(57)【要約】【課題】  プラズマ処理中において、クランプリング、シールドリング及び均一化リングの局所への放電の集中を抑制して、パーティクルの発生を低減したプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】  クランプリング５３のウェハ被覆部５３ａは、略上方に面した上面５３ｂ、ウェハ被覆部５３ａの最内周を構成する第１の内壁面５３ｃ、半導体ウェハＷに対向する第１の下面５３ｄ、段差を構成する第２の内壁面５３ｅ及び半導体ウェハＷに当接する第２の下面５３ｆで構成されている。ここで、ウェハ被覆部５３ａの最内周を構成する第１の内壁面５３ｃと、その上方で隣接する上面５３ｂとで形成される稜５３ｇ、及び第１の内壁面５３ｃと、その下方で隣接する第１の下面５３ｄとで形成される稜５３ｈには、いずれも機械研削によってＲ０．２ｍｍのＲ面取りが施されている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
気密容器内にプラズマを発生させて、前記気密容器内に載置された被処理体に所定の処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記気密容器内に被処理体を載置するための載置台と、
前記載置台上に載置された前記被処理体の周縁部を被覆して、前記載置台上に前記被処理体を保持するクランプリングとを備え、
前記クランプリングの被処理体被覆部において、その最内周を構成する内壁面と、前記内壁面に上下に隣接する面とで形成される稜は、いずれも凸曲面で面取りがなされていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
気密容器内にプラズマを発生させて、前記気密容器内に載置された被処理体に所定の処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記気密容器内に被処理体を載置するための載置台と、
前記載置台上に載置された前記被処理体の周縁部を被覆して、前記載置台上に前記被処理体を保持するクランプリングとを備え、
前記クランプリングの被処理体被覆部において、その最内周を構成する稜は、凸曲面で面取りがなされていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
気密容器内にプラズマを発生させて、前記気密容器内に載置された被処理体に所定の処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記気密容器内に被処理体を載置するための載置台と、
前記載置台に対向して備えられる上部電極と、
前記上部電極の周縁部を被覆して、プラズマの発生範囲を規制するシールドリングとを備え、
前記シールドリングの上部電極被覆部において、その最内周を構成する内壁面と、前記内壁面に上下に隣接する面とで形成される稜は、いずれも凸曲面で面取りがなされていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
気密容器内にプラズマを発生させて、前記気密容器内に載置された被処理体に所定の処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記気密容器内に被処理体を載置するための載置台と、
前記載置台に対向して備えられる上部電極と、
前記上部電極の周縁部を被覆して、プラズマの発生範囲を規制するシールドリングとを備え、
前記シールドリングの上部電極被覆部において、その最内周を構成する稜は、凸曲面で面取りがなされていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
気密容器内にプラズマを発生させて、前記気密容器内に載置された被処理体に所定の処理を施すプラズマ処理装置であって、
均一なプラズマ処理を行うために前記被処理体の周囲に配置される均一化リングを備え、
前記均一化リングの上面と内壁面とで形成される稜は、凸曲面で面取りがなされていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置であって、前記凸曲面の曲率半径は、０．１５ｍｍ以上であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気密容器内にプラズマを発生させて、前記気密容器内に載置された被処理体に所定の処理を施すプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理装置、例えば半導体の製造に用いられるプラズマエッチング装置においては、気密容器内に載置された被処理体としての半導体ウェハが、プラズマにさらされてドライエッチングが行われる。半導体ウェハは載置台としての下部電極上に載置されており、エッチングガスを注入した状態で、下部電極に対向して配置された上部電極との間に高周波電力等を印加することによりプラズマを発生させて、半導体ウェハ表面のエッチング処理が行われる。
【０００３】
ここで、半導体ウェハは、クランプリングによって下部電極上に機械的に固定される。また、上部電極には、半導体ウェハとほぼ同じ大きさにプラズマが発生するように、シールドリングが取り付けられ、上部電極の外周縁部を被覆している。さらに、半導体ウェハの外側には、エッチング処理を均一に行うための均一化リングが設けられる場合がある。なお、これら、クランプリング、シールドリング及び均一化リングは、絶縁性とプラズマに対する耐久性とが良好なアルミナセラミックス等で形成される（例えば特許文献１、２）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−９２７９６号公報
【特許文献２】特開２００２−４３２８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、クランプリング等の材料に、プラズマに対する耐久性が優れたアルミナセラミックスを用いたとしても完全にプラズマによるダメージを防ぐことは困難であり、その形状によっては、処理中に放電が集中して浸食され、パーティクルとなって半導体ウェハの表面に飛散し、製造歩留りを低下させてしまうという問題を有している。
【０００６】
本発明は上記問題を鑑みてなされたものであり、その目的は、プラズマ処理中において、クランプリング、シールドリング及び均一化リングの局所への放電の集中を抑制して、パーティクルの発生を低減したプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のプラズマ処理装置は、気密容器内にプラズマを発生させて、前記気密容器内に載置された被処理体に所定の処理を施すプラズマ処理装置であって、前記気密容器内に被処理体を載置するための載置台と、前記載置台上に載置された前記被処理体の周縁部を被覆して、前記載置台上に前記被処理体を保持するクランプリングとを備え、前記クランプリングの被処理体被覆部において、その最内周を構成する内壁面と、前記内壁面に上下に隣接する面とで形成される稜は、いずれも凸曲面で面取りがなされていることを特徴とする。
【０００８】
本発明のプラズマ処理装置は、気密容器内にプラズマを発生させて、前記気密容器内に載置された被処理体に所定の処理を施すプラズマ処理装置であって、前記気密容器内に被処理体を載置するための載置台と、前記載置台上に載置された前記被処理体の周縁部を被覆して、前記載置台上に前記被処理体を保持するクランプリングとを備え、前記クランプリングの被処理体被覆部において、その最内周を構成する稜は、凸曲面で面取りがなされていることを特徴とする。
【０００９】
本発明のプラズマ処理装置は、気密容器内にプラズマを発生させて、前記気密容器内に載置された被処理体に所定の処理を施すプラズマ処理装置であって、前記気密容器内に被処理体を載置するための載置台と、前記載置台に対向して備えられる上部電極と、前記上部電極の周縁部を被覆して、プラズマの発生範囲を規制するシールドリングとを備え、前記シールドリングの上部電極被覆部において、その最内周を構成する内壁面と、前記内壁面に上下に隣接する面とで形成される稜は、いずれも凸曲面で面取りがなされていることを特徴とする。
【００１０】
本発明のプラズマ処理装置は、気密容器内にプラズマを発生させて、前記気密容器内に載置された被処理体に所定の処理を施すプラズマ処理装置であって、前記気密容器内に被処理体を載置するための載置台と、前記載置台に対向して備えられる上部電極と、前記上部電極の周縁部を被覆して、プラズマの発生範囲を規制するシールドリングとを備え、前記シールドリングの上部電極被覆部において、その最内周を構成する稜は、凸曲面で面取りがなされていることを特徴とする。
【００１１】
本発明のプラズマ処理装置は、気密容器内にプラズマを発生させて、前記気密容器内に載置された被処理体に所定の処理を施すプラズマ処理装置であって、均一なプラズマ処理を行うために前記被処理体の周囲に配置される均一化リングを備え、前記均一化リングの上面と内壁面とで形成される稜は、凸曲面で面取りがなされていることを特徴とする。
【００１２】
このプラズマ処理装置において、前記凸曲面の曲率半径は、０．１５ｍｍ以上であることが望ましい。
【００１３】
高密度なプラズマにさらされるクランプリングやシールドリング、均一化リングの表面に角部があると、曲面部に比べて機械的に弱いだけでなく、角部には電荷が集中しやすいため、活性種を引き付けやすく、その結果、角部は、他の部位に比べて活性種の衝突によるダメージを受けやすい。
【００１４】
しかし、本発明によれば、高密度なプラズマにさらされるクランプリングやシールドリング、均一化リングの内周周辺の表面に角部がないため、電荷の集中を抑制することが可能となり、プラズマによるダメージを抑制することが可能となる。この結果、パーティクルの発生を低減することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下に示す実施形態は、特許請求の範囲に記載された発明の内容を何ら限定するものではない。また、以下に示す構成のすべてが、特許請求の範囲に記載された発明の解決手段として必須であるとは限らない。
【００１６】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置を、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態におけるプラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置の全体構成を示す模式的な断面図である。ここで、プラズマエッチング装置１０は、被処理体としての半導体ウェハをエッチング処理するものである。
【００１７】
図１に示すように、プラズマエッチング装置１０は、例えば表面がアルマイト処理されたアルミニウム等で形成された円筒形状の気密容器２０を有している。気密容器２０の側面には、半導体ウェハＷの搬入や搬出を行う開口部２１が備えられ、ゲートバルブ２１ａによって開閉可能になっている。さらに、気密容器２０の他の側面には、排気管２２が備えられ、図示しない真空ポンプで所望の真空状態、例えば数Ｐａ〜数十Ｐａ程度とすることが可能となっている。
【００１８】
気密容器２０内の上部には、中空の円盤形状で、例えば表面がアルマイト処理されたアルミニウム等で形成された上部電極３０が備えられている。上部電極３０は、その中空部に、図示しないガス供給源からのエッチングガスを導入するガス供給管３１に接続されている。また、上部電極３０の下側表面には多数の小孔３２が設けられ、この小孔３２から気密容器２０内にエッチングガスが流出可能となっている。また、上部電極３０は、例えば電力が５００〜１５００Ｗ程度で３００ｋＨｚ〜１３ＭＨｚ程度の高周波電源４０に接続されている。上部電極３０の下側周辺には、半導体ウェハＷとほぼ同じ大きさの領域にプラズマが発生するように、アルミナセラミック等の絶縁性とプラズマに対する耐久性に優れた材料からなるシールドリング３３が設けられており、上部電極３０の下面の外周縁部を被覆している。なお、上部電極３０は、カーボンまたはシリコンで形成されていてもよい。
【００１９】
気密容器２０内の下部には、円板形状で、例えば表面がアルマイト処理されたアルミニウム等で形成され、接地された下部電極５０が備えられている。下部電極５０は、半導体ウェハＷの載置台を兼ねており、図示しない昇降機構によって昇降軸５１を昇降駆動することで、下部電極５０及び下部電極５０上に載置された半導体ウェハＷを上昇及び下降することが可能になっている。
【００２０】
下部電極５０の裏面と気密容器２０の底部とは、伸縮可能に備えられたベローズ５２を介して気密に連結されており、下部電極５０の昇降に影響を与えることなく、気密容器２０内の気密性を確保している。
【００２１】
下部電極５０の上面には、アルミナセラミック等の絶縁性とプラズマに対する耐久性に優れた材料からなるクランプリング５３が備えられており、その内周縁部で、下部電極５０上の半導体ウェハＷ表面の外周縁部を押し付けて保持するようになっている。クランプリング５３は、複数本のクランプシャフト５４によって、気密容器２０の天井部に固定されており、下部電極５０の昇降により、半導体ウェハＷの保持と開放を行うようになっている。
【００２２】
次に、クランプリング５３及びシールドリング３３の詳細について、図２及び図３を用いて説明する。図２は、クランプリング５３の要部の拡大断面図であり、図３は、シールドリング３３の要部の拡大断面図である。
【００２３】
図２に示すように、クランプリング５３の被処理体被覆部としてのウェハ被覆部５３ａは、クランプリング５３の内周縁部で、半導体ウェハＷを被覆している部位であり、略上方に面した上面５３ｂ、ウェハ被覆部５３ａの最内周を構成する第１の内壁面５３ｃ、半導体ウェハＷに対向する第１の下面５３ｄ、段差を構成する第２の内壁面５３ｅ及び半導体ウェハＷに当接する第２の下面５３ｆで構成されている。ここで、ウェハ被覆部５３ａの最内周を構成する第１の内壁面５３ｃと、その上方で隣接する上面５３ｂとで形成される稜５３ｇ、及び第１の内壁面５３ｃと、その下方で隣接する第１の下面５３ｄとで形成される稜５３ｈには、いずれも機械研削によってＲ０．２ｍｍのＲ面取りが施されている。
【００２４】
一方、図３に示すように、シールドリング３３の上部電極被覆部３３ａは、シールドリング３３の内周縁部で、上部電極３０を被覆している部位であり、略下方に面し、湾曲した下面３３ｂ及び上部電極３０に当接する上面３３ｃで構成されている。この上部電極被覆部３３ａの最内周を構成するのは、下面３３ｂと上面３３ｃとで形成される稜３３ｄであり、この稜３３ｄにも、機械研削によってＲ０．２ｍｍのＲ面取りが施されている。
【００２５】
次に、本実施形態のプラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置１０の動作について、再度図１を用いて説明する。
【００２６】
まず、下部電極５０を二点鎖線で示す位置に下降させた状態で、開口部２１の外側から図示しない搬送機構によって、未処理の半導体ウェハＷを気密容器２０内に搬入し、下部電極５０上に載置する。次に、気密容器２０内を密閉した後に、昇降軸５１を駆動して下部電極５０を上昇させ、半導体ウェハＷの外周縁部をクランプリング５３に当接さて固定する。そして、気密容器２０内は、排気管２２の外側に備えられた図示しない真空ポンプで所定の真空度、例えば数Ｐａ〜数十Ｐａ程度まで真空引きされる。
【００２７】
次に、図示しないガス供給源よりＣＨＦ3、ＣＦ4、Ａｒ等のエッチングガスがガス供給管３１を介して上部電極３０に供給され、このエッチングガスは上部電極３０下面の小孔３２より気密容器２０内部に流出する。同時に、高周波電源４０により上部電極３０へ高周波電圧が印加され、接地された下部電極５０との間の空間にプラズマを発生させる。このプラズマで下部電極５０上の半導体ウェハＷがエッチング処理される。
【００２８】
エッチングが完了すると前述とは逆の工程、すなわち、半導体ウェハＷが載置された下部電極５０を二点鎖線で示す位置に下降させ、図示しない搬送機構によって開口部２１から処理された半導体ウェハＷが取り出される。
【００２９】
上述したエッチング処理の間、半導体ウェハＷとともに、クランプリング５３及びシールドリング３３も、プラズマにさらされることになる。しかし、本実施形態のクランプリング５３及びシールドリング３３は、特に高密度なプラズマにさらされる内周縁部にある稜にＲ面取り（凸曲面での面取り）を施しており、電荷が集中しやすい角部を有していないために、放電の集中を抑制して、パーティクルの発生を抑えることができる。
【００３０】
ここで、クランプリング５３の内周縁部のＲ面取りの有無によるパーティクルの発生数量を実際に確認した結果を示す。
【００３１】
ＲＦパワーが７００Ｗ、ＲＦ周波数が３８０ｋＨｚ、圧力が２００ｍＴｏｒｒ、エッチングガスがＣＨＦ3／ＣＦ4／Ａｒで、その流量がそれぞれ２０／２５／２００ＳＣＣＭの条件で、６０秒間の処理の後、半導体ウェハ上に飛散した粒径０．３ｍｍ以上のパーティクル数を確認した。
【００３２】
その結果、内周縁部にＲ面取りがなく角部を有するクランプリングを使用した場合には、９７個のパーティクルが確認されたのに対して、内周縁部の稜にＲ０．２ｍｍのＲ面取りを施したクランプリングを使用した場合のパーティクル数は、僅か８個であった。
【００３３】
以上説明したように、本実施形態のプラズマエッチング装置１０によれば、以下の効果を得ることができる。
【００３４】
本実施形態によれば、シールドリング３３の上部電極被覆部３３ａ及びクランプリング５３のウェハ被覆部５３ａの最内周を構成する部位の稜３３ｄ，５３ｇ，５３ｈにＲ面取りが施されており、電荷が集中しやすい角部を有していないため、その部位が高密度のプラズマにさらされても放電の集中を抑制することが可能となる。その結果、シールドリング３３及びクランプリング５３がプラズマに浸食されて発生するパーティクルを低減することが可能となる。
【００３５】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態に係るプラズマ処理装置を、図４を用いて説明する。図４は、本実施形態におけるプラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置の全体構成を示す模式的な断面図である。ここで、プラズマエッチング装置６０は、第１実施形態と同様、被処理体としての半導体ウェハをエッチング処理するものであるが、本実施形態では、ＥＣＲ（電子マグネトロン共鳴）放電により発生するＥＣＲプラズマによって処理を行うＥＣＲプラズマエッチング装置である。
【００３６】
図４に示すように、プラズマエッチング装置６０の上部には、図示しないマグネトロンから発生するマイクロ波を導く導波管６１が備えられ、導波管６１の下方には、処理室６２を封止するとともに、処理室６２にマイクロ波を供給するための石英板６３が備えられている。
【００３７】
処理室６２は、例えばアルミニウムからなる放電ブロック６４で囲まれており、その内壁面は、例えば石英からなるブロックカバー６５が備えられている。また、放電ブロック６４は支持部６６に支えられており、その下方に備えられた排気管６７から、図示しない真空ポンプによって真空排気が行われ、処理室６２を真空に維持することができる。つまり、本実施形態では、石英板６３、放電ブロック６４及び支持部６６が気密容器として機能している。また、放電ブロック６４の周囲には、処理室６２に磁場を供給するためのソレノイドコイル６８が配設され、さらに、放電ブロック６４の側面には、放電ブロック６４の内部を挿通して処理室６２にエッチングガスを供給するためのガス供給管６９が備えられている。
【００３８】
処理室６２の下側には、半導体ウェハＷを載置する載置台７０が備えられている。載置台７０は、図示しない昇降機構によって上昇及び下降が可能になっており、さらに、載置台７０には、高周波電源７１が接続されている。載置台７０に載置された半導体ウェハＷは、クランプリング７２によって保持されており、さらに、クランプリング７２の上方には、半導体ウェハＷを均一にエッチング処理するための均一化リング７３が備えられている。ここで、クランプリング７２と均一化リング７３は、アルミナセラミック等の絶縁性とプラズマに対する耐久性に優れた材料からなっている。
【００３９】
次に、本実施形態におけるクランプリング７２及び均一化リング７３の詳細について、図５を用いて説明する。図５は、クランプリング７２及び均一化リング７３の要部の拡大断面図である。
【００４０】
図５に示すように、クランプリング７２の被処理体被覆部としてのウェハ被覆部７２ａは、クランプリング７２の内周縁部で、半導体ウェハＷを被覆している部位であり、上方に面した上面７２ｂ、ウェハ被覆部７２ａの最内周を構成する内壁面７２ｃ、半導体ウェハＷに対向する下面７２ｄで構成されている。ここで、ウェハ被覆部７２ａの最内周を構成する内壁面７２ｃと、その上方で隣接する上面７２ｂとで形成される稜７２ｅ、及び内壁面７２ｃと、その下方で隣接する下面７２ｄとで形成される稜７２ｆには、いずれも機械研削によってＲ０．２ｍｍのＲ面取りが施されている。
【００４１】
一方、均一化リング７３は、上方に面した上面７３ａ、内壁面７３ｂ、外壁面７３ｃ及びクランプリング７２に当接する下面７３ｄで構成されている。ここで、上面７３ａと内壁面７３ｂとで形成される稜７３ｅ、及び上面７３ａと外壁面７３ｃとで形成される稜７３ｆには、いずれも機械研削によってＲ０．２ｍｍのＲ面取りが施されている。
【００４２】
本実施形態のプラズマエッチング装置６０（図４参照）で処理をする際には、まず、載置台７０が下降した状態で、図示しない搬送機構によって未処理の半導体ウェハＷを載置台７０上に載置する。次いで、ガス供給管６９から処理室６２にエッチングガスを導入しながら、排気管６７から図示しない真空ポンプによって真空排気を行い、処理室６２を所定の圧力に調節した後に、載置台７０を上昇させて、半導体ウェハＷをクランプリング７２に当接させて保持させる。その後、図示しないマグネトロンからマイクロ波を発生させ、ソレノイドコイル６８から磁場を発生させて、処理室６２内に高密度のプラズマを発生させ、さらに、高周波電源７１により載置台７０に高周波を印加して、半導体ウェハＷのエッチング処理を行う。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態のプラズマエッチング装置６０によれば、均一化リング７３の上面７３ａと、内壁面７３ｂ及び外壁面７３ｃとで形成される稜７３ｅ，７３ｆにもＲ面取りを施しているため、第１実施形態における効果と同様の効果を得ることができる。
【００４４】
（変形例）
なお、本発明の実施形態は、以下のように変更してもよい。
【００４５】
・前記実施形態では、プラズマ処理装置の例として、２種のプラズマエッチング装置を示したが、プラズマエッチング装置の形態はこれらに限定されない。さらに、本発明は、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置、イオン注入装置等、エッチング装置以外のプラズマ処理装置にも適用することが可能である。
【００４６】
・前記第１実施形態では、上部電極３０に高周波電源４０が接続され、下部電極５０が接地された例を示したが、印加する電位を逆にして、上部電極３０を接地し、下部電極５０に高周波電源４０を接続するようにしてもよい。或いは、両方の電極３０，５０に高周波電圧を印加するようにしてもよい。
【００４７】
・前記第１実施形態では、クランプリング５３のウェハ被覆部５３ａの内壁面５３ｃがウェハ被覆部５３ａの最内周を構成し、シールドリング３３の上部電極被覆部３３ａの下面３３ｂと上面３３ｃとの稜３３ｄが、上部電極被覆部３３ａの最内周を構成しているが、各被覆部の最内周を構成する部位は、前記に限定されない。クランプリング５３のウェハ被覆部５３ａの最内周を構成する部位は稜であって、これにＲ面取りが施されていてもよいし、シールドリング３３の上部電極被覆部３３ａの最内周を構成する部位は内壁面であって、この内壁面と上下で隣接する面との稜にＲ面取りが施されていてもよい。
【００４８】
・前記第２実施形態では、クランプリング７２と均一化リング７３とは、別体で構成されているが、これらが一体化された構造（均一化リングを備えたクランプリング）であってもよい。
【００４９】
・前記第２実施形態では、均一化リング７３の上面７３ａと内壁面７３ｂとで形成される稜７３ｅ、及び上面７３ａと外壁面７３ｃとで形成される稜７３ｆの両方にＲ面取りを施しているが、より高密度なプラズマにさらされるうえ、パーティクルが半導体ウェハＷの表面に飛散しやすい内側の稜７３ｅのみにＲ面取りを施すだけでも大きな効果を得ることができる。
【００５０】
なお、本明細書においては、半導体ウェハＷの処理面が面する方向を上方としている。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】第１実施形態に係るプラズマエッチング装置の全体構成を示す模式断面図。
【図２】クランプリングの要部の拡大断面図。
【図３】シールドリングの要部の拡大断面図。
【図４】第２実施形態に係るプラズマエッチング装置の全体構成を示す模式断面図。
【図５】クランプリングと均一化リングの要部の拡大断面図。
【符号の説明】
【００５２】
１０…プラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置、２０…気密容器、２１…開口部、２１ａ…ゲートバルブ、２２…排気管、３０…上部電極、３１…ガス供給管、３２…小孔、３３…シールドリング、３３ａ…上部電極被覆部、３３ｂ…下面、３３ｃ…上面、３３ｄ…稜、４０…高周波電源、５０…載置台としての下部電極、５１…昇降軸、５２…ベローズ、５３…クランプリング、５３ａ…被処理体被覆部としてのウェハ被覆部、５３ｂ…上面、５３ｃ…第１の内壁面、５３ｄ…第１の下面、５３ｅ…第２の内壁面、５３ｆ…第２の下面、５３ｇ，５３ｈ…稜、５４…クランプシャフト、６０…プラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置、６１…導波管、６２…処理室、６３…気密容器を構成する石英板、６４…気密容器を構成する放電ブロック、６５…ブロックカバー、６６…気密容器を構成する支持部、６７…排気管、６８…ソレノイドコイル、６９…ガス供給管、７０…載置台、７１…高周波電源、７２…クランプリング、７２ａ…被処理体被覆部としてのウェハ被覆部、７２ｂ…上面、７２ｃ…内壁面、７２ｄ…下面、７２ｅ，７２ｆ…稜、７３…均一化リング、７３ａ…上面、７３ｂ…内壁面、７３ｃ…外壁面、７３ｄ…下面、７３ｅ，７３ｆ…稜、Ｗ…被処理体としての半導体ウェハ。
【図１】
2005175368.tif 000003
【図２】
2005175368.tif 000004
【図３】
2005175368.tif 000005
【図４】
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【図５】
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