(57)【要約】【課題】  例えば表示パネルの画素に欠陥が発生した場合に、早急にユーザに対して報知することができる自発光表示モジュールを提供すること。【解決手段】  自発光表示モジュールに例えば動作電源が投入された時、もしくは動作電源が投入されている状態において定期的に、またはユーザが検知スイッチをオン操作した時などにおいて、表示パネルの画素を含む信号線等に欠陥が発生しているか否かを検証するルーチンが実行される。逆バイアス電圧生成回路５を電流源として利用し、ＥＬ素子に非発光方向の電流を加えた時の電流波形により、画素およびこれを含む信号線等の欠陥状態を把握する。欠陥が検出された場合には、欠陥報知手段１４が動作する。【選択図】      図１
2005181951.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的な極性を有する自発光素子による画素をマトリクス状に多数配列した発光表示パネルと、前記発光表示パネルにおける各自発光素子を選択的に点灯駆動させるための点灯駆動装置を有する自発光表示モジュールであって、
前記発光表示パネルもしくは前記点灯駆動装置、または前記発光表示パネルと前記点灯駆動装置との接続部の欠陥による発光不具合を検知するための不具合検知手段がさらに備えられていることを特徴とする自発光表示モジュール。
【請求項２】
前記不具合検知手段には、前記自発光表示モジュールを使用する機器に搭載されている状態のまま、任意のタイミングにおいて前記発光表示パネルもしくは前記点灯駆動装置、または前記発光表示パネルと前記点灯駆動装置との接続部の欠陥による発光不具合の検知動作が実行可能に構成されていることを特徴とする請求項１に記載の自発光表示モジュール。
【請求項３】
前記不具合検知手段には、前記発光表示パネルに配列された前記自発光素子による全ての画素の発光不具合が検知可能に構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の自発光表示モジュール。
【請求項４】
前記不具合検知手段には、前記発光表示パネルにマトリクス状に配列された前記自発光素子による画素の座標値を検知可能に構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の自発光表示モジュール。
【請求項５】
前記不具合検知手段は、前記自発光素子の非発光方向に流れる電流値を測定することができるように構成したことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の自発光表示モジュール。
【請求項６】
前記自発光素子の非発光方向に流れる電流値から、前記発光表示パネルもしくは前記点灯駆動装置、または前記発光表示パネルと前記点灯駆動装置との接続部における欠陥パターンを識別する機能を備えたことを特徴する請求項５に記載の自発光表示モジュール。
【請求項７】
前記不具合検知手段には、自発光素子の非発光方向に流れる電流値をデジタル値に変換する構成を備えていることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の自発光表示モジュール。
【請求項８】
前記不具合検知手段による発光不具合の検知に基づいて、記憶報知手段を駆動するように構成したことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の自発光表示モジュール。
【請求項９】
前記発光表示パネルに配列された発光素子が、有機化合物を発光層に用いた有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の自発光表示モジュール。
【請求項１０】
電気的な極性を有する自発光素子による画素をマトリクス状に多数配列した発光表示パネルと、前記発光表示パネルにおける各自発光素子を選択的に点灯駆動させるための点灯駆動装置と、前記発光表示パネルもしくは前記点灯駆動装置、または前記発光表示パネルと前記点灯駆動装置との接続部の欠陥による発光不具合を検知するための不具合検知手段とを有する自発光表示モジュールにおける欠陥状態の検証方法であって、前記不具合検知手段は、
前記発光表示パネルに配列された自発光素子に蓄積された電荷を放電させる電荷放電ステップと、
電荷が放電された状態の前記自発光素子に対して、当該素子の非発光方向に電流を供給する電流供給ステップと、
前記電流供給開始後の所定時間経過後において、前記自発光素子を含む画素に流れる電流値を測定する電流値測定ステップと、
前記電流値測定ステップにおいて測定した電流値に応じて、前記発光表示パネルもしくは前記点灯駆動装置、または前記発光表示パネルと前記点灯駆動装置との接続部における欠陥の有無を判定する判定ステップとを順次実行し、
前記判定ステップにおいて判定された前記欠陥の状態に応じて記憶報知手段を働かせることを特徴とする自発光表示モジュールにおける欠陥状態の検証方法。
【請求項１１】
前記判定ステップにより、前記発光表示パネルに配列された画素に欠陥が存在することが特定された場合には、発光表示パネルにおける欠陥画素の位置に応じて、前記記憶報知手段を働かせることを特徴とする請求項１０に記載の自発光表示モジュールにおける欠陥状態の検証方法。
【請求項１２】
前記電荷放電ステップと、電流供給ステップと、電流値測定ステップと、判定ステップとを、マトリクス状に配列された自発光素子の行単位もしくは列単位で実行することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の自発光表示モジュールにおける欠陥状態の検証方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、発光素子として例えば有機ＥＬ（エレクトロ・ルミネッセンス）素子を用いた発光表示パネルと、これを点灯駆動する点灯駆動装置とを備えた自発光表示モジュールに関するものであり、特に前記自発光表示モジュールの動作中もしくは動作開始時等の任意のタイミングにおいて、前記発光表示パネルもしくは前記点灯駆動装置、または前記発光表示パネルと前記点灯駆動装置との接続部等の欠陥状態を検証することができる機能を備えた自発光表示モジュールおよび同モジュールにおける欠陥状態の検証方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現状において提供されている電子機器等の多くにおいてディスプレイが付帯されており、このディスプレイは情報化社会を支える機器のマンマシーンインターフェースとして必要不可欠なものとなっている。前記したディスプレイは、例えば医療機器や航空機の計器などのように、表示の不具合が人命に及ぼす可能性がある分野において使用する場合においては、携帯電話機やカーオーディオなどのコンシュマー機器に採用されるディスプレイよりも、その表示に厳しい信頼性が要求される。
【０００３】
例えば、医薬品の注入機器などにおいては、注入量を示す数字表示部分で、明リーク現象が走査線方向に発生した場合、表示されている数字が“０”なのか“８”なのか判別ができなくなるという問題が発生し得る。また、小数点を表示するピクセル（画素）が不点灯となり数字の桁が誤って表示され、これに気付かずに数値が読まれるなどの問題も発生し得る。このように不具合の状態にある表示をユーザが正常であると認識して前記した機器を使い続けることはきわめて危険であり、重大な問題に発展することは言うに及ばない。
【０００４】
そこで、前記したような電子機器に用いられるディスプレイにおいては、製品出荷前の半製品の状態において各画素の欠陥状態を検査し、その欠陥の程度が当該ディスプレイを搭載する製品の基準値を満足するものであるか否かについて、判定するようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３４３７１５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、前記した特許文献１に開示された発明は、製品出荷前の半製品の状態において、表示パネルの各画素の評価を実行しようとするものであり、有機ＥＬディスプレイの検査用駆動回路を利用し、信頼性の高い評価結果を得ることができる評価装置を提供することを課題としているものである。
【０００６】
前記した特許文献１に開示された評価装置を利用した場合、製品の初期不良を防止することができるという効果を享受することができるものの、この種のディスプレイにおいては、製品の出荷後における装置の稼働中などにおいて、表示パネルに配列された画素に新たに欠陥が発生するという問題を抱えている。また、表示パネルに配列された画素に新たに欠陥が発生するのみならず、表示パネルに配列された各画素を点灯駆動するデータドライバや走査ドライバを含む駆動装置、または表示パネルと前記駆動装置との接続部等においても新たに欠陥が発生し得る。
【０００７】
したがって、この様な問題の発生を最小限にとどめ、信頼性を確保するための種々の対策が取り入れられている。しかしながら、ディスプレイの稼働中などにおいて発生する画素の欠陥や、その他前記した駆動装置等に欠陥が発生する問題を克服にはきわめて多くの技術的な課題が存在し、製品の出荷後において前記した欠陥が発生することのない表示モジュールを提供することは、困難であると言わざるを得ない。
【０００８】
この発明は前記した現実的な問題点に着目してなされたものであり、特に発光表示パネルの稼働中もしくは稼働開始時等の任意のタイミングにおいて、例えば前記表示パネルにおける画素の欠陥等を検証することができる機能を備え、画素の欠陥等が発生した場合においては、この状態をユーザに対して報知することにより、誤った表示情報をユーザに伝えるのを防止できるようにした自発光表示モジュールおよび同モジュールにおける欠陥状態の検証方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる自発光表示モジュールは、請求項１に記載のとおり、電気的な極性を有する自発光素子による画素をマトリクス状に多数配列した発光表示パネルと、前記発光表示パネルにおける各自発光素子を選択的に点灯駆動させるための点灯駆動装置を有する自発光表示モジュールであって、前記発光表示パネルもしくは前記点灯駆動装置、または前記発光表示パネルと前記点灯駆動装置との接続部の欠陥による発光不具合を検知するための不具合検知手段をさらに備えた点に特徴を有する。
【００１０】
また、前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる自発光表示モジュールにおける欠陥状態の検証方法は、請求項１０に記載のとおり、電気的な極性を有する自発光素子による画素をマトリクス状に多数配列した発光表示パネルと、前記発光表示パネルにおける各自発光素子を選択的に点灯駆動させるための点灯駆動装置と、前記発光表示パネルもしくは前記点灯駆動装置、または前記発光表示パネルと前記点灯駆動装置との接続部の欠陥による発光不具合を検知するための不具合検知手段とを有する自発光表示モジュールにおける欠陥状態の検証方法であって、前記不具合検知手段は、前記発光表示パネルに配列された自発光素子に蓄積された電荷を放電させる電荷放電ステップと、電荷が放電された状態の前記自発光素子に対して、当該素子の非発光方向に電流を供給する電流供給ステップと、前記電流供給開始後の所定時間経過後において、前記自発光素子を含む画素に流れる電流値を測定する電流値測定ステップと、前記電流値測定ステップにおいて測定した電流値に応じて、前記発光表示パネルもしくは前記点灯駆動装置、または前記発光表示パネルと前記点灯駆動装置との接続部における欠陥の有無を判定する判定ステップとを順次実行し、前記判定ステップにおいて判定された前記欠陥の状態に応じて記憶報知手段を働かせる点に特徴を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、この発明にかかる自発光表示モジュールについて、図に示す実施の形態に基づいて説明する。なお、この発明にかかる自発光表示モジュールは、電気的な極性を有する自発光素子をマトリクス状に多数配列した発光表示パネルと、この発光表示パネルにおける各自発光素子を選択的に点灯駆動させるための駆動装置を備えており、この駆動装置には発光表示パネルにおける発光不具合を検知するための不具合検知手段がさらに備えられている。そして、以下に説明する実施の形態においては、自発光素子として、有機材料を発光層に用いた有機ＥＬ素子を採用した例を示す。
【００１２】
有機ＥＬ素子は、電気的には極性（ダイオード特性）を有する発光エレメントと、この発光エレメントに並列に結合する寄生容量成分とによる構成に置き換えることができ、有機ＥＬ素子は容量性の発光素子であるということができる。この有機ＥＬ素子は、発光駆動電圧が順方向に印加されると、先ず、当該素子の電気容量に相当する電荷が電極に変位電流として流れ込み蓄積される。続いて当該素子固有の一定の電圧（発光閾値電圧＝Ｖth）を越えると、一方の電極（ダイオード成分の陽極側）から発光層を構成する有機層に電流が流れ初め、この電流に比例した強度で発光すると考えることができる。
【００１３】
一方、有機ＥＬ素子は電流・輝度特性が温度変化に対して安定しているのに対して、電圧・輝度特性が温度変化に対して不安定であること、また、有機ＥＬ素子は過電流を受けた場合に劣化が激しく、発光寿命を短縮させるなどの理由により、一般的には定電流駆動がなされる。かかる有機ＥＬ素子を用いた表示パネルとして、ＥＬ素子をマトリクス状に配列したパッシブマトリクス型表示パネルと、マトリクス状に配列した各ＥＬ素子をＴＦＴ（Thin Film Transistor）により個々に点灯駆動するアクティブマトリクス型表示パネルが提案されている。
【００１４】
図１には、パッシブマトリクス型表示パネルを含む自発光表示モジュールが示されている。このパッシブマトリクス駆動方式における有機ＥＬ素子のドライブ方法には、陰極線走査・陽極線ドライブ、および陽極線走査・陰極線ドライブの２つの方法があるが、図１に示された構成は前者の陰極線走査・陽極線ドライブの形態を示している。すなわち、ｎ本のドライブ線としての陽極線Ａ1 〜Ａn が縦方向（列方向）に配列され、ｍ本の走査線としての陰極線Ｋ1 〜Ｋm が横方向（行方向）に配列され、各々の交差した部分（計ｎ×ｍ箇所）に、ダイオードのシンボルマークで示した有機ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmが配置されて、表示パネル１を構成している。
【００１５】
そして、画素を構成する各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmは、縦方向に沿う陽極線Ａ1 〜Ａn と横方向に沿う陰極線Ｋ1 〜Ｋm との各交点位置に対応して一端（ＥＬ素子の等価ダイオードにおける陽極端子）が陽極線に、他端（ＥＬ素子の等価ダイオードにおける陰極端子）が陰極線に接続されている。さらに、各陽極線Ａ1 〜Ａn は点灯駆動装置を構成するデータドライバとしての陽極線ドライブ回路２に接続され、各陰極線Ｋ1 〜Ｋm は同じく点灯駆動装置を構成する走査ドライバとしての陰極線走査回路３に接続されてそれぞれ駆動される。
【００１６】
前記陽極線ドライブ回路２には、後述するＤＣ−ＤＣコンバータにおける昇圧回路４よりもたらされる駆動電圧ＶH を利用して動作する定電流源Ｉ1 〜Ｉn およびドライブスイッチＳa1〜Ｓanが備えられており、ドライブスイッチＳa1〜Ｓanが、前記定電流源Ｉ1 〜Ｉn 側に接続されることにより、定電流源Ｉ1 〜Ｉn からの電流が、陰極線に対応して配置された個々のＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmに対して供給されるように作用する。また、この実施の形態においては前記ドライブスイッチＳa1〜Ｓanは、定電流源Ｉ1 〜Ｉn からの電流を個々のＥＬ素子に供給しない場合には、前記各陽極線を開放端子（ハイインピダンス側）、もしくは基準電位点としてのグランド側に接続できるように構成されている。
【００１７】
また、前記陰極線走査回路３には、各陰極線Ｋ1 〜Ｋm に対応して走査スイッチＳk1〜Ｓkmが備えられ、クロストーク発光を防止するための後述する逆バイアス電圧生成回路５からの逆バイアス電圧ＶM または基準電位点としてのグランド電位のうちのいずれか一方を、対応する陰極線に接続するように作用する。これにより、陰極線を所定の周期で基準電位点（グランド電位）に設定しながら、所望の陽極線Ａ1 〜Ａn に定電流源Ｉ1 〜Ｉn を接続することにより、前記各ＥＬ素子を選択的に発光させるように作用する。
【００１８】
一方、前記したＤＣ−ＤＣコンバータは、図１に示す例においては昇圧回路４としてＰＷＭ（パルス幅変調）制御を利用し、直流の駆動電圧ＶH を生成するように構成されている。なお、このＤＣ−ＤＣコンバータは、ＰＷＭ制御に代えて周知のＰＦＭ（パルス周波数変調）制御もしくはＰＳＭ（パルススキップ変調）制御を利用することもできる。
【００１９】
このＤＣ−ＤＣコンバータは、昇圧回路４の一部を構成するスイッチングレギュレータ６から出力されるＰＷＭ波が、スイッチング素子としてのＭＯＳ型パワーＦＥＴＱ1 を所定のデューティーサイクルでオン制御するように構成されている。すなわち、パワーＦＥＴＱ1 のオン動作によって、一次側のＤＣ電圧源Ｂ1 からの電力エネルギーがインダクタＬ1 に蓄積され、パワーＦＥＴＱ1 のオフ動作に伴い、前記インダクタＬ1 に蓄積された電力エネルギーは、ダイオードＤ1 を介してコンデンサＣ1 に蓄積される。そして、前記パワーＦＥＴＱ1 のオン・オフ動作の繰り返しにより、昇圧されたＤＣ出力をコンデンサＣ1 の端子電圧として得ることができる。
【００２０】
前記ＤＣ出力電圧は、温度補償を行うサーミスタＴH1、抵抗体Ｒ11およびＲ12によって分圧され、スイッチングレギュレータ６における誤差増幅器７に供給され、この誤差増幅器７において基準電圧Ｖref と比較される。この比較出力（誤差出力）がＰＷＭ回路８に供給され、発振器９からもたらされる信号波のデューティを制御することで、前記出力電圧を所定の駆動電圧ＶH に保持するようにフィードバック制御される。したがって、前記したＤＣ−ＤＣコンバータによる出力電圧、すなわち前記駆動電圧ＶH は、次の式１のように表すことができる。
ＶH ＝Ｖref ×〔（ＴH1＋Ｒ11＋Ｒ12）／Ｒ12〕  ……（式１）
【００２１】
一方、前記したクロストーク発光を防止するために利用される逆バイアス電圧生成回路５は、前記駆動電圧ＶH を分圧する分圧回路により構成されている。すなわち、この分圧回路は、抵抗体Ｒ13，Ｒ14およびエミッタフォロアとして機能するｎｐｎトランジスタＱ2 により構成されており、前記トランジスタＱ2 のエミッタにおいて逆バイアス電圧ＶM を得るようにしている。したがって、前記トランジスタＱ2 におけるベース・エミッタ間電圧をＶbeとして表せば、この分圧回路により得られる逆バイアス電圧ＶM は、次の式２ように表すことができる。
ＶM ＝ＶH ×〔Ｒ14／（Ｒ13＋Ｒ14）〕−Ｖbe  ……（式２）
【００２２】
なお、前記した陽極線ドライブ回路２および陰極線走査回路３には、ＣＰＵを含む発光制御機能および後述する不具合検知機能を備えた制御回路１１よりコントロールバスが接続されている。そして、表示すべき映像信号に基づいて、前記走査スイッチＳk1〜ＳkmおよびドライブスイッチＳa1〜Ｓanが操作される。これにより、映像信号に基づいて陰極走査線を所定の周期でグランド電位に設定しながら所望の陽極線に対して定電流源Ｉ1 〜Ｉn が接続される。したがって、前記各発光素子は選択的に発光し、表示パネル１上に前記映像信号に基づく画像が表示される。
【００２３】
なお、図１に示す状態は、第１の陰極線Ｋ1 がグランド電位に設定されて走査状態になされ、この時、非走査状態の陰極線Ｋ2 〜Ｋm には、前記した逆バイアス電圧生成回路５からの逆バイアス電圧ＶM が印加されている。したがって、ドライブされている陽極線と走査選択がなされていない陰極線との交点に接続された各ＥＬ素子がクロストーク発光するのが防止されるように作用する。
【００２４】
一方、図１に示す実施の形態においては、前記した逆バイアス電圧生成回路５と陰極線走査回路３との間に電流／電圧変換器１２が配置されている。この電流／電圧変換器１２により得られるアナログの電圧値は、Ａ／Ｄ変換器１３によってデジタルデータに変換され、ＣＰＵを含む前記制御回路１１に供給されるように構成されている。この実施の形態においては、これら電流／電圧変換器１２、Ａ／Ｄ変換器１３および制御回路１１によって、表示パネル１もしくは陽極線ドライブ回路２および陰極線走査回路３を含む点灯駆動装置、または前記発光表示パネルと前記点灯駆動装置との接続部の欠陥によって発生する発光不具合を検知するための不具合検知手段を構成している。そして、この実施の形態においては前記制御回路１１において、例えば表示パネルにおける画素等の欠陥を検知した場合においては、これに応じて欠陥報知手段（記憶報知手段）１４を働かすことができるように構成されている。
【００２５】
この発明にかかる欠陥状態の検証方法、特に表示パネルにおける画素欠陥の検証方法については、後で詳しく説明するが、図１に示す構成においては逆バイアス電圧生成回路５からの逆バイアス電圧ＶM を利用して、各ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅnmの非発光方向に電流を流し、この時に流れる電流波形に基づいて表示パネル１もしくは陽極線ドライブ回路２および陰極線走査回路３を含む点灯駆動装置等における欠陥の有無が検証される。このために、前記したとおり逆バイアス電圧生成回路５と陰極線走査回路３との間に電流／電圧変換器１２が配置されている。
【００２６】
図２には、前記した電流／電圧変換器１２の具体的な回路構成の一例が示されている。図２に示すように、逆バイアス電圧生成回路５から陰極線走査回路３側に流れる電流値ＩM を検出するために、ドロッパー抵抗Ｒd が介在されている。そして、前記ドロッパー抵抗Ｒd における陰極線走査回路３側はオペアンプ１２ａの非反転入力端子に接続され、抵抗Ｒd における逆バイアス電圧生成回路５側はオペアンプ１２ａの反転入力端子に接続されている。また、前記オペアンプ１２ａの出力端と反転入力端子との間には帰還抵抗Ｒ1 が接続されており、したがってオペアンプ１２ａは電圧増幅器として働き、その出力端に前記抵抗Ｒd の両端電圧に対応した出力を発生する。
【００２７】
前記オペアンプ１２ａの出力は、抵抗Ｒ2 およびＲ3 によって分圧され、オペアンプ１２ｂの非反転入力端子に供給されるように構成されている。一方、前記オペアンプ１２ａの非反転入力端子の電位は、オペアンプ１２ｃの非反転入力端子に供給されるように構成されている。このオペアンプ１２ｃは、その出力端が反転入力端子に接続されており、したがってバッファーアンプとして機能する。そしてオペアンプ１２ｃの出力端は、抵抗Ｒ4 を介してオペアンプ１２ｂの非反転入力端子に接続されている。
【００２８】
前記オペアンプ１２ｂの出力端と反転入力端子との間にも帰還抵抗Ｒ5 が接続されており、したがってオペアンプ１２ｂは電圧増幅器として働き、その出力端には、結果として前記抵抗Ｒd の両端電圧に対応した出力が検出電圧としてもたらされる。
【００２９】
図３における上半部には、前記した電流／電圧変換器１２からの検出電圧をデジタルデータに変換するＡ／Ｄ変換器１３の具体的な回路構成の一例が示されている。前記した電流／電圧変換器１２からの検出電圧は図３に示すコンパレータＣＰ1 における反転入力端子に供給される。この図３に示すＡ／Ｄ変換器１３内においても、ＣＰＵ１３ａが具備されており、ＣＰＵ１３ａよりパルス発生器１３ｂ、およびのこぎり波発生器１３ｃに対してスタート信号が供給されると共に、これに同期してＣＰＵ１３ａよりカウンタ１３ｄに対してカウンタリセット信号が供給されるように動作する。
【００３０】
これにより、まずカウンタ１３ｄにおけるカウンタ値がリセットされる。これに続いて、パルス発生器１３ｂからのパルス出力によって、ＮＡＮＤゲートＮＡ1 よりカウンタ１３ｄに対してカウントアップ出力が供給され、カウンタ１３ｄはカウントアップ作用を開始する。
【００３１】
一方、コンパレータＣＰ1 の非反転入力端子には、のこぎり波発生器１３ｃからの、のこぎり波が供給される。前記コンパレータＣＰ1 は、アナログ入力（検出電圧）のレベルが、のこぎり波発生器７３から供給されるのこぎり波のレベルとクロスする時点で、トランジスタＱ1 をスイッチングさせる。これにより、ＮＡＮＤゲートＮＡ1 を介したパルス発生器１３ｂからの出力が停止され、カウンタ１３ｄはカウントアップ作用を停止する。
【００３２】
すなわち、カウンタ１３ｄはＣＰＵ１３ａよりスタート信号が供給されてカウントを開始し、コンパレータＣＰ1 に供給されるアナログ信号のレベルが、前記のこぎり波のレベルとクロスするまでの時間に対応したカウンタ値を、数ビットの出力（図３に示した例においては、４ｂｉｔの出力）としてＣＰＵ１３ａに供給するように作用する。これにより、電流／電圧変換器１２によって取得された検出電圧は、ＣＰＵ１３ａにデジタルデータとして一旦取り込まれ、前記した不具合検知機能として働く制御回路１１に供給される。
【００３３】
次に前記した図１〜図３に示す構成によってなされる自発光表示モジュールにおける発光不具合を検知する不具合検知手段の動作について、図４に示すフローチャートに基づいて説明する。この図４に示す不具合検知手段の動作は、前記した発光表示パネルと点灯駆動装置とからなる自発光表示モジュールに、例えば動作電源が投入された時、もしくは動作電源が投入されている状態において定期的に、またはユーザが検知スイッチをオン操作した時などにおいてスタートされることが望ましい。
【００３４】
図４に示すステップＳ１１においては、ＥＬ素子の陰極、および陽極を全て接地して、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積されている電荷を放電させる操作がなされる。これは、図１に示す陰極線走査回路３における走査スイッチＳk1〜Ｓkmを全てグラントＧＮＤに接続し、陽極線ドライブ回路２におけるドライブスイッチＳa1〜Ｓanを全てグラントＧＮＤに接続することで達成される。次にステップＳ１２においては、ＥＬ素子の陰極側が全てＶM に接続される。これは、ドライブスイッチＳa1〜Ｓanを全て開放端子（ハイインピダンス側）に設定した状態で、陰極線走査回路３における走査スイッチＳk1〜Ｓkmを、全て逆バイアス電圧生成回路５側に接続されることで達成される。
【００３５】
続いて、ステップＳ１３においては、１つの陽極ラインをグラントＧＮＤに接地し、他の陽極ラインは全てハイインピーダンスにする操作が実行される。これは、例えば陽極左側の１ライン目であるＡ1 を、陽極線ドライブ回路２におけるドライブスイッチＳa1によってグラントに接地し、２ライン目以降である陽極ラインＡ2 〜Ａn に対応する各ドライブスイッチＳa2〜Ｓanを開放端子（ハイインピダンス側）に設定するようになされる。
【００３６】
次にステップＳ１４において、非発光方向への電流ＩM の変化を観測することで１つの陽極ラインに対応した欠陥の有無およびその欠陥の状態を判定し、その情報を記録する操作がなされる。このステップは、図３に示すように制御回路１１内に備えられた欠陥有無判定手段１１ａによって実行される。すなわち、欠陥有無判定手段１１ａにおいては、すでに説明したＡ／Ｄ変換器１３からもたらされるデジタルデータを取得して、１ライン目である陽極ラインＡ1 またはこの陽極ラインＡ1 に接続されている画素に欠陥があるか否かを判定する。
【００３７】
図５は、その判定方法を説明するものであり、これはＥＬ素子の寄生容量の電荷を放電した状態で、ＥＬ素子の非発光方向に電流を供給した場合の電流の変化を示したものである。ここで、陰極線走査回路３から陽極ラインＡ1 に接続された各画素、およびこの陽極ラインＡ1 から陽極ドライバ２に至る経路が正常である場合においては、ＥＬ素子の寄生容量に対して充電動作がなされるため、電流ＩM が急激に立ち上り、所定時間経過後においては電流ＩM はほぼゼロになされる。すなわち、図５に示す特性ａの態様となる。
【００３８】
これに対して、前記した経路の一部、特に陽極ラインが断線しているような場合においては、一点鎖線で示すように電流ＩM の値はゼロで変化しない。すなわち、図５に示す特性ｂの態様となる。また、前記した経路の一部、特に陽極ラインもしくはＥＬ素子が完全に短絡状態になされている場合においては、破線で示したように電流ＩM の値は大きな値を持続する。すなわち、図５に示す特性ｃの態様となる。さらに、前記した経路の一部、特に陽極ラインもしくはＥＬ素子に不完全ではあるが短絡箇所が存在する場合には、電流ＩM が急激に立ち上った後、その値はゼロには戻らず図５に示す特性ｄの態様となる。
【００３９】
したがって、図５に示すようにｔ１をスタートとした時、スタートから第１所定時間経過後のｔ２における電流ＩM の値を検知し、さらにスタートから第２所定時間経過後のｔ３において、再び電流ＩM の値を検知することで、図５にａとして示す正常のものであるか、ｂ〜ｄに示す欠陥を含むものであるかの識別をすることができる。この場合、ｂ〜ｄに示す欠陥パターンも識別することができる。なお、図５に示す態様は、説明の便宜上アナログデータで示しているが、前記した図３に示す欠陥有無判定手段１１ａは、デジタルデータを利用して同様の判定動作が実行される。
【００４０】
ここで、前記欠陥有無判定手段１１ａが欠陥ありと判定した場合、すなわち図５に示すａの態様以外の例えばｂ〜ｄの欠陥パターンであると判定した場合には、二次元のマップ状に形成された記憶手段１１ｂにフラグを立てる操作がなされる。この場合、制御回路１１においては、どの陽極ラインの検証時に欠陥ありの判定がなされているかについて把握している。したがって、この時の書き込みアドレス情報を利用して、記憶手段１１ｂを示すマップ状の模式図において、陽極ラインＡ1 として示す列に対して、一例として全てフラグ（図３の記憶手段１１ｂにおいては星印）を書き込む操作がなされる。これにより、陽極ラインＡ1 に対応した経路は欠陥を含むものであることが記憶される。
【００４１】
図４に戻り、ステップＳ１５においては、全ての陽極ラインについて、前記したステップＳ１１〜Ｓ１４のルーチンが実行されたか否かが判定される。すなわち、各陽極ラインごとに前記したステップＳ１１〜Ｓ１４のルーチンが実行され、当該陽極ラインに対応して欠陥が含まれる場合には、同様に記憶手段１１ｂにフラグを立てる操作がなされる。なお、図３に示す記憶手段１１ｂにおいては、前記した陽極ラインＡ1 の他に陽極ラインＡ5 を経由するいずれか一部に欠陥があることが示されている。
【００４２】
そして、ステップＳ１６においては、前記した記憶手段１１ｂを参照することで、欠陥を有する陽極ラインを特定する。そして、ステップＳ１７においては、ＥＬ素子の陰極、および陽極を全て接地して、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積されている電荷を放電させる操作がなされる。これは、すでに説明したステップＳ１１と同様の動作である。そして、ステップＳ１８に移り、前記したステップＳ１６において特定した欠陥陽極ラインの１つをグランドＧＮＤに接地し、他の陽極ラインをハイインピーダンスにする。これは、欠陥陽極ラインであるＡ1 を先ずドライブスイッチＳa1によってグラントに接地し、他の陽極ラインであるＡ2 〜Ａn に対応する各ドライブスイッチＳa2〜Ｓanを開放端子（ハイインピダンス側）に設定するようになされる。
【００４３】
続いてステップＳ１９においては、１つの陰極ラインにＶM を印加し、他の陰極ラインを接地し、電流ＩM の変化を観測して、欠陥情報を記録する操作がなされる。この場合、先ず、第１の陰極ラインＫ1 に対応する操作スイッチＳk1をＶM 側に接続し、他の陰極ラインＫ2 〜Ｋm に対応する操作スイッチＳk2〜Ｓkmをグランドに接続するようになされる。これにより、欠陥を有する陽極ラインＡ1 に接続された第１のＥＬ素子Ｅ11に対して、非発光方向に電流が供給される。この時に流れる電流波形によって、ＥＬ素子Ｅ11が正常か否かが判定される。
【００４４】
この時の判定手法は、ステップＳ１４で説明した例と同様であり、図５に示したような電流波形に基づいて判定される。そして、ＥＬ素子Ｅ11は正常であると判定された場合には記憶手段１１ｂにおけるＡ1 とＫ1 の交点座標におけるフラグを取り消す操作がなされる。これは、前記した欠陥有無判定手段１１ａによってなされる。
【００４５】
続いて、ステップＳ２０に移り、全ての陰極ラインについて欠陥情報を記録したか否かが判定される。すなわち、各陰極ラインごとに前記したステップＳ１７〜Ｓ１９のルーチンが実行され、陽極ラインＡ1 に対応した他のＥＬ素子Ｅ12〜Ｅ1mについて、個々に正常であるか否かが判定される。そして、正常であると判定された場合には、前記と同様にその交点座標におけるフラグを取り消す操作がなされ、欠陥状態であると判定された場合にはフラグは取り消さずに残される。なお、図３に模式的に示した記憶手段１１ｂにおいては、Ａ1 とＫ3 の交点座標におけるＥＬ素子Ｅ13に欠陥があることを示している。
【００４６】
そして、ステップＳ２１に移り、ステップＳ１６において特定した欠陥を有する陽極ラインの全てにおいて、ステップＳ１７〜Ｓ２０を実行したか否かが判定される。要するに、前記した欠陥を有する陽極ラインＡ5 についても同様に検証され、不具合検知手段の動作は停止される。この場合、図３に模式的に示した記憶手段１１ｂにおいては、Ａ5 とＫ5 の交点座標におけるＥＬ素子も欠陥があることが示されている。なお、前記したステップＳ１９においては、１つの陰極ラインをグランドＧＮＤに接地し、他の陰極ラインにＶM を印加して、電流ＩM の変化を観測することで欠陥情報を記録するようにしてもよい。
【００４７】
以上説明した不具合検知手段の動作によると、表示パネルに形成されたＥＬ素子による全ての画素の発光不具合を検知することができ、また、図３に示す記憶手段１１ｂに書き込まれているフラグのアドレスにより、発光不具合となっている画素の座標値を検出することができる。そして、図３に示す欠陥アドレス検知手段１１ｃは、記憶手段１１ｂに書き込まれているフラグのアドレスに基づいて、欠陥報知手段１４を働かせるように作用する。
【００４８】
この場合、たとえ画素に欠陥が生じたとしても、表示を見誤る可能性が少ない位置であれば、欠陥報知手段１４を働かせず、そのまま使用するような運用を図ることができる。また、画素の欠陥位置が例えば小数点を表示する位置であるような場合には、欠陥の画素数が僅かであっても、欠陥報知手段１４を働かせる必要が生ずる。このような選択は、この自発光表示モジュールが搭載される機器に応じて、適宜設定することが望まれる。
【００４９】
前記欠陥報知手段１４は、例えばブザーのような聴覚的に報知するような手段を採用してもよく、また表示パネル１に故障が発生したことを知らせるメッセージを表示するようにしてもよい。もしくは表示パネル１の表示を消すことで、故障していることが明らかであるようにすることもできる。この場合、例えば航空機に使用されるメータなどのように表示を消すことが許されないような場合においては、表示位置を適宜変更させるような手段を採用することも考えられる。
【００５０】
前記した実施の形態においては、図５に示した電流ＩM の変化を観測することで、欠陥画素を判定しその座標を記憶するようにしているが、この場合、図５にｂ，ｃ，ｄで示す欠陥のパターンも、例えば２ビット程度のデータで同時に記憶し、そのパターンと欠陥位置とに応じて、前記した欠陥報知手段１４を働かせるか否かを判断させるようにしてもよい。
【００５１】
以上の説明は、主に表示パネル１に配列された各画素に欠陥が存在するか否かを検証するようになされているが、図４に示すステップＳ１６において、陽極ラインが全て欠陥であるという判定結果がなされた場合には、全ての陽極ライン上の個々の画素に欠陥が生じていると推定するには無理がある。この場合には、図５に示した欠陥のパターンｂ，ｃ，ｄ応じて表示パネル１に配列された各画素以外における陰極線走査回路３、陽極線ドライブ回路２と、これらの接続部を含む経路に断線または短絡状態が発生していると推定することができる。これに基づき前記した欠陥報知手段１４を駆動させることで、欠陥の状況をユーザに知らせることができる。
【００５２】
また、図４に示すステップＳ１６において欠陥を含む陽極ラインを特定し、特定された陽極ラインに対応させて図４に示すステップＳ１７〜Ｓ２０のルーチンを実行した結果、全てについて図５に示す欠陥パターンｂ，ｃ，ｄのいずれかが現れる場合においても、特定された陽極ラインの全ての画素に欠陥が生じていると推定するには無理がある。この場合には、図５に示した欠陥のパターンｂ，ｃ，ｄのそれぞれに応じて、表示パネル１に配列された各画素以外における陰極線走査回路３、陽極線ドライブ回路２と、これらの接続部を含む経路に断線または短絡状態が発生していると推定することができる。これに基づき同様に前記した欠陥報知手段１４を駆動させることで、欠陥の状況をユーザに知らせることができる。
【００５３】
前記した図４に示す動作フローは、先に各陽極ラインを対象として欠陥の有無を順次検証し、後で欠陥を有する陽極ラインを対象として、当該陽極ラインに接続された画素、およびこの各画素が接続された陰極ラインに欠陥があるか否かを個々に検証するようにしている。これに対して、次に説明する図６に示す動作フローは、先に各陰極ラインを対象として欠陥の有無を順次検証し、後で欠陥を有する陰極ラインを対象として、当該陰極ラインに接続された画素、およびこの各画素が接続された陽極ラインに欠陥があるか否かを個々に検証するようになされる。
【００５４】
図６に示すステップＳ３１〜Ｓ３４は、図４に示したＳ１７〜Ｓ２０に対応した検証動作を示すものであり、各陰極ラインを対象として欠陥の有無を順次検証する工程を実行するものである。先ず、ステップＳ３１においてはＥＬ素子の陰極、および陽極を全て接地して、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積されている電荷を放電させる操作がなされる。これは、図４に基づいてすでに説明したステップＳ１１およびＳ１７と同様の動作である。続いてステップＳ３２において、陽極ラインの全てをグランドＧＮＤに接地する操作がなされる。これは、図１に示すドライブスイッチＳa1〜Ｓanを全てグラント側に切り換えることによりなされる。
【００５５】
そして、ステップＳ３３において、１つの陰極ラインにＶM を印加し、他の陰極ラインをグランドに接地する。この時の電流ＩM の変化を観測して、欠陥情報を記録する操作がなされる。この場合、先ず、第１の陰極ラインＫ1 に対応する操作スイッチＳk1をＶM 側に接続し、他の陰極ラインＫ2 〜Ｋm に対応する操作スイッチＳk2〜Ｓkmをグランドに接続するようになされる。これにより、第１番目の陰極ラインＫ1 についての欠陥の有無についての検証がなされ、この結果は図３に示す記憶手段１１ｂに記録される。この時の判定手法は、すでに説明した図４に示すステップＳ１９と同様であり、これは図５に示したような電流波形に基づいて判定される。
【００５６】
そしてステップＳ３４においては、全ての陰極ラインについて欠陥情報を記録したか否かが判定される。すなわち、各陰極ラインごとに前記したステップＳ３１〜Ｓ３３のルーチンが実行される。続いて、ステップＳ３５において、欠陥を有する陰極ラインを特定する。この図６に示す動作フローにおいてはステップＳ３５において欠陥を有する陰極ラインを特定した直後に、ステップＳ３６に示すように欠陥を有する陰極ラインがｘ本以上存在するか否かの判定がなされる。
【００５７】
ここで、前記したようにｍ本存在する陰極ラインのうち、欠陥を有する陰極ラインがｘ本以上存在する（Ｙes）と判定される場合、すなわちその割合（ｘ／ｍ）が相当に大きな場合には、表示パネル１を含むモジュール全体において、大きな欠陥が発生していると見なすことができる。この場合には、直ちにステップＳ４２に示すようにモジュール不良（ＮＧ）の判定をなし、前記した欠陥報知手段１４において、例えば当該表示モジュールを搭載した機器の使用を停止させることを促すような情報を報知させることが望ましい。この様に、先に各陰極ラインを対象として欠陥の有無を検証した方が、表示モジュールが不良に陥っていることを早く把握することができる場合がある。
【００５８】
一方、ステップＳ３６において欠陥を有する陰極ラインがｘ本以上存在しない（Ｎo ）と判定される場合には、続いてステップＳ３７に移る。なお、ステップＳ３７〜Ｓ４０はステップＳ３５で特定された欠陥を有する陰極ラインを対象として、当該陰極ラインに接続された画素、およびこの各画素が接続された陽極ラインに欠陥があるか否かを個々に検証するようになされる。ここで、ステップＳ３７においては、ＥＬ素子の陰極、および陽極を全て接地して、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積されている電荷を放電させる操作がなされる。これは、すでに説明したステップＳ３１と同様の動作である。
【００５９】
そして、ステップＳ３８に移り、１つの陽極ライン、例えばＡ1 をグランドに接地し、他の陽極ラインをハイインピーダンスにする。これは、各ドライブスイッチＳa1〜Ｓanによってなされる。続いてステップＳ３９に移り、前記したステップＳ３５において特定した欠陥陰極ラインの１つにＶM を印加し、他の陰極ラインをグランドＧＮＤに接地する。これは図１に示す走査スイッチＳk1〜Ｓkmによってなされる。そして、この時の非発光方向の電流ＩM の変化を観察してして、欠陥情報を記録する操作がなされる。この時の判定手法も、図４に示すステップＳ１４で説明した例と同様である。
【００６０】
続いて、ステップＳ４０においては、全ての陽極ラインについて欠陥情報を記録したか否かが判定される。すなわち、各陽極ラインごとに前記したステップＳ３７〜Ｓ３９のルーチンが実行される。そして、ステップＳ４１においてはステップＳ３５において特定した欠陥を有する陰極ラインの全てにおいて、ステップＳ３７〜Ｓ４０を実行したか否かが判定され、検証動作は終了される。
【００６１】
以上説明した実施の形態は、この発明をパッシブマトリクス型表示パネルを用いた自発光表示モジュールに適用した例を示しているが、この発明はアクティブマトリクス型表示パネルを用いた自発光表示モジュールに適用することも可能である。図７はこの発明をアクティブマトリクス型表示パネルを用いた自発光表示モジュールに適用した例を示すものであり、すでに説明した各部に相当する部分は同一符号で示している。したがって、個々の詳細な説明は適宜省略する。
【００６２】
この図７に示す実施の形態における表示パネル１には、データドライバ２からの映像データに対応したデータ信号がそれぞれ供給される多数のデータ電極線Ａ1 ，Ａ2 ，……が列方向に配列されており、また、前記データ電極線に平行して多数の電源供給線Ｐ1 ，Ｐ2 ，……も配列されている。一方、走査ドライバ３からの走査信号が供給される多数の走査電極線Ｋ1 ，Ｋ2 ，……が行方向に配列されると共に、走査電極線に平行して多数の電源制御線Ｆ1 ，Ｆ2 ，……も配列されている。
【００６３】
そして、単位発光画素に対応するＥＬ素子Ｅ1 を含む回路構成においては、制御用ＴＦＴ、駆動用ＴＦＴ、キャパシタが具備されている。なお、図７に示された形態においては、制御用ＴＦＴとして第１と第２のトランジスタＴr1，Ｔr2が用いられており、これらの各ゲートには行を走査するための走査信号が、走査電極線Ｋ1 ，Ｋ2 ，……を介して順に与えられるように構成されている。
【００６４】
また、この実施の形態においては第１と第２の制御用トランジスタＴr1，Ｔr2のソース、ドレイン間が直列接続されている。そして、第１の制御用トランジスタＴr1におけるソースがデータ電極線Ａ1 ，Ａ2 ，……に接続され、第２の制御用トランジスタＴr2におけるドレインが駆動用トランジスタＴr3のゲートに接続されると共に、キャパシタＣ1 の一端に接続されている。
【００６５】
前記キャパシタＣ1 の他端および駆動用トランジスタＴr3のソースは、電源供給線Ｐ1 ，Ｐ2 ，……に接続されており、駆動用トランジスタＴr3のドレインは、ＥＬ素子Ｅ1 の陽極端子に接続されている。そして、ＥＬ素子Ｅ1 の陰極端子は電源制御線Ｆ1 ，Ｆ2 ，……に接続されている。また、この実施の形態においては、各駆動用トランジスタＴr3のドレインとソース間にダイオードＤ1 が接続されている。これは、後述するように不具合検知手段を動作させて、ＥＬ素子Ｅ1 に対して非発光方向に電流を流す際に導通して、駆動用トランジスタＴr3をバイパスさせるために利用される。なお、図７においては紙面の都合で４つの画素に対応する構成が描かれているが、以上説明した構成は表示パネル１に配列された各有機ＥＬ素子Ｅ1 に対応してそれぞれ同様に構成されている。
【００６６】
このような回路が行および列方向に複数配列された表示パネル１の単位画素の発光制御動作は、アドレス期間において第１および第２の制御用トランジスタＴr1，Ｔr2のゲートに走査電極線Ｋ1 ，Ｋ2 ，……を介してオン電圧が供給される。これにより、直列接続されたトランジスタＴr1，Ｔr2の各ソース・ドレインを介してデータ電極線Ａ1 ，Ａ2 ，……を介して供給される映像データ信号に対応した電流をキャパシタＣ1 に流し、キャパシタＣ1 は充電される。そして、その充電電圧が駆動用トランジスタＴr3のゲートに供給されて、トランジスタＴr3はそのゲート電圧と、電源制御線Ｆ1 ，Ｆ2 ，……に供給される制御電圧（この実施の形態においては、グランド電位）に対応した電流を、有機ＥＬ素子Ｅ1 に流し、これによりＥＬ素子Ｅ1 は発光する。
【００６７】
一方、制御用トランジスタＴr1，Ｔr2のゲート電圧がオフ電圧となると、トランジスタＴr1，Ｔr2はいわゆるカットオフとなる。しかしながら、駆動用トランジスタＴr3のゲート電圧はキャパシタＣ1 に蓄積された電荷により保持される。そして、次のアドレッシング時まで駆動用トランジスタＴr3による有機ＥＬ素子Ｅ1 への駆動電流を維持し、これによりＥＬ素子Ｅ1 の発光も維持される。
【００６８】
図７に示す構成においては、発光表示パネル１とデータドライバ２および走査ドライバ３を含む自発光表示モジュールに加えて、自発光表示モジュールにおける発光不具合を検知するための不具合検知手段がさらに備えられている。すなわち、この不具合検知手段は、ＣＰＵを含む制御回路１１、電流／電圧変換器１２、Ａ／Ｄ変換器１３、電源供給ブロック２１、非発光電流供給ブロック２２より構成されている。そして、制御回路１１からの指令により欠陥報知手段１４が動作するように構成されている。
【００６９】
前記電源供給ブロック２１は、表示パネル１が点灯駆動される状態においては、電源Ｂ3 からの駆動電圧がスイッチＳY1，ＳY2，……を介して、各電源供給線Ｐ1 ，Ｐ2 ，……に与えるようになされる。この時、非発光電流供給ブロック２２における各スイッチＳX1，ＳX2，……はグランド側に接続される。これにより、表示パネル１に配列された各画素は前記したように選択的に発光駆動される。
【００７０】
ここで、前記不具合検知手段によって、例えば表示パネルにおける画素の欠陥を検証する場合においては、すでに説明したように各ＥＬ素子Ｅ1 に対して非発光方向に電流を供給することになる。このためにＣＰＵを含む制御回路１１は、非発光電流供給ブロック２２における各スイッチＳX1，ＳX2，……を、電流／電圧変換器１２側に接続させるように指令する。また、図７に示す状態においては、制御回路１１は電源供給ブロック２１におけるスイッチＳY1をグランドに接続し、他は開放端子（ハイインピダンス側）に設定するようにしている。
【００７１】
これにより、電圧源Ｂ2 からの電流は、電流／電圧変換器１２、非発光電流供給ブロック２２における各スイッチＳX1，ＳX2，……、電源制御線Ｆ1 ，Ｆ2 ，……、ＥＬ素子Ｅ1 、電源供給線Ｐ1 ，Ｐ2 ，……、電源供給ブロック２１におけるスイッチＳY1の経路を通って流れる。この時の電流値は電流／電圧変換器１２によって、電圧変換され、Ａ／Ｄ変換器１３によってデジタルデータに変換され、制御回路１１に供給される。
【００７２】
以上の説明で明らかなとおり、不具合検知機能によって、例えば表示パネルにおける画素の欠陥を検証する場合においては、非発光電流供給ブロック２２における各スイッチＳX1，ＳX2，……は、図１に示した陰極線走査回路３における走査スイッチＳk1〜Ｓkmと同様に機能する。また、電源供給ブロック２１におけるスイッチＳY1，ＳY2，……は、図１に示した陽極線ドライブ回路２におけるドライブスイッチＳa1〜Ｓanと同様に機能する。したがって、図７に示した回路構成によって、すでに説明した図４および図６に示す不具合検知手段の動作フローを実行することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】この発明をパッシブ駆動型表示パネルを用いた自発光表示モジュールに適用    した例を示す結線図である。
【図２】図１における電流／電圧変換器の具体的な回路構成の一例を示した結線図で    ある。
【図３】図１におけるＡ／Ｄ変換器および制御回路の具体的な回路構成の一例を示し    た結線図である。
【図４】図１〜図３に示す構成によってなされる不具合検知手段の第１の動作例を説    明するフローチャートである。
【図５】画素に欠陥があるか否かを判定する際に利用される電流波形図である。
【図６】図１〜図３に示す構成によってなされる不具合検知手段の第２の動作例を説      明するフローチャートである。
【図７】この発明をアクティブ駆動型表示パネルを用いた自発光表示モジュールに適    用した例を示す結線図である。
【符号の説明】
【００７４】
１                発光表示パネル
２                データドライバ（陽極線ドライブ回路）
３                走査ドライバ（陰極線走査回路）
４                昇圧回路
５                逆バイアス電圧生成回路
１１              制御回路
１１ａ            欠陥有無判定手段
１１ｂ            記憶手段
１１ｃ            欠陥アドレス検知手段
１２              電流／電圧変換器
１３              Ａ／Ｄ変換器
１４              欠陥報知手段
Ａ1 〜Ａn         ドライブ線（陽極線）
Ｂ1 〜Ｂ3         ＤＣ電圧源
Ｅ1 ，Ｅ11〜Ｅnm  発光素子（有機ＥＬ素子）
Ｉ1 〜Ｉn         定電流源
Ｋ1 〜Ｋm         走査線（陰極線）
Ｓa1〜Ｓan        ドライブスイッチ
Ｓk1〜Ｓkm        走査スイッチ
【図１】
2005181951.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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