(57)【要約】【課題】  隣り合う光電変換素子間の作用極と対極との電気的な接続を容易かつ確実に行え、高い変換効率を実現することができる光電変換素子モジュールを提供する。【解決手段】  少なくとも、増感色素を担持した半導体層を有する作用極と、前記作用極と対峙する対極と、前記作用極と対極との間に配置された電解質と、電解質と外気との接触を遮断する封止部とを有する光電変換素子を複数直列に接続する光電変換素子モジュールにおいて、作用極および対極のいずれの基板からも独立し、かつ導電性を有し一部に貫通孔を有する一枚のシート状の導電材に、隣り合う光電変換素子のうちの一方の光電変換素子の作用極と他方の光電変換素子の対極とを設けることによって、光電変換素子モジュールを構成する。【選択図】        図１
2005174679.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、増感色素を担持した半導体層を有する作用極と、前記作用極と対峙する対極と、前記作用極と対極との間に配置された電解質と、電解質と外気との接触を遮断する封止部とを有する光電変換素子を複数直列に接続してなる光電変換素子モジュールであって、作用極および対極のいずれの基板からも独立し、かつ導電性を有し一部に貫通孔を有する一枚のシート状の導電材に、隣り合う光電変換素子のうちの一方の光電変換素子の作用極と他方の光電変換素子の対極とを設けたことを特徴とする光電変換素子モジュール。
【請求項２】
前記シート状の導電材が、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、ＮｉおよびＡｌよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１記載の光電変換素子モジュール。
【請求項３】
前記シート状の導電材が、多孔質の支持体上に導電性を有する膜または層を備えた構造であることを特徴とする請求項１または２記載の光電変換素子モジュール。
【請求項４】
前記シート状の導電材が、貫通孔の内部に導電性を有する多孔質膜が存在することを特徴とする請求項１記載の光電変換素子モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換素子モジュールに関し、さらに詳しくは、隣り合う光電変換素子のうちの一方の光電変換素子の作用極と他方の光電変換素子の対極とを容易かつ確実に電気的に接続することができ、しかも交換効率が高い光電変換素子モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
光電変換素子の実用化にあたっては、多くの場合、出力できる電圧を高めるため、光電変換素子を直列に接続して光電変換素子モジュールとされているが、その光電変換素子間を直列に接続する方式としては、例えば以下の提案がなされている。図２に示す光電変換素子モジュール１では、隣り合う光電変換素子２．１と２．２とを仕切る封止部１１の内部（つまり、封止部１１．２と封止部１１．３との間）で、隣り合う光電変換素子の対極９．１と作用極５．２とを導電材１２で電気的に接続している（特許文献１）。
【特許文献１】ＷＯ９６／２９７１６号公報
【０００３】
この特許文献１に記載の光電変換素子モジュール１は、作用極５．１〜５．２と対極９．１〜９．２とはそれぞれ異なる基板３と基板７とに設けられているため、隣り合う光電変換素子間の対極９．１と作用極５．２とを導電材１２で電気的に接続する際に、隣り合う光電変換素子の液絡のない封止、２枚の基板間の距離制御とを同時に行う必要があり、組立てが困難であるという問題があった。
【０００４】
また、図３に示す光電変換素子モジュールでは、隣り合う光電変換素子間の作用極５．１と対極９．２とを直接に電気的に接続した後に、全体の封止をラミネート材１４で行っている（特許文献２）。
【特許文献２】ＷＯ９７／１６８３８号公報
【０００５】
この図３に示す光電変換素子モジュールでは、図２に示す光電変換素子モジュールのように隣り合う光電変換素子の作用極と対極とを電気的に接続する工程を封止と電極間距離の制御と同時に行う必要はないものの、対極９．２の作製と同時に隣接する光電変換素子の作用極５．１との電気的な接続を行わなければならないため、組立てが困難であるという問題があった。
【０００６】
これらの接続法に対し、隣り合う光電変換素子間の作用極と対極とを電気的に接続するための電極を用意した後、前記電極上に隣り合う光電変換素子間の作用極と対極とを作製する方式では、隣り合う光電変換素子間の作用極と対極とを容易にかつ確実に電気的に接続することができる。その一例として、前記特許文献１に、図４に示すような光電変換素子モジュールが提案されている。
【０００７】
すなわち、図４に示す光電変換素子モジュールでは、一方の基板７上に形成された透明電極８．１上に隣り合う光電変換素子２．１、２．２のうちの一方の光電変換素子２．１の対極９．１と他方の光電変換素子２．２の作用極５．２とを形成し、他方の基板３上に形成された透明電極４．２上に隣り合う光電変換素子２．２、２．３のうちの一方の光電変換素子２．２の対極９．２と他方の光電変換素子２．３の作用極５．３とを形成している。
【０００８】
したがって、このような図４に示す構造の光電変換素子モジュールでは、隣り合う光電変換素子のどちらか一方は作用極に届く光が対極を通過してから届く構造になるため、対極および電解質による透光損失の影響を避けることができなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記のように、従来の光電変換素子モジュールでは、隣り合う光電変換素子間の作用極と対極との電気的な接続を容易かつ確実に行ったり、高い変換効率を実現することが困難であった。
【００１０】
本発明は、上記のような従来の光電変換素子モジュールの問題点を解決し、隣り合う光電変換素子の作用極と対極との電気的な接続を容易かつ確実に行うことができ、かつ高い変換効率を実現できる光電変換素子モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、少なくとも、増感色素を担持した半導体層を有する作用極と、前記作用極と対峙する対極と、前記作用極と対極との間に配置された電解質と、電解質と外気との接触を遮断する封止部とを有する光電変換素子を複数直列に接続する光電変換素子モジュールにおいて、作用極および対極のいずれの基板からも独立し、かつ導電性を有し一部に貫通孔を有する一枚のシート状の導電材に、隣り合う光電変換素子のうちの一方の光電変換素子の作用極と他方の光電変換素子の対極とを設けることによって、前記課題を解決したものである。
【００１２】
すなわち、本発明の光電変換素子モジュールでは、隣り合う光電変換素子間の作用極と対極とを電気的に接続するための導電材を用意した後に、前記導電材上に隣り合う光電変換素子のうちの一方の光電変換素子の作用極と他方の光電変換素子の対極とを設けているので、隣り合う光電変換素子間の作用極と対極とを容易かつ確実に電気的に接続することができ、また、すべての作用極が対極の受光面側に位置する構造にしているので、対極や電解質による透光損失がなく、高い変換効率を達成することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、隣り合う光電変換素子間の作用極と対極とを容易かつ確実に電気的に接続することができ、かつ高い変換効率を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に本発明の光電変換素子モジュールの一実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１５】
図１は本発明の光電変換素子モジュールの一実施形態を概略的に示す断面図である。図中、１は光電変換素子モジュールであり、この図１では、光電変換素子モジュール１を構成する光電変換素子のうち、３つの光電変換素子２．１、２．２、２．３が示されており、それらの光電変換素子２．１〜２．３は、少なくとも増感色素を担持した半導体層を有する作用極５．１〜５．３と、前記作用極５．１〜５．３と対峙する対極９．１〜９．３と、それらの作用極５．１〜５．３と対極９．１〜９．３との間に配置された電解質１０．１〜１０．３と、それらの電解質１０．１〜１０．３と外気との接触を遮断する封止部１１．１〜１１．４とを有している。
【００１６】
なお、この光電変換素子モジュール１において、複数設けられている部材に関する参照符号は、その複数設けられている部材を総称的に示す場合は、単に整数位の数字だけで示し、それらの部材を個別に示す必要があるときは、その整数位の数字の後にその部材間における識別のための数字をピリオドを介して付記した状態で示す。例えば、光電変換素子を総称的に示す場合は「２」のみで示し、それらの光電変換素子について個別に示す必要があるときは、「２．１」、「２．２」、「２．３」のように示す。そして、このような示し方は他の複数設けられている部材に関しても同様である。
【００１７】
そして、この光電変換素子モジュール１では、隣り合う光電変換素子２．１と光電変換素子２．２との間では光電変換素子２．１の作用極５．１と光電変換素子２．２の対極９．２とは導電材１２．２に設けられ、また、隣り合う光電変換素子２．２と光電変換素子２．３の間では光電変換素子２．２の作用極５．２と光電変換素子２．３の対極９．３とは導電材１２．３に設けられている。
【００１８】
上記導電材１２．２は光電変換素子２．１と光電変換素子２．２との間の封止部１１．２を貫通し、導電材１２．３は光電変換素子２．２と光電変換素子２．３との間の封止部１１．３を貫通している。なお、この光電変換素子モジュール１において、左端に位置する光電変換素子２．１の対極９．１は導電材１２．１に設けられ、この導電材１２．１は封止部１１．１を貫通して、図示していないが、その左側の端部には光電変換素子２．１のさらに左側に位置する光電変換素子の作用極が設けられることになる。
【００１９】
また、この光電変換素子モジュール１において、右端に位置する光電変換素子２．１の作用極５．３は導電材１２．４に設けられ、この導電材１２．４は封止部１１．４を貫通し、図示していないが、その右側の端部には光電変換素子２．３のさらに右側に位置する光電変換素子の対極が設けられることになる。ただし、図示していない部分も含めて光電変換素子モジュール１全体の端部では導電材１２には作用極５または対極９のいずれかを設ければよい。
【００２０】
そして、上記導電材１２は、従来の光電変換素子モジュールにおける透明電極（通常、この透明電極は透明導電膜で構成される）のように、基板３、７に形成されるものではなく、接触こそしているものの、基板３、７から独立しており、また、この導電材１２はその一部に貫通孔を有しており、その貫通孔を有する部分は作用極５が設けられる部分に配置される。
【００２１】
従来の光電変換素子における作用極は、増感色素を担持した半導体層と、そこから電子を効率よく取り出すための集電電極（通常、基板に形成される透明電極がこの集電電極として用いられる）とで構成される場合が多いが、本発明では、導電材１２がその集電電極の作用を兼ねるので、作用極５は増感色素を担持した半導体層のみで構成することができる。ただし、必要があれば、集電電極を設けて作用極５を構成してもよい。また、導電材１２の作用極５が設けられた面とは反対側の面には絶縁層１３を設けて同一の光電変換素子２内での対極９との接触を避けるようにしているが、この絶縁層１３は必須のものではない。
【００２２】
次に上記光電変換素子モジュール１の各構成部材について説明すると、基板３や基板７としては、透明性を有するガラスまたはプラスチックなどを使用できる。プラスチックは可撓性なので、柔軟性を必要とする用途に適している。また、基板３、７には集電電極として透明導電膜で構成される透明電極が形成されてもよいし、また、形成されていなくてもよい。
【００２３】
上記実施形態の光電変換素子モジュール１において、作用極５を構成する増感色素を担持した半導体層の厚みは０．１〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。上記半導体層の厚みが０．１μｍ未満の場合には、充分な光電変換効果が得られない可能性があり、また、厚みが１００μｍ超の場合には、可視光および近赤外光に対する透過性が著しく悪化するなどの不都合が生じるおそれがある。上記半導体層の厚みのより好ましい範囲は１〜５０μｍであり、さらに好ましい範囲は５〜３０μｍであり、最も好ましい範囲は１０〜２０μｍである。
【００２４】
半導体層を構成する材料としては、例えば、Ｎｂ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｈｇ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｖ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｓｒ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｃｒの酸化物、ＳｒＴｉＯ3 、ＣａＴｉＯ3 のようなペロブスカイト、またはＣｄＳ、ＺｎＳ、Ｉｎ2 Ｓ3 、ＰｂＳ、Ｍｏ2 Ｓ、ＷＳ2 、Ｓｂ2 Ｓ3 、Ｂｉ2 Ｓ3 、ＺｎＣｄＳ2 、Ｃｕ2 Ｓの硫化物、ＣｄＳｅ、Ｉｎ2 Ｓｅ3 、ＷＳｅ2 、ＨｇＳｅ、ＰｂＳｅ、ＣｄＴｅの金属カルコゲナイド、その他ＧａＡｓ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ｃｄ3 Ｐ2 、Ｚｎ3 Ｐ2 、ＩｎＰ、ＡｇＢｒ、ＰｂＩ2 、ＨｇＩ2 、ＢｉＩ3 などが好ましい。また、前記半導体材料から選ばれる少なくと１種を含む複合体、例えば、ＣｄＳ／ＴｉＯ2 、ＣｄＳ／ＡｇＩ、Ａｇ2 Ｓ／ＡｇＩ、ＣｄＳ／ＺｎＯ、ＣｄＳ／ＨｇＳ、ＣｄＳ／ＰｂＳ、ＺｎＯ／ＺｎＳ、ＺｎＯ／ＺｎＳｅ、ＣｄＳ／ＨｇＳ、ＣｄＳx ／ＣｄＳｅ1-x 、ＣｄＳx ／Ｔｅ1-x 、ＣｄＳｅx ／Ｔｅ1-x 、ＺｎＳ／ＣｄＳｅ、ＺｎＳｅ／ＣｄＳｅ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＴｉＯ2 ／Ｃｄ3 Ｐ32、ＣｄＳ／ＣｄＳｅＣｄy Ｚｎ1-y Ｓ、ＣｄＳ／ＨｇＳ／ＣｄＳなども半導体層を構成する材料として好適に用いることができる。
【００２５】
上記半導体材料は、通常、粒子形状で用いるが、その際の半導体粒子の粒径は、一般的に５ｎｍ〜１μｍの範囲内であることが好ましい。半導体粒子の粒径が５ｎｍより小さい場合は、半導体層内の空孔径が５ｎｍより小さくなり、電解質中の酸化還元物質の移動が困難になって、得られる光電流が低下しやすくなるからであり、また、半導体粒子の粒径が１μｍより大きい場合は、半導体層の表面積が充分に大きくならないため、増感色素の担持量が減少して、充分な光電流が得られなくなるおそれがある。この半導体粒子の粒径の特に好ましい範囲は１０〜１００ｎｍである。
【００２６】
半導体層の形成にあたっては、半導体粒子の分散塗料を公知慣用の方法、例えば、ドクターブレードやバーコータなどを使う塗布方法や、スプレー法、ディップコーティング法、スクリーン印刷法、スピンコート法などにより前記導電材の貫通孔を有する部分に塗布し、乾燥した後、必要に応じて、加圧または加熱することにより固定化される。そして、この半導体層の厚みに関しては、前記塗布と加圧または加熱工程を繰り返すことで所望の厚みにすることができる。
【００２７】
また、半導体層の厚みを制御することにより、ラフネスファクター（基板面積に対する多孔質内部の実面積の割合）を決定することができる。ラフネスファクターは２０以上であることが好ましく、１５０以上であることがより好ましい。ラフネスファクターが２０未満の場合、増感色素の担持量が不充分となり、光電変換特性の改善が困難になる。ラフネスファクターの上限値は一般的に５０００程度である。ラフネスファクターは半導体層の厚みを厚くすると大きくなって、半導体層の表面積が広がり、増感色素の担持量の増加が期待できる。しかしながら、厚みが厚くなりすぎると、半導体層の光透過率ならびに抵抗損失の影響が現れ始める。また、半導体層内のポロシティーを高くすれば、厚みを厚くしなくても、ラフネスファクターを大きくすることが可能であるが、ポロシティーが高くなりすぎると、半導体粒子間の接触面積が減少して、抵抗損失の影響を考慮しなければならなくなる。このようなことから、半導体層のポロシティーは５０％以上が好ましく、その上限値は一般的に約８０％程度である。半導体層のポロシティーは液体窒素温度下で窒素ガスあるいはクリプトンガスの吸着−脱離等温曲線の測定結果から算出することができる。
【００２８】
増感色素としては、従来からも色素増感型光電変換素子に常用されている色素であればいずれも使用できる。そのような色素のうち、無機色素としては、例えば、ＲｕＬ2 （Ｈ2 Ｏ）2 タイプのルテニウム−シス−ジアクア−ビピリジル錯体またはルテニウム−トリス（ＲｕＬ3 ）、ルテニウム−ビス（ＲｕＬ2 ）、オスニウム−トリス（ＯｓＬ3 ）、オスニウム−ビス（ＯｓＬ2 ）タイプの遷移金属錯体、または、亜鉛−テトラ（４−カルボキシフェニル）ポリフィリン、鉄−ヘキサシアニド錯体、フタロシアニンなどが挙げられる。また、有機色素としては、９−フェニルキサンテン系色素、クマリン系色素、アクリジン系色素、トリフェニルメタン系色素、テトラフェニルメタン系色素、キノン系色素、アゾ系色素、インジゴ系色素、シアニン系色素、メロシアニン系色素、キサンテン系色素などが挙げられる。それの中でも、特にルテニウム−ビス（ＲｕＬ2 ）誘導体が好ましい。
【００２９】
半導体層への増感色素の担持量としては、１０-8〜１０-6ｍｏｌ／ｃｍ2 が好ましく、特に０．１〜９．０×１０-7ｍｏｌ／ｃｍ2 が好ましい。増感色素の担持量が１０-8ｍｏｌ／ｃｍ2 より少ない場合は、光電変換効率の向上効果が不充分となり、増感色素の担持量が１０-6ｍｏｌ／ｃｍ2 より多い場合は、光電変換効率の向上効果が飽和し、不経済になるだけである。
【００３０】
半導体層への増感色素の担持方法としては、例えば、増感色素を溶解させた溶液に、半導体層を形成した導電材を浸漬する方法が挙げられる。この溶液の溶媒としては、水、アルコール、トルエン、ジメチルホルムアミドなどの増感色素を溶解可能なものであればいずれも使用できる。また、浸漬方法として、増感色素を溶解させた溶液に、半導体層を形成した導電材を一定時間浸漬している間に、加熱環流を付加したり、超音波を印加したりすることも有効である。
【００３１】
対極は光電変換素子の正極として機能し（したがって、作用極は負極として機能する）、この対極は隣接する光電変換素子の作用極が一方の端部に設けられている導電材の他方の端部に例えば電解質の還元体に電子を付与する触媒作用を有する白金やグラファイト、ポリエチレンジオキシチオフェンなどを堆積させることによって設けられる。ただし、その対極の形成材料は上記例示のものに限られることはない。
【００３２】
増感色素を担持した半導体層を有する作用極と対極との間には電解質が存在する。電解質を構成するために使用される電解物質としては、酸化体と還元体からなる一対の酸化還元系構成物質が溶媒中に含まれていれば、特に限定されないが、酸化体と還元体とが同一電荷を持つ酸化還元系構成物質が好ましい。この明細書における、酸化還元系構成物質とは、酸化還元反応において、可逆的に酸化体及び還元体の形で存在する一対の物質を意味する。このような酸化還元系構成物質としては、例えば、塩素化合物−塩素、ヨウ素化合物−ヨウ素、臭素化合物−臭素、タリウムイオン（ＩＩＩ）−タリウムイオン（Ｉ）、水銀イオン（ＩＩ）−水銀イオン（Ｉ）、ルテニウムイオン（ＩＩＩ）−ルテニウムイオン（ＩＩ）、銅イオン（ＩＩ）−銅イオン（Ｉ）、鉄イオン（ＩＩＩ）−鉄イオン（ＩＩ）、バナジウムイオン（ＩＩＩ）−バナジウムイオン（ＩＩ）、マンガン酸イオン−過マンガン酸イオン、フェリシアン化物−フェロシアン化物、キノン−ヒドロキノン、フマル酸−コハク酸などが挙げられる。ただし、その他の酸化還元系構成物質も使用できる。それらの中でも、ヨウ素化合物−ヨウ素が好ましく、ヨウ素化合物としては、ヨウ化リチウム、ヨウ化カリウムなどの金属ヨウ化物、テトラアルキルアンモニウムヨージド、ピリジニウムヨージドなどのヨウ化４級アンモニウム塩化合物、ヨウ化ジメチルプロピルイミダゾリウムなどのヨウ化ジイミダゾリウム化合物が特に好ましい。
【００３３】
電解質は、通常、前記酸化還元系構成物質などの電解物質を溶媒中に溶解させることによって調製されるが、その電解物質を溶解させるための溶媒としては、水性溶媒、有機溶媒のいずれも使用できるが、酸化還元系構成物質をより安定化するため、有機溶媒が好ましい。この有機溶媒としては、例えば、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、メチルエチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどのカーボネート化合物、酢酸メチル、プロピオン酸メチル、γ−ブチロラクトンなどのエステル化合物、ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、１，３−ジオキソラン、テトラヒドロフラン、２−メチル−テトラヒドロフランなどのエーテル化合物、３−メチル−２−オキサゾジリノン、２−メチルピロリドンなどの複素環化合物、アセトニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル化合物、スルフォラン、ジジメチルスルフォキシド、ジメチルホルムアミドなどの非プロトン性極性化合物などが挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いることもできるし、また、２種類以上併用することもできる。それらの中でも、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどのカーボネート化合物、３−メチル−２−オキサゾジリノン、２−メチルピロリドンなどの複素環化合物、アセトニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリル、３−メトキシプロピオニトリル、吉草酸ニトリルなどのニトリル化合物が特に好ましい。また、電解質は、液状のものに限られることなく、他の形態のものも用いることができるが、例えば、液状の電解質を高分子マトリックスに保持させてゲル状にした状態で用いてもよい。そのような高分子マトリックスとしては、フッ化ビニリデン、ヘキサフロロプロピレン、テトラフロロエチレン、トリフロロエチレン、エチレン、プロピレン、アクリロニトリル、塩化ビニリデン、メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルメタクリレート、スチレンなどの重合性モノマーを単独で重合させた単独重合体またはそれらのモノマーを２種以上共重合させた共重合体などを用いることができる。
【００３４】
封止部を構成する封止材の基材物質としては、例えば、シリコーン樹脂、ポリオレフィン、ブチルゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン・α−オレフィン共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−メタアクリル酸共重合体、低密度ポリエチレン、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、アイオノマー樹脂のほか、ポリスチレン系、ポリオレフィン系、ポリジエン系、ポリエステル系、ポリウレタン系、フッ素樹脂系、ポリアミド系のエラストマーなどから選ばれる少なくとも１種を用いることができるが、それらの中でも、シリコーン樹脂、アイオノマー樹脂、エポキシ樹脂、オレフィン樹脂、ブチルゴム、フッ素を含む樹脂などが好ましい。また、電解質溶媒としてニトリル系溶媒、カーボネート系溶媒を使用する場合には、それらの溶媒と相溶性の低い、シリコーン樹脂、アイオノマー樹脂、オレフィン樹脂、熱硬化性オレフィン樹脂などが好ましい。
【００３５】
また、封止材には、それらの耐候性を向上させるために、架橋剤、紫外線吸収剤などを適宜混合することができるし、基板などとの接着力を高めるためにシランカップリング剤やチタネートカップリング剤などを添加してもよい。また、あらかじめ基板などにウェット洗浄、ケミカル洗浄、プラズマ洗浄、オゾン処理、紫外線照射処理、超音波処理、表面研磨処理などを行い、その表面の洗浄や表面の活性化を行ってもよい。それらの中でも、プラズマ処理による透明基板の表面の活性化が特に好ましい。
【００３６】
本発明において、隣り合う光電変換素子のうちの一方の光電変換素子と他方の光電変換素子の対極とを電気的に接続するのはシート状の導電材である。前記導電材のうち作用極が設けられる部分は電解質中の電解物質が移動する経路を確保するために貫通孔を有することが必要である。それ以外の、封止材が接する部分や対極が設けられる部分に関しては貫通孔を有していてもよいし、また、有していなくてもよい。
【００３７】
上記シート状の導電材としては、網状や多孔質の金属材料でもよいし、セラミックス、無機酸化物、ガラス繊維フィルターなどの耐熱性の有孔構造体に網状、多孔質状の金属材料を固定化したものでもよい。上記シート状の導電材として用いる、網状、多孔質状の金属材料からなる導電性多孔膜は、導電性微粒子を塗布した後に焼成したり、蒸着やスパッタリング、イオンプレーティングなどの成膜法により形成することができる。導電性多孔膜の構成材としては、導電性や光の反射率の点から金属が好ましく、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｚｎ、ＴｉまたはＣｒなどの金属、あるいはそれらの金属の合金が好ましく用いられる。
【００３８】
導電性微粒子を焼成して焼結体からなる導電性多孔膜を形成する場合、具体的には、導電性微粒子を分散させたペーストを網状、多孔質な金属材料、あるいは、セラミックス、無機酸化物、ガラス繊維フィルターなどの耐熱性の有孔構造体に塗布し、乾燥後に焼結する方法などを採用すればよい。この際に使用する導電性微粒子の粒子径は５ｎｍ〜２０μｍの範囲であることが好ましい。この範囲内であれば、導電性微粒子同士が凝集しにくいので均一な膜が形成されやすく、均一な抵抗を持つ膜が形成されて光電変換素子の特性が安定し、また、膜厚も均一にすることができるので、対極と短絡することもない。なお、上記導電性微粒子は、粒子径の揃ったものから構成されていても、異なる粒子径のものを混ぜ合わせたものでもよい。
【００３９】
上記導電性多孔膜の形成にあたって、蒸着やスパッタリング、イオンプレーティングなどの薄膜形成法を採用する場合は、半導体層が多孔質であり、その表面に凹凸があるため、シャドーイング効果によって、セラミックス、無機酸化物、ガラス繊維フィルターなどの耐熱性の有孔構造体に形成される薄膜も多孔膜となる。
【００４０】
導電性多孔膜の厚さは特に限定はされないが、良好な導電性を持たせるためには１０ｎｍ以上であることが好ましく、電解質のイオン伝導性を阻害しないためには最大で１μｍ以下であることが好ましい。
【００４１】
さらに、上記シート状の導電材の貫通孔を有する部分（以下、「有効部分」という）の表面に酸化物半導体からなる被膜を設けておくことも有効である。酸化物半導体の被膜を設けておくことにより、導電材の有効部分が変質することを防ぎ、かつ対極で行われるのと同じ還元反応が導電材の有効部分の表面で生じることを抑制することができる。このような目的のための導電材の有効部分の表面への酸化物半導体の被膜の形成法としては、例えば、電解メッキ、無電解メッキ、液相堆積法、四塩化チタン堆積法などの方法を採用することができる。導電材の有効部分の表面を被覆するための酸化物半導体としては、酸化チタンの他、五酸化タングステン、ストロンチウムタングステン酸、ストロンチウムチタン酸、五酸化ニオビウム、硫化カドミウム、酸化カドミウム、酸化亜鉛、酸化スズ、三酸化インジウム、ＺｎＳｂ2 Ｏ6 、ＣｄＩｎ2 Ｏ4 、ＭｇＩｎ2 Ｏ4 、Ｚｎ2 ＳｎＯ4 、ＧａＩｎＯ3 、Ｃｄ2 ＳｎＯ3 、ＣｄＳｎＯ3 、Ｉｎ2 ＴｅＯ6 、ＩｎＧａＭｇＯ4 、ＩｎＧａＺｎＯ4 、Ｚｎ2 Ｉｎ2 Ｏ5 、ＡｇＳＯ3 、Ｃｄ2 Ｓｂ2 Ｏ7 、Ｃｄ2 ＧｅＯ4 、ＺｎＳｎＯ3 を１種または２種以上を用いることができる。また、蒸着やスパッタリング、イオンプレーティングなどの方法で導電材の有効部分の表面をＴｉ、Ｎｂ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｄで被覆し、半導体層と接する面に形成される酸化膜がＴｉ、Ｎｂ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｄの酸化膜となるようにしておくことが有効である。
【００４２】
また、上記シート状の導電材としては、導電性を有する網状体などの空隙に導電性粒子を目詰めしたものを用いてもよい。特に、半導体層中に注入された電子が集電のための導電材の有孔部分まで移動する間の抵抗損失が大きい場合には、このようにすることによって抵抗損失の低減効果が得られる。上記のように、シート状の導電材は１種類の導電材料で構成してもよいし、また、複数種の導電材料を組み合わせて構成してもよい。
【００４３】
さらに、上記シート状の導電材の作用極を設ける部分を反射率の高いもので構成することにより、光電変換層に入射光を集める工夫をしてもよい。また、色素を担持した半導体層を有する作用極を多層化し、入射光を効率よく吸収する構造とすることも好ましい。
【００４４】
絶縁層の形成にあたっては、例えば、酸化ジルコニウム、シリカ、酸化アルミニウム、酸化タンタルなどが用いられる。
【実施例】
【００４５】
次に、実施例を挙げて、本発明をより具体的に説明する。ただし、本発明はそれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００４６】
実施例１
平均一次粒子径が２０ｎｍ酸化スズ粉末をエチルセルロース中に分散させ、スクリーン印刷用のペーストを調製した。得られたペーストを８０メッシュのチタン製の網の目に充填した後、乾燥した。このようにして得られたシート状物を１００ｔ／ｃｍ2 の力でプレスした。これにより酸化スズ粒子はチタン製網の表面にできた自然酸化膜を機械的に破壊し、チタンと酸化スズとの接触ができ界面抵抗を低減できた。次に、このシート状物を５００℃で３０分間焼成した後、硝酸水溶液で洗浄し、チタン表面に生成した酸化膜を取り除いて、シート状の導電材を得た。
【００４７】
このシート状の導電材の表面の一部にＰｔ（白金）膜をスパッタにより形成して対極を設けた。次に、平均一次粒子径が２０ｎｍの酸化チタン粉末をエチルセルロース中に分散させ、スクリーン印刷用のペーストを調製した。得られたペーストをＰｔ膜を成膜していない部分に塗布し、乾燥して半導体層を設けた。次に、平均一次粒子径が５０ｎｍの酸化ジルコニウム粉末をエチルセルロース中に分散させ、スクリーン印刷用のペーストを調製した。得られたペーストをシート状の導電材の酸化チタンを塗布した面の反対側に塗布し、乾燥して絶縁層を設けた。そして、この対極、半導体層、絶縁層を形成したシート状の導電材を５００℃で３０分間、空気中で焼成した。
【００４８】
次に上記焼成後のシート状導電材を〔Ｒｕ（４，４’−ジカルボキシル−２，２’−ビピリジン）2 −（ＮＣＳ）2 〕で表される増感色素溶液中に浸漬し、室温下で２４時間放置して半導体層に増感色素を担持させて作用極を構成した。上記増感色素溶液としては、アセトニトリルとｔ−ブタノールとの容積比５０：５０の混合溶媒に上記増感色素を３×１０-4ｍｏｌ／ｄｍ-3の濃度で含有させた溶液を使用した。上記増感色素の半導体層への担持は増感色素溶液中に室温で２４時間浸漬する方法を採用した。このようにして半導体層に増感色素を担持させて作用極をシート状導電材に設けた。
【００４９】
次に、透明ガラス板からなる２枚の基板の間に、前記作用極および対極を設けたシート状導電材を半分ずつ重ね合わせ、かつ電解液 (液状電解質）を満たした状態で、デュポン社製の熱可塑性樹脂（商品名：ｂｙｎｅｌ  ４１６４）を封止材とし、図１に示すような構造の光電変換素子モジュールを作製した。ここで、この実施例１の光電子変換素子モジュールを図１に対応させて説明すると、基板３、７はそれぞれ透明ガラス板で構成され、作用極５．１〜５．３は酸化チタン膜からなる半導体層に増感色素を担持させることによって構成され、対極９．１〜９．３はＰｔ膜で構成され、電解質１０．１〜１０．３は３−メトキシプロピオニトリルに、ジメチルプロピルイミダゾリウムアイオダイドを０．６ｍｏｌ／ｄｍ-3、ヨウ素を０．１ｍｏｌ／ｄｍ-3、Ｎ−メチルベンゾイミダゾールを０．５ｍｏｌ／ｄｍ-3溶解したものからなる液状電解質（電解液）で構成され、封止部１１．１〜１１．４はｂｙｎｅｌ（前出）で構成され、導電材１２．１〜１２．４はチタン製網で構成され、絶縁層１３．１〜１３．３は酸化ジルコニウムで構成されている。
【００５０】
実施例２
ガラス繊維フィルターの一方の面に蒸着によりチタン膜を形成した。次に、このチタン膜を形成したガラス繊維フィルターを硝酸水溶液で洗浄し、チタン表面に生成した酸化膜を取り除いてシート状の導電材とし、このシート状導電材の表面の一部にＰｔ膜をスパッタにより形成して対極とした。次に平均一次粒子径が２０ｎｍの酸化チタン粉末をエチルセルロース中に分散させ、スクリーン印刷用のペーストを調製した。得られたペーストを前記シート状導電材のＰｔ膜を形成していない部分に塗布し、乾燥して半導体層を形成した。次に、この対極および半導体層を形成したシート状導電材を１００ｔ／ｃｍ2 の力でプレスした。これによって酸化チタン粒子がガラス繊維フィルター上の有孔チタン膜の表面に押しつけられることによりチタン膜の表面にできた自然酸化膜を機械的に破壊し、酸化チタンとチタンとの接触ができ界面抵抗を低減することができた。そして、この対極および半導体層を形成したシート状導電材を５００℃で３０分間、空気中で焼成した。
【００５１】
次に上記焼成後のシート状導電材を〔Ｒｕ（４，４’−ジカルボキシル−２，２’−ビピリジン）2 −（ＮＣＳ）2 〕で表される増感色素溶液中に浸漬し、室温下で２４時間放置して半導体層に増感色素を担持させて作用極を構成した。上記増感色素溶液としては、実施例１と同様に、アセトニトリルとｔ−ブタノールとの容積比５０：５０の混合溶媒に上記増感色素を３×１０-4ｍｏｌ／ｄｍ-3の濃度で含有させた溶液を使用した。上記増感色素の導電材層への担持は増感色素溶液中に室温で２４時間浸漬する方法を採用した。このようにして半導体層に増感色素を担持させて作用極をシート状導電材に設けた。
【００５２】
次に、透明ガラス板からなる２枚の基板の間に、前記作用極および対極を設けたシート状導電材を半分ずつ重ね合わせ、かつ実施例１と同様の電解液を満たした状態で、デュポン社製の熱可塑性樹脂（商品名：ｂｙｎｅｌ  ４１６４）を封止材とし、図１に示すような構造の光電変換素子モジュールを作製した。この実施例２の光電子変換素子モジュールは、導電材１２．１〜１２．４の基材としてガラス繊維フィルターにチタン膜を形成したものを用いた以外は、実施例１の光電子変換素子モジュールとほぼ同様に構成されている。
【００５３】
比較例１
厚さ１．１ｍｍの透明導電膜付ガラス板（旭硝子社製、Ｆ−ＳｎＯ2 、１０Ω／ｓｑ）の透明導電膜の一部をストライプ状にエッチング処理により取り除いて透明電極とした。次に、平均一次粒子径が２０ｎｍの酸化チタン粉末をエチルセルロース中に分散させ、スクリーン印刷用のペーストを調製した。得られたペーストを上記透明導電膜付ガラス板の透明導電膜からなる透明電極上に塗布し、乾燥した。次に、平均一次粒子径が２０ｎｍの酸化スズ粉末をエチルセルロース中に分散させ、スクリーン印刷用のペーストを調製した。得られたペーストを透明導電膜の端にライン状に塗布し、乾燥した。このようにして得られた乾燥物を５００℃で３０分間、空気中で焼成し、上記ガラス板からなる基板の透明電極上に厚さ１０μｍの多孔質酸化チタン膜からなる半導体層と厚さ３５μｍの酸化スズ膜からなる導電部とを形成した。
【００５４】
次に、上記多孔質酸化チタン膜および酸化スズ膜からなる半導体層を有する基板を〔Ｒｕ（４，４’−ジカルボキシル−２，２’−ビピリジン）2 −（ＮＣＳ）2 〕で表される増感色素溶液中に浸漬し、室温下で２４時間放置して作用極を構成した。上記増感色素溶液としては、アセトニトリルとｔ−ブタノールとの容積比５０：５０の混合溶媒に上記増感色素を３×１０-4ｍｏｌ／ｄｍ-3の濃度で含有させた溶液を使用した。上記増感色素の半導体層への担持は増感色素溶液中に室温で２４時間浸漬する方法を採用した。このようにして、半導体層に増感色素を担持させて作用極を基板の透明電極上に設けた。
【００５５】
対極には、厚さ１．１ｍｍの透明導電膜付ガラス板（旭硝子社製、Ｆ−ＳｎＯ2 、１０Ω／ｓｑ）の透明導電膜の一部をストライプ状にエッチング処理により取り除き、透明導電膜からなる透明電極上に厚さ２０ｎｍのＰｔをスパッタし、さらに、そのＰｔ膜上に５ｍｍｏｌ／ｄｍ-3のＨ2 ＰｔＣｌ6 溶液（溶媒：イソプロピルアルコール）を１０μｌ／ｃｍ2 の割合で塗布し、４５０℃で１５分間熱処理して対極を形成した。
【００５６】
このようにして作用極を設けた基板と対極を設けた基板との張り合わせには、デュポン社製の熱可塑性樹脂（商品名：ｂｙｎｅｌ  ４１６４）を使用した。上記熱可塑性樹脂の加熱条件は１５０℃で３０秒とした。電解液の注入は対極に設けた直径１ｍｍの注入口より減圧注入方式により行い、その注入口部の封止は５００μｍ厚のカバーガラスをｂｙｎｅｌ（前出）により固定することで行い、図２に示す構造の光電変換素子モジュールを作製した。ここで、この比較例１の光電子変換素子モジュールを図２に対応させて説明すると、作用極５．１〜５．２はそれぞれ基板３に設けられた透明電極４．１〜４．２に形成され、対極９．１〜９．２はそれぞれ基板７に設けられた透明電極８．１〜８．２に形成されている。そして、上記透明電極８．１〜８．２は透明導電膜で構成され、導電材１２は酸化スズで構成されているが、その他の部材、すなわち、基板３、基板７、作用極５．１〜５．２、対極９．１〜９．２、電解質１０．１〜１０．２、封止部１１．１〜１１．４などの構成材料は実施例１の場合と同様である。そして、この光電変換素子モジュールの周囲は、図示していないが、アネルバ社製トールシールを塗布し、封止強度の向上を図った。
【００５７】
比較例２
厚さ１．１ｍｍの透明導電膜付ガラス板（旭硝子社製、Ｆ−ＳｎＯ2 、１０Ω／ｓｑ）の透明導電膜の一部をストライプ状にエッチング処理により取り除いて透明電極とした。次に、平均一次粒子径が２０ｎｍの酸化チタン粉末をエチルセルロース中に分散させ、スクリーン印刷用のペーストを調製した。得られたペーストを透明導電膜付ガラス板の透明電極上に塗布し、乾燥して半導体層を形成した。次に、平均一次粒子径が２００ｎｍの酸化ジルコニウム粉末をエチルセルロース中に分散させ、スクリーン印刷用のペーストを調製した。得られたペーストを酸化チタン膜からなる半導体層上に塗布し乾燥して絶縁層を形成した。次に、平均一次粒子径が２０ｎｍのカーボン粉末と２００ｎｍのカーボン粉末をエチルセルロース中に分散させ、スクリーン印刷用のペーストを調製した。得られたペーストを酸化ジルコニウム膜からなる絶縁層上に塗布し、乾燥して対極を形成した。得られた乾燥物を５００℃で３０分間、空気中で焼成し、透明ガラス板からなる基板上に厚さ１０μｍの多孔質酸化チタン膜からなる半導体層と、厚み３０μｍの酸化ジルコニウム膜からなる絶縁層と、厚み２００μｍのカーボン膜からなる対極を形成した。各膜の構造は図３に示すような配置になるようにした。
【００５８】
次に、このような多孔質酸化チタン膜からなる半導体層と、酸化ジルコニウム膜からなる絶縁層と、カーボン膜からなる対極を形成した基板を〔Ｒｕ（４，４’−ジカルボキシル−２，２’−ビピリジン）2 −（ＮＣＳ）2 〕で表される増感色素溶液中に浸漬し、室温下で２４時間放置して半導体層に増感色素を担持させて作用極を構成した。上記増感色素溶液としては、アセトニトリルとｔ−ブタノールの容積比５０：５０の混合溶媒に上記増感色素を３×１０-4ｍｏｌ／ｄｍ-3の濃度で含有させた溶液を使用した。上記増感色素の半導体層への担持は増感色素溶液中に室温で２４時間浸漬する方法を採用した。
【００５９】
次に、デュポン社製の熱可塑性樹脂（商品名：ｂｙｎｅｌ  ４１６４）をアルミニウム薄膜の両面に貼り付けたラミネート材で図３に示すように作用極、対極などをラミネート材により被覆して封止した。電解液の注入は、ラミネート材に設けた直径１ｍｍの注入口より減圧注入方式により行い、注入口部の封止にはデュポン社製の熱可塑性樹脂（商品名：ｂｙｎｅｌ  ４１６４）を使用した。このようにして図３に示す構造の光電変換素子モジュールを作製した。
【００６０】
ここで、この比較例２の光電子変換素子モジュールを図３に対応させて説明すると、この比較例２の光電子変換素子モジュール１では、基板は１枚のみが用いられ、その基板３上の透明電極４．１に作用極５．１が形成され、また、基板３上の透明電極４．２に作用極５．２が形成されている。そして、光電子変換素子２．２の対極９．２の一端は前記透明電極４．１に接続し、この透明電極４．１に光電子変換素子２．１の作用極５．１が形成されているので、隣接する２つの光電子変換素子２．１〜２．２間は、一方の光電子変換素子２．１の作用極５．１と光電子変換素子２．２の対極９．２とは直列に接続されている。そして、作用極５．１〜５．２、対極９．１〜９．２、電解質、絶縁層１５．１〜１５．２などはラミネート材１４で被覆されて封止されているが、基板３、作用極５．１〜５．２、対極９．１〜９．２、電解質、絶縁層１５．１〜１５．２などの構成材料は前記実施例１の場合とほぼ同様である。なお、この図３には、電解質は図示されていないが、電解質は作用極５．１〜５．２、対極９．１〜９．２および絶縁層１５．１〜１５．２の空隙部に満たされた状態で存在している。
【００６１】
比較例３
厚さ１．１ｍｍの透明導電膜付ガラス板（旭硝子社製、Ｆ−ＳｎＯ2 、１０Ω／ｓｑ）の透明導電膜の一部をストライプ状にエッチング処理により取り除いて透明電極とした。次に、透明電極の一部に５ｍｍｏｌ／ｄｍ-3のＨ2 ＰｔＣｌ6 溶液（溶媒：イソプロピルアルコール）を１０μｌ／ｃｍ2 の割合で塗布し、乾燥した。次に、平均一次粒子径が２０ｎｍの酸化チタン粉末をエチルセルロース中に分散させ、スクリーン印刷用のペーストを調製した。得られたペーストを上記ガラス板の透明電極上に塗布し、乾燥した。得られた乾燥物を５００℃で３０分間、空気中で焼成し、ガラス板からなる基板上に厚さ１０μｍの多孔質酸化チタン膜からなる半導体層と縞状にＰｔを堆積させて対極を形成した。
【００６２】
次に、多孔質酸化チタン膜からなる半導体層およびＰｔ膜からなる対極を有する基板を〔Ｒｕ（４，４’−ジカルボキシル−２，２’−ビピリジン）2 −（ＮＣＳ）2 〕で表される増感色素溶液中に浸漬し、室温下で２４時間放置して半導体層に増感色素を担持させて作用極を構成した。上記増感色素溶液としては、アセトニトリルとｔ−ブタノールとの容積比５０：５０の混合溶媒に上記増感色素を３×１０-4ｍｏｌ／ｄｍ-3の濃度で含有させた溶液を使用した。上記増感色素の半導体層への担持は増感色素溶液中に室温で２４時間浸漬する方法を採用した。
【００６３】
前記工程により２枚の電極付き基板を作製し、その２枚の電極付き基板の張り合わせには、デュポン社製の熱可塑性樹脂（商品名：ｂｙｎｅｌ  ４１６４）を使用した。ｂｙｎｅｌ (前出）は加熱条件は、１５０℃で３０秒とした。電解液の注入は対極を設けた側の基板に形成した直径１ｍｍの注入口より減圧注入方式により行い、注入口部の封止は５００μｍ厚のカバーガラスをデュポン社製の熱可塑性樹脂（商品名：ｂｙｎｅｌ  ４１６４）により固定することによって行った。このようにして、図４に示す構造の光電子変換素子モジュールを作製した。ここで、この比較例３の光電子変換素子モジュールを図４に対応させて説明すると、この比較例４の光電子変換素子モジュールの構成材料そのものは実施例１の光電子変換素子モジュールや比較例１の光電子変換素子モジュールなどと同様であるが、この比較例３の光電子変換素子モジュール１では、その３つの光電子変換素子２．１、２．２、２．３のうち、隣接する光電子変換素子２．１と２．２との間では、光電子変換素子２．１の対極９．１と光電子変換素子２．２の作用極５．２とが同一の透明電極８．１に形成されているので、光電子変換素子２．１の対極９．１と光電子変換素子２．２の作用極５．２とが電気的に直列に接続が可能であり、光電子変換素子２．２と光電子変換素子２．３との間では、光電子変換素子２．２の対極９．２と光電子変換素子２．３の作用極５．３とが同一の透明電極４．２に形成されているので、光電子変換素子２．１の対極９．２と光電子変換素子２．２の対極５．３とが電気的に直列に接続可能であるが、この比較例３の光電子変換素子モジュールでは、隣り合う光電子変換素子のうちどちらか一方は作用極に届く光が対極を通過してから届く構造になる。なお、この比較例４の光電子変換素子モジュールにおいても、図示していないが、光電子変換素子モジュールの周囲には、アネルバ社製のトールシールを塗布し、封止強度の向上を図っている。
【００６４】
上記実施例１および比較例１〜３の光電変換素子モジュールをそれぞれ光電変換素子が５個直列に接続する状態で作製し、１００ｍＷ／ｃｍ2 の照度下で開放電圧が２Ｖ未満のものを失敗、２Ｖ以上のものを成功としカウントした。光電子変換素子モジュールの作製時の失敗率を以下のように定義し、１００個の光電子変換素子モジュールを作製して評価した。なお、以下において、光電子変換素子モジュールを簡略化して「モジュール」といい、光電子変換素子モジュールの作製時の失敗率を簡略化して「モジュール作製の失敗率」という場合がある。
（モジュール作製の失敗率）（％）＝
〔（失敗したモジュールの個数）／（作製したモジュールの個数）〕×１００
【００６５】
また、各モジュールを１００ｍＷ／ｃｍ2 の照度下で変換効率を測定し、５％以上を○、５％未満を×とした。その結果を表１に示す。なお、上記モジュール作製の失敗率の出し方からわかるように、モジュール作製の失敗は、電気的に直列に接続することに関する失敗を意味するものである。
【００６６】
【表１】
2005174679.tif 000003
【００６７】
表１に示す結果から明らかなように、実施例１〜２は、モジュール作製の失敗がなく、かつ変換効率が高く、本発明の光電変換素子モジュールは、従来の光電変換素子モジュールに比べ、隣り合う光電変換素子の対極と作用極との電気的な接続を容易かつ確実に行え、高い変換効率が実現できることが明らかであった。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の光電子変換素子モジュールの一実施形態を概略的に示す断面図である。
【図２】従来の光電子変換素子モジュールの一実施形態を概略的に示す断面図である。
【図３】従来の光電子変換素子モジュールの他の実施形態を概略的に示す断面図である。
【図４】従来の光電子変換素子モジュールのさらに他の実施形態を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１    光電子変換素子モジュール
２（２．１〜２．３）  光電子変換素子
３    基板
５（５．１〜５．３）  作用極
７    基板
９（９．１〜９．３）  対極
１０（１０．１〜１０．３）  電解質
１１（１１．１〜１１．４）  封止部
１２（１２．１〜１２．４）  導電材
【図１】
2005174679.tif 000004
【図２】
2005174679.tif 000005
【図３】
2005174679.tif 000006
【図４】
2005174679.tif 000007