(57)【要約】【課題】基板接点の位置や数に関する自由度の高いマイクロスイッチを構成可能な、静電アクチュエーターを提供する。【解決手段】本アクチュエーターを備えた本スイッチは、基板１上に支持柱２を設け、その上にキャップ板３を載せた構造を有しており、支持柱２によってキャップ板３を軸支している。また、キャップ板３の端部には、複数のビーム５が設けられており、この部分で、吸引電極６１の静電力を受けている。従って、本スイッチでは、キャップ板３（ビーム５）の傾く方向を任意に設定できる。これにより、ユーザーの所望とする複数の方向にビーム５を設け、各ビーム５に応じて基板１に吸引電極６１を配することで、キャップ板３を複数の任意の方向に傾けることが可能となっている。【選択図】  図１
2005022036.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置した吸引電極により、揺動板を静電的に引き付ける静電アクチュエーターにおいて、
基板上に固定され、揺動板を軸支するための支持柱を備え、
さらに、揺動板の端部に、吸引電極から静電力を受ける複数のビームが設けられていることを特徴とする静電アクチュエーター。
【請求項２】
上記支持柱が、基板に固定された脚部と、この脚部上に設けられた、脚部よりも太い柱頭部とを備えている一方、
上記揺動板が、複数のビームを端部に備えた中空のドーム部を有しており、
このドーム部に、支持柱の柱頭部が係合されていることを特徴とする請求項１に記載の静電アクチュエーター。
【請求項３】
上記ドーム部の内壁と、支持柱の柱頭部におけるドーム部との接触部分とが、球面形状であることを特徴とする請求項２に記載の静電アクチュエーター。
【請求項４】
上記柱頭部の一部に窪みが設けられており、ドーム部の内壁に、柱頭部の窪みに応じた突起部が設けられていることを特徴とする請求項３に記載の静電アクチュエーター。
【請求項５】
異なる方向に延びる３つ以上のビームが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の静電アクチュエーター。
【請求項６】
上記ビームに当接することによって、揺動板が基板と平行に回転することを防止する回転抑制柱が、基板に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の静電アクチュエーター。
【請求項７】
上記吸引電極を制御するための吸引電極制御回路を上記基板に備えていることを特徴とする静電アクチュエーター。
【請求項８】
請求項１に記載の静電アクチュエーターと、
上記基板に設けられ、基板側に引き付けられた揺動板のビームを介して互いに導通する１対の信号線電極とを備えたマイクロスイッチ。
【請求項９】
上記信号線電極におけるビームとの当接部位、および、ビームにおける信号線電極との当接部位の少なくとも一方に、誘電体が設けられていることを特徴とする請求項８に記載のマイクロスイッチ。
【請求項１０】
上記ビームの駆動範囲を制限することで、基板側に引き付けられたビームと信号線電極との間に隙間を設けるストッパーを基板に備えていることを特徴とする請求項８に記載のマイクロスイッチ。
【請求項１１】
上記ビームに光反射膜を設けた請求項１に記載の静電アクチュエーターと、
上記光反射膜に光を照射する光源と、
光反射膜からの反射光を受光する受光素子とを備えていることを特徴とするマイクロ光スイッチ。
【請求項１２】
請求項８に記載のマイクロスイッチ、あるいは、請求項１１に記載のマイクロ光スイッチを備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求項１に記載の静電アクチュエーターの製造方法であって、
基板に支持柱および吸引電極を形成する第１工程と、
支持柱を含む基板全面に犠牲膜を形成する第２工程と、
この犠牲膜上に電導膜を形成する第３工程と、
この電導膜をパターニングして揺動板を形成する第４工程と、
揺動板の下部にある上記の犠牲膜を除去する第５工程とを含むことを特徴とする静電アクチュエーターの製造方法。
【請求項１４】
上記第４工程において、揺動板の一部に貫通孔を設けることを特徴とする請求項１３に記載の静電アクチュエーターの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に配置した吸引電極により、揺動板を静電的に引き付ける静電アクチュエーターに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）は、非特許文献１に記載のように、半導体微細加工技術（半導体プロセス）等を用いて、機械，電子，光，化学等の多様な機能を集積化したデバイスである。
そして、このＭＥＭＳを用いて、現在、静電アクチュエーターを応用したマイクロスイッチ（マイクロサイズのスイッチ）が開発されている。
【０００３】
このようなマイクロスイッチは、例えば、特許文献１に開示されている。図２８，図２９は、この文献のスイッチを示す説明図である。
これらの図に示すように、このマイクロスイッチは、シーソー型のスイッチ構造となっている。すなわち、このマイクロスイッチは、梁（支持肢）８４を中心に、両端部に電極の設けられた細板状のビーム８１が配された構成である。
【０００４】
また、ビーム８１の両端に対向する基板部分には、吸引電極（静電力印加電極）８２と基板接点８３とが設けられている。そして、一方の吸引電極８２に電界を印加することで、静電力によってビーム８１を基板側に引き付け、ビームの電極と基板接点８３とを接続するスイッチ動作を行うようになっている。
このように、このマイクロスイッチでは、シーソー型構造とすることで、ビーム８１を低電圧で駆動できるようになっている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−２８７０４５号公報（公開日２００２年１０月３日）
【０００６】
【非特許文献１】
『技術調査レポート（技術同後編）第３号；ＭＥＭＳに関する技術の現状と課題  発行；経済産業省産業技術環境局技術調査室，製造産業局産業機械課』（公開日；２００３年３月２８日）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した公報のマイクロスイッチは、細板状のビーム８１を、梁８４を回転軸として上下方向に傾ける動作だけが可能なものである。従って、基板の接点８３を、ビーム８１の延びる２方向にしか設けられないという欠点がある。
【０００８】
本発明は、上記のような従来の問題点を解決するために成されたものである。そして、その目的は、基板接点の位置や数に関する自由度の高いマイクロスイッチを構成可能な、静電アクチュエーターを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の静電アクチュエーター（本アクチュエーター）は、基板上に配置した吸引電極により、揺動板を静電的に引き付ける静電アクチュエーターにおいて、基板上に固定され、揺動板を軸支するための支持柱を備え、さらに、揺動板の端部に、吸引電極から静電力を受ける複数のビームが設けられていることを特徴としている。
【００１０】
本アクチュエーターは、ＭＥＭＳ技術である静電アクチュエーター（静電駆動マイクロアクチュエーター）であり、静電アクチュエーターとは、静電力で可動部（揺動板）を動かす構造体である。
【００１１】
すなわち、本アクチュエーターでは、基板上に揺動板を設けるとともに、基板面に、静電力を発生させるための吸引電極を設けている。そして、吸引電力の静電力により揺動板に引力を与えて揺動板を基板側に引き付ける（傾ける）ことで、スイッチングなどの機能を発現するようになっている。
【００１２】
また、特に、本アクチュエーターは、基板上に支持柱を設け、その上に揺動板を載せた構造を有しており、支持柱によって揺動板を軸支（枢支）するように設定されている。
また、揺動板の端部には、複数のビーム（棒状（梁状）の部材）が設けられており、この部分で、吸引電極の静電力を受けるようになっている。
【００１３】
このように、本アクチュエーターでは、揺動板を支持柱によって軸支する構成であるため、揺動板（ビーム）の傾く方向（揺動方向；吸引電極によって基板側に引き付けられる方向）を任意に設定できる。
これにより、本アクチュエーターでは、ユーザーの所望とする複数の方向にビームを設け、各ビームに応じて基板に吸引電極を配することで、揺動板を複数の任意の方向に傾ける（引き付ける）ことが可能となる。
【００１４】
従って、本アクチュエーターをマイクロスイッチに応用すれば、基板接点の位置や数に関する自由度の高い、実用的なマイクロスイッチを構成することが可能となる。
【００１５】
また、本アクチュエーターでは、支持柱を、基板に固定された脚部と、この脚部上に設けられた柱頭部とで構成することもできる。
この場合、柱頭部は、脚部よりも太くなっていることが好ましい。
さらに、この場合には、揺動板に、複数のビームを端部に備えた中空のドーム部を設けることが好ましい。そして、このドーム部によって、支持柱の柱頭部を係合するような構造であることが好ましい。
【００１６】
この構成では、ドーム部が、支持柱の柱頭部を包む（覆う）ように、この柱頭部と（ピボット的に）係合することが好ましい。
この場合、支持柱の柱頭部がドーム部の内壁に当接し、当接部分で揺動板を軸支することとなる。また、揺動板が傾く場合、ドーム部の内壁が柱頭部上を摺動（スライド）することとなる。
この構成では、支持柱を支点として揺動板を任意の方向に傾けることが容易となるとともに、支持柱と揺動板とが離れてしまう（外れてしまう）ことを防止できる。
なお、上記のように柱頭部と脚部とで支持柱を構成する場合、これらを一体に形成することが好ましい。
【００１７】
また、揺動板に上記のドーム部を設ける場合、ドーム部の内壁と、支持柱の柱頭部におけるドーム部との接触部分とを、球面形状とすることが好ましい。
ここで、球面形状とは、球面の一部をなす形状のことである。これにより、柱頭部上でドーム部を摺動させることが容易となる。
【００１８】
また、柱頭部を球面形状とする場合、柱頭部の一部に窪み（切れ込み）を設けるようにしてもよい。また、この場合、ドーム部の内壁（柱頭部との接触部分）に、柱頭部の窪みに応じた突起部を設けることが好ましい。さらに、これらの窪みおよび突起部の延びる方向が、ビームの延びる方向に沿っていることが好ましい。
これにより、ドーム部（揺動板）は、柱頭部の窪みの延びる方向にだけ傾くこととなる。従って、揺動板が基板と平行に回転することを防止できる。
【００１９】
また、本アクチュエーターに設けるビームの数は、３つ以上であることが好ましい。また、これらのビームは、異なる方向に延びていることが好ましい。
これにより、本アクチュエーターをマイクロスイッチに応用した場合に、スイッチの接点を３つ以上とできるので、１つのスイッチで３つ以上の状態を切り替えることが可能となる。
【００２０】
また、本アクチュエーターでは、揺動板を支持柱によって軸支しているため、揺動板が支持柱を回転軸として、基板と平行方向に回転してしまい、ビームの延びる方向が変わってしまう可能性がある。
そこで、このような回転を防止するために、ビームに当接して回転を止める回転抑制柱を基板に設けておくことが好ましい。
【００２１】
また、本アクチュエーターは、１つの基板に対して半導体プロセスによって形成できるものである。ここで、本アクチュエーターの吸引電極を制御（駆動）するための半導体素子である吸引電極制御回路を、本アクチュエーターの基板に一体形成するようにしてもよい。
【００２２】
これにより、本アクチュエーターと上記の制御回路を１チップ化できる。従って、これらをプリント基板に実装する際、実装面積を小さくできる。従って、本アクチュエーター含む電子機器の小型化・低コスト化を実現することが可能となる。
【００２３】
また、本発明のマイクロスイッチ（本スイッチ）は、上記した本アクチュエーターと、本アクチュエーターの基板に設けられ、基板側に引き付けられた（傾いた）揺動板のビームを介して互いに導通する１対の信号線電極とを備えたものである。
本スイッチは、本アクチュエーターを備えているため、基板接点の位置や数に関する自由度の高い、実用的なマイクロスイッチとなっている。
【００２４】
また、本スイッチを用いて携帯無線機などの電子機器を構成すれば、１つのスイッチで多数の状態を切り替えることが可能であるため、小型で低コストの電子機器を実現できる。
【００２５】
なお、本スイッチの信号線電極対は、揺動板のビームの数・位置に応じて、基板上に複数設けられているものである。
また、本スイッチは、信号線電極対の双方の電極をビーム（電導性）と当接させて短絡することで、信号線電極対を導通状態とする構成であってもよい。
【００２６】
また、信号線電極間で高周波信号を伝達する場合には、ビームと信号線電極とを直接接触させる必要はない。この場合、信号線電極におけるビームとの当接部位、および、ビームにおける信号線電極との当接部位の少なくとも一方に、誘電体を設けるようにしてもよい。
【００２７】
また、誘電体を設けなくとも、ビームと信号線電極との間隔を極狭とすることで、信号伝達を行うことも可能である。
この場合、上記ビームの駆動範囲（傾き度合い）を制限することで、基板側に引き付けられたビームと信号線電極との間に隙間を設けるストッパー（ビームと信号線電極との直接接触を回避するストッパー）を基板に備えるようにしてもよい。
【００２８】
これらの構成では、ビームを直接に信号線電極に接触させないため、低損失、高アイソレーションを実現できる。
なお、ビームと信号線電極との間に配される誘電体の膜厚（あるいは間隔のサイズ）の精度は、容量値を決定するため、重要である。
この容量値は、伝達信号の周波数におけるスイッチング特性に適した値とすることが必要であり、周波数によっても異なる。
【００２９】
また、本アクチュエーターによって、マイクロ光スイッチを構成することもできる。このマイクロ光スイッチは、本アクチュエーターによってレーザー光などの光路を変更するものである。例えば、このようなマイクロ光スイッチを、ビームに光反射膜を設けた本アクチュエーターと、光反射膜に光を照射する光源と、光反射膜からの反射光を受光する受光素子とから構成できる。
また、このようなマイクロ光スイッチを用いて電子機器を構成すれば、１つのスイッチで多数の状態を切り替えることが可能であるため、小型で低コストの電子機器を実現できる。
【００３０】
なお、上記したように、本アクチュエーターでは、揺動板のビームを吸引電極によって引き付ける構成である。ここで、本アクチュエーターを、１つの吸引電極によって１つのビームを基板側に傾けるようにしてもよい。
【００３１】
また、複数の吸引電極によって同時にビームを傾けるように、本アクチュエーターを駆動してもよい。この場合、揺動板の一部は、弾性的に変形することもある。また、本アクチュエーターをスイッチに応用した場合には、２カ所以上の接点（信号線電極対）を接続（導通）させることとなる。
【００３２】
また、本アクチュエーターは、以下の第１〜第５工程によって製造することが可能である。
すなわち、まず、基板に対し、支持柱および吸引電極を形成する（第１工程）。次に、支持柱を含む基板全面に、絶縁膜等からなる犠牲膜（犠牲層）を形成する（第２工程）。
その後、この犠牲膜上に、多結晶シリコン膜等からなる電導膜を形成する（第３工程）。そして、この電導膜をパターニングして揺動板を形成する（第４工程）。さらに、揺動板の下部にある上記の犠牲膜を除去する（第５工程）。
【００３３】
これにより、本アクチュエーターを、単一の基板に対する半導体プロセスによって容易に製造できる。従って、製造工程を簡略化できるとともに、本スイッチのサイズを容易に小さくできる。
【００３４】
また、上記の上記第４工程において、揺動板の一部に貫通孔を設けるようにしてもよい。
第４工程の後に行われる犠牲膜の除去は、通常、エッチングによって行われる。このとき、揺動板に貫通孔のある場合、そこからエッチャントを注入できる。従って、犠牲膜を効率よく除去できる。
なお、この場合には、製造される本アクチュエーターの揺動板に、貫通孔が設けられることとなる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態について説明する。
本実施の形態にかかるマイクロスイッチ（本スイッチ）は、ＭＥＭＳ技術である静電アクチュエーター（静電駆動マイクロアクチュエーター）を応用したスイッチであり、例えば、携帯電話（無線通信機器）などの電子機器に適用されるものである。
静電アクチュエーターとは、静電力で可動部を動かす構造体のことである。
そして、本スイッチは、スイッチ状態（スイッチ回路の開閉状態）を切り替える可動部（後述するキャップ板３）を、静電力によって駆動するスイッチである。
【００３６】
図１は、本スイッチの構成を示す上面図であり、図２は、図１におけるＡ−Ａ線矢視断面図である。
【００３７】
これらの図に示すように、本スイッチは、シリコンの半導体からなる基板１上に、支持柱２，キャップ板３，信号線電極５１，吸引電極６１，拡散層７および回転抑制柱８を備えた構成である。
【００３８】
拡散層７は、基板１の表面における支持柱２の設置部位を中心に、Ｎ・Ｓ方向に延びるように配されている低抵抗部位である。
この拡散層７は、基板１の所定部位にイオン注入を施すことで形成されている。また、この拡散層７の端部は接地されている。
【００３９】
支持柱２は、球形の柱頭部１１と、柱頭部１１を支える円柱形状の脚部１２とからなり、脚部１２によって、基板１の拡散層７上に屹立しているものである。なお、柱頭部１１の径は、脚部１２の径より太く設定されている。
また、柱頭部１１および脚部１２は、リンを含む多結晶シリコンからなり、ともに電導体である。
【００４０】
キャップ板３は、ともに電導体（リンを含む多結晶シリコン）からなるキャップドーム４とビーム５（４本）とを備えた揺動板（可動部）であり、支持柱２によって支えられている（軸支（枢支）されている）ものである。
キャップドーム（ドーム部）４は、球の一部を欠いた形状（中空）を有しており、キャップ板３の中央から突出するように設けられている。また、キャップドーム４の内壁も、球面形状（球面の一部をなす形状）を有している。
ビーム５は、キャップドーム４の端部（球の欠けている部分）から、Ｎ，Ｓ，Ｗ，Ｅの４方向（０°，９０°，１８０°，２７０°の４方向）に延びる板状部分である。
また、図２に示すように、ビーム５の先端における下面（基板１に対向する面；底面）には、低抵抗配線からなる接点電極４１が形成されている。
【００４１】
このような構成のキャップ板３は、キャップドーム４によって支持柱２の柱頭部１１を包む（覆う）ように、支持柱２上に配されている。すなわち、キャップ板３は、キャップドーム４と柱頭部１１とを係合させた状態で、支持柱２上に配されている。
そして、キャップ板３は、支持柱２を支持軸（支え）として揺動できるようになっている。
【００４２】
なお、本スイッチでは、支持柱２の柱頭部１１がキャップドーム４の内壁に当接し、当接部分でキャップ板３を軸支している。また、キャップ板３が傾く（揺動する）場合、キャップドーム４の内壁が柱頭部１１上を摺動（スライド）することとなる。
【００４３】
また、回転抑制柱８は、キャップ板３における各ビーム５・５間に設けられた円柱である。
そして、この回転抑制柱８は、キャップ板３が支持柱２を回転軸として基板１の表面と平行に回転してしまうこと（Ｎ，Ｓ，Ｗ，Ｅの４方向からビーム５がずれてしまうこと）を防止するためのものである。
従って、キャップ板３は、支持柱２を支持軸として、Ｎ，Ｓ，Ｗ，Ｅの４方向に傾く（倒れる）方向だけに揺動できるように設定されている。
【００４４】
信号線電極５１および吸引電極６１は、キャップ板３における各ビーム５の下部（基板１の表面）に形成された電極である。
【００４５】
信号線電極５１は、Ｎ，Ｓ，Ｗ，Ｅの各方向に延びるビーム５に対し、２つづつ（１対づつ）設けられている、スイッチの接点である。
そして、本スイッチでは、４方向に１対づつ設けられた信号線電極５１・５１のいずれかを短絡（ショート）させて電気的に接続することで、これらを信号伝達可能な状態とする。すなわち、本スイッチでは、信号伝達可能な状態とする信号線電極５１を選択することで、４種類のスイッチ状態を切り替えられるようになっている。
すなわち、本スイッチでは、信号線電極５１が、ＯＮ／ＯＦＦの切り替え対象となるスイッチ回路となっている。
【００４６】
また、信号線電極５１は、図２に示すように、傾いたビーム５の接点電極４１と接するような高さを有している。従って、Ｎ，Ｓ，Ｗ，Ｅのいずれかの方向にキャップ板３が傾いた場合、その方向に位置する信号線電極５１・５１間が、ビーム５の接点電極４１によって短絡されるように設定されている。
【００４７】
吸引電極６１は、１対の信号線電極５１・５１間に配されており、Ｗ，Ｅ方向では１枚の細板形状である一方、Ｓ方向およびＮ方向では、間に拡散層７を挟むように２つに枝分かれしている。
また、吸引電極６１は、後述する吸引電極制御回路の制御により正電荷を与えられるようになっている。これにより、吸引電極６１は、キャップ板３のビーム５における接点電極４１を静電的に引き付け、キャップ板３を傾けて信号線電極５１・５１間を短絡させるようになっている。
【００４８】
ここで、吸引電極６１によるキャップ板３の駆動（揺動）について説明する。図３は、４方向の全ての吸引電極６１に正電荷を与えていない場合における、Ｅ方向における吸引電極６１近傍の状態を示す説明図である。
【００４９】
この場合には、キャップ板３は、基板１が水平を保っている限り、支持柱２上で平衡を保っており、どの方向にも傾いていない。従って、Ｅ方向でも、ビーム５は信号線電極５１に触れない位置にとどまっている。
なお、このようなキャップ板３の平衡状態は、支持柱２を中心に回転対称の関係にある２つ以上の吸引電極６１に同等の正電荷（静電力）を与えることによっても実現できる。
【００５０】
一方、図４は、制御回路によってＥ方向の吸引電極６１だけの電圧を上げて、ここに正電荷を与えた場合における、吸引電極６１近傍の説明図である。
この図に示すように、この場合、吸引電極６１と接点電極４１との間に静電的な引力（吸引力）が働き、キャップ板３がＥ方向に傾いて、信号線電極５１・５１が短絡されるようになっている。
【００５１】
以上のように、本スイッチは、基板１上に支持柱２を設け、その上にキャップ板３を載せた構造を有しており、支持柱２によってキャップ板３を軸支（枢支）するようになっている。
また、キャップ板３の端部には、複数のビーム５が設けられており、この部分で、吸引電極６１の静電力を受けるようになっている。
【００５２】
このように、本スイッチでは、キャップ板３を支持柱２によって軸支する構成であるため、キャップ板３（ビーム５）の傾く方向（揺動方向；吸引電極６１によって基板１側に引き付けられる方向）を任意に設定できる。
これにより、本スイッチでは、ユーザーの所望とする複数の方向にビーム５を設け、各ビーム５に応じて基板１に吸引電極６１を配することで、キャップ板３を複数の任意の方向に傾ける（引き付ける）ことが可能となる。
【００５３】
従って、本スイッチは、基板１接点の位置や数に関する自由度の高い、実用的なマイクロスイッチとなっている。
【００５４】
また、本スイッチでは、支持柱２が、基板１に固定された脚部１２と、この脚部１２上に設けられた柱頭部１１とで構成されている。また、柱頭部１１は、脚部１２よりも太くなっている。
【００５５】
そして、キャップ板３が、複数のビーム５を端部に備えた中空のキャップドーム４を備えており、このキャップドーム４によって、支持柱２の柱頭部１１を包むように（ピボット的に）係合するような構造となっている。
この構成では、支持柱２を支点としてキャップ板３を任意の方向に傾けることが容易となるとともに、支持柱２とキャップ板３とが離れてしまう（外れてしまう）ことを防止できる。
【００５６】
また、本スイッチでは、キャップドーム４の内壁と、支持柱２の柱頭部１１におけるキャップドーム４との接触部分とが、球面形状となっている。これにより、柱頭部１１上でキャップドーム４を揺動させる（摺動させる）ことが容易となる。
【００５７】
また、本スイッチには、それぞれ異なる方向に延びる４本のビーム５が設けられている。これにより、スイッチの接点を４つ設けられるので、１つのスイッチで４つの状態を切り替えることが可能となっている。
【００５８】
また、本スイッチでは、基板１上に、ビーム５に当接してキャップ板３の回転を止める回転抑制柱８を備えている。これにより、キャップ板３が基板１と平行方向に回転してしまい、ビーム５の延びる方向が変わってしまうことを回避できる。
【００５９】
また、本スイッチでは、キャップ板３が、支持柱２によって軸支された半固定状態となっている。これにより、吸引電極６１に印加する電圧を高くすることなく、キャップ板３を揺動させられる。
また、キャップ板３（ビーム５）のバネを利用していない（ビーム５を曲げない）構成であるため、キャップ板３・ビーム５の構造破壊や経時変化を低減でき、長期信頼性を高められる。
【００６０】
ここで、本スイッチの製造方法について説明する。
【００６１】
まず、図５に示すように、半導体のシリコンからなる基板１に、イオン注入法などにより低抵抗領域である拡散層７を形成する。そして、基板１上に、信号線電極５１および吸引電極６１と、それらの制御用配線（図示せず）とを形成する。その後、二酸化珪素からなる第１の絶縁膜（二酸化珪素膜）２５を成膜する。なお、電極５１・６１については、蒸着やスパッタリング法による成膜とリフトオフ法（あるいはエッチング法）とによって形成できる。
【００６２】
次に、図６に示すように、第１の絶縁膜２５上にフォトレジストを塗布し、通常のフォトリソ法により開口２７を形成してフォトレジストマスク２６とする。なお、開口２７の形状（表面開口形状）は円形である。
【００６３】
次に、例えばフッ酸の水溶液によって、第１の絶縁膜２５を、深さ方向（基板１の表面に垂直に向かう方向）に、第１の絶縁膜２５の途中まで（第１の絶縁膜２５の厚さが脚部１２の長さとなるまで）等方性エッチングする。
さらに、例えばドライエッチング法のリアクティブエッチング法で、基板１の表面を露出させるまで異方性エッチングする。これにより、第１の絶縁膜２５に、基板１に近い部分で狭くフォトレジストマスク２６の表面部で広い開口パターンが形成される。
【００６４】
次に、図７に示すように、フォトレジストマスク２６を除去する。そして、第１の絶縁膜２５上およびその開口内に、第１の多結晶シリコン膜２９を、不純物（例えばリン）を拡散しながら、少なくとも第１の絶縁膜２５の表面に達する膜厚に成膜する。
【００６５】
なお、第１の絶縁膜２５の開口内に成膜された第１の多結晶シリコン膜２９が、本スイッチの支持柱２となる。すなわち、開口内における等方性エッチングされた部分に成膜された第１の多結晶シリコン膜２９が、支持柱２の柱頭部１１となる。また、異方性エッチングされた部分に成膜された第１の多結晶シリコン膜２９が、支持柱２の柱頭部１１となる。
【００６６】
次に、図８に示すように、第１の絶縁膜２５の開口をマスクするレジストパターン（レジストマスク）３０を、フォトリソ法により形成する。その後、リアクティブエッチング法などにより、レジストパターン３０でマスクされている部位（支持柱２となる部分）以外の第１の多結晶シリコン膜２９を除去する。続いて、レジストパターン３０を除去する。
【００６７】
次に、図９に示すように、第１の絶縁膜２５を除去する。
なお、この段階では、支持柱２となる第１の多結晶シリコン膜２９の表面には、上記のエッチングによって鋭角な部分が残っている（特に、柱頭部１１となる部分の先端）。
その後、第１の多結晶シリコン膜２９の表面を、リアクティブエッチング法などにより、等方エッチング条件でエッチングして、鋭角な部分を丸める。
これにより、第１の多結晶シリコン膜２９は、柱頭部１１および脚部１２からなる支持柱２となる。
そして、基板１上の全面（支持柱２も含む）に、二酸化珪素からなる第２の絶縁膜（二酸化珪素膜；犠牲膜）３１を成膜する。
【００６８】
次に、図１０に示すように、第２の絶縁膜３１上の所定部位に、接点電極４１を形成する。
この接点電極４１の形成（パターニング）についても、電極５１・６１と同様に、蒸着やスパッタリング法による成膜とリフトオフ法（あるいはエッチング法）とによって実施できる。
続いて、第２の絶縁膜３１（接点電極４１も含む）上に、第２の多結晶シリコン膜３２を、不純物（例えばリン）を拡散しながら成膜する（この第２の多結晶シリコン膜３２が、本スイッチのキャップ板３となる）。
【００６９】
次に、第２の多結晶シリコン膜３２上に、フォトリソ法によりフォトレジストマスク（図示せず）を形成する。その後、リアクティブエッチング法などにより、多結晶シリコン膜３２をエッチング（パターニング）して、図１１に示すように、キャップ板３を形成する。
【００７０】
次に、レジストマスクを除去し、さらに、エッチングにより第２の絶縁膜３１を除去する。
なお、このエッチングでは、図１１に示すように、第２の絶縁膜３１の剥き出し部分（キャップ板３の形成されていない部分）からキャップ板３の下部に向けて、エッチャントを浸透させる。
また、このエッチングには、フッ酸の水溶液によるウエットエッチング法やドライエッチング法を利用できる。
【００７１】
これにより、支持柱２覆う形の、キャップ板３のキャップドーム（ジョイント部）４が形成され、支持柱（支柱材）２の上にキャップ板３がのる形となり、図１，図２に示す本スイッチの製造が完了する。
【００７２】
このように、本スイッチは、単一の基板１に対する半導体プロセスによって製造可能なものである。従って、製造工程を簡略化できるとともに、本スイッチのサイズを容易に小さくできる。
【００７３】
また、本実施の形態では、４方向に１対づつ設けられた信号線電極５１・５１のいずれかを短絡（ショート）させて電気的に接続することで、４種類のスイッチ状態を切り替えるとしている。このような短絡は、信号線電極５１・５１間で伝達する信号が直流信号（ＤＣ信号）である場合に必要である。
しかしながら、信号線電極５１に高周波信号（ＲＦ信号）を出力する場合には、信号線電極５１・５１間を短絡しなくても、これらの間に誘電体（キャパシタ）を介することで、電極５１・５１間を導通させて信号伝達を行うことが可能となる。
【００７４】
図１２は、このような信号伝達を行うための、本スイッチの構成を示す上面図であり、図１３は、図１２におけるＡ−Ａ線矢視断面図である。
これらの図に示すように、この構成では、４方向に延びるビーム５の接点電極４１の表面に、誘電体膜７１を設けている。この誘電体膜７１としては、例えば、窒化珪素膜、酸化チタン膜、酸化タンタル膜を利用できる。
これにより、誘電体膜７１を信号線電極５１・５１に接触させることで、スイッチ動作（信号線電極５１・５１間の信号伝達）を実現できる。
【００７５】
なお、この誘電体膜７１については、接点電極４１でなく、信号線電極５１の表面に設けてもよい。また、接点電極４１および信号線電極５１の双方の表面に、誘電体膜７１を設けるようにしてもよい。
【００７６】
また、ＲＦ信号の周波数によっては、誘電体膜７１を用いなくとも、接点電極４１を信号線電極５１に近づけるだけで、信号線電極５１・５１間を導通させて信号伝達を行える場合もある。
図１４は、このような信号伝達を行うための、本スイッチの構成を示す上面図であり、図１５は、図１４におけるＡ−Ａ線矢視断面図である。
【００７７】
これらの図に示すように、この構成では、基板１における信号線電極５１と支持柱２との間に、接点電極４１と信号線電極５１との接触を妨げるためのストッパー（ストッパーとなるパターン）７２を設けるようになっている。
これにより、吸引電極６１の静電力によってビーム５を基板１に引き付けた場合に、ビーム５は、ストッパー７２に接した状態で固定され、接点電極４１と信号線電極５１との間に極狭な隙間が生じる。従って、信号線電極５１・５１間の信号伝達を実現できることとなる。
【００７８】
上記のように、ＲＦ信号の伝達は、信号線電極５１・５１間を短絡しなくても、信号線電極５１と接点電極４１との間に誘電体や極狭な隙間を介するだけで実現できる。これにより、低損失、高アイソレーションを実現できる。
【００７９】
なお、このような場合、接点電極４１と信号線電極５１との間の誘電体の膜厚（あるいは隙間のサイズ）の精度は、容量値を決定するため、重要である。
この容量値は、伝達信号の周波数におけるスイッチング特性に適した値とすることが必要であり、周波数によっても異なる。
【００８０】
また、金属で形成された接点電極４１と信号線電極５１とを接触させる場合、接点の摩耗や固着が問題となる。しかしながら、上記のように、これらの間に誘電体や隙間を設けることで、磨耗や固着を回避でき、信頼性の向上を図れる。
【００８１】
なお、図１４，図１５に示したように、電極４１・５１間に隙間を設ける場合、これらの間に、誘電体膜７１の代わりに空気（気体）を介することとなる。この場合には、電極４１・５１が完全に非接触となるので、磨耗や固着を完全に排除できるので、信頼性をより高められる。なお、この場合、電極４１・５１間の隙間（ギャップ）については、空気の誘電率からみて、数１０ｎｍの極狭な値とすることが好ましいと考えられる。
【００８２】
また、上記のように、本スイッチは、単一の基板１に対する半導体プロセスによって製造可能なものである。
また、さらに、本スイッチの吸引電極６１を制御（駆動）する半導体素子である吸引電極制御回路（静電力印加用制御回路，駆動回路（駆動素子））についても、本スイッチの基板１上に形成することも可能である。
【００８３】
図１６は、吸引電極６１を制御する吸引電極制御回路１４を基板１に形成した構成を示す上面図であり、図１７は、図１６におけるＡ−Ａ線矢視断面図である。
これらの図に示すように、この吸引電極制御回路１４は、ソース拡散層１５，ゲート電極配線１６，ドレイン拡散層１７，ウェル１８，ＦＥＴソース／ドレイン電極１９を有している。
【００８４】
また、図１８に示すように、本スイッチの基板１上に、信号線電極５１に接続される信号回路（高周波回路（ＲＦ回路）など）１１１を形成するようにしてもよい。
この信号回路１１１も、吸引電極制御回路１４と同様に、ソース拡散層１５，ゲート電極配線１６，ドレイン拡散層１７，ウェル１８，ＦＥＴソース／ドレイン電極１９を有している。
【００８５】
このように、本スイッチと回路１４・１１１とを一体形成することで、これらを１チップ化できる。従って、これらをプリント基板に実装する際、実装面積を小さくできる。これにより、本スイッチを含む装置の小型化・低コスト化を実現することが可能となる。
【００８６】
なお、上記では、回路１４・１１１にＦＥＴ素子を用いている。しかしながら、Ｃ−ＭＯＳ、ＨＢＴなどその他の半導体素子を用いて回路１４・１１１を形成しても、同様の効果（小型化・低コスト化）を得られる。
【００８７】
また、図１６〜図１８では、Ｅ方向の電極６１・５１に関する回路１４・１１１のみを示しているが、Ｎ，Ｓ，Ｗ方向の電極６１・５１に関する回路１４・１１１についても、基板１上に形成可能である。
さらに、回路１４・１１１だけでなく、その他の半導体素子（例えばアンプなど）を基板１に構成することで、さらなる小型化・低コスト化を図れる。
【００８８】
また、図１６〜図１８に示した構成では、本スイッチの基板１上に、本スイッチと並べて回路１４・１１１を形成している。
しかしながら、これに限らず、基板１上に回路１４・１１１を形成した後、回路１４・１１１の上に、本スイッチを積層形成することも可能である。これにより、本スイッチを含む電子機器をより小型化・低コスト化することが可能となる。
【００８９】
次に、本スイッチを含む電子機器の例について説明する。
図１９は、本スイッチをデジタル方式の携帯電話に適用した例を示す等価回路図である。
【００９０】
一般に、デジタル携帯電話では、中継局からの距離に応じて電波の出力を切り替える（調整する）ようになっている。すなわち、この距離が近い時には低出力で、遠い場合は高出力で電波を送信する。従って、このようなデジタル携帯電話では、低出力用と高出力用との２種類のアンテナを備えており、送信に使用するアンテナをスイッチで切り替えるように設定されている。
【００９１】
また、デジタル携帯電話では、送信時と受信時との双方において使用する高周波用パワーアンプを備えている。そして、送信時と受信時とで、高周波用パワーアンプに接続する回路をスイッチで切り替えるようになっている。
【００９２】
そして、このような携帯電話に対し、図１９に示すように本スイッチ（特に、図１２，図１４に示した高周波信号用のもの）を適用することで、送信アンテナの切り替えと、送信・受信の切り替えとを、１つの本スイッチで実行できるようになっている。
【００９３】
すなわち、この例では、Ｓ方向の信号線電極５１がアンテナ端子ＡＴ１（低出力用）に接続される一方、Ｎ方向の信号線電極５１が、アンテナ端子ＡＴ２（高出力用）に接続されている。
また、Ｅ方向の信号線電極５１が送信端子Ｔｒに接続される一方、Ｗ方向の信号線電極５１が受信端子Ｒｅに接続されている。
【００９４】
そして、例えば、アンテナ端子ＡＴ１を利用する場合、Ｓ方向の吸引電極６１に正電荷が与えられる。これにより、キャップ板３がＳ方向に傾いて、Ｓ方向の信号線電極５１・５１間が導通して、アンテナ端子ＡＴ１がアクティブになる。また、アンテナ端子ＡＴ２，送信端子Ｔｒあるいは受信端子Ｒｅをアクティブにする場合も、同様に、Ｓ，Ｎ，Ｗ方向の信号線電極５１・５１間が導通することとなる。
【００９５】
このように、本スイッチを用いることにより、複数種類の切り替えを１つのスイッチで行うことが可能となる。これにより、携帯電話の回路における実装面積の小型化（高効率化）を図れる。また、アイソレーションが高くロスの少ない切り替えが可能となり、その結果、低消費電力化を実現できる。
【００９６】
また、本実施の形態では、支持柱２の柱頭部１１が球形であるとしているが、全体が球形である必要はなく、キャップドーム４との接触部位だけが球面形状（球面の一部をなす形状）であればよい。
【００９７】
また、柱頭部１１の形状は、球形に限らない。
図２０（ａ）の上面図，図２０（ｂ）の側面図に示すように、柱頭部１１を、頂部に窪み（切り込み）１１ａを入れた形状としてもよい。窪み１１ａは、柱頭部１１の頂部に複数設けられ、また、それらのうちの４本が、Ｎ，Ｓ，Ｅ，Ｗの４方向に沿っていることが好ましい。
【００９８】
また、この場合、図２１に示すように、キャップ板３におけるキャップドーム４の内壁に、窪み１１ａにあわせて突起部９を設け、これら突起部９を柱頭部１１の窪み１１ａに嵌められるようにすることが好ましい。
【００９９】
また、図２２（ａ）の上面図，図２２（ｂ）の側面図に示すように、窪み１１ｂを、柱頭部１１の側部に設けるようにしてもよい。この場合も、４本の窪み１１ｂが、Ｎ，Ｓ，Ｅ，Ｗの４方向に沿っていることが好ましい。そして、同様に、キャップ板３におけるキャップドーム４の内壁に、窪み１１ｂに嵌め込むための突起部を設けることが好ましい。
【０１００】
これらの構成では、キャップ板３は、柱頭部１１の窪みに沿って揺動する。そして、柱頭部１１の窪みにキャップドーム４内の突起部が嵌め込まれているため、キャップ板３は、基板１の表面に平行な方向に回転することがない。従って、回転抑制柱８を設ける必要がなくなる。
【０１０１】
なお、図５〜図１１を用いて説明したように、本スイッチの製造工程では、キャップ板３は、柱頭部１１の形状に沿った形で自己整合的に形成される。
このため、柱頭部１１に窪みを設ける構成では、キャップドーム４の突起部９は、第２の多結晶シリコン膜３２を積層する段階で、柱頭部１１の窪みにあわせて自己整合的に、容易に形成される。また、このため、図２１に示したように、キャップ板３のキャップドーム４の頂部（外側）には、窪み９ａが形成されることとなる。
【０１０２】
また、本スイッチでは、図２３，図２４に示すように、キャップ板３におけるキャップドーム４の一部に、貫通孔１０を設けるようにしてもよい。この貫通孔１０は、第２の絶縁膜３１をパターニングしてキャップ板３を形成する際に、容易に設けられる。
この構成では、図１１に示した第２の絶縁膜３１を除去する工程において、貫通孔１０からエッチャントを注入できる。従って、犠牲膜である第２の絶縁膜３１を効率よく除去できる。
なお、図２３，図２４に示した例では、キャップドーム４の頂部に１つの貫通孔１０を設けている。しかしながら、貫通孔１０は、キャップ板３の揺動を阻害しないなら、キャップ板３のどこに形成してもよく、また、いくつ形成してもよい。
【０１０３】
また、本実施の形態では、４方向に１対づつ設けられた信号線電極５１のいずれかを、信号伝達可能な状態とするとしている。しかしながら、これに限らず、本スイッチを、複数の方向に配された複数対の信号線電極５１を、同時に信号伝達可能な状態とするように設定してもよい。
【０１０４】
図２５は、Ｅ方向およびＷ方向の双方の吸引電極６１に正電荷を与え、これら両方向のビーム５を信号線電極５１に接触させた状態（２ヶ所以上の接点を接続するスイッチング状態）の本スイッチを示す説明図である。
このように、本スイッチを用いれば、１つのスイッチで多接点を同時に接続することが可能となり、チップ面積の効率化を図れる。
【０１０５】
また、図２６は、図２５に示した本スイッチを応用したＲＦ回路の例を示す等価回路図である。
【０１０６】
この回路では、複数のキャパシタを並列に接続して容量値を調整するようになっている。
【０１０７】
すなわち、この回路では、電送線路（ＲＥ−ＩＮからＲＥ−ＯＵＴまで）の間に４つのキャパシタ１０１〜１０４を並列に接続している。
さらに、それぞれのキャパシタとグランドラインとの間に、本スイッチのＮ，Ｓ，Ｅ，Ｗの４方向に設けられた信号線電極５１（５１Ｎ〜５１Ｗで示す）を配している。
【０１０８】
そして、同時に導通状態とする信号線電極５１Ｎ〜５１Ｗの数・種類の組み合わせを調整することで、回路の容量値を任意に調整でき、ＲＦ信号の特性を変化させられる。
【０１０９】
なお、キャパシタだけでなく、インダクタ，抵抗，フィルターなどを回路に設け、これらの接続状態を本スイッチで変化させる事も可能である。これにより、回路定数を調整し、任意の特性を得ることが可能となる。
このような回路に本スイッチを応用すれば、１つのスイッチで回路定数を複数種類（４種類）に設定できる。従って、回路を含む電子機器の小型化を図ることが可能となる。
【０１１０】
また、本実施の形態では、本スイッチを、キャップ板３を揺動させることで（ビーム５を傾けることで）信号線電極５１の導通状態を切り替えるスイッチであるとしている。
しかしながら、これに限らず、本スイッチを、キャップ板３を揺動させることでレーザー光などの光の光路を制御（変更）する、光スイッチ（光路スイッチ）として利用することも可能である。このような光スイッチは、光通信用の中継器などに使用されるものである。
【０１１１】
図２７は、本スイッチを光スイッチとする場合における、本スイッチの構成を示す説明図である。
この図に示すように、この構成では、キャップ板３の表面に、アルミ箔膜３３が積層されている。そして、レーザーダイオード等からなる光源Ｐから照射された入射光ＬＩをビーム５上のアルミ箔膜３３によって反射し、反射光ＬＯを出力するようになっている。
【０１１２】
この構成では、反射光ＬＯの光路が、ビーム５の傾き状態によって変化する。また、この構成では、キャップ板３における４つのビーム５の直上に４つの光源Ｐが配されている。
また、４つの反射光ＬＯを受光するための、４つの受光素子（フォトデテクター等）Ｄが設けられている。なお、各受光素子Ｄの位置は、吸引電極６１に引き寄せられた状態のビーム５からの反射光ＬＯだけを受光する位置に設定されている。
【０１１３】
従って、キャップ板３を平衡状態とする場合（例えば、４つの吸引電極６１に同等な静電力を発生させる場合）には、ビーム５からの反射光ＬＯは、光源Ｐに向かうこととなる。従って、受光素子Ｄに反射光ＬＯが到達しないため、光スイッチとしてはオフ状態となる。
そして、いずれかのビーム５における接点電極４１が吸引電極６１に静電的に引っ張られた場合に、キャップ板３が傾いて、傾いたビーム５に応じた受光素子Ｄに反射光ＬＯが到達するように設定されている。
【０１１４】
このように、本スイッチでは、複数のビーム５によって反射光の光路を切り替えられるので、１つのスイッチで複数の光スイッチ状態（どの受光素子Ｄに反射光が到達しているか）を制御することが可能となっている。
【０１１５】
なお、上記では、４つの光源Ｐ・受光素子Ｄを、各ビーム５に応じて４つづつ備えるとしている。しかしながら、光源Ｐ・受光素子Ｄ数は、これに限らず、用途に応じて適切に設定することが好ましい（２組でも３組でもよい）。
【０１１６】
また、１つの光源Ｐ（ビーム５）に対し、２つ以上の受光素子を備えるようにしてもよい。
すなわち、各ビーム５の状態数（傾き具合の異なる状態の数）は、自身が吸引電極６１に引き寄せられた場合（１種類）と、他のビーム５が吸引電極６１に引き寄せられた場合（３種類）とで、平衡状態を含めずに、少なくとも４つはある（一度に複数のビーム５を吸引電極６１によって引き寄せる場合には、さらに増える）。従って、ビーム５の各状態に応じた複数の受光素子Ｄを配置することで、より複雑なスイッチングを行うことが可能となる。
【０１１７】
また、本実施の形態では、キャップ板３を傾ける際に、いずれかの方向の吸引電極６１に正の電荷を与えるとしている。しかしながら、吸引電極６１の電圧を下げてここに負の電荷を与えた場合でも、吸引電極６１と接点電極４１との間に静電的な引力を発生させられるため、同様にキャップ板３を傾けることが可能である。
【０１１８】
また、本実施の形態では、ビーム５の裏面に接点電極４１を１つ設け、基板１におけるＮ，Ｓ，Ｗ，Ｅの各方向に１対の信号線電極５１を設けるとしている。しかしながら、１つのビームに複数の接点電極４１を設けるとともに、各接点電極４１に応じて複数対の信号線電極５１を基板に配することも可能である。これにより、１方向における接点数を増やせる。
【０１１９】
また、本実施の形態では、キャップ板３に、４本のビーム５が備えられているとしている。しかしながら、これに限らず、キャップ板３に備えるビーム５の数は、５本以上であっても、また、３本以下であってもよい。ビーム５の数は、本スイッチの使用形態にあわせて、どのように設定されてもよい。
ビーム５を５本以上とし、ビーム５の位置に応じて信号線電極５１，吸引電極６１を基板１上に配置することで、接点の非常に多いスイッチを構成することが可能となる。
また、キャップ板３では、複数のビーム５を対称的に配置する必要はない。例えば、２本のビームを、直線状とならないように配置してもよい。
【０１２０】
また、本実施の形態では、基板１がシリコンの半導体基板からなるとしている。しかしながら、これに限らず、基板１としては、ＧａＡｓやガラス基板等の反絶縁性基板、セラミック基板，ＩｎＰ基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板などを使用できる。
【０１２１】
また、本実施の形態では、絶縁膜２５・３１が二酸化珪素膜であるとしている。しかしながら、これに限らず、絶縁膜２５・３１としては、無機膜の窒化珪素膜や酸窒化珪素膜、リンやボロンなどを拡散させた酸化珪素膜、フォトレジスト，ポリイミド，フッ素樹脂などからなる有機絶縁膜を用いることも可能である。
【０１２２】
なお、本実施の形態では、第２の絶縁膜３１が無機の絶縁膜（二酸化珪素（ＳｉＯ２））であるため、この膜３１を除去する際、フッ酸の水溶液によるウエットエッチング法やドライエッチング法を利用するとしている。
ここで、第２の絶縁膜３１として有機膜の絶縁膜（レジストやポリイミド等）を使用する場合、膜３１の除去には、有機溶剤（アセトンなど）によるウエットエッチング法やドライエッチング法を使用することが好ましい。
【０１２３】
また、本実施の形態では、支持柱２およびキャップ板３を、リンを含む多結晶シリコンから構成するとしている。しかしながら、これに限らず、支持柱２およびキャップ板３の材料としては、低温成膜の可能なスパッタリング法や蒸着法などで成膜する高融点金属（タングステン，チタン，モリブデン、それらの窒化物等）を用いることも可能である。すなわち、基板１の表面に金属配線を形成し、その配線上に金属柱の支持柱２を設けてもよい。
【０１２４】
特に、半導体基板に半導体素子を形成し、その上に本スイッチを形成して一体化（積層化）する場合、半導体素子の特性を変動させない温度範囲で本スイッチを製造する必要がある。このため、本スイッチの製造工程を３００℃以下程度の温度範囲で行うことが好ましい。
そこで、スパッタリング法や蒸着法などによって金属から支持柱２・キャップ板３を形成することで、本スイッチの製造工程における温度を上記の範囲に抑えることが可能となる。
【０１２５】
また、本実施の形態では、基板１における支持柱２の形成部位に、イオン注入を施すことで拡散層７を形成するとしている。しかしながら、拡散層７に代えて、支持柱２の形成部位に（支持柱２と接触するように）低抵抗の金属配線を設け、その端部を接地するようにしてもよい。
【０１２６】
また、本実施の形態では、図６に示した本スイッチの製造工程において、開口２７の形状を円形であるとしている。しかしながら、これに限らず、開口２７の形状は、矩形や多角形としてもよい。この形状により、支持柱２における脚部１２の形状が決定される。なお、開口２７における最も望ましい形状は、円形である。
【０１２７】
また、本スイッチでは、電源供給を受けている間であって、スイッチングを必要とされていないアイドリング時（待機時）では、以下の状態１〜３のいずれかの状態となっていることが好ましい。
状態１：いずれかの吸引電極６１によって１つのビーム５を信号線電極５１に接触させている（固定している）状態。
状態２：２つ以上の吸引電極６１によって、２つ以上のビーム５を信号線電極５１に接触させている状態（キャップ板３は、弾性的に曲がっていてもよい）。
状態３：支持柱２を中心に回転対称の関係にある２つ以上の吸引電極６１によって、キャップ板３を平衡とする（いずれのビーム５も信号線電極５１に触れていない）状態（キャップ板３は、弾性的に曲がっていても、曲がっていなくてもよい）。
【０１２８】
また、本実施の形態では、キャップ板３のビーム５に、接点電極４１を備えるとしている。しかしながら、吸引電極６１によってビーム５を引き付けることが可能であり、さらに、ビーム５によって信号線電極５１・５１を導通させられる場合には、接点電極４１を設ける必要はない。
【０１２９】
また、本発明の静電アクチュエーターを、基板上に配置した吸引電極により、揺動板を静電的に傾ける（駆動する）静電アクチュエーターにおいて、基板上に固定された揺動板を備え、この揺動板上に上記揺動板が載せられており、さらに、揺動板の端部に、吸引電極から静電力を受ける複数のビームが設けられている構成である、と表現することもできる。
【０１３０】
また、特許文献１のシーソー型のマイクロスイッチでは、梁８４を中心に左右にビーム８１を設け、それぞれのビーム８１に接点を備えて、対向する基板側には静電力印加電極８２と接点８３を設けてあり、基板側の静電力印加電極８２に電界を印加することで、ビーム８１を基板側へ静電力で引き付けて、ビームに設けた電極と基板に設けた電極８３とを接続するスイッチ動作を行うものであるともいえる。そして、この構造においては、梁型の支持肢を中心に基板の上下方向にビームを稼動させるものであり、支持肢の左右に設けたビームの部分に接点を配置するため、接点を増やすことが困難である。
【０１３１】
また、本スイッチは、本発明の静電駆動でビームを基板に対して吸着動作させた多接点を備えた静電アクチュエーターのマイクロスイッチであるともいえる。また、本スイッチの構成を以下のように表現することもできる。すなわち、基板１の上に支持柱２を設けその支持柱２は基板１と接している側が細くなっており、上面側が太くなっている。この基板１には、低抵抗の拡散層７が設けられており、その上に支持柱２が設けられている。その支持柱２の上にキャップ板３が支持柱２を覆う形で配置されている。そのビームの底面には接点電極（接点）４１となる低抵抗配線が形成されている。その接点電極４１に対向した基板１の表面に信号線電極５１・吸引電極６１が設けられている。ここで、吸引電極（静電力印加用電極）６１に正の電荷を印加することで、ビーム５と吸引電極６１間に静電力が発生して、ビーム５が基板１側に吸着され、ビーム５の接点電極４１と基板１上の信号線電極５１が接続される。ここで印加した電荷は負でも同様な動作をする。キャップ板３の可動方向のずれを防止するために、基板１の上に回転抑制柱８を設けてある。また、ビーム５が固定されていないことにより、可動させた際に動作方向が不安定となることを防止するため、基板上には回転防止用の柱８をビーム５の可動範囲の外側に配置してある。これにより、ビーム５の動作方向は基板に対して基板側の電極に対してずれることなく上下可動が可能となる。
【０１３２】
さらに、本スイッチでは、支持柱を金属の柱として基板表面に金属配線を形成しその配線上に支持柱を設け、ビームにも金属例えばタングステンなど高融点金属を窒化した金属を用いることも可能である。特に、基板に半導体基板を用いて、その基板に半導体素子を形成し、その上に本スイッチを形成し積層化する場合、半導体素子の特性変動が生じない温度範囲で形成する必要があり、３００℃以下程度の製造工程が必要となる。そこで、支持柱およびビームの材料として金属を用い、その形成方法としてはスパッタリング法などを用いて本スイッチの構造を形成することで、半導体素子との一体化や積層化が可能となる。また、支持柱２と電位を獲るための基板１に設けた拡散層７を用いたが、ここは低抵抗の金属配線を用いても同様の効果が得られるといえる。
【０１３３】
また、キャップ板３は、アイドリング時では、『キャップ板３が、常にどれか一ヶ所のバイアスで固定された状態』，『２ヶ所以上の複数の吸引電極６１に電圧を印加し、２ヶ所以上の複数のビームが曲がって基板側へ吸着された状態』，『対角線状に配置した吸引電極６１毎にキャップ板３を曲げるまで高くない電圧を、均一に印加してビームが平行になる状態』のいずれかの状態をとるように設定されていてもよい。
【０１３４】
また、本スイッチでは、信号線電極５１と対向したビーム５の接点電極４１は、信号線電極５１と接触する一方、吸引電極６１とは接触しない（電極４１・６１間に隙間がある）。本スイッチは、吸引電極６１と接点電極４１との間にできる静電力でビームを基板側に引き付けるもので、これらが接触すると静電力がなくなる。また、本スイッチをＲＦスイッチとする場合には電極４１・５１間にキャパシタを挟んだ構造でも接続は行え、その隙間の精度が重要となる。即ち、隙間＝誘電体の膜厚＝容量値となる。この容量値は所望の周波数におけるスイッチング特性に適した値が必要で、周波数によっても異なる。また、金属と金属の接続（ＤＣＤＣ接続）の場合、接点の摩耗や固着が問題となるが、ここに誘電体を挟むことでこれらの課題が低減する。よって信頼の向上が図れる。
【０１３５】
また、図１９に示した本スイッチの応用例に関し、デジタル携帯電話の場合、中継局からの距離に応じて電波の出力を調整しており、近い時には低出力で、遠い場合は高出力で行っている。その中でアンテナを複数備えており、スイッチによって出力に応じたアンテナに切り替えを行っている。また、送受の切り替えは、高周波用パワーアンプがあり、これは送信時と受信時のアンプとして使用する。送信する際と受信する際にはアンプの先につながっている回路が異なるので、その回路をスイッチで切り替えている。通常は半導体のスイッチで行っている。本スイッチを用いる事で、アイソレーションが高くロスの少ない切り替えが可能となり、その結果低消費電力化を図れる。
【０１３６】
また、図２６の構成に関し、いくつかの回路定数を組み合わせて任意の特性を得る場合などに、必要な配線を設けておき、本スイッチを用いることで１回のスイッチング動作で複数の回路切り替えを行うことができ、小型化が実現するといえる。また、本実施例のマイクロスイッチの場合、ビーム５の支点である支持柱２を丸い柱としていることでビームの支点が半固定状態となっているため、構造駆動電圧を高くすることなくキャップ板３の可動が可能となり、さらにビームのバネを利用していないので、ビームの構造破壊や計時変化への影響が低減でき、長期信頼性が向上するといえる。また、支持柱２に括れがある（柱頭部１１が脚部１２より太い）ことで、基板１を逆さまにしても、キャップ板３が支持柱２から外れることはない。
【０１３７】
また、本発明を、以下の第１〜９静電アクチュエーター，第１〜第３静電アクチュエータースイッチ，第１無線通信装置，第１マイクロ光路スイッチおよび第１・２の静電アクチュエーターの可動方法として表現することもできる。
【０１３８】
すなわち、第１静電アクチュエーターは、基板上に固定電極と支持柱を設け、支持柱上に可動電極を設ける構成である。また、第２静電アクチュエーターは、第１静電アクチュエーターにおいて、上記支持柱に太さの差を設けて括れた形状とし、その柱の括れ部を覆う可動電極を設け、可動電極と基板との間に距離を設け、柱を支点とした可動電極と形成する構成である。
【０１３９】
また、第３静電アクチュエーターは、第１静電アクチュエーターにおいて、上記基板上に設けた支持柱の基板に近い部分を細く、柱の上面側を太くし、柱に太さの差を設けて括れた形状として、その柱の上面部の太い部分を覆う可動電極を設け、基板との間に距離を設け、支持柱を支点とした可動電極を備えた信号配線を形成する構成である。また、第４静電アクチュエーターは、第１〜３静電アクチュエーターにおいて、上記支持柱の太い部分を球状とする構成である。さらに、第５静電アクチュエーターは、第４静電アクチュエーターにおいて、上記球状部の一部に窪みを設ける構成である。
【０１４０】
また、第６静電アクチュエーターは、第１〜５静電アクチュエーターにおいて、上記可動電極が支持柱を中心に３つ以上の異なる方向に設けられている構成である。また、第７静電アクチュエーターは、第１〜６の静電アクチュエーターにおいて、上記可動電極の支点柱と重なる部分に貫通孔を設ける構成である。さらに、第８静電アクチュエーターは、第１〜７の静電アクチュエーターにおいて、可動電極の可動範囲の外側に可動距離よりも高い柱を設ける構成である。
【０１４１】
また、第１静電アクチュエータースイッチは、第１〜８静電アクチュエーターの可動電極の裏面に低抵抗接続電極を備え、それぞれの電極に対向した基板側に静電力印可用の固定電極と可動電極の低抵抗接続電極と接続する基板側の接続電極を設ける構成である。また、第２静電アクチュエータースイッチは、第１静電アクチュエータースイッチの可動電極裏面の低抵抗接続電極、若しくは基板側の接続電極のいずれか一方または両方の表面に誘電体膜を設ける構成である。さらに、第３静電アクチュエータースイッチは、第１静電アクチュエータースイッチにおいて、基板もしくは可動電極の接続電極よりも高さの高い電極を設け、接続電極が接触しない隙間を備える構成である。
さらに、第９静電アクチュエーターは、第１〜８静電アクチュエーターおよび第１〜第３静電アクチュエータースイッチの基板に信号処理回路を設ける構成である。
【０１４２】
また、第１無線通信装置は、第１〜９静電アクチュエーターおよび第１〜第３静電アクチュエータースイッチを備える構成である。また、第１マイクロ光路スイッチは、第１〜９静電アクチュエーターおよび第１〜第３静電アクチュエータースイッチの可動電極表面に光反射膜を成膜した構成である。
【０１４３】
また、第１静電アクチュエーターの可動方法は、第１〜９静電アクチュエーター，第１〜第３静電アクチュエータースイッチ，第１無線通信装置および第１マイクロ光路スイッチの可動電極が支持柱を中心に３つ以上の異なる方向に設けられた静電アクチュエーターの可動方法において、静電力印可用の固定電極の１ヶ所だけに電荷を印加する方法である。さらに、第２静電アクチュエーターの可動方法は、第１〜９静電アクチュエーター，第１〜第３静電アクチュエータースイッチ，第１無線通信装置および第１マイクロ光路スイッチの可動電極が支持柱を中心に３つ以上の異なる方向に設けられた静電アクチュエーターの可動方法において、同時に２ヶ所以上の静電力印可用の固定電極に電荷を印加し２ヶ所以上の接点を接続する方法である。
【０１４４】
上記の第１〜９静電アクチュエーター，第１〜第３静電アクチュエータースイッチ，第１無線通信装置，第１マイクロ光路スイッチおよび第１・２の静電アクチュエーターの可動方法では、まず、本発明のビーム（可動電極）は固定されておらずビームを可動させる場合に必要な電荷の量はビームを引き付けるだけの電荷量となり、低電圧での駆動が可能となる。さらに、ビームのバネ性を利用しない事から高速動作が可能となる。また、低電圧動作が可動になることで、他の電子回路との組み合わせる際に、高電圧を作る回路が不要となり、回路の単純化を図れる。さらに、本発明のスイッチを高周波回路に用いることで、入力損失の低減及びアイソレーション特性の向上により、回路の低消費電力が図れる。また、本発明のマイクロスイッチは接点を多点設けることが可能であるので、１つのスイッチで複数の信号線路などの切り替えが可能となり、実装面積の高効率化を実現し、低コスト化が図れる。さらに、光スイッチとして応用した場合、１つのスイッチで複数の光路を高速で光路切り替えが可能となり、光信号処理回路の高機能化が図れる。
【０１４５】
また、本発明の目的は、多接点を備え、低電圧で動作し機械的信頼性の高いＭＥＭＳスイッチ構造を提供するものであるともいえる。本発明のビームは基板に括れを持った支持柱を設け、その上に自己整合的に形成し、その柱を支点としてビームを基板に対して上下稼動させて、スイッチング動作を行うものである。本構造の場合、スイッチを上下逆さまにしてもビームが抜けることはない。本発明のビームは支持柱を中心に多方向に羽を広げた形とすることが可能で、それぞれのビームの部分に接点を設けることで、多接点のビームが形成できることで、部品の小型化が可能となる。さらに、本願のビームは半固定状態で動作させるため、低電圧動作が可能となる。また、ビームの変形が少ない動作であることから、長時間の稼動を行った場合でもビームの組成変形などが軽減でき、長期信頼性が向上する。
【０１４６】
また、本発明の構造を、ビームとビームに設けた接続電極と半導体基板上に設けた静電力印加用電極と半導体素子と、その素子から配線した電気的接続点とを含み、基板に設けた静電力印加電極に電荷を印加し、ビームとの間に静電力を発生させ、ビームを基板側に引き付けて、基板の接点とビームの接点とを接続するスイッチング動作を行うものであるともいえる。このようなマイクロスイッチを、例えば、高周波無線通信用のアンテナ切り替えや送信受信の切り替え用に用いることで、低損失の回路切り替えを可能とし、機器の低消費電力化を図れる。また、光スイッチに用いた場合には一つのスイッチで多方向への偏光が可能となる。
【０１４７】
【発明の効果】
以上のように、本発明の静電アクチュエーター（本アクチュエーター）は、基板上に配置した吸引電極により、揺動板を静電的に引き付ける静電アクチュエーターにおいて、基板上に固定され、揺動板を軸支するための支持柱を備え、さらに、揺動板の端部に、吸引電極から静電力を受ける複数のビームが設けられている構成である。
【０１４８】
すなわち、本アクチュエーターは、基板上に支持柱を設け、その上に揺動板を載せた構造を有しており、支持柱によって揺動板を軸支（枢支）するように設定されている。
また、揺動板の端部には、複数のビーム（棒状（梁状）の部材）が設けられており、この部分で、吸引電極の静電力を受けるようになっている。
【０１４９】
このように、本アクチュエーターでは、揺動板を支持柱によって軸支する構成であるため、揺動板（ビーム）の傾く方向（揺動方向；吸引電極によって基板側に引き付けられる方向）を任意に設定できる。
これにより、本アクチュエーターでは、ユーザーの所望とする複数の方向にビームを設け、各ビームに応じて基板に吸引電極を配することで、揺動板を複数の任意の方向に傾ける（引き付ける）ことが可能となる。
【０１５０】
従って、本アクチュエーターをマイクロスイッチに応用すれば、基板接点の位置や数に関する自由度の高い、実用的なマイクロスイッチを構成することが可能となる。
【０１５１】
また、本アクチュエーターでは、支持柱を、基板に固定された脚部と、この脚部上に設けられた柱頭部とで構成することもできる。
この場合、柱頭部は、脚部よりも太くなっていることが好ましい。
さらに、この場合には、揺動板に、複数のビームを端部に備えた中空のドーム部を設けることが好ましい。そして、このドーム部によって、支持柱の柱頭部を係合するような構造であることが好ましい。
【０１５２】
この構成では、ドーム部が、支持柱の柱頭部を包む（覆う）ように、この柱頭部と（ピボット的に）係合することが好ましい。
この場合、支持柱の柱頭部がドーム部の内壁に当接し、当接部分で揺動板を軸支することとなる。また、揺動板が傾く場合、ドーム部の内壁が柱頭部上を摺動（スライド）することとなる。
この構成では、支持柱を支点として揺動板を任意の方向に傾けることが容易となるとともに、支持柱と揺動板とが離れてしまう（外れてしまう）ことを防止できる。
なお、上記のように柱頭部と脚部とで支持柱を構成する場合、これらを一体に形成することが好ましい。
【０１５３】
また、揺動板に上記のドーム部を設ける場合、ドーム部の内壁と、支持柱の柱頭部におけるドーム部との接触部分とを、球面形状とすることが好ましい。
ここで、球面形状とは、球面の一部をなす形状のことである。これにより、柱頭部上でドーム部を摺動させることが容易となる。
【０１５４】
また、柱頭部を球面形状とする場合、柱頭部の一部に窪み（切れ込み）を設けるようにしてもよい。また、この場合、ドーム部の内壁（柱頭部との接触部分）に、柱頭部の窪みに応じた突起部を設けることが好ましい。さらに、これらの窪みおよび突起部の延びる方向が、ビームの延びる方向に沿っていることが好ましい。
これにより、ドーム部（揺動板）は、柱頭部の窪みの延びる方向にだけ傾くこととなる。従って、揺動板が基板と平行に回転することを防止できる。
【０１５５】
また、本アクチュエーターに設けるビームの数は、３つ以上であることが好ましい。また、これらのビームは、異なる方向に延びていることが好ましい。
これにより、本アクチュエーターをマイクロスイッチに応用した場合に、スイッチの接点を３つ以上とできるので、１つのスイッチで３つ以上の状態を切り替えることが可能となる。
【０１５６】
また、本アクチュエーターでは、揺動板を支持柱によって軸支しているため、揺動板が支持柱を回転軸として、基板と平行方向に回転してしまい、ビームの延びる方向が変わってしまう可能性がある。
そこで、このような回転を防止するために、ビームに当接して回転を止める回転抑制柱を基板に設けておくことが好ましい。
【０１５７】
また、本アクチュエーターは、１つの基板に対して半導体プロセスによって形成できるものである。ここで、本アクチュエーターの吸引電極を制御（駆動）するための半導体素子である吸引電極制御回路を、本アクチュエーターの基板に一体形成するようにしてもよい。
【０１５８】
これにより、本アクチュエーターと上記の制御回路を１チップ化できる。従って、これらをプリント基板に実装する際、実装面積を小さくできる。従って、本アクチュエーター含む電子機器の小型化・低コスト化を実現することが可能となる。
【０１５９】
また、本発明のマイクロスイッチ（本スイッチ）は、上記した本アクチュエーターと、本アクチュエーターの基板に設けられ、基板側に引き付けられた（傾いた）揺動板のビームを介して互いに導通する１対の信号線電極とを備えたものである。
本スイッチは、本アクチュエーターを備えているため、基板接点の位置や数に関する自由度の高い、実用的なマイクロスイッチとなっている。
【０１６０】
また、本スイッチを用いて携帯無線機などの電子機器を構成すれば、１つのスイッチで多数の状態を切り替えることが可能であるため、小型で低コストの電子機器を実現できる。
【０１６１】
なお、本スイッチの信号線電極対は、揺動板のビームの数・位置に応じて、基板上に複数設けられているものである。
また、本スイッチは、信号線電極対の双方の電極をビーム（電導性）と当接させて短絡することで、信号線電極対を導通状態とする構成であってもよい。
【０１６２】
また、信号線電極間で高周波信号を伝達する場合には、ビームと信号線電極とを直接接触させる必要はない。この場合、信号線電極におけるビームとの当接部位、および、ビームにおける信号線電極との当接部位の少なくとも一方に、誘電体を設けるようにしてもよい。
【０１６３】
また、誘電体を設けなくとも、ビームと信号線電極との間隔を極狭とすることで、信号伝達を行うことも可能である。
この場合、上記ビームの駆動範囲（傾き度合い）を制限することで、基板側に引き付けられたビームと信号線電極との間に隙間を設けるストッパー（ビームと信号線電極との直接接触を回避するストッパー）を基板に備えるようにしてもよい。
【０１６４】
これらの構成では、ビームを直接に信号線電極に接触させないため、低損失、高アイソレーションを実現できる。
なお、ビームと信号線電極との間に配される誘電体の膜厚（あるいは間隔のサイズ）の精度は、容量値を決定するため、重要である。
この容量値は、伝達信号の周波数におけるスイッチング特性に適した値とすることが必要であり、周波数によっても異なる。
【０１６５】
また、本アクチュエーターによって、マイクロ光スイッチを構成することもできる。このマイクロ光スイッチは、本アクチュエーターによってレーザー光などの光路を変更するものである。例えば、このようなマイクロ光スイッチを、ビームに光反射膜を設けた本アクチュエーターと、光反射膜に光を照射する光源と、光反射膜からの反射光を受光する受光素子とから構成できる。
また、このようなマイクロ光スイッチを用いて電子機器を構成すれば、１つのスイッチで多数の状態を切り替えることが可能であるため、小型で低コストの電子機器を実現できる。
【０１６６】
なお、上記したように、本アクチュエーターでは、揺動板のビームを吸引電極によって引き付ける構成である。ここで、本アクチュエーターを、１つの吸引電極によって１つのビームを基板側に傾けるようにしてもよい。
【０１６７】
また、複数の吸引電極によって同時にビームを傾けるように、本アクチュエーターを駆動してもよい。この場合、揺動板の一部は、弾性的に変形することもある。また、本アクチュエーターをスイッチに応用した場合には、２カ所以上の接点（信号線電極対）を接続（導通）させることとなる。
【０１６８】
また、本アクチュエーターは、以下の第１〜第５工程によって製造することが可能である。
すなわち、まず、基板に対し、支持柱および吸引電極を形成する（第１工程）。次に、支持柱を含む基板全面に、絶縁膜等からなる犠牲膜（犠牲層）を形成する（第２工程）。
その後、この犠牲膜上に、多結晶シリコン膜等からなる電導膜を形成する（第３工程）。そして、この電導膜をパターニングして揺動板を形成する（第４工程）。さらに、揺動板の下部にある上記の犠牲膜を除去する（第５工程）。
【０１６９】
これにより、本アクチュエーターを、単一の基板に対する半導体プロセスによって容易に製造できる。従って、製造工程を簡略化できるとともに、本スイッチのサイズを容易に小さくできる。
【０１７０】
また、上記の上記第４工程において、揺動板の一部に貫通孔を設けるようにしてもよい。
第４工程の後に行われる犠牲膜の除去は、通常、エッチングによって行われる。このとき、揺動板に貫通孔のある場合、そこからエッチャントを注入できる。従って、犠牲膜を効率よく除去できる。
なお、この場合には、製造される本アクチュエーターの揺動板に、貫通孔が設けられることとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態にかかるマイクロスイッチの構成を示す上面図である。
【図２】図１に示したマイクロスイッチにおけるＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図３】図１に示したマイクロスイッチに関し、平衡状態となっているキャップ板を示す説明図である。
【図４】図１に示したマイクロスイッチに関し、１つのビームが基板側に傾いている状態となっているキャップ板を示す説明図である。
【図５】図１に示したマイクロスイッチの製造工程を示す説明図である。
【図６】図１に示したマイクロスイッチの製造工程を示す説明図である。
【図７】図１に示したマイクロスイッチの製造工程を示す説明図である。
【図８】図１に示したマイクロスイッチの製造工程を示す説明図である。
【図９】図１に示したマイクロスイッチの製造工程を示す説明図である。
【図１０】図１に示したマイクロスイッチの製造工程を示す説明図である。
【図１１】図１に示したマイクロスイッチの製造工程を示す説明図である。
【図１２】図１に示したマイクロスイッチに誘電体膜を備えた構成のスイッチを示す説明図である。
【図１３】図１２に示したマイクロスイッチにおけるＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図１４】図１に示したマイクロスイッチにストッパーを備えた構成のスイッチを示す説明図である。
【図１５】図１４に示したマイクロスイッチにおけるＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図１６】図１に示したマイクロスイッチにおける吸引電極を制御する吸引電極制御回路を基板に形成した構成を示す上面図である。
【図１７】図１６におけるＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図１８】図１６に示した構成に信号回路を加えた構成を示す上面図である。
【図１９】図１，図１２あるいは図１４に示したマイクロスイッチをデジタル方式の携帯電話に適用した例を示す等価回路図である。
【図２０】図２０（ａ）は、図１に示したマイクロスイッチの支持柱を示す説明図であって、支持柱の柱頭部１１に窪みを設けた構成を示す説明図であり、図２０（ｂ）は同じく側面図である。
【図２１】図２０（ａ）（ｂ）に示した支持柱を備えたマイクロスイッチの構成を示す説明図である。
【図２２】図２２（ａ）は、図１に示したマイクロスイッチの支持柱を示す説明図であって、支持柱の柱頭部１１に窪みを設けた構成を示す説明図であり、図２２（ｂ）は同じく側面図である。
【図２３】図１に示したマイクロスイッチであって、キャップ板のキャップドームに貫通穴を設けた構成を示す上面図である。
【図２４】図２３に示したマイクロスイッチにおけるＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図２５】図１に示したマイクロスイッチにおける、２ヶ所以上の接点を接続した状態を示す説明図である。
【図２６】図２５に示したマイクロスイッチを応用したＲＦ回路の例を示す等価回路図である。
【図２７】図１に示したマイクロスイッチを光スイッチに応用する場合の構成を示す説明図である。
【図２８】従来のマイクロスイッチを示す説明図である。
【図２９】従来のマイクロスイッチを示す説明図である。
【符号の説明】
１  基板
２  支持柱
３  キャップ板（揺動板）
４  キャップドーム（ドーム部）
５  ビーム
７  拡散層
８  回転抑制柱
９  突起部
１０  貫通孔
１１  柱頭部
１２  脚部
１４  吸引電極制御回路
１５  ソース拡散層
１６  ゲート電極配線
１７  ドレイン拡散層
１８  ウェル
１９  ＦＥＴソース／ドレイン電極
２５  第１の絶縁膜
２６  フォトレジストマスク
２７  開口
２９  第１の多結晶シリコン膜
３０  レジストパターン
３１  第２の絶縁膜（犠牲膜）
３２  多結晶シリコン膜
３２  第２の多結晶シリコン膜
３３  アルミ箔膜
４１  接点電極
５１  信号線電極
５１Ｎ〜５１Ｗ  信号線電極
６１  吸引電極
７１  誘電体膜
７２  ストッパー
１０１〜１０４  キャパシタ
１１１  信号回路
ＡＴ１  アンテナ端子
ＡＴ２  アンテナ端子
Ｄ  受光素子
ＬＩ  入射光
ＬＯ  反射光
Ｐ  光源
Ｒｅ  受信端子
Ｔｒ  送信端子
【図１】
2005022036.tif 000003
【図２】
2005022036.tif 000004
【図３】
2005022036.tif 000005
【図４】
2005022036.tif 000006
【図５】
2005022036.tif 000007
【図６】
2005022036.tif 000008
【図７】
2005022036.tif 000009
【図８】
2005022036.tif 000010
【図９】
2005022036.tif 000011
【図１０】
2005022036.tif 000012
【図１１】
2005022036.tif 000013
【図１２】
2005022036.tif 000014
【図１３】
2005022036.tif 000015
【図１４】
2005022036.tif 000016
【図１５】
2005022036.tif 000017
【図１６】
2005022036.tif 000018
【図１７】
2005022036.tif 000019
【図１８】
2005022036.tif 000020
【図１９】
2005022036.tif 000021
【図２０】
2005022036.tif 000022
【図２１】
2005022036.tif 000023
【図２２】
2005022036.tif 000024
【図２３】
2005022036.tif 000025
【図２４】
2005022036.tif 000026
【図２５】
2005022036.tif 000027
【図２６】
2005022036.tif 000028
【図２７】
2005022036.tif 000029
【図２８】
2005022036.tif 000030
【図２９】
2005022036.tif 000031