(57)【要約】【課題】  露光機の石英部品やレチクルに硫酸アンモニウムを析出しにくくする。【解決手段】  露光機１６０と、半導体基板をＨＭＤＳ蒸気にさらすことにより該半導体基板にアドヒージョン処理を行うアドヒージョンユニットと、ＨＭＤＳを保持するＨＭＤＳボンベと、ＨＭＤＳボンベからアドヒージョンユニットにＨＭＤＳを供給する配管と、アドヒージョンユニット、配管及びＨＭＤＳボンベを密閉する密閉カバー１２８と、密閉カバーの内部を排気する排気手段１８０と、密閉カバーに設けられ、半導体基板を密閉カバー内に出し入れするための第１の開閉シャッター１２９と、第１の開閉シャッター１２９を介して半導体基板をアドヒージョンユニットから出し入れする搬送手段１１６とを具備する。【選択図】      図２
2005175367.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板をＨＭＤＳ蒸気にさらすことにより該半導体基板にアドヒージョン処理を行うアドヒージョンユニットと、
ＨＭＤＳを保持するＨＭＤＳボンベと、
前記ＨＭＤＳボンベから前記アドヒージョンユニットにＨＭＤＳを供給する配管と、
前記アドヒージョンユニット、前記配管及び前記ＨＭＤＳボンベを密閉する密閉カバーと、
前記密閉カバーの内部を排気する排気手段と、
前記密閉カバーに設けられ、半導体基板を前記密閉カバー内に出し入れするための第１の開閉シャッターと、
前記第１の開閉シャッターを介して半導体基板を前記アドヒージョンユニットから出し入れする搬送手段と
を具備する半導体製造装置。
【請求項２】
半導体基板をＨＭＤＳ蒸気にさらすことにより該半導体基板にアドヒージョン処理を行うアドヒージョンユニットと、
前記アドヒージョンユニットを密閉する密閉カバーと、
前記密閉カバーの内部を排気する排気手段と、
前記密閉カバーに設けられ、半導体基板を前記密閉カバー内に出し入れするための第１の開閉シャッターと、
前記第１の開閉シャッターを介して半導体基板を前記アドヒージョンユニットから出し入れする搬送手段と
を具備する半導体製造装置。
【請求項３】
前記密閉カバーの外部に、露光機を更に備える請求項１又は２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記密閉カバーはステンレス板からなる請求項１〜３のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記半導体製造装置を制御する制御部をさらに具備し、
前記制御部は、前記排気手段が前記密閉カバーの内部を排気している間に、前記第１のシャッターを開いて前記搬送手段に半導体基板を前記密閉カバー内に出し入れさせる請求項１〜４のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記アドヒージョンユニットは、
内部にＨＭＤＳ蒸気を保持しているアドヒージョンチャンバーと、
前記アドヒージョンチャンバーに設けられ、該アドヒージョンチャンバー内に前記半導体基板を出し入れするための第２の開閉シャッターと
を具備し、
前記制御部は、前記第１の開閉シャッターとともに前記第２の開閉シャッターを開き、前記搬送手段に半導体基板を、前記アドヒージョンユニットの外部から直接前記アドヒージョンチャンバーの内部に出し入れさせる請求項５に記載の半導体製造装置。
【請求項７】
前記アドヒージョンユニットは、
内部にＨＭＤＳ蒸気を保持しているアドヒージョンチャンバーと、
前記アドヒージョンチャンバーに設けられ、該アドヒージョンチャンバー内に前記半導体基板を出し入れするための第２の開閉シャッターと
を具備し、
前記制御部は、前記搬送手段が前記密閉カバーの内部に半導体基板を搬入してから前記第１の開閉シャッターを閉じた後に、前記第２の開閉シャッターを開き、前記搬送手段に前記アドヒージョンチャンバーの内部に半導体基板を搬入させる請求項５に記載の半導体製造装置。
【請求項８】
クリーンルームと、該クリーンルーム内に配置された半導体製造装置とを具備し、
前記クリーンルームには空気が循環しており、
前記半導体製造装置は、
半導体基板をＨＭＤＳ蒸気にさらすことにより該半導体基板にアドヒージョン処理を行うアドヒージョンユニットと、
ＨＭＤＳを保持するＨＭＤＳボンベと、
前記ＨＭＤＳボンベから前記アドヒージョンユニットにＨＭＤＳを供給する配管と、
前記アドヒージョンユニット、前記配管及び前記ＨＭＤＳボンベを密閉する密閉カバーと、
前記密閉カバーの内部を前記クリーンルーム外部に排気する排気手段と、
前記密閉カバーに設けられ、半導体基板を前記密閉カバー内に出し入れするための第１の開閉シャッターと、
前記第１の開閉シャッターを介して半導体基板を前記アドヒージョンユニットから出し入れする搬送手段と
を具備する半導体製造設備。
【請求項９】
クリーンルームと、該クリーンルーム内に配置された半導体製造装置とを具備し、
前記クリーンルームには空気が循環しており、
前記半導体製造装置は、
半導体基板をＨＭＤＳ蒸気にさらすことにより該半導体基板にアドヒージョン処理を行うアドヒージョンユニットと、
前記アドヒージョンユニットを密閉する密閉カバーと、
前記密閉カバーの内部を前記クリーンルームの外部に排気する排気手段と、
前記密閉カバーに設けられ、半導体基板を前記密閉カバー内に出し入れするための第１の開閉シャッターと、
前記第１の開閉シャッターを介して半導体基板を前記アドヒージョンユニットから出し入れする搬送手段と
を具備する半導体製造設備。
【請求項１０】
前記クリーンルーム内にはレチクルが保管されている請求項８又は９に記載の半導体製造設備。
【請求項１１】
内部が排気されている密閉カバーに設けられた第１の開閉シャッターを開き、該第１の開閉シャッターを介して前記密閉カバーの内部に配置されたアドヒージョンユニットの内部に半導体基板を搬入し、前記第１の開閉シャッターを閉じる工程と、
前記アドヒージョンユニットにおいて前記半導体基板をＨＭＤＳ蒸気にさらすことにより該半導体基板にアドヒージョン処理を行う工程と、
前記第１の開閉シャッターを開き、該第１の開閉シャッターを介して前記アドヒージョンユニットの内部から半導体基板を搬出する工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記アドヒージョンユニットは、内部にＨＭＤＳ蒸気を保持しているアドヒージョンチャンバー、及び前記アドヒージョンチャンバーに設けられ、該アドヒージョンチャンバー内に前記半導体基板を出し入れするための第２の開閉シャッターとを具備し、
前記アドヒージョンユニットの内部に前記半導体基板を配置する際に、前記第１の開閉シャッターとともに前記第２の開閉シャッターを開き、前記アドヒージョンユニットの外部から直接前記アドヒージョンチャンバーの内部に前記半導体基板を搬入する請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記アドヒージョンユニットは、内部にＨＭＤＳ蒸気を保持しているアドヒージョンチャンバー、及び前記アドヒージョンチャンバーに設けられ、該アドヒージョンチャンバー内に前記半導体基板を出し入れするための第２の開閉シャッターとを具備し、
前記アドヒージョンユニットの内部に前記半導体基板を搬入する際に、
前記第２の開閉シャッターが閉じているときに前記第１の開閉シャッターを開いて前記半導体基板を前記密閉カバーの内部に搬入し、
前記第１の開閉シャッターを閉じた後に前記第２の開閉シャッターを開いて前記アドヒージョンチャンバーの内部に前記半導体基板を搬入する請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置、半導体製造設備、及び半導体装置の製造方法に関する。特に本発明は、露光機の石英部品やレチクルに硫酸アンモニウムを析出しにくくした半導体製造装置、半導体製造設備、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置のフォトレジストパターンを形成する工程において、フォトレジスト膜とシリコン基板の密着性を上げるためにアドヒージョン処理を行う場合がある。アドヒージョン処理は、シリコン基板をＨＭＤＳ（hexamethyle disilazane）の蒸気にさらすことにより、ＨＭＤＳをシリコン基板上に塗布する処理である。一方、ＨＭＤＳはアンモニアガスの発生源となる（例えば特許文献1参照）。
【特許文献１】特開平１０−２９４２５８号公報（第４段落及び第１３段落）
【０００３】
また図８は、フォトレジストパターンを形成していた従来の半導体製造装置２００の平面概略図である。本図に示す半導体製造装置において、ＨＭＤＳは、ＨＭＤＳボンベ２０２から配管２０３を経由して窒素バブリング槽２０４に供給される。そして窒素バブリング槽２０４において窒素バブリングされることによりＨＭＤＳは蒸気状になり、配管２０５を経由してアドヒージョンチャンバー２０６に供給される。アドヒージョンチャンバー２０６には開閉シャッター２０６ａが設けられており、搬送ロボット２０７によってシリコンウェハ２０１が出し入れ可能になっている。シリコンウェハ２０１はアドヒージョンチャンバー２０６の内部においてＨＭＤＳの蒸気にさらされる。
また半導体製造装置には、フォトレジスト膜を露光する露光機２１０が設けられている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
露光機には光学レンズ等の石英部品、及びレチクルが組み込まれている。石英部品やレチクルには、これら石英部品やレチクルを洗浄するときに用いられた硫酸イオンが、わずかに残留していることがある。このとき、ＨＭＤＳから発生したアンモニアガスがレチクルや光学レンズに触れると、アンモニアガスが硫酸イオンと反応して硫酸アンモニウムになり、結晶として析出する。この場合、石英部品やレチクルの透過率が下がって露光されたレジストパターンにパターン異常が発生することがある。また露光機の光源となる水銀ランプの楕円鏡にも硫酸アンモニウムが析出することもある。この場合も光量不足によりレジストパターンにパターン異常が発生することがある。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、アドヒージョン処理を行う設備以外の設備や部品が、アンモニアガスによる影響を受けにくいようにした半導体製造装置、半導体製造設備、及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、本発明にかかる半導体製造装置は、
半導体基板をＨＭＤＳ蒸気にさらすことにより該半導体基板にアドヒージョン処理を行うアドヒージョンユニットと、
ＨＭＤＳを保持するＨＭＤＳボンベと、
前記ＨＭＤＳボンベから前記アドヒージョンユニットにＨＭＤＳを供給する配管と、
前記アドヒージョンユニット、前記配管及び前記ＨＭＤＳボンベを密閉する密閉カバーと、
前記密閉カバーの内部を排気する排気手段と、
前記密閉カバーに設けられ、半導体基板を前記密閉カバー内に出し入れするための第１の開閉シャッターと、
前記第１の開閉シャッターを介して半導体基板を前記アドヒージョンユニットから出し入れする搬送手段と
を具備する。
【０００６】
この半導体製造装置によれば、アドヒージョンユニット、ＨＭＤＳボンベ、及びＨＭＤＳボンベからアドヒージョンユニットにＨＭＤＳを供給する配管を密閉カバーの内部に配置したため、他の設備や部品はＨＭＤＳ又はこれから発生するアンモニアガスにさらされにくい。このため他の設備や部品はアンモニアガスによる影響を受けにくい。
【０００７】
本発明にかかる他の半導体製造装置は、
半導体基板をＨＭＤＳ蒸気にさらすことにより該半導体基板にアドヒージョン処理を行うアドヒージョンユニットと、
前記アドヒージョンユニットを密閉する密閉カバーと、
前記密閉カバーの内部を排気する排気手段と、
前記密閉カバーに設けられ、半導体基板を前記密閉カバー内に出し入れするための第１の開閉シャッターと
前記第１の開閉シャッターを通ることにより半導体基板を前記アドヒージョンユニットから出し入れする搬送手段と
を具備する。
【０００８】
この半導体製造装置によれば、アドヒージョンユニットを密閉カバーの内部に配置したため、他の設備や部品はＨＭＤＳ又はこれから発生するアンモニアガスにさらされにくい。このため他の設備や部品はアンモニアガスによる影響を受けにくい。
【０００９】
これらの半導体製造装置は、密閉カバーの外部に露光機を具備していてもよい。この場合、露光機はアンモニアガスにさらされにくいため、露光機のレチクルや石英部品に硫酸アンモニウムが析出しにくい。従って精度よくレチクルのパターンをレジストに露光することができる。
【００１０】
密閉カバーは例えばステンレス板からなる。
また半導体製造装置を制御する制御部をさらに具備し、制御部は、排気手段が密閉カバーの内部を排気している間に、第１のシャッターを開いて搬送手段に半導体基板を密閉カバー内に出し入れさせてもよい。この場合、アドヒージョンユニットは、内部にＨＭＤＳ蒸気を保持しているアドヒージョンチャンバーと、アドヒージョンチャンバーに設けられ、該アドヒージョンチャンバー内に半導体基板を出し入れするための第２の開閉シャッターとを具備し、制御部は、第１の開閉シャッターとともに第２の開閉シャッターを開き、搬送手段に半導体基板を、アドヒージョンユニットの外部から直接アドヒージョンチャンバーの内部に出し入れさせることも可能である。またアドヒージョンユニットは、内部にＨＭＤＳ蒸気を保持しているアドヒージョンチャンバーと、アドヒージョンチャンバーに設けられ、該アドヒージョンチャンバー内に半導体基板を出し入れするための第２の開閉シャッターとを具備し、制御部は、搬送手段が密閉カバーの内部に半導体基板を搬入してから第１の開閉シャッターを閉じた後に、第２の開閉シャッターを開き、搬送手段にアドヒージョンチャンバーの内部に半導体基板を搬入させることも可能である。
【００１１】
本発明にかかる半導体製造設備は、クリーンルームと、該クリーンルーム内に配置された半導体製造装置とを具備し、
前記クリーンルームには空気が循環しており、
前記半導体製造装置は、
半導体基板をＨＭＤＳ蒸気にさらすことにより該半導体基板にアドヒージョン処理を行うアドヒージョンユニットと、
ＨＭＤＳを保持するＨＭＤＳボンベと、
前記ＨＭＤＳボンベから前記アドヒージョンユニットにＨＭＤＳを供給する配管と、
前記アドヒージョンユニット、前記配管及び前記ＨＭＤＳボンベを密閉する密閉カバーと、
前記密閉カバーの内部を前記クリーンルームの外部に排気する排気手段と、
前記密閉カバーに設けられ、半導体基板を前記密閉カバー内に出し入れするための第１の開閉シャッターと、
前記第１の開閉シャッターを介して半導体基板を前記アドヒージョンユニットから出し入れする搬送手段と
を具備する。
【００１２】
本発明にかかる他の半導体製造設備は、クリーンルームと、該クリーンルーム内に配置された半導体製造装置とを具備し、
前記クリーンルームには空気が循環しており、
前記半導体製造装置は、
半導体基板をＨＭＤＳ蒸気にさらすことにより該半導体基板にアドヒージョン処理を行うアドヒージョンユニットと、
前記アドヒージョンユニットを密閉する密閉カバーと、
前記密閉カバーの内部をクリーンルームの外部に排気する排気手段と、
前記密閉カバーに設けられ、半導体基板を前記密閉カバー内に出し入れするための第１の開閉シャッターと
前記第１の開閉シャッターを介して半導体基板を前記アドヒージョンユニットから出し入れする搬送手段と
を具備する。
【００１３】
これらの半導体製造設備において、クリーンルーム内にはレチクルが保管されていてもよい。この場合保管しているレチクルにも硫酸アンモニウムが析出しにくい。
【００１４】
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、
密閉カバーに設けられた第１の開閉シャッターを開き、該第１の開閉シャッターを介して前記密閉カバーの内部に配置されたアドヒージョンユニットの内部に半導体基板を搬入し、前記第１の開閉シャッターを閉じる工程と、
前記アドヒージョンユニットにおいて前記半導体基板をＨＭＤＳ蒸気にさらすことにより該半導体基板にアドヒージョン処理を行う工程と、
前記第１の開閉シャッターを開き、該第１の開閉シャッターを介して前記アドヒージョンユニットの内部から半導体基板を搬出する工程と
を具備する。
【００１５】
アドヒージョンユニットは、内部にＨＭＤＳ蒸気を保持しているアドヒージョンチャンバー、及びアドヒージョンチャンバーに設けられ、該アドヒージョンチャンバー内に半導体基板を出し入れするための第２の開閉シャッターとを具備し、アドヒージョンユニットの内部に半導体基板を配置する際に、第１の開閉シャッターとともに第２の開閉シャッターを開き、アドヒージョンユニットの外部から直接アドヒージョンチャンバーの内部に半導体基板を搬入してもよい。
またアドヒージョンユニットは、内部にＨＭＤＳ蒸気を保持しているアドヒージョンチャンバー、及びアドヒージョンチャンバーに設けられ、該アドヒージョンチャンバー内に半導体基板を出し入れするための第２の開閉シャッターとを具備し、アドヒージョンユニットの内部に半導体基板を配置する際に、第２の開閉シャッターが閉じているときに第１の開閉シャッターを開いて半導体基板を密閉カバーの内部に搬入し、第１の開閉シャッターを閉じた後に第２の開閉シャッターを開いてアドヒージョンチャンバーの内部に半導体基板を搬入してもよい。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１は第１の実施形態にかかる半導体製造設備の断面概略図である。この半導体製造設備にはクリーンルーム１が形成されている。クリーンルーム１の内部には、レチクル保管部３が配置されるとともに、アドヒージョンユニットを有する半導体製造装置１０が複数配置されている。
【００１７】
クリーンルーム１の天井部分にはフィルタ４が配置されており、図中矢印で示すように、天井から流れ込んだ空気がクリーンルーム１の床２から排気されている。床２から排気された空気は半導体設備の内部を循環してクリーンルーム１の天井の上に流れ、フィルタ４によってろ過された後再びクリーンルーム１の内部に流れ込む。このためアドヒージョンユニットからＨＭＤＳがクリーンルーム１の内部に漏洩すると、漏洩したＨＭＤＳは半導体製造設備の内部を循環しつづける。これに対し、本実施形態ではアドヒージョンユニットを密閉カバーで覆うことにより、ＨＭＤＳがクリーンルーム１の内部に漏洩しないようにしている。
【００１８】
図２は、半導体製造装置１０の平面概略図である。半導体製造装置１０はシリコンウェハ２０にレジストパターンを形成する装置であり、制御部１１により動作が制御されている。詳細には、インデクサユニット１１０において、カセット１１２がシリコンウェハ２０を保持している。シリコンウェハ２０は搬送ロボット１１４によりカセット１１２から取り出され、搬送手段の一例である搬送ロボット１１６に受け渡される。搬送ロボット１１６は、まずシリコンウェハ２０をアドヒージョンユニット１２０に搬入する。アドヒージョンユニット１２０では、シリコンウェハ２０にはＨＭＤＳ蒸気にさらされることによりアドヒージョン処理が行われる。
【００１９】
次いで搬送ロボット１１６はシリコンウェハ２０をアドヒージョンユニット１２０から取り出してスピンコーターユニット１３０に搬入する。スピンコーターユニット１３０では、シリコンウェハ２０にはフォトレジスト膜が塗布される。次いで搬送ロボット１１６はシリコンウェハ２０をスピンコーターユニット１３０から取り出して加熱冷却ユニット１４０に搬送する。加熱冷却ユニット１４０においてシリコンウェハ２０には、まず上段の加熱部において加熱処理が行われた後、下段の冷却部において冷却処理される。次いで搬送ロボット１１６はシリコンウェハ２０を加熱冷却ユニット１４０から取り出して搬送ユニット１５０のウェハ載置部１５２に載置する。
【００２０】
ウェハ載置部１５２に載置されたシリコンウェハ２０は、搬送ユニット１５０の搬送ロボット１５４により露光機１６０に搬送される。露光機１６０では、光学レンズ等の石英部品（図示せず）を用いて、レチクル（図示せず）のパターンがシリコンウェハ２０のフォトレジスト膜に露光される。
【００２１】
次いでシリコンウェハ２０は搬送ロボット１５４によって露光機１６０から取り出され、ウェハ載置部１５２を介して搬送ロボット１１６に受け渡される。搬送ロボット１１６はシリコンウェハ２０をスピンディベロッパユニット１７０に搬送する。スピンディベロッパユニット１７０においてシリコンウェハ２０にはフォトレジスト膜の現像処理が施され、レジストパターンが形成される。次いで搬送ロボット１１６はシリコンウェハ２０を取り出して搬送ロボット１１４に受け渡し、カセット１１２に格納させる。
【００２２】
なおアドヒージョンユニット１２０は、密閉カバー１２８によって半導体製造装置１０の他の部分から隔離されている。密閉カバー１２８はステンレス板によって形成されており、内部を密閉している。密閉カバー１２８には第１の開閉シャッター１２９が設けられており、この第１の開閉シャッター１２９を介してシリコンウェハ２０の出し入れができるようになっている。第１の開閉シャッター１２９はＯリングを備えており、密閉性を維持できるようになっている。また密閉カバー１２８の内部は、配管１８２を介して排気手段の一例である排気ポンプ１８０に繋がっている。排気ポンプ１８０は、密閉カバー１２８の内部を半導体製造設備の外部に排気している。
【００２３】
図３はアドヒージョンユニット１２０の平面図である。アドヒージョンユニット１２０は配管１２３,１２５、窒素バブリング槽１２４及びアドヒージョンチャンバー１２６を備えている。ＨＭＤＳボンベ３０に保持されているＨＭＤＳは、テフロン（登録商標）製のチューブ等の配管１２３を経由して窒素バブリング槽１２４に供給される。窒素バブリング槽１２４においてＨＭＤＳは窒素バブリングされ、一部が蒸気になる。蒸気になったＨＭＤＳは窒素とともにテフロン製のチューブ等の配管１２５を経由してアドヒージョンチャンバー１２６に供給される。アドヒージョンチャンバー１２６は内部が密閉されており、第２の開閉シャッター１２６ａを介してシリコンウェハ２０が出し入れできるようになっている。そしてアドヒージョンチャンバー１２６は内部のシリコンウェハ２０にアドヒージョン処理を行う。上記したアドヒージョンユニット１２０及びＨＭＤＳボンベ３０は、密閉カバー１２８によって密閉された空間の内部に配置されている。
【００２４】
このため配管１２３，１２５からＨＭＤＳが漏洩したり、第２の開閉シャッター１２６ａのＯリングが劣化して密閉性が低下しても、ＨＭＤＳは半導体製造装置１０の他の部分や半導体製造設備の中に漏れにくい。またアドヒージョンユニット１２０をメンテナンスするときにもＨＭＤＳは半導体製造装置１０の他の部分や半導体製造設備の中に漏れにくい。
【００２５】
なおアドヒージョンチャンバー１２６に設けられた第２の開閉シャッター１２６ａは、密閉カバー１２８に設けられた第１の開閉シャッター１２９と向き合う位置に設けられている。このため搬送ロボット１１６は、密閉カバー１２８の外部に位置したまま、第１の開閉シャッター１２９及び第２の開閉シャッター１２６ａの双方を介して、アドヒージョンチャンバー１２６にシリコンウェハ２０を直接出し入れすることができる。
【００２６】
図４はアドヒージョンユニット１２０でアドヒージョン処理を行うときの制御部１１の制御を示すフローチャートである。以下に示す処理の間において、排気ポンプ１８０は常に密閉カバー１２８の内部を排気している。
まず半導体製造装置１０の制御部１１は、第１の開閉シャッター１２９を開くとともに第２の開閉シャッター１２６ａを開く（Ｓ１０）。そして搬送ロボット１１６にシリコンウェハ２０をアドヒージョンチャンバー１２６の内部に搬入させる（Ｓ１２）。次いで第１の開閉シャッター１２９及び第２の開閉シャッター１２６ａを閉じ（Ｓ１４）、シリコンウェハ２０にアドヒージョン処理を行う（Ｓ１６）。アドヒージョン処理が終了すると再び第１の開閉シャッター１２９を開くとともに第２の開閉シャッター１２６ａを開く（Ｓ１８）。そして搬送ロボット１１６に、アドヒージョンチャンバー１２６の内部にあるシリコンウェハ２０を密閉カバー１２８の外部に搬出させる（Ｓ２０）。次いで第１の開閉シャッター１２９及び第２の開閉シャッター１２６ａを閉じる（Ｓ２２）。
【００２７】
上記した動作中において排気ポンプ１８０は常に密閉カバー１２８の内部を排気している。このため第１の開閉シャッター１２９及び第２の開閉シャッター１２６ａを開いても、密閉カバー１２８の外部にＨＭＤＳは漏れにくい。
またシリコンウェハ２０を出し入れするときを除いて第１の開閉シャッター１２９及び第２の開閉シャッター１２６ａは閉じているため、密閉カバー１２８の外部にはＨＭＤＳは漏れにくい。
【００２８】
上記の通り第１の実施形態によれば、アドヒージョンユニット１２０及びＨＭＤＳボンベ３０を密閉カバー１２８で囲い、密閉カバー１２８の内部を排気ポンプ１８０により半導体製造設備の外部に排気しているため、ＨＭＤＳは半導体製造装置１０の他の部分や半導体製造設備の中に漏れにくい。このため半導体製造設備の中で空気が循環している場合において露光機１６０の石英部品やレチクルに硫酸イオンが残留していても、これら石英部品やレチクルに硫酸アンモニウムは析出しにくい。また半導体製造設備の中にレチクル保管部３に保管されているレチクルにも硫酸アンモニウムは析出しにくい。
従って露光機１６０はレチクルのパターンを精度よく半導体ウェハに露光することができる。
【００２９】
図５は、第２の実施形態にかかる半導体製造設備のアドヒージョンユニット１２０の平面図である。本実施形態において第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態にかかる半導体製造設備はアドヒージョンユニット１２０の構成を除いて第１の実施形態と同一である。
【００３０】
本実施形態においてアドヒージョンユニット１２０は、配管１２３,１２５、窒素バブリング槽１２４及びアドヒージョンチャンバー１２６の他に、ウェハ載置部１２７ａ及び搬送ロボット１２７ｂを密閉カバー１２８の内部に備える。ウェハ載置部１２７ａは、密閉カバー１２８に設けられた第１の開閉シャッター１２９のすぐ内側に配置されている。搬送ロボット１２７ｂはウェハ載置部１２７ａに隣接している。またアドヒージョンチャンバー１２６に設けられた第２の開閉シャッター１２６ａは、搬送ロボット１２７ｂと向き合っている。なお本実施形態において搬送ロボット１１６,１２７ｂは搬送手段の一例である。
【００３１】
図６は本実施形態にかかるアドヒージョンユニット１２０でアドヒージョン処理を行うときの制御部１１（図５において図示せず）の制御を示すフローチャートである。以下に示す処理の間において、排気ポンプ１８０は常に密閉カバー１２８の内部を排気している。
まず半導体製造装置１０の制御部１１は、第１の開閉シャッター１２９を開く（Ｓ３０）。次いで、搬送ロボット１１６に、シリコンウェハ２０を密閉カバー１２８内部に搬入させてウェハ載置部１２７ａに載置させた（Ｓ３２）後、第１の開閉シャッター１２９を閉じる（Ｓ３４）。そして第２の開閉シャッター１２６ａを開き（Ｓ３６）、搬送ロボット１２７ｂに、ウェハ載置部１２７ａに載置されたシリコンウェハ２０をアドヒージョンチャンバー１２６の内部に搬入させる（Ｓ３８）。次いで第２の開閉シャッター１２６ａを閉じ（Ｓ４０）、シリコンウェハ２０にアドヒージョン処理を行う（Ｓ４２）。
【００３２】
アドヒージョン処理が終了すると第２の開閉シャッター１２６ａを開き（Ｓ４４）、搬送ロボット１２７ｂに、シリコンウェハ２０をアドヒージョンチャンバー１２６から搬出させ、ウェハ載置部１２７ａに載置させる。（Ｓ４６）。次いで第２の開閉シャッター１２６ａを閉じる（Ｓ４８）。そして第１の開閉シャッター１２９を開き（Ｓ５０）、ウェハ載置部１２７ａに載置されたシリコンウェハ２０を搬送ロボット１１６に密閉カバー１２８の外部に搬出させる（Ｓ５２）。次いで第１の開閉シャッター１２９を閉じる（Ｓ５４）。
【００３３】
上記のように、本実施形態によれば第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。また第１の開閉シャッター１２９が開いている間は第２の開閉シャッター１２６ａは閉じているため、さらにＨＭＤＳが密閉カバー１２８の外部に漏れにくくなる。
【００３４】
図７は、第３の実施形態にかかる半導体製造設備にかかるアドヒージョンユニット１２０の平面図である。本実施形態において第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態にかかる半導体製造設備は以下の点を除き、第１の実施形態と同一である。すなわちＨＭＤＳボンベ３０（図示せず）はクリーンルームの外部に配置されている。そしてＨＭＤＳボンベ３０から窒素バブリング槽１２４にＨＭＤＳを供給するために、配管１２３が、窒素バブリング槽１２４から密閉カバー１２８を貫いて外部に引き出されている。この貫いている部分には、例えば配管の継ぎ手が用いられる。継ぎ手は、密閉カバー１２８の密閉性を維持するように密閉カバー１２８に取り付けられている。
本実施形態においても第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００３５】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】第１の実施形態にかかる半導体製造設備の断面概略図
【図２】半導体製造装置１０の平面概略図
【図３】アドヒージョンユニット１２０の平面図
【図４】アドヒージョン処理を行うときの制御部１１の制御を示すフローチャート
【図５】第２の実施形態にかかる半導体製造設備のアドヒージョンユニット１２０の平面図
【図６】アドヒージョン処理を行うときの制御部１１の制御を示すフローチャート
【図７】第３の実施形態にかかる半導体製造設備のアドヒージョンユニット１２０の平面図
【図８】従来の半導体製造装置２００の平面概略図
【符号の説明】
【００３７】
１…クリーンルーム、２…床、３…レチクル保管部、４…フィルタ、１０,２００…半導体製造装置、１１…制御部、２０,２０１…シリコンウェハ、３０,２０２…ＨＭＤＳボンベ、１１０…インデクサユニット、１１２…カセット、１１４,１１６,１２７ｂ,１５４…搬送ロボット、１２０…アドヒージョンユニット、１２３,１２５,２０３,２０５…配管、１２４,２０４…窒素バブリング槽、１２６,２０６…アドヒージョンチャンバー、１２６ａ…第２の開閉シャッター、１２７ａ…ウェハ載置部、１２８…密閉カバー、１２９…第１の開閉シャッター、１３０…スピンコーターユニット、１４０…加熱冷却ユニット、１５０…搬送ユニット、１５２…ウェハ載置部、１６０,２１０…露光機、１７０…スピンディベロッパユニット、１８０…排気ポンプ、１８２…配管,２０６ａ…開閉シャッター,２０７…搬送ロボット
【図１】
2005175367.tif 000003
【図２】
2005175367.tif 000004
【図３】
2005175367.tif 000005
【図４】
2005175367.tif 000006
【図５】
2005175367.tif 000007
【図６】
2005175367.tif 000008
【図７】
2005175367.tif 000009
【図８】
2005175367.tif 000010