(57)【要約】【課題】絶縁基材の多孔質構造を保持したまま、成形後の内壁の状態を良好にし、ビアホールによる層間接続をウェットプロセスで形成しためっき膜により接続信頼性を高め、ビアホール接続不良、マイグレーションによる絶縁破壊等を起こさない、また、機械的強度に優れ、低誘電率、低誘電正接を示す高周波対応の多孔質配線板、更にそれらを用いた電子部品を提供する。【解決手段】少なくとも１層以上の多孔質層３００を積層した両面配線板又は多層配線板であって、前記多孔質層３００が、ポリイミドと高耐熱性熱可塑性樹脂をブレンド体として含有し、スルーホール又はビアホール１０に形成されためっき膜１１を介して層間の配線が接続されたことを特徴とする多孔質配線板。【選択図】        図４
2005050860.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１層以上の多孔質層を積層した両面配線板又は多層配線板であって、前記多孔質層が、ポリイミドと高耐熱性熱可塑性樹脂をブレンド体として含有し、スルーホール又はビアホールに形成されためっき膜を介して層間の配線が接続されたことを特徴とする多孔質配線板。
【請求項２】
前記多孔質層に含有されるポリイミドが、下記の一般式ａ（式中、Ｒは下記の式ｂ又はｃで表される）に示す繰り返し単位の重合体であり、Ｒが式ｂである繰り返し単位の重合比〔ｂ／（ｂ＋ｃ）  〕が０．６１〜１．  ０である請求項１記載の多孔質配線板。
【化１】
2005050860.tif 000009
【化２】
2005050860.tif 000010
【化３】
2005050860.tif 000011
【請求項３】
前記高耐熱熱可塑性樹脂が、ガラス転移温度２５０℃から４５０℃を示すポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルフォン、又はポリエステルの少なくとも一種からなり、前記高耐熱熱可塑性樹脂を含有する多孔質層が熱膨張係数３０ｐｐｍ／℃以下、誘電率３．０以下、誘電正接０．００５以下を満足することを特徴とする請求項１又は２記載の多孔質配線板。
【請求項４】
前記多孔質層が、無孔ポリイミド層を介して配線層に積層されている請求項１〜３いずれかに記載の多孔質配線板。
【請求項５】
前記多孔質層が、接着剤により積層されると共に、その接着剤が、誘電率３．０以下、誘電正接０．００５以下を示す低誘電正接樹脂組成物の硬化体である請求項１〜４いずれかに記載の多孔質配線板。
【請求項６】
前記接着剤が、下記の一般式：
【化４】
2005050860.tif 000012
（式中、Ｒは炭化水素骨格を表し、Ｒ１  は、同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、Ｒ２  、Ｒ３  及びＲ４  は、同一又は異なっても良く、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｍは１〜４の整数、ｎは２以上の整数を表す。）
で示される複数のスチレン基を有する重量平均分子量１０００以下の架橋成分と、高分子量体とを含有する低誘電正接樹脂組成物の硬化体である請求項５に記載の多孔質配線板。
【請求項７】
前記高分子量体が、ブタジエン、イソプレン、スチレン、メチルスチレン、エチルスチレン、ジビニルベンゼン、アクリル酸エステル、アクリロニトリル、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−ビニルフェニルマレイミド、又はポリビニルベンジルエーテルの少なくとも一種からなる重合体、置換基を有していてもよいポリフェニレンオキサイド、ならびに脂環式構造を有するポリオレフィンからなる群から選ばれる少なくとも一種の樹脂である請求項６に記載の多孔質配線板。
【請求項８】
請求項１〜７いずれかに記載の多孔質配線板を用いた電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波信号に対応するため低誘電損失で、高接続信頼性の配線板、更にそれらを用いた電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＰＨＳ、携帯電話等の情報通信機器の信号帯域、コンピューターのＣＰＵクロックタイムはＧＨｚ帯に達し、高周波化が進行している。電気信号の誘電損失は、回路を形成する絶縁体の比誘電率の平方根、誘電正接及び使用される信号の周波数の積に比例する。そのため、使用される信号の周波数が高いほど誘電損失が大きくなる。誘電損失は電気信号を減衰させて信号の信頼性を損ない、また、損失が熱に変換され機器が発熱するおそれがあるので、これを抑制するために絶縁体には誘電率及び誘電正接の小さな材料を選定する必要がある。
【０００３】
絶縁体の低誘電率化及び低誘電正接化には、フッ素樹脂、硬化性ポリオレフィン、シアネートエステル系樹脂、硬化性ポリフェニレンオキサイド、アリル変性ポリフェニレンエーテル、ジビニルベンゼン又はジビニルナフタレンで変性したポリエーテルイミド等の分子構造中の極性基を除去したような低誘電正接樹脂材料が提案されている。前記記載の低誘電正接樹脂材料の誘電特性は、その分子構造により決定される各材料に固有の値を持ち、この誘電特性を制御するには限界がある。また、これらの材料は、一般的に安価に供給することができず、また、加工性の点で問題がある。
【０００４】
そこで更に低誘電率、低誘電正接化を図るため、低誘電率（  ＝１）  の空気を材料に含ませて多孔質化する検討が行われている。すなわち、銅配線材料と熱膨張係数がよく一致するポリイミドなどを始めとして、誘電特性を制御した多孔質材料が多く報告されている。例えば、超臨界炭酸ガスにより、ナノ孔すなわち直径がｎｍの孔を形成し４００ｍ２  ／ｇ以上の高表面積を有する多孔質材料を用いて低誘電特性を得ている（例えば、特許文献１参照）。また、スキン層を設けて強度を高めた低誘電材料（例えば、特許文献２参照）や、フィルム層（  多孔質化していない層）  を積層し、強度を高めた低誘電材料（例えば、特許文献３参照）や、多孔質フィルムと銅とを低誘電特性を備えたエポキシ系接着剤で接合した多孔質材料（例えば、特許文献４参照）も知られている。
【０００５】
更に、樹脂基板表面に圧縮機能層として多孔質膜を設け、厚み方向に形成された貫通孔に設けられた導電体、すなわち、金属ペーストと前記樹脂基板の両面に設けられて導電体を介して互いに電気的に接続される配線層を有する回路基板が知られている（例えば、特許文献５参照）。また、ビアホールを加工する際に、ビアホール内壁部に樹脂層を設け、導電性ペーストをビア内部に確実に充填することにより接続信頼性を高めているビアホールの形成方法が知られている（例えば、特許文献６参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−１５４２７３号公報（第２頁、図１）
【特許文献２】
特開平２００１−１２３９５３号公報（第２頁）
【特許文献３】
特開２００１−１２６５３４号公報（第２頁）
【特許文献４】
特開平９−０４６０１２号公報（第２頁、図１）
【特許文献５】
特開２００２−１７６２６８号公報（第２頁、図１）
【特許文献６】
特開平１１−１７７１９９号公報（第２頁、図１）
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、低誘電率、低誘電正接化を図るべく多孔質化するとフィルムの強度が低下し、機械的特性に問題が生じる。また、多孔質層が連続孔を有している場合、エッチングにより回路パターンを形成する際に、連続孔を通じてエッチング液が浸透し、銅などの配線材料をフィルム側からもエッチングするため、設計通りの配線を形成することが困難となる。さらに、ビアホール等を形成する際、その内壁表面に連続孔が露出する結果、従来のめっきプロセスにおいてイオン性不純物が浸透し、隣接するビアホール間で短絡、あるいは耐マイグレーション性の著しい低下の原因となる。
【０００７】
また、特許文献５に記載されているように、樹脂基板表面に圧縮機能層として多孔質膜を設け、厚み方向に形成された貫通孔に設けられた導電性ペーストにより層間接続を達成しているが、絶縁基材に貫通孔を加工する際に、加工方法が不適切であると、プリント配線板のビアホールの内壁が粗くなり、細孔が空隙として露出するといった問題があった。これらのビアホールの欠陥は、ビアホールに導電性ペーストを充填した後に、熱プレスを行うと、流動的になった導電性ペーストが、粗雑なビアホール内壁に流れ込んで、隣接するビアホールの導体と接触短絡したり、あるいはマイグレーションの原因となる。また、埋め込むべき導電性ペーストがビアホールから流出して少なくなり、硬化後にはビアホール導体が層間電極と十分な電気的接続がとれないといった課題が残されていた。
【０００８】
また、ビアホールの導電性ペーストと絶縁基材とは、熱膨張係数に相違があるために、リフロー半田付け等の加熱工程で、加熱冷却による伸縮の繰返しにより、電気的な接続が低下して回路基板としての信頼性が劣化するという課題があった。
【０００９】
また特許文献６では、絶縁基材にガラス繊維またはアラミド繊維と、エポキシ樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂からなる樹脂含浸繊維シート、また、シートに含有する加熱溶融成分がエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂であることを特徴としており、低誘電率、低誘電正接に関して検討されておらず、高周波化に対して不十分である。また、層間接続は導電性ペーストによりなされており、従来のめっき膜によるものと比べて接続信頼性の点で劣る。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、絶縁基材の多孔質構造を保持したまま、成形後の内壁の状態を良好にし、ビアホールによる層間接続をウェットプロセスで形成しためっき膜により接続信頼性を高め、ビアホール接続不良、マイグレーションによる絶縁破壊等を起こさない、また、機械的強度に優れ、低誘電率、低誘電正接を示す高周波対応の多孔質配線板、更にそれらを用いた電子部品を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を達成すべく、多孔質配線板の多孔質層を形成する樹脂の種類について鋭意研究したところ、ポリイミドと高耐熱性熱可塑性樹脂をブレンド体として含有するものを使用することによって、ドリル加工等の際に高耐熱性熱可塑性樹脂が溶融して内壁表面を被覆した樹脂層が形成されることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
即ち、本発明の多孔質配線板は、少なくとも１層以上の多孔質層を積層した両面配線板又は多層配線板であって、前記多孔質層が、ポリイミドと高耐熱性熱可塑性樹脂をブレンド体として含有し、スルーホール又はビアホールに形成されためっき膜を介して層間の配線が接続されたことを特徴とする。
【００１３】
上記において、前記多孔質層に含有されるポリイミドが、下記の一般式ａ（式中、Ｒは下記の式ｂ又はｃで表される）に示す繰り返し単位の重合体であり、Ｒが式ｂである繰り返し単位の重合比〔ｂ／（ｂ＋ｃ）  〕が０．６１〜１．  ０であることが好ましい。
【００１４】
【化５】
2005050860.tif 000003
【化６】
2005050860.tif 000004
【化７】
2005050860.tif 000005
ポリイミドは、例えば芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとからポリアミド酸を経由し、イミド化して合成される。芳香族テトラカルボン酸二無水物および芳香族ジアミンの組み合わせは多数あり、その組み合わせにより、合成されるポリイミドのパッキング係数は異なる。
【００１５】
ここでパッキング係数（Ｋ）  とは、Ｐｏｌｙｍｅｒ．Ｓｃｉ．ＵＳＳＲ，１２，５５６（１９７０）  にＳｌｏｎｉｍｓｋｉｉやＡｓｋａｄｓｋｉｉ  によって提案されたものであり、分子鎖の固有体積（Ｖｉｎｔ）を密度から求まる実際のモル体積（Ｖｔｒｕｅ）  で割った値として
Ｋ＝Ｖｉｎｔ  ／Ｖｔｒｕｅ＝ＮＡΣΔＶｉ  ／（Ｍ／ｄ）
ＮＡ：アボガドロ数
ΔＶｉ  ：構成原子の真の体積
Ｍ：分子量
ｄ：密度
のように定義される。
【００１６】
多孔質化すると、誘電率および誘電正接は低下して改善されるが、一方でフィルムの機械的強度は低下する。そのため、多孔質化しない状態でフィルムの機械的強度は可能な限り高くしなければ、多孔質化した際に十分な機械的強度が実現できない。上記のパッキング係数を大きくすれば、一般に機械的強度が向上する。一方、パッキング係数を大きくすると伸び、熱膨張係数が小さくなり、フレキシブル性や熱膨張係数の銅配線とのマッチングが悪くなり、信頼性が低下する場合がある。
【００１７】
従って、芳香族ジアミンおよび芳香族テトラカルボン酸二無水物の組み合わせを最適化することが必要である。本発明においては、多孔質層の主成分として、芳香族テトラカルボン酸二無水物としてｓＢＰＤＡ（ビフェニルテトラカルボン酸二無水物）、芳香族ジアミンとしてＰＰＤ（パラフェニレンジアミン）とＤＤＥ（４，４’−ジアミノジフェニルエーテル）を採用し、ＰＰＤ組成比がモル％で１００〜６１％とする。この組成においては、銅配線と熱膨張係数のマッチング、誘電特性が良好であり、強度も十分となる。
【００１８】
本発明においては、その多孔質層中に高耐熱熱可塑性樹脂をブレンド体として含有する。前記高耐熱熱可塑性樹脂は、ガラス転移温度２５０℃から４５０℃を示すポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルフォン、ポリエステルの少なくとも一種からなり、前記熱可塑性樹脂を含有する多孔質フィルムが熱膨張係数３０ｐｐｍ／℃以下、誘電率３．０以下、誘電正接０．００５以下を満足するように含有するのが好ましい。このような配線板おいては、ドリル加工やレーザー加工によるビアホール形成時にビアホール内壁に粗雑な凹みや連続孔が露出した場合でも、同時に、加工時にビアホール周辺に発生する熱により多孔質層に含有する熱可塑性樹脂が溶融して内壁表面の連続孔上に被覆し樹脂層が膜形成する。その樹脂層を介在したままビアホール内側にめっき膜を形成することにより、金属ペーストによる層間接続に比べて、ビアホール接続不良、マイグレーションによる絶縁破壊等が有効に防止され、非常に高い接続信頼性を達成することができる。また、熱可塑性樹脂を含有する多孔質フィルムの熱膨張係数は３０ｐｐｍ／℃以下であり、銅配線材料とのマッチング性が良好である。更に、誘電率３．０以下、誘電正接０．００５以下であり、ビアホール周辺外は多孔質構造が保持されるため、多孔質層全体として低誘電率、低誘電正接を示す。
【００１９】
本発明では、前記多孔質層が、無孔ポリイミド層を介して配線層（銅箔を含む）に積層されていることが好ましい。このような配線板は、エッチングにより回路パターンを形成する際に、連続孔を通じてエッチング液が浸透することを防止できるため、銅などの配線を設計通りに形成することができ、また、表面配線間の耐マイグレーションを向上させることができる。
【００２０】
多孔質層が高耐熱性熱可塑性樹脂をブレンド体として含有する銅張り多孔質フィルムを接着剤で積層した多孔質配線板において、前記接着剤が、誘電率３．０以下、誘電正接０．００５以下を示す低誘電正接樹脂組成物の硬化体であることが好ましい。特に、接着剤が、下記一般式：
【化８】
2005050860.tif 000006
（式中、Ｒは炭化水素骨格を表し、Ｒ１  は、同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、Ｒ２  、Ｒ３  及びＲ４  は、同一又は異なっても良く、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｍは１〜４の整数、ｎは２以上の整数を表す。）で示される複数のスチレン基を有する重量平均分子量１０００以下の架橋成分と、高分子量体とを含有する低誘電正接樹脂組成物の硬化体であることが好ましい。
【００２１】
また、高分子量体が、ブタジエン、イソプレン、スチレン、メチルスチレン、エチルスチレン、ジビニルベンゼン、アクリル酸エステル、アクリロニトリル、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−ビニルフェニルマレイミドの少なくとも一種からなる重合体、置換基を有していてもよいポリフェニレンオキサイド、ならびに脂環式構造を有するポリオレフィンからなる群から選ばれる少なくとも一種の樹脂であることが好ましい。
【００２２】
複数のスチレン基を含有する重量平均分子量が１０００以下の架橋成分と、ジビニルベンゼンとを含有する樹脂組成物が、硬化時にひび割れせず、誘電率及び誘電正接が低い硬化物を与える。接着剤として前記低誘電率、低誘電正接樹脂組成物を用いることにより、多孔質体と併せて基板全体として低誘電率、低誘電正接性を確保することができる。
【００２３】
本発明は、以上の多孔質配線板を用いた電子部品である。従って、本発明は、絶縁基材の多孔質構造を保持したまま、成形後のビアホール用内壁の状態を良好にし、ビアホールによる層間接続をウェットプロセスで形成しためっき膜により達成することで接続信頼性を高め、ビアホール接続不良、マイグレーションによる絶縁破壊等を起こさない、また、機械的強度に優れ、低誘電率、低誘電正接を示す高周波対応の多孔質配線板、更にそれらを用いた電子部品を提供する。
【００２４】
【発明の実施の形態】
本発明で提供される多孔質配線板について説明する。
【００２５】
本発明の多孔質配線板は、少なくとも１層以上の多孔質層を積層した両面配線板又は多層配線板であって、前記多孔質層が、ポリイミドと高耐熱性熱可塑性樹脂をブレンド体として含有し、スルーホール又はビアホールに形成されためっき膜を介して層間の配線が接続されたことを特徴とする。高耐熱性熱可塑性樹脂は、多孔質層の微細組織の表面を被覆するものでもよく、微細組織の内部に含有されるものでもよい。つまり、本発明におけるブレンド体には、均一な混合物の他、不均一な混合物や被覆物などが含まれる。
【００２６】
本明細書において、多孔質層とは、空孔径が０．０１μｍ以上の空孔が膜全体に均一に存在する層を示しており、層内に分布する空孔径の評価は窒素吸着法などにより測定される。
【００２７】
多孔質層に含有されるポリイミドは、銅配線材料と熱膨張係数がよく一致するため好ましい。本発明では、主に芳香族テトラカルボン酸二無水物としてｓＢＰＤＡ、芳香族ジアミンとしてＰＰＤおよびＤＤＥを用いて多孔質層を作製する。溶媒としては、ポリマーを溶解するものであれば、特に限定されず、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン等がある。
【００２８】
多孔質層の形成方法には、湿式凝固法，乾式凝固法，延伸法など種々の製膜方法がある。そのうちで、湿式凝固法によれば、連続気泡多孔質膜が得られ好ましい。
【００２９】
湿式凝固法では、一般に、溶剤に樹脂と添加剤等を溶解した製膜原液（  ドープ）  を調製し、これを銅箔上に塗布（  キャスト）  したものを凝固液に浸漬して溶剤置換させ、樹脂を凝固（  ゲル化）  させ、その後、凝固液等を乾燥除去し、多孔質層を得る。多孔質化していない無孔層や多孔質層を銅箔上に直接形成させることもできる。この方法によれば、多孔質層と銅箔間の接着強度に優れた銅張り多孔質体を作製することができる。
【００３０】
なお、湿式凝固法におけるドープは、好ましくは−２０〜４０℃の温度範囲で塗布される。また、凝固液としては、用いる樹脂を溶解せずに上記溶剤と相溶性を有するものであれば、限定されない。水と、メタノール，エタノール，イソプロピルアルコール等のアルコール類と、これらの混合液とが用いられ、特に水がよく用いられる。浸漬時の凝固液の温度は特に限定されない。好ましくは、０〜５０℃の温度範囲である。
【００３１】
製膜原液のポリマー濃度は、５重量部から２５重量部の範囲が好ましく、特に、より優れた強度を有する多孔質成型体を得るには、７重量部以上であり、高空孔率を有する多孔質成型体を得るには、２０重量部以下がより好ましい。濃度が高すぎると、粘度が高くなりすぎて取り扱いが困難になるし、濃度が低すぎると、多孔質膜を形成できないからである。
【００３２】
孔径形状や孔径制御のために硝酸リチウムのような無機物やポリビニルピロリドンのような有機物を添加することもできる。添加物の濃度は、溶液中に１重量部から１０重量部まで添加するのが好ましい。硝酸リチウムを添加すると、溶剤と凝固液との置換速度が速く、スポンジ構造の中にフィンガーボイド構造（  指状にボイドを有する構造）を形成できる。ポリビニルピロリドンのような凝固スピードを遅くする添加剤を加えると、スポンジ構造が均一に広がった多孔質層が得られる。
【００３３】
ドープは一定の厚みに塗布し、水等の凝固液中に浸漬して凝固させたり、水蒸気雰囲気下に放置して凝固した後、水中に浸漬するなどして、脱溶剤され、多孔質層となる。多孔質層の形成後、凝固液から取り出し、乾燥する。乾燥温度は、特に制限されない。２００℃以下での乾燥が望ましい。
【００３４】
形成した多孔質層、無孔層は、最終的に２００〜５００℃で熱処理して、前駆体（ポリアミド酸）を加熱閉環させてポリイミド化する。
【００３５】
上記の手段により、３０〜８５％程度の高い空孔率を有する多孔質成型体を銅箔上に形成できる。好ましくは空孔径が１．０μｍ以下で、空孔率が３０％以上、より好ましくは空孔径が０．５μｍ以下で、空孔率が４０〜７０％とする。この範囲であればフィルム全体に空孔が十分均一に分布し、電気特性にばらつきを小さくすることができる。空孔径が１．０μｍより大きい場合、ビアホール形成工程において発生する熱により溶融した熱可塑性樹脂が内壁表面の連続孔上に十分に被覆できず樹脂層の膜形成が不完全となるため、結果としてビアホール接続不良、マイグレーションによる絶縁破壊等が発生してしまう。
【００３６】
多孔質層中に含有する高耐熱熱可塑性樹脂は、ガラス転移温度２５０℃から４５０℃を示すポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルフォン、ポリエステルの少なくとも一種からなり、前記熱可塑性樹脂を含有する多孔質フィルムが熱膨張係数３０ｐｐｍ／℃以下、誘電率３．０以下、誘電正接０．００５以下を満足するように含有する。前記熱可塑性樹脂としては、例えば、ｍ−フェニレンジアミンとｓＢＰＤＡからなるポリイミド、２，５−ジアミノトルエンとｓＢＰＤＡからなるポリイミド、ＤＤＥとｓＢＰＤＡからなるポリイミド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィドとｓＢＰＤＡからなるポリイミド、４，４’−ジアミノジフェニルメタンとｓＢＰＤＡからなるポリイミド、４，４’−ジアミノジフェニルメタンとｓＢＰＤＡからなるポリイミド、４，４’−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニルとｓＢＰＤＡからなるポリイミドや、シリコーン変性ポリイミドなどの変性ポリイミド等が挙げられる。
【００３７】
熱可塑性樹脂を含有する多孔質フィルム全体の熱膨張係数が銅配線材料とのマッチングを考慮して３０ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは１０〜２０ｐｐｍ／℃となるように、高耐熱熱可塑性樹脂を多孔質層中に所定量含有させる。また、基板全体の低誘電率、低誘電正接性を確保するため、誘電率は３．０以下、誘電正接０．００５以下を満足するように熱可塑性樹脂を所定量含有させる。
【００３８】
多孔質層へ熱可塑性樹脂を含有させる方法としては、特に限定されないが、例えば、前駆体であるポリアミド酸溶液中に所定の高耐熱性熱可塑性樹脂を溶解させ、フィルム形成する例である。あるいは、まず熱可塑性樹脂を含まない銅張り多孔質フィルムを作製した後、熱可塑性樹脂を含有する溶液を用いて、真空吸引、キスロール、スクイズ、ディップ、フローコート等の方法により多孔質層中に含有させる方法である。熱可塑性樹脂を含有する溶液は、粘度を下げるために有機溶媒により希釈させるか、あるいは加熱溶融させる。いずれの方法においても、多孔質フィルムの空孔率、熱可塑性樹脂単独の誘電率、誘電正接の値を考慮して、多孔質層に熱可塑性樹脂を適当量含浸させる。例えば、熱可塑性樹脂を含まない、空孔率５０％の多孔質フィルムの誘電率が２．２、誘電正接が０．００３５を示し、含浸させる熱可塑性樹脂の誘電率が３．０、誘電正接０．０１５の場合、熱可塑性樹脂が多孔質層に対して体積比１０％以下に制御して含浸させることで、熱可塑性樹脂含有フィルム全体で誘電率３．０以下、誘電正接０．００５以下を満足し、その結果、高周波特性に優れた配線板の作製が可能となる。
【００３９】
このような配線板においては、ドリル加工やレーザー加工によるビアホール形成時にビアホール内壁に粗雑な凹みや連続孔が露出した場合でも、同時に、加工時にビアホール周辺に発生する熱により多孔質層に含有される熱可塑性樹脂が溶融して内壁表面の連続孔上に被覆し樹脂層が膜形成するため、ビアホール接続不良、マイグレーションによる絶縁破壊等が有効に防止される。ビアホール形成時に発生する熱は、ドリル加工においては、ドリル回転速度や送り速度などの条件、また、レーザ加工においては、出力などの条件による違いはあるが、加工部周辺部の絶縁材料は約２５０〜４５０℃に達することが一般に知られている。従って、加工時に発生する熱により樹脂が溶融するためには、熱可塑性樹脂のガラス転移温度が約２５０〜４５０℃の温度範囲にある必要がある。
【００４０】
本発明では、多孔質層が、無孔ポリイミド層を介して配線層に積層されていることが好ましい。このとき配線層は銅箔等のパターン形成前のものであってもよい。このような配線板は、エッチングにより回路パターンを形成する際に、連続孔を通じてエッチング液が浸透することを防止できるため、銅などの配線を設計通りに形成することができ、また、表面配線間の耐マイグレーションを向上させることができる。
【００４１】
多孔質層が高耐熱性熱可塑性樹脂をブレンド体として含有する銅張り多孔質フィルムを接着剤で積層した多孔質配線板において、前記接着剤が、誘電率３．０以下、誘電正接０．００５以下を示す低誘電正接樹脂組成物の硬化体である。低誘電率、低誘電正接樹脂組成物の硬化体としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネートエステル樹脂などの熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂が挙げられる。
【００４２】
特に、接着剤が、下記一般式：
【化９】
2005050860.tif 000007
（式中、Ｒは炭化水素骨格を表し、Ｒ１  は、同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、Ｒ２  、Ｒ３  及びＲ４  は、同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｍは１〜４の整数、ｎは２以上の整数を表す。）で示される複数のスチレン基を有する重量平均分子量１０００以下の架橋成分と、高分子量体とを含有する樹脂組成物を用いることができる。以下、その詳細を説明する。樹脂組成物の作製は、特に限定はないが、好ましくは、１８０℃、１００分で硬化させる。この条件下で得られる硬化物のガラス転移温度は１７０℃以上であり、該硬化物の１７０℃における弾性率が５００ＭＰａ以上を示し、機械的特性に優れた接着層を作製できる。
【００４３】
なお、本明細書中において、ガラス転移温度とは、昇温速度５℃／分の条件で動的粘弾性特性を観測した際に、損失弾性率と貯蔵弾性率の比であるｔａｎδがピークとなる温度を示すものである。誘電率及び誘電正接が低く、ガラス転移温度が高く、高温下における弾性率が高い本発明で用いる樹脂組成物を多孔質体と組み合わせた基板を使用することにより、電気信号の誘電損失を低く押さえることができる。また、金ワイヤボンディング、ハンダ付等の高温での加工プロセスにおける変形を抑制することができる。
【００４４】
前記式において、Ｒで表される炭化水素骨格は、該架橋成分の重量平均分子量が１０００以下となるものであれば特に制限はない。即ち、Ｒで表される炭化水素骨格は、スチレン基における置換基、Ｒ１  、Ｒ２  、Ｒ３  及びＲ４  の有無及びその大きさ、ｍ及びｎの数に応じて適宜選択することができるが、一般には炭素数１〜６０であり、好ましくは炭素数２〜３０である。Ｒで表される炭化水素骨格は、直鎖状又は分枝状のいずれでもよく、また、脂環式構造、芳香族環構造等の環構造を１つ以上含んでいてもよく、更に、ビニレン、エチニレン等の不飽和結合を含んでいてもよい。
【００４５】
Ｒで表される炭化水素骨格としては、例えば、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン、メチルトリメチレン、メチルテトラメチレン、ペンタメチレン、メチルペンタメチレン、シクロペンチレン、シクロヘキシレン、フェニレン、フェニレンジエチレン、キシリレン、１−フェニレン−３−メチルプロペニレン等が挙げられる。
【００４６】
前記式において、Ｒ１  で表される炭化水素基としては、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１０の、直鎖状もしくは分枝状のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、デシル、エイコシル；炭素数２〜２０、好ましくは炭素数２〜１０の、直鎖状もしくは分枝状のアルケニル基、例えばビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、２−メチルアリル；アリール基、例えばフェニル、ナフチル、ベンジル、フェネチル、スチリル、シンナミルが挙げられる。
【００４７】
前記式において、ｎが２以上の整数であることからＲ１  は複数存在し、ｍが２〜４の整数である場合も、Ｒ１  は複数存在するが、そのような複数存在するＲ１  は同一でも異なっていてもよく、その結合位置も同一でも異なっていてもよい。
【００４８】
前記式において、Ｒ２  、Ｒ３  又はＲ４  で表されるアルキル基としては、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分枝状のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ヘキシルが挙げられる。
【００４９】
前記式において、置換されていてもよいビニル基［（Ｒ３  ）（Ｒ４  ）Ｃ＝Ｃ（Ｒ２  ）−］は、ベンゼン環上、Ｒに対して、好ましくはメタ位又はパラ位に存在する。
【００５０】
本発明に用いる架橋成分としては、複数の置換されていてもよいスチレン基を有する重量平均分子量１０００以下の多官能性モノマーが好ましい。スチレン基は反応性が高く、誘電率及び誘電正接が非常に低い。架橋成分の骨格には誘電率及び誘電正接の観点から炭化水素骨格を採用することが好ましい。これによって、スチレン基の低誘電率性及び低誘電正接性を損なうことなく、該架橋成分に不揮発性及び柔軟性を付与することができる。また、重量平均分子量１０００以下の架橋成分を選択することによって、比較的低い温度で溶融流動性を示し、有機溶媒への溶解性もよくなるため、成形加工及びワニス化が容易になる。架橋成分の重量平均分子量が大きすぎると、溶融流動性が低くなり、成形加工の際に架橋が生じて成形不良となる場合がある。該架橋成分の重量平均分子量は１０００以下であれば制限はないが、好ましくは２００〜５００である。
【００５１】
架橋成分の好ましい例としては、１，２−ビス（ｐ−ビニルフェニル）エタン、１，２−ビス（ｍ−ビニルフェニル）エタン、１−（ｐ−ビニルフェニル）−２−（ｍ−ビニルフェニル）エタン、１，４−ビス（ｐ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン、１，４−ビス（ｍ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン、１，３−ビス（ｐ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン、１，３−ビス（ｍ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン、１−（ｐ−ビニルフェニルエチル）−４−（ｍ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン、１−（ｐ−ビニルフェニルエチル）−３−（ｍ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン及び側鎖にビニル基を有するジビニルベンゼン重合体（オリゴマー）等が挙げられる。これらの架橋成分は２種以上組み合わせて使用することもできる。
【００５２】
本発明に好ましく用いられる架橋成分の合成方法としては、特開平１１−６０５１９号公報に記載の方法で合成されたハロゲノアルキルスチレンをグリニャール反応によって種々のハロゲン化物とカップリングする方法、Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．ｖｏｌ．１８７、２３頁（１９８６）記載の側鎖にビニル基を有するジビニルベンゼンオリゴマーの合成方法が挙げられるが、これらに限定されない。このようにして得られた架橋成分は、特に硬化触媒を添加しなくとも１８０℃以下の比較的低い温度で架橋し、耐熱性が高く、誘電率及び誘電正接の低い硬化物を与える。しかし、該架橋成分を高分子量体と組み合わせずに単独で使用した場合には、硬化後に十分な機械強度を得られない場合がある。
【００５３】
本発明に使用される高分子量体は、そのガラス転移温度が１７０℃以上であるか、又は１７０℃における弾性率が５００ＭＰａ以上であり、かつワニス化が容易な可溶性ポリマーであることが好ましく、ガラス転移温度が１７０〜３００℃であるか、又は１７０℃における弾性率が５００〜３０００ＭＰａであることが更に好ましい。高分子量体が硬化性を有する場合には、硬化後のガラス転移温度が１７０℃以上であるか又は１７０℃における弾性率が５００ＭＰａ以上であることが好ましく、硬化後のガラス転移温度が１７０〜３００℃であるか又は１７０℃における弾性率が５００〜３０００ＭＰａであることが更に好ましい。
【００５４】
このような高分子量体の具体的な例としては、ブタジエン、イソプレン、スチレン、メチルスチレン、エチルスチレン、ジビニルベンゼン、アクリル酸エステル（例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸フェニルなど）、アクリロニトリル、Ｎ−フェニルマレイミドからなる単独および共重合体、置換基を有していてもよいポリフェニレンオキサイドならびに脂環式構造を有するポリオレフィン等が挙げられるが、これらに限定されない。本発明に用いる架橋成分は殆どの有機溶媒に可溶であるため、種々の高分子量体と混合し、均一なワニスを得ることができる。
【００５５】
前記有機溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類等が挙げられ、これらの有機溶剤は単独で、又は２種以上混合して用いることができる。ブタジエン、イソプレン及びアクリル酸エステルなどのゴム状成分は、それを含む樹脂組成物の硬化物に柔軟性及び接着性を付与し、かつ塗膜に平滑性を付与する。スチレン、エチルスチレン及び／又はアクリロニトリルは、先のゴム状成分と共重合することによって、その硬化物の耐熱性を向上させる働きを有する。これらの高分子量体は単独で用いても、複合して用いてもよい。例えば、ポリフェニレンオキサイドとポリブタジエンとを組合せるのが好ましい。
【００５６】
本発明で用いる接着剤に含まれる架橋成分、高分子量体の添加量に関しては特に制限はないが、架橋成分が５〜９５重量部、高分子量体が９５〜５重量部の範囲で添加するのが好ましい。前記組成範囲内で、成膜性の付与、強度の向上、熱膨張係数の低減、誘電率の調整、接着力の向上等の目的に応じて組成を調整することができる。より好ましい組成としては、架橋成分が５０〜９５重量部、高分子量体が５０〜５重量部であり、更に好ましい組成としては、架橋成分が５０〜８０重量部、高分子量体が５０〜２０重量部であり、この組成範囲により架橋性の官能基を持たない高分子量体を用いた場合にもその硬化物の耐溶剤性が保たれる。
【００５７】
本発明で用いる接着剤は硬化触媒を添加しなくとも加熱のみによって硬化することができるが、硬化効率の向上を目的として、スチレン基を重合しうる硬化触媒を添加することができる。その添加量には特に制限はないが、硬化触媒の残基が誘電特性に悪影響を与える恐れがあるので、前記架橋成分及び高分子量体の合計１００重量部に対して、０．０００５〜１０重量部とすることが望ましい。硬化触媒を前記範囲で添加することにより、スチレン基の重合反応が促進され、低温で強固な硬化物を得ることができる。スチレン基の重合を開始しうるカチオン又はラジカル活性種を、熱又は光によって生成する硬化触媒の例を以下に示す。カチオン重合開始剤としては、ＢＦ４  、ＰＦ６  、ＡｓＦ６  、ＳｂＦ６  を対アニオンとするジアリルヨードニウム塩、トリアリルスルホニウム塩及び脂肪族スルホニウム塩が挙げられ、旭電化工業製ＳＰ−７０、１７２、ＣＰ−６６、日本曹達製ＣＩ−２８５５、２８２３、三新化学工業製ＳＩ−１００Ｌ及びＳＩ−１５０Ｌ等の市販品を使用することができる。
【００５８】
ラジカル重合開始剤としては、ベンゾイン及びベンゾインメチルのようなベンゾイン系化合物、アセトフェノン及び２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンのようなアセトフェノン系化合物、チオキサントン及び２，４−ジエチルチオキサントンのようなチオキサンソン系化合物、４，４’−ジアジドカルコン、２，６−ビス（４’−アジドベンザル）シクロヘキサノン及び４，４’−ジアジドベンゾフェノンのようなビスアジド化合物、アゾビスイソブチルニトリル、２、２−アゾビスプロパン、ｍ，ｍ’−アゾキシスチレン及びヒドラゾンのようなアゾ化合物、ならびに２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン及び２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、ジクミルパーオキシドのような有機過酸化物等が挙げられる。特に、官能基を持たない化合物の水素引き抜きを生じさせ、架橋成分と高分子量体間の架橋をもたらしうる有機過酸化物又はビスアジド化合物を添加することが望ましい。
【００５９】
本発明で用いる接着剤には、保存安定性を増すために重合禁止剤を添加することもできる。その添加量は、誘電特性、硬化時の反応性を著しく阻害しないような範囲であることが好ましく、前記架橋成分及び高分子量体の合計１００重量部に対して、０．０００５〜５重量部とすることが望ましい。重合禁止剤を前記範囲で添加すると、保存時の余計な架橋反応を抑制することができ、また、硬化時に著しい硬化障害をもたらすこともない。重合禁止剤の例としては、ハイドロキノン、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、トリメチルキノン、４−ｔ−ブチルピロカテコール等のキノン類及び芳香族ジオール類が挙げられる。
【００６０】
本発明は、多孔質層中に高耐熱性熱可塑性樹脂をブレンド体として含有させて銅張り熱可塑性樹脂含有多孔質フィルムを作製する。前記銅張り熱可塑性樹脂含有多孔質フィルムを用い、例えば、サンドブラスト、プラズマ処理、コロナ処理、スパッタエッチング処理などでポリイミド表面を粗化した後、その上に接着剤を塗布、乾燥させる。接着剤付きの銅張り熱可塑性樹脂含有多孔質フィルムを張り合わせて積層する。積層プロセスは、樹脂組成物によるが、例えば高分子量体として環状ポリオレフィンを使用した場合には、１２０〜１８０℃、１．０〜５ＭＰａで１〜３時間、加温加圧するのが好ましい。
【００６１】
引き続き、ビアホール加工してその内壁にめっき膜を形成することにより層間接続する。ビアホール加工は、ドリル、レーザーなどにより加工される。このような配線板は、加工時にビアホール周辺に発生する熱により多孔質層に含有する熱可塑性樹脂が溶融して内壁表面の連続孔上に被覆し樹脂層が膜形成するため、従来のウェットな銅めっきプロセスにおいても、液体、不純物の空孔内への侵入が無く、その樹脂層を介在した状態でビアホール内側にめっき膜を形成することにより、金属ペーストに比較して、非常に高い接続信頼性を達成することができる。層間接続した後、基板表面に回路形成することで多孔質配線板を得ることができる。表面配線の形成は通常のフォトリソグラフィーを用いることができる。
【００６２】
以上の操作で得られた多孔質配線板を接着剤付き銅張り多孔質フィルムにより挟み込み積層して同様の操作を繰り返すことで、さらに多層化することができる。
【００６３】
本発明は、以上の多孔質配線板を用いた電子部品である。従って、本発明は、絶縁基材の多孔質構造を保持したまま、成形後のビアホール用の貫通孔内壁の状態を良好にし、ビアホールによる層間接続をウェットプロセスで形成しためっき膜により達成することで接続信頼性を高め、ビアホール接続不良、マイグレーションによる絶縁破壊等を起こさない、また、機械的強度に優れ、低誘電率、低誘電正接を示す高周波対応の多孔質配線板、更にそれらを用いた電子部品を提供する。
【００６４】
【実施例】
以下に実施例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。接着剤用低誘電正接樹脂組成物の製造方法、熱可塑性樹脂含有多孔質フィルムの製造方法、多孔質配線板の製造方法を説明する。なお、以下の説明中に部とあるのは、特に断りのない限り重量部を指す。また、得られた多孔質配線板の形態観察及び誘電特性測定方法を説明する。
【００６５】
（１）接着剤用低誘電正接樹脂組成物ワニスの調製方法
高分子量体（ＰＰＥ：アルドリッチ製、ポリ−２，６−ジメチル−１，４−フェニレンオキシド）２５ｇ、架橋成分（１，２−ビス（ビニルフェニル）エタン（ＢＶＰＥ））２５ｇ及び硬化触媒２５Ｂ：日本油脂製２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３（パーヘキシン２５Ｂ）０．２５ｇをクロロホルム１５０ｇに溶解することによって請求項７に対応する低誘電正接樹脂組成物のワニスを作製した。
【００６６】
（２）銅張り熱可塑性樹脂含有多孔質フィルムの作製方法
多孔質層が熱可塑性樹脂をブレンド体として含有する銅張り熱可塑性樹脂含有多孔質フィルムの作製方法を多孔質層の芳香族ジアミン成分がＰＰＤ          ／ＤＤＥ＝８５／１５の場合について、以下に２通り説明するが、それらの方法に特に限定されない。
【００６７】
第１の方法として、図１に示すような銅箔１、無孔ポリイミド層２、熱可塑性樹脂含有多孔質層３からなる銅張り熱可塑性樹脂含有多孔質フィルム４は、次のように作製した。窒素フローが可能なグローブボックスにおいて、芳香族ジアミンであるＰＰＤ９．２ｇ（０．０８５ｍｏｌ）およびＤＤＥ３．０ｇ（０．０１５ｍｏｌ）をＮ−メチルピロリドン４１６ｇに加え、室温で攪拌した。次いで、酸無水物であるｓＢＰＤＡ２９．４ｇ（０．１０ｍｏｌ）加え、１時間ほど窒素フロー中で攪拌し、固形分１０重量部のポリアミド酸溶液１ａを得た。
【００６８】
同様にして、芳香族ジアミンであるＰＰＤ７．３ｇ（０．０６８ｍｏｌ）およびＤＤＥ２．４ｇ（０．０１２ｍｏｌ）をＮ−メチルピロリドン３３０ｇに加え、室温で攪拌した。次いで、酸無水物であるｓＢＰＤＡ２３．５ｇ（０．０８０ｍｏｌ）加え、１時間ほど窒素フロー中で攪拌し、固形分１０重量部のポリアミド酸溶液１ｂを得た。別に、ｍ−フェニレンジアミン２．２ｇ（０．０２０ｍｏｌ）をＮ−メチルピロリドン８３ｇに加え、室温で攪拌した。次いで、酸無水物であるｓＢＰＤＡ５．９ｇ（０．０２０ｍｏｌ）加え、１時間ほど窒素フロー中で攪拌し、固形分１０重量部のポリアミド酸溶液１ｃを得た。ポリアミド酸溶液１ｂおよび１ｃを混合することにより、ポリアミド酸溶液１ｄを得た。
【００６９】
ポリアミド酸溶液１ａを、厚さ１８μｍの銅箔１に塗布して１２０℃で十分に乾燥させ、さらに窒素中４００℃で３０分間処理しイミド化させることにより、無孔ポリイミド層２を形成した。続いて、ポリアミド酸溶液１ｄを無孔ポリイミド層２上に塗布し、水が入った凝固槽中に浸漬して水と接触させゲル化（凝固）  させた。これを取り出し、１２０℃で十分に乾燥させ、さらに４００℃で３０分間処理しイミド化させ、銅張り熱可塑性樹脂含有多孔質フィルム４を作製した。このようにして得られた銅張り熱可塑性樹脂含有多孔質フィルムを配線板作製の出発材料として用いる。なお、無孔ポリイミド層込みの空孔率は５２％、多孔質層の空孔径が約０．  ２μｍであった。熱膨張係数は２２ｐｐｍ／℃、誘電率、誘電正接は２．３、０．００４８であった。尚、図２に示すような、無孔ポリイミド層の無い銅張り多孔質フィルム５は、無孔ポリイミド層２の形成工程を省略することにより作製する。
【００７０】
第２の方法として、図１に示すような銅箔１、無孔ポリイミド層２、熱可塑性樹脂含有多孔質層３からなる銅張り熱可塑性樹脂含有多孔質フィルム４０は、次のように作製した。窒素フローが可能なグローブボックスにおいて、芳香族ジアミンであるＰＰＤ９．２ｇ（０．０８５ｍｏｌ）およびＤＤＥ３．０ｇ（０．０１５ｍｏｌ）をＮ−メチルピロリドン４１６ｇに加え、室温で攪拌した。次いで、酸無水物であるｓＢＰＤＡ２９．４ｇ（０．１０ｍｏｌ）加え、１時間ほど窒素フロー中で攪拌し、固形分１０重量部のポリアミド酸溶液１ｅを得た。
【００７１】
別に、ｍ−フェニレンジアミン１．１ｇ（０．１０ｍｏｌ）をＮ−メチルピロリドン４００ｇに加えて室温で攪拌した。次いで、酸無水物であるｓＢＰＤＡ２．  ９ｇ（０．１０ｍｏｌ）加え、１時間ほど窒素フロー中で攪拌し、固形分１重量部のポリアミド酸溶液１ｆを得た。
【００７２】
１０重量部のポリアミド酸溶液１ｅを、厚さ１８μｍの銅箔１に塗布して１２０℃で十分に乾燥させ、さらに窒素中４００℃で３０分間処理しイミド化させることにより、無孔ポリイミド層２を形成した。さらに、ポリアミド酸溶液１ｅを無孔ポリイミドフィルム層２上に塗布し、水が入った凝固槽中に浸漬して水と接触させゲル化（  凝固）  させた。これを取り出し、１２０℃で十分に乾燥させ、さらに４００℃で３０分間処理しイミド化させ、銅張り多孔質フィルムを作製した。このようにして得られた銅張り多孔質フィルムをポリアミド酸溶液１ｆに３０分浸漬し真空吸引した後、窒素中４００℃で３０分間処理しイミド化させることにより銅張り熱可塑性樹脂含有多孔質フィルム４０を作製した。このようにして得られた銅張り多孔質フィルムを配線板作製の出発材料として用いた。なお、無孔ポリイミド層込みの空孔率は４９％、多孔質層の空孔径が約０．  １５μｍであった。熱膨張係数は１８ｐｐｍ／℃、誘電率、誘電正接は２．４、０．００４８であった。尚、図２に示すような、無孔ポリイミド層の無い銅張り多孔質フィルム５０は、無孔ポリイミド層２の形成工程を省略することにより作製する。
【００７３】
（３）形態観察
作製した多孔質配線板を液体窒素中で凍結して割断し、多孔質断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（ＨｉｔａｃｈｉＳ−  ４２００）を用い、加速電圧１０ｋＶにて観察した。
【００７４】
（４）誘電率及び誘電正接の測定
誘電率、誘電正接は空洞共振器摂動法（アジレントテクノロジー製８７２２ＥＳ型ネットワークアナライザー、関東電子応用開発製空洞共振器）によって、作製した両面配線板の銅箔を完全にエッチングしたサンプルの１０ＧＨｚでの値を観測した。
【００７５】
［比較例１］
比較例１は、図３に示すような、多孔質層が芳香族ジアミン成分ＰＰＤ／ＤＤＥ＝６０／４０と酸無水物ｓＢＰＤＡからなり、熱可塑性樹脂を含まず、無孔ポリイミド層の無い銅張り多孔質フィルム６を用いて作製した多孔質配線板例である。接着剤としてエポキシ樹脂（誘電率３．７、誘電正接０．０１）を用いた。以下、多孔質配線板の作製例を図４の工程図に従い説明する。
【００７６】
（Ａ）無孔ポリイミド層無しの銅張り多孔質フィルム６のポリイミド面をサンドブラスト処理により粗化し、その上に接着剤を塗布、乾燥することにより接着層７を形成し、接着剤付銅張り多孔質フィルム８を作製した。接着剤付き銅張り多孔質フィルムと銅張り多孔質フィルム６とを張り合わせ、真空下、加熱、加圧して両面板９を作製した。
【００７７】
（Ｂ）次に、ドリル回転速度およびドリル送り速度を制御しながらドリル加工により、両面板９上の所定位置にビアホール１０を形成した。
【００７８】
（Ｃ）次に、ビアホール１０を形成した両面板９をめっき触媒溶液に浸漬してビアホール内壁面、基板表面に触媒付与し、触媒活性化処理の後、無電解銅めっき（日立化成製ＣＵＳＴ２０００）により、約０．５μｍの種膜を設けた。次いで、両面板の端部に電極を設置して電気めっきによって基板表面及びビアホール内壁面に銅めっき膜１１を約２５μｍ形成し、層間接続を行った。
【００７９】
（Ｄ）続いて、基板表面にフォトレジスト（日立化成製Ｈ９０２５Ｋ）をラミネートして、フォトマスクを介して露光し、現像、エッチング後、レジスト剥離することにより、両面に配線パターン１２を形成し、両面配線板１３を作製した。
【００８０】
ドリル加工後のビアホール内壁表面を電子顕微鏡により観察したところ、多孔質層部分に孔の残存が観察された。作製した多孔質配線板について、４０Ｖ印加、８５℃／  ８５％高温高湿中で１０００時間ビアホール間のマイグレーション試験を行ったところ、サンプル総数の６０％がビアホール配線間で通電した。ビアホール内壁に露出した連続孔に銅や不純物が侵入したと考えられる。
【００８１】
［実施例１〜３］
実施例１〜３は、多孔質層が芳香族ジアミン成分ＰＰＤ／ＤＤＥ＝６０／４０と酸無水物ｓＢＰＤＡからなり、熱可塑性樹脂としてガラス転移温度が１５９℃であるシリコーン変性ポリイミド（信越化学工業（株）製、Ｘ−２２−８９５１）を真空吸引する方法により含有させ、無孔ポリイミド層の無い銅張り多孔質フィルム５を用いて、比較例１に準拠し、図５に従って作製した多孔質配線板例である。接着剤として、実施例１、２、３において、それぞれエポキシ樹脂（誘電率３．７、誘電正接０．０１）、ポリイミド樹脂（誘電率２．７、誘電正接０．００３）、（１）で作製した樹脂組成物（誘電率２．４５、誘電正接０．００２）を用いた。
【００８２】
ドリル加工後のビアホール内壁表面を電子顕微鏡により観察したところ、熱可塑性樹脂含有多孔質フィルムを用いた場合、いずれの接着剤を用いた条件でも、サンプル総数の約９０％において多孔質層の孔に樹脂層が被覆していた。多孔質層に含有する熱可塑性樹脂の効果により、ドリル加工時にビアホール周辺に発生する熱で熱可塑性樹脂が溶融して内壁表面の連続孔上で再硬化して樹脂層を形成することができた。
【００８３】
本両面配線板に対して４０Ｖ印加、８５℃／８５％高温高湿中で１０００時間ビアホール間マイグレーション試験を行ったところ、通電不良は３０％以下に低減した。
【００８４】
誘電率、誘電正接は、表１に示すように、実施例１、２、３それぞれで用いた接着剤の誘電率、誘電正接が小さくなるのに伴い、小さい値を示した。接着剤の低誘電率、低誘電正接化の効果により、多孔質層と併せて基板全体の低誘電率、低誘電正接化を達成することができた。
【００８５】
［実施例４〜６］
実施例４〜６は、多孔質層が芳香族ジアミン成分ＰＰＤ／ＤＤＥ＝８５／１５と酸無水物ｓＢＰＤＡからなり、熱可塑性樹脂としてガラス転移温度が１５９℃であるシリコーン変性ポリイミド（信越化学工業（株）製、Ｘ−２２−８９５１）を真空吸引する方法により含有させ、無孔ポリイミド層の無い銅張り多孔質フィルム５を用いて、比較例１に準拠し、図５に従って作製した多孔質配線板例である。接着剤として、実施例４、５、６において、それぞれエポキシ樹脂（誘電率３．７、誘電正接０．０１）、ポリイミド樹脂（誘電率２．７、誘電正接０．００３）、（１）で作製した樹脂組成物（誘電率２．４５、誘電正接０．００２）を用いた。
【００８６】
ドリル加工後のビアホール内壁表面を電子顕微鏡により観察したところ、熱可塑性樹脂含有多孔質フィルムを用いた場合、いずれの接着剤を用いた条件でも、サンプル総数の約９０％において多孔質層の孔に樹脂層が被覆していた。多孔質層に含有する熱可塑性樹脂の効果により、ドリル加工時にビアホール周辺に発生する熱で熱可塑性樹脂が溶融して内壁表面の連続孔上で再硬化して樹脂層を形成することができた。本多孔質配線板に対してビアホール間のマイグレーション試験を１０００時間行ったところ、通電不良は２５％に低減した。
【００８７】
また、温度を−２５℃と１５０℃との間で上下させる温度サイクル試験を３０００サイクル実行したところ、配線切断および剥離等の不良が発生することはなかった。多孔質層の芳香族ジアミン成分を適正化した効果により、信頼性が向上した。
【００８８】
誘電率、誘電正接は、表１に示すように、実施例４、５、６それぞれで用いた接着剤の誘電率、誘電正接が小さくなるのに伴い、小さい値を示した。接着剤の低誘電率、低誘電正接化の効果により、多孔質層と併せて基板全体の低誘電率、低誘電正接化を達成することができた。
【００８９】
［実施例７〜９］
実施例７〜９は、多孔質層が芳香族ジアミン成分ＰＰＤ／ＤＤＥ＝６０／４０と酸無水物ｓＢＰＤＡからなり、熱可塑性樹脂としてガラス転移温度が３５０℃である、ｍ−ＰＤＡおよびｓＢＰＤＡからなるポリイミドを真空吸引する方法により含有させ、含有させ、無孔ポリイミド層の無い銅張り多孔質フィルム５を用いて、比較例１に準拠し、図５に従って作製した多孔質配線板例である。接着剤として、実施例７、８、９において、それぞれエポキシ樹脂（誘電率３．７、誘電正接０．０１）、ポリイミド樹脂（誘電率２．７、誘電正接０．００３）、（１）で作製した樹脂組成物（誘電率２．４５、誘電正接０．００２）を用いた。
【００９０】
ドリル加工後のビアホール内壁表面を電子顕微鏡により観察したところ、多孔質フィルムに含有する熱可塑性樹脂を適正化したフィルムを用いた場合、いずれの接着剤を用いた条件でも多孔質層の孔に樹脂層が被覆していた。多孔質層に含有する熱可塑性樹脂を適正化した効果により、ドリル加工時にビアホール周辺に発生する熱で熱可塑性樹脂が溶融して内壁表面の連続孔上で再硬化してより良好な樹脂層を形成することができた。本両面配線板に対してビアホール間のマイグレーション試験を１０００時間行ったところ、通電不良は２５％以下に低減した。
【００９１】
誘電率、誘電正接は、表１に示すように、実施例７、８、９それぞれで用いた接着剤の誘電率、誘電正接が小さくなるのに伴い、小さい値を示した。接着剤の低誘電率、低誘電正接化の効果により、多孔質層と併せて基板全体の低誘電率、低誘電正接化を達成することができた。
【００９２】
［実施例１０〜１２］
実施例１０〜１２は、多孔質層が芳香族ジアミン成分ＰＰＤ／ＤＤＥ＝６０／４０と酸無水物ｓＢＰＤＡからなり、熱可塑性樹脂としてガラス転移温度が１５９℃であるシリコーン変性ポリイミド（信越化学工業（株）製、Ｘ−２２−８９５１）を真空吸引する方法により含有させ、銅箔と多孔質層の間に無孔ポリイミド層を形成した銅張り多孔質フィルム４を用いて、比較例１に準拠し、図６に従って作製した多孔質配線板例である。  接着剤として、実施例１０、１１、１２において、それぞれエポキシ樹脂（誘電率３．７、誘電正接０．０１）、ポリイミド樹脂（誘電率２．７、誘電正接０．００３）、（１）で作製した樹脂組成物（誘電率２．４５、誘電正接０．００２）を用いた。
【００９３】
ドリル加工後のビアホール内壁表面を電子顕微鏡により観察したところ、熱可塑性樹脂含有多孔質フィルムを用いた場合、いずれの接着剤を用いた条件でも、サンプル総数の約９０％において多孔質層の孔に樹脂層が被覆していた。多孔質層に含有する熱可塑性樹脂の効果により、ドリル加工時にビアホール周辺に発生する熱で熱可塑性樹脂が溶融して内壁表面の連続孔上で再硬化して樹脂層を形成することができた。
【００９４】
本両面配線板に対してビアホール間のマイグレーション試験を１０００時間行ったところ、通電不良は１５％以下に低減した。銅箔と多孔質層の間に無孔ポリイミド層を形成した効果により、製造プロセスで不純物などの混入を抑え、信頼性をより向上させることができた。
【００９５】
誘電率、誘電正接は、表１に示すように、実施例１０、１１、１２それぞれで用いた接着剤の誘電率、誘電正接が小さくなるのに伴い、小さい値を示した。接着剤の低誘電率、低誘電正接化の効果により、多孔質層と併せて基板全体の低誘電率、低誘電正接化を達成することができた。
【００９６】
［実施例１３〜１５］
実施例１３〜１５は、多孔質層が芳香族ジアミン成分ＰＰＤ／ＤＤＥ＝８５／１５と酸無水物ｓＢＰＤＡからなり、熱可塑性樹脂としてガラス転移温度が３５０℃である、ｍ−ＰＤＡおよびｓＢＰＤＡからなるポリイミドを真空吸引する方法により含有させ、無孔ポリイミド層の無い銅張り多孔質フィルム５を用いて、比較例１に準拠し、図５に従って作製した多孔質配線板例である。接着剤として、実施例１３、１４、１５において、それぞれエポキシ樹脂（誘電率３．７、誘電正接０．０１）、ポリイミド樹脂（誘電率２．７、誘電正接０．００３）、（１）で作製した樹脂組成物（誘電率２．４５、誘電正接０．００２）を用いた。
【００９７】
ドリル加工後のビアホール内壁表面を電子顕微鏡により観察したところ、熱可塑性樹脂含有多孔質フィルムを用いた場合、いずれの接着剤を用いた条件でも多孔質層の孔に樹脂層が被覆していた。多孔質層に含有する熱可塑性樹脂を適正化した効果により、ドリル加工時にビアホール周辺に発生する熱で熱可塑性樹脂が溶融して内壁表面の連続孔上で再硬化してより良好な樹脂層を形成することができた。本両面配線板に対してビアホール間のマイグレーション試験を１０００時間行ったところ、通電不良は１５％以下に低減した。
【００９８】
また、温度サイクル試験を３０００サイクル実行したところ、配線切断および剥離等の不良が発生することはなかった。多孔質層の芳香族ジアミン成分を適正化した効果により、信頼性が向上した。
【００９９】
誘電率、誘電正接は、表１に示すように、実施例１３、１４、１５それぞれで用いた接着剤の誘電率、誘電正接が小さくなるのに伴い、小さい値を示した。接着剤の低誘電率、低誘電正接化の効果により、多孔質層と併せて基板全体の低誘電率、低誘電正接化を達成することができた。
【０１００】
［実施例１６〜１８］
実施例１６〜１８は、多孔質層が芳香族ジアミン成分ＰＰＤ／ＤＤＥ＝８５／１５と酸無水物ｓＢＰＤＡからなり、熱可塑性樹脂としてガラス転移温度が１５９℃であるシリコーン変性ポリイミド（信越化学工業（株）製、Ｘ−２２−８９５１）を真空吸引する方法により含有させ、銅箔と多孔質層の間に無孔ポリイミド層を形成した銅張り多孔質フィルム４を用いて、比較例１に準拠し、図６に従って作製した多孔質配線板例である。接着剤として、実施例１６、１７、１８において、それぞれエポキシ樹脂（誘電率３．７、誘電正接０．０１）、ポリイミド樹脂（誘電率２．７、誘電正接０．００３）、（１）で作製した樹脂組成物（誘電率２．４５、誘電正接０．００２）を用いた。
【０１０１】
ドリル加工後のビアホール内壁表面を電子顕微鏡により観察したところ、熱可塑性樹脂含有多孔質フィルムを用いた場合、いずれの接着剤を用いた条件でも、サンプル総数の約９０％において多孔質層の孔に樹脂層が被覆していた。多孔質層に含有する熱可塑性樹脂の効果により、ドリル加工時にビアホール周辺に発生する熱で熱可塑性樹脂が溶融して内壁表面の連続孔上で再硬化して樹脂層を形成することができた。
【０１０２】
本両面配線板に対してビアホール間のマイグレーション試験を１０００時間行ったところ、通電不良は１０％まで低減した。銅箔と多孔質層の間に無孔ポリイミド層を形成した効果により、製造プロセスで不純物などの混入を抑え、信頼性をより向上させることができた。
【０１０３】
また、温度サイクル試験を３０００サイクル実行したところ、配線切断および剥離等の不良が発生することはなかった。多孔質層の芳香族ジアミン成分を適正化した効果により、信頼性が向上した。
【０１０４】
誘電率、誘電正接は、表１に示すように、実施例１６、１７、１８それぞれで用いた接着剤の誘電率、誘電正接が小さくなるのに伴い、小さい値を示した。接着剤の低誘電率、低誘電正接化の効果により、多孔質層と併せて基板全体の低誘電率、低誘電正接化を達成することができた。
【０１０５】
［実施例１９〜２１］
実施例１９〜２１は、多孔質層が芳香族ジアミン成分ＰＰＤ／ＤＤＥ＝６０／４０と酸無水物ｓＢＰＤＡからなり、熱可塑性樹脂としてガラス転移温度が３５０℃である、ｍ−ＰＤＡおよびｓＢＰＤＡからなるポリイミドを真空吸引する方法により含有させ、銅箔と多孔質層の間に無孔ポリイミド層を形成した銅張り多孔質フィルム４を用いて、比較例１に準拠し、図６に従って作製した多孔質配線板例である。接着剤として、実施例１９、２０、２１において、それぞれエポキシ樹脂（誘電率３．７、誘電正接０．０１）、ポリイミド樹脂（誘電率２．７、誘電正接０．００３）、（１）で作製した樹脂組成物（誘電率２．４５、誘電正接０．００２）を用いた。
【０１０６】
ドリル加工後のビアホール内壁表面を電子顕微鏡により観察したところ、多孔質フィルムに含有する熱可塑性樹脂を適正化したフィルムを用いた場合、いずれの接着剤を用いた条件でも多孔質層の孔に樹脂層が被覆していた。多孔質層に含有する熱可塑性樹脂を適正化した効果により、ドリル加工時にビアホール周辺に発生する熱で熱可塑性樹脂が溶融して内壁表面の連続孔上で再硬化してより良好な樹脂層を形成することができた。
【０１０７】
本両面配線板に対してビアホール間のマイグレーション試験を１０００時間行ったところ、通電不良は全く発生しなかった。銅箔と多孔質層の間に無孔ポリイミド層を形成した効果により、製造プロセスで不純物などの混入を抑え、信頼性をより向上させることができた。
【０１０８】
誘電率、誘電正接は、表１に示すように、実施例１９、２０、２１それぞれで用いた接着剤の誘電率、誘電正接が小さくなるのに伴い、小さい値を示した。接着剤の低誘電率、低誘電正接化の効果により、多孔質層と併せて基板全体の低誘電率、低誘電正接化を達成することができた。
【０１０９】
［実施例２２〜２４］
実施例２２〜２４は、多孔質層が芳香族ジアミン成分ＰＰＤ／ＤＤＥ＝８５／１５と酸無水物ｓＢＰＤＡからなり、熱可塑性樹脂としてガラス転移温度が３５０℃である、ｍ−ＰＤＡおよびｓＢＰＤＡからなるポリイミドを真空吸引する方法により含有させ、銅箔と多孔質層の間に無孔ポリイミド層を形成した銅張り多孔質フィルム４を用いて、比較例１に準拠し、図６に従って作製した多孔質配線板例である。接着剤として、実施例２２、２３、２４において、それぞれエポキシ樹脂（誘電率３．７、誘電正接０．０１）、ポリイミド樹脂（誘電率２．７、誘電正接０．００３）、（１）で作製した樹脂組成物（誘電率２．４５、誘電正接０．００２）を用いた。
【０１１０】
ドリル加工後のビアホール内壁表面を電子顕微鏡により観察したところ、多孔質フィルムに含有する熱可塑性樹脂を適正化したフィルムを用いた場合、いずれの接着剤を用いた条件でも多孔質層の孔に樹脂層が被覆していた。多孔質層に含有する熱可塑性樹脂を適正化した効果により、ドリル加工時にビアホール周辺に発生する熱で熱可塑性樹脂が溶融して内壁表面の連続孔上で再硬化してより良好な樹脂層を形成することができた。
【０１１１】
本両面配線板に対してビアホール間のマイグレーション試験を１０００時間行ったところ、通電不良は全く発生しなかった。銅箔と多孔質層の間に無孔ポリイミド層を形成した効果により、製造プロセスで不純物などの混入を抑え、信頼性をより向上させることができた。
【０１１２】
また、温度サイクル試験を３０００サイクル実行したところ、配線切断および剥離等の不良が発生することはなかった。多孔質層の芳香族ジアミン成分を適正化した効果により、信頼性が向上した。
【０１１３】
誘電率、誘電正接は、表１に示すように、実施例２２、２３、２４それぞれで用いた接着剤の誘電率、誘電正接が小さくなるのに伴い、小さい値を示した。接着剤の低誘電率、低誘電正接化の効果により、多孔質層と併せて基板全体の低誘電率、低誘電正接化を達成することができた。
【０１１４】
［実施例２５〜２７］
実施例２５〜２７は、多孔質層が芳香族ジアミン成分ＰＰＤ／ＤＤＥ＝８５／１５と酸無水物ｓＢＰＤＡからなり、その多孔質層に熱可塑性樹脂を含有させ、銅箔と多孔質層の間に無孔ポリイミド層を形成した銅張り多孔質フィルム４を用いて、比較例１に準拠し、図６に従って作製した多孔質配線板例である。熱可塑性樹脂として、実施例２５、２６、２７において、それぞれｓＢＰＤＡとＤＤＥからなるポリイミド（ガラス転移温度３００℃）、ｓＢＰＤＡと２，５−ジアミノトルエン（２５ＤＡＴＯ）からなるポリイミド（ガラス転移温度３６０℃）、ｓＢＰＤＡと４，４’−ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）からなるポリイミド（ガラス転移温度３２０℃）を用いた。接着剤として、（１）で作製した樹脂組成物を用いた。
【０１１５】
ドリル加工後のビアホール内壁表面を電子顕微鏡により観察したところ、実施例２４と同様にいずれの熱可塑性樹脂を用いた条件でも多孔質層の孔に樹脂層が被覆していた。適当なガラス転移温度を示す熱可塑性樹脂を選定することにより、ドリル加工時にビアホール周辺に発生する熱で熱可塑性樹脂が溶融して内壁表面の連続孔上で再硬化して良好な樹脂層を形成することができた。一方、ビアホール周辺以外の多孔質層部分を観察したところ、多孔質構造が保持されていた。本両面配線板に対してビアホール間のマイグレーション試験を１０００時間行ったところ、通電不良は全く発生しなかった。
【０１１６】
また、温度サイクル試験を３０００サイクル実行したところ、配線切断および剥離等の不良が発生することはなかった。多孔質層の芳香族ジアミン成分を適正化した効果により、信頼性が向上した。
【０１１７】
誘電率、誘電正接は、表１に示すように、（１）で作製した樹脂組成物を用いた効果および多孔質層の効果により基板全体の低誘電率、低誘電正接化を達成することができた。
【０１１８】
【表１】
2005050860.tif 000008
【０１１９】
［実施例２８］
実施例２８は、多孔質層が芳香族ジアミン成分ＰＰＤ／ＤＤＥ＝８５／１５と酸無水物ｓＢＰＤＡからなり、熱可塑性樹脂としてガラス転移温度が３５０℃である、ｍ−ＰＤＡおよびｓＢＰＤＡからなるポリイミドを真空吸引する方法により含有させ、銅箔と多孔質層の間に無孔ポリイミド層を形成した銅張り熱可塑性樹脂含有多孔質フィルム４を（１）で作製した接着剤を用いて作製した多層配線板例である。以下に作製例を図７の工程図に従い説明する。
【０１２０】
比較例１に示す（Ａ）〜（Ｄ）の手順に準拠し、図６に従って両面配線板１３１を作製した。
【０１２１】
（Ｅ）次に、両面配線板１３１を黒化還元処理して配線表面を粗化することにより、粗化両面板１４を作製し、次に、粗化両面板１４を接着剤付き銅張り熱可塑性樹脂含有多孔質フィルム８１により両側から挟み込み、真空下、加熱、加圧して４層板１５を作製した。加熱条件は１２０℃／３０分、１８０℃／１００分、プレス圧力３．０ＭＰａの多段階加熱とした。
【０１２２】
（Ｆ）次に、ドリル回転速度およびドリル送り速度を制御しながらドリル加工により、４層板１５上の所定位置にビアホール１６を形成した。
【０１２３】
（Ｇ）次に、ビアホール１６を形成した４層板１５をめっき触媒溶液に浸漬してビアホール内壁面、基板表面に触媒付与し、触媒活性化処理の後、無電解銅めっき（日立化成製ＣＵＳＴ２０００）により、約０．５μｍの種膜を設けた。次いで、４層板の端部に電極を設置して電気めっきによって基板表面及びビアホール内壁面に銅めっき膜１７を約２５μｍ形成し、層間接続を行った。
【０１２４】
（Ｈ）続いて、４層板表面にフォトレジスト（日立化成製Ｈ９０２５Ｋ）をラミネートして、フォトマスクを介して露光し、現像、エッチング後、レジスト剥離することにより、両面に配線パターン１８を形成し、４層配線板１９を作製した。
【０１２５】
ドリル加工後のビアホール内壁表面を電子顕微鏡により観察したところ、多孔質層の孔に樹脂層が被覆していた。ドリル加工時にビアホール周辺に発生する熱で熱可塑性樹脂が溶融して内壁表面の連続孔上で再硬化して良好な樹脂層を形成することができた。一方、ビアホール周辺以外の多孔質層部分を観察したところ、多孔質構造が保持されていた。本多層配線板に対してビアホール間のマイグレーション試験を１０００時間行ったところ、通電不良は全く発生しなかった。
【０１２６】
また、温度サイクル試験を３０００サイクル実行したところ、配線切断および剥離等の不良が発生することはなかった。このように、熱により溶融して再硬化した樹脂層を介在したままビアホール内側にめっき膜を形成することにより、接続信頼性の優れた多層多孔質配線板を得ることができた。
【０１２７】
多孔質層の効果と併せて、接着剤に低誘電正接樹脂組成物を用いた効果により配線板全体として低誘電率、低誘電正接を示しており、高周波化に対応することができる。
【０１２８】
［実施例２９］
実施例２９は、本発明の多孔質配線板をアンテナに適用した例を示す。以下、図８を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【０１２９】
図８は、本発明のアンテナ素子一体型高周波回路モジュールの断面図である。本実施例は、５ＧＨｚ帯の円偏波の信号を送受信するためのアンテナ素子一体型高周波回路モジュールである。図８に示すように、本実施例のアンテナ素子一体型高周波回路モジュールは、４層配線板１９、ＭＭＩＣを用いて構成した高周波回路モジュール２０、並びにディスクリート部品２１で構成される。高周波回路モジュール２０は、ガラスセラミックスを用いた多層基板により作製したパッケージに、ＧａＡｓ半導体を用いて作製したＭＭＩＣチップが積層されて構成される。ＭＭＩＣチップは、スイッチ、低雑音増幅器、電力増幅器、ミキサ、逓倍器などを構成する。これらのＭＭＩＣチップ間を接続する配線などはガラスセラミックスのパッケージ内に設けられており、また、ＭＭＩＣチップは、ワイヤボンディングでパッケージ内に設けられた配線と接続されている。また、バンドパスフィルタ、フェーズロックループ（ＰＬＬ）モジュール、水晶発振器は、ディスクリート部品２１で構成される。４層配線板１９は、銅箔からなる４層の導体層（２２、２３、２４）と、３層の絶縁層（２５，２６、２７）から形成されており、各導体層は、上から順に、アンテナ素子２２、接地電極２３、配線２４として使用され、配線２４がクロスする部分はジャンパー配線３０によって接続される。アンテナ素子一体化高周波回路モジュールは外部接続端子３１により外部と接続される。
【０１３０】
配線板内では、複数の配線、即ち、高周波回路モジュール２０への電源供給線、高周波回路モジュール２０とディスクリート部品２１および外部回路をつなぐための配線、並びにアンテナ素子２２と高周波回路モジュール２０を接続するための配線などが形成される。アンテナ素子２２と、配線２４はスルーホール２８によって接続される。また、配線２４と同じ導体層に形成されたパターンの一部と接地電極２３とは、スルーホール２８やビアホール２９により電気的接続されて、前記配線２４と同じ導体層に形成されたパターンの一部は接地電極２３と同電位になるように構成される。
【０１３１】
本実施例において、アンテナに必要とされる帯域や利得などによって、絶縁層２５、２７の厚さは適宜変化させる。また、絶縁層２６の厚さも、アンテナ素子一体型高周波回路モジュールの全体の厚さが所望の値になるように、適宜変化させる。本実施例で使用する絶縁層は本発明の多孔質体を使用しており、低誘電正接であり伝送損失を小さくすることができる。
【０１３２】
このように、本実施の形態では、４層配線板１９を用いて構成することにより、アンテナの特性が良いアンテナ素子一体型高周波回路モジュールを実現することができる。
【０１３３】
【発明の効果】
絶縁基材の多孔質構造を保持したまま、成形後のビアホール内壁の状態を良好にし、ビアホールによる層間接続をウェットプロセスで形成しためっき膜により達成することで接続信頼性を高め、ビアホール接続不良、マイグレーションによる絶縁破壊等を起こさない、また、機械的強度に優れ、低誘電率、低誘電正接を示す高周波対応の多孔質配線板、更にそれらを用いた電子部品を提供する。
【図面の簡単な説明】
【図１】多孔質層が熱可塑性樹脂を含有し、銅箔と多孔質層との間に無孔ポリイミド層を形成した銅張り多孔質フィルム断面を表す模式図である。
【図２】多孔質層が熱可塑性樹脂を含有し、銅箔と多孔質層との間に無孔ポリイミド層が無い銅張り多孔質フィルム断面を表す模式図である。
【図３】多孔質層が熱可塑性樹脂を含まず、銅箔と多孔質層との間に無孔ポリイミド層が無い銅張り多孔質フィルム断面を表す模式図である。
【図４】多孔質層が熱可塑性樹脂を含まず、銅箔と多孔質層との間に無孔ポリイミド層が無い銅張り多孔質フィルムを用いた場合の両面配線板作製プロセスを表す模式図である。
【図５】多孔質層が熱可塑性樹脂を含有し、銅箔と多孔質層との間に無孔ポリイミド層が無い銅張り多孔質フィルムを用いた場合の両面配線板作製プロセスを表す模式図である。
【図６】多孔質層が熱可塑性樹脂を含有し、銅箔と多孔質層との間に無孔ポリイミド層を形成した銅張り多孔質フィルムを用いた場合の両面配線板作製プロセスを表す模式図である。
【図７】多孔質層が熱可塑性樹脂を含有し、銅箔と多孔質層との間に無孔ポリイミド層を形成した銅張り多孔質フィルムを用いた場合の多層配線板作製プロセスを表す模式図である。
【図８】アンテナ素子一体高周波モジュールを表す断面図である。
【符号の説明】
１…銅箔、２…無孔ポリイミド層、３…熱可塑性樹脂含有多孔質層、３００…多孔質層、４，４０…銅張り熱可塑性樹脂含有多孔質フィルム、５，５０…無孔ポリイミド層無し銅張り熱可塑性樹脂含有多孔質フィルム、６…銅張り多孔質フィルム、７…接着層、８…接着剤付銅張り多孔質フィルム、８０…接着剤付無孔ポリイミド層無し銅張り熱可塑性樹脂含有多孔質フィルム、８１…接着剤付銅張り熱可塑性樹脂含有多孔質フィルム、９，９０，９１…両面板、１０，１００，１０１，１６，２９…ビアホール、１１，１１０，１１１，１７…銅めっき膜、１２，１２０，１２１，１８…配線パターン、１３，１３０，１３１…両面配線板、１４…粗化両面板、１５…４層板、１９…４層配線板、２０…高周波回路モジュール、２１…ディスクリート部品、２２…アンテナ素子、２３…接地電極、２４…配線、２５、２６、２７…絶縁層、２８…スルーホール、３０…ジャンパー配線、３１…外部接続端子
【図１】
2005050860.tif 000013
【図２】
2005050860.tif 000014
【図３】
2005050860.tif 000015
【図４】
2005050860.tif 000016
【図５】
2005050860.tif 000017
【図６】
2005050860.tif 000018
【図７】
2005050860.tif 000019
【図８】
2005050860.tif 000020