(57)【要約】【課題】  良好なデブリ除去を実現し、光学系の性能の低下を抑え、安定してＥＵＶ光を発生させることができる光発生装置及び露光装置を提供する。【解決手段】  真空又は減圧環境に置かれた標的部材にレーザー光を照射してプラズマを生成し、前記プラズマから放射される光を取り出す光発生装置であって、前記真空又は減圧環境を隔離すると共に、前記レーザー光を透過するレーザー導入窓と、前記導入窓と前記標的部材との間に配置され、前記標的部材から発生するデブリが前記レーザー導入窓に付着することを防止する防止手段とを有し、前記防止手段は、前記デブリを吸着すると共に、前記レーザー光を透過又は反射する吸着機構と、前記レーザー光の発光時は前記レーザー光を通過させ、前記レーザー光の発光時以外は前記レーザー光の光路を遮断する遮断機構と、電荷を帯びた前記デブリの運動方向を変更する偏向手段とを有することを特徴とする光発生装置を提供する。【選択図】          図１
2005235883.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空又は減圧環境に置かれた標的部材にレーザー光を照射してプラズマを生成し、前記プラズマから放射される光を取り出す光発生装置であって、
前記真空又は減圧環境を隔離すると共に、前記レーザー光を透過するレーザー導入窓と、
前記導入窓と前記標的部材との間に配置され、前記標的部材から発生するデブリが前記レーザー導入窓に付着することを防止する防止手段とを有し、
前記防止手段は、前記デブリを吸着すると共に、前記レーザー光を透過又は反射する吸着機構と、
前記レーザー光の発光時は前記レーザー光を通過させ、前記レーザー光の発光時以外は前記レーザー光の光路を遮断する遮断機構と、
電荷を帯びた前記デブリの運動方向を変更する偏向手段とを有することを特徴とする光発生装置。
【請求項２】
前記防止手段は、前記デブリを減速及び／又は減速させるガス流を形成するガスを供給するガス供給機構を更に有することを特徴とする請求項１記載の光発生装置。
【請求項３】
前記防止手段は、前記ガスを回収する回収機構を更に有することを特徴とする請求項２記載の光発生装置。
【請求項４】
前記防止手段は、前記ガス供給機構と前記標的部材との間に差動排気機構を更に有することを特徴とする請求項２記載の光発生装置。
【請求項５】
前記標的部材から前記レーザー光の入射側に向かって順番に、前記偏向手段、前記ガス供給機構、前記遮断機構、前記吸着機構が配置されていることを特徴とする請求項２記載の光発生装置。
【請求項６】
前記吸着機構は、平行平板ガラス又はミラーを有することを特徴とする請求項１記載の光発生装置。
【請求項７】
前記防止手段は、前記平行平板ガラス又はミラーを駆動する駆動機構を更に有することを特徴とする請求項６記載の光発生装置。
【請求項８】
前記遮断機構は、前記レーザー光が通過する開口部と、前記レーザー光の光路を遮断する遮断部とを有する回転可能な回転体と、
前記レーザー光が前記開口部を通過するように、前記レーザー光の発光に同期して前記回転体の回転を制御する制御部とを有することを特徴とする請求項１記載の光発生装置。
【請求項９】
前記偏向手段は、電場を発生させる電場発生装置であることを特徴とする請求項１記載の光発生装置。
【請求項１０】
前記偏向手段は、磁場を発生させる磁場発生装置であることを特徴とする請求項１記載の光発生装置。
【請求項１１】
前記防止手段は、前記吸着機構が吸着した前記デブリの量を検出する検出手段を更に有することを特徴とする請求項１記載の光発生装置。
【請求項１２】
前記検出手段は、前記吸着機構が吸着した前記デブリにより反射された前記レーザー光の光量を検出することを特徴とする請求項１１記載の光発生装置。
【請求項１３】
前記検出手段は、前記吸着機構が吸着した前記デブリに検出用レーザー光を照射するレーザー照射部と、
前記検出用レーザー光が照射された前記デブリで反射、散乱又は吸収された前記検出用レーザー光の光量を検出する検出部とを有することを特徴とする請求項１１記載の光発生装置。
【請求項１４】
前記検出手段は、前記吸着機構の温度を計測する温度計を有することを特徴とする請求項１１記載の光発生装置。
【請求項１５】
前記検出手段は、水晶振動子膜厚計を有することを特徴とする請求項１１記載の光発生装置。
【請求項１６】
前記光は、２０ｎｍ以下の波長を有することを特徴とする請求項１記載の光発生装置。
【請求項１７】
レチクルに形成されたパターンを被処理体に露光する露光装置であって、
請求項１乃至１６のうちいずれか一項記載の光発生装置と、
前記光発生装置から取り出された光を用いて前記レチクルを照明する光学系とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１８】
請求項１７記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般には、光発生装置に係り、特に、半導体製造における微細パターンを転写するための光源に関する。本発明は、Ｘ線や極端紫外線（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ  ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を光源として利用する露光装置に好適である。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー（焼き付け）技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造する際に、レチクル（又はマスク）に描画された回路パターンを投影光学系によってウェハ等に投影して回路パターンを転写する縮小投影露光装置が従来から使用されている。
【０００３】
縮小投影露光装置で転写できる最小の寸法（解像度）は、露光に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数（ＮＡ）に反比例する。従って、波長を短くすればするほど、解像度はよくなる。このため、近年の半導体素子の微細化への要求に伴い露光光の短波長化が進められ、超高圧水銀ランプ（ｉ線（波長約３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシマレーザー（波長約２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長約１９３ｎｍ）と用いられる紫外線光の波長は短くなってきた。
【０００４】
しかし、半導体素子は急速に微細化しており、紫外線光を用いたリソグラフィーでは限界がある。そこで、０．１μｍ以下の非常に微細な回路パターンを効率よく転写するために、紫外線光よりも更に波長が短い、波長１０ｎｍ乃至１５ｎｍ程度の極端紫外線（ＥＵＶ）光を用いた縮小投影露光装置（以下、「ＥＵＶ露光装置」と称する。）が開発されている。ＥＵＶ光源としては、例えば、真空容器中に高強度のパルスレーザー光を照射し、高温のプラズマを発生させ、かかるプラズマから放射される、例えば、波長１３ｎｍ程度の光を利用するレーザープラズマ光源が用いられる。
【０００５】
一方、ＥＵＶ光源の一方式であるレーザープラズマ光源は、ＥＵＶ光と共にターゲット材からデブリと呼ばれる飛散粒子（例えば、ガス化したターゲット材、液化したターゲット材、イオン化したターゲット材など）を発生させてしまい、それが光学素子を汚染、破損させ、反射率の低下を引き起こしてしまう。また、ターゲット材を供給する供給機構からもデブリ（飛散粒子）が放出される。
【０００６】
デブリＤＢは、図２３に示すように、パルスレーザー光をターゲット材に導光するレーザー光学系１０００（特に、レーザー導入窓１１００）に付着し、パルスレーザー光を散乱及び吸収してしまう。そのため、デブリＤＢの付着に伴い、プラズマの生成に必要なスポットサイズ及びエネルギー密度をターゲット材に供給することができず、ＥＵＶ光の強度が低下してしまう。ここで、図２３は、ＥＵＶ光の発生に伴うデブリの影響を説明するための概略ブロック図である。
【０００７】
そこで、開口を有する円筒をパルスレーザー光の発光に同期させて回転させることでレーザー光学系に付着するデブリの量を低減させる除去機構が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。また、図２４に示すように、高分子フィルム２０００とその駆動機構２１００をプラズマとレーザー光学系１０００（レーザー導入窓１１００）との間に備えることでデブリＤＢの影響を低減させる除去装置が提案されている（例えば、特許文献２）。ここで、図２４は、従来のデブリ除去装置を示す概略ブロック図である。
【特許文献１】特開２００１−６８２９７号公報
【特許文献２】特開平１０−１２１２３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、デブリには様々な種類（粒子径の大きいものや小さいもの、速度の速いものや遅いもの、電荷を帯びているものや帯びていないもの）が存在するため、特許文献１に提案されている除去機構では、ある種類のデブリを除去することはできるが、全てのデブリに対してレーザー光学系への付着を防止することはできない。換言すれば、レーザー光学系に付着するデブリの量を低減することはできるが徐々にデブリが付着（堆積）し、付着したデブリを除去する手段（回復手段）がないため長時間発光させると徐々にレーザー光学系の性能が低下し、安定してＥＵＶ光を発生させることができないという問題を生じる。
【０００９】
また、特許文献２に提案されている除去装置は、付着するデブリの量が多いとフィルムの駆動速度を速める必要があるため、それに応じて長いフィルムを用意しなければならない。
【００１０】
そこで、本発明は、良好なデブリ除去を実現し、光学系の性能の低下を抑え、安定してＥＵＶ光を発生させることができる光発生装置及び露光装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての光発生装置は、真空又は減圧環境に置かれた標的部材にレーザー光を照射してプラズマを生成し、前記プラズマから放射される光を取り出す光発生装置であって、前記真空又は減圧環境を隔離すると共に、前記レーザー光を透過するレーザー導入窓と、前記導入窓と前記標的部材との間に配置され、前記標的部材から発生するデブリが前記レーザー導入窓に付着することを防止する防止手段とを有し、前記防止手段は、前記デブリを吸着すると共に、前記レーザー光を透過又は反射する吸着機構と、前記レーザー光の発光時は前記レーザー光を通過させ、前記レーザー光の発光時以外は前記レーザー光の光路を遮断する遮断機構と、電荷を帯びた前記デブリの運動方向を変更する偏向手段とを有することを特徴とする。
【００１２】
本発明の別の側面としての露光装置は、レチクルに形成されたパターンを被処理体に露光する露光装置であって、上述の光発生装置と、前記光発生装置から取り出された光を用いて前記レチクルを照明する光学系とを有することを特徴とする。
【００１３】
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有することを特徴とする。
【００１４】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、良好なデブリ除去を実現し、光学系の性能の低下を抑え、安定してＥＵＶ光を発生させることができる光発生装置及び露光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。図１は、本発明の一側面としての光発生装置１の構成を示す概略ブロック図である。
【００１７】
光発生装置１は、真空又は減圧環境に置かれた標的部材（ターゲット）にレーザー光を照射してプラズマＰＬを生成し、かかるプラズマＰＬから放射されるＥＵＶ光ＥＬを取り出す光発生装置である。光発生装置１は、レーザー光源部１０と、レーザー光学系２０と、ＥＵＶ光学系３０と、制御部４０とを有する。
【００１８】
図１を参照するに、制御部４０からの発光開始信号によりレーザー光源部１０からレーザー光が射出される。射出されたレーザー光は、レーザー光学系２０を介して集光され、図示しないターゲットに照射される。ターゲットは、本実施形態では、銅の固体であるが、錫、アルミニウム等の他の金属でもよく、また、Ｘｅのガス、液滴、クラスタでもよい。ターゲットは、図示しないターゲット供給装置からレーザー光源部１０のレーザー光の発光に同期して断続的に供給される。
【００１９】
レーザー光源部１０から射出したレーザー光からのエネルギーによって、ターゲットから高温、高密度のプラズマＰＬが生成され、かかるプラズマＰＬからＥＵＶ光ＥＬが発光される。ＥＵＶ光ＥＬは、集光ミラー３２により集められ、後段の光学系（ＥＵＶ光学系３０）へ供給される。なお、本実施形態において、ＥＵＶ光ＥＬを集光する集光ミラー３２は、ＥＵＶ光学系３０を構成する一部とする。
【００２０】
レーザー光学系２０は、レンズ、ミラー、平行平板ガラスなどから構成される。本実施形態では、真空チャンバＶＣの真空隔壁の一部として用いられ、レーザー光を透過するレーザー導入窓２２もレーザー光学系２０に含まれる。レーザー光学系２０は、本実施形態では大気中に設置されているが、真空中に設置されてもよい。レーザー光学系２０は、ＥＵＶ光ＥＬを効率よく取り出すために、レーザー光をターゲット上でプラズマＰＬの生成に必要、且つ、十分なスポットサイズ及びエネルギー密度となるようにする機能を有する。
【００２１】
プラズマＰＬからはＥＵＶ光ＥＬだけでなく、ターゲットからのデブリ（本実施形態では、銅のデブリ）及び図示しないターゲット供給機構からのデブリ（以下、「デブリＤＢ」で総括する。）が発生する。発生したデブリＤＢは、レーザー導入窓２２に付着し、レーザー光を散乱及び吸収する。そのため、レーザー導入窓２２へのデブリＤＢの付着に伴い、レーザー光がターゲット上でプラズマＰＬを生成するために十分なスポットサイズ及びエネルギー密度とならず、ＥＵＶ光ＥＬの光強度が低下してしまう。
【００２２】
そこで、本実施形態の光発生装置１は、レーザー導入窓２２にデブリＤＢが付着することを防止する防止手段１００を有する。防止手段１００は、レーザー光学系２０の下流から上流に向かって（レーザー光の入射側に向かって順番に）、電荷を帯びたデブリＤＢｅの運動方向を変更する偏向手段１１０と、レーザー光の発光時はレーザー光を通過させ、レーザー光の発光時以外はレーザー光の光路ＬＲを遮断する遮断機構１２０と、デブリＤＢを吸着すると共に、レーザー光を透過又は反射する吸着機構１３０とを有する。
【００２３】
防止手段１００は、偏向手段１１０、遮断機構１２０及び光学部材１３０によって、発生したデブリＤＢのレーザー導入窓２２への付着を防ぎ、レーザー光学系２０の光学性能の劣化を防止する機能を有する。以下、偏向手段１１０、遮断機構１２０及び光学部材１３０について説明する。
【００２４】
図２は、偏向手段１１０の一例としての磁場発生装置１１０Ａの構成を示す図である。磁場発生装置１１０Ａは、磁石１１２Ａを有し、磁場ＭＦを発生させる。磁石１１２Ａは、レーザー光の光路ＬＲに対して垂直な方向に磁場ＭＦがかかるように２つ設置される。但し、２つの磁石１１２Ａの間隔ｄＭは、レーザー光を遮らない範囲で狭めてある。
【００２５】
デブリＤＢの中で電荷を帯びたデブリＤＢｅは、磁石１１２Ａの発生する磁場ＭＦの中を進み、ローレンツ力により運動方向を変える。運動方向を変えたデブリＤＢｅは、図１に示すアパーチャ１１４の開口１１４ａを通らずにアパーチャ１１４に衝突する。換言すれば、磁場発生装置１１０Ａは、デブリＤＢｅがレーザー導入窓２２に到達し、付着することを防止する。
【００２６】
デブリＤＢｅの曲がる（運動方向が変わる）角度θは、一般に、以下に示す数式１で表される。
【００２７】
【数１】
2005235883.tif 000003
【００２８】
従って、アパーチャ１１４と磁石１１２Ａとの距離を大きくした方が、デブリＤＢｅがレーザー光の光路ＬＲから離れるため効果的である。例えば、銅の１価イオンの場合、磁石長２０ｍｍ、磁場０．１ステラ、アパーチャと磁石との距離３００ｍｍ、アパーチャの開口２０ｍｍとすることで、４００００ｍ／ｓ以下の速度のデブリを全て除去することができる。
【００２９】
偏向手段１１０は、図３に示すように、電場発生装置１１０Ｂを用いてもよい。磁場発生装置１１０Ａでは、電荷を有するデブリＤＢｅの除去に磁石１１２Ａを用いたが、電場発生装置１１０Ｂでは、電極１１２Ｂから発生する電場ＥＦを用いる。ここで、図３は、偏向手段１１０の一例としての電場発生装置１１０Ｂの構成を示す図である。
【００３０】
電極１１２Ｂは、レーザー光の光路ＬＲに対して垂直な方向に電場ＥＦがかかるように２つ設置される。但し、２つの電極１１２Ｂの間隔ｄＥは、レーザー光を遮らない範囲で狭めてある。
【００３１】
デブリＤＢの中で電荷を帯びたデブリＤＢｅは、電極１１２Ｂの発生する電場ＥＦの中を進み、クーロン力により運動方向を変える。運動方向を変えたデブリＤＢｅは、図１に示すアパーチャ１１４の開口１１４ａを通らずにアパーチャ１１４に衝突する。換言すれば、電場発生装置１１０Ｂは、デブリＤＢｅがレーザー導入窓２２に到達し、付着することを防止する。
【００３２】
デブリＤＢｅの曲がる（運動方向が変わる）角度θは、一般に、以下に示す数式２で表される。
【００３３】
【数２】
2005235883.tif 000004
【００３４】
従って、アパーチャ１１４と電極１１２Ｂとの距離を大きくした方が、デブリＤＢｅがレーザー光の光路ＬＲから離れるため効果的である。また、偏向手段１１０は質量の小さなデブリに対して特に有効である。
【００３５】
プラズマＰＬから発生するデブリＤＢの内で、比較的飛散速度の小さいものはレーザー導入窓２２に到達する以前に後述する遮断機構１２０でほぼ完全に遮断可能であるが、飛散速度の大きいものは必ずしも遮断することができない。しかしながら、ここで問題となる高い飛散速度を有するものは比較的質量が小さいものが殆どである。また、プラズマＰＬから発生するデブリＤＢは電荷を帯びているものが殆どである。
【００３６】
これらのことを利用して、偏向手段１１０と後述する遮断機構１２０を組合わせて使用することにより、それぞれの特徴を生かしてデブリＤＢの除去率を高めることが可能となる。
【００３７】
図４は、遮断機構１２０の構成の一例を示す図である。遮断機構１２０は、本実施形態では、レーザー光を通過させる開口部１２４を設けた円盤形状の回転体１２２を回転させる方式のものである。回転体１２２は、モータ１２２ａにより回転する。回転体１２２の回転は、図４（ａ）に示すように、レーザー光の発光と同期してレーザー光が通過する時のみ、開口部１２４がレーザー光の光路ＬＲに現れるように制御部４０によって制御される。
【００３８】
レーザー光源部１０ではパルス状のレーザー光を射出することによりプラズマＰＬを生成している。レーザー光のパルスのタイミングと回転体１２２の開口部１２４の位相を同期させることにより、レーザー光は開口部１２４を通過する。また、デブリＤＢが回転体１２２の位置に来たときには、図４（ｂ）に示すように、開口部１２４はレーザー光の光路ＬＲからずれ、遮断部１２６によってレーザー光の光路ＬＲが遮断されているため、デブリＤＢは遮断部１２６に衝突する。
【００３９】
なお、デブリＤＢのレーザー光に対する遅れｔは、以下に示す数式３で表される。
【００４０】
【数３】
2005235883.tif 000005
【００４１】
従って、より速度の速いデブリＤＢを有効に除去するためには、デブリＤＢの発生位置と、回転体１２２との距離を大きくし、更に、回転体１２２の角速度を速くすることが効果的である。また、レーザー光とデブリの速度差に着目して、回転体１２２に十分な厚みを持たせて開口部１２４を筒状にすることで、開口部１２４に入射したデブリについてもその側面で捕獲が可能となる。
【００４２】
デブリＤＢの発生位置は、一般には、プラズマＰＬの位置近傍である。デブリＤＢの発生位置から回転体１２２までの距離、開口部１２４の大きさ、回転体１２２の角速度などで異なるが、一般的に、遮断機構１２０によって１０００ｍ／ｓ乃至２０００ｍ／ｓ程度までの速度を有するデブリＤＢを除去することが可能である。例えば、固体のＳｎ、Ａｕをターゲットとして用いた場合、６４０ｍ／ｓ以下の速度を有するデブリが総デブリ量に占める割合は、それぞれ９８％、６９％であることが、「Ｈ．Ａ．Ｂｅｎｄｅｒ,“Ｖｅｒｌｏｃｉｔｙ  ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ  ｄｅｂｒｉｓ  ｆｒｏｍ  ｌａｓｅｒ−ｐｒｏｄｕｃｅｄ  ｐｌａｓｍａｓ  ｕｓｅｄ  ｆｏｒ  ｅｘｔｒｅｍｅ−ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”,  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｏｐｔｉｃｓ  Ｖｏｌ３４,  Ｎｏ２８  ｐａｇｅ６５１３」の論文において報告されている。
【００４３】
回転体１２２の開口部１２４の位置は、制御部４０により制御され、また、開口部１２４の位置は、開口位置センサ１２７により検出されている。開口位置センサ１２７の検出した開口部１２４の位置情報は、制御部４０に送られる。制御部４０は、開口部１２４の位置情報に基づいて、レーザー光の発光のタイミングと、開口部１２４の位相が常に同期されるように補正を行う。
【００４４】
回転体１２２の法線とレーザー光の光路ＬＲが平行になるように配置すると、レーザー光の発光のタイミングと回転体１２２の開口部１２４との位相がずれた際、回転体１２２の遮蔽部１２６からのレーザー光の正反射光によってレーザー光学系２０及びその他の光学素子が損傷を受ける場合がある。従って、回転体１２２（の遮蔽部１２６）の表面は、粗面に加工し、また、回転体１２２をレーザー光の光路ＬＲに対して適当な角度で配置することが好ましい。
【００４５】
但し、回転体１２２の表面を粗面に加工してもレーザー光のエネルギーの大部分は反射位置に集中するため、反射位置には反射したレーザー光を吸収する吸収体１２９を配置することが更に好ましい。レーザー光が回転体１２２の遮蔽部１２６にあたった場合には、散乱光を検出部１２８が検出し、直ちにレーザー光の発光を停止することで、レーザー光による回転体１２２の損傷を防止する。
【００４６】
また、本実施形態では、遮断機構１２０を、開口部１２４を有する回転体１２２を回転させる方式としたが、レーザー光の光路ＬＲをパルス状のレーザー光のタイミングに合わせて周期的に開閉できる構成であればよい。
【００４７】
図５は、吸着機構１３０の構成の一例を示す図である。吸着機構１３０は、偏向手段１１０及び遮断機構１２０によって除去できなかった２０００ｍ／ｓの速度を超える中性のデブリＤＢ及び４０００ｍ／ｓの速度を超える電荷を帯びたデブリＤＢｅを吸着する機構を有し、ガラス１３１と、検出部１３２と、ガラスホルダ１３３と、駆動機構１３４と、保護壁１３５とから構成される。吸着機構１３０はガラス１３１がレーザー光の光路ＬＲ上に来るように配置され、当該光路ＬＲに沿って飛散するデブリを除去する。なお、ガラス１３１は、デブリＤＢを散乱させる機能も有する。これにより、デブリＤＢｅがレーザー導入窓２２に到達し、付着することを防止することができる。なお、上述したターゲットの例では、偏向手段１１０及び遮断機構１２０によって除去できないデブリＤＢは、発生する総デブリ量の２％以下（Ｓｎの場合）、３１％以下（Ａｕの場合）である。
【００４８】
ガラス１３１は、レーザー光を吸収しない材質が好ましい。ガラス１３１の大きさは、ガラス１３１が配置される位置でのレーザー光のスポットよりも大きければよい。ガラス１３１に付着したデブリＤＢは、レーザー光を散乱させるため、かかる散乱光を検出部１３２で検出することでデブリＤＢの付着量を見積もることができる。なお、デブリＤＢの付着量と散乱光との関係は、予め求めておく必要がある。
【００４９】
ガラスホルダ１３３は、複数のガラス１３１を保持しており、ガラス１３１に付着するデブリＤＢの付着量が規定量を超えた際に駆動機構１３４によってガラス１３１を駆動し、デブリＤＢが付着したガラス１３１からデブリＤＢの付着していないガラス１３１に交換する。これにより、真空チャンバＶＣ内の真空環境を破ることなくガラス１３１を交換することができる。ガラス１３１を交換することでデブリＤＢによるレーザー光の散乱及び吸収を除去し、ガラス１３１にデブリＤＢが付着することによるレーザー光学系２０の光学性能の劣化（即ち、ガラス１３１に付着したデブリＤＢに起因するレーザー光のターゲットまでの透過率低下）を防止することができる。なお、ガラスホルダ１３３が保持するガラス１３１の数は、本実施形態では、３つであるが、かかる数は例示的である。
【００５０】
図１に示すように、保護壁１３５は、デブリＤＢが付着していない（即ち、交換前の）ガラス１３１とターゲットとの間に配置され、交換前のガラス１３１にデブリＤＢが付着することを防止する。保護壁１３５は、交換前のガラス１３１（本実施形態では、２つ）全体をデブリＤＢから保護できる大きさであればよい。
【００５１】
ガラス１３１は、パワーを有するレンズでもよいが、平行平板ガラスであることが好ましい。平行平板ガラスは、レンズに比べて安価であり、アライメントが容易であるからである。ガラス１３１が平行平板ガラスの場合、ガラス１３１を交換する際など、図５に示すｘ、ｙ、ｚ軸方向にガラス１３１を駆動してもレーザー光の集光状態及び集光条件は変化しない。但し、各軸回りの回転は、レーザー光の集光位置を変化させてしまうので、集光位置を調整する調整機構を設けることが好ましい。
【００５２】
本実施形態の光発生装置１と従来の光発生装置とのレーザー光のショット数とＥＵＶ光ＥＬの光強度との関係を図６に示す。同図は、縦軸にＥＵＶ光ＥＬの光強度を、横軸にレーザー光のショット数を採用し、本実施形態の光発生装置１の場合、従来の光発生装置として遮断機構のある場合、遮断機構のない場合をそれぞれ示している。
【００５３】
図６を参照するに、遮断機構のない従来の光発生装置では、ＥＵＶ光の光強度の低下が激しいことがわかる。また、遮断機構のある従来の光発生装置でも徐々にＥＵＶ光の光強度は低下し、回復することはない。従来の光発生装置に対して、本実施形態の光発生装置１は、偏向手段１１０及び遮断機構１２０がレーザー導入窓２２に付着するデブリＤＢを除去するためにＥＵＶ光の光強度の低下が緩やかであり、更に、偏向手段１１０及び遮断機構１２０が除去できなかったデブリＤＢを吸着機構１３０のガラス１３１に付着させ、デブリＤＢが付着したガラス１３１を真空雰囲気中にて交換可能としているため、徐々に低下していたＥＵＶ光の光強度を回復させることができる。従って、光発生装置１によれば、デブリＤＢの付着により低下したレーザー光学系２０の光学性能を回復させ、安定したＥＵＶ光を供給することが可能となる。
【００５４】
なお、吸着機構１３０の構成は、図１及び図５に示す構成だけには限らない。例えば、図７及び図８に示すように、ガラスホルダ１３３を１つのガラス１３１としてもよい。ガラスホルダ１３３（ガラス１３１）は、レーザー光のスポットＬＳに対して十分に大きな平行平板ガラスから構成され、駆動機構１３４により図８に示すｘ、ｙ軸方向に駆動することができる。ガラスホルダ１３３にデブリＤＢが付着するとレーザー光が散乱するため、かかる散乱光を検出部１３２で検出することでデブリＤＢの付着量を見積もることができる。なお、デブリＤＢの付着量と散乱光との関係は、予め求めておく必要がある。ここで、図７は、図１及び図５に示す吸着機構１３０とは異なる構成を有する光発生装置１を示す概略ブロック図である。図８は、図７に示す吸着機構１３０の構成を示す図である。
【００５５】
図８（ａ）に示すように、ガラスホルダ１３３の領域ＤＥ１に付着するデブリＤＢの付着量が規定量を超えた際に駆動機構１３４によってガラスホルダ１３３を駆動し、図８（ｂ）に示すように、レーザー光がデブリＤＢが付着した領域ＤＥ１からデブリＤＢの付着していない領域ＤＥ２を通過するようにする。ガラスホルダ１３３の領域の変更は、真空チャンバＶＣ内の真空環境を破ることなく行うことができる。ガラスホルダ１３３の領域を変更することでデブリＤＢによるレーザー光の散乱及び吸収を除去し、ガラスホルダ１３３にデブリＤＢが付着することによるレーザー光学系２０の光学性能の劣化（即ち、ガラスホルダ１３３の領域ＤＥ１に付着したデブリＤＢに起因するレーザー光のターゲットまでの透過率低下）を防止することができる。
【００５６】
本実施形態では、ガラスホルダ１３３は、１つの平行平板ガラスであり、図８に示すｘ、ｙ軸方向にのみ駆動されるため、ガラスホルダ１３３の駆動した後もレーザー光のガラスホルダ１３３への入射角は変化しない。従って、ガラスホルダ１３３を駆動してもレーザー光の集光状態及び集光位置は変化しない。
【００５７】
従って、吸着機構１３０に１つのガラスホルダ１３３（ガラス１３１）を用いた場合においても、デブリＤＢの付着により低下したレーザー光学系２０の光学性能を回復させ、安定したＥＵＶ光を供給することが可能となる。
【００５８】
また、吸着機構１３０は、図９及び図１０に示すように、ミラー１３６と、ミラーホルダ１３７と、駆動機構１３４とから構成してもよい。ミラー１３６は、パワーを有するミラーでも可能であるが、平面ミラーであることが好ましい。平面ミラーは、パワーを有するミラーに比べて安価であり、アライメントが容易であるからである。ミラー１３６が平面ミラーである場合、ミラー１３６を交換する際など、図１０に示すｘ、ｙ軸方向にミラー１３６を駆動してもレーザー光の集光状態及び集光位置は変化しない。ミラー１３６にデブリＤＢが付着するとレーザー光が散乱するため、かかる散乱光を検出部１３２で検出することでデブリＤＢの付着量を見積もることができる。なお、デブリＤＢの付着量と散乱光との関係は、予め求めておく必要がある。ここで、図９は、図１及び図５に示す吸着機構１３０とは異なる構成を有する光発生装置１を示す概略ブロック図である。図１０は、図９に示す吸着機構１３０の構成を示す図である。
【００５９】
ミラーホルダ１３７は、複数のミラー１３６を保持しており、ミラー１３６に付着するデブリＤＢの付着量が規定量を超えた際に駆動機構１３４によってミラー１３６を駆動し、デブリＤＢが付着したミラー１３６からデブリＤＢの付着していないミラー１３６に交換する。これにより、真空チャンバＶＣ内の真空環境を破ることなくミラー１３６を交換することができる。ミラー１３６を交換することでデブリＤＢによるレーザー光の散乱及び吸収を除去し、ミラー１３６にデブリＤＢが付着することによるレーザー光学系２０の光学性能の劣化（即ち、ミラー１３６に付着したデブリＤＢに起因するレーザー光のターゲットまでの透過率低下）を防止することができる。なお、ミラーホルダ１３７が保持するミラー１３６の数は、本実施形態では、３つであるが、かかる数は例示的である。
【００６０】
従って、吸着機構１３０にミラー１３６及びミラーホルダ１３７を用いた場合においても、デブリＤＢの付着により低下したレーザー光学系２０の光学性能を回復させ、安定したＥＵＶ光を供給することが可能となる。また、ミラー１３６を吸着機構１３０に用いた場合には、レーザー光源部１０とターゲットとを直線上に配置しなくてもよくなるため、レーザー導入窓２２に付着するデブリＤＢ自体を低減することができる。
【００６１】
なお、吸着機構１３０に用いるミラー１３６及びミラーホルダ１３７の構成は、図９及び図１１に示す構成だけには限らない。図１１及び図１２に示すように、ミラーホルダ１３７を１つのミラー１３６としてもよい。ミラーホルダ１３７（ミラー１３６）は、レーザー光のスポットＬＳに対して十分に大きな平面ミラーから構成され、駆動機構１３４により図１２に示すｘ、ｙ軸方向に駆動することができる。ミラーホルダ１３７にデブリＤＢが付着するとレーザー光が散乱するため、かかる散乱光を検出部１３２で検出することでデブリＤＢの付着量を見積もることができる。なお、デブリＤＢの付着量と散乱光との関係は、予め求めておく必要がある。ここで、図１１は、図９及び図１０に示す吸着機構１３０とは異なる構成を有する光発生装置１を示す概略ブロック図である。図１２は、図１１に示す吸着機構１３０の構成を示す図である。
【００６２】
図１２（ａ）に示すように、ミラーホルダ１３７の領域ＭＥ１に付着するデブリＤＢの付着量が規定量を超えた際に駆動機構１３４によってミラーホルダ１３７を駆動し、図１２（ｂ）に示すように、レーザー光がデブリＤＢが付着した領域ＭＥ１からデブリＤＢの付着していない領域ＭＥ２を通過するようにする。ミラーホルダ１３７の領域の変更は、真空チャンバＶＣ内の真空環境を破ることなく行うことができる。ミラーホルダ１３７の領域を変更することでデブリＤＢによるレーザー光の散乱及び吸収を除去し、ミラーホルダ１３７のデブリＤＢが付着することによるレーザー光学系２０の光学性能（即ち、ミラーホルダ１３７の領域ＭＥ１に付着したデブリＤＢに起因するレーザー光のターゲットまでの伝達率低下）を防止することができる。
【００６３】
本実施形態では、ミラーホルダ１３７は、１つの平面ミラーであり、図１２に示すｘ、ｙ軸方向にのみ駆動されるため、ミラーホルダ１３７の駆動した後もレーザー光の集光状態及び集光位置は変化しない。
【００６４】
なお、ガラス１３１及びミラー１３６に付着したデブリＤＢの付着量を検出する検出部１３２は、デブリＤＢで散乱したレーザー光の散乱光を検出する機構だけではなく、図１３に示すように、測定用レーザー光を射出するレーザー射出部１３２Ａと、ガラス１３１を透過した測定用レーザー光を検出する受光部１３２Ａ’とから構成してもよい。ガラス１３１にデブリＤＢが付着すると測定用レーザー光の透過率が低下するため、受光部１３２Ａ’で検出される測定用レーザー光の（透過光の）光量からデブリＤＢの付着量を見積もることができる。ここで、図１３は、検出部１３２の構成の一例を示す図である。
【００６５】
また、検出部１３２は、図１４に示すように、測定用レーザー光を射出するレーザー射出部１３２Ｂと、ガラス１３２で反射した測定用レーザー光を検出する受光部１３２Ｂ’とから構成することもできる。ガラス１３１にデブリＤＢが付着するとガラス１３２からの測定用レーザー光の反射光が増加するため、受光部１３２Ｂ’で検出される測定用レーザー光の（反射光の）光量からデブリＤＢの付着量を見積もることができる。なお、吸着機構１３０にミラー１３６を用いた場合には、デブリＤＢがミラー１３６に付着するとミラー１３６から反射する測定用レーザー光の反射光が低下するため、受光部１３２Ｂ’で検出される測定用レーザー光の（反射光の）光量からデブリＤＢの付着量を見積もることができる。ここで、図１４は、検出部１３２の構成の一例を示す図であって、図１４（ａ）は吸着機構１３０にレンズ１３１を用いた場合を示し、図１４（ｂ）は吸着機構１３０にミラー１３６を用いた場合を示している。
【００６６】
更に、ガラス１３１及びミラー１３６に付着したデブリＤＢの付着量を検出する検出部１３２は、デブリＤＢで散乱したレーザー光の散乱光を検出する機構だけではなく、図１５に示すように、ガラス１３１及びミラー１３６に取り付けた温度計１３２Ｃでもよい。ガラス１３１及びミラー１３６にデブリＤＢが付着すると、ガラス１３１及びミラー１３６がレーザー光の一部を吸収するため、温度上昇を生じる。デブリＤＢの付着量が増加すると、レーザー光の吸収量が増加して温度上昇も大きくなるため、温度計１３２Ｃが検出するガラス１３１及びミラー１３６の温度からデブリＤＢの付着量を見積もることができる。ここで、図１５は、検出部１３２の構成の一例を示す図である。
【００６７】
また、ガラス１３１及びミラー１３６に付着したデブリＤＢの付着量を検出する検出部１３２は、デブリＤＢで散乱したレーザー光の散乱光を検出する機構だけではなく、図１６に示すように、真空チャンバＶＣ内に設置された水晶振動子膜厚計１３２Ｄでもよい。水晶振動子膜厚計１３２Ｄは、ガラス１３１及びミラー１３６の近傍に配置することが好ましい。
【００６８】
本実施形態の光発生装置１は、検出部１３２によってガラス１３１及びミラー１３６に付着したデブリＤＢの量を検出し、規定量を超えた際にガラス１３１及びミラー１３６の交換を行っているが、必ずしも付着したデブリＤＢの量を検出せず、定期的にガラス１３１及びミラー１３６を交換することで、レーザー光学系２０の光学性能の低下を防止してもよい。ガラス１３１及びミラー１３６の交換を開始するタイミングは、適当な時間間隔で行ってもよいが、実験又は理論的に予め求めておくことが望ましい。例えば、レーザー光ＬＬの発光回数に対して付着するデブリＤＢの量との関係を予め求めておき、かかる関係に基づいてガラス１３１及びミラー１３６を交換するか判断するようにしてもよい。
【００６９】
更に、吸着機構１３０は、図１７に示すように、フィルム１３８と、フィルム駆動機構１３９とから構成してもよい。偏向手段１１０及び遮断機構１２０によって除去できなかった２０００ｍ／ｓの速度を超える中性のデブリＤＢ及び４０００ｍ／ｓの速度を超える電荷を帯びたデブリＤＢｅをフィルム１３８に吸着させる又はフィルム１３８との衝突により散乱させることで、かかるデブリＤＢがレーザー導入窓２２に到達し、付着することを防止することができる。ここで、図１７は、図１及び図５に示す吸着機構１３０とは異なる構成を有する光発生装置１を示す概略ブロック図である。
【００７０】
フィルム１３８は、フィルム駆動機構１３９によってレーザー光の発光時に常に駆動しているため、適当な速度でフィルム１３８を駆動させることで、フィルム１３８に付着したデブリＤＢに起因するレーザー光学系２０の光学性能の低下を防止することができる。レーザー光の発光回数とフィルム１３８に付着するデブリＤＢの付着量との関係を予め求め、かかる関係からフィルム１３８の駆動速度を設定する。但し、フィルム１３８に付着するデブリＤＢの量を常に検出し、かかる検出結果からフィルム１３８の駆動速度を設定してもよい。デブリＤＢの付着量が多いほどフィルム１３８の駆動速度は速くなる。
【００７１】
本実施形態の光発生装置１と図２４に示す従来の光発生装置とのレーザー光のショット数とＥＵＶ光ＥＬの光強度との関係を図１８に示す。同図は、縦軸にＥＵＶ光の光強度を、横軸にレーザー光のショット数を採用し、本実施形態の光発生装置１と従来の光発生装置とでフィルムの駆動速度が同じ場合を示している。図１８を参照するに、従来の光発生装置において、光発生装置１と同等のＥＵＶ光の光強度を得るためには、かかる光強度の比率に応じてフィルムの駆動速度を速める必要がある。更に、光発生装置１と同等のＥＵＶ光の発光時間を得るためには、かかる発光時間に応じた長さのフィルムが必要となる。光発生装置１は、デブリＤＢを除去する手段として吸着機構だけを有する従来の光発生装置に比べて偏向手段１１０及び遮断機構１２０を有するため、フィルム１３８に付着するデブリＤＢの付着量が低減し、フィルム駆動機構１３９への負担が少なく、長時間の発光が可能となる。また、フィルム１３８の長さも従来の光発生装置と比べて短くてもよくなる。
【００７２】
光発生装置１は、図１９に示すように、防止手段１００としてガス供給機構１４０を更に有してもよい。ガス供給機構１４０は、偏向手段１１０と遮断機構１２０との間に配置され、デブリＤＢを減速及び／又は偏向させるガス流ＧＦを形成するガスを供給する。ここで、図１９は、防止手段１００としてガス供給機構１４０を更に有する光発生装置１の構成を示す概略ブロック図である。
【００７３】
上述したように、遮断機構１２０によって１０００ｍ／ｓ乃至２０００ｍ／ｓ以下の速度を有するデブリＤＢは除去することが可能であるが、ガス供給機構１４０が供給するガスが形成するガス流ＧＦによりデブリＤＢの飛散速度を減速させることで更に多くのデブリＤＢを除去することが可能となる。また、ガス供給機構１４０は、ガスとデブリとの衝突によりデブリＤＢの進行方向を変える効果も有する。供給するガスは、真空チャンバＶＣが収納する光学素子を汚染しないもの、デブリＤＢを減速及び散乱させるために質量数の大きいもの、レーザー光に対して吸収及び屈折作用を示さないものが好ましい。かかるガスとしては、例えば、Ｘｅなどの不活性ガスがある。
【００７４】
ＥＵＶ光は、ガスによる吸収が大きいためＥＵＶ光の光路は超高真空に保たれる必要がある。そこで、図１９に示すように、ガス供給機構１４０とプラズマＰＬとの間に差動排気機構１５０を設け、ガス供給機構１４０により供給されたガスは、差動排気機構１５０が有する排気系１５２により排気することが好ましい。また、ガス供給機構１４０が供給したガスを回収する回収機構１４２も設けることが好ましい。
【００７５】
ガス流ＧＦにより効率よくデブリＤＢを減速及び散乱させるためには、ガス流量が多い方が好ましく、ガス流量の上限は、例えば、ＥＵＶ光の光路に必要な真空度及び差動排気機構１５０の能力によって決まる。ガスの供給は、レーザー光の発光に同期させる必要はなく、連続的に供給してもよい。また、ガス供給機構１４０によるガスの供給において、分子流領域において十分に平行流としたガスを供給することで、対向して設置される回収機構１４２での回収効率を高め、より多くのガスを流すことが可能となる。
【００７６】
光発生装置１によれば、除去手段１００によってレーザー導入窓２２に付着するデブリＤＢを良好に除去することができるので、レーザー光学系２０の性能の低下を抑え、安定してＥＵＶ光を発生させることができる。
【００７７】
なお、発生するデブリＤＢのうち、電気的に中性のデブリや１０００ｍ／ｓ以下の速度のデブリが支配的である場合には、必ずしも磁場発生装置１１０Ａ（即ち、磁石１１２Ａ）又は電場発生装置１１０Ｂ（即ち、電極１１２Ｂ）は必要ではなく、除去手段１００は、遮断機構１２０と吸着機構１３０との組み合わせでもよい。
【００７８】
また、発生するデブリＤＢのうち、電荷を帯びたデブリＤＢが支配的である場合には、必ずしも遮断機構１２０は必要ではなく、除去手段１００は、偏向手段１１０と吸着機構１３０との組み合わせでもよい。
【００７９】
また、プラズマＰＬから発生するデブリＤＢとして、比較的電荷を帯び難く、また小質量で高速のデブリを発生するようなターゲットを使用する場合には、ガス供給機構１４０と遮断機構１２０を組合わせて用いることが有効である。
【００８０】
以下、図２０を参照して、本発明の光発生装置１を適用した例示的な露光装置３００について説明する。ここで、図２０は、本発明の一側面としての露光装置３００の構成を示す概略ブロック図である。
【００８１】
本発明の露光装置３００は、露光用の照明光としてＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）を用いて、例えば、ステップ・アンド・スキャン方式やステップ・アンド・リピート方式でレチクル３２０に形成された回路パターンを被処理体３４０に露光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる。）を例に説明する。ここで、「ステップ・アンド・スキャン方式」とは、レチクルに対してウェハを連続的にスキャン（走査）してレチクルパターンをウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。「ステップ・アンド・リピート方式」は、ウェハの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。
【００８２】
図２０を参照するに、露光装置３００は、照明装置３１０と、レチクル３２０を載置するレチクルステージ３２５と、投影光学系３３０と、被処理体３４０を載置するウェハステージ３４５と、アライメント検出機構３５０と、フォーカス位置検出機構３６０とを有する。
【００８３】
照明装置３１０は、投影光学系３３０の円弧状の視野に対する円弧状のＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）によりレチクル３２０を照明する照明装置であって、光発生装置１と、照明光学系３１４とを有する。
【００８４】
光発生装置１は、上述した通りのいかなる形態をも適用可能であり、ここでの詳細な説明は省略する。また、図２０では、図１に示す光発生装置１を使用するが、かかる形態は例示的であり本発明はこれに限定されない。
【００８５】
照明光学系３１４は、集光ミラー３１４ａ、オプティカルインテグレーター３１４ｂから構成される。集光ミラー３１４ａは、レーザープラズマからほぼ等方的に放射されるＥＵＶ光を集める役割を果たす。オプティカルインテグレーター３１４ｂは、レチクル３２０を均一に所定の開口数で照明する役割を持っている。
【００８６】
レチクル３２０は、反射型レチクルで、その上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成され、レチクルステージ３２５に支持及び駆動されている。レチクル３２０から発せられた回折光は、投影光学系３３０で反射されて被処理体３４０上に投影される。レチクル３２０と被処理体３４０とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置３００は、スキャナーであるため、レチクル３２０と被処理体３４０を走査することによりレチクル３２０のパターンを被処理体３４０上に縮小投影する。
【００８７】
レチクルステージ３２５は、レチクル３２０を支持して図示しない移動機構に接続されている。レチクルステージ３２５は、当業界周知のいかなる構造をも適用することができる。図示しない移動機構は、リニアモーターなどで構成され、少なくともＸ方向にレチクルステージ３２５を駆動することでレチクル３２０を移動することができる。露光装置３００は、レチクル３２０と被処理体３４０を同期した状態で走査する。
【００８８】
投影光学系３３０は、複数の反射ミラー（即ち、多層膜ミラー）３３０ａを用いて、レチクル３２０面上のパターンを像面である被処理体３４０上に縮小投影する。複数のミラー３３０ａの枚数は、４枚乃至６枚程度である。少ない枚数のミラーで広い露光領域を実現するには、光軸から一定の距離だけ離れた細い円弧状の領域（リングフィールド）だけを用いて、レチクル３２０と被処理体３４０を同時に走査して広い面積を転写する。投影光学系３３０の開口数（ＮＡ）は、０．２乃至０．３程度である。
【００８９】
被処理体３４０は、本実施形態ではウェハであるが、液晶基板その他の被処理体を広く含む。被処理体３４０には、フォトレジストが塗布されている。
【００９０】
ウェハステージ３４５は、ウェハチャック３４５ａによって被処理体３４０を支持する。ウェハステージ３４５は、例えば、リニアモーターを利用してＸＹＺ方向に被処理体３４０を移動する。レチクル３２０と被処理体３４０は、同期して走査される。また、レチクルステージ３２５の位置とウェハステージ３４５の位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。
【００９１】
アライメント検出機構３５０は、レチクル３２０の位置と投影光学系３３０の光軸との位置関係、及び、被処理体３４０の位置と投影光学系３３０の光軸との位置関係を計測し、レチクル３２０の投影像が被処理体３４０の所定の位置に一致するようにレチクルステージ３２５及びウェハステージ３４５の位置と角度を設定する。
【００９２】
フォーカス位置検出機構３６０は、被処理体３４０面でフォーカス位置を計測し、ウェハステージ３４５の位置及び角度を制御することによって、露光中、常時被処理体３４０面を投影光学系３３０による結像位置に保つ。
【００９３】
露光において、照明装置３１０から射出されたＥＵＶ光はレチクル３２０を照明し、投影光学系３３０によりレチクル３２０面上のパターンを被処理体３４０面上に結像する。本実施形態において、像面は円弧状（リング状）の像面となり、レチクル３２０と被処理体３４０を縮小倍率比の速度比で走査することにより、レチクル３２０の全面を露光する。露光装置３００に用いられる照明装置３１０が有する光発生装置１は、良好なデブリ除去を実現し、安定してＥＵＶ光を発生させることができるため、高いスループットで経済性よくデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
【００９４】
次に、図２１及び図２２を参照して、上述の露光装置３００を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図２１は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する行程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００９５】
図２２は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置３００によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置３００を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【００９６】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の一側面としての光発生装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図２】図１に示す偏向手段の一例としての磁場発生装置の構成を示す図である。
【図３】図１に示す偏向手段の一例としての電場発生装置の構成を示す図である。
【図４】図１に示す遮断機構の構成の一例を示す図である。
【図５】図１に示す吸着機構の構成の一例を示す図である。
【図６】図１に示す光発生装置と従来の光発生装置とのレーザー光のショット数とＥＵＶ光ＥＬの光強度との関係を示すグラフである。
【図７】図１及び図５に示す吸着機構とは異なる構成を有する光発生装置を示す概略ブロック図である。
【図８】図７に示す吸着機構の構成を示す図である。
【図９】図１及び図５に示す吸着機構とは異なる構成を有する光発生装置を示す概略ブロック図である。
【図１０】図９に示す吸着機構の構成を示す図である。
【図１１】図９及び図１０に示す吸着機構とは異なる構成を有する光発生装置を示す概略ブロック図である。
【図１２】図１１に示す吸着機構の構成を示す図である。
【図１３】図１に示す検出部の構成の一例を示す図である。
【図１４】図１に示す検出部の構成の一例を示す図である。
【図１５】図１に示す検出部の構成の一例を示す図である。
【図１６】図１に示す検出部の構成の一例を示す図である。
【図１７】図１及び図５に示す吸着機構とは異なる構成を有する光発生装置を示す概略ブロック図である。
【図１８】図１７に示す光発生装置と図２４に示す従来の光発生装置とのレーザー光のショット数とＥＵＶ光ＥＬの光強度との関係を示すグラフである。
【図１９】防止手段としてガス供給機構を更に有する光発生装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図２０】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図２１】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図２２】図２２に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【図２３】ＥＵＶ光の発生に伴うデブリの影響を説明するための概略ブロック図である。
【図２４】従来のデブリ除去装置を示す概略ブロック図である。
【符号の説明】
【００９８】
１                          光発生装置
１０                        レーザー光源部
２０                        レーザー光学系
２２                        レーザー導入窓
３０                        ＥＵＶ光学系
４０                        制御部
１００                      防止手段
１１０                      偏向手段
１１０Ａ                    磁場発生装置
１１２Ａ                    磁石
１１０Ｂ                    電場発生装置
１１２Ｂ                    電極
１１４                      アパーチャ
１１４ａ                    開口
１２０                      遮断機構
１２２                      回転体
１２２ａ                    モータ
１２４                      開口部
１２６                      遮断部
１２７                      開口位置センサ
１２８                      検出部
１２９                      吸収体
１３０                      吸着機構
１３１                      ガラス
１３２                      検出部
１３２Ａ及び１３２Ｂ        レーザー射出部
１３２Ａ’及び１３２Ｂ’    受光部
１３２Ｃ                    温度計
１３２Ｄ                    水晶振動子膜厚計
１３３                      ガラスホルダ
１３４                      駆動機構
１３５                      保護壁
１３６                      ミラー
１３７                      ミラーホルダ
１３８                      フィルム
１３９                      フィルム駆動機構
１４０                      ガス供給機構
１４２                      回収機構
１５０                      差動排気機構
１５２                      排気系
３００                      露光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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