(57)【要約】【課題】電磁界供給装置およびそれを用いたプラズマ装置が全体的に大型化し、かつ、価格的にも高価なものになってしまうことである。【解決手段】矩形導波管の他端に一端が接続された第１の矩形導波管部３１と、第１の矩形導波管部３１の第１の側壁に形成され、円筒導波管の一端が接続される開口部１４Ａと、第１の矩形導波管部３１の第１の側壁を挟む第２の側壁および第３の側壁にそれぞれの一端が接続されるとともに、それぞれの他端が電気機能的にショートされた第２および第３の矩形導波管部３２，３３と、第１の矩形導波管部３１の管内に配置され、第１の側壁に対向する第４の側壁の内面から開口部１４Ａに向かって突出し、かつ、少なくとも表面に導電性を有する突起３４とからなる矩形／円筒・円偏波変換器１３を用いる。【選択図】  図２
2005050776.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電磁界を発生させる高周波発振器と、
この高周波発振器に一端が接続された矩形導波管と、
この矩形導波管の他端に接続され、矩形導波管の伝送モードから円筒導波管の伝送モードへ変換するとともに、直線偏波を円偏波に変換する変換器と、
この変換器に一端が接続された円筒導波管とを備え、
前記変換器は、
前記矩形導波管の前記他端に一端が接続された第１の矩形導波管部と、
この第１の矩形導波管部の第１の側壁に形成され、前記円筒導波管の前記一端が接続される開口部と、
前記第１の矩形導波管部の前記第１の側壁を挟む第２の側壁および第３の側壁にそれぞれの一端が接続された第２および第３の矩形導波管部と、
前記第１の矩形導波管部の管内に配置され、前記第１の側壁に対向する第４の側壁の内面から前記開口部に向かって突出し、かつ、少なくとも表面に導電性を有する突起とを備えることを特徴とする電磁界供給装置。
【請求項２】
請求項１に記載された電磁界供給装置において、
前記第１の矩形導波管部は、他端が電気機能的にショートされていることを特徴とする電磁界供給装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載された電磁界供給装置において、
前記第２および第３の矩形導波管部は、それぞれの他端が電気機能的にショートされていることを特徴とする電磁界供給装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載された電磁界供給装置において、
前記第２の矩形導波管部の長さと前記第３の矩形導波管部の長さとの差は、管内波長の略１／４の奇数倍であることを特徴とする電磁界供給装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載された電磁界供給装置において、
前記突起は、前記第１の矩形導波管部の前記第４の側壁に平行な断面が円形で、かつ、その断面積が、前記第４の側壁に取り付けられる底部から頂部に向かって小さくなる立体形状をしていることを特徴とする電磁界供給装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載された電磁界供給装置において、
前記矩形導波管に設けられ、前記矩形導波管の電源側と負荷側とのインピーダンスの整合をとる負荷整合器を備えることを特徴とする電磁界供給装置。
【請求項７】
処理容器の内部に収容され、被処理体が配置されるサセプタと、このサセプタに対向配置され、前記処理容器の内部に高周波電磁界を供給するスロットアンテナと、このスロットアンテナに高周波電磁界を供給する電磁界供給装置とを備えたプラズマ装置において、
前記電磁界供給装置は、請求項１〜６のいずれか１項に記載された電磁界供給装置であることを特徴とするプラズマ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁界供給装置およびプラズマ装置に関し、より詳しくは、高周波電磁界を矩形導波管および円筒導波管を経由して供給する電磁界供給装置およびそれを用いたプラズマ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子やフラットパネルディスプレイの製造において、絶縁膜の形成や半導体層の結晶成長、エッチング、またアッシングなどの処理を行うために、プラズマ装置が多用されている。このプラズマ装置の一つに、スロットアンテナを用いて高周波電磁界を処理容器内に供給することにより、処理容器内のガスを電離、励起、解離させてプラズマを生成する高周波プラズマ装置がある。この高周波プラズマ装置は、低圧力で高密度のプラズマを生成できるので、効率のよいプラズマ処理が可能である。
【０００３】
図６および図７は、スロットアンテナの一つであるラジアルラインスロットアンテナ（以下、ＲＬＳＡと略記する）に高周波電磁界を供給する従来の電磁界供給装置の構成例を示す図である。
図６に示す従来の電磁界供給装置１１０Ａは、高周波電磁界を発生させる高周波発振器１１１と、高周波発振器１１１に一端が接続された矩形導波管１１２と、矩形導波管１１２の他端に一端が接続され、矩形導波管の伝送モードＴＥ10から円筒導波管の伝送モードＴＥ11に変換する矩形／円筒変換器１１３と、矩形／円筒変換器１１３の他端に一端が接続され、他端がＲＬＳＡ１２０に接続された円筒導波管１１４と、円筒導波管１１４に設けられ、直線偏波を円偏波に変換する円偏波変換器１１５とを有している。
【０００４】
円偏波変換器１１５としては、円筒導波管１１４の内壁に、対向する円柱状突起を、軸線方向にλg／４（λgは管内波長）の間隔で複数組設けたものが用いられる。これらの円柱状突起を、矩形／円筒変換器１１３から導入されるＴＥ11モードの高周波電磁界の電界ベクトルの主方向に対して４５°をなす方向に配置することにより、上記高周波電磁界を電界ベクトルが軸線方向に対して垂直な面上で１周期で１回転する回転電磁界に変換することができる。
このような円偏波変換器１１５を用いてＲＬＳＡ１２０に円偏波給電することにより、ＲＬＳＡ１２０内の電界強度分布が、時間平均で、軸線に対して対称な分布となるので、均一性のよいプラズマを生成することが可能となる。
【０００５】
しかし、高周波電磁界の一部には、処理容器の内部またはＲＬＳＡ１２０の内部で反射され、円筒導波管１１４および矩形／円筒変換器１１３を逆方向に伝播していくものがある。この反射波は、モードが一致しないために矩形導波管１１２の他端で再度反射され、その影響で円偏波の軸比が大きくなり、ＲＬＳＡ１２０内の電界強度分布（時間平均）の軸対称性が低下してしまうので、均一なプラズマ生成を阻害する一因となる。ここで、軸比とは、円偏波の円形断面上の電界強度分布における最大値を最小値で割った値をいう。
【０００６】
そこで、図７に示す電磁界供給装置１１０Ｂのように、ＲＬＳＡ１２０と円偏波変換器１１５との間に円偏波用の負荷整合器１１６を設け、円偏波変換器１１５ないし矩形円筒変換器１１３を逆方向に伝播する反射波を低減する技術が提案された。円偏波用の負荷整合器１１６としては、図示はしないが、円筒導波管１１４の内壁に、対向する円柱状突起を、軸線方向にλg／４の間隔で複数組設け、これらの位置から円筒導波管１１４の周方向に９０°回転した位置に、対向する円柱状突起を更に複数組設けたものが用いられる。これらの円柱状突起の円筒導波管１１４の内壁から半径方向に突出する長さを変え、円筒導波管１１４のリアクタンスを調整することにより、円筒導波管１１４の電源側と負荷側とのインピーダンスの整合をとり、上記反射波を低減することができる（例えば、特許文献１を参照）。
【０００７】
しかしながら、図６に示した従来の電磁界供給装置１１０Ａでは、伝送モードおよび偏波の変換に、矩形／円筒変換器１１３および円偏波変換器１１５という２つの部品が必要であり、その機能を発揮するにはある程度以上の大きさが必要であるので、電磁界供給装置１１０Ａおよびそれを用いたプラズマ装置が全体的に大型化してしまうという問題があった。
また、図７に示した従来の電磁界供給装置１１０Ｂで用いられる円偏波用の負荷整合器１１６は、汎用品ではなく高価であるため、電磁界供給装置１１０Ａおよびそれを用いたプラズマ装置が高価なものになってしまうという問題があった。
【０００８】
なお、出願人は、本明細書に記載した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を出願時までに発見するには至らなかった。
【特許文献１】特開２００３−１１０３１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
よって、本発明が解決しようとする課題は、電磁界供給装置およびそれを用いたプラズマ装置が全体的に大型化し、かつ、価格的にも高価なものになってしまうことである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような課題を解決するために、本発明の電磁界供給装置は、高周波電磁界を発生させる高周波発振器と、この高周波発振器に一端が接続された矩形導波管と、この矩形導波管の他端に接続され、矩形導波管の伝送モードから円筒導波管の伝送モードへ変換するとともに、直線偏波を円偏波に変換する変換器と、この変換器に一端が接続された円筒導波管とを備え、変換器が、矩形導波管の他端に一端が接続された第１の矩形導波管部と、この第１の矩形導波管部の第１の側壁に形成され、円筒導波管の一端が接続される開口部と、第１の矩形導波管部の第１の側壁を挟む第２の側壁および第３の側壁にそれぞれの一端が接続された第２および第３の矩形導波管部と、第１の矩形導波管部の管内に配置され、第１の側壁に対向する第４の側壁の内面から開口部に向かって突出し、かつ、少なくとも表面に導電性を有する突起とを備えることを特徴とする。
【００１１】
変換器において、矩形導波管から第１の矩形導波管部に導入された高周波電磁界は、突起に反射され、円筒導波管と第２および第３の矩形導波管部とに分岐して導入される。第２および第３の矩形導波管部に導入された高周波電磁界は、それぞれ矩形導波管部を伝播し、端面で反射された後、逆方向に伝播し、再び突起に反射されて、円筒導波管に導入される。このとき、第１の矩形導波管部から円筒導波管に直接導入された高周波電磁界と、第１の矩形導波管部から第２または第３の矩形導波管部を経由して円筒導波管に導入された高周波電磁界とは、それぞれの電界の方向が空間的に直交しているので、それぞれの電界の位相をずらすことにより、円筒導波管内で円偏波が生成される。なお、それぞれの電界の大きさを同一にし、位相差を９０°にすることにより、軸比１の円偏波が生成される。
【００１２】
この電磁界供給装置において、第１の矩形導波管部の他端は、電気機能的にショートされていてもよい。または、第１の矩形導波管部の他端には、所定の長さの矩形導波管が接続され、その矩形導波管の端面に電磁波吸収材が配置されていてもよい。
また、第２および第３の矩形導波管部は、それぞれの他端が電気機能的にショートされていてもよい。
また、第２の矩形導波管部の長さと第３の矩形導波管部の長さとの差を、管内波長の略１／４の奇数倍としてもよい。
また、突起は、第１の矩形導波管部の第４の側壁に平行な断面が円形で、かつ、その断面積が、第４の側壁に取り付けられる底部から頂部に向かって小さくなる立体形状をしていてもよい。
また、上述した電磁界供給装置は、矩形導波管に設けられ、矩形導波管の電源側と負荷側とのインピーダンスの整合をとる負荷整合器を更に備えていてもよい。
【００１３】
また、本発明のプラズマ装置は、処理容器の内部に収容され、被処理体が配置されるサセプタと、このサセプタに対向配置され、処理容器の内部または外部に高周波電磁界を供給するスロットアンテナとを備え、スロットアンテナに高周波電磁界を供給するために上述した電磁界供給装置を用いたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明では、第１〜第３の矩形導波管部と突起とからなる変換器を用いて、矩形導波管から円筒導波管への伝送モードの変換と、直線偏波から円偏波への変換を行う。この変換器は、同じ機能を有する矩形／円筒変換器１１３および円偏波変換器１１５よりも小型である。よって、電磁界供給装置およびそれを用いたプラズマ装置を全体的に従来より小型化することができる。
また、本発明では、円筒導波管を逆方向に伝播する高周波電磁界が、変換器と矩形導波管との接続部で反射されることなく、矩形導波管に導入されるので、矩形導波管に負荷整合器を設けることができる。矩形導波管用の負荷整合器は、汎用品が市販されており、価格的にも安価である。このような負荷整合器を用いることにより、電磁界供給装置およびそれを用いたプラズマ装置の価格を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の一実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施の形態に係る高周波プラズマ装置の全体構成を示す図である。
このプラズマ装置は、上部が開口した有底円筒形の処理容器１を有している。処理容器１の内部にはサセプタ２が収容されている。サセプタ２の上面（載置面）には、被処理体として、例えば半導体素子やＬＣＤ（liquid crystal desplay）、有機ＥＬ（electro luminescent panel）などの基板Ｗが配置される。サセプタ２にはまた、マッチングボックス３を介して高周波電源４が接続されている。
【００１６】
処理容器１の底部には、真空排気用の排気口５が設けられている。処理容器１の側壁には、処理容器１内にガスを導入するガス導入用ノズル６が設けられている。例えばプラズマ装置がエッチング装置として用いられる場合には、ノズル６からＡｒなどのプラズマガスと、ＣＦ4 などのエッチングガスとが導入される。
処理容器１の上部開口は、そこから高周波電磁界を導入しつつ、処理容器１の内部で生成されるプラズマＰを外部に漏らさないように、誘電体板７で閉塞されている。なお、処理容器１の側壁上面と誘電体板７の周縁部下面との間にＯリングなどのシール部材８を介在させ、処理容器１内の気密性を確保している。
【００１７】
誘電体板７の上部には、処理容器１内に高周波電磁界を供給するＲＬＳＡ２０が配置されている。ＲＬＳＡ２０は、ラジアル導波路２１を形成する互いに平行な２枚の円形導体板２２，２４と、これら２枚の導体板２２，２４の外周部を接続してシールドする導体リング２３とを有している。ラジアル導波路２１の上面となる導体板２２の中心部には、後述する電磁界供給装置１０の円筒導波管１４に接続される開口２５が形成され、この開口２５からラジアル導波路２１に高周波電磁界が導入される。ラジアル導波路２１の下面となる導体板２４の中心部には、導体板２２の開口２５に向かって突出するバンプ２７が設けられている。バンプ２７は略円錐状に形成され、その先端は丸められている。導体板２４にはまた、ラジアル導波路２１を伝播する高周波電磁界を処理容器１内に供給するスロット２６が複数形成されている。これらのスロット２６によりスロットアンテナが構成される。
【００１８】
ＲＬＳＡ２０および誘電体板７の外周は、処理容器１の側壁上に環状に配置されたシールド材９によって覆われ、ＲＬＳＡ２０から処理容器１の内部に供給される高周波電磁界が外部に漏れない構造になっている。
【００１９】
電磁界供給装置１０は、例えば０．９ＧＨｚ〜十数ＧＨｚの範囲内の所定周波数の高周波電磁界を発生させる高周波発振器１１と、高周波発振器１１に一端が接続された矩形導波管１２と、矩形導波管１２の他端に接続された矩形／円筒・円偏波変換器１３と、変換器１３に一端が接続されるとともに他端が上記ＲＬＳＡ２０に接続された円筒導波管１４と、矩形導波管１２または円筒導波管１４に設けられ、電源側と負荷側とのインピーダンスの整合をとる負荷整合器１６とを有している。
【００２０】
図２は、矩形／円筒・円偏波変換器１３の構成を示す図である。この図において、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるIIb−IIb′線方向の断面図、（ｃ）は一部の構成の側面図である。この図に示すように、矩形／円筒・円偏波変換器１３は、第１〜第３の矩形導波管部３１〜３３と、突起３４とから構成されている。
第１の矩形導波管部３１は、矩形導波管１２の他端に一端が接続されるとともに、その一端と対向する他端が電気機能的にショートされている。第１の矩形導波管部３１の広い方の側壁（第１の側壁）には、円筒導波管１４の一端が接続される開口部１４Ａが形成され、第１の側壁を挟む狭い方の２つの側壁（第２および第３の側壁）には、第２および第３の矩形導波管部３２，３３のそれぞれの一端が接続される。
【００２１】
第２および第３の矩形導波管部３２，３３は、第１の矩形導波管部３１に接続されたときに、同一平面上にＴ字型をなすように配置される。十字型をなすように配置されてもよい。すなわち、第２および第３の矩形導波管部３２，３３の一方の軸線が他方の軸線の延長線上にあり、両者の軸線が第１の矩形導波管部３１の軸線と直交するように配置される。第２および第３の矩形導波管部３２，３３のそれぞれの他端は、高周波電磁界を反射できるように、電気機能的にショートされている。また、第２および第３の矩形導波管部３２，３３の一端から他端までの長さは、互いに異なっている。この「長さ」とは、管内波長に対する長さを意味している。例えば、両者の長さの差を、矩形導波管部３２，３３の管内波長λgの略１／４の奇数倍（（２Ｎ＋１）×１／４×λg（Ｎは０以上の整数））とする。
【００２２】
第１の矩形導波管部３１の管内には、突起３４が配置されている。突起３４の底部は、第１の矩形導波管部３１の第１の側壁に対向する広い方の側壁（第４の側壁）における開口部１４Ａの対向位置に取り付けられている。その結果、突起３４が第１の矩形導波管部３１の第４の側壁の内面から開口部１４Ａに向かって突出するような構造になる。
突起３４は、第１の矩形導波管部の前記第４の側壁に平行な断面が円形で、かつ、その断面積が底部から頂部に向かって小さくなる立体形状をしている。例えば、図２（ｃ）に示すように、中心線に垂直な断面積が大きい底部円柱３４Ａと断面積が小さい頂部円柱３４Ｂとを組み合わせた形状をしたものが用いられる。また、図３に示すように、頂部が丸められた円錐状のものを用いてもよい。突起３４はまた、アルミニウムなどの金属で形成されている。突起３４は、少なくとも表面に導電性を有していればよいので、本体を軽い材料で形成しその表面をアルミ箔などの金属膜で覆ったものでもよい。
【００２３】
周波数２．４５ＧＨｚに対する矩形／円筒・円偏波変換器１３の各部の寸法の一例を以下に示す。
第１〜第３の矩形導波管部３１〜３３の幅：１０９．２ｍｍ、高さ：５４．６ｍｍ、
第２の矩形導波管部３２の長さ：１４７．４ｍｍ、
第３の矩形導波管部３３の長さ：１１０．４ｍｍ。
この例では、第２の矩形導波管部３２の長さと第３の矩形導波管部３３の長さとの差が、３７ｍｍであり、管内波長λgの略１／４となっている。
【００２４】
図４は、矩形／円筒・円偏波変換器１３に導入された高周波電磁界の振る舞いを説明するための図である。
矩形導波管１２から第１の矩形導波管部３１に導入された直線偏波の高周波電磁界４０は、突起３４に反射され、円筒導波管１４と第２および第３の矩形導波管部３２，３３とに分岐して導入される。第２および第３の矩形導波管部３２，３３に導入された高周波電磁界４２，４３は、それぞれ矩形導波管部３２，３３を伝播し、ショートされた端面で反射された後、逆方向に伝播し、再び突起３４に反射されて、円筒導波管１４に導入される。
【００２５】
第２の矩形導波管部３２の長さと第３の矩形導波管部３３の長さとの差を、管内波長λgの略１／４とすることにより、第２の矩形導波管部３２を伝播する高周波電磁界と第３の矩形導波管部３３を伝播する高周波電磁界との行路長差が、管内波長λgの略１／２となる。その結果、両高周波電磁界は開口部１４Ａ上で同位相となり、互いにキャンセルされることなく、円筒導波管１４に導入される。
【００２６】
また、第１の矩形導波管部３１から円筒導波管１４に直接導入された高周波電磁界４１の電界Ｅ１と、第１の矩形導波管部３１から第２または第３の矩形導波管部３２，３３を経由して円筒導波管１４に導入された高周波電磁界４２，４３の合成電界Ｅ２とは、方向が空間的に直交する。よって、上述したように矩形／円筒・円偏波変換器１３を構成し、第２および第３の矩形導波管部３２，３３の長さを調整して、電界Ｅ１，Ｅ２の位相差を９０°にし、両電界の大きさを同一にすることにより、円筒導波管１４内で軸比１の円偏波が生成される。
このように、矩形／円筒・円偏波変換器１３を用いることにより、矩形導波管の伝送モードＴＥ10から円筒導波管の伝送モードＴＥ11へ変換するとともに、直線偏波を円偏波に変換することができる。
【００２７】
この矩形／円筒・円偏波変換器１３を電磁界供給装置１０で用いることにより、高周波発振器１１で発生した直線偏波の高周波電磁界を、矩形／円筒・円偏波変換器１３で円偏波に変換し、ＲＬＳＡ２０に円偏波給電することができる。これにより、ＲＬＳＡ２０のラジアル導波路２１の電界強度分布が、時間平均で、ラジアル導波路２１の軸線に対して対称な分布となる。このため、ラジアル導波路２１の下面２４に複数形成されたスロット２６から処理容器１内に、時間平均で、処理容器１の軸線に対して対称な分布の高周波電磁界が供給される。この高周波電磁界により、処理容器１内に導入されたガスが電離、励起または解離してプラズマＰが生成されるので、プラズマＰは時間平均で軸対称な分布となる。このプラズマＰを用いてサセプタ２上の基板Ｗを処理することにより、基板Ｗの全域に均一な処理を施すことができる。
【００２８】
また、矩形／円筒・円偏波変換器１３は、従来から用いられている矩形／円筒変換器１１３および円偏波変換器１１５と同じ機能を、これらよりも小さい構成で実現できる。よって、矩形／円筒・円偏波変換器１３を用いることにより、電磁界供給装置１０およびそれを用いたプラズマ装置を全体的に従来より小型化することができる。
【００２９】
また、矩形／円筒・円偏波変換器１３を用いた場合、処理容器１の内部またはＲＬＳＡ２０のラジアル導波路２１で反射され、円筒導波管１４を逆方向に伝播する反射波が、矩形／円筒・円偏波変換器１３と矩形導波管１２との接続部で反射されることなく、矩形導波管１２に導入されるので、図１に示したように矩形導波管１２に負荷整合器１６を設けることができる。矩形導波管用の負荷整合器は、汎用品が市販されており、価格的にも安価である。したがって、矩形／円筒・円偏波変換器１３を用い、安価な矩形導波管用の負荷整合器を用いることにより、電磁界供給装置１０およびそれを用いたプラズマ装置の価格を低減することができる。
【００３０】
矩形／円筒・円偏波変換器１３において、第２および第３の矩形導波管部３２，３３は、図５に示すように、第１の矩形導波管部３１に接続された一端に対向する他端が、接触型または非接触型ショートプランジャ（可動短絡器）３２Ａ，３３Ａにより矩形導波管部３２，３３の軸線方向に自在に摺動するようにしてもよい。また、側壁に軸線方向の長さが伸縮自在なジャバラを有するジャバラ矩形導波管（フレキシブル矩形導波管）で、矩形導波管部３２，３３を形成してもよい。これにより、矩形導波管部３２，３３の一端から他端までの長さを微調整することができる。
【００３１】
さらに、円筒導波管１４の途中に、周方向に例えば４〜１６個程度の検波器を配置し、円偏波の軸比を計測し、その計測結果を基に上記ショートプランジャ３２Ａ，３３Ａの位置を手動で、または制御装置を用いて自動的に調整するようにしてもよい。これにより、円偏波の軸比を改善することができる。円偏波の軸比は１に近い値が望ましい。ただし、円偏波の軸比が１より大きくなってもよい場合もある。
【００３２】
なお、第２および第３の矩形導波管部３２，３３の他端は、一端から導入された高周波電磁界がそこで反射される構造を有していればよい。したがって、他端は必ずしも電気機能的にショートされていなくてもよく、例えば高周波的に開放された状態になっていてもよい。すなわち、他端を介して矩形導波管部３２，３３の内部と外部とが連通していてもよいし、他端が誘電体で閉塞されていてもよい。
また、矩形／円筒・円偏波変換器１３を用いた電磁界供給装置１０は、図１に示した高周波プラズマ装置だけでなく、ＥＣＲプラズマ装置のマイクロ波供給にも利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る高周波プラズマ装置の全体構成を示す図である。
【図２】矩形／円筒・円偏波変換器の構成を示す図である。
【図３】矩形／円筒・円偏波変換器の突起の他の構成例を示す斜視図である。
【図４】矩形／円筒・円偏波変換器に導入された高周波電磁界の振る舞いを説明するための図である。
【図５】矩形／円筒・円偏波変換器の変形例を説明するための図である。
【図６】従来の電磁界供給装置の一構成例を示す図である。
【図７】従来の電磁界供給装置の他の構成例を示す図である。
【符号の説明】
【００３４】
１…処理容器、２…サセプタ、３…マッチングボックス、４…高周波電源、５…排気口、６…ガス導入用ノズル、７…誘電体板、８…シール部材、９…シールド材、１０…電磁界供給装置、１１…高周波発振器、１２…矩形導波管、１３…矩形／円筒円偏波変換器、１４…円筒導波管、１４Ａ…開口部、１６…負荷整合器、２０…ＲＬＳＡ（ラジアルラインスロットアンテナ）、２１…ラジアル導波路、２２，２４…円形導体板、２３…導体リング、２５…開口、２６…スロット、２７…バンプ、３１…第１の矩形導波管部、３２…第２の矩形導波管部、３２Ａ…ショートプランジャ（可動短絡器）、３３…第３の矩形導波管部、３３Ａ…ショートプランジャ（可動短絡器）、３４…突起、３４Ａ…底部円柱、３４Ｂ…頂部円柱、４０〜４３…高周波電磁界、Ｅ１，Ｅ２…電界、Ｐ…プラズマ、Ｗ…基板（被処理体）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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