(57)【要約】      （修正有）【課題】筐体に内蔵される素子同士を電気的に接続するリードを有する回路装置を提供する。【解決手段】回路装置１０は、筐体１２と、筐体１２の底部１２Ａに埋設されて筐体の内部に部分的に露出する露出部を有するリード１１、筐体１２に内蔵されてリード１１と電気的に接続される複数個の回路素子１３Ａ及び１３Ｂとを具備し、一つのリード１１に形成された複数個の露出部を介して、前記回路素子１３Ａと１３Ｂ及び１３Ｂ同士が電気的に接続される構成と成っている。また、本形態では、筐体１２の外部に露出する露出部が、一つのリードに複数箇所形成される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、
前記筐体の底部に埋設されて前記筐体の内部に部分的に露出する露出部を有するリードと、
前記筐体に内蔵されて前記リードと電気的に接続される複数個の回路素子とを具備し、
一つの前記リードに形成された複数個の前記露出部を介して、前記回路素子同士が電気的に接続されることを特徴とする回路装置。
【請求項２】
前記リードは前記筐体の周辺部から内方に複数本が延在し、
前記リードの先端部にて前記筐体の内側に露出する第1の露出部と、前記リードの間にて前記筐体の内側に露出する第２の露出部とを設け、
前記第1の露出部および前記第２の露出部を介して前記回路素子同士が電気的に接続されることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
【請求項３】
前記回路素子は、半導体素子とコンデンサとを含み、
一つの前記リードを介して前記半導体素子と前記コンデンサとが電気的に接続されることを特徴とする請求項２記載の回路装置。
【請求項４】
前記回路素子は、光の発光もしくは受光を行う光半導体素子であり、
前記筐体は部分的に前記光に対して透明な部材から成ることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の回路装置。
【請求項５】
前記回路素子は、ロウ材を介して実装される素子であることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
【請求項６】
前記リードは、前記筐体の外部に露出する露出部を複数個有することを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の回路装置。
【請求項７】
筐体と、
前記筐体の底部に埋設されて前記筐体の外部に部分的に露出するリードと、
前記筐体に内蔵されて前記リードと電気的に接続される回路素子とを具備し、
一つの前記リードが前記筐体の外部に複数個の露出部を有することを特徴とする回路装置。
【請求項８】
前記露出部はロウ材を介して外部と接続されることを特徴とする請求項７記載の回路装置。
【請求項９】
複数の前記回路素子が前記筐体に内蔵され、
複数の前記回路素子に電気的に接続される前記リードが、前記筐体の外部に複数個の前記露出部を形成することを特徴とする請求項７記載の回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、筐体の中に回路素子が収納された中空構造の回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図８を参照して、従来型の回路装置１００の構成について説明する。図８（Ａ）は回路装置１００の平面図であり、図８（Ｂ）はその断面図である（特許文献１参照）。
【０００３】
図８（Ａ）および図８（Ｂ）を参照して、回路装置１００の中央部には導電材料から成るランド１０２が形成され、ランド１０２の周囲には多数個のリード１０１の一端が接近している。リード１０１の一端は金属細線１０５を介して半導体素子１０４と電気的に接続され、他端は封止樹脂１０３から露出している。封止樹脂１０３は、半導体素子１０４、ランド１０２およびリード１０１を封止して一体に支持する働きを有する。また、半導体素子１０４として光学素子が採用された場合は、光に対して透明性を有する樹脂が封止樹脂１０３として採用される。
【０００４】
また、半導体素子等の回路素子を封止する方法として、樹脂封止以外の方法もある。例えば、内部空間を有する筐体を金属や樹脂材にて形成し、この内部空間に回路素子を内蔵させる封止方法もある。
【特許文献１】特開平１１−３４０２５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したような従来型の回路装置１００では、リード１０１は単純に内部から外部へ導出しているのみである。このことから、リード１０１を介して内蔵される素子同士を電気的に接続することが出来なかった。更に、外部とコンタクトする部分を、一つのリード１０１に複数個形成するのが困難であった。このことから、回路装置１００が実装される側の実装基板のパターンが余計に複雑化してしまう問題があった。
【０００６】
更に、上記した半導体素子１０４として、波長の短い光の発光または受光を行う素子を採用した場合、多々問題が発生する。具体的には、波長の短い光により封止樹脂１０３が悪影響を受ける場合と、封止樹脂により光信号が劣化してしまう場合が考えられる。前者の場合は、半導体素子１０４として波長の短い光（例えば波長４０５ｎｍ程度のブルーレーザー）の受発光を行う素子を採用すると、その光により封止樹脂１０３が変色等を起こしてしまう。また、後者の場合は、離形剤等が混入されている封止樹脂１０３の透明さが不十分であることから、半導体素子が受発光するブルーレーザー等の波長の短い光が減衰してしまう。
【０００７】
本発明は上述した問題点を鑑みて成されたものであり、本発明の主な目的は、筐体に内蔵される素子同士を電気的に接続するリードを有する回路装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の回路装置は、筐体と、前記筐体の底部に埋設されて前記筐体の内部に部分的に露出する露出部を有するリードと、前記筐体に内蔵されて前記リードと電気的に接続される複数個の回路素子とを具備し、一つの前記リードに形成された複数個の前記露出部を介して、前記回路素子同士が電気的に接続されることを特徴とする。
【０００９】
更に本発明の回路装置は、前記リードは前記筐体の周辺部から内方に複数本が延在し、前記リードの先端部にて前記筐体の内側に露出する第1の露出部と、前記リードの中間部にて前記筐体の内側に露出する第２の露出部とを設け、前記第1の露出部および前記第２の露出部を介して前記回路素子同士が電気的に接続されることを特徴とする。
【００１０】
更に本発明の回路装置は、前記回路素子は、半導体素子とコンデンサとを含み、一つの前記リードを介して前記半導体素子と前記コンデンサとが電気的に接続されることを特徴とする。
【００１１】
更に本発明の回路装置は、前記回路素子は、光の発光もしくは受光を行う光半導体素子であり、前記筐体は部分的に前記光に対して透明な部材から成ることを特徴とする。
【００１２】
更に本発明の回路装置は、前記回路素子は、ロウ材を介して実装される素子であることを特徴とする。
【００１３】
更に本発明の回路装置は、前記リードは、前記筐体の外部に露出する露出部を複数個有することを特徴とする。
【００１４】
更に本発明の回路装置は、筐体と、前記筐体の底部に埋設されて前記筐体の外部に部分的に露出するリードと、前記筐体に内蔵されて前記リードと電気的に接続される回路素子とを具備し、一つの前記リードが前記筐体の外部に複数個の露出部を有することを特徴とする。
【００１５】
更に本発明の回路装置は、前記露出部はロウ材を介して外部と接続されることを特徴とする。
【００１６】
更に本発明の回路装置は、複数の前記回路素子が前記筐体に内蔵され、複数の前記回路素子に電気的に接続される前記リードが、前記筐体の外部に複数個の前記露出部を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
従って、本発明の回路装置によると、筐体の内部に露出する露出部を一つのリードに複数個設け、このリードによって内蔵される回路素子同士を電気的に接続することが出来る。このことから、回路装置が実装される実装基板のパターンを単純化させることが可能となる。更に、本発明によると、筐体の外部に露出する露出部を一つのリードに形成することもできるので、上述した効果を更に大きくすることができる。
【００１８】
更に、筐体の内部に露出する複数個の露出部を一つのリードに設け、この露出部にロウ材を介して回路素子を固着させることで、このロウ材が余計に広がってしまうことを防止することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１を参照して、本発明の回路装置１０の具体的な構成を説明する。図１（Ａ）は回路装置１０の平面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図であり、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＣ−Ｃ’での断面図である。
【００２０】
本形態の回路装置１０は、筐体１２と、筐体１２の底部１２Ａに埋設されて筐体の内部に部分的に露出する露出部を有するリード１１と、筐体１２に内蔵されてリード１１と電気的に接続される複数個の回路素子１３とを具備し、一つのリード１１に形成された複数個の露出部を介して、回路素子１３同士が電気的に接続される構成と成っている。また、本形態では、筐体１２の外部に露出する露出部が、一つのリードに複数個形成される。以下の説明では、筐体１２の内部に露出するリード１１の部位をパッドと呼び、筐体１２の外部に露出するリード１１の部位を端子部と呼ぶ。本形態の回路装置１０の詳細を以下にて説明する。
【００２１】
筐体１２は中空構造を呈しており、その内部空間には半導体素子１３Ａ等が内蔵されている。筐体１２の材料としては、樹脂製の材料や金属製の材料等を全般的に用いることが可能である。ここでは、筐体１２の底部に半導体素子１３Ａとチップ素子１３Ｂとが固着される。そして、内蔵される半導体素子１３Ａ等と電気的に接続されて外部に延在するリード１１も、筐体１２の底部１２Ａに埋設されている。更に、筐体１２の材料としては、半田等のロウ材に対して濡れ性が悪い材料が好ましい。チップ素子１３Ｂを固着するロウ材の広がりを規制できるからである。
【００２２】
リード１１は、底部１２Ａの表面および裏面に露出部を形成している。筐体１２の内部に露出したリード１１（パッド２３）は、内蔵される回路素子１３と電気的に接続されている。そして、筐体１２の外部に露出するリード１１（端子部２４）は、外部との電気的接続を行う電極として機能する。
【００２３】
図１（Ａ）を参照してリード１１の詳細を更に説明する。リード１１は、半導体装置１０の周辺部から、半導体素子１３Ａの近傍まで延在している。より具体的には、中央部に配置される半導体素子１３Ａを挟むように、図面では左右方向から複数個のリード１１が配置されている。半導体素子１３Ａの右方向に配置されるリード１１は、金属細線１４が接続するボンディングパッドを成している。ここでは、片方に配置されるリード１１のみに第２のパッド２３Ｂが形成されているが、半導体素子１３Ａの左右両方に配置されるリード１１の両方に第２のパッド２３Ｂを形成することも可能である。
【００２４】
半導体素子１３Ａの左側に配置されるリード１１は、ボンディングパッドを形成すると共に、チップ素子１３Ｂが固着されるダイパッドも形成している。これらのパッドは、筐体１２の内部空間に露出するリード１１の表面から成る。具体的には、半導体素子１３Ａの左側に配置されるリード１１の中でも、中央部に配置される３本のリード１１に、これらの第２のパッド２３Ｂが形成されている。即ち、金属細線１４が接続される第1のパッド２３Ａと、チップ素子２３Ｂが固着される第２のパッド２３Ｂとが１つのリード１１に形成されている。この二つのパッドは、一つのリード１１からなるので電気的につながっている。
【００２５】
第1のパッド２３Ａは、筐体１２の内部空間に露出したリード１１の先端部から成り、ワイヤボンディングを行うためのパッドとして機能する部位である。また、第1のパッド２３Ａは、第２のパッド２３Ｂから孤立するように筐体１２の底部１２に露出している。底部１２を含む筐体１２は、半田の濡れ性が悪い樹脂から成る。従って、このように第２のパッド２３Ｂを孤立させて底部１２から露出させることで、第２のパッド２３Ｂに塗布されるロウ材が第1のパッド２３Ａに付着することを防止することが出来る。換言すれば、第1のパッド２３Ａと第２のパッド２３Ｂとの間に、底部１２Ａを構成する樹脂を介在させている。
【００２６】
図１（Ｃ）を参照して、その中間部に第２の端子部２４Ｂを構成するリード１１は、回路装置１０の端部（図面では左端）に第1の端子部２４Ａを形成するように露出している。そして、リード１１は、第1の端子部２４Ａの隣（図面では右側）の第２のパッド２３Ｂを形成するように筐体１２の内部に露出する。更に、リード１１は、第２のパッド２３Ｂの右側に第２の端子部２４Ｂを形成するように筐体１２の外部に露出する。そして、リード１１は、第２の端子部２４Ｂの右側に第1のパッド２３Ａを形成するように筐体１２の内部に露出する。上記のことから、リード１１は、交互に筐体１２の外部と内部に露出しつつ延在している。
【００２７】
第２のパッド２３Ｂは、筐体１２の内部に露出するリード１１の中間部から成る部位である。本形態では、第２のパッド２３Ｂは、半田等のロウ材を介してチップ素子１３Ｂが固着されるパッドとして機能している。ここでは、３つのリード１１について、それらの各々の中間部に第２のパッド２３Ｂが形成されている。
【００２８】
図１（Ｂ）を参照して、第２のパッド２３Ｂの各々を跨ぐように、２つのチップ素子１３Ｂが半田を介して固着されている。更に、チップ素子１３Ｂが固着される箇所のリード１１は、他の箇所よりも幅が太く形成されている。このことにより、半田を介したチップ素子１３Ｂの接続を強固に行うことが出来る。
【００２９】
回路素子１３は、筐体１２に内蔵される素子であり、本形態では半導体素子１３Ａとチップ素子１３Ｂとが筐体１２に内蔵されている。半導体素子１３Ａは、接着剤１９を介して筐体１２の底部１２Ａに固着されている。更に、半導体素子１３Ａは、金属細線１４を介して、リード１１と電気的に接続されている。チップ素子１３Ｂは、チップコンデンサまたは、チップ抵抗等のチップ型の回路素子である。チップ素子１３Ｂは、半田等のロウ材を介して、リード１１に固着されている。
【００３０】
半導体素子１３Ａは、筐体１２内部に収納され、底部１２Ａの表面に固着されている。そして、半導体素子１３Ａの電極とリード１１とは、金属細線１４を介して電気的に接続されている。半導体素子１３Ａとしては、その表面に受光素子または／および発光素子が形成されている。また、ここでは、波長４０５ｎｍ程度の高周波ブルーレーザーの受発光を行う素子を、半導体素子１３として採用することができる。
【００３１】
図１（Ｃ）を参照して、リード１１の断面形状を更に説明する。端子部２４は、リード１１が部分的に底部１２Ａの裏面および側面から露出することにより形成される部位である。本形態では、第1の端子部２４Ａおよび第２の端子部２４Ｂから成る２つの端子部が形成されている。第1の端子部２４Ａは、回路装置１０の周辺部に設けられており、半田等のロウ材を介して外部に実装される外部電極として機能している。また、第２の端子部２４Ｂは、中間部にて外部に露出するリード１１により成る部位である。具体的には、第２の端子部２４Ｂの平面的な位置は、第1のパッド２３Ａおよび第２のパッド２３Ｂの中間に設けられている。この第２の端子部２４Ｂも、外部端子として用いることが出来る。更に、第1の端子部２４Ａと第２の端子部２４Ｂは、両者の間に充填される樹脂によって分離されている。従って、第２の端子部２４Ｂに付着されたロウ材が、第１の端子部２４Ａに接触することを防止することができる。このように、一つのリード１１に複数個の外部端子を設けることで、１つの電気信号を複数の異なる箇所から取り出すことが可能となる。また、回路装置１０が実装される実装基板の配線も自由度が向上する。
【００３２】
上述のことから、チップ素子１３Ｂと半導体素子１３Ａとは、一つのリード１１を介して電気的に接続されている。本形態のメリットは、上述した構成により、チップ素子１３Ｂと半導体素子１３Ａとの距離を最短に出来ることにある。例えば、チップ素子１３Ｂとしてはノイズを低減されるためのコンデンサを採用した場合は、半導体素子１３Ａとの距離が近いことから、ノイズ低減の効果を大きくすることが出来る。また、上述した構成により、半田流れの恐れを排除して、半導体素子１３Ａとチップ素子１３Ｂとを互いに近接させることができる。
【００３３】
図２を参照して、半導体装置１０の他の構成を説明する。図２（Ａ）は、本形態の半導体装置１０の平面図であり、図２（Ｂ）はその裏面図であり、図２（Ｃ）は図２（Ａ）のＣ−Ｃ’での断面図である。
【００３４】
図２（Ｂ）を参照して、回路装置１０の裏面の周辺部には第1の端子部２４Ａが形成されている。ここでは、左右方向の両側辺に沿って複数個の第1の端子部２４Ａが形成されている。そして、各々の第1の端子部２４Ａは、所定の距離にて離間されて配置されている。第２の端子部２４Ｂは、筐体１２の周辺部から離間した裏面に露出している。また、第２の端子部２４Ｂは、図面にて横方向に隣接する第1の端子部２４Ａと電気的に繋がっている。各端子部２４同士は、半田ブリッジを起こさない程度に離間されている。
【００３５】
図２（Ｃ）を参照して、連通部を説明する。ここでは、連通孔１８Ｂと溝部１８Ａとから連通部が構成されている。連通孔１８Ｂは、筐体１２の底部１２Ａを部分的に開口することにより設けられた孔である。更に連通孔１８Ｂは、半導体素子１３が載置される領域内の底部１２Ａに設けられている。溝部１８Ａは、底部１２Ａの表面に設けられた溝であり、連通孔１８Ｂと連続した空間を形成している。
【００３６】
更に、図２（Ａ）を参照して、溝部１８Ａは、半導体素子が配置される領域（以下配置領域という）をはみ出して形成されている。しかしながら、溝部１８Ａが必ずしも配置領域をはみ出して形成される必要はなく、配置領域の端部まで延在すれば良い。即ち、溝部１８Ａにより、筐体１２の内部空間と連通孔１８Ｂとが連通されればよい。また、溝部１８Ａの個数は任意であり、一つのみの溝部１８Ａでも良いし、３つ以上の溝部１８Ａが設けられても良い。更にまた、同図では、溝部１８Ａの中間部に連通孔１８Ｂが形成されている。
【００３７】
上述した連通部を設けることによるメリットを説明する。連通部を設けて筐体１２の内部空間を外部と連通させることで、筐体１２の内部を外部と同じ圧力にすることが出来る。即ち、回路装置１０は、半田等を介して行うリフローの工程により、実装基板等に面実装される。この際に、回路装置１０を取り巻く雰囲気は２００度程度になる。筐体１２の内部空間が密閉された場合では、このリフローの工程により、筐体１２の内部空間はきわめて高い圧力になり、装置全体の破壊等の恐れがある。本願では、筐体１２の内部空間を外部と連通させることで、高温に加熱された際の内部圧力の上昇を防止している。従って、装置全体の温度変化に対する信頼性を向上させることが出来る。
【００３８】
半導体素子１３Ａの固着に用いられる接着剤としては、ダイアタッチシートが好ましい。これは、ダイボンディングを行う工程にて粘性が低くなる接着剤を用いると、溝部１８Ａが接着剤により埋まってしまう恐れがあるからである。ダイアタッチシートであれば、ダイボンディングを行う工程においても液状化しないので、上記した恐れを排除することが出来る。
【００３９】
更に、本形態では、リード１１の材料として、４２アロイが採用される。ここで、４２アロイとは、ニッケルを４２％含み、鉄を５８％含む合金である。この４２アロイの線膨張係数はガラスに近似する７ｐｐｍ程度である。更に、筐体を構成する樹脂の線膨張係数は、その成分を調整することで７ｐｐｍ程度にすることができる。従って、これらのことにより、回路装置１０Ｂを構成する要素の線膨張係数を近似させることが出来るので、温度変化に対する信頼性を向上させることが出来る。
【００４０】
蓋部１５は、筐体１２の開口部を上部から塞ぐ役割を有し、その材料としては半導体素子１３が受発光する光に対して透明性を有する材料が採用される。例えば、半導体素子１３が波長４０５ｎｍ程度の高周波ブルーレーザーの受発光を行うときは、このブルーレーザーに対して透明性を有する材料が、蓋部１５として採用される。一例として、ガラスは蓋部１５として好適な材料である。また、蓋部１５は、絶縁性の接着剤を介して、筐体１２に接着されている。更にまた、この蓋部１５を省いて全体を構成することも出来る。蓋部の材料であるガラスは非常に高価な材料であるので、これを省いた構成にすることで全体の製造コストを低減させることが出来る。
【００４１】
図３の断面図を参照して、上述した構成の回路装置１０の実装構造を説明する。同図を参照して、回路装置１０の裏面に露出する端子部２４に、半田等のロウ材２２を付着させることにより、回路装置１０は実装基板２０上の導電路２１に固着されている。即ち、銅等の金属より成るリード１１の露出する部分の濡れ性を用いて、ロウ材２２の形状と位置を規制し、半田ブリッジによるショートの危険性を排除している。ここでは、第1の端子部２４Ａと共に、第２の端子部２４Ｂもロウ材２２を用いて導電路２１に固着されている。しかしながら、第２の端子部２４Ｂが外部とコンタクトする必要が無ければ、第２の端子部２４Ｂにはロウ材を付着しないで回路装置１０の実装を行うことができる。
【００４２】
図４以降を参照して、上記した回路装置１０の製造方法を説明する。
【００４３】
先ず、図４を参照して、複数個のリード１１より成るユニット３２を形成する。図４（Ａ）はブロック３３が複数個形成される導電箔であるフレーム３１の平面図であり、図４（Ｂ）はブロック３３の中のユニット３２を拡大した図であり、図４（Ｃ）は図４（Ｂ）のＸ−Ｘ’線での断面図である。
【００４４】
図４（Ａ）を参照して、銅等の金属から成る導電箔であるフレーム３１を加工することにより、フレーム３１には複数個のブロック３３が所定の距離だけ離間されて配置されている。個々のブロックにはマトリックス状に多数個のユニット３２が形成されている。ここで「ユニット」とは、一つの回路装置を構成する要素単位のことである。フレーム３１の材料としては、４２アロイが好ましい。
【００４５】
図４（Ｂ）を参照して、上記ユニット３２の具体的構成を説明する。本発明では、ブロック３３内部に等間隔で第1の連結部３４Ａおよび第２の連結部３４Ｂが延在している。ここでは、紙面の横方向に第1の連結部３４Ａが等間隔で延在し、この第1の連結部３４Ａと直角に交差するように第２の連結部３４Ｂが等間隔に延在している。ここでは、縦方向に延在する第２の連結部３４Ｂから左右方向にリード１１が延在している。
【００４６】
図４（Ｃ）を参照して、ユニット３２の内部にて左側に形成されたリード１１の断面について説明する。リード１１には、ユニット３２の周辺部に対応する箇所に、下方に凸状に突出する第1の端子部２４Ａが形成されている。更に、第２の端子部２４Ｂに対応する箇所にも、下方に凸状に突出する部位が形成されている。更に、リード１１の上部には、第１および第２のパッド２３Ａ、２３Ｂに対応する凸状領域が上方に突出するように形成されている。
【００４７】
ユニット３２の内部にて右側の領域に形成されたリード１１に関して説明する。この領域のリード１１の断面は、その下部に第1の端子部２４Ａが形成されるように、下方に凸状に突出する領域が形成されている。また、この領域のリード１１の長さは、第２の端子部２４Ｂが形成される左側のリード１１よりも短く形成されている。上記したフレーム３１の加工は、プレスまたはエッチングにより行うことができる。
【００４８】
次に、図５を参照して、電気的接続領域となる箇所のリード１１の表面を露出させてリード１１が埋め込まれるように樹脂による底部１２Ａを形成し、同時に底部１２Ａから連続する側部１２Ｂを形成してユニット３２毎に開口部を有する筐体１２を射出成形する。図５（Ａ）はユニット３２を拡大した図である。図５（Ｂ）は図４（Ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【００４９】
ここでは、ブロック毎に一つのキャビティに収納されて一括して樹脂封止が行われる。熱可塑性樹脂を用いるインジェクションモールド、または、熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールドにより、この樹脂封止は行うことができる。半導体素子１３Ａが収納される領域が形成されるように、本工程に用いる上金型は、筐体１２の内部領域の形状に対応した形状になっている。即ち、筐体１２の内部領域と嵌合する形状の凸状の部分が、モールドを行う上金型に形成されている。樹脂封止時に於いては、リード１１の表面は上金型の下面に当接している。このことにより、電気的接続領域に、封止樹脂が誤って付着してしまうのを防止することができる。更に、リード１１の上面に樹脂バリが付着した場合には、高圧洗浄等を行ってバリを除去する。
【００５０】
更に、上記工程においては、モールドを行う下金型の下面に、第２の端子部２４Ｂの裏面が当接する。このことで、第1のパッド２３Ａの表面が上金型から離間してしまうのを抑止することができる。従って、モールドの工程にて、第1のパッド２３Ａの表面に樹脂が付着してしまうのを抑止することが可能となる。
【００５１】
次に、図６を参照して、各ユニット３２に半導体素子１３Ａ等を実装する。図６（Ａ）はユニット３２を拡大した図である。図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【００５２】
図６（Ａ）および図６（Ｂ）を参照して、半導体素子１３Ａはユニット３２の中央部付近に配置されて、金属細線１４を介して第1のパッド２３Ａと電気的に接続されている。更にチップ素子１３Ｂは、ロウ材を介して、第２のパッド２３Ｂに固着されている。上述したように、第1のパッド２３Ａと第２のパッド２３Ｂとは、各々が独立して露出している。従って、第２のパッド２３Ｂの表面に塗布されたロウ材が第1のパッド２３Ａに接触してしまうのを防止することが出来る。
【００５３】
図６（Ｂ）を参照して、半導体素子１３Ａは、各ユニット３２の底部に接着剤を介して固着されている。ここで、接着剤としては、ダイボンディングを行う固定において液化しないものが好ましい。仮にダイボンディングに液化してしまう接着剤を使用した場合を考えると、液化した接着剤が連通孔１８Ｂを塞いでしまう恐れがある。具体的には、ダイアタッチシートを接着剤１９として採用することができる。ダイアタッチシートとはフィルム状の接着剤であり、ダイボンディング時に加熱された際にも液化しない。また、ダイボンディング時の温度状況下において液化しない接着剤であれば、ダイアタッチシート以外の接着剤を用いることも可能である。ここで半導体素子１３としては、光の発光また受光を行う部位を有する光半導体素子を採用することが出来る。
【００５４】
次に、図７を参照して、各ユニット３２に蓋部１５を接着することにより、筐体の開口部を塞ぐ。図７（Ａ）はユニット３２を拡大した図である。図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【００５５】
蓋部１５としては、半導体素子１３が受光もしくは発光する光に対して透明性を有する材料（例えばガラス）を採用することができる。また、半導体素子１３が光半導体素子でなければ、遮光性の材料から成る蓋部１５を採用することも出来る。蓋部１５は、接着剤を介して筐体１２の上部に接着される。
【００５６】
蓋部１５の接着が終了した後は、一点鎖線で示す分割線Ｌ１にて分割を行うことにより、各回路装置に分離する。この分離は、ダイシングまたはレーザーを用いた分離方法により行うことが出来る。本工程で分離された回路装置は、半田等の導電性接着剤を用いた表面実装により、マザーボードや、セットの筐体内部に実装される。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の回路装置を説明する平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）、断面図（Ｃ）である。
【図２】本発明の回路装置を説明する平面図（Ａ）、裏面図（Ｂ）、断面図（Ｃ）である。
【図３】本発明の回路装置を説明する断面図である。
【図４】本発明の回路装置の製造方法を説明する平面図（Ａ）、平面図（Ｂ）、断面図（Ｃ）である。
【図５】本発明の回路装置の製造方法を説明する平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図６】本発明の回路装置の製造方法を説明する平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図７】本発明の回路装置の製造方法を説明する平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図８】従来の回路装置を説明する平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【符号の説明】
【００５８】
１０                  回路装置
１１                  リード
１２                  筐体
１３                  半導体素子
１４                  金属細線
１５                  蓋部
１８Ａ                溝部
１８Ｂ                連通孔
２３Ａ                第1のパッド
２３Ｂ                第２のパッド
２４Ａ                第1の端子部
２４Ｂ                第２の端子部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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