(57)【要約】【課題】  耐摩耗性、耐剥離性に優れた近接場光プローブを提供する。【解決手段】  先鋭化されたプローブの最先端面近傍に金属領域Ｍを有し、この金属領域Ｍに励起光を照射することによって金属領域Ｍの前方に近接場光を発生させる近接場光プローブ１３において、最先端面に金属領域Ｍが露出する場合は露出する金属領域Ｍの一部を残し、金属領域Ｍの外側に誘電体薄層が形成される場合は誘電体薄層の一部を残し、これら残された金属領域Ｍあるいは誘電体薄層よりもプローブ根元側に金属領域Ｍよりも機械強度が強い誘電体材料からなる保護部材領域２２ｃが形成されるようにして、保護部材領域２２ｃにより磨耗、剥離の進行を抑制する。【選択図】図２
2005195500.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
先鋭化されたプローブの最先端面近傍に金属領域を有し、この金属領域に励起光を照射することによって金属領域近傍に近接場光を発生させる近接場光プローブであって、
金属領域は最先端面に露出するか、金属領域の外側に励起光波長の１／２０以下の膜厚の誘電体薄層が形成され、
最先端面に金属領域が露出する場合は露出する金属領域の一部を残し、金属領域の外側に誘電体薄層が形成される場合は誘電体薄層の一部を残し、これら残された金属領域あるいは誘電体薄層よりもプローブ根元側に金属領域よりも機械強度が強い誘電体材料からなる保護部材被覆領域が形成されることを特徴とする近接場光プローブ。
【請求項２】
金属領域は、誘電体基材上に形成された金属膜により構成され、誘電体基材と保護部材被覆領域とは金属膜と接する部分以外で直接接する部分を有することを特徴とする請求項１に記載の近接場光プローブ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の近接場光プローブと、プローブ先端近傍に向けて励起光を照射して近接場光を発生させる励起光光学系と、プローブ先端近傍からの検出光を検出する検出光光学系とを備えたことを特徴とする近接場光学顕微鏡。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、先鋭化したプローブの先端に励起光を照射し、局所プラズモン共鳴によりプローブ先端近傍に近接場光を発生させる近接場光プローブに関する。また、本発明は近接場光プローブを用いて顕微測定を行う近接場光学顕微鏡に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体、高分子材料などの材料解析、生体試料観察など広範な分野において、非破壊かつ高分解能で観察可能な顕微鏡による測定の重要性が高まっている。
従来からの光学レンズを用いた光学顕微鏡は、非破壊で試料の形状・構造・成分などを観察することができるという面では優れているが、光の波動性による回折限界のため、光の波長以下の測定ができず、分解能には限界があった。
【０００３】
この問題を解決する手法として、近接場光を用いて回折限界による分解能よりも高い分解能を得ることができる近接場光プローブを利用した近接場光学顕微鏡が開発され、その応用が期待されている。
近接場光学顕微鏡の基本原理は、被測定物の表面に近接場光プローブの尖った先端部分を近づけるとともにプローブ先端に向けてレーザー光を照射し、プラズモン共鳴を起こしてプローブ先端近傍に局在する近接場光を散乱させ、伝播光に変換して検出するものであり、これによって光の波長以下の高分解能での測定を可能としている。
【０００４】
近接場光を散乱するプローブの形状は大きく分類すると、散乱型と開口型に分類することができ、それぞれ一長一短を有している。そのため近接場光学顕微鏡に用いる場合、その測定目的に合わせて使い分けている。このうち散乱型プローブは先鋭な先端を有するプローブを作りやすいことから、空間分解能をより高くして測定する場合に適している。
【０００５】
散乱型プローブの一形態として、誘電体材料を基材とした散乱型近接場光プローブが開示されている（例えば非特許文献１参照）。このプローブは、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）カンチレバーを使用し、カンチレバーの先端部分全体を金属蒸着膜で覆うようにしている。
【０００６】
図９は、誘電体材料を基材とするＡＦＭカンチレバーを用いた従来からの散乱型の近接場光プローブの先端部分を示す断面図である。近接場光プローブ２０はシリコンや窒化シリコンからなる誘電体基材２０ａと、誘電体基材２０ａを被覆する銀の蒸着膜からなる金属部材２０ｂとから構成されている。
【０００７】
誘電体材料を基材とする近接場光プローブ２０では、近接場光プローブ２０の先端付近の先鋭な領域に必ず金属領域Ｍ（図９では金属部材２０ｂの一部が金属領域Ｍを形成する）が形成されるようにしてある。プローブ先端の先鋭化した部分に金属領域Ｍを形成することにより、この金属領域自体も電場が集中しやすい先鋭化した形状となることから、この金属領域Ｍに励起光による光電場を集中して発生させることができ、その結果、強い近接場光がプローブ先端付近に発生するようになる。
【０００８】
また、誘電体材料を基材とするＡＦＭカンチレバーのプローブ先端部分に、電気化学的手法により金属微粒子を選択的に析出させた近接場光プローブも考案されている。
【０００９】
さらに、誘電体基材に代えて、基材に金属を用いたものも考案されている。図１０は、金属ワイヤを基材とする近接場光プローブの断面図である。この近接場光プローブ２１は金属ワイヤ（金属基材２１ａ）を電界研磨により先鋭化したものであり、誘電体材料を基材とする近接場光プローブ２０の場合（図９）と同様に、先鋭化したプローブ先端の金属領域Ｍに光電場を集中して発生させることで、強い近接場光が発生するようにしてある。
【００１０】
そして、ＡＦＭで採用しているコンタクトモードやＡＣモード（交互に接触状態と非接触状態となるモード）の位置制御技術によって、プローブ先端を試料の測定部位に接触させて励起光を照射することにより、近接場光による顕微測定が行われる。
【００１１】
【非特許文献１】N.Hayazawa 他、Optics Communication 183, p.333(2000)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
コンタクトモード等での顕微測定では、プローブ先端を試料面に接触させて測定を行っている。そのため、プローブ先端の金属領域は試料面との接触によって磨耗したり剥離したりすることとなる。金属領域の磨耗や剥離が進行するとプローブ先端の先鋭さが鈍化することとなり、プローブ先端への光電場の集中が弱まることとなって発生する近接場光が弱まることになる。
【００１３】
そこで、本発明はプローブ先端の磨耗、剥離をできるだけ抑制し、強い近接場光を長期間安定して得ることができる近接場光プローブを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するためになされた本発明の近接場光プローブは、先鋭化されたプローブの最先端面近傍に金属領域を有し、この金属領域に励起光を照射することによって金属領域の前方に近接場光を発生させる近接場光プローブにおいて、金属領域は最先端面に露出するか、金属領域の外側に励起光波長の１／２０以下の膜厚の誘電体薄層が形成され、最先端面に金属領域が露出する場合は露出する金属領域の一部を残し、金属領域の外側に誘電体薄層が形成される場合は誘電体薄層の一部を残し、これら残された金属領域あるいは誘電体薄層よりもプローブ根元側に金属領域よりも機械強度が強い誘電体材料からなる保護部材被覆領域が形成されるようにしている。
ここで、金属領域は、誘電体基材上に形成された金属膜により構成され、誘電体基材と保護部材被覆領域とは金属膜と接する部分以外で直接接する部分を有するようにしてもよい。
【００１５】
また、別の観点からなされた本発明の近接場光学顕微鏡は、上述した近接場光プローブと、プローブ先端近傍に向けて励起光を照射して近接場光を発生させる励起光光学系と、プローブ先端近傍からの検出光を検出する検出光光学系とを備えるようにしている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の近接場光プローブでは、先鋭化されたプローブ先端の少なくとも一部分が金属領域で構成されている。したがって、プローブ先端の一部分を構成する金属領域自体も先鋭化した形状になっている。さらにこの金属領域はプローブ最先端面に露出しているか、あるいは金属領域の外側に励起光波長の１／２０以下の薄い誘電体薄層が形成されているだけである。
【００１７】
金属領域がプローブ最先端面に露出している場合にプローブ先端に励起光を照射すると、先鋭化した金属領域の表面に光電場が集中することになるのでプラズモン共鳴により金属領域近傍に近接場光を発生させることができる。
また、金属領域の外側に励起光波長の１／２０以下の誘電体薄層が形成されている場合にもプローブ先端に励起光を照射すると、先鋭化した金属領域の表面に光電場が集中する。このとき励起波長の１／２０以下の距離しか離れていない誘電体薄層の外側表面にも十分に強い光電場が集中することになるので、プラズモン共鳴により金属領域近傍の誘電体材料層表面に近接場光を発生させることができる。
【００１８】
一方、近接場光プローブを試料面に接触させて使用すると、試料面に直接触れるプローブの最先端面から磨耗、剥離が進行する。したがって、プローブの最先端面に金属領域が露出している場合は、露出している金属領域部分が磨耗、剥離する。しかしながら露出する金属領域よりもプローブ根元側よりの部分には、金属領域よりも機械強度が強い誘電体材料で形成される保護部材被覆領域が形成されているので、磨耗、剥離が進行すると、やがて保護部材被覆領域がプローブの最先端面の一部を形成することとなる。それ以降は保護部材被覆領域が金属領域とともに試料面に接触することになるので、接触により加わる圧力（プローブの軸方向に加わる力）、せん断応力（プローブの横方向に加わる力）がこの保護部材被覆領域にも分配されることになり、金属領域に加わる力が低減、緩和されるので、金属領域のこれ以上の磨耗や剥離の進行が抑制されることになる。
【００１９】
また、金属領域の外側に励起光の波長の１／２０以下の膜厚の誘電体薄層が形成されている場合は、この誘電体薄層も金属領域の保護部材として働くので、さらに磨耗や剥離の進行が抑制される。この誘電体薄層は、保護部材被覆領域を形成する誘電体材料と同材料を用いてもよい。
保護部材被覆領域の膜厚は、望ましくは３０ｎｍよりも厚く形成することで、金属領域を磨耗からしっかり保護することができる。
【００２０】
また、金属領域が誘電体基材上に形成された金属膜により構成され、誘電体基材と保護部材被覆領域とは金属膜と接する部分以外で直接接する部分を有するようにすることにより、誘電体基材と保護部材被覆領域との密着性を改善することができるので、耐剥離性をさらに改善することができる。
【００２１】
また、この近接場光プローブと、プローブ先端近傍に向けて励起光を照射して近接場光を発生させる励起光光学系と、プローブ先端近傍からの検出光を検出する検出光光学系とを備えることにより、耐磨耗性や耐剥離性に優れたプローブを用いた近接場光学顕微鏡とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、以下に説明する実施形態は一例にすぎず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で変形実施することが可能である。
【００２３】
最初に、近接場光プローブを用いた近接場光学顕微鏡の全体構成について説明する。図１は、本発明の一実施形態である近接場光プローブを用いた近接場光学顕微鏡の構成を示す図である。
この近接場光学顕微鏡１０は、試料Ａを載置するステージ１１、ステージ１１をＸＹ方向に移動させてステージ上の試料のＸＹ位置を走査するためのステージＸＹ方向駆動部１２、測定部位近傍に先端を接触させて近接場光を散乱させるためのプローブ１３（コンタクトモード測定）、プローブ１３のＸＹ方向およびＺ方向位置を調整するためのプローブＸＹＺ方向駆動部１４を備えている。
【００２４】
ステージ１１は、下方から励起用レーザー光を試料Ａに照射したり、試料Ａからの近接場光をステージ１１の下方に出射したりすることができるように、励起光や検出光に対して透明な材料が用いられている。
【００２５】
ステージ１１の下方には対物レンズ１５を含む顕微鏡光学系が設けられる。この対物レンズ１５の下方にはハーフミラー１８が取り付けられており、ハーフミラー１８によりレーザー光源１６から出射されるレーザー光を試料に照射するための励起光光学系Ｅと試料Ａから出射される検出光を検出するための検出光光学系Ｐとが結合される。
【００２６】
励起光光学系Ｅは、レーザー光源１６の前方にリング状の窓を設けたマスク１７が設けられており、マスク１７を通過することによりリング状となったレーザー光がハーフミラー１８を介して対物レンズ１５に入射し、対物レンズで屈折した光をプローブ先端２２に全反射臨界角以上で集光するように調整されている。
【００２７】
検出光光学系Ｐはプローブ先端２２で強く散乱された近接場光を対物レンズ１５により平行光束にして取り出し、ハーフミラー１８を介して検出器１９に導くように調整されている。
【００２８】
図２は本発明の一実施形態である近接場光プローブ１３の先端形状を示す断面図である。
このプローブ先端２２は、先鋭な誘電体基材２２ａと、誘電体基材２２ａの表面を覆う金属部材２２ｂと、金属領域Ｍを除いて金属部材２２ｂの表面を被覆する誘電体被覆部材２２ｃとから構成される。
プローブ先端２２の最先端部分は先鋭化してあり、その曲率半径は２００ｎｍ以下、より好ましくは２０〜１００ｎｍ程度となるようにしてある（なお、以下で説明する他の実施形態でもこれらの寸法は同様であるので他の実施形態での同様の説明を省略する）。そして、励起光が照射されたときに最も光電場が集中する最先端面において金属領域Ｍが露出するようにしてある。
【００２９】
誘電体基材２２ａには、シリコン、窒化シリコン、二酸化シリコンなどの誘電体材料が用いられる。金属部材２２ｂ（金属領域Ｍを含む）は、プラズモン共鳴を起こす材料であることが要求され、具体的には銀、金、銅、アルミ、白金などが用いられる。また、使用する励起光波長によって、これらの材料のなかから最も適したものを選択して用いればなおよい。
【００３０】
誘電体被覆部材２２ｃは、金属部材２２ｂの保護部材（保護部材被覆領域）して用いられるものであり、金属部材２２ｂより機械強度が強い材料であることが要求される。具体的には上述した金属部材２２ｂに対して、二酸化シリコン、窒化シリコン、アルミナ、フッ化マグネシウムなどが用いられる。
【００３１】
次に、プローブ先端２２の製造方法について説明する。
ここでは市販のＡＦＭカンチレバーの先鋭なプローブ先端部分を誘電体基材２２ａとして用いることとする。ＡＦＭカンチレバーの先鋭なプローブ先端部分（誘電体基材２２ａ）に対し斜め前方に金属部材２２ｂを形成するための蒸着源（例えば銀）を配置して、プローブ先端部分を回転させながら蒸着を行う。これによりＡＦＭカンチレバーの先鋭なプローブ先端部分（誘電体基材２２ａ）の全表面が銀の蒸着膜で被覆される。
【００３２】
続いて、誘電体被覆部材（例えば二酸化シリコン）を被覆する。ＡＦＭカンチレバーの先鋭なプローブ先端部分（誘電体基材２２ａ）の斜め後ろ側に蒸着源（スパッタターゲット）を配置し、プローブ最先端部分が影になるようにして蒸着（スパッタ）する。これによりプローブ側面に誘電体膜を厚く形成することができる。
なお、蒸着源の配置位置を調整することによってプローブ最先端面への誘電体膜の回り込みを調整することができるので、プローブの最先端面にも薄い誘電体膜を形成する場合は、蒸着源の位置を調整するようにする。
【００３３】
また、上記方法に代えて、誘電体被覆部材を形成する際に、フォーカスイオンビーム蒸着など高精度なパターニングが可能な蒸着法を用いて、プローブ最先端面を除くプローブ側面に誘電体膜を形成するようにしてもよい。
【００３４】
また、ＡＦＭカンチレバーの先鋭なプローブ先端部分（誘電体基材２２ａ）の全面にディップコーティングやＣＶＤにより誘電体被覆部材２２ｃを形成した後、プローブ最先端部分のみをフォーカスイオンビームにより除去するか、イオンミリングなどの方向性の高いエッチング技術によりプローブ最先端部分を除去して側面を厚く残すようにしてもよい。
【００３５】
このようにして作成したプローブ先端２２は、励起光を照射することによりプローブ最先端面の金属領域Ｍ近傍に近接場光を発生させることができるとともに、誘電体被覆部材２２ｃにより金属領域Ｍの磨耗、剥離を抑制することができる。
【００３６】
図３は、本発明の他の一実施形態である近接場光プローブ１３の先端形状を示す断面図である。このプローブ先端２３は、先鋭な誘電体基材２３ａ、誘電体基材２３ａの表面を覆う金属部材２３ｂ、金属部材２３ｂの表面を被覆する誘電体被覆部材２３ｃを有している点で図２と同じであるが、プローブ最先端部分に誘電体薄層２３ｄを形成して金属領域Ｍが表面に露出しないようにしてある点が異なる。
【００３７】
この誘電体薄層２３ｄは、誘電体被覆部材２３ｃと異なる材料を用いて別途に形成してもよいが、誘電体被覆部材と同一材料を用いて同時に形成してもよい。
すなわち、上述したように蒸着により誘電体被覆部材２３ｃを形成する際に蒸着源の位置を調整し、プローブ最先端面に一部を回り込ませることで形成することができる（あるいはフォーカスイオンビーム蒸着によるパターニングでもよい）。
【００３８】
このとき薄層２３ｄの膜厚ｄは、励起光の波長の１／２０以下となるようにする。例えば、波長が５３２ｎｍのレーザーを用いた場合には、膜厚は２７ｎｍ以下にする。なお、励起光波長には可視光領域を用いるのが望ましいが、赤外光領域の光であってもよく、その場合も上記関係を満たす膜厚にすればよい。
【００３９】
膜厚がこの程度の薄さであれば薄層２３ｄの外側表面でも十分に強い光電場が集中することになるので、金属領域Ｍ近傍の誘電体層表面に近接場光を発生させることができる。
さらに、誘電体薄層を形成した場合は、薄層２３ｄがプローブ最先端面の保護膜として機能することになる。
【００４０】
図４は、本発明の他の一実施形態である近接場光プローブ１３の先端形状を示す断面図である。このプローブ先端２４は、先鋭な金属基材２４ａと、最先端で露出する金属領域Ｍを除いて金属基材２４ａの表面を覆う誘電体被覆部材２４ｂとから構成される。
この金属基材２４ａは、銀、金、銅、アルミ、白金などの金属ワイヤの先端を電解研磨加工により先鋭化したものが用いられる。
【００４１】
誘電体被覆部材２４ｂは、金属部材２４ａの保護被覆部材として用いられるものであり、上記実施形態と同様に二酸化シリコン、窒化シリコン、アルミナ、フッ化マグネシウムなどが用いられる。
プローブ先端２４における誘電体被覆層２４ｂの製法は、図２の誘電体被覆層２２ｃと同様である。
【００４２】
このようにして作成したプローブ先端２４は、励起光を照射することによりプローブ最先端面の金属領域Ｍ近傍に近接場光を発生させることができるとともに、誘電体被覆部材２４ｂにより金属領域Ｍの磨耗、剥離の進行を抑制することができる。
【００４３】
図５は、本発明の他の一実施形態である近接場光プローブ１３の先端形状を示す断面図である。このプローブ先端２５は、先鋭な金属基材２５ａと、金属基材２５ａの表面を覆う誘電体被覆部材２５ｂとを有している点で図４のものと同じであるが、プローブ最先端部分に誘電体被覆部材２５ｂと同じ材料からなる薄層２５ｃを形成して金属領域Ｍが表面に露出しないようにしてある点が異なる。
【００４４】
プローブ先端２５における誘電体被覆層２５ｂの製法および膜厚は、図３の誘電体被覆層２３ｃと同様であり、薄層２５ｃの膜厚は、励起光の波長の１／２０以下となるようにしてある。
【００４５】
このようにして作成したプローブ先端２５は、励起光を照射することによりプローブ最先端近傍の金属領域Ｍ近傍の誘電体被覆部材２５ｂに近接場光を発生させることができるとともに、誘電体被覆部材２５ｂにより金属領域Ｍの磨耗、剥離を抑制することができる。
【００４６】
図６は、本発明の他の一実施形態である近接場光プローブ１３の先端形状を示す断面図である。
このプローブ先端２６は、先鋭な誘電体基材２６ａと、誘電体基材２６ａの一方向側面を覆う金属部材２６ｂと、プローブ最先端の金属領域Ｍを除いて金属部材２６ｂおよび誘電体基材２６ａの表面を被覆する誘電体被覆部材２６ｃとから構成される。プローブ先端２６は、蒸着により図２のプローブ先端２２を製造するときと同様の方法を用い、金属部材２６ｂを形成するときに誘電体基材２６ａを回転させずに蒸着することにより作成することができる。
【００４７】
このようにして作成したプローブ先端２６は、励起光を照射することによりプローブ最先端面の金属領域Ｍ近傍に非常に強い近接場光を発生させることができる（図２の軸対称のプローブ先端２２で発生する近接場光より強い）とともに、誘電体被覆部材２６ｃにより金属領域Ｍの磨耗、剥離を抑制することができる。
【００４８】
さらに、この形状のものは、金属部材２６ｂが形成される側面を除いて誘電体基材２６ａと誘電体被覆部材２６ｃとを直接接触することができるので、両者とも同一誘電体材料を用いることにより、誘電体被覆部材２６ｃと誘電体基材２６ｃとの密着性を改善することができる。また、プローブ先端２６が試料面と接触した際に、誘電体被覆部材２６ｃに加わる応力が金属部材２６ｂを介さず直接に誘電体基材２６ａに伝達されるため、金属部材２６ｂの変形、特に剥離を抑制することもできる。
【００４９】
図７は、本発明の他の一実施形態である近接場光プローブ１３の先端形状を示す断面図である。
このプローブ先端２７は、先鋭な誘電体基材２７ａと、誘電体基材２７ａの最先端面に局所的に形成される回転楕円体状の金属部材２７ｂ（金属領域Ｍ）と、誘電体基材２７ａ、金属部材２７ｂを被覆するように形成される誘電体被覆部材２７ｃとから構成される。
【００５０】
回転楕円体状の金属部材２７ｂは、誘電体基材２７ａの最先端面に金属膜を形成した後、フォーカスイオンビーム加工を行うことにより作り出すことができる。
このようにして作成したプローブ先端２７は、励起光を照射することによりプローブ最先端の金属領域Ｍ（金属部材２７ｂ）近傍に非常に強い近接場光を発生させることができる（図２のプローブ先端２２で発生する近接場光より強い）とともに、誘電体被覆部材２７ｃにより金属領域Ｍの磨耗、剥離を抑制することができる。
【００５１】
さらに、誘電体被覆部材２７ｃと誘電体基材２７ａとが、金属領域Ｍと接する面を除いて互いに接することから、図６と同様、誘電体基材２７ａと誘電体被覆部材２７ｃとに同一誘電体材料を用いることにより、誘電体被覆部材２７ｃと誘電体基材２７ａとの密着性を改善することができ、耐剥離性をさらに改善することができる。
【００５２】
図８は、本発明の他の一実施形態である近接場光プローブ１３の先端形状を示す断面図である。
このプローブ先端２８は、図４のプローブ先端２４と類似した形状をしているが、金属基材ではなくガラスキャピラリを基材として製造する。すなわち、誘電体基材２８ａとなるガラスキャピラリの内部に金属部材２８ｂとなる金属ワイヤを挿入し、ガラスキャピラリとともに金属ワイヤを延伸して先鋭化することによりプローブ先端２８を形成することができる。
また、ガラスキャピラリの内部に金属部材２８ｂをメッキにより細線状に形成することによってもプローブ先端２８を形成することができる。
【００５３】
このようにして作成したプローブ先端２８は、励起光を照射することによりプローブ最先端の金属領域Ｍ近傍に強い近接場光を発生させることができるとともに、ガラスキャピラリからなる誘電体基材２８ａにより金属領域Ｍの磨耗、剥離を低減することができる。
【００５４】
これまでの説明は、近接場光プローブを試料に接触させるコンタクトモードを想定していたが、本発明は、非接触モードで使用する場合にも有用である。すなわち、通常の非接触モードでの使用では、プローブ先端と試料面とは接触しないので磨耗、剥離は生じないので問題となることはないが、プローブ先端と試料との位置調整の際に何らかの誤操作により、プローブ先端を試料に衝突させるおそれがある。したがって衝突による磨耗を防止するという観点で非接触モードでの使用する場合にも有効である。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、耐磨耗性、耐剥離性に優れた近接場光プローブの製造に利用することができる。そしてこの近接場光プローブは、近接場光学顕微鏡を始め、近接場リソグラフィ、近接場加工等にも応用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】近接場光学顕微鏡の全体構成を示す図。
【図２】本発明の一実施例である近接場光用プローブの先端形状の構成を示す図。
【図３】本発明の一実施例である近接場光用プローブの先端形状の構成を示す図。
【図４】本発明の一実施例である近接場光用プローブの先端形状の構成を示す図。
【図５】本発明の一実施例である近接場光用プローブの先端形状の構成を示す図。
【図６】本発明の一実施例である近接場光用プローブの先端形状の構成を示す図。
【図７】本発明の一実施例である近接場光用プローブの先端形状の構成を示す図。
【図８】本発明の一実施例である近接場光用プローブの先端形状の構成を示す図。
【図９】従来からの近接場光散乱用プローブの先端形状の構成を示す図。
【図１０】従来からの近接場光散乱用プローブの先端形状の構成を示す図。
【符号の説明】
【００５７】
１０：近接場光学顕微鏡
１１：ステージ
１３：近接場散乱光用プローブ
１５：対物レンズ
１６：レーザー光源
１８：ハーフミラー
１９：検出器
２２〜２８：プローブ先端
２２ａ、２３ａ、２６ａ、２７ａ、：誘電体基材
２２ｂ、２３ｂ、２６ｂ、２７ｂ，２８ｂ：金属部材
２２ｃ、２３ｃ、２４ｂ、２５ｂ、２６ｂ、２７ｃ：誘電体被覆部材（保護部材被覆領域）
２４ａ、２５ａ：金属基材
２８ａ：誘電体基材（保護部材被覆領域）
【図１】
2005195500.tif 000003
【図２】
2005195500.tif 000004
【図３】
2005195500.tif 000005
【図４】
2005195500.tif 000006
【図５】
2005195500.tif 000007
【図６】
2005195500.tif 000008
【図７】
2005195500.tif 000009
【図８】
2005195500.tif 000010
【図９】
2005195500.tif 000011
【図１０】
2005195500.tif 000012