(57)【要約】【課題】融点および結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜およびそのＧａＳｂ系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】原子％で（以下、％は原子％を示す）Ｇａ：５〜２０％を含有し、さらにＳｎ：５〜２０％未満を含有し、さらに必要に応じてＩｎ：０．５〜１５％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなる組成のＳｂ基合金からなる融点の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜、並びにこのＧａＳｂ系相変化型記録膜をスパッタリングにより形成するためのターゲット。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子％で（以下、％は原子％を示す）Ｇａ：５〜２０％を含有し、さらにＳｎ：５〜２０％未満を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物の組成を有するＳｂ基合金からなることを特徴とする融点が低くかつ結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜。
【請求項２】
原子％で（以下、％は原子％を示す）Ｇａ：５〜２０％を含有し、さらにＳｎ：５〜２０％未満を含有し、さらにＩｎ：０．５〜１５％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物の組成を有するＳｂ基合金からなることを特徴とする融点が低くかつ結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜。
【請求項３】
請求項１または２記載の組成を有するＳｂ基合金からからなる融点が低くかつ結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＣＤやＤＶＤなど各種相変化型記録媒体に使用される融点が低くかつ結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜およびそのＧａＳｂ系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、光ビーム照射による非晶質相と結晶相との可逆的な相変化を利用して情報の記録、再生および消去を行うＣＤやＤＶＤなどの記録媒体において用いられる記録膜は、Ｇａ−Ｓｂ二元共晶系相変化型記録膜が広く用いられており、その中でもＧａ１２Ｓｂ８８共晶組成を有するＧａ−Ｓｂ二元系相変化型記録膜は、結晶化速度が大きく高速記録に好適であるところから広く用いられている。このＧａ１２Ｓｂ８８共晶組成を有するＧａ−Ｓｂ二元系相変化型記録膜は、融点：５８８．０℃、結晶化温度：２０４．９℃を有し、このＧａ１２Ｓｂ８８共晶組成を有するＧａ−Ｓｂ二元系相変化型記録膜は、該膜と同一の成分組成を有する焼結合金からなるターゲットを用いてスパッタリングすることにより作製されることも知られている（例えば、非特許文献１参照）。
【非特許文献１】「ＰＣＯＳ２００２」Ｈｉｇｈ‐Ｄｅｎｓｉｔｙ＆Ｈｉｇｈ−Ｓｐｅｅｄ  Ｐｈａｓｅ  ＣｈａｎｇｅＲｅｃｏｒｄｉｎｇ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ  ｆｏｒ  Ｆｕｔｕｒｅ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  Ｔｈｅ  １４ｔｈ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍｏｎ  Ｐｈａｓｅ  Ｃｈａｎｇｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  Ｓｔｏｒａｇｅ  ＰＣＯＳ２００２（２００２年１１月２８、２９日に静岡県伊東市の伊東大和館において開催）第１１〜１５頁。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、前記従来のＧａ１２Ｓｂ８８の共晶組成を有するＧａ−Ｓｂ二元系相変化型記録膜は融点が５８８．０℃であり結晶化温度が２０４．９℃であるために融点および結晶化温度が高く、そのために書き込みおよび消去時に大きな電力を必要とし、回路への大きな負担となっていた。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
そこで、本発明者らは、従来のＧａ１２Ｓｂ８８の共晶組成を有するＧａ−Ｓｂ二元系相変化型記録膜の融点（５８８．０℃）よりも低い融点を有するＧａＳｂ系相変化型記録膜を作製し、書き込み消去動作時に使用する電力を低減させるべく研究を行なった。その結果、
（イ）通常のＧａＳｂ共晶系相変化型記録膜において、Ｓｎ：５〜２０％未満（以下、％は原子％を示す）を含有せしめ、さらに必要に応じてＩｎ：０．５〜１５％を含有せしめたＧａＳｂ系相変化型記録膜は、融点および結晶化温度を一層低くすることができ、したがって、書き込み消去動作時に使用する電力を一層低減させることができる、
（ロ）前記（イ）記載のＧａＳｂ系相変化型記録膜は、このＧａＳｂ系相変化型記録膜と同一の成分組成を有するターゲットを用いてスパッタリングすることにより得られる、という研究結果が得られたのである。
【０００５】
この発明は、かかる研究結果に基づいて成されたものであって、
（１）原子％で（以下、％は原子％を示す）Ｇａ：５〜２０％を含有し、さらにＳｎ：５〜２０％未満を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物の組成を有するＳｂ基合金からなる融点が低くかつ結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜、
（２）原子％で（以下、％は原子％を示す）Ｇａ：５〜２０％を含有し、さらにＳｎ：５〜２０％未満を含有し、さらにＩｎ：０．５〜１５％を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物の組成を有するＳｂ基合金からなる融点が低くかつ結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜、
（３）前記（１）または（２）記載の組成を有するＳｂ基合金からからなる融点が低くかつ結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
【０００６】
この発明の融点が低くかつ結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜の成分組成を前述のごとく限定した理由を説明する。
（ａ）  Ｇａ
この発明のＧａＳｂ系相変化型記録膜に含まれるＧａを５〜２０％に限定したのは、Ｇａの含有量が５％未満では結晶化温度が低くなり過ぎてマーク安定性が悪くなるので好ましくなく、一方、Ｇａが２０％を越えて含有すると、結晶化温度が高くなり過ぎて結晶化が困難になるので好ましくないことによるものである。
【０００７】
（ｂ）  Ｓｎ
Ｓｎ成分は、ＧａＳｂ系相変化型記録膜の融点および結晶化温度を下げるために添加するが、これら成分を５％未満添加しても膜の融点および結晶化温度を下げる効果が薄いので好ましくなく、一方、２０％以上を含有させると、融点および結晶化温度が低くなり過ぎてかえってマーク安定性が悪くなるので好ましくない。したがって、この発明のＧａＳｂ系相変化型記録膜に含まれるＳｎ量を５〜２０％未満に定めた。
【０００８】
（ｃ）  Ｉｎ
Ｉｎ成分は、Ｓｎともに含有することにより融点および結晶化温度を一層下げる作用を有するが、その含有量が０．５％未満ではその効果が十分現れず、一方、１５％を越えて含有すると、結晶化温度が低すぎてマーク安定性が悪くなるので好ましくない。したがって、Ｓｎとともに含有するＩｎの量は０．５〜１５％に定めた。
【０００９】
この発明のＧａＳｂ系相変化型記録膜は、この発明のＧａＳｂ系相変化型記録膜の成分組成と同じ成分組成を有する合金をＡｒガス雰囲気中で溶解した後、鉄製モールドに出湯して合金インゴットを作製し、これらを不活性ガス雰囲気中で粉砕して合金粉末を作製し、この合金粉末を真空ホットプレスすることによりスパッタリングターゲットを作製し、かかる条件で作製したスパッタリングターゲットを通常のスパッタリング装置に装入し、通常の条件でスパッタすることにより形成することができる。
前記真空ホットプレスは、圧力：１４６〜１５５ＭＰａ、温度：３７０〜４３０℃、１〜２時間保持の条件で行なわれ、その後、モールドの温度が２７０〜３００℃まで下がった時点で冷却速度：１〜３℃／ｍｉｎ．で常温まで冷却することにより行われることが一層好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によると、適度に低い融点を有するＧａＳｂ系相変化型記録膜が得られ、書き込み消去動作時の電流値を低減し、書き換え速度の一層の高速化が可能となり、低消費電力化、デバイスの微小化に寄与し、光メモリー産業の発展に大いに貢献し得るものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
実施例１
Ｇａ、ＳｂおよびＳｎをＡｒガス雰囲気中で溶解して合金溶湯を作製し、この合金溶湯にさらに必要に応じてＩｎを添加して合金溶湯を作製し、これら合金溶湯を鋳造して合金インゴットを作製し、これら合金インゴットをＡｒ雰囲気中で粉砕することにより、いずれも粒径：２５０μｍ以下の合金粉末を作製した。
これら合金粉末を温度：４００℃、圧力：１４６ＭＰａで真空ホットプレスすることによりホットプレス体を作製し、これらホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の表１に示される成分組成を有する本発明ターゲット１〜１２、比較ターゲット１〜４および従来ターゲット１を作製した。
【００１２】
【表１】
2005022407.tif 000002
【００１３】
これら本発明ターゲット１〜１２、比較ターゲット１〜４および従来ターゲット１をそれぞれ銅製の冷却用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のインジウムろう材にてハンダ付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置に装入し、ターゲットとポリカーボネート基板の間の距離を７０ｍｍになるようにセットした後、到達真空度：５×１０-5Ｐａ以下になるまで真空引きを行い、その後、全圧：１．０ＰａになるまでＡｒガスを供給し、
・基板温度：室温、
・投入電力：５０Ｗ（０．４Ｗ／ｃｍ2）、
の条件でスパッタリングを行い、ポリカーボネート基板の表面に、厚さ：３μｍを有しアモルファス膜である本発明ＧａＳｂ系相変化型記録膜：１〜１２、比較ＧａＳｂ系相変化型記録膜１〜４および従来ＧａＳｂ系相変化型記録膜１を形成した。
このようにして得られたアモルファス膜である本発明ＧａＳｂ系相変化型記録膜：１〜１２、比較ＧａＳｂ系相変化型記録膜１〜４および従来ＧａＳｂ系相変化型記録膜１をポリカーボネート基板から１０ｍｇ剥離して粉末化したものについてＤＴＡ（示差熱分析法）により融点および結晶化温度を測定し、その結果を表２に示した。
【００１４】
【表２】
2005022407.tif 000003
【００１５】
表１〜２に示される結果から、本発明ターゲット１〜１２を用いてスパッタリングすることにより得られた本発明ＧａＳｂ系相変化型記録膜：１〜１２の結晶化温度は従来ターゲット１を用いてスパッタリングすることにより得られた従来ＧａＳｂ系相変化型記録膜１の結晶化温度（２０４．９℃）に比べて低く、かつ融点が大幅に低いことが分かる。しかし、この発明の条件から外れた成分組成を有する比較ターゲット１〜４を用いてスパッタリングすることにより得られた結晶化させた比較ＧａＳｂ系相変化型記録膜１〜４は、結晶化温度および融点の少なくとも一方が上がり過ぎたり下がり過ぎたりして好ましくないことが分かる。
【００１６】
実施例２
さらに、本発明者らは、Ｓｎ単独、Ｉｎ単独またはＳｎおよびＩｎを共に含むＧａＳｂ共晶系相変化型記録膜を組込んだサンプル記録媒体１〜１１を作製し、さらにＳｎおよびＩｎのいずれをも含まないＧａＳｂ共晶系相変化型記録膜を組込んだサンプル記録媒体１２を作製した。このサンプル記録媒体１〜１２におけるＧａＳｂ共晶系相変化型記録膜の結晶化速度を測定しその結果を表３に示した。サンプル記録媒体１〜１２の作製は下記のようにして行った。
まず、いずれも直径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤形状を有する市販のＡｇターゲット、ＺｎＳ−ＳｉＯ２ターゲットを用意し、さらにＳｎ単独、Ｉｎ単独またはＳｎおよびＩｎを共に含むＧａＳｂ共晶系相変化型記録膜形成用ターゲットを用意し、さらにＳｎおよびＩｎのいずれをも含まないＧａＳｂ共晶系相変化型記録膜形成用ターゲットを用意した。さらに、ポリカーボネート基板を用意した。
次に、これらＡｇターゲット、ＺｎＳ−ＳｉＯ２ターゲットおよびＳｎ単独、Ｉｎ単独またはＳｎおよびＩｎを共に含むＧａＳｂ共晶系相変化型記録膜形成用ターゲット並びにＳｎおよびＩｎのいずれをも含まないＧａＳｂ共晶系相変化型記録膜形成用ターゲットをそれぞれ銅製の冷却用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のインジウムろう材にてハンダ付けした。
【００１７】
これら各種ターゲットを直流マグネトロンスパッタリング装置に装入し、ポリカーボネート基板の上に、反射膜／保護膜／記録膜／保護膜／ポリカーボネート基板の順に下記の条件で成膜することによりサンプル記録媒体１〜１２を作製した。
【００１８】
保護膜成膜条件：
先に用意したＺｎＳ−ＳｉＯ２ターゲットとポリカーボネート基板を直流マグネトロンスパッタリング装置に装入し、ＺｎＳ−ＳｉＯ２ターゲットとポリカーボネート基板の間の距離を８０ｍｍとなるようにセットした後、到達真空度：４×１０−４Ｐａ（３×１０−６Ｔｏｒｒ）以下になるまで真空引きを行い、その後、全圧：０．６７Ｐａ（５×１０−３Ｔｏｒｒ）になるまでＡｒガスを供給し、
・基板温度：室温、
・投入電力：３００Ｗ、
の条件でスパッタリングを行い、ポリカーボネート基板の表面に、厚さ：１００ｎｍを有するＺｎＳ−ＳｉＯ２保護膜を形成し、この厚さ：１００ｎｍを有するＺｎＳ−ＳｉＯ２保護膜を形成したポリカーボネート基板を１２枚作製した。
【００１９】
記録膜成膜条件：
次に、ＧａＳｂ共晶系相変化型記録膜形成用ターゲットを直流マグネトロンスパッタリング装置に装入し、これらターゲットと前記厚さ：１００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２保護膜を形成したポリカーボネート基板との間の距離を１８０ｍｍになるようにセットした後、到達真空度：４×１０−４Ｐａ（３×１０−６Ｔｏｒｒ）以下になるまで真空引きを行い、その後、全圧：０．８３Ｐａ（６．２×１０−３Ｔｏｒｒ）になるまでＡｒガスを供給し、
・基板温度：室温、
・投入電力：２５Ｗ、
の条件でスパッタリングを行い、ポリカーボネート基板表面のＺｎＳ−ＳｉＯ２保護膜の上に、いずれも厚さ：１０ｎｍを有し、表３に示される成分組成を有するＧａＳｂ共晶系相変化型記録膜を形成した。
【００２０】
反射膜成膜条件：
前記ポリカーボネート基板の上に形成された厚さ：１０ｎｍを有するＳｎ単独、Ｉｎ単独またはＳｎおよびＩｎを共に含むＧａＳｂ共晶系相変化型記録膜１〜１１およびこれら成分を含まないＧａＳｂ共晶系相変化型記録膜１２の上に、さらに前記保護膜成膜条件と同じ条件で厚さ：１５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２保護膜をそれぞれ形成した。その後、先に用意したＡｇターゲットを前記厚さ：１５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２保護膜を形成したポリカーボネート基板との間の距離が８０ｍｍになるようにセットし、到達真空度：４×１０−４Ｐａ（３×１０−６Ｔｏｒｒ）以下になるまで真空引きを行い、その後、全圧：０．６７Ｐａ（５×１０−３Ｔｏｒｒ）になるまでＡｒガスを供給し、
・基板温度：室温、
・投入電力：２００Ｗ、
の条件でスパッタリングを行い、前記膜厚：１５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２保護膜の上に、さらに膜厚：２２５ｎｍを有する反射膜を形成した。
【００２１】
このようにしてポリカーボネート基板の上に、反射膜（２２５ｎｍ）／保護膜（膜厚：１５ｎｍ）／記録膜（膜厚：１０ｎｍ）／保護膜（膜厚：１００ｎｍ）／ポリカーボネート基板の順に成膜することにより表３に示されるサンプル記録媒体１〜１２を作製し、このサンプル記録媒体１〜１２について、Ｍｅｄｉａ  ＴｅｓｔＩを用い、レーザー波長：６５８ｎｍ、対物レンズ開口数（ＮＡ）：０．６の条件にて結晶核が形成される時間（すなわち核形成時間）および非晶出相から結晶質相へ変化する速度（すなわち結晶化速度）を測定し、その結果を表３に示した。
Ｍｅｄｉａ  ＴｅｓｔＩを用いて核形成時間および結晶化速度を測定するには、同じ個所に核形成のためのレーザーおよび結晶化のためのレーザーを２回に分けて連続照射する。核形成時間はレーザーの照射により核が形成された最短のレーザー照射時間である。前記Ｍｅｄｉａ  ＴｅｓｔＩはレーザーのパワーが最大２９ｍＷであり、結晶化のためのレーザーは１〜２９ｍＷの範囲において１ｍＷ刻みでレーザーのパワーを変えて結晶化速度を測定し、得られた結晶化速度の中で最も速い結晶化速度をそのサンプルの結晶化速度とした。
【００２２】
一般に、非晶質相から結晶質相へ変化する際、核形成→結晶化の過程を経て結晶質へ移行する。このＭｅｄｉａ  ＴｅｓｔＩを用いて結晶化速度を測定する方法は、同じ個所に核形成のためのレーザーおよび結晶化のためのレーザーを二回分けて連続照射し、結晶化のためのレーザー照射前後の結晶領域の半径の変化を測定し、さらに結晶化のためのレーザー照射時間を測定し、この測定値から、結晶化速度（ｍ／ｓ）＝（結晶化のためのレーザー照射前後の結晶領域の半径の変化）／（結晶化のためのレーザー照射時間）の式で定義される線速度を求めたものである。
【００２３】
【表３】
2005022407.tif 000004
表３に示される結果から、下記の事項が分かる。
（ａ）ＧａＳｂにＳｎのみ添加したＧａＳｂ系相変化型記録膜を有するサンプル記録媒体１は結晶化速度が速く、かつ核形成時間が短い。
（ｂ）ＧａＳｂにＩｎのみ添加したＧａＳｂ系相変化型記録膜を有するサンプル記録媒体１１は結晶化速度が遅く、核形成時間が長い。
（ｃ）ＧａＳｂにＳｎおよびＩｎを共に添加したＧａＳｂ系相変化型記録膜を有するサンプル記録媒体２〜１０は、核形成時間が短くなる。
（ｄ）Ｓｎ：６．５〜１０％、Ｉｎ：０．５〜３．５％を添加したサンプル記録媒体は核形成時間が短く、かつ結晶化速度も速い。