(57)【要約】【課題】  希土類−遷移金属非晶質合金膜における希土類金属の垂直磁気異方性を改善することができ、磁性記録膜に微細なマークを安定的に記録することが可能となり、情報記録媒体の高密度化を図ることができる。【解決手段】  磁性膜と下地膜とを含み、上記磁性膜が上記下地膜の上に形成されている情報記録媒体であって、上記磁性膜が希土類金属と遷移金属とを含み、上記下地膜に接する上記希土類金属の結晶面の原子間距離と、上記磁性膜に接する上記下地膜の結晶面の原子間距離との差が、それぞれの原子間距離に対して１０％以内で整合し、さらに上記磁性膜が希土類−遷移金属非晶質合金からなり、上記希土類金属が六方稠密構造を有し、上記下地膜が立方晶構造を有する情報記録媒体とする。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性膜と下地膜とを含み、前記磁性膜が前記下地膜の上に形成されている情報記録媒体であって、
前記磁性膜が、希土類金属と遷移金属とを含み、
前記下地膜に接する前記希土類金属の結晶面の原子間距離と、最も整合する前記磁性膜に接する前記下地膜の結晶面の原子間距離との差が、それぞれの原子間距離に対して１０％以内の箇所があることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
前記磁性膜が希土類−遷移金属非晶質合金からなり、前記希土類金属が六方稠密構造を有し、前記下地膜が立方晶構造を有する請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記希土類金属の結晶構造のｃ軸の格子定数をｃ（ｈｃｐ）で表し、前記下地膜の結晶構造のａ軸の格子定数をａ（ｂｃｃ）で表すとき、
√２×ａ（ｂｃｃ）と、ｃ（ｈｃｐ）との差が、それぞれに対して１０％以内である請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記希土類金属の結晶構造のａ軸の格子定数をａ（ｈｃｐ）、ｃ軸の格子定数をｃ（ｈｃｐ）で表し、前記下地膜の結晶構造のａ軸の格子定数をａ（ｂｃｃ）で表すとき、
２×ａ（ｂｃｃ）と、√（ｃ（ｈｃｐ）2＋ａ（ｈｃｐ）2×３）との差が、それぞれに対して１０％以内である請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記希土類金属が、テルビウムおよびジスプロシウムから選ばれるいずれか一つの金属である請求項１〜４のいずれかに記載の情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報を熱磁気的に記録する光磁気媒体あるいは磁気的に記録する磁気媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の高度情報化社会の進展に伴い、情報記録媒体の記録密度のさらなる向上が要求されている。高密度記録に適する情報記録媒体としては、磁気媒体と光磁気媒体とがあり、いずれも磁性膜を用いた記録媒体である。
【０００３】
従来、磁気媒体の記録密度を上げるために、磁性膜の薄膜化や磁性結晶粒径の微細化が行われている。しかし、磁性膜の薄膜化では保磁力が低下し、磁性結晶粒径の微細化では熱の影響を受け易くなり、いずれも記録情報の安定性に悪影響を与える。これを改善するために、磁性膜の下に体心立方構造（ｂｃｃ構造）を有する下地膜を設け、Ｃｏ基合金からなる面内磁性膜の保磁力を改善する方法が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３参照。）。また、面内磁化膜よりも高密度化に有利な垂直磁化膜に対して、六方稠密構造（ｈｃｐ構造）の下地膜を設け、その垂直磁気異方性を改善する方法も提案されている（例えば、特許文献４参照。）。
【０００４】
一方、光磁気媒体の高密度化のために記録マークの微小化が行われているが、記録マークの微小化には、垂直磁化膜の磁気異方性が高いことが重要であり、磁性膜の下に（００１）面を配向させた下地膜を設け、磁性膜の結晶質記録層のｃ軸を揃えて垂直磁気異方性を改善する方法が提案されている（例えば、特許文献５参照）。
【特許文献１】特開平６−２５９７４３号公報
【特許文献２】特開平７−１３４８２０号公報
【特許文献３】特開２０００−９９９３５号公報
【特許文献４】特開平１０−２７５３２０号公報
【特許文献５】特開平５−２４２５３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
現在、光磁気媒体で一般的に用いられている垂直磁化膜は、希土類−遷移金属非晶質合金からなり、例えばＴｂＦｅＣｏ膜である。磁気媒体で現在主流のＣｏ基合金からなる面内磁化膜の代わりにこの垂直磁化膜を用いることで、より高密度な磁気媒体を実現できる可能性がある。また、ＴｂＦｅＣｏ膜は結晶粒のない連続膜であるため、粒径の微細化に伴う熱揺らぎに対して耐性が強いという特徴もある。
【０００６】
しかし、現在のＴｂＦｅＣｏ膜の垂直磁気異方性は、１．５×１０6ｅｒｇ／ｃｍ3程度であり、磁気媒体に用いる記録膜の薄膜化による保磁力の低下に十分に対応できない。また、光磁気媒体においても、１００ｎｍ以下の微小マークの記録に対して、磁壁幅の点からもさらなる垂直磁気異方性の向上が必要である。
【０００７】
本発明は、磁気媒体、光磁気媒体などの記録膜に用いられるの希土類−遷移金属非晶質合金膜などの垂直磁気異方性の改善を図るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、磁性膜と下地膜とを含み、前記磁性膜が前記下地膜の上に形成されている情報記録媒体であって、前記磁性膜が、希土類金属と遷移金属とを含み、前記下地膜に接する前記希土類金属の結晶面の原子間距離と、最も整合する前記磁性膜に接する前記下地膜の結晶面の原子間距離との差が、それぞれの原子間距離に対して１０％以内の箇所があることを特徴とする情報記録媒体を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の情報記録媒体は、上記構成を備えることにより、希土類−遷移金属非晶質合金膜などにおける希土類金属の垂直磁気異方性を改善することができ、磁性記録膜に微細なマークを安定的に記録することが可能となり、情報記録媒体の高密度化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の情報記録媒体の一例は、磁性膜と下地膜とを含み、上記磁性膜が上記下地膜の上に形成されている情報記録媒体であって、上記磁性膜が希土類金属と遷移金属とを含み、上記下地膜に接する上記希土類金属の結晶面の原子間距離と、上記磁性膜に接する上記下地膜の結晶面の最も整合する原子間距離との差が、それぞれの原子間距離に対して１０％以内であることを特徴とする。
【００１１】
上記範囲内であれば、下地膜の上に良好にエピタクシャル成長した領域が形成され、垂直磁気異方性の高い垂直磁化膜を形成できる。
【００１２】
また、上記磁性膜は希土類−遷移金属非晶質合金からなり、上記希土類金属は六方稠密構造を有し、上記下地膜は立方晶構造を有することが好ましい。上記立方晶構造には、体心立方構造と面心立方構造とが含まれる。
【００１３】
遷移金属（例えば、Ｃｏ金属）は、六方稠密構造であり、その膜は（０００１）面が膜面に平行に配向し、膜面に垂直のｃ軸方向が磁化容易軸となるが、飽和磁化（Ｍｓ）の値が大きく、その影響が垂直磁気異方性エネルギー（Ｋｕ）より上回るので（Ｋｕ＜２πＭｓ2）、一般的には面内磁化膜である。ここで、希土類−遷移金属非晶質合金膜とすることで、組成によってＭｓの値が調整されて垂直磁化膜となる。一方、希土類金属（例えば、Ｔｂ金属）も六方稠密構造であるが、磁化容易軸はｃ面内にある。希土類−遷移金属非晶質合金膜中では、希土類金属は遷移金属とフェリ的に交換結合し、組成によって垂直磁化膜となる。
【００１４】
すなわち、希土類−遷移金属非晶質合金膜（例えば、ＴｂＦｅＣｏ膜）は、結晶ではないため局所的には希土類金属原子（例えば、Ｔｂ原子）の磁気モーメントが垂直に向いていない個所があることが推測される。ここで、希土類−遷移金属非晶質合金膜（磁性膜）の下に下地膜を設け、上記下地膜に接する上記希土類金属の結晶面の原子間距離と、上記磁性膜に接する上記下地膜の結晶面の原子間距離との差をそれぞれに対して３５％以内にすることにより、希土類金属（例えば、Ｔｂ金属）のみのｃ軸を面内にすることができ、希土類金属（例えば、Ｔｂ金属）の磁気モーメントが垂直方向を向いた局所領域が増加し、磁性膜の本質的な垂直磁気異方性が向上するものである。
【００１５】
上記希土類金属としては、例えば、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）などを用いることができ、上記下地膜は、例えば、プラセオジム（Ｐｒ）、ナトリウム（Ｎａ）などの金属を含むことができる。
【００１６】
また、上記希土類−遷移金属非晶質合金としては、例えば、ＴｂＦｅＣｏアモルファス合金、ＤｙＦｅＣｏアモルファス合金、ＴｂＤｙＦｅＣｏアモルファス合金、ＴｂＧｄＦｅＣｏアモルファス合金などが挙げられる。
【００１７】
次に、本発明の実施の形態を図面に基づき具体的に説明する。
【００１８】
図１は体心立方構造（ｂｃｃ構造）の（１１０）面と（１００）面とを示す図であり、図２は六方稠密構造（ｈｃｐ構造）の（０１-１０）面と（１１-２０）面とを示す図である。
【００１９】
（実施形態１）
図３は、ｂｃｃ構造の（１１０）面とｈｃｐ構造の（０１-１０）面との整合を示す図である。図３では、ｂｃｃ構造の（１１０）面をｂｃｃ（１１０）と、ｈｃｐ構造の（０１-１０）面をｈｃｐ（０１-１０）と表示し、ｂｃｃ（１１０）とｈｃｐ（０１-１０）とが接している状態を表している。また、ｂｃｃ構造のａ軸の格子定数をａ（ｂｃｃ）と、ｈｃｐ構造のａ軸の格子定数をａ（ｈｃｐ）と、ｈｃｐ構造のｃ軸の格子定数をｃ（ｈｃｐ）と表示している。
【００２０】
ここで、ｈｃｐ（０１-１０）のａ（ｈｃｐ）、ｃ（ｈｃｐ）と整合するｂｃｃ（１１０）の原子間距離は、それぞれａ（ｂｃｃ）、√２×ａ（ｂｃｃ）であることが、図３から分かる。より具体的には、ａ（ｈｃｐ）とａ（ｂｃｃ）との差は、それぞれに対して１５％以内であればよい。さらに、√２×ａ（ｂｃｃ）とｃ（ｈｃｐ）との差が、それぞれに対して１５％以内となる。
【００２１】
そこで、本実施形態では、磁性膜としてはＴｂＦｅＣｏ膜を用い、下地膜としてはｂｃｃ構造を有するＰｒ金属膜を用いた。ｂｃｃ構造のＰｒは（１１０）面が配向し易い性質があり、また、ＴｂはＰｒの結晶面の上にエピタクシャル成長する性質がある。ここで、Ｐｒの結晶面（ｂｃｃ（１１０））に接するＴｂの結晶面（ｈｃｐ（０１-１０））のａ（ｈｃｐ）軸は、３．６０Åである。また、Ｔｂの結晶面（ｈｃｐ（０１-１０））に接するＰｒの結晶面（ｂｃｃ（１１０））のａ（ｂｃｃ）軸は、４．１３Åである。そして、それらの原子間距離の差はそれぞれに対して１５％以内となりほぼ一致する。
【００２２】
また、上記Ｔｂの結晶構造のｃ軸の格子定数ｃ（ｈｃｐ）は５．６９Åであり、Ｐｒの結晶構造のａ軸の格子定数ａ（ｂｃｃ）は４．１３Åである。従って、√２×ａ（ｂｃｃ）と、ｃ（ｈｃｐ）との差は、それぞれに対して１０％以内となる。これにより、磁性膜中のＴｂのｈｃｐ（０１-１０）と下地膜中のＰｒのｂｃｃ（１１０）とが整合することができる。
【００２３】
上記のような関係を有する材料を選択して磁性膜と下地膜とを構成することにより、磁性膜中の希土類金属の磁気モーメントを垂直方向に向けることができる。上記関係を満たせば、下地膜は金属膜でも誘電体膜でもいずれでもよい。
【００２４】
（実施形態２）
図４は、ｂｃｃ構造の（１００）面とｈｃｐ構造の（１１-２０）面との整合を示す図である。図４では、ｂｃｃ構造の（１００）面をｂｃｃ（１００）と、ｈｃｐ構造の（１１-２０）面をｈｃｐ（１１-２０）と表示し、ｂｃｃ（１００）とｈｃｐ（１１-２０）とが接している状態を表している。また、ｂｃｃ構造のａ軸の格子定数をａ（ｂｃｃ）と、ｈｃｐ構造のａ軸の格子定数をａ（ｈｃｐ）と、ｈｃｐ構造のｃ軸の格子定数をｃ（ｈｃｐ）と表示している。
【００２５】
ここで、ｈｃｐ（１１-２０）の√３×ａ（ｈｃｐ）、ｃ（ｈｃｐ）と整合するｂｃｃ（１００）の原子間距離は、√２×ａ（ｂｃｃ）であることが、図４から分かる。より具体的には、√３×ａ（ｈｃｐ）、ｃ（ｈｃｐ）と√２×ａ（ｂｃｃ）との差が、それぞれに対して１０％以内であればよい。
【００２６】
また、この場合図４から、２×ａ（ｂｃｃ）と√（ｃ（ｈｃｐ）2＋ａ（ｈｃｐ）2×３）とがほぼ一致することが分かる。より具体的には、２×ａ（ｂｃｃ）と√（ｃ（ｈｃｐ）2＋ａ（ｈｃｐ）2×３）との差が、それぞれに対して１０％以内となる。
【００２７】
そこで、本実施形態では、磁性膜としてはＴｂＦｅＣｏ膜を用い、下地膜としてはｂｃｃ構造を有するＮａ金属膜を用いた。ｂｃｃ構造のＮａは（１００）面が配向し易い性質があり、また、ＴｂはＮａの結晶面の上にエピタクシャル成長する性質がある。ここで、Ｎａの結晶面（ｂｃｃ（１００））に接するＴｂの結晶面（ｈｃｐ（１１-２０））のｃ（ｈｃｐ）軸は、５．６９Åである。また、Ｔｂの結晶面（ｈｃｐ（１１-２０））に接するＮａの結晶面（ｂｃｃ（１００））のａ（ｂｃｃ）軸は、４．２９Åである。そして、それらの上記原子間距離の差はそれぞれに対して１０％以内となりほぼ一致する。これにより、磁性膜中のＴｂのｈｃｐ（１１-２０）と下地膜中のＮａのｂｃｃ（１００）とが整合することができる。
【００２８】
また、上記Ｔｂの結晶構造のａ軸の格子定数ａ（ｈｃｐ）は３．６０Åであり、ｃ軸の格子定数ｃ（ｈｃｐ）は５．６９Åである。上記Ｎａの結晶構造のａ軸の格子定数ａ（ｂｃｃ）は４．２９Åである。従って、２×ａ（ｂｃｃ）と、√（ｃ（ｈｃｐ）2＋ａ（ｈｃｐ）2×３）との差は、それぞれに対して１０％以内となる。
【００２９】
上記のような関係を有する材料を選択して磁性膜と下地膜とを構成することにより、磁性膜中の希土類金属の磁気モーメントを垂直方向に向けることができる。上記関係を満たせば、下地膜は金属膜でも誘電体膜でもいずれでもよい。
【実施例１】
【００３０】
（実施例１）
本実施例では前述の実施形態１に対応するように、磁性膜としてはｈｃｐ構造を有するＴｂＦｅＣｏ膜を用い、下地膜としてはｂｃｃ構造を有するＰｒ金属膜を用いた試験用の積層膜を下記のように作製した。
【００３１】
先ず、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、縦３８ｍｍ、横２６ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのガラス基板上に、下地膜として厚さ１ｎｍのＰｒ金属膜を形成した。ターゲットにはＰｒ金属を用い、スパッタリングガスにはＡｒガスを用いた。ガス圧は１．５Ｐａとし、投入電力は１００Ｗとした。
【００３２】
次に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、上記下地膜の上に、磁性膜として厚さ２０ｎｍのＴｂＦｅＣｏ膜を形成した。ターゲットにはＴｂ金属とＦｅＣｏ合金を用い、スパッタリングガスにはＡｒガスを用いた。ガス圧は１．５Ｐａとし、投入電力はＴｂ金属には４５Ｗ、ＦｅＣｏ合金には２５０Ｗとした。
【００３３】
続いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、上記磁性膜の上に、保護膜として厚さ１０ｎｍのＳｉＮ膜を形成した。ターゲットにはＳｉを用い、スパッタリングガスにはＡｒガス／Ｎ2ガスを用いた。ガスの流量比はＡｒ：Ｎ2＝４０：２０ｓｃｃｍとし、ガス圧は０．３Ｐａとし、投入電力は０．５ｋＷとした。
【００３４】
（実施例２）
下地膜の厚さを３ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして本実施例の積層膜を作製した。
【００３５】
（実施例３）
下地膜の厚さを５ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして本実施例の積層膜を作製した。
【００３６】
（比較例１）
下地膜の厚さを０ｎｍとした（下地膜を設けなかった）以外は、実施例１と同様にして本比較例の積層膜を作製した。
【００３７】
以上のようにして得た実施例１〜３および比較例１の積層膜について、各積層膜の温度を変化させて、その飽和磁化（Ｍｓ）と保磁力（Ｈｃ）の大きさを、振動試料型磁化測定装置によって測定し、Ｍｓ×Ｈｃの温度特性を調べた。その結果を図５〜図７に示す。
【００３８】
図５〜図７から明らかなように、下地膜を設けた実施例１〜３では、下地膜を設けなかった比較例１に比べて、各温度におけるＭｓ×Ｈｃの値は高くなり、最大では１×１０7ｅｒｇ／ｃｍ3以上となった。また、実施例１〜３を比べると、下地膜の厚さが大きくなるにつれて、Ｍｓ×Ｈｃの値も増加することが分かる。
【００３９】
（実施例４）
Ｐｒ金属に代えてＮａ金属を用い、その投入電力を４０Ｗとした以外は、実施例１と同様にして本実施例の積層膜を作製した。
【００４０】
（実施例５）
下地膜の厚さを３ｎｍとした以外は、実施例４と同様にして本実施例の積層膜を作製した。
【００４１】
（実施例６）
下地膜の厚さを５ｎｍとした以外は、実施例４と同様にして本実施例の積層膜を作製した。
【００４２】
（比較例２）
下地膜の厚さを０ｎｍとした（下地膜を設けなかった）以外は、実施例４と同様にして本比較例の積層膜を作製した。
【００４３】
以上のようにして得た実施例４〜６および比較例２の積層膜について、各積層膜の温度を変化させて、その飽和磁化（Ｍｓ）と保磁力（Ｈｃ）の大きさを前述と同様にして測定し、Ｍｓ×Ｈｃの温度特性を調べた。その結果を図８〜図１０に示す。
【００４４】
図８〜図１０から明らかなように、下地膜を設けた実施例４〜６では、下地膜を設けなかった比較例２に比べて、各温度におけるＭｓ×Ｈｃの値は高くなり、最大では１×１０7ｅｒｇ／ｃｍ3以上となった。また、実施例４〜６を比べると、下地膜の厚さが大きくなるにつれて、Ｍｓ×Ｈｃの値も増加することが分かる。
【実施例２】
【００４５】
（実施例７）
本実施例では実施例１とほぼ同様に、磁性膜としてはｈｃｐ構造を有するＴｂＦｅＣｏ膜を用い、下地膜としてはｂｃｃ構造を有するＰｒ金属膜を用いた光磁気媒体（ディスク）を下記のように作製した。
【００４６】
先ず、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板上に、放熱膜として厚さ４０ｎｍのＡｇ合金膜を形成した。ターゲットにはＡｇ金属を用い、スパッタリングガスにはＡｒガスを用いた。ガス圧は０．１５Ｐａとし、投入電力は５００Ｗとした。
【００４７】
次に、上記Ａｇ合金膜の上に、実施例１と同様にして下地膜として厚さ５ｎｍのＰｒ金属膜を形成した。また、実施例１と同様にして上記下地膜の上に、磁性膜として厚さ２５ｎｍのＴｂＦｅＣｏ膜を形成した。続いて、実施例１と同様にして上記磁性膜の上に、保護膜として厚さ５０ｎｍのＳｉＮ膜を形成した。
【００４８】
（実施例８）
Ｐｒ金属に代えてＮａ金属を用いた以外は、実施例７と同様にして本実施例の光磁気媒体を作製した。
【００４９】
（比較例３）
Ｐｒ金属に代えてＣｒ金属を用いた以外は、実施例７と同様にして本比較例の光磁気媒体を作製した。
【００５０】
ｂｃｃ構造を有するＣｒは（１００）面が配向し易い性質がある。ここで、Ｃｒの結晶面（ｂｃｃ（１００））に接するＴｂの結晶面（ｈｃｐ（１１-２０））のｃ（ｈｃｐ）軸は、５．６９Åである。また、Ｔｂの結晶面（ｈｃｐ（１１-２０）に接するＣｒの結晶面（ｂｃｃ（１００））のａ（ｂｃｃ）軸は、２．８８Åである。そして、それらの値からｈｃｐ（１１-２０）とｂｃｃ（１００）とが１０％以内で整合する原子間距離はない。
【００５１】
また、上記Ｔｂの結晶構造のａ軸の格子定数ａ（ｈｃｐ）は３．６０Åであり、ｃ軸の格子定数ｃ（ｈｃｐ）は５．６９Åである。上記Ｃｒの結晶構造のａ軸の格子定数ａ（ｂｃｃ）は２．８８Åである。従って、２×ａ（ｂｃｃ）と、√（ｃ（ｈｃｐ）2＋ａ（ｈｃｐ）2×３）との差は、それぞれに対して１０％を超える。
【００５２】
次に、実施例７、実施例８および比較例３の光磁気媒体を用いて、ＭＯテスタで磁界変調を記録し、記録マークを磁気力顕微鏡で確認した。磁界変調記録の条件は、ＬＤ波長を４０５ｎｍ、対物レンズの開口数（ＮＡ）を０．８５としたＭＯテスタを用い、線速を１．５ｍ／ｓ、レーザーパルス比を４０％、記録磁場を２５０（Ｏｅ）、記録パワーを８ｍＷとした。
【００５３】
その結果、実施例７と実施例８では、３０ｎｍの微細マークの連続パターンが安定的に記録できていることが確認できた。しかし、比較例３では、１００ｎｍの連続マークまでしか確認できなかった。
【００５４】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【００５５】
（付記１）  磁性膜と下地膜とを含み、前記磁性膜が前記下地膜の上に形成されている情報記録媒体であって、
前記磁性膜が、希土類金属と遷移金属とを含み、
前記下地膜に接する前記希土類金属の結晶面の原子間距離と、前記磁性膜に接する前記下地膜の結晶面の原子間距離との差が、それぞれの原子間距離に対して１０％以内で整合することを特徴とする情報記録媒体。
【００５６】
（付記２）  前記磁性膜が希土類−遷移金属非晶質合金からなり、前記希土類金属が六方稠密構造を有し、前記下地膜が立方晶構造を有する付記１に記載の情報記録媒体。
【００５７】
（付記３）  前記希土類金属の結晶構造のｃ軸の格子定数をｃ（ｈｃｐ）で表し、前記下地膜の結晶構造のａ軸の格子定数をａ（ｂｃｃ）で表すとき、
√２×ａ（ｂｃｃ）と、ｃ（ｈｃｐ）との差が、それぞれに対して１０％以内である付記２に記載の情報記録媒体。
【００５８】
（付記４）  前記希土類金属の結晶構造のａ軸の格子定数をａ（ｈｃｐ）、ｃ軸の格子定数をｃ（ｈｃｐ）で表し、前記下地膜の結晶構造のａ軸の格子定数をａ（ｂｃｃ）で表すとき、
２×ａ（ｂｃｃ）と、√（ｃ（ｈｃｐ）2＋ａ（ｈｃｐ）2×３）との差が、それぞれに対して１０％以内である付記２に記載の情報記録媒体。
【００５９】
（付記５）  前記希土類金属が、テルビウムおよびジスプロシウムから選ばれるいずれか一つの金属である付記１〜４のいずれかに記載の情報記録媒体。
【００６０】
（付記６）  前記下地膜が、プラセオジムおよびナトリウムから選ばれるいずれか一つの金属を含む付記２〜５のいずれかに記載の情報記録媒体。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】体心立方構造（ｂｃｃ構造）の（１１０）面と（１００）面とを示す図である。
【図２】六方稠密構造（ｈｃｐ構造）の（０１-１０）面と（１１-２０）面とを示す図である。
【図３】ｂｃｃ構造の（１１０）面とｈｃｐ構造の（０１-１０）面との整合を示す図である。
【図４】ｂｃｃ構造の（１００）面とｈｃｐ構造の（１１-２０）面との整合を示す図である。
【図５】飽和磁化（Ｍｓ）と温度との関係図である。
【図６】保磁力（Ｈｃ）と温度との関係図である。
【図７】Ｍｓ×Ｈｃと温度との関係図である。
【図８】Ｍｓと温度との関係図である。
【図９】Ｈｃと温度との関係図である。
【図１０】Ｍｓ×Ｈｃと温度との関係図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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