(57)【要約】【課題】  非常に小型で且つ特性のばらつきが少ないマイクロコンデンサを提供する。【解決手段】  本発明のマイクロコンデンサ１００は、回路基板１１０上に載置された誘電体粒子１０１と、誘電体粒子１０１の対向する両側面にそれぞれ形成され、誘電体粒子１０１を機械的に保持する電極１０２，１０３とを備える。マイクロコンデンサ１００は、従来の一般的なコンデンサのように誘電体ブロックと電極とがそれ単独で一体化された構造ではなく、電極１０２，１０３によって誘電体粒子１０１が回路基板１１０に対し機械的に保持された構造を有していることから、誘電体粒子１０１として非常に小さいサイズ、特に、０．１μｍ以上、１０μｍ以下のものを用いることが可能となる。これにより、従来のコンデンサに比べ、全体のサイズを著しく小さくすることが可能となる。【選択図】          図１
2005175087.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板上に載置された誘電体粒子と、前記誘電体粒子の対向する両側面にそれぞれ形成され、前記誘電体粒子を機械的に保持する電極とを備えることを特徴とするマイクロコンデンサ。
【請求項２】
前記誘電体粒子のサイズが０．１μｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のマイクロコンデンサ。
【請求項３】
前記誘電体粒子の前記側面が前記回路基板に対して実質的に垂直であることを特徴とする請求項１又は２に記載のマイクロコンデンサ。
【請求項４】
前記誘電体粒子が単結晶粒子であることを特徴とする請求項３に記載のマイクロコンデンサ。
【請求項５】
回路基板上に誘電体粒子を載置するステップと、原料ガスを供給しながら集束イオンビームを照射することによって前記誘電体粒子の対向する両側面にそれぞれ電極を形成するステップとを備えることを特徴とするマイクロコンデンサの製造方法。
【請求項６】
前記電極を形成する前に、集束イオンビームを照射することによって、前記回路基板上に載置された前記誘電体粒子の前記側面を削るステップをさらに備えることを特徴とする請求項５に記載のマイクロコンデンサの製造方法。
【請求項７】
複数の配線パターンが形成された回路基板であって、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のマイクロコンデンサを備えていることを特徴とする回路基板。
【請求項８】
前記複数の配線パターンは、前記誘電体粒子の前記側面にそれぞれ形成された前記電極のうち、一方の電極に接続された第１の配線パターンと、他方の電極に接続された第２の配線パターンを含んでいることを特徴とする請求項７に記載の回路基板。
【請求項９】
前記回路基板は複数の樹脂層が積層された構造を有しており、前記マイクロコンデンサが回路基板の内部に埋め込まれていることを特徴とする請求項７又は８に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非常に小型で且つ特性のばらつきが少ないマイクロコンデンサ及びその製造方法並びにこのようなマイクロコンデンサを備える回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より電気回路や電子回路に用いられているコンデンサは、通常、板状誘電体や誘電体ブロックの対向する２つの面にそれぞれ端子電極が設けられた構造を有しており、回路基板上にこれを実装することによって使用される。回路基板への実装は、回路基板に設けられた配線パターンとコンデンサに設けられた端子電極とを半田等によって接続することによって行われる。このような実装が行われると、回路基板に設けられた配線パターンとコンデンサに設けられた端子電極とが電気的に接続されるとともに、コンデンサ全体が回路基板に対して機械的に保持されることになる。
【０００３】
コンデンサに用いられる誘電体としては例えばセラミックス材料が用いられ、この場合、まず原料となるセラミックス粉末をプレス等により任意の形状・サイズに成型し、高温で焼成することによって板状誘電体や誘電体ブロックを作製した後、板状誘電体や誘電体ブロックの対向する２つの面に端子電極を形成することによって完成する。
【特許文献１】特開平５−５２７２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した一般的なコンデンサを小型化しようとすると、誘電体ブロック等の作製や端子電極の形成等の加工が困難となり、このため１００μｍを下回るようなサイズのコンデンサを作製することは困難である。また、作製した場合にも、サイズの小ささゆえに回路基板への実装が困難であり、さらに、加工精度の問題から特性にばらつきが出やすいという問題も生じてしまう。
【０００５】
したがって、本発明は、従来の一般的なコンデンサとは全く異なる、非常に小型で且つ特性のばらつきが少ないマイクロコンデンサ及びその製造方法並びにこのようなマイクロコンデンサを備える回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によるマイクロコンデンサは、回路基板上に載置された誘電体粒子と、前記誘電体粒子の対向する両側面にそれぞれ形成され、前記誘電体粒子を機械的に保持する電極とを備えることを特徴とする。本発明によるマイクロコンデンサは、従来の一般的なコンデンサのように誘電体ブロックと電極とがそれ単独で一体化された構造ではなく、電極によって誘電体粒子が回路基板に対し機械的に保持された構造を有していることから、誘電体粒子として非常に小さいサイズ、特に、０．１μｍ以上、１０μｍ以下のものを用いることが可能となる。これにより、従来のコンデンサとに比べ、全体のサイズを著しく小さくすることが可能となる。
【０００７】
また、前記誘電体粒子の前記側面は前記回路基板に対して実質的に垂直であることが好ましい。これによれば、電極間の短絡が生じにくくなるとともに、これら側面が実質的に平行となることから、容量値のばらつきを小さくすることが可能となる。また、前記誘電体粒子は単結晶粒子であることが特に好ましい。誘電体粒子として単結晶粒子を用いれば、粒界の影響を受けることなく、本来の組成が持つ誘電特性を正確に得ることも可能となる。また、その単結晶粒子が平面を持っている場合には、回路基板上に載置した場合に姿勢を安定させることが可能となるだけでなく、その側面を回路基板に対して容易に垂直とすることが可能となる。
【０００８】
本発明によるマイクロコンデンサの製造方法は、回路基板上に誘電体粒子を載置するステップと、原料ガスを供給しながら集束イオンビームを照射することによって前記誘電体粒子の対向する両側面にそれぞれ電極を形成するステップとを備えることを特徴とする。本発明によれば、０．１μｍ以上、１０μｍ以下といった非常に小さな誘電体粒子を用いてマイクロコンデンサを作製することが可能となる。この場合、前記電極を形成する前に、集束イオンビームを照射することによって、前記回路基板上に載置された前記誘電体粒子の前記側面を削るステップをさらに備えることが好ましい。誘電体粒子の側面を集束イオンビームによって削れば、誘電体粒子の側面が平坦となり、電極間の短絡が生じにくくなるからである。側面を削ることによって側面間の距離を調節すれば、より正確な容量値を得ることも可能となる。
【０００９】
本発明による回路基板は、複数の配線パターンが形成された回路基板であって、上述したマイクロコンデンサを備えていることを特徴とする。ここで、前記複数の配線パターンは、前記誘電体粒子の前記側面にそれぞれ形成された前記電極のうち、一方の電極に接続された第１の配線パターンと、他方の電極に接続された第２の配線パターンを含んでいることが好ましい。さらに、前記回路基板は複数の樹脂層が積層された構造を有しており、前記マイクロコンデンサが回路基板の内部に埋め込まれていることもまた好ましい。回路基板の内部に埋め込まれたコンデンサは、上述の通り、超小型のマイクロコンデンサであることから、通常のコンデンサを埋め込んだ場合とは異なり、全体の厚みが増すことはほとんどなく、回路基板のさらなる薄型化を実現することが可能となる。また、マイクロコンデンサが超小型であることから、他の埋め込み部品や配線などの配置自由度も高くなる。
【発明の効果】
【００１０】
このように、本発明によるマイクロコンデンサは、従来の一般的なコンデンサとは全く異なり、電極によって誘電体粒子が回路基板に対して機械的に保持された構造を有していることから、従来のコンデンサとに比べて全体のサイズを著しく小さくすることが可能となる。特に、誘電体粒子として単結晶粒子を用いれば、特性のばらつきが少ない優れたマイクロコンデンサを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００１２】
図１は、本発明の好ましい実施形態によるマイクロコンデンサ１００の構成を示す略斜視図である。
【００１３】
図１に示すように、本実施形態によるマイクロコンデンサ１００は、回路基板１１０上に載置された誘電体粒子１０１と、誘電体粒子１０１の対向する両側面にそれぞれ形成された電極１０２，１０３によって構成される。電極１０２，１０３は、誘電体粒子１０１を両側から挟み込むことによってこれを機械的に保持しており、これによって回路基板１１０からの誘電体粒子１０１の脱落を防止している。また、回路基板１１０には配線パターン１１２，１１３が形成されており、配線パターン１１２（第１の配線パターン）は電極１０２と接し、配線パターン１１３（第２の配線パターン）は電極１０３と接している。これにより、マイクロコンデンサ１００は、配線パターン１１２，１１３間に接続された容量素子として機能する。
【００１４】
誘電体粒子１０１は、通常のコンデンサに用いられる誘電体ブロックではなく、単一の粒子である。そのサイズとしては、特に限定されるものではないが０．１μｍ以上、１０μｍ以下とすることが好ましい。これは、０．１μｍ未満であると誘電体粒子１０１のハンドリングが困難となるからであり、１０μｍ超であると電極１０２，１０３による誘電体粒子１０１の機械的保持が不十分となるおそれがあるからである。このように、マイクロコンデンサ１００に用いられる誘電体粒子１０１のサイズは、従来の一般的なコンデンサに用いられる誘電体ブロックのサイズと比べると著しく小さいことが分かる。
【００１５】
誘電体粒子１０１の材料としては、誘電体材料であれば特に限定されず、常誘電体、強誘電体、圧電体等を用いることができるが、チタン酸−バリウム−ネオジウム系セラミックス、チタン酸−バリウム−錫系セラミックス、鉛−カルシウム系セラミックス、二酸化チタンセラミックス、チタン酸バリウム系セラミックス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミックス、チタン酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネシウム系セラミックス、アルミナ系セラミックス、酸化マグネシウム系セラミックス、酸化チタン系セラミックス、ビスマス系セラミックス、ＣａＷＯ４系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ３系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ３系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系セラミックス等のセラミックス材料を用いることが好ましい。
【００１６】
誘電体粒子１０１は単結晶粒子であることが特に好ましい。これは、誘電体粒子１０１として単結晶粒子を用いれば、表面の平坦性が非常に高くなることから回路基板１１０上に載置した場合に姿勢が安定するからである。また単結晶粒子を用いれば、電極１０２，１０３が形成される側面を回路基板１１０に対して容易に垂直とすることができるので、電極１０２と電極１０３との短絡が生じにくくなるとともに、これら側面が実質的に平行となることから、容量値のばらつきが小さくなるという利点もある。
【００１７】
さらに、誘電体粒子１０１として単結晶粒子を用いれば、粒界の影響を受けることなく、本来の組成が持つ誘電特性を正確に得ることが可能となる。また、特定の軸方向における誘電率が高いという特性を有する材料を用いれば、電極１０２，１０３が形成される方向を上記特定の軸方向に設定することよって、高い誘電率を得ることも可能となる。
【００１８】
一方、電極１０２，１０３は、後述するように原料ガスを供給しながら集束イオンビーム（ＦＩＢ）を照射することによって作製される電極であり、その材料としては高い導電性を有する材料であれば特に限定されず、カーボン（Ｃ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等を用いることができる。例えば、原料ガスとしてピレンを用いれば、分解によって生成されたカーボン（Ｃ）が材料となり、電極が形成される。また、原料ガスとしてヘキサカルボニルタングステンを用いれば、分解によって生成されたタングステン（Ｗ）によって電極が形成される。
【００１９】
次に、マイクロコンデンサ１００の製造方法について説明する。
【００２０】
まず、所定サイズの誘電体粒子１０１を用意し、図２に示すようにこれを回路基板１１０の載置エリア１１１に載置する。載置エリア１１１は、配線パターン１１２と配線パターン１１３が対向する部分、つまり、これら配線パターン１１２，１１３の終端部に対応する部分である。
【００２１】
上述の通り、誘電体粒子１０１のサイズは非常に小さいことから、載置エリア１１１への載置は次の方法により行うことが好ましい。まず、図３に示すように、誘電体粒子１０１にプローブ１２０を接触させた状態でピレン等の原料ガスをノズル１２１から供給しながら集束イオンビーム１２２を照射する。これにより、原料ガスが分解されて堆積物１２３が生成され、この堆積物１２３によって誘電体粒子１０１がプローブ１２０に固定される。これによって誘電体粒子１０１のハンドリングが可能となるので、プローブ１２０を介して誘電体粒子１０１を回路基板１１０の載置エリア１１１まで移動させる。そして、図４に示すように、原料ガスを供給することなく集束イオンビーム１２２を堆積物１２３に照射し、これを除去すれば、誘電体粒子１０１とプローブ１２０とが分離する。これにより、誘電体粒子１０１の載置が完了する。このような方法を用いれば、０．１μｍ以上、１０μｍ以下といった非常にサイズの小さい誘電体粒子１０１を簡単且つ正確にハンドリングすることが可能となる。尚、誘電体粒子１０１とプローブ１２０の分離は、堆積物１２３を除去するのではなく、プローブ１２０の先端部分を集束イオンビームで切断することにより行っても構わない。
【００２２】
また、誘電体粒子１０１として単結晶粒子を用いる場合には、図５に示すように、ヒータ１３１が設けられた炉１３０に原料粒子１０９を導入し、ここを通過させればよい。炉１３０に導入された原料粒子１０９はヒータ１３１によって加熱・溶融し、その後、冷却されることから単結晶化する。
【００２３】
誘電体粒子１０１の底面及び電極１０２，１０３が形成される側面については、平坦であることが好ましい。これは、誘電体粒子１０１の底面が平坦であれば回路基板１１０上に載置した場合に姿勢が安定するからであり、また、電極１０２，１０３が形成される側面が平坦であれば、電極１０２，１０３間の短絡が生じにくくなるとともに、容量値のばらつきが小さくなるからである。このような要請は、誘電体粒子１０１として単結晶粒子を用いることによって容易に満たされるが、誘電体粒子１０１が平坦な面を持たない粒子である場合には、集束イオンビームの照射により誘電体粒子１０１の表面を削ることによって平坦化すればよい。例えば、図６に示すように、誘電体粒子１０１を載置エリア１１１に載置した後、原料ガスを供給することなく集束イオンビーム１２２を照射することによって、電極１０２，１０３が形成される側面１０１ａを削れば、側面１０１ａを平坦化することが可能となる。また、側面１０１ａを削ることによって側面間の距離を調節すれば、より正確な容量値を得ることも可能となる。
【００２４】
このようにして誘電体粒子１０１を回路基板１１０の載置エリア１１１に載置した後、図７に示すように、ピレンやヘキサカルボニルタングステン等の原料ガスをノズル１２１から供給しながら、誘電体粒子１０１の側面１０１ａの近傍に集束イオンビーム１２２を照射する。これによって発生した二次電子により原料ガスが分解し、配線パターン１１２（１１３）に接触した電極１０２（１０３）が誘電体粒子１０１の側面１０１ａに堆積する。このような電極形成を誘電体粒子１０１の両側面に対して行えば、図１に示したマイクロコンデンサ１００が完成する。この場合、電極１０２及び電極１０３の一方を形成するまで誘電体粒子１０１をプローブ１２０によって固定しておき、電極１０２及び電極１０３の一方を形成した後、これらを分離（図４参照）することが好ましい。これによれば、誘電体粒子１０１が載置エリア１１１から動いてしまうおそれがなくなる。
【００２５】
このように、本実施形態では載置エリア１１１に載置するのは「コンデンサ」ではなくあくまで誘電体粒子１０１であり、載置された誘電体粒子１０１に電極１０２，１０３を付加することによってコンデンサを構成している。このため従来のコンデンサと比べ、そのサイズを著しく小さくすることができるので、マイクロマシンなどの微細な装置用の超小型コンデンサとして利用することが可能となる。
【００２６】
また、本実施形態によるマイクロコンデンサ１００は、多層構造を有する回路基板内に内蔵することも可能である。
【００２７】
図８はマイクロコンデンサ１００を内蔵した多層構造を有する回路基板２００の構造を示す略断面図である。
【００２８】
図８に示す回路基板２００は、樹脂層２０１〜２０５と、回路基板の表面及び内部に設けられた配線パターン２１０と、樹脂層２０１〜２０５を貫通して設けられたスルーホール電極２１１と、内部に埋め込まれたマイクロコンデンサ１００とを備えている。マイクロコンデンサ１００の構造は図１に示した通りであり、樹脂層２０３と樹脂層２０４との間に挟み込まれるように設けられている。尚、本例では、回路基板２００内にマイクロコンデンサ１００を１個のみ内蔵しているが、当然ながら、２個以上のマイクロコンデンサ１００を内蔵させることも可能である。
【００２９】
次に、回路基板２００の製造方法について説明する。
【００３０】
まず、図９に示すように、樹脂層２０３及びその両面に設けられた金属箔２１０ａからなる両面金属箔張樹脂基板を用意する。樹脂層２０３の材料としては、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂等の樹脂又はこのような樹脂にセラミックス等の機能性材料粉末（磁性体粉末又は誘電体粉末）を混合した複合材料を用いることが好ましい。また、金属箔２１０ａは最終的に配線パターン２１０となる要素であり、その材料としては銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）又はアルミニウム（Ａｌ）を用いることが好ましく、中でも銅（Ｃｕ）を用いることが最も好ましい。
【００３１】
次に、図１０に示すように、金属箔２１０ａをパターニングすることにより、所定の形状を有する配線パターン２１０を形成する。このとき、配線パターン２１０には、図１に示す配線パターン１１２，１１３に相当するものが含まれており、したがって、これら配線パターン１１２，１１３が対向する部分、つまり、これら配線パターン１１２，１１３の終端部に対応する部分は「載置エリア１１１」となる。
【００３２】
次に、図１１に示すように載置エリア１１１に誘電体粒子１０１を載置し、次いで、図１２に示すように電極１０２，１０３を形成する。電極１０２，１０３の形成方法は上述したとおりであり、原料ガスを供給しながら集束イオンビームを照射することによって作製することができる。これにより、配線パターン１１２，１１３との間には、マイクロコンデンサ１００が接続された状態となる。
【００３３】
一方、図９及び図１０に示した方法によって配線パターン２１０を有する樹脂層２０１，２０５を別途作製する。そして、図１３に示すように、樹脂層２０１と樹脂層２０３の間及び樹脂層２０３と樹脂層２０５の間にプリプレグ２０２ａ及び２０４ａをそれぞれ積層する。プリプレグとは、炭素繊維、ガラス繊維、アラミド繊維等の繊維にエポキシ樹脂等の未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートであり、プレスしながら熱を加えることによってプリプレグ２０２ａ及び２０４ａに含まれる熱硬化性樹脂を硬化させ、これによって図１４に示すように樹脂層２０２，２０４を形成する。
【００３４】
そして、図１５に示すようにドリル等を用いて樹脂層２０１〜２０５を貫通するスルーホール２１１ａを形成し、メッキ法によってスルーホール２１１ａの内部にスルーホール電極２１１を形成すれば、図８に示した回路基板２００が完成する。
【００３５】
このようにして作製された回路基板２００は、その内部に埋め込まれたコンデンサが超小型のマイクロコンデンサ１００であることから、通常のコンデンサを埋め込んだ場合とは異なり、全体の厚みがほとんど増すことがない。このため、多層化が非常に容易となる。
【００３６】
本発明は、以上説明した実施の形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【実施例】
【００３７】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこの実施例に何ら限定されるものではない。
【００３８】
［誘電体粒子の作製］
【００３９】
まず、酸化バリウムの粉体および酸化チタンの粉体をモル比で１：１になるように混合し、水を溶媒とするボールミルにて１２時間混合し、スラリーを準備した。スラリーには分散剤（東亞合成株式会社製Ａ−３０ＳＬ）を粉末の総重量に対して１％の割合にて添加した。このスラリーを噴霧乾燥機（藤崎電機株式会社製ＭＤＬ−０５０）にて乾燥することによって顆粒化を行い、粒径が２００μｍ以下である複合酸化物顆粒を得た。
【００４０】
次に、この複合酸化物顆粒をさや詰めし、１２５０℃の温度にて焼成を行って反応・焼結させた。その後、再度ボールミルにて４８時間粉砕し、平均粒径が０．３μｍの微粉末で構成されるスラリーを作製した。スラリーの溶媒としては水を用い、上述した分散剤を粉末の総重量に対して１％の割合にて添加した。また、１０ｗｔ％濃度に希釈されたＰＶＡ（ポリビニルアルコール）溶液を粉体の総重量に対して２ｗｔ％濃度で添加し、さらにスラリー中の粉末濃度が重量比で２５ｗｔ％になるように最終的調整を行った。
【００４１】
このスラリーを上記の噴霧乾燥機にて乾燥することによって顆粒化を行った。条件としては、４流体方式のノズルの送液量を４０ｃｍ３／ｍｉｎとし、ノズルエアー量を１６０ＮＬ／ｍｉｎ、給気温度を１９０℃とした。その結果、平均粒径が２．１μｍである原料粒子が得られた。
【００４２】
このようにして得られた原料粒子を、窒素をキャリアガスとして１６３０℃に加熱されたセラミックス管中に供給した。原料粒子の滞留時間は、キャリアガス流量を調節することによって１〜１０秒程度とした。これにより、原料粒子は、単結晶のチタン酸バリウム粒子（誘電体粒子）となった。
【００４３】
得られた誘電体粒子について、蛍光Ｘ線分析装置を用いて組成を調べたところ、バリウム（Ｂａ）成分とチタン（Ｔｉ）成分の比（Ｂａ／Ｔｉ）がモル比で１．００３であった。これにより、得られた誘電体粒子はペロブスカイト型のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）単結晶であることが確認された。また、この誘電体粒子をＳＥＭで観察したところ、図１６に示すように、一辺１μｍ程度で極めて立方体に近い微粒子であることが確認できた。さらに、ＴＥＭ写真による電子線回折でこの誘電体粒子の結晶構造を調べたところ、図１７に示すように、単結晶特有の規則性のある構造が確認できた。
【００４４】
［電極の形成］
【００４５】
上記の方法によって得られた誘電体粒子を、配線パターンが形成された回路基板の載置エリアへと移動させた。誘電体粒子の移動は、図３及び図４を用いて説明したように、集束イオンビームを利用して行った。
【００４６】
次に、原料ガスとしてピレンを供給しながら誘電体粒子の側面近傍に集束イオンビームを照射し、これによって誘電体粒子の両側面にカーボン電極を形成した。これにより、２つの配線パターン間に接続されたマイクロコンデンサが完成した。完成したマイクロコンデンサをＳＥＭで観察したところ、図１８に示す構造を有していた。
【００４７】
また、このマイクロコンデンサの誘電特性を測定したところ、コンデンサとして十分な機能を有していることが確認された。
【００４８】
さらに、上記マイクロコンデンサが形成された回路基板をプリプレグによって挟み込み、２００℃、３０ｋｇ／ｃｍ２で２時間熱プレスしたところ、誘電体粒子は脱落することなく、載置エリアに正しく保持されていた。これにより、誘電体粒子が電極によって機械的に確実に保持されていることが確認された。さらに、このマイクロコンデンサの周囲に気泡などは混入しておらず、欠陥のない状態で積層されていることも確認された。これは、マイクロコンデンサのサイズが非常に小さいため、通常のサイズの電子部品を内蔵させる工程において起きやすい気泡の抱き込みを防ぐことができるためであると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の好ましい実施形態によるマイクロコンデンサ１００の構成を示す略斜視図である。
【図２】誘電体粒子１０１の載置エリア１１１を示す図である。
【図３】誘電体粒子１０１をプローブ１２０に固定する方法を説明するための図である。
【図４】誘電体粒子１０１をプローブ１２０から切り離す方法を説明するための図である。
【図５】原料粒子１０９を単結晶化するための炉１３０を示す模式図である。
【図６】誘電体粒子１０１の側面１０１ａを削る方法を説明するための図である。
【図７】電極１０２を形成する方法を説明するための図である。
【図８】マイクロコンデンサ１００を内蔵した回路基板２００の構造を示す略断面図である。
【図９】回路基板２００の製造工程の一部（両面金属箔張樹脂基板の準備）を示す図である。
【図１０】回路基板２００の製造工程の一部（金属箔２１０ａのパターニング）を示す図である。
【図１１】回路基板２００の製造工程の一部（誘電体粒子１０１の載置）を示す図である。
【図１２】回路基板２００の製造工程の一部（電極１０２，１０３の形成）を示す図である。
【図１３】回路基板２００の製造工程の一部（プリプレグ２０２ａ，２０４ａの積層）を示す図である。
【図１４】回路基板２００の製造工程の一部（プリプレグ２０２ａ，２０４ａの硬化）を示す図である。
【図１５】回路基板２００の製造工程の一部（スルーホール２１１ａの形成）を示す図である。
【図１６】誘電体粒子の外観を示す図面代用写真である。
【図１７】誘電体粒子の結晶構造を示す図面代用写真である。
【図１８】マイクロコンデンサの外観を示す図面代用写真である。
【符号の説明】
【００５０】
１００    マイクロコンデンサ
１０１    誘電体粒子
１０１ａ  誘電体粒子の側面
１０２，１０３  電極
１０９    原料粒子
１１０    回路基板
１１１    載置エリア
１１２，１１３  配線パターン
１２０    プローブ
１２１    ノズル
１２２    集束イオンビーム
１２３    堆積物
１３０    炉
１３１    ヒータ
２００    回路基板
２０１〜２０５  樹脂層
２０２ａ，２０４ａ  プリプレグ
２１０    配線パターン
２１０ａ  金属箔
２１１    スルーホール電極
２１１ａ  スルーホール
【図１】
2005175087.tif 000003
【図２】
2005175087.tif 000004
【図３】
2005175087.tif 000005
【図４】
2005175087.tif 000006
【図５】
2005175087.tif 000007
【図６】
2005175087.tif 000008
【図７】
2005175087.tif 000009
【図８】
2005175087.tif 000010
【図９】
2005175087.tif 000011
【図１０】
2005175087.tif 000012
【図１１】
2005175087.tif 000013
【図１２】
2005175087.tif 000014
【図１３】
2005175087.tif 000015
【図１４】
2005175087.tif 000016
【図１５】
2005175087.tif 000017
【図１６】
2005175087.tif 000018
【図１７】
2005175087.tif 000019
【図１８】
2005175087.tif 000020