(57)【要約】【課題】反射膜の残留ＤＣ電圧に起因するフリッカの発生を抑制することができる半透過型液晶表示装置を提供する【解決手段】アクティブマトリクス基板４０の反射領域１０１のＴＦＴのソース電極７を反射膜として兼用し、透過領域１０２の透明電極膜１１をＴＦＴ上の凸状の透明有機膜９表面に延設してコンタクトホールを介してソース電極７に電気的に接続する。対向基板５０の対向電極２２は、透明電極膜１１と同一材料で形成される。アクティブマトリクス基板４０と対向基板５０の間に液晶層３０を挿入して半透過型液晶表示装置が構成される。対向基板５０の対向電極２２を、透明電極膜１１と同一材料で構成したことにより、残留ＤＣ電圧に起因するフリッカの発生が抑制される。また、光路変換層２６や光散乱層２３により、反射膜として機能するソース電極７等の光源の写りこみが抑制される。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の透明絶縁基板上に互いに略直交する複数のデータ線と複数のゲート線と、前記データ線と前記ゲート線との交点近傍に配設されたスイッチング素子として動作する薄膜トランジスタとを有し、前記データ線と前記ゲート線とで包囲される各々の画素領域に、反射膜を有し、前記薄膜トランジスタが配置される反射領域と、第１の透明電極膜を有する透過領域と、を備える第１の基板と、第２の絶縁透明基板を有し、前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置された液晶層と、を備えた半透過型液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタは、前記反射領域に配置され、半導体層と、前記データ線に接続されたドレイン電極と、反射膜の機能を有するソース電極と、を備え、前記反射領域には、透明有機膜が、前記薄膜トランジスタを覆うように凸状に形成されており、前記透過領域には、画素電極として機能する第１の透明電極膜が形成されており、前記第１の透明電極膜は、前記反射領域の前記透明有機膜上に延設され、前記透明有機膜表面からコンタクトホールを介して前記ソース電極に接続されており、前記第２の絶縁透明基板上には、前記第１の透明電極膜と同じ材料からなり、対向電極として機能する第２の透明電極膜が形成されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２の基板は、カラーフィルター層を備えていることを特徴とする請求項１記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１の基板は、前記第１の透明電極膜の下層にカラーフィルター層を備えていることを特徴とする請求項１記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１の基板は、前記反射領域の前記透明有機膜中にライン状またはドット状にパターニングされたカラーフィルター層を備えていることを特徴とする請求項１記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項５】
前記液晶挟持面と反対側の前記第１の基板及び前記第２の基板の面に、位相差板と偏光板がこの順にそれぞれ配設されていることを特徴とする１〜４のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項６】
前記第２の基板側の前記位相差板と前記第２の基板の間に光散乱層を備えていることを特徴とする請求項５に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項７】
前記第２の基板の前記偏光板の外側に光路変換層を備えることを特徴とする請求項５または６に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項８】
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、表面にＡｌ，Ａｌ合金，Ａｇ，またはＡｇ合金から選択された一つの金属を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項９】
前記透明有機膜は、前記データ線および前記ゲート線上にもこれらの配線を覆うように設けられ、前記データ線および前記ゲート線上の前記透明有機膜上にこれらの配線に重畳するように前記第１の透明電極膜が設けられていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１０】
前記透明有機膜はアクリル樹脂であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１１】
前記透明有機膜の表面は、該表面に形成された前記第１の透明電極膜面が全反射による反射機能を備える凹凸面が形成されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１２】
互いに略直交する複数のゲート線および複数のデータ線と、前記ゲート線と前記データ線との交点近傍に配設されるスイッチング素子として動作する薄膜トランジスタと、前記ゲート線と前記データ線とで包囲される各々の画素領域に反射膜を有し、前記薄膜トランジスタが配置される反射領域と第１の透明電極膜を有する透過領域とを備える第１の基板と、前該第１の基板に対向配置され、第２の透明電極膜を有する第２の基板とのギャップに液晶を挟持する半透過型液晶表示装置の製造方法において、前記薄膜トランジスタのソース電極が前記反射膜を兼用するように形成され、前記第１の透明電極膜および前記第２の透明電極膜が同じ材料で形成され、前記反射領域の前記薄膜トランジスタ上に前記ソース電極に接続するためのコンタクトホールを有する凸状の透明有機膜をパターニングした後、前記透過領域に前記第１の透明電極膜をパターニングすると同時に前記第１の透明電極膜を前記透明有機膜上に延設し、前記コンタクトホールを介して前記ソース電極に電気的に接続するようにパターニングすることを特徴とする半透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ソース電極は、Ａｌ，Ａｌ合金，Ａｇ，またはＡｇ合金から選択された一つの金属を含むことを特徴とする請求項１２記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記透過領域および前記反射領域に前記第１の透明電極膜をパターニングする際に、前記第１の透明電極膜を前記各画素周囲の前記ゲート線および前記データ線に重畳するようにパターニングすることを特徴とする請求項１２または１３記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記反射領域の前記薄膜トランジスタ上に前記ソース電極に接続するための前記コンタクトホールを有する凸状の前記透明有機膜を形成する際に、前記透明有機膜表面に形成される前記第１の透明電極膜が全反射による反射機能を有するように、前記透明有機膜表面に所定の平均傾斜角を有する凹凸面が形成されることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記透明有機膜はアクリル樹脂で形成されることを特徴とする請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２の基板の前記第１の基板側にカラーフィルター層が形成されることを特徴とする請求項１２〜１６のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１の基板の前記第１の透明電極膜の下層にカラーフィルター層が形成されることを特徴とする請求項１２〜１６のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１の透明絶縁基板の前記薄膜トランジスタを含む全面にパッシベーション膜が形成され、前記反射領域の前記パッシベーション膜上に前記カラーフィルター層がライン状またはドット状にパターニングされた後、該カラーフィルター層を覆うように前記透明有機膜材料を塗布してパターニングし、表面に所定の平均傾斜角を有する前記凹凸面を有する前記透明有機膜を形成することを特徴とする請求項１５記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１の基板及び前記第２の基板の、前記液晶挟持面と反対側の面に、前記基板側から位相差板と偏光板がこの順に配設されることを特徴とする１２〜１９のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第２の基板と前記位相差板の間に光散乱層が形成されることを特徴とする１２〜２０のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第２の基板の前記偏光板の外側に光路変換層が形成されることを特徴とする１２〜２１のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に、画素中に透過領域と反射領域とを備えた半透過型液晶表示装置 及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、小型・薄型・低消費電力という特徴から携帯電話、ＰＤＡ(Personal Digital Assistance)などの広い分野で実用化が進められている。この液晶表示装置は、アクティブマトリクス(Active Matrix)方式と単純マトリクス(Passive Matrix)方式との２つの駆動方式が知られている。通常、アクティブマトリクス(Active Matrix)方式は、高品質の画像を表示できるで、広く採用されている。
【０００３】
アクティブマトリクス方式で駆動される液晶表示装置は、透過型と反射型に分類される。透過型と反射型の液晶表示装置は、いずれも、液晶表示装置の主要部を構成する液晶パネルが電子シャッターとして働いて外部から入射した光を通過または遮断させることにより画像を表示することを基本原理としている。即ち、これらの液晶表示装置は、自ら発光する機能を有していない。したがって、液晶表示装置で画像を表示する場合は、いずれのタイプでも別途に光源を必要とする。例えば、透過型液晶表示装置は、液晶パネルの裏面（画像の表示面と反対の面）にバックライトからなる光源を設けている。そして、この液晶パネルでバックライトから入射した光を透過／遮断を切り替えることにより表示が制御されるように構成されている。このような透過型液晶表示装置では、バックライト光を常に入射することにより、同透過型液晶表示装置が使用される場所の周囲の明るさに無関係に明るい画面を得ることができる。しかし、一般にバックライト光源の消費電力は大きく、透過型液晶表示装置の電力の半分近くがバックライト光源に消費されるため、消費電力増大の要因となってしまう。特に、バッテリーで駆動するタイプの透過型液晶表示装置は、使用可能時間が短くなる。使用可能時間を延長するために大型のバッテリーを搭載すると、透過型液晶表示装置は、装置全体の重量が大きくなり、小型化・軽量化の妨げになる。
【０００４】
そこで、透過型液晶表示装置におけるバックライト光源の消費電力の問題を解決するために、バックライト光源を不要にした反射型液晶表示装置が提案されている。反射型液晶表示装置では、液晶表示装置が使用される場所の周囲に存在している光（以下、外部周囲光とも称する）を光源として利用する。この反射型液晶表示装置は、液晶パネルの内部に反射板を設けている。そして、反射型液晶表示装置では、液晶パネルの内部に入射し、その反射板で反射された外部周囲光の透過／遮断を切り替えることにより表示が制御される。この反射型液晶表示装置では、透過型液晶表示装置のようなバックライト光源が不要なので、消費電力の低減、小型化・軽量化を図ることができる。しかしながら、反射型液晶表示装置は、周囲が暗い場合には外部周囲光が光源として十分に働かなくなるので、視認性が著しく低下してしまう問題を有している。
【０００５】
このように、透過型液晶表示装置及び反射型液晶表示装置にはそれぞれ一長一短があり、外光に対応した安定した表示をえることが難しい。そこで、バックライト光源の消費電力を抑え、かつ外部周囲光が暗い場合でも視認性を向上させることができるように、半透過型液晶表示装置が特許文献１や特許文献２等に提案されている。半透過型液晶表示装置は、液晶パネルの画素領域に透過領域と反射領域を備え、透過型液晶表示装置及び反射型液晶表示装置としての動作を１つの液晶パネルで実現するように構成されている。
【０００６】
上記のような半透過型液晶表示装置によれば、外部周囲光が暗い場合にはバックライトをオンにし、上記透過領域を利用することによって透過型液晶表示装置として動作させる。そして、半透過型液晶表示装置では、周囲が暗い場合でも視認性向上という透過型液晶表示装置の特性を発揮することができる。一方、半透過型液晶表示装置では、外部周囲光が十分に明るい場合にはバックライトをオフにし、上記反射領域を利用して反射型液晶表示装置として動作させる。このように、外部周囲光が十分に明るい場合には、低消費電力という反射型液晶表示装置の特性を発揮させることができる。
【０００７】
この半透過型液晶表示装置において、透過型液晶表示装置として動作させるための透過領域ではバックライトからの入射光が透過層を透過する。一方、反射型液晶表示装置として動作させるための反射領域では外部周囲光である入射光が液晶パネルの液晶層を往復して通過する。この結果、液晶層における上記両入射光間には光路差が生ずる。このため、半透過型液晶表示装置では、液晶層の膜厚である反射領域の反射ギャップ値と、透過領域の透過ギャップ値を液晶のツイスト角に応じて最適値に設定する必要がある。そうすることによって、反射領域及び透過領域でのリタデーションの相違によって表示面から出射する出射光の強度を最適化できる。
【０００８】
図８は特許文献２に開示されている透過領域及び反射領域を有する半透過型液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。同半透過型液晶表示装置は、図８に示すように、アクティブマトリクス基板１１２と、対向基板１１６と、両基板に狭持された液晶層１１７備えている。さらに、同表示装置は、アクティブマトリクス基板１１２の裏面にバックライト光源１１８と、アクティブマトリクス基板１１２及び対向基板１１６の各々の外側に位相差板（λ／４板）１２０ａ，１２０ｂ及び偏光板１１９ａ，１１９ｂを備えている。ここで、アクティブマトリクス基板１１２の対向基板１１６と対向する面には、透明電極膜１０５および反射膜１０６（反射電極）が設けられている。透明電極膜１０５は、画素領域の透過領域として働き、反射膜１０６（反射電極）は、反射領域として働く。このように各光学部材を相互に配置して半透過型液晶表示装置を構成することにより、入射光及び出射光の偏光状態を制御して出射光強度の最適化を図っている。なお、図１０の符号ｄｒ，ｄｆはそれぞれ、液晶層の膜厚である反射領域の反射ギャップ値および透過領域の透過ギャップ値を示す。
【０００９】
次に、図９を参照にして、従来の半透過型液晶表示装置の液晶パネルの構成について説明する。半透過型の液晶パネルは、同図に示すように、スイッチング素子として動作する薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor: TFT)が形成されたアクティブマトリクス基板１１２と、対向基板１１６と、両基板間に狭持された液晶層１１７を備えている。ここで、アクティブマトリクス基板１１２は、透明絶縁基板６０と、この透明絶縁基板６０上に形成されたゲート線（表示していない）およびデータ線（表示していない）と、このゲート線に接続されたゲート電極６１と、ゲート絶縁膜６３と、半導体層６４と、を備えている。そして、さらに、アクティブマトリクス基板１１２は、半導体層６４の両端から引き出されてそれぞれデータ線及び画素電極に接続されたドレイン電極６５及びソース電極６６と、パッシベーション膜６７とを備えている。
画素領域２００は、バックライト光源１１８からの入射光を透過させる透過領域２０２と、入射された外部周囲光を反射させる反射領域２０１とに分割されている。透過領域２０２のパッシベーション膜６７上には、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)等から成る透明電極膜１０５が形成されている。反射領域２０１の透明電極膜１０５は、有機膜７０等の凹凸面に形成されたＡｌまたはＡｌ合金を含む反射膜１０６に接続されている。透明電極膜１０５及び反射膜１０６は、パッシベーション膜６７に形成されたコンタクトホール６９を通じてソース電極６６に接続されている。これらの透明電極膜１０５及び反射膜１０６は、画素電極として働く。これらの電極膜上には配向膜（図示していない）が形成されている。
【００１０】
ここで、ゲート電極６１、ゲート絶縁膜６３、半導体層６４、ドレイン電極６５及びソース電極６６により、ＴＦＴが構成されている。一方、対向基板１１６は、透明絶縁基板９０と、カラーフィルター９１と、ブラックマトリクス（図示せず）と、対向電極９２と、配向膜（図示していない）とを備えている。
【００１１】
このような構造の半透過型液晶表示装置では、透過領域２０２では、バックライト光源１１８より出射され、アクティブマトリクス基板１１２の裏面から入射したバックライト光が、液晶層１１７を通過して対向基板１１６から出射される。そして、反射領域２０１では、対向基板１１６から入射した外部周囲光が、液晶層１１７を通過した後、反射膜１０６で反射されて再び液晶層１１７を通過して対向基板１１６から出射される。凹凸膜（凹凸面を有する有機膜７０をいう）の段差は、反射ギャップｄｒが透過ギャップｄｆの約半分（ただし、ツイスト角Φが略０°の例）になるように設計される。このように、反射ギャップｄｒと透過ギャップｄｆを設計することによって、各々の領域を通過する両入射光間の光路長が略等しくなり、出射光の偏光状態が調整される。
【００１２】
次に、図１０を参照にして、上記の特許文献１や特許文献２に開示されているような従来の半透過液晶表示装置の製造方法例を工程順に説明する。まず、図１０（ａ）に示すように、ガラス等の透明絶縁基板６０上にＡｌ−Ｎｄ，Ｃｒ等の金属膜を全面に堆積する。この金属膜を、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によりパターニングし、ゲート線、ゲート電極６１、コモンストレージ線及び補助容量電極が形成される（第１のフォトリソグラフィー工程、以下第１ＰＲと略す）。
【００１３】
次に、図１０（ｂ）に示すように、ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘなどのゲート絶縁膜６３が透明絶縁基板６０上の全面に形成される。次にプラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法等によりａ(amorphous)−Ｓｉ膜などの半導体膜が、透明絶縁基板６０上の全面に堆積される。この半導体膜をパターニングしてＴＦＴの半導体層６４が形成される（第２ＰＲ）。
【００１４】
次に図１０（ｃ）に示すように、Ｃｒ等の金属膜を透明絶縁基板６０上の全面に堆積する。この金属膜をパターニングしてデータ線、ドレイン電極６５、ソース電極６６が形成される（第３ＰＲ）。以上によりＴＦＴが形成される。
【００１５】
その後、図１０（ｄ）に示すように、ＴＦＴを保護するためにＳｉＮｘ膜等から成るパッシベーション膜６７が透明絶縁基板６０上の全面に堆積された後、画素電極とＴＦＴを接続するためのコンタクトホール６９が開口される（第４ＰＲ）。
【００１６】
次に図１０（ｅ）に示すように、スパッタ法により透明絶縁基板６０上の全面にＩＴＯ等の透明導電膜が堆積される。この透明導電膜をパターニングして、各々の画素全面を覆う透明電極膜１０５が形成される（第５ＰＲ）。
【００１７】
次に図１０（ｆ）に示すように、スピン塗布法によりパッシベーション膜６７および透明電極膜１０５上に感光性アクリル樹脂が塗布することによって、画素領域の反射領域に凹凸膜が形成される。この凹凸膜は、外部周囲光である入射光が後述の反射膜により反射される際に、この反射光の視認性を高めるために形成される。また、感光性アクリル樹脂の凹凸膜を形成する場合、凹部は比較的少ない光量により露光される。一方凸部は未露光とし、また、コンタクトホールを形成する領域は比較的多い光量により露光される。このような露光を行うには、例えば、上記凸部に対応する部分には反射膜、コンタクトホール等に対応する部分には透過膜のマスクが用いられる。そして、凹部に対応する部分には半透過膜が形成されたハーフトーン（グレートーン）マスクが用いられる。このようなハーフトーンマスクを用いることにより、１回の露光で凹凸が形成される。なお、ハーフトーンマスクを用いる代わりに、通常の反射領域と透過領域のみからなるマスクを用いてコンタクトホール部と凹部形成部を別々に露光することによっても凹凸を形成することができる。その後、アルカリ現像液を用い、凹部、凸部、コンタクトホール等のそれぞれのアルカリ溶液による溶解速度の差を利用して凹凸を形成する（第６ＰＲ）。
【００１８】
次に、図１０（ｇ）のようにスパッタ法又は蒸着法を用いて透明絶縁基板６０上の全面にＭｏとＡｌが連続して堆積され、画素電極用金属膜が形成される。この金属膜の反射領域となる部分がレジストパタンで被覆された後、露出した金属膜（Ｍｏ／Ａｌ）がドライエッチング又はウェットエッチングされて反射膜１０６が形成される（第７ＰＲ）。ここでＭｏは反射膜としてのＡｌと画素電極のＩＴＯが直接接触し、現像工程にて電食反応をおこすのを防止するためのバリアメタルとして用いられる。なお、ＡｌとＭｏは同じウェットエッチング液にてエッチングできるので、プロセス数が増加することがないため、バリアメタルとしてＭｏが好まれる。
【００１９】
その後、図示していないが、ポリイミドから成る配向膜が透明絶縁基板６０上の全面に被覆されてアクティブマトリクス基板１１２が製造される。
【００２０】
次に、透明絶縁基板９０上にカラーフィルター９１、ブラックマトリクス、対向電極９２、配向膜等が順次形成されて構成される対向基板１１６が用意される。そして、両基板間に液晶層１１７を介挿される。各々の基板の両側には、位相差板（λ／４板）１２０ａ，１２０ｂおよび偏光板１１９ａ，１１９ｂが配置される。そして、アクティブマトリクス基板１１２側の偏光板１１９ａの裏面には、バックライト光源１１８が配置されて半透過型液晶表示装置が製造される。
【００２１】
【特許文献１】特開２００３−１５６７５６号公報（図１）
【特許文献２】特開２００３−０５０３８９号公報（図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
前述したように従来の半透過型液晶表示装置は、透過型液晶表示装置と比べて画素領域の反射領域の凹凸膜の形成工程と反射膜の形成工程が増え、フォトリソグラフィー工程（ＰＲ）数も７ＰＲとなり、製造コストアップ要因となる。
【００２３】
さらに、反射電極（Ａｌ）と対向電極（ＩＴＯ）とが異なる金属であるために、反射領域に残留ＤＣ電圧（残留電荷による電圧）が生じてフリッカが発生するという問題が生じる。この残留ＤＣ電圧の問題について、以下に詳しく述べる。
【００２４】
アクティブマトリクス方式で駆動される半透過型液晶表示装置は、通常、交流電圧で駆動される。対向電極に印加する電圧を基準電圧として、画素電極には、一定時間毎に正極性及び負極性に変化する電圧が供給される。液晶に印加した電圧は、正の電圧波形と負の電圧波形とが対称形であることが望ましい。しかしながら、画素電極に電圧波形が対称な交流電圧を印加しても、実際に液晶に印加された電圧波形は意図しない後述するようなＤＣ電圧成分が残留すると、対称形にはならない。このため、正の電圧を印加した時の光透過率と負の電圧を印加した時の液晶層の光透過率が異なってくる。そして、画素電極に印加する交流電圧の周期で半透過型液晶表示装置の輝度が変動してフリッカと呼ばれるちらつきが発生する。このフリッカは、後述するように、液晶分子を配向制御するために液晶層の両側の対向基板及びアクティブマトリクス基板の表面に各々形成された配向膜に起因して発生する。特にＴＦＴ基板の電極と対向基板の電極が異なる場合にＤＣ電圧成分が発生する。この問題は、アクティブマトリクス基板の最上層にＡｌ等から成る反射膜が形成され、その上面にポリイミドからなる配向膜が塗布された従来型の半透過構造における本質的な問題である。この残留ＤＣ電圧に起因するフリッカの発生を抑制する構造の提案が望まれている。
【００２５】
本発明は、上述の事情に鑑みて、なされたもので、透過型液晶表示装置に比べ、フォトリソグラフィー工程数が多い従来の半透過型液晶表示装置における問題を解決することを目的とする。そして、本発明は、外光下で反射光が十分に見える構造の半透過型液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的としている。また、本発明は、反射膜の残留ＤＣ電圧に起因するフリッカの発生を抑制することができる半透過型液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明の半透過型液晶表示装置は、第１の基板と、第１の基板に対向配置された第２の基板と、上記第１の基板と上記第２の基板との間に配置された液晶層と、を備えている。
上記第１の基板は、第１の透明絶縁基板上に互いに略直交する複数のデータ線と複数のゲート線と、データ線とゲート線との交点近傍に配設されたスイッチング素子として動作するＴＦＴとを有している。そして、上記第１の基板は、上記データ線と上記ゲート線とで包囲される各々の画素領域に、反射膜を有し、上記ＴＦＴが配置される反射領域と第１の透明電極膜を有する透過領域とを備えている。上記の第１の基板に対向配置された第２の基板は、第２の絶縁透明基板を有している。
【００２７】
上記の第１の基板に設けられたＴＦＴは、上記の反射領域に配置され、半導体層と、上記データ線に接続されたドレイン電極と、反射膜の機能を有するソース電極と、を備えて構成される。上記反射領域の上記ＴＦＴを覆うように、透明有機膜が、凸状に形成される。上記の第１の基板は、上記透過領域に画素電極として機能する第１の透明電極膜を備える。この第１の透明電極膜は、上記反射領域の上記透明有機膜上に延設され、該透明有機膜表面からコンタクトホールを介して上記ソース電極に接続される。上記第２の絶縁透明基板上には対向電極として機能する第２の透明電極膜が形成される。この第２の透明電極膜は、上記第１の透明電極膜と同じ材料からなる。
【００２８】
上記の本発明の半透過型液晶表示装置は、上記第２の基板の上記第１の基板側または第１の基板の上記第１の透明電極膜の下層にカラーフィルター層備えることができる。上記の本発明の半透過型液晶表示装置は、第１の基板の上記第１の透明電極膜の下層にカラーフィルター層を備える場合、前記透過領域の上記透明有機膜中にライン状またはドット状にパターニングされたカラーフィルター層を備えることができる。
【００２９】
上記の本発明の半透過型液晶表示装置は、上記第１の基板及び上記第２の基板の液晶挟持面と反対側の面に、各基板側から位相差板と偏光板をこの順に備えることができる。また、上記の本発明の半透過型液晶表示装置は、上記第２の基板と該基板側の上記位相差板の間に光散乱層を備えることができる。さらに、上記の本発明の半透過型液晶表示装置は、第２の基板側の上記偏光板の外側に光路変換層を備えることができる。
【００３０】
上記の本発明の半透過型液晶表示装置は、反射膜の機能を有するソース電極の表面は、Ａｌ，Ａｌ合金，Ａｇ，またはＡｇ合金から選択された金属を用いることができる。
【００３１】
上記の本発明の半透過型液晶表示装置は、上記透明有機膜を上記データ線および上記ゲート線上にもこれらの配線を覆うように設けることができる。そして、上記第１の透明電極膜は、上記データ線および上記ゲート線上の上記透明有機膜上に、これらの配線に重畳するように配設される。
【００３２】
上記の本発明の半透過型液晶表示装置は、透過領域の上記透明有機膜表面に、凹凸面を備えることができる。この凹凸面によって、この凹凸面上に形成される上記第１の透明電極膜面に全反射による反射機能を持たせることができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明の半透過型液晶表示装置では、ソース電極やストレージ電極が反射膜を兼ねているため、従来の半透過型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板製造のフォトリソグラフィー工程に比べ、１工程削減でき、フォトリソグラフィー工程は６ＰＲとなる。これにより製造工程の短縮やコストダウンが可能となる。
【００３４】
本発明の半透過型液晶表示装置では、対向基板側に、所定の光路変換層や光散乱層を用いることでＴＦＴ基板のストレージ電極やソース電極を兼ね、反射板として機能する平坦な金属電極の光源の写りこみを抑制することもできる。
【００３５】
本発明の半透過型液晶表示装置では、ＴＦＴ基板の透明有機膜の表面に所定の平均傾斜角を有する凹凸を設ける。その上に第１の透明電極膜を設けることで、ポリイミドなどの配向膜と第１の透明電極膜の屈折率差を利用して全反射条件で光の一部を反射させることで、写りこみのおきない反射光の制御が可能となる。
【００３６】
本発明の半透過型液晶表示装置では、ゲート線、データ線上にも透明有機膜が設けられる。そして、透明有機膜上に画素電極であるＩＴＯなどの第１の透明電極膜が配線と重畳して設けられる。このように第１の透明電極膜を配線と重畳することで、配線周りの不要な漏れ光の遮光を行うことができる。そして、対向基板上に配線周りの不要な漏れ光を遮光するブラックマトリクスを設ける必要がなく、開口率が高めることができる。また、画素電極と配線が重畳している領域も反射領域として機能するので、反射領域として有効に利用することが可能となる。
【００３７】
さらに、ＴＦＴの形成された第１の基板の反射領域と透過領域にＩＴＯなどの同一の材料の第１の透明電極膜が形成される。そして、液晶層を挟んで第１の基板と対向して設けられる第２の基板の対向電極である第２の透明電極膜も第１の透明電極膜と同じ材料で形成される。この構成によって、残留ＤＣ電圧に起因するフリッカの発生を抑制することができる。
【００３８】
また、本発明の半透過型液晶表示装置では、ＴＦＴの形成された第１の基板側にカラーフィルターを設けた場合には、反射領域の透明有機膜中に凸状に細かくランダムにパターニングされたカラーフィルター層が設けられる。これらカラーフィルター層のベース上に透明有機膜を塗布することで、ＩＴＯをレンズとして用いるだけの所定の傾斜角をもった凹凸を容易に形成することができる。さらに反射領域のカラーフィルターは穴あき状になっているため、反射領域では光が２回通過することによる反射率の極端な低下や、透過との色が極端なずれを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
［第１の実施例］
【００４０】
図１は、本発明の第１の実施例である半透過型液晶表示装置の構成を示すＴＦＴ付近の断面図である。図２は、本発明の第１の実施例である半透過型液晶表示装置の構成を示す平面図である。また、図３（ａ）および図３（ｂ）は、それぞれ図２のＡ−Ａ’線およびＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。図４は、同半透過型液晶表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【００４１】
この例の半透過型液晶表示装置は、図１に示すように、スイッチング素子として動作するＴＦＴが形成されたアクティブマトリクス基板４０と、対向基板５０と、両基板間に介挿された液晶層３０とを備えている。半透過型液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板４０の裏面にバックライト光源１４と、アクティブマトリクス基板４０及び対向基板５０の各々の外側に位相差板（λ／４板）１２，２４及び偏光板１３，２５とを備えている。
【００４２】
アクティブマトリクス基板４０は、データ線３２とゲート線３１とで包囲される各々の画素領域１００を備えている。画素領域１００は、外光を反射させる反射領域１０１と、バックライト光源１４からの入射光を透過させる透過領域１０２とで構成される。
【００４３】
アクティブマトリクス基板４０のＴＦＴは、反射領域１０１に配置される。ＴＦＴは、ゲート電極２と、半導体層５と、データ線３２に接続されたドレイン電極６と、反射膜の機能を有するソース電極７とで構成される。反射領域１０１のＴＦＴを覆うように凸状に透明有機膜９が形成される。アクティブマトリクス基板４０は、透過領域１０２に画素電極として機能する透明電極膜１１を備える。透明電極膜１１は、アクティブマトリクス基板４０の透明有機膜９および透過領域１０２を覆う態様で形成されている。反射領域１０１の透明有機膜９上に延設された透明電極膜１１は、透明有機膜９表面からコンタクトホール１０を介してソース電極７に接続される。ＴＦＴ上にはパッシベーション膜８が形成されている。なお、図示していないが、透明電極膜１１の表面には、配向膜が形成されている。
【００４４】
一方、対向基板５０は、透明絶縁基板２０と、カラーフィルター２１と、アクティブマトリクス基板４０の透明電極膜１１（画素電極）と同じ材料からなる対向電極２２と、配向膜(図示せず)とを備えている。
【００４５】
対向基板５０の液晶と接する面と反対側には、位相差板（λ／４板）２４と偏光板２５が設けられている。さらにその上には光路変換層２６が設けられている。また、対向基板５０と偏光板２５の間には光散乱層２３が設けられている。
【００４６】
ここで、反射領域１０１の透明有機膜９の下部にあるストレージ電極３やソース電極７は、反射板としての機能を兼ねており、Ａｌ等の反射率の高い金属が好ましい。また、本実施の形態では反射板であるストレージ電極３やソース電極７が平坦であるため、パネルの法線成分に対して−３０°から入射された光は基本的には３０°に出射することになり、光源の写りこみ等が避けられない。
【００４７】
このため、本実施の形態では光路変換層２６を用いて、−３０°から入射した光が０°付近に出射するようにしている。光路変換層２６としては、例えば住友化学株式会社製ルミシティーなどの光路変換フィルムを使用することができる。このフィルムは、山状の表面形状を有し、空気層の屈折率とフィルムの屈折率差を利用して光路を変換するものである。
【００４８】
光散乱層２３としては、例えばのりの中に屈折率の異なるビーズをちりばめたものが使用できる。光散乱層２３によって光を乱反射させ、光束を広げることができる。なお、本実施の形態では、写りこみ防止のために光路変換層２６を用いたが、光散乱層２３だけでもある程度、写りこみを防止することができる。また、通常は半透過型液晶パネル上にはタッチパネルを載せる場合があり、タッチパネル自体に表面形状を作りこんで、光路変換層２６としての機能を持たせることが可能である。
【００４９】
透明有機膜９の平均的な高さは、半透過型液晶表示装置の透過領域のギャップｄｆ(液晶層の厚さ)と反射領域のギャップｄｒ(液晶層の厚さ)の差となるように設定される。液晶の屈折率異方性Δｎ＝０．０８３の場合、透過領域の最適ギャップｄｆと反射領域の最適ギャップｄｒは図１１のように計算される。よって、ツイスト角０°で設計する場合は透過領域ギャップｄｆ＝２．８μｍ、反射領域ギャップｄｒ＝１．４μｍ付近が好ましいので、透明有機膜の段差は１．４μｍとなる。
【００５０】
また、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すとおり、ゲート線３１、データ線３２上にも透明有機膜９が設けられている。そして、透明有機膜９上に画素電極であるＩＴＯ等から構成される透明電極膜１１が設けられている。透明有機膜９の膜厚を１〜３μｍと厚くし、画素電極−配線間容量を十分に小さくするで、画素電極はデータ線３２やゲート線３１と重畳させることが可能である。このように、画素電極をデータ線３２やゲート線３１と重畳することで、データ線３２やゲート線３１の配線周りの不要な漏れ光の遮光を行う。その結果、対向基板５０上に配線周りの不要な漏れ光を遮光するブラックマトリクスを設ける必要がなく、開口率を高めることができる。画素電極と配線が重畳している領域も反射領域として機能するので、反射領域として有効に利用することが可能となる。画素電極は、反射領域も透過領域も共にＩＴＯであり、対向電極５０の材料のＩＴＯと同じである。そのために、従来例のように反射領域上のポリイミド等から構成される配向膜にのみ電子が残る残留ＤＣ電圧が生じることがなく、フリッカ問題も発生することがない。
【００５１】
次に、図４を参照にして、この例の半透過型液晶表示装置の製造方法を工程順に説明する。まず、図４（ａ）に示すように、ガラス等の透明絶縁基板１上にＡｌ―Ｎｄ，Ｃｒ等の金属膜を全面に堆積する。そして、この金属膜をパターニングし、ゲート線(表示していない)、ゲート電極２、ストレージ電極３、コモンストレージ線３３(表示していない)および補助容量電極(表示していない)を形成する（第１のフォトリソグラフィー工程、以下第１ＰＲと略す）。なお、図示されていない構成部は、図１および図２に示している。
【００５２】
次に図４（ｂ）に示すように、ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘなどの材料から構成されるゲート絶縁膜４を全面に形成した後、プラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法等によりａ(amorphous)−Ｓｉなどの半導体膜を全面に堆積する。この半導体膜をパターニングして半導体層５を形成する（第２ＰＲ）。
【００５３】
次に、図４（ｃ）に示すように、Ａｌ−Ｎｄ，Ｃｒ等の金属を全面に堆積した後、パターニングして、データ線３２(表示していない)、ドレイン電極６、ソース電極７を形成する（第３ＰＲ）。以上により薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する。その後、図４（ｄ）に示すように、ＳｉＮｘ膜等から成るパッシベーション膜８を全面に堆積して、ＴＦＴを保護する。ここで、補助容量電極やソース電極７、データ線３２、ゲート線３１は反射板としても機能させるために、反射率の高い金属、例えばＡｌ，Ａｌ合金，Ａｇ，Ａｇ合金を反射面に含むことが好ましい。反射金属層は、これらの金属または合金から選択された単層膜または２層以上の積層膜でもよい。
【００５４】
次に図４（ｅ）に示すように、スピン塗布法により画素領域１００のパッシベーション膜８上に感光性アクリル樹脂（例えばＪＳＲ製ＰＣ４０３等）からなる有機膜を塗布する。この有機膜を露光現像し、ＴＦＴ部上に透明有機膜９のパターンとコンタクトホール１０を形成する（第４ＰＲ）。感光性アクリル樹脂の現像はアルカリ現像液を用いる。次にパッシベーション膜８を開口し、画素電極とＴＦＴを接続するためのコンタクトホールを開口する（第５ＰＲ）。
【００５５】
次に図４（ｆ）に示すように、スパッタ法により全面にＩＴＯ等の透明な導電膜を堆積した後、レジストパタンを用いてエッチングして、各々の画素全面を覆う透明電極膜１１を形成する（第６ＰＲ）。その後、透明電極膜１１上にポリイミドから成る配向膜（図示していない）を形成してアクティブマトリクス基板４０を完成させる。次に、図示していないが、透明絶縁基板２０上に順次にカラーフィルター２１、対向電極２２、ポリイミドから成る配向膜等を形成して完成させた対向基板５０を用意する。対向電極２２は、アクティブマトリクス基板４０の透明電極膜１１と同じ材料からなる。そして、両基板間に液晶層３０を介挿し、各々の基板の両側に位相差板（λ／４板）１２，２４と偏光板１３，２５とを配設する。そして、アクティブマトリクス基板４０側の偏光板１３の裏面に、バックライト光源１４を設置することにより、半透過型液晶表示装置を製造する。
【００５６】
以上のように本発明の実施形態の半透過型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の製造では、フォトリソグラフィー工程は６ＰＲである。本発明のアクティブマトリクス基板は、従来の半透過型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板製造のフォトリソグラフィー工程の７ＰＲと比較して、製造工程の短縮や製造コスト低減が可能となる。
［第２の実施例］
【００５７】
図５は、この発明の第２の実施例である半透過型液晶表示装置の構成を示す平面図である。本実施例の半透過型液晶表示装置の構成が、第１の実施例と大きく異なるところは、透明有機膜９の表面にランダムな凹凸面１１ａを設けたことにある。図６はこの凹凸面１１ａを有する透明有機膜部の拡大図である。凸状に形成されている反射領域の透明有機膜９の上層に設けられている透明電極膜は一般にＩＴＯであり、屈折率はｎ１＝２．０程度である。一方、その上層のポリイミドや液晶の屈折率はｎ２＝１．５程度である。入射光からみた凹凸の傾斜角θｃが、ｓｉｎθｃ＝（ｎ２／ｎ１）＝０．７５より得られる臨界角の約４８．６°以上である場合は、ＩＴＯで光が反射することになる。図６のように、凹凸を掘り込み、傾斜角を例えば２０°につけるとΦ＝−３０°で入射した光はＡ領域では全反射することになる。よって、傾斜角を平均傾斜角（θｃ−Φ＝２０°）にして、ある程度の傾斜角分布を持たせると、入射光の一部は凹凸形状をもったＩＴＯ表面で反射し、しかも入射角と出射角が異なるので、写りこみも起こらないことになる。この場合、出射角の制御には下地の透明有機膜の凸パターンや凹凸面形状の制御が重要となる。
【００５８】
次にこの例の半透過型液晶表示装置の製造方法を工程順に説明する。透明有機膜表面の凹凸面の形成以外は上記の第１の実施例と同じであるので説明を省略する。透明有機膜表面の凹凸面１１ａの形成工程では、まず感光性アクリル樹脂を塗布する。感光性アクリル樹脂の露光は、凹凸面の凸部は未露光とし、凹凸面の凹部では、比較的少ない光量により露光する。また、コンタクトホールを形成する領域は比較的多い光量により露光する。このような露光を行うには、ハーフトーン（グレートーン）マスクを用いればよい。ハーフトーンマスクを用いることにより、１回の露光で透明有機膜９の表面の凹凸面１１ａとコンタクトホール１０を形成することができる。なお、通常の凹凸面１１ａとコンタクトホール１０は、通常の反射領域と透過領域のみからなるマスクを用いることによっても形成できる。
【００５９】
また、更に別の凹凸面の形成方法を説明する。まず、表面に微細な凹凸を有する光学面を加工して原版を形成し、感光性アクリルシートの表面に前記原版を押し付けて凹凸形状を転写して、所定の凹凸形状を有した感光性アクリルシートを製造する。次に本シートをアクティブマトリクス基板に印刷法により印刷を行う。次にフォトリソグラフィー法によりコンタクトホールに対応する部分にのみ光を照射して、不要なアクリルを除去する。その後、アクリルを焼成して硬化させる。
【００６０】
以上のような所定の凹凸面形状を有したシートを印刷することで凹凸面形状を製造することにより、高い平均傾斜角を持つ凹凸形状が可能となり、反射特性の制御が容易になる。また、転写法及び印刷法により凹凸膜を作成しているため、製造コストが低減できる。
［第３の実施例］
【００６１】
図７は、本発明の第３の実施例である半透過型液晶表示装置の構成を示す平面図、及び断面図である。本実施例の半透過型液晶表示装置の構成が、第１の実施例および第２の実施例と大きく異なるところは、アクティブマトリクス基板４０側にカラーフィルターが設けられている点である。この例の半透過型液晶表示装置は、図７に示すように、ＴＦＴが形成されたアクティブマトリクス基板４０と、対向基板５０と、両基板に介挿された液晶層３０とを備えている。そして、アクティブマトリクス基板４０の裏面には、配置されたバックライト光源１４が配置される。アクティブマトリクス基板４０及び対向基板５０の各々の外側には、位相差板（λ／４板）１２，２４及び偏光板１３，２５が設けられる。なお、図７のその他の符号で図５と同じものは、図５と同じものを示している。
【００６２】
アクティブマトリクス基板４０は、データ線３２とゲート線３１とで包囲される各々の画素領域１００を備えている。画素領域１００は、外光を反射させる反射領域１０１と、バックライト光源１４からの入射光を透過させる透過領域１０２とで構成される。
【００６３】
アクティブマトリクス基板４０のＴＦＴは、反射領域１０１に配置される。ＴＦＴは、ゲート電極２と、半導体層５と、データ線３２に接続されたドレイン電極６と、反射膜の機能を有するソース電極７とで構成される。反射領域１０１のＴＦＴを覆うように凸状に透明有機膜９が形成される。アクティブマトリクス基板４０は、透過領域１０２に画素電極として機能する透明電極膜１１を備える。透明電極膜１１は、アクティブマトリクス基板４０の透明有機膜９および透過領域１０２を覆う態様で形成されている。反射領域１０１の透明有機膜９上に延設された透明電極膜１１は、透明有機膜９表面からコンタクトホール１０を介してソース電極７に接続される。ＴＦＴ上にはパッシベーション膜８が形成されている。なお、図示していないが、透明電極膜１１の表面には、配向膜が形成されている。
【００６４】
反射領域１０１には、パッシベーション膜８上に凸状に細かくランダムにパターニングされたカラーフィルター２１ａが設けられている。パターニングされたカラーフィルター２１ａとしては、図のように孤立したドット状でもよいし、ライン状でもよい。パッシベーション膜８上には、カラーフィルター２１ａがゲート線やデータ線上にかかるようにライン状に設けられている。透過領域１０２のカラーフィルター２１ａは、反射領域１０１のようには細かくパターニングされてはいない。このように反射領域１０１のみ細かくランダムにパタ−ニングした理由は、その上に透明有機膜を塗布して凹凸面を形成するベースとするためである。透過光は、カラーフィルター２１ａを１回しか通過しないのに対し、反射光は、カラーフィルター２１ａを２回通過する。このように反射領域１０１のみ細かくランダムにパタ−ニングすることによって、反射率の極端の低下や、透過領域１０２と反射領域の極端な色ずれが防止される。さらに反射領域１０１には、パッシベーション膜８上に凸状に細かくランダムにパターニングされたカラーフィルター２１ａの上に透明有機膜９が設けられている。第２の実施例と同様に、反射領域１０１の透明有機膜９の表面は、所定の傾斜角分布の凹凸面１１ｂが得られるように調整されている。透過領域には反射領域との段差を調整するため、透明有機膜９は設けられていない。また、凹凸面の凹凸の平均的な高さは、半透過型液晶表示装置の透過領域のギャップｄｆと反射領域のギャップｄｒの差となるように設定されるのは第２の実施例と同様である。透明な画素電極（透明電極膜１１）は、コンタクトホール１０を通じてソース電極７に接続されており、反射領域及び透過領域の液晶を駆動する共通の画素電極としての役割を果たしている。
【００６５】
一方、対向基板５０は、透明絶縁基板２０と、アクティブマトリクス基板４０の透明電極膜１１と同じ材料（ＩＴＯ等）からなる対向電極２２と、配向膜（図示していない）とを備えている。対向電極２２は、アクティブマトリクス基板４０の透明電極膜１１と同じ材料（ＩＴＯ等）からなる。
【００６６】
本実施例である半透過型液晶表示装置の製造方法は、カラーフィルター層２１ａを形成することと、透明有機膜９にハーフ露光する必要がない以外は第２の実施例と同様であるため、説明を省略する。なお、カラーフィルター層２１ａの形成はフォトリソグラフィー法で行ってもよいし、印刷法を用いてもよい。
【００６７】
本実施例の特徴は、反射領域１０１には、パッシベーション膜８上に凸状に細かくランダムにパターニングされたカラーフィルターが２１ａ設けられている点である。カラーフィルター２１ａのベース上に透明有機膜９形成用のアクリル樹脂等（紫外線硬化型または熱重合型のどちらでもよい）を塗布して硬化することで、凹凸面を有する透明有機膜９が形成できる。アクリル樹脂は、紫外線硬化型または熱重合型のどちらでもよい。この透明有機膜９の凹凸面にＩＴＯ膜を形成することで、所定の傾斜角をもった透明電極膜１１の凹凸面１１ｂを形成することができる。このＩＴＯ膜の凹凸面１１ｂは、レンズとして用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、半透過型液晶表示装置の製造方法に利用でき、また本発明で製造された半透過型液晶表示装置は、各種電子機器の表示装置として利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の第１の実施例の半透過型液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例の半透過型液晶表示装置の構成を示すＴＦＴ付近の平面図である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図２のＡ−Ａ’線およびＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【図４】本発明の第１の実施例の半透過型液晶表示装置の製造方法を工程順に示す工程図である。
【図５】本発明の第２の実施例の半透過型液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図６】図５の凹凸面を有する透明有機膜部の拡大図である。
【図７】本発明の第３の実施例である半透過型液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図８】透過領域及び反射領域を有する半透過型液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図９】従来の半透過型液晶表示装置の液晶パネルの構成を示す断面図である。
【図１０】従来の半透過型液晶表示装置の製造方法を工程順に説明する要部の断面図である。
【図１１】半透過型液晶表示装置のＴＦＴ上の透明有機膜の平均的な高さと透過領域のギャップおよび反射領域のギャップとの関係を示す図である。
【符号の説明】
【００７０】
１，２０，６０  透明絶縁基板
２，６１  ゲート電極
３  ストレージ電極
４，６３  ゲート絶縁膜
５，６４  半導体層
６，６５  ドレイン電極
７，６６  ソース電極
８，６７  パッシベーション膜
９  透明有機膜
１０，６９  コンタクトホール
１１，１０５  透明電極膜
１１ａ  凹凸面
１２，２４，１２０ａ，１２０ｂ  位相差板（λ／４板）
１３，２５，１１９ａ，１１９ｂ  偏光板
１４，１１８  バックライト光源
２１，２１ａ，９１  カラーフィルター
２２，９２  対向電極
２３  光散乱層
２６  光路変換層
３０，１１７  液晶層
３１  ゲート線
３２  データ線
３３  コモンストレージ線
４０，１１２  アクティブマトリクス基板
５０，１１６  対向基板
７０  有機膜
１００，２００  画素領域
１０１，２０１  反射領域
１０２，２０２  透過領域
１０６  反射膜
【図１】
2005275102.tif 000003
【図２】
2005275102.tif 000004
【図３】
2005275102.tif 000005
【図４】
2005275102.tif 000006
【図５】
2005275102.tif 000007
【図６】
2005275102.tif 000008
【図７】
2005275102.tif 000009
【図８】
2005275102.tif 000010
【図９】
2005275102.tif 000011
【図１０】
2005275102.tif 000012
【図１１】
2005275102.tif 000013