(57)【要約】【課題】  電解めっきを利用して基板に配線パターンを形成する場合に、配線パターンの不要部分による信号の反射やノイズを防止して電気的特性を改善し、配線パターンの配置を高密度化を図る。【解決手段】  両面に金属箔（１７）が張り付けられた基板（１）の両面に第１無電解めっき層（１９）を形成し、その上に第１電解めっき層（２１）を形成し、配線パターン（５）が基板の端縁まで延在しないようにエッチングにより配線パターンを形成し、基板全面に第２無電解めっき層（４１）を形成し、配線パターンの所要個所のみ露出するように、めっきレジストパターン（４３）を形成し、第２無電解めっき層より給電することにより、配線パターンの所要個所上に第２電解めっき（２７、２９）を施し、めっきレジストパターン、第２無電解めっき層を除去し、配線パターンの所要個所のみ露出するようにソルダレジスト（４５）を形成する。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解めっきを利用して配線基板を製造する方法であって、
表面に金属箔が張り付けられた絶縁基板の該金属箔上に両面に第１無電解めっき層を形成し、該第１無電解めっき層上に第１電解めっき層を形成する工程と、
前記第１電解めっき層、第１無電解めっき層、金属箔の所要個所を除去して配線パターンを形成する工程と、
該配線パターンを含む基板表面に第２無電解めっき層を形成する工程と、
前記配線パターンの第１所要個所のみ露出するように、めっきレジストパターンを形成する工程と、
前記第２無電解めっき層より給電することにより、前記配線パターンの第１所要個所上に第２電解めっき層を形成する工程と、
前記めっきレジストパターンを除去する工程と、
前記第２電解めっき層から露出する前記第２無電解めっき層を除去する工程と、
前記配線パターンの第１所要個所を含む所要個所のみ露出するようにソルダレジストパターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする、電解めっきを利用した配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属箔、前記第１無電解めっき層及び前記第１電解めっき層は銅であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記配線パターンを形成する工程は、前記第１電解めっき層上にエッチングレジストを塗布する工程と、露光・現像によりエッチングレジストパターンを形成する工程と、該エッチングレジストパターンから露出している領域をエッチングにより除去する工程と、から成ることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記めっきレジストパターンを形成する工程は、前記配線パターンを含む基板全面にめっきレジストを塗布する工程と、前記配線パターンの第１所要個所のみ露出するように、該めっきレジストを露光・現像する工程と、から成ることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
両面に金属箔が貼り付けられた絶縁基板に貫通孔を形成し、該貫通孔内壁と金属箔上に前記第１無電解めっき層を形成し、該第１無電解めっき層上に前記第１電解めっき層を形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
電解めっきを利用して配線基板を製造する方法であって、
絶縁基板の表面に第１無電解めっき層を形成する工程と、
該第１無電解めっき層上に第１めっきレジストパターンを形成する工程と、
該第１無電解めっき層より給電することにより、前記第１めっきレジストパターンから露出している前記第１無電解めっき層上に第１電解めっき層を形成し、配線パターンを形成する工程と、
前記第１めっきレジストパターンを除去する工程と、
前記配線パターンの第１所要個所のみ露出するように、第２めっきレジストパターンを形成する工程と、
前記第１無電解めっき層より給電することにより、前記配線パターンの第１所要個所上に第２電解めっき層を形成する工程と、
前記第２めっきレジストパターンを除去する工程と、
前記第１無電解めっき層の前記配線パターンからの露出個所を除去する工程と、
前記配線パターンの第１所要個所を含む所要個所のみ露出するようにソルダレジストパターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする、電解めっきを利用した配線基板の製造方法。
【請求項７】
電解めっきを利用して配線基板を製造する方法であって、
絶縁基板の表面に第１無電解めっき層を形成する工程と、
該第１無電解めっき層上に第１めっきレジストパターンを形成する工程と、
該第１無電解めっき層より給電することにより、前記第１めっきレジストパターンから露出している前記第１無電解めっき層上に第１電解めっき層を形成し、配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターンの第１所要個所のみ露出するように、第２めっきレジストパターンを形成する工程と、
前記第１無電解めっき層より給電することにより、前記配線パターンの第１所要個所上に第２電解めっき層を形成する工程と、
前記第１及び第２めっきレジストパターンを除去する工程と、
前記第１無電解めっき層の前記配線パターンからの露出個所を除去する工程と、
前記配線パターンの第１所要個所を含む所要個所のみ露出するようにソルダレジストパターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする、電解めっきを利用した配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１無電解めっき層及び前記第１電解めっきは銅めっきであることを特徴とする請求項６又は７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１めっきレジストパターンを形成する工程は、前記第１無電解めっき層上にめっきレジストを塗布する工程と、露光・現像する工程とを含み、前記第２めっきレジストパターンを形成する工程は、前記配線パターンを含む基板上にめっきレジストを塗布する工程と、露光・現像する工程とを含むことを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
絶縁基板に貫通孔を形成し、該貫通孔内壁と絶縁基板表面に前記第１無電解めっき層を形成し、該第１無電解めっき層上に前記第１めっきレジストパターンを形成することを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁基板の両面又は片面には、あらかじめ銅箔が貼り付けられており、該銅箔上に前記第１無電解めっき層が形成され、前記第１無電解めっき層の前記配線パターンからの露出個所を除去する工程で、同時に該銅箔も除去されることを特徴とする請求項６〜１０のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記ソルダレジストパターンを形成する工程は、ソルダレジストを塗布する工程と、該ソルダレジストを露光・現像することにより前記配線パターンの第１所要個所を含む所要個所を露出させる工程を含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記ソルダレジストを露出させる前記配線パターンの第１所要個所は、ワイヤボンディングパッドの領域、又は外部接続端子用パッドの領域であることを特徴とする請求項１２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１所要個所上に形成する第２電解めっき層は、電解ニッケルめっき層と該ニッケルめっき上に形成した電解金めっき層からなることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１５】
前記配線基板は、大判型基板を所定の切断線に沿って切断することにより個々に得られるものであって、電解めっきを施す工程での、無電解めっき層よりの給電は、大判型基板の周縁部における無電解めっき層にて給電が行われ、且つ前記配線パターンを形成する工程では、個々配線基板の端縁である前記切断線にまで延在しないように、大判型基板上に配線パターンが形成されることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置等に用いる配線基板の製造方法、特に電解めっきを利用して配線基板を製造する場合において、給電用のめっき配線を不要とした配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置に使用される配線基板を製造する場合、例えば、図１Ａに示すようなガラスプリプレグ等の樹脂からなる大判の基板１を用意し、この大判の基板１上にマトリッス状に複数の配線基板３に対応する配線パターン５を一括して形成した後、所定の切断線７に沿って切断することにより個々の配線基板３を得ている。
【０００３】
特に、サブトラクティブ法（テンティング法）により、大判の基板１上に配線パターン５を形成する場合、ボンディングパッド等の配線パターン５の主要部に、電解めっきによりニッケルめっきや金めっきを施すための、配線パターン間を短絡させる給電用のめっき配線９が切断して得られる配線基板３の外側に設けられる。なお、図１Ｂは図１Ａで示した配線パターン５およびめっき配線９の部分を拡大して示すもので、１１はボンディングパッド、１３はスルーホールである。
【０００４】
電解めっきを施す際は、大判の基板１をめっき液（図示せず）中に浸漬し、大判の基板１の外周部のめっき配線９をめっき用の電極（図示せず）に接続することにより、配線パターン５に給電し、この配線パターン５の必要個所にニッケルや金の電解めっきを施す。
【０００５】
電解めっきを施した後、めっき配線９の内側部分（破線で示す切断線７に沿った部分）で大判の基板１を切断し、個々の配線基板３を得ている。このため、配線基板３の配線パターン５には、めっき配線９に接続させるためにのみ必要で、電気信号の伝達等には不要な部分１５がスルーホール１１から配線基板３の外縁にかけて存在することとなる。
【０００６】
上記のような配線基板３として、ＢＧＡ（Ball Grid Array）と呼ばれる半導体装置に使用されるものがある。図２Ａ〜Ｇおよび図３Ａ〜Ｄにおいて、従来のサブトラクティブ法による配線基板、特にＢＧＡに使用される配線基板３の製造方法について工程順に説明する。またこのようにして製造された配線基板３を用いたＢＧＡを図４Ａに示す。なお、図２および図３の各図では、図４ＡのＸで示した断面部分の配線パターンについての製造方法（配線パターン形成方法）を示す。
【０００７】
図２Ａにおいて、まず、樹脂基板（ガラスプリプレグ）１の両面に銅箔１７、１７を積層した大判の両面銅張り積層板１０を用意する。この両面銅張り積層板１０上に、図１Ａに示すような複数の配線基板３を形成するのである。
【０００８】
図２Ｂにおいて、ドリル（図示せず）で所要個所にスルーホール１３を開口する。
【０００９】
図２Ｃにおいて、スルーホール１３の内壁を含む全表面に、銅などの無電解めっき１９を施す。
【００１０】
図２Ｄにおいて、無電解めっき層１９から給電して、無電解めっき層１９上に、銅などの電解めっき２１を施す。これにより配線パターン形成に必要なめっき厚さとする。
【００１１】
図２Ｅにおいて、電解めっき層２１上に、ドライフィルムレジストと呼ばれるフィルム状のエッチングレジストを積層し、その上から露光・現像して、所定の配線パターンに対応するレジストパターン２３を形成する。
【００１２】
図２Ｆにおいて、レジストパターン２３をマスクとしてエッチングを施し、レジストパターン２３から露出している配線パターン形成に不要な部分の電解銅めっき層２１、無電解銅めっき層１９、銅箔１７を除去し、配線パターン５を形成する。
【００１３】
図２Ｇにおいて、レジストパターン２３を除去する。これにより、配線パターン５が露出される。この配線パターン５は、その接続部分５ｃを介して、配線パターン５と同時に形成されるめっき配線９に接続され、図１に示すように相互に短絡されている。なお、このめっき配線９は、図１に示すように、大判の樹脂基板１上に、複数の配線基板３を得るための切断線７の外側に枠状に形成されていて、切断前においては、すべての配線基板３の配線パターン５に接続されている。
【００１４】
次に、図３Ａにおいて、ソルダレジストを印刷塗布し、露光・現像により、ソルダレジストパターン２５を形成する。この際、配線パターン５のボンディングパッド１１や、外部接続用パッド（はんだボールの接合部）３１などの所要個所が露出するように、ソルダレジストパターン２５を形成する。
【００１５】
図３Ｂにおいて、めっき配線９（図１）から給電し、ワイヤボンディングパッド１１と、外部接続用パッド３１に、電解ニッケルめっき２７を施し、次いで電解金めっき２９を施す。なお、図３Ｃは、図３Ｂを上から見た図を示している（ただし、ソルダレジスト２５を除いて示している）。図示のように、ニッケル・金（Ｎｉ／Ａｕ）電解めっきの際、配線パターン５はめっき配線９で短絡されている。
【００１６】
図３Ｄにおいて、図３Ｂ、Ｃで示した切断線７で大判の基板１を切断し、個々の配線基板３を得る。
【００１７】
この後、配線基板３に半導体素子３３を搭載し、ボンディングワイヤ３５により半導体素子３３とワイヤボンディングパッド１１間を接続し、樹脂３７により封止し、更にはんだボール３９を接合することにより、図４Ａに示すような半導体装置（ＢＧＡ）を得る。図４Ｂは、図４ＡのＸで示した配線基板の部分を上面から見た図（封止樹脂３７やソルダレジスト２５を除去した状態）である。
【００１８】
上述のような従来のサブトラクティブ法で製造した図４Ａに示す配線基板３を使用すると、図４Ｂに示すように、配線パターン５に、スルーホール１３の部分から切断した配線基板３の外周縁７ａまで延びた不要部分（めっき配線への接続部５ｃ）が生じ、この不要部分５ｃにより信号の反射やノイズが発生し、半導体装置の電気的特性が悪化する。また、このようなめっき配線９を設けると、めっき配線５の分だけ、配線パターン９の配置に制限が生ずるため、配線パターン５の高密度化の妨げとなる。
【００１９】
なお、本発明に関連する先行技術として、特許文献１があるが、配線パターンと基板との密着性を向上させ、配線パターンの微細化を可能とし、また、ソルダレジストと導体部との密着性をも向上させるため、基板面に形成された銅層を給電層して電解めっきを施すこと、銅層をレジストパターンをマスクとしてエッチングすることにより配線パターンを形成すること、が開示されている。
【００２０】
【特許文献１】特開２０００−１１４４１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
上述のような従来のサブトラクティブ法で製造した配線基板によると、電解めっきを施すための給電用の必要性から配線パターンに不要部分が生じ、この不要部分により信号の反射やノイズが発生し、半導体装置の電気的特性が悪化したり、配線パターンの配置に制限が生ずることにより配線パターンの高密度化の妨げとなる。
【００２２】
そこで、本発明では、電解めっきを利用して基板に配線パターンを形成する場合においても、配線パターンに不要部分が生ずることはなく、これによる信号の反射やノイズの発生による半導体装置の電気的特性の悪化を生ずることなく、配線パターンの配置を高密度化することのできる、電解めっきを利用した配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記の課題を達成するために、本発明によれば、電解めっきを利用して配線基板を製造する方法であって、表面に金属箔が張り付けられた絶縁基板の該金属箔上に第１無電解めっき層を形成し、該第１無電解めっき層上に第１電解めっき層を形成する工程と、前記第１電解めっき層、第１無電解めっき層、金属箔の所要個所を除去して配線パターンを形成する工程と、該配線パターンを含む基板表面に第２無電解めっき層を形成する工程と、前記配線パターンの第１所要個所のみ露出するように、めっきレジストパターンを形成する工程と、前記第２無電解めっき層より給電することにより、前記配線パターンの第１所要個所上に第２電解めっき層を形成する工程と、前記めっきレジストパターンを除去する工程と、前記第２電解めっき層から露出する前記第２無電解めっき層を除去する工程と、前記配線パターンの第１所要個所を含む所要個所のみ露出するようにソルダレジストパターンを形成する工程と、と含むことを特徴とする、電解めっきを利用した配線基板の製造方法が提供される。
【００２４】
前記金属箔、前記第１無電解めっき層及び前記第１電解めっき層は銅であることを特徴とする。
【００２５】
前記配線パターンを形成する工程は、前記第１電解めっき層上にエッチングレジストを塗布する工程と、露光・現像によりエッチングレジストパターンを形成する工程と、該エッチングレジストパターンから露出している領域をエッチングにより除去する工程と、から成ることを特徴とする。
【００２６】
前記めっきレジストパターンを形成する工程は、前記配線パターンを含む基板全面にめっきレジストを塗布する工程と、前記配線パターンの第１所要個所のみ露出するように、該めっきレジストを露光・現像する工程と、から成ることを特徴とする。
【００２７】
両面に金属箔が貼り付けられた絶縁基板に貫通孔を形成し、該貫通孔内壁と金属箔上に前記第１無電解めっき層を形成し、該第１無電解めっき層上に前記第１電解めっき層を形成することを特徴とする。
【００２８】
また、本発明によると、電解めっきを利用して配線基板を製造する方法であって、絶縁基板の表面に第１無電解めっき層を形成する工程と、該第１無電解めっき層上に第１めっきレジストパターンを形成する工程と、該第１無電解めっき層より給電することにより、前記第１めっきレジストパターンから露出している前記第１無電解めっき層上に第１電解めっき層を形成し、基板の端縁に延在しないように配線パターンを形成する工程と、前記第１めっきレジストパターンを除去する工程と、前記配線パターンの第１所要個所のみ露出するように、第２めっきレジストパターンを形成する工程と、前記第１無電解めっき層より給電することにより、前記配線パターンの第１所要個所上に第２電解めっき層を形成する工程と、前記第２めっきレジストパターンを除去する工程と、前記第１無電解めっき層の前記配線パターンからの露出個所を除去する工程と、前記配線パターンの第１所要個所を含む所要個所のみ露出するようにソルダレジストパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする、電解めっきを利用した配線基板の製造方法が提供される。なお、上記において、「第１めっきレジストパターンを除去する工程」を省略し、「第２めっきレジストパターンを除去する工程」において、第１及び第２めっきレジストパターンを同時に除去することも可能である。
【００２９】
前記第１無電解めっき層及び前記第１電解めっき層は銅めっき層であることを特徴とする。
【００３０】
前記第１めっきレジストパターンを形成する工程は、前記第１無電解めっき層上にめっきレジストを塗布する工程と、露光・現像する工程とを含み、前記第２めっきレジストパターンを形成する工程は、前記配線パターンを含む基板上にめっきレジストを塗布する工程と、露光・現像する工程とを含むことを特徴とする。
【００３１】
絶縁基板に貫通孔を形成し、該貫通孔内壁と絶縁基板表面に前記第１無電解めっき層を形成し、該第１無電解めっき層上に前記第１めっきレジストパターンを形成することを特徴とする。
【００３２】
前記ソルダレジストパターンを形成する工程は、ソルダレジストを塗布する工程と、該ソルダレジストを露光・現像することにより前記配線パターンの第１所要個所を含む所要個所を露出させる工程を含むことを特徴とする。この場合においては、前記ソルダレジストを露出させる前記配線パターンの第１所要個所は、ワイヤボンディングパッドの領域及び外部接続端子用パッドの領域であることを特徴とする。また、前記第１所要個所上に形成する第２電解めっき層は、電解ニッケルめっき層と該電解ニッケルめっき上に形成した電解金めっき層からなることを特徴とする。
【００３３】
前記配線基板は、大判型基板を所定の切断線に沿って切断することにより個々に得られるものであって、電解めっきを施す工程での、無電解めっき層よりの給電は、大判型基板の周縁部における無電解めっき層にて給電が行われ、且つ前記配線パターンを形成する工程では、個々配線基板の端縁である前記切断線にまで延在しないように、大判型基板上に配線パターンが形成されることを特徴とする。
【００３４】
本発明の電解めっきを利用した配線基板の製造方法によると、従来の製造方法により製造した配線基板のように、めっき配線が不要となるばかりでなく、配線パターンをめっき配線へ接続するための接続部のような、「不要部分」が存在しないため、これらの「不要部分」による信号の反射やノイズが発生により半導体装置の電気的特性の悪化させることはなく、また、このような「不要部分」が存在しないために、配線パターンの配置の自由度が増し配線基板の高密度化を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００３６】
本発明によれば、電解めっきを施すためのめっき配線が不要となるため、前述した従来のサブトラクティブ法のような問題は生じない。なお、下記の実施形態の説明において、樹脂基板１としては、内部に複数層の配線層が形成された、多層配線基板を用いても良い。また、配線パターンは、樹脂基板１の両面に形成しても良く、また片面にのみ形成しても良い。
【００３７】
図５Ａ〜Ｆ及び図６Ａ〜Ｃにおいて本発明の第１実施形態に係るサブトラクティブ法による配線基板の製造方法を工程順に説明する。なお、図５、図６の各図においても、図４ＡのＸで示す部分に相当する個所を拡大して断面図で示す。
【００３８】
まず最初は、図２Ａ〜図２Ｇにおいて説明した方法と同様の方法で、大判の基板１に配線パターン５を形成する。ただし、本発明では、それぞれ対応する図５Ａ〜Ｃで示すように、従来の図２Ｅ〜Ｇの工程のような、めっき配線９（図１）と、めっき配線９への接続部５ｃは形成しない。
【００３９】
即ち、図２Ｅに対応する図５Ａにおいて、電解銅めっき層２１上に、ドライフィルムレジストと呼ばれるフィルム状のエッチングレジストを積層し、その上から露光・現像して、エッチングレジストパターン２３を形成する場合において、基板１の周縁におけるめっき配線９（図１）への接続部５ｃ（図２Ｇ）に対応する部分は、エッチングレジストパターン２３によって覆われていない露出部としておく。
【００４０】
次に図２Ｆに対応する図５Ｂにおいて、エッチングを施し、レジストパターン２３によって覆われていない不要部分の電解銅めっき層２１、無電解銅めっき層１９、銅箔１７を除去し、配線パターン５を形成する。
【００４１】
図５Ｃにおいて、レジストパターン２３を除去する。これにより、配線パターン５が露出される。この配線パターン５は、上述のように、接続部分５ｃ（図２Ｇ）が存在しないために、配線パターン５は相互間が短絡されない状態となっている。また、本発明によると前述のように、図１に示す、大判の樹脂基板１上の、複数の配線基板３を得るための切断線７の外側に枠状に従来例で形成されていた、めっき配線９（図１）も存在しない。
【００４２】
図５Ｄにおいて、スルーホール１３の内壁を含む全表面に、無電解銅めっき層４１を形成する。
【００４３】
図５Ｅにおいて、ワイヤボンディングパッド領域（５ａ）や外部接続端子用パッドの領域（５ｂ）等、後の工程において電解ニッケルめっきと電解金めっきを施す配線パターン５の所要個所が露出するように、めっきレジストを塗布し、露光・現像により、めっきレジストパターン（めっきマスク）４３を形成する。
【００４４】
図５Ｆにおいて、銅のクイック・エッチングにより、めっきレジストパターン４３から露出した無電解めっき層４１を除去する。
【００４５】
次に、図６Ａにおいて、無電解めっき層４１により給電し、ワイヤボンディングパッド等に、電解ニッケルめっき２７と、電解金めっき２９を施す。なお、給電のための無電解銅めっき層４１は個々の配線基板３の外側へ延在しており、めっきの際は大判の基板はめっき液（図示せず）に沈積し、大判の基板の周縁部における無電解銅めっき層を電極として給電される。
【００４６】
図６Ｂにおいて、レジストパターン４３を除去する。
【００４７】
図６Ｃにおいて、銅のクイックエッチングにより、電解ニッケルめっき層２７、電解金めっき層２９から露出した無電解銅めっき層４１を除去する。
【００４８】
図６Ｄにおいて、ソルダレジストを塗布し、露光・現像し、ワイヤボンディングパッド５ａ、外部接続用パッド５ｂ等が露出したレジストパターン４５を形成する。
【００４９】
この後、大判の基板を切断し、個々の配線基板を得、この配線基板に半導体素子３３を搭載し、樹脂３７で封止し、はんだボール３９を接合することにより、図９Ａに示すような半導体装置（ＢＧＡ）を得る。この配線基板には、図９Ｂに示すように、配線パターン５に不要部分、即ち、めっき配線及びそれへの接続部が存在しないため、従来の配線基板において生じていたような問題は発生しない。
【００５０】
次に、図７Ａ〜Ｆ及び図８Ａ〜Ｇにおいて本発明の第２実施形態に係るセミアディティブ法による配線基板の製造方法を工程順に説明する。なお、図７、図８の各図においても、図４ＡのＸで示す部分に相当する個所を拡大して断面図で示す。この第２実施形態においても、めっき配線９（図１）が不要となるため、従来の配線基板の製造方法におけるような問題は生じない。この方法では、下記工程で配線基板を製造する。
【００５１】
図７Ａにおいて、大判の樹脂基板（ガラスプリプレグ）１を用意する。
【００５２】
図７Ｂにおいて、ドリルによりスルーホール１３を形成する。
【００５３】
図７Ｃにおいて、スルーホールの１３内壁を含む全表面に、無電解銅めっき層５１を形成する。
【００５４】
図７Ｄにおいて、無電解銅めっき層５１上にめっきレジスト５３を塗布する。
【００５５】
図７Ｅにおいて、めっきレジストを露光・現像し、配線パターンの形状に対応しためっきレジストパターン５５を形成する。このめっきレジストパターン５５を形成する場合において、基板１の端縁の部分は、めっきレジストパターン５５によって覆われている部分としておく。
【００５６】
図７Ｆにおいて、無電解めっき層５１から給電し、めっきレジストパターン５５から露出している部分に電解銅めっきを施し、電解銅めっき層５７を形成し、配線パターンを形成する。なお、無電解めっき層５１への給電は第１実施形態の場合と同様、大判の基板の周縁部の無電解銅めっき層にて行う。
【００５７】
次に、図８Ａにおいて、レジストパターン５５を除去する。
【００５８】
図８Ｂにおいて、ワイヤボンディングパッドの領域（５ａ）や外部接続端子用パッドの領域（５ｂ）等、配線パターン上の電解ニッケルめっきと電解金めっきを施す個所が露出するよう、めっきレジストを塗布した後、露光・現像により、めっきレジストパターン（めっきマスク）５９を形成する。
【００５９】
図８Ｃにおいて、銅のクイック・エッチングにより、配線パターンから露出した無電解銅めっき層５１を除去する。
【００６０】
図８Ｄにおいて、無電解めっき層５１により給電し、ワイヤボンディングパッド、外部接続端子用パッド等の配線パターンの所要個所に、電解ニッケルめっき２７と、電解金めっき２９を施す。この場合の無電解めっき層５１への給電も前述の場合と同様、大判の基板の周縁部にて行う。
【００６１】
図８Ｅにおいて、めっきレジストパターン５９を除去する。
【００６２】
図８Ｆにおいて、銅のクイック・エッチングにより、配線パターン５７から露出した無電解めっき層５１を除去する。これにより、各配線基板の端縁の部分には配線パターンや無電解めっき層等の電気導通部分は存在しない。
【００６３】
図８Ｇにおいて、ソルダレジストを塗布し、露光・現像し、ワイヤボンディングパッド５ａや外部端子接続用パッド５ｂ等が露出したレジストパターン６１を形成する。
【００６４】
この後、大判の基板を切断し、個々の配線基板を得、この配線基板に半導体素子を搭載し、樹脂３７で封止し、はんだボール３９を接合することにより、図９Ａに示すような半導体装置を得る。この配線基板においても、図９Ｂに示すように、配線パターンに不要部分（めっき配線への接続部）が存在しないため、従来技術のような問題は発生しない。
【００６５】
図１０及び図１１は本発明の第３実施形態に係る配線基板の製造工程を示すものである。第３実施形態では、両面に銅箔１７が貼り付けられた樹脂基板１において、第２実施形態と同様な方法で配線パターンを形成する。即ち、この第３実施形態では、両面に銅箔１７が貼り付けられた樹脂基板１に無電解めっき層５１を形成し（図１０Ａ，Ｂ，Ｃ）、無電解めっき層５１を除去する際には、同時に銅箔１７も除去する（図１１Ｃ，Ｆ）。他の部分は図７及び図８に示した第２実施形態の場合と同様である。
【００６６】
次に、図１２を参照して本発明の第４実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する。図１２Ａ〜Ｅは図７Ｆに示す工程を示す。上述の第２実施形態又は第３実施形態においては、無電解めっき層５１を給電層として、めっきレジストパターン５５から露出している部分に電解銅めっきを施して、配線パターン５７を形成した（図７Ｆ、図１０Ｆ）後、レジストパターン５５を除去していた（図８Ａ、図１１Ａ）が、この第４実施形態は、図１２Ａに示すように、レジストパターン５５を除去することなく、そのままの状態とし、レジストパターン５５の上から、めっきレジストを塗布した後、露光・現像により、ワイヤボンディングパッド領域（５ａ）や外部接続端子用パッド領域（５ｂ）等、配線パターン上に電解ニッケルめっきと電解金めっきを施す個所が露出するように、めっきレジストパターン（めっきマスク）５９を形成する。
【００６７】
次に、図１２Ｂにおいて、無電解めっき層５１により給電し、ワイヤボンディングパッド領域（５ａ）や外部接続端子用パッド領域（５ｂ）等の配線パターン５７上の所要個所に、電解ニッケルめっき２７と、電解金めっき２９を施す。この場合の無電解めっき層５１への給電も前述の場合と同様、大判の基板の周縁部にて行う。
【００６８】
次に、図１２Ｃにおいて、めっきレジストパターン５９及び５５を同時に除去する。
【００６９】
次に、図１２Ｄにおいて、銅のクイックエッチングにより、配線パターン５７から露出している無電解めっき層５１を除去する。これにより、各配線基板の端縁の部分には配線パターンや無電解めっき層等の電気導通部分は存在しなくなる。
【００７０】
図１２Ｅにおいて、ソルダレジストを塗布し、このソルダレジストを露光・現像して、ワイヤボンディングパッド５ａや外部端子接続用パッド５ｂ等を露出させるようにレジストパターン６１を形成する。
【００７１】
この後、前述の第１〜第３実施形態と同様、大判の基板を切断し、個々の配線基板を得、この配線基板に半導体素子を搭載し、樹脂３７で封止し、はんだボール３９を接合することにより、半導体装置を得る。この配線基板においても、配線パターンに不要部分（めっき配線への接続部）が存在しないため、従来技術のような問題は発生しない。
【００７２】
なお、図１２に示した第４実施形態においては、第２実施形態において、レジストパターン５５を除去しないで、このレジストパターン５５の上から、めっきレジストパターン（めっきマスク）５９を形成する場合について図示したが、第３実施形態の場合のように、両面に銅箔が貼り付けられた樹脂基板を用いた場合においても、この第４実施形態と全く同様の工程にて、配線基板を製造することができる。
【００７３】
また、図１２に示した第４実施形態においては、上述のように、レジストパターン５５を除去していないので、電解めっき工程において、例えば図８又は図１１に示すように、ボンディングパッド５ａの側面に電解ニッケルめっき層２７及び電解銅めっき層２９が析出した構造とはならず、平坦面にのみ析出する構造となる。図１３にボンディングパッド５ａの側面にもこれらのめっき層が析出した場合（Ａ）と平坦面にのみめっき層が析出した場合（Ｂ）とを模式的に示すが、ボンディングパッド５ａの側面に析出された電解ニッケルめっき層２７及び電解銅めっき層２９は、ボンディング領域の配線幅を増やしてしまうため、狭ピッチでボンディングパッドを形成する場合においては、ボンディングパッド間の間隔を維持するために邪魔な存在となる。
【００７４】
このようなことから、図１２に示す第４実施形態においては、ボンディングパッド５ａの側面に電解ニッケルめっき層２７及び電解銅めっき層２９が析出しないため、狭ピッチでボンディングパッドの形成が可能となり、高密度化に寄与することとなる。
【００７５】
以上添付図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の精神ないし請求範囲内において種々の形態、変形、修正等が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
以上説明したように、本発明によれば、電解めっきを利用して基板に配線パターンを形成する場合においても、配線パターンに不要部分が生ずることはなく、これによる信号の反射やノイズが発生による半導体装置の電気的特性の悪化を生ずることなく、配線パターンの配置を高密度化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】Ａは複数の配線基板を形成した大判の基板の平面図、Ｂは一部拡大図である。
【図２】サブトラクティブ法による従来の配線基板の製造工程を示す。
【図３】図２に続く従来の配線基板の製造工程を示す。
【図４】Ａは従来の製造方法による半導体装置の断面図、Ｂは一部平面図である。
【図５】サブトラクティブ法による本発明の配線基板の製造工程（第１実施形態）を示す。
【図６】図５に続く本発明の第１実施形態に係る配線基板の製造工程を示す。
【図７】セミアディティブ法による本発明の配線基板の製造工程（第２実施形態）を示す。
【図８】図７に続く本発明の第２実施形態に係る配線基板の製造工程を示す。
【図９】Ａは本発明の製造方法による半導体装置の断面図、Ｂは一部平面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る配線基板の製造工程を示す。
【図１１】図１０に続く本発明の第３実施形態に係る配線基板の製造工程を示す。
【図１２】本発明の第４実施形態に係る配線基板の製造方法を示す。
【図１３】ボンディングパッドの側面にもめっき層が析出した場合（Ａ）と平坦面にのみめっき層が析出した場合（Ｂ）とを模式的に示す。
【符号の説明】
【００７８】
１    樹脂基板
５    配線パターン
５ａ    ワイヤボンディングパッド
５ｂ    外部端子接続用パッド
１７    銅箔
１９、４１、５１    無電解銅めっき層
２１、５７    電解銅めっき層
２３、４３、４５、５３、５９、６１    レジスト
２７    電解ニッケルめっき層
２９    電解金めっき層
【図１】
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【図２】
2005197648.tif 000004
【図３】
2005197648.tif 000005
【図４】
2005197648.tif 000006
【図５】
2005197648.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005197648.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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