(57)【要約】【課題】  有機ＥＬパネルの周囲温度に応じて、高温時に駆動回路の温度が最大許容温度を越えないようにしつつ、クロストークの発生をできるだけ抑える。【解決手段】  有機ＥＬ素子の駆動電圧は、周囲温度の上昇に伴って徐々に減少（漸減）するが、中温域（例えば、２０〜６０℃）では、有機ＥＬ素子の駆動電圧に対して、データ電極ドライバに供給される電源電圧ＶＳＥＧを、電源余裕値である６Ｖ程度高い値に維持されるように制御する。高温域では、中温域における電源電圧ＶＳＥＧの漸減の程度よりも、高い程度で、温度上昇に伴って電源電圧ＶＳＥＧを低下させる。【選択図】  図１
2005316138.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査電極とデータ電極とがマトリクス状に配置され、走査電極とデータ電極とによって有機ＥＬ素子が挟持された有機ＥＬパネルを用い、選択された走査電極を選択時の電位に設定し、選択されていない走査電極を非選択時の電位に設定し、発光させるべき画素が存在するデータ電極にデータ電極ドライバから定電流を流す有機ＥＬ表示装置の駆動方法において、
前記有機ＥＬパネルの周囲温度が中温域にあるときには、前記データ電極ドライバに供給される電源電圧の電圧値を、前記有機ＥＬ素子の駆動電圧に対して所定の電源余裕値分以上高い値にし、かつ、前記周囲温度の変化に伴う駆動電圧の変動に応じて変化させ、
前記有機ＥＬパネルの周囲温度が前記中温域よりも高い温度域である高温域にあるときには、前記データ電極ドライバに供給される電源電圧の電圧値を、前記中温域における電源電圧と駆動電圧との差よりも当該差を小さくし、かつ、前記中温域における前記周囲温度の変化に伴う電源電圧の変化の度合に比べて高い度合で変化させる
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項２】
有機ＥＬパネルの周囲温度が中温域よりも低い温度域である低温域にあるときには、データ電極ドライバに供給される電源電圧の電圧値を前記周囲温度の低下に伴って漸増させ、電源電圧の電圧値が前記データ電極ドライバの耐圧以下の所定値に達したらそれ以上増加させないように制御する
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項３】
中温域と低温域の境界を−１０〜＋２０℃の範囲内で設定する
請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項４】
中温域と高温域の境界を＋４０〜＋７０℃の範囲内で設定する
請求項１、２または３に記載の有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項５】
走査電極とデータ電極とがマトリクス状に配置され、走査電極とデータ電極とによって有機ＥＬ素子が挟持された有機ＥＬパネルを用い、選択された走査電極を選択時の電位に設定し、選択されていない走査電極を非選択時の電位に設定し、発光させるべき画素が存在するデータ電極にデータ電極ドライバから定電流を流す有機ＥＬ表示装置の駆動装置において、
温度に応じて抵抗値が変化する感温抵抗素子を２つ以上有する感温抵抗素子回路を用いて、前記有機ＥＬパネルの周囲温度が中温域にあるときには、電圧値が前記有機ＥＬ素子の駆動電圧に対して所定の電源余裕値分以上高く、かつ、前記周囲温度の変化に伴う駆動電圧の変動に応じて電圧値を変化させた電源電圧を作成し、前記有機ＥＬパネルの周囲温度が前記中温域よりも高い温度域である高温域にあるときには、前記中温域における電源電圧と駆動電圧との差よりも当該差を小さくし、かつ、前記中温域における前記周囲温度の変化に伴う電源電圧の変化の度合に比べて高い度合で電圧値を変化させた電源電圧を作成して前記データ電極ドライバに供給する電源回路を備えた
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の駆動装置。
【請求項６】
電源回路は、有機ＥＬパネルの周囲温度が中温域よりも低い温度域である低温域にあるときには、データ電極ドライバに供給される電源電圧の電圧値を前記周囲温度の低下に伴って漸増させ、電源電圧の電圧値が前記データ電極ドライバの耐圧以下の所定値に達したらそれ以上増加させない
請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置の駆動装置。
【請求項７】
電源回路は、データ電極ドライバに供給される電源電圧を出力するレギュレータ回路を含み、
感温抵抗素子回路は、前記レギュレータ回路の出力電圧を決定するために前記レギュレータ回路の出力側と前記レギュレータ回路の基準電位との間に設置される
請求項５または６に記載の有機ＥＬ表示装置の駆動装置。
【請求項８】
レギュレータ回路としてのスイッチングレギュレータ回路の出力側と接地電位との間に、感温抵抗素子回路と固定抵抗との直列体が設置され、
前記感温抵抗素子回路は、抵抗値固定の抵抗に、抵抗値固定の抵抗と感温抵抗素子との並列接続体が２つ以上直列接続されたものである
請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置の駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子（以下、有機ＥＬ素子という。）を用いた有機ＥＬ表示装置を駆動する駆動方法および駆動装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
マトリクス電極の各画素部に有機ＥＬ素子をそれぞれ配置した構造の有機ＥＬパネルを用いた有機ＥＬ表示装置が実現されている。有機ＥＬパネルは、例えば、ガラス基板等の基板上に、陽極に接続されるかまたは陽極そのものを形成するＩＴＯ等の透明導電膜を用いた複数の陽極配線（以下、陽極電極という。）が配置され、それに直交する方向に、陰極に接続するかまたは陰極そのものを形成する金属を用いた複数の陰極配線（以下、陰極電極という。）が配置される。陽極電極と陰極電極の交点が画素となり、両電極間に有機薄膜（有機ＥＬ素子）が挟持される。このように、基板上に、有機ＥＬ素子によって構成された画素がマトリクス状に平面配置される。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、半導体発光ダイオードに似た特性を有している。すなわち、陽極側を高電圧側とし、所定の電圧を両電極間に印加して有機ＥＬ素子に電流を供給すると発光する。具体的には、陽極側の電位と陰極側の電位との差が発光開始電圧以上になると、有機ＥＬ素子に電流が流れ始める。逆に、陰極側を高電位にした場合には電流がほとんど流れず発光しない。そのため、有機ＥＬ素子は、有機ＬＥＤと呼ばれることもある。
【０００４】
有機ＥＬパネルを単純マトリクス駆動法で駆動することができる。駆動を行う際に、有機ＥＬパネルの陽極電極および陰極電極を、走査電極またはデータ電極のいずれにも設定できる。つまり、陽極電極を走査電極とし、陰極電極をデータ電極とするか、または陽極電極をデータ電極、陰極電極を走査電極として使用できる。以下、陰極電極を走査電極とし、陽極電極をデータ電極とする場合を例にする。従って、陰極電極を走査電極といい、陽極電極をデータ電極という。
【０００５】
有機ＥＬパネルを単純マトリクス駆動法で駆動する場合に、定電圧回路が備えられた走査電極ドライバを走査電極に接続し、走査電極に対して定電圧性の駆動を行う。そして、走査電極のうちの１本を選択電圧が印加されている選択状態、残りを選択電圧が印加されていない非選択状態として、走査電極を順次走査する。一般的に、走査電極の一方の端から他方の端に対して選択期間毎に１つの走査電極に対して順次に選択電圧を印加する走査を行い、一定の期間の間にすべての走査電極を走査し、所定の駆動電圧を画素に印加する。
【０００６】
また、定電流回路（定電流源）が備えられたデータ電極ドライバに、データ電極を接続する。選択した走査電極の表示パターンに対応する表示データを、走査に同期してすべてのデータ電極に供給する。定電流回路からデータ電極に供給された電流パルスは、選択した走査電極とデータ電極との交点に位置する有機ＥＬ素子を通して、選択されている走査電極に流れる。
【０００７】
有機ＥＬ素子による画素は、その画素が接続された走査電極が選択されていて、かつデータ電極から電流が供給されている期間だけ発光する。データ電極から電流の供給が止まると発光も停止する。このようにして、データ電極と走査電極との間に挟持された有機ＥＬ素子に対して電流を供給し、すべての走査電極の走査を順次繰り返す。そして、所望の表示パターンに応じて表示画面全体の画素の発光・非発光を制御する。
【０００８】
走査電極ドライバは、選択した走査電極の電位を、選択していない走査電極の電位よりも低く設定する。選択した走査電極の電位を選択電圧ＶＣＯＭＬ、選択していない走査電極の電位を非選択電圧ＶＣＯＭＨとする。選択電圧ＶＣＯＭＬとして接地電位（グラウンド電位）が用いられることが多い。データ電極ドライバは、選択行において発光させるべき画素がないデータ電極を所定の電位（以下、ＶＣＬとする。）に設定する。ここで、電位ＶＣＬと選択電圧ＶＣＯＭＬとの差（ＶＣＬ−ＶＣＯＭＬ）が発光開始電圧より小さくなるように電位ＶＣＬを定める。電位ＶＣＬは接地電位とされることが多い。また、データ電極ドライバは、選択行において発光させるべき画素が存在するデータ電極の電位も設定し、そのデータ電極から選択された走査電極に電流を流す。このデータ電極の電位は、定電流を流すように設定される。ただし、データ電極の電位を、定電流回路の電源電圧ＶＳＥＧよりも高くすることはできない。なお、走査電極に対して平行に配列した方向の画素の並びを「行」といい、データ電極に対して平行に配列した画素の並びを「列」という。
【０００９】
有機ＥＬ素子は、高温になるほど発光開始電圧が低下する温度特性を有する。そこで、高温下では電源電圧ＶＳＥＧを下げることによって、データ電極ドライバにおける消費電力を低減させるような温度補償が行われることがある（例えば、特許文献１参照。）。
【００１０】
図１１は、特許文献１に記載された従来の有機ＥＬ表示装置の駆動装置を示すブロック図である。図１１に示す構成では、有機ＥＬパネル１０１において、複数のデータ電極１１０と複数の走査電極１１１とが直交するように配置されている。なお、有機ＥＬ素子は、ダイオードとして示されている。走査電極ドライバ１０２は、第２の温度補償回路１０６が生成する逆バイアス電圧（非選択電圧）ＶＣＯＭＨと選択電圧ＶＣＯＭＬとしての接地電位とのうちのいずれかを走査電極１１１に印加する走査スイッチを、それぞれの走査電極１１１毎に備えている。
【００１１】
データ電極ドライバ１０３は、電源回路１０５ｂから電源電圧ＶＳＥＧを導入し、それぞれのデータ電極１１０に定電流を供給する定電流回路と、定電流回路からの電流をデータ電極１１０に供給する状態と供給しない状態とのうちのいずれかの状態にする駆動スイッチとを、それぞれのデータ電極１１０毎に備えている。制御部１０４は、複数の走査電極１１１に選択電圧ＶＣＯＭＬが順次印加されるように走査電極ドライバ１０２を制御し、選択電圧ＶＣＯＭＬが印加されている走査電極１１１に相当する行の画素に対応したデータをデータ電極ドライバ１０３に出力する。データ電極ドライバ１０３は、入力されたデータに応じて駆動スイッチの状態を設定する。
【００１２】
電源回路１０５ｂには、サーミスタからなる温度検出手段１０５ａから、有機ＥＬ素子の周囲温度に応じた信号が入力される。電源回路１０５ｂは、有機ＥＬ素子の周囲温度に応じた電源電圧ＶＳＥＧを作成し、データ電極ドライバ１０３を介して有機ＥＬ素子に駆動電圧として印加する。温度検出手段１０５ａと電源回路１０５ｂとは、第１の温度補償回路１０５を構成する。第２の温度補償回路１０６は、電源回路１０５ｂから電源電圧ＶＳＥＧを導入し、電源電圧ＶＳＥＧの値を所定量低下させた非選択電圧ＶＣＯＭＨを作成して走査電極ドライバ１０２に供給する。
【００１３】
図１２は、特許文献１に記載された周囲温度と電源電圧ＶＳＥＧ（図中のＴ１に相当）および非選択電圧ＶＣＯＭＨ（図中のＴ２に相当）との関係を示す説明図である。図１２において、横軸は温度（℃）を示し、縦軸は電圧（Ｖ）を示す。図１２に示すように、電源回路１０５ｂは、温度検出手段１０５ａが検出した有機ＥＬ素子の周囲温度にもとづいて、周囲温度が高くなるほど、電源電圧ＶＳＥＧを低下させる。また、第２の温度補償回路１０６は、電源電圧ＶＳＥＧを所定のオフセット分ｘ（図１２の例では３Ｖ）だけ低下させた電圧を非選択電圧ＶＣＯＭＨとする。
【００１４】
特許文献１では、周囲温度が高くなるにつれて電源電圧ＶＳＥＧを低下させることによって、周囲温度が高くなったときに不必要に高い電源電圧ＶＳＥＧをデータ電極ドライバ１０３に供給しないようにして、データ電極ドライバ１０３における消費電力が高くならないようにすることができるとされている。また、周囲温度が高くなるにつれて非選択電圧ＶＣＯＭＨを低下させることによって、周囲温度の上昇に伴う有機ＥＬ素子の発光開始電圧の低下に起因して非選択時（走査電極１１１に非選択電圧ＶＣＯＭＨが印加されているとき）に有機ＥＬ素子が発光してしまうことを防止できるとされている。
【００１５】
【特許文献１】特開２００３−１５０１１３号公報（段落００２３−００２６、図１図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
データ電極ドライバ１０３は、１チップのドライバＩＣとして実現されることが多い。その際に、ドライバＩＣが、電源回路１０５ｂや走査電極ドライバ１０２を含むこともある。また、一般に、ドライバＩＣには、最大許容電圧（耐圧）や最大許容温度がある。すると、図１２に示すように、周囲温度に応じて、最適な電源電圧ＶＳＥＧを設定しようとすると、−３０℃などの周囲温度が低いときには、ドライバＩＣに供給される電源電圧ＶＳＥＧがドライバＩＣの耐圧を越えてしまうおそれがある。また、＋７０℃などの周囲温度が高いときには、ドライバＩＣ自体の発熱が加わって、ドライバＩＣの温度が最大許容温度を越え、動作不良や破壊を引き起こすおそれがある。
【００１７】
一般に、高輝度の有機ＥＬパネルを駆動する場合には、単色表示の有機ＥＬパネルを駆動する場合に比べて、高い電源電圧ＶＳＥＧが求められる。よって、高輝度の有機ＥＬパネルを駆動する場合には、周囲温度が低いときに電源電圧ＶＳＥＧがドライバＩＣの耐圧を越える可能性、および周囲温度が高いときにドライバＩＣの温度が最大許容温度を越える可能性が高くなる。
【００１８】
また、特許文献１では言及されていないが、データ電極ドライバ１０３は、選択行において発光させるべき画素が存在するデータ電極の電位も設定する。データ電極の電位を、電源電圧ＶＳＥＧよりも高くすることはできない。また、１つのデータ電極１１０から走査電極１１１に電流を流して画素を発光させるには、そのデータ電極１１０上に存在する各画素の容量を充電し、選択行の画素に定電流を流し得る電圧を印加しなければならない。その際、例えば、まず、逆バイアスの電圧印加によって電荷が蓄積された状態を解消する。さらに、各画素の容量に対する充電によって、データ電極１１０の電位を、選択行の画素に定電流を流す電位にする。このように電位が立ち上がるまで充電をしなければならず、充電に時間がかかると、発光させるべき画素の印加電圧の立ち上がりが遅れてしまう。発光までの立ち上がり速度が遅くならないようにするために、特開平９−２３２０７４号公報には、選択行を切り替える際に全ての走査電極１１１を一旦同じ電位からなるリセット電圧に接続してから次の行を選択する駆動方法が提案されている。
【００１９】
有機ＥＬパネル１０１において、各行を走査して全画素を発光させる場合、選択した走査電極１１１に流れ込む電流は、データ電極数に比例して大きくなる。また、データ電極数が多いと、その分、各走査電極１１１を長くする必要があり、一本の走査電極１１１の一端から他端までの抵抗が大きくなる。さらに、走査電極１１１だけでなく、走査電極ドライバ１０２から走査電極１１１に至る配線である走査電極引き出し配線も抵抗を有する。それらの抵抗分によって、走査電極ドライバ１０２が選択した走査電極１１１の電位が、本来の選択電圧ＶＣＯＭＬ（例えば、接地電位）よりも高くなる場合がある。
【００２０】
この場合、データ電極ドライバ１０３における定電流回路は、選択行の走査電極１１１の電位が高くなった分、データ電極１１０の電位も高くして定電流を流す必要がある。しかし、走査電極１１１の電位上昇が大きくなると、データ電極１１０の電位は電源電圧ＶＳＥＧに近づいていく。そして、定電流回路の駆動能力が飽和すると、データ電極１１０の電位を十分高くすることができなくなる。すると、発光させるべき画素に電流が流れず、所望の発光輝度が得られなくなる。すなわち、発光させるべき画素数が多い行では発光輝度が低下し、横帯状の輝度のむら（横クロストーク、以下、単にクロストークという。）が発生する。クロストークは、高輝度の有機ＥＬパネルを駆動する場合に、電流量が多くなるので、より顕著に現れる。従って、データ電極ドライバ１０３側の電源電圧ＶＳＥＧは、駆動電圧に対して、ある程度高い値に維持されることが好ましい。
【００２１】
図１３は、耐圧２０Ｖで最大許容温度が１２５℃のデータ電極ドライバＩＣを用いたときの有機ＥＬパネル１０１の周囲温度の変動に応じた電源電圧ＶＳＥＧの制御例を示す説明図である。図１３において、横軸は温度（℃）を示し、縦軸は電圧（Ｖ）を示す。有機ＥＬ素子の駆動電圧が、温度変動に伴って図１３に例示されたように変化するとし、また、電源電圧ＶＳＥＧは、駆動電圧に対して６Ｖ程度高い値に維持されるように制御する場合を例にする。すると、−２０℃以下では、データ電極ドライバＩＣに耐圧２０Ｖ以上の電圧が印加され、動作不良や破壊を引き起こすおそれがある。また、例えば７０℃以上では、データ電極ドライバＩＣ自体の発熱によってデータ電極ドライバＩＣの温度が最大許容電圧を越え、動作不良や破壊を引き起こすおそれがある。具体的には、電源電圧ＶＳＥＧと駆動電圧の差が大きく、かつ、電流量が多い場合に、データ電極ドライバＩＣの発熱が大きくなるので、動作不良や破壊を引き起こす可能性が高くなる。
【００２２】
特に、カーオーディオ装置やインスツルメントパネルなどの車載搭載装置に用いられる有機ＥＬ装置は高温環境下におかれる可能性がある。そのような高温環境下で車載搭載装置が起動された場合に、ドライバＩＣの動作不良や破壊に起因して車載搭載装置が正常に動作しないおそれがある。
【００２３】
例えば、−２０〜＋８０℃の範囲内で、ドライバＩＣの動作不良や破壊を防止するには、図１３において破線で示すように、−２０℃において電源電圧ＶＳＥＧを２０Ｖとし、電源電圧ＶＳＥＧが駆動電圧を表す曲線に沿うように制御すればよい。しかし、そのような制御を行ったのでは、全温度域（−２０〜＋８０℃）において、電源電圧ＶＳＥＧと駆動電圧との差が小さくなって、強いクロストークが生じてしまう。
【００２４】
そこで、本発明は、有機ＥＬパネルの周囲温度に応じて、高温時に駆動回路の温度が最大許容温度を越えないようにしつつ、クロストークの発生をできるだけ抑えることができる有機ＥＬ表示装置の駆動方法および駆動装置を提供することを目的とする。さらに、低温時に電源電圧が駆動回路の耐圧を越えないようにしつつ、クロストークの発生をできるだけ抑えることができる有機ＥＬ表示装置の駆動方法および駆動装置を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本発明の態様１は、走査電極とデータ電極とがマトリクス状に配置され、走査電極とデータ電極とによって有機ＥＬ素子が挟持された有機ＥＬパネルを用い、選択された走査電極を選択時の電位に設定し、選択されていない走査電極を非選択時の電位に設定し、発光させるべき画素が存在するデータ電極にデータ電極ドライバから定電流を流す有機ＥＬ表示装置の駆動方法であって、有機ＥＬパネルの周囲温度が中温域にあるときには、データ電極ドライバに供給される電源電圧の電圧値を、有機ＥＬ素子の駆動電圧に対して所定の電源余裕値分以上高い値にし、かつ、周囲温度の変化に伴う駆動電圧の変動に応じて変化させ、有機ＥＬパネルの周囲温度が中温域よりも高い温度域である高温域にあるときには、データ電極ドライバに供給される電源電圧の電圧値を、中温域における電源電圧と駆動電圧との差よりも当該差を小さくし、かつ、中温域における周囲温度の変化に伴う電源電圧の変化の度合に比べて高い度合で変化させることを特徴とする駆動方法を提供する。
【００２６】
本発明の態様２は、態様１において、有機ＥＬパネルの周囲温度が中温域よりも低い温度域である低温域にあるときには、周囲温度の低下に伴ってデータ電極ドライバに供給される電源電圧の電圧値を漸増させ、電源電圧の電圧値がデータ電極ドライバの耐圧以下の所定値（例えば、耐圧が２０Ｖである場合の２０Ｖまたはそれに近い値）に達したらそれ以上増加させないように制御することを特徴とする駆動方法を提供する。
【００２７】
本発明の態様３は、態様２において、中温域と低温域の境界を−１０〜０℃の範囲内で設定することを特徴とする駆動方法を提供する。
【００２８】
本発明の態様４は、態様１、２または３において、中温域と高温域の境界を＋４０〜＋７０℃の範囲内で設定することを特徴とする駆動方法を提供する。
【００２９】
データ電極ドライバに供給される電源電圧を作成する電源回路において、サーミスタなどの感温抵抗素子を複数有する感温抵抗素子回路を用いることによって、上記の駆動方法を実現することができる。感温抵抗素子を用いる場合には、感温抵抗素子の特性を適切に選定することにより、上記の駆動方法を実現することができる。換言すれば、選定しうる感温抵抗素子の特性によって得られる調整範囲内で、上記の駆動方法を実現することができる。
【００３０】
本発明の態様５は、走査電極とデータ電極とがマトリクス状に配置され、走査電極とデータ電極とによって有機ＥＬ素子が挟持された有機ＥＬパネルを用い、選択された走査電極を選択時の電位に設定し、選択されていない走査電極を非選択時の電位に設定し、発光させるべき画素が存在するデータ電極にデータ電極ドライバから定電流を流す有機ＥＬ表示装置の駆動装置において、温度に応じて抵抗値が変化する感温抵抗素子を２つ以上有する感温抵抗素子回路を用いて、有機ＥＬパネルの周囲温度が中温域にあるときには、電圧値が有機ＥＬ素子の駆動電圧に対して所定の電源余裕値分以上高く、かつ、周囲温度の変化に伴う駆動電圧の変動に応じて電圧値を変化させた電源電圧を作成し、有機ＥＬパネルの周囲温度が中温域よりも高い温度域である高温域にあるときには、中温域における電源電圧と駆動電圧との差よりも当該差を小さくし、かつ、中温域における周囲温度の変化に伴う電源電圧の変化の度合に比べて高い度合で電圧値を変化させた電源電圧を作成してデータ電極ドライバに供給する電源回路を備えたことを特徴とする駆動装置を提供する。
【００３１】
本発明の態様６は、態様５において、電源回路が、有機ＥＬパネルの周囲温度が中温域よりも低い温度域である低温域にあるときには、データ電極ドライバに供給される電源電圧の電圧値を周囲温度の低下に伴って漸増させ、電源電圧の電圧値がデータ電極ドライバの耐圧以下の所定値に達したらそれ以上増加させないことを特徴とする駆動装置を提供する。
【００３２】
本発明の態様７は、態様５または６において、電源回路が、データ電極ドライバに供給される電源電圧を出力するレギュレータ回路を含み、感温抵抗素子回路が、レギュレータ回路の出力電圧を決定するためにレギュレータ回路の出力側とレギュレータ回路の基準電位との間に設置されていることを特徴とする駆動装置を提供する。
【００３３】
本発明の態様８は、態様７において、レギュレータ回路としてのスイッチングレギュレータ回路の出力側と接地電位との間に、感温抵抗素子回路と固定抵抗との直列体が設置され、感温抵抗素子回路が、抵抗値固定の抵抗に、抵抗値固定の抵抗と感温抵抗素子との並列接続体が２つ以上直列接続されたものであることを特徴とする駆動装置を提供する。
【発明の効果】
【００３４】
本発明の駆動法によれば、有機ＥＬパネルの周囲温度に応じて、高温時に駆動回路の温度が最大許容温度を越えないようにしつつ、中温域でのクロストークの発生を抑制することができる。
【００３５】
さらに、低温時に電源電圧が駆動回路の耐圧を越えないようにしつつ、中温域でのクロストークの発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。まず、図１を参照して、本発明の概念を説明する。図１は、耐圧２０Ｖのデータ電極ドライバＩＣを用いたときの有機ＥＬパネルの周囲温度（以下、単に「温度」という。）の変動に応じた電源電圧ＶＳＥＧの制御例を示す説明図である。図１において、横軸は温度（℃）を示し、縦軸は電圧（Ｖ）を示す。また、図１３に示す場合と同様に、電源電圧ＶＳＥＧは、駆動電圧に対して６Ｖ程度高い値に維持されることが好ましい場合を例にする。なお、駆動電圧は、有機ＥＬ素子を所定の電流で定電流駆動したときに、有機ＥＬ素子の陽極側と陰極側との間に印加される電圧である。
【００３７】
なお、駆動電圧に対して６Ｖ程度高い値に維持されることが好ましいのは、ドライバオーバヘッドとして２Ｖ程度を見込み、パネル内電圧変動として４Ｖ程度を見込んでいるからである。ドライバオーバヘッドおよびパネル内電圧変動は、有機ＥＬパネルの特性やサイズおよび駆動の仕方（例えば電流量）に応じて変わる。ドライバオーバヘッドとは、データ電極ドライバにおける定電流回路が定電流を安定して流しうるための駆動電圧に対する電源電圧ＶＳＥＧの差（駆動電圧＜電源電圧ＶＳＥＧ）であり、パネル内電圧変動とは、主として、走査電極の電位が本来の選択電圧ＶＣＯＭＬ（例えば、接地電位）より高くなる分である。従って、ドライバオーバヘッドとパネル内電圧変動とを併せて電源余裕値と表現すると、電源電圧ＶＳＥＧは、駆動電圧に対して電源余裕値以上高い値であることが好ましい。なお、ドライバオーバヘッドとして２Ｖは、一般的なドライバＩＣを使用する場合に想定される値である。この値は、使用するドライバＩＣや有機ＥＬパネルの特性の相違に応じて相違する。
【００３８】
図１に示すように、有機ＥＬ素子の駆動電圧は、温度の上昇に伴って徐々に減少（漸減）する。本発明では、中温域（例えば、２０〜６０℃）では、有機ＥＬ素子の駆動電圧に対して、データ電極ドライバに供給される電源電圧ＶＳＥＧを、電源余裕値よりも高い値に維持されるように制御する。従って、中温域において、電源電圧ＶＳＥＧは、駆動電圧の漸減の程度と同程度で漸減する。すなわち、図１において、中温域では、電源電圧ＶＳＥＧを表す曲線の傾き（傾斜）は、駆動電圧を表す曲線の傾き（傾斜）と同程度である。換言すれば、有機ＥＬパネルの温度が中温域にあるときには、データ電極ドライバに供給される電源電圧ＶＳＥＧを、有機ＥＬ素子の駆動電圧との差を所定の電源余裕値以上高い値にし、かつ、温度の変化に伴う駆動電圧の変化の度合に応じて変化させる。中温域は、常温としての例えば２５℃を含むので、以下、中温域を常温域と表現する。
【００３９】
また、常温域よりも高温度の領域である高温域では、常温域における電源電圧ＶＳＥＧの漸減の程度よりも、高い程度で、温度上昇に伴って電源電圧ＶＳＥＧを低下させる。すなわち、有機ＥＬパネルの温度が常温域よりも高い温度域である高温域にあるときには、データ電極ドライバに供給される電源電圧ＶＳＥＧを、常温域における温度の変化に伴う電源電圧ＶＳＥＧの変化の度合に比べて高い度合で変化させる。従って、図１において、常温域における電源電圧ＶＳＥＧを表す曲線の傾斜に比べて、高温域における曲線の傾斜は大きくなる。
【００４０】
さらに、常温域よりも低温度の領域である低温域では、データ電極ドライバに供給される電源電圧ＶＳＥＧを、耐圧２０Ｖを上限として、温度低下に伴って漸増するように制御する。従って、図１において、常温域における電源電圧ＶＳＥＧを表す曲線の傾斜に比べて、低温域における曲線の傾斜は緩やかになり、電源電圧ＶＳＥＧが２０Ｖにまで達すると、さらに温度が低下しても電源電圧ＶＳＥＧは一定に維持される。なお、ここでは、常温域と高温域との境界を６０℃とし、常温域と低温域との境界を２０℃とするが、それらの境界は、データ電極ドライバを含むドライバＩＣや有機ＥＬパネルの特性に応じて変わりうる。従って、常温域と高温域との境界は例えば４０〜７０℃の範囲内で設定され、常温域と低温域との境界は例えば−１０〜２０℃の範囲内で設定される。
【００４１】
電源電圧ＶＳＥＧを図１における実線の曲線が示すように制御した場合には、低温域および高温域においてクロストークが生ずることがある。しかし、常温域ではそのようなことはない。また、高温域では、電源電圧ＶＳＥＧを大きく低下させているので、データ電極ドライバの発熱が低減し、データ電極ドライバが動作不良になったり破壊する可能性が低減する。さらに、低温域において、耐圧以上の電源電圧ＶＳＥＧがデータ電極ドライバに印加されることはない。
【００４２】
図１に示す破線の曲線は、従来技術にもとづく電源電圧ＶＳＥＧの制御例を示す曲線であり、図１３に示す曲線と同じ状態を示す。電源電圧ＶＳＥＧを図１における破線の曲線が示すように制御した場合には、データ電極ドライバの動作不良や破壊を防止できるが、常温域を含む全温度域（−２０〜＋８０℃）において、強いクロストークが生じてしまう。すなわち、本発明によれば、全温度域（−２０〜＋８０℃）においてクロストークを低減できる上に、特に、常温域においてクロストークが生ずることはなく良好な画質を維持できる。
【００４３】
次に、上記の電源電圧ＶＳＥＧの制御を実現する駆動装置について説明する。図２は、駆動装置を、ガラス基板等の基板上に形成された有機ＥＬパネル１とともに示すブロック図である。ここでは、有機ＥＬ表示装置は、走査電極ドライバ１１、データ電極ドライバ２１および制御部３を含む駆動装置と、有機ＥＬパネル１とで構成されているものとする。有機ＥＬパネル１は、マトリクス状に配置される複数の走査電極１０と複数のデータ電極２０とを備える。説明を簡単にするために、ここでは、引き出し配線も走査電極１０またはデータ電極２０に含める。また、各走査電極１０と各データ電極２０とは、有機ＥＬ素子３０を挟持するように配置され、各走査電極１０と各データ電極２０との交差部分の有機ＥＬ素子３０が画素になる。図１では一つの交差部分のみを示すが、各交差部分がそれぞれ画素になる。なお、走査電極１０は陰極電極であり、データ電極２０は陽極電極であるとする。
【００４４】
走査電極ドライバ１１とデータ電極ドライバ２１とは、それぞれ複数の出力端子を有する。個々の走査電極１０は、走査電極ドライバ１１の個々の出力端子と一対一に接続される。同様に、個々のデータ電極２０は、データ電極ドライバ２１の個々の出力端子と一対一に接続される。制御部３は、走査電極ドライバ１１およびデータ電極ドライバ２１を制御するために、走査電極ドライバ１１およびデータ電極ドライバ２１に制御信号を出力する。データ電極ドライバ２１に出力される制御信号にはデータ信号も含まれる。
【００４５】
データ電極ドライバ２１には、有機ＥＬパネル１の温度に応じた電源電圧ＶＳＥＧを作成する電源回路２２が作成した電源電圧ＶＳＥＧが印加され、図１１に示す構成と同様に、各データ電極２０に定電流を供給する定電流回路（図２において図示せず）と、定電流回路からの電流をデータ電極２０に供給する状態と供給しない状態とのうちのいずれかの状態にする駆動スイッチ（図２において図示せず）とを、それぞれのデータ電極２０毎に備えている。また、走査電極ドライバ１１は、電源回路２２が作成した電源電圧ＶＳＥＧの値を所定量低下させて非選択電圧ＶＣＯＭＨを作成する電源回路１２が作成した非選択電圧ＶＣＯＭＨと選択電圧ＶＣＯＭＬとしての接地電位とのうちのいずれかを走査電極１０に印加する走査スイッチ（図２において図示せず）を、それぞれの走査電極１０毎に備えている。
【００４６】
なお、走査電極ドライバ１１は１チップのＬＳＩで実現可能であり、データ電極ドライバ２１も１チップのＬＳＩで実現可能である。さらに、走査電極ドライバ１１とデータ電極ドライバ２１とを含めた１チップのＬＳＩとして実現してもよい。
【００４７】
図３は、電源回路２２の一構成例を示すブロック図である。図３に例示する構成では、システム電源の電圧を入力電圧とする昇圧型スイッチングレギュレータが用いられている。システム電源とは、有機ＥＬ表示装置が組み込まれている装置における電源である。電源回路２２の出力電圧である電源電圧ＶＳＥＧの最大値は例えば２０Ｖであり、システム電源の電圧は例えば１２Ｖである。
【００４８】
図３に示す回路では、コイル（インダクタ）２２３に蓄えられる電力とシステム電源側からの電力とが重畳されてダイオード２２４および出力コンデンサ２２５を介して出力される。データ電極ドライバ２１の電源電圧ＶＳＥＧとなる出力電圧は、トランジスタ２２１の［（オン期間＋オフ期間）／オフ期間］×（入力電圧）となる。図３に示す回路の出力端子と接地電位との間には、温度に応じて抵抗値が変化する感温抵抗素子回路２２６と抵抗値固定の抵抗２２７とが接続されている。抵抗２２７に印加される電圧が、トランジスタ２２１のオンオフ時間を制御する電源制御回路２２２に、フィードバック電圧Ｖｆｂとして入力される。なお、抵抗値固定のそれぞれの抵抗は、１つの抵抗（抵抗器）であってもよいし、複数の抵抗が並列接続されたものや直列接続されたものであってもよい。
【００４９】
電源制御回路２２２は、例えば、フィードバック電圧Ｖｆｂの値に応じてパルス幅が変化するパルスをトランジスタ２２１に出力するＰＷＭ回路である。ＰＷＭ回路は、例えば、三角波発生器と、三角波発生器が発生する三角波を入力電圧としフィードバック電圧Ｖｆｂを基準電圧とするコンパレータとを含む。そこで、フィードバック電圧Ｖｆｂを基準電圧Ｖｒｅｆということがある。ＰＷＭ回路は、フィードバック電圧Ｖｆｂの値が下がると、トランジスタ２２１のオン期間を長くしてフィードバック電圧Ｖｆｂの値を上げるように、パルス信号のオン期間を長くする。また、フィードバック電圧Ｖｆｂの値が上がると、トランジスタ２２１のオン期間を短くしてフィードバック電圧Ｖｆｂの値を下げるように、パルス信号のオン期間を短くする。そして、コンパレータの出力がトランジスタ２２１のゲートに印加される。
【００５０】
感温抵抗素子回路２２６は、少なくとも２つの感温抵抗素子としてのサーミスタを用いた回路であり、データ電極ドライバ２１は有機ＥＬパネル１の近傍に設置されることから、サーミスタは、有機ＥＬパネル１の温度を検出する温度センサとして機能する。なお、感温抵抗素子回路２２６を電源回路２２から抜き出して、有機ＥＬパネル１のより近傍や有機ＥＬパネル１上に設置してもよい。また、感温抵抗素子回路２２６は、スイッチングレギュレータの出力電圧を決定するためにスイッチングレギュレータの出力側と接地電位との間に設置されているものである。
【００５１】
温度変化にもとづくサーミスタの抵抗変化に応じて感温抵抗素子回路２２６の抵抗値は変化する。トランジスタ２２１のオン期間とオフ期間とは、出力電圧が感温抵抗素子回路２２６と抵抗２２７とで分圧された電圧であるフィードバック電圧Ｖｆｂで決まる。温度が上昇して感温抵抗素子回路２２６の抵抗値が低下すると、感温抵抗素子回路２２６の抵抗値と比較した場合の抵抗２２７の抵抗値が相対的に高くなる（絶対値が変わるわけではない）ので、フィードバック電圧Ｖｆｂの値が高くなってトランジスタ２２１のオン期間は短くなりオフ期間は長くなる。その結果、出力電圧（すなわちＶＳＥＧ）が低下する。出力電圧の低下に伴って、抵抗２２７に印加される電圧（すなわちフィードバック電圧Ｖｆｂ）は低くなって、結局、温度変化前の値に落ち着く。つまり、温度上昇に起因して感温抵抗素子回路２２６の抵抗値が低下すると、フィードバック電圧Ｖｆｂの値を一定に保つように、トランジスタ２２１の出力電圧（すなわちＶＳＥＧ）が低下する。逆に、温度低下に起因して感温抵抗素子回路２２６の抵抗値が上昇すると、フィードバック電圧Ｖｆｂの値を一定に保つように、トランジスタ２２１の出力電圧（すなわちＶＳＥＧ）が上昇する。
【００５２】
従って、電源電圧ＶＳＥＧが図１に実線の曲線で示すように変化するよう感温抵抗素子回路２２６を構成することによって、常温域において電源電圧ＶＳＥＧを駆動電圧の漸減の程度と同程度で漸減させ、高温域では常温域における電源電圧ＶＳＥＧの漸減の程度よりも高い程度で温度上昇に伴って電源電圧ＶＳＥＧを低下させ、低温域では電源電圧ＶＳＥＧを耐圧２０Ｖを限度として温度低下に伴って漸増させることができる。
【００５３】
図４は、感温抵抗素子回路２２６の構成例を示す回路図である。図４に示す構成では、感温抵抗素子回路２２６は、出力電圧側と抵抗２２７との間に、出力電圧側から順に、抵抗値固定の抵抗２３１、抵抗値固定の抵抗２３２と第１のサーミスタ２３３との並列接続体、および抵抗値固定の抵抗２３４と第２のサーミスタ２３５との並列接続体が、直列接続されたものである。図４において、符号に付随する括弧は抵抗値を表すものとする。
【００５４】
図５は、走査電極ドライバ１１側の電源回路１２の構成例を示す回路図である。図５に示す回路では、データ電極ドライバ２１側の電源回路２２から供給される電源電圧ＶＳＥＧを、抵抗１２１，１２２で分圧し、分圧された電圧をコンデンサ１２４を介してトランジスタ１２３のゲートに与えることによって、電源電圧ＶＳＥＧを所定値だけ低下させた電圧が出力側に現れる。そして、出力コンデンサ１２５を介して取り出される出力電圧を非選択電圧ＶＣＯＭＨとする。よって、非選択電圧ＶＣＯＭＨは、図１に示す電源電圧ＶＳＥＧを表す実線の曲線に沿った曲線上を温度変化に伴って変化するが、電源電圧ＶＳＥＧと同様に、温度上昇に伴って非選択電圧ＶＣＯＭＨは低下する。非選択電圧ＶＣＯＭＨを温度上昇に伴って低下させることによって、周囲温度の上昇に伴う有機ＥＬ素子の発光開始電圧の低下に起因して非選択時（走査電極１０に非選択電圧ＶＣＯＭＨが印加されているとき）に有機ＥＬ素子が発光してしまうことを防止できる。
【００５５】
本実施の形態では、図４に示す感温抵抗素子回路２２６において、抵抗２３１，２３２，２３４，２２７の抵抗値Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４、サーミスタ２３３，２３５の定数、および基準電圧Ｖｒｅｆ（フィードバック電圧Ｖｆｂと同義）は、表１に示すように選定されている。
【００５６】
【表１】
2005316138.tif 000003
【００５７】
また、サーミスタの抵抗値Ｒｔｈは、式（１）のように表される。
【００５８】
Ｒｔｈ＝Ｒ０×ｅｘｐ［Ｂ（１／Ｔ−１／Ｔ０）］          ・・・（１）
【００５９】
式（１）において、Ｒ０は基準抵抗値を示し、ＢはサーミスタのＢ定数（サーミスタ定数）を示し、Ｒ０は基準温度Ｔ０における抵抗値（基準抵抗値）を示す。基準温度Ｔ０は２９７Ｋである。また、Ｔは有機ＥＬパネル１の周囲温度である。感温抵抗素子回路２２６を図４に示すように構成し、抵抗２３１，２３２，２３４，２２７の抵抗値Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４、およびサーミスタ２３３，２３５の定数を表１に示すように選定した場合に、サーミスタ２３３，２３５の抵抗値Ｒｔｈ１，Ｒｔｈ２および電源回路２２の出力電圧である電源電圧ＶＳＥＧは、表２に示すようになる。なお、表２には、有機ＥＬ素子の駆動電圧、駆動電圧よりも６Ｖ高い値である想定電源電圧、および非選択電圧ＶＣＯＭＨも併せて示されている。
【００６０】
【表２】
2005316138.tif 000004
【００６１】
表２に示す各値をグラフで示すと、図６の説明図に示すようになる。図６において、横軸は温度（℃）を示し、縦軸は電圧（Ｖ）を示す。図６に示すように、常温域において電源電圧ＶＳＥＧが駆動電圧の漸減の程度と同程度で漸減し、かつ、電源電圧ＶＳＥＧと駆動電圧との差を６Ｖ程度（電源余裕値以上）に維持することができる。また、高温域では常温域における電源電圧ＶＳＥＧの漸減の程度よりも高い程度で温度上昇に伴って電源電圧ＶＳＥＧを低下させることができる。さらに、低温域では電源電圧ＶＳＥＧを耐圧２０Ｖを限度として温度低下に伴って漸増させることができる。従って、有機ＥＬパネル１の温度に応じて、高温時に駆動回路の温度が最大許容温度を越えないようにしつつ、図１において破線の曲線で示すような電源電圧ＶＳＥＧの制御を行う場合に比べて、クロストークの発生をできるだけ抑えることができる駆動装置を実現することができる。また、低温時に電源電圧ＶＳＥＧが駆動回路の耐圧を越えないようにしつつ、図１において破線の曲線で示すような電源電圧ＶＳＥＧの制御を行う場合に比べて、クロストークの発生をできるだけ抑えることができる。
【００６２】
（実施の形態２）
実施の形態１では、感温抵抗素子回路２２６を図４に示すように構成したが、少なくとも２つの感温抵抗素子としてのサーミスタを用いた感温抵抗素子回路２２６は、図４に示す回路に限られない。図７は、感温抵抗素子回路２２６の他の構成例を示す回路図である。
【００６３】
図７に示す構成では、感温抵抗素子回路２２６は、出力電圧側と抵抗２２７との間に、出力電圧側から順に、抵抗値固定の抵抗２３６と、第１のサーミスタ２３３、第２のサーミスタ２３５および抵抗値固定の抵抗２３７による回路とが直列接続されたものである。第１のサーミスタ２３３、第２のサーミスタ２３５および抵抗２３７による回路は、第１のサーミスタ２３３と第２のサーミスタ２３５とが直列接続されたものと、抵抗値固定の抵抗２３７との並列接続体である。図７において、符号に付随する括弧は抵抗値を表すものとする。なお、抵抗値固定のそれぞれの抵抗は、１つの抵抗（抵抗器）であってもよいし、複数の抵抗が並列接続されたものや直列接続されたものであってもよい。
【００６４】
本実施の形態では、図７に示す感温抵抗素子回路２２６において、抵抗２３６，２３７，２２７の抵抗値Ｒ６，Ｒ７，Ｒ４、サーミスタ２３３，２３５の定数、および基準電圧Ｖｒｅｆは、表３に示すように選定されている。基準温度Ｔ０は２９７Ｋである。
【００６５】
【表３】
2005316138.tif 000005
【００６６】
抵抗２３６，２３７，２２７の抵抗値Ｒ６，Ｒ７，Ｒ４、およびサーミスタ２３３，２３５の定数を表３に示すように選定した場合に、サーミスタ２３３，２３５の抵抗値Ｒｔｈ１，Ｒｔｈ２および電源回路１２の出力電圧である電源電圧ＶＳＥＧは、表４に示すようになる。なお、表４には、有機ＥＬ素子の駆動電圧、駆動電圧よりも４Ｖ高い値である想定電源電圧、および非選択電圧ＶＣＯＭＨも併せて示されている。なお、本実施の形態では、電源余裕値を４Ｖと見込む。
【００６７】
【表４】
2005316138.tif 000006
【００６８】
表４に示す各値をグラフで示すと、図８の説明図に示すようになる。図８において、横軸は温度（℃）を示し、縦軸は電圧（Ｖ）を示す。図８に示すように、常温域において電源電圧ＶＳＥＧが駆動電圧の漸減の程度と同程度で漸減し、かつ、電源電圧ＶＳＥＧと駆動電圧との差を４Ｖ以上に維持することができる。また、高温域では常温域における電源電圧ＶＳＥＧの漸減の程度よりも高い程度で温度上昇に伴って電源電圧ＶＳＥＧを低下させることができる。さらに、低温域では電源電圧ＶＳＥＧを耐圧２０Ｖを限度として温度低下に伴って漸増させることができる。従って、有機ＥＬパネル１の温度に応じて、高温時に駆動回路の温度が最大許容温度を越えないようにしつつ、図１において破線の曲線で示すような電源電圧ＶＳＥＧの制御を行う場合に比べて、クロストークの発生をできるだけ抑えることができる駆動装置を実現することができる。また、低温時に電源電圧ＶＳＥＧが駆動回路の耐圧を越えないようにしつつ、図１において破線の曲線で示すような電源電圧ＶＳＥＧの制御を行う場合に比べて、クロストークの発生をできるだけ抑えることができる。
【００６９】
なお、上記の各実施の形態では、感温抵抗素子回路２２６において２つのサーミスタ２３３，２３５が用いられている。しかし、感温抵抗素子回路２２６において３つ以上のサーミスタを用いて、常温域において電源電圧ＶＳＥＧと駆動電圧との差を電源余裕値分に近い値に維持し、かつ、低温域および高温域においてドライバＩＣの動作不良や破壊を防止するための電源電圧ＶＳＥＧの温度に応じた変化を表す曲線を、より細かに制御するようにしてもよい。
【００７０】
（実施の形態３）
図９は、３つのサーミスタを用いた場合の感温抵抗素子回路２２６の構成例を示す回路図である。図９に示す構成では、感温抵抗素子回路２２６は、出力電圧側と抵抗２２７との間に、出力電圧側から順に、抵抗値固定の抵抗２３９と、抵抗値固定の抵抗２４０と第１のサーミスタ２３３との並列接続体と、抵抗値固定の抵抗２４１と第２のサーミスタ２３５との並列接続体と、抵抗値固定の抵抗２４２と第３のサーミスタ２３８との並列接続体とが直列接続されたものである。図９において、符号に付随する括弧は抵抗値を表すものとする。なお、抵抗値固定のそれぞれの抵抗は、１つの抵抗（抵抗器）であってもよいし、複数の抵抗が並列接続されたものや直列接続されたものであってもよい。
【００７１】
本実施の形態では、図９に示す感温抵抗素子回路２２６において、抵抗２３９，２４０，２４１，２４２の抵抗値Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１１，Ｒ１２、サーミスタ２３３，２３５，２３８の定数、および基準電圧Ｖｒｅｆは、表５に示すように選定されている。基準温度Ｔ０は２９７Ｋである。
【００７２】
【表５】
2005316138.tif 000007
【００７３】
抵抗２３９，２４０，２４１，２４２の抵抗値Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１１，Ｒ１２、サーミスタ２３３，２３５，２３８の定数を表５に示すように選定した場合に、サーミスタ２３３，２３５，２３８の抵抗値Ｒｔｈ１，Ｒｔｈ２，Ｒｔｈ３および電源回路１２の出力電圧である電源電圧ＶＳＥＧは、表６に示すようになる。なお、表６には、有機ＥＬ素子の駆動電圧、駆動電圧よりも６Ｖ高い値である想定電源電圧、および非選択電圧ＶＣＯＭＨも併せて示されている。なお、本実施の形態では、電源余裕値を６Ｖと見込む。
【００７４】
【表６】
2005316138.tif 000008
【００７５】
表６に示す各値をグラフで示すと、図１０の説明図に示すようになる。図１０において、横軸は温度（℃）を示し、縦軸は電圧（Ｖ）を示す。図１０に示すように、常温域において電源電圧ＶＳＥＧが駆動電圧の漸減の程度と同程度で漸減し、かつ、電源電圧ＶＳＥＧと駆動電圧との差を６Ｖ程度に維持することができる。また、高温域では常温域における電源電圧ＶＳＥＧの漸減の程度よりも高い程度で温度上昇に伴って電源電圧ＶＳＥＧを低下させることができる。さらに、低温域では電源電圧ＶＳＥＧを耐圧２０Ｖを限度として温度低下に伴って漸増させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の概念を説明するための説明図。
【図２】駆動装置を有機ＥＬパネルとともに示すブロック図。
【図３】データ電極側の電源回路の一構成例を示すブロック図。
【図４】実施の形態１における感温抵抗素子回路の構成例を示す回路図。
【図５】走査電極ドライバ側の電源回路の構成例を示す回路図。
【図６】実施の形態１における電源電圧ＶＳＥＧの変化を示す説明図。
【図７】実施の形態２における感温抵抗素子回路の構成例を示す回路図。
【図８】実施の形態２における電源電圧ＶＳＥＧの変化を示す説明図。
【図９】実施の形態３における感温抵抗素子回路の構成例を示す回路図。
【図１０】実施の形態３における電源電圧ＶＳＥＧの変化を示す説明図。
【図１１】従来の有機ＥＬ表示装置の駆動装置を示すブロック図。
【図１２】従来の温度と電源電圧ＶＳＥＧおよび非選択電圧ＶＣＯＭＨとの関係を示す説明図。
【図１３】従来の有機ＥＬパネルの温度の変動に応じた電源電圧ＶＳＥＧの制御例を示す説明図。
【符号の説明】
【００７７】
１      有機ＥＬパネル
３      制御部
１０    走査電極
１１    走査電極ドライバ
１２    電源回路
２０    データ電極
２１    データ電極ドライバ
２２    電源回路
３０    有機ＥＬ素子
２２６  感温抵抗素子回路
２３３，２３５，２３８  サーミスタ（感温抵抗素子）
【図１】
2005316138.tif 000009
【図２】
2005316138.tif 000010
【図３】
2005316138.tif 000011
【図４】
2005316138.tif 000012
【図５】
2005316138.tif 000013
【図６】
2005316138.tif 000014
【図７】
2005316138.tif 000015
【図８】
2005316138.tif 000016
【図９】
2005316138.tif 000017
【図１０】
2005316138.tif 000018
【図１１】
2005316138.tif 000019
【図１２】
2005316138.tif 000020
【図１３】
2005316138.tif 000021