(57)【要約】【課題】半導体チップの一面にキャビティを持った半導体装置を、生産性よく多数同時に製造できる半導体装置の製造方法を提案する。【解決手段】  複数のリードを有する素子形成部をマトリクス状に複数個配置したリードフレームを金型内に設置し、各素子形成部にそれぞれキャビティを有するモールド樹脂膜をモールドしたベースパッケージを形成し、各キャビティ内の１つのリードに半導体チップをそれぞれ配置し、各半導体チップの電極をワイヤにてリードに接続した後、各キャビティをキャップにより共通に覆い、各半導体チップを封止し、その後、各素子形成部が独立するように、ベースパッケージとキャップを分離する。【選択図】図９
2005175182.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のリードを有する素子形成部をマトリクス状に複数個配置したリードフレームを金型内に設置し、前記各素子形成部にそれぞれキャビティを有するモールド樹脂膜をモールドしたベースパッケージを形成するベースパッケージ工程、前記各キャビティ内の１つのリードにそれぞれ半導体チップを配置し各半導体チップの電極をワイヤにて前記リードに配線するチップ工程、平板状のキャップにより前記各キャビティを共通に覆い前記各半導体チップを封止する封止工程、および前記各素子形成部が互いに独立するように前記ベースパッケージとキャップを分離する分離工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記リードフレームが複数の縦方向に延びる縦枠線と、これに交差する複数の横枠線を有し、これらの各縦枠線と横枠線とにより囲まれた領域に、前記素子形成部がそれぞれ形成されたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記リードフレームとして、表面酸化し難い金属メッキ層を形成したリードフレームが使用されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法であって、前記金属メッキ層として銀（Ａｇ）または金（Ａｕ）メッキ層が用いられることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３記載の半導体装置の製造方法であって、前記金属メッキ層としてニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）メッキ層が用いられることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記金型として、平坦な第１型面を有する第１金型と、前記キャビティに対応した多数の突出ピンを含む第２型面を有する第２金型を使用し、前記第１型面と第２型面の間に前記リードフレームを設置し、前記ベースパッケージを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法であって、前記リードフレームと前記第１型面との間に、耐熱性と弾力性を持った弾性シートを配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法であって、前記弾性シートとしてポリイミドシートが使用されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７記載の半導体装置の製造方法であって、前記弾性シートと前記第１型面との間に、さらに耐熱性と弾力性を持ったアシストテープを配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法であって、前記アシストテープとしてポリテトラフロロエチレンが使用されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記キャップが、前記モールド樹脂膜とほぼ同じ線膨張係数を持った材料で構成されたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法であって、前記モールド樹脂膜と前記キャップがともにエポキシ樹脂で構成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記キャップの一面に、熱硬化性または熱可塑性の接着材層が形成され、この接着材層を介して前記キャップが前記モールド樹脂に接合されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記キャップが光透過形の材料で構成され、前記キャビティの周りのモールド樹脂膜に接着剤層を形成して、前記キャップを前記モールド樹脂膜に接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記ベースパッケージが仕切部分により複数の区域に区切されたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置、とくに高周波半導体装置などのように導体チップの一面にキャビティを有する半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の半導体装置の製造方法が、例えば特開２０００−２８６３５４号公報に開示されている。この先行技術には、ベースパッケージ基板とキャップ部材を用いた半導体装置の製造方法が示されている。ベースパッケージ基板は、上面に導電性パターンを形成した平板状の下側樹脂基板と、複数の透孔を形成した上側樹脂基板とにより構成される。半導体チップを複数の各透孔内の導電性パターンに接合し、半導体チップの複数の電極を導電性パターンの所定部分のワイヤにより接続した後、各透孔を塞ぐように、ベースパッケージ基板上にキャップ部材が接着され、半導体チップの一面にキャビティが形成され、その後、各キャビティが互いに分離するようにスクライブラインから分離されて、複数の半導体装置が構成される。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２８６３５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし前記公報に開示された従来の製造方法では、ベースパッケージ基板を構成するために、下側樹脂基板と上側樹脂基板を特別に準備する必要があり、生産性が悪い。
【０００５】
この発明は、この不都合を改善し、トランスファーモールドなどのモールド技術により、より簡単に、しかも多数の半導体装置を製造することができるようにした半導体装置の製造方法を提案するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明による半導体装置の製造方法は、ベースパッケージ工程と、チップ工程と、封止工程と、分離工程とを含む。ベースパッケージ工程では、複数のリードを有する素子形成部をマトリクス状に複数個配置したリードフレームを金型内に設置し、前記各素子形成部にそれぞれキャビティを有するモールド樹脂膜をモールドしたベースパッケージを形成する。チップ工程では、前記各キャビティ内の１つのリードにそれぞれ半導体チップを配置し各半導体チップの電極をワイヤにて前記リードに配線する。封止工程では、平板状のキャップにより前記各キャビティを共通に覆い前記各半導体チップを封止する。また分離工程では、前記各素子形成部が互いに独立するように前記ベースパッケージとキャップを分離する。
【発明の効果】
【０００７】
この発明による半導体装置の製造方法、とくにそのベースパッケージ工程では、複数のリードを有する素子形成部をマトリクス状に複数個配置したリードフレームが使用され、このリードフレームを金型内に設置し、各素子形成部にそれぞれキャビティを有するモールド樹脂膜をモールドしたベースパッケージが形成される。このベースパッケージ工程では、トランスファーモールドなどのモールド技術が使用され、従来の特別な下側樹脂基板と上側樹脂基板を使用することなく、より簡単に、多数の半導体チップを作り込むことができ、このベースパッケージにより、多数の半導体装置を生産性よく製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下この発明のいくつかの実施の形態について、図面を参照して説明する。
【０００９】
［半導体装置の説明］
図１はこの発明によって製造された半導体装置の一例を示す表面側斜視図、図２はその裏面側斜視図である。これらの図１、図２に基づき、まず完成した半導体装置の一例について説明する。
【００１０】
図１、図２に示す半導体装置ＳＤは、例えばガリウム砒素（ＧａＡｓ）半導体を用いた高周波半導体装置、ＧａＡｓＨＥＭＴである。この半導体装置ＳＤは、ベースパッケージ素子ＢＰと、キャップ素子ＣＰを有する。ベースパッケージ素子ＢＰは、ほぼ正方形の薄板形状に構成されたモールド樹脂片ＭＲと、第１リードＬＡと、第２リードＬＢと、第３リードＬＣと、半導体チップＳＣと、接続ワイヤＣＷを有する。モールド樹脂片ＭＲには、円柱形のキャビティＣＶが形成され、このキャビティＣＶの中に半導体チップＳＣが配置される。
【００１１】
モールド樹脂片ＭＲは相対向する上面ＵＳと下面ＤＳと、および４つの端面Ｅ１からＥ４を有し、上面ＵＳにキャビティＣＶが形成されている。第１リードＬＡはモールド樹脂片ＭＲの下面ＤＳの相対向する一対の端面Ｅ１、Ｅ３に隣接した一対の露出電極部ＬＡａ、ＬＡｂを有し、モールド樹脂片ＭＲの中をほぼ横方向に延びている。第２リードＬＢ、第３リードＬＣは、第１リードＬＡの両側に配置され、第２リードＬＢはモールド樹脂片ＭＲの下面ＤＳの端面Ｅ２に露出電極部ＬＢａを有する。第３リードＬＣはモールド樹脂片ＭＲの下面ＤＳの端面Ｅ４に露出電極部ＬＣａを有する。
【００１２】
半導体チップＳＣは、キャビティＣＶ内において、第１リードＬＡの上面にダイボンドされ、この半導体チップＳＣの各電極と第１リードＬＡ、第２リードＬＢ、および第３リードＬＣとが接続ワイヤＣＷで接続される。半導体チップＳＣを包むキャビティＣＶは、キャップ素子ＣＰにより気密状態で封止されている。
【００１３】
［ベースパッケージの説明］
次にこの発明による半導体装置の製造方法の実施の形態１において製造されるベースパッケージについて図３、図４を参照して説明する。図３はベースパッケージの主要部の上面図、図４は図３のＩＶ―ＩＶ線による断面図である。
【００１４】
これらの図３、図４において、ベースパッケージ１０は、図１、図２に示す半導体装置ＳＤを多数同時に作るために製造されるものであり、リードフレーム２０と、モールド樹脂膜３０と、半導体チップ４０と、接続ワイヤ５０とを有する。
【００１５】
リードフレーム２０は平板状の導電性基板を所定形状にエッチングして作られ、表面２０ａと裏面２０ｂとを有する。このリードフレーム２０は、複数の横枠線２２と、複数の縦枠線２３を有し、これらの横枠線２２と縦枠線２３は互いに直交するようにマトリクス状に配置される。複数の横枠線２２は互いに平行で等間隔に配置され、複数の縦枠線２３も互いに平行で等間隔に配置される。
【００１６】
このリードフレーム２０には、エッチング後、その全表面に表面が酸化し難い金属メッキ層２１が形成される。この金属メッキ層２１として、銀（Ａｇ）または金（Ａｕ）のメッキ層が使用される。または金属メッキ層２１として、ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）の３層からなるメッキ層を使用してもよい。
【００１７】
２つの隣接する横枠線２２と、２つの隣接する縦枠線２３とにより囲まれた領域に、素子形成部２５がそれぞれ画定される。これらの素子形成部２５もリードフレーム２０にマトリクス状に複数個画定され、図３はその１つの素子形成部２５を中心とする部分を示している。
【００１８】
各素子形成部２５は２つの隣接する横分離ラインＬ１と、２つの隣接する縦分離ラインＬ２により周縁が画定され、正方形の形状とされる。これらの分離ラインＬ１、Ｌ２は、分離工程において、複数個の半導体装置ＳＤを分離するためのラインであり、図３、図４において一点鎖線で示されるように、横枠線２２、縦枠線２３の僅かに外側に設定される。
【００１９】
素子形成部２５は、第１リード２６と、第２リード２７と、第３リード２８とを含んでいる。第１、第２、第３リード２６、２７、２８は、それぞれ図１、図２に示す半導体装置ＳＤの第１、第２、第３リードＬＡ、ＬＢ、ＬＣを構成する。第１リード２６は、２つの隣接する横枠線２２の中間にあり、横枠線２２と平行に横方向に延びており、その両外端部２６ａ、２６ｂは両側の縦枠線２３にそれぞれ連結されている。この第１リード２６の両端部２６ａ、２６ｂの各裏面は、半導体装置ＳＤの露出電極部ＬＡａ、ＬＡｂを構成する。この第１リード２６は中央表面にダイボンド部２６ｃを有し、このダイボンド部２６ｃは両端部２６ａ、２６ｂよりも狭い幅を有する。なお、ダイボンド部２６ｃの裏面には、縦方向に延びる縦断溝２６ｄが形成されており、この縦断溝２６ｄにもモールド樹脂が充填される。
【００２０】
第２リード２７と、第３リード２８は、第１リード２６のそれぞれ上側と下側に配置される。これらの第２、第３リード２７、２８は隣接する２つの縦枠線２３の中間にあって、縦枠線２３と平行にダイボンド部２６ｃに向かって延びているが、第１リード２６によって互いに分断されている。第２リード２７の外端部２７ａは上側の横枠線２２に、また第３リード２８の外端部２８ａは下側の横枠線２２にそれぞれ連結される。これらの第２、第３リード２７、２８の外端部２７ａ、２８ａの裏面は、それぞれ図１、図２に示された露出電極部ＬＢａ、ＬＣａを構成する。第２、第３リード２７、２８の各内端部２７ｂ、２８ｂはともにダイボンド部２６ｃに間隔をおいて対向している。
【００２１】
モールド樹脂膜３０はリードフレーム２０の表面２０ａの上に形成されるが、同時にその裏面２０ｂにも露出する。このモールド樹脂膜３０は、横分離ラインＬ１と縦分離ラインＬ２とにより分離されたときに、図１、図２に示すモールド樹脂片ＭＲを構成する。このモールド樹脂膜３０は各素子形成部２５の中心に円柱状に形成されたキャビティ３１を有する。このキャビティ３１は、図１に示す半導体装置ＳＤのキャビティＣＶを構成する。このキャビティ３１には、第１リード２６のダイボンド部２６ｃと、第２、第３リード２７、２８の内端部２７ｂ、２８ｂが露出する。
【００２２】
半導体チップ４０は図１、図２に示す半導体チップＳＣを構成する。この各半導体チップ４０は各キャビティ３１内に配置され、各キャビティ３１内において、第１リード２６のダイボンド部２６ｃ上にダイボンドされている。この半導体チップ４０には、実施の形態１ではガリウム砒素（ＧａＡｓ）半導体で作られた高周波半導体素子が使用される。この半導体チップ４０はその頂面に、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄおよびゲート電極Ｇを有する。
【００２３】
接続ワイヤ５０は図１、図に示す接続ワイヤＣＷを構成する。この接続ワイヤ５０は、半導体チップ４０と第１、第２、第３リード２６、２７、２８を接続する。実施の形態１では、４本のソース接続ワイヤ５１、１本のドレイン接続ワイヤ５２、および１本のゲート接続ワイヤ５３を含んでいる。４本のソース接続ワイヤ５１は半導体チップ４０のソース電極Ｓと第１リード２６を接続している。ドレイン接続ワイヤ５２、ゲート接続ワイヤ５３は、半導体チップ４０のドレイン電極Ｄ、ゲート電極Ｇをそれぞれ第２、第３リード２７、２８の内端部２７ｂ、２８ｂに接続している。
【００２４】
［半導体装置の製造方法の説明］
実施の形態１．
さて、この発明による半導体装置の製造方法の実施の形態１について説明する。この実施の形態１による半導体装置ＳＤの製造方法では、ベースパッケージ工程、チップ工程、封止工程、分離工程がこの順番に実施され、これらの各工程を経て、半導体装置ＳＤが製造される。
【００２５】
（ベースパッケージ工程の説明）
まず、ベースパッケージ工程について説明する。このベースパッケージ工程では、図５、図６に示すようにリードフレーム２０が使用される。このリードフレーム２０は図３、図４に示したリードフレーム２０と同じものであるが、図５にはこのリードフレーム２０の全体の斜視図を示す。図６はその側面図である。このリードフレーム２０は長方形の外枠２０Ａの内部に、複数の横枠線２２と、複数の縦枠線２３をマトリクス状に配置したものである。隣接する２つの横枠線２２と、隣接する２つの縦枠線２３とのより囲まれた領域に、図３に示す素子形成部分２５がそれぞれ形成されている。また、リードフレーム２０の全表面には、金属メッキ層２１が形成されている。
【００２６】
ベースパッケージ工程では、リードフレーム２０が金型内に設置されるが、リードフレーム２０には、図７、図８に示すように、耐熱性と弾力性を持った弾性シート６０が当接される。この弾力シート６０はリードフレーム２０の裏面２０ｂの全面に、各縦断溝２６ｄを覆うように当接される。この弾性シート６０として、ポリイミドシートが使用される。弾性シート６０はリードフレーム２０とほぼ同じ面積を持つ。図７は、リードフレーム２０と弾性シート６０を示す斜視図であり、図８はそれらを組み合わせた側面図である。
【００２７】
図９はリードフレーム２０と弾力テープ６０が金型７１、７２の間に挟まれる状態を示す。第１金型７１は板状の金型であり、リードフレーム２０の裏面２０ｂと対向する平坦な第１型面７１Ａを有する。第２金型７２の第２型面７２Ａは、リードフレーム２０の表面２０ａに対向する大きな凹部７２ａを有し、この大きな凹部７２ａの中に、複数個の突出ピン７２ｂが突出している。この複数個の突出ピン７２ｂは、複数個のキャビティ３１のそれぞれに対応してマトリクス状に配置されており、それぞれが円柱状に形成される。
【００２８】
リードフレーム２０は、その裏面２０ｂが金型７１の型表面７１Ａに対向し、その表面２０ａが金型７２の型表面７２Ａに対向するようにして、金型７１、７２の間に配置される。リードフレーム２０の裏面２０ｂには、弾性シート６０が当接されるが、さらに、この弾性シート６０と型面７１Ａとの間に、アシストテープ７３が挟み込まれる。このアシストテープ７３は、リードフレーム２０と同じ幅を持ち、弾性シート６０のほぼ全面を覆う。またアシストテープ７３は弾性シート６０と同様に耐熱性と弾力性を持ったもので、例えば、ポリテトラフロロエチレンからなるテープが使用される。
【００２９】
金型７１、７２の第１型面７１Ａと第２型面７２Ａの間に、弾性シート６０、アシストテープ７３とともにリードフレーム２０を挟んだ状態で、トランスファーモールドが行なわれる。使用する樹脂は、例えばエポキシであり、エポキシからなるモールド樹脂膜３１がリードフレーム２０に形成される。このモールド樹脂膜３１はリードフレーム２０の表面２０ａに形成されるが、同時にその裏面２０ｂにも露出するように形成される。また、素子形成部２５における第１リード２６のダイボンド部２６ｃの裏面に設けられた縦断溝２６ｄにもモールド樹脂膜３０が充填される。
【００３０】
このトランスファーモールド時に、リードフレーム２０は複数個の突出ピン７２ｂにより平坦な第１型面７１Ａに押圧されるが、リードフレーム２０の厚さのばらつき、複数個の突出ピン７２ｂの突出高さのばらつきなどに起因して、各突出ピン７２ｂがリードフレーム２０を押圧する圧力に圧力差が生じるおそれがあり、この圧力差のためにキャビティ３１の底部に樹脂バリが発生する可能性がある。弾性シート６０およびアシストテープ７３は、この圧力差を吸収する作用をし、樹脂バリの発生を抑制する。
【００３１】
リードフレーム２０の全表面を覆う金属メッキ層２１は、トランスファーモールド時にもリードフレーム２０の表面酸化を防ぐとともに、樹脂バリが発生したときに、その樹脂バリを容易に取り除くのに有効である。
【００３２】
図１０はトランスファーモールドによりモールド樹脂膜３０が形成されたベースパッケージ１０の一部を拡大して示す。
【００３３】
（チップ工程の説明）
トランスファーモールドに続く次の工程は、チップ工程である。このチップ工程では、トランスファーモールドによりリードフレーム２０に形成されたモールド樹脂膜３０の複数個のキャビティ３１のそれぞれに半導体チップ４０が配置され、この半導体チップ４０がそれぞれのキャビティ３１内で、第１リード２６のダイボンド部２６ｃにダイボンドされ、続いて接続ワイヤ５０による接続が行なわれる。この接続ワイヤ５０は、図３に示すようにソース接続ワイヤ５１、ドレイン接続ワイヤ５２、およびゲート接続ワイヤ５３を含む。このチップ工程により、ベースパッケージ１０が完成する。この段階で製造されたベースパッケージ１０の一部を図１１に拡大して示す。図３、図４はこのベースパッケージ１０の主要部を示したものである。
【００３４】
（封止工程の説明）
ベースパッケージ工程に続き、封止工程が実施される。この封止工程では、図１２に示すように、ベースパッケージ１０の各キャビティ３１を共通のキャップ８０で封止する。この封止工程では、各キャビティ３１を封止する共通のキャップ８０がモールド樹脂膜３０の上面に接着される。このキャップ８０には、モールド樹脂膜３０と同じ線膨張係数を持たすために、モールド樹脂膜３０と同じエポキシ樹脂からなるキャップが使用される。キャップ８０としては、リードフレーム２０とほぼ同じ面積を持った平板状のキャップが使用され、ベースパッケージ１０の各キャビティ３１を同時に、共通に封止する。
【００３５】
キャップ８０の裏面には、図１３に示すように周縁部を除いて、全面に接着材層８１が被着される。この接着材層８１は、熱硬化性または熱可塑性の接着材層を印刷する方法、または熱硬化性または熱可塑性の接着シートを貼り付ける方法によって形成される。キャップ８０はこの接着材層８１を、モールド樹脂膜３０の上面全面に接触させ、全体を加熱、加圧することにより、モールド樹脂膜３０の上面に接着される。このキャップ８０は各キャビティ３１の周りでモールド樹脂膜３０の上面に接着し、各キャビティ３１を気密状態に封止する。
【００３６】
（分離工程の説明）
封止工程に続き、複数の半導体装置ＳＤを分離する分離工程が実施される。この分離工程では、図３、図４に示すキャビティ３１を含む素子形成部２５がそれぞれ独立するように、分離ラインＬ１、Ｌ２に沿って、ベースパッケージ１０を構成するリードフレーム２０、モールド樹脂膜３０、およびキャップ８０が切断される。図１２にも縦方向の分離ラインＬ２を示す。この分離工程はダイサーなどを使用して実施される。この分離工程により、図１、図２に示す半導体装置ＳＤが同時に多数製造される。
【００３７】
以上のように実施の形態１では、複数のリード２６、２７、２８を有する素子形成部２５をマトリクス状に複数個配置したリードフレーム２０を金型７１、７２内に設置し、各素子形成部２５にそれぞれキャビティ３１を有するモールド樹脂膜３０をモールドしたベースパッケージ１０を形成するベースパッケージ工程と、各キャビティ３１内の１つのリード５６に半導体チップ４０を配置し各半導体チップ４０をリード２６、２７、２８に配線するチップ工程と、平板状のキャップ８０により各キャビティ３１を共通に覆い各半導体チップ４０を封止する封止工程と、各素子形成部が互いに独立するようにベースパッケージとキャップを分離する分離工程とを含むので、キャビティ３１を持った多数の半導体装置ＳＤを、同時に生産性よく製造することができ、半導体装置ＳＤの製造原価を低減し、安価な半導体装置ＳＤを提供できる。
【００３８】
また実施の形態１では、表面酸化し難い金属メッキ層２１を形成したリードフレーム２０を使用するので、モールド時においてもリードフレーム２０の表面酸化を防止できるとともに、モールド樹脂膜３０のモールド時に樹脂バリが生成しても、容易に除去することができる。
【００３９】
また実施の形態１では、平坦な第１型面７１Ａを有する第１金型７１と、キャビティ３１に対応した複数の突出ピン７２ｂを含む第２型面７２Ａを有する第２金型７２との間に、リードフレーム２０を挟んでベースパッケージ１０を形成するので、各素子形成部２５に生産性よくキャビティ３１を同時に形成することができる。
【００４０】
また実施の形態１では、リードフレームと第１型面７１Ａとの間に弾性シート６０を配置し、またこの弾性シート６０と第１型面７１Ａとの間にさらに弾力性を持ったアシストテープを挟むので、リードフレーム２０の厚さのばらつき、突出ピン７２ｂの突出高さのばらつきなどに起因する、各突出ピン７２ｂによる押圧力の圧力差を吸収し、樹脂バリを少なくすることができる。
【００４１】
また実施の形態１では、キャップがモールド樹脂膜とほぼ同じ線膨張係数を持った材料とされるので、半導体装置の使用時における温度上昇によっても、半導体チップ４０を気密に封止することができる。
【００４２】
さらに実施の形態１では、キャップの一面に、熱硬化性または熱可塑性の接着材層８１が形成され、この接着材層８１によりキャップ８０がモールド樹脂膜３０に接着されるので、キャップ８０による封止工程を簡単に行なうことができる。
【００４３】
実施の形態２．
この実施の形態２は、エポキシ樹脂からなるキャップ８０を光透過形のキャップ８０に代えるもので、その他は実施の形態１と同様に構成される。光透過形のキャップ８０は、透明ガラス、または透明プラステック材の平板で作られる。この光透過形のキャップ８０を使用する場合、モールド樹脂膜３０の上面全面に接着材層を塗布または印刷し、光透過形のキャップ８０をモールド樹脂膜３０の上面全面に接着する。この光透過形のキャップ８０を使用すれば、レーザダイオードＬＤ、ホトディテクタＰＤなどの光半導体装置を構成したときに、キャップ８０が分離されて構成されるキャップ素子ＣＰを通じて、光を透過させることができ、光半導体装置を容易に製造できる。
【００４４】
実施の形態３．
この実施の形態３は、図１４に示すように、ベースパッケージ１０を複数の区域１０Ａから１０Ｄに区切って構成するもので、この各区域１０Ａから１０Ｄを個別に封止めする複数の平板状のキャップ８０Ａから８０Dを使用する。ベースパッケージ１０には、区域１０Ａから１０Ｄを区切る横方向仕切部分１１と縦方向仕切部分１２が設けられる。この仕切部分１１、１２はリードフレーム２０およびモールド樹脂膜３０に形成され、各区域１０Ａから１０Ｄのそれぞれに複数の素子形成部２５がマトリクス状に配置される。その他は実施の形態１と同じに構成される。この実施の形態３によれば、仕切部分１１、１２により、ベースパッケージ１０が補強されるので、樹脂バリを少なくして、より多くの半導体装置ＳＤを同時に製造できる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
この発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップの一面のキャビティを持った半導体装置、例えば高周波半導体装置、光半導体装置の製造に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】この発明の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の一例を示す表側斜視図。
【図２】半導体装置の裏側斜視図。
【図３】この発明の半導体装置の製造方法の実施の形態１で製造されるベースパッケージの主要部の上面図。
【図４】図３のＩＶ―ＩＶ線断面図。
【図５】この発明の半導体装置の製造方法の実施の形態１において使用されるリードフレームの斜視図。
【図６】リードフレームの側面図。
【図７】この発明の半導体装置の製造方法の実施の形態１において使用されるリードフレームと弾性シートを示す斜視図。
【図８】リードフレームと弾性シートを組み合わせた側面図。
【図９】この発明の半導体装置の製造方法の実施の形態１において使用されるモールド金型を示す断面図。
【図１０】この発明の半導体装置の製造方法の実施の形態１において、モールド終了時におけるベースパッケージを示す断面図。
【図１１】この発明の半導体装置の製造方法の実施の形態１において製造されたベースパッケージを示す断面図。
【図１２】この発明の半導体装置の製造方法の実施の形態１において、封止工程終了時におけるベースパッケージとキャップを示す断面図。
【図１３】この発明の半導体装置の製造方法の実施の形態１において使用されるキャップの裏側斜視図。
【図１４】この発明の半導体装置の製造方法の実施の形態３において使用されるベースパッケージとキャップを示す斜視図。
【符号の説明】
【００４７】
１０：ベースパッケージ、１０Ａ〜１０Ｄ：区域、
１１、１２：仕切部分、２０：リードフレーム、
２１：金属メッキ層、２２：横枠線、２３：縦枠線、２５：素子形成部、
２６、２７、２８：リード、Ｌ１、Ｌ２：分離ライン、
３０：モールド樹脂膜、３１：キャビティ、
４０：半導体チップ、５０：接続ワイヤ、６０：弾性シート、
７１：第１金型、７１Ａ：第１型面、７２：第２金型、７２Ａ：第２型面、
７２ｂ：突出ピン、７３：アシストテープ、８０、８０Ａ〜８０Ｄ：キャップ、
８１：接着材層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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