(57)【要約】【課題】  マスクパターンの寸法のずれを、広範囲に渡り、正確に、容易な方法で検出する。【解決手段】  テストマスクと、テストマスクの、パターンを観察する領域に、光を照射する照射手段と、テストマスクを観察するための対物レンズと、基準格子と、観察手段とを備える検査装置を用いて、検査を行う。ここで、テストマスクは、パターン描画装置の描画フィールドにまたがって、描画しようとするマスクパターンの最小パターンピッチと同一のピッチで規則的にパターンを描画したものである。また、基準格子は、対物レンズの倍率に拡大されたテストマスク上のパターンのピッチと、異なるピッチで、規則的に形成された基準パターンを有する。そして、検査装置は、対物レンズを介するテストマスクの像と、基準格子とを透過した像とを重ねて、モアレ縞を発生させて、このモアレ縞の乱れを観察する。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン描画装置の描画フィールドにまたがって、描画しようとするマスクパターンの最小パターンピッチと同一のピッチで規則的にパターンを描画したテストマスクと、
前記テストマスクの、観察する領域に、光を照射する照射手段と、
前記テストマスクを観察するための対物レンズと、
前記テストマスク上のパターンのピッチを、前記対物レンズの倍率に拡大したピッチとは、異なるピッチで、規則的に形成された基準パターンを有する基準格子と、
前記対物レンズを介する前記テストマスクの像と、前記基準格子とを透過した像とを、重ねて観察する観察手段と、
を備えることを特徴とする検査装置。
【請求項２】
前記基準格子を通過する光学パスと、前記基準格子を通過しない光学パスとを切り替える切替手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
【請求項３】
前記テストマスクと、前記基準格子との位置の、相対的な回転成分を調整する調整手段と、
を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の検査装置。
【請求項４】
前記テストマスクと前記基準格子とを通過した像を取り込む撮像手段を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の検査装置。
【請求項５】
パターン描画装置の描画フィールドにまたがって、描画しようとするマスクパターンの最小パターンピッチと同一のピッチで規則的にパターンを描画したテストマスクと、
対物レンズで拡大された前記テストマスクの像を取り込む撮像手段と、
前記テストマスク上のパターンのピッチを、前記対物レンズの倍率に拡大したピッチとは、異なるピッチで、規則的に形成された基準パターンの画像データを形成する画像処理手段と、
前記テストマスク像及び前記基準データを積算するための積算手段と、
前記積算手段により積算された積算データから、マスクを検査する検査手段と、
を備えることを特徴とする検査装置。
【請求項６】
前記積算手段により積算した積算データから、高周波成分を除去するローパスフィルタを備えることを特徴とする請求項５に記載の検査装置。
【請求項７】
前記積算手段により積算された積算データに基づき、画像データを出力する出力モニタを備えることを特徴とする請求項５または６に記載のマスク検査装置。
【請求項８】
パターン描画装置の描画フィールドにまたがって、描画しようとするマスクパターンの最小パターンピッチと同一のピッチで規則的なパターンを描画したテストマスクに、光を照射して得られたテストマスク像と、前記テストマスク像に、対物レンズにより拡大された前記テストマスクのパターンと異なるピッチの基準格子とを重ねて、モアレ縞を発生させ、前記モアレ縞を観察する検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は検査装置及び検査方法に関する。更に具体的には、マスクの形成において用いる描画装置等の精度を評価することができる検査装置及び検査方法として好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の縮小化、高集積化に伴う、パターンの微細化により、リソグラフィ技術においても、高いパターン寸法精度が望まれている。現在、一般に、フォトリソグラフィにおける寸法の許容変動量は、目標寸法の約１０％程度であると考えられている。即ち、例えば、６５nmノード技術世代における寸法許容変動量は、計算上は、ウェーハ上で、６．５nm程度である。但し、実際には、ゲート幅は、更に細いパターンとなるため、寸法精度も、これに従って厳しくなる。従って、リソグラフィ技術においては、寸法精度向上が望まれている。
【０００３】
一般に、リソグラフィにおいては、フォトマスクと呼ばれる原版を作成し、このフォトマスクに形成されたパターンを、露光装置で、ウェーハ上に縮小転写することにより、ウェーハ上に回路パターンを形成する。このリソグラフィ工程において、ウェーハに形成されるパターンに、寸法変動が起きる原因としては、様々なものが考えられる。主なものとしては、例えば、露光装置におけるフレアなどの光学的な要因、また、アライメントにおけるずれ、また、フォトマスクのパターン寸法そのもののずれ等が挙げられる。
【０００４】
これらの要因を除去し、正確なパターン寸法を実現するため、様々な手段が考えられている。１例を挙げると、アライメント精度を制御するため、モアレ縞を用いて、アライメント誤差を検出する手段等が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
また、フォトマスク自体に、異常が存在する場合、その異常が全て、ウェーハに転写され、欠陥となってしまう。このため、フォトマスク上の異常は、特に、除去する必要があり、また、フォトマスクの寸法精度は、高いものが要求される。
【０００６】
フォトマスクの寸法精度のみを考慮する場合、例えば、マスクの倍率が４倍、即ち、ウェーハへの転写の際のパターン縮小率が、１/４である場合、許容誤差も、ウェーハ上における寸法変動許容量の４倍となるものと考えられる。従って、上述したように、６５nmノード技術世代においては、単純に計算すれば、２６nm程度の誤差が許容されるものと考えられる。
【０００７】
しかしながら、フレアなど、露光装置の有する光学的な誤差要因により、フォトマスクパターン転写時に、フォトマスク上の誤差成分が拡大されてしまう場合が考えられる。従って、露光装置の光学系に起因する誤差要因の拡大を考慮して、最終的にウェーハ上に、±１０％程度のパターンを実現しようとすると、フォトマスクの寸法精度においても、数nm程度の寸法精度を達成する必要がある。
【０００８】
ここで、フォトマスクは、電子ビームやレーザビームを利用したパターン描画装置を用いて、パターンの設計データを描画することにより作成される。具体的には、パターンの描画は、描画フィールドサイズ毎に分割されたデータ単位で描画を行い、これをつなぎ合わせてパターン描画を完成させる。なお、ここで、描画フィールドとは、描画装置において一度に描画できる範囲であり、ビームを偏向できる範囲に依存するものである。
【０００９】
マスクパターンの描画における寸法精度向上のためには、各描画フィールド間のつなぎ合わせを、精度良く行う必要がある。一般に、描画フィールド間のつなぎ合わせの精度は、ビームの偏向精度、ステージ移動に伴う機械的な精度など、多くの誤差要因を持つが、つなぎ精度を、数nm程度に管理し、制御する必要がある。
【００１０】
このため、描画装置におけるつなぎ精度の確認が必要となる。一般に、このつなぎ精度確認の方法としては、例えば、予め、描画フィールド間のつなぎ部分に跨るように、測定用図形を配置したテストパターンを作成して、このパターンの位置のずれや寸法のずれといった形で、つなぎ精度を検出する手法などが用いられている。
【００１１】
さらに、具体的には、例えば、描画フィールドを跨いで形成された２つの部分からなる測長用パターンと、その両側のリファレンスパターンからなるテストパターンの、各パターンの寸法差でつなぎ精度を評価するものがある。また、描画フィールド境界に十字パターンの座標を配置したテストパターンの、各十字パターンを測定して比較することで、描画フィールド間のつなぎ精度を測定、評価するものがある。
【００１２】
【特許文献１】特開平２−１５４１０１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかし、パターン描画装置の描画フィールドサイズは、描画装置固有のサイズである。従って、用いる描画装置の変更により、必要な測定用パターンや測定用レシピが異なってしまう。このため、描画装置ごとに、測定用パターンやレシピを準備する必要がある。このため、つなぎ精度測定における測定時間の増大や、測定コストの増大が問題となる。
【００１４】
また、パターンの微細化に伴い、測定点が増加する。従って、プレート内の広い範囲にわたって情報を得る必要がある場合に、測定点が膨大となる。このため、従来のテストパターンを用いた方法では、測定スループットの低下が問題となる。
【００１５】
また、同様に、ＳＥＭを用いたパターン観察を行う場合にも、測定点の増加に伴い、一度に観察できる面積が狭くなってしまう。従って、この場合にも、測定スループットの低下が問題となる。
【００１６】
従って、この発明は、以上の問題を解決し、パターン描画装置における描画フィールド間のつなぎ精度を、より広範囲に、かつ高精度に、容易に観察できる方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
この発明の検査装置は、テストマスクと、テストマスクの、観察する領域に、光を照射する照射手段と、テストマスクを観察するための対物レンズと、基準格子と、
対物レンズを介するテストマスクの像と、基準格子とを透過した像とを、重ねて観察する観察手段とを備える。そして、テストマスクは、パターン描画装置の描画フィールドにまたがって、描画しようとするマスクパターンの最小パターンピッチと同一のピッチで規則的にパターンを描画して形成されたものである。また、基準格子は、テストマスク上のパターンのピッチを、対物レンズの倍率に拡大したものとは、異なるピッチで、規則的に形成された基準パターンを有するものである。
【００１８】
あるいは、この発明の検査装置は、基準格子を通過する光学パスと、基準格子を通過しない光学パスとを切り替える切替手段を備えるものであってもよい。
あるいは、この発明の検査装置は、テストマスクと、基準格子との位置の、相対的な回転成分を調整する調整手段とを備えるものであってもよい。
あるいは、この発明の検査装置は、テストマスクと基準格子とを通過した像を取り込む撮像手段を備えるものとしてもよい。
【００１９】
あるいは、この発明の検査装置は、テストマスクと、対物レンズで拡大されたテストマスクの像を取り込む撮像手段と、画像処理手段と、テストマスク像及び基準データを積算するための積算手段と、積算手段により積算された積算データから、マスクを検査する検査手段とを備える。そして、テストマスクは、パターン描画装置の描画フィールドにまたがって、描画しようとするマスクパターンの最小パターンピッチと同一のピッチで規則的にパターンを描画したものである。また、画像処理手段は、テストマスク上のパターンを、対物レンズの倍率に拡大したパターンのピッチと、異なるピッチで、規則的に形成された基準パターンの画像データを形成するものである。
【００２０】
あるいは、この発明の検査装置は、積算手段により積算した積算データから、高周波成分を除去するローパスフィルタを備えるものであってもよい。
あるいは、この発明の検査装置は、積算手段により積算された積算データに基づき、画像データを出力する出力モニタを備えるものであってもよい。
【００２１】
あるいは、この発明の検査装置は、テストマスクのパターンのピッチをｂとし、基準パターンのピッチをａとし、対物レンズの倍率をＭとした時、基準格子のピッチａは、ａ≒Ｍｂで表せるものとしてもよい。
【００２２】
また、この発明の検査方法は、パターン描画装置の描画フィールドにまたがって、描画しようとするマスクパターンの最小パターンピッチと同一のピッチで規則的なパターンを描画したテストマスクに、光を照射して得られたテストマスク像と、テストマスク像に、対物レンズにより拡大されたテストマスクのパターンと異なるピッチの基準格子とを重ねて、モアレ縞を発生させ、モアレ縞を観察するものである。
【発明の効果】
【００２３】
この発明においては、テストマスクと、基準格子とのそれぞれに形成されたパターンピッチを、わずかにずらすことにより、モアレ縞を発生させる。そして、描画装置のパターンの寸法精度測定においては、モアレ縞の乱れを検出することにより、描画フィールド間のつなぎ部のずれなど、パターンのずれを検出する。これにより、テストマスクのパターン寸法のずれを、広範囲に渡って、一度に、容易に検査することができる。また、積のモアレ縞を検査するため、通常の検査では現れにくい微細なずれや欠陥をも、高精度に検査することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照してこの発明の実施の形態について説明する。なお、各図において、同一または相当する部分には同一符号を付してその説明を簡略化ないし省略する。
【００２５】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１における検査に用いるテストマスクを表す上面図である。また、図２は、マスク検査に用いる基準格子を表す上面図である。
図１に示すように、テストマスク２には、ライン・アンド・スペースパターン（以下、Ｌ／Ｓパターンと称する）が形成されている。ここで、Ｌ／Ｓパターンのパターンピッチｂ、即ち、１のラインからその隣のラインまでの幅は、検査対象となる描画装置で形成しようとするフォトマスクのテクノロジノードに相当するものである。具体的に、例えば、６５nm技術ノードでは、約１３０nmである。
【００２６】
図２に示すように、基準格子４には、Ｌ／Ｓパターンが形成されている。ここで、Ｌ／Ｓパターンのピッチ、即ち、基準格子４の格子定数ａは、検査に用いる対物レンズの倍率をＭとした場合に、ｂ≒Ｍａである。即ち、基準格子４の格子定数ａは、対物レンズの倍率Ｍで、テストマスク２のＬ／Ｓパターンを拡大したときに、テストマスク２のパターンピッチｂと、わずかにずれるように設定されている。
【００２７】
図３は、この発明の実施の形態１において、マスクパターンの寸法精度を検査する場合の検査装置について説明するための断面模式図である。
図３に示すように、検査装置には、上述のようなテストマスク２がセットされる。また、基準格子４は、載置台６に載置される。載置台６は、調整手段８に接続されている。また、テストマスク２からパターン像を得るための光を発射する光源１０及び、光学レンズ１２、ハーフミラー１４、対物レンズ１６が配置されている。また、対物レンズ１６上方に、光学レンズ１８が配置され、この対物レンズ１８による結像面に、基準格子４が配置されている。また、基準格子４を透過した光の光路上に、接眼レンズ２０が配置されている。
【００２８】
このような検査装置を用いて、テストマスク２の検査を行う場合について説明する。
まず、検査対象となるテストマスク２を検査装置にセットする。また、基準格子４を、載置台６に載置する。載置台６は、調整手段８により、その位置の調整が可能となっている。具体的には、載置台６の移動により、基準格子４を通過する光学パスと、基準格子４を通過しない光学パスとを切り替えることができ、また、テストマスクと、前記基準格子との位置の、相対的な回転成分を調整することができる。これにより、基準格子４を、適切な位置にセットし、明確なモアレ縞が発生するようにすることができる。
【００２９】
基準格子４をセットした後、まず、光源１０から、検査用の光が発射する。この光は、光学レンズ１２を通過した後、ハーフミラー１４において、テストマスク４方向に反射する。この反射光は、テストマスク２上に照射される。
【００３０】
テストマスク２から反射した光は、対物レンズ１６に入射して、倍率Ｍに拡大される。その後、光学レンズ１８を通過して、テストマスク像が引き出され、基準格子４を結像面として入射する。更に、基準格子４を通過した光を、接眼レンズ２０を介して、目視観察できる。
【００３１】
ここで、基準格子４の格子定数ａは、上述したように、テストマスクのＬ／Ｓパターンのピッチをｂとし、対物レンズの倍率をＭとすると、ｂ≒Ｍａと表すことができる。
このように形成された基準格子４と、テストマスク２を用いて、テストマスク２のＬ／Ｓパターンを上述のような検査装置で観察すると、モアレ縞が発生する。これについて具体的に説明する。
【００３２】
まず、結像面に生じる、テストマスク２の光強度分布Imは、以下（１）式に表すことができる。
Im＝1/2(1+cos(2πx/Mb)    ・・・・    （１）
【００３３】
また、基準格子による光強度分布Isは、以下（２）式に表すことができる。
Is=1/2(1+cos(2πx/a)    ・・・・    （２）
【００３４】
以上（１）式、（２）式から、テストマスク２及び基準格子４の両方を透過した光の強度分布I、即ち、ここでは、接眼レンズ２０を介して、目視検査により確認することができる、光の強度分布は、以下（３）式で表すことができる。
I=Im・Is
=1/4＋1/4cos(2πx/Mb)+1/4cos(2πx/a)+
1/8cos(2π(1/a+1/Mb)x)+1/8cos(2π(1/a-1/Mb)x)  ・・・  （３）
【００３５】
ここで、式（３）において、第５項の「1/8cos(2π(1/a-1/Mb)x)」が、積のモアレ式となる。この積のモアレ縞の周期は、式（３）に表される他の項に表される光の周期に対して、十分に大きなものである。従って、テストマスク２及び基準格子４の両方を透過した光の最終的な観察面においては、この積のモアレ縞を、明確に観察することができる。従って、この実施の形態１においては、この積のモアレ縞の乱れを観察することにより、テストマスク４のパターン寸法のずれを観察する。
【００３６】
具体的にモアレ縞に現れる乱れとしては、以下のようなものが考えられる。例えば、テストマスク２のＬ／Ｓパターン上の、描画フィールド間のつなぎ部にずれが生じている場合、モアレ縞の位相のずれが確認される。また、例えば、描画フィールドのひずみにより、テストマスクのＬ／Ｓパターンにひずみが生じている場合には、モアレ縞のピッチのずれが確認される。更に、フィールドが傾いている場合には、モアレ縞の傾きとして確認することができる。
このような確認は、目視検査により確認することもでき、また、例えば、ＳＥＭのような撮像装置を用いて、観察し、解析することもできる。
【００３７】
このように、モアレ縞に確認された乱れにより、ずれの要因を検出し、描画装置の調整、制御等を行うことにより、より正確にフォトマスクの形成を行うことができる。
【００３８】
以上説明したように、実施の形態１においては、テストマスク２のＬ／Ｓパターンのピッチｂを、対物レンズ２０の倍率Ｍで拡大した場合に、わずかにずれるピッチａで形成された基準格子４を作成する。そして、テストマスク２から得られた光を、基準格子４を透過させることにより、モアレ縞を発生させる。そして、このモアレ縞の乱れから、テストマスクの検査を行うことができる。従って、広範囲に渡り、一度に正確な検査をおこなうことができ、また、容易に観察を行うことができる。また、検出されたマスクの歪みにより、描画装置のつなぎ部等のずれを容易に検出することができる。
【００３９】
また、ここで、観察するのは、積のモアレ縞である。この積のモアレ縞は、縞のピッチが大きく、目視による観察が容易である。従って、微細なパターンに対応し、広範囲に渡り、容易に、正確に検査を検出することができる。
【００４０】
なお、実施の形態１においては、目視検査を行う場合について説明した。しかし、この発明はこれに限るものではなく、目視検査に代えて、ＳＥＭなどを用いて検査を行う場合にも適用することができる。また、例えば、撮像手段等を用いて、画像情報を取り込むことにより、この取り込まれた情報から、高精度の解析を行う場合に適用することもできる。
【００４１】
また、実施の形態１においては、テストマスク２及び基準格子４共に、Ｌ／Ｓパターンを有する場合について説明した。しかし、この発明においてはこれに限るものではなく、例えば、基準格子４のパターンをドットパターンとしたものであってもよい。但し、モアレ縞の発生のためには、テストマスク２及び基準格子４共に、規則的なパターンである必要がある。
【００４２】
また、実施の形態１においては、基準格子４を載置する載置台６に、調整手段８が設けられ、光学パスの切替や、回転成分の調整をすることができる場合について説明した。これにより、モアレ縞の発生のため、適切な位置に基準格子４を動かすことができる。しかし、この発明はこれに限るものではなく、このような調整手段８を有さないものであっても良い。
【００４３】
また、実施の形態１においては、対物レンズ１６の倍率をM倍として説明した。この発明において、対物レンズの倍率は、検査するテストマスクのピッチｂと、基準格子の格子定数ａとを考慮して、ａ≒Ｍｂの関係が成り立つように、適切な対物レンズ１６を選択すればよい。対物レンズ１６を倍率の異なるものに交換することで、同じ基準格子４を用いて、複数の異なるピッチを有するテストマスクを検査することができる。
【００４４】
また、この発明は、テストマスク２と基準格子４とから、モアレ縞を発生させ、パターンの検査をおこなうものであればよく、検査装置の具体的な構造等は、実施の形態１において説明したものに限るものではない。
【００４５】
実施の形態２．
図４は、この発明の実施の形態２における検査装置を説明するための概略図である。
実施の形態２における検査方法は、実施の形態１において説明したのと同様に、モアレ縞の発生を利用して、モアレ縞を検査するものである。但し。実施の形態２においては、基準格子４を製造せず、基準格子４に相当する格子データによる架空の基準格子を用いてマスク検査を行う。
以下、具体的に説明する。
【００４６】
実施の形態２における検査装置においては、テストマスク２のＬ／Ｓパターンの画像データを取得する撮像手段３０と、基準格子４に相当する格子データを形成する画像処理部３２を備える。また、撮像手段３０と、画像処理部３２とは、積算手段３４に、データを送信することができる。また、積算手段３４は、ローパスフィルタ３６に接続されている。また、ローパスフィルタ３６は、モニタ３８及び解析手段４０に接続され、データの送信ができるようになっている。
【００４７】
テストマスク２のＬ／Ｓパターン像を取得する撮像装置３０により、テストマスク２の画像データを取得する。ここで取得するデータは、実施の形態１と同様に、光源（図示せず）から光を照射して、テストマスク２に照射し、また、倍率Ｍの対物レンズ（図示せず）を介して、Ｌ／ＳパターンをＭ倍に拡大した画像データであり、具体的には、上述の式（１）に示す光強度分布Imである。
【００４８】
一方、画像処理手段３２においては、実施の形態１における基準格子４に代えて、画像処理技術を用いて、仮想的に、基準格子４のＬ／Ｓパターンに相当する画像データを形成する。ここでは、実施の形態１と同様に、仮想的に形成された画像データの格子定数をａとして、上述の式（２）に示す光強度分布Isを算出する。
【００４９】
撮像手段３０と、画像処理手段３２とにおいて、それぞれ取得されたデータを、積算手段３４において、積算する。ここでは、撮像手段から、光強度分布Imのデータが送信され、一方、画像処理手段３２から、光強度分布Isのデータが送信される。積算手段３４においては、これらのデータから、式（３）に示す光強度分布Iを算出する。
【００５０】
更に、このデータは、ローパスフィルタ３６に送信される。ローパスフィルタ３６においては、光強度分布Iから、高周波成分を除去することができる。ローパスフィルタ３６において高周波成分が除去されたデータは、モニタ３８に出力される。これにより、モアレ縞の乱れを観察することができ、テストマスクのパターン寸法のずれを観察することができる。
一方、ローパスフィルタ３６において高周波成分が除去されたデータは、解析手段４０にも送信される。これにより、高次の解析を行うことができる。
【００５１】
以上説明したように、実施の形態２によれば、実施の形態１と同様に、テストマスクのパターン寸法のずれを、積のモアレ縞のずれの形に拡大することができる。従って、広い範囲に渡り、描画装置のつなぎ精度等のずれを、高精度に確認することができる。また、実施の形態２においては、モアレ縞発生のための基準格子を作成する必要がない。従って、基準格子作成のためのコストや時間を削減することができ、容易に、テストマスクのずれを確認することができる。
【００５２】
なお、実施の形態２においては、ローパスフィルタ３６を備える場合について説明した。これにより、検出された画像の光強度分布Iに残る、高次の空間周波数成分を除去することができ、より、容易にモアレ縞の乱れを確認することができる。しかし、この発明は、これに限るものではなく、ローパスフィルタ３６を介さずに、光強度分布Iのデータが直接、モニタ３８に表示され、あるいは、直接、解析手段４０に送信されるものであってもよい。
【００５３】
また、実施の形態２においては、ローパスフィルタ３６を透過したデータを、モニタ３８に送信する場合について説明した。しかし、この発明は、これに限るものではなく、例えば、直接解析手段４０に送信して、解析をおこなうものであってもよい。
【００５４】
また、実施の形態２においては、ローパスフィルタ３６を透過したデータを解析手段４０に送信できる場合について説明した。これにより、高次の解析を行うことができる。しかし、この発明は、これに限るものではなく、モニタ３８のみで、モアレ縞の確認を行うものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】この発明の実施の形態１におけるテストマスクを説明するための上面図である。
【図２】この発明の実施の形態１における基準格子を説明するための上面図である。
【図３】この発明の実施の形態１における検査装置を説明するための概念図である。
【図４】この発明の実施の形態２における検査装置を説明するための概念図である。
【符号の説明】
【００５６】
２  テストマスク
４  基準格子
６  載置台
８  調整手段
１０  光源
１２  光学レンズ
１４  ハーフミラー
１６  対物レンズ
１８  光学レンズ
２０  接眼レンズ
３０  撮像手段
３２  画像処理手段
３４  積算手段
３６  ローパスフィルタ
３８  モニタ
４０  解析手段
【図１】
2005275055.tif 000003
【図２】
2005275055.tif 000004
【図３】
2005275055.tif 000005
【図４】
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