(57)【要約】【課題】飛散物が欠点表示画素の隣接画素へ飛び散るのを防止することができ、かつ、欠点表示画素をレーザリペアすることができる液晶表示装置の欠点表示画素修正方法を提供する。【解決手段】透過型の液晶表示装置１０の欠点表示画素１４０にＣＷレーザ光を照射し、配向膜を加工して欠点表示画素１４０を修正するものであって、欠点表示画素１４０の中央部におけるレーザ光の照射密度を、端部近傍の照射密度より低くし、気泡の拡がりを隣接する正常な画素まで至らないようにする。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示装置の欠点表示画素にレーザ光を照射し、このレーザ光によって配向膜を加工して欠点表示画素を修正する液晶表示装置の欠点表示画素修正方法において、
前記レーザ光によって前記欠点表示画素から発生する気泡を隣接する画素まで拡がらないように前記レーザ光の照射密度を変化させる
ことを特徴とする液晶表示装置の欠点表示画素修正方法。
【請求項２】
前記欠点表示画素の中央部における前記レーザ光の照射密度を、前記欠点表示画素の端部近傍の照射密度より低くする
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法。
【請求項３】
前記欠点表示画素に対して前記レーザ光を欠点表示画素の辺に平行にラスタースキャンし、前記欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くする
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法。
【請求項４】
前記欠点表示画素に対して前記レーザ光を欠点表示画素の辺に斜めにラスタースキャンし、前記欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くする
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法。
【請求項５】
前記レーザ光が、連続発振レーザ光である
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法。
【請求項６】
前記レーザ光が、パルスレーザ光である
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法。
【請求項７】
第１回目のレーザ光を前記欠点表示画素の中央部に照射して前記気泡を発生させ、
第２回目のレーザ光の照射密度を前記欠点表示画素の端部近傍より中央部ほど低くする
ことを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法。
【請求項８】
液晶表示装置の欠点表示画素にレーザ発振器によってレーザ光を照射し、このレーザ光によって配向膜を加工して欠点表示画素を修正する液晶表示装置の欠点表示画素修正装置において、
前記レーザ光によって前記欠点表示画素から発生する気泡が隣接する画素まで拡がらないように前記レーザ光の照射密度を変化させる制御手段を有する
ことを特徴とする液晶表示装置の欠点表示画素修正装置。
【請求項９】
前記制御手段は、
前記欠点表示画素の中央部における前記レーザ光の照射密度を、前記欠点表示画素の端部近傍の照射密度より低くする
ことを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、
前記欠点表示画素に対して前記レーザ光を欠点表示画素の辺に平行にラスタースキャンし、前記欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くする
ことを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、
前記欠点表示画素に対して前記レーザ光を欠点表示画素の辺に斜めにラスタースキャンし、前記欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くする
ことを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置。
【請求項１２】
前記レーザ発振器が発振するレーザ光が、連続発振レーザ光である
ことを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置。
【請求項１３】
前記レーザ発振器が発振するレーザ光が、パルスレーザ光である
ことを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置。
【請求項１４】
前記制御手段は、
第１回目のレーザ光を前記欠点表示画素の中央部に照射して前記気泡を発生させ、
第２回目のレーザ光の照射密度を前記欠点表示画素の端部近傍より中央部ほど低くする
ことを特徴とする請求項１３記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の欠点表示画素修正方法に関し、特に、製造工程の中のセル工程及びモジュール工程で行われる配向見出しレーザリペアに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリックス型液晶表示装置においては、製造工程において不良が発生する場合がある。そして、薄膜トランジスタが動作不良を起こす場合や、画素電極又は配向膜が正常に形成されていない場合等には、電圧制御によって透過光量をコントロールすることが出来なくなり、例えばその部分が輝点欠点となって表れる。この様な輝点欠点は液晶表示装置の品質を低下させる。
【０００３】
従って、従来より輝点欠点を修正する方法としてレーザ光を欠点表示画素に照射し配向膜を加工して、液晶の配向性を乱し透過光量を減少させる、即ち滅点化するレーザリペア法が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００３−１４９６１９公報
【特許文献２】特開平９−９０３０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のようなレーザ光を用いて欠点表示画素をレーザリペアする場合には、図９に示すように、欠点表示画素に対してレーザ光をラスタースキャンさせ、配向見出しを行っている。
【０００５】
ところがこのようなレーザリペア法を用いると、配向膜や、画素電極を構成するＩＴＯが隣接画素へ飛び散り、正常な画素の一部も減点化するという問題点がある。
【０００６】
特に、透過型の液晶表示装置では、この飛散物の周辺画素への飛び散りが多いという問題点がある。図９においては、その飛散物の飛散範囲を斜線で示している。
【０００７】
そのため、レーザ光のパワーを弱めることも考えられるが、この場合には飛散物の飛び散りが減少するが、その一方欠点表示画素のレーザリペアが完全に行えないという問題点がある。
【０００８】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、飛散物が欠点表示画素の隣接画素へ飛び散るのを防止することができ、かつ、欠点表示画素をレーザリペアすることができる液晶表示装置の欠点表示画素修正方法及びその装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に係る発明は、液晶表示装置の欠点表示画素にレーザ光を照射し、このレーザ光によって配向膜を加工して欠点表示画素を修正する液晶表示装置の欠点表示画素修正方法において、前記レーザ光によって前記欠点表示画素から発生する気泡を隣接する画素まで拡がらないように前記レーザ光の照射密度を変化させることを特徴とする液晶表示装置の欠点表示画素修正方法である。
【００１０】
請求項２に係る発明は、前記欠点表示画素の中央部における前記レーザ光の照射密度を、前記欠点表示画素の端部近傍の照射密度より低くすることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法である。
【００１１】
請求項３に係る発明は、前記欠点表示画素に対して前記レーザ光を欠点表示画素の辺に平行にラスタースキャンし、前記欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くすることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法である。
【００１２】
請求項４に係る発明は、前記欠点表示画素に対して前記レーザ光を欠点表示画素の辺に斜めにラスタースキャンし、前記欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くすることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法である。
【００１３】
請求項５に係る発明は、前記レーザ光が、連続発振レーザ光であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法である。
【００１４】
請求項６に係る発明は、前記レーザ光が、パルスレーザ光であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法である。
【００１５】
請求項７に係る発明は、第１回目のレーザ光を前記欠点表示画素の中央部に照射して前記気泡を発生させ、第２回目のレーザ光の照射密度を前記欠点表示画素の端部近傍より中央部ほど低くすることを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正方法である。
【００１６】
請求項８に係る発明は、液晶表示装置の欠点表示画素にレーザ発振器によってレーザ光を照射し、このレーザ光によって配向膜を加工して欠点表示画素を修正する液晶表示装置の欠点表示画素修正装置において、前記レーザ光によって前記欠点表示画素から発生する気泡が隣接する画素まで拡がらないように前記レーザ光の照射密度を変化させる制御手段を有することを特徴とする液晶表示装置の欠点表示画素修正装置である。
【００１７】
請求項９に係る発明は、前記制御手段は、前記欠点表示画素の中央部における前記レーザ光の照射密度を、前記欠点表示画素の端部近傍の照射密度より低くすることを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置である。
【００１８】
請求項１０に係る発明は、前記制御手段は、前記欠点表示画素に対して前記レーザ光を欠点表示画素の辺に平行にラスタースキャンし、前記欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くすることを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置である。
【００１９】
請求項１１に係る発明は、前記制御手段は、前記欠点表示画素に対して前記レーザ光を欠点表示画素の辺に斜めにラスタースキャンし、前記欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くすることを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置である。
【００２０】
請求項１２に係る発明は、前記レーザ発振器が発振するレーザ光が、連続発振レーザ光であることを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置である。
【００２１】
請求項１３に係る発明は、前記レーザ発振器が発振するレーザ光が、パルスレーザ光であることを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置である。
【００２２】
請求項１４に係る発明は、前記制御手段は、第１回目のレーザ光を前記欠点表示画素の中央部に照射して前記気泡を発生させ、第２回目のレーザ光の照射密度を前記欠点表示画素の端部近傍より中央部ほど低くすることを特徴とする請求項１３記載の液晶表示装置の欠点表示画素修正装置である。
【発明の効果】
【００２３】
請求項１及び８に係る発明について説明する。
【００２４】
本発明者は、欠点表示画素からの飛散物が何故発生するかを実験によって検証した結果、次のことが明らかになった。まず、レーザ光で配向膜を加工するときに気泡が発生するが、この気泡内でレーザ照射に伴う飛散物が欠点表示画素表面に堆積することで配向膜の液晶分子に対する配向性が低下する。そのため、レーザ光で加工するときには気泡が存在する必要がある。ところが、この気泡が拡がり過ぎ、隣の正常な画素まで至ると、図９に示すように正常な隣の画素に飛散物が堆積し正常な画素まで減点化することが明らかになった。
【００２５】
そこで、請求項１及び８に係る発明においては、レーザ光によって欠点表示画素から発生する気泡の拡がりを欠点表示画素内にのみ制御するようにレーザ光の照射密度を変化させるものである。これによって、隣接する正常な画素まで飛散物が飛び散ることがなく、欠点表示画素のみレーザリペアすることができる。
【００２６】
請求項２及び請求項９に係る発明について説明する。
【００２７】
本発明者は、更に、この気泡の拡がりを欠点表示画素内に収めるためには、実験によって欠点表示画素の中央部における照射密度を、欠点表示画素の端部近傍の照射密度より低くすることによって実現することができることを明らかにした。このため、欠点表示画素の中央部におけるレーザ光の照射密度を端部近傍の照射密度より低くすることにより、欠点表示画素のみレーザリペアすることができる。
【００２８】
請求項３及び請求項１０に係る発明について説明する。
【００２９】
欠点表示画素に対してレーザ光を欠点表示画素の辺に平行にラスタースキャンする場合に、欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くする。即ち、欠点表示画素の一辺から他辺に向かうスキャン距離を中央部ほど短くすることにより、欠点表示画素の中央部の照射密度を端部近傍よりも低くすることができ、その気泡の拡がりを抑え、欠点表示画素をレーザリペアすることができる。
【００３０】
請求項４及び請求項１１に係る発明について説明する。
【００３１】
欠点表示画素に対してレーザ光を欠点表示画素の辺に斜めにラスタースキャンする場合に、欠点表示画素の端部から中央部にいくほどスキャン距離を短くする。即ち、欠点表示画素の一辺から他辺に向かうスキャン距離を中央部ほど短くすることにより、欠点表示画素の中央部の照射密度を端部近傍よりも低くすることができ、その気泡の拡がりを抑え、欠点表示画素をレーザリペアすることができる。
【００３２】
請求項５及び請求項１２に係る発明においては、レーザ光が連続発振レーザ光であっても、上記で説明したレーザリペアを実現することができる。
【００３３】
請求項６及び請求項１３に係る発明においては、レーザ光がパルスレーザ光であっても、上記で説明したレーザリペアを実現することができる。
【００３４】
請求項７に係る発明について説明する。
【００３５】
パルスレーザ光でレーザリペアを行う場合には、第１回目のレーザ光を欠点表示画素の中央部に照射して気泡を発生させ、第２回目のレーザ光の照射密度を欠点表示画素の端部近傍より中央部ほど低くすることにより、発生した気泡の拡がりを抑え、欠点表示画素のみレーザリペアすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
本発明の実施形態では、透過型の液晶表示装置１０の欠点表示画素を欠点表示画素修正装置１によってレーザリペアする方法を図面に基づいて説明する。
【００３７】
（１）透過型の液晶表示装置１０の構成
まず、透過型のアクティブマトリックス型液晶表示装置１０の構成について説明する。
【００３８】
透過型の液晶表示装置１０は、図２に示すように、アレイ基板１０３と、対向基板１０４と、これら基板１０３、１０４間に配向膜１４２、１４３を介して挟持されるツイステッド・ネマチック液晶から成る液晶層１０５と、基板間距離を一定の例えば５．２μｍに保持するアレイ基板１０３上に一体的に形成されたスペーサ１０１、１４１とを備えて構成されている。
【００３９】
２枚の基板１０３，１０４は表示領域を囲む矩形枠状に配置されたシール材部１０２により封着されている。
【００４０】
アレイ基板１０３は、透明基板１３１上にほぼ平行に等間隔に配置された信号線１３７と、それに層間絶縁層１３４を介してほぼ直交して配置された走査線（図示せず）と、それらの交点毎に配置された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）及びこれに接続する画素電極１４０から構成されている。
【００４１】
以下に詳細な構造を図２を用いて詳細に説明する。
【００４２】
ガラスから成る透明基板１３１上に下地層１３２を介して配置されたチャネル領域１１１、ソース及びドレイン領域１１４、１１２を含むポリシリコン（p-Si）層と、これらを覆うように形成されたゲート絶縁膜１３３と、このゲート絶縁膜１３３上に配置されたゲート電極１１３とから、コプラナ型ポリシリコンＴＦＴが構成されている。
【００４３】
ゲート絶縁膜１３３及び層間絶縁膜１３４に形成されたコンタクトホールを介してソース及びドレイン領域１１４，１１２に電気的に接続されるソース電極１３７及び信号線１３８が配置されている。また、この上には、絶縁層１３９を介して、Ｒ，Ｇ，Ｂの着色層１１５が形成され、この着色層１１５上にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる画素電極１４０が配置され、この画素電極１４０は絶縁層１３９及び着色層１１５に形成されたコンタクトホールを介してソース電極１３７と電気的に接続されている。
【００４４】
着色層１１５上の画素電極１４０間の領域には柱状スペーサ１４１が、シール材部付近Ｂには柱状スペーサ１０１が形成され、柱状スペーサ１４１、１０１、画素電極１４０、着色層１１５を覆うように基板全面に配向膜１４２が設けられている。
【００４５】
アレイ基板１０３に対向配置される対向基板１０４は、対向電極１４４と、配向膜１４３とが透明基板１４５上に配置されて構成される。
【００４６】
（２）欠点表示画素修正装置１の構成
次に、欠点表示画素修正装置１の構成について説明する。
【００４７】
図１は、欠点表示画素修正装置１の構成図である。
【００４８】
ＸＹテーブル２上には、上記で説明した液晶表示装置１０が載置されている。このＸＹテーブル２には、開口部２ａが形成され、この開口部２ａの下方にバックライト用の透過照明器具３が配置されている。
【００４９】
欠点表示画素のリペア用として連続発振レーザ発振器（以下、ＣＷレーザ発振器という）４が設けられている。
【００５０】
このＣＷレーザ発振器４のレーザ光路上には、ハーフミラー５が配置され、このハーフミラー５によってＣＷレーザ発振器４から出力されたレーザが液晶表示装置１０に向かって反射される。
【００５１】
また、ハーフミラー５の反射光路上には、照射光学系としての集光レンズ６が配置されている。この集光レンズ６は、レーザ光のレーザスポット径を、画素電極面積に対して十分に小さい、例えば１〜３μｍの比較的小さいレーザスポット径に集光して、液晶表示装置１０の画素上に照射する機能を有している。
【００５２】
コントローラ７は、ＸＹテーブル２をＸＹ方向に移動制御して、図３に示すように、欠点表示画素をレーザ光で、加工開始点Ｃから加工終了点Ｄまで、順次、並行に且つレーザスポット径の一部を重複させつつスキャンすることにより、気泡を発生させつつ飛散物を旨く堆積させる事によりレーザリペアを行える。
【００５３】
液晶表示装置１０からハーフミラー５を通る光路上には、リレーレンズ８を介してＣＣＤカメラ９が配置されている。このＣＣＤカメラ９は、液晶表示装置１０を撮像してその画像信号をモニタテレビジョン等に送り、欠点表示画素等を検索しやすいものとしている。
【００５４】
ＣＣＤカメラ９により液晶表示装置１０上の欠点表示画素が検索されると、この欠点表示画素に対するレーザリペアが行われる。
【００５５】
コントローラ７は、ＸＹテーブル２をＸＹ方向に移動制御して、図３に示すように、欠点表示画素をレーザ光で、加工開始点Ｃから加工終了点Ｄまで４００μｍ／ｓでラスタースキャンを一回すると気泡を発生させながらレーザリペアを行える。この方法については、下記で詳しく説明する。
【００５６】
（３）欠点表示画素修正方法
上記構成の欠点表示画素修正装置１を用いて、透過型の液晶表示装置１０の欠点表示画素１４０をレーザ光で修正する方法について図３に基づいて説明する。
【００５７】
コントローラ７は、レーザ光を、図３において例えばアレイ基板の裏面側から欠点表示画素１４０の上辺及び下辺に対して平行に一筆書きのようにスキャンする。この場合に加工開始点Ｃから加工終了点Ｄまでは、欠点表示画素５０の上辺及び下辺と平行に所定の間隔、例えばスポット径の中心間隔を０．５μmの間隔としてスキャンしていく。また、この際に効率的に気泡を発生させるため、スポット径を互いにオーバーラップさせて走査する。このスキャンする場合に、加工開始点Ｃから加工終了点Ｄまで行うが、端部近傍、即ち、下辺近傍においてスキャンする場合には、図３における欠点表示画素の左辺から右辺まで略全ての距離Ｌをスキャンする。即ち、このスキャン距離Ｌ１は、欠点表示画素１４０の左辺から右辺までの距離と略等しくなる。そして、欠点表示画素１４０の中央部にいくほどこのスキャン距離を順番に短くし、中央部のスキャン距離Ｌ２は、Ｌ１より短くする。そして、中央部を過ぎて上辺に近づくほど逆にスキャン距離を長くし、上辺に近いスキャン距離Ｌ３は、中央部におけるスキャン距離Ｌ２より長くする。このラスタースキャンの全体形状が、略つつみ型となる。
【００５８】
このように、中央部ほどスキャン距離を短くすると、配向膜や画素電極から発生した飛散物は、隣接する正常な画素まで飛散せず、欠点表示画素１４０のみ覆う状態となり、液晶材料は垂直配向或いはランダム配向のドメインを形成し、これにより輝点欠点を滅点化し修正することができる。これによって配向見出しが実現され、輝点画素をレーザリペアすることができる。
【００５９】
このように、中央部ほどスキャン距離を短くして輝点画素のみをレーザリペアできる理由は、レーザ光によって発生する気泡の拡がりが、隣接する正常な画素まで拡がらず、欠点表示画素１４０のみ気泡が旨く制御されて覆う状態となるからである。なお、中央部のスキャン距離を端部よりも長くした場合には、その気泡の拡がりが大きくなり隣接する正常な画素まで拡がり、従来技術と同様の問題点が発生する。
【００６０】
（４）変更例
（４−１）変更例１
欠点表示画素修正方法の変更例としては、図４に示すように、レーザ光のラスタースキャンする方法を、上記の実施形態のように欠点表示画素１４０の上辺及び下辺と平行に行うのではなく、やや傾斜させてラスタースキャンする。
【００６１】
この場合も同様に、中央部ほどスキャン距離を端部より短くすることによって、気泡の拡がりを抑え、欠点表示画素１４０のみレーザリペアを行うことができる。
【００６２】
（４−２）変更例２
上記スキャンは、一筆書きのようにスキャンしたが、これに代えて平行に順番に同じ方向にスキャンしてもよい。
【００６３】
（４−３）変更例３
上記実施形態では、ポリシリコンＴＦＴで説明したが、変更例としてアモルファスシリコンＴＦＴでも同様に適用できる。
【００６４】
（５）パルスレーザ発振器の場合
欠点表示画素１４０のレーザリペア用としてＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザ発振器、いわゆるパルスレーザ発振器を用いてもよい。また、パルスレーザ光では、連続発振レーザ光のように集光光学計を用いるのではなく、結像光学計を用いて照射する。
【００６５】
レーザ光の波長は、可視又は近赤外領域のものであって４００ｎｍ〜１５００ｎｍが使用されるが、８００〜９００ｎｍ以上であって、８００から１５００ｎｍ程度であることが好ましい。
【００６６】
このパルスレーザ発振器を用いた場合、ＣＷレーザに比してパルス間隔が長くスキャンと同時に画素全体に旨く気泡を生起させることができないため、スキャンに先立ち１回目のレーザ光を照射して気泡を発生させ、その後にレーザ光を例えば長尺に絞り所定の間隔を隔てて順次スキャンすることによりその飛散物が気泡に制御されて広がり、配向乱しを実現することができる。
【００６７】
その方法について図５に基づいて説明する。
【００６８】
図５に示すように、欠点表示画素１４０の略中央に第１回目のパルスレーザ光を所定のスポットに絞込み気泡を発生させるに十分なパワーで照射する。これによって、気泡が発生する。
【００６９】
その後、図５に示すように、２回目のパルスレーザ光を照射し、この場合に中央部ほど端部より照射密度を低くするように略矩形状の結像が行われるように照射する。
【００７０】
上記のように２回目のパルスレーザ光を照射すると気泡の拡がりを抑えることができ、欠点表示画素１４０のみをレーザリペアすることができる。
【００７１】
（６）パルスレーザ発振器の場合の変更例
図６は、パルスレーザ光でレーザリペアする場合の変更例であって、結像の状態を上記のような矩形ではなく長方形にし、上辺及び各辺に対して略平行に照射する。
【００７２】
この場合であっても中央部の照射範囲を端部よりも小さくすることにより、照射密度を低く抑え、気泡の拡がりを防止することができる。
【００７３】
（７）半透過型の液晶表示装置１０の欠点表示画素修正方法
上記実施形態では、透過型の液晶表示装置１０における欠点表示画素修正方法について説明したが、この方法は透過型のみならず半透過型の液晶表示装置１０においても使用することができる。
【００７４】
（７−１）半透過型の液晶表示装置１０の構成
図７は、半透過型のアクティブマトリックス型液晶表示装置１０のアレイ基板２０２を示す要部平面図、図８は図７のＩＩ−ＩＩに沿う断面図である。
【００７５】
ガラス基板２０１には、保持容量Ｃｓを構成する一方の多結晶シリコン電極２０２が形成されている。薄膜トランジスタを構成する多結晶シリコンからなる半導体層２０３は、前記ガラス基板２０１上に形成され、そのドレイン領域２３１はガラス基板２０１上に形成した多結晶シリコン配線２０４により前記多結晶シリコン電極２０２と一体的に接続されている。なお、この多結晶シリコン配線２０４は、後述するＡｌからなる画素電極と略等しい電位を持つ。
【００７６】
ゲート絶縁膜を兼ねる絶縁薄膜２０５は、前記多結晶シリコン電極２０２、半導体層２０３及び多結晶シリコン配線２０４を含む前記ガラス基板２０１上に形成されている。金属からなるＣｓ線２０６は、前記絶縁薄膜２０５上にその一部が前記多結晶シリコン電極２０２と重なるように設けられている。このような多結晶シリコン電極２０２、絶縁薄膜２０５及びＣｓ線２０６により保持容量Ｃｓを構成している。走査線である金属からなるゲート線７は、前記Ｃｓ線２０６と同じ層前記絶縁薄膜２０５上にその一部が前記活性層２０３を横切るように形成されている。このゲート線２０７は、前記Ｃｓ線２０６と同じ層上に位置する。
【００７７】
例えばＳｉＯ２からなる第１層間絶縁膜２０８は、前記Ｃｓ線２０６及びゲート線２０７等を被覆する絶縁薄膜２０５上に形成されている。Ａｌからなる接続配線２０９は、前記第１層間絶縁膜２０８上に形成され、かつ前記第１層間絶縁膜２０８及び絶縁薄膜２０５を貫通したコンタクトホール２１０を通して前記半導体層２０３のドレイン領域２３１に接続されている。Ａｌからなる信号線２１１は、前記第１層間絶縁膜２０８上に形成され、かつ前記第１層間絶縁膜２０８及び絶縁薄膜２０５を貫通したコンタクトホール２１２を通して前記半導体層２０３のソース領域２０３−２に接続されている。信号線２１１は、前記接続配線２０９と同じ層上に位置する。なお、前記接続配線２０９は画素電極と略等しい電位を持つ。
【００７８】
例えば有機樹脂からなる第２層間絶縁膜２１３は、前記接続配線２０９及び信号線２１１を含む前記第１層間絶縁膜２０８上に形成されている。反射金属、例えばＡｌからなる画素電極２１４は、前記第２層間絶縁膜２１３上に形成されて、かつこの第２層間絶縁膜２１３を貫通するコンタクトホール２１５を通して前記接続配線２０９に接続されている。複数、例えば３つの矩形穴（透過部）２１６−１〜２１６−３は、１つの前記画素電極２１４に開口されている。これら矩形穴２１６−１〜２１６−３のうちの例えば１つの矩形穴２１６−１は、前記画素電極２１４から前記ガラス基板２０１に向けて透視した時に前記薄膜トランジスタから前記画素電極２１４に接続される接続配線２０９及び前記薄膜トランジスタから前記保持容量Ｃｓに接続される多結晶シリコン配線２０４の一部に重なるように位置する。
【００７９】
以上、画素電極２１４は複数、例えば３つの矩形穴（透過部）２１６−１〜２１６−３が開口されているため、反射金属であるＡｌからなる画素電極２１４は反射板として作用し、前記矩形穴（透過部）２１６−１〜２１６−３は前記ガラス基板２０１の裏面画に配置されたバックライトを透過する窓として作用する。その結果、暗い環境下では透過型、明るい環境下では反射型の特徴を引き出すことが可能な優れた視認性を示す低消費電力の半透過型の液晶表示装置１０を実現できる。
【００８０】
（７−２）半透過型の液晶表示装置１０の欠点表示画素修正方法
上記のような半透過型の液晶表示装置１０において欠点表示画素が発見された場合には、欠点表示画素修正装置１を用いて、アレイ基板の上方から欠点表示画素２１４にレーザ光を照射し、この場合に透過型の液晶表示装置１０と同様に中央部ほど照射密度を低くし、気泡の拡がりを抑えることによって、欠点表示画素２１４のみがレーザリペアすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明であると、気泡の拡がりを旨く制御することにより欠点表示画素のみレーザリペアすることができ、正常な画素の減点化を防止することができるので、透過型のアクティブマトリックス型液晶表示装置及び半透過型のアクティブマトリックス型液晶表示装置の欠点表示画素修正に用いるのが好適である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の一実施形態を示す欠点表示画素修正装置のブロック図である。
【図２】透過型のアクティブマトリックス型液晶表示装置の縦断面図である。
【図３】欠点表示画素の平面図であって、第１のラスタースキャンの方法を示す図である。
【図４】同じく第２の方法のラスタースキャンを示す欠点表示画素の平面図である。
【図５】パルスレーザ光を用いた場合の欠点表示画素の平面図である。
【図６】パルスレーザ光を用いた第２の欠点表示画素修正方法における欠点表示画素の平面図である。
【図７】反射型液晶表示装置の要部拡大平面図である。
【図８】図７におけるＹ−Ｙ断面図である。
【図９】従来のレーザ光によってレーザリペアした場合の欠点表示画素の平面図である。
【符号の説明】
【００８３】
１  欠点表示画素修正装置
２  ＸＹテーブル
３  透過照明器具
４  ＣＷレーザ発振器
５  ハーフミラー
６  集光レンズ
７  コントローラ
８  リレーレンズ
９  ＣＣＤカメラ
１０  液晶表示装置
１４０  画素電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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