(57)【要約】【課題】  故障解析を裏面から行うときの観察位置の位置合わせを簡易、且つ正確に行うことが可能な半導体装置、裏面解析システム及び裏面解析方法を提供する。【解決手段】  赤外線の透過性を有する基板１０と、位置合わせ部１２ａ〜１２ｄとして機能する半導体素子の集合、又は半導体素子の一部を基板１０に、互いの間隔が裏面解析システムの最小観察視野の範囲の１／２以下となるように離間して、裏面解析システムの観察視野内に３個以上配置する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤外線の透過性を有する基板と、
位置合わせ部として機能する半導体素子の集合、又は半導体素子の一部を前記基板に、互いの間隔が裏面解析システムの最小観察視野の範囲の１／２以下となるように離間して、前記裏面解析システムの観察視野内に３個以上配置したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子の集合が、論理素子を構成し、該論理素子の動作による発光を位置合わせに用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子の一部は、前記半導体素子のゲート電極又は前記半導体素子へのコンタクトであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
位置合わせ部として機能する半導体素子の集合、又は半導体素子の一部を基板に、互いの間隔が検出器の最小観察視野の範囲の１／２以下となるように離間して、前記検出器の観察視野内に３個以上配置した半導体装置の前記位置合わせ部の光学像を含む観察画像データを取得する観察部と、
前記観察画像データの位置合わせ部の座標値とＣＡＤレイアウトデータの位置合わせ部の座標値をそれぞれ照合する座標値照合手段と、
前記観察画像データの位置合わせ部の座標値が前記ＣＡＤレイアウトデータで対応する座標値に対して位置ずれがあるかどうかを判断する位置ずれ有無判断手段と、
前記半導体装置の位置ずれを補正するための位置補正データを算出し、前記半導体装置の位置を補正する位置補正データ算出手段
とを備えることを特徴とする裏面解析システム。
【請求項５】
位置合わせ部として機能する半導体素子の集合、又は半導体素子の一部を基板に、互いの間隔が検出器の最小観察視野の範囲の１／２以下となるように離間して、前記検出器の観察視野内に３個以上配置した半導体装置の前記位置合わせ部の光学像を含む観察画像データを取得するステップと、
前記観察画像データの位置合わせ部の座標値とＣＡＤレイアウトデータの位置合わせ部の座標値をそれぞれ照合するステップと、
前記観察画像データの位置合わせ部の座標値が前記ＣＡＤレイアウトデータで対応する座標値に対して位置ずれがあるかどうかを判断するステップと、
前記半導体装置の位置ずれを補正するための位置補正データを算出し、前記半導体装置の位置を補正するステップ
とを含むことを特徴とする裏面解析方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の検査に関し、特に半導体装置の検査の位置合わせを正確に行える半導体装置、裏面解析システム及び裏面解析方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は多層化及びフリップチップ実装等の高集積化が図られている。半導体装置の高集積化が進むに伴い、半導体装置の故障解析を行いたい下層の信号配線の解析は、半導体装置の表面から行うことが困難になっている。そこで、半導体装置の裏面であるシリコン（Ｓｉ）基板を透過する赤外光を利用して、半導体装置の裏面から故障解析を行う「裏面解析技術」が広まってきている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
しかしながら、裏面解析技術でＳｉを透過して観察できる像は、主にＳｉ基板に最も近い位置にあるポリシリコン等のゲート電極やコンタクトによって反射して得られる像である。観察できる最下層以外の配線層は、ゲート電極やコンタクトのない隙間の部分に限られる。したがって、裏面解析技術では、現実にはゲート電極やコンタクトの像しか殆ど観察することができない。ゲート電極やコンタクトは特徴に乏しい形状をしているため、観察場所の特定は非常に困難である。
【０００４】
仮にゲート電極やコンタクトの形状に特徴があったとしても、裏面からＳｉを介して観察する際の光学分解能は、現在使用されている配線に比して大きすぎるため十分な解像度で観察することができない。したがって、観察場所の特定は非常に困難である。
【０００５】
また、ゲートアレイのような半導体装置は、ゲート電極に全て同じ形のものが使用されている場合があり、近くにゲートアレイ以外の特徴ある素子等のパタンが見えていない限り、観察画像から位置を特定するのは殆ど不可能である。
【特許文献１】特開平７−３５６９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、故障解析を裏面から行うときの観察位置の位置合わせを簡易、且つ正確に行うことが可能な半導体装置、裏面解析システム及び裏面解析方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の特徴は、（イ）赤外線の透過性を有する基板と、（ロ）位置合わせ部として機能する半導体素子の集合、又は半導体素子の一部を基板に、互いの間隔が裏面解析システムの最小観察視野の範囲の１／２以下となるように離間して、裏面解析システムの観察視野内に３個以上配置した半導体装置であることを要旨とする。
【０００８】
本発明の第２の特徴は、（イ）位置合わせ部として機能する半導体素子の集合、又は半導体素子の一部を基板に、互いの間隔が検出器の最小観察視野の範囲の１／２以下となるように離間して、検出器の観察視野内に３個以上配置した半導体装置の位置合わせ部の光学像を含む観察画像データを取得する観察部と、（ロ）観察画像データの位置合わせ部の座標値とＣＡＤレイアウトデータの位置合わせ部の座標値をそれぞれ照合する座標値照合手段と、（ハ）観察画像データの位置合わせ部の座標値がＣＡＤレイアウトデータで対応する座標値に対して位置ずれがあるかどうかを判断する位置ずれ有無判断手段と、（ニ）半導体装置の位置ずれを補正するための位置補正データを算出し、半導体装置の位置を補正する位置補正データ算出手段とを備える裏面解析システムであることを要旨とする。
【０００９】
本発明の第３の特徴は、（イ）位置合わせ部として機能する半導体素子の集合、又は半導体素子の一部を基板に、互いの間隔が検出器の最小観察視野の範囲の１／２以下となるように離間して、検出器の観察視野内に３個以上配置した半導体装置の位置合わせ部の光学像を含む観察画像データを取得するステップと、（ロ）観察画像データの位置合わせ部の座標値とＣＡＤレイアウトデータの位置合わせ部の座標値をそれぞれ照合するステップと、（ハ）観察画像データの位置合わせ部の座標値がＣＡＤレイアウトデータで対応する座標値に対して位置ずれがあるかどうかを判断するステップと、（ニ）半導体装置の位置ずれを補正するための位置補正データを算出し、半導体装置の位置を補正するステップとを含む裏面解析方法であることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、故障解析を裏面から行うときの観察位置の位置合わせを簡易、且つ正確に行うことが可能な半導体装置、裏面解析システム及び裏面解析方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１２】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置は、図１に示すように、赤外線の透過性を有する基板１０と、位置合わせ部として機能する半導体素子の集合、又は半導体素子の一部を基板１０に、互いの間隔が裏面解析システムの最小観察視野Ｆの範囲の１／２以下となるように離間して、裏面解析システムの観察視野内に３個以上配置する。第１の実施の形態に係る半導体装置の位置合わせ部として、
半導体素子の集合がインバータ１２ａ〜１２ｄを構成し、インバータ１２ａ〜１２ｄの動作による発光を位置合わせに用いる。
【００１３】
インバータ１２ａ〜１２ｄは、半導体装置の動作に必要なインバータやＮＡＮＤ素子等の回路を構成する基本的単位の機能回路（セル）の配置されてない未使用の箇所に配置される。基板１０には、赤外線を透過するＳｉ基板等を用いることができる。裏面解析システムの最小観察視野Ｆの範囲とは、裏面解析システムの検出器の倍率を最高にしたときに観察することができる基板１０上の範囲であり、具体的な大きさはシステムによって異なるが、例えば１００倍の対物レンズで観測するシステムの場合は、一辺が１５０ｎｍ程度の四角形状の範囲である。インバータ１２ａ〜１２ｄは、裏面解析システムの最小観察視野Ｆの範囲の１／２以下に配置されることで、観察視野内に３個以上存在するようになる。
【００１４】
複数のインバータ１２ａ〜１２ｄは、直列で鎖状に偶数個接続されてインバータチェーン１３を形成する。インバータチェーン１３の端部には、ＮＡＮＤ素子２０が配置されている。ＮＡＮＤ素子２０の入力側は、外部端子３０とインバータチェーン１３の最終段のインバータ１２ｄと接続されている。ＮＡＮＤ素子２０の出力側は、インバータチェーン１３の初段のインバータ１２ａに接続されている。インバータチェーン１３には偶数個のインバータ１２ａ〜１２ｄが配置されているため、外部端子３０に通常動作時にロウ（Ｌ）レベルが入力されると、ＮＡＮＤ素子２０の出力はハイ（Ｈ）レベルで固定となる。また、インバータ１２ａ〜１２ｄの入出力レベルも固定値となっている。
【００１５】
第１の実施の形態に係る半導体装置は、図２に示す裏面解析システム４によって観察される。裏面解析システム４は、半導体装置の異常箇所に電界が集中したときに発生するホットキャリアに起因して生じる極微弱光、及びラッチアップ等の再結合による赤外線領域の極微弱光を撮像する。また、裏面解析システム４は、照射した赤外光がＳｉ基板に最も近い位置にあるポリシリコン等のゲート電極やコンタクトによって反射して得られる極微弱光を撮像する。裏面解析システム４は、観察部５及び制御部６を備える。裏面解析システム４には、エミッション顕微鏡等が用いられる。
【００１６】
観察部５は、試料ステージ５０、駆動部５２、照射部５４、検出部５６、及び暗箱５８を備える。試料ステージ５０、駆動部５２、照射部５４、及び検出部５６は、外側からの光の入射を遮断する暗箱５８内に配置される。但し、駆動部５２は暗箱５８の外に配置しても構わない。
【００１７】
試料ステージ５０は、図１に示した半導体装置等を載置可能なステージである。駆動部５２は、試料ステージ５０を所望の位置に移動させるパルスモータ等である。照射部５４は、試料ステージ５０上に載置された半導体装置に赤外光を照射する光源を有する照明光学系である。検出部５６は、半導体装置の観察画像をアナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換するＣＣＤカメラ等の撮像装置である。検出部５６は、デジタル変換した観察画像データを制御部６に出力する。
【００１８】
制御部６は、中央処理装置（ＣＰＵ）６０、主記憶装置７０、観察画像記憶装置７１、ＣＡＤレイアウト記憶装置７２、出力装置８０、及び入力装置８２を備える。ＣＰＵ６０は、データ格納手段６０１、座標値照合手段６０２、位置ずれ有無判断手段６０３、及び位置補正データ算出手段６０４を備える。また、ＣＰＵ６０は、図示を省略した記憶装置管理手段を備える。
【００１９】
データ格納手段６０１は、検出部５６から観察画像データを取得して、観察画像記憶装置７１に格納する。また、データ格納手段６０１は、半導体装置の設計に用いたＣＡＤレイアウトデータをＣＡＤレイアウト記憶装置７２に格納する。
【００２０】
座標値照合手段６０２は、観察画像記憶装置７１から観察画像データを取得し、
ＣＡＤレイアウト記憶装置７２からＣＡＤレイアウトデータを取得する。更に、座標値照合手段６０２は、観察画像データ及びＣＡＤレイアウトデータを出力装置８０で表示させる。出力装置８０で表示された画像は座標値照合手段６０２によって、観察画像データの位置合わせ部１２ａ〜１２ｄの座標値の３個以上とＣＡＤレイアウトデータの位置合わせ部１２ａ〜１２ｄの座標値とをそれぞれ照合される。
【００２１】
位置ずれ有無判断手段６０３は、出力装置８０で表示された画像が照合された結果、観察画像データの位置合わせ部１２ａ〜１２ｄの座標値の３個以上とＣＡＤレイアウトデータで対応する座標値に位置ずれがあるかどうかを判断する。
【００２２】
位置補正データ算出手段６０４は、座標値を照合して位置ずれがある場合、半導体装置の位置ずれを補正するための位置補正データを算出する。そして、位置補正データ算出手段６０４は、算出された位置補正データを駆動部５２に出力し、試料ステージ５０の位置を補正する。
【００２３】
裏面解析システム４は、出力装置８０、入力装置８２等をＣＰＵ６０につなぐ図示を省略した入出力制御装置（インターフェース）を備える。また、主記憶装置７０は、ＲＯＭ及びＲＡＭが組み込まれている。ＲＡＭはＣＰＵ６０におけるプログラム実行中に利用される情報等を逐次記憶し、作業領域として利用される情報メモリ等として機能する。観察画像記憶装置７１及びＣＡＤレイアウト記憶装置７２は、周知の磁気テープ、磁気ドラム、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、あるいはＲＯＭ、ＲＡＭなどの半導体メモリ等を用いた記録部である。観察画像記憶装置７１は、検査対象の半導体装置の観察画像データを記憶する。ＣＡＤレイアウト記憶装置７２は、半導体装置の設計に用いたＣＡＤレイアウトデータを記憶する。出力装置８０としては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、やＣＲＴディスプレイ等を用いることができる。入力装置８２は、キーボード、マウス、ボイスデバイス又はライトペン等で構成される。
【００２４】
以下に、第１の実施の形態に係る半導体装置を用いた裏面解析方法を図１〜図４を参照しながら説明する。
【００２５】
（イ）まず、図３のステップＳ１０１において、図１に示した半導体装置を図２に示した試料ステージ５０に基板１０と照射部５４及び検出部５６が対向するように載置する。このとき、図１に示した半導体装置の外部端子３０には、Ｌレベルが入力されている。
【００２６】
（ロ）次に、ステップＳ１０２において、外部端子３０にＨレベルを入力する。外部端子３０にＨレベルが入力されると、ＮＡＮＤ素子２０はインバータと同じ動作する。即ち、偶数個のインバータ１２ａ〜１２ｄを有するインバータチェーン１３に接続されたループが形成され、リングオシレータとして動作する。インバータチェーン１３がリングオシレータとして動作すると、インバータ１２ａ〜１２ｄは早い周波数でオンとオフを繰り返して継続的に発光する。
【００２７】
（ハ）次に、ステップＳ１０３において、継続的に発光している光を図２に示した検出部５６で受光し、Ａ／Ｄ変換する。デジタル変換された観察画像は、図２に示したデータ格納手段６０１によって、観察画像データを観察画像記憶装置７１に格納される。また、データ格納手段６０１によって、半導体装置の設計に用いたＣＡＤレイアウトデータがＣＡＤレイアウト記憶装置７２に格納される。
【００２８】
（ニ）次に、ステップＳ１０４において、座標値照合手段６０２によって、観察画像データが観察画像記憶装置７１から読み出される。また、座標値照合手段６０２によって、ＣＡＤレイアウトデータがＣＡＤレイアウト記憶装置７２からそれぞれ読み出される。読み出された観察画像データ及びＣＡＤレイアウトデータは、座標値照合手段６０２によって、図４に示すように出力装置８に出力される。図４では参考のために観察画像のセルの枠の点線を示してあるが、通常の観察画像では発光のみ表示される。そして、出力装置８に表示された観察画像データの位置合わせ部１２ａ〜１２ｄの発光位置とＣＡＤレイアウトデータの位置合わせ部１２ａ〜１２ｄの座標値とをそれぞれ照合する。
【００２９】
（ホ）次に、ステップＳ１０５において、位置ずれ有無判断手段６０３によって、出力装置８０で照合された画像は、観察画像データの位置合わせ部１２ａ〜１２ｄの座標値がＣＡＤレイアウトデータで対応する座標値に対して位置ずれがあるかどうかを判断される。位置ずれがない場合はステップＳ１０７に移行して故障解析を行う。一方、位置ずれがある場合は、ステップＳ１０６に移行する。
【００３０】
（ヘ）次に、ステップＳ１０６において、位置補正データ算出手段６０４によって、半導体装置の位置ずれを補正するための位置補正データが算出される。そして、位置補正データ算出手段６０４は、算出された位置補正データを駆動部５２に出力し、試料ステージ５０の位置を補正する。
【００３１】
（ト）所望の検査位置であるのを確認した後、ステップＳ１０７において、照射部５４から赤外光を半導体装置に照射して、半導体装置で反射した赤外光を基に故障解析を行う。
【００３２】
以上説明したように、第１の実施の形態に係る半導体装置によれば、位置合わせ部が裏面解析システム４の観察視野内に３個以上存在することで、３点以上の比較により観察している箇所の位置の特定をすることができる。したがって、第１の実施の形態に係る半導体装置は、故障解析を裏面から行うときの観察位置の位置合わせを簡易、且つ正確に行うことができる。また、第１の実施の形態に係る半導体装置の位置合わせ部はインバータ１２ａ〜１２ｄを用いるため、外部からクロックを入力しなくても位置合わせが可能である。
【００３３】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置は、図５に示すように、図１に示した半導体装置のインバータ１２ａ〜１２ｄの代わりにフリップフロップ１４ａ〜１４ｄを位置合わせ部として用いる点が異なる。フリップフロップ１４ａ〜１４ｄを用いることに伴って、半導体装置はシフトクロック入力端子３２を設ける。他は図１に示した半導体装置と実質的に同様であるので、重複した記載を省略する。
【００３４】
フリップフロップ１４ａ〜１４ｄは、シフトクロック入力端子３２から早い周波数のクロックを入力することにより、各フリップフロップ１４ａ〜１４ｄのクロック入力部のトランジスタが発光する。フリップフロップ１４ａ〜１４ｄを発光させるときは、特にデータを入力する必要はない。また、フリップフロップ１４ａ〜１４ｄの数は偶数個に限定されず、奇数個であっても構わない。
【００３５】
第２の実施の形態に係る半導体装置を用いた裏面解析方法は、位置合わせ部の発光させる方法が異なるだけなので記載を省略する。
【００３６】
以上説明したように、第２の実施の形態に係る半導体装置によれば、位置合わせ部が裏面解析システム４の観察視野内に３個以上存在することで、３点以上の比較により観察している箇所の位置の特定をすることができる。したがって、第２の実施の形態に係る半導体装置は、故障解析を裏面から行うときの観察位置の位置合わせを簡易、且つ正確に行うことができる。また、第２の実施の形態に係る半導体装置の位置合わせ部はフリップフロップ１４ａ〜１４ｄを用いるため、データを入力しなくても位置合わせをすることが可能である。半導体装置の設計においてフリップフロップを配置することが通常であるので、配置されているフリップフロップを用いれば位置合わせ用に特別に設ける必要はない。
【００３７】
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置は、図６に示すように、図１に示した半導体装置のインバータ１２ａ〜１２ｄの代わりに、半導体素子の一部である未使用のゲート電極及びコンタクトのパターンを「十字」マークとし、これを位置合わせ部１６ａ〜１６ｄを用いる点が異なる。他は図１に示した半導体装置と実質的に同様であるので、重複した記載を省略する。
【００３８】
位置合わせ部１６ａ〜１６ｄは、図２に示した裏面解析システム４の光学分解能以上の大きさである。位置合わせ部１６ａ〜１６ｄは、裏面解析システム４で検出し易いように基板１０に直接接する最下層のコンタクト及びゲート電極等の赤外線で検出できるものである。
【００３９】
以下に、上記第３の実施の形態に係る半導体装置を用いた裏面解析方法を図２、図６及び図７を参照しながら説明する。
【００４０】
（イ）まず、図７のステップＳ３０１において、図６に示した半導体装置を図２に示した試料ステージ５０に基板１０と照射部５４及び検出部５６が対向するように載置する。
【００４１】
（ロ）次に、ステップＳ３０２において、照射部５４から赤外光を半導体装置に照射する。そして、位置合わせ部１６ａ〜１６ｄで反射した光学像（「十字」マーク）を含む観察画像を検出部５６で受光し、Ａ／Ｄ変換する。デジタル変換された観察画像は、図２に示したデータ格納手段６０１によって、観察画像データを観察画像記憶装置７１に格納する。また、データ格納手段６０１によって、半導体装置の設計に用いたＣＡＤレイアウトデータがＣＡＤレイアウト記憶装置７２に格納される。
【００４２】
（ハ）次に、ステップＳ３０３において、座標値照合手段６０２によって、観察画像データが観察画像記憶装置７１が読み出される。また、座標値照合手段６０２によって、ＣＡＤレイアウトデータがＣＡＤレイアウト記憶装置７２からそれぞれ読み出される。読み出された観察画像データ及びＣＡＤレイアウトデータは、座標値照合手段６０２によって、出力装置８に出力される。そして、出力装置８に表示された観察画像データの位置合わせ部１６ａ〜１６ｄの「十字」マーク表示位置の座標値とＣＡＤレイアウトデータの位置合わせ部１６ａ〜１６ｄの座標値とをそれぞれ照合する。
【００４３】
（ニ）次に、ステップＳ３０４において、位置ずれ有無判断手段６０３によって、出力装置８０で照合された画像は、観察画像データの位置合わせ部１６ａ〜１６ｄの座標値がＣＡＤレイアウトデータで対応する座標値に対して位置ずれがあるかどうかを判断される。位置ずれがない場合はステップＳ３０６に移行して故障解析を行う。一方、位置ずれがある場合は、ステップＳ３０５に移行する。
【００４４】
（ホ）次に、ステップＳ３０５において、位置補正データ算出手段６０４によって、半導体装置の位置ずれを補正するための位置補正データが算出される。そして、位置補正データ算出手段６０４は、算出された位置補正データを駆動部５２に出力し、試料ステージ５０の位置を補正する。
【００４５】
（ヘ）所望の検査位置であるのを確認した後、ステップＳ３０６において、照射部５４から赤外光を半導体装置に照射して、半導体装置で反射した赤外光を基に故障解析を行う。
【００４６】
以上説明したように、第３の実施の形態に係る半導体装置によれば、位置合わせ部が裏面解析システム４の観察視野内に３個以上存在することで、３点以上の比較により観察している箇所の位置の特定をすることができる。したがって、第３の実施の形態に係る半導体装置は、半導体装置を裏面から解析するときの観察位置の位置合わせを簡易、且つ正確に行うことができる。また、第３の実施の形態に係る半導体装置の位置合わせ部１６ａ〜１６ｄは「十字」の形状であるので、多少分解能が悪くても位置合わせ部の中心がわかりやすいため、位置合わせが容易である。
【００４７】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになるはずである。
【００４８】
例えば、第１の実施の形態において出力装置８０は、図４に示したように、１つのモニタに観察画像とＣＡＤレイアウト画像を並べて表示するように記載したが、２つのモニタを用意して別々に表示しても良い。
【００４９】
また、第３の実施の形態において位置合わせ部１６ａ〜１６ｄは、基板１０に直接接するコンタクト及びゲート電極等と記載したが、位置合わせ部１６ａ〜１６ｄと基板１０の間に障害物が入らないようにすれば基板１０に直接接する部材でなくても構わない。
【００５０】
更に、第３の実施の形態において位置合わせ部１６ａ〜１６ｄは、「十字」マークとしたが、分解能が悪くても位置合わせ部１６ａ〜１６ｄの中心がわかりやすい「♯」、「∞」等の形状でも構わない。
【００５１】
この様に、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲の発明特定事項によってのみ限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の平面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る裏面解析システムの概略構成図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る裏面解析方法を示すのフローチャートである。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る裏面解析システムの出力装置に表示される模式図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の平面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の平面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る裏面解析方法を示すのフローチャートである。
【符号の説明】
【００５３】
４…裏面解析システム
５…観察部
６…制御部
８…出力装置
１０…基板
１２ａ〜１２ｄ…インバータ
１３…インバータチェーン
１４ａ〜１４ｄ…フリップフロップ
１６ａ〜１６ｄ…位置合わせ部
２０…ＮＡＮＤ素子
３０…外部端子
３２…シフトクロック入力端子
５０…試料ステージ
５２…駆動部
５４…照射部
５６…検出部
５８…暗箱
６０…ＣＰＵ
７０…主記憶装置
７１…観察画像記憶装置
７２…ＣＡＤレイアウト記憶装置
８０…出力装置
８２…入力装置
６０１…観察画像データ格納手段
６０２…座標値照合手段
６０３…有無判断手段
６０４…位置補正データ算出手段
【図１】
2005311243.tif 000003
【図２】
2005311243.tif 000004
【図３】
2005311243.tif 000005
【図４】
2005311243.tif 000006
【図５】
2005311243.tif 000007
【図６】
2005311243.tif 000008
【図７】
2005311243.tif 000009