(57)【要約】【課題】  薄く且つ導体パターンの寸法安定性にも優れた半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】  導電性の剥離体の一表面にパターンめっき法で導体パターン４を形成する工程と、その導体パターン４に半導体チップ６を接合する工程と、導体パターン４間を埋め、且つ少なくとも導体パターン４と半導体チップ６との接合部を覆うように剥離体の一表面の上に絶縁樹脂材８を形成する工程と、剥離体を導体パターン４から剥離して、導体パターン４の半導体チップ６との接合面の反対面を露出させる工程とを有する。【選択図】        図３
2005026631.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
剥離体から転写された導体パターンの、前記剥離体との剥離面の反対面に半導体チップが接合され、前記導体パターン間及び少なくとも前記導体パターンと前記半導体チップとの接合部が絶縁樹脂材で覆われている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記導体パターンは、導電性の前記剥離体にパターンめっきされて形成されためっき膜である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
剥離体から転写された導体パターンの、前記剥離体との剥離面の反対面に半導体チップが接合され、前記導体パターン間及び少なくとも前記導体パターンと前記半導体チップとの接合部が絶縁樹脂材で覆われてなる複数の半導体装置が積層され、互いの前記導体パターンどうしが層間接続材を介して電気的に接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記層間接続材は、前記導体パターンから剥離されずに残された前記剥離体の一部である
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
剥離体の一表面に導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンに半導体チップを接合する工程と、
前記導体パターン間を埋め、且つ少なくとも前記導体パターンと前記半導体チップとの接合部を覆うように前記剥離体の前記一表面の上に絶縁樹脂材を形成する工程と、
前記剥離体を前記導体パターンから剥離して、前記導体パターンの前記半導体チップとの接合面の反対面を露出させる工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記導体パターンを導電性の前記剥離体にパターンめっきにて形成する
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記剥離体をその一部を残して前記導体パターンから剥離し、前記導体パターンに残された前記剥離体の前記一部を外部接続端子として用いる
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、剥離体から転写された導体パターンを有する半導体装置及びその製造方法に関し、更に詳しくは、導体パターン間を埋め且つ少なくとも導体パターンと半導体チップとの接合部を覆う絶縁樹脂材によって、剥離体から剥離後の導体パターンを支えるようにした半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機やＰＤＡ（Personal Digital Assistant）、ノート型コンピュータ等の電子機器の小型化、高機能化に伴い、これらを構成する電子部品の高密度実装化が不可欠となっている。従来より、電子部品の高密度実装化は、電子部品の小型化による部品端子のファインピッチ化や、電子部品が実装される配線基板上の導体パターンの微細化等によって進められてきた。
【０００３】
また、導体パターンを形成する方法として、従来より、剥離体を用いた転写法が知られている。この転写法による配線基板の製造プロセスは、主として、剥離体の一表面に導体パターンを形成するパターン形成工程と、形成した導体パターンを剥離体から剥離して半導体チップと接合させる転写工程とを有している。この種の従来技術として、例えば特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平１０−１０７４４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の転写法を用いた工法では、導体パターンに半導体チップを実装し、なおかつその半導体チップの電極パッドを再配置して引き出すための外部端子を形成しようとする場合には、ビア（層間接続層）を介して接続された２つの導体パターンを必要とし、半導体装置全体としての薄型化に限界がある。
【０００５】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、その目的とするところは、薄く且つ導体パターンの寸法安定性にも優れた半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体装置は、剥離体から転写された導体パターンの、剥離体との剥離面の反対面に半導体チップが接合され、導体パターン間及び少なくとも導体パターンと半導体チップとの接合部が絶縁樹脂材で覆われていることを特徴としている。
【０００７】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、剥離体の一表面に導体パターンを形成する工程と、その導体パターンに半導体チップを接合する工程と、導体パターン間を埋め、且つ少なくとも導体パターンと半導体チップとの接合部を覆うように剥離体の一表面の上に絶縁樹脂材を形成する工程と、剥離体を導体パターンから剥離して、導体パターンの半導体チップとの接合面の反対面を露出させる工程とを有することを特徴としている。
【０００８】
本発明では、導体パターンは剥離体上に形成され、その状態で導体パターンに対する半導体チップの接合及び導体パターン間を埋め、且つ少なくとも導体パターンと半導体チップとの接合部を覆う絶縁樹脂材の形成が行われる。
【０００９】
この後、導体パターンを剥離体から剥離すると、導体パターンは上記絶縁樹脂材によって支えられることになる。更に、導体パターンにおいて剥離体と貼り合わされていた面が露出し、この面をマザーボードや他の半導体装置との外部接続端子として機能させることができる。このようにして、１層の導体パターンの一方の面に半導体チップが接合され、他方の面を外部接続端子として機能させることのできる半導体装置が得られ、２層の導体パターンがビアを介して接続された構造に比べ半導体装置を薄くできる。
【００１０】
絶縁樹脂材によって導体パターンを安定して支持し、また半導体チップと導体パターンとの接合信頼を確保するためには、導体パターン間及び少なくとも導体パターンと半導体チップとの接合部が絶縁樹脂材で覆われるようにする。もちろん、半導体チップの全てが絶縁樹脂材によって覆われるようにして半導体チップの完全な保護を図ってもよい。
【００１１】
剥離体は、導体パターンの平面度を維持するため及びハンドリング性を向上させるための支持体として機能する。したがって、この要求に応えるべき強度等の機械的性質及び耐熱温度等の材料学的性質を具備するように構成される。
【００１２】
剥離体は、最終的には導体パターンから分離されて残らない。その分離を容易とするための剥離層を有していることが好ましい。剥離層としては、例えば複数の金属層を積層させた構成が挙げられる。この構成の場合には、加熱工程を経ても寸法変化や変質などが生じないという利点がある。
【００１３】
また、他の剥離層の構成として、剥離されるべき表面の所定部位に離型剤が塗布された樹脂層が挙げられる。更に、他の剥離層として熱発泡層を用いてもよく、この場合、所定温度への加熱処理により熱発泡層を発泡させて転写用支持体の剥離が可能である。
【００１４】
あるいは、剥離層は設けずに、剥離体を溶解させて、導体パターンから分離させてもよい。
【００１５】
また、剥離体に導電性をもたせれば、アディティブ法によるパターンめっき技術を用いてファインピッチな導体パターンを形成できる。
【００１６】
また、上記半導体装置を複数積層させてもよい。この場合における各半導体装置間の電気的接続の方法として、例えば剥離体を導電材料から構成しその剥離体を全部剥離せずに一部を残せば、この残した部分を他の半導体装置の導体パターンとの接続を担う層間接続材として用いることができる。これにより、無駄のない効率的な工程が行える。もちろん、その一部を残した剥離体を、マザーボードなどの他の配線基板との接続材として用いてもよい。その他に、別途設けたはんだバンプ、めっきバンプ、スタッドバンプなどで層間接続、あるいはマザーボードとの接続を行ってもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、剥離体の一表面に導体パターンを形成し、その導体パターンに半導体チップを接合し、更に導体パターン間を埋め、且つ少なくとも導体パターンと半導体チップとの接合部を覆うように剥離体の一表面の上に絶縁樹脂材を形成してから、剥離体を導体パターンから剥離して、導体パターンの半導体チップとの接合面の反対面を露出させて半導体装置を得るので、既存の設備を用いた簡単な工程にて薄く且つ導体パターンの寸法安定性に優れた半導体装置が得られる。この結果、低コストで信頼性に優れた薄型の半導体装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
［第１の実施形態］
本実施形態では半導体チップの実装形態の一例としてフリップチップ方式で半導体チップが導体パターンに接合された半導体装置及びその製造方法について説明する。
【００１９】
（図１Ａの工程）
支持体１の一表面の全面に剥離層２が形成されてなる剥離体を作製する。支持体１は例えば銅材料からなり、以下の工程中におけるハンドリングに必要とされる機械的性質または材料学的性質を具備するように構成される。厚さは、例えば１４０μｍである。
【００２０】
剥離層２は、例えば支持体１上に積層されるＣｒ層とこのＣｒ層の上に積層される（Ｎｉ−Ｃｏ）層から構成される。剥離層２は支持体１を給電体とした電気めっき法で形成される。あるいは、支持体１と剥離層２とを圧延ローラなどを用いて貼り合わせてもよい。
【００２１】
剥離層２を構成するＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層は、例えば３２０℃ほどの温度でも金属接合しない特性を有し、したがって、途中に熱プレスを受ける工程（半導体チップの接合工程など）があっても、後述するようにＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層との境界で簡単に剥離することができる。
【００２２】
（図１Ｂの工程）
剥離層２上にめっきレジスト３を形成する。具体的には、先ず、剥離層２の表面である（Ｎｉ−Ｃｏ）層の表面にレジスト膜を全面的に形成した後、そのレジスト膜に露光及び現像を施して所望の形状にパターニングしてめっきレジスト３を形成する。
【００２３】
（図１Ｃの工程）
剥離体を給電体に、めっきレジスト３をマスクとしたパターンめっきを行い、剥離層２上に例えば銅材料からなる導体パターン４を形成する。
【００２４】
（図１Ｄの工程）
上記めっきレジスト３をそのままマスクとして用い、導体パターン４の表面に金属膜５を例えばめっき法で形成する。金属膜５は、例えばNi,Au,Ag,Sn,Sn-Pb,Sn-Agなどからなり、後述する半導体チップとの接合性を向上させる役割を担う。
【００２５】
（図１Ｅの工程）
以上の導体パターン４及び金属膜５が形成された後、不要となっためっきレジスト３を剥離層２上から除去する。
【００２６】
一般に、ウェットエッチング法によって導体膜の不要部分を除去し導体パターンを形成する方法（サブトラクティブ法）に比べて、電気めっき法によって必要な部分のみ導体膜を析出させて導体パターンを形成する方法（アディティブ法）の方が微細なパターンを形成することができるので、本実施形態によれば、ラインアンドスペース（line／space）が例えば１０μｍ／１０μｍといったファインピッチな導体パターン４を高精度に形成することができる。
【００２７】
また、剥離体の全厚のほとんどを占める銅材料からなる支持体１は寸法変化が小さく、以下に続く工程中における導体パターンの寸法変化を抑制して微細な導体パターンの寸法精度を安定して保つことができる。
【００２８】
（図２Ｆの工程）
導体パターン４上に半導体チップ６をマウントする。具体的には、半導体チップ６の主面に形成された複数の電極パッドの各々に例えばNi,Au,Ag,Sn,Sn-Pb,Sn-Agなどからなる導電性バンプ７を形成し、これら導電性バンプ７を導体パターン４の上に形成された金属膜５に押し付けた状態で加熱を行うことで、導電性バンプ７は金属膜５を介して導体パターン４と金属接合される。これにより、半導体チップ６は、導電性バンプ７を介して導体パターン４と電気的に接続される。
【００２９】
このとき、金属膜５は導電性バンプ７と導体パターン４との間のぬれ性や接合性を高めて、より低荷重、低温での接合が行え、半導体チップ６へのダメージの軽減化が図れる。
【００３０】
（図２Ｇの工程）
半導体チップ６との接合が完了した導体パターン４を剥離体ごと金型にセットして、金型のキャビティ内に液状化した例えばエポキシ系の熱硬化樹脂を流し込んでモールド成型を行う。その後、流し込んだ樹脂を硬化させた後、剥離体を金型から離型させることで、導体パターン４間を埋め、且つ半導体チップ６と導体パターン４との接合部（導電バンプ７の周囲）を含む半導体チップ６全体を覆う絶縁樹脂材８が形成される。
【００３１】
（図３Ｈの工程）
剥離層２を構成するＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層との境界面に切れ込みを入れて剥離する。これにより、支持体１はＣｒ層と共に導体パターン４から分離され、導体パターン４において半導体チップ６の接合面の反対面の表面には、剥離層２の（Ｎｉ−Ｃｏ）層が残る。
【００３２】
（図３Ｉの工程）
その残った（Ｎｉ−Ｃｏ）層を例えば過酸化水素系のエッチング液を用いてウェットエッチングして除去する。これにより、導体パターン４において半導体チップ６の接合面の反対面（剥離体との剥離面）が外部に露出される。
【００３３】
（図３Ｊの工程）
その露出した導体パターン４の表面に、例えばNi,Au,Ag,Sn,Sn-Pb,Sn-Agなどからなる金属膜９を形成する。この金属膜９は、マザーボードや他の半導体装置との接合性を向上させる役割を担う。そして、個片化を行うことによって、単層の導体パターン４の一方の面に半導体チップ６が接合され、反対側の他方をマザーボードや他の半導体装置との接続端子として機能させることのできる半導体装置１１が得られる。
【００３４】
なお、個片化処理は、絶縁樹脂材８を形成した後であれば、どの段階で行っても構わない。
【００３５】
半導体チップ６に形成された多数の電極パッドは、導体パターン４を介して、より拡大されたピッチでもって導体パターン４における半導体チップ６との接合面の反対面へと引き出されて再配置される。このような構造が、単層の導体パターン４の表裏を利用して実現できるので半導体装置１１全体の薄型化が図れる。
【００３６】
また、導体パターン４の形成に際しては、厚く平らな剥離体を出発材とし、アディティブ法によるパターンめっきによって、通常の半導体インターポーザ基板やＴＡＢ（tape automated bonding）テープでは不可能な１０μｍ以下の微細な導体パターン４を形成することが可能となる。
【００３７】
また、剥離体（支持体１及び剥離層２）は金属材料からなるので、樹脂フィルムから構成されるものに比べて強度があり、ハンドリング時における伸縮や反りを抑制し、ファインピッチな導体パターン４を高い寸法安定性でもって扱うことができる。
【００３８】
更に、剥離体が金属材料からなることの利点として、熱処理や薬品を用いた処理における制約が有機材料に比べて少なく、材料や、加熱、加圧条件などの選択自由度が高い。
【００３９】
［第２の実施形態］
次に本発明の第２の実施形態について説明する。なお、上記第１の実施形態と同じ構成部分には同一の符号を付しその詳細な説明は省略する。
【００４０】
本実施形態ではワイヤボンディング方式で半導体チップが導体パターンに接合された半導体装置及びその製造方法について説明する。図１Ａ〜図１Ｅまでは上記第１の実施形態と同様にして行われる。そして、本実施形態では図１Ｅの工程の後以下の工程が続けられる。
【００４１】
（図４Ｆの工程）
半導体チップ６を例えば熱硬化性樹脂などのダイボンディングペーストを用いて導体パターン４上にマウントすると共に、半導体チップ６の主面に形成された複数の電極パッドと導体パターン４とをボンディングワイヤ１０を用いて接合する。これにより、半導体チップ６は、ボンディングワイヤ１０を介して導体パターン４と電気的に接続される。
【００４２】
（図４Ｇの工程）
半導体チップ６との接合が完了した導体パターン４を剥離体ごと金型にセットして、金型のキャビティ内に液状化した例えばエポキシ系の熱硬化樹脂を流し込んでモールド成型を行う。その後、流し込んだ樹脂を硬化させた後、剥離体を金型から離型させることで、導体パターン４間を埋め、且つ半導体チップ６と導体パターン４との接合部（ボンディングワイヤ１０と半導体チップ６の電極パッドとの接合部、ボンディングワイヤ１０と導体パターン４との接合部）を含む半導体チップ６全体を覆う絶縁樹脂材８が形成される。
【００４３】
（図５Ｈの工程）
剥離層２を構成するＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層との境界面に切れ込みを入れて剥離する。これにより、支持体１はＣｒ層と共に導体パターン４から分離され、導体パターン４において半導体チップ６の接合面の反対面の表面には、剥離層２の（Ｎｉ−Ｃｏ）層が残る。
【００４４】
（図５Ｉの工程）
その残った（Ｎｉ−Ｃｏ）層を例えば過酸化水素系のエッチング液を用いてウェットエッチングして除去する。これにより、導体パターン４において半導体チップ６の接合面の反対面（剥離体との剥離面）が外部に露出される。
【００４５】
（図５Ｊの工程）
その露出した導体パターン４の表面に、例えばNi,Au,Ag,Sn,Sn-Pb,Sn-Agなどからなる金属膜９を形成する。この金属膜９は、マザーボードや他の半導体装置との接合性を向上させる役割を担う。そして、個片化を行うことによって、単層の導体パターン４の一方の面に半導体チップ６が接合され、反対側の他方をマザーボードや他の半導体装置との接続端子として機能させることのできる半導体装置１２が得られる。なお、本実施形態においても、個片化処理は、絶縁樹脂材８を形成した後であれば、どの段階で行っても構わない。
【００４６】
本実施形態においても、半導体チップ６に形成された多数の電極パッドは、より拡大されたピッチでもって導体パターン４における半導体チップ６との接合面の反対面へと引き出されて再配置される。このような構造が、単層の導体パターン４の表裏を利用して実現できるので半導体装置１１全体の薄型化が図れる。その他、上記第１の実施形態で述べたことと同様な効果が得られる。
【００４７】
［第３の実施形態］
次に本発明の第３の実施形態について説明する。なお、上記第１の実施形態と同じ構成部分には同一の符号を付しその詳細な説明は省略する。
【００４８】
（図６Ａの工程）
支持体１の一表面の全面に剥離層２が形成されてなる剥離体を作製し、その剥離層２の上に導体パターン形成膜１３を形成する。支持体１は例えば銅材料からなり、以下の工程中におけるハンドリングに必要とされる機械的性質または材料学的性質を具備するように構成される。厚さは、例えば１４０μｍである。
【００４９】
剥離層２は、例えば支持体１上に積層されるＣｒ層とこのＣｒ層の上に積層される（Ｎｉ−Ｃｏ）層から構成される。導体パターン形成膜１３は例えば銅材料から構成される。剥離層２及びこの上に形成される導体パターン形成膜１３は支持体１を給電体とした電気めっき法で形成される。あるいは、支持体１、剥離層２、および導体パターン形成膜１３を圧延ローラなどを用いて貼り合わせてもよい。
【００５０】
剥離層２を構成するＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層は、例えば３２０℃ほどの温度でも金属接合しない特性を有し、したがって、途中に熱プレスを受ける工程（半導体チップの接合工程など）があっても、Ｃｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層との境界で簡単に剥離することができる。
【００５１】
（図６Ｂの工程）
導体パターン形成膜１３上にエッチングレジスト１４を形成する。具体的には、先ず、導体パターン形成膜１３の表面にレジスト膜を全面的に形成した後、そのレジスト膜に露光及び現像を施して所望の形状にパターニングしてエッチングレジスト１４を形成する。
【００５２】
（図６Ｃの工程）
エッチングレジスト１４をマスクとして、例えばアルカリ系のエッチング液を用いて銅材料からなる導体パターン形成膜１３のみをエッチングする。これにより、導体パターン１５が得られる。
【００５３】
（図６Ｄの工程）
導体パターン１５上に残っているエッチングレジスト１４を除去する。
【００５４】
（図６Ｅの工程）
導体パターン１５間から露出している剥離層２上に図示しないめっきレジストを形成した後、そのめっきレジストをマスクとして、導体パターン１５の表面に金属膜５を例えばめっき法で形成する。金属膜５は、例えばNi,Au,Ag,Sn,Sn-Pb,Sn-Agなどからなり、後述する半導体チップとの接合性を向上させる役割を担う。
【００５５】
以降、上記第１の実施形態と同様な図２〜図３の工程、あるいは第２の実施形態と同様な図４〜図５の工程が行われて、上記第１あるいは第２の実施形態と同様な半導体装置が得られる。
【００５６】
本実施形態では、ウェットエッチング法によって導体膜の不要部分を除去し導体パターン１５を形成するので、電気めっき法によって必要な部分のみ導体膜を析出させて導体パターンを形成する方法に比べて低コストで行える。
【００５７】
［第４の実施の形態］
次に本発明の第４の実施形態について説明する。なお、上記第１の実施形態と同じ構成部分には同一の符号を付しその詳細な説明は省略する。
【００５８】
図１Ａ〜図２Ｇまでは、上記第１の実施形態と同様にして進められ、図１０Ａに示す状態に至る。その後、本実施形態では図１０Ｂ、Ｃに示す工程が行われる。
【００５９】
（図１０Ｂの工程）
支持体１の剥離に際して、全部を剥離するのではなくその一部を残す。例えばアルカリ系エッチング液を用いたウェットエッチングによって、銅材料からなる支持体１を部分的に除去し、絶縁樹脂材８の形成されていない導体パターン４の両端部に対応する位置にある部分を残し、これを層間接続材１ａとして機能させる。
【００６０】
（図１０Ｃの工程）
すなわち、図１０Ｃに示すように、上記図１０Ｂで得られた半導体装置２０ａを、第１の実施形態と同工程で得られる半導体装置２０ｂの上に重ねて、上記層間接続材１ａの下端部を例えばはんだ１９を介して半導体装置２０ｂの金属膜５に接合させる。
【００６１】
これにより、互いの導体パターン４どうしが層間接続材１ａを介して電気的に接続された、すなわち半導体チップ６どうしが層間接続材１ａを介して電気的に接続された半導体装置２０が得られる。層間接続材１ａは別途形成することなく、支持体１の剥離の際に一部を残すことで得られ、工程の簡略化及びコスト低減が図れる。なお、積層させる半導体装置は２個に限らずそれ以上であってもよい。
【００６２】
［第５の実施の形態］
次に本発明の第５の実施形態について説明する。なお、上記第１の実施形態と同じ構成部分には同一の符号を付しその詳細な説明は省略する。
【００６３】
上記第１の実施形態と同様にして、図１１Ａに示す半導体装置２１ａを得た後、本実施形態では図１１Ｂ、Ｃに示す工程が行われる。
【００６４】
（図１１Ｂの工程）
絶縁樹脂材８の形成されていない、金属膜５、導体パターン４、金属膜９からなる積層体の両端部を、半導体チップ６の接合面の反対面側に折り曲げ、この折り曲げられた部分を層間接続材２３として機能させる。
【００６５】
（図１１Ｃの工程）
すなわち、図１１Ｃに示すように、上記図１１Ｂで得られた半導体装置２１ａを、第１の実施形態と同工程で得られる半導体装置２１ｂの上に重ねて、上記層間接続材２３の下端部を例えばはんだ１９を介して半導体装置２１ｂの金属膜５に接合させる。
【００６６】
これにより、互いの導体パターン４どうしが層間接続材２３を介して電気的に接続された、すなわち半導体チップ６どうしが層間接続材２３を介して電気的に接続された半導体装置２１が得られる。
【００６７】
層間接続材２３として機能する金属膜５、導体パターン４、金属膜９からなる積層体の厚さは上述した剥離体からの転写法を用いることで非常に薄く（例えば数μｍ〜２０μｍほど）できる。したがって、層間接続材２３に外部から応力が作用した場合に層間接続材２３を撓ませるような動きをさせることができ、層間接続材２３の下端部と、他の半導体装置２１ｂの金属膜５との接合部にかかる負荷を軽減させて接合信頼性の向上が図れる。なお、積層させる半導体装置は２個に限らずそれ以上であってもよい。
【００６８】
［第６の実施の形態］
次に本発明の第６の実施形態について説明する。なお、上記第１の実施形態と同じ構成部分には同一の符号を付しその詳細な説明は省略する。
【００６９】
図１Ａ〜図２Ｇまでは上記第１の実施形態と同様にして進められ、その後、図１２、図１３に示す工程が行われる。
【００７０】
（図１２Ａの工程）
絶縁樹脂材８に部分的に接続孔をあけた後その接続孔内を導電材２２で充填する。接続孔は例えばドリルやレーザなどで、金属膜５に達するように絶縁樹脂材８の厚さ方向にあけられる。導電材２２は例えば剥離体を給電体としためっき法にて形成される。
【００７１】
（図１２Ｂの工程）
上記図１２Ａで得られる積層体に、上記図１Ａ〜図２Ｆと同工程にて得られるまだ絶縁樹脂材でモールドする前の積層体を貼り合わせる。これにより、導電材２２は両積層体の金属膜５どうしを接続し、両積層体の導体パターン４どうしが導電材２２を介して電気的に接続される。また、図１２Ａで得られる積層体に形成された絶縁樹脂材８は半硬化状態であり、よってその絶縁樹脂材８中に他の積層体の半導体チップ６が埋め込まれる。
【００７２】
（図１２Ｃの工程）
絶縁樹脂材８を本硬化させた後、上記第１の実施形態と同様にして、両面に形成されたそれぞれの支持体１及び剥離層２を剥離する。
【００７３】
（図１２Ｄの工程）
上記工程で外部に露出された両面それぞれの導体パターン４の表面に、上記第１の実施形態と同様にして、金属膜９を形成する。これにより、絶縁樹脂材８内に２個の半導体チップ６が収められ、且つ絶縁樹脂材８の両面側に、半導体チップ６に形成された電極パッドのピッチを拡大した電極を取り出せる。なお、半導体チップ６は２個に限らずそれ以上であってもよい。
【００７４】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００７５】
フリップチップ方式の実装形態において、半導体チップ６の全てを絶縁樹脂材８で覆うことに限らず、図７に示すように、半導体チップ６の下方の空間に部分的に絶縁樹脂材８を流し込んで、少なくとも半導体チップ６と導体パターン４との接続を担う導電性バンプ７の周囲が絶縁樹脂材８で覆われるようにすればよい。
【００７６】
また、フリップチップ方式の実装形態において、導体パターン４が半導体チップ６の平面寸法より広がるファンアウト型に限らず、図８に示すように導体パターン４が半導体チップ６の平面寸法内に収まるファンイン型の半導体チップ１７としてもよい。
【００７７】
また、ワイヤボンディング方式の実装形態において、図９に示すように、半導体チップ６ａの上に他の半導体チップ６ｂが例えばダイボンディングペーストで接合された半導体装置１８としてもよい。もちろん、半導体チップは２個に限らずそれ以上を積層させてもよい。
【００７８】
また、支持体１としては、金属に限らず、ガラスや半導体ウェーハなどであってもよい。この場合、その支持体に無電解めっき法あるいはスパッタリング法にて、例えばＮｉ層、（Ｎｉ−Ｐ）層、Ｃｒ層などを剥離層２として形成する。
【００７９】
また、剥離層２としては、上記実施形態に示す構成に限らず、例えば、Ｃｒ層１層で構成したり、あるいはＮｉ層１層で構成したり、あるいはＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｒ）層との２層構造、Ｃｒ層とＮｉ層との２層構造であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図２】図１に続く工程を示す断面図である。
【図３】図２に続く工程を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図５】図４に続く工程を示す断面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図７】変形例による半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図８】他変形例による半導体装置の断面図である。
【図９】更なる他変形例による半導体装置の断面図である。
【図１０】本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８１】
１…支持体、１ａ…層間接続材、２…剥離層、３…めっきレジスト、４…導体パターン、６…半導体チップ、６ａ，６ｂ…半導体チップ、８…絶縁樹脂材、１１…半導体装置、１２…半導体装置、１４…エッチングレジスト、１５…導体パターン、１７…半導体装置、１８…半導体装置、２０，２０ａ，２０ｂ…半導体装置、２１，２１ａ，２１ｂ…半導体装置、
【図１】
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【図２】
2005026631.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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