(57)【要約】【課題】基板の面内の膜厚均一性を向上させて基板を処理できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、ガラス基板５０上の特定された部分に向けて処理流体を供給するＨＦ調合・供給装置２と、ガラス基板５０上に形成されたＣＶＤ酸化膜の厚みを複数の位置において測定する膜厚測定器５と、膜厚測定器５によって測定されたＣＶＤ酸化膜の厚み情報に基づいて、ガラス基板５０に対する処理流体の供給条件を変動調整する制御システム６とを備える。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の特定された部分に向けて処理流体を供給する処理流体供給手段と、
基板上に形成された膜の厚みを複数の位置において測定する厚み測定手段と、
前記厚み測定手段によって測定された膜の厚み情報に基づいて、基板に対する処理流体の供給条件を変動調整する制御手段とを備える、基板処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記処理流体供給手段から供給される処理流体の濃度を調整する濃度制御手段を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記処理流体供給手段から供給される処理流体の流量を調整する流量制御手段を含む、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板を水平搬送する搬送手段をさらに備え、前記制御手段は、前記搬送手段により基板を搬送する際の速度および方向の少なくとも一方を調整する搬送制御手段を含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
処理流体が供給された基板に向けて洗浄流体を供給する洗浄流体供給手段をさらに備える、請求項１から４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
処理流体および洗浄流体が供給された基板に向けて、基板を乾燥させるための流体を供給する乾燥用流体供給手段をさらに備える、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理流体供給手段は、前記制御手段によってそれぞれ独立して処理流体の供給条件が変動調整される複数の処理流体供給ラインを含む、請求項１から６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、一般的には、基板処理装置に関し、より特定的には、液晶ディスプレイ用基板やプラズマディスプレイ用基板などの表示パネル基板（ガラス基板）、ハードディスク用基板（磁性体基板）、および半装置装置など電子デバイス用のウエハ等の基板において、これらの基板上に形成された膜を処理するための基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、エッチング処理などの膜厚変化を伴う基板処理において、所望の目標値に対して良好な処理結果が得られることを目的とした基板処理装置が、特開平１１−２５１２８８号公報に開示されている（特許文献１）。図６は、特許文献１に開示されている基板処理装置の一部を示す断面図である。
【０００３】
図６を参照して、基板処理装置は、多機能処理部１００を備える。多機能処理部１００は、主に、ケーシング１１０と、ケーシング１１０の内部に収容された多機能処理槽１０２と、多機能処理槽１０２の内部に位置決めされる複数枚の基板Ｗを搭載するためのリフタ１０３と、リフタ１０３に接続され、基板Ｗを昇降させるためのリフタ駆動部１０４とから構成されている。多機能処理槽１０２の内部には、フッ酸および純水が混合されてなる処理液Ｌが供給されており、基板Ｗの全体がその処理液Ｌに浸されている。
【０００４】
また、多機能処理槽１０２の側壁面には、複数の測定端ＭＥが配置されている。測定端ＭＥは、多機能処理槽１０２の内部に位置決めされている基板Ｗの異なる位置に対向するように設けられている。さらに、それぞれの測定端ＭＥは、光ファイバーＯＰＬおよびスルー継手ＴＣを介して、それぞれに対応する膜厚測定器ＴＭに接続されている。
【０００５】
さらに、多機能処理部１００には、図示しない制御部ＣＴＳが設けられている。制御部ＣＴＳは、フッ酸や純水等の供給バルブに接続されたバルブ系ＶＳなどを制御する。
【０００６】
このように構成された基板処理装置では、複数の測定端ＭＥを利用することによって、エッチング処理中の基板Ｗの膜厚を所定の測定点において測定する。制御部ＣＴＳは、膜厚測定器ＴＭによって計測された膜厚から、エッチング処理を継続すべきか、あるいは終了すべきかを判断する。終了すべきと判断した場合には、バルブ系ＶＳの処理を適切に変更し、続く純水による洗浄処理への移行を開始する。
【０００７】
また、膜厚測定器ＴＭによって計測された膜厚に基づいて、エッチングの均一性が不十分であると判断した場合には、エッチング処理に関する様々な条件を変更して、エッチング処理を行なうこともできる。さらに、膜厚均一性が不十分であり、その修正が困難であると判断した場合には、エッチングを直ちに終了することができる。これにより、処理中の基板Ｗを早期に不良と判断し、それ以上無駄な処理を行なわなくて済む。
【０００８】
【特許文献１】
特開平１１−２５１２８８号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献１に開示された基板処理装置では基板の処理形態として浸液方式が採用されており、エッチング時に基板Ｗの全体が処理液に浸されている。このため、膜厚測定器ＴＭの測定により、位置によって膜厚が不揃いであると判明しても、これを修正し、基板Ｗの面内の膜厚均一性を向上させることは非常に困難である。また、処理中の基板Ｗを早期に不良と判断する場合も、基板処理の歩留まりを低下させることとなり好ましくない。
【００１０】
また、半導体装置に用いられるウエハなどに形成された膜を平坦にする場合、ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理が実施される。しかし、液晶ディスプレイ用基板のように処理する基板が大型化すると、ＣＭＰ装置もそれに併せて大きくする必要があるため、実際には開発されていない。
【００１１】
そこでこの発明の目的は、上記の課題を解決することであり、基板の面内の膜厚均一性を向上させて基板を処理できる基板処理装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この発明に従った基板処理装置は、基板上の特定された部分に向けて処理流体を供給する処理流体供給手段と、基板上に形成された膜の厚みを複数の位置において測定する厚み測定手段と、厚み測定手段によって測定された膜の厚み情報に基づいて、基板に対する処理流体の供給条件を変動調整する制御手段とを備える。
【００１３】
このように構成された基板処理装置によれば、厚み測定手段によって測定された基板の面内の膜厚分布が制御手段に導入され、制御手段で膜厚の均一性を向上させるために必要なエッチング量およびエッチングポイントが算出される。そして、その算出されたデータに基づいて処理流体の供給条件が決定され、処理流体供給手段へと伝えられる。このように決定された供給条件に従い基板上の特定された部分に向けて処理流体を供給することによって、基板の面内の膜厚均一性を向上させることができる。これにより、品質の高い基板を提供できるとともに、基板処理の歩留まりを向上させることができる。
【００１４】
また好ましくは、制御手段は、処理流体供給手段から供給される処理流体の濃度を調整する濃度制御手段を含む。このように構成された基板処理装置によれば、処理流体の濃度を高くすることによって、その処理流体が供給された部分の膜厚を相対的に小さくすることができる。また、処理流体の濃度を低くすることによって、その処理流体が供給された部分の膜厚を相対的に大きくすることができる。このため、処理流体の濃度を適当に調整し、その処理流体を基板上の特定された部分に向けて供給することによって、基板の面内の膜厚均一性を向上させることができる。
【００１５】
また好ましくは、制御手段は、処理流体供給手段から供給される処理流体の流量を調整する流量制御手段を含む。このように構成された基板処理装置によれば、処理流体の流量を大きくすることによって、その処理流体が供給された部分の膜厚を相対的に小さくすることができる。また、処理流体の流量を小さくすることによって、その処理流体が供給された部分の膜厚を相対的に大きくすることができる。このため、流量が適当に調整された処理流体を基板上の特定された部分に向けて供給することによって、基板の面内の膜厚均一性を向上させることができる。
【００１６】
また好ましくは、基板処理装置は、基板を水平搬送する搬送手段をさらに備え、制御手段は、搬送手段により基板を搬送する際の速度および方向の少なくとも一方を調整する搬送制御手段を含む。このように構成された基板処理装置によれば、基板の搬送速度を調整することによって、基板上の特定された部分に処理流体が供給される時間を変化させることができる。これにより、基板の搬送速度を遅くすることによって、処理流体が供給された部分の膜厚を相対的に小さくすることができる。また、基板の搬送速度を速くすることによって、処理流体が供給された部分の膜厚を相対的に大きくすることができる。一方、基板の搬送方向を調整することによって、基板上の処理したい部分を処理流体が供給される位置に移動させることができる。以上の理由から、基板の搬送速度および搬送方向の少なくとも一方を適当に調整することによって、基板の面内の膜厚均一性を向上させることができる。
【００１７】
また好ましくは、基板処理装置は、処理流体が供給された基板に向けて洗浄流体を供給する洗浄流体供給手段をさらに備える。このように構成された基板処理装置によれば、処理流体が供給され、既に処理が行なわれた基板上を洗浄することができる。これにより、処理後の基板上に処理流体が残存することによって、基板の面内の膜厚均一性が損なわれることを防止できる。
【００１８】
また好ましくは、基板処理装置は、処理流体および洗浄流体が供給された基板に向けて、基板を乾燥させるための流体を供給する乾燥用流体供給手段をさらに備える。このように構成された基板処理装置によれば、処理および洗浄を終えた基板上を早期に乾燥させることができる。
【００１９】
また好ましくは、処理流体供給手段は、制御手段によってそれぞれ独立して処理流体の供給条件が変動調整される複数の処理流体供給ラインを含む。このように構成された基板処理装置によれば、濃度や流量に関して異なる条件の処理流体を、基板上の複数の部分に同時に供給することができる。これにより、基板の面内の膜厚均一性とともに、基板に対する処理効率も向上させることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
この発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２１】
図１は、この発明の実施の形態における基板処理装置の構成を示す模式図である。図１を参照して、基板処理装置１は、たとえば、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）成膜装置による工程の次工程に配置されている。この場合、基板処理装置１には、ＣＶＤ成膜装置によって表面にＣＶＤ酸化膜が形成されたガラス基板５０が搬送される。ガラス基板５０は、たとえば、液晶パネルに用いられる大型の基板であり、矩形形状を有する。基板処理装置１によって、このガラス基板５０の表面に形成された厚膜のＣＶＤ酸化膜をエッチングし、平坦化された薄膜のＣＶＤ酸化膜を形成する。
【００２２】
基板処理装置１は、搬送されるガラス基板５０の主表面５０ａ上にそれぞれ配置された膜厚測定器５、ＨＦ（フッ酸）処理部品４、ＤＩＷ（ｄｅ−ｉｏｎｉｚｅｄ  ｗａｔｅｒ：純水）供給装置７およびＩＰＡ（イソプロピルアルコール）・Ｎ２（窒素）供給装置８と、ガラス基板５０を所定の方向に搬送するための回転ローラ９および搬送駆動用モータ１０と、ＨＦ処理部品４と配管によって接続されたＨＦ調合・供給装置２と、ＨＦ処理部品４とＨＦ調合・供給装置２とを接続する配管上に設けられたＨＦ供給弁３と、膜厚測定器５、ＨＦ調合・供給装置２および搬送駆動用モータ１０に電気的に接続された制御システム６とを備える。
【００２３】
搬送駆動用モータ１０は、回転速度を自由に調整できるタイプのモータであり、回転ローラ９に接続されている。搬送駆動用モータ１０の回転速度を調整することによって、回転ローラ９上を搬送されるガラス基板５０の速度を変更することができる。
【００２４】
ＨＦ調合・供給装置２は、ＨＦ調合装置およびＨＦ供給装置から構成されている。ＨＦ調合装置は、フッ酸と純水とを適当な割合で混合し、フッ酸を所定の濃度で含む処理液を作製する装置である。また、ＨＦ供給装置は、ＨＦ調合装置によって作製された処理液を所定の流量でＨＦ供給弁３に向けて送り出す装置である。
【００２５】
図２は、図１中の基板処理装置において、ガラス基板上に配置された各装置を示す斜視図である。図１および図２を参照して、前工程でＣＶＤ酸化膜が形成されたガラス基板５０が回転ローラ９上に導入されることによって、ガラス基板５０は、矢印２１に示す方向に搬送される。そのガラス基板５０の搬送方向の上流から下流に向けて、膜厚測定器５、ＨＦ処理部品４、ＤＩＷ用ノズル１３およびＩＰＡ・Ｎ２用ノズル１４が順に配置されている。
【００２６】
膜厚測定器５は、ガラス基板５０の主表面５０ａから所定の距離を隔てて位置している。膜厚測定器５としては、たとえば、エリプソメーターを用いることができる。エリプソメーターによる膜厚測定は、非接触式で、入射光および反射光の偏光状態の変化を算出し、そこから得られたデータをもとに行なわれる。
【００２７】
ＨＦ処理部品４は、３つのＨＦ処理部品４ｘ、４ｙおよび４ｚによって構成されている。ＨＦ処理部品４ｙは、ガラス基板５０を矢印２１に示す方向に搬送した場合に、ガラス基板５０上の幅方向（矢印２１に示す方向の直角方向）の中央付近で帯状に延在する中央部５２とオーバーラップするように設けられている。また、ＨＦ処理部品４ｘおよび４ｚは、同様の場合に、中央部５２の両側で帯状に延在する両側部５１とオーバーラップするように設けられている。ＨＦ処理部品４ｘ、４ｙおよび４ｚの各々からは、ＨＦ供給弁３に達するＨＦ供給管２７および２８が延びている。
【００２８】
ＤＩＷ用ノズル１３およびＩＰＡ・Ｎ２用ノズル１４の各々は、ガラス基板５０上で一方の両側部５１から他方の両側部５１まで渡って延在している。ＤＩＷ用ノズル１３と、ＤＩＷ用ノズル１３に接続された図示しない供給ポンプとから、図１中のＤＩＷ供給装置７が構成されている。ＩＰＡ・Ｎ２用ノズル１４と、ＩＰＡ・Ｎ２用ノズル１４に接続された図示しない供給ポンプとから、図１中のＩＰＡ・Ｎ２供給装置８が構成されている。
【００２９】
図３は、図２中のＨＦ処理部品の内部構造を示す透視図である。図３を参照して、ＨＦ処理部品４（４ｘ、４ｙおよび４ｚ）の内部には、ガラス基板５０の主表面５０ａに向い合う面を有する処理液用ノズル２９と、処理液用ノズル２９が接続されたノズル支持部３０とが設けられている。ノズル支持部３０の頂面側には、ＨＦ供給管２７および２８が接続されている。このような構成によって、ＨＦ処理部品４ｘ、４ｙおよび４ｚの各々は、互いに独立した処理液供給ラインをなしており、ＨＦ調合・供給装置２から別々に供給された処理液を混じり合わせることなく、ガラス基板５０上に吐出することができる。
【００３０】
図４は、図１中の基板処理装置の制御系を示すブロック図である。図４を参照して、膜厚測定器５と制御システム６とは電気的に接続されており、互いの間で各種信号が通信可能なように構成されている。
【００３１】
また、制御システム６は、ＨＦ濃度制御部３６、ＨＦ流量制御部３７および基板搬送速度制御部３８から構成されている。ＨＦ濃度制御部３６とＨＦ調合装置２ｍとが電気的に接続されている。ＨＦ流量制御部３７とＨＦ供給装置２ｎとが電気的に接続されている。基板搬送速度制御部３８と搬送駆動用モータ１０とが電気的に接続されている。これにより、互いに電気的に接続された間で各種信号が通信可能なように構成されている。
【００３２】
続いて、図１中の基板処理装置を用いてガラス基板を処理する方法について説明を行なう。図１および図２を参照して、ガラス基板５０を矢印２１に示す方向から基板処理装置１内に搬入する。ガラス基板５０が膜厚測定器５の下方を通過する際、ガラス基板５０に形成されたＣＶＤ酸化膜の膜厚を中央部５２および両側部５１の３箇所で測定する。膜厚測定は、ガラス基板５０のエッジから最低５ｃｍ離れた位置に行なう。
【００３３】
膜厚測定を中央部５２および両側部５１の３箇所で行なうのは、前工程のＣＶＤ成膜装置において、一方向に搬送されるガラス基板５０に連続的にＣＶＤ酸化膜を形成する場合、基板の面内の膜厚分布は、基板の搬送方向にはほぼ均一で、その直角方向にのみ差が生じるからである。
【００３４】
図４を参照して、膜厚測定器５で得られたＣＶＤ酸化膜の厚み情報は、制御システム６に伝えられる。制御システム６では、ＣＶＤ酸化膜の厚み情報に基づいて、エッチング量（測定された厚みから残したい厚みを差し引いた値）と、そのエッチング量に対応するエッチングポイントとが算出される。そして、制御システム６の各制御部から、ＨＦ調合装置２ｍ、ＨＦ供給装置２ｎおよび搬送駆動用モータ１０のそれぞれに適当な指令が出される。
【００３５】
ＨＦ濃度制御部３６からＨＦ調合装置２ｍに出される指令について見ると、エッチング量が相対的に大きい場合、フッ酸の濃度を相対的に大きくするように指令が出され、エッチング量が相対的に小さい場合、フッ酸の濃度を相対的に小さくするように指令が出される。また、ＨＦ流量制御部３７からＨＦ供給装置２ｎに出される指令について見ると、エッチング量が相対的に大きい場合、処理液の流量を相対的に大きくするように指令が出され、エッチング量が相対的に小さい場合、処理液の流量を相対的に小さくするように指令が出される。さらに、基板搬送速度制御部３８から搬送駆動用モータ１０に対しては、指令が出されたフッ酸の濃度および処理液の流量に基づいて、適当な基板の搬送速度が決定され、この搬送速度に合った回転速度が指令として出される。
【００３６】
また、本実施の形態では、ガラス基板５０を一方向にのみ搬送できる構造としたが、ガラス基板５０を任意の方向に搬送できる構造としても良い。この場合、制御システム６からその構造に対して、ガラス基板５０の搬送方向が指令されても良い。たとえば、ガラス基板５０上のエッチング量が大きい部分に積極的に処理液が供給されるように、搬送方向の指令が出される。
【００３７】
なお、ＨＦ調合装置２ｍ、ＨＦ供給装置２ｎおよび搬送駆動用モータ１０の全てに指令が出される必要はなく、基板の面内の膜厚分布が軽微な場合は、これらの一部にのみ指令が出されても良い。
【００３８】
図５は、ＣＶＤ酸化膜のエッチング量とエッチング処理時間との関係を示すグラフである。図５には、１質量％および２質量％の濃度でフッ酸を含む２種類の処理液をエッチングに用いた場合の関係が示されている。制御システム６の各制御部から出される上述の指令について、図５を参照しながらより具体的な例を説明する。
【００３９】
膜厚測定器５による測定によって、ガラス基板５０上のＣＶＤ酸化膜の厚みが中央部５２で５６．８ｎｍ、両側部５１で５３．４ｎｍという結果が得られたものとする。処理後、５０ｎｍの厚みでＣＶＤ酸化膜を残存させることを予定している場合、制御システム６では、伝えられた厚み情報から中央部５２でのエッチング量が６．８ｎｍ、両側部５１でのエッチング量が３．４ｎｍと算出される。
【００４０】
この算出された結果から、ＨＦ処理部品４ｘおよび４ｚに対応するＨＦ調合装置２ｍに「フッ酸を混合する割合を１質量％とする」という指令が出され、ＨＦ処理部品４ｙに対応するＨＦ調合装置２ｍに「フッ酸を混合する割合を２質量％とする」という指令が出される。また、搬送駆動用モータ１０には、膜厚が測定されたガラス基板５０の部分が処理液に１分間接触するように、所定の回転速度が指令として出される。
【００４１】
制御システム６から指令を受けた搬送駆動用モータ１０が駆動することによって、ガラス基板５０が所定の速度で矢印２１に示す方向に搬送される。一方、制御システム６から指令を受けたＨＦ調合・供給装置２から処理液が供給されることによって、ＨＦ処理部品４ｘ、４ｙおよび４ｚの下方を搬送されるガラス基板５０のそれぞれの部分に向けて、所定の濃度および流量の処理液が吐出される。
【００４２】
続いて、処理液が供給されたガラス基板５０に向けてＤＩＷ供給装置７から純水が吐出される。これにより、ガラス基板５０上から処理液が洗い流される。このようにガラス基板５０上を洗浄することによって、処理後のガラス基板５０上に処理液が残存し、これにより意図しないエッチングが進行することを防止できる。
【００４３】
さらに、ガラス基板５０に向けてＩＰＡ・Ｎ２供給装置８からイソプロピルアルコールおよび窒素を供給することによって、ガラス基板５０上を乾燥する。イソプロピルアルコールは、純水と混じりやすい性質を有するため、イソプロピルアルコールを加えることよって乾燥速度を向上させることができる。これにより、ガラス基板５０上に乾きむらが生じることを防止できる。
【００４４】
本実施の形態において膜厚測定器５による膜厚測定は、ガラス基板５０の４コーナー、その４コーナーの中間点、およびガラス基板５０の中央の９箇所で行なう。このため、膜厚測定器５で得られたＣＶＤ酸化膜の厚み情報は、膜厚が測定されたガラス基板５０上の部分がＨＦ処理部品４の下方を通過する際、その都度処理液の供給条件に反映される。なお、膜厚測定器５による膜厚測定は、測定する地点を適宜増やして行なっても良い。
【００４５】
この発明の実施の形態に従った基板処理装置１は、基板としてのガラス基板５０上の特定された部分に向けて処理流体を供給する処理流体供給手段としてのＨＦ調合・供給装置２と、ガラス基板５０上に形成されたＣＶＤ酸化膜の厚みを複数の位置において測定する厚み測定手段としての膜厚測定器５と、膜厚測定器５によって測定されたＣＶＤ酸化膜の厚み情報に基づいて、ガラス基板５０に対する処理流体の供給条件を変動調整する制御手段としての制御システム６とを備える。
【００４６】
制御システム６は、ＨＦ調合・供給装置２から供給される処理流体の濃度を調整する濃度制御手段としてのＨＦ濃度制御部３６を含む。制御システム６は、ＨＦ調合・供給装置２から供給される処理流体の流量を調整する流量制御手段としてのＨＦ流量制御部３７を含む。
【００４７】
基板処理装置１は、ガラス基板５０を水平搬送する搬送手段としての回転ローラ９および搬送駆動用モータ１０をさらに備える。制御システム６は、回転ローラ９および搬送駆動用モータ１０によりガラス基板５０を搬送する際の速度および方向の少なくとも一方を調整する搬送制御手段としての基板搬送速度制御部３８を含む。
【００４８】
基板処理装置１は、処理流体が供給されたガラス基板５０に向けて洗浄流体を供給する洗浄流体供給手段としてのＤＩＷ供給装置７をさらに備える。基板処理装置１は、処理流体および洗浄流体が供給されたガラス基板５０に向けて、ガラス基板５０を乾燥させるための流体を供給する乾燥用流体供給手段としてのＩＰＡ・Ｎ２供給装置８をさらに備える。
【００４９】
ＨＦ調合・供給装置２は、制御システム６によってそれぞれ独立して処理流体の供給条件が変動調整される複数の処理流体供給ラインを含む。
【００５０】
なお、本実施の形態では、基板処理装置１によってガラス基板５０上に形成されたＣＶＤ酸化膜を処理したが、本発明はこれに限定されず、一般的な半導体膜やＳｉＮｘ絶縁膜などを処理することもできる。
【００５１】
このように構成された基板処理装置１によれば、事前にガラス基板５０に形成されたＣＶＤ酸化膜の膜厚を測定し、その測定結果から決定された条件でエッチング処理を行なっている。このため、ガラス基板５０の面内の膜厚均一性を向上させることができる。これにより、ガラス基板５０が用いられる液晶パネルの品質を向上させ、さらには、ガラス基板５０の歩留まりを向上させることができる。
【００５２】
また、本実施の形態では、膜厚の測定を行なう膜厚測定器５、処理流体を供給するＨＦ処理部品４、洗浄流体を供給するＤＩＷ用ノズル１３、および乾燥用流体を供給するＩＰＡ・Ｎ２用ノズル１４が、ガラス基板５０の搬送方向の上流から下流に向けて順に配置されている。このため、ガラス基板５０に対して行なう一連の工程を連続的に行なうことができる。
【００５３】
また、ＨＦ処理部品４は、それぞれ独立して処理液を供給することができるようにＨＦ処理部品４ｘ、４ｙおよび４ｚによって構成されている。このため、濃度や流量に関して異なる条件の処理液をそれぞれ適当なガラス基板５０上の部分に供給し、各々の部分において同時に処理を進めることができる。以上の理由から、ガラス基板５０に対する処理効率を向上させることができる。
【００５４】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明に従えば、基板の面内の膜厚均一性を向上させて基板を処理できる基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態における基板処理装置の構成を示す模式図である。
【図２】図１中の基板処理装置において、ガラス基板上に配置された各装置を示す斜視図である。
【図３】図２中のＨＦ処理部品の内部構造を示す透視図である。
【図４】図１中の基板処理装置の制御系を示すブロック図である。
【図５】ＣＶＤ酸化膜のエッチング量とエッチング処理時間との関係を示すグラフである。
【図６】特許文献１に開示されている基板処理装置の一部を示す断面図である。
【符号の説明】
１  基板処理装置、２  ＨＦ調合・供給装置、５  膜厚測定器、６  制御システム、７  ＤＩＷ供給装置、８  ＩＰＡ・Ｎ２供給装置、９  回転ローラ、１０搬送駆動用モータ、３６  ＨＦ濃度制御部、３７  ＨＦ流量制御部、３８  基板搬送速度制御部、５０  ガラス基板。
【図１】
2005026484.tif 000003
【図２】
2005026484.tif 000004
【図３】
2005026484.tif 000005
【図４】
2005026484.tif 000006
【図５】
2005026484.tif 000007
【図６】
2005026484.tif 000008