(57)【要約】【課題】  従来の光記録媒体に比べて、短波長側に発振波長を有する半導体レーザを用いる追記型ＤＶＤディスクシステムに適用可能であり、半導体レーザの波長シフトに対する依存性の少ない光記録媒体等の提供。【解決手段】  基板と、該基板上に少なくとも記録層を設けてなり、該記録層が、少なくとも（Ａ）吸収スペクトルの最大吸収波長が５００ｎｍ以上６５０ｎｍ未満であるホルマザン金属キレート化合物、（Ｂ）吸収スペクトルの最大吸収波長が５００ｎｍ以上６５０ｎｍ未満であるスクアリリウム化合物、及び（Ｃ）吸収スペクトルの最大吸収波長が６５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下である化合物を含有してなる光記録媒体を提供する。該（Ｃ）成分の化合物が、ホルマザン金属キレート化合物、ペンタメチンシアニン化合物、フタロシアニン化合物、及びジアリールアミン化合物から選択される少なくとも１種である態様が好ましい。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に少なくとも記録層を設けてなり、該記録層が、少なくとも（Ａ）吸収スペクトルの最大吸収波長が５００ｎｍ以上６５０ｎｍ未満であるホルマザン金属キレート化合物、（Ｂ）吸収スペクトルの最大吸収波長が５００ｎｍ以上６５０ｎｍ未満であるスクアリリウム化合物、及び（Ｃ）吸収スペクトルの最大吸収波長が６５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下である化合物を含有してなることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
（Ｃ）成分の化合物が、ホルマザン金属キレート化合物、ペンタメチンシアニン化合物、フタロシアニン化合物、及びジアリールアミン化合物から選択される少なくとも１種である請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
（Ａ）成分のホルマザン金属キレート化合物と（Ｂ）成分のスクアリリウム化合物との質量比（（Ａ）成分：（Ｂ）成分）が１０：９０〜５０：５０であり、かつ（Ｃ）成分の化合物の添加量が、前記（Ａ）成分の化合物と前記（Ｂ）成分の化合物の合計１００質量部に対し０.５〜２０質量部である請求項１から２のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項４】
（Ａ）成分のホルマザン金属キレート化合物及び（Ｃ）成分の化合物が、下記構造式（１）及び下記構造式（２）の少なくともいずれかで表されるホルマザン化合物と、金属及び金属化合物のいずれかとからなるホルマザン金属キレート化合物である請求項１から３のいずれかに記載の光記録媒体。
【化１】
2005319728.tif 000078
ただし、前記構造式（１）中、環Ｘは、隣接する窒素原子と炭素原子が一緒になって形成される複素環を表し、該複素環は更に置換基により置換されていてもよく、他の環と縮合していてもよい。Ｚ０は、環Ｘを構成する原子を表す。Ａは、アルキル基、アリール基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルケニル基、アルコキシカルボニル基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｂは、アルキル基、アルケニル基、及びアリール基のいずれかを表し、これらは更に置換基で置換されていてもよい。
【化２】
2005319728.tif 000079
ただし、前記構造式（２）中、環Ｙ及び環Ｚは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、隣接する窒素原子と炭素原子が一緒になって形成される複素環を表し、該複素環は更に置換基により置換されていてもよく、他の環と縮合していてもよい。Ｚ１及びＺ２は、それぞれ環Ｙ及び環Ｚを構成する原子を表す。Ａ１及びＡ２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、アルキル基、アリール基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルケニル基、アルコキシカルボニル基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｂ１及びＢ２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、アルキレン基、アルケニレン基、又はアリーレン基を表し、これらは更に置換基で置換されていてもよい。Ｗは、−ＣＨ２−、又は−ＳＯ２−を表す。ｎは、０又は１の整数である。
【請求項５】
金属及び金属化合物のいずれかが、バナジウム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、パラジウム、及び該金属の酸化物、並びに該金属のハロゲン化物から選択される少なくとも１種である請求項４に記載の光記録媒体。
【請求項６】
（Ｂ）成分が、下記構造式（３）及び下記構造式（４）のいずれで表されるスクアリリウム化合物である請求項１から５のいずれかに記載の光記録媒体。
【化３】
2005319728.tif 000080
ただし、前記構造式（３）中、Ｒ１及びＲ２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基で置換されていてもよく、Ｒ１及びＲ２は隣接する窒素原子と一緒になって置換基を有していてもよい複素環を形成していてもよい。Ｒ３は、下記構造式（３−１）及び下記構造式（３−２）のいずれかで表される置換基を表す。
【化４】
2005319728.tif 000081
ただし、前記構造式（３−１）中、Ｒ４及びＲ５は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表し、これらは隣接する窒素原子と一緒になって置換基を有していてもよい複素環を形成してもよい。Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、及びアルコキシ基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ４及びＲ６又はＲ５及びＲ７は、隣接するＮ−Ｃ−Ｃと一緒になって置換基を有していてもよい複素環を形成してもよい。
【化５】
2005319728.tif 000082
ただし、前記構造式（３−２）中、Ｑ１は、炭素原子及び窒素原子のいずれかを表す。Ｒ１０及びＲ１１は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、及びアラルキル基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。ただし、Ｑ１が窒素原子である場合、Ｒ１１は存在しない。
Ｒ１２は、水素原子、アルキル基、アリール基、及びアラルキル基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ１３及びＲ１４は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、及びアルコキシ基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよく、隣接する２つの炭素原子と一緒になって置換基を有していてもよい複素環、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素環、又は置換基を有していてもよい芳香族環を形成していてもよい。
【化６】
2005319728.tif 000083
ただし、前記構造式（４）中、Ｑ２は、炭素原子及び窒素原子のいずれかを表す。Ｒ１５は、水素原子、アルキル基、アリール基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ１６は、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ１７及びＲ１８は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、及びアラルキル基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよく、隣接する炭素原子と一緒になって置換基を有していてもよい複素環、又は置換基を有していてもよい脂環式炭化水素環を形成してもよい。ただし、Ｑ２が窒素原子の場合、Ｒ１８は存在しない。
Ｒ１９は、水素原子、アルキル基、アラルキル基、及びアリール基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ２０は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、及びアルコキシ基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。ｎは、０〜４の整数を表し、ｎが２〜４の場合、Ｒ２０は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、互いに隣り合う２つのＲ２０が隣接する２つの炭素原子と一緒になって置換基を有していてもよい芳香族環を形成していてもよい。
【請求項７】
（Ｃ）成分が、下記構造式（５）で表されるペンタメチンシアニン化合物である請求項１から６のいずれかに記載の光記録媒体。
【化７】
2005319728.tif 000084
ただし、前記構造式（５）中、Ｒ２１は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、及びアルケニル基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ２２及びＲ２３は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｑ−は、アニオンを表す。
【請求項８】
（Ｃ）成分が、下記構造式（６）で表されるフタロシアニン化合物である請求項１から６のいずれかに記載の光記録媒体。
【化８】
2005319728.tif 000085
ただし、前記構造式（６）中、Ｒ２４〜Ｒ２７は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、アルコキシ基、アリールカルボニルオキシ基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。ｑ１〜ｑ４は、０〜４の整数を表し、ｑ１〜ｑ４が２〜４の場合、各Ｒ２４〜Ｒ２７は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｍ１は、２個の水素原子、金属原子、金属化合物、半金属原子、及び半金属化合物のいずれかを表す。
【請求項９】
Ｍ１が、Ｖ＝Ｏ及びＬ１−Ｓｉ−Ｌ２（ただし、Ｌ１及びＬ２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールオキシスルホニル基、アリールカルボニルオキシ基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい）のいずれかで表される請求項８に記載の光記録媒体。
【請求項１０】
（Ｃ）成分が、下記構造式（７）で表されるジアリールアミン化合物である請求項１から６のいずれかに記載の光記録媒体。
【化９】
2005319728.tif 000086
ただし、前記構造式（７）中、Ｒ２８及びＲ２９は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｒ３０は、水素原子、アルキル基、及びアルキルアミノ基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｑ３−は、アニオンを表す。
【請求項１１】
記録再生波長±１０ｎｍの波長領域の光に対する記録層単層の屈折率ｎが１．５≦ｎ≦３．０であり、かつ消衰係数ｋが０．０２≦ｋ≦０．３である請求項１から１０のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１２】
記録再生波長が６００〜７２０ｎｍである請求項１１に記載の光記録媒体。
【請求項１３】
基板におけるトラックピッチが０．７〜０．８μｍであり、かつ案内溝幅が半値幅で０．１８〜０．４０μｍである請求項１から１２のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１４】
反射層を有し、該反射層が金、銀、銅、アルミニウム、及びこれらの合金から選択されるいずれかを含有する請求項１から１３のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれかに記載の光記録媒体に対し、６００〜７２０ｎｍの記録波長で記録再生することを特徴とする光記録媒体の記録再生方法。
【請求項１６】
光記録媒体に光源から光を照射して該光記録媒体に情報を記録する光記録装置において、前記光記録媒体が、請求項１から１４のいずれかに記載の光記録媒体であることを特徴とする光記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザの波長シフトに対する依存性の少ない追記型ＤＶＤディスクシステムに好適な光記録媒体（以下、「光情報記録媒体」、「情報記録媒体」と称することもある）、並びに該光記録媒体を用いた記録再生方法及び光記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、次世代大容量光ディスクとして追記型ＤＶＤメディアの開発が図られており、更なる記録容量の増大が検討されている。そこで、記録容量の増大を目指して、記録ピット微少化のための記録材料の開発、Ｍｏｖｉｎｇ  Ｐｉｃｔｕｒｅ  Ｅｘｐｅｒｔｓ  Ｇｒｏｕｐ−２（ＭＰＥＧ２）に代表される画像圧縮技術の採用、及び記録ピット読み取りのための半導体レーザ（ＬＤ）の短波長化等の技術開発が進められている。
【０００３】
これまで赤色波長域の半導体レーザとしては、バーコードリーダや計測器用に６７０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ等が商品化されているのみである。しかし、光ディスクの高密度化に伴って、赤色レーザが本格的に光ストレージ市場で使用されつつあり、ＤＶＤドライブの場合、光源としては６３０〜６９０ｎｍ帯の半導体レーザの波長で規格化されている。
一方、再生専用のＤＶＤ−ＲＯＭドライブは波長約６５０ｎｍで商品化されている。このような状況下、最も好ましい追記型ＤＶＤメディアは、波長６３０〜６９０ｎｍで記録及び再生が可能なメディアである。これらに用いられる色素系材料としては、数多くのものが提案されており、例えば、ポリメチン色素又はポリメチン色素と光安定化剤を記録材料として用いるもの（特許文献１参照）、テトラアザポルフィリン（ポルフィラジン）色素を記録材料として用いるもの（特許文献２参照）、シアニン色素及びアゾ金属キレート色素（塩形成色素）を記録材料として用いるもの（特許文献３参照）、アゾ金属キレート色素を記録材料として用いるもの（特許文献４及び５参照）、ホルマザン金属キレート色素を記録材料として用いるもの（特許文献６参照）、ジピロメテン金属キレート色素を記録材料として用いるもの（特許文献７参照）、スクアリリウム化合物を記録材料として用いるもの（特許文献８参照）、スクアリリウム金属キレート化合物を記録材料として用いるもの（特許文献９参照）などが挙げられる。
【０００４】
しかしながら、これらの色素系材料は、色素系メディアの特徴である高反射率を得るために、図１に示すように、吸収スペクトルの吸収帯の長波長端が、記録及び再生波長になるように設計されており、波長依存性が大きいという問題がある。また、記録型ＤＶＤドライブ等に用いられる半導体レーザは使用環境により発振波長が変動することが知られている。特に高温度の環境に置かれた場合、発振波長が長波長側にシフトしてしまうため、記録層に用いられている色素材料の吸収係数ｋが小さくなって記録感度が不足してしまうという問題がある。
【０００５】
したがって、短波長側に発振波長を有する半導体レーザを用いる追記型ＤＶＤディスクシステムに好適であり、半導体レーザの波長シフトに対する依存性が少なく、十分満足できる記録性能を有する光記録媒体が望まれているが、従来の光記録媒体では未だ十分満足できるものが提供されていないのが現状である。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１８１２１１号公報
【特許文献２】特開２００２−２８３７２１号公報
【特許文献３】国際公開第９８／０２９２５７号パンフレット
【特許文献４】特開２０００−１２７６２５号公報
【特許文献５】特開平１１−３１０７２８号公報
【特許文献６】特開２００１−０２３２３５号公報
【特許文献７】特開平１０−２２６１７２号公報
【特許文献８】特開２００１−３２２３５６号公報
【特許文献９】特開２００２−３７０４５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、従来の光記録媒体に比べて、短波長側に発振波長を有する半導体レーザを用いる追記型ＤＶＤディスクシステムに適用可能であり、半導体レーザの波長シフトに対する依存性の少ない光記録媒体、並びに該光記録媒体を用いた記録再生方法及び光記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するため本発明者等が鋭意検討を重ねた結果、従来の追記型ＤＶＤメディアの記録材料である、最大吸収波長５００ｎｍ以上６５０ｎｍ未満であるホルマザン金属キレート化合物とスクアリリウム化合物の混合色素材料に対し、最大吸収波長が６５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の化合物（ホルマザン金属キレート化合物、ペンタメチンシアニン化合物、フタロシアニン化合物、又はジアリールアミン化合物が好ましい）を添加することにより、半導体レーザの波長シフトに対する依存性の少ない光記録媒体が得られることを知見した。
【０００９】
本発明は、本発明者らの前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  基板と、該基板上に少なくとも記録層を設けてなり、該記録層が、少なくとも（Ａ）吸収スペクトルの最大吸収波長が５００ｎｍ以上６５０ｎｍ未満であるホルマザン金属キレート化合物、（Ｂ）吸収スペクトルの最大吸収波長が５００ｎｍ以上６５０ｎｍ未満であるスクアリリウム化合物、及び（Ｃ）吸収スペクトルの最大吸収波長が６５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下である化合物を含有してなることを特徴とする光記録媒体である。
＜２＞  （Ｃ）成分の化合物が、ホルマザン金属キレート化合物、ペンタメチンシアニン化合物、フタロシアニン化合物、及びジアリールアミン化合物から選択される少なくとも１種である前記＜１＞に記載の光記録媒体である。
＜３＞  （Ａ）成分のホルマザン金属キレート化合物と（Ｂ）成分のスクアリリウム化合物との質量比（（Ａ）成分：（Ｂ）成分）が１０：９０〜５０：５０であり、かつ（Ｃ）成分の化合物の添加量が、前記（Ａ）成分の化合物と前記（Ｂ）成分の化合物の合計１００質量部に対し０.５〜２０質量部である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜４＞  （Ａ）成分のホルマザン金属キレート化合物及び（Ｃ）成分の化合物が、下記構造式（１）及び下記構造式（２）の少なくともいずれかで表されるホルマザン化合物と、金属及び金属化合物のいずれかとからなるホルマザン金属キレート化合物である前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
【化１０】
2005319728.tif 000002
ただし、前記構造式（１）中、環Ｘは、隣接する窒素原子と炭素原子が一緒になって形成される複素環を表し、該複素環は更に置換基により置換されていてもよく、他の環と縮合していてもよい。Ｚ０は、環Ｘを構成する原子を表す。Ａは、アルキル基、アリール基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルケニル基、アルコキシカルボニル基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｂは、アルキル基、アルケニル基、及びアリール基のいずれかを表し、これらは更に置換基で置換されていてもよい。
【化１１】
2005319728.tif 000003
ただし、前記構造式（２）中、環Ｙ及び環Ｚは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、隣接する窒素原子と炭素原子が一緒になって形成される複素環を表し、該複素環は更に置換基により置換されていてもよく、他の環と縮合していてもよい。Ｚ１及びＺ２は、それぞれ環Ｙ及び環Ｚを構成する原子を表す。Ａ１及びＡ２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、アルキル基、アリール基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルケニル基、アルコキシカルボニル基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｂ１及びＢ２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、アルキレン基、アルケニレン基、又はアリーレン基を表し、これらは更に置換基で置換されていてもよい。Ｗは、−ＣＨ２−、又は−ＳＯ２−を表す。ｎは、０又は１の整数である。
＜５＞  金属及び金属化合物のいずれかが、バナジウム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、パラジウム、及び該金属の酸化物、並びに該金属のハロゲン化物から選択される少なくとも１種である前記＜４＞に記載の光記録媒体である。
＜６＞  （Ｂ）成分が、下記構造式（３）及び下記構造式（４）のいずれで表されるスクアリリウム化合物である前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
【化１２】
2005319728.tif 000004
ただし、前記構造式（３）中、Ｒ１及びＲ２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基で置換されていてもよく、Ｒ１及びＲ２は隣接する窒素原子と一緒になって置換基を有していてもよい複素環を形成していてもよい。Ｒ３は、下記構造式（３−１）及び下記構造式（３−２）のいずれかで表される置換基を表す。
【化１３】
2005319728.tif 000005
ただし、前記構造式（３−１）中、Ｒ４及びＲ５は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表し、これらは隣接する窒素原子と一緒になって置換基を有していてもよい複素環を形成してもよい。Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、及びアルコキシ基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ４及びＲ６又はＲ５及びＲ７は、隣接するＮ−Ｃ−Ｃと一緒になって置換基を有していてもよい複素環を形成してもよい。
【化１４】
2005319728.tif 000006
ただし、前記構造式（３−２）中、Ｑ１は、炭素原子及び窒素原子のいずれかを表す。Ｒ１０及びＲ１１は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、及びアラルキル基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。ただし、Ｑ１が窒素原子である場合、Ｒ１１は存在しない。
Ｒ１２は、水素原子、アルキル基、アリール基、及びアラルキル基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ１３及びＲ１４は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、及びアルコキシ基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよく、隣接する２つの炭素原子と一緒になって置換基を有していてもよい複素環、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素環、又は置換基を有していてもよい芳香族環を形成していてもよい。
【化１５】
2005319728.tif 000007
ただし、前記構造式（４）中、Ｑ２は、炭素原子及び窒素原子のいずれかを表す。Ｒ１５は、水素原子、アルキル基、アリール基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ１６は、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ１７及びＲ１８は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、及びアラルキル基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよく、隣接する炭素原子と一緒になって置換基を有していてもよい複素環、又は置換基を有していてもよい脂環式炭化水素環を形成してもよい。ただし、Ｑ２が窒素原子の場合、Ｒ１８は存在しない。
Ｒ１９は、水素原子、アルキル基、アラルキル基、及びアリール基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ２０は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、及びアルコキシ基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。ｎは、０〜４の整数を表し、ｎが２〜４の場合、Ｒ２０は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、互いに隣り合う２つのＲ２０が隣接する２つの炭素原子と一緒になって置換基を有していてもよい芳香族環を形成していてもよい。
＜７＞  （Ｃ）成分が、下記構造式（５）で表されるペンタメチンシアニン化合物である前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
【化１６】
2005319728.tif 000008
ただし、前記構造式（５）中、Ｒ２１は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、及びアルケニル基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ２２及びＲ２３は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｑ−は、アニオンを表す。
＜８＞  （Ｃ）成分が、下記構造式（６）で表されるフタロシアニン化合物である前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
【化１７】
2005319728.tif 000009
ただし、前記構造式（６）中、Ｒ２４〜Ｒ２７は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、アルコキシ基、アリールカルボニルオキシ基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。ｑ１〜ｑ４は、０〜４の整数を表し、ｑ１〜ｑ４が２〜４の場合、各Ｒ２４〜Ｒ２７は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｍ１は、２個の水素原子、金属原子、金属化合物、半金属原子、及び半金属化合物のいずれかを表す。
＜９＞  Ｍ１が、Ｖ＝Ｏ及びＬ１−Ｓｉ−Ｌ２（ただし、Ｌ１及びＬ２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールオキシスルホニル基、アリールカルボニルオキシ基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい）のいずれかで表される前記＜８＞に記載の光記録媒体である。
＜１０＞  （Ｃ）成分が、下記構造式（７）で表されるジアリールアミン化合物である前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
【化１８】
2005319728.tif 000010
ただし、前記構造式（７）中、Ｒ２８及びＲ２９は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｒ３０は、水素原子、アルキル基、及びアルキルアミノ基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｑ３−は、アニオンを表す。
＜１１＞  記録再生波長±１０ｎｍの波長領域の光に対する記録層単層の屈折率ｎが１．５≦ｎ≦３．０であり、かつ消衰係数ｋが０．０２≦ｋ≦０．３である前記＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜１２＞  記録再生波長が６００〜７２０ｎｍである前記＜１１＞に記載の光記録媒体である。
＜１３＞  基板におけるトラックピッチが０．７〜０．８μｍであり、かつ案内溝幅が半値幅で０．１８〜０．４０μｍである前記＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜１４＞  反射層を有し、該反射層が金、銀、銅、アルミニウム、及びこれらの合金から選択されるいずれかを含有する前記＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜１５＞  前記＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の光記録媒体に対し、６００〜７２０ｎｍの記録波長で記録再生することを特徴とする光記録媒体の記録再生方法である。
＜１６＞  光記録媒体に光源から光を照射して該光記録媒体に情報を記録する光記録装置において、前記光記録媒体が、前記＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の光記録媒体であることを特徴とする光記録装置である。
【００１０】
本発明の光記録媒体は、基板と、該基板上に少なくとも記録層を設けてなり、該記録層が、少なくとも（Ａ）吸収スペクトルの最大吸収波長が５００ｎｍ以上６５０ｎｍ未満であるホルマザン金属キレート化合物、（Ｂ）吸収スペクトルの最大吸収波長が５００ｎｍ以上６５０ｎｍ未満であるスクアリリウム化合物、及び（Ｃ）吸収スペクトルの最大吸収波長が６５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下である化合物を含有してなる。その結果、６００〜７２０ｎｍの波長域のレーザ光で記録及び再生が可能であり、耐光性、保存安定性等に優れた光記録媒体が得られる。
【００１１】
本発明の光記録媒体の記録再生方法では、前記本発明の光記録媒体に対し、６００〜７２０ｎｍの発振波長を有するレーザ光を照射することにより情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行う。その結果、半導体レーザの波長シフトに対する依存性が少なく、６００〜７２０ｎｍの波長域のレーザ光で安定に記録及び再生が可能である。
【００１２】
本発明の光記録装置は、光記録媒体に光源から光を照射して該光記録媒体に情報を記録する光記録装置において、前記光記録媒体として本発明の光記録媒体を用いる。該本発明の光記録装置においては、半導体レーザの波長シフトに対する依存性が少なく、安定に記録することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、従来における諸問題を解決でき、６００〜７２０ｎｍの波長域のレーザ光で記録及び再生が可能であり、半導体レーザの波長シフトに対する依存性が少なく、耐光性、保存安定性等に優れた光記録媒体を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（光記録媒体）
本発明の光記録媒体は、基板と、該基板上に少なくとも記録層を設けてなり、反射層、保護層、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
前記記録層は、少なくとも（Ａ）吸収スペクトルの最大吸収波長が５００ｎｍ以上６５０ｎｍ未満であるホルマザン金属キレート化合物、（Ｂ）吸収スペクトルの最大吸収波長が５００ｎｍ以上６５０ｎｍ未満であるスクアリリウム化合物、及び（Ｃ）吸収スペクトルの最大吸収波長が６５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下である化合物を含有してなり、前記（Ｃ）成分としては、ホルマザン金属キレート化合物、ペンタメチンシアニン化合物、フタロシアニン化合物、及びジアリールアミン化合物から選択される少なくとも１種が好適である。
【００１５】
−（Ａ）成分及び（Ｃ）成分のホルマザン金属キレート化合物−
前記ホルマザン金属キレート化合物は、ホルマザン化合物と金属及び金属化合物のいずれかとからなり、該ホルマザン化合物としては、特に制限はなく、従来公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、下記構造式（１）及び下記構造式（２）の少なくともいずれかで表されるものが好適である。
【００１６】
【化１９】
2005319728.tif 000011
ただし、前記構造式（１）中、環Ｘは、隣接する窒素原子と炭素原子が一緒になって形成される複素環を表し、該複素環は更に置換基により置換されていてもよく、他の環と縮合していてもよい。Ｚ０は、環Ｘを構成する原子を表す。Ａは、アルキル基、アリール基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルケニル基、アルコキシカルボニル基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｂは、アルキル基、アルケニル基、及びアリール基のいずれかを表し、これらは更に置換基で置換されていてもよい。
【００１７】
【化２０】
2005319728.tif 000012
ただし、前記構造式（２）中、環Ｙ及び環Ｚは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、隣接する窒素原子と炭素原子が一緒になって形成される複素環を表し、該複素環は更に置換基により置換されていてもよく、他の環と縮合していてもよい。Ｚ１及びＺ２は、それぞれ環Ｙ及び環Ｚを構成する原子を表す。Ａ１及びＡ２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、アルキル基、アリール基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルケニル基、アルコキシカルボニル基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｂ１及びＢ２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、Ｂ１及びＢ２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、アルキレン基、アルケニレン基、又はアリーレン基を表し、これらは更に置換基で置換されていてもよい。Ｗは、−ＣＨ２−、又は−ＳＯ２−を表す。ｎは、０又は１の整数である。
【００１８】
前記構造式（１）及び（２）中、環Ｘ、環Ｙ、及び環Ｚは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、隣接する窒素原子と炭素原子が一緒になって形成される複素環を表す。該複素環としては、５員環又は６員環が好適である。Ｚ０、Ｚ１、及びＺ２は、それぞれ、環Ｘ、環Ｙ及び環Ｚを構成する原子を示し、例えば、炭素原子、窒素原子、イオウ原子、酸素原子、セレン原子等が挙げられる。
【００１９】
前記複素環には他の環が縮合していてもよく、該他の環には炭素環の他、複素環が包含される。炭素環の場合、その環構成炭素数は６〜２０が好ましく、６〜１０がより好ましい。その具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、シクロヘキサン環等が挙げられる。一方、複素環の場合、その環構成原子数は５〜２０が好ましく、５〜１４がより好ましい。該複素環としては、例えば、ピロリジン環、チアゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、キノリン環、インドリン環、カルバゾール環等が挙げられる。
前記環Ｘ、環Ｙ及び環Ｚとしては、例えば、チアゾール環、イミダゾール環、チアジアゾール環、オキサゾール環、トリアゾール環、ピラゾール環、オキサジアゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環等が挙げられる。
前記環Ｘ、環Ｙ及び環Ｚに結合する置換基としては、それぞれ独立にハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリールチオ基、置換基を有していてもよいアルキルアミノ基、置換基を有していてもよいアリールアミノ基、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアルキルカルボキサミド基、置換基を有していてもよいアリールカルボキサミド基、置換基を有していてもよいアルキルカルバモイル基、置換基を有していてもよいアリールカルバモイル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキルスルファモイル基等が挙げられる。
【００２０】
前記構造式（１）及び前記構造式（２）において、Ａ、Ａ１、及びＡ２は、それぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキルカルボニル基、置換基を有していてもよいアリールカルボニル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよい複素環基又は置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基を示す。この場合のアルキル基及びアルケニル基には、直鎖状、分岐状、又は環状のものが包含される。前記アルキル基としては、その炭素数は好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜８である。前記アルケニル基としては、その炭素数は好ましくは２〜８、より好ましくは２〜６である。
【００２１】
前記構造式（１）において、Ｂは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示す。この場合のアルキル基及びアルケニル基には、直鎖状、分岐状、又は環状のものが包含される。前記アルキル基の炭素数は好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜８であり、前記アルケニル基の炭素数は好ましくは２〜８、より好ましくは２〜６である。前記アリール基において、その炭素数は好ましくは６〜１８、より好ましくは６〜１４である。
【００２２】
前記構造式（２）において、Ｂ１、及びＢ２は、それぞれ置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいアルケニレン基、又は置換基を有していてもよいアリーレン基を示す。この場合のアルキレン基及びアルケニレン基には直鎖状、分岐状、又は環状のものが包含される。前記アルキレン基において、その炭素数は好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜８である。前記アルケニレン基において、その炭素数は好ましくは２〜８、より好ましくは２〜６である。前記アリーレン基において、その炭素数は好ましくは６〜１８、より好ましくは６〜１４である。
前記構造式（２）において、Ｗは−ＣＨ２−、又は−ＳＯ２−を示し、ｎは０又は１の整数である。
【００２３】
前記各アルキル基としては、好ましくは炭素数１〜１５のものが挙げられ、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の直鎖状アルキル基；イソブチル基、イソアミル基、２−メチルブチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２−エチルブチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、１−エチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、１−メチルヘキシル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピルブチル基、１−イソプロピル−２−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−プロピル−２−メチルプロピル基、１−エチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、１−イソプロピルペンチル基、１−イソプロピル−２−メチルブチル基、１−イソプロピル−３−メチルブチル基、１−メチルオクチル基、１−プロピルヘキシル基、１−イソブチル−３−メチルブチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｔｅｒｔ−オクチル基等の分岐状アルキル基；シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、４−（２−エチルヘキシル）シクロヘキシル基、ボルニル基、イソボルニル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基等が挙げられ、これらの中でも、炭素数１〜８のものが好ましい。
【００２４】
前記各アルキル基は、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、シアノ基等で置換されていてもよく、また、特定の置換基を有していてもよい（例えば、ハロゲン原子、又はニトロ基により置換されていてもよい）アリール基や複素環基等で置換されていてもよい。さらに、酸素、硫黄、窒素等のヘテロ原子を介して前記アルキル基等の他の炭化水素基で置換されていてもよい。ここで、アリール基、複素環基、及びハロゲン原子としては、それぞれ後述するものと同様のものが挙げられる。
【００２５】
前記酸素を介して他の炭化水素基で置換されているアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、フェノキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基等のアルコキシ基やアリールオキシ基等で置換されたアルキル基が挙げられる。これらのアルコキシ基やアリールオキシ基は置換基を有していてもよい。
【００２６】
前記硫黄を介して他の炭化水素基で置換されたアルキル基としては、例えば、メチルチオエチル基、エチルチオエチル基、エチルチオプロピル基、フェニルチオエチル基等のアルキルチオ基やアリールチオ基等で置換されたアルキル基が挙げられる。これらのアルキルチオ基やアリールチオ基は置換基を有していてもよい。
【００２７】
前記窒素を介して他の炭化水素基で置換されているアルキル基としては、例えば、ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基、フェニルアミノメチル基等のアルキルアミノ基やアリールアミノ基等で置換されたアルキル基が挙げられる。これらのアルキルアミノ基やアリールアミノ基は置換基を有していてもよい。
【００２８】
前記アルケニル基としては、炭素数２〜８のものが好適であり、例えば、ビニル基、アリル基、１−プロペニル基、メタクリル基、クロチル基、１−ブテニル基、３−ブテニル基、２−ペンテニル基、４−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、２−ヘプテニル基、２−オクテニル基等が挙げられる。アルケニル基の置換基としては、前記アルキル基の場合と同様のものが挙げられる。
【００２９】
前記アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フルオレニル基、フェナレニル基、フェナントラニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基等が挙げられる。
前記アルキレン基及びアルケニレン基としては、それぞれ前記アルキル基及びアルケニル基から水素原子を一つ除いたものが挙げられる。アルキレン基及びアルケニレン基の置換基としては前記アルキル基の場合と同様のものが挙げられる。
前記アリーレン基としては、前記アリール基から水素原子を一つ除いたものが挙げられる。
前記アリール基及びアリーレン基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、シアノ基、トリフルオロメチル基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、脂環式複素環基、特定の置換基を有していてもよい（例えば、ハロゲン原子又はニトロ基により置換されていてもよい）アリール基、特定の置換基を有していてもよい（例えば、ハロゲン原子又はニトロ基により置換されていてもよい）複素環基等で置換されていてもよい。
ここで、前記アルキル基、アルケニル基、及びアリール基としては、前記と同様のものが挙げられ、複素環基及びハロゲン原子としては、それぞれ後述するものと同様のものが挙げられる。
【００３０】
前記複素環基としては、例えば、フリル基、チエニル基、ピロリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリニル基、イソインドリニル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、キノキサリニル基、等が挙げられる。
前記複素環基は、水酸基、アルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、シアノ基、特定の置換基を有していてもよい（例えば、ハロゲン原子又はニトロ基により置換されていてもよい）アリール基、特定の置換基を有していてもよい（例えば、ハロゲン原子又はニトロ基により置換されていてもよい）複素環基等を以て置換されていてもよく、また、酸素、硫黄、窒素等のヘテロ原子を介して前記のアルキル基等の炭化水素基で置換されていてもよい。ここで、アルキル基、及びアリール基としては、前記と同様のものが挙げられ、複素環基及びハロゲン原子としては、それぞれ後述するものと同様のものが挙げられる。
【００３１】
前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
【００３２】
前記置換基を有していてもよいアルコキシ基としては、酸素原子に直接置換基を有していてもよいアルキル基が結合されているものであればよい。前記アルキル基及び置換基としては、前述の具体例を挙げることができる。
前記置換基を有していてもよいアリールオキシ基としては、酸素原子に直接置換基を有していてもよいアリール基が結合されているものであればよい。前記アリール基及び置換基としては、前述の具体例を挙げることができる。
前記置換基を有していてもよいアルキルチオ基としては、硫黄原子に直接置換基を有していてもよいアルキル基が結合されているものであればよい。前記アルキル基及び置換基としては、前述の具体例を挙げることができる。
前記置換基を有していてもよいアリールチオ基としては、硫黄原子に直接置換基を有していてもよいアリール基が結合されているものであればよい。前記アリール基及び置換基としては、前述の具体例を挙げることができる。
【００３３】
前記置換基を有していてもよいアルキルアミノ基としては、窒素原子に直接置換基を有していてもよいアルキル基が結合されているものであればよい。前記アルキル基及び置換基としては、前述の具体例を挙げることができる。また、アルキル基同士が結合し、場合により酸素原子、他の窒素原子等を含んでピペリジノ基、モルホリノ基、ピロリジニル基、ピペラジニル基、インドリニル基、イソインドリニル基のように環を形成していてもよい。
前記置換基を有していてもよいアリールアミノ基としては、窒素原子に直接置換基を有していてもよいアリール基が結合されているものであればよい。前記アリール基及び置換基としては、前述の具体例を挙げることができる。
前記置換基を有していてもよいアルキルカルボニル基としては、カルボニル基の炭素原子に直接置換基を有していてもよいアルキル基が結合されているものであればよい。前記アルキル基及び置換基としては前述の具体例を挙げることができる。
前記置換基を有していてもよいアリールカルボニル基としては、カルボニル基の炭素原子に直接置換基を有していてもよいアリール基が結合されているものであればよい。前記アリール基及び置換基としては前述の具体例を挙げることができる。
前記置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基としては、オキシカルボニルの酸素原子に直接置換基を有していてもよいアルキル基が結合されているものであればよい。前記アルキル基及び置換基としては前述の具体例を挙げることができる。
前記置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基としては、オキシカルボニルの酸素原子に直接置換基を有していてもよいアリール基が結合されているものであればよい。前記アリール基及び置換基としては前述の具体例を挙げることができる。
前記置換基を有していてもよいアルキルカルボキサミド基としては、カルボキサミドの炭素原子に直接置換基を有していてもよいアルキル基が結合されているものであればよい。前記アルキル基及び置換基としては前述の具体例を挙げることができる。
前記置換基を有していてもよいアリールカルボキサミド基としては、カルボキサミドの炭素原子に直接置換基を有していてもよいアリール基が結合されているものであればよい。前記アリール基及び置換基としては前述の具体例を挙げることができる。
【００３４】
前記置換基を有していてもよいアルキルカルバモイル基としては、カルバモイル基の窒素原子に直接置換基を有していてもよいアルキル基が結合されているものであればよい。前記アルキル基及び置換基としては、前述の具体例を挙げることができる。また、アルキル基同士が結合し、場合により酸素原子、他の窒素原子等を含んでピペリジノ基、モルホリノ基、ピロリジニル基、ピペラジニル基、インドリニル基、イソインドリニル基のように環を形成していてもよい。
前記置換基を有していてもよいアリールカルバモイル基としては、カルバモイル基の窒素原子に直接置換基を有していてもよいアリール基が結合されているものであればよい。前記アリール基及び置換基としては前述の具体例を挙げることができる。
前記置換基を有していてもよいアルキルスルファモイル基としては、スルファモイル基の窒素原子に直接置換基を有していてもよいアルキル基が結合されているものであればよい。前記アルキル基及び置換基としては前述の具体例を挙げることができる。
【００３５】
前記ホルマザン金属キレート化合物における金属及び金属化合物は、ホルマザン化合物にキレートを形成し得る金属又は金属化合物であればよく、例えば、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、テクネチウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、これらの金属の酸化物、これらの金属のハロゲン化物等が挙げられる。これらの中でも、特に、バナジウム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、パラジウム、又はこれらの酸化物若しくはハロゲン化物が好ましい。これらの金属等を有するホルマザン金属キレート化合物を用いた本発明の光記録媒体は、光学特性がより優れている。ハロゲン化物の中では、塩化物が好ましく使用される。
【００３６】
前記構造式（１）及び前記構造式（２）で表されるホルマザン金属キレート化合物としては、特に制限はなく、適宜合成したものを使用してもよいし、市販品を使用してもよい。前者の場合、例えば、特許第２７９１９４４号公報などに記載の公知の方法により製造することができる。
【００３７】
前記構造式（１）及び前記構造式（２）で表されるホルマザン金属キレート化合物のうち、最大吸収波長が５００ｎｍ以上６５０ｎｍ未満である具体例について下記Ａ−１〜Ａ−１６に示す、また、最大吸収波長が６５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下である具体例について下記Ｃ−１〜Ｃ−１１に示す。なお、以下の表中、Ｐｈは、フェニル基を表す。
【００３８】
【表１】
2005319728.tif 000013
【００３９】
【表２】
2005319728.tif 000014
【００４０】
【表３】
2005319728.tif 000015
【００４１】
【表４】
2005319728.tif 000016
【００４２】
【表５】
2005319728.tif 000017
【００４３】
【表６】
2005319728.tif 000018
【００４４】
【表７】
2005319728.tif 000019
【００４５】
−（Ｂ）成分のスクアリリウム化合物−
前記（Ｂ）成分のスクアリリウム化合物が、下記構造式（３）及び下記構造式（４）のいずれかで表されるものが好ましい。
【００４６】
【化２１】
2005319728.tif 000020
ただし、前記構造式（３）中、Ｒ１及びＲ２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基で置換されていてもよく、Ｒ１及びＲ２は隣接する窒素原子と一緒になって置換基を有していてもよい複素環を形成していてもよい。Ｒ３は、下記構造式（３−１）及び下記構造式（３−２）のいずれかで表される置換基を表す。
【００４７】
【化２２】
2005319728.tif 000021
ただし、前記構造式（３−１）中、Ｒ４及びＲ５は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表し、これらは隣接する窒素原子と一緒になって置換基を有していてもよい複素環を形成してもよい。Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、及びアルコキシ基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ４及びＲ６又はＲ５及びＲ７は、隣接するＮ−Ｃ−Ｃと一緒になって置換基を有していてもよい複素環を形成してもよい。
【００４８】
【化２３】
2005319728.tif 000022
ただし、前記構造式（３−２）中、Ｑ１は、炭素原子及び窒素原子のいずれかを表す。Ｒ１０及びＲ１１は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、及びアラルキル基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。ただし、Ｑ１が窒素原子である場合、Ｒ１１は存在しない。
【００４９】
Ｒ１２は、水素原子、アルキル基、アリール基、及びアラルキル基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ１３及びＲ１４は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、及びアルコキシ基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよく、隣接する２つの炭素原子と一緒になって置換基を有していてもよい複素環、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素環、又は置換基を有していてもよい芳香族環を形成していてもよい。
【００５０】
【化２４】
2005319728.tif 000023
ただし、前記構造式（４）中、Ｑ２は、炭素原子及び窒素原子のいずれかを表す。Ｒ１５は、水素原子、アルキル基、アリール基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ１６は、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ１７及びＲ１８は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、及びアラルキル基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよく、隣接する炭素原子と一緒になって置換基を有していてもよい複素環又は置換基を有していてもよい脂環式炭化水素環を形成してもよい。ただし、Ｑ２が窒素原子の場合、Ｒ１８は存在しない。
【００５１】
Ｒ１９は、水素原子、アルキル基、アラルキル基、及びアリール基を表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ２０は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、及びアルコキシ基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。ｎは、０〜４の整数を表し、ｎが２〜４の場合、Ｒ２０は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、互いに隣り合う２つのＲ２０が隣接する２つの炭素原子と一緒になって置換基を有していてもよい芳香族環を形成していてもよい。
【００５２】
前記アルキル基及び前記アルコキシ基におけるアルキル部分としては、直鎖又は分岐状の炭素数１〜６のアルキル基あるいは炭素数３〜８の環状アルキル基等が挙げられ、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、等が挙げられる。
【００５３】
前記アリール基及びアラルキル基のアリール部分としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等が挙げられる。前記アラルキル基のアルキレン部分としては前記アルキル基から水素原子を１つ除いたものが挙げられる。
前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
【００５４】
前記複素環基における複素環、Ｒ１３及びＲ１４が隣接する２つの炭素原子と一緒になって形成する複素環、並びにＲ１７及びＲ１８が隣接する炭素原子と一緒になって形成する複素環としては、芳香族複素環及び脂環式複素環が挙げられる。
【００５５】
前記芳香族複素環としては、例えば、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選ばれる少なくとも１個の原子を含む５員又は６員の単環性芳香族複素環、３〜８員の環が縮合した二環又は三環性で窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選ばれる少なくとも１個の原子を含む縮環性芳香族複素環等が挙げられ、具体的には、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、キナゾリン環、キノキサリン環、ナフチリジン環、シンノリン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、チオフェン環、フラン環、チアゾール環、オキサゾール環、インドール環、イソインドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、プリン環、カルバゾール環等が挙げられる。
【００５６】
前記脂環式複素環としては、例えば、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選ばれる少なくとも１個の原子を含む５員又は６員の単環性脂環式複素環、３〜８員の環が縮合した二環又は三環性で窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選ばれる少なくとも１個の原子を含む縮環性脂環式複素環等が挙げられ、より具体的にはピロリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環、チオモルホリン環、ホモピペリジン環、ホモピペラジン環、テトラヒドロピリジン環、テトラヒドロキノリン環、テトラヒドロイソキノリン環、テトラヒドロフラン環、テトラヒドロピラン環、ジヒドロベンゾフラン環、テトラヒドロカルバゾール環等が挙げられる。
【００５７】
Ｒ１及びＲ２、又はＲ４及びＲ５が隣接する窒素原子と一緒になって形成する複素環、ならびにＲ４及びＲ６、又はＲ５及びＲ７が隣接するＮ−Ｃ−Ｃと一緒になって形成する複素環としては、窒素原子を含む芳香族複素環、窒素原子を含む脂環式複素環等が挙げられる。
窒素原子を含む芳香族複素環としては、例えば、窒素原子を少なくとも１個含む５員又は６員の単環性芳香族複素環、３〜８員の環が縮合した二環又は三環性で窒素原子を少なくとも１個含む縮環性芳香族複素環等が挙げられ、より具体的にはピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、キナゾリン環、キノキサリン環、ナフチリジン環、シンノリン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、インドール環、イソインドール環、インダゾール環、ベンズイミダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンズオキサゾール環、プリン環、カルバゾール環等が挙げられる。
【００５８】
前記窒素原子を含む脂環式複素環としては、例えば、窒素原子を少なくとも１個含む５員又は６員の単環性脂環式複素環、３〜８員の環が縮合した窒素原子を少なくとも１個含む縮環性脂環式複素環等が挙げられ、より具体的にはピロリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環、チオモルホリン環、ホモピペリジン環、ホモピペラジン環、テトラヒドロピリジン環、テトラヒドロキノリン環、テトラヒドロイソキノリン環、テトラヒドロカルバゾール環等が挙げられる。
【００５９】
Ｒ１３及びＲ１４が隣接する２つの炭素原子と一緒になって形成する脂環式炭化水素環、並びにＲ１７及びＲ１８が隣接する炭素原子と一緒になって形成する脂環式炭化水素環としては、炭素数３〜８のものが挙げられ、飽和又は不飽和のものであってもよく、例えば、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロペンテン環、１，３−シクロペンタジエン環、シクロヘキセン環、シクロヘキサジエン環等が挙げられる。
Ｒ１３及びＲ１４が隣接する２つの炭素原子と一緒になって形成する芳香族環、ならびに互いに隣り合う２つのＲ２０が隣接する２つの炭素原子と一緒になって形成する芳香族環としては、炭素数６〜１４のものが挙げられ、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等が挙げられる。
【００６０】
前記アリール基、アラルキル基、複素環基、Ｒ１及びＲ２、又はＲ４及びＲ５が隣接する窒素原子と一緒になって形成する複素環、Ｒ４及びＲ６、又はＲ５及びＲ７が隣接するＮ−Ｃ−Ｃと一緒になって形成する複素環、Ｒ１３及びＲ１４が隣接する２つの炭素原子と一緒になって形成する複素環、Ｒ１７及びＲ１８が隣接する炭素原子と一緒になって形成する複素環、Ｒ１３及びＲ１４又はＲ１７及びＲ１８が隣接する２つの炭素原子と一緒になって形成する脂環式炭化水素環、Ｒ１３及びＲ１４が隣接する２つの炭素原子と一緒になって形成する芳香族環あるいは互いに隣り合う２つのＲ２０が隣接する２つの炭素原子と一緒になって形成する芳香族環の置換基としては、同一又は異なっていてもよい１〜置換可能数、好ましくは１〜５個の置換基、例えば、水酸基、カルボキシル基、ニトロ基、アルコキシ基、アルキル基、アラルキル基、シアノ基、ハロゲン原子、−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ（Ａｒは、水酸基、カルボキシル基、ニトロ基、アルコキシ基、又はハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基、あるいはシアノ基又はハロゲン原子等の置換基で置換されていてもよいアリール基を表す。）、−ＣＨ＝ＣＨ−Ａｒ（Ａｒは前記と同義である。）等が挙げられる。アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基及びハロゲン原子としては、前記と同様のものが挙げられる。
【００６１】
前記アルキル基又はアルコキシ基の置換基としては、同一又は異なっていてもよい１〜置換可能数、好ましくは１〜３個の置換基、例えば、水酸基、カルボキシル基、ニトロ基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲン原子等が挙げられる。アルコキシ基、アリール基及びハロゲン原子としては、前記と同様のものが挙げられる。
前記アミノ基の置換基としては、同一又は異なっていてもよい１〜２個の置換基、例えば、アルキル基、アリール基等が挙げられる。アルキル基及びアリール基としては、前記と同様のものが挙げられる。
【００６２】
前記構造式（３）で表されるスクアリリウム化合物は公知の方法（例えば、国際公開第０１／４４３７５号パンフレット等）に準じて製造することができる。また、前記構造式（４）で表されるスクアリリウム化合物は公知の方法（例えば、国際公開第０１／４４２３３号パンフレット等）に準じて製造することができる。
【００６３】
前記構造式（３）及び前記構造式（４）で表されるスクアリリウム化合物の具体例を以下に示す。なお、以下の表中、ｎＰｒはｎ−プロピル基を表し、ｉＰｒはイソプロピル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。
【００６４】
【表８】
2005319728.tif 000024
【００６５】
【表９】
2005319728.tif 000025
【００６６】
【表１０】
2005319728.tif 000026
【００６７】
本発明の光記録媒体では、（Ａ）最大吸収波長が５００ｎｍ以上６５０ｎｍ未満であるホルマザン金属キレート化合物、及び（Ｂ）スクアリリウム化合物の混合色素材料に対し、（Ｃ）最大吸収波長が６５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下である化合物を添加することにより、半導体レーザの波長シフトに対して依存性を少なくすることができる。前記（Ｃ）成分の化合物としては、上述したホルマザン金属キレート化合物、ペンタメチンシアニン化合物、フタロシアニン化合物、及びジアリールアミン化合物から選択される少なくとも１種の化合物が挙げられる。
【００６８】
−（Ｃ）成分のペンタメチンシアニン化合物−
前記（Ｃ）成分のペンタメチンシアニン化合物としては、特に制限はなく、従来公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、下記構造式（５）で表されるものが好適である。
【００６９】
【化２５】
2005319728.tif 000027
ただし、前記構造式（５）中、Ｒ２１は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、及びアルケニル基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｒ２２及びＲ２３は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｑ−は、アニオンを表す。
【００７０】
前記ハロゲン原子、アルキル基、及びアルケニル基としては、前記構造式（１）及び前記構造式（２）の場合と同様なものが挙げられる。
前記置換基を有していてもよいアルキル基又はアルケニル基において、その炭素数は１〜１２、好ましくは１〜６である。また、このアルキル基やアルケニル基は鎖状又は環状のものであることができる。前記アルキル基及びアルケニル基は、その主鎖中に酸素原子や窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含んでいてもよい。前記置換基としては、前記構造式（１）及び前記構造式（２）の場合と同様なものが挙げられる。
Ｑ−は、アニオンを示し、該アニオンとしては、例えば、Ｉ−、ＣｌＯ4−、ＢＦ4−、ＰＦ６−、ＳｂＦ６−、ＴｓＯ（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）−などが挙げられる。
【００７１】
前記構造式（５）で表されるペンタメチンシアニン化合物としては、特に制限はなく、適宜合成したものを使用してもよいし、市販品を使用してもよい。前者の場合、例えば、特開平０９−２０８５６０号公報などに記載の公知の方法により製造することができる。
【００７２】
前記構造式（５）で表されるペンタメチンシアニン化合物の具体例を以下に示す。なお、以下の表中、ｎＰｒはｎ−プロピル基を表し、ｎＢｕはｎ−ブチル基を表し、ｉＢｕはイソブチル基を表し、ｎＨｅｘはｎ−ヘキシル基を表す。
【００７３】
【表１１】
2005319728.tif 000028
【００７４】
【表１２】
2005319728.tif 000029
【００７５】
【表１３】
2005319728.tif 000030
【００７６】
−（Ｃ）成分のフタロシアニン化合物−
前記（Ｃ）成分のフタロシアニン化合物としては、特に制限はなく、従来公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、下記構造式（６）で表されるものが好ましい。
【００７７】
【化２６】
2005319728.tif 000031
ただし、前記構造式（６）中、Ｒ２４〜Ｒ２７は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、アルコキシ基、アリールカルボニルオキシ基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。ｑ１〜ｑ４は、０〜４の整数を表し、ｑ１〜ｑ４が２〜４の場合、各Ｒ２４〜Ｒ２７は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｍ１は、２個の水素原子、金属、金属化合物、半金属、及び半金属化合物のいずれかを表す。
【００７８】
前記アルキルスルフィニル基において、そのアルキル基の炭素数は１〜１２が好ましく、より好ましくは１〜６である。このアルキル基には、鎖状及び環状のもの、さらに不飽和のものが包含される。
前記アリールスルフィニル基において、そのアリール基の炭素数は６〜２０が好ましく、より好ましくは６〜１２である。
前記アルキルスルホニル基において、そのアルキル基の炭素数は１〜１２が好ましく、より好ましくは１〜６である。このアルキル基には、鎖状及び環状のもの、さらに不飽和のものが包含される。
前記アリールスルホニル基において、そのアリール基の炭素数は６〜２０が好ましく、より好ましくは６〜１２である。
前記アルキルオキシスルホニル基において、そのアルキル基の炭素数は１〜１２が好ましく、より好ましくは１〜６である。このアルキル基には、鎖状及び環状のもの、さらに不飽和のものが包含される。
前記アリールオキシスルホニル基において、そのアリール基の炭素数は６〜２０が好ましく、より好ましくは６〜１２である。
前記アルコキシ基において、そのアルキル基の炭素数は１〜１２が好ましく、より好ましくは１〜６である。このアルキル基には、鎖状及び環状のもの、さらに不飽和のものが包含される。
前記アリールカルボニルオキシ基において、そのアリール基の炭素数は６〜２０が好ましく、より好ましくは６〜１２である。
【００７９】
ここで、前記アルキル基、前記アリール基、前記アルケニル基、及び前記複素環基としては、前記構造式（１）及び前記構造式（２）におけるものと同様のものが挙げられる。
また、前記各基は置換基を有していてもよいが、このような置換基の具体例としては、前記構造式（１）及び前記構造式（２）における環Ｘ、環Ｙ及び環Ｚに関して示した各種の置換基を示すことができる。
【００８０】
Ｍ１としては、２個の水素原子、金属原子、金属化合物、半金属原子、及び半金属化合物のいずれかが挙げられ、例えば、２個の水素原子、２価の無置換金属原子、配位子を有する２価の金属原子；金属化合物としての置換基を有する３価の金属原子、又は置換基を有する４価の金属原子；半金属化合物としての置換基を有する３価の半金属原子、置換基を有する４価の半金属原子；オキシ金属原子等が挙げられる。
【００８１】
前記２価の無置換金属原子としては、例えば、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｈｇ、Ｃｄ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃａ等が挙げられる。
前記配位子を有する２価の金属原子としては、例えば、Ｃｕ（ＮＨ３）２、Ｆｅ（ＮＨ３）２、Ｆｅ（ピリジン）２、Ｆｅ（γ−ピコリン）２、Ｆｅ（トシルメチルイソシアニド）２、Ｆｅ（ベンジルイソシアニド）２等が挙げられる。
前記置換基を有する３価の金属原子としては、例えば、Ａｌ−Ｆ、Ａｌ−Ｃｌ、Ａｌ−Ｂｒ、Ａｌ−Ｉ、Ｇａ−Ｆ、Ｇａ−Ｃｌ、Ｇａ−Ｂｒ、Ｇａ−Ｉ、Ｉｎ−Ｆ、Ｉｎ−Ｃｌ、Ｉｎ−Ｂｒ、Ｉｎ−Ｉ、Ｔｉ−Ｆ、Ｔｉ−Ｃｌ、Ｔｉ−Ｂｒ、Ｔｉ−Ｉ、Ａｌ−Ｃ６Ｈ５、Ａｌ−Ｃ６Ｈ４（ＣＨ３）、Ｉｎ−Ｃ６Ｈ５、Ｉｎ−Ｃ６Ｈ４（ＣＨ３）、Ｍｎ（ＯＨ）、Ｍｎ（ＯＣＨ３）、Ｍｎ（ＯＣ６Ｈ５）、Ｍｎ〔ＯＳｉ（ＣＨ３）３〕、Ｆｅ−Ｆ、Ｆｅ−Ｃｌ、Ｆｅ−Ｂｒ、Ｆｅ−Ｉ、Ｒｕ−Ｆ、Ｒｕ−Ｃｌ、Ｒｕ−Ｂｒ、Ｒｕ−Ｉ等が挙げられる。
【００８２】
前記置換基を有する４価の金属原子としては、例えば、ＣｒＣｌ２、ＳｎＦ２、ＳｎＣｌ２、ＳｎＢｒ２、ＳｎＩ２、ＺｎＦ２、ＺｎＣｌ２、ＺｎＢｒ２、ＺｎＩ２、ＧｅＦ２、ＧｅＣｌ２、ＧｅＢｒ２、ＧｅＩ２、ＴｉＦ２、ＴｉＣｌ２、ＴｉＢｒ２、ＴｉＩ２、Ｓｎ（ＯＨ）２、Ｇｅ（ＯＨ）２、Ｚｒ（ＯＨ）２、Ｍｎ（ＯＨ）２、ＴｉＬ２、ＣｒＬ２、ＳｉＬ２、ＳｎＬ２、ＧｅＬ２、Ｔｉ（ＯＬ）２、Ｃｒ（ＯＬ）２、Ｓｎ（ＯＬ）２、Ｇｅ（ＯＬ）２、Ｔｉ（ＳＬ）２、Ｃｒ（ＳＬ）２、Ｓｎ（ＳＬ）２、Ｇｅ（ＳＬ）２〔ただし、Ｌは、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールオキシスルホニル基、及びアリールカルボニルオキシ基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。〕等が挙げられる。
【００８３】
前記置換基を有する３価の半金属原子としては、例えば、Ｂ−Ｆ、Ｂ−Ｃｌ、Ｂ−Ｂｒ、Ｂ−Ｉ、Ｂ−Ｌ、Ｂ（ＯＨ）、Ｂ（ＯＬ）、Ｂ〔ＯＳｉ（ＣＨ３）３〕〔ただし、Ｌは、前述のＬと同じ意味を表す〕等が挙げられる。
【００８４】
前記置換基を有する４価の半金属原子としては、例えば、ＳｉＦ２、ＳｉＣｌ２、ＳｉＢｒ２、ＳｉＩ２、Ｓｉ（ＯＨ）２、ＳｉＬ２、Ｓｉ（ＯＬ）２、Ｓｉ（ＳＬ）２〔ただし、Ｌは、前述のＬと同じ意味を表す〕等が挙げられる。
前記オキシ金属原子としては、例えば、ＶＯ、ＭｎＯ、ＴｉＯ等が挙げられる。
【００８５】
これらの中でも、Ｍ１が、Ｖ＝Ｏ及びＬ１−Ｓｉ−Ｌ２（ただし、Ｌ１及びＬ２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールオキシスルホニル基、アリールカルボニルオキシ基、及び複素環基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい）のいずれかで表されるのが好ましい。
ここで、前記アルキル基、アリール基、アルケニル基、複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールオキシスルホニル基、及びアリールカルボニルオキシ基としては、前記構造式（１）及び前記構造式（２）におけるものと同様のものが挙げられる。
【００８６】
前記構造式（６）で表されるフタロシアニン化合物としては、特に制限はなく、適宜合成したものを使用してもよいし、市販品を使用してもよい。前者の場合、例えば、特開平７−２８６１０８号公報などに記載の公知の方法により製造することができる。
【００８７】
前記構造式（６）で表されるフタロシアニン化合物の具体例を以下に示す。
【表１４】
2005319728.tif 000032
【００８８】
【表１５】
2005319728.tif 000033
【００８９】
【表１６】
2005319728.tif 000034
【００９０】
【表１７】
2005319728.tif 000035
【００９１】
【表１８】
2005319728.tif 000036
【００９２】
【表１９】
2005319728.tif 000037
【００９３】
なお、前記フタロシアニン化合物は、代表的には一つの異性体のみを示すが、例えば、α位に置換基を持つ化合物の場合、下記構造式で表される４種類の異性体があり、実際にはその混合物となっている。
【００９４】
【化２７】
2005319728.tif 000038
【００９５】
【化２８】
2005319728.tif 000039
【００９６】
【化２９】
2005319728.tif 000040
【００９７】
【化３０】
2005319728.tif 000041
【００９８】
−（Ｃ）成分のジアリールアミン化合物−
前記（Ｃ）成分のジアリールアミン化合物としては、特に制限はなく、従来公知のものの中から目的に応じて適宜選択することができ、例えば、下記構造式（７）で表されるものが好ましい。
【００９９】
【化３１】
2005319728.tif 000042
ただし、前記構造式（７）中、Ｒ２８及びＲ２９は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｒ３０は、水素原子、アルキル基、及びアルキルアミノ基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよい。Ｑ３−は、アニオンを表す。
【０１００】
前記アルキル基において、その炭素数は１〜１５、好ましくは１〜８である。
前記アルキルアミノ基において、そのアルキル基の炭素数は１〜１５が好ましく、より好ましくは１〜８である。このアルキル基には、鎖状及び環状のもの、さらに不飽和のものが包含される。
前記アルキル基及びアルキルアミノ基の置換基の具体例としては、前記構造式（１）で表される化合物で示した各種のものと同様なものが挙げられる。
Ｑ３−は、アニオンを表し、該アニオンとしては、例えば、Ｉ−、ＣｌＯ4−、ＢＦ4−、ＰＦ６−、ＳｂＦ６−、ＴｓＯ（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）−などが挙げられる。
【０１０１】
前記構造式（７）で表されるジアリールアミン化合物としては、特に制限はなく、適宜合成したものを使用してもよいし、市販品を使用してもよい。前者の場合、例えば、「堀口  博：総説  合成染料、ｐ３６０、三共出版（１９６９）」などに記載の公知の方法により製造することができる。
【０１０２】
前記構造式（７）で表されるジアリールアミン化合物の具体例を以下に示す。
【表２０】
2005319728.tif 000043
【０１０３】
【表２１】
2005319728.tif 000044
【０１０４】
前記記録層においては、前記（Ａ）成分のホルマザン金属キレート化合物と（Ｂ）成分のスクアリリウム化合物との質量比（（Ａ）成分：（Ｂ）成分）は１０：９０〜５０：５０が好ましく、１５：８５〜４５：５５がより好ましい。
【０１０５】
前記（Ｃ）成分の化合物の添加量は、前記（Ａ）成分の化合物と前記（Ｂ）成分の化合物の合計１００質量部に対し０.５〜２０質量部が好ましく、１〜５質量部がより好ましい。前記添加量が０．５質量部未満であると、所定の効果が得られないことがあり、２０質量部を超えると、他の特性（特に反射率）を満足できなくなることがある。
前記（Ａ）吸収スペクトルの最大吸収波長が５００ｎｍ以上６５０ｎｍ未満であるホルマザン金属キレート化合物、及び（Ｂ）吸収スペクトルの最大吸収波長が５００ｎｍ以上６５０ｎｍ未満であるスクアリリウム化合物の混合物に、（Ｃ）吸収スペクトルの最大吸収波長が６５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下である化合物（ホルマザン金属キレート化合物、ペンタメチンシアニン化合物、フタロシアニン化合物、又はジアリールアミン化合物等）を上記範囲で添加することにより、追記型ＤＶＤメディアの基本特性は維持しながら、記録レーザの波長変動に対する記録感度の低下、いわゆる波長依存性を低減することができる。
【０１０６】
本発明の光記録媒体の記録層は、光学特性、耐光性等に優れているのが好ましい。
光学特性として、記録再生波長である６００〜７２０ｎｍに対して短波長側に大きな吸収帯を有し、かつ記録再生波長が該吸収帯の長波長端近傍にあることが好ましい。これは、記録再生波長である６００〜７２０ｎｍで大きな屈折率と消衰係数を有することを意味する。
【０１０７】
具体的には、記録再生波長±１０ｎｍの波長領域の光に対する記録層単層の屈折率ｎが１．５以上３．０以下であり、消衰係数ｋが０．０２以上０．３以下の範囲にあることが好ましい。ｎが１．５以上の場合には、十分な光学的変化が得られるため、記録変調度が高くなるため好ましく、ｎが３．０以下の場合には、波長依存性がより高くならず、記録再生波長領域であっても再生エラーが起きにくく好ましい。また、ｋが０．０２以上の場合には、記録感度が良くなるため好ましく、ｋが０．３以下の場合には、５０％以上の反射率を得やすく好ましい。また、吸光係数が大きいほど屈折率ｎも大きく取れるため、そのｌｏｇε（εはモル吸光係数）は５以上のものが好ましい。
さらに耐光性として、繰り返し１００万回以上の再生安定性と室内放置下で褪色しない堅牢性があることが好ましい。
【０１０８】
次に、本発明の光記録媒体の構成について図面を参照して説明する。
図２は、本発明の追記型光記録媒体に適用し得る層構成例を示す概略断面図であり、これは追記型光ディスクの例である。図２（Ａ）は、基板１／記録層２からなる追記型光ディスクを示す。図２（Ｂ）は、基板１／下引き層３／記録層２からなる追記型光ディスクを示す。図２（Ｃ）は、基板１／下引き層３／記録層２／保護層４からなる追記型光ディスクを示す。図２（Ｄ）は、ハードコート層５／基板１／下引き層３／記録層２／保護層４からなる追記型光ディスクを示す。
【０１０９】
図３は、本発明の光記録媒体に適用し得る追記型光記録媒体（ＣＤ−Ｒ型）の層構成例を示す概略断面図であり、これは追記型光ディスクの例である。図３（Ａ）は、基板１／記録層２／反射層６／保護層４からなるＣＤ−Ｒを示す。図３（Ｂ）は、基板１／下引き層３／記録層２／反射層６／保護層４からなるＣＤ−Ｒを示す。図３（Ｃ）は、ハードコート層５／基板１／下引き層３／記録層２／反射層６／保護層４からなるＣＤ−Ｒを示す。
なお、図２若しくは図３を２枚貼合わせたいわゆるエアーサンドイッチ、又は密着貼合わせ構造としてもよい。
【０１１０】
図４は、本発明の光記録媒体に適用し得る追記型光記録媒体（ＤＶＤ＋Ｒ又はＤＶＤ−Ｒ）の層構成例を示す概略断面図である。図４（Ａ）は、基板１／記録層２／反射層６／保護層４／接着層８／保護基板７からなるＤＶＤ＋Ｒ又はＤＶＤ−Ｒを示す。図４（Ｂ）は、ハードコート層５／基板１／下引き層３／記録層２／反射層６／保護層４／接着層８／保護基板７からなるＤＶＤ＋Ｒ又はＤＶＤ−Ｒを示す。
【０１１１】
本発明の光記録媒体を追記型ＤＶＤメディアとして適用する場合の光記録媒体の構成は、第１の基板と第２の基板（以下、第１基板、第２基板と称することがある）とを記録層を介して接着剤で張り合わせた構造を基本構造とする。記録層は反射率を高めるため記録層と反射層との積層であるのが好ましい。記録層と基板間は下引き層、又は保護層を介して層成してもよく、機能向上のためそれらを積層化した構成でもよい。最も通常に用いられるのは、第１基板／記録層（有機色素層）／反射層／保護層／接着層／第２基板の構造である。
【０１１２】
−基板−
前記基板は、基板側より記録再生を行う場合のみ使用レーザ光に対して透明でなければならず、記録層側から記録、再生を行う場合基板は透明である必要はない。従って、本発明において、基板２枚をサンドイッチ状で用いる場合は、例えば、一方の基板（第２の基板）のみが透明であれば、他方の基板（第１の基板）の透明、不透明は問わない。
【０１１３】
前記基板材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等のプラスチック；ガラス、セラミックス、金属等を用いることができる。
なお、基板を１層しか用いない場合はその基板表面に、また基板２枚をサンドイッチ状で用いる場合は第１基板の表面に、トラッキング用の案内溝や案内ピット、更にアドレス信号等のプレフォーマットが形成されていることが好ましい。
【０１１４】
前記基板は、円盤状であり、通常、深さ１０００〜２５００Å（１００〜２５０ｎｍ）の案内溝を有している。前記溝深さが１０００Å（１００ｎｍ）以上であると、充分なトラッキング信号や良好な記録再生特性を得やすくなり、２５００Å（２５０ｎｍ）以下であると全面に渡り均一性に優れた転写性を得られやすいので好ましい。また、溝幅は、半値幅で０．１８〜０．４０μｍが好ましい。前記半値幅が０．１８μｍ以上であると、十分なトラッキングエラー信号強度を得やすいので好ましい。一方、０．４０μｍ以下であると、記録したときに記録部が横に広がりにくいので好ましい。
また、トラックピッチは、通常、０．７〜１．０μｍが好ましく、高容量化の用途には０．７〜０．８μｍが好ましい。
【０１１５】
−記録層−
前記記録層はレーザ光の照射により何らかの光学的変化を生じ、その変化により情報を記録できるものであって、この記録層中には前記本発明の（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分の化合物が含有されていることが必要であり、記録層の形成にあたって本発明の（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分の化合物を１種単独又は２種以上の組合せで用いることができる。前記記録層には、光学特性、記録感度、及び信号特性等の向上を目的として他の有機色素及び金属、又は金属化合物と混合或いは積層化してもよい。
前記他の有機色素としては、例えば、ポリメチン色素、ナフタロシアニン系染料、クロコニウム系染料、ピリリウム系染料、ナフトキノン系染料、アントラキノン(インダンスレン)系染料、キサンテン系染料、トリフェニルメタン系染料、アズレン系染料、テトラヒドロコリン系染料、フェナンスレン系染料、トリフェノチアジン系染料、金属キレート化合物、等が挙げられ、これらの１種を単独で用いてもよいし、２種以上組み合わせても構わない。
また、前記記録層中には、金属、又は金属化合物を添加することもできる。該金属又は金属化合物としては、例えば、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ２、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄ等を分散混合あるいは積層の形態で用いることもできる。
【０１１６】
また、前記記録層中には、高分子材料を配合させることもできる。該高分子材料としては、例えば、アイオノマー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴム等の種々の材料もしくはシランカップリング剤等を分散混合して用いてもよいし、あるいは特性改良の目的で安定剤（例えば、遷移金属錯体）、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等を一緒に用いることもできる。
【０１１７】
前記記録層の形成は、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、又は溶液塗布法等の通常の手段によって行うことができる。前記塗布法を用いる場合には、前記（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分の化合物等を有機溶剤等に溶解して、スピナー塗布法、スプレー法、ローラーコーティング法、ディッピング法、スピンコーティング等の慣用のコーティング法によって行われる。
【０１１８】
前記有機溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類；酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類；クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、四塩化炭素、トリクロロエタン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類；ベンゼン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族類；メトキシエタノール、エトキシエタノール等のセロソルブ類；ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素類等が挙げられる。
【０１１９】
前記記録層の膜厚は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１００Å（１０ｎｍ）〜１０μｍが好ましく、２００Å（２０ｎｍ）〜２０００Å（２００ｎｍ）がより好ましい。
【０１２０】
−下引き層−
前記下引き層は、（１）接着性の向上、（２）水又はガス等のバリア、（３）記録層の保存安定性の向上、（４）反射率の向上、（５）溶剤からの基板や記録層の保護、及び（６）案内溝・案内ピット・プレフォーマット等の形成等を目的として使用される。
前記（１）の目的に対しては、高分子材料、例えば、アイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴム等の種々の高分子物質、及びシランカップリング剤等を用いることができる。前記（２）及び（３）の目的に対しては、前記高分子材料以外に無機化合物、例えば、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２、ＳｉＯ、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮ等、更に金属、又は半金属、例えばＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ等を用いることができる。また、前記（４）の目的に対しては、金属、例えば、Ａｌ、Ａｇ等や、金属光沢を有する有機薄膜、例えば、メチン染料、キサンテン系染料等を用いることができる。前記（５）及び（６）の目的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。
【０１２１】
前記下引き層の膜厚は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、０．０１〜３０μｍが好ましく、０．０５〜１０μｍがより好ましい。
【０１２２】
−反射層−
前記反射層の材料としては、単体で高反射率の得られる腐食されにくい金属、半金属等が挙げられ、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｓｎ等が挙げられるが、反射率、生産性の点からＡｕ、Ａｇ、Ａｌが最も好ましく、これらの金属、半金属は単独で使用しても良く、２種の合金としてもよい。
【０１２３】
前記反射層は、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法等によって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
前記反射層の膜厚は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、５０〜５０００Å（５〜５００ｎｍ）が好ましく、１００〜３０００Å（１０〜３００ｎｍ）がより好ましい。
【０１２４】
−保護層、及び基板表面ハードコート層−
前記保護層、又は基板表面ハードコート層は、（１）記録層（反射吸収層）の傷、ホコリ、汚れ等からの保護、（２）記録層（反射吸収層）の保存安定性の向上、（３）反射率の向上等を目的として使用される。これらの目的に対しては、前記下引き層に示した材料を用いることができる。また、無機材料として、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ２等も用いることができ、有機材料として、例えば、ポリメチルアクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹脂、芳香族炭化水素樹脂、天然ゴム、スチレンブタジエン樹脂、クロロプレンゴム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジン等の熱軟化性樹脂、熱溶融性樹脂、紫外線硬化樹脂も用いることができる。前記材料のうち保護層、又は基板表面ハードコート層に最も好ましい例としては生産性に優れた紫外線硬化樹脂である。
前記保護層又は基板表面ハードコート層の膜厚は０．０１〜３０μｍが好ましく、０．０５〜１０μｍがより好ましい。
【０１２５】
本発明においては、前記下引き層、保護層、及び基板表面ハードコート層には記録層の場合と同様に、目的に応じて更に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等を含有させることができる。
【０１２６】
−保護基板−
前記保護基板は、この保護基板側からレーザ光を照射する場合、使用レーザ光に対し透明でなくてはならず、単なる保護板として用いる場合、透明性は問わない。使用可能な基板材料は前記の基板材料と全く同様であり、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等のプラスチック、ガラス、セラミックス、金属等を用いることができる。
【０１２７】
−接着剤、接着層−
前記接着剤としては、２枚の光記録媒体を接着できる材料であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、生産性を考えると、紫外線硬化型接着剤又はホットメルト型接着剤が好ましい。
【０１２８】
（光記録媒体の記録再生方法）
本発明の光記録媒体の記録再生方法は、前記本発明の光記録媒体に対し、６００〜７２０ｎｍの発振波長を有するレーザ光を照射することにより情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行うものである。
具体的には、光記録媒体を所定の線速度、又は、所定の定角速度にて回転させながら、基板側から対物レンズを介して半導体レーザ（例えば、６００〜７２０ｎｍの発振波長）等の記録用の光を照射する。この照射光により、記録層がその光を吸収して局所的に温度上昇し、例えば、ピットが生成してその光学特性を変えることにより情報が記録される。上記のように記録された情報の再生は、光記録媒体を所定の線速度で回転させながらレーザ光を基板側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。
【０１２９】
（光記録装置）
本発明の光記録装置は、光記録媒体に光源から光を照射して該光記録媒体に情報を記録する光記録装置において、光記録媒体として本発明の前記光記録媒体を用いたものである。
前記光記録装置は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、レーザ光を出射する半導体レーザ等の光源であるレーザ光源と、レーザ光源から出射されたレーザ光をスピンドルに装着された光記録媒体に集光する集光レンズ、レーザ光源から出射されたレーザ光の一部を検出するレーザ光検出器、レーザ光源から出射されたレーザ光を集光レンズとレーザ光検出器とに導く光ファイバを備え、更に必要に応じてその他の手段を有してなる。
【０１３０】
前記光記録装置は、レーザ光源から出射されたレーザ光を光ファイバにより集光レンズに導き、該集光レンズによりレーザ光を光記録媒体に集光照射して光記録媒体に記録を行う。このとき、光記録装置は、レーザ光源から出射されたレーザ光の一部をレーザ光検出器に導き、レーザ光検出器のレーザ光の検出量に基づきレーザ光源の光量を制御する。
前記レーザ光検出器は、検出したレーザ光の検出量を電圧又は電流に変換し検出量信号として出力する。
前記その他の手段としては、制御手段等が挙げられる。前記制御手段としては、前記各手段の動きを制御することができる限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シークエンサー、コンピュータ等の機器が挙げられる。
【０１３１】
本発明の光記録装置は、半導体レーザの波長シフトに対する依存性の少ない本発明の光記録媒体を搭載しているため、高反射率で、かつ高変調度であり安定した記録が可能となる。
【実施例】
【０１３２】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
【０１３３】
（実施例１）
−光記録媒体の作製−
厚さ０．６ｍｍ、深さ１７５０Å（１７５ｎｍ）、半値幅０．２５μｍ、トラックピッチ０．７４μｍの案内溝を形成したポリカーボネート樹脂製基板を作製した。
下記構造式で表されるホルマザン金属キレート化合物（Ａ−９、最大吸収波長＝５６８ｎｍ）、下記構造式で表されるスクアリリウム化合物（Ｂ−４、最大吸収波長＝５９０ｎｍ）、及び下記構造式で表されるペンタメチンシアニン化合物（Ｄ−５、最大吸収波長＝７０７ｎｍ）を質量比（Ａ−９：Ｂ−４：Ｄ−５）＝４０：６０：３となるように２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに溶解させて記録層塗布液を調製した。得られた記録層塗布液を前記基板上にスピナー塗布し、厚さ１０００Å（１００ｎｍ）の記録層を形成した。記録層上にスパッタ法により金（Ａｕ）を厚みが１３００Å（１３０ｎｍ）となるように反射層を成膜した。反射層上にアクリル系フォトポリマーにて厚み５μｍの保護層を設けた後、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂製平面基板をアクリル系フォトポリマーにて接着し、光記録媒体を作製した。
【０１３４】
【化３２】
2005319728.tif 000045
ただし、ｎは２を表す。
【化３３】
2005319728.tif 000046
【化３４】
2005319728.tif 000047
【０１３５】
（実施例２）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、下記構造式で表されるホルマザン金属キレート化合物（Ａ−５、最大吸収波長＝５５８ｎｍ）、下記構造式で表されるスクアリリウム化合物（Ｂ−１３、最大吸収波長＝５５０ｎｍ）、及び下記構造式で表されるホルマザン金属キレート化合物（Ｃ−１、最大吸収波長＝６５７ｎｍ）を質量比（Ａ−５：Ｂ−１３：Ｃ−１）＝２５：７５：１０となるように２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに溶解させて記録層塗布液を調製した以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。
【０１３６】
【化３５】
2005319728.tif 000048
ただし、ｎは２を表す。
【化３６】
2005319728.tif 000049
【化３７】
2005319728.tif 000050
ただし、ｎは２を表す。
【０１３７】
（実施例３）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、下記構造式で表されるホルマザン金属キレート化合物（Ａ−１６、最大吸収波長＝５４５ｎｍ）、下記構造式で表されるスクアリリウム化合物（Ｂ−５、最大吸収波長＝５９０ｎｍ）、及び下記構造式で表されるジアリールアミン化合物（Ｆ−３、最大吸収波長＝７４０ｎｍ）を質量比（Ａ−１６：Ｂ−５：Ｆ−３）＝１０：９０：７となるように２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに溶解させて記録層塗布液を調製した以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。
【０１３８】
【化３８】
2005319728.tif 000051
【化３９】
2005319728.tif 000052
【化４０】
2005319728.tif 000053
【０１３９】
（実施例４）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、下記構造式で表されるホルマザン金属キレート化合物（Ａ−１３、最大吸収波長＝５４０ｎｍ）、下記構造式で表されるスクアリリウム化合物（Ｂ−１８、最大吸収波長＝５９９ｎｍ）、及び下記構造式で表されるペンタメチンシアニン化合物（Ｄ−７、最大吸収波長＝７０３ｎｍ）を質量比（Ａ−１３：Ｂ−１８：Ｄ−７）＝５０：５０：０．５となるように２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに溶解させて記録層塗布液を調製した以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。
【０１４０】
【化４１】
2005319728.tif 000054
【化４２】
2005319728.tif 000055
ただし、Ｐｈはフェニル基を表す。
【化４３】
2005319728.tif 000056
【０１４１】
（実施例５）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、下記構造式で表されるホルマザン金属キレート化合物（Ａ−３、最大吸収波長＝５６４ｎｍ）、下記構造式で表されるスクアリリウム化合物（Ｂ−７、最大吸収波長＝５９０ｎｍ）、及び下記構造式で表されるフタロシアニン化合物（Ｅ−６、最大吸収波長＝７３０ｎｍ）を質量比（Ａ−３：Ｂ−７：Ｅ−６）＝４５：５５：２０となるように２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに溶解させて記録層塗布液を調製した以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。
【０１４２】
【化４４】
2005319728.tif 000057
ただし、Ｐｈはフェニル基を表し、ｎは２を表す。
【化４５】
2005319728.tif 000058
【化４６】
2005319728.tif 000059
【０１４３】
（実施例６）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、下記構造式で表されるホルマザン金属キレート化合物（Ａ−１１、最大吸収波長＝５７２ｎｍ）、下記構造式で表されるスクアリリウム化合物（Ｂ−８、最大吸収波長＝５８４ｎｍ）、及び下記構造式で表されるジアリールアミン化合物（Ｆ−９、最大吸収波長＝７３７ｎｍ）を質量比（Ａ−１１：Ｂ−８：Ｆ−９）＝４０：６０：５となるように２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに溶解させて記録層塗布液を調製した以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。
【０１４４】
【化４７】
2005319728.tif 000060
ただし、ｎは２を表す。
【化４８】
2005319728.tif 000061
【化４９】
2005319728.tif 000062
【０１４５】
（実施例７）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、下記構造式で表されるホルマザン金属キレート化合物（Ａ−１、最大吸収波長＝５３５ｎｍ）、下記構造式で表されるスクアリリウム化合物（Ｂ−１２、最大吸収波長＝６０６ｎｍ）、及び下記構造式で表されるホルマザン金属キレート化合物（Ｃ−６、最大吸収波長＝６７３ｎｍ）を質量比（Ａ−１：Ｂ−１２：Ｃ−６）＝３０：７０：２となるように２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに溶解させて記録層塗布液を調製した以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。
【０１４６】
【化５０】
2005319728.tif 000063
【化５１】
2005319728.tif 000064
ただし、ｎＰｒは、ｎ−プロピル基を表す。
【化５２】
2005319728.tif 000065
【０１４７】
（実施例８）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、下記構造式で表されるホルマザン金属キレート化合物（Ａ−６、最大吸収波長＝５８０ｎｍ）、下記構造式で表されるスクアリリウム化合物（Ｂ−１５、最大吸収波長＝５８８ｎｍ）、及び下記構造式で表されるペンタメチンシアニン化合物（Ｄ−１４、最大吸収波長＝７０８ｎｍ）を質量比（Ａ−６：Ｂ−１５：Ｄ−１４）＝２５：７５：１．５となるように２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに溶解させて記録層塗布液を調製した以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。
【０１４８】
【化５３】
2005319728.tif 000066
ただし、ｎは２を表す。
【化５４】
2005319728.tif 000067
【化５５】
2005319728.tif 000068
【０１４９】
（実施例９）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、下記構造式で表されるホルマザン金属キレート化合物（Ａ−４、最大吸収波長＝５８５ｎｍ）、下記構造式で表されるスクアリリウム化合物（Ｂ−１、最大吸収波長＝６１６ｎｍ）、及び下記構造式で表されるフタロシアニン化合物（Ｅ−９、最大吸収波長＝７３５ｎｍ）を質量比（Ａ−４：Ｂ−１：Ｅ−９）＝２５：７５：１５となるように２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに溶解させて記録層塗布液を調製した以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。
【０１５０】
【化５６】
2005319728.tif 000069
ただし、Ｐｈはフェニル基を表す。
【化５７】
2005319728.tif 000070
【化５８】
2005319728.tif 000071
【０１５１】
（実施例１０）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、下記構造式で表されるホルマザン金属キレート化合物（Ａ−１５、最大吸収波長＝５７５ｎｍ）、下記構造式で表されるスクアリリウム化合物（Ｂ−１７、最大吸収波長＝６００ｎｍ）、及び下記構造式で表されるホルマザン金属キレート化合物（Ｃ−１０、最大吸収波長＝６９０ｎｍ）を質量比（Ａ−１５：Ｂ−１７：Ｃ−１０）＝４０：６０：３となるように２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに溶解させて記録層塗布液を調製した以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。
【０１５２】
【化５９】
2005319728.tif 000072
ただし、ｎは２を表す。
【化６０】
2005319728.tif 000073
【化６１】
2005319728.tif 000074
ただし、ｎは２を表す。
【０１５３】
（比較例１）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、下記構造式で表されるホルマザン金属キレート化合物（Ａ−９、最大吸収波長＝５６８ｎｍ）、下記構造式で表されるスクアリリウム化合物（Ｂ−４、最大吸収波長＝５９０ｎｍ）を質量比（Ａ−９：Ｂ−４）＝４０：６０となるように２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに溶解させて記録層塗布液を調製した以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。
【０１５４】
【化６２】
2005319728.tif 000075
ただし、ｎは２を表す。
【化６３】
2005319728.tif 000076
【０１５５】
＜記録試験＞
各光記録媒体について、発振波長６５８ｎｍ、ビーム径１．０μｍの半導体レーザ光を用い、トラッキングしながら(線速３．５ｍ／ｓｅｃ．)記録し、発振波長６５８ｎｍの半導体レーザの連続光(再生パワー０．７ｍＷ)で再生し、再生波形を観察し、光ディスク評価装置（パルステック社製、ＤＤＵ−１０００）を用いて、反射率、及び記録感度を測定した。結果を表２２に示す。
また、発振波長６７０ｎｍの半導体レーザでも同様に記録及び再生し、再生波形を観察し、光ディスク評価装置（パルステック社製、ＤＤＵ−１０００）を用いて、反射率、及び記録感度を測定した。結果を表２２に示す。
【０１５６】
【表２２】
2005319728.tif 000077
＊（    ）内の数字は、色素の質量比を表す。
【産業上の利用可能性】
【０１５７】
本発明の光記録媒体は、従来の光記録媒体に比べて、短波長側に発振波長を有する半導体レーザを用いる追記型ＤＶＤディスクシステムに適用可能であり、半導体レーザの波長シフトに対する依存性が少なく、ＤＶＤ＋Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等に幅広く用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１５８】
【図１】図１は、記録層に用いる色素混合物の吸収スペクトルと記録再生波長の関係を表す図である。
【図２】図２の（Ａ）〜（Ｄ）は、通常の追記型光記録媒体の層構成の一例を表す図である。
【図３】図３（Ａ）〜（Ｃ）は、ＣＤ−Ｒ用の光記録媒体の層構成の一例を表す図である。
【図４】図４（Ａ）及び（Ｂ）は、ＤＶＤ＋Ｒ又はＤＶＤ−Ｒ用の光記録媒体の層構成の一例を表す図である。
【符号の説明】
【０１５９】
１      基板
２      記録層
３      下引き層
４      保護層
５      ハードコート層
６      反射層
７      保護基板
８      接着層
【図１】
2005319728.tif 000087
【図２】
2005319728.tif 000088
【図３】
2005319728.tif 000089
【図４】
2005319728.tif 000090