(57)【要約】【課題】  外観を低下させることなく、電極とシリコン基板との間の電気抵抗を低減可能とする太陽電池セルの製造方法、及び高効率で変換可能な太陽電池セルを提供する。【解決手段】  シリコン基板１０に、ペースト状の電極材料を印刷する第１工程と、電極材料が印刷されたシリコン基板を焼成して電極を形成する第２工程と、電極に電流を流す第３工程とを有する太陽電池セルの製造方法である。また、シリコン基板１０と、このシリコン基板１０に固定された第１櫛型電極２０、第２櫛型電極３０と、を備えた太陽電池セルＣであって、シリコン基板１０と第１櫛型電極２０、第２櫛型電極３０との間の電気抵抗は、０．００５Ωｃｍ2以上０．０５０Ωｃｍ2以下である。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板に、ペースト状の電極材料を印刷する第１工程と、
当該電極材料が印刷されたシリコン基板を焼成して電極を形成する第２工程と、
当該電極に電流を流す第３工程と、
を有することを特徴とする太陽電池セルの製造方法。
【請求項２】
前記電流の電流密度は、前記電極と前記シリコン基板との間の接触面積において、０．１Ａ／ｍｍ2以上であること特徴とする請求項１に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項３】
前記電流は、パルス電流であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項４】
前記第１工程において、印刷する電極材料の幅を、０．２ｍｍ以下とすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項５】
シリコン基板と、当該シリコン基板に固定された電極と、を備えた太陽電池セルであって、
前記シリコン基板と前記電極との間の電気抵抗は、０．０５０Ωｃｍ2以下であり、
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の太陽電池セルの製造方法で製造されたことを特徴とする太陽電池セル。
【請求項６】
前記シリコン基板と前記電極との間の電気抵抗は、０．００５Ωｃｍ2以上であることを特徴とする請求項５に記載の太陽電池セル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池セルの製造方法及び太陽電池セルに関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池セルは、太陽からの光エネルギーを電気エネルギーに変換して、電力を発生する光電変換素子である。光エネルギーは無限であり、また太陽電池セルは、発電するときに有害物質を排出しないクリーンな電源であるため、近年、住宅の屋根やビルの屋上に多く設置されつつある。
【０００３】
一般に、太陽電池セルとしては、単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板に、櫛型の電極を取り付けた太陽電池セル（以下、これをシリコン結晶系太陽電池セルという）が、広く使用されている。シリコン結晶系太陽電池セルが広く使用される理由は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する変換効率が、アモルファスシリコン系太陽電池セル等に比べて高いからである。具体的には、シリコン結晶系太陽電池セルの変換効率（セル変換効率）は１３〜１８％である。太陽電池セルの変換効率が高いと、同じ電力を発電する場合に、太陽電池セルが占有する面積が減り、設置しやすいという利点がある。
【０００４】
このような太陽電池セルは、トランジスタやダイオードなどの半導体部品の製造技術を応用して製造されている。しかし、なかには太陽電池セルに特有の製造技術もあり、その特有の製造技術の１つが、電極を形成する技術である。
【０００５】
太陽電池セルの電極は、太陽電池セル内で発生した電流を効率的に外部に取り出すために、櫛型（骨状とも言われる）のパターンを呈しており、この太陽電池セルの電極を形成するには、一般に、銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）等を含むペースト状の電極材料を、ベースとなるシリコン基板に印刷した後、焼成する方法が、広く使用されている。
【０００６】
ところが、太陽電池セルの電極を、印刷・焼成して形成する方法は、大量生産に適しており材料の無駄も少ないという利点がある反面、次のような問題を有している。すなわち、電極とシリコン基板との間の電気抵抗（接触抵抗、コンタクト抵抗とも言われる）が高く、太陽電池セルで発生した電位差に基づいて、電流を外部に効率取り出すことが難しい点である。これは、印刷されるペースト状の電極材料が、ガラスフリット等の不純物を含むため、焼成によりシリコン基板と電極との間に絶縁物である酸化物が形成しやすいためである。
【０００７】
そこで、従来は、ペースト状の電極材料を印刷・焼成して、電極を形成した後に、電極が形成されたシリコン基板をハンダ槽に含浸させて、電極をハンダでコーティングしていた。すなわち、シリコン基板をハンダ槽に含浸すると、ハンダが多孔質体である電極の内部に侵入し、電極とシリコン基板との間の酸化物（抵抗部）を破壊したり、電極とシリコン基板との隙間を充填することで、電極とシリコン基板との間の電気抵抗を低減させていた。
【非特許文献１】太陽電池セルモジュール、光エネルギー、太陽電池セルとその応用、オーム社、２００２年５月、ｐ．７−１３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、電極が形成されたシリコン基板をハンダ槽に含浸させると、シリコン基板が加熱・冷却されるため、シリコン基板が破損してしまう場合があった。また、ハンダは光沢を有すると共にムラを生じやすいため、太陽電池セルの外観を著しく低下させるという問題もあった。
【０００９】
そこで、本発明は、外観を低下させることなく、電極とシリコン基板との間の電気抵抗を低減可能とする太陽電池セルの製造方法、及び光エネルギーを電気エネルギーに高効率で変換可能とする太陽電池セルを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するための手段として本発明は、シリコン基板に、ペースト状の電極材料を印刷する第１工程と、当該電極材料が印刷されたシリコン基板を焼成して電極を形成する第２工程と、当該電極に電流を流す第３工程と、を有することを特徴とする太陽電池セルの製造方法である。また、この製造方法により製造された太陽電池セルであって、シリコン基板と、当該シリコン基板に固定された電極と、を備えた太陽電池セルであって、前記シリコン基板と前記電極との間の電気抵抗は、０．００５Ωｃｍ2以上０．０５０Ωｃｍ2以下の範囲内であることを特徴とする太陽電池セルである。
【００１１】
このような太陽電池セルの製造方法によれば、外観を低下させずに、電極に電流を流すことで電極とシリコン基板との間の抵抗部を破壊して、電気抵抗を低減することができる。また、このような太陽電池セルによれば、太陽光エネルギーを電気エネルギーに、高効率で変換することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、外観を低下させることなく、電極とシリコン基板との間の電気抵抗を低減可能とする太陽電池セルの製造方法、及び高効率で光エネルギーを電気エネルギーに変換可能とする太陽電池セルを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について、図１から図８を適宜参照して、詳細に説明する。
参照する図面において、図１は、本実施形態に係る太陽電池セルを部分的に拡大して示す斜視図である。図２は、図１に示す太陽電池セルの上面図である。図３は、本実施形態に係る太陽電池セルの製造方法において、印刷・焼成して形成された電極を有するシリコン基板を示す斜視図である。図４は、図３に示すシリコン基板の上面図である。図５は、図３に示すＸ−Ｘ断面において、太陽電池セルの製造方法を段階的に示す断面図である。図６は、図５（ｂ）に示す電流を流す段階を模式的に示す斜視図である。図７は、図５（ｂ）に示す段階において、電極に流す電流の電流密度と電流通電後の電気抵抗との関係を示すグラフである。図８は、図５（ｂ）に示す段階において、電極の幅と電流通電後の電気抵抗との関係を示すグラフである。
【００１４】
＜太陽電池セルの構成＞
図１及び図２に示すように、太陽電池セルＣは、後記する製造方法により製造されたものであって、受光面１０ａを有する板状のシリコン基板１０と、受光面１０ａと反対側の裏面に固定された櫛型の第１櫛型電極２０と、櫛型の第２櫛型電極３０とを備えて構成されている。すなわち、太陽電池セルＣは、シリコン基板１０の片面のみに、第１櫛型電極２０及び第２櫛型電極３０が配置されており、受光面１０ａ側の外観を向上させたものである。
【００１５】
［シリコン基板］
シリコン基板１０は、シリコン単結晶またはシリコン多結晶から形成されており、その裏面側に部分的にｎ型高濃度不純物部１１（以下、ｎ型高濃度部とする）及びｐ型高濃度不純物部１２（以下、ｐ型高濃度部とする）を有している。また、シリコン基板１０は、本実施形態では、一導電型としてｐ型としているが、これに限定されずｎ型であってもよい。ここで、シリコン基板１０から、ｎ型高濃度部１１及びｐ型高濃度部１２を除いたものをシリコン基板本体１３とする。
【００１６】
ｎ型高濃度部１１及びｐ型高濃度部１２は、それぞれ平面視で櫛型を呈しており（図３、図４参照）、ｎ型高濃度部１１のｎ型櫛歯部分１１ａと、ｐ型高濃度部１２のｐ型櫛歯部分１２ａとが、所定間隔を隔て、且つ、噛み合うように配置している。すなわち、ｎ型櫛歯部分１１ａとｐ型櫛歯部分１２ａは、その幅方向に交互に配列している。また、ｎ型高濃度部１１のｎ型柄部分１１ｂとｐ型高濃度部１２のｐ型柄部分１２ｂは、所定間隔で平行に配列している。
【００１７】
ｎ型高濃度部１１は、５価であるリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等の不純物原子（ドナー）が、例えば約５×１０20個／ｃｍ3の濃度で、ベースとなるシリコン基板１０に、所定深さで混入（ドーピング）されることで形成される。そして、ｎ型高濃度部１１は、内部に自由電子を有している。また、このように不純物原子を混入したｎ型高濃度部１１に第１櫛型電極２０に固定させることにより、第１櫛型電極２０との接触抵抗を低減することができる。次に説明するｐ型高濃度部１２についても、同様である。
【００１８】
ｐ型高濃度部１２は、３価であるホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）等の不純物原子（アクセプタ）が、ベースとなるシリコン基板１０に、所定深さで混入されることで形成されており、ｐ型高濃度部１２は、内部にホール（正孔）を有している。
【００１９】
したがって、太陽電池セルＣは、その内部にｎ型高濃度部１１とｐ型であるシリコン基板本体１３とが接合する面において、櫛型のｐｎ接合面ＪＳを有していることになる（図５（ｃ）参照）。
【００２０】
［第１櫛型電極］
第１櫛型電極２０は、平面視で櫛型を呈し（図２参照）、前記した櫛型のｎ型高濃度部１１の幅方向の中央位置に沿うようにして、シリコン基板１０の裏面側に固定されている。第１櫛型電極２０は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、これらの合金等の導電性材料から形成されている。
【００２１】
第１櫛型電極２０は、櫛歯部分に相当する複数の第１フィンガー部２１と、各第１フィンガー部２１を接続させる第１バスバー部２２とから構成されている。
【００２２】
（第１フィンガー部）
各第１フィンガー部２１は、ｎ型高濃度部１１のｎ型櫛歯部分１１ａに沿うようにして固定されている。各第１フィンガー部２１とｎ型櫛歯部分１１ａとの界面、すなわち接合面における電気抵抗（コンタクト抵抗）は、接合面の面積に対して、０．００５Ωｃｍ2以上０．０５０Ωｃｍ2以下の範囲内であり（好適範囲、図７参照）、さらに０．００５Ωｃｍ2以上０．０１５Ωｃｍ2以下の範囲内であることが好ましい（最適範囲、図７参照）。このような電気抵抗の範囲内であれば、第１フィンガー部２１とｎ型櫛歯部分１１ａとの間において、好適に通電可能となっており、太陽光に基づいて発生した電流を、各フィンガー部２１で集電可能となっている。
【００２３】
（第１バスバー部）
第１バスバー部２２は、複数の第１バスバー台２２ａと第１導線２２ｂとから構成されている。
複数の第１バスバー台２２ａは、ｎ型高濃度部１１のｎ型柄部分１１ｂに沿って、所定間隔で固着している。各第１バスバー台２２ａとｎ型柄部分１１ｂとの界面（接合面）における電気抵抗は、前記した第１フィンガー部２１と同様に、０．００５Ωｃｍ2以上０．０５０Ωｃｍ2以下の範囲内であり（好適範囲）、さらに０．００５Ωｃｍ2以上０．０１５Ωｃｍ2以下の範囲内であることが好ましい（最適範囲）。
【００２４】
第１導線２２ｂは、銅等の導電性を有する材料から形成されており、ハンダ等で各第１バスバー台２２ａ及び前記各第１フィンガー部２１の一端部を接続している。なお、第１導線２２ｂは、複数の太陽電池セルＣを使用して、太陽電池モジュール（図示しない）を構成するときに、他の太陽電池セルと接続させる端子としても使用される。
したがって、第１導線２２ｂは、各第１バスバー台２２ａを介してｎ型柄部分１１ｂ（ｎ型高濃度部１１）に導通するだけでなく、各第１フィンガー部２１を介してｎ型櫛歯部分１１ａ（ｎ型高濃度部１１）にも導通しており、各フィンガー部２１で集電された電流を、さらに集めて出力可能となっている。
【００２５】
［第２櫛型電極］
第２櫛型電極３０は、第１櫛型電極２０と同様に櫛型を呈し、銀、アルミニウム等の導電性材料から形成されいる。そして、第２櫛型電極３０は、前記した櫛型のｐ型高濃度部１２に沿うようにして、シリコン基板１０の裏面側に固着されている。
そして、第２櫛型電極３０は、複数の第２フィンガー部３１と、各第２フィンガー部３１を接続させる第２バスバー部３２とから構成されている。各第２フィンガー部３１は、前記した櫛型のｐ型高濃度部１２のｐ型櫛歯部分１２ａに固定されており、その界面における電気抵抗は、０．００５Ωｃｍ2以上０．０５０Ωｃｍ2以下の範囲内であり（好適範囲）、さらに０．００５Ωｃｍ2以上０．０１５Ωｃｍ2以下の範囲内であることが好ましい（最適範囲）。
【００２６】
第２バスバー部３２は、第１バスバー部２２と同様に、複数の第２バスバー台３２ａと第２導線３２ｂとから構成されている。
複数の第２バスバー台３２ａは、前記した櫛型のｐ型高濃度部１２のｐ型柄部分１２ｂに沿って、所定間隔で固着されて、その界面における抵抗は、０．００５Ωｃｍ2以上０．０５０Ωｃｍ2以下の範囲内であり（好適範囲）、さらに０．００５Ωｃｍ2以上０．０１５Ωｃｍ2以下の範囲内であることが好ましい（最適範囲）。
また、第２導線３２ｂは、導電性材料から形成されており、各第２バスバー台３２ａ及び各第２フィンガー部３１の一端部を接続するように固定されている。
したがって、第２導線３２ｂは、各第２バスバー台３２ａ、各第２フィンガー部３１を介して、ｐ型高濃度部１２に導通している。
【００２７】
＜太陽電池セルの動作＞
続いて、太陽電池セルＣの動作について、図１を参照して簡単に説明する。なお、ここでは、負荷（図示しない）を有する外部回路（図示しない）の端子を、第１櫛型電極２０、第２櫛型電極３０にそれぞれ接続した場合において説明する。
【００２８】
太陽光が、太陽電池セルＣの受光面１０ａに照射されて、内部のｐｎ接合面ＪＳに到達すると、このｐｎ接合面ＪＳにおいて合体していたホールと電子が分離する。分離した電子はｎ型高濃度部１１に向かって移動し、一方、分離したホールはｐ型高濃度部１２に向かって移動する。そうすると、ｎ型高濃度部１１とｐ型高濃度部１２との間に、ｐ型高濃度部１２の電位が高くなるようにして電位差が発生する。
したがって、ｐ型高濃度部１２に接続した第２櫛型電極３０がプラス極、ｎ型高濃度部１１に接続した第１櫛型電極２０がマイナス極となって、外部回路（図示しない）に電流が流れる。
【００２９】
この電流の流れにおいて、前記したように、第１櫛型電極２０の第１フィンガー部２１及び第１バスバー台２２ａとｎ型高濃度部１１との接合面における電気抵抗、第２櫛型電極３０の第２フィンガー部３１及び第２バスバー台３２ａとｐ型高濃度部１２との接合面における電気抵抗は、それぞれ、０．００５Ωｃｍ2以上０．０５０Ωｃｍ2以下であるので、従来に比べて大きな抵抗を受けずに、発生した電位差に基づいて電流が流れる。すなわち、太陽電池セルＣによれば、従来に比べて高効率（約２倍程度）で、光エネルギーを電気エネルギーに変換することができる。
【００３０】
＜太陽電池セルの製造方法＞
続いて、本実施形態に係る太陽電池セルＣの製造方法について、図３から図８を参照して説明する。
【００３１】
太陽電池セルＣの製造方法は、ベースとなるｐ型のシリコン基板の裏面側に、ｎ型高濃度部１１及びｐ型高濃度部１２を形成する高濃度不純物部形成工程と、電極材料を印刷する印刷工程（第１工程）と、電極材料が印刷されたシリコン基板を焼成し電極を形成する焼成工程（第２工程）と、形成された電極に通電させる通電工程（第３工程）と、バスバー部を形成するバスバー部形成工程とを有している。
以下、各工程について詳細に説明する。
【００３２】
［高濃度不純物部形成工程］
まず、シリコン単結晶またはシリコン多結晶からなり、ｐ型に調製したベースとなるシリコン基板１０の裏面側の所定領域に、例えば熱拡散法によって、リン（Ｐ）等をドーピングしてｎ型高濃度部１１を、ホウ素（Ｂ）等を混入させてｐ型高濃度部１２を、それぞれ形成する（図３、図４参照）。
【００３３】
［印刷工程］
そして、例えば、スクリーン印刷法によって、銀（Ａｇ）等を含むペースト状の電極材料を、ｎ型高濃度部１１に第１フィンガー部２１及び第１バスバー台２２ａを、ｐ型高濃度部１２に第２フィンガー部３１及び第２バスバー台３２ａを、それぞれ印刷する（図３、図４参照）。
ここで、第１バスバー台２２ａの幅（ｄ１）及び第２バスバー台３２ａの幅（ｄ２）は、それぞれ０．２ｍｍ以下となるように印刷する（図４参照）。なお、第１フィンガー部２１及び第２フィンガー部３１の幅も０．２ｍｍ以下となるように印刷する。
【００３４】
［焼成工程］
そして、電極材料が印刷されたシリコン基板１０を、所定温度、所定時間にて焼成する。焼成すると、各第１フィンガー部２１及び各第１バスバー台２２ａとｎ型高濃度部１１との界面と、各第２フィンガー部３１及び各第２バスバー台３２ａとｐ型高濃度部１２との界面に、従来と同様に、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）や酸化銀（ＡｇＯ）等の絶縁体からなる抵抗部Ｒが発生する（図５（ａ）参照）。
【００３５】
［通電工程］
そこで、本実施形態に係る太陽電池セルＣの製造方法では、次に説明する通電工程により、この抵抗部Ｒを破壊する。
【００３６】
（第１フィンガー部と第２フィンガー部への通電）
まず、第１フィンガー部２１とｎ型櫛歯部分１１ａの間の絶縁部Ｒと、第２フィンガー部３１とｐ型櫛歯部分１２ａの間の抵抗部Ｒとを、破壊する場合について説明する。ここで、第１フィンガー部２１と第２フィンガー部３１は、前記したように、その幅方向において交互に配列している。このように配列した第１フィンガー部２１と第２フィンガー部３１から、隣り合う１対の第１フィンガー部２１と第２フィンガー部３１を選択する。
【００３７】
次いで、この選択した１対の第１フィンガー部２１と第２フィンガー部３１に、図５（ｂ）及び図６に示すように、交流電流またはパルス電流を発生可能な電流発生装置４１から、電流を通電させる。
【００３８】
この通電において、図５（ｂ）及び図６に示すように、電流発生装置４１に接続した端子４３を、第１フィンガー部２１の長手方向の略中央位置に当接する。同様に、電流発生装置４１に接続した端子４２を、第２フィンガー部３１の長手方向の略中央位置に当接する。このように端子４２、端子４３を当接した状態で、電流発生装置４１から交流電流またはパルス電流を通電させる
そうすると、図６に示すように、第１フィンガー部２１と第２フィンガー部３１との間において、第１フィンガー部２１及び第フィンガー部３１の長手方向において、電流が片寄ることなく、均等に分散するようにして流れる（矢印Ａ１参照）。このように電流が流れると抵抗部Ｒを形成する酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化銀（ＡｇＯ）等の原子及び電子の配置が変動することになり、その結果として抵抗部Ｒが破壊される。したがって、抵抗部Ｒは抵抗性（絶縁性）を失い、図５（ｃ）に示すように、抵抗部Ｒは消失することになり、第１フィンガー部２１とｎ型櫛歯部分１１ａの間の電気抵抗、第２フィンガー部３１とｐ型櫛歯部分１２ａの間の電気抵抗は、それぞれ０．００５Ωｃｍ2以上０．０５０Ωｃｍ2以下とすることができる。
【００３９】
さらに、この通電において、通電させる電流の周波数は、５０〜１００Ｈｚの範囲内であることが好ましい。５０Ｈｚより小さいとシリコン基板１０が発熱してしまい、一方、１００Ｈｚ以上であると十分に抵抗部Ｒを破壊できないからである。
【００４０】
また、この通電において、通電させる電流の電流密度は、第１フィンガー部２１とｎ型櫛歯部分１１ａとが接合する接合面において、０．１Ａ／ｍｍ2以上とすることによって、電気抵抗を０．００５Ωｃｍ2以上０．０５０Ωｃｍ2以下の範囲内（好適範囲）とすることができる。電流密度が、０．１Ａ／ｍｍ2より小さいと、図７に示すように、通電後の電気抵抗が好適に低減しないからである。第２フィンガー部３１についても同様である。
さらに、電流密度を０．２４Ａ／ｍｍ2以上とすることによって、電気抵抗を０．００５Ωｃｍ2以上０．０１５Ωｃｍ2以下の範囲内（最適範囲）とすることができる。
【００４１】
また、おおよそ長くても１０秒程度通電させることで、抵抗部Ｒを破壊することができる。このように抵抗部Ｒは、極めて短時間の通電で破壊できるので、通電する電流はパルス状とすることが好ましい。
【００４２】
このような操作を適宜繰り返すことで、第１フィンガー部２１とｎ型櫛歯部分１１ａとの間の抵抗部Ｒ、第２フィンガー部３１とｐ型櫛歯部分１２ａとの間の抵抗部Ｒを、全て破壊する。
【００４３】
（第１バスバー台への通電）
次に、第１バスバー台２２ａとｎ型柄部分１１ｂ（高濃度不純物部１１）との界面付近の抵抗部を破壊する。この破壊においては、一列となって配列する複数の第１バスバー台２２ａから、隣り合う第１バスバー台２２ａを２つ選択し、この選択した２つの第１バスバー台２２ａについて、端子４２、端子４３をそれぞれ当接させて、電流発生装置４１から電流を通電させることで（図６に示す矢印Ａ２参照）、抵抗部を破壊することができる。
また、第１バスバー台２２ａの幅（ｄ１）は、０．２ｍｍ以下であるので、電流が片寄って通電することもなく、抵抗部は好適に破壊される。すなわち、第１バスバー台２２ａの幅が０．２ｍｍより大きいと、抵抗部が形成されていない部分に電流が集中して流れやすくなり、抵抗部が破壊されにくくなり、通電後の電気抵抗が低下しないからである（図８参照）。
次いで、第２バスバー台３２ａにおいても、同様に電流を流して抵抗部を破壊する。
【００４４】
［バスバー部形成工程］
そして、複数の第１バスバー台２２ａと、複数の第１フィンガー部２１を接続するように、第１導線２２ｂをハンダ等で固定する。また、第２バスバー台２２ａと、複数の第２フィンガー部２１を接続するように、第２導線３２ｂを固定する。このようにして、太陽電池セルＣを製造することができる。
【００４５】
したがって、本実施形態に係る太陽電池セルＣの製造方法によれば、シリコン基板１０を加熱、冷却する必要がないので、シリコン基板１０が損傷することはない。また、ハンダを使用しないため、太陽電池セルＣの外観が低下することもない。
【００４６】
以上、本発明の好適な実施形態について一例を説明したが、本発明は前記実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
【００４７】
前記した実施形態では、太陽電池セルＣは、シリコン基板１０の片面側に第１櫛型電極２０及び第２櫛型電極３０とが固定されたとしたが、本発明はこれに限定されず、第１櫛型電極２０と第２櫛型電極３０とは、シリコン基板１０の両面にそれぞれ固定されたものであってもよい。
【００４８】
前記した実施形態では、抵抗部Ｒを破壊するときに、隣り合う１対の第１フィンガー部２１と第２フィンガー部３１を選択したが、複数の第１フィンガー部２１、第２フィンガー部３１を選択して、直列に接続して電流を流すことにより、抵抗部Ｒを破壊してもよい。
【実施例】
【００４９】
以下、実施例に基づいて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００５０】
第１フィンガー部２１及び第２フィンガー部３１の幅を０．２ｍｍ、長さを５０ｍｍとし、電流発生装置４１から、１０Ａの電流を０．１秒間流した。すなわち、電流密度は、１．０Ａ／ｍｍ2とした。そうすると、第１フィンガー部２１とｎ型櫛歯部分１１ａ（ｎ型高濃度部１１）との間の電気抵抗は０．２Ωｃｍ2から０．０１Ωｃｍ2に、第２フィンガー部３１とｐ型櫛歯部分１２ａ（ｐ型高濃度部１２）との間の電気抵抗は０．２５Ωｃｍ2から０．０１１Ωｃｍ2に低減させることができた。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本実施形態に係る太陽電池セルを部分的に拡大して示す斜視図である。
【図２】図１に示す太陽電池セルの上面図である。
【図３】本実施形態に係る太陽電池セルの製造において、印刷・焼成して形成された電極を有するシリコン基板を示す斜視図である。
【図４】図３に示すシリコン基板の上面図である。
【図５】図３に示すＸ−Ｘ断面において、本実施形態に係る太陽電池セルの製造方法を段階的に示す断面図である。
【図６】図５（ｂ）に示す電流を流す段階を模式的に示す斜視図である。
【図７】図５（ｂ）に示す段階において、電極に流す電流の電流密度と電流通電後の電気抵抗との関係を示すグラフである。
【図８】図５（ｂ）に示す段階において、電極の幅と電流通電後の電気抵抗との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５２】
Ｃ      太陽電池セル
１０    シリコン基板
１１    ｎ型高濃度部
１２    ｐ型高濃度部
２０    第１櫛型電極
２１    第１フィンガー部
２２    第１バスバー部
２２ａ  第１バスバー台
２２ｂ  第１導線
３０    第２櫛型電極
３１    第２フィンガー部
３２    第２バスバー部
３２ａ  第２バスバー台
３２ｂ  第２導線
４１    電流発生装置
４２    端子
４３    端子
ＪＳ    ｐｎ接合面
Ｒ      抵抗部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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