(57)【要約】【課題】  ダマシン法に適合した機械的強度を有し、かつ製造された集積回路として誘電特性にも優れたダマシン法による配線形成方法を提供する。【解決手段】  配線形成層２４（層間絶縁膜層）間に設けられるエッチングストッパー層２５、または配線形成層２４表面を保護するためのハードマスク層２３として、トリアルコキシシランの加水分解生成物を含む塗布液を用いて形成されるシリカ系被膜を用いる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダマシン法による配線の形成方法において、配線形成層（層間絶縁膜層）間に設けられるエッチングストッパー層を形成する工程が、
（ａ）トリアルコキシシランの加水分解生成物を含む塗布液を前記配線形成層の表面に塗布して塗膜を形成すること；
（ｂ）前記塗膜を乾燥、焼成して被膜を形成すること；
により行われることを特徴とするダマシン法による配線の形成方法。
【請求項２】
ダマシン法による配線の形成方法において、導電物質（配線材料）を平坦化加工する工程において当該平坦化加工工程に晒される配線形成層表面を保護するためのハードマスク層を形成する工程が、
（ａ）トリアルコキシシランの加水分解生成物を含む塗布液を当該配線形成層の表面に塗布して塗膜を形成すること；
（ｂ）前記塗膜を乾燥、焼成して被膜を形成すること；
により行われることを特徴とするダマシン法による配線の形成方法。
【請求項３】
前記導電物質が銅である、請求項２に記載のダマシン法による配線の形成方法。
【請求項４】
前記平坦化加工がＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）である、請求項２に記載のダマシン法による配線の形成方法。
【請求項５】
前記配線形成層が低誘電率材料（ｌｏｗ−Ｋ材料）から構成されている、請求項１又は２に記載のダマシン法による配線の形成方法。
【請求項６】
被膜を形成する工程（ｂ）が、塗膜を不活性ガス雰囲気下でプラズマ処理することをさらに含む、請求項１又は２に記載のダマシン法による配線の形成方法。
【請求項７】
被膜を形成する工程（ｂ）が、塗膜を窒素ガス雰囲気下でプラズマ処理することをさらに含む、請求項１又は２に記載のダマシン法による配線の形成方法。
【請求項８】
前記配線形成層が有機材料から構成され、かつ、当該配線形成層のエッチング工程（ｃ）が、酸素プラズマエッチングで行われる、請求項１又は２に記載のダマシン法による配線の形成方法。
【請求項９】
ダマシン法による多層配線の形成において用いられるエッチングストッパー層又はハードマスク層を形成するための被膜形成塗布液であって、トリアルコキシシランの加水分解生成物を含むことを特徴とするシリカ系被膜形成塗布液。
【請求項１０】
前記ダマシン法は銅ダマシン法である、請求項９に記載のシリカ系被膜形成塗布液。
【請求項１１】
前記多層配線の形成においては層間絶縁膜に低誘電率材料（ｌｏｗ−Ｋ材料）を用いていることを特徴とする、請求項９に記載のシリカ系被膜形成塗布液。
【請求項１２】
ラダー型ハイドロジェンシルセスキオキサンタイプのシリカ系被膜形成塗布液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダマシン法を用いた配線の形成方法に関する。本発明はまた、ダマシン法を用いた配線を形成する際用いるエッチングストッパー層乃至ハードマスク膜を塗布法によって形成するための塗布液に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の微細加工技術の進歩によって、素子の集積度は年々上昇の一途を辿り、構成される回路の動作速度も著しい向上をみてきた。二次元的に集積化された半導体装置は、さらに絶縁層を介して積層化され、高集積化、高速動作の進歩は近年更に著しい。
【０００３】
こうしたＬＳＩ配線の高集積化、信号高速化に適合しうる半導体装置の配線形成技術の１つにダマシン法がある。半導体装置の微細化、積層化を高度に進めるためには、配線における信号伝達の高速化、層間、層内での寄生容量の低減、並びに装置微細化にフォトリソグラフィ技術が追随できるような十分な平坦化技術、いずれもが不可欠である。ダマシン法による配線形成技術及び平坦化技術によれば、低誘電率を有する絶縁膜、銅など低抵抗配線から成る集積回路を効率よく製造することができると近年注目されている。
【０００４】
特開２００２−２７０６１２号公報は、基板上に有機物含有重合体材料等からなる誘電体層、さらに研磨停止層等を形成し、その一部除去部分（トレンチと称している）に銅等の導電材料を充填することによって銅等からなる微細配線を形成する技術を開示している。誘電体層は低誘電率材料（誘電率３．５以下）であって、芳香族熱硬化性樹脂等をその材料として用いることができることを示唆している。また、研磨停止層は、好ましくはシルセスキオキサンＨＯＳＰ（商標）、メチルシルセスキオキサン（ＭＳＱ）、ハイドロジェンシルセスキオキサン（ＨＳＱ）、オルト珪酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）、ＭＳＱ−ＭＳＱ共重合体、オルガノシラン、その他のＳｉ含有材料等、“著しく低い誘電率を有する任意の材料”を用いることが示唆されている（特許文献１）。
【０００５】
特開２００２−２９９４４１号公報は、配線のトレンチ形成層及びビアホール形成層に無機系絶縁膜（比誘電率が１．５〜３．２）、無機系絶縁膜に対するエッチングストッパー及びハードマスクとして有機系の絶縁膜、及び金属酸化物膜を各々積層構造内に用いたデュアルダマシン法による配線の形成方法を開示している。これらは全て塗布液として調製し、塗布法により形成するとしている。また有機系のマスク層は、積層構造の中に残存し、配線の接続不良や層間剥離の危険性の観点から、ガラス転移点が４００℃以上、熱分解温度が５００℃以上の有機ポリマーが好ましいとし、ポリアリーレン、ポリアリーレンエーテル、ポリベンゾオキサゾール、ポリイミドなどを例示している（特許文献２）。
【０００６】
さらに特開２００２−３１９５８２号公報は、ダマシン法を実行して配線を形成すべき層間絶縁膜の好ましい形成方法として、トリアルコキシシランを有機溶媒中、酸触媒下で加水分解して得られる縮合物と、ポリアルキレングリコール又はその末端アルキル化物とを含有する塗布液を塗布して形成する方法を示唆している（特許文献３）。
【０００７】
しかしながら、特許文献１は、ダマシン配線形成方法によって製造しようとする半導体装置に対して誘電率の観点から配慮、工夫を行っているものの、各層が有すべき機械的強度について何らの検討も行っていない。ダマシンプロセスは、ＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）等平坦化工程を要求するプロセスであり、研磨の際の外力にも耐えうるような半導体装置の積層構造を採用することが必須である。平坦化作業に直接晒される層間絶縁膜など平坦化面だけでなく、実質的に回路、メモリなどを構成する半導体装置の中枢部、その近傍に存在するバリア層などへの必要十分な機械的強度の付与も考えねばならない。当該研磨停止層を構成することができる材料として特許文献１に列挙されている材料を、検討してみると、機械的強度の点で十分でない。
【０００８】
特許文献２は、逆に配線形成にトリアルコキシシランなどが加水分解縮合してなる無機系材料、エッチングストッパーなどマスク材料に有機系物質を用いているが、少なくとも後者において平坦化工程に配慮した材料構成となっていないことは、特許文献１に記載の技術とかわりがない。
【０００９】
特許文献３は、層間絶縁膜の形成にトリアルコキシシランの加水分解生成物を使用している。しかし、半導体装置内部に残存し、半導体装置全体の寄生容量に寄与する、ダマシンプロセスを実行するときにハードマスク層ないしストッパー層として機能する層部分について、何らの示唆もない。
【００１０】
なお、従来、ダマシン法を用いた多層配線技術においては、層間絶縁膜のエッチングストッパー膜、ハードマスク膜としてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜も用いられていた。しかしこれらは、機械的強度には優れるものの、比誘電率は文献値でそれぞれ４〜４．５、７程度であり、近年の半導体装置の集積度に適合した数値では到底ありえない。さらに比誘電率を抑制するため材料を多孔質にする方法も試みられたが、機械的強度を著しく低下させ、ダマシン法による配線形成を経て製造する半導体装置には不適当な材料である。
【特許文献１】特開２００２−２７０６１２号公報
【特許文献２】特開２００２−２９９４４１号公報
【特許文献３】特開２００２−３１９５８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
半導体装置において寄生する容量成分は、一般には半導体装置を構成する各層が有する容量成分が累積して生じる。またダマシン法によって配線形成を行う場合、導電物質を付着後、平坦化工程を行わねばならず、この際の研磨外力に抗し得る機械的強度は、平坦化加工に付される製造中デバイスの表面露出部分のみならず、内部まで含めた半導体装置全体に対して検討されねばならない。
【００１２】
要するに、ダマシン法を用いた半導体装置の配線形成方法においては、層間絶縁膜におけると共に、デバイスの一部として残る他の各構成層、特にダマシン法に由来するエッチングストッパー層やハードマスク層において、誘電率の十分な低減と機械的強度の確保を行わなければならない。同時に、層間絶縁膜とこれら膜層との間に適切なエッチング選択性を確保し、製造中はエッチングストッパー膜やハードマスクとして本来の機能を発揮させなければならない。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、従来技術が有していた以上のような問題点を同時に解決すべく鋭意研究、検討を重ねた結果、本発明を完成するに至った。
【００１４】
本発明は、ダマシン法による配線の形成方法において、配線形成層（層間絶縁膜層）間に設けられるエッチングストッパー層を形成する工程が、（ａ）トリアルコキシシランの加水分解生成物を含む塗布液を前記配線形成層の表面に塗布して塗膜を形成すること；（ｂ）前記塗膜を乾燥、焼成して被膜を形成すること；により行われることを特徴とするダマシン法による配線の形成方法である。
【００１５】
また本発明は、ダマシン法による配線の形成方法において、導電物質（配線材料）を平坦化加工する工程において当該平坦化加工工程に晒される配線形成層表面を保護するためのハードマスク層を形成する工程が、（ａ）トリアルコキシシランの加水分解生成物を含む塗布液を当該配線形成層の表面に塗布して塗膜を形成すること；（ｂ）前記塗膜を乾燥、焼成して被膜を形成すること；により行われることを特徴とするダマシン法による配線の形成方法である。
【００１６】
本発明の配線形成方法においては、被膜を形成する工程（ｂ）が、塗膜を不活性ガス雰囲気下又は窒素ガス雰囲気下でプラズマ処理することをさらに含むことが望ましい。
【００１７】
さらにまた本発明は、ダマシン法による多層配線の形成において用いられるエッチングストッパー層又はハードマスク層を形成するための被膜形成塗布液であって、トリアルコキシシランの加水分解生成物を含むことを特徴とするシリカ系被膜形成塗布液である。
【００１８】
さらにまた、本発明は、ラダー型ハイドロジェンシルセスキオキサンタイプのシリカ系被膜形成塗布液である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ダマシン法による配線形成技術を用いて、半導体装置各層において誘電率が顕著に低減される。また、ダマシン法による配線形成も装置に対する機械的ダメージを心配することなく安心して実行できる。このため、信頼性の高い高集積度半導体装置を効率よく提供することが可能になる。
【００２０】
本発明の塗布液をダマシンプロセス、特にＣｕを配線に用いた銅ダマシンプロセスを利用した多層配線技術に用いれば、機械的強度、低誘電率両者を兼ね備えたエッチングストッパー乃至ハードマスクを形成することができる。ストッパー乃至マスクとしての被エッチング層とのエッチング選択性も十分確保され、この点でも何ら問題なく半導体装置を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下本発明について実施の形態をもって詳細に説明する。
【００２２】
本発明においては、ダマシン法によって配線を形成する。一般にダマシン法の工程は種々改良例、変形例が考えられる。しかし、配線を埋め込む層を準備すること、塗布液によって形成されるマスク乃至ストッパーに相当する層を埋め込み層に接触して形成すること、埋め込み層をエッチングして溝を形成すること、形成された溝に配線となる導電物質を付着すること、及び平坦化加工を施すこと、を基本的な手順とする限り、本発明において可能な配線の形成方法である。
【００２３】
本発明の実施の形態を図１に示す。図１は、いわゆるデュアルダマシン法によってビア２９と溝配線２８の部分を同時に開口し、導電材料の埋め込みもビア２９と溝配線２８とに対し同時に行う工程の概略を示している。平坦化工程も１回で済み効率がよい。
【００２４】
まずビア２９及び溝配線２８を埋め込む層となる有機材料あるいは無機材料からなる絶縁層２４を準備する。絶縁層２４は低誘電率材料（ｌｏｗ−Ｋ材料）であることが好ましい。この上に、トリアルコキシシランの加水分解生成物を含有してなる塗布液を塗布、加熱工程を経て、エッチングストッパー層になる被膜２５を形成する。被膜２５の上にさらに、絶縁層２４を形成し、ハードマスク層となるマスク層２３を被膜２５と同じ要領で形成する。
【００２５】
次に、所望に応じてＳｉＮ膜２６を形成し、これをフォトリソグラフィ技術でパターニングした後、配線パターンをマスク層２３に形成するために、例えばレジスト２７をマスク層２３、ＳｉＮ膜２６の上に塗布し、フォトリソグラフィ技術によってレジストに配線パターンを転写する。配線パターンを有するレジスト膜をマスクとし、ＣＦ４ 、ＣＨＦ３ 、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ 等のエッチングガスを用いてマスク層２３を選択的にエッチングして、マスク層２３に配線パターンを転写する。
【００２６】
レジスト除去後、絶縁層２４が有機材料で構成されている場合には、酸素プラズマによるエッチングを行い、被膜２５を露出させる。露出したマスク層２３及び被膜２５をエッチングにより除去する。エッチングガスには、前記マスク層２３のエッチングガスを使用することが好ましい。この場合、さらに絶縁層２４にまでエッチングが進まないよう、絶縁層２４と被膜２５との間で十分なエッチング選択性を有するエッチングガスを使用するか、又は予め被膜２５のエッチングレートを正確に把握しておき、適切なエッチング時間でエッチング作業を終了させることが望ましい。
【００２７】
最後に、マスク層２３、絶縁膜２４及び被膜２５相互間のエッチング選択性を十分勘案し、例えば絶縁膜２４が有機材料で構成されている場合には、酸素プラズマによるエッチングを使用して、絶縁層２４の露出部（ビア２９及び溝配線２８に相当）をエッチングして、ビア２９及び溝配線２８の溝部分を形成する。エッチングガスは、複数種、暫時使用して、ビア２９及び溝配線２８からなる三次元構造を効率よく形成することもできる。
【００２８】
その後、配線材料として例えば銅をＣＶＤ法、リフロー法、メッキ法等によって全面に堆積させ、ＣＭＰなど平坦化加工を行うことによって不要な銅を除去し、ビア２９及び溝配線２８が絶縁層２４に埋め込まれた銅ダマシンの配線構造が形成される。
【００２９】
なお、配線材料からの金属成分が絶縁層内に拡散することを防ぐためにＴａＮ膜等の導電性バリア膜を、配線材料を埋め込む前にビア及び溝配線内壁に形成しておくことが好ましい。
【００３０】
埋め込み構造形成時、ビアを除く配線形成部分の絶縁層２４に対して一時的にマスクとして機能した被膜２３はデバイス構造に残される。導電材料の堆積の後、堆積面に対して平坦化加工が行われるが、このとき被膜２３表面は、余分に付着した導電材料の薄い膜を介して直接加工の工程に晒される。この被膜が平坦化加工の摩擦力、せん断力などに対して軟弱であると、幅広い配線パターンを有する部分ではいわゆる“ディッシング”と呼ばれるくぼみの形成を招く。また、配線の密集した領域においては被膜２３の“エロージョン”を招く。このため平坦化加工が良好に行われるためには、被膜２３が適正な機械的強度を有しなければならない。
【００３１】
図１に示したプロセスの場合、平坦化加工に晒される被膜２３に要求される機械的特性は、おおよそ弾性率１０．０ＧＰａ以上、硬度１．５ＧＰａ以上程度と見積もられるが、本発明の実施の形態に係る被膜２３は弾性率２５ＧＰａ、硬度２．０ＧＰａ、程度の機械的強度を有し、十分な耐性を有している。加えて誘電率も３．５〜３．９と通常の酸化膜、窒化膜などと比較し十分小さく、デバイスの一部としても十分な電気的特性を発揮すると期待できる。
【００３２】
また、エッチングストッパー層として形成される被膜２５に要求される機械的特性は、おおよそ弾性率５ＧＰａ以上、硬度０．５ＧＰａ以上程度と見積もられるが、本発明の実施の形態に係る被膜２５は弾性率８ＧＰａ、硬度１．０ＧＰａ程度の機械的強度を有し、十分な耐性を有している。加えて誘電率も２．８〜３．２と通常の酸化膜、窒化膜などと比較し十分小さく、デバイスの一部としても十分な電気的特性を発揮すると期待できる。
【００３３】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこれに限られること無く、本発明の趣旨の範囲で種々変形、改良されたダマシン法による配線形成方法が、本発明の範囲内において実行できることは言うまでもない。
【００３４】
次に、本発明の各々の構成について個別に、実施の形態として、さらに詳細に説明する。
【００３５】
エッチングストッパー層乃至ハードマスク層の形成の為には、トリアルコキシシランの加水分解生成物を含有してなる塗布液を用いる。
【００３６】
トリアルコキシシランとしては、具体的には、例えばトリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリプロポキシシラン、トリブトキシシラン、ジエトキシモノメトキシシラン、モノメトキシジプロポキシシラン、ジブトキシモノメトキシシラン、エトキシメトキシプロポキシシラン、モノエトキシジメトキシシラン、モノエトキシジプロポキシシラン、ブトキシエトキシプロポキシシラン、ジメトキシモノプロポキシシラン、ジエトキシモノプロポキシシラン、モノブトキシジメトキシシランを挙げることができる。これらの中で実用上好ましい化合物は、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリプロポキシシラン、トリブトキシシランであり、特にトリメトキシシラン、トリエトキシシランが好ましい。これらのトリアルコキシシランは単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００３７】
トリアルコキシシランの加水分解、縮合重合反応は、有機溶媒中で行うことが好ましい。このような有機溶媒（反応溶媒、反応液）として、アルキレングリコールのジアルキルエーテルを用いることが特に好ましい。具体的には、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテルを挙げることができる。これらの中で特に好ましいのは、エチレングリコール又はプロピレングリコールのジアルキルエーテル、特にジメチルエーテルである。これらのアルキレングリコールジアルキルエーテルは単独で用いてもよいし、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００３８】
トリアルコキシシランを出発材料として塗布液を製造するためには、トリアルコキシシランは、仮にそれが１００％の反応率でＳｉＯ２ に変換されたとしたときのＳｉＯ２の量換算で、反応液中に１〜５重量％程度、さらに好ましくは２〜４重量％の濃度で使用されることが好ましい。トリアルコキシシランが、前記量で５重量％を超える使用量であると、塗膜液製造後時間の経過に従って塗膜液のゲル化が起こりやすく、塗膜液の保存安定性が低下する。詳細な化学的原因究明は今後の更なる研究を待たねばならないが、高濃度のトリアルコキシシラン下で製造された塗膜液の保存安定性が小さいのは、トリアルコキシシランの量が少ない方が加水分解反応の進行が緩慢になり、Ｓｉ−Ｈ結合は分解されにくく、製造された重合体分子において安定したラダー構造を構築し易いため、と考えられる。
【００３９】
塗布液を得るためには、出発原料であるトリアルコキシシランに水を反応させてその加水分解、さらに縮合反応を引き起こさせなければならない。反応溶媒として好適に用いられるアルキレングリコールジアルキルエーテルは、このトリアルコキシシランと水との双方を溶解する相溶性溶媒として働く。トリアルコキシシランと水とは直接には混和性を有さないが、反応溶媒の中では、その相溶化作用によって、両者は実質的な加水分解反応を開始することができる。
【００４０】
水は、好ましくはトリアルコキシシラン１モルに対して２．５〜３．０モル、より好ましくは２．８〜３．０モルの範囲内の量で用いる。製造時使用した水の量が２．５モルよりも少ないと、最終的に製造された塗布液の経時での保存安定性は高いが、加水分解度が低く、加水分解物中に多くの有機基が残存することになる。このためこの塗布液を用いて被膜を形成すると分解した有機成分に起因するガス発生が顕著になり好ましくない。逆に、製造時の水の量が３．０モルを超えるような量であると、製造された塗布液の保存安定性が低下し、やはり好ましくない。
【００４１】
反応は酸触媒の存在下で行う。酸触媒としては、従来この種のシラン系被膜形成用の塗布液を製造するために用いられている有機酸又は無機酸を用いることができる。有機酸としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、酪酸が挙げられる。また、無機酸としては例えば、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸を挙げることができる。工業的に入手容易、かつ安価であり、また形成されたシリカ系被膜から他の層への悪影響が少ないなどの観点から硝酸が特に好ましい。
【００４２】
加水分解反応は、典型的には、トリアルコキシシランとアルキレングリコールジアルキルエーテルの混合物に対して酸触媒を含む純水を添加する方法で開始させる。但し、各試薬の添加の順序は一般に任意である。特に技術的な不都合が予想されない限り制限はない。
【００４３】
酸触媒の使用量は反応液中の酸濃度が１〜４００ｐｐｍになるように添加されることが好ましい。添加量が１ｐｐｍ以下であると加水分解反応が十分に進行せず、逆に、４００ｐｐｍ以上であると反応液の経時変化が大きくなり易く、やはり好ましくない。このような観点から、前記添加量は１〜４０ｐｐｍの範囲であると更に好ましい。
【００４４】
アルキレングリコールジアルキルエーテルの存在下で、トリアルコキシシランと水とが混和されれば、酸触媒による反応率制御のもと、室温で、典型的には５〜１００時間程度で、反応は実質的に終了する。或いは、６０℃乃至７０℃を超えない温度下で反応をとり進めることにより、より短い時間で加水分解反応及び重合反応を行ってもよい。
【００４５】
加水分解反応及び重合反応においては、トリアルコキシシランのアルコキシ基に対応するアルコールが生成する。最終的な塗布液を得るには、反応液からこの生じたアルコール分を除去することがより望ましい。結果として、最終的に調製された塗布液においては、そのアルコール分を１５重量％以下にすることが好ましい。８重量％以下にすることがさらに好ましい。アルコール分が１５重量％を超えて残存していると、塗布液の保存安定性が低下し、分子量増加の問題が発生し易く、好ましくない。
【００４６】
アルコール分の除去方法としては、真空度１０〜３００ｍｍＨｇ、より好ましくは２０〜１５０ｍｍＨｇ、温度２０〜５０℃で減圧蒸留する方法が好適である。
【００４７】
トリアルコキシシランの反応終了後は、最終的な塗布液を得るために溶媒置換を行っても良い。例えば、加水分解及び重合反応終了後得られた生成物の均一分散体をそのまま用い、用いた反応溶媒と比較し沸点のより高い、他の塗布液に適した有機溶媒をこれに更に配合する。この混合物を例えば減圧下、分別蒸留が効率的に進行するような適正な中間の温度で蒸留を進め、反応溶媒を選択的に、シリカ系重合物を主成分とする分散質から分離、除去する。
【００４８】
このような方法によれば、凝集過程を経ず、分散質の分散状態を実質的に維持したまま分散媒の置換が行われる。このため、重合反応時形成されたシリカ系重合物の良好な分散状態を実質的に損なうことなく塗布液を調製することが可能である。もちろんこのためには、塗布液の溶剤となる他の有機溶媒は、塗膜液使用の種々観点から、適切に選択、用いられなければならないことは言うまでもない。
【００４９】
このような塗布液の溶剤となる他の有機溶媒として、現時点での発明者による検討の範囲で、例えば、メチル−３−メトキシプロピオネート（ＭＭＰ、沸点１４５℃）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、沸点１４６℃）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ、沸点１２１℃）、及びプロピレングリコールモノプロピルエーテル（ＰＧＰ、沸点１５０℃）が例示できる。これらは同時に複数、混合物として塗布液に用いることも可能である。
【００５０】
なお、反応溶媒と重合体との均一分散体に、さらに他の有機溶媒を配合する際、均一分散体の分散状態を損なわない範囲で均一分散体を予め濃縮し、他の有機溶媒の配合に供してもよい。このようにすれば、分留工程をより迅速に完了させることが可能であろう。本発明では、塗布液の製造にトリアルコキシシランを出発原料とするが、この場合、加水分解、縮合反応後の、濃縮可能な濃度の上限は、発明者が現在までに検討した範囲では、均一分散体全量に対しておおむね２０重量％程度である。２０重量％を超えて濃縮を行った場合には、濃縮時に経時的に分子量増加の現象が起こり易い。
【００５１】
さらに、場合によっては、反応溶媒として用いたアルキレングリコールジアルキルエーテルは必ずしも塗布液から完全に除かれている必要はなく、塗布液を構成する分散媒は反応溶媒として用いた溶剤と他の溶剤との混合物であってもよい。この場合は、反応溶媒と重合体との均一分散体を上記の範囲で濃縮し、そののち、混合する他の有機溶媒を配合して、塗布液とすればよい。但しこの場合も、反応溶媒と配合する他の有機溶媒との混和性もよく検討し、適切な塗膜液が得られるよう、十分な組成設計を予め行う。
【００５２】
使用目的にも依存するが、最終的には、濃縮や希釈によって固形分濃度（近似的には塗布液中のＳｉＯ２ 換算濃度）を通常１〜２０重量％程度に調整し、被膜形成塗布液とする。
【００５３】
製造した塗布液は、絶縁層の上に塗布し、その後加熱し、乾燥、焼成することによって被膜を形成する。塗布は、例えばスプレー法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法など、任意の方法を用いることができる。
【００５４】
塗布した膜の乾燥は、塗布液中の溶媒が揮散して塗膜が形成されればよく、その手段、温度、時間などについては特に制限はない。一般的には、８０〜３００℃程度のホットプレート上で１〜６分間程度加熱する。好ましくは３段階以上、段階的に昇温することが有利である。具体的には、大気中又は窒素などの不活性ガス雰囲気下、７０〜１２０℃程度のホットプレート上で３０秒〜２分間程度第１回目の乾燥処理を行った後、１３０〜２２０℃程度で３０秒〜２分間程度第２回目の乾燥処理を行い、さらに１５０〜３００℃程度で３０秒〜２分間程度第３回目の乾燥処理を行う。このようにして３段階以上、好ましくは３〜６段階程度の段階的な乾燥処理を行うことによって、形成された塗膜の表面が均一なものとなる。
【００５５】
本発明の実施の形態においては、乾燥処理された塗膜は、次に焼成処理を施される。焼成は、３００〜４００℃程度の温度で、窒素雰囲気中で行われる。この焼成温度が３００℃未満では、焼成後の被膜のクラック耐性の向上効果に十分でない恐れがある。また４００℃を超えるような焼成温度であると、Ｓｉ−Ｈ結合が焼失し易く、誘電率を低く保つことが困難である場合がありやはり好ましくない。焼成は窒素雰囲気中又は不活性ガス雰囲気中で実施すると、被膜中のＳｉ−Ｈ結合を失うことなく、クラック耐性の良好な膜を形成し易く、好ましい。
【００５６】
このような被膜形成の方法によれば、硬度１．０ＧＰａ、弾性率８ＧＰａ、比誘電率２．８〜３．２程度の被膜を容易に形成することができる。
【００５７】
配線形成層の上に塗布して形成した塗膜に対しては、プラズマ処理を施して、その機械的強度を更に向上させることが可能である。このようなプラズマ処理は、塗膜液塗布後、好ましくは乾燥処理を終え、焼成前の塗膜に対して行う。プラズマ処理は、窒素雰囲気下、又はヘリウムなどの不活性雰囲気下で行うことが好ましい。例えば、窒素を用いる場合であるならば、窒素ガス流量１００ｓｃｃｍ（約０．１７Ｐａ・ｍ３／ｓ）、出力３００Ｗ、圧力３００ｍＴｏｒｒ（約４０Ｐａ）、温度１００℃の条件で、１分間プラズマ照射を継続して行う。
【００５８】
プラズマ処理によって被膜表面の改質が起こり、機械的強度の極めて優れた被膜を形成することができる。このようなプラズマ処理によれば、本発明者らの知見で、硬度２．０ＧＰａ、弾性率２５ＧＰａ程度の被膜が得られることがわかっており、ダマシンプロセスのマスク用途の被膜として良質のものが得られる。
【００５９】
但し、プラズマ処理を行うと、機械的強度を向上させることができる一方で、一般に誘電率を若干上昇させてしまうことがわかっている。例えばプラズマ処理を行わない被膜の比誘電率が前記のように２．８〜３．２であるとすれば、同一条件でプラズマ処理のみ追加して形成した被膜では比誘電率が３．５〜３．９程度である。従って、当該デバイスの回路の設計を考慮して、プラズマ処理の実施の有無を決定する必要がある。
【００６０】
形成した被膜に対しては配線パターンを形成するが、通常これはビア形成部分のパターンであるビアパターンである。ビアを除く配線溝の形成部分は、当該マスクないしストッパーの機能によって、ビア形成部分よりも浅い溝としてエッチング形成される。
【００６１】
被膜に対する配線パターンの形成は、典型的にはフォトリソグラフィ及びエッチングによって形成される。既に説明した通り、当該被膜はトリアルコキシシランの加水分解生成物によって形成されており、用いることのできるエッチングガスなどのエッチャントも自ずと限定される。さらに必要に応じて半導体装置の他の部分に対して悪影響の無いエッチングガスを選択する必要があろう。エッチングガスとして一般にはＣＦ４ 、ＣＨＦ３ 、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ 等のエッチングガスなどを使用することが考えられる。
【００６２】
また、被膜のエッチングに使用したレジストを除去した後、被膜をハードマスク乃至エッチングストッパーとして選択エッチングを行い、配線形成層にビア及び配線溝を形成するが、この際も当該被膜と配線形成層との間のエッチング選択性を適切に考慮して、エッチングガス等エッチャントを選択する。
【００６３】
例えば、先に説明したダマシン法の第一例の場合（図１）、一種のエッチングガスのみ使用する場合には、被膜２５は配線形成層と比較しエッチング速度は遅いがある程度の被エッチング性を有して、暫時除去されなければならない。そのような適切なエッチングガスの選択及びエッチング時間によって、設計どおりのビア及び配線溝を形成することができる。例えば、配線形成層２４がポリアリーレン、ポリアリーレンエーテル、ポリベンゾオキサゾール、ポリイミド等の有機材料で形成されている場合、当該配線形成層のエッチングとして酸素プラズマエッチングを使用することができる。
【００６４】
導電性物質を付着した表面に対しては平坦化加工が実施される。平坦化加工は、通常、試料を保持しながら回転しかつ圧力を加えるポリッシングヘッド部、それに相対する形でポリッシングパッドが貼り付けられたプラテン、ポリッシングパッドのドレッシング機構、スラリー滴下装置、試料等の洗浄装置、及びそれらの駆動機構、などから構成される平坦化装置を使用して行われる。本発明においても、一般に当業者間で平坦化加工、あるいはＣＭＰといわれている工程作業であるならば、如何なるものでも基本的に実行可能である。平坦化加工は、少なくとも配線を形成しない配線溝の外からは導電物質が完全に研磨、除去され、配線溝にのみ導電物質が残存して配線を形成するまで行われる。
【００６５】
また、必要に応じて以上のような配線形成工程が繰り返され、三次元的に構成されたＬＳＩデバイスが製造される。
【実施例】
【００６６】
〔実施例１〕
まず、以下のようにして塗布液を製造した。
【００６７】
ＳｉＯ２ 換算濃度で３重量％のトリエトキシシラン７３．９ｇをプロピレングリコールジメチルエーテル７９９．０ｇに溶解し、かき混ぜた。次いで、これに２４．２ｇの純粋に硝酸５ｐｐｍを混合したものをゆっくりかき混ぜながら滴下した後、室温で６日間静置させて溶液を得た。
【００６８】
この溶液を１２０ｍｍＨｇ、４０℃において１時間減圧蒸留し、反応溶媒プロピレングリコールジメチルエーテルをそのまま分散媒とする、ＳｉＯ２ 換算濃度が１０重量％の塗布液を得た。
【００６９】
このようにして製造したシリカ系被膜形成用塗布液をスピンコート法により、シリコンウェーハ上に塗布し、大気中、８０℃、１分間の加熱処理を行った。次いで１５０℃、１分間、さらに２００℃、一分間の加熱処理（乾燥工程）を行った。
【００７０】
次いで、窒素雰囲気中、３５０℃で３０分間の加熱処理を行い、膜厚１００ｎｍの被膜を形成した。
【００７１】
当該被膜に対して以下の硬度測定、弾性率測定、誘電率測定を実施した。
【００７２】
なお、硬度測定にはナノインデンターＳＡ２（製品名；ＭＴＳ社製）を、弾性率測定にはナノインデンターＳＡ２（製品名；ＭＴＳ社製）を、誘電率測定にはＳＳＭ４９５（製品名；ＳＳＭ社製）を用いた。
【００７３】
結果を表１に示した。
【００７４】
〔実施例２〕
実施例１で加熱処理（乾燥工程）を行った塗膜に対して、以下のようにしてプラズマ処理を行った。
【００７５】
すなわち、プラズマ処理装置（ＴＣＡ−２４００（製品名）；東京応化工業社製）を用いて、窒素流量１００ｓｃｃｍ（約０．１７Ｐａ・ｍ３／ｓ）、出力３００Ｗ、圧力３００ｍＴｏｒｒ（約４０Ｐａ）、プレート温度１００℃の条件下で、１分間プラズマ照射を行った。
【００７６】
プラズマ照射後、実施例１と全く同様にして焼成のための加熱を行い、膜厚約１００ｎｍの被膜を形成した。
【００７７】
硬度測定、弾性率測定、誘電率測定についても実施例１と同様に実施した。結果を表１に示した。
【００７８】
〔比較例１〕
トリエトキシシランの代わりにテトラメトキシシランの用いた以外は、実施例１と同様にして塗布液を製造した。
【００７９】
この比較用塗布液（以下、比較塗布液と称す）を用いて、実施例１と同様の手順を経て、シリコンウェーハの上に膜厚約１００ｎｍの被膜を形成した。
【００８０】
〔比較例２〕
比較例１で製造した比較塗布液を用いて、実施例２と同様の手順を経て、シリコンウェーハの上に膜厚約１００ｎｍの被膜を形成した。
【００８１】
比較例で得られた被膜についても、実施例と同様に硬度測定、弾性率測定、誘電率測定を実施した。結果を表１に示した。
【表１】
2005175394.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】ダマシン法を用いた配線形成方法の実施の形態を示した簡略化した工程図である。
【符号の説明】
【００８３】
２３  マスク層
２４  絶縁層
２５  被膜
２６  ＳｉＮ膜
２７  レジスト
２８  配線溝
２９  ビア                                                   
【図１】
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