップ３５の断面積をＡ１とし、接地電極側貴金属チップ４５の軸と直交する接地電極側貴金属チップ４５の断面積をＡ２としたとき、これら断面積Ａ１および断面積Ａ２が、０．１ｍｍ2以上１．１５ｍｍ2以下であることが好ましい。
【０２２９】
また、中心電極側貴金属チップ３５および接地電極側貴金属チップ４５は、添加物としてＩｒ（イリジウム）、Ｐｔ（白金、プラチナ）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｗ（タングステン）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｙ（イットリウム）、Ｙ2Ｏ3（三酸化二イットリウム、イットリア）のいずれかを含有するものであることが好ましいことも、上記実施形態と同様である。
【０２３０】
ここで、本実施形態の変形例を図１４（ａ）〜（ｄ）および図１５（ａ）〜（ｄ）に示しておく。図１４は、本実施形態の第１の変形例を示す図であり、図１５は、本実施形態の第２の変形例を示す図である。
【０２３１】
ここで、図１４および図１５において、（ａ）および（ｂ）は接合方法を説明するための図であり、（ｂ）は（ａ）の上視図である。また、図１４および図１５において、（ｃ）および（ｄ）は、それぞれの接合方法にて形成された接地電極側貴金属チップ４５接合部の構成図であり、（ｄ）は（ｃ）の上視図である。
【０２３２】
上記図１０に示された例では、上記角度θ１を挟んで隣り合う２本のレーザ照射投影軸ＬＺａ、ＬＺｂと中心線ｘとの交点のうちの片方の交点Ｋ１、すなわち１本のレーザ照射投影軸ＬＺｂと中心線ｘとの交点Ｋ１が、接地電極側貴金属チップ４５の軸直交断面における中心点Ｏよりも接地電極４０の根元端部（一端）４２側に位置するような状態で、レーザＬＺの照射を行っていた。
【０２３３】
それに対して、図１４および図１５のそれぞれ（ａ）、（ｂ）に示される変形例のように、上記角度θ１を挟んで隣り合う２本のレーザ照射投影軸ＬＺａ、ＬＺｂと中心線ｘとの交点の両方が、上記中心点Ｏよりも接地電極４０の根元端部（一端）４２側に位置するような状態で、レーザＬＺの照射を行うようにしてもよい。
【０２３４】
それにより、図１４および図１５のそれぞれの（ｃ）、（ｄ）に示されるように、上記角度θ１を挟んで隣り合う２本の溶融ナゲット軸４６ａ、４６ｂと中心線ｘとの交点の両方が、接地電極側貴金属チップ４５の中心点Ｏよりも接地電極４０の根元端部（一端）４２側に位置している。
【０２３５】
なお、図１４、図１５では、上記角度θ１を挟んで隣り合う２本のレーザ照射投影軸ＬＺａ、ＬＺｂ（溶融ナゲット軸４６ａ、４６ｂ）について、中心線ｘとの交点は共通の交点Ｋ１となっている。
【０２３６】
しかし、この場合において、一方のレーザ照射投影軸ＬＺａ（一方の溶融ナゲット軸４６ａ）と上記中心線ｘとの交点と、他方のレーザ照射投影軸ＬＺｂ（他方の溶融ナゲット軸４６ｂ）と上記中心線ｘとの交点とが、互いに別位置にあるものであってもよい。
【０２３７】
また、特に、図１５に示される第２の変形例では、上記角度θ１を挟んで隣り合う２本のレーザ照射投影軸ＬＺａ、ＬＺｂのなす角度θ３、上記角度θ１を挟んで隣り合う２本溶融ナゲット軸４６ａ、４６ｂのなす角度θ２が、それぞれ１８０°となっているが、このようなものであってもよい。
【０２３８】
（他の実施形態）
本発明の他の実施形態として、以下に種々の変形例を示す。図１６、図１７、図１８、図１９、図２０は、それぞれ他の実施形態に係る第１の変形例、第２の変形例、第３の変形例、第４の変形例、第５の変形例を示す図である。
【０２３９】
ここで、図１６〜図２０において、（ａ）および（ｂ）は接合方法を説明するための図であり、（ｂ）は（ａ）の上視図である。また、図１６〜図２０において、（ｃ）および（ｄ）は、それぞれの接合方法にて形成された接地電極側貴金属チップ４５接合部の構成図であり、（ｄ）は（ｃ）の上視図である。
【０２４０】
図１６に示す第１の変形例のように、複数のレーザ照射投影軸ＬＺのうち、上記角度θ１を挟み且つ角度θ３をなして隣り合う２本のレーザ照射投影軸ＬＺａ、ＬＺｂ同士を除いたもの同士の間の角度は、均等でなくてもよい。図１６（ａ）、（ｂ）では、角度θ３の部分を除き、レーザ照射投影軸ＬＺ同士の角度が４５°の部分と３０°の部分とが存在した形となっている。
【０２４１】
もちろん、第１の変形例では、このようなレーザ照射投影軸ＬＺの配置に対応して、図１６（ｃ）、（ｄ）に示されるように、複数の溶融ナゲット軸４６も同様の配置形態となっている。
【０２４２】
また、図１７に示される第２の変形例のように、電極母材である接地電極４０の先端部側面（対向面）４３に凹部４３ａを設け、その凹部４３ａに接地電極側貴金属チップ４５をはめ込んだ後、レーザ溶接するようにしてもよい。
【０２４３】
また、接地電極側貴金属チップ４５としては柱状のものが採用されるが、端部や中間部に径の異なる部分が存在するような柱状形、あるいは段付きの柱状形であってもよい。
【０２４４】
例えば、図１８に示される第３の変形例のように、接地電極側貴金属チップ４５として、端部に大径頭部を有するリベット形状のものを用いてもよい。レーザ溶接時には、この大径頭部を接地電極４０の対向面４３に接触させた形で、接地電極側貴金属チップ４５と接地電極４０とを溶接する。
【０２４５】
また、図１９に示される第４の変形例のように、電極母材である接地電極４０の先端部側面（対向面）４３に凸部４３ｂを設け、その凸部４３ｂに接地電極側貴金属チップ４５を置いて、レーザ溶接するようにしてもよい。
【０２４６】
また、柱状の接地電極側貴金属チップ４５の断面形状は、上記実施形態のように円形に限定されるものではなく、例えば、四角、三角、楕円等、であっても良い。例えば、図２０に示される第５の変形例のように、接地電極側貴金属チップ４５として断面四角形の接地電極側貴金属チップ４５を用いてもよい。
【０２４７】
さらに、接地電極側貴金属チップ４５のレーザ溶接において、上記実施形態にて述べた範疇のものであれば、照射点数、照射角度、照射方向は、チップのサイズや形状等に応じて随時変更可能である。
【０２４８】
また、上記実施形態に示した各接合方法においては、照射角度θＬ（例えば上記図３参照）は各照射方向で一定としていたが、この照射角度θＬはそれぞれの照射方向において一致しなくてもよい。
【０２４９】
また、図２１は、第６の変形例を示す図である。上記実施形態では、接地電極４０が溶接固定された取付金具１０と中心電極３０が溶着固定された絶縁体２０とを組み付けた後、接地電極側貴金属チップ４５を接地電極４０にレーザ溶接していた。
【０２５０】
それに対して、この図２１に示されるように、レーザ照射工程は、取付金具１０と絶縁体２０を組み付ける前に、取付金具１０に接地電極４０を溶接固定した状態で行ってもよい。この場合、接地電極側貴金属チップ４５を溶接した後、中心電極３０と一体化した絶縁体２０を取付金具１０に組み付け固定する。
【０２５１】
図２２（ａ）、（ｂ）は、接地電極４０と接地電極側貴金属チップ４５との接合界面への熱応力を低減するのに適した接地電極４０の形状を示す図であり、接地電極４０の先端部側面（対向面）４３の上から当該構成を見た図である。
【０２５２】
図２２（ａ）に示されるように、接地電極４０の幅を先端部４１に向かって細くなるテーパ形状としたり、図２２（ｂ）に示されるように、接地電極４０の先端部４１を凸字形状としたりして、接地電極４０の先端部４１を細くする。このようにすれば、電極母材である接地電極４０自体への熱応力を低減することができ、結果として、上記接合界面への熱応力を低減できることから好ましい。
【０２５３】
また、図２３、図２４は、それぞれ、接地電極４０と接地電極側貴金属チップ４５との接合界面への熱応力を低減するのに適した接地電極４０の内部構成を示す概略断面図である。
【０２５４】
図２３および図２４に示す接地電極４０は、その内部に母材（例えばＮｉ基合金）よりも熱伝導性に優れた内層部材７０を収納したものである。このようにすれば、接地電極４０の先端部（チップ接合部）４１の温度を低減することができ、結果として、上記接合界面への熱応力を低減できることから好ましい。
【０２５５】
ここで、図２３では、Ｃｕ等よりなる１層の内層部材７０が収納されており、図２４では、Ｃｕ＋Ｎｉクラッド（ＣｕとＮｉの積層体）等よりなる２層の内層部材７０が収納されている。
【０２５６】
また、図２５は、接地電極４０を斜めに配置した例を示す概略断面図である。このように接地電極４０を斜めに配置すれば、接地電極４０を短化することができる。それによって、温度も低減できるため、結果として、上記接合界面への熱応力を低減できることから好ましい。
【０２５７】
また、図２６は、中心電極３０と接地電極４０に加えて、絶縁体２０の先端部２１に対向する補助電極６０を有するスパークプラグを示す図である。なお、図２６において、（ｂ）は（ａ）のＧ矢視図である。
【０２５８】
このような構成とすることで、スパークプラグがくすぶった場合に、補助電極６０により絶縁体２０の表面に付着したカーボンを焼き切る作用効果があり、前述した生産性、着火性、接合信頼性だけでなく、耐くすぶり性も向上できることから好ましい。
【図面の簡単な説明】
【０２５９】
【図１】本発明の第１実施形態に係るスパークプラグの全体構成を示す半断面図である。
【図２】図１に示すスパークプラグにおける放電ギャップ近傍の拡大構成を示す概略断面図である。
【図３】上記第１実施形態の接地電極側貴金属チップをレーザ溶接する接合方法を説明するための図である。
【図４】比較例として従来の接地電極側貴金属チップをレーザ溶接する接合方法を説明するための図である。
【図５】図３に示す第１実施形態の接合方法により形成された接地電極側貴金属チップ接合部の詳細構成を示す図である。
【図６】接地電極側貴金属チップ接合部において溶融部が接地電極側貴金属チップの放電面にまで形成された場合の詳細構成を示す図である。
【図７】健全部面積比率と接地電極側貴金属チップの突き出し量ｔとの関係について調べた結果を示す図である。
【図８】剥離率を説明するための概略断面図である。
【図９】上記第１実施形態における未溶融断面積比率Ｃと接合信頼性の指標としての剥離率との関係を示す図である。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る接地電極側貴金属チップをレーザ溶接する接合方法を説明するための図である。
【図１１】図１０に示す第２実施形態の接合方法により形成された接地電極側貴金属チップ接合部の詳細構成を示す図である。
【図１２】上記第２実施形態における最大チップ幅Ｄ２と、中心点Ｏとの距離Ｌ２との関係を溶融部のえぐれを指標として示す図である。
【図１３】溶融部のえぐれの発生状態を示す図であり、（ａ）はえぐれが発生した場合を示し、（ｂ）はえぐれが発生していない状態を示す。
【図１４】上記第２実施形態の第１の変形例を示す図であり、（ａ）および（ｂ）は接合方法を説明するための図、（ｃ）および（ｄ）は接合部の構成図である。
【図１５】上記第２実施形態の第２の変形例を示す図であり、（ａ）および（ｂ）は接合方法を説明するための図、（ｃ）および（ｄ）は接合部の構成図である。
【図１６】本発明の他の実施形態の第１の変形例を示す図であり、（ａ）および（ｂ）は接合方法を説明するための図、（ｃ）および（ｄ）は接合部の構成図である。
【図１７】他の実施形態の第２の変形例を示す図であり、（ａ）および（ｂ）は接合方法を説明するための図、（ｃ）および（ｄ）は接合部の構成図である。
【図１８】他の実施形態の第３の変形例を示す図であり、（ａ）および（ｂ）は接合方法を説明するための図、（ｃ）および（ｄ）は接合部の構成図である。
【図１９】他の実施形態の第４の変形例を示す図であり、（ａ）および（ｂ）は接合方法を説明するための図、（ｃ）および（ｄ）は接合部の構成図である。
【図２０】他の実施形態の第５の変形例を示す図であり、（ａ）および（ｂ）は接合方法を説明するための図、（ｃ）および（ｄ）は接合部の構成図である。
【図２１】他の実施形態の第６の変形例を示す図である。
【図２２】接地電極と接地電極側貴金属チップとの接合界面への熱応力を低減するのに適した接地電極の形状を示す図である。
【図２３】接地電極と接地電極側貴金属チップとの接合界面への熱応力を低減するのに適した接地電極の内部構成を示す概略断面図である。
【図２４】接地電極と接地電極側貴金属チップとの接合界面への熱応力を低減するのに適した接地電極のもう一つの内部構成を示す概略断面図である。
【図２５】接地電極を斜めに配置した例を示す概略断面図である。
【図２６】中心電極と接地電極に加えて絶縁体の先端部に対向する補助電極を有するスパークプラグを示す図である。
【図２７】貴金属チップを接地電極へレーザ溶接する一般的な方法を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【０２６０】
１０…取付金具、３０…中心電極、３１…中心電極の先端部、
３５…中心電極側貴金属チップ、４０…接地電極、
４１…接地電極の他端としての先端部、４２…接地電極の一端としての根元端部、
４３…接地電極の対向面としての先端部側面、４４…溶融部、
４５…接地電極側貴金属チップ、４６…溶融ナゲット軸、
４６ａ、４６ｂ…角度θ１を挟んで隣り合う溶融ナゲット軸、５０…放電ギャップ、
ＬＺ…レーザ照射軸、レーザ照射投影軸、
ＬＺａ、ＬＺｂ…角度θ１を挟んで隣り合うレーザ照射投影軸、
Ｏ…接地電極側貴金属チップの軸直交断面における中心点。
【図１】
2005050732.tif 000003
【図２】
2005050732.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2005050732.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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