(57)【要約】  【課題】  ＰＤ部の個々のデバイスは温度による特性変化を持っているため、周囲の温度変化があった場合、温度による歪補償量の激減が見うけられ、不安定な歪補償となる課題がある。  【解決手段】増幅時に発生する歪を補償する歪補償増幅装置であって、入力信号から入力レベルを検出する入力レベル検出部と、前記入力信号から、増幅時に発生する歪を打ち消す歪相殺信号を生成する歪生成部と、前記入力信号と前記歪相殺信号を合成する歪相殺信号合成部と、前記歪相殺信号合成部の出力を増幅する増幅部と、前記増幅部の出力から出力レベルを検出する出力レベル検出部と、周囲温度を検出する温度検出部と、前記入力レベル検出器によって検出された入力レベルと、前記温度検出部により検出された温度レベルに応じて歪生成部のバイアス制御を行うことを特徴とする歪補償増幅装置。  【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
増幅時に発生する歪を補償する歪補償増幅装置であって、入力信号から入力レベルを検出する入力レベル検出部と、前記入力信号から、増幅時に発生する歪を打ち消す歪相殺信号を生成する歪生成部と、前記入力信号と前記歪相殺信号を合成する歪相殺信号合成部と、前記歪相殺信号合成部の出力を増幅する増幅部と、周囲温度を検出する温度検出部と、前記入力レベル検出器によって検出された入力レベルと、前記温度検出部により検出された温度レベルに応じて歪生成部のバイアス制御を行うことを特徴とする歪補償増幅装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、増幅時に発生する歪を、プリディストーション（ＰＤ）方式により補償する歪補償増幅装置に関するものである。また、本発明に係る増幅装置は、例えば、移動通信システムなどの無線通信システムに備えられる基地局装置や中継増幅装置などに適用することが可能である。
【０００２】
ここで、無線通信システムとしては、例えば、携帯電話システムや簡易型携帯電話システム（ＰＨＳ：Personal Handy Phone System）などの種々なシステムが用いられてもよ
い。
【０００３】
また、通信方式としては、例えば、ＣＤＭＡ（Code Division Multiple Access）方式
やＷ（Wide band）-CDMA方式やＴＤＭＡ(Time Division Multiple Access)方式やＦＤＭ
Ａ(Frequency Division Multiple Access)方式などの種々な方式が用いられてもよい。
【０００４】
ここで、本発明に係る増幅装置などの構成としては、必ずしも、以上に示したものに限られず、種々な構成が用いられてもよい。なお、本発明は、例えば本発明に係る処理を実行する方法或いは方式や、このような方法や方式を実現するためのプログラムなどとして提供することも可能である。
【０００５】
また、本発明の適用分野としては、必ずしも以上に示したものに限られず、本発明は、種々な分野に適用することが可能なものである。
【背景技術】
【０００６】
従来の歪補償増幅装置として、ＰＤ方式による歪補償増幅装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−２６１２５２号公報  （第３−４頁、第１図）  ここで、ＰＤ方式による従来の歪補償増幅装置について説明する。図４は、従来の歪補償増幅装置の構成の一例を示すブロック図である。図４に示すように、従来の歪補償増幅装置は、方向性結合器１，８、電力分配部２、遅延部３、電力合成部４、ベクトル調整部５、ＰＤ部６、増幅器７、入力レベル検出部９、制御部１０、出力レベル検出部１１から構成される。
【０００７】
次に、従来の歪補償増幅装置の動作について説明する。まず、入力信号は方向性結合器１を介して電力分配部２へ出力される。また、入力信号の一部は方向性結合器１により抽出され、入力レベル検出部９へ出力される。
【０００８】
入力信号は、電力分配部２により、遅延部３とＰＤ部６へ分配される。遅延部３は、電力分配部２の一方の出力を遅延させ、電力合成部４へ出力する。また、ＰＤ部６は制御部１０からの制御に従って、増幅時に発生する歪を打ち消す信号である歪相殺信号を電力分配部２のもう一方の出力から生成し、電力合成部４へ出力する。
【０００９】
電力合成部４は、遅延部３の出力と歪相殺信号を合成し、合成信号として増幅器７へ出力する。増幅器７は、合成信号を増幅し、増幅信号として方向性結合器８へ出力する。ここで、増幅時に発生する歪と歪相殺信号は相殺される。増幅信号は、方向性結合器８を介して外部へ出力される。また、増幅信号の一部は方向性結合器８により抽出され、出力レベル検出部１１へ出力される。なお、方向性結合器８の出力側にはアイソレータ（ＩＳＯ）１２が設けられ、反射波が増幅装置側に戻るのを防止している。
【００１０】
入力レベル検出部９は、入力信号の電力レベルを検出し、入力レベルとして制御部１０へ出力する。出力レベル検出部１１は、増幅信号の電力レベルを検出し、出力レベルとして制御部１０へ出力する。制御部１０は、入力レベルと出力レベルを比較することにより歪レベルを抽出し、その歪レベルが小さくなるようにＰＤ部６、ベクトル調整器５を制御する。ＰＤ部６は個々のデバイスから構成されている。デバイスは、並列に設けても良く、また直列に設けても良い。さらに、直列、並列の組み合わせでも良い。
【００１１】
以上のように、ＰＤ部６により生成される歪相殺信号により、増幅時に発生する歪が補償される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上述した従来の歪補償増幅装置において、ＰＤ部の個々のデバイスは温度による特性変化を持っているため、周囲の温度変化があった場合、温度による歪補償量の激減が見うけられ、不安定な歪補償となる場合がある。
【００１３】
本発明は上述した問題点を解決するためになされたものであり、周囲の温度変化に対応した、安定した歪補償を可能とする歪補償増幅装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述した課題を解決するため、本発明に係る歪補償増幅装置は、入力信号から入力レベルを検出する入力レベル検出部と、前記入力信号から、増幅時に発生する歪を打ち消す歪相殺信号を生成する歪生成部と、前記入力信号と前記歪相殺信号を合成する歪相殺信号合成部と、前記歪相殺信号合成部の出力を増幅する増幅部と、前記増幅部の出力から出力レベルを検出する出力レベル検出部と、周囲温度を検出する温度検出部と、前記入力レベル検出器によって検出された入力レベルと、前記温度検出部により検出された温度レベルに応じて歪生成部のバイアス制御を行うことを特徴とする。
【００１５】
また、前記歪補償増幅装置は、周囲温度と入力信号レベルに応じたバイアスパラメータのテーブルを有し、適正なパラメータ値を算出し、バイアス制御を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、周囲の温度に関わらず常に最適なバイアス制御が可能となるため、周囲の温度変化に関わらず高速に安定した歪補償を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の歪補償増幅装置は、急激に周囲の温度が変化しても、周囲の温度に関わらず常に最適なバイアス制御が可能となるため、高速に安定した歪補償を提供する歪補償増幅装置に関するものである。以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１は、実施例１における歪補償増幅装置の構成の一例を示すブロック図である。図１において、図４と同一符号は図４に示された対象と同一又は相当物を示しており、ここでの説明を省略する。本実施例では、制御部１０の代わりに制御部１０１を備え、さらに周囲温度を検出する温度検出部１０２を備える。なお、本実施例における歪相殺信号合成部は、電力分配部２と遅延部３と電力合成部４とベクトル調整器５とＰＤ部６のことである。
【００１９】
以下、本実施例における歪補償増幅装置の動作について説明する。
制御部１０１は、入力レベル検出部９が検出した値を読みこみ、さらに温度検出部が検出した周囲の温度の検出値を読みこむ。ここで、温度検出部は周囲の温度を検出しているが、それに限らず、例えば増幅部近傍の温度検出でも良い。
【００２０】
入力レベル検出部により検出された値と、温度検出部により検出された値は、各デバイスのテーブルにより比較される。各デバイスのテーブルについては図２を用いて説明する。図２において、縦軸は入力レベルを表したものであり、検出値は例えば「I1,I2」と表現する。横軸は温度レベルであり、例えば「T1〜Ｔ5」と表現する。A〜Ｊは、ＰＤ部へのバイアス制御値である。
例えば、入力レベルが11で温度レベルがT2の場合、Ｂという値を算出し、制御部１０１はバイアス制御値をＰＤ部へ出力し、バイアス制御を行う。また、入力レベルがI2であり、温度レベルがT3であるとき、Ｈという値を算出し、制御部１０１はバイアス制御値をＰＤ部へ出力し、バイアス制御を行う。
【００２１】
ここで、I1、I2、T1〜Ｔ5と設定したが、これは一つの値を示したものではなく、その範囲を示すものである。例えば入力レベルであるI1は、10〜20という範囲を設定し、15という値を入力レベル検出部が検出した場合はI1に入る。さらに、温度レベルであるT2の場合、例えば0〜10という範囲を設定し、5という値を温度検出部が検出した場合はT2に入る。
【００２２】
次に、本実施例の動作を図３を用いて説明する。
Ｓ2にて、温度検出部１０２により温度レベルを検出する。次にＳ3にて、入力レベル検出部９により入力レベルを検出する。Ｓ4にて、検出された温度値と入力レベルが変化したかどうかを確認し、変化していない場合は再びＳ2に戻り、温度レベル検出、入力レベル検出を行う。それぞれ検出された値の内いずれかがの値が異なる場合は、S5にて検出された温度レベルと入力レベルを図２のテーブルにより比較し、検出された周囲温度と入力レベルに応じた最適値を算出する。Ｓ6にて、Ｓ4で算出された最適値により各デバイスのバイアス制御を行う。
【００２３】
Ｓ1にて温度レベルを検出し、さらにＳ2にて入力レベルを検出しているが、この順に限るものではなく、最初に入力レベルを検出し、次に温度レベルを検出しても良い。また、温度レベル検出と入力レベル検出を同時に行っても良い。
【００２４】
以上説明したように、前記歪補償増幅装置は、周囲温度と入力信号レベルに応じたバイアスパラメータのテーブルを有し、適正なパラメータ値を設定し、バイアス制御を行うことにより周囲の温度に関わらず常に最適なバイアス制御が可能となるため、周囲の温度変化に関わらず高速に安定した歪補償を提供することが可能となる。
【００２５】
本実施例中では、ベクトル調整器５をＰＤ部６の前段に設けたが、それに限るものではなく、ベクトル調整器５をＰＤ部の後段に設けても良い。さらに、遅延部３は、信号を遅延できるものであればよく、遅延線や遅延フィルタを用いることができる。
【００２６】
本実施例中では、入力レベルと温度レベルによりバイアス制御値を算出していたが、それに限るものではなく、例えば入力レベルの代わりに出力レベルに応じて、適切なバイアス制御値を算出しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施例１における歪補償増幅装置の構成の一例を示すブロック図である。
【図２】実施例１におけるバイアス制御値を算出するためのテーブルである。
【図３】実施例１におけるバイアス制御を行うフローである。
【図４】従来の歪補償増幅装置の構成の一例を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００２８】
１，８…方向性結合器、２…電力分配部、３…遅延部、４…電力合成部、５…ベクトル調整部、６…ＰＤ部、７…増幅部、９…入力レベル検出部、１０、１０１…制御部、１１…出力レベル検出部、１２…アイソレータ、１０２…温度検出部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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