(57)【要約】【課題】  表面に凹凸を有する状態でエピタキシャル成長させる場合の屈折率のずれを補正することが可能である構成の半導体レーザを提供する。【解決手段】  少なくともＡｌ及びＩｎを含む化合物半導体から成り、少なくともｐ型クラッド層８，６と、活性層４と、ｎ型クラッド層２とが形成された半導体レーザ素子を有し、ｐ型クラッド層８，６の少なくとも一部のＡｌ組成がｎ型クラッド層２のＡｌ組成と比較して多い構成とされているか、或いは、ｎ型クラッド層の少なくとも一部のＡｌ組成が前記ｐ型クラッド層のＡｌ組成と比較して少ない構成とされている半導体レーザを構成する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともＡｌ及びＩｎを含む化合物半導体から成る半導体レーザ素子を有し、
前記半導体レーザ素子は、少なくともｐ型クラッド層と、活性層と、ｎ型クラッド層とが形成され、
前記ｐ型クラッド層の少なくとも一部のＡｌ組成が、前記ｎ型クラッド層のＡｌ組成と比較して多い構成とされているか、
或いは、前記ｎ型クラッド層の少なくとも一部のＡｌ組成が、前記ｐ型クラッド層のＡｌ組成と比較して少ない構成とされている
ことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
前記半導体レーザ素子が、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項３】
異なる波長のレーザ光を発振する複数の半導体レーザ素子が同一基板上に形成された半導体レーザであって、
前記複数の半導体レーザ素子のうち、第１の半導体レーザ素子が少なくともＡｌ及びＩｎを含む化合物半導体から成る半導体レーザ素子であり、
前記第１の半導体レーザ素子が、少なくともｐ型クラッド層と、活性層と、ｎ型クラッド層が形成されて成り、
前記第１の半導体レーザ素子において、前記ｐ型クラッド層の少なくとも一部のＡｌ組成が、前記ｎ型クラッド層のＡｌ組成と比較して多い構成とされているか、
或いは、前記ｎ型クラッド層の少なくとも一部のＡｌ組成が、前記ｐ型クラッド層のＡｌ組成と比較して少ない構成とされている
ことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項４】
前記第１の半導体レーザ素子が、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザに係わり、特にＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子と他の系の半導体レーザ素子を集積化して、波長の異なる複数の半導体レーザ素子を集積化した場合に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
光学記録媒体の多様化に伴い、例えばＣＤ（コンパクトディスク）とＤＶＤ（デジタルバーサタイルディスク）の２種類といったように、種類の異なる光学記録媒体を記録・再生することが可能な装置が提案されている。
【０００３】
このような記録・再生装置の光学ピックアップ装置の光源には、発振波長が異なる２つの半導体レーザ素子を集積して成る２波長半導体レーザが使用されている（例えば、特許文献１又は特許文献２参照）。
例えば、上述のＣＤとＤＶＤの双方を記録・再生する記録・再生装置の光学ピックアップ装置には、光源として、ＣＤの記録・再生用の発振波長７８０ｎｍの半導体レーザ素子と、ＤＶＤの記録・再生用の発振波長６５０ｎｍの半導体レーザ素子とを備えた２波長半導体レーザが設けられている。
【０００４】
そして、ＣＤの記録・再生用の半導体レーザ素子としては、ＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ素子が用いられ、ＤＶＤの記録・再生用の半導体レーザ素子としては、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子が用いられている。
【０００５】
上述したＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ素子とＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子から成る２波長半導体レーザは、一般的には、例えば、図５Ａ〜図８Ｐに示す工程を経て製造されている。なお、図５Ａ〜図８Ｐにおいては、各半導体レーザ素子のクラッド層や活性層等の積層された各層をまとめてエピタキシャル層として表示している。
【０００６】
まず、図５Ａに示すように、基板２１上にＡｌＧａＡｓ系（以下３元系とする）の半導体レーザ素子を構成するエピタキシャル層２２を成長させた後、その上に、この３元系のエピタキシャル層２２をパターニングするためのレジスト２３を形成する。
次に、レジスト２３をマスクとして用いてエッチングを行うことにより、図５Ｂに示すように、図中右側の３元系のエピタキシャル層２２を除去する。
続いて、図５Ｃに示すように、ＡｌＧａＩｎＰ系（以下４元系とする）のエピタキシャル層２４を成長させた後、４元系のエピタキシャル層２４の上に、この４元系のエピタキシャル層２４をパターニングするためのレジスト２５を形成する。レジスト２５は、図中右側の４元系のエピタキシャル層２４のうち、中央側の部分を除いて形成されている。
次に、レジスト２５をマスクとして用いてエッチングを行うことにより、図５Ｄに示すように、左側及び中央側の４元系のエピタキシャル層２４を除去する。
【０００７】
次に、図６Ｅに示すように、表面を覆って、例えばＣＶＤ法により、ＳｉＯ２膜２６を形成する。
続いて、図６Ｆに示すように、ＳｉＯ２膜２６上に、ストライプを形成するためのレジスト２７を形成する。
次に、図６Ｇに示すように、レジスト２７をマスクとして用いて、ウエットエッチング等の等方性エッチングにより、ストライプ部以外のＳｉＯ２膜２６を除去する。これにより、レジスト２７よりも狭い幅にＳｉＯ２膜２６が残る。
次に、表面を覆って変性膜２８を形成し、この変性膜２８をパターニングすることにより、レジスト２７を覆って変性膜２８が残るようにする。さらに、図６Ｈに示すように、右側の４元系エピタキシャル層２４の部分を覆ってレジスト２９を形成する。
【０００８】
次に、不純物のイオン注入を行う。このとき、レジスト２７及びレジスト２９がマスクとなるため、図７Ｉに示すように、左側の３元系のエピタキシャル層２２表面の、ＳｉＯ２膜２６の両側にイオン注入領域３０が形成される。
次に、レジスト２７及びレジスト２９を除去する。レジスト２７の除去の際に変性膜２８も除去されて、ＳｉＯ２膜２６のみが残る。さらに、図７Ｊに示すように、左側の３元系のエピタキシャル層２２を覆ってレジスト３１を形成する。
次に、レジスト３１及びＳｉＯ２膜２６をマスクとして用いてエッチングを行うことにより、図７Ｋに示すように、４元系のエピタキシャル層２４をエッチングしてリッジ構造のストライプを形成する。
続いて、図７Ｌに示すように、レジスト３１を除去する。
【０００９】
次に、図８Ｍに示すように、表面に、例えばｎ型のＧａＡｓから成る（第３の）エピタキシャル層３２を成長させる。このとき、ＳｉＯ２膜２６が表面を覆っている部分では、エピタキシャル層３２が成長しない。
次に、図８Ｎに示すように、レジスト３３を形成して、このレジスト３３をマスクとして用いて、中央側即ち２つのレーザ素子の間の部分のエピタキシャル層３２を除去する。
その後、左側の３元系のエピタキシャル層２２を覆うレジスト３３を除去し、右側の４元系のエピタキシャル層を覆うレジスト３３のみ残す。そして、この残したレジスト３３をマスクとして用いて、エッチングを行うことにより、図８Ｏに示すように、左側の３元系のエピタキシャル層２２上に残っているエピタキシャル層３２を除去する。
【００１０】
次に、レジスト３３を除去して、さらにＳｉＯ２膜２６を剥離除去することにより、図８Ｐに示すように、それぞれの半導体レーザ素子４１，４２が同一基板上に形成された２波長半導体レーザを製造することができる。
【特許文献１】特開２００１−３２０１３１号公報
【特許文献２】特開２００２−３２９９３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述した製造工程では、図５Ｂに示したように、ＡｌＧａＩｎＰ系（４元系）のエピタキシャル層２４を成長させる際には、先に形成したＡｌＧａＡｓ系（３元系）のエピタキシャル層２２の一部、即ちＡｌＧａＩｎＰ系（４元系）の半導体レーザ素子を形成する領域をエッチオフしているため、表面に凹凸を有する状態となっている。
【００１２】
このような表面に凹凸を有する状態で、ＡｌＧａＩｎＰ系(４元系)の材料をエピタキシャル成長させると、平坦な基板上にエピタキシャル成長させる場合と比較して、以下の相違点が生じる。
まず、第１の相違点として、４元系のエピタキシャル層２４の膜厚が薄くなる。
また、第２の相違点として、Ｉｎの組成が所定の組成よりも増大して、基板との格子不整合となることがある。
これらの現象は、４元系の使用原料のうち、ＡｌやＧａのマイグレーション長がＩｎのマイグレーション長よりも長いために発生していると推定されている。
【００１３】
図９にＩｎ組成と屈折率との関係（オーム社刊、応用物理学会編、「半導体レーザ」ｐ３３〜３５より引用）を示すように、Ｉｎ組成の大小により屈折率が変化し、Ｉｎ組成が増大すると屈折率が大きくなる。
そして、特にＩｎ組成の増大は、ｎ型クラッド層よりもｐ型クラッド層で顕著に発生する。
【００１４】
このため、図８Ｐに示したようなリッジ構造のストライプを形成した場合、リッジ部分の屈折率が所定の屈折率よりも高くなり、結果として重要な設計パラメータであるΔｎ（ストライプ部の屈折率ｎ１とストライプ部以外の部分の屈折率ｎ２との差）が自動的に大きくなってしまう問題がある。
【００１５】
このようにパラメータΔｎが大きくなる弊害としては、高次モードがカットオフできないことによるキンクの発生や、横方向の光閉じ込めが強くなることによりＦＰＰ（遠視野パターン）が大きくなってしまうこと等が挙げられる。
【００１６】
増大するＩｎ組成を補正する方法としては、例えば、成膜の際の原料ガスにおいてＩｎ量を少なくすることにより、単純にＩｎ組成を少なくすることが考えられる。
しかしながら、４元系のエピタキシャル層２４を成長させる工程（図５Ｂ）においては、通常、４元系のエピタキシャル層２４の成膜状態を確認する目的で、同じ成膜装置内に、表面が平坦なモニタ用ウエハを入れている。
そして、成膜の際の原料ガス中のＩｎ量を少なくすると、このモニタ用ウエハの基板にハッチパターン（格子欠陥）が入ってしまい、モニタ用ウエハとしての役目を果たさなくなってしまう。これは、ハッチパターンが、Ｉｎ組成が大きい箇所よりもＩｎ組成が小さい箇所で発生しやすいためである。
このように、モニタ用ウエハとしての役目を果たさなくなってしまうと、４元系のエピタキシャル層２４が所定の状態で正しく成膜されているかを確認することができない。
【００１７】
また、上述した問題は、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子を含む２波長半導体レーザを製造する場合だけでなく、表面に凹凸を有する部分にＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子のエピタキシャル層を形成する場合にも発生するものである。
【００１８】
上述した問題の解決のために、本発明においては、表面に凹凸を有する状態でエピタキシャル成長させる場合の屈折率のずれを補正することが可能である構成の半導体レーザを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の半導体レーザは、少なくともＡｌ及びＩｎを含む化合物半導体から成る半導体レーザ素子を有し、この半導体レーザ素子は、少なくともｐ型クラッド層と、活性層と、ｎ型クラッド層とが形成され、ｐ型クラッド層の少なくとも一部のＡｌ組成がｎ型クラッド層のＡｌ組成と比較して多い構成とされているか、或いは、ｎ型クラッド層の少なくとも一部のＡｌ組成がｐ型クラッド層のＡｌ組成と比較して少ない構成とされているものである。
即ち、例えば、ＡｌＧａＩｎＰの組成が、ＡｌＸＧａ１−ＸＩｎＰである場合において、ｎ型クラッド層の少なくとも一部のＡｌ組成Ｘの値をＸｎとし、ｐ型クラッド層の少なくとも一部のＡｌ組成Ｘの値をＸｐとしたとき、Ｘｎ＜Ｘｐ≦１．０又は０≦Ｘｎ＜Ｘｐが成り立つようにする。
【００２０】
上述の本発明の半導体レーザの構成によれば、ｐ型クラッド層の少なくとも一部のＡｌ組成がｎ型クラッド層のＡｌ組成と比較して多い構成とされているか、或いは、ｎ型クラッド層の少なくとも一部のＡｌ組成がｐ型クラッド層のＡｌ組成と比較して少ない構成とされていることにより、Ａｌ組成が多い方が屈折率が小さくなるため、相対的にＡｌ組成が多いｐ型クラッド層側の屈折率が小さくなる。
これにより、製造時にｐ型クラッド層のＩｎ組成が増大して屈折率が大きくなる分を補正して、所定のΔｎを有する半導体レーザ素子とすることが可能になる。
【００２１】
本発明の半導体レーザは、異なる波長のレーザ光を発振する複数の半導体レーザ素子が同一基板上に形成され、複数の半導体レーザ素子のうち、第１の半導体レーザ素子が少なくともＡｌ及びＩｎを含む化合物半導体から成る半導体レーザ素子であり、第１の半導体レーザ素子が、少なくともｐ型クラッド層と、活性層と、ｎ型クラッド層が形成されて成り、第１の半導体レーザ素子において、ｐ型クラッド層の少なくとも一部のＡｌ組成がｎ型クラッド層のＡｌ組成と比較して多い構成とされているか、或いは、ｎ型クラッド層の少なくとも一部のＡｌ組成がｐ型クラッド層のＡｌ組成と比較して少ない構成とされているものである。
【００２２】
上述の本発明の半導体レーザの構成によれば、第１の半導体レーザ素子において、ｐ型クラッド層の少なくとも一部のＡｌ組成がｎ型クラッド層のＡｌ組成と比較して多い構成とされているか、或いは、ｎ型クラッド層の少なくとも一部のＡｌ組成がｐ型クラッド層のＡｌ組成と比較して少ない構成とされていることにより、Ａｌ組成が多い方が屈折率が小さくなるため、相対的にＡｌ組成が多いｐ型クラッド層側の屈折率が小さくなる。
これにより、製造時に、例えば、他の半導体レーザ素子のエピタキシャル層を先に形成して、これをパターニングした後の凹凸を有する表面上に、第１の半導体レーザ素子のエピタキシャル層を成長させたときに、第１の半導体レーザ素子のｐ型クラッド層のＩｎ組成が増大して屈折率が大きくなる分を補正することが可能になり、第１の半導体レーザ素子を所定のΔｎを有する構成とすることが可能になる。
【発明の効果】
【００２３】
上述の本発明によれば、半導体レーザを製造する際に、少なくともＡｌ及びＩｎを含む化合物半導体から成る半導体レーザ素子のエピタキシャル層を、凹凸のある表面上に成長させた場合において、特にｐ型クラッド層のＩｎ組成が増大して屈折率が大きくなる作用を抑制することが可能になる。
原料のＩｎ量を変更しなくても、容易に屈折率のずれを補正することができる。
【００２４】
これにより、ｐ型クラッド層の屈折率を所定の屈折率として、所定のΔｎを得ることが可能になり、高次モードによるキンクの発生をなくし、良好な形状のＦＦＰが得られる、特性の良好な半導体レーザを実現することができる。
【００２５】
また、原料のＩｎ量を変更する必要がないため、Ａｌ及びＩｎを少なくとも有する化合物半導体から成る半導体レーザ素子のエピタキシャル層の成膜状態を確認するために、表面が平坦なモニタ用ウエハを用いた場合に、モニタ用ウエハにハッチパターン（格子欠陥）を発生することなく、成膜状態の確認を実施することができる。
【００２６】
そして、Ａｌ及びＩｎを少なくとも有する化合物半導体から成る第１の半導体レーザ素子と、発振波長が異なる他の半導体レーザ素子との複数の半導体レーザ素子から成る半導体レーザを構成した場合には、他の半導体レーザ素子のエピタキシャル層を先に形成してパターニングした後の凹凸のある表面上に第１の半導体レーザ素子のエピタキシャル層を成長させたときに、第１の半導体レーザ素子の特にｐ型クラッド層の屈折率のズレを補正して、所定のΔｎを得ることが可能になり、発振波長が異なる複数の半導体レーザ素子から成り、これら半導体レーザ素子が良好な特性を有する半導体レーザを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
まず、本発明の実施の形態の構成を説明する前に、一般的なＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子の構成を説明する。
一般的なＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子では、基板上に、バッファ層を介してｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、活性層、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層が積層されて構成される。また、必要に応じて、活性層と各クラッド層との間にガイド層が設けられる。
【００２８】
この一般的なＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子における、エピタキシャル層の積層方向のＡｌ組成分布を、図４に示す。
ｎ型クラッド層５２、ガイド層５３、活性層５４、ガイド層５５、第２のｐ型クラッド層５６、エッチングストップ層５７、第１のｐ型クラッド層５８が積層されて、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子のエピタキシャル層５１が構成されている。
そして、第１のｐ型クラッド層５８及び第２のｐ型クラッド層５６と、ｎ型クラッド層５２とにおいて、Ａｌ組成が同一（共に０．７程度）になっている。
【００２９】
次に、本発明の一実施の形態として、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子の一形態を説明する。
本実施の形態では、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子において、ｎ型クラッド層のＡｌ組成を、ｐ型クラッド層よりも小さくするものである。
を示す。
【００３０】
本実施の形態のＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子における、エピタキシャル層の積層方向のＡｌ組成分布を、図１に示す。
ｎ型クラッド層２、ガイド層３、活性層４、ガイド層５、第２のｐ型クラッド層６、エッチングストップ層７、第１のｐ型クラッド層８が積層されて、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子のエピタキシャル層１が構成されている。
【００３１】
本実施の形態では、図１に示すように、第１のｐ型クラッド層８及び第２のｐ型クラッド層６を、図４に示した一般的なＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子よりもＡｌ組成が多い構成としており、これによって、第１のｐ型クラッド層８及び第２のｐ型クラッド層６のＡｌ組成が、ｎ型クラッド層２のＡｌ組成よりも多くなっている。
【００３２】
ＡｌＧａＩｎＰにおいて、Ａｌ組成が多くなると、屈折率が低くなる性質を有する。
例えば、（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）０．５１Ｉｎ０．４９Ｐの組成において、Ａｌ組成Ｘを変化させたときの屈折率の変化を図２に示す。
図２に示すように、Ａｌ組成Ｘが増加するに従って屈折率が低下しており、屈折率の変化が直線的に変化することがわかる。
【００３３】
従って、第１のｐ型クラッド層８及び第２のｐ型クラッド層６のＡｌ組成が多くなっていることにより、第１のｐ型クラッド層８及び第２のｐ型クラッド層６の屈折率を小さくすることが可能になる。
これにより、特にｐ型クラッド層８，６において顕著に発生しやすいＩｎ組成の増大による屈折率の増大を、Ａｌ組成の増大による屈折率の減少によって補正して、ｐ型クラッド層８，６を所定の屈折率とすることが可能になる。
即ち、ｐ型クラッド層８，６の屈折率の増大によるΔｎの増大を抑制して、高次モードによるキンクの発生やＦＦＰの広がりを抑制することができる。
【００３４】
ここで、ＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ素子とＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子とから成る２波長半導体レーザにおいて、電流の変化に対する出力の変化を比較して、図３Ａ及び図３Ｂに示す。図３Ａは、一般的なＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子を用いた場合を示し、図３Ｂは、本実施の形態のＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子を用いた場合を示している。また、図３Ａ及び図３Ｂにおいて、横軸は電流［ｍＡ］を示し、縦軸は出力（相対値）を示している。
【００３５】
図３Ａより、ｐ型クラッド層とｎ型クラッド層のＡｌ組成が等しい、一般的なＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子を用いた場合には、電流を増加したときの出力の変化が折れ曲がり、所謂キンクを有することがわかる。
これに対して、本実施の形態のＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子を用いた場合には、図３Ｂより、電流の増加に対してほぼ一様に出力が増大し、キンクを発生しないことがわかる。
【００３６】
本実施の形態の構成、即ち、第１及び第２のｐ型クラッド層８，６のＡｌ組成が一般的な半導体レーザ素子よりも多い構成の半導体レーザ素子を製造するには、例えば、第１及び第２のｐ型クラッド層８，６を成膜する際の原料ガスのＡｌ量を多くすればよい。
【００３７】
そして、ｐ型クラッド層８，６の屈折率の補正する程度に応じて、ｐ型クラッド層８，６のＡｌ組成をどの程度増やすか設定すればよい。
【００３８】
上述の本実施の形態の構成によれば、第１のｐ型クラッド層８及び第２のｐ型クラッド層６のＡｌ組成が、ｎ型クラッド層２のＡｌ組成よりも多くなっていることにより、第１のｐ型クラッド層８及び第２のｐ型クラッド層６の屈折率を低減することができる。
【００３９】
これにより、例えば、半導体レーザを製造する際に、凹凸のある表面上にＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子のエピタキシャル層を成長させた場合において、Ｉｎ組成が増大して屈折率が大きくなる作用を抑制することが可能になる。
【００４０】
従って、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子における屈折率のずれを、原料のＩｎ量を変更しなくても、容易に補正することができる。
これにより、ｐ型クラッド層８，６の屈折率を所定の屈折率として、所定のΔｎを得ることが可能になり、高次モードによるキンクの発生をなくし、良好な形状のＦＦＰが得られる、特性の良好な半導体レーザを実現することができる。
【００４１】
そして、本実施の形態のＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子の構成を、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子と発振波長が異なる他の半導体レーザ素子から成る２波長半導体レーザに適用した場合には、特性の良好な２波長半導体レーザを実現することができる。
【００４２】
また、原料のＩｎ量を変更する必要がないため、ＡｌＧａＩｎＰ系(４元系)のエピタキシャル層の成膜状態を確認するために、表面が平坦なモニタ用ウエハを用いた場合に、モニタ用ウエハにハッチパターン（格子欠陥）を発生することなく、成膜状態の確認を実施することができる。
【００４３】
なお、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子のエピタキシャル層は、図１に示した膜構成に限らず、本発明では、その他様々な膜構成を採用することが可能である。
【００４４】
上述の実施の形態では、ｐ型クラッド層８，６全体のＡｌ組成をｎ型クラッド層のＡｌ組成よりも多くしているが、本発明では、ｐ型クラッド層のうち一部だけのＡｌ組成を、ｎ型クラッド層のＡｌ組成よりも多くする構成としてもよい。例えば、Ａｌ組成がｎ型クラッド層よりも多くなっている部分と、Ａｌ組成がｎ型クラッド層と同じである部分とを、積層してｐ型クラッド層を構成してもよい。
なお、この場合、Ａｌ組成が多くなっている部分は、ｐ型クラッド層の上部、中央部、下部のいずれに形成することも可能である。
【００４５】
また、本発明では、ｎ型クラッド層の少なくとも一部のＡｌ組成を、ｐ型クラッド層のＡｌ組成よりも少なくしてもよい。
この場合には、ｎ型クラッド層のＡｌ組成を少なくすることにより、ｎ型クラッド層の屈折率が大きくなる。
これにより、相対的にｐ型クラッド層の屈折率がｎ型クラッド層の屈折率より小さくなるため、ｐ型クラッド層のＡｌ組成を多くする場合と同様に、Ｉｎ組成の増大によるｐ型クラッド層の屈折率の増大を補正して、Δｎの増大を抑えて、所定のΔｎとすることが可能になる。
従って、ｐ型クラッド層のＡｌ組成を多くする場合と同様に、特性の良好な半導体レーザを実現することができる。
【００４６】
なお、ＡｌＧａＩｎＰ系に限らず、Ａｌ及びＩｎを共に有する化合物半導体から成る半導体レーザ素子であれば、同様に本発明の効果を得ることが可能である。
【００４７】
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施の形態のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子のエピタキシャル層の積層方向のＡｌ組成分布を示す図である。
【図２】ＡｌＧａＩｎＰのＡｌ組成と屈折率との関係を示す図である。
【図３】２波長半導体レーザの電流の変化に対する出力の変化を比較する図である。  Ａ  一般的なＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子を用いた場合である。  Ｂ  図１に示す構成のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子を用いた場合である。
【図４】一般的なＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子のエピタキシャル層の積層方向のＡｌ組成分布を示す図である。
【図５】Ａ〜Ｄ  ２波長半導体レーザの一般的な製造方法を示す工程図である。
【図６】Ｅ〜Ｈ  ２波長半導体レーザの一般的な製造方法を示す工程図である。
【図７】Ｉ〜Ｌ  ２波長半導体レーザの一般的な製造方法を示す工程図である。
【図８】Ｍ〜Ｐ  ２波長半導体レーザの一般的な製造方法を示す工程図である。
【図９】ＡｌＧａＩｎＰのＩｎ組成と屈折率との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  エピタキシャル層、２  ｎ型クラッド層、４  活性層、６  第２のｐ型クラッド層、８  第１のｐ型クラッド層
【図１】
2005235865.tif 000003
【図２】
2005235865.tif 000004
【図３】
2005235865.tif 000005
【図４】
2005235865.tif 000006
【図５】
2005235865.tif 000007
【図６】
2005235865.tif 000008
【図７】
2005235865.tif 000009
【図８】
2005235865.tif 000010
【図９】
2005235865.tif 000011