(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、接続信頼性に優れる多層回路基板の製造方法を提供することにある。【解決手段】  本発明の多層基板は、先端部側が金属層で被覆された導体ポストを有する第１の回路基板と、前記導体ポストと接続する導体パッドを有する第２の回路基板と、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板との間に介挿されるフラックス機能を有する接着層とを有する多層回路基板の製造方法であって、前記導体ポストと導体パッドとの接続を、実質的に無加圧状態で前記金属層が溶融する温度で加熱する工程により行うことを特徴とするものである。【選択図】  図３
2005235981.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
先端部側が金属層で被覆された導体ポストを有する第１の回路基板と、
前記導体ポストと接続する導体パッドを有する第２の回路基板と、
前記第１の回路基板と前記第２の回路基板との間に介挿されるフラックス機能を有する接着層とを有する多層回路基板の製造方法であって、
前記導体ポストと導体パッドとの接続を、実質的に無加圧状態で前記金属層が溶融する温度で加熱する工程により行うことを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記加熱する工程における前記金属層の到達温度は、１９０℃以上３００℃以下である請求項１に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記加熱する工程における昇温速度は、６０℃／分以上１００℃／分以下である請求項１または２に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記加熱する工程の加熱時間は、１２０秒以上３００秒以下である請求項１ないし３のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記金属層を構成する金属は、主として半田である請求項１ないし４のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記導体ポストと、前記導体パッドとの接続は、前記金属層がフィレットを形成することによりされるものである請求項１ないし５のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高密度化に伴い、これに用いられるプリント配線板の多層化が進んでおり、フレキシブルプリント配線板も多層構造のものが多用されている。このようなプリント配線板は、フレキシブルプリント配線板とリジッドプリント配線板との複合基板であり、リジッドフレックスプリント配線板として用途が拡大している。
【０００３】
しかし、このリジッドフレックスプリント配線板においても、更なる搭載部品の小型化・高密度化が進み、全層を通して同一の個所に各層の接続ランドおよび貫通孔を明ける従来の技術では、配線密度が不足し、部品の搭載にも問題を生じるようになっている
【０００４】
このような背景により、近年リジットフレックスプリント配線板では、新しい積層技術としてビルドアップ法が採用されている。ビルドアップ法の中でも、絶縁層に層間接続用の微細ビアをレーザーで形成し、ビアホールを銅ペースト等の導電性接着剤で穴埋めし、この導電性接着剤により電気的に接続を得る方法ではビアの上にビアを形成するスタックドビアが可能なため、高密度化はもちろんのこと、配線設計も簡易化することができる（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
しかし、この方法では、層間の電気的接続を導電性接着剤で行っているため、信頼性が十分ではない。さらに、微細なビアに導電性接着剤を埋め込む高度な技術も必要となり、更なる微細化に対応することが困難であった。
【０００６】
また、多層フレキシブル配線板は層間接着するために熱硬化型接着剤を使用しているが、これまでの技術では単純にポスト部分が接着剤を物理的に排除し接続パッド上まで達し接続する等の方法もある（例えば、特許文献２参照）が、これでも完全に接続ポストとパッド間の接着剤を除去することは難しく、接続信頼性が十分ではなかった。
【０００７】
【特許文献１】特開平８−３１６５９８号公報
【特許文献２】特開平１１−５４９３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、接続信頼性に優れる多層回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記（１）〜（６）に記載の本発明のより達成される。
（１）先端部側が金属層で被覆された導体ポストを有する第１の回路基板と、前記導体ポストと接続する導体パッドを有する第２の回路基板と、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板との間に介挿されるフラックス機能を有する接着層とを有する多層回路基板の製造方法であって、前記導体ポストと導体パッドとの接続を、実質的に無加圧状態で前記金属層が溶融する温度で加熱する工程により行うことを特徴とする多層回路基板の製造方法。
（２）前記加熱する工程における前記金属層の到達温度は、１９０℃以上３００℃以下である上記（１）に記載の多層回路基板の製造方法。
（３）前記加熱する工程における昇温速度は、６０℃／分以上１００℃／分以下である上記（１）または（２）に記載の多層回路基板の製造方法。
（４）前記加熱する工程の加熱時間は、１２０秒以上３００秒以下である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
（５）前記金属層を構成する金属は、主として半田である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
（６）前記導体ポストと、前記導体パッドとの接続は、前記金属層がフィレットを形成することによりされるものである上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、接続信頼性に優れる多層回路基板を得ることができる。具体的には多層回路基板の層間接続部に半田フィレットを形成することができるので、信頼性高く層間を接続することができる。
また、実質的に無加圧状態で加熱する工程を有するので接着層のシミ出しも抑制でき良好な外観が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の多層回路基板の製造方法について詳細に説明する。
本発明の多層回路基板の製造方法は、先端部側が金属層で被覆された導体ポストを有する第１の回路基板と、前記導体ポストと接続する導体パッドを有する第２の回路基板と、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板との間に介挿されるフラックス機能を有する接着層とを有する多層回路基板の製造方法であって、前記導体ポストと導体パッドとの接続を、実質的に無加圧状態で前記金属層が溶融する温度で加熱する工程により行うことを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の多層回路基板の製造方法について、添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１〜図３は、本発明の実施形態である多層回路基板の一つである多層フレキシブル配線板の接続方法の例を説明する図であり、図３（ｂ）は、多層部３０２とフレキシブル部３０１とを併せ持つ、本発明で得られる多層フレキシブル配線板３００の接続構造を示す断面図である。
【００１３】
本発明の多層フレキシブル配線板の接続方法として、先ず、ステップＡ（図１）として、導体ポスト１３１を有する片面外層配線板を１００形成する。続いて、ステップＢ（図２）としてパッド２４を有する内層配線板２００を形成する。最後に、ステップＣ（図３）として、内層配線板２００のパッド２４と片面外層配線板１００の導体ポスト１３１をフラックス機能付き接着剤層１９の機能により半田結合を形成し、電気的接続を形成する。以上、３ステップに分けることができる。
【００１４】
ステップＡ
まず、ステップＡの外層片面配線板（第１の回路基板）１００を加工する方法として、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂を硬化させた絶縁材で構成される支持基材１１の片面に銅箔１０が付いた片面積層板１を準備する(図１(ａ))。この際、支持基材１１と銅箔１０との間には、導体接続の妨げとなるスミアの発生を防ぐため、銅箔１０と支持基材１１を貼り合わせるための接着剤層は存在しない方が好ましいが、接着剤を使い貼りあわせたものでもよい。支持基材１１側の面から、銅箔１０が露出するまで、支持基材開口部１２を形成する(図１（ｂ）)。
【００１５】
この際、レーザー法を用いると開口部を容易に形成することができ、かつ小径もあけることができる。さらに、過マンガン酸カリウム水溶液によるウェットデスミア又はプラズマによるドライデスミアなどの方法により、支持基材開口部１２内に残存している樹脂を除去すると層間接続の信頼性が向上し好ましい。
【００１６】
この支持基材開口部１２内に導体ポスト１３１が支持基材１１の面から突出するまで形成する（図１（ｄ））。導体ポスト１３１の形成方法としてはメッキ法で、銅ポスト１３を形成後（図１（ｃ））、金属層１４として半田で被覆する方法が挙げられる。半田としては錫、鉛、銀、亜鉛、ビスマス、アンチモン、銅等から選ばれた少なくとも２種類以上の金属で構成されるものである。例えば錫−鉛系、錫−銀系、錫−亜鉛系、錫−ビスマス系、錫−アンチモン、錫−銀−ビスマス系、錫−銅系等があるが、半田の金属組合せや組成に限定されず、最適なものを選択すればよい。銅ポスト１３の高さは支持基材１１の配線パターン１５の内側表面からの高さが２μｍ以上５０μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上２５μｍ以下である。また、金属被覆層１４の厚みとしては、３μｍ以上３０μｍ以下、好ましくは５μｍ以上２５μｍ以下である。
【００１７】
次いで、支持基材１１の片面にある銅箔１０をエッチングにより配線パターン１５を形成し(図１(ｅ))、配線パターン１５に表面被覆層１６を施す(図１(ｆ))。
この表面被覆１６する方法には、絶縁樹脂に接着剤を塗布したオーバーレイフィルムを貼付ける方法またはインクを直接支持基材に印刷する方法等が挙げられる。この表面被覆１６にはメッキなどの表面処理用に表面被覆開口部１７を設けてもよい。表面被覆開口部１７の表面にも前記同様の半田又は金属や合金、金、銀、ニッケル等により表面処理部１７１を設けてもよい。
【００１８】
次に、支持基材１１の導体ポスト１３１が突出した面にフラックス機能付き接着剤層１１を形成するが、このフラックス機能付き接着剤１８はポストと接続するためのパッドを有する内層フレキシブル配線板２００（図２（ｅ））に形成しても差し支えない。この場合、配線パターン２４（図２（ｃ））の酸化防止の効果が得られる。
【００１９】
フラックス機能付き接着剤１８は、印刷法により支持基材１１に塗布する方法などがあるが、シート状になった接着剤を支持基材１１にラミネートする方法が簡便である。最後に、多層部のサイズに応じて切断し、外層片面配線板１００が数個面付けされたシートまたは個片の外層片面配線板１００を得る(図１(ｇ))。
【００２０】
フラックス機能付き接着剤１８は、金属表面の清浄化機能、例えば、金属表面に存在する酸化膜の除去機能や、酸化膜の還元機能を有している。
フラックス機能付き接着剤１８の好ましい第１の組成としては、フェノール性水酸基を有するフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、レゾール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂などの樹脂（Ａ）と、前記樹脂の硬化剤（Ｂ）を含むものである。
【００２１】
前記硬化剤としては、ビスフェノール系、フェノールノボラック系、アルキルフェノールノボラック系、ビフェノール系、ナフトール系、レゾルシノール系などのフェノールベースや、脂肪族、環状脂肪族や不飽和脂肪族などの骨格をベースとしてエポキシ化されたエポキシ樹脂やイソシアネート化合物が挙げられる
【００２２】
前記フェノール性水酸基を有する樹脂の含有量は、フラックス機能付き接着剤全体の２０重量％以上８０重量％以下が好ましく、特に２５重量％以上７５重量％以下が好ましい。含有量が前記下限値未満であると金属表面を清浄化する作用が低下する場合があり、前記上限値を超えると十分な硬化物を得られず、その結果として接合強度と信頼性が低下する場合がある。
【００２３】
また、硬化剤として作用する樹脂または化合物の含有量は、フラックス機能付き接着剤全体の２０重量％以上８０重量％以下が好ましく、特に２５重量％以上７５重量％以下が好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化が不十分となる場合があり、前記上限値を超えるとライフが低下する場合がある。
【００２４】
フラックス機能付き接着剤１８には、必要に応じて着色剤、無機充填材、各種のカップリング剤、溶媒などを添加してもよい。
【００２５】
フラックス機能付き接着剤１８の好ましい第２の組成としては、ビスフェノール系、フェノールノボラック系、アルキルフェノールノボラック系、ビフェノール系、ナフトール系、レゾルシノール系などのフェノールベースや、脂肪族、環状脂肪族や不飽和脂肪族などの骨格をベースとしてエポキシ化されたエポキシ樹脂（Ｃ）と、イミダゾール環を有し、かつ前記エポキシ樹脂の硬化剤（Ｄ）と、硬化性酸化防止剤（Ｅ）を含むものである。
【００２６】
前記イミダゾール環を有する硬化剤（Ｄ）としては、例えばイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、ビス（２−エチル−４−メチル−イミダゾール）などが挙げられる。
【００２７】
前記硬化性酸化防止剤（Ｅ）は、酸化防止剤として作用し、かつ硬化剤と反応して硬化できる化合物であり、例えばベンジリデン構造を有する化合物や３−ヒドロキシ−２−ナフトイック酸、パモイック酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸などが挙げられる。
【００２８】
前記エポキシ樹脂の含有量は、フラックス機能付き接着剤全体の３０重量％以上７０重量％以下が好ましく、特に４０重量％以上６０重量％以下が好ましい。含有量が前記下限値未満であると十分な硬化物が得られない場合があり、前記上限値を超えると還元作用が低下し、フローが増大する場合がある。
【００２９】
前記第２の組成物には、上記２成分以外に、シアネート樹脂、アクリル酸樹脂、メタクリル酸樹脂、マレイミド樹脂などの熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を配合してもよい。また、必要に応じて着色剤、無機充填材、各種のカップリング剤、溶媒などを添加してもよい。
【００３０】
前記イミダゾール環を有し、かつ前記エポキシ樹脂の硬化剤（Ｄ）と前記硬化性酸化防止剤（Ｅ）となるものの含有量は、特に限定されないが、フラックス機能付き接着剤全体に両者を併せて１重量％以上２０重量％以下が好ましく、特に５重量％以上１５重量％以下が好ましい。含有量が前記下限値未満であると金属表面を清浄化する作用が低下し、エポキシ樹脂を十分に硬化させない場合があり、前記上限値を超えると硬化反応が急激に進行し、フラックス機能付き接着剤１８の流動性が低下する場合がある。
さらに、前記エポキシの硬化剤（Ｄ）と前記硬化性酸化防止剤（Ｅ）とは、両方を併用する、または片側の成分のみを単独で配合し使用することもできる。
【００３１】
フラックス機能付き接着剤１８の調整方法は、例えば固形のフェノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）と、固形の硬化剤として作用する樹脂（Ｂ）とを溶媒に溶解して調整する方法、固形のフェノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）を液状の硬化剤として作用する樹脂（Ｂ）に溶解して調整する方法、固形の硬化剤として作用する樹脂（Ｂ）を液状のフェノール性水酸基を有する樹脂（Ｂ）に溶解して調整する方法、又固形のエポキシ樹脂（Ｃ）を溶媒に溶解した溶液に、イミダゾール環を有し、かつエポキシ樹脂の硬化剤として作用する化合物（Ｄ）と硬化性酸化防止剤（Ｅ）を分散もしくは溶解する方法などが挙げられる。使用する溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサン、トルエン、ブチルセルソブル、エチルセロソブル、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチルラクトンなどが挙げられる。好ましくは沸点が２００℃以下の溶媒である
【００３２】
ステップＢ
ステップＢの内層フレキシブル配線板（第２の回路基板）２００を加工する方法としては、ポリイミド等の通常フレキシブル配線板に用いられる耐熱性樹脂２２と銅箔２１とで構成される両面板２を準備する(図２(ａ))。
両面板２は、フレキシブル部の素材となり、銅箔２１と耐熱性樹脂２２の間には、屈曲性・折り曲げ性を高めるために接着剤層は存在しない方が好ましいが存在しても構わない。この両面板２にスルーホール２３にて表裏の電気的導通を形成した（図２（ｂ））後、エッチングにより、配線パターンおよび導体ポスト１３１を受けることができる導体パッド２４を形成する(図２(ｃ))。その後、フレキシブル部３０１に相当する部分の配線パターン２５にポリイミドなどからなる表面被覆層２６(図２(ｄ))を設け、内層フレキシブル配線板２００を形成する。
この内層フレキシブル配線板２００は、積層前に所望する数個の内層フレキシブル配線板２００が面付けされたシートまたは個片に裁断しても問題はない。
【００３３】
ステップＣ
ステップＣの多層フレキシブル配線板３００を形成する方法としては、個片の片面外層配線板１００を内層フレキシブル配線板２００に積層する(図３(ａ))。その際の位置合わせは、各層の配線パターンに予め形成されている位置決めマークを画像認識装置により読み取り位置合わせする方法、位置合わせ用のピンで位置合わせする方法を用いて、各層を仮接着する。
【００３４】
次に、片面外層配線板１００を内層フレキシブル配線板２００に積層したものを、例えば０．０１ＭＰａ以上１．０ＭＰａ以下好ましくは、０．０５ＭＰａ以上０．８ＭＰａ以下の圧力、フラックス機能付き接着剤１８が軟化する温度で予備接着する。これにより、導体ポスト１３１を、導体ポスト２４の近傍まで近接させ、かつ内層フレキシブル配線板２００の回路をフラックス機能付き接着剤１８で埋め込み成形することができる。
【００３５】
次に、導体ポスト１３１と、導体パッド２４との接続を実質的に無加圧状態で金属被覆層１４が溶融する温度で加熱する。このような工程は、半田リフロー工程等で置換することができる。
前記実質的に無加圧状態とは、例えば０．０００１ＭＰａ以上０．２ＭＰａ以下、好ましくは０．０００２ＭＰａ以上０．０５ＭＰａ以下の圧力を意味する。実質的に無加圧で加熱することにより、フローの低減や層すべりを抑制することができる。
【００３６】
前記加熱する工程における昇温速度は、特に限定されないが、６０℃／分以上１００℃／分以下が好ましく、特に８０℃／分以上９０℃／分以下が好ましい。昇温速度が前記下限値未満であるとフィレットの形成前にフラックス機能付き接着剤１８の硬化がはじまる場合があり、前記上限値を超えると金属層１４が溶融しすぎ、金属層自体もフローしてしまう場合がある。
【００３７】
前記加熱する工程の加熱時間は、特に限定されないが、１２０秒以上３００秒以下が好ましく、特に１３０秒以上２８０秒以下が好ましい。加熱時間が前記下限値未満であると目標温度に到達が困難な場合があり、前記上限値を超えるとフィレットの形成前にフラックス機能付き接着剤１８の硬化がはじまる場合がある。
【００３８】
金属層１４が溶融する温度とは、使用する金属層により適宜決定されるが、具体的には１９０℃以上３００℃以下が好ましく、特に２００℃以上２９０℃以下が好ましい。温度が前記範囲内であると、金属層１４は溶融すると共に、フラックス機能付き接着剤１８は活性化されるため、導体ポスト１３１と、導体パッド２４との間でフラックス機能付接着剤１８を介して、半田接合し、同時に半田フィレット３０３を形成する。(図３(ｂ))。ここでフィレットとは、導体ポストが導体パッド面上において、明らかに濡れ拡がっていることが確認できる形状である。
【００３９】
前記加熱工程における金属層１４の到達温度は、特に限定されないが、１９０℃以上３００℃以下が好ましく、特に２００℃以上２９０℃以下が好ましい。温度が前記範囲内であると、特にフィレットの形成が行われ易い。
【００４０】
次いで、フラックス機能付接着剤１８が硬化反応を開始する温度以上、半田が熔融しない温度以下において加熱し、フラックス機能付接着剤１８を硬化させ、多層フレキシブル配線板３００を得る。
前記フラックス機能付接着剤１８が硬化反応を開始する温度以上、半田が熔融しない温度以下とは、具体的には１００℃以上１９０℃以下が好ましく、特に１１０℃以上１８０℃以下が好ましい。温度が前記範囲内であると、特に短時間での硬化に優れる。
【００４１】
以上により、フレキシブル部３０１と、リジッド部３０２とを有し、かつ先端部側が金属層で被覆された導体ポストを有する第１の回路基板と、前記導体ポストと接続する導体パッドを有する第２の回路基板と、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板との間に介挿されるフラックス機能を有する接着層とを有する多層回路基板が得られる。
【００４２】
なお、本実施の形態では４層のフレキシブル配線板について説明したが、本発明はこれに限定されず、５、６層等の多層回路基板を製造することもできる。
【実施例】
【００４３】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されない。
【００４４】
（実施例１）
１．第１の回路基板の製造
LαＺは、厚み５５μｍのシアネート樹脂を硬化させた絶縁材からなる基材上に厚み１２μｍの銅箔が付いた片面積層板（住友ベークライト製  スミライト  ＬαＺ  ＣＬＢｕ）を、基材側の面から、ＵＶレーザーにより１００μｍ径の開口部を形成し、過マンガン酸カリウム水溶液によるデスミアを施した。この開口部内に電解銅メッキを施し、銅箔のあるのと反対面側の基材表面より高さ１５μｍの銅ポストを形成した後、半田メッキ厚み１２μｍを施し、導体ポストを形成した。
次に、片面積層板の銅箔をエッチングし、配線パターンを形成し、液状レジスト（日立化成製  ＳＲ９０００Ｗ）を印刷し、表面被膜を施した。次いで、厚み２２μｍの熱硬化性のフラックス機能付き接着剤シート（住友ベークライト製  層間接着剤  ＤＢＦ）をフラックス機能付き接着剤層として真空ラミネーターにてラミネートすることにより形成した。最後に、積層部のサイズに外形加工し、片面積層板（第１の回路基板）を得た。
【００４５】
２．第２の回路基板の製造
銅箔１８μｍ、支持基材（ポリイミドフィルム厚み２５μｍ）の２層両面板（新日鐵化学製  エスパネックス  ＳＢ−１８−２５−１８ＦＲ）を、ドリルによる穴明け後、ダイレクトメッキし、電解銅メッキによりスルーホールを形成し表裏の電気的導通を形成した後、エッチングにより、配線パターンおよび導体ポストを受けることができる導体パッドを形成した。
その後、可とう部分の配線パターンに、厚み２５μｍのポリイミド（鐘淵化学工業製  アピカルＮＰＩ）に厚み２５μｍの熱硬化性接着剤（住友ベークライト製  ＤＢＦ）により表面被覆を形成した。最後に、外形サイズに裁断し、内層フレキシブル配線板（第２の回路基板）を得た。
【００４６】
３．多層回路基板の製造
第２の回路基板の両面に、第１の回路基板を位置合わせ用のピンガイド付き治具を用いてレイアップした。その後、スポットヒーター２５０℃にて部分的に位置決めのため仮接着した。次いで、真空式プレスにて１５０℃、０.８ＭＰａ、３０秒で積層し、導体ポストを導体パッド近傍まで成形し、実質的に無加圧状態で（リフロー炉にて大気圧下で）２６０℃まで加熱し、フラックス機能付き接着剤層（住友ベークライト製  ＤＢＦ）を介して、導体ポストの半田が、第２の回路基板（内層フレキシブル配線板）の導体パッド部と熔融接合し金属接合を形成し、次いで温度を１８０℃、６０分間加熱し、層間を積層した多層回路基板を得た。
【００４７】
（実施例２）
積層後の加熱工程において、リフロー炉にて大気圧下で２９０℃まで加熱した以外は実施例１と同様にした。
【００４８】
（実施例３）
積層後の加熱工程において、リフロー炉にて大気圧下で７０℃／分で加熱した以外は実施例１と同様にした。
【００４９】
（実施例４）
積層後の加熱工程において、リフロー炉にて大気圧下で２１０秒間の加熱で目標温度に到達した以外は実施例１と同様にした。
【００５０】
（比較例１）
積層後の加熱工程において、リフロー炉にて０．５ＭＰａで加圧した以外は実施例１と同様にした。
【００５１】
各実施例および比較例で得られた多層回路基板について、以下の評価を行った。各評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。
１．接続信頼性
接続信頼性は、温度サイクル試験前後での導通測定で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：試験実施後、導通抵抗の変動が１０％以下
○：試験実施後、導通抵抗の変動が１０％を超えて〜３０％以下
△：試験実施後、導通抵抗の変動が３０％を超えて〜断線発生
×：試験実施前ですでに断線状態
【００５２】
２．フローの有無
フローの有無は、金属顕微鏡による外観検査で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：０．５ｍｍ以下
○：０．５ｍｍを超えて〜１ｍｍ以下
△：１ｍｍを超えて〜２ｍｍ未満
×：２ｍｍ以上
【００５３】
３．層間のずれ測定
層間のずれは、各基板にマークとなる目印を配置し、Ｘ線検査機を用いて確認した。各符号は、以下の通りである。
◎：２０μｍ以下
○：２０μｍを超えて〜５０μｍ以下
△：５０μｍを超えて〜１００μｍ未満
×：１００μｍ以上
【００５４】
【表１】
2005235981.tif 000003
【００５５】
表から明らかなように、実施例１〜４は、接続信頼性に優れていた。なお、実施例１〜４の多層回路基板の層間接続部には、半田フィレットが形成されていることが確認された。
また、実施例１〜４は、フローも少なかった。
また、実施例１および３は、層間のずれも特に小さかった。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の回路基板とその製造方法を説明するための断面図である。
【図２】本発明の回路基板とその製造方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の回路基板とその製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１      片面積層板
１０    銅箔
１１    支持基材
１２    支持基材開口部
１３    銅ポスト
１３１  導体ポスト
１４    金属被覆層
１５    配線パターン
１６    被覆層
１７    表面被覆開口部
１７１  表面処理部
１８    フラックス機能付き接着剤
１００  外層片面配線板（第１の回路基板）
２      両面板
２１    銅箔
２２    耐熱性樹脂
２３    スルーホール
２４    導体パッド
２５    配線パターン
２６    表面被覆層
２００  内層フレキシブル配線板
３００  多層フレキシブル配線板
３０１  フレキシブル部
３０２  リジッド部
【図１】
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【図２】
2005235981.tif 000005
【図３】
2005235981.tif 000006