(57)【要約】      （修正有）【課題】  外部に接続する金属突起電極の接続安定性を確保することができる。【解決手段】  半導体基板１の表面に形成された電極パッド２と、前記電極パッド２の周縁部を覆う少なくとも一層の保護膜４と、前記電極パッド２上に形成された金属突起電極３とを有した半導体装置において、前記金属突起電極３は、前記半導体基板１上の保護膜４をも覆うように電極パッド２より大きく形成され、前記電極パッド２の周縁部に保護膜４の内端が載ることで表面に形成される凸部８の外側に平坦部９を有した構成とする。これによれば、金属突起電極３表面に圧力がかかった時に電極パッド２上の保護膜４に応力が集中せず、保護膜４のクラックなどを軽減できる。またエッチング液の浸入などを懸念する必要がないので、凸部８の幅を小さくすることが可能であり、この凸部８を実装時に圧してつぶすことが容易になり、金属突起電極３の表面の段差を小さくできる。【選択図】  図１
2005175231.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に形成された電極パッドと、前記電極パッドの周縁部およびその外側の半導体基板を覆う少なくとも一層の保護膜と、前記電極パッド上に形成された金属突起電極とを有した半導体装置であって、前記金属突起電極は、前記半導体基板上の保護膜をも覆うように電極パッドより大きく形成され、前記電極パッドの周縁部に保護膜の内端が載ることで表面に形成される凸部の外側に平坦部を有した半導体装置。
【請求項２】
半導体基板の表面に形成された電極パッドと、前記電極パッドの周縁部およびその外側の半導体基板を覆う少なくとも一層の保護膜と、前記電極パッド上に形成された金属突起電極とを有した半導体装置であって、前記保護膜の下に、前記電極パッドとその外側の半導体基板表面との段差を軽減する傾斜部を持った絶縁層が形成され、前記金属突起電極は、前記半導体基板上の保護膜をも覆うように電極パッドより大きく形成され、前記電極パッドの周縁部に少なくとも保護膜の内端が載ることで表面に形成される凸部の外側に平坦部を有した半導体装置。
【請求項３】
金属突起電極が保護膜を介して電極パッドの周縁部を覆う電極パッドカバー領域よりも電極パッドの外端より外側を覆う電極パッド外側領域が幅広い請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項４】
金属突起電極が保護膜を介して電極パッドの周縁部を覆う電極パッドカバー領域の幅が０．００５ｍｍ以下である請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
金属突起電極が保護膜を介して電極パッドの外端より外側を覆う電極パッド外側領域の幅が０．００５ｍｍ以上である請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
金属突起電極がバリアメタル層を介して形成された請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
保護膜が電極パッドよりも厚く形成された請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
金属突起電極の凸部の内側の平坦部よりも前記凸部の外側に形成される平坦部が高位置にある請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
電極パッドの下に能動素子が形成された請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、表面に電極パッドが形成された半導体基板の上に、前記電極パッドの中央部が露出する開口部を持った少なくとも一層の保護膜を形成する工程と、前記電極パッド上およびその外側の保護膜上に金属材料を成長させて、前記電極パッドの周縁部に保護膜の内端が載ることで表面に形成される凸部の外側に平坦部を有した金属突起電極を形成する工程とを行なう半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項２記載の半導体装置の製造方法であって、表面に電極パッドが形成された半導体基板の上に、前記電極パッドの中央部が露出する開口部と、前記電極パッドとその外側の半導体基板表面との段差を軽減する傾斜部を持った絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層を覆う少なくとも一層の保護膜を形成する工程と、前記電極パッド上およびその外側の保護膜上に金属材料を成長させて、前記電極パッドの周縁部に少なくとも保護膜の内端が載ることで表面に形成される凸部の外側に平坦部を有した金属突起電極を形成する工程とを行なう半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
金属突起電極を形成する工程に先立って、電極パッド上およびその外側の保護膜上にバリアメタル層を形成する工程を行なう請求項１０または請求項１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
近年、ノートパソコンや液晶型ＴＶの普及により液晶パネルの需要が大きく伸びてきており、液晶パネルを動作させるための半導体装置の需要もまた大きく伸びている。さらにノートパソコンなどを普及価格化するために、液晶パネルや半導体装置のコストダウンの要求も強くなってきており、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）からＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）実装など、半導体装置を直接にガラス基板に異方性導電シートなどを使用して実装する方法が多くなってきている。ＴＣＰやＣＯＧ実装などでは、実装基板と半導体装置の外部電極との接続の安定性が重要な技術課題である。
【０００２】
図５は半導体装置（半導体チップ）上における外部電極としての入出力パッドの従来の配置を示し、半導体素子が形成され回路を構成している能動領域２１の外側であって、半導体装置２２の周縁領域に入出力パッド２３が設けられている。
【０００３】
入出力パッド２３は、図６に拡大図示するように、半導体基板１上に形成されるアルミニウム合金主体の電極パッド２と、その上に外部リードと接続するために形成される金やニッケル等の金属突起電極３とを少なくとも備えている。また金属突起電極３を電解めっき技術などで形成するために、予め電極パッド２の周縁部まで覆って形成される保護膜４を備えている。電極パッド２と金属突起電極３の材料の組み合わせによってはバリアメタル層５を備えている。ＴＣＰのリード接続の信頼性を高めるために、図示したように金属突起電極３を電極パッド２よりも少なくとも一方向に大きくのばして接続面積を大きくしたものもある（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−１１０８３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、上記したように電極パッド２の周縁部を覆う保護膜４を形成すると、保護膜４で覆われない電極パッド２の表面と保護膜４の表面との段差に基づき、その上に電解めっき技術などで形成する金属突起電極３の表面に段差が発生する。金属突起電極３の突起形状を安定に形成できる技術は現時点では電解めっき以外にないため、一般にこの工法が使用されている。図５における２４が突起電極３上の段差部を示し、２５は保護膜４で覆われていない電極パッド２の中央領域、すなわち保護膜４の開口部４ａから露出した電極パッド２の領域を示す。
【０００５】
段差が存在すると、ＣＯＧ実装などで金属突起電極３を実装基板上に異方性導電シートを介して接続する時に、異方性導電シート中の導電粒子が密着できる部分とできない部分とが生じることがある。導電粒子が十分に密着しないと、半導体装置と基板との接続抵抗が設計値よりも大きくなったり、ばらつく。この対策として、たとえば導電粒子を段差以上に十分に大きくする方法があるが、隣接した金属突起電極３とのショートという可能性も高くなるので、狭ピッチの半導体装置への適用は困難である。
【０００６】
本発明は上記問題を解決するもので、外部に接続する金属突起電極の接続安定性を確保できる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置は、半導体基板の表面に形成された電極パッドと、前記電極パッドの周縁部およびその外側の半導体基板を覆う少なくとも一層の保護膜と、前記電極パッド上に形成された金属突起電極とを有した半導体装置であって、前記金属突起電極は、前記半導体基板上の保護膜をも覆うように電極パッドより大きく形成され、前記電極パッドの周縁部に保護膜の内端が載ることで表面に形成される凸部の外側に平坦部を有したことを特徴とする。
【０００８】
また本発明の半導体装置は、半導体基板の表面に形成された電極パッドと、前記電極パッドの周縁部およびその外側の半導体基板を覆う少なくとも一層の保護膜と、前記電極パッド上に形成された金属突起電極とを有した半導体装置であって、前記保護膜の下に、前記電極パッドとその外側の半導体基板表面との段差を軽減する傾斜部を持った絶縁層が形成され、前記金属突起電極は、前記半導体基板上の保護膜をも覆うように電極パッドより大きく形成され、前記電極パッドの周縁部に少なくとも保護膜の内端が載ることで表面に形成される凸部の外側に平坦部を有したことを特徴とする。
【０００９】
上記各構成によれば、電極パッド上に金属突起電極の端部が位置しないため、金属突起電極の端部からのエッチング液の浸入などを懸念することなく、電極パッド上に保護膜の内端が載る領域、つまり金属突起電極が保護膜を介して電極パッドの周縁部を覆う電極パッドカバー領域を小さくすることができ、金属突起電極表面の凸部の幅を小さくすることが可能となる。それにより、金属突起電極表面の凸部を実装時に圧してつぶすことが容易になり、保護膜のクラックなども軽減でき、ＣＯＧ実装などでの異方性導電シート等による接続安定性を確保できる。
【００１０】
金属突起電極が保護膜を介して電極パッドの周縁部を覆う電極パッドカバー領域よりも電極パッドの外端より外側を覆う電極パッド外側領域が幅広いのが好ましい。実装時の金属突起電極下の保護膜に与える応力を小さくし、さらには接続面積を大きくできるためである。
【００１１】
金属突起電極が保護膜を介して電極パッドの周縁部を覆う電極パッドカバー領域の幅が
０．００５ｍｍ以下であるのが好ましい。０．００５ｍｍを超えると突起電極上に形成される凸部が大きくなり、保護膜へのクラックが懸念されるためである。この電極パッドカバー領域の幅は、保護膜形成時の位置ずればらつきの観点から、少なくとも０．０００１ｍｍ必要である。
【００１２】
金属突起電極が保護膜を介して電極パッドの外端より外側を覆う電極パッド外側領域の幅が０．００５ｍｍ以上であるのが好ましい。この幅は特に上限はないが、隣接する電極パッドとショートしないという観点から、隣接の金属突起電極から０．００５ｍｍ以上となる幅が好ましい。
【００１３】
電極パッドとの材料組み合わせによっては、金属突起電極はバリアメタル層を介して形成されるのが好ましい。金属突起電極の形成時の電極パッドの溶解などの悪影響を避けるためである。
【００１４】
保護膜は電極パッドよりも厚く形成されるのが好ましい。金属突起電極の表面の凸部をその外側に形成される平坦部の高さに近づけることが可能になり、接合部の面積を大きくしやすいためである。
【００１５】
金属突起電極の凸部の内側の平坦部よりも前記凸部の外側に形成される平坦部が高位置にあるのが好ましい。実装時に金属突起電極の凸部が潰されたときに接合部の面積を大きくしやすいためである。
【００１６】
電極パッドの下に能動素子が形成された構成とすることができる。上記したように金属突起電極の表面の凸部を小さくできることから、実装時の突起電極下への応力の集中を小さくできるためである。
【００１７】
半導体基板と絶縁層との間に更に少なくとも一層の、電極パッドと電極パッド下の層からなる角部に傾斜部を形成する絶縁層が形成された構成が好ましい。金属突起電極の表面の凸部の形状を極力なだらかにすることで接続安定性を向上できるためである。
【００１８】
上記した第１の半導体装置は、表面に電極パッドが形成された半導体基板の上に、前記電極パッドの中央部が露出する開口部を持った少なくとも一層の保護膜を形成する工程と、前記電極パッド上およびその外側の保護膜上に金属材料を成長させて、前記電極パッドの周縁部に保護膜の内端が載ることで表面に形成される凸部と平坦部とを有した金属突起電極を形成する工程とを少なくとも行なって製造することができる。
【００１９】
また第２の半導体装置は、表面に電極パッドが形成された半導体基板の上に、前記電極パッドの中央部が露出する開口部と、前記電極パッドとその外側の半導体基板表面との段差を軽減する傾斜部とを持った絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層を覆う少なくとも一層の保護膜を形成する工程と、前記電極パッド上およびその外側の保護膜上に金属材料を成長させて、前記電極パッド上およびその外側の保護膜上に金属材料を成長させて、前記電極パッドの周縁部に少なくとも保護膜の内端が載ることで表面に形成される凸部と平坦部とを有した金属突起電極を形成する工程とを少なくとも行なって製造することができる。
【００２０】
電極パッドとの材料組み合わせによっては、金属突起電極を形成する工程に先立って、電極パッド上およびその外側の保護膜上にバリアメタル層を形成する工程を行なう。
【発明の効果】
【００２１】
以上のように本発明は、半導体装置を構成する際に、外部に接続するための金属突起電極を半導体基板上の保護膜をも覆うように電極パッドより大きく形成することで、金属突起電極表面に形成される凸部の外側に平坦部を配するようにしたため、ＣＯＧ実装時などの圧力負荷時には金属突起電極内に応力が分散し、金属突起電極と電極パッドとの間の保護膜に応力が集中することがなく、保護膜のクラックなどを抑制できる。また、電極パッドカバー領域からのエッチング液の浸入などを懸念する必要ないので、電極パッドカバー領域、それに対応する金属突起電極表面の凸部の領域を小さくすることができ、半導体装置の実装時に前記凸部を加圧により容易につぶして、金属突起電極の表面の段差を小さくできる。よって、異方性導電シートを用いるＣＯＧ実装などで接続安定性を確保できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１における半導体装置の入出力パッド部分の構造を示す断面図である。半導体装置の全体構成は先に図５を用いて説明した従来のものと同様なので図示および説明を省略する。
【００２３】
図１において、半導体基板１上に電極パッド２が形成され、電極パッド２の周縁部と半導体基板１上とを覆う保護膜４が形成されている。保護膜４の開口部４ａから露出した電極パッド２上および保護膜４上には、バリアメタル層５を介して金属突起電極３が形成されている。電極パッド２の下には、トランジスタ、抵抗、キャパシタ、ダイオードや配線等が複数素子形成された能動素子１２の領域が設けられている。
【００２４】
保護膜４は、一般に行なわれるように、電極パッド２上もその周囲の半導体基板１上もほぼ均一な膜厚で形成されている。ここでは保護膜４の厚みは電極パッド２よりも厚い。  金属突起電極３は、電極パッド２に中心を合わせて、保護膜４を介して電極パッド２の周縁部を覆う電極パッドカバー領域６（幅Ｄ１）よりも電極パッド外側領域７（幅Ｄ２）を幅広く覆うように、電極パッド２より大きい面積で形成されている。
【００２５】
その結果、金属突起電極３の表面は、保護膜４の開口部４ａから露出した電極パッド２の表面と保護膜４の表面との高さの差に依存した凹凸状をなしており、電極パッド２の周縁部に保護膜４の内端が載ることで形成される凸部８の外側と内側にそれぞれ平坦部９、平坦部１０を有している。ただし、上記したように保護膜４が電極パッド２よりも厚いので、電極パッド２の表面より電極パッド外側領域７上の保護膜４の表面が高位置にあり、その上に形成された金属突起電極３の表面も凸部８の内側の平坦部１０よりも外側の平坦部９が高位置にある。
【００２６】
上記半導体装置の製造方法について、図２の工程図により説明する。
図２（ａ）に示すように、半導体素子形成済みの半導体基板１に電極パッド２をＣＶＤ技術などにより形成する。この電極パッド２はアルミニウムや銅を主成分とする導電体が望ましい。
【００２７】
次に図２（ｂ）に示すように、開口部４ａを持った保護膜４を形成する。ここでは、保護膜４はＳｉＮを材料としてＣＶＤ技術を利用して形成し、フォトリソグラフィーとドライエッチングなどの技術（図示せず）によりパターン形成した。保護膜４は他にＳｉやＧａ等を主成分とする材料が望ましい。
【００２８】
次に図２（ｃ）に示すように、電極パッド２と保護膜４との全面にスパッタ技術などを利用して所望の厚みのバリアメタル層５を形成する。ここではＴｉ材料にて形成したが、ＴｉＷ、Ｗ、Ｐｄ、Ｃｒ等の材料でもよい。
【００２９】
次に図２（ｄ）に示すように、電極パッド２上に金属突起電極３を形成する。ここでは、所望の位置とサイズに金属突起電極３を形成するために、フォトリソグラフィーと電解メッキなどの技術（図示せず）を用いた。電解メッキの際には、バリアメタル層５をシード層としてメッキを成長させ、電極パッドカバー領域６よりも電極パッド外側領域７の幅が大きくなるようにパターニングした。そして最後に、金属突起電極３をマスクにしてその外側のバリアメタル層５をエッチングした。
【００３０】
具体的には、電極パッド２を６０μｍ×６０μｍサイズ、９００ｎｍ厚みにて形成し、バリアメタル層５を２００ｎｍ厚みにて形成し、保護膜４を約１０００ｎｍ厚みにて形成した。電極パッドカバー領域６の幅Ｄ１は３μｍとし、電極パッド外側領域７の幅Ｄ２は１２μｍとした。この場合、金属突起電極３の内側平坦部１０の面積は約２９１６μｍ２、凸部８の面積は約６８４μｍ２、外側平坦部９の面積は約３４５６μｍ２となる。この構造の半導体装置について、金属突起電極３の表面側から２００Ｎ／ｍｍ２の加重を加えて実装したところ、電極パッドカバー領域６の保護膜４にはクラックなどの不良は発生しなかった。
【００３１】
また、電極パッドカバー領域６の幅Ｄ１を１０μｍとし、電極パッド外側領域７の幅Ｄ２を５μｍにする以外は上記と同様にして半導体装置を構成した。この場合、金属突起電極３の内側平坦部１０の面積は約１６００μｍ２、凸部８の面積は約２０００μｍ２、外側平坦部９の面積は約１３００μｍ２となる。この構造の半導体装置について、上記と同条件の実装を行ったところ、電極パッドカバー領域６の保護膜４の一部にクラックが発生した。
【００３２】
さらに、電極パッドカバー領域６の幅Ｄ１を３μｍとし、電極パッド外側領域７の幅Ｄ２を０μｍにする以外は上記と同様にして半導体装置を構成した。この場合、金属突起電極３の内側平坦部１０の面積は約３１３６μｍ２、凸部８の上面の面積は約４６４μｍ２、外側平坦部９の面積は０となる。この構造の半導体装置について、上記と同条件の実装を行ったところ、電極パッド２の外周部の保護膜４にクラックが発生した。
【００３３】
電極パッドカバー領域６の幅Ｄ１は、３μｍ（０．００３ｍｍ）とした第１例で好結果が得られていることから、５μｍ（０．００５ｍｍ）以下で十分であると思われる。保護膜形成時の位置ずればらつきの観点から、少なくとも０．０００１ｍｍ必要である。
【００３４】
また、電極パッド外側領域７の幅Ｄ２は、１２μｍ（０．０１２ｍｍ）とした第１例で好結果が得られていることから、少なくとも０．００５ｍｍあれば十分であると思われる。この幅Ｄ２に特に上限はないが、隣接した金属突起電極と近接すると実装時にショートを起こす懸念があるので、隣接した金属突起電極との間隔が０．００５ｍｍ以上となる幅であることが望ましい。
【００３５】
金属突起電極３の表面の凸部８の面積が小さいと、ＣＯＧ実装の際の加圧で凸部８がつぶれて内側平坦部１０，外側平坦部９とほぼ同一高さになり、見かけ上の金属突起電極３の表面積が大きくなる。この効果により、金属突起電極３とガラス基板との間に配置される異方性導電シート中の導電フィラーの接触確率が高くなり、安定した接合を実現できる。上述したように保護膜４のクラックなどもなく、抵抗値高安定性のある実装を実現できる。
（実施の形態２）
図３は本発明の実施の形態２における半導体装置の入出力パッドとその周辺部分の構造を示す断面図である。
【００３６】
図３において、半導体基板１上に電極パッド２が形成され、電極パッド２の周縁部と半導体基板１上とを覆う保護膜４が絶縁層１１を介して形成されている。絶縁層１１，保護膜４の開口部１１ａ，４ａから露出した電極パッド２上および保護膜４上には、バリアメタル層５を介して金属突起電極３が形成されている。図示を省略するが、電極パッド２の下には、トランジスタ、抵抗、キャパシタ、ダイオードや配線等が複数素子形成された能動領域が設けられている。
【００３７】
絶縁層１１は、電極パッドとその外側の半導体基板１表面との段差を軽減するように
形成され、両者の境界部分に傾斜部１１ｂを持っている。保護膜４は、一般に行なわれるように、電極パッド２上もその周囲の半導体基板１上もほぼ均一な膜厚で形成されている。金属突起電極３は、電極パッド２に中心を合わせて、保護膜４を介して電極パッド２の周縁部を覆う電極パッドカバー領域６（幅Ｄ１）よりも電極パッド外側領域７（幅Ｄ２）を幅広く覆うように、電極パッド２より大きい面積で形成されている。
【００３８】
その結果、金属突起電極３の表面は、保護膜４の開口部４ａから露出した電極パッド２の表面、保護膜４の表面の高さの差に依存した凹凸状をなしており、電極パッド２の周縁部に保護膜４の内端が載ることで形成される凸部８の外側と内側にそれぞれ平坦部９、平坦部１０を有している。凸部８の内側の平坦部１０よりも外側の平坦部９が高位置にあり、凸部８と平坦部９との境界部分は凸部８から外側下方へ傾斜する傾斜面１２となっている。
【００３９】
上記半導体装置の製造方法について、図４の工程図により説明する。
図４（ａ）に示すように、半導体素子形成済みの半導体基板４に電極パッド６を形成する。この電極パッド６は、アルミニウムや銅を主成分とする導電体が望ましい。
【００４０】
次に図４（ｂ）に示すように、絶縁層１１と保護膜４とを形成する。ここでは、絶縁層１１はＳｉ系のＳＯＧ材料にてスピンコート技術を利用して形成し、保護膜４はＳｉＮ材料にてＣＶＤ技術を利用して形成し、フォトリソグラフィーとドライエッチングなどの技術（図示せず）により、開口部１１ａ，４ａを持ったパターンを形成した。保護膜４はＳｉＮのほか、ＳｉやＧａ等を主成分とするものであればよく、形成方法も同様な方法が望ましい。密着力を向上させるために、半導体基板１と絶縁層１１との間に少なくとも一層の第２の絶縁層を形成してもよい。
【００４１】
次に図４（ｃ）に示すように、電極パッド２と保護膜４との全面にスパッタ技術などを利用して所望の厚みのバリアメタル層５を形成する。ここではＴｉＷ材料にて形成したが、Ｔｉ、Ｗ、Ｐｄ、Ｃｒ等を主成分とする材料でもよい。
【００４２】
次に図４（ｄ）に示すように、電極パッド２上に金属突起電極３を形成する。ここでは、所望の位置とサイズに金属突起電極３を形成するために、フォトリソグラフィーと電解メッキなどの技術（図示せず）を用いた。電解メッキの際には、バリアメタル層５をシード層としてメッキを成長させ、電極パッドカバー領域６よりも電極パッド外側領域７の幅が大きくなるようにパターニングした。そして最後に、金属突起電極３をマスクにしてその外側のバリアメタル層５をエッチングした。
【００４３】
具体的には、電極パッド２を６０μｍ×６０μｍサイズ、８００ｎｍ厚みにて形成し、絶縁層１１を厚み４００ｎｍ、保護膜４を厚み１０００ｎｍ、バリアメタル層５を厚み２００ｎｍにて形成した。電極パッドカバー領域６の幅Ｄ１は２μｍとし、電極パッド外側領域７の幅Ｄ２は１５μｍとした。この場合、金属突起電極３の内側平坦部１０の面積は約３１３６μｍ２、凸部８の面積は約４６４μｍ２、傾斜面１２を含む外側平坦部９の面積は約４５００μｍ２となる。
【００４４】
この構造の半導体装置について、金属突起電極３の表面側から１５０Ｎ／μｍ２の加重を加えて実装したところ、電極パッドカバー領域６の保護膜４にはクラックなどの不良は発生しなかった。実施の形態１の半導体装置と比較すると、凸部８と外側平坦部９との境界部分が傾斜面１２となっていることから、ＣＯＧ実装時等、加圧加熱実装する際の圧力による電極パッドカバー領域６の保護膜４への応力集中をさらに緩和することができ、保護膜クラックのない実装を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置の入出力パッド部分の構造を示す断面図
【図２】図１の半導体装置の製造方法を説明する工程図
【図３】本発明の実施の形態２における半導体装置の入出力パッド部分の構造を示す断面図
【図４】図３の半導体装置の製造方法を説明する工程図
【図５】従来の半導体装置の概略構成を示す平面図
【図６】従来の半導体装置の入出力パッド部分の構造を示す断面図
【符号の説明】
【００４６】
１      半導体基板
２      電極パッド
３      金属突起電極
４      保護膜
５      バリアメタル層
６      電極パッドカバー領域
７      電極パッド外側領域
８      凸部
９      外側平坦部
１０    内側平坦部
１１    絶縁層
１１ｂ  傾斜部
１２    能動素子
【図１】
2005175231.tif 000003
【図２】
2005175231.tif 000004
【図３】
2005175231.tif 000005
【図４】
2005175231.tif 000006
【図５】
2005175231.tif 000007
【図６】
2005175231.tif 000008