(57)【要約】【課題】  特定周波数に対する信号振幅偏差を等化する振幅等化器に係り、特に特定周波数に対する二次振幅傾斜を可変にすることで信号振幅歪を等化する二次可変振幅等化器の提供を目的とする。【解決手段】  挿入損失に係わる抵抗器回路と振幅等化する中心周波数に係わるリアクタンス回路とをコンデンサで結合し、該結合された回路インピーダンスを可変にすることで、ディジタル多重無線システム等の受信部に使用されているバンドパスフィルタの特性に応じて発生する信号振幅歪みの二次振幅傾斜を補正する。【選択図】  図１ 
2005218041.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗器回路と、
インダクタ、コンデンサを有するリアクタンス回路と、
該抵抗器回路と該リアクタンス回路を結合するコンデンサと、
該抵抗器回路とリアクタンス回路と該コンデンサにより構成される二次振幅等化器の回路インピーダンスを可変する抵抗値可変素子と、
を備えることを特徴とする二次可変振幅等化器。
【請求項２】
請求項１に記載の二次可変振幅等化器であって、
前記の二次振幅等化器の回路インピーダンスを可変するＰＩＮダイオードを備えることを特徴とする二次可変振幅等化器。
【請求項３】
請求項１に記載の二次可変振幅等化器であって、
前記の挿入損失を可変にする抵抗値可変素子を備えることを特徴とする二次可変振幅等化器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定周波数に対する二次振幅傾斜を可変にすることで振幅歪みを等化する二次可変振幅等化器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディジタル多重無線システム等においては、無線空間において発生するフェージング歪み等による伝送路歪みを補償する振幅等化器が実用化されている。
【０００３】
従来、振幅等化器として、バイアス状態による減衰量が制御可能な可変減衰素子と周波数対振幅特性を決定するリアクタンス回路とを有し、該可変減衰素子のバイアス状態を制御する振幅等化器が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、正傾斜一次振幅等化器と負傾斜一次振幅等化器とを用いて、振幅歪みの一次成分を等化する技術が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
図９は従来の可変振幅等化器を説明する図である。Ｓinより入力された信号は抵抗２１，２２，２３により構成された抵抗器回路を介してＳoutに出力される。抵抗２１，２２，２３で構成される該抵抗器回路は挿入損失に関係する。リアクタンス回路８はインダクタ８１、コンデンサ８２，８３により構成される。リアクタンス回路８は振幅を等化する信号の中心周波数に関係する。抵抗８４は挿入損失を決める該抵抗器回路（抵抗２１，２２，２３により構成）とリアクタンス回路８を結合する。可変抵抗２５は前記に説明した該抵抗器回路とリアクタンス回路８と抵抗８４により構成される振幅等化器の回路インピーダンスを可変させて、一次振幅傾斜を変動する。
【０００６】
図１０は従来の可変振幅等化器の動作を説明する図である。初期特性（Ａ）はＳinに入力される信号の振幅特性を示している。等化器特性（Ｂ）は図９で説明した振幅等化器の可変抵抗２５の任意のポイントにおける振幅特性を示している。総合特性（Ｃ）は該初期特性（Ａ）を有した信号が該等化器特性（Ｂ）を有した振幅等化器により等化された結果の振幅特性を示している。本図の横軸は周波数、縦軸はＳパラメータの一部で順方向の伝達係数Ｓ２１である。
【０００７】
図１１は従来の可変振幅等化器の特性を説明する図であり、可変抵抗２５の変化に応じた等化器の特性を示している。横軸、縦軸は図１０と同じく周波数、Ｓ２１であり、中心周波数は330MHzとしている。
【特許文献１】特開昭６１−２０８９０９号公報
【特許文献２】特開平６−１０１６９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ディジタル多重無線システム等の送受信部においては、高周波領域の信号を増幅し特定の周波数帯域の信号を抽出し信号を変復調する変復調機能を備えている。該特定周波数帯域の信号を抽出するために使用されているバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）の特性により、ＢＰＦの出力信号の特性は、図１０の初期特性（Ａ）に示すように、中心周波数から離れた周波数帯域の信号レベルは減衰された信号レベルとなる。そのために、図１１に示した一次振幅傾斜を可変にする振幅等化器では、図１０の総合特性（Ｃ）に示すように該特定周波数帯域における信号振幅レベルを一定にすることは困難となる。そのため、該信号振幅レベルの偏差が、該ディジタル多重無線システム等の制御部に振幅歪みを補正するために予め格納されている振幅レベル偏差を補正する振幅偏差補正値の許容値を超えてしまう場合に振幅等化が期待できなくなる。
【０００９】
本発明は、特定周波数に対する信号振幅偏差を等化する振幅等化器に係り、特に特定周波数に対する二次振幅傾斜を可変にすることで信号振幅歪みを等化する二次可変振幅等化器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、挿入損失に係わる抵抗器回路と、インダクタ、コンデンサにより構成され振幅等化される信号の中心周波数に係わるリアクタンス回路と、該抵抗器回路と該リアクタンス回路を結合するコンデンサと、該抵抗器回路とリアクタンス回路と該コンデンサにより構成される二次振幅等化器の回路インピーダンスを可変する抵抗値可変手段とを備えることを特徴とする二次可変振幅等化器である。
【００１１】
本発明によれば、信号振幅の二次傾斜を補正する二次可変振幅等化器を安価な部品構成により実現できる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の二次可変振幅等化器は、挿入損失に係わる抵抗器回路と振幅等化される信号の中心周波数に係わるリアクタンス回路とをコンデンサで結合し、該結合された回路インピーダンスを可変にすることで、ディジタル多重無線システム等の受信部に使用されているバンドパスフィルタの特性に応じて発生する信号振幅歪みの二次振幅傾斜を補正することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以降、図面を併用して本発明の詳細について説明する。なお、図面において同一のものまたは類似するものについては同一の符号を記載する。
【実施例１】
【００１４】
図１は本発明の二次可変振幅等化器を説明する図（実施例１）である。２１，２２，２３は抵抗であり、挿入損失に係わる抵抗器回路を構成する。１１はインダクタ、１２，１３はコンデンサであり、振幅等化される信号の中心周波数に係わるリアクタンス回路１を構成する。２４はコンデンサであり、該抵抗器回路とリアクタンス回路１を結合する。２５は可変抵抗であり、該抵抗器回路とリアクタンス回路１とコンデンサ２４により構成される二次振幅等化器の回路インピーダンスを変動し、二次振幅傾斜を補正する。Ｓinは前記部品で構成される二次可変振幅等化器の入力部、Ｓoutは出力部を表している。
【００１５】
図２は本発明の二次可変振幅等化器の動作を説明する図である。初期特性（Ａ）はＳinに入力される信号の振幅特性を示している。等化器特性（Ｂ）は図１で説明した二次可変振幅等化器の可変抵抗２５の任意のポイントにおける振幅特性を示している。総合特性（Ｃ）は該初期特性（Ａ）を有した信号が該等化器特性（Ｂ）を有した振幅等化器により等化された結果の振幅特性を示している。本図の横軸は周波数、縦軸はＳパラメータの一部で順方向の伝達係数Ｓ２１である。等化器特性（Ｂ）が初期特性（Ａ）で示す振幅レベルを補正するために最適な振幅特性を有することで、総合特性（Ｃ）に示すように振幅レベルを補正することが可能となる。
【００１６】
図３は本発明の二次可変振幅等化器の特性を説明する図である。可変抵抗２５の変化に応じた二次振幅等化器の特性を示しており、図２の初期特性（Ａ）で示す信号振幅レベルを補正するために、特定の周波数帯域で振幅レベル偏差を最小にする振幅特性を有する等化器特性となるように可変抵抗２５を調節する。横軸、縦軸は図１と同じく周波数、Ｓ２１である。中心周波数は330MHzであり、特定の周波数帯域を300〜360MHzとする場合を示している。
【実施例２】
【００１７】
図４は本発明の二次可変振幅等化器を説明する図（実施例２）である。２１，２２，２３は抵抗であり、挿入損失に係わる抵抗器回路を構成する。１１はインダクタ、１２，１３はコンデンサであり、振幅等化される信号の中心周波数に係わるリアクタンス回路１を構成する。２４はコンデンサであり、該抵抗器回路とリアクタンス回路１を結合する。３１，３６はインダクタ、３２，３４はコンデンサ、３３はＰＩＮダイオード、３５は抵抗であり、制御信号入力部Ｓcontからの制御信号により該抵抗器回路とリアクタンス回路１とコンデンサ２４により構成される二次振幅等化器の回路インピーダンスを変動し、二次振幅傾斜を補正する。
【実施例３】
【００１８】
図５は本発明の二次可変振幅等化器を説明する図（実施例３）である。４１は可変抵抗、４２，４３は抵抗であり、挿入損失に係わる抵抗器回路を構成し、可変抵抗４１により挿入損失を可変にする。１１はインダクタ、１２，１３はコンデンサであり、振幅等化される信号の中心周波数に係わるリアクタンス回路１を構成する。２４はコンデンサであり、該抵抗器回路とリアクタンス回路１を結合する。２５は可変抵抗であり、該抵抗器回路とリアクタンス回路１とコンデンサ２４により構成される二次振幅等化器の回路インピーダンスを変動し、二次振幅傾斜を補正する。
【実施例４】
【００１９】
図６は本発明の二次可変振幅等化器を説明する図（実施例４）である。５１，５６はインダクタ、５２，５４はコンデンサ、５３はＰＩＮダイオード、５５，５７，５８は抵抗であり、制御信号入力部Ｓcontからの制御信号により挿入損失を可変する。１１はインダクタ、１２，１３はコンデンサであり、振幅等化される信号の中心周波数に係わるリアクタンス回路１を構成する。２４はコンデンサであり、該挿入損失に係わる回路とリアクタンス回路１を結合する。２５は可変抵抗であり、該挿入損失に係わる回路とリアクタンス回路１とコンデンサ２４により構成される二次振幅等化器の回路インピーダンスを変動し、二次振幅傾斜を補正する。
【実施例５】
【００２０】
図７は本発明の二次可変振幅等化器を説明する図（実施例５）である。２１，２２，２３は抵抗であり、挿入損失に係わる抵抗器回路を構成する。６１は可変インダクタ、６２，６３はコンデンサであり、振幅等化される信号の中心周波数を可変できるリアクタンス回路６を構成する。２４はコンデンサであり、該抵抗器回路とリアクタンス回路６を結合する。２５は可変抵抗であり、該抵抗器回路とリアクタンス回路６とコンデンサ２４により構成される二次振幅等化器の回路インピーダンスを変動し、二次振幅傾斜を補正する。
【実施例６】
【００２１】
図８は本発明の二次可変振幅等化器を説明する図（実施例６）である。２１，２２，２
３は抵抗であり、挿入損失に係わる抵抗器回路を構成する。７１はインダクタ、７２，７３はコンデンサ、７４は静電容量を可変できるバラクタダイオードであり、制御信号入力部Ｓcontからの制御信号により振幅等化される信号の中心周波数を可変するリアクタンス回路７を構成する。７５は抵抗であり、制御信号入力部Ｓcontからの制御信号によって、バラクタダイオード７４の両端にかかる逆バイアス電圧を印加し、バラクタダイオード７４の静電容量を変化させ、該中心周波数を変動する。２４はコンデンサであり、該抵抗器回路とリアクタンス回路７を結合する。２５は可変抵抗であり、該抵抗器回路とリアクタンス回路７とコンデンサ２４により構成される二次振幅等化器の回路インピーダンスを変動し、二次振幅傾斜を補正する。
【００２２】
以上述べた本発明の実施の態様は、以下の付記の通りである。
【００２３】
（付記１）
抵抗器回路と、インダクタ、コンデンサを有するリアクタンス回路と、該抵抗器回路と該リアクタンス回路を結合するコンデンサと、該抵抗器回路とリアクタンス回路と該コンデンサにより構成される二次振幅等化器の回路インピーダンスを可変する抵抗値可変素子とを備えることを特徴とする二次可変振幅等化器。
【００２４】
（付記２）
付記１に記載の二次可変振幅等化器であって、
前記の二次振幅等化器の回路インピーダンスを可変するＰＩＮダイオードを備えることを特徴とする二次可変振幅等化器。
【００２５】
(付記３)
付記１に記載の二次可変振幅等化器であって、
前記の挿入損失を可変にする抵抗値可変素子を備えることを特徴とする二次可変振幅等化器。
【００２６】
(付記４)
付記１に記載の二次可変振幅等化器であって、
前記の挿入損失を可変にするＰＩＮダイオードを備えることを特徴とする二次可変振幅等化器。
【００２７】
(付記５)
付記１に記載の二次可変振幅等化器であって、
前記のリアクタンス回路が係わる中心周波数を可変にする可変インダクタを備えることを特徴とする二次可変振幅等化器。
【００２８】
(付記６)
付記１に記載の二次可変振幅等化器であって、
前記のリアクタンス回路が係わる中心周波数を可変にするバラクタダイオードを備えることを特徴とする二次可変振幅等化器。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の二次可変振幅等化器を説明する図（実施例１）
【図２】本発明の二次可変振幅等化器の動作を説明する図
【図３】本発明の二次可変振幅等化器の特性を説明する図
【図４】本発明の二次可変振幅等化器を説明する図（実施例２）
【図５】本発明の二次可変振幅等化器を説明する図（実施例３）
【図６】本発明の二次可変振幅等化器を説明する図（実施例４）
【図７】本発明の二次可変振幅等化器を説明する図（実施例５）
【図８】本発明の二次可変振幅等化器を説明する図（実施例６）
【図９】従来の可変振幅等化器を説明する図
【図１０】従来の可変振幅等化器の動作を説明する図
【図１１】従来の可変振幅等化器の特性を説明する図
【符号の説明】
【００３０】
１，６，７，８      リアクタンス回路
１１，３１，３６，５１，５６，７１，８１    インダクタ
１２，１３，２４，３２，３４，５２，５４，６２，６３，７２，７３，８２，８３    コンデンサ
２１，２２，２３，３５，４２，４３，５５，５７，５８，７５，８４    抵抗
２５，４１    可変抵抗
３３，５３    ＰＩＮダイオード
６１    可変インダクタ
７４    バラクタダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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