(57)【要約】【課題】コアの屈折率プロファイルの偏りが低減された光導波路デバイス、およびこの光導波路デバイスを作製する方法、を提供する。【解決手段】第１のクラッド３３は、溝３９を有し、また第１のドーパント４１を含む。第２のクラッド３９は、第１のクラッド３７およびコア上に設けられており、また第２のドーパント４３を含む。コア３５は、溝３９内に満たされている。第１のドーパント４１は、第１のクラッド基板３７の屈折率を純粋石英の屈折率より下げており、第２のドーパント４３は、第２のクラッド３９の屈折率を純粋石英の屈折率より下げる。光導波路デバイス３１によれば、第１および第２のクラッド３７、３９はそれぞれ屈折率を下げるドーパン４１、４３トを含むので、コア３５とクラッド３７、３９との間で必要な比屈折率差を得るために、第１及び第２のクラッド３７、３９内のドーパント４１、４３を利用できる。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波路デバイスを作製する方法であって、
第１のドーパントを含む第１のクラッド膜に溝を形成する工程と、
前記溝にコアを形成する工程と、
第２のドーパントを含む第２のクラッド膜を前記第１のクラッド膜および前記コア上に形成する工程と
を備え、
前記第１のドーパントは、前記第１のクラッド膜の屈折率を純粋石英の屈折率より下げており、
前記第２のドーパントは、前記第２のクラッド膜の屈折率を純粋石英の屈折率より下げていることを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記コアは純粋石英からなることを特徴とする、請求項１に記載された方法。
【請求項３】
前記第１のドーパントが、フッ素およびボロンの少なくともいずれかであり、
前記第２のドーパントが、フッ素およびボロンの少なくともいずれかである、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載された方法。
【請求項４】
溝を形成する工程に先だって、原料ガス用いて、前記第１のクラッド膜をプラズマＣＶＤ法で作製する工程を更に備え、
前記原料ガスは、酸素、有機シリコン化合物およびフッ素化カーボンを含む第１の組み合わせ、酸素、トリエトキシフルオロシランおよび有機シリコン化合物を含む第２の組み合わせ、並びに酸素およびトリエトキシフルオロシランを含む第３の組み合わせのいずれかであり、
前記第１のクラッド膜にはフッ素が添加されている、ことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか一項に記載された方法。
【請求項５】
溝を形成する工程に先だって、原料ガス用いて、前記第１のクラッド膜をプラズマＣＶＤ法で作製する工程を更に備え、
前記原料ガスは、酸素、有機シリコン化合物およびトリメチルボロンを含んでおり、
前記第１のクラッド膜にはボロンが添加されている、ことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか一項に記載された方法。
【請求項６】
第１のドーパントを含んでおり溝を有する第１のクラッドと、
前記溝内に設けられたコアと、
前記第１のクラッドおよび前記コア上に設けられており第２のドーパントを含む第２のクラッドと
を備え、
前記第１のドーパントは、前記第１のクラッドの屈折率を純粋石英の屈折率より下げており、
前記第２のドーパントは、前記第２のクラッドの屈折率を純粋石英の屈折率より下げていることを特徴とする、光導波路デバイス。
【請求項７】
前記コアは純粋石英からなることを特徴とする、請求項６に記載された光導波路デバイス。
【請求項８】
前記第１のドーパントが、フッ素およびボロンの少なくともいずれかであり、
前記第２のドーパントが、フッ素およびボロンの少なくともいずれかである、ことを特徴とする請求項６または請求項７に記載された光導波路デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路デバイスを作製する方法、および光導波路デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
文献１（特開２０００−１２１８５９号公報）には、埋め込み型光導波路の製造方法が記載されている。この方法では、石英基板上に、下部クラッドのためのガラス膜を堆積する。下部クラッドのためのガラス膜上にマスクを形成する。このマスクを使って、コア部を形成するための溝を形成する。下部クラッドのためのガラス膜上にコア層を堆積した後に、基板の表面を化学的機械的研磨法を用いて溝内にコアを形成する。コアおよびクラッド上に上部クラッド膜を形成する。
【０００３】
文献２（特開２００３−１６１８５２号公報）には、誘電体導波路の製造方法が記載されている。この方法では、屈折率１．４４５のガラス基板上にマスクを形成する。このマスクを用いてＲＩＥ法により基板をエッチングして、基板に溝を形成する。この後、ＩＣＰ−ＣＶＤ装置により、屈折率１．４５６のガラス膜を溝内およびマスク上に形成する。マスクをウエットエッチングにより除去する。マスクの除去後に、上部クラッドとなるガラス層を堆積する。
【特許文献１】特開２０００−１２１８５９号公報
【特許文献２】特開２００３−１６１８５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
コアのための溝を下部クラッドに形成した後に、溝内にコアを形成している。コアの屈折率をクラッドの屈折率よりも高めるために、コアは、屈折率が上昇するドーパントでドープされる。コア膜を形成するとき、コアにゲルマニウムを添加するためのガスが、シリカガラスのための原料ガスに加えられる。このコアガラスは、ＳｉＯＸ−ＧｅＯＹからなる。コア膜は、溝の側面および底面に徐々に堆積されていく。発明者らの研究によれば、溝内のコア膜において、ゲルマニウムドーパントの分布が不均一であることを発見している。両側壁面に堆積されるシリカガラスのゲルマニウム濃度は、コアの中心領域のシリカガラスに比べて高い。ゲルマニウム濃度の不均一は、屈折率プロファイルの偏りを引き起こす。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、上記の事項を鑑みて為されたものであり、コアの屈折率プロファイルの偏りを低減できる光導波路デバイスを作製する方法、および屈折率プロファイルの偏りが低減された光導波路デバイスを提供することとしている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面は、光導波路を作製する方法である。この方法は、（ａ）第１のドーパントを含む第１のクラッド膜に溝を形成する工程と、（ｂ）前記溝内にコアを形成する工程と、（ｃ）第２のドーパントを含む第２のクラッド膜を前記第１のクラッド膜および前記コア上に形成する工程とを備え、前記第１のドーパントは、前記第１のクラッド膜の屈折率を純粋石英の屈折率より下げており、前記第２のドーパントは、前記第２のクラッド膜の屈折率を純粋石英の屈折率より下げている。
【０００７】
この方法によれば、屈折率を下げるドーパントを第１および第２のクラッド膜に添加するので、コアとクラッドとの間で必要な比屈折率差を得るために、第１および第２のクラッド内のドーパントを利用できる。
【０００８】
本発明に係る方法では、前記コアは純粋石英からなるようにしてもよい。
【０００９】
純粋石英製のコアであれば、コアの屈折率を高めるためのドーパントを含まない。
【００１０】
本発明に係る方法では、前記第１のドーパントが、フッ素およびボロンの少なくともいずれかであり、前記第２のドーパントが、フッ素およびボロンの少なくともいずれかであるようにしてもよい。
【００１１】
この方法によれば、シリカガラス中のフッ素およびボロンは、第１および第２のクラッド膜の屈折率を下げるために利用される。
【００１２】
本発明に係る方法は、（ｄ）溝を形成する工程に先だって、原料ガス用いて、フッ素が添加された第１のクラッド膜をプラズマＣＶＤ法で作製する工程を更に備え、前記原料ガスは、酸素、有機シリコン化合物およびフッ素化カーボンを含む第１の組み合わせ、酸素、トリエトキシフルオロシランおよび有機シリコン化合物を含む第２の組み合わせ、並びに酸素およびトリエトキシフルオロシランを含む第３の組み合わせのいずれかであるようにしてもよい。
【００１３】
この方法によれば、第１〜第３の組み合わせは、フッ素が添加された第１のクラッド膜を作製するために利用される。
【００１４】
本発明に係る方法は、（ｄ）溝を形成する工程に先だって、原料ガス用いて、ボロンが添加された第１のクラッド膜をプラズマＣＶＤ法で作製する工程を更に備え、前記原料ガスは、酸素、有機シリコン化合物およびトリメチルボロンを含むようにしてもよい。
【００１５】
この方法によれば、酸素、有機シリコン化合物およびトリメチルボロンの組み合わせは、ボロンが添加された第１のクラッド膜を作製するために利用される。
【００１６】
本発明に別の側面によれば、光導波路デバイスは、（ａ）第１のドーパントを含んでおり溝を有する第１のクラッドと、（ｂ）前記溝に設けられたコアと、（ｃ）前記第１のクラッドおよび前記コア上に設けられており第２のドーパントを含む第２のクラッドとを備え、前記第１のドーパントは、前記第１のクラッドの屈折率を純粋石英の屈折率より下げており、前記第２のドーパントは、前記第２のクラッドの屈折率を純粋石英の屈折率より下げている。
【００１７】
この光導波路デバイスによれば、第１および第２のクラッドは、屈折率を下げるドーパントを含むので、コアとクラッドとの間で必要な比屈折率差を得るために、第１および第２のクラッド内のドーパントを利用できる。
【００１８】
本発明に係る光導波路デバイスでは、前記コアは純粋石英からなるようにしてもよい。
【００１９】
この光導波路デバイスによれば、純粋石英製のコアであるので、コアが、その屈折率を高めるためのドーパントを含まない。
【００２０】
本発明に係る光導波路デバイスでは、前記第１のドーパントが、フッ素およびボロンの少なくともいずれかであり、前記第２のドーパントが、フッ素およびボロンの少なくともいずれかであるようにしてもよい。
【００２１】
この光導波路デバイスによれば、シリカガラス中のフッ素およびボロンは、クラッドの屈折率を下げるために利用される。
【００２２】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明の効果】
【００２３】
以上説明したように、本発明によれば、屈折率プロファイルの偏りを低減できる光導波路光導波路デバイスを作製する方法、および屈折率プロファイルの偏りが低減された光導波路デバイスが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の光導波路デバイス、および光導波路デバイスを作製する方法に係わる実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）および図１（Ｄ）は、光導波路デバイスを作製する方法を示す図面である。図２（Ａ）、図２（Ｂ）および図２（Ｃ）は、光導波路デバイスを作製する方法を示す図面である。
【００２５】
図１（Ａ）に示されるように、クラッド部材１を準備する。クラッド部材１の少なくとも一部分は、ドーパントを含んでいる。例えば、クラッド部材１の表層が該ドーパントを含むとき、該表層の屈折率は母材の屈折率より低くなっている。一実施例では、クラッド部材１は、基板３と、該基板３上に設けられた第１のクラッド膜５とを含む。基板３としては、例えば、石英ガラス基板、シリコン基板等を用いることができる。第１のクラッド膜５は、ドーパントを含んでいる。このドーパントが母材に添加されると、第１のクラッド膜５の屈折率は、該母材の屈折率より低くなる。
【００２６】
好適な実施例では、原料ガス用いて、第１のクラッド膜５をプラズマＣＶＤ法で作製する。このドーパントの添加により、クラッド膜５の屈折率が小さくなっている。一実施例では、クラッド膜は酸化シリコンからなる。ドーパントは、フッ素およびボロンの少なくともいずれかである。
【００２７】
フッ素を含む第１のクラッド膜５を堆積するための原料ガスとしては、以下のいずれかの組み合わせが使用可能である。第１の組み合わせ原料ガスは、酸素、有機シリコン化合物およびフッ素化カーボンを含む。第２の組み合わせは、酸素、トリエトキシフルオロシランおよび有機シリコン化合物を含む。第３の組み合わせは、酸素およびトリエトキシフルオロシランを含む。第１のクラッド膜５の厚さは、例えば２８マイクロメートルである。フッ素のドーパント濃度は、例えば０．１ｗｔ．％以上であり、この範囲であれば、石英ガラスに対して０．１パーセント以上の比屈折率差が得られる。また、フッ素のドーパント濃度は、例えば０．３ｗｔ．％以上であり、この範囲であれば、比屈折率差を０．３パーセント以上にでき、またコアが純石英ガラスでも導波路を作製できる。さらに、フッ素のドーパント濃度は、例えば０．８ｗｔ．％以下であり、この範囲であれば、通常の導波路と同等の熱処理（アニール等）を行ってもガラスが白濁しない。
【００２８】
一実施例では、原料ガスは、酸素、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、およびＣＦ４とを含んでいる。このクラッド膜と石英ガラスとの比屈折率差△（△＝（ｎ１２―ｎ２２）／２ｎ１２、ｎ１：コアの屈折率；ｎ２：クラッドの屈折率）は、−０．４５パーセントである。原料ガスとしては、酸素、トリエトキシフルオロシラン（ＴＥＦＳ）を用いてフッ素添加の酸化シリコンガラス膜を堆積する。
【００２９】
別の実施例では、ボロン（Ｂ）が添加されたクラッド膜を堆積している。ボロンが添加された酸化シリコンガラス膜は、例えばブラズマＣＶＤ法で、トリメチルボロン（Ｂ（ＣＨ３）３）、ＴＥＯＳ、および酸素を含む原料ガスを用いて堆積される。或いは、ＣＶＤ法に替えて、火炎堆積（ＦＨＤ）法を用いることもできる。ＦＨＤ法では、ＳｉＣｌ４およびＢＣｌ３を火炎加水分解してスス体を基板上に堆積する。この堆積の後に、このスス体を接し１０００度以上の温度で焼結する。この焼結により、クラッド膜が形成される。
【００３０】
図１（Ｂ）に示されるように、第１のクラッド膜５に溝７ａ、７ｂを形成する。これらの溝７ａ、７ｂは、エッチングにより形成される。一実施例では、クラッド部材１上に、エッチング用レジストを塗布した後にレジストをフォトリソグラフィーでパターニングして、マスク９を形成する。このマスク９を用いて、Ｃ２Ｆ６ガスでクラッド部材１をリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）する。例えば、溝の幅Ｗは６マイクロメートル、溝の深さＤは６マイクロメートルである。レジスト製のマスク９に替えて、金属製のエッチングマスクを用いることができる。また、エッチングガスは、上記のガスに替えて、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ８といったフルオロカーボンを用いてもよい。エッチングの後に、第１のクラッド膜５ａ上のマスク９を除去する。
【００３１】
図１（Ｃ）に示されるように、第１のクラッド膜５ａ上および溝７ａ、７ｂ内にコア膜１１を形成する。コア膜１１には、溝７ａ、７ｂに対応する溝１１ａ、１１ｂが形成される。溝１１ａ、１１ｂの底は、クラッド部材１の溝７ａ、７ｂ内に到達することがない。コア膜１１は、例えばプラズマＣＶＤ法で堆積されることができる。一実施例では、溝７ａ、７ｂおよび第１のクラッド膜５ｓ上に光導波路のコアのための酸化シリコンのガラス膜をプラズマＣＶＤ法で堆積する。原料ガスは、酸素と、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）を使用できる。溝７をコア膜で満たすために、コア膜１１の膜厚は、溝の深さの少なくとも１．５倍程度であることが好ましいが、本実施の形態は、これに限定されるものではない。本実施例では、深さ６マイクロメートルの溝７をコア膜で満たすために、基板上面での膜厚が９マイクロメートルである。
【００３２】
コア膜１１の材料は純粋石英の屈折率を上げることができるドーパントを実質的に含まないことが好ましい。好適な実施例は、コア膜１１の材料は、純粋石英であることが好ましい。コアのために純粋石英を用いることにより、コアにドーパントが添加されない。故に、このアンドープコアの屈折率のプロファイルは、ドーパント分布に起因して変化しない。
【００３３】
また、屈折率を下げるドーパントを含むクラッド膜と屈折率を上げるドーパントを含むコア膜とを用いて光導波路デバイスを作製することができる。この方法による光導波路の低ドープコアのドーパント濃度は、純粋石英から成るクラッド膜とドーパントを含むコア膜とを用いて光導波路デバイスを作製する方法に比べて低い。これ故に、低ドープコアのドーパントプロファイルの変化が小さい。
【００３４】
図１（Ｄ）に示されるように、コア膜１１上にレジスト膜１３を塗布する。このレジスト膜１３は、エッチバックのための用いられる。レジスト膜１３は、溝１１ａ、１１ｂを埋め込むために十分な厚さを有する。一実施例では、回転数３０００ｒｐｍで厚膜のレジスト膜１３をコア膜１１上にスピンコートする。このレジスト膜を摂氏１００度以上でベークする。レジスト膜の厚さはは、例えば６マイクロメートルであり、レジスト膜１３の表面の凹凸は０．２マイクロメートルである。
【００３５】
図２（Ａ）に示されるように、レジスト膜１３およびコア膜１１をエッチング１５して、コア膜を溝７ａ、７ｂに残す。まず、レジスト膜１３の表層をエッチングする。レジスト膜１３およびコア膜１１をエッチングする場合、この両者のエッチングレートがほぼ同じになるエッチング条件を用いる。このエッチング１５により、溝７内にのみコア膜を残すことができる。一実施例では、まず、レジスト膜を酸素ガスでドライエッチングする。次いで、図２（Ａ）に示されるように、コア膜１１の表面が露出したとき、エッチングガスをＣ２Ｆ６と酸素との混合ガスに切り替えて、レジスト膜１３およびコア膜１１をエッチングする。このエッチバックにより、図２（Ｂ）に示されるように、光導波路のためのコア１７と下部クラッド５ａが得られる。ガスの混合比を調整することによって、レジスト膜のエッチング速度がコア膜１１のエッチング速度に等しくできる。酸素とＣ２Ｆ６との流量比として、例えば１００：１４が使用される。
【００３６】
図２（Ｃ）に示されるように、第２のクラッド膜１９を第１のクラッド膜５ａおよびコア１７上に形成する。第２のクラッド膜１９は、ドーパントを含んでいる。このドーパントが母材に添加されると、第２のクラッド膜１９の屈折率は、該母材の屈折率より低くなる。
【００３７】
好適な実施例では、原料ガス用いて、第２のクラッド膜１９をプラズマＣＶＤ法で作製する。第２のクラッド膜１９には、ドーパントが添加されている。このドーパントの添加により、クラッド膜の屈折率が小さくなっている。一実施例では、クラッド膜は酸化シリコンからなり、ドーパントは、フッ素およびボロンの少なくともいずれかである。
【００３８】
フッ素を含む第２のクラッド膜１９を堆積するための原料ガスとしては、以下のいずれかの組み合わせが使用可能である。第１の組み合わせ原料ガスは、酸素、有機シリコン化合物およびフッ素化カーボンを含む。第２の組み合わせは、酸素、トリエトキシフルオロシランおよび有機シリコン化合物を含む。第３の組み合わせは、酸素およびトリエトキシフルオロシランを含む。第１のクラッド膜５の厚さは、例えば２８マイクロメートルである。
【００３９】
一実施例では、原料ガスは、酸素、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、およびＣＦ４とを含んでいる。このクラッド膜と石英ガラスとの比屈折率差は、−０．４５パーセントである。原料ガスとしては、酸素、トリエトキシフルオロシラン（ＴＥＦＳ）を用いてフッ素添加の酸化シリコンガラス膜を堆積する。フッ素のドーパント濃度は、例えば０．１ｗｔ．％以上であり、この範囲であれば、石英ガラスに対して０．１パーセント以上の比屈折率差が得られる。また、フッ素のドーパント濃度は、例えば０．３ｗｔ．％以上であり、この範囲であれば、比屈折率差を０．３パーセント以上にでき、またコアが純石英ガラスでも導波路を作製できる。さらに、フッ素のドーパント濃度は、例えば０．８ｗｔ．％以下であり、この範囲であれば、通常の導波路と同等の熱処理（アニール等）を行ってもガラスが白濁しない。
【００４０】
別の実施例では、ボロン（Ｂ）が添加されたクラッド膜を堆積することができる。ボロンが添加された酸化シリコンのガラス膜は、例えばブラズマＣＶＤ法で、トリメチルボロン（Ｂ（ＣＨ３）３）、ＴＥＯＳおよび酸素を用いて堆積される。ボロン（Ｂ２Ｏ３）のドーパント濃度は、例えば４ｗｔ．％以上であり、この範囲であれば、石英ガラスに対して０．１パーセント以上の比屈折率差が得られる。また、ボロン（Ｂ２Ｏ３）のドーパント濃度は、例えば１２ｗｔ．％以上であり、この範囲であれば、コアが純石英ガラスでも導波路を作製できる。さらに、ボロン（Ｂ２Ｏ３）のドーパント濃度は、例えば２０ｗｔ．％以下であり、この範囲であれば、通常の導波路と同等の熱処理（アニール等）を行ってもガラスが白濁したりしない。
【００４１】
上記の作製方法を用いて、方向性結合器を含む平面導波路型デバイスを作製している。方向性結合器のための光導波路の断面を観察している。この観察によれば、上部クラッド表面は平坦であり、６マイクロメートル×６マイクロメートルの大きさのコアが１．５マイクロメートルの間隔で形成される。２つの導波路が近接しており、平面導波路型デバイスは、高アスペクト比(例えば、アスペクト比４)を有するけれども、コア断面形状のゆがみやコア間隔の広がりもなく、コア内に屈折率の分布もない。また、方向性結合器の分岐比も、設計と試作結果でよく一致している。したがって、良好な特性を示す光導波路デバイスが作製できる。
【００４２】
第１のクラッド膜５に添加される第１のドーパントは、第１のクラッドの屈折率を純粋石英の屈折率より下げており、また、第２のクラッド膜１９のための第２のドーパントは、第２のクラッドの屈折率を純粋石英の屈折率より下げている。母材の屈折率を下げるドーパントを第１および第２のクラッド膜に添加するので、コアとクラッドとの間で必要な比屈折率差を得るために、第１および第２のクラッド膜内のドーパントを利用できる。
【００４３】
以上説明したように、この実施の形態によれば、コアの屈折率プロファイルの偏りを低減できる光導波路光導波路デバイスを作製する方法が提供される。
【００４４】
（第２の実施の形態）
図３（Ａ）、図３（Ｂ）および図３（Ｃ）は、第２の実施の形態に係る光導波路デバイスを示す図面である。
【００４５】
光導波路デバイス３１は、第１のクラッド３３と、コア３５と、第２のクラッド３７とを備える。第１のクラッド３３は、溝３９を有しており、また第１のドーパント４１を含んでいる。第２のクラッド３７は、第２のドーパント４３を含む。コア３５は、溝３９内に満たされている。第１のドーパント４１は、第１のクラッド３３の屈折率を純粋石英の屈折率より下げており、第２のドーパント４３は、第２のクラッド３７の屈折率を純粋石英の屈折率より下げている。コア３５は、第１のクラッド３３と第２のクラッド３７との間に設けられている。この光導波路デバイス３１によれば、第１および第２のクラッド３３、３７はそれぞれ屈折率を下げるドーパント４１、４３を含むので、コア３５とクラッド３３、３７との間で必要な比屈折率差を得るために、第１および第２のクラッド３３、３７内のドーパント４１、４３を利用できる。
【００４６】
一実施例では、第１のクラッド３３は、基板４７上に設けられており、少なくとも１０マイクロメートルの厚さを有する。また、第２のクラッド３７は、１０マイクロメートル以上３０マイクロメートル以下の厚さを有する。
【００４７】
図３（Ｂ）に示されるように、光導波路デバイス３１ａでは、第１のクラッド３３ａには、第１のドーパント４１としてフッ素およびボロンの少なくともいずれかが添加されており、第２のクラッド３７ａには、第２のドーパント４３としてフッ素およびボロンの少なくともいずれかが添加されるようにしてもよい。コア３５ａは、第１のクラッド３３ａおよび第２のクラッド３７ａに囲まれている。コア３５ａは、純石英に対して屈折率を上げる、例えばゲルマニウムといった第３のドーパント４５を含むことができる。この光導波路デバイス３１ａでは、シリカガラス中のフッ素およびボロンがクラッドの屈折率を下げるために利用される。
【００４８】
図３（Ｃ）に示されるように、光導波路デバイス３１ｂでは、コア３９ｂは純粋石英からなる。コア３５ｂは、第１のクラッド３３ｂおよび第２のクラッド３７ｂに囲まれている。純粋石英製のコアを用いるので、コアの屈折率を高めるためのドーパントを含まない。導波光のモード形状は、ドーパントの分布により影響されない。
【００４９】
以上説明したように、この実施の形態によれば、コアの屈折率プロファイルの偏りが低減された光導波路デバイスが提供される。
【００５０】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）および図１（Ｄ）は、光導波路デバイスを作製する方法を示す図面である。
【図２】図２（Ａ）、図２（Ｂ）および図２（Ｃ）は、光導波路デバイスを作製する方法を示す図面である。
【図３】図３（Ａ）、図３（Ｂ）および図３（Ｃ）は、第２の実施の形態に係る光導波路デバイスを示す図面である。
【符号の説明】
【００５２】
１…クラッド部材、３…基板、５、５ａ…第１のクラッド膜、７ａ、７ｂ…溝、９…マスク、１１…コア膜、１１ａ、１１ｂ…溝、１３…レジスト膜、１５…エッチング、１７…コア、１９…第２のクラッド膜、３１、３１ａ、３１ｂ…光導波路デバイス、３３、３３ａ、３３ｂ…第１のクラッド、３５…コア、３５ａ…ドープコア、３５ｂ…純粋石英コア、３７、３７ａ、３７ｂ…第２のクラッド、３９…溝、４１…第１のドーパント、４３…第２のドーパント、４５…第３のドーパント  
【図１】
2005275300.tif 000003
【図２】
2005275300.tif 000004
【図３】
2005275300.tif 000005