(57)【要約】【課題】  画像をみる角度で明るさが異なるなどの視野角依存性を解消できる電気光学装置、およびそれを備えた電子機器を提供すること。【解決手段】  反射型あるいは半透過・半反射型の電気光学装置１００において、ＴＦＴアレイ基板１０では、走査線３ａ、データ線６ａ、画素トランジスタ３０、画素電極９ａが設けられ、ＴＦＴアレイ基板１０には、凹凸形成用突起を形成する第１の樹脂層１３ａと、第１の樹脂層１３ａを覆い第１の樹脂層１３ａの凹凸形成用突起に基づいて凹凸パターンが形成される第２の樹脂層７ａと、凹凸パターン上に形成された光反射膜８ａとを備える。【選択図】      図５
2005275432.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された第１の基板と第２の基板がシール材で貼り合わされているとともに、基板間で前記シール材で区画された領域内に電気光学物質が保持されてなり、前記第１の基板には、走査線、データ線、画素トランジスタ、画素電極が設けられ、前記画素トランジスタは前記走査線に供給された走査信号により前記データ線に供給された画像信号を前記画素電極に供給する電気光学装置において、
前記第１基板には、凹凸形成用突起を形成する第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層を覆い前記第１の樹脂層の前記凹凸形成用突起に基づいて凹凸パターンが形成される第２の樹脂層と、前記凹凸パターン上に形成された光反射膜とを備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１の樹脂層は、前記データ線と前記画素電極との間の層に形成されることを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記画素トランジスタのドレイン領域と前記画素電極とを中継する中継電極を有し、前記第１の樹脂層は、前記中継電極と前記画素電極との間の層に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１基板には、基板間の導通用電極を有し、前記第１の樹脂層は、前記導通用電極の層より上層で、かつ前記画素電極より下層で形成されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記画素電極が形成される領域には、前記凹凸パターン上に形成された前記光反射膜が形成されている領域と、前記光反射膜が形成されていない領域を備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記画素電極と前記光反射膜は電気的に接続されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
対向配置された第１の基板と第２の基板がシール材で貼り合わされているとともに、基板間で前記シール材で区画された領域内に電気光学物質が保持されてなり、前記第１の基板には、走査線と、前記走査線に交差するデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応して設けられた画素トランジスタが設けられた電気光学装置において、
前記第１基板には、凹凸形成用突起を形成する第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層を覆い前記第１の樹脂層の前記凹凸形成用突起に基づいて凹凸パターンが形成される第２の樹脂層と、前記凹凸パターン上に形成された光反射膜とを備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに規定する電気光学装置を表示装置として用いたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の基板がシール材によって貼り合わされた構造の電気光学装置、およびそれを用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、当該電気光学装置における基板間のシール技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置などの電気光学装置は、各種機器の直視型あるいは投射型の表示装置として用いられている。このような電気光学装置のうち、例えば液晶装置では、対向配置されたＴＦＴアレイ基板と対向基板とがシール材で貼り合わされているとともに、基板間でシール材で区画された領域内に電気光学物質としての液晶が保持されている。また、シール材の形成領域の外側には、ＴＦＴアレイ基板と対向基板とを電気的に導通させる基板間導通材が点状に塗布されている。
【０００３】
また、反射型あるいは半透過・半反射型のアクティブマトリクス型の液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板の表面のうち、シール材で区画された領域内に、対向基板の側から入射してきた外光を対向基板の方に向けて反射するための光反射膜が画素電極の下層側に形成されており、対向基板側から入射した光をＴＦＴアレイ基板側で反射し、対向基板側から出射された光によって画像を表示することができる。
【０００４】
しかしながら、このような反射型あるいは半透過・半反射型の液晶装置において、光反射膜で反射された光の方向性が強いと、画像をみる角度で明るさが異なるなどの視野角依存性が顕著に出てくる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、画像をみる角度で明るさが異なるなどの視野角依存性を解消できる電気光学装置、およびそれを備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、対向配置された第１の基板と第２の基板がシール材で貼り合わされているとともに、基板間で前記シール材で区画された領域内に電気光学物質が保持されてなり、前記第１の基板には、走査線、データ線、画素トランジスタ、画素電極が設けられ、前記画素トランジスタは前記走査線に供給された走査信号により前記データ線に供給された画像信号を前記画素電極に供給する電気光学装置において、前記第１基板には、凹凸形成用突起を形成する第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層を覆い前記第１の樹脂層の前記凹凸形成用突起に基づいて凹凸パターンが形成される第２の樹脂層と、前記凹凸パターン上に形成された光反射膜とを備えることを特徴とする。
【０００７】
また、前記第１の樹脂層は、前記データ線と前記画素電極との間の層に形成されることを特徴とする。
【０００８】
また、前記画素トランジスタのドレイン領域と前記画素電極とを中継する中継電極を有し、前記第１の樹脂層は、前記中継電極と前記画素電極との間の層に形成されることを特徴とする。
【０００９】
また、前記第１基板には、基板間の導通用電極を有し、前記第１の樹脂層は、前記導通用電極の層より上層で、かつ前記画素電極より下層で形成されることを特徴とする。
【００１０】
また、前記画素電極が形成される領域には、前記凹凸パターン上に形成された前記光反射膜が形成されている領域と、前記光反射膜が形成されていない領域を備えることを特徴とする。
【００１１】
また、前記画素電極と前記光反射膜は電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明では、対向配置された第１の基板と第２の基板がシール材で貼り合わされているとともに、基板間で前記シール材で区画された領域内に電気光学物質が保持され、前記第１の基板において前記第２の基板と対向する面側には、少なくとも第１の樹脂層および第２の樹脂層がこの順に積層されてなる電気光学装置において、前記シール材の形成領域と平面的に重なる領域には、前記第１の樹脂層および前記第２の樹脂層のうちの少なくとも一方が形成されていない領域が当該シール材の形成領域に沿って設けられていることを特徴とする。
【００１３】
言い換えれば、本発明では、対向配置された第１の基板と第２の基板がシール材で貼り合わされているとともに、基板間で前記シール材で区画された領域内に電気光学物質が保持され、前記第１の基板において前記第２の基板と対向する面側には、少なくとも第１の樹脂層および第２の樹脂層がこの順に積層されてなる電気光学装置において、前記シール材の形成領域と平面的に重なる領域では、前記第１の基板と前記第２の基板とが前記第１の樹脂層および第２の樹脂層の少なくとも一方を介さずに前記シール材によって接着された領域が当該シール材の形成領域に沿って設けられていることを特徴とする。
【００１４】
本発明では、前記シール材の形成領域と平面的に重なる領域には、前記第１の樹脂層および前記第２の樹脂層のうちの少なくとも一方が形成されていない領域が当該シール材の形成領域に沿って設けられているため、前記第１の基板と前記第２の基板とが前記第１の樹脂層および第２の樹脂層の少なくとも一方を介さずに前記シール材によって接着された領域が、当該シール材の形成領域に沿って設けられている。このため、第１の樹脂層と第２の樹脂層との界面が、水分の透過を防ぐという観点からみて密着性が低くても、このような界面がシール材の形成領域において内外を繋げていないので、外部から水分が侵入することがない。
【００１５】
本発明において、前記第１の樹脂層、および前記第２の樹脂層は、例えば、以下の目的で形成される。すなわち、反射型あるいは半透過・半反射型の電気光学装置では、第２の基板側から入射してきた外光を第２の基板の方に向けて反射するための光反射膜を第１の基板側に形成するとともに、この光反射膜に光散乱性を付与することを目的に、前記光反射膜の下層側には、当該光反射膜と平面的に重なる領域に前記第１の樹脂層を凹凸形成用突起として所定のパターンで形成するとともに、前記第１の樹脂層が形成されている領域全体を覆うように前記第２の樹脂層を平坦化膜として形成することが多い。このように構成すると、光反射膜の表面には、第１の樹脂層（凹凸形成用突起）の有無に起因する段差、凹凸によって、光反射膜の表面に凹凸パターンが形成され、かつ、この凹凸パターンでは、凹凸形成用突起のエッジが第２の樹脂層（平坦化膜）で適度に消されているので、視野角依存性を緩和することができる。
【００１６】
本発明において、前記第１の樹脂および前記第２の樹脂層は、いずれも前記シール材の形成領域と平面的に重なる領域を避けて形成されている構成を採用できる。このように構成すると、前記第１の樹脂および前記第２の樹脂層の膜厚がばらついても、基板間の距離がばらつくことがない。
【００１７】
また、前記第１の樹脂層および前記第２の樹脂層のうちのいずれか一方が、前記シール材の形成領域と平面的に重なる領域を避けて形成されていることが好ましい。第１の樹脂層および第２の樹脂層はいずれも平坦化機能を有しているので、シール材の形成領域と平面的に重なる領域に、前記第１の樹脂層および前記第２の樹脂層の一方のみを残しておけば、この樹脂層によって平坦化された領域で第１の基板と第２の基板をシール材によって接着することができる。また、シール材の形成領域と平面的に重なる領域に、第１の樹脂層および第２の樹脂層の一方のみが残っている構成であれば、第１の樹脂層と第２の樹脂層との密着性が低くても、それらの界面を介して、外部から水分が侵入することがない。
【００１８】
本発明において、前記シール材の形成領域と平面的に重なる領域では、その幅方向の一部で前記第１の樹脂層および前記第２の樹脂層の双方が形成されていない領域が前記シール材の形成領域に沿って設けられている構成であってもよい。また、前記シール材の形成領域と平面的に重なる領域では、その幅方向の一部で前記第１の樹脂層および前記第２の樹脂層の一方が形成されていない領域が前記シール材の形成領域に沿って設けられている構成であってもよい。
【００１９】
本発明において、前記電気光学物質は、例えば、液晶である。
【００２０】
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機、モバイルコンピュータなどといった電子機器の表示装置として用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【００２２】
［実施の形態１］
（電気光学装置の基本的な構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ′断面図である。図３は、電気光学装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、本形態の説明に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２３】
図１および図２において、本形態の電気光学装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０（第１の基板）と対向基板２０（第２の基板）とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域（液晶封入領域）内には、電気光学物質としての液晶５０が挟持されている。シール材５２の形成領域の内側領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１、および実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４の間をつなぐための複数の配線１０５が設けられており、更に、周辺見切り５３の下などを利用して、プリチャージ回路や検査回路が設けられることもある。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材１０６が形成されている。
【００２４】
なお、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、たとえば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（テープ  オートメイテッド、ボンディング）基板をＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群に対して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。なお、電気光学装置１００では、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略してある。
【００２５】
また、電気光学装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の各画素電極（後述する。）に対向する領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００２６】
このような構造を有する電気光学装置１００の画面表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素電極９ａ、およびこの画素電極９ａを駆動するための画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを供給するデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。
【００２７】
ここで、液晶５０は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が増大していく。その結果、全体として電気光学装置１００からは画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを持つ光が出射される。
【００２８】
なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０を付加することがある。例えば、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い電気光学装置１００が実現できる。なお、蓄積容量６０を形成する方法としては、図３に例示するように、蓄積容量６０を形成するための配線である容量線３ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線３ａとの間に形成する場合のいずれであってもよい。
【００２９】
（ＴＦＴアレイ基板の構成）
図４は、本形態の電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図５は、電気光学装置の画素の一部を図４のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断したときの断面図である。図６は、本形態の電気光学装置のコーナー部において、シール材によってＴＦＴアレイ基板と対向基板とが貼り合わされている領域付近の断面図である。
【００３０】
図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、複数の透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜からなる画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、これら各画素電極９ａに対して画素スイッチング用のＴＦＴ３０がそれぞれ接続している。また、画素電極９ａの縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａ、および容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０は、データ線６ａおよび走査線３ａに対して接続している。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続し、画素電極９ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ３の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。また、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′に対向するように走査線３ａが延びている。なお、蓄積容量６０は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成するための半導体膜１の延設部分１ｆを導電化したものを下電極とし、この下電極４１に容量線３ｂが上電極として重なった構造になっている。
【００３１】
このように構成した画素領域のＡ−Ａ′線における断面は、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基体たる透明な基板１０′の表面に、厚さが３００ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜１１ａが形成され、この下地保護膜１１ａの表面には、厚さが５０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１ａが形成されている。半導体膜１ａの表面には、厚さが約５０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２ａが形成され、このゲート絶縁膜２ａの表面に、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線３ａがゲート電極として通っている。半導体膜１ａのうち、走査線３ａに対してゲート絶縁膜２ａを介して対峙する領域がチャネル領域１ａ′になっている。このチャネル領域１ａ′に対して一方側には、低濃度ソース領域１ｂおよび高濃度ソース領域１ｄを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域１ｃおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えるドレイン領域が形成されている。
【００３２】
画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４ａ、および厚さが１００ｎｍ〜３００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜５ａ（表面保護膜）が形成されている。第１層間絶縁膜４ａの表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、第１層間絶縁膜４ａに形成されたコンタクトホールを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。第１層間絶縁膜４ａの表面にはデータ線６ａと同時形成されたドレイン電極６ｂが形成され、このドレイン電極６ｂは、第１層間絶縁膜４ａに形成されたコンタクトホールを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。
【００３３】
第２層間絶縁膜５ａの上層には、アクリル樹脂などの感光性樹脂からなる平坦化膜７ａが形成され、この平坦化膜７ａの表面には、アルミニウム膜などからなる光反射膜８ａが形成されている。
【００３４】
光反射膜８ａの上層にはＩＴＯ膜からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、光反射膜８ａの表面に直接、積層され、画素電極９ａと光反射膜８ａとは電気的に接続されている。また、画素電極９ａは、平坦化膜７ａおよび第２層間絶縁膜５ａに形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。
【００３５】
画素電極９ａの表面側にはポリイミド膜からなる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。
【００３６】
なお、高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２ａと同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して容量線３ｂが上電極として対向することにより、蓄積容量６０が構成されている。
【００３７】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ、および低濃度ドレイン領域１ｃに相当する領域に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していてもよい。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの一部）をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００３８】
また、本形態では、ＴＦＴ３０のゲート電極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲート）、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成すれば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することが出来る。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフセット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【００３９】
（凹凸パターンおよびシール領域の構成）
図５および図６に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の各画素１００ａには、光反射膜８ａの表面のうち、ＴＦＴ３０の形成領域から外れた領域（光反射膜形成領域／図４を参照）には、凸部８ｂおよび凹部８ｃを備えた凹凸パターン８ｇが形成されている。
【００４０】
このような凹凸パターン８ｇを構成するにあたって、本形態のＴＦＴアレイ基板１０では、光反射膜８ａの下層側のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる領域には、アクリル樹脂などの感光性樹脂からなる凹凸形成用樹脂層１３ａが第１の樹脂層（凹凸形成用突起）として第２層間絶縁膜５ａの表面に厚めに形成され、この凹凸形成用樹脂層１３ａの上層には、同じくアクリル樹脂などの感光性樹脂からなる平坦化膜７ａが第２の樹脂層として厚めに積層されている。このため、光反射膜８ａの表面には、凹凸形成用樹脂層１３ａの有無に起因する凹凸によって凹凸パターン８ｇが形成され、この凹凸パターン８ｇでは、平坦化膜７ａによって、凹凸形成用樹脂層１３ａのエッジなどが出ないようになっている。
【００４１】
また、本形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に、凹凸形成用樹脂層１３ａおよび平坦化膜７ａが形成されているが、シール領域において、シール材５２が形成されている領域には、凹凸形成用樹脂層１３ａを構成する第１の感光性樹脂１３、および平坦化膜７ａを構成する第２の感光性樹脂７のいずれもが残っていない。
【００４２】
このため、本形態では、シール材５２の形成領域と平面的に重なる領域には、凹凸形成用樹脂層１３ａを構成する第１の感光性樹脂１３、および平坦化膜７ａを構成する第２の感光性樹脂７のいずれもが形成されていない領域が、シール材５２の形成領域に沿って設けられている状態にあり、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが凹凸形成用樹脂層１３ａおよび平坦化膜７ａのいずれをも介さずにシール材５２によって接着された領域が、シール材５２の形成領域に沿って設けられている構造になっている。
【００４３】
なお、シール材５２の形成領域の外側では、ＴＦＴアレイ基板２０においてデータ線６ａと同層の導電膜が基板間導通用電極６ｃとして第２層間絶縁膜５のコンタクトホールから露出している。このため、基板間導通用電極６ｃの露出部分に基板間導電材１０６を塗布してＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合せれば、ＴＦＴアレイ基板１０から対向基板２０の対向電極２１に対して所定の電位を供給することができる。
【００４４】
（対向基板の構成）
図５および図６において、対向基板２０では、ＴＦＴアレイ基板１０に形成されている画素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。また、対向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成され、この配向膜２２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。
【００４５】
（本形態の電気光学装置の作用、効果）
このように構成した電気光学装置１００は、反射型の液晶装置であり、画素電極９ａの下層側にアルミニウム膜などからなる光反射膜８ａが形成されている。このため、対向基板２０側から入射した光をＴＦＴアレイ基板１０側で反射し、対向基板２０側から出射することができるため、この間に液晶５０によって各画素１００ａ毎で光変調を行えば、外光を利用して所望の画像を表示することができる（反射モード）。
【００４６】
また、電気光学装置１００において、例えば、図４で２点鎖線で示す領域８′を避けるように光反射膜８ａを形成すれば、半透過・半反射型の液晶装置を構成することができる。この場合、ＴＦＴアレイ基板１０の側にバックライト装置（図示せず）を配置し、このバックライト装置から出射された光をＴＦＴアレイ基板１０の側から入射させれば、この光を、各画素１００ａにおいて画素電極９ａが形成されている領域のうち、光反射膜８ａが形成されていない領域を介して対向基板２０側に透過することができる。このため、液晶５０によって各画素１００ａ毎で光変調を行えば、バックライト装置から出射された光を利用して所望の画像を表示することができる（透過モード）。
【００４７】
また、本形態では、光反射膜８ａの下層側のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる領域には、凹凸形成用樹脂層１３ａを所定のパターンで選択的に形成し、この凹凸形成用樹脂層１３ａの有無に起因する段差、凹凸を利用して、光反射膜８ａの表面に凹凸パターン８ｇを形成している。しかも、凹凸パターン８ｇでは、平坦化膜７ａによって、凹凸形成用樹脂層１３ａのエッジなどが出ないようになっている。従って、反射モードで画像を表示する際、対向基板２０側から入射した光を光反射膜８ａで反射される際、光が散乱するので、画像に視野角依存性が発生しにくい。
【００４８】
また、本形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に、凹凸形成用樹脂層１３ａおよび平坦化膜７ａが形成されているが、シール材５２が形成されている領域には、凹凸形成用樹脂層１３ａを構成する第１の感光性樹脂１３、および平坦化膜７ａを構成する第２の感光性樹脂７のいずれもが残っていない。このため、凹凸形成用樹脂層１３ａと平坦化膜７ａとの界面（凹凸形成用樹脂層１３ａを構成する第１の感光性樹脂１３と平坦化膜７ａを構成する第２の感光性樹脂７との界面）が、水分の透過を防ぐという観点からみて密着性が低くても、このような界面がシール材５２の形成領域に存在しないので、外部から液晶５０が封入されている領域に水分が侵入することがない。それ故、液晶５０が外部から侵入した水分で劣化することがないので、品位の高い画像を長期間にわたって表示することができる。
【００４９】
また、本形態では、シール材５２が形成されている領域には、凹凸形成用樹脂層１３ａおよび平坦化膜７ａのいずれもが残っていないため、凹凸形成用樹脂層１３ａおよび平坦化膜７ａに膜厚ばらつきがあっても、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との基板間距離は、このような膜厚ばらつきの影響を受けない。それ故、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との基板間距離が面内方向でばらつくことがないので、このようなばらつきに起因する干渉色が画像に発生することを防止することができる。
【００５０】
［ＴＦＴの製造方法］
このような構成のＴＦＴアレイ基板１０を製造する方法を、図７ないし図１１を参照して説明する。図７、図８、図９、図１０および図１１は、本形態のＴＦＴアレイ基板１１の製造方法を示す工程断面図であり、いずれの図においても、ＴＦＴ形成領域、このＴＦＴ形成領域から外れた領域の光反射膜形成領域、およびシール材が形成されているシール領域付近の断面を示してある。
【００５１】
まず、図７（Ａ）に示すように、超音波洗浄等により清浄化したガラス製等の基板１０′を準備した後、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、基板１０′の全面に、シリコン酸化膜からなる下地保護膜１１をプラズマＣＶＤ法により３００ｎｍ〜５００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとしては、たとえばモノシランと笑気ガスとの混合ガスやＴＥＯＳと酸素、あるいはジシランとアンモニアを用いることができる。
【００５２】
次に、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、基板１０′の全面に、非晶質シリコン膜からなる半導体膜１をプラズマＣＶＤ法により５０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとしては、たとえばジシランやモノシランを用いることができる。次に、半導体膜１に対してレーザ光を照射してレーザアニールを施す。その結果、アモルファスの半導体膜１は、一度溶融し、冷却固化過程を経て結晶化する。この際には、各領域へのレーザ光の照射時間が非常に短時間であり、かつ、照射領域も基板全体に対して局所的であるため、基板全体が同時に高温に熱せられることがない。それ故、基板１０′としてガラス基板などを用いても熱による変形や割れ等が生じない。
【００５３】
次に、半導体膜１の表面にフォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５１を形成し、このレジストマスク５５１を介して半導体膜１をエッチングすることにより、図７（Ｂ）に示すように、島状の半導体膜１ａ（能動層）を形成する。
【００５４】
次に、３５０℃以下の温度条件下で、基板１０′の全面に、ＣＶＤ法などにより半導体膜１ａの表面に、シリコン酸化膜などからなるゲート絶縁膜２を５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスは、たとえばＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。ここで形成するゲート絶縁膜２は、シリコン酸化膜に代えてシリコン窒化膜であってもよい。
【００５５】
次に、図示を省略するが、所定のレジストマスクを介して半導体膜１ａの延設部分１ｆに不純物イオンを打ち込んで、容量線３ｂとの間に蓄積容量６０を構成するための下電極を形成する。
【００５６】
次に、図７（Ｃ）に示すように、スパッタ法などにより、基板１０′の全面に、走査線３ａなどを形成するためのアルミニウム膜、タンタル膜、モリブデン膜、またはこれらの金属のいずれかを主成分とする合金膜からなる導電膜３を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５２を形成する。
【００５７】
次に、レジストマスク５５２を介して導電膜３をドライエッチングし、図７（Ｄ）に示すように、走査線３ａ（ゲート電極）、容量線３ｂなどを形成する。
【００５８】
次に、画素ＴＦＴ部および駆動回路のＮチャネルＴＦＴ部（図示せず）の側には、走査線３ａやゲート電極をマスクとして、約０．１×１０13／ｃｍ2 〜約１０×１０13／ｃｍ2 のドーズ量で低濃度の不純物イオン（リンイオン）を打ち込んで、走査線３ａに対して自己整合的に低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃを形成する。ここで、走査線３ａの真下に位置しているため、不純物イオンが導入されなかった部分は半導体膜１ａのままのチャネル領域１ａ′となる。
【００５９】
次に、図８（Ａ）に示すように、画素ＴＦＴ部では、走査線３ａ（ゲート電極）より幅の広いレジストマスク５５３を形成して高濃度の不純物イオン（リンイオン）を約０．１×１０15／ｃｍ2 〜約１０×１０15／ｃｍ2 のドーズ量で打ち込み、高濃度ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｄを形成する。
【００６０】
これらの不純物導入工程に代えて、低濃度の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極より幅の広いレジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リンイオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域およびドレイン領域を形成してもよい。また、走査線３ａをマスクにして高濃度の不純物を打ち込んで、セルフアライン構造のソース領域およびドレイン領域を形成してもよいことは勿論である。
【００６１】
なお、図示を省略するが、このような工程によって、周辺駆動回路部のＮチャネルＴＦＴ部を形成するが、この際には、ＰチャネルＴＦＴ部をマスクで覆っておく。また、周辺駆動回路のＰチャネルＴＦＴ部を形成する際には、画素部およびＮチャネルＴＦＴ部をレジストで被覆保護して、ゲート電極をマスクとして、約０．１×１０15／ｃｍ2 〜約１０×１０15／ｃｍ2 のドーズ量でボロンイオンを打ち込むことにより、自己整合的にＰチャネルのソース・ドレイン領域を形成する。この際、ＮチャネルＴＦＴ部の形成時と同様、ゲート電極をマスクとして、約０．１×１０13／ｃｍ2 〜約１０×１０13／ｃｍ2 のドーズ量で低濃度の不純物（ボロンイオン）を導入して、ポリシリコン膜に低濃度領域を形成した後、ゲート電極より幅の広いマスクを形成して高濃度の不純物（ボロンイオン）を約０．１×１０15／ｃｍ2 〜約１０×１０15／ｃｍ2 のドーズ量で打ち込んで、ＬＤＤ構造（ライトリー・ドープト・ドレイン構造）のソース領域およびドレイン領域を形成してもよい。また、低濃度の不純物の打ち込みを行わずに、ゲート電極より幅の広いマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リンイオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域およびドレイン領域を形成してもよい。これらのイオン打ち込み工程によって、ＣＭＯＳ化が可能になり、周辺駆動回路の同一基板内への内蔵が可能となる。
【００６２】
次に、図８（Ｂ）に示すように、走査線３ａの表面側にＣＶＤ法などにより、シリコン酸化膜などからなる第１層間絶縁膜４を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスは、たとえばＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。
【００６３】
次に、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５４を形成する。
【００６４】
次に、レジストマスク５５４を介して第１層間絶縁膜４にドライエッチングを行い、図８（Ｃ）に示すように、第１層間絶縁膜４においてソース領域およびドレイン領域に対応する部分などにコンタクトホールをそれぞれ形成する。
【００６５】
次に、図８（Ｄ）に示すように、第１層間絶縁膜４の表面側に、データ線６ａ（ソース電極）などを構成するためのアルミニウム膜、タンタル膜、モリブデン膜、またはこれらの金属のいずれかを主成分とする合金膜からなる導電膜６をスパッタ法などで３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５５を形成する。
【００６６】
次に、レジストマスク５５５を介して導電膜６にドライエッチングを行い、図９（Ａ）に示すように、データ線６ａ、ドレイン電極６ｂ、および基板間導通用電極６ｃを形成する。
【００６７】
次に、図９（Ｂ）に示すように、データ線６ａ、ドレイン電極６ｂ、および基板間導通用電極６ｃの表面側にＣＶＤ法などにより、シリコン窒化膜などからなる第２層間絶縁膜５を１００ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚に形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、第２層間絶縁膜５にコンタクトホールなどを形成するためのレジストマスク５５６を形成する。
【００６８】
次に、レジストマスク５５６を介して第２層間絶縁膜５にドライエッチングを行い、図９（Ｃ）に示すように、第２層間絶縁膜５のうち、ドレイン電極１４および基板間導通用電極６ｃに対応する部分にコンタクトホールを形成する。
【００６９】
次に、図１０（Ａ）に示すように、第２層間絶縁膜５の表面に、アクリル樹脂などといった第１の感光性樹脂１３を厚めに塗布した後、図１０（Ｂ）に示すように、第１の感光性樹脂１３をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることによって、光反射膜８ａの下層側のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる領域に（図５を参照）、凹凸形成用樹脂層１３ａを凹凸形成用突起として所定のパターンで選択的に残す。この際、シール材５２の形成領域や基板間導通用電極６ｃの形成領域などといったシール領域（図６を参照）には、第１の感光性樹脂１３を残さない。
【００７０】
次に、図１０（Ｃ）に示すように、凹凸形成用樹脂層１３ａの上層側に、同じくアクリル樹脂などの第２の感光性樹脂層７を塗布した後、第２の感光性樹脂１３をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることによって、凹凸形成用樹脂層１３ａが形成されている領域全体を覆うように平坦化膜７ａを残す。この際、シール材５２の形成領域や基板間導通用電極６ｃの形成領域などといったシール領域（図６を参照）には、第２の感光性樹脂７を残さない。ここで、平坦化膜７ａは、流動性を有する材料を塗布したものから形成されるため、平坦化膜７ａの表面には、凹凸形成用樹脂層１３ａの有無に起因する段差、凹凸を適度に打ち消して、エッジのない、なだらかな形状の凹凸パターンが形成される。
【００７１】
次に、図１１（Ａ）に示すように、スパッタ法などによって、平坦化膜７ａの表面にアルミニウム膜などといった反射性を備えた金属膜８を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５７を形成する。
【００７２】
次に、レジストマスク５５７を介して金属膜８にエッチングを行い、図１１（Ｂ）に示すように、所定領域に光反射膜８ａを残す。このようにして形成した光反射膜８ａの表面には、凹凸形成用樹脂層１３ａと、それらの非形成領域とによって形成された段差や凹凸によって５００ｎｍ以上、さらには８００ｎｍ以上の凹凸パターン８ｇが形成され、かつ、この凹凸パターン８ｇは、平坦化膜７ａによって、エッジのない、なだらかな形状になっている。
【００７３】
次に、図１１（Ｃ）に示すように、光反射膜８ａの表面側に、厚さが４０ｎｍ〜２００ｎｍのＩＴＯ膜９をスパッタ法などで形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５８を形成する。
【００７４】
次に、レジストマスク５５８を介してＩＴＯ膜９にエッチングを行って、図１１（Ｄ）に示すように、ドレイン電極６ｂに電気的に接続する画素電極９ａを形成する。
【００７５】
しかる後には、図５に示すように、画素電極９ａの表面側のうち、所定領域にポリイミド膜（配向膜１２）を形成する。それには、ブチルセロソルブやｎ−メチルピロリドンなどの溶媒に５〜１０重量％のポリイミドやポリアミド酸を溶解させたポリイミド・ワニスをフレキソ印刷した後、加熱・硬化（焼成）する。そして、ポリイミド膜を形成した基板をレーヨン系繊維からなるパフ布で一定方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で一定方向に配列させる。その結果、後で充填した液晶分子とポリイミド分子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列する。
【００７６】
しかる後には、図１および図６に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０にシール材３０および基板間導通材１０６を塗布した後、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合せる。
【００７７】
［実施の形態２］
図１２は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置のコーナー部において、シール材によってＴＦＴアレイ基板と対向基板とが貼り合わされている領域付近の断面図である。なお、本実施の形態、および以下に説明するいずれの実施の形態も、基本的な構成が実施の形態１と同様であるため、共通する部分に同一の符号を付して図示するとともに、それらの説明を省略する。
【００７８】
実施の形態１では、シール材５２が形成されている領域には、凹凸形成用樹脂層１３ａを構成する第１の感光性樹脂１３、および平坦化膜７ａを構成する第２の感光性樹脂７のいずれもが残っていない構成であったが、本形態では、図１２に示すように、シール材５２の形成領域と平面的に重なる領域には、凹凸形成用樹脂層１３ａおよび平坦化膜７ａのうち、凹凸形成用樹脂層１３ａを構成する第１の感光性樹脂１３のみが残っている。
【００７９】
このような構成によれば、シール材５２の形成領域と平面的に重なる領域には、平坦化膜７ａを構成する第２の感光性樹脂７の形成されていない領域がシール材５２の形成領域に沿って設けられている状態にある。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが第２の感光性樹脂７を介さずにシール材５２によって接着されている領域が、シール材５２の形成領域に沿って設けられている。従って、ＴＦＴアレイ基板１０の表面には、凹凸形成用樹脂層１３ａおよび平坦化膜７ａが形成されているが、シール材５２が形成されている領域には、平坦化膜７ａを構成する第２の感光性樹脂７が残っていないため、凹凸形成用樹脂層１３ａと平坦化膜７ａとの界面（第１の感光性樹脂１３と第２の感光性樹脂７との界面）が、水分の透過を防ぐという観点からみて密着性が低くても、このような界面がシール材５２の形成領域に存在しないため、外部から液晶５０が封入されている領域に水分が侵入することがない。それ故、液晶５０が外部から侵入した水分で劣化することがないので、品位の高い画像を長期間にわたって表示することができる。
【００８０】
また、本形態では、シール材５２が形成されている領域には、平坦化膜７ａを構成する第２の感光性樹脂７が残っていないため、平坦化膜７ａ（第２の感光性樹脂７）に膜厚ばらつきがあっても、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との基板間距離は、このような膜厚ばらつきの影響を受けない。それ故、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との基板間距離が面内方向でばらつきことがないので、このようなばらつきに起因する干渉色が画像に発生することを防止することができる。
【００８１】
さらに、本形態では、シール材５２が形成されている領域には、凹凸形成用樹脂層１３ａを構成する第１の感光性樹脂１３が残っており、この第１の感光性樹脂１３は、この領域を平坦化することが可能である。このため、シール材５２を形成する領域に各種配線を通したときなど、下地に凹凸があってもこのような凹凸は、第１の感光性樹脂１３によって吸収される。それ故、平坦な部分にシール材５２を塗布して、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合せることができる。
【００８２】
［実施の形態３］
図１３は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置のコーナー部において、シール材によってＴＦＴアレイ基板と対向基板とが貼り合わされている領域付近の断面図である。
【００８３】
図１３に示すように、本形態では、シール材５２の形成領域と平面的に重なる領域に、凹凸形成用樹脂層１３ａおよび平坦化膜７ａのうち、平坦化膜７ａを構成する第２の感光性樹脂７のみが残っている。
【００８４】
このような構成によれば、シール材５２の形成領域と平面的に重なる領域には、凹凸形成用樹脂層１３ａを構成する第１の感光性樹脂１３の形成されていない領域がシール材５２の形成領域に沿って設けられている状態にある。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが第１の感光性樹脂１３を介さずにシール材５２によって接着されている領域が、シール材５２の形成領域に沿って設けられている。従って、本形態でも、凹凸形成用樹脂層１３ａと平坦化膜７ａとの界面（第１の感光性樹脂１３と第２の感光性樹脂７との界面）が、水分の透過を防ぐという観点からみて密着性が低くても、このような界面がシール材５２の形成領域に存在しないため、外部から液晶５０が封入されている領域に水分が侵入することがない。それ故、液晶５０が外部から侵入した水分で劣化することがないので、品位の高い画像を長期間にわたって表示することができる。
【００８５】
また、本形態では、シール材５２が形成されている領域には、凹凸形成用樹脂層１３ａを構成する第１の感光性樹脂１３が残っていないため、凹凸形成用樹脂層１３ａ（第１の感光性樹脂１３）に膜厚ばらつきがあっても、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との基板間距離は、このような膜厚ばらつきの影響を受けない。それ故、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との基板間距離が面内方向でばらつきことがないので、このようなばらつきに起因する干渉色が画像に発生することを防止することができる。
【００８６】
さらに、本形態では、シール材５２が形成されている領域には、平坦化膜７ａを構成する第２の感光性樹脂７が残っており、この第２の感光性樹脂７は、この領域を平坦化することが可能である。このため、シール材５２を形成する領域に各種配線を通したときなど、下地に凹凸があってもこのような凹凸は、第２の感光性樹脂７によって吸収される。それ故、平坦な部分にシール材５２を塗布して、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合せることができる。
【００８７】
［実施の形態４］
図１４は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置のコーナー部において、シール材によってＴＦＴアレイ基板と対向基板とが貼り合わされている領域付近の断面図である。
【００８８】
図１４に示すように、本形態では、シール材５２の形成領域と平面的に重なる領域に、凹凸形成用樹脂層１３ａを構成する第１の感光性樹脂１３、および平坦化膜７ａを構成する第２感光性樹脂７の双方が形成されているが、凹凸形成用樹脂層１３ａおよび平坦化膜７ａが形成されている領域は、シール材３０の形成領域と平面的に重なる領域のうち、その幅方向における内周側の一部のみであり、外周側では、凹凸形成用樹脂層１３ａを構成する第１の感光性樹脂１３、および平坦化膜７ａを構成する第２感光性樹脂７のいずれもが形成されていない。
【００８９】
従って、本形態によれば、凹凸形成用樹脂層１３ａと平坦化膜７ａとの界面（第１の感光性樹脂１３と第２の感光性樹脂７との界面）が、水分の透過を防ぐという観点からみて密着性が低くても、このような界面がシール材５２の幅方向において内外で繋がっていないため、外部から液晶５０が封入されている領域に水分が侵入することがない。それ故、液晶５０が外部から侵入した水分で劣化することがないので、品位の高い画像を長期間にわたって表示することができる。
【００９０】
［その他の実施の形態］
図１４に示す構成においては、シール材５２の形成領域と平面的に重なる領域に、凹凸形成用樹脂層１３ａを構成する第１の感光性樹脂１３、および平坦化膜７ａを構成する第２感光性樹脂７の双方が幅方向の一部に形成されていたが、凹凸形成用樹脂層１３ａを構成する第１の感光性樹脂１３、および平坦化膜７ａを構成する第２感光性樹脂７のうちの一方がシール材５２の幅方向の一部に形成されている構成であってもよい。
【００９１】
また、上記のいずれの形態も、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液晶装置を例に説明したが、画素スイッチング素子としてＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型の液晶装置、あるいはパッシブマトリクス型の液晶装置、さらには液晶以外の電気光学物質を用いた電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００９２】
［電気光学装置の電子機器への適用］
このように構成した反射型、あるいは半透過・半反射型の電気光学装置１００は、各種の電子機器の表示部として用いることができるが、その一例を、図１５、図１６、および図１７を参照して説明する。
【００９３】
１５は、本発明に係る電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【００９４】
図１５において、電子機器は、表示情報出力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７３、そして液晶装置７４を有する。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５および駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述した電気光学装置１００を用いることができる。
【００９５】
表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路７１に供給する。
【００９６】
表示情報処理回路７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【００９７】
図１６は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電気光学装置１００を含んで構成される。
【００９８】
図１７は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、前述した電気光学装置１００からなる表示部とを有している。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】電気光学装置を対向基板の側からみたときの平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ′線における断面図である。
【図３】電気光学装置において、マトリクス状に配置された複数の画素に形成された各種素子、配線などの等価回路図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置を、図４のＡ−Ａ′線に相当する位置での切断したときの断面図である。
【図６】図５に示す電気光学装置のコーナー部において、シール材によってＴＦＴアレイ基板と対向基板とが貼り合わされている領域付近の断面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法において、図７に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図９】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法において、図８に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法において、図９に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図１１】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法において、図１０に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置のコーナー部において、シール材によってＴＦＴアレイ基板と対向基板とが貼り合わされている領域付近の断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置のコーナー部において、シール材によってＴＦＴアレイ基板と対向基板とが貼り合わされている領域付近の断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置のコーナー部において、シール材によってＴＦＴアレイ基板と対向基板とが貼り合わされている領域付近の断面図である。
【図１５】本発明に係る電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【図１６】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図である。
【図１７】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一実施形態としての携帯電話機の説明図である。
【符号の説明】
【０１００】
１ａ  半導体膜、１ａ′  チャネル形成用領域、１ｂ  低濃度ソース領域、１ｃ  低濃度ドレイン領域、１ｄ  高濃度ソース領域、１ｅ  高濃度ドレイン領域、２ａ  ゲート絶縁膜、３ａ  走査線、３ｂ  容量線、４  第１層間絶縁膜、５  第２層間絶縁膜、６ａ  データ線、６ｂ  ドレイン電極、６ｃ  基板間導通用電極、７  平坦化膜を構成する第２の感光性樹脂、７ａ  平坦化膜、８ａ  光反射膜、９ａ  画素電極、１０  ＴＦＴアレイ基板、１１  下地保護膜、１３  凹凸形成用樹脂層を構成する第１の感光性樹脂、１３ａ  凹凸形成用樹脂層、２０  対向基板、２１  対向電極、２３  遮光膜、３０  画素スイッチング用のＴＦＴ、５０  液晶、５３  周辺見切り、６０  蓄積容量、１００  電気光学装置、１００ａ  画素、１０６  基板間導通材。
【図１】
2005275432.tif 000003
【図２】
2005275432.tif 000004
【図３】
2005275432.tif 000005
【図４】
2005275432.tif 000006
【図５】
2005275432.tif 000007
【図６】
2005275432.tif 000008
【図７】
2005275432.tif 000009
【図８】
2005275432.tif 000010
【図９】
2005275432.tif 000011
【図１０】
2005275432.tif 000012
【図１１】
2005275432.tif 000013
【図１２】
2005275432.tif 000014
【図１３】
2005275432.tif 000015
【図１４】
2005275432.tif 000016
【図１５】
2005275432.tif 000017
【図１６】
2005275432.tif 000018
【図１７】
2005275432.tif 000019