(57)【要約】【課題】導体層の厚みを薄くして小型のセラミック電子部品を製作することができ、しかも導体層やセラミック層に変形やクラック等の不具合が生じるのを有効に防止することができるセラミック電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】ＤＬＣもしくはＧＬＣから成るマスク層を部分的に有した基体の表面で、前記マクス層の存在しない部位に金属メッキ膜を析出させる工程Ａと、前記基体上の金属メッキ膜を被転写材に転写させるとともに、前記金属メッキ膜をセラミックグリーンシートと一体化する工程Ｂと、前記セラミックグリーンシートを焼成することによってセラミック層上に導体層が被着されたセラミック電子部品を得る工程Ｃと、を経てセラミック電子部品を製造する。【選択図】図２
2005050921.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）もしくはグラファイト・ライク・カーボン（ＧＬＣ）から成るマスク層を部分的に有した基体の表面で、前記マクス層の存在しない部位に金属メッキ膜を析出させる工程Ａと、
前記基体上の金属メッキ膜を被転写材に転写させるとともに、前記金属メッキ膜をセラミックグリーンシートと一体化する工程Ｂと、
前記セラミックグリーンシートを焼成することによってセラミック層上に導体層が被着されたセラミック電子部品を得る工程Ｃと、を含むセラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記マスク層の側面と下面との間に形成される角部の角度が９０度以下であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記金属メッキ膜を析出させる基体の表面が、窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタン、炭化チタン、導電性ＤＬＣの少なくとも一種から成るとともに、表面粗さが最大高さＲｙで０．５μｍ以下であり、且つ、前記基体表面の比抵抗が１０−３Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記工程Ｃにおけるセラミックグリーンシートの焼成温度が金属メッキ膜を形成している金属の再結晶温度よりも高く、かつ前記金属の融点よりも低いことを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記基体が円筒状もしくは円柱状を成しており、前記工程Ａにおいて、前記基体を軸周りに回転させながら、その一部をメッキ槽のメッキ液に浸漬するとともに、前記基体と前記メッキ槽との間のメッキ液に電界を印加することによって前記金属メッキ膜が析出・形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記基体表面の曲率半径が５０ｍｍ〜２０００ｍｍであることを特徴とする請求項５に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック層と所定パターンの導体層とを組み合わせて構成されているコンデンサやインダクタ，フィルタ，回路基板等のセラミック電子部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、コンデンサやインダクタ，フィルタ，回路基板等の電子部品を形成するのにセラミック材料が用いられている。
【０００３】
このような従来のセラミック電子部品として、例えば、所定の誘電率を有した複数個のセラミック層を、間に第１の内部電極と第２の内部電極とを交互に介在させて積層した積層体を形成するとともに、該積層体の側面や主面に前記第１，第２の内部電極にそれぞれ電気的に接続される一対の外部電極を設けてなる積層セラミックコンデンサ等が広く知られており、かかる積層セラミックコンデンサは、一対の外部電極を介して第１の内部電極と第２の内部電極との間に所定の電圧を印加し、第１の内部電極−第２の内部電極間に配されているセラミック層に所定の静電容量を形成することによってコンデンサとして機能するようになっている。
【０００４】
また上述した積層セラミックコンデンサは、例えば、以下の工程を経て製作される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
まず、所定のセラミック材料粉末に有機バインダ及び有機溶剤を添加・混合してスラリー状の無機組成物を作製し、これを従来周知のドクターブレード法等によって所定厚みのシートに成形加工してセラミックグリーンシートを形成する。
【０００６】
次に、得られたセラミックグリーンシートの主面に従来周知のスクリーン印刷等によってニッケル等の金属を主成分とする導体ペーストを所定パターンに印刷・塗布し、これを複数枚、積み重ねることによってセラミックグリーンシートの積層体を形成する。
【０００７】
続いて、前記積層体を高温で焼成することによって導体ペーストを内部電極に、セラミックグリーンシートをセラミック層に成し、最後に、前記積層体の端面等に従来周知のディッピング法等によって導体ペーストを塗布し、これを焼き付けて外部電極を形成することによって積層セラミックコンデンサが製作される。
【０００８】
【特許文献１】
特開２０００−２４３６５０号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年、電子機器の小型化に伴い、セラミック電子部品の小型化が求められており、上述した積層セラミックコンデンサの場合、個々のセラミック層や内部電極を薄く形成するための種々の検討がなされている。
【００１０】
例えば、上述した従来の積層セラミックコンデンサにおいて、内部電極の厚みを薄くするには、内部電極の形成に使用されている導体ペースト中に含まれる金属粉末の平均粒径を、例えば、０．３μｍ程度に極めて小さくすることが重要とされている。
【００１１】
しかしながら、導体ペースト中に含まれている金属粉末の粒径を極めて小さくした場合、導体ペースト中で金属粉末同士が凝集することに起因して金属粉末の分散性が悪くなってしまうことから、スクリーン印刷等に適した特性を備えた導体ペーストを得ることが困難であるという欠点を有していた。
【００１２】
また仮に、導体ペースト中に含まれている種々の成分を調整することによりスクリーン印刷等に適した特性をもった導体ペーストを得ることができたとしても、これをセラミックグリーンシート上に薄く塗布して焼成すると、焼成の際に導体ペースト中の金属粉末が移動することによって内部電極の連続性が著しく喪失される不都合があり、最悪の場合、内部電極が分断されてしまう欠点を有していた。
【００１３】
そこで上記欠点を解消するために、内部電極となる金属メッキ膜をステンレス等から成る基材の表面に予め形成しておき、これをセラミックグリーンシートに転写することで厚み１μｍ以下といった極めて薄い内部電極を形成することが考えられる。
【００１４】
しかしながら、予め形成しておいた金属メッキ膜をセラミックグリーンシートに転写して内部電極を形成する場合、金属メッキ膜の厚みを薄くするには、金属メッキ膜の析出領域を規制するマスクの厚みを薄くする必要がある。このようなマスクの材質としては、環化ゴム系のフォトレジスト材料等が使用可能と考えられるが、かかるフォトレジスト材料を従来周知のスクリーン印刷法やスピンコート法，カーテンコート法，ロールコータ法等によって基材の表面に塗布する場合、フォトレジスト膜の厚みを１μｍ以下に薄く形成することは極めて困難であり、高度の製造技術を要する上に、先に述べた環化ゴム系のフォトレジスト材料は、それ自体の強度が比較的低く、また基材を形成しているステンレス等との密着性も良好ではないことから、これを連続的に使用すると、マスクが比較的早期に基材より剥離してしまったり、或いは、マスクに破損を生じるといった欠点が誘発される。
【００１５】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、導体層の厚みを薄くして小型のセラミック電子部品を比較的簡単に得ることができるセラミック電子部品の製造方法を提供することにある。
【００１６】
【発明が解決するための手段】
本発明のセラミック部品の製造方法は、ダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）もしくはグラファイト・ライク・カーボン（ＧＬＣ）から成るマスク層を部分的に有した基体の表面で、前記マクス層の存在しない部位に金属メッキ膜を析出させる工程Ａと、前記基体上の金属メッキ膜を被転写材に転写させるとともに、前記金属メッキ膜をセラミックグリーンシートと一体化する工程Ｂと、前記セラミックグリーンシートを焼成することによってセラミック層上に導体層が被着されたセラミック電子部品を得る工程Ｃと、を含むことを特徴とするものである。
【００１７】
また本発明のセラミック電子部品の製造方法は、前記マスク層の側面と下面との間に形成される角部の角度が９０度以下であることを特徴とするものである。
【００１８】
更に本発明のセラミック電子部品の製造方法は、前記金属メッキ膜を析出させる基体の表面が、窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタン、炭化チタン、導電性ＤＬＣの少なくとも一種から成るとともに、表面粗さが最大高さＲｙで０．５μｍ以下であり、且つ、前記基体表面の比抵抗が１０−３Ωｃｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１９】
また更に本発明のセラミック電子部品の製造方法は、前記工程Ｃにおけるセラミックグリーンシートの焼成温度が金属メッキ膜を形成している金属の再結晶温度よりも高く、かつ前記金属の融点よりも低いことを特徴とするものである。
【００２０】
更にまた本発明のセラミック電子部品の製造方法は、前記基体が円筒状もしくは円柱状を成しており、前記工程Ａにおいて、前記基体を軸周りに回転させながら、その一部をメッキ槽のメッキ液に浸漬するとともに、前記基体と前記メッキ槽との間のメッキ液に電界を印加することによって前記金属メッキ膜が析出・形成されることを特徴とするものである。
【００２１】
また更に本発明のセラミック電子部品の製造方法は、前記基体表面の曲率半径が５０ｍｍ〜２０００ｍｍであることを特徴とするものである。
【００２２】
【作用】
本発明によれば、金属メッキ膜の析出領域を規制するマスク層をダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）もしくはグラファイト・ライク・カーボン（ＧＬＣ）で形成しておくことにより、比較的厚みの薄いマスク層によって十分な電気絶縁性を得ることができる上に、金属メッキ膜を基体より剥離させる際の剥離性を良好となすことができ、しかもＤＬＣやＧＬＣは極めて硬質で、ステンレス等によって形成される基体への密着性も良好であるため、これを長期にわたって連続的に使用しても、マスク層を良好な状態のまま、基体に対して強固に被着させておくことができる。
【００２３】
また、金属メッキ膜をセラミックグリーンシートに直接、転写する場合には、セラミックグリーンシートがマスク層表面に付着することは殆どないことから、安定した転写を繰り返し行うことができる利点もある。
【００２４】
更に本発明によれば、前記マスク層の側面と下面との間に形成される角部の角度を９０度以下になしておけば、基体と接する金属メッキ膜の下面の面積が上面の面積よりも小さくなることから、金属メッキ膜をセラミックグリーンシート等に転写する際に、金属メッキ膜の外周部がマクス層に引っ掛かることは殆どなく、金属メッキ膜の‘抜け’を良好となすことができる。
【００２５】
また更に本発明によれば、金属メッキ膜が析出される基体の表面を窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタン、炭化チタン、導電性ＤＬＣの少なくとも一種により形成するとともに、基体表面の表面粗さを最大高さＲｙで０．５μｍ以下に設定し、その比抵抗を１０−３Ωｃｍ以下に設定しておくことにより、基体の表面に金属メッキ膜を析出させる際、基体とメッキ槽との間の電流密度はより均一なものとなり、金属メッキ膜の厚みをより等しく揃えることができるようになる。しかもこの場合、基体表面の硬度は高く、表面状態は極めて平滑であることから、金属メッキ膜の剥離性も良好である。
【００２６】
更にまた本発明によれば、上述した金属メッキ膜を、セラミックグリーンシートの焼成時、金属メッキ膜を形成する金属の再結晶温度よりも高く、かつ、融点より低い温度で熱処理することにより、焼成時の熱によって金属メッキ膜が熔けて金属メッキ膜を分断することはなく、連続性に優れた導体層を形成することができる。なお、ここで、金属メッキ膜が連続性に優れた導体層となるのは、セラミックグリーンシートの焼成時、金属メッキ膜を形成している金属の再結晶化が進むことで金属が適度に軟化し、セラミックグリーンシート中のセラミック粒子が金属メッキ膜の表面に入り込むからであり、これによって金属メッキ膜とセラミックグリーンシートの密着力が向上し、構造欠陥の少ないセラミック電子部品が得られる。
【００２７】
また更に本発明によれば、金属メッキ膜が析出される基体を円筒状もしくは円柱状に成し、金属メッキ膜の析出工程において、前記基体を軸周りに回転させながら、その一部をメッキ槽のメッキ液に浸漬するとともに、前記基体と前記メッキ槽との間のメッキ液に電界を印加することによって金属メッキ膜を形成することにより、金属メッキ膜を連続的に形成して生産性の向上に供することができるとともに、基体とメッキ槽との間の電流密度を略均一になして、金属メッキ膜を略一定の厚みで形成することができるようになる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００２９】
図１は本発明の一実施形態に係る製造方法によって製作したセラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサを示す断面図であり、同図に示す積層セラミックコンデンサ１は、大略的に、絶縁層２と、導体層としての内部電極３と、セラミック層４と、外部電極５とで構成されている。
【００３０】
積層セラミックコンデンサ１は、内部電極３と所定の誘電率を有したセラミック層４とを交互に積層して直方体形状の積層体を形成するとともに、該積層体の上下両面にセラミック層４と同一材料からなる絶縁層２を形成し、更に前記積層体の両端部に内部電極３と電気的に接続される外部電極５を被着・形成した構造を有している。
【００３１】
また、積層セラミックコンデンサ１の外形は、例えば、巾１．２ｍｍ、長さ２ｍｍ、高さ１．２ｍｍの寸法にて形成され、セラミック層４や内部電極３の積層数は３０層〜６００層に設定される。
【００３２】
また、前記内部電極３の厚みは０．５μｍ〜２．０μｍ程度、またセラミック層４の厚みは１．０μｍ〜４．０μｍ程度に設定される。
【００３３】
これらセラミック層４の材質や厚み，積層数，内部電極３の対向面積等は、所望する静電容量の大きさによって適宜、決定される。
【００３４】
かかる積層セラミックコンデンサ１は、外部電極５を介して隣合う内部電極間３−３に所定の電圧を印加し、内部電極間３−３に配されているセラミック層４に所定の静電容量を形成することによってコンデンサとして機能する
次に、上述した積層セラミックコンデンサの製造方法について図２乃至図４を用いて説明する。
【００３５】
図２は本発明の製造方法に用いられる製造装置を模式的に示す図、図３は図２の製造装置に用いられる基体１１を図２のＡ方向から見た平面図、図４は図３の製造装置に用いられる基体表面の構造を示す拡大断面図である。
【００３６】
＜工程１＞
まず、凸曲面を有した基体１１の表面に断面が凸曲面状の金属メッキ膜９を形成する。
【００３７】
前記基体１１は、例えば、ステンレス、鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、チタン、タンタル、モリブデン等の導電性を備えた金属材料によって曲率半径５０ｍｍ〜２０００ｍｍ、長さ５０ｍｍ〜１０００ｍｍの円柱形状もしくは円筒状をなすように形成されており、その表面には導電性膜７が形成され、該導電性膜７上には更に、巾１．２μｍ×長さ２μｍの矩形状領域が複数個、露出するように、厚み１μｍ程度のダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）もしくはグラファイト・ライク・カーボン（ＧＬＣ）から成るマスク層８が部分的に形成される。
【００３８】
前記導電性膜７は、窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタン、炭化チタン、導電性ＤＬＣの少なくとも一種により形成されており、基体表面の表面粗さが最大高さＲｙで０．５μｍ以下、より好ましくはＲｙで０．２μｍ以下に設定され、比抵抗は電解メッキの際の電流密度の観点から１０−３Ωｃｍ以下に設定される。
【００３９】
また、これらの材料の中でも、金属メッキ膜９の剥離性を考慮すると、窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタンが特に好ましく、耐久性の観点からは、窒化チタンが好ましい。
【００４０】
ここで、基体表面の表面粗さを小さくしておくのは、金属メッキ膜９の厚みが薄くなると、基体１１の凸部が金属メッキ膜９に転写されて金属メッキ膜９にピンホールが形成され、これを熱処理した際に構造欠陥を生じてしまう恐れがあるからである。
【００４１】
尚、前記導電性膜７は、従来周知の薄膜形成法、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ）等によって基体１１の表面に形成される。
【００４２】
一方、上述した導電性膜７上のマスク層８は、金属メッキ膜９の析出領域を規制するためのもので、金属メッキ膜が表面に析出されない程度の十分な電気絶縁性を備え、その比抵抗は、例えば、１０４Ωｃｍ以上に設定され、ビッカース硬度Ｈｖが１０００以上、摩擦係数μが０．３以下の膜によって形成される。このような諸特性を満足する材料として上述したＤＬＣとＧＬＣとが挙げられる。
【００４３】
このように、基体１１の表面に金属メッキ膜９の析出領域を規制するマスク層８を形成しておくことにより、フォトエッチング等の煩雑な工程を経ることなく、基体１１をメッキ液１７に浸漬してメッキ槽１６との間に電界を印加するだけで所望するパターンの金属メッキ膜９を容易に得ることができ、積層セラミックコンデンサの生産性を向上させることが可能となる。
【００４４】
かかるマスク層８の厚みは、所望する金属メッキ膜９の厚みによって任意に設定され、金属メッキ膜９の厚みと同じか、或いは、金属メッキ膜９の厚みよりもやや厚く形成することが好ましい。これは、析出途中の金属メッキ膜９がマスク層８を乗り越えて広がるのを防止するためである。
【００４５】
尚、ＤＬＣもしくはＧＬＣから成るマスク層８は、炭素を従来周知のスパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の薄膜形成法によって所定の成膜条件のもと基体１１の表面に所定厚みに被着・形成し、しかる後、従来周知のフォトエッチング法等を採用して、得られた膜を金属メッキ膜９の析出領域に対応する複数個の開口部を有した所定パターンに加工することによって形成される。
【００４６】
このようなマスク層８は、電気抵抗が高いＤＬＣやＧＬＣから成っているため、マスク層８の表面にメッキが析出することがない上に、表面の剥離性が良好で、摩擦抵抗も小さいため、金属メッキ膜９を本実施形態における被転写体である樹脂フィルム２１に対して転写する際、被転写体が損傷を受けることは少なく、基体１１の耐久性が高められ、長期にわたって繰り返し使用しても高品質の金属メッキ膜９を形成することができる。
【００４７】
またこの場合、マスク層８を形成するＤＬＣやＧＬＣは極めて硬質で、ステンレス等によって形成される基体１１への密着性も良好であるため、これを長期にわたって連続的に使用しても、マスク層８を良好な状態のまま、基体１１に対して強固に被着させておくことができる。
【００４８】
このようなマスク層８の側面と下面（基体１１の表面）とで形成される角部の角度αは、例えば、９０度〜８５度に設定される。
【００４９】
そして、上述した基体１１は、その下部領域が、メッキ槽１６内で保持されているメッキ液１７等に浸漬されるようにして、所定の回転速度で回転軸１２の軸周りに回転するようになっており、基体１１の電流密度が、例えば、２Ａ／ｄｍ２〜１５Ａ／ｄｍ２となるようにメッキ槽１６との間に所定の電位差を設け、前述した基体１１の各矩形状領域に電解メッキを施すことにより基体１１の凸曲面に沿って金属メッキ膜９が形成される。
【００５０】
このように、円筒状もしくは円柱状の基体１１をその軸周りに回転させながら、メッキ槽１６のメッキ液１７に浸漬するとともに、基体１１とメッキ槽１６との間のメッキ液１７に電界を印加して金属メッキ膜９を形成することにより、金属メッキ膜９を連続的に形成することができ、これによって積層セラミックコンデンサの生産性を向上させることが可能となる。しかもこの場合、基体１１とメッキ槽１７との間の電流密度は略均一になることから、金属メッキ膜９を略一定の厚みで形成することもできるようになる。
【００５１】
尚、前記基体１１の回転軸１２は、その両端部が図示しない軸受けによって支持されており、基体１１が上下左右の移動しない構造となっている。このような回転軸１２と原動機の主軸とを連結して、原動機の回転運動を伝達させることにより基体１１が所定の速度で軸周りに回転するようになっている。
【００５２】
また、基体１１の回転軸１２は回転ブラシを介して電源装置１３と電気的に接続されており、これによって基体１１を電解メッキにおける陰極として機能させるようになっている。
【００５３】
一方、メッキ槽１６は、その内部でメッキ液１７を保持するとともに、電解メッキに際して陽極として機能するものであり、その内面は、例えば、基体１１の外表面と略同心円上に配され、メッキ槽１６との間にメッキ液１７を充填するための所定の間隙、例えば、５〜３０ｍｍの間隙を形成している。
【００５４】
また、メッキ液１７としては、金属メッキ膜９としてニッケルメッキ膜を形成する場合、例えば、スルファミン酸ニッケルメッキ液が使用され、その場合、塩化ニッケル３０ｇ／リットル、スルファミン酸ニッケル３００ｇ／リットル、ほう酸３０ｇ／リットルの組成を有した水溶液等が用いられる。ここで、メッキ液１７のｐＨ値は、例えば、３．０〜４．２に設定され、金属メッキ膜９中の内部応力を小さく抑えるには、ｐＨ値を３．５〜４．０に設定しておくことが好ましい。またメッキ液１７の温度は、例えば、２５℃〜７０℃に設定され、金属メッキ膜９中の内部応力を小さく抑えるには、４５〜５０℃に設定しておくことが好ましい。ここで、上述したメッキ液１７には、必要に応じて、ホウ酸、ギ酸ニッケル、酢酸ニッケル等から成るｐＨ緩衝剤やラウリル硫酸ナトリウム等から成るピット防止剤、ベンゼンやナフタレン等の芳香族炭化水素にスルフォン酸、スルフォン酸塩、スルフォンアミド、スルフォンイミド等を付与した化学物質等から成る応力減少剤、芳香族スルフォン酸やその誘導体から成る硬化剤、ブチンジオール、２ブチン１．４ジオール、エチレンシアンヒドリン、ホルムアルデヒド、クマリン、ピリミジン、ピラゾール、イミダゾール等から成る平滑剤等を適宜、添加して用いてもよいことは言うまでもない。尚、応力減少剤の具体的な材料としては、例えば、サッカリン、パラトルエンスルフォンアミド、ベンゼンスルフォンアミド、ベンゼンスルフォンイミド、ベンゼンジスルフォン酸ナトリウム、ベンゼントリスルフォン酸ナトリウム、ナフタレンジスルフォン酸ナトリウム、ナフタレントリスルフォン酸ナトリウム等が挙げられる。
【００５５】
このようなメッキ槽１６内のメッキ液１７は、均質な金属メッキ膜９を得るために、電界メッキを行う際、循環装置１４等によって常に所定の方向に流動させておくことが好ましく、また、純度の高いニッケル金属メッキ膜９を析出するには、メッキ槽１８の内面を金属メッキ膜９と同質の金属材料によって形成しておくことが好ましい。
【００５６】
そして、上述のような基体１１の表面に形成された金属メッキ膜９は、基体１１の回転によってメッキ液中より引き上げられた後、洗浄手段１５によって水洗浄及び乾燥が行われる。
【００５７】
＜工程２＞
次に、工程１により得た金属メッキ膜９を、一旦、樹脂フィルム２０上に転写する。
【００５８】
樹脂フィルム２０としては、例えば、厚み２０μｍ〜５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）等の主面に厚み０．０５μｍ〜１０μｍの粘着層２１を形成したものが用いられる。粘着層２１は、例えば、アクリル系（溶剤系）、アクリルエマルジョン系（水系）、ブチラール系、フェノール系、シリコン系、エポキシ系等の粘着剤（溶剤系）をＰＥＴフィルム等の主面に塗布して乾燥することによって得られ、乾燥後の粘着力が例えば、０．１Ｎ／ｃｍとなるように調整しておくことが好ましい。
【００５９】
このような樹脂フィルム２０は送り出し部２２によって基体１１側へ順次供給され、粘着層２１が形成されている側を金属メッキ膜９が形成されている基体１１の表面に対し加圧ローラ２３によって、例えば、１０Ｎの押圧力で加圧することによって樹脂フィルム２０上に金属メッキ膜９が転写させる。その後、樹脂フィルム２０は基体表面の周速度と同じ速度で巻き取り部２４によって巻き取られる。
【００６０】
このとき、マスク層８の側面と下面との間に形成される角部の角度αを９０度以下になしておけば、基体１１と接する金属メッキ膜９の下面の面積が上面の面積よりも小さくなることから、金属メッキ膜９を樹脂フィルム２０等に転写する際、金属メッキ膜９の外周部がマクス層８に引っ掛かることは殆どなく、金属メッキ膜９の‘抜け’を良好となすことができる。
【００６１】
尚、前記粘着層２１としては、比較的低温で確実に熱分解される材料により形成され、具体的には、金属メッキ膜９に付着した場合であっても焼成に際して熱分解するアクリル系（溶剤系）、アクリルエマルジョン系（水系）、ブチラール系の粘着剤を用いるのが好ましく、これらの中でも剥離性の良好なアクリル系粘着剤を用いるのが特に好ましい。このような粘着層２１の粘着力は、例えば、０．００５Ｎ／ｃｍ〜１．０Ｎ／ｃｍ、また転写性の観点からは、０．０１Ｎ／ｃｍ〜１．０Ｎ／ｃｍのものを用いるのが特に好ましく、剥離性の観点からは、０．０１Ｎ／ｃｍ〜０．２Ｎ／ｃｍのものを用いるのが好ましい。
【００６２】
また、加圧ロール２３としては、樹脂フィルム２０を基体１１に対して均等に加圧することができるように、表面部分をウレタンゴムコート、ネオプレーンゴムコート、天然ゴムコート等の弾力材料によって形成したものを用いることが好ましい。
【００６３】
＜工程３＞
次に、金属メッキ膜９が転写されている樹脂フィルム２０上に、更にセラミックグリーンシート２６を転写することにより金属メッキ膜９をセラミックグリーンシート２６の主面に転写する。
【００６４】
セラミックグリーンシート２６は、例えば、厚み１２μｍ〜１００μｍのＰＥＴフィルム等から成る樹脂フィルム２５上に支持された状態で樹脂フィルム２０との合流位置まで供給され、セラミックグリーンシート２６が樹脂フィルム２０上の金属メッキ膜９と接するようにして双方の樹脂フィルム２０，２５を重ね合わせ、この部分を加圧ローラ２７に内設させておいたヒータによって約７０℃の温度で加熱しつつ、樹脂フィルム２５を加圧ローラ２７によって約１００Ｎの押圧力で樹脂フィルム２０側へ加圧することによりセラミックグリーンシート２６が金属メッキ膜９側に転写され、その後、セラミックグリーンシート２６が剥ぎ取られた樹脂フィルム２５は収納部２９によって巻き取られる。
【００６５】
この場合、金属メッキ膜９は凸曲面を有した基体１１の表面に断面凸曲面状に形成されており、金属メッキ膜９の析出時、金属メッキ膜９中に内部応力（引張応力）が生じても、金属メッキ膜９を基体１１より剥離させると凸曲面状の金属メッキ膜９は平坦化する方向に変形するようになっているため、これをセラミックグリーンシート２６の主面に転写する際、セラミックグリ−ンシート２６や金属メッキ膜９に変形やクラックが発生したり、焼成の際にデラミネーションやクラックを発生するといった不都合が有効に防止され、積層セラミックコンデンサ１の生産性を向上させることができる。
【００６６】
またこのように、金属メッキ膜９を、一旦、樹脂フィルム２０上に転写した後、セラミックグリーンシート２６上に転写するようにすれば、セラミックグリーンシート２６が硬質材料により形成されている基体表面のマスク層８に対して直接、接触することはないことから、セラミックグリーンシート２６をマスク層８との接触により損傷させることなく金属メッキ膜９をセラミックグリーンシート２６に対して良好に転写することができる。
【００６７】
尚、樹脂フィルム２５上に支持されたセラミックグリーンシート２６は、例えば、１μｍ〜２０μｍの厚みに形成され、セラミック材料粉末に有機溶媒、有機バインダ等を添加・混合して得た所定のセラミックスラリーを、焼成後の厚さが２μｍ程度となるように従来周知のコーティング法または印刷法等によって樹脂フィルム２５の主面に塗布した後、これを乾燥させることによって得られる。
【００６８】
また、加圧ロール２７としては、先に述べた加圧ローラ２３と同様に、セラミックグリーンシート２６を金属メッキ膜９に対して均等に加圧することができるように、表面部分をウレタンゴムコート、ネオプレーンゴムコート、天然ゴムコート等の弾力材料によって形成したものを用いることが好ましい。
【００６９】
＜工程４＞
次に、前述の工程３で得た金属メッキ膜９付きのセラミックグリーンシート２６を複数枚準備して、これらを相互に圧着・積層することにより積層体を形成する。
【００７０】
このような積層体は、例えば、６０℃の温度で加熱しながら０．９ＭＰａの圧力で仮圧着され、その後、従来周知の静水圧プレス等によって７０℃の温度、５０ＭＰａの圧力で、積層体を構成する金属メッキ膜９付きのセラミックグリーンシート２６を相互に圧着させることによって形成される。
【００７１】
＜工程５＞
そして最後に、工程４で得た積層体を所定形状に切断し、これらを高温で焼成することによってセラミックグリーンシート２６を積層セラミックコンデンサのセラミック層４となし、金属メッキ膜９を内部電極３となす。
【００７２】
ここで、積層体の焼成温度は、金属メッキ膜９を形成している金属の融点よりも低く、かつ該金属の再結晶温度よりも高い温度に設定する。
【００７３】
例えば、金属メッキ膜９がニッケルから成る場合、ニッケルの再結晶温度は５００〜５５０℃で、ニッケルの融点は１４５０℃であるため、積層体の焼成は、例えば、１３００℃の温度で行われる。
【００７４】
このように金属メッキ膜９を、該メッキ膜９を形成する金属の融点より低い温度で焼成することにより、焼成時に金属メッキ膜９が熔けて金属メッキ膜９が分断されるといった不都合が確実に防止され、連続性に優れた内部電極３を形成することができる。
【００７５】
またこの場合、積層体の焼成温度は、金属メッキ膜９を形成している金属の再結晶温度よりも高く設定されているため、焼成時に金属メッキ膜９を形成している金属の再結晶化が進むことで金属が適度に軟化し、セラミックグリーンシート２６中のセラミック粒子が金属メッキ膜９の表面に入り込むことによって金属メッキ膜９とセラミックグリーンシート２６との密着力を向上せしめ、その結果、構造欠陥の少ない積層セラミックコンデンサが得られるようになる。
【００７６】
＜工程６＞
そして最後に、積層体の両端部に外部電極用の導体ペーストを塗布して焼成し、更にメッキ処理を施すことによって外部電極５が形成され、これによって製品としての積層セラミックコンデンサ１が完成する。
【００７７】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００７８】
例えば、上述した実施形態においては、金属メッキ膜９が転写された樹脂フィルム２０上に更にセラミックグリーンシート２６を転写させてセラミックグリーンシート２６と金属メッキ膜９とを一体化するようにしたが、これに代えて、基体１１上から樹脂フィルム２０上に転写した金属メッキ膜９を、樹脂フィルム２５上に保持されているセラミックグリーンシート２６の表面に転写させることようにしたり（図５参照）、或いは、基体１１上に析出させた金属メッキ膜９を、樹脂フィルム２５上で保持されているセラミックグリーンシート２６の主面に直接、転写する（図６参照）ようにしても良い。特に、図６に示す他の実施形態を採用する場合、基体１１上でマスク層８を形成しているＤＬＣやＧＬＣの表面にセラミックグリーンシート２６が付着することは殆どないため、安定した転写を繰り返し行うことができる利点もある。
【００７９】
また上述した実施形態において、金属メッキ膜９が転写された樹脂フィルム２０上にセラミックスラリーを塗布し、このセラミックスラリーを乾燥させて金属メッキ膜９が埋設されたセラミックグリーンシートを形成することによって、セラミックグリーンシートと金属メッキ膜９とを一体化するようにしても構わない。
【００８０】
更に上述の実施形態においては、金属メッキ膜９としてニッケルメッキ膜を析出・形成する例について説明したが、ニッケル以外の金属材料から成る金属メッキ膜、例えば、銅、銀、金、プラチナ、パラジウム、クロムやこれら金属材料の合金からなる金属メッキ膜９を析出・形成するようにしても構わない。
【００８１】
また更に上述の実施形態においては、積層セラミックコンデンサを製造する場合を例にとって説明したが、積層セラミックコンデンサ以外のセラミック電子部品、例えば、インダクタ，フィルタ，回路基板等の他のセラミック電子部品を製造する場合においても本発明が適用可能であることは言うまでもない。
【００８２】
【発明の効果】
本発明によれば、金属メッキ膜の析出領域を規制するマスク層をダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）もしくはグラファイト・ライク・カーボン（ＧＬＣ）で形成しておくことにより、比較的厚みの薄いマスク層によって十分な電気絶縁性を得ることができる上に、金属メッキ膜を基体より剥離させる際の剥離性を良好となすことができ、しかもＤＬＣやＧＬＣは極めて硬質で、ステンレス等によって形成される基体への密着性も良好であるため、これを長期にわたって連続的に使用しても、マスク層を良好な状態のまま、基体に対して強固に被着させておくことができる。
【００８３】
また、金属メッキ膜をセラミックグリーンシートに直接、転写する場合には、セラミックグリーンシートがマスク層表面に付着することは殆どないことから、安定した転写を繰り返し行うことができる利点もある。
【００８４】
更に本発明によれば、前記マスク層の側面と下面との間に形成される角部の角度を９０度以下になしておけば、基体と接する金属メッキ膜の下面の面積が上面の面積よりも小さくなることから、金属メッキ膜をセラミックグリーンシート等に転写する際に、金属メッキ膜の外周部がマクス層に引っ掛かることは殆どなく、金属メッキ膜の‘抜け’を良好となすことができる。
【００８５】
また更に本発明によれば、金属メッキ膜が析出される基体の表面を窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタン、炭化チタン、導電性ＤＬＣの少なくとも一種により形成するとともに、基体表面の表面粗さを最大高さＲｙで０．５μｍ以下に設定し、その比抵抗を１０−３Ωｃｍ以下に設定しておくことにより、基体の表面に金属メッキ膜を析出させる際、基体とメッキ槽との間の電流密度はより均一なものとなり、金属メッキ膜の厚みをより等しく揃えることができるようになる。しかもこの場合、基体表面の硬度は高く、表面状態は極めて平滑であることから、金属メッキ膜の剥離性も良好である。
【００８６】
更にまた本発明によれば、上述した金属メッキ膜を、セラミックグリーンシートの焼成時、金属メッキ膜を形成する金属の再結晶温度よりも高く、かつ、融点より低い温度で熱処理することにより、焼成時の熱によって金属メッキ膜が熔けて金属メッキ膜を分断することはなく、連続性に優れた導体層を形成することができる。なお、ここで、金属メッキ膜が連続性に優れた導体層となるのは、セラミックグリーンシートの焼成時、金属メッキ膜を形成している金属の再結晶化が進むことで金属が適度に軟化し、セラミックグリーンシート中のセラミック粒子が金属メッキ膜の表面に入り込むからであり、これによって金属メッキ膜とセラミックグリーンシートの密着力が向上し、構造欠陥の少ないセラミック電子部品が得られる。
【００８７】
また更に本発明によれば、金属メッキ膜が析出される基体を円筒状もしくは円柱状に成し、金属メッキ膜の析出工程において、前記基体を軸周りに回転させながら、その一部をメッキ槽のメッキ液に浸漬するとともに、前記基体と前記メッキ槽との間のメッキ液に電界を印加することによって金属メッキ膜を形成することにより、金属メッキ膜を連続的に形成して生産性の向上に供することができるとともに、基体とメッキ槽との間の電流密度を略均一になして、金属メッキ膜を略一定の厚みで形成することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る製造方法によって製作したセラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサを示す断面図である。
【図２】本発明の製造方法に用いられる製造装置の構成を模式的に示す図である。
【図３】図２の製造装置に用いられる基体１１を図２のＡ方向から見た平面図である。
【図４】図３の製造装置に用いられる基体表面の構造を示す拡大断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る製造方法に用いられる製造装置の構成を模式的に示す図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る製造方法に用いられる製造装置の構成を模式的に示す図である。
【符号の説明】
１・・・積層セラミックコンデンサ（セラミック電子部品）
２・・・絶縁層
３・・・内部電極（導体層）
４・・・セラミック層
５・・・外部電極
７・・・導電性膜
８・・・マスク層
９・・・金属メッキ膜
１１・・・基体
１２・・・回転軸
１３・・・電源装置
１４・・・循環装置
１５・・・乾燥部
１６・・・メッキ槽（陽極）
１７・・・メッキ液
２０・・・樹脂フィルム
２１・・・粘着層
２２・・・送り出し部
２３・・・加圧ローラ
２４・・・巻き取り部
２５・・・樹脂フィルム
２６・・・セラミックグリーンシート
２７・・・加圧ローラ
２８・・・供給部
２９・・・収納部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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