(57)【要約】【課題】設計ルールが９０ｎｍ以降の世代において、ボーダーレス配線構造とボーダード配線構造とが混在している配線構造におけるボーダード配線構造の埋め込み不良を解消するとともに、エレクトロマイグレーション耐性を高める。【解決手段】第１配線層の複数の第１配線１３と、第１配線層より上層に形成される第２配線層の複数の第２配線１８と、第１配線層のいずれかの第１配線１３と第２配線層のいずれかの第２配線１８とを接続するコンタクト１７とを複数備えた半導体装置であって、第２配線層の第２配線１８は溝配線構造を成し、全てのコンタクト１７は第２配線１８に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトからなるものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１配線層の複数の第１配線と、
前記第１配線層より上層に形成される第２配線層の複数の第２配線と、
前記第１配線層のいずれかの第１配線と前記第２配線層のいずれかの第２配線とを接続するコンタクトとを複数備えた半導体装置であって、
前記第２配線層の第２配線は溝配線構造を成し、
前記全てのコンタクトは前記第２配線に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトからなる
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記コンタクトは前記第１配線に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトからなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
基体上に複数の第１配線を形成する工程と、
前記基体上に前記複数の第１配線を被覆する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に複数の第２配線を形成するための複数の配線溝を形成するとともに、前記複数の配線溝のいずれかの配線溝の底部より前記複数の第１配線のいずれかに接続される接続孔を複数形成する工程と、
前記各配線溝および各接続孔に配線材料を埋め込んで前記各配線溝に第２配線を形成するとともに前記各接続孔にコンタクトを形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法であって、
前記全てのコンタクトを前記第２配線に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記全てのコンタクトを前記第１配線に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成する
ことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第１配線と、
前記第１配線とは異なる配線層の第２配線と、
前記第１配線と前記第２配線とを接続する複数のコンタクトとを備えた半導体装置であって、
前記第２配線には、前記第２配線の側部に前記複数のコンタクトが接続される複数の延長部が設けられ、
前記複数のコンタクトは前記第２配線に形成された複数の延長部に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトからなる
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記第２配線は溝配線構造からなり、
前記コンタクトは前記第２配線が形成される配線溝底部より下層に形成される接続孔内に配線材料を埋め込んで形成されている
ことを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１配線には、前記第１配線の側部に前記複数のコンタクトが接続される複数の延長部が設けられ、
前記複数のコンタクトは前記第１配線に形成された複数の延長部に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトからなる
ことを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項８】
基体上に第１配線を形成する工程と、
前記基体上に前記第１配線を被覆する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に第２配線を形成するための配線溝を形成するとともに、前記配線溝の底部より前記第１配線に接続される接続孔を複数形成する工程と、
前記配線溝および各接続孔に配線材料を埋め込んで前記配線溝に第２配線を形成するとともに前記各接続孔にコンタクトを形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法であって、
前記配線溝を形成するとともに前記配線溝の側部に連通するもので前記コンタクトに対応する複数の延長溝を形成し、
前記各コンタクトを前記配線溝の延長部に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１配線を形成する際に、前記第１配線の側部に前記複数のコンタクトがそれぞれに接続される延長部を形成し、
前記複数のコンタクトを前記第１配線に形成された各延長部に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成する
ことを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
第１配線と、
前記第１配線とは異なる配線層の第２配線と、
前記第１配線と前記第２配線とを接続する複数のコンタクトとを備えた半導体装置であって、
前記複数のコンタクトは少なくとも前記第２配線の側面で接続されるもので前記第２配線に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトからなる
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
前記複数のコンタクトは少なくとも前記第１配線の側面で接続されるもので前記第１配線に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトからなる
ことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
基体上に第１配線を形成する工程と、
前記基体上に前記第１配線を被覆する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に第２配線を形成するための配線溝を形成するとともに、前記配線溝より前記第１配線に接続される接続孔を複数形成する工程と、
前記配線溝および各接続孔に配線材料を埋め込んで前記配線溝に第２配線を形成するとともに前記各接続孔にコンタクトを形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法であって、
前記各接続孔を少なくとも前記配線溝の側部に接続するとともに合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記各接続孔を少なくとも前記第１配線の側面に接続されるもので前記第１配線に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成する
ことを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、詳しくは配線層間のコンタクトを含む半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常の配線構造では、コンタクトとの合わせ余裕を設け無い配線構造（以下、ボーダーレス配線構造という）と、コンタクトとの合わせ余裕を設けた配線構造（以下、ボーダード配線構造という）とが混在して用いられている。その理由としては、ボーダーレス配線構造ではチップ面積の低減に非常に有効である反面、電源線などの比較的大きな電流を流すことを意図した配線構造では、ビア径よりも太い配線を使用する必要があるためである。このような構造においては配線中に複数のビアを接合するといった構造を持っていることが一般的である。
【０００３】
ボーダーレス配線構造をとる場合に発生するコンタクトマージン等の問題点を解決する技術が開示されている。例えば、電極（配線）上にエッチングストッパ層を形成し、コンタクトホールを形成するエッチングでは、エッチングストッパ層上までエッチングすることで、たとえ電極（配線）から外れた部分にコンタクトホールの一部が開口されてもエッチングストッパ層をエッチングしたことにより発生するエッチング反応生成物がホール内底面に堆積されて耐エッチング膜となり、エッチングの進行を停止させる。そして、ホール底部のエッチングストッパ層およびエッチング反応生成物を選択的に除去することによりボーダーレスコンタクトを形成する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−３０３２９９号公報（第４−５頁、図１−２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、近年ＬＳＩの微細化が進み、例えば設計ルールが９０ｎｍ世代において、ボーダーレス配線構造とボーダード配線構造とが混在している場合では、ボーダード配線構造に埋め込み不良が発生し易いといった問題点が現れてきた。その具体的な例を図７によって説明する。図７に示すように、ボーダードコンタクトの形成領域における絶縁膜３１１に形成した配線溝３１２の底部にボーダードコンタクトホール３１３が形成され、ボーダーレスコンタクトの形成領域における絶縁膜３１１に形成した配線溝３２２の底部にはボーダーレスコンタクトホール３２３が形成されていて、それらの配線溝３１２、３２２およびボーダードコンタクトホール３１３、ボーダーレスコンタクトホール３２３に配線材料３３１を埋め込んだ場合、ボーダードコンタクトホール３１３内にボイド３３２が発生した。このように、配線もしくはコンタクト部にボイドが発生した場合には、当然、配線信頼性の著しい低下が推測されるため、大きな問題となる。
【０００６】
次に、ボーダードコンタクト構造において埋め込み不良が発生しやすいという現象の原因モデルの一考察例を、図８によって説明する。
【０００７】
通常の設計ルールが９０ｎｍ世代にて使われている、スパッタリング法を用いて電極（配線）形成する。その際、図８の（１）に示すように、絶縁膜４１１にはテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を用いたノンドープトガラス（ＮＳＧ）膜を用い、通常のリソグラフィー技術およびエッチング技術（例えば、デュアルダマシン技術）により、配線溝４１２およびボーダードコンタクトホール４１３を形成した。また、図８の（２）に示すように、絶縁膜４２１には低誘電率膜（例えば低誘電率有機膜もしくは低誘電率無機膜）を用い、通常のリソグラフィー技術およびエッチング技術（例えば、デュアルダマシン技術）により、配線溝４２２およびボーダードコンタクトホール４２３を形成した。その後、スパッタリング法によって、バリアメタル層４３１として、窒化タンタル、タンタル膜を成膜し、銅めっきのシード層４３２として銅膜を成膜した。その結果、図８（１）に示すように、ボーダードコンタクトホール４１３の開口部にバリアメタル層４３１およびシード層４３２がややオーバーハング状態に形成されるが、図８（２）に示すように、ボーダードコンタクトホール４２３では、その開口部がテーパ形状に形成されるため、テーパ部のスパッタリング率が高くなり、テーパー部に成膜されたものがスパッタリングされ、対向するビアの間口近傍に付着する。そのことにより開口部ではバリアメタル層４３１およびシード層４３２のオーバーハング状態が助長され、低誘電率膜に形成したボーダードコンタクトホール４２３の開口径ｄ２は、ＮＳＧ膜に形成したボーダードコンタクトホール４１３の開口径ｄ１と比較して非常に狭まる結果となった。この結果、図８の（３）に示すように、めっき工程によりボーダードコンタクトホール４１３内に埋め込まれた配線材料４３３にはボイドが発生しなかったが、図８の（４）に示すように、めっき工程によりボーダードコンタクトホール４２３内に埋め込まれた配線材料４３３にはボイド４３４が発生した。このように、配線の微細化とともに採用が不可避な低誘電率膜を絶縁膜に使用した場合には、埋め込みマージンの確保が困難となることがわかった。
【０００８】
さらに、図示はしないが、電源線などの比較的大きな電流を流すことを意図した配線構造では、接続孔径よりも数倍も太い配線を使用する必要があるため、配線に接続する複数の接続孔が形成され、各接続孔内にコンタクトが形成される。しかしながら、大電流が配線に流れた場合、複数のコンタクトのうち、例えば最短となる電流経路のコンタクトに過剰な電流が流れることになり、発熱等によってそのコンタクトが破壊されると、次々と別の最短となる電流経路のコンタクトが破壊され、最悪の場合には上層と下層との配線間のコンタクト全てが破壊されて断線が発生し、配線の信頼性を大きく損ねることになっていた。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１半導体装置は、第１配線層の複数の第１配線と、前記第１配線層より上層に形成される第２配線層の複数の第２配線と、前記第１配線層のいずれかの第１配線と前記第２配線層のいずれかの第２配線とを接続するコンタクトとを複数備えた半導体装置であって、前記第２配線層の第２配線は溝配線構造を成し、前記全てのコンタクトは前記第２配線に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトからなることを最も主要な特徴とする。
【００１０】
上記第１半導体装置では、第２配線層の第２配線は溝配線構造を成し、全てのコンタクトは第２配線に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトからなることから、配線およびコンタクトが形成される配線溝および接続孔にバリアメタル層やめっきのシード層が形成されても、ボーダーレスコンタクトではボーダードコンタクトと異なり、接続孔開口部において全方向オーバーハングに囲まれることがない。すなわち、図９（１）の平面図、（２）における（１）図のＡ−Ａ線断面図、（３）における（１）図のＢ−Ｂ線断面図に示すように、ボーダーレスコンタクト５１１では間口が狭まる位置（高さ）はＨ１とＨ２とに分散されるが、図９（４）の平面図、（５）における（４）図のＣ−Ｃ線断面図、（６）における（４）図のＤ−Ｄ線断面図に示すように、ボーダードコンタクト５２１ではすべてＨ２の位置（高さ）となる。また、フィールド部分５３１のスパッタ率はテーパ部ほど高くないので、オーバーハングの大きさも小さい（テーパ角４５度でスパッタ率が最も高くなる）。これらにより、実効的な開口が異なり、埋め込み性に差が出ると考えられる。
そのため、配線溝および接続孔に配線材料を埋め込んで配線溝に第２配線を形成するとともに接続孔にコンタクトを形成しても、ボーダードコンタクトと比較してボイドを発生することがない。したがって、信頼性の高い配線構造が提供される。
【００１１】
本発明の半導体装置の第１製造方法は、基体上に複数の第１配線を形成する工程と、前記基体上に前記複数の第１配線を被覆する絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に複数の第２配線を形成するための複数の配線溝を形成するとともに、前記複数の配線溝のいずれかの配線溝の底部より前記複数の第１配線のいずれかに接続される接続孔を複数形成する工程と、前記各配線溝および各接続孔に配線材料を埋め込んで前記各配線溝に第２配線を形成するとともに前記各接続孔にコンタクトを形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法であって、前記全てのコンタクトを前記第２配線に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成することを最も主要な特徴とする。
【００１２】
上記半導体装置の第１製造方法では、第２配線を溝配線構造で形成し、全てのコンタクトを第２配線に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成することから、配線およびコンタクトが形成される配線溝および接続孔にバリアメタル層やめっきのシード層を形成しても、接続孔開口部が配線材料の埋め込みを阻害するようなボーダーレスコンタクトではボーダードコンタクトと異なり、接続孔開口部において全方向オーバーハングに囲まれることがない。このため、配線溝および接続孔に配線材料を埋め込んで配線溝に第２配線を形成するとともに接続孔にコンタクトを形成しても、配線材料の埋め込みが阻害されないので、ボーダードコンタクトと比較して接続孔内にボイドを発生することがない。したがって、信頼性の高い配線構造の半導体装置を製造することができる。
【００１３】
本発明の第２半導体装置は、第１配線と、前記第１配線とは異なる配線層の第２配線と、前記第１配線と前記第２配線とを接続する複数のコンタクトとを備えた半導体装置であって、前記第２配線には、前記第２配線の側部に前記複数のコンタクトが接続される複数の延長部が設けられ、前記複数のコンタクトは前記第２配線に形成された複数の延長部に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトからなることを最も主要な特徴とする。
【００１４】
上記第２半導体装置では、第２配線には、第２配線の側部に複数のコンタクトが接続される複数の延長部が設けられ、複数のコンタクトは第２配線に形成された複数の延長部に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトからなることから、第２配線に大電流を流しても、電流は第２配線全体を流れ、一つのコンタクトに集中することなく各コンタクトに分散して第１配線へ流れる。このため、各コンタクトに過大な電流が流れることがないので、コンタクトの破壊が無くなり、信頼性の高い配線構造となる。また、電流が各コンタクトに分散することにより、エレクトロマイグレーション耐性も高められる。さらに、第２配線および各延長部が溝配線構造で形成されたものでは、配線およびコンタクトが形成される配線溝および接続孔にバリアメタル層やめっきのシード層が形成されても、接続孔開口部に配線材料の埋め込みを阻害するようなオーバーハング形状となることが無いので、配線溝および接続孔に配線材料を埋め込んで配線溝に第２配線を形成するとともに接続孔にコンタクトを形成しても、ボイドを発生することがない。したがって、信頼性の高い配線構造が提供される。
【００１５】
本発明の半導体装置の第２製造方法は、基体上に第１配線を形成する工程と、前記基体上に前記第１配線を被覆する絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に第２配線を形成するための配線溝を形成するとともに、前記配線溝の底部より前記第１配線に接続される接続孔を複数形成する工程と、前記配線溝および各接続孔に配線材料を埋め込んで前記配線溝に第２配線を形成するとともに前記各接続孔にコンタクトを形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法であって、前記配線溝を形成するとともに前記配線溝の側部に連通するもので前記コンタクトに対応する複数の延長溝を形成し、前記各コンタクトを前記延長溝に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成することを最も主要な特徴とする。
【００１６】
上記半導体装置の第２製造方法では、配線溝を形成するとともに配線溝の側部に連通するもので各コンタクトに対応する複数の延長溝を形成し、各コンタクトを延長溝に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成することから、第２配線に大電流を流しても、電流は第２配線全体を流れ、一つのコンタクトに集中することなく各コンタクトに分散して第１配線へ流れる配線構造となる。このため、各コンタクトに過大な電流が流れることがないので、コンタクトの破壊が無くなり、信頼性の高い配線構造が得られる。また、電流が各コンタクトに分散することにより、エレクトロマイグレーション耐性の高い配線構造が得られる。さらに、第２配線および各延長部を溝配線構造で形成することから、配線およびコンタクトが形成される配線溝および接続孔にバリアメタル層やめっきのシード層を形成しても、接続孔開口部が配線材料の埋め込みを阻害するようなオーバーハング形状となることが無いので、配線溝および接続孔に配線材料を埋め込んで配線溝に第２配線を形成するとともに接続孔にコンタクトを形成しても、配線材料の埋め込み性が阻害されないので、接続孔内にボイドを発生することがない。したがって、この点からも信頼性の高い配線構造が製造される。
【００１７】
本発明の第３半導体装置は、第１配線と、前記第１配線とは異なる配線層の第２配線と、前記第１配線と前記第２配線とを接続する複数のコンタクトとを備えた半導体装置であって、前記複数のコンタクトは少なくとも前記第２配線の側面で接続されるもので前記第２配線に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトからなることを最も主要な特徴とする。
【００１８】
上記第３半導体装置では、複数のコンタクトは少なくとも第２配線の側面で接続されることから、第２配線に大電流を流しても、電流は第２配線全体を流れ、一つのコンタクトに集中することなく各コンタクトに分散して第１配線へ流れる。このため、各コンタクトに過大な電流が流れることがないので、コンタクトの破壊が無くなり、信頼性の高い配線構造となる。また、電流が各コンタクトに分散することにより、エレクトロマイグレーション耐性も高められる。さらに、各コンタクトは第２配線に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトとなることから、第２配線および各延長部が溝配線構造で形成されたものでは、配線およびコンタクトが形成される配線溝および接続孔にバリアメタル層やめっきのシード層が形成されても、接続孔開口部に配線材料の埋め込みを阻害するようなオーバーハング形状となることが無いので、配線溝および接続孔に配線材料を埋め込んで配線溝に第２配線を形成するとともに接続孔にコンタクトを形成しても、ボイドを発生することがない。したがって、信頼性の高い配線構造が提供される。
【００１９】
本発明の半導体装置の第３製造方法は、基体上に第１配線を形成する工程と、前記基体上に前記第１配線を被覆する絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に第２配線を形成するための配線溝を形成するとともに、前記配線溝より前記第１配線に接続される接続孔を複数形成する工程と、前記配線溝および各接続孔に配線材料を埋め込んで前記配線溝に第２配線を形成するとともに前記各接続孔にコンタクトを形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法であって、前記各接続孔を少なくとも前記配線溝の側部に接続するとともに合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成することを最も主要な特徴とする。
【００２０】
上記半導体装置の第３製造方法では、各接続孔を少なくとも配線溝の側部に接続するように形成するとともに合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成することから、第２配線に大電流を流しても、電流は第２配線全体を流れ、一つのコンタクトに集中することなく各コンタクトに分散して第１配線へ流れる配線構造となる。このため、各コンタクトに過大な電流が流れることがないので、コンタクトの破壊が無くなり、信頼性の高い配線構造が得られる。また、電流が各コンタクトに分散することにより、エレクトロマイグレーション耐性の高い配線構造が得られる。さらに、各接続孔を少なくとも配線溝の側部に接続するように形成することから、配線およびコンタクトが形成される配線溝および接続孔にバリアメタル層やめっきのシード層を形成しても、接続孔開口部が配線材料の埋め込みを阻害するようなオーバーハング形状となることが無いので、配線溝および接続孔に配線材料を埋め込んで配線溝に第２配線を形成するとともに接続孔にコンタクトを形成しても、配線材料の埋め込み性が阻害されないので、接続孔内にボイドを発生することがない。したがって、この点からも信頼性の高い配線構造が製造される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の第１半導体装置および第１製造方法によれば、溝配線構造の第２配線に対して、第２配線とその下層の第１配線とを接続する全てのコンタクトは合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成されるので、配線が形成される配線溝およびコンタクトが形成される接続孔にバリアメタル層やめっきのシード層が形成されても、接続孔の開口部で配線材料の埋め込みを阻害するようなオーバーハング形状となることが無いので、配線溝および接続孔に配線材料を埋め込んで配線溝に第２配線を形成するとともに接続孔にコンタクトを形成しても、ボイドの発生を防止することができる。したがって、信頼性の高い配線構造となる半導体装置を提供することができるという利点がある。
【００２２】
本発明の第２半導体装置および第２製造方法によれば、第２配線には、第２配線の側部に複数のコンタクトが接続される複数の延長部が設けられ、複数のコンタクトは第２配線に形成された複数の延長部に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトからなるので、第２配線に大電流を流しても、電流は第２配線全体を流れ、一つのコンタクトに集中することなく各コンタクトに分散して第１配線へ流れることができる。このため、各コンタクトに過大な電流が流れることがないので、コンタクトの破壊が無くなり、信頼性の高い配線構造とすることができる。また、電流が各コンタクトに分散することにより、エレクトロマイグレーション耐性を高めることができる。さらに、第２配線および各延長部が溝配線構造で形成されたものでは、配線が形成される配線溝およびコンタクトが形成される接続孔にバリアメタル層やめっきのシード層が形成されても、接続孔の開口部で配線材料の埋め込みを阻害するようなオーバーハング形状となることが無いので、配線溝および接続孔に配線材料を埋め込んで配線溝に第２配線を形成するとともに接続孔にコンタクトを形成しても、ボイドの発生を防止することができる。したがって、信頼性の高い配線構造となる半導体装置を提供することができるという利点がある。
【００２３】
本発明の第３半導体装置および第３製造方法によれば、複数のコンタクトは少なくとも第２配線の側面で接続されるので、第２配線に大電流を流しても、電流は第２配線全体を流れ、一つのコンタクトに集中することなく各コンタクトに分散して第１配線へ流れることができる。このため、各コンタクトに過大な電流が流れることがないので、コンタクトの破壊が無くなり、信頼性の高い配線構造とすることができる。また、電流が各コンタクトに分散することにより、エレクトロマイグレーション耐性を高めることができる。さらに、各コンタクトは第２配線に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトとなるので、第２配線が溝配線構造で形成されたものでは、配線が形成される配線溝およびコンタクトが形成される接続孔にバリアメタル層やめっきのシード層を形成しても、接続孔開口部が配線材料の埋め込みを阻害するようなオーバーハング形状となることが無い。この結果、配線溝および接続孔に配線材料を埋め込んで配線溝に第２配線を形成するとともに接続孔にコンタクトを形成しても、ボイドの発生を防止することができる。したがって、信頼性の高い配線構造を提供することができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
信頼性の高い配線構造を得るという目的を、配線層間を接続する複数のコンタクトの全てを合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成することにより実現した。
【００２５】
本発明の第１半導体装置に係る一実施の形態を、図１の概略構成断面図によって説明する。
【００２６】
図１に示すように、基板１１上に素子（図示せず）、配線等が形成され、その素子、配線等を被覆する第１絶縁膜１２が形成されている。この第１絶縁膜１２には、第１配線層の複数の第１配線１３が形成されている。この第１配線１３は、上記第１絶縁膜１２に例えば溝配線構造で形成されていて、第１配線１３の底面および側面にはバリアメタル層が形成されていてもよい。上記第１絶縁膜１２上には上記第１配線１３を被覆する第２絶縁膜１４が形成されている。この第２絶縁膜１４には、第２配線層となる複数の第２配線が形成される配線溝１５が形成されている。さらに、各配線溝１５の底部より上記第１配線１３に接続する接続孔１６が形成されている。上記各接続孔１６は上記配線溝１５に対して合わせ余裕を設けない状態で形成されている。各接続孔１６にはコンタクト１７が形成され、各配線溝１５には第２配線１８が形成されている。したがって、第１配線層のいずれかの第１配線１３と第２配線層のいずれかの第２配線１８とを接続するコンタクト１７が複数備えられ、その全てのコンタクト１７は第２配線１８に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトとなっている。
【００２７】
上記第２配線１８およびコンタクト１７は、例えば、配線溝１５および接続孔１６の各内面にバリアメタル層２１を介して銅もしくは銅合金からなる配線材料２３を埋め込むことにより形成されている。上記バリアメタル層２１には、一般に知られているバリアメタル材料を用いることができ、例えば窒化タンタルとタンタルとの積層膜を用いることができる。その成膜方法には例えばスパッタリングを用いることができる。さらに配線材料２３の埋め込みは、一般に知られているように、銅めっきのシード層（図示せず）を例えばスパッタリングにより形成した後、銅めっき法により行う。
【００２８】
上記配線構造においては、上記コンタクト１７は、前記第１配線１３に対しても合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成されていてもよい。
【００２９】
上記説明したように、本発明の実施の形態では、一つの配線層に対してボーダーレスコンタクト構造およびボーダードコンタクト構造を混在して持つのではなく、ボーダーレスコンタクト構造のみからなることを特徴としている。
【００３０】
上記第１実施の形態で説明した半導体装置では、第２配線層の第２配線１８は溝配線構造を成し、第２配線１７と第１配線１３とを接続する全てのコンタクト１７は第２配線１８に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクト構造からなることから、配線溝１５および接続孔１６にバリアメタル層２１やめっきのシード層（図示せず）が形成されても、接続孔１５開口部が配線材料２３の埋め込みを阻害するようなオーバーハング形状となることが無い。このため、配線溝１５および接続孔１６に配線材料を埋め込んで、配線溝１５に第２配線１８を形成するとともに接続孔１６にコンタクト１７を形成しても、ボイドを発生することがない。したがって、信頼性の高い配線構造が提供される。
【００３１】
次に、本発明の半導体装置の第１製造方法に係る一実施の形態を、図２の概略構成断面図によって説明する。
【００３２】
図２（１）に示すように、基板１１上に素子（図示せず）、配線等が形成され、その素子、配線等を被覆する第１絶縁膜１２が形成されている。このように基体１０が構成されている。通常に知られている溝配線の形成技術によって、上記第１絶縁膜１２に第１配線層の複数の第１配線１３を形成する。この第１配線１３の底面および側面にはバリアメタル層が形成されていてもよい。次いで、上記第１絶縁膜１２上に上記第１配線１３を被覆する第２絶縁膜１４を形成する。
【００３３】
次いで、図２（２）に示すように、通常に知られている溝配線と接続孔を形成する技術によって、この第２絶縁膜１４に、第２配線層となる複数の第２配線が形成される配線溝１５を形成するとともに、各配線溝１５の底部より上記第１配線１３に接続する接続孔１６を形成する。その際、上記各接続孔１６は上記配線溝１５に対して合わせ余裕を設けない状態で形成される。
【００３４】
次いで、図２（３）に示すように、配線溝１５および接続孔１６の各内面および第２絶縁膜１４表面にバリアメタル層２１を形成し、さらにめっきのシード層２２を形成する。上記バリアメタル層には、一般に知られているバリアメタル材料を用いることができ、例えば窒化タンタルとタンタルとの積層膜を用いることができる。その成膜方法には例えばスパッタリングを用いることができる。さらに、めっきのシード層２２は、例えば、スパッタリングにより銅もしくは銅合金を成膜することによって形成することができる。その後、一般に知られているように、銅めっき法により、銅もしくは銅合金からなる配線材料２３を、配線溝１５および接続孔１６に埋め込む。
【００３５】
その後、第２絶縁膜１４上の余剰な配線材料２３（シード層２２を含む）およびバリアメタル層２１を除去する。この除去加工には、通常、化学的機械研磨が用いられる。その結果、図２（４）に示すように、配線材料２３によって、各接続孔１６には第１配線１３と第２配線１８とを接続するコンタクト１７が形成され、各配線溝１５には第２配線１８が形成される。したがって、全てのコンタクト１７は第２配線１８に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成される。
【００３６】
また、各コンタクト１７は上記第１配線１３に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成されてもよい。
【００３７】
上記半導体装置の第１製造方法では、第２配線１８を溝配線構造で形成し、各コンタクト１７を第２配線１８に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成することから、配線溝１５および接続孔１６にバリアメタル層２１やめっきのシード層２２を形成しても、接続孔１６の開口部が配線材料２３の埋め込みを阻害するようなオーバーハング形状となることは無い。このため、配線溝１５および接続孔１６に配線材料２３を埋め込んで配線溝１５に第２配線１８を形成するとともに接続孔１６にコンタクト１７を形成しても、配線材料２３の埋め込みが阻害されないので、接続孔１６内にボイドを発生することがない。したがって、信頼性の高い配線構造の半導体装置を製造することができる。
【００３８】
次に、本発明の第２半導体装置に係る一実施の形態を、図３によって説明する。図３では、（１）図に配線構造の要部斜視図を示し、（２）図に（１）図中Ａ面概略断面図を示し、（３）図に（１）図中Ｂ面概略断面図を示す。
【００３９】
図３に示すように、基板（図示せず）上に素子、配線等（図示せず）が形成され、その素子、配線等を被覆する第１絶縁膜１２が形成されている。この第１絶縁膜１２には、第１配線１３が形成されている。この第１配線１３は、上記第１絶縁膜１２に例えば溝配線構造で形成されていて、その側周部に第１配線１３に連続する第１配線延長部１３１が所定間隔に複数形成されている。この第１配線１３および第１配線延長部１３１の各底面および各側面にはバリアメタル層が形成されていてもよい。上記第１絶縁膜１２上には上記第１配線１３（第１配線延長部も含む）を被覆する第２絶縁膜１４が形成されている。
【００４０】
この第２絶縁膜１４には、第２配線が形成される配線溝１５が形成され、この配線溝１５の周辺側部には配線溝１５に連続するもので上記第１配線延長部１３１に対応する位置に、例えば、第１配線延長部１３１の直上方に、延長配線溝１５１が形成されている。上記各延長配線溝１５１および上記各第１配線延長部１３１の平面レイアウト形状は、例えば後に説明するコンタクトが形成される接続孔が合わせ余裕を考慮しない、いわゆるボーダーレスな接続孔として形成されるような形状になっている。
【００４１】
さらに、第２絶縁膜１４には、上記各延長配線溝１５１の底部より上記各延長配線溝１５１に対応する上記各第１配線延長部１３１に接続する接続孔１６が形成されている。上記各接続孔１６は上記各延長配線溝１５１および上記各延長配線溝１５１に対して合わせ余裕を設けない状態で形成されている。各接続孔１６内には配線材料からなるコンタクト１７が形成され、各配線溝１５および上記各延長配線溝１５１には第２配線１８（各延長配線溝１５１に形成される第２配線延長部１８１を含む）が形成されている。したがって、第２配線１８と第１配線１３とは、各配線の側部周囲に形成された複数の第１配線延長部１３１およびそれに対応する第２配線延長部１８１を接続する複数のコンタクト１７が備えられ、各コンタクト１７は第２配線１８の第２配線延長部１８１に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトとなっている。
【００４２】
上記第２配線１８は、例えば、配線溝１５、各延長配線溝１５１および接続孔１６の各内面にバリアメタル層２１を介して銅もしくは銅合金からなる配線材料を埋め込むことにより形成されている。上記バリアメタル層２１には、一般に知られているバリアメタル材料を用いることができ、例えば窒化タンタルとタンタルとの積層膜を用いることができる。その成膜方法には例えばスパッタリングを用いることができる。さらに配線材料２３の埋め込みは、一般に知られているように、銅めっきのシード層２２を例えばスパッタリングにより形成した後、銅めっき法により行う。
【００４３】
上記配線構造においては、上記コンタクト１７は、前記第１配線１３の第１配線延長部１３１に対しても合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成されていてもよい。また、第１配線延長部１３１を設ける代りにコンタクト１７が接続できるように第１配線１３を太らせてもよい。
【００４４】
上記説明したように、本実施の形態では、一つの配線層に対してボーダーレスコンタクト構造およびボーダードコンタクト構造を混在して持つのではなく、ボーダーレスコンタクト構造のみからなることを特徴としている。
【００４５】
上記第２半導体装置では、第２配線１８には、第２配線１８の側部に複数のコンタクト１７が接続される複数の第２配線延長部１８１が設けられ、複数のコンタクト１７は第２配線１８に形成された複数の第２配線延長部１８１に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトからなることから、第２配線１８に大電流を流しても、電流は第２配線１８全体を流れ、一つのコンタクト１７に集中することなく各コンタクト１７に分散して第１配線１３へ流れる。このため、各コンタクト１７に過大な電流が流れることがないので、コンタクト１７の破壊が無くなり、信頼性の高い配線構造となる。また、電流が各コンタクト１７に分散することにより、エレクトロマイグレーション耐性も高められる。さらに、第２配線１８および各第２配線延長部１８１が溝配線構造で形成されているので、配線溝１５（以下、延長配線溝１５１も含む）および接続孔１６にバリアメタル層２１やめっきのシード層２２が形成されても、接続孔１６の開口部に配線材料２３の埋め込みを阻害するようなオーバーハング形状となることが無いので、配線溝１５および接続孔１６に配線材料２３を埋め込んで配線溝１５に第２配線１８を形成するとともに接続孔１６にコンタクト１７を形成しても、ボイドを発生することがない。したがって、信頼性の高い配線構造が提供される。
【００４６】
次に、本発明の半導体装置の第２製造方法に係る一実施の形態を、図４の概略構成断面図および平面図によって説明する。
【００４７】
図４（１）に示すように、基板１１上に素子、配線等（図示せず）が形成され、その素子、配線等を被覆する第１絶縁膜１２が形成されている。このように基体１０が構成されている。通常に知られている溝配線の形成技術によって、上記第１絶縁膜１２に第１配線１３を形成する。その際、第１配線１３の側周部には第１配線１３に連続する第１配線延長部１３１を所定間隔に複数形成する。この第１配線１３および第１配線延長部１３１の各底面および各側面にはバリアメタル層が形成されていてもよい。なお、（１）図における断面図は平面図のＥ−Ｅ線断面を示す。
【００４８】
次いで、図４（２）に示すように、上記第１絶縁膜１２上に上記第１配線１３および第１配線延長部１３１を被覆する第２絶縁膜１４を形成する。次に、通常に知られている溝配線と接続孔を形成する技術によって、この第２絶縁膜１４に、第２配線が形成される配線溝１５およびこの配線溝１５の周辺側部に配線溝１５に連続するもので上記第１配線延長部１３１に対応する位置に、例えば、第１配線延長部１３１の直上方に、延長配線溝１５１を形成する。また、各延長配線溝１５１の底部より上記第１配線延長部１３１に接続する接続孔１６を形成する。その際、上記各接続孔１６は各延長配線溝１５１に対して合わせ余裕を設けない状態で形成される。すなわち、上記各延長配線溝１５１および上記各第１配線延長部１３１の平面レイアウト形状は、合わせ余裕を考慮しない、いわゆるボーダーレスな接続孔として形成されるような形状になっている。なお、（２）図における断面図は平面図のＦ−Ｆ線断面を示す。
【００４９】
次いで、図４（３）に示すように、配線溝１５（以下、延長配線溝１５１も含む）および接続孔１６の各内面にバリアメタル層２１を形成し、さらにめっきのシード層２２を形成する。上記バリアメタル層２１には、一般に知られているバリアメタル材料を用いることができ、例えば窒化タンタルとタンタルとの積層膜を用いることができる。その成膜方法には例えばスパッタリングを用いることができる。さらに、めっきのシード層２２は、例えば、スパッタリングにより銅もしくは銅合金を成膜することによって形成することができる。その後、一般に知られているように、銅めっき法により、銅もしくは銅合金からなる配線材料２３を、配線溝１５および接続孔１６に埋め込む。なお、（３）図における断面図は平面図のＧ−Ｇ線断面を示し、平面図は第２絶縁膜１４表面における断面状態を示す。
【００５０】
その後、第２絶縁膜１４上の余剰な配線材料２３（シード層２２を含む）およびバリアメタル層２１を除去する。この除去加工には、通常、化学的機械研磨が用いられる。その結果、図４（４）に示すように、バリアメタル層２１を介して配線材料２３によって、各接続孔１６にはコンタクト１７が形成され、配線溝１５には第２配線１８が形成され、延長配線溝１５１には第２配線１８に連続して第２配線延長部１８１が形成される。したがって、全てのコンタクト１７は第２配線延長部１８１に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成される。なお、（４）図における断面図は平面図のＨ−Ｈ線断面を示し、平面図は第２絶縁膜１４表面における状態を示す。
【００５１】
また、各コンタクト１７は上記第１配線１３の第１配線延長部１３１に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成されてもよい。
【００５２】
上記半導体装置の第２製造方法では、配線溝１５を形成するとともに配線溝１５の側部にコンタクト１７に対応する複数の延長配線溝１５１を形成し、各コンタクト１７を延長配線部１５１に形成される第２配線延長部１８１に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成することから、第２配線１８に大電流を流しても、電流は第２配線１８全体を流れ、一つのコンタクト１７に集中することなく各コンタクト１７に分散して第１配線１３へ流れる配線構造となる。このため、各コンタクト１７に過大な電流が流れることがないので、コンタクト１７の破壊が無くなり、信頼性の高い配線構造が得られる。また、電流が各コンタクト１７に分散することにより、エレクトロマイグレーション耐性の高い配線構造が得られる。さらに、第２配線１８および各第２配線延長部１８１を溝配線構造で形成することから、配線溝（以下、延長配線溝１５１も含む）１５および接続孔１６にバリアメタル層２１やめっきのシード層２１を形成しても、接続孔１６の開口部が配線材料２３の埋め込みを阻害するようなオーバーハング形状となることが無いので、延長配線溝１５１および接続孔１６に配線材料を埋め込んで配線溝１５に第２配線１８を形成するとともに接続孔１６にコンタクト１７を形成しても、配線材料の埋め込み性が阻害されないので、接続孔１６内にボイドを発生することがない。したがって、この点からも信頼性の高い配線構造が製造される。
【００５３】
次に、本発明の第３半導体装置に係る一実施の形態を図５によって説明する。図５では、（１）図に配線構造の要部斜視図を示し、（２）図に（１）図中Ｃ面概略断面図を示し、（３）図に（１）図中Ｄ面概略断面図を示す。
【００５４】
図５に示すように、基板（図示せず）上に素子（図示せず）、配線等が形成され、その素子、配線等を被覆する第１絶縁膜１２が形成されている。この第１絶縁膜１２には、第１配線１３が形成されている。この第１配線１３は、上記第１絶縁膜１２に例えば溝配線構造で形成されていて、この第１配線１３の底面および側面にはバリアメタル層が形成されていてもよい。上記第１絶縁膜１２上には上記第１配線１３を被覆する第２絶縁膜１４が形成されている。
【００５５】
この第２絶縁膜１４には、第２配線が形成される配線溝１５が形成され、この配線溝１５が形成されている。さらに、第２絶縁膜１４および第１絶縁膜１２には、上記配線溝１５の側部に連続する複数の接続孔１６が上記第１配線１３の側部に接続するように形成されている。したがって、上記各接続孔１６は、上記第１配線１３および上記配線溝１５に対して合わせ余裕を設けない状態で直接接続するように形成される。各接続孔１６内には配線材料からなるコンタクト１７が形成され、配線溝１５には第２配線１８が形成されている。したがって、コンタクト１７は、合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトとして、第２配線１８側部と第１配線１３側部で接続することで第１配線１３と第２配線１８とを電気的に接続している。
【００５６】
上記第２配線１８および各コンタクト１７は、例えば、配線溝１５および接続孔１６の各内面にバリアメタル層２１を介して銅もしくは銅合金からなる配線材料２３を埋め込むことにより形成されている。上記バリアメタル層２１には、一般に知られているバリアメタル材料を用いることができ、例えば窒化タンタルとタンタルとの積層膜を用いることができる。その成膜方法には例えばスパッタリングを用いることができる。さらに配線材料２３の埋め込みは、一般に知られているように、銅めっきのシード層２２を例えばスパッタリングにより形成した後、銅めっき法により行う。
【００５７】
上記第３半導体装置では、複数のコンタクト１７は少なくとも第２配線１８の側面で接続されることから、第２配線１８に大電流を流しても、電流は第２配線１８全体を流れ、一つのコンタクト１７に集中することなく各コンタクト１７に分散して第１配線１３へ流れる。このため、各コンタクト１７に過大な電流が流れることがないので、コンタクト１７の破壊が無くなり、信頼性の高い配線構造となる。また、電流が各コンタクト１７に分散することにより、エレクトロマイグレーション耐性も高められる。さらに、各コンタクト１７は第２配線１８に対して合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトからなることから、第２配線１８が溝配線構造で形成されたものでは、配線溝１５および接続孔１６にバリアメタル層２１やめっきのシード層２２が形成されても、接続孔１６の開口部に配線材料２３の埋め込みを阻害するようなオーバーハング形状となることが無いので、配線溝１５および接続孔１６に配線材料２３を埋め込んで配線溝１５に第２配線１８を形成するとともに接続孔１６にコンタクト１７を形成しても、ボイドを発生することがない。したがって、信頼性の高い配線構造が提供される。
【００５８】
次に、本発明の半導体装置の第３製造方法に係る一実施の形態を、図６の概略構成断面図および平面レイアウト図によって説明する。
【００５９】
図６（１）に示すように、基板１１上に素子（図示せず）、配線等が形成され、その素子、配線等を被覆する第１絶縁膜１２が形成されている。このように基体１０が構成されている。通常に知られている溝配線の形成技術によって、上記第１絶縁膜１２に第１配線１３を形成する。この第１配線１３の底面および側面にはバリアメタル層が形成されていてもよい。なお、（１）図における断面図は平面図のＪ−Ｊ線断面を示す。
【００６０】
次いで、図６（２）に示すように、上記第１絶縁膜１２上に上記第１配線１３を被覆する第２絶縁膜１４を形成する。次に、通常に知られている溝配線と接続孔を形成する技術によって、この第２絶縁膜１４および第１絶縁膜１２に、第２配線が形成される配線溝１５の側部で配線溝１５に連続するもので上記第１配線１３の側部に接続する位置に接続孔１６を形成する。この接続孔１６は、上記配線溝１５および上記第１配線１３に対して合わせ余裕を考慮しない、いわゆるボーダーレスな接続孔として形成される。なお、（２）図における断面図は平面図のＫ−Ｋ線断面を示す。
【００６１】
次いで、図６（３）に示すように、配線溝１５および接続孔１６の各内面にバリアメタル層２１を形成し、さらにめっきのシード層２２を形成する。上記バリアメタル層２１には、一般に知られているバリアメタル材料を用いることができ、例えば窒化タンタルとタンタルとの積層膜を用いることができる。その成膜方法には例えばスパッタリングを用いることができる。さらに、めっきのシード層２２は、例えば、スパッタリングにより銅を成膜することによって形成することができる。その後、一般に知られているように、銅めっき法により、銅もしくは銅合金からなる配線材料２３を、配線溝１５および接続孔１６に埋め込む。なお、（３）図における断面図は平面図のＬ−Ｌ線断面を示し、平面図は第２絶縁膜１４表面における断面状態を示す。
【００６２】
その後、第２絶縁膜１４上の余剰な配線材料２３（シード層２２を含む）およびバリアメタル層２１を除去する。この除去加工には、通常、化学的機械研磨が用いられる。その結果、図６（４）に示すように、バリアメタル層２１を介して配線材料２３によって、各接続孔１６にはコンタクト１７が形成され、配線溝１５には第２配線１８が形成される。したがって、全てのコンタクト１７は第２配線１８の側部に接続され、かつ合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成される。なお、（４）図における断面図は平面図のＭ−Ｍ線断面を示し、平面図は第２絶縁膜１４表面における状態を示す。
【００６３】
また、各コンタクト１７は上記第１配線１３の側部に接続され、かつ合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成される。
【００６４】
上記半導体装置の第３製造方法では、各接続孔１７を少なくとも配線溝１５の側部に接続するように形成するとともに合わせ余裕を設けないボーダーレスコンタクトで形成することから、第２配線１８に大電流を流しても、電流は第２配線１８全体を流れ、一つのコンタクト１７に集中することなく各コンタクト１７に分散して第１配線１３へ流れる配線構造となる。このため、各コンタクト１７に過大な電流が流れることがないので、コンタクト１７の破壊が無くなり、信頼性の高い配線構造が得られる。また、電流が各コンタクト１７に分散することにより、エレクトロマイグレーション耐性の高い配線構造が得られる。さらに、各接続孔１６を少なくとも配線溝１５の側部に接続するように形成することから、配線溝１５および接続孔１６にバリアメタル層２１やめっきのシード層２２を形成しても、接続孔１６の開口部が配線材料２３の埋め込みを阻害するようなオーバーハング形状となることが無いので、配線溝１５および接続孔１６に配線材料を埋め込んで配線溝１５に第２配線１８を形成するとともに接続孔１６にコンタクト１７を形成しても、配線材料２３の埋め込み性が阻害されないので、接続孔１６内にボイドを発生することがない。したがって、この点からも信頼性の高い配線構造が製造される。
【００６５】
上記各実施の形態において、例えば微細化が要求され、高密度に形成する必要がある配線、例えば信号線のような細い配線は、上記第１実施の形態の構成により、大電流を流す必要がある配線、例えば電源線のような太い配線は、上記第２実施の形態もしくは第３実施の形態の構成を採用することで、全ての配線構造をボーダーレスコンタクト構造とすることが可能になる。これにより、配線材料の埋め込み性を改善し、ボイドの発生のない、信頼性の高い配線構造を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明の半導体装置およびその製造方法は、多層配線層間のコンタクトを有する回路を備えたものに適用でき、具体的には、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ等の各種ＲＡＭ、各種ＲＯＭ等の半導体メモリ素子やＣＰＵ等の半導体ロジック素子等の半導体装置、液晶表示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置等の各種表示装置の駆動回路等に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の第１半導体装置に係る一実施の形態を示す概略構成断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の第１製造方法に係る一実施の形態を示す概略構成断面図である。
【図３】本発明の第２半導体装置に係る一実施の形態を示す図面であり、（１）図は配線構造の要部斜視図であり、（２）図は（１）図中Ａ−Ａ線概略断面図であり、（３）図は（１）図中Ｂ−Ｂ線概略断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の第２製造方法に係る一実施の形態を示す概略構成断面図および平面レイアウト図である。
【図５】本発明の第３半導体装置に係る一実施の形態を示す図面であり、（１）図は配線構造の要部斜視図であり、（２）図は（１）図中Ｃ−Ｃ線概略断面図であり、（３）図は（１）図中Ｄ−Ｄ線概略断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の第３製造方法に係る一実施の形態を示す概略構成断面図および平面レイアウト図である。
【図７】ボーダード配線構造における埋め込み不良を説明する概略構成断面図である。
【図８】ボーダードコンタクト構造における埋め込み不良の原因モデルを示す概略構成断面図である。
【図９】ボーダーレスコンタクト構造とボーダードコンタクト構造とにおける埋め込み性を説明する平面レイアウト図および概略構成断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１３…第１配線、１７…コンタクト、１８…第２配線
【図１】
2005026632.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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