(57)【要約】【課題】  新規で有用なＨＤＤシステムを提供する。【解決手段】  ＨＤＤシステムは１又は複数のＭＥＭＳスピンドルモータと、１又は複数の磁気ヘッドとを備えている。各スピンドルモータは、回転子１０７、２１０と固定子２０７とを備えている。回転子１２７、２１０は磁性膜を有しており、ヘッド２１１は磁性膜とデータ通信が可能であるように構成されている。回転子１２７、２１０はＭＥＭＳ技術を用いて形成される。回転子要素部品６は基板４内に形成され、基板４は、回転子要素部品６を個片にするために切断して、回転子１２７、２１０を形成する。【選択図】図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハードディスク装置において、
固定子と少なくとも１つの磁性膜を有する回転子とを有する微小電気機械システム（Micro Electro Mechanical System：ＭＥＭＳ）のスピンドルモータと、
前記磁性膜との間でデータの授受を行うヘッドとを備えるハードディスク装置システム。
【請求項２】
前記回転子の直径は、１５ｍｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載のハードディスク装置システム。
【請求項３】
前記スピンドルモータ全体の高さは、２ｍｍ未満であることを特徴とする請求項１又は２に記載のハードディスク装置システム。
【請求項４】
対応するヘッドを備える回転子を複数備え、
前記複数の回転子が単一の固定子基板を共有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のハードディスク装置システム。
【請求項５】
当該ハードディス装置クシステムをレイド（Redundant Array of Independent Disks：ＲＡＩＤ）システムとして機能させる集積回路ドライバをさらに備える請求項４に記載のハードディスク装置システム。
【請求項６】
単一基板中に複数の回転子の要素部品が形成され、
前記基板が切り分けられて個別の前記回転子が形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のハードディスク装置システム。
【請求項７】
ハードディスク装置システムを製造する方法において、
（１）対応する固定子要素部品にそれぞれ接続された複数の回転子要素部品を含む基板と、少なくとも１つの磁性材料層とを形成し、
（２）少なくとも１つの磁性材料膜を有する固定子を、前記基板から前記固定子部品要素を切り分けることで形成し、
（３）前記固定子の各々に対応して、前記磁性材料とデータの通信を行うための磁気ヘッドを複数設けるハードディスク装置システムの製造方法。
【請求項８】
前記基板は、相互に貼り合わされた第１の基板と第２の基板から構成され、
前記第１の基板は、磁性材料を有し、
前記第２の基板は、前記複数の回転子要素部品を含んでいることを特徴とする請求項７に記載のハードディスク装置システムの製造方法。
【請求項９】
前記複数の固定子要素部品のうち２以上の固定子要素部品は、同一の固定子用基板の一部であることを特徴とする請求項７又は８に記載のハードディスク装置システムの製造方法。
【請求項１０】
前記ステップ（２）の後、前記固定子用基板は、複数の固定子要素部品をそれぞれ備える複数の要素部分に切り分けられることを特徴とする請求項９に記載のハードディスク装置システムの製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のハードディスク装置システムを備える携帯型電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク装置（ＨＤＤ）、ＨＤＤの製造方法、及びＨＤＤを備える携帯型電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近のコンピュータシステムの多くは、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ又はハードディスク装置と呼ぶ）を含むデータ格納装置を使用しており、その装置においては、ディスク表面と物理的に接触せずに移動する磁気ヘッドにより書き込み／読み出されるデータが、磁性材料を含む非可撓性ディスクに記録される。ハードディスク装置は、高い情報記憶能力を提供し、且つＨＤＤのデータ記憶容量は、ここ数年の幾つかの技術革新、例えば巨大磁気抵抗効果（Giant Magneto-Resistive：以下、ＧＭＲという）ヘッドや流体ベアリング型スピンドルモータ等の導入により増大されてきた。
【０００３】
ＧＭＲを利用したＨＤＤ及び流体軸受を使用したＨＤＤの従来技術については、特許文献１及び特許文献２にそれぞれ開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１５２２３９号
【特許文献２】特開２００３−２４４８８６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、現在のところ、ＨＤＤの利用は、より小型な民生用電子機器というよりは、むしろコンピュータシステムでの情報記憶の利用に限られている。最近、ＰＤＡや移動電話のような携帯型民生用製品の需要がますます増えており、小型のＨＤＤに対する必要性が高まってきているが、小型の部品の製造やそれらの組立は難しく、従来の精密加工や組立技術のような製造方法を使って小型のＨＤＤを製造することは困難である。例えば、ＨＤＤのスピンドルモータは、基本的には固定子と、磁気ディスクを支持する回転子とから構成される。固定子と回転子の両者は、数個の部品、例えばシャフト、磁石及びコイルで構成されている。
【０００６】
さらに、ＨＤＤには高い信頼性が要求されるので、ＨＤＤの機械的性能に対する要求は極めて過酷である。回転子及び固定子の加工における高い精度に加えて、磁気ディスクからのデータの読出に使用するヘッドを駆動するアクチュエータのようなその他の部品に対しても高精度な機械的制御が要求される。
【０００７】
本発明は、新規で有用なＨＤＤ装置システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、固定子及び少なくとも１つの磁性膜を有する回転子を有する微小電気機械システム（Micro Electro Mechanical System：ＭＥＭＳ）のスピンドルモータと、磁性膜との間でデータの授受を行うよう配置されたヘッドとを備えるＨＤＤ装置システムを提供する。
【０００９】
スピンドルモータは、ＭＥＭＳシステムであるため、ＭＥＭＳシステムを有するＨＤＤ装置システムは、従来のＨＤＤ装置システムよりも小型である。このような構成によれば、ＰＤＡや携帯電話等のような携帯型装置へ、本ＨＤＤ装置システムを適用することが極めて容易になる。
【００１０】
なお、回転子の直径は１５ｍｍ未満であり、スピンドルモータ全体の高さが２ｍｍ未満であることが望ましい。
【００１１】
回転子は、Ｓｉ基板のような基板内に回転子要素部品（rotor element）を形成して（例えば２００２年１２月１０日に提出されたシンガポール特許出願番号２００２０７４７９−７（本願の優先期日には未公開）に記載されたステップにより）、回転子要素部品の周囲に沿ってその基板を切断することにより、回転子要素部品を分離することで、個々の回転子が製造される。
【００１２】
回転子要素部品は、基板を切断する前に磁性膜を含んで形成されてもよく、又は該磁性膜を支持する他の基板に張り付けてその２枚の基板を一緒に切断することで個々の回転子を形成するようにしてもよい。
【００１３】
ＨＤＤの要素部品は、それ自体がＳｉ基板である単一の固定子要素部品に張り付けられた複数の回転子から構成されてもよい。
【００１４】
ＨＤＤ装置システムは、複数の回転子とそれらに対応するヘッドとがレイド（Redundant Array of Independent Disks：ＲＡＩＤ）システムとして機能するシステムとして動作することができる。
【００１５】
本発明の一実施形態によれば、新たに実用化されつつある他のＨＤＤ関連技術と共に使用した場合、３１ギガバイト／ｃｍ２（１インチ平方あたり２００ギガバイト）を超える記録密度を提供可能であることが分かった。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、新規で有用なハードディスク装置（ＨＤＤ）、ＨＤＤの製造方法、及びＨＤＤを備える携帯型電子装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１を参照して、本発明の一実施形態に係るＨＤＤ装置を製造するための、本発明の一実施形態に係る方法におけるステップを説明する。
【００１８】
本実施形態による方法は、２枚のＳｉ基板を使用する。これらＳｉ基板は、例えば図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すようなものであるが、これらは産業界で通常使用されるタイプのものである。第１のＳｉ基板２は磁気ディスクに加工されるものであり、第２のＳｉ基板４は微小電気機械システム（Micro Electro Mechanical System：以下、ＭＥＭＳという）の回転子に加工される。
【００１９】
第１のステップにおいて、基板２の上面は、周知のＨＤＤ装置の磁性層を形成するために使用される１又は複数の層で被覆される。これらの層は、少なくとも１つの磁性膜を含み、さらに任意の層、例えばカーボン被覆層等を含んでもよい。
【００２０】
次に、基板２の表面に成膜された材料をパターンニングする。これは、例えばフォトリソグラフィー技術やエッチングのような、ＭＥＭＳ装置形成用の周知のプロセスを使って行われる。その結果を図１（ｂ）に示す。図１（ｂ）には、ＨＤＤの部品となる磁性材料のパターン８が示されている。
【００２１】
図１（ｄ）に示すように、Ｓｉ基板４は、加工されて回転子要素部品６を形成するが、それらはまだ基板４の一部として貼り付けられたままである。これら回転子要素部品６は、次に分離され、それぞれ回転子を形成する。
【００２２】
次に、図１（ｅ）に示すように、基板２、４は、それぞれの表面同士をつき合わせて貼り合わされる。これはアノードボンデイング（anodic bonding）又は高分子接合（polymer bonding）等の周知の薄膜接合技術によって行うことができる。例えば、アノードボンデイングの場合は、材料コーニングパイレックス７７４０（商標）を、接着されるいずれか一方のＳｉ基板表面に成膜し、次に２つの基板をそれらの表面が相互に対向するように配置し、続いてこれらの基板間に電圧を印加することで行ってもよい。高分子接合の場合は、ＣＹＴＯＰ  ＣＴＬ−８０９Ｍ（商標）のような高分子膜を、接着されるいずれか一方側のＳｉ基板表面に成膜し、その２つの表面を対向配置し、次に周知の接着処理を行ってもよい。
【００２３】
続いて、基板２、４を縦線に沿って分割して個々のモータを形成する。これは基板２の上面にマスクを成膜し、次にドライエッチング処理により行われる。
【００２４】
回転子要素部品６の形成は多くの方法により実現可能である。１つの方法は２００２年１２月１０日に提出されたシンガポール特許出願２００２０７４７９−７（本出願の優先日には未公開）に記載された方法である。この方法を図２〜図９を参照して以下に説明する。実際に、この方法は、２つのＳｉ基板（即ち、図１に示す単一基板４の代わりに）を使用する。これらの基板をそれぞれ１３及び２３として示す。
【００２５】
図２に示す処理ステップは各基板に対し実行される。最初に、図２において、保護マスク材料の薄膜層１が、基板１３の表面にスピンコーティングにより形成される。多数の円形開口部５が従来のフォトリソグラフィー技術により薄膜層１内にアレー状に形成される。図３は、被覆された上記基板１３の平面図である。
【００２６】
被覆された基板１３、２３は、ドライプラズマエッチングにより処理される。この処理においては、エッチングガスが放出されてプラズマイオンが生成され、プラズマイオンは、高電圧により基板１３、２３の被覆表面に向けて加速され、急激な浸食作用を生じさせる。プラズマイオンは、基板１３、２３に向かって直進するので、図４に示すように、円筒状壁面を有する開口部１５が、基板２３の約半分の厚さまで貫通して形成される。
【００２７】
一方、基板１３では、プラズマエッチングにより、開口部１５に対しテーパーを有する縦断面が形成される。これはテーパー付き断面プロファイルを持つマスク層１（フォトレジストのような）を形成することで、その端部にスロープを持たせることができる。例えば、これは延長された熱硬化（extended heat curing）によって実現できる。この場合、層１の中の厚さが減少した部分でのマスク効果が弱められるため、その下の基板１３のエッチングの度合いはマスク層１の厚さに依存する。換言すれば、開口部１５は各部分におけるマスク層の厚みに関連してある程度浸食した状態で形成される。
【００２８】
上述した方法のそれぞれにおいて、開口部１５は、基板厚みの約半分まで延びるよう形成される。それに続いて、基板１３の裏側面（図４の底部面）にエッチング法を使用して円筒状開口部１７が形成される。このようにして、図４に示すスルーホール（貫通孔）が基板１３、２３内に形成される。次にマスク層１が除去される。
【００２９】
次に、被膜（図５中で１９と表示）が、図５に示す両方の基板１３、２３の開口部１５、１７の内面上に形成される。層１９は、摩擦係数が小さい材料、例えばダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）から形成される。後述するように、開口部１５、１７は、次に行われる固定子のシャフト用スリーブの形成に使われる。この場合、膜１９は、その低摩擦特性により潤滑効果を提供する。膜１９は、スパッタリング又は化学蒸着法のような成膜技術により形成できる。ここで要求される均一な膜厚は、複雑な制御技術によらずに達成できる。
【００３０】
層１９の成膜に続いて、以前に層１により被覆された図５の基板１３の表面に、導電性の薄膜２１が成膜される。薄膜（以下、層ともいう）２１は、ニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）合金でもよく、真空処理により基板１３上に蒸着される。
【００３１】
基板１３、２３は、図５に示すように、開口部１５を互いに向き合うように配置して組み合わせることによりチャンバ２４が定義される。シャフト２７は、基板１３と基板１７の間に配置される。シャフト２７は、軸１１と一致する軸線を中心に円対称である。シャフト２７は、両端の比較的細い部分２９と、それらの間にある比較的太い部分３１とからなる。その太い部分３１は、基板１３、２３の間に形成されたチャンバ２４内に位置する。シャフト２７は、スチール又はチタン等の硬い棒材から従来の研削処理により加工してもよく、次に望ましくは、表面の平滑性を得るために研磨される。或いは、基板１３、２３の接触面と接触するシャフト２７の接触面の摩擦を減ずるために、シャフト２７の外部表面全体に低摩擦係数のＤＬＣ膜を被覆してもよい。このＤＬＣ層（図５では示されていない）は、従来の蒸着技術を使って形成できる。
【００３２】
開口部１５の正確な心合わせのため、望ましくは適切なアラインメントマーカを使った顕微鏡位置合わせ法が使用される。次に、基板１３、２３は加熱され、それらの境界面で融合させる。或いは、薄いパイレックスガラス接着層２５を基板１３の層２１上に塗布し、融合を電気的に促進させてもよい。好ましい接着技術の詳細は、例えば「半導体のウェーハボンディング：科学技術（Semiconductor wafer bonding: science and technology: science and technology）」、キュー・ワイ・トング（Q.-Y. Tong）、ユー・ゴーセル（U. Gosele）、ジョン・ワィリ（John Wiley）著、１９９９年のような半導体加工技術に関連する幾つかの出版物から入手できる。そこで記述されているように、一般的に導体プローブを使って基板１３、２３間に低電圧を印加することにより、基板２３と接着層２５との間の界面に分子吸着が生じせしめ、それらを接着する。このような接着プロセスは多様な材料の基板に適用できる。また、プロセスの使用や条件に応じて金又は高分子層のような他の接着層２５を使用してもよい。なお、高品質無塵化表面接触を提供し、接着の一貫性（adhesion consistency）を維持するためには、基板１３、２３の接触表面を接着前に完全に清浄化又は研磨しなければならない。
【００３３】
電気的な絶縁層であるＤＬＣ層１９により、基板１３、２３の相互接着プロセスでは、シャフト２７が基板１３、２３のいずれか側に張り付くことはない。その表面のどちらにも接着層が形成されていないからである。したがって、接着処理中に基板１３、２３からシャフト２７を分離させるステップを追加する必要はない。接着は、基板１３、２３間の境界面だけで生ずるのでシャフト２７は常に回転自在である。
【００３４】
基板１３、２３が一旦貼り合わされると、シャフト２７の太い部分３１は、基板１３、２３間に形成されたチャンバ２４の内部に恒久的に閉じ込められる。図５は、接合された基板１３、２３の一部だけを示しているが、接合された基板１３、２３は、複数のチャンバ２４を有し、各チャンバ２４内にはそれぞれシャフト２７が存在する。
【００３５】
次の処理ステップにおいて、図６に示すように、プラズマエッチングを行って基板２３の全厚みを貫通する（即ち、基板１３、２３を組み合わせた全体厚さの約半分の厚さ）円形のキャビティ３３を形成する。これにより、Ｎｉ−Ｆｅのシード層２１が、これらキャビティ３３内に露呈する。キャビティ３３は、リソグラフィーにより形成されるフォトレジストマスクを使ったエッチング処理により形成される。これは、キャビティ３３が直線状の壁面を有する溝を有することを意味する。エッチング処理に使われる粒子の速度を適切に制御することにより、エッチングプロファイルを正確に達成することができる。キャビティ３３は、円形縦断面（組立図の側面から見た場合、図６の一番下側）を持ち、１シャフト当たり１つの該シャフトを包囲するキャビティがある。図６は、キャビティ３３の対向する２つの側面を示す。
【００３６】
誘起される電磁力を増すために、例えばニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）のような高磁化飽和特性を持つ材料の薄膜層３５が、適切な電気めっき法を用いてキャビティ３３の最深部表面に成膜される。この方法では、層２１を電極として使用して電圧を印加し、構成要素を含む混合溶液から金属鉄を引き出させる。図７に示した金属層３５は、鎖交磁束を改善するヨークとして機能する。次に、金属層３５は、キャビティ３３を充填する磁性材料３７で覆われる。適切な材料３７は、高磁場を発生し、高い反磁場抵抗を持つコバルト基合金（Ｃｏ−Ｐ−Ｘ）からなる。金属層３５を生成する１つの適切な方法は、電気めっき法であり、これは金属層３５の厚さを均一かつ正確に制御することができる。一旦この成膜が完了すると、導電性シード層２１を使って金属鉄を吸着、堆積させてキャビティ３３を充填し、ヨークとなる金属層３５を被覆する。或いは、キャビティ３３を充填するより速い方法は、スクリーン印刷法を使ってクリーム状の磁性ペーストをキャビティ３３内に注入することである。そして、磁性層３５、３７は、外部コイルを用いて磁化される。
【００３７】
次に、シャフト２７は、後に固定子４３に分割される基板３９に取り付けられ、各固定子４３は、それぞれのシャフト２７の軸１１を取り囲む。基板３９の断面構造を図８に示す。基板３９は、主として均一な薄さのＳｉ基板であるが、各シャフト２７に対する円状の凸部分４５を含む。各凸部分４５は、従来のめっき法によりＳｉ基板の表面に薄膜層として形成された銅巻き線４１で取り囲まれる。銅巻き線４１は、ブラシレスモータの駆動力を誘起する電気導体を提供する。凸部分４５は、それぞれのシャフト２７に取り付けられる。このために、凸部分４５に対応するシャフト２７の接触表面には、接着を容易にするために真空蒸着法により、パイレックス（商標）のような薄膜接着層を成膜する。同様に、それぞれのシャフト２７の細い端部２９を、それぞれの凸部分４５のエッチングされたそれぞれの円盤状の窪みに挿入した後、上述した電気接着法を再度使用する。この位置において、凸部分４５の半径方向に最も外側の部分は、基板２３の一部と接触する。
【００３８】
この時点で、回転子要素６は完成する。基板１３、２３を組み合わせたものが、図１の基板４を構成する。そして、この基板４は、ウェーハボンディングにより基板２に貼り合わされ、図９に示す構造が得られる。このようにして、基板２、１３、２３が全て貼り合わされて単一の複合基板が得られる。
【００３９】
次に、図９に示す構造は、縦線７２に沿って切断され、回転子要素６がそれぞれの回転子４４に転換され、その回転子４４のそれぞれは、その対応するシャフト２７を中心に回転可能となる。これを図１０に示す。
【００４０】
さらに、上記シンガポール特許出願２００２０７９４７−７は、固定子４３の凸部分４５がそれぞれのシャフト２７に取り付けられる前に、チャンバ２４を囲む回転子４４の下側面内にドライエッチングで円形パターンのＶ字型溝を形成することを提案している。回転子４４が回転すると、これらの溝により、固定子４３の凸部分４５付近の回転子４４の下側表面上で正の空気圧が発生する。この空気圧は、回転子４４を固定子４３から浮上させ、固定子４３の凸部分４５と回転子４４の間の摩擦接触を防止する。
【００４１】
また付加的に、シャフト２７と回転子４４の間に空気流が発生する。シャフト２７の円錐面上の空気圧は、回転子部分１１３の接触面９を上方に押し上げる。この空気圧は、回転子４４を押し上げ、これにより、回転子４４が固定子４３の表面から「浮上」する助けとなる。
【００４２】
次に、本発明の第２の実施形態のハードディスク製造方法のステップを図１１に示す。このハードディスク製造方法は、データの記録に適した磁性膜１０２を支持する基板１０１を用いる。基板１０１は、第２のＳｉ基板１０３と一緒に使用される。図１１（ａ）に示すように、２つのＳｉ基板１０１、１０３は、それぞれキャビティ１０５、１０７の集合を含むようにそれぞれ深さ反応性イオンエッチング（Reactive ion etching：ＲＩＥ）プロセスにより形成される。続いて、ＤＬＣ層１０９、１１１が基板１１１、１０３上に蒸着により形成される。
【００４３】
次に、図１１（ｂ）に示すように、基板１０１、１０３がウェーハボンディングにより貼り合わされることにより、キャビティ１０５、１０７の組合せがそれぞれシャフト１１５を閉じ込めるチャンバ１１３を形成し、さらに、キャビティ１１７がプラズマエッチングにより基板１０３内に形成される。キャビティ１１７はシャフト１１５を取り囲む。図１１（ｃ）に示すように、円形の磁石１１９が電気めっきにより形成され、キャビティ１１７を充填する。
【００４４】
図１１（ｄ）は固定子基板１２１を示し、この固定子基板１２１には、上記基板３９と同様に凸部分１２５を取り囲む薄膜コイル１２３が形成されている。
【００４５】
図１１（ｅ）に示すように、固定子基板１２１の凸部分１２３はそれぞれシャフト１１５に接合される。
【００４６】
この時点で、基板１０１、１０３は、図１１（ｅ）の縦線に沿って切断され、それぞれのシャフト１１５を持つ個々の回転子１２７に分離される。回転子１２７は、シャフト１１５の軸方向から見て円形であり、その様子を図１２に示す。回転子１２７は、それぞれ磁性材料の層１０２をその上面側（即ち固定子基板１２１から遠い側）で支持する。これは、基板１０１の最上面に存在するからである。このように、第１の実施形態の基板２に対応する基板は必要ない。
【００４７】
本発明の第１及び第２の実施形態において、Ｓｉ基板が選択された理由は、その表面が極めて円滑にできることであり、上述した実施形態の後のステップにおいて、Ｓｉ表面に蒸着される磁性膜から高性能の膜を形成できるようにするためには円滑性が必要とされるからである。さらに、エッチングやウェーハボンディングのようなＳｉに対するＭＥＭＳプロセスが近年開発され、十分確立されている。したがって、Ｓｉは、ＭＥＭＳプロセスへの適合性及び記録媒体を支持する基板としての好適性の２つの見地から、本実施形態での使用に適している。しかしながら、本発明は、Ｓｉ基板に限定されるものではない。例えば、その代替品としてＳｉＯ２基板を用いてもよい。
【００４８】
次に、図１３において、上述の第１及び第２の実施形態により製造された回転子の使用方法が示される。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、図１及び図１０において示したプロセスの最終ステップの概要を示す。
【００４９】
図１３（ａ）に示すように、２０１として示される回転子要素は、最初は基板２０３内にある。この場面は、図９に示す第１の実施形態のステップと図１１（ｃ）に示す第２の実施形態のステップに相当する。次に、回転子要素２０１のシャフトは、図１３（ｂ）において２０５として示される固定子基板にウェーハボンディングされる。固定子基板２０５は、幾つかの固定子要素（各自それぞれのコイルからなる）を有し、さらに、各固定子用の２０９として示す付加回路を含む。この回路は、電極や配線を含んでもよい。次に、図１３（ｃ）に示すように、基板２０３を切断して回転子要素２０１を単独に切り離し、固定子基板２０５上に個々の回転子２１０を形成する。
【００５０】
図１３（ｃ）及び図１３（ｄ）は、基板２０３が個々の要素に分割できる２つの異なる様子を示す。図１３（ｃ）に示す分割では、各要素内に１つだけの回転子と固定子の組合せ（即ち単独のスピンドルモータ）が存在する。図１３（ｄ）に示す分割では、各要素内に４個の回転子と固定子の組合せ（即ち、４個のスピンドルモータ）が存在する。各スピンドルモータ内における回転子の直径は、好ましくは１５ｍｍ未満であり、スピンドルモータの全体高さは、好ましくは２ｍｍ未満である。
【００５１】
図１４は、ヘッドアクチュエータ加工のステップを示しており、これは、ＨＤＤ産業界で既に用いられている技法に基づくが、極めて小型化された寸法の要素を形成できるよう、即ち上記の縮小寸法のスピンドルモータに合致するよう適合化されている。さらに、上記寸法の縮小化により、そのスライダの摩擦・摩耗特性とサーボ制御が改善されている。
【００５２】
先ず、図１４（ａ）に示すように、磁気ヘッド２１１が基板２１３上に形成される。次に、図１４（ｂ）に示すように、基板２１３は、磁気ヘッド２１１の列を持つ棒２１５を形成するよう裁断される。次に、図１４（ｃ）に示すように、これらの棒２１５をさらに裁断して個々のヘッド要素２１７を形成する。ヘッド要素２１７は、所謂「ピコサイズ」（１ｍｍ、１．２５ｍｍ、０．３ｍｍ角寸法）の実質的な立方体である。それは単一の磁気ヘッド２１１を含む。
【００５３】
別のプロセスにより、図１４（ｄ）に示すようなヘッドアセンブリが製造される。ヘッドアセンブリは、磁石２１９と、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２２１と、サスペンション２２３とからなる。
【００５４】
図１４（ｅ）に示すように、ヘッド素子２１７は、ヘッドサスペンションアセンブリの１つに取り付けられる。
【００５５】
次に、図１５において、上述のようにして製造された構成要素を使用するＨＤＤの構造を示す。ＨＤＤの電子部品は、図１５（ａ）に示された組合せ、即ち図１４（ｅ）に示した類のヘッドサスペンションアセンブリ３０１と、ドライバ集積回路３０３との組合せにより提供される。
【００５６】
図１５（ｂ）は、１つのＨＤＤシステムが図１５（ａ）の要素と図１３（ｃ）に示す単独のスピンドルモータ要素とをどのように組み合わせて製造できるかを示す。
【００５７】
図１５（ｃ）は、ＨＤＤアレーを持つ１つのＨＤＤシステムが図１５（ａ）の要素と図１３（ｄ）に示す４個のスピンドルモータとをどのように組み合わせて製造できるかを示す。
【００５８】
いずれの場合も、そのＨＤＤシステムは、ケース３０５に収められて完成品のＨＤＤ装置として提供することができる。さらに、ＨＤＤ装置は、該ＨＤＤ装置と外部マイクロプロセッサ間のインタフェースとして動作する他の集積回路を含んでもよい。この回路を介して、ＨＤＤ装置は、その回転子の磁性材料に記録する情報を受け取り、又はその回転子の磁性材料から検索した情報を出力する。さらに、適切なソフトウエアをＨＤＤ装置の集積回路に実装することにより、所謂レイド（redundant array of independent disks：ＲＡＩＤ）システムとして動作でき、さらに高い信頼性を持つＨＤＤシステムを提供することができる。このようなソフトウエアの実装は、当業者には自明である。
【００５９】
以上、上述の実施形態の方法だけを詳細に記載したが、当業者には自明であるように本発明の範囲内で多くの実施形態が可能である。例えば、多数のスピンドルモータを有する実施形態は、明らかに図１４（ｃ）に示すような４個の構成要素を有するものに限定されず、その構成要素の個数は任意である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】図１（ａ）〜図１（ｅ）は、本発明の一実施形態における使用に好適な回転子加工の第１の方法の処理ステップを示す説明図である。
【図２】図１の処理で使用された回転子要素形成法の第１のステップで形成された被覆基板の断面図である。
【図３】図２に示す被覆基板の平面図である。
【図４】図２の基板から製造できる基板の断面を示す断面図である。
【図５】図２の２枚の基板の組立構成図を示す。
【図６】空隙を生成した後の図５の組立構成図を示す。
【図７】磁性材料を追加した図６の組立図を示す。
【図８】固定子が接続された後の図７の組立構成図を示す。
【図９】図１の基板を接合することにより形成された基板の切断操作を示す説明図である。
【図１０】図９の切断操作から得られるスピンドルモータを示す説明図である。
【図１１】図１１（ａ）〜図１１（ｅ）は、本発明の実施形態における使用に好適な回転子加工の第２の方法の処理ステップを示す説明図である。
【図１２】本発明の実施形態における使用に好適な回転子加工の第２の方法の処理ステップを示す説明図である。
【図１３】図１３（ａ）〜図１３（ｄ）は、本発明の第１又は第２の実施形態による回転子製造方法により製造された固定子と、回転子とを使った回転子―固定子アセンブリ加工を示す説明図である。
【図１４】図１４（ａ）〜図１４（ｅ）は、本発明の実施形態における使用に好適なヘッドアクチュエータの加工を示す説明図である。
【図１５】図１５（ａ）〜図１５（ｄ）は、図１３（ｃ）及び図１３（ｄ）で示すように製造された回転子・固定子アセンブリと、図１４に示すように製造されたヘッドアクチュエータとの組立図を示すもので、本発明の一実施形態によるハードディスク装置を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６１】
２、４  基板
６  回転子構成部品
１２７、２１０  回転子
２０７  固定子
２１１  磁気ヘッド
【図１】
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【図２】
2005063645.tif 000004
【図３】
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【図４】
2005063645.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2005063645.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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