(57)【要約】【課題】ポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜をウェット処理を用いることなくリワークする加工方法を提供する。【解決手段】アルカリ可溶性樹脂と感光性ジアゾキノン化合物を含むポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を、酸素ガスを用いたドライエッチングにより、該硬化膜の８０％以上かつ１００％未満を除去し、次にフッ素系ガスおよび酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングによりリワークすることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜除去方法であり、該混合ガス中のフッ素系ガスの比率は５０％以上であることが好ましい。【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ可溶性樹脂と感光性ジアゾキノン化合物を含むポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を、酸素ガスを用いたドライエッチングにより、該硬化膜の８０％以上かつ１００％未満を除去し、次にフッ素系ガスおよび酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングによりリワークすることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜除去方法。
【請求項２】
該混合ガス中のフッ素系ガスの比率Ｒ（下記計算式）が５０％以上である請求項１記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜除去方法。
【数１】
2005026394.tif 000036
【請求項３】
該ポジ型感光性樹脂組成物が、一般式（１）で示されるポリアミド（Ａ）１００重量部と感光性ジアゾキノン化合物（Ｂ）１〜１００重量部とを含んでなるポジ型感光性樹脂組成物である請求項１又は２記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜除去方法。
【化１】
2005026394.tif 000037
【請求項４】
該フッ素系ガスが、ＣＦ４および／またはＣＨＦ３である請求項１〜３のいずれか１項に記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜除去方法。
【請求項５】
該フッ素系の比率Ｒが５０％以上且つ９５％以下である請求項３又は４記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜除去方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の硬化膜除去方法を用いる工程を経て得られた半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、最終硬化されたポジ型感光性樹脂組成物の除去方法に関するものであり、特に半導体装置上にコーティングしたポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜の除去方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜には耐熱性が優れ、又卓越した電気特性、機械的特性等を有するポリイミド樹脂が用いられているが、近年半導体素子の高集積化、大型化、封止樹脂パッケージの薄型化、小型化、半田リフローによる表面実装への移行等により耐熱サイクル性、耐熱ショック性等の著しい向上の要求があり、更に高性能のポリイミド樹脂が必要とされるようになってきた。
一方、ポリイミド樹脂自身に感光性を付与する技術が注目を集めてきており、例えば感光性ポリイミド樹脂として、下記式（２）等がある。
【０００３】
【化２】
2005026394.tif 000002
【０００４】
これを用いるとパターン作成工程の一部が簡略化でき、工程短縮の効果はあるが、現像の際にＮ−メチル−２−ピロリドン等の溶剤が必要となるため、安全、取扱いにおいて問題がある。そこで最近では、アルカリ水溶液で現像ができるポジ型の感光性樹脂が開発されている。例えば、特公平１−４６８６２号公報においてはポリベンゾオキサゾール前駆体とジアゾキノン化合物より構成されるポジ型感光性樹脂が開示されている。これは高い耐熱性、優れた電気特性、微細加工性を有し、ウェハーコート用のみならず層間絶縁用樹脂としての可能性も有している。このポジ型の感光性樹脂の現像メカニズムは、未露光部のジアゾキノン化合物がアルカリ性水溶液に不溶であり、露光することによりジアゾキノン化合物が化学変化を起こし、アルカリ性水溶液に可溶となる。この露光部と未露光部での溶解性の差を利用し、未露光部のみの塗膜パターンの作成が可能となる。
【０００５】
上記のポジ型感光性耐熱樹脂組成物は、ノボラック樹脂からなるフォトレジストとは異なり、絶縁膜や保護膜として永久的に半導体に残るものである。ノボラック樹脂からなるフォトレジストは、露光、現像してパターン形成後にすぐ剥離させるが、感光性耐熱性樹脂組成物は、現像後、約３００〜４００℃の温度で熱処理（最終硬化）し熱安定性に優れた膜に変換するのが一般的な硬化プロセスである。
【０００６】
上記の工程における最終硬化された膜は、下地との密着にも優れ、容易には除去できない。そこで、リワークする際に常温もしくは加温させた剥離液に浸漬させ、その後ドライエッチング処理を行うことにより硬化膜を除去する方法がある。また、特許文献１にはドライエッチング処理を行った後、剥離液に浸漬させて硬化膜を除去する方法が記載されているが、ウェットエッチングを用いないドライエッチングのみによる硬化膜の除去も望まれている。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００１−３１７８６号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、最終硬化された膜をドライエッチングのみによりリワーク可能にする加工方法を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
［１］  アルカリ可溶性樹脂と感光性ジアゾキノン化合物を含むポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を、酸素ガスを用いたドライエッチングにより、該硬化膜の８０％以上かつ１００％未満を除去し、次にフッ素系ガスおよび酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングによりリワークすることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜除去方法、
［２］  該混合ガス中のフッ素系ガスの比率Ｒ（下記計算式）が５０％以上である［１］項記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜除去方法、
【００１０】
【数２】
2005026394.tif 000003
【００１１】
［３］  該ポジ型感光性樹脂組成物が、一般式（１）で示されるポリアミド（Ａ）１００重量部と感光性ジアゾキノン化合物（Ｂ）１〜１００重量部とを含んでなるポジ型感光性樹脂組成物である［１］又は［２］項記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜除去方法、
【００１２】
【化３】
2005026394.tif 000004
【００１３】
［４］  該フッ素系ガスが、ＣＦ４および／またはＣＨＦ３である［１］〜［３］項のいずれか１項に記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜除去方法、
［５］  該フッ素系の比率Ｒが５０％以上且つ９５％以下である［３］又は［４］項４記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜除去方法
［６］［１］〜［５］項のいずれか１項に記載の硬化膜除去方法を用いる工程を経て得られた半導体装置
である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明は、アルカリ可溶性樹脂と感光性ジアゾキノン化合物を含むポジ型感光性組成物を、例えばシリコンウエハ上に塗布し、最終的に例えば２５０℃以上の温度にて最終硬化させた後、その硬化膜を、酸素ガスによるドライエッチングにて総膜重量の８０％以上を除去し、次いで酸素ガスおよびフッ素系ガスの混合ガスによるドライエッチングにて除去する方法である。
【００１５】
このリワークの際、第一工程である酸素ガスのみによるドライエッチングでは、例えばシリコンウエハー等の下地との界面に硬化膜が僅かに残り、完全に除去できないことがある。そこで、この僅かに残った層を除去する際に、酸素ガス及びフッ素系ガスの混合ガスによるドライエッチングにて除去するものである。
【００１６】
本発明に使用されるフッ素系ガスとしては、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ４、ＣＨ２Ｆ２等のフッ素原子を含む化合物のガスを挙げることができ、好ましくは、ＣＦ４、ＣＨＦ３である。これらのガスは単独もしくは混合して用いてもよい。
【００１７】
フッ素系ガスと酸素ガスの混合ガスに対するフッ素系ガスの比率Ｒ（下記計算式）は５０％以上であり、好ましくは５０％以上且つ９５％以下である。５０％未満だと短時間でのリワークが難しくなるという問題が生じる。
【００１８】
【数３】
2005026394.tif 000005
【００１９】
本発明で用いるポジ型感光性樹脂組成物のベース樹脂にアルカリ可溶性樹脂を用いた物を使用する。アルカリ可溶性樹脂としては、主鎖又は側鎖に水酸基、カルボキシル基、又はスルホン酸基を持つ樹脂であり、クレゾール型ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、一般式（１）で示される構造を含むポリアミド樹脂等が挙げられるが、最終加熱後の耐熱性の点から一般式（１）で示される構造を含むポリアミド樹脂が好ましい。
【００２０】
一般式（１）で示される構造を含むポリアミド樹脂中のＸは、２〜４価の有機基を表し、Ｒ１は、水酸基、Ｏ−Ｒ３で、ｍは０〜２の整数、これらは同一でも異なっていても良い。Ｙは、２〜６価の有機基を表し、Ｒ２は水酸基、カルボキシル基、Ｏ−Ｒ３、ＣＯＯ−Ｒ３で、ｎは０〜４の整数、これらは同一でも異なっていても良い。ここでＲ３は炭素数１〜１５の有機基である。但し、Ｒ１として水酸基がない場合は、Ｒ２は少なくとも１つはカルボキシル基でなければならない。又Ｒ２としてカルボキシル基がない場合は、Ｒ１は少なくとも１つは水酸基でなければならない。
【００２１】
一般式（１）で示される構造を含むポリアミド樹脂は、例えば、Ｘの構造を有するジアミン或いはビス（アミノフェノール）、２，４−ジアミノフェノール等から選ばれる化合物、必要により配合されるＺの構造を有するシリコーンジアミンとＹの構造を有するテトラカルボン酸無水物、トリメリット酸無水物、ジカルボン酸或いはジカルボン酸ジクロライド、ジカルボン酸誘導体、ヒドロキシジカルボン酸、ヒドロキシジカルボン酸誘導体等から選ばれる化合物とを反応して得られるものである。なお、ジカルボン酸の場合には反応収率等を高めるため、１−ヒドロキシ−１，２，３−ベンゾトリアゾール等を予め反応させた活性エステルの型のジカルボン酸誘導体を用いてもよい。
【００２２】
一般式（１）で示される構造を含むポリアミド樹脂において、Ｘの置換基としてのＯ−Ｒ３、Ｙの置換基としてのＯ−Ｒ３、ＣＯＯ−Ｒ３は、水酸基、カルボキシル基のアルカリ水溶液に対する溶解性を調節する目的で、炭素数１〜１５の有機基で保護された基であり、必要により水酸基、カルボキシル基を保護しても良い。Ｒ７の例としては、ホルミル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、ターシャリーブトキシカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。
【００２３】
このポリアミド樹脂を約３００〜４００℃で加熱すると脱水閉環し、ポリイミド、又はポリベンゾオキサゾール、或いは両者の共重合という形で耐熱性樹脂が得られる。
【００２４】
本発明に用いられるポリアミド（Ａ）のＸは、例えば、
【化４】
2005026394.tif 000006
等であるがこれらに限定されるものではない。
【００２５】
この中で特に高感度であるものとしては、
【化５】
2005026394.tif 000007
より選ばれるものである。
【００２６】
又式（１）のＹは、例えば、
【化６】
2005026394.tif 000008
等であるがこれらに限定されるものではない。
【００２７】
これらの中で特に高感度のものとしては
【化７】
2005026394.tif 000009
より選ばれるものである。
【００２８】
更に、式（１）のＺは、例えば
【化８】
2005026394.tif 000010
等であるがこれらに限定されるものではない。
【００２９】
式（１）のＺは、例えば、シリコンウェハーのような基板に対して、特に密着性が必要な場合に用いるが、その使用割合ｂについては最大４０．０モル％まで使用することができる。４０．０モル％を越えると樹脂の溶解性が極めて低下し、スカムが発生し、パターン加工ができない。なお、これらＸ、Ｙ、Ｚの使用にあたっては、それぞれ１種類であっても２種類以上の混合物であっても構わない。
【００３０】
本発明で用いられるポジ型感光性組成物に用いられている感光性ジアゾキノン化合物は、１，２−ベンゾキノンジアジドあるいは１，２−ナフトキノンジアジド構造を有する化合物であり、米国特許明細書第２，７７２，９７２号、第２，７９７，２１３号、第３，６６９，６５８号により公知の物質である。例えば、下記のものが挙げられる。
【００３１】
【化９】
2005026394.tif 000011
【００３２】
【化１０】
2005026394.tif 000012
【００３３】
これらの中で特に高残膜率の点から好ましいものとしては下記のものがある。
【化１１】
2005026394.tif 000013
【００３４】
【化１２】
2005026394.tif 000014
【００３５】
【化１３】
2005026394.tif 000015
【００３６】
【化１４】
2005026394.tif 000016
【００３７】
【化１５】
2005026394.tif 000017
【００３８】
【化１６】
2005026394.tif 000018
【００３９】
感光性ジアジドキノン化合物（Ｂ）のポリアミド（Ａ）への配合量は、ポリアミド１００重量部に対し、１〜１００重量部で、配合量が１重量部未満だと樹脂のパターニング性が不良であり、逆に１００重量部を越えるとフィルムの引張り伸び率が著しく低下する。
【００４０】
本発明に用いられるポジ型感光性樹脂組成物には、必要により感光特性を高めるためにジヒドロピリジン誘導体を加えることができる。ジヒドロピリジン誘導体としては、例えば、２，６−ジメチル−３，５−ジアセチル−４−（２′−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピリジン、４−（２′−ニトロフェニル）−２，６−ジメチル−３，５−ジカルボエトキシ−１，４−ジヒドロピリジン、４−（２′，４′−ジニトロフェニル）−２，６−ジメチル−３，５−カルボメトキシ−１，４−ジヒドロピリジン等を挙げることができる。
【００４１】
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、感度向上を目的として必要により、フェノール化合物を添加することができる。例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４２】
【化１７】
2005026394.tif 000019
【００４３】
【化１８】
2005026394.tif 000020
【００４４】
【化１９】
2005026394.tif 000021
【００４５】
【化２０】
2005026394.tif 000022
【００４６】
【化２１】
2005026394.tif 000023
【００４７】
【化２２】
2005026394.tif 000024
【００４８】
【化２３】
2005026394.tif 000025
【００４９】
フェノール化合物の添加量としては、ポリアミド（Ａ）１００重量部に対して１〜３０重量部が好ましい。添加量が１重量部未満だと感度向上の効果が得られず、又添加量が３０重量部を越えると残膜率の低下が大きくなったり、又冷凍保存中において析出が起こったりして実用性に欠ける。
【００５０】
本発明に用いられるポジ型感光性樹脂組成物には、必要により有機ケイ素化合物を用いることができる。有機ケイ素化合物であれば、特にその内容を問わないが、一般式（３）、（４）、（５）、（６）で示される有機ケイ素化合物が好ましい。有機ケイ素化合物は、感光性樹脂と下地である基板との接着性を向上させるために用いられるものである。１種又は２種以上混合して用いてもよい。添加量はポリアミド１００重量部に対して１〜１０重量部であることが好ましい。１重量部未満では接着性向上効果が得られないので好ましくなく、１０重量部を越えると、半導体素子上に形成されるポリイミド、又はポリベンゾオキサゾール、或いは両者の共重合という形で得られる耐熱性樹脂皮膜の機械的強度が低下して応力緩和効果が薄れるので好ましくない。
【００５１】
【化２４】
2005026394.tif 000026
【００５２】
【化２５】
2005026394.tif 000027
【００５３】
【化２６】
2005026394.tif 000028
【００５４】
【化２７】
2005026394.tif 000029
【００５５】
一般式（３）、（４）で示される有機ケイ素化合物は酸無水物や酸二無水物とアミノ基を備えたシランカップリング剤とを有機溶媒中で２０〜１００℃で３０分〜１０時間反応させることにより容易に得ることが可能である。用いられる酸無水物の例としては、無水マレイン酸、無水コハク酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロフタル酸、無水フタル酸などが挙げられるが、特に限定されるものではない。
【００５６】
酸二無水物の例を挙げると、例えば、ピロメリット酸二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２′，３，３′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−２，３，６，７−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−１，２，４，５−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−１，２，６，７−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６，−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−２，３，６，７−テトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−テトラクロロナフタレン−２，３，６，７−テトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２′，３，３′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３′，４′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３″，４，４″−ｐ−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２″，３，３″−ｐ−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３″，４″−ｐ−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）−プロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−プロパン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ペリレン−２，３，８，９−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−４，５，１０，１１−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−５，６，１１，１２−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，２，７，８−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，２，６，７−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，２，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、４，４′−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５７】
アミノ基を有するシランカップリング剤の例としては、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルエチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルエチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルジメチルメトキシシラン、γ−アミノプロピルジメチルエトキシシラン、γ−アミノプロピルエチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルジエチルメトキシシラン、γ−アミノプロピルジエチルエトキシシラン、Ｎ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、４−アミノブチルジメチルメトキシシラン等である。
【００５８】
本発明におけるポジ型感光性樹脂組成物には、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤等の添加剤を添加することができる。
本発明においてはこれらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。溶剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−３−メトキシプロピオネート等を単独でも混合して用いてもよい。
【００５９】
本発明に用いられるポジ型感光性樹脂組成物の使用方法は、まず該組成物を適当な支持体、例えば、シリコンウェハー、セラミック、アルミ基板等に塗布する。塗布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等がある。次に、６０〜１２０℃でプリベークして塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射する。化学線としては、Ｘ線、電子線、紫外線、可視光線等が使用できるが、２００〜５００ｎｍの波長のものが好ましい。次に照射部を現像液で溶解除去することによりレリーフパターンを得る。
【００６０】
現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第１アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の第２アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第３アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム塩等のアルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノールのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することができる。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が可能である。次に、現像によって形成したレリーフパターンをリンスする。リンス液としては、蒸留水を使用する。次に加熱処理を行い、オキサゾール環を形成し、耐熱性に富む最終パターンを得る。
【００６１】
本発明に用いられるポジ型感光性樹脂組成物は、半導体用途のみならず、多層回路の層間絶縁やフレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜等としても有用である。
【００６２】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
《実施例１》
＊ポリアミドの合成
ジフェニルエーテル−４、４’−ジカルボン酸１モルと１−ヒドロキシベンゾトリアゾール２モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体４９２．５重量部（１モル）とヘキサフルオロ−２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン３４７．９重量部（０．９５モル）とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた４つ口のセパラブルフラスコに入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン３０００重量部を加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて７５℃にて１２時間反応させた。
次に、反応混合物をろ過した後、反応混合物を水／メタノール＝３／１の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、一般式（１）で示され、Ｘが下記式Ｘ−１、Ｙが下記式Ｙ−１からなるポリアミドを得た。
【００６３】
【化２８】
2005026394.tif 000030
【００６４】
＊ポジ型感光性樹脂組成物の作製
合成したポリアミド１００重量部、下記式の構造を有するジアゾキノン（Ｂ−１）２５重量部、γーアミノプロピルトリエトキシシランと無水マレイン酸を反応させて得られた有機ケイ素酸化合物（Ｃ−１）を３重量部、γーアミノプロピルトリエトキシシランと４、４’−オキシジフタル酸無水物を反応させて得られた有機ケイ素化合物（Ｃ−２）を２重量部、フェノール化合物（Ｄ−１）１０重量部をγーブチロラクトン１５０重量部に溶解した後、０．２μｍのテフロン（Ｒ）フィルターで濾過し感光性樹脂組成物を得た。
【００６５】
【化２９】
2005026394.tif 000031
【００６６】
【化３０】
2005026394.tif 000032
【００６７】
【化３１】
2005026394.tif 000033
【００６８】
＊特性評価
このポジ型感光性樹脂組成物をパシベーション膜（チッ化ケイ素：７０００Å）付きのシリコンウエハーにスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて１２０℃で４分乾燥し、膜厚約７μｍの塗膜を得た。この塗膜にｇ線ステッパー露光機ＮＳＲ−１５０５Ｇ３Ａ（ニコン（株）製）によりレチクルを通して３２０ｍＪ／ｃｍ２で露光を行った。
【００６９】
次に２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に４０秒浸漬することによって露光部を溶解除去した後、純水で３０秒間リンスした。
このウエハーを３２０℃で３０分間硬化を行うことにより、最終硬化膜を作成する。その際の膜厚は約５μｍを得た。
【００７０】
ここで作成したウエハーを、エッチング装置ＯＰＭ−ＥＭ１０００（東京応化工業（株）製）を用いて、１０００Ｗで５分間の酸素プラズマによるドライエッチングを行った。その後に、同装置を用いて、ＣＦ４ガスおよび酸素ガスの混合ガスによるドライエッチング処理を８００Ｗで１０秒行った。その際の比率Ｒ（下記計算式）は８５％であった。
【００７１】
【数４】
2005026394.tif 000034
【００７２】
この処理後の膜厚を測定すると、５０Å未満と測定限界を下回る結果が得られ、下地も特に異常はなく良好な状態であった。また、レーザー表面検査装置ＬＳ−５０００（日立電子エンジニアリング（株）製）を用いて粒径が１μｍ以上のパーティクル数を計測した結果５０未満であった。
【００７３】
《実施例２》
実施例１における比率Ｒを５０％として、その他は実施例１と同様の評価を行った。
《実施例３》
実施例１における比率Ｒを９５％として、その他は実施例１と同様の評価を行った。
【００７４】
《実施例４》
実施例１における硬化温度を３５０℃として、その他は実施例１と同様の評価を行った。
《実施例５》
実施例１におけるＣＦ４ガスをＣＨＦ３ガスにしてその他は実施例１と同様の評価を行った。
【００７５】
《比較例１》
実施例１における酸素プラズマによるドライエッチング工程を省き、その他は実施例１と同様の評価を行った。
《比較例２》
実施例１におけるＣＦ４ガスをアルゴンガスにしてその他は実施例１と同様の評価を行った。
実施例１〜５、比較例１〜２の評価結果を表１に示す。
【００７６】
【表１】
2005026394.tif 000035
【００７７】
【発明の効果】
本発明によって、ポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜をウェット処理を用いることなくリワークすることが可能になった。