(57)【要約】【課題】高密度な半導体装置に使用される微細なシェアードコンタクトにおいて、電気的接合リークを防止することを目的とする。【解決手段】第１にゲート電極下の半導体基板の表面にソース・ドレイン領域と同じ導電型の拡散層を形成し、また、第２に通常コンタクトに比べてシェアードコンタクトに過度なエッチングが掛からないようにするため、ゲート電極を覆うように緩衝膜を形成することにより、シェアードコンタクトにおいて電気的接合リークが生じることがない安定な半導体装置及びその製造方法を実現することができる。【選択図】図１
2005050998.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方導電形の半導体基板の上に絶縁膜を介して選択的に形成された導電体層と、
前記導電体層の側面に形成された側壁絶縁膜と、
前記絶縁膜の下で前記半導体基板の表面に形成された他方導電形の第１の拡散層と、
前記側壁絶縁膜の下で前記半導体基板の表面に形成された他方導電形の第２の拡散層と、
前記第２の拡散層の横で前記半導体基板の表面に形成された他方導電形の第３の拡散層と、
前記導電体層を覆い、前記半導体基板の上に形成された拡散防止膜と、
前記拡散防止膜の上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜及び前記拡散防止膜に形成され、前記導電体層と前記第３の拡散層とに跨って接続するコンタクトホールとを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記導電体層と前記第３の拡散層との表面に形成されたシリサイド層とをさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記側壁絶縁膜及び前記拡散防止膜はシリコン窒化膜からなり、
前記層間絶縁膜はシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
一方導電形の半導体基板の上に絶縁膜を介して選択的に形成された導電体層と、
前記導電体層の側面に形成された側壁絶縁膜と、
前記側壁絶縁膜の下で前記半導体基板の表面に形成された他方導電形の第１の拡散層と、
前記第１の拡散層の横で前記半導体基板の表面に形成された他方導電形の第２の拡散層と、
前記導電体層を覆い、前記半導体基板の所定領域に形成された緩衝膜と、
前記緩衝膜を覆い、前記半導体基板の上に形成された拡散防止膜と、
前記拡散防止膜の上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜、前記拡散防止膜及び前記緩衝膜に形成され、前記導電体層と前記第２の拡散層とに跨って接続するコンタクトホールとを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記所定領域の外に形成された他の導電体層及び他の第２の拡散層と、
前記層間絶縁膜及び前記拡散防止膜に形成され、前記他の導電体層又は前記他の第２の拡散層の何れか１つに接続する他のコンタクトホールと、
前記導電体層又は前記第２の拡散層の表面だけに形成されたシリサイド層とをさらに備えていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記側壁絶縁膜及び前記拡散防止膜はシリコン窒化膜からなり、
前記緩衝膜及び前記層間絶縁膜はシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置。
【請求項７】
一方導電形の半導体基板の表面に他方導電形の第１の拡散層を形成する工程と、
前記半導体基板の上に絶縁膜を介して導電体層を選択的に形成する工程と、
前記導電体層の脇で前記半導体基板の表面に他方導電形の第２の拡散層を形成する工程と、
前記導電体層の側面に側壁絶縁膜を形成する工程と、
前記側壁絶縁膜の脇で前記半導体基板の表面に他方導電形の第３の拡散層を形成する工程と、
前記導電体層を覆い、前記半導体基板の上に拡散防止膜を形成する工程と、
前記拡散防止膜の上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜及び前記拡散防止膜に形成され、前記導電体層と前記第３の拡散層とに跨って接続するコンタクトホールを形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記拡散防止膜の形成工程の前に、前記導電体層と前記第３の拡散層との表面にシリサイド層を形成する工程とをさらに備えていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記側壁絶縁膜及び前記拡散防止膜はシリコン窒化膜からなり、
前記層間絶縁膜はシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項７又は８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
一方導電形の半導体基板の上に絶縁膜を介して導電体層を選択的に形成する工程と、
前記導電体層の脇で前記半導体基板の表面に他方導電形の第１の拡散層を形成する工程と、
前記導電体層の側面に側壁絶縁膜を形成する工程と、
前記側壁絶縁膜の脇で前記半導体基板の表面に他方導電形の第２の拡散層を形成する工程と、
前記導電体層を覆い、前記半導体基板の所定領域に緩衝膜を形成する工程と、
前記緩衝膜を覆い、前記半導体基板の上に拡散防止膜を形成する工程と、
前記拡散防止膜の上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜、前記拡散防止膜及び前記緩衝膜に形成され、前記導電体層と前記第２の拡散層とに跨って接続するコンタクトホールを形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記導電体層の形成工程は、前記所定領域の外に他の導電体層とをさらに形成し、
前記第２の拡散層の形成工程は、前記所定領域の外に他の第２の拡散層とをさらに形成し、
前記コンタクトホールの形成工程は、前記層間絶縁膜及び前記拡散防止膜に形成され、前記他の導電体層又は前記他の第２の拡散層の何れか１つに接続する他のコンタクトホールとをさらに形成し、
前記拡散防止膜の形成工程の前に、前記他の導電体層又は前記他の第２の拡散層との表面だけにシリサイド層を形成する工程とをさらに備えていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記側壁絶縁膜及び前記拡散防止膜はシリコン窒化膜からなり、
前記緩衝膜及び前記層間絶縁膜はシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高密度な半導体装置及びその製造方法に関し、特に異なるレイヤに同時コンタクトを形成するコンタクト構造及びその形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高密度化が進展する中で、配線パターンの微細化と共に新しいコンタクト構造が開発されている。以下、従来の半導体装置について、図６を参照しながら説明する。図６は従来の半導体装置の断面図を示すものである。
【０００３】
図６に示すように、Ｎ-型シリコン基板（１００１）上に分離酸化膜（１００２）を形成する。次にゲート酸化膜（１００３）を形成し、その上にゲート電極（１００４）を形成する。ゲート電極（１００４）の脇にはＰ型拡散層１（１００６）が形成されており、ゲート電極（１００４）の横にはシリコン窒化膜で形成されるサイドウォール絶縁膜（１００５）が形成されている。サイドウォール絶縁膜（１００５）の脇にはＰ+型拡散層２（１００７）が形成されており、これらの上部にはシリコン窒化膜からなる拡散防止膜（１００８）及びＢＰＳＧ膜からなる層間絶縁膜（１００９）が形成されている。
【０００４】
コンタクトホール（１０１０）は層間絶縁膜（１００９）及び拡散防止膜（１００８）をエッチングによって除去することで形成される。その際、ＣｏＳｉ2／ポリシリコンからなるゲート電極（１００４）はエッチングされないため、コンタクトホール（１０１０）の底部に残る。このように、コンタクトホール（１０１０）はゲート電極（１００４）とＰ+型拡散層２（１００７）とを接続する、いわゆるシェアードコンタクトを形成する（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平３−３１６３０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら上記のような構成では、サイドウォール絶縁膜がエッチングされやすく、サイドウォール絶縁膜がなくなることにより、電気的接合リークが生じやすいという問題点を有していた。
【０００６】
本発明は上記問題点に鑑み、高密度な半導体装置に使用される微細なシェアードコンタクトにおいて、電気的接合リークを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の第１の半導体装置は、一方導電形の半導体基板の上に絶縁膜を介して選択的に形成された導電体層と、導電体層の側面に形成された側壁絶縁膜と、絶縁膜の下で半導体基板の表面に形成された他方導電形の第１の拡散層と、側壁絶縁膜の下で半導体基板の表面に形成された他方導電形の第２の拡散層と、第２の拡散層の横で半導体基板の表面に形成された他方導電形の第３の拡散層と、導電体層を覆い、半導体基板の上に形成された拡散防止膜と、拡散防止膜の上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜及び拡散防止膜に形成され、導電体層と第３の拡散層とに跨って接続するコンタクトホールとを備えていることを特徴とする。
【０００８】
これによれば、コンタクトホールを形成する際にエッチングの選択性不足により側壁絶縁膜がエッチングされ、なくなってしまっても、一方導電形の半導体基板の表面には他方導電形の第１の拡散層が形成されているため、コンタクトホールから半導体基板へ電気的接合リークを引き起こすことがない。従って、電気的接合リークの生じない高密度なシェアードコンタクトを実現することができる。
【０００９】
上記の半導体装置において、導電体層と第３の拡散層との表面に形成されたシリサイド層とをさらに備えていることが好ましい。
【００１０】
上記の半導体装置において、側壁絶縁膜及び拡散防止膜はシリコン窒化膜からなり、層間絶縁膜はシリコン酸化膜からなることが好ましい。
【００１１】
また、本発明の第２の半導体装置は、一方導電形の半導体基板の上に絶縁膜を介して選択的に形成された導電体層と、導電体層の側面に形成された側壁絶縁膜と、側壁絶縁膜の下で半導体基板の表面に形成された他方導電形の第１の拡散層と、第１の拡散層の横で半導体基板の表面に形成された他方導電形の第２の拡散層と、導電体層を覆い、半導体基板の所定領域に形成された緩衝膜と、緩衝膜を覆い、半導体基板の上に形成された拡散防止膜と、拡散防止膜の上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜、拡散防止膜及び緩衝膜に形成され、導電体層と第２の拡散層とに跨って接続するコンタクトホールとを備えていることを特徴とする。
【００１２】
これによれば、コンタクトホールを形成する際にエッチングの開孔率依存性によりエッチングが過度に掛かってしまっても、導電体層を覆うように拡散防止膜との間に緩衝膜を挟んでいるので、これを軽減することができる。このため、側壁絶縁膜がエッチングされ、なくなってしまうことを防止できるので、コンタクトホールから半導体基板へ電気的接合リークを引き起こすことがない。従って、電気的接合リークの生じない高密度なシェアードコンタクトを実現することができる。
【００１３】
上記の半導体装置において、所定領域の外に形成された他の導電体層及び他の第２の拡散層と、層間絶縁膜及び拡散防止膜に形成され、他の導電体層又は他の第２の拡散層の何れか１つに接続する他のコンタクトホールと、導電体層又は第２の拡散層の表面だけに形成されたシリサイド層とをさらに備えていることが好ましい。
【００１４】
上記の半導体装置において、側壁絶縁膜及び拡散防止膜はシリコン窒化膜からなり、緩衝膜及び層間絶縁膜はシリコン酸化膜からなることが好ましい。
【００１５】
次に、本発明の第１の半導体装置の製造方法は、一方導電形の半導体基板の表面に他方導電形の第１の拡散層を形成する工程と、半導体基板の上に絶縁膜を介して導電体層を選択的に形成する工程と、導電体層の脇で半導体基板の表面に他方導電形の第２の拡散層を形成する工程と、導電体層の側面に側壁絶縁膜を形成する工程と、側壁絶縁膜の脇で半導体基板の表面に他方導電形の第３の拡散層を形成する工程と、導電体層を覆い、半導体基板の上に拡散防止膜を形成する工程と、拡散防止膜の上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜及び拡散防止膜に形成され、導電体層と第３の拡散層とに跨って接続するコンタクトホールを形成する工程とを備えていることを特徴とする。
【００１６】
これによれば、コンタクトホールを形成する際にエッチングの選択性不足により側壁絶縁膜がエッチングされ、なくなってしまっても、一方導電形の半導体基板の表面には他方導電形の第１の拡散層が形成されているため、コンタクトホールから半導体基板へ電気的接合リークを引き起こすことがない。従って、電気的接合リークの生じない高密度なシェアードコンタクトを実現することができる。
【００１７】
上記の半導体装置の製造方法において、拡散防止膜の形成工程の前に、導電体層と第３の拡散層との表面にシリサイド層を形成する工程とをさらに備えていることが好ましい。
【００１８】
上記の半導体装置の製造方法において、側壁絶縁膜及び拡散防止膜はシリコン窒化膜からなり、層間絶縁膜はシリコン酸化膜からなることが好ましい。
【００１９】
また、本発明の第２の半導体装置の製造方法は、一方導電形の半導体基板の上に絶縁膜を介して導電体層を選択的に形成する工程と、導電体層の脇で半導体基板の表面に他方導電形の第１の拡散層を形成する工程と、導電体層の側面に側壁絶縁膜を形成する工程と、側壁絶縁膜の脇で半導体基板の表面に他方導電形の第２の拡散層を形成する工程と、導電体層を覆い、半導体基板の所定領域に緩衝膜を形成する工程と、緩衝膜を覆い、半導体基板の上に拡散防止膜を形成する工程と、拡散防止膜の上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜、拡散防止膜及び緩衝膜に形成され、導電体層と第２の拡散層とに跨って接続するコンタクトホールを形成する工程とを備えていることを特徴とする。
【００２０】
これによれば、コンタクトホールを形成する際にエッチングの開孔率依存性によりエッチングが過度に掛かってしまっても、導電体層を覆うように拡散防止膜との間に緩衝膜を挟んでいるので、これを軽減することができる。このため、側壁絶縁膜がエッチングされ、なくなってしまうことを防止できるので、コンタクトホールから半導体基板へ電気的接合リークを引き起こすことがない。従って、電気的接合リークの生じない高密度なシェアードコンタクトを実現することができる。
【００２１】
上記の半導体装置の製造方法において、導電体層の形成工程は、所定領域の外に他の導電体層とをさらに形成し、第２の拡散層の形成工程は、所定領域の外に他の第２の拡散層とをさらに形成し、コンタクトホールの形成工程は、層間絶縁膜及び拡散防止膜に形成され、他の導電体層又は他の第２の拡散層の何れか１つに接続する他のコンタクトホールとをさらに形成し、拡散防止膜の形成工程の前に、他の導電体層又は他の第２の拡散層との表面だけにシリサイド層を形成する工程とをさらに備えていることが好ましい。
【００２２】
上記の半導体装置の製造方法において、側壁絶縁膜及び拡散防止膜はシリコン窒化膜からなり、緩衝膜及び層間絶縁膜はシリコン酸化膜からなることが好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る半導体装置及びその製造方法によると、第１にゲート電極下の半導体基板の表面にソース・ドレイン領域と同じ導電型の拡散層を形成し、また、第２に通常コンタクトに比べてシェアードコンタクトに過度なエッチングが掛からないようにするため、ゲート電極を覆うようにシリコン酸化膜を形成することにより、シェアードコンタクトにおいて電気的接合リークが生じることがない安定な半導体装置及びその製造方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２５】
図１〜図２は本実施形態における半導体装置の製造フローを示す断面図である。図１（ａ）に示すように、シリコン基板（１０１）の表面近傍は５００ｎｍの深さを持つＮ-型ウエル拡散層となっており、所定の位置に３００ｎｍの深さを持つ分離酸化膜（１０２）を形成する。シリコン基板（１０１）の表面は１×１０19ｃｍ-3以下の濃度を持つＰ型不純物で拡散されたＰ-型拡散層１（１０６）を形成し、その上に３ｎｍの厚さのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜（１０３）を形成する。このＰ-型拡散層１（１０６）は後工程で形成されるソース・ドレイン領域と同じ導電型の拡散層で形成される。
【００２６】
次に、図１（ｂ）に示すように、ＬＰ−ＣＶＤ法により２００ｎｍの厚さのポリシリコン膜を堆積し、リソグラフィ工程及びエッチング工程を経て所定の位置にゲート電極（１０４）を形成する。次に、イオン注入法により１×１０20ｃｍ-3以下の濃度を持つＰ型不純物で拡散されたエクステンション領域のＰ型拡散層２（１０７）を形成する。
【００２７】
次に、図２（ａ）に示すように、ＬＰ−ＣＶＤ法によりシリコン窒化膜を堆積後、リアクティブイオンエッチング法による異方性エッチングによりゲート電極（１０４）の脇にシリコン窒化膜からなるサイドウォール絶縁膜（１０５）を形成する。次に、イオン注入法により１×１０20ｃｍ-3以上の濃度を持つＰ型不純物で拡散されたソース・ドレイン領域のＰ+型拡散層３（１０８）を形成する。次に、シリコン基板（１０１）上にコバルト（Ｃｏ）を堆積後、シリサイド化を行なうことによりゲート電極（１０４）及びＰ+型拡散層３（１０８）の表面にＣｏＳｉ2層（１０９）を形成する。
【００２８】
次に、図２（ｂ）に示すように、ＬＰ−ＣＶＤ法により３０ｎｍの厚さのシリコン窒化膜からなる拡散防止膜（１１０）を形成し、８００ｎｍの厚さのＢＰＳＧ膜を堆積後、８００℃で６０秒の熱処理を行ない、ＣＭＰ工程を経て４００ｎｍの厚さのＢＰＳＧ膜からなる層間絶縁膜（１１１）を形成する。次に、リソグラフィ工程及びエッチング工程を経てゲート電極（１０４）及びＰ+型拡散層３（１０８）に跨って１つのコンタクトホールで接続するシェアードコンタクト（１１２）を形成する。
【００２９】
本方法によれば、シェアードコンタクト（１１２）を形成する際にエッチング選択性不足によりサイドウォール絶縁膜（１０５）がエッチングされ、なくなってしまった場合においても、Ｐ-型拡散層１（１０６）によりシリコン基板（１０１）の表面はＰ-型領域になっているため、シェアードコンタクト（１１２）からＮ-型ウエル領域へ電気的接合リークを引き起こすことがない。
【００３０】
なお、本実施形態において、シリコン基板側をＮ型領域、拡散層１をＰ型領域としたが、逆にシリコン基板側はＰ型領域で、拡散層１がＮ型領域であっても良い。
【００３１】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、第１の実施形態と同じ工程については説明を省略する。
【００３２】
図３〜図４は本実施形態における半導体装置の製造フローを示す断面図である。図３（ａ）に示すように、シリコン基板（２０１）の表面近傍は５００ｎｍの深さを持つＮ-型ウエル拡散層となっており、所定の位置に３００ｎｍの深さを持つ分離酸化膜（２０２）を形成する。次に、第１の実施形態と同様にして、３ｎｍの厚さを持つシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜（２０３）、ポリシリコン膜からなるゲート電極（２０４）、エクステンション領域のＰ型拡散層１（２０５）、シリコン窒化膜からなるサイドウォール絶縁膜（２０６）、ソース・ドレイン領域のＰ+型拡散層２（２０７）を順次形成する。
【００３３】
次に、図３（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法により５０ｎｍの厚さのシリコン酸化膜を堆積し、リソグラフィ工程及びエッチング工程を経てシェアードコンタクトの形成領域だけにシリコン酸化膜からなる緩衝膜（２０８）を残存させる。
【００３４】
次に、図４（ａ）に示すように、Ｃｏによるシリサイド化を経てＣｏＳｉ2層（２０９）を形成する。この時、残存する緩衝膜（２０８）の領域にはＣｏＳｉ2層は形成されない。
【００３５】
次に、図４（ｂ）に示すように、３０ｎｍの厚さのシリコン窒化膜からなる拡散防止膜（２１０）を形成後、４００ｎｍの厚さのＢＰＳＧ膜からなる層間絶縁膜（２１１）を形成する。次に、リソグラフィ工程及びエッチング工程を経てゲート電極（２０４）及びＰ+型拡散層２（２０７）に跨って１つのコンタクトホールで接続するシェアードコンタクト（２１２）を形成する。この時、同時に通常コンタクト（２１３）を形成する。
【００３６】
本方法によれば、シェアードコンタクト（２１２）領域は緩衝膜（２０８）の厚さ５０ｎｍ分だけ通常コンタクト（２１３）より厚く形成されることになる。シェアードコンタクト（２１２）はゲート電極（２０４）とＰ+型拡散層２（２０７）との両方のコンタクトを１つのコンタクトホールで形成するため、コンタクト面積は通常コンタクト（２１３）の２倍程度の大きさが必要になる。ところが、図５に示すように、一般にコンタクト面積が大きくなるとエッチング速度が上昇し、通常コンタクト（２１３）でエッチング深さを合わせた場合、シェアードコンタクト（２１２）ではエッチングが過度に掛かってしまうことになるが、本実施形態ではシェアードコンタクト（２１２）領域では５０ｎｍの緩衝膜（２０８）を挟むことによりこれを軽減することができる。従って、サイドウォール絶縁膜（２０６）がエッチングされ、なくなってしまうことを防止できるので、Ｎ-型ウエル領域へ電気的接合リークを引き起こすことがない。
【００３７】
なお、第１の実施形態と第２の実施形態は個々に実施しても良いが、同時に実施すると両者による相乗効果が得られることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明に係る半導体装置及びその製造方法は、シェアードコンタクトにおいて電気的接合リークを防止することができると言う効果を有し、例えば異なるレイヤに同時コンタクトを形成するコンタクト構造及びその形成方法等のように、高密度な半導体装置及びその製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の第１の実施形態における半導体装置の製造フローを示す断面図
【図２】本発明の第１の実施形態における半導体装置の製造フローを示す断面図
【図３】本発明の第２の実施形態における半導体装置の製造フローを示す断面図
【図４】本発明の第２の実施形態における半導体装置の製造フローを示す断面図
【図５】コンタクトホール径とエッチング速度の関係を示す図
【図６】従来例の半導体装置の断面図
【符号の説明】
【００４０】
１０１  シリコン基板（Ｎ-型ウエル拡散層）
１０２  分離酸化膜
１０３  ゲート絶縁膜（シリコン酸化膜）
１０４  ゲート電極
１０５  サイドウォール絶縁膜（シリコン窒化膜）
１０６  Ｐ-型拡散層１
１０７  Ｐ型拡散層２
１０８  Ｐ+型拡散層３
１０９  ＣｏＳｉ2層
１１０  拡散防止膜（シリコン窒化膜）
１１１  層間絶縁膜（ＢＰＳＧ膜）
１１２  シェアードコンタクト
２０１  シリコン基板（Ｎ-型ウエル拡散層）
２０２  分離酸化膜
２０３  ゲート絶縁膜（シリコン酸化膜）
２０４  ゲート電極
２０５  Ｐ型拡散層１
２０６  サイドウォール絶縁膜（シリコン窒化膜）
２０７  Ｐ+型拡散層２
２０８  緩衝膜（シリコン酸化膜）
２０９  ＣｏＳｉ2層
２１０  拡散防止膜（シリコン窒化膜）
２１１  層間絶縁膜（ＢＰＳＧ膜）
２１２  シェアードコンタクト
２１３  通常コンタクト
１００１  シリコン基板
１００２  分離酸化膜
１００３  ゲート酸化膜
１００４  ゲート電極
１００５  サイドウォール絶縁膜
１００６  Ｐ型拡散層１
１００７  Ｐ+型拡散層２
１００８  拡散防止膜（シリコン窒化膜）
１００９  層間絶縁膜（ＢＰＳＧ膜）
１０１０  シェアードコンタクト
【図１】
2005050998.tif 000003
【図２】
2005050998.tif 000004
【図３】
2005050998.tif 000005
【図４】
2005050998.tif 000006
【図５】
2005050998.tif 000007
【図６】
2005050998.tif 000008