(57)【要約】    【課題】  位置検出装置が使用される温度環境を考慮し、温度変動が起きた場合であっても、その温度変動に起因した精度低下を防ぐことが可能な位置検出装置を提供することにある。    【解決手段】  検出コイル２によって形成される検出磁界中を可動被検出物（磁気スケール１）が変位する位置検出装置において、その可動被検出物（磁気スケール１）は、線膨張係数が低く、温度変動の影響を受けにくい材料からなる基材３の表面に、導電性材料或いは磁性材料からなる表面層（メッキ層４）が形成されたものであることを特徴とする。【選択図】          図１
2005140610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出コイルと、該検出コイルに対向する対向面を有する可動被検出物と、を有し、
前記検出コイルに励磁電流が供給されることで形成される検出磁界中を前記可動被検出物が変位するように配置された位置検出装置において、
前記可動被検出物は、低線膨張係数材料からなる基材と、少なくともその対向面が導電性材料又は磁性材料により形成された表面層と、から構成されていることを特徴とする位置検出装置。
【請求項２】
前記導電性材料は、非磁性導電性材料であることを特徴とする請求項１記載の位置検出装置。
【請求項３】
前記非磁性導電性材料は、アルミニウム、銅又はチタンのいずれか１つまたはこれらの組合せからなることを特徴とする請求項２記載の位置検出装置。
【請求項４】
前記磁性材料は、珪素鋼、パーマロイ又はアモルファス合金のいずれか１つまたはこれらの組合せからなることを特徴とする請求項１記載の位置検出装置。
【請求項５】
前記表面層は、メッキにより形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか記載の位置検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可動被検出物の移動量、位置などの変位量を検出する位置検出装置に関するものであって、特に、その位置検出装置が使用される温度環境に起因した誤差を小さくするものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、可動被検出物の変位量を検出する位置検出装置として、検出コイルを有し、磁気スケールの変位をインピーダンス，位相，磁束量，コイルの時定数といった物理量の変化として検出するものがある（例えば、特許文献１，特許文献２，特許文献３参照）。
【０００３】
特許文献１記載の発明は、同相励磁される複数のコイルを可動被検出物の変位方向に順次配列し、磁性体又は導電体等からなる磁気応答部材（可動被検出物）をそれらのコイル内で変位させ、かかる磁気応答部材の変位に応じて変化するコイルのインダクタンスを検知することによって、可動被検出物の変位量を検出するものである。
【０００４】
また、特許文献２記載の発明は、コイル内部に棒状の磁性体を設置し、そのコイル及び磁性体の外側（外周上）で円筒状の導電体を変位させ、かかる導電体の変位に応じて変化するコイルのインダクタンスを検知することによって、可動被検出物の変位量を検出するものである。
【０００５】
さらに、特許文献３記載の発明は、コイル内部に、ワイヤ線からなる芯部とその芯部の周囲に所定ピッチで配置・固定した金属片とからなる磁気応答部材を設置し、その磁気応答部材をコイル内で変位させ、かかる磁気応答部材の変位に応じて変化するコイルの出力信号を検出することによって、可動被検出物の変位量を検出するものである。
【０００６】
このように、従来技術は、コイルに励磁電流を流して検出用の磁束を発生させ、その磁束により形成される磁界中において、可動被検出物とコイルとを相対的に近接・離間させることによって、可動被検出物に生成される渦電流、コイル内の磁束量、或いはコイルの時定数（インダクタンス）などを変化させ、可動被検出物の変位量を検出している。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−１４１４１０号公報（段落番号［０００５］、図１）
【特許文献２】特開２０００−１８０１０９号公報（段落番号［０００５］〜［０００７］、図１）
【特許文献３】特開平１０−１５３４０２号公報（段落番号［０００９］、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した特許文献記載の発明は、いずれも位置検出装置が使用される温度環境を考慮しておらず、大幅な温度変動が起きた場合には位置検出機能の精度低下を招くおそれがある。
【０００９】
すなわち、自動車のエンジン内部など、急激な温度変化が予想される温度環境下で位置検出装置を使用する場合には、磁気スケールが機械的に熱膨張することで、測長器の精度誤差が大きくなる場合があり、位置検出機能の精度低下を招来するおそれがある。
【００１０】
例えば、良導電性部材であって、線膨張係数が２３．９×１０−６であるアルミニウム材を芯部にもつ磁気スケール（全長１００ｍｍ）が、温度変化が−４０度から１５０度まである環境に置かれた場合、この場合の磁気スケールの長さ変化は、２３．９×１０−６×（１５０＋４０）×１００＝０．４５ｍｍとなる。一般に、磁気スケールの測定範囲が１００ｍｍの場合には、センサ信号（出力信号）を５００〜１０００分割することで０．２〜０．１ｍｍの分解能を得ているため、この０．４５ｍｍという誤差は、分解能に対して約２〜４メモリのズレに相当し、位置検出を正確に行う際には到底看過できない誤差となる。このように、良導電性部材をスケールの基材とした場合には、スケール自体の線膨張係数が大きいため、温度変動の影響を非常に受けやすいといった問題点があった。
【００１１】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、その目的は、位置検出装置が使用される温度環境を考慮し、温度変動が起きた場合であっても、その温度変動に起因した精度低下を防ぐことが可能な位置検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
以上のような課題を解決するために、本発明は、検出コイルによって形成される検出磁界中を可動被検出物が変位する位置検出装置において、その可動被検出物は、線膨張係数が低く、温度変動の影響を受けにくい材料からなる基材の表面に、導電性材料或いは磁性材料からなる表面層が形成されたものであることを特徴とする。
【００１３】
より具体的には、本発明は、以下のものを提供する。
【００１４】
（１）  検出コイルと、該検出コイルに対向する対向面を有する可動被検出物と、を有し、前記検出コイルに励磁電流が供給されることで形成される検出磁界中を前記可動被検出物が変位するように配置された位置検出装置において、前記可動被検出物は、低線膨張係数材料からなる基材と、少なくともその対向面に導電性材料又は磁性材料により形成された表面層と、から構成されていることを特徴とする位置検出装置。
【００１５】
本発明によれば、検出コイルと可動被検出物とを有する位置検出装置において、検出コイルに供給される励磁電流によって形成される検出磁界中を可動被検出物が変位するように両者を配置し、その可動被検出物は、低線膨張係数材料からなる基材と、少なくとも検出コイルに対向する面に、導電性材料又は磁性材料により形成された表面層と、から構成されることとしたから、温度変動が起きた場合に生じる可動被検出物の線膨張（機械的寸法の変動）は、線膨張係数の低い基材の線膨張に左右されることとなる。
【００１６】
すなわち、位置検出装置が使用される温度環境が大きく変化した場合であっても、位置検出装置の線膨張は、線膨張係数の低い基材の線膨張が支配的となるため、その温度環境の変化に起因した精度低下を防ぐことができる。
【００１７】
ここで、「低線膨張係数材料」とは、線膨張係数をＡ×１０−６ｍｍ／℃としたとき、例えば、Ａの値が一桁の数となる材料をいう。より正確には、磁気スケールの測定範囲と温度環境の変化分、更には、センサ信号の分解能を考慮して、位置検出装置のスケールの基材の温度膨張が、位置検出の精度に影響を与えない範囲内での線膨張係数を有する材料を低線膨張係数材料として採用することができる。このように、本発明はＡの値を一桁の数に限定するものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に選択することが可能である。また、可動被検出物は検出コイルに対向する対向面を有しているが、その対向面は、可動被検出物の内周面にあってもよいし外周面にあってもよい。すなわち、本発明は、可動被検出物を検出コイルの内側で変位させる位置検出装置にも適用できるし、可動被検出物を検出コイルの外側（外周上）で変位させる位置検出装置にも適用できる。
【００１８】
（２）  前記導電性材料は、非磁性導電性材料であることを特徴とする位置検出装置。
【００１９】
本発明によれば、上述した導電性材料として、透磁率が極めて低い非磁性導電性材料を採用することとしたから、透磁率の影響をほとんど受けることなく渦電流変化を検出することができ、ひいては温度変動に起因した精度低下を防ぐことが可能な位置検出装置の精度向上に寄与することができる。
【００２０】
（３）  前記非磁性導電性材料は、アルミニウム、銅又はチタンのいずれか１つまたはこれらの組合せからなることを特徴とする位置検出装置。
【００２１】
本発明によれば、上述した非磁性導電性材料として、アルミニウム、銅又はチタンのいずれか１つ、またはこれらの組合せを採用することとしたから、容易に入手可能な汎用材料を用いることによって、温度変動に起因した精度低下を防ぐことが可能な位置検出装置の精度向上を容易に実現することができる。
【００２２】
（４）  前記磁性材料は、珪素鋼、パーマロイ又はアモルファス合金のいずれか１つまたはこれらの組合せからなることを特徴とする位置検出装置。
【００２３】
本発明によれば、上述した磁性材料として、珪素鋼、パーマロイ又はアモルファス合金のいずれか１つ、またはこれらの組合せを採用することとしたから、温度変動に起因した精度低下を防ぐことが可能であって、透磁率変化を利用するタイプの位置検出装置の精度をより向上させることができる。
【００２４】
（５）  前記表面層は、メッキにより形成されていることを特徴とする位置検出装置。
【００２５】
本発明によれば、可動被検出物のうちの検出コイルに対向する面に、メッキによって表面層が形成されていることから、当該メッキ層を薄膜化することで、温度変動に起因した精度低下を防ぐことが可能な位置検出装置の製造時間を短縮することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る位置検出装置は、以上説明したように、線膨張係数が低く、温度変動の影響を受けにくい材料からなる基材の表面に、導電性材料或いは磁性材料からなる表面層が形成された可動被検出物の変位量を、検出コイルによって検出する、というものであり、その位置検出装置が使用される温度環境に起因した誤差を小さくすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２８】
［概略構造］
図１は、本発明の実施の形態に係る位置検出装置の検出部の概略構造を示す図である。
【００２９】
図１において、本発明の実施の形態に係る位置検出装置の検出部は、磁気スケール１と、検出コイル２と、から構成されている。
【００３０】
磁気スケール１は、所定のピッチで凹凸を有する細長形状をしており、可動被検出物としての磁気スケール１の長手方向の両方向（図１の左右方向）に往復変位可能となるように配置されている。また、磁気スケール１は、線膨張係数が低い窒化珪素（４×１０−６ｍｍ／℃）からなる基材３の表面に、非磁性材料のアルミニウムからなる表面層としてのメッキ層４が形成されており、図２に示すような断面を有している。図２は、図１に示す磁気スケール１の断面図である。
【００３１】
なお、この磁気スケール１の製造工程の詳細については後述する。また、本実施形態では、磁気スケール１の基材３として窒化珪素を採用したが、本発明はこれに限られることなく、例えば、炭化珪素（４．６×１０−６ｍｍ／℃）、セラミック（２．５〜３．３×−６ｍｍ／℃）、ガラス（０．４〜８×１０−６ｍｍ／℃）又はシリコン（４．５×１０−６ｍｍ／℃）といった低線膨張係数材料を採用しても構わない。さらに、本実施形態では、磁気スケール１のメッキ層４としてアルミニウムを採用したが、本発明はこれに限られることなく、例えば、渦電流を利用するタイプの位置検出装置にあっては、銅、チタンなどの導電率の良い素材などを採用してもよいし、透磁率の変化を利用するタイプの位置検出装置にあっては、珪素鋼、パーマロイ、アモルファス合金又は鉄系金属などを採用してもよい。また、上記素材の複数を組み合わせて表面層を形成してもよい。
【００３２】
磁気スケール１の外周部分には、この磁気スケール１の変位方向に沿って、円環状に巻回された検出コイル２が配置されている。検出コイル２には、後述するドライバ７（励磁電源）から励磁電流が供給され、検出コイル２の内部に検出磁界Φが形成される。これにより、磁気スケール１は、検出コイル２に励磁電流が供給されることによって形成される検出磁界Φの中を通過するように配置されるようになる。なお、本実施形態では、円環状に検出コイルが巻回されているが、必ずしも円環状に巻回されている必要はない。
【００３３】
検出コイル２は、対になった複数のコイル（図１参照）から成っており、磁気スケール１の長手方向に沿って、これらのコイルが複数連なって配置されている。これらのコイルからは、Ａ相，Ｂ相のコイル組検出信号が得られるようになっており、コイル組の相対的位置関係より、Ａ相のコイル組検出信号とＢ相のコイル組検出信号とは９０°の位相差を有することとなる。以下、この９０°の位相差を有するＡ相，Ｂ相のコイル組検出信号を得るまでの位置検出装置の処理動作について説明する。
【００３４】
［処理動作］
図３は、本発明の実施の形態に係る位置検出装置の処理動作を説明するための電気回路図である。
【００３５】
図３において、磁気スケール１の変位を検出する検出コイル２の一部を構成する検出コイル２ａと検出コイル２ｂとの接続点には、この検出コイル２ａ，２ｂに励磁電流を供給するドライバ７ａが接続されている。同様に、磁気スケール１の変位を検出する検出コイル２ｃと検出コイル２ｄの接続点には、この検出コイル２ｃ，２ｄに励磁電流を供給する励磁電源であるドライバ７ｂが接続されている。そして、これらのドライバ７ａ，７ｂには、励磁信号を与える発振器６が接続されている。
【００３６】
一方、磁気スケール１の変位を検出する検出コイル２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄには、それぞれプリアンプ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ、整流回路９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ、及びローパスフィルタ（ＬＰＦ）１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄが接続されている。そして、ＬＰＦ１０ａ及びＬＰＦ１０ｂは差動増幅アンプ１１ａに接続され、ＬＰＦ１０ｃ及び１０ｄは差動増幅アンプ１１ｂに接続されている。また、差動増幅アンプ１１ａ及び差動増幅アンプ１１ｂは、ＣＰＵをはじめ４逓倍回路やアップダウンカウンタ等の位置検出回路を多数備えた位置検出手段１２に接続されている。
【００３７】
以下、差動増幅アンプ１１ａの出力であって、位置検出手段１２に入力されるコイル組検出信号（Ａ相のコイル組検出信号）Ｓ１ａが生成される過程を説明する。なお、差動増幅アンプ１１ｂの出力であるコイル組検出信号（Ｂ相のコイル組検出信号）Ｓ１ｂが生成される過程については、コイル組検出信号Ｓ１ａの場合と同様であるので、その説明を省略する。
【００３８】
まず、発振器６からは、一対の検出コイル２ａ，２ｂに励磁電流を供給するドライバ７ａに励磁信号（例えば、１ＭＨｚの高周波信号）が与えられる。この励磁信号により、ドライバ７ａから検出コイル２ａ，２ｂに励磁電流が供給され、一対の検出コイル２ａ，２ｂから構成されるコイル組５ａの周囲には検出磁界Φが形成される。この検出磁界Φの中を磁気スケール１が変位（通過）すると、磁気スケール１のメッキ層４に生じる渦電流に起因して検出コイル２ａ，２ｂのインダクタンスがそれぞれ変化する。
【００３９】
より具体的には、上述したように、磁気スケール１は、窒化珪素よりなる基材３の表面に非磁性導電性材料であるアルミニウムよりなるメッキ層４が形成されているが（図２参照）、メッキ層４を流れる渦電流は、表皮効果により、励磁信号の周波数に応じた表皮深さに集中する。例えば、励磁信号の周波数が１ＭＨｚである場合には、渦電流の表皮深さは、次式に基づき計算すれば約０．０８ｍｍとなる。
【００４０】
【数１】
2005140610.tif 000003
【００４１】
従って、メッキ層４が０．１ｍｍ程度あれば、位置検出機能の精度は低下しないことがわかる。これにより、メッキ層４を薄膜化することが可能であり、ひいては位置検出装置の製造時間の短縮に寄与することができる。
【００４２】
次に、検出コイル２ａ，２ｂのインダクタンス変化に応じた信号がそれぞれ検出コイル出力信号Ｓ２ａ，Ｓ２ｂとして出力される。出力された検出コイル出力信号Ｓ２ａ，Ｓ２ｂは、それぞれプリアンプ８ａ，８ｂ、整流回路９ａ，９ｂ、ＬＰＦ１０ａ，１０ｂを介して差動増幅アンプ１１ａに入力される。差動増幅アンプ１１ａでは、入力された検出コイル出力信号Ｓ２ａと検出コイル出力信号Ｓ２ｂとの差動出力信号がＡ相のコイル組検出信号Ｓ１ａとして出力される。
【００４３】
ここで、検出コイル出力信号Ｓ２ａ，Ｓ２ｂ，Ｓ２ｃ，Ｓ２ｄ、コイル組検出信号Ｓ１ａ，Ｓ１ｂの信号波形について、図４を用いて概略的に説明する。図４（ａ）及び図４（ｂ）は、磁気スケール１の変位量に対する検出コイル出力信号の信号波形を示す概略図である。また、図４（ｃ）は、磁気スケール１の変位量に対するコイル組検出信号の信号波形を示す概略図である。
【００４４】
まず、検出コイル２ａから出力される検出コイル出力信号Ｓ２ａは、図４（ａ）に示すように、所定の振幅値を有する波長λの正弦波の波形をしている。また、磁気スケール１は、一対の検出コイル２ａと２ｂの各々に対応して凹凸が複数連なって構成されているため、検出コイル２ａと一対をなす検出コイル２ｂからは、検出コイル出力信号Ｓ２ａとは逆位相の検出コイル出力信号Ｓ２ｂが出力される（図４（ｂ）参照）。なお、検出コイル２ｃ，２ｄから出力される検出コイル出力信号Ｓ２ｃ，Ｓ２ｄの信号波形は、上述のとおりコイル組５ａと５ｂとがλ＋（１／４）λだけ位置ズレした状態で配置されていることから、検出コイル出力信号Ｓ２ａ，Ｓ２ｂと比べて位相がπ／２遅れた信号波形となっている（図４（ａ）及び（ｂ）参照）。
【００４５】
そして、Ａ相のコイル組検出信号Ｓ１ａは、検出コイル出力信号Ｓ２ａとＳ２ｂとは逆位相であることから、図４（ｃ）に示されるような正弦波状で出力される。また、Ｂ相のコイル組検出信号Ｓ１ｂは、検出コイル出力信号Ｓ２ｃとＳ２ｄとが逆位相であり、かつ、コイル組５ａと５ｂとがλ＋（１／４）λだけ位置ズレした状態で配置されていることから、Ａ相のコイル組検出信号Ｓ１ａと位相が（１／４）λ（＝９０°）だけ遅れた信号波形となっている。
【００４６】
このようにして、差動増幅アンプ１１ａ，１１ｂの出力たる差動出力信号（Ａ相のコイル組検出信号Ｓ１ａとＢ相のコイル組検出信号Ｓ１ｂ）を得ることができる。なお、差動出力信号を用いることで、ノイズ等の外乱の影響で検出コイル出力信号Ｓ２ａ，Ｓ２ｂの双方に変動が生じた場合であってもその悪影響を軽減することができる。また、逆位相である検出コイル出力信号Ｓ２ａ，Ｓ２ｂの差動を出力信号とすることで、位置検出装置の温度特性の改善を図ることが可能となる。
【００４７】
［磁気スケールの製造工程］
図５は、本発明の実施の形態に係る位置検出装置の検出部内の磁気スケール１の製造工程を説明するための工程図である。なお、磁気スケール１は、上述のとおり窒化珪素からなる基材３の周りに、アルミニウムからなるメッキ層（表面層）４を形成したものであり、製造方法としては、基材３にアルミニウムを電気化学的に析出（電着）させるもの（メッキ法）、基材３とアルミニウムのクラッド構造を採用するもの、真空チャンバ内で蒸着材料を電子ビームやタングステンヒータなどの熱源によって気化させ、近傍においた基材３に堆積させて表面層を形成するもの（蒸着法）、アルゴンプラズマをターゲットに照射し，それによりはじき出された物質を基材３に堆積させるもの（スパッタ法）、アルミ製リングを基材３に嵌め込むもの、など様々な方法が考えられるが、本発明においてはその種類の如何を問わない。ここでは、メッキ法に基づいて磁気スケール１を製造する工程について説明する。
【００４８】
図５において、まず、酸洗いした基材３を亜硝酸ナトリウム水溶液などに浸漬する（図５（ａ）→（ｂ））。これにより、酸化膜が除去された基材３の表面が活性化され、浄化作用が働く。
【００４９】
次いで、基材３を引き上げた後（図５（ｂ）→（ｃ））、塩化亜鉛アンモニウム水溶液などにもう一度浸漬し、それを引き上げて２００℃前後でベーキング処理を行う。これにより、塩化亜鉛の潮解性に起因した水分付着を防止することができる。
【００５０】
以上の前処理を行った後、高濃度溶融アルミニウム浴（アルミニウム−亜鉛浴を含む）に基材３を浸漬してメッキを施す（図５（ｃ）→（ｄ））。メッキ温度は、約４５０℃前後であり、この温度より低くするとメッキ層は厚くなり、この温度より高くするとメッキ層は薄くなる。なお、かかるメッキ処理は、アルゴン、窒素などの不活性ガス中で行う。浴中のアルミニウムが酸化されて、その酸化アルミニウムの密着不良を防止するためである。
【００５１】
以上説明したような製造工程に基づき、本実施形態に係る位置検出装置の磁気スケール１の基材３に、アルミニウムのメッキ層４が形成されることとなる（図５（ｄ）→（ｅ））。これにより、窒化珪素からなる基材３を芯部にもつ磁気スケール１（全長１００ｍｍ）が、温度変化が−４０度から１５０度まである環境に置かれた場合、この場合の磁気スケール１の機械的な長さ変化は、窒化珪素の線膨張係数は４×１０−６であるから、４×１０−６×（１５０＋４０）×１００＝０．０７６ｍｍとなる。従って、磁気スケール１が０．２〜０．１ｍｍの分解能を得ている場合であっても、従来技術（０．４５ｍｍの誤差）と比べて、温度変動に起因した精度低下を防ぐことができる。
【００５２】
なお、メッキ層４も温度変動に起因して機械的な長さが変動する。しかし、基材３の直径が例えば５ｍｍであるのに対し、その表面に形成されるメッキ層４の厚さが例えば０．１ｍｍに過ぎないため、メッキ層４の温度変動によるスケール１の機械的長さに与える影響はほとんど無視できる。また、温度変動に起因してメッキ層４の機械的な厚さが変化するが、その厚さ変化は、２３．９×１０−６×（１５０＋４０）×０．１＝０．０００４５ｍｍであるため、全く無視することができる。
【００５３】
［変形例］
図６は、本発明の他の実施の形態に係る位置検出装置の検出部の概略構造を示す図である。
【００５４】
図６において、本発明の他の実施の形態に係る位置検出装置の検出部は、磁気スケール１０１と、検出コイル１０２と、から構成されている。
【００５５】
磁気スケール１０１は、所定のピッチで材質の異なるメッキが施された細長形状をしており、可動被検出物としての磁気スケール１０１の長手方向の両方向（図６の左右方向）に往復変位可能となるように配置されている。
【００５６】
図６に示す磁気スケール１０１を本発明に係る位置検出装置に用いることで、図１に示す磁気スケール１を本発明に係る位置検出装置に用いた場合と同様の効果を奏することができる。すなわち、線膨張係数が低く、温度変動の影響を受けにくい材料からなる基材１０３の表面に、導電性材料或いは磁性材料からなり、互いに導電率或いは透磁率の異なるメッキ層１０４及びメッキ層１０５を形成することによって、位置検出装置が使用される温度環境が大きく変化した場合であっても、その位置検出装置の線膨張は線膨張係数の低い基材１０３の線膨張が支配的となるため、その温度環境の変化に起因した精度低下を防ぐことが可能となる。
【００５７】
図７は、本発明の他の実施の形態に係る位置検出装置の検出部の概略構造を示す図である。
【００５８】
図７において、本発明の他の実施の形態に係る位置検出装置の検出部は、磁気スケール２０１と、検出コイル２０２と、から構成されている。
【００５９】
磁気スケール２０１は、円筒形状の基材２０３と、その内周面に形成されたメッキ層２０４とから構成されており、棒状の磁性体を内部に有する検出コイル２０２の外側（外周上）で往復変位可能となるように配置されている。
【００６０】
図７に示す磁気スケール２０１を本発明に係る位置検出装置に用いることで、図１に示す磁気スケール１或いは図５に示す磁気スケール１０１を本発明に係る位置検出装置に用いた場合と同様の効果を奏することができ、その結果、位置検出装置が使用される温度環境の変化に起因した精度低下を防ぐことが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明に係る位置検出装置は、位置検出装置が使用される温度環境下において、温度変動が生じた場合であっても、その温度変動に起因した精度低下を防ぐことができるものとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の実施の形態に係る位置検出装置の検出部の概略構造を示す図である。
【図２】図１に示す磁気スケールの断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る位置検出装置の処理動作を説明するための電気回路図である。
【図４】磁気スケールの変位量に対するコイル組検出信号の信号波形を示す概略図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る位置検出装置の検出部内の磁気スケールの製造工程を説明するための工程図である。
【図６】本発明の他の実施の形態に係る位置検出装置の検出部の概略構造を示す図である。
【図７】本発明の他の実施の形態に係る位置検出装置の検出部の概略構造を示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
１  磁気スケール
２，２ａ〜２ｄ  検出コイル
３  基材
４  メッキ層
５ａ，５ｂ  コイル組
６  発振器
７ａ，７ｂ  ドライバ
８ａ〜８ｄ  プリアンプ
９ａ〜９ｄ  整流回路
１０ａ〜１０ｄ  ＬＰＦ
１１ａ，１１ｂ  差動増幅アンプ
１２  位置検出手段
【図１】
2005140610.tif 000004
【図２】
2005140610.tif 000005
【図３】
2005140610.tif 000006
【図４】
2005140610.tif 000007
【図５】
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【図６】
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【図７】
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