(57)【要約】  【課題】ウェットエッチングに適した層の間にドライエッチングに適した層が介在されている除去部を効率よくエッチングすることができる、積層膜構造体におけるエッチング方法、並びに、当該エッチング方法に使用されるウエハを提供する。  【解決手段】  ウエハにおけるエッチング除去部８５は、ドライエッチングに適した第２層７７と、その上下に形成されてウェットエッチングに適した第１層７５及び第３層７９とを含む。第１層に達するエッチャント通路８９を残して、レジストスペース８１にカバーレジスト８７を配置し、エッチャント通路を通して第１層にエッチャントを作用させ、第１層、第２層及び第３層を一度に除去する。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層膜構造体におけるエッチング方法であって、
前記積層膜構造体は、エッチング後に残される残存部と、該残存部の周囲にレジストスペースを介して形成されているエッチング除去部と含み、
前記エッチング除去部は、ドライエッチングによる除去に適した中間層と、該中間層の上下に少なくとも一層ずつ形成され且つそれぞれウェットエッチングによる除去に適した上層及び下層とを含み、
少なくとも前記下層に達するエッチャント通路を前記レジストスペース内に画定するように、該レジストスペース内にカバーレジストを配置するカバーレジスト形成工程と、
前記エッチャント通路を通して前記下層にエッチャントを作用させ、前記上層、中間層及び下層を一度に除去するエッチング工程とを含む、
エッチング方法。
【請求項２】
請求項１に記載の積層膜構造体におけるエッチング方法であって、
前記エッチャント通路は、前記上層、中間層及び下層の各側面と前記カバーレジストの外側面とによって画定される、エッチング方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の積層膜構造体におけるエッチング方法であって、
前記エッチング除去部、前記レジストスペース、前記カバーレジスト及び前記エッチャント通路はいずれも、前記残存部を囲む環状に形成される、エッチング方法。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の積層膜構造体におけるエッチング方法であって、
前記カバーレジスト及び前記エッチャント通路の幅は、それぞれ、前記レジストスペースの幅の範囲内において１μｍ以上確保されている、エッチング方法。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の積層膜構造体におけるエッチング方法であって、
前記残存部は、前記エッチング除去部と同じ前記上層、中間層及び下層を有しており、
前記残存部及び前記エッチング除去部を画定するためのパターンレジストを配置するパターンレジスト形成工程と、
前記パターンレジストを介しためっきにより前記上層、中間層及び下層を形成するめっき工程とを含む、
エッチング方法。
【請求項６】
請求項５に記載の積層膜構造体におけるエッチング方法であって、
前記パターンレジスト形成工程では、前記エッチング除去部にエッチャント染み込み用穴を設けるための穴パターンレジストも配置され、
前記エッチング工程では、前記エッチャント通路に加えて前記エッチャント染み込み用穴からもエッチャントを染み込ませる、
エッチング方法。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の積層膜構造体におけるエッチング方法であって、
前記中間層は、貴金属、貴金属合金、アモルファス合金又は酸化アルミニウムから構成されている、エッチング方法。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の積層膜構造体におけるエッチング方法であって、
前記上層及び下層はそれぞれ磁性材料から構成され、
前記中間層は非磁性材料から構成されている、
エッチング方法。
【請求項９】
積層膜構造体を含むウエハであって、
前記積層膜構造体は、エッチング後に残される残存部と、該残存部の周囲にレジストスペースを介して形成されているエッチング除去部と含み、
前記エッチング除去部は、ドライエッチングによる除去に適した中間層と、該中間層の上下に少なくとも一層ずつ形成され且つそれぞれウェットエッチングによる除去に適した上層及び下層とを含み、
前記残存部は前記レジストスペースに設けられたカバーレジストによって被覆されており、
前記レジストスペースには、前記カバーレジストによって画定され且つ前記エッチング除去部の少なくとも前記下層に達するエッチャント通路が形成されている、
積層膜構造体を含むウエハ。
【請求項１０】
請求項９に記載の積層膜構造体を含むウエハであって、
前記エッチング除去部には、前記エッチャント通路とは別にエッチャント染み込み用穴を備える、ウエハ。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の積層膜構造体を含むウエハであって、
前記カバーレジスト及び前記エッチャント通路の幅は、それぞれ、前記レジストスペースの幅の範囲内において１μｍ以上確保されている、ウエハ。
【請求項１２】
請求項９乃至１１の何れか一項に記載の積層膜構造体を含むウエハであって、
前記中間層は、貴金属、貴金属合金、アモルファス合金又は酸化アルミニウムから構成されている、ウエハ。
【請求項１３】
請求項９乃至１２の何れか一項に記載の積層膜構造体を含むウエハであって、
前記上層、下層並びに中間層はそれぞれ、薄膜磁気ヘッドを構成する下部磁極膜、上部シールド膜並びにそれらの間に介在された非磁性膜である、ウエハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層膜構造体におけるエッチング方法、並びに、当該エッチング方法に使用されるウエハに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、磁気記録媒体への記録再生を行う磁気ヘッドの製作においては、積層膜を所定のパターンに加工するためにエッチングが実施されている。
【０００３】
図１４〜図１９を例にその手順を説明する。図１４に示される積層膜の構造体１において、基板３の上面には、エッチング後に残されるべき残存部５と、残存部５の周囲に設けられたエッチング除去部７とが配置されている。
【０００４】
残存部５及びエッチング除去部７は、いわゆるフレームめっき法によって、シード膜９を介して第１層１１、第２層１３、第３層１５からなる積層構造として形成されている。第１層１１及び第３層１５はウェットエッチングによる除去が好適なＮｉＦｅからなり、第２層１３はウェットエッチングによる除去が困難なＰｔからなるものとする。
【０００５】
上記のような積層膜の構造体１において、残存部５を残してエッチング除去部７のみエッチングしようとした場合、まず、図１５に示されるように、残存部５とエッチング除去部７との間のスペースいっぱいにフォトレジスト１７を形成する。
【０００６】
次に、図１６に示されるように、フォトレジスト１７に囲まれていないエッチング除去部７にウェットエッチングを施し、すなわち、第３層１５を除去する。
【０００７】
続いて、図１７に示されるように、イオンミリングエッチングなどのドライエッチングを施し、第２層１３を除去する。
【０００８】
さらに、図１８に示されるように、再びウェットエッチングを施して、第１層１１やシード膜９を除去する。
【０００９】
最後に、図１９に示されるように、剥離液などによってフォトレジスト１７を除去することによって、残存部５を残してエッチング除去部７のみエッチングするプロセスが終了する。
【００１０】
しかしながら、このような従来のエッチング方法では、第１層１１及び第３層１５の間にウェットエッチングが困難な第２層１３が介在しているため、一層ごとにウェットエッチングとドライエッチングとを繰り返す煩わしさがあった。
【００１１】
また、エッチング後に残したい部分をフォトレジストで被覆する手法に関しては、例えば特許文献１に開示された技術がある。しかしながら、かかる開示技術は、エッチングにより除去すべき部分がウェットエッチングによって除去可能な単層のみからなることを前提としたものであった。
【特許文献１】特開平９−１９０９１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の課題は、ウェットエッチングに適した層の間にドライエッチングに適した層が介在されている除去部に対して、効率よくエッチングを施すことができる、積層膜構造体におけるエッチング方法、並びに、当該エッチング方法に使用されるウエハを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した課題を解決するため、本発明は、積層膜構造体におけるエッチング方法であって、前記積層膜構造体は、エッチング後に残される残存部と、該残存部の周囲にレジストスペースを介して形成されているエッチング除去部と含み、前記エッチング除去部は、ドライエッチングによる除去に適した中間層と、該中間層の上下に少なくとも一層ずつ形成され且つそれぞれウェットエッチングによる除去に適した上層及び下層とを含み、少なくとも前記下層に達するエッチャント通路を前記レジストスペース内に画定するように、該レジストスペース内にカバーレジストを配置するカバーレジスト形成工程と、前記エッチャント通路を通して前記下層にエッチャントを作用させ、前記上層、中間層及び下層を一度に除去するエッチング工程とを含む。
【００１４】
したがって、エッチング除去部の下層に直接到達するようにエンチャントを流し込めるため、下層とその上方に積層された中間層及び上層とを一度にエッチングすることができる。すなわち、一回のウェットエッチングにより、ウェットエッチングに適さない中間層を含む三層構造体をまとめて除去することができる。よって、エッチング工程における工数をこれまでより大幅に減らすことができ、短時間且つ容易に不要部分をエッチング除去することができるようになった。
【００１５】
なお、本発明における、ドライエッチングによる除去に適した層とは、ウェットエッチングができない材料からなる層は勿論、ウェットエッチングを行うと極めて長い処理時間を要するため非現実的であり、当業者間では殆どドライエッチングを用いる材料からなる層をも含む。また、ウェットエッチングによる除去に適した層とは、現実的な処理時間でウェットエッチングが行える材料からなる層を示すものとする。
【００１６】
前記エッチャント通路は、前記上層、中間層及び下層の各側面と前記カバーレジストの外側面とによって画定されていてもよい。これによれば、カバーレジストを形成する際のフォトリソグラフィなどの方法によって、カバーレジストの形成と同時に極めて簡単にエッチャント通路を形成することができる。
【００１７】
前記エッチング除去部、前記レジストスペース、前記カバーレジスト及び前記エッチャント通路はいずれも、前記残存部を囲む環状に形成されていてもよい。
【００１８】
前記カバーレジスト及び前記エッチャント通路の幅は、それぞれ、前記レジストスペースの幅の範囲内において１μｍ以上確保されていると好適である。これによれば、エッチング時にエンチャントが残存部に染み込み腐食を起こすことを回避し、なお且つ、エッチャントの染み込みが不足しエッチングに長時間を要することも回避することができる。
【００１９】
前記残存部は、前記エッチング除去部と同じ前記上層、中間層及び下層を有しており、前記残存部及び前記エッチング除去部を画定するためのパターンレジストを配置するパターンレジスト形成工程と、前記パターンレジストを介しためっきにより前記上層、中間層及び下層を形成するめっき工程とを含むようにしてもよい。これによれば、残存部及びエッチング除去部はフレームめっき法によって構成される。
【００２０】
前記パターンレジスト形成工程では、前記エッチング除去部にエッチャント染み込み用穴を設けるための穴パターンレジストも配置され、前記エッチング工程では、前記エッチャント通路に加えて前記エッチャント染み込み用穴からもエッチャントを染み込ませるようにしてもよい。これによれば、エンチャントを効率よく染み込ませることでより短時間且つ確実にエッチング除去部の除去を行うことができる。
【００２１】
前記中間層は、貴金属、貴金属合金、アモルファス合金又は酸化アルミニウムから構成されていてもよい。また、前記上層及び下層はそれぞれ磁性材料から構成され、前記中間層は非磁性材料から構成されていてもよい。これによれば、本発明を薄膜磁気ヘッドの製造過程に適用できる。
【００２２】
同課題を解決するための別の本発明は、積層膜構造体を含むウエハであって、前記積層膜構造体は、エッチング後に残される残存部と、該残存部の周囲にレジストスペースを介して形成されているエッチング除去部と含み、前記エッチング除去部は、ドライエッチングによる除去に適した中間層と、該中間層の上下に少なくとも一層ずつ形成され且つそれぞれウェットエッチングによる除去に適した上層及び下層とを含み、前記残存部は前記レジストスペースに設けられたカバーレジストによって被覆されており、前記レジストスペースには、前記カバーレジストによって画定され且つ前記エッチング除去部の少なくとも前記下層に達するエッチャント通路が形成されている。
【００２３】
これによれば、上記ウエハに対して、エッチャント通路にエンチャントを流し込むことで、下層に直接エンチャントを作用させることができる。すなわち、一回のウェットエッチングにより、ウェットエッチングに適さない中間層を含む三層構造体をまとめて除去することができる。よって、エッチング工程における工数をこれまでより大幅に減らすことができ、短時間且つ容易に不要部分をエッチング除去することができるようになった。
【００２４】
前記エッチング除去部には、前記エッチャント通路とは別にエッチャント染み込み用穴を備えるようにしてもよい。これによれば、エンチャントを効率よく染み込ませることでより短時間且つ確実にエッチング除去部の除去を行うことができる。
【００２５】
前記カバーレジスト及び前記エッチャント通路の幅は、それぞれ、前記レジストスペースの幅の範囲内において１μｍ以上確保されているようにしてもよい。これによれば、エッチング時にエンチャントが残存部に染み込み腐食を起こすことを回避し、なお且つ、エッチャントの染み込みが不足しエッチングに長時間を要することも回避することができる。
【００２６】
前記中間層は、貴金属、貴金属合金、アモルファス合金又は酸化アルミニウムから構成されているようにしてもよい。特に、前記上層、下層並びに中間層はそれぞれ、薄膜磁気ヘッドを構成する下部磁極膜、上部シールド膜並びにそれらの間に介在された非磁性膜であってもよい。これによれば、本発明を薄膜磁気ヘッドの製造過程に適用できる。
【００２７】
本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施の形態によって更に詳しく説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、この発明に係る積層膜構造体におけるエッチング方法を、磁気薄膜ヘッドの製作に適用した場合の実施の形態として、添付図面に基づいて説明する。なお、図中、同一符号は同一又は対応部分を示すものとする。
【００２９】
図１〜図９に基づいて実施の形態１に係るエッチング方法について説明する。
【００３０】
磁気薄膜ヘッドの製作においては、図１に示されるように、基板３１の底面３３と向き合う一面３５上に多数（ｎ行ｍ列）の薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍを格子状に配列したウエハ３７を製造する。薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍは、通常、その形成領域が４角状となるように、ウエハ３７上に形成される。
【００３１】
ウエハ３７は、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３・Ｔｉｃ）等のセラミック構造体で構成されていて、薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍは、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁膜を介して、ウエハ３７の一面側に形成されている。
【００３２】
薄膜磁気ヘッドは、ウエハ３７内の薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍの形成領域の外側に生じる円弧部分（耳）を切断によって除去し、薄膜磁気ヘッド要素だけからなる四角形状のウエハ部分を得た後、この四角形状ウエハ部分から、単列のヘッドピース集合体を切断加工によって取り出す。さらに、単列のヘッドピース集合体を切断して個々の薄膜磁気ヘッドを得る。
【００３３】
図２に、薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面側の端部を示す。薄膜磁気ヘッド４１は、基板３１上に、磁性材料からなる下部シールド膜４３、読取素子４５を含む絶縁膜４７、磁性材料からなる上部シールド膜４９を有している。さらに、上部シールド膜４９の上方には、非磁性膜５１を介して書込素子５３が設けられる。
【００３４】
書込素子５３は、非磁性膜５１の上面に設けられた下部磁極膜５５と、結合部５７を介して下部磁極膜５５に結合される上部磁極膜５９とを有する。下部磁極膜５５と上部磁極膜５９との間には、コイル６１が結合部５７を軸に周回するように配置されている。また、下部磁極膜５５と上部磁極膜５９との間の媒体対向面側には、ギャップ膜６３が配置されている。
【００３５】
次に、本実施の形態に係るエッチング方法を、上述した上部シールド膜４９、非磁性膜５１及び下部磁極膜５５の部分に対して適用するプロセスを説明する。図３に示されるように、基板３１の上面に、めっきを行うための下地膜であるシード膜７１を例えばスパッタリングなどの成膜方法によって極薄く形成する。次に、シード膜７１の上面に、目的の素子部分をパターン形成するためのパターンレジスト７３を例えばフォトリソグラフィなどの方法によって形成する。
【００３６】
次に、パターンレジスト７３を用いたフレームめっき法により、シード膜７１の上面に積層膜を形成する。図３に示されるように、シード膜７１の上面に、めっきによって第１層７５を形成する。第１層７５は、薄膜磁気ヘッド４１において上記の上部シールド膜４９となる膜であり、磁性材料から構成され、本実施の形態ではＮｉＦｅから構成されている。第１層７５の膜厚は、１．９μｍに設定されている。
【００３７】
続いて、第１層７５の上面に、めっきによって第２層７７を形成する。第２層７７は、薄膜磁気ヘッド４１において上記の非磁性膜５１となる膜であり、非磁性絶縁材料から構成されており、本実施の形態ではＰｔから構成されている。第２層７７の膜厚は、０．２μｍに設定されている。
【００３８】
さらに、第２層７７の上面に、めっきによって第３層７９を形成する。第３層７９は、薄膜磁気ヘッド４１において上記の下部磁極膜５５となる膜であり、磁性材料から構成されており、本実施の形態ではＦｅＣｏＮｉから構成されている。第３層７９の膜厚は、２．８μｍに設定されている。
【００３９】
この後、図４に示されるように、剥離液などを用いてパターンレジスト７３を除去する。さらに、パターンレジスト７３が除去されて露出したシード膜７１の部分７１ａを、例えばイオンミリングエッチングなどのドライエッチングによって除去し、図５の状態を得る。パターンレジスト７３と露出したシード膜７１の部分７１ａとが除去された領域は、レジストスペース８１を構成する。
【００４０】
このようなプロセスによって、基板３１上には、エッチング後に残されるべき残存部８３と、残存部８３の周囲にレジストスペース８１を介して形成されているエッチング除去部８５とが形成される。
【００４１】
また、残存部８３及びエッチング除去部８５は、極薄いシード膜７１を除くと、第１層７５、第２層７７及び第３層７９からなる三層構造を有する。すなわち、第２層７７は、ドライエッチングによる除去に適した中間層であり、第３層７９及び第１層７５はそれぞれ、中間層の上下に形成され且つウェットエッチングによる除去に適した上層及び下層である。
【００４２】
上記のような残存部８３及びエッチング除去部８５を有する積層膜の構造体に対して、次のようなプロセスによってエッチングを行う。図６に示されるように、レジストスペース８１内に、残存部８３を被覆保護するようにカバーレジスト８７を配置する。
【００４３】
図６及び図７に示されるように、本実施の形態では、残存部８３は平面矩形の直方体状に形成された部分であり、レジストスペース８１及びエッチング除去部８５は、残存部８３の周囲に環状に設けられている。そして、レジストスペース８１は、残存部８３の上面及び四側面を覆うように形成される。レジストスペース８１は、例えばフォトリソグラフィなどの方法によって形成する。なお、図７（後述する図１０〜図１３も同様）は、図の明瞭性を考慮した横断面で切断し、各部が断面で現れるようにしている。
【００４４】
また、カバーレジスト８７は、レジストスペース８１内において残存部８３とエッチング除去部８５との間を完全に埋めるようには充填されない。すなわち、カバーレジスト８７は、フレームめっき時のパターンレジスト７３よりも幅の小さいものを用い、その外周面がエッチング除去部８５の内周面と離隔するように残存部８３を被覆する。かかる被覆態様によって、レジストスペース８１内には、カバーレジスト８７で埋められていない環状の領域が残る。この環状領域はエンチャント通路８９として機能する。エンチャント通路８９は、エッチング除去部８５の上方領域から第１層７５（本実施の形態ではさらにシード膜７１）まで達するように、高さ方向に連続的に延びている。
【００４５】
本実施の形態では、カバーレジスト８７の幅（図６中、符号Ｘで図示）及びエッチャント通路の幅（図６中、符号Ｙで図示）は、それぞれ、レジストスペース８１の幅（Ｘ＋Ｙの合計）の範囲内において１μｍ以上確保されている。これは、カバーレジスト８７の幅が１μｍ未満であると、エッチング時にエンチャントが残存部８３に染み込み腐食を起こす恐れがあるためである。一方、エッチャント通路の幅が１μｍ未満であると、エッチング除去部８５へのエッチャントの染み込みが良くなく、短時間でエッチング除去部８５の除去が行えなくなる恐れがあるからである。
【００４６】
また、本実施の形態では、レジストスペース８１の幅は１０μｍに設定している。したがって、カバーレジスト８７の幅及びエッチャント通路の幅の上限はそれぞれ明記していないが、双方とも９μｍ以下で設定されることとなる。すなわち、一方の幅を１μｍ以上、９μｍ以下の範囲で選定すれば、他方の幅は１μｍ以上、９μｍ以下の範囲で必然的に決定される。
【００４７】
続いて、エンチャント通路８９に少なくとも第１層７５に対して効果のあるエンチャントを供給し、図８に示されるように第１層７５、第２層７７及び第３層７９を一まとめに除去する。
【００４８】
ここで、本来ならば第２層７７はＰｔから構成されているため、第１層７５に対して効果のあるエンチャントではウェットエッチングができない。よって、従来は上方の層である第３層、第２層、第１層から順に、ウェットエッチング、ドライエッチング、ウェットエッチングを順次、施す必要があった。
【００４９】
しかしながら、本実施の形態では、エッチング除去部８５の三層の最下層である第１層７５に直接到達するようにエンチャントを流し込めるため、第１層７５とその上方に積層された第２層７７及び第３層７９とを一度にエッチングすることができる。すなわち、一回のウェットエッチングにより、ウェットエッチングができない中間層を含む三層構造体をまとめて除去することができる。したがって、エッチング工程における工数をこれまでより大幅に減らすことができ、短時間且つ容易に不要部分をエッチング除去することができるようになった。
【００５０】
また、このようなエッチング態様の実現に寄与するエンチャント通路８９は、複雑な或いは専用の工程を経て形成されるものではなく、単にカバーレジスト８７を形成する作業において形成されるため、他の工程が煩雑化するような弊害もない。
【００５１】
さらに、エンチャント通路８９は、第１層７５、第２層７７及び第３層７９の各側面とカバーレジスト８７の外側面とによって画定され、高さ方向に連続的に延びているため、エンチャントは第１層７５だけでなく第３層７９などにもほぼ同時に作用する。したがって、基板３１上からのエッチング除去部８５の除去を、より確実に促すことができる。
【００５２】
最後に、図９に示されるように、剥離液などによってカバーレジスト８７を除去することによって、残存部８３を残してエッチング除去部８５のみエッチングするプロセスが終了する。
【００５３】
次に、図１０〜図１３に基づいて本発明の実施の形態２に係るエッチング方法について説明する。本実施の形態は、実施の形態１において、エッチング除去部にエンチャント染み込み用の穴を形成するものである。なお、各部の構成材料や寸法については、特に説明しない限り上記実施の形態１と同様であるものとする。
【００５４】
図１０は、上記図３の説明の如くフレームめっき法によって、基板３１上に、第１層７５、第２層７７及び第３層７９が形成された状態を平面的に示している。よって、残存部８３とその周囲に形成されているエッチング除去部１８５とはそれぞれ、第１層７５、第２層７７及び第３層７９からなる三層構造を有している。
【００５５】
本実施の形態では、フレームめっきを行う前のパターンレジスト形成工程において、パターンレジスト７３の形成に加えて、エッチング除去部１８５にエッチャント染み込み用穴を設けるための穴パターンレジスト１７３の形成も行う。
【００５６】
パターンレジスト７３及び穴パターンレジスト１７３を介しためっきにより、残存部８３及びエッチング除去部１８５が形成されたら、剥離液などを用いてパターンレジスト７３及び穴パターンレジスト１７３を除去する。さらに、パターンレジスト７３が除去されて露出したシード膜の部分を、例えばイオンミリングエッチングなどのドライエッチングによって除去する。
【００５７】
図１１は、シード膜の露出部分のドライエッチングが終了した状態であり、すなわち、図５の状態の平面に対応する。エッチング除去部１８５には、穴パターンレジスト１７３の除去によって形成されたエッチャント染み込み用穴１９１が設けられている。本実施の形態では、エッチャント染み込み用穴１９１及び穴パターンレジスト１７３は、平面矩形の直方体状に構成されている。
【００５８】
続いて、図１２に示されるように、レジストスペース８１に、残存部８３を被覆保護するようにカバーレジスト８７を配置する。このカバーレジスト８７の形態は、上記実施の形態１と同様であり、したがってレジストスペース８１内のカバーレジスト８７の周囲には、環状のエンチャント通路８９が形成されている。また、カバーレジスト８７はレジストスペース８１内のみに設けられ、エッチャント染み込み用穴１９１にはレジストは配置されない。
【００５９】
カバーレジスト８７の配置が完了したら、エンチャント通路８９及びエッチャント染み込み用穴１９１に、少なくとも第１層７５に対して効果のあるエンチャントを供給する。これによって、実施の形態１と同様に、エッチング除去部１８５を構成していた第１層７５、第２層７７及び第３層７９が、一まとめに除去される。このとき、図１２に矢印で示されるように、エンチャントは、エンチャント通路８９からだけでなく、エッチャント染み込み用穴１９１からも周囲に染み込むため、効率よくエッチング除去部１８５に作用することとなり、より短時間且つ確実にエッチング除去部１８５の除去が行える。
【００６０】
最後に、図１３に示されるように、剥離液などによってカバーレジスト８７を除去することによって、残存部８３を残してエッチング除去部１８５のみエッチングするプロセスが終了する。
【００６１】
このように、本実施の形態によれば、前述の実施の形態１における利点に加えて、エンチャントを効率よく染み込ませることでより短時間且つ確実にエッチング除去部の除去が行える。
【００６２】
次に、本出願人が行った実験結果をもとに、カバーレジスト及びエンチャント通路の幅と、エッチャント染み込み用穴の有無と、エッチング完了までの時間との関係について説明する。エッチング除去部を構成する三層としては、ＮｉＦｅからなる膜厚１．９μｍの第１層７５と、Ｐｔからなる膜厚０．２μｍの第２層７７と、ＦｅＣｏＮｉからなる膜厚２．８μｍの第３層７９とが用いられている。また、レジストスペース８１の幅は１０μｍに設定されている。さらに、エッチャント染み込み用穴１９１については、矩形平面の短辺及び長辺がそれぞれ３４μｍ及び９０μｍとなっており、平面でみた穴面積がエッチング除去部の面積の７％となっている。
【００６３】
上記のような条件で、エッチング除去部を完全に除去できるまでの時間Ｔ（秒）を調べたところ、次の表のような結果を得られた。エッチング状況の観察は１分毎に行った。また、表中の符号Ｘ，Ｙの寸法は、図６と同様、カバーレジスト及びエンチャント通路の幅を示すものとする。
【００６４】
【表１】
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表の結果から分かるように、エッチャント染み込み用穴が無い態様のように、エッチャントの染み込みが良好ではない場合には、エンチャント通路の幅Ｙは、少なくとも１μｍ以上確保されていないと、除去部のエッチングができない恐れがある。一方、エッチャント染み込み用穴が有る態様のように、エッチャントの染み込みが良好である場合には、カバーレジストの幅Ｘは、少なくとも１μｍ以上確保されていないと、製品を構成する残存部までもがエッチングされる恐れがある。
【００６５】
よって、カバーレジスト８７の幅及びエッチャント通路の幅は、それぞれ、レジストスペースの幅の範囲内において１μｍ以上確保されていることが現実的に適切であるものと認められる。
【００６６】
以上、好ましい実施の形態を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の改変態様を採り得ることは自明である。
【００６７】
例えば、エッチング除去部の三層構造の構成は、上記実施の形態のような構成材料や膜厚には限定されない。よって、第１層及び第３層が共に同じ材料からなっていてもよく、一例として共にＮｉＦｅから構成してもよい。
【００６８】
また、第２層の構成材料は、Ｐｔには限定されず、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄなどの他の白金系金属や、Ａｕなど他の貴金属を用いてもよい。あるいは、かかる貴金属を含む合金やアモルファス合金などを用いてもよく、薄膜磁気ヘッドで絶縁膜として採用される酸化アルミニウムを用いることもできる。
【００６９】
また、エッチング除去部は、三層構造であることには限定されず、ドライエッチングによる除去に適した中間層と、その中間層の上下に少なくとも一層ずつ形成され且つそれぞれウェットエッチングによる除去に適した上層及び下層とを含む積層膜構造体であれば、四層以上から構成されていてもよい。
【００７０】
さらに、残存部、レジストスペース、カバーレジスト、エンチャント通路、穴パターンレジスト及びエッチャント染み込み用穴はいずれも、平面輪郭が矩形には限定されず、様々に改変して実施することができる。また、レジストスペース、カバーレジスト及びエンチャント通路はいずれも、残存部の全周を囲むような環状に限定されることもない。
【００７１】
また、上記実施の形態は、薄膜磁気ヘッドの製造における、上部シールド膜、非磁性膜及び下部磁極膜の三層部に対して適用したものとして説明されているが、本発明は、それに限定されるものではなく、薄膜磁気ヘッドの他の部位への適用は勿論、薄膜磁気ヘッド以外の積層膜構造体におけるエッチングにおいて広く実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】薄膜磁気ヘッドの製作に供するウエハを示す斜視図である。
【図２】薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面側の端部を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るプロセスの一工程を示す図である。
【図４】図３に示した工程の後の工程を示す図である。
【図５】図４に示した工程の後の工程を示す図である。
【図６】図５に示した工程の後の工程を示す図である。
【図７】図６の状態を平面的に示す図である。
【図８】図６に示した工程の後の工程を示す図である。
【図９】図８に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１０】本発明の別の実施の形態に係るプロセスの一工程を示し、図３に示した工程に対応する状態を平面的に示す図である。
【図１１】図１０に示した工程の後の工程を示し、図５に示した工程に対応する状態を平面的に示す図である。
【図１２】図１１に示した工程の後の工程を示し、図６に示した工程に対応する状態を平面的に示す図である。
【図１３】図１２に示した工程の後の工程を示し、図９に示した工程に対応する状態を平面的に示す図である。
【図１４】従来のエッチングプロセスの一工程を示す図である。
【図１５】図１４に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１６】図１５に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１７】図１６に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１８】図１７に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１９】図１８に示した工程の後の工程を示す図である。
【符号の説明】
【００７３】
３１                    基板
７５                    第１層（下層）
７７                    第２層（中間層）
７９                    第３層（上層）
８１                    レジストスペース
８３                    残存部
８５、１８５            エッチング除去部
８７                    カバーレジスト
８９                    エンチャント通路
１７３                  穴パターンレジスト
１９１                  エッチャント染み込み用穴
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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