(57)【要約】【課題】  所定の処理部での基板処理を円滑に行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】  基板を順方向に搬送して露光装置へ基板を渡す順方向専用経路Ｒ1 （第１の基板搬送経路）とは別に露光後加熱（ＰＥＢ）を行うＰＥＢ専用の基板搬送経路Ｒ2 （第２の基板搬送経路）を構成することで、各々の経路Ｒ1 ，Ｒ2 での搬送を独立して行うことができる。なお、所定の基板搬送機構として第４の主搬送機構Ｄを介在させて、基板を一時的に収納する仮置き部であるバッファＲＢＦと所定の処理部に相当する露光後加熱（ＰＥＢ）とを並べて受渡点にそれぞれ配設することで、バッファＲＢＦとＰＥＢとの間で基板を搬送する経路Ｒ2 を構成するので、そのＰＥＢでの基板処理を円滑に行うことができる。同様に、バッファＲＢＦへの基板の搬送を円滑に行うことができる。【選択図】        図１１
2005175209.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理を行う処理部と、処理部に対して基板の受け渡しを行う基板搬送機構とを備えた基板処理装置であって、
基板の受け渡しを行うための受渡点を介在させて、複数の基板搬送機構を並べて配設することで、処理部間で基板を搬送する経路である第1の基板搬送経路を構成するとともに、
所定の基板搬送機構を介在させて、基板を一時的に収納する仮置き部と所定の処理部とを並べて受渡点にそれぞれ配設することで、仮置き部と所定の処理部との間で基板を搬送する経路である第２の基板搬送経路を別に構成することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
一部の経路において重複するように前記第１および第２の基板搬送経路をそれぞれ構成することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
同一の前記基板搬送機構を共用して、前記第１および第２の基板搬送経路をそれぞれ構成することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項２に記載の基板処理装置において、
個別に異なる前記基板搬送機構を用いて、前記第１および第２の基板搬送経路をそれぞれ構成することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理部と、前記基板処理装置に連設された外部処理として機能する露光装置との間で搬送するように前記第１の基板搬送経路を構成しており、
前記所定の処理部は、露光装置で処理された露光後の基板に対して加熱処理を行う露光後加熱処理部であって、
前記仮置き部とその露光後加熱処理部との間で基板を受け渡して搬送するように前記第２の基板搬送経路を構成することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置において、
基板を順方向に搬送して前記露光装置へ基板を渡す順方向専用経路として、前記第１の基板搬送経路を構成することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項５に記載の基板処理装置において、
基板を逆方向に搬送して前記露光装置から基板を受け取る逆方向専用経路として、前記第１の基板搬送経路を構成することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項５から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
基板を冷却処理する冷却処理部を備え、
その冷却処理部と前記仮置き部と露光後加熱処理部との間で基板を受け渡して搬送するように前記第２の基板搬送経路を構成することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板（以下、単に基板と称する）に対して基板処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、このような基板処理装置は、例えば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成し、フォトレジスト膜が塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ工程に用いられている（例えば、特許文献１、特許文献２）。
【０００３】
従来の基板処理装置は、フォトレジスト塗布処理部や現像処理部などを含む基板処理装置と、この基板処理装置と外部装置である露光装置（ステッパー）との間で基板の受け渡しを仲介するインターフェイス部などを備えている。基板処理部でフォトレジストが塗布された基板はインターフェイス部を介して露光装置に渡される。ところで、近年、フォトレジストとして化学増幅型のフォトレジストが多く用いられている。このフォトレジストは、パターンニングの精度を維持するために、露光後に基板を加熱するまでの時間を厳密に管理することが要請されている。そこで、従来の基板処理装置は、露光された基板を速やかに加熱処理するために、インターフェイス部に加熱・冷却処理部を設けている。露光装置からインターフェイス部に戻された基板は、インターフェイス部の基板搬送機構によって、インターフェイス部の加熱処理部に速やかに搬入され、さらに加熱処理された基板はインターフェイス部の冷却処理部に搬入されて常温に戻される。このように露光後に加熱（ＰＥＢ）処理された基板はインターフェイス部から基板処理部に渡され、基板処理部にある現像処理部で現像処理される。
【特許文献１】特開平６−１５１２９３号公報（第３頁、図１、図２）
【特許文献２】特開平８−１７７２４号公報（第３−４頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成を有する場合には、次のような問題がある。すなわち、インターフェイス部の基板搬送機構は、フォトレジスト塗布処理部から露光装置への順方向の搬送や、露光装置から現像処理部への逆方向の搬送の他に、上述した露光後加熱（ＰＥＢ）への搬送を行っている。したがって、例えば順方向の搬送を行っているときに露光装置から基板が払い出されたときには、順方向の搬送が終わるまでに払い出された基板について待ち時間が発生する。その結果、露光された基板を速やかに加熱処理することができなくなってしまう。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、所定の処理部での基板処理を円滑に行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板処理を行う処理部と、処理部に対して基板の受け渡しを行う基板搬送機構とを備えた基板処理装置であって、基板の受け渡しを行うための受渡点を介在させて、複数の基板搬送機構を並べて配設することで、処理部間で基板を搬送する経路である第1の基板搬送経路を構成するとともに、所定の基板搬送機構を介在させて、基板を一時的に収納する仮置き部と所定の処理部とを並べて受渡点にそれぞれ配設することで、仮置き部と所定の処理部との間で基板を搬送する経路である第２の基板搬送経路を別に構成することを特徴とするものである。
【０００７】
［作用・効果］請求項1に記載の発明によれば、第１の基板搬送経路とは別に第２の基板搬送経路を構成することで、各々の基板搬送経路での搬送を独立して行うことができる。なお、所定の基板搬送機構を介在させて、基板を一時的に収納する仮置き部と所定の処理部とを並べて受渡点にそれぞれ配設することで、仮置き部と所定の処理部との間で基板を搬送する第２の基板搬送経路を構成するので、その所定の処理部での基板処理を円滑に行うことができる。同様に、仮置き部への基板の搬送を円滑に行うことができる。
【０００８】
上述した発明において、一部の経路において重複するように前記第１および第２の基板搬送経路をそれぞれ構成してもよい（請求項２に記載の発明）。また、同一の基板搬送機構を共用して、第１および第２の基板搬送経路をそれぞれ構成してもよい（請求項３に記載の発明）し、個別に異なる基板搬送機構を用いて、第１および第２の基板搬送経路をそれぞれ構成してもよい（請求項４に記載の発明）。請求項３に記載の発明のように、同一の基板搬送機構を共用した場合には、その基板搬送機構によって基板を第１および第２の基板搬送経路でそれぞれ搬送することができる。また、請求項４に記載の発明のように、個別に異なる基板搬送機構を用いた場合には、同一の基板搬送機構での搬送による待ち時間をより一層低減させて、基板処理をより一層円滑に行うことができる。
【０００９】
上述した発明において、具体的な一例として下記の請求項５に記載の発明が挙げられる。
すなわち、請求項５に記載の発明は、請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理部と、前記基板処理装置に連設された外部処理として機能する露光装置との間で搬送するように前記第１の基板搬送経路を構成しており、前記所定の処理部は、露光装置で処理された露光後の基板に対して加熱処理を行う露光後加熱処理部であって、前記仮置き部とその露光後加熱処理部との間で基板を受け渡して搬送するように前記第２の基板搬送経路を構成することを特徴とするものである。
【００１０】
［作用・効果］請求項５に記載の発明によれば、処理部と、基板処理装置に連設された外部処理として機能する露光装置との間で搬送するように第１の基板搬送経路を構成している。また、所定の処理部は、露光装置で処理された露光後の基板に対して加熱処理を行う露光後加熱処理部であって、仮置き部とその露光後加熱処理部との間で基板を受け渡して搬送するように第２の基板搬送経路を構成しているので、露光後加熱処理部での基板処理を円滑に行う、すなわち露光後に露光後加熱を速やかに行うことができる。同様に、露光後加熱処理部で加熱された基板に対して仮置き部への搬送を円滑に行うことができる。
【００１１】
また、上述した発明（請求項５に記載の発明）において、基板を順方向に搬送して露光装置へ基板を渡す順方向専用経路として、第１の基板搬送経路を構成する（請求項６に記載の発明）の場合には、順方向から搬送された基板による、露光後加熱処理をこれから行う基板の露光後加熱処理部への搬送に関する待ち時間を低減させることができる。同じく、上述した発明（請求項６に記載の発明）において、基板を逆方向に搬送して露光装置から基板を受け取る逆方向専用経路として、第１の基板搬送経路を構成する（請求項７に記載の発明）の場合には、逆方向から搬送された基板による、露光後加熱処理で処理された基板の仮置き部への搬送に関する待ち時間を低減させることができる。
【００１２】
また、基板を冷却処理する冷却処理部を備え、その冷却処理部と仮置き部と露光後加熱処理部との間で基板を受け渡して搬送するように第２の基板搬送経路を構成する（請求項８に記載の発明）ことで、露光後加熱処理後の冷却処理を円滑に行うことができる。
【００１３】
また、本明細書は、次のような基板処理装置に係る発明も開示している。
【００１４】
通常の基板処理装置では、薬液処理（露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるためにフォトレジスト膜の下部に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用塗布処理部や、レジスト膜用塗布処理部など）における各スピンチャックとノズルとの位置関係は各処理部において同じ関係である。すなわち、反射防止膜用塗布処理部でスピンチャックの右側にノズルが設けられている場合には、レジスト膜用塗布処理部でもスピンチャックの右側にノズルが設けられている。この場合には、反射防止膜用塗布処理部に搬入・搬出を行う基板搬送機構とノズルとが干渉したり、レジスト膜用塗布処理部に搬入・搬出を行う基板搬送機構とノズルとが干渉する恐れがある。
【００１５】
（技術的課題）そこで、基板搬送機構と薬液処理部の供給管（ノズル）との干渉を低減させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１６】
（１）基板に対して薬液処理を行う薬液処理部と、薬液処理を含む処理部に対して基板の受け渡しを行う基板搬送機構とを備えた基板処理装置であって、各薬液処理部は、薬液処理の際に基板を保持する保持部と基板に薬液を供給する供給管とを備え、隣接する基板搬送機構と、隣接する薬液処理部とを同方向に配設する際に、隣接する各基板搬送機構間との境界線を中心にして外側に各供給管を配設するとともに、内側に保持部を配設することを特徴とする基板処理装置。
【００１７】
前記（１）に記載の発明によれば、隣接する各基板搬送機構間との境界線を中心にして外側に各供給管を配設するとともに、内側に保持部を配設することで隣接する基板搬送機構と供給管との干渉を防いで、基板搬送機構による各基板保持部に対する基板の受け渡しがし易くなる。
【００１８】
なお、加熱処理部の一例として、基板仮置部付きの加熱部がある。この基板仮置部付きの加熱部の構成を説明すると、加熱プレートや基板仮置部が配設されるとともに、ローカル搬送機構として保持プレートが配設されている。加熱プレートや基板仮置部に対して保持プレートは進退可能に構成されており、保持プレートには冷却機構が備えられている。そして、加熱プレートを加熱した基板を保持プレートに渡して、基板を保持プレートが保持している間に冷却機構が基板を冷却して基板仮置部に置く。
【００１９】
基板仮置部付きの加熱部の場合には、基板仮置部や加熱プレートと、保持プレートとが基板搬送経路に沿って垂直方向に配設されている。基板搬送経路の搬送方向に対して垂直方向に対して無駄なスペースが空いてしまう。なお、薬液処理部を多段に積層した構造の場合には、その薬液処理部に処理液を供給するポンプを一括にまとめて装置の床面に配設している。したがって、ポンプによって上段にある薬液処理部に処理液を吸い上げる形となる。しかし、処理液の場合には、粘度によってポンプによる吸い上げに支障がでる。そのためにポンプを多段に積まれた各処理部に備えるのが望ましいが、上述した垂直方向に対する省スペース化を図ることができないので、ポンプを多段に配設することができない。
【００２０】
（技術的課題）そこで、基板搬送経路の搬送方向に対して垂直方向に対する省スペース化を図ることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００２１】
（２）基板に対して加熱処理を行う加熱処理部と、加熱処理部を含む処理部に対して基板の受け渡しを行う基板搬送機構とを備えた基板処理装置であって、加熱処理部は、基板を仮置きする基板仮置部と加熱する加熱プレートとそれらに対して進退可能に構成された保持プレートとを備え、処理部間に沿って形成された基板搬送経路に沿って基板仮置き部および加熱プレートと保持プレートとを配設することを特徴とする基板処理装置。
【００２２】
前記（２）に記載の発明によれば、基板搬送経路に沿って基板仮置き部および加熱プレートと保持プレートとを配設することで、基板搬送経路の搬送方向の垂直方向に対する省スペース化を図ることができる。
【００２３】
（３）前記（２）に記載の基板処理装置において、基板に対して薬液処理を行う多段構成の薬液処理部をさらに備え、前記基板搬送経路を挟んで前記加熱処理部に対向して各薬液処理部に対してポンプを個別に配設することを特徴とする基板処理装置。
【００２４】
前記（３）に記載の発明によれば、基板搬送経路を挟んで加熱処理部に対向して各薬液処理部に対してポンプを個別に配設することで、省スペース化によって空いたスペースにポンプを多段に配設することになる。したがって、ポンプおよび薬液処理部に接続する接続箇所を水平に配設することができ、各処理液（薬液）の粘度による吸い上げの支障を回避することができる。
【００２５】
なお、処理対象の基板を収納するカセットが載置されるカセット載置部を有し、そのカセットから未処理の基板を順に取り出して処理部へ払い出すとともに、処理された基板を処理部から受け取ってカセット内へ順に収納するインデクサにおいて、インデクサとそれに隣接する処理部（例えば反射防止膜用処理部）との間に基板の受け渡しのための基板載置部を配設すると、基板載置部による占有スペースができてしまう。
【００２６】
（技術的課題）そこで、インデクサと隣接する処理部との間にできる占有スペースに関する省スペース化を図ることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００２７】
（４）基板に対して熱処理を行う多段構成の熱処理部と、熱処理部を含む処理部に対して基板の受け渡しを行う基板搬送機構とを備えた基板処理装置であって、処理対象の基板を収納するカセットが載置されるカセット載置部を有し、そのカセットから未処理の基板を順に取り出して前記処理部へ払い出すとともに、処理された基板を処理部から受け取ってカセット内へ順に収納するインデクサを備え、インデクサ搬送経路に沿って所定の処理部および前記多段構成の熱処理部を隣接して配設し、その熱処理部に、インデクサとその所定の処理部との間での基板の受け渡しを行う基板載置部を設けることを特徴とする基板処理装置。
【００２８】
前記（４）に記載の発明によれば、基板の受け渡しを行う基板載置部を多段構成の熱処理部に設けたので、インデクサと隣接する処理部との間での基板載置部をその間に設ける必要がなくなり、インデクサと隣接する処理部との間にできる占有スペースに関する省スペース化を図ることができる。
【００２９】
なお、上述したようにインデクサと隣接する処理部との間に基板載置部を配設することで占有スペースができるが、かかるスペースは他の隣接する各処理部間においてもスペースができる。すなわち、各処理間で基板載置部を介在させることで同じく占有スペースができる。
【００３０】
（技術的課題）そこで、各処理部間にできる占有スペースに関する省スペース化を図ることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００３１】
（５）基板に対して熱処理を行う熱処理部と、熱処理部を含む処理部に対して基板の受け渡しを行う基板搬送機構とを備えた基板処理装置であって、熱処理部を、基板に対して冷却処理を行う冷却処理部と、基板に対して加熱処理を行う加熱処理部とに構成するとともに、各処理部を熱的に区画して配設し、冷却処理部に基板の受け渡しを行う基板載置部を設け、基板搬送経路に対して基板載置部を介して斜め搬送を行うことを特徴とする基板処理装置。
【００３２】
前記（５）に記載の発明によれば、冷却処理部と加熱処理部とを熱的に区画して配設し、冷却処理部に基板の受け渡しを行う基板載置部を設け、基板搬送経路に対して基板載置部を介して斜め搬送を行うことで、熱的影響を考慮せずに、基板載置部を各処理部間に設ける必要がなくなり、各処理部間にできる占有スペースに関する省スペース化を図ることができる。
【００３３】
なお、基板を冷却するためには基板搬送経路に対して垂直方向（装置の背面側と正面側とを結ぶ方向）に移動させて熱処理部内で熱処理を行った後に基板の受け渡しが行われる。また、冷却処理部は加熱処理部に積層されることが多く、熱的影響も及ぶ可能性がある。
【００３４】
（技術的課題）そこで、薬液処理および加熱処理を適切に行いつつ各ブロック（セル）間での受け渡しを効率よく行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００３５】
（６）基板に対して熱処理を行う熱処理部と、基板に対して薬液処理を行う薬液処理部と、熱処理部および薬液処理部を含む処理部に対して基板の受け渡しを行う基板搬送機構とを備えた基板処理装置であって、熱処理部を、基板に対して冷却処理を行う冷却処理部と、基板に対して加熱処理を行う加熱処理部とに構成するとともに、各処理部を熱的に区画して配設し、処理部間に沿って形成された基板搬送経路を挟んで加熱処理部と薬液処理部とを対向配置して処理部ブロックをそれぞれ構成し、各ブロック間での基板の受け渡しを前記冷却処理部が兼用することを特徴とする基板処理装置。
【００３６】
前記（６）に記載の発明によれば、各ブロック間での基板の受け渡しを兼用した冷却処理部を設けることで、各ブロック間で薬液処理および加熱処理を適切に行いつつ、各ブロック間での受け渡しの間に基板を冷却することができる。その結果、受け渡しを効率よく行うことができる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明に係る基板処理装置によれば、第１の基板搬送経路とは別に第２の基板搬送経路を構成することで、各々の基板搬送経路での搬送を独立して行うことができる。なお、所定の基板搬送機構を介在させて、基板を一時的に収納する仮置き部と所定の処理部とを並べて受渡点にそれぞれ配設することで、仮置き部と所定の処理部との間で基板を搬送する第２の基板搬送経路を構成するので、その所定の処理部での基板処理を円滑に行うことができる。同様に、仮置き部への基板の搬送を円滑に行うことができる。
【実施例１】
【００３８】
以下、図面を参照して本発明の実施例1を説明する。
図１は、実施例１に係る基板処理装置の平面図であり、図２は、その正面図であり、図３は、熱処理部の正面図である。
【００３９】
ここでは、半導体ウエハ（以下、単に「基板」という）に、反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、露光された基板に現像処理などの薬液処理を行う基板処理装置を例に採って説明する。もちろん、本発明に係る基板処理装置が取り扱い得る基板は、半導体ウエハに限らず、液晶表示器用のガラス基板など種々の基板を含む。また、薬液処理は、フォトレジスト膜などの塗布形成処理や現像処理に限らず、種々の薬液処理を含む。
【００４０】
本実施例１に係る基板処理装置は、基板Ｗを多段に収納するカセットＣからの基板の取り出しや、カセットＣへの基板Ｗの収納を行うインデクサセルＣ１と、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるためにフォトレジスト膜の下部に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用処理セルＣ２と、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト膜用処理セルＣ３と、露光された基板Ｗに対して現像処理をする現像処理セルＣ４と、露光された基板Ｗを現像前に加熱処理する露光後加熱用処理セルＣ５と、基板処理装置とは別体の装置である露光装置（ステッパー）ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをするインターフェイスセルＣ６とからなる（図８参照）。インターフェイスセルＣ６には、上述した露光装置ＳＴＰが並設される。
【００４１】
まず、インデクサセルＣ１について説明する。インンデクセルＣ１は、基板Ｗを多段に収納するカセットＣからの基板の取り出しや、カセットＣへの基板Ｗの収納を行う機構である。具体的には、複数個のカセットＣを並べて載置するカセット載置台６と、各カセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出すとともに、各カセットＣへ処理済の基板Ｗを順に収納するインデクサ用搬送機構７とを備えている。インデクサ用搬送機構７は、カセット載置台６に沿って（Ｙ方向に）水平移動可能な可動台７ａを備えている。この可動台７ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム７ｂが搭載されている。保持アーム７ｂは、可動台７ａ上を昇降（Ｚ方向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。
【００４２】
次に、反射防止膜処理セルＣ２について説明する。反射防止膜処理セルＣ２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下部に反射防止膜を塗布形成するための機構である。具体的には、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用塗布処理部８と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板Ｗを熱処理する反射防止膜用熱処理部９と、反射防止膜用塗布処理部８および反射防止膜用熱処理部９に対して基板Ｗの受け渡しをする第１の主搬送機構１０Ａとを備える。
【００４３】
反射防止膜処理セルＣ２は、第１の主搬送機構１０Ａを挟んで反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９とが対向して配置されている。具体的には、塗布処理部８が装置正面側に、熱処理部９が装置背面側に、それぞれ位置している。このように薬液処理部と熱処理部とを主搬送機構を挟んで対向配置する点は、他のレジスト膜用処理セルＣ３においても同様である。このような配置にすれば、薬液処理部と熱処理部とが隔たるので、薬液処理部が熱処理部から受ける熱的影響を抑えることができる。また、本実施例１では、熱処理部９の正面側に図示しない熱隔壁を設けて、反射防止膜用塗布処理部８への熱的影響を回避している。同様な熱隔壁は、他のレジスト膜用処理セルＣ３にも設けられている。
【００４４】
反射防止膜用塗布処理部８は、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃ（以下、特に区別しない場合は符号「８」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部８は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１１や、このスピンチャック１１上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を供給するノズル１２などを備えている。
【００４５】
反射防止膜用熱処理部９は、図３に示すように、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する複数個の加熱プレートＨＰ、加熱された基板Ｗを常温にまで冷却する複数個の冷却プレートＣＰ、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する複数個のアドヒージョン処理部ＡＨＬなどの熱処理部を含み、インデクサセルＣ１と反射防止膜処理セルＣ２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する基板載置部ＰＡＳＳ１や、インデクサセルＣ１と反射防止膜処理セルＣ２との間での基板Ｗの受け渡しと基板Ｗの冷却との機能を兼ねた冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳをも含んでいる。これらの熱処理部９の下部には、ヒータコントローラ（ＣＯＮＴ）が配設され、また熱処理部９の上部（図３中に「×」印で示した個所）には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。
【００４６】
基板載置部ＰＡＳＳ１の下に積層された冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳはインデクサセルＣ１から反射防止膜処理セルＣ２へ基板Ｗを払い出すために、基板載置部ＰＡＳＳ１は反射防止膜処理セルＣ２からインデクサセルＣ１へ基板Ｗを戻すために、それぞれ設けられている。反射防止膜処理セルＣ２を基準にして言えば、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳは、反射防止膜処理セルＣ２に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部に相当する。特に、インデクサセルＣ１から露光装置ＳＴＰに向かって流れる基板Ｗの搬送方向を順方向とした場合に、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳは、基板Ｗを順方向に搬送するときに使われる送り用入口基板載置部に相当する。一方、基板載置部ＰＡＳＳ１は、反射防止膜処理セルＣ２から基板Ｗを払い出すための出口基板載置部であり、特に、基板Ｗを逆方向（本実施例１では、露光装置ＳＴＰからインデクサブロック１に向かって流れる基板Ｗの搬送方向）に搬送するときに使われる戻り用出口基板載置部に相当する。
【００４７】
なお、特に断りがない限り、冷却プレートＣＰは基板Ｗの冷却のみを行い、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳは基板Ｗの冷却および隣接するセル間での基板Ｗの受け渡しを行うものとして、それ以降を説明する。
【００４８】
基板載置部ＰＡＳＳ１、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳは、固定設置された複数本の支持ピンから構成されており、この点は後述する他の基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ５や他のセルＣ２〜Ｃ６内に設けられた冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳも同様である。また、基板載置部ＰＡＳＳ１、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳには、基板Ｗの有無を検出する図示しない光学式のセンサが設けられており、各センサの検出信号に基づいてインデクサ用搬送機構７や、反射防止膜用処理セルＣ２の第１の主搬送機構１０Ａが、基板載置部ＰＡＳＳ１、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳに対して基板Wを受け渡しできる状態であるかどうかを判断するようになっている。同様のセンサは他の基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ５や他のセルＣ２〜Ｃ６内に設けられた冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳにも設けられている。
【００４９】
反射防止膜用熱処理部９は、基板載置部ＰＡＳＳ１、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳを含んで各熱処理部（ＨＰ，ＣＰ，ＡＨＬ）を上下に積層配置して構成されている。薬液処理部および熱処理部を上下に積層配置している点は、他のレジスト膜用処理セルＣ３および現像処理Ｃ４においても同様である。
【００５０】
上述したように各処理セルＣ２〜Ｃ４で薬液処理部や熱処理部を上下に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくすることができる。
【００５１】
この説明から明らかなように、インデクサセルＣ１と反射防止膜処理セルＣ２との間での基板Ｗの受け渡しを行う基板載置部ＰＡＳＳ１、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳを多段構成の熱処理部９内に設け、これら基板載置部ＰＡＳＳ１、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳをインデクサ用搬送機構７の搬送経路に沿って隣接して設けている。このように構成することで、従来のように、インデクサとそれに隣接する反射防止膜用処理との間での基板Ｗの受け渡しのための基板載置部（図２２では基板載置部ＰＡＳＳ１０１、ＰＡＳＳ１０２）を各セル（図２２では各ブロック）間に設ける必要がなくなり、従来の熱処理部（図２２では熱処理部１０９）に基板載置部ＰＡＳＳ１を設けることができ、基板載置部を配設するためのスペースを小さくすることができる。
【００５２】
第１の主搬送機構１０Ａについて図６を参照して説明する。なお、後述する他のレジスト膜用処理セルＣ２、現像処理セルＣ４、露光後加熱用処理セルＣ５、およびインターフェイスセルＣ６にそれぞれ備えられた第２、第３、第４の各主搬送機構１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄも同様に構成されている。以下、第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄを特に区別しない場合は、主搬送機構１０として説明する。
【００５３】
図６（ａ）は主搬送機構１０の平面図、図６（ｂ）はその左側面図である。主搬送機構１０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個の保持アーム１０ａ、１０ｂを上下に近接して備えている。保持アーム１０ａ、１０ｂは、先端部が平面視で「Ｃ」の字状になっており、この「Ｃ」の字状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン１０ｃで基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。主搬送機構１０の基台１０ｄは装置基台に対して固定設置されている。この基台１０ｄ上に螺軸１０ｅが回転可能に立設支持されている。基台１０ｄに螺軸１０ｅを回転駆動するモータ１０ｆが設けられている。螺軸１０ｅに昇降台１０ｇが螺合されており、モータ１０ｆが螺軸１０ｅを回転駆動することにより、昇降台１０ｇがガイド軸１０ｊに案内されて昇降移動するようになっている。昇降台１０ｇ上にアーム基台１０ｈが縦軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台１０ｇにはアーム基台１０ｈを旋回駆動するモータ１０ｉが設けられている。アーム基台１０ｈ上に上述した２つの保持アーム１０ａ、１０ｂが上下に配設されている。各保持アーム１０ａ、１０ｂは、アーム基台１０ｈ内に装備された駆動機構（図示せず）によって、各々が独立してアーム基台１０ｈの旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。
【００５４】
レジスト膜用処理セルＣ３について説明する。レジスト膜用処理セルＣ３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を塗布形成する機構である。なお、本実施例１では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト膜用処理セルＣ３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗにフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理部１３と、フォトレジスト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジスト膜用熱処理部１４と、レジスト膜用塗布処理部１３およびレジスト膜用熱処理部１４に対して基板Ｗの受け渡しをする第２の主搬送機構１０Ｂとを備える。
【００５５】
レジスト膜用塗布処理部１３は、図２に示すように、同様の構成を備えた３つのレジスト膜用塗布処理部１３ａ〜１３ｃ（以下、特に区別しない場合は符号「１３」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部１３は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１５や、このスピンチャック１５上に保持された基板Ｗ上にレジスト膜用の塗布液を供給するノズル１６などを備えている。
【００５６】
図４は、供給系統に関する説明図であって、図４（ａ）はノズルおよびスピンチャックの平面図、図４（ｂ）は積層配置したポンプの概略構成を示した側面図である。図４（ａ）に示すように、レジスト膜用塗布処理部１３では、スピンチャック１５の右側（現像処理セルＣ４に隣接している側）にノズル１６を配設するとともに、上述した反射防止膜用塗布処理部８では、スピンチャック１１の左側（インデクサセルＣ１に隣接している側）にノズル１２を配設している。また、反射防止膜用処理セルＣ２とレジスト膜用処理セルＣ３との境界線Ｂ1 を中心にして外側に各ノズル１２，１６を配設するとともに、内側に各スピンチャック１１，１５（この場合保持部）を配設している。つまり、スピンチャック１１，１５とノズル１２，１６との位置関係は、その境界線Ｂ1 を中心にして左右対称となっている。このように構成することで、従来と比較して、第１、第２の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂとノズル１２，１６との干渉を防いで、第１、第２の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂによるスピンチャック１１，１５に対する基板Ｗの受け渡しがし易くなる。
【００５７】
レジスト膜用熱処理部１４は、図３に示すように、左側（反射防止膜処理セルＣ２に隣接している側）の列に、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する加熱プレートＨＰ、加熱された基板Ｗを常温にまで高い精度で冷却する複数個の冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含み、反射防止膜処理セルＣ２とレジスト膜用処理セルＣ３との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する基板載置部ＰＡＳＳ２や、反射防止膜処理セルＣ２とレジスト膜用処理セルＣ３との間での基板Ｗの受け渡しと基板Ｗの冷却との機能を兼ねた冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳをも含んでいる。また、右側（レジスト膜用処理セルＣ３に隣接している側）の列に、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する基板仮置部付きの複数個の加熱部ＰＨＰを含む。このように、基板載置部ＰＡＳＳ２、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳを含んで各熱処理部（ＨＰ，ＣＰ，ＰＨＰ）を上下に積層配置して構成されているとともに、積層配置された一群の熱処理部が複数例（本実施例１では２列）にわたり並設されている。各熱処理部が上下に積層されている点は、反射防止膜用処理セルＣ２の場合と同様である。
【００５８】
基板載置部ＰＡＳＳ２の下に積層された冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳは反射防止膜処理セルＣ２からレジスト膜用処理セルＣ３へ基板Ｗを払い出すために、基板載置部ＰＡＳＳ２はレジスト膜用処理セルＣ３から反射防止膜処理セルＣ２へ基板Ｗを戻すために、それぞれ設けられている。ここで、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳは、反射防止膜処理セルＣ２を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ２は、反射防止膜処理セルＣ２を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００５９】
上述したように積層配置した一群の熱処理部を複数列にわたり並設することにより、熱処理部のメンテナンスが容易になるとともに、熱処理部に必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。
【００６０】
基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰについて図７を参照して説明する。図７（ａ）は加熱部ＰＨＰの破断側面図、図７（ｂ）は破断平面図である。加熱部ＰＨＰは、基板Ｗを載置して加熱処理をする加熱プレートＨＰと、この加熱プレートＨＰから離れた上方位置または下方位置（本実施例１では上方位置）に基板Ｗを載置しておく基板仮置部１７と、加熱プレートＨＰと基板仮置部１７との間で基板Ｗを搬送する熱処理部用のローカル搬送機構１８とを備えている。加熱プレートＨＰには、プレート表面に出没する複数本の可動支持ピン１９が設けられている。加熱プレートＨＰの上方には加熱処理時に基板Ｗを覆う昇降自在の上蓋２０が設けられている。基板仮置部１７には基板Ｗを支持する複数本の固定支持ピン２１が設けられている。
【００６１】
ローカル搬送機構１８は、基板Ｗを水平姿勢で保持する保持プレート２２を備え、この保持プレート２２がネジ送り駆動機構２３によって昇降移動されるとともに、ベルト駆動機構２４によって進退移動されるようになっている。保持プレート２２は、これが加熱プレートＨＰや基板仮置部１７の上方に進出したときに、可動支持ピン１９や固定支持ピン２１に干渉しないように複数本のスリット２２ａが形成されている。また、ローカル搬送機構１８は、加熱プレートＨＰから基板仮置部１７へ基板Ｗを搬送する過程で基板を冷却する手段を備えている。この冷却手段は、例えば保持プレート２２の内部に冷却水流路２２ｂを設け、この冷却水流路２２ｂに冷却水を流通させることによって構成されている。
【００６２】
上述したローカル搬送機構１８は、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１７を挟んで第２の主搬送機構１０Ｂとは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１７を覆う筐体２５の上部、すなわち基板仮置部１７を覆う部位には、その正面側に第２の主搬送機構１０Ｂの進入を許容する開口部１７ａが、その側面側にはローカル搬送機構１８の進入を許容する開口部１７ｂが、それぞれ設けられている。また、筐体２５の下部、すなわち加熱プレートＨＰを覆う部位は、その正面側が閉塞し、その側面側にローカル搬送機構１８の進入を許容する開口部１７ｃが設けられている。
【００６３】
この説明から明らかなように、基板仮置部１７や加熱プレートＨＰと、基板仮置部１７や加熱プレートＨＰに対して搬入・搬出可能に構成された保持プレート２２とがインデクサセルＣ１と露光装置ＳＴＰとの間の順方向／逆方向の基板搬送経路に沿ってそれぞれが設けられている（図７参照）。したがって、従来のように、基板仮置部１７や加熱プレートＨＰと保持プレート２２とを基板搬送経路の搬送方向に対して垂直に配設しないので、搬送方向の垂直方向に対する省スペース化を図ることができる。また、その空いたスペースに対して、すなわち、基板搬送経路を挟んで加熱部ＰＨＰに対向して、例えば、図４（ｂ）に示すように、ポンプＰのような供給系統を積層された各段の反射防止膜用塗布処理部８やレジスト膜用塗布処理部１３に対して個別に設けて、反射防止膜用塗布処理部８のノズル１２に接続するとともに、レジスト膜用塗布処理部１３のノズル１６に接続する（接続部分については図示を省略する）ことで、ポンプＰおよびその接続箇所を水平に配設することができ、各処理液（フォトレジスト液や反射防止膜用の液）の粘度による吸い上げの支障を回避することができる。
【００６４】
上述した加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの出し入れは以下のようにして行われる。まず、主搬送機構１０（レジスト膜用処理セルＣ３の場合は、第２の主搬送機構１０Ｂ）が基板Ｗを保持して、基板仮置部１７の固定支持ピン２１の上に基板Ｗを載置する。続いてローカル搬送機構１８の保持プレート２２が基板Ｗの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン２１から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持した保持プレート２２は筐体２５から退出して、加熱プレートＨＰに対向する位置にまで下降する。このとき加熱プレートＨＰの可動支持ピン１９は下降しているとともに、上蓋２０は上昇している。基板Ｗを保持した保持プレート２２は加熱プレートＨＰの上方に進出する。可動支持ピン１９が上昇して基板Ｗを受け取った後に保持プレート２２が退出する。続いて可動支持ピン１９が下降して基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に載せるとともに、上蓋２０が下降して基板Ｗを覆う。この状態で基板Ｗが加熱処理される。加熱処理が終わると上蓋２０が上昇するとともに、可動支持ピン１９が上昇して基板Ｗを持ち上げる。続いて保持プレート２２が基板Ｗの下に進出した後、可動支持ピン１９が下降することにより、基板Ｗが保持プレート２２に受け渡される。基板Ｗを保持した保持プレート２２が退出して、さらに上昇して基板Ｗを基板仮置部１７に搬送する。基板仮置部１７内で保持プレート２２に支持された基板Ｗが、保持プレート２２が有する冷却機能によって冷却される。保持プレート２２は、冷却した（常温に戻した）基板Ｗを基板仮置部１７の固定支持ピン２１上に移載する。この基板Ｗを主搬送機構１０が取り出して搬送する。
【００６５】
以上のように、主搬送機構１０は、基板仮置部１７に対して基板Ｗの受け渡しをするだけで、加熱プレートＨＰに対して基板の受け渡しをしないので、主搬送機構１０が温度上昇するのを回避することができる。
【００６６】
現像処理セルＣ４について説明する。現像処理セルＣ４は、露光された基板Ｗに対して現像処理をする機構である。具体的には、露光された基板Ｗに現像処理をする現像処理部２６と、現像処理に関連して基板を熱処理する２つの現像用熱処理部２７、２８と、現像処理部２６および現像用熱処理部２７、２８に対して基板Ｗの受け渡しをする第３の主搬送機構１０Ｃとを備える。
【００６７】
現像処理部２６は、図２に示すように、同様の構成を備えた６つの現像処理部２６ａ〜２６ｆ（以下、特に区別しない場合は符号「２６」で示す）を上下・左右に積層配置して構成されている。各現像処理部２６は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック２９や、このスピンチャック２８上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル３０などを備えている。
【００６８】
反射防止膜処理セルＣ２やレジスト膜用処理セルＣ３では、薬液処理部を装置正面側に、熱処理部を装置背面側にそれぞれ設けることで薬液処理部と熱処理部とを主搬送機構を挟んで対向配置していたが、現像処理セルＣ４では、現像用熱処理部２７を第３の主搬送機構１０Ｃの左側（レジスト膜用処理セルＣ３に隣接している側）に、現像用熱処理部２８を第３の主搬送機構１０Ｃの右側（インターフェイスセルＣ６に隣接している側）にそれぞれ設けることで現像用熱処理部２７、２８を第３の主搬送機構１０Ｃを挟んで対向配置している。
【００６９】
現像用熱処理部２７は、図３に示すように、複数個の冷却プレートＣＰを含み、レジスト膜用処理セルＣ３と現像処理セルＣ４との間で基板Ｗの受け渡しを行いつつ基板Ｗを冷却する２つの冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳをも含んでいる。
【００７０】
２つの冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳのうち、上側に積層されている冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳは、レジスト膜用処理セルＣ３から現像処理セルＣ４へ基板Ｗを払い出すために、下側に積層されている冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳは、現像処理セルＣ４からレジスト膜用処理セルＣ３へ基板Ｗを戻すために、それぞれ設けられている。ここで、上側の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳは、レジスト膜処理セルＣ３を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、現像処理セルＣ４を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、下側の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳは、レジスト膜処理セルＣ３を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、現像処理セルＣ４を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００７１】
現像用熱処理部２８は、図３に示すように、複数個の加熱プレートＨＰ、複数個の冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含み、現像処理セルＣ４と露光後加熱用処理セルＣ５との間で基板Ｗの受け渡しを行いつつ基板Ｗを冷却する２つの冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳをも含んでいる。
【００７２】
冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳは、現像処理セルＣ４から露光後加熱用処理セルＣ５へ基板Ｗを払い出すために設けられている。ここで、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳは、現像処理セルＣ４を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。
【００７３】
露光後加熱用処理セルＣ５について説明する。露光後加熱用処理セルＣ５は、露光された基板Ｗを現像前に加熱処理する機構である。具体的には、露光された基板Ｗを現像前に加熱する露光後加熱用熱処理部３１と、フォトレジストが塗布された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光部ＥＥＷ、送り用バッファＳＢＦ、基板戻し用のバッファＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ４、ＰＡＳＳ５を上下に積層配置した構造と、かかる積層構造および露光後加熱用熱処理部３１に対して基板Ｗの受け渡しをする第４の主搬送機構１０Ｄとを備える。
【００７４】
露光後加熱用熱処理部３１は、基板仮置部付きの複数個の加熱部ＰＨＰを含み、現像処理セルＣ４と露光後加熱用処理セルＣ５との間で基板Ｗの受け渡しを行う基板載置部ＰＡＳＳ３をも含んでいる。
【００７５】
基板載置部ＰＡＳＳ３は、露光後加熱用処理セルＣ５から現像処理セルＣ４へ基板Ｗを戻すために設けられている。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ３は、現像処理セルＣ４を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００７６】
エッジ露光部ＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３２や、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器３３などを備えている。２つのエッジ露光部ＥＥＷは上下に積層配置されている。このエッジ露光部ＥＥＷと露光後加熱用熱処理部３１とに隣接して配置されている第４の主搬送機構１０Ｄは、図６で説明した主搬送機構１０と同様の構成を備えている。
【００７７】
エッジ露光部ＥＥＷやインターフェイスセルＣ６について図５を参照して説明する。図５は、露光後加熱用処理セルＣ５およびインターフェイスセルＣ６の側面図である。２つのエッジ露光部ＥＥＷの下側に、上述した送り用バッファＳＢＦ、基板戻し用のバッファＲＢＦがあり、さらにその下側に基板載置部ＰＡＳＳ４、ＰＡＳＳ５が積層配置されている。送り用バッファＳＢＦは、露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け入れができないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、基板戻し用のバッファＲＢＦは、故障などのために現像処理セルＣ４が基板Ｗの現像処理をすることができない場合に、露光後加熱用処理セルＣ５内の露光後加熱用熱処理部３１の加熱部ＰＨＰで露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。送り用バッファＳＢＦおよび基板戻し用のバッファＲＢＦは、ともに複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。
【００７８】
基板載置部ＰＡＳＳ４は露光後加熱用処理セルＣ５からインターフェイスセルＣ６へ基板Ｗを払い出すために、基板載置部ＰＡＳＳ５はインターフェイスセルＣ６から露光後加熱用処理セルＣ４へ基板Ｗを戻すために、それぞれ設けられている。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ４は、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ５は、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００７９】
インターフェイスセルＣ６は、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをする機構である。インターフェイスセルＣ６には、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しをするためのインターフェイス用搬送機構３４を備えている。
【００８０】
インターフェイス用搬送機構３４は、図１および図５に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動台３４ａを備え、この可動台３４ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム３４ｂを搭載している。保持アーム３４ｂは、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。インターフェイス用搬送機構３４の搬送経路の一端（図５中に示す位置Ｐ１）は、積層された基板載置部ＰＡＳＳ４、ＰＡＳＳ５の下方にまで延びており、この位置Ｐ１で露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行う。また、搬送経路の他端位置Ｐ２では、基板載置部ＰＡＳＳ４、ＰＡＳＳ５に対する基板Ｗの受け渡しを行う。
【００８１】
以上のように構成された基板処理装置は、インデクサセルＣ１、および各処理セルＣ２〜Ｃ５、インターフェイスセルＣ６内に清浄空気がダウンフローの状態で供給されており、各セル内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各セル内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれて、外部環境からのパーティクルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、反射防止膜用処理セルＣ２内の気圧はインデクサセルＣ１内の気圧よりも高くなるように設定されている。これにより、インデクサセルＣ１内の雰囲気が反射防止膜用処理Ｃ２に流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに各処理セルＣ２〜Ｃ５で処理を行うことができる。
【００８２】
後述する実施例２，３も含めて、本実施例１では、基板に所要の処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して基板処理装置を構成している。各被制御ユニットには、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられている。そして、各被制御ユニットの主搬送機構は、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して、互いに基板の受け渡しを行い、かつ、各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御するユニット制御手段を各被制御ユニットごとに備え、各ユニット制御手段は、前記処理部に対する基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々独立して行うようになっている。
【００８３】
上述した被制御ユニットの単位は各セルＣ１〜Ｃ６にそれぞれ対応している。実施例１での装置の制御系を構成する各セルの配置は、図８に示すとおりである。なお、各セルＣ１〜Ｃ８間には図示しない隔壁が設けられており、この隔壁によって隣接するセルからの熱的影響などを防止している。
【００８４】
本実施例１での装置は、上述した６つのセルＣ１〜Ｃ６を並設して構成されており、各セルＣ１〜Ｃ６間の基板Ｗの受け渡しは、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０を介して行われる。換言すれば、本発明における単一の被制御ユニット（セル）は、単一の主搬送機構を含み、その主搬送機構が、特定の入口基板載置部から受け取った基板Ｗを特定の出口基板載置部に置くまでに、基板Ｗの受け渡しを行う処理部を含んで構成される。
【００８５】
図９に示すように、セルＣ１〜Ｃ６は、各々のセルの主搬送機構（インデクサ用搬送機構７およびインターフェイス用搬送機構３４を含む）の基板受け渡し動作を少なくとも制御するセルコントローラ（ユニット制御手段）ＣＴ１〜ＣＴ６を個別に備えている。各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の入口基板載置部に置かれた基板の受け取りから始まって、所定の出口基板載置部に基板を置くことによって完結する一連の制御を、各々独立して行うようになっている。具体的には、各セルＣ１〜Ｃ６のセルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の基板載置部に基板を置いたという情報を、隣のセルのセルコントラーラに送り、その基板を受け取ったセルのセルコントローラは、所定の基板載置部から基板を受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラに返すという情報のやり取りを行う。このような情報のやり取りは、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６に接続されて、これらを統括的に管理するメインコントローラ（主制御手段）ＭＣを介して行われる。メインコントローラＭＣは、後述するデータ設定部ＨＣに接続され、データ設定部ＨＣとの間で通信可能に構成されている。
【００８６】
各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、隣接するセル内での主搬送機構の動きを考慮することなく、各セル内の基板の受け渡しだけを対象にして制御を進めている。したがって、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御の負担が少なくなる。
【００８７】
以上のように本実施例１によれば各セルのコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御負担が少なくなるので、それだけ基板処理装置のスループットを向上させることができる。本実施例１での制御手法によれば、新たにセルを追加しても、隣接するセルに影響を与えないので、セルの追加を容易に行うことができる。追加するセルの種類は特に限定されないが、例えば、レジスト膜用処理セルＣ３と現像処理セルＣ４との間に、基板Ｗに塗布されたレジスト膜の厚みを検査したり、あるいは現像後のレジスト膜の線幅を検査する検査用セルを追加してもよい。この場合、検査用セルは、本実施例装置の他のセルと同様に、基板を検査する基板検査部と、この検査部に対して基板を搬送する基板検査用の主搬送機構とを含んで構成される。また、検査用セルと隣接セルとの間の基板の受け渡しは、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して行われる。
【００８８】
次に、本実施例１に係る基板処理装置の動作を説明する。特に、反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、現像処理セルＣ４、および露光後加熱用処理セルＣ５の各主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄによる各搬送工程については図１０を参照されたい。
【００８９】
まず、インデクサセルＣ１のインデクサ用搬送機構７が、所定のカセットＣに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持アーム７ｂが昇降および進退移動することにより、そのカセットＣに収納されている未処理の基板Ｗを取り出す。保持アーム７ｂに基板Ｗを保持した状態で、インデクサ用搬送機構７が、反射防止膜用熱処理部９の基板載置部ＰＡＳＳ１、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳに対向する位置にまで水平移動する。そして、保持アーム７ｂ上の基板Ｗを基板払出し用の下側の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳに載置する。基板戻し用の上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、インデクサ用搬送機構７は、保持アーム７ａ、７ｂを一体に少し上昇させた後、その処理済みの基板Ｗを空になった保持アーム７ｂ上に受け取って、所定のカッセトＣに処理済みの基板Ｗを収納する。以下、同様にカセットＣから未処理基板Ｗを取り出して冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳに搬送するとともに、処理済み基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１から受け取ってカセットＣに収納するという動作を繰り返し行う。
【００９０】
反射防止膜用処理セルＣ２の動作を説明する。反射防止膜用熱処理部９の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ（反射防止膜処理セルＣ２を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に未処理基板Ｗが置かれると、図１０に示すように、セルＣ２の第１の主搬送機構１０Ａは、保持アーム１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ１、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳに対向する位置にまで一体に昇降および旋回移動させる。そして、保持アーム１０ａを前進移動させて冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ上の未処理基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。基板Ｗを受け取った保持アーム１０ａは元の位置にまで後退する。続いて、保持アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し上昇させた後、処理済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂを前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ１（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）上に処理済みの基板Ｗを置く。
【００９１】
以上の基板載置部ＰＡＳＳ１、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳに対する未処理基板Ｗおよび処理済み基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（１＋α）で示されている。ここで、「α」は、処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に渡すために、保持アーム１０ａ、１０ｂを冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳに対向する位置から基板載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置にまで少し上昇移動させた搬送工程を示している。上述したように、基板載置部ＰＡＳＳ１、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳは上下に近接して配置されているので、基板載置部ＰＡＳＳ１、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ間の移動に要する時間は僅かであり無視することができる。したがって、搬送工程（１＋α）は、１搬送工程（本実施例１では、主搬送機構を使って所定時間（例えば、４秒）以内に行われる基板の受け渡し動作）であるとして取り扱うことができる。
【００９２】
基板載置部ＰＡＳＳ１、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳに対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第１の主搬送機構１０Ａは、未処理基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、基板Ｗを保持していない空の状態の保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の反射防止膜用塗布処理部８に対向させる。通常、この反射防止膜用塗布処理部８には、先行処理されている基板Ｗが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その反射防止膜用塗布処理部８にあるスピンチャック１１上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。続いて基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗをそのスピンチャック１１上に置く。スピンチャック１１上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に、反射防止膜が塗布形成される。スピンチャック１１に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（２）に相当する。なお、図１０中の「ＢＡＲＣ」は反射防止膜用塗布処理部８を意味する。
【００９３】
スピンチャック１１への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、反射防止膜が塗布された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の加熱プレートＨＰに対向させる。通常、この加熱プレートＨＰにも先行処理されている基板Ｗが入っているので、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。加熱プレートＨＰ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に熱処理されて、基板Ｗ上の反射防止膜に含まれる余剰の溶剤が除去される。この加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（３）に相当する。
【００９４】
加熱プレートＨＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部１４の基板載置部ＰＡＳＳ２、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳに対向させる。基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗをその冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）に置く。冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に、常温にまで精度よく冷却される。通常、上側の基板載置部ＰＡＳＳ２（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）に、レジスト膜用処理セルＣ３を介して現像処理セルＣ４から送られてきた現像処理済みの基板Ｗが置かれている。そこで、保持アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し上昇させた後、空の状態の保持アーム１０ｂを前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ２上の現像処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。
【００９５】
基板載置部ＰＡＳＳ３、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（４＋α）に相当する。「α」は上述したのと同様に、保持アーム１０ａ、１０ｂが僅かに昇降する短時間の搬送工程である。したがって、搬送工程（４＋α）は１搬送工程であるとして取り扱うことができる。
【００９６】
反射防止膜用処理セルＣ２に備えられた第１の主搬送機構１０Ａは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（４＋α）の各基板搬送を繰り返し行う。上述した説明から明らかなように、加熱プレートＨＰで加熱処理された基板Ｗは、常に上側の保持アーム１０ａで保持される。加熱された基板Ｗからの熱的影響は上方に強く及ぶので、加熱された基板Ｗの影響で下側の保持アーム１０ｂが温度上昇するのを抑制することができる。なお、この熱的影響を受けた保持アーム１０ａを使って、反射防止膜用処理セルＣ２から次のレジスト膜用処理セルＣ３に基板Ｗを払い出しているが、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳを介して基板Ｗの払い出しを行うことで主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に、常温にまで基板Ｗが冷却されるので、レジスト膜用処理セルＣ３に基板Ｗが払い出されたときには熱的影響を受けない。したがって、レジスト膜の塗付処理を受ける基板Ｗの温度変動を抑制することができる。
【００９７】
レジスト膜用処理セルＣ３の動作を説明する。反射防止膜が塗付形成された基板Ｗがレジスト膜用熱処理部１４の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に置かれると、図１０に示すように、セルＣ３の第２の主搬送機構１０Ｂは、上述した第１の主搬送機構１０Ａの場合と同様に、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ上の基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。そして、現像処理済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂを前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ２（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）上に現像処理済みの基板Ｗを置く。基板載置部ＰＡＳＳ２、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（１＋α）で示されている。上述したように、「α」は時間には無視することができるので、搬送工程（１＋α）は１搬送工程として取り扱うことができる。
【００９８】
基板載置部ＰＡＳＳ２、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳに対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第２の主搬送機構１０Ｂは、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、所定のレジスト膜用塗布処理部１３に対向させる。まず、空の状態の保持アーム１０ｂを前進移動させて、そのレジスト膜用塗布処理部１３にあるスピンチャック１５上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック１５上に置く。スピンチャック１５上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、レジスト膜が塗布形成される。スピンチャック１５に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（２）に相当する。なお、図１０中の「ＰＲ」はレジスト膜用塗布処理部１３を意味する。
【００９９】
スピンチャック１５への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の保持アーム１０ａと、レジスト膜が塗布された基板Ｗを保持したアーム１０ｂとを、所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向させる。まず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱部ＰＨＰ上の基板仮置部１７に載置されている処理済みの基板Ｗを受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗを基板仮置部１７上に置く。基板仮置部１７上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、その加熱部ＰＨＰのローカル搬送機構１８によって、その加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰ上に移されて熱処理される。この加熱プレートＨＰ上で熱処理された基板Ｗは、同じローカル搬送機構１８によって基板仮置部１７に戻される。その基板Ｗは、ローカル搬送機構１８の保持プレート２２に保持されて基板仮置部１７に戻され、基板仮置部１７内で保持プレート２２２の冷却機構によって冷却される。この加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（３）に相当する。
【０１００】
加熱部ＰＨＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部２７の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳに対向させる。基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗを上側の冷却プレートＣＰ（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）に置く。上側の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、常温にまで精度よく冷却される。そして、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて下側の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）上に載置されている現像処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。
【０１０１】
冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（４＋α）に相当する。搬送工程（４＋α）は１搬送工程であるとして取り扱われる。レジスト膜用処理セルＣ３に備えられた第２の主搬送機構１０Ｂは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（４＋α）の各基板搬送を繰り返し行う。
【０１０２】
現像処理セルＣ４の動作を説明する。レジスト膜が塗付形成された基板Ｗが現像用熱処理部２７の上側の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に置かれると、図１０に示すように、セルＣ４の第３の主搬送機構１０Ｃは、その冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ上の基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。そして、現像処理済みの基板を保持したアーム１０ａを前進移動させて下側の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）上に基板Ｗを置く。冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（１＋α）に相当する。
【０１０３】
冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳに対する基板Ｗが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、空の保持アーム１０ａと基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、露光後加熱用熱処理部３１の基板載置部ＰＡＳＳ３に対向させる。そして、空の保持アーム１０ａを前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ３（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）上に載置されている露光後の加熱処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ３からの基板Ｗの受け取りは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（２）に相当する。
【０１０４】
基板載置部ＰＡＳＳ３からの基板Ｗの受け取りが終わると、ともに基板Ｗを保持した保持アーム１０ａ、１０ｂを、現像用熱処理部２８の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳに対向させる。引き続いて基板Ｗを保持していたアーム１０ｂを前進移動させて、基板Ｗをその冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）上に置く。冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｃが他の搬送動作を行っている間に、常温にまで精度よく冷却される。冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳへの基板Ｗの払い出しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（３）に相当する。
【０１０５】
冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳへの基板Ｗの払い出しが終わると、基板Ｗを保持したアーム１０ａと空の保持アーム１０ｂとを、所定の現像処理部２６に対向させる。まず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その現像処理部２６にあるスピンチャック２９上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック２９上に置く。スピンチャック２９上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｃが他の搬送動作を行っている間に、現像処理される。スピンチャック２９に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（４）に相当する。なお、図１０中の「ＳＤ」は現像処理部２６を意味する。
【０１０６】
スピンチャック２９への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の保持アーム１０ａと現像処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、所定の加熱プレートＨＰに対向させる。まず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ｂを前進移動させて基板Ｗを加熱プレートＨＰに置く。加熱プレートＨＰ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｃが他の搬送動作を行っている間に熱処理される。この加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（５）に相当する。現像処理セルＣ４に備えられた第３の主搬送機構１０Ｃは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（５）の各基板搬送を繰り返し行う。
【０１０７】
露光後加熱用処理セルＣ５の動作を説明する。レジスト膜が塗付形成された基板Ｗが現像用熱処理部２８の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に置かれると、図１０に示すように、セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄは、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ上の基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳからの基板Ｗの受け取りは、図１０中に示した図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（１）に相当する。
【０１０８】
冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳからの基板Ｗの受け取りが終わると、露光後加熱処理済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ａとレジスト膜が塗付形成された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、露光後加熱用熱処理部３１の基板載置部ＰＡＳＳ３に対向させる。そして、引き続いて基板Ｗを保持していた保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗをその基板載置部ＰＡＳＳ３（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）上に置く。基板載置部ＰＡＳＳ３への基板Ｗの払い出しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（２）に相当する。
【０１０９】
基板載置部ＰＡＳＳ３への基板Ｗの払い出しが終わると、空の保持アーム１０ａと基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、所定のエッジ露光部ＥＥＷに対向させる。まず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、そのエッジ露光部にあるスピンチャック３２上の周辺露光済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをそのスピンチャック３２上に置く。スピンチャック３２に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行っている間に、その周縁部が露光される。このスピンチャック３２に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（３）に相当する。
【０１１０】
スピンチャック３２に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、周辺露光された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持アーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ４、ＰＡＳＳ５に対向させる。基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）上に置くとともに、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、ＰＡＳＳ５（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）上に載置されている露光装置ＳＴＰで露光された基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ４、ＰＡＳＳ５に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（４＋α）に相当する。
【０１１１】
基板載置部ＰＡＳＳ４、ＰＡＳＳ５に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、空の保持アーム１０ａと露光済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、露光後加熱用熱処理部３１にある所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向させる。まず、空の保持アーム１０ａを前進移動させてその加熱部ＰＨＰ（具体的には、基板仮置部１７の上）にある露光後の加熱処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ｂを前進移動させて、露光済みの基板Ｗを加熱部ＰＨＰ（具体的には、基板仮置部１７の上）に置く。基板仮置部１７に置かれた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行っている間に、ローカル搬送機構１８によって加熱プレートＨＰに移されて加熱処理された後に、同じくローカル搬送機構１８によって基板仮置部１７に戻され、基板仮置部１７内で冷却される。この加熱部ＰＨＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（５）に相当する。なお、図１０中の「ＰＥＢ」は露光後加熱用熱処理部３１の加熱部ＰＨＰを意味する。露光後加熱用処理セルＣ５に備えられた第４の主搬送機構１０Ｄは、上述した搬送工程（１）から（５）の各基板搬送を繰り返し行う。
【０１１２】
インターフェイスセルＣ６の動作を説明する。周辺露光された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ４（インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に置かれると、インターフェイスセルＣ６のインターフェイス用搬送機構３４が基板載置部ＰＡＳＳ４から基板Ｗを受け取って、隣接する露光装置ＳＴＰに渡す。さらに、インターフェイス用搬送機構３４は、露光装置ＳＴＰから露光済みの基板Ｗを受け取って、その基板Ｗを基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ５（インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）に載せる。インターフェイス用搬送機構３４は、このような基板搬送動作を繰り返し行う。
【０１１３】
以上のように、本実施例１に係る基板処理装置は、各セルＣ１〜Ｃ６が各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御の下で、主搬送機構１０（ただし、インデクサセルＣ１の場合はインデクサ用搬送機構７、インターフェイスセルＣ６の場合はインターフェイス用搬送機構３４）を使って基板Ｗの搬送を行い、隣接するセル間では、基板搬送に関しては、基板載置部ＰＡＳＳに基板Ｗを置いたという情報と、基板を受け取ったという情報とをやり取りするだけである。つまり、各セルは、隣接するセルにおける基板搬送の状態を監視することなく、各セルが独立してセル内の基板搬送を独立して行っている。そのために各セルからの基板の払出しは必ずしも同時には行われず、多少の時間的ズレが生じる。しかし、この時間的ズレは、隣接セル間で基板を受け渡すために設けられた基板載置部に置かれる時間が多少長くなるか、あるいは短くなるかによって吸収されるので、セル間に基板受け渡しの時間的ズレが生じたために基板搬送に支障をきたすということはない。
【０１１４】
したがって、本実施例１での装置によれば、各セルＣ１〜Ｃ６を制御するセルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の負担が小さくなり、それだけ基板処理装置のスループットが向上するとともに、装置構成を簡素化することができる。また、適当なセル間に基板検査部と主搬送機構とを含む基板検査用セルを容易に設置することができるので、汎用性の高い基板処理装置を実現することもできる。さらに、他のセルに比べて、搬送工程の数が少ないセルを設けておくと他のセルに影響を与えることなく、当該セルに新たな処理部（例えば、基板検査部）を容易に追加することができる。
【０１１５】
なお、フォトレジストとして化学増幅型のフォトレジストを用いた場合、露光後の加熱を速やかに行う必要があるので、露光後の基板Ｗは速やかに露光後加熱用熱処理部３１の加熱部ＰＨＰに搬送されて、そこで露光後加熱処理が行われる。また、故障などのために現像処理セルＣ４が基板Ｗの現像処理をすることができない場合には、露光後加熱処理された基板Ｗを一時的に収納するために、基板戻し用バッファＲＢＦに搬入する。
【０１１６】
ここで、基板Ｗの受け渡しを行うための受渡点（例えば基板載置部や冷却プレートなどを設けた位置）を介在させて、複数の主搬送機構（インデクサ用搬送機構７およびインターフェイス用搬送機構３４を含む）を並べて配設することで、各処理部間で基板Ｗを搬送する経路である基板搬送経路とみることができる。例えば、図１１（ａ）の模式的に示した平面図に示すように、基板Ｗを順方向に搬送して露光装置ＳＴＰへ基板Ｗを渡す基板搬送経路（順方向専用経路）Ｒ1 は、現像処理セルＣ４や露光後加熱用処理セルＣ５付近においては、第３の主搬送機構１０Ｃ→現像用熱処理部２８の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ（受け渡し点）→第４の主搬送機構１０Ｄ→基板戻し用のバッファＲＢＦ（仮置き部）となる。一方で、所定の第４の主搬送機構Ｄを介在させて、基板戻し用のバッファＲＢＦを介と露光後加熱用熱処理部３１の加熱部ＰＨＰ（図１１（ａ）では「ＰＥＢ」）とを並べて受け渡し点に配設することで、図１１（ａ）に示すようにバッファＲＢＦと加熱部ＰＨＰと間で基板Ｗを搬送する経路であるＰＥＢ専用の基板搬送経路Ｒ2 とみることができる。このことからわかるように、一部の経路で重複しているが、順方向専用経路Ｒ1 とＰＥＢ専用の基板搬送経路Ｒ2 とはそれぞれ別の基板搬送経路を構成する。順方向専用経路Ｒ1 は本発明における第1の基板搬送経路に相当し、ＰＥＢ専用の基板搬送経路Ｒ2 は本発明における第２の基板搬送経路に相当する。
【０１１７】
このように、順方向専用経路Ｒ1 （第１の基板搬送経路）とは別にＰＥＢ専用の基板搬送経路Ｒ2 （第２の基板搬送経路）を構成することで、各々の搬送経路Ｒ1 ，Ｒ2 での搬送を独立して行うことができる。なお、所定の第４の主搬送機構Ｄを介在させて、基板を一時的に収納するバッファＲＢＦ（仮置き部）と加熱部ＰＨＰとを並べて受渡点にそれぞれ配設することで、バッファＲＢＦと加熱部ＰＨＰとの間で基板を搬送するＰＥＢ専用の基板搬送経路Ｒ2 を構成するので、その加熱部ＰＨＰでの露光後加熱処理を円滑に行う、すなわち露光後に露光後加熱を速やかに行うことができる。同様に、バッファＲＢＦへの基板Ｗの搬送を円滑に行うことができる。
【０１１８】
なお、本実施例１では、順方向専用経路Ｒ1 とＰＥＢ専用の基板搬送経路Ｒ2 とは一部の経路が重複しているが、基板Ｗを逆方向に搬送して露光装置ＳＴＰから基板Ｗを受け取る基板搬送経路（逆方向専用経路）とＰＥＢ専用の基板搬送経路Ｒ2 とは全ての経路において重複している。つまり、同一の基板搬送経路となる。したがって、現像処理部での故障によって露光後加熱された基板ＷをバッファＲＢＦに搬送する場合において、例えば逆方向から搬送された基板Ｗのために、露光後加熱の基板Ｗに待ち時間が発生する恐れがある。この場合には、下記の実施例３のように構成するのが望ましい。つまり、逆方向専用経路においても経路が重複しないようにＰＥＢ専用の基板搬送経路Ｒ2 を構成する。もちろん、順方向専用経路とＰＥＢ専用の基板搬送経路とを全ての経路において重複するように構成し、逆方向専用経路とＰＥＢ専用の基板搬送経路とを別の搬送経路でそれぞれ構成してもよい。
【０１１９】
なお、冷却プレートＣＰをも通るようにＰＥＢ専用の基板搬送経路Ｒ2 を構成するのが望ましい。そのように構成することで、露光後加熱処理後の冷却処理を円滑に行うことができる。
【実施例２】
【０１２０】
次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。
図１２は、実施例２に係る基板処理装置の平面図であり、図１３は、その正面図であり、図１４は、熱処理部の正面図であり、図１５は、装置のセル配置を示した平面図であり、図１６は、第１〜第４の主搬送機構による基板搬送の流れを示した図である。
【０１２１】
本実施例２での基板処理装置は、図１２および図１５に示すように、各セルＣ１〜Ｃ６が配置されて構成されている。
【０１２２】
本実施例２での反射防止膜処理セルＣ２は、反射防止膜用塗布処理部８と２つの反射防止膜用熱処理部９と第１の主搬送機構１０Ａとを備え、反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９の一方とが第１の主搬送機構１０Ａを挟んで対向して配置されている。反射防止膜用熱処理部９の他方は、順方向／逆方向の基板搬送経路に沿って第１の主搬送機構１０Ａに並設して配置されている。対向配置された反射防止膜用熱処理部９は、図１４に示すように、基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰを積層して構成されており、並設された反射防止膜用熱処理部９は、基板載置部ＰＡＳＳ１と冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳとを積層して構成されている。本実施例２では冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳはインデクサセルＣ１から反射防止膜処理セルＣ２に払い出す送り用基板載置部として機能し、基板載置部ＰＡＳＳ１は反射防止膜処理セルＣ２からインデクサセルＣ１に戻す戻り用基板載置部として機能する。
【０１２３】
レジスト膜用処理セルＣ３は、レジスト膜用塗布処理部１３と３つのレジスト膜用熱処理部１４と第２の主搬送機構１０Ｂとを備え、セルＣ３の外側にある２つのレジスト膜用熱処理部１４は基板載置部ＰＡＳＳ２や冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳや冷却プレートＣＰを積層して構成されており、真ん中にあるレジスト膜用熱処理部１４は、アドヒージョン処理部ＡＨＬや加熱部ＰＨＰを積層して構成されている。反射防止膜処理セルＣ２に隣接している側の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳは反射防止膜処理セルＣ２からレジスト膜用処理セルＣ３へ払い出す送り用基板載置部として機能し、基板載置部ＰＡＳＳ２はレジスト膜用処理セルＣ３から反射防止膜処理セルＣ２に基板Ｗを戻す戻り用基板載置部として機能する。現像処理セルＣ４に隣接している側の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳは、一方がレジスト膜用処理セルＣ３から現像処理セルＣ４に払い出す送り用基板載置部として機能し、他方が現像処理セルＣ４からレジスト膜用処理セルＣ３に戻す戻り用基板載置部として機能する。
【０１２４】
現像処理セルＣ４は、現像処理部２６と２つの現像用熱処理部２７と第３の主搬送機構１０Ｃとを備え、現像処理部２６と現像用熱処理部２７の一方とが第３の主搬送機構１０Ｃを挟んで対向して配置されている。現像用熱処理部２７の他方は、順方向／逆方向の基板搬送経路に沿って第３の主搬送機構１０Ｃに並設して配置されている。対向配置された現像用熱処理部２７は、加熱部ＰＨＰを積層して構成されており、並設された現像用熱処理部２７は、基板載置部ＰＡＳＳ３と冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳとを積層して構成されている。冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳは現像処理セルＣ４から露光後加熱用処理セルＣ５に払い出す送り用基板載置部として機能し、基板載置部ＰＡＳＳ３は露光後加熱用処理セルＣ５から現像処理セルＣ４に戻す戻り用基板載置部として機能する。
【０１２５】
露光後加熱用処理セルＣ５は、露光後加熱用熱処理部３１とエッジ露光部ＥＥＷと基板戻し用のバッファＲＢＦと基板載置部ＰＡＳＳ４、ＰＡＳＳ５と第４の主搬送機構１０Ｄとを備え、露光後加熱用熱処理部３１は加熱部ＰＨＰを積層して構成されている。なお、送り用バッファＳＢＦはインターフェイスセルＣ６に設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ４は露光後加熱用処理セルＣ５からインターフェイスセルＣ６に払い出す送り用基板載置部として機能し、基板載置部ＰＡＳＳ５はインターフェイスセルＣ６から露光後加熱用処理セルＣ５に戻す戻り用基板載置部として機能する。
【０１２６】
この構成から明らかなように、各熱処理部は、加熱処理と冷却処理とを熱的に区画して配置されており、冷却処理に関する処理部（この場合には基板載置部を兼用した冷却部ＣＰ＿ＰＡＳＳ）を介して基板搬送経路に対して斜め搬送を行っている。このように構成することで、各セル間に基板載置部を設ける必要がなくなり、基板載置部を配設するためのスペースを小さくすることができる。また、熱的影響を考慮する必要もない。
【０１２７】
同じく熱的に区画化された加熱処理（この場合には基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰ）と基板Ｗの受け渡しを兼用した冷却処理（この場合には冷却部ＣＰ＿ＰＡＳＳ）とにおいて、加熱処理の場合には、インデクサセルＣ１での搬送方向に平行に（すなわち各セル間での基板搬送経路を挟んで）薬液処理部（反射防止膜用塗布処理部８やレジスト膜用塗布処理部１３や現像処理部２６など）で１つのセルをそれぞれ構成し、その基板Ｗの受け渡しを兼用した冷却処理を各セル間に設けることで、各セル間では薬液処理および加熱処理を適切に行いつつ、各セル間での受け渡しの間に基板Ｗを冷却することができる。
【０１２８】
本実施例２での各主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄによる各搬送工程については図１６に示すとおりである。すなわち、反射防止膜用処理セルＣ２の第１の主搬送機構１０Ａは、反射防止膜用熱処理部９の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ、基板載置部ＰＡＳＳ１での基板Ｗの受け渡しを行い、反射防止膜用塗布処理部８のスピンチャック１１での基板Ｗの受け渡しを行い、加熱部ＰＨＰでの基板Ｗの受け渡しを行い、レジスト膜用熱処理部１４の基板載置部ＰＡＳＳ２、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳでの基板Ｗの受け渡しを行う。
【０１２９】
レジスト膜用処理セルＣ３の第２の主搬送機構１０Ｂは、レジスト膜用熱処理部１４の基板載置部ＰＡＳＳ２、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳでの基板Ｗの受け渡しを行い、レジスト膜用塗布処理部１３のスピンチャック１５での基板Ｗの受け渡しを行い、加熱部ＰＨＰでの基板Ｗの受け渡しを行い、レジスト膜用熱処理部１４の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳでの基板Ｗの受け渡しを行う。
【０１３０】
現像処理セルＣ４の第３の主搬送機構１０Ｃは、レジスト膜用熱処理部１４の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳでの基板Ｗの受け渡しを行い、現像用熱処理部２７の基板載置部ＰＡＳ３、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳでの基板Ｗの受け渡しを行い、現像処理部２６のスピンチャック２９での基板Ｗの受け渡しを行い、加熱部ＰＨＰでの基板Ｗの受け渡しを行う。
【０１３１】
露光後加熱用処理セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄは、現像用熱処理部２７の基板載置部ＰＡＳ３、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳでの基板Ｗの受け渡しを行い、エッジ露光部ＥＥＷでの基板Ｗの受け渡しを行い、基板載置部ＰＡＳＳ４、ＰＡＳＳ５での基板Ｗの受け渡しを行い、加熱部ＰＨＰでの基板Ｗの受け渡しを行う。
【０１３２】
図１２の構成と上述した搬送工程から、図１１（ｂ）に示すように、基板Ｗを順方向に搬送して露光装置ＳＴＰへ基板Ｗを渡す基板搬送経路（順方向専用経路）と逆方向に搬送して露光装置ＳＴＰから基板Ｗを受け取る基板搬送経路（逆方向専用経路）とは同一の搬送経路Ｒ1 であるが、この搬送経路Ｒ1 とＰＥＢ専用の基板搬送経路Ｒ2 とは別の基板搬送経路をともに構成している。すなわち、基板搬送経路Ｒ1 は、現像処理セルＣ４や露光後加熱用処理セルＣ５付近においては、第３の主搬送機構１０Ｃ→基板載置部ＰＡＳＳ３、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ→第４の主搬送機構１０Ｄ→基板戻し用のバッファＲＢＦ（仮置き部）、またはその逆の手順となる。一方で、ＰＥＢ専用の基板搬送経路Ｒ2 は、加熱部ＰＨＰと第４の主搬送機構１０ＤとバッファＲＢＦとを並べて構成され、特に、加熱部ＰＨＰと第４の主搬送機構１０Ｄとの間の搬送経路は、基板搬送経路Ｒ1 と重複しない。
【０１３３】
なお、本実施例２では、同一の主搬送機構（この場合には第４の主搬送機構１０Ｄ）を共用して基板搬送経路Ｒ1 とＰＥＢ専用の基板搬送経路Ｒ2 とをそれぞれ構成しており、さらには実施例１のよう各々の搬送経路Ｒ1 ，Ｒ2 の一部で重複しているので、実施例１でも述べたように、現像処理部での故障によって露光後加熱された基板ＷをバッファＲＢＦに搬送する場合において、例えば逆方向から搬送された基板Ｗのために、露光後加熱の基板Ｗに待ち時間が発生する恐れがある。この場合には、下記の実施例３のように構成するのがより望ましい。
【実施例３】
【０１３４】
次に、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。
図１７は、実施例３に係る基板処理装置の平面図であり、図１８は、その正面図であり、図１９は、熱処理部の正面図であり、図２０は、装置のセル配置を示した平面図であり、図２１は、第１〜第４の主搬送機構による基板搬送の流れを示した図である。
【０１３５】
本実施例３での基板処理装置は、図１７および図２０に示すように、各セルＣ１〜Ｃ６が配置されて構成されている。
【０１３６】
本実施例２での反射防止膜処理セルＣ２は、反射防止膜用塗布処理部８と２つの反射防止膜用熱処理部９と第１の主搬送機構１０Ａとを備え、反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９の一方とが第１の主搬送機構１０Ａを挟んで対向して配置されている。反射防止膜用熱処理部９の他方は、順方向／逆方向の基板搬送経路に沿って第１の主搬送機構１０Ａに並設して配置されている。対向配置された反射防止膜用熱処理部９は、図１４に示すように、基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰを積層して構成されており、最上部には隣接するレジスト膜用熱処理部１４にまたがって、反射防止膜用熱処理部９とレジスト膜用熱処理部１４とで基板Ｗの受け渡しを行いつつ常温にまで冷却し、反射防止膜用熱処理部９からレジスト膜用熱処理部１４へ順方向に移動させる冷却プレートＣＰ＿ｍｏｖｅＰＡＳＳが設けられている。並設された反射防止膜用熱処理部９は、アドヒージョン処理部ＡＨＬと基板載置部ＰＡＳＳ１と冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳとを積層して構成されている。基板載置部ＰＡＳＳ１や冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳの機能は上述した実施例１と同様なのでその説明を省略する。
【０１３７】
レジスト膜用処理セルＣ３は、レジスト膜用塗布処理部１３と上述したレジスト膜用熱処理部１４と第２の主搬送機構１０Ｂとを備え、レジスト膜用熱処理部１４は加熱部ＰＨＰを積層して構成されており、最上部には上述した冷却プレートＣＰ＿ｍｏｖｅＰＡＳＳが設けられている。また、反射防止膜処理セルＣ２とレジスト膜用処理セルＣ３とにまたがって基板載置部ＰＡＳＳ２が設けられており、この基板載置部ＰＡＳＳ２は、レジスト膜用処理セルＣ３から反射防止膜処理セルＣ２に基板Ｗを逆方向に戻す戻り用基板載置部として機能する。また、上述した説明から明らかなように、反射防止膜用熱処理部９とレジスト膜用熱処理部１４とにまたがって配設された冷却プレートＣＰ＿ｍｏｖｅＰＡＳＳは、反射防止膜処理セルＣ２からレジスト膜用処理セルＣ３に払い出す送り用基板載置部として機能する。
【０１３８】
現像処理セルＣ４は、現像処理部２６と２つの現像用熱処理部２７、２８と第３の主搬送機構１０Ｃとを備え、現像用熱処理部２７は、レジスト膜用処理セルＣ３から現像処理セルＣ４に順方向に払い出す冷却プレートＣＰ＿ｍｏｖｅＰＡＳＳ（送り用基板載置部）と、現像処理セルＣ４からレジスト膜用処理セルＣ３に基板Ｗを逆方向に戻す冷却プレートＣＰ＿ｍｏｖｅＰＡＳＳ（戻り用基板載置部）とを積層して構成されている。なお、エッジ露光部ＥＥＷは現像用熱処理部２７の下に積層されている。現像用熱処理部２８は、冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳを積層して構成されており、送り用バッファＳＢＦは現像処理部２８の上に設けられている。冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳは、現像処理セルＣ４から露光後加熱用処理セルＣ５をスキップしてインターフェイスセルＣ６に順方向に払い出す送り用基板載置部として機能する。
【０１３９】
露光後加熱用処理セルＣ５は、露光後加熱用熱処理部３１と基板戻し用のバッファＲＢＦと第４の主搬送機構１０Ｄとを備え、露光後加熱用熱処理部３１は加熱部ＰＨＰを積層して構成されている。本実施例３での第４の主搬送機構１０Ｄは、露光装置ＳＴＰで露光処理された基板Ｗを受け取る。また、インターフェイスセルＣ６のインターフェイス用搬送機構３４は、本実施例３では上述した現像用熱処理部２８の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳから払い出された周縁露光済みの基板Ｗを受け取って露光装置ＳＴＰに順方向に払い出す。また、本実施例３ではインターフェイス用搬送機構３４は、露光装置ＳＴＰで露光処理された基板Ｗを受け取らず順方向のみの搬送を行う。
【０１４０】
本実施例３での各主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄによる各搬送工程については図１７に示すとおりである。すなわち、反射防止膜用処理セルＣ２の第１の主搬送機構１０Ａは、反射防止膜用熱処理部９の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ、基板載置部ＰＡＳＳ１での基板Ｗの受け渡しを行い、反射防止膜用塗布処理部８のスピンチャック１１での基板Ｗの受け渡しを行い、加熱部ＰＨＰでの基板Ｗの受け渡しを行い、反射防止膜処理セルＣ２からレジスト膜用処理セルＣ３に払い出すために反射防止膜用熱処理部９とレジスト膜用熱処理部１４とにまたがって配設された冷却プレートＣＰ＿ｍｏｖｅＰＡＳＳへの基板Ｗの払い出しを行い、レジスト膜用処理セルＣ３から戻された基板載置部ＰＡＳＳ２からの基板Ｗの受け取りを行う。
【０１４１】
レジスト膜用処理セルＣ３の第２の主搬送機構１０Ｂは、反射防止膜処理セルＣ２から払い出された冷却プレートＣＰ＿ｍｏｖｅＰＡＳＳからの基板Ｗの受け取りを行い、レジスト膜用塗布処理部１３のスピンチャック１５での基板Ｗの受け渡しを行い、加熱部ＰＨＰでの基板Ｗの受け渡しを行い、レジスト膜用処理セルＣ３と現像処理セルＣ４との間で基板Ｗの受け渡しを行う冷却プレートＣＰ＿ｍｏｖｅＰＡＳＳでの基板Ｗの受け渡しを行い、反射防止膜用処理セルＣ２に基板Ｗを戻すために基板載置部ＰＡＳＳ２への基板Ｗの払い出しを行う。
【０１４２】
現像処理セルＣ４の第３の主搬送機構１０Ｃは、レジスト膜用処理セルＣ３と現像処理セルＣ４との間で基板Ｗの受け渡しを行う冷却プレートＣＰ＿ｍｏｖｅＰＡＳＳでの基板Ｗの受け渡しを行い、エッジ露光部ＥＥＷでの基板Ｗの受け渡しを行い、露光後加熱用処理セルＣ５をスキップしてインターフェイスセルＣ６に順方向に払い出すために現像用熱処理部２８の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳへの基板Ｗの払い出しを行い、露光後加熱用熱処理部３１の加熱プレートＰＨＰでの基板Ｗの受け取りを行い、冷却プレートＣＰでの基板Ｗの受け渡しを行い、現像処理部２６のスピンチャック２９での基板Ｗの受け渡しを行う。
【０１４３】
図１７の構成と上述した搬送工程から、図１１（ｃ）に示すように、基板Ｗを順方向に搬送して露光装置ＳＴＰへ基板Ｗを渡す基板搬送経路（順方向専用経路）Ｒ1 は、現像処理セルＣ４や露光後加熱用処理セルＣ５やインターフェイスセルＣ６付近においては、第３の主搬送機構１０Ｃ→現像用熱処理部２８の冷却プレートＣＰ＿ＰＡＳＳ（受け渡し点）→インターフェイス用搬送機構３４となり、基板Ｗを逆方向に搬送して露光装置ＳＴＰから基板Ｗを受け取る基板搬送経路（逆方向専用経路）Ｒ1 ´は、第４の主搬送機構１０Ｄ→加熱プレートＰＨＰ→第３の主搬送機構１０Ｃとなり、ＰＥＢ専用の基板搬送経路Ｒ2 と基板搬送経路Ｒ1 とは重複している経路がない。また、個別の搬送機構を用いて、基板搬送経路（順方向専用経路）Ｒ1 とＰＥＢ専用の基板搬送経路Ｒ2 とをそれぞれ構成している（経路Ｒ1 ではインターフェイス用搬送機構３４を用いて、経路Ｒ2 では第４の主搬送機構１０Ｄを用いている）ので、現像処理部での故障によって露光後加熱された基板ＷをバッファＲＢＦに搬送する場合において、例えば逆方向から搬送された基板ＷによるバッファＲＢＦへの搬送の待ち時間や、同一の基板搬送機構によるバッファＲＢＦへの搬送の待ち時間をより一層低減させることができ、露光後加熱処理をより一層円滑に行うことができる。
【０１４４】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【０１４５】
（１）上述した各実施例では、第２の基板搬送経路を構成する所定の処理部として露光後加熱を行う加熱プレートＰＨＰを例に採って説明したが、所定の基板搬送機構を介在させて、基板を一時的に収納する仮置き部と所定の処理部とを並べて受渡点にそれぞれ配設することで、仮置き部と所定の処理部との間で第２の基板搬送経路を別に構成するのであれば、露光後加熱を行う加熱プレートＰＨＰに限定されない。例えば、エッジ露光部ＥＥＷと送り用バッファＳＢＦとの間で基板を搬送する第２の基板搬送経路を構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１４６】
【図１】実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示した平面図である。
【図２】実施例１での装置の概略構成を示した正面図である。
【図３】熱処理部の正面図である。
【図４】供給系統に関する説明図であって、（ａ）はノズルおよびスピンチャックの平面図、（ｂ）は積層配置したポンプの概略構成を示した側面図である。
【図５】エッジ露光部やインターフェイスセルの概略構成を示す側面図である。
【図６】（ａ）は主搬送機構の概略構成を示す平面図、（ｂ）はその左側面図である。
【図７】（ａ）は基板仮置部付きの加熱部の破断側面図、（ｂ）は破断平面図である。
【図８】実施例１での装置のセル配置を示した平面図である。
【図９】実施例１〜３での装置の制御系を示したブロック図である。
【図１０】実施例１に係る第１〜第４の主搬送機構による基板搬送の流れを示した図である。
【図１１】（ａ）は実施例１の基板搬送経路を模式的に示した平面図、（ｂ）は実施例２の基板搬送経路を模式的に示した平面図、（ｃ）は実施例３の基板搬送経路を模式的に示した平面図である。
【図１２】実施例２に係る基板処理装置の概略構成を示した平面図である。
【図１３】実施例２での装置の概略構成を示した正面図である。
【図１４】熱処理部の正面図である。
【図１５】実施例２での装置のセル配置を示した平面図である。
【図１６】実施例２に係る第１〜第４の主搬送機構による基板搬送の流れを示した図である。
【図１７】実施例３に係る基板処理装置の概略構成を示した平面図である。
【図１８】実施例３での装置の概略構成を示した正面図である。
【図１９】熱処理部の正面図である。
【図２０】実施例３での装置のセル配置を示した平面図である。
【図２１】実施例３に係る第１〜第４の主搬送機構による基板搬送の流れを示した図である。
【符号の説明】
【０１４７】
１０Ａ〜１０Ｄ  …第１〜第４の主搬送機構
Ｃ１  …インデクサセル
Ｃ２  …反射防止膜用処理セル
Ｃ３  …レジスト膜用処理セル
Ｃ４  …現像処理セル
Ｃ５  …露光後加熱用処理セル
Ｃ６  …インターフェイスセル
Ｗ  …基板
ＲＢＦ  …基板戻し用のバッファ
Ｒ1   …順方向専用経路
Ｒ2   …ＰＥＢ専用の基板搬送経路
【図１】
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【図２】
2005175209.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2005175209.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2005175209.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2005175209.tif 000015
【図１４】
2005175209.tif 000016
【図１５】
2005175209.tif 000017
【図１６】
2005175209.tif 000018
【図１７】
2005175209.tif 000019
【図１８】
2005175209.tif 000020
【図１９】
2005175209.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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