(57)【要約】【課題】  ＬＥＤ素子から放射される光の発光波長ずれが生じたとしても、白色光の色ずれを生じることのない発光装置を提供する。【解決手段】  色度変化特性の異なるＹＡＧ系蛍光体１１０Ａおよび珪酸塩蛍光体１１０Ｂをエポキシ樹脂封止体１１１に混合したことによって、ＧａＮ系半導体発光素子１０６の発光波長が中心波長からシフトしたとしても励起光の色度の偏差は相殺されるので、青色光と黄色光の混合性を安定化させることができ、白色光の色ずれの発生を抑制することができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を収容する本体部と、
前記本体内に収容された前記発光素子を封止する封止体とを有し、
前記発光素子が第１の注入電流と第２の注入電流によって駆動されるとき前記発光素子は第１の波長の光と第２の波長の光を発光するように変動し、
前記封止体は、異なった色度特性を有する第１および第２の蛍光体を含み、前記第１の蛍光体は第１の発光波長の光によって励起されて第１の光を放射するとともに前記第２の発光波長の光によって前記第１の光より色度の小なる第２の光を放射し、前記第２の蛍光体は第１の発光波長の光によって励起されて第３の光を放射するとともに前記第２の発光波長の光によって前記第３の光より色度の大なる第４の光を放射し、
前記発光素子から放射された光の発光波長に偏差があっても前記第１の蛍光体および前記第２の蛍光体から放射された光の色度の偏差は相殺されることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第１の蛍光体は、Ｙ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、ＧｄおよびＳｍからなる群から選ばれた少なくとも１つの元素と、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素と含んでなるセリウムで賦活されたガーネット系蛍光体であることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１の蛍光体は、化学式（Ｙ，Ｇｄ，Ｃｅ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２で表される化合物を主体にしてなるガーネット系蛍光体であることを特徴とする請求項２記載の発光装置。
【請求項４】
前記第２の蛍光体は、Ｅｕで賦活されたアルカリ土類金属珪酸塩蛍光体であることを特徴とする請求項１から３記載の発光装置。
【請求項５】
前記第２の蛍光体は、化学式（Ｓｒ１−ａ−ｂ−ｘＢａａＣａｂＥｕｘ）２ＳｉＯ４、（０≦ａ≦０．３，０≦ｂ≦０．８，０＜ｘ＜１）で表される化合物を主体にしてなる珪酸塩蛍光体であることを特徴とする請求項１から４記載の発光装置。
【請求項６】
前記発光素子は、青色光を放射するＬＥＤ素子であることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項７】
前記本体部は、一対のリードフレームの一方の末端に形成されており、前記末端はカップ状に形成された窪みを有して前記封止体で満たされていることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項８】
前記本体部は、カップ状に形成された窪みを有する絶縁体であり、前記カップ状に形成された窪みは前記封止体で満たされていることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項９】
前記発光素子の電極は、それぞれの電極が一対のリードフレームに電気的に接続され、
前記発光素子、前記一対のリードフレーム、および前記封止体は光放射部がレンズ状に形成された他の封止体によって覆われていることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項１０】
前記発光素子の電極は、バンプによって絶縁部のカップ状に形成された窪みの底部に設けられるリードに接続されることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ素子を光源として白色、昼白色、昼光色、電球色等の白色系の光を生じる波長変換型の発光装置に関し、特に、ＬＥＤ素子から放射される光の発光波長ずれが生じたとしても、白色光の色ずれを生じることのない発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の発光装置として、光源にＬＥＤ素子を使用し、このＬＥＤ素子から放射される白色、昼白色、昼光色、電球色等の白色系の光（以下、「白色光」という。）を波長変換することによってＬＥＤ素子本来の発光色と異なる色の光、例えば、白色光を得る波長変換型の発光装置が実用化されている。このような白色光を放射する発光装置では、中心波長が約４５０ｎｍ付近の青色光を放射するＧａＮ系ＬＥＤ素子を用いるのが一般的である。
【０００３】
係る波長変換型の発光装置として、青色光によって励起される黄色系蛍光体に３価のセリウム付活アルミン酸イットリウム（ＹＡＧ）蛍光体を使用し、青色光の照射に基づいて励起されることにより生じた黄色光と青色光とを混合することによって白色光を得るようにしたものがある（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２０００−１８３４０８号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の発光装置によると、蛍光体から放射される励起光は、ＬＥＤ素子から放射される光の波長特性に依存する。また、ＬＥＤ素子に供給される電流やＬＥＤ素子の電気的特性は環境条件や経年変化等により変動することがあるため、係る変動要因によってＬＥＤ素子の発光波長が中心波長からシフトすると蛍光体の励起効率が変化し、青色光と黄色光の混合バランスが崩れて白色光の色ずれが生じるという問題がある。
【０００５】
従って、本発明の目的は、ＬＥＤ素子から放射される光の発光波長ずれが生じたとしても、白色光の色ずれを生じることのない発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記の目的を達成するため、発光素子を収容する本体部と、前記本体内に収容された前記発光素子を封止する封止体とを有し、前記発光素子が第１の注入電流と第２の注入電流によって駆動されるとき前記発光素子は第１の波長の光と第２の波長の光を発光するように変動し、前記封止体は、異なった色度特性を有する第１および第２の蛍光体を含み、前記第１の蛍光体は第１の発光波長の光によって励起されて第１の光を放射するとともに前記第２の発光波長の光によって前記第１の光より色度の小なる第２の光を放射し、前記第２の蛍光体は第１の発光波長の光によって励起されて第３の光を放射するとともに前記第２の発光波長の光によって前記第３の光より色度の大なる第４の光を放射し、前記発光素子から放射された光の発光波長に偏差があっても前記第１の蛍光体および前記第２の蛍光体から放射された光の色度の偏差は相殺されることを特徴とする発光装置を提供する。
【０００７】
前記第１の蛍光体は、Ｙ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、ＧｄおよびＳｍからなる群から選ばれた少なくとも１つの元素と、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素と含んでなるセリウムで賦活されたガーネット系蛍光体を用いることができる。
【０００８】
前記第１の蛍光体は、化学式（Ｙ，Ｇｄ，Ｃｅ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２で表される化合物を主体にしてなるガーネット系蛍光体を用いることができる。
【０００９】
前記第２の蛍光体は、Ｅｕで賦活されたアルカリ土類金属珪酸塩蛍光体を用いることができる。
【００１０】
前記第２の蛍光体は、化学式（Ｓｒ１−ａ−ｂ−ｘＢａａＣａｂＥｕｘ）２ＳｉＯ４、（０≦ａ≦０．３，０≦ｂ≦０．８，０＜ｘ＜１）で表される化合物を主体にしてなる珪酸塩蛍光体を用いることができる。
【００１１】
前記発光素子は、青色光を放射するＬＥＤ素子を用いた構成とすることができる。
【００１２】
前記本体部は、一対のリードフレームの一方の末端に形成されており、前記末端はカップ状に形成された窪みを有して前記封止体で満たされている構成とすることができる。
【００１３】
前記本体部は、カップ状に形成された窪みを有する絶縁部であり、前記カップ状に形成された窪みは封止体で満たされている構成とすることができる。
【００１４】
前記発光素子の電極は、それぞれの電極が一対のリードフレームに電気的に接続され、前記発光素子、前記一対のリードフレーム、および前記封止体は光放射部がレンズ状に形成された他の封止体によって覆われている構成とすることができる。
【００１５】
前記発光素子の電極は、バンプによって絶縁部のカップ状に形成された窪みの底部に設けられるリードに接続される構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ＬＥＤ素子から放射される光の励起スペクトルの変化に対して異なる励起特性を有する第１および第２の蛍光体を封止体に有するようにしたため、ＬＥＤ素子の発光波長が中心波長からシフトして一方の蛍光体の励起特性が変化したとしても他方の蛍光体の励起特性によって黄色光の発光が補償されるので、色度の偏差が相殺されて白色光の色ずれが抑制される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光素子パッケージを示す断面図である。この発光素子パッケージ１は、樹脂ハウジング１０３と、その上にマウントされたＧａＮ系半導体発光素子１０６と、ＧａＮ系半導体発光素子１０６を覆うように設けられたエポキシ樹脂封止体１１１とを有する。
【００１８】
樹脂ハウジング１０３は、リードフレームから形成したリード１０１、１０２と一体的に成形されている。リード１０１、１０２は、それぞれの一端が近接対向するように配置されている。リード１０１、１０２の他端は、互いに反対方向に延在し、樹脂ハウジング１０３から外部に導出されている。
【００１９】
樹脂ハウジング１０３にはすり鉢状反射面１０４が設けられ、ＧａＮ系半導体発光素子１０６は、その底面にマウントされている。すり鉢状反射面１０４の平面形状は、例えば、略楕円形あるいは円形とすることができる。
【００２０】
ＧａＮ系半導体発光素子１０６は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板上にエピタキシャル成長したＧａＮ系半導体層（例えば、ｎ＋−ＧａＮ層、ｎ−ＧａＮ層、ＭＱＷ層（ＧａＮ障壁層とＩｎＧａＮ井戸層の多重量子井戸構造を有し、ピーク発光波長は４６０ｎｍ）、ｐ−ＡｌＧａＮ層、ｐ＋−ＧａＮ層）と、ｎ＋−ＧａＮ層上に形成されたｎ−電極と、ｐ＋−ＧａＮ層上に形成されたｐ−電極を有して構成されており、Ａｌ２Ｏ３基板側を銀（Ａｇ）ペーストなどの接着剤１０７によって、すり鉢状反射面１０４の底面のリード１０１上にマウントされている。ＧａＮ系半導体発光素子１０６は、ｎ−電極およびｐ−電極（図示せず）を有し、金（Ａｕ）線などのボンディングワイヤ１０８、１０９によって、リード１０１、１０２と、それぞれ接続されている。
【００２１】
すり鉢状反射面１０４内に充填されたエポキシ樹脂封止体１１１は、ＹＡＧ系蛍光体１１０Ａと珪酸塩蛍光体１１０Ｂとを含有している。ＹＡＧ系蛍光体１１０Ａは、Ｙ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、ＧｄおよびＳｍからなる群から選ばれた少なくとも１つの元素と、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素と含んでなるセリウムで賦活されたガーネット系蛍光体で、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅである。また、珪酸塩蛍光体１１０Ｂは、化学式（Ｓｒ１−ａ−ｂ−ｘＢａａＣａｂＥｕｘ）２ＳｉＯ４、（０≦ａ≦０．３，０≦ｂ≦０．８，０＜ｘ＜１）で表される化合物を主体にしてなり、例えば、Ｓｒ１．９Ｂａ０．０２Ｃａ０．０８ＳｉＯ４：Ｅｕである蛍光体である。この蛍光体は樹脂中に均一に分散しやすいという特性を有している。
【００２２】
本発明においては、ＧａＮ系半導体発光素子１０６の発光ピーク波長を、例えば４６０ｎｍとし、ＹＡＧ系蛍光体１１０Ａおよび珪酸塩蛍光体１１０Ｂも４６０ｎｍの１次光により励起されるものを用いることができる。また、蛍光体は、上記したＹＡＧ系蛍光体１１０Ａと珪酸塩蛍光体１１０Ｂとの他に、例えば、赤色に発光する蛍光体、緑色に発光する蛍光体、あるいは青色に発光する蛍光体とを組み合わせても良い。
【００２３】
以上の構成において、ＧａＮ系半導体発光素子１０６から放出される１次光をそのまま外部に取り出さずに、ＹＡＧ系蛍光体１１０Ａおよび珪酸塩蛍光体１１０Ｂによって波長変換してから取り出す。つまり、ＧａＮ系半導体発光素子１０６から放出された青色光は、ＹＡＧ系蛍光体１１０Ａおよび珪酸塩蛍光体１１０Ｂを励起し、そのことによってＹＡＧ系蛍光体１１０Ａおよび珪酸塩蛍光体１１０Ｂから放射される黄色光と混合されることによって白色光を生じる。この白色光がエポキシ樹脂封止体１１１から外部に放射される。
【００２４】
第１の実施の形態におけるＧａＮ系半導体発光素子１０６は、順方向電流が１ｍＡから３０ｍＡに変化することによりドミナント波長が約４７５ｎｍから約４６９ｎｍに変化する傾向を示す。また、ドミナント波長の変化に伴って色度は２次元座標空間におけるＸ方向に０．００５ほど大になる傾向を有し、Ｙ軸方向に−０．０７ほど小になる傾向を示す。
【００２５】
図２は、発光素子パッケージのＧａＮ系半導体発光素子への電流値を変化させたときの相対色度変化を示す図である。ここでは、エポキシ樹脂７５ｗｔ％に対してＹＡＧ系蛍光体１１０Ａを２ｗｔ％、珪酸塩蛍光体１１０Ｂを２３ｗｔ％の配合からなるエポキシ樹脂封止体１１１を用いて発光素子パッケージ１を形成している。ＧａＮ系半導体発光素子１０６に供給する電流を１ｍＡから３０ｍＡに変化させたとき、ＹＡＧ系蛍光体１１０Ａについては、色度がＸ軸方向に−０．００５、Ｙ軸方向に−０．０５ほど小になる傾向を示しており、珪酸塩蛍光体１１０Ｂについては、色度がＸ軸方向に０．０２、Ｙ軸方向に０．０１ほど大になる傾向を示すが、２つの蛍光体を混合することによる色度の変化は、Ｘ軸方向に０．００５、Ｙ軸方向については殆ど変化が見られない状態であり、これら２つの蛍光体を混合して用いた本実施の形態では、色度の変化がほぼ無視できるレベルに抑制されている。
【００２６】
上記した第１の実施の形態の発光素子パッケージによると、色度変化特性の異なる複数の蛍光体をエポキシ樹脂封止体１１１に混合したことによって、ＧａＮ系半導体発光素子１０６の発光波長に偏差があってもＹＡＧ系蛍光体１１０Ａおよび珪酸塩蛍光体１１０Ｂから放射される励起光の色度の偏差は相殺されるので、青色光と黄色光の混合性を安定化させることができ、白色光の色ずれの発生を抑制することができる。
【００２７】
なお、上記したエポキシ樹脂封止体１１１は、光透過性および加工性を阻害するものでなければ他の樹脂材料、例えば、シリコン樹脂材料等で形成することも可能である。
【００２８】
〔第２の実施の形態〕
図３は、本発明の第２の実施の形態に係る発光素子パッケージを示す断面図である。なお、第１の実施の形態と同一の構成を有する部分については同一の引用数字を付している。この発光素子パッケージは、セラミックス（Ａｌ２Ｏ３）ハウジング４０と、Ａｌ２Ｏ３ハウジング４０に収容されてフリップチップ接合されるＧａＮ系半導体発光素子２０と、ＧａＮ系半導体発光素子２０を封止するエポキシ樹脂封止体１１１より構成されている。
【００２９】
Ａｌ２Ｏ３ハウジング４０は、メタライズされたすり鉢状の反射面４１を形成されており、その底面にタングステン配線１５、１６がプリント配線によって形成されている。タングステン配線１５、１６は、ビアホールの壁面に形成されているタングステン配線１３、１４を介してＡｌ２Ｏ３ハウジング４０の底面のリード１１，１２に電気的に接続されている。
【００３０】
ＧａＮ系半導体発光素子２０は、第１の実施の形態で説明したＧａＮ系半導体発光素子１０６と同様の構成を有し、Ａｌ２Ｏ３基板２１上にエピタキシャル成長したＧａＮ系半導体層２２と、ｎ＋−ＧａＮ層上に形成されたｎ−電極２３と、ｐ＋−ＧａＮ層上に形成されたｐ−電極２４を有して構成されており、半田バンプ２５、２６を介してｎ−電極２３をタングステン配線１６に接続するとともにＡｌ２Ｏ３ハウジング４０のすり鉢状反射面４１の底面にマウントされている。
【００３１】
エポキシ樹脂封止体１１１は、第１の実施の形態と同様にＹＡＧ系蛍光体１１０Ａと珪酸塩蛍光体１１０Ｂとを含有している。
【００３２】
以上の構成において、リード１１、１２を図示しない電源部に接続して通電することにより、半田バンプ２５，２６を介してＧａＮ系半導体発光素子２０に通電される。ＧａＮ系半導体発光素子２０は、図示しないＭＱＷ層において発光し、Ａｌ２Ｏ３基板側から発光波長４６０ｎｍの青色光を放射する。エポキシ樹脂封止体１１１に含有されたＹＡＧ系蛍光体１１０Ａおよび珪酸塩蛍光体１１０Ｂは、青色光によって励起されて黄色光を放射する。この青色光と黄色光とがエポキシ樹脂封止体１１１において混合されることにより白色光を生じてＡｌ２Ｏ３ハウジング４０の外部に放射される。
【００３３】
上記した第２の実施の形態によると、第１の実施の形態の好ましい効果に加えてフリップチップ型のＧａＮ系半導体発光素子２０を用いているので、ＭＱＷ層において生じた青色光をＧａＮ系半導体層から効率良く取り出すことができ、高輝度化を実現することができる。
【００３４】
〔第３の実施の形態〕
図４は、本発明の第３の実施の形態に係るＬＥＤランプを示す断面図である。なお、第２の実施の形態と同一の構成を有する部分については同一の引用数字を付している。このＬＥＤランプ５０は、銅からなるリードフレーム５１Ａ、５１Ｂと、リードフレーム５１Ａの末端に反射面５２Ｂを有した窪みとして設けられるカップ５２と、Ａｇペースト等の導電性接着剤５４によってカップ５２の底面５２Ａに接着されるサブマウント５３と、サブマウント５３と金バンプ５５を介して電気的に接続されるフリップチップ型のＧａＮ系半導体発光素子２０と、サブマウント５３とリードフレーム５１Ｂとを電気的に接続するワイヤ５６と、ＹＡＧ系蛍光体１１０Ａと珪酸塩蛍光体１１０Ｂとを含有してカップ５２に充填されることによりＧａＮ系半導体発光素子２０を封止する光透過性を有したエポキシ樹脂封止体５７と、エポキシ樹脂封止体５７によって封止されたリードフレーム５１Ａ、リードフレーム５１Ｂ、およびワイヤ５６を一体的に封止する透明なエポキシ樹脂封止体５８とを有し、エポキシ樹脂封止体５８の表面は凸レンズ状の光学形状部５８Ａが形成されている。
【００３５】
ＧａＮ系半導体発光素子２０およびエポキシ樹脂封止体１１１は、図３に示す第２の実施の形態と同一である。サブマウント５３は、熱伝導性に優れる窒化アルミニウム（ＡｌＮ）によって形成されている。また、サブマウント５３は、金バンプ５５との接合面および導電性接着剤５４による接着面に図示しないタングステン配線が形成されており、ｐ−電極側のタングステン配線は、接着面側のタングステン配線とビアホールによって電気的に接続されている。また、ｎ−電極側のタングステン配線は、ワイヤ５６によってリードフレーム５１Ｂと電気的に接続されている。
【００３６】
以上の構成において、リードフレーム５１Ａ、５１Ｂを図示しない電源部に接続して通電することにより、サブマウント５３を介してＧａＮ系半導体発光素子２０に通電される。ＧａＮ系半導体発光素子２０は、図示しないＭＱＷ層において発光し、Ａｌ２Ｏ３基板側から発光波長４６０ｎｍの青色光を放射する。エポキシ樹脂封止体１１１に含有されたＹＡＧ系蛍光体１１０Ａおよび珪酸塩蛍光体１１０Ｂは、青色光によって励起されて黄色光を放射する。この青色光と黄色光とがエポキシ樹脂封止体１１１において混合されることにより白色光を生じてカップ５２の外部に放射され、エポキシ樹脂封止体５８を介して光学形状部５８Ａから所定の放射方向に放射される。
【００３７】
上記した第３の実施の形態によると、第２の実施の形態の好ましい効果に加えてＧａＮ系半導体発光素子２０の発光に伴って生じる熱をＡｌＮからなるサブマウント５３およびリードフレーム５１Ａを介して効率良く放熱させることができ、熱による発光波長の変化を小にすることができる。また、発光波長に変化が生じたとしても、色度変化特性の異なるＹＡＧ系蛍光体１１０Ａおよび珪酸塩蛍光体１１０Ｂを樹脂封止体に混合しているので励起光の色度の偏差は相殺され、白色光の色ずれの発生を抑制することができる。
【００３８】
なお、第３の実施の形態では、カップ５２を封止するエポキシ樹脂封止体５７にＹＡＧ系蛍光体１１０Ａおよび珪酸塩蛍光体１１０Ｂを混合した構成を説明したが、変形例としてエポキシ樹脂封止体５７にこれら蛍光体を含有せずにエポキシ樹脂封止体５８の外周を覆うキャップ状の蛍光体含有樹脂部を設け、これにＹＡＧ系蛍光体１１０Ａおよび珪酸塩蛍光体１１０Ｂを含有させるようにしても良い。
【００３９】
この構成によれば、ＹＡＧ系蛍光体１１０Ａおよび珪酸塩蛍光体１１０Ｂを含有した蛍光体含有樹脂部を薄く形成することができるので、白色光の外部放射効率を向上させることができる。
【００４０】
〔第４の実施の形態〕
図５は、本発明の第４の実施の形態に係る発光装置の全体図である。この発光装置６０は、ＧａＮ系半導体発光素子２０を光源とするＬＥＤランプ６２と、ＬＥＤランプ６２から放射された光を直角方向に反射する光反射器６１によって構成されている。
【００４１】
ＬＥＤランプ６２は、ＧａＮ系半導体発光素子２０をエポキシ樹脂封止体５８でモールドして形成されており、所望の方向に光を集光するようにドーム状の光学形状部５８Ａを有している。
【００４２】
光反射器６１は、ＹＡＧ系蛍光体１１０Ａおよび珪酸塩蛍光体１１０Ｂを含有して平板状に構成されるエポキシ樹脂部材６１Ａと、エポキシ樹脂部材６１Ａに薄膜形成方法によって形成されたアルミニウムの蒸着部６１Ｂとを有する。
【００４３】
この第４の実施の形態の発光装置６０は、ＬＥＤランプ６２から放射された青色光が光反射器６１に入射すると、エポキシ樹脂部材６１ＡにおいてＹＡＧ系蛍光体１１０Ａおよび珪酸塩蛍光体１１０Ｂが青色光によって励起されて黄色光を生じる。黄色光は蒸着部６１Ｂで反射されて直角方向に反射する。また、蛍光体に達しない青色光は蒸着部６１Ｂで直角方向に反射される。この黄色光と青色光の混合に基づいて白色光が生成される。
【００４４】
上記した第４の実施の形態によると、ＧａＮ系半導体発光素子１０６の発光波長が中心波長からシフトしたとしても、第１の実施の形態で説明したように励起光の色度の偏差は相殺されるので、蛍光体を含有した波長変換部が光源と別体となる構成であっても、青色光と黄色光の混合性を安定化させることができ、白色光の色ずれの発生を抑制することができる。
【００４５】
なお、第４の実施の形態では、波長変換部として光反射器６１を設けた構成を説明したが、例えば、光透過型の波長変換部を光源と別体で設ける構成であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光素子パッケージを示す断面図である。
【図２】発光素子パッケージのＧａＮ系半導体発光素子への電流値を変化させたときの相対色度変化を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る発光素子パッケージを示す断面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係るＬＥＤランプを示す断面図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態に係る発光装置の全体図である。
【符号の説明】
【００４７】
１、発光素子パッケージ  １１，１２、リード  １３、タングステン配線
１５、タングステン配線  １６、タングステン配線
２０、ＧａＮ系半導体発光素子  ２１、セラミックス（Ａｌ２Ｏ３）基板
２２、ＧａＮ系半導体層  ２３、ｎ−電極  ２４、ｐ−電極
２５，２６、半田バンプ  ４０、セラミックス（Ａｌ２Ｏ３）ハウジング
４１、すり鉢状反射面５０、ＬＥＤランプ  ５１Ａ、リードフレーム
５１Ｂ、リードフレーム  ５２、カップ  ５２Ａ、底面  ５２Ｂ、反射面
５３、サブマウント  ５４、導電性接着剤  ５５、金バンプ
５６、ワイヤ  ５７、エポキシ樹脂封止体  ５８、エポキシ樹脂封止体
５８Ａ、光学形状部  ６０、発光装置  ６１Ａ、エポキシ樹脂部材
６１、光反射器  ６１Ｂ、蒸着部  ６２、ＬＥＤランプ
１０１，１０２、リード  １０３、樹脂ハウジング
１０４、鉢状反射面  １０６、ＧａＮ系半導体発光素子
１０７、導電性接着剤  １０８、ボンディングワイヤ
１１０Ａ、ＹＡＧ系蛍光体  １１０Ｂ、珪酸塩蛍光体
１１１、エポキシ樹脂封止体
【図１】
2005235847.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005235847.tif 000005
【図４】
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【図５】
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