(57)【要約】【課題】  回路基板を製造する場合において、安価で簡便なサブトラクティブ法を用い、その場合であっても、導体パターンの微細化を達成することのできる回路基板の製造方法を提案する。【解決手段】  絶縁基材（１）の表面に形成した金属層（２）上に第１レジスト（４）を塗布してパターニングし、パターニングされた第１レジスト上に遮光性を有する膜を塗布し、第１レジスト及び遮光性膜から成る第１マスキングを介して金属層にハーフエッチングを施し、ハーフエッチングを施した面にポジ型液状レジスト（１２）を塗布し、第１マスキングの上部から露光し且つ現像して、第１マスキング下部のポジ型液状レジストを保護し、第１マスキング及び保護したポジ型液状レジストよりなる第２マスキングを介して金属層に再度エッチングを施し、第１マスキング及び第２マスキングを除去することを特徴とする。【選択図】      図３
2005026646.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材の表面に形成した金属層上に第１レジストを塗布して該第１レジストをパターニングする工程と、
パターニングされた第１レジスト上に遮光性を有する膜を形成する工程と、
第１レジスト及び遮光性を有する膜から成る第１マスキングを介して前記金属層にハーフエッチングを施す工程と、
前記第１マスキング上からハーフエッチングを施した面にポジ型レジストを塗布し、前記第１マスキングの上部から露光し且つ現像して、該第１マスキング下部のポジ型レジストを保護する工程と、
前記第１マスキング及び保護した前記ポジ型レジストよりなる第２マスキングを介して前記金属層に再度エッチングを施す工程と、
前記第１マスキング及び第２マスキングを除去する工程と、
からなることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１マスキングの上部からのポジ型レジストへの露光は、該回路基板の第１マスキング面に対して直角な方向の平行光にて行うことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
絶縁基材の表面に形成した金属層上に第１レジストを塗布して該第１レジストをパターニングし、パターニングされた第１レジスト上に遮光性を有する膜を形成し、第１レジスト及び遮光性を有する膜から成る第１マスキングを介して前記金属層にハーフエッチングを施し、前記第１マスキング上からハーフエッチングを施した面にポジ型レジストを塗布し、前記第１マスキングの上部から露光し且つ現像して、該第１マスキング下部のポジ型レジストを保護し、前記第１マスキング及び保護したポジ型レジストよりなる第２マスキングを介して前記金属層に再度エッチングを施し、更に、前記第１マスキング及び第２マスキングを除去してなる、前記絶縁基材の表面に金属パターンを有する回路基板。
【請求項４】
前記絶縁基材は可撓性のもので、ＴＡＢテープとして構成されることを特徴とする請求項３に記載の回路基板。
【請求項５】
金属板の両面に第１レジストを塗布して該第１レジストをパターニングする工程と、
パターニングされた第１レジスト上に遮光性を有する膜を形成する工程と、
第１レジスト及び遮光性を有する膜から成る第１マスキングを介して前記金属板を両面からハーフエッチングを施す工程と、
前記第１マスキング上からハーフエッチングを施した面にポジ型レジストを塗布し、前記第１マスキングの上部から露光し且つ現像して、該第１マスキング下部のポジ型レジストを保護する工程と、
前記第１マスキング及び保護した前記ポジ型レジストよりなる第２マスキングを介して前記金属板を両面から再度エッチングを施す工程と、
前記第１マスキング及び第２マスキングを除去する工程と、
からなることを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項６】
前記第１マスキングの上部からのポジ型レジストへの露光は、前記金属板第１マスキング面に対して直角な方向の平行光にて行うことを特徴とする請求項５に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項７】
金属板の両面に第１レジストを塗布して該第１レジストをパターニングし、パターニングされた第１レジスト上に遮光性を有する膜を形成し、第１レジスト及び遮光性を有する膜から成る第１マスキングを介して前記金属板を両面からハーフエッチングを施し、前記第１マスキング上からハーフエッチングを施した面にポジ型レジストを塗布し、前記第１マスキングの上部から露光し且つ現像して、該第１マスキング下部のポジ型レジストを保護し、前記第１マスキング及び保護した前記ポジ型レジストよりなる第２マスキングを介して前記金属板を両面から再度エッチングを施し、前記第１マスキング及び第２マスキングを除去して成ることを特徴とするリードフレーム。
【請求項８】
金属板の両面又は片面に第１レジストを塗布して該第１レジストをパターニングする工程と、
パターニングされた第１レジスト上に遮光性を有する膜を形成する工程と、
第１レジスト及び遮光性を有する膜から成る第１マスキングを介して前記金属板を両面又は片面からハーフエッチングを施す工程と、
前記第１マスキング上からハーフエッチングを施した面にポジ型レジストを塗布し、前記第１マスキングの上部から露光し且つ現像して、該第１マスキング下部のポジ型レジストを保護する工程と、
前記第１マスキング及び保護した前記ポジ型レジストよりなる第２マスキングを介して前記金属板を両面又は片面から再度エッチングを施す工程と、
前記第１マスキング及び第２マスキングを除去する工程と、
からなることを特徴とする、金属板のパターン形成方法。
【請求項９】
金属板の両面又は片面に第１レジストを塗布して該第１レジストをパターニングし、パターニングされた第１レジスト上に遮光性を有する膜を形成し、第１レジスト及び遮光性を有する膜から成る第１マスキングを介して前記金属板を両面又は片面からハーフエッチングを施し、前記第１マスキング上からハーフエッチングを施した面にポジ型レジストを塗布し、前記第１マスキングの上部から露光し且つ現像して、該第１マスキング下部のポジ型レジストを保護し、前記第１マスキング及び保護した前記ポジ型レジストよりなる第２マスキングを介して前記金属板を両面又は片面から再度エッチングを施し、前記第１マスキング及び第２マスキングを除去して成ることを特徴とする、パターンを有する金属板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路基板又はリードフレームの製造方法、及びこれらの方法により製造された回路基板又はリードフレームに関し、更に詳しくは、サブトラクティブ法によって絶縁基材上に導体パターンを形成する回路基板の製造方法及びその方法によって製造した回路基板、或いはサブトラクティブ法によるパターン技術を利用して金属板からリードフレームを製造する方法或いは金属板に微細パターンを形成する方法、及びこれらの方法により製造されたリードフレーム或いは金属板に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板を製造する場合において、サブトラクティブ法は安価で簡便な方法であり、従来から最も広く使用されている。その半面、近年における半導体装置や各種の電子機器の高密度化、微細化に伴って、回路基板におけるより微細な導体パターンを得るという点では、不利な面もある。
【０００３】
図１（ａ）〜（ｄ）は従来のサブトラクティブ法により回路基板を製造する工程を示す断面図で、エッチングにより樹脂基材の上に導体パターンを形成する工程を示す。まず、図１（ａ）に示すように、樹脂基材１に銅箔２を貼り付けた基板素材３を準備し、次に図１（ｂ）に示すように、銅箔２にマスキング用として、ドライ・フィルム・レジスト（ＤＦＲ）を形成し又は液状レジストを塗布することにより、レジスト４を形成し、周知の方法でこのレジスト４の露光、現像を行って、レジストパターン４ｂを形成する。次に、図１（ｃ）に示すように、エッチング液を吹き付けて銅箔２のレジストパターン形成部分以外の部分４ａを溶解させて銅パターン部分を残す。そして、図１（ｄ）に示すように、レジストパターン４ｂを除去することにより、残された銅箔の部分が導体パターン５となる。
【０００４】
【特許文献１】特開昭６２−１１５８９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来の回路基板の製造方法によると、図１（ｃ）に示すように、導体パターン５が、樹脂基材１と銅箔２との界面６の側のパターン幅（ｂ）に対して、レジストを形成した上部側の幅（ａ）が小さい略台形の形状となる傾向にある。これは、エッチングの進行過程において、エッチング液がマスキング４の直下の部分にまで適用され銅箔２に対してサイドエッチングが行なわれてしまうからである。特に、樹脂基材１と銅箔２との間の界面６は、一般には図示のように微小な凹凸があり、この凹凸の界面６にまで十分にエッチング液を適用するのに時間を要することもあり、その間に上述のようにエッチング液がマスキング４の直下の部分にまで適用されてしまうからである。
【０００６】
このため、パターン５の幅そのもの、或いは隣接するパターン間のピッチ（ｃ）を縮小しようとすると、パターン５の特に樹脂基材１から離れた上部の側において十分な幅を確保することが困難となり、結局、微細化を達成することが困難となっていた。
【０００７】
そこで、本発明では、回路基板を製造する場合において、安価で簡便なサブトラクティブ法を用い、その場合であっても、導体パターンの微細化を達成することのできる回路基板の製造方法、及びこのような方法によって製造された回路基板を得ることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を達成するために、本発明によれば、絶縁基材の表面に形成した金属層上に第１レジストを塗布して該第１レジストをパターニングする工程と、パターニングされた第１レジスト上に遮光性を有する膜を塗布する工程と、第１レジスト及び遮光性を有する膜から成る第１マスキングを介して前記金属層にハーフエッチングを施す工程と、前記第１マスキング上からハーフエッチングを施した面にポジ型レジストを塗布し、前記第１マスキングの上部から露光し且つ現像して、該第１マスキング下部のポジ型レジストを保護する工程と、前記第１マスキング及び保護した前記ポジ型レジストよりなる第２マスキングを介して前記金属層に再度エッチングを施す工程と、前記第１マスキング及び第２マスキングを除去する工程と、からなることを特徴とする回路基板の製造方法が提供される。
【０００９】
この場合において、ハーフエッチングは、金属箔のエッチングにより溶解される領域が、金属層により形成されている導体パターンの上部側に所望の幅を残す程度とするのが好ましい。
【００１０】
本発明では、このようにマスキング工程及びエッチング工程をそれぞれ２回に分けて行うことにより、２度目のレジストであるポジ型液状レジストの非感光部分を新たなマスキング（第２マスキング）として使用でき、これにより従来から広範に用いられているサブトラクティブ法によっても、導体パターンの微細化を達成することができる。
【００１１】
前記第１マスキングの上部からのポジ型液状レジストへの露光は、該回路基板の第１マスキング面に対して直角な方向の平行光にて行うことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明によると、絶縁基材の表面に形成した金属層上に第１レジストを塗布して該第１レジストをパターニングし、パターニングされた第１レジスト上に遮光性を有する膜を形成し、第１レジスト及び遮光性を有する膜から成る第１マスキングを介して前記金属層にハーフエッチングを施し、前記第１マスキング上からハーフエッチングを施した面にポジ型レジストを塗布し、前記第１マスキングの上部から露光し且つ現像して、該第１マスキング下部のポジ型レジストを保護し、前記第１マスキング及び保護したポジ型レジストよりなる第２マスキングを介して前記金属層に再度エッチングを施し、更に、前記第１マスキング及び第２マスキングを除去してなる、前記絶縁基材の表面に金属パターンを有する回路基板が提供される。
【００１３】
この場合において、前記絶縁基材は可撓性のもので、ＴＡＢテープとして構成されることを特徴とする。
【００１４】
更に、本発明によると、金属板の両面に第１レジストを塗布して該第１レジストをパターニングする工程と、パターニングされた第１レジスト上に遮光性を有する膜を形成する工程と、第１レジスト及び遮光性を有する膜から成る第１マスキングを介して前記金属板を両面からハーフエッチングを施す工程と、前記第１マスキング上からハーフエッチングを施した面にポジ型レジストを塗布し、前記第１マスキングの上部から露光し且つ現像して、該第１マスキング下部のポジ型レジストを保護する工程と、前記第１マスキング及び保護した前記ポジ型レジストよりなる第２マスキングを介して前記金属板を両面から再度エッチングを施す工程と、前記第１マスキング及び第２マスキングを除去する工程と、からなることを特徴とするリードフレームの製造方法が提供される。この場合においても、前記第１マスキングの上部からのポジ型レジストへの露光は、該回路基板の第１マスキング面に対して直角な方向の平行光にて行うことを特徴とする。
【００１５】
更にまた、本発明によると、金属板の両面に第１レジストを塗布して該第１レジストをパターニングし、パターニングされた第１レジスト上に遮光性を有する膜を形成し、第１レジスト及び遮光性を有する膜から成る第１マスキングを介して前記金属板を両面からハーフエッチングを施し、前記第１マスキング上からハーフエッチングを施した面にポジ型レジストを塗布し、前記第１マスキングの上部から露光し且つ現像して、該第１マスキング下部のポジ型レジストを保護し、前記第１マスキング及び保護した前記ポジ型レジストよりなる第２マスキングを介して前記金属板を両面から再度エッチングを施し、前記第１マスキング及び第２マスキングを除去して成ることを特徴とするリードフレームが提供される。
【００１６】
更にまた、本発明によると、金属板の両面又は片面に第１レジストを塗布して該第１レジストをパターニングする工程と、パターニングされた第１レジスト上に遮光性を有する膜を形成する工程と、第１レジスト及び遮光性を有する膜から成る第１マスキングを介して前記金属板を両面又は片面からハーフエッチングを施す工程と、前記第１マスキング上からハーフエッチングを施した面にポジ型レジストを塗布し、前記第１マスキングの上部から露光し且つ現像して、該第１マスキング下部のポジ型レジストを保護する工程と、前記第１マスキング及び保護した前記ポジ型レジストよりなる第２マスキングを介して前記金属板を両面又は片面から再度エッチングを施す工程と、前記第１マスキング及び第２マスキングを除去する工程と、からなることを特徴とする、金属板のパターン形成方法及びこのようにして形成した微細パターンを有する金属板が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１８】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１９】
図２（ａ）〜（ｆ）はサブトラクティブ法を用いた本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造工程を断面図で示したものである。
【００２０】
図２（ａ）において、樹脂基材１に周知の方法にて銅箔２を形成して基板素材３とした状態を示す。樹脂基材１としては、一般的にエポキシ系樹脂或いはガラス・エポキシ系樹脂が使用される。
【００２１】
次に、図２（ｂ）において、銅箔の上面に、第１マスキング４として、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を形成し、周知の方法で露光、現像を行って、レジストパターン４ｂを形成する。
【００２２】
次に、図２（ｃ）において、レジストパターンの第１マスキング４に向けてエッチング液を吹き付けてハーフエッチングを施す。このハーフエッチングにより、銅箔２の第１マスキング４のエッチング液通過部分４ａの下側の銅箔２の周辺領域を溶解させる。そして、銅箔２の溶解する部分１１がパターン１７（図２（ｆ））上部に所望の幅を残すことになるように、ハーフエッチングの条件（エッチング時間等）を調整する。
【００２３】
これにより、図示のように、銅箔２の第１マスキングパターン４ｂのレジストに近接する上部においては、銅箔２の溶解した部分１１がレジストパターンのエッチング液通過部分４ａの幅（ｄ）より銅箔２の内側へ若干食い込んでいて、溶解された部分１１の幅（ｅ）がレジストパターン幅（ｄ）より大きく、半面、銅箔２の上部と樹脂基材１に接触する界面６との間の中間領域では、丸みを帯びていて、断面形状が全体として略Ｕ字形状の溝１１が形成される。
【００２４】
次に、図２（ｄ）において、前工程でハーフエッチングを施した部分の全面にポジ型液状レジスト１２を塗布する。この状態で、ポジ型液状レジスト１２を塗布した部分の全面に平行光１３で露光する。このように露光に使用する光１３は、この回路基板の第１マスキング４の面に対して直交する方向に第１マスキングパターン４ｂに向けて照射する平行光であることが望ましいが、ポジ型液状レジスト１２内への光線の届く範囲が深い場合は、必ずしも平行光である必要はない。
【００２５】
この露光工程により、ポジ型液状レジスト１２の光に露光された部分、即ち、ポジ型液状レジスト１２の第１マスキングパターン４ｂの上部にある領域部分１２ａ及びこの第１マスキングパターン４ｂのエッチング液通過部分４ａの直下にある領域部分１２ｂが露光される。換言すると、第１マスキングパターンの非透過部分４ｂの下側の領域であって、前工程であるハーフエッチングの際に、レジストパターンの幅（ｄ）より銅箔２の内側へ若干食い込んで溶解された領域１２ｃは、露光されないまま残ることとなる。なお、第２マスキング１２のレジスト形成方法としては、金属の存在している部分のみにレジストを付着させるポジ型電着（Electro Deposition)によってもよい。
【００２６】
なお、この実施形態において、第１マスキング及び第２マスキングを構成する２つの感光レジスト、即ちドライ・フィルム・レジスト４とポジ型液状レジスト又はポジ型電着レジスト１２を使用しているが、これらの感光レジストの感光波長と使用する露光波長との間を適宜組み合わせることが必要である。このため、例えば、ポジ型液状レジスト又はポジ型電着レジスト１２を露光する平行光１３の波長は、ポジ型液状レジスト又はポジ型電着レジスト１２に対しては吸収されるが、ドライ・フィルム・レジスト４に対しては透過しないような波長のものを選定する。
【００２７】
次に、図２（ｅ）において、ポジ型液状レジスト１２の露光された部分１２ａ、１２ｂを現像することにより、感光したポジ型液状レジストの部分１２ａ、１２ｂのみ溶解する。したがって、ポジ型液状レジスト１２の溶解した部分１２ａ、１２ｂを除去することが可能となる。ポジ型液状レジスト１２の溶解していない部分１２ｃは、そのまま残り、前述の略Ｕ字形状の溝１１は両側の内壁が平行な溝１４となり、このポジ型液状レジスト１２の溶解されていない部分１２ｃがマスクパターン（第２マスキング）として次の工程で使用できるようになる。
【００２８】
次に、そのまま残してある銅箔２の表面のドライフィルムレジスト（第１マスキング）４及びポジ型液状レジストの残存した部分１２ｃ（第２マスキング）をマスクパターンとして、第二次エッチングを施す。これにより、平行溝１４の下側の銅箔の部分１５が溶解され、溶解部分は、銅箔２と樹脂基材１とが接触する界面６にまで達する。
【００２９】
次に、ドライフィルムレジスト４及び残存しているポジ型液状レジスト１２ｃを剥離する。
【００３０】
これにより、図２（ｆ）に示すように、深さ方向に中央部で幅が狭く上部及び下部で断面が円形に膨らんだダルマ形状の溝１６が形成される。即ち、導体パターン１７としては、その断面形状において幅の最も小さい部分の幅（ｇ）と最も大きい部分の幅（ｈ）との差（ｈ−ｇ）が、図１に示す従来例のように導体パターンの断面形状が台形である場合の幅の差（ｂ−ａ）に比べてはるかに小さくなり、したがって、隣接するパターン間のピッチ（ｃ）をより狭くすることができ、回路基板の微細化を達成することができる。
【００３１】
図３（ａ）〜（ｆ）はサブトラクティブ法を用いた本発明の第２実施形態に係る回路基板の製造工程を断面図で示したものである。第１実施形態においては、第１レジストとして、遮光性のある材料を使用する必要があったが、この第２実施形態では、第１レジスト４が遮光性を有することを必要としない。以下、第１実施形態と異なる点についてのみ説明する。
【００３２】
まず、図３（ａ）において、樹脂基材１に銅箔２を形成した基板素材３の銅箔２上に第１マスキング４として、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を形成し、周知の方法で露光、現像を行って、レジストパターン４ｂを形成する。樹脂基材１としては、一般的にエポキシ系樹脂或いはガラス・エポキシ系樹脂が使用される。
【００３３】
次に、図３（ｂ）において、第１マスキング４のレジストパターンを形成した部分４ｂ上に遮光性を有する膜３０を形成する。遮光性を有する膜３０を形成する場合、塗布又は転写によりレジスト４の開口部４ａを除くパターン部分４ｂ上のみに形成する。
【００３４】
次に、図３（ｃ）において、レジストパターン４及び遮光性膜３０を第１マスキングとして、銅箔２上にエッチング液を吹き付けてハーフエッチングを施す。このハーフエッチングにより、第１実施形態の場合と同様、銅箔２の第１マスキングのエッチング液通過部分の下側の銅箔２の周辺領域１１を溶解させる。レジストパターン４を第１マスキングとしてハーフエッチングを施してから、遮光性を有する膜３０を形成してもよい。
【００３５】
次に、図３（ｄ）において、第１実施形態の場合と同様、前工程でハーフエッチングを施した部分を含む全面にポジ型液状の第２レジスト１２を塗布し、露光する。この場合において、第１レジスト４自体は遮光性がなくても、その上面に遮光性膜３０が形成されているので、第１レジスト４と遮光性膜３０の両者を第２マスキングとして使用することにより、露光の際の遮光として機能を十分はたすことができる。
【００３６】
次に、図３（ｅ）において、第２レジスト１２の露光された部分１２ａ、１２ｂを現像することにより、感光した第２レジストの部分１２ａ、１２ｂのみ溶解する。この第２レジスト１２の溶解されていない部分１２ｃがマスクパターン（第２マスキング）として次の工程で使用できるようになる。
【００３７】
次に、そのまま残してある銅箔２の表面の第１レジスト４及び遮光性膜３０（第１マスキング）及びポジ型液状の第２レジストの残存した部分１２ｃ（第２マスキング）をマスクパターンとして、第１実施形態と同様、第二次エッチングを施す。
【００３８】
次に、遮光性膜３０、ドライフィルムレジスト（第１レジスト４）及び残存しているポジ型液状レジスト（第２レジスト）１２ｃを剥離する。
【００３９】
これにより、第１実施形態の場合と同様、図２（ｆ）に示すような回路基板の微細化を達成することができる導体パターン１７が得られる。また、この第２実施形態では、第１レジスト４自体は遮光性がなくても使用可能である。
【００４０】
図４（ａ）〜（ｆ）はリードフレームの製造工程を断面図で示すもので、サブトラクティブ法を用いた本発明の第３実施形態に係る。リードフレームに対して適用するために銅板２の両面からエッチングを施す点を除き、基本的には、第２実施形態と同様である。以下、第２実施形態と異なる点についてのみ説明する。
【００４１】
まず、図４（ａ）において、リードフレームの基材となる銅板２を準備し、その両面に、第１マスキング４として、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を形成し、周知の方法で露光、現像を行って、レジストパターン４ｂを形成する。
【００４２】
次に、図４（ｂ）において、銅板２の両面の第１マスキング４のレジストパターンを形成した部分４ｂ上に遮光性を有する膜３０を形成する。図４（ｃ）において、レジストパターン４及び遮光性膜３０を第１マスキングとして、銅板２の両面からエッチング液を吹き付けてハーフエッチングを施す。このハーフエッチングの深さは、銅板２の厚さの半分より少ない適当な厚さとする。次に、図４（ｄ）において、銅板２の両面のハーフエッチングを施した部分を含む全面にポジ型液状の第２レジスト１２を塗布し、露光する。次に、図４（ｅ）において、銅板２の両面で、第２レジスト１２を現像してマスクパターン（第２マスキング）を形成する。次に、図４（ｆ）において、そのまま残してある銅板２の表面の第１レジスト４及び遮光性膜３０（第１マスキング）及びポジ型液状の第２レジストの残存した部分１２ｃ（第２マスキング）をマスクパターンとして、第二次エッチングを施す。
【００４３】
次に、遮光性膜３０、ドライフィルムレジスト（第１レジスト４）及び残存しているポジ型液状レジスト（第２レジスト）１２ｃを剥離する。
【００４４】
これにより、リード幅及びリード間隔が微細化されたリードフレームを得ることができる。
【００４５】
以上添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の精神ないし範囲内において種々の形態、変形、修正等が可能である。
【００４６】
例えば、上述の実施形態においては、樹脂基材１の表面に導体パターンを形成する場合について説明したが、本発明は、例えば、樹脂基材として可撓性のあるものを使用することによりタブテープ（ＴＡＢ−ＴＡＰＥ）を製造することができる。このように、本発明はサブトラクティブ法により製造するあらゆる回路基板又はリードフレームの製品について適用可能である。
【００４７】
更に、本発明は、エッチングにより微細パターンを形成する金属板にも適用可能である。この場合は、形成すべてパターンの状況に応じて金属板の両面又は片面からエッチングを行うことができる。
【００４８】
なお、上記の実施形態では、被エッチング材としての第１金属層２として、銅の場合について説明したが、その他、銅合金、鉄、鉄−ニッケル合金／４２アロイ、ＳＵＳ等を使用することができる。
【００４９】
また、エッチング溶液としては、通常使用されている塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液を使用することができる。また、液状ポジ型レジストの塗布方法としては、バーコーターを用いる方式、ディッブ式等による。レジスト（ドライフィルムレジスト又は液状ポジ型レジスト）の剥離には、アルカリ性フェリシアン化カリウム溶液を用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
以上説明したように、本発明によれば、回路基板において導体パターンのピッチを狭くすることができる。また、導体パターンの上部の幅を確保することができ、上部付近のパターン幅と下部付近のパターン幅との差を小さくすることができる。更にまた、厚い導体パターンの回路基板に対してサブトラクティブ法を適用することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】従来のサブトラクティブ法により製造された回路基板の断面図である。
【図２】サブトラクティブ法による本発明の回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係るリードフレームの製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１…樹脂基材
２…銅箔（第１金属層）
３…基板素材
４…レジストパターン（第１レジスト）
４ｂ…第１マスキングパターン
１１…Ｕ字形溝
１２…第２マスキング（ポジ型液状第２レジスト）
１２ｃ…第２マスキング
１３…平行光
１４…平行溝
１５…第二次エッチング
１６…銅パターン
１７…導体パターン
３０…遮光性膜
【図１】
2005026646.tif 000003
【図２】
2005026646.tif 000004
【図３】
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【図４】
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