(57)【要約】【課題】  輝尽性蛍光体層の厚さを薄くし、高感度で、粒状性にすぐれ、輝尽性蛍光体層厚内での放射線や励起光の拡散が減少し鮮鋭性が優れ、基材と輝尽性蛍光体層の接着性が良い放射線画像変換プレートを気相堆積方法により作製する放射線画像変換プレートの製造方法及び放射線画像変換プレートの提供。【解決手段】  基材上に少なくとも１層の輝尽性蛍光体層を気相堆積装置を使用して形成する放射線画像変換プレートの製造方法において、減圧手段により原料堆積過程の直前過程における蒸着室の真空度を、原料堆積時の蒸着室の真空度より１０〜１００倍高くし、原料原料堆積の開始直前３分間の間に不活性ガス導入により所定の堆積真空度に調整し、基材上に原料堆積を行うことを特徴とする放射線画像変換プレートの製造方法。【選択図】        図１
2005274253.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に少なくとも１層の輝尽性蛍光体層を気相堆積装置を使用して形成する放射線画像変換プレートの製造方法において、
該気相堆積装置は減圧手段で減圧される蒸着室と、
該蒸着室は、内部の減圧度を測定する測定手段と、該基材の基材配置手段と、原料容器内の原料を蒸発させる原料蒸発手段とを有し、
該減圧手段により原料堆積過程の直前過程における前記蒸着室の真空度は、原料堆積時の前記蒸着室の真空度より１０〜１００倍高くし、
原料堆積の開始直前３分間の間に不活性ガス導入により所定の堆積真空度に調整し、
前記基材上に原料堆積を行うことを特徴とする放射線画像変換プレートの製造方法。
【請求項２】
前記原料堆積過程の直前過程における前記蒸着室の真空度は、１．０×１０-3〜１．０×１０-2Ｐａであることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換プレートの製造方法。
【請求項３】
基材上に少なくとも１層の輝尽性蛍光体層を気相堆積装置を使用して形成する放射線画像変換プレートの製造方法において、
該気相堆積装置は減圧手段で減圧される蒸着室と、
該蒸着室は、内部の減圧度を測定する測定手段と、該基材の基材配置手段と、原料容器内の原料を蒸発させる原料蒸発手段と、
前記基材の加熱手段および温度測定手段とを有する基材温度制御手段と、
該原料容器は、開口部の面積を調整する開口部面積調整手段とを有し、
該開口部面積調整手段により原料堆積過程の直前過程における該開口部の面積は、原料堆積時の前記開口部の面積に対して０．１〜０．５倍とし、
原料堆積の開始直前３分間の間に前記開口部面積調整手段により所定の開口面積に調整し、
前記基材上に原料堆積を行うことを特徴とする放射線画像変換プレートの製造方法。
【請求項４】
前記開口部面積調整手段が原料容器の材質と同じ材質であることを特徴とする請求項３に記載の放射線画像変換プレートの製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の放射線画像変換プレートの製造方法において、請求項３に記載の放射線画像変換プレートの製造方法に用いた開口部面積調整手段を用いることを特徴とする放射線画像変換プレートの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載の放射線画像変換プレートの製造方法により製造された放射線画像変換プレートにおいて、基材上に形成された少なくとも１層の輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光体が柱状結晶を含有することを特徴とする放射線画像変換プレート。
【請求項７】
前記柱状結晶が下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体であることを特徴とする請求項６に記載の放射線画像変換プレート。
一般式（１）  ＣｓＸ：ｙＡ
〔式中、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、ＴｂまたはＣｓを表す。ｙは１×１０-7〜１×１０-1までの数値を表す〕
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換プレートの製造方法及びその製造方法により作製された放射線画像変換プレートに関し、詳しくは基材上に気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換プレートの製造方法及びその製造方法により作製された放射線画像変換プレートに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、放射線画像を得るために銀塩を使用した、いわゆる放射線写真法が利用されているが、近年では、銀塩を使用しないで放射線像を画像化する方法が開発されている。この方法としては、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光または熱エネルギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法が開示されている。
【０００３】
具体的には、例えば米国特許第３，８５９，５２７号及び特開昭５５−１２１４４号等に開示された様に基材上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変換プレートを使用するものである。この方法は、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線をあてて、被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを輝尽性蛍光体層に蓄積させて潜像（蓄積像）を形成し、その後、この輝尽性蛍光体層を輝尽励起光（レーザ光が用いられる）で走査することによって各部に蓄積された放射線エネルギーを輝尽発光として放出させ、この光の強弱による信号を例えば、光電変換して、電気信号を得て、この信号をハロゲン化銀写真感光材料等の記録材料、ＣＲＴ等の表示装置上に可視像として再生してもよいし、又ハードコピーとして再生してもよい。
【０００４】
上記の放射線画像の再生方法によれば、従来の放射線写真フィルムと増感紙との組合せによる放射線写真法と比較して、はるかに少ない被曝線量で、かつ情報量の豊富な放射線画像を得ることができるという利点を有している。
【０００５】
このように輝尽性蛍光体は、放射線を照射した後、励起光を照射すると輝尽発光を示す蛍光体であるが、実用的には、波長が４００〜９００ｎｍの範囲にある励起光によって、３００〜５００ｎｍの波長範囲の輝尽発光を示す蛍光体が一般的に利用される。
【０００６】
これらの輝尽性蛍光体を使用した放射線画像変換プレートは、放射線画像情報を蓄積した後、励起光の走査によって蓄積エネルギーを放出するので、走査後に再度放射線画像の蓄積を行うことができ、繰り返し使用が可能である。つまり従来の放射線写真法では、一回の撮影ごとに放射線写真フィルムを消費するのに対して、この放射線画像変換方法では放射線画像変換プレートを繰り返し使用するので、資源保護、経済効率の面からも有利である。
【０００７】
この放射線画像変換プレートには、基材上に結着樹脂溶液の蛍光体粒子分散液を塗布乾燥する方法によって形成された分散タイプの輝尽性蛍光体層を有するものと、基材上に気相堆積法によって形成された蒸着タイプの輝尽性蛍光体層を有するものとがあり、何れにしても放射線画像変換プレートの輝尽性蛍光体層には、放射線吸収率及び光変換率が高いこと、画像の粒状性がよく、高鮮鋭性であることが要求される。
【０００８】
通常、放射線感度を高くするには輝尽性蛍光体層の膜厚を厚くする必要があるが、余り厚くなりすぎると、輝尽性蛍光体粒子間での輝尽発光の散乱のため発光が外部に出てこなくなる現象があり限界がある。鮮鋭性については、輝尽性蛍光体層を薄層化するほど向上するが、薄すぎると感度の減少が大きくなる。
【０００９】
又、粒状性についても画像の粒状性は放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）或いは放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ（構造モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光体層の層厚が薄くなると輝尽性蛍光体層に吸収される放射線量子数が減少してモトルが増加したり、構造的乱れが顕在化して構造モトルが増加したりして画質の低下を生ずる。従って画像の粒状性を向上させるためには輝尽性蛍光体層の層厚が厚い必要があった。
【００１０】
蒸着タイプの輝尽性蛍光体層は、分散タイプの輝尽性蛍光体層に比較すると、輝尽性蛍光体が１００％であることから、輝尽性蛍光体が同じ場合、同じ輝尽性蛍光体層の厚さでは感度が優れ、放射線吸収率が高いことで相対的に量子モトルが減少して粒状性も優れる放射線画像変換プレートを与え、感度を同じ程度にすれば輝尽性蛍光体層の厚さを薄くできて、輝尽性蛍光体層厚内での放射線や励起光の拡散が減少し鮮鋭性の優れた放射線画像変換プレートを与える筈であるが、感度の優れた放射線画像変換プレートを与えることは上述のように容易であっても、粒状性と鮮鋭性も共に優れた放射線画像変換プレートを与えることは容易でなかった。
【００１１】
この様に様々な要因から放射線画像変換プレートを用いた放射線画像変換方法の画質及び感度は決定される。これらの感度や画質に関する複数の因子を調整して感度、画質を改良するため、これまで様々な検討が行われてきている。
【００１２】
例えば、特開平２−５８０００号には、気相堆積法によって支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルが記載されている。特開２００１−２４９１９８には、ＣｓＢｒを母体とする非常に高感度の輝尽性蛍光体層を蒸着法（気相堆積法）により形成し、高感度の放射線画像変換プレートが得られることが開示されており、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換プレートの更なる高感度化、高画質化の要望がますます強くなってきている。
【００１３】
このＣｓＢｒを気相堆積法で所望の結晶面を得ようとする場合、クラックが生じないような実質の堆積可能真空度は基板材質に大きく依存することになる為、基板材質次第では低真空度で堆積を行う必要がある。気相堆積法において、輝尽性蛍光体層の形状は真空度をコントロールし柱状にすることで輝尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大させることが可能であることから、輝尽性蛍光体層を基材上に形成する際の真空度に対する検討がなされて来た。
【００１４】
例えば、放射線像変換プレートの製造方法として、放射線感度および画像の粒状性の条件を満足しつつ、さらに画像の鮮鋭性をも十分に満足する放射線画像を形成することができる放射線画像変換パネル（本発明の放射線画像変換プレートに該当する）の製造において、基板上に少なくとも一層の輝尽性蛍光体層を形成する際、真空度を連続的に次第に高くする又は、雰囲気圧力を段階的に高くする方法が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。
【００１５】
しかしながら、特許文献１に記載の技術は、雰囲気圧力の調整により堆積速度を遅くするため、結晶径のコントロールは出来るものの、圧力が変わるため、結晶の成長方向においてミクロ的には異なる組成からなる膜になるため画質劣化が懸念される様な欠点を有している。
【００１６】
基板上に輝尽性蛍光体層を形成する際、蒸着装置内の真空度を少なくとも１×１０-2Ｐａにして蒸着を行う方法が知られている（例えば、特許文献２を参照。）。
【００１７】
しかしながら、特許文献２に記載の技術は、基板の表面材質と真空度と基板温度は結晶面を決定する重要なパラメータであり、真空度を高真空に規定してしまうと基板の表面材質が限られてしまうことになるし、低真空では輝尽性蛍光体の堆積が困難となる様な欠点を有している。
【００１８】
これらの状況から、輝尽性蛍光体層の厚さを薄くし、高感度で、粒状性にすぐれ、輝尽性蛍光体層厚内での放射線や励起光の拡散が減少し鮮鋭性が優れ、基材と輝尽性蛍光体層の接着性が良い放射線画像変換プレートを気相堆積方法により作製する放射線画像変換プレートの製造方法及び放射線画像変換プレートの製造方法により製造する放射線画像変換プレートの製造方法の開発が望まれている。
【特許文献１】特許第３０７０９３９号公報
【特許文献２】国際公開第０１／０３１５６号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明は上記状況に鑑みなされたものであり、その目的は輝尽性蛍光体層の厚さを薄くし、高感度で、粒状性にすぐれ、輝尽性蛍光体層厚内での放射線や励起光の拡散が減少し鮮鋭性が優れ、基材と輝尽性蛍光体層の接着性が良い放射線画像変換プレートを気相堆積方法により作製する放射線画像変換プレートの製造方法及び放射線画像変換プレートの製造方法により製造する放射線画像変換プレートを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の上記目的は、下記の構成により達成された。
【００２１】
（請求項１）
基材上に少なくとも１層の輝尽性蛍光体層を気相堆積装置を使用して形成する放射線画像変換プレートの製造方法において、
該気相堆積装置は減圧手段で減圧される蒸着室と、
該蒸着室は、内部の減圧度を測定する測定手段と、該基材の基材配置手段と、原料容器内の原料を蒸発させる原料蒸発手段とを有し、
該減圧手段により原料堆積過程の直前過程における前記蒸着室の真空度は、原料堆積時の前記蒸着室の真空度より１０〜１００倍高くし、
原料堆積の開始直前３分間の間に不活性ガス導入により所定の堆積真空度に調整し、
前記基材上に原料堆積を行うことを特徴とする放射線画像変換プレートの製造方法。
【００２２】
（請求項２）
前記原料堆積過程の直前過程における前記蒸着室の真空度は、１．０×１０-3〜１．０×１０-2Ｐａであることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換プレートの製造方法。
【００２３】
（請求項３）
基材上に少なくとも１層の輝尽性蛍光体層を気相堆積装置を使用して形成する放射線画像変換プレートの製造方法において、
該気相堆積装置は減圧手段で減圧される蒸着室と、
該蒸着室は、内部の減圧度を測定する測定手段と、該基材の基材配置手段と、原料容器内の原料を蒸発させる原料蒸発手段と、
前記基材の加熱手段および温度測定手段とを有する基材温度制御手段と、
該原料容器は、開口部の面積を調整する開口部面積調整手段とを有し、
該開口部面積調整手段により原料堆積過程の直前過程における該開口部の面積は、原料堆積時の前記開口部の面積に対して０．１〜０．５倍とし、
原料堆積の開始直前３分間の間に前記開口部面積調整手段により所定の開口面積に調整し、
前記基材上に原料堆積を行うことを特徴とする放射線画像変換プレートの製造方法。
【００２４】
（請求項４）
前記開口部面積調整手段が原料容器の材質と同じ材質であることを特徴とする請求項３に記載の放射線画像変換プレートの製造方法。
【００２５】
（請求項５）
請求項１に記載の放射線画像変換プレートの製造方法において、請求項３に記載の放射線画像変換プレートの製造方法に用いた開口部面積調整手段を用いることを特徴とする放射線画像変換プレートの製造方法。
【００２６】
（請求項６）
請求項１〜５の何れか１項に記載の放射線画像変換プレートの製造方法により製造された放射線画像変換プレートにおいて、基材上に形成された少なくとも１層の輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光体が柱状結晶を含有することを特徴とする放射線画像変換プレート。
【００２７】
（請求項７）
前記柱状結晶が下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体であることを特徴とする請求項６に記載の放射線画像変換プレート。
【００２８】
一般式（１）  ＣｓＸ：ｙＡ
〔式中、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、ＴｂまたはＣｓを表す。ｙは１×１０-7〜１×１０-1までの数値を表す〕
【発明の効果】
【００２９】
輝尽性蛍光体層の厚さを薄くし、高感度で、粒状性にすぐれ、輝尽性蛍光体層厚内での放射線や励起光の拡散が減少し鮮鋭性が優れ、基材と輝尽性蛍光体層の接着性が良い放射線画像変換プレートを気相堆積方法により作製する放射線画像変換プレートの製造方法及び放射線画像変換プレートの製造方法により製造する放射線画像変換プレートを提供することが出来、画質・品質向上及び、ロット間ばらつきの軽減による製品安定化、収率向上、生産性向上によるコストダウンが可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
本発明に係る実施の形態を図１〜図５を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３１】
図１は気相堆積法によって基材上に形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換プレートを使用した放射線画像変換パネルの一例を示す概略断面図である。
【００３２】
図中、１は放射線画像変換パネルを示す。放射線画像変換パネル１は放射線画像変換プレート１ａの上に設けた保護層１ｂを設けた後、カーボン繊維強化樹脂（ＣＦＲＣ）、ガラスエポキシ樹脂等で出来たトレー１ｃ上に接着剤で固定し、放射線画像変換プレート１ａの周縁部を接着剤（不図示）で封入して、輝尽性蛍光体層１ａ２が密閉された構造となっている。放射線画像変換プレート１ａは、基材１ａ１上に気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体層１ａ２とを有している。
【００３３】
輝尽性蛍光体層１ａ２の層厚は目的とする放射線像変換パネル１の放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、１０〜１０００μｍが好ましく、２０〜８００μｍがより好ましい。１０μｍ未満の場合は、輝尽性蛍光体の種類によっては輝尽発光の不足により、感度低下となる場合がある。１０００μｍを越える場合は、輝尽性蛍光体の種類によっては放射線や励起光の拡散が増大することにより、粒状性が劣化する場合がある。本発明は、本図に示される放射線画像変換プレート１ａの製造方法及びこの製造方法により製造された放射線画像変換プレート１ａに関するものである。
【００３４】
輝尽性蛍光体層１ａ２に用いられる輝尽性蛍光体としては、例えば特開昭５９−７５２００号等に記載されているＢａＦＸ：Ｅｕ2+系（Ｘ：Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）蛍光体、同６１−７２０８７号等に記載されているようなアルカリハライド蛍光体、同６１−７３７８６号、６１−７３７８７号等に記載のように、共賦活剤としてＴｌ+およびＣｅ3+、Ｓｍ3+、Ｅｕ3+、Ｙ3+、Ａｇ+、Ｍｇ2+、Ｐｂ2+、Ｉｎ3+の金属を含有するアルカリハライド蛍光体などが挙げられる。特に、アルカリハライド蛍光体は、蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成させやすく好ましい。また、アルカリハライド蛍光体の中でもＲｂＢｒ及びＣｓＢｒ系蛍光体が高輝度、高画質である点で好ましく、中でもＣｓＢｒ系蛍光体が特に好ましい。
【００３５】
輝尽性蛍光体層１ａ２は下記一般式（１）で示される輝尽性蛍光体の柱状結晶であることが好ましい。
【００３６】
一般式（１）  ＣｓＸ：ｙＡ
〔式中、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、ＴｂまたはＣｓを表す。ｙは１×１０-7〜１×１０-1までの数値を表す〕
輝尽性蛍光体を基材上に気相堆積させ輝尽性蛍光体層を形成させる方法としては蒸着法、スパッタ法及びＣＶＤ法等がある。蒸着法は基材を蒸着装置内に設置したのち、装置内を排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空とし、次いで、輝尽性蛍光体の少なくとも１つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法などの方法で加熱蒸発させて支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚みに堆積させる。この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成されるが、蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。また、蒸着工程では複数の抵抗加熱器或いはエレクトロンビームを用いて蒸着を行うことも可能である。また蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を複数の抵抗加熱器或いはエレクトロンビームを用いて蒸着し、基材上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。更に蒸着法においては、蒸着時に必要に応じて基材を冷却或いは加熱してもよい。また、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。
【００３７】
スパッタ法は前記蒸着法と同様に基材をスパッタ装置内に設置した後、装置内を一旦排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパッタ用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスを装置内に導入して１．３３３×１０-1Ｐａ程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さ堆積させる。このスパッタ工程では蒸着法と同様に複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、それぞれを用いて同時或いは順次、前記ターゲットをスパッタリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。また、スパッタ法では、複数の輝尽性蛍光体原料をターゲットとして用い、これを同時或いは順次スパッタリングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体層を形成する事も可能であるし、必要に応じてＯ2、Ｈ2等のガスを導入して反応性スパッタを行ってもよい。更に、スパッタ法においては、スパッタ時必要に応じて基材を冷却或いは加熱してもよい。また、スパッタ終了後に輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。
【００３８】
ＣＶＤ法は目的とする輝尽性蛍光体或いは輝尽性蛍光体原料を含有する有機金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解することにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層を得るものであり、いずれも輝尽性蛍光体層を支持体の法線方向に対して特定の傾きをもって独立した細長い柱状結晶に気相成長させることが可能である。
【００３９】
本発明においては、気相堆積法として蒸着法が好ましく用いられる。本発明に係る気相堆積法に関しては図３〜図５で詳しく説明する。
【００４０】
保護層１ｂは、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成する手順を取ってもよい。保護層１ｂに使用する材料としては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3などの無機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は一般的には０．１〜２０００μｍ程度が好ましい。また、透光性が良く、シート状に形成できるものを用いることができる。例えば石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラスや、ＰＥＴ、ＯＰＰ、ポリ塩化ビニル等の有機高分子があげられる。
【００４１】
本発明の放射線画像変換パネルに用いられる基材としては各種のガラス、高分子材料、金属等が用いられるが、例えば石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラス、又、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート或いは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。これら基材の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面としてもよい。また、本発明においては、基材と輝尽性蛍光体層の接着性を向上させるために、必要に応じて基材の表面に予め接着層を設けてもよい。これら基材の厚みは用いる基材の材質等によって異なるが、一般的には８０〜２０００μｍであり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは８０〜１０００μｍである。
【００４２】
図２は放射線画像変換パネルを用いた放射線像変換方法を示す模式図である。
【００４３】
図中、２ａは放射線発生装置、２ｂは被写体、２ｃは本発明に係わる放射線画像変換プレートを用いた放射線画像変換パネル、２ｄは放射線画像変換パネル２ｃの放射線画像変換プレートの放射線潜像を輝尽発光として放出させるための輝尽励起光源、２ｅは放射線画像プレートにより放射された輝尽蛍光を検出する光電変換装置、２ｆは光電変換装置２ｅで検出された光電変換信号を画像として再生する再生装置、２ｇは再生された画像を表示する表示装置、２ｈは輝尽励起光と輝尽蛍光とを分離し、輝尽蛍光のみを透過させるフィルタである。尚、光電変換装置２ｅ以降は放射線画像変換プレートからの光情報を何らかの形で画像として再生できるものであればよく、上記に限定されるものではない。
【００４４】
図２に示されるように、放射線発生装置２ａからの放射線（Ｒ）は被写体２ｂを通して変換パネル２ｃに入射する（ＲＩ）。この入射した放射線は放射線画像変換プレートの輝尽層に吸収され、そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成される。次にこの蓄積像を輝尽励起光源２ｄからの輝尽励起光で励起して輝尽発光として放出する。放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギー量に比例するので、この光信号を例えば光電子倍増管等の光電変換装置２ｅで光電変換し、画像生成装置２ｆによって画像として再生し画像表示装置２ｇによって表示することにより、被写体の放射線透過像を観察することができる。
【００４５】
輝尽励起光源２ｄとしては、放射線画像変換プレートに使用される輝尽性蛍光体の輝尽励起波長を含む光源が使用される。特にレーザ光を用いると光学系が簡単になり、また、輝尽励起光強度を大きくすることができるために輝尽発光効率を上げることができ、より好ましい結果が得られる。
【００４６】
レーザとしては、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ、Ａｒイオンレーザ、Ｋｒイオンレーザ、Ｎ2レーザ、ＹＡＧレーザ及びその第２高調波、ルビーレーザ、半導体レーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レーザ等の金属蒸気レーザ等がある。通常はＨｅ−ＮｅレーザやＡｒイオンレーザのような連続発振のレーザが望ましいが、パネル１画素の走査時間とパルスを同期させればパルス発振のレーザを用いることもできる。また、フィルタ２ｈを用いずに特開昭５９−２２０４６号に示されるような、発光の遅延を利用して分離する方法によるときは、連続発振レーザを用いて変調するよりもパルス発振のレーザを用いる方が好ましい。上記の各種レーザ光源の中でも、半導体レーザは小型で安価であり、しかも変調器が不要であるので特に好ましく用いられる。
【００４７】
図３は本発明の気相堆積装置を用い蒸着法により基材上に輝尽性蛍光体層を形成する一例を示す模式図である。図３の（ａ）は蒸着室の真空度を変える減圧手段を有する気相堆積装置を用い蒸着法により基材上に輝尽性蛍光体層を形成する一例を示す模式図である。図３の（ｂ）は気相堆積装置を構成している各部、各手段の関係を示す概略ブロック図である。
【００４８】
図中、３ａは気相堆積装置を示す。３０１は蒸着室を示し、３０２は排気口を示し減圧手段である排気手段（不図示）に繋がっており、メインバルブ３０３を介して蒸着室３０１を一旦ある値以下の真空度にするようになっている。メインバルブ３０３の開閉は、蒸着室３０１の真空度を測定する測定手段である真空度測定計３０６の指示目盛りに従って手動で動かすことも可能であるが、制御手段５により制御することも可能である。本図は制御手段５により制御する場合を示している。
【００４９】
更に、３０４は蒸着室３０１の真空度をさらに低下させて指定値以下にするための調整口を示し、排気手段（不図示）に繋がっており、リークバルブ３０５を介して蒸着室３０１の真空度を設定値以上（設定値より高い真空度）に維持される様になっている。リークバルブ３０５の開閉は、蒸着室３０１の真空度を測定する測定手段である真空度測定計３０６の指示目盛りに従って手動で動かすことも可能であるが、制御手段５により制御することも可能である。本図は制御手段５により制御する場合を示している。真空度測定計３０６としては特に限定はなく、例えば、気体の熱伝導を利用するピラニ真空計、三極管型又はＢ−Ａ型測定子を用いる電離真空計が挙げられる。
【００５０】
３０７は不活性ガス導入口を示し、原料堆積開始直前又は直後にガス導入バルブ３０８を介してＮ2、Ａｒ、Ｎｅ、Ｈｅ等の不活性ガスが雰囲気ガスとして導入される。不活性ガスの導入はガス導入バルブ３０８の開閉を原料堆積開始直前又は直後のタイミングに合わせて手動で行うことも可能であるし、制御手段５により制御することも可能である。本図は制御手段５により制御する場合を示している。
【００５１】
通常、原料堆積過程の真空度より高い真空度にした後に、Ａｒ等の不活性ガス導入により真空度を所望の堆積真空度に調整するのであるが、そのガス導入のタイミングについてはあまり議論されていない。本発明の様に１．０×１０-3〜１．０×１０-1Ｐａの様な低真空で原料堆積を行う場合、真空度調整（ガス導入）のタイミングが早すぎると低真空が故に原料堆積開始前の余分な蒸気までが回り込んで基板に堆積してしまうことになる。従って、低真空で原料堆積を行うとする場合、原料堆積直前までは高真空に維持し、回り込み蒸気の付着をなるべく少なくことが非常に重要になってくる。
【００５２】
蒸着室３０１の真空度の調整は、次に示す段階を経て行われる。１）第一段階では、原料堆積過程の直前過程においては、蒸着室の真空度は、原料堆積時の蒸着室の真空度より１０〜１００倍高くした状態にする。真空度が１０倍未満の場合は、堆積開始前の遮蔽板を閉じた状態でも、低真空特有の蒸気流の回り込みが発生することにより、結晶成長の鍵となる結晶核が堆積開始前に回り込んだ蒸気により形成されてしまうため好ましくない。真空度が１００倍を越した場合は、高真空度の環境を作るために時間が掛かるため、プレート一枚あたりのタクトタイムは増加することになるため好ましくない。２）第二段階では、原料堆積の開始直前３分間の間に不活性ガス導入により所定の堆積真空度に調整する。不活性ガス導入が原料堆積開始後に行われ所定の堆積真空度に調整された場合は、堆積途中で雰囲気圧力が変化することにより、堆積層の厚さ方向で組成変化、結晶径の変化及び蒸気流特性変化が生じることにより、結晶や堆積層の層の制御が困難になるため好ましくない。不活性ガス導入が原料堆積開始直前から３分を過ぎて所定の堆積真空度に調整された場合は、平均自由工程の短い低真空で長時間、堆積開始のタイミングを待つことにより、回り込み蒸気の影響が大きくなり、堆積層の最下層が乱れた蒸気で形成されるためため好ましくない。
【００５３】
真空度は、原料の種類によっても、輝尽性蛍光体層の厚さによっても異なるため、必要に応じて適宜設定することが可能となっている。
【００５４】
３０９は蒸着室３０１の上部に設けられた基材配置手段を示す。４は基材配置手段３０９に配置された基材を示す。基材４は複数枚配置しても良く、配置手段のいかなる位置に配置することも可能となっている。基材配置手段３０９は、固定でもよいが、基材上に輝尽性蛍光体層を更に均一に形成させるために回転手段を設け回転させることが好ましい。３０９ａは基材配置手段３０９を回転させるための回転手段を示す。回転手段はとくに限定はなく、例えば回転モーターでもよいし、プーリーを介してベルトであっても良い。本図は回転モーターの場合を示している。
【００５５】
基材配置手段３０９に、基材上へ原料を堆積中に基材の温度の温度を一定に保持するために基材４の加熱手段（不図示）と基材４の温度を測定する温度測定手段（不図示）と加熱手段（不図示）の電流供給部（不図示）とを配設し、制御手段５により基材４の温度を制御する様にすることが好ましい。温度測定手段（不図示）としては特に限定は無く、例えば熱電対、温度センサー等が挙げられる。
【００５６】
３１０は蒸着室３０１の下部に設けられた原料蒸発手段を示す。原料蒸発手段３１０は、加熱手段（不図示）を有する原料容器３１０ａと、原料容器３１０ａ内の原料（輝尽性蛍光体）３１０ｂの温度を測定するための原料温度測定手段３１０ｃと、加熱手段（不図示）の電流供給部３１０ａ１とを有している。原料容器３１０ａの加熱手段としては特に限定は無く、例えばスパッタ方式、抵抗加熱方式等が挙げられる。本図では抵抗加熱方式の場合を示している。測定手段３１０ｃとしては特に限定は無く、例えば熱電対、温度センサー等が挙げられる。
【００５７】
原料容器３１０ａ内の原料（輝尽性蛍光体）３１０ｂの溶融温度の調整は、原料温度測定手段３１０ｃの情報に従って電流供給部３１０ａ１の電流値を手動で動かすことで調整することも可能であるし、制御手段５により制御することも可能である。本図は制御手段５により制御する場合を示している。
【００５８】
３１１は基材４への原料（輝尽性蛍光体）の堆積を制御する原料堆積制御手段の遮蔽板を示す。遮蔽板３１１はどのような形式でもかまわないが、機能としては原料堆積を行う前は原料容器３１０ａの上に移動し、原料堆積時は原料容器３１０ａの上を開放するように移動出来る形式のものが好ましい。なお、本図に示す遮蔽板３１１は支持部材３１１ａを支点として水平回転移動式であり、水平回転移動手段（不図示）により水平回転移動を制御することが可能となっている。遮蔽板３１１の移動は、蒸着開始のタイミングに合わせ手動で水平回転移動手段（不図示）を操作することも可能であるし、制御手段５により制御することも可能である。
【００５９】
気相堆積装置３ａを構成している各部、各手段の関係を図３の（ｂ）に示す概略ブロック図により説明する。真空度測定計３０６より測定された蒸着室３０１の真空度に関する情報が制御手段５のＣＰＵに入力される。制御手段５に入力された情報はメモリーに予め入力されている設定真空度と演算処理を行い、メインバルブ３０３の開閉調整を行うことで、蒸着室３０１の真空度を、設定した原料堆積時の蒸着室の真空度より０．０１〜０．１％高くした状態にする。
【００６０】
原料温度測定手段３１０ｃにより測定された原料容器３１０ａ内の輝尽性蛍光体３１０ｂの温度に関する情報は制御手段５のＣＰＵに入力される。制御手段５に入力された情報はメモリーに予め入力されている設定温度と演算処理を行い、原料容器３１０９ａの加熱源の電流供給部３１０ａ１の電流調整を行うことで原料容器３１０ａ内の原料（輝尽性蛍光体）３１０ｂの温度を設定温度に対して−５〜＋５℃で保持することが可能となっている。原料（輝尽性蛍光体）３０９ｂの温度を指定温度に保持することで、基材４に略一定温度の原料（輝尽性蛍光体）が気相堆積され安定した原料層（輝尽性蛍光体層）の形成が可能となる。
【００６１】
原料温度測定手段３１０ｃにより測定された原料容器３１０ａ内の輝尽性蛍光体３１０ｂの温度が設定した温度に達した情報が制御手段５のＣＰＵに入力される。制御手段５に入力された情報はメモリーに予め入力されている原料堆積開始の真空度と演算処理を行いと、ガス導入バルブ３０８とリークバルブ３０５の調整を行うことで、蒸着室３０１の真空度を、設定した原料堆積時の真空度にする。
【００６２】
遮蔽板３１１の移動を制御手段５を使用して行う場合の一例を次に示す。原料温度測定手段３１０ｃにより測定された原料容器３１０ａ内の原料（輝尽性蛍光体）３１０ｂの温度に関する情報は制御手段５のＣＰＵに入力される。制御手段５に入力された情報はメモリーに予め入力されている原料堆積開始温度と演算処理を行い、遮蔽板３１１の回転手段（不図示）を稼働させ遮蔽板３１１の移動を行うことが可能である。制御手段５により遮蔽板３１１の移動を制御することで、蒸着室内の原料（輝尽性蛍光体）３１０ｂの濃度が不安定な加熱初期の基材４への輝尽性蛍光体の気相堆積防止が容易になる。例えば予め入力されている原料堆積開始温度と原料温度測定手段３１０ｃにより測定された原料容器３１０ａ内の原料（輝尽性蛍光体）３１０ｂの温度との差が−１０〜＋１０℃になってから少なくとも３０ｓｅｃ経過した後、遮蔽板を移動し原料容器の上を開放し、２０℃以上になったら原料容器の上に移動する様にすることが好ましい。
【００６３】
基材の温度を制御手段５を使用して制御する一例を次に示す。基材の温度測定手段（不図示）により測定された基材配置手段４に保持された基材４の温度に関する情報は制御手段５のＣＰＵに入力される。制御手段５に入力された情報はメモリーに予め入力されている設定温度と演算処理を行い、基材配置手段３０９の加熱手段（不図示）の電流供給部（不図示）の電流調整を行うことで基材の温度一定に保持することが可能である。
【００６４】
又、基材の加熱を中止するタイミングとしては、時間により換算された原料容器３１０ａ内の輝尽性蛍光体３１０ｂの量に関する情報は制御手段５のＣＰＵに入力される。制御手段５に入力された情報はメモリーに予め入力されている原料容器３１０ａ内の原料（輝尽性蛍光体）３１０ｂの量と演算処理を行い、電流供給部（不図示）への電流供給量を止めることで可能である。
【００６５】
本図に示す様に、減圧手段により原料堆積過程の直前過程における蒸着室の真空度は、原料堆積時の蒸着室の真空度より１０〜１００倍高くし、原料堆積開始直前又は直後に不活性ガス導入により所定の堆積真空度に調整し、基材上に原料堆積を行うことで次の効果が得られる。
【００６６】
低真空領域で結晶成長を行おうとする場合に生じる、堆積開始前に基板に向かう蒸気流をカットするように配置した遮蔽板からの蒸気流の回り込みを、堆積開始直前まで蒸気流の直進性（平均自由工程）を規制することにより、初期の基板への堆積を防止することが可能になり、結晶の乱れが小さく、且つ鮮鋭性、粒状性に優れた放射線画像変換プレートの製造が可能となった。
【００６７】
図４は本発明の気相堆積装置を用い蒸着法により基材上に輝尽性蛍光体層を形成する他の一例を示す模式図である。図４の（ａ）は原料容器の開口部に開口部面積調整手段を有する気相堆積装置を用い蒸着法により基材上に輝尽性蛍光体層を形成する一例を示す模式図である。図４の（ｂ）は原料蒸発手段を構成している各部材の関係を示す概略ブロック図である。
【００６８】
図中、３ｂは気相堆積装置を示す。３１０は蒸着室３０１の下部に設けられた原料蒸発手段を示す。原料蒸発手段３１０は、加熱手段（不図示）を有する原料容器３１０ａと、原料容器３１０ａ内の原料（輝尽性蛍光体）３１０ｂの温度を測定するための原料温度測定手段３１０ｃと、加熱手段（不図示）の電流供給部３１０ａ１と、原料容器３１０ａの開口部３１０ｄの開口面積を制御する開口部面積調整手段の蓋３１０ｅとを有している。原料容器３１０ａの加熱手段（不図示）としては特に限定は無く、例えばスパッタ方式、抵抗加熱方式等が挙げられる。本図では抵抗加熱方式の場合を示している。
【００６９】
蓋３１０ｅは原料容器３１０ａと同一材料の板から構成され、堆積開始直前まで原料容器３１０ａの開口部３１０ｄに接触していることが好ましい。接触していることにより、原料容器同様に通電される為再溶融され材料の利用効率が上がる。堆積開始時の原料容器３１０ａの開口部３１０ｄの開口面積の調整は遮蔽板の開閉と同期する形で蓋３１０ｅの開閉により行えばよい。ただし、開口面積調整手段は板状である必要はなく、開口部３１０ｄを遮蔽出来るものであればいかなる形態でも構わない。原料容器に使用する材料に特に制限はなく、例えば白金、タンタル、モリブテン、タングステン等が挙げられる。
【００７０】
通常、原料容器には蓋をしないで所定の堆積温度まで加熱をおこなうのであるが、この時、堆積温度に達するまでの間にも原料（輝尽性蛍光体）は蒸発している。これら蒸発した輝尽性蛍光体の大部分はシャッタのような遮蔽板を配置することにより基板への付着を防止して、堆積開始時に合わせ遮蔽板を開き基材上に輝尽性蛍光体の堆積を行っている。しかしながら、本発明に係る原料堆積過程の直前過程等における前記蒸着室の真空度を１．０×１０-3〜１．０×１０-2Ｐａの如く、比較的低真空領域で行おうとする場合、基板に向かう蒸気流をカットするように遮蔽板を配置したとしても、低真空ゆえに平均自由工程が短く蒸発粒子の相互干渉が大きくなるため、回り込みなどが生じやすくなり、基板への堆積を完全に防止することが難しい。堆積前真空度をより高真空にすることにより回り込みを低減することは可能であるがタクトタイムの観点からは好ましい対応ではない。遮蔽板サイズを大きくすることにより、遮蔽板からの蒸気漏れを低減することも可能であるが、堆積室内には膜厚分布低減用の制限板のようなものが配置されることも多く、遮蔽板サイズのアップの自由度は低く難しい。このようにして作製された放射線画像変換プレートは、基板の最表面に遮蔽板から逃れた整流性を失った蒸気が堆積しているため、結晶性の悪化にともなう鮮鋭性および粒状性の低下が問題となっている。従って、原料容器の開口を小さくし、蒸気流の飛翔方向を規制することによりシャツタサイズアップや堆積前真空度の高真空化なしで回避可能になる。これらの堆積開始までに蒸発する輝尽性蛍光体の基材上への堆積を防止するために原料容器３１０ａの開口部３１０ｄの面積を調整するために蓋３１０ｅを設けの本図に示される気相堆積装置である。
【００７１】
原料容器３１０ａの開口部３１０ｄは、原料容器３１０ａ内の原料が融解過程では、原料堆積時の開口部３１０ｄの開口面積に対して０．１〜０．５倍とし、原料原料堆積の開始直前３分間の間に開口部面積調整手段により所定の開口面積に調整し、原料堆積時には設定した開口面積に調整する様になっている。
【００７２】
原料融解過程における開口部の面積が、原料堆積時の開口部の面積より０．１倍未満の場合は、密閉状態でない限り下限とはならないが、制御精度の点から装置のコストが高くなるため好ましくない。
【００７３】
０．５倍を越える場合は、蒸発粒子間の相互干渉は少なく出来るものの、蒸発粒子の蒸発可能領域は大きくなることにより、蒸気流の飛翔方向規制としては十分ではなくなるため好ましくない。原料堆積開始後に開口部面積調整手段により所定の開口面積に調整した場合は、堆積途中で蒸発可能な開口面積が変化することになり、堆積層の厚さ方向で組成変化、結晶径の変化及び蒸気流特性変化が生じることにより、結晶や堆積層の層の制御が困難になるため好ましくない。原料堆積開始直前から３分を過ぎて開口部面積調整手段により所定の開口面積に調整した場合は、蒸気流の勢力範囲が大きい状態で堆積開始タイミングを待つことにより、回り込み蒸気の影響が大きくなり、堆積層の最下層が乱れた蒸気で形成されるためため好ましくない。
【００７４】
蓋３１０ｅの移動は、原料容器３１０ａ内の原料３１０ｂの状態を目視で確認しながら駆動手段３１０ｅ１を手動により移動することも可能である。又、駆動手段３１０ｅ１を制御手段５により制御することも可能である。本図は蓋３１０ｅの移動を制御手段５により制御する場合を示している。駆動手段３１０ｅ１としては、例えばエアーシリンダーが挙げられる。他の符号は図３と同義である。
【００７５】
気相堆積装置３ｂを構成している各部、各手段の関係を図４の（ｂ）に示す概略ブロック図により説明する。予めメモリーに入力されている、原料容器３１０ａ内の原料（輝尽性蛍光体）３１０ｂに合わせて設定された原料容器３１０ａの開口面積に従って駆動手段３１０ｅ１により蓋３１０ｅが移動し設定される。原料温度測定手段３１０ｃからの情報は制御手段５のＣＰＵに入力される。制御手段５に入力された情報はメモリーに予め入力されている原料（輝尽性蛍光体）３１０ｂの設定温度と演算処理を行い、設定温度に達したことが確認されると、設定した原料容器３１０ａの開口面積にするために、蓋３１０ｅの駆動手段３１０ｅ１を駆動させる様に制御が可能となっている。
蒸着室３０１の真空度、原料容器３１０ａ内の輝尽性蛍光体３１０ｂの温度、遮蔽板３１１の移動及び基材の温度に関する制御手段５を使用した制御は可能であるし、制御方法は図３に示し方法と同じである。
【００７６】
本図に示す様に、開口部面積調整手段により原料堆積過程の直前過程における原料容器３１０ａの開口面積を、原料堆積時の原料容器３１０ａの開口部の面積に対して０．１〜０．５とし、基材上に原料堆積を行うことで次の効果が得られる。
【００７７】
低真空領域で結晶成長を行おうとする場合に生じる、堆積開始前に基板に向かう蒸気流をカットするように配置した遮蔽板からの回り込みを堆積開始直前まで蒸気流飛翔方向を規制することにより抑制し、初期の基板への堆積を防止することが可能になり結晶乱れが小さく、且つ鮮鋭性、粒状性に優れた放射線像変換プレートの製造が可能になった。
【００７８】
図５は本発明の気相堆積装置を用い蒸着法により基材上に輝尽性蛍光体層を形成する他の一例を示す模式図である。
図５の（ａ）は図３に示す気相堆積装置に図４に示す気相堆積装置の機能を加えた気相堆積装置を用い蒸着法により基材上に輝尽性蛍光体層を形成する一例を示す模式図である。
図５の（ｂ）は気相堆積装置を構成している各部、各手段の関係を示す概略ブロック図である。
【００７９】
図中、３ｃは気相堆積装置を示す。他の符号は図３、図４と同義である。気相堆積装置３ｃを構成している各部、各手段の関係を図５の（ｂ）に示す概略ブロック図により説明する。予めメモリーに入力されている、原料容器３１０ａ内の原料（輝尽性蛍光体）３１０ｂに合わせて設定された原料容器３１０ａの開口面積に従って駆動手段３１０ｅ１により蓋３１０ｅが移動し設定される。原料容器３１０ａの開口面積の設定が終了した情報に従って、蒸着室３０１の減圧が開始される。
【００８０】
真空度測定計３０６より測定された蒸着室３０１の真空度に関する情報が制御手段５のＣＰＵに入力される。制御手段５に入力された情報はメモリーに予め入力されている設定真空度と演算処理を行い、メインバルブ３０３の開閉調整を行うことで、蒸着室３０１の真空度を、設定した原料堆積時の蒸着室の真空度より０．０１〜０．１％高くした状態にする。
【００８１】
蒸着室３０１の減圧の開始に合わせ、原料容器の加熱が開始する。原料温度測定手段３１０ｃにより測定された原料容器３１０ａ内の輝尽性蛍光体３１０ｂの温度に関する情報は制御手段５のＣＰＵに入力される。制御手段５に入力された情報はメモリーに予め入力されている原料（輝尽性蛍光体）３１０ｂの設定温度と演算処理を行い、原料容器３１０９ａの加熱源の電流供給部３１０ａ１の電流調整を行うことで原料容器３１０ａ内の原料（輝尽性蛍光体）３１０ｂの温度を設定温度に対して−５〜＋５℃で保持することが可能となっている。
【００８２】
設定温度に達したことが確認されると、設定した原料容器３１０ａの開口面積にするために、蓋３１０ｅの駆動手段３１０ｅ１を駆動させる様に制御が可能となっている。
【００８３】
原料温度測定手段３１０ｃにより測定された原料容器３１０ａ内の輝尽性蛍光体３１０ｂの温度が設定した温度に達した情報が制御手段５のＣＰＵに入力される。制御手段５に入力された情報はメモリーに予め入力されている原料堆積開始の真空度と演算処理を行い、ガス導入バルブ３０８とリークバルブ３０５の調整を行うことで、蒸着室３０１の真空度を、設定した原料堆積時の真空度にしする。
【００８４】
遮蔽板３１１の移動を制御手段５を使用して行う場合の一例を次に示す。蒸着室３０１の真空度が原料堆積開始の真空度に達した情報が真空度測定計３０６より制御手段５のＣＰＵに入力される。制御手段５に入力された情報に従って、遮蔽板３１１の水平回転移動手段（不図示）を稼働させ遮蔽板３１１の移動を行うことが可能である。制御手段５により遮蔽板３１１の移動を制御することで、蒸着室内の原料（輝尽性蛍光体）３１０ｂの濃度が不安定な加熱初期の基材４への輝尽性蛍光体の気相堆積防止が容易になる。例えば予め入力されている原料堆積開始温度と原料温度測定手段３１０ｃにより測定された原料容器３１０ａ内の原料（輝尽性蛍光体）３１０ｂの温度との差が−１０〜＋１０℃になってから少なくとも３０ｓｅｃ経過した後、遮蔽板を移動し原料容器の上を開放し、２０℃以上になったら原料容器の上に移動する様にすることが好ましい。
【００８５】
基材の温度を制御手段５を使用して制御する一例を次に示す。基材の温度測定手段（不図示）により測定された基材配置手段４に保持された基材４の温度に関する情報は制御手段５のＣＰＵに入力される。制御手段５に入力された情報はメモリーに予め入力されている設定温度と演算処理を行い、基材配置手段３０９の加熱手段（不図示）の電流供給部（不図示）の電流調整を行うことで基材の温度一定に保持することが可能である。
【００８６】
又、基材の加熱を中止するタイミングとしては、時間により換算された原料容器３１０ａ内の輝尽性蛍光体３１０ｂの量に関する情報は制御手段５のＣＰＵに入力される。制御手段５に入力された情報はメモリーに予め入力されている原料容器３１０ａ内の原料（輝尽性蛍光体）３１０ｂの量と演算処理を行い、電流供給部（不図示）への電流供給量を止めることで可能である。
【００８７】
本図に示す様に、減圧手段により原料堆積過程の直前過程における蒸着室の真空度は、原料堆積時の蒸着室の真空度より１０〜１００倍高くし、原料原料堆積の開始直前３分間の間に不活性ガス導入により所定の堆積真空度に調整し、且つ原料堆積過程の直前過程における開口部の面積は、原料堆積時の開口部の面積に対して０．１〜０．５倍狭し、原料堆積の開始直前３分間の間に前記開口部面積調整手段により所定の開口面積に調整し基材上に原料堆積を行うことで次の効果が得られる。
【００８８】
低真空領域で結晶成長を行おうとする場合に生じる、堆積開始前に基板に向かう蒸気流をカットするように配置した遮蔽板からの回り込みを堆積開始直前まで蒸気流飛翔方向を規制することにより抑制し、初期の基板への堆積を防止することが可能になり結晶乱れが小さく、且つ鮮鋭性、粒状性に優れた放射線像変換プレートの製造が可能になった。
【００８９】
図３〜図５に示す気相堆積装置により、基材上へ輝尽性蛍光体層が形成され図１に示される輝尽性蛍光体層プレートが作製される。この後、保護層を設け、プレートに貼着することで図１に示す放射線画像変換パネルとなる。
【００９０】
本発明に係る蒸発源は必ずしも輝尽性蛍光体である必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであってもよい。また、賦活剤は母体（ｂａｓｉｃ  ｓｕｂｓｔａｎｃｅ）に対して賦活剤（ａｃｔｉｂａｔｏｒ）を混合したものを蒸着してもよいし、母体のみを蒸着した後に賦活剤をドープしてもよい。例えば、母体であるＲｂＢｒのみを蒸着した後、例えば賦活剤であるＴｌをドープしてもよい。ドーピングは形成された蛍光体の母体層中にドーピング剤（賦活剤）を熱拡散、イオン注入法によって行うことができる。
【００９１】
また、輝尽性蛍光体層中に高光吸収率の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい。これにより輝尽性蛍光体層の補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散をほぼ完全に防止できる。
【００９２】
高光反射率の物質とは、輝尽励起光（５００〜９００ｎｍ、特に６００〜８００ｎｍ）に対する反射率の高いものをいい、例えばアルミニウム、マグネシウム、銀、インジウムその他の金属等、白色顔料及び緑色から赤色領域の色材を用いることができる。
【００９３】
白色顔料は輝尽発光も反射することができる。白色顔料として、ＴｉＯ2（アナターゼ型、ルチル型）、ＭｇＯ、ＰｂＣＯ3・Ｐｂ（ＯＨ）2、ＢａＳＯ4、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ（II）ＦＸ（但し、Ｍ（II）はＢａ、Ｓｒ及びＣａの中の少なくとも１種であり、ＸはＣｌ、及びＢｒのうちの少なくとも１種である。）、ＣａＣＯ3、ＺｎＯ、Ｓｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、リトポン（ＢａＳＯ4・ＺｎＳ）、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸鉛、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウム等が挙げられる。これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネルの感度を顕著に向上させ得る。
【００９４】
また、高光吸収率の物質としては、例えば、カーボン、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄等及び青の色材が用いられる。このうちカーボンは輝尽発光も吸収する。
【００９５】
また、色材は、有機または無機系色材のいずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファーストブルー３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリルブルーＮ−３ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナショナルアニリン製）、スピリットブルー（保土谷化学製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント製）、キトンブルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカチロンブルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学製）、レイクブルーＡＦＨ（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産業製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋インク製）、ライオノイルブルーＳＬ（東洋インク製）等が用いられる。またカラーインデクスＮｏ．２４４１１、２３１６０、７４１８０、７４２００、２２８００、２３１５４、２３１５５、２４４０１、１４８３０、１５０５０、１５７６０、１５７０７、１７９４１、７４２２０、１３４２５、１３３６１、１３４２０、１１８３６、７４１４０、７４３８０、７４３５０、７４４６０等の有機系金属錯塩色材も挙げられる。無機系色材としては群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ2−ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ系顔料が挙げられる。
【００９６】
以下、実施例により本発明の効果を説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
【実施例】
【００９７】
実施例１
以下の方法に従って、輝尽性光体層を有する放射線画像変換パネルを作製した。
（基材の準備）
厚さ１ｍｍ、大きさ３０ｃｍ×３０ｃｍの結晶化ガラス（日本電気ガラス社製）を基材として準備した。
【００９８】
（放射線画像変換プレートの作製）
図３に示す気相堆積装置を用い、準備した基材を蒸着室の基材配置手段に設置し、ついで蒸着源として輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：０．００１Ｅｕ）を原料容器に入れた。その後輝尽性蛍光体の融解過程における蒸着室の真空度及び付活性ガス（Ａｒガスを使用）の導入時間を表１に示す様に変化させ輝尽性蛍光体を融解した後、基材と原料容器の距離を６０ｃｍとし、基材を１０ｒｐｍで回転させ、基材の温度を約２００℃に保持しながら原料容器中の温度を７５０℃に保ち蒸着を開始し、輝尽性蛍光体層の膜厚が３００μｍとなったところで原料の蒸発を終了させ、基材回転および加熱、Ａｒガス導入を停止した後蒸着室を大気圧に戻し、輝尽性蛍光体層が形成された放射線画像変換プレートを作製し１−１〜１−１４とした。
【００９９】
尚、輝尽性蛍光体を融解は原料容器の開口部を開放して行い、輝尽性蛍光体層の形成時も原料容器の開口部を開放して行った。原料堆積開始温度と原料温度測定手段により測定された原料容器内の輝尽性蛍光体の温度との差が−１０〜＋１０℃になってから少なくとも３０ｓｅｃ経過した後、遮蔽板を開き、２０℃以上になったら閉じる様に設定した。
【０１００】
【表１】
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【０１０１】
蒸着室の真空度１とは、原料堆積過程の直前過程における真空度調整前の蒸着室の真空度を示す。
【０１０２】
蒸着室の真空度２とは、原料堆積過程の直前過程における真空度調整後の蒸着室の真空度を示す。
【０１０３】
蒸着室の真空度３とは、原料堆積過程の直前過程における真空度調整前の蒸着室の真空度に対する原料堆積過程の直前過程における真空度調整後の蒸着室の真空度の比を示す。
【０１０４】
不活性ガスの導入時間（分）は原料堆積開始時間を基準として、原料堆積開始時間より前の時間を示す。尚、不活性ガスの導入時間が「０分」とは、原料堆積開始時を示す。
【０１０５】
（放射線画像変換パネルの作製）
作製した放射線画像変換プレート１−１〜１−１４の輝尽性蛍光体層の上に保護層を設けた後、カーボン繊維強化樹脂製のトレーに接着剤で固定し、放射線画像変換プレートの周縁部を接着剤で封入して、輝尽性蛍光体層が密閉された構造の放射線画像変換パネルを作製し、試料１０１〜１１４した。尚、保護層として硼珪酸ガラスを使用し、厚さ１ｍｍとした。接着剤は、ポリウレタン系弾性接着剤を使用した。
【０１０６】
（評価）
作製した各試料１０１〜１１４に付き輝尽性蛍光体層と基材との剥離性（接着性）、鮮鋭性、画像欠陥、粒状性を以下に示す評価方法、評価ランクに従って評価した結果を表２に示す。
【０１０７】
輝尽性蛍光体層と基材との接着性の評価方法
放射線画像変換プレートから５ｃｍ×５ｃｍの試験サンプルを切り出し、このサンプルの蛍光体層表面に片刃のカミソリの刃を面に対して９０°の角度で、サンプルの中央に切り込みを１本入れた。この上に切り込みを跨いで市販のセロテープ（Ｒ）を張り付け、その一端を手で持って垂直に力強く引っ張って剥がし、切り込み線からの剥がされた蛍光体層の面積を目視で観察した。
【０１０８】
輝尽性蛍光体層と基材との接着性の評価ランク
◎：全く剥離されなかった
○：切り込み線から僅かに剥離がみられた
△：テープ接着面の概略半分ぐらいの輝尽性蛍光体層がテープに貼り付いていた
×：テープ接着面の殆どの輝尽性蛍光体層がテープに貼り付いていた
鮮鋭性評価
鮮鋭性は、変調伝達関数（ＭＴＦ）を求めて評価した。ＭＴＦは、放射線画像変換パネル試料にＣＴＦチャートを貼付した後、各試料に８０ｋＶｐのＸ線を１０ｍＲ（被写体までの距離：１．５ｍ）照射した後、１００μｍφの直径の半導体レーザ（６８０ｎｍ：パネル上でのパワー４０ｍＷ）を用いてＣＴＦチャート像を走査読み取りして求めた。
【０１０９】
粒状性評価
試料に対して放射線画像の形成を下記に記載のＸ線照射条件にて行い、次に、励起光として６８０ｎｍの半導体レーザ光を用いて放射線画像の読取を行った。読取の後、フィルム出力したＸ線のベタ露光画像を目視評価し、５段階ランク評価した。
Ｘ線照射条件：８０ｋＶｐ、２００ｍＡ、０．１ｓｅｃ
フィルム出力条件：γ（階調）＝３．０出力
評価ランク
５：粒状がほとんどわからず極めて良好
４：若干の粒状が認められるものの良好
３：粒状が認められる
２：粒状感がある
１：粒状がはっきり目立つ
【０１１０】
【表２】
2005274253.tif 000004
【０１１１】
試料Ｎｏ．１０７は輝尽性蛍光体層と基材との接着性、鮮鋭性及び粒状性は共に良好な結果を示したが、真空度の割には効果が変わらないこと、及び真空度にするのに時間が掛かり生産効率が悪くなるため実用化は困難と判断した。本発明の有効性が確認された。
【０１１２】
実施例２
以下の方法に従って、輝尽性光体層を有する放射線画像変換パネルを作製した。
（基材の準備）
厚さ１ｍｍ、大きさ３０ｃｍ×３０ｃｍの結晶化ガラス（日本電気ガラス社製）を基材として準備した。
【０１１３】
（放射線画像変換プレートの作製）
図４に示す気相堆積装置を用い、準備した基材を蒸着室の基材配置手段に設置し、ついで蒸着源として輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：０．００１Ｅｕ）を原料容器に入れた。その後輝尽性蛍光体の融解過程における蒸着室の真空度を１．０×１０-2Ｐａまで排気し、表３に示す様に原料堆積時の原料容器の開口部の面積に対して、原料容器の開口部の面積の変化及び原料容器の開口部の開口面積の調整開始時間を変えて輝尽性蛍光体を融解させた。その後Ａｒガスを導入し５．０×１０-2Ｐａに真空度を調整した後、基材と原料容器の距離を６０ｃｍとし、基材を１０ｒｐｍで回転させ、基材の温度を約２００℃に保持しながら原料容器中の温度を７５０℃に保ち蒸着を開始し、輝尽性蛍光体層の膜厚が３００μｍとなったところで原料の蒸発を終了させ、基材回転および加熱、Ａｒガス導入を停止した後蒸着室を大気圧に戻し、輝尽性蛍光体層が形成された放射線画像変換プレートを作製し２−１〜２−１６とした。
【０１１４】
尚、輝尽性蛍光体層の形成時の原料容器の開口部の開口面積は１００％として行った。原料堆積開始温度と原料温度測定手段により測定された原料容器内の輝尽性蛍光体の温度との差が−１０〜＋１０℃になってから少なくとも３０ｓｅｃ経過した後、遮蔽板を開き、２０℃以上になったら閉じる様に設定した。
【０１１５】
【表３】
2005274253.tif 000005
【０１１６】
原料容器の開口部の開口面積は、輝尽性蛍光体の堆積積時の原料容器の開口部の開口面積に対する融解時の原料容器の開口部の開口面積の比を示す。原料容器の開口部の開口面積の調整開始時間は、原料堆積開始時間を基準として、原料堆積開始時間より前の時間を示す。尚、原料容器の開口部の開口面積の調整開始時間が「０分」とは、原料堆積開始時を示す。
【０１１７】
（放射線画像変換パネルの作製）
作製した放射線画像変換プレート２−１〜２−１６の輝尽性蛍光体層の上に保護層を設けた後、カーボン繊維強化樹脂製のトレーに接着剤で固定し、放射線画像変換プレートの周縁部を接着剤で封入して、輝尽性蛍光体層が密閉された構造の放射線画像変換パネルを作製し、試料２０１〜２１６した。尚、保護層として硼珪酸ガラスを使用し、厚さ１ｍｍとした。接着剤は、ポリウレタン系弾性接着剤を使用した。
【０１１８】
（評価）
作製した各試料２０１〜２１６に付き輝尽性蛍光体層と基材との剥離性（接着性）、鮮鋭性、粒状性を実施例１と同じ評価方法、評価ランクに従って評価した結果を表４に示す。
【０１１９】
【表４】
2005274253.tif 000006
【０１２０】
試料Ｎｏ．２０１は輝尽性蛍光体層と基材との接着性、鮮鋭性及び粒状性は共に良好な結果を示したが、原料容器の開口部の開口面積を精度良く制御するのに装置がコストがかかりこと、及び開口面積を制御した割には効果が変わらないため実用化は困難と判断した。本発明の有効性が確認された。
【０１２１】
実施例３
以下の方法に従って、輝尽性光体層を有する放射線画像変換パネルを作製した。
（基材の準備）
厚さ１ｍｍ、大きさ３０ｃｍ×３０ｃｍの結晶化ガラス（日本電気ガラス社製）を基材として準備した。
【０１２２】
（放射線画像変換プレートの作製）
図４に示す気相堆積装置を用い、準備した基材を蒸着室の基材配置手段に設置し、ついで蒸着源として輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：０．００１Ｅｕ）を原料容器に入れた。その後、表５に示す様に輝尽性蛍光体の融解過程における蒸着室の真空度と、付活性ガス（Ａｒガスを使用）の導入時間と、原料堆積時の原料容器の開口部の面積に対して、原料容器の開口部の面積の変化及び原料容器の開口部の開口面積の調整開始時間を変えて輝尽性蛍光体を融解させたした後、基材と原料容器の距離を６０ｃｍとし、基材を１０ｒｐｍで回転させ、基材の温度を約２００℃に保持しながら原料容器中の温度を７５０℃に保ち蒸着を開始し、輝尽性蛍光体層の膜厚が３００μｍとなったところで原料の蒸発を終了させ、基材回転および加熱、Ａｒガス導入を停止した後蒸着室を大気圧に戻し、輝尽性蛍光体層が形成された放射線画像変換プレートを作製し３−１〜３−３０とした。
【０１２３】
尚、輝尽性蛍光体層の形成時も原料容器の開口部を開放して行った。原料堆積開始温度と原料温度測定手段により測定された原料容器内の輝尽性蛍光体の温度との差が−１０〜＋１０℃になってから少なくとも３０ｓｅｃ経過した後、遮蔽板を開き、２０℃以上になったら閉じる様に設定した。表中の融解時の蒸着室の真空度は、輝尽性蛍光体の体積時の蒸着室の真空度に対する融解時の蒸着室の真空度を示す。融解時の原料容器の開口部の開口面積は、輝尽性蛍光体の体積時の原料容器の開口部の開口面積に対する融解時の原料容器の開口部の開口面積を示す。
【０１２４】
【表５】
2005274253.tif 000007
【０１２５】
蒸着室の真空度１とは、原料堆積過程の直前過程における真空度調整前の蒸着室の真空度を示す。蒸着室の真空度２とは、原料堆積過程の直前過程における真空度調整後の蒸着室の真空度を示す。蒸着室の真空度３とは、原料堆積過程の直前過程における真空度調整前の蒸着室の真空度に対する原料堆積過程の直前過程における真空度調整後の蒸着室の真空度の割合（％）を示す。
【０１２６】
不活性ガスの導入時間（分）は原料堆積開始時間を基準として、原料堆積開始時間より前の時間を示す。尚、不活性ガスの導入時間が「０分」とは、原料堆積開始時を示す。
【０１２７】
原料容器の開口部の開口面積は、輝尽性蛍光体の堆積積時の原料容器の開口部の開口面積に対する融解時の原料容器の開口部の開口面積の比を示す。
【０１２８】
原料容器の開口部の開口面積の調整開始時間は、原料堆積開始時間を基準として、原料堆積開始時間より前の時間を示す。尚、原料容器の開口部の開口面積の調整開始時間が「０分」とは、原料堆積開始時を示す。
【０１２９】
（放射線画像変換パネルの作製）
作製した放射線画像変換プレート３−１〜３−３０の輝尽性蛍光体層の上に保護層を設けた後、カーボン繊維強化樹脂製のトレーに接着剤で固定し、放射線画像変換プレートの周縁部を接着剤で封入して、輝尽性蛍光体層が密閉された構造の放射線画像変換パネルを作製し、試料３０１〜３３０した。尚、保護層として硼珪酸ガラスを使用し、厚さ１ｍｍとした。接着剤は、ポリウレタン系弾性接着剤を使用した。
【０１３０】
（評価）
作製した各試料３０１〜３３０に付き輝尽性蛍光体層と基材との剥離性（接着性）、鮮鋭性、画像欠陥、粒状性を実施例１と同じ評価方法、評価ランクに従って評価した結果を表６に示す。
【０１３１】
【表６】
2005274253.tif 000008
【０１３２】
試料Ｎｏ．３０７は輝尽性蛍光体層と基材との接着性、鮮鋭性及び粒状性は共に良好な結果を示したが、真空度の割には効果が変わらないこと、及び真空度にするのに時間が掛かり生産効率が悪くなるため実用化は困難と判断した。試料Ｎｏ．３１５は輝尽性蛍光体層と基材との接着性、鮮鋭性及び粒状性は共に良好な結果を示したが、原料容器の開口部の開口面積を精度良く制御するのに装置がコストがかかりこと、及び開口面積を制御した割には効果が変わらないため実用化は困難と判断した。本発明の有効性が確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】気相堆積法によって基材上に形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換プレートを使用した放射線画像変換パネルの一例を示す概略断面図である。
【図２】放射線画像変換パネルを用いた放射線像変換方法を示す模式図である。
【図３】本発明の気相堆積装置を用い蒸着法により基材上に輝尽性蛍光体層を形成する一例を示す模式図である。
【図４】本発明の気相堆積装置を用い蒸着法により基材上に輝尽性蛍光体層を形成する他の一例を示す模式図である。
【図５】本発明の気相堆積装置を用い蒸着法により基材上に輝尽性蛍光体層を形成する他の一例を示す模式図である。
【符号の説明】
【０１３４】
１、２ｃ  放射線画像変換パネル
１ａ  放射線画像変換プレート
１ａ１  基材
１ａ２  輝尽性蛍光体層
１ｂ  保護層
１ｃ  トレー
３ａ、３ｂ、３ｃ  気相堆積装置
３０１  蒸着室
３０６  真空度測定計
３０９  基材配置手段
３１０ａ１  電流供給部
３１０  原料蒸発手段
３１０ｅ１  駆動手段
３１０ｃ  原料温度測定手段
３１０ｅ  蓋
３１１  遮蔽板
３１２  回転手段
４  基材
５  制御手段
【図１】
2005274253.tif 000009
【図２】
2005274253.tif 000010
【図３】
2005274253.tif 000011
【図４】
2005274253.tif 000012
【図５】
2005274253.tif 000013