(57)【要約】【課題】  液晶を挟持する一対の基板の電極材料が互いに異なる場合において、フリッカの発生を十分に抑制できるようにする。【解決手段】  互いに電極材料の異なる電極９及び電極２３を備えた基板１０，基板２０によって液晶層５０を挟持してなる液晶装置１００において、両基板に比誘電率の異なる配向膜３１，２１を形成する。この際、比誘電率が相対的に大きい配向膜を液晶界面の仕事関数が相対的に小さい電極の表面に形成する。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を備えた一対の基板の間に液晶層を挟持してなる液晶装置であって、
少なくとも一方の電極の表面に、両基板に備えられた電極の液晶界面における仕事関数の差を小さくするような仕事関数調整層が設けられたことを特徴とする、液晶装置。
【請求項２】
上記仕事関数調整層が無機材料からなることを特徴とする、請求項１記載の液晶装置。
【請求項３】
上記仕事関数調整層が、両基板の電極の表面に設けられた一対の配向膜からなり、該一対の配向膜の内、相対的に仕事関数の小さい電極の表面に設けられた第１の配向膜の比誘電率がもう一方の第２の配向膜の比誘電率よりも大きく構成されたことを特徴とする、請求項１又は２記載の液晶装置。
【請求項４】
上記第１の配向膜が、斜方蒸着膜からなる第１の膜と、該第１の膜よりも比誘電率の大きい第２の膜とを含むことを特徴とする、請求項３記載の液晶装置。
【請求項５】
上記第１の膜がＳｉＯｘからなることを特徴とする、請求項４記載の液晶装置。
【請求項６】
上記第２の膜がＴｉＯｘからなることを特徴とする、請求項４又は５記載の液晶装置。
【請求項７】
上記第２の膜がＡＬ酸化物からなることを特徴とする、請求項４又は５記載の液晶装置。
【請求項８】
上記一対の基板は枠状に設けられたシール材を介して対向しており、上記第１の膜は上記シール材の枠内の領域に該シール材に掛からないように設けられたことを特徴とする、請求項４〜７のいずれかの項に記載の液晶装置。
【請求項９】
両電極の内、いずれか一方の電極が反射電極として構成されたことを特徴とする、請求項１〜８のいずれかの項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
上記一対の基板の内、いずれか一方の基板がスイッチング素子を備えた素子基板からなることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかの項に記載の液晶装置。
【請求項１１】
上記一対の基板の内、いずれか一方の基板がシリコン基板からなることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかの項に記載の液晶装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかの項に記載の液晶装置を光変調手段として備えたことを特徴とする、投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、投射型表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電極の一方をＡｌ等の反射電極とした反射型の液晶装置が知られている。
【特許文献１】特開平１０−２０６８４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、上述のような反射型の液晶装置ではフリッカが生じ易く、十分な表示特性が得られないという問題があった。フリッカを解消する方法としては、例えば駆動を調節して上下基板間の電位のバランスをとる方法が考えられるが、フリッカの大きさは温度等にも依るため調節が難しい。また、この方法では別途補償用の回路が必要になるため、コストも嵩んでしまう。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、簡素な構成でフリッカの発生を十分に防止できるようにした液晶装置、並びにこの液晶装置を備えた投射型表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記の課題を解決するため、本発明の液晶装置は、電極を備えた一対の基板の間に液晶層を挟持してなる液晶装置であって、少なくとも一方の電極の表面に、両基板に備えられた電極の液晶界面における仕事関数の差を小さくするような仕事関数調整層が設けられたことを特徴とする。
本発明者は、上述のフリッカの発生原因として、液晶層と接する上下の電極の仕事関数の違いに着目した。すなわち、上述した従来の液晶装置では、一方の基板にＩＴＯ等の透明電極が形成され、他方の基板にＡｌ等の反射電極が形成されており、両電極の液晶界面の仕事関数には大きな差が生じている。このような仕事関数の違いは、両電極のコモン電位にずれを生じさせ、フリッカの原因となる。本発明では、仕事関数調整層によって両電極の液晶界面における仕事関数の不均衡を解消できるため、フリッカのない表示が可能となる。特に本発明では電極表面の電気的特性（液晶界面の仕事関数の大きさ）を直接改善しているので、駆動を調節した場合のように温度が変化してもコモン電位に変動は生じず、常に安定した表示特性が得られる。なお、本発明では、上記仕事関数調整層は無機材料からなることが好ましい。一般に無機材料は有機材料に比べて比誘電率が大きいため、仕事関数調整層に無機材料を用いることで、仕事関数の調節幅が広がり、調整が容易となる。
【０００５】
ところで、上記仕事関数調整層の具体的な形態としては、上記仕事関数調整層が、両基板の電極の表面に設けられた一対の配向膜からなり、該一対の配向膜の内、相対的に仕事関数の小さい電極の表面に設けられた第１の配向膜の比誘電率がもう一方の第２の配向膜の比誘電率よりも大きく構成されたものを用いることができる。この形態では、仕事関数調整層が配向膜として兼用されるため、装置構成が簡略化される。
【０００６】
また、上記形態では、上記第１の配向膜が、斜方蒸着膜からなる第１の膜と、該第１の膜よりも比誘電率の大きい第２の膜とを含む構成とすることができる。このように第１の配向膜を多層構造とすることで、液晶の配向制御力及び仕事関数の調整力の双方に優れた配向膜を得ることができる。なお、第１の膜と第２の膜の積層順序は任意に決めることができるが、第２の膜を第１の膜の上に形成する場合には、第１の膜の凹凸面によって生じる配向制御力を損なわないように、この第２の膜の表面に第１の膜の表面形状を反映した凹凸形状が形成されるようにすることが望ましい。また、上記第１の膜としてはＳｉＯｘが好適であり、第２の膜としてはＴｉＯｘやＡｌＯｘ（Ａｌ酸化物）等が好適である。
【０００７】
また、上記形態では、上記一対の基板は枠状に設けられたシール材を介して対向しており、上記第１の膜は上記シール材の枠内の領域に該シール材に掛からないように設けられたものを用いることができる。このようにシール材を第１の膜の外側に離して配置することで、シール材からの不純物による第１の膜の汚染を防止し、配向の信頼性を高めることが可能となる。
【０００８】
なお、電極表面の仕事関数の大きさは、その電極の材料、及び、電極の下層側の構造に依って影響される。例えば、いずれか一方の電極を反射電極として構成した場合（即ち、一方の電極がＡｌやＡｇ等の相対的に仕事関数の小さい導電材料からなり、他方の電極がＩＴＯ等の相対的に仕事関数の大きい導電材料からなる場合）には、両電極の仕事関数差によってコモン電位にずれが生じる。また、電極材料が双方の基板で同じであっても、いずれか一方の基板がスイッチング素子を備えた素子基板からなる場合（即ち、一方の基板がＴＦＴや回路配線等を備えた素子基板からなり、他方の基板が単にベタ電極を形成しただけの対向基板からなる場合）には、両電極の液晶界面における仕事関数に若干の差が生じる。このため、このような構成に対して本発明を適用すれば、本発明の効果をよりよく発揮することができる。
また本発明は、ガラス基板等の絶縁基板を用いた液晶装置に限らず、シリコン基板等の半導体基板を素子基板としたＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）と呼ばれる液晶装置に対しても適用することができる。
【０００９】
また、本発明の投射型表示装置は上述の液晶装置を光変調手段として備えたことを特徴とする。これにより、高品質且つ安定な投射表示を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
［液晶装置］
以下、図面を参照しながら、本発明の液晶装置について説明する。
本実施の形態では、投射型表示装置のライトバルブに用いるアクティブマトリクス方式の液晶装置（液晶ライトバルブ）の例を挙げて説明する。
図１は本実施形態の液晶装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図、図３はシール部周辺の構成を拡大した断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。なお、本明細書において液晶装置を構成する各部材の液晶層側の面を「内面」、それと反対側の面を「外面」という。
【００１１】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが矩形枠状に設けられたシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２には液晶注入用の注入口５５が形成されており、該液晶注入口５５は封止材５４により封止されている。なお、対向基板２０の内面側には対向電極２３が形成され、ＴＦＴアレイ基板１０の内面側には画素電極９が形成されている。
【００１２】
シール材５２の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成される一方、シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４の間を接続するための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。
【００１３】
なお、液晶装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわちＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、ＶＡＮ（Vertical Alignment Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。さらに、液晶装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の各画素電極９に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００１４】
次に、液晶装置１００の要部構成について説明する。図３は、液晶装置１００の非画素領域（シール材５２の外側領域）及びシール材５２の形成領域周辺について、その断面を拡大して示す模式図である。
図３に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、矩形枠状に配されたシール材５２を介して対向する一対の基板１０，２０の間に液晶層５０を挟持した構成をなしている。
【００１５】
ＴＦＴアレイ基板１０には、画素スイッチング素子としてのＴＦＴや、前述の走査線駆動回路１０４，データ線駆動回路２０１等の回路部が形成されており、更に、各画素に対応して複数の画素電極９がマトリクス状に配列形成されている。この基板１０及び画素電極９の材料としては公知のものを用いることができる。例えば透過型の液晶装置では、基板１０としてガラス，石英，プラスチック等の透光性基板を用いることができ、画素電極９としてはＩＴＯ等の透光性導電材料を用いることができる。一方、反射型の液晶装置の場合には、基板１０としてガラス，石英，プラスチック等の透光性基板の他、シリコン基板等の半導体基板を用いることができ、画素電極９としてはＡｌやＡｇ等の高反射率の金属材料を用いることができる。また、画素電極９と基板との間に別途反射膜を形成した場合には、画素電極９にはＩＴＯ等の透光性導電材料を用いることができる。なお、画素電極９をＡｌ等の金属膜によって構成した場合、この画素電極９は反射電極として機能することになる。
【００１６】
一方、対向基板２０には、各画素に共通の対向電極（共通電極）２３が基板全面に形成されている。この基板２０及び対向電極２３には光透過性が求められるため、基板２０には、ガラス，石英，プラスチック等の透光性基板を用いられ、対向電極２３には、ＩＴＯ等の透光性導電材料が用いられる。
【００１７】
そして、このように構成された基板１０，２０の表面には、それぞれＳｉＯｘ，ＴｉＯｘ，ＡｌＯｘ等の無機材料からなる無機配向膜３１，２１が形成されている。この配向膜３１，２１は本発明の仕事関数調整層として機能するものであり、各配向膜の材料，膜厚，膜構造等は、両基板の電極材料や、電極の下層側の構造等に応じて最適に設計されている。例えば画素電極９をＩＴＯ等よりも仕事関数の小さいＡｌやＡｇ等によって構成した場合には、両電極９，２３の仕事関数の違いによってコモン電位にずれが生じる。このため、この場合には、両電極９，２３の液晶界面における仕事関数を等しくする（又は、仕事関数差を小さくする）ために、仕事関数の小さい画素電極９側に配される配向膜（第１の配向膜）３１は、対向電極２３側の配向膜（第２の配向膜）２１よりも相対的に比誘電率の大きい材料によって構成される。また、画素電極９と対向電極２３の電極材料が同じであっても、一方の基板がスイッチング素子を備えた素子基板であれば、両電極の下層側の構造の違いに応じて、両電極の液晶界面の仕事関数の大きさに若干の差ができる。例えば、本例のようなアクティブマトリクス型の液晶装置では、素子基板側の電極９の方が、対向基板側の電極２３よりも仕事関数は若干小さくなる。したがって、この場合にも、画素電極９側の配向膜３１が、対向電極２３側の配向膜（第２の配向膜）２１よりも相対的に比誘電率の大きい材料によって構成されることになる。
【００１８】
本例では例えば、対向基板側の配向膜（第２の配向膜）２１をＳｉＯ２等の斜方蒸着膜とし、ＴＦＴアレイ基板側の配向膜（第１の配向膜）３１を、ＳｉＯ２等の斜方蒸着膜からなる第１の膜と、この第１の膜よりも比誘電率の大きい第２の膜とを含む多層膜としている。こうすることで、配向膜３１に液晶配向機能（即ち、斜方蒸着膜のカラムの形状）を付与しつつ、この配向膜３１を対向基板側の配向膜２１よりも比誘電率の大きい膜とすることができる。例えば図３では、配向膜３１は、液晶層５０側に配置されたＳｉＯ２からなる第１の膜３１ａと、基板１０側に配置されたＴｉＯ２からなる第２の膜３１ｂとの２層構造をなす。なお、第１の膜と第２の膜の形成順序は任意に決めることができ、ＴｉＯ２等からなる第２の膜をＳｉＯ２等からなる第１の膜の上に形成することも可能である。ただしこの場合、第２の膜によって第１の膜の表面の凹凸形状（カラムの形状）が平坦化されないようにする必要がある。具体的には、第２の膜の膜厚を数ｎｍ程度とし、第２の膜の表面に第１の膜の表面形状を反映した凹凸形状が形成されるようにすればよい。
【００１９】
なお、配向膜３１，２１はそれぞれの基板の中央部（即ち、画像表示領域）にパターン形成されており、各配向膜３１，２１は、シール材からの不純物による汚染を防止するために、シール材５２の枠内の領域に当該シール材５２に掛からないように設けられている。
【００２０】
以上説明したように、本実施形態では両基板の電極９，２３を覆う配向膜３１，２１の比誘電率を異ならせて両電極９，２３の液晶界面の仕事関数の大きさを等しく（又は、仕事関数差を小さく）しているため、フリッカのない表示が可能となる。特に本実施形態では、電極の仕事関数を直接調整しているので、駆動を調節した場合のように温度が変化してもコモン電位に変動は生じず、常に安定した表示特性が得られる。また、本実施形態では、配向膜を比誘電率の大きい無機材料によって構成して仕事関数の調節と配向膜とを兼ねているので、プロセス上容易になる。
【００２１】
また、本実施形態では、シール材５２を配向膜３１，２１の外側に一定の距離だけ離して配置しているため、配向信頼性の高い液晶装置が得られる。なお本例では、配向膜３１の第１の膜３１ａ及び第２の膜３１ｂの双方をパターニングしたが、配向に直接寄与しない、或いは、配向を補助するだけの第２の膜３１ｂは必ずしもパターニングする必要はなく、基板全面にベタで形成してもよい。
【００２２】
［実施例１］
次に、本発明の第１の実施例について説明する。
本実施例では、以下の手順により本発明に係るＬＣＯＳ型の液晶装置を作製した。
まず、シリコン基板上にＡｌをスパッタし、パターニングによりＡｌ電極（反射電極）を形成する。次に、このＡｌ電極の形成された基板の表面に、蒸着又はスパッタによりＴｉＯ２膜を５０ｎｍ成膜し、続いて、このＴｉＯ２膜の上にＳｉＯ２を仰角５０°の角度から打ち込む（斜方蒸着）。この斜方蒸着膜の厚みは１０ｎｍとする。一方、このシリコン基板とは別に、内面側にＩＴＯ電極の形成されたガラス基板を用意し、ＩＴＯ電極上にＳｉＯ２を斜方蒸着する。この斜方蒸着膜は１８ｎｍとする。次に、これらの基板をシール材によって貼り合わせて空セルを作製し、この空セルの中に誘電異方性が負の液晶を注入する。以上により、本発明に係る反射型の液晶装置が作製される。
また、同様の方法により、比較用の液晶装置を作製した。この比較用の液晶装置は、Ａｌ電極上にＴｉＯ２が形成されない点を除いて、上記本発明の液晶装置の構成と同じである。
次に、これらの液晶装置の中心電位差（コモン電位のずれ）を測定した。この結果、比較用の液晶装置ではＡｌ電極とＩＴＯ電極との間でコモン電位に５００ｍＶのずれが生じるのに対して、本発明の液晶装置では、これが２００ｍＶまで低減された。
【００２３】
［実施例２］
次に、本発明の第２の実施例について説明する。
本実施例では、以下の手順により本発明に係る反射型の液晶装置を作製した。
まず、シリコン基板上にＡｌをスパッタし、パターニングによりＡｌ電極（反射電極）を形成する。次に、このＡｌ電極の形成された基板の表面に、ＳｉＯ２を１０ｎｍだけ斜方蒸着し、続いて、この斜方蒸着膜の上に、蒸着又はスパッタによりＴｉＯ２膜を５ｎｍ成膜する。一方、このシリコン基板とは別に、内面側にＩＴＯ電極の形成されたガラス基板を用意し、ＩＴＯ電極上にＴｉＯ２を斜方蒸着する。この斜方蒸着膜は２０ｎｍとする。次に、これらの基板をシール材によって貼り合わせて空セルを作製し、この空セルの中に誘電異方性が負の液晶を注入する。以上により、本発明に係る反射型の液晶装置が作製される。
次に、この液晶装置の中心電位差（コモン電位のずれ）を測定した。この結果、本発明の液晶装置では、コモン電位のずれが１００ｍＶまで低減された。
【００２４】
［実施例３］
次に、本発明の第３の実施例について説明する。
本実施例では、以下の手順により本発明に係る反射型の液晶装置を作製した。
まず、シリコン基板上にＡｌをスパッタし、パターニングによりＡｌ電極（反射電極）を形成する。この際、Ａｌ電極に液晶配向制御用のスリットを形成する。次に、このＡｌ電極の形成された基板の表面にＴｉＯ２を蒸着又はスパッタし、続いて、このＴｉＯ２膜の上に、珪素酸を含む無機液体をスピンコートで成膜し、焼成によりＳｉＯ２膜とする。一方、このシリコン基板とは別に、内面側にＩＴＯ電極の形成されたガラス基板を用意し、ＩＴＯ電極上にＳｉＯ２を斜方蒸着する。次に、これらの基板をシール材によって貼り合わせて空セルを作製し、この空セルの中に誘電異方性が負の液晶を注入する。以上により、本発明に係る反射型の液晶装置が作製される。
次に、この液晶装置の中心電位差（コモン電位のずれ）を測定した。本例でも、コモン電位のずれは１００ｍＶまで低減された。なお、本例では、シリコン基板側の膜には斜方蒸着膜は含まれないが、ガラス基板側に斜方蒸着膜を形成しているため、配向制御は可能である。
【００２５】
［実施例４］
次に、本発明の第４の実施例について説明する。
本実施例では、以下の手順により本発明に係る透過型の液晶装置を作製した。
まず、ｐ−ＳｉＴＦＴの形成されたガラス基板（ＴＦＴアレイ基板）上にＩＴＯを成膜し、パターニングによりＩＴＯ電極を形成する。次に、このＩＴＯ電極の形成された基板の表面に、ＳｉＯ２を１０ｎｍだけ斜方蒸着し、続いて、この斜方蒸着膜の上に、蒸着又はスパッタによりＴｉＯ２膜を１ｎｍ成膜する。一方、このＴＦＴアレイ基板とは別に、内面側にＩＴＯ電極の形成されたガラス基板（対向基板）を用意し、この対向基板側のＩＴＯ電極上にＳｉＯ２を斜方蒸着する。この斜方蒸着膜は２０ｎｍとする。次に、これらの基板をシール材によって貼り合わせて空セルを作製し、この空セルの中に誘電異方性が負の液晶を注入する。以上により、本発明に係る透過型の液晶装置が作製される。
また、同様の方法により、比較用の液晶装置を作製した。この比較用の液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板側のＩＴＯ電極上にＴｉＯ２が形成されない点を除いて、上記本発明の液晶装置の構成と同じである。
次に、この液晶装置の中心電位差（コモン電位のずれ）を測定した。この結果、比較用の液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板側のＩＴＯ電極と対向基板側のＩＴＯ電極との間でコモン電位に若干のずれが生じていた。つまり、両基板の電極材料が同じ場合であっても、両基板で電極の下層側の構成が異なるため、両電極の液晶界面の仕事関数に若干の不均衡が生じたものと考えられる。これに対して、本発明に係る液晶装置では、コモン電位のずれがなく、フリッカが全く生じなかった。
【００２６】
［投射型表示装置］
次に、上述の液晶装置を用いた電子機器の一例として、投射型液晶表示装置（液晶プロジェクタ）について説明する。
図４は、液晶プロジェクタの概略構成を示す図である。この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によって赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。
【００２７】
ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した実施の形態に係る液晶装置と同様であり、画像信号を入力する処理回路（図示省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。また、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３および出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【００２８】
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム１１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。このようにして、各色の画像が合成された後、スクリーン１１２０には、投射レンズ１１１４によってカラー画像が投射されることとなる。
本実施形態の投射型表示装置は、上記実施形態の液晶装置を光変調手段として備えたことによって、高品質且つ安定な投射表示を実現することができる。
【００２９】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
例えば、上記実施形態では、本発明の投射型表示装置を透過型のプロジェクタとして説明したが、ライトバルブに反射型の液晶装置を用いることで、反射型のプロジェクタとすることもできる。この場合、ライトバルブとなる液晶装置には、通常のガラス基板を用いたものの他に、基板にシリコン基板を用いたＬＣＯＳと呼ばれる構造のものを用いることもできる。
また、上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の液晶装置の一例を示す平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図。
【図３】同、液晶装置のシール材周辺部を拡大して示す断面図。
【図４】本発明の投射型表示装置の一例を示す模式図。
【符号の説明】
【００３１】
９・・・画素電極、１０・・・ＴＦＴアレイ基板（素子基板）、２０・・・対向基板、２１・・・第２の配向膜、２３・・・対向電極、３１・・・第１の配向膜、３１ａ・・・第１の膜、３１ｂ・・・第２の膜、５０・・・液晶層、５２・・・シール材、１００，１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ・・・液晶装置、１１００・・・投射型表示装置
【図１】
2005181829.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005181829.tif 000005
【図４】
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