(57)【要約】【課題】  多層メタル構造を有する液晶表示パネル用シリコン基板において、ガラス基板切欠工程時に与えられたダメージに起因して生じる、シリコン基板の後発不良を抑制して製品の信頼性を向上する。【解決手段】  シリコン基板１への配線側電極と接続されるべきパッド部２を、第１パッド部２ａと第２パッド部２ｂとに分割する。そして、一方の第２パッド部２ｂを２層構造とすることで、ガラス片５４ａがシリコン基板１にダメージを与えた場合に、パッド部２ａ−２ｂ間が短絡する構造としている。つまり、後発不良を招く半端なダメージを、これらパッド部２ａ−２ｂ間の短絡により認識できる構造としている。  そして、これらパッド部２ａ−２ｂ間の短絡が確認され、半端なダメージが与えられているとされた場合にシリコン基板１を不良品判定とすれば、後発不良を抑制でき製品信頼性の向上を図ることができる。【選択図】  図２
2005181586.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層メタル構造を有するシリコン基板であって、
当該シリコン基板への配線側電極と接続されるべきパッド部として、互いが電気的に分割された構造となる第１パッド部と第２パッド部とを備えると共に、
上記第２パッド部は、上層部分と下層部分との２層にわたって形成されている、
ことを特徴とするシリコン基板。
【請求項２】
多層メタル構造を有するシリコン基板であって当該シリコン基板への配線側電極と接続されるべきパッド部として、互いが電気的に分割された構造となる第１パッド部と第２パッド部とを備えると共に、上記第２パッド部は、上層部分と下層部分との２層にわたって形成されているシリコン基板について、
上記第１パッド部と第２パッド部との間が短絡しているか否かについての判別を行うと共に、第１パッド部と第２パッド部との間が短絡しているとされた場合は、このシリコン基板を不良品判定とする、
ことを特徴とするシリコン基板の検査方法。
【請求項３】
配線側電極と接続されるべきパッド部が設けられた多層メタル構造によるシリコン基板の製造方法において、
上記シリコン基板上に対向して設置したガラス基板の一部を切欠して、上記パッド部を表出させるにあたり、上記パッド部上を切断位置として上記ガラス基板を切断することを特徴とするシリコン基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶表示装置の表示パネルとして用いられるシリコン基板とその検査方法、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７、図８は、液晶表示装置の表示パネルとして用いられる、従来のシリコン基板の概略的な構造を示している。
これらの図において、図７は、表示パネルとしてのシリコン基板を表示面側からみた場合の平面図を示し、図８は、図７中の破線Ｘにより示される切断面により切断した場合のシリコン基板の断面図を示している。なお、これらの図では一例として、反射型液晶表示装置の表示パネルとして用いられるシリコン基板５０の構造を示す。
先ず図７に示されるように、このシリコン基板５０には、画素部５１、回路部５２、パッド部５３が形成されている。
上記画素部５１は画像表示が行われる部位である。また、回路部５２は、画素部５１に形成される各画素を表示駆動するための部位である。さらに、パッド部５３は、上記回路部５２を駆動するための電気信号を供給する、当該シリコン基板５０への配線側電極が接続される部位である。
【０００３】
この場合、上記回路部５２としては、図８の断面図に示されるように第４アルミ層４AL〜第１アルミ層１ALの４層にわたる多層構造が採られている。また、上記パッド部５３は、図示するように例えば第３アルミ層３ALに形成するものとされる。
そして、このようなシリコン基板５０に対しては、図示するようにガラス基板５４が対向するように設置されるものとなり、後述もするようにこれらシリコン基板５０とガラス基板５４との間隙に対して液晶が注入される。
【０００４】
ここで、表示パネルの製造時においては、これら図７，８に示したような構造によるシリコン基板５０の複数を、一括してシリコンウェハ上に形成するということが行われる。
そして、先の図８に示したようにシリコン基板５０上に対向するガラス基板５４としては、このように複数のシリコン基板５０が形成されたシリコンウェハに対して、一括して設置することがある。
【０００５】
このように、ウェハに形成された複数のシリコン基板５０にわたり一括してガラス基板５４を設置する場合、シリコン基板５０のダイシング工程後に得られる個々のシリコン基板５０としては、先の図８にも示したようにパッド部５３上にもガラス基板５４が覆われている状態となる。
しかしながらこのパッド部５３に対しては、上記もしたように配線側の電極が接続されるべきものである。このため、ウェハに一括してガラス基板５４を設置する手法が採られる場合では、シリコン基板５０のダイシング工程後に、次の図９に示すようなガラス基板５４の切欠工程を行うようにされる。
すなわち図９（ａ）に示すようにして、ガラス基板５４（斜線部）を、図中破線Ｙにより示したようなパッド部５３と画素部５１との間を切断位置として切断し、パッド部５３上を覆うガラス基板５４の一部を切欠する。そしてこれによって、図９（ｂ）の断面図に示すようにパッド部５３を表出させるようにするものである。
【０００６】
このように切欠工程が行われたシリコン基板５０に対しては、次の図１０に示すように、表出された上記パッド部５３に対し、回路部５２に対する電気信号を供する例えばフレキシブル配線基板６０の電極６１が接続される。また、これと共に、図示するようにガラス基板５４との間に液晶５５を注入する等の後工程が行われることで、液晶表示パネルとしての１つのデバイスが形成される。
【０００７】
このようにして、液晶表示パネルとしてのシリコン基板５０の製造時には、シリコン基板５０のダイシング工程後において、パッド部５３の表出のためのガラス基板５４の切欠工程を行う場合があるが、このような切欠工程によっては、そこで生じたガラス片がシリコン基板５０側にダメージを与え、シリコン基板５０の短絡不良を誘発することが問題となっている。
例えば、次の図１１の断面図に示されるように、ガラス切断時に生じたガラス片５４ａが、第３アルミ層３ALにおけるガラス切断位置である破線Ｙ近辺の電極を突き破り、その直下に形成された第２アルミ層２ALの電極にまで達してしまうということが考えられる。そして、これによって、例えば第３アルミ層３ALに形成された電極が変形する等して下層の第２アルミ層ALの電極と接触するものとなって、これらの電極間が短絡してしまうものである。
また、この場合、例えば先の図１０に示したようにしてパッド部５３にはフレキシブル配線基板６０の電極６１が圧着されるものとなるから、ガラス片５４ａが圧着面上に付着していた場合は、さらに下層にもダメージが与えられる場合もある。
【０００８】
従来においては、後工程としてシリコン基板５０に対する電気的な検査を行って、このような電極間の短絡状態を検出するようにされていた。そして、このような電極間の短絡が認められたものについてのみ、不良品の判定を行うものとしていたものである。
【０００９】
なお、液晶表示パネル用のシリコン基板についての従来技術に関する文献としては、例えば以下の特許文献を挙げることができる。
【特許文献１】特開平１１−１４２８８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ここで、上記で説明したガラス基板切欠工程において、ガラス片５４ａによってシリコン基板５０に与えられるダメージとしては、先の図１１のように完全に下層にまで及ぶものから、次の図１２の断面図に示すようにして、上層のみ（この場合は第３アルミ層３ALのみ）に留まるような場合もある。
このようにガラス片５４ａによるダメージが上層のみで留まる場合、上記したような不良品判定のための電気的検査時には、上層−下層間の短絡が認められないため、シリコン基板５０は良品として検査をパスすることになる。しかしながら、このようなシリコン基板５０に対する半端なダメージは、例えば製品化後の駆動の末に、酸化膜劣化等により短絡不良となってしてしまう可能性がある。
【００１１】
つまりこの場合、先に説明したように単に電気的検査を行う従来の手法では、このような後発不良を誘発する半端なダメージを検出することができず、これを不良判定とすることができなかった。そしてこのことから、従来技術では後発不良を効果的に抑制することができず、製品の信頼性の向上を図ることが困難とされていたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
そこで、本発明では以上のような問題点に鑑み、シリコン基板として以下のように構成することとした。
すなわち、本発明のシリコン基板は、多層メタル構造を有するシリコン基板であって、当該シリコン基板への配線側電極と接続されるべきパッド部として、互いが電気的に分割された構造となる第１パッド部と第２パッド部とを備えている。
そして、上記第２パッド部は、上層部分と下層部分との２層にわたって形成されているものである。
【００１３】
また、本発明では、シリコン基板の検査方法として以下のようにすることとした。
つまり、多層メタル構造を有するシリコン基板であって、当該シリコン基板への配線側電極と接続されるべきパッド部として、互いが電気的に分割された構造となる第１パッド部と第２パッド部とを備えると共に、上記第２パッド部は、上層部分と下層部分との２層にわたって形成されているシリコン基板について、
上記第１パッド部と第２パッド部との間が短絡しているか否かについての判別を行うと共に、第１パッド部と第２パッド部との間が短絡しているとされた場合は、このシリコン基板についての不良品判定を行うようにしたものである。
【００１４】
上記構成による本発明のシリコン基板によれば、上記第１パッド部の直下層には、上記第２パッド部の下層部分が形成されていることになる。このため、ガラス基板の切欠時に生じたガラス片が、上記第１パッド部近辺を破壊した場合、下層へのダメージは第２パッドの下層部分に与えられるものとなる。つまりこれによって第１パッド部−第２パッド部間が短絡する構造となっているものである。
【００１５】
このことを換言すれば、本発明のシリコン基板において、第１パッド部−第２パッド部間の短絡が認められる場合は、ガラス片によるダメージが、少なくとも第１パッド部の形成された層の直下層以下に及んでいることがわかるようになる。
つまり、第１パッド部−第２パッド部間の短絡について判別すれば、ガラス片が第２パッド部の下層部分よりさらに下層に及んでいる完全な短絡状態であるか、或いは第２パッド部の下層部分で留まって第１パッド部−第２パッド部のみが短絡した、後発不良誘発の虞のある状態であるかの、何れかであることが判別可能となる。
そしてこのことから、上述した本発明の検査方法のように、第１パッド部−第２パッド部間の短絡が認められた場合に、全て短絡不良の判定を行うものとすれば、完全な短絡状態となっているシリコン基板と共に、後発不良を誘発する虞のある半端なダメージを負ったシリコン基板も排除することが可能となる。
【００１６】
また、本発明では、シリコン基板の製造方法として以下のようにもすることとした。
つまり、配線側電極と接続されるべきパッド部が設けられた多層メタル構造によるシリコン基板の製造方法において、上記シリコン基板上に対向して設置したガラス基板の一部を切欠して上記パッド部を表出させるにあたり、上記パッド部上を切断位置として上記ガラス基板を切断するようにしたものである。
【００１７】
このような本発明のシリコン基板の製造方法によれば、パッド部上をガラス切断位置としているので、ガラス基板の切欠時にガラス片によりダメージが与えられる位置を、高い確率でパッド部上とすることができるようになる。
【発明の効果】
【００１８】
上述のようにして、本発明のシリコン基板の構成、及び検査方法によれば、第１パッド部−第２パッド部間の短絡の有無を判別することで、後発不良を誘発する虞のある半端なダメージをも検出することができる。
そして、このような判別結果に基づき不良品判定を行うことで、後発不良誘発の虞のあるダメージを負ったシリコン基板を排除することが可能となり、これによって製品化後における後発不良を抑制して製品の信頼性向上を図ることができる。
【００１９】
また、上述のように本発明としてのシリコン基板の製造方法によれば、ガラス基板の切欠時にガラス片によりダメージが与えられる位置を、高い確率でパッド部上とすることができるので、例えばパッド部の下層がダミー電極とされる場合には、このガラス片によるダメージが下層に及んだとしても短絡不良とならないように抑制することができる。
つまり、これによって、パッド部の下層がダミー電極とされる場合は、後発不良誘発の虞のあるダメージとしてもその発生率は低下するものとなって、結果的に製品の信頼性の向上を図ることができる。
また、この場合、シリコン基板の短絡不良自体も高い確率で防止されるので、製品の歩留まりが向上するというメリットもある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、発明を実施するための最良の形態（以下実施の形態とする）について説明していく。
図１は、本発明の実施の形態としてのシリコン基板１の構成例を示す断面図である。なお、実施の形態のシリコン基板１としても、先の図７に示したものと同様に反射型液晶表示装置に用いられるものとされている。
また、このシリコン基板１としても、表示面側からみた場合の概略的な構成は先の図７に示したものと同等となることから、ここでの図示による説明は省略する。さらに、この図１としても、シリコン基板１を図７中に破線Ｘにより示した切断面により切断した場合の断面図を示している。
図１において、実施の形態のシリコン基板１は、第４アルミ層４AL〜第１アルミ層１ALの４層による多層構造が採られる。但し、本例のシリコン基板１においては、図示するようにパッド部２として、電気的に２つの領域に分割して第１パッド部２ａと第２パッド部２ｂとを形成している。
【００２１】
この場合、上記第１パッド部２ａは、第３アルミ層３ALにおいて形成されている。そして、第２パッド部２ｂは、図示するように第３アルミ層３ALから第２アルミ層２ALの２層に跨って形成されると共に、この第２パッド部２ｂの第３アルミ層３ALとなる上層部分は、上記第１パッド部２ａよりも、当該シリコン基板１の外周側に形成される。また、第２アルミ層2ALとなる第２パッド部２ｂの下層部分は、図示するように上記上層部分の直下を含んで、シリコン基板１の中心方向に、上記第１パッド部２ａよりも長くなるように形成されている。
【００２２】
ここで、先の図９において破線Ｙにより示したように、切欠工程時のガラス切断位置は、第３アルミ層３ALにおいて表出するパッド部５３における、シリコン基板中心側の端部近辺に設定されている。つまりこれによると、本例のシリコン基板１においてガラス切断位置は、上記第１パッド部２ａにおける、シリコン基板１の中心寄りの端部近辺となる。
そしてこのことから、例えば上記のようにして第１パッド部２ａよりも、シリコン基板中心寄りに長くなるように形成された第２パッド部２ｂの下層部分としては、このようなガラス切断位置よりもシリコン基板中心側に延びていることになる。
【００２３】
このような構成とされる本例のシリコン基板１に対し、ガラス基板５４の切欠工程が行われて、ガラス片５４ａによるダメージが与えられる様子を、次の図２の断面図を参照して説明する。
先ず、この場合も、先の図９に示した切断位置と同等の切断位置（ガラス切断面）Ｙにより、ガラス基板５４が切断されたとすると、シリコン基板１側に対しては、図示するようにガラス片５４ａによって、切断面Ｙ近辺にダメージが与えられることが考えられる。
そして、この図に示される場合、上記ガラス片５４ａによるダメージは、第３アルミ層３ALにおいて第１パッド部２ａと接続された電極から、その下層の第２アルミ層2ALに形成された第２パッド部２ｂの下層部分を介し、さらにその下層の第１アルミ層１ALにまで及んでいる例が示されている。
【００２４】
このようにガラス片５４ａにより、ガラス切断面Ｙ近辺にダメージが与えられた場合、本例の構成によるシリコン基板１においては、第１パッド部２ａと第２パッド部２ｂとの間が短絡するようになっている。
つまり、上記もしたように第２アルミ層ALに形成された第２パッド部２ｂの下層部分は、この場合はガラス切断面Ｙよりもシリコン基板１の中心寄りに延びているため、ガラス片５４ａがガラス切断面Ｙ近辺に散乱する以上、ガラス片５４によるダメージはこのような第２パッド部２ｂの下層部分に必ず及ぶようになる。
そしてこの場合、図からもわかるようにガラス片５４ａにより与えられたダメージによっては、第３アルミ層3ALにおいて第１パッド部２ａと接続された電極と、第２パッド部２ｂの下層部分とが接触するものとなるから、上記のようにして第１パッド部２ａ−第２パッド部２ｂ間が短絡するようになっているものである。
【００２５】
このようにして、ガラス片５４ａによる下層へのダメージが生じた場合に、第１パッド部２ａ−第２パッド部２ｂ間が短絡するようになっているということは、このような第１パッド部２ａ−第２パッド部２ｂ間の短絡の有無により、ガラス片５４ａによるダメージが下層に与えられているか否かを判定することができるということになる。
【００２６】
ここで、ガラス片５４ａにより与えられる下層へのダメージとしては、この図２に示すようにして第１アルミ層1ALに形成される電極にまで及ぶ場合と、次の図３の断面図に示されるように、このような第１アルミ層1ALの電極には達していないが、その直上の第２アルミ層2ALに及んでいる場合が考えられる。
図２に示した状態では、パッド部２と、第１アルミ層AL1の電極との間が短絡するので、この段階で短絡不良が発生しているものとなる。
しかしながら、図３に示されるような状態では、先にも説明したとおりこの段階で短絡不良とはならないものの、例えば表示パネルとしての製品化後において酸化膜劣化等が原因で後発不良を誘発する虞があるものとなる。
【００２７】
これらのことを考慮し、本例では、上記のように第１パッド部２ａ−第２パッド部２ｂ間が短絡しているか否かを判別し、短絡が認められて先の図２、図３の何れかの状態となっていることが判別された場合には、このシリコン基板１については全て不良品判定とする。
このようにすれば、検査の段階で既に短絡不良となっているシリコン基板１（図２）はもとより、ガラス片５４ａが第２アルミ層2ALに及んで後発不良の虞のあるシリコン基板１（図３）についても、不良品として判定することができるようになる。
【００２８】
なお、このような検査方法によると、ガラス片５４ａが第３アルミ層３ALにて留まっている場合は、第１パッド部２ａ−第２パッド部２ｂ間が短絡しないので良品判定となるが、これまでの説明によると、この第３アルミ層３ALにおいてガラス片５４ａが留まった部分は、後の酸化膜劣化等の原因により、直下に位置する第２パッド部２ｂの下層部分との間で短絡する虞があることになる。つまり、このような場合は、後に第１パッド部２ａ−第２パッド部２ｂ間が短絡する虞がある。
しかしながら本例のシリコン基板１において、これら第１パッド部２ａ−第２パッド部２ｂ間は、例えば図１０に示したようなフレキシブル配線基板６０の電極６１の接続によって、元々互いが接続される状態で使用することが想定されるため、このように後にこれらの間が短絡しても動作上の問題は発生しないものとすることができる。
このようなことからも、本例のシリコン基板１では、良品／不良品の判定を適正に行うことができる構造となっていることが理解できる。
【００２９】
このようにして本例のシリコン基板１の構成では、パッド部２の構造を２分割し、一方の第２パッド部２ｂを上層と下層の２層に跨って形成したことで、ガラス片５４ａによる下層へのダメージが第２パッド部２ｂの下層部分に与えられる構成としている。そして、このような構成によって、ガラス片５４ａにより下層にダメージが与えられた場合に、上層の第１パッド部２ａと、このような下層部分を有する第２パッド部２ｂとの間が短絡するようにしている。
これにより、パッド部２ａ−２ｂ間の短絡を検出すれば、少なくとも下層にダメージが及んでいることを検出できるようになり、後発不良を誘発するものとして問題とされていた、半端なダメージを負った状態をも検出することができるようになる。
【００３０】
そして、このような構成によるシリコン基板１について、第１パッド部２ａ−第２パッド部２ｂ間の短絡の有無を判別した結果、これらの間が短絡しているとされた場合に不良品判定を行うようにすることで、上記のように半端なダメージを負って後発不良の虞があるシリコン基板１を排除することが可能になる。
すなわち、このように後発不良の虞があるシリコン基板１を排除することができることで、製品の信頼性の向上を図ることができるものである。
【００３１】
続いては、図４〜図６を参照して、本発明における実施の形態としてのシリコン基板の製造方法について説明する。
なお、実施の形態のシリコン基板の製造方法において、ガラス基板５４の切欠工程以外の工程は従来と同等となることから、ここではガラス基板５４の切欠工程についてのみ説明する。
先ず、図４には、実施の形態の製造方法において想定されるシリコン基板５０の断面構造を示す。なお、この図４に示されるシリコン基板５０の断面図としても、先の図７にて示した平面図における、切断面Ｘによりシリコン基板５０を切断した際の断面構造を示している。
また、実施の形態の製造方法が想定するシリコン基板５０としては、先の図８の断面図に示した構造とほぼ同等となる。このことから、図８の場合と同一となる部分については同一符号を付して説明を省略する。
【００３２】
この場合のシリコン基板５０としては、その上部がパッド部５３により覆われるものとなる、図中の矢印Ａにより示される領域において、第２アルミ層2ALの電極、さらにその下層の第１アルミ層1ALの電極が、全てダミー電極とされるものを想定している。
この場合、図示するように矢印Ａにより示されるパッド部５３直下の領域において、第２アルミ層2ALに形成される電極をダミー電極５とし、第１アルミ層1ALに形成される電極をダミー電極６と呼ぶこととする。
なお、このようなパッド部５３の直下の領域Ａとしては、一般的にその下層部は回路部５２として機能する電極が形成される領域とはされていないものである。しかしながらこの場合、ウェハ上でのパターン形成時に、このような領域Ａの部分に対しても何らかのパターンが形成されるようになるため、この部分が上記のようなダミー電極となる。このようなことから、一般的なシリコン基板５０においては、パッド部５３直下の領域Ａの下層部はダミー電極とされるケースが少なくないものである。
【００３３】
図５は、実施の形態の製造方法について説明するための図であり、図５（ａ）はシリコン基板５０の表示面側からみた場合の平面図を、また図５（ｂ）では図５（ａ）中の破線Ｘに示される切断面により切断した場合のシリコン基板５０の断面図を示している。
図５において、本例の製造方法としては、従来では図５（ａ）（ｂ）中の切断面Ｙによりガラス基板５４を切断していたものを、パッド部５３の直上となるような切断面Ｚの位置で切断するようにしたものである。
【００３４】
このようにして、ガラス基板５４の切断位置をパッド部５３の直上となる位置とすれば、ガラス切欠時に生じるガラス片５４ａを、高い確率で以て、次の図６の断面図に示すようにパッド部５３上に落下させることができるようになる。
そして、このようにガラス片５４ａをパッド部５３上に落下させることができれば、基板側にダメージが与えられる位置を、パッド部５３の直下近辺とすることができる。
従ってこの場合のガラス片５４ａによるダメージは、パッド部５３直下に形成されるダミー電極５に与えるようにすることができるものである。
【００３５】
そして、これらダミー電極５とパッド部５３との間は、短絡しても動作上の問題は発生しないから、この場合はガラス片５４ａにより下層にダメージが与えられたとしても、シリコン基板５０を不良品とさせないことが可能となる。
さらに、このようにダミー電極５とパッド部５３とが短絡した状態から、後発的にダミー電極５とダミー電極６との間が短絡したとしても、同様に動作上支障はないことから、この場合もシリコン基板５０が不良とならないようにすることができる。
【００３６】
このようにして本例のシリコン基板の製造方法によれば、ガラス片５４ａをパッド部５３の直上付近に高い確率で落下させることができるので、上述のようにパッド部５３の下層がダミー電極とされるシリコン基板５０では、ガラス片５４ａによるダメージが下層に及んだ場合でも、不良品とならない確率を高くすることができる。
つまり、このような本例の製造方法によれば、後発不良となるシリコン基板５０の発生も抑制されるようになるので、これに伴い製品化後の後発不良の発生する割合も低下して、結果的に製品の信頼性向上を図ることができる。
また、このような本例の製造方法では、上記のように高い確率で不良品の発生を防止することができるので、シリコン基板５０の歩留まりを向上できるというメリットもある。
【００３７】
なおこの場合、好ましくはパッド部５３の表面積をより広くとった上で、切断面Ｙから充分に離れた位置が切断面Ｚとなるようにすることで、シリコン基板５０が不良品とならない確率をより上げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の形態としてのシリコン基板の断面構造を示した断面図である。
【図２】実施の形態のシリコン基板に対し、ガラス基板の切欠工程時に生じたガラス片によりダメージが与えられた際の様子を断面図により示す図である。
【図３】同じく、実施の形態のシリコン基板に対し、ガラス基板の切欠工程時に生じたガラス片によりダメージが与えられた際の様子を断面図により示す図である。
【図４】実施の形態のシリコン基板の製造方法において想定する、シリコン基板の断面構造を示した断面図である。
【図５】実施の形態の製造方法を、シリコン基板の平面図及び断面図により説明するための図である。
【図６】実施の形態の製造方法により製造されたシリコン基板に対し、ガラス基板の切欠工程時に生じたガラス片によりダメージが与えられた際の様子を断面図により示す図である。
【図７】従来のシリコン基板の構成を示す平面図である。
【図８】従来のシリコン基板の断面構造を示す断面図である。
【図９】ガラス基板の切欠工程を、シリコン基板の平面図と断面図により説明するための図である。
【図１０】シリコン基板のパッド部に対して配線側電極が圧着された様子を示す断面図である。
【図１１】従来のシリコン基板に対し、ガラス基板の切欠工程時に生じたガラス片によりダメージが与えられた際の様子を断面図により示す図である。
【図１２】同じく従来のシリコン基板に対し、ガラス基板の切欠工程時に生じたガラス片によりダメージが与えられた際の様子を断面図により示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
１、５０  シリコン基板、２、５３  パッド部、２ａ  第１パッド部、２ｂ  第２パッド部、５、６  ダミー電極、５４  ガラス基板、５４ａ  ガラス片、1AL〜4AL  第１アルミ層〜第４アルミ層
【図１】
2005181586.tif 000003
【図２】
2005181586.tif 000004
【図３】
2005181586.tif 000005
【図４】
2005181586.tif 000006
【図５】
2005181586.tif 000007
【図６】
2005181586.tif 000008
【図７】
2005181586.tif 000009
【図８】
2005181586.tif 000010
【図９】
2005181586.tif 000011
【図１０】
2005181586.tif 000012
【図１１】
2005181586.tif 000013
【図１２】
2005181586.tif 000014