(57)【要約】【課題】  光導波路の製造において希土類元素が添加されたコアの表面の荒れを低減する。【解決手段】  基板１２上に設けられたレジストパターン３０をマスクに用いて基板１２がエッチングされ、基板１２の表面上に溝１３が形成される。希土類元素が添加されたコア材料１５が、レジストパターン３０および溝１３の表面上に堆積される。これにより溝１３がそのコア材料で充填され、コア１４が形成される。レジストパターン３０は、レジストパターン３０上に堆積したコア材料１５とともに基板１２から除去される。希土類元素が添加されたコア材料をエッチングすることなくコア１４が形成される。このため、コア１４の表面の荒れを低減できる。【選択図】  図１
2005165226.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
希土類元素が添加されたコアを有する光導波路の製造方法であって、
下地層の上にレジストパターンを設ける工程と、
前記レジストパターンをマスクに用いて前記下地層をエッチングし、前記下地層の表面に溝を形成する工程と、
前記希土類元素が添加されたコア材料を前記レジストパターンおよび前記溝の表面上に堆積し、前記溝をそのコア材料で充填して前記コアを形成する工程と、
前記レジストパターンを前記レジストパターン上に堆積した前記コア材料とともに前記下地層から除去する工程と
を備える光導波路の製造方法。
【請求項２】
希土類元素が添加された内側コアと、その内側コアの側面を取り囲み希土類元素を含まない外側コアとを有する光導波路の製造方法であって、
下地層の上に第１のレジストパターンを設ける工程と、
前記第１レジストパターンをマスクに用いて前記下地層をエッチングし、前記下地層の表面に溝を形成する工程と、
前記第１レジストパターンを除去する工程と、
前記溝を露出させながら前記下地層の表面を覆う第２のレジストパターンを前記下地層の上に設ける工程と、
前記第２レジストパターンをマスクに用いて、前記希土類元素が添加されたコア材料を前記溝の表面上に堆積し、前記溝をそのコア材料で充填して前記内側コアを形成する工程と、
前記第２レジストパターンを前記第２レジストパターン上に堆積した前記コア材料とともに前記下地層から除去する工程と、
前記下地層および前記内側コアを覆うカバー層を設ける工程と、
前記下地層および前記カバー層をエッチングして前記外側コアを形成する工程と
を備える光導波路の製造方法。
【請求項３】
前記第１レジストパターンを除去する工程は、酸を用いて前記下地層を洗浄することにより前記第１レジストパターンを除去し、
前記第２レジストパターンを除去する工程は、有機物の溶液を用いて前記下地層を洗浄することにより前記第２レジストパターンを除去する、
請求項２に記載の光導波路製造方法。
【請求項４】
希土類元素が添加された内側コアと、その内側コアの側面を取り囲み希土類元素を含まない外側コアとを有する光導波路の製造方法であって、
下地層の上にレジストパターンを設ける工程と、
前記レジストパターンをマスクに用いて前記下地層をエッチングし、前記下地層の表面に溝を形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクに用いて、前記希土類元素が添加されたコア材料を前記溝の表面上に堆積し、前記溝をそのコア材料で充填して前記内側コアを形成する工程と、
前記レジストパターンを前記レジストパターン上に堆積した前記コア材料とともに前記下地層から除去する工程と、
前記下地層および前記内側コアを覆うカバー層を設ける工程と、
前記下地層および前記カバー層をエッチングして前記外側コアを形成する工程と
を備える光導波路の製造方法。
【請求項５】
前記レジストパターンを前記下地層から除去する工程は、酸または有機物の溶液を用いて前記下地層を洗浄することにより前記レジストパターンを除去する、請求項１または４に記載の光導波路製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、希土類元素が添加されたコアを有する光導波路の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｅｒなどの希土類元素が添加された層をコアに含む光導波路の製造方法が下記の特許文献１に開示されている。特許文献１の第１２図に示される方法では、希土類元素添加層を直接ＣＦ系ガスに曝露してドライエッチングを行う。この際、蒸気圧の低い反応生成物が希土類元素添加層に付着して希土類元素添加層の表面が荒れてしまう。このような荒れによる導波特性の劣化を抑えるために、特許文献１の第９図に示される方法は、ドライエッチングによって希土類元素添加層を矩形状に加工した後、希土類を含まないカバー用コア層で希土類元素添加層を覆う。そして、そのカバー用コア層をドライエッチングすることによりコアを形成する。これによりコアの表面が滑らかになり良好な特性が得られると特許文献１は記載する。
【特許文献１】特許第２７５５４７１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、上記の方法では、希土類元素添加層とカバー用コア層との界面が荒れ、この荒れが光導波路の損失特性を劣化させる。本発明者が上記の方法を実施したところ、希土類元素添加層のエッチング後に、希土類元素添加層の表面だけでなく、エッチングにより露出した下地（すなわち基板）の表面にも荒れが発見された。この荒れの影響のため、希土類元素添加層を覆うカバー用コア層やカバー用コア層を覆うオーバークラッド層の表面も荒れてしまった。さらに、カバー用コア層またはオーバークラッド層を堆積した後の熱処理において、荒れを起点に結晶が発生することもあった。これらの現象は、いずれも光導波路の損失特性を劣化させる。特に希土類元素添加層とカバー用コア層との屈折率差が大きい場合には、光導波路の導波損失が高くなる。導波損失を抑えるためには希土類元素添加層とカバー用コア層との屈折率差を小さくする必要があり、そのため、添加する希土類元素の選択の幅が狭い。
【０００４】
また、上記の方法では、希土類元素添加層のエッチング時間が長くなりがちである。希土類元素添加層のエッチング速度はきわめて遅いため、基板上に堆積された希土類元素添加層の膜厚のばらつきを考慮すると、かなり長時間にわたって希土類元素添加層をエッチングしなければならなかった。
【０００５】
さらに、上記の方法では、希土類元素を低い濃度でしかコアに添加できない。希土類元素の濃度が高いと、エッチングによって生じる希土類元素添加層の表面の荒れがひどくなる。また、希土類元素の濃度が高いとエッチング時間が長くなり、そのため、希土類元素添加層の厚さのばらつきが微小であっても適正なエッチング時間を選定することが難しい。
【０００６】
本発明は、光導波路の製造において、希土類元素が添加されたコアの表面の荒れを低減することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの側面は、希土類元素が添加されたコアを有する光導波路を製造する方法に関する。この方法は、下地層の上にレジストパターンを設ける工程と、そのレジストパターンをマスクに用いて下地層をエッチングし、下地層の表面に溝を形成する工程と、希土類元素が添加されたコア材料をレジストパターンおよび溝の表面上に堆積し、溝をそのコア材料で充填してコアを形成する工程と、レジストパターンをそのレジストパターン上に堆積したコア材料とともに下地層から除去する工程とを備えている。レジストパターンを下地層から除去する工程は、酸または有機物の溶液を用いて下地層を洗浄することによりレジストパターンを除去してもよい。
【０００８】
この方法は、希土類元素が添加されたコア材料をエッチングすることなくコアを形成する。これにより、コアの表面の荒れが低減される。下地層のエッチングの際に溝の表面に荒れが生じると、溝へのコア材料の充填によって形成されるコアの表面にも荒れが生じる。しかし、下地層に希土類元素が添加されていなければ、下地層のエッチングの際に溝の表面の荒れを抑えることは容易である。したがって、この方法は導波特性の優れた光導波路を製造することができる。また、コアの表面の荒れを低減するために、コアとその外側の層との屈折率差が小さくなるようにコア材料に添加する希土類元素を選択する必要がない。そのため、コア材料に添加する希土類元素の選択の幅が広がる。さらに、エッチング速度の極めて低い希土類元素添加コア材料をエッチングしないで済むため、比較的短い時間で光導波路を製造できる。
【０００９】
本発明の別の側面は、希土類元素が添加された内側コアと、その内側コアの側面を取り囲み希土類元素を含まない外側コアとを有する光導波路の製造方法に関する。この方法は、下地層の上に第１のレジストパターンを設ける工程と、第１レジストパターンをマスクに用いて下地層をエッチングし、下地層の表面に溝を形成する工程と、第１レジストパターンを除去する工程と、溝を露出させながら下地層の表面を覆う第２のレジストパターンを下地層の上に設ける工程と、第２レジストパターンをマスクに用いて、希土類元素が添加されたコア材料を溝の表面上に堆積し、溝をそのコア材料で充填して内側コアを形成する工程と、第２レジストパターンを第２レジストパターン上に堆積したコア材料とともに下地層から除去する工程と、下地層および内側コアを覆うカバー層を設ける工程と、下地層およびカバー層をエッチングして外側コアを形成する工程とを備えている。
【００１０】
この方法は、希土類元素が添加されたコア材料をエッチングすることなく内側コアを形成する。これにより、希土類元素が添加された内側コアの表面の荒れが低減される。溝を形成する際に溝の表面に荒れが生じると、溝へのコア材料の充填によって形成される内側コアの表面にも荒れが生じる。しかし、下地層に希土類元素が添加されていなければ、下地層のエッチングの際に溝の表面の荒れを抑えることは容易である。したがって、この方法は導波特性の優れた光導波路を製造することができる。また、内側コアの表面の荒れを低減するために、内側コアと外側コアとの屈折率差が小さくなるように内側コアに添加する希土類元素を選択する必要がない。そのため、内側コアに添加する希土類元素の選択の幅が広がる。さらに、エッチング速度の極めて低い希土類元素添加コア材料をエッチングしないで済むため、比較的短い時間で光導波路を製造できる。
【００１１】
酸を用いて下地層を洗浄することにより第１レジストパターンを除去し、有機物の溶液を用いて下地層を洗浄することにより第２レジストパターンを除去してもよい。内側コアの形成前に酸が使用され、内側コアの形成後は有機物溶液が使用されるので、内側コアへの酸によるダメージが防止される。
【００１２】
本発明のさらに別の側面は、希土類元素が添加された内側コアと、その内側コアの側面を取り囲み希土類元素を含まない外側コアとを有する光導波路の製造方法に関する。この方法は、下地層の上にレジストパターンを設ける工程と、そのレジストパターンをマスクに用いて下地層をエッチングし、下地層の表面に溝を形成する工程と、そのレジストパターンをマスクに用いて、希土類元素が添加されたコア材料を溝の表面上に堆積し、溝をそのコア材料で充填して内側コアを形成する工程と、レジストパターンをレジストパターン上に堆積したコア材料とともに下地層から除去する工程と、下地層および内側コアを覆うカバー層を設ける工程と、下地層およびカバー層をエッチングして外側コアを形成する工程とを備えている。レジストパターンを下地層から除去する工程は、酸または有機物の溶液を用いて下地層を洗浄することによりレジストパターンを除去してもよい。
【００１３】
この方法も、希土類元素が添加されたコア材料をエッチングすることなく内側コアを形成する。したがって、上述の方法と同様に、この方法も導波特性の優れた光導波路を製造することができる。内側コアに添加する希土類元素の選択の幅も広がり、また、比較的短い時間で光導波路を製造できる。さらに、溝を形成するためのエッチング工程と溝にコア材料を充填する堆積工程とで一つのレジストパターンを共用するので、効率良く光導波路を製造できる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の方法は、希土類元素が添加されたコア材料をエッチングする必要がないので、コアの表面の荒れを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１６】
（第１実施形態）図１は、本実施形態で製造する光導波路の構造を示す断面図である。この光導波路１０は、図１の紙面に垂直な方向に沿って延びる基板１２、コア１４およびオーバークラッド１６を有している。基板１２は、実質的に純粋なＳｉＯ２ガラスから構成されている。基板１２はコア１４に対するアンダークラッドとして機能する。コア１４は、ほぼ一様な横断面を有する柱状体であり、基板１２の表層に埋設されている。この横断面は２．４μｍ×２．４μｍの寸法を有する矩形状である。コア１４は、希土類元素であるＥｒが添加されたＳｉＯ２ガラスから構成されている。コア１４の上面は、基板１２から突出しないように基板１２の上面とほぼ同一平面を成している。オーバークラッド１６は、基板１２およびコア１４の上面を覆うＳｉＯ２ガラス層である。オーバークラッド１８は、基板１２と同様に、実質的に純粋なＳｉＯ２ガラスから構成されている。コア１４は基板１２およびオーバークラッド１６よりも高い屈折率を有している。波長１．５５μｍにおけるコア１４の純粋ＳｉＯ２ガラスとの比屈折率差Δｎは３．４％である。
【００１７】
以下では、図２および図３を参照しながら、光導波路１０の製造方法を説明する。まず、コア１４の下地層である基板１２の上面にレジストを塗布し、そのレジストを一般的なフォトリソグラフィ工程を用いてパターニングする。これにより、図２（ａ）に示されるように、開口３１を有するレジストパターン３０が形成される。ここで、フォトリソグラフィ工程後におけるレジストのベーク温度（ポストベーク温度）は比較的高い（例えば２００℃）。これにより、後述の反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching：ＲＩＥ）に対する耐性の高いレジストパターンが得られる。開口３１はレジストパターン３０を貫通して基板１２の上面まで延びている。開口３１はコア１４とほぼ同じ平面形状を有している。
【００１８】
次に、図２（ｂ）に示されるように、レジストパターン３０をマスクに用いて基板１２に反応性イオンエッチングを施す。Ｃ２Ｆ６ガスがエッチングガスとして使用される。このエッチングは、開口３１から露出する基板１２の部分を基板１２の上面からほぼ垂直に２．４μｍの深さにわたって除去する。これにより、コア１４とほぼ同じ平面形状を有する溝１３が基板１２の上面に形成される。
【００１９】
図２（ｃ）に示されるように、レジストパターン３０および溝１３の表面上には、スパッタリングによってＥｒ添加ＳｉＯ２層１５が堆積される。Ｅｒ添加ＳｉＯ２層１５の厚さは２．４μｍである。このように、レジストパターン３０をマスクに使用してＥｒ添加ＳｉＯ２を溝３３の表面上に堆積することにより、Ｅｒ添加ＳｉＯ２によって溝１３が充填され、コア１４が形成される。なお、Ｅｒ添加層１５の堆積方法は、基板１２の温度がレジストの耐熱温度以上に上昇しない成膜条件下であれば、蒸着でもＣＶＤであってもよい。
【００２０】
この後、図３（ｄ）に示されるように、剥離剤を用いてレジストパターン３０を基板１２から剥離する。剥離剤としては、硫酸と過酸化水素の混合液を使用する。レジストパターン３０とともに、レジストパターン３０上のＥｒ添加ＳｉＯ２層１５も除去される。これにより、基板１２の上面が露出する。
【００２１】
次に、図３（ｅ）に示されるように、コア１４を覆うように基板１２の上面にプラズマＣＶＤによってＳｉＯ２を堆積し、オーバークラッド１６を形成する。これにより光導波路１０が得られる。
【００２２】
以下では、本実施形態の利点を説明する。本実施形態の方法は、Ｅｒが添加されたＳｉＯ２をエッチングすることなくコア１４のパターンを形成する。これにより、Ｅｒが添加されたコア１４の表面の荒れが低減される。これに応じて、本実施形態の方法により製造される光導波路１０の導波特性が改善される。コア１４と基板１２との界面の状態は、エッチングによって基板１２に形成される溝１３の表面の荒れに依存する。基板１２はＥｒなどの希土類元素を含まないＳｉＯ２から構成されているので、実績のあるエッチング条件を採用することで比較的容易に溝１３の荒れを抑えることができる。また、希土類元素を含むＳｉＯ２をエッチングしないので、エッチング時間を短縮できるとともに、コア１４に添加できる元素の選択の幅が広がる。
【００２３】
（第２実施形態）図４は、本実施形態で製造する光導波路の構造を示す断面図である。この光導波路２０は、図４の紙面に垂直な方向に沿って延びる基板２２、コア２４およびオーバークラッド２８を有している。基板２２は、実質的に純粋なＳｉＯ２ガラスから構成されている。基板２２はコア２４に対するアンダークラッドとして機能する。コア２４は、ほぼ一様な横断面を有する柱状体であり、基板１２の上面に配置されている。この横断面は２．４μｍ×２．４μｍの寸法を有する矩形状である。コア２４は、コア２４の中心部に配置された内側コア２５と、内側コア２５の側面を内側コア２５と同軸に包囲する外側コア２６から構成されている。内側コア２５は、希土類元素であるＥｒが添加されたＳｉＯ２ガラスから構成されている。内側コア２５は、ほぼ一様な横断面を有する柱状体であり、その横断面は０．８μｍ×０．８μｍの寸法を有する矩形状である。外側コア２６は、Ｇｅが添加されたＳｉＯ２ガラスから構成されている。本実施形態では、外側コア２６は内側コア２５よりも低い屈折率を有している。ただし、外側コア２６が内側コア２５より高い屈折率を有していても、外側コア２６より屈折率の低いクラッドによって外側コア２６が覆われていれば、コア２４中を光が導波しうる。オーバークラッド２８は、基板２２およびコア２４を覆うＳｉＯ２ガラス層である。オーバークラッド２８は、基板２２と同様に、実質的に純粋なＳｉＯ２ガラスから構成されている。内側コア２５および外側コア２６は、基板２２およびオーバークラッド２８よりも高い屈折率を有している。波長１．５５μｍにおける内側コア２５のＳｉＯ２ガラスとの比屈折率差Δｎは３．５％であり、波長１．５５μｍにおける外側コア２６のＳｉＯ２ガラスとの比屈折率差Δｎは１．５％である。したがって、波長１．５５μｍにおける内側コア２５の外側コア２６との比屈折率差は２％である。
【００２４】
以下では、図５〜図７を参照しながら、光導波路２０の製造方法を説明する。まず、図５（ａ）に示されるように、コア２４の下地層である基板２２の上面に、Ｇｅが添加されたＳｉＯ２層３２を堆積する。Ｇｅ添加ＳｉＯ２層３２は外側コア２６の基礎である。Ｇｅ添加ＳｉＯ２層３２は、プラズマＣＶＤによってほぼ均一な厚さ（本実施形態では１．６μｍ）に形成される。
【００２５】
次に、Ｇｅ添加ＳｉＯ２層３２の上面にレジストを塗布し、そのレジストを一般的なフォトリソグラフィ工程を用いてパターニングする。これにより、図５（ｂ）に示されるように、開口３５を有するレジストパターン３４が形成される。ここで、フォトリソグラフィ工程後におけるレジストのベーク温度は比較的高い（例えば２００℃）。これにより、後述の反応性イオンエッチングに対する耐性の高いレジストパターンが得られる。開口３５はレジストパターン３４を貫通してＧｅ添加ＳｉＯ２層３２の上面まで延びている。開口３５は内側コア２５とほぼ同じ平面形状を有している。
【００２６】
次に、図５（ｃ）に示されるように、レジストパターン３４をマスクに用いてＧｅ添加ＳｉＯ２層３２に反応性イオンエッチングを施し、その後、レジストパターン３４を除去する。Ｃ２Ｆ６ガスがエッチングガスとして使用される。このエッチングは、開口３５から露出するＧｅ添加ＳｉＯ２層３２の部分をＧｅ添加ＳｉＯ２層３２の上面からほぼ垂直に０．８μｍの深さにわたって除去する。これにより、内側コア２５とほぼ同じ平面形状を有する溝３３がＧｅ添加ＳｉＯ２層３２の上面に形成される。レジストパターン３４を除去する際は、第１実施形態におけるレジストパターン３０と同様に、硫酸と過酸化水素の混合液を剥離剤として使用する。
【００２７】
レジストパターン３４を除去したら、Ｇｅ添加ＳｉＯ２層３２の上面に再びレジストを塗布する。そのレジストを一般的なフォトリソグラフィ工程を用いてパターニングして、開口３３からレジストを除去する。これにより、図５（ｄ）に示されるように、開口３７を有するレジストパターン３６が形成される。ここで、フォトリソグラフィ工程後におけるレジストのベーク温度は比較的低い（例えば１１０℃）。この結果、レジストパターン３６は、反応性イオンエッチングに対する耐性は低いものの、酸を使用することなく除去することができる。開口３７は開口３３の真上に位置しており、開口３３とほぼ同じ平面形状を有している。
【００２８】
図６（ｅ）に示されるように、レジストパターン３６および溝３３の表面上には、スパッタリングによってＥｒ添加ＳｉＯ２層３８が堆積される。Ｅｒ添加ＳｉＯ２層３８の厚さは０．８μｍである。このように、レジストパターン３６をマスクに使用してＥｒ添加ＳｉＯ２を溝３３の表面上に堆積することにより、Ｅｒ添加ＳｉＯ２によって溝３３が充填され、内側コア２５が形成される。内側コア２５の上面は、Ｇｅ添加ＳｉＯ２層３２の上面とほぼ同一平面を成している。なお、Ｅｒ添加層３８の堆積方法は、Ｇｅ添加ＳｉＯ２層３２の温度がレジストの耐熱温度以上に上昇しない成膜条件下であれば、蒸着でもＣＶＤであってもよい。
【００２９】
この後、図６（ｆ）に示されるように、剥離剤を用いてレジストパターン３６をＧｅ添加ＳｉＯ２層３２から剥離する。剥離剤としては、有機溶剤を使用する。レジストパターン３６とともに、レジストパターン３６上のＥｒ添加ＳｉＯ２層３８も除去される。これにより、Ｇｅ添加ＳｉＯ２層３２の上面が露出する。
【００３０】
次に、図６（ｇ）に示されるように、内側コア２５を覆うようにＧｅ添加ＳｉＯ２層３２の上面にプラズマＣＶＤによってＧｅ添加ＳｉＯ２層４０を堆積する。Ｇｅ添加ＳｉＯ２層４０の厚さは０．８μｍである。Ｇｅ添加ＳｉＯ２層４０は、Ｇｅ添加ＳｉＯ２層３２と同じ組成を有している。
【００３１】
次いで、Ｇｅ添加ＳｉＯ２層４０の上面にレジストを塗布し、そのレジストを一般的なフォトリソグラフィ工程を用いてパターニングする。これにより、図７（ｈ）に示されるように、外側コア２６とほぼ同じ平面形状を有するレジストパターン４２がＧｅ添加ＳｉＯ２層４０上に形成される。ここで、フォトリソグラフィ工程後におけるレジストのベーク温度は比較的高い（例えば２００℃）。
【００３２】
続いて、図７（ｉ）に示されるように、レジストパターン４２をマスクに用いてＧｅ添加ＳｉＯ２層３２および４０に反応性イオンエッチングを施し、その後、酸を用いてレジストパターン４２をＧｅ添加ＳｉＯ２層４０から剥離する。Ｃ２Ｆ６ガスがエッチングガスとして使用される。このエッチングは、レジストパターン４２によって覆われていないＧｅ添加ＳｉＯ２層３２および４０の部分をＧｅ添加ＳｉＯ２層４０の上面からほぼ垂直に２．５μｍにわたって除去する。これにより外側コア２６が形成され、コア２４が得られる。
【００３３】
この後、図７（ｊ）に示されるように、コア２４を覆うように基板２２の上面にプラズマＣＶＤによってＳｉＯ２を堆積し、オーバークラッド２８を形成する。これにより光導波路２０が得られる。
【００３４】
以下では、本実施形態の利点を説明する。本実施形態の方法は、Ｅｒが添加されたＳｉＯ２をエッチングすることなく内側コア２５のパターンを形成する。これにより、Ｅｒが添加された内側コア２５の表面の荒れが低減される。これに応じて、本実施形態の方法により製造される光導波路２０の導波特性が改善される。内側コア２５と外側コア２６との界面の状態は、エッチングによってＧｅ添加ＳｉＯ２層３２に形成される溝３３の表面の荒れに依存する。Ｇｅ添加ＳｉＯ２層３２はＥｒなどの希土類元素を含まないので、実績のあるエッチング条件を採用することで比較的容易に溝３３の荒れを抑えることができる。また、希土類元素を含むＳｉＯ２をエッチングしないので、エッチング時間を短縮できるとともに、内側コア２５に添加できる元素の選択の幅が広がる。
【００３５】
さらに、本実施形態では、溝３３にＥｒ添加ＳｉＯ２を充填して内側コア２５を形成する際に使用するマスクとして、酸を使用せずに除去可能なレジストパターン３６を使用する。このため、内側コア２５の形成後、レジストパターン３６およびＥｒ添加ＳｉＯ２層３８を除去する際に、酸によって内側コア２５にダメージを与えることを防止できる。
【００３６】
（第３実施形態）本実施形態は、第２実施形態と同様に、図４に示される光導波路２０を製造する。以下では、図８を参照しながら、本実施形態の光導波路製造方法を説明する。
【００３７】
図８（ａ）に示されるように、本実施形態では、第２実施形態と同様にレジストパターン３４をマスクに用いてＧｅ添加ＳｉＯ２層３２上に溝３３を形成した後、図８（ｂ）に示されるように、レジストパターン３４を除去することなくレジストパターン３４および溝３３の表面上にスパッタリングによってＥｒ添加ＳｉＯ２層３８が堆積される。Ｅｒ添加ＳｉＯ２層３８の厚さは０．８μｍである。このように、レジストパターン３４を再びマスクに使用してＥｒ添加ＳｉＯ２を溝３３の表面上に堆積することにより、Ｅｒ添加ＳｉＯ２によって溝３３が充填され、内側コア２５が形成される。
【００３８】
次に、図８（ｃ）に示されるように、剥離剤を用いてレジストパターン３４をＧｅ添加ＳｉＯ２層３２から剥離する。剥離剤としては、硫酸と過酸化水素の混合液を剥離剤として使用する。レジストパターン３４とともに、レジストパターン３４上のＥｒ添加ＳｉＯ２層３８も除去される。これにより、Ｇｅ添加ＳｉＯ２層３２の上面が露出する。
【００３９】
この後は、第２実施形態と同様に図６（ｇ）および図７（ｈ）〜（ｊ）に示される工程を実施する。これにより、光導波路２０が得られる。
【００４０】
このように、本実施形態では、溝３３を形成する際のエッチングマスクとして使用されるレジストパターン３４を、溝３３にＥｒ添加ＳｉＯ２を充填する際の成膜マスクとして再び使用する。これは第１実施形態と同様である。レジストパターン３４を除去し、別のレジストパターンを設ける工程を省けるので、より効率良く光導波路２０を製造することができる。ただし、レジストパターン３４は酸を用いて除去する必要がある。このため、内側コア２５の形成後にレジストパターン３４を除去する際、酸が内側コア２５にダメージを与えるおそれがある。このような内側コア２５のダメージを防ぐため、第２実施形態では、内側コア２５の形成前にレジストパターン３４を除去し、酸を使用せずに除去可能な別のレジストパターン３６を成膜マスクに用いて内側コア２５を形成する。
【００４１】
以上、本発明をその実施形態に基づいて詳細に説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
【００４２】
上記実施形態では、コアが基板上に直接設けられる。しかし、基板上に設けられコアよりも低い屈折率を有するアンダークラッド層上にコアが設けられていてもよい。逆に言えば、上記の実施形態では、コアよりも低い屈折率を有する基板の表層部がアンダークラッドに相当する。
【００４３】
上記実施形態では、コアの材料に添加される元素として、希土類元素であるＥｒが使用される。しかし、他の希土類元素をコア材料に添加してもよい。また、コア材料には、希土類元素とともに希土類以外の元素が添加されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】第１実施形態で製造される光導波路の構造を示す断面図である。
【図２】第１実施形態の製造方法を示す図である。
【図３】第１実施形態の製造方法を示す図である。
【図４】第２実施形態で製造される光導波路の構造を示す断面図である。
【図５】第２実施形態の製造方法を示す図である。
【図６】第２実施形態の製造方法を示す図である。
【図７】第２実施形態の製造方法を示す図である。
【図８】第３実施形態の製造方法を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０および２０…光導波路、１２および２２…基板、１３および３３…溝、１４および２４…コア、１５および３８…Ｅｒ添加ＳｉＯ２層、２５…内側コア、２６…外側コア、１６および２８…オーバークラッド、３０、３４および３６…レジストパターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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