(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体パッケージのハンダ接合特性を改善する。【解決手段】半導体パッケージは、チップパッドを有する半導体チップと、チップパッドと電気的に接続されるメタル配線１２２と、メタル配線と電気的に接続されボール形成面Ｅ１に形成されるハンダボールランド１２３と、ボール形成面を塗布して開口部を限定するハンダレジスト１２４と、ハンダボールランドに形成されるハンダボールとを有する。各ハンダボールランドは、ボール形成面の中心Ｍ１に対向する第１部分１２３ａと前記第１部分を除く第２部分１２３ｂを有し、第１部分はハンダレジストにより塗布され、第２部分はハンダレジスト開口部により露出される。【選択図】図４
2005175467.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップパッドを有する半導体チップと、
前記チップパッドと電気的に接続されるメタル配線と、
前記メタル配線と電気的に接続されボール形成面に形成されるハンダボールランドと、
前記ボール形成面を塗布して開口部を限定するハンダレジストと、
前記ハンダボールランドに形成されるハンダボールと、
を有する半導体パッケージにおいて、
前記それぞれのハンダボールランドは、前記ボール形成面の中心に対向する第１部分と前記第１部分に対立する第２部分を有し、前記第１部分は、前記ハンダレジストにより塗布され、前記第２部分は、前記ハンダレジスト開口部により露出されることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記ボール形成面の中心及び前記ハンダレジスト開口部の中心を通る直線は、内外点で、前記ハンダレジスト開口部の縁部と交差し、また内外点で、前記ハンダボールランドの縁部と交差して、
前記ハンダレジスト開口部の縁部の内点と前記ボール形成面の中心との距離は、前記ハンダボールランドの縁部の内点と前記ボール形成面の中心との距離より長いことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記ボール形成面の中心及び前記ハンダレジスト開口部の中心を通る直線は、内外点で、前記ハンダレジスト開口部の縁部と交差し、また内外点で、前記ハンダボールランドの縁部と交差し、前記ハンダレジスト開口部の縁部の外点と前記ボール形成面の中心との距離は、前記ハンダボールランドの縁部の外点と前記ボール形成面の中心との距離より長いことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記ハンダレジスト開口部の第１縁部は、第１中心と第１半径とを有する円形で、前記ハンダボールランドの縁部は、第２中心と第２半径とを有する円形であることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記ボール形成面の中心と前記第１中心とを繋ぐ第１線分の長さは、前記ボール形成面の中心と前記第２中心とを繋ぐ第２線分の長さより長いことを特徴とする請求項４に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記ハンダボールが外部ボードのボール実装領域に実装されるとき、前記ボールランド上の投影点は前記ボール実装領域の中心に対応され、
前記投影点とボール形成面の中心とを繋ぐ第３線分の長さは、前記第１線分より短く、前記第２線分より長いことを特徴とする請求項５に記載に半導体パッケージ。
【請求項７】
前記投影点は、前記第１中心及び第２中心を繋ぐ第４線分内に位置することを特徴とする請求項６に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記第１半径は、前記第２半径の０．９倍から１．３倍の間の大きさであることを特徴とする請求項４に記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
内向半円は、前記ボール形成面の中心及び前記ハンダレジスト開口部の中心を通る第１直線により限定され、第２直線は、前記ハンダレジスト開口部の縁部の第１中心で前記第１直線と直交し、
前記ハンダボールランドの縁部の第２中心は、前記ハンダレジスト開口部の内向半円内に位置することを特徴とする請求項４に記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記第４線分の長さは２０〜７０μｍの間であることを特徴とする請求項７に記載の半導体パッケージ。
【請求項１１】
ハンダバンプが形成されるバンプ形成面を備える半導体チップと、
複数のバンプランドが形成され前記ハンダバンプが実装されハンダレジストが塗布されるバンプ実装面を備える基板と、
前記基板の背面に形成されるハンダボールと、
を有する半導体パッケージにおいて、
前記それぞれのバンプランドは、前記バンプ実装面の外部に対向する第１部分と前記第１部分を除く第２部分とを有し、前記第１部分はハンダレジストにより塗布され前記第２部分はハンダレジストにより限定された開口部によって露出されることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１２】
前記バンプ形成面の中心に対応する前記バンプ実装面の投影点及び前記ハンダレジスト開口部の中心を通る直線は、内外点で、前記ハンダレジスト開口部の縁部と交差し、また前記バンプランドの縁部と交差して、
前記ハンダレジスト開口部の内点と前記バンプ実装面の投影点との間の距離は、前記ハンダボールランドの縁部の内点と前記バンプ実装面の投影点との間の距離より短いことを特徴とする請求項１１に記載の半導体パッケージ。
【請求項１３】
前記バンプ形成面の中心に対応する前記バンプ実装面の投影点及び前記ハンダレジスト開口部の中心を通る直線は、内外点で、前記ハンダレジスト開口部の縁部と交差し、内外点で前記バンプランドの縁部と交差し、
前記ハンダレジスト開口部の縁部の外点と前記バンプ実装面の投影点との間の距離は、前記ハンダボールランドの縁部の外点と前記バンプ実装面の投影点との間の距離より短いことを特徴とする請求項１１に記載の半導体パッケージ。
【請求項１４】
前記ハンダレジスト開口部の縁部は、第１中心と第１半径とを有する円形で、前記バンプランドの縁部は第２中心及び第２半径とを有する円形であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体パッケージ。
【請求項１５】
前記バンプ実装面の投影点と前記第１中心とを繋ぐ第１線分の長さは、前記バンプ実装面の投影点と前記第２中心とを繋ぐ第２線分の長さより短いことを特徴とする請求項１４に記載の半導体パッケージ。
【請求項１６】
前記第１半径は、前記第２半径の０．９倍から１．３倍の間の大きさであることを特徴とする請求項１４に記載の半導体パッケージ。
【請求項１７】
外向半円部は、前記ボール形成面の中心に対応する前記ボール実装面の投影点及び前記ハンダレジスト開口部の中心を通る第１直線によって限定され、第２直線は、前記ハンダレジスト開口部の縁部の中心で前記第１直線と直交し、第２中心は外向半円部内に位置することを特徴とする請求項１４に記載の半導体パッケージ。
【請求項１８】
前記第１中心及び第２中心の間の距離は１０〜６０μｍの間であること特徴とする請求項１７に記載の半導体パッケージ。
【請求項１９】
半導体チップと、
前記半導体チップが付着されるチップ付着面と、
ハンダボールランドが形成されハンダレジストにより塗布されるボール形成面を備える基板と、
前記複数のハンダボールランドに形成される複数のハンダバンプと、
を有する半導体パッケージにおいて、
前記それぞれハンダボールランドは、前記ボール形成面の中心に対向して前記ハンダレジストによって塗布される第１部分と前記第１部分を除く前記ハンダレジストにより限定される開口部に露出される第２部分とを有することを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２０】
前記ボール形成面の中心及び前記ハンダレジスト開口部の中心を通る直線は、内外点で、前記ハンダレジスト開口部の縁部と交差し、また前記ハンダボールランドのランド縁部と交差して、
前記ハンダレジスト開口部の縁部の内点と前記ボール形成面の中心との間の距離は、前記ハンダボールランドの縁部の内点とボール形成面の中心との間の距離より長いことを特徴とする請求項１９に記載の半導体パッケージ。
【請求項２１】
前記ボール形成面の中心及び前記ハンダレジスト開口部の中心を通る直線は、内外点で、前記ハンダレジスト開口部の縁部と交差し、また前記ハンダボールランドの縁部と交差して、
前記ハンダレジスト開口部の縁部の外点と前記ボール形成面の中心との間の距離は、前記ハンダボールランドの縁部の外点と前記ボール形成面の中心との間の距離より長いことを特徴とする、請求項１９に記載の半導体パッケージ。
【請求項２２】
前記ハンダレジスト開口部は、第１中心と第１半径とを有する円形の開口縁部を有し、前記ハンダボールランドは、第２中心と第２半径とを有する円形のランド縁部を有することを特徴とする請求項１９に記載の半導体パッケージ。
【請求項２３】
前記ボール形成面の中心と前記第１中心とを繋ぐ第１線分の長さは、前記ボール形成面の中心と前記第２中心とを繋ぐ第２線分の長さより長いことを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージ。
【請求項２４】
外部ボードのボール形成領域に実装されるハンダボールをさらに有する半導体パッケージにおいて、
前記ハンダボールランド上の投影点は前記ボール形成領域の中心に対応され、
前記投影点と前記ボール形成面の中心とを繋ぐ第３線分の長さは前記第１線分の長さより短く、前記第２線分の長さよりは長いことを特徴とする請求項２３に記載の半導体パッケージ。
【請求項２５】
前記投影点は、前記第１中心と第２中心とを繋ぐ第４線分内に位置することを特徴とする請求項２４に記載の半導体パッケージ。
【請求項２６】
前記第１半径は、前記第２半径の０．９倍から１．３倍の間の大きさであることを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージ。
【請求項２７】
内向半円は、前記ボール形成面の中心を前記ハンダレジスト開口部の中心を通る第１直線によって限定され、第２直線は、前記ハンダレジスト開口縁部の第１中心で前記第１直線と直交し、
前記ハンダボールランドの縁部の第２中心は、前記ハンダレジスト開口部の内向半円内に位置することを特徴とする請求項２２に記載の半導体パッケージ。
【請求項２８】
前記第４線分の長さは２０〜７０μｍの間であることを特徴とする請求項２５に記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージに関し、さらに詳細にはハンダ接合特性を向上させた半導体パッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来の半導体パッケージを概略的に示す断面図である。
【０００３】
図１で示すように、従来の半導体パッケージ２は、半導体チップ１０、絶縁層２１、メタル配線２２、ハンダボールランド２３、ハンダレジスト２４、及びハンダボール３１を備える。
【０００４】
半導体チップ１０は、複数のチップパッド１２と、前記チップパッド１２を除くチップ１０を覆うパッシベーション層（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）１３とを有する。絶縁層２１は、チップパッド１２を露出させた状態でパッシベーション層１３を覆う。絶縁層２１に備えられたメタル配線２２は、チップパッド１２と一端で電気的に接続される。ハンダボールランド２３は、メタル配線２２の他端と電気的に接続される。ハンダレジスト２４は絶縁層２１及びメタル配線２２を塗布して、ハンダボールランド２３を露出させる。ハンダボール３１は、ハンダボールランド２３に融着され、マザーボードのように外部のボード１と電気的に接続される。すなわち、従来の半導体パッケージ２は、ハンダボール３１によりボード１と機械的電気的に接続される。
【０００５】
図２は、図１の半導体パッケージの底面から見たハンダボールランドを示す平面図である。図２に示すように、ハンダボールランド２３の大部分はハンダレジスト２４によって露出されるが、ハンダボールランド２３の端部２３ａはハンダレジスト２４によって塗布されている。すなわち、こうしたハンダボールランド２３構造は、ＳＭＤ型（ｓｏｌｄｅｒ  ｍａｓｋ  ｄｅｆｉｎｅｄ  ｔｙｐｅ：ハンダマスク限定型）の構造と類似する。
【０００６】
しかし、従来の半導体パッケージには次のような問題がある。
【０００７】
半導体パッケージの半導体チップ自体の熱膨張係数（ＣＴＥ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）は、たとえば、Ｓｉ系である場合、約３．６ｐｐｍ／℃であるのに対し、通常の外部ボードの熱膨張係数は、約１８ｐｐｍ／℃で、チップ１０と外部ボード１との間の熱膨張係数が相違している。それにより、ハンダボールに対するリフロー工程後に冷却過程において外部ボードの収縮量が半導体チップの収縮量より高く、半導体パッケージに対して、図１のＴ１、Ｔ２の方向にハンダボール３１に熱応力が加わり、図１のＳ１、Ｓ２からハンダボール３１が離脱するという問題がある。
【０００８】
さらに、ハンダ接合の問題を解決するための、ハンダボールランド全体がハンダレジストにより露出されるＮＳＭＤ（ｎｏｎ−ｓｏｌｄｅｒ  ｍａｓｋ  ｄｅｆｉｎｅｄ  ｔｙｐｅ：ハンダマスク非限定型）の構造は、ハンダレジストがハンダボールランドを保持することができないため、振動環境においてハンダボールランドが半導体パッケージから離脱する剥離（ｐｅｅｌｉｎｇ）現象発生の問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、半導体パッケージのハンダ接合特性が改善された半導体パッケージを提供することに目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による半導体パッケージは、チップパッドが備えられた半導体チップと、上記チップパッドと電気的に接続されるメタル配線と、上記メタル配線と電気的に接続され且つ外部ボートと電気的に接続するためのハンダボールが融着されるハンダボールランドと、上記ハンダボールが実装されるボール実装面に塗布され、ハンダレジスト開口部により上記ボールランドを露出させるハンダレジストとを有する半導体パッケージにおいて、それぞれのハンダボールランドは、ボール形成面の中心を向かう第１部分と、第１部分を除く第２部分があり、第１部分は、ハンダレジストにより塗布され、第２部分はハンダレジスト開口部に露出されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明による半導体パッケージは、ＳＭＤ型及びＮＳＭＤ型を組み合わせた形態のハンダボールランド及びハンダレジスト開口部の構造を有することによって、ハンダボールがハンダボールランドから離脱したりハンダボールランドが剥離（ｐｅｅｌｉｎｇ）したりする等の現象の発生が防止できるとともに、ハンダ接合特性を維持しながら半導体パッケージの製品信頼性を向上させることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図３は、本発明の一実施形態による半導体パッケージ１００を示す断面図である。
図３に示すように、本発明の一実施形態による半導体パッケージ１００は、半導体チップ１１０、再配線部１２０、及びハンダボール１３１を有する。このような半導体パッケージ１００は、全体的に通常のウエハーレベルパッケージ（ｗａｆｅｒ  ｌｅｖｅｌ  ｐａｃｋａｇｅ）と類似する。
【００１３】
半導体チップ１１０は、活性面に配置された複数のチップパッド１１１と、チップパッド１１１を除く活性面を覆っているパッシベーション層（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ    ｌａｙｅｒ）１１２とを有する。
【００１４】
再配線部１２０は、絶縁層１２１、メタル配線１２２、ハンダボールランド１２３、及びハンダレジスト（ｓｏｌｄｅｒ  ｒｅｓｉｓｔ）１２４を有する。絶縁層１２１は、パッシベーション層１１２を被覆して、チップパッド１１２を露出する。メタル配線１２２は、絶縁層１２１とチップパッド１１１とに備えられ、それぞれのメタル配線１２２は一端でチップパッド１１２と電気的に接続される。それぞれのハンダボールランド１２３は、絶縁層１２１にそれぞれのメタル配線１２２の他端に備えられる。ハンダレジスト１２４は、絶縁層１２１及びメタル配線１２２を被覆し、それぞれのハンダボールランド１２３を部分的に露出する。
【００１５】
それぞれのハンダボール１３１は、ハンダボールランド１２３上に融着され、マザーボードのような外部ボード１のボール実装領域Ａ１に接合される。よって、パッケージ１００は、ハンダボール１３１によりボード１と機械的電気的に接続される。
【００１６】
ここで、図面符号Ｅ１は、半導体パッケージ１００においてハンダボール１３１が形成される面である「ボール形成面」を示し、図面符号Ｍ１は、ボール形成面Ｅ１の中心に該当する「ボール形成面の中心」を示し、前述の図面符号Ａ１は、ハンダボール１３１が実装される「ボール実装領域」を示す
図４は、図３において半導体パッケージの底面からみたハンダボールランドを示す平面図である。図４に示すように、ハンダボールランド１２３の一部分はハンダレジスト１２４により露出され、ハンダボールランドの他の部分はハンダレジスト１２４により被覆される。すなわち、ハンダボールランド１２３のボール形成面の中心Ｍ１に対向する中心向け部（ｃｅｎｔｅｒ−ｏｒｉｅｎｔｅｄ  ｐａｒｔ）１２３ａは、ハンダレジスト１２４により塗布され、残り部分１２３ｂは、ハンダレジスト開口部Ｐ１により露出される。
【００１７】
さらに詳細には、第１直線Ｌ１は、ボール形成面Ｅ１の中心Ｍ１から開口部Ｐ１の第１中心Ｃ１に向かって延びる仮想線である。第１直線Ｌ１は開口部Ｐ１の開口縁部Ｗ１と内外点Ｂ１、Ｂ２で交差する。また、第１直線Ｌ１はハンダボールランド１２３のボールランド縁部Ｗ２と内外点Ｇ１、Ｇ２で交差する。開口部Ｗ１の内点Ｂ１とボール形成面Ｅ１の中心Ｍ１との間の距離は、ボールランド縁部Ｗ２の内点Ｇ１とボール形成面の中心Ｍ１との間の距離より長い。同様に、開口縁部Ｗ２の外点Ｂ２とボール形成面Ｅ１の中心Ｍ１との間の距離は、ボールランド縁部Ｗ２の外点Ｇ２とボール形成面Ｅ１の中心Ｍ１との間の距離より長い。
【００１８】
好ましくは、図４のように、ハンダレジスト開口部Ｐ１の開口縁部Ｗ２は第１中心Ｃ１と第１半径Ｒ１とを有する円形にし、ハンダボールランド１２３のボールランド縁部Ｗ２は、第２中心Ｃ２と第２半径Ｒ２とを有する円形にする。
【００１９】
図５は、図４の第１直線を詳細に示す線図です。図５に示すように、ボール形成面の中心Ｍ１と第１中心Ｃ１とを繋ぐ第１線分ｕ１の長さは、ボール形成面の中心Ｍ１と第２中心Ｃ２とを繋ぐ第２線分ｕ２より長いことが好ましい。
【００２０】
図６は、図３のＤ１部分に関する詳細図である。図６に示すように、ハンダボール１３１が外部ボード１のボール実装領域Ａ１に実装されるとき、ボール実装領域Ａ１の中心Ｑ１に対応されるハンダボールランド１２３に投影点Ｚ１が示されている。図５を参照して、投影点Ｚ１とボール形成面の中心Ｍ１とを繋ぐ第３線分ｕ３の長さは、第１線分ｕ１より短く、第２線分ｕ２より長い。また、投影点Ｚ１は、第１中心Ｃ１及び第２中心Ｃ２を繋ぐ第４線分ｕ４内に位置することが好ましい。
【００２１】
図４を参照して、第１半径Ｒ１は第２半径Ｒ２の０．９倍から１．３倍の間の大きさのほうが好ましい。さらに、内向半円Ｈ１は、開口部縁部Ｗ１の第１中心Ｃ１で第１直線Ｌ１と垂直の第２直線Ｌ２により限定され、ボールランド縁部Ｗ２の中心は、ハンダレジスト開口部Ｐ１の内向半円Ｈ１内に位置することが好ましい。さらに好ましくは、第１中心Ｃ１及び第２中心Ｃ２間の距離は２０〜７０μｍの間になるようにする。
図７は、図３の半導体パッケージのボール形成面の一部を示す平面図である。図７に示すように、それぞれのメタル配線１２２は、接続部１２２ａにおいてハンダボールランド１２３に接続される。詳細には、それぞれの接続部１２２ａはボール形成面Ｅ１の中心Ｍ１に向かう。そして、メタル配線１２２は接続部１２２ａから中心Ｍ１に向かって延びていることが好ましい。
【００２２】
図３のように、本実施形態による半導体パッケージ１００の場合、Ｓ３及びＳ４でハンダボールランド１２３の構造を、ＮＳＭＤ型と類似するように、ハンダボールランド１２３に対するハンダボール１３１の接合力を高めることによって、ハンダボール１２３がＳ３及びＳ４でハンダボールランド１２３から離脱することを防止する。同様に、Ｓ３及びＳ４の反対側にはハンダボールランドの構造を、ＳＭＤ型と類似するように、ハンダボールランド１２３が絶縁層１２１から剥離されることを防止する。従って、本実施形態によれば、ハンダボールのハンダ接合特性が改善される。
【００２３】
図８は、本発明の他の実施形態による半導体パッケージ２００を概略的に示す断面図である。図８に示すように、半導体パッケージ２００は、半導体チップ２１０、ハンダバンプ２１５、基板２２０、及びハンダボール２３１を有する。このような半導体パッケージ２００は、全体的にフリップチップパッケージ（ｆｌｉｐ−ｃｈｉｐ  ｐａｃｋａｇｅ）と類似した形態である。
【００２４】
半導体チップ２１０は、ハンダバンプ２１５が形成されるバンプ形成面Ｅ２を有する。基板２２０は、ハンダバンプ２１５が実装されるバンプランド２２３を有し、バンプランド２２３は、基板２２０のバンプ実装面Ｅ３に形成される。バンプ実装面Ｅ３はバンプランド２２３を除くハンダレジスト２２４により被覆される。ハンダボール２３１は、バンプ実装面Ｅ３の反対の背面Ｅ４上に形成される。
【００２５】
図９は、基板２２０のバンプ実装面Ｅ３に備えられたバンプランド２２３を示す平面図である。
【００２６】
図８及び図９に示すように、外部指向２２３ａはハンダレジスト２２４により塗布され、残り部分２２３ｂはハンダレジスト開口部Ｐ２により露出される。
【００２７】
さらに詳細には、第３直線Ｌ３は、バンプ実装面Ｅ２の中心Ｍ２と対応されるバンプ実装面Ｅ３の投影点Ｑ２からハンダレジスト開口部Ｐ２の中心に向かって延びる仮想線である。第３直線Ｌ３は、内外点Ｂ３、Ｂ４でハンダレジスト開口部Ｐ２の開口縁部Ｗ３と交差する。また、第３直線Ｌ３は、内外点Ｇ３、Ｇ４でバンプランド２３３のランドボール縁部Ｗ４と交差する。
【００２８】
開口縁部Ｗ３の内点Ｂ３とバンプ実装面Ｅ３の投影点Ｑ２との間の距離は、開口縁部Ｗ４の内点Ｇ３とバンプ実装面Ｅ３の投影点Ｑ２との間の距離より短くなる。同様に、開口縁部Ｗ３の外点Ｂ４とバンプ実装面Ｅ３の投影点Ｑ２と間の距離は、開口縁部Ｗ４の外点Ｇ４とバンプ実装面Ｅ３の投影点Ｑ２との間の距離より短くなる。
【００２９】
好ましくは、開口縁部Ｗ３は、第３中心Ｃ３と第３半径Ｒ３とを有する円形にし、開口縁部Ｗ４は、第４中心Ｃ４と第４半径Ｒ４とを有する円形にする。投影点Ｑ２と第３中心Ｃ３との間の距離は、投影点Ｑ２と第４中心Ｃ４との間の距離より短くなる。
【００３０】
開口縁部Ｗ３の第３半径Ｒ３は、ボールランド縁部Ｗ４の第４半径Ｒ４の０．９倍から１．３倍間の大きさのものが好ましい。さらに、外向半円部Ｈ２が開口縁部Ｗ３の第３中心Ｃ３で第３直線Ｌ３と垂直に交差する第４直線Ｌ４により限定されるとき、開口縁部Ｗ４の第４中心Ｃ４は、ハンダレジスト開口部Ｐ２の外向半円部Ｈ２内に位置することが望ましい。さらに好ましくは、第３中心Ｃ３及び第４中心Ｃ４間の距離が１０〜６０μｍになるようにする。
【００３１】
図８によれば、本実施形態による半導体パッケージ２００の場合では、Ｓ５及びＳ６において、バンプランドの構造を、ＮＳＭＤ型と類似するように、バンプランド２２３に対するハンダバンプ２１５の接合力を増大させることにより、ハンダバンプ２１５がバンプランド２２３から離脱されることを防止する。なお、Ｓ５及びＳ６のそれぞれの反対側には、バンプランド２２３の構造をＳＭＤ型と類似するように、ハンダバンプ２１５が付着されたバンプランド２２３が基板２２０から剥離されることを防止する。従って、本実施形態によれば、ハンダ接合特性が改善でき、且つ、従来のフリップチップパッケージのように、充填材などを投入しなくても半導体チップの基板に対する接合信頼性が向上する。
【００３２】
図１０は、本発明の他の実施形態による半導体パッケージ３００を概略的に示す断面図である。図１０に示すように、半導体パッケージ３００は、半導体チップ３１０、基板３２０、ボンディングワイヤー３１５、封止材３１６、及びハンダボール３３１を有する。上記半導体パッケージ３００はＢＧＡ（ｂａｌｌ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙ）パッケージの一種である。
【００３３】
半導体チップ３１０は、基板３２０上に付着され、ボンディングワイヤー３１５は、半導体チップ３１０と基板３２０とを電気的に接続する。封止材３１６は、半導体チップ３１０、ボンディングワイヤー３１５、及び基板３２０のチップ付着面をシーリングする。ハンダボール３３１は、外部ボード１と電気的接続のために、基板３２０のボール形成面Ｅ４に備えられたそれぞれのハンダボールランド３２３に形成される。ハンダボールランド３２３の一部はハンダレジスト３２４により塗布され、他部はハンダレジスト３２４により露出される。ここで、図面符号Ｍ３は、ボール形成面Ｅ４の中心を指す。
【００３４】
本実施形態のハンダボールランド３２３は前述したハンダボールランドの構造と類似する。
【００３５】
従って、本発明に属する分野における当業者であれば前記説明された内容によって本実施形態の半導体パッケージの場合においても容易に適用できることから、上記と重複される内容は省略する。
【００３６】
本実施形態において、半導体パッケージ３００の全体的な熱膨張係数は半導体チップ３１０と類似する。従って、この場合、半導体パッケージ３００と外部ボード１と熱膨張係数差による熱応力が半導体パッケージ３００に残存しているため、ハンダボール３３１のハンダ接合特性が向上される。
【００３７】
本発明による半導体パッケージは、複数のチップパッドを有する半導体チップと、上記チップパッドと電気的に接続されたメタル配線と、上記メタル配線と電気的に接続され、ボール形成面に備えられたハンダボールランドと、ボール実装面上に被覆し、開口部を限定するハンダレジストと、それぞれのハンダボールランドに形成されるハンダボールとを含む半導体パッケージにおいて、それぞれのハンダボールランドは、ボール形成面の中心を向かう第１部分と、第１部分を除く第２部分があり、第１部分は、ハンダレジストにより塗布され、第２部分はハンダレジスト開口部に露出されることを特徴とする。
【００３８】
本発明による他の半導体パッケージは、ハンダバンプが形成されるバンプ形成面を有する半導体チップと、バンプランドが形成されるバンプ実装面を有する。上記ハンダバンプはバンプランドに実装され、バンプ実装面はハンダレジストにより塗布される。また、基板のバンプ実装面を除く背面に形成されるハンダボールを含む。それぞれのバンプランドは、バンプ形成面の外縁に対向する第１部分と、上記第１部分を除く第２部分を有し、第１部分は、ハンダレジストにより塗布され、第２部分はハンダレジストにより限定される開口部に露出される。
【００３９】
本発明によるさらに他の半導体パッケージは、半導体チップと、半導体チップが付着されるチップ付着面とハンダボールランドが形成されるボール形成面とを有する基板とを含む。上記ボール形成面はハンダレジストにより塗布され、ボールランドに形成されるハンダバンプを含む。それぞれのボールランドは、ボール形成面の中心に対向する第１部分と、第１部分を除く第２部分とを有し、第１部分は、ハンダレジストにより塗布され、第２部分は、ハンダレジスト開口部により限定された開口部に露出されることを特徴とする。
【００４０】
なお、本明細書と図面に開示された本願発明の実施形態は理解を助けるための特定の実施形態を例示したに過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない、ここに開示された実施形態の他にも本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内における種々の変形例が実施可能であることは当業者であれば自明である。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明によれば、半導体パッケージのハンダ接合特性が改善されるので、半導体パッケージの製造工程において利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】従来の半導体パッケージを概略的に示す断面図である。
【図２】図１による半導体パッケージの底面からみたハンダボールランドを示す平面図である。
【図３】本発明の一実施形態による半導体パッケージを示す断面図である。
【図４】図３による半導体パッケージの底面からみたハンダボールランドを示す平面図である。
【図５】図４の第１直線を詳細に示す線図である。
【図６】図３のＤ１部分に関する詳細図である。
【図７】図３による半導体パッケージのボール実装面を示す平面図である。
【図８】本発明の他の実施形態による半導体パッケージを概略的に示す断面図である。
【図９】図８による基板の上面からみたバンプランドを示す平面図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施形態による半導体パッケージを概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１    外部ボード
１１０    半導体チップ
１２１    絶縁層
１２３    ハンダボールランド
１２４    ハンダレジスト
１３１    ハンダボール
２１５    ハンダバンプ
２２０    基板
２２３    バンプランド
Ｐ１    ハンダレジスト開口部
Ｐ２    ハンダレジスト開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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