(57)【要約】【課題】  撮像装置により取得した画像の合成時の感度誤差、画像歪み、バックグラウンドノイズ、試料全面を一度に読取る場合の解像度の不足を解決する。【解決手段】  試料を解像度に相当する距離ずつ移動しながら、撮像装置の全ての走査線を使用して読取り、各ラインを合成して全体画像を取得する。試料の短辺方向に走査線が平行になるように撮像装置を設置し、短辺方向を撮像装置の最大解像度で分解する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を保持する試料台と、
前記試料台に保持された試料を撮像する２次元撮像装置と、
前記２次元撮像装置によって撮像される試料画像の１画素の幅に相当する距離だけ前記試料台を移動する試料台駆動部と、
前記２次元撮像装置によって撮像された前記１画素の幅に相当する距離ずつ撮像視野がずれた複数の画像を記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶された複数の画像から試料上の各位置に対する複数の画素値の平均を求め、当該平均の画素値を用いて試料画像を合成する画像合成部と
を備えることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
請求項１記載の画像読取装置において、前記２次元撮像装置はテレセントリック光学系を介して試料を撮像することを特徴とする画像読取装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の画像読取装置において、光源と、励起光フィルタと、前記励起光フィルタを透過した前記光源からの光を試料に照射する照射光学系と、試料と前記２次元撮像装置の間に配置されて試料からの蛍光を透過する蛍光フィルタとを有することを特徴とする画像読取装置。
【請求項４】
２次元撮像装置によって試料像を撮像する第１のステップと、
前記２次元撮像装置によって撮像される試料画像の１画素の幅に相当する距離だけ試料を移動する第２のステップと、
前記第１のステップ及び第２のステップを所定回数反復して複数の画像を記憶するステップと、
前記複数の画像の画素値を画像ごとに１ラインずつずらしながら対応する画素毎に積算して試料上の各位置に対する複数の画素値の平均を求めるステップと、
前記試料上の各位置における平均の画素値に基づいて試料画像を合成するステップと
を有することを特徴とする画像読取方法。
【請求項５】
請求項４記載の画像読取方法において、前記２次元撮像装置はテレセントリック光学系を介して試料を撮像することを特徴とする画像読取方法。
【請求項６】
請求項４又は５記載の画像読取方法において、前記第１のステップ及び第２のステップは、前記２次元撮像装置の全ての走査ラインが試料の撮像領域を当該ラインに垂直な方向に全域撮像するように反復されることを特徴とする画像読取方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像読取装置及び画像読取方法に関し、蛍光標識試料の読み取りに適用して好適な画像読取装置及び画像読取方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハイブリダイゼーション反応後のマイクロアレイの蛍光をＣＣＤセンサにより読取る際の撮像方法として、マイクロアレイ全面を１視野に入れて読取る方法と、マイクロアレイを分割して読取り、後に画像を合成する方法とがある。前者の場合、マイクロアレイの対角線がＣＣＤセンサの撮像範囲に納まるようにする必要があるので、撮像時の最高解像度はマイクロアレイの対角線の長さで制限される。後者の場合、マイクロアレイのより狭い範囲をＣＣＤセンサの撮像範囲に収めるため、より高い解像度を得ることが出来る。
【０００３】
【特許文献１】特開2003-298952号公報
【特許文献２】特開2002-286643号公報
【特許文献３】特開2002-142151号公報
【特許文献４】特開2003-262588号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一方で、分割した画像を合成する際に問題が生じることがある。具体的には、励起光のむらにより撮像面全体で均一な蛍光強度を得られない場合、画像を合成すると画像同士の継ぎ目で明暗の差が出る。また、レンズの収差のために画像に歪みが生じ、画像を合成すると画像の一部が重複、または欠如する。更に、ＣＣＤセンサは光電子増倍管に比べて感度が低いため、ＣＣＤセンサで低濃度の蛍光物質を検出する場合、長い露光時間が必要となり、バックグラウンドノイズが高くなるという問題がある。
【０００５】
励起光をマイクロアレイの撮像面全面に照射する方式だと、ＣＣＤセンサの撮像面の１画素に対応するマイクロアレイ上の領域が、周辺の領域から発せられる蛍光の影響をうけることがある。撮像装置の撮像面は撮像素子が２次元平面状に配列された構造を持っているが、各撮像素子の感度が均一でないことがあり、撮像結果に感度むらが発生する可能性がある。
【０００６】
以上、ＣＣＤセンサおよびマイクロアレイを例に説明したが、これ以外の２次元撮像装置および蛍光標識試料においても同様である。本発明は、このような従来技術の問題点に鑑み、２次元撮像装置の感度むらの影響を受けることなく高解像度で試料画像を取得することのできる画像読取装置及び画像読取方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
撮像装置は２次元に配列された撮像素子を１ラインごとに走査し、蓄積された電荷を検出する方式のものを例に説明する。撮像する試料は、例えば、撮像面の走査方向に対して垂直方向に移動する。撮像面のすべてのラインを走査し終えたら、試料は撮像素子１画素分に相当する距離だけ移動し、再度撮像面の全てのラインを走査する。試料の全面の走査が終わるまでこの操作を繰り返す。この操作により取得された画像は、それぞれが試料の移動方向に１画素分ずれた画像になる。各画像には試料面の同一部分を走査した画素列が含まれるので、これらを平均化し、対象となる画素列の画像とする。この操作を試料面に対応する全ての画素列で行なう。こうすることで、試料面の全面が、撮像素子の走査線の数と同じ回数だけ繰返し読取られたことになり、この平均から最終的な画像を構成する。
【０００８】
その結果、撮像装置の撮像面の各画素に対応する試料面上の領域は、試料の移動方向に平行に配置された全ての撮像素子で撮像され、これらの撮像素子間の感度差が平均化されることにより、画像合成時の感度むらの問題を解決することが出来る。
【０００９】
また、上記画像合成時の画像歪み及び隣接画素同士の発光漏れ込みの問題を解決するために、レンズ収差の非常に少ないテレセントリックレンズを採用する。テレセントリックレンズは収差が小さく、平行に近い光のみを通過させるので、隣接する撮像領域からの蛍光漏れ込みの影響を軽減できる。
【００１０】
本発明による画像読取装置は、試料を保持する試料台と、試料台に保持された試料を撮像する２次元撮像装置と、２次元撮像装置によって撮像される試料画像の１画素の幅に相当する距離だけ試料台を移動する試料台駆動部と、２次元撮像装置によって撮像された１画素の幅に相当する距離ずつ撮像視野がずれた複数の画像を記憶する記憶部と、記憶部に記憶された複数の画像から試料上の各位置に対する複数の画素値の平均を求め、当該平均の画素値を用いて試料画像を合成する画像合成部とを備える。２次元撮像装置はテレセントリック光学系を介して試料を撮像するのが好ましい。
【００１１】
本発明による画像読取方法は、２次元撮像装置によって試料像を撮像する第１のステップと、２次元撮像装置によって撮像される試料画像の１画素の幅に相当する距離だけ試料を移動する第２のステップと、第１のステップ及び第２のステップを所定回数反復して複数の画像を記憶するステップと、記憶した複数の画像の画素値を画像ごとに１ラインずつずらしながら対応する画素毎に積算して試料上の各位置に対する複数の画素値の平均を求めるステップと、試料上の各位置における平均の画素値に基づいて試料画像を合成するステップとを有する。第１のステップ及び第２のステップは、２次元撮像装置の全ての走査ラインが試料の撮像領域を当該ラインに垂直な方向に全域を撮像するように反復してもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、スライドグラス全面を一度に撮像する方法と比較すると、撮像範囲周辺部の明暗の差が無く、高解像度・低ノイズの画像を取得できる。また、対象試料を分割して撮像する方法と比較すると、それと同等の解像度を得られ、かつ継ぎ目がなく長辺方向に明暗の差のない画像を取得できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１４】
図１は、本発明による画像読取装置の概要構成例を示すブロック図である。光源５から照射された励起光は試料（スライドグラス）４に照射され、試料４からの蛍光はＣＣＤ等の２次元撮像装置３により検出されたあと電気信号に変換され、制御基板２に転送される。また、試料４を支持する試料台は試料台移動モータ６により読取り位置を移動する。本実施例では、試料台移動モータ６にステッピングモータを用いている。試料台移動モータ６は制御基板２により制御されており、制御基板２はデータ処理部１から制御されている。データ処理部１はデータ記憶部８に接続されており、処理後のデータをデータ記憶部８に保存することができる。また、データ処理部１はプリンタ７に接続されており、取得した画像、解析データなどをプリンタ７に出力することができる。
【００１５】
図２は、本発明による画像読取装置の電気系統の構成例を示すブロック図である。電気系統の構成は、スキャナ処理を実行するためのマイクロプロセッサ（ＣＰＵ）１０、制御ソフトウェアを格納しておくためのＲＯＭ１２、一時的なデータを保持するためのＲＡＭ９、フィルタを切り替えるためのフィルタ制御部１１、モータドライバ１３に指令して試料台を移動するための試料台制御部１４、撮像装置で受光した光信号を電気信号からデジタル信号に変換するアナログディジタル（Ａ／Ｄ）コンバータ１６、受光部や照明に初期状態で存在する照明むらなどを補正するシェーディング補正回路１７、光源の光量とＯＮ／ＯＦＦを制御する光源制御部１９、撮像装置３の制御を行う撮像装置制御部２０、外部のデータ処理部１とのインターフェース制御を行うＵＳＢコントローラ１５などを備えて構成されている。
【００１６】
図３は、本発明による画像読取装置の構成例を示す模式図である。試料台２５の鉛直上方の光路上にはハーフミラー２４、蛍光フィルタ２２、テレセントリックレンズ２１、および２次元撮像装置３が配置されている。また、ハーフミラー２４で反射される光路上には励起光フィルタ２３、励起光拡散フィルタ２６、および光源５が配置されている。本実施例では光源をハロゲン光源としているが、光源の種類はこれに限られない。試料台２５に対して水平方向に設置された光源５から発せられた照射光は、照明むらを低減するために光拡散板２６を通過する。続いて励起光は励起光フィルタ２３を通り、蛍光試料４の励起に必要な波長のみとされた後、試料台２５の鉛直上方に配置されたハーフミラー２４に達する。励起光は、ハーフミラー２４によって鉛直下方に光路を変えられて試料４に照射され、試料中の蛍光標識試薬を励起する。
【００１７】
試料４から発せられた蛍光は、ハーフミラー２４を透過し、蛍光フィルタ２２で読取り対象波長のみを透過された後、試料の鉛直上方の光路上に設置された２次元撮像装置３により検出される。撮像装置３には収差の非常に小さいテレセントリックレンズ２１が装着されており、歪みの少ない画像を得ることができる。
【００１８】
励起光フィルタ２３は複数種類のフィルタが円盤に装着されており、撮像対象の蛍光試薬に応じて使用するフィルタを切り替えることができる。蛍光フィルタ２２も励起光フィルタ２３と同様に円盤に複数装着されており、対象試料に応じて注目する蛍光波長を透過する最適なフィルタに切り替えることができる。試料台２５は、ステップモータによって試料４の長辺方向に後述する特定の距離ずつ決められた時間間隔で移動する。
【００１９】
２次元撮像装置３により撮像された画像は、制御基板２を経由してデータ処理部１に転送される。光源部５、試料台２５、撮像装置３、フィルタ制御部１１は、制御基板２により制御される。制御基板２はデータ処理部１により制御される。データ処理部１は画像印刷のためのプリンタ７に接続されている。
【００２０】
図４は、光学系の構成例を説明する図である。光源５から照射された光は励起用フィルタ２３によって特定の波長のみの光となる。例えば蛍光標識試薬としてＣｙ３を検出する場合にはＣｙ３の励起波長ピークは５５０ｎｍなので、５５０ｎｍ付近の光のみを透過するような励起フィルタを用いる。その後、励起光は励起光／蛍光分離フィルタにより試料４に照射される。本実施例では励起光／蛍光分離フィルタとしてハーフミラー２４を用いているが、励起光を反射し蛍光を透過するような特性のダイクロイックミラーを用いてもよい。
【００２１】
試料４に照射された励起光は試料４に含まれる蛍光試薬を励起し、蛍光を発生させる。試料４から発生された蛍光はハーフミラー２４を透過し、その後、蛍光フィルタ２２によって余分な波長の光ノイズをカットされ、テレセントリックレンズ２１に導かれる。
【００２２】
図５は、テレセントリックレンズの説明図である。テレセントリックレンズは通常のレンズにない特性を持っている。平行に凸レンズに入射した光はレンズの焦点を通る。また、焦点から出た光が凸レンズを通ると平行な光になる。この原理を利用して、２つの凸レンズの焦点位置に絞り２９を置くことにより、平行光のみを通すことができる。このとき、絞り２９の径が小さければ小さいほど、平行に近い光を通すようになる。平行な光のみを通すという性質により、テレセントリックレンズの画角はゼロとなるので、レンズと対象物の距離によらず、結像側で見える対象物の大きさは一定になる。よって、試料４から発せられた蛍光は、レンズ２８の光軸に対して平行な光のみが絞り２９を通過することができ、撮像装置３の撮像面２７に対しても平行な光として照射される。
【００２３】
また、テレセントリックレンズはレンズ中心部と周辺部の収差が非常に小さいために、試料４を撮像した際に中央と周辺部に歪みが発生しない。試料４を測定する際に問題となる、周辺部からの蛍光の漏れこみや散乱光などのノイズに対しても、これらのノイズとなる光はレンズ２８の光軸に対して平行な光ではないためにテレセントリックレンズを通過することができず、そのため通常のレンズで撮像する場合に比べて大幅にノイズを低減することができる。これは試料４の面積と蛍光強度を正確に測定する必要がある本装置では非常に有用である。
【００２４】
図６は、光ファイバを用いた励起光照射方法の例を示す図である。光源５から発せられた励起光はレンズ２８で集光され、励起光フィルタ２３を通り、束ねられた光ファイバ束３０に導かれ、光ファイバ束３０の先端の励起光照射面３１から試料に照射される。励起光照射面３１は試料面に対して鉛直上方に水平に設置する。光ファイバ束３０の励起光照射面３１はテレセントリックレンズ２１を中心とした同心円状に配置される。励起光により励起された試料面上の蛍光はテレセントリックレンズ２１を通り、蛍光フィルタ２２によって特定波長の光のみ選択、透過され、撮像装置３により撮像される。
【００２５】
図３の画像読取装置システム構成例と、図４の光学系構成図に例示した光学系はハーフミラー２４を用いているが、励起光はハーフミラーを透過する際に原理上２分の１の光量に減衰する。また、試料４から発せられた蛍光もハーフミラーを透過する際に２分の１に減衰する。一方、図６に示した光ファイバ束３０を用いる光学系では、光ファイバの光透過率が高いために、ハーフミラーを使用した時に比べて励起光の減衰率が低くなる。また、試料４から発せられた蛍光もハーフミラーを通過しないので、原理的にはハーフミラー使用時の２倍の蛍光を検出することができる。
【００２６】
図７は、撮像を行う際のタイムチャートを説明する図である。本装置の構成例として示した撮像装置は、撮像面に蓄積された電荷を撮像素子の列ごとに走査して取出す機構である。試料４の読取りは撮像装置の処理と試料台２５の移動を１サイクルとした動作を繰り返して行なわれる。この１サイクルに費やされる時間を１ライン処理時間Ｔとする。１ライン処理時間Ｔは、撮像面の不要電荷処理時間ｔ１、読取り時間ｔ２、およびライン移動時間ｔ３の３つの動作から構成される。撮像装置３が全画素の読取りを終えると、試料台２５は特定の距離だけ移動する。このときの移動距離は、撮像面の１つの撮像素子が撮像する試料面上の領域の１辺の長さに等しい。また、この距離を１ライン分の移動距離と呼ぶ。
【００２７】
撮像装置による読取りのサイクルを以下に詳細に説明する。まず撮像装置は時間ｔ１の間に、次に続く読取りのために撮像面に蓄積された不要な電荷を処理する。続いて、撮像装置は時間ｔ２の間、撮像面に入射する蛍光を電荷として蓄積し蛍光の検出を行う。最後に時間ｔ３の間に、試料台２５が１ライン分の移動距離だけ移動して、１ライン処理時間Ｔの１サイクルが完結する。
【００２８】
図８は、試料４の読取り開始位置および終了位置と、読取り方式の概要を示す図である。撮像装置３の撮像面２７において、最初に電荷を走査する撮像画素（撮像素子）列がある側を撮像装置３の上方向とする。試料（スライドガラス）４は、長辺が撮像面２７の走査方向３３に直交するように試料台２５に設置され、試料台移動モータ６により撮像面の上方から下方へと移動する。この移動の向きを試料移動方向３４として図示した。
【００２９】
このときの試料４の移動距離を１ライン分の移動距離と呼び、１ライン分の移動距離とは撮像面の撮像画素列１画素分の幅に対応する距離であり、この距離は画像の解像度に相当する。本実施例では解像度２０μｍとし、１ライン分の移動距離も２０μｍとしている。
【００３０】
撮像面の上端の撮像画素列が試料面に重なった位置から撮像を開始する。最初の１ライン分の読取りサイクルが終了すると、撮像装置３から転送されたデータはＡ／Ｄコンバータ１６で変換された後、シェーディング補正回路１７で照明むら等を補正され、制御基板２のＲＡＭ９に蓄積される。次に、試料４は試料移動方向３４に１ライン分の移動距離だけ移動し、２サイクル目の読取りを開始する。２サイクル目では、撮像面の１列目の撮像画素が試料４の２ライン目に対応し、撮像面の２列目の撮像画素は試料４の１ライン目に対応する。２サイクル目の読取が終了すると１サイクル目と同様に読取られた画像はＲＡＭ９に蓄積される。試料４の読取りは１ライン処理時間Ｔのサイクルを試料面すべての読取が終わるまで繰り返され、各サイクルで読取られた画像はＲＡＭ９にそれぞれ蓄積される。この読取り処理により、撮像面の各撮像画素は試料移動方向３４に並ぶ蛍光試料４の対応する領域を全て読取ったことになり、ＲＡＭ９には試料面を１ライン分ずつ試料移動方向３４にずらした画像が、繰り返した読取りサイクルの回数分蓄積される。
【００３１】
図９は、試料４と撮像面２７における有効撮像範囲３２の各画素との対応を示す図である。励起光照射範囲３６は有効撮像範囲３２よりも大きな面積を照射する。撮像面には撮像画素が２次元平面状に配置されており、撮像面に投影された映像の各画素における光の強度を電気信号として検出する。このとき、撮像面２７の各撮像画素に対応する試料面上の領域を模式的に示したのが図９である。有効撮像範囲３２の碁盤の目状に区切られた各正方形が、各撮像画素の対応する領域となる。本装置の実施例では、各正方形の１辺の長さは解像度に相当し、それぞれ２０μｍとなる。試料４を基準にすると、有効撮像範囲３２の撮像範囲相対移動方向３５は図９のようになる。読取りサイクルにおける１ライン分の移動距離はマス目１つ分、つまり２０μｍとなる。
【００３２】
図１０は、合成画像を生成する際の、試料４と撮像面２７上の画素の対応を示したものである。ここでは簡単のために撮像面２７の撮像画素を縦５画素、横５画素の２５画素で構成されたものとし、読取り時の解像度は５ｍｍとして説明する。このとき、蛍光試料４の読取り対象範囲は横８０ｍｍ、縦２５ｍｍである。撮像面２７の縦の撮像画素列を右から１，２，３，４，５とし、横の撮像画素列を上からａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅとする。撮像画素列１が試料の左端に重なった位置を読取開始位置３９とし、そのときの時間をＴ＝１と表す。撮像範囲は試料に対して相対的に左端から右端に移動し、撮像画素列５が試料の右端に重なった位置を読取終了位置４０とする。撮像範囲は時間Ｔ＝１ごとに試料に対して右方向に移動し、Ｔ＝２０で読取終了位置に来る。
【００３３】
時間Ｔ＝１のとき、撮像面２７の各撮像画素に蓄積された電荷を取り出し、Ａ／Ｄ変換した後、その数値をＲＡＭ９に蓄積する。ＲＡＭ９への転送が終わると撮像範囲は一画素分だけ撮像範囲相対移動方向３５に移動する（Ｔ＝２）。Ｔ＝２のとき、再度撮像面の電荷がメモリに転送され、この操作をＴ＝２０まで繰り返す。
【００３４】
蛍光試料４の読取り対象範囲は横８０ｍｍ、縦２５ｍｍなので、横１６画素、縦５画素の、合計８０画素の画像として構成される。この画素の構成は図１０の合成画像グリッド３８として表現できる。画像合成グリッドは縦の画素列の左から１’，２’，３’，４’…１６’とし、横の画素列を上からａ’，ｂ’，ｃ’，ｄ’，ｅ’とする。
【００３５】
Ｔ＝２０の読取が終了した時点で、ＲＡＭ９には２０枚の画像が蓄積されている。各画像は試料面を１画素分ずつずらして撮像した画像なので、画像の各画素値を取出し、試料面の同一の位置に対応する画素値を全て積算して平均を算出する。この処理を試料面に対応する全ての画素で行なうことで、２０枚の画像から算出した平均の合成画像を得ることができる。
【００３６】
図１０において、Ｔ＝１のとき撮像した撮像画素の画素列１は画像素子グリッドに沿って、合成画像グリット３８の対応する画素列１’に蓄積されることになる。Ｔ＝２のとき撮像した画像はＴ＝１のときと同様に画像素子グリッドに沿って、画素列１は画素列２’に、画素列２は画素列１’に蓄積される。Ｔ＝５のとき、画素列１，２，３，４，５はそれぞれ画素列５’，４’，３’，２’，１’に蓄積される。Ｔ＝２０のとき、画素列５は画素列１６’に蓄積される。
【００３７】
撮像装置３から転送されたデータはＡ／Ｄコンバータ１６で変換された後、シェーディング補正回路１７で照明むら等を補正され、ＲＡＭ９に蓄積される。蓄積された画像はＣＰＵ１０により各画素の積算・平均算出を行い、ＵＳＢインターフェースを通じてデータ処理部１に転送される。データ処理部１には画像解析用ソフトウェアがインストールされており、各種の画像統計解析を行なうことができる。
【００３８】
合成画像の各画素は撮像面２７の横の撮像画素列全てで読取られたデータから構成されているので、撮像面の横方向の撮像画素列に感度の差があったとしても平均化することによりその影響を最小限にとどめることができる。すなわち、画像は撮像面の全てのラインで読んだものを１ラインごとに合成するので、１撮像面分ずつ移動しながら撮影し、後に画像合成をする場合に比べて、試料の移動方向における照明むらに影響されない。また、平行に近い光のみを透過するテレセントリックレンズを用いることにより、隣接した画素の発光の漏れ込みを防止することができる。
【００３９】
また、図１０に示す試料４を４分割して撮像し合成する場合と比較すると、画像の継ぎ目に不整合が発生する心配がなく、また分割画像間で明暗の差が見られない。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明による画像読取装置の概要構成例を示すブロック図。
【図２】本発明による画像読取装置の電気系統の構成例を示すブロック図。
【図３】本発明による画像読取装置の構成例を示す模式図。
【図４】光学系の構成例を説明する図。
【図５】テレセントリックレンズの説明図。
【図６】光ファイバを用いた励起光照射方法の例を示す図。
【図７】読取りタイムチャートを示す図。
【図８】試料と受光部の読取り開始位置、終了位置及び読取り方式の概要を示す図。
【図９】試料面と撮像素子の対応位置を示す図。
【図１０】試料読取り方式と画像合成方法の説明図。
【符号の説明】
【００４１】
１…データ処理部、２…制御基板、３…撮像装置、４…試料（スライドグラス）、５…光源、６…試料台移動モータ、７…プリンタ、８…データ記憶部、９…ＲＡＭ、１０…ＣＰＵ、１１…フィルタ制御部、１２…ＲＯＭ、１３…モータドライバ、１４…試料台制御部、１５…ＵＳＢコントローラ、１６…Ａ／Ｄコンバータ、１７…シェーディング補正回路、１９…光源制御部、２０…撮像装置制御部、２１…テレセントリックレンズ、２２…蛍光フィルタ、２３…励起光フィルタ、２４…ハーフミラー、２５…試料台、２６…励起光拡散フィルタ、２７…撮像面、２８…レンズ、２９…絞り、３０…光ファイバ束、３１…励起光照射部、３２…有効撮像範囲、３３…走査方向、３４…試料移動方向、３５…撮像範囲相対移動方向、３６…励起光照射範囲、３７…撮像素子グリッド、３８…合成画像グリッド、３９…撮像開始位置、４０…撮像終了位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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