(57)【要約】【課題】導電性部品がコア基板から突出する突出部をもった状態でコア基板の貫通孔に挿入された構造を有する配線基板の製造方法において、何ら問題なく導電性部品の突出部による段差を平坦化する方法を提供する。【解決手段】貫通孔１０ａを備えたコア基板１０を用意する工程と、コア基板１０の厚みより長い長さの導電性部品２０をコア基板１０の貫通孔１０ａに挿入することにより、導電性部品２０の先端側がコア基板１０から突出する突出部２０ａ，２０ｂとなる状態で導電性部品２０を貫通孔１０ａに配置する工程と、導電性部品２０の突出部２０ａ，２０ｂを被覆する絶縁膜１２ａ，１２ｂをコア基板１０上に形成する工程と、絶縁膜１２ａ，１２ｂを削ることにより、絶縁膜１２ａ，１２ｂを平坦化する工程とを含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔を備えたコア基板を用意する工程と、
前記コア基板の厚みより長い長さの導電性部品を前記コア基板の貫通孔に挿入することにより、前記導電性部品の先端側が前記コア基板から突出する突出部となる状態で前記導電性部品を前記貫通孔に配置する工程と、
前記導電性部品の突出部を被覆する絶縁膜を前記コア基板上に形成する工程と、
前記絶縁膜を削ることにより、前記絶縁膜を平坦化する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁膜を平坦化する工程において、前記絶縁膜が前記導電性部品上に残されることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜を平坦化する工程において、前記導電性部品の先端面が露出するまで前記絶縁膜を削ることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜を平坦化する工程は、
前記導電性部品の先端面が露出するまで前記絶縁膜を削る工程と、
前記導電性部品を被覆する上側絶縁膜を前記絶縁膜上に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜を平坦化する工程の後に、
前記導電性部品上の前記絶縁膜の部分にビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールを介して前記導電性部品に接続される配線パターンを前記絶縁膜上に形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項１、２又は４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁膜を平坦化する工程の後に、前記導電性部品に接続される配線パターンを前記絶縁膜上に形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記コア基板上には配線層が設けられており、前記導電性部品を前記貫通孔に配置する工程は、前記導電性部品と配線層とを電気的に接続することを含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記コア基板は絶縁基板であり、かつ、前記導電性部品は金属柱、又は金属柱と該金属柱の外周部を被覆する絶縁体とにより構成される同軸構造のものであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記コア基板は、単体の金属板、又は金属板と絶縁層とが積層された構造を有する金属ベース基板であり、かつ、前記導電性部品は、金属柱と該金属柱の外周部を被覆する絶縁体とにより構成される同軸構造のものであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記導電性部品を前記貫通孔に配置する工程において、前記導電性部品は、前記コア基板の両面側に前記突出部がそれぞれ突出した状態で配置され、
前記導電性部品を前記貫通孔に配置する工程の後に行われる前記諸工程は、前記コア基板の両面側で行われることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板の製造方法に関し、さらに詳しくは、コア基板に設けられた貫通孔を介してコア基板の両面側を導通可能にする構造を有する配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、コア基板の両面側に形成された配線パターンがコア基板の貫通孔を介して相互接続された構造を有する配線基板がある。このような配線基板では、コア基板の貫通孔に銅めっき層、導電性ペースト又は金属柱（金属ピンや金属ワイヤ）などが充填されている。高アスペクト比の貫通孔に導電体を低コストでかつ信頼性よく充填するには、貫通孔を銅めっき層や導電性ペーストで充填する方法よりも貫通孔に金属柱を挿入する方法の方が有利になる場合がある。
【０００３】
コア基板に設けられた貫通孔に金属柱が挿入された構造を有する配線基板は、例えば、特許文献１及び２に記載されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開昭６２−９８６９４号公報
【特許文献２】
特開２００２−２８９９９９号公報
【特許文献３】
特開２００１−３５２１６６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
コア基板の貫通孔に金属柱を挿入する方法では、一般的に、コア基板の両面側の導通を確保するために、コア基板の厚み（貫通孔の深さ）よりも長い長さに設定された金属柱が貫通孔に挿入される。従って、金属柱はコア基板の両面から突出する突出部をもった状態で貫通孔に配置される。
【０００６】
また、配線パターンを備えたコア基板を使用する場合は、金属柱と配線パターンとの電気的な接続の信頼性を確保するために、金属柱が貫通孔に挿入された後に、金属柱の突出部をカシメ処理によって潰し、さらにこれらの接続部にめっきを施すことがある。
【０００７】
このように、コア基板の貫通孔に金属柱を挿入すると、コア基板の両面に金属柱の突出部による段差が生じるので、コア基板上に層間絶縁膜や配線パターンを積層する際に、その段差の影響によって微細で高密度な多層配線を形成することが困難になるという問題がある。
【０００８】
このような問題を回避するため、特許文献３には、芯線（金属柱）の外周部を樹脂で被覆したスルーホール部品をコア基板の貫通孔に挿入した後に、スルーホール部品の芯線（金属柱）及び樹脂を同時に研磨することにより、スルーホール部品の先端面とコア基板の面とを同一面にして平坦化することが記載されている。
【０００９】
しかしながら、特許文献３の方法では、スルーホール部品による段差が解消されるという効果はあるものの、スルーホール部品の樹脂と金属柱とを同時に研磨して平坦化するので、金属柱が変形したり、研磨された金属片が研削面に延びたりする恐れがあり、信頼性よく研磨できない場合が想定される。
【００１０】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、導電性部品がコア基板から突出する突出部をもった状態でコア基板の貫通孔に挿入された構造を有する配線基板の製造方法において、何ら問題なく金属柱の突出部による段差を平坦化できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は配線基板の製造方法に係り、貫通孔を備えたコア基板を用意する工程と、前記コア基板の厚みより長い長さの導電性部品を前記コア基板の貫通孔に挿入することにより、前記導電性部品が前記コア基板から突出する突出部をもつ状態で前記導電性部品を前記貫通孔に配置する工程と、前記導電性部品の突出部を被覆する絶縁膜を前記コア基板上に形成する工程と、前記絶縁膜を削ることにより、前記絶縁膜を平坦化する工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
本発明では、まず、絶縁基板の貫通孔に該絶縁基板の厚みよりも長い長さの導電性部品（金属柱など）が挿入され、導電性部品は絶縁基板から突出する突出部をもつ状態で絶縁基板の貫通孔に配置される。次いで、導電性部品の突出部を被覆する絶縁層が絶縁基板上に形成された後に、絶縁層が研磨又は研削されて平坦化される。
【００１３】
本発明では、導電性部品の突出部自体を研磨して平坦化するのではなく、導電性部品の突出部が絶縁層に被覆・保持された状態で、絶縁層のみを研磨することにより導電性部品の突出部による段差を解消するようにしている。従って、研磨工程で導電性部品が変形するなどの不具合が発生する恐れがなくなり、信頼性よく絶縁層を平坦化して導電性部品の突出部による段差を解消することができる。
【００１４】
このため、導電性部品に接続される配線パターンを導電性部品の上方に形成するとき、導電性部品の突出部による段差は解消されているので、配線パターンを形成する際のフォトリソグラフィの精度を向上させることができる。これにより、微細な配線パターンを精度よく多層化して形成できるようになり、高密度な配線基板を容易に製造することができるようになる。
【００１５】
本発明の一つの好適な態様では、絶縁膜を平坦化する工程において、絶縁膜が前記導電性部品上に残されるようにしてもよいし、導電性部品の先端面が露出するまで絶縁膜を研磨するようにしてもよい。あるいは、導電性部品の先端面が露出するまで絶縁膜を研磨した後に、導電性部品を被覆する上側絶縁膜をさらに形成するようにしてもよい。
【００１６】
また、コア基板としては、絶縁基板、金属板、又は金属板と絶縁層とが積層された構造を有する金属ベース基板が使用される。金属板又は金属ベース基板を使用する場合は、導電性部品として金属柱の外周部に絶縁体が被覆された同軸型のものが使用されて、導電性部品同士の電気的なショートの発生が防止される。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、図を参照しながら説明する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
図１〜図４は本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である。本実施形態の配線基板の製造方法は、図１（ａ）に示すように、まず、コア基板としての絶縁基板１０を用意し、ドリルなどにより絶縁基板１０に貫通孔１０ａを形成する。例えば、絶縁基板の厚みは３００〜５００μｍであり、貫通孔１０ａの口径は２０〜３０μｍに設定される。絶縁基板１０としては、ガラスエポキシ基板などのリジッド基板、又はフレキシブル基板が使用される。
【００１９】
その後、図１（ｂ）に示すように、絶縁基板１０の貫通孔１０ａに挿入される導電性部品２０を用意する。この導電性部品２０では、その口径が絶縁基板１０の貫通孔１０ａの口径に対応し、かつ、その長さが絶縁基板１０の厚みより長く設定されている。そして、この導電性部品２０を絶縁基板１０の貫通孔１０ａに挿入して固定する。導電性部品２０としては、銅（Ｃｕ）、Ｃｕ合金、又は、はんだなどからなる金属線が所要の長さにカットされた金属柱が使用される。
【００２０】
このとき、導電性部品２０は、絶縁基板１０の両面から突出部２０ａ，２０ｂがそれぞれ突き出た状態で貫通孔１０ａに嵌め込まれる。例えば、突出部２０ａ，２０ｂの絶縁基板１０からの高さｈは２０〜６０μｍに設定される。
【００２１】
続いて、図１（ｃ）に示すように、絶縁基板１０の両面に絶縁層１２ａ，１２ｂをそれぞれ形成して導電性部品２０の突出部２０ａ，２０ｂを被覆する。絶縁層１２ａの厚みは、導電性部品２０の突出部２０ａ、２０ｂの高さｈよりも厚く設定されることが好ましい。絶縁層１２ａ，１２ｂの一例としては、エポキシ系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、フェノール系樹脂及びフッ素系樹脂などからなる樹脂フィルムが使用される。樹脂フィルムは絶縁基板１０の両面にそれぞれラミネート又はプレスされた後に熱処理されて硬化する。あるいは、絶縁基板１０の両面に樹脂の塗布液をスクリーン印刷やロールコートなどにより塗布し、熱処理して硬化させてもよい。このとき、絶縁層１２ａ，１２ｂは、導電性部品２０の突出部２０ａ，２０ｂの段差の影響で凹凸をもった状態で形成される。
【００２２】
次いで、図１（ｄ）に示すように、絶縁基板１０の両面側の絶縁層１２ａ，１２ｂの所要膜厚分をそれぞれ削る。これにより、導電性部品２０の突出部２０ａ，２０ｂによる段差が解消されて絶縁層１２ａ，１２ｂの露出面が平坦化される。そして、残された絶縁層１２ａ，１２ｂが平坦化された第１層間絶縁膜１４ａ，１４ｂとなる。この工程は、例えば、バフ研磨、ベルト研磨、又はテープ研磨により、絶縁基板１０の両面側の絶縁層１２ａ，１２ｂが同時に研磨される。あるいは、絶縁層１２ａ，１２ｂをグラインダーにより研削してもよい。
【００２３】
このとき、第１実施形態では、導電性部品２０の先端面が露出することなく、導電性部品２０上に絶縁膜１２ａ，１２ｂが残存するようにして絶縁膜１２ａ，１２ｂが研磨されて平坦化される。
【００２４】
本実施形態では、導電性部品２０自体を研磨するのではなく、導電性部品２０の突出部２０ａ，２０ｂを絶縁層１２ａ，１２ｂで被覆・保持した状態で、絶縁層１２ａ，１２ｂのみを研磨して平坦化を行うようにしている。従って、従来技術と違って、導電性部品（金属柱）２０が変形したり、研磨面に研磨された金属片が延びたりする恐れはない。
【００２５】
絶縁基板１０としてガラスエポキシ基板などのリジッド基板を使用する場合、基板中にガラスプリプレグが存在するので、絶縁基板１０を研磨して平坦化することは困難を極める。しかしながら、本実施形態では上記したように絶縁基板１０を研磨する必要がないので、ガラスエポキシ基板などを使用する場合であっても何ら不具合が発生することなく平坦面を得ることができるようになる。
【００２６】
第１実施形態の変形例としては、図２（ａ）に示すように、絶縁基板１０として、その両面（又は片面）に銅箔からなる配線層１７ａ，１７ｂを備えたものを使用してもよい。そして、絶縁基板１０に貫通孔１０ａが形成される。
【００２７】
その後、図２（ｂ）に示すように、前述した方法と同様な方法により、導電性部品２０を絶縁基板１０の貫通孔１０ａに挿入して固定する。このとき、導電性部品２０が絶縁基板１０の配線層１７ａ，１７ｂに電気的に接続される。導電性部品２０と配線層１７ａ，１７ｂとの接合の信頼性を向上させる場合は、導電性部品２０をカシメ処理して潰することにより、導電性部品２０と配線層１７ａ，１７ｂとの接触面積が大きくなるようにしてもよい。
【００２８】
次いで、図２（ｃ）及び（ｄ）に示すように、絶縁基板１０の両面に絶縁膜１２ａ，１２ｂをそれぞれ形成した後、絶縁膜１２ａ，１２ｂを研磨することにより平坦な層間絶縁膜１４ａ，１４ｂを得る。
【００２９】
上記したような配線層１７ａ，１７ｂを備えた絶縁基板１０を使用する場合は、絶縁層１２ａ，１２ｂを研磨して平坦面を得る際に、配線層１７ａ，１７ｂは、絶縁層１２ａ，１２ｂによって保護されているため配線層１７ａ，１７ｂに損傷を与える恐れがない。
【００３０】
以上のようにして平坦な第１層間絶縁膜１４ａ，１４ｂを得た後に、図３（ａ）に示すように、絶縁基板１０の両面側における導電性部品２０上の第１層間絶縁膜１４ａ，１４ｂの部分をレーザ又はプラズマエッチングなどで加工することにより、導電性部品２０の先端面に到達する深さの第１ビアホール１４ｘ，１４ｙをそれぞれ形成する。
【００３１】
続いて、図３（ｂ）に示すように、絶縁基板１０の両面側の第１層間絶縁膜１４ａ，１４ｂ上に、第１ビアホール１４ｘ，１４ｙを介して導電性部品２０に接続される第１配線パターン１６ａ，１６ｂをそれぞれ形成する。第１配線パターン１６ａ，１６ｂは、例えばセミアディティブ法により形成される。詳しく説明すると、絶縁基板１０の両面側の第１ビアホール１４ｘ，１４ｙの内面及び第１層間絶縁膜１４ａ，１４ｂ上に無電解めっき又はスパッタによりシードＣｕ層（不図示）それぞれを形成する。続いて、第１配線パターン１６ａ，１６ｂに対応する所要の開口部を備えたレジスト膜（不図示）をフォトリソグラフィにより形成する。
【００３２】
次いで、シードＣｕ膜をめっき給電層に用いた電解めっきによりレジスト膜の開口部にＣｕ膜パターンを形成する。続いて、レジスト膜を除去した後に、Ｃｕ膜パターンをマスクにしてシードＣｕ膜をエッチングする。これにより、第１ビアホール１４ｘ，１４ｙを介して導電性部品２０に接続される第１配線パターン１６ａ，１６ｂが絶縁基板１０の両面側の第１層間絶縁膜１４ａ，１４ｂ上にそれぞれ形成される。
【００３３】
なお、セミアディティブ法の代わりに、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法などにより第１配線パターン１６ａ，１６ｂを形成してもよい。
【００３４】
本実施形態では、第１配線パターン１６ａ，１６ｂを形成する工程において、第１層間絶縁膜１４ａ，１４ｂが平坦化されているので、フォトリソグラフィに係る焦点深度を小さく設定することができる。このため、フォトリソグラフィ工程においてデフォーカスが発生する恐れがなくなるので、第１配線パターン１６ａ，１６ｂを精度よく安定して形成することができるようになる。
【００３５】
次いで、図３（ｃ）に示すように、絶縁基板１０の両面側に第２層間絶縁膜１８ａ，１８ｂをそれぞれ形成した後に、第１配線パターン１６ａ，１６ｂ上の第２層間絶縁膜１８ａ，１８ｂの部分に第２ビアホール１８ｘ，１８ｙをそれぞれ形成する。
【００３６】
続いて、第２ビアホール１８ｘ，１８ｙを介して第１配線パターン１６ａ，１６ｂに接続される第２配線パターン２２ａ，２２ｂを第２層間絶縁膜１８ａ，１８ｂ上にそれぞれ形成する。第２配線パターン２２ａ，２２ｂは、前述した第１配線パターン１６ａ，１６ｂの形成方法と同様な方法により形成される。
【００３７】
次いで、図４（ａ）に示すように、第２配線パターン２２ａ、２２ｂの接続部２２ｘ上に開口部が設けられたソルダレジスト膜２４ａ，２４ｂを絶縁基板１０の両面側にそれぞれ形成する。続いて、第２配線パターン２２ａ、２２ｂの接続部２２ｘ上にＮｉ／Ａｕめっきを施す。その後に、複数の配線基板を得るために大型の絶縁基板１０を使用する場合は、絶縁基板１０が切断されて個々の配線基板１が得られる。
【００３８】
以上により、第１実施形態の配線基板の製造方法により製造された配線基板１が得られる。
【００３９】
なお、本実施形態では、絶縁基板１０の両面側に２層の配線パターンがそれぞれ積層された形態を例示したが、ｎ層（ｎは１以上の整数）の配線パターンが積層された各種形態に適用できることはもちろんである。このような場合も、各層間絶縁膜はそれぞれ平坦化されて形成されるので、何ら問題が発生することなく配線パターンを積層化して形成することができる。また、絶縁基板１０の片面のみに配線パターンを積層するようにしてもよい。
【００４０】
本実施形態の配線基板１では、図４（ｂ）に示すように、例えば、上側の第２配線パターン２２ａの接続部２２ｘにバンプ２６を備えた半導体素子３０のバンプ２６が接合される。そして、下側の第２配線パターン２２ｂの接続部２２ｘがバンプを介して実装基板（マザーボード）の接続端子に接続される。
【００４１】
以上のように、本実施形態の配線基板の製造方法では、まず、絶縁基板１０の両面から突出する突出部２０ａ，２０ｂをもった状態で導電性部品２０が絶縁基板１０の貫通孔１０ａに挿入される。次いで、導電性部品２０の突出部２０ａ，２０ｂを被覆する絶縁層１２ａ，１２ｂが絶縁基板１０の両面に形成された後に、絶縁層１２ａ，１２ｂが研磨されて平坦化された第１層間絶縁膜１４ａ，１４ｂが得られる。
【００４２】
本実施形態では、導電性部品２０の突出部２０ａ，２０ｂ自体を削って平坦化するのではなく、導電性部品２０の突出部２０ａ，２０ｂを絶縁層１２ａ，１２ｂで被覆・保持した状態で、絶縁層１２ａ，１２ｂのみを研磨するようにしている。従って、絶縁層１２ａ，１２ｂを研磨する工程において、導電性部品（金属柱）２０が変形するなどの不具合が発生することなく、導電性部品２０の突出部２０ａ，２０ｂによる段差を解消して平坦化することができる。
【００４３】
これにより、導電性部品２０に接続される第１配線パターン１６ａ，１６ｂを導電性部品２０の上方に形成する際に、フォトリソグラフィの精度を向上させることができるので、微細な配線パターンを精度よく形成できるようになり、高密度な配線基板を容易に製造することができる。
【００４４】
また、コア基板の貫通孔に導電性部品（金属柱）を挿入するようにしたので、めっきや導電性ペーストでは充填が困難な高アスペクト比の貫通孔であっても抵抗が低い状態で基板の両面間の導通が可能になる。これに加えて、導電性部品上にビアホールを配置してスタックビア構造の多層配線を容易に形成できるので、配線の高密度化に容易に対応できると共に、配線経路が短くなって配線インダクタンスの低減を図ることができる。
【００４５】
（第２の実施の形態）
図５は本発明の第２実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である。第２実施形態が第１実施形態と異なる点は、絶縁層を研磨する工程において、導電性部品の先端面が露出するまで絶縁層を研磨することにある。第２実施形態では、第１実施形態と同一工程においてはその詳しい説明を省略する。
【００４６】
第２実施形態では、まず、第１実施形態の図１（ｃ）に示す構造と同一のものを作成する。第２実施形態では、導電性部品２０として、金属柱の他に、後述する第４実施形態で説明するような金属柱の外周部に絶縁体が被覆された同軸構造のものを使用してもよい。その後、第１実施形態と同様な方法により絶縁基板１０の両面側の絶縁層１２ａ，１２ｂを研磨する。このとき、第２実施形態では、図５（ａ）に示すように、導電性部品２０の先端面２０ｃが露出するまで絶縁層１２ａ，１２ｂを研磨する。第２実施形態では、導電性部品２０の突出部２０ａ，２０ｂの横方向に残された絶縁層１２ａ，１２ｂがそれぞれ第１層間絶縁膜１４ａ，１４ｂとなる。このとき、研磨により金属粉が第１層間絶縁膜１４ａ，１４ｂ上に残る場合は、エッチング液により金属粉が除去される。また、第１実施形態の変形例と同様に、配線層（図５（ａ）の点線部）を備えた絶縁基板１０を使用する場合、研磨する際に配線層に損傷を与える恐れがない。
【００４７】
次いで、図５（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、絶縁基板１０の両面側の導電性部品２０に接続される第１配線パターン１６ａ，１６ｂを第１層間絶縁膜１４ａ，１４ｂ上にそれぞれ形成する。
【００４８】
続いて、図５（ｃ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、第２層間絶縁膜１８ａ，１８ｂに設けられた第２ビアホール１８ｘ，１８ｙを介して、第２配線パターン２２ａ，２２ｂが第１配線パターン１６ａ，１６ｂに接続された構造を形成する。
【００４９】
次いで、図５（ｄ）に示すように、第２配線パターン２２ａ，２２ｂの接続部２２ｘに開口部が設けられたソルダレジスト膜膜２４ａ，２４ｂをそれぞれ形成した後に、第２配線パターン２２ａ、２２ｂの接続部２２ｘにＮｉ／Ａｕめっきを施す。
【００５０】
以上により、第２実施形態に係る配線基板１ａが得られる。第２実施形態は第１実施形態と同様な効果を奏すると共に、第１実施形態での第１ビアホール１４ｘ，１４ｙを形成する工程が必要ないので、第１実施形態よりも製造工程が簡易となり、製造コストを低減させることができる。
【００５１】
（第３の実施の形態）
図６は本発明の第３実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である。第３実施形態が第２実施形態と異なる点は、絶縁層を研磨して導電性部品の先端面を露出させた後に、導電性部品をさらに絶縁層で被覆することにある。第３実施形態では、第１実施形態と同様な工程においてはその詳しい説明を省略する。
【００５２】
まず、図６（ａ）に示すように、第２実施形態と同様に図１（ｃ）の構造の絶縁層１２ａ，１２ｂを導電性部品２０の先端面２０ｃが露出するまで研磨することにより、絶縁基板１０の両面側における導電性部品２０の突出部２０ａ、２０ｂの横方向に第１絶縁層１３ａ，１３ｂをそれぞれ残す。第３実施形態においても、導電性部品２０として、金属柱の他に、金属柱の外周部に絶縁体が被覆された同軸構造のものを使用してもよい。
【００５３】
その後、第３実施形態では、図６（ｂ）に示すように、絶縁基板１０の両面側における導電性部品２０の先端面２０ｃを被覆する第２絶縁層１５ａ，１５ｂ（上側絶縁層）をそれぞれ形成する。これにより、絶縁基板１０の両面側に、第１絶縁層１３ａ，１３ｂと第２絶縁層１５ａ，１５ｂとにより構成される第１層間絶縁膜１４ａ，１４ｂがそれぞれ形成される。
【００５４】
続いて、絶縁基板１０の両面側における導電性部品２０上の第２絶縁層１５ａ，１５ｂの部分に第１ビアホール１５ｘ，１５ｙをそれぞれ形成した後、第１ビアホール１５ｘ，１５ｙを介して導電性部品２０に接続される第１配線パターン１６ａ，１６ｂを第１層間絶縁膜１４ａ，１４ｂ上にそれぞれ形成する。
【００５５】
続いて、図６（ｃ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、第２層間絶縁膜１８ａ，１８ｂに設けられた第２ビアホール１８ｘ，１８ｙを介して、第２配線パターン２２ａ，２２ｂが第１配線パターン１６ａ，１６ｂに接続された構造を形成する。
【００５６】
次いで、図６（ｄ）に示すように、第１実施形態と同様に、第２配線パターン２２ａ，２２ｂの接続部２２ｘに開口部が設けられたソルダレジスト膜膜２４ａ，２４ｂをそれぞれ形成した後に、第２配線パターン２２ａ、２２ｂの接続部２２ｘにＮｉ／Ａｕめっきを施す。
【００５７】
以上により第３実施形態に係る配線基板１ｂが得られる。第３実施形態は第１実施形態と同様な効果を奏する。
【００５８】
（第４の実施の形態）
図７及び図８は本発明の第４実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である。第４実施形態が第１実施形態と異なる点は、導電性部品として金属柱の外周部に絶縁体が被覆された同軸構造のものを使用することにある。
【００５９】
まず、図７（ａ）に示すように、第１実施形態と同様に、コア基板として絶縁基板１０を用意し、絶縁基板１０に貫通孔１０ａを形成する。その後、図７（ｂ）に示すように、金属柱２１ｘとその外周部を被覆する絶縁体２１ｙとにより構成される同軸型導電性部品２１を用意する。
【００６０】
同軸型導電性部品２１の長さは、第１実施形態と同様に、絶縁基板１０の厚みよりも長く設定される。また、同軸型導電性部品２１の口径は絶縁基板１０の貫通孔１０ａに対応して設定され、金属柱２１ｘの口径は例えば１００〜１５０μｍであり、絶縁体２１ｙの厚みは例えば４０〜６０μｍである。同軸型導電性部品２１の絶縁体２１ｙは、エポキシ樹脂、フッ素樹脂又はポリエチレン樹脂などからなり、単層の絶縁層であってもよいし、２層以上の異なる絶縁層が積層されたものであってもよい。
【００６１】
その後に、この同軸型導電性部品２１を絶縁基板１０の貫通孔１０ａに挿入して固定する。このとき、第１実施形態と同様に、同軸型導電性部品２１は、絶縁基板１０の両面側に突出部２１ａ，２１ｂが突き出た状態で貫通孔１０ａに嵌め込まれる。同軸型導電性部品２１では、外周部に絶縁体２１ｙが被覆されていることから同軸型導電性部品２１同士が近接して配置される場合であっても電気的なショートが防止される。従って、第１実施形態のような単体の金属柱からなる導電性部品２０を使用する場合よりも配線基板１０の貫通孔１０ａが配置されるピッチを狭くすることができる。このように、同軸型導電性部品２１を使用することにより、配線基板の高密度化に容易に対応できるようになる。
【００６２】
続いて、図７（ｃ）及び（ｄ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、絶縁基板１０の両面側における同軸型導電性部品２１の突出部２１ａ，２１ｂを被覆して形成された絶縁層１２ａ，１２ｂを研磨することにより、平坦化された第１層間絶縁膜１４ａ，１４ｂを得る。
【００６３】
次いで、図８（ａ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、第１層間絶縁膜１４ａ，１４ｂに設けられた第１ビアホール１４ｘ，１４ｙを介して、第１配線パターン１６ａ，１６ｂが同軸型導電性部品２１に接続された構造を形成する。
【００６４】
次いで、図８（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、第２層間絶縁膜１８ａ，１８ｂに設けられた第２ビアホール１８ｘ，１８ｙを介して、第２配線パターン２２ａ，２２ｂが第１配線パターン１６ａ，１６ｂに接続された構造を形成する。
【００６５】
その後に、第１実施形態と同様に、第２配線パターン２２ａ，２２ｂの接続部２２ｘに開口部が設けられたソルダレジスト膜膜２４ａ，２４ｂをそれぞれ形成した後に、第２配線パターン２２ａ、２２ｂの接続部２２ｘにＮｉ／Ａｕめっきを施す。
【００６６】
以上により第４実施形態に係る配線基板１ｃが得られる。第４実施形態は第１実施形態と同様な効果を奏すると共に、上記したように同軸型導電性部品２０が使用されるので、配線基板の高密度化に容易に対応できるようになる。
【００６７】
（第５の実施の形態）
図９及び図１０は本発明の第５実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である。第５実施形態が第１実施形態と異なる点は、第４実施形態と同様な同軸型導電性部品を使用し、かつコア基板として金属板をベースにした基板を使用することにある。
【００６８】
まず、図９（ａ）に示すように、下側絶縁層１１ｘと金属板１１ｙと上側絶縁層１１ｚとにより構成される金属ベース基板１１を用意し、この金属ベース基板１１に貫通孔１１ａを形成する。例えば、下側及び上側絶縁層１１ｘ，１１ｚの厚みはそれぞれ１００μｍ程度であり、金属板１１ｙの厚みは２００μｍ程度である。下側及び上側絶縁層１１ｘ，１１ｚとしては樹脂フィルムなどが使用され、金属板１１ｙとしては銅板、又は鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）の合金板などが使用される。なお、金属ベース基板１１の代わりに、絶縁層が貼着されていない単体の金属板を使用してもよい。
【００６９】
その後、図９（ｂ）に示すように、第４実施形態と同様な、金属柱２１ｘとその外周部を被覆する絶縁体２１ｙとにより構成される同軸型導電性部品２１を用意する。同軸型導電性部品２１の長さは、金属ベース基板１１の厚みよりも長く設定される。
【００７０】
続いて、この同軸型導電性部品２１を金属ベース基板１１の貫通孔１１ａに挿入して固定する。このとき、同軸型導電性部品２１は、金属ベース基板１１の両面側に突出部２１ａ，２１ｂが突き出た状態で貫通孔１１ａに嵌め込まれる。また、このとき、同軸型導電性部品２１はその外周部に絶縁体２１ｙを備えているので、複数の同軸型導電性部品２１同士が金属ベース基板１１の金属板１１ｙを介して電気的にショートすることはなく、複数の同軸型導電性部品２１が相互に絶縁された状態となる。
【００７１】
続いて、図９（ｃ）及び（ｄ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、金属ベース基板１１の両面側における同軸型導電性部品２１の突出部２１ａ，２１ｂを被覆して形成された絶縁層１２ａ，１２ｂを研磨することにより、平坦化された第１層間絶縁膜１４ａ，１４ｂを得る。
【００７２】
次いで、図１０（ａ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、第１層間絶縁膜１４ａ，１４ｂに設けられた第１ビアホール１４ｘ，１４ｙを介して、第１配線パターン１６ａ，１６ｂが同軸型導電性部品２０に接続された構造を形成する。
【００７３】
続いて、図１０（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、第２層間絶縁膜１８ａ，１８ｂに設けられた第２ビアホール１８ｘ，１８ｙを介して、第２配線パターン２２ａ，２２ｂが第１配線パターン１６ａ，１６ｂに接続された構造を形成する。
【００７４】
その後に、第１実施形態と同様に、第２配線パターン２２ａ，２２ｂの接続部２２ｘに開口部が設けられたソルダレジスト膜膜２４ａ，２４ｂをそれぞれ形成した後に、第２配線パターン２２ａ、２２ｂの接続部２２ｘにＮｉ／Ａｕめっきを施す。
【００７５】
以上により、第５実施形態に係る配線基板１ｄが得られる。第５実施形態は第１及び第４実施形態と同様な効果を奏する。これに加えて、同軸型導電性部品２１を用いることによってコア基板として金属ベース基板（又は金属基板）を使用できるようにしたので、剛性、熱伝導性、電磁遮断性及び加工性などの諸特性において、絶縁基板を使用する場合よりも有利に改善することができる。
【００７６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、まず、導電性部品がコア基板から突出する突出部をもつ状態でコア基板の貫通孔に挿入される。次いで、導電性部品の突出部が絶縁層に被覆・保持された状態で、絶縁層のみが研磨されて平坦化される。
【００７７】
このため、研磨工程で導電性部品（金属柱）が変形するなどの不具合が発生することなく、導電性部品の突出部による段差が解消される。さらに、導電性部品に接続される配線パターンを多層化して形成するとき、フォトリソグラフィの精度を向上させることができるので、微細な配線パターンを精度よく形成できるようになり、高密度な配線基板を容易に製造することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である（その１）。
【図２】図２は本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である（その１の変形例）。
【図３】図３は本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である（その２）。
【図４】図４は本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である（その３）。
【図５】図５は本発明の第２実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である。
【図６】図６は本発明の第３実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である。
【図７】図７は本発明の第４実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である（その１）。
【図８】図８は本発明の第４実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である（その２）。
【図９】図９は本発明の第５実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である（その１）。
【図１０】図１０は本発明の第５実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である（その２）。
【符号の説明】
１０・・・絶縁基板（コア基板）、
１０ａ，１１ａ・・・貫通孔、
１１・・・金属ベース基板（コア基板）、
１１ｘ・・・下側絶縁層、
１１ｙ・・・金属板、
１１ｚ・・・上側絶縁層、
１２ａ，１２ｂ・・・絶縁層、
１３ａ，１３ｂ・・・第１絶縁層、
１４ａ，１４ｂ・・・第１層間絶縁膜、
１４ｘ，１４ｙ・・・第１ビアホール、
１５ａ・・・第２絶縁層、
１６ａ，１６ｂ・・・第１配線パターン、
１７ａ，１７ｂ・・・配線層、
１８ａ，１８ｂ・・・第２層間絶縁膜、
１８ｘ，１８ｙ・・・第２ビアホール、
２０・・・導電性部品、
２１・・・同軸型導電性部品、
２１ｘ・・・金属柱、
２１ｙ・・・絶縁体、
２０ｃ・・・先端面、
２２ａ，２２ｂ・・・第２配線パターン、
２２ｘ・・・接続部、
２４ａ，２４ｂ・・・ソルダレジスト膜、
２６・・・バンプ、
３０・・・半導体素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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