(57)【要約】【課題】荷電粒子線露光装置において、ウェハステージをＺ方向へ駆動させることなく、あるいは、Ｚ方向ストロークを少なくしてランディング角を垂直となるように高精度で調整できる調整方法等を提供する。【解決手段】マスクステージ１１上にほぼ点とみなせる微小な点パターン５１を配置し、ウェハ面上に微小な第１ピンホール６１を配置する。さらに、第１ピンホール６１の下流側であって、ＸＹ座標が第１ピンホール６１と同じ位置に、微小な第２ピンホール７１を配置する。さらに、第２ピンホール７１の下流側に第２ピンホール７１を通過した荷電粒子線量を計測する透過電流検出器８０を配置する。点パターン５１を通過して第１ピンホール６１に結像し、さらに第２ピンホール７１を通過した荷電粒子線の電流量を検出器８０で検出し、検出される電流量が最大となるように投影光学系のアライメントコイル４１や偏向器４３、４５を調整する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
感応基板上に転写すべきデバイスパターンの形成されたマスクを荷電粒子線照明する照明光学系と、
前記マスクを載置するマスクステージと、
前記マスクを通過した荷電粒子線を感応基板面（像面）上に結像する投影光学系と、
前記感応基板を載置するステージと、
を具備する荷電粒子線露光装置におけるビームランディング角の調整方法であって、
前記マスク又はマスクステージ上にほぼ点とみなせる微小な点パターンを配置し、
前記感応基板の像面上に微小な第１のピンホールを配置し、
該第１のピンホールの下流側であって、前記投影光学系の光軸と垂直な面（ＸＹ面）における座標（ＸＹ座標）が前記第１のピンホールと同じ位置に、微小な第２のピンホールを配置し、
さらに、該第２のピンホールの下流側に該第２のピンホールを通過した荷電粒子線量を計測する透過電流検出器を配置し、
前記マスク上の点パターンを通過して前記第１のピンホールに結像し、さらに前記第２のピンホールを通過した荷電粒子線の電流量を前記検出器で検出し、
検出される電流量が最大となるように前記荷電粒子線投影光学系を調整することを特徴とする荷電粒子線露光装置におけるビームランディング角の調整方法。
【請求項２】
前記調整を前記投影光学系の光軸位置（無偏向位置）及び一ヶ所以上の偏向位置で行うことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子線露光装置におけるビームランディング角の調整方法。
【請求項３】
デバイスパターンの形成されたマスクを荷電粒子線照明し、前記マスクを通過した荷電粒子線を感応基板面に投影結像させて前記デバイスパターンを前記感応基板上に転写する荷電粒子線露光方法であって、
請求項１又は２に記載の方法によって前記荷電粒子線のビームランディング角を垂直に調整することを特徴とする荷電粒子線露光方法。
【請求項４】
感応基板上に転写すべきデバイスパターンの形成されたマスクを荷電粒子線照明する照明光学系と、
前記マスクを載置するマスクステージと、
前記マスクを通過した荷電粒子線を感応基板面（像面）上に結像する投影光学系と、
前記感応基板を載置するステージと、
を具備する荷電粒子線露光装置であって、
前記マスク面上に配置された、ほぼ点とみなせる微小な点パターンと、
前記感応基板の像面上に配置された微小な第１のピンホールと、
該第１のピンホールの下流側であって、前記投影光学系の光軸と垂直な面（ＸＹ面）における座標（ＸＹ座標）が前記第１のピンホールと同じ位置に配置された微小な第２のピンホールと、
さらに、該第２のピンホールの下流側に配置された、該第２のピンホールを通過した荷電粒子線量を計測する透過電流検出器と、
該検出器で検出される電流量が最大となるように前記荷電粒子線投影光学系を調整する調整手段と、
を具備することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路等のリソグラフィーに用いられる荷電粒子線露光装置等に関し、特には、同装置においてビームランディング角を調整する方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
荷電粒子線の一つである電子線を用いた電子線描画装置は、スループット（処理速度）の向上に限界があることが知られている。この電子線描画装置の高スループット化を目的として、大面積のパターンを一括して転写露光するタイプの電子線投影露光装置の開発が進められている。
【０００３】
このような電子線投影露光装置には、大偏向の光学系が採用されている。この光学系においては、大偏向位置での収差を低減するために、高精度なビーム調整が必要になる。特に、ビームの感応基板面への入射角（ランディング角）を垂直にするための調整がきわめて重要である。なぜならば、感応基板面へのビームのランディング角が垂直でない場合、ビームの軌道が設計値からずれていることとなり、収差が発生するからである。また、ステージの機械的誤差などによるＺ方向の位置誤差が、ビームのＸ方向及びＹ方向の位置誤差を引き起こす。
【０００４】
従来のビームランディング角の計測方法について説明する。
図６は、従来のビームランディング角を計測する方法を模式的に説明する図である。
ビームランディング角を計測するには、図６（Ａ）に示すように、ウェハステージ上のシリコン基板１０１に設けられた位置決め用標準マーク１０３を使用して、ウェハステージに対するビーム照射位置を求める。この位置決め用標準マーク１０３は、例えば、同じ幅のラインとスペースが交互に配置されたラインアンドスペースパターンである。
【０００５】
そして、この位置決め標準マーク１０３と同じ形状の電子ビームＥＢを、位置決め標準マーク１０３に対して、図の矢印で示す方向に走査する。ウェハステージの上方には、反射電子検出器２２が配置されている。反射電子検出器２２は、電子ビームＥＢが走査されながら位置決め用標準マーク１０３を照射したときの、同マークから反射する電子を検出する。この検出信号を処理することにより、マークのラインとスペースが山と谷で交互に表される波形が得られる。
【０００６】
ランディング角を計測するには、まず、ウェハステージのあるＺ方向位置で、上述の方法でマーク波形を求める。次に、図６（Ｂ）に示すように、ウェハステージを所定の距離だけＺ方向に移動させて、同様にマーク波形を求める。そして、各々のマーク波形における山の位置（又は谷の位置）の相対的なずれを、座標計測器の画面上のピクセルで計測し、これを距離に換算する。
【０００７】
ウェハステージのＺ方向位置の変化量をＺ、マーク波形の相対ずれ量をＸとすると、ランディング角θは、θ＝ｔａｎ−１（Ｘ／Ｚ）で表される。そして、このランディング角θがゼロになるように、光学系のアライメントコイルや偏向器を調整する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明した従来の方法では、計測の際にウェハステージのＺ方向高さを大きく変化させる必要がある。例えば、マークスキャンによるビーム位置計測精度を±５ｎｍとすると、ランディング角を０．１ｍｒａｄの精度で計測するには、ウェハステージのＺ方向高さを約±５０μｍの範囲で変化させなければならない。
【０００９】
しかし、ステージの高速化・軽量化のためには、ウェハステージのＺ方向ストロークをきわめて小さくするか、あるいは思いきってウェハステージのＺ方向駆動機構を省略することが望ましい。そうすると、Ｚ方向駆動機構を備えていないウェハステージでは上述の方法は適用できなくなる。
【００１０】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであって、荷電粒子線露光装置において、ウェハステージをＺ方向へ駆動させることなく、あるいは、Ｚ方向ストロークを少なくしてランディング角を垂直となるように高精度で調整できる調整方法等を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の問題点を解決するため、本発明の荷電粒子線露光装置におけるビームランディング角の調整方法は、  感応基板上に転写すべきデバイスパターンの形成されたマスクを荷電粒子線照明する照明光学系と、  前記マスクを載置するマスクステージと、  前記マスクを通過した荷電粒子線を感応基板面（像面）上に結像する投影光学系と、  前記感応基板を載置するステージと、を具備する荷電粒子線露光装置におけるビームランディング角の調整方法であって、  前記マスク又はマスクステージ上にほぼ点とみなせる微小な点パターンを配置し、  前記感応基板の像面上に微小な第１のピンホールを配置し、  該第１のピンホールの下流側であって、前記投影光学系の光軸と垂直な面（ＸＹ面）における座標（ＸＹ座標）が前記第１のピンホールと同じ位置に、微小な第２のピンホールを配置し、  さらに、該第２のピンホールの下流側に該第２のピンホールを通過した荷電粒子線量を計測する透過電流検出器を配置し、  前記マスク上の点パターンを通過して前記第１のピンホールに結像し、さらに前記第２のピンホールを通過した荷電粒子線の電流量を前記検出器で検出し、  検出される電流量が最大となるように前記荷電粒子線投影光学系を調整することを特徴とする。
【００１２】
第２のピンホールを、第１のピンホールの下流側であって、投影光学系の光軸方向（Ｚ方向）でマスクから遠い方向に配置して、点パターンと両ピンホールを投影光学系の光軸上に並べる。このとき、両ピンホールを通過するビームは、光軸に平行のビーム、すなわち、感応基板に垂直に入射するランディング角がゼロのビームである。そこで、両ピンホールを通過する電流量が最大となる条件は、電子線が両ピンホールを通過した、ランディング角がゼロのときと言える。この方法によれば、ランディング角調整時にウェハステージをＺ方向に移動させる必要がないので、Ｚ方向移動機構のないステージの場合でもビームランディング角の測定・調整が可能である。
【００１３】
本発明によれば、  前記調整を前記投影光学系の光軸位置（無偏向位置）及び一ヶ所以上の偏向位置で行うことが好ましい。光軸位置は、照明光学系や投影光学系の各偏向器の出力がゼロの位置である。この位置でランディング角がゼロでない場合は、レンズ等の光学系の構成要素の精度が悪いこととなり、レンズ等の調整やアライメントコイルの出力比の調整などによってランディング角を調整する。偏向位置は、偏向器を作動させて、最外露光領域付近までビームを偏向させた位置であり、この位置でランディング角がゼロでない場合は、各偏向器やアライメントコイルを調整して、同角を調整する。
【００１４】
本発明の荷電粒子線露光方法は、  デバイスパターンの形成されたマスクを荷電粒子線照明し、前記マスクを通過した荷電粒子線を感応基板面に投影結像させて前記デバイスパターンを前記感応基板上に転写する荷電粒子線露光方法であって、  上記に記載の方法によって前記荷電粒子線のビームランディング角を垂直に調整することを特徴とする。
【００１５】
本発明の荷電粒子線露光装置は、  感応基板上に転写すべきデバイスパターンの形成されたマスクを荷電粒子線照明する照明光学系と、  前記マスクを載置するマスクステージと、  前記マスクを通過した荷電粒子線を感応基板面（像面）上に結像する投影光学系と、  前記感応基板を載置するステージと、を具備する荷電粒子線露光装置であって、  前記マスク面上に配置された、ほぼ点とみなせる微小な点パターンと、  前記感応基板の像面上に配置された微小な第１のピンホールと、  該第１のピンホールの下流側であって、前記投影光学系の光軸と垂直な面（ＸＹ面）における座標（ＸＹ座標）が前記第１のピンホールと同じ位置に配置された微小な第２のピンホールと、  さらに、該第２のピンホールの下流側に配置された、該第２のピンホールを通過した荷電粒子線量を計測する透過電流検出器と、  該検出器で検出される電流量が最大となるように前記荷電粒子線投影光学系を調整する調整手段と、を具備する。
ここで、投影光学系を調整する手段とは、アライメントコイル、各偏向器を示す。ウェハステージをＺ方向に駆動させる機構が不要であり、あるいは、Ｚ方向ストロークが微小ですみ、高精度でランディング角を調整できる荷電粒子線露光装置を提供できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ説明する。
まず、荷電粒子線投影露光装置の構成の概要（例）を説明する。
図５は、電子線投影露光装置の光学系全体における結像関係及び制御系の概要（例）を示す図である。この図は、分割転写方式の電子線露光装置を示す。
光学系の最上流に配置されている電子銃１は、下方に向けて電子線を放射する。電子銃１の下方には２段のコンデンサレンズ２、３が備えられており、電子線は、これらのコンデンサレンズ２、３によって収束されブランキング開口７にクロスオーバーＣ．Ｏ．を形成する。
【００１７】
二段目のコンデンサレンズ３の下には、矩形開口４が備えられている。この矩形開口（照明ビーム成形開口）４は、マスク１０の一つのサブフィールド（露光の１単位となるパターン小領域）を照明する照明ビームのみを通過させる。この開口４の像は、レンズ９によってマスク１０に結像される。
【００１８】
ビーム成形開口４の下方には、ブランキング偏向器５が配置されている。同偏向器５は、必要時に照明ビームを偏向させてブランキング開口７の非開口部に当て、ビームがマスク１０に当たらないようにする。
ブランキング開口７の下には、照明ビーム偏向器（照明光学系の主偏向器）８が配置されている。この偏向器８は、主に照明ビームを図の横方向（Ｘ方向）に順次走査して、照明光学系の視野内にあるマスク１０の各サブフィールドの照明を行う。偏向器８の下方には、照明レンズ９が配置されている。照明レンズ９は、マスク１０上にビーム成形開口４を結像させる。
【００１９】
マスク１０は、実際には光軸垂直面内（Ｘ−Ｙ面）に広がっている。マスク１０上には、全体として一個の半導体デバイスチップをなすパターン（チップパターン）が形成されている。もちろん、複数のマスクに１個の半導体デバイスチップをなすパターンを分割して配置しても良い。マスク１０上のパターンは、多数のサブフィールドに分割されている。
【００２０】
マスク１０は、移動可能なマスクステージ１１上に載置されており、マスク１０を光軸垂直方向（ＸＹ方向）に動かすことにより、照明光学系の視野よりも広い範囲に広がるマスク上の各サブフィールドを照明することができる。
マスクステージ１１には、レーザ干渉計を用いた位置検出器１２が付設されており、マスクステージ１１の位置をリアルタイムで正確に把握することができる。
【００２１】
マスク１０の下方には、投影レンズ１５及び１９、並びに、投影光学系の主偏向器（像位置調整偏向器）やアライメントコイル等が設けられている。偏向器やアライメントコイルの配置や作用については図１を参照して後述する。
【００２２】
マスク１０の１つのサブフィールドを通過した電子線は、投影レンズ１５、１９、偏向器によって基板（ウェハ）２３上の所定の位置に結像される。ウェハ２３上には、適当なレジストが塗布されており、レジストに電子線のドーズが与えられ、マスク上のパターンが縮小されてウェハ２３上に転写される。なお、図示省略されているが、投影光学系中には、スティグメータ等の収差補正器や各種補正レンズが備えられている。これらの補正器や補正レンズによって、収差、歪、デフォーカスが補正される。
【００２３】
マスク１０とウェハ２３の間を縮小率比で内分する点にクロスオーバーＣ．Ｏ．が形成され、同クロスオーバー位置にはコントラスト開口１８が設けられている。コントラスト開口１８は、マスク１０の非パターン部で散乱された電子線がウェハ２３に到達しないよう遮断する。
【００２４】
ウェハ２３は、静電チャック（図示されず）を介して、ＸＹ方向に移動可能なウェハステージ２４上に載置されている。上記マスクステージ１１とウェハステージ２４とを、互いに逆の方向に同期走査することにより、投影光学系の視野を越えて広がるチップパターン内の各部を順次露光することができる。なお、ウェハステージ２４にも、上述のマスクステージ１１と同様の位置検出器２５が装備されている。
【００２５】
ウェハ２３の直上には、反射電子検出器２２が配置されている。この反射電子検出器２２は、ウェハ２３の被露光面やステージ上のマークで反射される電子の量を検出する。例えばマスク１０上のマークパターンを通過したビームでウェハ２３上のマークを走査し、その際のマークからの反射電子を検出することにより、マスク１０とウェハ２３の相対的位置関係や電子線（ビーム）の性状を知ることができる。
【００２６】
上記各レンズ２、３、９、１５、１９及び各偏向器５、８、１６は、各々のコイル電源制御部２ａ、３ａ、９ａ、１５ａ、１９ａ及び５ａ、８ａ、１６ａを介してコントローラ３１によりコントロールされる。また、マスクステージ１１及びウェハステージ２４も、ステージ制御部１１ａ、２４ａを介して、コントローラ３１により制御される。ステージ位置検出器１２、２５は、アンプやＡ／Ｄ変換器等を含むインターフェース１２ａ、２５ａを介してコントローラ３１に信号を送る。また、反射電子検出器２２も同様のインターフェース２２ａを介してコントローラ３１に信号を送る。
【００２７】
コントローラ３１は、ステージ位置の制御誤差を把握し、その誤差を主偏向器１６で補正する。これにより、マスク１０上のサブフィールドの縮小像がウェハ２３上の目標位置に合わせるよう制御できる。そして、ウェハ２３上で各サブフィールド像が繋ぎ合わされて、マスク１０上のチップパターン全体がウェハ２３上に転写される。
【００２８】
図１は、本発明の実施の形態に係るランディング角計測のための装置構成を説明する図である。
マスクステージ１１上に、ほぼ点とみなせる微小な点パターン５１が形成されたマスク５０を載置する。点パターン５１の径は、例えば１μｍ程度である。あるいは、マスクステージ１１の一部に、そのようなパターンを有する校正マークパターン領域を設けておく。そして、ウェハステージ２４のウェハ面（結像面）に、微小な第１ピンホール６１が形成された第１ピンホール基板６０を配置する。第１ピンホール６１の径は、例えば１μｍ程度である。
【００２９】
さらに、第１のピンホール基板６０の、投影光学系の光軸方向（Ｚ方向）における下流側（マスク５０から遠い側）に、第２ピンホール７１が形成された第２ピンホール基板７０を配置する。感応基板面（第１ピンホール基板６０）と第２ピンホール基板７０間のＺ方向距離は、例えば１０ｍｍである。第２ピンホール７１の径は、例えば１μｍ程度である。この例では、感応基板面の結像点Ｐから第２ピンホール７１の半径を見込む角度は約０．０５ｍｒａｄである。第１ピンホール６１と第２ピンホール７１は、光軸と垂直な面（ＸＹ面）における座標位置（Ｘ座標位置、Ｙ座標位置）が同じ位置である。そして、第１ピンホール基板６０と第２ピンホール基板７０は、同じ相対的位置関係を保ったまま、ともにＸ、Ｙ方向に移動可能である。
【００３０】
さらに、第２ピンホール基板７０の下流に、第２ピンホール７１を通過した荷電粒子線を計測する透過電流検出器８０を配置する。
第１ピンホール６１、第２ピンホール７１、透過電流検出器８０は、一つのユニットとして作製し、同ユニットを、例えば、ウェハステージ２４上のチャックから離れた位置に配置してもよい。
【００３１】
図２は、本発明の実施の形態に係るビームランディング角の調整方法を詳細に説明する図である。
この例では、図２（Ａ）に示すように、ビームＥＢ１が無偏向の状態（ビームが光学系の光軸上を通る状態）で、ランディング角θで感応基板面に入射しているとする。まず、ウェハステージ２４をＸＹ方向に移動させて、第１ピンホール基板６０の第１ピンホール６１の位置をビームＥＢ１の入射位置に合わせる。このとき、第２ピンホール基板７０も同時に移動し、第２ピンホール７１は第１ピンホール６１と同じＸＹ座標位置に位置する。ビームＥＢ１は、ランディング角がθ、ビーム収束半角がαで第１ピンホール６１の結像点Ｐに結像する。そして、第１ピンホール６１に入射したビームは、同じ収束半角αで拡散して（拡散したビームをＥＢ２とする）、第２ピンホール基板７０に照射される。このとき、第１ピンホール６１に入射したビームＥＢ１の主光線Ａは、第１ピンホール基板６０と第２ピンホール基板７０間にＺ方向距離が存在するため、第２ピンホール基板７０上の第２ピンホール７１からずれた位置Ｒに、ランディング角θで入射する。
【００３２】
第２ピンホール基板７０へ照射されたビームＥＢ２は、図２（Ｂ）に示すように、ガウシアン分布の強度分布をもつ。すなわち、ビームの主光線Ａが入射した位置Ｒで強度が最大となる。
そして、第２ピンホール７１を通過したビームＥＢ３の電流量が透過電流検出器で検出される。つまり、第２ピンホール基板７０へ照射された強度分布の内、結像点Ｐから第２ピンホールを見込む角度β（約０．１ｍｒａｄ）の範囲内を通過した電流が、透過電流検出器８０で検出される。
【００３３】
図３は、ランディング角と電流値との関係を示すグラフである。グラフの縦軸は透過電流検出器８０で検出される電流量、横軸はランディング角を示す。
ランディング角をある範囲内で変えて、その都度透過電流検出器８０で電流量を計測すれば、第２ピンホール基板７０に照射されたビームＥＢ２の電流量を、ガウシアン分布内で見込み角β（約０．１ｍｒａｄ）の範囲を１単位として計測することになる。そして、この結果をつなげて表示すると、図３に示すような、電流量のガウシアン分布に対応したグラフが得られる。
【００３４】
ランディング角は、アライメントコイル（詳細後述）の出力を調整して変化させる。例えば、最外のサブフィールドを露光するために大偏向させた状態において、アライメントコイルの出力をゼロとして、電流量を計測する。そして、グラフの横軸にアライメントコイル出力値、縦軸に電流量をプロットする。同偏向位置において、アライメントコイルの出力を振って、その都度電流量を計測し、グラフにプロットしていくと、図３のグラフが得られる。
【００３５】
このグラフにおいて電流量が最大となる位置が、ビームの主光線が第１及び第２ピンホール６１、７１の両方を通過した場合であり、すなわち、ランディング角がゼロのとき（電子ビームが感応基板に垂直に入射したとき）である。電流量が減少するほどランディング角が垂直から外れていくことになる。
したがって、ランディング角を垂直にするには、透過電流検出器８０で検出される電流量が最大となるように投影光学系を調整すればよい。
【００３６】
次に、ランディング角調整のための投影光学系の調整方法について説明する。
まず、図１を参照して、マスクの下方に配置されている、アライメントコイル及び偏向器について説明する。
マスク面のすぐ下方には、２つのアライメントコイル４１−１、４１−２がＺ軸方向に並んで配置されている。このアライメントコイル４１は、光学系の光軸上のビームを調整する。
さらに、第１投影レンズ１５の内側には、第１偏向器４３−１と第２偏向器４３−２が、Ｚ方向に並んで配置されている。また、コントラスト開口１８の下方の、第２投影レンズ１９の内側には、第３偏向器４５−１と第４偏向器４５−２が、Ｚ方向に並んで配置されている。
【００３７】
図４は、無偏向位置と偏向位置でのビームの軌道を示す図である。図中の一点鎖線で示す軌道が、投影光学系の光軸上である無偏向位置であり、二点鎖線で示す軌道が、最大偏向位置（最外サブフィールド位置）である。
無偏向位置（投影光学系の光軸位置）では、各偏向器４３、４５の出力をゼロとする。光学系は、この位置でランディング角がゼロとなるよう設計されている。この位置でランディング角がゼロでない場合は、レンズ等の光学系の構成因子の調整が不良である場合であり、再調整しなおす必要がある。または、各アライメントコイル４１に流す電流量の比を調整して、透過電流検出器８０で検出される電流量が最大となる条件を求める。
【００３８】
また、ビームを偏向した位置（サブフィールド列の両端付近のサブフィールド）では、光学系の収差が大きく、ランディング角もゼロから外れることが予想される。この位置でランディング角を調整するには、第１〜４偏向器４３−１、４３−２、４５−１、４５−２の出力の比を調整して、透過電流検出器８０で検出される電流量が最大となる条件を求める。
このような方法により、無偏向位置及び偏向位置において、ビームの入射位置を変化させずにランディング角を垂直にできる。
【００３９】
そして、上記で決定した条件下で露光を行うことにより、全てのサブフィールドにおいてランディング角を垂直にでき、偏向時の収差等を低減できる。
【００４０】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、ビームのランディング角を垂直に調整する際に、ウェハステージをＺ方向に駆動する機構が不要となり、あるいは、Ｚ方向ストロークが微小ですむ。このため、偏向時の収差等を低減した荷電粒子線露光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るランディング角計測のための装置構成を説明する図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るビームランディング角の調整方法を詳細に説明する図である。
【図３】ランディング角と電流値との関係を示すグラフである。
【図４】無偏向位置と偏向位置でのビームの軌道を示す図である。
【図５】電子線投影露光装置の光学系全体における結像関係及び制御系の概要（例）を示す図である。
【図６】従来のビームランディング角を計測する方法を模式的に説明する図である。
【符号の説明】
１  電子銃                    ２、３  コンデンサレンズ
４  矩形開口                  ５  ブランキング偏向器
７  ブランキング開口          ８  偏向器
９  照明レンズ              １０  マスク
１１  マスクステージ          １５、１９  投影レンズ
１８  コントラスト開口        ２２  反射電子検出器
２３  ウェハ                  ２４  ウェハステージ
２５  位置検出器              ３１  コントローラ
４１  アライメントコイル      ４３、４５  偏向器
５０  マスク                  ５１  点パターン
６０  第１ピンホール基板      ６１  第１ピンホール
７０  第２ピンホール基板      ７１  第２ピンホール
８０  透過電流検出器
【図１】
2005050890.tif 000003
【図２】
2005050890.tif 000004
【図３】
2005050890.tif 000005
【図４】
2005050890.tif 000006
【図５】
2005050890.tif 000007
【図６】
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