(57)【要約】【課題】  良好なデブリ除去を実現し、安定してＥＵＶ光を発生させることができる光発生装置及び露光装置を提供する。【解決手段】  標的部材にレーザーを照射してプラズマを生成し、前記プラズマから放射される光を取り出す光発生装置であって、前記レーザーを前記標的部材に導光する第１の光学系と、前記光を導光する第２の光学系と、前記プラズマを生成するための前記レーザーの集光条件を変化させると共に、当該レーザーを前記第１の光学系及び／又は前記第２の光学系に付着したデブリに照射する手段とを有することを特徴とする光発生装置を提供する。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
標的部材にレーザーを照射してプラズマを生成し、前記プラズマから放射される光を取り出す光発生装置であって、
前記レーザーを前記標的部材に導光する第１の光学系と、
前記光を導光する第２の光学系と、
前記プラズマを生成するための前記レーザーの集光条件を変化させると共に、当該レーザーを前記第１の光学系及び／又は前記第２の光学系に付着したデブリに照射する手段とを有することを特徴とする光発生装置。
【請求項２】
真空中に置かれた標的部材に励起用レーザーを照射してプラズマを生成し、前記プラズマから放射される光を取り出す光発生装置であって、
前記励起用レーザーを前記標的部材に導光する光学系と、
前記励起用レーザーとは異なるレーザーを前記光学系に付着したデブリに照射する照射機構とを有することを特徴とする光発生装置。
【請求項３】
前記照射機構が照射する前記レーザーの集光条件を変化させる手段を更に有することを特徴とする請求項２記載の光発生装置。
【請求項４】
前記集光条件は、前記レーザーのエネルギー密度、前記レーザーの波長、前記レーザーのパルス幅、前記レーザーの照射時間及びそれらの組み合わせの一であることを特徴とする請求項１又は３記載の光発生装置。
【請求項５】
前記手段は、前記第１の光学系を構成する光学部材の位置及び／又は角度を変更する駆動機構を有することを特徴とする請求項１記載の光発生装置。
【請求項６】
前記手段は、前記照射機構が照射する前記レーザーを前記デブリに導光する光学部材の位置及び角度を変更する駆動機構を有することを特徴とする請求項３記載の光発生装置。
【請求項７】
前記手段は、前記レーザーの出力を変更することを特徴とする請求項１又は３記載の光発生装置。
【請求項８】
前記手段は、前記レーザーの位置及び／又は角度を変更する駆動機構を有することを特徴とする請求項１又は３記載の光発生装置。
【請求項９】
前記手段は、前記レーザーの光路内に光学部材を挿入することを特徴とする請求項１又は３記載の光発生装置。
【請求項１０】
前記第１の光学系の前記デブリが付着した位置と前記第２の光学系との間に配置され、前記第１の光学系から除去される前記デブリが前記第２の光学系に付着することを防止する保護部材を有することを特徴とする請求項１記載の光発生装置。
【請求項１１】
前記保護部材は、駆動可能であることを特徴とする請求項１０記載の光発生装置。
【請求項１２】
前記第１の光学系及び／又は前記第２の光学系に付着した前記デブリの量を検出する検出手段を更に有することを特徴とする請求項１記載の光発生装置。
【請求項１３】
前記検出手段は、前記第１の光学系又は前記第２の光学系の温度変化を検出することにより前記デブリの量を検出することを特徴とする請求項１２記載の光発生装置。
【請求項１４】
前記光学系に付着した前記デブリの量を検出する検出手段を更に有することを特徴とする請求項２記載の光発生装置。
【請求項１５】
前記検出手段は、前記光学系の温度変化を検出することにより前記デブリの量を検出することを特徴とする請求項１４記載の光発生装置。
【請求項１６】
前記検出手段は、水晶振動子膜厚計であることを特徴とする請求項１２又は１４記載の光発生装置。
【請求項１７】
前記検出手段は、前記デブリで散乱する散乱光、前記デブリで反射する反射光、前記デブリを透過する透過光を検出することにより前記デブリの量を検出することを特徴とする請求項１２又は１４記載の光発生装置。
【請求項１８】
前記検出手段は、前記プラズマの大きさから前記デブリの量を検出することを特徴とする請求項１２又は１４記載の光発生装置。
【請求項１９】
前記検出手段は、前記プラズマから放射される前記光の強度から前記デブリの量を検出することを特徴とする請求項１２又は１４記載の光発生装置。
【請求項２０】
前記光は、２０ｎｍ以下の波長を有することを特徴とする請求項１又は２記載の光発生装置。
【請求項２１】
標的部材にレーザーを照射してプラズマを生成し、前記プラズマから放射される２０ｎｍ以下の波長を有する光と共に生成されるデブリを除去する除去方法であって、
前記レーザーを前記標的部材に導光する光学系に付着する前記デブリの量を検出するステップと、
前記検出ステップで検出された前記デブリの量が所定の量よりも大きい場合に、前記レーザーの集光条件を変更するステップと、
前記変更ステップで前記集光条件が変更された前記レーザーを前記デブリが付着した位置に照射するステップとを有することを特徴とする除去方法。
【請求項２２】
標的部材にレーザーを照射してプラズマを生成し、前記プラズマから放射される２０ｎｍ以下の波長を有する光と共に生成されるデブリを除去する除去方法であって、
前記レーザーの発光回数と前記レーザーを前記標的部材に導光する光学系に付着する前記デブリの量との関係を求めるステップと、
前記関係に基づいて、前記光学系に付着した前記デブリを除去するか判断するステップと、
前記判断ステップで前記光学系に付着した前記デブリを除去すると判断した場合に、前記レーザーの集光条件を変更するステップと、
前記変更ステップで変更した前記レーザーを前記光学系に付着した前記デブリに照射するステップとを有することを特徴とする除去方法。
【請求項２３】
レチクルに形成されたパターンを被処理体に露光する露光装置であって、
請求項１乃至２０のうちいずれか一項記載の光発生装置と、
前記光発生装置から取り出された光を用いて前記レチクルを照明する光学系とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項２４】
請求項２３記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般には、光発生装置に係り、特に、半導体製造における微細パターンを転写するための光源に関する。本発明は、Ｘ線や極端紫外線（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を光源として利用する露光装置に好適である。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー（焼き付け）技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造する際に、レチクル（又はマスク）に描画された回路パターンを投影光学系によってウェハ等に投影して回路パターンを転写する縮小投影露光装置が従来から使用されている。
【０００３】
縮小投影露光装置で転写できる最小の寸法（解像度）は、露光に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数（ＮＡ）に反比例する。従って、波長を短くすればするほど、解像度はよくなる。このため、近年の半導体素子の微細化への要求に伴い露光光の短波長化が進められ、超高圧水銀ランプ（ｉ線（波長約３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシマレーザー（波長約２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長約１９３ｎｍ）と用いられる紫外線光の波長は短くなってきた。
【０００４】
しかし、半導体素子は急速に微細化しており、紫外線光を用いたリソグラフィーでは限界がある。そこで、０．１μｍ以下の非常に微細な回路パターンを効率よく転写するために、紫外線光よりも更に波長が短い、波長１０ｎｍ乃至１５ｎｍ程度の極端紫外線（ＥＵＶ）光を用いた縮小投影露光装置（以下、「ＥＵＶ露光装置」と称する。）が開発されている。ＥＵＶ光源としては、例えば、真空容器中に置かれたターゲット材（金属薄膜、不活性ガス、液滴など）に高強度のパルスレーザー光を照射し、高温のプラズマを発生させ、かかるプラズマから放射される、例えば、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するレーザープラズマ光源が用いられる（例えば、特許文献１及び非特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開２００２−１７４７００号公報
【非特許文献２】Ｒｉｃｈａｒｄ  Ｈ．  Ｍｏｙｅｒ  ｅｔ  ａｌ．,  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ  ｏｆ  ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．４３４３（２００１）  ｐｐ２４９−２５４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ＥＵＶ光源の一方式であるレーザープラズマ光源は、ＥＵＶ光と共にターゲット材からデブリと呼ばれる飛散粒子（例えば、ガス化したターゲット材、液化したターゲット材、イオン化したターゲット材など）を発生させてしまい、それが光学素子を汚染、損傷させ、反射率の低下を引き起こしてしまう。また、ターゲット材を供給する供給機構からもデブリ（飛散粒子）が放出される。
【０００６】
デブリがパルスレーザー光をターゲット材に導光するレーザー光学系に付着すると、付着したデブリによってパルスレーザー光が散乱及び吸収されてしまう。従って、プラズマの生成に必要なエネルギーをターゲット材に供給することができず、安定してＥＵＶ光を発生させることができなくなってしまう。
【０００７】
そこで、本発明は、良好なデブリ除去を実現し、安定してＥＵＶ光を発生させることができる光発生装置及び露光装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての光発生装置は、標的部材にレーザーを照射してプラズマを生成し、前記プラズマから放射される光を取り出す光発生装置であって、前記レーザーを前記標的部材に導光する第１の光学系と、前記光を導光する第２の光学系と、前記プラズマを生成するための前記レーザーの集光条件を変化させると共に、当該レーザーを前記第１の光学系及び／又は前記第２の光学系に付着したデブリに照射する手段とを有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の別の側面としての光発生装置は、真空中に置かれた標的部材に励起用レーザーを照射してプラズマを生成し、前記プラズマから放射される光を取り出す光発生装置であって、前記励起用レーザーを前記標的部材に導光する光学系と、前記励起用レーザーとは異なるレーザーを前記光学系に付着したデブリに照射する照射機構とを有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の更に別の側面としての除去方法は、標的部材にレーザーを照射してプラズマを生成し、前記プラズマから放射される２０ｎｍ以下の波長を有する光と共に生成されるデブリを除去する除去方法であって、前記レーザーを前記標的部材に導光する光学系に付着する前記デブリの量を検出するステップと、前記検出ステップで検出された前記デブリの量が所定の量よりも大きい場合に、前記レーザーの集光条件を変更するステップと、前記変更ステップで前記集光条件が変更された前記レーザーを前記デブリが付着した位置に照射するステップとを有することを特徴とする。
【００１１】
本発明の更に別の側面としての除去方法は、標的部材にレーザーを照射してプラズマを生成し、前記プラズマから放射される２０ｎｍ以下の波長を有する光と共に生成されるデブリを除去する除去方法であって、前記レーザーの発光回数と前記レーザーを前記標的部材に導光する光学系に付着する前記デブリの量との関係を求めるステップと、前記関係に基づいて、前記光学系に付着した前記デブリを除去するか判断するステップと、前記判断ステップで前記光学系に付着した前記デブリを除去すると判断した場合に、前記レーザーの集光条件を変更するステップと、前記変更ステップで変更した前記レーザーを前記光学系に付着した前記デブリに照射するステップとを有することを特徴とする。
【００１２】
本発明の更に別の側面としての露光装置は、レチクルに形成されたパターンを被処理体に露光する露光装置であって、上述の光発生装置と、前記光発生装置から取り出された光を用いて前記レチクルを照明する光学系とを有することを特徴とする。
【００１３】
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有することを特徴とする。
【００１４】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、良好なデブリ除去を実現し、安定してＥＵＶ光を発生させることができる光発生装置及び露光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。図１は、本発明の一側面としての光発生装置１の構成を示す概略ブロック図であって、ＥＵＶ光ＥＬを発光している状態を示す図である。図２及び図３は、本発明の一側面としての光発生装置１の構成を示す概略ブロック図であって、レーザー導入窓２４に付着したデブリＤＢを除去している状態を示す図である。
【００１７】
光発生装置１は、標的部材（ターゲット）にレーザー光ＬＬを照射してプラズマＰＬを生成し、かかるプラズマＰＬから放射されるＥＵＶ光ＥＬを取り出す光発生装置である。光発生装置１は、ターゲットにレーザー光ＬＬを照射するレーザー光源部１０と、レーザー光ＬＬをターゲットに導光する第１の光学系としてのレーザー光学系２０と、ＥＵＶ光ＥＬを導光する第２の光学系としてのＥＵＶ光学系３０と、集光条件変更手段１００と、検出手段３００とを有する。
【００１８】
図１を参照するに、レーザー光源部１０から射出されたレーザー光ＬＬは、レーザー光学系２０を介して集光され、ターゲットに照射される。ターゲットは、本実施形態では、銅の固体であるが、錫、アルミニウム等の他の金属でもよく、また、Ｘｅのガス、液滴、クラスタでもよい。ターゲットは、図示しないターゲット供給装置からレーザー光源部１０のレーザー光ＬＬの発光に同期して断続的に供給される。
【００１９】
レーザー光ＬＬからのエネルギーによって、ターゲットから高温、高密度のプラズマＰＬが生成され、かかるプラズマＰＬからＥＵＶ光ＥＬが発光される。ＥＵＶ光ＥＬは、集光ミラー３２により集められ、後段の光学系（ＥＵＶ光学系３０）へ供給される。なお、本実施形態において、ＥＵＶ光ＥＬを集光する集光ミラー３２は、ＥＵＶ光学系３０を構成する一部とする。
【００２０】
レーザー光学系２０は、レンズ、ミラー、平行平板ガラスなどから構成され、本実施形態では、レンズ２１ａ乃至２１ｃ及び平行平板ガラス２２ａを有する。また、真空チャンバＶＣの真空隔壁の一部として用いられ、レーザー光ＬＬを透過するレーザー導入窓２４もレーザー光学系２０に含まれる。
【００２１】
レーザー光学系２０は、大気中又は真空中に設置されている。レーザー光学系２０は、ＥＵＶ光ＥＬを効率よく取り出すために、レーザー光ＬＬをターゲット上でプラズマＰＬの生成に必要、且つ、十分なスポットサイズ及びエネルギー密度となるようにする機能を有する。
【００２２】
プラズマＰＬからはＥＵＶ光ＥＬだけでなく、ターゲットからのデブリ、本実施形態では、銅のデブリ及び図示しないターゲット供給機構からのデブリ（以下、「デブリＤＢ」で総括する。）が発生する。発生したデブリＤＢは、レーザー導入窓２４や集光ミラー３２に徐々に付着、堆積する。
【００２３】
レーザー導入窓２４に付着したデブリＤＢは、プラズマＰＬの生成時において、レーザー光ＬＬからエネルギーを得るが、レーザー光ＬＬはターゲット上又はその近傍で焦点を結ぶため、レーザー導入窓２４上では広い照射領域となる。従って、プラズマＰＬの生成時は、レーザー導入窓２４上のレーザー光ＬＬの単位面積あたりのエネルギー密度は低く、デブリＤＢに十分な量のエネルギーが供給されないため、レーザー導入窓２４からの効果的な除去は望めない。
【００２４】
集光条件変更手段１００は、レーザー光ＬＬの集光条件をプラズマＰＬの生成時とは変え、レーザー導入窓２４のデブリ付着面にレーザー光ＬＬを集光する。これにより、レーザー導入窓２４に付着したデブリＤＢにレーザー光ＬＬからのエネルギーが集中し、レーザー導入窓２４から付着したデブリＤＢを除去することが可能となる。
【００２５】
集光条件変更手段１００は、例えば、レーザー光学系２０のレンズ２１ａ乃至２１ｃをレーザー光ＬＬの光軸Ｏに対して平行な方向に駆動する駆動機構、レーザー光学系２０の平行平板ガラス２２ａをレーザー光ＬＬの光軸Ｏに対して傾ける駆動機構として具現化される。本実施形態では、集光条件変更手段１００は、図２に示すように、レンズ２１ｃを光軸Ｏに対して平行に駆動する駆動機構１１０、図３に示すように、平行平板ガラス２２ａを光軸Ｏに対して傾ける駆動機構１２０である。
【００２６】
駆動機構１１０は、レンズ２１ｃの位置を変えることでレーザー光ＬＬをレーザー導入窓２４のデブリ付着面に集光させる機構を有し、駆動機構１２０は、平行平板ガラス２２ａの角度を変えることによりレーザー導入窓２４上でレーザー光ＬＬをスキャンさせる機能を有する。これにより、レーザー導入窓２４全体において、付着したデブリＤＢの除去を行うことができる。但し、レーザー導入窓２４全体にレーザー光ＬＬをスキャンさせる必要はなく、ＥＵＶ光ＥＬの発光時にレーザー光ＬＬが透過する部分のデブリＤＢを除去すればよい。
【００２７】
レーザー導入窓２４から除去したデブリＤＢが集光ミラー３２等に再付着する可能性がある場合には、図４に示すように、デブリＤＢを吸着させるための保護部材２００を用いる。保護部材２００は、移動機構２１０によってデブリＤＢが付着した位置（即ち、レーザー導入窓２４）とデブリＤＢの再付着から保護したい光学素子との間に挿脱可能に配置されている。これにより、レーザー導入窓２４からデブリＤＢを除去する際には、レーザー導入窓２４と保護する光学素子（本実施形態では、集光ミラー３２）との間に保護部材２００を配置し、デブリＤＢの除去が終了したら保護部材２００を退避させることができる。保護部材２００は、例えば、平面ガラスで構成される。ここで、図４は、除去したデブリＤＢの再付着を防止する保護部材２００を有する光発生装置１の構成を示す概略ブロック図である。
【００２８】
また、図５に示すように、デブリＤＢが付着しているレーザー導入窓２４と集光ミラー３２との間に保護壁２２０を設けた構成でもよい。保護壁２２０は、真空チャンバーＶＣの一部でもよい。ここで、図５は、除去したデブリＤＢの再付着を防止する保護壁２２０を有する光発生装置１の構成を示す概略ブロック図である。
【００２９】
また、図６に示すように、ミラー駆動機構２４０を有するミラー２３０を配置し、かかるミラー２３０をスキャンすることで集光ミラー３２に再付着したデブリＤＢを除去することも可能である。集光ミラー３２のデブリＤＢを除去する際にも、駆動機構１１０によりレーザー光学系２０のレンズ２１ｃを動かし、即ち、集光条件変更手段１００により集光条件を変え、集光ミラー３２に付着したデブリＤＢの除去に最適な集光条件とする。ミラー２３０のレーザー光ＬＬを反射する反射面は、平面とは限らず曲率を有してもよい。ここで、図６は、集光ミラー３２に再付着したデブリＤＢを除去するためのミラー２３０を有する光発生装置１の構成を示す概略ブロック図である。
【００３０】
デブリＤＢを除去する際のレーザー光ＬＬの集光条件、また、レーザー光源部１０から射出されるレーザー光ＬＬのパラメータもＥＵＶ光ＥＬの発生時と同等とは限らず、集光条件変更手段１００により、それぞれデブリＤＢの除去に最適化されていることが好ましい。
【００３１】
デブリＤＢの除去のために考慮するパラメータは、デブリＤＢに照射されるレーザー光ＬＬのエネルギー密度、レーザー光ＬＬの波長、レーザー光ＬＬのパルス幅、デブリＤＢへのレーザー光ＬＬの照射時間等である。また、レーザー光ＬＬの照射による光学素子（レーザー導入窓２４、集光ミラー３２等）の損傷についても考慮する必要がある。例えば、レーザー光ＬＬのエネルギー密度が高すぎると光学素子の一点だけが短期間に加熱され、熱膨張によって変形したり周囲との温度差によってひびが生じたりすることが考えられる。
【００３２】
レーザー光ＬＬのエネルギー密度は、レーザー光源部１０の出力を変化させることでも選択できるし、レーザー光ＬＬのスポットサイズを変化させることでも選択できる。レーザー光ＬＬのスポットサイズの変更は、レーザー光学系２０の光学素子を動かすことでも可能であるし、レーザー光ＬＬの位置を動かしてもよい。レーザー光ＬＬの波長は、レーザー光源部１０の基本波長、高調波の中から選択することができ、例えば、デブリＤＢに吸収されやすいが光学素子に対しては透明である波長を選択する。レーザー光ＬＬのパルス幅は、レーザー光源部１０のコントローラから変化させる。
【００３３】
デブリＤＢの除去に最適な集光条件を求めるには、例えば、レーザー光ＬＬのエネルギー密度、レーザー光ＬＬの波長、レーザー光ＬＬのパルス幅をパラメータとし、デブリＤＢの除去に必要な時間、光学素子の損傷を評価基準として最適な条件を求める。
【００３４】
レーザー光ＬＬの集光条件の変更は、レーザー光学系２０のレンズ２１ａ乃至２１ｃ以外の光学素子を動かすことでも可能であり、また、レーザー光ＬＬを光軸Ｏに平行な方向に前後させることでレーザー光ＬＬの集光条件を変えることができる。
【００３５】
また、本実施形態では、レーザー光学系２０の平行平板ガラス２２ａの角度を変えることでレーザー導入窓２４上でレーザー光ＬＬ（の照射位置）をスキャンさせているが、例えば、図７に示すように、レーザー光源駆動機構１２によりレーザー光源部１０を移動させることで、レーザー導入窓２４上でレーザー光ＬＬの照射位置をスキャンさせてもよいし、レーザー光ＬＬの射出角度を変えることでスキャンさせてもよい。また、図８に示すように、レーザー光学系２０にスキャンミラー２３ａとスキャンミラー２３ａをスキャンするスキャン機構２３ｂを構成することで、レーザー導入窓２４上でレーザー光ＬＬの照射位置をスキャンさせてもよい。ここで、図７は、レーザー光源駆動機構１２を有する光発生装置１の構成を示す概略ブロック図である。図８は、スキャンミラー２３ａ及びスキャン機構２３ｂが構成されたレーザー光学系２０を有する光発生装置１の構成を示す概略ブロック図である。
【００３６】
なお、レーザー導入窓２４に付着したデブリＤＢの量は、検出手段３００により検出される。レーザー導入窓２４に付着、堆積したデブリＤＢは、レーザー光ＬＬを散乱するため、検出手段３００によりデブリＤＢで散乱した散乱光を検出することで付着したデブリＤＢの量を検出することができる。これにより、付着したデブリＤＢの量が許容量を超えた際に、集光条件変更手段１００によってレーザー光ＬＬの集光条件を変え、レーザー導入窓２４のデブリＤＢの付着面にレーザー光ＬＬを集光させることが可能となる。
【００３７】
検出手段３００は、レーザー導入窓２４の温度を検出する温度計でもよい。デブリＤＢがレーザー導入窓２４に付着すると、レーザー光ＬＬの一部を吸収するため温度上昇を引き起こす。レーザー導入窓２４に付着するデブリＤＢの量が増えると、レーザー光ＬＬの吸収量が増えて温度上昇も大きくなるため、レーザー導入窓の温度を検出することで付着したデブリＤＢの量を検出することができる。これにより、レーザー導入窓２４が予め定めた温度に達したらデブリＤＢの除去を行う。
【００３８】
検出手段３００は、図１３に示すように、レーザー導入窓２４に付着したデブリＤＢの量を検出するための検出用レーザーを射出する検出用レーザー光源部３１０と、デブリＤＢを透過した検出用レーザーを検出する検出部３１２から構成してもよい。デブリＤＢが付着するとレーザー導入窓２４の透過率が低下するため、デブリＤＢが透過した検出用レーザーを検出することで付着したデブリＤＢの量を検出することができる。これにより、レーザー導入窓２４を透過する検出用レーザーが予め定めた透過率に達したらデブリＤＢの除去を行うことができる。ここで、図１３は、レーザー透過窓２４に付着したデブリＤＢを透過した透過光を検出する検出手段３００を有する光発生装置１の構成を示す概略ブロック図である。
【００３９】
また、検出手段３００は、図１４に示すように、レーザー導入窓２４に付着したデブリＤＢの量を検出するための検出用レーザーを射出する検出用レーザー光源部３１０と、デブリＤＢで反射した検出用レーザーを検出する検出部３１４から構成してもよい。デブリＤＢが付着するとレーザー導入窓２４での反射光が増えるため、デブリＤＢで反射した検出用レーザーを検出することで付着したデブリＤＢの量を検出することができる。これにより、レーザー導入窓２４で反射する検出用レーザーが予め定めた量に達したらデブリＤＢの除去を行うことができる。ここで、図１４は、レーザー透過窓２４に付着したデブリＤＢで反射した反射光を検出する検出手段３００を有する光発生装置１の構成を示す概略ブロック図である。
【００４０】
検出手段３００は、プラズマＰＬのサイズを検出する機構、例えば、ピンホールカメラで構成してもよい。レーザー導入窓２４にデブリＤＢが付着すると、レーザー光ＬＬが散乱されるため、ターゲット上でのスポットサイズが広がったり、プラズマＰＬのサイズが大きくなったりする。プラズマＰＬのサイズからレーザー導入窓２４に付着したデブリＤＢの量を検出し、予め定めた量に達したらデブリＤＢの除去を行う。
【００４１】
検出手段３００は、プラズマＰＬから放射される電磁波の強度及び波長を検出する機構、例えば、フィルタ付きのフォトダイオードで構成してもよい。レーザー導入窓２４にデブリＤＢが付着すると、レーザー光ＬＬが散乱及び吸収されるため、プラズマＰＬが十分に高温及び高密度化せず、放射される電磁波の強度及び波長が変化する。プラズマＰＬから放射される電磁波の強度及び波長からレーザー導入窓２４に付着したデブリＤＢの量を検出し、予め定めた量に達したらデブリＤＢの除去を行う。
【００４２】
また、レーザー導入窓２４から除去したデブリＤＢが集光ミラー３２に付着する場合もあるため、図２０に示すように、集光ミラー３２の近傍に検出手段３００を更に設けてもよい。かかる場合には、デブリＤＢによる散乱光を検出することは難しいため、検出手段３００を水晶振動子膜厚計で構成し、付着したデブリＤＢの量を検出することが好ましい。勿論、水晶振動子膜厚計は、レーザー導入窓２４に付着したデブリＤＢの量の検出にも用いることができる。デブリＤＢの飛散量に方向依存性がある場合は、水晶振動子膜厚計をレーザー導入窓２４の近傍に配置する、又は、水晶振動子膜厚計の配置位置でのデブリＤＢの量とレーザー導入窓２４でのデブリＤＢの量の対応を求めておくことが望ましい。ここで、図２０は、集光ミラー３２の近傍に検出手段３００を配置した光発生装置１の構成を示す概略ブロック図である。
【００４３】
光発生装置１によれば、デブリＤＢの付着により低下したレーザー光学系２０（即ち、レーザー導入窓２４）及びＥＵＶ光学系３０（即ち、集光ミラー３２）の性能を回復させ、安定したＥＵＶ光を供給することが可能となる。本実施形態の光発生装置１と従来の光発生装置とのレーザー光ＬＬのショット数とＥＵＶ光ＥＬの光強度との関係を図９に示す。同図は、縦軸にＥＵＶ光の光強度を、横軸にレーザー光のショット数を採用している。図９を参照するに、レーザー光学系２０（即ち、レーザー導入窓２４）及びＥＵＶ光学系３０（即ち、集光ミラー３２）に付着したデブリＤＢを除去しない場合、レーザー光ＬＬのショット数の増加に伴い、ＥＵＶ光ＥＬの光強度が低下するが、デブリＤＢを除去することでＥＵＶ光ＥＬの光強度が回復していることがわかる。
【００４４】
集光条件変更手段１００として、図１０に示すように、デブリＤＢの除去の際に、プラズマＰＬの生成時とは異なる（即ち、プラズマＰＬの生成時には使用しない）光学部材１５０をレーザー光学系２０に挿入することもある。光学部材１５０は、駆動機構１５５に取り付けられており、レーザー光ＬＬの光路中に駆動される。ここで、図１０は、レーザー光学系２０に光学部材１５０を挿入した状態の光発生装置１を示す概略ブロック図である。
【００４５】
光学部材１５０は、例えば、シリンドリカルレンズであり、シリンドリカルレンズを挿入した場合、レーザー導入窓２４上でのレーザー光ＬＬのスポットＳＰは、図１１に示すように、矩形形状になり、一方向に関しては焦点を結んでいるため十分なエネルギーを有している。かかるスポットＳＰを、図１１に示す矢印方向にスキャンすることでデブリＤＢを除去する。ここで、図１１は、光学部材１５０としてシリンドリカルレンズをレーザー光学系２０に挿入した場合におけるレーザー導入窓２４のレーザー光ＬＬのスポットＳＰの形状を示す図である。
【００４６】
レーザー光学系２０の光路上に挿入する光学部材１５０は、シリンドリカルレンズに限らないことは言うまでもない。例えば、図１２に示すように、反射ミラー１６０を、デブリＤＢが付着したレーザー導入窓２４とプラズマＰＬを生成する位置（即ち、ターゲット供給位置）との間に挿入する。レーザー光ＬＬは、反射ミラー１６０で正反射し、デブリＤＢが付着したレーザー導入窓２４上で十分なエネルギー密度となるため、デブリＤＢに十分なエネルギーを与えて除去することができる。この場合、デブリＤＢが除去されるのは、レーザー導入窓２４上の一点だけであるが、駆動機構１６５によって反射ミラー１６０の角度を変えてレーザー導入窓２４上のレーザー光ＬＬのスポットをスキャンすることでレーザー導入窓２４全体においてデブリＤＢの除去を行うことができる。なお、反射ミラー１６０は、平面ミラーとは限らないし、挿入する位置もレーザー導入窓２４とプラズマＰＬを生成する位置との間とは限らない。ここで、図１２は、レーザー光学系２０に反射ミラー１６０を挿入した状態の光発生装置１を示す概略ブロック図である。
【００４７】
レーザー光ＬＬの光路上に光学部材を挿入する場合にも、上述したように、デブリＤＢを除去するために最適な条件（レーザー光ＬＬの波長、エネルギー密度、照射時間など）となっていることが好ましい。レーザー光ＬＬの光路上に光学部材を挿入する場合には、光学部材及びかかる光学部材の駆動機構が必要となるが、レーザー光学系２０を動かさないため、プラズマＰＬを生成する際の集光条件が維持される利点がある。
【００４８】
光発生装置１によれば、レーザー光学系２０に付着したデブリＤＢを、プラズマＰＬを生成するためのレーザー光ＬＬで除去することができるので、安定してＥＵＶ光を発生させることが可能となる。また、検出手段３００によってデブリＤＢの付着による光学素子の劣化の度合いを検出することができるため、最適なタイミングでデブリＤＢの除去を行うことができる。
【００４９】
以下、図１５及び図１６を参照して、光発生装置１の変形例である光発生装置２について説明する。図１５は、図１に示す光発生装置１の変形例である光発生装置２の構成を示す概略ブロック図である。
【００５０】
光発生装置２は、図１に示す光発生装置１と同様に、標的部材（ターゲット）にレーザー光ＬＬを照射してプラズマＰＬを生成し、かかるプラズマＰＬから放射されるＥＵＶ光ＥＬを取り出す光発生装置である。
【００５１】
図１５を参照するに、レーザー光源部１０から射出されたレーザー光ＬＬは、レーザー光学系２０を介して集光され、ターゲットに照射される。レーザー光ＬＬからのエネルギーによって、ターゲットから高温、高密度のプラズマＰＬが生成され、かかるプラズマＰＬからＥＵＶ光ＥＬが発光される。ＥＵＶ光ＥＬは、集光ミラー３２により集められ、後段の光学系（ＥＵＶ光学系３０）へ供給される。また、プラズマＰＬを生成するためのレーザー光ＬＬとは異なるデブリ除去用のレーザー光ＤＬを照射する照射機構４００を有する。
【００５２】
照射機構４００は、レーザー光学系２０（特に、レーザー導入窓２４）に付着したデブリＤＢにレーザー光ＤＬを照射してデブリＤＢを除去する機能を有し、除去用レーザー光源部４１０と、除去用レーザー光学系４２０を有する。
【００５３】
除去用レーザー光源部４１０は、射出するレーザーＤＬの波長を任意に選択することが可能である。例えば、デブリＤＢに吸収されやすいが光学素子に対しては透明である波長を選択する。除去用レーザー光源部４１０は、複数でもよいし、一つでもよい。ターゲットからのデブリＤＢと図示しないターゲット供給機構からのデブリＤＢで吸収されやすい波長が異なる場合は、それぞれのデブリＤＢに吸収されやすい波長のレーザーＤＬを使用する。
【００５４】
除去用レーザー光学系４２０は、レンズ、ミラー、平行平板ガラスなどから構成される。図１５においては、除去用レーザー光源部４１０及び除去用レーザー光学系４２０は、真空中に配置されているが大気中に配置してもよい。
【００５５】
光発生装置２は、レーザー光学系２０（本実施形態では、平行平板ガラス２２ａ及びレーザー導入窓２４）に付着したデブリＤＢの量が許容量を超えた場合に、照射機構４００の除去用レーザー光源部４１０からレーザーＤＬをレーザー光学系２０に照射する。レーザー光学系２０に付着したデブリＤＢは、レーザーＤＬからのエネルギーにより除去される。除去用レーザー光源部４１０は、駆動機構４１２を有し、レーザー光学系２０の光学素子上でレーザー光ＤＬをスキャンすることができ、例えば、平行平板ガラス２２ａ及びレーザー導入窓２４全体に付着するデブリＤＢを除去することができる。なお、レーザー光ＤＬの集光条件は、必ずしもデブリＤＢを除去する光学素子上で集光されるわけではなく、デブリＤＢの除去に最適な集光条件にすることが好ましい。
【００５６】
本実施形態では、除去用レーザー光学系４２０に付着するデブリＤＢもあるため、レーザー光学系２０に付着したデブリＤＢを除去するのと同様に除去する。図１６は、除去用レーザー光学系４２０の構成の一例を示す概略ブロック図である。除去用レーザー光学系４２０は、本実施形態では、平行平板ガラス４２１と、レンズ４２２乃至４２４から構成され、レーザー光ＤＬの集光条件を変更する集光条件変更手段５００として、平行平板ガラス４２１を図示しないレーザー光ＤＬの光軸に対して傾ける駆動機構５１０と、レンズ４２３を図示しないレーザー光ＤＬの光軸に平行な方向に駆動する駆動機構５２０が接続されている。レーザー光学系２０及び除去用レーザー光学系４２０に付着したデブリＤＢを除去する際には、平行平板ガラス４２１の角度やレンズ４２３を駆動し、レーザー光ＤＬの集光条件をデブリＤＢの除去に最適な条件に変更する。
【００５７】
また、集光条件変更手段５００は、レーザー光ＤＬの光路中に光学部材を挿入する機能を有し、除去用レーザー光学系４２０とは別の光学部材を挿入することでレーザー光ＤＬの集光条件を変更してもよい。検出手段３００は、レーザー光学系２０（レーザー導入窓２４）に付着するデブリＤＢだけではなく、図１６に示すように、除去用レーザー光学系４２０に付着するデブリＤＢの量を検出するようにも構成され、除去用レーザー光学系４２０の光学素子の温度、デブリＤＢでの反射光、散乱光、透過光などを検出する。
【００５８】
光発生装置２によれば、除去用レーザーＤＬでレーザー光学系２０のデブリＤＢを除去することができるので、安定してＥＵＶ光を発生させることができる。また、プラズマＰＬを生成するためのレーザー光ＬＬを使用しないためスループットを低下させることなくレーザー光学系２０に付着したデブリＤＢの除去が可能となる。
【００５９】
なお、本実施形態の光発生装置１及び２は、検出手段３００によってレーザー光学系２０、ＥＵＶ光学系３０、除去用レーザー光学系４２０に付着したデブリＤＢの量を検出し、許容量を超えた際にデブリＤＢの除去を行っているが、必ずしも付着したデブリＤＢの量を検出せず、定期的にデブリＤＢの除去をすることで光学系の性能の低下を防止してもよい。デブリＤＢの除去を開始するタイミングは、適当な時間間隔で行われてもよいし、光発生装置２の場合には、常に除去用レーザーＤＬを発光させておいてもよい。デブリＤＢを除去する時間間隔は、実験又は理論的に予め求めておくことが望ましい。例えば、レーザー光ＬＬの発光回数に対して付着するデブリＤＢの量との関係を予め求めておき、かかる関係に基づいてデブリＤＢを除去するか判断するようにしてもよい。常にデブリＤＢの除去を行う場合には、光学素子が除去用レーザー光ＤＬによる温度上昇で熱変形しないように除去用レーザー光ＤＬの波長は、レーザー光学系２０に吸収されにくい波長であることが望ましい。
【００６０】
以下、図１７を参照して、本発明の光発生装置１又は２を適用した例示的な露光装置７００について説明する。ここで、図１７は、本発明の一側面としての露光装置７００の構成を示す概略ブロック図である。
【００６１】
本発明の露光装置７００は、露光用の照明光としてＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）を用いて、例えば、ステップ・アンド・スキャン方式やステップ・アンド・リピート方式でレチクル７２０に形成された回路パターンを被処理体７４０に露光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる。）を例に説明する。ここで、「ステップ・アンド・スキャン方式」とは、レチクルに対してウェハを連続的にスキャン（走査）してレチクルパターンをウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。「ステップ・アンド・リピート方式」は、ウェハの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。
【００６２】
図１７を参照するに、露光装置７００は、照明装置７１０と、レチクル７２０を載置するレチクルステージ７２５と、投影光学系７３０と、被処理体７４０を載置するウェハステージ７４５と、アライメント検出機構７５０と、フォーカス位置検出機構７６０とを有する。
【００６３】
照明装置７１０は、投影光学系７３０の円弧状の視野に対する円弧状のＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）によりレチクル７２０を照明する照明装置であって、光発生装置１と、照明光学系７１４とを有する。
【００６４】
光発生装置１は、上述した通りのいかなる形態をも適用可能であり、ここでの詳細な説明は省略する。また、図１７では、図１に示す光発生装置１を使用するが、かかる形態は例示的であり本発明はこれに限定されない。
【００６５】
照明光学系７１４は、集光ミラー７１４ａ、オプティカルインテグレーター７１４ｂから構成される。集光ミラー７１４ａは、レーザープラズマからほぼ等方的に放射されるＥＵＶ光を集める役割を果たす。オプティカルインテグレーター７１４ｂは、レチクル７２０を均一に所定の開口数で照明する役割を持っている。
【００６６】
レチクル７２０は、反射型レチクルで、その上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成され、レチクルステージ７２５に支持及び駆動されている。レチクル７２０から発せられた回折光は、投影光学系７３０で反射されて被処理体７４０上に投影される。レチクル７２０と被処理体７４０とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置７００は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるため、レチクル７２０と被処理体７４０を走査することによりレチクル７２０のパターンを被処理体７４０上に縮小投影する。
【００６７】
レチクルステージ７２５は、レチクル７２０を支持して図示しない移動機構に接続されている。レチクルステージ７２５は、当業界周知のいかなる構造をも適用することができる。図示しない移動機構は、リニアモーターなどで構成され、少なくともＸ方向にレチクルステージ７２５を駆動することでレチクル７２０を移動することができる。露光装置７００は、レチクル７２０と被処理体７４０を同期した状態で走査する。
【００６８】
投影光学系７３０は、複数の反射ミラー（即ち、多層膜ミラー）７３０ａを用いて、レチクル７２０面上のパターンを像面である被処理体７４０上に縮小投影する。複数のミラー７３０ａの枚数は、４枚乃至６枚程度である。少ない枚数のミラーで広い露光領域を実現するには、光軸から一定の距離だけ離れた細い円弧状の領域（リングフィールド）だけを用いて、レチクル７２０と被処理体７４０を同時に走査して広い面積を転写する。投影光学系７３０の開口数（ＮＡ）は、０．２乃至０．３程度である。
【００６９】
被処理体７４０は、本実施形態ではウェハであるが、液晶基板その他の被処理体を広く含む。被処理体７４０には、フォトレジストが塗布されている。
【００７０】
ウェハステージ７４５は、ウェハチャック７４５ａによって被処理体７４０を支持する。ウェハステージ７４５は、例えば、リニアモーターを利用してＸＹＺ方向に被処理体７４０を移動する。レチクル７２０と被処理体７４０は同期して走査される。また、レチクルステージ７２５の位置とウェハステージ７４５の位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。
【００７１】
アライメント検出機構７５０は、レチクル７２０の位置と投影光学系７３０の光軸との位置関係、及び、被処理体７４０の位置と投影光学系７３０の光軸との位置関係を計測し、レチクル７２０の投影像が被処理体７４０の所定の位置に一致するようにレチクルステージ７２５及びウェハステージ７４５の位置と角度を設定する。
【００７２】
フォーカス位置検出機構７６０は、被処理体７４０面でフォーカス位置を計測し、ウェハステージ７４５の位置及び角度を制御することによって、露光中、常時被処理体７４０面を投影光学系７３０による結像位置に保つ。
【００７３】
露光において、照明装置７１０から射出されたＥＵＶ光はレチクル７２０を照明し、投影光学系７３０によりレチクル７２０面上のパターンを被処理体７４０面上に結像する。本実施形態において、像面は円弧状（リング状）の像面となり、レチクル７２０と被処理体７４０を縮小倍率比の速度比で走査することにより、レチクル７２０の全面を露光する。露光装置７００に用いられる照明装置７１０が有する光発生装置１は、良好なデブリ除去を実現し、安定してＥＵＶ光を発生させることができるため、高いスループットで経済性よくデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
【００７４】
次に、図１８及び図１９を参照して、上述の露光装置７００を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図１８は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００７５】
図１９は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置７００によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置７００を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【００７６】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の一側面としての光発生装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図２】本発明の一側面としての光発生装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図３】本発明の一側面としての光発生装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図４】除去したデブリの再付着を防止する保護部材を有する光発生装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図５】除去したデブリの再付着を防止する保護壁を有する光発生装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図６】集光ミラーに再付着したデブリを除去するためのミラー２３０を有する光発生装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図７】レーザー光源駆動機構を有する光発生装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図８】スキャンミラー及びスキャン機構が構成されたレーザー光学系を有する光発生装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図９】図１に示す光発生装置と従来の光発生装置とのレーザー光のショット数とＥＵＶ光との光強度の関係を示すグラフである。
【図１０】レーザー光学系に光学部材を挿入した状態の光発生装置を示す概略ブロック図である。
【図１１】光学部材としてシリンドリカルレンズをレーザー光学系に挿入した場合におけるレーザー導入窓のレーザー光のスポットの形状を示す図である。
【図１２】レーザー光学系に反射ミラーを挿入した状態の光発生装置１を示す概略ブロック図である。
【図１３】レーザー透過窓に付着したデブリを透過した透過光を検出する検出手段を有する光発生装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図１４】レーザー透過窓に付着したデブリで反射した反射光を検出する検出手段を有する光発生装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図１５】図１に示す光発生装置の変形例である光発生装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図１６】図１５に示す除去用レーザー光学系の構成の一例を示す概略ブロック図である。
【図１７】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図１８】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図１９】図１８に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【図２０】集光ミラーの近傍に検出手段を配置した光発生装置の構成を示す概略ブロック図である。
【符号の説明】
【００７８】
１及び２                        光発生装置
１０                            レーザー光源部
２０                            レーザー光学系
２１ａ乃至２１ｃ                レンズ
２２ａ                          平行平板ガラス
２４                            レーザー導入窓
３０                            ＥＵＶ光学系
３２                            集光ミラー
１００                          集光条件変更手段
１１０及び１２０                駆動機構
１５０                          光学部材
１５５                          駆動機構
１６０                          反射ミラー
１６５                          駆動機構
２００                          保護部材
２１０                          移動機構
２２０                          保護壁
２３０                          ミラー
２４０                          ミラー駆動機構
３００                          検出手段
３１０                          検出用レーザー光源部
３１２及び３１４                検出部
４００                          照射機構
４１０                          除去用レーザー光源部
４２０                          除去用レーザー光学系
４２１                          平行平板ガラス
４２２乃至４２４                レンズ
５００                          集光条件変更手段
５１０及び５２０                駆動機構
７００                          露光装置
【図１】
2005235959.tif 000003
【図２】
2005235959.tif 000004
【図３】
2005235959.tif 000005
【図４】
2005235959.tif 000006
【図５】
2005235959.tif 000007
【図６】
2005235959.tif 000008
【図７】
2005235959.tif 000009
【図８】
2005235959.tif 000010
【図９】
2005235959.tif 000011
【図１０】
2005235959.tif 000012
【図１１】
2005235959.tif 000013
【図１２】
2005235959.tif 000014
【図１３】
2005235959.tif 000015
【図１４】
2005235959.tif 000016
【図１５】
2005235959.tif 000017
【図１６】
2005235959.tif 000018
【図１７】
2005235959.tif 000019
【図１８】
2005235959.tif 000020
【図１９】
2005235959.tif 000021
【図２０】
2005235959.tif 000022