(57)【要約】      （修正有）【課題】画像表示領域の周辺に、視覚効果を増加させる領域を有する液晶表示装置及びこれの製造方法を提供する。【解決手段】液晶表示装置は第１レベルのタイミング信号によって第２レベルのデータ信号を出力するスイッチング素子１１２を介して、前記データ信号が印加される第１電極１１７が配置され映像を表示するメイン領域１１０と、前記メイン表示領域１１０の縁に帯形状に配置されタイミング信号が印加される第２電極１１８を含むサブ領域１２０とを含む第１基板１００と、前記第１及び第２電極１１７，１１８と向き合うように配置され、第１レベルと異なる第３レベルの基準信号が印加される第３電極２１０を有する第２基板２００と、第１基板１００と第２基板２００との間に介在された液晶層２００とを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
タイミング信号によってデータ信号を出力するスイッチング素子と、前記データ信号が印加される第１電極が配置されたメイン領域と、前記メイン領域の縁に配置され前記タイミング信号が印加される第２電極が配置されたサブ領域とを含む第１基板と、
前記第１及び第２電極と向き合うように配置され、前記第１レベルと異なる第３レベルの基準信号が印加される第３電極を有する第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間に介在された液晶層と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記液晶層は垂直配向モード液晶であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２電極と前記第３電極との間には前記データ信号と無関係に電位差が存在することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１電極は前記メイン領域の内部にマトリックス状に配置され、前記第２電極は前記第１電極に連続して前記サブ領域に配置されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２電極は複数個の列からなることを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１レベルは＋１０［Ｖ］〜−１０［Ｖ］の間であり、前記第３レベルは前記第１レベルの間で選択された所定のレベルであることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１基板は、前記タイミング信号を伝送するために前記サブ領域から前記メイン領域に延長された第１信号線と、前記データ信号を前記スイッチング素子に伝送するためにサブ領域から前記メイン領域に前記第１信号線と絶縁されるように延長された第２信号線と、をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１信号線は前記第２電極及び前記スイッチング素子のゲート電極に電気的に連結されたことを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第２信号線は前記スイッチング素子のソース電極に電気的に連結されたことを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１基板は前記第１信号線と同一の層に配置され、前記第１信号線と実質的に平行であり前記第２電極に印加された電圧を保持するための第１ストレージ信号線をさらに含むことを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１基板は前記第１信号線及び前記第１ストレージ信号線を絶縁させる絶縁膜と、前記サブ領域のうち前記ストレージ信号線と対応する前記絶縁膜には前記第２信号線と同一の層に配置されて前記第１電極に印加された電圧を保持するための第２ストレージ信号線と、をさらに含むことを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
第１レベルを有するタイミング信号が印加される第１信号線を、第１メイン領域及びこの第１メイン領域を取り囲む第１サブ領域とを有する第１透明基板に形成する段階と、
前記第１メイン領域及び第１サブ領域に絶縁膜を形成する段階と、
前記絶縁膜に前記タイミング信号によって電子チャンネルが形成されるチャンネル層を形成する段階と、
前記チャンネル層に連結され第２レベルを有するデータ信号が印加されるソース電極を有する第２信号線及び前記チャンネル層に連結されたドレーン電極とを形成する段階と、
前記第１メイン領域に前記ドレーン電極と連結された第１電極と、前記第１サブ領域に前記第１信号線と連結された第２電極とを形成する段階と、
前記第１メイン領域と向き合う第２メイン領域及び前記第１サブ領域と向き合う第２サブ領域を含む第２透明基板に、第３レベルを有する基準信号が印加される第３電極を形成する段階と、
前記第１電極と前記第３電極との間、及び前記第２電極と前記第３電極との間に液晶層を形成する段階と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１信号線を形成する段階で、前記メイン領域及び前記サブ領域には前記第１信号線と同一の層に前記第１信号線と実質的に平行で前記第３レベルを有する液晶保持信号が印加される第１ストレージ信号線が形成されることを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２信号線を形成する段階において、前記サブ領域の前記絶縁膜上には前記第１ストレージ信号線と向き合う第２ストレージ信号線が配置され、前記第２電極を形成する段階において、前記第２電極は前記第２信号線及び前記第２ストレージ信号線に連結されることを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記液晶は垂直配向モード液晶であることを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第３電極を形成する段階以前に、前記第２透明基板に前記第１及び第２電極と向き合うカラーフィルターを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記カラーフィルターを形成する段階では、前記第２透明基板に赤色フィルター、緑色フィルター及び青色フィルターが形成されることを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置及びこれの製造方法に関し、より詳細には映像の視覚効果を増加させ液晶表示装置及びこれの製造方法」に間する。
【背景技術】
【０００２】
一般に液晶は電界の方向によって配列が変更される電気的特性及び変更された配列によって光の透過率を変更させる光学的特性を有する。
液晶表示装置はこれらの液晶の電気的特性及び光学的特性を利用して情報処理装置から発生した映像信号を可視映像に変換させる。
映像を表示するために、液晶表示装置は液晶制御モジュール及び光供給モジュールを必要とする。
液晶制御モジュールは液晶の配列を微小面積単位で制御する。液晶制御モジュールは有効表示領域及び非有効表示領域を含む。有効表示領域は映像を表示し、非有効表示領域は有効表示領域を取り囲む。光供給モジュールは液晶に光を供給する。
最近、使用者の要求につれて、視覚的効果を向上させようとする努力が続いている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従って、本発明の第１目的は有効表示領域と非有効表示領域との間で光を出射させて視覚的効果を向上させた液晶表示装置を提供することにある。
本発明の第２目的は前記液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
このような本発明の第１目的を具現するために、本発明は第１レベルのタイミング信号によって第２レベルのデータ信号を出力するスイッチング素子、データ信号が印加される第１電極が配置されたメイン領域及びメイン領域の周りに配置され、前記タイミング信号が印加される第２電極が配置されたサブ領域を含む第１基板と、第１及び第２電極と向き合うように配置され、第１レベルと異なる第３レベルの基準信号が印加される第３電極を有する第２基板と、第１基板と第２基板との間に介在された液晶層とを含む液晶表示装置を提供する。
【０００５】
本発明の第２目的を具現するために本発明は第１レベルを有するタイミング信号が印加される第１信号線を、第１メイン領域及び第１メイン領域を取り囲む第１サブ領域を有する第１透明基板に形成する段階、第１メイン領域及び第１サブ領域に絶縁膜を形成する段階、絶縁膜にタイミング信号によって電子チャンネルが形成されるチャンネル層を形成する段階、チャンネル層に連結され第２レベルを有するデータ信号が印加されるソース電極を有する第２信号線及びチャンネル層に連結されたドレーン電極とを形成する段階、第１メイン領域にドレーン電極と連結された第１電極及び第１サブ領域に第１信号線と連結された第２電極を形成する段階、第１透明基板と向き合い第１メイン領域と向き合う第２メイン領域及び第１サブ領域と向き合う第２サブ領域に第３レベルを有する基準信号が印加される第３電極を形成する段階、及び第１電極と第３電極及び第２電極と第３電極との間に液晶を注入する段階を含む液晶表示装置の製造方法を提供する。
本発明によると、映像を表示する有効表示領域と非有効表示領域との間で帯形状の光を出射して液晶表示装置の視覚的効果を向上させる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、図面を参照して本発明の望ましい一実施形態をより詳細に説明する。
液晶表示装置の実施形態
実施形態１
図１は本発明による液晶表示装置の第１実施形態を示す部分切開斜視図である。図２は図１のＡ−Ａ線に沿って切断した断面図である。
図１及び図２に示すように、液晶表示装置４００は第１基板１００、第２基板２００及び液晶層３００を含む。図１及び図２においては、透過型液晶表示装置が示されているが、本実施形態はこれとは違っては反射型液晶表示装置または反射−透過型液晶表示装置にも適用することができる。
図３は図１に示された液晶表示装置の第１基板を示す概念図である。
図２及び図３に示すように、第１基板１００はメイン領域１１０及びサブ領域１２０を含む。メイン領域１１０は第１基板１００の中央部分に長方形形状に形成され、サブ領域１２０はメイン領域１１０の周りに沿って形成されている。
メイン領域１１０にはスイッチング素子１１２及び第１電極１１７が配置されている。
図４は図３に示されたスイッチング素子を示す概念断面図である。
図２及び図４に示すように、スイッチング素子１１２はメイン領域１１０に複数個がマトリックス状に配置されている。
【０００７】
各スイッチング素子１１２はゲート電極Ｇ、チャンネル層１１３、ソース電極Ｓ及びドレーン電極Ｄを含む。各スイッチング素子１１２のチャンネル層１１３はゲート絶縁膜１１４によってゲート電極Ｇと絶縁される。チャンネル層１１３はアモルファスシリコンパターン１１３ａ、第１ｎ＋アモルファスシリコンパターン１１３ｂ及び第２ｎ＋アモルファスシリコンパターン１１３ｃからなる。アモルファスシリコンパターン１１３ａはゲート絶縁膜１１４のうち各ゲート電極Ｇを被覆する位置に配置される。第１ｎ＋アモルファスシリコンパターン１１３ｂ及び第２ｎ＋アモルファスシリコンパターン１１３ｃは、アモルファスシリコンパターン１１３ａの上面に所定間隔離隔されて配置される。第１ｎ＋アモルファスシリコンパターン１１３ｂはソース電極Ｓと電気的に接続され、第２ｎ＋アモルファスシリコンパターン１１３ｃはドレーン電極Ｄに電気的に接続される。
【０００８】
各スイッチング素子１１２は第１レベルを有するゲート信号によって第２レベルを有するデータ信号を出力する。具体的には、ゲート電極Ｇに印加された第１レベルのゲート信号によって、ソース電極Ｓに印加された第２レベルを有するデータ信号は、チャンネル層１１３を通じてドレーン電極Ｄに出力される。
このとき、ゲート信号の第１レベルは、アモルファスシリコン１１３ａの特性を不導体から導体に変更させるしきい値電圧以上のレベルを有する。本実施形態において、ゲート信号の第１レベルは、＋１０[Ｖ]または−１０[Ｖ]の範囲の外側に存在する。
図３に示すように、第１レベルを有するゲート信号を各スイッチング素子１１２に印加するために、第１基板１００には第１信号線１２５が配置されている。第１信号線１２５はマトリックス状に配置された各スイッチング素子１１２のゲート電極Ｇに連結される。
【０００９】
第１信号線１２５は同一の行に属する全てのスイッチング素子１１２の各ゲート電極Ｇに連結される。従って、第１信号線１２５に印加されたゲート信号は同一の行に属する全てのスイッチング素子１１２のゲート電極Ｇに同時に印加される。
第１信号線１２５及びスイッチング素子１１２の個数は本実施形態による液晶表示装置の解像度によって決定される。例えば、ｑＶＧＡ（ｑｕａｒｔｅｒ  ＶＧＡ、２４０×３２０）級の解像度を有する液晶表示装置は、第１基板１１０に２４０×３２０×３個がマトリックス状に配置されたスイッチング素子１１２を有する。従って、液晶表示装置は２４０個の第１信号線１２５を有する。具体的に、第１信号線１２５は一番目の第１信号線ｍ＋１から２４０番目の第１信号線ｍ＋２４０で構成される。第１信号線１２５のうち一番目の信号線ｍ＋１から３番目の信号線ｍ＋３、及び２３８番目の第１信号線ｍ＋２３８から２４０番目の信号線ｍ＋２４０は、サブ領域１２０で第１方向に形成される。また、第１信号線１２５のうち４番目の信号線ｍ＋４から２３７番目ｍ＋２３７の第１信号線は、メイン領域１１０において第１方向に形成される。前の説明ではスイッチング素子１１２及び第１信号線１２５の個数は従来のｑＶＧＡ級の液晶表示装置と同一であり、一部第１信号線１２５及びスイッチング素子１１２をメイン領域に配置したが、従来のｑＶＧＡ級の液晶表示装置のスイッチング素子１１２及び第１信号線１２５を全てメイン領域１１０に配置し、サブ領域１２０に追加的に第１信号線１２５及びスイッチング素子１１２を設けることもできる。
【００１０】
各スイッチング素子１１２のソース電極Ｓには第２レベルを有するデータ信号が印加される。データ信号をソース電極Ｓに印加するために同一の列に属するスイッチング素子１１２の各ソース電極Ｓには第２信号線１３０が連結される。従って、ｑＶＧＡ（ｑｕａｒｔｅｒ  ＶＧＡ、２４０×３２０）級の解像度を有する液晶表示装置は３２０×３個の第２信号線１３０を有する。第２信号線１３０は一番目の信号線から９６０番目信号線からなり、第１方向と実質的に直交する第２方向に延びて形成される。図４に示された保護層１１９は第１信号線１２５、第２信号線１３０、スイッチング素子１１２を被覆する。
【００１１】
第１電極１１７はメイン領域１１０に形成された保護層１１９の上面に配置される。
第１電極１１７は各スイッチング素子１１２のドレーン電極Ｄに電気的に連結される。
第１電極１１７はインジウム錫酸化ＩＴＯまたはインジウム亜鉛酸化物などの電気的に導電性であり、光学的に透明な物質から形成される。
【００１２】
図３及び図４に示すように、データ信号が第１電極１１７に印加されるためには、まず、第２信号線１３０及びソース電極Ｓを通じてチャンネル層１１３のアモルファスシリコンパターン１１３ａに第２レベルを有するデータ信号が印加される。続いて、第１信号線１２５を通じて第１レベルを有するゲート信号がゲートデータＧに印加される。従って、チャンネル層１１３のアモルファスシリコンパターン１１３ａは不導体から導体に電気的特性が変更され、これによってデータ信号はアモルファスシリコンパターン１１３ａを通じてドレーン電極Ｄに印加され、データ信号は第１電極１１７に印加される。
一方、第２電極１１８はサブ領域１２０に形成された保護層１１９の上面に配置される。第２電極１１８は透明で導電性であるインジウム錫酸化膜またはインジウム亜鉛酸化膜のような導電性を有し透明な物質からなる。第２電極１１８は第１信号線１２５の電源印加部１２５ａに電気的に連結され第１レベルのゲート信号が印加される。サブ領域１２０に配置された第２電極１１８はサブ領域１２０に沿って連続して配置される。また、第２電極１１８は複数個の列で構成され得る。
本実施形態においてはサブ領域１２０に３つの列で構成される。
【００１３】
図５は図１に示された第２基板を示す概念図である。
図２及び図５に示すように、第２基板２００は第１電極１１７及び第２電極１１８と向き合う第３電極２１０を含む。第３電極２１０はインジウム錫酸化膜またはインジウム亜鉛酸化膜からなる。第３電極２１０は第２基板２００の全面積にかけて形成され、第３レベルを有する基準信号が印加される。このとき、第３レベルを有する基準信号及び第１レベルを有するゲート信号は互いに異なる電位を有することで第３電極２１０と第２電極１１８との間には常に電圧が生じている。
【００１４】
一方、メイン領域１１０からフルカラー映像を表示し、サブ領域１２０から常に光を出射させるために、第２基板２００にはカラーフィルター２２０がさらに配置されることができる。カラーフィルター２２０は第３電極２１０の下部に配置される。カラーフィルター２２０は赤色フィルター２２２、緑色フィルター２２４及び青色フィルター２２６で構成される。赤色フィルター２２２、緑色フィルター２２４及び青色フィルター２２６は各第１電極１１７及び第２電極１１８の位置に対応して形成される。
図２に示すように、液晶層３００は第１基板１００と第２基板２００との間に配置される。本実施形態において、液晶表示装置はノーマリブラックモードで動作する。液晶層３００は第１基板１００と第２基板２００との間に電界が形成されない時、光を通過することができない垂直配向モード液晶である。
【００１５】
サブ領域１２０の第３電極２１０と第２電極１１８との間には常に電圧が印加されているために電界が形成されるので、サブ領域１２０の液晶層３００は電界によって光を透過させるのに適合した配列に駆動され、これによってサブ領域１２０の液晶層３００では常に光が通過する。従って、メイン領域１１０ではデータ信号及び基準信号によって映像が表示され、サブ領域１２０では映像が表示されるメイン領域１１０を帯状に取り囲む形状の光が常に出射される。
本実施形態においては映像が表示されるメイン領域を帯状で光が出射するサブ領域が取り囲んで液晶表示装置の表示品質をより向上させる。
【００１６】
以下、図面を参照して実施形態１の液晶表示装置を製造する方法を説明する。
図６は本発明の第１実施形態によって第１基板に第１信号線を形成することを示す平面図である。図７は図６のＢ−Ｂ線に沿って切断した断面図である。
図６及び図７に示すように、第１基板１００には全面積にかけてスパッタリングまたは化学気相蒸着方法（ＣＶＤ）によってアルミニウムまたはアルミニウム合金などからなるゲート金属薄膜が形成される。ゲート金属薄膜はフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によってパターニングされて、第１基板１００には第１信号線１２５が形成される。ｑＶＧＡ（ｑｕａｒｔｅｒ  ＶＧＡ、２４０×３２０）級の解像度を有する液晶表示装置は、２４０個の第１信号線１２５を有する。このとき、第１信号線１２５はサブ領域１２０及びメイン領域１１０に全部等しい間隔で形成される。第１信号線１２５は第１方向に延長され、第２方向に複数個が並んで配置される。
【００１７】
このとき、第１信号線１２５のうちメイン領域１１０に配置された部分にはゲート電極Ｇが形成される。第１信号線１２５のうちサブ領域１２０に配置された部分には第１信号線１２５から第２方向に延長された電源印加部１２５ａが形成される。
図７に示すように、第１基板１００の上面にはゲート電極Ｇを被覆するゲート絶縁膜１１４が全面積にかけて形成される。
図８は図６に示されたゲート電極にチャンネル層を形成することを示す概念図である。図９は図８のＣ−Ｃ線に沿って切断した断面図である。
図８及び図９に示すように、ゲート絶縁膜１１４の上面には全面積にかけてアモルファスシリコン薄膜、ｎ＋アモルファスシリコン薄膜が連続して蒸着される。アモルファスシリコン薄膜及びｎ＋アモルファスシリコン薄膜はフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によってパターニングされて、ゲート絶縁膜１１４の上面にはチャンネル層１１３が形成される。
【００１８】
チャンネル層１１３はゲート電極Ｇの上面を被覆するアモルファスシリコンパターン１１３ａ及びアモルファスシリコンパターン１１３ａの上面に相互離隔されて形成された第１ｎ＋アモルファスシリコンパターニング１１３ｂ及び第２ｎ＋アモルファスシリコン薄膜１１３ｃで構成される。
図１０は図８に示されたチャンネル層に第２信号線及びドレーン電極が連結されたことを示す概念図である。図１１は図１０のＤ−Ｄ線に沿って切断した断面図である。
【００１９】
図１０は図１１に示すように、チャンネル層１１３が被覆されるように第１基板１１０には全面積にかけてソース/ドレーン金属がスパッタリングまたは化学気相蒸着方法によって蒸着される。ソース/ドレーン金属はフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によってパターニングされる。ソース/ドレーン金属のパターニングによって第１基板１１０にはソース電極Ｓ、ドレーン電極Ｄ及び第２信号線１３０が形成される。第２信号線１３０は第１方向と実質的に直交する第２方向に延長され、第２信号線１３０からは第１ｎ＋アモルファスシリコンパターン１１３ｂと電気的に連結されるソース電極Ｓが延長される。一方、ソース/ドレーン金属のパターニングによって形成された第２ｎ＋アモルファスシリコンパターン１１３ｃにはドレーン電極Ｄが連結される。前記ドレーン電極Ｄ及びソース電極Ｓ上部には保護層が形成されることができる。
図１２は図１０に示されたメイン領域に形成された第１電極及びサブ領域に形成された第２電極を示す概念図である。図１３は図１２のＥ−Ｅ線に沿って切断した断面図である。
図１２及び図１３に示すように、第１基板１００の保護層の上面またはソースドレーン電極上面には全面積にかけて透明で導電性を有するインジウム錫酸化物またはインジウム亜鉛酸化物からなる透明な導電性薄膜が形成され、透明な導電性薄膜はフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によってパターニングされる。
【００２０】
パターニングされた透明な導電性薄膜によって、サブ領域１２０には第１信号線１２５の電源印加部１２５ａと電気的に連結された第２電極１１８が形成され、メイン領域１１０にはドレーン電極Ｄと電気的に連結された第１電極１１７が形成されて第１基板１１０が製作される。
図１４は本発明の第１実施形態による第２基板を示す概念図である。
図１４に示すように、第２基板２００はカラーフィルター２２０及び第３電極２１０を含む。具体的に、第２基板２００のうち第１基板１００と向き合うところには第２電極１１８と対応する部分及び第１電極１１７と対応する部分にはカラーフィルター２２０が形成される。カラーフィルター２２０は赤色フィルター２２２、緑色フィルター２２４及び青色フィルター２２６で構成される。
第２基板２００にカラーフィルター２２０が形成された状態で、第２基板２００にはカラーフィルター２２０が被覆されるように透明な導電性物質、例えば、インジウム錫酸化物またはインジウム亜鉛酸化物からなる第３電極２１０が形成される。
続いて、第１基板１００及び第２基板２００は相互アセンブリされた状態で第１基板１００及び第２基板２００の間に液晶が注入される。このとき、液晶は第１基板１００及び第２基板２００に対して相互垂直な配列を有する垂直配向モード液晶であり得る。
【００２１】
実施形態２
図１５は本発明の第２実施形態による液晶表示装置の概念図である。本発明の第２実施形態による液晶表示装置は、ストレージ電極を除いては実施形態１の液晶表示装置と同一である。従って、同一の部材に対しては実施形態１と同一の参照番号を示し、その重複された説明は省略する。
図１５に示すように、第１基板１００は第１ストレージ信号線１８０及び第２ストレージ信号線１９０をさらに含む。
第１ストレージ信号線１８０はゲート電極Ｇと同一の層に配置され、第１信号線１２５の間に配置される。第１ストレージ信号線１８０はメイン領域１１０及びサブ領域１２０に形成される。
第１ストレージ信号線１８０は絶縁膜１１４によって第１電極１１７と絶縁される。第１ストレージ信号線１８０には第３電極２１０と同一の第３レベルの基準信号が印加される。
第２ストレージ信号線１９０はソース電極Ｓ及びドレーン電極Ｄと同一の層に配置され、第１ストレージ信号線１８０と向き合うようにサブ領域１２０の絶縁膜１１４の上面に配置される。第２ストレージ信号線１９０は第２電極１１８と電気的に連結される。従って、第１ストレージ信号線１８０及び第２ストレージ信号線１９０に保存された電荷は、第２電極１１８に印加された電圧を保持する。
【００２２】
従って、第２電極１１８と第３電極２１０との間に常に電界が形成され、これによって第２電極１１８と第３電極２１０との間に配置された液晶では常に光が通過するようになる。
以下、図面を参照して本発明の第２実施形態による液晶表示装置の製造方法を説明する。
図１６は本発明の第２実施形態によって第１基板に第１信号線及び第１ストレージ信号線を形成することを示す概念図である。図１７は図１６のＦ−Ｆ線に沿って切断した断面図である。
【００２３】
図１６及び図１７に示すように、第１基板１００には全面積にかけてスパッタリングまたは化学気相蒸着方法によってアルミニウムまたはアルミニウム合金などからなるゲート金属薄膜が形成される。ゲート金属薄膜はフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によってパターニングされて第１基板１００には第１方向に延び第２方向に並列配置された第１信号線１２５が形成される。従って、ｑＶＧＡ（ｑｕａｒｔｅｒ  ＶＧＡ、２４０×３２０）級の解像度を有する液晶表示装置は２４０個の第１信号線１２５を有する。このとき、第１信号線１２５はサブ領域１２０及びメイン領域１１０に全部等しい間隔に形成される。
また、ゲート金属薄膜をパターニングする過程で第１信号線１２５の間には第１ストレージ信号線１８０が形成される。第１ストレージ信号線１８０は第１信号線１２５と平行であり、メイン領域及びサブ領域１２０には全部形成される。
【００２４】
メイン領域１１０に配置された第１信号線１２５にはゲート電極Ｇが形成される。第１信号線１２５のうちサブ領域１２０に配置された部分には第１信号線１２５から第２方向に延長された電源印加部１２５ａが形成される。
図１７に示すように、第１基板１１０の上面には第１信号線１２５及び第１ストレージ電極１８０を被覆するゲート絶縁膜１１４が全面積にかけて形成される。
図１８は図１６に示されたゲート電極にチャンネル層を形成することを示す概念図である。図１９は図１８のＧ−Ｇ線に沿って切断した断面図である。
図１８及び図１９に示すように、ゲート絶縁膜１１４の上面には全面積にかけてアモルファスシリコン薄膜及びｎ＋アモルファスシリコン薄膜が連続して蒸着され、アモルファスシリコン薄膜及びｎ＋アモルファスシリコン薄膜はフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によってパターニングされて、ゲート絶縁膜１１４の上面にはチャンネル層１１３が形成される。
【００２５】
ゲート絶縁膜１１４にはゲート電極Ｇの上面を被覆するアモルファスシリコンパターン１３１ａが形成され、アモルファスシリコンパターン１３１ａの上面には相互離隔された第１ｎ＋アモルファスシリコンパターン１３１ｂ及び第２ｎ＋アモルファスシリコンパターン１３１ｃが形成される。
図２０は図１８に示されたように、第１基板に第２信号線、第２ストレージ信号線及びドレーン電極を形成することを示す概念図である。図２１は図２０のＨ−Ｈ線に沿って切断した断面図である。
図２０及び図２１に示すように、チャンネル層１１３が被覆されるように第１基板１００には全面積にかけてソース/ドレーン金属がスパッタリングまたは化学気相蒸着方法によって蒸着される。ソース／ドレーン金属はフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によってパターニングされる。
【００２６】
ソース/ドレーン金属のパターニングによって第２信号線１３０、ドレーン電極Ｄ及び第２ストレージ信号線１９０が形成される。第２信号線１３０は第１方向と実質的に垂直する第２方向に延び、第２信号線１３０からは第１ｎ＋アモルファスシリコンパターン１１３ｂと電気的に連結されるソース電極Ｓが延長される。一方、ソース/ドレーン金属のパターニングによって第２ｎ＋アモルファスシリコンパターン１１３ｃにはドレーン電極Ｄが連結される。
第２ストレージ信号線１９０はゲート絶縁膜１１４のうちサブ領域１２０に配置される。具体的に、第２ストレージ信号線１９０は第１ストレージ信号線１８０と重なり合うところに形成される。
【００２７】
図２２は図２０のメイン領域に形成された第１電極及びサブ領域に形成された第２電極を示す概念図である。図２３は図２２のＩ−Ｉ線に沿って切断した断面図である。
図２２及び図２３に示すように、保護膜１１９の上面には全面積にかけて透明で導電性を有するインジウム錫酸化物またはインジウム亜鉛酸化物からなる透明な導電性薄膜が形成され、透明な導電性薄膜はフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によってパターニングされる。
パターニングされた透明な導電性薄膜によって、サブ領域１２０には第１信号線１２５及び第２ストレージ信号線１９０と電気的に連結された第２電極１１８が形成され、メイン領域１１０にはドレーン電極Ｄと電気的に連結された第１電極１１７が形成されて第１基板１００が製作される。
第２基板の製造方法は前述された実施形態１と同一であるので省略することにする。
【００２８】
続いて、第１基板１００及び第２基板２００は相互アセンブリされた状態で第１基板１００及び第２基板２００の間には液晶が注入される。このとき、液晶は第１基板１００及び第２基板２００に対して相互垂直な配列を有する垂直配向モード液晶である。
本発明は外部から発生された光が第１基板、液晶及び第２基板を透過しながら映像を表示する透過型液晶表示装置を説明したが、他にも反射型液晶表示装置及び反射‐透過型液晶表示装置にも本発明による技術を適用することも可能である。
【００２９】
以上、詳細に説明したように、液晶表示パネルのうち映像が表示されるメイン領域の周辺を取り囲むサブ領域で帯状に光が発生するようにして液晶表示装置の視覚効果を増加させる長所を有する。
以上、本発明の実施形態によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明による液晶表示装置の第１実施形態を示す部分切開斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿って切断した断面図である。
【図３】図１示された液晶表示装置の第１基板を示す概念図である。
【図４】図３に示されたスイッチング素子を示す概念図である。
【図５】図１に示された第２基板を示す概念図である。
【図６】本発明の第１実施形態によって液晶表示装置を製造する過程を示す概念図である。
【図７】本発明の第１実施形態によって液晶表示装置を製造する過程を示す概念図である。
【図８】本発明の第１実施形態によって液晶表示装置を製造する過程を示す概念図である。
【図９】本発明の第１実施形態によって液晶表示装置を製造する過程を示す概念図である。
【図１０】本発明の第１実施形態によって液晶表示装置を製造する過程を示す概念図である。
【図１１】本発明の第１実施形態によって液晶表示装置を製造する過程を示す概念図である。
【図１２】本発明の第１実施形態によって液晶表示装置を製造する過程を示す概念図である。
【図１３】本発明の第１実施形態によって液晶表示装置を製造する過程を示す概念図である。
【図１４】本発明の第１実施形態による第２基板を示す概念図である。
【図１５】本発明の第２実施形態による液晶表示装置の概念図である。
【図１６】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造する過程を示す概念図である。
【図１７】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造する過程を示す概念図である。
【図１８】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造する過程を示す概念図である。
【図１９】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造する過程を示す概念図である。
【図２０】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造する過程を示す概念図である。
【図２１】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造する過程を示す概念図である。
【図２２】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造する過程を示す概念図である。
【図２３】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造する過程を示す概念図である。
【符号の説明】
【００３１】
１００      第１基板
１１０      メイン領域
１１２      スイッチング素子
１１３      チャンネル層
１１３ａ      アモルファスシリコンパターン
１１３ｂ      第１ｎ＋アモルファスシリコンパターン
１１３ｃ      第２ｎ＋アモルファスシリコンパターン
１１９      保護層
１２０      サブ領域
１２５      第１信号線
１２５ａ      電源印加部
１３０      第２信号線
１８０      第１ストレージ信号線
１９０      第２ストレージ信号線
２００      第２基板
２２２      赤色フィルター
２２４      緑色フィルター
２２６      青色フィルター
２１０      第３電極
２２０      カラーフィルター
３００      液晶層
４００      液晶表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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