(57)【要約】【課題】  高感度で遠心力等に伴う加速度の影響が少ない圧力センサを提供する。【解決手段】  回転する圧力容器内の圧力を計測する圧力センサであって、基板２と、ダイヤフラム３、４の変形による静電容量変化または電気抵抗変化により圧力を計測するために基板２の両側に対称に配置された同一の２つのダイヤフラム３、４とを具備してなることを特徴とする圧力センサ１を採用する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転する圧力容器内の圧力を計測する圧力センサであって、基板と、ダイヤフラムの変形による静電容量変化または電気抵抗変化により圧力を計測するために前記基板の両側に対称に配置された同一の２つのダイヤフラムとを具備してなることを特徴とする圧力センサ。
【請求項２】
前記基板の両面に、前記各ダイヤフラムとの間にギャップを介して対向する固定電極がそれぞれ備えられていることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
【請求項３】
前記各ダイヤフラムの静電容量変化または電気抵抗変化の平均値から圧力を算出することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の圧力センサ。
【請求項４】
前記基板に対して、加速度が加わることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転する圧力容器内の圧力を計測する圧力センサに関するものであり、特に、自動車のタイヤの空気圧をタイヤの回転に伴って生じる加速度の影響を排除しつつ計測できる圧力センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
静電容量型の圧力センサは、小型でしかも構造が単純であることから、最近になって様々な分野において急速に普及している。一例として、自動車のタイヤの空気圧をモニタリングする手段として、静電容量型の圧力センサが採用され始めている。
【０００３】
従来の静電容量型圧力センサとして、下記特許文献１に記載の圧力センサが知られている。この従来の圧力センサは、固定基板の上下面にそれぞれ固定電極が形成され、更に各固定電極に対向するダイヤフラムが形成されている。そしてこの従来の圧力センサでは、一定の圧力変化に伴って一方のダイヤフラム側で増加した静電容量の変化量と、他方のダイヤフラム側で減少した静電容量の変化量とをそれぞれ計測することにより、圧力センサの検出感度の直線性を向上できるようになっている。
【特許文献１】特開平７−１９８５１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載の圧力センサを用いて、上述の自動車用タイヤの空気圧を測定しようとした場合には、次のような問題が生じる。すなわち、特許文献１の圧力センサは、圧力が変化したときに一方のダイヤフラムが凹み、他方のダイヤフラムが膨らむようにそれぞれ変位するものであるところ、タイヤの回転に伴う一方向からの遠心力を各ダイヤフラムが一様に受けて各ダイヤフラムが変位した場合、圧力変化による静電容量の変化量と、遠心力の影響による変化量とを分離することが不可能となり、圧力変化を誤って検出してしまうおそれがあった。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、高感度で遠心力等に伴う加速度の影響が少ない圧力センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の圧力センサは、回転する圧力容器内の圧力を計測する圧力センサであって、基板と、ダイヤフラムの変形による静電容量変化または電気抵抗変化により圧力を計測するために前記基板の両側に対称に配置された同一の２つのダイヤフラムとを具備してなることを特徴とする。
【０００７】
また本発明の圧力センサにおいては、前記基板の両面に、前記各ダイヤフラムとの間にギャップを介して対向する固定電極がそれぞれ備えられていることが好ましい。
また本発明の圧力センサにおいては、前記各ダイヤフラムの静電容量変化または電気抵抗変化の平均値から圧力を算出することが好ましい。
また本発明の圧力センサにおいては、前記基板に対して、加速度が加わることが好ましい。
【０００８】
上記の圧力センサによれば、圧力容器自体の回転によって圧力センサに対して一方向の遠心力が発生した場合、一方のダイヤフラムは遠心力の方向に対して凹むように変位し、他方のダイヤフラムは膨れるように変位する。この結果、一方のダイヤフラム側では静電容量または電気抵抗が増加し、他方のダイヤフラム側では静電容量または電気抵抗が減少する。このとき増減する静電容量または電気抵抗の変化量はほぼ同じである。従って圧力変化がなければ、増減した静電容量または電気抵抗の変化量の平均値は０になる。
次に、遠心力に加えて例えば圧力が急減した場合は、一方及び他方のダイヤフラムはそれぞれ固定電極から離れた側に変位される。このときの各ダイヤフラムにおける静電容量または電気抵抗の変化量を平均すれば、遠心力に由来する静電容量または電気抵抗の変化量が相殺され、圧力変化による静電容量または電気抵抗の変化量のみを検出することができる。このようにして、遠心力に伴う加速度の影響を排除することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の圧力センサによれば、高感度で遠心力等に伴う加速度の影響が少ない圧力センサを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。尚、以下に説明する各図は、本発明の実施形態を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の製品の寸法関係とは異なる。
［本発明の基本実施形態］
図１には本発明の基本実施形態である圧力センサの断面模式図を示し、図２及び図３には本実施形態の圧力センサの製造方法を説明する工程図を示す。
図１に示すように、本実施形態の圧力センサ１は、支持基板２（基板）と、支持基板２の一面２ａ側及び他面２ｂ側にそれぞれ対称に配置された同一の２つのダイヤフラム（第１、第２ダイヤフラム）３、４とを具備して構成されている。各ダイヤフラム３、４はそれぞれ、Ｓｉ基板９、１０の一部を薄くして形成されたものである。また、支持基板２の両面２ａ、２ｂにはそれぞれ、第１、第２ダイヤフラム３、４とそれぞれ対向する第１、第２固定電極（固定電極）５、６がそれぞれ備えられている。第１、第２ダイヤフラム３、４と第１、第２固定電極５、６との間にはそれぞれ、第１、第２ギャップ７、８が設けられており、これら第１、第２ギャップ７、８が誘電体となって一種の静電容量が形成されている。この圧力センサ１では、流体の圧力変化に対応して第１、第２ダイヤフラム３、４がそれぞれ撓むことによってギャップ量が変動し、このギャップ量の変動を静電容量の変化で捉えて圧力変化を検知できるようになっている。
【００１１】
支持基板２は、ガラス等により構成されている。また、Ｓｉ基板９、１０は、単結晶シリコンから切り出されてなるものである。そして、各Ｓｉ基板９、１０と支持基板２とがそれぞれ陽極接合によって接合されている。これにより、各ギャップ７、８は完全に密閉された状態になっている。
【００１２】
Ｓｉ基板９の第１固定電極５側には、ギャップ７を区画する第１凹部９ａが設けられている。第１凹部９ａは平面視略円形状に形成されている。また、支持基板２上には、第１凹部９ａに対向するようにして、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｔ等からなる第１固定電極５が配置されている。この第１固定電極５も、第１凹部９ａの形状に対応して平面視略円形状とされている。また、この第１凹部９ａの周囲には、支持基板２側に突出形成された接合部９ｂが設けられている。この接合部９ｂを介して支持基板２とＳｉ基板９とが陽極接合されている。
また、Ｓｉ基板９の第１固定電極５と反対側には第２凹部９ｃが設けられている。この第２凹部９ｃは平面視略矩形状に形成されている。Ｓｉ基板９の両面に第１凹部９ａ及び第２凹部９ｃを設けることによって第１ダイヤフラム３が形成されている。第１ダイヤフラム３はその厚みがＳｉ基板９の本来の厚みよりも薄くなっている。
【００１３】
同様に、Ｓｉ基板１０の第２固定電極６側には、ギャップ８を区画する第３凹部１０ａが設けられている。第３凹部１０ａは平面視略円形状に形成されている。また、支持基板２上には、第３凹部１０ａに対向するようにして、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｔ等からなる第２固定電極６が配置されている。この第２固定電極６も、第３凹部１０ａの形状に対応して平面視略円形状とされている。この第３凹部１０ａの周囲には、支持基板２側に突出形成された接合部１０ｂが設けられている。この接合部１０ｂを介して支持基板２とＳｉ基板１０とが陽極接合されている。
また、Ｓｉ基板１０の第２固定電極６と反対側には第４凹部１０ｃが設けられている。この第４凹部１０ｃは平面視矩形状に形成されている。このように、Ｓｉ基板１０の両面に第３凹部１０ａ及び第４凹部１０ｃを設けることによって第２ダイヤフラム４が形成されている。第２ダイヤフラム４はその厚みがＳｉ基板１０の本来の厚みよりも薄くなっている。
【００１４】
そして、各Ｓｉ基板９、１０の厚さ、第１、第３凹部９ａ、１０ａの形状および形成位置、第２、第４凹部の形状及び形成位置９ｃ、１０ｃはそれぞれ同一とされている。これにより、第１、第２ダイヤフラム３、４は相互に同一の形状とされ、更に各ダイヤフラム３、４は支持基板２を基準として対称とされている。ダイヤフラム３，４が非対称に形成されると、各ダイヤフラム３、４における圧力の感度がずれてしまい、加速度の補正を行えなくなるので好ましくない。
尚、各ダイヤフラム３、４の厚みｔ１、ｔ２はそれぞれ、１０〜８０μｍの範囲に設定されている。更に、第１、第２固定電極５、６もそれぞれ支持基板２を基準として対称に形成されている。
【００１５】
Ｓｉ基板９、１０はそれぞれ、Ｓｉ単結晶から切り出されたものである。第１、第２ダイヤフラム３、４は、このＳｉ単結晶を異方性エッチングすることにより形成されたものである。そして図１に示すように、第１〜第４凹部９ａ、９ｃ、１０ａ、１０ｃの底面部９ａ１、９ｃ１、１０ａ１、１０ｃ１がそれぞれＳｉの（１００）面とされ、第２、第４凹部９ｃ、１０ｃの傾斜部９ｃ２、１０ｃ２がそれぞれＳｉの（１１１）面とされている。これにより、底面部９ａ１、９ｃ１、１０ａ１、１０ｃ１に対する傾斜部９ｃ２、１０ｃ２の傾斜角度が、５４．７°に設定されている。
【００１６】
次に、図１及び図２を参照しつつ、上記の圧力センサ１の動作について説明する。図１及び図２Ａに示すように、第１、第２ダイヤフラム３、４はそれぞれ、接合部９ｂ、１０ｂを固定端としてギャップ７、８を介して支持基板２の固定電極５、６上に配置されている。そして各ダイヤフラム３、４は、第２、第４凹部９ｃ、１０ｃ側において測定対象となる流体と接している。
次に、図２Ｂに示すように、測定対象の流体の圧力が急減すると、流体とギャップ７、８との間で圧力差が生じ、ダイヤフラム３、４が固定電極５、６から離れる側に撓む。これにより、ダイヤフラム３、４と固定電極５、６の間隔が拡がり、各ギャップ７、８における静電容量がそれぞれ、（ａ）から（ａ＋α）に変化する。
【００１７】
一方、図２Ｃに示すように、測定対象の流体の圧力が一定の場合において、圧力センサ１に対して支持基板２の法線方向から遠心力等による加速度Ｍが印加されたときには、第１、第２ダイヤフラム３、４が加速度Ｍの方向に沿って撓む。即ち、第１ダイヤフラム３は固定電極５に接近する側に撓み、一方、第２ダイヤフラム４は固定電極６から離れる側に撓む。これにより、ダイヤフラム３と固定電極５との間隔が接近してギャップ７における静電容量が（ａ）から（ａ−β）に変化し、ダイヤフラム４と固定電極６との間隔が拡がってギャップ８における静電容量が（ａ）から（ａ＋β）に変化する。
【００１８】
次に、図２Ｄに示すように、測定対象の流体の圧力が急減し、かつ支持基板２の法線方向から加速度Ｍが印加されたときには、第１、第２ダイヤフラム３、４に対して流体圧力と加速度Ｍがそれぞれ同時に作用し、これにより、ギャップ７における静電容量が（ａ）から（ａ＋α−β）となり、ギャップ８における静電容量が（ａ）から（ａ＋α＋β）となる。各ギャップ７、８における静電容量の変化量（α−β）及び（α＋β）を平均すると、（α）となり、加速度Ｍに由来する変位量（β）が相殺される。
【００１９】
すなわち、上記の圧力センサ１によれば、圧力容器自体の回転によって圧力センサ１に対して一方向の加速度Ｍが発生した場合、一方のダイヤフラム３は加速度Ｍの方向に対して凹むように変位し、他方のダイヤフラム４は膨れるように変位する。この結果、一方のダイヤフラム３側では静電容量が（ａ−β）となり、他方のダイヤフラム４側では静電容量が（ａ＋β）となる。増減する静電容量の変化量（±β）の絶対値は同じである。この場合、圧力変化がなければ、増減した静電容量の変化量の平均値は（（＋β）＋（−β））／２となり、０になる。
次に、加速度Ｍに加えて流体圧力が急減した場合は、各ダイヤフラム３、４はそれぞれ固定電極５、６から離れた側に変位される。このときの各ダイヤフラム３、４における静電容量の変化量を平均することにより、加速度Ｍに由来する静電容量の変化量±βが相殺され、圧力変化による静電容量の変化量αのみを検出することができる。このようにして、遠心力に伴う加速度の影響を排除することができる。
【００２０】
次に、本実施形態の圧力センサ１の製造方法について説明する。
まず、図３Ａに示すように、単結晶のＳｉ基板９を用意する。このＳｉ基板９の上面９ｄは、Ｓｉの（１００）面となっている。そして、図３Ａに示すように、Ｓｉ基板９の下面９ｅ側をウエットエッチングまたはドライエッチングして第１凹部９ａを形成する。この第１凹部９ａが、Ｓｉ基板９と支持基板２とが接合されたときにギャップ７となる。
【００２１】
次に図３Ｂに示すように、Ｓｉ基板９の上面９ｄ側に図示略のマスクを重ねた状態でウエットエッチングすることにより、第２凹部９ｃを形成する。エッチング液としては、水酸化カリウム水溶液、水酸化３メチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液、エチレンジアミンピロカテコール（ＥＤＰ）水溶液等を用いることが好ましい。これらのエッチング液を用いてエッチングを行うことによりＳｉ基板９が異方性エッチングされる。形成された第２凹部９ｃは、その底面部９ｃ１がＳｉの（１００）面となり、底面部９ｃ１を囲む傾斜部９ｃ２がＳｉの（１１１）面となる。このようにして、Ｓｉ基板９に第１ダイヤフラム３が形成される。
尚、ここではＳｉ基板９を例にして説明したが、Ｓｉ基板１０についても同様であり、Ｓｉ基板１０に第３、第４凹部１０ａ、１０ｃを設けることにより第２ダイヤフラム４が形成される。
【００２２】
次に、図４Ａに示すように、支持基板２の一面２ａ上にレジスト層１００を形成する。次に、図４Ｂに示すように、支持基板２及びレジスト層１００の上に、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｔ等からなる第１固定電極膜５ａを成膜する。そして、図４Ｃに示すように、レジスト層１００を除去するとともに、レジスト層１００上に成膜された第１固定電極膜５ａをリフトオフする。このようにして、支持基板２上に第１固定電極５を形成する。
次に、図４Ｄに示すように、支持基板２の他面２ｂ側において、図４Ａ〜図４Ｃで説明した工程と同様の工程を行い、他面２ｂに第２固定電極６を形成する。
【００２３】
そして、支持基板２の両面２ａ、２ｂに、エッチング済みのＳｉ基板９、１０をそれぞれ重ねてから、真空中または不活性ガス雰囲気中でＳｉ基板９、１０と支持基板２とを陽極接合する。このようにして、図１及び図２に示すような圧力センサ１が得られる。
【００２４】
［第１の実施形態］
図５には第１の実施形態の圧力センサの平面模式図を示し、図６には図５のＡ-Ａ’線に対応する断面模式図を示し、図７には本実施形態の圧力センサの製造方法を説明する工程図を示す。なお、本実施形態の構成要素の内、基本実施形態の構成要素と同一の構成要素には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００２５】
図５及び図６に示すように、本実施形態の圧力センサ２１は、支持基板２（基板）と、支持基板２の一面２ａ側及び他面２ｂ側にそれぞれ対称に配置された同一の２つのダイヤフラム（第１、第２ダイヤフラム）２３、２４とを具備して構成されている。各ダイヤフラム２３、２４はそれぞれ、Ｓｉ基板２９、３０の一部を薄くして形成されたものである。また、支持基板２の両面２ａ、２ｂにはそれぞれ、各第１、第２ダイヤフラム２３、２４に対向する第１、第２固定電極（固定電極）２５、２６がそれぞれ備えられている。第１、第２ダイヤフラム２３、２４と第１、第２固定電極２５、２６との間にはそれぞれ、第１、第２ギャップ２７、２８が設けられており、これら第１、第２ギャップ２７、２８が誘電体となって一種の静電容量が形成されている。
【００２６】
第１、第２固定電極２５、２６はそれぞれ、平面視略円形状の対向部２５ａ、２６ａと、Ｓｉ基板２９、３０の外側に形成された端子部２５ｂ、２６ｂと、対向部２５ａ、２６ａと端子部２５ｂ、２６ｂとを連結する連結部２５ｃ、２６ｃとから構成されている。第１、第２固定電極２５、２６の対向部２５ａ、２６ａが第１、第２ダイヤフラム２３、２４と対向している。また、端子部２５ｂ、２６ｂには静電容量を検出するための図示しない外部回路が接続される。更に、支持基板２の両面２ａ、２ｂには、ダイヤフラム２３、２４に連結された端子電極３１、３２が形成されている。端子電極３１、３２には、静電容量を検出するための図示しない外部回路が接続される。
このようにして、固定電極２５、２６の端子部２５ｂ、２６ｂと端子電極３１、３２とに外部回路を接続することで、ギャップ２７、２８における静電容量を検出できるように構成されている。
【００２７】
Ｓｉ基板２９の第１固定電極２５側には、ギャップ２７を区画する第１凹部２９ａが設けられている。第１凹部２９ａは平面視略円形状に形成された対向凹部２９ａ１と、第１固定電極２５の連結部２５ｃをＳｉ基板２９の外側に引き出すための引出凹部２９ａ２とが相互に連通されて構成されている。対向凹部２９ａ１内には第１固定電極２５の対向部２５ａが配置されている。また、引出凹部２９ａ２は、低融点ガラスからなる封止部材３３によって封止されている。この構成により、ギャップ２７が完全に密閉されている。更に、対向凹部２９ａ１の周囲には、支持基板２側に突出形成された接合部２９ｂが設けられている。この接合部２９ｂを介して支持基板２とＳｉ基板２９とが陽極接合されている。
また、Ｓｉ基板２９の第１固定電極２５と反対側には第２凹部２９ｃが設けられている。この第２凹部２９ｃは平面視略矩形状に形成されている。Ｓｉ基板２９の両面に第１凹部２９ａ及び第２凹部２９ｃを設けることによって第１ダイヤフラム２３が形成されている。第１ダイヤフラム２３はその厚みがＳｉ基板２９の本来の厚みよりも薄くなっている。
【００２８】
同様に、Ｓｉ基板３０の第２固定電極２６側には、ギャップ２８を区画する第３凹部３０ａが設けられている。第１凹部３０ａは平面視略円形状に形成された対向凹部３０ａ１と、第２固定電極２６の連結部２６ｃをＳｉ基板３０の外側に引き出すための引出凹部３０ａ２とが相互に連通されて構成されている。対向凹部３０ａ１内には第２固定電極２６の対向部２６ａが配置されている。また、引出凹部３０ａ２は、低融点ガラスからなる封止部材３４によって封止されている。この構成により、ギャップ２８が完全に密閉されている。更に、対向凹部３０ａ１の周囲には、支持基板２側に突出形成された接合部３０ｂが設けられている。この接合部３０ｂを介して支持基板２とＳｉ基板３０とが陽極接合されている。
また、Ｓｉ基板３０の第２固定電極２６と反対側には第４凹部３０ｃが設けられている。この第４凹部３０ｃは平面視略矩形状に形成されている。Ｓｉ基板３０の両面に第３凹部３０ａ及び第４凹部３０ｃを設けることによって第２ダイヤフラム２４が形成されている。第２ダイヤフラム２４はその厚みがＳｉ基板２９の本来の厚みよりも薄くなっている。
【００２９】
そして、各Ｓｉ基板２９、３０の厚さ、第１、第３凹部２９ａ、３０ａの形状および形成位置、第２、第４凹部の形状及び形成位置２９ｃ、３０ｃはそれぞれ同一とされている。これにより、第１、第２ダイヤフラム２３、２４は相互に同一の形状とされ、更に各ダイヤフラム２３、２４は支持基板２を基準として対称に形成されている。各ダイヤフラム２３、４４の厚みは、第１の実施形態のダイヤフラム３、４の厚みｔ１、ｔ２はとほぼ同等とされている。また、第１、第２固定電極２５、２６もそれぞれ支持基板２を基準として対称に形成されている。
【００３０】
本実施形態の圧力センサ２１に動作は、第１の実施形態の圧力センサの動作と同じであり、第１の実施形態と同様な効果が得られる。
更に、本実施形態の圧力センサ２１においては、固定電極２５、２６の端子部２５ｂ、２６ｂと、ダイヤフラム２３、２４に接続された端子電極３１、３２とが支持基板２の両面２ａ、２ｂ上に形成されているので、これらの端子と外部回路とを容易に接続することができる。また、固定電極２５、２６はそれぞれ別々に外部回路に接続され、ダイヤフラム２３、２４も別々に外部回路に接続されるので、各ギャップ２７、２８における静電容量をそれぞれ独立して測定できる。
【００３１】
本実施形態の圧力センサ２１を製造するには、図７に示すように、エッチング加工済みのＳｉ基板２９、３０をそれぞれ、支持基板２の両面２ａ、２ｂに重ねてから、真空中でＳｉ基板９、１０と支持基板２とを陽極接合し、更に真空中で低融点ガラス（封止部材３３、３４）を用いてギャップ２７、２８を封止する。このようにして、図５及び図６に示すような圧力センサ２１が得られる。
【００３２】
［第２の実施形態］
図８には第２の実施形態の圧力センサの断面模式図を示す。なお、本実施形態の構成要素の内、基本実施形態及び第２の実施形態の構成要素と同一の構成要素には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００３３】
図８に示す本実施形態の圧力センサ３１と、第２の実施形態の圧力センサ２１との相違点は、支持基板２の他面２ｂ側にある端子電極３２と固定電極２６の端子部２６ｂとをそれぞれ、スルーホール４１、４２を介して支持基板２の一面側に露出させた点である。
この構成により、端子部２５ｂ、２６ｂと、端子電極３１、３２とが支持基板２の一面２ａ側に露出されら形となり、外部回路との配線構造を簡略化することができる。
【実施例】
【００３４】
（実施例１）
第１ダイヤフラムの形状に対する、第２ダイヤフラムの形状の対称性を−１０〜１０％まで変化させたときに、第１ダイヤフラム側と第２ダイヤフラム側の静電容量の差がどのように変動するか調査した。
圧力センサは第２の実施形態の圧力センサを使用し、各ダイヤフラムの形状の対称性は、第２ダイヤフラムの直径を変化させることによって−１０〜１０％まで変化させた。なお、対称性のずれが０％のときに、第１、第２ダイヤフラムが支持基板を基準に完全対称となる。また、対称性のずれが−１０％のときに、第２ダイヤフラムの直径が１１７０μｍとなり、対称性のずれが１０％のときに、第２ダイヤフラムの直径が１４３０μｍとなる。このときの静電容量の差を求めた。結果を図９に示す。尚、第１ダイヤフラムの厚みは５０〜６０μｍとし、第１ダイヤフラムの直径は１３００μｍとし、第１ギャップの間隔は０．５〜０．８μｍとし、第１固定電極の対向部の直径は７００〜１０００μｍとした。
また、第２ダイヤフラムの厚みは５０〜６０μｍとし、第２ダイヤフラムの直径は１１７０〜１４３０μｍとし、第２ギャップの間隔は０．５〜０．８μｍとし、第２固定電極の対向部の直径は７００〜１０００μｍとした。
【００３５】
図９に示すように、対称性のずれを−１０〜１０％まで変化させたとき、静電容量の差は５％以内になる。これにより、第１、第２ダイヤフラムの対称性のずれが−１０〜１０％程度であっても、圧力計測に大きな誤差は生じないものと考えられる。
【００３６】
（実施例２）
次に、第１、第２ダイヤフラムの直径を５００〜２０００μｍまで変化させたときに、静電容量がどの程度変動するかを調査した。
圧力センサは第２の実施形態の圧力センサを使用し、各ダイヤフラムの第１、第２ダイヤフラムの直径を５００〜２０００μｍまで変化させ、圧力が１００ｋＰａのときの静電容量を測定した。結果を図１０に示す。
【００３７】
図１０に示すように、ダイヤフラムの直径を大きくするほど、静電容量値が高くなることが分かる。これにより、ダイヤフラムの直径を大きくするほど圧力の感度が向上することがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】図１は、本発明の基本実施形態である圧力センサの断面模式図。
【図２】図２は、図１の圧力センサの動作を説明するための模式図。
【図３】図３は、本発明の基本実施形態の圧力センサの製造方法を説明する工程図。
【図４】図４は、本発明の基本実施形態の圧力センサの製造方法を説明する工程図。
【図５】図５は、本発明の第１の実施形態である圧力センサの平面模式図。
【図６】図６は、図５のＡ−Ａ’線に対応する断面模式図。
【図７】図７は、本発明の第１の実施形態の圧力センサの製造方法を説明する工程図。
【図８】図８は、本発明の第２の実施形態の圧力センサの断面模式図。
【図９】図９は、各ダイヤフラムの対称性のずれと、静電容量の差との関係を示すグラフ。
【図１０】図１０は、ダイヤフラムの直径と静電容量との関係を示すグラフ。
【符号の説明】
【００３９】
１、２１、３１…圧力センサ、２…支持基板（基板）、２ａ…一面、２ｂ…他面、３、２３…第１ダイヤフラム（ダイヤフラム）、４、２４…第２ダイヤフラム（ダイヤフラム）、５、２５…第１固定電極（固定電極）、６、２６…第２固定電極（固定電極）、７、２７…第１ギャップ（ギャップ）、８、２８…第２ギャップ（ギャップ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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