(57)【要約】【課題】絶縁体から成る蓋体において、２５ＧＨｚ以上の準ミリ波帯以上の高周波数領域においても良好な伝送特性が得られる高周波回路部品収納用パッケージを提供すること。【解決手段】上面に２５〜９０ＧＨｚの周波数領域で使用される高周波回路部品４の搭載部２ａを有する絶縁基体２と、絶縁基体２の上面に搭載部２ａを取り囲むように封止材９を介して接合された、下面に凹部を有するセラミックスから成る蓋体３とを具備し、絶縁基体２と蓋体３とから成る容器内部に高周波回路部品４を気密に収容する高周波回路部品収納用パッケージ１であって、蓋体３の側壁部の高さをＴ（ｍｍ）、蓋体３の側壁部の厚みをＷ（ｍｍ）、高周波回路部品４で使用される高周波信号の蓋体３内部での実効波長をλ（ｍｍ）としたときに、Ｔ＜λ／２またはＷ＜λ／４である。【選択図】  図１
2005050866.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に２５〜９０ＧＨｚの周波数領域で使用される高周波回路部品の搭載部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の上面に前記搭載部を取り囲むように封止材を介して接合された、下面に凹部を有するセラミックスから成る蓋体とを具備し、前記絶縁基体と前記蓋体とから成る容器内部に前記高周波回路部品を気密に収容する高周波回路部品収納用パッケージであって、前記蓋体の側壁部の高さをＴ（ｍｍ）、前記蓋体の側壁部の厚みをＷ（ｍｍ）、前記高周波回路部品で使用される高周波信号の前記蓋体内部での実効波長をλ（ｍｍ）としたときに、Ｔ＜λ／２またはＷ＜λ／４であることを特徴とする高周波回路部品収納用パッケージ。
【請求項２】
前記蓋体は、２５〜９０ＧＨｚの周波数領域での比誘電率が８以下であるとともに、内面および外面の少なくとも一方に２５〜９０ＧＨｚの周波数領域での比誘電率が前記蓋体よりも低い絶縁層が被着されていることを特徴とする請求項１記載の高周波回路部品収納用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、２５ＧＨｚ以上の準ミリ波帯の高周波領域で使用される高周波回路部品収納用パッケージに関し、特に、絶縁基体と絶縁体から成る蓋体とで高周波回路部品を気密に封止する高周波回路部品収納用パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、衛星通信網の構築に伴い、２５ＧＨｚを超える周波数帯の周波数を使用する高周波回路部品が民生化され、高周波帯における部品の小型化，低価格化の要求が強まってきている。なお、高周波信号の周波数が２５ＧＨｚ以上といった準ミリ波帯以上の高周波領域では高周波信号の波長が数ｍｍ〜数１０ｍｍとなっている。
【０００３】
このような高周波回路部品収納用パッケージは、高周波回路基板等の高周波回路部品が実装される酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁体から成り、その上面の中央部に高周波回路部品を搭載するための搭載部およびその周辺から下面にかけて導出されたタングステンやモリブデン等の高融点金属から成る複数の配線導体層を有する絶縁基体と、同じく酸化アルミニウム質焼結体等の絶縁体をから成る蓋体とで主に構成される。そして、この高周波回路部品収納用パッケージの内部に高周波回路部品を気密に収容することによって高周波回路装置と成る。なお、配線導体層は、高周波回路部品に電源を供給する電源導体、高周波信号を伝達する信号配線導体および外部からのノイズをシールドする接地導体から構成されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平７−５０３６２号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記構成の高周波回路部品収納用パッケージにおいては、蓋体が絶縁体から成ること、および蓋体には絶縁基体のように接地導体等の配線導体層が形成されていないことから、絶縁基体に形成された信号配線導体や高周波回路部品から漏れ出た高周波信号が電磁波として絶縁体から成る蓋体を透過して高周波回路部品収納用パッケージの外部に漏れ出る際に、蓋体内部に高周波回路部品収納用パッケージを透過する電磁波の定在波が発生し易くなり、この定在波によって蓋体が高周波信号と共振するとともに、この共振が高周波回路部品や信号配線導体を伝送する高周波信号の伝送特性に影響を与え、その結果、高周波回路装置の伝送特性が大きく劣化するという問題点を有していた。
【０００６】
また、絶縁体から成る蓋体の比誘電率が大きな値になると、信号配線導体や高周波回路部品から漏れ出た高周波信号が電磁波として絶縁体から成る蓋体を透過して高周波回路部品収納用パッケージの外部に漏れ出る際に、その一部が蓋体の高周波回路部品収納用パッケージ内部側の表面で反射し、この反射した電磁波が高周波回路部品や信号配線導体にノイズを発生させるという問題点をも有していた。
【０００７】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、絶縁体から成る蓋体において、高周波回路部品や信号配線導体から漏れ出た高周波信号により発生する共振を抑制することができ、２５ＧＨｚ以上の準ミリ波帯以上の高周波数領域においても良好な伝送特性が得られる高周波回路部品収納用パッケージを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波回路部品収納用パッケージは、上面に２５〜９０ＧＨｚの周波数領域で使用される高周波回路部品の搭載部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の上面に前記搭載部を取り囲むように封止材を介して接合された、下面に凹部を有するセラミックスから成る蓋体とを具備し、前記絶縁基体と前記蓋体とから成る容器内部に前記高周波回路部品を気密に収容する高周波回路部品収納用パッケージであって、前記蓋体の側壁部の高さをＴ（ｍｍ）、前記蓋体の側壁部の厚みをＷ（ｍｍ）、前記高周波回路部品で使用される高周波信号の前記蓋体内部での実効波長をλ（ｍｍ）としたときに、Ｔ＜λ／２またはＷ＜λ／４であることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の高周波回路部品収納用パッケージにおいて、好ましくは、前記蓋体は、２５〜９０ＧＨｚの周波数領域での比誘電率が８以下であるとともに、内面および外面の少なくとも一方に２５〜９０ＧＨｚの周波数領域での比誘電率が前記蓋体よりも低い絶縁層が被着されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の高周波回路部品収納用パッケージによれば、蓋体の側壁部の高さをＴ（ｍｍ）、蓋体の側壁部の厚みをＷ（ｍｍ）、高周波回路部品で使用される高周波信号の蓋体内部での実効波長をλ（ｍｍ）としたときに、Ｔ＜λ／２またはＷ＜λ／４であることから、蓋体の側壁部の高さＴおよび側壁部の厚みＷが高周波回路部品で使用される高周波信号の波長λに対し十分に薄くかつ狭くなり、高周波回路部品や絶縁基体に形成された信号配線導体から漏れ出た高周波信号が電磁波として絶縁体から成る蓋体を透過して高周波回路部品収納用パッケージの外部に漏れ出る際に、蓋体内部に高周波回路部品や信号配線導体から漏れ出た電磁波の定在波が発生し難くなり、その結果、２５ＧＨｚ以上の準ミリ波帯以上の高周波数領域においても蓋体に発生する共振を抑制することができ、良好な伝送特性が得られる。
【００１１】
また、本発明の高周波回路部品収納用パッケージによれば、上記構成において、蓋体は、２５〜９０ＧＨｚの周波数領域での比誘電率が８以下であるとともに、内面および外面の少なくとも一方に２５〜９０ＧＨｚの周波数領域での比誘電率が蓋体よりも低い絶縁層が被着されていることから、高周波回路部品や信号配線導体から漏れ出た高周波信号が電磁波として絶縁体から成る蓋体を透過して高周波回路部品収納用パッケージの外部に漏れ出る際に、その一部が蓋体の高周波回路部品収納用パッケージ内部側または外部側の表面で反射するのを、誘電率を段階的に変化させることによって有効に抑制することができる。その結果、高周波回路部品や信号配線導体にノイズを発生させるのを非常に有効に抑制することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の高周波回路部品収納用パッケージを添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００１３】
図１は本発明の高周波回路部品収納用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。この図において、２は絶縁基体、３は蓋体であり、主に絶縁基体２と蓋体３とで本発明の高周波回路部品収納用パッケージ１が構成されている。
【００１４】
高周波回路部品収納用パッケージ１を構成する絶縁基体２は、その上面の中央部に２５〜９０ＧＨｚの周波数領域で使用される高周波回路基板等の高周波回路部品４を搭載する搭載部２ａを有し、酸化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体等のセラミックス材料やガラスセラミックス等の無機系材料、四フッ化エチレン樹脂（ポリテトラフルオロエチレン），四フッ化エチレン−エチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹脂），四フッ化エチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂）等のフッ素樹脂、ガラスエポキシ樹脂，ポリフェニレンエーテル樹脂，液晶ポリエステル，ポリイミド等の樹脂系材料などから成る四角形状の板体である。なお、絶縁基体２の縦，横，厚みの寸法は、搭載される高周波回路基板等の高周波回路部品４の大きさや、使用される高周波信号の周波数や特性インピーダンスなどに応じて適宜設定される。
【００１５】
また、絶縁基体２の搭載部２ａの近傍から下面にかけて、ならびに内部および表面には高周波回路部品４に電源を供給する電源導体や高周波信号を伝達する信号配線導体および外部からのノイズをシールドする接地導体等から成る配線導体層５が形成されている。
【００１６】
このような配線導体層５は、高周波信号伝送用として適した金属材料の導体層から成り、例えばＣｕメタライズ層やＭｏ−Ｍｎ，Ｗ，Ｍｏ−Ｍｎメタライズ層上にＮｉめっき層およびＡｕめっき層を被着させたもの、Ｗメタライズ層上にＮｉめっき層およびＡｕめっき層を被着させたもの、Ｃｒ−Ｃｕ合金層、Ｃｒ−Ｃｕ合金層上にＮｉめっき層およびＡｕめっき層を被着させたもの、Ｔａ２Ｎ層上にＮｉ−Ｃｒ合金層およびＡｕめっき層を被着させたもの、Ｔｉ層上にＰｔ層およびＡｕめっき層を被着させたもの、またはＮｉ−Ｃｒ合金層上にＰｔ層およびＡｕめっき層を被着させたもの等から成り、厚膜印刷法あるいは各種の薄膜形成法やめっき処理法などにより形成される。なお、その厚みや幅は伝送される高周波信号の周波数や特性インピーダンスなどに応じて設定される。
【００１７】
このような絶縁基体２および配線導体層５は、例えば絶縁基体２がガラスセラミックスから成る場合であれば、まず絶縁基体２と成るガラスセラミックスのグリーンシートを従来周知のドクターブレード法を用いて成形し、これに所定の打ち抜き加工を施すとともに、スクリーン印刷法により配線導体層５となるＣｕやＡｇなどの導体ペーストを塗布し、次に１０００℃で焼成を行なうことにより形成される。
【００１８】
そして、絶縁基体２の搭載部２ａに２５〜９０ＧＨｚの周波数領域で使用される高周波回路基板等の高周波回路部品４をエポキシ樹脂や金属ろう材等を介して搭載するとともに、絶縁基体２表面の搭載部２ａ近傍に形成された配線導体層５と高周波回路部品４の各電極とをＡｕやＡｌ等の金属細線６で電気的に接続するとともに、絶縁基体２の下面に露出した、配線導体層５の一部を用いて形成した接続パッド５ａを導体バンプ等の導電性接続部材７を介して外部電気回路基板８の配線導体８ａに電気的に接続することにより、高周波回路部品４が外部電気回路基板８と電気的に接続される。
【００１９】
なお、導電性接続部材７としては、Ｃｕ、Ｐｂ−Ｓｎ共晶半田やＰｂを高い割合で含有したＰｂ−Ｓｎ半田あるいはＰｂフリー半田が用いられる。また、接続パッド５ａの形成は、配線導体層５と同様の材料を用いて同様の方法により被着形成する方法の他、他の導電性部材、例えば金属板や金属ブロックを取着することにより形成してもよい。
【００２０】
さらに、接続パッド５ａの外周の表面に絶縁基体２と同様の材料などを用いてコーティングを施したり、同電位の接続パッド５ａ同士において、複数の同電位の接続パッド５ａを覆うように導体層を設けるとともに、導体バンプ等の導電性接続部材７を取着する箇所以外を絶縁基体２と同様の材料などを用いてコーティングを施したりすることによって、絶縁基体２と接続パッド５ａとの密着強度を強固にすることができる。また、その表面にニッケルや金等の良導電性で耐蝕性および導電性接続部材７との濡れ性が良好な金属をめっき法により０．０１〜２０μｍの厚みに被着させておくと、接続パッド５ａの酸化腐食を有効に防止することができるとともに導電性接続部材７による高周波回路部品収納用パッケージ１と外部電気回路基板８との接続を強固となすことができる。
【００２１】
そして、絶縁基体２に高周波回路基板等の高周波回路部品４を実装後、絶縁基体２の上面に搭載部２ａを取り囲むように封止材９を介して絶縁体から成る蓋体３を接合することにより、高周波回路装置となる。
【００２２】
蓋体３は、絶縁基体２に搭載する高周波回路部品４を気密に収容するとともに外部からの衝撃等から高周波回路部品４を保護する機能を有し、酸化アルミニウム質焼結体やムライト質焼結体，ステアタイト質燒結体，フォルステライト質燒結体等の電気絶縁体から形成されている。
【００２３】
そして、本発明の高周波回路部品収納用パッケージ１においては、蓋体３の側壁部の高さをＴ（ｍｍ）、蓋体３の側壁部の厚みをＷ（ｍｍ）、高周波回路部品４で使用される高周波信号の蓋体３内部での実効波長をλ（ｍｍ）としたときに、Ｔ＜λ／２またはＷ＜λ／４であることが重要である。
【００２４】
これにより、蓋体３の側壁部の高さＴおよび側壁部の厚みＷが高周波回路部品４で使用される高周波信号の波長λに対し十分に薄くかつ狭くなり、高周波回路部品４や絶縁基体２に形成された信号配線導体から漏れ出た高周波信号が電磁波として絶縁体から成る蓋体３を透過して高周波回路部品収納用パッケージ１の外部に漏れ出る際に、蓋体３内部に高周波回路部品４や信号配線導体から漏れ出た電磁波の定在波が発生し難くなり、その結果、２５ＧＨｚ以上の準ミリ波帯以上の高周波数領域においても蓋体３に発生する共振を抑制することができ、良好な伝送特性が得られる。
【００２５】
このような蓋体３は、酸化アルミニウム質焼結体やムライト質焼結体，ステアタイト質燒結体，フォルステライト質燒結体等の電気絶縁体から成り、蓋体３が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウムや窒化珪素，酸化マグネシウム，酸化カルシウム等の原料粉末を所定のプレス金型内に充填するとともに一定圧力でプレスして成形し、しかる後、この成形品を約１５００℃の温度で焼成することによって製作される。
【００２６】
また、本発明の高周波回路部品収納用パッケージ１において、好ましくは、蓋体３は、２５〜９０ＧＨｚの周波数領域での比誘電率が８以下であるとともに、内面および外面の少なくとも一方に２５〜９０ＧＨｚの周波数領域での比誘電率が蓋体３よりも低い絶縁層が被着されているのがよい。
【００２７】
これにより、高周波回路部品４や信号配線導体から漏れ出た高周波信号が電磁波として絶縁体から成る蓋体３を透過して高周波回路部品収納用パッケージ１の外部に漏れ出る際に、その一部が蓋体３の高周波回路部品収納用パッケージ１内部側または外部側の表面で反射するのを、誘電率を段階的に変化させることによって有効に抑制することができる。その結果、高周波回路部品４や信号配線導体にノイズを発生させるのを非常に有効に抑制することができる。
【００２８】
蓋体３の内面や外面に被着される絶縁層としては、酸化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体等のセラミックス材料やガラスセラミックス等の無機系材料、四フッ化エチレン樹脂（ポリテトラフルオロエチレン），四フッ化エチレン−エチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹脂），四フッ化エチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂）等のフッ素樹脂、エポキシ樹脂，フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂，液晶ポリエステル，ポリイミド等の熱可塑性樹脂等が挙げられる。
【００２９】
また、絶縁基体２と蓋体３とを接合する封止材９は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成り、絶縁基体２に高周波回路部品４を実装後、絶縁基体２の蓋体３との接合部に、あるいは蓋体３の絶縁基体２との接合部にスクリーン印刷法やディスペンサー法を用いて印刷あるいは塗布され、絶縁基体２と蓋体３とを貼り合わせた後、加熱することにより硬化される。
【００３０】
かくして本発明の高周波回路部品収納用パッケージ１は、絶縁基体２の搭載部２ａに高周波回路部品４をエポキシ樹脂等を介して接合するとともに、高周波回路部品４の各電極と絶縁基体２の搭載部２ａ近傍に形成した配線導体層５とをＡｕの金属細線で電気的に接続し、しかる後、蓋体３を絶縁基体２に封止材９を介して接合することにより高周波回路装置と成る。
【００３１】
【実施例】
以下、本発明の高周波回路部品収納用パッケージの実施例について説明する。
【００３２】
まず、次のサンプルを製作した。
【００３３】
絶縁基体２は、材料として比誘電率６のガラスセラミックスを用い、外寸法を１１ｍｍ×１１ｍｍ、厚みを０．４ｍｍとした。また、絶縁基体２の上下面には配線導体層５および接続パッド５ａをＣｕメタライズにより形成し、さらに上下面のＣｕメタライズには、ＮｉおよびＡｕめっき層を順次被着させた。なお、接続パッド５ａは直径を０．３ｍｍとし、０．８ｍｍ間隔で格子状に形成した。
【００３４】
高周波回路部品４は、比誘電率８．６で厚みが０．１５ｍｍの酸化アルミニウム質焼結体から成る基板の上下面に、Ｗメタライズ，ＮｉおよびＡｕめっき層を順次被着させることによりマイクロストリップラインの高周波伝送線路を形成することにより製作した。
【００３５】
蓋体３は、比誘電率が９．４の酸化アルミニウム質焼結体を用い、形状が絶縁基体２側に凹部を有する形状とし、絶縁基体２に高周波回路部品４を実装後、エポキシ樹脂を介して接合した。なお、蓋体３は、側壁部の高さＴが１．０ｍｍで側壁部の厚みＷが１．０ｍｍのものと、側壁部の高さＴが１．５ｍｍで側壁部の厚みＷが０．５ｍｍの２種類のものを用意した。
【００３６】
外部電気回路基板８は、ガラスクロスにフッ素樹脂を含浸させた絶縁層の上面にＣｕの配線導体５を形成することにより形成した。さらに外部電気回路基板８の上面には、絶縁基体２に形成された接続パッド５ａに対向して、直径０．３ｍｍの配線導体８ａの一部から成る接続パッド８ｂを０．８ｍｍ間隔で格子状に形成した。
【００３７】
そして、これらの部材で高周波回路装置を製作後、絶縁基体２と外部電気回路基板８とをＳｎ３７質量％／Ｐｂ６３質量％である半田ボールを用いて接続した。
【００３８】
評価は、側壁部の高さＴが１．０ｍｍで側壁部の厚みＷが１．０ｍｍである蓋体３を用いた試料を試料１とし、側壁部の高さＴが１．５ｍｍで側壁部の厚みＷが０．５ｍｍである蓋体３を用いた試料を試料２とし、これらの２種類の試料１，２に２５〜９０ＧＨｚの高周波信号を通電し、その時の試料１，２のＳ２１（ｄＢ）を測定した。そして、蓋体３の無い場合との差である△Ｓ２１（ｄＢ）により評価した。評価結果を図２に示す。
【００３９】
図２には試料１および試料２における２５〜９０ＧＨｚの周波数範囲における△Ｓ２１（ｄＢ）を示したグラフであり、横軸は高周波信号の波長λに対する蓋体３の側壁部の高さＴの比、または高周波信号の波長λに対する蓋体３の側壁部の厚みＷの比ｎを表し、縦軸は△Ｓ２１（ｄＢ）を表している。なお、特性曲線のうち実線は試料２の側壁部の厚みＷと高周波信号の波長λとの比を、破線は試料１の側壁部の高さＴと高周波信号の波長λとの比をそれぞれ表している。
【００４０】
図２に示す結果より、試料１において、側壁部の高さＴが高周波信号の波長λの１／２を超えると△Ｓ２１（ｄＢ）が０．１ｄＢ以上増大し、大きく特性劣化していることが分かった。これに対し、高周波信号の波長λの１／２以下では△Ｓ２１（ｄＢ）は０．１ｄＢ以下とそのような特性劣化は見られず、良好な特性が得られた。なお、試料１において、側壁部の厚みＷの高周波信号の波長λに対する比として計算すると、△Ｓ２１は高周波信号の波長λの１／２以下で良好な特性が得られていることとなる。
【００４１】
また、試料２において、側壁部の厚みＷが高周波信号の波長λの１／４を超えると△Ｓ２１（ｄＢ）が０．１ｄＢ以上増大し、大きく特性劣化していることが分かった。これに対し、高周波信号の波長λの１／４以下では△Ｓ２１（ｄＢ）は０．１ｄＢ以下とそのような特性劣化は見られず、良好な特性が得られた。なお、試料２において、側壁部の高さＴの高周波信号の波長λに対する比として計算すると、△Ｓ２１は高周波信号の波長λの３／４以下で良好な特性が得られていることとなる。
【００４２】
従って、蓋体３の側壁部の高さＴが通電した高周波信号の波長λの１／２もしくは、蓋体３の側壁部の厚みＷが通電した高周波信号の波長λの１／４を超えると伝送損失ΔＳ２１（ｄＢ）が急激に大きな値となることがわかった。
【００４３】
さらに、試料１について、蓋体３として比誘電率６のステアタイト質燒結体から成るものを用いたところ、波長λの１／４以下での△Ｓ２１がより改善されることがわかった。
【００４４】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更を加えることは何ら差し支えない。例えば、上記の実施の形態の例では、蓋体３は四角形状のものを用いているが、高周波回路部品４を封止できるものであれば、円柱形状としてもよい。
【００４５】
【発明の効果】
本発明の高周波回路部品収納用パッケージによれば、蓋体の側壁部の高さをＴ（ｍｍ）、蓋体の側壁部の厚みをＷ（ｍｍ）、高周波回路部品で使用される高周波信号の蓋体内部での実効波長をλ（ｍｍ）としたときに、Ｔ＜λ／２またはＷ＜λ／４であることから、蓋体の側壁部の高さＴおよび側壁部の厚みＷが高周波回路部品で使用される高周波信号の波長λに対し十分に薄くかつ狭くなり、高周波回路部品や絶縁基体に形成された信号配線導体から漏れ出た高周波信号が電磁波として絶縁体から成る蓋体を透過して高周波回路部品収納用パッケージの外部に漏れ出る際に、蓋体内部に高周波回路部品や信号配線導体から漏れ出た電磁波の定在波が発生し難くなり、その結果、２５ＧＨｚ以上の準ミリ波帯以上の高周波数領域においても蓋体に発生する共振を抑制することができ、良好な伝送特性が得られる。
【００４６】
また、本発明の高周波回路部品収納用パッケージによれば、上記構成において、蓋体は、２５〜９０ＧＨｚの周波数領域での比誘電率が８以下であるとともに、内面および外面の少なくとも一方に２５〜９０ＧＨｚの周波数領域での比誘電率が蓋体よりも低い絶縁層が被着されていることから、高周波回路部品や信号配線導体から漏れ出た高周波信号が電磁波として絶縁体から成る蓋体を透過して高周波回路部品収納用パッケージの外部に漏れ出る際に、その一部が蓋体の高周波回路部品収納用パッケージ内部側または外部側の表面で反射するのを、誘電率を段階的に変化させることによって有効に抑制することができる。その結果、高周波回路部品や信号配線導体にノイズを発生させるのを非常に有効に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波回路部品用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の高周波回路部品収納用パッケージを用いて△Ｓ２１（ｄＢ）を測定したときの評価結果を表す図である。
【符号の説明】
１・・・・・・・・高周波回路部品収納用パッケージ
２・・・・・・・・絶縁基体
２ａ・・・・・・・搭載部
３・・・・・・・・蓋体
４・・・・・・・・高周波回路部品
５・・・・・・・・配線導体層
５ａ・・・・・・・接続パッド
【図１】
2005050866.tif 000003
【図２】
2005050866.tif 000004