(57)【要約】【課題】有機絶縁膜上に透明電極及び反射電極を形成する際に、膜剥がれによる製造歩留まりの低下を抑止することができるフォトリワークのプロセスを提供する。【解決手段】アクティブマトリクス基板２０を有する液晶表示装置５０の製造方法であって、レジストパターン１５の位置が不良であるときには、位置不良のレジストパターン１５’から露出しているモリブデン膜７ａをエッチングする工程と、位置不良のレジストパターン１５’を剥離する工程と、位置不良のレジストパターン１５’により覆われていた反射導電膜（７ａ’及び７ｂ’並びに７ａ’’及び７ｂ’’）を、エッチングして透明電極６ａから除去する工程と、を備え、反射導電膜上にレジストパターン１５を形成し直すフォトリワーク工程を行う。【選択図】図４
2005274604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に有機絶縁膜を成膜する工程と、
上記有機絶縁膜上に第１導電膜により構成された第１電極を形成する工程と、
上記第１電極を覆うように第２導電膜を成膜する工程と、
上記第２導電膜上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
上記レジストパターンから露出している上記第２導電膜をエッチングして、第２電極を形成する工程と、
上記レジストパターンを剥離する工程とを備える電極基板の製造方法であって、
上記レジストパターン形成工程で形成されたレジストパターンの位置を検査する検査工程と、
上記検査工程で検査された上記レジストパターンの位置が不良であるときに行われ、再び上記第２導電膜上にレジストパターンを形成し直すフォトリワーク工程とを備え、
上記フォトリワーク工程は、上記位置不良のレジストパターンから露出している上記第２導電膜をエッチングする工程と、上記位置不良のレジストパターンを剥離する工程と、上記位置不良のレジストパターンにより覆われていた第２導電膜をエッチングして上記第１電極から除去する工程とを備えていることを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された電極基板の製造方法において、
上記レジストパターンは、フォトレジストを露光及び現像することにより形成され、
上記第２導電膜は、複数層により構成され、その最上層は、上記フォトレジストの現像によって、除去されない導電膜で構成されていることを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載された電極基板の製造方法において、
上記第２導電膜の最上層は、該第２導電膜を構成する該最上層以外の層と同時にエッチングされることを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載された電極基板の製造方法において、
上記第１導電膜は、酸化インジウムと酸化スズとの化合物により形成され、上記第２導電膜は、下層のモリブデン膜と上層のアルミニウム膜との２層積層膜により形成されていることを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載された電極基板の製造方法において、
上記モリブデン膜は、モリブデン合金膜であることを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載された電極基板の製造方法において、
上記第２導電膜は、上記アルミニウム膜の上層に、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物により形成された透明導電膜を有することを特徴とする電極基板の製造方法。
【請求項７】
基板に複数の画素がマトリクス状に設けられ、該各画素には透明電極及び反射電極が配設されたアクティブマトリクス基板を有し、
上記基板上に有機絶縁膜を成膜する工程と、
上記有機絶縁膜上に透明導電膜により構成された透明電極を形成する工程と、
上記透明電極を覆うように反射導電膜を成膜する工程と、
上記反射導電膜上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
上記レジストパターンから露出している上記反射導電膜をエッチングして、反射電極を形成する工程と、
上記レジストパターンを剥離する工程とを備える液晶表示装置の製造方法であって、
上記レジストパターン形成工程で形成されたレジストパターンの位置を検査する検査工程と、
上記検査工程で検査された上記レジストパターンの位置が不良であるときに行われ、再び上記反射導電膜上にレジストパターンを形成し直すフォトリワーク工程とを備え、
上記フォトリワーク工程は、上記位置不良のレジストパターンから露出している上記反射導電膜をエッチングする工程と、上記位置不良のレジストパターンを剥離する工程と、上記位置不良のレジストパターンにより覆われていた反射導電膜をエッチングして上記透明電極から除去する工程とを備えていることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載された液晶表示装置の製造方法において、
上記レジストパターンは、フォトレジストを露光及び現像することにより形成され、
上記反射導電膜は、複数層により構成され、その最上層は、上記フォトレジストの現像によって、除去されない導電膜で構成されていることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載された液晶表示装置の製造方法において、
上記反射導電膜の最上層は、該反射導電膜を構成する該最上層以外の層と同時にエッチングされることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７に記載された液晶表示装置の製造方法において、
上記透明導電膜は、酸化インジウムと酸化スズとの化合物により形成され、上記反射導電膜は、下層のモリブデン膜と上層のアルミニウム膜との２層積層膜により形成されていることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載された液晶表示装置の製造方法において、
上記モリブデン膜は、モリブデン合金膜であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１又は１２に記載された液晶表示装置の製造方法において、
上記反射導電膜は、上記アルミニウム膜の上層に、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物により形成された透明導電膜を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極基板の製造方法に関するものであり、特に、基板上に設けられた有機絶縁膜に電極を形成する方法に係るものである。さらに、具体的には、液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板上の有機絶縁膜に透明電極及び反射電極を形成する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置の１つである半透過型の液晶表示装置は、透過型と反射型との両方のモードで表示する機能をもったものであり、バックライトを有するために暗い場所でも視認性の高いという透過型の液晶表示装置の特徴と、周囲光を利用するために低消費電力であるという反射型の液晶表示装置の特徴と、を合わせもったものである。
【０００３】
一般的な液晶表示装置は、複数の画素電極がマトリクス状に配設されたアクティブマトリクス基板と、共通電極を有する対向基板と、それら両基板間に挟持されるように設けられた液晶層と、を備えており、各画素電極に所定の電荷を書き込むことにより、各画素電極と共通電極との間の液晶層からなる液晶容量に所定の電圧を印加し、その印加電圧に応じて液晶層の液晶分子の配向状態が変わることを利用して、画像表示を行うものである。
【０００４】
半透過の液晶表示装置は、画像の最小単位である画素を構成する上記各画素電極が、透明電極と反射電極とで構成され、透明電極によってバックライトからの光を透過して透過モードの表示を行い、反射電極によって周囲光を反射して反射モードの表示を行っている。
【０００５】
透明電極としては、可視光に対する透明性に優れ、また、良好な導電性を有するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電膜がよく用いられている。
【０００６】
一方、反射電極としては、反射率が高く、且つ電気抵抗の低いアルミニウム膜等の金属からなる反射導電膜がよく用いられている。
【０００７】
特許文献１では、画素の開口率を高めるため、上記透明電極及び反射電極が、層間絶縁膜上に設けられた半透過型液晶表示装置が開示されている。ここで、層間絶縁膜は、反射電極の表面を凹凸形状にするために、パターン形成が容易な感光性アクリル樹脂で形成されている。
【０００８】
また、特許文献２では、感光性アクリル樹脂で形成された有機絶縁膜上に反射電極を形成する方法が開示されている。この方法では、反射電極をアルミニウム層とモリブデン層との２層構造とすることにより、アミン系剥離液による感光性アクリル樹脂の膨潤を防止している。これにより、感光性アクリル樹脂の膨潤に起因する膜剥がれの発生を抑止することができると記載されている。
【特許文献１】特開平１１−１０１９９２号公報
【特許文献２】特開２０００−１４７５３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上記透明電極及び反射電極を形成する工程、その中でも反射電極を形成する工程は、半透過型の液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の製造において、最終工程にあたるので、反射導電膜をエッチングしてパターン形成する前に、フォトレジストが所定通りパターン形成されているか検査することは、製造歩留まりを向上させる上で有効な手段となっている。
【００１０】
具体的には、まず、基板に設けられた感光性アクリル樹脂上に、ＩＴＯ膜からなる透明導電膜をパターン形成して透明電極を形成する。次いで、モリブデン膜及びアルミニウム膜を順に積層して反射導電膜を成膜して、その上にフォトレジストを塗布する。次いで、所定のパターン形状の反射電極が形成されるように構成されたフォトマスクを介してフォトレジストを露光及び現像することにより所定のレジストパターンを形成する。次いで、このフォトレジストのレジストパターンが所定通りに形成されているかどうかを検査する。
【００１１】
そして、レジストパターンが所定通りに正常に形成されている場合には、そのまま、その正常なレジストパターンを介して反射導電膜をエッチングすることにより、パターン形成して反射電極を形成する。
【００１２】
一方、レジストパターンが所定通りに形成されていない場合には、その不良なレジストパターンを一度剥離除去して、再度フォトレジストを塗布した後にパターン形成してリワーク（以下「フォトリワーク」と称する）を行う。これにより、不良なレジストパターンのままエッチングを行って、不良品を作製することを未然に防ぐことができる。
【００１３】
このフォトリワークは、通常、不良なレジストパターンをアミン系の剥離液で溶解除去して、フォトレジストを、再度、塗布、露光及び現像することにより行われる。
【００１４】
ここで、感光性アクリル樹脂に対する反射導電膜の密着性は、フォトレジストの１回目のパターン形成の際の現像によって低下している。その理由は、感光性アクリル樹脂上の透明電極の周端が順テーパではなく、垂直あるいは逆テーパに形成される、つまり、透明電極の周端がその上側から下側に向けて垂直あるいはその内側に傾斜した形状であることが多く、その垂直あるいは逆テーパの部分を薄肉の反射導電膜で十分に覆うことができないため、その感光性アクリル樹脂と反射導電膜との界面に現像液が浸透して、感光性アクリル樹脂が膨潤するためと考えられている。
【００１５】
そして、フォトリワークのために、その処理基板をアミン系の剥離液に浸すと、反射導電膜の密着性が一層低下し、剥離液中で反射導電膜が剥がれる恐れがある。こうなると、剥離液中に反射導電膜の剥がれ片が浮遊することになり、それ以降に剥離液槽に搬送されて、剥離液内に浸され処理される基板に、浮遊している反射導電膜の剥がれ片が再付着する可能性がある。これによって、処理基板上に設けられた電極では短絡等の不良が発生して、アクティブマトリクス基板の製造歩留まりを低下させてしまう恐れがある。一般に、剥離液は、レジストパターンのような特定の有機膜を剥離（溶解）させるものであり、反射導電膜のような導電性の薄膜が液中に存在すると上記のような短絡を引き起こす可能性がある。また、汚染した剥離液槽での処理を中断して、剥離液を交換する等の剥離液槽内のクリーニングを行うと、生産能力を低下させる恐れがある。
【００１６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、電極基板の製造において、有機絶縁膜上に透明電極及び反射電極を形成する際に、膜剥がれによる製造歩留まりの低下を抑止することができるフォトリワークのプロセスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、レジストパターンの位置が不良である場合に、従来のように、レジストパターンのみをそのまま剥離して再度レジストパターンを形成するのではなく、レジストパターン及びその下層の第２導電膜（反射導電膜）をそれぞれ適宜除去した後、第２導電膜（反射導電膜）を成膜してから、再度レジストパターンを形成するようにしたものである。
【００１８】
具体的に、本発明の電極基板の製造方法は、基板上に有機絶縁膜を成膜する工程と、上記有機絶縁膜上に第１導電膜により構成された第１電極を形成する工程と、上記第１電極を覆うように第２導電膜を成膜する工程と、上記第２導電膜上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、上記レジストパターンから露出している上記第２導電膜をエッチングして、第２電極を形成する工程と、上記レジストパターンを剥離する工程とを備える電極基板の製造方法であって、上記レジストパターン形成工程で形成されたレジストパターンの位置を検査する検査工程と、上記検査工程で検査された上記レジストパターンの位置が不良であるときに行われ、再び上記第２導電膜上にレジストパターンを形成し直すフォトリワーク工程とを備え、上記フォトリワーク工程は、上記位置不良のレジストパターンから露出している上記第２導電膜をエッチングする工程と、上記位置不良のレジストパターンを剥離する工程と、上記位置不良のレジストパターンにより覆われていた第２導電膜をエッチングして上記第１電極から除去する工程とを備えていることを特徴とする。
【００１９】
上記の製造方法によれば、検査工程でレジストパターンの位置が不良であるときには、フォトリワーク工程を行う。このフォトリワーク工程では、まず、位置不良のレジストパターンから露出している第２導電膜をエッチングして除去する。次いで、使用した位置不良のレジストパターンを剥離し、次いで、位置不良のレジストパターンにより覆われていた第２導電膜をエッチングすることにより、第２導電膜を第１電極から完全に除去して、基板を有機絶縁膜上に第１電極が形成された状態に戻す。その後、第１電極を覆うように第２導電膜を成膜し、次いで、第２導電膜上にレジストパターンを形成する。その結果、所望の位置にレジストパターンの形成（フォトリワーク）が行われる。
【００２０】
この場合、位置不良のレジストパターンから露出して剥がれる恐れのある第２導電膜は既にエッチングされているので、位置不良のレジストパターンの剥離の際に、第２導電膜が剥がれ、剥離液中に第２導電膜の剥がれ片が浮遊する可能性が低くなる。
【００２１】
そのため、レジストパターンの剥離に使用する剥離液は、第２導電膜の剥がれ片で汚染されにくくなり、第２導電膜の剥がれ片の基板上の電極への付着が抑制される。このことにより、第２導電膜の膜剥がれによる製造歩留まりの低下を抑止することができる。
【００２２】
本発明の電極基板の製造方法は、上記レジストパターンが、フォトレジストを露光及び現像することにより形成され、上記第２導電膜が、複数層により構成され、その最上層が、上記フォトレジストの現像によって、除去されない導電膜で構成されていてもよい。
【００２３】
上記の製造方法によれば、第２導電膜の最上層が、フォトレジストの現像によって、除去されない導電膜であるので、フォトレジストの現像の際に、現像液が、有機絶縁膜に浸透することを防ぐことができる。そのため、第２導電膜と有機絶縁膜との密着性の低下が抑止される。
【００２４】
本発明の電極基板の製造方法は、上記第２導電膜の最上層が、該第２導電膜を構成する該最上層以外の層と同時にエッチングされてもよい。
【００２５】
上記の製造方法によれば、第２導電膜の最上層が、第２導電膜を構成するその他の層と同時にエッチングされるので、フォトリソグラフィーの回数を増やすことなく、第２導電膜と有機絶縁膜との密着性の低下を抑止することができる。
【００２６】
本発明の電極基板の製造方法は、上記第１導電膜が、酸化インジウムと酸化スズとの化合物により形成され、上記第２導電膜が、下層のモリブデン膜と上層のアルミニウム膜との２層積層膜により形成されていてもよい。
【００２７】
上記の製造方法によれば、本発明の作用効果が具体的に営まれることとなる。つまり、フォトレジストの露光し、現像を、例えばアルカリ水溶液で行うことにより、レジストパターンが形成されると共に、それに対応するアルミニウム膜がエッチングされる。
【００２８】
そして、レジストパターンの位置が不良であるときには、まず、位置不良のレジストパターンから露出しているモリブデン膜をエッチングして除去する。次いで、使用した位置不良のレジストパターンを剥離し、次いで、位置不良のレジストパターンにより覆われていた第２導電膜（モリブデン膜とアルミニウム膜との積層膜）をエッチングすることにより、第２導電膜を第１電極から完全に除去して、基板を有機絶縁膜上に第１電極が形成された状態に戻す。その後、第１電極を覆うようにモリブデン膜及びアルミニウム膜を順に成膜し、次いで、モリブデン膜及びアルミニウム膜からなる第２導電膜上にレジストパターンを形成する。その結果、所望の位置にレジストパターンの形成（フォトリワーク）が行われる。
【００２９】
本発明の電極基板の製造方法は、上記モリブデン膜が、モリブデン合金膜であってもよい。
【００３０】
上記の製造方法によれば、例えば、窒化モリブデン膜のようなモリブデン合金膜は、モリブデン膜よりも有機絶縁膜に対する密着性が優れているので、第２導電膜が剥離液中で剥がれることをより一層防ぐことができる。
【００３１】
本発明の電極基板の製造方法は、上記第２導電膜が、上記アルミニウム膜の上層に、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物により形成された透明導電膜を有してもよい。
【００３２】
上記の製造方法によれば、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物（ＩＺＯ）の膜は、例えば、フォトレジストを現像するアルカリ水溶液によって、エッチングされることがないので、フォトレジストの現像の際に、現像液（アルカリ水溶液）が、有機絶縁膜に浸透することを防ぐことができる。そのため、反射導電膜と有機絶縁膜との密着性の低下が抑止される。
【００３３】
また、ＩＺＯ膜は、例えば、弱酸によりモリブデン膜及びアルミニウム膜と同時にエッチングすることができるので、フォトリソグラフィーの回数を増やすことなく、上記密着性の低下を抑止することができる。
【００３４】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板に複数の画素がマトリクス状に設けられ、該各画素には透明電極及び反射電極が配設されたアクティブマトリクス基板を有し、上記基板上に有機絶縁膜を成膜する工程と、上記有機絶縁膜上に透明導電膜により構成された透明電極を形成する工程と、上記透明電極を覆うように反射導電膜を成膜する工程と、上記反射導電膜上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、上記レジストパターンから露出している上記反射導電膜をエッチングして、反射電極を形成する工程と、上記レジストパターンを剥離する工程とを備える液晶表示装置の製造方法であって、上記レジストパターン形成工程で形成されたレジストパターンの位置を検査する検査工程と、上記検査工程で検査された上記レジストパターンの位置が不良であるときに行われ、再び上記反射導電膜上にレジストパターンを形成し直すフォトリワーク工程とを備え、上記フォトリワーク工程は、上記位置不良のレジストパターンから露出している上記反射導電膜をエッチングする工程と、上記位置不良のレジストパターンを剥離する工程と、上記位置不良のレジストパターンにより覆われていた反射導電膜をエッチングして上記透明電極から除去する工程とを備えていることを特徴とする。
【００３５】
上記の製造方法によれば、検査工程でレジストパターンの位置が不良であるときには、フォトリワーク工程を行う。このフォトリワーク工程では、まず、位置不良のレジストパターンから露出している反射導電膜をエッチングして除去する。次いで、使用した位置不良のレジストパターンを剥離し、次いで、位置不良のレジストパターンにより覆われていた反射導電膜をエッチングすることにより、反射導電膜を透明電極から完全に除去して、基板を有機絶縁膜上に透明電極が形成された状態に戻す。その後、透明電極を覆うように反射導電膜を成膜し、次いで、反射導電膜上にレジストパターンを形成する。その結果、所望の位置にレジストパターンの形成（フォトリワーク）が行われる。
【００３６】
この場合、位置不良のレジストパターンから露出して剥がれる恐れのある反射導電膜は既にエッチングされているので、位置不良のレジストパターンの剥離の際に、反射導電膜が剥がれ、剥離液中に反射導電膜の剥がれ片が浮遊する可能性が低くなる。
【００３７】
そのため、レジストパターンの剥離に使用する剥離液は、反射導電膜の剥がれ片で汚染されにくくなり、反射導電膜の剥がれ片の基板上の電極への付着が抑制される。このことにより、反射導電膜の膜剥がれによる製造歩留まりの低下を抑止することができる。
【００３８】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記レジストパターンが、フォトレジストを露光及び現像することにより形成され、上記反射導電膜が、複数層により構成され、その最上層が、上記フォトレジストの現像によって、除去されない導電膜で構成されていてもよい。
【００３９】
上記の製造方法によれば、反射導電膜の最上層が、フォトレジストの現像によって、エッチングされない導電膜であるので、フォトレジストの現像の際に、現像液が、有機絶縁膜に浸透することを防ぐことができる。そのため、反射導電膜と有機絶縁膜との密着性の低下が抑止される。
【００４０】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記反射導電膜の最上層が、該反射導電膜を構成する該最上層以外の層と同時にエッチングされてもよい。
【００４１】
上記の製造方法によれば、反射導電膜の最上層が、反射導電膜を構成するその他の層と同時にエッチングされるので、フォトリソグラフィーの回数を増やすことなく、反射導電膜と有機絶縁膜との密着性の低下を抑止することができる。
【００４２】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記透明導電膜が、酸化インジウムと酸化スズとの化合物により形成され、上記反射導電膜が、下層のモリブデン膜と上層のアルミニウム膜との２層積層膜により形成されていてもよい。
【００４３】
上記の製造方法によれば、本発明の作用効果が具体的に営まれることとなる。つまり、フォトレジストの露光し、現像を、例えばアルカリ水溶液で行うことにより、レジストパターンが形成されると共に、それに対応するアルミニウム膜がエッチングされる。
【００４４】
そして、レジストパターンの位置が不良であるときには、まず、位置不良のレジストパターンから露出しているモリブデン膜をエッチングして除去する。次いで、使用した位置不良のレジストパターンを剥離し、次いで、位置不良のレジストパターンにより覆われていた反射導電膜（モリブデン膜とアルミニウム膜との積層膜）をエッチングすることにより、反射導電膜を透明電極から完全に除去して、基板を有機絶縁膜上に透明電極が形成された状態に戻す。その後、透明電極を覆うようにモリブデン膜及びアルミニウム膜を順に成膜し、次いで、モリブデン膜及びアルミニウム膜からなる反射導電膜上にレジストパターンを形成する。その結果、所望の位置にレジストパターンの形成（フォトリワーク）が行われる。
【００４５】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記モリブデン膜が、モリブデン合金膜であってもよい。
【００４６】
上記の製造方法によれば、例えば、窒化モリブデン膜のようなモリブデン合金膜は、モリブデン膜よりも有機絶縁膜に対する密着性が優れているので、反射導電膜が剥離液中で剥がれることをより一層防ぐことができる。
【００４７】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記反射導電膜が、上記アルミニウム膜の上層に、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物により形成された透明導電膜を有してもよい。
【００４８】
上記の製造方法によれば、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物（ＩＺＯ）の膜は、例えば、フォトレジストを現像するアルカリ水溶液によって、エッチングされることがないので、フォトレジストの現像の際に、現像液（アルカリ水溶液）が、有機絶縁膜に浸透することを防ぐことができる。そのため、反射導電膜と有機絶縁膜との密着性の低下が抑止される。
【００４９】
また、ＩＺＯ膜は、例えば、弱酸によりモリブデン膜及びアルミニウム膜と同時にエッチングすることができるので、フォトリソグラフィーの回数を増やすことなく、上記密着性の低下を抑止することができる。
【発明の効果】
【００５０】
本発明の電極基板の製造方法は、検査工程でレジストパターンの位置が不良であるときには、レジストパターン及びその下層の第２導電膜をそれぞれ適宜剥離及び除去した後、第２導電膜を成膜し、再度レジストパターンを形成することによりフォトリワークが行われるので、レジストパターンの剥離の際に、第２導電膜が剥がれて剥離液中に第２導電膜の剥がれ片が浮遊する可能性が低くなる。そのため、剥離液は、第２導電膜の剥がれ片で汚染されにくくなり、第２導電膜の剥がれ片の基板上の電極への付着が抑制される。これにより、第２導電膜の膜剥がれによる製造歩留まりの低下を抑止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の実施形態では、電極基板として、液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板を例に説明する。なお、実施形態に記載の透明電極が電極基板の第１電極に、同じく反射電極が電極基板の第２電極にそれぞれ対応する。
【００５２】
《発明の実施形態１》
以下に、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置について説明する。
【００５３】
図１は、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板２０の平面模式図であり、図２は、図１中のＡ−Ａ’断面における液晶表示装置５０の断面模式図である。
【００５４】
液晶表示装置５０は、アクティブマトリクス基板２０と、それに対向するように設けられた対向基板３０と、両基板２０及び３０との間に挟持されるように設けられた液晶層４０とを備えている。
【００５５】
アクティブマトリクス基板２０では、透明絶縁性基板１０上に複数のゲート線２と複数のソース線３とが互いに直交するように配設され、そして、そのゲート線２とソース線３との各交差部にはＴＦＴ１が、各ゲート線２の間にはゲート線２と並行に容量線４が、それぞれ設けられている。また、画素電極６が各ＴＦＴ１に対応して一対のゲート線２及びソース線３で囲われる表示領域に設けられている。そして、画素電極６は、各表示領域の全域にわたって設けられた透明電極６ａと、容量線４と重なるように設けられた反射電極７とにより構成されている。
【００５６】
また、アクティブマトリクス基板２０は、透明絶縁性基板１０上に、ゲート絶縁膜１３及び有機絶縁膜１４が順に積層された多層積層構造となっている。
【００５７】
透明絶縁性基板１０とゲート絶縁膜１３との層間には、ゲート線２、ゲート線２からソース線３の延びる方向に突出したゲート電極２ａ、及び容量線４が設けられている。
【００５８】
ゲート絶縁膜１３と有機絶縁膜１４との層間には、ＴＦＴ１を構成する半導体層８、ソース線３及びドレイン接続電極５が設けられている。
【００５９】
そして、半導体層８の上層には、チャネル保護層９が設けられ、チャネル保護層９の上層には、ソース線３に接続されたソース電極１１、及びソース電極１１と対峙してドレイン接続電極５に接続されたドレイン電極１２が設けられている。
【００６０】
有機絶縁膜１４上には、ドレイン接続電極５にコンタクトホール６ｃを介して接続された画素電極６が設けられている。
【００６１】
ドレイン接続電極５は、容量線４の配設している領域まで延設され、容量線４と対向する部分が補助容量電極となっている。そして、その補助容量電極は、ゲート絶縁膜１３
を介して容量線４と共に補助容量を構成している。
【００６２】
対向基板３０は、透明絶縁性基板１０’上に、カラーフィルタ層（不図示）、オーバコート層（不図示）及び共通電極１７が順に積層された多層積層構造になっている。
【００６３】
カラーフィルタ層には、各画素に対応して赤、緑及び青のうちの１色の着色層が設けられ、各着色層の間には遮光膜としてブラックマトリクスが設けられている。
【００６４】
液晶層４０は、電気光学特性を有する液晶分子１８からなるネマチック液晶材料により構成されている。
【００６５】
この液晶表示装置５０は、各画素電極６ごとに１つの画素が構成されており、各画素において、ゲート線２からゲート信号が送られてＴＦＴ１をオン状態としたときに、ソース線３からソース信号が送られてソース電極１１及びドレイン電極１２を介して、画素電極６に所定の電荷を書き込まれ、画素電極６と共通電極１７との間で電位差が生じることになり、液晶層４０からなる液晶容量、及び補助容量に所定の電圧が印加されるように構成されている。そして、液晶表示装置５０では、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子１８の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。
【００６６】
次に、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置５０の製造方法について説明する。
【００６７】
＜＜アクティブマトリクス基板作製工程＞＞
図３は、アクティブマトリクス基板２０の作製工程における反射電極７の形成工程を示す断面模式図であり、図１中のＢ−Ｂ’断面に対応し、隣接する２つの画素間の断面を示している。
【００６８】
＜積層膜形成工程（有機絶縁膜の形成まで）＞
まず、ガラス基板等の透明絶縁性基板１０上の基板全体に、アルミニウム等からなる金属膜（厚さ２００ｎｍ程度）をＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜し、その後、フォトリソグラフィー技術（Photo Engraving Process、以下、「ＰＥＰ技術」と称する）によりパターン形成して、ゲート線２、ゲート電極２ａ及び容量線４を形成する。
【００６９】
次いで、ゲート線２、ゲート電極２ａ及び容量線４上の基板全体に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により窒化シリコン膜（厚さ４００ｎｍ程度）等を成膜し、ゲート絶縁膜１３を形成する。
【００７０】
次いで、ゲート絶縁膜１３上の基板全体に、ＣＶＤ法により真性アモルファスシリコン膜（厚さ１５０ｎｍ程度）を成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりゲート電極２ａ上に島状にパターン形成して、半導体層８を形成する。
【００７１】
次いで、半導体層８上の基板全体に、ＣＶＤ法により窒化シリコン膜（厚さ４００ｎｍ程度）等を成膜し、その後、ＰＥＰ技術により半導体層８上に島状にパターン形成して、チャネル保護層１４を形成する。
【００７２】
次いで、チャネル保護層１４上の基板全体に、ＣＶＤ法によりリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜（厚さ５０ｎｍ程度）を成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりソース電極１１及びドレイン電極１２を形成する。
【００７３】
次いで、ソース電極１１及びドレイン電極１２が形成されたゲート絶縁膜１３上の基板全体に、ＩＴＯ膜からなる透明導電膜（厚さ２００ｎｍ程度）及びチタン等からなる金属膜（厚さ２００ｎｍ程度）を順にＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、ＩＴＯ層３ａ及びチタン層３ｂからなるソース線３、並びにＩＴＯ層５ａ及びチタン層５ｂからなるドレイン接続電極５を形成する。
【００７４】
このように、ソース線３を、ＩＴＯ層３ａ及びチタン層３ｂとの２層構造とすることにより、一方の層に断線等が発生しても他方の層により電気的接続が保持されるので、ソース線３の断線を少なくすることができる。
【００７５】
次いで、ソース線３及びドレイン接続電極５上の基板全体に、スピン塗布法を用いて感光性アクリル樹脂膜（厚さ３０００ｎｍ程度）等を成膜し、有機絶縁膜１４を形成する。
【００７６】
ここで、有機絶縁膜１４は、着色した感光性アクリル樹脂材料であって、露光処理を行うことにより、透明化する材料である。
【００７７】
次いで、有機絶縁膜１４のドレイン接続電極５に対応する部分をエッチング除去して、コンタクトホール６ｃを形成する。
【００７８】
＜透明電極形成工程＞
図３（ａ）に示すように、有機絶縁膜１４上の基板全体に、ＩＴＯ膜からなる透明導電膜（厚さ１００ｎｍ程度）をＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、透明電極６ａを形成する。これにより、基板２１ａが得られる。
【００７９】
＜反射導電膜成膜工程＞
図３（ｂ）に示すように、透明電極６ａ上の基板全体に、モリブデン膜（厚さ７５ｎｍ程度）７ａ及びアルミニウム膜（厚さ１００ｎｍ程度）７ｂを順にＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜する。これにより、基板２１ｂが得られる。
【００８０】
＜レジストパターン形成工程＞
まず、アルミニウム膜７ｂ上の基板全体に、感光性樹脂からなるフォトレジストを厚さ１０００ｎｍ程度で塗布する。
【００８１】
次いで、基板全体に塗布されたフォトレジストに、所定形状のフォトマスクを介して露光を行った後、現像液を用いて現像して、図３（ｃ）に示すように、レジストパターン１５及びアルミニウム層７ｂ’を形成する。このとき、現像液として、例えば、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）が２．３８重量％含有されたアルカリ水溶液を用いることにより、レジストパターン１５の形成と共に、レジストパターン１５に覆われていないアルミニウム膜７ｂが除去される。これにより、基板２１ｃが得られる。
【００８２】
＜検査工程＞
モリブデン膜７ａ及びアルミニウム層７ｂ’上のレジストパターン１５が所定の位置に形成されているかどうか検査する。レジストパターン１５の位置が不良である場合には、後述するフォトリワーク工程が行われ、レジストパターン１５の位置に問題がない場合には、そのまま、反射電極形成工程が行われる。
【００８３】
＜反射電極形成工程＞
図３（ｄ）に示すように、所定の位置に形成されたレジストパターン１５をマスクとして、硝酸、酢酸及びリン酸が含有された水溶液（弱酸性エッチング液）を用いて、モリブデン膜７ａをエッチングして、モリブデン層７ａ’を形成する。これにより、モリブデン層７ａ’及びアルミニウム層７ｂ’からなる反射電極７が形成された基板２１ｄが得られる。
【００８４】
＜剥離工程＞
図３（ｅ）に示すように、モリブデン膜７ａのエッチングに用いたレジストパターン１５を、アミン系の剥離液を用いて剥離する。これにより、基板２１ｅが得られる。
【００８５】
以上のようにして、アクティブマトリクス基板２０（基板２１ｅ）を作製することができる。
【００８６】
次に、フォトリワーク工程について図４及び図５を用いて説明する。
【００８７】
図４（ａ）は、モリブデン膜７ａとアルミニウム層７ｂ’’との間に異物が挟まり込み、それに伴ってレジストパターン１５’の周端の一方が、透明電極６ａ間に位置している基板２２ａを示した断面模式図であり、図４（ｂ）〜図４（ｆ）は、フォトリワーク工程の各工程を示す断面模式図である。
【００８８】
図５（ａ）は、レジストパターン１５’’の図中右側の部分が小さく形成されている基板２３ａを示した断面模式図であり、図５（ｂ）〜図５（ｆ）は、フォトリワーク工程の各工程を示す断面模式図である。
【００８９】
まず、図４に示すフォトリワーク工程について説明する。
【００９０】
＜反射導電膜エッチング第１工程＞
図４（ｂ）に示すように、位置不良のレジストパターン１５’をマスクとして、上記弱酸性エッチング液を用いて、モリブデン膜７ａをエッチングして、モリブデン層７ａ’’を形成する。これにより、基板２２ｂが得られる。
【００９１】
＜レジストパターン剥離工程＞
図４（ｃ）に示すように、位置不良のレジストパターン１５’を、アミン系の剥離液を用いて剥離する。これにより、基板２２ｃが得られる。
【００９２】
＜反射導電膜エッチング第２工程＞
図４（ｄ）に示すように、位置不良のレジストパターン１５’に覆われていたアルミニウム層７ｂ’’及びモリブデン層７ａ’’を、上記弱酸性エッチング液を用いて、エッチングする。これにより、基板２２ｄが得られ、図３（ａ）に示した基板２１ａの状態に戻ることになる。
【００９３】
＜反射導電膜成膜工程（フォトリワーク工程）＞
図４（ｅ）に示すように、透明電極６ａ上の基板全体に、モリブデン膜（厚さ７５ｎｍ程度）７ａ及びアルミニウム膜（厚さ１００ｎｍ程度）７ｂを順にＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜する。これにより、基板２２ｅが得られる。
【００９４】
＜レジストパターン形成工程（フォトリワーク工程）＞
まず、アルミニウム膜７ｂ上の基板全体に、感光性樹脂からなるフォトレジストを厚さ１０００ｎｍ程度で塗布する。
【００９５】
次いで、基板全体に塗布されたフォトレジストに、所定形状のフォトマスクを介して露光を行った後、現像液を用いて現像して、図４（ｆ）に示すように、レジストパターン１５及びアルミニウム層７ｂ’を形成する。これにより、基板２２ｆが得られる。
【００９６】
以上のようにして、所望の位置にレジストパターンの形成（フォトリワーク）が行われる。
【００９７】
次に、図５に示すフォトリワーク工程について説明する。
【００９８】
＜反射導電膜エッチング第１工程＞
図５（ｂ）に示すように、位置不良のレジストパターン１５’’をマスクとして、上記弱酸性エッチング液を用いて、モリブデン膜７ａをエッチングして、モリブデン層７ａ’’を形成する。これにより、基板２３ｂが得られる。
【００９９】
＜レジストパターン剥離工程＞
図５（ｃ）に示すように、位置不良のレジストパターン１５’’を、アミン系の剥離液を用いて剥離する。これにより、基板２３ｃが得られる。
【０１００】
＜反射導電膜エッチング第２工程＞
図５（ｄ）に示すように、位置不良のレジストパターン１５’’に覆われていたアルミニウム層７ｂ’’及びモリブデン層７ａ’’を、上記弱酸性エッチング液を用いて、エッチングする。これにより、基板２３ｄが得られ、図３（ａ）に示した基板２１ａの状態に戻ることになる。
【０１０１】
＜反射導電膜成膜工程（フォトリワーク工程）＞
図５（ｅ）に示すように、透明電極６ａ上の基板全体に、モリブデン膜（厚さ７５ｎｍ程度）７ａ及びアルミニウム膜（厚さ１００ｎｍ程度）７ｂを順にＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜する。これにより、基板２３ｅが得られる。
【０１０２】
＜レジストパターン形成工程（フォトリワーク工程）＞
まず、アルミニウム膜７ｂ上の基板全体に、感光性樹脂からなるフォトレジストを厚さ１０００ｎｍ程度で塗布する。
【０１０３】
次いで、基板全体に塗布されたフォトレジストに、所定形状のフォトマスクを介して露光を行った後、現像液を用いて現像して、図５（ｆ）に示すように、レジストパターン１５及びアルミニウム層７ｂ’を形成する。これにより、基板２３ｆが得られる。
【０１０４】
以上のようにして、所望の位置にレジストパターンの形成（フォトリワーク）が行われる。
【０１０５】
このように、位置不良のレジストパターンから露出して剥がれる恐れのあるモリブデン膜が、図４（ｂ）及び図５（ｂ）に示す工程でエッチングされているので、位置不良のレジストパターンの剥離の際に、モリブデン膜が剥がれて剥離液中にモリブデン膜の剥がれ片が浮遊する可能性は低くなる。
【０１０６】
そのため、レジストパターンの剥離に使用する剥離液は、モリブデン膜の剥がれ片で汚染されにくくなり、モリブデン膜の剥がれ片の基板上の電極への付着が抑制される。このことにより、モリブデン膜の膜剥がれによる製造歩留まりの低下を抑止することができる。
【０１０７】
＜＜対向基板作製工程＞＞
まず、ガラス基板等の透明絶縁性基板１０’上に、クロム薄膜を成膜した後、ＰＥＰ技術によりパターン形成してブラックマトリクスを形成する。
【０１０８】
次いで、ブラックマトリクス間のそれぞれに、赤、緑及び青の何れかの着色層をパターン形成してカラーフィルタ層を形成する。
【０１０９】
次いで、カラーフィルタ層上の基板全体に、アクリル樹脂を塗布してオーバコート層を形成する。
【０１１０】
次いで、オーバコート層上の基板全体に、ＩＴＯ膜を成膜して共通電極１７を形成する。
【０１１１】
上記のようにして、対向基板３０を作製することができる。
【０１１２】
＜＜液晶表示装置作製工程＞＞
まず、アクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０の表面に、ポリイミド樹脂を厚さ１００ｎｍ程度で塗布して、ラビング法により、その表面に配向処理を施して配向膜を形成する。
【０１１３】
次いで、アクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０うちの一方にスクリーン印刷により、熱硬化性エポキシ樹脂等からなるシール材料を液晶注入口の部分を欠いた枠状パターンに塗布して、他方の基板に液晶層の厚さに相当する直径を持ち、樹脂又はシリカからなる球状のスペーサーを散布する。
【０１１４】
次いで、アクティブマトリクス基板２０と対向基板３０とを貼り合わせ、シール材料を硬化させ、空セルを形成する。
【０１１５】
次いで、空セルのアクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０の両基板間に、減圧法により液晶材料を注入し液晶層４０を形成する。その後、液晶注入口にＵＶ硬化樹脂を塗布して、ＵＶ照射によりＵＶ硬化樹脂を硬化して、注入口を封止する。
【０１１６】
以上のようにして、本発明の液晶表示装置５０を製造することができる。
【０１１７】
以上説明したように、本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、検査工程でレジストパターン１５の位置が不良であるときには、位置不良のレジストパターン１５’（１５’’）及びその下層の反射導電膜をそれぞれ適宜除去した後、反射導電膜を成膜してから、再度レジストパターン１５を形成するようにフォトリワーク工程を行う。
【０１１８】
そのため、位置不良のレジストパターン１５’（１５’’）から露出して剥がれる恐れのある反射導電膜（モリブデン膜７ａ）は、既にエッチングされているので、位置不良のレジストパターン１５’（１５’’）の剥離の際に、モリブデン膜７ａが剥がれ、剥離液中にモリブデン膜７ａの剥がれ片が浮遊する可能性が低くなる。
【０１１９】
これにより、レジストパターン１５の剥離に使用する剥離液は、モリブデン膜７ａの剥がれ片で汚染されにくくなり、モリブデン膜７ａの剥がれ片の基板上の電極への付着が抑制される。従って、モリブデン膜７ａの膜剥がれによる製造歩留まりの低下を抑止することができる。
【０１２０】
《発明の実施形態２》
以下に、本発明の実施形態２に係る液晶表示装置について説明する。
【０１２１】
本発明の実施形態２に係る液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の平面構造及び断面構造は、実施形態１に記載のものと実質的に同じであり、以下の実施形態では、実施形態１との相違点を中心に説明する。
【０１２２】
このアクティブマトリクス基板を構成する反射電極７は、モリブデン膜７ａ、アルミニウム膜７ｂ及びＩＺＯ膜７ｃからなる反射導電膜により構成されている。
【０１２３】
その他の構成については、実施形態１と実質的に同じであり、その説明は省略する。
【０１２４】
次に、このアクティブマトリクス基板の作製方法について図６を用いて説明する。
【０１２５】
ここで、透明絶縁性基板１０上に有機絶縁膜１４を形成して、その上に透明電極６ａを形成するまでは、実施形態１と実質的に同じであるので、それまでの工程の説明は省略する。
【０１２６】
＜透明電極形成工程＞
実施形態１と同様に、有機絶縁膜１４上の基板全体に、ＩＴＯ膜からなる透明導電膜（厚さ１００ｎｍ程度）をＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、図６（ａ）に示すように透明電極６ａを形成する。これにより、基板２４ａが得られる。なお、基板２４ａは実施形態１に記載された基板２１ａと同じである。
【０１２７】
＜反射導電膜成膜工程＞
図６（ｂ）に示すように、透明電極６ａ上の基板全体に、モリブデン膜（厚さ７５ｎｍ程度）７ａ、アルミニウム膜（厚さ１００ｎｍ程度）７ｂ及びＩＺＯ膜（厚さ１０ｎｍ程度）７ｃを順にＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜する。これにより、基板２４ｂが得られる。
【０１２８】
＜レジストパターン形成工程＞
まず、ＩＺＯ膜７ｃ上の基板全体に、感光性樹脂からなるフォトレジストを厚さ１０００ｎｍ程度で塗布する。
【０１２９】
次いで、基板全体に塗布されたフォトレジストに、所定形状のフォトマスクを介して露光を行った後、現像液を用いて現像して、図６（ｃ）に示すように、レジストパターン１５を形成する。これにより、基板２４ｃが得られる。このとき、ＩＺＯ膜７ｃは、フォトレジストを現像するアルカリ水溶液によって、エッチングされることがないので、フォトレジストの現像の際に、現像液（アルカリ水溶液）が、有機絶縁膜に浸透することを防ぐことができる。そのため、反射導電膜と有機絶縁膜との密着性の低下が抑止され、後述するフォトリワーク工程においてより一層、反射導電膜の膜剥がれによる製造歩留まりの低下を抑止することができる。
【０１３０】
＜検査工程＞
ＩＺＯ膜７ｃ上のレジストパターン１５が所定の位置に形成されているかどうか検査する。レジストパターン１５の位置が不良である場合には、後述するフォトリワーク工程が行われ、レジストパターン１５の位置に問題がない場合には、そのまま、反射電極形成工程が行われる。
【０１３１】
＜反射電極形成工程＞
図６（ｄ）に示すように、所定の位置に形成されたレジストパターン１５をマスクとして、硝酸、酢酸及びリン酸が含有された水溶液（弱酸性エッチング液）を用いて、モリブデン膜７ａ、アルミニウム膜７ｂ及びＩＺＯ膜７ｃからなる反射導電膜をエッチングして、モリブデン層７ａ’、アルミニウム層７ｂ’及びＩＺＯ層７ｃ’を形成する。これにより、モリブデン層７ａ’、アルミニウム層７ｂ’及びＩＺＯ層７ｃ’からなる反射電極７が形成された基板２４ｄが得られる。
【０１３２】
＜剥離工程＞
図６（ｅ）に示すように、反射導電膜のエッチングに用いたレジストパターン１５をアミン系の剥離液を用いて、剥離する。これにより、基板２４ｅが得られる。
【０１３３】
以上のようにして、アクティブマトリクス基板（基板２４ｅ）を作製することができる。
【０１３４】
次に、フォトリワーク工程について図７を用いて説明する。
【０１３５】
図７は、図４に対応するものであり、フォトリワーク工程の各工程を示す断面模式図である。
【０１３６】
図７（ａ）は、モリブデン膜７ａとアルミニウム膜７ｂとの間に異物が挟まり込み、それに伴ってレジストパターン１５’の周端の一方が、透明電極６ａ間に位置している基板２５ａを示した断面模式図である。
【０１３７】
＜反射導電膜エッチング第１工程＞
図７（ｂ）に示すように、位置不良のレジストパターン１５’をマスクとして、上記弱酸性エッチング液を用いて、反射導電膜（モリブデン膜７ａ、アルミニウム膜７ｂ及びＩＺＯ膜７ｃ）をエッチングして、モリブデン層７ａ’’、アルミニウム層７ｂ’’及びＩＺＯ層７ｃ’’を形成する。これにより、基板２５ｂが得られる。
【０１３８】
＜レジストパターン剥離工程＞
図７（ｃ）に示すように、位置不良のレジストパターン１５’を、アミン系の剥離液を用いて剥離する。これにより、基板２５ｃが得られる。
【０１３９】
＜反射導電膜エッチング第２工程＞
図７（ｄ）に示すように、位置不良のレジストパターン１５’に覆われていたモリブデン層７ａ’’、アルミニウム層７ｂ’’及びＩＺＯ層７ｃ’’からなる反射導電層を、上記弱酸性エッチング液を用いて、エッチングする。これにより、基板２５ｄが得られ、有機絶縁膜１４上に透明電極６ａが形成された状態に戻ることになる。
【０１４０】
＜反射導電膜成膜工程（フォトリワーク工程）＞
図７（ｅ）に示すように、透明電極６ａ上の基板全体に、モリブデン膜（厚さ７５ｎｍ程度）７ａ、アルミニウム膜（厚さ１００ｎｍ程度）７ｂ及びＩＺＯ膜（厚さ１０ｎｍ程度）７ｃを順にＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜する。これにより、基板２５ｅが得られる。
【０１４１】
＜レジストパターン形成工程（フォトリワーク工程）＞
まず、ＩＺＯ膜７ｃ上の基板全体に、感光性樹脂からなるフォトレジストを厚さ１０００ｎｍ程度で塗布する。
【０１４２】
次いで、基板全体に塗布されたフォトレジストに、所定形状のフォトマスクを介して露光を行った後、現像液を用いて現像して、図７（ｆ）に示すように、レジストパターン１５を形成する。これにより、基板２５ｆが得られる。
【０１４３】
以上のようにして、所望の位置にレジストパターンの形成（フォトリワーク）が行われる。
【０１４４】
そして、位置不良のレジストパターン１５’から露出して剥がれる恐れのある反射導電膜（モリブデン膜７ａ、アルミニウム膜７ｂ及びＩＺＯ膜７ｃ）は、図７（ｂ）の工程でエッチングされているので、位置不良のレジストパターン１５’の剥離の際に、反射導電膜が剥がれて剥離液中に反射導電膜の剥がれ片が浮遊する可能性は低くなる。
【０１４５】
また、ＩＺＯ膜は、フォトレジストを現像するアルカリ水溶液によって、エッチングされることがないので、フォトレジストの現像の際に、現像液であるアルカリ水溶液が、有機絶縁膜１４に浸透することを防ぐことができる。そのため、反射導電膜と有機絶縁膜１４との密着性の低下が抑止される。
【０１４６】
さらに、ＩＺＯ膜７ｃは、弱酸性のエッチング液により、モリブデン膜７ａ及びアルミニウム膜７ｂと同時にエッチングすることができるので、フォトリソグラフィーの回数を増やすことなく、上記密着性の低下を抑止することができる。
【０１４７】
このように、ＩＺＯ膜７ｃの存在によって、レジストパターン１５の剥離に使用する剥離液は、反射導電膜の剥がれ片で一層汚染されにくくなり、反射導電膜の剥がれ片の基板上の電極への付着が抑制される。このことにより、反射導電膜の膜剥がれによる製造歩留まりの低下を一層抑止することができる。
【０１４８】
また、本実施形態２では、実施形態１と同様に、図５（ａ）に対応したレジストパターンが小さく形成された場合にも、適応することができる。
【０１４９】
さらに、本実施形態１及び２では、反射導電膜の最下層として、モリブデン膜を用いたが、窒化モリブデン膜のようなモリブデン合金膜とすることも有効である。これにより、反射導電膜と有機絶縁膜との密着性の低下を一層抑止することができ、反射導電膜の膜剥がれによる製造歩留まりの低下をより一層抑止することができる。
【０１５０】
また、上記実施形態では、ＴＦＴをスイッチング素子として用いたアクティブ駆動型の液晶表示装置を例に説明したが、ＴＦＴ以外の３端子素子、及びＭＩＭ（Metal Insulator Metal）等の２端子素子のアクティブ駆動型の液晶表示装置にも適用でき、さらに、アクティブ駆動型の液晶表示装置だけでなく、パッシブ（マルチプレックス）駆動型の液晶表示装置にも適用できる。
【０１５１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、他の構成であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１５２】
以上説明したように、本発明は、フォトリワーク工程において剥離液による膜剥がれが抑止されるので、有機絶縁膜上に透明電極及び反射電極を形成する際に有機絶縁膜を膨潤させてしまう可能性がある半透過型の液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の作製において有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１５３】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板２０の平面模式図である。
【図２】図１中の断面Ａ−Ａ’における液晶表示装置５０の断面模式図である。
【図３】本発明の実施形態１に係るアクティブマトリクス基板を作製する際の各工程を示す断面模式図であり、図１中の断面Ｂ−Ｂ’に対応するものである。
【図４】本発明の実施形態１に係るフォトリワーク工程の各工程を示す断面模式図であり、図１中の断面Ｂ−Ｂ’に対応するものである。
【図５】本発明の実施形態１に係る他のフォトリワーク工程の各工程を示す断面模式図であり、図１中の断面Ｂ−Ｂ’に対応するものである。
【図６】本発明の実施形態２に係るアクティブマトリクス基板を作製する際の各工程を示す断面模式図であり、図１中の断面Ｂ−Ｂ’に対応するものである。
【図７】本発明の実施形態２に係るフォトリワーク工程の各工程を示す断面模式図であり、図１中の断面Ｂ−Ｂ’に対応するものである。
【符号の説明】
【０１５４】
１      ＴＦＴ
２      ゲート線
２ａ    ゲート電極
３      ソース線
３ａ，５ａ    ＩＴＯ層
３ｂ，５ｂ    チタン層
４      容量線
５      ドレイン接続電極
５ａ    ドレイン接続電極下層
５ｂ    ドレイン接続電極上層
６      画素電極
６ａ    透明電極
６ｃ    コンタクトホール
７      反射電極
７ａ    モリブデン膜
７ａ’，７ａ’’  モリブデン層
７ｂ    アルミニウム膜
７ｂ’，７ｂ’’  アルミニウム層
７ｃ    ＩＺＯ膜
７ｃ’，７ｃ’’  ＩＺＯ層
８      半導体層
９      チャネル保護層
１０，１０’  透明絶縁性基板
１１    ソース電極
１２    ドレイン電極
１３    ゲート絶縁膜
１４    有機絶縁膜
１５，１５’，１５’’  レジストパターン
１６    異物
１７    共通電極
１８    液晶分子
２０    アクティブマトリクス基板
３０    対向基板
４０    液晶層
５０    液晶表示装置
【図１】
2005274604.tif 000003
【図２】
2005274604.tif 000004
【図３】
2005274604.tif 000005
【図４】
2005274604.tif 000006
【図５】
2005274604.tif 000007
【図６】
2005274604.tif 000008
【図７】
2005274604.tif 000009