(57)【要約】【課題】同軸ケーブルが接続される同軸コネクタを有する半導体素子収納用パッケージにおいて小型化するとともに量産に適するものとし、かつ高周波信号の伝送効率を向上すること。【解決手段】半導体素子５の載置部１ａを有する基体１と、側部に貫通孔または切欠きが設けられた枠体２と、貫通孔または切欠きに嵌着された筒状で、内周面に同軸コネクタ３を収容した筒状部材３０とを具備しており、筒状部材３０は、枠体２の貫通孔または切欠きに嵌着された幅狭部３１と、枠体２の外面から外側に位置する幅広部３２とから成るとともに、幅狭部３１から幅広部３２に至る同軸コネクタ３が嵌着された小径部３５と、幅広部３２で小径部３５に同軸状に連なるとともに同軸コネクタ３に電気的に接続される同軸ケーブル１０を固定する金属製の円筒状固定部材９が嵌着される大径部３６とを有している。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に半導体素子を載置する載置部を有する基体と、前記上面の外周部に前記載置部を囲繞するように接合され、側部に貫通孔または切欠きが設けられた枠体と、前記貫通孔または切欠きに嵌着された筒状で、内周面に円筒状の外周導体および該外周導体の中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体からなる同軸コネクタを収容した筒状部材とを具備しており、該筒状部材は、前記貫通孔または切欠きに嵌着された幅狭部と、前記枠体の外面から外側に位置する幅広部とから成るとともに、前記幅狭部から前記幅広部に至る前記同軸コネクタが嵌着された小径部と、前記幅広部で前記小径部に同軸状に連なるとともに前記同軸コネクタに電気的に接続される同軸ケーブルを固定する金属製の円筒状固定部材が嵌着される大径部とを有していることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
前記幅狭部は外形が直方体状であることを特徴とする請求項１記載の半導体素子収納用パッケージ。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記同軸コネクタに電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に取着された蓋体とを具備していることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体素子、特に高周波で作動する半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージ（以下、単にパッケージともいう）には、内部の半導体素子と外部の同軸ケーブルとを電気的に接続するための同軸コネクタが設けられている。この同軸コネクタが設けられたパッケージを図面に基づき詳細に説明する。図４は従来のパッケージの一例を示す断面図であり、１０１は基体、１０２は枠体、１０３は同軸コネクタ、１０６は回路基板、１３０は保持部材である。
【０００３】
基体１０１は鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）の焼結材等の金属から成り、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施したり、射出成形と切削加工を施すことによって所定の形状に製作される。その上側主面中央部には、ＩＣ、ＬＳＩ、半導体レーザー（ＬＤ）、フォトダイオード（ＰＤ）等の半導体素子１０５を載置するための載置部１０１ａが形成されており、載置部１０１ａには半導体素子１０５が半田等の接合材により載置固定される。半導体素子１０５は、その電極が回路基板１０６に被着形成されている線路導体１０６ａにボンディングワイヤ１０７等を介して電気的に接続されている。
【０００４】
また、基体１０１の上側主面外周部には載置部１０１ａを囲繞するようにして枠体１０２が立設されており、枠体１０２は基体１０１とともにその内側に半導体素子１０５を収容する空所を形成する。
【０００５】
枠体１０２は基体１０１と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗの焼結材等の金属から成り、基体１０１と一体成形されることによって、あるいは基体１０１に銀（Ａｇ）ろう等のろう材を介してろう付けされたり、シーム溶接法等の溶接法により接合されることによって基体１０１の上側主面外周部に立設される。
【０００６】
枠体１０２の側面には保持部材１３０が嵌着される嵌着部１０２ａが形成されている。嵌着部１０２ａは、枠体１０２内外を貫通する貫通孔であったり、枠体１０２の基体１０１との接合面側からＵ字型に切り欠いて枠体１０２内外を貫通する切り欠きであったり、枠体１０２の蓋体１０４との接合面側からＵ字型に切り欠いて枠体１０２内外を貫通する切り欠きである。
【０００７】
嵌着部１０２ａ内にはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属からなる保持部材１３０が嵌着されるとともに保持部材１３０の外周面と嵌着部１０２ａの内周面とがＡｇろう等のろう材を介して接合されている。
【０００８】
同軸コネクタ１０３は、内部に収容する半導体素子１０５を外部の同軸ケーブル１１０に電気的に接続するものであり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒状の外周導体１０３ａの中心軸に同じくＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る中心導体１０３ｂが絶縁体１０３ｃを介して固定された構造をしている。
【０００９】
保持部材１３０には、回路基板１０６を上面に設置するための棚部１３０ａと、同軸コネクタ１０３を挿入するための貫通孔１３０ｂが設けられている。棚部１３０ａには半田等の接合材を介して線路導体１０６ａを具備した回路基板１０６を線路導体１０６ａが上側になるようにして設置固定される。貫通孔１３０ｂは、枠体１０２の内外を貫通するように形成され、同軸コネクタ１０３が挿入されるとともに外周導体１０３ａと貫通孔１３０ｂの内周面との間に半田等の封着材を挿入することによって、貫通孔１３０ｂに同軸コネクタ１０３が固定される。中心導体１０３ｂの先端部は、回路基板１０６の上面に位置するように突出しており、中心導体１０３ｂの先端部と線路導体１０６ａの上面との間に半田等の導電性接着材を介し、中心導体１０３ｂと線路導体１０６ａとを電気的に接続される。
【００１０】
また、保持部材１３０には、貫通孔１３０ｂと同軸状に連続して貫通孔１３０ｃが形成されており、この貫通孔１３０ｃ内に円筒状固定部材１０９が挿入固定される。この円筒状固定部材１０９は、外部電気回路に接続された同軸ケーブル１１０と保持部材１３０に挿着された同軸コネクタ１０３とを接続するための固定部材であり、その外周面はネジ状となっており、内周面にネジ切りを有する貫通孔１３０ｃにネジ止めされる。
【００１１】
中心導体１０３ｂを伝送する高周波信号は、貫通孔１３０ｂ，１３０ｃ部において貫通孔１３０ｂ，１３０ｃの中心軸を伝送する同軸線路を伝送し、保持部材１３０の内側面から突出して線路導体１０６ａと半田等の導電性接着材に接続した後は、マイクロストリップ線路となっている線路導体１０６ａ上を伝送する。この同軸線路とマイクロストリップ線路は、所定の特性インピーダンス値に整合されている。そして、導電性接着材による線路導体１０６ａと中心導体１０３ｂとの接続部において、中心導体１０３ｂの先端部の位置、線路導体１０６ａの位置、および導電性接着材の量により、信号線路のインピーダンスが所定の値に設定されている。このようにして、パッケージ内において、反射損失や透過損失等の伝送損失のない良好な信号線路が形成される。
【００１２】
そして、このパッケージは、半導体素子１０５の電極と回路基板１０６の上面に被着された線路導体１０６ａとをボンディングワイヤ１０７により電気的に接続し、しかる後、枠体１０２の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る蓋体１０４を半田付け法やシームウエルド法により接合することにより製品としての半導体装置となる（例えば、下記の特許文献１参照）。
【００１３】
この半導体装置は、基体１０１に設けられた貫通孔１０１ｂをネジ止めすることにより、外部回路基板に実装される。また、円筒状固定部材１０９と外部電気回路に接続された同軸ケーブル１１０とを接続することにより、内部に収容する半導体素子１０５が外部電気回路に電気的に接続され、半導体素子１０５が高周波信号で作動することとなる。
【００１４】
そして、半導体装置の貫通孔１０１ｂを外部回路基板にネジ止めして外部回路基板に実装する際、パッケージ製造時のろう付け工程等の熱処理工程において発生していた基体１０１の反りが矯正されるため、基体１０１および枠体１０２に歪みが加わることとなるが、上記の構成のパッケージにおいては、同軸コネクタ１０３が保持部材１３０を介して枠体１０２に挿着されていることにより、貫通孔１０１ｂをネジ止め等によって外部回路基板等に装着する際の枠体１０２に加わる歪みが、保持部材１３０において分散および吸収することができる。
【００１５】
【特許文献１】
特開２００２−１６４４５４号公報
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来のパッケージは、保持部材１３０には、回路基板１０６を上面に設置するための棚部１３０ａを有していることから、保持部材１３０が大型のものとなり、近時のパッケージの小型化傾向に適さないものとなってきているとともに、保持部材１３０の形状が複雑なものとなっており、保持部材１３０の加工に時間がかかって生産性が低いものとなり、量産に適さないという問題点を有していた。
【００１７】
また、この従来のパッケージでは、線路導体１０６ａと半導体素子１０５とを電気的に接続するボンディングワイヤ１０７が長くなる傾向にあり、近時の半導体素子１０５の高周波化によって、ボンディングワイヤ１０７が長いとボンディングワイヤ１０７を伝送する高周波信号に反射損失や透過損失といった伝送損失が顕著に発生し、良好に高周波信号を伝送できなくなるという問題点を有していた。
【００１８】
さらには、保持部材１３０は線路導体１０６ａの線路方向に位置ずれして接合されたり、嵌着部１０２ａの内周面と保持部材１３０の外周面との間の隙間により、保持部材１３０が所望の位置から傾いて接合され易く、その場合、線路導体１０６ａのボンディングワイヤ１０７との接続部が位置ずれして、線路導体１０６ａから半導体素子１０５までのボンディングワイヤ１０７の長さが一定せず、高周波信号の伝送効率を劣化させるという問題点を有していた。
【００１９】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、同軸ケーブルが接続される同軸コネクタを有する半導体素子収納用パッケージを小型化するとともに量産に適するものとし、かつ高周波信号の伝送効率を向上させることである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面に半導体素子を載置する載置部を有する基体と、前記上面の外周部に前記載置部を囲繞するように接合され、側部に貫通孔または切欠きが設けられた枠体と、前記貫通孔または切欠きに嵌着された筒状で、内周面に円筒状の外周導体および該外周導体の中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体からなる同軸コネクタを収容した筒状部材とを具備しており、該筒状部材は、前記貫通孔または切欠きに嵌着された幅狭部と、前記枠体の外面から外側に位置する幅広部とから成るとともに、前記幅狭部から前記幅広部に至る前記同軸コネクタが嵌着された小径部と、前記幅広部で前記小径部に同軸状に連なるとともに前記同軸コネクタに電気的に接続される同軸ケーブルを固定する金属製の円筒状固定部材が嵌着される大径部とを有していることを特徴とする。
【００２１】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、筒状部材が、貫通孔または切欠きに嵌着された幅狭部と、枠体の外面から外側に位置する幅広部とから成るとともに、幅狭部から幅広部に至る同軸コネクタが嵌着された小径部と、幅広部で小径部に同軸状に連なるとともに同軸コネクタに電気的に接続される同軸ケーブルを固定する金属製の円筒状固定部材が嵌着される大径部とを有していることにより、筒状部材が幅狭部の外周面および幅広部の幅狭部側の端面の２面によって枠体に接合されるので非常に位置精度がよくなり、筒状部材がその軸方向に位置ずれして接合されたり、筒状部材が所望の位置から傾いて接合されたりするのを有効に防止できる。その結果、中心導体を所望の位置に確実に位置合わせすることができ、中心導体と半導体素子との接続長さを一定に保ち、高周波信号の伝送効率を良好に維持することができる。
【００２２】
また、従来のように保持部材に回路基板を載置するための棚部を設ける用いる必要はなく、単純な形状で小型の筒状部材を用いることにより半導体素子収納用パッケージを小型化することができるとともに筒状部材の加工にかかる時間を短縮して量産に適するものとすることができる。さらに、載置部に回路基板を載置し、この回路基板上に半導体素子を搭載すればよいので、半導体素子を回路基板上の線路導体に接続するボンディングワイヤを短くすることができ、ボンディングワイヤを伝送する高周波信号が高周波帯域のものとなっても、ボンディングワイヤを伝送する高周波信号に反射損失や透過損失といった伝送損失が発生するのを抑制することができる。
【００２３】
本発明の半導体素子収納用パッケージにおいて、好ましくは、前記幅狭部は外形が直方体状であることを特徴とする。
【００２４】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、幅狭部の外形が直方体状であることにより、筒状部材が枠体の貫通孔または切欠きに対し上下左右に位置ずれすることをさらに抑制することができ、同軸コネクタの中心導体の位置ずれが起きるのを防止して高周波信号の伝送効率を極めて良好なものに維持することができる。
【００２５】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記同軸コネクタに電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に取着された蓋体とを具備していることを特徴とする。
【００２６】
本発明の半導体装置は、上記構成により、上記本発明の半導体素子収納用パッケージを用いた小型で量産に適するとともに、高周波信号の伝送特性の優れたものとなる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体素子収納用パッケージを添付の図面に基づいて説明する。図１は本発明のパッケージの実施の形態の一例を示す断面図、図２は図１のパッケージにおける筒状部材の拡大斜視図、図３は図１の上面図であり、１は基体、２は枠体、３は同軸コネクタ、６は回路基板、３０は筒状部材である。
【００２８】
基体１は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ等の金属から成る四角形状等の板体であり、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定形状に製作される。その上側主面略中央部には、ＩＣ、ＬＳＩ、半導体レーザー（ＬＤ）、フォトダイオード（ＰＤ）等の半導体素子５を載置するための載置部１ａが形成されており、載置部１ａには半導体素子５が半田等の接合材により載置固定される。半導体素子５は、その電極が回路基板６に被着形成されている線路導体６ａにボンディングワイヤ７等を介して電気的に接続されている。
【００２９】
基体１の上面中央部には、半導体素子５を載置するための載置部１ａが形成されており、この載置部１ａには、半導体素子５が、例えば上面に線路導体６ａを有するＡｌ２Ｏ３質焼結体，ＡｌＮ質焼結体等から成る回路基板６等に実装されその電極が線路導体６ａにボンディングワイヤ７を介して電気的に接続された状態で載置固定される。
【００３０】
このような回路基板６は以下のようにして作製される。例えば、回路基板６はセラミックグリーンシートに、Ｗやモリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属粉末に適当な有機バインダ、可塑剤、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを、スクリーン印刷法等の厚膜形成技術により印刷塗布して、線路導体６ａとなるメタライズ層を所定パターンに形成する。しかる後、セラミックグリーンシートを複数枚積層し、これを還元雰囲気中、約１６００℃の温度で焼成することにより製作される。
【００３１】
また線路導体６ａは薄膜形成法によって形成されていてもよく、その場合、線路導体６ａは窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ）、ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ合金）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）等から形成され、セラミックグリーンシートを焼成した後に形成される。
【００３２】
なお、線路導体６ａは、その露出表面にＮｉやＡｕから成るメッキ金属層を１〜２０μｍ程度の厚みに被着させておくのがよい。これにより、線路導体６ａの酸化腐食を有効に防止することができるとともに線路導体６ａとボンディングワイヤ７や同軸コネクタ３の中心導体３ｂとの接続性を良好なものとすることができる。
【００３３】
また基体１の上面外周部には載置部１ａを囲繞するようにして枠体２が取着されており、枠体２は基体１とともに半導体素子５を収容する空所を形成する作用をなす。
【００３４】
枠体２は、基体１と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ等の金属から成り、基体１と一体成形されることによって、あるいは基体１にＡｇろう等のろう材を介してろう付けされたり、シーム溶接法等の溶接法により溶接されることによって基体１の上面外周部に取着される。
【００３５】
枠体２は、その側部に同軸コネクタ３および同軸ケーブル１０を保持固定するための筒状部材３０を固定するために貫通孔または切欠きが形成されている。
【００３６】
この貫通孔または切欠きに嵌着される筒状部材３０は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属からなり、筒状部材３０には、枠体２の貫通孔または切欠きに嵌着された幅狭部３１と、枠体２の外面から外側に位置する幅広部３２とから成るとともに、幅狭部３１から幅広部３２に至る同軸コネクタ３が嵌着された小径部３５と、幅広部３２で小径部３５に同軸状に連なるとともに同軸コネクタ３に電気的に接続される同軸ケーブル１０を固定する金属製の円筒状固定部材９が嵌着される大径部３６とを有している。また、筒状部材３０の載置部１ａ側の端面には、小径部３５に同軸状に連なる中心導体３ｂを挿通させるための挿通部３４が形成されている。
【００３７】
この構成により、筒状部材３０が幅狭部３１の外周面および幅広部３２の幅狭部３１側の端面の２面によって枠体２に接合されるので非常に位置精度がよくなり、筒状部材３０がその軸方向に位置ずれして接合されたり、筒状部材３０が所望の位置から傾いて接合されたりするのを有効に防止できる。その結果、中心導体３ｂを所望の位置に確実に位置合わせすることができ、中心導体３ｂと半導体素子５との接続長さを一定に保ち、高周波信号の伝送効率を良好に維持することができる。
【００３８】
また、従来のように保持部材１３０に回路基板を載置するための棚部１３０ａを設ける用いる必要はなく、単純な形状で小型の筒状部材３０を用いることによりパッケージを小型化することができるとともに筒状部材３０の加工にかかる時間を短縮して量産に適するものとすることができる。さらに、載置部１ａに回路基板６を載置し、この回路基板６上に半導体素子５を搭載すればよいので、半導体素子５を回路基板６上の線路導体６ａに接続するボンディングワイヤ７を短くすることができ、ボンディングワイヤ７を伝送する高周波信号が高周波帯域のものとなっても、ボンディングワイヤ７を伝送する高周波信号に反射損失や透過損失といった伝送損失が発生するのを抑制することができる。
【００３９】
好ましくは、幅狭部３１の外形が直方体状であるのがよい。これにより、筒状部材３０が枠体２の貫通孔または切欠きに対し上下左右に位置ずれすることをさらに抑制することができ、同軸コネクタ３の中心導体３ｂの位置ずれが起きるのを防止して高周波信号の伝送効率を極めて良好なものに維持することができる。
【００４０】
さらに、幅狭部３１の外径が直方体状である場合、幅狭部３１の側部における角部は幅広部３２の外周面よりも内側にあるのがよい。これにより、幅広部３２の幅狭部３１側の端面が幅狭部３１によって分割されることなく全周にわたって連続したものとなり、この連続した端面が同様に全周にわたって連続したロウ材を介して枠体２にロウ付けされるので、筒状部材３０と枠体２との接合強度をより向上させることができる。
【００４１】
また、幅狭部３１の外形状が直方体状である場合、幅狭部３１の側部における角部が面取りされていてもよい。これにより、幅狭部３１の側面の合計面積を大きく維持して枠体２に形成した貫通孔または切欠きの内周面との接合強度を大きく維持できるとともに、幅広部３２の幅狭部３１側の端面が幅狭部３１によって分割されることなく全周にわたって連続したものとなり、この連続した端面が同様に全周にわたって連続したロウ材を介して枠体２にロウ付けされるので、筒状部材３０と枠体２との接合強度がよりいっそう大きなものとなる。
【００４２】
また、幅狭部３１の外形状が直方体状である場合、幅狭部３１の側部における角部が幅広部３２との境界部において内側に凹んでいるのがよい。これにより、幅広部３２の幅狭部３１側の端面が幅狭部３１によって分割されることなく全周にわたって連続したロウ材で覆われることとなり、この連続したロウ材によって筒状部材３０と枠体２との接合強度を向上させることができる。
【００４３】
また好ましくは、筒状部材３０は枠体２よりも縦弾性係数が低い材料であるのがよい。例えば枠体２がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＳＵＳの場合、Ｃｕ，Ａｇ，アルミニウム（Ａｌ）等の変形し易い金属材料であるのがよい。これにより、筒状部材３０を応力緩衝部材としても機能させることができ、図３に示す基体１のネジ止め部１ｂを外部電気回路基板にネジ止めしても絶縁体３ｃにクラック等の破損が生じるのを有効に抑制できる。
【００４４】
また、筒状部材３０の幅広部３２は、幅狭部３１側の端面が基体１の側面と接合されているのがよい。これにより、筒状部材３０が枠体２に固定されるだけでなく、基体１によっても固定されるため、筒状部材３０の位置精度が著しく向上する。
【００４５】
小径部３５内には同軸コネクタ３が挿入されるとともに同軸コネクタ３と小径部３５内面とがＡｕ−Ｓｎ半田、Ｐｂ−Ｓｎ半田等の半田から成る封着材８を介して固定されている。
【００４６】
好ましくは、小径部３５の大径部３６側の開口部に全周にわたって形成された段差３７を有しているのがよく、この構成により、段差３７に同軸コネクタ３を固定するための封着材８のメニスカスを形成でき、同軸コネクタ３を小径部３５に強固に嵌着固定することができる。
【００４７】
このような同軸コネクタ３は、パッケージ内部に収容する半導体素子５を外部の同軸ケーブル１０に電気的に接続するためのものであり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒状の外周導体３ａの中心軸に同じくＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る中心導体３ｂが絶縁体３ｃを介して固定された構造をしている。なお、同軸ケーブル１０は、貫通孔の大径部３６にネジ込まれて固定された円筒状固定部材９を介して、同軸コネクタ３に接続される。
【００４８】
中心導体３ｂを伝送する高周波信号は、枠体２の内部にある中心導体３ｂの部分では同軸線路のモードで伝送し、特性インピーダンス値に整合されている。そして枠体２の内側では回路基板６の上面に被着形成された線路導体６ａに接続されて線路導体６ａ上を伝送することとなる。
【００４９】
段差３７を有している場合、同軸コネクタ３は、図１に示すように段差３７内に突出しているのがよい。これにより、同軸コネクタ３が全周にわたって段差３７に広がる封着材８によって保持されることから、枠体２の内外が完全に気密に仕切られる。
【００５０】
円筒状固定部材９は、中心軸に絶縁体を介して中心導体を有するＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，ステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属であり、一端部に同軸ケーブル１０が接続されるとともに他端部が貫通孔の大径部３６にネジ込まれることにより固定される。この円筒状固定部材９の外周部は接地導体となっており、その先端が外周導体３ａと電気的に接続されることによって円筒状固定部材９の外周部の接地電位が同軸コネクタ３の外周導体３ａの接地電位と同一電位となり、円筒状固定部材９の中心導体を伝送する高周波信号と、同軸コネクタ３の中心導体３ｂを伝送する高周波信号のインピーダンス値を整合させることができる。その結果、円筒状固定部材９と同軸コネクタ３を伝送する高周波信号に反射損失等の伝送損失を発生させることなく効率よく伝送させることができる。
【００５１】
このような本発明のパッケージの載置部１ａに、半導体素子５を、回路基板６等に実装されその電極が線路導体６ａにボンディングワイヤ７を介して電気的に接続された状態で載置固定し、しかる後、回路基板６の線路導体６ａと同軸コネクタ３の中心導体３ｂとを半田を介して電気的に接続し、枠体２の大径部３６に筒状固定部材９をネジ込んで固定し、最後に枠体２の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属等から成る蓋体４を半田付け法やシームウエルド法等により取着することにより製品としての半導体装置となる。
【００５２】
このような半導体装置は、円筒状固定部材９と外部電気回路に接続される同軸ケーブル１０とを嵌合させることにより内部に収容する半導体素子５が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００５３】
尚、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【００５４】
【発明の効果】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、筒状部材が、貫通孔または切欠きに嵌着された幅狭部と、枠体の外面から外側に位置する幅広部とから成るとともに、幅狭部から幅広部に至る同軸コネクタが嵌着された小径部と、幅広部で小径部に同軸状に連なるとともに同軸コネクタに電気的に接続される同軸ケーブルを固定する金属製の円筒状固定部材が嵌着される大径部とを有していることにより、筒状部材が幅狭部の外周面および幅広部の幅狭部側の端面の２面によって枠体に接合されるので非常に位置精度がよくなり、筒状部材がその軸方向に位置ずれして接合されたり、筒状部材が所望の位置から傾いて接合されたりするのを有効に防止できる。その結果、中心導体を所望の位置に確実に位置合わせすることができ、中心導体と半導体素子との接続長さを一定に保ち、高周波信号の伝送効率を良好に維持することができる。
【００５５】
また、従来のように保持部材に回路基板を載置するための棚部を設ける用いる必要はなく、単純な形状で小型の筒状部材を用いることにより半導体素子収納用パッケージを小型化することができるとともに筒状部材の加工にかかる時間を短縮して量産に適するものとすることができる。さらに、載置部に回路基板を載置し、この回路基板上に半導体素子を搭載すればよいので、半導体素子を回路基板上の線路導体に接続するボンディングワイヤを短くすることができ、ボンディングワイヤを伝送する高周波信号が高周波帯域のものとなっても、ボンディングワイヤを伝送する高周波信号に反射損失や透過損失といった伝送損失が発生するのを抑制することができる。
【００５６】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、幅狭部の外形が直方体状であることにより、筒状部材が枠体の貫通孔または切欠きに対し上下左右に位置ずれすることをさらに抑制することができ、同軸コネクタの中心導体の位置ずれが起きるのを防止して高周波信号の伝送効率を極めて良好なものに維持することができる。
【００５７】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、載置部に載置されるとともに同軸コネクタに電気的に接続された半導体素子と、枠体の上面に取着された蓋体とを具備していることにより、上記本発明の半導体素子収納用パッケージを用いた小型で量産に適するとともに、高周波信号の伝送特性の優れたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージについて実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１の半導体素子収納用パッケージにおける筒状部材の拡大斜視図である。
【図３】図１の半導体素子収納用パッケージの上面図である。
【図４】従来の半導体素子収納用パッケージを示す断面図である。
【符号の説明】
１：基体
１ａ：載置部
２：枠体
３：同軸コネクタ
３ａ：外周導体
３ｂ：中心導体
３ｃ：絶縁体
４：蓋体
５：半導体素子
９：円筒状固定部材
１０：同軸ケーブル
３０：筒状部材
３１：幅狭部
３２：幅広部
３５：小径部
３６：大径部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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