(57)【要約】【課題】  基板に静電気が発生することを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】  気相洗浄処理部の上方に複数のリンス乾燥処理部６が設けられている。気相洗浄処理部は、基板Ｗを所定の温度に維持しつつ低速回転させながら、基板Ｗにフッ酸蒸気を供給する。リンス乾燥処理部６は、基板プッシャ６０、基板スライドガイド６１、リンス液貯留タンク６２、乾燥部６３、基板ガイド６４および基板キャッチャ６５を有する。リンス液貯留タンク６２と乾燥部６３とは互いに密接して設けられている。リンス液貯留タンク６２は、基板Ｗがリンス液貯留タンク６２に進入するための進入口６２ａおよび基板Ｗをリンス液貯留タンク６２から排出するための排出口６２ｂを有する。リンス液貯留タンク６２の進入口６２ａには、基板Ｗをリンス液貯留タンク６２内に導くための基板スライドガイド６１が接続されている。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の反応性ガスにより基板に気相洗浄処理を行う気相洗浄処理部と、
前記気相洗浄処理部により気相洗浄処理が行われた基板にリンス処理および乾燥処理を行うリンス乾燥処理部とを備え、
前記リンス乾燥処理部は、
基板の進入口および排出口を有し、リンス液を貯留するリンス液貯留部と、
前記リンス液貯留部の前記排出口側に設けられ、揮発性有機溶媒の蒸気により基板の乾燥を行う乾燥部と、
基板を前記進入口から前記リンス液貯留部内のリンス液中に進入させ、前記排出口から排出させるとともに前記乾燥部を通過させる基板移動手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記揮発性有機溶媒は、アルコール系有機溶媒であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記アルコール系有機溶媒は、イソプロピルアルコールであることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記反応性ガスはフッ化水素ガスを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記リンス乾燥処理部は、前記気相洗浄処理部の上方に配置されたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
所定の反応性ガスにより基板に気相洗浄処理を行うステップと、
気相洗浄処理が行われた基板に対して、基板を回転させることなくリンス液により基板をリンス処理し、揮発性有機溶媒の蒸気により基板の乾燥処理を行うステップとを備えたことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体デバイス、液晶ディスプレイ等の製造工程では、半導体ウエハ、ガラス基板等の基板上の不純物を除去するためにフッ化水素（ＨＦ）の水溶液を用いた洗浄処理が行われている。例えば、特許文献１に示されている洗浄処理においては、基板を水平姿勢で回転させながら基板上にフッ化水素の水溶液等の薬液を供給することにより基板を洗浄する。
【０００３】
また、上記の洗浄処理が行われた後、基板上に残留するフッ化水素を洗い流すためのリンス処理が行われる。この場合、基板を水平姿勢で回転させながら基板上に純水を供給することにより基板をリンスする。また、基板のリンス処理後には、基板を高速回転（３０００ｒｐｍ（revolutions per minute）程度）させて基板表面の純水を遠心力によって振り切って乾燥（スピン乾燥）させる。
【特許文献１】特開平４−２８７９２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記洗浄処理およびリンス処理においては、基板の回転時に薬液や純水等の液体が基板上に供給されると基板と液体との衝突により静電気が発生する。その結果、静電気により基板上の素子が破壊される可能性がある。また、帯電した基板に塵埃等のパーティクルが付着しやすくなる。
【０００５】
本発明の目的は、基板に静電気が発生することを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る基板処理装置は、所定の反応性ガスにより基板に気相洗浄処理を行う気相洗浄処理部と、気相洗浄処理部により気相洗浄処理が行われた基板にリンス処理および乾燥処理を行うリンス乾燥処理部とを備え、リンス乾燥処理部は、基板の進入口および排出口を有し、リンス液を貯留するリンス液貯留部と、リンス液貯留部の排出口側に設けられ、揮発性有機溶媒の蒸気により基板の乾燥を行う乾燥部と、基板を進入口からリンス液貯留部内のリンス液中に進入させ、排出口から排出させるとともに乾燥部を通過させる基板移動手段とを含むものである。
【０００７】
本発明に係る基板処理装置においては、気相洗浄処理部により気相洗浄処理が行われ、気相洗浄処理が行われた基板にリンス乾燥処理部によりリンス処理および乾燥処理が行われる。この場合、気相洗浄処理部では、基板には反応性ガスが供給され、基板に液体が供給されることはない。また、リンス乾燥処理部では、基板が基板移動手段によりリンス液貯留部の進入口からリンス液貯留部に進入し、リンス液貯留部内を通過することにより洗浄された後、リンス液貯留部の排出口から排出される。また、リンス液貯留部の排出口から排出された基板は、リンス液貯留部の排出口側に設けられた乾燥部を通過することにより揮発性有機溶媒の蒸気によって乾燥される。つまり、リンス乾燥処理部では、基板に液体（リンス液）が供給されるものの、基板が回転することはない。
【０００８】
このような基板処理装置においては、基板に液体が供給されている状態で基板が回転することがないので、基板上に静電気が発生しない。それにより、基板の洗浄処理開始から乾燥処理終了までの間、基板上の素子が静電気によって破壊されることを防止することができるとともに、帯電した基板に塵埃等のパーティクルが付着することを防止することができる。
【０００９】
揮発性有機溶媒は、アルコール系有機溶媒であってもよい。この場合、揮発性有機溶媒の蒸気により基板を乾燥させるので、乾燥むらによる基板上のしみの発生を防止することができる。
【００１０】
アルコール系有機溶媒は、イソプロピルアルコールであってもよい。それにより、乾燥時間を低減することができる。
【００１１】
反応性ガスはフッ化水素ガスを含んでもよい。この場合、効率的にかつ十分に基板が気相洗浄される。
【００１２】
リンス乾燥処理部は、気相洗浄処理部の上方に配置されてもよい。それにより、フットプリントを低減することができる。
【００１３】
本発明に係る基板処理方法は、所定の反応性ガスにより基板に気相洗浄処理を行うステップと、気相洗浄処理が行われた基板に対して、基板を回転させることなくリンス液により基板をリンス処理し、揮発性有機溶媒の蒸気により基板の乾燥処理を行うステップとを備えたものである。
【００１４】
本発明に係る基板処理方法においては、基板に液体が供給されている状態で基板が回転することがないので、基板上に静電気が発生しない。これにより、基板の洗浄処理開始から乾燥処理終了までの間、基板上の素子が静電気によって破壊されることを防止することができるとともに、帯電した基板に塵埃等のパーティクルが付着することを防止することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る基板処理装置および基板処理方法によれば、基板に液体が供給されている状態で基板が回転することがないので、基板上に静電気が発生しない。それにより、基板の洗浄処理開始から乾燥処理終了までの間、基板上の素子が静電気によって破壊されることを防止することができるとともに、帯電した基板に塵埃等のパーティクルが付着することを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００１７】
以下の説明において、基板とは、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。
【００１８】
図１は本実施の形態に係る基板処理装置の下段の平面図である。また、図２は本実施の形態に係る基板処理装置の上段の平面図である。
【００１９】
図１に示すように、基板処理装置１００の下段は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。
【００２０】
処理領域Ａには、制御部４、流体ボックス部２ａ，２ｂおよび複数の気相洗浄処理部ＶＰＣが配置されている。
【００２１】
流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ気相洗浄処理部ＶＰＣからの排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器を収納する。
【００２２】
気相洗浄処理部ＶＰＣでは、フッ酸等の蒸気による基板の気相洗浄が行われる。気相洗浄処理部ＶＰＣの詳細については後述する。
【００２３】
処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび複数の気相洗浄処理部ＶＰＣが配置されている。なお、処理領域Ｂに配置された気相洗浄処理部ＶＰＣは、処理領域Ａに配置された気相洗浄処理部ＶＰＣと同様な処理を行う。
【００２４】
流体ボックス部２ｃ，２ｄは、それぞれ気相洗浄処理部ＶＰＣからの排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器を収納する。また、搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。
【００２５】
処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板の搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。本実施の形態においては、キャリア１として、基板Ｗを密閉した状態で収納するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を用いているが、これに限定されるものではなく、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド、ＯＣ（Open Cassette）等を用いてもよい。
【００２６】
図２に示すように、基板処理装置１００の上段は、処理領域Ｄおよび処理領域Ｅを有する。図１の処理領域Ａの上方に処理領域Ｄが設けられ、処理領域Ｂの上方に処理領域Ｅが設けられている。
【００２７】
処理領域Ｄ，Ｅの各々は、それぞれＩＰＡ（イソプロピルアルコール）生成部５、リンス乾燥処理部６およびスペース７を有する。ＩＰＡ生成部５により生成されたＩＰＡはリンス乾燥処理部６に供給される。リンス乾燥処理部６は、気相洗浄処理部ＶＰＣで気相洗浄された基板Ｗにリンス処理および乾燥処理を行う。リンス乾燥処理部６の詳細については後述する。リンス乾燥処理部６によるリンス処理および乾燥処理が終了した基板Ｗは、スペース７に一時待機する。
【００２８】
図１のインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。
【００２９】
基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された気相洗浄処理部ＶＰＣに搬送し、または、気相洗浄処理部ＶＰＣから受け取った基板Ｗをリンス乾燥処理部６に搬送し、または、リンス乾燥処理部６から受け取った基板ＷをインデクサロボットＩＲに搬送する。
【００３０】
本実施の形態においては、複数の気相洗浄処理部ＶＰＣのいずれかにおいて基板Ｗの気相洗浄が行われた後に、基板搬送ロボットＣＲにより基板Ｗが気相洗浄処理部ＶＰＣから搬出され、リンス乾燥処理部６に搬入される。
【００３１】
制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａ，Ｂの気相洗浄処理部ＶＰＣの動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作、インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作および後述のリンス乾燥処理部６の動作を制御する。
【００３２】
基板処理装置１００は、ダウンフロー（下降流）方式のクリーンルーム内等に設けられる。
【００３３】
図３は基板処理装置１００の制御系の構成を示すブロック図である。
【００３４】
制御部４は、インデクサロボットＩＲおよび基板搬送ロボットＣＲの基板搬送動作を制御する。また、制御部４は、気相洗浄処理部ＶＰＣの洗浄動作、ＩＰＡ生成部５のＩＰＡ生成動作およびリンス乾燥処理部６のリンスおよび乾燥動作を制御する。
【００３５】
図４は気相洗浄処理部ＶＰＣの断面図である。図４に示すように、気相洗浄処理部ＶＰＣは、筒状のハウジング２００を有する。このハウジング２００内に、基板Ｗを気相洗浄するための処理液であるフッ酸を貯留するフッ酸タンク２０２が設けられている。フッ酸タンク２０２は、底壁２０２ａを有する。
【００３６】
フッ酸タンク２０２の内部に、フッ酸蒸気を発生する蒸気発生部２０６が形成されている。フッ酸タンク２０２の上部は、カバー２０４で密閉されている。
【００３７】
フッ酸タンク２０２の下部には、フッ酸タンク２０２の底壁２０２ａの最下面に密接するように筒状の内側ハウジング２０８が設けられている。この内側ハウジング２０８内に、洗浄すべき基板Ｗを保持するとともに鉛直軸回周りに回転可能な基板保持装置２１０が設けられるとともに、底壁２０２ａと基板Ｗとの間にフッ酸蒸気を供給する蒸気供給部２１２が設けられている。なお、基板保持装置２１０は、後述のホットプレート２１４および支軸２１６を含む。なお、基板保持装置２１０は、１００〜８００ｒｐｍ（revolutions per minute）程度で比較的に低速回転される。
【００３８】
ホットプレート２１４には、ヒータ（図示せず）が内蔵され、このホットプレート２１４の中心に支軸２１６が接続されている。そして、支軸２１６とハウジング２００外に設けられた電動モータ２１８とがベルト式伝動機構２２０を介して連結されている。
【００３９】
ホットプレート２１４および支軸２１６の内部には基板Ｗを真空吸着するための真空吸引路２２２が形成されている。ホットプレート２１４に内蔵されたヒータは、温度制御装置（図示せず）により制御されている。この温度制御装置は、ホットプレート２１４の表面温度を蒸気供給部２１２の雰囲気温度と同一またはこの雰囲気温度よりも高い温度に維持している。
【００４０】
底壁２０２ａの下面側に蒸気空間２５８が設けられている。蒸気空間２５８を覆うように多孔板２５６が底壁２０２ａの下面に設けられている。これにより、蒸気供給部２１２が構成される。
【００４１】
ホットプレート２１４が設けられている高さとほぼ等しい高さにおいて、内側ハウジング２０８およびハウジング２００にはそれぞれ基板Ｗの出し入れ用の開口２０８ａ，２００ａが形成されている。この開口２０８ａ，２００ａには、それぞれシャッタ２２４ｂ，２２４ｃが開閉自在に設けられている。シャッタ２２４ｂ，２２４ｃは、ラックギア（図示せず）にピニオンギア（図示せず）を噛み合わせ、このピニオンギアを電動モータ２２４ａで回転駆動させることにより開閉される。
【００４２】
また、ハウジング２００の開口２００ａの外方に屈伸アーム式の基板搬送機構２２６が設けられている。気相洗浄処理部ＶＰＣ内への基板Ｗの搬入時には、シャッタ２２４ｂ，２２４ｃが開かれた後、基板搬送機構２２６により基板Ｗが保持された状態で開口２００ａ，２０８ａを通してホットプレート２１４上に搬入される。その後、基板搬送機構２２６は、ハウジング２００外に後退し、シャッタ２２４ｂ，２２４ｃが閉じる。
【００４３】
シャッタ２２４ｂ、２２４ｃが閉じられるとともに、基板Ｗがホットプレート２１４上に吸着保持される。一方、気相洗浄処理部ＶＰＣ外への基板Ｗの搬出時には、シャッタ２２４ｂ，２２４ｃが開かれた後、基板搬送機構２２６が開口２００ａ，２０８ａを通してホットプレート２１４上に進入する。その後、基板搬送機構２２６により基板Ｗが保持され、開口２０８ａ，２００ａを通してハウジング２００外に基板Ｗが搬出され、シャッタ２２４ｂ，２２４ｃが閉じる。
【００４４】
フッ酸タンク２０２の内部には、ホルダー（図示せず）により支持された温水配管２２８が設けられている。また、フッ酸タンク２０２の底壁２０２ａ内には、温水流路２３０が形成されている。
【００４５】
温水配管２２８は、温水供給管２３２を介してハウジング２００外に設けられた温水供給源（図示せず）に接続されている。温水流路２３０は、温水を排出するための温水排出管２３４に接続されている。なお、温水がハウジング２０８内の下部に排出されるように、上記温水排出管２３４は、ハウジング２０８内の下部に向かって延びている。ハウジング２０８内の下部には、温水排出口（図示せず）が設けられている。
【００４６】
温水供給管２３２、温水配管２２８、温水流路２３０および温水排出管２３４により形成される循環路に温水が循環される。それにより、フッ酸タンク２０２内に貯留されるフッ酸が温水により加熱されて蒸発することによってフッ酸蒸気となる。
【００４７】
蒸気発生部２０６には、温度センサＳが設けられている。温度センサＳは、フッ酸タンク２０２内のフッ酸の温度を測定する。測定されたフッ酸の温度に基づいて温水配管２２８および温水流路２３０内を流動する温水の量が調節されることにより、フッ酸の温度が沸点未満の温度に保持されている。
【００４８】
フッ酸タンク２０２には、フッ酸のオーバーフロー用の流路２３６が接続されている。流路２３６は、自動開閉弁２３８を介してハウジング２００外に設けられたオーバーフロー回収部（図示せず）に接続されている。
【００４９】
また、フッ酸タンク２０２には、フッ酸を供給するためのフッ酸供給管２４０が接続されている。フッ酸供給管２４０は、バルブ２４２を介してハウジング２００外に設けられたフッ酸を貯留するためのフッ酸貯留槽（図示せず）に接続されている。
【００５０】
初期時およびフッ酸補充時において、フッ酸貯留槽に貯留されたフッ酸が、フッ酸供給管２４０を介してフッ酸タンク２０２内にオーバーフローするまで供給される。フッ酸のオーバーフローが生じた時点で、バルブ２４２を閉じる。それにより、適量のフッ酸がフッ酸タンク２０２内に貯留される。
【００５１】
フッ酸タンク２０２内に適量のフッ酸が貯留された後は、自動開閉弁２３８を閉じる。それにより、基板Ｗの気相洗浄時において、フッ酸蒸気が流路２３６を通って漏洩することを防止することができる。
【００５２】
蒸気発生部２０６内と蒸気供給部２１２内とを連通させるように蒸気供給路２４４が底壁２０２ａに設けられている。また、カバー２０４上には、蒸気供給路２４４を自動的に開閉するための上下動可能な開閉部２４６が設けられている。
【００５３】
蒸気発生部２０６のカバー２０４には、フッ酸蒸気のキャリアガスとしての窒素（Ｎ2 ）ガスを供給するガス供給管２４８が接続されている。ガス供給管２４８は、バルブ２５０を介してハウジング２００外に設けられた窒素ガス供給源（図示せず）に接続されている。なお、窒素ガス供給源には、窒素ガスを加熱するためのヒータ（図示せず）が設けられている。
【００５４】
上記ヒータにより加熱された窒素ガスが、ガス供給管２４８を通って蒸気発生部２０６に導入されることにより、窒素ガスの流れとともに蒸気発生部２０６のフッ酸蒸気が蒸気供給路２４４に流入する。
【００５５】
また、蒸気供給部２１２には、フッ酸蒸気に混合される混合ガスとしての窒素ガスを供給する混合ガス供給管２５２が接続されている。混合ガス供給管２５２は、バルブ２５４を介してハウジング２００外に設けられた混合ガス供給源（図示せず）に接続されている。
【００５６】
なお、ガス供給管２４８および混合ガス供給管２５２には、それぞれ窒素ガスの温度を設定温度に保持するための温度調整器（図示せず）が介挿されている。
【００５７】
蒸気供給路２４４に流入したフッ酸蒸気は、蒸気空間２５８に供給され、多孔板２５６の複数の孔部（図示せず）を通って、ホットプレート２１４上の基板Ｗの表面に供給される。
【００５８】
蒸気供給部２１２では、底壁２０２ａに形成された温水流路２３０による加熱とホットプレート２１４からの加熱とによって、フッ酸蒸気の温度が露点を超える温度に保持されている。
【００５９】
内側ハウジング２０８の下部には、排気管２６２が接続されている。排気管２６２は、流量制御弁２６０を介してハウジング２００外に設けられた吸引排気装置（図示せず）に接続されている。また、内側ハウジング２０８とハウジング２００とで囲まれる領域における下部には、排気管２６６が接続されている。排気管２６６は、流量制御弁２６４を介してハウジング２００外に設けられた吸引排気装置（図示せず）に接続されている。
【００６０】
ここで、流量制御弁２６０の開度が流量制御弁２６４の開度よりも大きくなるように設定されている。それにより、内側ハウジング２０８内からの吸引排気量が、内側ハウジング２０８とハウジング２００とで囲まれる空間内からの吸引排気量よりも多くなる。これにより、基板Ｗに供給された後に排出されるフッ酸蒸気の外部への漏れを防止することができる。
【００６１】
図５はリンス乾燥処理部６の概略断面図である。図５に示すように、リンス乾燥処理部６は、基板プッシャ６０、基板スライドガイド６１、リンス液貯留タンク６２、乾燥部６３、基板ガイド６４および基板キャッチャ６５を有する。リンス液貯留部６２は、基板Ｗをリンスするためのリンス液としての純水を貯留する。なお、本実施の形態では、リンス液として純水を採用しているが、これに限定されるものではなく、炭酸水、イオン水、オゾン水、還元水および低濃度の有機溶媒のうちいずれであってもよい。
【００６２】
リンス液貯留タンク６２と乾燥部６３とは互いに密接して設けられている。リンス液貯留タンク６２は、基板Ｗがリンス液貯留タンク６２に進入するための進入口６２ａおよび基板Ｗをリンス液貯留タンク６２から排出するための排出口６２ｂを有する。また、乾燥部６３は、リンス液貯留タンク６２と同様に、基板Ｗが乾燥部６３に進入するための進入口６３ａおよび基板Ｗを乾燥部６３から排出するための排出口６３ｂを有する。
【００６３】
リンス液貯留タンク６２の下部は、リンス液供給管６２ｃを介してリンス液供給源（図示せず）に接続されている。このリンス液供給源は、リンス液貯留タンク６２内にリンス液を供給する。また、リンス液貯留タンク６２の上部は、真空排気管６２ｄを介して真空ポンプ（図示せず）に接続されている。
【００６４】
乾燥部６３の下部は、ＩＰＡ供給管６３ｃを介してＩＰＡ生成部５に接続されている。また、乾燥部６３の側部は、排気管６３ｄを介して排気装置（図示せず）に接続されている。
【００６５】
リンス液貯留タンク６２の進入口６２ａおよび排出口６２ｂならびに乾燥部６３の進入口６３ａおよび排出口６３ｂは、それぞれ同じ高さの位置に設けられている。
【００６６】
リンス液貯留タンク６２の進入口６２ａから水平に延びるように、基板Ｗをリンス液貯留タンク６２内に導くための基板スライドガイド６１が設けられている。基板Ｗは、基板プッシャ６０により押されることにより、基板スライドガイド６１上をスライドし、進入口６２ａからリンス液貯留タンク６２内に進入する。
【００６７】
リンス液貯留タンク６２内に進入した基板Ｗは、リンス液貯留タンク６２内を徐々に水平方向に進むことによって洗浄される。なお、リンス液貯留タンク６２内が真空ポンプにより真空引きされていることにより、進入口６２ａおよび排出口６２ｂからはリンス液はほとんど漏洩しない。
【００６８】
その後、基板Ｗは、リンス液貯留タンク６２の排出口６２ｂから排出されるとともに、乾燥部６３の進入口６３ａから乾燥部６３内に進入する。乾燥部６３内に進入した基板Ｗは、ＩＰＡ供給管６３ｃから揮発性のＩＰＡ蒸気を供給されることにより乾燥する。この場合、ＩＰＡ蒸気は、キャリアガスとしての窒素ガスにより基板Ｗ上に導かれる。なお、乾燥部６３内は排気装置により排気されている。
【００６９】
その後、基板Ｗは、乾燥部６３の排出口６３ｂから排出される。このように、基板Ｗは、リンス液貯留タンク６２内を通過することにより洗浄された後、乾燥部６３内を通過することにより乾燥される。
【００７０】
排出口６３ｂから排出された基板Ｗは、基板ガイド６４および基板キャッチャ６５により保持されながらスペース７へ導かれる。
【００７１】
本実施の形態においては、気相洗浄処理部ＶＰＣにより基板Ｗの気相洗浄処理が行われ、気相洗浄処理が行われた基板Ｗにリンス乾燥処理部６によりリンス処理および乾燥処理が行われる。この場合、気相洗浄処理部ＶＰＣは、基板Ｗを所定の温度に維持しつつ低速回転させながら、基板Ｗに反応性ガスとしてのフッ酸蒸気を供給する。すなわち、気相洗浄処理部ＶＰＣにおいては、基板Ｗに気体（反応性ガス）が供給されるものの液体が供給されることはない。リンス乾燥処理部６では、基板Ｗが基板プッシャ６０によって押されることにより、リンス液貯留タンク６２の進入口６２ａからリンス液貯留タンク６２内に進入し、リンス液貯留タンク６２内を通過することにより洗浄された後、リンス液貯留タンク６２の排出口６２ｂから排出される。また、リンス液貯留タンク６２の排出口６２ｂから排出された基板Ｗは、リンス液貯留タンク６２の排出口６２ｂ側に設けられた乾燥部６３内を通過することによりＩＰＡの蒸気によって乾燥される。つまり、リンス乾燥処理部６では、基板Ｗに純水等の液体が供給されるものの基板Ｗが回転することはない。
【００７２】
このように、基板処理装置１００では、基板Ｗに液体が供給された状態で基板Ｗが回転することがないので、基板Ｗ上に静電気が発生しない。それにより、基板Ｗの洗浄処理開始から乾燥処理終了までの間、基板Ｗ上の素子が静電気によって破壊されることを防止することができるとともに、帯電した基板Ｗに塵埃等のパーティクルが付着することを防止することができる。
【００７３】
また、ＩＰＡの蒸気により基板Ｗを乾燥させるので、乾燥むらによる基板Ｗ上のしみ（ウォーターマーク）の発生を防止することができる。
【００７４】
さらに、リンス乾燥処理部６が、気相洗浄処理部ＶＰＣの上方に配置されているので、フットプリントを低減することができる。
【００７５】
本実施の形態においては、リンス液貯留タンク６２がリンス液貯留部に相当し、基板プッシャ６０および基板スライドガイド６１が基板移動手段に相当し、フッ酸蒸気がフッ化水素ガスに相当する。
【００７６】
なお、本実施の形態においては、リンス乾燥処理部６において、アルコール系有機溶媒の一種であるＩＰＡを用いて基板Ｗを乾燥させているが、これに限定されるものではなく、他のアルコール系有機溶媒を用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明に係る基板処理装置および基板処理方法は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の種々の基板に処理を行うため等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本実施の形態に係る基板処理装置の下段の平面図である。
【図２】本実施の形態に係る基板処理装置の上段の平面図である。
【図３】基板処理装置の制御系の構成を示すブロック図である。
【図４】気相洗浄処理部の断面図である。
【図５】リンス乾燥処理部の概略断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
６  リンス乾燥処理部
６０  基板プッシャ
６１  基板スライドガイド
６２  リンス液貯留タンク
６２ａ  進入口
６２ｂ  排出口
６３  乾燥部
６４  基板ガイド
６５  基板キャッチャ
１００  基板処理装置
ＶＰＣ  気相洗浄処理部
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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