(57)【要約】【課題】隣り合う描画領域間に露光パターンのずれを生じさせることなく、露光パターンを迅速に描画する。【解決手段】樹脂層を仮想的に分割した描画領域Ａ，Ａ・・のうちの１つに描画用ビームを照射可能にＸ−Ｙ移動機構を制御して基材１００を移動させつつビーム照射機構を制御して描画用ビームを照射させて露光パターンＰを描画する描画処理を実行する制御部を備え、制御部は、露光パターンＰを描画すべき描画領域Ａ，Ａ・・が隣接している描画領域群に属して描画が完了していないことを第１の条件とし、描画領域群に属すると共にその描画領域群における最も外側に位置することを第２の条件として、両条件を満たすいずれかの描画領域Ａに対して描画処理を実行した後に、両条件を満たし、かつその直前に描画した描画領域Ａに最も近い描画領域Ａに対して描画処理を順次実行する。【選択図】図３
2005275186.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材をその面方向に沿って移動させるＸ−Ｙ移動機構と、当該Ｘ−Ｙ移動機構上の前記基材における樹脂層に描画用ビームを照射するビーム照射機構と、当該ビーム照射機構によるビーム偏向可能範囲に応じて前記樹脂層を仮想的に分割した複数の描画領域のうちの１つに前記描画用ビームを照射可能に前記Ｘ−Ｙ移動機構を制御して前記基材を移動させると共に当該ビーム照射機構を制御して当該描画用ビームを照射させて前記樹脂層に露光パターンを描画する描画処理を実行する制御部とを備え、
前記制御部は、前記露光パターンを描画すべき複数の前記描画領域が隣接している描画領域群に属して当該露光パターンの描画が完了していないことを第１の条件とし、当該描画領域群に属する前記描画領域のうちの当該描画領域群における最も外側に位置することを第２の条件として、当該両条件を満たすいずれかの前記描画領域に対して前記描画処理を実行した後に、前記両条件を満たす前記描画領域であってその直前に当該露光パターンを描画した当該描画領域に最も近い描画領域に対して前記描画処理を順次実行するパターン描画装置。
【請求項２】
基材をその面方向に沿って移動させるＸ−Ｙ移動機構と、当該Ｘ−Ｙ移動機構上の前記基材における樹脂層に描画用ビームを照射するビーム照射機構と、当該ビーム照射機構によるビーム偏向可能範囲に応じて前記樹脂層を仮想的に分割した複数の描画領域のうちの１つに前記描画用ビームを照射可能に前記Ｘ−Ｙ移動機構を制御して前記基材を移動させると共に当該ビーム照射機構を制御して当該描画用ビームを照射させて前記樹脂層に露光パターンを描画する描画処理を実行する制御部とを備え、
前記制御部は、前記露光パターンを描画すべき複数の前記描画領域が隣接している描画領域群に属して当該露光パターンの描画が完了していないことを第１の条件とし、当該描画領域群に属する前記描画領域のうちの当該描画領域群における最も内側に位置することを第２の条件として、当該両条件を満たすいずれかの前記描画領域に対して前記描画処理を実行した後に、前記両条件を満たす前記描画領域であってその直前に当該露光パターンを描画した当該描画領域に最も近い描画領域に対して前記描画処理を順次実行するパターン描画装置。
【請求項３】
Ｘ−Ｙ移動機構上に基材を載置して、ビーム照射機構によるビーム偏向可能範囲に応じて当該基材における樹脂層を仮想的に分割した複数の描画領域のうちの１つに当該ビーム照射機構から描画用ビームを照射可能に当該Ｘ−Ｙ移動機構を制御して当該基材をその面方向に移動させ、前記ビーム照射機構を制御して当該描画用ビームを照射させて前記樹脂層に露光パターンを描画する際に、
前記露光パターンを描画すべき複数の前記描画領域が隣接している描画領域群に属して当該露光パターンの描画が完了していないことを第１の条件とし、当該描画領域群に属する前記描画領域のうちの当該描画領域群における最も外側に位置することを第２の条件として、当該両条件を満たすいずれかの前記描画領域に対して前記露光パターンを描画する描画処理を実行した後に、前記両条件を満たす前記描画領域であってその直前に当該露光パターンを描画した当該描画領域に最も近い描画領域に対して前記描画処理を実行するパターン描画方法。
【請求項４】
基材をＸ−Ｙ移動機構上に載置して、ビーム照射機構によるビーム偏向可能範囲に応じて当該基材における樹脂層を仮想的に分割した複数の描画領域のうちの１つに当該ビーム照射機構から描画用ビームを照射可能に当該Ｘ−Ｙ移動機構を制御して当該基材をその面方向に移動させ、前記ビーム照射機構を制御して当該描画用ビームを照射させて前記樹脂層に露光パターンを描画する際に、
前記露光パターンを描画すべき複数の前記描画領域が隣接している描画領域群に属して当該露光パターンの描画が完了していないことを第１の条件とし、当該描画領域群に属する前記描画領域のうちの当該描画領域群における最も内側に位置することを第２の条件として、当該両条件を満たすいずれかの前記描画領域に対して前記露光パターンを描画する描画処理を実行した後に、前記両条件を満たす前記描画領域であってその直前に当該露光パターンを描画した当該描画領域に最も近い描画領域に対して前記描画処理を実行するパターン描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材の表面に形成された樹脂層に凹凸パターンを形成するための露光パターンを描画するパターン描画装置およびパターン描画方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種のパターン描画装置として、フォトマスク等を製造するための平板状の材料に電子ビームを照射して描画パターンを描画する電子線描画装置が、特開２００２−１５１３８３号公報に開示されている。この電子線描画装置は、描画対象の材料を載置可能に構成されたＸ−Ｙ移動機構（ステージ）と、Ｘ−Ｙ移動機構上の材料に電子ビームを照射する電子線照射機構（カラム）と、Ｘ−Ｙ移動機構による材料の移動および電子線照射機構による電子ビームの照射を制御する制御部（ＣＰＵおよび描画制御回路）とを備えている。この場合、この種の描画装置に採用されている電子線照射機構では、描画パターンの描画処理時における電子ビームの偏向可能範囲が極く狭い範囲となっている。具体的には、電子ビームの偏向によって描画パターンを描画可能な範囲が、一辺数十μｍ程度の正方形状の領域（偏向領域）となっている。したがって、この種の描画装置では、電子線照射機構の偏向可能範囲に応じて描画対象の材料を複数の描画領域に仮想的に分割して、一つの描画領域に対する描画パターンの描画処理が完了する都度、Ｘ−Ｙ移動機構によって材料を移動させて、ほかの描画領域に対する描画処理を実行している。また、この種の描画装置では、一般的には、一例として、特開２００１−２８４２２９号公報の第３図に示すように、材料上に規定した各描画領域に対して葛折り状の矢印で示す順序で描画処理が実行されるようにＸ−Ｙ移動機構によって材料を移動させている。
【０００３】
具体的には、図６に示すように、従来の電子線描画装置によって、例えば、情報記録媒体評価用の評価媒体を製造するためのトラックパターンＰ１〜Ｐ３からなる露光パターン（描画パターン）Ｐを材料２７に描画する際には、上記の偏向可能範囲に応じて材料２７を偏向領域Ｗ１−１〜Ｗ１０−１０（区別しないときには、「偏向領域Ｗ」ともいう）の１００カ所に仮想的に分割する。なお、実際の描画処理時には、材料２７の一辺が数ｃｍで、一つの偏向領域Ｗの一辺が数十μｍであるため、材料２７を数万から数百万カ所の偏向領域Ｗ，Ｗ・・に分割する。以下、描画処理についての理解を容易とするために、１００カ所の偏向領域Ｗ，Ｗ・・に分割した状態を例に挙げて説明する。最初に、Ｘ−Ｙ移動機構が材料２７を移動させて電子線照射機構の下方に偏向領域Ｗ２−３を位置させる。次いで、電子線照射機構が電子ビームを偏向しつつ、偏向領域Ｗ２−３に電子ビームを照射して偏向領域Ｗ２−３内にトラックパターンＰ１の一部を描画する。
【０００４】
次に、Ｘ−Ｙ移動機構が材料２７を移動させて電子線照射機構の下方に偏向領域Ｗ２−４を位置させた後に、電子線照射機構が偏向領域Ｗ２−４内にトラックパターンＰ１，Ｐ２の一部を描画する。次いで、偏向領域Ｗ２−５〜Ｗ２−８に対するトラックパターンＰ１，Ｐ２の部分的描画を実行した後に、Ｘ−Ｙ移動機構が材料２７を移動させて電子線照射機構の下方に偏向領域Ｗ３−９を位置させて、電子線照射機構が偏向領域Ｗ３−９内にトラックパターンＰ１の一部を描画する。この後、各偏向領域Ｗに対する描画処理が完了する都度、Ｘ−Ｙ移動機構によって材料２７を移動させることにより、同図に斜線で塗り潰して図示した各偏向領域Ｗ，Ｗ・・に対して葛折り状の矢印Ｂ１１で示す順序で描画処理が実行される。これにより、材料２７に対する露光パターンＰの描画が完了する。
【特許文献１】特開２００２−１５１３８３号公報（第４−６頁）
【特許文献２】特開２００１−２８４２２９号公報（第３図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、従来の電子線描画装置には、以下の問題点がある。すなわち、従来の電子線描画装置では、材料２７を仮想的に分割した複数の偏向領域Ｗ，Ｗ・・に対して葛折り状の矢印Ｂ１１で示す順序で描画処理を実行できるようにＸ−Ｙ移動機構によって材料２７を移動させている。この場合、上記したような評価媒体を製造するための露光パターンＰを描画する際には、その中央部に、トラックパターンが存在しない偏向領域Ｗ，Ｗ・・（以下、「非描画領域」ともいう）が存在する。しかし、各偏向領域Ｗ，Ｗ・・に対して葛折り状の矢印Ｂ１１で示す順序で描画処理を実行する従来の電子線描画装置では、非描画領域（この例では、偏向領域Ｗ４−５，Ｗ４−６，Ｗ５−４〜Ｗ５−７など）が電子線照射機構の下方を通過させられることとなる。なお、図６では、１２カ所の非描画領域が存在する状態を図示しているが、実際には、前述したように材料２７（露光パターンＰ）の大きさに対して１つの偏向領域Ｗが極く小さいため、材料２７の中央部には、数万から数百万カ所の非描画領域が存在する。したがって、従来の電子線描画装置には、上記のような露光パターンＰを描画する際に、電子線照射機構の下方を非描画領域が通過させられている時間の分だけ、露光パターンＰの描画に長時間を要しているという問題点がある。
【０００６】
この場合、電子線照射機構の下方に非描画領域が位置するときだけ材料２７を高速に移動させて上記の問題点を解決しようとしたときには、高速移動後にＸ−Ｙ移動機構による材料２７の移動を停止させた際にＸ−Ｙ移動機構に対して材料２７が位置ずれするおそれがある。かかる場合には、高速移動前に露光パターンＰの描画が完了している偏向領域Ｗと、高速移動後に露光パターンＰを描画する偏向領域Ｗとの間に電子線描画装置に対する位置ずれが生じる結果、描画した露光パターンＰにずれが生じるという問題が発生する。一方、上記の例のような環状の領域に露光パターンＰを描画する場合には、Ｘ−Ｙ移動機構に代えて回転ステージによって材料２７（基材）を移動（回転）させるタイプの描画装置を使用することで、描画時間の短縮を図ることが可能となる。しかし、この種の描画装置に使用される一般的な回転ステージは、基材（材料２７）を高精度で移動させるのが困難となっている。また、高精度で基材を移動可能な回転ステージは、非常に高価となっている。このため、回転ステージを備えた描画装置によって露光パターンＰを描画する構成には、描画装置の製作コストを高騰させることなく、露光パターンＰを正確に描画するのが困難であるという問題点が存在する。
【０００７】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、隣り合う描画領域間に露光パターンのずれを生じさせることなく、露光パターンを迅速に描画し得るパターン描画装置およびパターン描画方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成すべく本発明に係るパターン描画装置は、基材をその面方向に沿って移動させるＸ−Ｙ移動機構と、当該Ｘ−Ｙ移動機構上の前記基材における樹脂層に描画用ビームを照射するビーム照射機構と、当該ビーム照射機構によるビーム偏向可能範囲に応じて前記樹脂層を仮想的に分割した複数の描画領域のうちの１つに前記描画用ビームを照射可能に前記Ｘ−Ｙ移動機構を制御して前記基材を移動させると共に当該ビーム照射機構を制御して当該描画用ビームを照射させて前記樹脂層に露光パターンを描画する描画処理を実行する制御部とを備え、前記制御部は、前記露光パターンを描画すべき複数の前記描画領域が隣接している描画領域群に属して当該露光パターンの描画が完了していないことを第１の条件とし、当該描画領域群に属する前記描画領域のうちの当該描画領域群における最も外側に位置することを第２の条件として、当該両条件を満たすいずれかの前記描画領域に対して前記描画処理を実行した後に、前記両条件を満たす前記描画領域であってその直前に当該露光パターンを描画した当該描画領域に最も近い描画領域に対して前記描画処理を順次実行する。この場合、本発明（以下の各発明も含む）に係るパターン描画装置によって描画される露光パターンは、例えば、情報記録媒体を製造するための凹凸パターンや、情報記録媒体を製造するためのスタンパーを製造するための凹凸パターンを形成するために使用される。
【０００９】
また、本発明に係るパターン描画装置は、基材をその面方向に沿って移動させるＸ−Ｙ移動機構と、当該Ｘ−Ｙ移動機構上の前記基材における樹脂層に描画用ビームを照射するビーム照射機構と、当該ビーム照射機構によるビーム偏向可能範囲に応じて前記樹脂層を仮想的に分割した複数の描画領域のうちの１つに前記描画用ビームを照射可能に前記Ｘ−Ｙ移動機構を制御して前記基材を移動させると共に当該ビーム照射機構を制御して当該描画用ビームを照射させて前記樹脂層に露光パターンを描画する描画処理を実行する制御部とを備え、前記制御部は、前記露光パターンを描画すべき複数の前記描画領域が隣接している描画領域群に属して当該露光パターンの描画が完了していないことを第１の条件とし、当該描画領域群に属する前記描画領域のうちの当該描画領域群における最も内側に位置することを第２の条件として、当該両条件を満たすいずれかの前記描画領域に対して前記描画処理を実行した後に、前記両条件を満たす前記描画領域であってその直前に当該露光パターンを描画した当該描画領域に最も近い描画領域に対して前記描画処理を順次実行する。
【００１０】
また、本発明に係るパターン描画方法は、Ｘ−Ｙ移動機構上に基材を載置して、ビーム照射機構によるビーム偏向可能範囲に応じて当該基材における樹脂層を仮想的に分割した複数の描画領域のうちの１つに当該ビーム照射機構から描画用ビームを照射可能に当該Ｘ−Ｙ移動機構を制御して当該基材をその面方向に移動させ、前記ビーム照射機構を制御して当該描画用ビームを照射させて前記樹脂層に露光パターンを描画する際に、前記露光パターンを描画すべき複数の前記描画領域が隣接している描画領域群に属して当該露光パターンの描画が完了していないことを第１の条件とし、当該描画領域群に属する前記描画領域のうちの当該描画領域群における最も外側に位置することを第２の条件として、当該両条件を満たすいずれかの前記描画領域に対して前記露光パターンを描画する描画処理を実行した後に、前記両条件を満たす前記描画領域であってその直前に当該露光パターンを描画した当該描画領域に最も近い描画領域に対して前記描画処理を実行する。
【００１１】
また、本発明に係るパターン描画方法は、基材をＸ−Ｙ移動機構上に載置して、ビーム照射機構によるビーム偏向可能範囲に応じて当該基材における樹脂層を仮想的に分割した複数の描画領域のうちの１つに当該ビーム照射機構から描画用ビームを照射可能に当該Ｘ−Ｙ移動機構を制御して当該基材をその面方向に移動させ、前記ビーム照射機構を制御して当該描画用ビームを照射させて前記樹脂層に露光パターンを描画する際に、前記露光パターンを描画すべき複数の前記描画領域が隣接している描画領域群に属して当該露光パターンの描画が完了していないことを第１の条件とし、当該描画領域群に属する前記描画領域のうちの当該描画領域群における最も内側に位置することを第２の条件として、当該両条件を満たすいずれかの前記描画領域に対して前記露光パターンを描画する描画処理を実行した後に、前記両条件を満たす前記描画領域であってその直前に当該露光パターンを描画した当該描画領域に最も近い描画領域に対して前記描画処理を実行する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係るパターン描画装置およびパターン描画方法によれば、第１および第２の条件を満たす描画領域であってその直前に露光パターンを描画した描画領域に最も近い描画領域に対して描画処理を実行することにより、非描画領域についてはビーム照射機構の下方を通過させることなく基材を移動させて、露光パターンを描画すべきすべての描画領域に露光パターンを描画することができる。したがって、非描画領域を含むすべての描画領域について電子線照射機構の下方を通過させるように材料（基材）を移動させる従来の電子線描画装置と比較して、基材を移動させるのに要する時間を十分に短縮することができる結果、露光パターンを迅速に描画することができる。また、ビーム照射機構の下方に非描画領域が位置するときに基材を高速に移動させる構成とは異なり、隣り合う描画領域間に露光パターンのずれを生じさせることなく描画することができる。
【００１３】
この場合、描画領域群に属する描画領域のうちの描画領域群における最も外側（または、最も内側）に位置することを第２の条件として各描画領域に対する描画処理を順次実行することにより、例えば、情報記録媒体製造用のトラックパターンを含む露光パターンを描画する際に、各描画領域に対して葛折り状の順序で露光パターンを描画する従来の電子線描画装置とは異なり、露光パターンを描画すべき各描画領域に対して描画すべきトラックパターンに沿って露光パターンの描画を実行するため、１本のトラックパターンを描画するのに要する時間を十分に短縮することができる。このため、例えば化学増幅型のレジスト材料に対して露光パターンを描画する際に、１本のトラック内に露光度合いの差異を生じさせることなく、各トラックパターンを描画することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明に係るパターン描画装置およびパターン描画方法の最良の形態について説明する。
【００１５】
最初に、電子ビーム描画装置１の構成について、図面を参照して説明する。
【００１６】
電子ビーム描画装置（以下、「描画装置」ともいう）１は、本発明に係るパターン描画装置に相当し、図１に示すように、Ｘ−Ｙ移動機構２、ビーム照射機構３、制御部４および記憶部５を備えて、ビーム照射機構３から電子ビーム１０（本発明における露光用ビームの一例）を出力してトラックパターンＰ１〜Ｐ３からなる露光パターンＰ（図３参照）を基材１００に描画可能に構成されている。基材１００は、評価用の磁気記録媒体（評価媒体：図示せず）を製作するための材料であって、図２に示すように、一例として、Ｓｉウエハで形成された支持基材の上に磁性材料層等の機能層を積層して構成された板状の基材本体１００ａと、基材本体１００ａの表面に形成された樹脂層１００ｂ（一例として、電子ビーム感光性を有するポジ型レジストを塗布して形成したレジスト層）とを備えている。この場合、樹脂層１００ｂの厚みは、一例として１００ｎｍ程度に規定されている。なお、上記の評価媒体は、描画装置１によって樹脂層１００ｂに描画された露光パターンＰを現像して形成した凹凸パターンをマスクとして基材本体１００ａをエッチング処理することによって製作される。
【００１７】
一方、Ｘ−Ｙ移動機構２は、本発明における移動機構に相当し、基材１００を載置可能に構成されると共に、制御部４の制御に従って基材１００をその面方向に沿って移動させる。ビーム照射機構３は、図１に示すように、ビーム発生部１１、ブランキング制御部１２、ビーム成形部１３およびビーム偏向器１４を備えて構成されている。ビーム発生部１１は、樹脂層１００ｂに露光パターンＰを描画するための電子ビーム１０を生成して出力する。ブランキング制御部１２は、ビーム発生部１１による電子ビーム１０の出力を制御部４の制御に従ってオン／オフ制御する。ビーム成形部１３は、ビーム成形レンズおよびアパーチャ（図示せず）などを備えて、ブランキング制御部１２を介して出力された電子ビーム１０をその有効描画幅が一例として３０ｎｍ程度となるように成形（細径化）する。ビーム偏向器１４は、ビーム成形部１３によって成形された電子ビーム１０を制御部４の制御に従って偏向して、樹脂層１００ｂに対する照射位置を変化させる。
【００１８】
この場合、このビーム照射機構３では、ビーム偏向器１４が電子ビーム１０を偏向することにより、Ｘ−Ｙ移動機構２上の基材１００（樹脂層１００ｂ）における半径６０μｍ程度の円形の領域内に電子ビーム１０を照射することが可能となっている。したがって、この描画装置１では、ビーム偏向器１４による電子ビーム１０の偏向可能範囲に応じて、図３に示すように、一例として、一辺が８０μｍの正方形状の描画領域Ａ１−１〜Ａ１０−１０（以下、区別しないときには、「描画領域Ａ」ともいう）に基材１００を仮想的に分割して、各描画領域Ａ毎に後述する描画処理を実行する。なお、実際の描画処理時には、基材１００の一辺が数ｃｍであるのに対して、一つの描画領域Ａの一辺が８０μｍのため、基材１００を数万から数百万カ所の描画領域Ａ，Ａ・・に分割する。以下、本発明に係るパターン描画方法についての理解を容易とするために、１００カ所の描画領域Ａ，Ａ・・に分割して描画する例について説明する。
【００１９】
制御部４は、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御して基材１００を移動させることにより、ビーム照射機構３の下方に描画対象の描画領域Ａを位置させる。また、制御部４は、ビーム照射機構３におけるビーム発生部１１、ブランキング制御部１２、ビーム成形部１３およびビーム偏向器１４を制御することによって、Ｘ−Ｙ移動機構２上の基材１００における樹脂層１００ｂに電子ビーム１０を照射させて描画対象の描画領域Ａ内に露光パターンＰにおけるトラックパターンＰ１〜Ｐ３の一部を描画させる描画処理を実行する。記憶部５は、基材１００に描画すべき露光パターンＰの描画手順が規定された描画手順データ２０を記憶する。この場合、描画手順データ２０は、露光パターンＰを描画すべき基材１００上の位置（露光パターンＰを描画すべき描画領域Ａ，Ａ・・の位置についての情報）と、いずれの描画領域Ａから露光パターンＰの描画処理を実行し、かつ露光パターンＰを描画すべき各描画領域Ａ，Ａ・・に対してどのような順序で描画処理を実行するかを特定可能な情報とで構成されている。
【００２０】
制御部４は、後述するように、描画手順データ２０に従い、露光パターンＰを描画すべき複数の描画領域Ａ，Ａ・・が隣接している描画領域群（図３に斜線で塗り潰して図示した描画領域Ａ，Ａ・・からなる領域）が存在するときに、その描画領域群に属する描画領域Ａであって露光パターンＰの描画が完了していないことを第１の条件とし、上記の描画領域群に属する描画領域Ａ，Ａ・・のうちの描画領域群における最も外側に位置することを第２の条件として、両条件を満たすいずれかの描画領域Ａに対して露光パターンＰの一部を描画する描画処理を実行する。また、制御部４は、その描画領域Ａに対する描画処理が完了した際には、上記の描画領域群に属するすべての描画領域Ａ，Ａ・・に対する描画処理が完了するまで、描画手順データ２０に従い、上記の両条件を満たす描画領域Ａであって直前に露光パターンＰを描画した描画領域Ａに最も近い描画領域Ａに対する描画処理を繰り返して実行する。
【００２１】
次に、描画装置１によって基材１００に露光パターンＰを描画する方法について、図面を参照して説明する。
【００２２】
まず、樹脂層１００ｂの形成面を上向きにして基材１００をＸ−Ｙ移動機構２の上に載置する。次に、制御部４が基材１００に対する露光パターンＰの描画処理を開始する。この描画処理では、制御部４は、記憶部５に記憶されている描画手順データ２０に従い、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してビーム照射機構３の下方（真下）に描画領域Ａ２−３が位置するように基材１００を移動させる。この場合、描画領域Ａ２−３は、描画領域群に属する描画領域Ａであって露光パターンＰの描画が完了していない描画領域Ａである第１の条件と、描画領域群に属する描画領域Ａのうちの描画領域群における最も外側に位置する描画領域Ａである第２の条件との双方を満たす描画領域Ａであって、この例では、露光パターンＰにおけるトラックパターンＰ１の一部が描画される。次に、制御部４は、ビーム照射機構３を制御して、描画領域Ａ２−３に向けて電子ビーム１０を照射させることにより、トラックパターンＰ１の一部を描画させる。この際に、ビーム照射機構３は、ブランキング制御部１２が制御部４の制御下で電子ビーム１０の出力をオン／オフ制御すると共に、図４に示すように、ビーム偏向器１４が電子ビーム１０を偏向して、矢印Ｃ１，Ｃ２・・ＣＮで示すように電子ビーム１０の照射ポイント１０ａを移動させる。これにより、描画領域Ａ２−３に対する描画処理が完了する。
【００２３】
次に、制御部４は、描画手順データ２０に従い、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してビーム照射機構３の下方に描画領域Ａ２−４が位置するように基材１００を移動させる。この場合、描画領域Ａ２−４は、上記の第１および第２の条件を満し、かつ直前に露光パターンＰを描画した描画領域Ａ（この例では、描画領域Ａ２−３）に最も近い描画領域Ａであって、この例では、露光パターンＰにおけるトラックパターンＰ１，Ｐ２のそれぞれの一部が描画される。次いで、制御部４は、ビーム照射機構３を制御して、描画領域Ａ２−４に向けて電子ビーム１０を照射させることにより、トラックパターンＰ１，Ｐ２の一部を描画させる。これにより、描画領域Ａ２−４に対する描画処理が完了する。続いて、制御部４は、上記の描画領域群に属するすべての描画領域Ａ，Ａ・・に対する描画処理が完了するまで、描画手順データ２０に従い、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してビーム照射機構３の下方に上記の第１および第２の両条件を満たし、かつ直前に露光パターンＰを描画した描画領域Ａに最も近い描画領域Ａが位置するように基材１００を移動させて、露光パターンＰを描画させる。この結果、図３に矢印Ｂ１で示す順序で各Ａ，Ａ・・に対する露光パターンＰの描画処理が順次実行されて、描画領域Ａ４−４に対する露光パターンＰの描画が完了した際に、樹脂層１００ｂに描画すべき露光パターンＰの描画が完了する。
【００２４】
この場合、一例として、トラック幅が１６０ｎｍ程度で、トラックピッチが３２０ｎｍ程度で、かつ、最小トラック半径が１８ｍｍ程度の同心円状の２２本のトラックパターンで構成される露光パターンＰを描画する際に、描画領域Ａの一辺の長さを８０μｍと規定したときには、露光パターンＰを描画すべき描画領域Ａ，Ａ・・の総数が２０００カ所程度となる。この露光パターンＰを描画すべき２０００カ所程度の描画領域Ａ，Ａ・・を含む各領域に対して、従来の電子線描画装置によって露光パターンＰを描画する際には、Ｘ−Ｙ移動機構による基材１００の移動に要する時間（所定の描画領域Ａに対する描画処理が完了してから、露光パターンＰを描画すべき次の描画領域Ａを電子線照射機構の下方に位置させるのに要する各移動時間の合計時間）が５時間４０分程度となる。これに対して、この電子ビーム描画装置１では、非描画領域（図３の例における描画領域Ａ４−５，Ａ４−６，Ａ５−４〜Ａ５−７など）をビーム照射機構３の下方に位置させることなく、描画領域群に属する描画領域Ａ，Ａ・・のみをビーム照射機構３の下方に位置させて露光パターンＰの一部を順次描画するため、Ｘ−Ｙ移動機構２による基材１００の移動に要する時間が４分５０秒程度と十分に短時間（この例では、１／７０程度）となる。
【００２５】
このように、この描画装置１によれば、第１および第２の条件を満たす描画領域Ａであってその直前に露光パターンＰを描画した描画領域Ａに最も近い描画領域Ａに対して描画処理を実行することにより、非描画領域についてはビーム照射機構３の下方を通過させることなく基材１００を移動させて、露光パターンＰを描画すべきすべての描画領域Ａ，Ａ・・に露光パターンＰを描画することができる。したがって、非描画領域を含むすべての描画領域Ａ，Ａ・・（偏向領域Ｗ，Ｗ・・）について電子線照射機構の下方を通過させるように材料２７を移動させる従来の電子線描画装置と比較して、基材１００を移動させるのに要する時間を十分に短縮することができる結果、露光パターンＰを迅速に描画することができる。また、ビーム照射機構３の下方に非描画領域が位置するときに基材１００を高速に移動させる構成とは異なり、隣り合う描画領域Ａ，Ａ間に露光パターンＰのずれを生じさせることなく描画することができる。
【００２６】
この場合、描画領域群に属する描画領域Ａ，Ａ・・のうちの描画領域群における最も外側に位置することを第２の条件として各描画領域Ａ，Ａ・・に対する描画処理を順次実行することにより、例えば、情報記録媒体製造用のトラックパターンを含む露光パターンを描画する際に、各描画領域Ａ，Ａ・・に対して葛折り状の矢印Ｂ１１で示す順序で露光パターンを描画する従来の電子線描画装置とは異なり、描画すべきトラックパターンに沿って各描画領域Ａ，Ａ・・に対する露光パターンの描画を実行するため、１本のトラックパターンを描画するのに要する時間を十分に短縮することができる。このため、例えば化学増幅型のレジスト材料に対して露光パターンを描画する際に、１本のトラック内に露光度合いの差異を生じさせることなく、各トラックパターンを描画することができる。
【００２７】
なお、本発明は、上記した構成および方法に限定されない。例えば、上記の描画装置１では、描画手順データ２０に従って描画領域群における最も外側に位置する描画領域Ａから順に矢印Ｂ１で示す順序で描画処理を実行しているが、本発明はこれに限定されず、図５に示すように、描画領域群における最も内側に位置することを本発明における第２の条件として、例えば露光パターンＰを描画すべき各描画領域Ａ，Ａ・・に対して描画領域Ａ４−７から描画領域Ａ２−８まで矢印Ｂ２で示す順序で描画処理を実行することもできる。この方法によって露光パターンＰを描画した場合にも、露光パターンＰを描画すべき各描画領域Ａ，Ａ・・に対して上記した矢印Ｂ１の順で露光パターンＰを描画したときと同様にして、例えば、情報記録媒体製造用のトラックパターンを含む露光パターンを描画する際に、露光パターンＰを描画すべき各描画領域Ａ，Ａ・・に対して描画すべきトラックパターンに沿って露光パターンの描画を実行するため、１本のトラックパターンを描画するのに要する時間を十分に短縮することができる。このため、例えば化学増幅型のレジスト材料に対して露光パターンを描画する際に、１本のトラック内に露光度合いの差異を生じさせることなく、各トラックパターンを描画することができる。
【００２８】
また、評価用媒体を製作するための露光パターンＰを描画する例について説明したが、本発明はこれに限定されない。さらに、基材１００に電子ビーム１０を照射して露光パターンＰを描画する例について説明したが、本発明における描画用ビームは電子ビーム１０に限定されずに任意のエネルギー線を用いることができる。加えて、基材本体１００ａの表面にポジ型レジスト（樹脂層１００ｂ）を塗布した状態で露光パターンＰを描画した例について説明したが、本発明における樹脂層の形成材料としては、ポジ型レジストに限定されず、ネガ型レジストなどの各種樹脂材料を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】描画装置１の構成を示すブロック図である。
【図２】描画装置１による露光パターンＰの描画対象である基材１００の断面図である。
【図３】描画する露光パターンＰと、描画領域Ａ１−１〜Ａ１０−１０との位置関係を示す基材１００の平面図である。
【図４】基材１００における描画領域Ａ２−３を示す平面図である。
【図５】描画する露光パターンＰと、描画領域Ａ１−１〜Ａ１０−１０との位置関係を示す基材１００の他の平面図である。
【図６】従来の電子線描画装置によって描画する露光パターンＰと、偏向領域Ｗ１−１〜Ｗ１０−１０との位置関係を示す材料２７の平面図である。
【符号の説明】
【００３０】
１  電子ビーム描画装置
２  Ｘ−Ｙ移動機構
３  ビーム照射機構
４  制御部
５  記憶部
１０  電子ビーム
１４  ビーム偏向器
２０  描画手順データ
１００  基材
１００ｂ  樹脂層
Ａ１−１〜Ａ１０−１０  描画領域
Ｐ  露光パターン
Ｐ１〜Ｐ３  トラックパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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