(57)【要約】【課題】  光変調素子およびその光変調素子を用いた光変調装置に関し、小型で簡単な構造でありながら、光量の調整ならびに光路の変換が行える。【解決手段】  複数層の圧電セラミック層１５と、圧電セラミック層１５間に形成された複数層の内部電極１３と、各層の内部電極１３から積層方向交互に一対の側面にまで達して形成された引出電極１４とからなる積層体と、積層体の積層方向一端面に形成された光反射膜１８と、積層体の一対の側面にそれぞれ形成され各側面に露出した引出電極１４に電気的に接続した一対の外部電極１６，１７とを備え、外部電極１６，１７への電圧印加に応答して、光反射膜１８が凹凸形状となるものである。【選択図】      図３
2005181502.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数層の圧電セラミック層と、前記圧電セラミック層間に形成された複数層の内部電極と、各層の内部電極から積層方向交互に一対の側面にまで達して形成された引出電極とからなる積層体と、
前記積層体の積層方向一端面に形成された光反射面と、
前記積層体の前記一対の側面にそれぞれ形成され各側面に露出した引出電極に電気的に接続した一対の外部電極とを備え、
前記外部電極への電圧印加に応答して前記光反射面が凹凸形状となる、ことを特徴とする光変調素子。
【請求項２】
前記内部電極の重なり部分の形状が積層方向に一定となっている、ことを特徴とする請求項１に記載の光変調素子。
【請求項３】
前記内部電極の重なり部分の形状が積層方向の光反射面側に順次小さくなっている、ことを特徴とする請求項１に記載の光変調素子。
【請求項４】
前記内部電極の重なり部分の形状が積層方向から見られて非対称となっている、ことを特徴とする請求項１に記載の光変調素子。
【請求項５】
複数層の圧電セラミック層と、前記圧電セラミック層間に形成され積層方向に重なる複数層の内部電極と、各層の内部電極から積層方向交互に一対の側面にまで達して形成された引出電極とからなる第１積層体と、
前記第１積層体の積層方向一端面に形成された光反射面と、
前記第１積層体の積層方向他端面に形成され、複数層の圧電セラミック層と、前記圧電セラミック層間に積層方向交互に一対の側面にまで達して形成された複数層の内部電極とからなる第２積層体と、
前記第１積層体の前記一対の側面にそれぞれ形成され各側面に露出した引出電極に電気的に接続した一対の外部電極と、
前記第２積層体の前記一対の側面にそれぞれ形成され各側面に露出した内部電極に電気的に接続した一対の外部電極とを備え、
前記第１積層体の外部電極への電圧印加に応答して前記光反射面が凹凸形状となり、前記第２積層体の外部電極への電圧印加に応答して前記第２積層体が伸縮する、ことを特徴とする光変調素子。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の光変調素子を用いた光変調装置であって、
前記光変調素子の光反射面を形成した側に対し積層方向反対側の端面を支持部材にて支持し、
前記光反射面に光を導出する光導出部が、前記光変調素子の一側において前記支持部材にて支持され、
前記光反射面にて反射した光を受光する受光部が、前記光変調素子の他側において前記支持部材にて支持された、ことを特徴とする光変調装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光量の調整ならびに光路の変換を行う光変調素子およびその光変調素子を用いた光変調装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、下記の（１）〜（４）に示すように、光を変調するための各種装置が提案されている。
【０００３】
（１）複数の凹凸が形成された基板と、基板を覆うように基板の表面に設けられた光反射性の薄膜とを有する光反射ユニットであって、薄膜が略平面である第一の状態と、基板および薄膜の間の静電力によって凹凸にしたがって薄膜が変形し、第一の状態に対して斜めの面を生じる第二の状態とをとる（特許文献１参照）。
【０００４】
（２）入力光信号を複数の出力光学位置の一つに切り替えるための装置であって、入力光信号を平行ビームにコリメートするためのレンズと、出力光学位置の異なるビームを指向するために平行ビームを反射し、かつ、選択された値だけ平行ビームの角度を変更するための複数の位置を有する反射器とからなる。なお、複数の位置の間で反射器を動かすための制御信号に応答するアクチュエータを備えている（特許文献２参照）。
【０００５】
（３）圧電体層およびこれを挟持する第１，２電極からなる圧電素子を有すると共に、光を反射するミラー膜構造を有するミラー要素と、ミラー要素に対応して設けられた駆動素子とを有する光変調デバイスであって、圧電素子は、一方面の略中央部に設けられた支持部材を介して基板上に固定されている。また、圧電素子は、弾性板に電極を介して形成されており、圧電素子が面方向に伸縮し、弾性板がその伸縮を拘束することにより、ミラー面が凸凹に変形して光を集束，発散させる（特許文献３参照）。
【０００６】
（４）光導出部より導出された光を、一対の圧電アクチュエータにて支持された反射板にて反射し、受光部にて受光する光路変換装置であって、一対の圧電アクチュエータにて反射面の向きを変更することにより光路の変換を行う（特許文献４参照）。
【特許文献１】特開２０００−２２１４１９号
【特許文献２】特開平１０−５０３８５３号
【特許文献３】特開２００１−４９３２号
【特許文献４】特開２００２−３５７７７６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１の光反射ユニットの場合、光の制御は、反射または散乱の二通りしかなく、１対多の光路の変換を行うことができないという問題があった。
【０００８】
特許文献２の装置の場合、アクチュエータで反射器の角度を変えて光の方向を制御するものであり、反射器によって反射された光は反射器の角度によって集光レンズに入射する角度が変化する。したがって、光量を変化させないためには、より大きな集光レンズが必要になる。また、反射器とアクチュエータは別々に用意して組立て調整する必要がある。集光レンズと反射器の位置調整が必要であり、以上のことを考慮すると、装置が大きくなり位置調整が難しいという問題があった。
【０００９】
特許文献３の光変調デバイスの場合、圧電素子は、一方面の略中央部に設けられた支持部材を介して基板上に固定されており、その構造から光の集束方向が一方となり、光路の変換を行うことができないという問題があった。
【００１０】
特許文献４の光路変換装置では、光の向きは変更できても、光量の調整までは行えないという問題があった。また、一対の圧電アクチュエータにて反射板を支持する構造であり、しかもそれらの伸縮を管理する必要があり、構造が複雑になるという問題があった。
【００１１】
本発明は、小型で簡単な構造でありながら、光量の調整ならびに光路の変換が行える光変調素子および光変調装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の光変調素子は、複数層の圧電セラミック層と、前記圧電セラミック層間に形成された複数層の内部電極と、各層の内部電極から積層方向交互に一対の側面にまで達して形成された引出電極とからなる積層体と、前記積層体の積層方向一端面に形成された光反射面と、前記積層体の前記一対の側面にそれぞれ形成され各側面に露出した引出電極に電気的に接続した一対の外部電極とを備え、前記外部電極への電圧印加に応答して前記光反射面が凹凸形状となるものである。
【００１３】
本発明の光変調装置は、前記光変調素子を用いた光変調装置であって、前記光変調素子の光反射面を形成した側に対し積層方向反対側の端面を支持台にて支持し、前記光反射面に光を導出する光導出部が、前記光変調素子の一側において前記支持台にて支持され、前記光反射面にて反射した光を受光する受光部が、前記光変調素子の他側において前記支持台にて支持されたものである。
【００１４】
本発明の光変調素子および光変調装置によると、光反射面を凹形状とすることにより、光反射面にて反射した光が集束し、受光部による受光量が増大する。光反射面を凸形状とすることにより、光反射面にて反射した光が発散し、受光部による受光量が減少する。このようにして光量の調整が行える。また、光反射面における光の反射位置を調整し、光反射面の形状を平坦，凹形状，凸形状とすることにより、反射方向を変更でき、光路の変換が行える。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の光変調素子および光変調装置によれば、小型で簡単な構造でありながら、光量の調整ならびに光路の変換が行えるという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（実施例１）
本発明の実施例１を図１ないし図７に基づいて説明する。
【００１７】
図１は光変調素子の積層体の分解斜視図、図２は光変調素子の積層体の断面図、図３は光変調素子を基板に実装した状態の断面図、図４は光変調素子に印加する電圧が低い時の断面図、図５は光変調素子に印加する電圧が高い時の断面図、図６は光変調素子に逆向きに電圧を印加した時の断面図、図７は光路変換の様子を示す断面図である。
【００１８】
図１ないし図３を用いて、光変調素子１０の製造について説明する。
【００１９】
まず、チタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミック粉末を主成分とするセラミックスラリーを用意する。
【００２０】
このスラリーを用いてドクターブレード法などによりシートを成形し、２０〜１００μｍの厚みのグリーンシートを得る。このグリーンシートを矩形形状に打ち抜き、平面形状が矩形のグリーンシート１２（図１参照）を得る。
【００２１】
矩形のグリーンシート１２の表面にＡｇ−Ｐｄペーストのような導電ペーストをスクリーン印刷し、乾燥することにより、内部電極パターンを印刷する。本実施例の内部電極１３は、グリーンシート１２の表面の中心に円形に形成され、上層から下層に向かって順次径が大きくなる。さらに、内部電極１３の外周から矩形のグリーンシート１２の一側面１２ａにまで達する引出電極１４が、グリーンシート１２の表面に形成されている。
【００２２】
内部電極１３を形成したグリーンシート１２を所定の枚数積層し、かつ、上下層には保護層となる内部電極１３が形成されていないグリーンシート１２を数枚積層し、積層方向に加圧することにより積層体１１（図２参照）を得る。なお、内部電極１３を形成したグリーンシート１２は、引出電極１４が左右交互に位置するように積層し、グリーンシート１２は圧電セラミック層１５となる。内部電極１３は積層方向に重なり、上下の内部電極１３どうしが重なる部分の形状は、上層ほど小さくなる。
【００２３】
積層体１１を酸素雰囲気下（濃度約９８％）において、１０００〜１２００℃程度の温度で数時間焼成して焼結体を得る。
【００２４】
焼結体の引出電極１４が露出した対向し合う一対の側面をそれぞれ覆うようにＡｇペーストを塗布し、焼き付けることにより、あるいはＡｇを蒸着やスパッタリング等により付与することにより外部電極１６，１７（図３参照）を形成する。外部電極１６，１７は、それぞれが形成された側面に露出した引出電極１４に電気的に接続される。すなわち、左右の外部電極１６，１７が、積層方向交互に、内部電極１３に接続される。外部電極１６，１７に直流電圧が印加され、上下に互いに対向する内部電極１３間に電圧が印加され、圧電セラミック層１５が分極される。
【００２５】
さらに、焼結体の上下面を平行に鏡面研磨し、上面に光反射面となる光反射膜１８を蒸着やスパッタリング等により付与する。具体的には、シリコン膜や、反射面を形成する金属膜を備えたセラミック膜を用いる。これら、シリコン膜やセラミック膜は、剛性があり、精度良く加工できる。シリコン膜は鏡面加工性に優れ、鏡面加工を施した表面を反射面として使用できる。また、セラミック膜は鏡面加工を施した表面にアルミニウムやニッケル、金等の金属膜を被着することにより、反射面として使用できる。
【００２６】
以上のようにして、光変調素子１０を得る。
【００２７】
図３に示すように、光変調素子１０を支持部材となる基板２０に実装し、外部電極１６，１７に配線２２を介して電源２１を接続する。
【００２８】
２３は光導出部をなすレーザ、２４は受光部をなす光ファイバであり、それぞれ光変調素子１０の両側にて基板２０に支持台（図示せず）を介して装着されている。
【００２９】
図３は、外部電極１６，１７に電圧が印加されていない状態であって、光反射膜１８が平坦な状態である。この状態では、レーザ２３から導出された光Ｌは、光反射膜１８に所定の入射角度にて入射し、光反射膜１８にて入射角度と同じ角度の反射角度にて反射し、集束も発散もすることなく光ファイバ２４にて受光される。
【００３０】
ここで、光量の調整について説明する。
【００３１】
図４に示すように、内部電極１３間の圧電セラミック層１５の厚みが収縮するように、外部電極１６，１７を介して内部電極１３間に電圧を印加する。光変調素子１０は、積層体１１の中心部分ほど内部電極１３の積層枚数が多くなり、かつ、下面を基板２０に実装してあるので、上面の光反射膜１８が中心部より円形凹形状に変形し、焦点距離を微調整できる反射型レンズを実現できる。
【００３２】
凹状の光反射膜１８に入射した光Ｌは、光反射膜１８にて反射し、集束して一定の位置にて焦点を結ぶ。
【００３３】
図５は、図４と同じ向きでより高い電圧を印加した状態である。圧電セラミック層１５の厚みがより収縮し、凹状の光反射膜１８の湾曲の度合がより大きくなる。
【００３４】
このように、印加する電圧の大きさを調整することにより、圧電セラミック層１５の厚み収縮の度合いが変わり、凹状の光反射膜１８の湾曲の度合も変化し、反射光Ｌの焦点距離を変化させることができる。図５に示す状態では、反射光Ｌの焦点距離が光ファイバ２４の入口付近となり、光Ｌが全て受光されるのに対し、図４に示す状態では、反射光Ｌの焦点距離が光ファイバ２４の入口より遠くにあり、反射光Ｌの一部が受光される。すなわち、図４に示す状態は図３に示す状態に比べ集束される分、光量が多くなる。また、図５に示す状態は図４に示す状態に比べ反射光Ｌが漏れなく受光される分、より光量が多くなる。
【００３５】
また、図６に示すように、逆電圧を印加すれば、内部電極１３間の圧電セラミック層１５の厚みが膨張し、光反射膜１８が中心部より円形凸形状に変化する。その結果、反射光Ｌが発散し、図３に示す状態に比べ、光ファイバ２４にて受光される光量が少なくなる。
【００３６】
以上のように、外部電極１６，１７に印加する直流電圧の大きさや方向を変えることにより、内部電極１３間の圧電セラミック層１５の厚みが変化し、光反射面の形状が変化し、光量を調整できる。
【００３７】
次に、図７を用いて光路の変換について説明する。
【００３８】
図７（ａ）は、外部電極１６，１７に電圧を印加せず、光反射膜１８が平坦な状態において、光Ｌを光反射膜１８の中心より光導出部側にて反射するものである。この状態では、光反射膜１８にて反射した光Ｌは、３段に重ねて設置した光ファイバ２４，２５，２６のうち、中段の光ファイバ２４に入射する。
【００３９】
図７（ｂ）は、光反射膜１８が中心部より円形凹形状に変形するように、外部電極１６，１７に電圧を印加したものであり、光反射膜１８の中心より光導出部側にて反射した光Ｌは、凹状の光反射膜１８にて図７（ａ）の場合より大きな反射角にて反射し、下段の光ファイバ２５に入射する。
【００４０】
図７（ｃ）は、光反射膜１８が中心部より円形凸形状に変形するように、外部電極１６，１７に電圧を印加したものであり、光反射膜１８の中心より光導出部側にて反射した光Ｌは、凸状の光反射膜１８にて図７（ａ）の場合より小さな反射角にて反射し、上段の光ファイバ２６に入射する。
【００４１】
このように、外部電極１６，１７に印加する電圧の方向を変え、光反射膜１８の中心より光導出部側にて光Ｌを反射させることにより、受光部となる光ファイバ２４，２５，２６を選択でき、光路の変換、すなわちスイッチングを行うことができる。
【００４２】
このように構成された光変調素子１０および光変調装置によると、光反射膜１８を円形凹形状とすることにより、光反射膜１８にて反射した光Ｌが集束し、光ファイバ２４による受光量が増大する。逆に、光反射膜１８を円形凸形状とすることにより、光反射膜１８にて反射した光Ｌが発散し、光ファイバ２４による受光量が減少する。このようにして光量の調整が行える。また、光反射膜１８における光Ｌの反射位置を、光反射膜１８の中心からずらす等の調整をし、光反射膜１８の形状を平坦，凹形状，凸形状とすることにより、反射方向を変更でき、光路の変換が行える。
【００４３】
また、ミラーや変位拡大機構、反射後の集光レンズなどの付帯部品が不要であり、アクチュエータ機能と反射機能が一体となり、積層体１１のみで光変調素子１０が構成され、構造が簡単で小型化が図れる。
【００４４】
なお、光反射位置を光反射膜１８の中心より光導出部側にずらして光路の変換を行うものであったが、例えば、光反射膜１８の中心より受光部側にずらして光路の変換を行うようにしてもよい。
【００４５】
また、光反射膜１８を中心部より円形凹形状または円形凸形状に変形させるために、内部電極１３がグリーンシート１２の表面の中心に円形に形成され、上層から下層に向かって順次径が大きくなる形状であったが、グリーンシート１２の表面の中心に円形に形成され、下層から上層に向かって順次径が大きくなる形状としてもよい。
【００４６】
また、グリーンシート１２は矩形に限らず、例えば、円形としてもよく、内部電極１３の形状も矩形としてもよい。
【００４７】
さらに、圧電セラミック層１５の積層枚数が多いほど、電圧印加時における光反射膜１８の曲率を十分に大きくすることができ、集光率が著しく向上する。よって、ＳＮ比が向上し、小型化しても十分な受光量が得られる。
【００４８】
図８に、実施例１の光変調素子の変形例における積層体の分解斜視図を示す。
【００４９】
この変形例の内部電極３０は、グリーンシート１２の対向する一対の側面方向の中央において、下層に向かって順次当該一対の側面方向の幅寸法を増大させて、かつ、グリーンシート１２の残りの一対の側面方向両端に渡って矩形に形成されている。さらに、内部電極３０の外周から矩形のグリーンシート１２の一側面１２ａにまで達する引出電極１４が、グリーンシート１２の表面に形成されている。
【００５０】
なお、光変調素子の製造方法ならびに光変調素子および光変調装置の全体構成については、図１ないし図７に示した例と同様である。
【００５１】
内部電極３０に電圧を印加して内部電極３０間を分極させることにより、反射面が矩形凹形状や矩形凸形状に変形し、反射光は線状に集束，発散し、光量の調整ならびに光路の変換が行える。
【００５２】
図９ないし図１１を用いて、実施例１の光変調素子の他の変形例について説明する。
【００５３】
図９は積層体の分解斜視図、図１０は光変調素子に印加する電圧が低い時の断面図、図１１は光変調素子に印加する電圧が高い時の断面図である。
【００５４】
この変形例の光変調素子３５は、内部電極３１，３２の重なり部分の形状を積層方向から見て非対称としたことを特徴とするものである。
【００５５】
内部電極３１，３２は、積層方向交互に、グリーンシート１２の対向する側面１２ａに達して形成されている。すなわち、内部電極３１は先端に一側面１２ａに達する引出電極３３を有し、内部電極３２は他側面１２ａに達して形成されており、かつ先端側に電極が形成されていない開口部３４を有している。
【００５６】
外部電極１６，１７に電圧を印加すると、内部電極３１，３２が重なっている部分が積層方向に膨張し、内部電極３１，３２が重ならない部分を中心にして光反射膜１８が円形凹形状となる。
【００５７】
また、内部電極３１，３２の重なり部分の形状が大きな外部電極１７側ほど積層方向に膨張し易くなる。これにより、図１０に示す低い電圧を印加した時に比べ、図１１に示す高い電圧を印加した時の方が、光反射膜１８の外部電極１７側における傾斜が大きくなる。
【００５８】
このように、印加する電圧の大きさを変えることにより、光反射膜１８の傾きが変わり、その結果、光Ｌの反射方向が変更される。例えば、図１０に示す低い電圧を印加した時には上段の光ファイバ２４に入射し、図１１に示す高い電圧を印加した時にはより大きな反射角にて反射し、下段の光ファイバ２５に入射することで、光路の変換が行える。
【００５９】
（実施例２）
本発明の実施例２を図１２ないし図１６に基づいて説明する。
【００６０】
図１２は光変調素子の積層体の分解斜視図、図１３は光変調素子の積層体の断面図、図１４は光変調素子を基板に実装した状態の断面図、図１５，１６は光変調素子に電圧を印加した時の断面図である。
【００６１】
なお、図１ないし図７に示した実施例１と同一部分は、同一符号を付してその説明を省略する。
【００６２】
実施例２の内部電極パターンは、上下２段のアクチュエータＡ，Ｂを構成するように、グリーンシート１２の表面に印刷されていることを特徴とする。
【００６３】
上段のアクチュエータＡの内部電極４０は、グリーンシート１２の表面中心に同一径の円形に形成されている。さらに、内部電極４０の外周から矩形のグリーンシート１２の一側面１２ａにまで達する引出電極１４が、グリーンシート１２の表面に形成されている。引出電極１４が左右交互に位置するようにグリーンシート１２を積層し第１積層体を得る。
【００６４】
下段のアクチュエータＢの内部電極４１は、矩形のグリーンシート１２の表面のほぼ全面に一側面１２ａにまで達して形成されており、他側面側には内部電極４１が形成されていない領域が形成されているものである。内部電極４１が積層方向交互に端面にまで達するようにグリーンシート１２を積層し第２積層体を得る。
【００６５】
第１積層体と第２積層体を積層して積層体５１が得られる。
【００６６】
そして、アクチュエータＡの引出電極１４が露出した対向し合う一対の側面に外部電極５２，５３が形成され、引出電極１４に電気的に接続される。また、アクチュエータＢの内部電極４１が積層方向交互に端面にまで達する一対の側面に外部電極５４，５５が形成され、内部電極４１に電気的に接続される。
【００６７】
なお、光変調素子５０の製造方法ならびに光変調素子５０および光変調装置の全体構成については、図１ないし図７に示した例と同様であり、同一部分には同一符号を付してその説明を省略する。
【００６８】
図１４は、外部電極５２，５３，５４，５５に電圧を印加せず、光反射膜１８が平坦な状態を示している。この状態では、レーザ２３から入射した光Ｌは、光反射膜１８にて反射し、集束も発散もされることなく、３段に重ねて設置した光ファイバ２４，２５，２６のうち、中段の光ファイバ２４に入射する。
【００６９】
この状態で、外部電極５２，５３に電圧を印加し、光反射膜１８を円形凹形状とすることで、反射光Ｌは集束し、光ファイバ２４にて受光する光量が増大する。逆向きに電圧を印加し、光反射膜１８を円形凸形状とすることで、反射光Ｌは発散し、光ファイバ２４にて受光する光量が減少する。このように、上段のアクチュエータＡにおける内部電極１３間の圧電セラミック層１５の分極の大きさや方向を変化させることにより、光量を調整できる。
【００７０】
図１５は、外部電極５２，５３に電圧を印加し、光反射膜１８を円形凹形状とし、かつ、外部電極５４，５５に電圧を印加し、内部電極４１間の圧電セラミック層１５の厚みを膨張させ、アクチュエータＢを伸長させた状態を示している。これにより、反射光Ｌは集束して、上段の光ファイバ２６に入射する。
【００７１】
図１６は、外部電極５２，５３に電圧を印加し、光反射膜１８を円形凹形状とし、かつ、外部電極５４，５５に電圧を印加し、内部電極４１間の圧電セラミック層１５の厚みを収縮させ、アクチュエータＢを短縮させた状態を示している。これにより、反射光Ｌは集束して、下段の光ファイバ２５に入射する。
【００７２】
このように、下段のアクチュエータＢにおける内部電極４１間の圧電セラミック層１５の分極の大きさや方向を変化させることにより、光路を変換できる。
【００７３】
このように構成された光変調素子５０および光変調装置においても、小型で簡単な構造でありながら、光量の調整ならびに光路の変換が行える。すなわち、上段のアクチュエータＡの光反射膜１８を円形凹形状，平坦，円形凸形状とすることにより、光ファイバ２４による受光量を増減でき、光量の調整が行える。また、アクチュエータＢを伸縮させることにより、反射方向を変更でき、光路の変換が行える。
【００７４】
なお、下段のアクチュエータＢはバイモルフでもよい。また、上段のアクチュエータＡの内部電極は、実施例１のように、上層から下層に向かって順次径が大きくなるものでもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明の光変調素子および光変調装置は、光リレーや光伝送路等において、光量の調整ならびに光路の変換を行うものとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の実施例１における光変調素子の積層体の分解斜視図
【図２】本発明の実施例１における光変調素子の積層体の断面図
【図３】本発明の実施例１における光変調素子を基板に実装した状態の断面図
【図４】本発明の実施例１における光変調素子に印加する電圧が低い時の断面図
【図５】本発明の実施例１における光変調素子に印加する電圧が高い時の断面図
【図６】本発明の実施例１における光変調素子に逆向きに電圧を印加した時の断面図
【図７】本発明の実施例１における光路変換の様子を示す断面図
【図８】本発明の実施例１における光変調素子の変形例の積層体の分解斜視図
【図９】本発明の実施例１における光変調素子の他の変形例の積層体の分解斜視図
【図１０】図９の光変調素子に印加する電圧が低い時の断面図
【図１１】図９の光変調素子に印加する電圧が高い時の断面図
【図１２】本発明の実施例２における光変調素子の積層体の分解斜視図
【図１３】本発明の実施例２における光変調素子の積層体の断面図
【図１４】本発明の実施例２における光変調素子を基板に実装した状態の断面図
【図１５】本発明の実施例２における光変調素子に電圧を印加した時の断面図
【図１６】本発明の実施例２における光変調素子に電圧を印加した時の断面図
【符号の説明】
【００７７】
１０，３５，５０  光変調素子
１１，５１  積層体
１２  グリーンシート
１３，３０，３１，３２，４０，４１  内部電極
１４，３３  引出電極
１５  圧電セラミック層
１６，１７，５２，５３，５４，５５  外部電極
１８  光反射膜（光反射面）
２０  基板（支持部材）
２３  レーザ（光導出部）
２４，２５，２６  光ファイバ（受光部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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