(57)【要約】【課題】光スイッチにおいて、残留異物（レジスト残り等）による可動部の動作不良を解消する。【解決手段】シリコン活性層２ａ、中間層２ｂ、シリコン支持基板２ｃを積層したＳＯＩ基板２のシリコン活性層２ａを２段階に渡りエッチング加工する際に、１段階目のエッチング時にマスクとして用いる第二のマスキングパターン２１ａと、２段階目のエッチング時にマスクとして用いる第一のマスキングパターン２０ａとを、シリコン活性層２ａをエッチングする前に先に重ねて形成しておき、エッチング工程に合せて順次剥離してシリコン活性層２ａのエッチングを行う。更に、シリコン活性層２ａに２段階目のエッチングを施す際には、その前に中間層２ｂを先に除去しておく。これにより、櫛歯間にレジストや耐性膜２１を形成することがなくなるため、櫛歯間やシリコン支持基板２ｃの凹部２２ｂが良好な状態に保たれる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、基部と、ミラー部が設けられた可動部と、該可動部を前記基部に対して支持する梁部とを有する光スイッチの製造方法であって、
少なくとも、
中間層をシリコン支持基板とシリコン活性層とで挟持してなるシリコン積層体の、該シリコン活性層表面に第一のマスキングパターンを形成する第一のマスキング工程と、
該第一のマスキングパターンを被うように第二のマスキングパターンを形成する第二のマスキング工程と、
該第二のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン活性層をドライエッチングにより除去する工程と、
該シリコン活性層のドライエッチングにより露出された前記中間層をドライエッチングにより除去する工程と、
前記第二のマスキングパターンを除去する工程と、
前記第二のマスキングパターンを除去することにより露出された前記第一のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン支持基板および前記シリコン活性層をドライエッチングにより一定量除去する工程と、
前記第一のマスキングパターンを除去する工程と、
残りの前記中間層をウェットエッチングにより一部を除いて除去する工程と、
を有することを特徴とする光スイッチの製造方法。
【請求項２】
少なくとも、基部と、ミラー部が設けられた可動部と、該可動部を前記基部に対して支持する梁部とを有する光スイッチの製造方法であって、
少なくとも、
中間層をシリコン支持基板とシリコン活性層とで挟持してなるシリコン積層体の、該シリコン活性層表面に第一のマスキングパターンを形成する第一のマスキング工程と、
該第一のマスキングパターンを被うように第二のマスキングパターンを形成する第二のマスキング工程と、
該第二のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン活性層をドライエッチングにより除去する工程と、
前記第二のマスキングパターンを除去する工程と、
前記シリコン活性層をドライエッチングすることにより露出された前記中間層のみをドライエッチングにより選択的に除去する工程と、
前記第二のマスキングパターンを除去することにより露出された前記第一のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン支持基板および前記シリコン活性層をドライエッチングにより一定量除去する工程と、
前記第一のマスキングパターンを除去する工程と、
残りの前記中間層をウェットエッチングにより一部を除いて除去する工程と、
を有することを特徴とする光スイッチの製造方法。
【請求項３】
前記第一のマスキングパターンはＣｒから成り、前記第二のマスキングパターンは感光性レジストから成ることを特徴とする請求項１、又は２に記載の光スイッチの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光スイッチの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＭＥＭＳ（Micro Erectro Mechanical Systems）技術を用いてシリコン基板を加工し、光スイッチ等のマイクロ構造体を形成することが知られている。図３は、ＭＥＭＳ技術により製造された光スイッチの一例を示す斜視図である。駆動方式は、静電駆動型で、櫛歯形状の可動電極部１ａとそれを支持する梁部１ｂとが一体的に形成されて可動部１を構成しており、支持電極部３を基点として、シリコン支持基板２ｃに対し中空状態で保持されている。前記可動電極部１ａと対向する位置には、櫛歯４ａを有する固定電極部４が設けられており、それら対向する電極間に電圧を印加すると、櫛歯間（電極間）に静電引力が発生して可動部１全体が移動し、可動部１の先端部に設けられたミラー５に照射される光の光路を偏向することで光スイッチとして機能する。
【０００３】
図４は、前記光スイッチの製造方法を説明するための図で、工程毎の要部断面図である。以下、図４を参照して従来における光スイッチの製造方法について説明する。
工程（ａ）：シリコン活性層２ａ、中間層２ｂ、シリコン支持基板２ｃよりなるシリコン積層体（ＳＯＩ基板）２のシリコン活性層２ａの表面全体に、マスキング用の耐性膜６をスパッタリング等により形成する。耐性膜６は、例えば、クロム（Ｃｒ）よりなり、シリコンの深異方性の反応性イオンエッチングとフッ酸（ＨＦ）に対して耐性のある膜である。
工程（ｂ）：耐性膜６をエッチングにより所望のパターン形状にパターニングして、第一のマスキングパターン６ａを形成する。パターニングする際には、まず、感光性レジスト（ポジ型）を前記耐性膜６上面にスピンコートにより均一に塗布する。塗布後、所望のマスキングパターン形状を有するフォトマスクを被せてレジストの紫外線露光を行い、露光後、現像液を用いて露光された領域のレジストを除去する。その後、以上の工程により形成されたレジストパターンをマスクとして、露出領域の耐性膜６をウェットエッチングにより除去する。
工程（ｃ）：前工程（ｂ）で形成された第一のマスキングパターン６ａをマスクとして、シリコン活性層２ａの露出領域を深異方性の反応性イオンエッチングにより、エッチングのストップ層である中間層２ｂが露出するまでエッチングする。
工程（ｄ）：前工程（ｃ）でマスクとして用いた第一のマスキングパターン６ａをウェットエッチングにより除去する。
工程（ｅ）：露出した中間層２ｂ上面を含め、シリコン活性層２ａの上面全体にクロム（Ｃｒ）からなる耐性膜７を形成する。
工程（ｆ）：前工程（ｅ）で形成した耐性膜７をウェットエッチングにより所望のパターン形状にパターニングして、第二のマスキングパターン７ａを形成する。パターニング方法については、前記工程（ｂ）と同じため省略する。
工程（ｇ）：第二のマスキングパターン７ａをマスクとして露出領域のシリコン活性層２ａを深異方性の反応性イオンエッチングにより一定量（例えば、深さ方向に５０μｍ）エッチングする。
工程（ｈ）：前工程（ｇ）でマスクとして用いた第二のマスキングパターン７ａをウェットエッチングにより除去する。
工程（ｉ）：残りの中間層２ｂを一部（可動部１とシリコン支持基板２ｃとの連結部等）を除いて等方性のウェットエッチングにより選択的に除去し、シリコン活性層２ａの一部（可動部１）をシリコン支持基板２ｃより切り離す。ウェットエッチングに用いるエッチング液としては、例えばフッ酸（ＨＦ）が挙げられるが、中間層２ｂのみを選択的にエッチングするものであれば、他のエッチング液を用いても構わない。
【０００４】
従来における光スイッチの製造方法は、以上説明した通りであるが、従来の製造方法においては以下の問題点があった。前記工程（ｇ）でシリコン活性層２ａをドライエッチングする際に、上方から吹き付けられたエッチングガスが中間層２ｂで跳ね返り、シリコン活性層２ａの下部側面にも吹き付けられ、本来エッチングすべき箇所ではないシリコン活性層２ａの下部側面も削られてしまっていた（通称、ノッチングと呼ばれる）。尚、ノッチングに関しては、例えば、再公表特許ＷＯ−０１／０５３１９４号公報に記載されている。
【０００５】
このように、構造体（シリコン活性層）下部の側面がエッチングにより削られてしまうと、可動部の櫛歯間の面積が減少し、櫛歯間に作用する静電引力が減少するため、可動部の駆動に必要な印加電圧を増加させなければならない。また、可動部を支持する梁部においては、梁部の幅（体積）が減少してバネ力が減少するため、可動部の駆動後、可動部が初期位置へ復帰する動作が鈍くなる。構造体下部側面のノッチング量を考慮した設計を行うことは困難である。また、前記課題を解消するために、エッチングガスが構造体下部側面に吹き付けられるのを防止する反応性イオンエッチング用の特殊な装置もあるが非常に高価なものである。
【０００６】
ここで、上記したような構造体下部のノッチングを防止した光スイッチの製造方法が開示されている。図５は、当該光スイッチの製造方法を説明するための図で、製造工程毎の要部断面図である。まず、工程（ａ）に示すようにシリコン活性層１０ａ上に所望のレジストパターン１１を形成する。レジストパターン１１形成後、工程（ｂ）に示すように露出領域のシリコン活性層１０ａを、広大なエッチング領域１２ａのシリコン活性層１０ａが完全に除去されるまで異方性のドライエッチングにより除去する。この状態では、狭小なエッチング領域１２ｂのシリコン活性層１０ａは、完全には除去されておらず、完全に除去するためにはエッチングを継続する必要があるが、ここではエッチングが広大なエッチング領域１２ａの中間層１０ｂに達した時点で一旦エッチングを停止し、先に工程（ｃ）に示すように広大なエッチング領域１２ａおよび狭小なエッチング領域１２ｂ（構造体下方含む）の中間層１０ｂを等方性のウェットエッチングにより除去する。その後、ドライエッチングを再開して工程（ｄ）に示すように狭小なエッチング領域１２ｂのシリコン活性層１０ａを完全に除去し、続いて工程（ｅ）に示すように残りの中間層１０ｂを、一部を除いて除去する。このように、当該光スイッチの製造方法では、シリコン活性層１０ａを２段階に分けてエッチングし、２段階目のエッチングをする前に、先に中間層１０ｂを除去することによりエッチングガスの中間層１０ｂでの跳ね返りを防止している。（例えば、特許文献１参照）
【０００７】
また、上記製造方法においては、工程（ｃ）で先に中間層１０ｂを除去してあるため、次工程（ｄ）においてドライエッチングを再開した際に、シリコン活性層１０ａのエッチングと共にシリコン支持基板１０ｃの一部もエッチングにより削られて凹部１３ａ、１３ｂが形成されることになるが、シリコン活性層１０ａに構造体を形成する上で何ら問題は無く、逆に以下の効果が生じる。まず、構造体（シリコン活性層１０ａ）底面と基部（シリコン支持基板１０ｃ）上面との隙間は数μｍと非常に狭いため、従来の光スイッチの製造方法においては、構造体形成後の洗浄・乾燥工程の際に構造体底面と基部上面との間に入り込んだ洗浄液の表面張力により、構造体底面が基部上面に張り付く「スティッキング現象」が生じ、洗浄液を乾燥した際に構造体底面が基部上面に張り付いたまま構造体が適正な位置に戻らないという問題が発生していた。スティッキング現象が生じたものは不良品となってしまう。しかしながら、前記のようにシリコン支持基板１０ｃ上面に凹部１３ａ、１３ｂが形成されると、そこに洗浄液が逃がされて洗浄液の表面張力が弱まるため、スティッキング現象を防止することができる。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−２８９３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来の光スイッチの製造方法においては、前記説明したノッチングに加え、以下の問題点があった。従来の光スイッチの製造方法では、工程（ｅ）でシリコン活性層２ａの上面全体にクロム（Ｃｒ）からなる耐性膜７を形成した後、耐性膜７上に感光性レジストパターンを形成し、露出領域の耐性膜７をウェットエッチングにより除去して第二のマスキングパターン７ａを形成するわけであるが、その際、櫛歯間などの狭小な領域（櫛歯間距離は、例えば２μm）のレジストは露光・現像され難いことに加え、ウェットエッチングのエッチング液は、櫛歯間には入り込み難くエッチング液の循環が悪いため、結果としてレジストや耐性膜７ａが残留異物として櫛歯間に残ってしまうことがあった。残留異物が発生しないようにするためには、レジストの現像時間や耐性膜パターニング時のエッチング時間を長くするという対策が考えられるが、その場合には耐性膜パターン（第二のマスキングパターン）７ａの形成精度が損なわれたり、製造時間が長くなる等の問題が生じる。
【００１０】
残留異物として残ったレジストは、感光されていない状態であり、後工程の工程（ｈ）にてウェットエッチングにより、シリコン活性層２ａ上の第二のマスキングパターン７ａを除去する際に同時に除去されるか、もしくは工程（ｉ）で中間層２ｂと共に剥離される（リフトオフされる）可能性もあるが、確証性が低い。このように櫛歯間に残留異物が存在すると、可動部の動作が妨げられる、もしくは全く動作しない状況も起こり得る。
【００１１】
また、図４に示した従来の光スイッチの製造工程（ｇ）において発生するシリコン活性層２ａ下部側面のノッチングは、前記特許文献１に記載の技術を適用することにより解消できるが、特許文献１に記載の技術は、広大なエッチング領域と狭小なエッチング領域（例えば、櫛歯間）との間でエッチングされる速さ、即ちエッチングレートに差が生じること（広大な領域は速く、狭小な領域は遅い）に起因するシリコン活性層２ａ（１０ａ）下部側面のノッチングを防止することを主目的として考案されたものであり、当該技術を図４に示した従来の製造工程にそのまま適用した場合には以下の問題が生じる。
【００１２】
特許文献１に記載の製造工程は、エッチングによるシリコン活性層１０ａの抜き加工が完了した時点で製造工程が終了となるのに対し、本発明に係わる従来の製造工程は、そこから更にシリコン活性層１０ａ（２ａ）のエッチングを行って凸形状（ミラー部）５を形成するものである。即ち、前記図５に示した特許文献１の製造工程において前記凸形状５を形成しようとした場合には、工程（ｅ）に続けて、古いレジストパターン１１を除去→耐性膜７（例えばＣｒ）を形成→耐性膜７上に新しいレジストを塗布→露光・現像によりレジストをパターニング→エッチングにより耐性膜７をパターニング→露出領域のシリコン活性層１０ａをエッチングして凸形状５を形成、という図４に示した従来の製造工程（ｄ）以降と同じ工程を踏むことになる。新しいレジストと耐性膜７は、当然ながら特許文献１の製造工程（ｄ）で形成されたシリコン支持基板１０ｃ上の凹部１３ａ、１３ｂにも形成される。本来ならば、その部分のレジストは、次のレジストパターニング工程の現像液により除去され、耐性膜７に関しては耐性膜パターニング工程のウェットエッチングにより除去される。しかしながら、櫛歯間などの狭小な領域１２ｂの凹部１３ｂに塗布されたレジストは、レジストパターニングの際に用いる紫外線により感光され難いため、現像液による現像後もその部分のレジストが除去されずに残留してしまうことがある。レジストが残留すると、当然ながら、その下層に形成された耐性膜７も次の耐性膜パターニング工程のウェットエッチングにより除去されず凹部（特に１３ｂ）に残留した状態となる。たとえ、レジストが残留せずにその下層の耐性膜７が露出していたとしても、前記したように狭小な領域ではエッチング液の循環が悪いため、結果的には耐性膜７が残留した状態となる。このようにレジストと耐性膜７が凹部に残留すると、凹部はレジストと耐性膜７で埋まった状態となるため、前述したような構造体下部に溜まる洗浄液を逃がして表面張力を低減するという凹部の作用が得られなくなってしまい、結果としてスティッキング現象を防止することが出来なくなる。
【００１３】
尚、特許文献１が課題としているエッチングレートの差による構造体下部のノッチングは、本発明に係わる従来の光スイッチの製造工程（ｃ）においても発生するものと考えられるが、本明細書においてはそのことについて言及しない。
【００１４】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、ノッチング、スティッキング現象、及び残留異物の発生を防止した光スイッチの製造方法を提供する事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
少なくとも、基部と、ミラー部が設けられた可動部と、該可動部を前記基部に対して支持する梁部とを有する光スイッチの製造方法であって、
少なくとも、
中間層をシリコン支持基板とシリコン活性層とで挟持してなるシリコン積層体の、該シリコン活性層表面にマスキングパターンを形成する第一のマスキング工程と、
該第一のマスキングパターンを被うように別のマスキングパターンを形成する第二のマスキング工程と、
該第二のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン活性層をドライエッチングにより除去する工程と、
該シリコン活性層のドライエッチングにより露出された前記中間層をドライエッチングにより除去する工程と、
前記第二のマスキングパターンを除去する工程と、
前記第二のマスキングパターンを除去することにより露出された前記第一のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン支持基板および前記シリコン活性層をドライエッチングにより一定量除去する工程と、
前記第一のマスキングパターンを除去する工程と、
残りの前記中間層をウェットエッチングにより一部を除いて除去する工程と、
を有する光スイッチの製造方法とする。
【００１６】
少なくとも、基部と、ミラー部が設けられた可動部と、該可動部を前記基部に対して支持する梁部とを有する光スイッチの製造方法であって、
少なくとも、
中間層をシリコン支持基板とシリコン活性層とで挟持してなるシリコン積層体の、該シリコン活性層表面に第一のマスキングパターンを形成する第一のマスキング工程と、
該第一のマスキングパターンを被うように第二のマスキングパターンを形成する第二のマスキング工程と、
該第二のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン活性層をドライエッチングにより除去する工程と、
前記第二のマスキングパターンを除去する工程と、
前記シリコン活性層をドライエッチングすることにより露出された前記中間層のみをドライエッチングにより選択的に除去する工程と、
前記第二のマスキングパターンを除去することにより露出された前記第一のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン支持基板および前記シリコン活性層をドライエッチングにより一定量除去する工程と、
前記第一のマスキングパターンを除去する工程と、
残りの前記中間層をウェットエッチングにより一部を除いて除去する工程と、
を有する光スイッチの製造方法とする。
【００１７】
前記第一のマスキングパターンはＣｒから成り、前記第二のマスキングパターンは感光性レジストから成る光スイッチの製造方法とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、以下の効果を奏する。シリコン活性層に２段階目のエッチングを施す際に、吹き付けられたエッチングガスを跳ね返す中間層を先に除去しておくことにより、シリコン活性層下部のノッチングを防止できるため、光スイッチの形状、特に櫛歯や梁部を高い加工精度で所望の形状にすることができ、可動部下部の体積減少に伴う静電引力の減少、及び梁部幅（体積）の減少に伴うバネ力の減少を防止することが可能となる。それに伴い、ノッチング防止用の特殊な装置を使用する必要がなくなる。
【００１９】
活性層シリコンに２段階目のエッチングを施す際に形成されたシリコン支持基板上の凹部に余分な洗浄液を逃がして表面張力を低減することにより、可動部底面がシリコン支持基板上面に張り付くスティッキング現象を防止することができる。
【００２０】
耐性膜からなる２種類のマスキングパターンを、シリコン活性層を加工する前に重ねて形成しておき、工程に応じて順次エッチングとマスキングパターンの除去を繰り返す事により、櫛歯間などの狭小な領域にはレジストやマスキングパターン（耐性膜）を形成することがなくなるため、櫛歯間に残留異物が発生するのを防止でき、可動板の良好な動作を確保することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
シリコン活性層２ａ、中間層２ｂ、シリコン支持基板２ｃよりなるＳＯＩ基板２のシリコン活性層２ａを２段階に渡りエッチング加工する際に、１段階目のエッチング時にマスクとして用いるマスキングパターン２１ａと、２段階目のエッチング時にマスクとして用いるマスキングパターン２０ａを、シリコン活性層２ａをエッチングする前に先に重ねて形成しておき、櫛歯間にマスキング用の耐性膜やレジストを形成しない構成とし、更に１段階目のエッチングの後、２段階目のエッチングを行う前に、露出した中間層２ｂを先に除去しておく構成とする。
【実施例１】
【００２２】
図１は、本発明による光スイッチの製造方法を説明するための図で、工程毎の要部断面図である。以下、図１を参照して本発明の第一実施形態について説明する。尚、説明は、本発明において特長的な部分についてのみ行い、従来において周知の部分に関しては省略する。
工程（ａ）：シリコン支持基板２ｃ、中間層２ｂ、シリコン活性層２ａよりなるシリコン積層体（ＳＯＩ基板）２のシリコン活性層２ａの表面全体にマスキング用の耐性膜２０をスパッタリング等により形成する。耐性膜２０は、例えば、クロム（Ｃｒ）よりなり、シリコンの深異方性の反応性イオンエッチングとフッ酸（ＨＦ）に対して耐性のある膜である。
工程（ｂ）：前工程（ａ）で形成された耐性膜２０をウェットエッチングにより所望のパターン形状にパターニングして第一のマスキングパターン２０ａを形成する。パターニングする際には、まず、感光性レジスト（ポジ型）を耐性膜２０上面にスピンコートにより均一に塗布する。塗布後、所望のマスキングパターン形状を有するフォトマスクを被せてレジストの紫外線露光を行い、露光後、現像液を用いて露光された領域のレジストを除去する。その後、以上の工程により形成されたレジストパターンをマスクとして露出領域の耐性膜６をウェットエッチングにより除去する。（第一のマスキング工程）
工程（ｃ）：前工程（ｂ）で形成された第一のマスキングパターン２０ａ上面を含め、シリコン活性層２ａの表面全体に、新たにマスキング用の耐性膜２１を形成する。この耐性膜２１は、例えば感光性レジスト（ポジ型）からなり、スピンコートにより均一に塗布する。
工程（ｄ）：前工程（ｃ）で形成された耐性膜２１を前記工程（ｂ）と同様に露光・現像により所望のパターン形状にパターニングして第二のマスキングパターン２１ａを形成する。（第二のマスキング工程）
工程（ｅ）：前工程（ｄ）で形成された第二のマスキングパターン２１ａをマスクとして、シリコン活性層２ａの露出領域を深異方性の反応性イオンエッチングにより、エッチングのストップ層である中間層２ｂが露出するまでエッチングする。
工程（ｆ）：前工程（ｅ）のエッチングにより露出された中間層２ｂを異方性のドライエッチングにより除去する。
工程（ｇ）：前工程（ｅ）、（ｆ）でマスクとして用いた第二のマスキングパターン２１ａを有機溶剤（アセトン等）、もしくはＯ2アッシングにより除去する。
工程（ｈ）：前工程（ｇ）で第二のマスキングパターン２１ａを除去することにより露出された、前記第一のマスキングパターン２０ａをマスクとして、露出領域のシリコン活性層２ａおよびシリコン支持基板２ｃを深異方性の反応性イオンエッチングにより一定量（例えば、深さ方向に５０μｍ）エッチングする。これにより、シリコン活性層２ａの一部に凸形状（ミラー）５が形成されると共に、シリコン支持基板２ｃの一部に凹部２２ａ、２２ｂが形成される。特許文献１に記載の製造方法を、本発明に係わる従来の製造方法にそのまま適用した場合には、狭小な領域の凹部２２ｂがレジストや耐性膜により埋まってしまう形となっていたが、本発明による製造方法では、この工程の後、即ち凹部２２ａ、２２ｂが形成された後にレジストや耐性膜を形成することがないため、凹部２２ａ、２２ｂに残留異物が残ることはない。従って、洗浄液を逃がして表面張力を低減するという凹部としての効果が十分に発揮される。
工程（ｉ）：前工程（ｈ）でマスクとして用いた第一のマスキングパターン２０ａをウェットエッチングにより除去する。
工程（ｊ）：残りの中間層２ｂを一部（可動部１とシリコン支持基板２ｃとの連結部等）を残して等方性のウェットエッチングにより除去し、シリコン活性層２ａの一部（可動部１）をシリコン支持基板２ｃより切り離す。
【実施例２】
【００２３】
図２は、本発明による光スイッチの製造方法を説明するための図で、工程毎の要部断面図である。以下、図２を参照して本発明の第二実施形態について説明する。尚、説明は、本発明において特長的な部分についてのみ行い、従来において周知の部分や実施例１と同じ部分に関しては省略する。本実施例２の特長としては、前記実施例１の工程（ｆ）において中間層２ｂを除去する際、エッチングに対するマスクである第二のマスキングパターン２１ａを使用せず、中間層２ｂのみを選択的にエッチングして除去することである。つまり、実施例１では、中間層２ｂを除去する際に第二のマスキングパターン２１ａをマスクとして用いることにより、中間層２ｂと共にシリコン活性層２ａがエッチングされてしまうのを防止しているのに対し、本実施例２では、第二のマスキングパターン２１ａを用いない代わりに、シリコン活性層２ａがエッチングされてしまわないよう中間層２ｂのみと反応するエッチング液（例えばフッ酸（ＨＦ））、もしくはエッチングガス（例えばＣＨＦ3）を用いてエッチングに選択性を持たせている。詳細は以下の通りである。
工程（ａ）〜（ｅ）：実施例１と同じため省略
工程（ｆ）：前工程（ｅ）でマスクとして用いた第二のマスキングパターン２１ａを有機溶剤（アセトン等）、もしくはＯ2アッシングにより除去する。
工程（ｇ）：前工程（ｅ）のエッチングにより露出された中間層２ｂのみを異方性のドライエッチングにより選択的に除去する。
工程（ｈ）〜（ｊ）：実施例１と同じため省略
【００２４】
以上のように、本発明による光スイッチの製造方法では、櫛歯形成後にレジストや耐性膜を形成する工程がなくなり、櫛歯間やシリコン支持基板の凹部に残留異物が残ることはない。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明による光スイッチの製造工程を示す要部断面図（実施例１）
【図２】本発明による光スイッチの製造工程を示す要部断面図（実施例２）
【図３】光スイッチの一例を示す斜視図
【図４】従来技術による光スイッチの製造工程を示す要部断面図
【図５】特許文献１に記載の光スイッチの製造方法を説明するための図
【符号の説明】
【００２６】
１      可動部
１ａ    可動電極
２      シリコン積層体（ＳＯＩ基板）
２ａ    シリコン活性層
２ｂ    中間層
２ｃ    シリコン支持基板
３      支持電極部
４      固定電極部
４ａ    櫛歯
５      ミラー
６      耐性膜
６ａ    第一のマスキングパターン
７      耐性膜
７ａ    第二のマスキングパターン
１０ａ  シリコン活性層
１０ｂ  中間層
１０ｃ  シリコン支持基板
１１    レジストパターン
１２ａ  広大なエッチング領域
１２ｂ  狭小なエッチング領域
１３ａ  凹部（広大な領域）
１３ｂ  凹部（狭小な領域）
２０    耐性膜
２０ａ  第一のマスキングパターン
２１    耐性膜
２１ａ  第二のマスキングパターン
２２ａ  凹部（広大な領域）
２２ｂ  凹部（狭小な領域）
【図１】
2005275174.tif 000003
【図２】
2005275174.tif 000004
【図３】
2005275174.tif 000005
【図４】
2005275174.tif 000006
【図５】
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