(57)【要約】【課題】分割記録要素の加工形状のずれ、磁気的な劣化を抑制し、良好な磁気特性を有する磁気記録媒体を効率良く製造することができる磁気記録媒体の製造方法等を提供する。【解決手段】連続記録層２０のドライエッチング手法としてイオンビームエッチングを用いる。又、レジスト層２６を連続記録層２０のドライエッチングの前に除去する。連続記録層を被覆する第１のマスク層の材料として、ダイヤモンドライクカーボンを用いる。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面上に連続記録層、マスク層、レジスト層をこの順で形成してなる被加工体の前記レジスト層を所定のパターン形状に加工するレジスト層加工工程と、前記レジスト層に基づいて前記マスク層を前記パターン形状に加工するマスク層加工工程と、前記マスク層上の前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、前記マスク層に基づいてドライエッチングにより前記連続記録層を前記パターン形状に加工し、多数の分割記録要素に分割する連続記録層加工工程と、を含んでなり、前記連続記録層加工工程の前に前記レジスト層除去工程を実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記マスク層の材料を前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い材料とし、前記マスク層を前記連続記録層よりも薄く形成したことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記マスク層の厚さを１５ｎｍ以下としたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記マスク層の厚さを１０ｎｍ以下としたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記連続記録層加工工程は、イオンビームエッチングを用いて前記連続記録層を加工するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記マスク層の材料をダイヤモンドライクカーボンとしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記マスク層を第１のマスク層として、該第１のマスク層と、前記レジスト層と、の間に、前記レジスト層除去工程におけるエッチングレートが前記第１のマスク層よりも低い材料の第２のマスク層を形成し、前記マスク層加工工程は、前記レジスト層に基づいて前記第２のマスク層を前記パターン形状に加工する第２のマスク層加工工程と、該第２のマスク層に基づいて前記第１のマスク層を前記パターン形状に加工する第１のマスク層加工工程と、を含む構成としたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記レジスト層除去工程が前記第１のマスク層加工工程を兼ねるようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記レジスト層除去工程は、酸素及びオゾンのいずれかを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いて前記レジスト層を除去すると共に前記マスク層を加工するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は９において、
前記連続記録層加工工程で前記第１のマスク層上の前記第２のマスク層が除去されるように、該第２のマスク層は、膜厚が充分に薄い構成、及び／又は材料が前記連続記録層加工工程において前記連続記録層の材料よりも高いエッチングレートを有する材料である構成としたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれかにおいて、
前記第２のマスク層の材料をケイ素及びケイ素の化合物の少なくとも一方からなるケイ素系材料としたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれかにおいて、
前記第２のマスク層加工工程は、フッ素系ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いて前記第２のマスク層を加工するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかにおいて、
前記レジスト層加工工程は、インプリント法を用いて前記レジスト層を加工するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれかにおいて、
前記被加工体を複数同時に加工するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
基板表面上に連続記録層、マスク層、レジスト層をこの順で形成してなる被加工体の前記レジスト層を所定のパターン形状に加工するレジスト層加工工程と、前記レジスト層に基づいて前記マスク層を前記パターン形状に加工するマスク層加工工程と、前記マスク層上の前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、前記マスク層に基づいてイオンビームエッチングにより前記連続記録層を前記パターン形状に加工し、多数の分割記録要素に分割する連続記録層加工工程と、を含んでなり、前記連続記録層加工工程の前に前記レジスト層除去工程を実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法を実行するための加工装置と、複数の前記被加工体を同時に保持するためのホルダと、を備え、複数の前記被加工体を同時に加工可能としたことを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記連続記録層を加工するためのイオンビームエッチング装置を備えることを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法及び製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されている。
【０００３】
しかしながら、ヘッドの加工限界、磁界の広がりに起因するサイドフリンジ、クロストーク等の問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきており、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、連続記録層を多数の分割記録要素に分割してなるディスクリートタイプの磁気記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
連続記録層の微細な分割を実現する加工技術としては、イオンビームエッチング、ＮＨ３（アンモニア）ガス等の含窒素ガスが添加されたＣＯ（一酸化炭素）ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチング（例えば、特許文献２参照）等のドライエッチングの手法を利用しうる。
【０００５】
尚、ドライエッチングのマスク層を所定のパターンに加工する手法としてはレジスト層を用いたリソグラフィ等の半導体製造の分野で用いられている手法を利用しうる。
【０００６】
【特許文献１】特開平９−９７４１９号公報
【特許文献２】特開平１２―３２２７１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、反応性イオンエッチング等の従来のドライエッチングの手法を用いることで、連続記録層を微細なパターンで多数の分割記録要素に分割することはできても、磁気記録媒体上の部位により分割記録要素の加工精度がばらついたり分割記録要素が過度に加熱されて磁気的に劣化することがある。又、分割記録要素の周縁部に沿ってバリのような段部が形成されたり、側面がテーパ形状の分割記録要素が形成され、所望の加工形状と、実際の加工形状と、の間に、一定のずれが生じることがある。このような磁気的劣化や分割記録要素の加工形状のずれのために、所望の磁気特性が得られないことがある。
【０００８】
例えば、反応性イオンエッチングは、被加工体の端部近傍でプラズマの分布が不安定となる傾向があり、端部近傍で分割記録要素の加工精度が低くなりやすい傾向がある。
【０００９】
又、磁性材の加工に用いられるＣＯ（一酸化炭素）ガス等を反応ガスとする反応性イオンエッチングは大きなバイアスパワーを要し、被加工体が高温になりやすいため、分割記録要素が過度に加熱されて磁気的に劣化することがある。
【００１０】
尚、冷却機構を設けることで、分割記録要素の過度の加熱を防止しうるが、製造装置の構造が複雑となり、コスト高であると共に、被加工体の周縁近傍でプラズマの分布が不安定となる傾向があるため、温度分布が不均一になりやすく、被加工体の均一な冷却が困難である。
【００１１】
又、磁気記録媒体の量産を図るためには、複数の被加工体を並べて配置し、同時に加工することが望ましいが、冷却機構は一般的にＥＳＣ（静電チャック）やバイアス印加機構を備えているため、複数の被加工体を並べて配置した場合、このような冷却機構を設けること自体がスペース、加工精度等の事情により困難であり、被加工体の冷却を必要とする反応性イオンエッチングを用いて複数の被加工体を同時処理し、ディスクリートタイプの磁気記録媒体を量産することは困難であった。
【００１２】
これに対し、イオンビームエッチングを用いれば以上の問題を解決しうるが、
イオンビームエッチングを用いた場合、分割記録要素の周縁部に沿ってバリのような段部が形成されやすいという問題がある。
【００１３】
より詳細に説明すると図２２（Ａ）に示されるように連続記録層１００におけるマスク１０２から露出した部分をイオンビームエッチングで加工する場合、連続記録層１００の除去と、除去された粒子の一部のマスク１０２の側面１０２Ａ等への再付着と、が繰返され、再付着物は量が少なければイオンビームで逐次除去されるが、量が多いと図２２（Ｂ）に示されるように一部がマスク１０２の側面１０２Ａに堆積し、結果的に図２２（Ｃ）に示されるように分割記録要素１０４の周縁部に段部１０６が形成されることになる。この現象はドライエッチング一般に関して発生しうるが、特にイオンビームエッチングで顕著である。尚、この現象を抑制するために被加工体の表面の法線に対して傾斜した方向からイオンビーム等を照射することにより加工部側面等から再付着物を効率良く除去する手法が知られているが、ディスクリートタイプの磁気記録媒体のようにパターンが微細である場合には有効ではない。
【００１４】
又、ドライエッチングを用いた場合、図２３（Ａ）に示されるように側面２００Ａが垂直に近い理想的な形状の分割記録要素２００を形成することは困難で、実際には図２３（Ｂ）に示されるように側面２００Ａがテーパ形状の分割記録要素２００が形成されていた。
【００１５】
より詳細に説明すると、ドライエッチングでは、一部のガスが被加工体に対して垂直方向から若干傾斜して接近し、エッチング対象領域の端部はマスク２０２から露出していても傾斜して接近するガスに対してマスク２０２の陰となるため、他の部分よりもエッチングの進行が遅れ、分割記録要素２００の側面２００Ａがテーパ形状に加工されると考えられる。
【００１６】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、分割記録要素の加工形状のずれ、磁気的な劣化を抑制し、良好な磁気特性を有する磁気記録媒体を効率良く製造することができる磁気記録媒体の製造方法及び製造装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、連続記録層のドライエッチング手法としてイオンビームエッチングを用いることで被加工体の端部近傍における連続記録層の加工精度の低下を抑制すると共に連続記録層の加工温度を抑制し、分割記録要素の磁気的劣化を防止又は低減するものである。
【００１８】
又、本発明は、連続記録層を被覆するマスク層上のレジスト層を連続記録層のドライエッチングの前に除去することにより連続記録層上の被覆要素を薄くして、周縁部の段部の形成、分割記録要素の側面のテーパ角、を抑制し、分割記録要素の加工精度を向上させるものである。
【００１９】
尚、連続記録層を被覆するマスク層の材料としては、イオンビームエッチングに対してエッチングレートが低く、それだけ薄く形成できるという点及び加工形状の制御が比較的容易であるという点でダイヤモンドライクカーボンを用いることが好ましい。
【００２０】
ここで、本明細書において「ダイヤモンドライクカーボン（以下、「ＤＬＣ」という）」という用語は、炭素を主成分とし、アモルファス構造であって、ビッカース硬度測定で２００〜８０００ｋｇｆ／ｍｍ2程度の硬さを示す材料という意義で用いることとする。
【００２１】
又、本明細書において、「イオンビームエッチング」という用語は、例えばイオンミリング等の、イオン化したガスを被加工体に照射して除去する加工方法の総称という意義で用いることとし、イオンビームを絞って照射する加工方法に限定しない。
【００２２】
更に、本明細書において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔ  Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。
【００２３】
即ち、次のような本発明により、上記課題の解決を図ったものである。
【００２４】
（１）基板表面上に連続記録層、マスク層、レジスト層をこの順で形成してなる被加工体の前記レジスト層を所定のパターン形状に加工するレジスト層加工工程と、前記レジスト層に基づいて前記マスク層を前記パターン形状に加工するマスク層加工工程と、前記マスク層上の前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、前記マスク層に基づいてドライエッチングにより前記連続記録層を前記パターン形状に加工し、多数の分割記録要素に分割する連続記録層加工工程と、を含んでなり、前記連続記録層加工工程の前に前記レジスト層除去工程を実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２５】
（２）前記マスク層の材料を前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い材料とし、前記マスク層を前記連続記録層よりも薄く形成したことを特徴とする前記（１）の磁気記録媒体の製造方法。
【００２６】
（３）前記マスク層の厚さを１５ｎｍ以下としたことを特徴とする前記（１）又は（２）の磁気記録媒体の製造方法。
【００２７】
（４）前記マスク層の厚さを１０ｎｍ以下としたことを特徴とする前記（１）又は（２）の磁気記録媒体の製造方法。
【００２８】
（５）前記連続記録層加工工程は、イオンビームエッチングを用いて前記連続記録層を加工するようにしたことを特徴とする前記（１）乃至（４）のいずれかの磁気記録媒体の製造方法。
【００２９】
（６）前記マスク層の材料をダイヤモンドライクカーボンとしたことを特徴とする前記（１）乃至（５）のいずれかの磁気記録媒体の製造方法。
【００３０】
（７）前記マスク層を第１のマスク層として、該第１のマスク層と、前記レジスト層と、の間に、前記レジスト層除去工程におけるエッチングレートが前記第１のマスク層よりも低い材料の第２のマスク層を形成し、前記マスク層加工工程は、前記レジスト層に基づいて前記第２のマスク層を前記パターン形状に加工する第２のマスク層加工工程と、該第２のマスク層に基づいて前記第１のマスク層を前記パターン形状に加工する第１のマスク層加工工程と、を含む構成としたことを特徴とする前記（１）乃至（６）のいずれかの磁気記録媒体の製造方法。
【００３１】
（８）前記レジスト層除去工程が前記第１のマスク層加工工程を兼ねるようにしたことを特徴とする前記（７）の磁気記録媒体の製造方法。
【００３２】
（９）前記レジスト層除去工程は、酸素及びオゾンのいずれかを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いて前記レジスト層を除去すると共に前記マスク層を加工するようにしたことを特徴とする前記（８）の磁気記録媒体の製造方法。
【００３３】
（１０）前記連続記録層加工工程で前記第１のマスク層上の前記第２のマスク層が除去されるように、該第２のマスク層は、膜厚が充分に薄い構成、及び／又は材料が前記連続記録層加工工程において前記連続記録層の材料よりも高いエッチングレートを有する材料である構成としたことを特徴とする前記（８）又は（９）の磁気記録媒体の製造方法。
【００３４】
（１１）前記第２のマスク層の材料をケイ素及びケイ素の化合物の少なくとも一方からなるケイ素系材料としたことを特徴とする前記（８）乃至（１０）のいずれかの磁気記録媒体の製造方法。
【００３５】
（１２）前記第２のマスク層加工工程は、フッ素系ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いて前記第２のマスク層を加工するようにしたことを特徴とする前記（８）乃至（１１）のいずれかの磁気記録媒体の製造方法。
【００３６】
（１３）前記レジスト層加工工程は、インプリント法を用いて前記レジスト層を加工するようにしたことを特徴とする前記（１）乃至（１２）のいずれかの磁気記録媒体の製造方法。
【００３７】
（１４）前記被加工体を複数同時に加工するようにしたことを特徴とする前記（１）乃至（１３）のいずれかの磁気記録媒体の製造方法。
【００３８】
（１５）基板表面上に連続記録層、マスク層、レジスト層をこの順で形成してなる被加工体の前記レジスト層を所定のパターン形状に加工するレジスト層加工工程と、前記レジスト層に基づいて前記マスク層を前記パターン形状に加工するマスク層加工工程と、前記マスク層上の前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、前記マスク層に基づいてイオンビームエッチングにより前記連続記録層を前記パターン形状に加工し、多数の分割記録要素に分割する連続記録層加工工程と、を含んでなり、前記連続記録層加工工程の前に前記レジスト層除去工程を実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３９】
（１６）前記（１）乃至（１５）のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法を実行するための加工装置と、複数の前記被加工体を同時に保持するためのホルダと、を備え、複数の前記被加工体を同時に加工可能としたことを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
【００４０】
（１７）前記連続記録層を加工するためのイオンビームエッチング装置を備えることを特徴とする前記（１６）の磁気記録媒体の製造装置。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によれば、分割記録要素の加工形状のずれ、分割記録要素の磁気的な劣化を抑制し、良好な磁気特性の磁気記録媒体を効率良く確実に製造することが可能となるという優れた効果がもたらされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００４３】
本実施形態は、磁気記録媒体の加工出発体である図１に示されるような被加工体にドライエッチング等の加工を施し、図２に示されるような所定のラインアンドスペースパターン及びコンタクトホールを含むサーボパターン（図示省略）の形状に連続記録層を加工して多数の分割記録要素に分割する磁気記録媒体の製造方法に関するものであり、連続記録層の加工手法の他、連続記録層を被覆するマスク層、レジスト層の材料及びその加工方法等に特徴を有している。又、本実施形態は、これら連続記録層の加工手法等を実施し、磁気記録媒体を量産するための磁気記録媒体の製造装置に特徴を有している。他の構成については従来の磁気記録媒体の製造方法、製造装置と同様であるので説明を適宜省略することとする。
【００４４】
被加工体１０は、中心孔を有する略円板形状（図示省略）であり、図１に示されるように、ガラス基板１２に、下地層１４、軟磁性層１６、配向層１８、連続記録層２０、第１のマスク層２２、第２のマスク層２４、レジスト層２６がこの順で形成された構造とされている。
【００４５】
下地層１４の材料はＣｒ（クロム）又はＣｒ合金、軟磁性層１６の材料はＦｅ（鉄）合金又はＣｏ（コバルト）合金、配向層１８の材料はＣｏＯ、ＭｇＯ、ＮｉＯ等、連続記録層２０の材料はＣｏ（コバルト）合金である。又、第１のマスク層２２の材料はＤＬＣ、第２のマスク層２４の材料はＳｉ（ケイ素）、レジスト層２６の材料はネガ型レジスト（ＮＥＢ２２Ａ  住友化学工業株式会社製）である。
【００４６】
図２に示されるように、磁気記録媒体３０は垂直記録型のディスクリートタイプの磁気ディスクで、前記連続記録層２０がトラックの径方向に微細な間隔で多数の分割記録要素３１に分割されると共に、分割記録要素３１の間の溝部３３に非磁性体３２が充填され、分割記録要素３１及び非磁性体３２に保護層３４、潤滑層３６がこの順で形成された構造とされている。尚、分割記録要素３１と非磁性体３２の間には隔膜３８が形成されている。
【００４７】
非磁性体３２の材料はＳｉＯ２（二酸化ケイ素）、保護層３４及び隔膜３８の材料はいずれも前述のＤＬＣと呼称される硬質炭素膜、潤滑層３６の材料はＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）である。
【００４８】
図３に示されるように、磁気記録媒体の製造装置４０は、転写手段４２と、アッシング装置４４と、反応性イオンエッチング装置４６及び４８と、イオンビームエッチング装置５０と、アッシング装置５２と、ドライ洗浄手段５４と、隔膜形成手段５６と、非磁性体充填手段５８と、平坦化手段６０と、保護層形成手段６２と、潤滑層３６を形成するための潤滑層形成手段６４と、を備えている。
【００４９】
又、製造装置４０は、アッシング装置４４、反応性イオンエッチング装置４６、４８、イオンビームエッチング装置５０、アッシング装置５２、ドライ洗浄手段５４、隔膜形成手段５６、非磁性体充填手段５８、平坦化手段６０及び保護層形成手段６２を収容して被加工体１０の周囲を真空状態に保持するための真空保持手段６６を備えている。
【００５０】
更に、製造装置４０は、複数の被加工体１０を同時に保持するための図４に示されるようなホルダ６８と、ホルダ６８を自動搬送するための図示しない自動搬送装置と、を備え、複数の被加工体１０を同時に加工可能とされている。
【００５１】
転写手段４２は、リソグラフィ等で作成された型（図示省略）をレジスト層２６にプレスしてレジスト層２６に所定のパターンを転写し、溝を形成するためのナノ・インプリント法を用いたプレス装置である。
【００５２】
アッシング装置４４は、酸素、オゾン又はそれらのガスのプラズマを用いたアッシングによりナノ・インプリント時に残存した溝底面のレジスト層２６を除去するように構成されている。
【００５３】
反応性イオンエッチング装置４６は、ＣＦ４（４フッ化炭素）ガス又はＳＦ６（６フッ化硫黄）ガス等のフッ素系ガスを反応性ガスとする反応性イオンエッチングにより溝底面の第２のマスク層２４を除去するように構成されている。
【００５４】
具体的には図５に示されるように、反応性イオンエッチング装置４６はヘリコン波プラズマ方式であり、拡散チャンバー４６Ａと、拡散チャンバー４６Ａ内にホルダ６８を載置するためのＥＳＣ（静電チャック）ステージ電極４６Ｂと、プラズマを発生するための石英製ベル・ジャー４６Ｃと、を備えている。
【００５５】
ＥＳＣステージ電極４６Ｂにはバイアス電圧を印加するためのバイアス電源４６Ｄが結線されている。尚、バイアス電源は、周波数が１．６ＭＨｚの交流電源である。
【００５６】
石英製ベル・ジャー４６Ｃは下端が拡散チャンバー４６Ａ内に開口し、下部近傍には反応ガスを給気するための給気孔４６Ｅが設けられている。又、石英製ベル・ジャー４６Ｃの周囲には、電磁コイル４６Ｆと、アンテナ４６Ｇが配設され、アンテナ４６Ｇにはプラズマ発生電源４６Ｈが結線されている。尚、プラズマ発生電源４６Ｈは、周波数が１３．５６ＭＨｚの交流電源である。
【００５７】
反応性イオンエッチング装置４８は、酸素又はオゾンを反応性ガスとする反応性イオンエッチングにより溝以外の領域のレジスト層２６を除去すると共に、溝底面の第１のマスク層を除去するように構成されている。尚、反応性イオンエッチング装置４８は上記反応性イオンエッチング装置４６に対し、反応ガスの種類が異なるのみで構造は同様である。
【００５８】
イオンビームエッチング装置５０は、Ａｒ（アルゴン）ガスを用いたイオンビームエッチングにより溝底面の連続記録層２０を除去して多数の分割記録要素３１に分割するように構成されている。
【００５９】
具体的にはイオンビームエッチング装置５０は、図６に示されるように、真空チャンバー５０Ａと、真空チャンバー５０Ａ内にホルダ６８を載置するためのＥＳＣ（静電チャック）ステージ電極５０Ｂと、イオンを発生してステージ電極５０Ｂに照射するためのイオンガン５０Ｃと、イオンガン５０Ｃにアルゴンガスを供給するためのガス供給部５０Ｄと、イオンガン５０Ｃにビーム電圧を印加するための電源５０Ｅと、を備えている。尚、真空チャンバー５０Ａには、アルゴンガスを排出するための排出孔５０Ｆが設けられている。
【００６０】
イオンガン５０Ｃは、電源５０Ｅに結線された陽極５０Ｇと、陰極５０Ｈと、を備えている。陰極５０Ｈには多数の微細孔５０Ｊが設けられており、該微細孔５０Ｊからイオン化したアルゴンガスを放出・照射するように構成されている。
【００６１】
アッシング装置５２は、酸素、オゾン又はそれらのガスのプラズマを用いたアッシングにより分割記録要素３１上に残存する第１のマスク層２２を除去するように構成されている。
【００６２】
ドライ洗浄手段５４は、プラズマを用いて分割記録要素３１の周囲の異物を除去するように構成されている。
【００６３】
隔膜形成手段５６は、分割記録要素３１にＤＬＣの隔膜３８をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成するためのＣＶＤ装置である。
【００６４】
非磁性体充填手段５８は、バイアススパッタリングによりＳｉＯ２の非磁性体３２を分割記録要素３１の間の溝部３３に非磁性体３２を充填するためのバイアススパッタリング装置である。
【００６５】
平坦化手段６０は、Ａｒガスを用いたイオンビームエッチングにより媒体表面を平坦化するためのイオンビームエッチング装置である。
【００６６】
保護層形成手段６２は、ＤＬＣの保護層３４をＣＶＤ法により分割記録要素３１及び非磁性体３２に形成するためのＣＶＤ装置である。
【００６７】
潤滑層形成手段６４は、ＰＦＰＥの潤滑層３６を保護層３４にディッピングにより塗布するためのディッピング装置である。
【００６８】
真空保持手段６６は、真空槽７０と、該真空槽７０に連通する真空ポンプ７２と、を有して構成されている。
【００６９】
ホルダ６８は、略円板形状で導電性を有し、被加工体１０が遊嵌して保持される複数の円形凹部６８Ａが形成されている。各円形凹部６８Ａの中心近傍には円形段部６８Ｂが形成されており、中心孔を有する被加工体１０が内周及び外周において遊嵌するように構成されている。
【００７０】
次に、図７に示されるフローチャート等を参照して磁気記録媒体の製造装置４０の作用について説明する。
【００７１】
まず、被加工体１０を用意する。被加工体１０はガラス基板１２に、下地層１４を３０〜２０００ｎｍの厚さで、軟磁性層１６を５０〜３００ｎｍの厚さで、配向層１８を３〜３０ｎｍの厚さで、連続記録層２０を５〜３０ｎｍの厚さで、第１のマスク層２２を３〜２０ｎｍの厚さで、第２のマスク層２４を３〜１５ｎｍの厚さで、この順でスパッタリングにより形成し、更にレジスト層２６を３０〜３００ｎｍの厚さで、スピンコート又はディッピングにより形成して得られる。尚、第１のマスク層２２は連続記録層２０よりも薄く形成することが好ましい。例えば、連続記録層２０を２０ｎｍ程度の厚さに形成した場合、第１のマスク層２２を１５ｎｍ以下の厚さに形成することが好ましい。
【００７２】
この被加工体１０のレジスト層２６に転写手段４２を用いて、図８に示されるような分割記録要素３１の分割パターンに相当する溝をインプリント法により転写する。このようにインプリント法を用いることで、分割パターンに相当する溝を被加工体１０に効率良く転写することができる。尚、リソグラフィ等により、被加工体１０に分割パターンに相当する溝を転写することも当然可能である。このように溝を形成した複数の被加工体１０をホルダ６８に装着し、真空槽７０内に搬入する。搬入されたホルダ６８は図示しない搬送装置により、真空槽７０内の各加工装置に自動搬送され、複数の被加工体１０が同時に加工される。
【００７３】
まず、アッシング装置４４が、図９に示されるように溝底面のレジスト層２６を除去する（Ｓ１０２）。尚、レジスト層２６は溝以外の領域も除去されるが、溝底面との段差の分だけ残存する。
【００７４】
次に、反応性イオンエッチング装置４６が、図１０に示されるように溝底面の第２のマスク層２４を除去する（Ｓ１０４）。尚、この際第１のマスク層２２も微少量除去される。又、溝以外の領域のレジスト層２６も若干除去されるが残存する。尚、第２のマスク層２４の加工には、反応性ガスとしてフッ素系ガスを用いているので、反応性ガスとして塩素系ガスを用いる場合のように、水等を用いたウェット洗浄を必ずしも必要とせず、後述するようにドライ洗浄で足りる。従って、被加工体１０の加工工程を総てドライ工程とすることが可能となり生産効率の向上に寄与する。
【００７５】
次に、反応性イオンエッチング装置４８が、溝底面の第１のマスク層２２を除去すると共に、図１１に示されるように溝以外の領域のレジスト層２６を除去する（Ｓ１０６）。又、溝以外の領域の第２のマスク層２４も若干除去されるが大部分が残存する。第１のマスク層２２は材料がＤＬＣ、レジスト層２６は材料が樹脂のレジスト材料であり、いずれも酸素を反応ガスとする反応性イオンエッチングに対するエッチングレートが高いので、このように、溝底面の第１のマスク層２２の除去及び溝以外の領域のレジスト層２６の除去を同時に行うことができ、生産効率がよい。
【００７６】
尚、酸素を反応ガスとする反応性イオンエッチングに対するエッチングレートが低いケイ素を材料とする第２のマスク層２４が第１のマスク層２２の上に形成されているので、溝以外の領域の第１のマスク層２２は良好な形状で残存する。
【００７７】
このように、第１のマスク層２２及び第２のマスク層２４の２層のマスク層を設けることで、マスク材料、反応ガスの種類の選択幅を広げることができる。
【００７８】
次に、イオンビームエッチング装置５０が、図１２に示されるように溝底面の連続記録層２０を除去し、これにより連続記録層２０が多数の分割記録要素３１に分割され、分割記録要素３１の間に溝部３３が形成される（Ｓ１０８）。
【００７９】
ここで、溝以外の領域の第２のマスク層２４は完全に除去され、溝以外の領域の第１のマスク層２２も大部分が除去されるが微小量が分割記録要素３１の上面に残存しうる。
【００８０】
第１のマスク層２２は材料がＤＬＣであるためイオンビームエッチングに対するエッチングレートが連続記録層２０よりも低く、それだけ膜厚が薄くて足りる。又、第２のマスク層２４は材料がケイ素であるためイオンビームエッチングに対するエッチングレートが連続記録層２０よりも高いため短時間で除去される。尚、レジスト層除去工程、兼第１のマスク層加工工程（Ｓ１０６）において残存できる範囲で第２のマスク層２４を極力薄く形成すれば、イオンビームエッチングに対するエッチングレートが連続記録層２０と同等又は連続記録層２０よりも低い材料を用いた場合も、短時間で第２のマスク層を除去することが可能である。更に、第２のマスク層２４上のレジスト層２６は既に除去されている。即ち、連続記録層２０を被覆する被覆要素は実質的に薄くなっているため、被加工体１０の表面の法線に対して傾斜した方向から照射されるイオンビームの陰となる部分が小さく、分割記録要素３１の側面のテーパ角をそれだけ抑制することができる。
【００８１】
又、連続記録層２０を被覆する被覆要素が薄いため、イオンビームエッチングにおいて被覆要素の側面の再付着物がそれだけ少なく、分割記録要素３１の周縁部におけるエッジ状の段部の発生を防止又は低減することができる。尚、分割記録要素３１上の第１のマスク層の残存量が極力少なくなるように第１のマスク層の膜厚、イオンビームエッチングの設定条件等を調整すれば、それだけ第１のマスク層の側面の再付着物を低減し、分割記録要素３１の周縁部におけるエッジ状の段部の発生を更に抑制することができる。
【００８２】
又、イオンビームエッチングは、反応性イオンエッチングに対し、加工精度が被加工体１０の形状に依存しにくく、複数の被加工体１０の全領域を均一に高精度で加工することができる。
【００８３】
又、イオンビームエッチングは、ＣＯガス等を反応ガスとする反応性イオンエッチングよりも加工温度が低いので過度の加熱による分割記録要素３１の磁気的劣化を防止又は低減することができる。
【００８４】
又、イオンビームエッチングは、ＣＯガス等を反応ガスとする反応性イオンエッチングよりも磁性材料に対するエッチングの進行が速く、微細なパターンに対するエッチング速度の形状依存性が低い為、生産効率がよい。
【００８５】
尚、連続記録層２０の加工において、配向層１８も若干除去されうる。
【００８６】
次に、アッシング装置５２が、分割記録要素３１上に残存する第１のマスク層２２を、図１３に示されるように完全に除去する（Ｓ１１０）。
【００８７】
ここで、ドライ洗浄手段５４を用いて分割記録要素３１の表面の異物を除去する（Ｓ１１２）。
【００８８】
次に、図１４に示されるように、隔膜形成手段５６が、分割記録要素３１にＤＬＣの隔膜３８を１〜２０ｎｍの厚さで成膜し（Ｓ１１４）、更に非磁性体充填手段５８が、分割記録要素３１の間の溝部３３に非磁性体３２を充填する（Ｓ１１６）。ここで、非磁性体３２は隔膜３８を完全に被覆するように成膜する。尚、分割記録要素３１は隔膜３８で被覆・保護されているので、非磁性体３２のバイアススパッタリングにより劣化することがない。
【００８９】
次に、平坦化手段６０が、非磁性体３２を、図１５に示されるように分割記録要素３１の上面まで除去し、分割記録要素３１及び非磁性体３２の表面を平坦化する（Ｓ１１８）。この際、高精度な平坦化を行うためにはＡｒイオンの入射角は−１０〜１５°の範囲とすることが好ましい。一方、非磁性体充填工程で分割記録要素３１及び非磁性３２の表面の良好な平坦性が得られていれば、Ａｒイオンの入射角は３０〜９０°の範囲とするとよい。このようにすることで、加工速度が速くなり、生産効率を高めることができる。ここで「入射角」とは、被加工体の表面に対する入射角度であって、被加工体の表面とイオンビームの中心軸とが形成する角度という意義で用いることとする。例えば、イオンビームの中心軸が被加工体の表面と平行である場合、入射角は０°である。尚、分割記録要素３１上の隔膜３８は完全に除去してもよいし、一部を残してもよいが、分割記録要素３１の上面の非磁性体３２は完全に除去する。
【００９０】
次に、保護層形成手段６２が、ＣＶＤ法により分割記録要素３１及び非磁性体３２の上面に１〜５ｎｍの厚さでＤＬＣの保護層３４を形成する（Ｓ１２０）。ここで、ホルダ６８を真空槽７０から搬出し、ホルダ６８から各被加工体１０を取外す。
【００９１】
更に、潤滑層形成手段６４を用いてディッピングにより保護層３４の上に１〜２ｎｍの厚さでＰＦＰＥの潤滑層３６を塗布する（Ｓ１２２）。これにより、前記図２に示される磁気記録媒体３０が完成する。
【００９２】
以上のように、連続記録層２０の加工にイオンビームエッチングを用いることで、磁気的劣化を抑制しつつ被加工体を均一に高精度で加工することができる。更に、連続記録層２０の加工温度が高い場合、磁気的劣化を制限するために冷却機構が必要である一方、前述のように複数の被加工体を同時に加工する場合、スペース、加工精度等の事情によりＥＳＣ（静電チャック）やバイアス印加機構を備えた冷却機構を設けること自体が困難であるが、連続記録層２０の加工にイオンビームエッチングを用いることで連続記録層２０の加工温度を低減することができ、冷却機構の設置が不要となる。これにより、複数の被加工体を同時に高精度で加工することが可能となり、効率よくディスクリートタイプの磁気記録媒体を量産することができる。
【００９３】
又、連続記録層２０上の被覆要素を実質的に薄くすることで、分割記録要素を良好な形状に加工することができる。
【００９４】
更に、第１のマスク層の材料としてＤＬＣを用いることで、膜厚を薄くし、分割記録要素の加工精度を一層高めることができる。
【００９５】
又、被加工体１０の周囲が真空に保持された状態で分割記録要素３１の形成等が行われるので加工による酸化、腐食等の分割記録要素３１の劣化を防止することができる。
【００９６】
又、総ての工程がドライ工程であるのでウェット工程とドライ工程とを併用する製造工程に対して被加工体の搬送等が容易であり、磁気記録媒体の製造装置４０はこの点でも生産効率がよい。
【００９７】
尚、本実施形態において、連続記録層２０の加工の後に、第１のマスク層２２を除去しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、第１のマスク層２２を除去することなく保護層３４の一部として活用してもよい。
【００９８】
又、本実施形態において、第１のマスク層２２の材料としてＤＬＣを用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、イオンビームエッチングに対するエッチングレートが低い材料であれば第１のマスク層２２の材料は他の材料としてもよい。
【００９９】
又、本実施形態において、第１のマスク層２２及び第２のマスク層２４の２層のマスク層を連続記録層２０上に形成しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、エッチング条件を適宜設定し、第１のマスク層２２の材料としてイオンビームエッチングに対するエッチングレートが低く、且つ、レジスト層除去工程に対するエッチングレートが低い材料を選択すれば、第２のマスク層は省略し、１層構造のマスク層としてもよい。
【０１００】
又、本実施形態において、反応性イオンエッチングを用いて溝以外の領域に残存するレジスト層２６を除去しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、他のドライエッチングの手法を用いてレジスト層２６を除去してもよく、又、溶解液中でレジスト層を溶解させて除去するようにしてもよい。この場合、第１のマスク層２２の材料として該溶解液に対するエッチングレートが低い材料を選択すれば、第２のマスク層は省略し、１層構造のマスク層としてもよい。
【０１０１】
又、本実施形態において、連続記録層２０の下に下地層１４、軟磁性層１６が形成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、連続記録層２０の下の層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば、下地層１４、軟磁性層１６のいずれか一方を省略してもよい。又、基板上に連続記録層を直接形成してもよい。
【０１０２】
又、本実施形態において、連続記録層２０の加工にイオンビームエッチングを用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、他のドライエッチングの手法を用いて連続記録層を加工する場合も、連続記録層の加工前にマスク層上のレジスト層を除去する等の処理を行い、連続記録層上の被覆要素を実質的に薄くすることで、分割記録要素の加工精度を高める一定の効果が得られる。
【０１０３】
又、本実施形態において、磁気記録媒体３０は分割記録要素３１がトラックの径方向に微細な間隔で並設した垂直記録型のディスクリートタイプの磁気ディスクであるが、本発明はこれに限定されるものではなく、分割記録要素がトラックの周方向（セクタの方向）に微細な間隔で並設された磁気ディスク、トラックの径方向及び周方向の両方向に微細な間隔で並設された磁気ディスク、分割記録要素が螺旋形状をなす磁気ディスクの製造についても本発明は当然適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録ディスク、更に、磁気テープ等ディスク形状以外の他のディスクリートタイプの磁気記録媒体の製造に対しても本発明は適用可能である。
【０１０４】
又、本実施形態において、磁気記録媒体の製造装置４０は、各工程に応じた個別の加工装置を備えているが、本発明はこれに限定されるものではなく、１台の装置で複数の工程の加工を行うようにしてもよい。例えば、溝底面のレジスト層２６を除去する工程と、分割記録要素３１上に残存する第１のマスク層２２を除去する工程は、共通のアッシング装置で行うようにしてもよい。又、連続記録層２０の加工工程と、分割記録層３１及び非磁性体３２の平坦化工程はＡｒガスを用いた共通のイオンビームエッチング装置で行うようにしてもよい。又、第２のマスク層２４の加工と、第１のマスク層２２の加工及びレジスト層２６の除去と、を共通の反応性イオンエッチング装置を用いて、反応ガスを換えて行うようにしてもよい。このようにすることで、製造装置のコンパクト化、低コスト化を図ることができる。
【実施例】
【０１０５】
上記実施形態により、磁気記録ディスクを作製した。尚、連続記録層２０の厚さは約２０ｎｍ、第１のマスク層２２の厚さは約１０ｎｍ、第２のマスク層２４の厚さは約５ｎｍ、レジスト層２６の厚さは約１００ｎｍとした。
【０１０６】
第２のマスク層２４、第１のマスク層２２、連続記録層２０の加工における被加工体１０の加工温度、加工に要した時間は次のとおりであった。
【０１０７】
第２のマスク層２４：５０℃以下、約５秒（反応ガスＳＦ６）
第１のマスク層２２：５０℃以下、約１０秒（反応ガスＯ２）
連続記録層２０    ：約１２０℃以下、約３０秒（Ａｒイオンビーム）
【０１０８】
図１６は、同磁気記録ディスクの分割記録要素の形状を拡大して示す顕微鏡写真である。各分割記録要素の周縁部にエッジ状の段部は形成されておらず、各分割記録要素の側面のテーパ角も抑制され、良好な形状に加工されていることが確認された。
【０１０９】
又、連続記録層における磁気記録ディスクの端部からの距離とエッチングレートとの関係を図１７に符号Ａを付した曲線で示す。連続記録層のエッチングレートは微小なばらつきはあるものの、端部からの距離の大小により増減する傾向は認められなかった。尚、図１７は、エッチングの進行が最も速い部位のエッチングレートを１として、各部位の相対的なエッチングレートを０〜１の範囲で示したものであり、エッチングの進行速度の絶対値を示すものではない。
【０１１０】
又、レジスト層２６、第１のマスク層２２、連続記録層２０（分割記録要素３１）の底面のライン幅及びスペース幅（溝幅）を表１に示す。尚、レジスト層２６の底面のライン幅及びスペース幅は、レジスト層加工工程（Ｓ１０２）後、且つ、第２のマスク層加工工程（Ｓ１０４）前に測定した。又、第１のマスク層２２の底面のライン幅及びスペース幅は、レジスト層除去工程兼第１のマスク層加工工程（Ｓ１０６）後、且つ、連続記録層加工工程（Ｓ１０８）前に測定した。又、連続記録層２０（分割記録要素３１）の底面のライン幅及びスペース幅は、連続記録層加工工程（Ｓ１０８）後、且つ、第１のマスク層除去工程（Ｓ１１０）前に測定した。
【０１１１】
又、図１８は、同磁気記録ディスクのＭＦＭ像である。濃淡の度合いが異なる微細な斑点状の領域が均一に混在しており、磁気特性が良好であることが確認された。
【０１１２】
【表１】
2005050468.tif 000003
【０１１３】
[比較例１]
上記実施例に対し、ＣＯガス等を反応ガスとする反応性イオンエッチングで連続記録層２０を加工した。第１のマスク層２２の材料はＴａ（タンタル）として厚さは約２５ｎｍとし、ＳＦ６ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングで加工した。尚、分割記録要素３１上に残存する第１のマスク層２２もＳＦ６ガスを反応ガスとするアッシングにより除去した。又、第２のマスク層２４の材料はＮｉ（ニッケル）として厚さは約１０ｎｍとし、イオンビームエッチングで加工した。尚、反応性イオンエッチングでは、冷却機構を用いて被加工体１０を冷却し、被加工体１０を１個ずつ加工した。他の条件は上記実施例と同様とした。
【０１１４】
第２のマスク層２４、第１のマスク層２２、連続記録層２０の加工における被加工体１０の加工温度、加工に要した時間は次のとおりであった。
【０１１５】
第２のマスク層２４：約９０℃、約３０秒（Ａｒイオンビーム）
第１のマスク層２２：１２０℃以下、約２０秒（反応ガスＳＦ６）
連続記録層２０    ：２５０〜３００℃、約６０秒（反応ガスＣＯ等）
【０１１６】
連続記録層における磁気記録ディスクの端部からの距離とエッチングレートとの関係を図１７に符号Ｂを付した曲線で示す。連続記録層のエッチングレートは端部に近いほど増大する傾向があることが確認された。即ち、被加工体の端部で他部よりもエッチングレートが大きく、加工寸法のばらつきが大きくなるため、例えば端部近傍の領域を磁気記録領域として使用できないことがあり、それだけ記録容量が低下することとなる。
【０１１７】
又、レジスト層２６、第１のマスク層２２、連続記録層２０（分割記録要素３１）の底面のライン幅及びスペース幅（溝幅）を表１に示す。
【０１１８】
又、同磁気記録ディスクのＭＦＭ像を図１９に示す。濃淡の度合いが異なる微細な領域が混在しているが一部は分割記録要素の周縁に沿って連続する線のような形状になっており、磁気的な劣化が生じていることが確認された。
【０１１９】
即ち、実施例の磁気記録ディスクは比較例１の磁気記録ディスクに対し、磁気特性が良好であることが確認された。これは実施例が比較例１よりも、各マスク層、連続記録層の加工に要する時間が短く、加工温度が低いためであると考えられる。尚、前述のように比較例１は連続記録層加工工程で冷却機構を用いて加工温度を抑制しており、仮に実施例と同様に冷却機構を用いずに反応性イオンエッチングで連続記録層を加工した場合、加工温度は更に上昇し、比較例１の磁気記録ディスクの磁気的劣化は更に増大すると考えられる。
【０１２０】
又、実施例の磁気記録ディスクは比較例１の磁気記録ディスクに対し、分割記録要素の形状が安定しており、部位による形状のばらつきが小さかった。これは、実施例が比較例１よりも、部位による連続記録層のエッチングレートのばらつきが小さいためであると考えられる。
【０１２１】
又、表１に示されるように、実施例は比較例１に対し、レジスト層２６の底面のスペース幅が等しいにも拘らず、連続記録層２０（分割記録要素３１）の底面のスペース幅が大きかった。即ち、実施例は比較例１よりも、転写精度が良好であった。これは、実施例は第１のマスク層２２の材料としてＤＬＣを用い、第２のマスク層２４の材料としてＳｉを用いているため、比較例１よりも、第１のマスク層２２、第２のマスク層２４の膜厚が薄くできており、被加工部側面のテーパ角が抑制されたためであると考えられる。
【０１２２】
[比較例２]
上記実施例に対し、第１のマスク層の厚さを５０ｎｍとし、磁気記録ディスクを製造した。その他の条件は上記実施例と同様とした。
【０１２３】
図２０は、同磁気記録ディスクの分割記録要素の形状を拡大して示す顕微鏡写真である。各分割記録要素の周縁部に沿ってエッジ状の段部が形成されていることが確認された。
【０１２４】
[比較例３]
上記実施例に対し、第１のマスク層２２、第２のマスク層２４は形成しないで連続記録層２０上に直接レジスト層２６を形成し、レジスト層２６をマスクとしてイオンビームエッチングにより連続記録層２０を所定のパターンに加工して磁気記録ディスクを製造した。その他の条件は上記実施例と同様とした。
【０１２５】
図２１は、同磁気記録ディスクの分割記録要素の形状を拡大して示す顕微鏡写真である。各分割記録要素の周縁部に沿って比較例２よりも若干突出量が大きいエッジ状の段部が形成されていることが確認された。
【０１２６】
即ち、実施例の磁気記録ディスクは比較例２及び３の磁気記録ディスクに対し、分割記録要素の形状が良好であることが確認された。これは実施例は、連続記録層を被覆する被覆要素が比較例２及び３よりも薄いためであると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】本実施形態に係る磁気記録媒体の加工出発体である被加工体の構造を模式的に示す側断面図
【図２】同被加工体を加工して得られる磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図３】同磁気記録媒体を加工するための製造装置の構造を模式的に示すブロック図
【図４】同製造装置に備えられたホルダの構造の概略を示す斜視図
【図５】同製造装置に備えられた反応性イオンエッチング装置の構造を模式的に示す側面図
【図６】同製造装置に備えられたイオンビームエッチング装置の構造を模式的に示す側面図
【図７】磁気記録媒体の製造工程を示すフローチャート
【図８】レジスト層に分割パターンが転写された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図９】溝底面のレジスト層が除去された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１０】凹部底面の第２のマスク層が除去された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１１】溝底面の第１のマスク層が除去された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１２】分割記録要素が形成された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１３】分割記録要素上から第１のマスク層が除去された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１４】分割記録要素の間に非磁性体が充填された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１５】分割記録要素及び非磁性体の表面が平坦化された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１６】本発明の実施例の磁気記録ディスクの分割記録要素の形状を拡大して示す顕微鏡写真
【図１７】同磁気記録ディスク及び比較例１の磁気記録ディスクの端部からの距離と連続記録層のエッチングレートとの関係を示すグラフ
【図１８】同磁気記録ディスクのＭＦＭ像
【図１９】比較例１の磁気記録ディスクのＭＦＭ像
【図２０】比較例２の磁気記録ディスクの分割記録要素の形状を拡大して示す顕微鏡写真
【図２１】比較例３の磁気記録ディスクの分割記録要素の形状を拡大して示す顕微鏡写真
【図２２】従来のドライエッチングによる分割記録要素の周縁部への段部の形成過程を模式的に示す側断面図
【図２３】従来のドライエッチングによる側面がテーパ形状の分割記録要素の形成過程を模式的に示す側断面図
【符号の説明】
【０１２８】
１０…被加工体
１２…ガラス基板
１４…下地層
１６…軟磁性層
１８…配向層
２０…連続記録層
２２…第１のマスク層
２４…第２のマスク層
２６…レジスト層
３０…磁気記録媒体
３１…分割記録要素
３２…非磁性体
３３…溝部
３４…保護層
３６…潤滑層
３８…隔膜
４０…磁気記録媒体の製造装置
４２…転写手段
４４、５２…アッシング装置
４６、４８…反応性イオンエッチング装置
５０…イオンビームエッチング装置
５４…ドライ洗浄手段
５６…隔膜形成手段
５８…非磁性体充填手段
６０…平坦化手段
６２…保護層形成手段
６４…潤滑層形成手段
６６…真空保持手段
６８…ホルダ
７０…真空槽
７２…真空ポンプ
Ｓ１０２…レジスト層加工工程
Ｓ１０４…第２のマスク層加工工程
Ｓ１０６…レジスト層除去工程、兼第１のマスク層加工工程
Ｓ１０８…連続記録層加工工程
Ｓ１１０…第１のマスク層除去工程
Ｓ１１２…ドライ洗浄工程
Ｓ１１４…隔膜形成工程
Ｓ１１６…非磁性体充填工程
Ｓ１１８…平坦化工程
Ｓ１２０…保護層形成工程
Ｓ１２２…潤滑層形成工程
【図１】
2005050468.tif 000004
【図２】
2005050468.tif 000005
【図３】
2005050468.tif 000006
【図４】
2005050468.tif 000007
【図５】
2005050468.tif 000008
【図６】
2005050468.tif 000009
【図７】
2005050468.tif 000010
【図８】
2005050468.tif 000011
【図９】
2005050468.tif 000012
【図１０】
2005050468.tif 000013
【図１１】
2005050468.tif 000014
【図１２】
2005050468.tif 000015
【図１３】
2005050468.tif 000016
【図１４】
2005050468.tif 000017
【図１５】
2005050468.tif 000018
【図１７】
2005050468.tif 000019
【図２２】
2005050468.tif 000020
【図２３】
2005050468.tif 000021
【図１６】
2005050468.tif 000022
【図１８】
2005050468.tif 000023
【図１９】
2005050468.tif 000024
【図２０】
2005050468.tif 000025
【図２１】
2005050468.tif 000026