(57)【要約】【課題】  センサデータとの一致度が高い正確な参照データを短い演算時間で生成することができ、検査精度の向上をはかる。【解決手段】パターンの欠陥を検査するパターン欠陥検査装置であって、設計データから画素単位の二値又は多値の階調データを発生させ、階調データにおいて着目する画素の階調値を、着目する画素の近傍画素の階調値に応じた第１の係数で乗算することにより第１処理データを生成し、第１処理データの画素の階調値を第１のしきい値で切り上げることにより第２処理データを生成し、第２処理データの画素の階調値を第２のしきい値で切り捨てることにより第３処理データを生成し、第３処理データの画素の階調値を第２の係数で乗算することにより第４処理データを生成し、第４処理データに基づく参照データとパターンを撮像して得られたセンサデータとを比較する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査試料上に形成されたパターンを撮像して得られるセンサデータと比較するための参照データを生成する方法であり、前記被検査試料上に形成すべきパターンの設計データから二次元的に配置された画素単位の二値又は多値の階調データを発生させ、該階調データに演算を施すことによって処理データを生成し、該処理データに基づいて参照データを生成する参照データ生成方法であって、
前記画素のうち着目する画素の階調値に一定の助定数を有する一演算を施すことによって処理データを生成する第１の処理工程と、
前記着目する画素及びその画素の周囲に位置する画素の階調値に一定の助定数を有する一演算を施すことによって処理データを生成する第２の処理工程と、
を含むことを特徴とする参照データ生成方法。
【請求項２】
前記第１及び第２の処理工程を、一定の順序で一定の助定数による一定回数の連続演算を施すことによって行うことを特徴とする請求項１記載の参照データ生成方法。
【請求項３】
前記第１及び第２の処理工程において、生成される参照データと前記センサデータとの差が最小になるように、前記処理データの生成演算の助変数を求め、該求めた助変数を用いて前記参照データを生成することを特徴とする請求項１又は２記載の参照データ生成方法。
【請求項４】
前記第１及び第２の処理工程において、前記助変数は単一で且つ独立して変更可能なものであることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の参照データ生成方法。
【請求項５】
被検査試料上に形成されたパターンを撮像してセンサデータを生成し、前記パターンの設計データから二次元的に配置された画素単位の二値又は多値の階調データを発生させ、該階調データに演算を施すことによって処理データを生成し、該処理データに基づく参照データと前記センサデータとを比較検査するパターン欠陥検査装置であって、
前記画素のうち着目する画素の階調値に一定の助定数を有する一演算を施すことによって処理データを生成する第１の処理手段と、
前記画素のうち着目する画素及びその画素の周囲に位置する画素の階調値に一定の助定数を有する一演算を施すことによって処理データを生成する第２の処理手段と、
を具備してなることを特徴とするパターン欠陥検査装置。
【請求項６】
被検査試料上に形成されたパターンの欠陥を検査するために、パターンを撮像して得られたセンサデータと比較するための参照データを、コンピュータ制御の下に生成するプログラムであり、前記パターンの設計データから二次元的に配置された画素単位の二値又は多値の階調データを発生させ、該階調データに演算を施すことによって処理データを生成し、該処理データに基づき参照データを生成するための参照データ生成プログラムであって、
前記画素のうち着目する画素の階調値に一定の助定数を有する一演算を施すことによって処理データを生成する第１の処理手順と、
前記着目する画素及びその画素の周囲に位置する画素の階調値に一定の助定数を有する一演算を施すことによって処理データを生成する第２の処理手順と、
をコンピュータに実行させるためのコンピュータ読み取り可能な参照データ生成プログラム。
【請求項７】
被検査試料上に形成されたパターンを撮像して得られたセンサデータと、前記パターンの設計データを展開して得られた参照データとを比較して、前記パターンの欠陥を検査するパターン欠陥検査装置であって、
前記設計データから画素単位の二値又は多値の階調データを発生させ、前記階調データにおいて着目する画素の階調値を、前記着目する画素の近傍にある画素の階調値に応じた第１の係数で乗算することにより第１処理データを生成する手段と、
前記第１処理データの画素の階調値を第１のしきい値で切り上げることにより第２処理データを生成する手段と、
前記第２処理データの画素の階調値を第２のしきい値で切り捨てることにより第３処理データを生成する手段と、
前記第３処理データの画素の階調値を第２の係数で乗算することにより第４処理データを生成する手段と、
を具備してなり、前記第４処理データに基づく参照データと前記センサデータとを比較することを特徴とするパターン欠陥検査装置。
【請求項８】
前記パターンが位相シフトパターンの場合、前記第４処理データの画素の階調値を第３の係数で積算して得られた新たな階調値を二乗することにより第５処理データを生成する手段を設け、第５処理データを前記参照データとして用いることを特徴とする請求項７記載のパターン欠陥検査装置。
【請求項９】
前記第４又は第５処理データの画素の階調値を第４の係数で積算することにより第６処理データを生成する手段と、前記第６処理データの画素の階調値を第５の係数で加算することにより第７処理データを生成する手段とを設け、第７処理データを前記参照データとして用いることを特徴とする請求項７又は８記載のパターン欠陥検査装置。
【請求項１０】
被検査試料上に形成されたパターンを撮像して得られたセンサデータと、前記パターンの設計データを展開して得られた参照データとを比較して、前記パターンの欠陥を検査するパターン欠陥検査方法であって、
前記設計データから画素単位の二値又は多値の階調データを発生させ、前記階調データにおいて着目する画素の階調値を、前記着目する画素の近傍にある画素の階調値に応じた第１の係数で乗算することにより第１処理データを生成する工程と、
前記第１処理データの画素の階調値を第１のしきい値で切り上げることにより第２処理データを生成する工程と、
前記第２処理データの画素の階調値を第２のしきい値で切り捨てることにより第３処理データを生成する工程と、
前記第３処理データの画素の階調値を第２の係数で乗算することにより第４処理データを生成する工程と、
を含み、前記第４処理データを基に得られる参照データと前記センサデータとを比較することを特徴とするパターン欠陥検査方法。
【請求項１１】
被検査試料上に形成されたパターンの欠陥を検査するために、パターンを撮像して得られたセンサデータと比較するための参照データを、コンピュータ制御の下に前記パターンの設計データを展開して生成するための参照データ生成プログラムであって、
前記設計データから画素単位の二値又は多値の階調データを発生させ、前記階調データにおいて着目する画素の階調値を、前記着目する画素の近傍にある画素の階調値に応じた第１の係数で乗算することにより第一処理データを生成する手順と、
前記第１処理データの画素の階調値を第１のしきい値で切り上げることにより第２処理データを生成する手順と、
前記第２処理データの画素の階調値を第２のしきい値で切り捨てることにより第３処理データを生成する手順と、
前記第３処理データの画素の階調値を第２の係数で乗算することにより第４処理データを生成する手順と、
をコンピュータに実行させるためのコンピュータ読み取り可能な参照データ生成プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスクやウェハ等に形成されたパターンを撮像して得られたセンサデータと比較するための参照データ生成方法に関する。
【０００２】
また本発明は、フォトマスクやウェハ等に形成されたパターンを撮像して得られたセンサデータとパターンの設計データを展開して得られた参照データとを比較して、パターン欠陥を検査するパターン欠陥検査装置及び検査方法に関する。
【０００３】
さらに本発明は、パターン欠陥検査に用いる参照データをコンピュータにより生成するための参照データ生成プログラムに関する。
【背景技術】
【０００４】
従来、半導体製造に使用するフォトマスク上に形成されたパターンの欠陥検査を行う場合、水銀ランプやレーザ発振光源などの適当な光源でフォトマスクを照射して撮像されたパターン画像データ（センサデータ）と、パターンの設計データを展開して得られた参照データとを比較して、その不一致箇所を欠陥として検出している。近年のフォトマスクのパターンは益々微細化しており、検出すべき欠陥の大きさが１００ｎｍ以下と微小なものになっている。また、位相シフトや光近接効果補正等の高解像技術を用いたマスクについても高感度な欠陥検査を行う必要がある。
【０００５】
欠陥検出感度を高めるためには、設計データから展開して得られた参照データとパターンを撮像して得られたセンサデータとを、正確に一致させることが必要である。従来の参照データの発生方法では、被検査パターンの特徴を幾何学的に計算し、更に光学計算を行うようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
しかしながら、この種の方法では、計算モデルに対する依存が強く、設定画素以下の大きさの図形に関しては任意性が残るため、パターンを撮像して得られたセンサデータに対する一致度が低かった。特に、光近接効果補正マスクでは、補助パターンの寸法がメインパターンの線幅に対して極端に微細なため、正確な参照データを求めることが困難となってきている。加えて、幾何学的及び光学的な算術計算を行うために演算に多大な時間を要した。
【特許文献１】特開２００２−１０７３０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このように従来、試料上に形成されたパターンを検査するパターン欠陥検査においては、パターンの設計データから参照データを生成する必要があるが、この参照データ生成するのに多大な時間がかかると共に、センサデータとの一致度が高い正確な参照データを生成するのが困難であった。
【０００８】
本発明は、上記事情を考慮して成されたもので、その目的とするところは、センサデータとの一致度が高い正確な参照データを短い演算時間で生成することができ、検査精度の向上をはかり得るパターン欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、センサデータとの一致度が高い正確な参照データをコンピュータにより生成するための参照データ生成プログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために本発明は、次のような構成を採用している。
【００１１】
即ち、本発明の一態様は、被検査試料上に形成されたパターンを撮像して得られるセンサデータと比較するための参照データを生成する方法であり、前記被検査試料上に形成すべきパターンの設計データから二次元的に配置された画素単位の二値又は多値の階調データを発生させ、該階調データに演算を施すことによって処理データを生成し、該処理データに基づいて参照データを生成する参照データ生成方法であって、前記画素のうち着目する画素の階調値に一定の助定数を有する一演算を施すことによって処理データを生成する第１の処理工程と、前記着目する画素及びその画素の周囲に位置する画素の階調値に一定の助定数を有する一演算を施すことによって処理データを生成する第２の処理工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の別の一態様は、被検査試料上に形成されたパターンを撮像してセンサデータを生成し、前記パターンの設計データから二次元的に配置された画素単位の二値又は多値の階調データを発生させ、該階調データに演算を施すことによって処理データを生成し、該処理データに基づく参照データと前記センサデータとを比較検査するパターン欠陥検査装置であって、前記画素のうち着目する画素の階調値に一定の助定数を有する一演算を施すことによって処理データを生成する第１の処理手段と、前記画素のうち着目する画素及びその画素の周囲に位置する画素の階調値に一定の助定数を有する一演算を施すことによって処理データを生成する第２の処理手段と、を具備してなることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の別の一態様は、被検査試料上に形成されたパターンの欠陥を検査するために、パターンを撮像して得られたセンサデータと比較するための参照データを、コンピュータ制御の下に生成するプログラムであり、前記パターンの設計データから二次元的に配置された画素単位の二値又は多値の階調データを発生させ、該階調データに演算を施すことによって処理データを生成し、該処理データに基づき参照データを生成するための参照データ生成プログラムであって、前記画素のうち着目する画素の階調値に一定の助定数を有する一演算を施すことによって処理データを生成する第１の処理手順と、前記着目する画素及びその画素の周囲に位置する画素の階調値に一定の助定数を有する一演算を施すことによって処理データを生成する第２の処理手順と、をコンピュータに実行させるためのコンピュータ読み取り可能な参照データ生成プログラム。
【００１４】
また、本発明の別の態様は、被検査試料上に形成されたパターンを撮像して得られたセンサデータと、前記パターンの設計データを展開して得られた参照データとを比較して、前記パターンの欠陥を検査するパターン欠陥検査装置であって、前記設計データから画素単位の二値又は多値の階調データを発生させ、前記階調データにおいて着目する画素の階調値を、前記着目する画素の近傍にある画素の階調値に応じた第１の係数で乗算することにより第１処理データを生成する手段と、前記第１処理データの画素の階調値を第１のしきい値で切り上げることにより第２処理データを生成する手段と、前記第２処理データの画素の階調値を第２のしきい値で切り捨てることにより第３処理データを生成する手段と、前記第３処理データの画素の階調値を第２の係数で乗算することにより第４処理データを生成する手段と、を具備してなり、前記第４処理データに基づく参照データと前記センサデータとを比較することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の別の態様は、被検査試料上に形成されたパターンを撮像して得られたセンサデータと、前記パターンの設計データを展開して得られた参照データとを比較して、前記パターンの欠陥を検査するパターン欠陥検査方法であって、前記設計データから画素単位の二値又は多値の階調データを発生させ、前記階調データにおいて着目する画素の階調値を、前記着目する画素の近傍にある画素の階調値に応じた第１の係数で乗算することにより第１処理データを生成する工程と、前記第１処理データの画素の階調値を第１のしきい値で切り上げることにより第２処理データを生成する工程と、前記第２処理データの画素の階調値を第２のしきい値で切り捨てることにより第３処理データを生成する工程と、前記第３処理データの画素の階調値を第２の係数で乗算することにより第４処理データを生成する工程と、を含み、前記第４処理データを基に得られる参照データと前記センサデータとを比較することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の別の態様は、被検査試料上に形成されたパターンの欠陥を検査するために、パターンを撮像して得られたセンサデータと比較するための参照データを、コンピュータ制御の下に前記パターンの設計データを展開して生成するためのコンピュータ読み取り可能な参照データ生成プログラムであって、前記設計データから画素単位の二値又は多値の階調データを発生させ、前記階調データにおいて着目する画素の階調値を、前記着目する画素の近傍にある画素の階調値に応じた第１の係数で乗算することにより第１処理データを生成する手順と、前記第１処理データの画素の階調値を第１のしきい値で切り上げることにより第２処理データを生成する手順と、前記第２処理データの画素の階調値を第２のしきい値で切り捨てることにより第３処理データを生成する手順と、前記第３処理データの画素の階調値を第２の係数で乗算することにより第４処理データを生成する手順と、をコンピュータに実行させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、パターンの設計データから参照データを得るための演算方法に多段演算方式を用い、更に各演算に用いるパラメータを単一にすることで独立に調整を可能にし、被検査試料上に形成されたパターンを撮像して得られたセンサデータとの差が最小となるパラメータを算出可能にする。このとき、検査装置の光源の波長やＮＡ、照明絞りなどの光学的照明条件は一切必要としない。また、演算の回数及び順序を任意変更することで、より正確にセンサデータに一致させることが可能となる。
【００１８】
従って、位相シフトマスクや光近接効果補正等の超解像技術を用いたマスクにおいても、センサデータと参照データのレベル差を解消し、誤認識の無い正確な欠陥検査を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
【００２０】
図１は、本発明の一実施形態に係わるパターン欠陥検査装置を示す概略構成図である。ＬＳＩ等のパターンが形成されたフォトマスク１１は、ＸＹステージ１２上に載置されている。光源１３によりフォトマスク１１を照射することによりフォトマスク１１を透過した光は、対物レンズ１４を介して撮像装置１５にパターンの光学像として結像され、センサ回路１６にて当該パターンの像が測定される。こうして測定されたセンサデータは、Ａ／Ｄ変換器１７によりデジタル信号に変換され欠陥判定回路１８に送られる。検査対象マスクの特性によっては透過光ではなく、反射光や透過・反射光を混合した状態でセンサに結像させることも可能である。
【００２１】
一方、パターンの設計データは、計算機２１よりパターン展開回路２２に送られ、画素単位の二値又は多値の階調データに展開される。この展開データは、パターン展開回路２２より参照データ発生回路２３に送られる。そして、参照データ発生回路２３では、フォトマスク１１上に形成されるパターンのエッチングプロセス等によって生じる形状の変化等に対応した参照データが発生され、欠陥判定回路１８に送られる。
【００２２】
欠陥判定回路１８では、センサ回路１６より送られるフォトマスクのパターン像と参照データ発生回路２３から送られる設計データの参照データとが比較され、フォトマスク１１上の欠陥が判定される。なお、ＸＹステージ１２は計算機２１からの指令により動作するステージ制御回路２４によりＸＹ方向に移動されるようになっている。
【００２３】
次に、本実施形態におけるパターン欠陥検査方法、特に参照データ発生方法について、図２のフローチャートを及び図３〜図１０の展開パターンデータを参照して説明する。
【００２４】
まず、パターン展開回路２２により、設計データから画素単位の二値又は多値の階調データを発生させる（ステップＳ０）。そして、参照データ発生回路２３では次の処理を順に行う。なお、以下の処理は参照データ発生回路２３のハードウェアで行ってもよいし、プログラムに従って計算機２１で行うようにしてもよい。
【００２５】
図３は、変換をすべき展開パターンデータであり、（ａ）は図形データを示し、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’方向におけるプロファイルデータを示している。（ａ）（ｂ）の関係は、図４〜図１０においても同様である。
【００２６】
図３から分かるように、パターンデータは矩形で組み合わされている。
【００２７】
各々の図形に対して、
a(i,j) ＝ [a(i,j)+{a(i-1,j)+a(i+1,j)+a(i,j-1)+a(i,j+1)}/4
+{a(i-1,j-1)+a(i+1,j+1)+a(i+1,j-1)+a(i-1,j+1)}/8]/2.5  …（１）
なる演算（第１処理工程：ステップＳ１）を施したものが図４となる。
【００２８】
これは、いわゆる畳み込み積分であり、これによって矩形の画像は角部がとれて滑らかになり、またプロファイルも滑らかになる。ここで、（１）式の１行目の“４”は第１の係数としてのパラメータの一例であり、このパラメータはセンサデータに最も近づくように最適化したものである。従って、マスクのパターンによって、この数値は変化する。また、（１）式の２行目の“８”は“４”×２で定義されるものであり、パラメータとしての“４”が変化するとこれに合わせて変化する。 
上記（１）の演算に引き続いて、
a(i,j) ＝ max[{a(i,j)-0.1}/0.9,0]  …（２）
なる演算（第２処理工程：ステップＳ２）を施すと、図５のようになる。この演算により、境界線の位置（特に、頂底部の傾き）を任意に変更することができる。
【００２９】
ここで、ｍａｘ（Ｑ，０）はＱが０以下の場合は０を選択し、０を超えるとＱを選択するものである。従って（２）式は、第１処理データの画素の階調値を第１のしきい値“０”で切り上げることにより第２処理データを生成することを意味する。また、（２）式における単一のパラメータは“０．１”であり、“０．９”は“１−０．１”で規定されたものである。このパラメータも（１）式の場合と同様に、センサデータに最も近づくように最適化したものであり、マスクのパターンによって変化するものである。
【００３０】
この後に、
ａ(i,j) ＝ min{a(i,j)/0.9,1}        …（３）
なる演算（第３処理工程：ステップＳ３）を施すと、図６のようになる。これにより、パターン端部のプロファイルと位置（特に、頂部の傾き）を調整することが可能とになる。
【００３１】
ここで、ｍｉｎ（Ｑ，１）はＱが１以上の場合は１を選択し、１より小さいとＱを選択するものである。従って（３）式は、第２処理データの画素の階調値を第２のしきい値“１”で切り捨てることにより第３処理データを生成することを意味する。また、（３）式における単一のパラメータは“０．９”であり、このパラメータもセンサデータに最も近づくように最適化したものであり、マスクのパターンによって変化するものである。
【００３２】
この後に、
a(i,j) ＝ a(i,j)1.2                 …（４）
なる演算（第４処理工程：ステップＳ４）を施すと、図７のようになる。この演算は、第３処理データの画素の階調値を第２の係数“１．２”でべき乗することにより第４処理データを生成するものであり、パターン端部のプロファイル（特に、底部の傾き）を任意に変更することが可能となる。
【００３３】
なお、第２，第３，第４処理工程は何れもプロファイル位置や傾きを変更するものであるが、第２，第３処理工程で大きく変更し（リサイズ）、第４処理工程で小さく変更（微調整）するものとなっている。
【００３４】
この後に、
ａ(i,j) ＝ [a(i,j)-{1-a(i,j)}×0.11/2]2  …（５）
なる演算（第５処理工程：ステップＳ５）を施すと、図８のようになる。この演算は、第４処理データの画素の階調値を第３の係数“０．１”を用いて演算して得られた新たな階調値を二乗することにより第５処理データを生成することを意味し、これによりハーフトーンを用いた場合等の位相効果を考慮したプロファイルを任意に変更することが可能となる。
【００３５】
ここで、Ｓ４の後に、位相効果を利用しているか否かを判定し（ステップＳ１０）、位相効果を利用しない通常のクロムマスクの場合は、この第５処理工程を省略することができる。
【００３６】
この後に、
ａ(i,j) ＝ ａ(i,j)×２１０      …（６）
なる演算（第６処理工程：ステップＳ６）を施すと、図９のようになる。この演算は、第５処理データの画素の階調値を第４の係数“２１０”で積算することにより第６処理データを生成することを意味し、これによってプロファイルの強度を任意に変更することが可能となる。即ち、処理データのダイナミックレンジをセンサデータに合わせることができる。
【００３７】
この後に、
ａ(i,j)＝ａ(i.j)＋１０          …（７）
なる演算（第７処理工程：ステップＳ７）を施すと、図１０のようになる。この演算は、第６処理データの画素の階調値を第５の係数“１０”で加算することにより第７処理データを生成することを意味し、これによりベースのレベルを任意に変更することが可能となる。即ち、処理データに対するオフセットを任意に設定することができる。
【００３８】
次に、最終的に得られた図１０に示すような第７処理データを参照データとし、これを前記欠陥判定回路１８にてセンサデータと比較照合することにより、パターンの欠陥を判定する（ステップＳ２０）。
【００３９】
なお、上記の７つの演算に対応する各ステップＳ１〜Ｓ７において、Ｓ１，Ｓ５は請求項１〜６の第２の処理工程及び処理手段に該当し、Ｓ２〜Ｓ４，Ｓ６，Ｓ７は請求項１〜６の第１の処理に該当する。また、各ステップ１〜７は、請求項７〜１１の第１〜第７処理データの生成手段にそれぞれ該当する。
【００４０】
以上の７つの演算を連続して行うことにより、矩形データとして与えられたパターンデータをセンサデータに近似することができる。そしてこの場合、パターンの設計データから参照データを得るための演算方法に多段演算方式を用い、更に各演算に用いるパラメータを単一にすることで独立に調整を可能にし、被検査試料上に形成されたパターンを撮像して得られたセンサデータとの差が最小となるパラメータを算出可能にしている。このため、検査装置の光源の波長やＮＡ、照明絞りなどの光学的照明条件は一切必要としない。従って、演算に要する時間を大幅に短縮することができ、センサデータとの一致度が高い正確な参照データを短時間で生成することが可能となる。
【００４１】
従って本実施形態によれば、位相シフトマスクや光近接効果補正等の超解像技術を用いたマスクにおいても、センサデータと参照データのレベル差を解消し、誤認識の無い正確な欠陥検査を行うことができる。
【００４２】
（変形例）
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。実施形態では、各演算を１回ずつ行ったが、演算の回数及び順序、更には演算に用いた係数は、センサデータとの近似が向上するように任意に変更することができる。さらに、本発明による参照データの作成は、マスク毎に行ってもよいし、代表パターン毎に行ってもよい。
【００４３】
また、位相効果を利用しない通常のクロムマスク等に適用する場合、第５処理工程は省略することが可能である。さらに、第６，第７処理工程は、センサデータを得るための検出回路の出力レベルに合わせるものであり、検出回路側でセンサデータのレベルを参照データに合わせることができるようにすれば、第６，第７の処理工程は必ずしも必要ない。
【００４４】
また、実施形態において記載した手法は、コンピュータに実行させることのできるプログラムとして、例えば磁気ディスク（フロッピー（登録商標）ディスク，ハードディスク等）、光ディスク（ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ等）、半導体メモリなどの記録媒体に書き込んで適用したり、通信媒体により伝送して各種装置に適用することも可能である。本発明を実現するコンピュータは、記録媒体に記録されたプログラムを読み込み、このプログラムによって動作が制御されることにより、上述した処理を実行するものであればよい。
【００４５】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施形態に係わるパターン欠陥検査装置を示す概略構成図。
【図２】本実施形態におけるパターン欠陥検査方法を説明するためのフローチャート。
【図３】入力される展開された図形データとプロファイルデータを示す図。
【図４】第１処理工程による演算を施した図形データとプロファイルデータを示す図。
【図５】第２処理工程による演算を施した演算をほどこした図形データとプロファイルデータを示す図。
【図６】第３処理工程による演算を施した演算を施した図形データとプロファイルデータを示す図。
【図７】第４処理工程による演算を施した演算を施した図形データとプロファイルデータを示す図。
【図８】第５処理工程による演算を施した演算を施した図形データとプロファイルデータを示す図。
【図９】第６処理工程による演算を施した演算を施した図形データとプロファイルデータを示す図。
【図１０】第７処理工程による演算を施した演算を施した図形データとプロファイルデータを示す図。
【符号の説明】
【００４７】
１１…フォトマスク（被検査試料）
１２…ＸＹステージ
１３…光源
１４…対物レンズ
１５…撮像装置
１６…センサ回路
１７…Ａ／Ｄ変換器
１８…欠陥判定回路
２１…計算機
２２…パターン展開回路
２３…参照データ発生回路
２４…ステージ制御回路
【図１】
2005195403.tif 000003
【図２】
2005195403.tif 000004
【図３】
2005195403.tif 000005
【図４】
2005195403.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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