(57)【要約】【課題】重金属汚染を防止できるＳＯＩウェハとその製造方法およびそのＳＯＩウェハを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】ＳＯＩウェハ１は、ＣＺウェハの支持基板１１と、この支持基板１１上にダイシングライン２内でブレード幅より狭い開口部４を有する分離酸化膜１２と、分離酸化膜１２上に配置されるシリコンの活性層１３と、開口部４を埋め、活性層１３と接続するシリコンで形成された接続部１４とで構成される。接続部１４を設けることで、活性層１３に導入された重金属５４は、デバイス形成時の熱処理で、この接続部１４を通して支持基板１１の酸素析出欠陥５３でゲッタリングされ、重金属汚染を防止できる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、該支持基板上に配置され、選択的に前記支持基板に達する開口部を有する分離酸化膜と、該分離酸化膜上に配置される活性層と、前記開口部に前記支持基板と前記活性層を接続する半導体部とを有することを特徴とするＳＯＩウェハ。
【請求項２】
前記開口部が、ダイシングラインとなる領域内に形成されることを特徴とする請求項１に記載のＳＯＩウェハ。
【請求項３】
支持基板と、該支持基板上に配置された分離酸化膜と、該分離酸化膜上に配置され、ダイシングラインとなる領域内に溝を有する活性層と、前記溝内に不純物がドープされたポリシリコンと、を有することを特徴とするＳＯＩウェハ。
【請求項４】
支持基板上に分離酸化膜を形成し、該分離酸化膜上に活性層を形成する工程と、該活性層と前記分離酸化膜を貫通し、前記支持基板に達するダイシングラインとなる領域内に開口部を形成する工程と、半導体材料で該開口部を埋める工程とを有することを特徴とするＳＯＩウェハの製造方法。
【請求項５】
前記開口部をエピタキシャル成長させたエピタキシャル成長層で埋めることを特徴とする請求項４に記載のＳＯＩウェハの製造方法。
【請求項６】
前記開口部をポリシリコンで埋めることを特徴とする請求項４に記載のＳＯＩウェハの製造方法。
【請求項７】
支持基板上に分離酸化膜を形成し、ダイシングラインとなる領域内に前記分離酸化膜を貫通し前記支持基板に達する開口部を形成する工程と、前記分離酸化膜上と前記開口部上にポリシリコンを形成する工程と、該ポリシリコンを熱処理し、単結晶化する工程とを有することを特徴とするＳＯＩウェハの製造方法。
【請求項８】
半導体基板のダイシングラインとなる領域以外の箇所に酸素をイオン注入する工程と、該酸素を熱処理で分離酸化膜とする工程とを有することを特徴とするＳＯＩウェハの製造方法。
【請求項９】
請求項３〜８のいずれかに記載の方法で製作されたＳＯＩウェハに半導体装置を形成する方法において、前記ダイシングラインで囲まれた活性層に半導体素子を形成する工程と、前記スクライブラインに沿って前記ＳＯＩウェハを切断し、半導体チップとする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はＳＯＩウェハとその製造方法およびそのＳＯＩウェハを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェハは、支持基板上に酸化膜を形成し、半導体基板をこの酸化膜に貼り合わせ半導体基板を研削して薄くして活性層を形成して製作するＳＤＢ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）ウェハと、この酸化膜上にポリシリコンを堆積させ、ハロゲンランプなどのストリップヒータによる熱処理で単結晶化し活性層を形成して製作するＳＨ（Ｓｔｒｉｐ  Ｈｅａｔｅｒ）ウェハと、支持基板となる半導体基板に多量の酸素をイオン注入して、熱処理することで半導体基板の表面層内部に酸化膜を形成して製作するＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  Ｏｘｇｅｎ）ウェハなどが広く知られている。
このＳＯＩウェハは、近年、ＬＳＩ（大規模集積回路）を構成する高速デバイス（活性層の厚さが極めて薄く、空乏層が活性層全域に広がるデバイスで、容量（キャパシタ成分）が小さな素子のこと）などの形成に利用されるようになってきたが、ＳＯＩウェハの構造に起因した要因で量産性に問題がある。
【０００３】
図９は、ＣＺウェハの内部状態を示す図である。通常、デバイスの製造においてはＣＺ（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ  Ｚｏｎｅ）ウェハ５１が多用されており、このＣＺウェハ５１中には、インゴット（棒状の単結晶）引き上げ時に溶け込んだ固溶限以上の過剰な酸素が存在し、拡散などの熱処理を経ることでこの過剰な酸素がＣＺウェハ５１の表面から外方拡散で飛散し、ＤＺ（Ｄｅｎｕｄｅｄ  Ｚｏｎｅ）層５２と呼ばれる無欠陥層がＣＺウェハの表面層に形成される。また、ＣＺウェハ５１内部では酸素の析出が進み、酸素析出欠陥５３が形成される。
図１０は、ＣＺウェハ内の重金属をゲッタリングする状態を示す図である。酸素析出欠陥５３はＣＺウェハ５１内に取り込まれた鉄、銅およびニッケルなどの重金属５４を捕獲するゲッタリングサイトとして作用するため、ＣＺウェハ５１を用いてデバイスを製造する場合には重金属汚染があっても良好なデバイス特性と高い信頼性を有する半導体装置とすることができる。この重金属はガス配管や製造装置の部材や反応ガスなどに含まれており、半導体素子を製造するときに半導体基板に入り込む。
【０００４】
このＣＺウェハではなく、支持基板上に酸化膜を配置し、酸化膜上に活性層を配置したＳＯＩウェハの活性層にＣＭＯＳ回路（相補形ＭＯＳＦＥＴ回路）などの半導体素子を形成して半導体装置を製作する場合がある。
このＳＯＩウェハを形成する方法として、シリコン基板に選択的に第１酸化膜を形成し、第１酸化膜が開口した箇所にｎ形不純物をイオン注入してｎ形領域を形成し、全面に第１エピタキシャル層を形成し、ｎ形領域上でｎ形不純物がしみ込まない第１エピタキシャル層を除去し、表面を酸化して、ｎ形領域とｎ形不純物がしみ込んだ第１エピタキシャル層を第１酸化膜と繋がる酸化膜を形成し、分離酸化膜とし、その上に第２エピタキシャル層を形成してＳＯＩウェハを得ることが報告されている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開平８−１９１１３９号公報  図１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図１１は、既存のＳＯＩウェハの内部状態を示す図である。既存のＳＯＩウェハ６０を用いてデバイスを製作した場合には、デバイスを形成する活性層６３と酸素析出欠陥５３ができる支持基板６１は分離酸化膜６２で電気的に絶縁されている。支持基板６１に混入した重金属は酸素析出欠陥５３にゲッタリングされるが、活性層６３に混入した重金属５４は分離酸化膜６２があるために支持基板６１の酸素析出欠陥５３に拡散していくことができない。
このため重金属５４はいつまでも活性層６３内に留まるところとなり、ＭＯＳトランジスタなどのゲート酸化膜を形成するときにゲート酸化膜内部に重金属５４が取り込まれ、ゲート耐圧やゲートしきい値電圧などのデバイス特性を不安定にさせるだけでなく、デバイスの長期信頼性を低下させる原因となる
この発明の目的は、前記の課題を解決して、重金属汚染を防止できるＳＯＩウェハとその製造方法およびそのＳＯＩウェハを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記の目的を達成するために、支持基板と、該支持基板上に配置され、選択的に前記支持基板に達する開口部を有する分離酸化膜と、該分離酸化膜上に配置される活性層と、前記開口部を充填し、前記支持基板と前記活性層を接続する半導体部とを有するＳＯＩウェハとする。
また、支持基板と、該支持基板上に配置された分離酸化膜と、該分離酸化膜上に配置され、ダイシングラインとなる領域内に溝を有する活性層と、前記溝内に不純物がドープされたポリシリコンとを有するＳＯＩウェハとする。
また、前記開口部が、ダイシングラインとなる領域内に形成されるとよい。
また、ＳＯＩウェハの製造方法において、支持基板上に分離酸化膜を形成し、該分離酸化膜上に活性層を形成する工程と、該活性層と前記分離酸化膜を貫通し、前記支持基板に達するダイシングラインとなる領域内に開口部を形成する工程と、半導体材料で該開口部を埋める工程とを有する製造方法とする。
【０００７】
また、前記開口部をエピタキシャル成長させたエピタキシャル成長層で埋めるとよい。  また、前記開口部をノンドープポリシリコンもしくはボロンドープポリシリコンで埋めるとよい。
また、支持基板上に分離酸化膜を形成し、ダイシングラインとなる領域内に前記分離酸化膜を貫通し前記支持基板に達する開口部を形成する工程と、前記分離酸化膜上と前記開口部にポリシリコンを形成する工程と、該ポリシリコンを熱処理し、単結晶化する工程とを有するＳＯＩウェハの製造方法とする。  また、半導体基板のダイシングラインとなる領域以外の箇所に酸素をイオン注入する工程と、該酸素を熱処理で分離酸化膜とする工程とを有するＳＯＩウェハの製造方法とする。
また、前記の製造方法で製作したＳＯＩウェハに半導体装置を形成する方法において、前記ダイシングラインで囲まれた活性層に半導体素子を形成する工程、前記スクライブラインに沿って前記ＳＯＩウェハを切断し、半導体チップとする工程とを有する半導体装置の製造方法とする。
【発明の効果】
【０００８】
ＳＯＩウェハの構造、ＳＯＩウェハの製造方法、ＳＯＩウェハを用いた半導体装置についての効果を述べる。
この発明によると、ＳＯＩウェハで、ダイシングラインとなる領域の分離酸化膜に選択的に開口部を設け、この開口部を半導体部で埋め、支持基板と活性層とをこの半導体部で繋ぐことで、活性層にデバイスを形成するときの熱処理で、活性層に導入された重金属を半導体部を通して支持基板に形成される酸素析出欠陥でゲッタリングして、活性層の重金属汚染を防止する。
この半導体部をエピタキシャル成長層、ノンドープポリシリコン層、ボロンドープポリシリコン層で形成する。とくにボロンドープポリシリコンは重金属のゲッター作用があり重金属汚染防止に効果がある。
【０００９】
また、分離酸化膜上の活性層を開口して、ボロンドープポリシリコンで埋めても、ゲッタ作用があるために効果がある。
このようにして製造したＳＯＩウェハを用いてデバイスを形成すると、重金属汚染が防止されているので、安定したデバイス特性と高い信頼性を得ることができる。
また、半導体部がダイシングライン内に形成されるために、活性層に形成するデバイスの活性領域を狭くすることはない。また、ダイシングラインでＳＯＩウェハを切断し、チップ化したとき、チップサイズおよび平面構造、断面構造は既存のＳＯＩウェハを用いた場合と同じである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明を実施するための最良の形態は、ＳＯＩウェハにおいて、ダイシングラインとなる領域の分離酸化膜に開口部を形成し、この開口部に半導体部を形成し、活性層と支持基板をこの半導体部で接続することである。この構造とすることで、活性層の重金属を半導体部を通して支持基板の酸素析出欠陥でゲッタリングして除去し、活性層の重金属汚染を防止することができる。また、ダイシングラインとなる領域の活性層に開口部を設けて、この開口部をボロンドープポリシリコンで埋めることである。この構造とすることで、活性層の重金属をこのボロンドープポリシリコンでゲッタリングし、活性層の重金属汚染を防止することができる。以下の図面を用いてその実施例を説明する。
【実施例１】
【００１１】
図１は、この発明の第１実施例のＳＯＩウェハの要部構成図であり、同図（ａ）はＳＯＩウェハの平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ部拡大図、同図（ｃ）は同図（ｂ）のＸ−Ｘ線で切断した断面図である。
このＳＯＩウェハ１は、ＣＺウェハの支持基板１１と、この支持基板１１上にダイシングライン２内でブレードの幅Ｌより狭い開口部４を有する分離酸化膜１２と、分離酸化膜１２上に配置されるシリコンの活性層１３と、開口部４を埋め、活性層１３と接続するシリコンで形成された接続部１４とで構成される。活性層１３と接続部１４は一体で形成しても構わない。
このように接続部１４を設けることで、活性層１３に導入された重金属５４は、デバイス形成時の熱処理で、この接続部１４を通して支持基板１１の酸素析出欠陥５３でゲッタリングされ、重金属汚染を防止できる。その結果、良好なデバイス特性と高い信頼性を得ることができる。また、この開口部４をダイシングライン２となる領域内でダイシングするときのブレード（刃）の幅Ｌより狭く形成することで、ＳＯＩウェハ１をチップ化したときに、この開口部４は切り落とされるため、デバイスの活性領域５の面積を減少することなく、全面に分離酸化膜が形成された既存のＳＯＩウェハを用いたデバイス構造と同一とすることができる。
【００１２】
つぎに、この発明のＳＯＩウェハの製造方法で、既存のＳＯＩウェハを加工して本発明のＳＯＩウェハを製作する方法について説明する。既存のＳＯＩウェハとしては、貼り合わせＳＯＩウェハ、ＳＩＭＯＸウェハ、ＳＨウェハなどである。
【実施例２】
【００１３】
図２は、この発明の第２実施例のＳＯＩウェハの製造方法を示す図であり、同図（ａ）から同図（ｅ）は工程順に示した要部工程断面図である。
活性層１３と支持基板１１とこれらを分離するための分離酸化膜１２を有する既存のＳＯＩウェハ１００上に、全面熱酸化もしくは減圧ＣＶＤ法により、活性層１３の表面全体にマスク酸化膜１５を形成する。このマスク酸化膜１５は、ダイシングライン２となる領域の活性層１３を溝エッチングする際のマスクとなる。そのマスク酸化膜１５の厚みは、活性層１３の厚みと、活性層１３を形成するシリコンと分離酸化膜１２との選択比に依存するが、活性層１３の厚さが１０μｍ程度であればマスク酸化膜１５の厚さは１μｍもあれば十分である（同図（ａ））。
次にマスク酸化膜１５上にフォトレジスト１６を被覆し、ダイシングライン２内でブレード幅３より狭い箇所のフォトレジスト１６をフォトリソグラフィーにより開口する。開口部１７の幅はダイシングする際のブレードの幅Ｌよりも狭ければよく、ブレードの幅Ｌは３０μｍ程度であるので、ここでは開口部１７の幅を５μｍとする。続いて、フォトレジスト１６をマスクとしてマスク酸化膜１５を開口する（同図（ｂ））。
【００１４】
つぎに、フォトレジスト１６を除去し、マスク酸化膜１５をマスクとして、溝エッチングを行い、活性層１３に５μｍ幅の開口部２を形成する。このとき、分離酸化膜１２がエッチングストッパーとして作用する。続いて、マスク酸化膜１５と活性層１３をマスクとして、活性層１５の開口部２下に露出した分離酸化膜１２をエッチングする。このとき支持基板１１がエッチングストッパーとして作用する（同図（ｃ））。
つぎに、エピタキシャル成長装置を用いて、例えば、ゲッター作用のあるボロンドープのｐ型シリコンをエピタキシャル成長させエピタキシャル成長層１８を形成する。このとき、溝エッチングのマスク酸化膜１５上はエピタキシャル成長しないので活性層１３の開口部４下に露出した支持基板１１上にのみ選択的にシリコンが成長する。エピタキシャル成長したエピタキシャル成長層１８で活性層１３の開口部４が埋まり、さらに、エピタキシャル成長を多めに行なうと開口部４からマスク酸化膜１５上にエピタキシャル成長層１８がせり出した形状でエピタキシャル成長は終わる（同図（ｄ））。
【００１５】
つぎに、活性層１３の表面に形成されたマスク酸化膜１５とエピタキシャル成長層１８を研磨して除去する。このようにして、ダイシングライン２直下に分離酸化膜１２がなく、活性層１３と支持基板１１がエピタキシャル成長層１８で接続している本発明のＳＯＩウェハ１が形成される（同図（ｅ））。尚、分離酸化膜１２の開口部４をこのエピタキシャル成長層１６で充填した部分が図１の接続部１４となる
このＳＯＩウェハ１の活性層１３にデバイスを形成すると、図１で説明したように、ダイシングライン２内に形成されたエピタキシャル成長層１８を介して、デバイス形成時の高温プロセス中に活性層１３に混入した重金属５４が、支持基板１１に拡散し、支持基板１１内の酸素析出欠陥５３に重金属５４がゲッタリングされて、活性層１３内の重金属汚染がなくなり、良好な特性でかつ信頼性の高いデバイスを形成することができる。
【００１６】
また、プロセスが完了した後に、通常のダイシング方法によりＳＯＩウェハ１を切り離してチップ化する。このダイシングの際のブレードの幅Ｌは３０μｍであり、５μｍの開口部４の幅よりも十分に広いのでダイシング時に開口部４に形成されたエピタキシャル成長層１６は完全に除去され、ダイシング後のチップの断面構造は、従来のＳＯＩウェハ１００を用いて形成したのとまったく同じになる。
【実施例３】
【００１７】
図３は、この発明の第３実施例のＳＯＩウェハの製造方法を示す図であり、同図（ａ）と同図（ｂ）は工程順に示した要部工程断面図である。
前記の第２実施例との違いは、図２（ｅ）のエピタキシャル成長層１８の箇所にノンドープドポリシリコン層１９を形成した点である。
図２（ｃ）までは同一工程であり、図２（ｄ）に相当する工程で、ノンドープドポリシリコンを全面に堆積させ、開口部４をノンドープドポリシリコン層１９を充填する（図３（ａ））。
つぎに、活性層１３が露出するまで、ノンドープドポリシリコン層１９とマスク酸化膜１５を除去する（図３（ｂ））。この場合も第２実施例と同様の効果が得られる。
【実施例４】
【００１８】
図４は、この発明の第４実施例のＳＯＩウェハの製造方法を示す図であり、同図（ａ）と同図（ｂ）は工程順に示した要部工程断面図である。
前記の第３実施例との違いは、ノンドープポリシリコン層１９の代わりにボロンドープポリシリコン層２０を形成した点である。この場合は、支持基板１１とボロンドープポリシリコン層２０が重金属をゲッタリングするために、ゲッタリング効果は第３実施例よりも大きく、重金属汚染をより効果的に防止できる。
【実施例５】
【００１９】
図５は、この発明の第５実施例のＳＯＩウェハの製造方法を示す図であり、同図（ａ）から同図（ｃ）は工程順に示した要部工程断面図である。
第４実施例との違いは、分離酸化膜１２を開口しないで、活性層１３のみを開口し、この開口部４にボロンドープシリコン層２０を形成した点である。前記したようにボロンドープシリコン層２０のゲッタリング効果で活性層１３の重金属汚染を防止できる。しかし、支持基板１１での重金属のゲッタリングがないために第４実施例よりは重金属汚染防止の効果は小さい。
【実施例６】
【００２０】
図６は、この発明の第６実施例のＳＯＩウェハの製造方法を示す図であり、同図（ａ）から同図（ｆ）は工程順に示した製造工程断面図である。これはＳＨ法で製作する方法である。
支持基板２１上に分離酸化膜２２を形成する（同図（ａ））。
つぎに、分離酸化膜２２上にフォトレジスト２３を被覆し、ダイシングライン４内のフォトレジスト２３にフォトリソグラフィーにより開口部２４を形成する（同図（ｂ））。  つぎに、フォトレジスト２３をマスクとして分離酸化膜２２に開口部２５を形成する（同図（ｃ））。
つぎに、フォトレジスト２３を除去し、分離酸化膜２２と露出した支持基板２１上にポリシリコン層２６を堆積する（同図（ｄ））。
【００２１】
つぎに、ハロゲンランプなどのストリップヒーター２７を用いて、ポリシリコン層２６を単結晶層２８にする（同図（ｅ））。
つぎに、表面を平坦化して所定の厚さの活性層２９を形成する（同図（ｆ））。
このようにして、ダイシングライン４内で活性層２９と支持基板２１は単結晶層２３の接続部１４で接続する。
【実施例７】
【００２２】
図７は、この発明の第７実施例のＳＯＩウェハの製造方法を示す図であり、同図（ａ）と同図（ｂ）は工程順に示した製造工程断面図である。これはＳＩＭＯＸ法で製作する方法である。
半導体基板３１上に厚い酸化膜３２を被覆し、フォトリソグラフィーでダイシングライン内の接続部１４となる箇所の厚い酸化膜３２を残す。続いて、厚い酸化膜３２をマスクに半導体基板３１の表面層に多量の酸素３４のイオン注入３３を行う。尚、厚い酸化膜３２の代わりに厚い（ＳｉＮ＋ＳｉＯ2 ）膜としてもよい（同図（ａ））。
つぎに、熱処理して、多量に酸素３４がイオン注入された箇所を酸化膜に変化させ、分離酸化膜３５とする（同図（ｂ））。
このようにして、支持基板３７、分離酸化膜３５、接続部１４および活性層３６で構成されるＳＯＩウェハが出来上がる。
【実施例８】
【００２３】
図８は、この発明の第８実施例の半導体装置の製造方法を示す図であり、同図（ａ）と同図（ｂ）は工程順に示した要部工程断面図である。
前記第２実施例で製作した本発明のＳＯＩウェハ１を用いて、半導体装置を形成する方法を説明する。ここでは、半導体装置は横型ＭＯＳＦＥＴを例として挙げた。
本発明のＳＯＩウェハ１の活性層１３に、ウェル領域４１、ソース領域４２、ドレイン領域４３、ゲート酸化膜４４、ゲート電極４５、ソース電極４６およびドレイン電極４７を形成する（同図（ａ））。
つぎに、ダイシングライン２に沿ってＳＯＩウェハ１を切断し、チップ４０にする（同図（ｂ））。
前記の各拡散領域などを形成するときの熱処理で、活性層１３に導入される重金属をダイシングライン部のエピタキシャル成長層１８を通して支持基板１１でゲッタリングして、重金属汚染を防止することができる。
【００２４】
チップ化において、ダイシングライン２内に形成された活性層１３と支持基板１１を接続するエピタキシャル成長層１８はダイシングで除去されるために、既存のＳＯＩウェハを用いた場合と、チップの大きさは同じであり、また、平面構造、断面構造ともに同じになる。そのため、分離酸化膜１２を開口するために余分な面積は必要なく、デバイスの活性領域を減少させることはない。
尚、このでは第２実施例のＳＯＩウェハを例に説明したが、第３実施例から第７実施例のＳＯＩウェハを用いた場合も第２実施例のＳＯＩウェハを用いた場合と同様の半導体装置を得ることができる。
また、本発明のＳＯＩウェハを用いて製作できる半導体装置は、既存のＳＯＩウェハ１００を用いて製作される半導体装置の全を対象とすることができ、重金属汚染が防止できるため、既存の半導体装置の高信頼性化や高速化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】この発明の第１実施例のＳＯＩウェハの要部構成図であり、（ａ）はＳＯＩウェハの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部拡大図、（ｃ）は（ｂ）のＸ−Ｘ線で切断した断面図
【図２】この発明の第２実施例のＳＯＩウェハの製造方法を示す図であり、（ａ）から（ｅ）は工程順に示した要部工程断面図
【図３】この発明の第３実施例のＳＯＩウェハの製造方法を示す図であり、（ａ）と（ｂ）は工程順に示した要部工程断面図
【図４】この発明の第４実施例のＳＯＩウェハの製造方法を示す図であり、（ａ）と（ｂ）は工程順に示した要部工程断面図
【図５】この発明の第５実施例のＳＯＩウェハの製造方法を示す図であり、（ａ）から（ｃ）は工程順に示した要部工程断面図
【図６】この発明の第６実施例のＳＯＩウェハの製造方法を示す図であり、（ａ）から（ｆ）は工程順に示した製造工程断面図
【図７】この発明の第７実施例のＳＯＩウェハの製造方法を示す図であり、（ａ）と（ｂ）は工程順に示した製造工程断面図
【図８】この発明の第８実施例の半導体装置の製造方法を示す図であり、（ａ）と（ｂ）は工程順に示した要部工程断面図
【図９】ＣＺウェハの状態を示す図
【図１０】ＣＺウェハで重金属をゲッタリングする状態を示す図
【図１１】既存のＳＯＩウェハの内部状態を示す図
【符号の説明】
【００２６】
１    ＳＯＩウェハ
２    ダイシングライン
４、２４、２５  開口部
５    活性領域
１１、３７、６１  支持基板
１２、２２、３５、６２  分離酸化膜
１３、２９、３６、６３  活性層
１４    接続部
１５    マスク酸化膜
１６、２３    フォトレジスト
１８    エピタキシャル成長層
１９    ノンドープポリシリコン層
２０    ボロンドープポリシリコン層
２１    半導体基板
２６    ポリシリコン層
２７    ストリップヒーター
２８    単結晶層
３１    半導体基板
３２    厚い酸化膜
３３    イオン注入
３４    酸素
４１    ウェル領域
４２    ソース領域
４３    ドレイン領域
４４    ゲート絶縁膜
４５    ゲート電極
４６    ソース電極
４７    ドレイン電極
５１    ＣＺウェハ
５２    ＤＺ層
５３    酸素析出欠陥
５４    重金属
６０、１００  既存のＳＯＩウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005175151.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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