(57)【要約】  【課題】  膜相互の密着性及び界面特性が良好な多層膜の成膜方法及び当該成膜方法を使用したデバイスの製造方法を提供することを目的とする。  【解決手段】  第１膜と該第１膜上に形成された第２膜とを少なくとも含む多層膜の形成方法であって、溶媒を含む第１液体材料を基板上方に塗布することにより第１塗布膜を形成する工程と、前記第１塗布膜に存在している前記溶媒の少なくとも一部を除去することにより第１溶媒除去膜を形成する工程と、前記第１溶媒除去膜上に第２液体材料を塗布する工程と、少なくとも、前記第１溶媒除去膜及び前記第２液体材料に対して加熱及び／又は光処理を行なうことにより前記第１溶媒除去膜から前記第１膜及び前記第２液体材料から前記第２膜を形成する多層膜の形成方法により解決する。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１膜と該第１膜上に形成された第２膜とを少なくとも含む多層膜の形成方法であって、
溶媒を含む第１液体材料を基板上方に塗布することにより第１塗布膜を形成する工程と、
前記第１塗布膜に存在している前記溶媒の少なくとも一部を除去することにより第１溶媒除去膜を形成する工程と、
前記第１溶媒除去膜上に第２液体材料を塗布する工程と、
少なくとも、前記第１溶媒除去膜及び前記第２液体材料に対して加熱及び／又は光処理を行なうことにより前記第１溶媒除去膜から前記第１膜及び前記第２液体材料から前記第２膜を形成する、多層膜の形成方法。
【請求項２】
前記第１溶媒除去膜を形成する工程は、前記第１塗布膜を加熱することにより行う、請求項１記載の多層膜の形成方法。
【請求項３】
前記第１塗布膜の加熱は、１００〜２５０℃の範囲で行なわれる請求項２記載の多層膜の形成方法。
【請求項４】
前記第１塗布膜の加熱は、減圧雰囲気で行なわれる請求項２又は３の多層膜の形成方法。
【請求項５】
前記第１塗布膜は、液滴吐出法により塗布される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の多層膜の形成方法。
【請求項６】
前記第１膜が液体シリコン材料から形成される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の多層膜の形成方法。
【請求項７】
第１膜と該第１膜上に形成された第２膜とを少なくとも含む多層膜の形成方法であって、
溶媒を含む第１液体材料を基板上方に塗布することにより第１塗布膜を形成する工程と、
前記第１塗布膜に存在している前記溶媒の少なくとも一部を除去することにより第１溶媒除去膜を形成する工程と、
溶媒を含む第２液体材料を前記第１溶媒除去膜上に塗布することにより第２塗布膜を形成する工程と、
前記第２塗布膜に存在している前記溶媒の少なくとも一部を除去することにより第２溶媒除去膜を形成する工程と、
少なくとも、前記第１溶媒除去膜及び前記第２溶媒除去膜に対して加熱及び／又は光処理を行なうことにより前記第１溶媒除去膜から前記第１膜及び前記第２溶媒除去膜から第２膜を形成する、多層膜の形成方法。
【請求項８】
前記第１溶媒除去膜の形成は、前記第１塗布膜を加熱することにより行い、前記第２溶媒除去膜の形成は、前記第２塗布膜を加熱することにより行う、請求項７記載の多層膜の形成方法。
【請求項９】
前記第１塗布膜の加熱及び前記第２塗布膜の加熱は、１００〜２５０℃の範囲で行なわれる請求項８記載の多層膜の形成方法。
【請求項１０】
前記第１塗布膜の加熱及び前記第２塗布膜の加熱は、減圧雰囲気で行なわれる請求８又は９記載の多層膜の形成方法。
【請求項１１】
前記第１塗布膜及び前記第２塗布膜の少なくとも１つの膜は、液滴吐出法により塗布される、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の多層膜の形成方法。
【請求項１２】
前記第１膜及び前記第２膜の少なくとも１つの膜は液体シリコン材料から形成される、請求項７〜１１のいずれか１項記載の多層膜の形成方法。
【請求項１３】
第１膜と該第１膜上に形成された第２膜とを少なくとも含む多層膜の形成方法であって、
溶媒を含む第１液体材料を基板上方に塗布することにより第１塗布膜を形成する工程と、
前記第１塗布膜に存在している前記溶媒の少なくとも一部を除去することにより第１溶媒除去膜を形成する工程と、
前記第１溶媒除去膜上に前記第２膜を形成する工程と、
前記第２膜を形成する工程の後、少なくとも前記第１溶媒除去膜に対して加熱及び／又は光処理を行なうことにより前記溶媒除去膜から前記第１膜を形成する、多層膜の形成方法。
【請求項１４】
前記第２膜は、ＣＶＤ法、蒸着法又はスパッタリング法により形成する、請求項１３に記載の多層膜の形成方法。
【請求項１５】
前記第１膜が液体シリコン材料から形成される、請求項１３又は１４のいずれか１項に記載の多層膜の形成方法。
【請求項１６】
前記液体シリコン材料が、シラン化合物及び／又は高次シランを含む、請求項６、１２又は１５のいずれか１項に記載の多層膜の形成方法。
【請求項１７】
前記液体シリコン材料は、周期表の第３Ｂ族元素を含む物質又は周期表の第５Ｂ族元素を含む物質を含む請求項６、１２、１５又は１６のいずれか１項に記載の多層膜の形成方法。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか１項に記載の多層膜の形成方法を使用するデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路、薄膜トランジスタ、光電変換装置、電気機器及び感光体用途等に応用される多層膜の形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
集積回路や薄膜トランジスタ等に応用されるシリコン薄膜（アモルファスシリコン膜やポリシリコン膜）のパターニングは、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の真空プロセスにより基板の全面にシリコン膜を形成した後、フォトリソグラフィーにより不要部分を除去するといったプロセスで行なわれるのが一般的である。しかし、この方法では、大掛かりな装置が必要である、原料の使用効率が悪い、原料が気体であるため扱いにくい、大量の廃棄物が発生する、等の問題を有していた。
【０００３】
このような従来方法に対して、近年、液体状のシラン化合物や高次シラン又はその溶液を基板に塗布し、加熱などの熱エネルギー又は紫外線やレーザー等の光エネルギー照射によってシリコン膜を形成する方法が提案されている（例えば、特開２００３−１１５５３２号公報：特許文献１、特開２００３−１２４４８６号公報：特許文献２、特開２００３−１３３３０６号公報：特許文献３、特開２００３−１７１５５６号公報：特許文献４、特開２００３−３１３２９９号公報：特許文献５等）。この方法によれば、原料が液体であるため扱い易く、大型の装置を必要としないため、低コストでシリコン膜を形成することができる。
【０００４】
また、特開２００１−１７９１６７号公報の方法を用いれば、液体状のシラン化合物や高次シラン又はその溶液をインクジェットなどの手法により直接パターニングしてシリコン膜を成膜することができるようになり、これによってフォトリソグラフィーによる工数、材料の無駄を省くことができる旨が開示されている（特許文献６）。
【０００５】
さて、実際のＩＣや薄膜トランジスタなどのデバイスは、アモルファスシリコンやポリシリコン膜だけではなく、その上に、電極層や絶縁膜層等の膜を多層にわたり成膜することで製造される。しかしながら、従来の方法のように、液体材料からシリコン層を完全に形成した後に次の電極層や絶縁膜層を積層すると、両層の間で膜が剥離したり、良好な界面特性が得られずデバイスの性能が劣る等の問題を有していた。
【特許文献１】特開２００３−１１５５３２号公報
【特許文献２】特開２００３−１２４４８６号公報
【特許文献３】特開２００３−１３３３０６号公報
【特許文献４】特開２００３−１７１５５６号公報
【特許文献５】特開２００３−３１３２９９号公報
【特許文献６】特開２００１−１７９１６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は、膜相互の密着性及び界面特性が良好な多層膜の形成方法及び当該多層膜の形成方法を使用したデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、上記課題は、第１膜と該第１膜上に形成された第２膜とを少なくとも含む多層膜の形成方法であって、溶媒を含む第１液体材料を基板上方に塗布することにより第１塗布膜を形成する工程と、前記第１塗布膜に存在している前記溶媒の少なくとも一部を除去することにより第１溶媒除去膜を形成する工程と、前記第１溶媒除去膜上に第２液体材料を塗布する工程と、少なくとも、前記第１溶媒除去膜及び前記第２液体材料に対して加熱及び／又は光処理を行なうことにより前記第１溶媒除去膜から前記第１膜及び前記第２液体材料から前記第２膜を形成する、多層膜の形成方法（以下「第１発明」と称する）により解決する。
【０００８】
このような構成により、前記第１溶媒除去膜から前記第１膜を形成する工程と、前記第２液体材料から前記第２膜を形成する工程とを同一工程で行うことができ、アモルファスシリコンやポリシリコン等の膜を一層づつ形成するよりも工程数を減らすことができる。また、膜相互の密着性及び界面特性が良好な多層膜を成膜することができ、得られる製品の性能向上が期待できる。
【０００９】
上記第１発明の好ましい態様は以下のとおりである。前記第１溶媒除去膜を形成する工程は、前記第１塗布膜を加熱することにより行う。前記第１塗布膜の加熱は、１００〜２５０℃の範囲で行なうことがより好ましい。
【００１０】
前記第１塗布膜の加熱は、減圧雰囲気で行なうことが好ましい。減圧雰囲気中で加熱することにより、より短時間でより効率的に溶媒を除去することができ、シリコン膜中に不純物として残留する溶媒を減らすことができ、シリコン膜の高性能化が期待できる。
【００１１】
前記第１塗布膜は、液滴吐出法により塗布することが好ましい。これにより、基板上へ液体材料を直接パターン上に塗布する事ができ、本発明を用いた熱処理および/または光処理によって、フォトリソグラフィーを用いることなく基板上へシリコン膜のパターニングを行う事ができる。
【００１２】
前記第１膜は、液体シリコン材料から形成されることが好ましい。前記液体シリコン材料は、シラン化合物及び／又は高次シランを含む。また、前記液体シリコン材料は、周期表の第３Ｂ族元素を含む物質又は周期表の第５Ｂ族元素を含む物質を含むこともできる。かかる物質を液体シリコン材料が含む事により、該シリコン膜をドープシリコン膜とする事ができるようになる。
【００１３】
また、上記課題は、第１膜と該第１膜上に形成された第２膜とを少なくとも含む多層膜の形成方法であって、溶媒を含む第１液体材料を基板上方に塗布することにより第１塗布膜を形成する工程と、前記第１塗布膜に存在している前記溶媒の少なくとも一部を除去することにより第１溶媒除去膜を形成する工程と、溶媒を含む第２液体材料を前記第１溶媒除去膜上に塗布することにより第２塗布膜を形成する工程と、前記第２塗布膜に存在している前記溶媒の少なくとも一部を除去することにより第２溶媒除去膜を形成する工程と、少なくとも、前記第１溶媒除去膜及び前記第２溶媒除去膜に対して加熱及び／又は光処理を行なうことにより前記第１溶媒除去膜から前記第１膜及び前記第２溶媒除去膜から前記第２膜を形成する、多層膜の形成方法（以下「第２発明」と称する）によっても解決する。
【００１４】
このような構成により、前記第１溶媒除去膜から前記第１膜を形成する工程と、前記第２溶媒除去膜から前記第２膜を形成する工程とを同一工程で行うことができ、アモルファスシリコンやポリシリコン等の膜を一層づつ形成するよりも工程数を減らすことができる。また、膜相互の密着性及び界面特性が良好な多層膜を成膜することができ、得られる製品の性能向上が期待できる。
【００１５】
上記第２発明の好ましい態様は以下のとおりである。前記第１溶媒除去膜の加熱は前記第１塗布膜を加熱することにより行い、前記第２溶媒除去膜の形成は、前記第２塗布膜を加熱することにより行う。前記第１塗布膜の加熱及び前記第２塗布膜の加熱は、１００〜２５０℃の範囲で行なうことが好ましい。前記第１塗布膜の加熱及び前記第２塗布膜の加熱は、減圧雰囲気で行なうことが好ましい。前記第１塗布膜及び前記第２塗布膜の少なくとも１つの膜は、液滴吐出法により塗布することが好ましい。前記第１膜及び前記第２膜の少なくとも１つの膜は、液体シリコン材料から形成されることが好ましい。前記液体シリコン材料は、シラン化合物及び／又は高次シランを含むことが好ましい。前記液体シリコン材料は、周期表の第３Ｂ族元素を含む物質又は周期表の第５Ｂ族元素を含む物質を含むこともできる。
【００１６】
更に、上記課題は、第１膜と該第１膜上に形成された第２膜とを少なくとも含む多層膜の形成方法であって、溶媒を含む第１液体材料を基板上方に塗布することにより第１塗布膜を形成する工程と、前記第１塗布膜に存在している前記溶媒の少なくとも一部を除去することにより第１溶媒除去膜を形成する工程と、前記第１溶媒除去膜上に前記第２膜を形成する工程と、前記第２膜を形成する工程の後、少なくとも前記第１溶媒除去膜に対して加熱及び／又は光処理を行なうことにより前記溶媒除去膜から前記第１膜を形成する、多層膜の形成方法（以下「第３発明」と称する）によっても解決する。
【００１７】
このような構成により、膜相互の密着性及び界面特性が良好な多層膜を成膜することができ、得られる製品の性能向上が期待できる。
【００１８】
上記第３発明の好ましい態様は以下のとおりである。前記第２膜は、ＣＶＤ法、蒸着法又はスパッタリング法により形成することができる。即ち、第１溶媒除去膜の表面上に、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等により膜を形成し、しかる後に熱処理および/または光処理により第１膜を形成することもできる。前記第１膜は液体シリコン材料から形成することが好ましい。前記液体シリコン材料は、シラン化合物及び／又は高次シランを含む。前記液体シリコン材料は、周期表の第３Ｂ族元素を含む物質又は周期表の第５Ｂ族元素を含む物質を含むこともできる。
【００１９】
また、本発明は、上記第１乃至第３発明のいずれか１つの多層膜の形成方法を使用するデバイスの製造方法（以下「第４発明」と称する）を提供するものである。
【００２０】
このような構成により、シリコン成膜を完全に行ってから第２の膜を形成する従来の多層膜の形成方法により製造したデバイスと比べて、第１乃至第３発明のいずれか１つの多層膜の形成方法を使用することにより、工程数を簡略化することができるとともに、膜相互の密着性及び界面特性が良好な多層膜を成膜することができるため、高品質のデバイスを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
［第１発明］
第１発明は、既述のとおり、第１膜と該第１膜上に形成された第２膜とを少なくとも含む多層膜の形成方法であって、溶媒を含む第１液体材料を基板上方に塗布することにより第１塗布膜を形成する工程と、前記第１塗布膜に存在している前記溶媒の少なくとも一部を除去することにより第１溶媒除去膜を形成する工程と、前記溶媒除去膜上に第２液体材料を塗布する工程と、少なくとも前記第１溶媒除去膜及び前記第２液体材料に対して加熱及び／又は光処理を行なうことにより前記溶媒除去膜から前記第１膜及び前記第２液体材料から前記第２膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【００２２】
先ず、溶媒を含む第１液体材料を基板上方に塗布することにより第１塗布膜を形成する工程について説明する。
【００２３】
本発明において、「液体シリコン材料」とは、分子中にケイ素を含有する物質を少なくとも含み、常温でそれ自体が液体かまたは溶媒に溶解させた状態で液体である材料であり、熱処理および/または光処理によってシリコン膜を形成する材料の事である。
【００２４】
液体シリコン材料としては、シラン化合物、高次シラン又はその混合物またはその溶液を使用することが好ましい。更に、前記溶液にドーパントを添加したものを用いることもできる。
【００２５】
ここで、「ドーパント」とは、液体シリコン材料中に含まれ、上述のマイクロ波照射による活性化によってｎ型またはｐ型のドープシリコンを形成し得るリン、ホウ素又は砒素等の周期表第３Ｂ族元素又は周期表の第５Ｂ族元素を含む化合物、具体的にはホウ素、黄燐、デカボランや特開２０００−３１０６６号公報に挙げられているような物質が例示される。
【００２６】
上記シラン化合物としては、例えば、一般式ＳｉnＸm（ここで、ｎは３以上の、またｍは４以上のそれぞれ独立な整数を示し、Ｘは水素原子及び／又はハロゲン原子等の置換基を示す。）で表されるシラン化合物等が挙げられる。
【００２７】
また、この液体シリコン材料としては、上記シラン化合物に紫外線（以下「ＵＶ」と称する）を照射することにより光重合してなる高次シランを含有する組成物であるか、又は上記シラン化合物の溶液に、ＵＶを照射することにより光重合してなる高次シランを含有する組成物を用いる事もできる。
【００２８】
かかる高次シランは、光重合性を有するシラン化合物の溶液にＵＶが照射されて該シラン化合物が光重合することにより形成されたもので、その分子量が従来のシリコン作製方法で用いられているシラン化合物（例えば、Ｓｉ6Ｈ14であれば分子量は１８２）に比しても比較にならない程大きなもの（１８００程度までの分子量のものが確認されている）である。このような巨大な分子量を持つ高次シランはその沸点が分解点よりも高く、蒸発してなくなる前に膜を形成することができるため、従来のシリコン膜作製法よりも効果的にシリコン膜の形成を行うことができる。なお、実際にこのような高次シランを加熱すると、沸点に達する以前に分解してしまうため、分解点より高い沸点は実験的に決めることはできない。しかし、ここでは蒸気圧の温度依存性や、理論計算によって求めた理論値としての常圧での沸点を意味している。
【００２９】
また、このような高次シランを含有した液体シリコン材料を用いれば、この高次シランの沸点が分解点より高いという性質から、従来のように蒸発してしまう前に急いで高温で加熱するといった必要がない。つまり、昇温速度を穏やかにしたり、減圧しながら比較的低温で加熱するといったプロセスが可能となる。このことは、シリコン膜を形成する場合のシリコン同士の結合スピードを制御できるだけでなく、後述する溶媒除去膜を形成する工程において、シリコン膜を形成するほど高温ではないが溶媒の沸点よりは高い温度を維持するといった方法によって、液体シリコン材料の塗布膜からシリコン膜の特性劣化の原因となる溶媒を従来の方法よりも効率良く減らすことが可能となることを意味する。
【００３０】
光重合して形成する高次シランとしては、前述したようにその沸点がその分解点よりも高いことが好ましい。このような沸点が分解点よりも高い高次シランは、前駆体であるシラン化合物として後述の好ましいシラン化合物を選定したり、照射するＵＶとして後述の好ましい波長のＵＶ、および照射時間、照射方法、照射エネルギー、および用いる溶媒およびＵＶ照射後の精製方法を選定すること等により、容易に得ることができる。
【００３１】
また、この高次シランについては、その分子量分布を、ＵＶの照射時間や照射量、照射方法によってコントロールすることができる。さらに、この高次シランは、シラン化合物へのＵＶ照射後に、一般的な重合体の精製法であるＧＰＣなどを用いて分離精製することで、任意の分子量の高次シラン化合物を取り出すことができる。また、分子量の異なる高次シラン化合物の間での溶解度の差を利用して精製を行うこともできる。また、分子量の異なる高次シラン化合物の間での、常圧または減圧下での沸点の差を利用して分留による精製を行うこともできる。このようにして、液体材料中の高次シランの分子量のコントロールを行うことで、より特性バラツキが抑えられた良質のシリコン層を得ることができるようになる。
【００３２】
高次シランは、その分子量が大きくなればなるほど沸点が高くなり、また溶媒に対する溶解度も減少していく。このため、ＵＶの照射条件によっては光重合後の高次シランが溶媒に溶解しきれずに析出することがあるので、その場合にはマイクロフィルターなどを用いたろ過などによって不溶成分を除去し、高次シランを精製することができる。
【００３３】
ＵＶの照射時間は、所望の分子量分布の高次シランが得られる点で、０．１秒〜１２０分、特に１〜３０分であるのが好ましい。
【００３４】
また、このような高次シランの前駆体であるシラン化合物を含有する前記液体材料については、その粘度および表面張力を、形成する高次シランの分子量分布に関する前記調整方法とともに溶媒を調整することにより、容易にコントロールすることができる。これは、液状体からシリコン層を形成する場合、その最大のメリットとしてインクジェット法を用いたパターニング法が採用できる点が挙げられるが、この液滴吐出法によるパターニングにおいて、前述したように粘度および表面張力が溶媒によって容易にコントロール可能であることが、非常に有利な点として作用する。
【００３５】
前記高次シランの前駆体となるシラン化合物としては、ＵＶの照射により重合し得るという光重合性を有する限り特に制限されず、例えば、前述した一般式ＳｉnＸm（ここで、ｎは３以上の、またｍは４以上のそれぞれ独立な整数を示し、Ｘは水素原子及び／又はハロゲン原子等の置換基を示す。）で表されるシラン化合物等が挙げられる。
【００３６】
このようなシラン化合物としては、一般式ＳｉnＸ2n（式中、ｎは３以上の整数を示し、Ｘは水素原子及び／又はハロゲン原子を示す。）で表される環状のシラン化合物や、一般式ＳｉnＸ2n-2（式中、ｎは４以上の整数を示し、Ｘは水素原子及び／又はハロゲン原子を示す。）で表される環状構造を２個以上有するシラン化合物の他、分子内に少なくとも一つの環状構造を有する水素化珪素及びそのハロゲン置換体等、本発明に係るマイクロ波照射による重合プロセスを適用し得るシラン化合物の全てが挙げられる。
【００３７】
具体的には、１個の環状構造を有するものとして、シクロトリシラン、シクロテトラシラン、シクロペンタシラン、シクロヘキサシラン、シクロヘプタシラン等が挙げられ、２個の環状構造を有するものとして、１、１’−ビシクロブタシラン、１、１’−ビシクロペンタシラン、１、１’−ビシクロヘキサシラン、１、１’−ビシクロヘプタシラン、１、１’−シクロブタシリルシクロペンタシラン、１、１’−シクロブタシリルシクロヘキサシラン、１、１’−シクロブタシリルシクロヘプタシラン、１、１’−シクロペンタシリルシクロヘキサシラン、１、１’−シクロペンタシリルシクロヘプタシラン、１、１’−シクロヘキサシリルシクロヘプタシラン、スピロ［２．２］ペンタシラン、スピロ［３．３］ヘプタタシラン、スピロ［４．４］ノナシラン、スピロ［４．５］デカシラン、スピロ［４．６］ウンデカシラン、スピロ［５．５］ウンデカシラン、スピロ［５．６］ウンデカシラン、スピロ［６．６］トリデカシラン等が挙げられ、その他にこれらの骨格の水素原子を部分的にＳｉＨ3基やハロゲン原子に置換したケイ素化合物を挙げることができる。これらは２種以上を混合して使用することもできる。
【００３８】
これら化合物のうち、分子内の最低一箇所に環状構造を有するシラン化合物は光に対する反応性が極度に高く、光重合が効率よく行えるという点から、これを原料として用いるのが好ましい。その中でも、シクロテトラシラン、シクロペンタシラン、シクロヘキサシラン、シクロヘプタシラン等のＳｉnＸ2n（式中、ｎは３以上の整数を示し、Ｘは水素原子及び／又はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等のハロゲン原子を示す。）で表されるシラン化合物は、以上の理由に加えて合成、精製が容易である利点を有するため特に好ましい。
【００３９】
本発明に使用される液体シリコン材料に用いられる溶媒としては、シラン化合物を溶解し、シラン化合物が光重合されたことにより形成された高次シランを溶解し、かつ該シラン化合物又は高次シランと反応しないものが好ましい。この溶媒は、通常、室温での蒸気圧が１×１０-3〜２×１０2Ｔｏｒｒのものが用いられる。蒸気圧が２×１０2Ｔｏｒｒより高いものでは、コーティングで塗布膜を形成する場合に溶媒が先に蒸発してしまい、良好な塗布膜を形成することが困難になるからである。一方、蒸気圧が１×１０-3Ｔｏｒｒより低いものでは、同様にコーティングで塗布膜を形成する場合に乾燥が遅くなり、塗布膜中に溶媒が残留し易くなって、後述する溶媒除去膜を形成する工程において、良質の溶媒除去膜が得られにくくなり、ひいては後述する加熱及び／又は光処理理後にも、良質のシリコン膜が得られ難くなるからである。
【００４０】
また、前記溶媒としては、その常圧での沸点が室温以上であり、シラン化合物又は高次シランの分解点である２５０℃〜３００℃よりも低いものを用いることが好ましい。シラン化合物又は高次シランの分解点よりも低い溶媒を用いることにより、塗布後、加熱によってシラン化合物又は高次シランを分解することなく溶媒のみを選択的に除去することができるため、塗布膜に溶媒が残留するのを防止することができ、より良質の膜を得ることができるからである。
【００４１】
液体シリコン材料に使用される溶媒は、例えば、シラン化合物を含む場合はシラン化合物の溶液中の溶媒であり、高次シランを含む溶液の場合はＵＶ照射前では前駆体としてのシラン化合物の溶液中の溶媒であり、ＵＶ照射後は高次シラン溶液中の溶媒となるものをいう。その具体例としては、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、ジシクロペンタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、デュレン、インデン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、スクワランなどの炭化水素系溶媒の他、ジプロピルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系溶媒、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、ジメチルスルホキシドなどの極性溶媒が挙げられる。
【００４２】
溶媒中の溶質濃度としては、通常１〜８０重量％程度、好ましくは５〜３０重量％程度であり、所望のシリコン膜厚に応じて調整することができる。８０重量％を超えると、高次シランが析出しやすくなり、均一な塗布膜を得るのが困難になる。
【００４３】
また、この液体シリコン材料は、その粘度が通常１〜１００ｍＰａ・ｓの範囲に調整可能となるが、塗布装置や目的の塗布膜厚に応じて、その粘度を適宜選択することができる。粘度が１ｍＰａ・ｓより小さくなるとコーティングが困難になり、１００ｍＰａ・ｓを超えると均一な塗布膜を得ることが困難になる。
【００４４】
なお、前記液体シリコン材料には、目的の機能を損なわない範囲で必要に応じてフッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節材を微量添加することができる。このノニオン系表面張力調節材は、溶液の塗布対象物への濡れ性を良好化し、塗布した膜のレベルリング性を改良し、塗布膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生などの防止に役立つものである。  
【００４５】
塗布膜塗布は一般には室温以上の温度で行われる。室温以下の温度では高次シラン化合物の溶解性が低下し一部析出する場合がある。本発明に使用されるシラン化合物、高次シラン化合物は水、酸素と反応して変性してしまうので、一連の工程は水や酸素が存在しない状態であることが好ましい。よって、一連の工程中の雰囲気は、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガス中で行なうことが好ましい。さらに必要に応じて水素などの還元性ガスを混入したものが好ましい。また、溶媒や添加物も水や酸素を取り除いたものを用いることが望ましい。
【００４６】
塗布膜はスピンコート、スプレーコート、ディップコート、ロールコート、液滴吐出法、ディスペンス法等、一般的に液体材料を塗布する方法として用いられているいかなる方法を用いて成膜する事が可能である。この中でも、液滴吐出法、ディスペンス法を用いる事により、基板上へ液体材料を直接パターン上に塗布する事ができ、フォトリソグラフィーを用いることなく基板上へシリコン膜のパターニングを行う事ができるために、好ましい。
【００４７】
尚、本発明において、液滴吐出法とは、液滴を所望の領域に吐出することにより、被吐出物を含む所望パターンを形成する方法であり、インクジェット法と呼ぶこともある。但し、この場合、吐出する液滴は、印刷物に用いられる所謂インクではなく、デバイスを構成する材料物質を含む液状体であり、この材料物質は、例えばデバイスを構成する導電物質又は絶縁物質として機能し得る物質を含むものである。さらに、液滴吐出とは、吐出時に噴霧されるものに限らず、液状体の１滴１滴が連続するように吐出される場合も含む。
【００４８】
また、スピンコート法を用いる場合のスピナーの回転数は、形成する膜の厚み、塗布溶液組成により決まるが、一般には１００〜５０００ｒｐｍ、好ましくは３００〜３０００ｒｐｍが用いられる。
【００４９】
次に、前記第１塗布膜に存在している前記溶媒の少なくとも一部を除去することにより第１溶媒除去膜を形成する工程について説明する。ここで、「溶媒の少なくとも一部を除去する」とは、塗布膜中の少なくとも一部の溶媒を蒸発させることにより、塗布膜中の溶媒残存率を低下させることをいう。従って、「溶媒除去膜」とは、塗布膜中の少なくとも一部の溶媒が蒸発し、塗布膜中の溶媒残存率が低下した状態の膜であって、液体シリコン材料がアモルファス状あるいは多結晶状となる前の状態の膜をいう。
【００５０】
溶媒除去膜の形成は、前記塗布膜を加熱することにより行なうことができる。ここで、「加熱」とは、塗布膜をアモルファス状あるいは多結晶状にすることを目的として行なう加熱とは異なり、上記のように、塗布膜から少なくとも一部の溶媒を除去することを目的として行なうものである。
【００５１】
前記塗布膜の加熱温度は、使用する溶媒の種類、沸点（蒸気圧）又は分解点により異なるが、２０〜３００℃の範囲で行なうことが好ましく、１００〜２５０℃の範囲で行なわれることが好ましい。この温度は用いる溶媒の沸点により最適な温度を用いる事ができるが３００℃を超えると液体シリコン材料が熱分解を起こしてしまうために、通常３００℃以下である事が好ましい。
【００５２】
加熱時間は、加熱温度との関係で適宜決定されるが、加熱温度が１００〜２５０℃の範囲で行なわれる場合は、１秒〜６０分間行なうことが好ましい。
【００５３】
この溶媒除去の為の加熱は、例えば、従来から公知のホットプレート、炉（ファーネス）、ＵＶ照射やレーザー照射、マイクロ波照射等を用いて行なうことができる。
【００５４】
また、加熱は、溶媒を効率よく除去する観点から、減圧雰囲気で行なうことが好ましく、具体的には、例えば  １０-8〜１００Ｔｏｒｒで行われることが好ましい。減圧雰囲気中で加熱することにより、より短時間でより効率的に溶媒を除去することできるため、シリコン膜中に不純物として残留する溶媒を減らすことができ、シリコン膜の高性能化が期待できる。
【００５５】
更に、溶媒を除去するための加熱を行う場合は、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガス、もしくは水素などの還元性ガスを混合したものが好ましい。
【００５６】
次に、前記第１溶媒除去膜上に第２液体材料を塗布する工程について説明する。第２液体材料は、先述した第１液体材料と異なる組成の液体材料を用いることも、同じ組成の液体材料を用いることもできる。また、塗布方法も、第１液体材料を塗布する場合と同じ方法で行うことができる。
【００５７】
次に、少なくとも前記第１溶媒除去膜及び前記第２液体材料に対して加熱及び／又は光処理を行なうことにより前記溶媒除去膜から前記第１膜及び前記第２液体材料から前記第２膜を形成する工程について説明する。
【００５８】
かかる工程は、溶媒除去膜から第１膜を形成するとともに、第２液体材料から第２膜を形成するため、先ず第１膜を形成し、その後に第２膜を形成していく従来の多層膜の形成方法と異なり、本発明は加熱及び／又は光処理を行って第１膜を形成する前に、溶媒が除去された状態の膜を形成した段階で次の液体材料を塗布する点が大きく異なる。
【００５９】
ここで、第１の層として形成した溶媒除去膜（第１溶媒除去膜）の上に、第２の層を形成するための液体材料（第２液体材料）を塗布する場合、その液体材料に溶媒を含むことができる。その液体材料に使用する溶媒は、第１の層として形成した溶媒除去膜が溶解しないような溶媒を選択することで、第２液体材料を塗布する際に、第１溶媒除去膜の溶解が防止できるという観点から好ましい。
【００６０】
なお、基板の上方に、ＣＶＤ、蒸着、スパッタリング等により膜を形成する工程を含むこともできる。即ち、溶媒除去膜を加熱及び／又は光処理を行う前に、スパッタリング法等の真空成膜法により、インジウムスズ酸化物、アルミニウム、チタン、窒化チタン等の膜を形成した後に、溶媒除去膜の熱処理および/または光処理によってシリコン膜を形成することもできる。
【００６１】
最後に、上記のように形成された第１溶媒除去膜及び該溶媒除去膜上に設けられた第２の層を形成するための第２液体材料を加熱及び／又は光処理することで、２層以上の多層膜を同一工程で形成する。加熱及び／又は光処理により得られるシリコン膜はアモルファス状あるいは多結晶状であるが、熱処理の場合には一般に到達温度が約５５０℃以下の温度ではアモルファス状、それ以上の温度では多結晶状のシリコン膜が得られる。アモルファス状のシリコン膜を得たい場合は、好ましくは３００℃〜５５０℃、より好ましくは３５０℃〜５００℃で行われる。到達温度が３００℃未満の場合は、高次シラン化合物の熱分解が十分に進行せず、十分な厚さのシリコン膜を形成できない場合がある。
【００６２】
本発明において、熱処理を行う場合の雰囲気は、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガス、もしくは水素などの還元性ガスを混入したものが好ましい。多結晶状のシリコン膜を得たい場合は、上記で得られたアモルファス状シリコン膜に、レーザーを照射して多結晶シリコン膜に変換することができる。
【００６３】
一方、光処理を行う場合に使用する光の光源としては、低圧あるいは高圧の水銀ランプ、重水素ランプあるいはアルゴン、クリプトン、キセノン等の希ガスの放電光の他、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザー等が挙げられる。これらの光源は、一般には、１０〜５０００Ｗの出力のものが用いられるが、通常１００〜１０００Ｗで十分である。これらの光源の波長は高次シラン化合物が多少でも吸収するものであれば特に限定されないが、通常１７０ｎｍ〜６００ｎｍである。また、多結晶シリコン膜への変換効率の点で、レーザー光の使用が特に好ましい。これらの光処理時の温度は通常室温〜１５００℃であり、得られるシリコン膜の半導体特性に応じて適宜選ぶことができる。
【００６４】
本発明の多層膜の成膜方法において「基板」とは、特に限定されないが、通常の石英、ホウ珪酸ガラス、ソーダガラスの他、ＩＴＯなどの透明電極、金、銀、銅、ニッケル、チタン、アルミニウム、タングステンなどの金属基板、さらにこれらの金属を表面に有するガラス、プラスチック基板などのほか、これらの基板の表面上に形成されたシリコン膜や金属膜等も含まれる。また、シリコン膜及び／又は金属膜が積層されたもの、シリコン膜、金属膜、又は、シリコン膜及び／又は金属膜が積層されたものがパターニングされたものも含まれる。
【００６５】
［第２発明］
第２発明は、第１膜と該第１膜上に形成された第２膜とを少なくとも含む多層膜の形成方法であって、溶媒を含む第１液体材料を基板上方に塗布することにより第１塗布膜を形成する工程と、前記第１塗布膜に存在している前記溶媒の少なくとも一部を除去することにより第１溶媒除去膜を形成する工程と、溶媒を含む第２液体材料を基板上方に塗布することにより第２塗布膜を形成する工程と、前記第２塗布膜に存在している前記溶媒の少なくとも一部を除去することにより第２溶媒除去膜を形成する工程と、少なくとも前記第１溶媒除去膜及び前記第２溶媒除去膜に対して加熱及び／又は光処理を行なうことにより前記溶媒除去膜から前記第１膜及び前記第２溶媒除去膜から第２膜を形成することを特徴とする。
【００６６】
本発明は、溶媒を含む第２液体材料を使用する。本発明で使用される溶媒および液体材料は第１発明と同様の溶媒及び液体材料を使用することができる。そして、溶媒を含む第２液体材料を第１溶媒除去膜上に塗布することによって第２塗布膜を形成する。
【００６７】
ここで、第１の層として形成した溶媒除去膜（第１溶媒除去膜）の上に、溶媒を含む第２液体材料を塗布する場合、その液体材料に使用する溶媒は、第１の層として形成した溶媒除去膜が溶解しないような溶媒を選択することが、第２液体材料を塗布する際に、第１溶媒除去膜の溶解が防止できるという観点から好ましい。
【００６８】
そして、第１発明と同様の要領で、第１溶媒除去膜及び第２溶媒除去膜を形成し、第１溶媒除去膜と第２溶媒除去膜に対して加熱及び／又は光処理を行うことにより、第１溶媒除去膜から第１膜を形成するとともに、第２溶媒除去膜から第２膜を形成する。このように、第１溶媒除去膜から第１膜を形成する工程と、第２溶媒除去膜から第２膜を形成する工程とを同一工程で行うことができる。
【００６９】
なお、第２発明の多層膜の形成方法に関しては、第１発明と異なる部分以外は、前記第１発明と同様である。したがって、本発明に関しては、特に詳述しない事項については、前述した第１発明について説明した事項が適宜適用される。
【００７０】
［第３発明］
第３発明は、第１膜と該第１膜上に形成された第２膜とを少なくとも含む多層膜の形成方法であって、溶媒を含む第１液体材料を基板上方に塗布することにより第１塗布膜を形成する工程と、前記第１塗布膜に存在している前記溶媒の少なくとも一部を除去することにより第１溶媒除去膜を形成する工程と、前記溶媒除去膜上に前記第２膜を形成する工程と、前記第２膜を形成する工程の後、少なくとも前記第１溶媒除去膜に対して加熱及び／又は光処理を行なうことにより前記溶媒除去膜から前記第１膜を形成することを特徴とする。
【００７１】
即ち、第１溶媒除去膜上に前記第２膜を形成する工程は、第１溶媒除去膜上に、例えば、スパッタ、蒸着及びＣＶＤ法等の真空プロセスを用いて第２膜を形成する。その後、少なくとも第１溶媒除去膜に対して加熱及び／又は光処理を行ない、多層膜を形成するものである。
【００７２】
なお、第３発明の多層膜の形成方法に関しては、第１発明と異なる部分以外は、前記第１発明と同様である。したがって、本発明に関しては、特に詳述しない事項については、前述した第１発明について説明した事項が適宜適用される。 
【００７３】
［第４発明］
また、本発明は、上記の多層膜の成膜方法を使用するデバイスの製造方法を提供するものである。上記の多層膜の成膜方法によりデバイスを製造すれば、膜相互の密着性及び界面特性が良好な多層膜を成膜することができるため、高品質のデバイスを得ることができる。本発明の多層膜の成膜方法によって得られる多層膜は、集積回路、薄膜トランジスタ、光電変換装置、電気機器及び感光体等の用途に応用することができる。ここで、光電変換装置としては、例えば太陽電池などがあり、電気機器としては、例えば、携帯電話、ディスプレイなどがある。
【実施例１】
【００７４】
図１に、液晶ディスプレイに用いられる薄膜トランジスタ基板の多層膜の成膜プロセスを示す。先ず、シクロペンタシラン１０ｇをトルエン１００ｍｌに溶解させた溶液（溶液Ａ）を調製し、この溶液Ａを攪拌しながら、３００Ｗの高圧水銀灯で１０分間照射することにより、高次シラン溶液を得た。
【００７５】
この高次シラン溶液を、窒素雰囲気中でガラス基板１２上にインクジェット法を用いて塗布した。そして、その塗布膜を１０-2Ｔｏｒｒに減圧しながら３０分間、１２０℃で加熱し、高次シラン溶液の溶媒であるトルエン（Ｓ１）を塗布膜から除去することにより、第１の溶媒除去膜１４を得た（図１（ａ）参照）。
【００７６】
次に、キシレンを溶媒とするポリシラザンの３０重量％溶液（溶液Ｂ）を調製し、この溶液Ｂを、第１の溶媒除去膜１４の上にインクジェット法を用いて塗布し、塗布膜を形成した。そして、形成した塗布膜を１５０℃で１時間加熱することにより、溶液Ｂの溶媒であるキシレン（Ｓ２）が除去された第２の溶媒除去膜１６を得た（図１（ｂ）参照）。
【００７７】
次に、第１の溶媒除去膜１４と第２の溶媒除去膜１６を、４００℃、１時間で焼成することにより、アモルファスシリコン膜１５とゲート絶縁膜１７の２層構造膜を同一工程で作製した（図１（ｃ）参照）。
【００７８】
次に、デカボラン１ｇを上記溶液Ａに溶解させた溶液（溶液Ｃ）を調製した。この溶液Ｃを、図１（ｄ）に示すように、アモルファスシリコン膜１５の露出部分にインクジェット法を用いて塗布し、塗布膜を形成した。そして、形成した塗布膜を１０-2Ｔｏｒｒに減圧しながら１２０℃で３０分間加熱することにより、溶媒であるトルエン（Ｓ３）が塗布膜から除去された第３の溶媒除去膜１８及び２０を得た。
【００７９】
次に、図１（ｅ）に示すように、インクジェット法により、ソース電極を形成するための金微粒子インクを一方の第３の溶媒除去膜２０の露出部に、また、ドレイン電極を形成するためのＩＴＯインクを他方の第３の溶媒除去膜１８の露出部に、それぞれ塗布した。
【００８０】
このようにして製作した多層膜の基板を、４５０℃で２０分間焼成し、ドレイン電極２２及びソース電極２４を形成するとともに、第３の溶媒除去膜１８及び２０からｎ型にドープされたポリシリコン膜１９及び２１を形成した（図１（ｆ）参照）。
【００８１】
アルミ微粒子インクをインクジェット法によりゲート絶縁膜１７の表面上に塗布し、２００℃で１時間焼成することにより、ゲート電極配線２８を形成した（図１（ｆ）参照）。このように作製した薄膜トランジスタ基板１を用いて、液晶ディスプレイを作製した。
【実施例２】
【００８２】
図２に、太陽電池に用いられる基板の多層膜の成膜プロセスを示す。先ず、ガラス基板３０上に、厚さ５０００Åのアルミニウム膜３２をスパッタ法にて形成した（図２（ａ）参照）。
【００８３】
実施例１で用いた溶液Ａに塩化リン１ｇを溶解した溶液を調製し、この溶液をアルミニウム膜３２の表面に８００ｒｐｍでスピンコートすることにより、塗布膜を形成した。形成した塗布膜を１２０℃で３０分間加熱し、溶媒であるトルエン（Ｓ１）を塗布膜から除去することにより、第１の溶媒除去膜３４を形成した（図２（ｂ）参照）。
【００８４】
次に、第１の溶媒除去膜３４の表面に溶液Ａを１０００ｒｐｍでスピンコートして塗布膜を形成し、形成した塗布膜を１２０℃で３０分間加熱することにより、溶媒であるトルエン（Ｓ２）が除去された第２の溶媒除去膜３６を形成した（図２（ｃ）参照）。
【００８５】
更に、溶液Ａにデカボラン１ｇを溶解させた溶液を調製し、この溶液を第２の溶媒除去膜３６の表面に８００ｒｐｍでスピンコートすることにより塗布膜を形成した。形成した塗布膜を１２０℃で３０分間加熱することにより、溶媒であるトルエン（Ｓ３）が除去された第３の溶媒除去膜３８を形成した（図２（ｄ）参照）。
【００８６】
このようにして得られた多層膜を５００℃で２時間焼成することにより、厚さ１０００Å（Ｎ型シリコン膜３５）／１５００Å（Ｉ型シリコン膜３７）／１０００Å（Ｐ型シリコン膜３９）の３層からなる太陽電池構造を同時に作製した。
【００８７】
その後、スパッタ法を用いてＩＴＯ電極４０を形成するとともに、フォトエッチングによりＩＴＯ電極４０及びシリコン層（Ｎ型シリコン膜３５、Ｉ型シリコン膜３７及びＰ型シリコン膜３９）のパターニングを行って、図２（ｅ）に示す太陽電池基板２を作製した。
【００８８】
この太陽電池基板２を用いて太陽電池を作製し、その太陽電池の光起電力を測定して変換効率を求めたところ、１１％であり、良好な界面特性が認められた。また、膜の剥離も認められなかった。従って、本発明を用いることによって、界面の電気特性が良好であるために、デバイスとしての性能を向上させるとともに、膜相互の密着性に優れた成膜を行うことができることを確認した。また、複数の膜を同時に焼成できたため、熱処理に必要な時間も短縮できるという効果も確認した。
【実施例３】
【００８９】
実施例２と同様の要領で、ガラス基板３０上に、アルミニウム膜３２、第１の溶媒除去膜３４、第２の溶媒除去膜２６、第３の溶媒除去膜３８からなる膜を形成した（図２（ａ）〜（ｄ）参照）。
【００９０】
次に、第３の溶媒除去膜３８の表面上に、スパッタ法によりＩＴＯ電極４０を形成し、次いで５００℃で２時間焼成することにより、厚さ１０００Å（Ｎ型シリコン膜３５）／１５００Å（Ｉ型シリコン膜３７）／１０００Å（Ｐ型シリコン膜３９）の３層からなる太陽電池構造を同時に作製した。
【００９１】
その後、フォトエッチングによりＩＴＯ電極４０及びシリコン層（Ｎ型シリコン膜３５、Ｉ型シリコン膜３７及びＰ型シリコン膜３９）のパターニングを行って、太陽電池基板を作製した。
【００９２】
この太陽電池基板を用いて太陽電池を作製し、この太陽電池の光起電力を測定して変換効率を求めたところ、１３％であり、本発明を適用することでＰ型シリコン膜３９とＩＴＯ電極４０が良好な界面を形成することが確認できた。  
【００９３】
［比較例１］
従来法を用い、以下の要領で太陽電池基板を作製した。即ち、塗布対象物に液体シリコン材料を塗布した後、本焼成のための加熱を行った。このプロセスを２度繰り返し、Ｎ型シリコン膜３５、Ｉ型シリコン膜３７及びＰ型シリコン膜３９からなる多層膜を成膜した。それ以外は、実施例２と同様の要領で太陽電池基板を作成した。
【００９４】
この太陽電池の光起電力を測定して変換効率を求めたところ、わずか４％であった。また、所々に膜が剥離している部分が認められた。  
【００９５】
［試験例１］
実施例１で用いた溶液Ａに塩化リンを１％添加した溶液をガラス基板上にスピンコートした。この基板を２００℃で３０分加熱して溶媒を除去し、溶媒除去膜を形成した。次に、銀微粒子がテトラデカン中に分散した金属インクを、インクジェット法にてこの上記溶媒除去膜に直線状に塗布した。この基板を大気中で５００℃で１時間焼成する事により、厚さ１０００ÅのＮ型シリコン膜上に幅５０μｍの直線状の銀配線を形成した（試験基板Ａ）。
【００９６】
実施例１で用いた溶液Ａに塩化リンを１％添加した溶液をガラス基板上にスピンコートした。これを５００℃で１０分間焼成する事により厚さ１０００ÅのＮ型のシリコン膜を形成した。次に、インクジェット法によって上記と同様の金属インクをＮ型のシリコン膜に塗布して銀配線を形成し、さらに５００℃で１時間焼成する事により、厚さ１０００ÅのＮ型シリコン膜上に幅５０μｍの直線状の銀配線を形成した（試験基板Ｂ)。
【００９７】
製造した試験基板Ａ及びＢについて、銀配線のテープ剥離試験による密着性評価を、１００箇所当りの剥離数を測定することにより行った。その結果を、接触抵抗を測定した結果と併せて以下に示す。
【００９８】
【表１】
2005235852.tif 000002
以上のように、本発明を用いた試験基板Ａにおいては、従来法で製造した試験基板Ｂと比べて、シリコン膜と金属配線の密着性が非常に良好であり、また金属配線とＮ型シリコン膜の間の接触抵抗が少ないことが判明した。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】液晶ディスプレイに用いられる薄膜トランジスタ基板の多層膜の成膜プロセスを示す図である。
【図２】太陽電池に用いられる基板の多層膜の成膜プロセスを示す図である。
【符号の説明】
【０１００】
１：薄膜トランジスタ基板、２：太陽電池基板、１２：ガラス基板、１４：第１の溶媒除去膜、１５：アモルファスシリコン膜、１６：第２の溶媒除去膜、１７：ゲート絶縁膜、１８及び２０：第３の溶媒除去膜、１９及び２１：ポリシリコン膜、２２：ドレイン電極、２４：ソース電極、２８：ゲート電極配線、３０：ガラス基板、３２：アルミニウム膜、３４：第１の溶媒除去膜、３６：第２の溶媒除去膜、３８：第３の溶媒除去膜、４０：ＩＴＯ電極
【図１】
2005235852.tif 000003
【図２】
2005235852.tif 000004