(57)【要約】【課題】透光性基板にフレキシブル基板を接着させた構成の薄型の撮像装置において、透光性基板とフレキシブル基板との剥離発生を抑制し、良好な画像が得られる信頼性に優れた撮像装置を提供すること。【解決手段】透光性基板１と、透光性基板１の一方の主面にカップリング剤層４および接着剤層３を介して接着された、中央部に貫通した開口を有するフレキシブル基板２と、フレキシブル基板２の透光性基板と反対側の主面の開口の周囲に受光部６側の面の外周部が接続されている固体撮像素子５とを具備している撮像装置であって、カップリング剤層４は、接着面の面積の６０％以上において厚みが５分子層以下であり、このためカップリング剤の分子が配列して分子同士の結びつきが強くなり、透光性基板１と接着剤層３とが強固に接着される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板と、該透光性基板の一方の主面にカップリング剤層および接着剤層を介して接着された、中央部に貫通した開口を有するフレキシブル基板と、該フレキシブル基板の前記透光性基板と反対側の主面の前記開口の周囲に受光部側の面の外周部が接続されている固体撮像素子とを具備している撮像装置であって、前記カップリング剤層は、接着面の面積の６０％以上において厚みが５分子層以下であることを特徴とする撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は撮像装置に関し、特に携帯電話等に搭載される薄型の撮像装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、薄型化された撮像装置として、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）法やＴＯＧ（ＴＡＢ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）法と呼ばれる実装法によってＣＣＤやＣＭＯＳ等の固体撮像素子をフリップチップ実装した構成が知られている。
【０００３】
ＣＯＧ法は、ガラス等の透光性基板に真空蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成技術により薄膜金属を被着し、この薄膜金属をフォトリソグラフィ法、エッチング法によりパターン加工することにより薄膜配線層を形成し、固体撮像素子等の半導体チップを金バンプ等を介してフリップチップ実装する方法である。
【０００４】
ＣＯＧ法においては、ガラス等の透光性基板に薄膜配線層を直接形成するため、透光性基板の厚みと薄膜配線層の厚みだけの厚さの製品となり、非常に薄型になるという利点があるが、以下のような問題がある。
【０００５】
（１）  薄膜形成技術により透光性基板全面に薄膜金属を被着させた後、不要な部分の薄膜金属をエッチング法等により除去するため、エッチング不足等による薄膜金属の残渣が発生しやすく、この残渣がわずかでも透光性基板の固体撮像素子に入射する光が通過するエリアに残っていると、陰となってしまってその部分の画像が欠けるので良好な画像を得ることができないという問題がある。また、このエッチング不足による薄膜金属の残渣を防ぐためにエッチングを過剰に行なうと薄膜配線層の線幅が細くなったり、その結果、薄膜配線層が剥がれやすくなったりする問題がある。
【０００６】
（２）  透光性基板に直接薄膜配線層を形成する際には、薄膜金属の被着、フォトリソグラフィによるレジストパターニング、エッチング、レジスト剥離と多くの加工工程を経るので、その間に透光性基板に傷が発生したり、異物が付着したりしやすいという問題がある。
【０００７】
（３）  薄膜金属を被着させる真空蒸着法やスパッタリング法は一般的にバッチ処理であり、一バッチに処理できる数量が限られる。また、その工程で必要になる真空引き等に非常に時間がかかるため、生産性を上げることが難しく、結果としてコスト高になってしまうというコスト面および生産性の面における問題がある。
【０００８】
一方、ＴＯＧ法は、屈曲性のある絶縁層上に複数の銅配線を形成したフレキシブル基板（ＴＡＢテープ）に例えば異方性導電膜を介して固体撮像素子を接続し、異方性導電膜の周囲を封止樹脂で覆って固体撮像素子とＴＡＢテープとの間の電気的および機械的接続を補強したものを透光性基板の一方の面に接着剤によって接続する構造のために、透光性基板に薄膜配線層を加工する工程がなく、先述したＣＯＧ法の３つの問題を解決することができる（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
その後、フレキシブル基板に半田を介してＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等の集積回路やチップコンデンサ，チップ抵抗等のチップ部品を実装するために、２８０℃から３５０℃程度の温度に加熱したリフロー炉に入れる加熱実装工程を経て撮像装置が完成される。
【００１０】
【特許文献１】
特許第３２０７３１９号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１に提案されているＴＯＧを用いた撮像装置は、透光性基板とフレキシブル基板とを接着剤層によって接続して配線基板を形成しており、固体撮像素子をフレキシブル基板にフリップチップ実装する際や、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等の集積回路やチップコンデンサ，チップ抵抗等のチップ部品を半田によって実装する際に熱を加える工程で、透光性基板とフレキシブル基板とが剥離してしまうという問題があった。透光性基板とフレキシブル基板とが剥離するのは、透光性基板の熱膨張係数とフレキシブル基板の熱膨張係数とに大きな差があるため、この熱膨張係数の差より生じる応力が、接着剤層の接着力を上回るために生じると考えられている。また、透光性基板とフレキシブル基板との間において部分的な剥離が生じても、剥離が生じた部分において透光性基板と固体撮像素子との距離が長くなるため、透光性基板とフレキシブル基板との平行性が失われ、その結果フレキシブル基板に実装されている固体撮像素子が透光性基板に対して微かに傾くこととなる。その結果、透光性基板を画像装置に取り付けたときに固体撮像素子が傾いて取り付けられた状態になるため、得られる画像が歪んでしまうという問題があった。
【００１２】
この問題を解決するために、透光性基板とフレキシブル基板を接続する接着剤層との間にカップリング剤層を介在させて、透光性基板の−ＯＨ基と、カップリング剤層の−ＯＨ基とを水素結合させてＨ２Ｏ分子を放出させ、−Ｏ−の配位結合にさせることにより接着強度を強固にすることが試みられた。しかし、カップリング剤層の厚みが厚いと固体撮像素子やチップ部品等を実装する際の加熱工程でカップリング剤層の一部が蒸発し、カップリング剤層が蒸発した部分で透光性基板と接着剤層との接着強度が弱くなり、透光性基板と接着剤層とが剥がれてしまうという問題があった。
【００１３】
また、カップリング剤層の蒸気が透光性基板と接着剤層との間から逃げられず、カップリング剤が蒸発する圧力で接着剤層と接するフレキシブル基板が部分的に膨れてしまうことがあった。そして、剥離が生じてフレキシブル基板が部分的に膨れた部分において透光性基板と固体撮像素子との距離が長くなるため、透光性基板とフレキシブル基板との平行性が失われ、その結果フレキシブル基板に実装されている固体撮像素子が透光性基板に対して微かに傾くこととなる。その結果、透光性基板を画像装置に取り付けたときに、固体撮像素子が傾いて取り付けられた状態になるため、得られる画像が歪んでしまうという問題があった。
【００１４】
加えて、接着剤層にエポキシアクリレート樹脂、変成アクリル樹脂、エポキシ樹脂等のワニス状の樹脂接着剤を用いて透光性基板とフレキシブル基板とを接着する場合、接着剤層が柔らかいため、透光性基板とフレキシブル基板とを接着する際に透光性基板とフレキシブル基板とが平行に接着されるように接着圧力を均一にしないと、透光性基板とフレキシブル基板とが傾いた状態で接着されてしまって、フレキシブル基板に実装された固体撮像素子と透光性基板とが平行に接着されず、その結果、透光性基板を画像装置に取り付けたときに固体撮像素子が傾いて取り付けられた状態になるため、得られる画像が歪んでしまうという問題があった。
【００１５】
また、エポキシアクリレート樹脂、変成アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂接着剤を用いた接着剤層は耐熱性が十分でなく、固体撮像素子やチップ部品等を実装する際の複数回にわたる加熱処理により接着剤層が変質してしまい剥離が発生しやすいという問題点があった。
【００１６】
従って、本発明は上記従来技術における問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、固体撮像素子やチップ部品等を実装する際の加熱工程や、温度サイクル試験等の耐熱試験において発生する透光性基板とフレキシブル基板との剥離の発生を抑制し、信頼性に優れた薄型の撮像装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の撮像装置は、透光性基板と、この透光性基板の一方の主面にカップリング剤層および接着剤層を介して接着された、中央部に貫通した開口を有するフレキシブル基板と、このフレキシブル基板の前記透光性基板と反対側の主面の前記開口の周囲に受光部側の面の外周部が接続されている固体撮像素子とを具備している撮像装置であって、前記カップリング剤層は、接着面の面積の６０％以上において厚みが５分子層以下であることを特徴とするものである。
【００１８】
本発明の撮像装置によれば、カップリング剤層は、接着面の面積の６０％以上において厚みが５分子層以下であることから、カップリング剤の分子が配列して分子同士の結びつきが強くなり、透光性基板の表面に孤立して存在するカップリング剤の分子がほとんどなくなる。その結果、固体撮像素子やチップ部品等を実装する際の加熱工程や耐熱試験においてカップリング剤層が蒸発しにくくなり、透光性基板と接着剤層とがカップリング剤層によって強固に接着される。これにより、固体撮像素子やチップ部品等を実装する際の加熱工程による透光性基板とフレキシブル基板との剥離や透光性基板とフレキシブル基板との剥離より生じるフレキシブル基板の部分的膨れが発生しない信頼性に優れた薄型の撮像装置を得ることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明を詳細に説明する。
図１は本発明の撮像装置の実施の形態の一例を示し、（ａ）は撮像装置の断面図、（ｂ）は撮像装置の下面図である。これらの図において、１はガラス等からなる透光性基板、２は屈曲性のあるフレキシブル基板、２１はフレキシブル基板２を構成する絶縁層、２２はフレキシブル基板２の内層に形成された導体層、３は透光性基板１とフレキシブル基板２とを接続するための接着剤層、４は透光性基板１と接着剤層３の界面に設けられたカップリング剤層、５は固体撮像素子、６は固体撮像素子５の受光部、７は固体撮像素子５とフレキシブル基板２の導体層２２とを電気接続するための金バンプ、８は固体撮像素子５と透光性基板１との間に形成される空間を封止するための封止樹脂である。
【００２０】
透光性基板１はガラス，石英，水晶，サファイア，透明樹脂等の透光性の材料のうちの１種から成り、フレキシブル基板２を支持する支持部材として機能する。透光性基板１の厚みは０．０５〜１ｍｍ程度とするのがよい。０．０５ｍｍ未満では支持部材としての強度が不十分になる傾向になり、１ｍｍを超えると薄型の撮像装置として好ましくない。
【００２１】
透光性基板１をガラス，石英，水晶，サファイア等の無機材料で形成した場合、透光性基板１のどちらか一方の主面に酸化チタンや五酸化タンタル，酸化アルミニウム，五酸化ニオブ，二酸化ハフニウム，二酸化ジルコニウム，酸化マグネシウム，フッ化マグネシウム等の単層の光学薄膜またはこれらを組み合わせた多層の光学薄膜を付着させることで、反射防止や赤外線カット等のフィルタ機能をあわせて持たせることができる。また、透光性基板１の両主面に異なる光学薄膜を付着させることで２つの異なるフィルタ機能を持たせることも可能である。
【００２２】
フレキシブル基板２は、樹脂からなる絶縁層２１によって銅または銅合金等からなる導体層２２が挟みこまれて構成される。フレキシブル基板２は自由に曲げることが可能で、また、中央部に例えば矩形の貫通した開口を有しており、この開口を通して入射する光を固体撮像素子５の受光部６で受けるようにされている。受光部６で受光された光は固体撮像素子５で光電変換され電気信号となる。固体撮像素子５は、フレキシブル基板２の部分的に露出した導体層２２と金バンプ７を介して電気的に接続され、固体撮像素子５の電気信号がフレキシブル基板２の導体層２２を通して外部に伝達される。
【００２３】
フレキシブル基板２を構成する絶縁層２１はポリイミド樹脂，ポリフェニレンサルファイド樹脂，全芳香族ポリエステル樹脂，フッ素樹脂等の樹脂材料のうちの１種から成る。絶縁層２１の厚みは、０．０１〜０．５ｍｍ程度とするのがよい。０．０１ｍｍ未満では、透光性基板１に接着する際に誤って破れてしまう虞があり、取り扱いにくい傾向にあり、０．５ｍｍを超えると撮像装置が厚くなってしまい、薄型の撮像装置として好ましくない。
【００２４】
フレキシブル基板２の内層に形成された導体層２２は、銅，金，アルミニウム，ニッケル，クロム，モリブデン，チタンおよびそれらの合金等の金属材料をスパッタリング法，蒸着法，めっき法，印刷法，金属箔エッチング法等を採用することによって形成することができる。導体層２２の厚みは０．１〜５０μｍ程度とするのがよい。０．１μｍ未満では、電気抵抗が大きくなり、またフレキシブル基板を屈曲させたときに断線してしまう場合があり、５０μｍを超えると内層に導体層２２が形成されている部分のフレキシブル基板２の表面が凸状になる傾向があり、平面度が損なわれることから透光性基板１との接続強度が弱くなる場合がある。導体層２２が銅層または銅合金層から成る場合には、固体撮像素子５や外部プリント板，チップ部品等の実装性および耐環境性の点から、フレキシブル基板２の導体層２２が露出した表面にニッケル層や金層を形成するとよい。これにより、銅層または銅合金層の表面の酸化防止あるいは酸化による抵抗値の増大を防止することができる。
【００２５】
接着剤層３は、ポリアミドイミド樹脂，シロキサン変性ポリイミド樹脂，シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂等の樹脂接着剤から成り、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）フィルムにドクターブレード法等を用いてこの樹脂接着剤を乾燥厚みが５〜５０μｍ程度になるように塗布して乾燥させた後にＰＥＴフィルムを剥離し、フィルム状に加工する。接着剤層３の乾燥厚みが５μｍ未満では、接着剤として十分な強度が得られない傾向があり、透光性基板１とフレキシブル基板２との剥離が発生しやすくなる。一方、５０μｍを超えると撮像装置が厚くなってしまうので、薄型の撮像装置には好ましくない。
【００２６】
この接着剤層３のフィルムを、厚みが５分子層以下のカップリング剤層４を被着させた透光性基板１とフレキシブル基板２との間に配されるように積み重ね、これらを加熱プレス装置を用いて加熱しつつ加圧して接着させる。なお、加熱プレス装置内を減圧し、真空状態で加熱しつつ加圧した方が透光性基板１とフレキシブル基板２とを強固にかつ平行に接着できるため、より好ましい。
【００２７】
さらに、接着剤層３をあらかじめフィルム状に形成しておくと、透光性基板１とフレキシブル基板２とが平行を保った状態で接着されやすいために、結果として固体撮像素子５と透光性基板１とが平行に接着されることとなり、良好な画像が得られる薄型の撮像装置を得ることができる。
【００２８】
カップリング剤層４は、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン，Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン，γ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン，ビニルトリエトキシシラン，ビニルトリス（βメトキシエトキシ）シラン，γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン，Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン，γ−クロロプロピルトリメトキシシラン，γ−アミノプロピルトリエトキシシラン，イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネ−ト，イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート，ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート，イソプロピルトリＮ−アミノエチルチタネート，イソプロピルトリオクタノイルチタネート，イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート，イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート，アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート等のうちから選択される１種から成る。
【００２９】
特にイソプロピルトリＮ−アミノエチルチタネートは、ガラス，石英，水晶，サファイア等の透光性基板１に使用する無機材料と、ポリイミド樹脂，ポリアミドイミド樹脂，シロキサン変性ポリイミド樹脂，シロキサン変性ポリアミドイミド等の接着剤層３に使用する樹脂との両方に対して濡れ性がよいのでこれらと強固に結合しやすく、また分子構造的に耐熱性が高いため、透光性基板１と接着剤層３との接着強度が強固になるとともにより高温の加熱処理にも対応することができるので好ましい。このようなカップリング剤を使用すると、カップリング剤層４の耐熱性が向上し、固体撮像素子５やチップ部品等を実装する際のより高温の加熱工程でもカップリング剤層４の蒸発がなくなり、透光性基板１と接着剤層３とがカップリング剤層４によって強固に接着される。
【００３０】
カップリング剤層４は、透光性基板１上にスピンコート法，浸漬法等でコーティングする方法でも形成できるが、膜の均一性を高めるためにはＬＢ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ  Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）膜法を用いて形成するのがよい。
【００３１】
ＬＢ膜法を用いてカップリング剤層４を形成する場合は、例えば、液面にカップリング剤を１分子層の厚みに分散させ、その膜面に対して垂直に透光性基板１を浸漬し、そのままゆっくりと引き上げることで透光性基板１の全面に１分子層のカップリング剤層４が均一な厚みに形成される。５分子層の厚みに形成する場合は、これを５回繰り返せば良い。
【００３２】
カップリング剤層４は、例えば上記のいずれかのカップリング剤を使用し、その分子が透光性基板１の表面におおよそ整列した状態で厚みが５分子層以下で積み重なっている。特にシラン系のカップリング剤の場合は１分子層の状態に整列した状態でも強固な接着力が得られる。なお、透光性基板１の表面が非常に清浄な状態の場合には理想的な１分子層の厚みで形成することができるが、多くの場合、透光性基板１の表面に１分子層の厚みでカップリング剤層４を形成したとしても、透光性基板１の表面に微小な異物が付着しているため、その異物の周辺で異物のもつ静電気や分極などに影響されて、カップリング剤層４が例えば５分子層の厚みになる場合がある。カップリング剤層４の状態は、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  ｆｏｒｃｅ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＡＦＭ）で観察することが可能である。
【００３３】
また、シラン系のカップリング剤は水／メタノール溶液に容易に溶解し、１％以下の低濃度でも接続強度を上げるのに十分であるが、カップリング剤のｐＨについては十分注意が必要で、ｐＨは６から１０の範囲が好ましい。ｐＨが６未満の場合、分子内の水素結合で環状分子が生成するために−Ｏ−の配位結合とならず、十分な接続強度が得られなくなり、またｐＨが１０を超える場合、カップリング剤の分子が屈曲構造をとるため樹脂との相互作用が弱くなって十分な接続強度が得られなくなると考えられる。
【００３４】
このとき、カップリング剤層４の厚みが５分子層厚みより厚くなると、カップリング剤層４の分子の配列の乱れが大きくなり、孤立するカップリング剤の分子が増加し、加熱処理によりカップリング剤層４の一部が蒸発しやすくなって、カップリング剤の蒸発圧力によって接着剤層３と接するフレキシブル基板２の表面の一部が膨れてしまいやすくなる傾向があるため、カップリング剤層４の厚みは５分子層厚み以下としておくのがよい。
【００３５】
ちなみにカップリング剤の１分子の大きさは２ｎｍ程度であり、５分子層厚みでは１０ｎｍ程度に形成されることになる。またカップリング剤層４の分子の厚みが５分子層厚み以下の状態が接着面の面積の６０％以上であれば接着強度の改善効果がある。
【００３６】
透光性基板１と、フレキシブル基板２の絶縁層２１と、接着剤層３と、カップリング剤層４との組み合わせとしては、透光性基板１にはガラス，石英，水晶，サファイアの無機材料のいずれかを用い、フレキシブル基板２の絶縁層２１にはポリイミド樹脂を用い、接着剤層３にはポリアミドイミド樹脂，シロキサン変性ポリイミド樹脂あるいはシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂を用い、カップリング剤層４にはイソプロピルトリＮ−アミノエチルチタネートを用いる組み合わせが、フレキシブル基板２とフィルム状に加工した接着剤層３との接着性が最も優れており、またカップリング剤層４を介して透光性基板１と接着剤層３とが強固に接着され、かつ耐熱性が高いため本発明に好適である。
【００３７】
固体撮像素子５にはＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ），ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ），ＶＭＩＳ（Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ  Ｉｍａｇｅ  Ｓｅｎｓｏｒ）等が用いられ、その受光部６にマイクロレンズが設けられてもよい。固体撮像素子５とフレキシブル基板２とを電気的に接続する金バンプは、フレキシブル基板２の導体層２２の電極部に形成しても、固体撮像素子５の電極部に形成してもあるいはそれら両方に形成してもよい。また金バンプのかわりに半田バンプ、金属ボール，導電性樹脂，異方性導電ゴム，異方性導電フィルム等を用いてもよい。そして、固体撮像素子５は透光性基板１とフレキシブル基板２とが接着された後にブレキシブル基板２にこれらの方法で接続される。
【００３８】
封止樹脂８は、フェノール樹脂やエポキシ系樹脂から成り、例えば熱あるいは紫外線またはそれらを併用することにより硬化させて固体撮像素子５と透光性基板１との間に形成された空間を封止する。封止樹脂８は省略することもできるが、固体撮像素子５にＣＣＤを用いた場合は空気に触れることでその性能が落ちる場合があるため、固体撮像素子５の受光部６側の空間を気密に保つように封止されるのが好ましい。
【００３９】
かくして、本発明の撮像装置によれば、カップリング剤層４は、接着面の面積の６０％以上において厚みが５分子層以下に形成してあるため、カップリング剤層４のカップリング剤分子が配列して分子同士の結びつきが強くなり、固体撮像素子５やチップ部品等を実装する際の加熱工程や耐熱試験においてカップリング剤が蒸発しにくくなり、透光性基板１と接着剤層３とが強固に接着される。その結果、固体撮像素子５やチップ部品等を実装する際の加熱工程による透光性基板１とフレキシブル基板２との剥離や、透光性基板１とフレキシブル基板２との剥離によって生じるフレキシブル基板２の膨れが発生したりしない信頼性に優れた薄型の撮像装置を得ることができる。
【００４０】
なお、本発明は上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、加工方法として大面積の透光性基板１を用い、多数個のフレキシブル基板２がアレイ状に並んだものを一度に接着してから個片に切断することでＴＯＧパッケージを形成することにより本発明の撮像装置としてもよいし、またアレイ状のまま固体撮像素子５を実装し、樹脂封止まで施した後に個片に切断して本発明の撮像装置を完成させてもよい。
【００４１】
【発明の効果】
本発明の撮像装置によれば、カップリング剤層は、接着面の面積の６０％以上において厚みが５分子層以下であることから、カップリング剤の分子が配列して分子同士の結びつきが強くなり、透光性基板の表面に孤立して存在するカップリング剤の分子がほとんどなくなる。その結果、固体撮像素子やチップ部品等を実装する際の加熱工程や耐熱試験においてカップリング剤層が蒸発しにくくなり、透光性基板と接着剤層とがカップリング剤層によって強固に接着される。これにより、固体撮像素子やチップ部品等を実装する際の加熱工程による透光性基板とフレキシブル基板との剥離や透光性基板とフレキシブル基板との部分的剥離より生じるフレキシブル基板の膨れが発生しない信頼性に優れた薄型の撮像装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の撮像装置の実施の形態の一例を示し、（ａ）は撮像装置の断面図、（ｂ）は撮像装置の下面図である。
【符号の説明】
１：透光性基板
２：フレキシブル基板
２１：絶縁層
２２：導体層
３：接着剤層
４：カップリング剤層
５：固体撮像素子
６：受光部
７：金バンプ
８：封止樹脂
【図１】
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