(57)【要約】【課題】外部端子とスルーホールとの接続を強固にし、昇温と降温とを繰り返しても、接続不良とならないセラミックヒータを提供すること。【解決手段】その熱膨張率がスルーホールの熱膨張率よりも大きい外部端子のねじ部がスルーホールのねじ孔に螺合されて接続されているセラミックヒータ、および、その熱膨張率が外部端子の熱膨張率よりも大きいスルーホールねじ部が外部端子のねじ孔に螺合されて接続されているセラミックヒータ。【選択図】          図２
2005026082.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板の内部に抵抗発熱体が埋設され、該抵抗発熱体の端部の直下に、その一部が露出したスルーホールが形成され、前記スルーホールに外部端子が接続されたセラミックヒータであって、
前記外部端子は、ねじ部と本体部とからなるとともに、前記スルーホールの露出部には、ねじ孔が形成され、
その熱膨張率が前記スルーホールの熱膨張率よりも大きい外部端子の前記ねじ部が前記ねじ孔に螺合されて前記抵抗発熱体と前記外部端子との電気的導通が図られていることを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項２】
セラミック基板の内部に抵抗発熱体が埋設され、該抵抗発熱体の端部の直下に一部が外部に露出したスルーホールが形成され、前記スルーホールに外部端子が接続されたセラミックヒータであって、
前記スルーホールは、ねじ部と本体部とからなるとともに、前記外部端子の一端には、ねじ孔が形成され、
その熱膨張率が前記外部端子の熱膨張率よりも大きいスルーホールの前記ねじ部が前記外部端子のねじ孔に螺合されて前記抵抗発熱体と前記外部端子との電気的導通が図られていることを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項３】
前記抵抗発熱体と前記スルーホールとの間には、導電性のパッド部が介装されている請求項１または２に記載のセラミックヒータ。
【請求項４】
前記セラミック基板の底面には、セラミックからなる筒状保護セラミック体が形成され、前記筒状保護セラミック体の内部に前記外部端子が収納されている請求項１〜３のいずれか１に記載のセラミックヒータ。
【請求項５】
前記セラミック基板には、さらに、静電電極が形成されており、加熱手段を備えた静電チャックとして機能する請求項１〜４のいずれか１に記載のセラミックヒータ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主に、半導体製造、検査装置、光分野等において使用されるセラミックヒータに関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、従来から用いられた金属ヒータに代わって、基板として、熱伝導率が高く、強度も大きい非酸化物セラミックである窒化アルミニウムを使用し、この窒化アルミニウム基板中に抵抗発熱体とタングステンからなるスルーホールとが形成され、これらに外部端子としてニクロム線がろう付けされたセラミックヒータが開示されている（特許文献１参照）。
【０００３】
このようなセラミックヒータでは、高温においても機械的な強度の大きいセラミック基板を用いているため、セラミック基板の厚さを薄くして熱容量を小さくすることができ、その結果、電圧や電流量の変化に対してセラミック基板の温度を迅速に追従させることができる。
【０００４】
ところで、半導体製造・検査工程においてセラミックヒータを使用する際には、エッチングガス、クリーニング用ガスとして、塩素系ガスやフッ素系ガス等の腐食性ガスが使用されているため、上記スルーホールにろう付けされたニクロム線が腐食されやすく、脱落しやすいという問題があった。
【０００５】
そこで、特許文献２には、セラミック基板の内部に抵抗発熱体が形成され、該抵抗発熱体の端部と接続されたタングステン製のスルーホールの一部が外部に露出しており、上記スルーホールとタングステン製の外部端子とが機械的結合法により接続されたセラミックヒータが開示されている。
このようなセラミックヒータでは、例えば、外部端子に形成されたねじ部を、スルーホールに形成されたねじ孔にねじ込んで接続することにより、外部端子とスルーホールとをしっかりと固定することができる。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１１−４０３３０号公報
【特許文献２】
特許第２５１８９６２号公報（第８−９頁）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、特許文献２に記載されたセラミックヒータは、スルーホールと外部端子とが同じ材料（タングステン）で構成されているため、長期間使用することにより昇温と降温とが繰り返されると、上記スルーホールおよび上記外部端子が熱膨張と収縮とを繰り返し、上記スルーホールと上記外部端子との接続部分が磨耗してしまい、上記セラミックヒータの使用中に上記接続部分にわずかな隙間が発生することがあった。
【０００８】
このようにスルーホールと外部端子との接続部分にわずかな隙間が発生すると、上記スルーホールと上記外部端子とが接続不良となることがあり、上記セラミックヒータの使用中に抵抗発熱体への供給電力量が変化したり、スルーホールと外部端子との電気的導通が途絶えたりすることがあり、抵抗発熱体に安定して電力を供給することができなくなるという問題があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであり、長期間使用することで、昇温と降温とが繰り返されても使用中にスルーホールと外部端子とが接続不良とならず、抵抗発熱体に電力を安定して供給することができるセラミックヒータを提供することを目的とする。
【００１０】
すなわち、第一の本発明のセラミックヒータは、セラミック基板の内部に抵抗発熱体が埋設され、該抵抗発熱体の端部の直下に、その一部が露出したスルーホールが形成され、上記スルーホールに外部端子が接続されたセラミックヒータであって、
上記外部端子は、ねじ部と本体部とからなるとともに、上記スルーホールの露出部には、ねじ孔が形成され、
その熱膨張率が上記スルーホールの熱膨張率よりも大きい外部端子の上記ねじ部が上記ねじ孔に螺合されて上記抵抗発熱体と上記外部端子との電気的導通が図られていることを特徴とする。
【００１１】
第一の本発明のセラミックヒータによれば、その熱膨張率がスルーホールの熱膨張率よりも大きい外部端子のねじ部が、スルーホールに形成されたねじ孔に螺合されて接続されているため、上記ねじ部と上記ねじ孔との接続部分に、わずかな隙間が形成されていても、セラミックヒータの温度が高くなると、上記外部端子が大きく熱膨張することによって上記隙間が埋められ、上記スルーホールと上記外部端子とがしっかりと固定される。そのため、使用中に上記スルーホールと上記外部端子とが接続不良とならず、抵抗発熱体に電力を安定して供給することができる。
なお、本発明でいうスルーホールとは、セラミック基板の内部に形成された抵抗発熱体や電極と、外部端子とを接続するために貫通孔等に嵌合または挿入された導電体をいう。この導電体は、セラミック基板を製造する際、導電性粒子を用いて内部に埋設し、セラミック基板と同時に形成してもよい。上記導電体は、内部が完全に充填されている必要はなく、空洞部分が存在してもよい。
【００１２】
第二の本発明のセラミックヒータは、セラミック基板の内部に抵抗発熱体が埋設され、該抵抗発熱体の端部の直下に一部が外部に露出したスルーホールが形成され、上記スルーホールに外部端子が接続されたセラミックヒータであって、
上記スルーホールは、ねじ部と本体部とからなるとともに、上記外部端子の一端には、ねじ孔が形成され、
その熱膨張率が上記外部端子の熱膨張率よりも大きいスルーホールの上記ねじ部が上記外部端子のねじ孔に螺合されて上記抵抗発熱体と上記外部端子との電気的導通が図られていることを特徴とする。
【００１３】
第二の本発明のセラミックヒータによれば、その熱膨張率が外部端子の熱膨張率よりも大きいスルーホールのねじ部が、外部端子に形成されたねじ孔に螺合されて接続されているため、上記ねじ部と上記ねじ孔との接続部分に、わずかな隙間が形成されていても、セラミックヒータの温度が高くなると、上記スルーホールが大きく熱膨張することによって上記隙間が埋められ、上記スルーホールと上記外部端子とがしっかりと固定される。そのため、使用中に上記スルーホールと上記外部端子とが接続不良とならず、抵抗発熱体に電力を安定して供給することができる。
【００１４】
第一の本発明のセラミックヒータと第二の本発明のセラミックヒータとは、スルーホールと外部端子とが異なるだけで、他の構成要素はほぼ同様に構成されている。従って、以下においては、スルーホール及び外部端子以外の部材等について説明する場合には、本発明のセラミックヒータの部材等として説明する。
【００１５】
本発明のセラミックヒータでは、上記抵抗発熱体と上記スルーホールとの間に、導電性のパッド部が介装されていることが望ましい。上記パッド部が介装されることにより、上記スルーホールと上記パッド部との接続を確実に行うことができ、それにより、上記スルーホールと上記抵抗発熱体との電気的接続を確実に行うことができる。
【００１６】
通常、抵抗発熱体は、その厚さが数μｍ〜数十μｍと余り厚くないため、例えば、セラミックヒータの底部に有底孔を形成し、金属部部材等をねじ込んで抵抗発熱体と接続しようとした場合、有底孔の底の位置の少しの誤差により接続が不良となる場合があるが、本発明のように、パッド部を形成することにより、導体層の厚さが厚くなり、スルーホールと抵抗発熱体との電気的接続を確実に行うことができるようになる。
【００１７】
本発明のセラミックヒータでは、セラミック基板の底面に、セラミックからなる筒状保護セラミック体が形成され、上記筒状保護セラミック体の内部に外部端子が収納されていることが望ましい。上記外部端子および上記外部端子からの配線等が腐食性ガス等に曝されることにより、腐食してしまうことを防止するためである。
【００１８】
また、本発明のセラミックヒータでは、セラミック基板に、静電電極が形成されており、加熱手段を備えた静電チャックとして機能することが望ましい。シリコンウエハ等の被処理物が、セラミック基板の加熱面に、静電気的に吸着されることにより、上記シリコンウエハをしっかりと固定することができるからである。以下の説明においては、静電チャックとして機能する本発明のセラミックヒータのことを、単に、本発明の静電チャックともいうこととする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
第一の本発明のセラミックヒータは、セラミック基板の内部に抵抗発熱体が埋設され、該抵抗発熱体の端部の直下に、その一部が露出したスルーホールが形成され、上記スルーホールに外部端子が接続されたセラミックヒータであって、上記外部端子は、ねじ部と本体部とからなるとともに、上記スルーホールの露出部には、ねじ孔が形成され、その熱膨張率が上記スルーホールの熱膨張率よりも大きい外部端子の上記ねじ部が上記ねじ孔に螺合されて上記抵抗発熱体と上記外部端子との電気的導通が図られていることを特徴とする。
【００２０】
図１は、第一の本発明のセラミックヒータを模式的に示す断面図であり、図２は、図１に示したセラミックヒータの部分拡大断面図である。また、図３は、図１に示したセラミックヒータの平面図である。
【００２１】
図１に示すように、第一の本発明のセラミックヒータ１０では、セラミック基板１１の底面１１ｂの中央付近に直接筒状保護セラミック体１７が接合されている。この筒状保護セラミック体１７は、セラミックヒータ１０が腐食性ガス雰囲気等で用いられる際に、腐食性ガス雰囲気から外部端子や配線等を隔離し、これらの外部端子や配線等の腐食を防止するために設けられている。
【００２２】
セラミック基板１１の内部には、図３に示すように、複数の回路からなる抵抗発熱体１２が埋設されており、抵抗発熱体１２は、セラミック基板１１の最外周に、円周方向に分割された屈曲線の繰り返しパターンからなる抵抗発熱体１２ａ〜１２ｈが形成され、その内周に、同様の屈曲線の繰り返しパターンからなる抵抗発熱体１２ｉ〜１２ｌが形成されている。
さらに、その内周に、同心円形状からなる抵抗発熱体１２ｍ〜１２ｐが形成されている。
【００２３】
また、図１に示すように、抵抗発熱体１２と底面１１ｂとの間には、セラミック基板１１の中心方向に向かって延びる導体回路１８が形成されており、抵抗発熱体１２の端部と導体回路１８の一端とは、バイアホール１３０を介して接続されている。
【００２４】
この導体回路１８は、抵抗発熱体１２の端部をセラミック基板１１の中央部に延設するために形成されたものであり、セラミック基板１１の内部において、筒状保護セラミック体１７の内側の上方領域にまで延びた導体回路１８の他端の直下にはパット部１６を介して、スルーホール１３が形成されている。
【００２５】
抵抗発熱体１２の端部が筒状保護セラミック体１７の内側の上方領域内にある場合には、バイアホールや導体回路は必要がないので、抵抗発熱体１２の端部の直下に、パッド部１６を介して、スルーホール１３が形成されている。
【００２６】
図２に示すように、スルーホール１３は、その外周にねじ部１３ａが形成されるとともに、その内部にねじ孔１３ｂを有し、セラミック基板１１の底面１１ｂに形成されたねじ孔に螺合されて、パッド部１６と接続されている。
【００２７】
また、スルーホール１３に接続された外部端子２０は、先端部に形成されたねじ部２１と、柱状の本体部２２とから構成されている。
そして、外部端子２０のねじ部２１が、スルーホール１３に形成されたねじ孔１３ｂに螺合されることにより、外部端子２０とスルーホール１３とが接続されている。
【００２８】
また、第一の本発明のセラミックヒータ１０において、外部端子２０は、図示したように、ねじ部２１と本体部２２との連結部に、その直径がねじ部２１のねじ溝部の直径とほぼ同じ溝部２３が形成されており、さらに、ねじ部２１のねじ山部の直径は、本体部２２の直径よりも小さいことが望ましい。これにより、外部端子２０の本体部２２の上面がスルーホール１３の露出部と接触するまで外部端子２０のねじ部２１をねじ孔１３ｂに螺合させることができ、外部端子２０とスルーホール１３との接続面積を大きくすることができ、外部端子２０とスルーホール１３とを確実に接続することができる。
【００２９】
第一の本発明のセラミックヒータ１０では、外部端子２０を構成する材質の熱膨張率が、スルーホール１３を構成する材質の熱膨張率よりも大きいため、外部端子２０のねじ部２１と、スルーホール１３のねじ孔１３ｂとの間にわずかな隙間が形成されていても、セラミック基板１１の温度が高くなると、外部端子２０のねじ部２１が大きく熱膨張することによって、上記隙間が埋められ、スルーホール１３と外部端子２０とをしっかりと固定することができる。
【００３０】
第一の本発明のセラミックヒータにおいて、外部端子を構成する材質の熱膨張率は、スルーホールを構成する材質の熱膨張率の１．５〜５．２６倍であることが望ましい。１．５倍未満であると、高温時に外部端子のねじ部が熱膨張することで、外部端子とスルーホールとの間に発生した隙間を埋め、外部端子とスルーホールとをしっかりと固定するという効果を充分に得ることができなくなるおそれがあり、５．２６倍を超えると、外部端子の熱膨張率がスルーホールの熱膨張率に対して大きくなりすぎ、高温時スルーホールやセラミック基板にクラックが発生することがある。
【００３１】
このような外部端子２０には、導電線２３０を有するソケット２５が取り付けられ、この導電線２３０は、筒状保護セラミック体１７の外に引き出され、電源等（図示せず）と接続されている。
【００３２】
第一の本発明では、筒状保護セラミック体１７のほかに、セラミックヒータを載置、固定するための支持容器を備えていてもよく、筒状保護セラミック体１７を備えておらず、支持容器のみを備えていてもよい。
このような支持容器の構成は特に限定されるものではないが、例えば、その内側上部に円環形状の基板支持部を有する有底円筒状であって、本発明のセラミックヒータが上記基板支持部上に断熱リング等を介して載置、固定されるように構成されていてもよく、底部に支持部材が形成された有底円筒状であって、この支持部材によりセラミックヒータを構成するセラミック基板が支持され、セラミック基板の外周の側部や底部は容器と接触しない構造であってもよい。
また、上記支持容器の底板には、冷媒導入管等が設けられていてもよい。この場合、この冷媒導入管に、配管を介して冷媒を導入することより、セラミック基板１１の温度や冷却速度等を制御することができる。
【００３３】
また、セラミック基板１１の底面１１ｂに形成された有底孔１４には、リード線２９０を有する熱電対等の測温素子１８０が挿入され、耐熱性樹脂、セラミック（シリカゲル等）等を用いて封止されている。このリード線２９０は、碍子（図示せず）の内部を挿通しており、支持容器の底板に形成された貫通孔（図示せず）を通して外部に引き出されており、碍子の内部も外部と隔離されている。
さらに、セラミック基板１１の中央に近い部分には、リフターピン（図示せず）を挿通するための貫通孔１５が設けられている。
【００３４】
上記リフターピンは、その上にシリコンウエハ等の被処理物を載置して上下させることができるようになっており、これにより、シリコンウエハを図示しない搬送機に渡したり、搬送機からシリコンウエハを受け取ったりするとともに、シリコンウエハをセラミック基板１１の加熱面１１ａに載置して加熱したり、シリコンウエハを加熱面１１ａから５０〜２０００μｍ離間させた状態で支持し、加熱することができるようになっている。
【００３５】
また、セラミック基板１１に貫通孔や凹部を設け、この貫通孔または凹部に先端が尖塔状または半球状の支持ピンを挿入した後、支持ピンをセラミック基板１１よりわずかに突出させた状態で固定し、上記支持ピンでシリコンウエハを支持することにより、加熱面１１ａから５０〜２０００μｍ離間させた状態で加熱してもよい。
【００３６】
上述したように、このセラミックヒータ１０では、セラミック基板１１の底面１１ｂに筒状保護セラミック体１７が接合され、筒状保護セラミック体１７の内側とその外側とは、完全に隔離された状態となっている。
筒状保護セラミック体１７から引き出された導電線２３０を管状の部材で保護することにより、セラミックヒータ１０の周囲が反応性ガスやハロゲンガス等を含む雰囲気となっており、これら反応性ガス等が支持容器の内部に入り込み易い状態であっても、筒状保護セラミック体１７の内部の配線等が腐食することはない。なお、測温素子１８０からの配線２９０も、碍子等により保護されているため、腐食することはない。
【００３７】
さらに、筒状保護セラミック体１７の内部に不活性ガス等をゆっくり流し込んで、反応性ガスやハロゲンガス等が筒状保護セラミック体１７の内部に流れ込まないようにすることにより、一層確実に導電線２３０の腐食を防止することができる。
【００３８】
筒状保護セラミック体１７は、セラミック基板１１をしっかりと支持する働きも有しているので、セラミック基板１１が高温に加熱された際にも、自重により反るのを防止することができ、その結果、シリコンウエハ等の被処理物の破損を防止するとともに、該被処理物を均一な温度になるように加熱することもできる。
【００３９】
本発明のセラミックヒータにおいて、上記スルーホールをセラミック基板の内部に形成する方法は特に限定されず、上述したように、金属や導電性セラミックからなる柱状部材の外周にねじ部を形成するとともに、その内部にねじ孔を形成し、セラミック基板の底面に形成されたねじ孔に螺合することによりスルーホールとしてもよいし、金属や導電性セラミックからなる導体ペーストをセラミック基板の底面に形成されたねじ孔に充填し、加熱、焼成を行った後、その露出部からねじ孔を形成することにより形成してもよい。さらに、セラミック基板の製造工程において、グリーンシートを積層して積層体を形成する際、スルーホールとなる部分に貫通孔を形成し、導体ペーストを充填した後、焼成する方法をとることにより、スルーホールを形成してもよい。なお、本発明でいうスルーホールとは、導体が充填されたスルーホールという意味である。
【００４０】
また、スルーホールの形状としては、柱状であれば特に限定されず、円柱状であってもよく、三角柱状や四角柱状等の角柱状であってもよい。
さらに、上記スルーホールの大きさは、外部端子のねじ部の大きさ、抵抗発熱体が形成される位置等によって適宜調整される。
【００４１】
第一の本発明のセラミックヒータにおいて、上記スルーホールの材質としては、上記外部端子の熱膨張率よりも小さい熱膨張率を有する材質であれば特に限定されず、例えば、貴金属（金、銀、白金、パラジウム）、鉛、タングステン、モリブデン、ニッケル等の金属、および、タングステン、モリブデンの炭化物等の導電性セラミック等が挙げられる。
【００４２】
また、第一の本発明のセラミックヒータにおいて、上記外部端子の材質としては、上記スルーホールの熱膨張率よりも大きい熱膨張率を有する材質であれば特に限定されないが、金属製であることが望ましく、貴金属（金、銀、白金、パラジウム）、タングステン、モリブデン、ニッケル等が挙げられる。Ｎｉ−Ｔｉ合金（Ｎｉ：５５〜５６ｗｔ％、Ｔｉ残）、Ｎｉ−Ｔｉ−Ｃｏ合金（Ｎｉ：５３〜５５ｗｔ％、Ｃｏ：１〜３ｗｔ％、Ｔｉ残）、Ｎｉ−Ｔｉ−Ｃｕ合金（Ｎｉ：４７〜５０ｗｔ％、Ｃｏ：５〜８ｗｔ％、Ｔｉ残）等の合金からなる形状記憶合金であってもよい。
【００４３】
上述したように、第一の本発明のセラミックヒータでは、上記外部端子の熱膨張率は、上記スルーホールの熱膨張率よりも大きく、そのような一例として、外部端子の材質にニッケル（熱膨張率：１３．３×１０−６（１／℃））、スルーホールの材質にタングステン（熱膨張率：４．５×１０−６（１／℃））を用いたものが挙げられる。
【００４４】
本発明のセラミックヒータにおけるセラミック基板の形状は、図３に示すように、円板形状であることが望ましく、その直径は、２００ｍｍ以上が望ましく、２５０ｍｍ以上がより望ましい。上記セラミックヒータを、半導体製造・検査装置用セラミックヒータとして用いた場合、このような大きな直径を持つ基板は、大口径の半導体ウエハを載置することができるからである。
【００４５】
また、上記セラミック基板の厚さは、２５ｍｍ以下であることが望ましい。上記セラミック基板の厚さが２５ｍｍを超えると温度追従性が低下するからである。また、その厚さは、０．５ｍｍ以上であることが望ましい。０．５ｍｍより薄いと、セラミック基板の強度自体が低下するため破損しやすくなる。より望ましくは、１．５を超え５ｍｍ以下である。５ｍｍより厚くなると、熱が伝搬しにくくなり、加熱の効率が低下する傾向が生じ、一方、１．５ｍｍ以下であると、セラミック基板中を伝搬する熱が充分に拡散しないため加熱面に温度のばらつきが発生することがあり、また、セラミック基板の強度が低下して破損する場合があるからである。
【００４６】
また、図１に示すように、セラミック基板１１には、被加熱物を載置する加熱面１１ａの反対側から加熱面１１ａに向けて有底孔１４を設けるとともに、有底孔１４の底を抵抗発熱体１２よりも相対的に加熱面１１ａに近く形成し、この有底孔１４に熱電対等の測温素子１８０を設けることが望ましい。
測温素子１８０により抵抗発熱体１２の温度を測定し、そのデータをもとに電圧、電流量を変えて、温度を制御することができるからである。
【００４７】
また、有底孔１４の底と加熱面１１ａとの距離は、０．１ｍｍ〜セラミック基板の厚さの１／２であることが望ましい。
これにより、測温場所が抵抗発熱体１２よりも加熱面１１ａに近くなり、より正確な半導体ウエハの温度の測定が可能となるからである。
【００４８】
有底孔１４の底と加熱面１１ａとの距離が０．１ｍｍ未満では、放熱してしまい、加熱面１１ａに温度分布が形成され、厚さの１／２を超えると、抵抗発熱体の温度の影響を受けやすくなり、温度制御できなくなり、やはり加熱面１１ａに温度分布が形成されてしまうからである。
【００４９】
有底孔１４の直径は、０．３ｍｍ〜５ｍｍであることが望ましい。これは、大きすぎると放熱性が大きくなり、また小さすぎると加工性が低下して加熱面１１ａとの距離を均等にすることができなくなるからである。
【００５０】
有底孔１４は、図３に示したように、セラミック基板１１の中心に対して対称で、かつ、十字を形成するように複数配列することが望ましい。これは、加熱面全体の温度を測定することができるからである。
【００５１】
上記測温素子としては、例えば、熱電対、白金測温抵抗体、サーミスタ等が挙げられる。
また、上記熱電対としては、例えば、ＪＩＳ−Ｃ−１６０２（１９８０）に挙げられるように、Ｋ型、Ｒ型、Ｂ型、Ｓ型、Ｅ型、Ｊ型、Ｔ型熱電対等が挙げられるが、これらのなかでは、Ｋ型熱電対が好ましい。
【００５２】
上記熱電対の接合部の大きさは、素線の径と同じか、または、それよりも大きく、０．５ｍｍ以下であることが望ましい。これは、接合部が大きい場合は、熱容量が大きくなって応答性が低下してしまうからである。なお、素線の径より小さくすることは困難である。
【００５３】
上記測温素子は、金ろう、銀ろうなどを使用して、有底孔１４の底に接着してもよく、有底孔１４に挿入した後、耐熱性樹脂、セラミック（シリカゲル等）等で封止してもよく、両者を併用してもよい。
上記耐熱性樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、特にはエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂などが挙げられる。これらの樹脂は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５４】
上記金ろうとしては、３７〜８０．５重量％Ａｕ−６３〜１９．５重量％Ｃｕ合金、８１．５〜８２．５重量％：Ａｕ−１８．５〜１７．５重量％：Ｎｉ合金から選ばれる少なくとも１種が望ましい。これらは、溶融温度が、９００℃以上であり、高温領域でも溶融しにくいためである。
銀ろうとしては、例えば、Ａｇ−Ｃｕ系のものを使用することができる。
【００５５】
さらに、第一の本発明のセラミックヒータ１０の測温手段として、サーモビュア等の光学的な手段を用いた測温手段を用いることも可能である。
上記サーモビュアを用いた場合には、セラミック基板１１の加熱面１１ａの温度を測定することができるほか、シリコンウエハ等の被加熱物表面の温度を直接測定することができるため、被加熱物の温度制御の精度が向上する。
【００５６】
本発明のセラミックヒータにおいて、セラミック基板を形成するセラミックとしては、例えば、窒化物セラミック、炭化物セラミック、酸化物セラミックが望ましい。
窒化物セラミック、炭化物セラミック、酸化物セラミックは、熱膨張係数が金属よりも小さく、機械的な強度が金属に比べて格段に高いため、セラミック基板の厚さを薄くしても、加熱により反ったり、歪んだりしない。そのため、セラミック基板を薄くて軽いものとすることができる。さらに、セラミック基板の熱伝導率が高く、セラミック基板自体が薄いため、セラミック基板の表面温度が、抵抗発熱体の温度変化に迅速に追従する。即ち、電圧、電流値を変えて抵抗発熱体の温度を変化させることにより、セラミック基板の表面温度を制御することができるのである。
【００５７】
上記窒化物セラミックとしては、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５８】
また、上記炭化物セラミックとしては、例えば、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５９】
さらに、上記酸化物セラミックとしては、例えば、アルミナ、ジルコニア、コージェライト、ムライト等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００６０】
これらのなかでは、窒化物セラミックである窒化アルミニウムが最も好ましい。熱膨張率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋと最も高く、温度追従性に優れるからである。
【００６１】
また、上記セラミック基板は、焼結助剤を含有していてもよい。上記焼結助剤としては、例えば、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、希土類酸化物等が挙げられる。これらの焼結助剤のなかでは、ＣａＯ、Ｙ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏが好ましい。これらの含有量としては、０．１〜２０重量％が好ましい。また、アルミナを含有していてもよい。
【００６２】
また、上記セラミック基板は、カーボンを含有し、その含有量は、２００〜５０００ｐｐｍであることが望ましい。電極を隠蔽することができ、また黒体輻射を利用しやすくなるからである。
【００６３】
なお、上記セラミック基板は、明度がＪＩＳ  Ｚ  ８７２１の規定に基づく値でＮ６以下のものであることが望ましい。この程度の明度を有するものが輻射熱量、隠蔽性に優れるからである。
ここで、明度のＮは、理想的な黒の明度を０とし、理想的な白の明度を１０とし、これらの黒の明度と白の明度との間で、その色の明るさの知覚が等歩度となるように各色を１０分割し、Ｎ０〜Ｎ１０の記号で表示したものである。
そして、実際の測定は、Ｎ０〜Ｎ１０に対応する色票と比較して行う。この場合の小数点１位は０または５とする。
【００６４】
このような特性を有するセラミック基板は、基板中にカーボンを１００〜５０００ｐｐｍ含有させることにより得られる。カーボンには、非晶質のものと結晶質のものとがあり、非晶質のカーボンは、基板の高温における体積抵抗率の低下を抑制することでき、結晶質のカーボンは、基板の高温における熱伝導率の低下を抑制することができるため、その製造する基板の目的等に応じて適宜カーボンの種類を選択することができる。
【００６５】
非晶質のカーボンは、例えば、Ｃ、Ｈ、Ｏだけからなる炭化水素、好ましくは、糖類を、空気中で焼成することにより得ることができ、結晶質のカーボンとしては、グラファイト粉末等を用いることができる。
また、アクリル系樹脂を不活性雰囲気下で熱分解させた後、加熱加圧することによりカーボンを得ることができるが、このアクリル系樹脂の酸価を変化させることにより、結晶性（非晶性）の程度を調整することもできる。
【００６６】
また、セラミック基板の気孔率は、０または５％以下が好ましい。上記気孔率はアルキメデス法により測定する。
高温での熱伝導率の低下、反りの発生を抑制することができるからである。
【００６７】
本発明のセラミックヒータにおける筒状保護セラミック体の形状は、円筒形状であるが、その内径は、３０ｍｍ以上であることが望ましい。
３０ｍｍ未満であると、セラミック基板をしっかりと支持することが困難になり、セラミック基板が高温に加熱された際、セラミック基板が自重によって反ってしまうおそれがある。
【００６８】
また、上記筒状保護セラミック体の厚さは、３〜２０ｍｍであることが望ましい。３ｍｍ未満であると、筒状保護セラミック体の厚さが薄すぎるため、機械的強度が乏しくなり、昇温と降温とを繰り返すことによって、上記筒状保護セラミック体が破損してしまうおそれがあり、２０ｍｍを超えると、筒状保護セラミック体の厚さが厚すぎるため、熱容量が大きくなり、昇温速度が低下するおそれがあるからである。
【００６９】
また、上記筒状保護セラミック体を構成するセラミックとしては、上述したセラミック基板と同様のものを用いることができる。なお、上記筒状保護セラミック体と上記セラミック基板とを接合する方法については、後で詳述することにする。
【００７０】
また、セラミック基板の内部に形成される抵抗発熱体のパターンとしては、図３に示したもののほか、同心円形状、渦巻き形状、偏心円形状、同心円形状と屈曲線形状との組み合わせ等が挙げられる。また、上記抵抗発熱体の厚さは、１〜５０μｍが望ましく、その幅は、５〜２０ｍｍが望ましい。
抵抗発熱体の厚さや幅を変化させることにより、その抵抗値を変化させることができるが、この範囲が最も実用的だからである。抵抗発熱体の抵抗値は、その厚さが薄く、また、その幅が狭くなるほど大きくなる。
【００７１】
抵抗発熱体は、断面が方形、楕円形、紡錘形、蒲鉾形状のいずれでもよいが、偏平なものであることが望ましい。偏平の方が加熱面に向かって放熱しやすいため、加熱面への熱伝搬量を多くすることができ、加熱面の温度分布ができにくいからである。なお、抵抗発熱体は螺旋形状でもよい。
【００７２】
本発明のセラミックヒータにおいて、抵抗発熱体からなる回路の数は１以上であれば特に限定されないが、加熱面を均一に加熱するためには、複数の回路が形成されていることが望ましい。
【００７３】
また、抵抗発熱体の形成位置は、セラミック基板の内部であれば、特に限定されないが、セラミック基板の底面からその厚さの６０％までの位置に少なくとも１層形成されていることが好ましい。加熱面まで熱が伝搬する間に拡散し、加熱面での温度が均一になりやすいからである。
【００７４】
また、抵抗発熱体を形成する際には、金属や導電性セラミックからなる導体ペーストを用いることが好ましい。即ち、セラミック基板の内部に抵抗発熱体を形成する際には、グリーンシート上に導体ペースト層を形成した後、グリーンシートを積層、焼成することにより、内部に抵抗発熱体を作製する。
【００７５】
上記導体ペーストとしては特に限定されないが、導電性を確保するため金属粒子または導電性セラミックが含有されているほか、樹脂、溶剤、増粘剤などを含むものが好ましい。
【００７６】
上記金属粒子としては、例えば、貴金属（金、銀、白金、パラジウム）、鉛、タングステン、モリブデン、ニッケル等が好ましい。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの金属は、比較的酸化しにくく、発熱するに充分な抵抗値を有するからである。
【００７７】
上記導電性セラミックとしては、例えば、タングステン、モリブデンの炭化物などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これら金属粒子または導電性セラミック粒子の粒径は、０．１〜１００μｍが好ましい。０．１μｍ未満と微細すぎると、酸化されやすく、一方、１００μｍを超えると、焼結しにくくなり、抵抗値が大きくなるからである。
【００７８】
上記金属粒子の形状は、球状であっても、リン片状であってもよい。これらの金属粒子を用いる場合、上記球状物と上記リン片状物との混合物であってよい。
上記金属粒子がリン片状物、または、球状物とリン片状物との混合物の場合は、金属粒子間の金属酸化物を保持しやすくなり、抵抗発熱体とセラミック基板との密着性を確実にし、かつ、抵抗値を大きくすることができるため有利である。
【００７９】
導体ペーストに使用される樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。また、溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコール等が挙げられる。増粘剤としては、セルロース等が挙げられる。
【００８０】
セラミック基板の内部に上記パット部を形成する方法としては特に限定されず、上述した抵抗発熱体を形成する際に使用した金属や導電性セラミックからなる導体ペーストを用いることができるほか、箔を用いることができる。
【００８１】
上記箔としては、例えば、ニッケル箔、ステンレス箔等の金属箔や、金、銀、白金、パラジウム等の貴金属からなる箔や、タングステン、モリブデン等の高融点金属からなる箔や、タングステン、モリブデン等の炭化物からなる箔等を挙げることができる。
【００８２】
また、基板の内部に導体回路を形成する際には、上述した抵抗発熱体を形成する際に使用した金属や導電性セラミックからなる導体ペーストを用いることができるほか、電極等を形成する際に通常に用いられる導体ペースト等を用いることができる。
【００８３】
上記導体回路の大きさは特に限定されず、幅は０．１〜５０ｍｍ、厚さは０．１〜５００μｍが好ましく、長さは、抵抗発熱体の端部からセラミック基板の中央付近に接合された筒状保護セラミック体の内側までの距離に合わせて適宜調整される。
【００８４】
本発明では、ソケット２５を介して外部端子２０と接続されている導電線２３０は、他の導電線２３０との間の短絡等を防止するために、耐熱性の絶縁部材で被覆されていることが望ましい。
このような絶縁性部材としては、筒状保護セラミック体１７と同様の窒化アルミニウムや、その他、アルミナ、シリカ、ムライト、コージェライト等の酸化物セラミック、窒化珪素、および、炭化珪素等が挙げられる。
【００８５】
本発明のセラミックヒータは、セラミック基板の内部に抵抗発熱体を設けるとともに、セラミック基板の内部に静電電極を設けることにより、静電チャックとして機能させることができる。また、表面にチャックトップ導体層を設け、内部にガード電極やグランド電極を設けることにより、ウエハプローバに使用されるチャックトップ板とすることができる。
図４は、このような静電チャックを模式的に示す縦断面図であり、図５は、その部分拡大断面図であり、図６は、静電チャックを構成する基板に形成された静電電極付近を模式的に示す水平断面図である。
【００８６】
この静電チャック３０を構成するセラミック基板３１の内部には、半円形状のチャック正負極静電層３２ａ、３２ｂが対向して配設され、これらのチャック正負極静電層３２ａ、３２ｂ上にセラミック誘電体膜３４が形成されている。また、セラミック基板３１の内部には、抵抗発熱体３２０が設けられ、シリコンウエハ等の被処理物を加熱することができるようになっている。なお、セラミック基板３１には、必要に応じて、ＲＦ電極が埋設されていてもよい。
【００８７】
チャック正負極静電層３２ａ、３２ｂからなる静電電極３２は、貴金属（金、銀、白金、パラジウム）、鉛、タングステン、モリブデン、ニッケル等の金属、または、タングステン、モリブデンの炭化物等の導電性セラミックからなるものであることが好ましい。また、これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００８８】
この静電チャック３０は、図４、図５に示した通り、セラミック基板３１中にチャック正負極静電層３２ａ、３２ｂからなる静電電極３２が形成され、チャック正負極静電層３２ａ、３２ｂの端部の直下にスルーホール３３が形成され、静電電極３２上にセラミック誘電体膜３４が形成されている以外は、上述したホットプレート１０と同様に構成されている。
【００８９】
すなわち、セラミック基板３１の底面の中央付近には筒状保護セラミック体３７が接合されている。
また、セラミック基板３２の内部であって、筒状保護セラミック体３７の内側の上方領域には、スルーホール３３、３３０が形成されており、これらのスルーホール３３、３３０には、その外周にねじ部３３ａ、３３０ａが形成されるとともに、その内部にねじ孔３３ｂ、３３０ｂが形成されている。そして、スルーホール３３、３３０は、その外周に形成されたねじ部３３ａ、３３０ａがセラミック基板３１の底面３１ｂに形成されたねじ孔に螺合されてパッド部３６と接続されているとともに、パッド部３６は、チャック正負極静電層３２ａ、３２ｂ、抵抗発熱体３２０にそれぞれ接続されている。
さらに、スルーホール３３、３３０は、スルーホール３３、３３０のねじ孔３３ｂ、３３０ｂに、外部端子４０のねじ部４１が螺合されることにより、外部端子４０と接続されている。
この外部端子４０の一端には、導電線３３１を有するソケット３５０が接続されている。そして、この導電線３３１は、筒状保護セラミック体３７の外に引き出されている。
【００９０】
また、筒状保護セラミック体３７の外側に端部を有する抵抗発熱体３２０の場合には、図１〜３に示したセラミックヒータ１０の場合と同様に、バイアホール３９、導体回路３８０およびスルーホール３３０を形成することより、抵抗発熱体３２０の端部を筒状保護セラミック体３７の内側の上方領域に延設している。
【００９１】
第一の本発明の静電チャック３０では、外部端子４０を構成する材質の熱膨張率が、スルーホール３３、３３０を構成する材質の熱膨張率よりも大きいため、外部端子４０とスルーホール３３、３３０との接続部分にわずかな隙間が形成されていても、セラミック基板３１の温度が高くなると、外部端子４０が大きく熱膨張することによって、上記隙間が埋められ、スルーホール３３、３３０と外部端子４０とを、しっかりと固定することができる。
【００９２】
また、第一の本発明の静電チャック３０において、外部端子４０は、第一の本発明のセラミックヒータ１０において説明した外部端子１０と同様に、ねじ部４１と本体部４２とからなり、ねじ４１と本体部４２との連結部に、その直径がねじ部４１のねじ溝部分の直径とほぼ同じ溝部４３が形成されており、さらに、ねじ部４１のねじ山部の直径は、本体部４２の直径よりも小さいことが望ましい。
【００９３】
このような静電チャック３０を作動させる場合には、抵抗発熱体３２０および静電電極３２に、それぞれ電圧を印加する。これにより、静電チャック３０上に載置されたシリコンウエハ等の被処理物が所定温度に加熱されるとともに、静電的にセラミック基板３１に吸着されることになる。
【００９４】
図７は、他の静電チャックの基板に形成された静電電極を模式的に示した水平断面図である。
この静電チャックでは、セラミック基板７１の内部に半円弧状部７２ａと櫛歯部７２ｂとからなるチャック正極静電層７２と、同じく半円弧状部７３ａと櫛歯部７３ｂとからなるチャック負極静電層７３とが、互いに櫛歯部７２ｂ、７３ｂを交差するように対向して配置されている。
【００９５】
また、図８は、更に別の静電チャックの基板に形成された静電電極を模式的に示した水平断面図である。
この静電チャックでは、セラミック基板８１の内部に円を４分割した扇型のチャック正極静電層８２ａ、８２ｂとチャック負極静電層８３ａ、８３ｂとが形成されている。また、２枚のチャック正極静電層８２ａ、８２ｂおよび２枚のチャック負極静電層８３ａ、８３ｂは、それぞれ交差するように形成されている。
なお、本発明の静電チャックにおいて、静電電極が円形等の電極が分割された形態である場合、その分割数は特に限定されず、５分割以上であってもよく、その形状も扇形に限定されない。
【００９６】
次に、第二の本発明のセラミックヒータについて説明する。
第二の本発明のセラミックヒータは、セラミック基板の内部に抵抗発熱体が埋設され、該抵抗発熱体の端部の直下に一部が外部に露出したスルーホールが形成され、上記スルーホールに外部端子が接続されたセラミックヒータであって、上記スルーホールは、ねじ部本体部とからなるとともに、上記外部端子端子の一端には、ねじ孔が形成され、その熱膨張率が上記外部端子の熱膨張率よりも大きいスルーホールの上記ねじ部が上記外部端子のねじ孔に螺合されて上記抵抗発熱体と上記外部端子との電気的導通が図られていることを特徴とする。
【００９７】
図９は、第二の本発明のセラミックヒータの一例を模式的に示す水平断面図であり、図１０は、図９に示したセラミックヒータの部分拡大断面図である。
図９に示すセラミックヒータ９０では、複数の回路からなる抵抗発熱体９２がセラミック基板９１の内部に埋設されており、抵抗発熱体９２は、セラミック基板９１の円周方向に分割された屈曲線の繰り返しパターンが略扇形状に一組の回路として、一本の線になるように形成された、抵抗発熱体９２ａ〜９２ｅから形成されている。
なお、このセラミックヒータ９０では、抵抗発熱体９２ａ〜９２ｅの端部が全てセラミック基板９１の中央付近に形成されているため、上記第一の本発明のセラミックヒータのように、抵抗発熱体の端部を筒状保護セラミック体の内側の上方領域に延設するバイアホールおよび導体回路は必要なく、抵抗発熱体９２の端部の直下に、パッド部９６を介して、スルーホール６３が形成されている。
【００９８】
図１０に示すように、スルーホール６３は、先端部に形成されたねじ部６１と柱状の本体部６２とから構成されており、さらに、本体部６２の外周には、ねじ部が形成されている。スルーホール６３は、本体部６２の外周に形成されたねじ部が、セラミック基板９１の底面９１ｂに形成されたねじ孔に螺合されることにより、パッド部９６と接続されている。
【００９９】
また、スルーホール６３に接続された外部端子６０は、その一端にねじ孔６０ａが形成されている。
そして、外部端子６０のねじ孔６０ａが、スルーホール６３のねじ部６１に螺合されることにより、外部端子６０とスルーホール６３とが接続されている。
【０１００】
また、第二の本発明のセラミックヒータ９０において、スルーホール６３は、図示したように、ねじ部６１と本体部６２との連結部に、その直径がねじ部６１のねじ溝部の直径よりも小さい溝部６５が形成されており、さらに、ねじ部６１のねじ山部の直径は、本体部６２の直径よりも小さいことが望ましい。これにより、スルーホール６３の本体部６２の上面が外部端子６０の一端部と接触するまでスルーホール６３のねじ部６１をねじ孔６０ａに螺合させることができ、外部端子６０とスルーホール６３との接続面積を大きくすることができ、外部端子６０とスルーホール６３とを確実に接続することができる。
なお、図示しないが、外部端子６０の外周には、セラミック基板９１の底面９１ｂに形成されたねじ孔に螺合させることができるねじ部が形成されていてもよい。外部端子６０とスルーホール６３との接続をより強固なものとすることができるからである。
【０１０１】
第二の本発明のセラミックヒータ９０では、スルーホール６３を構成する材質の熱膨張率が、外部端子６０を構成する材質の熱膨張率よりも大きいため、外部端子６０のねじ孔６０ａと、スルーホール６３のねじ部６１との接続部分にわずかな隙間が形成されていても、セラミック基板９１の温度が高くなると、スルーホール６３のねじ部６１が大きく熱膨張することによって、上記隙間が埋められ、スルーホール６３と外部端子６０とを、しっかりと固定することができる。
【０１０２】
第二の本発明のセラミックヒータにおいて、スルーホールを構成する材質の熱膨張率は、外部端子を構成する材質の熱膨張率の１．５〜５．２６倍であることが望ましい。１．５倍未満であると、高温時にスルーホールのねじ部が膨張することで、外部端子とスルーホールとの間に発生した隙間を埋め、外部端子とスルーホールとをしっかりと固定するという効果を充分に得ることができなくなるおそれがあり、５．２６倍を超えると、スルーホールの熱膨張率が外部端子の熱膨張率に対して大きくなりすぎ、高温時外部端子やセラミック基板にクラックが発生することがある。
【０１０３】
第二の本発明のセラミックヒータにおいて、上記スルーホールの材質としては、上記外部端子の熱膨張率よりも大きい熱膨張率を有する材質であれば特に限定されず、例えば、貴金属（金、銀、白金、パラジウム）、鉛、タングステン、モリブデン、ニッケル等の金属、および、タングステン、モリブデンの炭化物等の導電性セラミック等が挙げられる。
【０１０４】
また、第二の本発明のセラミックヒータにおいて、上記外部端子の材質としては、上記スルーホールの熱膨張率よりも小さい熱膨張率を有する材質であれば特に限定されないが、金属製であることが望ましく、貴金属（金、銀、白金、パラジウム）、タングステン、モリブデン、ニッケル等が挙げられる。
【０１０５】
上述したように、第二の本発明のセラミックヒータでは、上記スルーホールの熱膨張率は、上記外部端子の熱膨張率よりも大きく、そのような一例として、スルーホールを構成する材質にニッケル（熱膨張率：１３．３×１０−６（１／℃））、外部端子を構成する材質にタングステン（熱膨張率：４．５×１０−６（１／℃））を用いることができる。
【０１０６】
なお、上記以外の第二の本発明のセラミックヒータの形状、材質等及びセラミックヒータを構成する各部材の形状や材質等に関しては、図１〜８に示した、第一の本発明のセラミックヒータと同様であるため、その説明を省略することとする。
【０１０７】
次に、第一の本発明のセラミックヒータの製造方法の一例について、図１１を参照しながら説明する。
図１１（ａ）〜（ｄ）は、第一の本発明のセラミックヒータの製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【０１０８】
（１）グリーンシートの作製工程
まず、窒化物セラミック等のセラミックの粉末をバインダ、溶剤等と混合してペーストを調製し、これを用いてグリーンシート５０を作製する。
【０１０９】
上述した窒化物セラミック等の粉末としては、窒化アルミニウム等を使用することができ、必要に応じて、イットリア等の焼結助剤、Ｎａ、Ｃａを含む化合物等を加えてもよい。
【０１１０】
また、バインダとしては、アクリル系バインダ、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニルアルコールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。
さらに溶媒としては、α−テルピネオール、グリコールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。
【０１１１】
これらを混合して得られるペーストをドクターブレード法でシート状に成形してグリーンシート５０を作製する。
グリーンシート５０の厚さは、０．１〜５ｍｍが好ましい。
また、グリーンシート５０には、バイアホールとなる部分、パッド部となる部分を形成しておく。
【０１１２】
また、必要に応じて、シリコンウエハ等の被処理物を運搬するためのリフターピンを挿入する貫通孔となる部分、シリコンウエハを支持するための支持ピンを挿入する貫通孔となる部分、熱電対等の測温素子を埋め込むための有底孔となる部分等を形成する。なお、上記貫通孔や有底孔は、後述するグリーンシート積層体を形成した後、または、上記グリーンシート積層体を形成し、焼成した後に形成してもよい。
【０１１３】
（２）グリーンシート上に導体ペーストを印刷する工程
バイアホールになる部分を形成したグリーンシート上に、金属ペーストまたは導電性セラミックを含む導体ペーストを印刷し、抵抗発熱体１２となる導体ペースト層６６を形成する。
また、バイアホールとなる部分およびパッド部となる部分に導体ペーストを充填し、導体ペースト充填層６３０、６４を形成しておく。
これらの導体ペースト中には、金属粒子または導電性セラミック粒子が含まれている。
【０１１４】
上記金属粒子であるタングステン粒子またはモリブデン粒子等の平均粒径は、０．１〜５μｍが好ましい。平均粒子が０．１μｍ未満であるか、５μｍを超えると、導体ペーストを印刷しにくいからである。
【０１１５】
このような導体ペーストとしては、例えば、金属粒子または導電性セラミック粒子８５〜８７重量部；アクリル系、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニルアルコールから選ばれる少なくとも１種のバインダ１．５〜１０重量部；および、α−テルピネオール、グリコールから選ばれる少なくとも１種の溶媒を１．５〜１０重量部混合した組成物（ペースト）が挙げられる。
【０１１６】
また、パッド部６４となる部分のみを形成したグリーンシート上に、静電電極を形成するときに通常使用される導体ペーストを印刷して、導体回路となる導体ペースト層６８を形成する。
【０１１７】
（３）グリーンシートの積層工程
導体ペースト層６６を印刷したグリーンシート上に、導体ペーストを印刷していないグリーンシート５０を複数積層し、その下に、導体ペースト層６８を形成したグリーンシートを重ねる。そして、このグリーンシートの下に、更に、何も印刷していないグリーンシート５０を複数積層する（図１１（ａ））。
【０１１８】
このとき、導体ペースト層６６を印刷したグリーンシートの上側に積層するグリーンシート５０の数を下側に積層するグリーンシート５０の数よりも多くして、製造する抵抗発熱体の形成位置を底面側の方向に偏芯させる。
具体的には、上側のグリーンシート５０の積層数は２０〜５０枚が、下側のグリーンシート５０の積層数は５〜２０枚が好ましい。
【０１１９】
（４）グリーンシート積層体の焼成工程
グリーンシート積層体の加熱、加圧を行い、グリーンシート５０および内部の導体ペースト層６６、６８等を焼結させ、セラミック基板１１、抵抗発熱体１２および導体回路１８等を製造する。
加熱温度は、１０００〜２０００℃が好ましく、加圧の圧力は、１０〜２０ＭＰａが好ましい。加熱は、不活性ガス雰囲気中で行う。不活性ガスとしては、例えば、アルゴン、窒素等を使用することができる。
【０１２０】
なお、予めグリーンシート５０にシリコンウエハ等の被処理物を運搬するためのリフターピンを挿入する貫通孔となる部分、シリコンウエハを支持するための支持ピンを挿入する貫通孔となる部分、熱電対等の測温素子を埋め込むための有底孔となる部分を形成しなかった場合、上記貫通孔や有底孔等は、セラミック基板１１に表面研磨等の処理を施した後、ドリル加工やサンドブラスト等のブラスト処理等を行うことにより形成することができる。
【０１２１】
（５）ねじ穴の形成
次に、セラミック基板１１の底面１１ｂに、外部端子２０を固定するためのねじ孔６４０を形成し、パッド部１６を露出させる。ねじ穴６４０は、ドリル加工やサンドブラスト等のブラスト処理により、セラミック基板１１の底面１１ｂに有底孔を形成した後、この有底孔の壁面に、その直径が有底孔の直径よりも小さなグラインダを当てて移動させ、ネジ溝を切ることにより、ねじ孔を形成することができる（図１１（ｂ））。
【０１２２】
（６）スルーホールの取り付け
加工処理を施すことにより、その外周にねじ部１３ａが形成され、その内部にねじ孔１３ｂが形成されたスルーホール１３を形成し、このスルーホール１３をセラミック基板１１の底面１１ｂに形成したねじ孔６４０にねじ込むことにより、スルーホール１３をセラミック基板１１に取り付ける（図１１（ｃ））。
【０１２３】
（７）外部端子の取り付け
外部端子２０のねじ部２１を、スルーホール１３のねじ孔１３ｂにねじ込むことにより、外部端子２０をスルーホール１３に取り付ける。これにより、外部端子２０がスルーホール１３と接続され、スルーホール１３は、パッド部１６を介して、抵抗発熱体１２と接続されることとなる。
なお、このとき、外部端子２０を構成する材質は、スルーホール１３を構成する材質よりも熱膨張率の大きい材質を用いる。
【０１２４】
（８）筒状保護セラミック体の製造
窒化アルミニウム粉末等を円筒形状の成形型に入れて成形し、必要に応じて切断加工する。これを加熱温度１０００〜２０００℃、常圧で焼結させて筒状保護セラミック体１７を製造する。上記焼結は、不活性ガス雰囲気中で行う。不活性ガスとしては、例えば、アルゴン、窒素等を使用することができる。
また、筒状保護セラミック体１７の大きさは、セラミック基板の内部に形成したスルーホール１３がその内側に収まるように調整する。
次いで、筒状保護セラミック体１７の端面を研磨して平坦化する。
【０１２５】
（９）セラミック基板と筒状保護セラミック体との接合
セラミック基板１１の底面１１ｂの中央付近と筒状保護セラミック体１７の端面とを接触させた状態で、セラミック基板１１と筒状保護セラミック体１７とを加熱して、これらを接合する（図１１（ｄ））。このとき、筒状保護セラミック体１７の内径の内側にセラミック基板１１内のスルーホール１３が収まるようにする。
次に、この外部端子２０にソケット２５を介して電源に接続される導電線２３０に接続する（図１参照）。
更に、測温素子としての熱電対等を、形成した有底孔に挿入し、耐熱性樹脂等で封止することで、その底面に筒状保護セラミック体を備えたセラミックヒータを製造することができる。
【０１２６】
このセラミックヒータでは、その上にシリコンウエハ等の半導体ウエハを載置するか、または、シリコンウエハ等をリフターピンや支持ピン等で保持させた後、シリコンウエハ等の加熱や冷却を行いながら、洗浄等の操作を行うことができる。
【０１２７】
上記セラミックヒータを製造する際に、セラミック基板の内部に静電電極を設けることにより静電チャックとして機能させることができる。ただし、この場合は、静電電極と外部端子とを接続するためのスルーホールを形成する必要があるが、支持ピンを挿入するための貫通孔を形成する必要はない。
【０１２８】
セラミック基板の内部に静電電極を設ける場合には、抵抗発熱体を形成する場合と同様にグリーンシートの表面に静電電極となる導体ペースト層を形成すればよい。
【０１２９】
以上、第一の本発明のセラミックヒータの製造方法の一例について説明したが、第二の本発明のセラミックヒータでは、上記した製造方法において、ねじ孔を有する外部端子と、ねじ部と本体部とからなり、その熱膨張率が上記外部端子の熱膨張率よりも大きいスルーホールとを用いる以外は、上記した製造方法とほぼ同様であるので、ここではその説明を省略することとする。
【０１３０】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【実施例】
（実施例１）  静電チャックの製造（図４〜６参照）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、Ｙ２Ｏ３（平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系樹脂バインダ１２重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール５３重量部を混合した組成物を用い、ドクターブレード法を用いて成形することにより厚さ０．４７ｍｍのグリーンシートを得た。
【０１３１】
（２）次に、このグリーンシートを８０℃で５時間乾燥した後、何も加工を施していないグリーンシートと、パンチングを行い、パッド部を形成するためのパッド部用貫通孔を設けたグリーンシートと、バイアホールを形成するためのバイアホール用貫通孔を設けたグリーンシートとを作製した。
【０１３２】
（３）平均粒子径１μｍのタングステンカーバイド粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−テルピネオール溶媒３．５重量部、分散剤０．３重量部を混合して導体ペーストＡを調製した。
また、平均粒子径３μｍのタングステン粒子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テルピネオール溶媒３．７重量部、分散剤０．２重量部を混合して導体ペーストＢを調製した。
【０１３３】
（４）抵抗発熱体と導体回路とを接続するためのバイアホール用貫通孔と、スルーホールを接続するためのパッド部用貫通孔に導体ペーストＡを充填した。
【０１３４】
バイアホール用貫通孔に導体ペーストＡが充填されたグリーンシートの表面に、導体ペーストＡをスクリーン印刷法により印刷し、抵抗発熱体となる導体ペースト層を形成した。また、導体回路と接続されるパッド部となる部分に導体ペーストＡが充填されたグリーンシートの表面に、上記導電性ペーストＡをスクリーン印刷法により印刷し、導体回路となる導体ペースト層を形成した。更に、静電電極と接続されるパッド部となる部分に導体ペーストＡが充填されたグリーンシートに、導体ペーストＢを用い、図６に示した形状の静電電極パターンからなる導体ペースト層を形成した。
【０１３５】
次に、上記処理の終わった各グリーンシートを積層した。
まず、抵抗発熱体となる導体ペースト層が印刷されたグリーンシートの上側（加熱面側）に、何の加工もしていないグリーンシートを３４枚積層し、そのすぐ下側（底面側）に導体回路となる導体ペースト層が印刷されたグリーンシートを積層し、さらに、その下側に何の加工もしていないグリーンシートを１２枚積層した。
このように積層したグリーンシートの最上部に、静電電極パターンからなる導体ペースト層を印刷したグリーンシートを積層し、さらにその上に何の加工もしていないグリーンシートを２枚積層し、これらを１３０℃、８ＭＰａの圧力で圧着して積層体を形成した。
【０１３６】
（５）次に、得られた積層体を窒素ガス中、６００℃で５時間脱脂し、その後、１８９０℃、圧力１５ＭＰａの条件で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。
これを直径２３０ｍｍの円板状に切り出し、内部に、厚さが５μｍ、幅が２．４ｍｍの抵抗発熱体３２０、厚さが２０μｍ、幅が１０ｍｍの導体回路３８０および厚さ６μｍのチャック正極静電層３２ａ、チャック負極静電層３２ｂを有するセラミック基板３１とした。
【０１３７】
（６）次に、（５）で得られたセラミック基板３１を、ダイヤモンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、ＳｉＣ等によるブラスト処理で表面に測温素子のための有底孔３００を形成した。
さらに、セラミック基板３１の底面に、ブラスト処理により、パッド部３６を露出させるための有底孔を形成したあと、この有底孔の内壁面に、ねじ溝形成用のグラインダを用い、上記グラインダを有底孔の内壁面に当てながら移動させることにより、ねじ溝を切り、スルーホール３３、３３０を接続するためのねじ孔を形成した。
【０１３８】
（７）次に、タングステン製のスルーホール３３、３３０となる部材（シンテック製  Ｗバルク）に加工を施すことにより、その外側にねじ部３３ａ、３３０ａを形成するとともに、外部端子をねじ込むためのねじ孔３３ｂ、３３０ｂを形成し、上記（６）の工程で、セラミック基板３１の底面３１ｂに形成されたねじ孔にねじ込むことにより、セラミック基板３１に固定し、スルーホール３３、３３０とした。
【０１３９】
（８）次に、ニッケル製の外部端子４０のねじ部４１をスルーホール３３、３３０のねじ孔３３ｂ、３３０ｂにねじ込むことにより、スルーホール３３、３３０に固定した。
【０１４０】
（９）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系樹脂バインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール５３重量部を混合した組成物を用い、スプレードライ法により顆粒を製造し、この顆粒をパイプ状の金型に入れ、常圧、１８９０℃で焼結させ、長さ２００ｍｍ、外径４５ｍｍ、内径３５ｍｍの筒状保護セラミック体を製造した。
【０１４１】
（１０）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系樹脂バインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール５３重量部を混合した液状体をセラミック基板３１および筒状保護セラミック体３７の接合面に塗布した後、セラミック基板３１の底面３１ｂであって、外部端子４０がその内径の内側に収まるような位置に、筒状保護セラミック体３７の端面を接触させ、１８９０℃に加熱することで、セラミック基板３１と筒状保護セラミック体３７とを接合した。
【０１４２】
（１１）そして、温度制御のための熱電対を有底孔３００に挿入し、シリカゾルを充填し、１９０℃で２時間硬化、ゲル化させることで、その内部に静電電極、抵抗発熱体、導体回路、バイアホールおよびスルーホールが設けられたセラミック基板の底面に、筒状保護セラミック体が接合された静電チャックを製造した。
【０１４３】
（実施例２）  ホットプレートの製造（図１〜３、図１１参照）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３：イットリア、平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系樹脂バインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール５３重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ０．４７ｍｍのグリーンシートを作製した。
【０１４４】
（２）次に、このグリーンシートを８０℃で５時間乾燥した後、何も加工を施していないグリーンシートと、パンチングを行い、パッド部を形成するためのパット部用貫通孔を設けたグリーンシートと、バイアホールを形成するためのバイアホール用貫通孔を設けたグリーンシートとを作製した。
【０１４５】
（３）平均粒子径１μｍのタングステンカーバイド粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−テルピネオール溶媒３．５重量部、分散剤０．３重量部を混合して導体ペーストを調製した。
【０１４６】
（４）この導体ペーストを、バイアホールとなる部分６３０およびパッド部となる部分６４に充填した。
【０１４７】
次に、バイアホールとなる部分６３０に導体ペーストを充填したグリーンシート上に、導体ペーストをスクリーン印刷で印刷し、抵抗発熱体用の導体ペースト層６６を形成した。印刷パターンは、図３に示したような同心円パターンとし、導体ペースト層６６の幅を１０ｍｍ、その厚さを１２μｍとした。
【０１４８】
続いて、パッド部となる部分６４に導体ペーストを充填したグリーンシート上に、導体ペーストをスクリーン印刷で印刷し、導体回路用の導体ペースト層６８を形成した。印刷の形状は帯状とした。
【０１４９】
上記処理の終わった導体ペースト層６６を印刷したグリーンシートの上に、導体ペーストを印刷していないグリーンシートを３７枚重ね、その下に、導体ペースト層６８を印刷したグリーンシートを重ねた後、更にその下に、導体ペーストを印刷していないグリーンシートを１２枚重ねて、１３０℃、８ＭＰａの圧力で積層した。
【０１５０】
（５）次に、得られた積層体を窒素ガス中、６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５ＭＰａで１０時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。
これを２３０ｍｍの円板状に切り出し、内部に厚さ６μｍ、幅１０ｍｍの抵抗発熱体１２、厚さ２０μｍ、幅１０ｍｍの導体回路１８、バイアホール１３０およびスルーホール１３を有するセラミック基板１１とした。
【０１５１】
（６）次に、（５）で得られたセラミック基板３１を、ダイヤモンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、ＳｉＣ等によるブラスト処理で表面に測温素子のための有底孔１４を形成した。
さらに、セラミック基板１１の底面１１ｂに、ブラスト処理により、パッド部１６を露出させるための有底孔を形成したあと、この有底孔の内壁面に、実施例１と同様にしてねじ溝を切ることにより、スルーホール１３を接続するためのねじ孔６４０を形成した。
【０１５２】
（７）タングステン製のスルーホール１３となる部材（シンテック製  Ｗバルク）に、実施例１と同様に加工を施し、その外側にねじ部１３ａ、１３０ａを形成するとともに、外部端子をねじ込むためのねじ孔１３ｂ、１３０ｂを形成し、上記（６）の工程で、セラミック基板３１の底面１１ｂに形成されたねじ孔６４０にねじ込むことにより、セラミック基板３１に固定し、スルーホール１３とした。
【０１５３】
（８）次に、アルミニウム製の外部端子２０のねじ部２１をスルーホール１３のねじ孔１３ｂにねじ込むことにより、スルーホール１３に固定した。
【０１５４】
（９）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、Ｙ２Ｏ３（平均粒径０．４μｍ）４重量部、アクリル系樹脂バインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール５３重量部を混合した組成物を用い、スプレードライ法により顆粒を製造し、この顆粒を円筒状の金型に入れ、常圧、１８９０℃で焼結させ、筒状保護セラミック体１７を製造した。
【０１５５】
（１０）セラミック基板１１および筒状保護セラミック体１７の接合面に硝酸イットリウム（２．６１×１０−１ｍｏｌ／Ｌ）水溶液を塗布した後、セラミック基板１１の底面１１ｂであって、外部端子２０がその内径の内側に収まるような位置に、筒状保護セラミック体１７の端面を接触させ、１８９０℃に加熱することで、セラミック基板１１と筒状保護セラミック体１７とを接合した。
【０１５６】
（１１）そして、温度制御のための熱電対を有底孔１４に挿入し、シリカゾルを充填し、１９０℃で２時間硬化、ゲル化させることで、その内部に抵抗発熱体、導体回路、バイアホールおよびスルーホールが設けられたセラミック基板の底面に、筒状保護セラミック体が接合されたセラミックヒータを製造した。
【０１５７】
（実施例３）
（８）の工程において、形状記憶合金であって、Ｎｉ−Ｔｉ合金（アクトメント社製  ＫＩＯＫＡＬＬＯＹ  Ｎｉ：５４〜５６ｗｔ％、Ｔｉ残）からなる外部端子２０を用いた以外は、実施例１と同様の方法を用いて静電チャックを製造した。
【０１５８】
（実施例４）
（７）の工程において、タングステン製のスルーホールとなる部材の代わりに、モリブデン製のスルーホールとなる部材を用いて加工し、（８）の工程において、アルミニウム製の外部端子の代わりにニッケル製の外部端子を用いた以外は、実施例２と同様の方法でセラミックヒータを製造した。
【０１５９】
（実施例５）
（７）の工程において、タングステン製のスルーホールとなる部材の代わりに、モリブデン製のスルーホールとなる部材を用いて加工し、（８）の工程において、ニッケル製の外部端子の代わりにアルミニウム製の外部端子２０を用いた以外は、実施例１と同様の方法で静電チャックを製造した。
【０１６０】
（実施例６）
（７）の工程において、タングステン製のスルーホールとなる部材の代わりに、モリブデン製のスルーホールとなる部材を用いて加工し、（８）の工程において、アルミニウム製の外部端子の代わりに、形状記憶合金であって、Ｎｉ−Ｔｉ−Ｃｕ合金（アクトメント社製  ＫＩＯＫＡＬＬＯＹ−１、Ｎｉ：４７〜５０ｗｔ％、Ｃｕ：５〜８ｗｔ％、Ｔｉ残）からなる外部端子を用いた以外は、実施例２と同様の方法によりセラミックヒータを製造した。
【０１６１】
（比較例１）
（８）の工程において、ニッケル製の外部端子の代わりに、タングステン製の外部端子用いた以外は、実施例１と同様の方法により静電チャックを製造した。この場合、スルーホールと外部端子とは、同じタングステンで作られている。
【０１６２】
（比較例２）
（７）の工程において、タングステン製のスルーホールとなる部材の代わりに、ニッケル製のスルーホールとなる部材を用いて加工し、（８）の工程において、アルミニウム製の外部端子の代わりに、ニッケル製の外部端子を用いた以外は、実施例２と同様の方法でセラミックヒータを製造した。この場合、スルーホールと外部端子とは、同じニッケルで作られている。
【０１６３】
（比較例３）
（７）の工程において、タングステン製のスルーホールとなる部材の代わりに、カーボン製のスルーホールとなる部材を用いて加工し、（８）の工程において、ニッケル製の外部端子の代わりに、アルミニウム製の外部端子２０を用いた以外は、実施例１と同様の方法で静電チャックを製造した。
【０１６４】
実施例１〜６および比較例１〜３に係るセラミックヒータについて、以下の評価試験を行った。その結果を下記の表１に示す。
【０１６５】
（１）ヒートサイクル試験
５０℃に保持した後、５００℃に加熱する過程を繰り返すヒートサイクル試験を５００回行った後、３００℃に加熱し、スルーホールと外部端子との接続部分が良好な導通状態を維持しているか否かを調べるため、導通試験を行った。
【０１６６】
【表１】
2005026082.tif 000003
【０１６７】
上記表１に示した結果より明らかなように、実施例１〜６に係るセラミックヒータでは、全ての接続部分において導通は良好だった。
一方、比較例１及び２に係るセラミックヒータでは、導通不良が発生していることが分かった。
これは、比較例１及び２に係るセラミックヒータでは、スルーホールと外部端子とが、同じ熱膨張率を有する材質から構成されているため、熱膨張と収縮を繰り返すことにより、上記スルーホールと上記外部端子との接続部分での磨耗に起因して、セラミックヒータの温度が高い状態であっても、上記接続部分においてわずかな隙間が発生したためであると考えられた。
また、比較例３に係るセラミックヒータでは、クラックが観察され、導通不良も発生していた。これは、外部端子の熱膨張率がスルーホールの熱膨張率に対して大きすぎるためであると考えられた。
【０１６８】
【発明の効果】
以上説明したように、第一の本発明のセラミックヒータによれば、その熱伝導率がスルーホールの熱伝導率よりも大きい外部端子のねじ部が、スルーホールに形成されたねじ孔に螺合されて接続されているため、上記ねじ部と上記ねじ孔との接続部分に、わずかな隙間が形成されていても、セラミックヒータの温度が高くなると、上記外部端子が大きく熱膨張することによって、上記隙間を埋めることができ、上記スルーホールと上記外部端子とを、しっかりと固定することができる。
【０１６９】
また、第二の本発明のセラミックヒータによれば、その熱膨張率が外部端子の熱膨張率よりも大きいスルーホールのねじ部が、外部端子に形成されたねじ孔に螺合されて接続されているため、上記ねじ部と上記ねじ孔との接続部分に、わずかな隙間が形成されていても、セラミックヒータの温度が高くなると、上記スルーホールが大きく熱膨張することによって、上記隙間を埋めることができ、上記スルーホールと上記外部端子とを、しっかりと固定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第一の本発明のセラミックヒータの一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図１に示したセラミックヒータの部分拡大断面図である。
【図３】図１に示したセラミックヒータの水平断面図である。
【図４】静電チャックとして機能する第一の本発明のセラミックヒータの一例を模式的に示す断面図である。
【図５】図４に示した静電チャックの部分拡大断面図である。
【図６】セラミック基板に埋設されている静電電極の一例を模式的に示す水平断面図である。
【図７】セラミック基板に埋設されている静電電極の別の一例を模式的に示す水平断面図である。
【図８】セラミック基板に埋設されている静電電極の更に別の一例を模式的に示す水平断面図である。
【図９】第二の本発明のセラミックヒータの一例を模式的に示す水平断面図である。
【図１０】図９に示したセラミックヒータの部分拡大断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、第一の本発明のセラミックヒータの製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１０、９０  セラミックヒータ
１１、３１、９１  セラミック基板
１１ａ、３１ａ  加熱面
１１ｂ、３１ｂ  底面
１２、９２、３２０  抵抗発熱体
１３、３３、６３、３３０  スルーホール
１４  有底孔
１５  貫通孔
１６、３６、９６  パッド部
１７、３７  筒状保護セラミック体
１８、３８０  導体回路
２０、４０、６０  外部端子
２１、４１、６１  ねじ部
２２、４２、６２  本体部
２３、６５  溝部
３０  静電チャック
１３０  バイアホール
１８０  測温素子
【図１】
2005026082.tif 000004
【図２】
2005026082.tif 000005
【図３】
2005026082.tif 000006
【図４】
2005026082.tif 000007
【図５】
2005026082.tif 000008
【図６】
2005026082.tif 000009
【図７】
2005026082.tif 000010
【図８】
2005026082.tif 000011
【図９】
2005026082.tif 000012
【図１０】
2005026082.tif 000013
【図１１】
2005026082.tif 000014