(57)【要約】【課題】光半導体素子を気密封止する透光性蓋体にキズが付きにくく、長期にわたって精度よく光半導体素子に外光を受光させることが可能な光半導体装置を提供すること。【解決手段】光半導体装置９は、上面に光半導体素子３を収容し搭載するための凹部１ａを有する絶縁基体１と、絶縁基体１の凹部１ａの内側から外側に導出された配線導体２と、絶縁基体１の凹部１ａの底面に接合されて搭載されるとともに電極４が配線導体２に電気的に接続された光半導体素子３と、絶縁基体１の上面に凹部１ａを塞ぐようにして接合材７を介して取着された透光性蓋体５とを具備し、接合材７は透光性蓋体５の側面および上面の外周部を覆っている。【選択図】  図１
2005050937.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に光半導体素子を収容し搭載するための凹部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の前記凹部の内側から外側に導出された配線導体と、前記絶縁基体の前記凹部の底面に接合されて搭載されるとともに電極が前記配線導体に電気的に接続された光半導体素子と、前記絶縁基体の上面に前記凹部を塞ぐようにして接合材を介して取着された透光性蓋体とを具備している光半導体装置において、前記接合材は、前記透光性蓋体の側面および上面の外周部を覆っていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁基体はその上面の外形寸法が前記透光性蓋体の外形寸法よりも大きく、前記接合材は前記絶縁基体の上面の外周部から前記透光性蓋体の側面を経て上面の外周部にかけて連続して覆っていることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記接合材は、前記透光性蓋体の上面の外周部にある部位の内周端が、前記凹部の内周面よりも外側に位置していることを特徴とする請求項１または請求項２記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記接合材は、その厚みが前記透光性蓋体の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトダイオード、ラインセンサ、イメージセンサ等の受光素子である光半導体素子またはこれらの受光部を有する光半導体素子等を具備した光半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のフォトダイオード（ＰＤ）、ラインセンサ、イメージセンサ等の受光素子である光半導体素子またはこれらの受光部を有する光半導体素子を具備した光半導体装置を構成する絶縁基体は、上面に光半導体素子を収容するための凹部が形成されている。また、絶縁基体の凹部の内側から外側に配線導体が導出されている。
【０００３】
光半導体素子は絶縁基体の凹部内に収容されるとともに凹部の底面に樹脂接着剤等により接合されて搭載されており、その光半導体素子の上面の外周部等には電極が設けられている。光半導体素子の電極と上記配線導体のうち凹部の内側に露出した部位とが、Ａｕ，Ａｌ等から成るボンディングワイヤにより電気的に接続される。また、透光性蓋体が絶縁基体の上面に凹部を塞ぐようにして接合材を介して取着されている。
【０００４】
このように従来の光半導体装置は、透光性蓋体を有することにより、光半導体装置の内部空間にゴミなどの異物が侵入することを防止するとともに、光半導体装置の内部空間を密閉空間とすることで、外部雰囲気の湿気が半導体装置内に侵入するのを極力防ぐようにして、光半導体素子の耐久性を向上させるようにしている。
【０００５】
なお、一般的な半導体装置では、外部機器との電気的接続を行うために絶縁基体の外周部に外部接続端子が配設されており、その外部接続端子は、配線導体のうち凹部の外側に導出された部位と接続され、配線導体等を介して電極パッドと接続されている。
【０００６】
そして、光半導体素子により透光性蓋体を通して外光を受光して変換されて生じた電気信号は、配線導体および外部接続端子を経由して光半導体装置の外部に配置された各種の機器や素子などに送られる。
【０００７】
なお、従来のＰＤ、ラインセンサ、イメージセンサ等の受光素子である光半導体素子またはこれらの受光部を有する光半導体素子を具備した光半導体装置において、接合材としては、一般的にシリカフィラーを混入させたエポキシ樹脂やフェノール樹脂，クレゾール樹脂，粉体カーボンとシリコン樹脂粒子の混合体等が使用されている。また、接合材は、通常、透光性蓋体を絶縁基体の上面に接合し取着しておくのに必要な程度の量が用いられており、蓋体と絶縁基体との間に介在するとともに、蓋体と絶縁基体との接合面の外側から蓋体の側面にかけてはみ出すようにして被着している。
【０００８】
【特許文献１】
特開１９９８−１１６９４０号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の光半導体装置においては、光半導体装置の外部電気回路基板への実装や、搬送等の取り扱いの際、透光性蓋体が誤って実装用の治具，装置や搬送用のトレイ等に接触し、キズが付いてしまうという問題があった。透光性蓋体にキズが付くと、この透光性蓋体を通る外光に歪みが生じたり、外光が通れなくなったりして、外光が光半導体素子に正常に受光されず、光半導体素子から外部の機器や素子などに正常な電気信号を送れなくなるという問題点があった。
【００１０】
また、特に透光性蓋体がガラスからなる場合、そのエッジ部（側面と上面との間の稜線部分等）よりガラスの破片（カレット）が剥離しやすく、その破片が透光性蓋体の表面に付着し、また経時変化により固着し、外光が透光性蓋体を通過する際に歪を生じるという問題点もあった。
【００１１】
特に、近時、ＰＤ、ラインセンサ、イメージセンサ等の光半導体素子は、画像の精細化や、センサとしての検知精度の高精度化等の要求に応じて受光部が非常に精細に形成されているため、わずかな透光性蓋体のキズや破片の付着であっても、このような問題点を生じてしまう。
【００１２】
従って、本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、透光性蓋体にキズが付きにくく、光半導体素子に外光を正常に受光させることができ、正常な電気信号を外部の機器や素子などに送ることが可能な信頼性の高い光半導体装置を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の光半導体装置は、上面に光半導体素子を収容し搭載するための凹部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の前記凹部の内側から外側に導出された配線導体と、前記絶縁基体の前記凹部の底面に接合されて搭載されるとともに電極が前記配線導体に電気的に接続された光半導体素子と、前記絶縁基体の上面に前記凹部を塞ぐようにして接合材を介して取着された透光性蓋体とを具備している光半導体装置において、前記接合材は、前記透光性蓋体の側面および上面の外周部を覆っていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の光半導体装置によれば、透光性蓋体を絶縁基体に取着している接合材が、透光性蓋体の側面および上面の外周部を覆っていることから、透光性蓋体のうち外部の装置等と接触しやすい外周部分が接合材で保護されることになり、光半導体装置の取り扱いの際に誤って透光性蓋体にキズが付くことを効果的に防止することができる。
【００１５】
また、透光性蓋体の上面の外周部を覆う接合材の上端部分が、透光性蓋体の上面よりも高い位置であるため、光半導体装置が外部の装置，治具等に接触するときには、まず透光性蓋体の上面の外周部を覆う接合材の上端部分に接触するようになり、透光性蓋体の上面にキズが付くことを効果的に防止することができる。
【００１６】
さらに、透光性蓋体がガラスから成る場合でも、ガラスの破片が剥離しやすいエッジ部が接合材で被覆されているため、エッジ部でガラスの破片が剥離することを効果的に防止することができる。
【００１７】
これらの結果、透光性蓋体にキズが付きにくく、またガラス破片の付着も効果的に防止された、光半導体素子に外光を正常に受光させることができ、正常な電気信号を外部の機器や素子などに送ることが可能な信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００１８】
また、本発明の光半導体装置は、好ましくは、前記絶縁基体はその上面の外形寸法が前記透光性蓋体の外形寸法よりも大きく、前記接合材は前記絶縁基体の上面の外周部から前記透光性蓋体の側面を経て上面の外周部にかけて連続して覆っていることを特徴とする。
【００１９】
本発明の光半導体装置は、好ましくは、絶縁基体はその上面の外形寸法が透光性蓋体の外形寸法よりも大きく、接合材は絶縁基体の上面の外周部から透光性蓋体の側面を経て上面の外周部にかけて連続して覆っていることから、透光性蓋体の外周部分を接合材で十分に覆ってより効果的に保護することができ、透光性蓋体のキズ等をより一層効果的に防止することができる。また、透光性蓋体の外周部分が十分な接合材を介して絶縁基体の上面に強固に接合されることになるため、透光性蓋体が絶縁基体により一層強固に取着された、気密封止の信頼性の高い光半導体装置とすることができる。
【００２０】
また本発明の光半導体装置は、前記接合材は、前記透光性蓋体の上面の外周部にある部位の内周端が、前記凹部の内周面よりも外側に位置していることを特徴とする。
【００２１】
本発明の光半導体装置は、好ましくは、接合材は、透光性蓋体の上面の外周部にある部位の内周端が、凹部の内周面よりも外側に位置していることから、透光性蓋体の上面の外周部を覆う接合材が、凹部の内側、つまり透光性蓋体のうち光半導体素子に受光される外光が通る部位を接合材が遮蔽することは効果的に防止され、より一層確実に、光半導体素子に外光を正常に受光させることができ、より精度の高い光半導体装置とすることができる。
【００２２】
また本発明の光半導体装置は、好ましくは、前記接合材は、その厚みが前記透光性蓋体の厚みよりも厚いことを特徴とする。
【００２３】
本発明の光半導体装置は、好ましくは、接合材は、その厚みが透光性蓋体の厚みよりも厚いことから、この接合材の高さが透光性蓋体の上面に対して十分に高いものとなる。このため、搬送等の際に、装置や治具等は、接合材でより効果的に遮られて透光性蓋体の上面に接触することがより効果的に防止される。これにより、透光性蓋体にキズが付くことがより一層効果的に防止され、光半導体素子に外光をより確実に正常に受光させることができ、正常な電気信号を外部の機器や素子などにより確実に送ることが可能な、極めて信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体装置について以下に詳細に説明する。図１は本発明の光半導体装置について実施の形態の例を示す断面図である。図１において、１は絶縁基体、２は配線導体、３は光半導体素子、４は光半導体素子の電極、５は透光性蓋体、６は光半導体素子３を絶縁基体１に接合し搭載するための接着剤、７は接合材、８はボンディングワイヤである。これらの絶縁基体１、配線導体２、半導体素子３、蓋体５、接合材７およびボンディングワイヤ８により、光半導体装置９が主に構成されている。
【００２５】
本発明の絶縁基体１は、その上面に形成された凹部１ａに光半導体素子３が収容されて凹部１ａの底面に接着剤６により接合されて搭載される。この光半導体素子３は上面に受光部が設けられており、また光半導体素子３の上面の外周部には電源用や信号用等の電極４が設けられている。また、凹部１ａの内側から外側に配線導体２が導出されており、凹部１ａの内側に露出した配線導体２と光半導体素子３の電極４とがＡｕ，Ａｌ等から成るボンディングワイヤ８で電気的に接続されている。
【００２６】
さらに、絶縁基体１の上面の凹部１ａの周囲の全周に樹脂接着剤等から成る接合材７を塗布し、ガラス，石英，サファイア，透明樹脂等から成る透光性蓋体５が接合されて取着される。
【００２７】
本発明における絶縁基体１は、アルミナ質焼結体（アルミナセラミックス），窒化アルミニウムセラミックス，炭化珪素セラミックス，窒化珪素セラミックス，ガラスセラミックス等のセラミックス、樹脂等から成る。そして、絶縁基体１はその底板部の上面の外周部に別体の枠状の側壁部が設けられているか、または絶縁基体１の底板部と側壁部とが一体的に形成されていてもよい。
【００２８】
絶縁基体１の上面には、光半導体素子３を収容し底面に載置するための凹部１ａが形成されており、配線導体２が凹部１ａの内側から外側に導出されるとともに、この配線導体２のうち凹部１ａの内側に露出した部位に半導体素子３の電極４がボンディングワイヤ８を介して接続されることにより、絶縁基体１に搭載された光半導体素子３は、電極４、ボンディングワイヤ８および配線導体２を介して外部電気回路に電気的に接続される。
【００２９】
この配線導体２は、タングステン，モリブデン，銅，銀等のメタライズ導体等により形成されている。そして、配線導体２は、例えば絶縁基体１となるセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）に予め所定のスルーホールを形成し、タングステン，モリブデン，銅，銀等の金属ペーストをスルーホールの内面に印刷塗布したり充填しておくことにより形成される。
【００３０】
また、光半導体素子３は、その上面の中央部に受光部が設けられており、その上面の受光部の周囲である外周部には、電源用や信号用の電極４が設けられている。光半導体素子３は、ＰＤ，ラインセンサ，イメージセンサ，ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｒａｓａｂｌｅ  ａｎｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ＲＯＭ）等の受光素子、またはこれらの受光部を有する光半導体素子などからなるものである。
【００３１】
この光半導体素子３は絶縁基体１の凹部１ａの底面に載置され、樹脂接着剤，ろう材，低融点ガラス等から成る接着材６によって接着されており、光半導体素子３の上面の外周部には電極４が設けられている。光半導体素子３の電極４と、配線導体２の凹部１ａの内側に露出している部分とは、Ａｕ，Ａｌ等からなるボンディングワイヤ８により電気的に接続される。
【００３２】
なお、ボンディングワイヤ８は、その長さを０．３〜０．８ｍｍとすることが好ましい。０．３ｍｍ未満では、ボンディングワイヤ８が短すぎて十分なループを形成することが難しくなるため、半導体素子３の電極４と電極パッドとを確実に接続することが難しくなり、接続不良が生じやすくなる。０．８ｍｍを超えると、ボンディングワイヤ８が長くなりすぎてループが不要に高くなる傾向があり、ボンディングワイヤ８に不要なインダクタンスが発生して高周波信号の伝送性が劣化しやすくなるとともにコスト高となる。
【００３３】
また、半導体素子３の電極４と配線導体２との接続は、ボンディングワイヤ８により行うものに限らず、いわゆるリボン等の帯状の接続線等を用いてもよい。
【００３４】
また、透光性蓋体５が樹脂接着剤等からなる接合材７を介して絶縁基体１の上面に接合され取着されており、これにより半導体素子３を搭載し収容した凹部１ａが気密封止される。この接合材７は、例えば樹脂接着剤からなる場合であれば、アクリル系樹脂，エポキシ系樹脂，フェノール系樹脂，クレゾール系樹脂，シリコーン系樹脂，ポリエーテルアミド系樹脂等から成る。この接合材７は、余計な外光の入射を遮断するために、黒色，茶褐色，暗褐色，暗緑色，濃青色等の暗色系の顔料や染料を混入させてもよい。また、接合材７は、ガラス等の無機材料からなるものや、無機材料からなるフィラー粉末を樹脂接着剤に添加したものでもよい。
【００３５】
また、透光性蓋体５の上下面の少なくとも一方に、紫外線を遮断するための光学膜を形成してもよい。
【００３６】
この光半導体装置９は、画像認識装置，センサ等の光学機器や電子機器の部品として使用される。例えば、このような光学機器や電子機器を構成する電気回路基板の所定位置に実装され、外光を受光するとともに光半導体素子３で電気信号に変換し、その電気信号を光学機器や電子機器を構成する電気回路基板に供給する。
【００３７】
なお、光半導体装置９の外部電気回路基板への実装の際には、複数の光半導体装置９を搬送用トレイ等に収納し、まとめて実装用の装置まで搬送する必要があり、また、光半導体装置９をチャック等の保持装置で保持し、外部電気回路基板の所定位置に位置合わせする必要がある。また、光半導体装置９のトレイへの出し入れは、手作業による方法や自動搬送装置等の設備を用いる方法により行われる。
【００３８】
本発明の半導体装置９においては、透光性蓋体５を絶縁基体１の上面に取着している接合材７が、透光性蓋体５の側面および上面の外周部を覆っている。これにより、透光性蓋体５のうち、光半導体装置９の搬送用や実装用等の外部の装置，治具，トレイ等と接触しやすい外周部分が接合材７で保護されることになり、光半導体装置９の取り扱いの際に誤って透光性蓋体５にキズが付くことを効果的に防止することができる。
【００３９】
また、透光性蓋体５の上面の外周部を覆う接合材７の上端部分が、透光性蓋体５の上面よりも高い位置であるため、光半導体装置９が外部の装置，治具等に接触するときには、まず透光性蓋体５の上面の外周部を覆う接合材７の上端部分に接触するようになり、透光性蓋体５の上面にキズが付くことを効果的に防止することができる。
【００４０】
また、透光性蓋体５がガラスから成る場合でも、ガラスの破片が剥離しやすいエッジ部が接合材７で被覆されているため、エッジ部でガラスの破片が剥離することを効果的に防止することができる。
【００４１】
その結果、透光性蓋体５にキズが付きにくく、光半導体素子３に外光を正常に受光させることができ、正常な電気信号を外部の機器や素子などに送ることが可能な信頼性の高い光半導体装置９を提供することができる。
【００４２】
また、本発明の光半導体装置９は、絶縁基体１の上面の外形寸法が透光性蓋体５の外形寸法よりも大きく、接合材７は絶縁基体１の上面の外周部から透光性蓋体５の側面を経て上面の外周部にかけて連続して覆っていることが好ましい。
【００４３】
このように、絶縁基体１の上面の外形寸法を透光性蓋体５の外形寸法よりも大きくして、接合材７が絶縁基体１の上面の外周部から透光性蓋体５の側面を経て上面の外周部にかけて連続して覆っているものとすることにより、透光性蓋体５の外周部分を接合材７で十分に覆ってより効果的に保護することができ、透光性蓋体５の上面にキズが付くことをより一層効果的に防止することができる。また、透光性蓋体５の外周部分が十分な接合材７を介して絶縁基体１の上面に強固に接合されることになるため、透光性蓋体５が絶縁基体１により一層強固に取着された、気密封止の信頼性の高い光半導体装置とすることができる。
【００４４】
また、絶縁基体１の上面の寸法が透光性蓋体５の外形寸法よりも大きいことから、絶縁基体１と透光性蓋体５との接合面の外側に絶縁基体１の上面が延在することになり、この絶縁基体１の延在した上面にも接合材が被着し接合することにより接合材を絶縁基体１により一層強固に接合させることができる。
【００４５】
また、本発明の光半導体装置９は、接合材７のうち透光性蓋体５の上面の外周部にある部位の内周端を、凹部１ａの内周面よりも外側に位置させておくことが好ましい。この場合、透光性蓋体５の上面の外周部を覆う接合材７が、凹部１ａの内側、つまり透光性蓋体５のうち光半導体素子３に受光される外光が通る部位を接合材７が遮蔽することが効果的に防止され、より一層確実に光半導体素子３に外光を正常に受光させることができ、より精度の高い光半導体装置９とすることができる。
【００４６】
このように、接合材７について、透光性蓋体５の上面の外周部にある部位の内周端を、凹部１ａの内周面よりも外側に位置させるようにするには、例えば、接合材７が樹脂接着剤からなる場合、未硬化の樹脂接着剤を間に挟んで絶縁基体１の上面に透光性蓋体５を位置決め載置し、未硬化の樹脂接着剤を硬化させる際に、透光性蓋体５のうち凹部１ａの内周面よりも外側の部位に樹脂接着剤の流れを防止するような治具を介在させて硬化の条件を調節したりすることにより、樹脂接着剤の流れを抑えたりする等の方法を用いることができる。
【００４７】
また本発明の光半導体装置９において、接合材７は、その厚みを透光性蓋体５の厚みよりも厚いものとしておくことが好ましい。接合材７の厚みを透光性蓋体５の厚みよりも厚くしておくと、接合材７の高さが透光性蓋体５の上面に対して十分に高くなるため、搬送等の際に搬送装置や治具等は接合材７でより効果的に遮られて透光性蓋体５の上面に接触することがより効果的に防止される。これにより、透光性蓋体５にキズが付くことがより一層効果的に防止され、光半導体素子３に外光をより確実に正常に受光させることができ、正常な電気信号を外部の機器や素子などにより確実に送ることが可能な、極めて信頼性の高い光半導体装置９とすることができる。
【００４８】
接合材７の厚みを透光性蓋体５の厚みよりも厚くするには、例えば、樹脂接着剤から成る接合材７の接着前の粘度を約５０００ｍＰａ・Ｓ以上と高くしておき、透光性蓋体５の上面の外周部から側面にかけて、この粘度の高い樹脂接着剤を盛り上げて被着させること等により行うことができる。
【００４９】
なお、接合材７の厚みについて、透光性蓋体５の上面からの接合材７の厚みが３ｍｍを超えると、接合材７が透光性蓋体５から剥がれやすくなる。したがって、接合材７の厚みは、透光性蓋体５の厚みよりも厚く、かつ透光性蓋体５の上面からの厚みを３ｍｍ以下とすることが好ましい。なお、透光性蓋体５の厚みは０．５〜１．２ｍｍ程度である。
【００５０】
また、接合材７が透明な樹脂接着剤から成る場合、接合材７の屈折率が透光性蓋体５と同じであってもよい。この場合、接合材７と透光性蓋体５との界面で光の反射や散乱等が発生するのを効果的に抑制することができ、光半導体素子３に余分な反射光や散乱光が入射するのを防ぐことができる。また、接合材７が透明な樹脂接着剤から成る場合、その内部に含まれる気泡の体積が３０体積％以下であることがよい。３０体積％を超えると、接合材７の接合力が低下するとともに、気泡によって光が散乱され光半導体素子３に余分な散乱光が入射する場合がある。接合材７に含まれる気泡の割合を小さくするには、減圧室や真空装置内で接合材７を使用する方法、予め接合材７に含まれる気泡を真空脱泡する方法等がある。
【００５１】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、透光性蓋体５は、その全面が一様に透光性を有するものである必要は無く、光半導体素子３の受光部に受光される外光が通る部分を透光性に優れたものとするとともに、接合材７で上面が覆われる外周部分を、接合材７との接合が強固となるようなセラミック材料や有機樹脂材料等からなるものとしてもよい。
【００５２】
【発明の効果】
本発明の光半導体装置によれば、透光性蓋体を絶縁基体に取着している接合材が、透光性蓋体の側面および上面の外周部を覆っていることから、透光性蓋体のうち外部の装置等と接触しやすい外周部分が接合材で保護されることになり、光半導体装置の取り扱いの際に誤って透光性蓋体にキズが付くことを効果的に防止することができる。
【００５３】
また、透光性蓋体の上面の外周部を覆う接合材の上端部分が、透光性蓋体の上面よりも高い位置であるため、光半導体装置が外部の装置，治具等に接触するときには、まず透光性蓋体の上面の外周部を覆う接合材の上端部分に接触するようになり、透光性蓋体の上面にキズが付くことを効果的に防止することができる。
【００５４】
その結果、透光性蓋体にキズが付きにくく、光半導体素子に外光を正常に受光させることができ、正常な電気信号を外部の機器や素子などに送ることが可能な信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００５５】
本発明の半導体装置は、好ましくは、絶縁基体はその上面の外形寸法が透光性蓋体の外形寸法よりも大きく、接合材は絶縁基体の上面の外周部から透光性蓋体の側面を経て上面の外周部にかけて連続して覆っていることから、透光性蓋体の外周部分を接合材で十分に覆ってより効果的に保護することができ、透光性蓋体のキズ等をより一層効果的に防止することができる。また、透光性蓋体の外周部分が十分な接合材を介して絶縁基体の上面に強固に接合されることになるため、透光性蓋体が絶縁基体により一層強固に取着された、気密封止の信頼性の高い光半導体装置とすることができる。
【００５６】
本発明の光半導体装置は、好ましくは、接合材は、透光性蓋体の上面の外周部にある部位の内周端が、凹部の内周面よりも外側に位置していることから、透光性蓋体の上面の外周部を覆う接合材が、凹部の内側、つまり透光性蓋体のうち光半導体素子に受光される外光が通る部位を接合材が遮蔽することは効果的に防止され、より一層確実に光半導体素子に外光を正常に受光させることができ、より精度の高い光半導体装置とすることができる。
【００５７】
本発明の光半導体装置は、好ましくは、接合材は、その厚みが透光性蓋体の厚みよりも厚いことから、接合材の高さが透光性蓋体の上面に対して十分に高いものとなる。このため、搬送等の際に、装置や治具等は、接合材でより効果的に遮られて透光性蓋体の上面に接触することがより効果的に防止される。これにより、透光性蓋体にキズが付くことがより一層効果的に防止され、光半導体素子に外光をより確実に正常に受光させることができ、正常な電気信号を外部の機器や素子などにより確実に送ることが可能な、極めて信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光半導体装置の実施の形態の例を示す断面図である。
【符号の説明】
１・・・絶縁基体
１ａ・・・凹部
２・・・配線導体
３・・・光半導体素子
４・・・電極
５・・・透光性蓋体
７・・・接合材
９・・・光半導体装置
【図１】
2005050937.tif 000003