(57)【要約】【課題】  表示画像の周辺部に生じるハレーションを確実に防止し、高輝度で高コントラストの画像表示が得られる画像表示装置を提供する。【解決手段】  陽極ＡＤＥの背面に、電子ビームが射突した際に発生する二次電子の陽極ＡＤＥへの再突入を低減させるカーボン膜ＭＥＣを設けることにより、一次電子ｅ１が射突しても陽極ＡＤＥから二次電子が放出され難くなるとともに、放出された微量の二次電子は主としてエネルギーの小さい電子で形成されることから、散乱し、陽極ＡＤＥに再突入され難くなる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内面に蛍光体，ブラックマトリクス及び陽極を有する前面基板と、
複数の電子源を内面に有し、且つ前記前面基板と所定の間隔を有して対向配置された背面基板と、
前記前面基板と前記背面基板との間で前記表示領域を周回して介挿され、前記所定の間隔を保持する枠体と、
を備え、
前記陽極の背面上に前記陽極に電子ビームが射突した際に発生する二次電子の再突入を低減させる二次電子抑制膜を設けたことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
内面に蛍光体，ブラックマトリクス及び陽極を有する前面基板と、
複数の電子源を内面に有し、且つ前記前面基板と所定の間隔を有して対向配置された背面基板と、
前記前面基板と前記背面基板との間に前記表示領域を周回して介挿され、前記所定の間隔を保持する枠体と、
前記前面基板と前記背面基板との間に植立挟持されて当該前面基板と背面基板とを所定の間隔に保持する間隔保持部材と、
を備え、
前記陽極の背面上で前記間隔保持部材を避ける位置に前記陽極に電子ビームが射突した際に発生する二次電子の再突入を低減させる二次電子抑制膜を設けたことを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
前記二次電子抑制膜は、不連続膜で形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記二次電子抑制膜は、少なくとも一層のカーボン膜で形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記二次電子抑制膜は、カーボン膜と黒鉛膜との積層膜で形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記二次電子抑制膜は、少なくとも一層のボロン膜からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記二次電子抑制膜は、ボロン膜と黒鉛膜との積層膜で形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、前面基板と背面基板との間に形成される真空中への電子放出を利用した画像表示装置に係り、特に陽極に電子ビームが射突した際に発生する二次電子の再突入を低減させる二次電子放出抑制構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高輝度，高精細に優れたディスプレイデバイスとして従来からカラー陰極線管が広く用いられている。しかしながら、近年の情報処理装置やテレビ放送の高画質化に伴い、高輝度，高精細の特性を有すると共に軽量，省スペースの平板状ディスプレイ（パネルディスプレイ）の要求が高まっている。
【０００３】
その典型的な例として液晶表示装置，プラズマ表示装置などが実用化されている。また、特に高輝度化が可能なものとして電子源から真空中への電子放出を利用した画像表示装置（以下、電子放出型表示装置または電界放出型表示装置と呼ばれる。以下、ＦＥＤと呼ぶ）や低消費電力を特徴とする有機ＥＬディスプレイなど種々の型式のパネル型表示装置が実用化されている。
【０００４】
このようなパネル型の画像表示装置のうち、上記電界放出型表示装置には、C.A.Spindtらにより発案された電子放出構造を有するもの、メタル−インシュレータ−メタル（ＭＩＭ）型の電子放出構造を有するもの、量子論的トンネル効果による電子放出現象を利用する電子放出構造（表面伝導型電子源とも呼ばれる）を有するもの、さらにはダイアモンド膜やグラファイト膜，カーボンナノチューブによる電子放出現象を利用するものなどが知られている。
【０００５】
電界放出型の画像表示装置は、内面に電界放出型の電子源を有する陰極配線と制御電極とを形成した背面基板と、この背面基板と対向する内面に陽極と蛍光体とを形成した前面基板とを有し、両者の内周縁に封止枠を介挿して貼り合わせ、その内部を真空にして構成される。上記制御電極は陰極配線とは絶縁層を介してあるいは絶縁間隙を有して当該陰極配線と交差させて設置される。
【０００６】
また、上記制御電極には、陰極配線上に有する電子源からの電子を通過させる単数または複数の開孔を画素毎に有している。さらに背面基板と前面基板との間の間隔を所定値に保持するために当該背面基板と前面基板との間に間隔保持部材を設けているものもある。背面基板と前面基板との間の間隔を保持するための間隔保持部材は、例えばガラスやセラミックスの薄板で形成され、画素を避けた位置に植立される。
【０００７】
図７は、ＦＥＤの基本構造を模式的に説明する一画素近傍の要部拡大断面図である。図７において、背面基板ＳＵＢ１の内面に電界放出型の電子源としての陰極Ｋを有する陰極配線ＣＬと制御電極Ｇとを形成した背面パネルＰＮ１と、この背面パネルＰＮ１と対向する透光性の前面基板ＳＵＢ２の内面に蛍光体ＰＨＳとブラックマトリクスＢＭと陽極ＡＤＥとを形成した前面パネルＰＮ２とを有し、両者の内周縁に封止枠を介挿して貼り合わせて真空容器（外囲器）を形成し、その内部を真空状態にして構成される。なお、この種の従来技術に関しては、例えば下記特許文献１及び特許文献２を挙げることができる。
【０００８】
このように構成されるＦＥＤは、背面基板ＳＵＢ１上の陰極配線ＣＬに設けた陰極Ｋと、前面基板ＳＵＢ２上に設けた陽極ＡＤＥとの間に電子通過孔ＥＨＬを有する制御電極Ｇを設け、制御電極Ｇに陰極配線ＣＬに対して所定の電位差を与えることにより、陰極Ｋから電子Ｅを引き出し、この電子Ｅを制御電極Ｇの電子通過孔ＥＨＬを通過させ、陽極ＡＤＥ上の蛍光体ＰＨＳに射突させることにより画像表示が行われる。
【０００９】
また、このように構成されるＦＥＤは、陽極ＡＤＥと陰極配線ＣＬとの対向間寸法が数ｍｍ程度を有して構成されており、陽極ＡＤＥには蛍光体ＰＨＳを効率良く発光させるために陽極電圧Ｅｂ＝１３±３ｋＶ程度の高電圧が印加され、制御電極Ｇには制御電圧Ｅｇ＝１ｋＶ以下の電圧が、さらに陰極Ｋには陰極電圧Ｅｋ＝数１００Ｖが夫々印加されて駆動される。
【００１０】
このためにＦＥＤでは、陽極電圧Ｅｂが他の各電極電圧と比較して極めて高いことから、その間に急峻な電位勾配が形成されるので、図８に要部拡大断面図で示すように電子ビームを形成する一次電子ｅ１が陽極ＡＤＥに射突した際に発生する反射電子も含む二次電子ｅ２が再び電界によって陽極ＡＤＥに再突入し、隣接する蛍光体ＰＨＳを励起させ、発光させる。このため、実際に発光している表示画像の周辺部に二次電子ｅ２の再突入に起因するハレーションが発生し、コントラストを低下させる最大の要因となっていた。
【００１１】
このような問題を解決する手段としては、陽極ＡＤＥ上に形成されている蛍光体ＰＨＳの上部にアルミニウム層をその膜厚を調整して形成し、二次電子のアルミニウム層への再突入効率を３０％以下に抑えることにより、若干の輝度低下範囲内でハレーションを減少させ、コントラストを向上させた画像表示装置が開示されている。なお、この種の従来技術に関しては、例えば下記特許文献３を挙げることができる。
【００１２】
また、このような問題を解決する他の手段としては、陽極ＡＤＥ上に形成されている蛍光体ＰＨＳの上部にその光反射層としての第１の導電層（アルミニウム層）と第一次電子の散乱を制御する第２の導電層（カーボン層）とを順次形成することによってメタルバック層としての機能と散乱抑制機能とを同時に得ることにより、コントラスト及び色純度を向上させた電界放出型ディスプレイ装置が開示されている。なお、この種の従来技術に関しては、例えば下記特許文献４を挙げることができる。
【特許文献１】特開平１０−１３４７０１号公報
【特許文献２】特開２０００−３０６５０８号公報
【特許文献３】特開平５−３１４９３２号公報
【特許文献４】特開平１０−３２１１６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、特許文献３に記載されている表示装置では、アルミニウム層の厚さを調整することにより、アルミニウム層から発生した二次電子の内で再びアルミニウム層を通過して蛍光体に再突入する電子を３０％以下に抑え、輝度低下の必要最低限内でハレーションを減少させているが、高輝度発光時における表示画像の周辺部に生じるハレーションを確実に防止させることができない。
【００１４】
また、特許文献４に記載されている表示装置では、アルミニウム層とカーボン層とを順次形成することにより、メタルバック層としての機能及び一次電子の散乱抑制機能を同時に実現させているが、高輝度発光時における表示画像の周辺部に生じるハレーションを確実に防止させることができない。
【００１５】
したがって、本発明は前述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、高輝度発光時に表示画像の周辺部に生じる上述のハレーションを防止し、高輝度で高コントラストの画像表示が得られる画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
背景技術の課題は、内面に蛍光体，ブラックマトリクス及び陽極を有する前面基板と、複数の電子源を内面に有し、且つ前面基板と所定の間隔を有して対向配置された背面基板と、前面基板と背面基板との間で表示領域を周回して介挿され、所定の間隔を保持する枠体とを備え、陽極の背面上にこの陽極に電子ビームが射突した際に発生する二次電子の再突入を低減させる二次電子抑制膜を設けることにより、一次電子の射突により陽極から二次電子が放出され難くなるとともに、放出された微量の二次電子は主としてエネルギーの小さい電子で形成されることから、散乱し、それが再び電界によって陽極に再突入され難くなることで解決できる。
【００１７】
また、背景技術の課題は、内面に蛍光体，ブラックマトリクス及び陽極を有する前面基板と、複数の電子源を内面に有し、且つ前面基板と所定の間隔を有して対向配置された背面基板と、前面基板と背面基板との間に表示領域を周回して介挿され、所定の間隔を保持する枠体と、前面基板と背面基板との間に植立挟持されて当該前面基板と背面基板とを所定の間隔に保持する間隔保持部材とを備え、陽極の背面上で間隔保持部材を避ける位置に陽極に電子ビームが射突した際に発生する二次電子の再突入を低減させる二次電子抑制膜を設けることにより、一次電子の射突により陽極から二次電子が放出され難くなるとともに、放出された微量の二次電子は主としてエネルギーの小さい電子で形成されることから、散乱し、それが再び電界によって陽極に再突入され難くなることで解決できる。
【００１８】
また、二次電子抑制膜を不連続膜（島状）に形成することにより、一次電子の射突により陽極から二次電子が放出され難くなるとともに、放出された微量の二次電子は散乱し、陽極に再突入され難くなることで背景技術の課題を解決できる。
【００１９】
さらに、二次電子抑制膜を少なくとも一層のカーボン膜で形成することにより、一次電子の射突により陽極から二次電子が放出され難くなるとともに、放出された微量の二次電子は散乱し、陽極に再突入され難くなることで背景技術の課題を解決できる。
【００２０】
また、二次電子抑制膜をカーボン膜と黒鉛膜との積層膜で形成することにより、一次電子の射突により陽極から二次電子が放出され難くなるとともに、放出された微量の二次電子は散乱し、陽極に再突入され難くなることで背景技術の課題を解決できる。
【００２１】
また、二次電子抑制膜を少なくとも一層のボロン膜で形成することにより、一次電子の射突により陽極から二次電子が放出され難くなるとともに、放出された微量の二次電子は散乱し、陽極に再突入され難くなることで背景技術の課題を解決できる。
【００２２】
また、二次電子抑制膜をボロン膜と黒鉛膜との積層膜で形成することにより、一次電子の射突により陽極から二次電子が放出され難くなるとともに、放出された微量の二次電子は散乱し、陽極に再突入され難くなることで背景技術の課題を解決できる。
【００２３】
なお、本発明は、上記各構成及び後述する実施の形態に記載される構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、陽極の背面に、陽極に電子ビームが入射した際に発生する二次電子の再突入を阻止する二次電子抑制膜を設けることにより、一次電子が射突しても陽極から反射電子を含む二次電子が放出され難くなるとともに、放出された微量の二次電子は散乱し、それが再び電界によって陽極に再突入され難くなるので、明るい表示画像の周辺部にハレーションが発生しなくなり、また、画面全体が暈けるディフォーカス状態の発生もなくなるので、高輝度で高コントラストの画像表示が得られるという極めて優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の具体的な実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２６】
図１は、本発明による画像表示装置の一実施例によるＦＥＤの全体構成を模式的に説明する要部断面図である。図１において、ＳＵＢ１はガラス板などを好適とする絶縁性基板からなり背面パネルＰＮ１を構成する背面基板であり、この背面基板ＳＵＢ１の内面には、一方向ｙ（ここでは垂直方向）に延在し、他方向ｘ（ここでは水平方向）に並設され、かつ電子源としての陰極Ｋを有する複数の陰極配線ＣＬが形成されている。
【００２７】
また、この背面パネルＰＮ１上には、陰極配線ＣＬと非接触状態で交差し、且つｘ方向に延在し、ｙ方向に並設される陰極配線ＣＬとの交差部に画素を形成して陰極Ｋから放出する電子Ｅを前面パネルＰＮ２側に通過させる複数の電子通過孔ＥＨＬを有する制御電極Ｇが非接触状態で対向して配置されている。
【００２８】
この陰極配線ＣＬは、例えば銀などを含む導電性ペーストを印刷などによりパターニングし、焼成して形成される。また、これら陰極配線ＣＬの交差部分の上面（前面基板ＳＵＢ２側）に配置される陰極Ｋは、例えばＣＮＴ（カーボンナノチューブ）が用いられており、一例としてＡｇ−Ｂ−ＣＮＴペーストを印刷などによりパターニングさせ、焼成して形成されている。
【００２９】
また、制御電極Ｇは、例えばニッケルなどの導電性金属板材からなる薄板をフォトリソグラフィ法によるエッチング加工法により円形状の電子通過孔ＥＨＬが画素毎に穿設されて形成され、背面パネルＰＮ１の表示領域ＡＲの外側で固定配置される構造となっている。
【００３０】
一方、背面パネルＰＮ１に対してｚ方向に図示しない枠体により所定の間隔を有して前面パネルＰＮ２が貼り合わされている。この前面パネルＰＮ２は、ガラス板などの透光性絶縁基板からなる板厚約２．８ｍｍの前面基板ＳＵＢ２の内面にブラックマトリクスＢＭで区画された蛍光体ＰＨＳが形成され、さらにこれらのブラックマトリクスＢＭ及び蛍光体ＰＨＳの背面には、例えばアルミニウム材の蒸着膜からなる陽極ＡＤＥが形成されている。
【００３１】
また、前面基板ＳＵＢ２の内面に形成された陽極ＡＤＥの制御電極Ｇと対向する背面上の全面には、二次電子抑制膜として二次電子放出比の小さい例えばカーボン材をスパッタリング法などによりコーティングさせて図２に要部拡大断面図で示すようにカーボン膜ＭＥＣが形成されている。なお、このカーボン膜ＭＥＣの形成は、スパッタリング法に限らず、抵抗蒸着法または電子ビーム蒸着法などにより約５００Å〜約２５００Å程度の膜厚で成膜しても良い。
【００３２】
さらに、背面パネルＰＮ１と前面パネルＰＬ２との間は、前面基板ＳＵＢ２と背面基板ＳＵＢ１との間に両基板間を所定間隔に保持する間隔保持部材ＳＰが植立挟持され、両者の内周縁に図示しない封止枠を介挿して貼り合わせて真空容器を形成し、その内部を真空状態にして構成される。
【００３３】
このような構成において、陽極ＡＤＥの背面上に二次電子抑制膜としてカーボン膜ＭＥＣで覆うことにより、陽極ＡＤＥには陽極電圧Ｅｂ＝１３±３ｋＶ程度の高電圧が印加され、急峻な電位勾配が設定され、大電流が供給されても、一次電子ｅ１の射突により陽極ＡＤＥから反射電子も含む二次電子ｅ２が放出され難くなるとともに、放出された微量の二次電子ｅ２は主としてエネルギーの小さいで電子で形成されることから、散乱し、それが再び電界によって陽極ＡＤＥに再突入され難くなるので、二次電子ｅ２の再突入に起因する蛍光体ＰＨＳの発光がなくなり、これによって明るい表示画像の周辺部にハレーションが発生しなくなり、さらに、画面全体が暈けるディフォーカス状態の発生もなくなるので、高輝度で高コントラストの画像表示が得られる。
【００３４】
また、このような構成において、二次電子抑制膜としてカーボン膜ＭＥＣを用いることにより、ＦＥＤの製造工程中で約４４０℃で３０分間行われる加熱処理工程における熱損傷が軽減されるので、歩留まり及び信頼性を大幅に向上させることができる。
【００３５】
なお、このカーボン膜ＭＥＣの膜厚は、約５００Å〜約２５００Åの範囲としたが、この膜厚が５００Å未満では、二次電子ｅ２が陽極ＡＤＥに透過し易くなるので、充分な二次電子抑制効果が得られず、また、その膜厚が約２５００Åを超えると、電子ビームのエネルギー損失が大きくなり、電子ビームの透過率が約９０％以下となって蛍光体ＰＨＳに到達し難くなり、充分な発光輝度が得られなくなることから、約５００Å〜約２５００Åの範囲が望ましい。
【００３６】
なお、このカーボン膜ＭＥＣは、陽極ＡＤＥの背面上にカーボン材の単層で形成した場合について説明したが、複数層にわたって積層した多層構造で形成しても同様の効果が得られる。また、このカーボン膜ＭＥＣは、陽極ＡＤＥの背面上の全面に連続させて形成したが、図３に要部拡大断面図で示すように各色蛍光体ＰＨＳ（ＰＨＳ（Ｒ），ＰＨＳ（Ｇ），ＰＨＳ（Ｂ））と対応する部分に不連続（島状）に形成しても前述と全く同様の効果が得られる。この場合、島状に形成するカーボン膜ＭＥＣは、カーボンの微粉末（粒径約１０μｍ〜約３０μｍ）をバインダーに分散させ、スラリー状にしてマスクを介してスプレーコートする方法により容易に成膜できる。
【実施例２】
【００３７】
図４は、本発明による画像表示装置の他の実施例によるＦＥＤの構成を模式的に説明する要部拡大断面図である。図４に示すＦＥＤは、図１に示すように前面基板ＳＵＢ２と背面基板ＳＵＢ１との間には、前面基板ＳＵＢ２と背面基板ＳＵＢ１との間の間隔を所定値に保持させる間隔保持部材ＳＰが配設されており、この間隔保持部材ＳＰは、例えばガラスやセラミックス材などの薄板で形成され、画素を避けた位置、例えばブラックマトリクスＢＭ上に植立挟持されている。
【００３８】
本実施例では、図４に示すように陽極ＡＤＥの背面上に形成する二次電子抑制膜としてのカーボン膜ＭＥＣは、間隔保持部材ＳＰを避ける領域に形成されている。この場合も、カーボン膜ＭＥＣは、カーボンの微粉末をバインダーに分散させ、スラリー状にして間隔保持部材ＳＰの配置領域をマスクしてスプレーコートする方法により容易に成膜できる。このような構成においても、上述と全く同様の効果が得られる。
【００３９】
なお、上述した実施例では二次電子抑制膜としてカーボン膜ＭＥＣの単層のみを形成した場合について説明したが、図５に要部拡大断面図で示すようにカーボン膜ＭＥＣの上面に黒鉛膜ＭＥＧを形成させて二層構造で構成しても良い。この場合も、これらのカーボン膜ＭＥＣ及び黒鉛膜ＭＥＧの成膜方法は、前述した各種の形成方法のいずれを用いても良く、特に限定されるものではない。
【００４０】
また、二次電子抑制膜の他の実施例として上記カーボン膜ＭＥＣに代えて黒鉛膜ＭＥＧの単層のみを形成しても良い。この黒鉛膜ＭＥＧは、黒鉛の微粉末をバインダーに分散させ、スラリー状にしてマスクを介してスプレーコートする方法により成膜することで材料費及び製造コストが安価となり、低コストでの製作が可能となる。
【００４１】
このような構成においても、上述と全く同様の効果が得られる。また、陽極ＡＤＥの背面上で最表面に黒鉛膜ＭＥＧを成膜することにより、ＦＥＤの製造工程中における約４４０℃で３０分間行われる加熱処理工程で発生する熱損傷が少なく、安定性が高くなるので、歩留まり及び信頼性をさらに大幅に向上させることができる。
【００４２】
また、二次電子抑制膜のさらに他の実施例として上述したカーボン膜または黒鉛膜ＭＥＧに代えてアルミニウムよりも原子番号が小さく、且つ安定性の高いボロン膜を形成しても良い。さらにこのボロン膜の表面にカーボン膜を形成し、２層構造で形成しても良い。また、ボロン膜に代えてボロン酸化膜を用いても良い。なお、この場合も、これらのボロン膜，ボロン酸化膜及びカーボン膜ＭＥＣの成膜方法は、前述した各種の形成方法のいずれを用いても良く、特に限定されるものではない。
【００４３】
このような構成においても、上述と全く同様の効果が得られる。また、ボロン膜を用いた場合には、ボロン材料が上述した黒鉛材料よりも材料費が若干高価であるが、ボロンの微粉末をバインダーに分散させ、スラリー状にしてスプレーコートする方法により成膜する手段を採用することで製造コストが安価となるので、材料費のコスト高を吸収でき、トータル的には低コストで製作が可能となる。
【００４４】
図６は、本発明による本発明による画像表示装置の他の実施例によるＦＥＤの構成を示す要部拡大断面図であり、前述の図と同一部分には同一符号を付しその説明は省略する。図６において、図５と異なる点は、前面基板ＳＵＢ２の内面に形成された陽極ＡＤＥの制御電極Ｇと対向する背面上の全面にはハレーション防止膜として二次電子を放出し難く、且つこの二次電子が陽極ＡＤＥに透過し難い程度の膜厚を有するアルミニウム膜ＡＬＰが例えばスパッタリング法などによりコーティングされている。
【００４５】
なお、このアルミニウム膜ＡＬＰの形成は、スパッタリング法に限らず、抵抗蒸着法または電子ビーム蒸着法などにより約１０００Å〜約１００００Å程度の膜厚で成膜されている。陽極電圧Ｅｂ＝１３ｋＶ程度では、約１０００Å未満では二次電子をカットする効果は少なく、できれば約２０００Å以上が望ましい。逆に約１００００Å以上ではビーム透過率の低下に伴う輝度不足が発生するとともに、形成したＡｌ膜の下地蛍光膜からのガス放出（例えば、樹脂，フィルミング膜の分解時に発生するガス）によりＡｌが蛍光膜から剥離してしまう現象が見られるので、工程中の良品率を考慮すると、約７０００Å以下が望ましい。
【００４６】
このような構成において、陽極ＡＤＥの背面にアルミニウム膜ＡＬＰを形成したことにより、二次電子のうちの低エネルギー電子が陽極ＡＤＥに通過しないローカットフィルタが形成されるので、陽極ＡＤＥから放出された微量の二次電子ｅ２のうちの低エネルギー電子が陽極ＡＤＥに再突入され難くなり、低エネルギー電子の再突入に起因する蛍光体ＰＨＳの発光がなくなり、明るい表示画像の周辺部に発生するハレーションを防止することができる。
【００４７】
なお、前述した実施例においては、内面に蛍光体及びブラックマトリクスを有し、蛍光体及びブラックマトリクスの背面に陽極を有する前面基板を用いたＦＥＤに適用した場合について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、内面に陽極を有し、この陽極の背面に蛍光体及びブラックマトリクスを有する前面基板を用いたＦＥＤに適用しても前述と全く同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００４８】
また、前述した実施例においては、ＦＥＤに適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、フィールドエミッションパネルを用いたディスプレイや受像機などに適用しても前述と全く同様の効果が得られることは勿論である。
【００４９】
さらに前述した実施例においては、電子源としてＣＮＴ（カーボンナノチューブ）を用いたＦＥＤに適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＭＩＭ（メタル−インシュレータ−メタル）などの電子源を用いたＦＥＤに適用しても前述と全く同様の効果が得られることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明による画像表示装置の一実施例による構成を説明する図である。
【図２】図１に示す画像表示装置の前面基板の構成を示す要部拡大断面図である。
【図３】本発明による画像表示装置の他の実施例による構成を示す前面パネルの要部拡大断面図である。
【図４】本発明による画像表示装置のさらに他の実施例による構成を示す前面基板の要部拡大断面図である。
【図５】本発明による画像表示装置の他の実施例による構成を示す前面基板の要部拡大断面図である。
【図６】本発明による画像表示装置の他の実施例による構成を示す前面基板の要部拡大断面図である。
【図７】画像表示装置の基本構造を示す要部断面図である。
【図８】図７に示す画像表示装置の背景技術の課題を説明する前面基板の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
ＳＵＢ１・・・背面基板、ＳＵＢ２・・・前面基板、ＰＮ１・・・背面パネル、ＰＮ２・・・前面パネル、ＰＨＳ・・・蛍光体、ＢＭ・・・ブラックマトリクス、ＡＤＥ・・・陽極、Ｇ・・・制御電極、ＥＨＬ・・・電子通過孔、Ｅ・・・電子ビーム、ｅ１・・・一次電子、ｅ２・・・二次電子、Ｋ・・・陰極、ＣＬ・・・陰極配線、ＳＰ・・・間隔保持部材、ＭＥＣ・・・カーボン膜、ＭＥＧ・・・黒鉛膜、ＡＬＰ・・・アルミニウム膜。
【図１】
2005235655.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005235655.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005235655.tif 000007
【図６】
2005235655.tif 000008
【図７】
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【図８】
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