(57)【要約】【課題】  製造工程中の静電破壊を防止し、かつ走査線と補助容量線との間の短絡も防止可能な表示装置および表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の表示装置は、絶縁性基板上に形成された表示領域２を形成する画素と、該画素と接続される走査線４と、走査線４と同一層の導電膜で、かつ走査線４と並行に形成された補助容量線７と、表示領域２外の領域において、走査線４および補助容量線７と同一層の導電膜で形成され、かつ走査線４および補助容量線７のそれぞれに対し、放電可能な間隔Ｘを有した独立のパターン１４とを備えたことを特徴とする。【選択図】  図２
2005208305.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に形成された表示領域を形成する画素と、
前記画素と接続される走査線と、
前記走査線と同一層の導電膜で、かつ前記走査線と並行に形成された補助容量線と、
前記表示領域外の領域において、前記走査線および補助容量線と同一層の導電膜で形成され、かつ前記走査線および前記補助容量線のそれぞれに対し、放電可能な間隔を有した独立のパターンと、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記独立のパターンと、前記走査線および前記補助容量線のそれぞれとの放電可能な間隔は、３〜１０μｍであることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記補助容量線または前記走査線は、表示領域外の領域において、隣接する補助容量線または隣接する走査線との間に放電可能な間隔を有した、突起部を有することを特徴とする請求項１または２記載の表示装置。
【請求項４】
絶縁性基板上に形成された表示領域を形成する画素を備えた表示装置の製造方法であって、
前記画素と接続される走査線と、該走査線と並行に補助容量線を形成する工程と、
前記表示領域外の領域において、前記走査線および前記補助容量線のそれぞれに対し、放電可能な間隔を有した独立のパターンを形成する工程と、
が同一の製造工程であることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記独立のパターンと、前記走査線および前記補助容量線のそれぞれとの放電可能な間隔は、３〜１０μｍであることを特徴とする請求項４記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線群が形成された絶縁性基板の製造工程における静電破壊を防止可能な表示装置および表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の表示装置は、ショートリング形成以前における静電荷の放電用として、走査線、補助容量線それぞれの配線部に突起部を形成し、この突起部の配置位置として他層の信号線のような導体パターンが形成されない位置を選択することにより、放電によって生じた絶縁膜の損傷等を介して信号線のような他層の導体パターンと走査線または補助容量線とがショートすることなく、静電破壊を防止できるというものであった（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平８−２３４２２７号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記した従来の表示装置においては、製造工程中に静電気が発生した場合、走査線と補助容量線との間の突起部にて放電させて静電破壊を防止しているが、数千ボルトにも達する静電気を放電した走査線と補助容量線の間の突起部は短絡してしまう場合があり、短絡が発生した場合、結果的に走査線と補助容量線とが短絡され、表示不良となってしまうという問題があった。
【０００５】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、製造工程中の静電破壊を防止し、かつ走査線と補助容量線との間の短絡も防止可能な表示装置および表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の表示装置は、絶縁性基板上に形成された表示領域を形成する画素と、前記画素と接続される走査線と、前記走査線と同一層の導電膜で、かつ前記走査線と並行に形成された補助容量線と、前記表示領域外の領域において、前記走査線および補助容量線と同一層の導電膜で形成され、かつ前記走査線および前記補助容量線のそれぞれに対し、放電可能な間隔を有した独立のパターンとを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、表示装置の製造工程中の静電破壊を防止し、かつ走査線と補助容量線との間の短絡も防止することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１を図１〜図２により説明する。図１は本発明の実施の形態１における表示装置の等価回路図を示し、図２は図１における主要部の拡大図を示している。
【０００９】
図１において、絶縁性基板１上に表示領域２を形成する画素が配設され、各画素は薄膜トランジスタ３を具備している。なお、薄膜トランジスタ３のゲートは走査線４に接続され、ソースは映像信号線５に接続され、ドレインは補助容量６を介して補助容量線７に接続されている。また、図示されてはいないが、ドレインには透明電極などからなる画素電極も接続されている。上記補助容量線７は、一般的に表示装置全体として同一の電圧が印加されるため、図１に示すように表示領域２の外側においてそれぞれ共通補助容量線８に接続されている。各走査線４および各映像信号線５は、表示領域２から引き出し走査線９および引き出し映像信号線１０によりそれぞれ引き出され、絶縁性基板端部近傍に形成された走査線側外部接続端子１１と映像信号線側外部接続端子１２にそれぞれ接続されている。共通補助容量線８も、前記走査線側外部接続端子、映像信号線側外部接続端子と並行に形成された補助容量用外部端子１３に接続されている。該外部接続端子１１、１２、１３に、例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）などの導電性材料により、フィルム基板に実装された駆動回路などが接続されている。
【００１０】
図２は、図１における主要部の拡大図を示しており、具体的には表示領域２の外側の走査線２本と補助容量線２本分のパターニング図を示しており、図中の表示領域内の薄膜トランジスタなどについては、記載を省略している。また、図中の補助容量線７は、図１に示したように、図示しないさらに外側の領域などで、共通補助容量線８にそれぞれ接続されるものであり、走査線４については、図２においては左側に引き出され、走査線側外部接続端子１１に接続される構成となっている。図２のように、本発明においては、絶縁性基板上の表示領域外の領域において、同一の製造工程で形成された、即ち同一層の導電膜で形成された走査線と補助容量線との間に、該走査線と補助容量線と同一層の導電膜により形成された独立したパターン１４を設け、かつ該独立パターン１４は、走査線４および補助容量線７それぞれとの距離を、放電可能な間隔Ｘを有して形成されているものである。該放電可能な間隔Ｘとは、絶縁性基板上に各配線等をパターニングする製造工程中に、例えば数千ボルトに達する静電気が発生した場合に放電可能な距離を表し、好ましくは３〜１０μｍ程度である。該放電可能な間隔Ｘが３〜１０μｍであれば、確実に放電を行なうことができ、かつ放電後に該走査線と補助容量線との短絡および製造工程中の異物の発生等による該走査線と補助容量線との短絡も抑制可能である。
【００１１】
上述の構成とすることで、絶縁性基板上に各配線等をパターニングする製造工程中に、例えば数千ボルトに達する静電気が発生した場合に、各独立パターンと走査線または補助容量線との間で放電させることで、他の層（映像信号線等）との間の絶縁破壊などを抑制することが可能となる。なお、本実施の形態では、独立パターンは、走査線および補助容量線それぞれに対して、放電可能な間隔をもって形成されているため、放電後にどこか１箇所の独立パターンと走査線または補助容量線とが短絡されたとしても、走査線と補助容量線との短絡とはならず、製造歩留を低下させることもない。
【００１２】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２を図３により説明する。図３は本発明の実施の形態２における図１の主要部の拡大図を示している。
【００１３】
図３において、図１、図２と同じ構成部分については同一の符号を付し、差異について説明する。図３においては、図２の独立パターン１４に加えて、補助容量線７において、隣接する補助容量線との間に、放電可能な間隔Ｙを有した突起部１５が形成されている。該放電可能な間隔Ｙは、上記実施の形態１と同様に、好ましくは３〜１０μｍ程度である。また、上述の図２の場合と同様に、図３の補助容量線７は、図１に示したように、図示しないさらに外側の領域などで、共通補助容量線８にそれぞれ接続されるものであり、走査線４については、図３においては左側に引き出され、走査線側外部接続端子１１に接続される構成となっている。
【００１４】
上述した構成により、実施の形態１の効果に加えて、上述のように補助容量線は表示装置全体として一般的に同一の電圧が印加されることから、隣接する補助容量線にも同一の電圧が印加されており、もし放電後に短絡しても何ら不都合はなく、放電可能な間隔をもった部分を増加させることが可能となり、より確実に静電破壊を防止することが可能である。図３においては、補助容量線について、隣接する補助容量線との間に突起部を形成する構成について示したが、同様の構成を走査線に適用してもよい。しかしながら、該走査線に適用し、放電後に隣接する走査線と短絡してしまった場合、表示不良をもたらしてしまうため、放電可能な間隔の設定の際に注意が必要である。走査線と隣接する走査線との間の放電可能な間隔は、放電後の短絡抑制のため５〜１０μｍ程度が好ましい。該走査線については、例えば表示装置が完成する前に切り落とされ、かつ絶縁性基板の周縁部に走査線と同一層の導電膜で形成されたショートリングと、走査線との間に放電可能な間隔（３〜１０μｍ程度）を有する部分を形成することで、上記補助容量線の場合と同様の効果を奏することが可能である。この場合、該ショートリングと放電可能な間隔を有して形成された走査線の部分とが、放電後に短絡したとしても、上述のように該部分は表示装置が完成する前に切り落とされることから、何ら問題は生じない。該ショートリングと走査線との間に放電可能な間隔を設ける構成は、上記実施の形態１の構成と併用して用いてもよい。
【００１５】
以上、上記実施の形態１、２においては、薄膜トランジスタを有する表示装置について説明しているが、これに限定されるものではなく、同一層の導電膜で並行に形成される少なくとも２種の信号線を有する表示装置に適用可能である。さらに、上記実施の形態においては、走査線と映像信号線とが、表示領域におけるそれぞれ異なる一辺側に引き出され、該それぞれ異なる一辺にそれぞれの外部接続端子が形成される場合について説明しているが、何れかの一辺に走査線と映像信号線の両方がの外部接続端子が形成される表示装置に適用してもよい。本発明は、同一層の導電膜で並行に形成される少なくとも２種の信号線を有する、液晶またはエレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子などを用いたあらゆる表示装置に適用して好適なものである。  
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態１における表示装置の等価回路図である。
【図２】図１における主要部の拡大図である。
【図３】本発明の実施の形態２における図１の主要部の拡大図である。
【符号の説明】
【００１７】
１  絶縁性基板、２  表示領域、３  薄膜トランジスタ、４  走査線、５  映像信号線、６  補助容量、７  補助容量線、８  共通補助容量線、９  引き出し走査線、
１０  引き出し映像信号線、１１  走査線側外部接続端子、
１２  映像信号線側外部接続端子、１３  補助容量用外部接続端子、１４  独立パターン、１５  突起部
【図１】
2005208305.tif 000003
【図２】
2005208305.tif 000004
【図３】
2005208305.tif 000005