(57)【要約】【課題】エネルギー効率を改善する。【解決手段】ＩＨ電源は半導体スイッチング素子を備え、交流電圧をスイッチングして高周波電流を生成する。高周波電流がＩＨセルヒーター１４に供給されると、熱媒体液が加熱される。熱交換器１３はＩＨセルヒーター１４の上流に設けられており、その外周壁には絶縁体を介して半導体スイッチング素子のヒートシンクが固着されている。従って、半導体スイッチング素子で発生する熱エネルギーが熱交換器１３によって回収され、熱媒体液を加熱することができる。【選択図】      図３
2005003326.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱した熱媒体液を床下に設けられた放熱器に導いて室内を暖房する床暖房システムに用いられる熱源ユニットにおいて、
半導体スイッチをスイッチングさせて高周波電流を発生する電源手段と、
前記高周波電流が供給される誘導コイルと、前記誘導コイルからの磁束によって発生する渦電流によって発熱する発熱体と有し、前記発熱体によって前記熱媒体液を加熱する主加熱手段と、
前記半導体スイッチが発生する熱エネルギーを前記熱媒体液に導いて加熱する補助加熱手段と、
を備えることを特徴とする熱源ユニット。
【請求項２】
前記補助加熱手段は、前記主加熱手段の上流に設けられ、前記放熱器から戻ってきた前記熱媒体液を加熱して前記主加熱手段に供給することを特徴とする熱源ユニット。
【請求項３】
前記補助加熱手段の上流に設けられ、前記熱媒体液を循環させるポンプを備え、
前記補助加熱手段は、
ケースと、
前記ポンプと前記加熱手段とを連結する配管と、
前記ケースと前記配管との間を満たす熱導電材料と、
前記ケースの外周壁に直接又は絶縁体を介して固着された前記半導体スイッチの放熱板と、
を備えることを特徴とする請求項２に記載の熱源ユニット。
【請求項４】
前記半導体スイッチはＩＧＢＴで構成されることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の熱源ユニット。
【請求項５】
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の熱源ユニットと、
部屋の床下に設けられ、前記熱源ユニットによって加熱された前記熱媒体液が供給される放熱器と、
を備えたことを特徴とする床暖房システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱源ユニット及び床暖房システムの技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
わが国の高齢化社会の進行にともない、寒さの厳しい冬季にあっても快適な住環境を提供する床暖房システムが注目されている。床暖房システムは、室内に温風を循環させて室内を暖める暖房システムと異なり、暖まった床面からの輻射と熱伝導により室内を暖房するため、室内の居住者に不快な風を感じさせないという利点がある。
【０００３】
これまで、温水式床暖房は熱源としてガス、灯油等の化石燃料を燃焼させる方法、ニクロム線をコア材にしたシーズヒーターを使用する方法が一般に用いられてきた。また、熱源として誘導加熱を用いる技術も知られている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
誘導加熱方式を採用する場合には、誘導コイルに高周波電流を供給する必要がある。高周波電流は、インバータ装置によって、商用の交流電圧を直接スイッチングすることにより、あるいは商用の交流電圧を直流電圧に変換した後、直流電圧をスイッチングすることにより生成される。
【０００５】
インバータ装置では半導体スイッチング素子を用いてスイッチングを行うが、このスイッチング動作に伴って半導体スイッチング素子が発熱する。半導体スイッチング素子の耐熱温度には限界があるので、これを冷却するためにヒートシンクを設けたり、さらに、ヒートシンクをファンで空冷する等の放熱対策が取られる。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−１４１２４９号公報（段落番号００３２）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、床暖房システムにおいては、消費電力を下げると共にエネルギー効率の向上が重要な問題となっている。熱源にインバータ装置を用いて誘導加熱を行う場合、半導体スイッチング素子を用いて高周波電流を生成する必要があるが、この際、半導体スイッチング素子の発熱に伴う熱エネルギーが無駄になってしまう。さらに、半導体スイッチング素子を冷却するために空冷ファンを設けると、空冷ファンを駆動するために電力がさらに消費され、くわえて、風きり音が騒音となって室内に漏れ出るといった問題がある。
【０００８】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、エネルギー効率を向上した熱源ユニットを提供すること等を解決課題の一例とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
以下、本発明について説明する。なお、本発明の理解を容易にするために添付図面の参照符号を括弧書きにて付記するが、それにより本発明が図示の形態に限定されるものではない。
【００１０】
本発明に係る熱源ユニットは、加熱した熱媒体液を床下に設けられた放熱器に導いて室内を暖房する床暖房システムに用いられる熱源ユニット（１００）において、半導体スイッチ（Ｑ１、Ｑ２）をスイッチングさせて高周波電流を発生する電源手段（Ａ）と、前記高周波電流が供給される誘導コイルと、前記誘導コイルからの磁束によって発生する渦電流によって発熱する発熱体と有し、前記発熱体によって前記熱媒体液を加熱する主加熱手段（１４）と、前記半導体スイッチ（Ｑ１、Ｑ２）が発生する熱エネルギーを前記熱媒体液に導いて加熱する補助加熱手段（２０、２３、１３）と、を備えることにより、上述した課題を解決する。
【００１１】
この発明によれば、電源手段の半導体スイッチで発生する熱エネルギーを外部に放出するのではなく、補助加熱手段によって回収して熱媒体液を加熱するので、熱源ユニットのエネルギー効率を向上させることができる。特に、床暖房システムの始動時には、熱媒体液の温度が低音になっているので、その温度を一刻も早く上昇させる必要がある。半導体スイッチは、主加熱手段の誘導コイルに高周波電流を供給するときに動作して発熱し、熱媒体液と比較して急速に高温となるので、床暖房システムの始動時において、熱媒体液の温度を早く上昇させるのに本発明は有効である。なお、熱媒体液としては特に限定されるものではないが、例えば水、エチレングリコールのような不凍液などを使用することができる。
【００１２】
ここで、前記補助加熱手段（２０、２３、１３）は、前記主加熱手段（１４）の上流に設けられ、前記放熱器から戻ってきた前記熱媒体液を加熱して前記主加熱手段（１４）に供給することことが好ましい。熱効率は、温度差が大きい程高いため、熱エネルギーの回収効率を高めるには、熱媒体液の温度の低い箇所に補助加熱手段を設けることが好ましい。床暖房システムにおいては主加熱手段で加熱した熱媒体液が循環するので、主加熱手段の入力、即ち、主加熱手段の上流が最も熱媒体液の温度が低下している。従って、補助加熱手段を主加熱手段の上流に設けることによって、エネルギー効率をより一層向上させることができる。
【００１３】
また、上述した熱源ユニットは、前記補助加熱手段（２０、２３、１３）の上流に設けられ、前記熱媒体液を循環させるポンプ（５）を備え、前記補助加熱手段（２０、２３、１３）は、ケース（１３Ａ）と、前記ポンプ（５）と前記加熱手段（１４）とを連結する配管（１３Ｂ）と、前記ケースと前記配管との間を満たす熱導電材料と、前記ケースの外周壁に直接又は絶縁体（２３）を介して固着された前記半導体スイッチ（Ｑ１、Ｑ２）の放熱板（２０）と、を備えることが好ましい。
【００１４】
この場合には、半導体スイッチで発生する熱が、放熱板から直接的又は間接的に補助加熱手段のケースに伝わり、さらに、配管を流れる熱媒体液へ伝わる。即ち、ケース、熱導電材料、及び配管は熱交換器として作用する。これにより、半導体スイッチは効率良く放熱され、空冷ファン等を用いた強制空冷を不要にでき、騒音が出ない静かな熱源ユニットを構成することができる。この結果、熱源ユニットを屋内に設置しても騒音の障害がなく、熱源ユニットから放熱器までの配管長を短くすることができ、床暖房システム全体のエネルギー効率を向上させることができる。
【００１５】
なお、前記半導体スイッチ（Ｑ１、Ｑ２）はＩＧＢＴ（ＳＷ１、ＳＷ２）で構成してもよい。
【００１６】
次に、本発明に係る床暖房システムは、上述した熱源ユニット（１００）と、部屋の床下に設けられ、前記熱源ユニット（１００）によって加熱された前記熱媒体液が供給される放熱器と、を備えることが好ましい。この発明によれば、床暖房システムのエネルギー効率を大幅に向上させることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態に係る床暖房システムを説明する。図１は床暖房システムの全体構成を示すブロック図である。この図に示すように床暖房システムは、熱源ユニットとして機能するボイラー本体１００、室内に設けられる壁コントローラ２００、及び部屋の床下に設けられ温水によって床を暖める配管を備える。配管は放熱器として作用する。
【００１８】
この床暖房システムでは熱源として、クリーンな電気エネルギーを使用するので、ガスや灯油を熱源として使用するような場合に発生する燃焼ガスが発生しない。また、熱媒体液を直接加熱できる高周波誘導加熱を使用するため、温水タンクを設ける必要がなく、ボイラー本体１００をコンパクトにまとめることが可能である。このため、ボイラー本体１００は、屋内の壁に取り付けることが可能である。
【００１９】
壁コントローラ２００は、ユーザーの操作に応じた信号を出力する操作パネル（図示せず）を有する。ユーザーは、操作パネルを操作して、運転開始、運転停止、設定温度、タイマー予約などシステムの運転条件を入力できるようになっている。さらに、壁コントローラ２００は、操作パネルからの信号を検知して、運転状態をＬＣＤ表示部に表示させると共に、通信インターフェース介してボイラー本体１００と通信を行うＭＣＵを備える。
【００２０】
ボイラー本体１００は、ＩＨ電源、Ｉ／Ｏ処理部、ＩＨ加熱温水循環系を有する。ＩＨ加熱温水循環系は、熱媒体液たる水を循環させるポンプ及びＩＨ電源から高周波電流の給電を受けて温水を加熱するＩＨセルヒーターを備える。Ｉ／Ｏ処理部は、ＩＨ加熱温水制御系に設けられた各種のセンサからの信号を取り込み、壁コントローラ２００のＭＣＵに送信すると共に、壁コントローラ２００からの制御指令を受信してＩＨ電源の出力制御を実行する。この例では、壁コントローラ２００のＭＣＵが床暖房システム全体を制御する制御中枢として機能する。即ち、ＭＣＵは、Ｉ／Ｏ処理部から取得した各種のデータに基づいて、制御の目標値に対する制御量を演算し、これを制御指令としてＩ／Ｏ処理部に送信する。なお、Ｉ／Ｏ処理部に制御中枢の機能を持たせてもよい。ＩＨ電源はＩ／Ｏ処理部からの制御信号に従って、交流電圧をスイッチングして高周波電流を生成し、これを上述したＩＨセルヒーターに供給する。
【００２１】
図２は、ボイラー本体１００の正面図であり、図３は、その内部構造を示す正面図である。正面パネル１の上部には注水口２が設けられている。注水口２はリザーブタンク３と連結されており、注水口２から入れられた水はリザーブタンク３に貯水される。リザーブタンク３は、配管４を介して循環ポンプ５の上流に設けられる配管６に連結されている。ユーザーが正面パネル１に設けられた注水運転ボタン７を操作すると、循環ポンプ５が作動して循環系に水が注入される。また、正面パネル１には漏電ブレーカ操作レバー８が設けられており、漏電ブレーカ９の開閉を手動で操作できるようになっている。
【００２２】
配管スペース１０には、戻り温水が供給される戻り温水ヘッダー１１及び往き温水が供給される往き温水ヘッダー１２が設けられている。戻り温水ヘッダー１１及び往き温水ヘッダー１２には、複数系統の配管（放熱器）を取り付けることが可能である。
【００２３】
温水は、戻り温水ヘッダー１１→循環ポンプ５→熱交換器１３→ＩＨセルヒーター１４→往き温水ヘッダー１２→放熱器→戻り温水ヘッダー１１の経路で循環する。熱交換器１３は、ケース１３Ａ、これを貫通する配管１３Ｂ、及びケース１３Ａと配管１３Ｂとの空間を満たす熱伝導材料（例えば、銅、アルミニウム、あるいは水）とを備える。また、ケース１３Ａの外周壁には、後述するヒートシンク２０が取り付けられている。
【００２４】
ＩＨセルヒーター１４は、例えば、絶縁体よりなる管体、絶縁体の周囲に設けられた誘導コイル、及び管体の内部に設けられ誘導コイルにより誘導加熱される金属管とから構成することができる。管体と金属管との間を熱媒体液（この例では、水）が流れる。誘導コイルに高周波電流が流れると、誘導コイルから磁束が流れ出る。この磁束によって金属管には、渦電流が誘起され渦電流損を発生する。これにより、金属管が損失エネルギーにより発熱し、熱媒体液が加熱される。
【００２５】
また、ボイラー本体１００の左壁には、制御基板１５が取り付けられている。制御基板１５には、上述したＩＨ電源とＩ／Ｏ処理部が組み込まれている。
ところで、ＩＨ電源は、半導体スイッチング素子を用いて交流電圧をスイッチングして高周波電流を生成するが、このスイッチング動作に伴って発熱する。半導体スイッチング素子の耐熱温度には限界があるので、冷却する必要があり、このためにヒートシンク２０が用いられる。
【００２６】
図４は、ボイラー本体１００の上面図であり、図５は、図４に示すヒートシンク２０の周辺構造を示す拡大図である。ヒートシンク２０は、背面パネル２１と絶縁体２２を介して固着されており、ヒートシンク２０の窪みには、半導体スイッチング素子が取り付けられている。半導体スイッチング素子としては、例えば、後述するスイッチングブロックＱ１、Ｑ２を構成するＩＧＢＴが該当する（図６）参照）。また、ヒートシンク２０の背面は絶縁体２３を介して熱交換器１３のケース１３Ａに固着されている。これによって、半導体スイッチング素子のスイッチング動作に伴って発生する熱エネルギーが熱交換器１３に伝導し、配管１３Ｂを流れる温水を加熱することができる。すなわち、熱交換器１３は、ＩＨ電源で消費されるエネルギーを回収して熱媒体液を加熱する補助加熱手段として機能する。なお、この例では、ヒートシンク２０と熱交換器１３との間には絶縁体２３が設けられているが、半導体スイッチング素子の全体がモールドされている場合等、その構造によっては、絶縁体２３を介することくなく、熱交換器１３にヒートシンク２０を直接固着してもよい。
【００２７】
ここで、熱交換器１３は、原理的には熱媒体液の循環経路のうちいずれの箇所に設置してもよいが、この図に示すようにＩＨセルヒーター１４の上流に設けることが熱効率の観点から望ましい。熱効率は、温度差が大きい程高い。ＩＨセルヒーター１４によって加熱された往き温水は、放熱器で温度が奪われ水温が低下した後、戻り温水として循環する。循環経路で最も水温が低い箇所は、ＩＨセルヒーター１４の入口である。そこで、熱交換器１３をＩＨセルヒーター１４の上流に設け、熱エネルギーの回収効率を向上させている。
【００２８】
次に、ＩＨ電源に用いるインバータ装置について説明する。図６は、インバータ装置Ａのブロック図である。この例の商用電源は、１００Ｖ／６０Ｈｚであるものとする。インバータ装置Ａは商用電源から交流電圧Ｖの給電を受けて、誘導負荷Ｂに高周波電流を供給する。インバータ装置Ａは、ＺＣＳ−ＰＤＭ制御高周波サイクロコンバータ回路として構成される。誘導負荷Ｂは、ＩＨセルヒーター１４の誘導コイル及び被加熱物体たる金属管に相当し、等価的にインダクタンス成分Ｌ０と抵抗成分Ｒ０とを直列に接続したモデルで表すことができる。
【００２９】
インバータ装置Ａは、駆動回路Ａ１と制御回路Ａ２とを備える。駆動回路Ａ１の入力端子Ｔ１及びＴ２は商用電源に接続され、その出力端子Ｔ３及びＴ４は誘導負荷Ｂに接続される。入力端子Ｔ１は、入力フィルタインダクタＬｆを介して整流ダイオードＤｂ１及びＤｂ２の接続点に接続されている。また、整流ダイオードＤｂ１及びＤｂ２と並列にフィルタ兼共振キャパシタＣ１及びＣ２が設けられている。フィルタ兼共振キャパシタＣ１及びＣ２の中点は、入力端子Ｔ２及び出力端子Ｔ４に接続されている。フィルタ兼共振キャパシタＣ１及びＣ２は、入力フィルタインダクタＬｆと共に入力フィルタを構成する。
【００３０】
スイッチングブロックＱ１及びＱ２の接続点は出力端子Ｔ３と接続されている。スイッチングブロックＱ１は、スイッチング素子ＳＷ１及び逆並列ダイオードＤ１を備え、スイッチングブロックＱ２は、スイッチング素子ＳＷ２及び逆並列ダイオードＤ２を備える。スイッチング素子ＳＷ１及びＳＷ２は、制御信号に応じてオン・オフを切り換えることが可能な半導体スイッチング素子であれば、原理的にどのような素子を用いてもよいが、本実施形態においてはＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いる。逆並列ダイオードＤ１及びＤ２は、フライホールダイオードとも呼ばれ、スイッチング素子ＳＷ１及びＳＷ２のオン・オフに伴うサージ電圧を吸収する作用がある。
【００３１】
スイッチングブロックＱ１及びＱ２は、大振幅の交流電圧Ｖをスイッチングし、そこには大電流が流れる。従って、インバータ装置Ａの電力の大半はスイッチングブロックＱ１及びＱ２で消費される。消費された電力は熱エネルギーの形で外部に放出されるが、上述した熱交換器１３によって熱エネルギーが回収されるから、床暖房システム全体のエネルギー効率を向上させることができる。
【００３２】
また、ＺＣＳ促進インダクタスナバＬｓ１及びＬｓ２がそれぞれスイッチングブロックＱ１及びＱ２に直列接続されている。ＺＣＳ促進インダクタスナバＬｓ１及びＬｓ２はフィルタ兼共振キャパシタＣ１及びＣ２と共に共振回路を構成する。
【００３３】
駆動回路Ａ１においてスイッチング素子ＳＷ１及びＳＷ２は、入力端子Ｔ１及びＴ２と出力端子Ｔ３及びＴ４との間の経路に設けられ、オン・オフの制御が可能なスイッチング手段として機能する。このスッチング手段のオン・オフを制御することによって、誘導負荷Ｂに高周波電流を供給することが可能となる。
【００３４】
次に、制御回路Ａ２は、ゼロクロス検出回路３１、高周波パルス発生回路３２、及び負荷投入電力調整回路３３を備える。ゼロクロス検出回路３１は、コンパレータ等で構成され、交流電圧Ｖが振幅中心電圧をよぎるタイミングを検出して検出信号３１ａを生成する。高周波パルス発生回路３２は、高周波パルスＰを生成する。高周波パルスＰの周波数は交流電圧の周波数よりも高く、誘導負荷Ｂの駆動条件に応じて定められる。この例では、高周波パルスＰの周波数を２０ＫＨｚとする。
【００３５】
負荷投入電力調整回路３３は、Ｉ／Ｏ処理部から送信される制御コマンドを受信する。制御コマンドは負荷投入電力を指示する。負荷投入電力調整回路３３は、負荷投入電力に応じて高周波パルスＰをゲートした制御パルスＰ１及びＰ２を生成する。負荷投入電力の調整は、交流電圧Ｖの所定周期を電力制御周期Ｔとし、この電力制御周期Ｔを電力注入期間Ｔｏｎと電力非注入期間Ｔｏｆｆとに分けて、それらの時間の割合を負荷投入電力に応じて調整することによって行われる。負荷投入電力調整回路３３は、その内部で制御信号ＣＴＬを生成し、制御信号ＣＴＬを用いて高周波パルスＰをゲートして制御パルスＰ１及びＰ２を生成する。制御信号ＣＴＬは電力注入期間Ｔｏｎにおいてハイレベルとなる一方、電力注入期間Ｔｏｆｆにおいてローレベルとなる。
【００３６】
図７は、制御回路Ａ２の動作を示すタイミングチャートである。この例では、交流電圧Ｖの１０周期を電力制御周期Ｔとし、パルス密度変調時比率Ｄｐを０．８としている。パルス密度変調時比率Ｄｐは、以下に示すの式（１）で与えられる。Ｄｐ＝Ｔｏｎ／（Ｔｏｎ＋Ｔｏｆｆ）……（１）
【００３７】
すなわち、電力制御周期Ｔを交流電圧Ｖの周波数に同期させ、交流電圧Ｖの１周期を単位として、電力注入期間Ｔｏｎと電力非注入期間Ｔｏｆｆとの割合を調整している。この制御方式を商用周波数パスル密度変調（ＣＦＰＤＭ：Ｃｏｍｍｅｒｃｉａｌ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｐｕｌｓｅ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）と呼ぶことにする。従来のＰＤＭ方式では高周波インバータの１０〜２０周期の動作を一つの電力制御周期としてとらえていたが、ＣＦＰＤＭでは、この電力制御周期Ｔを商用周波数に同期させており、商用系統電圧の一周期（５０／６０Ｈｚ）を一つの商用周波数パスルとしてとらえ、従来のＰＤＭより更に長い周期を電力制御周期として投入電力の制御を行う。
【００３８】
ＣＦＰＤＭ方式では、交流電圧の一周期を従来のＰＤＭ方式の一周期とみなし、電力非注入期間Ｔｏｆｆから電力注入期間Ｔｏｎへ遷移するタイミング（図７示す時刻ｔ２）及び電力注入期間Ｔｏｎから電力非注入期間Ｔｏｆｆへ遷移するタイミング（図７示す時刻ｔ１）を、交流電圧Ｖのゼロクロス点とする。このため従来のＰＤＭ方式では電力制御時に発生した電力制御周期Ｔに依存する高調波電流成分が、ＣＦＰＤＭ方式では発生せず、入力電流のひずみ率が小さくしかも入力総合力率が高い動作が実現できる。このように従来のＰＤＭ方式の弱点をカバーする一方で、電力制御状態にかかわらず常に高効率で動作することが可能であること、また高周波交流電力のマイコンやＤＳＰによるデジタル制御が容易であり、出力電力の推定が可能であるといったＰＤＭ本来の特徴を全て活かしていることもＣＦＰＤＭ方式の大きな特徴といえる。
【００３９】
以上、説明したように本実施形態によれば、ＩＨ電源たるインバータ装置Ａで発生する熱を熱交換器１３で回収して熱媒体液を加熱したので、ボイラー本体１００の消費電力を低減することができ、ひいては、床暖房システムのエネルギー効率を向上させることができる。また、床暖房システムの始動時には、急速に水温を上昇させることが求められるが、本実施形態によれば、ＩＨ電源の半導体スイッチング素子で発生する熱を水温の上昇に利用することができるので、始動時において求められる水温上昇を短時間のうちに完了することができる。
【００４０】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、誘導加熱を採用する熱源ユニットにおいて、従来は棄てられていた半導体スイッチング素子が発生する熱ネルギーを回収して、熱媒体液を加熱することができるので、エネルギー効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る床暖房システムの全体構成を示すブロック図である。
【図２】同システムに用いられるボイラー本体の機械的構成を示す正面図である。
【図３】ボイラー本体の内部構造を示す正面図である。
【図４】ボイラー本体の機械的構成を示す上面図である。
【図５】図４に示すヒートシンクの周辺構造を示す拡大図である。
【図６】インバータ装置Ａのブロック図である。
【図７】インバータ装置Ａのタイミングチャートである
【符号の説明】
５  循環ポンプ
１４  ＩＨセルヒーター
２０  ヒートシンク
２３  絶縁体
１３  熱交換器
１３Ａ  配管
１３Ｂ  ケース
１００  ボイラー本体
Ａ  インバータ装置
Ｑ１、Ｑ２  スイッチングブロック
ＳＷ１、ＳＷ２  スイッチング素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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