(57)【要約】【課題】  工程数を増大させることなくリード導体層及び接続パッドのＣｕ層の酸化抑制を図ることができる薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  薄膜磁気ヘッド素子と、薄膜磁気ヘッド素子に電気的に接続されたＣｕ層を含むリード導体層と、リード導体層に電気的に接続されたＣｕ層を含む接続パッド層と、接続パッド層のＣｕ層及びリード導体層のＣｕ層に隣接して形成されたレジスト材料層とを備えている。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜磁気ヘッド素子と、該薄膜磁気ヘッド素子に電気的に接続された銅層を含むリード導体層と、該リード導体層に電気的に接続された銅層を含む接続パッド層と、該接続パッド層の銅層及び該リード導体層の銅層に隣接して形成されたレジスト材料層とを備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記レジスト材料層が、少なくとも前記接続パッド層の銅層の周囲に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記レジスト材料層が、少なくとも前記リード導体層の銅層の周囲に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記レジスト材料層が、ノボラック系ポジ型レジスト材料層であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記リード導体層及び前記接続パッド層が、銅層と該銅層上に積層された導電磁性体層とによる２層構造を含んでいることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記接続パッド層が、前記２層構造上に形成されたバンプ層をさらに含んでいることを特徴とする請求項５に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記バンプ層が、銅層と、該銅層上に被着された金層とを含んでいることを特徴とする請求項６に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記薄膜磁気ヘッド素子がインダクティブヘッド素子を含んでおり、前記レジスト材料層が該インダクティブヘッド素子のコイル導体層を絶縁するための絶縁層を含んでいることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記薄膜磁気ヘッド素子が、インダクティブ書込みヘッド素子と、磁気抵抗効果読出しヘッド素子とを含んでおり、前記レジスト材料層が該インダクティブ書込みヘッド素子のコイル導体層を絶縁するための絶縁層を含んでいることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記リード導体層が、前記インダクティブ書込みヘッド素子に電気的に接続された銅層を含む１対の第１のリード導体層と、前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子に電気的に接続された銅層を含む１対の第２のリード導体層とからなり、前記接続パッド層が、前記１対の第１のリード導体層にそれぞれ電気的に接続された銅層を含む１対の第１の接続パッド層と、前記１対の第２のリード導体層にそれぞれ電気的に接続された銅層を含む１対の第２の接続パッド層とからなり、前記レジスト材料層が、前記第１及び第２の接続パッド層の銅層と、前記第１及び第２のリード導体層の銅層とに隣接して形成されていることを特徴とする請求項９に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
絶縁層上に、インダクティブ書込みヘッド素子のコイル導体層の銅層と、該コイル導体層に電気的に接続される１対の第１のリード導体層の銅層と、該１対の第１のリード導体層に電気的に接続される１対の第１の接続パッド層の銅層とを形成し、前記コイル導体層の銅層を覆いかつ前記第１の接続パッド層の銅層及び前記第１のリード導体層の銅層に隣接するようにレジスト材料層を形成した後、該レジスト材料層のベーク処理を行うことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
基板上に磁気抵抗効果読出しヘッド素子を形成した後、前記インダクティブ書込みヘッド素子を形成することを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子に電気的に接続される１対の第２のリード導体層の銅層と、該１対の第２のリード導体層にそれぞれ電気的に接続される１対の第２の接続パッド層の銅層とを形成し、前記第２の接続パッド層の銅層及び前記第２のリード導体層の銅層に隣接するように前記レジスト材料層を形成した後、該レジスト材料層の前記ベーク処理を行うことを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記レジスト材料層を少なくとも前記第１及び第２の接続パッド層の銅層を囲むように形成することを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記レジスト材料層を少なくとも前記第１及び第２のリード導体層の銅層を囲むように形成することを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記ベーク処理の後、前記コイル導体層部分の前記レジスト材料層上、前記第１及び第２の接続パッド層の銅層上、並びに前記第１及び第２のリード導体層の銅層上に、上部ヨーク層を形成するための導電磁性体層を積層することを特徴とする請求項１３から１５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記第１及び第２の接続パッド層部分の前記導電磁性体層上にバンプ層をさらに形成することを特徴とする請求項１３から１６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記バンプ層として、銅層と、該銅層上に被着された金層を形成することを特徴とする請求項１７に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記レジスト材料層として、ノボラック系ポジ型レジスト材料層を用いることを特徴とする請求項１１から１８のいずれか１項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッド、特に少なくともインダクティブ磁気ヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッド、及びこの薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インダクティブ磁気ヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッドにおいては、コイル導体層の両端に１対のリード導体層の一端が電気的に接続されており、これらリード導体層の他端は取出し電極である接続パッドに電気的に接続されている（例えば特許文献１）。
【０００３】
このような薄膜磁気ヘッドを製造する場合、ウエハ工程における、銅（Ｃｕ）層であるコイル導体層の形成と同一の工程においてＣｕ層のリード導体層及び接続パッドを形成した後、コイル導体層を絶縁するためのレジスト材料層を形成する。即ち、コイル導体層を覆う形でレジスト材料層を形成した後、１３０〜２５０℃のベーク処理によってその形状を調整し、さらに熱硬化する。このベーク処理時に、リード導体層及び接続パッドのＣｕ層が露出した状態であるため、その表面が酸化してしまう。このため、Ｃｕ層上に上部磁極層と同一工程で導電磁性体層を形成した場合に、積層される銅層と導電磁性層との間の抵抗値が増大し、ヘッド特性に悪影響を及ぼすおそれがある。
【０００４】
このような不都合を解消するため、リード導体層及び接続パッドのＣｕ層上に酸化防止膜を形成し、レジスト材料層のベーク処理によってもＣｕ層表面が酸化しないようにした方法は公知である（例えば特許文献２）。
【０００５】
また、Ｃｕ層表面に不本意にも形成されてしまった酸化膜（ＣｕＯ膜）を逆スパッタ処理によって除去することも行われている。
【０００６】
【特許文献１】特開平０２−１４３９０６号公報
【特許文献２】特開平０７−３３４８１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献２の酸化防止膜を形成してＣｕ層表面の酸化を防止する方法によると、リード導体層及び接続パッドのＣｕ層を形成した後に酸化防止膜を形成する工程を新たに追加する必要があるため、工程数が増大し煩雑となってしまう。
【０００８】
また、酸化膜を逆スパッタ処理によって除去する方法も、その工程を追加する必要があるため工程数が増大し煩雑となることのみならず、Ｃｕ層が膜減りして抵抗が増大したり、レジスト材料層が膜減りして上部磁極層との絶縁抵抗が低下するという問題が生じる。これを防止するために逆スパッタ時間を短くすると、酸化膜の残留によりその上に積層される導電磁性体層との間の抵抗が大きくなってしまうという不都合が生じる。
【０００９】
従って本発明の目的は、工程数を増大させることなくリード導体層及び接続パッドのＣｕ層の酸化抑制を図ることができる薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、薄膜磁気ヘッド素子と、薄膜磁気ヘッド素子に電気的に接続されたＣｕ層を含むリード導体層と、リード導体層に電気的に接続されたＣｕ層を含む接続パッド層と、接続パッド層のＣｕ層及びリード導体層のＣｕ層に隣接して形成されたレジスト材料層とを備えた薄膜磁気ヘッドが提供される。
【００１１】
接続パッド層のＣｕ層及びリード導体層のＣｕ層に隣接してレジスト材料層が形成されている。Ｃｕ層の近傍にレジスト材料層が存在すると、ベーク処理を行った場合のＣｕ層表面の酸化を抑制することができる。その結果、工程数を増大させることなくリード導体層及び接続パッドのＣｕ層の酸化抑制を図ることができる。本願発明者等は、この酸化抑制は、レジスト材料が酸化銅を還元する作用（２ＣｕＯ＋Ｃ→２Ｃｕ＋ＣＯ２）を有しているために行われるものではないかと推測している。
【００１２】
レジスト材料層が、少なくとも接続パッド層の銅層及び／又は少なくともリード導体層の銅層の周囲に形成されていることが好ましい。
【００１３】
レジスト材料層が、ノボラック系ポジ型レジスト材料層であることが好ましい。
【００１４】
リード導体層及び接続パッド層が、Ｃｕ層とこのＣｕ層上に積層された導電磁性体層とによる２層構造を含んでいることも好ましい。
【００１５】
接続パッド層が、この２層構造上に形成されたバンプ層をさらに含んでいることも好ましい。この場合、バンプ層が、Ｃｕ層と、このＣｕ層上に被着された金（Ａｕ）層とを含んでいることがより好ましい。
【００１６】
薄膜磁気ヘッド素子がインダクティブヘッド素子を含んでおり、レジスト材料層がこのインダクティブヘッド素子のコイル導体層を絶縁するための絶縁層を含んでいることが好ましい。
【００１７】
薄膜磁気ヘッド素子が、インダクティブ書込みヘッド素子と、磁気抵抗効果（ＭＲ）読出しヘッド素子とを含んでおり、レジスト材料層がこのインダクティブ書込みヘッド素子のコイル導体層を絶縁するための絶縁層を含んでいることも好ましい。
【００１８】
リード導体層が、インダクティブ書込みヘッド素子に電気的に接続されたＣｕ層を含む１対の第１のリード導体層と、ＭＲ読出しヘッド素子に電気的に接続されたＣｕ層を含む１対の第２のリード導体層とからなり、接続パッド層が、１対の第１のリード導体層にそれぞれ電気的に接続されたＣｕ層を含む１対の第１の接続パッド層と、１対の第２のリード導体層にそれぞれ電気的に接続されたＣｕ層を含む１対の第２の接続パッド層とからなり、レジスト材料層が、第１及び第２の接続パッド層のＣｕ層と、第１及び第２のリード導体層のＣｕ層とに隣接して形成されていることが好ましい。
【００１９】
本発明によれば、さらに、絶縁層上に、インダクティブ書込みヘッド素子のコイル導体層のＣｕ層と、コイル導体層に電気的に接続される１対の第１のリード導体層のＣｕ層と、１対の第１のリード導体層に電気的に接続される１対の第１の接続パッド層のＣｕ層とを形成し、コイル導体層のＣｕ層を覆いかつ第１の接続パッド層のＣｕ層及び第１のリード導体層のＣｕ層に隣接するようにレジスト材料層を形成した後、このレジスト材料層のベーク処理を行う薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００２０】
第１の接続パッド層のＣｕ層及び第１のリード導体層のＣｕ層に隣接するようにレジスト材料層を形成した後、このレジスト材料層のベーク処理を行っている。Ｃｕ層の近傍にレジスト材料層が存在すると、ベーク処理を行った場合のＣｕ層表面の酸化を抑制することができる。レジスト材料層でコイル導体層のＣｕ層を覆う同一工程で、このレジスト材料層を接続パッド層のＣｕ層及びリード導体層のＣｕ層に隣接するように形成することができる。従って、工程数を増大させることなくリード導体層及び接続パッドのＣｕ層の酸化抑制を図ることができる。
【００２１】
基板上にＭＲ読出しヘッド素子を形成した後、インダクティブ書込みヘッド素子を形成することが好ましい。
【００２２】
この場合、ＭＲ読出しヘッド素子に電気的に接続される１対の第２のリード導体層のＣｕ層と、１対の第２のリード導体層にそれぞれ電気的に接続される１対の第２の接続パッド層のＣｕ層とを形成し、第２の接続パッド層のＣｕ層及び第２のリード導体層のＣｕ層に隣接するように前述のレジスト材料層を形成した後、このレジスト材料層の前述のベーク処理を行うことが好ましい。
【００２３】
レジスト材料層を少なくとも第１及び第２の接続パッド層のＣｕ層及び／又は少なくとも第１及び第２のリード導体層のＣｕ層を囲むように形成することも好ましい。
【００２４】
ベーク処理の後、コイル導体層部分のレジスト材料層上、第１及び第２の接続パッド層のＣｕ層上、並びに第１及び第２のリード導体層のＣｕ層上に、上部ヨーク層を形成するための導電磁性体層を積層することも好ましい。
【００２５】
第１及び第２の接続パッド層部分の導電磁性体層上にバンプ層をさらに形成することも好ましい。この場合、バンプ層として、Ｃｕ層と、このＣｕ層上に被着された金層を形成することがより好ましい。
【００２６】
レジスト材料層として、ノボラック系ポジ型レジスト材料層を用いることも好ましい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、工程数を増大させることなくリード導体層及び接続パッドのＣｕ層の酸化抑制を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１は本発明の一実施形態として、ウエハ上に形成された各薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す平面図であり、図２は磁気ヘッド素子部分を示す図１のＡ−Ａ線断面図であり、図３は接続パッド層部分を示す図１のＢ−Ｂ線断面図であり、図４はリード導体層部分を示す図１のＣ−Ｃ線断面図であり、図５は２層目のコイル絶縁層及びコイル導体層を形成した後であって上部ヨーク層を形成する前の各薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す平面図である。
【００２９】
図１において、１０はＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子からなる磁気ヘッド素子部分、１１及び１２は一端がインダクティブ書込みヘッド素子に接続されている１対の第１のリード導体層、１３及び１４は第１のリード導体層１１及び１２の他端に接続されている１対の第１の接続パッド層、１５及び１６は一端がＭＲ読出しヘッド素子に接続されている１対の第２のリード導体層、１７及び１８は第２のリード導体層１５及び１６の他端に接続されている１対の第２の接続パッド層をそれぞれ示している。
【００３０】
図２に示すように、磁気ヘッド素子部分は、例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（ＡｌＴｉＣ）による薄膜磁気ヘッド用ウエハ１００上に例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料による絶縁層１０１を介して積層された例えばＮｉＦｅ等の磁性材料による下部シールド層１０２と、下部シールド層１０２上に例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料によるシールドギャップ層１０３を介して積層された例えばＮｉＦｅ等の磁性材料による上部シールド層１０４と、下部シールド層１０２及び上部シールド層１０４間にシールドギャップ層１０３を介して積層された単層又は多層のＭＲ層１０５と、上部シールド層１０４上に例えばＡｌ２Ｏ３等による絶縁層１０６を介して積層された例えばＮｉＦｅ等の磁性材料による下部磁極層１０７と、下部磁極層１０７上に例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料による磁気ギャップ層１０８を介して積層された例えばＮｉＦｅ等の磁性材料による上部磁極層１０９と、磁気ギャップ層１０８上にノボラック系ポジ型レジスト材料による１層目のコイル絶縁層１１０に囲まれて形成されたＣｕによる１層目のコイル導体層１１１と、１層目のコイル絶縁層１１０上にノボラック系ポジ型レジスト材料による２層目のコイル絶縁層１１２に囲まれて形成されたＣｕによる２層目のコイル導体層１１３と、２層目のコイル絶縁層１１２上に形成されており、上部磁極層１０９とバックギャップにおいて下部磁極層１０７とに磁気的に接続されている例えばＮｉＦｅ等の磁性材料による上部ヨーク層１１４と、これらの上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料による保護層１１５とから主として構成されている。
【００３１】
図３に示すように、接続パッド層部分（ここでは第２の接続パッド層１８）は、ウエハ１００上に例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料による絶縁層１８０を介して形成されたＣｕ層１８１と、同じく絶縁層１８０を介してＣｕ層１８１を囲むようにして形成されたノボラック系ポジ型レジスト材料によるレジスト材料層１８２と、少なくともＣｕ層１８１上に積層して形成された例えばＮｉＦｅ等の導電磁性体層１８３と、これらＣｕ層１８１及び導電磁性体層１８３上に積層して形成されたＣｕ層１８４並びにこのＣｕ層１８４上に被着されたＡｕ層１８５からなるバンプ層とから主として構成されている。
【００３２】
Ｃｕ層１８１は２層目のコイル導体層１１３を形成する工程において同時に形成される。また、レジスト材料層１８２も２層目のコイル絶縁層１１２を形成する工程において同時に形成される。図５に示すように、本実施形態においては、Ｃｕ層１８１の周囲を取り囲むようにレジスト材料層１８２が隣接して形成されている。導電磁性体層１８３は上部ヨーク層１１４を形成する工程において同時に形成される。
【００３３】
その他の接続パッド層部分、即ち第１の接続パッド層１３及び１４並びに第２の接続パッド層１７の構成も図３の場合とほぼ同様である。
【００３４】
図４に示すように、リード導体層部分（ここでは第２のリード導体層１６）は、ウエハ１００上に例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料による絶縁層１６０を介して形成されたＣｕ層１６１と、同じく絶縁層１６０を介してＣｕ層１６１を囲むようにして形成されたノボラック系ポジ型レジスト材料によるレジスト材料層１６２と、少なくともＣｕ層１６１上に積層して形成された例えばＮｉＦｅ等の導電磁性体層１６３とから主として構成されている。
【００３５】
Ｃｕ層１６１は２層目のコイル導体層１１３を形成する工程において同時に形成される。また、レジスト材料層１６２も２層目のコイル絶縁層１１２を形成する工程において同時に形成される。図５に示すように、本実施形態においては、Ｃｕ層１６１の両側を取り囲むようにレジスト材料層１６２が隣接して形成されている。導電磁性体層１６３は上部ヨーク層１１４を形成する工程において同時に形成される。
【００３６】
その他のリード導体層部分、即ち第１のリード導体層１１及び１２並びに第２のリード導体層１５の構成も図４の場合とほぼ同様である。
【００３７】
図６は本実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程の一部を概略的に示すフローチャートであり、以下同図及び図１〜図５を参照して薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。
【００３８】
まず、基板である薄膜磁気ヘッド用ウエハ１００上に公知の方法によって、多数のＭＲ読出しヘッド素子を形成する（ステップＳ１）。
【００３９】
次いで、公知の方法を用いて、これらＭＲ読出しヘッド素子上に多数のインダクティブ書込みヘッド素子それぞれの１層目のコイル導体層１１１及びコイル絶縁層１１０まで形成する（ステップＳ２）。
【００４０】
次いで、めっき下地膜を形成した後、めっき用フォトレジスト層を形成し、Ｃｕめっきを行うことによって２層目のコイル導体層１１３としてのＣｕ層と、第１のリード導体層１１及び１２、第２のリード導体層１５及び１６、第１の接続パッド層１３及び１４、並びに第２の接続パッド層１７及び１８のＣｕ層とを同時に形成する（ステップＳ３）。
【００４１】
次いで、めっき用フォトレジスト層及びめっき下地膜の不要部分を除去した後、２層目のコイル絶縁層１１２としてのレジスト材料層と、第１のリード導体層１１及び１２、第２のリード導体層１５及び１６、第１の接続パッド層１３及び１４、並びに第２の接続パッド層１７及び１８のＣｕ層を取り囲んで隣接するレジスト材料層とをノボラック系ポジ型レジスト材料によって同時に形成する（ステップＳ４）。この場合、リード導体層及び接続パッド層のＣｕ層の表面は、図５に示すように露出しており、レジスト材料層には覆われないことに注意すべきである。
【００４２】
次いで、レジスト材料層のベーク処理が行われる（ステップＳ５）。このベーク処理は、大気中において１３０℃、２０分のベークによりレジスト材料層を軟化させ、次いで、温度を上げ、１７０℃、５０分のベークによりコイル導体層上のレジスト材料層の形状を丸みを帯びた形状に調整する。このように、コイル導体層上のレジスト材料層が丸みを帯びた形状とすることによって、その上に形成される上部ヨーク層の磁路を短くすることができる。その後、温度を２５０℃に上げてレジスト材料層を硬化させる。硬化させることによって、絶縁耐圧が向上する。
【００４３】
従来、このベーク処理において、露出しているＣｕ層の表面が酸化され酸化膜（ＣｕＯ膜）が形成されてしまうという不都合があった。しかしながら、本実施形態では、Ｃｕ層を取り囲んでレジスト材料層が存在するため、ベーク処理を行っても、Ｃｕ層表面が酸化しない。これは、ノボラック系ポジ型レジスト材料が、ＣｕＯを還元する作用（２ＣｕＯ＋Ｃ→２Ｃｕ＋ＣＯ２）を有していると思われ、ノボラック系ポジ型レジスト材料がＣｕ層に隣接して存在するとＣｕ層表面が酸化しないと推測される。
【００４４】
次いで、このようにして形成されかつ成形された２層目のコイル絶縁層１１２上に導電磁性体材料による上部ヨーク層１１４を形成する。その際に、同時に、第１のリード導体層１１及び１２、第２のリード導体層１５及び１６、第１の接続パッド層１３及び１４、並びに第２の接続パッド層１７及び１８のＣｕ層上に導電磁性体層を積層形成する（ステップＳ６）。この際、Ｃｕ層に酸化膜が存在しないので、導電磁性体層の膜剥がれ等は生じない。
【００４５】
その後、第１の接続パッド層１３及び１４並びに第２の接続パッド層１７及び１８の導電磁性体層上にＣｕ層及びＡｕ層によるバンプ層をそれぞれ形成し（ステップＳ７）、さらに、磁気ヘッド素子上に保護層１１５を形成する（ステップＳ８）。
【００４６】
ベーク処理時にＣｕ層の近傍にレジスト材料層が存在するとＣｕ層表面の酸化が抑制されることを、以下の実験によって確認した。
【００４７】
ＡｌＴｉＣウエハ上にＡｌ２Ｏ３層をコーティングし、図７の顕微鏡写真（カラー写真）に示すようにその半分の領域にＣｕ層のパッド及びリードパターンのみを形成し、図８の顕微鏡写真（カラー写真）に示すようにその残りの半分の領域にＣｕ層のパッド及びリードパターンを形成し、さらにその上に、パッドパターンの中央部のみを露出させた状態でノボラック系ポジ型レジスト材料層を積層した。
【００４８】
このようなウエハを大気中にて１３０℃、２０分、さらに１７０℃、５０分ベーク処理した後、顕微鏡にてその表面を観察した。図９はレジスト材料層が近傍に存在せずＣｕ層パターンのみの領域のベーク処理後の顕微鏡写真（カラー写真）であり、図１０はその一部を拡大した顕微鏡写真（カラー写真）であり、図１１はレジスト材料層で囲まれたＣｕ層パターンの領域のベーク処理後の顕微鏡写真（カラー写真）であり、図１２はその一部を拡大した顕微鏡写真（カラー写真）である。
【００４９】
図９及び図１０に示すように、レジスト材料層が近傍に存在しないとＣｕ層の露出表面は、そのほとんどがＣｕＯに酸化されて白くなっている。これに対して、図１１及び図１２に示すように、レジスト材料層が近傍に存在しているとＣｕ層の露出表面は、ベーク処理しても酸化されないことが分かる。
【００５０】
図１３はベーク処理後のウエハのより広い部分を撮影した顕微鏡写真（カラー写真）であり、同図の右側にある黒の縦線より右はレジスト材料層を積層した領域、左はレジスト材料層の存在しない領域である。
【００５１】
同図から、レジスト材料層の存在する領域から遠ざかるにつれてＣｕ層表面の酸化が進んでいることが分かる。即ち、Ｃｕ層の近傍にレジスト材料層が存在すれば酸化抑制がある程度は抑止されると推測できる。ただし、Ｃｕ層に隣接してレジスト材料層が存在することが望ましく、レジスト材料層がＣｕ層を取り囲んでいることがより望ましい。
【００５２】
従って、レジスト材料層のパターンは上述した実施形態のパターンに限定されるものではなく、Ｃｕ層に隣接していればいかなるパターンであっても良い。Ｃｕ層を取り囲んでいれば、より好ましいことは言うまでもない。
【００５３】
以上述べた実施形態は、ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の両方を備えた薄膜磁気ヘッドに関するものであるが、本発明は、インダクティブ書込みヘッド素子のみを備えた薄膜磁気ヘッドにももちろん適用可能である。
【００５４】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施形態として、ウエハ上に形成された各薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】図１のＣ−Ｃ線断面図である。
【図５】２層目のコイル絶縁層及びコイル導体層を形成した後であって上部ヨーク層を形成する前の各薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す平面図である。
【図６】図１の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程の一部を概略的に示すフローチャートである。
【図７】Ｃｕ層のパッド及びリードパターンのみを形成した領域の顕微鏡写真である。
【図８】Ｃｕ層のパッド及びリードパターンとレジスト材料層とを形成した領域の顕微鏡写真である。
【図９】レジスト材料層が近傍に存在しないＣｕ層パターンの領域のベーク処理後の顕微鏡写真である。
【図１０】図９の一部を拡大した顕微鏡写真である。
【図１１】レジスト材料層で囲まれたＣｕ層パターンの領域のベーク処理後の顕微鏡写真である。
【図１２】図１１の一部を拡大した顕微鏡写真である。
【図１３】ベーク処理後のウエハのより広い部分を撮影した顕微鏡写真である。
【符号の説明】
【００５６】
１０  磁気ヘッド素子部分
１１、１２  第１のリード導体層
１３、１４  第１の接続パッド層
１５、１６  第２のリード導体層
１７、１８  第２の接続パッド層
１００  薄膜磁気ヘッド用ウエハ
１０１、１０６、１６０、１８０  絶縁層
１０２  下部シールド層
１０３  シールドギャップ層
１０４  上部シールド層
１０５  シールドギャップ層
１０７  下部磁極層
１０８  磁気ギャップ層
１０９  上部磁極層
１１０、１１２  コイル絶縁層
１１１、１１３  コイル導体層
１１４  上部ヨーク層
１１５  保護層
１６１、１８１、１８４  Ｃｕ層
１６２、１８２  レジスト材料層
１６３、１８３  導電磁性体層
１８５  Ａｕ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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