(57)【要約】 【課題】  処理チャンバ内等の特殊な環境下にある半導体ウェハー等の被測定物の温度測定に関し、被測定物の表面温度等の温度を正確に測定し、その測定温度を連続的に監視できる温度測定方法及びその装置を提供する。【解決手段】  被測定物（ウェハー基板３６）の表面温度を検出し、その検出温度を抵抗値に変換する処理と、前記抵抗値に応じてスイッチング信号を生成させる処理と、前記スイッチングにより発光素子（ＬＥＤ８）を点滅させる処理と、前記発光素子から光（点滅光Ｌ）を受光する処理と、受光した光からスイッチング信号を取り出し、前記検出温度を算出する処理とを含む構成である。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定物の表面温度を検出し、その検出温度を抵抗値に変換する処理と、
前記抵抗値に応じてスイッチング信号を生成させる処理と、
前記スイッチングにより発光素子を点滅させる処理と、
前記発光素子から光を受光する処理と、
受光した光からスイッチング信号を取り出し、前記検出温度を算出する処理と、
を含むことを特徴とする温度測定方法。
【請求項２】
前記被測定物が半導体ウェハーであることを特徴とする請求項１記載の温度測定方法。
【請求項３】
被測定物に載せられて表面温度を検出し、その検出温度に応じた周期で点滅する光を発光する温度検出部と、
この温度検出部から前記光を受光し、その光をスイッチング信号に変換する受光手段と、
この受光手段に得られた前記スイッチング信号から前記検出温度を算出する演算手段と、
を備えたことを特徴とする温度測定装置。
【請求項４】
前記温度検出部と前記受光手段とは離間して設置され、前記受光手段側に分光手段又は分光フィルタを備え、前記温度検出部からの前記光のみ又は前記光の特定波長を前記受光手段で選択的に受光可能に構成したことを特徴とする請求項３記載の基板温度の測定装置。
【請求項５】
前記温度検出部は、
被測定物に載せられて温度を検出し、その検出温度に応じた抵抗値が変化する温度検出素子と、
この温度検出素子の前記抵抗値に応じた周期でスイッチングするスイッチング部と、
このスイッチング部のスイッチングにより点滅する発光手段と、
を備えることを特徴とする請求項３記載の温度測定装置。
【請求項６】
前記温度検出素子は、サーミスタ又はＰｔ測温抵抗体であることを特徴とする請求項４記載の温度測定装置。
【請求項７】
前記温度検出部は、被測定物に組み込まれてなることを特徴とする請求項３記載の温度測定装置。
【請求項８】
前記温度検出部は、密封封止してなることを特徴とする請求項３記載の温度測定装置。
【請求項９】
前記温度検出部は、電磁シールド構造を備えていることを特徴とする請求項３記載の温度測定装置。
【請求項１０】
前記温度検出部は、被測定物のエッチング処理又は成膜処理の搬送系で搬送可能にしたことを特徴とする請求項３記載の温度測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハー等の被測定物の表面温度測定に用いられる温度測定方法及びその装置に関し、特に、被測定物から得られる連続的又は断続的に検出温度情報を得て、その温度情報を光等の伝送媒体を利用して伝送可能にした温度測定方法及びその装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化とともに、大口径化が進んでいる半導体ウェハーのエッチングや成膜等のプラズマ処理中のプロセス状態の把握には、主要なパラメータであるウェハー温度を正確に且つ連続的に測定することが必要である。
【０００３】
従来の半導体ウェハーの表面温度測定には、サーモラベルや熱電対が用いられてきた。被測定物に張り付けられるサーモラベルは、被測定物の温度に応じて色素変化を生じ、その色素変化から被測定物の大まかな温度を知ることができる。
【０００４】
半導体ウェハーの温度測定技術に関し、次のような特許文献が存在する。
【特許文献１】特開平９−１６６５０１号公報
【特許文献２】特開平１１−２２４８３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示されているようなサーモラベルでは、被測定部の最大温度の測定が可能であるが、測定時の温度履歴の測定はできない。また、サーモラベルの色素変化による温度表示にはある程度の幅があり、測定温度の値を示していないので、その表示から正確な温度値を知ることはできない。
【０００６】
また、特許文献２に開示されているような熱電対を用いた場合は、測定の度に処理チャンバを大気開放して設置しなければならないため、測定に時間を要する。処理チャンバの大気開放は、処理チャンバ内のコンディションに変化を生じ易い。また、熱電対では、処理チャンバ内がプラズマ発生状態にあると、ノイズの影響を受け、正確な温度測定ができない。
【０００７】
このように、従来の温度測定では、エッチング処理又は成膜処理中の半導体ウェハーの表面温度や温度履歴を正確に測定することができないため、温度状態を基準にしたプラズマ制御パラメータを的確に調整することができなかった。そのため、実際に製品レベルのテストピースウェハーの処理を行い、その解析結果を用いて最適な処理条件を導き出す条件出し作業が必要となり、しかも、その作業には相当長い時間を要するものであった。
【０００８】
このため、このような半導体ウェハーの製造ないし処理においては、例えば、搬送が可能な温度センサを半導体ウェハー上に載置し、エッチング処理やプラズマによる成膜処理を行うチャンバ内に半導体ウェハーとともに導入し、処理中の温度をワイヤレスで大気側の離れた場所で温度計測するシステムを必要としているが、特許文献１、２等ではこのような課題を解決することができなかった。
【０００９】
そこで、本発明は、処理チャンバ内等の特殊な環境下にある半導体ウェハー等の被測定物の温度測定に関し、被測定物の表面温度等の温度を正確に測定し、その測定温度を連続的に監視できる温度測定方法及びその装置を提供することを主たる目的とする。
【００１０】
また、本発明の付随的な目的としては、既述の問題点に鑑み、測定する部位が真空中であっても、プラズマ暴露中でも測定時の温度履歴を正確にワイヤレスで測定でき、温度状態を基にした条件出し時間の短縮、更には、チャンバ洗浄や定期メンテナンス等の付帯作業後のウェハー基板温度確認やウェハー温度コンディションが安定しているか否か日々の設備管理を可能とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明の温度測定方法は、被測定物（ウェハー基板３６）の表面温度を検出し、その検出温度を抵抗値に変換する処理と、前記抵抗値に応じてスイッチング信号を生成させる処理と、前記スイッチングにより発光素子を点滅させる処理と、前記発光素子から光（点滅光Ｌ）を受光する処理と、受光した光からスイッチング信号を取り出し、前記検出温度を算出する処理とを含む構成である。前記被測定物は、例えば、半導体ウェハーであり、その他、絶縁基板であってもよい。
【００１２】
斯かる構成とすれば、被測定物の表面温度は抵抗値に変換されて取り出され、この抵抗値はスイッチング信号に変換される。このスイッチング信号に基づいて発光素子の発光を点滅させる。この点滅発光は、被測定物の表面温度を表す情報である。そこで、この光を受光し、その光の点滅からスイッチング信号を再生し、このスイッチング信号から被測定物の表面温度を算出する。このようにすれば、被測定物の表面温度が光を伝送媒体に用いて取り出され、被測定物から離間した位置でその表面温度を監視することができる。
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明の温度測定装置（２）は、被測定物に載せられて表面温度を検出し、その検出温度に応じた周期で点滅する光（点滅光Ｌ）を発光する温度検出部（４）と、この温度検出部から前記光を受光し、その光をスイッチング信号に変換する受光手段（受光処理部４０）と、この受光手段に得られた前記スイッチング信号から前記検出温度を算出する演算手段（演算処理部４２）とを備えた構成である。
【００１４】
斯かる構成とすれば、温度検出部では、被測定物から検出された表面温度に応じた周期で点滅する光を発光させ、この光を受光手段で受光し、スイッチング信号に変換する。演算手段では、このスイッチング信号から検出温度を算出する。このようにすれば、被測定物の表面温度が光を伝送媒体に用いて取り出され、被測定物から離間した位置でその表面温度の測定及びその監視が可能となる。
【００１５】
そして、この温度測定装置にあっては、例えば、前記温度検出部と前記受光手段とは離間して設置され、前記受光手段側に分光手段（分光部４６）又は分光フィルタを備え、前記温度検出部からの前記光のみ又は前記光の特定波長を前記受光手段で選択的に受光可能な構成としてもよい。
【００１６】
また、この温度測定装置において、前記温度検出部は、被測定物に載せられて温度を検出し、その検出温度に応じた抵抗値が変化する温度検出素子（１０、１０１〜１０５）と、この温度検出素子の前記抵抗値に応じた周期でスイッチングするスイッチング部（温度検出基本回路２６）と、このスイッチング部のスイッチングにより点滅する発光手段（ＬＥＤ８）とを備える構成としてもよい。
【００１７】
また、前記温度検出素子は、サーミスタ又はＰｔ測温抵抗体で構成すればよいし、また、前記温度検出部は、被測定物に組み込まれた構成としてもよい。また、前記温度検出部は、密封封止してなる構成としてもよく、電磁シールド構造としてもよい。さらに、前記温度検出部は、被測定物のエッチング処理又は成膜処理の搬送系で搬送可能にした構成としてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、次のような効果が得られる。
【００１９】
(1) 被測定物として例えば、ウェハー基板とともに、エッチング処理や成膜処理中に処理チャンバ内で被測定物の表面温度等の温度を断続的又は連続的に検出でき、光を伝送媒体に用いてワイヤレスで温度測定を行うことができる。
【００２０】
(2) 被測定物として例えば、エッチング処理や成膜処理中のウェハー基板等の温度履歴をワイヤレスで正確に測定できるので、ウェハー基板の温度状態を参照情報としてプラズマ制御パラメータ等の制御を的確に行うことができる。このため、例えば、実際に製品レベルのテストピースウェハーを用いた解析作業を簡略化でき、最適な処理条件を導き出す条件出し作業の時間を短縮でき、また、チャンバ洗浄や定期メンテナンス後のウェハー基板温度の確認やウェハー温度コンディションの管理を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
（第１の実施形態）
本発明の温度測定方法及びその装置の第１の実施形態について、図１を参照して説明する。図１は、温度測定装置の概要及び温度検出部の基本回路を示している。
【００２２】
この温度測定装置２は、温度検出部４と受光・演算処理部６とを備えており、例えば、真空中又はエッチング或いは成膜プラズマ中に導入したウェハー基板上に載置した温度検出部４が検出した温度をその温度に応じた周期で発光素子として例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）８を点滅させることにより、温度検出部４から離間した位置でＬＥＤ８の点滅光Ｌを受光・演算処理部６で捉える構成としたものである。
【００２３】
温度検出部４は、無安定マルチバイブレータ等の各種のパルス発生回路で構成することができるが、この実施形態では、ＬＥＤ８、温度検出素子１０、インバータ１２、１４、１６、抵抗１８、２０及びコンデンサ２２等で構成されている。温度検出素子１０は温度により抵抗値が変化するサーミスタ又はＰｔ測温抵抗体が用いられる。また、給電端子２４には図示しないバッテリより所定電圧が加えられる。
【００２４】
この温度検出部４において、コンデンサ２２の充放電が行われ、ＬＥＤ８は、温度検出素子１０の温度による抵抗値変化により、コンデンサ２２での充放電周期が変化する。この充放電周期でＬＥＤ８を点滅させることができる。ＬＥＤ８の点滅周期は要求する検出温度に応じて、温度検出素子１０の特性値やコンデンサ２２の容量を選択する。この場合、温度検出素子１０を構成するサーミスタ又はＰｔ測温抵抗体は、被測定物として例えば、ウェハー基板の表面温度を正確に測定するため、ウェハー基板と接触させて設置する等、実温との差ができるだけ最小になる様、絶縁薄膜を介して正確に温度検出ができるように設置することが好ましい。
【００２５】
次に、温度検出部４の構成例について、図２及び図３を参照して説明する。図２は温度検出部４の平面構成、図３は温度検出部の断面構成を示している。
【００２６】
温度検出部４には温度検出素子１０、温度検出基本回路２６及びバッテリ２８が備えられ、温度検出基本回路２６はＬＥＤ８とともに温度検出素子１０、インバータ１２、１４、１６、抵抗１８、２０、コンデンサ２２等で構成されており、温度検出部４は保護膜としての絶縁樹脂３０で封止されている。絶縁樹脂３０で封止するのは、真空雰囲気又はプラズマ雰囲気に導入しても温度検出部４を誤動作なく動作させるためである。
【００２７】
また、図３に示すように、温度検出部４の上面側を覆う絶縁樹脂３０からＬＥＤ８の発光部３２が露出し、また、絶縁樹脂３０の背面部には温度測定の被測定物に貼り付けて固定する接着手段として粘着層３４が形成されている。従って、温度検出部４は、この粘着層３４を以て被測定物であるウェハー基板３６の上面に接着されて設置される。
【００２８】
このような構成とし、絶縁樹脂３０に例えば、ポリイミド系樹脂又はエポキシ系樹脂を用いて温度検出部４を被覆すれば、真空中やプラズマ雰囲気に導入した場合でも内部のバッテリ２８等に悪影響を及ぼすことがなく、バッテリ２８等からのアウトガスの発生を防止できる等、気密性が保持される。絶縁樹脂３０で封止を施す際、ＬＥＤ８の点滅光の減衰を防止するため、その発光部３２は絶縁樹脂３０から露出させる。この場合、絶縁樹脂３０を透明膜になるようにすれば、光Ｌを透過できるので、発光部３２を絶縁樹脂３０で被覆するようにしてもよい。
【００２９】
次に、受光・演算処理部６について、図４を参照して説明する。図４は、受光・演算処理部６の概要を示している。
【００３０】
受光・演算処理部６は、温度検出部４からの点滅光を受光し、その光から温度情報を算出する手段であって、受光処理部４０及び演算処理部４２を備えている。受光処理部４０には、フォトトランジスタ等を含む受光部４４、分光部４６、電気信号変換部４８等を備えている。また、演算処理部４２には、ＬＥＤ点滅周波数計測部５０、周波数−温度変換演算部５２、温度測定部５４等を備えているが、このような各部は、演算処理のソトフウェアの演算プロセスを示したものである。
【００３１】
既述した温度検出部４から発せられる点滅光Ｌは、受光演算処理部６の受光部４４で検出され、温度検出部４から発せられた点滅光Ｌの波長成分のみを分光部４６で抽出させる。この分光部４６で抽出された光Ｌの波長成分の光強度が電気信号変換部４８で電気信号に変換される。この電気信号変換部４８の出力信号は、ＬＥＤ点滅と同期した電気パルス信号であり、演算処理部４２のＬＥＤ点滅周波数計測部５０では、その点滅周期を演算データにして周波数を算出し、周波数−温度変換演算部５２では、その周波数を温度情報に変換し、温度測定部５４では、温度情報から被測定物の表面温度を算出する。
【００３２】
次に、周波数と検出温度との関係について、図５を参照して説明する。図５は温度検出素子１０として例えば、Ｐｔ測温抵抗体とコンデンサ２２の組み合わせから得られるＬＥＤ点滅周波数（周期）と温度の相関関係を示している。
【００３３】
この場合、周波数と温度を表す近似式は、
Ｙ＝３７５．３２Ｘ2 −２３６４．９Ｘ＋３７４４      ・・・（１）
となっており、この式において、Ｘは周波数、Ｙは検出温度を示している。従って、得られた周波数をＸに代入する事により検出温度Ｙが算出され、これが被測定物の検出温度を表している。
【００３４】
次に、被測定物に対する温度検出部の設置について、図６を参照して説明する。図６は、被測定物であるウェハー基板３６の表面に温度検出部４を貼り付けた状態を示している。斯かる構成では、ウェハー基板３６の中心に温度検出部４が設置されているので、ウェハー基板３６の中心点からその表面温度を測定することができる。
（第２の実施形態）
本発明の温度測定方法及びその装置の第２の実施形態について、図７を参照して説明する。図７は、第２の実施形態に係る温度測定装置を示している。
【００３５】
この温度測定装置２では、真空チャンバ５６に設置されており、ウェハー基板３６の上面部に温度検出部４が設置されている。上部電極５８と下部電極６０の間には、高周波電源６２が接続され、エッチング処理や、成膜に必要なプラズマ６４が生成されており、この生成中にウェハー基板３６の表面温度が測定される。
【００３６】
この場合、ウェハー基板３６に載置した温度検出部４のＬＥＤ８からの点滅光は直進光及び反射光として、真空チャンバ５６に形成された光透過部としての石英窓ガラス部６６を透過し、外部の受光・演算処理部６で受光され、その光から表面温度が測定される。
（第３の実施形態）
本発明の温度測定方法及びその装置の第３の実施形態について、図８及び図９を参照して説明する。図８は、第３の実施形態に係る温度検出部の構成例を示し、図９はＬＥＤの点滅タイミングチャートを示している。
【００３７】
この実施形態では、ウェハー基板３６上に複数の温度検出手段として例えば、５組の温度検出素子１０１、１０２、１０３、１０４、１０５が散点的に配置されている。各温度検出素子１０１〜１０５は、サーミスタ又はＰｔ測温抵抗体で構成される。これら温度検出素子１０１〜１０５は、温度検出部４の例えば、図２に示した温度検出基本回路２６に配線６８を用いて接続し、温度検出信号を取り込む。これら温度検出素子１０１〜１０５と温度検出部４の温度検出基本回路２６との間を結ぶ配線６８にはポリイミド等の絶縁樹脂からなる絶縁コーティングを施す。
【００３８】
複数の温度検出素子１０１〜１０５を併用する温度検出基本回路２６は、各測定点の温度をそれぞれの周期で点滅発光させる回路とし、同期用ＬＥＤ８Ａ及び測定点用ＬＥＤ８Ｂを備えている。
【００３９】
そして、図９に示す点滅タイミングチャートに表すように、温度に応じて各測定点ＬＥＤ８Ｂの点滅周期を一定のパルス数で順次点滅させる。この際、測定点用ＬＥＤ８Ｂとは別の波長の測定点を示す同期用ＬＥＤ８Ａを用いて同期をとることにより、測定点の位置が把握できる。各測定点で計測されたＬＥＤ８Ｂの点滅周期の逆数である周波数を既述の式（１）のＸに代入して各測定点の温度を測定することができる。この場合、複数点温度計測の際、温度検出部４には同期用ＬＥＤ８Ａと測定点用ＬＥＤ８Ｂとは発光波長の異なるものを使用する。
【００４０】
そこで、同期用ＬＥＤ８Ａのワンパルス後、任意に設定した測定点のＬＥＤ点滅を決まったパルス数のみ点滅させ、測定点１から測定点５まで順次に点滅させる。測定点５まで達した時点で再度同期用ＬＥＤをワンパルス発光させて、また測定点１から順次測定を行う。
【００４１】
また、温度検出部４と受光・演算処理部６とで同期用ＬＥＤ８Ａと測定点用ＬＥＤ８Ｂを分光し、各測定点のＬＥＤ点滅周期（周波数）とパルス数をカウントし、各測定点の検出温度を分離し、測定することができる。
【００４２】
以上各実施形態を参照して説明したように、本発明に係る温度測定方法及び装置によれば、真空中またはエッチング或いは成膜プラズマ中に導入したウェハー基板上に載置した温度検出部が検出した温度を、その温度に応じた周期でＬＥＤを点滅させる回路構成により、温度検出部より離れた場所へＬＥＤ点滅の光信号を発し、その点滅光を受光・演算処理部で捉える構成としたので、ワイヤレスで捉えたＬＥＤ点滅の周期の光信号を予め測定した温度とＬＥＤ点滅周期の相関関係から導き出した近似式により、実測したＬＥＤ点滅周期から温度を演算し測定することができる。
【００４３】
また、ウェハー基板上に載置した温度検出装置とその温度検出装置から発せられる温度に応じた周期でのＬＥＤ点滅光をウェハー基板が設置されているウェハー基板処理チャンバから離れた場所に設けた受光装置および温度演算装置でワイヤレスで連続的に温度測定が可能な構成とすることもできる。
【００４４】
斯かる構成により、エッチング処理又は成膜処理中の真空処理チャンバ内に導入した温度検出部で検出された例えば、ウェハー基板の検出温度をワイヤレスで連続的に受光・演算処理部に伝送することにより、間欠的又は連続的に被測定物の表面温度等の温度を測定することができる。
【００４５】
そして、従来困難であったエッチング又は成膜処理中のウェハー基板温度履歴をワイヤレスで正確に計測することができるので、ウェハー基板の温度状態を基にした各プラズマ制御パラメータを的確に調整できるようになり、実際に製品レベルのテストピースウェハーを用いた解析作業を簡略化でき、最適な処理条件を導き出す条件出し作業の時間を短縮することができる。また、チャンバ洗浄や定期メンテナンス後のウェハー基板温度の確認や、日々のウェハーの温度コンディションを管理することも可能となる。
【００４６】
次に、既述の実施形態について説明した温度測定方法及びその装置について抽出される技術的思想を以下に列挙するが、本発明は、これらの事項に限定されるものではない。
【００４７】
(1) ウェハー基板上に載置する温度検出部において、温度に応じて抵抗値が変化するサーミスタ又はＰｔ測温抵抗体等の温度検出素子を用いて、温度検出素子とウェハー基板上に載置したコンデンサにより、充放電を行う回路を構成し、温度に応じた充放電の周期でＬＥＤを点滅させる回路として構成する。温度検出部より離れた場所に受光・演算処理部を設置し、ＬＥＤ点滅の周期を光信号として捉え、予めＬＥＤ点滅周期と温度の相関から求めた近似式より、実測したＬＥＤ点灯周期からウェハー基板上の温度を測定する構成とする。
【００４８】
(2) 温度測定部より離れた場所に設置した光検出部に、ウェハー基板がエッチング処理又は成膜時のプラズマやウェハー基板処理室外からの外乱光の影響を受け難いように、受光部に分光装置又は分光フィルタを配置し、ＬＥＤ点滅光の波長のみを抽出できるようにした光検出部として構成する。
【００４９】
(3) 斯かる構成はウェハー基板以外での被測定物やその他の部位の温度も測定できるものであり、本発明は、実施形態のウェハー基板の温度測定に限定されるものではない。
【００５０】
(4) 被測定物に複数の測定点を設定し、各測定点にサーミスタ又はＰｔ測温抵抗体を配置し、例えば、図８に示す形態での温度測定方法及び装置として構成する。
【００５１】
(5) 上記(1) の温度検出部を構成した温度センサを被測定物に貼付け可能に構成する（図３）。
【００５２】
(6) ウェハー基板上に温度検出部をパターン配線し、ウェハー組込み型の温度測定装置として構成してもよい。
【００５３】
(7) 温度検出部を真空中でも使用できるように、回路を完全に封止した温度測定装置として構成してもよい。
【００５４】
(8) 温度検出部をプラズマ中でも使用できるように、電磁波シールド構造を持つ温度センサとして構成してもよい。
【００５５】
(9) 既存のエッチング処理又は成膜処理の搬送系で搬送可能な５ｍｍ以下の薄型に温度測定装置を構成してもよい。
【００５６】
(10)温度検出部のＬＥＤ点滅周期を周波数に変換して温度計測を行う温度センサとして構成してもよい。
【００５７】
以上説明したように、本発明の最も好ましい実施形態等について説明したが、本発明は、上記記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載され、又は明細書に開示された発明の要旨に基づき、当業者において様々な変形や変更が可能であることは勿論であり、斯かる変形や変更が、本発明の範囲に含まれることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る温度測定装置を示す回路図である。
【図２】温度検出部の構成例を示す平面図である。
【図３】被測定物に設置された温度検出部を示す図である。
【図４】受光・演算処理部を示すブロック図である。
【図５】温度−周波数の関係を示す図である。
【図６】温度検出部が設置されたウェハー基板を示す斜視図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る温度測定装置を示す図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係るウェハー基板に対する温度検出素子及び温度検出部の配置例を示す図である。
【図９】ＬＥＤの点滅タイミングを示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００５９】
２  温度測定装置
４  温度検出部
８  ＬＥＤ（発光手段）
１０  温度検出素子
２６  温度検出基本回路（スイッチング部）
３６  ウェハー基板（被測定物）
４０  受光処理部（受光手段）
４２  演算処理部（演算手段）
４６  分光部（分光手段）
１０１〜１０５  温度検出素子
Ｌ  点滅光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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