(57)【要約】【課題】ヒートシンクの側面に付着する樹脂バリを除去する。【解決手段】半導体装置の製造において、ヒートシンク上に配置された半導体チップを封止する樹脂封止体をトランスファモールディング法に基づいて形成する（ａ）工程と、前記ヒートシンクの前記樹脂封止体から突出する突出部を切断する（ａ）工程とを有し、前記（ａ）工程において、前記ヒートシンクの突出部の側面に前記樹脂封止体と連なる樹脂バリが形成され、前記樹脂バリは、前記樹脂封止体との付け根部に括れ部を有する。【選択図】        図１７
2005050959.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートシンク上に配置された半導体チップを封止する樹脂封止体をトランスファモールディング法で形成する（ａ）工程と、
前記ヒートシンクの前記樹脂封止体から突出する突出部を切断する（ｂ）工程とを有し、
前記（ａ）工程において、前記ヒートシンクの突出部の側面に前記樹脂封止体と連なる樹脂バリが形成され、
前記樹脂バリは、前記樹脂封止体との付け根部に括れ部を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記（ａ）工程において、前記ヒートシンクの突出部の側面には、前記ヒートシンクよりも厚さの薄い吊りリードが連結されており、前記樹脂バリは、前記ヒートシンクの突出部の側面及び前記吊りリードに付着しており、
前記（ａ）工程の後であって、前記（ｂ）工程の前に、前記吊りリードから前記樹脂バリを剥がす工程を更に有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記樹脂バリを剥がす工程は、前記吊りリードに曲げ加工を施すことによって行うことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第１の部分及びこの第１の部分に連なる第２の部分を有するヒートシンクと、前記ヒートシンクの第２の部分の側面に連なり、かつ前記ヒートシンクよりも厚さが薄い吊りリードとを有するリードフレームを準備する（ａ）工程と、
前記ヒートシンクの第１の部分に搭載された半導体チップ、及び前記ヒートシンクの第１の部分を封止する樹脂封止体をトランスファモールディング法で形成する（ｂ）工程と、
前記樹脂封止体に連なり、かつ前記ヒートシンクの第２の部分の側面及び前記吊りリードに付着して形成された樹脂バリを、前記樹脂バリから離間する方向に前記吊りリードに曲げ加工を施すことによって前記吊りリードから剥がす（ｃ）工程と、
前記樹脂バリに近づく方向に前記吊りリードに曲げ加工を施す（ｄ）工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂バリは、前記樹脂封止体との付け根部に括れ部を有することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、ヒートシンクを備えた半導体装置の製造技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
高放熱性が要求される半導体装置として、例えばヒートシンクを備えた半導体装置が知られている。この種の半導体装置の製造においては、低コスト化を図るため、１枚の金属板に所定の加工を施してリード及びこのリードよりも厚いヒートシンクを一体に形成したリードフレーム（以下、異形条リードフレームと呼ぶ）が使用されている。異形条リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造については、例えば特開２０００−４９１８４号公報（特許文献１）に記載されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−４９１８４号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者は、異形条リードフレームを用いたＨＳＯＰ（ｗｉｔｈ  Ｈｅａｔ  ｓｉｎｋ  Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）型半導体装置の製造について検討した結果、以下の問題点を見出した。
【０００５】
ＨＳＯＰ型半導体装置は、樹脂封止体の裏面からヒートシンクを露出させたパッケージ構造になっており、ヒートシンクは、半導体チップと共に樹脂封止体によって封止される第１の部分（本体部）と、この第１の部分に連なり、かつ樹脂封止体の側面から突出する第２の部分（突出部）とを有する構成になっている。
【０００６】
このようなパッケージ構造のＨＳＯＰ型半導体装置は、リード及びヒートシンクを有する異形条リードフレームを準備する工程、ヒートシンクの第１の部分の主面に半導体チップを接着固定する工程、半導体チップの電極とリードのインナー部とをボンディングワイヤで電気的に接続する工程、半導体チップ、リードのインナー部、ボンディングワイヤ、ヒートシンクの第１の部分等を樹脂封止して樹脂封止体を形成する工程、リード間のタイバーを含む不要部分を切断する工程、ヒートシンクの第２の部分を切断する工程、リードのアウター部にメッキ層を形成する工程、リードのアウター部を切断して所定の形状に成形する工程、ヒートシンクの第２の部分に連なる吊りリードを切断する工程等の各工程を経て製造される。
【０００７】
樹脂封止体は、大量生産に好適なトランスファ・モールディング法で形成される。具体的には、成形金型に異形条リードフレームを位置決めし、その後、成形金型のキャビティの中に例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂を注入することによって形成される。
【０００８】
成形金型は、樹脂封止体の側面からヒートシンクの第２の部分が突出するパッケージ構造にするため、ヒートシンクの第２の部分が嵌め込まれる（装着される）凹部を有している。この凹部は、ヒートシンクの着脱を容易にするため、ヒートシンクの第２の部分よりも大きい外形サイズになっており、しかも、樹脂が注入されるキャビティと連なっている。従って、樹脂封止工程において、ヒートシンクの第２の部分の側面に樹脂封止体と連なる樹脂バリ（樹脂性異物）が形成される。
【０００９】
一方、樹脂封止工程の後、樹脂封止体の側面から突出するヒートシンクの第２の分部の先端部を切断して除去する切断工程が施される。この切断工程において、切断時のストレスによりヒートシンクの第２の部分の側面に付着する樹脂バリに亀裂が入り、落ちたり、落ちないでヒートシンクの第２の部分の側面に残ったりする。そして、残ったものがリードフレームの搬送中に落下して搬送不良を招く要因となったり、半導体装置の実装工程において実装基板に落下して実装不良を招く要因となったりする。
【００１０】
ヒートシンクの第２の部分に付着する樹脂バリは、レーザや液体ホーニング等の手法で除去することができるが、手間が掛かり、しかも樹脂封止体へのダメージがあるため、歩留まりの低下、そして製造コストの増大を招く。
【００１１】
本発明の目的は、ヒートシンクの側面に付着する樹脂バリを除去する技術を提供することにある。
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１３】
（１）半導体装置の製造において、
ヒートシンク上に配置された半導体チップを封止する樹脂封止体をトランスファモールディング法に基づいて形成する（ａ）工程と、
前記ヒートシンクの前記樹脂封止体から突出する突出部を切断する（ａ）工程とを有し、
前記（ａ）工程において、前記ヒートシンクの突出部の側面に前記樹脂封止体と連なる樹脂バリが形成され、
前記樹脂バリは、前記樹脂封止体との付け根部に括れ部を有する。
【００１４】
（２）前記手段（１）に記載の前記（ａ）工程において、前記ヒートシンクの突出部の側面には、前記ヒートシンクよりも厚さの薄い吊りリードが連結されており、前記樹脂バリは、前記ヒートシンクの突出部の側面及び前記吊りリードに付着しており、
前記（ａ）工程の後であって、前記（ｂ）工程の前に、前記吊りリードから前記樹脂バリを剥がす工程を更に有する。
【００１５】
（３）前記手段（２）に記載の前記樹脂バリを剥がす工程は、前記吊りリードに曲げ加工を施すことによって行う。
【００１６】
（４）半導体装置の製造において、
第１の部分及びこの第１の部分に連なる第２の部分を有するヒートシンクと、前記ヒートシンクの第２の部分の側面に連なり、かつ前記ヒートシンクよりも厚さが薄い吊りリードとを有するリードフレームを準備する（ａ）工程と、
前記ヒートシンクの第１の部分に搭載された半導体チップ、及び前記ヒートシンクの第１の部分を封止する樹脂封止体をトランスファモールディング法に基づいて形成する（ｂ）工程と、
前記樹脂封止体に連なり、かつ前記ヒートシンクの第２の部分の側面及び前記吊りリードに付着して形成された樹脂バリを、前記樹脂バリから離間する方向に前記吊りリードに曲げ加工を施すことによって前記吊りリードから剥がす（ｃ）工程と、
前記樹脂バリに近づく方向に前記吊りリードに曲げ加工を施す（ｄ）工程とを有する。
【００１７】
（５）前記手段（４）に記載の前記樹脂バリは、前記樹脂封止体との付け根部に括れ部を有する。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
本実施形態では、ＳＯＰ型半導体装置に本発明を適用した例について説明する。
【００１９】
図１は、本実施形態の半導体装置の外観構造を示す模式的平面図（上面図）、
図２は、本実施形態の半導体装置の外観構造を示す模式的底面図（下面図）、
図３は、本実施形態の半導体装置の内部構造を示す図（（ａ）は模式的平面図，（ｂ）は（ａ）のａ−ａ線に沿う模式的断面図）、
図４は、本実施形態の半導体装置の製造に用いられるリードフレームの一部を示す模式的平面図、
図５は、図４の一部を拡大した模式的平面図、
図６は、図５の一部の構成を拡大して示す図（（ａ）は模式的平面図，（ｂ）は（ａ）のａ−ａ線に沿う模式的断面図）、
図７は、図５の一部の構成を拡大して示す図（（ａ）は模式的平面図，（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う模式的断面図）である。
【００２０】
図１、図２、及び図３（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態の半導体装置１は、半導体チップ２、複数のリード４からなる第１及び第２のリード群４ｓ、ヒートシンク５、複数のボンディングワイヤ６、並びに樹脂封止体７等を有するパッケージ構造になっている。半導体チップ２、第１及び第２のリード群４ｓの複数のリード４、ヒートシンク（支持基板）５、複数のボンディングワイヤ６等は、樹脂封止体７によって樹脂封止されている。
【００２１】
半導体チップ２は、図３（ａ）に示すように、その厚さ方向と交差する平面形状が方形状になっており、本実施形態では例えば長辺及び短辺を有する長方形になっている。半導体チップ２は、これに限定されないが、例えば、半導体基板、この半導体基板の主面に形成された複数のトランジスタ素子、前記半導体基板の主面上において絶縁層、配線層の夫々を複数段積み重ねた多層配線層、この多層配線層を覆うようにして形成された表面保護膜（最終保護膜）等を有する構成になっている。絶縁層は、例えば酸化シリコン膜で形成されている。配線層は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、又はアルミニウム合金、又は銅（Ｃｕ）、又は銅合金等の金属膜で形成されている。表面保護膜は、例えば、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜等の無機絶縁膜及び有機絶縁膜を積み重ねた多層膜で形成されている。
【００２２】
半導体チップ２は、図３（ａ），（ｂ）に示すように、互いに反対側に位置する主面（回路形成面）及び裏面を有し、半導体チップ２の主面側には集積回路が構成されている。集積回路は、主に、半導体基板の主面に形成されたトランジスタ素子、及び多層配線層に形成された配線によって構成されている。
【００２３】
半導体チップ２の主面には、複数のボンディングパッド（電極）３が形成されている。複数のボンディングパッド３は、半導体チップ２の主面の互いに反対側に位置する２つの辺（本実施形態では２つの長辺）に沿って配置されている。複数のボンディングパッド３は、半導体チップ２の多層配線層のうちの最上層の配線層に形成され、各々のボンディングパッド３に対応して半導体チップ２の表面保護膜に形成されたボンディング開口から露出している。
【００２４】
樹脂封止体７は、図１及び図２に示すように、厚さ方向と交差する平面形状が方形状になっており、本実施形態では例えば長辺及び短辺を有する長方形になっている。樹脂封止体７は、図１、図２及び図３（ｂ）に示すように、互いに反対側に位置する主面（上面）７ｘ及び裏面（下面，実装面）７ｙを有し、樹脂封止体７の平面サイズ（外形寸法）は、半導体チップ２の平面サイズ（外形寸法）よりも大きくなっている。
【００２５】
樹脂封止体７は、低応力化を図る目的として、例えば、フェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラー等が添加されたビフェニール系の熱硬化性樹脂で形成されている。樹脂封止体７の形成方法としては、大量生産に好適なトランスファモールディング法を用いている。トランスファモールディング法は、ポット、ランナー、樹脂注入ゲート、及びキャビティ等を備えた成形金型（モールディング金型）を使用し、ポットからランナー及び樹脂注入ゲートを通してキャビティの内部に熱硬化性樹脂を注入して樹脂封止体を形成する方法である。
【００２６】
第１及び第２のリード群４ｓは、図１、図２、及び図３（ａ）に示すように、樹脂封止体７の２つの長辺に対応して配置され、各リード群４ｓの複数のリード４は、樹脂封止体７の長辺に沿って配列されている。また、各リード群４ｓのリード４は、図３（ａ），（ｂ）に示すように、樹脂封止体７の内外に亘って延在し、樹脂封止体７の内部に位置する内部リード部（インナーリード）と、この内部リード部と一体に形成され、かつ樹脂封止体７の外部に位置する外部リード部（アウターリード）とを有する構成になっている。各リード４の外部リード部は、例えば面実装型リード形状の１つであるガルウィング形状に曲げ成形されている。
【００２７】
半導体チップ２の複数のボンディングパッド３は、第１及び第２のリード群４ｓの複数のリード４と夫々電気的に接続されている。本実施形態において、半導体チップ２のボンディングパッド３とリード４との電気的な接続は、例えば、図３（ａ），（ｂ）に示すように、ボンディングワイヤ６で行われており、ボンディングワイヤ６の一端部は、半導体チップ２のボンディングパッド３に接続され、ボンディングワイヤ６の一端部と反対側の他端部は、半導体チップ２の周囲において、リード４の内部リード部に接続されている。ボンディングワイヤ６としては、例えば金（Ａｕ）ワイヤを用いている。また、ワイヤ６の接続方法としては、例えば熱圧着に超音波振動を併用したネイルヘッドボンディング（ボールボンディング）法を用いている。
【００２８】
ヒートシンク５は、図３（ａ），（ｂ）に示すように、互いに反対側に位置する主面（上面）５ｘ及び裏面（下面，実装面）５ｙを有し、その裏面５ｙは樹脂封止体７の裏面７ｙから露出している。
【００２９】
ヒートシンク５は、図２及び図３（ａ）に示すように、半導体チップ２と共に樹脂封止体７によって樹脂封止される第１の部分（本体部）５ａと、この第１の部分に連なり、かつ樹脂封止体７の側面から突出する第２の部分（突出部）５ｂとを有する構成になっている。本実施形態において、第２の部分５ｂは２つ設けられ、この２つの第２の部分５ｂは、樹脂封止体７の互いに反対側に位置する２つの短辺から夫々突出している。
【００３０】
図３（ｂ）に示すように、ヒートシンク５は、リード４よりも厚さが厚くなっており、本実施形態において、ヒートシンク５の厚さは例えば１．２６ｍｍ程度、リード４の厚さは例えば０．３ｍｍ程度になっている。リード４のインナー部の先端は、ヒートシンク５の主面５ｘよりも樹脂封止体７の主面７ｘ側に位置している。
【００３１】
次に、半導体装置１の製造に使用される異形条リードフレームについて、図４乃至図７を用いて説明する。
【００３２】
図４に示すように、リードフレームＬＦは、例えば、外枠部及び内枠部を含むフレーム本体（支持体）１０で区画された複数の製品形成領域（デバイス形成領域）１１を一方向に沿って配置した多連構造になっている。各製品形成領域１１には、図５に示すように、複数のリード４からなる第１及び第２のリード群４ｓと、１つのヒートシンク５が配置されている。
【００３３】
ヒートシンク５は、その厚さ方向と交差する平面形状が方形状になっており、本実施形態では長方形になっている。ヒートシンク５は、樹脂封止体によって封止される第１の部分５ａと、この第１の部分５ａに連なり、かつ樹脂封止体の側面から突出する２つの第２の部分５ｂとを有する構成になっている。２つの第２の部分５ｂは、ヒートシンク５の長手方向の両側に設けられている。
【００３４】
第１のリード群４ｓは、ヒートシンク５の一方の長辺の外側に配置され、第２のリード群４ｓは、ヒートシンク５の他方の長辺の外側に配置されている。
【００３５】
各リード群４ｓにおいて、複数のリード４は、中間部がダムバー１３によって互いに連結され、先端部と反対側が連結バー１４によって互いに連結されている。連結バー１４は、オフセットバー１５及び１６を介してフレーム本体１０に連結されている。
【００３６】
ヒートシンク５は、４本の吊りリード１２を介してフレーム本体１０に連結されている。４本の吊りリード１２のうち、２本は、一端部がヒートシンク５の一方の第２の部分５ｂの互いに反対側に位置する２つの側面に別々に連結され、一端部と反対側の他端部がフレーム本体１０に連結されている。他の２本は、一端部がヒートシンク５の他方の第２の部分５ｂの互いに反対側に位置する２つの側面に別々に連結され、一端部と反対側の他端部がフレーム本体１０に連結されている。
【００３７】
リードフレームＬＦは、図６及び図７に示すように、薄手部分と、この薄手部分よりも厚い厚手部分とを有し、リード４、フレーム本体１０、吊りリード（支持リード）１２、ダムバー１３、連結バー１４、オフセットバー１５，１６等は厚手部分で形成され、ヒートシンク５は厚手部分で形成されている。リード４、タイバー１３及び連結バー１４は、板厚方向の位置がフレーム本体１０よりも上方に位置するようにオフセットバー１５，１６によってオフセットされている。吊りリード１２は、ヒートシンク５の主面５ｘと同一側の面がヒートシンク５の主面５ｘと段差を生じることなく平面的に平らになるようにヒートシンク５の第２の部分５ａの側面に連結されている。吊りリード１２は、樹脂封止体を形成する時の樹脂の漏れを堰き止めるダムバーを兼ねている。ヒートシンク５の第２の部分５ｂには、この第２の部分５ｂの切断を容易にする目的としてスリット８が設けられている。
【００３８】
このように構成された異形条リードフレームＬＦは、例えば、Ｃｕを主成分とする金属板にプレス加工を施して所定のパターンのリード及びヒートシンクを形成した後、リードの位置をオフセットするプレス加工を施すことによって形成される。
【００３９】
次に、半導体装置１の製造に使用される成型金型について、図８乃至図１０を用いて説明する。
【００４０】
図８は、本実施形態の半導体装置の製造に用いられる成形金型において、下型の構成を示す模式的平面図であり、
図９は、図８の一部を拡大した模式的平面図であり、
図１０は、本実施形態の半導体装置の製造に用いられる成形金型において、上型の構成を示す模式的平面図である。
【００４１】
図８乃至図１０に示すように、成型金型２０は、これに限定されないが、上下に分割された上型２０ａ（図１０参照）及び下型２０ｂ（図８，９参照）を有し、更に、ポット、カル部、ランナー、樹脂注入ゲート、キャビティ２１（図１３，１４参照）、エアーベント等を有する構成になっている。成形金型２０は、上型２０ａの規準面（合わせ面）２２ａと、下型２０ｂの規準面（合わせ面）２２ｂとの間にリードフレームＬＦを位置決めする。樹脂が注入されるキャビティ２１は、上型２０ａの規準面２２ａと下型２０ｂの規準面２２ｂとを向かい合わせた時、上型２０ａ及び下型２０ｂによって構成される。本実施形態において、成型金型２０のキャビティ２１は、これに限定されないが、例えば上型２０ａに設けられた凹部２１ａ及び下型２０ｂに設けられた凹部２１ｂによって構成される。
【００４２】
成形金型２０の下型２０ｂは、樹脂封止体７の側面からヒートシンク５の第２の部分５ｂが突出するパッケージ構造にするため、図８及び図９に示すように、ヒートシンク５の第２の部分５ｂが嵌め込まれる（装着される）凹部２５を有している。この凹部２５は、ヒートシンク５の着脱を容易にするため、ヒートシンク５の第２の部分５ｂよりも大きい外形サイズになっており、しかも、樹脂が注入されるキャビティ２１を構成する凹部２１ｂと連なっている。
【００４３】
凹部２５には、凹部２１ｂとの付け根部に、平面的に凹部２５の内側に突出する突起部２４が設けられている。この突起部２４はヒートシンク５の２つの第２の部分５ｂの各々の側面に対応して４つ設けられている。
【００４４】
下型２０ｂ及び上型２０ａには、成形金型２０にリードフレームＬＦを位置決めした時、リードフレームＬＦを押さえるフレーム押さえ部（２３ｂ，２３ａ）が設けられており、フレーム押さえ部２３ｂは下型２０ｂの規準面２２ｂよりも突出しており、フレーム押さえ部２３ａは上型２０ａの規準面２２ａよりも突出している。
次に、半導体装置１の製造について、図１１乃至図２３を用いて説明する。
【００４５】
図１１は、本実施形態の半導体装置の製造において、ワイヤボンディング工程を示す模式的平面図であり、
図１２は、本実施形態の半導体装置の製造工程中のモールディング工程において、成形金型にリードフレームを位置決めした状態を示す模式的平面図であり、
図１３は、図１２のａ−ａ線に沿う模式的断面図であり、
図１４は、図１２のｂ−ｂ線に沿う模式的断面図であり、
図１５は、本実施形態の半導体装置の製造において、モールディング工程後の状態を示す模式的平面図（上面図）であり、
図１６は、本実施形態の半導体装置の製造において、モールディング工程後の状態を示す模式的底面図（下面図）であり、
図１７は、図１６の一部を拡大した模式的底面図（下面図）であり、
図１８は、図１７のａ−ａ線に沿う模式的断面図であり、
図１９は、図１７のｂ−ｂ線に沿う模式的断面図てあり、
図２０は、本実施形態の半導体装置の製造において、ダムバー切断工程を示す模式的平面図であり、
図２１は、本実施形態である半導体装置の製造において、第１の吊りリード曲げ工程を示す模式的断面図であり、
図２２は、本実施形態である半導体装置の製造において、第２の吊りリード曲げ工程を示す模式的断面図であり、
図２３は、本実施形態の半導体装置の製造において、ヒートシンク切断工程を示す模式的底面図である。
【００４６】
まず、図４乃至図７に示すリードフレームＬＦを準備し、その後、図１１に示すように、ヒートシンク５の第１の部分５ａの主面５ｘに半導体チップ２を接着固定し、その後、図１１に示すように、半導体チップ２の複数のボンディングパッド３と複数のリード４とを複数のボンディングワイヤ６で夫々電気的に接続する。
【００４７】
次に、図１２乃至図１４に示すように、成形金型２０の上型２０ａと下型２０ｂとの間にリードフレームＬＦを位置決めする。
【００４８】
リードフレームＬＦの位置決めは、キャビティ２１の内部に、半導体チップ２、リード４、ヒートシンク５、ボンディングワイヤ６等が位置する状態で行われる。
【００４９】
また、リードフレームＬＦの位置決めは、キャビティ２１の内面にヒートシンク５の裏面５ｙを接触させた状態で行われる。
【００５０】
また、リードフレームＬＦの位置決めは、下型２０ｂの凹部２１ｂにヒートシンク５の第１の部分５ａが位置し、下型２０ｂの凹部２５にヒートシンク５の第２の部分２ｂを嵌め込んだ状態で行われる。
【００５１】
また、リードフレームＬＦの位置決めは、ヒートシンク５の第２の部分５ｂが上型２０ａの基準面２２ｂで覆われ、かつ圧接された状態で行われる。
【００５２】
また、リードフレーム５の位置決めは、下型２０ｂのフレーム押さえ部２３ｂと上型２０ａのフレーム押さえ部２２ａとでリード４、ダムバー１３等をクランプした状態で行われる。
【００５３】
この工程において、凹部２５は、ヒートシンク５の第２の部分５ｂよりも大きい平面サイズになっているため、ヒートシンク５の第２の部分５ｂと凹部２５との間に隙間が生じる。
【００５４】
次に、前述のようにリードフレームＬＦを位置決めした状態で、成形金型２０のポットからカル部、ランナー及び樹脂注入ゲートを通してキャビティ２１の内部に例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂を注入して樹脂封止体７を形成する。
【００５５】
この工程において、半導体チップ２、複数のリード４のインナー部、ヒートシンク５の第１の部分５ａ、複数のボンディングワイヤ６等は、樹脂封止体７によって封止される。
【００５６】
また、図１５及び図１６に示すように、樹脂封止体７の短辺側の各々の側面からヒートシンク５の第２の部分５ｂが突出し、かつ樹脂封止体７の裏面７ｙからヒートシンク５の裏面５Ｙが露出したパッケージが形成される。
【００５７】
また、この工程において、図１５乃至図１８に示すように、ヒートシンク５の第２の部分５ｂの側面に樹脂封止体７と連なる樹脂バリ（樹脂性異物）７ａが形成されるが、成型金型２０の凹部２５には突起部２４が設けられているため、樹脂バリ７ａは、図１７及び図１９に示すように、樹脂封止体７との付け根部に括れ部（凹み部）１７を有している。
【００５８】
また、この工程において、図１９に示すように、ヒートシンク５の第２の部分５ｂの側面には、ヒートシンク５よりも厚さの薄い吊りリード１２が連結されているため、樹脂バリ７ａは、ヒートシンク５の第２の部分５ｂの側面及び吊りリード１２に付着（厚手部分と薄手部分の２カ所に接して付着）している。
【００５９】
次に、図２０に示すように、ダムバー１３を含む不要部分を切断して除去し、その後、図２１に示すように、樹脂バリ７ａから離間する方向に吊りリード１２に曲げ加工を施して、吊りリード１２から樹脂バリ７ａを剥がす。本実施形態では、吊りリード１２の下側から突き上げて曲げ加工を施す。
【００６０】
次に、図２２に示すように、樹脂バリ７ａに近づく方向に吊りリード１２に曲げ加工を施す。本実施形態では、吊りリード１２の上側から押して曲げ加工を施す。
【００６１】
この工程において、樹脂バリ７ａを吊りリード１２で押すように吊りリード１２に曲げ加工を施すことにより、樹脂バリ７ａの括れ部１７に応力が集中し、この括れ部１７に亀裂が入り、図２２に示すように、ヒートシンク５の第２の部分５ｂから樹脂バリ７ａが剥がれ落ちるため、第２の部分５ｂの側面から樹脂バリ７ａを除去することができる。
【００６２】
なお、樹脂バリ７ａから離間する方向に吊りリード１２を曲げる第１の曲げ工程、及び樹脂バリ７ａに近づく方向に吊りリード１２を曲げる第２の曲げ工程は、ダムバー１３を切断する切断金型によって行われる。
【００６３】
次に、図２３に示すように、ヒートシンク５の第２の部分５ｂの一部を切断して除去し、その後、リード４のアウター部にメッキ層を形成し、その後、連結バー１４及び１５を切断してフレーム本体１０からリード４のアウター部を分離し、その後、リード４のアウター部を所定の形状（例えばガルウィング形状）に曲げ成型し、その後、ヒートシンク５から吊りリード１２を切断することにより、図１乃至図３（ａ），（ｂ）に示す半導体装置１がほぼ完成する。
【００６４】
このように、本実施形態によれば、樹脂バリ７ａの樹脂封止体７との付け根部に括れ部１７（図１７参照）を設け、樹脂バリ７ａから離間する方向に吊りリード１２に曲げ加工を施して吊りリード１２から樹脂バリ７ａを剥がし、その後、樹脂バリ７ａを吊りリード１２で押すように、樹脂バリ７ａに近づく方向に吊りリード１２に曲げ加工を施す。これにより、ヒートシンク５の第２の部分５ｂの側面から樹脂バリ７ａを容易に除去することができる。
【００６５】
また、本実施形態による樹脂バリ７ａの除去は、レーザや液体ホーニング等の手法と比較して、手間が掛らず、しかも樹脂封止体７へのダメージがほとんどないため、歩留まりの向上、そして低コストで製造することができる。
【００６６】
なお、本実施形態では、樹脂バリ７ａから離間する方向に吊りリード１２を折り曲げ、更に樹脂バリ７ａに近づく方向に吊りリード１２を折り曲げて樹脂バリ７ａを除去した例について説明したが、これらの折り曲げ工程を行わず、ヒートシンク５の第２の部分５ｂの一部を切断して除去する工程において樹脂バリ７ａを第２の部分５ｂから除去するようにしてもよい。ただし、樹脂バリ７ａは、ヒートシンク５の第２の部分５ｂの側面及び吊りリード１２に付着しているため、樹脂バリ７ａから離間する方向に吊りリード１２に曲げ加工を施して吊りリード１２から樹脂バリ７ａを剥がす工程を実施し、ヒートシンク５の切断工程において、ヒートシンク５の第２の部分５ａの側面から樹脂バリ７ａが容易に剥がれるようにしておくことが望ましい。
【００６７】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【００６８】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
本発明によれば、ヒートシンクの側面に付着する樹脂バリを除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態である半導体装置の外観構造を示す模式的平面図（上面図）である。
【図２】本発明の一実施形態である半導体装置の外観構造を示す模式的底面図（下面図）である。
【図３】本発明の一実施形態である半導体装置の内部構造を示す図（（ａ）は模式的平面図，（ｂ）は（ａ）のａ−ａ線に沿う模式的断面図）である。
【図４】本発明の一実施形態である半導体装置の製造に用いられるリードフレームの一部を示す模式的平面図である。
【図５】図４の一部を拡大した模式的平面図である。
【図６】図５の一部の構成を示す図（（ａ）は模式的平面図，（ｂ）は（ａ）のａ−ａ線に沿う模式的断面図）である。
【図７】図５の一部の構成を示す図（（ａ）は模式的平面図，（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う模式的断面図）である。
【図８】本発明の一実施形態である半導体装置の製造に用いられる成形金型において、下型の構成を示す模式的平面図である。
【図９】図８の一部を拡大した模式的平面図である。
【図１０】本発明の一実施形態である半導体装置の製造に用いられる成形金型において、上型の構成を示す模式的平面図である。
【図１１】本発明の一実施形態である半導体装置の製造において、ワイヤボンディング工程を示す模式的平面図である。
【図１２】本発明の一実施形態である半導体装置の製造工程中のモールディング工程において、成形金型にリードフレームを位置決めした状態を示す模式的平面図である。
【図１３】図１２のａ−ａ線に沿う模式的断面図である。
【図１４】図１２のｂ−ｂ線に沿う模式的断面図である。
【図１５】本発明一実施形態である半導体装置の製造において、モールディング工程後の状態を示す模式的平面図（上面図）でる。
【図１６】本発明の一実施形態である半導体装置の製造において、モールディング工程後の状態を示す模式的底面図（下面図）である。
【図１７】図１６の一部を拡大した模式的底面図（下面図）である。
【図１８】図１７のａ−ａ線に沿う模式的断面図である。
【図１９】図１７のｂ−ｂ線に沿う模式的断面図てある。
【図２０】本発明の一実施形態である半導体装置の製造において、ダムバー切断工程を示す模式的平面図である。
【図２１】本発明の一実施形態である半導体装置の製造において、支持バー曲げ工程を示す模式的断面図である。
【図２２】本発明の一実施形態である半導体装置の製造において、支持バー曲げ工程を示す模式的断面図である。
【図２３】本発明の一実施形態である半導体装置の製造において、ヒートシンク切断工程を示す模式的底面図である。
【符号の説明】
１…半導体装置、２…半導体チップ、３…ボンディングパッド、４…リード、４ｓ…リード群、５…ヒートシンク（支持基板）、５ａ…第１の部分（本体部）、５ｂ…第２の部分（突出部）、６…ボンディングワイヤ、７…樹脂封止体、７ａ…樹脂バリ（樹脂性異物）、８…スリット、
ＬＦ…リードフレーム、１０…フレーム本体、１１…製品形成領域（デバイス形成領域）、１２…吊りリード（支持リード）、１３…ダムバー、１４…連結バー、１５，１６…オフセットバー、１７…括れ部（窪み部）、
２０…成形金型、２０ａ…上型、２０ｂ…下型、２１…キャビティ、２１ａ，２１ｂ…凹部、２２ａ，２２ｂ…規準面（合わせ面）、２３ａ，２３ｂ…フレーム押さえ部、２４…突起部、２５…凹部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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