(57)【要約】【課題】  高い透明性と導電性を持ち、かつ薄くても高い剛性と靭性を持つ生産性に優れた透明導電性フィルム積層体に好適に用いられるプラスチック基板を提供する。【解決手段】  ガラス転移温度が２６０℃以上であり、かつ、光波長４００ｎｍにおける光線透過率が６０％以上であり、かつ、４５０ｎｍ〜７００ｎｍにおける全ての光波長の光線透過率が８０％以上であり、かつ、鉛筆硬度がＨ以上である透明プラスチック基板の上に透明導電層を形成し導電性プラスチック積層体とする。【選択図】  図１
2005054173.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス転移温度が２６０℃以上６００℃未満であり、波長４００ｎｍの光に対する光線透過率が６０％以上１００％以下であり、波長４５０〜７００ｎｍの全ての光に対する光線透過率が８０％以上１００％以下であり、かつ、鉛筆硬度がＨ以上であるプラスチック基板。
【請求項２】
少なくとも１方向のヤング率が４ＧＰａ以上２０ＧＰａ未満であり、少なくとも１方向の破断伸度が７％以上２５０％未満である、請求項１に記載のプラスチック基板。
【請求項３】
耐屈曲回数が３０，０００回以上である、請求項１または２に記載のプラスチック基板。
【請求項４】
プラスチック基板が芳香族ポリアミドフィルムである、請求項１〜３のいずれかに記載のプラスチック基板。
【請求項５】
芳香族ポリアミドフィルムが化学式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）または（ＩＶ）で示される構造単位を含み、かつ、化学式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）および（ＩＶ）で示される構造単位のモル分率をそれぞれｌ、ｍ、ｎ、ｏとしたとき、次式（１）〜（３）を満足している、請求項１〜４のいずれかに記載のプラスチック基板。
５０＜ｌ＋ｍ＋ｎ≦１００    ・・・  （１）
０≦ｌ、ｍ、ｎ、ｏ≦１００  ・・・  （２）
０≦ｏ≦５０                ・・・  （３）
【化１】
2005054173.tif 000013
Ｒ1：少なくとも一つの５員環、６員環または７員環を有する基
Ｒ2：任意の芳香族基
Ｘ：水素、ハロゲンまたは炭素数１〜３の炭化水素基
【化２】
2005054173.tif 000014
Ｒ3：−ＣＦ3、−ＣＣｌ3、−ＣＢｒ3、−ＯＨ、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＯＣＨ3（ただし、分子内においてこれらの基を有する構造単位が混在していてもよい。）
Ｒ4：任意の芳香族基
【化３】
2005054173.tif 000015
Ｒ5：−ＳＯ2−、−Ｏ−、−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−から選ばれる基、または−ＳＯ2−、−Ｏ−、−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−から選ばれる基を１つ以上含む芳香族基。
Ｒ6：任意の芳香族基
Ｘ：水素、ハロゲンまたは炭素数１〜３の炭化水素基
【化４】
2005054173.tif 000016
Ｒ7：任意の芳香族基
Ｒ8：任意の芳香族基
Ｘ：水素、ハロゲンまたは炭素数１〜３の炭化水素基
【請求項６】
芳香族ポリアミドフィルムが化学式（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）または（ＶＩＩＩ）で示される構造単位を含み、かつ、化学式（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および（ＶＩＩＩ）で示される構造単位のモル分率をそれぞれｐ、ｑ、ｒ、ｓとしたとき、次式（４）〜（６）を満足している、請求項１〜５のいずれかに記載のプラスチック基板。
５０＜ｐ＋ｑ＋ｒ≦１００    ・・・  （４）
０≦ｐ、ｑ、ｒ、ｓ≦１００  ・・・  （５）
０≦ｓ≦５０                ・・・  （６）
【化５】
2005054173.tif 000017
Ｘ：水素、ハロゲンまたは炭素数１〜３の炭化水素基
【化６】
2005054173.tif 000018
【化７】
2005054173.tif 000019
【化８】
2005054173.tif 000020
Ｒ9：任意の芳香族基
Ｒ10：任意の芳香族基
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のプラスチック基板に、導電層を設けてなる導電性プラスチック積層体。
【請求項８】
導電層の表面抵抗が６０Ω／□未満である、請求項７に記載の導電性プラスチック積層体。
【請求項９】
導電層をスパッタリング法により形成する、請求項７または８に記載の導電性プラスチック積層体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜６のいずれかに記載のプラスチック基板を用いてなる画像表示素子。
【請求項１１】
請求項１〜６のいずれかに記載のプラスチック基板を用いてなる太陽電池。
【請求項１２】
請求項１〜６のいずれかに記載のプラスチック基板を用いてなるタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラスチック基板及び、該プラスチック基板の表面に導電性を有する被膜を形成した、導電性プラスチック積層体に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明導電性フィルム積層体は高い透明性と導電性を合わせ持ち、液晶ディスプレーの駆動電極や、太陽電池の表面電極をはじめとする、様々な工業製品に広く利用されている。
【０００３】
現在、透明導電層としては、可視光領域で高い透明性を持ち、また、抵抗値の低い膜が得られることから、酸化スズを添加した酸化インジウム（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）が広く使用されている。このＩＴＯ膜の形成方法としてはスパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの方法が知られているが、近年工業的には比較的低温で高い透明性と低い抵抗値が得られるスパッタリング法が広く使われている。
【０００４】
従来、透明導電層を形成する基板には耐熱性、透明性に優れることからガラス基板が使用されてきた。しかし、ガラス基板を用いた場合、製品の小型化、軽量化に対するニーズに応えることは難しく、現在は厚み０．５〜１．１ｍｍ程度のホウケイ酸ガラス板、ソーダライムガラス板、無アルカリガラス板などが用いられているが、これ以上の薄膜化は困難である。また、ガラス基板は製造プロセス上や使用時に割れやすい等の問題があった。
【０００５】
そこで、最近では、従来のガラス基板に代えて、ガラスより薄くしなやかで割れにくい、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエーテルスルフォンフィルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリプロピレンフィルム等のプラスチック基板の使用が注目されている。しかし、これらのプラスチック基板を用いた場合、その耐熱性の問題から基板温度を上げられず、その結果、抵抗値の低い透明導電性フィルム積層体は得られなかった。
【０００６】
この問題を解決するため、これまでに低温で透明導電層を形成する方法や耐熱性の高い透明プラスチック基板を用いる方法について様々な検討が行われてきた。
【０００７】
低温で透明導電層を形成する方法としては、例えば特許文献１には一度ガラス基板上に形成した透明導電層をプラスチック基板上に貼り付け、その後ガラス基板を除去する方法が記載されている。また、特許文献２には基板上に透明導電インキを塗布して乾燥した後、焼成することにより透明導電層を形成する方法が記載されている。しかし、これらの方法は、工程が複雑であるため工業的には使用が困難である。
【０００８】
耐熱性の高い透明プラスチック基板を用いる方法としては、例えば、透明ポリイミドフィルムを基板とした例が特許文献３や特許文献４に記載されているが、これらの発明の透明ポリイミドは熱イミド化に数時間を要しており、工業的には使用が困難である。また、該透明ポリイミドフィルムは靭性及び表面硬度が低いため、プラスチック基板の製膜工程や透明導電層の形成工程や透明導電性フィルム積層体の加工工程においてフィルムが破断したり、フィルム表面が損傷する等の問題がある。
【０００９】
また、高耐熱な環状オレフィン系組成物に関する例が特許文献５に記載されているが、該発明の環状オレフィンは重合溶液をキャストしフィルム化する際、溶媒除去が困難であり、減圧下で数時間の熱処理工程を必要とするため工業的には使用が困難である。また、該発明の透明フィルムは表面硬度が低いため、フィルムの製膜工程や透明導電層の形成工程や透明導電性フィルム積層体の加工工程においてフィルム表面が損傷を受けやすい等の問題がある。
【００１０】
さらに、特許文献６には、２官能以上のアクリロイル基及び／又はメタクリロイル基を有するモノマーを含むモノマーを架橋させた高分子フィルムを用いたプラスチック基板に関する例が記載されているが、該発明のフィルムも熱処理工程に数時間を要しており、工業的には使用が困難である。また、該発明の透明フィルムも表面硬度が低いため、フィルムの製膜工程や透明導電層の形成工程や透明導電性フィルム積層体の加工工程においてフィルム表面が損傷を受けやすい等の問題がある。
【００１１】
また、芳香族ポリアミドフィルムは高い耐熱性と機械強度を持ち、プラスチック基板に求められる耐熱性や機械強度を十分に満足するが、ＰＰＴＡのごときパラ配向性芳香族ポリアミドは黄色に着色しており、光学用途への展開は困難であった。たとえば、耐熱性透明導電フィルムとして特許文献７に開示があるが、当該発明のフィルムは実施例においても６００ｎｍの波長での透過率が７１%と低く、低波長側の透過率はさらに低いため実用的ではなかった。また、特許文献８には特定構造を含む芳香族ポリアミドフィルムの開示があるが、該特定構造のモル分率が低い等の理由により無色透明のフィルムは得られていない。
【特許文献１】特開平１１−２１２１１６号公報
【特許文献２】特許第３１０３６８２号公報
【特許文献３】特許第２８２３９３１号公報
【特許文献４】特開２００２−２３４９６１号公報
【特許文献５】特開２００２−１４６１４５号公報
【特許文献６】特開２００２−３５６５６６号公報
【特許文献７】特公平７−８９４５２号公報
【特許文献８】特公平７−１４９８９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、上述した従来技術における問題点の解決を課題として検討した結果達成されたものである。すなわち、本発明の目的は、高い透明性と導電性を持ち、かつ薄くても高い剛性と靭性を持つ生産性に優れた透明導電性フィルム積層体に好適に用いられるプラスチック基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記した目的を達成するための本発明は、ガラス転移温度が２６０℃以上６００℃未満であり、波長４００ｎｍの光に対する光線透過率が６０％以上１００％以下であり、波長４５０〜７００ｎｍの全ての光に対する光線透過率が８０％以上１００％以下であり、かつ、鉛筆硬度がＨ以上であるプラスチック基板によって達成される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のプラスチック基板は、高いガラス転移温度と表面硬度を持ち、かつ透明性に優れたものであるため、導電性プラスチック積層体用のプラスチック基板として優れた性能を発現するものである。本発明の導電性プラスチック積層体は、画像表示素子や太陽電池やタッチパネル等に使用される導電性プラスチック積層体に適用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明のプラスチック基板は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２６０℃以上６００℃未満である。Ｔｇが２６０℃未満であると、透明導電層の形成プロセスにおいて基板温度を十分に上げることができず、形成された透明導電層の結晶界面が多くなるため、界面の抵抗により導電性のよい透明導電層が形成できないことがある。Ｔｇは、好ましくは３００℃以上、さらに好ましくは３５０℃以上である。Ｔｇは高い方が好ましいが、現実的には上限は６００℃程度である。
【００１６】
本発明のプラスチック基板は、４５０ｎｍから７００ｎｍまでの全ての光波長の光線透過率が８０％以上１００％以下である。より好ましくは光線透過率が８５％以上１００％以下、さらに好ましくは９０％以上１００％以下である。４５０ｎｍから７００ｎｍまでの全ての光波長の光線透過率が８０％以上であれば、プラスチック基板の表面に透明導電層を形成して透明導電性フィルム積層体としたときの透明性も良好となり、液晶ディスプレーや太陽電池などの透明導電性フィルム積層体として好ましく用いられる。さらに、光波長４００ｎｍの光線透過率が６０％以上１００％以下である。より好ましくは４００ｎｍの光線透過率が６５％以上１００％以下、さらに好ましくは７５％以上１００％以下、最も好ましくは９０％以上１００％以下である。近紫外領域である４００ｎｍの光線透過率が６０%以上であることにより、プラスチック基板の透明度がより向上する。
【００１７】
本発明のプラスチック基板は、ＪＩＳ  ｋ−５６００−５−４（１９９９）に従って測定される鉛筆硬度がＨ以上である。鉛筆硬度がＨ未満であると、製膜中や加工中にロールなど他の固い物質との接触によりフィルム表面に損傷をうけ、フィルムの品位及び生産性が低下することがある。鉛筆硬度は、より好ましくは３Ｈ以上である。鉛筆硬度が３Ｈ以上であれば、ペン入力に対する耐久性があるため、タッチパネルの透明導電性フィルム積層体として好ましく用いることができる。
【００１８】
本発明のプラスチック基板は、以上のような物性を満足していればポリカーボネート、ポリブチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリアミド等のフィルムを用いることができるが、特に、以下に示す構造単位を持つ芳香族ポリアミドフィルムを用いると、芳香族ポリアミドフィルムがもつ高いヤング率や表面硬度やガラス転移温度などの優れた機械物性と、高い透明性を両立できることから、導電性フィルム積層体としたとき、高い透明性と高い導電性を両立し、さらに薄くても高い剛性と靭性を持つ生産性に優れたフィルムとすることができるため好ましい。即ち、化学式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）または（ＩＶ）で示される構造単位を含み（これらの全ての構造単位を含むこともあり、またその一部のみを含むこともある）、かつ、化学式（Ｉ）、（ＩＩ）（ＩＩＩ）および（ＩＶ）で示される構造単位のモル分率をそれぞれｌ、ｍ、ｎ、ｏとしたとき、次式（１）〜（３）を満足していることが好ましい。
【００１９】
５０＜ｌ＋ｍ＋ｎ≦１００  ・・・  （１）
０≦ｌ、ｍ、ｎ、ｏ≦１００・・・  （２）
０≦ｏ≦５０              ・・・  （３）
【００２０】
【化１】
2005054173.tif 000003
【００２１】
Ｒ1：少なくとも一つの５員環、６員環または７員環を有する基
Ｒ2：任意の芳香族基
Ｘ：水素、ハロゲンまたは炭素数１〜３の炭化水素基
【００２２】
【化２】
2005054173.tif 000004
【００２３】
Ｒ3：−ＣＦ3、−ＣＣｌ3、−ＣＢｒ3、−ＯＨ、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＯＣＨ3（ただし、分子内においてこれらの基を有する構造単位が混在していてもよい。）
Ｒ4：任意の芳香族基
【００２４】
【化３】
2005054173.tif 000005
【００２５】
Ｒ5：−ＳＯ2−、−Ｏ−、−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−から選ばれる基、または−ＳＯ2−、−Ｏ−、−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−から選ばれる基を１つ以上含む芳香族基。
【００２６】
Ｒ6：任意の芳香族基
Ｘ：水素、ハロゲンまたは炭素数１〜３の炭化水素基
【００２７】
【化４】
2005054173.tif 000006
【００２８】
Ｒ7：任意の芳香族基
Ｒ8：任意の芳香族基
Ｘ：水素、ハロゲンまたは炭素数１〜３の炭化水素基
化学式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）および（ＩＶ）はそれぞれ存在しても、または存在しなくても構わないが、化学式（Ｉ）、（ＩＩ）および（ＩＩＩ）で示される構造単位のモル分率をそれぞれｌ、ｍ、ｎとした時、ｌ＋ｍ＋ｎが５０を超えることが好ましい様態である。さらに好ましくはｌ＋ｍ＋ｎは８０以上であり、最も好ましくはｌ＋ｍ＋ｎは１００である。ｌ＋ｍ＋ｎが５０以下の場合にはこれらの効果よりも着色に寄与する構造単位の寄与が大きくなり無色透明フィルムは得られない（光線透過率に劣る）ことがある。
【００２９】
アラミドの着色は分子内および分子間の電荷移動錯体によると考えられているが、化学式（Ｉ）、（ＩＩ）および（ＩＩＩ）はいずれもアラミド分子内および分子間の電荷移動錯体の形成を阻害し、アラミドフィルムを無色透明化する（光線透過率を向上させる）と考えられる。
【００３０】
化学式（Ｉ）においてＲ1は少なくとも一つの５員環、６員環または７員環を有する基などが好適に用いられるが、化学式（ＸＩ）で示される環状基であることがさらに好ましい。最も好ましくはフルオレン基である。
【００３１】
【化５】
2005054173.tif 000007
【００３２】
化学式（ＩＩ）においてＲ3は、−ＣＦ3、−ＣＣｌ3、−ＣＢｒ3、−ＯＨ、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＯＣＨ3（ただし、分子内においてこれらの基を有する構造単位が混在していてもよい。）などが好適に用いられる。最も好ましくは−ＣＦ3である。
【００３３】
化学式（ＩＩＩ）においてＲ5は、−ＳＯ2−、−Ｏ−、−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−から選ばれる基、または−ＳＯ2−、−Ｏ−、−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−から選ばれる基を１つ以上含む芳香族基などが好適に用いられるが、最も好ましくは−ＳＯ2−である。
【００３４】
また、本発明のプラスチック基板は、化学式（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）または（ＶＩＩＩ）で示される構造単位を含み、かつ、化学式（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および（ＶＩＩＩ）で示される構造単位のモル分率をそれぞれｐ、ｑ、ｒ、ｓとしたとき、次式（５）〜（７）を満足していることが好ましい。
【００３５】
５０＜ｐ＋ｑ＋ｒ≦１００    ・・・  （５）
０≦ｐ、ｑ、ｒ、ｓ≦１００  ・・・  （６）
０≦ｓ≦５０                ・・・  （７）
【００３６】
【化６】
2005054173.tif 000008
【００３７】
Ｘ：水素、ハロゲンまたは炭素数１〜３の炭化水素基
【００３８】
【化７】
2005054173.tif 000009
【００３９】
【化８】
2005054173.tif 000010
【００４０】
【化９】
2005054173.tif 000011
【００４１】
Ｒ9：任意の芳香族基
Ｒ10：任意の芳香族基
本発明のプラスチック基板は、少なくとも一方向のヤング率が４ＧＰａ以上２０ＧＰａ未満であることが好ましい。より好ましくは、８ＧＰａ以上２０ＧＰａ未満である。全ての方向のヤング率が４ＧＰａ未満であると、加工時に変形を起こし、透明導電層にクラックが入ることがある。ヤング率が２０ＧＰａを超えると、フィルムの靱性が低下し、製膜、加工が困難になることがある。少なくとも一方向のヤング率が４ＧＰａ以上２０ＧＰａ未満であることにより、プラスチック基板の厚みを薄くしても加工時、使用時に負荷される力に対して抵抗でき、また、平面性が一層良好となる。
【００４２】
また、ヤング率の最大値（Ｅｍ）とそれと直交する方向のヤング率（Ｅｐ）の比、Ｅｍ／Ｅｐが、１．１〜３であると、加工時の裁断性が向上するため好ましい。より好ましくは、１．２〜２．５であり、さらに好ましくは１．５〜２．５である。Ｅｍ／Ｅｐが３を超えると、却って、破断しやすくなることがある。
【００４３】
本発明のプラスチック基板は、ＪＩＳ−Ｃ２３１８に準拠した測定において、少なくとも一方向の破断伸度が、７％以上２５０％未満であると成形、加工時の破断が少なくなるため好ましい。より好ましくは１０％以上２５０％未満である。破断伸度の上限は特に限定されるものではないが、現実的には、２５０％程度である。
【００４４】
本発明のプラスチック基板は、ＭＩＴ試験機を用いて測定した耐屈曲回数が３０，０００回以上であることが好ましい。耐屈曲回数が３０，０００回以上であれば、しなやかで靭性のよいフィルムであるため、製膜、加工のフィルム破断が著しく減少し、生産性が良好となる。
【００４５】
また本発明のプラスチック基板の厚みは１μｍから１００μｍであることが好ましい。より好ましくは２μｍから５０μｍである。フィルムの厚みが１００μｍを超えると光線透過率が低くなる。またフィルムの厚みが１μｍ未満では加工性が低下する。基板として芳香族ポリアミドを用いることによりフィルムの高剛性化を達成することができ、他材料と比較して極端に薄いフィルムでも優れた物性を発現させる事ができる。なお、フィルムの厚みは用途により適切に選定されるべきものである事は言うまでもない。
【００４６】
次に、以下に本発明において好ましく用いられる芳香族ポリアミドやその組成物の製造方法、およびプラスチック基板として好ましく用いられる芳香族ポリアミドフィルムの製造方法、および透明導電性プラスチック積層体の製造方法の例を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４７】
芳香族ポリアミド溶液、すなわち製膜原液を得る方法は種々の方法が利用可能であり、例えば、低温溶液重合法、界面重合法、溶融重合法、固相重合法などを用いることができる。低温溶液重合法つまりカルボン酸ジクロライドとジアミンから得る場合には、非プロトン性有機極性溶媒中で合成される。
【００４８】
カルボン酸ジクロライドとしてはテレフタル酸ジクロライド、２クロロ−テレフタル酸ジクロライド、イソフタル酸ジクロライド、ナフタレンジカルボニルクロライド、ビフェニルジカルボニルクロライド、ターフェニルジカルボニルクロライドなどが挙げられるが、最も好ましくはテレフタル酸ジクロライド、２クロロ−テレフタル酸ジクロライド、イソフタル酸ジクロライドが用いられる。
【００４９】
ジアミンとしては、例えば、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、２，２’−ジトリフルオロメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−アミノ−３−メチルフェニル）フルオレン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、９，９−ビス（４−アミノ−３−フルオロフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−アミノ−３−クロロフェニル）フルオレンなどが挙げられるが、好ましくは４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、２，２’−ジトリフルオロメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−アミノ−３−メチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−アミノ−３−フルオロフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−アミノ−３−クロロフェニル）フルオレンが挙げられる。
【００５０】
芳香族ポリアミド溶液は、単量体として酸ジクロライドとジアミンを使用すると塩化水素が副生するが、これを中和する場合には水酸化カルシウム、炭酸カルシウム、炭酸リチウムなどの無機の中和剤、またエチレンオキサイド、プロピレンオキサイド、アンモニア、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、ジエタノールアミンなどの有機の中和剤が使用される。また、イソシアネートとカルボン酸との反応は、非プロトン性有機極性溶媒中、触媒の存在下で行なわれる。
【００５１】
２種類以上のジアミンを用いて重合を行う場合、ジアミンは１種類づつ添加し、該ジアミンに対し１０〜９９モル％の酸ジクロライドを添加して反応させ、この後に他のジアミンを添加して、さらに酸ジクロライドを添加して反応させる段階的な反応方法、およびすべてのジアミンを混合して添加し、この後に酸ジクロライドを添加して反応させる方法などが利用可能である。また、ジアミンは重合前に、６０℃以上、０．０１ＭＰａ以下の雰囲気中に１０分以上置いて、水分を十分に除去することが、フィルムの鉛筆硬度をＨ以上とすることに寄与する。ジアミン中に水分が存在すると得られるポリマーの分子量が低くなり、フィルムの表面硬度（鉛筆硬度）、伸度及び靭性が低下することがある。
【００５２】
また、２種類以上の酸ジクロライドを利用する場合も同様に段階的な方法、同時に添加する方法などが利用できる。いずれの場合においても全ジアミンと全酸ジクロライドのモル比は９５〜１０５：１０５〜９５が好ましく、この値を外れた場合、得られるポリマーの分子量が低くなり、フィルムの表面硬度、伸度及び靭性が低下することがある。
【００５３】
本発明の芳香族ポリアミドの製造において、使用する非プロトン性極性溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミドなどのホルムアミド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドなどのアセトアミド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニル−２−ピロリドンなどのピロリドン系溶媒、フェノール、ｏ−、m−またはｐ−クレゾール、キシレノール、ハロゲン化フェノール、カテコールなどのフェノール系溶媒、あるいはヘキサメチルホスホルアミド、γ−ブチロラクトンなどを挙げることができ、これらを単独又は混合物として用いるのが望ましいが、更にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の使用も可能である。さらにはポリマーの溶解を促進する目的で溶媒には５０重量%以下のアルカリ金属、またはアルカリ土類金属の塩を添加することができる。
【００５４】
本発明の芳香族ポリアミドには、表面形成、加工性改善などを目的として１０重量%以下の無機質または有機質の添加物を含有させてもよい。添加物は無色であっても有色であっても構わないが、本発明の芳香族ポリアミドフィルムの特徴を損ねないためには無色透明であることが好ましい。表面形成を目的とした添加剤としては例えば、無機粒子ではＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＣａＳＯ4、ＢａＳＯ4、ＣａＣＯ3、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン、ゼオライト、その他の金属微粉末等が挙げられる。また、好ましい有機粒子としては、例えば、架橋ポリビニルベンゼン、架橋アクリル、架橋ポリスチレン、ポリエステル粒子、ポリイミド粒子、ポリアミド粒子、フッ素樹脂粒子等の有機高分子からなる粒子、あるいは、表面に上記有機高分子で被覆等の処理を施した無機粒子が挙げられる。
【００５５】
次にフィルム化について説明する。上記のように調製された製膜原液は、いわゆる溶液製膜法によりフィルム化が行なわれる。溶液製膜法には乾湿式法、乾式法、湿式法などがありいずれの方法で製膜されても差し支えないが、ここでは乾湿式法を例にとって説明する。
【００５６】
乾湿式法で製膜する場合は該原液を口金からドラム、エンドレスベルト等の支持体上に押し出して薄膜とし、次いでかかる薄膜層から溶媒を飛散させ薄膜が自己保持性をもつまで乾燥する。乾燥条件は例えば、室温〜２２０℃、６０分以内の範囲で行うことができる。またこの乾燥工程で用いられるドラム、エンドレスベルトの表面はできるだけ平滑であれば表面の平滑なフィルムが得られる。上記の乾式工程を終えたフィルムは支持体から剥離されて湿式工程に導入され、脱塩、脱溶媒などが行なわれ、さらに延伸、乾燥、熱処理が行なわれてフィルムとなる。
【００５７】
延伸は延伸倍率として面倍率で０．８〜８（面倍率とは延伸後のフィルム面積を延伸前のフィルムの面積で除した値で定義する。１以下はリラックスを意味する。）の範囲内にあることが好ましく、より好ましくは０．８〜４である。また、熱処理としては２００℃〜５００℃で数秒から数分間の熱処理が好ましく実施される。２００℃以下では、熱処理が十分ではなく、フィルムの表面硬度やヤング率が低下することがある。５００℃以上では、フィルムが着色することがある。熱処理温度は、さらに好ましくは２５０℃〜４００℃である。さらに、延伸あるいは熱処理後のフィルムを徐冷することは有効であり、５０℃／秒以下の速度で冷却することが有効である。本発明の芳香族ポリアミドから得られるフィルムは単層フィルムに限定されるものではなく、積層フィルムであっても良いし、ガスバリヤ性の付与、耐溶剤性の改良、表面硬度の改良などの目的で各種下塗りや表面処理を施した複合フィルムであってもよい。
【００５８】
次に導電層（以下、透明導電層という）の成膜方法について説明する。透明導電層としては、酸化スズ、酸化インジウムと酸化亜鉛の合金、金の半透過膜、ＩＴＯなど様々なものが提案されているが、透明性と導電性の観点からＩＴＯが好ましい。
【００５９】
なお、上記の透明導電層は、プラスチック基板上に直接形成されていてもよいし、例えばハードコート層などの他の層を介して間接的に形成されていてもよい。
【００６０】
また、透明導電層を形成する方法は、主にスパッタリング法が使用され、ＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法、イオンビームスパッタ法などが適用できるが、生産性の観点から、ＤＣマグネトロンスパッタ法が好ましい。
【００６１】
透明導電層の厚みは、１００〜１０，０００オングストロームであることが好ましい。より好ましくは５００〜５，０００オングストロームであり、さらに好ましくは１，０００〜２，５００オングストロームである。１００オングストローム未満では十分な導電性を得られないことがある。１０，０００オングストロームを超えると透明性が損なわれたり、また、透明導電層の形成に長時間を要し生産性が損なわれたりする。
【００６２】
透明導電層を形成する際の基板温度は、２５０℃以上であることが好ましい。より好ましくは３００℃以上、さらに好ましくは３５０℃以上である。２５０℃未満では十分な導電性が得られないことがあるが、本発明の透明プラスチック基板はＴｇが２６０℃以上であるので、透明導電層の形成工程において基板温度を２５０℃にしてもプラスチック基板の平面性、透明性を損なうことなく成膜することができる。高い導電性を得るためには基板温度は高い方が好ましいが、プラスチック基板の耐熱性から上限は基板となる芳香族ポリアミドフィルムのガラス転移温度未満である。
【００６３】
以上の方法で得られた透明導電層は、表面抵抗が６０Ω／□未満であることが好ましい。表面抵抗は、より好ましくは３０Ω／□未満、さらに好ましくは１５Ω／□未満である。表面抵抗が１５Ω／□未満であると、大画面の液晶ディスプレー用の透明導電性フィルム積層体として用いたとき高い表示品位を得ることができる。
【００６４】
本発明の透明導電性フィルム積層体は、光波長５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上１００％以下であることが好ましい。より好ましくは光線透過率が８５％以上１００％以下、さらに好ましくは９０％以上１００％以下である。光波長５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上であれば、液晶ディスプレーや太陽電池などの透明導電性フィルム積層体として好ましく用いられる。
【００６５】
本発明のプラスチック基板は、高い透明性と導電性を持ち、かつ薄くても剛性や靭性に優れるため、画像表示素子や太陽電池やタッチパネル等に使用される透明導電性フィルム積層体に適用できる。ここで、画像表示素子としては特に限定はされないが、液晶ディスプレー、有機ＥＬディスプレー、無機ＥＬディスプレー、フィールドエミッションディスプレー、プラズマディスプレーなどが挙げられる。
【００６６】
図１は、本発明の一実施態様に係る導電性プラスチック積層体の概略断面図である。図１において導電性プラスチック積層体１はプラスチック基板３とその表面に設けられた透明導電層２とから構成されている。
【００６７】
図２は本発明の導電性プラスチック積層体を用いた液晶表示素子の一例を示す概略断面図である。図２において液晶表示素子１１は、順に、偏光フィルター４、プラスチック基板３１と透明導電層２１とからなる導電性プラスチック積層体、液晶配向膜５、透明導電層２２とカラーフィルター６とプラスチック基板３２とからなるカラーフィルター基板、偏光フィルター４１の層構成を有している。
【００６８】
図３は本発明の導電性プラスチック積層体を用いた太陽電池の一例を示す概略断面図である。図３において太陽電池１２は、順に、プラスチック基板３３と透明導電層２３とからなる導電性プラスチック基板、電荷輸送層７、半導体電極８、透明導電層２４とプラスチック基板３４とからなる導電性プラスチック積層体の層構成を有している。
【００６９】
図４は本発明の導電性プラスチック積層体を用いたタッチパネルの一例を示す概略断面図である。図４においてタッチパネル１３は、表面処理層９、プラスチック基板３５と透明導電層２５とからなる導電性プラスチック積層体、スペーサー１０、透明導電層２６とプラスチック基板３６とからなる導電性プラスチック積層体の層構成を有している。
【実施例】
【００７０】
以下に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００７１】
なお、物性の測定方法、効果の評価方法は次の方法に従って行った。
【００７２】
（１）ヤング率
ロボットテンシロンＲＴＡ１００（オリエンテック社製）を用いて、温度２３℃、相対湿度６５％において測定し、以下の方法で評価した。ただし、試験片は製膜方向をＭＤ方向、これと直交する方向をＴＤ方向として、ＭＤ方向またはＴＤ方向について幅１０ｍｍで長さ５０ｍｍの試料とした。引張速度は３００ｍｍ／分である。但し、試験を開始してから荷重が１Ｎを通過した点を伸びの原点とした。
【００７３】
◎：ＭＤ方向またはＴＤ方向のうち、少なくとも１方向のヤング率が８ＧＰａ以上
○：ＭＤ方向またはＴＤ方向のうち、少なくとも１方向のヤング率が４ＧＰａ以上８ＧＰａ未満
×：ＭＤ方向及びＴＤ方向の両方のヤング率が４ＧＰａ未満
（２）破断伸度
ロボットテンシロンＲＴＡ１００（オリエンテック社製）を用いて、温度２３℃、相対湿度６５％において測定し、以下の方法で評価した。
【００７４】
◎：破断伸度が１０％以上
○：破断伸度が７％以上１０％未満
△：破断伸度が５％以上７％未満
×：破断伸度が５％未満
（３）光線透過率
ＵＶ測定器Ｕ−３４１０（日立計測社製）を用いて、各波長の光に対応する透過率を測定し、以下の方法で評価した。
【００７５】
透過率（%）＝（Ｔ１／Ｔ０）×１００
ただしＴ１は試料を通過した光の強度、Ｔ０は試料を通過しない以外は同一の距離の空気中を通過した光の強度である。
【００７６】
波長範囲：３００ｎｍ〜８００ｎｍ
測定速度：１２０ｎｍ／分
測定モード：透過
プラスチック基板の光波長４００ｎｍにおける光線透過率について
◎：光線透過率が８０％以上
○：光線透過率が６０％以上８０％未満
×：光線透過率が６０％未満
プラスチック基板の光波長４５０〜７００ｎｍにおける光線透過率について
○：光線透過率が８０％以上
×：光線透過率が８０％未満
導電性プラスチック積層体の光波長５５０ｎｍにおける光線透過率について
○：光線透過率が８０％以上
×：光線透過率が８０％未満
（４）表面抵抗
四端子法を用いて、フィルムの表面抵抗（Ω／□）を求め、以下の方法で評価した。
【００７７】
◎：表面抵抗が１５Ω／□未満
○：表面抵抗が１５Ω／□以上６０Ω／□未満
×：表面抵抗が６０Ω／□以上
（５）耐屈曲性
ＭＩＴ−Ｄ（東洋精機社製）を用いて、温度２３℃、相対湿度６５％において測定した。試験片は幅１０ｍｍ、荷重は２．５ｋｇ／ｍｍ2として、フィルムの耐屈曲回数を測定し、以下の基準で評価した。
【００７８】
○：耐屈曲回数が３０，０００回以上
×：耐屈曲回数が３０，０００回未満
（６）ガラス転移温度（Ｔｇ）
ＤＭＳ６１００（セイコー電子社製）を用い、ＪＩＳ  Ｋ−７２４４−４（１９９９）に準じて、フィルムの動的貯蔵弾性率Ｅ’を測定し、Ｅ’の変曲点からフィルムのＴｇを求めた。ただし、装置の測定可能温度範囲（３６０℃）に変曲点が確認されなかった場合、Ｔｇは３６０℃以上と表１に記載した。
【００７９】
（７）鉛筆硬度
ＨＥＩＤＯＮ（新東科学（株）製）を用いてＪＩＳ  Ｋ−５６００−５−４（１９９９）に従って測定し、以下の基準で評価した。
【００８０】
◎：３Ｈ以上
○：Ｈ以上３Ｈ未満
×：Ｈ未満
（８）生産性評価
得られた２０ｃｍ四方の導電性プラスチック積層体について、偏光板を用いて傷の有無を目視により確認し、１個以上傷が確認されたものを不合格とした。また、得られた導電性フィルム積層体の導電性薄膜にクラックが発生しているものも不合格とした。さらに、透明導電性フィルム積層体を作成中に基板の一部が破断したものも不合格とした。
【００８１】
透明導電性フィルムを１００個作成したとき、上記基準によって合否を判断し、以下の基準で生産性の評価を行った。
【００８２】
○：９０％以上が合格
△：７０％以上９０％未満が合格
×：７０％未満が合格
（実施例１）
脱水したＮ−メチル−２−ピロリドンに、６０℃、０．０１ＭＰａの雰囲気下で１０分間脱水処理した、１００モル％に相当する９，９ビス（４−アミノフェニル）フルオレンを溶解させ、これに１００モル％に相当するテレフタル酸ジクロライドを添加し、２時間撹拌により重合後、炭酸リチウムで中和を行い、ポリマー濃度が１０重量％の芳香族ポリアミド溶液を得た。
【００８３】
上記芳香族ポリアミド溶液を押し出し機で幅５０ｃｍの口金に供給し、表面が鏡面状のステンレス製ベルト上に流延速度１．５ｍ／分で流延した。この流延されたポリマー溶液を１４５℃で３分間加熱して溶媒を蒸発させ、自己支持性を発現した重合体シートを支持体から剥離した。続いて剥離したフィルムを水槽内へ５分間通し、残存溶媒と中和で生じた無機塩の水抽出を行なった。この後、温度２８０℃のオーブン中で幅を一定に保ったまま熱処理を行い、芳香族ポリアミドフィルムを得た。得たフィルムは４２０ｎｍから８００ｎｍの全ての波長において光線透過率が８０％以上であった。得られたフィルムの物性を測定し、表１に示した。
【００８４】
次に、得られたフィルム表面に、４×１０-3Ｔｏｒｒの減圧下でスパッタリング法により、厚み１，５００オングストロームのＩＴＯ膜を形成し、エッジ部分を切断し２０ｃｍ四方の導電性プラスチック積層体のサンプルを得た。ただし、この時の基板温度は、３５０℃とした。フィルムのＴｇが高く、基板温度を十分に上げられたため、導電性が良好なフィルムとなった。得られた導電性プラスチック積層体の物性を測定し、表１に示した。
【００８５】
（実施例２）
脱水したＮ−メチル−２−ピロリドンに、６０℃、０．０１ＭＰａの雰囲気下で１０分間脱水処理した、１００モル％に相当する２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニルを溶解させ、これに１００モル％に相当する２−クロルテレフタル酸クロライドを添加し、２時間撹拌により重合後、炭酸リチウムで中和を行い、ポリマー濃度が８重量％の芳香族ポリアミド溶液を得た。
【００８６】
上記芳香族ポリアミド溶液を押し出し機で幅５０ｃｍの口金に供給し、表面が鏡面状のステンレス製ベルト上に流延速度１．５ｍ／分で流延した。この流延されたポリマー溶液を１４５℃で３分間加熱して溶媒を蒸発させ、自己支持性を発現した重合体シートを支持体から剥離した。続いて剥離したフィルムを水槽内へ５分間通し、残存溶媒と中和で生じた無機塩の水抽出を行なった。この後、温度２８０℃のオーブン中で幅を一定に保ったまま熱処理を行い、芳香族ポリアミドフィルムを得た。得たフィルムは３９０ｎｍから８００ｎｍの全ての波長において光線透過率が８０％以上であった。得られたフィルムの物性を測定し、表１に示した。
【００８７】
次に、得られたフィルム表面に、基板温度を２５０℃とする以外は実施例１と同様の方法でＩＴＯ膜を形成し、導電性プラスチック積層体のサンプルを得た。得られた導電性プラスチック積層体の物性を測定し、表１に示した。
【００８８】
（実施例３）
脱水したＮ−メチル−２−ピロリドンに、６０℃、０．０１ＭＰａの雰囲気下で１０分間脱水処理した、５０モル％に相当する４，４’−ジアミノジフェニルスルフォンと、５０モル％に相当する３，３’−ジアミノジフェニルスルフォンを溶解させ、これに１００モル％に相当するテレフタル酸ジクロライドを添加し、２時間撹拌により重合後、炭酸リチウムで中和を行い、ポリマー濃度が１０重量％の芳香族ポリアミド溶液を得た。
【００８９】
上記芳香族ポリアミド溶液を押し出し機で幅５０ｃｍの口金に供給し、表面が鏡面状のステンレス製ベルト上に流延速度１．５ｍ／分で流延した。この流延されたポリマー溶液を１４５℃で３分間加熱して溶媒を蒸発させ、自己支持性を発現した重合体シートを支持体から剥離した。続いて剥離したフィルムを水槽内へ５分間通し、残存溶媒と中和で生じた無機塩の水抽出を行なった。この後、温度２８０℃のオーブン中で幅を一定に保ったまま熱処理を行い、芳香族ポリアミドフィルムを得た。得たフィルムは４００ｎｍから８００ｎｍの全ての波長において光線透過率が８０％以上であった。得られたフィルムの物性を測定し、表１に示した。
【００９０】
次に、得られたフィルム表面に、基板温度を２５０℃とする以外は実施例１と同様の方法でＩＴＯ膜を形成し、導電性プラスチック積層体のサンプルを得た。得られた導電性プラスチック積層体の物性を測定し、表１に示した。
【００９１】
（実施例４）
実施例２において、２−クロルテレフタル酸クロライドの添加量を９６ｍｏｌ％とし、それ以外は実施例２と同様の方法で重合、製膜を行った。ポリマーの分子量が低くなったため、得られたフィルムは破断伸度が若干低いフィルムとなった。
【００９２】
次に、得られたフィルム表面に、基板温度を２５０℃とする以外は実施例１と同様の方法でＩＴＯ膜を形成し、導電性プラスチック積層体のサンプルを得た。フィルムの伸度がやや低いため、生産性が△となった。得られた導電性プラスチック積層体の物性を測定し、表１に示した。
【００９３】
（実施例５）
６０℃、０．０１ＭＰａの雰囲気下で１０分間脱水処理した、１００モル％に相当する２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニルを脱水したＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解させ、これに１００モル％に相当するテレフタル酸クロライドを添加し、２時間撹拌により重合後、炭酸リチウムで中和を行い、ポリマー濃度が８重量％の芳香族ポリアミド溶液を得た。
【００９４】
上記芳香族ポリアミド溶液を押し出し機で幅５０ｃｍの口金に供給し、表面が鏡面状のステンレス製ベルト上に流延速度１．５ｍ／分で流延した。この流延されたポリマー溶液を水槽内へ５分間通し、溶媒と中和で生じた無機塩の水抽出を行ない、自己支持性を発現した重合体シートを支持体から剥離した。続いて剥離したこの後、温度２８０℃のオーブン中で幅を一定に保ったまま熱処理を行い、芳香族ポリアミドフィルムを得た。得たフィルムは３９０ｎｍから８００ｎｍの全ての波長において光線透過率が８０％以上であった。得られたフィルムの物性を測定し、表１に示した。
【００９５】
次に、得られたフィルム表面に、基板温度を２５０℃とする以外は実施例１と同様の方法でＩＴＯ膜を形成し、導電性プラスチック積層体のサンプルを得た。得られた導電性プラスチック積層体の物性を測定し、表１に示した。
【００９６】
（実施例６）
６０℃、０．０１ＭＰａの雰囲気下で１０分間脱水処理した、１００モル％に相当する２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニルを脱水したＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解させ、これに５０モル％に相当する２−クロルテレフタル酸クロライドと５０モル％に相当するイソフタル酸クロライドを添加し、２時間撹拌により重合後、炭酸リチウムで中和を行い、ポリマー濃度が８重量％の芳香族ポリアミド溶液を得た。
【００９７】
上記芳香族ポリアミド溶液を押し出し機で幅５０ｃｍの口金に供給し、表面が鏡面状のステンレス製ベルト上に流延速度１．５ｍ／分で流延した。この流延されたポリマー溶液を１４５℃で３分間加熱して溶媒を蒸発させ、自己支持性を発現した重合体シートを支持体から剥離した。続いて剥離したフィルムを水槽内へ５分間通し、残存溶媒と中和で生じた無機塩の水抽出を行なった。この後、温度２８０℃のオーブン中で幅を一定に保ったまま熱処理を行い、芳香族ポリアミドフィルムを得た。得たフィルムは３９０ｎｍから８００ｎｍの全ての波長において光線透過率が８０％以上であった。得られたフィルムの物性を測定し、表１に示した。
【００９８】
次に、得られたフィルム表面に、基板温度を２５０℃とする以外は実施例１と同様の方法でＩＴＯ膜を形成し、導電性プラスチック積層体のサンプルを得た。得られた導電性プラスチック積層体の物性を測定し、表１に示した。
【００９９】
（実施例７）
６０℃、０．０１ＭＰａの雰囲気下で１０分間脱水処理した、１００モル％に相当する９，９ビス（４−アミノフェニル）フルオレンを脱水したＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解させ、これに２５モル％に相当するテレフタル酸ジクロライドと７５モル％に相当するイソフタル酸ジクロライドを添加し、２時間撹拌により重合後、炭酸リチウムで中和を行い、ポリマー濃度が１０重量％の芳香族ポリアミド溶液を得た。
【０１００】
上記芳香族ポリアミド溶液を押し出し機で幅５０ｃｍの口金に供給し、表面が鏡面状のステンレス製ベルト上に流延速度１．５ｍ／分で流延した。この流延されたポリマー溶液を１４５℃で３分間加熱して溶媒を蒸発させ、自己支持性を発現した重合体シートを支持体から剥離した。続いて剥離したフィルムを水槽内へ５分間通し、残存溶媒と中和で生じた無機塩の水抽出を行なった。この後、温度２８０℃のオーブン中で幅を一定に保ったまま熱処理を行い、芳香族ポリアミドフィルムを得た。得たフィルムは４００ｎｍから８００ｎｍの全ての波長において光線透過率が８０％以上であった。得られたフィルムの物性を測定し、表１に示した。
【０１０１】
次に、得られたフィルム表面に、４×１０-3Ｔｏｒｒの減圧下でスパッタリング法により、厚み１，５００オングストロームのＩＴＯ膜を形成し、エッジ部分を切断し２０ｃｍ四方の導電性プラスチック積層体のサンプルを得た。ただし、この時の基板温度は、３５０℃とした。フィルムのＴｇが高く、基板温度を十分に上げられたため、導電性が良好なフィルムとなった。得られた導電性プラスチック積層体の物性を測定し、表１に示した。
【０１０２】
（実施例８）
６０℃、０．０１ＭＰａの雰囲気下で１０分間脱水処理した、１００モル％に相当する９，９−ビス（４−アミノ−３−フルオロフェニル）フルオレンを脱水したＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解させ、これに１００モル％に相当する２−クロルテレフタル酸クロライドを添加し、２時間撹拌により重合後、炭酸リチウムで中和を行い、ポリマー濃度が１０重量％の芳香族ポリアミド溶液を得た。
【０１０３】
上記芳香族ポリアミド溶液を押し出し機で幅５０ｃｍの口金に供給し、表面が鏡面状のステンレス製ベルト上に流延速度１．５ｍ／分で流延した。この流延されたポリマー溶液を１４５℃で３分間加熱して溶媒を蒸発させ、自己支持性を発現した重合体シートを支持体から剥離した。続いて剥離したフィルムを水槽内へ５分間通し、残存溶媒と中和で生じた無機塩の水抽出を行なった。この後、温度２８０℃のオーブン中で幅を一定に保ったまま熱処理を行い、芳香族ポリアミドフィルムを得た。得たフィルムは４２０ｎｍから８００ｎｍの全ての波長において光線透過率が８０％以上であった。得られたフィルムの物性を測定し、表１に示した。
【０１０４】
次に、得られたフィルム表面に、４×１０-3Ｔｏｒｒの減圧下でスパッタリング法により、厚み１，５００オングストロームのＩＴＯ膜を形成し、エッジ部分を切断し２０ｃｍ四方の導電性プラスチック積層体のサンプルを得た。ただし、この時の基板温度は、３５０℃とした。フィルムのＴｇが高く、基板温度を十分に上げられたため、導電性が良好なフィルムとなった。得られた導電性プラスチック積層体の物性を測定し、表１に示した。
【０１０５】
（実施例９）
６０℃、０．０１ＭＰａの雰囲気下で１０分間脱水処理した、１００モル％に相当する９，９−ビス（４−アミノ−３−クロロフェニル）フルオレンを脱水したＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解させ、これに１００モル％に相当する２−クロルテレフタル酸クロライドを添加し、２時間撹拌により重合後、炭酸リチウムで中和を行い、ポリマー濃度が１０重量％の芳香族ポリアミド溶液を得た。
【０１０６】
上記芳香族ポリアミド溶液を押し出し機で幅５０ｃｍの口金に供給し、表面が鏡面状のステンレス製ベルト上に流延速度１．５ｍ／分で流延した。この流延されたポリマー溶液を１４５℃で３分間加熱して溶媒を蒸発させ、自己支持性を発現した重合体シートを支持体から剥離した。続いて剥離したフィルムを水槽内へ５分間通し、残存溶媒と中和で生じた無機塩の水抽出を行なった。この後、温度２８０℃のオーブン中で幅を一定に保ったまま熱処理を行い、芳香族ポリアミドフィルムを得た。得たフィルムは４１０ｎｍから８００ｎｍの全ての波長において光線透過率が８０％以上であった。得られたフィルムの物性を測定し、表１に示した。
【０１０７】
次に、得られたフィルム表面に、４×１０-3Ｔｏｒｒの減圧下でスパッタリング法により、厚み１，５００オングストロームのＩＴＯ膜を形成し、エッジ部分を切断し２０ｃｍ四方の導電性プラスチック積層体のサンプルを得た。ただし、この時の基板温度は、３５０℃とした。フィルムのＴｇが高く、基板温度を十分に上げられたため、導電性が良好なフィルムとなった。得られた導電性プラスチック積層体の物性を測定し、表１に示した。
【０１０８】
（比較例１）
厚さ５０μｍの未延伸ＰＥＴフィルムに、基板温度を１００℃とする以外は実施例１と同様の方法でＩＴＯ膜を形成し、導電性プラスチック積層体を得た。透明性は良好であったが、ＰＥＴフィルムのＴｇが低いため、透明導電層形成時の基板温度を上げられず、その結果、導電性の悪い積層体となった。また、フィルムのヤング率及び表面硬度が低いため生産性が×となった。ＰＥＴフィルムと、得られた導電性プラスチック積層体の物性を測定し、表１に示した。
【０１０９】
（比較例２）
脱水したＮ−メチル−２−ピロリドン１，０００重量部に無水塩化リチウム７０重量部を溶解し、次いでパラフェニレンジアミン４８．６重量部を溶解した。８℃に冷却した後、テレフタル酸ジクロライド９１．４重量部を添加し、重合反応物を得た。得られた重合反応物を微粉砕し、水を加えた後さらに粉砕してポリマーを単離した。単離したポリマーを温水中で数回洗浄した後、１１０℃の熱風中で乾燥してパラフェニレンテレフタルアミドのポリマーを得た。
【０１１０】
９９．６％の硫酸中に、得られたパラフェニレンテレフタルアミドを添加し窒素雰囲気下、６０℃で攪拌溶解した。ポリマー濃度は１２重量％、粘度は５，０００ポイズであった。このドープを６０℃に保ったまま口金から、鏡面に磨いたタンタル製のベルトにキャストした。このベルト上で、絶対湿度３１ｇ（水）／ｋｇ（乾燥空気）の９０℃の空気中に１４秒間保った後、１１０℃の熱風を吹きつけるゾーンの中を４秒間で通過させて、光学等方性の透明なドープを得た。このドープを移動ベルト上で５℃の水で凝固させた後、水洗、５重量％水酸化ナトリウム水溶液による中和、水洗を繰返し自己支持性のゲルフィルムを得た。
【０１１１】
さらにこのゲルフィルムをテンターにて、３００℃２０分で熱処理を行い芳香族ポリアミドフィルムを得た。
【０１１２】
得たフィルムは５９０ｎｍから８００ｎｍの全ての波長において光線透過率が８０％以上であったが、５９０ｎｍより短い波長では光線透過率は低く、目視でも黄色い色調であった。得られたフィルムの物性を測定し、表１に示した。
【０１１３】
次に、得られたフィルム表面に、基板温度を３００℃とする以外は実施例１と同様の方法でＩＴＯ膜を形成し、導電性プラスチック積層体を得た。得られた導電性プラスチック積層体の物性を測定し、表１に示した。
【０１１４】
（比較例３）
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドに、１００モル％に相当する２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−ヘキサフルオロプロパン二無水物と、１００モル％に相当する２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニルを添加し、窒素雰囲気下、室温で撹拌し、濃度１０重量％のポリアミック酸ＤＭＡ溶液を得た。得られたポリアミック酸ＤＭＡ溶液をシリコン基板上にキャスト後、窒素雰囲気中７０℃で２時間、２００℃で１時間、３００℃で１時間加熱処理することにより、ポリイミドフィルムを得た。得たフィルムは表面硬度及び靭性の低いフィルムであった。得られたフィルムの物性を測定し、表１に示した。
【０１１５】
次に、得られたフィルム表面に、基板温度を３００℃とする以外は実施例１と同様の方法でＩＴＯ膜を形成し、導電性プラスチック積層体を得た。フィルムの表面硬度及び伸度及び靭性が低いため生産性が×となった。得られた導電性プラスチック積層体の物性を測定し、表１に示した。
【０１１６】
【表１】
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【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明の一実施態様に係る導電性プラスチック積層体の概略縦断面図である。
【図２】本発明の一実施態様に係る導電性プラスチック積層体を用いた液晶表示素子の一例を示す概略縦断面図である。
【図３】本発明の一実施態様に係る導電性プラスチック積層体を用いた太陽電池の一例を示す概略縦断面図である。
【図４】本発明の一実施態様に係る導電性プラスチック積層体を用いたタッチパネルの一例を示す概略縦断面図である。
【符号の説明】
【０１１８】
１：透明導電性フィルム積層体
２：透明導電層
３：プラスチック基板
４：偏光フィルター
５：液晶配向膜
６：カラーフィルター
７：電荷輸送層
８：半導体電極
９：表面処理層
１０：スペーサー
１１：液晶表示素子
１２：太陽電池
１３：タッチパネル
２１：透明導電層
２２：透明導電層
２３：透明導電層
２４：透明導電層
２５：透明導電層
２６：透明導電層
３１：プラスチック基板
３２：プラスチック基板
３３：プラスチック基板
３４：プラスチック基板
３５：プラスチック基板
３６：プラスチック基板
４１：偏光フィルター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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