(57)【要約】【課題】ジッタを効果的に減少し、ジッタの発生及び誤放電を防止し、輝度及び効率を向上し得るプラズマディスプレーパネルの組成物を提供する。【解決手段】強誘電性透明セラミック物質を含むプラズマディスプレーパネルの組成物を構成する。特に、このプラズマディスプレーパネルの組成物は、強誘電性透明セラミック物質を含む下部誘電体層と、強誘電性透明セラミック物質を含む上部誘電体層と、強誘電性透明セラミック粉末が混合されるか、又は、強誘電性透明セラミック薄膜が形成された蛍光体層とを含み、プラズマディスプレーパネルの誘電体の誘電率を最大に増加することで、静電容量を増加してジッタの発生及び誤放電を防止し、また蛍光体から放射される可視光線の一部を反射させて、輝度及び効率を向上する。【選択図】  図１
2005026205.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強誘電性透明セラミック物質を含むことを特徴とするプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項２】
前記強誘電性透明セラミック物質は、前記プラズマディスプレーパネルの誘電体の組成物に含まれることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項３】
前記プラズマディスプレーパネルの下部誘電体層は、強誘電性透明セラミック粉末を母ガラス粉末に１重量％〜２０重量％混合した後、該混合された粉末を印刷及び焼成して形成されることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項４】
前記プラズマディスプレーパネルの下部誘電体層の表面又は中間層には、数千オングストローム（数百ｎｍ）の厚さに強誘電性透明セラミック薄膜が形成されることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項５】
前記プラズマディスプレーパネルの上部誘電体層の組成物は、前記強誘電性透明セラミック物質を含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項６】
前記上部誘電体層は、(Pb,Bi)-(ZrTi)O3、(Pb,La)-(MgNbZrTi)O3、及び(Pb,Ba)-(LaNb)O3の少なくとも一つの粉末を母ガラス粉末に１重量％〜５重量％混合した後、該混合された粉末を印刷及び焼成して形成されることを特徴とする請求項５記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項７】
前記上部誘電体層の表面には、(Pb,Bi)-(ZrTi)O3、(Pb,La)-(MgNbZrTi)O3、及び(Pb,Ba)-(LaNb)O3の少なくとも一つの薄膜が数十〜数百オングストローム（数ｎｍ〜数十ｎｍ）の厚さに形成されることを特徴とする請求項５記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項８】
前記プラズマディスプレーパネルの蛍光体の組成物は、強誘電性透明セラミック粉末を含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項９】
前記プラズマディスプレーパネルの蛍光体層は、数ｎｍの強誘電性透明セラミック粉末を蛍光体粉末に１重量％〜１０重量％混合して形成されることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項１０】
前記プラズマディスプレーパネルの蛍光体層の表面には、強誘電性透明セラミック薄膜が形成されることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項１１】
前記強誘電性透明セラミック薄膜は、１００オングストローム（１０ｎｍ）以下の厚さに前記蛍光体層の表面に形成されることを特徴とする請求項１０記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項１２】
前記強誘電性透明セラミック物質は、可視光線透過率が７０％以上で、誘電率が１０００以上であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項１３】
前記強誘電性セラミック物質の組成物は、(Pb,La)-(ZrTi)O3、(Pb,Bi)-(ZrTi)O3、(Pb,La)-(HfTi)O3、(Pb,Ba)-(ZrTi)O3、(Pb,Sr)-(ZrTi)O3、(Sr,Ca)-(LiNbTi)O3、LiTaO3、SrTiO3、La2Ti2O7、LiNbO3、(Pb,La)-(MgNbZrTi)O3、(Pb,Ba)-(LaNb)O3、(Sr,Ba)-Nb2O3、K(Ta,Nb)O3、(Sr,Ba,La)-(Nb2O6)、NaTiO3、MgTiO3、BaTiO3、SrZrO3、及びKNbO3の少なくとも一つであることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項１４】
前記プラズマディスプレーパネルは、
前記強誘電性透明セラミック物質を含む下部誘電体層と、
前記強誘電性透明セラミック物質を含む上部誘電体層と、
前記強誘電性透明セラミック物質を含む蛍光体層と、
を含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項１５】
強誘電性透明セラミック物質を含む下部誘電体層と、
前記強誘電性透明セラミック物質を含む上部誘電体層と、
強誘電性透明セラミック粉末が混合されるか、又は、強誘電性透明セラミック薄膜が形成された蛍光体層と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項１６】
前記強誘電性透明セラミック物質は、可視光線透過率が７０％以上で、誘電率が１０００以上であることを特徴とする請求項１５記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項１７】
前記強誘電性セラミック物質は、(Pb,La)-(ZrTi)O3、(Pb,Bi)-(ZrTi)O3、(Pb,La)-(HfTi)O3、(Pb,Ba)-(ZrTi)O3、(Pb,Sr)-(ZrTi)O3、(Sr,Ca)-(LiNbTi)O3、LiTaO3、SrTiO3、La2Ti2O7、LiNbO3、(Pb,La)-(MgNbZrTi)O3、(Pb,Ba)-(LaNb)O3、(Sr,Ba)-Nb2O3、K(Ta,Nb)O3、(Sr,Ba,La)-(Nb2O6)、NaTiO3、MgTiO3、BaTiO3、SrZrO3、及びKNbO3の少なくとも一つであることを特徴とする請求項１５記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項１８】
前記下部誘電体層は、前記強誘電性透明セラミック粉末を母ガラス粉末に１重量％〜２０重量％混合した後、該混合された粉末を印刷及び焼成して形成されることを特徴とする請求項１５記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項１９】
前記下部誘電体層の表面又は中間層には、前記強誘電性透明セラミック薄膜が数千オングストローム（数百ｎｍ）の厚さに形成されることを特徴とする請求項１５記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項２０】
前記上部誘電体層は、
(Pb,Bi)-(ZrTi)O3、(Pb,La)-(MgNbZrTi)O3、及び(Pb,Ba)-(LaNb)O3の少なくとも一つの粉末を母ガラス粉末に１重量％〜５重量％混合した後、該混合された粉末を印刷及び焼成して形成されることを特徴とする請求項１５記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項２１】
前記上部誘電体層の表面には、(Pb,Bi)-(ZrTi)O3、(Pb,La)-(MgNbZrTi)O3、及び(Pb,Ba)-(LaNb)O3の少なくとも一つの薄膜が数十〜数百オングストローム（数ｎｍ〜数十ｎｍ）の厚さに形成されることを特徴とする請求項１５記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項２２】
前記蛍光体層は、数ｎｍの前記強誘電性透明セラミック粉末を蛍光体粉末に１重量％〜１０重量％混合して形成されることを特徴とする請求項１５記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【請求項２３】
前記強誘電性透明セラミック薄膜は、１００オングストローム（１０ｎｍ）以下の厚さに前記蛍光体層の表面に形成されることを特徴とする請求項１５記載のプラズマディスプレーパネルの組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレーパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）に係るものであり、詳しくは、プラズマディスプレーパネル用ガラス組成物及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）、液晶表示素子（Liquid Crystal Display:ＬＣＤ）、ＥＬ(Electro-Luminescence)素子、及びＦＥＤ(Field Emission Display)などと共に、次世代の表示素子として脚光を浴びているプラズマディスプレーパネル素子は、隔壁により隔離された放電セル内でＨｅ＋Ｘｅガス又はＮｅ＋Ｘｅガスの放電時に発生する１４７ｎｍの紫外線が赤色、緑色、及び青色の蛍光体を励起し、それらの蛍光体が励起状態から基底状態になる時のエネルギー差による発光現象を利用する表示素子である。プラズマディスプレーパネル表示素子は、単純構造による製作の容易性、高輝度及び高発光効率、メモリ機能、高い非線形性、及び１６０°以上の広視野角などの特性により４０インチ以上の大型表示素子の市場を占有することが予想されている。
【０００３】
以下、従来のプラズマディスプレーパネルの構造について、図２に基づいて説明する。図２は、従来のプラズマディスプレーパネルの構造を示した断面図であり、図示されたように、従来のプラズマディスプレーパネルは、下部ガラス基板２１上に形成された下部絶縁層２０と、下部絶縁層２０上の所定部分に形成されたアドレス電極２２と、アドレス電極２２及び下部絶縁層２０上に形成された下部誘電体層１９と、各放電セルを分割するために下部誘電体層１９上の所定部分に形成された隔壁１７と、隔壁１７上に形成されたブラックマトリックス層２３と、ブラックマトリックス層２３及び隔壁１７の側面及び下部誘電体層１９上に所定厚さに形成され、紫外線を受けて赤色、緑色、及び青色の可視光をそれぞれ放出する蛍光体層１８と、上部ガラス基板１１と、アドレス電極２２に垂直に交差するように上部ガラス基板１１上の所定部分に形成された維持電極１２と、維持電極１２上の所定部分に形成されたバス電極１３と、それらバス電極１３、維持電極１２、及び上部ガラス基板１１上に形成された第1上部誘電体層１４と、第１上部誘電体層１４上に形成された第２上部誘電体層１５と、第２上部誘電体層１５を保護するために第２上部誘電体層１５上に形成された保護層(ＭｇＯ)１６とを含んで構成されている。このとき、第１及び第２上部誘電体層１４、１５を上部誘電体層という。
【０００４】
以下、このように構成された従来のプラズマディスプレーパネルの動作について説明する。まず、従来のプラズマディスプレーパネルの上部ガラス基板１１及び下部ガラス基板２１には、ＳＬＳ(Soda-Lime Silicate)ガラス基板が使用され、ＳＬＳガラス基板である下部ガラス基板２１上に下部絶縁層２０が位置し、下部絶縁層２０上にアドレス電極２２が位置する。このとき、アドレス電極２２上の下部誘電体層１９及び下部絶縁層２０は、下部ガラス基板２１に放出される可視光を遮断する。また、発光効率を増加させるために反射率の高い誘電体層を下部誘電体層１９として使用するが、この下部誘電体層１９は、反射率が６０％以上の不透明誘電体層であって、光の損失を最小化する役割をする。また、蛍光体層１８は、赤色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体の順に積層され、各隔壁１７間で発生するプラズマによる紫外線の強度に従って特定波長の可視光を放出する。
【０００５】
一方、ＳＬＳガラス基板である上部ガラス基板１１の下面には、アドレス電極２２と垂直方向に交差して位置する維持電極１２と、維持電極１２上に位置するバス電極１３とが形成され、バス電極１３上には、優れた光透過率を有する上部誘電体層１４、１５が位置する。また、上部誘電体層１４、１５上には、プラズマの発生によりこれらの上部誘電体層１４、１５が損傷を受けることを防止する保護層１６が位置する。このとき、第１上部誘電体層１４は、維持電極１２及びバス電極１３と直接接触するため、維持電極１２及びバス電極１３との化学反応を避けるために軟化点が高くなるべきである。かつ、第２上部誘電体層１５は、保護膜１６の形成により高い平滑度が要求されるため、第１上部誘電体層１４に比べて軟化点が約数十℃低くなるべきである。
【０００６】
一方、プラズマディスプレーパネル表示素子には、ジッタ（jitter）現象が多く発生するという問題点がある。ジッタ現象は、印加された特定のスキャンパルスに対して放電が一定時間遅れて発生する現象をいい、誤放電の原因となって高速駆動を妨害するものである。このジッタ現象は、主に保護層（ＭｇＯ）の表面状態及び結晶性、プラズマディスプレーパネルの各層の誘電率及び厚さ、隔壁及び電極の構造及び間隙、駆動方式、放電ガスの種類及び含有量などから大きな影響を受ける。特に、Ｘｅは放電空間内における拡散速度が遅いため、高効率の特性を確保するためにＸｅの含有量を増大する場合、ジッタ現象が発生する確率が高くなる。
【０００７】
したがって、従来は、ジッタ現象による誤放電の問題を解決するために、上部誘電体層及び下部誘電体層の誘電率を増加するか、又は厚さを減少する方法を多く使用していた。一般に、プラズマディスプレーパネルの上部誘電体層及び下部誘電体層は約１２〜１５の誘電率を有し、特に、下部誘電体層の場合、反射率を増大するためにＴｉＯ2粉末を含有していて誘電率が多少高い。
【０００８】
しかし、誘電率を約２倍増加すると、静電容量の増加によって放電電圧が低下し、全体のジッタが約２０％減少する。また、ジッタの特性は、プラズマディスプレーパネルの上部誘電体層及び下部誘電体層の厚さの変化によっても変化する。例えば、プラズマディスプレーパネルの上部誘電体層及び下部誘電体層の厚さを薄くすることで、上部の維持電極１２及びバス電極１３と下部のアドレス電極２２との間隔を狭くすると、放電電圧が低下してジッタを減少させることができる。また、下部誘電体層１９及び上部誘電体層１４、１５は、ＰｂＯを主成分とする誘電率１２〜１５程度の物質により形成され、上部の維持電極１２及びバス電極１３と下部のアドレス電極２２との間隔は、約１００μｍに維持される。
【０００９】
以下、下部誘電体層１９及び前記上部誘電体層１４、１５の製造方法について説明する。下部誘電体層１９は、粒径１〜２μｍのＰｂＯ系又は非ＰｂＯ系のガラス粉末に、反射特性を向上しかつ誘電率を調整するために粒径２μｍ以下のＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3などの粉末状の酸化物を数十％混合し、その混合粉末を有機溶媒と混合して粘度約４００００〜５００００ｃｐｓ（ｍＰａ・ｓ）のペーストを形成した後、このペーストを印刷／焼成して形成される。このとき、焼成温度は、通常５５０〜６００℃であり、下部誘電体層１９の厚さは約２０μｍである。また、上部誘電体層１４、１５は、Ｐｂを約４０％含有する粒径１μｍ〜２μｍのホウ珪酸ガラス(Boro-Silicate Glass：ＢＳＧ)粉末に有機バインダーを混合したペーストを、スクリーン印刷法により塗布し、塗布されたペーストを５５０℃〜５８０℃の温度で焼成して形成される。
【００１０】
以下、誘電率の変化によるジッタ特性の変化を、図３に基づいて説明する。図３（Ａ）は、一般のプラズマディスプレーパネル用上部誘電体層及び下部誘電体層の誘電率が１４の場合のジッタ発生特性を示した図であり、図３（Ｂ）は、一般のプラズマディスプレーパネル用上部誘電体層及び下部誘電体層の誘電率が２５の場合のジッタ発生特性を示した図である。図示されたように、誘電率が１４から２５に変化すると、静電容量の上昇により動作速度が１．２８μｓから１．１４μｓに増加し、動作速度が増加することで全体のジッタが約１１％減少する。
【００１１】
しかし、誘電率が増加することで耐電圧が減少するため、ＰｂＯを主成分とする誘電体物質(上部誘電体層及び下部誘電体層の物質)の誘電率を増加することには限界がある。また、同じ誘電率を有する物質の厚さを減少して静電容量を増加する場合、従来の誘電体は、約５６０Ｖの電圧に耐えられないという問題点があった。
【００１２】
以上説明したように、従来のプラズマディスプレーパネルの誘電体層は、ＰｂＯを主成分とする誘電体物質により形成されるため、ジッタを減少するために誘電体の誘電率を高めると耐電圧が減少し、誘電体の誘電率を最大限に増加し得ないという不都合な点があった。また、従来のプラズマディスプレーパネルの上部誘電体層及び下部誘電体層の厚さを減少する場合、耐電圧が低下するため、ジッタを効果的に減少することができず、高速駆動が困難であるという不都合な点があった。
【００１３】
従来のプラズマディスプレーパネル及びその製造方法は、１９９８年１１月１７日に発行された特許文献１、２００１年６月５日に発行された特許文献２、及び２００３年７月２９日に発行された特許文献３に記載されている。
【特許文献１】米国特許第５，８３８，１０６号明細書
【特許文献２】米国特許第６，２４２，８５９号明細書
【特許文献３】米国特許第６，５９９，８５１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたもので、ジッタを効果的に減少し得るプラズマディスプレーパネルの組成物を提供することを目的とする。
【００１５】
本発明はまた、プラズマディスプレーパネルの誘電体の誘電率を最大限に増加することで、静電容量を増加してジッタの発生及び誤放電を防止し得るプラズマディスプレーパネルの組成物を提供することを目的とする。
【００１６】
本発明はまた、蛍光体から放射される可視光線の一部を反射させて、輝度及び効率を向上し得るプラズマディスプレーパネルの組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
このような目的を達成するため、本発明に係るプラズマディスプレーパネルの組成物は、強誘電性透明セラミック物質を含むことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明に係るプラズマディスプレーパネルの組成物は、強誘電性透明セラミック物質を含む下部誘電体層と、前記強誘電性透明セラミック物質を含む上部誘電体層と、強誘電性透明セラミック粉末が混合されるか、又は、強誘電性透明セラミック薄膜が形成された蛍光体層と、を含むことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明に係るプラズマディスプレーパネルの組成物に含まれる強誘電性セラミック物質は、(Pb,La)-(ZrTi)O3、(Pb,Bi)-(ZrTi)O3、(Pb,La)-(HfTi)O3、(Pb,Ba)-(ZrTi)O3、(Pb,Sr)-(ZrTi)O3、(Sr,Ca)-(LiNbTi)O3、LiTaO3、SrTiO3、La2Ti2O7、LiNbO3、(Pb,La)-(MgNbZrTi)O3、(Pb,Ba)-(LaNb)O3、(Sr,Ba)-Nb2O3、K(Ta,Nb)O3、(Sr,Ba,La)-(Nb2O6)、NaTiO3、MgTiO3、BaTiO3、SrZrO3、及び KNbO3 の少なくとも何れか一つであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように、本発明に係るプラズマディスプレーパネルの組成物は、強誘電性セラミック粉末を上部誘電体又は/及び下部誘電体物質に混合するか、又は、強誘電性セラミック薄膜を上部誘電体又は/及び下部誘電体に形成することで、上部及び下部誘電体の誘電率を向上することができる。
【００２１】
また、上部及び下部誘電体の誘電率を向上することで、静電容量が増加してジッタが減少し、誤放電の発生率を顕著に減少することができる。
【００２２】
また、強誘電性セラミック粉末を蛍光体物質に混合するか、又は、強誘電性セラミック薄膜を蛍光体に形成することで、蛍光体から放射される可視光線の一部が反射されてプラズマディスプレーパネルの輝度及び効率を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について、図面に基づいて説明する。図1は、本発明に適用される強誘電性セラミック物質及びその特性を示した図であり、図示されたように、各物質の誘電率は１０００以上、可視光線透過率は７０％以上、及び絶縁耐力(図示せず)は１０6／ｍ以上である。このとき、本発明に適用される強誘電性セラミック物質の誘電率が１０００以上であるため、少量の強誘電性セラミック物質によってもジッタを効果的に減少することができる。
【００２４】
また、これらの物質のうち、(Pb,Bi)-(ZrTi)O3、(Pb,La)-(MgNbZrTi)O3、及び(Pb,Ba)-(LaNb)O3は、高い誘電率（１７００以上）を有しながら、透過率がほぼ１００％に至る程度の透明な物質であるため、プラズマディスプレーパネル素子の上部誘電体にも適用される。以下、図１の強誘電性透明セラミック物質をプラズマディスプレーパネルに適用してジッタを減少することで、誤放電を防止し得る多様な実施形態について順次説明する。
【００２５】
第１実施形態
以下、図１の強誘電性透明セラミック物質の少なくとも一つをプラズマディスプレーパネルの下部誘電体に適用する第１実施形態について説明する。第1実施形態は、強誘電性透明セラミック粉末を従来の下部誘電体物質に混合するか、又は強誘電性透明セラミック薄膜を従来の下部誘電体層に追加的に形成して静電容量を増加するものである。
【００２６】
まず、強誘電性透明セラミック粉末を準備し、準備された強誘電性透明セラミック粉末を下部誘電体物質に混合する。強誘電性透明セラミック粉末を下部誘電体物質に混合する場合、粒径が数μｍの強誘電性セラミック粉末を母ガラス粉末に1重量％〜２０重量％混合する。このとき、下部誘電体組成物の組成比は、下部誘電体層の重さを１００重量％と仮定して算出したものである。その後、混合された粉末を粘度約４００００〜５００００ｃｐｓ（ｍＰａ・ｓ）のペーストに作った後、そのペーストを印刷及び焼成して下部誘電体層を形成する。
【００２７】
一方、強誘電性透明セラミック薄膜を下部誘電体層に形成する場合、下部誘電体層を従来の下部誘電体層よりも薄く形成した後、その薄く形成された下部誘電体層の表面や下部誘電体層の中間層に電子ビーム（E-beam）又はスパッタリング法により強誘電性透明セラミック物質を数千オングストローム（数百ｎｍ）の厚さに形成する。すなわち、強誘電性透明セラミック薄膜を下部誘電体層上に形成することで、下部誘電体の誘電率を向上することができる。また、形成された強誘電性透明セラミック物質を焼成することで、誘電体の組織を一層緻密にして素子の寿命を増加するという追加的な効果がある。
【００２８】
第２実施形態
以下、図１の強誘電性透明セラミック物質の少なくとも一つをプラズマディスプレーパネルの上部誘電体に適用する第２実施形態について説明する。第２実施形態は、強誘電性透明セラミック粉末を従来の上部誘電体物質に混合するか、又は、強誘電性透明セラミック薄膜を従来の上部誘電体層に追加的に形成して静電容量を増加するものである。
【００２９】
まず、強誘電性透明セラミック粉末を準備し、準備された強誘電性透明セラミック粉末を下部誘電体物質に混合する。強誘電性透明セラミック粉末を上部誘電体層に混合する場合、粒径が数ｎｍの強誘電性セラミック粉末を母ガラス粉末に１重量％〜２０重量％混合する。このとき、上部誘電体組成物の組成比は、上部誘電体層の重さを１００重量％と仮定して算出したものである。その後、混合された粉末を粘度約４００００〜５００００ｃｐｓ（ｍＰａ・ｓ）のペーストに作った後、そのペーストを印刷及び焼成して上部誘電体層を形成する。
【００３０】
一方、強誘電性透明セラミック薄膜を上部誘電体層に形成する場合、従来と同様に、上部誘電体層を形成した後、その上部誘電体層の表面に強誘電性透明セラミック物質を数十〜数百オングストローム（数ｎｍ〜数十ｎｍ）の厚さに形成する。すなわち、強誘電性透明セラミック薄膜を上部誘電体層上に形成することで、上部誘電体の誘電率を向上することができる。このとき、上部誘電体の誘電率を向上するために使用される強誘電性透明セラミック物質は、透明度が極めて高い(Pb,Bi)-(ZrTi)O3、(Pb,La)-(MgNbZrTi)O3、及び(Pb,Ba)-(LaNb)O3の何れか一つであることが好ましい。
【００３１】
第３実施形態
以下、図1の強誘電性透明セラミック物質の少なくとも一つをプラズマディスプレーパネルの蛍光体に適用する第３実施形態について説明する。第３実施形態は、強誘電性透明セラミック物質を粉末状態で従来の蛍光体物質に混合するか、又は、強誘電性透明セラミック薄膜を従来の蛍光体層に追加的に形成して静電容量を増加するものである。
【００３２】
まず、強誘電性透明セラミック粉末を準備し、準備された強誘電性透明セラミック粉末を蛍光体物質に混合する。強誘電性透明セラミック粉末を蛍光体物質に混合する場合、数ｎｍの微細な強誘電性透明セラミック粉末を蛍光体粉末に１重量％〜１０重量％混合して蛍光体層を形成する。このとき、蛍光体組成物の組成比は、蛍光体層の重さを１００重量％と仮定して算出したものである。
【００３３】
一方、強誘電性透明セラミック薄膜を蛍光体層に形成する場合、従来の蛍光体層の表面に強誘電性透明セラミック物質を電子ビーム（E-beam）又はゾルゲル（Sol-Gel）法により１００オングストローム（１０ｎｍ）以下の厚さに形成する。すなわち、強誘電性透明セラミック薄膜の形成された蛍光体は、表面から二次電子を放出して表面電荷を増加するため、誤放電の発生率が減少する。
【００３４】
このとき、強誘電性透明セラミック薄膜が厚くなると、強誘電性透明セラミック薄膜が紫外線を吸収するため、プラズマディスプレーパネルの輝度が減少する。よって、強誘電性透明セラミック薄膜は、１００オングストローム（１０ｎｍ）以下の厚さに形成することが好ましい。
【００３５】
本発明によれば、第１〜第３実施形態の何れか一つをプラズマディスプレーパネルに適用するか、若しくは、一つ以上をプラズマディスプレーパネルに適用することで、プラズマディスプレーパネル素子の誘電率が増加し、静電容量を増加することができる。また、本発明に使用される強誘電性セラミック物質は、絶縁耐力が高く、放電耐圧も高くなる。よって、静電容量を増加することでジッタが減少し、誤放電の発生率を減少することができる。さらに、強誘電性セラミック物質は、蛍光体から放射される可視光線の一部を反射するため、放出される可視光の強さが増加する。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明に適用される強誘電性セラミック物質及びその特性を示した図である。
【図２】従来のプラズマディスプレーパネルの構造を示した断面図である。
【図３】一般のプラズマディスプレーパネル用上部誘電体層及び下部誘電体層のジッタ発生特性を示した図であり、（Ａ）は一般のプラズマディスプレーパネル用上部誘電体層及び下部誘電体層の誘電率が１４の場合のジッタ発生特性を示した図、（Ｂ）は一般のプラズマディスプレーパネル用上部誘電体層及び下部誘電体層の誘電率が２５の場合のジッタ発生特性を示した図である。
【図１】
2005026205.tif 000003
【図２】
2005026205.tif 000004
【図３】
2005026205.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月27日(2004.1.27)
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレーパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）に係るものであり、詳しくは、プラズマディスプレーパネルの組成物に関するものである。