(57)【要約】【課題】高密度で接続信頼性の高い部品内蔵モジュールを提供する。【解決手段】部品内蔵モジュール１００は、電気絶縁層１と、電気絶縁層１の一方の面に露出するように形成された第１配線パターン２と、電気絶縁層１に埋め込まれるように第１配線パターン２上に設けられた回路部品３と、電気絶縁層１の一方の面側と他方の面側とを導通するために形成された第１ビア４と、第１ビア４と電気的に接続するために電気絶縁層１の一方の面に露出するように形成された第１ビアランド２ａとを具備しており、第１ビアランド２ａは、電気絶縁層１の一方の面から電気絶縁層１の内部に向かって配線パターン２よりも突出するように形成されている。【選択図】  図２
2005026470.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁層と、
前記電気絶縁層の一方の面に露出して形成された第１配線パターンと、
前記電気絶縁層に埋め込まれ前記第１配線パターン上に設けられた回路部品と、
前記電気絶縁層の一方の面側と他方の面側とを導通させる第１ビアと、
前記電気絶縁層の一方の面に露出して形成された第１ビアランドとを具備し、
前記第１ビアランドは、前記電気絶縁層の一方の面から前記電気絶縁層の内部に向かって前記配線パターンよりも突出して形成されていることを特徴とする部品内蔵モジュール。
【請求項２】
前記電気絶縁層の他方の面に露出して形成された第２配線パターンと、
前記電気絶縁層の他方の面に露出して形成された第２ビアランドとをさらに具備する、請求項１記載の部品内蔵モジュール。
【請求項３】
前記電気絶縁層の一方の面の上に配線板をさらに具備し、
前記配線板は、前記電気絶縁層の反対側の面に形成された第３配線パターンと、
前記第１配線パターンと前記第３配線パターンとを接続する第２ビアとを有する、請求項１記載の部品内蔵モジュール。
【請求項４】
前記第１ビアランドの突出高さは、５マイクロメータ（μｍ）以上３０マイクロメータ（μｍ）以下である、請求項１記載の部品内蔵モジュール。
【請求項５】
前記第１ビアは、円柱形状をしており、
前記第１ビアランドは、前記第１ビアの径よりも大きい形状である、請求項１記載の部品内蔵モジュール。
【請求項６】
前記回路部品は、半導体ベアチップを含み、
前記半導体ベアチップは、前記第１配線パターン上にフリップチップ実装されている、請求項１記載の部品内蔵モジュール。
【請求項７】
前記回路部品は、チップ状の抵抗、コンデンサおよびインダクタから選ばれた少なくとも１つを含んでいる、請求項１記載の部品内蔵モジュール。
【請求項８】
前記電気絶縁層は、無機質フィラー７０重量％以上〜９５重量％以下と熱硬化樹脂５重量％以上〜３０重量％以下とを少なくとも含んでいる、請求項１記載の部品内蔵モジュール。
【請求項９】
前記無機質フィラーは、アルミナ、マグネシア、シリカ、窒化アルミナおよび窒化珪素から選ばれた少なくとも一つを含んでいる、請求項８記載の部品内蔵モジュール。
【請求項１０】
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシアネート樹脂から選ばれた少なくとも一つを含んでいる、請求項８記載の部品内蔵モジュール。
【請求項１１】
前記第１ビアは、銀、銅、金およびニッケルから選ばれる少なくとも１種類の導電性金属粉体と、エポキシ樹脂からなる樹脂成分とを含んでいる、請求項１記載の部品内蔵モジュール。
【請求項１２】
前記前記第１ビアランドは、銅、ニッケルおよび金から選ばれた少なくとも１つを含んでいる、請求項１記載の部品内蔵モジュール。
【請求項１３】
キャリアに配線パターンおよびビアランドを形成する工程と、
前記配線パターンに回路部品を実装する工程と、
電気絶縁層にビアを形成する工程と、
前記電気絶縁層に前記回路部品を埋設する工程と、
前記電気絶縁層を硬化する工程と、
前記キャリアを取り除く工程とを包含しており、
前記配線パターンおよびビアランドを形成する工程は、少なくとも前記回路部品を実装する前記配線パターン内のビアランドを突出させた形状に形成する工程を含んでいることを特徴とする部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項１４】
前記ビアランドを突出させた形状に形成する工程は、前記配線パターン内のビアランドを除く部分にレジストを施し、めっき処理により前記ビアランドを突出させた形状に形成する、請求項１３記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項１５】
前記ビアランドを突出させた形状に形成する工程は、前記配線パターン内のビアランドにマスキングし、前記ビアランドを除く部分をエッチング処理により厚みを薄くしてビアランドを突出させた形状に形成する、請求項１３記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項１６】
少なくとも２層の配線パターンとビアとを有する配線板を作成する工程と、
前記配線板に回路部品を実装する工程と、
電気絶縁層にビアを形成する工程と、
前記配線板に実装した前記回路部品を前記電気絶縁層に埋設する工程と、
前記電気絶縁層を硬化する工程とを包含しており、
少なくとも前記回路部品を実装する配線パターン内のビアランドを突出させた形状に形成することを特徴とする部品内蔵モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体などの能動部品とコンデンサーなどの受動部品とを内蔵した部品内蔵モジュールおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器に対する高性能化および小型化の要求に伴って、電子機器に用いられる回路基板もまた小型高密度のものが望まれている。このような要求に対して、従来のスルホール構造を有するガラス・エポキシ基板では高密度実装化への対応ができなくなりつつある。このため、高密度実装を実現する手段として、ＬＳＩ間および部品間を最短距離で接続することができるインナービア接続法を採用した高密度実装基板の開発が進められている。
【０００３】
このようなインナービア接続法を採用した高密度実装基板として、樹脂基板およびセラミック基板が一般的である。樹脂基板は、樹脂系材料によって構成されるため、熱伝導性が低い。このため、回路部品実装がより高密度になればなるほど回路部品から発生する熱を放熱させることは困難となる。一方、セラミック基板は、熱伝導性が高いため放熱性には優れているがコスト高となる。
【０００４】
こうしたことから、最近、注目されているのが、無機質フィラーと熱硬化性樹脂との混合物を基板材料にした高密度実装基板である（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
この高密度実装基板は、前述した樹脂基板およびセラミック基板と同様にインナービア接続ができ、高密度配線が可能である。また、基板材料に熱伝導性の高い無機質フィラーが含まれているので、樹脂基板よりも放熱性に優れている。また、セラミック基板のように１０００℃以上の高温における製造プロセスが不要であるため、この高密度実装基板を製造するための設備コストがかからない。さらに、半導体などの能動部品やコンデンサーなどの受動部品を基板に内蔵することができるので、この高密度実装基板は、より高密度、高性能化が期待できる。
【０００６】
このような無機質フィラーと熱硬化性樹脂との混合物を基板材料にした高密度実装基板の構成および製造方法を図面を参照しながら説明する。図１４は従来の部品内蔵モジュール９０の構成を示す平面図であり、図１５は図１４に示す面ＡＡに沿った断面図である。
【０００７】
部品内蔵モジュール９０は、板状に形成された電気絶縁層１を備えている。電気絶縁層１の両面には、配線パターン２がその両面に露出するように形成されている。電気絶縁層１の一方の面に形成された配線パターン２上には、電気絶縁層１に埋設されるように回路部品３が実装されている。
【０００８】
電気絶縁層１の両面には、配線パターン２と接続するようにビアランド９１が電気絶縁層１の両面にそれぞれ露出して互いに対向するように形成されている。電気絶縁層１には、互いに対向するように電気絶縁層１の両面にそれぞれ形成された各ビアランド９１をつなぐようにビア４が形成されている。
【０００９】
このように、電気絶縁層１に形成されたビア４とビアランド２ａとを介して、電気絶縁層１の両面にそれぞれ形成された配線パターン２が互いに電気的に接続されるように構成されている。
【００１０】
このように構成された部品内蔵モジュール９０は、以下のようにして製造される。図１６ないし図２０は、従来の部品内蔵モジュール９０の製造方法を示す断面図である。
【００１１】
まず図１６を参照すると、ビア４を形成した電気絶縁層１を準備する。電気絶縁層１の材料としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂とアルミナなどの無機質フィラーとを混合したシート状の材料が用いられる。ビア４を形成するためには、レーザまたはパンチャーなどの装置によって電気絶縁層１に貫通穴を形成し、この貫通穴に銀などの導電性金属粉を含む導電性ペースとを充填して形成する。
【００１２】
次いで図１７に示す配線パターン２を形成した離型性のキャリアフィルム５を２枚作製し、その内の１枚に図１７に示すように回路部品３を実装する。配線パターン２は、離型性のキャリアフィルム５上に形成された銅などの金属箔をホトリソグラフィ法によってエッチング加工して形成される。
【００１３】
図１８を参照すると、回路部品３を実装していない方の離型性のキャリアフィルム５と、ビア４を形成した電気絶縁層１と、回路部品３を実装した方の離型性のキャリアフィルム５とを図１８に示すように重ね合わせ、加熱、加圧して、図１９に示すように電気絶縁層１内に回路部品３を埋設すると同時に電気絶縁層１を硬化する。電気絶縁層１を硬化するための加熱温度は、電気絶縁層１の樹脂成分が軟化して回路部品３を埋設し、電気絶縁層１が充分に硬化する温度として１５０℃〜２６０℃の範囲から選ばれる。
【００１４】
そして図２０を参照すると、離型性のキャリアフィルム５を取り除くことによって、キャリアフィルム５上に形成した配線パターン２が電気絶縁層１に残り、前述した構成を有する部品内蔵モジュール９０が得られる。
【００１５】
【特許文献１】
特開平１１−２２０２６２号公報（第１−３図）
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した従来の部品内蔵モジュール９０の構成では、回路部品３を電気絶縁層１に埋設する際に生じるいくつかの解決すべき課題がある。以下にその理由を詳述する。
【００１７】
図１８および図１９を参照して前述したように、配線パターン２上に実装された回路部品３を電気絶縁層１内に埋設するために加熱、加圧がおこなわれる。これによって、電気絶縁層１に含有している樹脂が軟化して流動し易くなるので容易に回路部品３を埋設することができる。
【００１８】
しかしながら、同時に回路部品３と同じ容積分の電気絶縁層１が周辺に向かって押し出される。一方、回路部品３が実装された配線パターン２に接続されたビアランド２ａの高さは、その周辺の配線パターン２と同じ高さ（厚み）である。このため、配線パターン２に反りや変形がわずかでも生じていると、ビアランド２ａに電気的に接続されるべきビア４とビアランド２ａとの間に隙間ができる。そして、その隙間に軟化した樹脂が流れ込む。その結果、その隙間に流れ込んだ樹脂によってビア４とビアランド２ａとが絶縁されるおそれがあるという問題がある。
【００１９】
また、ビア４の圧縮がまだ不十分な状態の時に樹脂流動が始まるので、樹脂の流動によってビア４が押し流されて、ビア４と電気接続されるべきビアランド２ａとの間に位置ずれが生じるという問題がある。
【００２０】
このように、回路部品３の近傍にビア４を設けると、ビア４とビアランド２ａとの接続抵抗が安定しないという問題があった。特に、サイズの大きい回路部品３やサイズが小さくても密集配置された回路部品３を埋設した場合には、樹脂の流動による影響がさらに大きくなるおそれがある。
【００２１】
電気絶縁層１の回路部品３が埋設される箇所に空隙を設けることによって、樹脂の流動を抑える方法が採用されているけれども、回路部品３と全く同じ容積の空隙を設けることは困難であるという問題がある。サイズの異なる回路部品３を埋設する場合には特に困難である。このように、電気絶縁層１の回路部品３が埋設される箇所に空隙を設けることによって樹脂の流動を完全に抑えることは困難である。
【００２２】
本発明の目的は、高密度で接続信頼性の高い部品内蔵モジュールおよびその製造方法を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る部品内蔵モジュールは、電気絶縁層と、前記電気絶縁層の一方の面に露出して形成された第１配線パターンと、前記電気絶縁層に埋め込まれ前記第１配線パターン上に設けられた回路部品と、前記電気絶縁層の一方の面側と他方の面側とを導通させる第１ビアと、前記電気絶縁層の一方の面に露出して形成された第１ビアランドとを具備し、前記第１ビアランドは、前記電気絶縁層の一方の面から前記電気絶縁層の内部に向かって前記配線パターンよりも突出して形成されていることを特徴とする。
【００２４】
本発明に係る部品内蔵モジュールの製造方法は、キャリアに配線パターンおよびビアランドを形成する工程と、前記配線パターンに回路部品を実装する工程と、電気絶縁層にビアを形成する工程と、前記電気絶縁層に前記回路部品を埋設する工程と、前記電気絶縁層を硬化する工程と、前記キャリアを取り除く工程とを包含しており、前記配線パターンおよびビアランドを形成する工程は、少なくとも前記回路部品を実装する前記配線パターン内のビアランドを突出させた形状に形成する工程を含んでいることを特徴とする。
【００２５】
本発明に係る部品内蔵モジュールの他の製造方法は、少なくとも２層の配線パターンとビアとを有する配線板を作成する工程と、前記配線板に回路部品を実装する工程と、電気絶縁層にビアを形成する工程と、前記配線板に実装した前記回路部品を前記電気絶縁層に埋設する工程と、前記電気絶縁層を硬化する工程とを包含しており、少なくとも前記回路部品を実装する配線パターン内のビアランドを突出させた形状に形成することを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本実施の形態に係る部品内蔵モジュールにおいては、第１ビアランドは、電気絶縁層の一方の面から電気絶縁層の内部に向かって配線パターンよりも突出して形成されている。このため、配線パターンに反りまたは変形が生じていても第１ビアランドはビアと隙間なく接触する。その結果、信頼性が高い部品内蔵モジュールを提供することができる。
【００２７】
この実施の形態では、前記電気絶縁層の他方の面に露出して形成された第２配線パターンと、前記電気絶縁層の他方の面に露出して形成された第２ビアランドとをさらに具備することが好ましい。
【００２８】
前記電気絶縁層の一方の面の上に配線板をさらに具備し、前記配線板は、前記電気絶縁層の反対側の面に形成された第３配線パターンと、前記第１配線パターンと前記第３配線パターンとを接続する第２ビアとを有することが好ましい。
【００２９】
前記第１ビアランドの突出高さは、５マイクロメータ（μｍ）以上３０マイクロメータ（μｍ）以下であることが好ましい。
【００３０】
前記第１ビアは、円柱形状をしており、前記第１ビアランドは、前記第１ビアの径よりも大きい形状であることが好ましい。
【００３１】
前記回路部品は、半導体ベアチップを含み、前記半導体ベアチップは、前記第１配線パターン上にフリップチップ実装されていることが好ましい。
【００３２】
前記回路部品は、チップ状の抵抗、コンデンサおよびインダクタから選ばれた少なくとも１つを含んでいることが好ましい。
【００３３】
前記電気絶縁層は、無機質フィラー７０重量％以上〜９５重量％以下と熱硬化樹脂５重量％以上〜３０重量％以下とを少なくとも含んでいることが好ましい。
【００３４】
前記無機質フィラーは、アルミナ、マグネシア、シリカ、窒化アルミナおよび窒化珪素から選ばれた少なくとも一つを含んでいることが好ましい。
【００３５】
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシアネート樹脂から選ばれた少なくとも一つを含んでいることが好ましい。
【００３６】
前記第１ビアは、銀、銅、金およびニッケルから選ばれる少なくとも１種類の導電性金属粉体と、エポキシ樹脂からなる樹脂成分とを含んでいることが好ましい。
【００３７】
前記前記第１ビアランドは、銅、ニッケルおよび金から選ばれた少なくとも１つを含んでいることが好ましい。
【００３８】
本実施の形態に係る部品内蔵モジュールの製造方法においては、配線パターンおよびビアランドを形成する工程は、少なくとも回路部品を実装する配線パターン内のビアランドを突出させた形状に形成する工程を含んでいる。このため、配線パターンに反りまたは変形が生じていても第１ビアランドはビアと隙間なく接触する。その結果、信頼性が高い部品内蔵モジュールを提供することができる。
【００３９】
この実施の形態では、前記ビアランドを突出させた形状に形成する工程は、前記配線パターン内のビアランドを除く部分にレジストを施し、めっき処理により前記ビアランドを突出させた形状に形成することが好ましい。
【００４０】
前記ビアランドを突出させた形状に形成する工程は、前記配線パターン内のビアランドにマスキングし、前記ビアランドを除く部分をエッチング処理により厚みを薄くしてビアランドを突出させた形状に形成することが好ましい。
【００４１】
本実施の形態に係る部品内蔵モジュールの他の製造方法においては、少なくとも回路部品を実装する配線パターン内のビアランドを突出させた形状に形成する。このため、配線パターンに反りまたは変形が生じていても第１ビアランドはビアと隙間なく接触する。その結果、信頼性が高い部品内蔵モジュールを提供することができる。
【００４２】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００４３】
（実施の形態１）
図１は実施の形態１に係る部品内蔵モジュール１００の構成を示す平面図であり、図２は図１に示す面ＡＡに沿った断面図である。
【００４４】
部品内蔵モジュール１００は、板状の電気絶縁層１を備えている。電気絶縁層１は、無機質フィラーと熱硬化樹脂とを含む混合物によって構成されている。無機質フィラーは、アルミナ、マグネシア、シリカ、窒化アルミナおよび窒化珪素から選択される少なくとも１つを含んでいる。このような無機フィラーを用いると、放熱性に優れた電気絶縁層１が得られる。この無機フィラーがシリカを含んでいると、電気絶縁層１の誘電率を小さくすることができる。この無機質フィラーの混合物に対する重量比は、７０重量％以上９５重量％以下であることが好ましい。熱硬化性樹脂は、耐熱性の高いエポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシアネート樹脂から選択される少なくとも１つを含んでいる。
【００４５】
電気絶縁層１の両面には、電気絶縁層１の両面にそれぞれ露出するように配線パターン２がそれぞれ形成されている。
【００４６】
電気絶縁層１の一方の面に露出するように形成された配線パターン２には、電気絶縁層１に埋め込まれるように回路部品３が設けられている。この回路部品３は、半導体、チップ状の抵抗、コンデンサーおよびインダクタから選ばれたものであることが好ましい。半導体は、ベアチップによって高密度にフリップチップ実装することができるので特に好ましい。
【００４７】
電気絶縁層１の両面にそれぞれ形成された配線パターン２には、ビアランド２ａが電気絶縁層１の両面にそれぞれ露出するように電気的に接続されている。各ビアランド２ａは、電気絶縁層１の両方の面から電気絶縁層１の内部に向かって配線パターン２よりもそれぞれ突出するように形成されている。
【００４８】
配線パターン２とビアランド２ａとは、導電性金属材料によって構成されており、低抵抗の銅を含む金属膜によって構成されていることが好ましい。
【００４９】
部品内蔵モジュール１００は、電気絶縁層１の一方の面側に形成されたビアランド２ａと他方の面側に形成されたビアランド２ａとを導通するために形成されたビア４を備えている。このビア４は、熱硬化性樹脂と導電性金属粉体を含む導電性物質とを含んでいる。導電性金属粉体は、低抵抗の銀、銅、金およびニッケルから選択された少なくとも１つを含んでいる。
【００５０】
このように回路部品３が実装された配線パターン２に接続されたビアランド２ａは配線パターン２よりも突出するように形成されているので、回路部品３を電気絶縁層１に埋設する時に配線パターン２に反りまたは変形があっても、ビアランド２ａとビア４とが隙間なく接触する。また電気絶縁層１を構成する樹脂が流動を開始する時にはビア４が充分に圧縮されているために、樹脂の流動による樹脂の流れ込みとビア４の移動による位置ずれとを防止することができる。このため、ビアランド２ａとビア４とを安定して接続することができる。
【００５１】
このように構成された部品内蔵モジュール１００は、以下のようにして製造される。図３ないし図７は、実施の形態１に係る部品内蔵モジュール１００の製造方法を示す断面図である。
【００５２】
図３を参照すると、まず未硬化の電気絶縁層１にビア４を形成して部材６０を作製した。ビア４の形成方法は、電気絶縁層１に貫通孔を形成し、その貫通孔に導電性ペーストを充填する。貫通孔はレーザー加工またはパンチング加工によって形成することができる。
【００５３】
図４を参照すると、板状のキャリア５に配線パターン２および配線パターン２よりも突出したビアランド２ａを形成し、配線パターン２上に回路部品３を実装して部材５０を２個作製した。配線パターン２は、エッチング、印刷などの方法によって形成することができる。特にエッチングでは、フォトリソグラフィー工法など微細な配線パターン形成法を利用することができる。
【００５４】
ビアランド２ａは、エッチング、印刷またはメッキなどの方法によって、配線パターン２よりも突出するように容易に形成することができる。エッチング法は、フォトリソグラフィー工法または印刷などによってビアランド２ａにレジストを施し、配線パターン２をエッチングにより薄くして配線パターン２よりも突出したビアランド２ａを形成することができる。またメッキに関しては、配線パターン２にレジストを施し、ビアランド２ａをメッキすることによって厚くして配線パターン２よりも突出したビアランド２ａを形成することができる。また、ファインな配線が要求されない場合は印刷法が容易で、ビアランド２ａに熱硬化性樹脂を含む導電性ペーストを印刷することによっても、配線パターン２よりも突出したビアランド２ａを形成することができる。
【００５５】
次に図５および図６に示すように、部材５０、部材６０および部材５０の順に互いに重ね合わせて、加熱、加圧することによって、回路部品３を電気絶縁層１内に埋設することができる。加熱温度としては、１５０℃以上２６０℃以下の温度が好ましく、電気絶縁層１に含まれている樹脂が硬化する温度以上の温度で加熱する。加圧は、加熱の際に１０ｋｇ／ｃｍ２以上〜２００ｋｇ／ｃｍ２以下の圧力で加圧することが好ましい。
【００５６】
電気絶縁層１が硬化した後、キャリア５を剥離することによって、図７に示すように図２を参照して前述した部品内蔵モジュール１００が完成する。
【００５７】
以上のように実施の形態１によれば、ビアランド２ａは、電気絶縁層１の一方の面から電気絶縁層１の内部に向かって配線パターン２よりも突出するように形成されている。このため、配線パターン２に反りまたは変形が生じていてもビアランド２ａはビア４と隙間なく接触する。その結果、信頼性が高い部品内蔵モジュールを提供することができる。
【００５８】
（実施の形態２）
図８は、実施の形態２に係る部品内蔵モジュール２００の構成を示す断面図である。図１を参照して前述した部品内蔵モジュール１００の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。
【００５９】
電気絶縁層１の両面には、配線板６がそれぞれ設けられている。各配線板６の両面と内部とには、配線パターン２が形成されている。配線パターン２を接続するためにビア４が配線板６の内部に形成されている。
【００６０】
配線板６の一方の電気絶縁層１の反対側の表面に形成された配線パターン２の上には、回路部品３Ａが実装されている。
【００６１】
配線板６は、一般的な配線板であるガラスエポキシ基板またはセラミック基板などによって構成することができる。
【００６２】
電気絶縁層１に形成されたビアランド２ａは、電気絶縁層１の一方の面から電気絶縁層１の内部に向かって、電気絶縁層１に形成された配線パターンよりも突出するように形成されている。
【００６３】
このように構成された部品内蔵モジュール２００は、以下のようにして製造される。図９ないし図１３は、実施の形態２に係る部品内蔵モジュール２００の製造方法を示す断面図である。
【００６４】
図９を参照すると、未硬化の電気絶縁層１にビア４を形成した部材６０を作製した。ビア４は、前述した実施の形態１と同様の方法によって形成することができる。
【００６５】
図１０を参照すると、その内部にビア４および１層の配線パターン２と表層に２層の配線パターン２とを形成した配線板６によって構成される部材７０を２個作製し、一方の表面には、配線パターン２よりも突出したビアランド２ａを形成した。２個の部材７０のうちの１個の配線板６の表面に形成された配線パターン２の上には、回路部品３を実装した。ビアランド２ａの形成および回路部品３の実装は前述した実施の形態１と同様の方法で行うことができる。
【００６６】
次に図１１に示すように、部材７０、部材６０および部材７０の順番に互いに重ね合わせ、加熱、加圧することによって、図１２に示すように、回路部品３を電気絶縁層１内に埋設すると同時に配線板６と電気絶縁層１とを接合した。
【００６７】
図１３を参照すると、次に配線板６の表面に回路部品３Ａを実装することによって、図８を参照して前述した多層構造の部品内蔵モジュール２００を得ることができた。
【００６８】
以上説明したように、実施の形態１および２に係る部品内蔵モジュール１００および２００では、電気絶縁層に埋設される回路部品が実装された配線パターンに接続されたビアランドは周辺の配線パターンよりも突出している。このため、配線パターンに反りや変形があっても、ビアランドとビアとが隙間なく接触する。また樹脂が流動を開始する時には充分にビアが圧縮されているために、樹脂が流動することによる樹脂の流れ込みやビアが移動することによる位置ずれを防止することができる。このため、ビアの電気的接続が安定する。これらのことから、回路部品の近傍にビアを形成することができるため、高密度な信頼性の高い部品内蔵モジュールを提供することができる。また、多層構造にすることによって、より高密度な部品内蔵モジュールを提供することができる。
【００６９】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、高密度で接続信頼性の高い部品内蔵モジュールおよびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１に係る部品内蔵モジュールの構成を示す平面図
【図２】図１に示す面ＡＡに沿った断面図
【図３】実施の形態１に係る部品内蔵モジュールの製造方法を示す断面図
【図４】実施の形態１に係る部品内蔵モジュールの製造方法を示す断面図
【図５】実施の形態１に係る部品内蔵モジュールの製造方法を示す断面図
【図６】実施の形態１に係る部品内蔵モジュールの製造方法を示す断面図
【図７】実施の形態１に係る部品内蔵モジュールの製造方法を示す断面図
【図８】実施の形態２に係る部品内蔵モジュールの構成を示す断面図
【図９】実施の形態２に係る部品内蔵モジュールの製造方法を示す断面図
【図１０】実施の形態２に係る部品内蔵モジュールの製造方法を示す断面図
【図１１】実施の形態２に係る部品内蔵モジュールの製造方法を示す断面図
【図１２】実施の形態２に係る部品内蔵モジュールの製造方法を示す断面図
【図１３】実施の形態２に係る部品内蔵モジュールの製造方法を示す断面図
【図１４】従来の部品内蔵モジュールの構成を示す平面図
【図１５】図１４に示す面ＡＡに沿った断面図
【図１６】従来の部品内蔵モジュールの製造方法を示す断面図
【図１７】従来の部品内蔵モジュールの製造方法を示す断面図
【図１８】従来の部品内蔵モジュールの製造方法を示す断面図
【図１９】従来の部品内蔵モジュールの製造方法を示す断面図
【図２０】従来の部品内蔵モジュールの製造方法を示す断面図
【符号の説明】
１  電気絶縁層
２  配線パターン
２ａ  ビアランド
３  回路部品
４  ビア
５  キャリア
６  配線板
【図１】
2005026470.tif 000003
【図２】
2005026470.tif 000004
【図３】
2005026470.tif 000005
【図４】
2005026470.tif 000006
【図５】
2005026470.tif 000007
【図６】
2005026470.tif 000008
【図７】
2005026470.tif 000009
【図８】
2005026470.tif 000010
【図９】
2005026470.tif 000011
【図１０】
2005026470.tif 000012
【図１１】
2005026470.tif 000013
【図１２】
2005026470.tif 000014
【図１３】
2005026470.tif 000015
【図１４】
2005026470.tif 000016
【図１５】
2005026470.tif 000017
【図１６】
2005026470.tif 000018
【図１７】
2005026470.tif 000019
【図１８】
2005026470.tif 000020
【図１９】
2005026470.tif 000021
【図２０】
2005026470.tif 000022