(57)【要約】      （修正有）【課題】フラットパネルディスプレイのストライプ状凹凸パターン及びプラズマディスプレイパネルのバリアリブ製造工程を短縮化でき、形状の優れた凹凸パターン及びバリアリブを形成できる製造方法を提供する。【解決手段】（Ａ）バインダポリマを含む組成物の層２を基板１上に形成する工程、（Ｂ）該組成物層２に、複数本のファイバー状物４を埋め込む工程、及び、（Ｃ）該組成物層２に埋め込まれた複数本のファイバー状物４を該組成物層２から除去する工程から構成されるストライプ状凹凸パターンの製造方法。【選択図】図３
2005107443.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）バインダポリマを含む組成物層を基板上に形成する工程、（Ｂ）複数本のファイバー状物を該組成物層に埋め込む工程、及び、（Ｃ）該組成物層に埋め込まれた複数本のファイバー状物を該組成物層から除去する工程を含むストライプ状凹凸パターンの製造方法。
【請求項２】
複数本のファイバー状物を組成物層に、ラミネータを用いて埋め込む請求項１記載のストライプ状凹凸パターンの製造方法。
【請求項３】
バインダポリマのガラス転移温度（Ｔｇ）が、複数本のファイバー状物を組成物層に埋め込む際の組成物層の実温度以下である請求項１又は２記載のストライプ状凹凸パターンの製造方法。
【請求項４】
バインダポリマを含む組成物層を、フィルム状エレメントを用いて基板上に形成する請求項１〜３いずれかに記載のストライプ状凹凸パターンの製造方法。
【請求項５】
バインダポリマを含む組成物層が、更に、バリアリブ用無機材料を含有してなる請求項１〜４いずれかに記載のストライプ状凹凸パターンの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のストライプ状凹凸パターンの製造方法により得られたストライプ状凹凸パターンを焼成する工程を含むバリアリブの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）等に好適なストライプ状凹凸パターンの製造方法及びプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等に好適なバリアリブの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般にプラズマディスプレイパネルのバリアリブは、例えば、厚膜スクリーン印刷法、又は、サンドブラスト法によって形成されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
しかしながら、スクリーン印刷法の場合、量産性に優れているという特長をもつ一方で、（１）１００μｍ以上の高い障壁を得るためには多数回の繰返し印刷が必要である、（２）プラズマディスプレイパネルの市場シェアとして期待される４０インチ以上の大画面パネルを形成する際には、スクリーンメッシュの伸縮により位置精度が低下する、（３）画素密度の高精細化が難しい等の欠点がある。
【０００４】
一方、サンドブラスト法は通常、基材上に一様に形成した障壁層上にレジストパターンを形成し、基材上面へブラスト材を噴射することで、レジストパターン被覆部以外を削り出してバリアリブを形成する。そのため画素密度がレジストパターンの解像度に依存し高精細化が可能であるという特長をもつ。
【０００５】
しかしながら、その反面、（１）高価な障壁材を削りだし、廃棄するため、非常にコストが高くなる、（２）また、障壁材は一般に鉛化合物を含有しており、削りだされた障壁材の廃棄による環境汚染の問題がある、（３）高厚膜の場合には障壁の底部が広がり、矩形形状の障壁が得難い等の欠点がある。
【０００６】
そこで、上記した欠点を解消するための、これらと異なる手法として、厚膜レリーフパターンを製造し、その間隙に障壁となるバリアリブ材料を埋め込むことでバリアリブを製造する、フォト埋め込み法が提案されている。
【０００７】
この製造方法の場合、（１）バリアリブの位置精度に優れ、（２）バリアリブの形状に優れ、（３）余分なバリアリブ材料が極めて少量のため低コスト、低公害である等の特長を持つことが可能となる。
【０００８】
しかしながら、フォト埋め込み法の場合、レリーフパターンの間隙へバリアリブ材料を埋め込むためには、バリアリブ材料をペースト状にし、スクリーン印刷法を用いる必要がある。したがって、埋め込み前にペースト状のバリアリブ材料を充分撹拌し、バリアリブ材料中に含まれる各成分の分散性を確認する必要があり、作業性に乏しい。
【０００９】
また、プラズマディスプレイパネルのバリアリブは、１００μｍ〜２５０μｍの高さにしなければならないため、スクリーン印刷工程を数回繰り返す必要があることに加え、さらに、バリアリブ材料ペーストに用いる溶剤に対する耐性を向上するために、レリーフパターンの加熱などの工程が必要となり、バリアリブ形成工程が複雑で長いという問題があった。
【００１０】
さらには、レリーフパターンの間隙に埋め込まれたバリアリブが充分な剛性を有していない場合には、レリーフパターンを除去する際に、バリアリブが変形し、形状の優れたバリアリブを形成できないという問題があった。
【特許文献１】特開平６−１１９８７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）に利用可能な形状の優れたストライプ状凹凸パターンの製造方法を提供するものである。
【００１２】
また、本発明の目的は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）のバリアリブ製造工程を簡便化できるバリアリブの製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、（Ａ）バインダポリマを含む組成物層を基板上に形成する工程、（Ｂ）複数本のファイバー状物を該組成物層に埋め込む工程、及び、（Ｃ）該組成物層に埋め込まれた複数本のファイバー状物を該組成物層から除去する工程を含むストライプ状凹凸パターンの製造方法に関する。
【００１４】
また、本発明は、複数本のファイバー状物を組成物層に、ラミネータを用いて埋め込む前記ストライプ状凹凸パターンの製造方法に関する。
【００１５】
また、本発明は、バインダポリマのガラス転移温度（Ｔｇ）が、複数本のファイバー状物を組成物層に埋め込む際の組成物層の実温度以下である前記ストライプ状凹凸パターンの製造方法に関する。
【００１６】
また、本発明は、バインダポリマを含む組成物層を、フィルム状エレメントを用いて基板上に形成する前記ストライプ状凹凸パターンの製造方法に関する。
【００１７】
また、本発明は、バインダポリマを含む組成物層が、更に、バリアリブ用無機材料を含有してなる前記ストライプ状凹凸パターンの製造方法に関する。
【００１８】
また、本発明は、ストライプ状凹凸パターンの製造方法により得られたストライプ状凹凸パターンを焼成する工程を含むバリアリブの製造方法に関する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のストライプ状凹凸パターンの製造方法は、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）に利用可能な形状の優れたストライプ状凹凸パターンを形成できるものであり、さらには、ストライプ状凹凸パターンの製造工程を短縮し、簡便化することができるものである。また、本発明のストライプ状バリアリブパターンの製造方法は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の製造工程を短縮し、簡便化することができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明のストライプ状凹凸パターンの製造方法は、（Ａ）バインダポリマを含む組成物層を基板上に形成する工程、（Ｂ）複数本のファイバー状物を該組成物層に埋め込む工程、及び、（Ｃ）該組成物層に埋め込まれた複数本のファイバー状物を該組成物層から除去する工程を含むことを特徴とする。本発明の製造方法により得られるストライプ状凹凸パターンは、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の配向膜等フラットパネルディスプレイに用いることができ、また、バインダポリマを含む組成物層に、更に、バリアリブ用無機材料を含有させることにより、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）のバリアリブに用いることができる。
【００２１】
本発明における（Ａ）工程で使用されるバインダポリマは、特に制限はなく、例えば、ビニル共重合体が挙げられ、ビニル共重合体に用いられるビニル単量体としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ｎ−プロピル、メタクリル酸ｎ−プロピル、アクリル酸ｉｓｏ−プロピル、メタクリル酸ｉｓｏ−プロピル、アクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸ｉｓｏ−ブチル、メタアクリル酸ｉｓｏ−ブチル、アクリル酸ｓｅｃ−ブチル、メタクリル酸ｓｅｃ−ブチル、アクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、メタクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、アクリル酸ペンチル、メタクリル酸ペンチル、アクリル酸ヘキシル、メタクリル酸ヘキシル、アクリル酸ヘプチル、メタクリル酸ヘプチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、メタクリル酸オクチル、アクリル酸ノニル、メタクリル酸ノニル、アクリル酸デシル、メタクリル酸デシル、アクリル酸ドデシル、メタクリル酸ドデシル、アクリル酸テトラデシル、メタクリル酸テトラデシル、アクリル酸ヘキサデシル、メタクリル酸ヘキサデシル、アクリル酸オクタデシル、メタクリル酸オクタデシル、アクリル酸エイコシル、メタクリル酸エイコシル、アクリル酸ドコシル、メタクリル酸ドコシル、アクリル酸シクロペンチル、メタクリル酸シクロペンチル、アクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸シクロヘプチル、メタクリル酸シクロヘプチル、アクリル酸ベンジル、メタクリル酸ベンジル、アクリル酸フェニル、メタクリル酸フェニル、アクリル酸メトキシエチル、メタクリル酸メトキシエチル、アクリル酸メトキシジエチレングリコール、メタクリル酸メトキシジエチレングリコール、アクリル酸メトキシジプロピレングリコール、メタクリル酸メトキシジプロピレングリコール、アクリル酸メトキシトリエチレングリコール、メタクリル酸メトキシトリエチレングリコール、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル酸ジメチルアミノエチル、メタクリル酸ジメチルアミノエチル、アクリル酸ジエチルアミノエチル、メタクリル酸ジエチルアミノエチル、アクリル酸ジメチルアミノプロピル、メタクリル酸ジメチルアミノプロピル、アクリル酸２−クロロエチル、メタクリル酸２−クロロエチル、アクリル酸２−フルオロエチル、メタクリル酸２−フルオロエチル、アクリル酸２−シアノエチル、メタクリル酸２−シアノエチル、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、塩化ビニル、酢酸ビニル、Ｎ−ビニルピロリドン、ブタジエン、イソプレン、クロロプレン、アクリルアミド、メタクリルアミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等が挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。ビニル共重合体に用いられるビニル単量体としては、（メタ）アクリル酸系の単量体を用いることが好ましい。
【００２２】
本発明における（Ａ）工程で使用されるバインダポリマの重量平均分子量は、５，０００〜３００，０００とすることが好ましく、２０，０００〜１５０，０００とすることがより好ましい。
【００２３】
この重量平均分子量が、５，０００未満では、該組成物をフィルム状エレメントとした場合にフィルム形成性及び可とう性が低下する傾向があり、３００，０００を超えると、ファイバー状物を埋め込むことにより組成物表面に凹凸を形成する際に、組成物の追従性が低下する傾向がある。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値である。
【００２４】
本発明においては、バインダポリマとして、ガラス転移温度が次のファイバー状物を組成物層に埋め込む際の実温度以下のポリマを使用することが好ましく、このポリマのガラス転移温度は、該実温度より１０℃以下とすることがより好ましく、２０℃以下とすることが特に好ましい。ポリマのガラス転移温度が該実温度より高いと、ファイバー状物を埋め込むことにより組成物層に凹凸を形成できない傾向がある。
【００２５】
該実温度とは、ファイバー状物を埋め込む（ラミネートする）際の組成物層の実際の温度であり、後述する組成物層が形成された基板の予熱温度、ラミネータロール温度、ファイバ状物の予熱温度などにより決まるものである。
【００２６】
また、ストライプ状凹凸パターンの機械強度を大きくする目的から、（Ａ）工程で使用されるバインダポリマを含む組成物として、感光性組成物を使用することができる。感光性組成物としては、バインダポリマ自体が感光性を有しているものを用いても良く、また、バインダポリマを含む組成物にさらにエチレン性不飽和基を有する光重合性不飽和化合物を加えたものを用いても良い。これらの感光性組成物には、さらに活性光の照射により遊離ラジカルを生成する光開始剤を含有させることができる。
【００２７】
感光性を有するバインダポリマとしては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、イソシアネート基、オキシラン環、酸無水物等の官能基を有するビニル共重合体に、少なくとも１個のエチレン性不飽和基と、オキシラン環、イソシアネート基、水酸基、カルボキシル基等の１個の官能基を有する化合物を付加反応させて得られる光重合性ビニル基を有する共重合体等を使用することができる。
【００２８】
カルボキシル基、水酸基、アミノ基、オキシラン環、酸無水物等の官能基を有するビニル共重合体に用いられるビニル単量体としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、ケイ皮酸、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド、イソシアン酸エチルメタクリレート、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、無水マレイン酸等が挙げら、なかでも（メタ）アクリル酸系のビニル単量体が好ましく用いられる。
【００２９】
少なくとも１個のエチレン性不飽和基と、オキシラン環、イソシアネート基、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、酸無水物等の１個の官能基を有する化合物としては、例えば、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、イソシアン酸エチルメタクリレート、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、ケイ皮酸、アクリルアミド、メタクリルアミド、無水マレイン酸等が挙げられ、なかでもオキシラン環を有する化合物が好ましく用いられ、グリシジル（メタ）アクリレートがさらに好ましく用いられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。
【００３０】
感光性を有するバインダポリマと共に、後述する光開始剤を用いる場合、光開始剤は、感光性を有するバインダポリマ１００質量部に対して０．０１〜２０質量部用いることが好ましい。
【００３１】
また、感光性組成物に用いられるエチレン性不飽和基を有する光重合性不飽和化合物としては、従来、光重合性多官能モノマーとして知られているものを全て用いることができる。エチレン性不飽和基は末端にあることが好ましい。
【００３２】
エチレン性不飽和基を有する光重合性不飽和化合物としては、例えば、下記一般式（Ｉ）
【化１】
2005107443.tif 000003
［式中、Ｒは水素原子又はメチル基を示し、ｋは１〜１０の整数であり、Ｙは置換基を有していてもよい飽和若しくは不飽和炭化水素残基又は複素環残基若しくはポリアルキレングリコール残基、あるいは式（ＩＩ）
【化２】
2005107443.tif 000004
（式中、Ｒ１及びＲ２は水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基又はトリフルオロメチル基を示し、Ｒ３は炭素数１〜６のアルキレン基、ｍ及びｎは各々独立に、１〜２０の整数である。）で表される基である。］
一般式（Ｉ）中、Ｙで示される置換基を有していてもよい飽和又は不飽和の炭化水素残基又は複素環残基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基等の置換基を有していてもよい炭素数１〜２２の直鎖、分岐若しくは脂環状のアルカン残基（メタン残基、エタン残基、プロパン残基、シクロプロパン残基、ブタン残基、イソブタン残基、シクロブタン残基、ペンタン残基、イソペンタン残基、ネオペンタン残基、シクロペンタン残基、ヘキサン残基、シクロヘキサン残基、ヘプタン残基、シクロヘプタン残基、オクタン残基、ノナン残基、デカン残基等）、芳香族環残基（ベンゼン残基、ナフタレン残基、アントラセン残基、ビフェニル残基、ターフェニル残基等）、複素環残基（フラン残基、チオフェン残基、ピロール残基、オキサゾール残基、チアゾール残基、イミダゾール残基、ピリジン残基、ピリミジン残基、ピラジン残基、トリアジン残基、キノリン残基、キノキサリン残基等）等が挙げられる。
【００３３】
具体的には、一個の不飽和結合を有する単量体としては、例えば、アクリル酸又はメタクリル酸のエステル系モノマー（アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ｎ−プロピル、メタクリル酸ｎ−プロピル、アクリル酸ｉｓｏ−プロピル、メタクリル酸ｉｓｏ−プロピル、アクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸ｉｓｏ−ブチル、メタクリル酸ｉｓｏ−ブチル、アクリル酸ｓｅｃ−ブチル、メタクリル酸ｓｅｃ−ブチル、アクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、メタクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、アクリル酸ペンチル、メタクリル酸ペンチル、アクリル酸ヘキシル、メタクリル酸ヘキシル、アクリル酸ヘプチル、メタクリル酸ヘプチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、メタクリル酸オクチル、アクリル酸ノニル、メタクリル酸ノニル、アクリル酸デシル、メタクリル酸デシル、アクリル酸ドデシル、メタクリル酸ドデシル、アクリル酸テトラデシル、メタクリル酸テトラデシル、アクリル酸ヘキサデシル、メタクリル酸ヘキサデシル、アクリル酸オクタデシル、メタクリル酸オクタデシル、アクリル酸エイコシル、メタクリル酸エイコシル、アクリル酸ドコシル、メタクリル酸ドコシル、アクリル酸シクロペンチル、メタクリル酸シクロペンチル、アクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸シクロヘプチル、メタクリル酸シクロヘプチル、アクリル酸ベンジル、メタクリル酸ベンジル、アクリル酸フェニル、メタクリル酸フェニル、アクリル酸メトキシエチル、メタクリル酸メトキシエチル、アクリル酸ジメチルアミノエチル、メタクリル酸ジメチルアミノエチル、アクリル酸ジメチルアミノプロピル、メタクリル酸ジメチルアミノプロピル、アクリル酸２−クロロエチル、メタクリル酸２−クロロエチル、アクリル酸２−フルオロエチル、メタクリル酸２−フルオロエチル、アクリル酸２−シアノエチル、メタクリル酸２−シアノエチル、アクリル酸メトキシジエチレングリコール、メタクリル酸メトキシジエチレングリコール、アクリル酸メトキシジプロピレングリコール、メタクリル酸メトキシジプロピレングリコール、アクリル酸メトキシトリエチレングリコール、メタクリル酸メトキシトリエチレングリコール等）、スチレン系モノマー（スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−ｔ−ブチルスチレン等）、ポリオレフィン系モノマー（ブタジエン、イソプレン、クロロプレン等）、ビニル系モノマー（塩化ビニル、酢酸ビニル等）、ニトリル系モノマー（アクリロニトリル、メタクリロニトリル等）、１−（メタクリロイロキシエトキシカルボニル）−２−（３′−クロロ−２′−ヒドロキシプロポキシカルボニル）ベンゼン（γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β′−メタクリロイルオキシエチル−ｏ−フタレート）等が挙げられる。
【００３４】
二個の不飽和結合を有する単量体としては、エチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、ヘキサプロピレングリコールジアクリレート、ヘキサプロピレングリコールジメタクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジメタクリレート、ブチレングリコールジアクリレート、ブチレングリコールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、１，３−ブタンジオールジアクリレート、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，５−ペンタンジオールジアクリレート、１，５−ペンタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、ペンタエリスリトールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、ビスフェノールＡジアクリレート、ビスフェノールＡジメタクリレート、２，２−ビス（４−アクリロキシエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−メタクリロキシエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アクリロキシジエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−メタクリロキシジエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アクリロキシポリエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−メタクリロキシポリエトキシフェニル）プロパン等の一般式（Ｉ）の式中、Ｙが
【化３】
2005107443.tif 000005
（式中、ｍ及びｎは各々独立に、１〜２０の整数である。）である化合物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルジアクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルジメタクリレート、ウレタンジアクリレート化合物等が挙げられる。
【００３５】
三個の不飽和結合を有する単量体としては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレート、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリアクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリメタクリレート等が挙げられる。
【００３６】
四個の不飽和結合を有する単量体としては、例えば、テトラメチロールプロパンテトラアクリレート、テトラメチロールプロパンテトラメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート等が挙げられる。
【００３７】
五個の不飽和結合を有する単量体としては、例えば、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート等が挙げられる。
【００３８】
六個の不飽和結合を有する単量体としては、例えば、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート等が挙げられる。
【００３９】
これらの不飽和結合を有する単量体は、いずれにしても、光照射によりラジカル重合するものであればよく、また、これらの不飽和結合を有する単量体は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。本発明においては、ビスフェノールＡ系（メタ）アクリレート、ウレタンジアクリレート等が好ましく用いられる。
【００４０】
光重合性不飽和化合物は、バインダポリマ１００質量部に対して１０〜２００質量部用いることが好ましい。また、光重合性不飽和化合物と共に光開始剤を使用する場合、光開始剤は、バインダポリマ及び光重合性不飽和化合物の合計量１００質量部に対して０．０１〜２０質量部用いることが好ましい。
【００４１】
前記活性光の照射により遊離ラジカルを生成する光開始剤としては、例えば、芳香族ケトン（ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル−４，４′−ジアミノベンゾフエノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラエチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４′−ジメチルアミノベンゾフェノン、２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等）、ベンゾインエーテル（ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等）、ベンゾイン（メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等）、ベンジル誘導体（２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパノン−１、ベンジルジメチルケタール等）、イミダゾール二量体類（２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾール二量体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等）、アクリジン誘導体（９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９−アクリジニル）ヘプタン等）などが挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。
【００４２】
本発明における（Ａ）工程で使用される組成物には、染料、発色剤、変色剤、可塑剤、顔料、重合禁止剤、表面改質剤、安定剤、密着性付与剤、熱硬化剤、分散剤等を必要に応じて添加することができる。
【００４３】
本発明における組成物をフィルム状エレメントとするには、組成物を構成する前記各成分を溶解又は分散可能な溶剤に、溶解又は混合させることにより、均一に分散した状態とし、支持体フィルム上に、塗布、乾燥することにより得られる。
【００４４】
本発明における支持体フィルムとしては、化学的及び熱的に安定であり、また、可とう性の物質で構成された、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリプロピレン等が挙げられ、その中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンが好ましく、ポリエチレンテレフタレートがより好ましい。支持体フィルムの厚さは、５〜１００μｍとすることが好ましく、１０〜８０μｍとすることがより好ましい。
【００４５】
本発明の組成物を構成する前記各成分を溶解又は分散可能な溶剤としては、例えば、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、テトラメチルスルホン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、クロロホルム、塩化メチレン、メチルアルコール、エチルアルコール等が挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。
【００４６】
前記塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。乾燥温度は、６０〜１３０℃とすることが好ましく、乾燥時間は、３分〜１時間とすることが好ましい。
【００４７】
前記した支持体フィルム及び組成物のフィルム状エレメントは、組成物層の上に、さらに剥離可能なカバーフィルムが積層されていてもよい。そのようなカバーフィルムとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート等が挙げられ、支持体フィルムと組成物層との接着力よりも、カバーフィルムと組成物層との接着力の方が小さいものであることが好ましい。カバーフィルムの厚さは、特に制限はないが、５〜１００μｍとすることが好ましく、１０〜９０μｍとすることがより好ましい。
【００４８】
このようにして得られる組成物層を有するフィルム状エレメントは、ロール状に巻いて保管可能とすることができる。
【００４９】
本発明におけるバインダポリマを含む組成物に無機材料を加えることにより、バリアリブ用のストライプ状凹凸パターンを得ることができる。
【００５０】
本発明における組成物に加えることが可能なバリアリブ用無機材料としては、例えば、公知の低融点ガラス等のガラスフリット材料、酸化チタン、アルミナ、マグネシア、酸化カルシウム、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化クロム、酸化銅等が挙げられ、これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００５１】
バリアリブ用無機材料と、有機材料としてのバインダポリマ、又は、バインダポリマ及び光重合性不飽和化合物の配合量は、バリアリブ用無機材料の総量１００質量部に対して、有機材料を１〜２００質量部とすることが好ましく、２〜１５０質量部とすることがより好ましく、３〜１３０質量部とすることがより好ましく、４〜１００質量部とすることがより好ましく、５〜９０質量部とすることが特に好ましく、５〜８０質量部とすることが極めて好ましい。この配合量が１質量部未満では、ストライプ状凹凸パターンを焼成する際のバリアリブの強度が低下する傾向があり、２００質量部を超えると、焼成後のバリアリブの体積収縮が大きくなる傾向があり、基板上に形成したバリアリブが剥離する傾向がある。
【００５２】
本発明の組成物は可塑剤を含有しても良く、可塑剤の配合量は、バリアリブ用無機材料の総量１００質量部に対して、０〜２０質量部とすることが好ましく、０〜１０質量部とすることがより好ましい。この配合量が２０質量部を超えると、組成物をフィルム状エレメントとした場合に、組成物が端部からしみ出し、保存安定性が低下する傾向がある。
【００５３】
本発明における組成物には、バリアリブ用無機材料の分散性を良好とするために、分散剤を添加することが好ましい。分散剤としては、無機分散剤（シリカゲル系、ベントナイト系、カオリナイト系、タルク系、ヘクトライト系、モンモリロナイト系、サポナイト系、バイデライト系等）、有機分散剤（脂肪族アマイド系、脂肪族エステル系、酸化ポリエチレン系、硫酸エステル系アニオン活性剤、ポリカルボン酸アミン塩系、ポリカルボン酸系、ポリアマイド系、高分子ポリエーテル系、アクリル共重合物系、特殊シリコン系等）等が挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００５４】
分散剤の使用量としては、バリアリブ用無機材料１００質量部に対して、０〜２０質量部とすることが好ましい。この使用量が、２０質量部を超えると、組成物をフィルム状エレメントとした場合に、組成物が端部からしみ出し、保存安定性が低下する傾向がある。
【００５５】
以下、本発明のストライプ状凹凸パターンの製造の一例を説明する。
【００５６】
本発明における（Ａ）バインダポリマを含む組成物の層を基板上に形成する方法としては、特に制限はなく、例えば、前記組成物を構成する前記各成分を、溶解又は分散可能な溶剤に、溶解又は混合させることにより、均一に分散した塗液とし、基板上に、直接塗布し、乾燥して形成する方法、前記組成物を有するフィルム状エレメントを用いて基板上に形成する方法等が挙げられる。
【００５７】
本発明で使用される基板は、特に制限はなく、例えば、セラミック板、セラミックコートされた金属板、プラスチック板、ガラス板等が挙げられる。この基板上には、絶縁層、電極、保護層、誘電体層等が設けられていてもよい。
【００５８】
組成物を構成する前記各成分を、溶解又は分散可能な溶剤に、溶解又は混合させることにより、均一に分散した塗液とし、基板上に、直接塗布し、乾燥して形成する方法において、前記各成分を溶解又は分散可能な溶剤としては、例えば、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、γ−ブチルラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、テトラメチルスルホン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、クロロホルム、塩化メチレン、メチルアルコール、エチルアルコール等が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用される。
【００５９】
塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ドクターブレードコーティング法、マイヤーバーコーティング法、ロールコーティング法、スクリーンコーティング法、スピナーコーティング法、インクジェットコーティング法、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、グラビアコーティング法、カーテンコーティング法等を用いることができる。
【００６０】
乾燥方法としては、公知の乾燥方法を用いて乾燥することができ、乾燥温度は、４０〜１３０℃とすることが好ましく、乾燥時間は、１０分〜９０分間とすることが好ましい。
【００６１】
乾燥後の組成物層の厚さは、特に制限はないが、１〜５００μｍとすることが好ましく、２〜４００μｍとすることがより好ましく、３〜３００μｍとすることが特に好ましい。この厚さが、１μｍ未満では、ストライプ状凹凸パターンの性能が不十分になる傾向があり、５００μｍを超えると、組成物層からの溶媒の乾燥が不十分になる傾向がある。
【００６２】
また、前記組成物を有するフィルム状エレメントを用いて、基板上に、組成物層を形成する方法としては、例えばフィルム状エレメントの組成物層を、基板の上に積層し、加熱、圧着等で組成物層を形成する方法（図１）等が挙げられる。
【００６３】
フィルム状エレメントの組成物層を、基板の上に積層し、加熱、圧着等で組成物層を形成する方法としては、例えば、フィルム状エレメントにカバーフィルムが存在しているときは、そのカバーフィルムを除去後、基板の上に、組成物層が接するように、加熱圧着する方法等が挙げられる。
【００６４】
加熱圧着時の加熱温度は、組成物層の実温度１０〜１３０℃とすることが好ましく、２０〜１２０℃とすることがより好ましく、３０〜１１０℃とすることが特に好ましい。この加熱温度が、１０℃未満では、組成物層が、基板の上に十分に密着できない傾向があり、１３０℃を超えると、組成物層が熱硬化する傾向がある。
【００６５】
また、加熱圧着時の圧着圧力は、通常、線圧５０〜１×１０６Ｎ／ｍであることが好ましく、２５０〜５×１０５Ｎ／ｍであることがより好ましく、５００〜１×１０５Ｎ／ｍであることが特に好ましい。この圧着圧力が、５０Ｎ／ｍ未満では、組成物層が、基板の上に十分に密着できない傾向があり、１×１０６Ｎ／ｍを超えると、基板が破損する傾向がある。
【００６６】
また、組成物層の基板上への密着性をさらに向上させる点から、加熱ロール等により感光性エレメントを加熱しながら、積層することもできる。
【００６７】
フィルム状エレメントを前記のように加熱すれば、基板を予熱処理することは必要ではないが、組成物層の密着性をさらに向上させる点から、前記基板の予熱処理を行うことが好ましい。
【００６８】
さらに、同様の目的で、５×１０４Ｐａ以下の減圧下で、上記した圧着の操作を行うこともできる、また、組成物層の基板上への密着性をさらに向上させる点から、圧着ロールの表面が、ゴム、プラスチック等の柔軟性に富んだ材質のものを使用することもできる。なお、柔軟性に富んだ材質の層の厚さは、５０〜４００μｍとすることが好ましい。
【００６９】
また、このように積層が完了した後、３０〜１５０℃の範囲で、１〜１２０分間、加熱することもできる。この際、支持体フィルムを必要に応じて除去することもできる。
【００７０】
（Ｂ）複数本のファイバー状物を組成物層に埋め込む工程においては、ラミネータを用いてファイバー状物を組成物層に埋め込む（ラミネートする）方法が好ましく用いられる。
【００７１】
本発明のファイバー状物の断面形状としては、円、楕円、正方形、長方形、台形などのものを使用することができる。また、ファイバー状物の断面寸法としては、長手の径が１μｍ以上１０ｍｍ以下のものを使用することができる。
【００７２】
本発明のファイバー状物の材質としては、特に制限は無く、金属、セラミックなどの金属酸化物、ガラス、カーボン、プラスチックなど、所望のストライプ状凹凸パターンが得られるものであれば、いずれも使用できる。
【００７３】
本発明のファイバー状物をラミネータによって加熱ラミネートする場合、加熱温度は、組成物層の実温度１０〜１３０℃とすることが好ましく、２０〜１２０℃とすることがより好ましく、３０〜１１０℃とすることが特に好ましい。この加熱温度が、１０℃未満では、組成物表面に凹凸を形成できない傾向があり、１３０℃を超えると、組成物層が熱硬化する傾向がある。
【００７４】
また、加熱ラミネート時の圧着圧力は、通常、線圧５０〜１×１０６Ｎ／ｍであることが好ましく、２５０〜５×１０５Ｎ／ｍであることがより好ましく、５００〜１×１０５Ｎ／ｍであることが特に好ましい。この圧着圧力が、５０Ｎ／ｍ未満では、組成物表面に凹凸を形成できない傾向があり、１×１０６Ｎ／ｍを超えると、基板が破損する傾向がある。
【００７５】
また、組成物表面の凹凸形成性をさらに向上させる点から、加熱ロール等により組成物層及び／又はファイバー状物を加熱しながら、ラミネートすることもできる。
【００７６】
本発明の組成物及び／又はファイバー状物を前記のように加熱すれば、基板を予熱処理することは必要ではないが、組成物表面の凹凸形成性をさらに向上させる点から、前記基板の予熱処理を行うことが好ましい。
【００７７】
さらに、同様の目的で、５×１０４Ｐａ以下の減圧下で、上記した圧着及び加熱圧着の操作を行うこともできる、また、組成物表面の凹凸形成性をさらに向上させる点から、圧着ロールの表面が、ゴム、プラスチック等の柔軟性に富んだ材質のものを使用することもできる。なお、柔軟性に富んだ材質の層の厚さは、５０〜４００μｍとすることが好ましい。
【００７８】
（Ｃ）該組成物表面に埋め込まれた複数本のファイバー状物を該組成物表面から除去する方法（図２）としては、ラミネータの機能又はオートピーラなどを用いて行うことができる。なお、除去したファイバー状物が再び（Ｂ）該組成物表面上に、複数本のファイバー状物をラミネータによって加熱ラミネートして該組成物の表面に凹凸を形成する工程に投入できるようにして、連続使用できる状態であっても良い。
【００７９】
更に、前記（Ｂ）工程及び／又は（Ｃ）終了後に、得られた基板全体を加熱処理又は全面露光処理しても良い。前記加熱処理は、（Ｂ）工程の後に行う場合には３０〜１５０℃の範囲で、１〜１２０分間、（Ｃ）工程の後に行う場合には６０〜２５０℃の範囲で、１〜１２０分間、加熱することもできる。また、全面露光処理は、活性光線の照射量、通常０．２〜１０Ｊ／ｃｍ２で行うことができ、照射の際に加熱を行うこともできる。
【００８０】
また、フィルム状エレメントを用いて本発明の（Ａ）工程、（Ｂ）工程、及び、（Ｃ）工程を連続的に行うことのできるラミネータ装置としては、図３に示すものを使用することができる。
【００８１】
本発明の製造方法により得られるストライプ状凹凸パターンの高さは０．５μｍ〜５ｍｍが好ましく、０．８μｍ〜１ｍｍがより好ましい。また、溝の幅は１μｍ〜１０ｍｍが好ましく、０．２μｍ〜２ｍｍがより好ましい。
【００８２】
本発明においては、バインダポリマを含む組成物が更にバリアリブ用無機材料を含有する場合、前記（Ａ）工程、（Ｂ）工程、及び（Ｃ）工程により得られたストライプ状凹凸パターンを焼成することによって、目的のバリアリブを得ることができる。
【００８３】
焼成方法としては、特に制限はなく、公知の焼成方法を使用し、バリアリブ用無機材料以外の不要分を除去し、バリアリブを形成することができる。
【００８４】
このときの昇温速度は０．５〜５０℃／分とすることが好ましく、１〜４５℃／分とすることがより好ましい。最高焼成温度は、４００〜８００℃とすることが好ましく、４５０〜６００℃とすることがより好ましい。また、最高温度での焼成時間は３〜１２０分間とすることが好ましく、５〜９０分間とすることがより好ましい。また、最高焼成温度に到達する前の３５０〜４５０℃の間に、その温度を保持するステップを設けることができ、その保持時間は５〜１００分間とすることが好ましい。
【００８５】
焼成により得られるガラス基板上のバリアリブの高さは５０〜５００μｍが好ましく、６０〜４００μｍがより好ましい。また、溝の幅は３０〜１０００μｍが好ましく、５０〜５００μｍがより好ましい。
【実施例】
【００８６】
以下、実施例により本発明を説明する。
【００８７】
製造例１
〔バインダポリマ溶液（ａ−１）の作製〕
撹拌機、還流冷却機、不活性ガス導入口及び温度計を備えたフラスコに、表１に示す（１）を仕込み、窒素ガス雰囲気下で８０℃に昇温し、反応温度を８０℃±２℃に保ちながら、表１に示す（２）を４時間かけて均一に滴下した。（２）の滴下後、８０℃±２℃で６時間撹拌を続け、重量平均分子量が８０，０００、酸価（固形分）が１３０ｍｇＫＯＨ／ｇのバインダポリマ溶液（ａ−１）（ＮＶ＝４５．５質量％）を得た。
【表１】
2005107443.tif 000006
製造例２
〔バインダポリマ溶液（ａ−２）の作製〕
撹拌機、還流冷却機、不活性ガス導入口及び温度計を備えたフラスコに、表２（１）に示す溶剤を仕込み、窒素ガス雰囲気下で８０℃に昇温し、反応温度を８０±２℃に保ちながら、表２（２）に示す組成の混合溶液を４時間かけて均一に滴下した。滴下後、８０℃±２℃で６時間撹拌を続け、重量平均分子量が１５０，０００、酸価（固形分）が１４４ｍｇＫＯＨ／ｇのバインダポリマ溶液（ａ−２）（ＮＶ＝４５．５質量％）を得た。
【表２】
2005107443.tif 000007
製造例３
〔組成物層を有するフィルム状エレメント（Ｂ−１）の作製〕
表３及び表４に示す材料を、メカニカルスターラーを用いて１５分間混合し、感光性組成物溶液を調製した。
【表３】
2005107443.tif 000008
【表４】
2005107443.tif 000009
得られた溶液を、２０μｍの厚さのポリエチレンテレフタレートフィルム上に均一に塗布し、８０〜１１０℃の熱風対流式乾燥機で１０分間乾燥して溶剤を除去し、組成物の層を形成した。得られた組成物層の乾燥後の厚さは、５０μｍであった。次いで、組成物層の上に、厚さが２５μｍのポリエチレンフィルムをカバーフィルムとして張り合わせて、組成物層を含むフィルム状エレメント（Ｂ−１）を作製した。
【００８８】
製造例４
〔組成物層を有するフィルム状エレメント（Ｂ−２）の作製〕
表５に示す材料を、ライカイ機を用いて１５分間混合し、バリアリブ用無機材料を含有する組成物の塗液を調製した。
【表５】
2005107443.tif 000010
得られた塗液を、５０μｍの厚さのポリエチレンテレフタレートフィルム上に均一に塗布し、８０〜１１０℃の熱風対流式乾燥機で１０分間乾燥して溶剤を除去し、組成物の層を形成した。得られた組成物層の乾燥後の厚さは、６０μｍであった。次いで、この組成物層の上に、厚さが２５μｍのポリエチレンフィルムをカバーフィルムとして張り合わせ、組成物層を有するフィルム状エレメント（Ｂ−２）を得た。
【００８９】
製造例５
〔バインダポリマ溶液（ａ−３）の作製〕
撹拌機、還流冷却機、不活性ガス導入口及び温度計を備えたフラスコに、表６に示す（１）を仕込み、窒素ガス雰囲気下で８０℃に昇温し、反応温度を８０℃±２℃に保ちながら、表６に示す（２）を４時間かけて均一に滴下した。（２）の滴下後、８０℃±２℃で６時間撹拌を続けた後、表６に示す（３）を添加した。（３）を添加後、反応系を１００℃に昇温し、０．５時間かけて表６に示す（４）を滴下した。（４）の滴下後、１００℃で２０時間撹拌を続けた後、室温に冷却して、重量平均分子量が６０，０００、酸価が０．５ＫＯＨｍｇ／ｇのバインダポリマ溶液（ａ−３）（ＮＶ＝４５．５重量％）を得た。
【表６】
2005107443.tif 000011
製造例６
〔組成物層用塗液（Ａ−１）の作製〕
表７に示す材料を、ボールミルを用いて３時間混合し、組成物層用塗液（Ａ−１）を作製した。
【表７】
2005107443.tif 000012
実施例１
〔（Ａ）バインダポリマを含む組成物の層を基板上に形成する工程〕
縦横１０ｃｍ四方、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、製造例３で得られた組成物層を有するフィルム状エレメント（Ｂ−１）をカバーフィルムを除去しながら、組成物層とガラス基板が向き合うように配置し、加熱温度が８０℃、圧着圧力が１×１０４Ｎ／ｍ（線圧）、基板の送り速度が３ｍ／分でラミネートし、基板上に厚さ５０μｍ組成物層を積層した。
【００９０】
〔（Ｂ）該組成物層の表面上に、複数本のファイバー状物をラミネータによって加熱ラミネートして該組成物の表面に凹凸を形成する工程〕
得られた厚さ５０μｍ組成物層を積層した基板の組成物層の表面上に、直径１００μｍの断面が円のガラスファイバ５本を各ガラスファイバ間隔が５０μｍとなるように配置し、加熱温度が１１０℃、圧着圧力が１×１０５Ｎ／ｍ（線圧）、基板の送り速度が１ｍ／分でラミネートし、組成物層上にガラスファイバを積層した。
【００９１】
〔（Ｃ）該組成物層表面に埋め込まれた複数本のファイバー状物を該組成物表面から除去する工程〕
続いて、得られたガラスファイバを積層した基板の全面に東芝電材（株）製東芝紫外線照射装置を使用して、３Ｊ／ｃｍ２の紫外線照射を行い、さらに、１５０℃で１時間加熱した後、ガラス基板から、ガラスファイバを剥離除去し、ストライプ状凹凸パターンが形成された基板（Ｃ−１）を作製した。
【００９２】
実施例２
〔（Ａ）バインダポリマを含む組成物の層を基板上に形成する工程〕
縦横１０ｃｍ四方、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、製造例４で得られた組成物層を有するフィルム状エレメント（Ｂ−２）をカバーフィルムを除去しながら、組成物層とガラス基板が向き合うように配置し、加熱温度が８０℃、圧着圧力が１×１０４Ｎ／ｍ（線圧）、基板の送り速度が３ｍ／分でラミネートし、基板上に厚さ６０μｍ組成物層を積層した。
【００９３】
〔（Ｂ）該組成物層の表面上に、複数本のファイバー状物をラミネータによって加熱ラミネートして該組成物の表面に凹凸を形成する工程〕
得られた厚さ６０μｍ組成物層を積層した基板の組成物層の表面上に、直径３００μｍの断面が円のガラスファイバ１００本を各ガラスファイバ間隔が５０μｍとなるように配置し、加熱温度が１１０℃、圧着圧力が１×１０５Ｎ／ｍ（線圧）、基板の送り速度が１ｍ／分でラミネートし、組成物層上にガラスファイバを積層した。
【００９４】
〔（Ｃ）該組成物層表面に埋め込まれた複数本のファイバー状物を該組成物表面から除去する工程〕
続いて、得られたガラスファイバを積層した基板の全面に東芝電材（株）製東芝紫外線照射装置を使用して、３Ｊ／ｃｍ２の紫外線照射を行い、さらに、１５０℃で１時間加熱した後、ガラス基板から、ガラスファイバを剥離除去し、組成物層表面に凹凸が形成された基板（Ｃ−２）を作製した。
【００９５】
〔焼成する工程〕
上記で得られた基板（Ｃ−２）を、１０リットル／分の空気を流した焼成炉に入れ、室温〜５００℃まで、２℃／分の速度で昇温し、５００℃に到達後、５００℃で１時間加熱処理（焼成）を行い、組成物層中の有機物を除去し、焼成後のストライプ状バリアリブを得た。
【００９６】
実施例３
〔（Ａ）バインダポリマを含む組成物の層を基板上に形成する工程〕
ストライプの幅５０μｍ、厚さ１０μｍの電極を、基板の縦方向と平行に、等間隔（電極間隔３００μｍ）に備えた、透明な対角４０インチ（縦６１ｃｍ、横８１ｃｍ）の背面板上に誘電体層を有する基板上に、製造例６で得られた組成物層用塗液（Ａ−１）を塗布し、８０〜１１０℃の熱風対流式乾燥機で２０分間乾燥して溶剤を除去し、組成物の層を積層した。得られた組成物層の乾燥後の厚さは、７０μｍであった。
【００９７】
〔（Ｂ）該組成物層の表面上に、複数本のファイバー状物をラミネータによって加熱ラミネートして該組成物の表面に凹凸を形成する工程〕
得られた厚さ７０μｍ組成物層を積層した基板の組成物層の表面上に、直径３００μｍの断面が円のガラスファイバを前記電極中心上に沿うように配置し、全てのガラスファイバが等間隔（ガラスファイバ間隙５０μｍ）となるように配置し、加熱温度が１１０℃、圧着圧力が１×１０５Ｎ／ｍ（線圧）、基板の送り速度が１ｍ／分でラミネートし、組成物層上にガラスファイバを積層した。
【００９８】
〔（Ｃ）該組成物層表面に埋め込まれた複数本のファイバー状物を該組成物表面から除去する工程〕
続いて、得られたガラスファイバを積層した基板の全面に東芝電材（株）製東芝紫外線照射装置を使用して、３Ｊ／ｃｍ２の紫外線照射を行い、さらに、１５０℃で１時間加熱した後、ガラス基板から、ガラスファイバを剥離除去し、組成物層表面に凹凸が形成された基板（Ｃ−３）を作製した。
【００９９】
〔焼成する工程〕
上記で得られた基板（Ｃ−３）を、１０リットル／分の空気を流した焼成炉に入れ、室温〜５００℃まで、２℃／分の速度で昇温し、５００℃に到達後、５００℃で１時間加熱処理（焼成）を行い、組成物層中の有機物を除去し、焼成後のバリアリブが形成されたプラズマディスプレイパネル用背面板を得た。
【０１００】
試験例１
〔ストライプ状凹凸パターン形成基板の評価〕
実施例１で得られたストライプ状凹凸パターン形成基板の断面を、実体顕微鏡及びＳＥＭにより目視にて観察した。評価位置は、図４に示すように、基板の中心[1]を基準位置とし、一方の端[2]と他方の端[3]の３箇所（[1]、[2]、[3]）とした。各評価位置におけるストライプ状凹凸パターン形成状況の評価結果を表８に示した。
【０１０１】
また、この評価基準は次の通りである。
【０１０２】
○：ストライプ状凹凸パターンがガラス基板上に均一かつ対称形に形成されている。
【０１０３】
×：ストライプ状凹凸パターンがガラス基板上に均一かつ対称形に形成されていない。
【表８】
2005107443.tif 000013
試験例２
〔ストライプ状バリアリブ用無機材料パターン形成基板の評価〕
実施例２で得られた焼成後のストライプ状バリアリブ用無機材料パターン形成基板の断面を、実体顕微鏡及びＳＥＭにより目視にて観察した。評価位置は、図５に示すように、基板の中心[1]を基準位置とした他、評価位置として９箇所（中心[1]、中心−上[2]、中心−下[3]、左−中央[4]、左−上[5]、左−下[6]、右−中央[7]、右−上[8]、右−下[9]）設定した。各評価位置におけるバリアリブ形成状況の評価結果を表９に示した。
【０１０４】
また、この評価基準は次の通りである。
【０１０５】
○：ストライプ状バリアリブ用無機材料パターンがガラス基板上に均一かつ対称形に形成されている。
【０１０６】
×：ストライプ状バリアリブ用無機材料パターンがガラス基板上に均一かつ対称形に形成されていない。
【表９】
2005107443.tif 000014
試験例３
〔プラズマディスプレイパネル用背面板の評価〕
実施例３で得られたプラズマディスプレイパネル用背面板の断面を、実体顕微鏡及びＳＥＭにより目視にて観察した。評価位置として、図６に示すように、プラズマディスプレイパネル用背面板の中心[1]を基準位置とした他、プラズマディスプレイパネル用背面板８の端から３ｃｍ内側の９箇所（中心[1]、中心−上[2]、中心−下[3]、左−中央[4]、左−上[5]、左−下[6]、右−中央[7]、右−上[8]、右−下[9]）設定した。各評価位置におけるバリアリブ形成状況の評価結果を表１０に示した。
【０１０７】
なお、図６は、プラズマディスプレイパネル用背面板の評価位置を示す模式図であり、８はプラズマディスプレイパネル用背面板、[1]〜[9]は各評価位置である。
【０１０８】
また、この評価基準は次の通りである。
【０１０９】
○：バリアリブパターンがＰＤＰ用基板の電極間上に均一かつ対称形に形成されている。
【０１１０】
×：バリアリブパターンがＰＤＰ用基板の電極間上に均一かつ対称形に形成されていない。
【表１０】
2005107443.tif 000015
表８〜表１０の結果から、本発明のストライプ状凹凸パターン及びバリアリブの製造方法を用いて作製した、ストライプ状凹凸パターン及びバリアリブ（実施例１〜３）は、ガラス基板上に均一かつ対称形に形成されており、高精度なストライプ状凹凸基板が得られた。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】本発明におけるバインダポリマを含む組成物層をフィルム状エレメントを用いて、ラミネータにより基板上に形成する工程を表す説明図である。
【図２】本発明における基板上に形成したバインダポリマを含む組成物層表面上に、複数本のファイバー状物をラミネータによって加熱ラミネートして該組成物の表面に凹凸を形成する工程及び組成物層表面に埋め込まれた複数本のファイバー状物を除去する工程を表す説明図である。
【図３】本発明におけるバインダポリマを含む組成物層をフィルム状エレメントを用いて、ラミネータにより基板上に形成する工程、及び、基板上に形成したバインダポリマを含む組成物層表面上に、複数本のファイバー状物をラミネータによって加熱ラミネートして該組成物の表面に凹凸を形成する工程及び組成物層表面に埋め込まれた複数本のファイバー状物を除去する工程を同時に行うことを表す説明図である。
【図４】ストライプ状凹凸パターン形成基板の評価位置を示す模式図であり、１はガラス基板、[1]〜[3]は各評価位置である。
【図５】ストライプ状バリアリブ用無機材料パターン形成基板の評価位置を示す模式図であり、１はガラス基板、[1]〜[9]は各評価位置である。
【図６】プラズマディスプレイパネル用背面板の評価位置を示す模式図であり、８はプラズマディスプレイパネル用背面板、[1]〜[9]は各評価位置である。
【符号の説明】
【０１１２】
１  基板
２  バインダポリマを含む組成物
３  ファイバー状物ラミネート用ラミネータロール
４  ファイバー状物
５  バインダポリマを含む組成物層を有するフィルム状エレメント
６  支持体フィルム
７  フィルム状エレメントラミネート用ラミネータロール
８  プラズマディスプレイパネル用背面板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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