(57)【要約】【課題】  アニール処理を施す際の余計なオフセットを補正し、光磁気記録媒体のランドとグルーブの間の側壁部に最適なアニール処理を施すことが可能な方法及び装置を提供する。【解決手段】  磁壁移動型光磁気記録媒体３０のランドとグルーブ間の内周側を向いた側壁と外周側を向いた側壁のうちいずれか一方の側壁部のアニール処理を連続的に施した後、他方の側壁のアニール処理を連続的に施し、且つ、アニール処理を行う際に発生するトラックオフセット量を先にアニール処理を施す側壁と、後でアニール処理を施す側壁とで切り替えて補正する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁壁移動型光磁気記録媒体のランドとグルーブ間の側壁部を、３ビーム法を用いて、トラッキング制御を行いながらメインビームによってアニール処理を行うアニール処理方法において、前記光磁気記録媒体のランドとグルーブ間の内周側を向いた側壁と外周側を向いた側壁のうちいずれか一方の側壁部のアニール処理を連続的に施した後、他方の側壁のアニール処理を連続的に施し、且つ、アニール処理を行う際に発生するトラックオフセット量を先にアニール処理を施す側壁と、後でアニール処理を施す側壁とで切り替えて補正することを特徴とする磁壁移動型光磁気記録媒体のアニール処理方法。
【請求項２】
前記補正の切替は、先にアニール処理を施す側壁と後でアニール処理を施す側壁とで反対符号の信号量でトラックオフセット量を補正することにより行われることを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動型光磁気記録媒体のアニール処理方法。
【請求項３】
前記トラックオフセット量は先にアニールを行う側壁のアニール処理を行う際にサブビームによるトラッキングエラー信号をモニターすることによって検知することを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動型光磁気記録媒体のアニール処理方法。
【請求項４】
前記補正の切替は、先にアニール処理を施す側壁と後でアニール処理を施す側壁とで異なる信号量でトラックオフセット量を補正することにより行われることを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動型光磁気記録媒体のアニール処理方法。
【請求項５】
前記トラックオフセット量のうち先にアニール処理を施す側壁におけるオフセット量δは先にアニールを施す側壁においてアニール処理を施す際にサブビームによるトラッキングエラー信号をモニターすることによって検知し、後でアニール処理を施す側壁におけるオフセット量δ’は後でアニールを施す側壁においてアニール処理を施す際にサブビームによるトラッキングエラー信号をモニターすることによって検知することを特徴とする請求項４に記載の磁壁移動型光磁気記録媒体のアニール処理方法。
【請求項６】
磁壁移動型光磁気記録媒体のランドとグルーブ間の側壁部を、３ビーム法を用いて、トラッキング制御を行いながらメインビームによってアニール処理を行うアニール処理方法において、前記光磁気記録媒体のランドとグルーブ間の内周側を向いた側壁と外周側を向いた側壁のうちいずれか一方の側壁部のアニール処理を連続的に施した後、他方の側壁のアニール処理を連続的に行い、且つ、先にアニール処理を行う側壁においては前記メインビームより先行するサブビームによるトラッキングエラー信号に基づいてメインビームのトラッキング制御を行い、後でアニール処理を行う側壁においてはメインビームより後行するサブビームによるトラッキングエラー信号に基づいてメインビームのトラッキング制御を行うことを特徴とする磁壁移動型光磁気記録媒体のアニール処理方法。
【請求項７】
磁壁移動型光磁気記録媒体のランドとグルーブ間の側壁部を、３ビーム法を用いて、トラッキング制御を行いながらメインビームによってアニール処理を行うアニール処理装置において、前記光磁気記録媒体のランドとグルーブ間の内周側を向いた側壁と外周側を向いた側壁のうちいずれか一方の側壁部のアニール処理を連続的に施した後、他方の側壁のアニール処理を連続的に施す手段と、前記アニール処理を行う際に発生するトラックオフセット量を先にアニール処理を施す側壁と、後でアニール処理を施す側壁とで切り替えて補正する手段とを備えたことを特徴とする磁壁移動型光磁気記録媒体のアニール処理装置。
【請求項８】
磁壁移動型光磁気記録媒体のランドとグルーブ間の側壁部を、３ビーム法を用いて、トラッキング制御を行いながらメインビームによってアニール処理を行うアニール処理装置において、前記光磁気記録媒体のランドとグルーブ間の内周側を向いた側壁と外周側を向いた側壁のうちいずれか一方の側壁部のアニール処理を連続的に施した後、他方の側壁のアニール処理を連続的に行う手段と、先にアニール処理を行う側壁においては前記メインビームより先行するサブビームによるトラッキングエラー信号に基づいてメインビームのトラッキング制御を行い、後でアニール処理を行う側壁においてはメインビームより後行するサブビームによるトラッキングエラー信号に基づいてメインビームのトラッキング制御を行う手段とを備えたことを特徴とする磁壁移動型光磁気記録媒体のアニール処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁壁移動型光磁気記録媒体のランドとグルーブ間の側壁部をアニール処理するアニール処理方法及び装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、情報の書き換え可能な情報記録媒体として、各種の磁性記録媒体が実用化されている。特に、半導体レーザの熱エネルギーを用いて磁性薄膜に磁区を書き込むことで情報を記録し、磁気光学効果を用いて記録情報を読み出す光磁気記録媒体は、高密度記録が可能な大容量可換媒体として期待されている。近年、動画像のデジタル化に伴ってこれらの磁性記録媒体の記録密度を高めて更に大容量の記録媒体とする要求が高まっている。
【０００３】
一般に、光記録媒体の線記録密度は、再生光学系のレーザ光の波長及び対物レンズの開口数ＮＡに大きく依存する。即ち、再生光学系のレーザ光の波長λと対物レンズの開口数ＮＡが決まることでビームウェスト径が決定するため、信号再生可能な記録ピットの空間周波数は２ＮＡ／λ程度が限界となってしまう。従って、従来の光ディスクで高密度化を実現するためには、再生光学系のレーザ光の波長λを短くするか、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。
【０００４】
一方で、レーザ光の波長λや対物レンズの開口数ＮＡを変更することなく、記録媒体の構成や再生方法を工夫して記録密度を改善するという、いわゆる超解像技術が種々提案されている。
【０００５】
例えば、特開平３−９３０５８号公報には、磁気的に結合される再生層と記録保持層とを有する多層膜の記録保持層に信号記録を行うと共に、再生層の磁化の向きを揃えた後、レーザ光を照射して加熱し、再生層の昇温領域に記録保持層に記録された信号を転写しながら読み取る信号再生方法が開示されている（特許文献１）。
【０００６】
この信号再生方法によれば、再生時の符号間干渉を減少させることができると共に、再生用のレーザ光のビームスポット径に対して、このレーザ光によって加熱されて転写温度に達し信号が検出される領域は、より小さな領域に限定できるため、空間周波数が２ＮＡ／λ以上の信号を再生することが可能である。
【０００７】
しかしながら、上述した信号再生方法は、再生用のレーザ光のビームスポット径に対して有効に使用可能な信号検出領域が小さくなるため、再生信号の振幅が低下し、十分な再生出力が得られないという欠点を有する。このため、有効信号検出領域をビームスポット径に対してあまり小さくすることができず、結局は光学系の回折限界で決まる記録密度に対して大幅な高密度化を達成することはできない。
【０００８】
このような問題点を解決する方法の１つとして、特開平６−２９０４９６号公報には、記録マークの境界部に存在する磁壁を温度勾配によって高温側に移動させ、この磁壁移動を検出することにより、再生信号振幅を低下させることなく、光学系の分解能を超えた記録密度の信号を再生することが可能な磁壁移動型光磁気記録媒体及びその再生方法が提案されている（特許文献２）。
【０００９】
また、この磁壁移動型光磁気記録媒体において磁壁移動を円滑に行うため、例えば、特開２００２−１５０６３１号公報には、隣接する記録トラック間での磁気的な結合を分断する方法が提案されている（特許文献３）。同公報には、高出力のレーザ光を記録トラック間に照射するというレーザアニール処理を施すことで、トラック間の磁性層を面内磁化膜に変質させて良好な磁壁移動磁区拡大再生を実現することが記載されている。
【００１０】
更に、特開２００２−２０３３４３号公報には、サンプルサーボ方式でトラッキング制御を行いながら磁性膜に対して基板と逆側からアニール処理を施す方法が提案されている（特許文献４）。また、特開２００３−３１７３３６号公報には、狭トラックピッチ化のためにランド／グルーブ記録を用い、記録トラックであるランドとグルーブ間の側壁部にアニール処理を施すことが提案されている（特許文献５）。
【００１１】
上述した超解像技術において、レーザ光の波長λを短くして光学系の回折限界を小さくする場合には、更なる狭トラックピッチ化が可能となり、トラック密度方向に対しても高密度化が可能となる。
【００１２】
次に、磁壁移動型光磁気記録媒体の再生方法について説明する。図４は基本的な磁壁移動型光磁気記録媒体及びその情報再生原理を説明するための図である。図４（ａ）は光磁気記録媒体の構成及び再生用の光ビームが照射された部分の磁化状態を示す模式的断面図、図４（ｂ）はその光ビーム照射時の光磁気記録媒体に形成される温度分布を示すグラフ、図４（ｃ）は図４（ｂ）の温度分布に対応する磁壁移動層の磁壁エネルギー密度σの分布及び温度勾配による駆動力Ｆ１を示すグラフである。
【００１３】
まず、図４（ａ）に示すようにこの光磁気記録媒体は基板上に磁壁抗磁力の小さな第一磁性層１１４１（磁壁移動層）と、キュリー温度の低い第二磁性層１１４２（スイッチング層）と、磁壁抗磁力の大きな第三磁性層１１４３（記録層）が順次積層されている。第二磁性層１１４２は第一磁性層１１４１と第三磁性層１１４３よりキュリー温度が低く、第一磁性層１１４１、第二磁性層１１４２、第三磁性層１１４３は第二磁性層１１４２のキュリー温度以下で交換結合している。
【００１４】
第三磁性層１１４３には、記録磁区３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ…が順次形成されており、媒体温度が第二磁性層１１４２のキュリー温度Ｔｓ以下の領域では、第一磁性層１１４１、第二磁性層１１４２、第三磁性層１１４３が交換結合することにより、第三磁性層１１４３の記録磁区がそのまま第一磁性層１１４１の記録磁区として転写された状態になっている。図４（ａ）中第一磁性層１１４１の記録磁区１ａは、第三磁性層１１４３の記録磁区３ａが転写されたものである。
【００１５】
矢印ｒは媒体移動方向を表わしており、記録層が媒体移動方向ｒ方向へ移動することで、再生用光ビームスポットが記録層の情報トラックに沿って移動する。この再生用光ビームスポットが照射された部分では、図４（ｂ）に示すようにビームの移動方向に対してスポットの前方から温度が上昇し、位置Ｘｂに温度のピークが来るような温度分布が生じる。ここでは、位置Ｘａにおいて媒体温度が第二磁性層１１４２のキュリー温度近傍の温度Ｔｓに達するようになっている。
【００１６】
第一磁性層１１４１における磁壁エネルギー密度σの分布は、図４（ｃ）に示すように再生用光ビームスポットの後方の温度ピークの近傍において極小となり、スポットの前方ほど大きくなる。この様に位置Ｘ方向に磁壁エネルギー密度σの勾配があると、位置Ｘに存在する各層の磁壁に対して下記の力Ｆが作用する。
【００１７】
Ｆ＝∂σ／∂Ｘ    …（１）
この力Ｆは磁壁エネルギーの低い方に磁壁を移動させるように作用する。第一磁性層１１４１は、磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度も大きいので、単層の場合にはこの力Ｆによって容易に磁壁４４が移動する。但し、位置Ｘａよりスポットの前方側に位置する領域においては、媒体温度がＴｓより低く磁壁抗磁力の大きな第三磁性層１１４３と交換結合しているため、磁壁４４は移動せず、抗磁力の大きな第三磁性層１１４３中の磁壁の位置と対応する位置に固定されている。
【００１８】
この光磁気記録媒体では、媒体移動方向ｒの方向に媒体が移動し、第一磁性層１１４１の磁壁４４が位置Ｘａの位置に来ると、その磁壁４４の部分における媒体温度が第二磁性層１１４２のキュリー温度近傍の温度Ｔｓまで上昇し、第一磁性層１１４１と第三磁性層１１４３との間の交換結合が切断される。この結果、第一磁性層１１４１の磁壁１１４４は破線矢印ｓで示す様により温度が高く、より磁壁エネルギー密度の小さな領域へと瞬間的に移動する。再生用光ビームスポットの下を磁壁１１４４が通過すると、位置Ｘａから位置Ｘｂの範囲で第一磁性層１１４１の原子スピンは一方向に揃う。
【００１９】
媒体の移動に伴って磁壁が位置Ｘａに来る度に、スポットの下を磁壁が瞬間的に移動し、位置Ｘａから位置Ｘｂの範囲に記録磁区が拡大し、第一磁性層１１４１の原子スピンは一方向に揃う。この結果、再生信号の振幅は記録されている磁壁の間隔（即ち記録マーク長）によらず、常に一定且つ最大の振幅になり、光学的な回折限界に起因した波形干渉等の問題から完全に解放されるのである。
【００２０】
次に、従来の記録トラックであるランドとグルーブ間の側壁部に高出力のレーザ光を照射し、レーザアニール処理を施す方法において、３ビーム法を用い、サブビームのディファレンシャルプッシュプル法によってトラッキングをかけてメインビームによってレーザアニール処理を施す方法について説明する。
【００２１】
図５は光磁気記録媒体３０の記録トラックであるランドとグルーブ間の側壁部を、高出力のレーザ光を照射してレーザアニール処理を施す様子を示す模式的断面図である。図５に示すように磁壁移動型光磁気記録媒体３０はランド１１とグルーブ１２を有する透明な基板２４上に少なくとも第一の誘電体層２５、磁性層２６、第二の誘電体層２７が順次積層されている。磁性層２６は少なくとも情報の再生に寄与し、磁壁が移動する磁壁移動層と、情報に応じた記録磁区を保持する記録層と、磁壁移動層と記録層の間に配置され、これら両層よりキュリー温度が低いスイッチング層とを含む複数の磁性層からなっている（これらの層は図示せず）。
【００２２】
磁壁移動層、スイッチング層、記録層はスイッチング層のキュリー温度以下で交換結合しており、少なくとも磁壁移動層における記録トラック間の交換相互作用による結合を切断もしくは低減させるため、ランド１１とグルーブ１２間の側壁部１３がメインビーム１６による高出力のレーザ光の照射によりレーザアニール処理が施こされている。
【００２３】
図６は３ビーム法によりアニール処理を施す際の媒体上の光ビームの配置を示す平面図である。メインビーム１６は側壁部１３に、サブビーム１５はグルーブ１２上に、サブビーム１７はランド１１上に集光されている。
【００２４】
メインビーム１６は高強度の微小スポットであり、側壁部１３にアニール処理を施し、その磁性を変質させて、記録トラック間の交換相互作用による結合を切断もしくは低減させる。サブビーム１５とサブビーム１７は後述するようにトラッキングのために用いられる。メインビーム１６とサブビーム１５、１７との強度比は、例えば、１：０．１〜０．２程度になるように設定されており、ランド１１とグルーブ１２にはアニール処理の影響はほとんどない。なお、波長４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡ０．８５のスポットでは、通常のプッシュプル信号は得られない。そこで、プッシュプル信号を得るため、サブビーム１５とサブビーム１７のビーム径を大きくしている。
【００２５】
図７は光磁気記録媒体３０のアニール処理装置を示す概念図である。まず、半導体レーザ３１からの光束は、グレーティング３２で回折を受けない光束と±1次回折光である２つの光束の３つに分けられる。この３つの光束は偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）３３を透過した後、コリメータ３４によりほぼ平行光束とされ、１／４波長板３５を介して対物レンズ３６によって光磁気記録媒体３０上に集光される。この時、図６に示すようにメインビーム１６と２つのサブビーム１５、サブビーム１７が光磁気記録媒体３０上に集光される。
【００２６】
ここで、高強度の微小スポット（メインビーム１６）を得るため、例えば、半導体レーザ３１の波長は上述のように４０５ｎｍ、対物レンズ３６はＮＡ＝０．８５を採用し、光源強度は光磁気記録媒体３０の回転速度２〜６ｍ／ｓにおいてメインビーム１６の強度が４〜７ｍＷ程度の間で最適値を捜して設定される。
【００２７】
光磁気記録媒体３０から反射された３つのビームは、ＰＢＳ３３で反射させられ、センサレンズ３７でセンサ４３に集光される。トラキングエラー検出回路４５は後述するように図８の回路からなっていて、センサ４３より得られる出力信号からトラッキングエラー信号（ＴＥ）を検出する。極性切替回路４６はトラッキングエラー信号の極性切り替えを行い、トラキングコントロール回路４７はアクチュエータ３８を制御してトラッキング制御を行い、メインビーム１６によって側壁部１３にアニール処理を行う。
【００２８】
ここで、従来は外周側を向いた側壁（図２の側壁Ｂ）、内周側を向いた側壁（図２の側壁Ａ）を一周毎に交互にアニール処理を行っている。この時、内周側を向いた側壁のアニール処理が一周終わると、隣接側壁である外側を向いた側壁部ではトラッキグエラーの向きが反対となるのに応じて極性切替回路４６はトラッキングエラー信号の極性を切り替えてアニール処理を行う。
【００２９】
図８はメインビーム１６を側壁部１３上にトラッキングするためのトラッキングエラー信号を検出するトラッキングエラー検出回路４５のブロック図である。センサ４３は３群の分割センサ４０１、４００、４０２からなり、各分割センサ上には、光磁気記録媒体３０上のサブビーム１５、メインビーム１６、サブビーム１７による反射スポット４１、４０、４２が集光されている。
【００３０】
ここで、図８中の分割センサ４００の出力をＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄとし、分割センサ４０１の出力をＥ、Ｆとし、分割センサ４０２の出力をＧ、Ｈとする。また、５０〜５２はトラッキングエラー信号（ＴＥ）を生成するための演算に用いる差動アンプを示す。
【００３１】
まず、分割センサ４００の出力を用いて（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ）の演算処理を行うことによりフォーカスエラー信号が得られる。なお、フォーカスエラー信号を得るための演算回路は図示していない。
【００３２】
他方、分割センサ４０１、４０２の出力を用いて、差動アンプ５０、５１によりそれぞれ、ＴＥ１＝Ｅ−Ｆ、ＴＥ２=Ｇ−Ｈの演算処理を行うことによりプッシュプルトラッキングエラー信号ＴＥ１、ＴＥ２が得られる。更に、差動アンプ５２を用いてＴＥ＝ＴＥ１−ＴＥ２の演算処理を行うことによりトラキングエラー信号ＴＥが得られる。このようにサブビーム１５とサブビーム１７、即ち、対応するスポット４１と４２に対して周知のディファレンシャルプッシュプル法を適用すると、ＤＣオフセット分の抑制されたトラッキングエラー信号が得られる。
【００３３】
このようにして得られたトラッキングエラー信号を用いてトラッキング制御を行うことにより側壁部１３のアニール処理時に安定したトラッキングサーボが可能となる。このようにトラッキングエラー信号ＴＥに基づいてトラッキングサーボをかけるのであるが、上述したように外周側を向いた側壁から内周側を向いた側壁に移動する場合には、ＴＥの極性を切り替えてトラッキングサーボをかけている。
【００３４】
従来は上述のように外周側を向いた側壁、内周側を向いた側壁を一周毎に交互にアニール処理を行っている。ところが、従来方法だと、シングルスパイラルのランド／グルーブ記録基板を用いた場合、一周毎に記録再生領域にランドとグールーブの切れ目が存在するため記録再生領域が減少するという課題があった。またこの問題を解決するために、ダブルスパイラルのランド／グルーブ記録基板を用いた場合、アニール時に、一周毎にトラックジャンプを必要とするため、一周毎にアニール領域に不連続領域が生じてしまい、記録再生領域が減少するという課題があった。これらの課題を解決するため、ダブルスパイラルのランド／グルーブ記録基板を用い、内周側を向いた側壁と外周側を向いた側壁のどちらか一方に予め連続的にレーザアニール処理を施した後、他方の側壁に連続的にアニール処理を施すアニール処理方法が考えられる。
【特許文献１】特開平３−９３０５８号公報
【特許文献２】特開平６−２９０４９６号公報
【特許文献３】特開２００２−１５０６３１号公報
【特許文献４】特開２００２−２０３３４３号公報
【特許文献５】特開２００３−３１７３３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３５】
上述のように内周側を向いた側壁と外周側を向いた側壁のどちらか一方に予めレーザアニール処理を施した後に、他方の側壁にアニール処理を施すアニール処理方法においては、アニール処理を施す際にアニール時のトラッキングエラー信号はレーザアニール未処理領域と比べて余計なオフセットが生じたものとなる。このオフセットはアニール処理を施した領域からの反射光量の変化が原因だと考えられる。
【００３６】
更に詳しくは、後述するように内周側を向いた側壁のトラッキングエラー信号と、外周側を向いた側壁のトラッキングエラー信号には電気的に反対のオフセットが生じてしまう。即ち、実際にアニール処理を施したい位置から、内周側を向いた側壁も外周側を向いた側壁も、ある一方向にオフセットしてしまう。このようなオフセットを補正せずにアニール処理を施すと、記録再生時のデトラックや、記録トラック幅の縮小につながるため、特性が悪化する問題があった。
【００３７】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたもので、その目的は、特性悪化がなく、側壁部に最適なレーザアニール処理を施すことが可能な磁壁移動型光磁気記録媒体のアニール処理方法及び装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３８】
本発明は、上記目的を達成するため、磁壁移動型光磁気記録媒体のランドとグルーブ間の側壁部を、３ビーム法を用いて、トラッキング制御を行いながらメインビームによってアニール処理を行うアニール処理方法において、前記光磁気記録媒体のランドとグルーブ間の内周側を向いた側壁と外周側を向いた側壁のうちいずれか一方の側壁部のアニール処理を連続的に施した後、他方の側壁のアニール処理を連続的に施し、且つ、アニール処理を行う際に発生するトラックオフセット量を先にアニール処理を施す側壁と、後でアニール処理を施す側壁とで切り替えて補正することを特徴とする。
【００３９】
また、本発明は、磁壁移動型光磁気記録媒体のランドとグルーブ間の側壁部を、３ビーム法を用いて、トラッキング制御を行いながらメインビームによってアニール処理を行うアニール処理方法において、前記光磁気記録媒体のランドとグルーブ間の内周側を向いた側壁と外周側を向いた側壁のうちいずれか一方の側壁部のアニール処理を連続的に施した後、他方の側壁のアニール処理を連続的に行い、且つ、先にアニール処理を行う側壁においては前記メインビームより先行するサブビームによるトラッキングエラー信号に基づいてメインビームのトラッキング制御を行い、後でアニール処理を行う側壁においてはメインビームより後行するサブビームによるトラッキングエラー信号に基づいてメインビームのトラッキング制御を行うことを特徴とする。
【００４０】
また、本発明は、磁壁移動型光磁気記録媒体のランドとグルーブ間の側壁部を、３ビーム法を用いて、トラッキング制御を行いながらメインビームによってアニール処理を行うアニール処理装置において、前記光磁気記録媒体のランドとグルーブ間の内周側を向いた側壁と外周側を向いた側壁のうちいずれか一方の側壁部のアニール処理を連続的に施した後、他方の側壁のアニール処理を連続的に施す手段と、前記アニール処理を行う際に発生するトラックオフセット量を先にアニール処理を施す側壁と、後でアニール処理を施す側壁とで切り替えて補正する手段とを備えたことを特徴とする。
【００４１】
また、本発明は、磁壁移動型光磁気記録媒体のランドとグルーブ間の側壁部を、３ビーム法を用いて、トラッキング制御を行いながらメインビームによってアニール処理を行うアニール処理装置において、前記光磁気記録媒体のランドとグルーブ間の内周側を向いた側壁と外周側を向いた側壁のうちいずれか一方の側壁部のアニール処理を連続的に施した後、他方の側壁のアニール処理を連続的に行う手段と、先にアニール処理を行う側壁においては前記メインビームより先行するサブビームによるトラッキングエラー信号に基づいてメインビームのトラッキング制御を行い、後でアニール処理を行う側壁においてはメインビームより後行するサブビームによるトラッキングエラー信号に基づいてメインビームのトラッキング制御を行う手段とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００４２】
本発明によれば、アニール処理を施す際のトラックオフセットの無いアニール処理が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
次に、発明を実施するための最良の形態について図面を参照して説明する。初めに、上記課題を詳しく説明する。外周側を向いた側壁（以後側壁Ｂと記載する）を先に内周側から外周側に向けてアニール処理を施した後に、内周側を向いた側壁（以後側壁Ａと記載する）を内周側から外周側に向けてアニール処理する場合を例に説明するが、この構成に限定するものではない。
【００４４】
まず、背景技術で説明した３ビーム法により最内周にある側壁Ｂにトラッキングをかけ、側壁Ｂを連続的に内周から外周に向けてアニール処理を行う。側壁Ｂのアニール処理が終わると、一度レーザパワーを下げ、最内周にある側壁Ａに移動する。この時、トラッキングエラーの傾きが反対になるのに応じてトラッキングエラー信号の極性を切り替えてトラッキングをかけ、側壁Ａを連続的に内周から外周に向けてアニール処理を行う。ここで、従来の３ビーム法によるアニール処理方法では、上述のようにアニール処理を施す際のプッシュプルトラッキングエラー信号は、レーザアニール未処理領域と比べて余計なオフセットが生じたものとなる。このオフセットはアニール処理を施した領域からの反射光量の変化が原因だと考えられる。
【００４５】
次に、アニール処理によって反射光量が減る場合を例に説明する。また、アニール未処理領域ではトラックオフセット量がゼロになっている場合を例に説明する。
【００４６】
Ｂ側の説明
図９はランドに対して外周側の側壁Ｂにアニール処理を施す際の光ビームの配置を示す平面図である。また、図１０（ａ）は側壁Ｂにアニール処理を施す際のセンサ４０１、４０２上に集光されたサブビーム１５、１７に対応するスポット４１、４２を示す図である。図１０（ｂ）は側壁Ｂにアニール処理を施す際の、サブビーム１５によるトラッキングエラー信号ＴＥＢ１及びサブビーム１７によるトラッキングエラー信号ＴＥＢ２及びプッシュプルトラッキングエラー信号ＴＥＢ３（ＴＥＢ１−ＴＢＥ２）を説明するための図である。横軸は基板上での位置、内周側、外周側を表している。
【００４７】
レーザビーム進行方向に対してメインビームより後ろにあるサブビーム１７は、側壁Ｂ側からのみアニール領域の影響を受るため、センサ４２のＨ側の光量が減り、ＴＥＢ２は＋２δオフセットする。メインビームよりも前にあるサブビーム１５はアニール領域の影響を受けず、ＴＥＢ１も影響を受けない。その結果、プッシュプルトラッキングエラー信号ＴＥＢ３に−２δのオフセットが生じる。
【００４８】
そのため、図１０（ｂ）に示すようにメインビーム１６は外周側にＴｏｆｆＢだけずれてしまう。ここで、アニール処理を施している最中はＴＥＢ３が０になるところ（初期の設定値）でトラッキングがかかっているため、ＴＥＢ３をモニターしていても−２δは検知できない。δを検知するにはサブビームのトラッキングエラー信号をモニターする必要がある。この時、ＴＥＢ１及びＴＥＢ２からは＋δオフセットしたトラッキングエラー信号が得られる。
【００４９】
Ａ側の説明
図１１は側壁Ｂアニール処理後にランドに対して外周側の側壁Ａにアニール処理を施す際の光ビームの配置を示す平面図である。また、図１２（ａ）は側壁Ｂアニール処理後に側壁Ａにアニール処理を施す際のセンサ４０１、４０２上に集光されたサブビーム１５、１７に対応するスポット４１、４２を示す図である。図１２（ｂ）は側壁Ｂのアニール処理後に側壁Ａにアニール処理を施す際の、サブビーム１５のトラッキングエラー信号ＴＥＡ１及びサブビーム１７のトラッキングエラー信号ＴＥＡ２及びプッシュプルトラッキングエラー信号ＴＥＡ３（ＴＥＡ１−ＴＥＡ２）を説明するための図である。横軸は基板上での位置、内周側、外周側を表している。
【００５０】
レーザビーム進行方向に対してメインビームより後ろにあるサブビーム１７は、側壁Ｂ側及び側壁Ａ側の両側からアニール領域の影響を受るため、センサ４２のＧ側、Ｈ側両方の光量が減り、ＴＥＡ２はオフセットしない。メインビームよりも前にあるサブビーム１５は、側壁Ｂ側からのみアニール領域の影響を受けるため、センサ４１のＦ側の光量が減り、ＴＥＡ１は＋２δオフセットする。その結果、プッシュプルトラッキングエラー信号ＴＥＡ３に＋２δのオフセットが生じる。
【００５１】
そのため、図１２（ｂ）に示すようにメインビームは外周側にＴｏｆｆＡだけずれてしまう。ここで、アニール処理を施している最中はＴＥＡ３が０になるところ（初期の設定値）でトラッキングがかかっているため、ＴＥＡ３をモニターしていても＋２δは検知できない。δを検知するにはサブビームのトラッキングエラー信号をモニターする必要がある。この時、ＴＥＡ１及びＴＥＡ２からは＋δオフセットしたトラッキングエラー信号が得られる。
【００５２】
上記説明より側壁Ｂと側壁Ａ、即ち、先にレーザアニール処理を施す側壁と、後でレーザアニール処理を施す側壁とでプッシュプルトラッキングエラー信号に反対の符号の電気的なオフセットが生じることが分かる。そのため、従来のアニール方法だと、メインビームの位置はどちらの側壁においても、内外周方向に対して同方向にオフセットが生じてしまう。
【００５３】
（第１の実施形態）
次に、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は本発明による磁壁移動型光磁気記録媒体のアニール処理装置の第１の実施形態を示す構成図である。なお、図１では図７の従来装置と同一部分は同一符号を付して説明を省略する。本実施形態では、トラッキングエラー信号のオフセットを補正するオフセット補正回路４８が設けられている。その他の構成は図７と同様である。
【００５４】
トラッキングエラー検出回路４５は図８と同様の回路構成であり、サブビーム１５、１７によるトラッキングエラー信号或いはプッシュプルトラッキングエラー信号を検出する。また、オフセット補正回路４８はこの検出されたトラッキングエラー信号のトラックオフセット量を補正し、トラッキングコントロール回路４７は補正後のトラッキングエラー信号に基づいてアニール処理時のトラッキング制御を行い、光磁気記録媒体３０に対してアニール処理を行う。
【００５５】
図２は本実施形態のアニール処理方法の一連の流れを示す図である。まず、光磁気記録媒体３０の最内周の未アニール領域にアニール処理されないパワーでレーザスポットを照射する。サブビーム１５、１７よりフォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号を検出し、ディファレンシャルプッシュプル法によってメインビームが側壁Ｂのアニールを行う位置を走査するようにトラッキング制御を開始する。なお、フォーカスエラー信号の検出方法は従来と同様である。
【００５６】
この状態をスタートとして、検知モードＢ（Ｓ１０１）、トラッキングエラー信号補正モードＢ（Ｓ１０２）、アニール処理モードＢ（Ｓ１０３）の手順で側壁Ｂに連続的にアニール処理を施す。
【００５７】
次に、一度レーザパワーをアニール処理されないレーザーパワーまで下げ、各スポットを最内周にある側壁Ａに移動させた後、サブビーム１５、１７よりフォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号を検出し、トラッキングエラー信号ＴＥの極性を切り替えて、ディファレンシャルプッシュプル法によってメインビームが側壁Ａのアニールを行う位置を走査するようにトラッキングをかける。その後、トラッキングエラー信号補正モードＡ（Ｓ１０４）、アニール処理モードＡ（Ｓ１０５）の手順で側壁Ａに連続的にアニール処理を行う。
【００５８】
次に、図２の各モードについて詳しく説明する。まず、Ｓ１０１の検知モードＢでは、アニール処理されないパワーのレーザで最内周の未アニール領域でのサブビーム１５によるトラッキングエラー信号ＴＥＢ１０（またはサブビーム１７によるトラッキングエラー信号ＴＥＢ２０）を検出する。次いで、側壁Ｂを所望の高出力のレーザでアニール処理を施しながらサブビーム１５によるトラッキングエラー信号ＴＥＢ１（またはサブビーム１７によるトラッキングエラー信号ＴＥＢ２）を検出する。
【００５９】
ここで、トラッキングエラー検出回路４５としては上述のように図８と同様のものを用い、ＴＥＢ１、ＴＥＢ１０は図８のＴＥ１に対応し、ＴＥＢ２、ＴＥＢ２０は図８のＴＥ２に対応し、ＴＥＢ３は図８のＴＥに対応する。
【００６０】
Ｓ１０２の補正モードＢではトラックオフセット量を補正する。即ち、検知モードで得られたＴＥＢ１０とＴＥＢ１（またはＴＥＢ２０とＴＥＢ２）からδを求め、アニール処理を施す際のプッシュプルトラッキングエラー信号ＴＥＢ３に＋２δ相当のオフセットを加えて補正を行う。
【００６１】
Ｓ１０３のアニール処理モードＢではＳ１０２の補正モードＢでＴＥＢ３に補正を行った後、得られたＴＥＢ３を用いてトラッキング制御を行いながらメインビーム１６により側壁Ｂを連続的にアニール処理を行う。
【００６２】
次に、一度レーザパワーをアニール処理されないレーザーパワーまで下げ、各ビームを最内周にある側壁Ａに移動させた後、Ｓ１０４の補正モードＡにおいて補正モードＢで得られたδを用いて、側壁Ａにアニール処理を施す際のプッシュプルトラッキングエラー信号ＴＥＡ３に−２δ相当のオフセットを加えて補正を行う。Ｓ１０５のアニール処理モードＡでは極性切替回路４６でトラッキングエラー信号の極性切り替えを行った後、レーザーパワーをアニール処理を施す際のパワーまで上げると同時に、Ｓ１０４の補正モードＡでＴＥＡ３に補正を行い、、補正後のＴＥＡ３に基づいてトラッキング制御を行いながらメインビーム１６により側壁Ａを連続的にアニール処理を行う。なお、側壁Ａをアニール処理する場合のトラッキングエラー信号ＴＥＡ３は図８のＴＥに対応する。
【００６３】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。第２の実施形態では、アニール処理を施す際に発生するトラックオフセット量を、先にレーザアニール処理を施す側壁におけるオフセット量δは先にレーザアニールを施す側壁においてレーザアニール処理を施す際のサブビームによるトラッキングエラー信号をモニターすることによって検知する。また、後でレーザアニール処理を施す側壁におけるオフセット量δ’は後でレーザアニールを施す側壁においてレーザアニール処理を施す際のサブビームによるトラッキングエラー信号をモニターすることによって検知する。即ち、それぞれの側壁で、それぞれ異なる電気的な信号量の補正を行う。その他の構成は図１と同様である。
【００６４】
具体的には、第１の実施形態と同様に検知モードＢ、補正モードＢ、アニール処理モードＢの手順で側壁Ｂにアニール処理を施す。次に、側壁Ａをアニールする際に検知モードＡのステップを有し、その後、補正モードＡ、アニール処理モードＡの手順で側壁Ａにアニール処理を行う。
【００６５】
まず、検知モードＢでは、アニール処理されないパワーのレーザで最内周の未アニール領域でのサブビーム１５によるトラッキングエラー信号ＴＥＢ１０（またはサブビーム１７によるトラッキングエラー信号ＴＥＢ２０）をモニターする。次に、側壁Ｂを所望の高出力のレーザでアニール処理を施しながらサブビーム１５によるトラッキングエラー信号ＴＥＢ１（またはサブビーム１７によるトラッキングエラー信号ＴＥＢ２）をモニターする。
【００６６】
補正モードＢではトラックオフセット量を補正する。即ち、オフセット補正回路４８で検知モードで得られたＴＥＢ１０とＴＥＢ１（またはＴＥＢ２０とＴＥＢ２）からδを求め、アニール処理を施す際のプッシュプルトラッキングエラー信号ＴＥＢ３に＋２δ相当のオフセットを加えて補正を行う。
【００６７】
アニール処理モードＢでは補正モードＢでＴＥＢ３に補正を行った後、側壁Ｂを連続的にアニール処理を行う。この時、少なくとも一周分の未アニール領域を残しておく。
【００６８】
次に、一度レーザパワーをアニール処理されないレーザーパワーまで下げ、最内周にある側壁Ａに移動させた後、検知モードＡにおいて低パワーのレーザで最内周の未アニール領域でのサブビーム１５のトラッキングエラー信号ＴＥＡ１０（またはサブビーム１７のトラッキングエラー信号ＴＥＡ２０）をモニターする。次に、側壁Ａを所望の高出力のレーザでアニール処理を施しながらサブビーム１５のトラッキングエラー信号ＴＥＡ１（またはサブビーム１７のトラッキングエラー信号ＴＥＡ２）をモニターする。
【００６９】
補正モードＡでは検知モードＡで得られたＴＥＡ１０とＴＥＡ１（またはＴＥＡ２０とＴＥＡ２）からδ’を求め、アニール処理を施す際のプッシュプルトラッキングエラー信号ＴＥＡ３に−２δ’相当のオフセットを加えて補正を行う。
【００７０】
アニール処理モードＡでは補正モードＡでＴＥＡ３に補正を行った後、トラッキングエラー信号の極性切り替えを行い、側壁Ａを連続的にアニール処理を行う。また、ＴＥＡ１０は検知モードＡでなく、検知モードＢの後でモニターしておいても良い。この場合、アニール処理モードＢで未アニール領域を残しておく必要はない。
【００７１】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。第３の実施形態では、先にアニール処理を施す側壁においては、アニール時にメインビームより先行するサブビームによるトラッキングエラー信号に基づいてメインビームのトラッキング制御を行い、後でアニール処理を施す側壁においては、アニール時にメインビームより後行するサブビームによるトラッキングエラー信号に基づいてメインビームのトラッキング制御を行う。従って、本実施形態の構成としては図１のオフセット補正回路４６、極性切替回路４６は不要である。また、トラッキングエラー検出回路４５はサブビームによるトラッキングエラー信号の検出を行う。
【００７２】
具体的には、図１０に示すように側壁Ｂを高出力のレーザでアニールする際にメインビームより先行するサブビーム１５のトラッキングエラー信号ＴＥＢ１にはオフセットが生じない。そこで、ＴＥＢ１に基づいてメインビームが側壁Ｂのアニールを行う位置を走査するようにトラッキング制御を行い、側壁Ｂにアニール処理を施す。
【００７３】
また、図１２に示すように側壁Ａを高出力のレーザでアニールする際にメインビームより後行するサブビーム１７のトラッキングエラー信号ＴＥＡ２にはオフセットが生じない。そこで、ＴＥＡ２に基づいてメインビームが側壁Ａのアニールを行う位置を走査するようにトラッキング制御を行い、側壁Ａにアニール処理を施す。ＴＥＢ１は図８のＴＥ１に対応し、ＴＥＡ２は図８のＴＥ２に対応する。
【００７４】
なお、第１及び第２の実施形態では、外周側を向いた側壁（以後側壁Ｂと記載する）を先に内周側から外周側に向けてアニール処理を施した後に、内周側を向いた側壁（以後側壁Ａと記載する）を内周側から外周側に向けてアニール処理する場合、また、アニール処理によって反射光量が減る場合を例に説明したが、この構成に限定するものではない。構成が異なる場合にも、アニール時のプッシュプルエラー信号ＴＥＢ３及びＴＥＡ３のオフセットδ、δ’の向きは、分割センサからトラキングエラー信号を得る関係式、及びサブビームとメインビームの配置から予め知ることができる。
【００７５】
また、未アニール領域でのサブビームのトラッキングエラー信号のオフセット量がゼロの場合を例に説明したが、未アニール領域でのサブビームのトラッキングエラー信号に予めオフセット量を与える場合は、この初期のオフセット量とアニール時のプッシュプルエラー信号ＴＥＢ３及びＴＥＡ３のオフセットの差をδ、δ’とすればよい。
【実施例】
【００７６】
次に、本発明の実施例について説明する。
【００７７】
（実施例１）
次に、具体的な例をもって本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明はその主旨を逸脱しない限りにおいて以下の実施例に限定されるものではない。
【００７８】
実施例１では、ランドとグルーブを有する透明な基板に少なくとも第一の誘電体層、磁性層、第二の誘電体層が順次積層され、磁性層は少なくとも情報の再生に寄与し磁壁が移動する磁壁移動層と、情報に応じた記録磁区を保持する記録層と、磁壁移動層と記録層の間に配置され、これら両層よりキュリー温度が低いスイッチング層とを含む複数の磁性層からなり、磁壁移動層、スイッチング層、記録層はスイッチング層のキュリー温度以下で交換結合をしており、更に、記録層から移動層に転写された記録磁区の磁壁を移動させて、記録磁区を拡大して情報の再生を行う磁壁移動型光磁気記録媒体を用いている。
【００７９】
更に、詳しくは図３に示すように透明な基板９１６上に第一の誘電体層９１４、磁壁移動層９１１、磁壁移動補助層９１８、制御層９１９、スイッチング層９１２、記録層９１３、磁界感度補助層９２０、第二の誘電体層９１５、保護コート９１７が順次積層された磁壁移動型光磁気記録媒体を用いている。
【００８０】
本実施例では、特開２０００−２０７７９１号公報に提案されているように、再生特性向上の観点から磁壁移動補助層９１８を設けた例を示している。また、特開２０００−１８７８９８号公報に提案されているように、再生ビームスポット内後方端部での余計な磁壁移動（ゴースト信号）を抑制するために、制御層９１９を設けた例を示している。この制御層９１９は磁壁が移動する層とスイッチング層９１２の間に配置することが望ましい。また、本実施例では、記録特性の観点から記録層９１３の基板とは逆側に記録磁界感度補助層９２０を設けた例を示している。
【００８１】
ここで、各磁性層の膜厚としては、最適な特性が得られる膜厚を選ぶことができる。各磁性層の組成も、最適な特性が得られる組成を選ぶことができる。更には、この構成に、Ａｌ，ＡｌＴａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＳｉ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ａｕ等からなる金属層を付加して、熱的な特性を調整してもよい（図示せず）。
【００８２】
更には、光変調記録を行うのなら成膜後の基板を貼り合わせてもよい。また、膜面側からレーザ光を入射させて再生を行う場合は、上記各層の積層順序を逆にして、基板面側からレーザアニール処理を行えばよい。
【００８３】
基板９１６としては、ポリカーボネートを用いて射出成型により作成した。トラックピッチは０．５４μｍ（ランド幅とグルーブ幅の比は約１：１）、溝深さは３５ｎｍ、側壁部の傾斜角は約３５°のダブルスパイラルのランド／グルーブ記録用基板を用いた。
【００８４】
また、第一の誘電体層９１４としてＳｉＮを３５ｎｍ形成した。磁壁移動層９１１としてＧｄＦｅＣｏＣｒ層を膜厚１８ｎｍ、磁壁移動補助層９１８としてＧｄＦｅＣｒ層を膜厚１８ｎｍ形成した。次いで、制御層９１９としてＴｂＦｅＣｏＣｒを膜厚１８ｎｍ、スイッチング層９１２としてＴｂＦｅＣｒ層を膜厚１０ｎｍ、記録層９１３としてＴｂＦｅＣｏＣｒを膜厚４０ｎｍ、記録磁界感度補助層９２０としてＧｄＦｅＣｏＣｒを膜厚１３ｎｍ形成した。
【００８５】
最後に、第二の誘電体層９１５としてＳｉＮ層を膜厚５０ｎｍ形成した。具体的には、磁壁移動層としてキュリー温度は３００℃程度で室温からキュリー温度まで希土類元素副格子磁化優勢となるように組成を調整し、移動補助層としてキュリー温度は２１５℃程度で室温からキュリー温度まで遷移金属元素副格子磁化優勢となるように組成を調整し、制御層としてキュリー温度は１８５℃程度で室温からキュリー温度まで希土類元素副格子磁化優勢となるように組成を調整し、スイッチング層としてキュリー温度は１６５℃程度で補償温度は１４０℃となるように組成を調整し、記録層としてキュリー温度は３３０℃程度で室温からキュリー温度まで遷移金属元素副格子磁化優勢となるように組成を調整し、更に、記録磁界感度補助層としてキュリー温度は４１５℃で補償温度は３００℃となるように調整した。
【００８６】
次に、作製した磁壁移動型光磁気記録媒体に対してアニール処理を施した。アニール用ビームの波長は４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．８５である。また、背景技術で説明した光学系と同様の３ビーム法の光学系を用いた。本実施例では、基板と反対側の第二の誘電体層側から記録トラックを形成するランドとグルーブ間の側壁部にレーザ光を集光してアニール処理を施す方法を採用した。
【００８７】
まず、検知モードＢにおいてレーザパワー１．５ｍＷ、線速４．５ｍ／ｓで光磁気記録媒体を回転させながらメインビームが側壁Ｂのアニールを行う位置を走査するようにトラッキング制御を行い、未アニール領域でのサブビーム１５のトラッキングエラー信号ＴＥＢ１０をモニターしたところ、オフセット量はゼロであった。
【００８８】
次に、レーザパワーを５．８ｍＷまで上げ、側壁Ｂのアニール処理を施しながらサブビーム１５によるトラッキングエラー信号ＴＥＢ１をモニターしたところ、エラー信号の最大振幅に対して５％の大きさのプラスのオフセット量を検知した。そこで、補正モードＢでプッシュプルトラッキングエラー信号ＴＥＢ３に＋１０％分の量のオフセットを加えてトラックオフセット量を補正した。
【００８９】
アニール処理モードＢでは、トラッキングオフセット量を補正したトラッキングエラー信号に基づいて側壁Ｂにトラッキングをかけ、内周から外周に向けて連続的にアニール処理を施した。
【００９０】
次に、レーザパワーを１．５ｍＷ（アニール処理されないレーザーパワー）まで下げ、最内周の側壁Ａに移動させ、ＴＥの極性を切り替えて、メインビームが側壁Ａのアニールを行う位置を走査するようにトラッキングをかけた。次いで、レーザパワーを５．８ｍＷまで上げると同時に、補正モードＡでプッシュプルトラッキングエラー信号ＴＥＡ３に−１０％分の量のオフセットを加えてトラックオフセット量を補正した。アニール処理モードＡでは、トラックオフセット量を補正したプッシュプルトラッキングエラー信号に基づいて側壁Ａにトラッキングを行い、内周から外周に向けて連続的にアニール処理を施した。アニール処理後、高分子樹脂からなる保護コートを形成した。
【００９１】
こうして作製した光磁気記録媒体に対してレーザ波長６５０ｎｍ、対物レンズのＮ．Ａを０．６０、線速２．４ｍ／ｓとして、線記録密度０．０８μｍ／ｂｉｔ（１−７）変調のランダムデータで記録再生特性の評価を行った。評価指標は記録データに対する再生データの誤り率いわゆるビットエラーレートｂＥＲである。
【００９２】
また、記録はパルス光を照射し、光磁気記録媒体を記録層のキュリー温度以上に加熱した後の冷却過程で、記録信号に応じて磁界を変調させて記録を行った。パルス幅は記録信号のクロック周期に対し５０％の時間幅、レーザレベルは記録パワーレベルと０レベルの２値とした。一方、再生はＤＣで光で行った。この時、ランド部において記録パワーは６．４ｍＷ、変調磁界強度は２００（Ｏｅ）、再生パワーは２．４ｍＷ、グルーブ部においては、記録パワーは６．４ｍＷ、変調磁界強度は２００（Ｏｅ）、再生パワーは２．３ｍＷで行った。
【００９３】
以上のようにして測定を行い、ｂＥＲを評価したところ、ランド、グルーブともにオフセットは無く、ランドでは２Ｅ−５、グルーブでは１Ｅ−５となり、ランド、グルーブ共に良好な特性が得られた。
【００９４】
（比較例）
比較例では、アニール処理をする際のトラッキングエラー信号のオフセットを補正せずにアニール処理を施す以外は実施例１と同じである。実施例１の光磁気記録媒体を用いて、実施例１と同様に（補正はしない）記録再生特性の評価を行ったところ、ランド、グルーブ共に、外周側に３５ｎｍオフセットが生じ、ランドでは５Ｅ−５、グルーブでは４Ｅ−５となり、特性が悪化した。
【００９５】
（実施例２）
実施例２では、基板としてポリカーボネートを用いて射出成型により作製した。トラックピッチは０．５４μｍ（ランド幅とグルーブ幅の比は約１：１）、溝深さは３５ｎｍ、側壁部の傾斜角が内周側を向いた側壁と外周側を向いた側壁で角度が異なるダブルスパイラルのランド／グルーブ記録用基板を用いた。基板以外は実施例１と同様の構成の光磁気記録媒体を作製した。
【００９６】
次に、この磁壁移動型光磁気記録媒体に対してアニール処理を施した。まず、検知モードＢにおいて、レーザパワー１．５ｍＷ、線速４．５ｍ／ｓで光磁気記録媒体を回転させながらメインビームが側壁Ｂのアニールを行う位置を走査するようにトラッキングをかけ、サブビーム１５のトラッキングエラー信号ＴＥＢ１０をモニターしたところ、オフセット量はゼロであった。
【００９７】
次に、レーザパワーを５．８ｍＷまで上げ、側壁Ｂのアニール処理を施しながらサブビーム１５のトラッキングエラー信号ＴＥＢ１をモニターしたところ、エラー信号の最大振幅に対して５％の大きさのプラスのオフセット量が検知された。そこで、補正モードＢにおいてプッシュプルトラッキングエラー信号ＴＥＢ３に＋１０％分の量のオフセットを加えてトラックオフセット量を補正した。
【００９８】
アニール処理モードＢでは、トラッキングオフセット量を補正したトラッキングエラー信号に基づいて側壁Ｂにトラッキングをかけ、内周から外周に向けて連続的にアニール処理を施した。この時、一周分の未アニール領域を残しておく。
【００９９】
次に、レーザパワーを１．５ｍＷ（アニール処理されないレーザーパワー）まで下げ、未アニール領域の側壁Ａに移動させ、ＴＥの極性を切り替えて、メインビームが側壁Ａのアニールを行う位置を走査するようにトラッキングをかけた。検知モードＡにおいてサブビーム１５のトラッキングエラー信号ＴＥＡ１０をモニターしたところ、オフセット量はゼロであった。
【０１００】
次に、レーザパワーを５．８ｍＷまで上げ、側壁Ａをアニール処理を施しながらサブビーム１５のトラッキングエラー信号ＴＥＡ１をモニターしたところ、エラー信号の最大振幅に対して５．４％の大きさのプラスのオフセット量が検知された。そこで、補正モードＡでプッシュプルトラッキングエラー信号ＴＥＡ３に−１０．８％分の量のオフセットを加えてトラックオフセット量を補正した。
【０１０１】
アニール処理モードＡでは、トラッキングオフセット量を補正したトラッキングエラー信号に基づいて側壁Ａにトラッキングをかけ、内周から外周に向けて連続的にアニール処理を施した。アニール処理後、高分子樹脂からなる保護コートを形成した。
【０１０２】
こうして作製した光磁気記録媒体に対して実施例１と同様に記録再生特性の評価を行ったところ、ランド、グルーブともにオフセットは無く、ランドでは２Ｅ−５、グルーブでは１Ｅ−５となり、ランド、グルーブ共に良好な特性が得られた。
【０１０３】
（実施例３）
実施例３では、実施例１と同様の構成の光磁気記録媒体を使用した。このように作製した光磁気記録媒体を実施例１と同様の光学系を用いてアニール処理を施した。
【０１０４】
レーザビーム５．８ｍＷ、線速４．５ｍ／ｓで光磁気記録媒体を回転させながら光磁気記録媒体の最内周の側壁Ｂに、メインビームより先行するサブビーム１５によるトラッキングエラー信号に基づいてメインビームが側壁Ｂのアニールを行う位置を走査するようにトラッキングをかけ、内周から外周に向けて連続的にアニール処理を施した。
【０１０５】
次に、レーザパワーを１．５ｍＷ（アニール処理されないレーザーパワー）まで下げ、最内周の側壁Ａに移動させ、メインビームより後行するサブビーム１７のトラッキングエラー信号に基づいてメインビームが側壁Ａのアニールを行う位置を走査するようにトラッキングサーボをかけた後にレーザパワーを５．８ｍＷまで上げ、内周から外周に向けてアニール処理を施した。アニール処理後、高分子樹脂からなる保護コートを形成した。
【０１０６】
こうして作製した光磁気記録媒体に対して実施例１と同様に記録再生特性の評価を行ったところ、ランド、グルーブともにオフセットは無く、ランドでは２Ｅ−５、グルーブでは１Ｅ−５となり、ランド、グルーブ共に良好な特性が得られた。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明による磁壁移動型光磁気記録媒体のアニール処理装置の第１の実施形態を示す構成図である。
【図２】図１のアニール処理装置のアニール処理手順を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施例の磁壁移動型光磁気記録媒体を示す断面図である。
【図４】磁壁移動型光磁気記録媒体の再生方法を説明する図である。
【図５】磁壁移動型光磁気記録媒体のランドとグルーブ間の側壁部をアニール処理する様子を示す模式的断面図である。
【図６】３ビーム法により磁壁移動型光磁気記録媒体の側壁部をアニール処理する場合のスポット配置を示す平面図である。
【図７】従来例のアニール処理装置を示す構成図である。
【図８】トラッキングエラー検出回路を示す回路図である。
【図９】ランドに対して外周側の側壁Ｂにアニール処理を施す際のスポット配置を示す平面図である。
【図１０】側壁Ｂにアニール処理を施す際のサブビームに対応するセンサ上のスポット及びその場合のサブビームによるトラッキングエラー信号及びプッシュプルトラッキングエラー信号を説明する図である。
【図１１】側壁Ｂにアニール処理後にランドに対して外周側の側壁Ａにアニール処理を施す際のスポット配置を示す平面図である。
【図１２】側壁Ｂにアニール処理後に側壁Ａにアニール処理を施す際のサブビームに対応するセンサ上のスポット及びその場合のサブビームによるトラッキングエラー信号及びプッシュプルトラッキングエラー信号を説明する図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１３  側壁
１５、１７  サブビーム
１６  メインビーム
３０  磁壁移動型光磁気記録媒体
３１  半導体レーザ
３２  グレーティング
３３  偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）
３４  コリメータ
３５  １／４波長板
３６  対物レンズ
３７  センサレンズ
４０  メインビームによるセンサ上のスポット
４１、４２  サブビームによるセンサ上のスポット
４３  センサ
４５  トラッキングエラー検出回路
４６  極性切替回路
４７  トラッキングコントロール回路
４８  オフセット補正回路
５０〜５２  差動アンプ
４００〜４０２  分割センサ
【図１】
2005235361.tif 000003
【図２】
2005235361.tif 000004
【図３】
2005235361.tif 000005
【図４】
2005235361.tif 000006
【図５】
2005235361.tif 000007
【図６】
2005235361.tif 000008
【図７】
2005235361.tif 000009
【図８】
2005235361.tif 000010
【図９】
2005235361.tif 000011
【図１０】
2005235361.tif 000012
【図１１】
2005235361.tif 000013
【図１２】
2005235361.tif 000014