(57)【要約】【課題】パネル内部の帯電を容易且つ迅速に解消することにより、パネル内部の帯電に起因する電気光学装置の静電破壊を防止することの可能な構造及び方法を提供する。【解決手段】本発明の電気光学装置は、電気光学物質と、該電気光学物質に電界を印加するための電極と、該電極に接続された給電端子とを有する電気光学装置において、前記電極の近傍に前記電極及び前記給電端子に絶縁された導電体１１５が配置され、該導電体に導電接続された外部端子１１５Ｓ、１１６Ｓを有することを特徴とする。【選択図】          図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質と、該電気光学物質に電界を印加するための電極と、該電極に接続された給電端子とを有する電気光学装置において、
前記電極の近傍に前記電極及び前記給電端子に絶縁された導電体が配置され、該導電体に導電接続された外部端子を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記電極は、スイッチング手段を介して前記給電端子に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記導電体は、導電材料で構成された遮光層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記導電体は、導電材料で構成された反射層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記外部端子は、前記給電端子と同一面上に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記電気光学物質を挟持する一対の基板を有し、一方の前記基板は他方の前記基板の外形より張り出した基板張出部を備え、前記同一面は前記基板張出部の表面であることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載された電気光学装置と、該電気光学装置を制御する制御手段とを有することを特徴とする電子機器。
【請求項８】
電気光学物質と、該電気光学物質に電界を印加するための電極と、該電極に接続された給電端子と、前記電極の近傍に配置され前記電極及び前記給電端子に絶縁された導電体とを有する電気光学装置の製造方法において、
前記導電体に導電接続された外部端子を設け、
前記外部端子を通して前記導電体に帯電している電荷量を低減させる除電段階を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記除電段階の後に、前記給電端子に外部導体を接触させることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記外部導体が検査端子である検査工程を有することを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記外部導体が電子部品の端子である、前記電子部品の実装工程を有することを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
電気光学物質と、該電気光学物質に電界を印加するための電極と、該電極に接続された給電端子と、前記電極の近傍に配置され前記電極及び前記給電端子に絶縁された導電体と、前記導電体に導電接続された外部端子とを有する電気光学装置を検査するための検査装置であって、
前記給電端子に導電接触して前記電極に所定電位を供給する電位供給手段と、前記外部端子に導電接触して前記導電体に帯電している電荷量を低減させるための除電手段と、
を有することを特徴とする電気光学装置の検査装置。
【請求項１３】
前記除電手段が前記外部端子に導電接触した後に前記電位供給手段が前記給電端子に導電接触するように構成されていることを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の検査装置。
【請求項１４】
電気光学物質と、該電気光学物質に電界を印加するための電極と、該電極に接続された給電端子と、前記電極の近傍に配置され前記電極及び前記給電端子に絶縁された導電体と、前記導電体に導電接続された外部端子とを有する電気光学装置に対して電子部品を実装するための実装装置であって、
前記給電端子に前記電子部品を実装する電子部品実装手段と、
前記外部端子に導電接触して前記導電体に帯電している電荷量を低減させるための除電手段と、
を有することを特徴とする電子部品の実装装置。
【請求項１５】
前記除電手段が前記外部端子に導電接触した後に前記電子部品実装手段が前記給電端子に前記電子部品を実装するように構成されていることを特徴とする請求項１４に記載の電子部品の実装装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置、電子機器、電気光学装置の製造方法、電気光学装置の検査装置、電子部品の実装装置に係り、特に、電気光学物質に電界を印加するための電極に所定電位を供給するためのスイッチング手段を備えた電気光学装置に好適な構造及びこの電気光学装置に好適な製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ装置、フィールドエミッション表示装置などの各種の電気光学装置は、一対の基板の間に電気光学物質が配置され、この電気光学物質に対して電極より電界を印加することによって所望の表示態様を得ることができるように構成されている。このような電気光学装置としては、上記電極に所定電位を供給するか否かを制御するために給電線と電極の間にスイッチング手段を接続した装置（たとえば、アクティブマトリクス型の液晶装置など）が知られている。
【０００３】
上記のような電気光学装置には、上記スイッチング手段として、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）などの３端子型スイッチング素子やＴＦＤ（薄膜ダイオード）などの２端子型スイッチング素子などの非線形素子が用いられる。これらのスイッチング手段は、通常、電気光学装置の駆動領域（表示領域）内において所定パターンで配列された複数の画素毎に設けられた画素電極にそれぞれ接続されている。
【０００４】
図１４は、従来の電気光学装置の一例である液晶表示装置１０の平面図である。この液晶表示装置１０は、ガラスなどの基板１１と基板１２を、シール材１３を介して貼り合せ、基板１１，１２とシール材１３とで囲まれた空間内に図示しない液晶を封入したものである。液晶表示装置１０には、中央に表示領域（液晶駆動領域）Ｄが設けられ、また、その周囲外側に周辺領域Ｅが設けられている。表示領域Ｄには、基板１１の内面上に形成された多数の配線１１ａがストライプ状に形成され、これらの配線１１ａは基板１１の端部に引き出され、給電端子部１１ａｓを構成している。
【０００５】
表示領域Ｄ内にはマトリクス状に配列された多数の画素が構成され、これらの画素毎に配線１１ａに接続されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）などの図示しないスイッチング素子及びこのスイッチング素子に接続された図示しない画素電極が設けられている。表示領域Ｄの周辺からシール材１３の形成領域までの範囲には、Ａｌや酸化膜を伴った低反射Ｃｒなどで構成された遮光層１５が形成されている。この遮光層１５は図示例では基板１１の内面上に形成されているが、基板１２の内面上に形成されていても構わない。一方、基板１２の内面上には、上記画素電極に対向配置される図示しない対向電極が形成され、この対向電極は、図示しない上下導通部を介して基板１１の端部上に設けられた給電端子部１１ｂｓに導電接続されている。
【０００６】
上記のようなスイッチング素子を備えた電気光学装置に対しては、その製造工程中において、例えば、給電端子部１１ａｓと給電端子部１１ｂｓの間に所定電圧を印加することにより、上記各画素が支障なく点灯するか否かを確認する検査が行われる。この場合、各画素が点灯しない、或いは、その点灯状態に異常があるなどの欠陥を生ずる理由として、スイッチング素子の静電破壊が挙げられる。この静電破壊は、スイッチング素子に静電気に起因する高電圧が印加され異常放電が生ずることにより、素子の接合不良や絶縁不良などが生ずるものである。例えばスイッチング素子が静電破壊により短絡状態になると、画素電極に印加される電荷が保持されないため、ノーマリーホワイト型の液晶表示装置では当該画素が点灯せず白欠陥を生ずることになる。
【０００７】
上記のようなスイッチング素子として、絶縁薄膜を介して２つの金属層を接合してなるＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）構造を有するＴＦＤ素子（薄膜ダイオード素子或いは二端子非線形素子）が知られている。このようなＭＩＭ構造を有するスイッチング素子を備えた電気光学装置に関するものとしては、以下の特許文献１及び２などが知られている。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００２−３１４１７２号公報
【特許文献２】
特開２００２−３２８６２７号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来の電気光学装置の製造ラインにおいては、スイッチング素子の静電破壊を防止するために、イオナイザーを用いた除電作業を行うことがある。ところが、この除電作業を行っても、例えば、上記の検査を行う際に、液晶表示装置１０を図示しない検査冶具にセットしたときに配線１１ａから検査冶具の検査用端子へ急激に初期電流が流れることによってスイッチング素子の静電破壊が生じ、図１４に示す点欠陥ｘｐが発生することが判明した。
【００１０】
そこで、発明者らが上記の静電破壊について検討したところ、当該静電破壊は液晶パネルの内部が帯電していることが原因であり、このような内部の帯電状態は、外部からイオン化エアを吹き付けるイオナイザーを用いた除電作業で解消することが難しく、帯電状態を充分に解消するためにはきわめて長い作業時間がかかることがわかった。また、このような内部の帯電は剥離帯電が原因であり、液晶パネルに触れたり搬送したりしただけでも容易且つ短時間に帯電する。このため、上記のような除電作業を実施しても、その後検査を行う前に帯電が生じる場合もある。
【００１１】
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、上記のようなパネル内部の帯電を容易且つ迅速に解消することにより、パネル内部の帯電に起因する電気光学装置の静電破壊を防止することの可能な構造及び方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本願発明者は鋭意検討したところ、図１４に示すようにＬ字状の遮光層１５が形成されている場合には、検査時において静電破壊によって生ずる点欠陥ｘｐは、遮光層１５の近傍で多く発生し、遮光層１５から離れるほど減少していくことがわかった。これにより、上記のパネル内部の帯電は、配線１１ａの近傍に配置された遮光層や反射層などの導電体が帯電し、この導電体の帯電によって上記画素電極に電荷が誘起されるため、この状態で給電端子部１１ａｓに検査用端子などの導体を接触させると、この導体と画素電極との間にスイッチング素子および配線１１ａを介して大きな初期電流が流れることとなり、この初期電流によってスイッチング素子が破壊されることが見いだされた。
【００１３】
本発明の電気光学装置は、このような知見に基づいてなされたものであり、電気光学物質と、該電気光学物質に電界を印加するための電極と、該電極に接続された給電端子とを有する電気光学装置において、前記電極の近傍に前記電極及び前記給電端子に絶縁された導電体が配置され、該導電体に導電接続された外部端子を有することを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、電極の近傍に配置された導電体に導電接続された外部端子を有することにより、この外部端子を用いて導電体の除電を行うことができるため、この導電体の帯電によって生ずる電極の帯電状態も緩和させることが可能になり、その結果、内部帯電に起因する静電破壊を防止することが可能になる。
【００１５】
ここで、上記外部端子とは、外部からアクセス可能に設けられた端子を言う。この場合、外部に露出した表面上に外部端子が設けられていることが好ましい。
【００１６】
本発明において、前記電極は、スイッチング手段を介して前記給電端子に接続されていることが好ましい。これによれば、外部端子を用いて導電体の除電を行うことにより、導電体の帯電状態を緩和して、スイッチング手段の静電破壊を防止することができる。
【００１７】
本発明において、前記導電体は、導電材料で構成された遮光層であることが好ましい。電気光学装置の駆動領域（表示領域）内の画素間、或いは、駆動領域の外周などには通常何らかの材料で遮光層が形成される場合が多いが、ＡｌやＣｒなどの金属で遮光層が形成されたり、これらの金属と他の材料、例えば金属酸化膜との組合せによって遮光層が形成されたりする場合がある。これらの場合においては、遮光層が帯電していることによって電極に電荷が誘起されるため、上記の静電破壊の原因となる。本発明では、遮光層に導電接続された外部端子を設けることによって、外部端子を介して遮光層の除電を行うことができるため、電極の帯電状態を緩和させることにより、静電破壊の発生を防止することができる。
【００１８】
本発明において、前記導電体は、導電材料で構成された反射層であることが好ましい。反射型や半透過反射型の電気光学装置の場合には、内部反射板としての反射層がＡｌ、Ｃｒなどの導電体で設けられる場合がある。この反射層は通常、駆動領域内のほぼ全体に亘って形成される。この場合、反射層が帯電することによって電極に電荷が誘起されるため、上記の静電破壊の原因となる。本発明では、反射層に導電接続された外部端子を設けることによって、外部端子を介して反射層の除電を実施することで、電極の帯電状態を緩和させることができるため、静電破壊の発生を防止することができる。
【００１９】
なお、上記遮光層と反射層を共に備えている場合には、遮光層と反射層のそれぞれに外部端子が設けられていることが好ましい。また、遮光層と反射層の双方に導電接続された共通の外部端子が設けられていてもよい。
【００２０】
本発明において、前記外部端子は、前記給電端子と同一面上に配置されていることが好ましい。このように給電端子と外部端子とが同一面上に配置されていることにより、外部端子を介して除電を行う除電作業と、検査時や実装時などにおける給電端子への接続作業とを同一面に対して実施できるため、それぞれの作業が容易に行えるようになり、除電作業と接続作業とを相前後して順次に実施することも容易になる。また、この場合には、検査冶具や実装ヘッドなどの機器に除電用の外部導体（後述する除電ピンなど）を併設して、除電作業及び接続作業を一つの機器により実施することが容易になるという利点もある。
【００２１】
本発明において、前記電気光学物質を挟持する一対の基板を有し、一方の前記基板は他方の前記基板の外形より張り出した基板張出部を備え、前記同一面は前記基板張出部の表面であることが好ましい。この場合には、基板張出部に対して上記除電作業と上記接続作業とを共に実施することができるようになるため、作業時のアクセスが容易になり、また、除電用の外部導体を併設した検査冶具や実装ヘッドなどの機器の構成も容易になる。
【００２２】
次に、本発明の電子機器は、上記の電気光学装置と、該電気光学装置を制御する制御手段とを有することを特徴とする。ここで、制御手段としては、電気光学装置の制御信号や表示データなどを送る表示制御回路が挙げられる。
【００２３】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法（電気光学装置の検査方法或いは電気光学装置への電子部品の実装方法）は、電気光学物質と、該電気光学物質に電界を印加するための電極と、該電極に接続された給電端子と、前記電極の近傍に配置され前記電極及び前記給電端子に絶縁された導電体とを有する電気光学装置の製造方法（電気光学装置の検査方法或いは電気光学装置への電子部品の実装方法）において、前記導電体に導電接続された外部端子を設け、前記外部端子を通して前記導電体に帯電している電荷量を低減させる除電段階を有することを特徴とする。
【００２４】
この発明によれば、給電端子に導体を接触させる前に除電段階を実施し、この除電段階において外部端子を通して導電体に帯電している電荷量を低減させることにより、装置内の帯電状態を容易且つ迅速に緩和させることが可能になる。この除電段階は、例えば、外部端子に所定電位に導電接続された（例えば接地された）外部導体、或いは、所定の電気抵抗を介して所定電位に導電接続された（例えば接地された）外部導体を接触させることによって実施できる。
【００２５】
本発明において、前記除電段階の後に、前記給電端子に外部導体を接触させることが好ましい。電極に電荷が誘起されている場合には、給電端子に外部導体を接触させることにより、この導体と電極との間に急激に初期電流が流れ、静電破壊を生ずる恐れがあるが、除電段階の後に外部導体を給電端子に接触させることにより、除電段階によって導電体の帯電状態が緩和されるため、電極に誘起される電荷量も低減されることになることから、静電破壊を防止することができる。
【００２６】
ここで、前記外部導体が検査用端子である検査工程を有することが好ましい。これによれば、電気光学装置の検査工程において検査用端子を給電端子に接触させて検査を行う際の静電破壊を防止できる。
【００２７】
また、前記外部導体が電子部品の端子である実装工程を有することが好ましい。これによれば、電子部品の実装工程において電子部品の端子を給電端子に接続させて実装する際の静電破壊を防止できる。
【００２８】
次に、本発明に係る電気光学装置の検査装置は、電気光学物質と、該電気光学物質に電界を印加するための電極と、該電極に接続された給電端子と、前記電極の近傍に配置され前記電極及び前記給電端子に絶縁された導電体と、前記導電体に導電接続された外部端子とを有する電気光学装置を検査するための検査装置であって、前記給電端子に導電接触して前記電極に所定電位を供給する電位供給手段と、前記外部端子に導電接触して前記導電体に帯電している電荷量を低減させるための除電手段と、を有することを特徴とする。
【００２９】
この場合に、前記除電手段が前記外部端子に導電接触した後に前記電位供給手段が前記給電端子に導電接触するように構成されていることが好ましい。より具体的には、電気光学装置の設置側とは反対側に除電手段が移動可能に構成されるとともに、電気光学装置の外部端子に導電接触していない状態では除電手段は電位供給手段よりも電気光学装置の設置側に配置されていることが望ましい。これにより、電気光学装置を検査装置に設置する際に、或いは、電気光学装置と検査装置（例えば、検査ヘッド）とを接近させていく過程で、最初に除電手段が外部端子に導電接触し、その後、除電手段が電気光学装置とともに移動しながら、やがて給電端子が電位供給手段に導電接触するように構成することができる。
【００３０】
次に、本発明に係る電子部品の実装装置は、電気光学物質と、該電気光学物質に電界を印加するための電極と、該電極に接続された給電端子と、前記電極の近傍に配置され前記電極及び前記給電端子に絶縁された導電体と、前記導電体に導電接続された外部端子とを有する電気光学装置に対して電子部品を実装するための実装装置であって、前記給電端子に前記電子部品を実装する電子部品実装手段と、前記外部端子に導電接触して前記導電体に帯電している電荷量を低減させるための除電手段と、を有することを特徴とする。
【００３１】
この場合に、前記除電手段が前記外部端子に導電接触した後に前記電子部品実装手段が前記給電端子に前記電子部品を実装するように構成されていることが好ましい。より具体的には、電気光学装置の設置側とは反対側に除電手段が移動可能に構成されるとともに、電気光学装置の外部端子に導電接触していない状態では除電手段は電子部品実装手段の実装部よりも前記設置側に配置されていることが好ましい。これにより、電気光学装置に対して電子部品を実装する前に除電手段が外部端子に導電接触するように構成することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明に係る電気光学装置及び電子機器並びに電気光学装置の製造方法の実施形態について詳細に説明する。以下に説明する実施形態は、電気光学装置の一種である液晶装置に関するものであるが、本発明は、液晶装置に限らず、エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、フィールドエミッション表示装置などの各種の電気光学装置に用いることができるものである。
【００３３】
［電気光学装置］
最初に、本実施形態の液晶装置１００の全体構成について説明する。図１は液晶装置１００の分解斜視図、図２は液晶装置１００の平面透視図である。なお、図１及び図２においては、後述する本実施形態の特徴部分（外部端子、遮光層、反射層など）に係る構成は省略してある。
【００３４】
液晶装置１００は、第１基板１１０と、第２基板１２０とをシール材１３１によって貼り合せ、第１基板１１０、第２基板１２０及びシール材１３１によって囲まれた空間内に図示しない電気光学物質である液晶を封入したものである。第１基板１１０は、第２基板１２０の外形よりも張り出した基板張出部１１０Ｔを有し、この基板張出部１１０Ｔの表面上に液晶駆動回路などを内蔵した電子部品（半導体ＩＣチップ）１３２，１３３が実装されている。これらの電子部品１３２，１３３の図示しない複数の端子は、基板張出部１１０Ｔ上にそれぞれ引き出された配線１１２ａ、配線１１２ｂ及び入力端子１１２ｃ，１１２ｄに導電接続されている。
【００３５】
第１基板１１０においては、ガラスやプラスチックなどの透明材料で構成される基板１１１の表面上に、ＩＴＯなどで構成された導体パターン１１２が形成されている。この導体パターン１１２には、シール材１３１の内側に設定された表示領域Ｄ（図２参照）内に配置された、ストライプ状に形成された複数の配線１１２ａが含まれる。これらの配線１１２ａは、図示を省略した駆動素子（たとえば、ＴＦＤ（薄膜ダイオード））に接続されている。配線１１２ａは、表示領域Ｄ内から上記基板張出部１１０Ｔの表面上に引き出されている。
【００３６】
また、表示領域Ｄの外側には周辺領域Ｅ（図２参照）が設けられている。この周辺領域Ｅには基板１１１上に複数の配線１１２ｂが形成されている。これらの配線１１２ｂには、表示領域Ｄとの境界線に沿って配設された接続パッド部１１２ｂｐが設けられている。また、配線１１２ｂにおける接続パッド部１１２ｂｐとは反対側の端部は、上記基板張出部１１０Ｔに引き出されている。さらに、基板張出部１１０Ｔの端縁近傍には、複数の入力端子１１２ｃ，１１２ｄが形成されている。これらの入力端子１１２ｃ，１１２ｄは、図示しないフレキシブル配線基板などの配線部材が接続されることにより、外部の表示制御手段から制御信号や表示データなどを導入可能とするためのものである。
【００３７】
一方、第２基板１２０には、ガラスやプラスチックなどで構成された基板１２１の表面（第１基板１１０と対向する内面）上に、ＩＴＯなどで構成される導体パターンが形成されている。この導体パターンには、ストライプ状に構成された複数の透明電極１２７が設けられている。これらの透明電極１２７の端部にはそれぞれ接続パッド部１２７ａｐが形成されている。これらの透明電極１２７は、上記第１基板１１０の配線１１２ａの延長方向と直交する方向に伸びている。
【００３８】
上記透明電極１２７は、表示領域Ｄから外側に向けて伸び、周辺領域Ｅまで延在している。上記接続パッド部１２７ａｐは周辺領域Ｅにある上記透明電極１２７の外端において拡幅した形状に構成されている。透明電極１２７の接続パッド部１２７ａｐは、シール材１３１を介して配線１１２ｂの接続パッド部１１２ｂｐに接続されている。シール材１３１には、樹脂基材中に多数の微小な導電粒子が分散配置されている。これらの導電粒子は、第１基板１１０と第２基板１２０とがシール材１３１を介して貼り合わされ、加圧された状態でシール材１３１が硬化されたとき、接続パッド部１２１ｂｐと接続パッド部１２７ａｐとを導電接続するように構成されている。より具体的には、上記構成によりシール材１３１は導電異方性を有するので、複数の接続パッド部１１２ｂｐと接続パッド部１２７ａｐとは、このシール材１３１を介して相互に対応するもの同士のみが導電接続される。
【００３９】
次に、図６乃至図９を参照して本実施形態のより詳細な構造について説明する。図６は、液晶装置１００の第１基板１１０について表示領域Ｄ内の平面構造を示す拡大平面図、図７は、液晶装置１００の表示領域Ｄ内の一部を図６の上下方向に切断した状態を示す拡大部分断面図、図８は、スイッチング部１１３の近傍を拡大して示す拡大部分平面図、図９は、スイッチング素子のＩＶ特性を示すグラフである。
【００４０】
この実施形態では、図６に示すように、表示領域内に複数の画素Ｐが平面的に配列形成されている。各画素Ｐにおいて、配線１１２ａに対してスイッチング部１１３が接続され、このスイッチング部１１３は画素電極１１２Ｐに接続されている。スイッチング部１１３には、配線１１２ａに導電接続されたＡ導電層１１３ａと、Ａ導電層１１３ａに接続されたＢ導電層１１３ｂと、Ｂ導電層１１３ｂに接続されたＣ導電層１１３ｃとが形成され、このＣ導電層１１３ｃは画素電極１１２Ｐに導電接続されている。
【００４１】
上記の配線１１２ａは、ＣｒやＡｌ若しくはこれらの合金などの単一金属（合金）で構成された単層構造、或いは、ＴａとＣｒの２層構造などの複数の金属（合金）を積層させた複層構造にて形成される。
【００４２】
また、スイッチング部１１３は、図８に示すように、ＴａやＴａ−Ｗなどの第１金属（合金であってもよい。）で構成されたＢ導電層１１３ｂの表面に、陽極酸化法などにより図示しない絶縁薄膜を形成し、この絶縁薄膜を介してＣｒやＡｌなどの第２金属（合金であってもよい。）で構成されたＡ導電層１１３ａ及びＣ導電層１１３ｃを接合させたものである。Ａ導電層１１３ａとＢ導電層１１３ｂとの接合部には、配線１１２ａから画素電極１１２Ｐへ向かう給電方向に見て第１金属、絶縁薄膜、第２金属のＭＩＭ構造を有するスイッチング素子Ａが構成される。また、Ｂ導電層１１３ｂとＣ導電層１１３ｃとの接合部には、上記給電方向に見て第２金属、絶縁薄膜、第１金属のＭＩＭ構造を有するスイッチング素子Ｂが構成される。これらの２つのスイッチング素子Ａ，Ｂは、相互に逆の極性方向を有して直列に接続された状態（ｂａｃｋ  ｔｏ  ｂａｃｋ構造）となっており、これによって給電経路の両端に印加される電圧の極性に関して対称的な動作特性を有するように構成されている。これらのスイッチング素子Ａ，ＢのＩＶ（電流電圧）特性の例は図９に示してある。図示の特性は正常なスイッチング素子のものである。このような非線形なＩＶ特性は、静電破壊されたスイッチング素子では得られない。スイッチング素子が静電破壊されると、上記の絶縁薄膜が破壊されて短絡状態になることにより、線形のＩＶ特性を示すものになる。
【００４３】
また、画素電極１１２Ｐは、たとえば、ＩＴＯなどの透明導電体で構成される。これらの配線１１２ａ、スイッチング部１１３及び画素電極１１２Ｐの上には、図７に示すようにポリイミド樹脂などで配向膜１１８が形成される。
【００４４】
一方、第２基板１２０には、各画素Ｐの或る配列方向（図６の左右方向）に沿って帯状の上記透明電極１２７（図６には一点鎖線で示す。）が複数形成されている。この配列方向は、第１基板１１０上に設けられた配線１１２ａの延長方向と直交する方向である。これら複数の透明電極１２７は、相互に平行に配設され、全体としてストライプ状に構成される。
【００４５】
図７に示すように、第２基板１２０の基板１２１上には透明下地層１２２が形成されている。この透明下地層１２２の表面には図示しない微細な凹凸が形成されている。透明下地層１２２は、たとえば、基板１２１の表面上に感光性樹脂を塗布し、所定の露光マスクを用いて露光（例えばプロキシミティ露光）した後に現像することによって微細な凹凸表面を備えた状態に形成される。この透明下地層１２２は、その凹凸表面によって以下に説明する反射層１２３の反射面を光散乱性反射面とするために設けられるものである。これによって、反射層１２３の正反射による背景の写り込みや照明光による幻惑などを防止できる。
【００４６】
上記の透明下地層１２２の上には反射層１２３が形成される。この反射層１２３は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀合金などの金属材料で、蒸着法やスパッタリング法などを用いて形成される。反射層１２３には、上記画素Ｐ毎に開口部１２３ａが形成される。この開口部１２３ａによって画素Ｐ内には図７に示す光透過領域Ｐｔが構成される。画素Ｐ内の光透過領域Ｐｔ以外の領域は、光反射領域Ｐｒとなっている。反射層の厚さは、一般的に１０００〜２０００Å程度である。
【００４７】
次に、反射層１２３の上に遮光層１２４Ｔが形成される。この遮光層１２４Ｔは、観察側（図７の上側）へ放出される表示光をある程度遮断できるものであればよい。たとえば、遮光層の膜厚を抑制するためには、黒色樹脂層や表面処理（酸化膜による被覆）を施した金属層などで構成できる。遮光層１２４Ｔは、光学濃度（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄｅｎｓｉｔｙ）が１以上であることが好ましく、特に、１．５以上であることが望ましい。遮光層１２４Ｔの厚さは、たとえば０．１〜１．０μｍ程度である。この遮光層１２４Ｔは、次に説明する複数色の着色層のうち２層以上を積層して構成することもできる。
【００４８】
また、各画素Ｐには上述のように着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂが形成される。本実施形態では、画素Ｐ内に複数色の着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂのいずれかが形成されている。これらの複数色の着色層は適宜の配列パターンにて配列されている。この配列パターンは、たとえば、公知のストライプ配列、デルタ配列、斜めストライプ配列などの適宜の配列態様を有していてよい。これらの着色層は、たとえば、顔料や染料を分散させることにより着色された感光性樹脂をスピンコート法やロールコート法などにより塗布し、フォトリソグラフィ法によって露光・現像処理を施すことによってパターニングすることにより形成される。
【００４９】
着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂ及び上記遮光層１２４Ｔの上には保護膜１２５，１２６が形成される。これらの保護膜１２５，１２６は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５などの透明な無機材料、アクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明な有機樹脂材料などで構成できる。本実施形態としては、透明なアクリル系樹脂で構成されることが好ましい。これらの保護膜は、材料によっても異なるが、塗布法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などによって形成できる。
【００５０】
本実施形態の場合、保護膜１２５は表示領域全体にほぼ平坦に構成される。保護膜１２５の厚さは、絶縁特性との兼ね合いで決定されるが、アクリル樹脂などで構成する場合には０．５μｍ程度で充分な絶縁性を備えるので、例えば０．５〜２．５μｍ程度とされる。一方、保護膜１２６は、感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法によって露光・現像することによってパターニングされ、上記光透過領域Ｐｔには形成されず、上記光反射領域Ｐｒにのみ形成される。これによって、第２基板１２０には、光透過領域Ｐｔにおいて低くなった凹凸表面が構成される。保護膜１２６の厚さは、第２基板１２０の凹凸表面の表面段差量を決定し、マルチギャップ構造を構成するために必要な光透過領域Ｐｔと光反射領域Ｐｒとにおける液晶層１３５の厚さの差に応じた厚さとされる。第２絶縁層１２６の厚さは、例えば１．５〜３．０μｍ程度である。
【００５１】
なお、上記凹凸表面は、単層の保護膜をパターニングすることによって形成してもよく、また、露光条件や現像処理条件を調節することによって単層の保護膜に厚い部分と薄い部分とを設けるようにパターニングすることによって形成してもよい。
【００５２】
上記保護膜１２５，１２６上には、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）などの透明導電体で構成された透明電極１２７が形成される。透明電極１２７は、基板内面上にスパッタリング法などによって透明導電体を成膜し、その後、フォトレジストなどで構成されたパターンマスクなどを介してエッチングなどのパターニング処理を行うことによって図６に示す平面パターン（ストライプ状のパターン）を有するように形成される。その後、透明電極１２７には必要に応じて加熱処理が施され、所望の導電性が付与される。
【００５３】
上記の透明電極１２７は、ポリイミド樹脂などにより構成される配向膜１２８により被覆される。この配向膜１２８は塗布された後に適宜の温度で焼成されることによって形成される。配向膜１２８には、ラビング処理などの適宜の方法で液晶分子に対する初期配向能が付与される。
【００５４】
上記の構成によって、第２基板１２０の表面は、光透過領域Ｐｔにおいて一段低く構成された凹凸表面を有する。これによって、第１基板１１０と第２基板１２０との間に挟持された液晶層１３５は、各画素Ｐ毎に、光透過領域Ｐｔで厚く、光反射領域Ｐｒで薄くなるように構成される。すなわち、マルチギャップタイプの液晶装置が構成される。ここで、液晶層１３５の光に対する複屈折率や旋光性の程度（光変調度合）は、リタデーションΔｎ・ｄ（Δｎは液晶層１３５内の液晶分子の屈折率異方性、ｄは液晶層１３５の厚さ）の関数となるため、液晶層１３５の厚さが光透過領域Ｐｔで厚く光反射領域Ｐｒで薄いことによって、透過表示と反射表示の表示品位をより高いレベルで両立させることが可能になる。つまり、光透過領域Ｐｔでは、図示しないバックライトなどの照明手段から放出される照明光は一回だけ液晶層１３５を通過するのに対して、光反射領域Ｐｒでは、入射した外光は往復２回液晶層１３５を通過するので、液晶層１３５の厚さが光透過領域Ｐｔと光反射領域Ｐｒとで等しい場合には、透過表示と反射表示のいずれか一方を光学的に最適化すると、他方は犠牲になり表示品位（例えばコントラストなど）が低下する。これに対して、本実施形態では、光透過領域Ｐｔにおける液晶層１３５は厚く、光反射領域Ｐｒにおける液晶層１３５は薄いため、上記の液晶層１３５に対する光の通過回数の差による影響が低減され、透過表示と反射表示を共に高品位化することができる。
【００５５】
本実施形態においては、第１絶縁層１２５を画素Ｐ内の全面に形成することにより、反射層１２３と透明電極１２７との絶縁性を確保し、また、第２絶縁層１２６をパターニングすることによって光透過領域Ｐｔにおいて第２絶縁層１２６が存在せず、光反射領域Ｐｒにおいて第２絶縁層１２６が存在するように構成されていることにより、上記第２基板１２０の表面が凹凸状に構成されている。このように構成すると、より上層にある第２絶縁層１２６がパターニングされることによって上記凹凸表面の段差部分のダレを低減することができるため、凹凸表面形状をより制御性良く形成することができ、所望の光学特性を高精度かつ歩留まり良く得ることができるという利点がある。たとえば、光透過領域Ｐｔと光反射領域Ｐｒとの境界の段差部分に形成される傾斜面の幅は、当該幅内では液晶分子の配向が乱れるため、透明電極１２７に断線が生じない範囲でなるべく小さく構成することが好ましいが、上記の幅は一般的には水平方向に約８〜１０μｍ程度であるのに対して、本実施形態では５〜７μｍ程度の幅に抑制することが可能である。
【００５６】
なお、図７に示すように、この液晶装置１００においては、第２基板１２０の外側に、第２基板１２０に向けて偏光板１３６及び位相差板１３７が配置され、第１基板１１０の外側に、観察側（図示上側）に向けて位相差板１３８及び偏光板１３９が配置される。これらの偏光板１３６，１３９及び位相差板１３７，１３８は、第１基板１１０及び第２基板１２０の外面上に貼着固定される。
【００５７】
図３は、本実施形態の第１基板１１０に設けられたパターン構造を示す平面図である。基板１１１上には、表示領域Ｄを取り囲むようにその外周に遮光層１１５が形成されている。この遮光層１１５は、Ｃｒ、Ｔａ、Ａｌなどの金属その他の導電体で構成されている。遮光層１１５は、表示領域Ｄの外周からシール材１３１の形成領域に重なる範囲に形成されている。この遮光層１１５は上記配線１１２ａを外側から取り囲むように構成されている。より具体的には、遮光層１１５は表示領域Ｄを取り囲む平面コ字状に形成されている。ここで、遮光層１１５は図１４に示すように平面Ｌ字状に形成されていてもよい。なお、上記の配線１１２ｂは遮光層１１５のさらに外側に形成されている。
【００５８】
遮光層１１５は外部端子１１５Ｓに導電接続されている。本実施形態の場合、外部端子１１５は遮光層１１５と同一材料で同時に一体に形成されたものである。ただし、この外部端子１１５は遮光層１１５とは別の素材、或いは、別体に構成され、相互に導電性接合材などを介して導電接続されていてもよい。外部端子１１５は、第１基板１１０の基板張出部１１０Ｔの表面上に露出した状態で設けられている。
【００５９】
また、基板１１１上には上記とは別の外部端子１１６Ｓが設けられている。この外部端子１１６Ｓもまた、第１基板１１０の基板張出部１１０Ｔの表面上に露出した状態で設けられている。この外部端子１１６Ｓは、配線１１６ａに導電接続されている。この配線１１６ａは、シール材１３１の形成領域にまで伸び、当該形成領域において拡幅された接続パッド部１１６ａｐを備えている。本実施形態の場合、外部端子１１６Ｓと配線１１６ａは同一材料で同時に一体に形成されている。
【００６０】
図４は、本実施形態の第２基板１２０の内面パターンを示す平面図である。上述のように基板１２１上の表示領域Ｄには透明電極１２７がストライプ状に構成され、この表示領域Ｄ内に反射層１２３が形成されている。ここで、反射層１２３は、表示領域Ｄの外周から周辺領域Ｅに張り出し、シール材１３１の形成領域と平面的に重なるように形成されることによって、遮光層の機能をも有するように構成できる。
【００６１】
第２基板１２０の内面上には、反射層１２３に導電接続された内部端子１２３ｐが設けられている。この内部端子１２３ｐは、第２基板１２０の内面上に露出した状態で、シール材１３１の形成領域に配置されている。そして、第１基板１１０と第２基板１２０とがシール材１３１を介して貼り合わされることにより、内部端子１２３ｐは異方性導電材料であるシール材１３１を介して第１基板１１０上の上記接続パッド部１１６ａｐに導電接続される。これによって、反射層１２３は、内部端子１２３ｐ、シール材１３１、配線１１６ａを介して外部端子１１６Ｓに導電接続される。
【００６２】
［検査工程］
次に、図５を参照して、本発明に係る液晶装置１００に対して図１に示す電子部品１３２，１３３の実装前に行う検査工程について説明する。この検査工程は、液晶装置１００における各画素の点灯状態を検査するものである。この検査工程では、図５（ａ）に示す検査冶具５０を用いる。この検査冶具５０には、冶具本体５０Ａに凹部５０Ｂが設けられている。この凹部５０Ｂ内にはバックライト５５が設置されている。また、フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）などで構成される検査端子片５１Ｘ，５１Ｙと除電ピン５２，５３が凹部５０Ｂ内に張り出すように設けられている。これらの検査端子片５１Ｘ，５１Ｙは検査用の外部導体であり、除電ピン５２，５３は除電作業用の外部導体である。これらの外部導体としては、金属製のワイヤやバネ、異方導電性ゴムなどを用いることができる。
【００６３】
検査端子片５１Ｘ，５１Ｙの基部は支持部５４にそれぞれ取付固定され、導電線５６ｘ、５６ｙに接続されている。ここで、図５（ｂ）に示すように、検査端子片５１Ｘは、液晶装置１００の上記配線１１２ａの端部に設けられた給電端子部１１２ａｓに導電接触し、検査端子片５１Ｙは、上記配線１１２ｂの端部に設けられた給電端子部１１２ｂｓに導電接触し、これによって、表示領域Ｄ内の各画素に所定電圧を印加することができるように構成されている。検査端子片５１Ｘ，５１Ｙには図示しない多数の配線が設けられ、これらの配線の先端は、それぞれの上面に露出した図示しない検査端子となっている。これらの検査端子は、上記給電端子部１１２ａｓ，１１２ｂｓ内に設けられた複数の給電端子にそれぞれ対応して導電接触するようになっている。
【００６４】
また、除電ピン５２，５３は導体で構成されており、バネなどによって突出方向に常に付勢された状態で出没自在に凹部５０Ｂ内に設置されている。これらの除電ピン５２，５３は、液晶装置１００の上記外部端子１１５Ｓ，１１６Ｓに接触するように構成されている。除電ピン５２，５３は、図示例では電気抵抗５７を介してアース線５６ｚに接続されている。除電ピン５２，５３は、一般に、直接に接地され、若しくは、適宜の電気抵抗を介して接地されていればよい。この電気抵抗５７の抵抗値は、上記スイッチング素子Ａ，Ｂの耐圧特性や遮光層１１５や反射層１２３に帯電する電荷量に応じて設定される。
【００６５】
上記の除電ピン５２，５３は、上記検査端子片５１Ｘ，５１Ｙよりも上方に突出した状態となっている。これによって、液晶装置１００を図示のように給電端子部１１２ａｓ，１１２ｂｓ及び外部端子１１５Ｓ，１１６Ｓが下方に向けて露出する姿勢で検査冶具５０にセットするときには、検査端子片５１Ｘ，５１Ｙが給電端子部１１２ａｓ，１１２ｂｓに接触する前に、除電ピン５２，５３が外部端子１１５Ｓ，１１６Ｓに導電接触するようになっている。
【００６６】
また、検査端子片５１Ｘ，５１Ｙが液晶装置１００に接触していない状態では、検査端子片５１Ｘの先端部分が検査端子片５１Ｙの先端部分よりもやや低い位置に配置されている。これにより、液晶装置１００を図示のように給電端子部１１２ａｓ，１１２ｂｓ及び外部端子１１５Ｓ，１１６Ｓが下方に向けて露出する姿勢で検査冶具５０にセットするときには、検査端子片５１Ｘが給電端子部１１２ａｓに接触する前に、検査端子片５１Ｙが給電端子部１１２ｂｓに導電接触するようになっている。
【００６７】
本実施形態では、液晶装置１００の検査を行う際に、最初に除電ピン５２，５３が外部端子１１５Ｓ、１１６Ｓに導電接触することにより、除電ピン５２，５３を介して遮光層１１５及び反射層１２３に帯電していた電荷が除去され、或いは、低減される。これによって、遮光層１１５及び反射層１２３の帯電によって誘起されていた画素電極１１２Ｐの電荷も除去され、或いは、低減されることから、給電端子部１１２ａｓに検査端子片５１Ｘが導電接触する際の検査端子片５１Ｘと画素電極１１２Ｐとの間に流れる初期電流量を低減することができる。したがって、配線１１２ａに接続されたスイッチング素子Ａ，Ｂの静電破壊を防止することができる。また、除電ピン５２，５３を接地する代わりに、低電圧の所定電位に導電接続することによっても除電効果を得ることは可能である。
【００６８】
また、本実施形態では、最初に配線１１２ｂの給電端子部１１２ｂｓに検査端子片５１Ｙが導電接触した後に、多少でも時間をずらして配線１１２ａの給電端子部１１２ａｓに検査端子片５１Ｘが導電接触するようになっている。したがって、上記画素電極１１２Ｐに対向配置された透明電極１２７に帯電した電荷量が先に低減され、これによって画素電極１１２Ｐに誘起されていた電荷量も低減される。その結果、その後に、検査端子片５１Ｘが給電端子部１１２ａｓに導電接触しても、画素電極１１２Ｐに誘起されている電荷量は充分に低減されているため、当該導電接触する際の検査端子片５１Ｘと画素電極１１２Ｐとの間に流れる初期電流量をさらに低減することができる。したがって、配線１１２ａに接続されたスイッチング素子Ａ，Ｂの静電破壊をより確実に防止することができる。
【００６９】
なお、上記の検査工程では、検査冶具５０に除電ピン５２，５３を設けて、これらの除電ピン５２，５３を外部端子１１５Ｓ，１１６Ｓに導電接触させることにより、遮光層１１５及び反射層１２３の除電を行っているが、検査冶具とは別に用意された除電ピンその他の外部導体を外部端子１１５Ｓ，１１６Ｓに導電接触させることによって遮光層１１５及び反射層１２３の除電を実施し、その後に検査を実施してもよい。この場合、除電作業と検査作業の間において、液晶装置１００に他部材を接触させず、また液晶装置１００に触れず、或いは、液晶装置１００の搬送などの取り扱いを行わず、直ちに検査を行うことが好ましい。
【００７０】
上記の検査においては、検査端子片５１Ｘの各検査用端子と、検査端子片５１Ｙの各検査用端子との間に液晶駆動信号に基づく駆動電圧を印加する。この駆動電圧は、正負の電圧が交互に印加される態様の所定の駆動パターンを有する。これによって、液晶装置１００の各画素の点灯状態を観察することが可能になる。ここで、上記駆動電圧を変更させて諧調度を変更し、表示の明度を調整することも可能である。
【００７１】
本実施形態では、液晶装置１００の点灯検査時に生ずる欠陥を防止することができるので、検査作業時の液晶装置１００の取り扱いに神経を使う必要もなくなるため検査作業自体を容易に行うことができるようになるとともに、製品の歩留まりも向上させることができる。
【００７２】
［実装工程］
次に、図１０を参照して、液晶装置１００に電子部品１３２，１３３を実装する実装工程について説明する。この実装工程においては、液晶装置１００の基板張出部１１０Ｔの表面上に電子部品１３２，１３３を実装する。このとき、電子部品１３２，１３３を実装する前に、外部端子１１５Ｓ，１１６Ｓに除電ピン６２，６３などの外部導体を導電接触させ、遮光層１１５及び反射層１２３を除電し、その後、電子部品１３２，１３３を給電端子部１１２ａｓ，１１２ｂｓ及び入力端子１１２ｃ、１１２ｄに導電接続する。このようにすると、遮光層１１５及び反射層１２３に対する除電効果によって、画素電極１１２Ｐに誘起されている電荷量を低減することができるため、スイッチング素子Ａ，Ｂの静電破壊を防止することができる。
【００７３】
図１０には、電子部品１３２，１３３をそれぞれ実装可能な実装部６１Ｘ，６１Ｙ及び上記除電ピン６２，６３を備えた実装ヘッド６０が図示されている。実装部６１Ｘ，６１Ｙは、それぞれが実装ヘッド６０の本体に対して図示上下方向に移動可能で、電子部品１３２，１３３を所定温度に加熱しつつ、所定圧力で加圧することができるように構成されている。また、除電ピン６２，６３は、実装ヘッド６０の本体に対して図示上下方向に移動自在に構成され、常に図示下方に付勢されている。すなわち、除電ピン６２，６３は、バネなどの弾性部材によって下方に突出した状態に保持されている。これにより、実装ヘッド６０を降下させることにより最初に外部端子１１５Ｓ，１１６Ｓに除電ピン６２，６３が接触するようになっている。
【００７４】
ここで、上記の除電ピン６２，６３もまた、直接に接地され、或いは、所定の電気抵抗を介して接地されている。また、除電ピン６２，６３を接地する代わりに、低電圧の所定電位に導電接続することによっても除電効果を得ることは可能である。
【００７５】
なお、実装工程においては、電子部品１３２，１３３は、異方性導電膜１３４を介して基板張出部１１０Ｔ上に配置される。その後、上記実装ヘッド６０を降下させて除電ピン６２，６３を外部端子１１５Ｓ，１１６Ｓに導電接触させて除電作業を実行した後に、各実装部６１Ｘ，６１Ｙにより電子部品１３２，１３３が加熱加圧される。これによって、電子部品１３２，１３３の図示しない複数の端子がそれぞれ対応する給電端子及び入力端子１１２ｃ、１１２ｄに異方性導電膜１３４を介して導電接続される。
【００７６】
この場合、電子部品１３３を先に実装し、その後、電子部品１３２を実装することが好ましい。これによって、電子部品１３３の端子が給電端子部１１２ｂｓに先に導電接続されることにより、透明電極１２７に帯電していた電荷量が低減されるため、透明電極１２７に帯電している電荷によって画素電極１１２Ｐに誘起されている電荷量をさらに低減することができる。したがって、スイッチング素子の静電破壊をより確実に防止できる。
【００７７】
次に、上記実施形態の変形例について説明する。上記実施形態では、遮光層１１５と反射層１２３にそれぞれ導電接続された外部端子１１５Ｓ，１１６Ｓを設けたが、この代わりに、遮光層１１５と反射層１２３に共に導電接続された共通の外部端子を設けてもよい。また、遮光層１１５のみに外部端子を設けてもよく、反射層１２３のみに外部端子を設けても構わない。
【００７８】
一方、遮光層の平面形状は、上記実施形態のようなコ字状に限らず、図１４に示すようなＬ字状であってもよい。特に、図１３に示すように、液晶装置２００を構成する第１基板２１０と第２基板２２０のうち、スイッチング素子を設けた第１基板２１０ではなく、これに対向する第２基板２２０に形成した遮光層２２９に外部端子２２９Ｓを導電接続してもよい。この場合、遮光層２２９は、配線が引き出された基板張出部２１０Ｔを有しない第２基板２２０に設けられているので、図示のように枠状若しくは閉曲線状（図示例では矩形枠状）に構成することも可能である。この場合においても、基板張出部２１０Ｔの表面上に外部端子２２９Ｓを形成することが好ましい。このためには、第２基板２２０上の遮光層２２９を、図示しない上下導通部を介して第１基板２１０上の外部端子２２９Ｓに導電接続すればよい。
【００７９】
本実施形態では、液晶装置１００への電子部品に実装時に生ずる静電破壊に起因する欠陥を防止することができるので、実装作業時の液晶装置１００の取り扱いに神経を使う必要もなくなるため実装作業自体を容易に行うことができるようになるとともに、製品の歩留まりも向上させることができる。
【００８０】
［電子機器］
最後に、図１１及び図１２を参照して、本発明に係る電子機器の実施形態について説明する。この実施形態では、上記電気光学装置（液晶装置１００）を表示手段として備えた電子機器について説明する。図１１は、本実施形態の電子機器における液晶装置１００に対する制御系（表示制御系）の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、表示情報出力源１９１と、表示情報処理回路１９２と、電源回路１９３と、タイミングジェネレータ１９４とを含む表示制御回路１９０を有する。また、上記と同様の液晶装置１００には、上述の構成を有する液晶パネル１００Ａを駆動する駆動回路１００Ｂが設けられている。この駆動回路１００Ｂは、上記のように液晶パネル１００Ａに直接実装されている電子部品（半導体ＩＣチップ）１３２，１３３で構成される。ただし、駆動回路１００Ｂは、上記のような態様の他に、パネル表面上に形成された回路パターン、或いは、液晶パネルに導電接続された回路基板に実装された半導体ＩＣチップ若しくは回路パターンなどによっても構成することができる。
【００８１】
表示情報出力源１９１は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１９２に供給するように構成されている。
【００８２】
表示情報処理回路１９２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１００Ｂへ供給する。駆動回路１００Ｂは、走査線駆動回路、信号線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路１９３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【００８３】
図１２は、本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯電話の外観を示す。この電子機器１０００は、操作部１００１と、表示部１００２とを有し、表示部１００２の内部に回路基板１１００が配置されている。回路基板１１００上には上記の液晶装置１００が実装されている。そして、表示部１００２の表面において上記液晶パネル１００Ａを視認できるように構成されている。
【００８４】
本実施形態の液晶装置１００は、上記のように透過表示と反射表示とを状況に応じて切り替えて実施することが可能であるため、上記のような携帯型の電子機器に搭載される場合に特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態の液晶装置の全体構成を示す概略分解斜視図。
【図２】実施形態の液晶装置の概略平面透視図。
【図３】実施形態の第１基板の平面図。
【図４】実施形態の第２基板の平面図。
【図５】実施形態の液晶装置の検査工程を示す概略斜視図。
【図６】実施形態の第１基板の表示領域内の拡大部分平面図。
【図７】実施形態の表示領域内の拡大部分断面図。
【図８】第１基板のスイッチング部の拡大部分断面図。
【図９】スイッチング素子のＩＶ特性を示すグラフ。
【図１０】液晶装置への電子部品の実装工程を示す概略斜視図。
【図１１】電子機器に搭載された電気光学装置及びその制御手段を示す概略構成図。
【図１２】電子機器の一例を示す概略斜視図。
【図１３】異なる実施形態を示す概略平面図。
【図１４】従来の液晶表示装置の概略平面図。
【符号の説明】
５０…検査冶具、５１Ｘ，５１Ｙ…検査端子片、５２，５３，６２，６３…除電ピン、１００…液晶装置、１１０…第１基板、１１２ａ…配線、１１２Ｐ…画素電極、１１２ａｓ，１１２ｂｓ…給電端子部、１１３…スイッチング部、１１３ａ…Ａ導電層、１１３ｂ…Ｂ導電層、１１３ｃ…Ｃ導電層、１１５…遮光層、１１５Ｓ，１１６Ｓ…外部端子、１２０…第２基板、１２１…基板、１２３…反射層、１２３ａ…開口部、１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂ…着色層、１２４Ｔ…遮光層、１２５，１２６…保護膜、１２７…透明電極、１２７ａｐ…接続パッド部、１３１…シール材、１３２，１３３…電子部品、１３５…液晶層
【図１】
2005003986.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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