(57)【要約】【課題】電子、光子、イオン等の信号粒子Ｂを検出する信号粒子検出器１において、飛躍的な小型化が可能で、しかも配置位置や取付態様の自由度が格段に高いものを提供するとともに、その信号粒子検出器１を用いた小型化可能な電子線分析装置を提供する。【解決手段】ＰＮ接合構造又はＰＩＮ接合構造をなす半導体２１、２２で形成した検出器本体２を備え、前記検出器本体２に逆バイアス電圧をかけた状態で、その検出器本体２の表面に設定した検出面２ａから入射した信号粒子Ｂを電流として検出するようにしたものであって、前記検出器本体２を薄膜状のものとして可撓性を有するように構成し、湾曲する検出器保持面に沿わせて貼り付けられるようにした。【選択図】図１   
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＮ接合構造又はＰＩＮ接合構造をなす半導体で形成した検出器本体を備え、前記検出器本体に逆バイアス電圧をかけた状態で、その検出器本体の表面に設定した検出面から入射する信号粒子を電流として検出するようにしたものであって、
前記検出器本体を薄膜状のものとして可撓性を有するように構成し、湾曲する検出器保持面に沿わせて貼り付けられるようにしていることを特徴とする信号粒子検出器。
【請求項２】
前記検出器本体及びその検出器本体に接続した電極を貼り付けてなる所定の絶縁性及び可撓性を有した板状体を備え、その板状体を前記検出器保持面に沿わせて貼り付けられるように構成している請求項１記載の信号粒子検出器。
【請求項３】
前記信号粒子が、鏡筒を通過した一次粒子を試料に照射して生じる二次的なものであって、前記検出器保持面が、前記鏡筒の内周面に開口させた凹部の内面に設定されている請求項１又は２記載の信号粒子検出器。
【請求項４】
前記信号粒子が、鏡筒を通過した一次粒子を試料に照射して生じる二次的なものであり、前記検出器保持面が、前記鏡筒の外周面に設定されている請求項１又は２記載の信号粒子検出器。
【請求項５】
試料に照射すべき一次電子を通過させるための鏡筒と、前記鏡筒内周面に開口させた凹部内に配置した二次電子検出器と備えていることを特徴とする電子線分析装置。
【請求項６】
前記二次電子検出器が、ＰＮ接合構造又はＰＩＮ接合構造をなす半導体で形成した検出器本体を備え、前記検出器本体に逆バイアス電圧をかけた状態で、その検出器本体の表面に設定した検出面から入射する二次電子を電流として検出するようにしたものであって、
前記検出器本体を薄膜状のものとして可撓性を有するように構成し、その検出器本体を前記凹部の内面に沿わせて貼り付けていることを特徴とする請求項５記載の電子線分析装置。
【請求項７】
前記二次電子検出器が、前記検出器本体とその検出器本体に接続される電極とを貼り付けた所定の絶縁性及び可撓性を少なくとも有する板状体をさらに備え、その板状体を前記凹部の内面に沿わせて貼り付けている請求項６記載の電子線分析装置。
【請求項８】
試料に照射する一次電子を通過させるための鏡筒と、前記鏡筒の外周面に貼り付けた二次電子検出器とを備えていることを特徴とする電子線分析装置。
【請求項９】
前記二次電子検出器が、ＰＮ接合構造又はＰＩＮ接合構造をなす半導体で形成した検出器本体を備え、前記検出器本体に逆バイアス電圧をかけた状態で、その検出器本体の表面に設定した検出面から入射する二次電子を電流として検出するようにしたものであって、
前記検出器本体を薄膜状のものとして可撓性を有するように構成し、その検出器本体を前記外周面に沿わせて貼り付けていることを特徴とする請求項８記載の電子線分析装置。
【請求項１０】
前記二次電子検出器が、前記検出器本体とその検出器本体に接続される電極とを貼り付けた所定の絶縁性及び可撓性を少なくとも有する板状体をさらに備え、その板状体を前記外周面に沿わせて貼り付けている請求項９記載の電子線分析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二次電子や反射電子、或いは光子等の信号粒子を検出する信号粒子検出器、及びこれを用いて試料の顕微分析を行う電子顕微鏡等の電子線分析装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の電子線分析装置として、電子顕微鏡（ＳＥＭ）や電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）、オージェ電子分析装置（ＡＥＳ）、反射型高エネルギー電子線回折装置（ＲＨＥＥＤ）、低エネルギー電子線回折装置（ＬＥＥＤ）などが知られている。これらは、電子線分析装置から発生した電子線を数十V程度から数十kVの電圧で加速すると共に電磁レンズなどで細く絞って試料表面に照射し、このとき試料に含まれる元素に応じて発生した特性Ｘ線や反射電子、二次電子などを検出しデータ処理を施すことによって、試料に含まれる元素の種類や含まれる濃度、化合形態や結晶状態などさまざまな分析を行えるようにしたものである。
【０００３】
そして従来、これら二次電子や反射電子を検出するための検出器として、特許文献１の段落００１９等に示されているように、MCP(Micro Channel Plate)やシンチレータが主に用いられている。
【特許文献１】特開２００２−３１０９５９公報
【特許文献２】特開２００２−９３８７３公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、他の分析装置や半導体製造プロセス装置等の既存の装置に後付で前記電子顕微鏡等の電子線分析装置を組み込むといった用途を考えると、電子線分析装置そのものを小型化して汎用的に取り付けられるようにしておくことが好ましい。
【０００５】
しかしながら、前記MCPやシンチレータは比較的大型であってなおかつ構造上小型化に限界があり、しかも前記特許文献１、２に示されているように、試料の側方あるいは斜め側方に配置する必要があることから電子線分析装置を構成する電子銃や鏡筒と別体に設けざるを得ず、これらの点が電子線分析装置の小型化や取付利便性、或いは取付汎用性等の向上を図るうえでのボトルネックとなる。
【０００６】
そこで本発明は、上述した電子のみならず、光子、イオン等の信号粒子を検出する信号粒子検出器において、飛躍的な小型化が可能で、しかも配置位置や取付態様の自由度が格段に高いものを提供するとともに、その信号粒子検出器を用いた小型化可能な電子線分析装置を提供することをその主たる所期課題としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
すなわち本請求項１の発明に係る信号粒子検出器は、ＰＮ接合構造又はＰＩＮ接合構造をなす半導体で形成した検出器本体を備え、前記検出器本体に逆バイアス電圧をかけた状態で、その検出器本体に入射した信号粒子を電流として検出するようにしたものであって、前記検出器本体を薄膜状のものとして可撓性を有するように構成し、湾曲する検出器保持面に沿わせて貼り付けられるようにしていることを特徴とする。
【０００８】
検出器保持面が導電性や絶縁性のものであるか否かに拘わらず貼り付けることができるようにし、その取付自由度をさらに向上させるためには、前記検出器本体とその検出器本体に接続される電極とを貼り付けた所定の絶縁性及び可撓性を少なくとも有する板状体をさらに備え、その板状体を前記検出器保持面に沿わせて貼り付けられるように構成しているものが好ましい。
【０００９】
具体的な実施態様としては、前記信号粒子が、鏡筒を通過した一次粒子を試料に照射して生じる二次的なものであって、前記検出器保持面が、前記鏡筒の内周面に開口させた凹部の内面に設定されているものを挙げることができる。
【００１０】
また、前記検出器保持面が、前記鏡筒の外周面に設定されているものでも構わない。特にこのようなものであれば、既存の鏡筒に大きな改変を加えることなく、大面積の検出面を形成できるため、検出感度を無理なく向上させることができる。
【００１１】
一方、本請求項５の発明に係る電子線分析装置は、試料に照射すべき一次電子を通過させるための鏡筒と、前記鏡筒内周面に開口させた凹部内に配置した二次電子検出器と備えていることを特徴とする。
【００１２】
また、本請求項８の発明に係る電子線分析装置は、試料に照射する一次電子を通過させるための鏡筒と、前記鏡筒の外周面に貼り付けた二次電子検出器とを備えていることを特徴とする。
【００１３】
鏡筒に取り付けても突出したり他の部品と干渉したりすることのない二次電子検出器の具体的態様としては、前記二次電子検出器が、ＰＮ接合構造又はＰＩＮ接合構造をなす半導体で形成した検出器本体を備え、前記検出器本体に逆バイアス電圧をかけた状態で、その検出器本体の表面に設定した検出面から入射した二次電子を電流として検出するようにしたものであって、前記検出器本体を薄膜状のものとして可撓性を有するように構成し、前記凹部の内面又は鏡筒の外周面に沿わせて貼り付けているものを挙げることができる。
【００１４】
鏡筒への取付利便性を向上させるためには、前記二次電子検出器が、前記検出器本体とその検出器本体に接続される電極とを貼り付けた所定の絶縁性及び可撓性を少なくとも有する板状体をさらに備え、その板状体を前記凹部の内面又は鏡筒の外周面に沿わせて貼り付けているものであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
このように、本発明に係る信号粒子検出器であれば、検出器本体が半導体で形成してあるため、フォトリソグラフィ等の製造方法を用いることにより、大幅な小型化が可能である。また検出器本体が可撓性を有し湾曲面に沿って貼付可能であるため、配置位置や取付態様の自由度が格段に高いという効果を得ることができる。したがってこれらのことから空間の有効活用が可能となり、この信号粒子検出器を利用することによって、例えば電子顕微鏡のような電子線分析装置等を大幅に小型化するといったことが可能となる。
【００１６】
また、本発明に係る電子線分析装置によれば、二次電子検出器と鏡筒とが一体的構造となって小型化が可能であるため、他の分析装置や半導体製造プロセス装置等の既存の装置に後付でしかも汎用的に取り付けることができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各実施形態において対応する部材には同一の符号を付している。
【００１８】
＜第１実施形態＞
【００１９】
本実施形態に係る信号粒子検出器１は、図１、図２に示すように、ＰＮ接合構造をなす半導体２１、２２で形成した検出器本体２と、この検出器本体２に接続した正負電極３１、３２と、筒状をなす基体４とを備えており、前記検出器本体２に逆バイアス電圧をかけた状態で、その検出器本体２の表面に設定した検出面２ａから入射した電子、光子等の信号粒子Ｂを電流として検出するようにしたものである。
【００２０】
検出器本体２は、例えば表面側にＰ型半導体２１、裏面側にＮ型半導体２２をそれぞれ層状に形成した薄い膜状のもので、可撓性を有して自在に曲げることができるようにしてある。そしてＰ型半導体層（以下Ｐ層２１という）の表面周縁部に密着させて薄い金属層（例えばＡｕ層やＡｌ層）である一方の電導材２３を形成し、Ｎ型半導体層（以下Ｎ層２２という）の裏面を、やはり薄い金属層（Ａｕ層やＡｌ層）である他方の電導材２４を介して、前記基体４の外周面（検出器保持面）４ａに貼り付けている。
【００２１】
正負各電極３１、３２は薄い膜状をなすもので、前記検出器本体２同様に可撓性を有し、前記基体４の外周面４ａに貼り付けてある。一方の電極３１は、前記一方の電導材２３にワイヤＴを介して接続してあり、他方の電極３２は、前記他方の電導材２４から一体に延出させてある。さらに、前記基体４の外周面４ａには導電性を有する外部配線接続用の複数のピンＰがろうづけ等により接着してあって、そのピンＰに前記各電極３１、３２が接続してある。
【００２２】
なお前記基体４は、セラミック等の絶縁性を有した素材で形成してあり、この実施形態では、複数（例えば４つ）の独立した検出器本体２を、前記基体４の外周面に略等間隔で取り付けている。
【００２３】
そして、このような信号粒子検出器１を貼り付けた基体４は、例えば試料Ｗに照射すべき一次粒子を通過させるための鏡筒（この実施形態では図示していない）の先端部に取り付けることができるようにしてある。
【００２４】
次に、この信号粒子検出器１による信号粒子Ｂの検出にかかるプロセスを簡単に述べる。まず、検出器本体２に逆バイアス電圧を印加する。このことにより、Ｐ層２１とＮ層２２との境界部分に空乏層が形成される。例えば不純物濃度１０１３／ｃｍ３の基板で１Ｖのバイアスをかければ空乏層は６〜８μｍ広がる。
【００２５】
この状態で信号粒子Ｂが検出面２ａに照射されると、その信号粒子ＢはＰ層２１を通過して前記空乏層に到達し、そのエネルギで電子・正孔対を形成する。この電子・正孔対は、空乏層内の電界によりそれぞれ両側のＰ層２１、Ｎ層２２に分離し、再結合による損失なく正負電極３１、３２から電流として取り出される。そしてこの取り出された電流値で、この信号粒子検出器１に入射した信号粒子Ｂを検出することができる。
【００２６】
＜第２実施形態＞
【００２７】
この実施形態に係る信号粒子検出器１は、図３〜図５に示すように、ＰＮ接合構造をなす半導体２１、２２で形成した検出器本体２と、この検出器本体２に接続した正負電極３１、３２と、筒状をなす基体４とを備えており、前記検出器本体２に逆バイアス電圧をかけた状態で、その検出器本体２の表面に設定した検出面２ａから入射した電子、光子等の信号粒子Ｂを電流として検出するようにしたものである。
【００２８】
しかしてこの実施形態の信号粒子検出器１は、前記構成に加え、前記検出器本体２や電極３１、３２を貼り付けてなる可撓性を有する薄い矩形板状体５を備えている。
【００２９】
この板状体５は、絶縁性を有し、金属、セラミック等種々の素材に対する接着性が良好な、例えばポリイミド等の樹脂で形成されている。そしてその表面に複数（４つ）の独立した検出器本体２を、他方の電導材２４である薄い金属層（Ａｕ層やＡｌ層）を介してそれぞれ貼り付けている。また、この表面には薄い膜状をなす可撓性を有した正負各電極３１、３２を貼り付けてあり、第１実施形態同様、一方の電極３１、３２を、Ｐ層２１の表面周縁部に密着させた一方の電導材２３にワイヤＴを介して接続し、他方の電極３１、３２を、前記他方の電導材２４から一体に延出させてある。
【００３０】
そして前記検出器本体２等を貼り付けたこの板状体５を、検出器保持面である前記基体４の外周面４ａに巻き付けるようにして取り付けている。なお、板状体５の所要箇所には貫通孔Ｈが設けてあり、その貫通孔Ｈに前記ピンＰを挿通させてピンＰと電極３１、３２とを接続するようにしている。
【００３１】
＜第３実施形態＞
【００３２】
本実施形態にかかる電子線分析装置である電子顕微鏡１００（ＳＥＭ）は、図６〜図９に示すように、分析対象である試料Ｗに照射すべき一次電子Ｂ１を発生する図示しない電子銃と、その一次電子Ｂ１を通過させるための鏡筒６と、試料Ｗから発生する二次電子Ｂを検出する信号粒子検出器１である二次電子検出器１と、この二次電子検出器１からの信号を受信して画像化処理等を行う図示しない情報処理装置とを備えている。
【００３３】
この二次電子検出器１は、ＰＮ接合構造をなす半導体で形成した検出器本体２と、この検出器本体２に接続した正負電極３１、３２と、前記検出器本体２や電極３１、３２を貼り付けた可撓性を有する薄い板状体５とを備えている。これら検出器本体２、電極３１、３２、板状体５の機能構成は、第２実施形態のものと同様であるので詳細な説明は省略する。
【００３４】
しかしてこの実施形態では、鏡筒６の内周面に、凹部である、周回する溝７が設けてある。この溝７は、前記鏡筒６を先端要素６１、基端要素６２及びそれらに挟み込まれて配置される中間要素６３に分割可能なものとし、前記中間要素６３の内径を、前記先端要素６１及び基端要素６２の内径より大きくすることにより形成したものであるが、もちろん、前記溝７を予め形成した一体品の鏡筒６であっても構わない。
【００３５】
そしてその溝７の底面７１及び側面７２に、前記二次電子検出器１を沿わせて貼り付けるようにしている。溝底面７１に取り付けられる二次電子検出器１は、その板状体５が、前記溝７と略同一幅の帯状をなすものであり、その表面に４つの独立した検出器本体２が一列に並び設けてあるものであって、この板状体５を湾曲させ、その裏面を前記溝底面７１に沿わせて貼り付けてある。この板状体５には、電極３１、３２に接続されたピンＰが予め取り付けてあり、そのピンＰを鏡筒６の厚み方向に貫通させたピン貫通孔（図示しない）を挿通させて外部に露出させている。一方、前記溝７の各側面７２に取り付けられる二次電子検出器１は、板状体５がリング状をなすものであり、その表面に４つの独立した検出器本体２を放射状に並び設けてある。そして、各検出器本体２の位相が前記溝底面７１に取り付けた各検出器本体２の位相と合致するように、溝側面７２に板状体５の裏面を貼り付けてある。なお、鏡筒６における検出器保持部分が絶縁性を有するものであれば、これら二次電子検出器１において板状体５は必ずしも必要ではない。
【００３６】
次にこれらの二次電子検出器１による二次電子Ｂの検出プロセスを簡単に述べる。
【００３７】
まず、各検出器本体２に逆バイアス電圧を印加するとともに、検出面２ａの電位を試料Ｗの電位に比べて高く設定しておく。この状態で一次電子Ｂ１を前記鏡筒６を通過させて試料Ｗに照射すると、二次電子Ｂや反射電子等が放出されるが、このうち二次電子Ｂは、図６に示すように、検出面２ａと試料Ｗとの間の電位差で湾曲し、溝７の内部に進入して二次電子検出器１に入射する。なお、前記反射電子は大きなエネルギを有し、前記電位差の影響をほとんど受けないで直進するため、溝７の内部にほとんど進入することがなく、前記二次電子検出器１では、二次電子Ｂのみが選択的に検出される。
【００３８】
このようにして検出面２ａに入射し、空乏層に到達した二次電子Ｂのエネルギーによって、その空乏層に電子・正孔対が形成されると、その空乏層での電界により電子、正孔はそれぞれ両側のＰ層２１、Ｎ層２２に分離し、再結合による損失なく電極３１、３２から信号電流として取り出される。そして情報処理装置で、その信号電流の値と一次電子Ｂ１の試料Ｗへの照射位置とを関係付けるなどの処理が施され、試料Ｗの表面形状等が映像化される。
【００３９】
＜第４実施形態＞
【００４０】
本実施形態にかかる電子線分析装置である電子顕微鏡１００（ＳＥＭ）は、電子銃分析対象である試料Ｗに照射すべき一次電子Ｂ１を発生する図示しない電子銃と、その一次電子Ｂ１を通過させるための鏡筒６と、試料Ｗから発生する二次電子Ｂを検出する信号粒子検出器１である二次電子検出器１と、二次電子検出器１からの信号を受信して画像化処理等を行う図示しない情報処理装置等を備えている。
【００４１】
この二次電子検出器１は、図３に示す第２実施形態のものと同様の、ＰＮ接合構造をなす半導体で形成した検出器本体２と、この検出器本体２に接続した正負電極３１、３２と、前記検出器本体２や電極３１、３２を貼り付けた可撓性を有する薄い矩形板状体５とを備えている。
【００４２】
しかしてこの実施形態では、図１０に示すように、前記二次電子検出器１を、その検出面２ａが外側を向くように、検出器保持面である鏡筒６の外周面６ａに沿って巻き付けてある。
【００４３】
次にこの二次電子検出器１による二次電子Ｂ検出のプロセスを簡単に述べる。
【００４４】
第３実施形態同様、検出器本体２に逆バイアス電圧を印加するとともに、検出面２ａの電位を試料Ｗの電位に比べて高く設定しておく。この状態で一次電子Ｂ１を前記鏡筒６を通過させて試料Ｗに照射すると、二次電子Ｂや反射電子が放出されるが、このうち二次電子Ｂは、図１０に示すように、検出面２ａと試料Ｗとの間の電位差によって、鏡筒６の外周面６ａに向かって湾曲して進行し、二次電子検出器１に入射する。一方、前記反射電子は大きなエネルギを有し、前記電位差の影響をほとんど受けないで直進するため、鏡筒６の外周面６ａにほとんど向かうことがなく、前記二次電子検出器１では、二次電子Ｂのみが選択的に検出される。
【００４５】
このようにして検出面２ａに入射し、空乏層に到達した二次電子Ｂのエネルギーによって、その空乏層に電子・正孔対が形成されると、その空乏層での電界により電子、正孔はそれぞれ両側のＰ層２１、Ｎ層２２に分離し、再結合による損失なく電極３１、３２から信号電流として取り出される。そして情報処理装置で、その信号電流の値と一次電子Ｂ１の試料Ｗへの照射位置とを関係付けるなどの処理が施され、試料Ｗの表面形状等が映像化される。
【００４６】
＜その他の実施形態＞
【００４７】
本発明は前記各実施形態に限られるものではない。
【００４８】
例えば、前記信号粒子検出器を、反射電子や或いは電子以外の光子等の他の信号粒子の強度を検出するために用いることも可能である。またその取付場所は、貼付可能な部位であればどこでも構わない。
【００４９】
さらに、検出器本体は、ＰＮ接合構造の半導体からなるもののみならず、ＰＩＮ接合構造をなすものでも構わない。もちろん、前記各実施形態と逆に、Ｎ層を検出面側に設定してもよい。
【００５０】
また、前記各実施形態では、検出面周縁部に電流取出のための電導材を設けているが、この電導材２３を、図１１に示すように、検出面２ａに亘って広がる網目状や櫛歯状をなすものとしてもよい。このようにすれば、さらに効率的に信号粒子を電流として検出できる。
【００５１】
加えて、その電導材の代わりに、図１２に示すように、より不純物濃度を高くし、なおかつ厚みを大きくして抵抗を下げた高濃度不純物半導体２３’（例えばＰ＋＋）を用いてもよい。この場合の高濃度とは、不純物が１ｘ１０１９／ｃｍ３以上３ｘ１０２０／ｃｍ３程度のものをいい、なかでも１ｘ１０２０／ｃｍ３程度のものがより好ましい。
【００５２】
また、図１３、図１４に示すように、検出器本体２を構成する各半導体２１’、２２を、検出面２ａに交互に露出させるとともに、隣り合う一方の半導体である例えばＰ層２１’間の離間距離を、印加される逆バイアス電圧に応じて適宣設定することにより、他方の半導体であるＮ層２２の表面露出部分全てに亘って空乏層ＤＲ（図中ハッチ部分である）が形成されるように構成してもよい。例えば不純物濃度１０１３／ｃｍ３の基板で１Ｖのバイアスをかければ空乏層ＤＲは６〜８μｍ広がる。このとき、同図に示すように、Ｐ層２１’の端部表層部分にも空乏層ＤＲが形成されるため、検出面２ａ側のほとんど全ての表層領域に空乏層ＤＲが形成されることとなる。このようにすれば、空乏層ＤＲに直接信号粒子Ｂが入射することとなるため、非常に効率よく信号粒子Ｂを電流に変換でき、感度の高い信号粒子検出器１を構成できる。
【００５３】
なお、この図では、一方の半導体２１’を不純物を高濃度に含むものとして電導材としての役割をも担わせるようにしてある。もちろん、通常の濃度の不純物半導体を用い、その表面に金属等の電導材を密着させても構わない。
【００５４】
加えて、検出器本体と電極との間などの接続には、ワイヤボンディングのみならず、いわゆるフリップチップボンディングと称される方法を用いても構わない。フリップチップボンディングによればバンプを介して検出器本体と電極とを直接的に接続することができるため、超薄型化が可能となり、本発明に適用して特に好適である。
【００５５】
その他本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第１実施形態における信号粒子検出器の斜視全体図。
【図２】同実施形態における信号粒子検出器の内部構造を示す部分断面図。
【図３】本発明の第２実施形態における信号粒子検出器の板状体を示す平面図。
【図４】同実施形態における信号粒子検出器の内部構造を示す部分断面図。
【図５】同実施形態における信号粒子検出器の組立方法を示す簡略化した斜視図。
【図６】本発明の第３実施形態における電子顕微鏡の内部構造を示す部分端面図。
【図７】同実施形態における一方の信号粒子検出器を鏡筒に取り付けた状態を示す取付図。
【図８】同実施形態における他方の信号粒子検出器の取付前の状態を示す平面図。
【図９】同実施形態における他方の信号粒子検出器の取付前の状態を示す正面図。
【図１０】本発明の第４実施形態における電子顕微鏡の内部構造を示す部分端面図。
【図１１】本発明の他の実施形態における信号粒子検出器の部分平面図。
【図１２】本発明のさらに他の実施形態における信号粒子検出器の内部構造を示す部分断面図。
【図１３】本発明のさらに他の実施形態における信号粒子検出器の内部構造を示す部分断面図。
【図１４】同実施形態における信号粒子検出器の部分平面図。
【符号の説明】
【００５７】
１００…電子線分析装置（電子顕微鏡）
１…信号粒子Ｂ検出器（二次電子検出器）
２…検出器本体
２１…半導体（Ｐ層）
２２…半導体（Ｎ層）
２ａ…検出面
３１、３２…電極
４ａ…検出器保持面
５…板状体
６…鏡筒
６ａ…検出器保持面（鏡筒外周面）
７…凹部（溝）
７１…検出器保持面（溝底面）
７２…検出器保持面（溝側面）
Ｂ…信号粒子（二次電子）
Ｂ１…一次粒子（一次電子）
Ｗ…試料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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