(57)【要約】【課題】  発光素子の電極の抵抗、及び発光素子の特性ばらつきに起因する表示むらが低減され、表示面内で均一な表示輝度を得ることができる表示装置を提供する。【解決手段】  本発明の有機ＥＬ表示装置は、その１表示単位を構成する画素３に、発光層を含むＥＬ層２７を備えた発光素子５０と、この発光素子５０と電気的に接続された電位制御部５１とが設けられた構成を備えており、前記電位制御部５１により共通電極２８の電位を制御可能となっている。電位制御部５１は、複数の発光素子５０に跨って形成された共通電極の電位を制御可能に配設されていても良い。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の電極と、発光層を含む機能層と、第２の電極とを順次積層してなる発光素子を複数配列してなる表示領域を備えた表示装置であって、
前記表示領域内に、前記第２の電極の電位を制御する電位制御部が複数設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記表示領域内に複数の前記第２の電極が設けられるとともに、各々の前記第２の電極に対応して前記電位制御部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２の電極は、当該表示装置の１表示単位を構成する複数の前記発光素子に跨って形成されていることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２の電極は、前記発光素子毎に設けられており、各々の前記第２の電極に対応して前記電位制御部が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記電位制御部は、前記第２の電極と接続されて可変抵抗素子として機能する電位制御素子を含んでいることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記電位制御部は、キャパシタを介して前記第２の電極に接続された電位制御素子を備えていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記複数の発光素子に対応して設けられ、前記第１の電極と導電接続された画素駆動用スイッチング素子をさらに備えており、
前記画素駆動用スイッチング素子と、前記電位制御素子とは、略同一の構成であることを特徴とする請求項５又は６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記電位制御素子は、前記第１の電極と同層に設けられた同一材質の電極部材を介して前記第２の電極と導電接続されていることを特徴とする請求項５ないし７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記複数の電位制御部に接続された電圧補正手段をさらに備え、
前記電圧補正手段は、前記複数の発光素子の発光特性に基づき算出された電圧補正情報を前記電位制御部に対して供給可能とされていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記電圧補正手段は、前記各第１の電極に印加された電圧値を保持する電圧値保持手段と、該電圧値保持手段に保持された電圧値に基づき電圧補正情報を算出する補正情報算出手段とを備えていることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記補正情報算出手段は、前記第１の電極の電圧値と、前記電位制御部に出力する電圧補正情報と関連づけたルックアップテーブルを備えていることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記電圧補正手段は、前記表示領域の輝度分布に基づき設定された電圧補正情報を前記電位制御部に対して供給可能とされていることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記画素駆動用スイッチング素子は、薄膜トランジスタ素子であり、
前記電圧補正手段は、前記各薄膜トランジスタ素子の閾値又は易導度に基づき設定された電圧補正情報を前記電位制御部に対して供給可能とされていることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記電圧補正手段は、前記表示領域における輝度分布と、前記電圧補正情報とを関連づけたルックアップテーブルを備えていることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
基板上に第１の電極と、発光層を含む機能層と、第２の電極とを順次積層してなる発光素子を複数配列してなる表示領域を備えた表示装置の駆動方法であって、
前記表示領域内の複数箇所において前記第２の電極の電位を制御しつつ表示を行うことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１６】
前記第２の電極が複数設けられた表示装置において、前記複数の第２の電極毎に電位を制御することを特徴とする請求項１５に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１７】
前記第２の電極が１表示単位を構成する複数の発光素子に跨って形成された表示装置において、前記第２の電極の電位を、前記表示単位毎に制御することを特徴とする請求項１６に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１８】
前記第２の電極が前記各発光素子毎に設けられた表示装置において、前記第２の電極の電位を、前記各発光素子毎に制御することを特徴とする請求項１６に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１９】
前記第２の電極の電位を制御するに際して、
前記複数の発光素子の発光特性に基づき設定された電圧補正情報を用いて、前記第２の電極に印加する電圧を補正することを特徴とする請求項１５ないし１８のいずれか１項に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２０】
前記第２の電極の電位を制御するに際して、
前記複数の発光素子の第１の電極に印加された電圧値に基づき算出した電圧補正情報を用いて、前記第２の電極に印加する電圧を補正することを特徴とする請求項１９に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２１】
前記第２の電極への印加電圧を補正するに際して、
前記第１の電極に印加された電圧値と、前記電圧補正情報とを関連づけたルックアップテーブルを参照して前記電圧補正情報を得ることを特徴とする請求項２０に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２２】
前記第２の電極の電位を制御するに際して、
前記表示領域の輝度分布に基づく電圧補正情報を用いて、前記第２の電極に印加する電圧を補正することを特徴とする請求項１９に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２３】
前記第２の電極への印加電圧を補正するに際して、
前記表示領域の輝度分布と、前記電圧補正情報とを関連づけたルックアップテーブルを参照して前記電圧補正情報を得ることを特徴とする請求項２２に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２４】
請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその駆動方法、並びに電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
バックライトなどを必要としない自発光素子を備えた表示装置として、近年、エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称す）素子を備えたＥＬ表示装置が注目されている。ＥＬ表示装置は、ＥＬ層（発光層）を一対の電極により挟持した発光素子を、基板面内に複数設けた構成を備えたもので、アクティブマトリクス型の表示装置では、一方の電極を基板上に個別に設け、他方の電極をベタ状の共通電極とした構成が一般的である。この種のＥＬ表示装置は、供給された電流値に応じてＥＬ層が発光するようになっているため、基板と電極との間の抵抗を原因とする電流量の低下が生じると、ＥＬ層の発光輝度が低下し、その結果表示特性が劣化するという問題を有している。このような表示劣化は、特にベタ状に形成される共通電極の抵抗による電圧降下を原因として生じやすい。例えば画面サイズが対角２０インチ以上の大型のＥＬ表示装置の場合、共通電極の抵抗による電圧降下が顕著となる。また、一般に、従来のＥＬ表示装置は、光透過性を有する基板上に形成された有機ＥＬ素子から前記基板を通して下方に光を放つボトムエミッション構造と、基板上に形成された有機ＥＬ素子から上方に光を放つトップエミッション構造とに分類できる。特にトップエミッション構造のＥＬ表示装置では共通電極として透明導電材料を用いるため、光透過性を有さない金属電極と比較して抵抗が大きくなり共通電極の電圧降下が顕著となる。
そこで、このような電圧降下を防止するために、画素境界領域に上部電極とコンタクトするリブを設け、補助配線として用いる構成が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３１８５５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記文献に記載の技術によれば、確かに上部電極の抵抗による電圧降下は低減することができ、係る電圧降下に起因する表示むらは低減するが根本的に解消できないと考えられる。また、この種の表示装置にて生じる表示むらは、上記電圧降下を原因とするものに限られず、例えば画素を構成する発光素子毎のばらつきによっても生じる表示むらもある。特に、各発光素子をＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子等のスイッチング素子により駆動するアクティブマトリクス型の表示装置では、スイッチング素子の特性ばらつきにより発光素子の輝度が大きく変化し、表示むらを生じる場合がある。
【０００４】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、発光素子の電極の抵抗、及び発光素子の特性ばらつきに起因する表示むらが低減され、表示面内で均一な表示輝度を得ることができる表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するために、基板上に第１の電極と、発光層を含む機能層と、第２の電極とを順次積層してなる発光素子を複数配列してなる表示領域を備えた表示装置であって、前記表示領域内に、前記第２の電極の電位を制御する電位制御部が複数設けられていることを特徴とする表示装置を提供する。
この構成によれば、発光素子の第２の電極に接続された複数の電位制御部を設けたことで、前記第２の電極の電位を、複数箇所において制御することが可能になり、第２の電極を高抵抗の透明導電材料で形成した場合にも、表示領域内で電圧降下が生じるのを効果的に防止できる。また第２の電極を任意の電位に保持することができるため、発光素子の特性ばらつきに起因して生じる輝度むらを緩和するべく発光素子に印加する電圧を調整することが可能になり、表示むらが低減された高画質の表示を得ることができる。
【０００６】
本発明の表示装置では、前記表示領域内に複数の前記第２の電極が設けられるとともに、各々の前記第２の電極に対応して前記電位制御部が設けられている構成とすることができる。この構成によれば、表示領域内に複数設けられた第２の電極について互いに独立に電位を設定することが可能であり、より効果的に発光素子の特性ばらつきに起因する輝度むらを防止することができる。
【０００７】
本発明の表示装置では、前記第２の電極は、当該表示装置の１表示単位を構成する複数の前記発光素子に跨って形成されている構成とすることができる。係る構成としては、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の発光素子により１表示単位を構成しており、上記第２の電極は、これら３色の発光素子に跨って形成されている構成を例示できる。この構成によれば、１表示単位毎に輝度を調整でき、表示領域内で均一な表示輝度を得ることができる。
【０００８】
本発明の表示装置では、前記第２の電極は、前記発光素子毎に設けられており、各々の前記第２の電極に対応して前記電位制御部が設けられている構成とすることができる。この構成では、表示の最小単位を構成する発光素子毎に上記第２の電極の電位を制御することが可能になっている。従って本構成の表示装置によれば、極めて高度に発光素子毎の輝度が制御され、表示輝度の均一性に特に優れた表示装置を提供することができる。
【０００９】
本発明の表示装置では、前記電位制御部は、前記第２の電極と接続されて可変抵抗素子として機能する電位制御素子を含んでいる構成であっても良い。あるいは、本発明の表示装置では、前記電位制御部は、キャパシタを介して前記第２の電極に接続された電位制御素子を備えている構成であってもよい。
これらいずれの構成においても、良好な電位制御性を得ることができ、表示輝度の均一性向上を達成できる。上記電位制御素子には、１又は複数の電圧制御回路を追加することができる。
【００１０】
本発明の表示装置では、前記複数の発光素子に対応して設けられ、前記第１の電極と導電接続された画素駆動用スイッチング素子をさらに備えており、前記画素駆動用スイッチング素子と、前記電位制御素子とは、略同一の構成である構成とすることができる。この構成によれば、前記電位制御素子と画素駆動用スイッチング素子とは同工程にて同時に形成することが可能であり、電位制御部を備えたことによる大幅な工程変更や工数の増加を生じることがなく、効率的に製造を行うことができる。
さらには、発光素子の電流制御を行うためにその画素駆動回路に実装される場合がある、カレントミラー回路や電流プログラム回路、電圧プログラム回路を、電位制御部について設けることもできる。この場合、これらのプログラム回路も含めて発光素子と電位制御部とを略同一構成とすることができるため、工数等の増加を抑えつつ、電位制御部による電位制御性の向上効果を得られる。
【００１１】
本発明の表示装置では、前記電位制御素子は、前記第１の電極と同層に設けられた同一材質の電極部材を介して前記第２の電極と導電接続されている構成とすることができる。このような構成とすれば、電位制御部は、製造上第１の電極と第２の電極とを積層した構造となるので、発光素子と電位制御部とが類似の構造となり、製造の容易性を高めることができる。
【００１２】
本発明の表示装置では、前記複数の電位制御部に接続された電圧補正手段をさらに備え、前記電圧補正手段は、前記複数の発光素子の発光特性に基づき算出された電圧補正情報を前記電位制御部に対して供給可能とされている構成であっても良い。すなわち、発光素子の光学的／電気回路的ばらつきに基づき算出した電圧補正情報を用いて前記第２の電極に印加することができるため、高度に印加電圧を制御しつつ発光素子の駆動を行えるようになる。これにより、輝度の均一性に優れた表示装置を得ることができる。
【００１３】
本発明の表示装置では、前記電圧補正手段は、前記各第１の電極に印加された電圧値を保持する電圧値保持手段と、該電圧値保持手段に保持された電圧値に基づき電圧補正情報を算出する補正情報算出手段とを備えている構成としても良い。この構成によれば、発光素子に印加した電圧値に基づき発光特性のばらつきを見積もり、発光素子への印加電圧を補正することができる。
【００１４】
本発明の表示装置では、前記補正情報算出手段は、前記第１の電極の電圧値と、前記電位制御部に出力する電圧補正情報と関連づけたルックアップテーブルを備えている構成とすることが好ましい。このようなルックアップテーブル参照方式とすることで、正確な電圧補正情報を簡素な回路にて高速に得ることができ、表示装置の小型化、低消費電力化、高速化の点で有効である。
【００１５】
本発明の表示装置では、前記表示領域の輝度分布に基づき設定された電圧補正情報を前記電位制御部に対して供給可能とされている構成とすることもできる。この構成によれば、前記表示領域における輝度ばらつきを補正するべく前記第２の電極に電圧を印加することができ、表示輝度が高度に均一化された表示装置を得ることができる。
【００１６】
本発明の表示装置では、前記画素駆動用スイッチング素子は、薄膜トランジスタ素子であり、前記電圧補正手段は、前記各薄膜トランジスタ素子の閾値又は易導度に基づき設定された電圧補正情報を前記電位制御部に対して供給可能とされている構成とすることもできる。この構成によっても、前記表示領域における輝度ばらつきを補正するべく前記第２の電極に電圧を印加することができ、表示輝度が高度に均一化された表示装置を得ることができる。
【００１７】
本発明の表示装置では、前記電圧補正手段は、前記表示領域の輝度分布と、前記電圧補正情報とを関連づけたルックアップテーブルを備えている構成とすることができる。この構成によれば、簡素な回路にて高速に電圧補正情報を取得可能になる。
また本発明の表示装置では、前記電圧補正手段は、前記各画素駆動用スイッチング素子の素子特性と、前記電圧補正情報とを関連づけたルックアップテーブルを備えている構成とすることもできる。
【００１８】
次に本発明は、上記課題を解決するために、基板上に第１の電極と、発光層を含む機能層と、第２の電極とを順次積層してなる発光素子を複数配列してなる表示領域を備えた表示装置の駆動方法であって、前記表示領域内の複数箇所において前記第２の電極の電位を制御しつつ表示を行うことを特徴とする表示装置の駆動方法を提供する。
この駆動方法によれば、前記第２の電極の電位を複数箇所にて制御することで、第２の電極自体の抵抗による電圧降下に起因する発光素子の輝度ばらつきのみならず、発光素子の特性ばらつきに起因する輝度ばらつきも低減することができる。これにより、表示輝度の均一性に優れた表示を提供することができる。
【００１９】
本発明の表示装置の駆動方法では、前記第２の電極が複数設けられた表示装置において、前記複数の第２の電極毎に電位を制御することもできる。この構成によれば、前記第２の電極を複数の領域に分割するとともに、各々の電位を独立に制御できるため、より精密に発光素子の電圧調整を行うことができる。これによりさらに輝度均一性に優れた表示を提供可能になる。
【００２０】
本発明の表示装置の駆動方法では、前記第２の電極が１表示単位を構成する複数の発光素子に跨って形成された表示装置において、前記第２の電極の電位を、前記表示単位毎に制御することもできる。この構成では、表示領域にて画像等を形成する１表示単位毎に輝度のばらつき調整を行うので、表示輝度の均一性をさらに高めることができる。
【００２１】
本発明の表示装置の駆動方法では、前記第２の電極が前記各発光素子毎に設けられた表示装置において、前記第２の電極の電位を、前記各発光素子毎に制御することもできる。この構成によれば、表示領域の最小の表示単位を構成する発光素子毎に電圧制御を行い、精密に輝度を調整するので、極めて均一性に優れた表示を提供することができる。
【００２２】
本発明の表示装置の駆動方法では、前記第２の電極の電位を制御するに際して、前記複数の発光素子の発光特性に基づき設定された電圧補正情報を用いて、前記第２の電極に印加する電圧を補正することができる。この駆動方法によれば、前記発光素子の光学的／電気回路的特性に基づきばらつきを補正するべく第２の電極に電圧を印加するので、正確な輝度補正が可能であり、表示輝度の均一性を高めることができる。
【００２３】
本発明の表示装置の駆動方法では、前記第２の電極の電位を制御するに際して、前記複数の発光素子の第１の電極に印加された電圧値に基づき算出した電圧補正情報を用いて、前記第２の電極に印加する電圧を補正することができる。この駆動方法によれば、発光素子に印加された電圧値に基づき、輝度補正を行うための電圧補正情報を算出することができ、正確な輝度補正が可能になる。
【００２４】
本発明の表示装置の駆動方法では、前記第２の電極への印加電圧を補正するに際して、前記第１の電極に印加された電圧値と、前記電圧補正情報とを関連づけたルックアップテーブルを参照して前記電圧補正情報を得ることもできる。この駆動方法によれば、発光素子の輝度補正を行うための電圧補正情報を、簡易な回路にて高速に取得することができる。
【００２５】
本発明の表示装置の駆動方法では、前記第２の電極の電位を制御するに際して、前記表示領域の輝度分布に基づく電圧補正情報を用いて、前記第２の電極に印加する電圧を補正することもできる。この駆動方法によれば、表示領域全体の輝度分布から算出される電圧補正情報を用いて発光素子の輝度補正を行うため、全体的な輝度補正が正確に成された均一な表示を得ることができる。
あるいは、第２の電極の電位を制御するに際して、前記発光素子に備えられたスイッチング素子の素子特性（閾値又は易導度）に基づき設定した電圧補正情報を用いることもできる。
【００２６】
本発明の表示装置の駆動方法では、前記第２の電極への印加電圧を補正するに際して、前記表示領域の輝度分布と、前記電圧補正情報とを関連づけたルックアップテーブルを参照して前記電圧補正情報を得ることもできる。あるいは、前記画素駆動用スイッチング素子の素子特性と、前記電圧補正情報とを関連づけたルックアップテーブルを参照して前記電圧補正情報を得ることもできる。
【００２７】
次に、本発明の電子機器は、先に記載の本発明の表示装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、表示領域内で発光素子の発光強度が均一で、高輝度、高画質の表示が可能な表示部を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。尚、以下で参照する各図面については、各要素を見易くするために寸法や膜厚等を適宜異ならせて表示している。
【００２９】
（第１の実施形態）
＜有機ＥＬ表示装置＞
図１は、本発明の表示装置の一例である有機ＥＬ表示装置の全体構成を示す平面構成図、図２は、同装置に設けられた１画素の回路構成図、図３は、１画素の断面構成図である。本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、基板上に配列形成された発光素子の上面側から表示光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置であって、各発光素子に対応してスイッチング素子が設けられたアクティブマトリクス方式の表示装置である。
【００３０】
まず、図１に基づいて、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置の全体構成について説明する。
本例の有機ＥＬ表示装置１０１は、電気絶縁性および透光性を有する基板２０上に、スイッチング用ＴＦＴ（図示せず）に接続された画素電極が基板２０上にマトリクス状に配置されてなる画素形成領域３３（図１中の一点鎖線枠内）を具備して構成されている。画素形成領域３３は、中央部分の表示領域４（図１中の二点鎖線枠内）と、表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線枠と二点鎖線枠との間の領域）とに区画されている。表示領域４には、それぞれ画素電極を有する３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の画素３…が、紙面の縦方向および横方向にそれぞれ離間してマトリクス状に配置されている。また、図１における表示領域４の左右には走査線駆動回路８０が配置される一方、図１における表示領域４の上下にはデータ線駆動回路９３が配置されている。これら走査線駆動回路８０、データ線駆動回路９３はダミー領域５の周縁部に配置されている。なお、図１においては、走査線およびデータ線の図示は省略している。
【００３１】
さらに、図１におけるデータ線駆動回路９３の上側には、検査回路９０が配置されている。この検査回路９０は、有機ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥を検査できるようになっている。なお、この検査回路９０も、ダミー領域５の下側に配置されている。また、基板２０には駆動用外部基板９５が接続され、駆動用外部基板９５上に外部駆動回路１００が搭載されている。
【００３２】
次に、図２を参照して画素３の回路構成について説明する。図２に示す回路構成図をみると、本実施形態に係る画素３は、縦横に延びる複数の配線群により区画された領域内に形成されており、当該領域内に設けられた発光素子５０と、これに接続された電位制御部５１とを備えている。
発光素子５０は、発光層を含んで発光部を成すＥＬ層２７と、これに接続された２個のトランジスタ（画素駆動用ＴＦＴ１２及び画素選択用ＴＦＴ４３と、前記画素駆動用ＴＦＴ１２と画素選択用ＴＦＴ４３と接続された蓄積容量７０とを備えている。ＥＬ層２７の陽極側に画素駆動用ＴＦＴ１２のドレインが接続され、陰極側に共通電極２８が接続されている。ＥＬ層２７に駆動電流を供給する画素駆動用ＴＦＴ１２のソースには電源線４５が接続され、ゲートには、画素選択用ＴＦＴ４３のドレイン及び蓄積容量７０の一方の電極が接続されている。画素選択用ＴＦＴ４３のソースに陽極走査線４６が接続され、ゲートには信号線４４が接続されている。蓄積容量７０の他方の電極には、信号線４４に沿って延びる容量線７１が接続されている。
【００３３】
電位制御部５１は、電位制御用ＴＦＴ（電位制御素子）３２と、キャパシタ４９とを備えており、電位制御用ＴＦＴ３２は、電圧供給線４７とキャパシタ４９との間に介挿され、そのゲートには陰極走査線３４が接続されている。そして、これらの発光素子５０と電位制御部５１とは、共通電極２８を共有して互いに接続されている。
【００３４】
上記構成のもと、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０１は、信号線４４及び陽極走査線４６に信号入力することで画素選択用ＴＦＴ４３を駆動して発光素子５０を選択状態とし、電源線４５に接続された画素駆動用ＴＦＴ１２を駆動してＥＬ層２７に所定量の電流を供給することで発光素子５０を所定輝度にて発光させるようになっている。画素駆動用ＴＦＴ１２に接続された蓄積容量７０は、画素選択用ＴＦＴ４３の出力を保持し、非選択状態における画素駆動用ＴＦＴ１２の駆動状態を維持する機能を奏する。
また、本実施形態に係る画素３では、上記発光素子５０の動作と合わせて、共通電極２８に電圧を印加可能になっている。すなわち、電位制御用ＴＦＴ３２のゲートに陰極走査線３４を介して走査信号を入力して電位制御部５１を選択状態とするとともに、電圧供給線４７を介して印加電圧を入力することで、キャパシタ４９の容量カップリングにより共通電極２８の電位を制御するようになっている。
【００３５】
このように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０１は、各画素３に、発光素子５０と、発光素子５０の共通電極２８の電位を制御する電位制御部５１とが備えられた構成とされていることで、最小の表示単位である画素３毎にＥＬ層２７に印加される電圧を制御することが可能になっている。これにより発光素子５０の駆動部を成す画素駆動用ＴＦＴ１２等の特性ばらつきに起因する電流量のばらつきを補正することができ、もって発光素子５０を目的とする発光輝度にて発光させることが可能である。従って本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０１によれば、表示領域４の全面で均一な表示輝度を得ることができ、高画質の表示を得ることができる。
尚、本実施形態の場合、ＥＬ層２７の上下に配置される画素電極１９及び共通電極２８は、画素３毎に区画されているため、電極自体の抵抗による電圧降下はほとんど生じない。
【００３６】
上記共通電極２８の電位制御の形態としては、発光素子５０に電源線４５を介して接続される図示略の電圧供給部（又は定電流源）において、発光素子５０に供給された電圧値を観測し、観測された電圧値に基づき設定した電圧を、各画素３の共通電極２８に印加する方法（第１の方法）や、表示領域４における表示輝度のばらつきを測定し、この輝度ばらつきに基づき設定した電圧を、各画素３の共通電極２８に印加する方法（第２の方法）を例示することができる。
【００３７】
上記第１の方法により共通電極２８の電位制御を行うための構成としては、前記発光素子５０への印加電圧を観測、保持する電圧値保持手段と、電位制御部５１から共通電極２８に印加する電圧を補正するための電圧補正情報を、前記保持された電圧値に基づき算出する補正情報算出手段とを備えた構成を例示できる。つまり、発光素子５０の電圧／電流特性から発光素子５０における輝度ばらつきを見積もり、係る見積もりに基づき共通電極２８に印加する電圧を変化させることで複数の発光素子５０間での輝度ばらつきを低減する方法である。
この場合、補正情報算出手段では、保持された電圧値を用いた演算を行い電圧補正情報を算出しても良く、予め用意された演算結果（ルックアップテーブル）を参照することにより電圧補正情報を取得し、電位制御部５１に出力する構成であっても良い。ルックアップテーブルを参照する方式では、演算回路を簡素化できるため、回路等の高速動作、また発熱量の低減効果が期待できる。
【００３８】
次に、上記第２の方法は、実際に発光素子５０にて得られる発光輝度から発光素子５０の発光特性のばらつきを見積もり、係る見積もりに基づき共通電極２８に印加する電圧を変化させることで複数の発光素子５０間の輝度ばらつきを低減する方法である。この場合、表示領域４における輝度分布を測定することで、発光素子５０を構成する画素駆動用ＴＦＴ１２や画素選択用ＴＦＴ４３の閾値又は易導度のばらつきを取得することができるので、これらに基づく電圧補正情報を算出するとともに電位制御部５１に供給する補正情報算出手段を備えた構成とすればよい。上記補正情報算出手段としては、外部から入力されたばらつき情報に基づいて演算処理を行い、演算結果を電位制御部５１に供給するものであってもよく、予め用意された演算結果（輝度ばらつきから電圧補正情報を算出した結果を保持したルックアップテーブル）を参照することにより取得した電圧補正情報を出力するものであっても良い。あるいは、表示領域４の１箇所以上に、表示輝度を測定するための輝度測定手段（例えば、フォトダイオードやフォトトランジスタ等の光学センサ）を設け、係る輝度測定手段から出力される輝度情報に基づき電圧補正情報を算出するものであってもよい。
【００３９】
＜画素回路構成の他の例＞
また、上記電位制御部５１としては、図３の回路構成図に示す構成も適用することができる。図３に示す画素３に備えられた電位制御部５１は、電位制御用ＴＦＴ（電位制御素子）５３を主体として構成されている。電位制御用ＴＦＴ５３のゲートに電圧供給線４７が接続され、ソース・ドレインには、それぞれコモン電極（com.）、共通電極２８が接続されている。
電位制御用ＴＦＴ５３は、電圧供給線４７を介して入力される信号に応じて共通電極２８に印加される電圧を分圧する可変抵抗素子として機能する。このような構成とした場合にも、共通電極２８に任意の電圧を印加することができ、もって発光素子５０を構成するＴＦＴ１２の特性ばらつきに起因する発光輝度のばらつきを抑制し、表示領域内で均一な表示輝度が得られる有機ＥＬ表示装置を提供することができる。また図３に示す電位制御部５１では陰極走査線は設けられておらず、基準電位を供給するコモン電極との間で共通電極２８の電位を制御するようになっているため、電位制御部５１を選択駆動するための駆動回路の構成を簡素化できるという利点がある。
【００４０】
尚、図３に示す回路構成図では、発光素子５０の回路構成も図２に示したものと一部異なっており、具体的には、画素選択用ＴＦＴ４３と画素駆動用ＴＦＴ１２との間に接続された蓄積容量７０の一端が、画素駆動用ＴＦＴ１２と接続された電源線４５に接続されている。この構成において、蓄積容量７０は、画素選択用ＴＦＴ４３がオン状態とされたときの陽極走査線４６の電位を保持し、蓄積容量７０の状態に応じて画素駆動用ＴＦＴ１２のスイッチング動作が選択されるようになっている。
【００４１】
また、上記した各電位制御用ＴＦＴ３２，５３に、特開２００３−２２０４９号公報の図１７に記載の回路や、カレントミラー回路等の電流プログラム回路を接続することもできる。さらに、各発光素子５０について設けられる画素駆動回路の一部又は全体を電位制御部５１についても設けた構成とすることができる。つまり、発光素子５０の画素駆動回路としては、画素駆動用ＴＦＴ１２のゲートに入力する電圧を、カレントミラー回路、電流プログラム回路、電圧プログラム回路により制御し、画素駆動用ＴＦＴ１２の抵抗値を変化させる構成が知られている。これらの電圧制御回路を電位制御部５１の電位制御用ＴＦＴ３２，５３に接続することで、電位制御部５１にから共通電極２８への印加電圧をより正確に制御することができ、また発光素子５０と電位制御部５１とで駆動回路を共通化することができる。これにより、大規模な工程の変更を伴うことなく従来の製造工程から移行することができるという利点も得られる。
【００４２】
＜画素の詳細構成＞
次に、図４を参照して画素３の具体的な構成について説明する。図４に示す断面構成をみると、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０１は、発光素子５０と、これに隣接して設けられた電位制御部５１とを備えて構成されている。ガラス等の透光性を有する基板２０上に、例えばシリコン酸化膜からなる下地絶縁膜２３が形成され、下地絶縁膜２３上に、発光素子５０の画素駆動用ＴＦＴ１２と、電位制御部５１の電位制御用ＴＦＴ３２とが形成されている。
【００４３】
発光素子５０に備えられた画素駆動用ＴＦＴ１２はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、半導体層１３には高濃度ソース領域１３ａ、低濃度ソース領域１３ｂ、チャネル領域１３ｃ、低濃度ドレイン領域１３ｄ、高濃度ドレイン領域１３ｅが形成されている。そして、半導体層１３上にゲート絶縁膜２４が形成され、ゲート絶縁膜２４を介してチャネル領域１３ｃと対向するゲート電極１４が配置されている。ゲート電極１４を覆うように第１層間絶縁膜２５が形成され、第１層間絶縁膜２５上に電源線４５および中継導電層１７が形成されている。
電源線４５は、第１層間絶縁膜２５およびゲート絶縁膜２４を貫通するコンタクトホール１５を介して半導体層１３の高濃度ソース領域１３ａに接続されている。一方、中継導電層１７は、第１層間絶縁膜２５およびゲート絶縁膜２４を貫通するコンタクトホール１６を介して半導体層１３の高濃度ドレイン領域１３ｅに接続されている。
【００４４】
電源線４５および中継導電層１７を覆うように表面が平坦化された第２層間絶縁膜２６が形成され、第２層間絶縁膜２６上に画素電極１９が形成されている。画素電極１９は、第２層間絶縁膜２６に貫設されたコンタクトホール１８を介して中継導電層１７に接続されている。画素電極１９は、後述するＥＬ層に正孔を注入するための陽極として機能し、発光素子５０を構成する第１の電極を成すものである。
トップエミッション型の発光素子５０では、画素電極１９はＡｌや銀等の反射性の金属膜や非透光性の導電膜により形成することができ、場合によっては、ボトムエミッション型の発光素子と同様に、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物（登録商標））、ＩＣＯ（インジウムセリウム酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム亜鉛酸化物）、ＺｎＯ（亜鉛酸化物）等の透明導電材料で形成することもできる。
【００４５】
画素電極１９の周縁部に沿って無機材料層２２Ａおよび有機材料層２２Ｂが形成され、これら無機材料層２２Ａおよび有機材料層２２Ｂの２層でバンク２２が構成されている。発光素子５０では、バンク２２によって区画された画素電極１９上の領域中央部にＥＬ層２７が形成されている。本実施の形態において、ＥＬ層２７は、例えばチオフェン系導電性高分子からなる正孔注入（輸送）層２７Ａと発光ポリマー（ＬＥＰ）からなる発光層２７Ｂの２層で構成されている。ＥＬ層２７の構成としては、他にも正孔（電子）注入層と輸送層を別個に設けた構成、電子注入層、正孔注入層、発光層の３層からなる構成等を適用しても良い。
【００４６】
ＥＬ層２７を覆うように、共通電極２８が設けられている。共通電極２８は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＣＯ、ＧＺＯ、ＺｎＯ等の透明導電材料で形成することができ、発光素子５０がボトムエミッション型である場合には、金属膜や非透光性の導電膜により形成しても良い。発光素子５０において、共通電極２８はＥＬ層２７に電子を注入するための陰極（第２の電極）を成している。また共通電極２８は、発光素子５０と電位制御部５１とに跨って形成されており、これらを互いに電気的に接続する部材となっている。
さらに、ＥＬ層２７への水分等の浸入を防止するため、透光性の封止層２９が設けられている。
【００４７】
次に、電位制御部５１には、電位制御用ＴＦＴ３２が設けられている。電位制御用ＴＦＴ３２もＬＤＤ構造を備えたトランジスタであり、半導体層３３には高濃度ソース領域３３ａ、低濃度ソース領域３３ｂ、チャネル領域３３ｃ、低濃度ドレイン領域３３ｄ、高濃度ドレイン領域３３ｅが形成されている。そして、半導体層３３上にゲート絶縁膜２４が形成され、ゲート絶縁膜２４を介してチャネル領域３３ｃと対向するゲート電極４２が配置されている。ゲート電極４２を覆うように第１層間絶縁膜２５が形成され、第１層間絶縁膜２５に設けられたコンタクトホール３５，３６を介して電圧供給線４７および中継導電層３７が、それぞれ半導体層３３の高濃度ソース領域３３ａ、高濃度ドレイン領域３３ｅと電気的に接続されている。そして、上述の画素駆動用ＴＦＴ１２と同様、電圧供給線４７、中継導電層３７とを覆う第２層間絶縁膜２６が形成され、この第２層間絶縁膜２６に設けられたコンタクトホール３８を介して、画素電極１９と中継導電層３７とが電気的に接続されている。
【００４８】
電位制御部５１の画素電極１９の周囲に設けられたバンク２２内部には、発光素子５０側から延出された共通電極２８が成膜され、画素電極１９と電気的に接続されている。すなわち、電位制御部５１において画素電極１９は、共通電極２８と電位制御用ＴＦＴ３２とを導電接続する電極部材として機能するものであり、このような導電接続構造を採用することで、電位制御用ＴＦＴ３２と共通電極２８とのコンタクト抵抗を低減できる。本実施形態では、電位制御部５１において画素電極１９と共通電極２８とが直接接続された構成としているが、ＥＬ層２７のうち発光層２７Ｂを除くの導電性を有する構成層が画素電極１９上に設けられていても構わない。
【００４９】
上記発光素子５０に備えられた画素駆動用ＴＦＴ１２と、電位制御部５１に備えられた電位制御用ＴＦＴ３２とには、略同一構成の薄膜トランジスタを用いることもできる。このような構成とすれば、製造を効率化することができ、製造コストの低減、及び歩留まりの向上を達成する上で有効である。また、電位制御用ＴＦＴ３２は、図２及び図３に示した画素選択用ＴＦＴ４３と略同一構成のＴＦＴであってもよく、発光素子５０に電流プログラム回路等が実装されている場合には、係る回路に含まれるＴＦＴと同一構成とすることもできる。
【００５０】
＜有機ＥＬ表示装置の製造方法＞
以下、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０１の製造方法の一例を、図４を参照しつつ簡単に説明する。
まず、基板２０の一面に、膜厚２００〜５００ｎｍ程度のシリコン酸化膜からなる下地絶縁膜２３をプラズマＣＶＤ法等により成膜した後、下地絶縁膜２３上に膜厚３０〜７０ｎｍ程度のアモルファスシリコン膜からなる半導体層をプラズマＣＶＤ法等により成膜する。次に、半導体層に対してレーザアニール等による結晶化処理を施し、半導体層を多結晶シリコン膜とする。次に、半導体層をパターニングして島状の半導体層１３，３３とした後、膜厚６０〜１５０ｎｍ程度のシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２４をプラズマＣＶＤ法等により成膜する。次に、ＩＴＯ等の透光性材料をスパッタ法等により成膜した後、これをパターニングして走査線やゲート電極１４，４２を形成する。そして、ゲート電極１４，４２をマスクとしたイオン注入により、半導体層１３，３３に自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。
【００５１】
次に、第１層間絶縁膜２５を形成し、半導体層１３のソース・ドレイン領域に達するコンタクトホール１５，１６、及び半導体層３３のソース・ドレイン領域に達するコンタクトホール３５，３６を形成した後、ＩＴＯ等の透光性材料をスパッタ法等により成膜し、これをパターニングして電源線４５、電圧供給線４７、及び中継導電層１７，３７を形成する。次に、第２層間絶縁膜２６を形成し、中継導電層１７，３７に達するコンタクトホール１８，３８を形成した後、Ａｌ等の金属膜をスパッタ法等により成膜し、これをパターニングして画素電極１９，１９を形成する。画素電極１９は、ボトムエミッション型の場合には、ＩＴＯ等の透光性導電材料により形成される。トップエミッション型の場合にも上記金属膜に限られず、透光性材料や不透明な導電材料により形成しても良い。
【００５２】
次に、プラズマＣＶＤ法等により無機材料層２２Ａを形成し、これをパターニングする。その後、有機材料層２２Ｂを所定のパターンで形成し、バンク２２とする。有機材料層２２Ｂの形成は、フォトリソグラフィー法、印刷法等を用いることができる。無機材料層２２Ａには、例えば酸化シリコン等を用いることができ、有機材料層２２Ｂには、例えばアクリルやポリイミド等を用いることができる。
後続の製造工程において、液滴吐出法を用いてＥＬ層２７を形成する場合、少なくとも画素電極１９の表面は親液性を有していることが好ましく、正孔注入輸送層形成材料に水系の溶液を用いる場合、親水性としておくことが望ましい。また、バンク２２は画素電極１９を平面的に隔離するのみならず、上記液滴吐出法による材料の選択配置を補助すべく機能する。すなわち、バンク２２の表面を撥液化処理しておくことで、画素電極１９上への材料の配置をより正確かつ円滑に行うことを可能にする。このバンク２２の撥液化処理としては、ＣＦ４、やＳＦ６、ＳｉＦ４、やＢＦ３等のガスによるフッ素系プラズマ処理を例示できる。このフッ素系プラズマ処理は、画素電極１９及びバンク２２の表面に対して一括に行っても良く、この場合にもバンク２２表面が優先的に改質されるため、画素電極１９表面とバンク２２表面とで異なる表面特性（親液／撥液）を得ることができる。
【００５３】
また、プラズマ処理による表面改質を行う方法に限らず、バンク２２の有機材料層２２Ｂをフッ化物を添加した材料により形成することで、バンク２２自体に撥液性を付与することもできる。上側に形成される有機材料層２２Ｂを撥液性とし、下側の無機材料層２２Ａを親液性としておけば、液滴吐出法による材料は一に際してのパターニング性がさらに向上する。
【００５４】
次に、バンク２２により区画された領域内の画素電極１９上に、インクジェット法等の液滴吐出法を用いて高分子有機化合物を含む溶液を吐出し、ＥＬ層２７（正孔注入輸送層２７Ａおよび発光層２７Ｂ）を選択的に形成する。ＥＬ層２７の形成に際しては、有機化合物材料を含む溶液の充填と乾燥を層毎に繰り返す。
正孔注入輸送層２７Ａとしては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体が好適に用いられる。具体的には、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などを用いることができる。
発光層２７Ｂとしては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン（ＰＤＡＦ）、ポリフルオレンベンゾジアゾール（ＰＦＢＴ）、ポリアルキルチオフェン（ＰＡＴ）、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。発光層２７Ｂは、単色でもよく、赤、青、緑など多色を用いても良い。中間色を用いた４色以上の多色にすることもできる。
【００５５】
上記ＥＬ層２７を形成したならば、複数の画素電極１９の形成領域上に跨るように、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極２８をスパッタ法等により形成する。ボトムエミッション型の発光素子５０を作製する場合には、陰極としてＡｌ，Ｍｇ，Ｌｉ，Ｃａ等の単体材料や、Ｍｇ−Ａｌ（１０：１合金）等の合金材料からなる膜を形成しても良い。あるいは、Ｌｉ２Ｏ（厚さ０．５ｎｍ程度）とＡｌとの積層膜や、ＬｉＦ（厚さ０．５ｎｍ程度）とＡｌとの積層膜、ＭｇＦ２とＡｌとの積層膜等を用いることもできる。
最後に、透明樹脂や薄層による封止層２９を形成することで有機ＥＬ装置１０１が完成する。
【００５６】
このように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法においては、発光素子５０に含まれる画素駆動用ＴＦＴ１２と、電位制御部５１に含まれる電位制御用ＴＦＴ３２とを同層に、同工程にて形成することが可能であり、このような電位制御部５１を備えない従来の有機ＥＬ表示装置の製造方法に比しても、製造工数の増加を伴うことなく製造することが可能である。
【００５７】
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、各画素３毎に発光素子５０と電位制御部５１とが設けられている構成について説明したが、本発明に係る表示装置では、発光素子５０と電位制御部５１とが１：１に対応している必要はなく、複数の発光素子５０が電位制御部５１を共有している構成とすることもできる。以下、このような構成を備えた第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置について、図５及び図６を参照して説明する。
【００５８】
図５は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０２の複数の画素を含む表示領域を示す平面構成図である。同図に示す表示領域には、複数（３０個）の発光素子５０が平面視マトリクス状に配列されている。図示左右方向で配列された３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の発光素子５０に対して１つの電位制御部５１が設けられており、これら３つの発光素子５０と電位制御部５１とに跨って平面視矩形状の共通電極（第２の電極）２８が共通の電極として設けられている。すなわち、本実施形態の表示装置では、画素を成す３色の発光素子５０と、それらの近傍に設けられた電位制御部５１とにより構成される画素群Ｐｓが１表示単位を成しており、基板２０上で平面視マトリクス状に配列された複数の画素群Ｐｓによるカラー表示が可能になっている。
【００５９】
上記各発光素子５０は、本表示装置の最小の表示単位（画素）を構成している。各発光素子５０には、画素電極（第１の電極）１９と、画素電極１９の平面領域内に設けられたＥＬ層（機能層）２７と、このＥＬ層２７を取り囲むバンク２２とが設けられている。一方、電位制御部５１には、発光素子５０と同様の平面形状のバンク２２が設けられているが、ＥＬ層２７は設けられていない。そして、画素群Ｐｓを構成する発光素子５０と電位制御部５１とに跨って共通電極（第２の電極）２８が設けられている。
【００６０】
次に、図６は、図２のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図である。図６に示す断面構造をみると、基板２０上に、後述のＴＦＴや複数の絶縁膜を含む素子形成層２１が設けられており、素子形成層２１上に、３つの発光素子５０と、１つの導電接続部５１とからなる画素群Ｐｓが配列されている。素子形成層２１には、図４に示したような画素駆動用ＴＦＴ１２や電位制御用ＴＦＴ３２が形成されている。素子形成層２１上に配列形成された画素電極１９の周縁部上には、バンク２２が立設されており、本実施形態の場合、バンク２２は、無機材料層２２Ａと有機材料層２２Ｂとの積層構造を有している。
各発光素子５０は、上記バンク２２により区画された領域内の画素電極１９上に、ＥＬ層２７と、共通２８とを積層した構成を備えている。電位制御部５１は、３つの発光素子５０と共有する共通電極２８と、画素電極１９とが導電接続された構成を備えている。さらに上記発光素子５０…、及び電位制御部５１を覆うように封止部材５５が披着され、基板２０と気密に接着されている。
【００６１】
また本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０２における回路構成としては、図５及び図６に示す画素群Ｐｓに、図２に示した回路を備えた３つの発光素子５０と、１つの電位制御部５１とが、共通電極２８を介して互いに電気的に接続された構成となっている。すなわち、各発光素子５０は、画素駆動用ＴＦＴ１２を介して供給される電流により駆動されるとともに、共通電極２８を介して接続された電位制御部５１によりＥＬ層２７への印加電圧を制御可能になっている。
【００６２】
以上の構成を備えた本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０２は、表示領域４内に配列された各発光素子５０の点灯／非点灯動作により、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色の発光素子５０（画素）からなる画素群Ｐｓを１表示単位とする表示を行うようになっており、係る表示動作に際して、各画素群Ｐｓに対応して設けられた電位制御部５１により共通電極２８を任意の電位に保持することが可能になっている。この構成により、発光素子５０の画素駆動用ＴＦＴ１２の特性ばらつきに起因する発光輝度のばらつきを低減するべく共通電極２８に補正電圧を印加することが可能であり、表示輝度の均一性に優れた有機ＥＬ表示装置となっている。
また、共通電極２８自体の抵抗により各発光素子５０で電圧降下が生じたとしても、電位制御部５１により補正することができ、発光素子５０の発光輝度が低下するのを防止することができるため、所定輝度にて発光素子５０を発光させることができる。
【００６３】
有機ＥＬ表示装置１０２では、発光素子５０に隣接して基板２０上に設けられた電位制御部５１は、表示画素としては機能しないため、ある頻度で表示領域内の画素が抜けている状態となるが、電位制御部５１及び発光素子５０は、数１０μｍ〜数ｍｍ程度の微細な寸法であるため、上記電位制御部５１が設けられた領域が目立って視認されることはない。特に、大型高精細の表示装置では、観察者は１〜数ｍ程度離れた位置にて表示画像を鑑賞するので、全く問題にならない。
【００６４】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について、図７を参照して説明する。図７は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置に備えられた表示領域の平面構成図であり、図５に示した平面構成図に相当する図である。図７に示す本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０３は、先の第２実施形態の有機ＥＬ表示装置１０２と同様の基本構成を備えており、画素群Ｐｓに、平面構成の異なる電位制御部１５１が含まれている点に特徴を有している。また、図７に示すＤ−Ｄ’線に沿う断面構造は、図６に示した有機ＥＬ表示装置１０２の断面構造と同様である。
【００６５】
図７に示す電位制御部１５１は、平面視矩形状の電極１１９（電極部材）と、３つの発光素子５０と共有する共通電極（第２の電極）２８とが電気的に接続された構成を備えている。本実施形態に係る電位制御部１５１では、電極１１９を取り囲むバンク２２の開口部形状が平面視略円形状とされている。また図示は省略しているが、電位制御部１５１の電極１１９にも、図２及び図４に示した電位制御用ＴＦＴ３２と同様の電位制御素子が接続されており、共通電極２８の電位を自在に制御できるようになっている。
【００６６】
上記構成の電位制御部１５１を備えた本実施形態の有機ＥＬ表示装置によっても、表示領域４内に設けられた複数の共通電極２８の電位を良好に制御することができ、もって発光素子５０の特性ばらつきに起因する発光強度のばらつきを抑え、表示輝度の均一性に優れた高画質の表示を得ることができる。そして、本実施形態では、電位制御部１５１の平面積が小さくなっているため、表示領域に占める発光素子５０（画素）の面積率を高めることが容易になるとともに、電位制御部１５１がより視認され難くなる。
【００６７】
尚、本発明の技術範囲は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることができる。例えば、上記各実施形態では、共通電極２８の電位を制御するための電位制御部５１が、画素３毎、あるいは画素群Ｐｓ毎に設けられている構成としたが、共通電極２８の分割単位や、電位制御部５１の配置頻度は任意に定めることができる。例えば共通電極２８を走査ライン毎に分割して各ラインに電位制御部５１を配設しても良く、その他にも、所定の画素駆動回路数毎に共通電極２８を分割してもよい。
あるいは、共通電極２８を表示領域４にベタ状に形成し、その平面領域内に複数の電位制御部５１を設けても良い。共通電極２８が分割されていない場合、典型的には表示領域４の中央部で電極の抵抗による電圧降下が生じやすくなるが、複数箇所に電位制御部５１が設けられていれば、上記電圧降下分を補正するための電圧を印加できるため、表示領域内で均一な表示輝度が得られる。またこの構成においても、発光素子５０の特性ばらつきに起因する輝度のばらつきをある程度抑制することが可能である。特に、共通電極２８として比較的高抵抗の透明導電材料を用いるトップエミッション型の表示装置では有効な構成となる。
本発明は、有機ＥＬ表示装置のみならず、他の表示装置にも適用が可能であり、特に電流駆動型の発光素子を備えた表示装置に好適な技術である。また上記実施の形態で例示した各層の材料、膜厚、平面形状等の具体的な記載については適宜変更が可能である。
【００６８】
（電子機器）
図８は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視構成図である。同図に示す映像モニタ１２００は、先の実施形態の有機ＥＬ表示装置（表示装置）を備えた表示部１２０１と、筐体１２０２と、スピーカ１２０３等を備えて構成されている。そして、この映像モニタ１２００は、先の有機ＥＬ表示装置による均一な明るさの表示が可能である。本発明は、共通電極での電圧降下が顕著となる、例えば画面サイズが対角２０インチ以上の大型のＥＬ表示装置で有効な構成となる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】図１は、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置の全体構成図。
【図２】図２は、同、表示領域を示す平面構成図。
【図３】図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図。
【図４】図４は、発光素子及び電位制御部の断面構成図。
【図５】図５は、発光素子と電位制御部とを含む回路構成図。
【図６】図６は、実施形態に係る他の回路構成例を示す図。
【図７】図７は、第２実施形態の有機ＥＬ表示装置の平面構成図。
【図８】図８は、電子機器の一例を示す斜視構成図。
【符号の説明】
【００７０】
１０１〜１０３  有機ＥＬ表示装置（表示装置）、３  画素、４  表示領域、１２  画素駆動用ＴＦＴ、１４  ゲート電極、１７  中継導電層、１９  画素電極（第１の電極）、２０  基板、２７  ＥＬ層（機能層）、２８  共通電極（第２の電極）、３２，５３  電位制御用ＴＦＴ（電位制御素子）、３４  陰極走査線、４３  画素選択用ＴＦＴ、４５  電源線、４６  陽極走査線、４７  電圧供給線、４９  キャパシタ、５０  発光素子、５１  導電接続部、７０  蓄積容量、１１９  電極（電極部材）、Ｐｓ  画素群
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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