(57)【要約】【課題】耐剥離性、耐衝撃性に加えて、画像ムラの少ない放射線像変換パネルを提供する。【解決手段】放射線像変換パネルは、支持体１１上に気相堆積法により形成されて柱状結晶１３からなる輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層１２を備えており、輝尽性蛍光体層１２の表面硬度を支持体１１の表面硬度に比べて高くする。【選択図】図１
2005164382.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に気相堆積法により形成されて柱状結晶からなる輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を備えた放射線像変換パネルにおいて、
前記輝尽性蛍光体層の表面硬度が前記支持体の表面硬度に比べて高いことを特徴とする放射線像変換パネル。
【請求項２】
前記支持体表面の算術平均粗さＲａが１．０Ｅ-3μｍ以上３．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の放射線像変換パネル。
【請求項３】
前記輝尽性蛍光体層の膜厚が５０μｍ以上１０００μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線像変換パネル。
【請求項４】
前記輝尽性蛍光体層が、蒸着により形成されたＣｓＢｒ柱状結晶で構成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の放射線像変換パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持体上に気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を備えた放射線像変換パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、放射線画像を得るために銀塩を使用した、いわゆる放射線写真法が利用されているが、銀塩を使用しないで放射線像を画像化する方法が開発されている。すなわち、被写体を透過した放射線を輝尽性蛍光体に吸収させ、その後、この輝尽性蛍光体をある種のエネルギーで励起してこの輝尽性蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを輝尽性蛍光体として放射させ、この蛍光を検出して画像化する方法が開示されている。
具体的な方法としては、支持体上に輝尽性蛍光体層を設けたパネルを用い、励起エネルギーとして可視光線及び赤外線の一方又は両方を用いる放射線像変換方法が知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、近年、高輝度、高感度、高鮮鋭性の輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換方法として、ＣｓＢｒなどのハロゲン化アルカリを母体にＥｕを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換パネルが提案されている。特にＥｕを賦活剤とすることで、従来不可能であったＸ線変換効率の向上が可能になるとされている。
【０００４】
また、診断画像の解析においてより高感度の放射線像変換パネルが要求されており、感度改善のための手段として、例えば形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールし感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされている。
これらの試みの１つとして、例えば、気相堆積法によって支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルが提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】米国特許第３，８５９，５２７号明細書
【特許文献２】特開平２−５８０００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献２に記載の放射線像変換パネルにおいて、一般的に使用される支持体は平滑性の良好なガラスやアルミニウム等を使用することが多く、これらは硬度の高い支持体である。そのため、硬い支持体表面に形成された柱状結晶は、柱状結晶と支持体との界面における接着性が弱く、パネルに衝撃が加わると柱状結晶が破損したり、また、急激な温度変化によって輝尽性蛍光体層や支持体が伸縮することで支持体から柱状結晶が剥離しやすくなる傾向がある。その結果、パネルとして使用した場合に画像ムラが生じるという問題がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、耐剥離性、耐衝撃性に加えて、画像ムラの少ない放射線像変換パネルを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、支持体上に気相堆積法により形成されて柱状結晶からなる輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を備えた放射線像変換パネルにおいて、
前記輝尽性蛍光体層の表面硬度が前記支持体の表面硬度に比べて高いことを特徴とする。
【０００７】
請求項１の発明によれば、輝尽性蛍光体層の表面硬度が支持体の表面硬度に比べて高いので、輝尽性蛍光体層を構成する硬度の高い柱状結晶が硬度の低い支持体の表面に突き刺さった状態で形成される。よって、容易に輝尽性蛍光体層と支持体との間の接着性を高めることができ、耐剥離性、耐衝撃性に優れ、かつ、画像ムラの少ないパネルとすることができ、放射線画像の画質を格段に向上させることができる。
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１に記載の放射線像変換パネルにおいて、
前記支持体表面の算術平均粗さＲａが１．０Ｅ-3μｍ以上３．０μｍ以下であることを特徴とする。
【０００９】
請求項２の発明によれば、支持体表面の算術平均粗さＲａが１．０Ｅ-3μｍ以上３．０μｍ以下であるので、支持体表面の平滑性を高めることができる。よって、このような支持体表面に形成される柱状結晶が複数方向を向いて不均一に乱れて形成されることなく、略均一な柱状結晶を形成することができる。この点においても、耐剥離性、耐衝撃性に優れ、かつ、画像ムラの少ないパネルとすることができる。
なお、算術平均粗さＲａは、好ましくは１．０Ｅ-3μｍ以上２．０μｍ以下であり、より好ましくは５．０Ｅ-3μｍ以上１．０μｍ以下である。
【００１０】
請求項３の発明は、請求項１又は２に記載の放射線像変換パネルにおいて、
前記輝尽性蛍光体層の膜厚が５０μｍ以上１０００μｍ以下であることを特徴とする。
【００１１】
請求項３の発明によれば、輝尽性蛍光体層の膜厚が５０μｍ以上１０００μｍ以下であるので、必要とされる放射線吸収量を満たすことができ、画像ムラの少ない高画質な画像を得ることができる。
【００１２】
請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の放射線像変換パネルにおいて、
前記輝尽性蛍光体層が、蒸着により形成されたＣｓＢｒ柱状結晶で構成されていることを特徴とする。
【００１３】
請求項４の発明によれば、輝尽性蛍光体層がＣｓＢｒ柱状結晶で構成されているので、高感度、高精鋭性を両立する輝尽性蛍光体層とすることができ、放射線画像の画質を格段に向上させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る放射線像変換パネルによれば、輝尽性蛍光体層の表面硬度が支持体の表面硬度に比べて高いので、容易に輝尽性蛍光体層と支持体との間の接着性を高めることができる。よって、耐剥離性、耐衝撃性に優れ、かつ、画像ムラの少ないパネルとすることができ、放射線画像の画質を格段に向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係る放射線像変換パネルについて詳細に説明する。
本発明の放射線像変換パネルは、図１に示すように支持体１１と、該支持体１１上に気相堆積法により形成され輝尽性蛍光体を含有する柱状結晶１３からなる輝尽性蛍光体層１２と、該輝尽性蛍光体層１２を被覆する保護層（図示しない）とを備えている。なお、輝尽性蛍光体層１２において、輝尽性蛍光体の柱状結晶１３間には間隙１４が形成されている。
そして、本発明者等は、輝尽性蛍光体層１２の表面硬度を、支持体１１の表面硬度よりも高くすることにより、耐剥離性、耐衝撃性に優れ、かつ、高感度なパネルとすることができることを見いだした。
ここで、表面硬度はビッカース硬度を指し、市販のビッカース硬度計により測定することが可能である。
【００１６】
また、支持体表面の算術平均粗さは１．０Ｅ-3μｍ以上３．０μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは１．０Ｅ-3μｍ以上２．０μｍ以下であり、最も好ましくは５．０Ｅ-3μｍ以上１．０μｍ以下である。
ここで、算術平均粗さを上記範囲としたのは、１．０Ｅ-3μｍ未満とした場合には、支持体表面の平滑性が良好となるが、かえって硬度が高くなってしまい、耐剥離性や耐衝撃性が低下してしまうためである。また、３．０μｍより大きくした場合には、平滑性が低下し柱状結晶が乱れて形成され、その結果、画像ムラが生じてしまうためである。
なお、本発明で言う算術平均粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１で規定される値である。
【００１７】
本発明で使用される支持体は、従来の放射線像変換パネルの支持体として公知の材料から任意に選ぶことができるが、気相堆積法により蛍光体層を形成する際の支持体となる場合には、石英ガラスシート、アルミニウム、鉄、スズ、クロムなどからなる金属シート及び炭素繊維強化樹脂シートが好ましい。
特に、本発明を効果的に得る観点では、炭素繊維強化樹脂シートを使用することが好ましく、この炭素繊維強化樹脂シートに適用可能な樹脂としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビニルエステル樹脂、ナイロン、ポリカーボネート、フェノール樹脂等が挙げられる、中でも、ポリイミド樹脂及びエポキシ樹脂は、炭素繊維との接着性が高いとともに平滑性が高く扱いやすいため好適である。
【００１８】
また、本発明では、支持体の表面硬度を、輝尽性蛍光体層の表面硬度よりも低くする手段として支持体上に樹脂層を設けることが好ましい。樹脂層を設けることで、支持体の表面が柔らかくなるだけでなく、平滑性も高めることができる。
樹脂層は、フッ素、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、パラフィン、グラファイト等の化合物を含有することが好ましい。
樹脂層の膜厚は、約５μｍ〜１００μｍであることが好ましく、この樹脂層は、支持体の表面に設けても両面に設けても良い。
【００１９】
また、支持体上に樹脂層を設ける手段としては、貼合法、塗設法等の手段が挙げられる。
貼合は加熱、加圧ローラを用いて行い、加熱条件としては約８０〜１５０℃が好ましく、加圧条件としては４．９０×１０〜２．９４×１０2Ｎ／ｃｍ、搬送速度は０．１〜２．０ｍ／秒が好ましい。
【００２０】
本発明の輝尽性蛍光体層の膜厚は、放射線像像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から５０μｍ〜２０００μｍであり、好ましくは５０μｍ〜１０００μｍであり、さらに好ましくは１００μｍ〜８００μｍである。
輝尽性蛍光体層の膜厚を５０μｍ〜１０００μｍとするのが好ましい理由は、膜厚が５０μｍ未満と薄い場合には、放射線吸収量が少なく透過量が多くなり、得られた放射線画像の画質が低下してしまうためである。一方、膜厚が１０００μｍより厚い場合には、輝尽発光成分の散乱が大きくなるため、画質の低下を招くこととなるためである。
また、輝尽性蛍光体層の膜厚は、その中心部と端部（外周縁部）とにおいて略均一であることが好ましい。
【００２１】
また、輝尽性蛍光体層は、下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有することが好ましい。
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’2・ｂＭ3Ｘ”3：ｅＡ［式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価金属原子であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の三価金属原子であり、Ｘ、Ｘ’、Ｘ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。］
【００２２】
上記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体において、Ｍ1は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ等の各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子を表し、中でもＲｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子が好ましく、さらに好ましくはＣｓ原子である。
【００２３】
Ｍ2は、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。
【００２４】
Ｍ3は、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。
【００２５】
Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ
、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子である。
【００２６】
輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、Ｘ、Ｘ’及びＸ”はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子を表すが、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒから選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が好ましく、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が更に好ましい。
【００２７】
また、一般式（１）において、ｂ値は０≦ｂ＜０．５であるが、好ましくは、０≦ｂ＜１０-2である。
【００２８】
そして、特に本発明においては、前述の一般式（１）において、原子（Ｍ1；Ｃｓ、Ｘ；Ｂｒ）の組み合わせであるＣｓＢｒを母体とする輝尽性蛍光体を用いることが好適である。
【００２９】
本発明の一般式（１）で表される輝尽性蛍光体は、例えば以下に述べる方法により製造される。
蛍光体原料としては、
（ａ）ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩから選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物が用いられる。
【００３０】
（ｂ）ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｇＩ2、ＣａＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＢｒ2、ＣａＩ2、ＳｒＦ2、ＳｒＣｌ2、ＳｒＢｒ2、ＳｒＩ2、ＢａＦ2、ＢａＣＩ2、ＢａＢｒ2、ＢａＢｒ2・２Ｈ2Ｏ、ＢａＩ2、ＺｎＦ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、ＣｄＦ2、ＣｄＣｌ2、ＣｄＢｒ2、ＣｄＩ2、ＣｕＦ2、ＣｕＣｌ2、ＣｕＢｒ2、ＣｕＩ、ＮｉＦ2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＢｒ2及びＮｉＩ2の化合物から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の化合物が用いられる。
【００３１】
（ｃ）前記一般式（１）において、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇ等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。
【００３２】
上記の数値範囲の混合組成になるように前記（ａ）〜（ｃ）の蛍光体原料を秤量し、純水にて溶解する。
この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合しても良い。
次に、得られた水溶液のｐＨ値Ｃを０＜Ｃ＜７に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。
次に、得られた原料混合物を石英ルツボあるいはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。焼成温度は５００〜１０００℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、０．５〜６時間が好ましい。
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。
【００３３】
なお、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば輝尽性蛍光体の発光輝度を更に高めることができ、また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の輝尽性蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気もしくは中性雰囲気のままで冷却しても良い。
【００３４】
また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気もしくは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた輝尽性蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができ好ましい。
【００３５】
また、本発明の輝尽性蛍光体層は気相堆積法によって形成される。
輝尽性蛍光体の気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、その他を用いることができるが、本発明では特に蒸着法が好ましい。
【００３６】
以下、本発明に好適な蒸着法について説明する。なお、ここでは図２に示す蒸着装置を使用して支持体に輝尽性蛍光体を蒸着するので、蒸着装置の説明とともに説明する。
図２に示すように、蒸着装置１は、真空容器２と、該真空容器２内に設けられて支持体１１に蒸気を蒸着させる蒸発源３と、支持体１１を保持する支持体ホルダ４と、該支持体ホルダ４を蒸発源３に対して回転させることによって該蒸発源３からの蒸気を蒸着させる支持体回転機構５と、真空容器２内の排気及び大気の導入を行う真空ポンプ６等を備えている。
【００３７】
蒸発源３は、輝尽性蛍光体を収容して抵抗加熱法で加熱するため、ヒータを巻いたアルミナ製のるつぼから構成しても良いし、ボートや、高融点金属からなるヒータから構成しても良い。また、輝尽性蛍光体を加熱する方法は、抵抗加熱法以外に電子ビームによる加熱や、高周波誘導による加熱等の方法でも良いが、本発明では、比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、かつ、非常に多くの物質に適用可能である点から抵抗加熱法が好ましい。また、蒸発源３は分子源エピタキシャル法による分子線源でも良い。
支持体回転機構５は、例えば、支持体ホルダ４を支持するとともに支持体ホルダ４を回転させる回転軸５aと、真空容器２外に配置されて回転軸５aの駆動源となるモータ（図示しない）等から構成されている。
また、支持体ホルダ４には、支持体１１を加熱する加熱ヒータ（図示しない）を備えることが好ましい。支持体１１を加熱することによって、支持体１１表面の吸着物を離脱・除去し、支持体１１表面と輝尽性蛍光体との間に不純物層の発生を防いだり、密着性の強化や輝尽性蛍光体層の膜質調整を行うことができる。
さらに、支持体１１と蒸発源３との間に、蒸発源３から支持体１１に至る空間を遮断するシャッタ（図示しない）を備えるようにしても良い。シャッタによって輝尽性蛍光体の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着の初期段階で蒸発し、支持体１１に付着するのを防ぐことができる。
【００３８】
このように構成された蒸着装置１を使用して、支持体１１に輝尽性蛍光体層を形成するには、まず、支持体ホルダ４に支持体１１を取り付ける。
次いで、真空容器２内を真空排気する。その後、支持体回転機構５により支持体ホルダ４を蒸発源３に対して回転させ、蒸着可能な真空度に真空容器２が達したら、加熱された蒸発源３から輝尽性蛍光体を蒸発させて、支持体１１表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。
この場合において、支持体１１と蒸発源３との間隔は、１００ｍｍ〜１５００ｍｍに設置するのが好ましい。
【００３９】
また、図２では、蒸気流の入射角度が０°となるように蒸発源３が配置されているが、蒸発源３の位置を変えて蒸気流の入射角度を適宜設定し、形成される柱状結晶１３の支持体１１面の法線方向に対する角度を変えて、図１に示すように支持体１１面に対して傾斜するように柱状結晶１３を形成しても構わない。
【００４０】
なお、蒸発源として使用する輝尽性蛍光体は、加圧圧縮によりタブレットの形状に加工しておくことが好ましい。
また、輝尽性蛍光体の代わりにその原料もしくは原料混合物を用いても構わない。
【００４１】
さらに、ここでは、図１に示すように結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層１２が形成されるが、柱状結晶１３の間に形成された間隙１４に結着剤等の充填物を充填しても良く、輝尽性蛍光体層１２の補強となるほか、高光吸収の物質、高光反射の物質を充填しても良い。これにより補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層１２に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効である。
【００４２】
また、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。さらに、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
【００４３】
また、蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて、被蒸着体（支持体、保護層又は中間層）を冷却あるいは加熱しても良い。
さらに、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理しても良い。また、蒸着法においては必要に応じてＯ2、Ｈ2等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行っても良い。
【００４４】
上記の気相堆積法による輝尽性蛍光体層の形成にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される支持体の温度は、室温（ｒｔ）〜３００℃に設定することが好ましく、さらに好ましくは５０〜２００℃である。
【００４５】
さらに、蒸着装置としては、上述したように支持体を回転させることによって蒸着させる回転式の装置に限らず、例えば、支持体と蒸発源との間にスリットを有する防着板を配置しておき、蒸発源に対して水平方向に支持体を往復移動させながらスリットを介して輝尽性蛍光体を蒸着させる搬送式の蒸着装置（図示しない）を使用しても構わない。
【００４６】
以上のようにして、輝尽性蛍光体層を形成した後、必要に応じて輝尽性蛍光体層の支持体とは反対の側に保護層を設けることにより本発明の放射線像変換パネルを製造する。保護層は、保護層用の塗布液を輝尽性蛍光体層の表面に直接塗布して形成もよいし、また、予め別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層に接着してもよい。
【００４７】
保護層の材料としては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体などの通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層として用いることもできる。
【００４８】
また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3等の無機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は０．１μｍ〜２０００μｍが好ましい。
【実施例】
【００４９】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の実施態様はこれに限定されるものではない。
下記の方法にしたがって実施例１〜実施例５、比較例１〜比較例３の放射線像変換パネルを作製した。
［実施例１］
（放射線像変換パネルの作製）
ポリイミド樹脂製の支持体の片面に輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：０．０００２Ｅｕ）を、図２に示す蒸着装置１を使用して蒸着させ輝尽性蛍光体層を形成した。
すなわち、まず、上記蛍光体原料を蒸着材料として抵抗加熱ルツボに充填し、また回転する支持体ホルダ４に支持体１１を設置し、支持体１１と蒸発源３との間隔を４００ｍｍに調節した。続いて蒸着装置１内を一旦排気し、Ａｒガスを導入して０．０１Ｐａに真空度を調整した後、１０ｒｐｍの速度で支持体１１を回転しながら支持体１１の温度を１００℃に保持した。次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して輝尽性蛍光体を蒸着し、輝尽性蛍光体層の膜厚がその中心部及び端部において５００μｍとなったところで蒸着を終了させた。
次いで、乾燥空気内で輝尽性蛍光体層を保護層袋に入れ、輝尽性蛍光体層が密封された構造の放射線像変換パネルを得た。
【００５０】
なお、使用したポリイミド樹脂製の支持体のビッカース表面硬度は８０ＨＶであり（（株）アカシ社製ＨＭ１１２にて測定）、その算術平均粗さＲａは０．０５μｍであった。また、得られた放射線像変換パネルにおいて、形成された輝尽性蛍光体層の表面硬度は１５０ＨＶであった。
また、支持体の算術平均粗さについては、東京精密（株）社製サーフコム１５００−ＤＸにて測定した。
【００５１】
［実施例２］
実施例１で使用したポリイミド製支持体上に表面硬度が４０ＨＶであるフッ素樹脂をコーティングした。算術平均粗さは１．０μｍであり、輝尽性蛍光体層の硬度は１５０ＨＶであった。
【００５２】
［実施例３］
実施例１で使用したポリイミド製支持体上に表面硬度が４０ＨＶであるフッ素樹脂をコーティングした。表面をサンドプラスト処理により算術平均粗さを４．０μｍに調整した。輝尽性蛍光体層の硬度は１５０ＨＶであった。
【００５３】
［実施例４］
実施例１で使用したポリイミド製支持体を使用し、輝尽性蛍光体層の膜厚を８００μｍとした以外は同様に作製した。輝尽性蛍光体層の硬度は１５０ＨＶであった。
【００５４】
［実施例５］
実施例１で使用したポリイミド製支持体を使用し、輝尽性蛍光体層の膜厚を１２００μｍとした以外は同様に作製した。輝尽性蛍光体層の硬度は１５０ＨＶであった。
【００５５】
［比較例１］
実施例１で使用したポリイミド製支持体上に表面硬度が１６０ＨＶであるフッ素樹脂をコーティングした。算術平均粗さは１．０μｍであり、輝尽性蛍光体層の硬度は１５０ＨＶであった。
【００５６】
［比較例２］
蒸着支持体として表面硬度が２００ＨＶであるアルミ板を使用した。算術平均粗さは０．１μｍであり、輝尽性蛍光体層の硬度は１５０ＨＶであった。
【００５７】
［比較例３］
蒸着支持体として表面硬度が３００ＨＶであるガラス板を使用した。算術平均粗さは０．０６μｍであり、輝尽性蛍光体層の硬度は１５０ＨＶであった。
【００５８】
そして、以上のようにして得られた放射線像変換パネルについて下記のような評価を行った。
《画像ムラ》
放射線像変換パネルに管電圧８０ｋＶｐのＸ線を均一に照射した後、放射線像変換パネルをＨｅ−Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ）で操作して励起し、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を上記と同じ受光器で受光して電気信号に変換し、これを画像再生装置によって画像として再生し出力装置より２倍に拡大してプリントアウトし、得られたプリント画像を目視により観察して画像ムラの出現を以下のように評価した。
○：目視でムラが見られない
△：ムラは存在するが画像上問題ないレベル
×：ムラが存在し、使用できないレベル
【００５９】
《蛍光体層割れ》
蛍光体層割れは、加熱試験機を使用して放射線像変換パネルに対して６０℃と０℃との変化を１００回繰り返して行い、輝尽性蛍光体層の表面を目視にて観察し評価した。蛍光体層割れについて下記のように３段階で評価を行った。表１にその結果を示す。
○：割れが全く見えない
△：割れがごく一部に観察されるが、画像上問題ない
×：割れが存在し、使用できない
上記ランクにおいて△以上であれば、実用上問題ないと判定した。
【００６０】
【表１】
2005164382.tif 000003
表１の結果から明らかなように、輝尽性蛍光体層の表面硬度が支持体の表面硬度に比べて高い場合（実施例１〜実施例５）、画像ムラや蛍光体層割れの評価がともに△以上であり、比較例１〜比較例３に比べて画像ムラ及び蛍光体層割れを防止することができる。
また、実施例１、２、４のように、支持体表面の算術平均粗さが１．０Ｅ-3μｍ以上３．０μｍ以下である場合に、輝尽性蛍光体層割れに効果的であることがわかる。
さらに、実施例１〜実施例４のように輝尽性蛍光体層の膜厚は５０μｍ以上１０００μｍ以下であることが本発明の効果を得る点で有利である。
このように、輝尽性蛍光体層の表面硬度を支持体の表面硬度に比べて高くすることで、柱状結晶が支持体の表面に突き刺さった状態で形成され、容易に輝尽性蛍光体層と支持体との間の接着性を高めることができる。その結果、耐衝撃性に優れ、画像ムラの少ないパネルとすることができ、放射線画像の画質を格段に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】支持体上に形成した輝尽性蛍光体層の一例を示す概略断面図である。
【図２】蒸着装置の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  蒸着装置
２  真空容器
３  蒸発源
５  支持体回転機構
１１  支持体
１２  輝尽性蛍光体層
【図１】
2005164382.tif 000004
【図２】
2005164382.tif 000005