(57)【要約】【構成】Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２とＰ型ＭＯＳトランジスタ７とのゲート同士を接続して入力電圧を印加する信号線１２とし、ドレイン同士とを接続して出力端子に接続する信号線１３とし、バルク同士を接続して基準電位とする信号線１５とする。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２の第１のソース３およびＰ型ＭＯＳトランジスタ７の第２のソース８はオープンとする。このような構成により、光を受光すると発電するインバーター１４を得ることができる。このインバーター１４を奇数段接続したリングインバーター発振器２１で光センサー１を構成する。【効果】  インバーター１４毎にあるＭＯＳトランジスタのソースで、光を受光して発電し、これを駆動源としているため、従来技術と違い電源が不必要で、また、太陽電池のような他の部品は必要なく、本半導体装置のみで発振波形を得ることができる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタとＰ型ＭＯＳトランジスタとのドレイン同士を接続して出力とし、バルク同士を接続して基準電位とする信号線とし、ゲート同士を接続して入力電圧を印加する信号線とし、前記Ｎ型ＭＯＳトランジスタと前記Ｐ型ＭＯＳトランジスタとのソースは光を受光し発電する領域としたインバーターを奇数段接続し、リングインバーター構造とすることを特徴とする光センサー。
【請求項２】
前記Ｎ型ＭＯＳトランジスタと前記Ｐ型ＭＯＳトランジスタとの前記ドレインのＰＮ接合より、前記ソースのＰＮ接合のＰ型もしくはＮ型の不純物濃度を薄くしたことを特徴とする請求項１に記載の光センサー。
【請求項３】
前記Ｎ型ＭＯＳトランジスタと前記Ｐ型ＭＯＳトランジスタとの前記ソースのＰＮ接合の面積が、前記ドレインの面積より大きいことを特徴とする請求項１または２のいずれか１つに記載の光センサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光を受光し、その光によって、電気的な発振を制御する光センサーに関する。
【背景技術】
【０００２】
光センサーとしてフォトコンダクタを用いる技術が知られている。フォトコンダクタとは、光の照射によって、電気伝導が増加する抵抗素子である。フォトコンダクタを使用して、発振回路を構成したものも広く知られている。
トランジスタ回路の一部にフォトコンダクタを挿入し、フォトコンダクタの抵抗値によって発振、もしくは、発振を停止するようにしている（例えば、特許文献１）。また、増幅器の負帰還ループ部にフォトコンダクタを使い、抵抗値が変化する特性を使って電気的な発振を制御するようにしている（例えば、特許文献２）。
しかし、これらの技術は、回路を駆動するための電源が必要であり、電流を消費することになる。
【０００３】
電源を必要としない技術として、太陽電池を利用する方法も知られている。図９は、リングインバーター発振器２１の電源に、太陽電池２７を使用した例を模式的に示した回路図である。図９を用いて説明する。
太陽電池２７は、光による発電（以下、光発電と称する）によりＶＤＤ電位を発生する。ＶＳＳ電位は接地電位とすることにより、リングインバーター発振器２１は、ＶＤＤ電位とＶＳＳ電位とを供給されて動作する。
太陽電池２７が光発電しているときは、リングインバーター発振器２１が動作し発振を行い、光発電していないときは、発振が止まる。
この技術によれば、太陽電池による発電のみで発振器を駆動するため、別途電源を用いる必要がないという利点がある。
【０００４】
【特許文献１】特公昭３９−１８２９１号公報（第１−２頁、第１図）
【特許文献２】実公昭５０−６８１号公報（第１−３頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
フォトコンダクタなどの素子を使用した回路では、光による抵抗値の変化を利用した回路を構成するので必然的に電源供給が必要であり、電流を消費するという問題がある。光センサーの素子が消費する電流は、少なければ少ないほどよい。搭載する電池などの電源要素の小型化に貢献できるからである。
一方、太陽電池を使用した回路では、電池などの電源要素が必要ないことから、電池切れなどが起きず、長期に渡り使用することができるという利点があるものの、回路の駆動に必要な電力をまかなうための太陽電池は比較的大きなものが必要であることから、部品が占有する面積が大きくなってしまい、光センサーの小型化が困難であるという問題もある。したがって、従来技術では、小型で省スペースな光センサーは実現できなかった。
【０００６】
本発明の目的は、上記課題を解決して、電源供給による消費する電流を無くし、回路を構成する素子のみで動作する光センサーを提供する事である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明の光センサーは、下記記載の構成を採用する。
【０００８】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタとＰ型ＭＯＳトランジスタとのドレイン同士を接続して出力とし、バルク同士を接続して基準電位とする信号線とし、ゲート同士を接続して入力電圧を印加する信号線とし、Ｎ型ＭＯＳトランジスタとＰ型ＭＯＳトランジスタとのソースは光を受光し発電する領域としたインバーターを奇数段接続し、リングインバーター構造とすることを特徴とする。
【０００９】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタとＰ型ＭＯＳトランジスタとのドレインのＰＮ接合より、ソースのＰＮ接合のＰ型もしくはＮ型の不純物濃度を薄くしたことを特徴とする。
【００１０】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタとＰ型ＭＯＳトランジスタとのソースのＰＮ接合の面積が、ドレインの面積より大きいことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の光センサーを構成するインバーターは、Ｎ型ＭＯＳトランジスタの第１のソースとＰ型ＭＯＳトランジスタの第２のソースとで光発電し、入力電圧を印加する信号線の電圧によって、第１のソース、もしくは、第２のソースで発電した電圧を、出力端子に接続する信号線へ導くことができる。
このインバーターでリングインバーター発振器を構成する光センサーは、インバーター毎にあるＭＯＳトランジスタのソースで光発電しこれを駆動源としていることから、光センサーを駆動するための電源が必要ない。また、太陽電池のような部品も必要ではないことから、省面積で低コストの光センサーを実現することができるという従来にはない優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図１から図６を用いて、本発明の実施の形態における光センサーを説明する。図１は、本発明における光センサーに使用したインバーターを示す半導体装置を模式的に示した断面図である。図２は、本発明における光センサーに使用するインバーターの電気的出力特性である。図３は、光センサーのインバーターに使用したＭＯＳトランジスタの電気的特性を示す図である。図４、図５は、ＭＯＳトランジスタのソース部分のＰＮ接合部の不純物濃度を示す分布図である。図６は、光センサーである。図７は、光センサーの照度に対する周波数を示した特性図である。図８は、光センサーのインバーターの照度に対する出力電圧を示した特性図である。
【００１３】
まず、本発明の光センサーを構成するインバーター１４について図１を用いて説明する。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２は、第１のゲート４とＮ型半導体の第１のドレイン５とＮ型半導体の第１のソース３とＰ型半導体の第１のバルク６とＰ型半導体の第１の高濃度バルク６Ａとにより構成している。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ７は、第２のゲート９とＰ型半導体の第２のドレイン１０とＰ型半導体の第２のソース８とＮ型半導体の第２のバルク１１とＮ型半導体の第２の高濃度バルク１１Ａとにより構成している。
第１のゲート４と第２のゲート９とは、入力電圧を印加する信号線１２に接続している。第１のドレイン５と第２のドレイン１０とは、出力端子に接続する信号線１３に接続している。第1のバルク６と第２のバルク１１とは、第１のバルク６と第２のバルク１１とにそれぞれ形成した、第1の高濃度バルク６Ａと第２の高濃度バルク１１Ａとを介して基準電位とする信号線１５に接続している。第１のソース３と第２のソース８とは、オープンにする。図１に示した光センサーでは、第１のソース３と第２のソース８とにより多くの光を受ける構造としている。
【００１４】
光２２を当てた場合のこのインバーター１４の動作について説明する。光２２が照射されると、光起電力効果によりインバーター１４のそれぞれのＰＮ接合で光発電される。
ＰＮ接合は、図１に示すインバーター１４では５つあるのでそれぞれについて光発電し
た様子を説明する。まず、Ｐ型半導体の第１のバルク６とＮ型半導体の第２のバルク１１とのＰＮ接合であるが、ここは同電位である。すなわち、第１のバルク６とＮ型半導体の第２のバルク１１とは、第１の高濃度バルク６Ａと第２の高濃度バルク１１Ａとを介して基準電位とする信号線１５で接続しているためである。
電位差が生じるのは、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２とＰ型ＭＯＳトランジスタ７とのソース／バルク間、ドレイン／バルク間の計４つのＰＮ接合である。
しかしながら、ドレインは、例えば、半導体装置上で金属膜で遮光したり、また、ソースの面積よりドレインの面積をできるだけ小さくするなどの構成とすることにより、ソースに対してドレインでの発電をできるだけ抑えるようにしておく。理由は後述する。
【００１５】
次に、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２のソース／バルク間での発電について説明する。Ｎ型の第１のソース３とＰ型の第１のバルク６とのＰＮ接合では、光起電力効果により、第１のソース３の電位が第１のバルク６の電位より低く発電される。よって、第１のバルク６に第1の高濃度バルク６Ａを介して基準電位とする信号線１５から０Ｖを供給した場合、第１のソース３の発電電圧は負電圧になる。
また、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ７のソース／バルク間での発電について説明する。Ｐ型の第２のソース８とＮ型の第２のバルク１１とのＰＮ接合での発電は、導電型が異なるＮ型ＭＯＳトランジスタ２の場合と逆になるので、基準電位とする信号線１５を０Ｖとした場合、第２のソース８の発電電圧は正電圧になる。
【００１６】
次に、図１と図２とを用いて本発明の光センサーを構成するインバーター１４の電気特性を説明する。図２は、入力電圧を印加する信号線１２に電圧を入力することにより、出力端子に接続する信号線１３の電圧の変化を示した図である。横軸はインバーター１４の入力電圧を示し縦軸は出力電圧を示している。
【００１７】
まず、入力電圧を印加する信号線１２に負電圧を入力していくと、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２はＯＦＦしＰ型ＭＯＳトランジスタ７はＯＮするので、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ７の第２のソース８で発電した正電圧が出力端子に接続する信号線１３へ導かれる。つまり、入力電圧を印加する信号線１２を負電圧方向に入力していくと、出力端子に接続する信号線１３に出力される出力電圧１７は正電圧になる。
このとき、入力電圧を印加する信号線１２に入力する電圧をＮ型ＭＯＳトランジスタ２がＯＦＦする電圧まで十分に下げないと、第２のソース８で発電した正電位が十分に出力されない。すなわち、第１のソース３で発電した電圧と第２のソース８で発電した電圧とがぶつかり、相互の発電電圧との引き合いで出力端子に接続する信号線１３の電圧が決ることになるからである。
【００１８】
また逆に、入力電圧を印加する信号線１２に正電圧を入力していくと、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２がＯＮしＰ型ＭＯＳトランジスタ７がＯＦＦするので、第２のソース３で発電した負電圧が出力端子に接続する信号線１３へ導かれる。
よって、第1のバルク６と第２のバルク１１とを、第1の高濃度バルク６Ａと第２の高濃度バルク１１Ａとを介して基準電位とする信号線１５から０Ｖを供給した場合、入力電圧を印加する信号線１２に正から負の電圧を加えることで、出力端子に接続する信号線１３には、逆の負から正の電圧が出力される。すなわち、入力信号に対して出力信号が反転するインバーター動作が可能になる。
【００１９】
図２に示した電気特性は、以下に示すデバイスサイズのインバーターを使用した。すなわち、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２のＷ（チャネル幅）／Ｌ（チャネル長）＝３μｍ／１μｍで、第１のソース３の面積は３０６μｍ２、第１のドレイン５の面積は９μｍ２ で、Ｖｔｈ（しきい値）は０．４６Ｖである。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ７のＷ／Ｌ＝３μｍ／１μｍで、第２のソース８の面積は３０６μｍ２、第２のドレイン１０の面積は９μｍ２
で、Ｖｔｈは、−０．４８Ｖである。ゲート酸化膜厚は８ｎｍ程度のデバイスを使用した。
【００２０】
本発明の光センサーを構成するインバーター１４は、バンドギャップが１ｅＶ強の単結晶シリコン上に形成している。ところが、よく知られているように、ＰＮ接合に生ずる内部電位は、この値より小さくなり、内部電位より大きな発電の起電力は得られない。
単結晶シリコンを用いた太陽電池の場合でも、太陽光でＡＭ１（１０００Ｗ／ｍ２）程度の光の強度でも、開放電圧は０．５〜０．６Ｖ程度しか得られない。このため、上述のソースで発電された電圧は、バンドギャップの値より小さくなっている。また、ドレインでの発電が無視できるように、上述したトランジスタサイズのように、ドレインの面積に対してソースの面積を大きくするなどして、ドレインの影響を小さくするように工夫している。このドレインでの発電が無視できない場合は、ソースで発電された電圧がドレインに導かれると、出力端子に接続する信号線１３に接続している他方のトランジスタのドレインで発電された電圧とも引き合いになってしまうので、出力する電圧が、ソースの出力電圧の絶対値より低くなってしまう。出力する電圧を大きくするためには、ドレインでの発電はソースに対して極力無視できるレベルに抑えることが望ましい。
【００２１】
図を用いて詳しく説明する。図３は、ソースの面積の大きさに対して、単体のＰ型ＭＯＳトランジスタ７がＯＮする時の電流がどの程度変化するかを示したものである。横軸はゲート電圧を示し縦軸はドレイン電流を示している。
ＭＯＳトランジスタのドレイン電圧およびバルク電圧は０Ｖとした。オープンにしてあるソースの面積を２種類比較した。小面積のソース電流の電気特性１８は、小面積のソースの特性であり、そのソースの面積は１０６μｍ２である。大面積のソース電流の電気特性１９は、大面積のソースの特性であり、そのソースの面積は３０６μｍ２ である。ドレインの面積、Ｗ／Ｌはともに共通で、それぞれ９μｍ２、３μｍ／１μｍの寸法のものを使用しており、ドレインは膜厚８００ｎｍのアルミ配線でＰＮ接合を遮光するように覆い、ドレインでの発電を抑えている。
Ｖｔｈは、−０．４８Ｖ程度であり、ゲート酸化膜厚は８ｎｍ程度のデバイスを使用した。また、３０００Ｋの黒体輻射のスペクトルを持つ光源を使用し、１００００ｌｘ（ルクス）の照度の光を使用した。
【００２２】
図３に示すように、ゲート電圧が＋０．５Ｖ以上のときはＯＦＦし、ゲート電圧を下げるとＯＮし、電流が流れる。小面積のソース電流の電気特性１８と大面積のソース電流の電気特性１９とは、ＯＦＦ時の電流は−２０ｐＡ程度であったが、ＯＮすると小面積のソース電流の電気特性１８は、−６００ｐＡを示し、大面積のソース電流の電気特性１９は、−１．７４ｎＡを示し、ＯＮする時に大きな電流を得られることを示している。
【００２３】
上述のように、ドレインの面積に対して、ソースの面積を大きくしたり、ドレイン部分を遮光したりする方法以外に、発電を行うソース部分のＰＮ接合部の発電効率上げる方法がある。
これは、ドレインとソースとのＰＮ接合を同じ構造のＰＮ接合とするのではなく、ソースのＰＮ接合だけ、空乏層の厚さ、濃度などを最適化することで可能になる。
【００２４】
例えば、光起電力効果によって、発生した電子とホールとの再結合を抑えるには、電子とホールとを内部電界によって分離しやすいようにすれば良く、そのためには、空乏層を広げる、つまり、ＰＮ接合部分の不純物濃度を薄くすれば良い。
このＰＮ接合を作成するには、知られている技術を用いることができる。例えば、ＭＯＳトランジスタの高耐圧構造などに見られるように、ソースとドレインとの不純物濃度より、低濃度にした拡散層を設けたＰＮ接合を形成するなどである。高濃度のソースとドレインとを形成する前に、不純物をイオン注入し熱拡散によって半導体基板内に不純物を拡
散し、薄い不純物濃度の拡散層を形成しておき、その後、それより浅い不純物拡散の深さに高濃度ソースドレインを形成する。また、バルクの不純物濃度を薄くすることによっても空乏層は広げることができる。これらの方法を用いることにより、発電効率を高めることができる。
【００２５】
図４と図５とは、本発明の光センサーを構成するインバーター１４に用いるＭＯＳトランジスタのＰＮ接合の不純物濃度分布図である。図４と図５との横軸は半導体表面からの深さを示し縦軸は不純物濃度を示している。この図から、ＰＮ接合部分の状態を知ることができる。
インバーター１４を構成するＭＯＳトランジスタの構造において、図４は、高濃度のＰＮ接合の不純物濃度を深さ方向に示した図であり、図５は、低濃度のＰＮ接合の不純物濃度を深さ方向に示した図である。
図４と図５とで４本の曲線を示した。これらはそれぞれ、ホウ素濃度２３とリン濃度２４とヒ素濃度２５とＮ型不純物濃度からＰ型不純物濃度を差し引いた値の絶対値を示した差引濃度２６とを示している。
【００２６】
高濃度のＰＮ接合は、図４に示すように、Ｐ型の不純物であるホウ素濃度２３は、１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度の不純物濃度で深さ方向にほぼ一定の分布をしており、また、Ｎ型の不純物であるヒ素濃度２５は、表面濃度が１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上の高濃度の不純物濃度である。Ｎ型不純物濃度とＰ型不純物濃度が同じ濃度（図では、差引濃度２６が、最低値を示す）の深さに、ＰＮ接合が形成され、０．２μｍ程度の深さにある。この高濃度のＰＮ接合の場合は、表面のＮ型の不純物濃度が、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ3付近から、ＰＮ接合で急激に落ち込んでいる濃度分布になっている。
これに対して、低濃度のＰＮ接合は、図５に示すように、高濃度のＰＮ接合と異なる濃度分布で形成してある。つまり、高濃度のＰＮ接合の場合は、表面の不純物濃度が、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 付近から急激に落ち込むのに対して、低濃度のＰＮ接合の場合は、不純物濃度が、１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度から、ＰＮ接合に向かって、緩やかな傾斜をもつ分布になり、また、Ｐ型の不純物であるホウ素は、高濃度のＰＮ接合の場合より濃度が薄い、１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度に形成していて、ＰＮ接合近傍の濃度が、Ｐ型、Ｎ型の両方とも薄い不純物濃度に形成してある。
【００２７】
この２種類のＰＮ接合のＰ側とＮ側との端子を接続して、光起電力効果による電流を測定したところ、ダイオードの面積が約４００μｍ2 で、高濃度のＰＮ接合の場合は、５２０ｐＡの発電が得られたとき、低濃度の接合の場合は、１７ｎＡであった。
すなわち、発電効率を上げることができた。よって、これをＭＯＳトランジスタのソースにだけ用いることで、ドレインでの発電に対してソースの発電量を大きくすることができる。
【００２８】
次に、図１に示す本発明の光センサーを構成するインバーター１４を用いてリングインバーター発振器を構成した場合について説明する。
図６はインバーター１４を３９段接続し、リングインバーター発振器とした光センサー１を示す回路図である。図６に示すように、本発明の光センサー１は、インバーター１４に供給するための電源は必要ない。
【００２９】
図７は、図６に示す本発明の光センサー１を使用したときに、光の照度に対するリングインバーター発振器の発振の状態を示す図である。横軸は光の照度を示し縦軸はリングインバーター発振器の発振器出力２０から得られる発振周波数を示している。
照射する光は、３０００Ｋの黒体輻射のスペクトルをもった光を用いた。光の照度を上げていくと発振周波数が増加することがわかる。この図から、光の照度に対して周波数が変化するセンサーとして使用できることがわかる。
なお、使用したインバーターの各サイズは、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２のＷ／Ｌ＝３μｍ／１μｍ、ドレイン面積９μｍ２、ソース面積１０３μｍ２ 、Ｖｔｈは０．４６Ｖであり、トランジスタのＷ／Ｌ＝３μｍ／１μｍ、ドレイン面積９μｍ２ 、ソース面積１０３μｍ２、Ｖｔｈは−０．４８Ｖのものを使用し、ゲート酸化膜厚は８ｎｍ、ソースとドレインのＰＮ接合の不純物濃度分布は同じものを使用し、ドレインに対して、ソースの面積を大きくしたインバーターを使用した。
【００３０】
リングインバーター発振器の発振周波数が光の照度によって増減するという理由は、インバーター１４を構成するＭＯＳトランジスタのソースの発電電圧が関係する。
照射する光とインバーターから出力される電圧との関係について図を用いて説明する。図８は、インバーター１４のゲートに電圧を印加した場合において、光の照度とインバーター１４の出力電圧とを示した図である。横軸は光の照度を示し縦軸はインバーター１４の出力電圧を示している。
図８に示すように、インバーター１４のゲート電圧に負電圧をかけたとき（図８では−１Ｖ）、光の照度上げると出力電圧は大きくなる。逆に、ゲート電圧に正電圧をかけたとき（図８では１Ｖ）、光の照度上げると出力電圧は小さくなり、出力電圧のハイレベルと、ローレベルの差が広がる。
つまり、ＭＯＳトランジスタのソースでの発電電圧が上がり、インバーターの動作速度が速くなることを示している。したがって、図７で示したように、光の照度上げると発振周波数が増加する。
【００３１】
以上の説明で明らかなように、本発明の光センサーによれば、半導体装置内で光を電気に変換することができる。光センサーを構成するインバーターは、Ｎ型ＭＯＳトランジスタの第１のソースとＰ型ＭＯＳトランジスタの第２のソースとで光発電し、入力電圧を印加する信号線の電圧によって、第１のソース、もしくは、第２のソースで発電した電圧を出力端子に接続する信号線へ導くことができる。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明の光センサーは、光を検出するセンサーであると同時にその光で自らを駆動する電力を発電する。他に電源用の部品も必要なく、外部からの電源供給による電流を消費せずに稼動することができる。したがって、省面積で低コストの光センサーを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態におけるインバーターの入出力特性を示す図面である。
【図３】本発明の実施の形態におけるトランジスタの出力特性を示す図面である。
【図４】本発明の実施の形態におけるトランジスタのソースの深さ方向の不純物濃度を示す分布図である。
【図５】本発明の実施の形態におけるトランジスタのソースの深さ方向の不純物濃度を示す分布図である。
【図６】本発明の実施の形態における光センサーを示す回路図である。
【図７】本発明の実施の形態における光センサーの照度に対する出力周波数を示す特性図である。
【図８】本発明の実施の形態におけるインバーターの照度に対する出力電圧を示す特性図である。
【図９】従来の光センサーを示す回路図である。
【符号の説明】
【００３４】
１  光センサー
２  Ｎ型ＭＯＳトランジスタ
３  第１のソース
４  第１のゲート
５  第1のドレイン
６  第１のバルク
６Ａ  第１の高濃度バルク
７  Ｐ型ＭＯＳトランジスタ
８  第２のソース
９  第２のゲート
１０  第２のドレイン
１１  第２のバルク
１１Ａ  第２の高濃度バルク
１２  入力電圧を印加する信号線
１３  出力端子に接続する信号線
１４  インバーター
１５  基準電位とする信号線
１８  小面積ソース電流の電気特性
１９  大面積ソース電流の電気特性
２０  発振器出力
２１  リングインバーター発振器
２２  光
２３  ホウ素濃度
２４  リン濃度
２５  ヒ素濃度
２６  差引濃度
２７  太陽電池
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2005175331.tif 000006
【図５】
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【図６】
2005175331.tif 000008
【図７】
2005175331.tif 000009
【図８】
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【図９】
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