(57)【要約】【課題】  所望の位置にブラインドビアホ−ルと任意の異形状孔加工とが同時に行われ、かつ量産性が良好な両面回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】両面金属積層体の基板内にブラインドビアホ−ルと貫通孔とがレ−ザ−加工によって同時に形成され、かつ該貫通孔の側面に電磁波に対してシ−ルド機能を付与し、両面に金属パタ−ンを形成し、露出している金属部分に金属メッキを施してなる両面回路基板、リ−ル・ツ−・リ−ル方式により連続孔加工してなる両面回路基板、および屈曲性を有し易剥離性の粘着剤付き薄膜状物層を使用する両面回路基板の製造方法。【選択図】              なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面金属積層体の基板内にブラインドビアホ−ルと貫通孔とがレ−ザ−加工によって同時に形成され、かつ該貫通孔および露出している金属部分に金属めっき層を設け、両面に金属パタ−ンを形成してなる両面回路基板。
【請求項２】
貫通孔が、任意形状である請求項１に記載の両面回路基板。
【請求項３】
ブラインドビアホ−ルと貫通孔とが、両面金属積層体の片面をレ−ザ−加工してブラインドビアホ−ルおよび任意形状の連続孔を同時に形成して、他面に積層した易剥離性の粘着剤付き薄膜物層を剥離することによって前記のレ−ザ−加工によって生じた廃棄物を一緒に除去し、孔内を金属メッキして金属層の両面を電気的に接続してなる請求項１に記載の両面回路基板。
【請求項４】
両面金属積層体が、熱融着性３層構造のポリイミドフィルムの両面に金属箔を熱圧着するか、金属箔にポリイミド前駆体溶液を流延製膜した熱融着性ポリイミド層を有する片面金属張積層体の２枚を熱圧着して積層するか、あるいはポリイミドフィルムの両面に下地金属および銅を蒸着した後に金属めっきするいずれかによってポリイミドフィルムの両面に金属層を積層したものである請求項１に記載の両面回路基板。
【請求項５】
リ−ル・ツ−・リ−ル方式により連続孔加工してなり、両面金属積層体の基板内にブラインドビアホ−ルと貫通孔とが形成され、かつ該貫通孔内および露出している金属部分を金属めっきして金属層の両面を電気的に接続し、両面に金属パタ−ンを形成してなる両面回路基板。
【請求項６】
両面金属積層体の一方の面に屈曲性を有し易剥離性の粘着剤付き薄膜状物層を配置する工程、レ−ザ−加工により他方の面の所望の位置に樹脂層まで貫通する非連続孔および樹脂層をも貫通する連続孔を形成する工程、前記の粘着剤付き薄膜物層を剥離することによって開孔加工によって生じた廃棄物を一緒に除去する工程、孔内および露出している金属部分を金属メッキして金属層の両面を電気的に接続する工程、両面に金属パタ−ンを形成する工程からなる両面回路基板の製造方法。
【請求項７】
貫通孔が、任意形状である請求項６に記載の両面回路基板の製造方法。
【請求項８】
両面に金属パタ−ンを形成する工程が、両面にエッチングレジストを形成して露光、現像、金属層のエッチングおよびエッチングレジストの剥離により所望形状の金属パタ−ンを形成することからなる請求項６に記載の両面回路基板の製造方法。
【請求項９】
両面金属積層体が、熱融着性３層押出しポリイミドフィルムの両面に金属箔を加熱圧着するか、金属箔にポリイミド前駆体溶液を流延製膜した熱融着性ポリイミド層を有する片面金属張積層体の２枚を加熱圧着して積層するか、あるいはポリイミドフィルムの両面に下地金属および銅を蒸着した後に銅めっきするかいずれかによってポリイミドフィルムの両面に銅層を積層したものである請求項６に記載の両面回路基板の製造方法。
【請求項１０】
レ−ザ−加工が、ＵＶ−ＹＡＧレ−ザ−による請求項６に記載の両面回路基板の製造方法。
【請求項１１】
金属めっきが、Ｎｉ／Ａｕ半田、あるいは錫等の金属めっきからなる請求項６に記載の両面回路基板の製造方法。
【請求項１２】
金属めっきが、所望形状のソルダ−レジスト等の保護膜を形成する工程によって露出している金属部分に施される請求項６に記載の両面回路基板の製造方法。
【請求項１３】
ソルダ−レジストが、感光性ドライフィルムタイプであって真空下においてラミネ−トした後、露光現像操作にて所定の位置にパタ−ン形成したものである請求項６に記載の両面回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、両面回路基板及びその製造方法に関し、特に出発材料としての両面金属積層体とレ−ザ−加工とを組み合わせることによって、所望の位置にブラインドビアホ−ルと任意の異形状孔加工とが同時に行われ、かつ部品孔などの孔側面に電磁波シ−ルド機能を付与した高機能で量産性に優れた両面回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近の電子機器の小型化、高密度実装化、高性能化の要求に対し、ブラインドビアホ−ル以外に部品孔等の孔を異なる形状で複数種設ける場合が増えている。
例えば、２層ＣＣＬを使用し、片面の銅箔にフォトレジストコ−ティングしてパタ−ンを形成した後、ＣＯ２レ−ザ−でパタ−ンに対応する部分のポリイミドフィルムを除去してブラインドホ−ルを形成し、ブラインドホ−ル底部に堆積したポリイミド膜をデスミアした後、底部の銅箔の一部および微量のポリイミドをエッチングおよびデスミアして除去し、導電化処理した後、銅メッキしてブラインドビアホ−ルを形成することが知られている（特許文献１）。この場合、スル−ホ−ルを設ける場合はドリルやパンチングなどによって両面の銅箔およびポリイミド層に貫通孔が形成され、ブラインドビアホ−ルを設ける場合は片側の金属箔にエッチング加工にて孔加工を施した後、ＣＯ２、ＵＶ−ＹＡＧあるいはエキシマレ−ザ−などのレ−ザ−を照射してブラインドビアホ−ルが形成される。
【０００３】
これらの逐次開孔加工方法では、ブラインドビアホ−ルと部品孔との同時形成をリ−ル・ツ−・リ−ル搬送方式によって実施することは不可能である。レ−ザ−加工によりブラインドビアホ−ルを形成した後、プレス加工により部品孔加工を施すことが一般的に行われている。
このため、出発材料としての両面金属積層体を使用し、パンチング加工による同時加工が提案され（特許文献２）、さらにレ−ザ−加工によりブラインドビアホ−ルと部品孔との同時加工法（特許文献３）が提案された。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１５４７３０号公報（第１頁）
【特許文献２】特開平１１−１３５５７７号公報（第１頁）
【特許文献３】特開２００２−２５２２５６号公報（第１頁）
【０００５】
しかし、上記の方法によれば、レ−ザ−によりブラインドビアホ−ルを形成する工程とプレスにより部品孔などを形成する工程が必要であり、全ての孔を加工するために２工程が必要である。さらに、幅の狭い部品孔やリリ−スホ−ル加工の場合にはプレス加工では対応不可能となる場合が生じる。このため、従来の回路基板及びその製造方法は均一な品質、高生産性の点で量産性が劣る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、この発明の目的は、所望の位置にブラインドビアホ−ルと任意の異形状孔加工とが同時に行われ、かつ量産性が良好な両面回路基板、及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、両面金属積層体の基板内にブラインドビアホ−ルと貫通孔とがレ−ザ−加工によって同時に形成され、かつ該貫通孔の側面および露出している金属部分に金属メッキ層を設け、両面に金属パタ−ンを形成してなる両面回路基板に関する。
また、この発明は、リ−ル・ツ−・リ−ル方式により連続孔加工してなり、両面金属積層体の基板内にブラインドビアホ−ルと貫通孔とが形成され、かつ該貫通孔の側面および露出している金属部分を金属メッキして金属層の両面を電気的に接続し、両面に金属パタ−ンを形成してなる両面回路基板に関する。
【０００８】
さらに、この発明は、両面金属積層体の一方の面に屈曲性を有し易剥離性の粘着剤付き薄膜状物層を配置する工程、レ−ザ−加工により他方の面の所望の位置に樹脂層まで貫通する非連続孔および樹脂層をも貫通する連続孔を形成する工程、前記の粘着剤付き薄膜物層を剥離することによって開孔加工によって生じた廃棄物を一緒に除去する工程、孔内および露出している金属部分を金属メッキして金属層の両面を電気的に接続する工程、両面に金属パタ−ンを形成する工程からなる両面回路基板の製造方法に関する。
【発明の効果】
【０００９】
この発明の両面回路基板は、所望の位置にブラインドビアホ−ルと任意の種類の異形状孔を有し、孔空け加工時に発生する残滓を回収することなく、孔空け加工を単一工程で行える簡略化されたプロセスによるリ−ル・ツ−・リ−ル方式で基板側面が電磁波に対してシ−ルド機能を有している。
また、この発明によれば、前記の特長を有する両面回路基板を１段の開孔加工（孔空加工）により高い量産性で得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下にこの発明の好ましい態様を列記する。
１）貫通孔が、任意形状である上記の両面回路基板。
２）ブラインドビアホ−ルと貫通孔とが、両面金属積層体の片面をレ−ザ−加工してブラインドビアホ−ルおよび任意形状の連続孔を同時に形成して、他面に積層した易剥離性の粘着剤付き薄膜物層を剥離することによって前記のレ−ザ−加工によって生じた廃棄物を一緒に除去し、孔内を金属メッキして金属層の両面を電気的に接続してなる上記の両面回路基板。
３）両面金属積層体が、熱融着性３層構造のポリイミドフィルムの両面に金属箔を熱圧着するか、金属箔にポリイミド前駆体溶液を流延製膜した熱融着性ポリイミド層を有する片面金属張積層体の２枚を熱圧着して積層するか、あるいはポリイミドフィルムの両面に下地金属および銅を蒸着した後に金属メッキするいずれかによってポリイミドフィルムの両面に金属層を積層したものである上記の両面回路基板。
【００１１】
４）貫通孔が、任意形状である上記の両面回路基板の製造方法。
５）両面に金属パタ−ンを形成する工程が、両面にエッチングレジストを形成して露光、現像、金属層のエッチングおよびエッチングレジストの剥離により所望形状の金属パタ−ンを形成することからなる上記の両面回路基板の製造方法。
６）両面金属積層体が、熱融着性３層押出しポリイミドフィルムの両面に金属箔を加熱圧着するか、金属箔にポリイミド前駆体溶液を流延製膜した熱融着性ポリイミド層を有する片面金属張積層体の２枚を加熱圧着して積層するか、あるいはポリイミドフィルムの両面に下地金属および銅を蒸着した後に銅メッキするかいずれかによってポリイミドフィルムの両面に銅層を積層したものである上記の両面回路基板の製造方法。
【００１２】
７）レ−ザ−加工が、ＵＶ−ＹＡＧレ−ザ−による上記の両面回路基板の製造方法。
８）金属メッキが、Ｎｉ／Ａｕ半田、あるいは錫等の金属メッキからなる上記の両面回路基板の製造方法。
９）金属メッキが、所望形状のソルダ−レジスト等の保護膜を形成する工程によって露出している金属部分に施される上記の両面回路基板の製造方法。
１０）ソルダ−レジストが、感光性ドライフィルムタイプであって真空下においてラミネ−トした後、露光現像操作にて所定の位置にパタ−ン形成したものである上記の両面回路基板の製造方法。
【００１３】
以下、この発明を、この発明の両面回路基板を適用したＣＯＦの一例を示す部分概略図である図１とこの発明の両面回路基板の製造方法の工程の好適な一例の部分概略図である図２（工程の前部分を示す）および図３（工程の後部分を示す）とを用いて説明する。
図１において、両面回路基板１は、金属層２および金属層３がポリイミドフィルム４の両面に積層された両面金属積層体の基板内にブラインドビアホ−ル５と貫通孔６とがレ−ザ−加工によって同時に形成され、かつ該貫通孔の孔内（すなわち側面）に金属メッキ層７を設けて電磁波に対してシ−ルド機能を付与し、露出している金属部分に金属メッキ８を設けて両面に金属パタ−ンを形成してなり、必要ならば所望形状のソルダ−レジスト９の保護層が設けられている。
【００１４】
図２において、両面回路基板１は、（Ａ）工程：金属層２および金属層３がポリイミドフィルム４の両面に積層された両面金属積層体の一方の面に、（Ｂ）易剥離性の粘着剤付き薄膜状物質層１０を配置する工程、（Ｃ）レ−ザ−加工により他方の面の所望の位置に樹脂層まで貫通する非連続孔および樹脂層をも貫通する連続孔６を形成する工程、図３において（Ｄ）前記の粘着剤付き薄膜物層１０を剥離する工程、（Ｅ）このことによって開孔加工によって生じた廃棄物を一緒に除去する工程、（Ｆ）孔内および露出している金属部分を金属メッキして金属層の両面を電気的に接続する工程、および（Ｇ）両面に金属パタ−ンを形成する工程からなる製造方法によって得られる。なお、図２および図３における両面回路基板１は、図示されていないがリ−ル・ツ−・リ−ル方式で長尺状のものの一部である。
【００１５】
この発明における金属層としては、銅、アルミニウム、鉄、金などの金属箔や金属膜あるいはこれら金属の合金箔や合金膜が挙げられるが、好適には圧延銅箔、電解銅箔、蒸着および／またはメッキ銅膜などがあげられる。金属箔として、表面粗度の余り大きくなくかつ余り小さくない、好適にはポリイミドとの接触面のＲｚが３μｍ以下、特に０．５〜３μｍ、その中でも特に１．５〜３μｍであるものが好ましい。このような金属箔、例えば銅箔はＶＬＰ、ＬＰ（またはＨＴＥ）として知られている。
金属箔の厚さは、１μｍ〜１２μｍ程度、特に２μｍ〜９μｍ程度であることが好ましい。金属箔の厚みが大きくなるほどファインパタ−ン化に不利である。
また、Ｒｚが小さい場合には、金属箔表面を表面処理したものを使用してもよい。
【００１６】
この発明におけるポリイミドフィルムとして、高耐熱性と柔軟性とを兼ね備えたガラス転移温度が２７５〜３７５℃程度であるポリイミドからなる単一層ポリイミドフィルムであってもよいが、特にガラス転移温度が３００℃以上の高耐熱性ポリイミド層の両面にガラス転移温度が２００〜３００℃程度である熱圧着性および／または柔軟性のポリイミド層を有し全体の厚みが７〜５０μｍ程度、特に７〜２５μｍ程度であって引張弾性率（２５℃）が４００〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ2程度である３層構造のポリイミドフィルムが高密度化の点から好ましい。
【００１７】
この発明における両面金属積層体は、好適には金属箔と熱圧着性３層構造のポリイミドフィルムとを、好適にはダブルベルトプレスによって加熱圧着して張り合わせることによって得ることができる。
また、この発明における両面金属積層体は、高耐熱性ポリイミド層の両面に柔軟性のポリイミド層を有する３層構造のポリイミドフィルムまたは高耐熱性と柔軟性とを兼ね備えた単一層ポリイミドフィルムの両面に金属蒸着した後電気銅メッキすること（金属蒸着−電気銅メッキ法）によって得ることができる。この場合、ポリイミドフィルムを減圧放電処理した処理面に網目構造の凸部を有する凹凸形状を形成せしめた後連続して、あるいは減圧放電処理後いったん大気中に置いた後プラズマスクリ−ニング処理によって清浄化した後、蒸着法によって金属薄膜を形成し、少なくとも２層の金属薄膜、特に下地金属蒸着層と、その上の銅蒸着層からなる２層の金属蒸着層を積層して電気メッキすることが好ましい。
【００１８】
前記の金属蒸着−電気銅メッキ法における金属薄膜の材質としては、種々の組み合わせが可能である。金属蒸着膜として下地層と表面蒸着金属層を有する２層以上の構造としてもよい。下地層としては、クロム、タングステン、チタン、パラジウム、亜鉛、モリブデン、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、鉄、ニッケル−クロム合金、ニッケル−銅合金、ニッケル−金合金、ニッケル−モリブデン合金等が挙げられる。表面層（あるいは中間層）としては銅が挙げられる。蒸着層上に設ける金属メッキ層の材質としては、銅、銅合金、銀等、特に銅が好適である。真空プラズマ放電処理したポリイミドフィルムの両面に、クロム、タングステン、チタン、パラジウム、亜鉛、錫、モリブデン、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、鉄、ニッケル−クロム合金、ニッケル−銅合金、ニッケル−金合金、ニッケル−モリブデン合金等等の下地金属層を形成し、その上に中間層として銅の蒸着層を形成した後、銅の無電解メッキ層を形成し（無電解メッキ層を形成することは発生したピンホ−ルをつぶすのに有効である。）、あるいは、金属蒸着層の厚みを大きくして、例えば０．１〜１．０μｍとして銅などの無電解金属メッキ層を省略し、表面層として電気銅メッキ層を形成してもよい。
【００１９】
前記の電気銅メッキにおいて、例えば、硫酸銅５０〜２００ｇ／ｌ、硫酸１００〜２５０ｇ／ｌおよび光沢剤少量、温度１５〜４５℃、電流密度０．１〜１０Ａ（アンペア）／ｄｍ２、空気攪拌、搬送速度０．１〜２ｍ／分、適量の塩素および光沢剤の添加、陰極が銅の条件であることが好ましい。
【００２０】
この発明においては、前記の両面金属積層体の一方の面に易剥離性の粘着剤付き薄膜物質層を配置して、レ−ザ−加工によってブラインドビアホ−ルと貫通孔とを同時に形成することが必要である。
前記の開孔加工によって、任意形状（すなわち、異形状の孔を任意の種類という意味）の連続あるいは非連続の孔を形成する。
異形状の孔としては、例えばデバイスホ−ルや外形トリミングのためのリリ−スホ−ルなどを挙げることができる。
【００２１】
前記の粘着剤付き薄膜物質層の粘着剤（あるいは接着剤）として、一液性シリコンゴム粘着剤（商品名：ＲＴＶゴム  ＫＥ３４１７／信越シリコ−ン社製）、二液性シリコンゴム粘着剤（商品名：ＲＴＶゴム  ＫＥ１２０４／信越シリコ−ン社製）、二液性エポキシ接着剤（商品名：セメダイン  ハイス−パ−５／セメダイン社製）、二液性エポキシ接着剤（商品名：セメダイン  ＥＰ００１／セメダイン社製）、二液性ウレタン接着剤などを好適に使用することができる。
また、粘着剤付き薄膜物質層としては、前記の粘着剤を金属箔やポリイミドフィルム、ポリエステルフィルムなどのプラスチックフィルムなどの支持体に設けたものが挙げられる。
【００２２】
前記のレ−ザ−加工法としてはＣＯ２レ−ザ−、ＵＶ−ＹＡＧレ−ザ−、エキシマレ−ザ−などのレ−ザ−加工のいずれか、好適にはＵＶ−ＹＡＧが挙げられる。
前記のＵＶ−ＹＡＧレ−ザ−によって、発振波長が２６０〜４００ｎｍ程度の範囲にある紫外領域にあるレ−ザ−を使用することができる。
また、レ−ザ−加工は、両面金属積層体の少なくとも片面の金属層の所望の位置にレ−ザ−を照射して、好適には２０〜１００μｍφ、特に約３０〜１００μｍφの孔を形成する。同時にディフォ−カスしてポリイミドフィルム層にも同一形状にレ−ザ−を照射して孔を形成することができる。
【００２３】
この発明においては、前記のレ−ザ−加工によって両面金属積層体の他方の面の所望の位置に樹脂層（ポリイミド層）まで貫通する非連続孔および樹脂層をも貫通する連続孔を形成して、前記の粘着剤付き薄膜物層を剥離する。
前記の方法によれば、従来の工程におけるビア形成工程で発生する金属のバリの除去のためのバフ研磨法やドライブラスト法が必要でなく、また、ビア内のポリイミド部のクリ−ニング（デスミア）のためのアルカリ性過マンガン酸塩水溶液を用いるウエットデスミア法も必須ではなくなるこのため、バフ研磨法における運搬方向にのみ比較的大きな伸びが発生しやすく、加工基板の寸法変化に異方性が生じる問題、また、ビア穴内のポリイミド部のデスミア工程によるクリ−ニング、ドライブラスト法での発塵の問題、残存する砥粒がフォトリソグラフィ−工程でのレジスト密着性不良が起こらない。
【００２４】
前記の開孔加工によって生じた廃棄物を一緒に除去した後、孔内を金属メッキして金属層の両面を電気的に接続する。
金属メッキ法としては、例えば特開平１１−５１４２５号公報に記載された方法によって行うことができる。
例えば、ビアホ−ル等の内部において、Ｐｄ−Ｓｎ被膜を活性化し、導電性を高めて金属メッキ、好適には電解銅メッキする方法が挙げられる。
【００２５】
すなわち、パラジウム−スズコロイド触媒を用いることにより形成されるパラジウム−スズ被膜を、還元剤を含むアルカリアクセラレ−タ−浴に浸漬することによるパラジウム−スズ被膜の導電性向上方法である。 
パラジウム−スズ被膜は、パラジウム−スズコロイド触媒を用いることにより得られる被膜で、この被膜は、一般にはいわゆるＤＰＳ（Direct Plating System）法の中で行われるものである。
【００２６】
具体的なＤＰＳ法は、次のようにして実施される。まず、モノエタノ−ルアミン、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤等を用いて、孔部の金属およびポリイミドを脱脂し、アルカリ性過マンガン酸溶液でデスミアし、次いで過硫酸ソ−ダを用いてソフトエッチング後、塩化ナトリウム、塩酸等にプレディップする。 これらの工程の後、パラジウム−スズコロイドの液に浸漬するアクチベ−ティング工程でＰｄ−Ｓｎ被膜を形成し、最後に炭酸ソ−ダ、炭酸カリおよび銅イオンを含むアルカリアクセラレ−タ−浴および硫酸を含む酸性アクセラレ−タ−浴で活性化する際に、活性化に用いるアルカリ性アクセラレ−タ−浴に還元剤を添加すれば良い。添加することのできる還元剤の例としては、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド等のアルデヒド類、カテコ−ル、レゾルシン、アスコルビン酸等が挙げられる。還元剤を添加するアルカリ性アクセラレ−タ−浴としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムおよび銅イオンを含むものが好ましい。
前記の方法により、Ｐｄ−Ｓｎからなる抵抗値の低い被膜を得ることができ、次工程での電気銅メッキによる被覆時間を短縮することが可能となる。
【００２７】
次いで、酸洗浄した後、電気銅メッキする。
電気メッキにおいては、電流密度を２Ａ／ｄｍ２〜８Ａ／ｄｍ２に設定し、硫酸銅が１８０〜２４０ｇ／ｌ、硫酸４５〜６０ｇ／ｌ、塩素イオン２０〜８０ｇ／ｌ、添加剤としてチオ尿素、デキストリン又はチオ尿素と糖蜜とを添加して行うことが好ましい。
前記の方法によって厚さ３〜３０μｍの銅メッキ層を形成し、孔径が３０〜１００μｍ程度のビアホ−ルあるいは貫通孔を形成することができる。
【００２８】
次いで、メッキした片面の金属層にフォトプロセスとエッチングにより、所定のパタ−ンを有するグランド配線層を形成するとともに、他面の金属層にフォトプロセスとエッチングにより、所定のパタ−ンを有する信号配線層を形成することが好ましい。
この両面に、または少なくともホ−ルが形成されているグランド配線層側に、好適にはドライフィルムタイプの感光性ソルダ−レジストを、好適には真空ラミネ−タにてラミネ−トし、露光現像操作で所望のパタ−ンを有するソルダ−レジスト層をグランド配線層、信号配線層ともに形成することにより、両面回路基板を得ることができる。
【００２９】
前記の感光性ソルダ−レジストとしては、インキタイプの感光性ソルダ−レジスト、例えばポリイミド（前駆体）系の感光性樹脂組成物、好適には特開２０００−２１２４４６号公報に記載のイミドシロキサン系の感光性樹脂組成物や、特開２０００−１０９５４１号公報に記載のエポキシアクリレ−ト系の感光性熱硬化性樹脂組成物などであってもよく、好適にはドライフィルムタイプの感光性ソルダ−レジストが挙げられる。
【００３０】
特に、ソルダ−レジストとして硬化後の単体で１００ｋｇｆ／ｍｍ２以下の引張弾性率を有するものは、実質的に反りの発生しない保護膜として使用できるため好適である。このような硬化後に保護膜として使用できるドライフィルムタイプの感光性ソルダ−レジストとして、日本ポリテック株式会社のＦＰＣ用ドライフィルムソルダ−マスク（ウレタンゴムとエポキシアクリレ−トとを主材とし、難燃剤、開始剤を含有する感光性樹脂組成物：硬化後に約４０ｋｇｆ／ｍｍ２の引張弾性率を示す）や、宇部興産株式会社の特願２００１−３５９７９０号明細書に記載のエポキシアクリレ−ト樹脂と非対称性芳香族テトラカルボン酸二無水物とα、ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサンとの反応物であるオリゴマ−とエポキシ樹脂と光重合開始剤とを含む感光性樹脂組成物のドライフィルム（硬化後に約６０ｋｇｆ／ｍｍ２の引張弾性率を示す）が好適である。
前記のドライフィルムタイプの感光性ソルダ−レジストによれば、従来のカバ−レイタイプに比べて、耐メッキ性良好、ブランキング不要、微細化が可能、接着剤のしみ出しがなくなるなどの効果が得られる。
【００３１】
この後、通常はソルダ−レジストの開孔部分の銅層に、それ自体公知の方法によって電解ニッケル／金メッキ層あるいは無電解すずメッキ層を形成することにより、金メッキあるいはすずメッキして両面回路基板を得ることができる。
【００３２】
以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、この発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００３３】
両表面に熱圧着性を付与したポリイミドフィルム（厚さ：２５μｍ）の両面に、電解銅箔（厚さ：９μｍ、日本電解社製、商品名：ＵＳＬＰＲ２）を熱圧着した両面金属箔積層体（宇部興産社製、商品名：ユピセルＮ）の一方の面に、易剥離性の粘着剤付き銅箔（厚み２５μｍ、圧延銅箔）を連続式ラミネ−タ−にてプレス温度８０℃、圧力０．３５ＭＰａ、搬送速度１．０ｍ／分でラミネ−トし、ＵＶ−ＹＡＧレ−ザ−［エレクトロ・サイエンティフィック・インダストリ−ズ社製（ＥＳＩ社）、モデル：５２２０、波長：３５５ｎｍ］にて銅箔層およびポリイミドフィルム層をダイレクト孔空け加工することにより、ブラインドビアホ−ルおよび４種類の異形状の部品孔を形成した。続いて、粘着剤付き銅箔を剥離し、レ−ザ−加工により抜き落とされた部品孔部分の不要な両面金属箔積層体を該銅箔に貼り付けたまま回収した。次いで、連続式表面処理装置にて銅箔表面及び孔内のクリ−ニングを行った。続いて表面をリン酸洗浄した後、孔内にＤＰＳプロセスにより導電化皮膜を形成し、電解銅メッキ法により銅箔層上に１２μｍおよび開孔した側面に厚さ１０μｍの銅メッキ層を形成した。次に、メッキした銅層（両面とも）に厚さ３０μｍのドライフィルムレジスト（旭化成社製、商品名：ＳＵＮＦＯＲＴ、型番：ＡＱ−３０９６）をラミネ−トし、フォトプロセスとエッチング（孔部分はテンティング法により保護）により、所定のパタ−ンを有する信号配線層を銅箔層３に、所定のパタ−ンを有するグランド配線層を銅箔層２に形成した。次いで、電解ニッケルメッキ（厚さ０．５μｍ）と電解金メッキ（厚さ０．３μｍ）を施し、所望の両面配線基板をリ−ル・ツ−・リ−ル方式で作製した。
上記の両面配線基板を用いてＣＯＦを得た。このＣＯＦの概略図を図１に示す。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１は、この発明の両面回路基板を適用したＣＯＦの一例を示す概略図である。
【図２】図２は、この発明の両面回路基板の製造方法の工程の好適な一例の一部（（Ａ）〜（Ｃ）の工程）の概略図である。
【図３】図３は、この発明の両面回路基板の製造方法の工程の好適な一例の一部（（Ｄ）〜（Ｇ）の工程）の概略図である。
【符号の説明】
【００３５】
１：両面回路基板
２：金属層
３：金属層
４：ポリイミドフィルム
５：ブラインドビアホ−ル
６：貫通孔
７：金属メッキ層
８：金属メッキ層
９：ソルダ−レジスト
１０：粘着剤付き薄膜物層
１１：端子メッキ層
１２：シリコンチップ
１３：センサ部
１４：金バンプ
１５：センシングホ−ル
【図１】
2005175150.tif 000002
【図２】
2005175150.tif 000003
【図３】
2005175150.tif 000004