(57)【要約】【課題】  ダイシング時に高エキスパンドが可能なダイシングテープを供給すること。【解決手段】紫外線及び／又は電子線に対し透過性を有するフィルム基材面上にベース樹脂、放射線重合性化合物、放射線重合性重合開始剤、並びに架橋剤からなる粘着剤を塗布してなる半導体ウエハ加工用粘着テープであって、粘着剤厚みが５〜３０μｍであり、かつＪＩＳＫ６７３４(１９９５)で規定される粘着剤の破断伸び率が１２〜５０％であることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着テープ。【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線及び／又は電子線に対し透過性を有するフィルム基材面上に、ベース樹脂、放射線重合性化合物、放射線重合性重合開始剤、並びに架橋剤からなる粘着剤を塗布してなる半導体ウエハ加工用粘着テープであって、粘着剤厚みが５〜３０μｍであり、かつ放射線硬化後のＪＩＳ Ｋ６７３４（１９９５）で規定される粘着剤の破断伸び率が１２〜５０％であることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコンやガリウムヒ素などの半導体ウエハを加工する際に使用するウエハ加工用の粘着テープに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウエハに貼着し、ダイシング、エキスパンド等を行い、次いで該半導体ウエハからのチップをピックアップすると同時にマウンティングする際に用いる半導体ウエハ加工用粘着テープとして、紫外線及び／又は電子線に対し透過性を有する基材上に紫外線及び／又は電子線により重合硬化反応をする粘着剤層が塗布された粘着テープを用い、ダイシング後に紫外線及び／又は電子線を粘着剤層に照射し、粘着剤層を重合硬化反応させ、粘着力を低下せしめてチップをピックアップする方法が知られている。
【０００３】
また、近年電子機器の小型化高性能化の進展に伴い、エキスパンド゛することによりチップの間隔を広げて易ピックアップすることが求められる。通常５〜１０％エキスパンドが一般的であるが、２０〜４０％エキスパンドする場合もある。
この時、基材がエキスパンドの伸びに追随しない場合には、エキスパンド後のチップとチップとの間が開かない問題がある。
【０００４】
このためエキスパンドに対応する基材として、特許文献１〜３にあるようにポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体の単層あるいは積層シートが用いられてきた。
【０００５】
しかし、エキスパンド時には、基材だけでなく粘着剤も基材に追随して伸びるために、高エキスパンド時には粘着剤が割れてしまい、その後のピックアップの際にチップ裏面への糊残りの原因となることやチップが傾きピックアップミスになることがあった。それ故、エキスパンド時に粘着剤割れが発生せずに、粘着剤が基材に追随して伸び、ピックアップ時に粘着剤残りのないテープが求められた。
【０００６】
【特許文献１】特開平３−６６７７２号公報
【特許文献２】特開平５−２３５１５０号公報
【特許文献３】特開２００１−７２９４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、エキスパンド時に粘着剤割れが発生せずに、粘着剤が基材に追随して伸び、ピックアップ時に粘着剤残りのない半導体ウエハ加工用粘着テープを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、紫外線及び／又は電子線に対し透過性を有するフィルム基材面上に、ベース樹脂、放射線重合性化合物、放射線重合性重合開始剤、並びに架橋剤からなる粘着剤を塗布してなる半導体ウエハ加工用粘着テープであって、粘着剤厚みが５〜３０μｍであり、かつ放射線硬化後のＪＩＳＫ６７３４ (１９９５)で規定される粘着剤の破断伸び率が１２〜５０％であることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着テープである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープにより、ダイシング後のエキスパンドの際に高拡大率のエキスパンドが可能になる。それにより、通常５〜１０％エキスパンドが一般的であるが、２０〜４０％エキスパンドが可能になり、ピックアップ時の粘着剤割れや糊残りが低減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明において用いられる紫外線及び／又は電子線に対して透過性を有するフィルム基材としては、紫外線及び／又は電子線に対して透過性を有するものであれば特に限定されず、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート等の一般的な熱可塑性樹脂からなる透明フィルムを用いることができる。さらに透明であればこれらの樹脂の混合物からなるフィルムあるいはこれらの樹脂の積層フィルムでもあってもよい。
また粘着剤との密着性を上げるために、これら基材の表面にコロナ処理を行ってもよい。
あるいはこれらの基材の物性やチップ裏面へ影響を与えない程度に、顔料、帯電防止剤、酸化防止剤などを添加してもよい。
【００１１】
本発明に用いる粘着剤は放射線硬化後のＪＩＳ Ｋ ６７３４(１９９５)で規定される粘着剤の破断伸び率が１２〜５０％、好ましくは２０〜４５％である。下限値未満であると、エキスパンド時に粘着剤が基材の伸びに対して追随せず、破断し、粘着剤残りの原因となり好ましくない、上限値を越えると、ピックアップの際に、粘着剤がピンでの突き上げに追随し、チップと粘着剤との間に乖離が起こりにくい場合があり、ピックアップミスの原因となるので好ましくない。
また、実際のダイシングの際には、ＵＶ照射量の調整、あるいはエキスパンド温度によって破断伸び率をコントロールしてもかまわない。一般的にはＵＶ照射量を下げる、あるいはエキスパンド温度を上げることにより破断伸び率は上昇する傾向にある。
【００１２】
本発明に用いる放射線重合性化合物は、紫外線及び／又は電子線による硬化反応前には半導体ウエハに対して十分な粘着力を有し、硬化反応後には粘着力が低下し、チップのピックアップを容易に行うことができ、しかも高い凝集力を保つために、５０００以上、好ましくは８０００以上、更に好ましくは１００００以上の分子量を持つ２官能ウレタンアクリレートと５００以上１０００以下の分子量を持つ５官能以上のアクリレートモノマーとを混合したものであると良い。また、５００以上１０００以下の分子量を持つ５官能以上のアクリレートモノマーは、２種類の５官能以上アクリレートモノマーを併用しても良い。
【００１３】
本発明において用いる放射線重合性化合物中の２官能のウレタンアクリレートとしては、ジイソシアネート、ポリオール及びヒドロキシ（メタ）アクリレートとにより合成される化合物であり、好ましくは２個のアクリロイル基を有するウレタンアクリレートが好適に用いられる。前記のジイソシアネートとしては、例えばトルエンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、フェニレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、キシレンジイソシアネート、テトラメチルキシレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート等を挙げることができる。前記のポリオールとしては、例えばエチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール等を挙げることができる。前記のヒドロキシ（メタ）アクリレートとしては、例えば、２−ヒドルキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドルキシプロピル（メタ）アクリレート等を挙げることができる。    
また放射線重合性化合物中の５官能以上アクリレートモノマーとしては、例えばトリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等を挙げることができる。
【００１４】
放射線重合性重合開始剤としては、例えば、2-2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β-クロールアンスラキノンなどが挙げられる。
【００１５】
架橋剤としては、具体的には多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアート化合物の三量体、上記ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類などで封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物が挙げられる。
【００１６】
多価イソシアネートの具体例としては、例えば、2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、1,3-キシリレンジイソシアネート、1,4-キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン-4-4’-ジイソシアネート、ジフェニルメタン-2-4’-ジイソシアネート、3-メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-4-4’-ジイソシアネート、ジシキウロヘキシルメタン-2-4’-ジイソシアネート、リジンイソシアネートなどがあげられる。
【００１７】
また本発明の粘着剤には、凝集力を高めるためにロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加しても構わない。
【００１８】
さらに上記の粘着剤中に帯電防止剤を添加することもできる。帯電防止剤を添加することにより、エキスパンド時あるいはピックアップ時に発生する静電気を抑制できるため、チップの信頼性が向上する場合がある。帯電防止剤としては、具体的にはアニオン性、カチオン性、非イオン性、ないし両イオン性の一般に公知の界面活性剤、カーボンブラック、銀、ニッケル、アンチモンドープスズ酸化物、スズドープインジウム酸化物などの粉体が用いられる。帯電防止剤は、粘着剤中に０〜３０重量部、特には０〜２０重量部の範囲で用いられることが好ましい。
【００１９】
本発明において、前記粘着剤層の厚さは５〜３０μｍ、好ましくは１０〜２０μｍである。厚みが下限値未満であると、粘着力が充分でなくダイシング時にチップが飛散する問題があり、上限値を超えるとチップのピックアップが困難になる。
本発明において、前記粘着剤層を前記基材上に形成し、半導体ウエハ加工用粘着テープを製造するには、粘着剤層を構成する成分をそのまま、または適当な有機溶剤により溶液化し、コンマコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなど一般に公知の方法に従って適宜の厚みに塗布又は散布等により基材上に塗工し、例えば８０〜１００℃、３０秒〜１０分程度加熱処理等で乾燥させることにより得ることができる。
【００２０】
本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープを使用するには公知の方法を用いることができ、例えば半導体ウエハ加工用粘着テープを半導体ウエハに貼り付けて固定した後、回転丸刃で半導体ウエハをチップに切断する。その後、前記加工用粘着テープの基材側から紫外線及び／又は電子線を照射し、次いで専用治具を用いて前記ウエハ加工用粘着テープ放射状に拡大しチップ間を一定間隔に広げた後、チップをニードル等で突き上げるとともに、真空コレット、エアピンセット等で吸着する方法等によりピックアップすると同時にマウンティングすればよい。
【実施例】
【００２１】
以下、本発明を実施例及び比較例により、更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定するものではない。
《実施例１》
アクリル酸ブチル７０重量部とアクリル酸２−エチルヘキシル３０重量部とを共重合して得られた重量平均分子量５０００００の共重合体(A)１０重量部とアクリル酸２−エチルヘキシル３０重量部と酢酸ビニル７０重量部とを共重合して得られた重量平均分子量３０００００の共重合体(B)９０重量部からなるベース樹脂１００重量部に対し、放射線重合化合物として分子量が１１０００の２官能ウレタンアクリレート(C)を３０重量部、分子量が７００の５官能アクリレートモノマー(D)を３０重量部、放射線重合性重合開始剤(E)として２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンを５重量部、ポリイソシアネート系架橋剤(F)を６重量部を配合した粘着剤層となる樹脂溶液を、剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに乾燥後の厚さ（粘着剤厚み）が１０μｍになるように塗工し、８０℃５分間乾燥した。その後、粘着剤の強度測定用に基材として厚さ３８μｍのポリエステルフィルムと、その他の評価用には厚さ８０μｍの塩ビフィルム(三菱化学ＭＫＶアルトロン)をラミネートし、半導体加工用粘着テープを作製した。
なお以下の評価は、粘着剤の破断伸び率測定は両面のポリエステルフィルムを剥離した後、実施し、その他の評価は剥離処理したポリエステルフィルムを剥離した後に実施した。
【００２２】
《実施例２》（E）を１重量部に変えた以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
《実施例３》（E）を１５重量部に変えた以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
《実施例４》粘着剤厚みを８μｍに変えた以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
《実施例５》粘着剤厚みを２０μｍに変えた以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
【００２３】
《比較例１》 （C）を８０重量部、 （D）を８０重量部に変えた以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
《比較例２》 （C）を５重量部、 （D）を５重量部に変えた以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
《比較例３》粘着剤厚みを２μｍに変えた以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
《比較例４》粘着剤厚みを４０μｍに変えた以外は実施例１と同様の方法でサンプルを作成し、評価した。
【００２４】
尚、実施例及び比較例の評価は、以下の評価方法を用いた。
（１）放射線照射前粘着力
実施例あるいは比較例において得られた塗工後７日後の粘着フィルムを２３℃、６５％RHの雰囲気下で、シリコンウエハ鏡面に２ｋｇ／ｃｍゴムローラーを往復させることにより貼り付け、２０分放置した後、万能型引っ張り試験機(ＴＥＮＳＩＬＯＮ)を用いて剥離強度３００ｍｍ／ｍｉｎで180゜剥離粘着力を測定した。 ＪＩＳＺ０２３７準拠。粘着力が１．６Ｎ／２５ｍｍ幅以上のものを合格とした。１．６Ｎより低い粘着力ではダイシングの際にチップが飛散する恐れがある。
（２）放射線照射後粘着力
（１）と同様の条件で貼り付け、放置後、基材フィルム側から高圧水銀灯で85mW/cm2ライン速度5m/minで紫外線照射した後、同様に１８０゜剥離粘着力を測定した。粘着力が０．１Ｎ〜０．５Ｎ／２５ｍｍ幅のものを合格とした。０．１Ｎより低い粘着力ではチップを取る際に隣接するチップがバラける恐れがあり、また０．５Ｎより高い粘着力ではピックアップ時にチップを取ることが出来ない。
（３）粘着剤の破断伸び率測定
得られたポリエステルフィルム／粘着剤／ポリエステルフィルムの３層構成のものに放射線を200mJ/cm2照射し、両側の剥離処理したポリエステルフィルムを剥離後、粘着剤単体を得る。所定のダンベルに打ち抜き、ＪＩＳＫ６７３４(１９９５)に準じた方法で粘着剤の破断伸び率を測定した。
○：破断伸び率が、１２〜５０％のもの
×：破断伸び率が、１２〜５０％の範囲の外のもの
（４）チップ飛び
半導体ウエハを、粘着テープに保持固定し、ダイシングソー（ＤＩＳＣＯ製ＤＡＤ−２ＨＢＭ）を用いてスピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、カッティングスピード１２０ｍｍ／ｍｉｎ．で、５ｍｍ角のチップサイズにカット後、粘着テープより剥離したチップの総数をカウントし、評価した。
評価基準
○：５個以下
×：６個以上
（５）エキスパンド性
半導体ウエハを、粘着テープに保持固定し、ダイシングソー（ＤＩＳＣＯ製ＤＡＤ−２ＨＢＭ）を用いてスピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、カッティングスピード１２０ｍｍ／ｍｉｎ．で、５ｍｍ角のチップサイズにカット後、エキスパンダー(ヒューグル製)を使用し、２０ｍｍのストロークで１０分間エキスパンドを行い評価した。
評価基準
○：チップ間隔が１５０μｍ以上空いている
△：チップ間隔が１００〜１５０μｍ空いている
×：チップ間隔が１００μｍ以下空いている
以上の実施例１〜５を表１に、比較例１〜４を表２にまとめた。
【００２５】
【表１】
2005235795.tif 000002
【００２６】
【表２】
2005235795.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００２７】
本発明によれば、半導体ウエハ加工に際して優れたエキパンド性を示す半導体ウエハ加工用粘着テープが得られるため、ＩＣチップ、ディスクリートなどの電子部品のダイシング時に好適に使用される。