(57)【要約】  【課題】基板表面の周縁部の処理幅を正確に制御することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。  【解決手段】この装置は、ウエハＷを保持して回転するスピンチャック１と、スピンチャック１の上方に配置された遮断板１０とを備えている。遮断板１０は、ウエハＷの上面の周縁部に対向する位置に、環状部材３２を有している。環状部材３２は、ウエハＷの上面の周縁部に対向するウエハ対向面４５を有する。中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、このエッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜５０を形成する。この液膜５０は、環状部材３２の内周縁付近から内方へ入り込むことができない。ウエハＷの上方の空間４０内の雰囲気は、気体流通路３６を介して外部へ排出される。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の周縁部の表面にエッチング液を供給して、この周縁部の表面の不要物をエッチング除去する基板周縁処理装置であって、
上記基板の周縁部にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
上記基板の周縁部の表面に対して、この周縁部の表面に形成された上記エッチング液の液膜に接触することができる所定の隙間をもって近接するように配置され、基板の外周縁上またはそれよりも内側に内周縁を有し、基板の周縁部の表面におけるエッチング液による処理幅を規定する環状部材と、
この環状部材の内側の空間を閉塞する蓋部材と、
この蓋部材および環状部材によって包囲された空間に気体を供給する気体供給手段と、
上記蓋部材および環状部材によって包囲された空間と外側の空間とを連通させる気体流通路とを含むことを特徴とする基板周縁処理装置。
【請求項２】
上記基板を一方表面側から保持する基板保持手段をさらに備え、
上記蓋部材および環状部材は、上記基板の他方表面側に配置されていることを特徴とする請求項１記載の基板周縁処理装置。
【請求項３】
上記蓋部材は、上記基板保持手段に保持された基板に対して相対回転可能に設けられていることを特徴とする請求項２記載の基板周縁処理装置。
【請求項４】
上記環状部材は、上記基板保持手段に保持された基板に対して相対回転可能に設けられていることを特徴とする請求項２または３記載の基板周縁処理装置。
【請求項５】
上記気体流通路が上記環状部材に形成されており、
上記蓋部材および上記環状部材に包囲された空間内において、上記環状部材における基板との最近接部よりも基板から離れて配置され、上記気体供給手段によって供給される気体を上記気体流通路に向けて整流する整流板をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
【請求項６】
上記整流板の縁部と上記環状部材の内周面との間には、上記整流板から上記気体流通路へと流れ込む気体によるエジェクタ効果によって上記エッチング液を上記気体流通路へと導くエッチング液通路が形成されていることを特徴とする請求項５記載の基板周縁処理装置。
【請求項７】
上記蓋部材と上記整流板との間に、上記気体流通路に向かうに従って気体通路を狭窄するオリフィスを形成するオリフィス形成部材をさらに含むことを特徴とする請求項６記載の基板周縁処理装置。
【請求項８】
上記整流板には、その一方表面側と他方表面側との間で気体を流通させる通気孔が形成されていることを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
【請求項９】
上記整流板には、基板と上記整流板との間の空間に気体を供給するための気体供給孔が形成されていることを特徴とする請求項５ないし８のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
【請求項１０】
上記気体流通路は上記環状部材に形成されており、
上記環状部材は、基板に対向する基板対向面において開口するとともに、上記気体流通路と連通した液排出路を有していることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
【請求項１１】
上記環状部材は、基板に対向する基板対向面を有し、
上記気体流通路は、上記基板対向面に刻設された溝によって形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
【請求項１２】
基板の周縁部の表面にエッチング液を供給して、この周縁部の表面の不要物をエッチング除去する基板周縁処理方法であって、
上記基板の周縁部にエッチング液を供給するエッチング液供給工程と、
上記基板の周縁部の表面に対して、この周縁部の表面に形成された上記エッチング液の液膜に接触することができる所定の隙間をもって近接するように、基板の外周縁上またはそれよりも内側に内周縁を有する環状部材を配置し、基板の周縁部の表面におけるエッチング液による処理幅を規定する処理幅規定工程と、
上記環状部材の内側の空間を閉塞する蓋部材を配置する工程と、
上記蓋部材および環状部材によって包囲された空間に気体を供給する気体供給工程と、
上記蓋部材および環状部材によって包囲された空間内の気体を、気体流通路を介して外部へ排出させる気体排出工程とを含むことを特徴とする基板周縁処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板の周縁部を処理するための基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象の基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイパネル用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、およびフォトマスク用基板などの各種の基板が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程においては、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面および周端面（場合によってはさらに裏面）の全域に銅薄膜などの金属薄膜を形成した後、この金属薄膜の不要部分をエッチング除去する処理が行われる場合がある。たとえば、配線形成のための銅薄膜は、ウエハの表面の素子形成領域に形成されていればよいから、ウエハの表面の周縁部（たとえば、ウエハの周端から幅５ｍｍ程度の部分）、裏面および周端面に形成された銅薄膜は不要となる。そればかりでなく、周縁部、裏面および周端面の銅または銅イオンは、基板処理装置に備えられた基板搬送ロボットのハンドを汚染し、さらにこの汚染が当該ハンドによって保持される別の基板へと転移するという問題を引き起こす。
【０００３】
同様の理由から、基板周縁に形成された金属膜以外の膜（酸化膜や窒化膜など）を薄くエッチングすることによって、その表面の金属汚染物（金属イオンを含む）を除去するための処理が行われることがある。
ウエハの周縁部および周端部の薄膜を選択的にエッチングするための基板周縁処理装置は、たとえば、ウエハを水平に保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックの上方においてウエハ上の空間を制限する遮断板と、ウエハの下面にエッチング液を供給するエッチング液供給ノズルとを含む。ウエハの下面に供給されたエッチング液は、遠心力によってウエハの下面を伝わってその回転半径方向外方へと向かい、ウエハの端面を伝ってその上面に回り込み、このウエハの上面の周縁部の不要物をエッチングする。このとき、遮断板は、ウエハの上面に近接して配置され、この遮断板とウエハとの間には、窒素ガス等の不活性ガスが供給される。
【０００４】
この不活性ガスの流量やスピンチャックの回転数を適切に調整することによって、エッチング液の回り込み量を調整できるので、ウエハ上面の周縁部の所定幅（たとえば１〜７ｍｍ）の領域を選択的にエッチング処理することができる（いわゆるベベルエッチング処理）。
スピンチャックによってウエハが保持されて回転されている期間に、ウエハの下面からエッチング液が供給されることにより、ウエハの上面の周縁部の不要物がエッチング除去され、その後は、ウエハの上下面に対して純水リンス処理が行われた後、スピンチャックが高速回転されて、ウエハの上下面の水滴を振り切る乾燥処理が行われる。
【特許文献１】特開２００３−８８７９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが上述のような構成では、エッチング液の回り込み量を正確に制御することができず、そのため、エッチング幅精度があまり良くなく、ウエハの周縁部の各部でエッチング幅が不均一になるという問題がある。
すなわち、ウエハの上面と遮断板との距離が遠いときには、エッチング液は遮断板に接触しないから、ウエハ上面への回り込み量が少なく、また回り込み量の制御を正確に行うことができない。さらに、この場合には、ウエハ上面と遮断板との間の空間と外部空間との間の連通空間が大きいから、外部からのエッチング液の雰囲気または飛散した液滴または霧もしくは蒸気（いわゆるミスト）がウエハ表面の中央部のデバイス形成領域に侵入するという問題もある。
【０００６】
一方、ウエハ上面と遮断板との距離が近いときには、ウエハ上面に回り込んだエッチング液が遮断板の下面（平面）に接触するから、エッチング液の回り込み量が大きくなり、その回り込み量の制御を正確に行うことができない。
このように、いずれの場合にも、エッチング液の回り込み量を正確に制御することができない。
【０００７】
そこで、この発明の目的は、基板表面の周縁部の処理幅を正確に制御することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）の周縁部の表面にエッチング液を供給して、この周縁部の表面の不要物をエッチング除去する基板周縁処理装置であって、上記基板の周縁部にエッチング液を供給するエッチング液供給手段（４，５，７）と、上記基板の周縁部の表面に対して、この周縁部の表面に形成された上記エッチング液の液膜（５０）に接触することができる所定の隙間をもって近接するように配置され、基板の外周縁上またはそれよりも内側に内周縁を有し、基板の周縁部の表面におけるエッチング液による処理幅を規定する環状部材（３２，６１）と、この環状部材の内側の空間を閉塞する蓋部材（３１）と、この蓋部材および環状部材によって包囲された空間に気体を供給する気体供給手段（２４，２６，３０，１８，１９）と、上記蓋部材および環状部材によって包囲された空間と外側の空間とを連通させる気体流通路（３６，６３，７５）とを含むことを特徴とする基板周縁処理装置である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
【０００９】
この構成によれば、基板の周縁部の表面に対して、所定の隙間をもって環状部材が配置され、この環状部材は、基板の外周縁上またはそれよりも内側に内周縁を有していて、基板の周縁部の表面におけるエッチング処理幅を規定する。すなわち、エッチング液供給手段から供給されたエッチング液は、基板の表面の周縁部に液膜を形成するが、この液膜に環状部材が接触することによって、環状部材の内周縁付近でエッチング液が規制され、エッチング液が基板の内方の領域に侵入することを抑制できる。このようにして、基板の周縁部を良好な精度の処理幅でエッチング処理することができる。
【００１０】
また、環状部材の内側の空間は、蓋部材によって閉塞されているため、環状部材の外方の空間に存在するエッチング液の液滴またはミストが環状部材を越えて基板の中央領域に至ることがないので、基板の中央領域に損傷を与えることなく、その周縁部の表面を良好に処理することができる。しかも、環状部材と基板の周縁の表面との間は液膜によって封止されていて、環状部材の外部の液滴またはミストが環状部材と基板の周縁部の表面との隙間を通って基板の内方の領域に至ることを抑制できる。よって、基板の内方の領域を保護できる。
【００１１】
そして環状部材および蓋部材によって包囲された空間には、気体供給手段からの気体が供給され、さらに、この空間内の気体は気体流通路を通って外部へと流出するようになっている。これにより、環状部材および蓋部材によって包囲された空間内の気体を、気体供給手段から供給される気体に置換することができる。その結果、上記空間内にエッチング液の雰囲気が滞留し、たとえば、環状部材の内周縁の付近において基板上に不所望な腐食が生じるなどという不具合を回避できる。
【００１２】
しかも、上記空間に供給された気体は気体流通路を通って外部へと流出するのであるから、環状部材の内側の気圧が外側の気圧に比べて高くなりすぎて基板の周縁部の表面に形成されたエッチング液の液膜が破れるなどということがなく、基板の周縁部の全周において良好なエッチング処理を行うことができる。
上記蓋部材は、上記環状部材と一体化されていてもよいし、上記環状部材とは別の部材であってもよい。
【００１３】
上記基板は半導体ウエハ等のほぼ円形の基板であってもよいし、液晶表示装置用ガラス基板のような角形の基板であってもよい。
環状部材の内周縁は、基板の外周縁に対応する形状を有することになるから、ほぼ円形の基板を処理するときにはほぼ円形形状を有し、角形の基板を処理するときには角形の形状を有することになる。
【００１４】
上記気体流通路は、上記環状部材に形成されていてもよいし、上記蓋部材に形成されていてもよい。
請求項２記載の発明は、上記基板を一方表面側から保持する基板保持手段（１）をさらに備え、上記蓋部材および環状部材は、上記基板の他方表面側に配置されていることを特徴とする請求項１記載の基板周縁処理装置である。
【００１５】
この発明によれば、基板保持手段によって基板を一方表面側から保持する一方で、蓋部材および環状部材を他方表面側に配置して基板の周縁部を処理することができる。
たとえば、上記基板保持手段は、基板を下方から保持するものであって、上記環状部材が基板の上面側に近接して配置されるようになっていてもよい。
請求項３に記載のように、上記蓋部材は、上記基板保持手段に保持された基板に対して相対回転可能に設けられていることを特徴とする請求項２記載の基板周縁処理装置であってもよい。
【００１６】
また、請求項４に記載のように、上記環状部材は、上記基板保持手段に保持された基板に対して相対回転可能に設けられていることを特徴とする請求項２または３記載の基板周縁処理装置であってもよい。
基板がほぼ円形の基板である場合には、上記基板周縁処理装置は、この基板を回転させる基板回転手段（１，２）をさらに含むことが好ましい。そして、上記環状部材の内周縁は、基板の直径以下の内径を有する円形形状を有していることが好ましい。たとえば、基板回転手段は、基板を保持する基板保持手段（１）と、この基板保持手段を回転させる回転駆動機構（２）とを含むものであってもよい。
【００１７】
上記環状部材は、基板の回転と同期して（すなわち基板と回転方向および回転速度が同じであるように）回転駆動されてもよいが、この環状部材は、静止状態に保たれてもよいし、基板の回転速度とは異なる回転速度で回転されてもよい。このように、基板と環状部材とを相対的に回転させれば、基板と環状部材との相対位置を変化させることができるから、同期回転している場合に比べて、基板の周縁部におけるエッチング処理を平均化させることができる。また、基板の周縁部に接触する液膜を構成するエッチング液を撹拌して新液への置換を促進できるから、エッチング液の能力を維持でき、基板の周縁部の処理を効率的に行える。
【００１８】
また、上記基板回転手段によって基板を回転状態としつつ、上記エッチング液供給手段から基板の周縁部にエッチング液が供給されるようにしてもよい。この構成によれば、基板が回転状態とされ、エッチング液供給手段から基板の周縁部にエッチング液が供給される。このとき、基板の周縁部にはエッチング液の液膜が形成されるが、環状部材の働きにより、このエッチング液の液膜が基板の内方の領域へと侵入することが抑制される。
【００１９】
上記環状部材は、上記内周縁から外方に延び、基板の周縁部の表面に対向する基板対向面を有していることが好ましい。この構成によれば、エッチング液の液膜を基板対向面に接触させることができ、この基板対向面と基板の周縁部の表面との間に液膜を存在させることができる。これによって、基板の周縁部の表面の全域にわたってエッチング液の安定な液膜を確実に形成することができるので、より安定で均一なエッチング処理が可能になる。
【００２０】
上記基板対向面は、基板の周縁部の表面とほぼ平行な面とすれば、さらに安定したエッチング液の液膜を形成することができる。
請求項５記載の発明は、上記気体流通路が上記環状部材に形成されており、上記蓋部材および上記環状部材に包囲された空間内において、上記環状部材における基板との最近接部よりも基板から離れて配置され、上記気体供給手段によって供給される気体を上記気体流通路に向けて整流する整流板（３３）をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。
【００２１】
この構成によれば、環状部材および蓋部材によって包囲された空間に供給された気体は、整流板によって、環状部材に形成された気体流通路へとスムーズに導かれる。これにより、上記空間内におけるエッチング液雰囲気の滞留を効果的に抑制または防止することができ、基板の中央領域の腐食を効果的に抑制できる。さらに、整流板は、環状部材における基板との最近接部よりも基板から離れて配置されているので、整流板と基板との間にエッチング液の液膜が形成されるなどということがない。また、気体流通路からミストや飛沫が入り込んだとしても、これらを整流板によって受けることができ、基板の中央領域に到達することを抑制できる。これにより、より高品質な基板処理が可能になる。
【００２２】
請求項６記載の発明は、上記整流板の縁部と上記環状部材の内周面との間には、上記整流板から上記気体流通路へと流れ込む気体によるエジェクタ効果によって上記エッチング液を上記気体流通路へと導くエッチング液通路（３９）が形成されていることを特徴とする請求項５記載の基板周縁処理装置である。
この構成によれば、整流板の縁部と環状部材の内周面との間に形成されるエッチング液通路を介して、気体排出路へとエッチング液を引き出すことができる。これにより、環状部材の内周縁から基板の中央部へと入り込もうとするエッチング液を強制的に排除することができる。また、基板の周縁部に接触する液膜を構成するエッチング液の新液への置換を促進できるから、エッチング液の能力を維持でき、基板の周縁部の処理を効率的に行える。
【００２３】
請求項７記載の発明は、上記蓋部材と上記整流板との間に、上記気体流通路に向かうに従って気体通路を狭窄するオリフィスを形成するオリフィス形成部材（３２Ａ）をさらに含むことを特徴とする請求項６記載の基板周縁処理装置である。
この構成によれば、オリフィスによって気体が加速されることにより、エジェクタ効果を高めることができるので、基板の中央部にエッチング液が及ぶことをより確実に抑制できるとともに、液膜を構成するエッチング液の新液への置換をさらに促進できる。
【００２４】
請求項８記載の発明は、上記整流板には、その一方表面側と他方表面側との間で気体を流通させる通気孔（４６）が形成されていることを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。
この構成によれば、基板と整流板との間の空間が過度に減圧されることを防止できるので、整流板と基板との間の間隙にエッチング液が侵入することを抑制できる。
【００２５】
請求項９記載の発明は、基板と上記整流板との間の空間に気体を供給するための気体供給孔（１７）が形成されていることを特徴とする請求項５ないし８のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。  この構成によっても、基板と整流板との間の空間が過度に減圧されることを防止できるので、整流板と基板との間の間隙にエッチング液が侵入することをさらに抑制できる。
【００２６】
請求項１０記載の発明は、上記気体流通路は上記環状部材に形成されており、上記環状部材は、基板に対向する基板対向面において開口するとともに、上記気体流通路と連通した液排出路（７３）を有していることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。
この構成によれば、基板対向面と基板の周縁部の表面との間のエッチング液を、液排出路を介して環状部材の外方の空間へと排出することができる。すなわち、環状部材に形成された気体流通路を介して気体が流出するときに生じるエジェクタ効果によって、液排出路内が減圧され、基板対向面と基板との間の液膜を形成するエッチング液を吸い出すことができる。これにより、基板の中央領域にエッチング液が入り込むことを抑制でき、また、液膜を構成するエッチング液の新液への置換を促進して、処理の効率化を図ることができる。
【００２７】
なお、上記液排出路は、環状部材の内周縁近傍で開口するように形成されることが好ましい。
請求項１１記載の発明は、上記環状部材は、基板に対向する基板対向面を有し、上記気体流通路は、上記基板対向面に刻設された溝（７１）によって形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。この構成によれば、基板対向面に形成された溝によって気体流通路を形成できるので、環状部材の構成を簡単にすることができる。
【００２８】
上記の溝は、環状部材の基板対向面に、周方向に間隔をあけて複数本形成されていてもよい。この場合に、溝の部分において、基板対向面と基板との間の液膜が分断されるかもしれないが、そのような場合には、基板と環状部材とを相対回転させる構成とすれば、基板の周縁部の全周に対して均一な処理を施すことができる。
上記エッチング液供給手段は、上記周縁部の表面を含む基板の表面とは反対側の面に向けてエッチング液を供給するノズル（５）を含むものであってもよい。この構成によれば、処理対象領域である基板の周縁部の表面とは反対側の表面からエッチング液が供給され、このエッチング液が基板の端面を回り込んで上記周縁部の表面へと導かれ、ここに上記環状部材と協働して安定した液膜を形成することができる。
【００２９】
上記反対側の表面に供給されたエッチング液を上記周縁部の表面に導くためには、基板を回転させて、上記ノズルから供給されたエッチング液を遠心力により基板の端面へと導くことが好ましい。また、上記基板が円形基板の場合に、上記基板の周縁部の表面へのエッチング液の供給がより良好に行える。
上記ノズルは、上記反対側の面の中央部に向けてエッチング液を供給するものであってもよいし、上記反対側の面の周縁部付近に向けてエッチング液を供給するものであってもよい。
【００３０】
上記環状部材は、上記内周縁から、基板の表面から遠ざかる方向に立ち上がる内壁面（４７）を有していることが好ましい。この構成により、エッチング液の液膜が環状部材の内壁面の近傍からさらに基板の内方の領域へと侵入することを確実に防止できる。なお、上記内壁面は、鉛直に沿う面であってもよいし、水平に対して傾斜した傾斜面であってもよい。
【００３１】
請求項１２記載の発明は、基板（Ｗ）の周縁部の表面にエッチング液を供給して、この周縁部の表面の不要物をエッチング除去する基板周縁処理方法であって、上記基板の周縁部にエッチング液を供給するエッチング液供給工程と、上記基板の周縁部の表面に対して、この周縁部の表面に形成された上記エッチング液の液膜に接触することができる所定の隙間をもって近接するように、基板の外周縁上またはそれよりも内側に内周縁を有する環状部材（３２，６１）を配置し、基板の周縁部の表面におけるエッチング液による処理幅を規定する処理幅規定工程と、上記環状部材の内側の空間を閉塞する蓋部材（３１）を配置する工程と、上記蓋部材および環状部材によって包囲された空間に気体を供給する気体供給工程と、上記蓋部材および環状部材によって包囲された空間内の気体を、気体流通路（３６，６３，７５）を介して外部へ排出させる気体排出工程とを含むことを特徴とする基板周縁処理方法である。この方法により、請求項１の発明と同様な効果を達成できる。この方法の発明についても、上述の基板周縁処理装置の場合と同様な変形が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板周縁処理装置の構成を説明するための断面図である。この基板周縁処理装置は、ほぼ円形の基板である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗの表面（この実施形態では上面）の周縁部および端面に形成されている薄膜を除去することができるものである。この基板処理周縁装置は、ウエハＷをその裏面を下方に向けてほぼ水平に保持するとともに、この保持したウエハＷのほぼ中心を通る鉛直軸線回りに回転するスピンチャック１を処理カップ（図示せず）の中に備えている。
【００３３】
スピンチャック１は、モータ等を含む回転駆動機構２の駆動軸である回転軸３に結合されて回転されるようになっている。この回転軸３は、中空軸とされていて、その内部には、純水またはエッチング液を供給することができる処理液供給管４が挿通されている。この処理液供給管４の上端には、スピンチャック１に保持されたウエハＷの下面中央に近接した位置に吐出口５ａを有する中心軸ノズル（固定ノズル）５が結合されており、この中心軸ノズル５の吐出口５ａから、ウエハＷの下面の中央に向けて、純水またはエッチング液を供給できる。
【００３４】
処理液供給管４には、純水供給源に接続された純水供給バルブ６またはエッチング液供給源に接続されたエッチング液供給バルブ７を介して、純水またはエッチング液が所要のタイミングで供給されるようになっている。
エッチング液には、ウエハＷの周縁部の表面から除去しようとする薄膜の種類に応じた種類のものが適用される。たとえば、ウエハＷの周縁部の表面から銅薄膜等の金属膜を除去するときには、たとえば、塩酸と過酸化水素水との混合液、フッ酸と過酸化水素水との混合液、または硝酸がエッチング液として用いられる。また、ポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜またはシリコン酸化膜をウエハＷから除去するときには、たとえば、フッ酸と硝酸との混合液がエッチング液として用いられる。さらに、ウエハＷ上の酸化膜または窒化膜を除去するときには、たとえば、ＤＨＦ（希フッ酸）や５０％フッ酸などのフッ酸類がエッチング液として用いられる。
【００３５】
処理液供給管４と回転軸３との間の空間は、プロセスガス供給路８とされており、このプロセスガス供給路８は、中心軸ノズル５の周囲において、ウエハＷの下方の空間と連通している。プロセスガス供給路８には、プロセスガス供給源からのプロセスガス（たとえば、窒素等の不活性ガス）が、プロセスガス供給バルブ９を介して供給されるようになっている。
【００３６】
スピンチャック１の上方には、スピンチャック１に保持されたウエハＷに対向する円盤状の遮断板１０が水平に設けられている。この遮断板１０は、ウエハＷの上面のほぼ全域を覆うことができる大きさに形成されていて、遮断板昇降駆動機構１１によって、スピンチャック１に対して昇降させることができる。また、遮断板１０は、遮断板回転駆動機構としてのモータ１２によって、スピンチャック１の回転軸線と同一回転軸線上で回転させることができるようになっている。
【００３７】
モータ１２は、この実施形態では、中空のモータで構成されており、このモータ１２によって回転駆動される回転軸１３の下端に遮断板１０が結合されている。
回転軸１３は、中空軸とされていて、その内部には、中心軸ノズル１４が挿通されている。この中心軸ノズル１４には、純水供給源からの純水を純水供給バルブ１５を介して供給することができ、薬液（たとえばエッチング液）液供給源からの薬液を薬液供給バルブ１６を介して供給できるようになっている。中心軸ノズル１４の下端は、遮断板１０の中央に形成された貫通孔１７に入り込んで、スピンチャック１に保持されたウエハＷの上面の中央（回転中心）に臨んでいる。
【００３８】
中空軸である回転軸１３と中心軸ノズル１４との間の隙間は、プロセスガス供給路１８を形成しており、このプロセスガス供給路１８は、遮断板１０の貫通孔１７から、ウエハＷの上面の中央付近に臨んでいる。プロセスガス供給路１８には、プロセスガス供給源からのプロセスガス（たとえば、窒素ガス等の不活性ガス）が、プロセスガス供給バルブ１９を介して供給できるようになっている。
【００３９】
モータ１２を収容したハウジング２０内には、回転軸１３を軸支する軸受け２１と、遮断板１０の内部空間にプロセスガスを供給するためのプロセスガス供給機構２２とが設けられている。プロセスガス供給機構２２は、回転軸１３の外周面に対向するラビリンス面を内周面に有する筒状ラビリンス部材２３と、このラビリンス部材２３に形成されたプロセスガス供給口２３ａに結合されたプロセスガス導入路２４とを有している。
【００４０】
ラビリンス部材２３のラビリンス面において、プロセスガス供給口２３ａに対応する位置には、環状溝２３ｂが形成されている。この環状溝２３ｂの上下のラビリンス部には、シールガス導入路２５から供給されるシールガスが供給されるようになっている。
プロセスガス導入路２４には、プロセスガス供給源から、プロセスガス供給バルブ２６を介して、プロセスガス（窒素ガス等の不活性ガス）が供給され、シールガス導入路２５には、シールガス供給源から、シールガス供給バルブ２７を介して、シールガス（乾燥空気等）が供給される。
【００４１】
ラビリンス部材２３の下端付近の内部雰囲気は、吸引口２８から吸引されて排気されるようになっていて、プロセスガスまたはシールガスが処理室内に漏れることがないようになっている。
回転軸１３は、内軸１３Ａと、これを取り囲む外軸１３Ｂとの二重軸構造となっており、内軸１３Ａの下端付近に形成された外向きのフランジ２９によって、外軸１３Ｂ下端が支持されている。外軸１３Ｂには、ラビリンス部材２３の環状溝２３ｂに対向する位置に開口するとともに、その肉厚内で軸方向に延びたプロセスガス通路３０が形成されている。このプロセスガス通路３０は、フランジ２９に形成された貫通孔および遮断板１０の上蓋部３１に形成された貫通孔を経て、遮断板１０の内部空間と連通している。
【００４２】
プロセスガス導入路２４から供給されるプロセスガスは、ラビリンス部材２３のラビリンス面において、シールガスによってシールされた状態で、回転軸１３のプロセスガス通路３０に導かれることになる。
遮断板１０は、円板形状の上蓋部３１と、この上蓋部３１の周縁部においてその下面に結合された環状部材３２と、この環状部材３２の内方において、上蓋部３１に下方から結合された円板状の整流板３３とを備えている。上蓋部３１、環状部材３２および整流板３３によって、遮断板１０の内部にはガス空間３４が区画されている。このガス空間３４には、プロセスガス通路３０からのプロセスガスが導かれる。
【００４３】
図２は、環状部材３２の近傍の構成を説明するための拡大断面図である。処理対象のウエハＷは、スピンチャック１に備えられた複数本（たとえば３本）のチャックピン４１によって挟持されている。チャックピン４１は、ウエハＷの下面の周縁部を支持する支持部４２と、ウエハＷの端面に当接して、このウエハＷの水平移動を規制するガイドピン４３とを備えている。
【００４４】
環状部材３２は、ガイドピン４３よりもウエハＷの回転半径方向内方に位置しており、スピンチャック１に保持されたウエハＷの上方側において、このウエハＷの上面の周縁部に対向している。
環状部材３２は、上蓋部３１の下面の周縁部に固定された上リング３２Ａと、この上リング３２Ａに対向するように、この上リング３２Ａの下方に設けられた下リング３２Ｂとを有している。上リング３２Ａと下リング３２Ｂとは、周方向に間隔をあけて配置された複数個（たとえば等角度間隔で１２個）の支え部材３５によって互いに結合されている。これにより、上リング３２Ａの下面と下リング３２Ｂの上面との間には、上蓋部３１と環状部材３２とによって包囲された空間と外側の空間とを連通させるスリット開口状の気体流通路３６が形成されている。
【００４５】
下リング３２Ｂは、ウエハＷの上面の周縁部の表面に対向するウエハ対向面４５と、このウエハ対向面４５の内周縁から外方に向けて斜め上方に立ち上がり、気体流通路３６に連接した内壁面４７と、ウエハ対向面４５の外周縁から鉛直上方に立ち上がった外壁面４８とを有している。
ウエハ対向面４５とウエハＷの周縁部との間の隙間には、エッチング液の液膜５０が形成され、この液膜５０はウエハ対向面４５に接触するとともに、ウエハ対向面４５の内周縁（内壁面４７とウエハ対向面４５とが交わる稜線部）によって、それよりもウエハＷの内方への移動が規制されることになる。
【００４６】
整流板３３は、たとえば、遮断板１０の回転中心に対して等角度間隔で複数個（たとえば４個）設けた整流板支え部材３７によって、上蓋部３１の下面に取り付けられている。この整流板３３の下面は、ウエハＷの中央部に対向する対向面をなし、下リング３２Ｂのウエハ対向面４５よりもウエハＷの上面から離れて位置している。整流板３３の上面（ウエハＷとは反対側の表面）は、気体流通路３６と実質的に同一平面内に位置している。そして、整流板３３の周端面３８は、下リング３２Ｂの内壁面４７とほぼ平行な傾斜面をなしている。整流板３３の周端面３８と下リング３２Ｂの内壁面４７とは互いに対向していて、整流板３３の上面から気体流通路３６へと流れ込むプロセスガスによるエジェクタ効果によって、エッチング液Ｅを気体流通路３６へと導くエッチング液通路３９を形成している。
【００４７】
整流板３３の周縁部は、気体流通路３６の入口の近傍に達し、この入口の下縁付近にその上面が位置している。そのため、気体流通路３６を介して外部から処理液の飛沫等が入り込んだとしても、この飛沫等は整流板３３の上面で受け止められる。これにより、ウエハＷの上面が飛沫等によって汚染されることを抑制または防止できる。
上リング３２Ａは、その内周面が、回転半径方向外方に向かうに従って整流板３３の上面に近接していき、整流板３３の周縁部の上面近傍に至る傾斜面からなるオリフィス形成面４０となっている。ガス空間３４に供給されるプロセスガスは、整流板３３によって、回転半径方向外方側へと流れ、気体流通路３６へと向かう気流へと整流される。オリフィス形成面４０と整流板３３の上面との間では、気体流通路３６に向かうに従って気体通路が狭窄されるオリフィスが形成されている。これにより、気体流通路３６の入口付近において、プロセスガスが加速されることになる。その結果、エッチング液通路３９に対するエジェクタ効果が高められ、下リング３２Ｂのウエハ対向面４５よりも内方へと入り込もうとするエッチング液は、気体流通路３６を介して外部に排出されることになる。これにより、ウエハＷの中央領域に対する不所望なエッチングを抑制できる。また、液膜５０を構成するエッチング液の新液への置換が促進されるため、液膜５０のエッチング能力を維持することができる。これにより、処理効率を高め、処理時間を短縮することができる。
【００４８】
上記のエジェクタ効果に伴って整流板３３とウエハＷの上面との間の空間が減圧されることを防ぐためには、整流板３３の中央付近に、１〜１０ｍｍ程度の径の通気孔４６（図１参照）を形成してもよい。通気孔４６は、１個でもよいし複数個でもよい。あるいは、整流板３３の中央に形成された貫通孔１７から、整流板３３とウエハＷの上面との間の空間へ、プロセスガス供給路１８からのプロセスガスを減圧の度合いに応じた流量で供給するようにしてもよい。さらには、プロセスガス導入路２４からのプロセスガスの供給を停止させて、プロセスガス供給路１８からのプロセスガスのみを供給するようにしてもよい。
【００４９】
下リング３２Ｂの内周縁は、ウエハＷの上面の周縁部の処理対象領域（ウエハＷの外周端から３〜５ｍｍ内側迄の領域）の内周縁よりも若干外側（たとえば、０．１〜数ｍｍ外側。ただし、エッチング液の種類やウエハＷの表面状態によって異なる。）に配置されることが好ましい。すなわち、環状部材３２の内周縁は、ウエハＷの直径よりも短い直径の円形をなすが、さらに、ウエハＷの上面の周縁部の処理対象領域の内周縁がなす円の直径よりも若干大きな直径の円形をなしていることが好ましい。
【００５０】
ウエハ対向面４５とウエハＷの周縁部の表面との間の間隔は、エッチング液の種類やウエハＷの表面状態にもよるが、たとえば、０．１〜５．０ｍｍ程度（より好ましくは、０．１〜０．２ｍｍ程度）とすることが好ましい。
図１に示されているように、スピンチャック１には、円盤状のスピンベース４４１と、このスピンベース４４１上に立設されたチャックピン４１を作動させるためのチャックピン駆動機構４４が備えられている。このチャックピン駆動機構４４は、たとえば、スピンベース４４１の内部に設けられたリンク機構４４２と、このリンク機構４４２を駆動する駆動機構４４３とを含む。この駆動機構４４３は、回転軸３とともに回転する回転側可動部材４４４と、この回転側可動部材４４４の外周側に軸受け４４５を介して結合された固定側可動部材４４６と、この固定側可動部材４４６を昇降させるためのチャックピン駆動用昇降駆動機構４４７とを備えている。
【００５１】
チャックピン駆動用昇降駆動機構４４７によって固定側可動部材４４６を昇降させると、これとともに回転側可動部材４４４が昇降し、この昇降運動がリンク機構４４２に伝達されて、チャックピン４１の動作に変換される。これにより、チャックピン駆動用昇降駆動機構４４７を作動させることによって、チャックピン４１によってウエハＷを挟持させたり、その挟持を解除したりすることができる。固定側可動部材４４６と回転側可動部材４４４とが軸受け４４５を介して結合されているので、スピンチャック１の回転中であっても、チャックピン４１によるウエハＷの挟持を解除したり緩めたりして、ウエハＷの挟持位置を変更することができる。
【００５２】
処理対象のウエハＷをスピンチャック１に導入するときには、遮断板昇降駆動機構１１の働きにより、遮断板１０はスピンチャック１から上方に離れた退避位置に退避させられている。この状態で、図示しない基板搬送ロボットにより、未処理のウエハＷがスピンチャック１に受渡される。その後、チャックピン駆動機構４４の働きにより、ウエハＷがチャックピン４１によって挟持される。
【００５３】
その後、遮断板昇降駆動機構１１の働きによって、遮断板１０がスピンチャック１に向かって下降させられ、整流板３３がウエハＷの中央領域に近接して位置し、かつ、環状部材３２がウエハＷの周縁部の表面に近接した状態とされる。この際、ウエハＷ上面とウエハ対向面４５との間隔は、たとえば０．５mmとする。この状態で、回転駆動機構２によってスピンチャック１が回転駆動され、モータ１２によって遮断板１０が回転駆動される。このとき、スピンチャック１および遮断板１０は、同じ方向ではあるが若干異なる回転速度で回転するように、回転駆動機構２およびモータ１２が制御される。たとえば、スピンチャック１および遮断板１０は、それぞれ順に、５００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ程度で回転している。
【００５４】
この状態で、エッチング液供給バルブ７が開かれることによって、ウエハＷの裏面中央向けて、中心軸ノズル５からエッチング液Ｅが供給される。このエッチング液は、遠心力を受けて、ウエハＷの下面を伝ってその周端面に至り、この周端面を回り込んでウエハＷの上面の周縁部に至る。そして、図２に示されているように、下リング３２Ｂのウエハ対向面４５とウエハＷの周縁部の表面との間の隙間に液膜５０を形成する。この液膜５０は、ウエハ対向面４５に接触する。下リング３２Ｂの内壁面４７は、外方に向けて斜め上方に立ち上がっており、かつ、エッチング液通路３９に対するエジェクタ効果が生じるから、エッチング液の液膜５０は、下リング３２Ｂの内周縁から大きくウエハＷの内方の領域に入り込むことはできない。これにより、ウエハＷの上面の周縁部におけるエッチング幅を高精度で制御することができる。
【００５５】
一方、プロセスガス供給バルブ２６が開かれて、ガス空間３４から気体流通路３６へと向かうプロセスガスの気流が形成されるが、場合によっては、プロセスガス供給バルブ１９を開いて、ウエハＷの上面空間５５にもプロセスガスを供給してもよい。この上面空間５５に供給されるプロセスガスの圧力によっても、エッチング液の液膜５０がウエハＷの内方の領域へと侵入することを抑制できる。また、上面空間５５に供給されたプロセスガスは、整流板３３の周端面３８と下リング３２Ｂの内壁面４７との間に形成されたエッチング液通路３９を通って気体流通路３６へと導かれる。そのため、上面空間５５にエッチング液雰囲気が滞留することを防止でき、このエッチング液雰囲気を清浄なプロセスガスへと速やかに置換することができる。これにより、ウエハＷの中央領域の腐食を抑制できる。
【００５６】
下リング３２Ｂよりも内方の空間は、液膜５０によって密閉されているが、ウエハＷの上面空間５５と外部空間とは、エッチング液通路３９および気体流通路３６を介して連通しているので、内外の圧力差に起因して、液膜５０がいずれかの位置で破れてしまったりすることはない。
この状態で所定時間にわたってウエハＷの周縁部の表面のエッチング処理が行われると、エッチング液供給バルブ７が閉じられ、遮断板昇降駆動機構１１によって遮断板１０が所定の高さ（たとえばウエハ対向面４５とウエハＷ上面との間隔が５０ｍｍとなる位置）まで上昇される。その後、純水供給バルブ６が開かれるとともに、プロセスガス供給バルブ２６が閉じられて、純水供給バルブ１５が開かれる。これにより、ウエハＷの上面および下面に純水が供給されて、ウエハＷを水洗する純水リンス処理が行われる。
【００５７】
その後、純水供給バルブ６および１５が閉じられ、再び遮断板昇降駆動機構１１によって遮断板１０が下降されてウエハＷ上面に近接される（たとえばウエハ対向面４５とウエハＷ上面との間隔が０．３ｍｍとなる位置）。この状態で、スピンチャック１が高速回転駆動されて、ウエハＷ上の水分を遠心力により振り切って取り除くための乾燥処理が行われる。
【００５８】
プロセスガス供給バルブ９および１９は、ウエハＷの処理中、終始開成状態とされて、ウエハＷの上面および下面を不活性ガス雰囲気に保持する。シールガス供給バルブ２７も同様に、ウエハＷの処理中、終始開成状態とされ、プロセスガスの流路の内外における雰囲気の流通を阻止する。
以上のように、この実施形態によれば、ウエハＷの周縁部におけるエッチング液の液膜５０が、環状部材３２によって、ウエハＷの内方の領域に侵入しないように規制される。これにより、ウエハＷの周縁部におけるエッチング幅を精度よく制御することができ、ウエハＷの周縁部に対して、良好な処理を施すことができる。
【００５９】
また、ウエハＷの上面空間にエッチング液の雰囲気が滞留したりすることがなく、このエッチング液を速やかにプロセスガスに置換することができる。これにより、ウエハＷの中央領域に対する不所望な腐食を抑制または防止することができる。
図３は、この発明の第２の実施形態に係る基板周縁処理装置の構成を説明するための断面図である。この図３において、上述の図１に示された各部に対応する部分には、図１の場合と同一の参照符号を付して示す。
【００６０】
この実施形態では、遮断板１０は、上蓋部３１と、この上蓋部３１の周縁部の下面に取り付けられた環状部材６１とで構成されており、第１の実施形態のような整流板は備えられていない。
環状部材６１は、ウエハＷの周縁部の環状の処理対象領域に対応した内周縁を有するウエハ対向面６２を有している。すなわち、このウエハ対向面６２の内周縁は、ウエハＷの径よりも小さな径の円形をなしている。この内周縁がなす円形は、ウエハＷの上面の周縁部の処理対象領域の内周縁よりも若干大きい。
【００６１】
環状部材６１には、上蓋部３１および環状部材６１によって包囲された内方の空間６５と、環状部材６１の外部の空間とを連通させるための気体流通路６３が形成されている。この気体流通路６３は、この実施形態では、ウエハＷの回転中心から放射状に複数個（たとえば、等角度間隔で３６個）形成されていて、プロセスガス供給路１８から空間６５へと供給され、ウエハＷの外方へと向かうプロセスガスを、外部空間へと排出するようになっている。
【００６２】
この実施形態では、整流板が設けられていないので、上述の第１の実施形態の場合とは異なり、プロセスガス供給路１８とは別のプロセスガス通路３０を設ける必要がない。そのため、プロセスガス供給機構２２は設けられておらず、ラビリンス部材２３が形成するラビリンス間隙には、シールガスのみが供給されている。これにより、軸受け２１からの発塵を抑制または防止できるようになっている。
【００６３】
この実施形態の構成においても、環状部材６１のウエハ対向面６２によって、ウエハ対向面６２とウエハＷの上面の周縁部との間に形成される液膜５０がウエハＷの内方の領域へと入り込むことを抑制または防止して、この液膜５０による周縁部処理を良好に行うことができる。また、プロセスガス供給路１８から供給されるプロセスガスの圧力によって、液膜５０がウエハＷの中央領域にへと入り込むことを抑制または防止でき。さらに、このプロセスガスによって、ウエハＷの上方の空間６５の雰囲気を置換し、エッチング液の雰囲気を気体流通路６３を介して外部空間へと排出できる。これにより、ウエハＷの内方の空間がエッチング液の雰囲気によって腐食されたりすることを効果的に抑制または防止できる。
【００６４】
環状部材６１に形成される気体流通路６３は、図３に示されているように、環状部材６１の上面に内周面から外周面に至る溝を形成しておき、環状部材６１と上蓋部３１とを組み合わせることによって、上記の溝と上蓋部３１の下面との間に形成することができる。
このほか、図４に示すように、環状部材６１の上下方向中間位置に、環状部材６１の内周面および外周面を貫通する貫通孔を形成して気体流通路６３とすることもできる。
【００６５】
また、図５(a)に示すように、環状部材６１のウエハ対向面６２である下面に、内周面から外周面に至る溝７１を刻設して、気体流通路６３とすることもできる。ウエハ対向面６２に、周方向に間隔をあけて複数本の溝７１を形成すると、溝７１の大きさによっては、図５(b)（ウエハ対向面６２の周方向に沿う鉛直円筒面でとった断面図）に示すように、液膜５０が溝７１の部分で分断される可能性がある。この場合、遮断板１０のとウエハＷ（スピンチャック１）とを相対回転させれば、ウエハＷの周縁部における処理むらが生じることはない。遮断板１０とウエハＷとの相対回転は、たとえば、スピンチャック１を回転しておく一方で遮断板１０を停止状態とするか、遮断板１０とスピンチャック１との回転速度を異ならせることによって達成できる。
【００６６】
さらに、図６に示すように、環状部材６１の内部に、ウエハ対向面６２の内周縁近傍から気体流通路６３に至るエッチング液排出路７３を形成してもよい。これにより、気体流通路６３を通ってプロセスガスが排出されるときに生じるエジェクタ効果によって、ウエハ対向面６２の内周縁近傍のエッチング液をエッチング液排出路７３を介して排出させることができる。その結果、液膜５０を形成するエッチング液を新液に順次置換していくことができ、また、ウエハ対向面６２の内周縁よりも内方へとエッチング液が入り込むことをより効果的に抑制または防止できる。
【００６７】
エッチング液排出路７３は、図６に示されているように、外方に向けて斜め上方に立ち上がるように形成しておくことが好ましく、これにより、遮断板１０やスピンチャック１を回転させることによって生じる遠心力をも利用して、液膜５０を構成するエッチング液をエッチング液排出路７３を介して外部に排出することができる。
図７は、この発明の第３の実施形態に係る基板処理装置の一部の構成を拡大して示す断面図である。この図７において、上述の図３に示された各部に対応する部分には、図３の場合と同一の参照符号を付して示す。
【００６８】
この実施形態では、上蓋部３１の下面には、環状部材６１の内方において、ウエハＷに向かって下方に突出した突出部６６が形成されている。突出部６６は、ウエハＷの上面に対向し、このウエハＷの上面とほぼ平行に形成されたウエハ対向面６７を有している。このウエハ対向面６７は、環状部材６１のウエハ対向面６２よりもウエハＷから離れて位置していて、上蓋部３１のウエハ対向面６７にエッチング液の液膜５０が接触することはない。
【００６９】
ウエハ対向面６７は、上述の第２の実施形態の場合における上蓋部３１の下面よりもウエハＷの上面に近接しているため、ウエハＷの上方の空間を小さく制限している。これにより、ウエハＷの中央部から外方へ向かうプロセスガスの流通を促進して、液膜５０が内方に入り込むことを、より効果的に抑制できる。それとともに、ウエハＷの上方の空間のエッチング液雰囲気をすみやかにプロセスガスに置換できる。なお、この場合、遮断板１０の中央に形成された貫通孔１７からウエハＷにプロセスガスが供給されるようになっている。
【００７０】
環状部材６１の内周面６８は、外方に向けて斜め上方に立ち上がる傾斜面をなしている。また、突出部６６の周縁部には、内周面６８に対向するとともに、この内周面６８と平行な傾斜面６９が形成されている。これにより、内周面６８と傾斜面６９との間には、気体流通路６３へと連通するように、外方に向けて斜め上方に立ち上がる気体通路７０が形成されている。この構成によって、プロセスガス通路が気体通路７０へとスムーズに導かれるので、ウエハＷの上方のエッチング液雰囲気の置換を良好に行える。
【００７１】
図８は、この発明の第４の実施形態に係る基板周縁処理装置の一部の構成を拡大して示す断面図である。この図８において、上述の図３に示された各部に対応する部分には、図３の場合と同一の参照符号を付して示す。
この実施形態では、環状部材６１には気体流通路は形成されておらず、上蓋部３１に、その上下面を貫通する貫通孔からなる気体流通路７５が形成されている。この構成によっても、空間６５内のエッチング液雰囲気をプロセスガスに置換し、エッチング液雰囲気を外部へと排出できるので、ウエハＷの中央領域の腐食を抑制または防止できる。
【００７２】
上蓋部３１の上面には、気体流通路７５から上方に排出される気体を回転半径方向外方へと導く環状のガイド部材７６が設けられている。なお、この場合も、遮断板１０の中央に形成された貫通孔１７からウエハＷにプロセスガスが供給されるようになっている。
以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、上蓋部または環状部材の一方に気体流通路を設けた構成について説明したが、これらの両方に気体流通路を設けてもよい。
【００７３】
また、上記の実施形態では、ウエハＷの下面中央にエッチング液を供給しているが、ウエハＷの下面の周縁部付近にエッチング液を供給し、このエッチング液をウエハＷの上面の周縁部に回り込ませるようにしてもよい。
さらに、スピンチャック１の側方から、たとえば、環状部材の外周面に沿わせて、ウエハＷの上面の周縁部にエッチング液を供給することとしてもよい。また、環状部材に上下方向に貫通するエッチング液供給路を形成し、環状部材の上方から、当該エッチング液供給路を介してウエハＷの上面の周縁部にエッチング液を供給するようにしてもよい。これらの場合には、エッチング液の供給時にスピンチャック１を非回転状態としたり、低速回転状態（遠心力によりエッチング液が基板外に飛び出さない状態）としたりして、ウエハＷの周縁部にエッチング液を液盛りして、この液盛りされたエッチング液によって、ウエハＷ表面の周縁部の不要物をエッチング除去することができる。液盛りされたエッチング液の液膜は、環状部材の働きにより、ウエハＷの内方へと侵入することが抑制されるので、良好な精度でエッチング幅を規定することができる。また、ウエハＷ上にエッチング液を液盛りしてその周縁部の処理を行うことにより、エッチング液の消費量を著しく削減することができる。
【００７４】
また、上記の実施形態では、ウエハＷの上面の周縁部を処理するときには、ウエハＷの上面の中央部への処理液の供給をしないようにしているが、ウエハＷの上面の周縁部の処理中に、純水供給バルブ１５を開いて、ウエハＷの中央領域を純水でカバーし、エッチング液から保護するようにしてもよい。ウエハＷの中央領域の保護の目的のためには、純水のほかにも、炭酸水、水素水、還元水、イオン水または磁気水などのエッチング保護液を用いることができる。
【００７５】
ただし、ウエハＷの中央領域に供給されたエッチング保護液は、ウエハＷの周縁部のエッチング液と混合し、このエッチング液を希釈するから、エッチング液の消費量を削減するためには、エッチング保護液を用いないことが好ましい。
また、上記の実施形態では、ウエハＷの周端面を挟持する構成のスピンチャック１を例示したが、ウエハＷの下面を吸着して保持するバキュームチャックや、ウエハＷの端面に当接するとともにその状態で回転することによってウエハＷを回転させるローラ式のチャックを採用してもよい。
【００７６】
また、上記の実施形態では、円形の基板である半導体ウエハを処理する例について説明したが、とくに、基板上にエッチング液を液盛りして処理するプロセスを採用する場合には、液晶表示装置用ガラス基板等の角形基板に対しても、この発明を適用することができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】この発明の第１の実施形態に係る基板周縁処理装置の構成を説明するための断面図である。
【図２】ウエハの表面の周縁部においてエッチング液の液膜を制御する環状部材の近傍の構成を説明するための拡大断面図である。
【図３】この発明の第２の実施形態に係る基板周縁処理装置の構成を説明するための断面図である。
【図４】気体流通路の配置についての変形例を示す部分断面図である。
【図５】気体流通路の配置についての他の変形例を示す部分断面図である。
【図６】気体流通路に連通するエッチング液排出路を形成した構成を示す部分断面図である。
【図７】この発明の第３の実施形態に係る基板周縁処理装置の構成を説明するための部分断面図である。
【図８】この発明の第４の実施形態に係る基板周縁処理装置の構成を説明するための部分断面図である。
【符号の説明】
【００７８】
１    スピンチャック
２    回転駆動機構
３    回転軸
４    処理液供給管
５    中心軸ノズル
５ａ  吐出口
６    純水供給バルブ
７    エッチング液供給バルブ
８    プロセスガス供給路
９    プロセスガス供給バルブ
１０    遮断板
１１    遮断板昇降駆動機構
１２    モータ
１３    回転軸
１４    中心軸ノズル
１５    純水供給バルブ
１６    薬液供給バルブ
１７    貫通孔
１８    プロセスガス供給路
１９    プロセスガス供給バルブ
２０    ハウジング
２１    軸受け
２２    プロセスガス供給機構
２３    ラビリンス部材
２４    プロセスガス導入路
２５    シールガス導入路
２６    プロセスガス供給バルブ
２７    シールガス供給バルブ
２８    吸引口
２９    フランジ
３０    プロセスガス通路
３１    上蓋部
３２    環状部材
３２Ａ  上リング
３２Ｂ  下リング
３３    整流板
３４    ガス空間
３５    支え部材
３６    気体流通路
３７    整流板支え部材
３８    周端面
３９    エッチング液通路
４０    オリフィス形成面
４１    チャックピン
４２    支持部
４３    ガイドピン
４４    チャックピン駆動機構
４５    ウエハ対向面
４６    通気孔
４７    内壁面
４８    外壁面
５０    液膜
５５    上面空間
６１    環状部材
６２    ウエハ対向面
６３    気体流通路
６５    空間
６６    突出部
６７    ウエハ対向面
６８    内周面
６９    傾斜面
７０    気体通路
７１    溝
７３    エッチング液排出路
７５    気体流通路
７６    ガイド部材
４４１  スピンベース
４４２  リンク機構
４４３  駆動機構
４４４  回転側可動部材
４４５  軸受け
４４６  固定側可動部材
４４７  チャックピン駆動用昇降駆動機構
Ｅ      エッチング液
Ｗ      ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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