(57)【要約】【課題】転写工程による加圧によってマイクロクラックが生じ、絶縁基板が割れてしまうという問題を有していた。【解決手段】絶縁基板前処理工程４１では、予め基板６０上にガラスペースト６１による強化膜６２を形成するとともに、基板６０の表面近傍の空孔７０へガラスペースト６１を充填するものである。これにより、基板６０へ外力が係った場合に空孔７０による応力集中が少なくなり、基板６０が、多空孔質であっても、基板６０の割れを防止することができる。【選択図】図１
2005311304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に配線パターンを形成する配線基板の製造方法において、樹脂製のフィルムへ凹部を加工し凹版を作成する凹版製造工程と、この凹版製造工程の後で前記凹部へ導体ペーストを充填する充填工程と、この充填工程の後で絶縁基板前処理工程で前記絶縁基板上に形成された接着剤の上に前記フィルムを貼り付ける貼り付け工程と、この貼り付け工程の後で前記絶縁基板を加熱するとともに加圧し、前記導体ペーストを前記絶縁基板側へ接着させる転写工程と、この転写工程の後で前記フィルムを前記絶縁基板から剥離し、前記導体ペーストを前記絶縁基板上へ残留させる剥離工程と、この剥離工程の後で前記導体ペーストを焼成し、前記配線パターンを形成させる焼成工程とを備え、前記絶縁基板は、多空孔を有すると共に硬質な無機質基材を用い、前記絶縁基板前処理工程では、前記無機質基材上に強化基材による強化膜を形成するとともに、前記無機質基材の前記強化基材側近傍における前記空孔へ前記強化基材を充填する配線基板の製造方法。
【請求項２】
絶縁基板前処理工程は、強化基材を無機質基材上に印刷する印刷工程と、この印刷工程の後で前記強化基材を焼成する焼成工程から成る請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
強化基材は、無機質基材の空孔径よりも小さな粒径のガラス粉を含むガラスペーストを用いた請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
絶縁基板の一部には、強化膜の不形成部を設けた請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
絶縁基板上に配線パターンを形成する配線基板の製造方法において、樹脂製のフィルムへ凹部を加工し凹版を作成する凹版製造工程と、この凹版製造工程の後で前記凹部へ導体ペーストを充填する充填工程と、この充填工程の後で前記絶縁基板上に予め接着剤を塗布し、前記接着剤の上に前記フィルムを貼り付ける貼り付け工程と、この貼り付け工程の後で前記絶縁基板を加熱するとともに加圧し、前記導体ペーストを前記絶縁基板側へ接着させる転写工程と、この転写工程の後で前記フィルムを前記絶縁基板から剥離し、前記導体ペーストを前記絶縁基板上へ残留させる剥離工程と、この剥離工程の後で前記導体ペーストを焼成し、前記配線パターンを形成させる焼成工程とを備え、前記絶縁基板は、多空孔を有するとともに硬質な無機質基材と、この無機質基材上に設けられた強化基材と、前記強化基材と前記無機質基材との間に設けられると共に、前記空孔へ前記強化基材が充填された強化基材充填孔とを有する配線基板の製造方法。
【請求項６】
絶縁基板上に導体パターンが敷設された配線基板において、前記配線基板は、前記絶縁基板と、この絶縁基板上に敷設された転写導体と、この転写導体の上に設けられた絶縁層とを備え、前記絶縁基板は、無機質基材と、この無機質基材上に設けられた強化基材と、前記強化基材と前記無機質基材との間に設けられると共に、前記空孔へ前記強化基材が充填された強化基材充填孔とを有する配線基板。
【請求項７】
絶縁基板の一部には強化基材の不形成部を形成した請求項６に記載の配線基板。
【請求項８】
配線パターンは、強化基材上と不形成部とに敷設するとともに、前記強化基材と無機質基材との誘電率を異ならせる請求項７に記載の配線基板。
【請求項９】
強化基材は、樹脂を用いるとともに、絶縁基板前処理工程では、前記樹脂による樹脂層を前記基板上に形成させる樹脂膜形成工程と、この樹脂膜形成工程の後で、前記樹脂膜を溶融し、前記基板上に強化膜を形成させる溶融工程とを有した請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
樹脂は、熱可塑性樹脂を用いた請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、凹版によって多空孔質基材上に配線パターンを成形する配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来の配線基板の製造方法について図面を用いて説明する。図１０は従来の配線基板の製造方法の工程図であり、図１１は従来の配線基板の製造方法による配線基板の要部断面図である。
【０００３】
図１０において、１は凹版製造工程であり、この凹版製造工程１では、クロムマスクに形成された孔を通過したエキシマレーザが、レンズを介しポリイミド製のフィルム（厚み１２５ミクロン）上に照射される。このようにして、フィルムに溝を彫り、凹部を形成する。
【０００４】
２は、スクリーン印刷工程であり、フィルムに形成された凹部にスクリーンで銀ペーストを充填し、掻き取り工程３で凹部以外の不要な銀ペーストを除去し、乾燥工程４で銀ペースト中に含まれた溶剤を蒸発させていた。
【０００５】
なおここで、乾燥工程４で銀ペーストを乾燥させると、溶剤が蒸発し体積が減少する。そこで凹部が銀ペーストで略一杯になるまで、再印刷工程５と、再掻き取り工程６と、再乾燥工程７とを繰り返す。
【０００６】
そして、貼り付け工程８では、銀ペーストが充填されたフィルムを予め接着剤が塗布されたアルミナ基板上に貼り付け、転写工程９では、この貼り付けされたフィルムを加熱するとともに圧力を加え、銀ペーストをアルミナ基板上へ転写する。
【０００７】
フィルム剥離工程１０で、フィルムをアルミナ基板から剥すと、アルミナ基板上には、凹部に充填されていた銀ペーストが残留する。そして、焼成工程１１でアルミナ基板を焼成すると、銀ペーストはアンカー効果でアルミナ基板上へ固定されて、導体パターン２３が形成される。
【０００８】
さらに、焼成が完了した配線基板上に、スクリーン印刷工程１２によってガラスペーストを印刷し、乾燥工程１３と焼成工程１４を経て絶縁層２４を形成し、配線基板２１（図１１に示す）が完成するものであった。
【０００９】
図１１は、このようにして製造された配線基板の要部断面図である。図１１において２２はアルミナ基板であり、このアルミナ基板２２上に導体パターン２３が形成される。そしてさらにそれらの導体パターン２３を覆うようにしてガラスペーストによる絶縁層２４が形成される。
【００１０】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１、特許文献２が知られている。
【特許文献１】特開２０００−１８３５０３号公報
【特許文献２】特開平７−１６９６３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながらこのような従来の配線基板の製造方法は、アルミナ基板の替わりに多空孔質であるフォルステライトなどのポーラスな（本発明では多空孔質と言う）無機質基材を用いると、転写工程による加圧によってマイクロクラックが生じ、絶縁基板が割れてしまうという問題を有していた。
【００１２】
そこで本発明は、この問題を解決したもので、多空孔質基材を用いた場合でも基材の割れを防止することができる配線基板の製造方法を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この目的を達成するために本発明の配線基板の製造方法における絶縁基板は、多空孔を有すると共に硬質な無機質基材を用い、前記絶縁基板前処理工程では、前記無機質基材上に強化基材による強化膜を形成するとともに、前記無機質基材の前記強化基材側近傍における前記空孔へ前記強化基材を充填するものである。これにより、多空孔質基材を用いた場合でも基材の割れを防止することができる。
【００１４】
本発明の請求項１に記載の発明は、絶縁基板上に配線パターンを形成する配線基板の製造方法において、樹脂製のフィルムへ凹部を加工し凹版を作成する凹版製造工程と、この凹版製造工程の後で前記凹部へ導体ペーストを充填する充填工程と、この充填工程の後で絶縁基板前処理工程によって予め作成された前記絶縁基板上に予め接着剤を塗布し、前記接着剤の上に前記フィルムを貼り付ける貼り付け工程と、この貼り付け工程の後で前記絶縁基板を加熱するとともに加圧し、前記導体ペーストを前記絶縁基板側へ接着させる転写工程と、この転写工程の後で前記フィルムを前記絶縁基板から剥離し、前記導体ペーストを前記絶縁基板上へ残留させる剥離工程と、この剥離工程の後で前記導体ペーストを焼成し、前記配線パターンを形成させる焼成工程とを備え、前記絶縁基板は、多空孔を有すると共に硬質な無機質基材を用い、前記絶縁基板前処理工程では、前記無機質基材上に強化基材による強化膜を形成するとともに、前記無機質基材の前記強化基材側近傍における前記空孔へ前記強化基材を充填する配線基板の製造方法であり、これにより、絶縁基板前処理工程では、多空孔な無機質基材の上に強化基材による層が形成されるとともに、その強化基材が空孔の中にも充填されるので、強化基材によって絶縁基板表面の空孔が埋められ、絶縁基板表面の凹みを小さくできる。従って、絶縁基板へ外力が係った場合に空孔による応力集中が少なくなり、多空孔質基材を用いた場合でも基材の割れを防止することができる。
【００１５】
請求項２に記載の発明における絶縁基板前処理工程は、強化基材を無機質基材上に印刷する印刷工程と、この印刷工程の後で前記強化基材を焼成する焼成工程から成る請求項１に記載の配線基板の製造方法であり、強化膜は、無機質基材上に強化基材を印刷し、焼成するので容易に強化膜を形成できる。また、この絶縁層を形成するために、新たな設備は不要であるので、低価格な配線基板を実現することができる。
【００１６】
請求項３に記載の発明における強化基材は、無機質基材の空孔径よりも小さな粒径のガラス粉を含むガラスペーストを用いた請求項２に記載の配線基板の製造方法であり、空孔の径より小さな径のガラス粉を含んでいるので、容易にガラス粉が空孔へ充填される。従って絶縁基板の強度を容易に向上させることができる。
【００１７】
請求項４に記載の発明における絶縁基板の一部には、強化膜の不形成部を設けた請求項１に記載の配線基板の製造方法であり、強化膜には強化基材の不形成部を設けているので、焼成工程における加熱によって空孔内の空気が膨張しても前記不形成部から抜けるので、強化膜が無機質基材から剥離し難くなる。
【００１８】
請求項５に記載の発明は、絶縁基板上に配線パターンを形成する配線基板の製造方法において、樹脂製のフィルムへ凹部を加工し凹版を作成する凹版製造工程と、この凹版製造工程の後で前記凹部へ導体ペーストを充填する充填工程と、この充填工程の後で前記絶縁基板上に予め接着剤を塗布し、前記接着剤の上に前記フィルムを貼り付ける貼り付け工程と、この貼り付け工程の後で前記絶縁基板を加熱するとともに加圧し、前記導体ペーストを前記絶縁基板側へ接着させる転写工程と、この転写工程の後で前記フィルムを前記絶縁基板から剥離し、前記導体ペーストを前記絶縁基板上へ残留させる剥離工程と、この剥離工程の後で前記導体ペーストを焼成し、前記配線パターンを形成させる焼成工程とを備え、前記絶縁基板は、多空孔を有するとともに硬質な無機質基材と、この無機質基材上に設けられた強化基材と、前記強化基材と前記無機質基材との間に設けられると共に、前記空孔へ前記強化基材が充填された強化基材充填孔とを有する配線基板の製造方法であり、絶縁基板は、多空孔な無機質基材の上に強化基材による層が形成されるとともに、その強化基材が空孔の中にも充填されて強化基材充填孔となり、強化基材によって絶縁基板表面の空孔が埋められることとなり、絶縁基板表面の凹みを小さくできる。従って、絶縁基板へ外力が係った場合に空孔による応力集中が少なくなり、多空孔質基材を用いた場合でも基材の割れを防止することができる。
【００１９】
請求項６に記載の発明は、絶縁基板上に導体パターンが敷設された配線基板において、前記配線基板は、前記絶縁基板と、この絶縁基板上に敷設された転写導体と、この転写導体の上に設けられた絶縁層とを備え、前記絶縁基板は、無機質基材と、この無機質基材上に設けられた強化基材と、前記強化基材と前記無機質基材との間に設けられると共に、前記空孔へ前記強化基材が充填された強化基材充填孔とを有する配線基板であり、絶縁基板は、多空孔な無機質基材の上に強化基材による層が形成されるとともに、その強化基材が空孔の中にも充填されて強化基材充填孔となり、強化基材によって空孔による絶縁基板表面の窪みが埋められることとなり、絶縁基板表面の凹みを小さくできる。従って、絶縁基板へ外力が係った場合に空孔による応力集中が少なくなり、多空孔質基材を用いた場合でも基材の割れを防止することができる。
【００２０】
請求項７に記載の発明は、絶縁基板の一部には強化基材の不形成部を形成した請求項６に記載の配線基板であり、強化基材の不形成部を設けているので、焼成工程における加熱によって空孔内の空気が膨張しても前記不形成部から抜けるので、強化基材が無機質基材から剥離し難くなる。
【００２１】
請求項８に記載の発明は、配線パターンは、強化基材上と不形成部とに敷設するとともに、前記強化基材と無機質基材との誘電率を異ならせる請求項７に記載の配線基板であり、誘電率が異なるので、小型化が必要な回路を誘電率が大きな基材上に形成すれば、回路を小型化することができる。
【００２２】
また、信号の損失を小さくすることが必要な回路を誘電率が小さな基材上に形成すれば信号の損失を小さくできる。
【００２３】
請求項９に記載の配線基板の製造方法は、強化基材は、樹脂を用いるとともに、絶縁基板前処理工程では、前記樹脂による樹脂層を前記基板上に形成させる樹脂膜形成工程と、この樹脂膜形成工程の後で、前記樹脂膜を溶融し、前記基板上に強化膜を形成させる溶融工程とを有した請求項１に記載の配線基板の製造方法であり、これにより容易に強化膜を形成できる。
【００２４】
請求項１０に記載の配線基板は、樹脂は、熱可塑性樹脂を用いた請求項９に記載の配線基板の製造方法であり、これにより凹版を転写するための樹脂膜を新たに形成する必要が無く、作業工程が少なくできる。従って低価格な配線基板を得ることが出来る。
【発明の効果】
【００２５】
以上のように本発明によれば、絶縁基板は、多空孔を有すると共に硬質な無機質基材を用い、前記絶縁基板前処理工程では、前記無機質基材上に強化基材による強化膜を形成するとともに、前記無機質基材の前記強化基材側近傍における前記空孔へ前記強化基材を充填するものである。
【００２６】
これにより、絶縁基板前処理工程では、多空孔な無機質基材の上に強化基材による層が形成される。また、強化基材が空孔の中にも充填されるので、強化基材によって絶縁基板表面の空孔が埋められ、絶縁基板表面の凹みを小さくできる。従って、絶縁基板へ外力が係った場合に空孔による応力集中が少なくなり、多空孔質基材を用いた場合でも基材の割れを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
（実施の形態１）
先ず、本実施の形態１における配線基板の製造方法について以下図面を用いて説明する。図１は本実施の形態１における製造工程図であり、図２から図８は本実施の形態１における各製造工程の詳細図である。
【００２８】
図１において、３０はレーザ加工でフィルムに溝を加工する凹版製造工程である。３１は、凹版製造工程３０の後でフィルムに剥離層を形成する剥離層形成工程である。３２は、剥離層形成工程の後で溝へ導電性ペーストを塗布、充填する充填工程であり、３３は、充填工程３２の後で導電性ペーストを乾燥させる乾燥工程である。そして３４は、乾燥工程３３の後で導電性ペーストを再塗布、再充填する再充填工程であり、３５は再充填工程３４の後で導電性ペーストを再乾燥する再乾燥工程である。
【００２９】
次に３６は、再乾燥工程３５で再乾燥された凹版を、絶縁基板前処理工程４１で予め接着剤が塗布されたフォルステライト基板（多空孔質基材の一例として用いた。なお本発明においては以降基板という）上に貼り合わせ、加熱するとともに加圧する転写工程である。３７は、転写工程の後でフィルムを基板から剥離し、導電性ペーストを基板上に転写するフィルム剥離工程である。
【００３０】
そして、３９は、加熱工程で処理された基板上の導電性ペーストを焼成する焼成工程である。続いて４０は、焼成工程３９で焼成された基板上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程である。
【００３１】
ここで、絶縁基板前処理工程４１は、ガラスペースト（強化基材の一例として用いた）を印刷する印刷工程４２と、この印刷工程４２の後でガラスペーストを乾燥する乾燥工程４３と、この乾燥工程４３の後でガラスペーストを焼成する焼成工程４４と、この焼成工程の後で接着剤を塗布する接着剤塗布工程４５とから構成される。
【００３２】
以下に、本実施の形態１における配線基板の製造方法を形成する各製造手段について図面を用いて詳細に説明する。
【００３３】
まず、凹版製造工程３０の製造手段について説明する。図２は、本実施の形態１における凹版製造工程３０における凹版製造手段の説明図である。図２において、５０は、厚さ１２５ミクロンメートルのポリイミド製のフィルムである。このフィルム５０の上方には、クロムマスク５１が載置され、このクロムマスク５１のさらに上方からエキシマレーザ５２が照射される。なお、クロムマスク５１には孔５１ａが設けられており、このクロムマスク５１とフィルム５０との間にはレンズ５３が設けられている。これによって、クロムマスク５１に形成された孔５１ａを通過したエキシマレーザ５２が、レンズ５３を通過し、フィルム５０上に孔５１ａに対応した像が結ばれる。このようにして、フィルム５０に溝を彫り、凹部５４が形成される。
【００３４】
なお凹部５４は、開口部に向かって広がった傾斜を有しており、この傾斜角を約２度から６度の傾斜としてある。これによって、後述するフィルム剥離工程３７で導電性ペーストが凹部５４から抜けやすくなるので、精度の良い導体パターンを形成することができる。
【００３５】
次に３１（図１参照）は、剥離層形成工程である。この剥離層形成工程３１における剥離層形成手段は、凹版製造工程３０によって凹部５４が形成された面側に、剥離層としてフッ化炭素系を塗布し、フッ化炭素系の分子膜を形成するものである。この剥離層によって、後述のフィルム剥離工程３７において、導電性ペーストをフィルム５０から剥離しやすくなる。
【００３６】
次にペースト充填工程３２におけるペースト充填手段について図３を用いて説明する。図３は本実施の形態１におけるペースト充填手段の断面図である。図３（ａ）に示されるように、このペースト充填手段では、まず厚さ１００μｍのスクリーン５７がフィルム５０上に載置され、導電性の導電性ペースト５６がスクリーン印刷される。これによって凹部５４内に導電性ペースト５６が充填されるとともに、フィルム５０上には約１００ミクロンの厚さで略均一で導電性ペースト５６の膜５６ａが形成されることとなる。なおここで、スクリーン５７は、ステンレス製であり、その開口部は凹部５４が形成された領域よりも大きな範囲とすることによって、全ての凹部５４に導電性ペースト５６を充填することができる。
【００３７】
その後、導電性ペースト５６が印刷されたフィルム５０は、遠心分離機で回転されることによって、導電性の導電性ペースト５６が凹部５４の隅々まで充填される。なお、この遠心分離機を用いると、充填と同時に脱泡も行うことができる。
【００３８】
そして、図３（ｂ）に示すように、スキージ５８でフィルム５０の表面が掻き取られ、フィルム５０上の不要な導電性ペースト５６ｂが除去され、凹部５４にのみ導電性の導電性ペースト５６が確りと充填されることとなる。
【００３９】
次に乾燥工程３３（図１も併せて参照）における乾燥手段について説明する。図３（ｃ）は、乾燥工程３３における乾燥手段の断面図である。この乾燥手段では、凹部５４へ充填された導電性ペースト５６を乾燥するものである。このときこの乾燥工程３３では、導電性ペースト５６は劣化しないが、導電性ペースト中に含まれた溶剤が揮発する温度で乾燥されることが必要である。ここで、本実施の形態１における導電性ペースト５６の溶剤は、イソプロピルアルコールなどのアルコール系溶剤が用いられている。また、導電性ペーストは約６０重量パーセントの銀粉と、約３８重量パーセントの溶剤と、残りを占めるバインダーとによって構成されている。従って、この乾燥工程３３での加熱温度は１５０℃程度とすることが望ましい。
【００４０】
ここで、導電性ペースト５６の約３８重量パーセントは溶剤であるので、乾燥が完了すると、図３（ｃ）に示すように、溶剤の蒸発相当分の体積が減少する。そこでこの体積の減少分を補うために、再度導電性ペースト５６を充填する再充填工程３４と再乾燥工程３５とを有している。そして、それら再充填工程３４と再乾燥工程３５は、図３（ｄ）に示すように、凹部５４が導体ペーストで略完全に満たされるまで数回繰り返される。なお、本実施の形態１においては、再充填工程３４と再乾燥工程３５を５回繰り返している。
【００４１】
ここで本実施の形態１においては、導電性ペースト５６の印刷性を考慮し、銀粉の含有比率を約６０重量パーセントとしているが、さらにこの銀粉の含有比率の大きいものを用いれば再充填工程３４と再乾燥工程３５の繰り返し回数を減少させることも可能である。
【００４２】
では次に、絶縁基板前処理工程のそれぞれの工程について詳細に説明する。図４は、本実施の形態１における絶縁基板前処理工程４１の絶縁基板の断面図であり、図４（ａ）は、印刷工程における絶縁基板の断面図であり、図４（ｂ）は、接着剤塗布工程における絶縁基板の断面図である。
【００４３】
まず図４（ａ）に示すように、印刷工程４２では、フォルステライト基板６０（無機質基材の一例として用いた。なお本発明においては以降基板という）の表面上にガラスペースト（強化基材の一例として用いた）をスクリーン印刷し、乾燥工程４３によってガラスペーストを乾燥する。そして、焼成工程４４によってガラスペースト６１を焼成し強化膜６２を形成させるものである。なお本実施の形態においてはガラスペーストを用い、これをスクリーン印刷によって基板６０上へ供給するので、容易に基板６０に強化膜６２を形成することができる。
【００４４】
なお、本実施の形態における印刷工程４２では、約２０μｍの厚みのスクリーンを用い、印刷工程４２と乾燥工程４３とを２回繰り返すことで、基板６０上に約３６μｍの膜厚のガラスペースト層６１が形成される。
【００４５】
そして焼成工程４４でガラスペースト６１を焼成すると、基板６０上に膜厚が約２０μｍのガラスの強化膜６２が完成する。
【００４６】
次に、接着剤塗布工程４５は、焼成工程４４と転写工程３６の間に挿入され、強化膜６２上にポリビニルブチラール樹脂６３（以下ＰＶＢという。なおこれは接着剤の一例として用いたものである。）がスクリーン印刷によって塗布される工程である。これによって図４（ｂ）に示したように、強化膜６２上にＰＶＢ６３の膜が形成された前処理基板６４が完成し、絶縁基板前処理工程が完了する。
【００４７】
なお、本実施の工程においてはＰＶＢ６３をスクリーン印刷で塗布したが、これは基板６０をアセトンとトルエンとの混合溶液にＰＶＢ樹脂を溶かした液に浸漬し、乾燥させることによって形成しても良い。なお、アセトンとトルエンとの混合溶液を用いているので、乾燥温度は常温で行うことができる。
【００４８】
次に転写工程３６における転写手段について説明する。図５はこの転写工程における転写手段の断面図である。図５に示すように、充填工程３２で導電性ペースト５６が充填されたフィルム５０が、前処理基板６４上に貼り合わされる。このフィルム５０が貼り合わされた前処理基板６４は、ゴム（図示せず）の間に挟まれ、そのゴムの上下から圧力を加えるとともに加熱される。そして、この加熱によって溶融したＰＶＢ６３は、導電性ペースト５６内に浸透し、導電性ペースト５６とＰＶＢ６３とが混ざることとなる。
【００４９】
なお、この加熱温度はガラス転移点以上であることが必要である。これは、ＰＶＢ６３面近傍におけるフィルム５０と前処理基板６４との剥離を防止するためである。さらに、ＰＶＢ６３の重合度が０となる温度以下でなければならない。これは、ＰＶＢ６３内の分子の結合が外れることによって発生するガス（水蒸気など）によるボイド等を防止する為である。つまり凹部５４内でガスが発生してもその逃げ口がないので、ガスは当然導電性ペースト５６内に留まるからである。
【００５０】
ここで、大気雰囲気中においてはＰＶＢ６３を１７５℃の温度で２０分程度加熱してやると、重合度は０となってしまう。そこで、本実施の形態１においては転写工程３６における加熱温度を１７０℃としている。これは、１７５℃の温度でも徐々にＰＶＢ内の分子結合の破壊は進行し、徐々にガスが発生するので、ＰＶＢ６３の加熱温度を１７０℃と低くしてある。これによって、ボイドの少ない導体パターンを実現でき、高精度な導体パターンを実現することができる。
【００５１】
次に冷却によって、ＰＶＢ６３が固まり、導電性ペースト５６も硬くなるとともに導電性ペースト５６が前処理基板６４に確りと接着される。なおこの冷却は、ＰＶＢ６３のガラス転移点より低い温度となるまで冷却されることが重要である。これは、ガラス転移点以上の温度においてＰＶＢ６３は完全に硬くなっておらず、この状態で搬送したりすると、フィルム５０とアルミナ基板６０との間で剥離を起こすことがあり、この剥離を防止するためである。
【００５２】
次にフィルム剥離工程３７におけるフィルム剥離手段について説明する。図６は、本実施の形態１におけるフィルム剥離工程３７におけるフィルム剥離手段の断面図を示している。図６において、フィルム５０を前処理基板６４から剥がし、凹部５４内の導電性ペースト５６を前処理基板６４上に残留させる。これにより、クロムマスク５１（図２）の孔５１ａに対応した導体パターン６５が前処理基板６４へ転写されることになる。
【００５３】
次に焼成工程３９における焼成手段について説明する。この焼成手段は、前処理基板６４上の導電性ペースト５６の銀粉を焼結させるものである。なお、この焼成工程３９における焼成温度のピーク温度は略８５０℃である。このようにして、ＰＶＢ６３が約４００℃の温度で燃焼し、炭素と水（水蒸気）へと変化して焼失するので、導電性ペースト５６がアンカー効果により絶縁前処理基板７５に固定され、導体パターン６５が形成された配線基板が完成する。なお、本実施の形態１における焼成工程３９の焼成温度カーブは、毎分約３１℃である。
【００５４】
そして次に、絶縁層形成工程４０によって、導体パターン６５の電気的、物理的保護などを目的として絶縁層６６が形成され、図７に示すような配線基板が完成する。その絶縁層は、スクリーン印刷などによって、樹脂を印刷することによって形成している。
【００５５】
図８は、本実施の形態１の絶縁基板前処理工程における焼成工程での基板の断面模式図である。なお図８において、図４と同じものは同じ番号を付し、その説明は簡略化している。
【００５６】
図８において、７０は、基板６０内の空孔である。そしてこの空孔７０は、基板６０の表層部にも存在する。従って、ガラスペースト６１の印刷工程４２では、基板６０の表層面近傍にある空孔７０へガラスペースト６１が流れ込み、ガラス充填孔７１（強化基材充填孔の一例として用いた）が形成される。そして乾燥工程４３と焼成工程４４によってガラスによる強化膜６２が形成される。本実施の形態においては、ガラスペースト６１には、空孔７０の径より小さな粒径を含むものを用いることで、ガラスペースト６１が空孔７０へ確りと充填されることとなる。なお、本実施の形態においては、ガラスペースト６１の平均粒径は、約２μｍのものを用いている。
【００５７】
つまり、強化膜６２によって基板６０表面近傍の空孔７０が塞がれ、表面の凹凸が小さくなる。これによって、基板６０に対して応力などが加わった場合においての、空孔７０による凹部先端近傍に生じる応力集中など小さくできる。従って、基板６０への応力がかかる転写工程において、特にマイクロクラックや割れなどが発生しにくくできる。
【００５８】
また、ガラスが空孔７０へ充填されることで、くさび効果を生じ、強化層６２と基板６０とは剥離しにくくなる。
【００５９】
本実施の形態において強化膜６２は、基板６０の片側にのみ形成したが、これは片側からの応力がかかる場合、応力の反対側に強化膜を形成すれば、空孔７０で生じる応力集中などの発生が少なくなる。又、両面に形成しても良く、これによってさらに基板の強度を大きくすることができ、基板の割れを更に少なくすることができる。
【００６０】
なお、本実施の形態においては、基板６０には、強化膜６２の不形成部７５ａを設けている。また、本実施の形態においては、基板６０の側面６０ａや、裏面６０ｂ側も強化膜６１を設けていない不形成部としてある。これにより、基板６０内部の空孔７０内に含まれた空気や水分が、焼成工程３９による加熱で膨張した場合にも、不形成部７５ａがそれらの抜け道となるので、強化膜６２と基板６０との剥離や膨れなどの発生を防止することができる。
【００６１】
なお、本実施の形態においては、不形成部７５ａ上にも配線パターン６５ａ（図７に示す）を形成し、基板６０と強化膜６２とは、誘電率の異なる材料を用いている。これにより、小型化が必要な回路を誘電率が大きな側に形成すれば、回路を小型化することができる。
【００６２】
また、信号の損失を小さくすることが必要な回路を誘電率が小さな側に形成すれば信号の損失を小さくできる。
【００６３】
（実施の形態２）
以下実施の形態２について図面を用いて説明する。図９は、本実施の形態における配線基板の製造フローチャートである。なお、図９において、図１と同じ工程は同じ番号を用い、その説明は簡略化している。
【００６４】
本実施の形態では、実施の形態１に対し、絶縁基板前処理工程４１が異なっており、この工程について詳細に説明する。本実施の形態における強化膜６２は、樹脂膜であり、例えばＰＶＢなどを用いたものである。
【００６５】
そして、この強化膜６２の形成のために、実施の形態１の絶縁基板前処理工程４１に代えて、絶縁基板前処理工程１０１を設けたものである。では、絶縁基板前処理工程１０１について説明する。絶縁基板前処理工程１０１には、基板６０の表面に樹脂膜層を形成させる樹脂膜形成工程１０２と、この樹脂膜形成工程１０２の後で加熱し樹脂膜を溶融させる溶融工程とから構成される。
【００６６】
なお、本実施の形態における樹脂膜形成工程１０２における浸漬工程１０２ａでは、ＰＶＢをアセトンなどの溶液に溶かした溶液中に基板６０を浸漬する。そして、この浸漬工程１０２ａの後で、基板６０を常温環境下で乾燥させる乾燥工程１０２ｂを設けることで、アセトンなどの溶剤が蒸発し、基板６０上にはＰＶＢによる樹脂膜が形成される。
【００６７】
溶融工程１０３では、樹脂膜が形成された基板６０を、樹脂の溶融温度以上の温度にまで加熱し、溶融させる。この加熱によって樹脂の粘度が小さくなり、浸漬だけでは入り込めなかった小さな空孔などへもＰＶＢが入り込むこととなり、基板６０は割れ難くなる。本実施の形態ではＰＶＢを用いているので、この溶融工程１０３の温度は、約１５０℃の温度としている。これにより強化膜６２形成のために樹脂を用いているので、強化膜６２の形成のために焼成などを行う必要がなく、容易に強化膜６２を形成できる。
【００６８】
なお、樹脂には、ＰＶＢなどの熱可塑性樹脂を用いているので、これにより凹版を転写するために別途樹脂を塗布する必要が無く、作業工程が少なくできる。従って低価格な配線基板を得ることが出来る。
【００６９】
また、本実施の形態において強化膜６２は、浸漬によって形成したが、これはスクリーン印刷やコータなどによって形成しても良い。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明にかかる配線基板の製造方法とこれを用いた配線基板は、基材が割れ易い多空孔を有した基板に対して配線パターンを成形する方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本実施の形態１における配線基板の製造工程図
【図２】同、凹版製造手段の断面図
【図３】（ａ）は、同、充填手段の断面図、（ｂ）は、同、充填手段の断面図、（ｃ）は、同、乾燥工程におけるフィルムの断面図、（ｄ）は、同、再乾燥工程におけるフィルムの断面図
【図４】（ａ）は、同、ガラスペースト印刷工程における基板の断面図、（ｂ）は、同、ＰＶＢ塗布後における基板の断面図
【図５】同、転写手段の断面図
【図６】同、フィルム剥離手段の断面図
【図７】同、配線基板の断面図
【図８】同、絶縁基板製造工程における基板の要部拡大模式図
【図９】実施の形態２における配線基板の製造工程図
【図１０】従来の配線基板の製造フローチャート
【図１１】同、配線基板の断面図
【符号の説明】
【００７２】
３０  凹版製造工程
３２  充填工程
３６  転写工程
３７  剥離工程
３９  焼成工程
４１  絶縁基板前処理工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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