(57)【要約】【課題】形成精度に優れたレジストパターンの形成方法、当該方法を用いた電子部品の製造方法、および電子部品を提供しようとすることを目的とする。【解決手段】（Ｉ）エッチングレジスト用印刷インキ組成物を主胴上のシリコン樹脂面に塗布してインキ組成物層を形成する塗布工程と、（ＩＩ）表面に凹凸パターンが形成された版胴をインキ組成物層に押圧して、版胴の凸部パターンにインキ組成物を転写することで、シリコン樹脂面からインキ組成物層の一部を除去する除去工程と、（ＩＩＩ）シリコン樹脂面に残ったインキ組成物層を基板に転写する転写工程の各工程を経るレジストパターンの形成方法において、版胴の凹部パターン幅Wと該凹部パターンに対応して形成されるレジストパターンの所望幅Lとの比（L／W）を所定の数値範囲に規定することで上記課題を解決した。【選択図】図１
2005246712.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ｉ）エッチングレジスト用印刷インキ組成物を主胴上のシリコン樹脂面に塗布してインキ組成物層を形成する塗布工程と、
（ＩＩ）表面に凹凸パターンが形成された版胴を前記インキ組成物層に押圧して、前記版胴の凸部パターンにインキ組成物を転写することで、前記シリコン樹脂面からインキ組成物層の一部を除去する除去工程と、
（ＩＩＩ）前記シリコン樹脂面に残ったインキ組成物層を基板に転写する転写工程と、
を含むレジストパターン形成方法であって、
前記主胴の回転方向と直交する前記版胴の凹部パターンの幅ＷＹと該凹部パターンに対応して形成されるレジストパターンの所望幅ＬＹの比ｋＹ（ＬＹ／ＷＹ）を０．５５〜０．９８とすることを特徴とする、レジストパターン形成方法。
【請求項２】
（Ｉ）エッチングレジスト用印刷インキ組成物を主胴上のシリコン樹脂面に塗布してインキ組成物層を形成する塗布工程と、
（ＩＩ）表面に凹凸パターンが形成された版胴を前記インキ組成物層に押圧して、前記版胴の凸部パターンにインキ組成物を転写することで、前記シリコン樹脂面からインキ組成物層の一部を除去する除去工程と、
（ＩＩＩ）前記シリコン樹脂面に残ったインキ組成物層を基板に転写する転写工程と、
を含むレジストパターン形成方法であって、
前記主胴の回転方向と平行な前記版胴の凹部パターンの幅ＷＴと該凹部パターンに対応して形成されるレジストパターンの所望幅ＬＴの比ｋＴ（ＬＴ／ＷＴ）を０．６〜０．９９とすることを特徴とする、レジストパターン形成方法。
【請求項３】
（Ｉ）エッチングレジスト用印刷インキ組成物を主胴上のシリコン樹脂面に塗布してインキ組成物層を形成する塗布工程と、
（ＩＩ）表面に凹凸パターンが形成された版胴を前記インキ組成物層に押圧して、前記版胴の凸部パターンにインキ組成物を転写することで、前記シリコン樹脂面からインキ組成物層の一部を除去する除去工程と、
（ＩＩＩ）前記シリコン樹脂面に残ったインキ組成物層を基板に転写する転写工程と、
を含むレジストパターン形成方法であって、
前記主胴の回転方向と直交する前記版胴の凹部パターンの幅ＷＹと該凹部パターンに対応して形成されるレジストパターンの所望幅ＬＹの比をｋＹ（ＬＹ／ＷＹ）、前記主胴の回転方向と平行な前記版胴の凹部パターンの幅ＷＴと該凹部パターンに対応して形成されるレジストパターンの所望幅ＬＴの比をｋＴ（ＬＴ／ＷＴ）とするとき、前記主胴の回転方向とのなす角度θが０＜θ＜９０の範囲である前記版胴の凹部パターンの幅ＷＮと該凹部パターンに対応して形成されるレジストパターンの所望幅ＬＮが、ＬＮ＝ＷＮ（ｋＹｓｉｎ２θ＋ｋＴｃｏｓ２θ）を満たすことを特徴とする、レジストパターン形成方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項記載のレジストパターン形成方法で形成したレジストパターンにより、エッチングで下地を加工することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の電子部品の製造方法により製造されたことを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、印刷によるレジストパターン形成方法、電子部品の製造法、及び電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示部材、光学部材、配線版などの電子部品で用いられる微細パターン形成法は一般的にはフォトレジストを用いたフォトリソグラフィー法（フォトリソ法又は単にフォトリソともいう）である。例えば、液晶ディスプレイＬＣＤの製造プロセスの配線パターンや素子形成においては、フォトリソによるレジストの加工、エッチングにより製造されている。
【０００３】
近年、基板の大型化に伴い、大型の露光機、現像装置、ベーク炉やこれらを設置するクリーンルームが必要で、設備投資も巨額なものになっている。また、１ｍ角以上の基板の場合は、フォトレジスト等をスピンコータで塗布することが困難になっている。そのため、スリットコータなどの塗布装置が用いられているが、塗膜の均一性の確保が難しいという問題がある。
【０００４】
さらに、製造コストダウンが強く要求され、上記露光機等の高価な設備を使用するフォトリソ法以外の電子部品の製造法が望まれている。フォトリソ法以外の電子部品の製造法としては電着法、印刷法が従来から提案されている。これらの中で印刷法が安価な製造法として着目されているが、従来の印刷法では表面平滑性が良好で、かつ高精細なパタ−ン寸法及び形状を持つ配線パターンを製造することは困難であった。
【０００５】
また、近年、エッチングレジスト用印刷インキ組成物をシリコン樹脂面に塗布して塗布面を形成し、該塗布面に対し、所定の形状で形成された凸版を押圧して凸版の凸部分にインキ組成物を転写除去し、塗布面に残ったインキ組成物を基板に転写する凸版反転オフセット法等のレジストパターン形成方法が提案されている（特許文献１及び２参照）。
【特許文献１】特開平１１−５８９２１号公報
【特許文献２】特開平１１−９１２２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、凸版反転オフセット法でエッチングレジスト用印刷インキ組成物を用いて微細なパターン形状を印刷する場合、版の種類、インキの粘度やＮＶ、所望の膜厚やパターン幅によっては印刷後のレジストパターン幅が配線幅設計値よりも細くなり、さらに、パターン配置によってレジストパターン幅の細りの度合いが異なるため、面内でレジストパターン幅精度のずれ、ばらつきが発生し、設計通りのレジストパターンを形成することは困難であった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、所望のレジストパターン幅Lと版胴の凹部パターン幅Wとの比（L／W）を所定の数値範囲に規定することで、形成精度に優れたレジストパターンの形成方法、当該方法を用いた電子部品の製造方法、および電子部品を提供しようとするものである。
【０００８】
すなわち、本発明は以下（１）〜（５）をその特徴とするものである
（１）（Ｉ）エッチングレジスト用印刷インキ組成物を主胴上のシリコン樹脂面に塗布してインキ組成物層を形成する塗布工程と、（ＩＩ）表面に凹凸パターンが形成された版胴を前記インキ組成物層に押圧して、前記版胴の凸部パターンにインキ組成物を転写することで、前記シリコン樹脂面からインキ組成物層の一部を除去する除去工程と、（ＩＩＩ）前記シリコン樹脂面に残ったインキ組成物層を基板に転写する転写工程と、を含むレジストパターン形成方法であって、前記主胴の回転方向と直交する前記版胴の凹部パターンの幅ＷＹと該凹部パターンに対応して形成されるレジストパターンの所望幅ＬＹの比ｋＹ（ＬＹ／ＷＹ）を０．５５〜０．９８とすることを特徴とする、レジストパターン形成方法。
【０００９】
（２）（Ｉ）エッチングレジスト用印刷インキ組成物を主胴上のシリコン樹脂面に塗布してインキ組成物層を形成する塗布工程と、（ＩＩ）表面に凹凸パターンが形成された版胴を前記インキ組成物層に押圧して、前記版胴の凸部パターンにインキ組成物を転写することで、前記シリコン樹脂面からインキ組成物層の一部を除去する除去工程と、（ＩＩＩ）前記シリコン樹脂面に残ったインキ組成物層を基板に転写する転写工程と、を含むレジストパターン形成方法であって、前記主胴の回転方向と平行な前記版胴の凹部パターンの幅ＷＴと該凹部パターンに対応して形成されるレジストパターンの所望幅ＬＴの比ｋＴ（ＬＴ／ＷＴ）を０．６〜０．９９とすることを特徴とする、レジストパターン形成方法。
【００１０】
（３）（Ｉ）エッチングレジスト用印刷インキ組成物を主胴上のシリコン樹脂面に塗布してインキ組成物層を形成する塗布工程と、（ＩＩ）表面に凹凸パターンが形成された版胴を前記インキ組成物層に押圧して、前記版胴の凸部パターンにインキ組成物を転写することで、前記シリコン樹脂面からインキ組成物層の一部を除去する除去工程と、（ＩＩＩ）前記シリコン樹脂面に残ったインキ組成物層を基板に転写する転写工程と、を含むレジストパターン形成方法であって、前記主胴の回転方向と直交する前記版胴の凹部パターンの幅ＷＹと該凹部パターンに対応して形成されるレジストパターンの所望幅ＬＹの比をｋＹ（ＬＹ／ＷＹ）、前記主胴の回転方向と平行な前記版胴の凹部パターンの幅ＷＴと該凹部パターンに対応して形成されるレジストパターンの所望幅ＬＴの比をｋＴ（ＬＴ／ＷＴ）とするとき、前記主胴の回転方向とのなす角度θが０＜θ＜９０の範囲である前記版胴の凹部パターンの幅ＷＮと該凹部パターンに対応して形成されるレジストパターンの所望幅ＬＮが、ＬＮ＝ＷＮ（ｋＹｓｉｎ２θ＋ｋＴｃｏｓ２θ）を満たすことを特徴とする、レジストパターン形成方法。
【００１１】
（４）上記（１）〜（３）のいずれか１項記載のレジストパターン形成方法で形成したレジストパターンにより、エッチングで下地を加工することを特徴とする電子部品の製造方法。
【００１２】
（５）上記（４）記載の電子部品の製造方法により製造されたことを特徴とする電子部品。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、印刷法で課題となるレジストパターン幅のずれを補正し、設計通りのパターン形状を形成することができるレジストパターン形成法を提供することが可能となる。特に、薄膜の、パターン幅が数μｍ〜数十μｍの比較的狭いレジストパターンを安価にかつ容易に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明のレジストパターン形成方法は、（Ｉ）エッチングレジスト用印刷インキ組成物を主胴上のシリコン樹脂面に塗布してインキ組成物層を形成する塗布工程と、（ＩＩ）表面に凹凸パターンが形成された版胴をインキ組成物層に押圧して、版胴の凸部パターンにインキ組成物を転写することで、シリコン樹脂面からインキ組成物層の一部を除去する除去工程と、（ＩＩＩ）シリコン樹脂面に残ったインキ組成物層を基板に転写する転写工程の各工程を経るレジストパターンの形成方法であって、版胴の凹部パターン幅Wと該凹部パターンに対応して形成されるレジストパターンの所望幅Lとの比（L／W）を所定の数値範囲に規定することをその特徴とするものである。図１には、上記の各工程の一実施形態を示す。
【００１５】
上記比（L／W）の数値範囲は、上記主胴の回転方向に対する版胴の凹部パターンの方向（角度）により異なり、具体的には、主胴の回転方向に対して版胴の凹部パターンが直交する場合には、その比ｋＹ（ＬＹ／ＷＹ）を０．５５〜０．９８の範囲とし、主胴の回転方向に対して版胴の凹部パターンが平行となる場合には、その比ｋＴ（ＬＴ／ＷＴ）を０．６〜０．９９の範囲とする。
【００１６】
上記ｋＹ、ｋＴの各数値範囲中、その最適な値はレジストパターンとして使用する印刷インキ組成物ごとに異なるが、これら最適値は、使用する印刷インキ組成物、および主胴回転方向に直行する任意幅の凹部パターンと主胴回転方向に平行な任意幅の凹部パターンが形成されたテスト凸版（図３参照）を用いてあらかじめ求めることができる。つまり、ｋＹ、ｋＴ値は、ある印刷インキ組成物を用いて印刷法によりレジストパターンを形成する場合、そのレジストパターン幅が凸版の凹部パターン幅と比較してどの程度細くなるかどうかを示す指標となるものであるから、上記テスト凸版に形成された主胴回転方向に直行する凹部パターン幅と該凹部パターン幅に対応して形成されたレジストパターン幅との比、および主胴回転方向に平行な凹部パターン幅と該凹部パターン幅に対応して形成されたレジストパターン幅との比をもってして、その印刷インキ組成物にとって最適なｋＹ、ｋＴ値とすることができる。
【００１７】
また、主胴の回転方向とのなす角度θが０＜θ＜９０の範囲であるレジストパターンまたは配線パターンを作製する場合、パターン幅を無数のポイントで測定して変化率を算出するのは効率的ではない。そこで、パターン幅の変化は主胴回転方向に対する方向に依存しており、主胴回転方向に直行する方向と主胴回転方向に平行な方向でそれそれ極大となることから、主胴の回転方向と版胴の凹部パターンとのなす角度θが０＜θ＜９０である場合には、その比ｋＮ（ＬＮ／ＷＮ）を、前記ｋＹ、ｋＴと三角関数の相互関係ｓｉｎ２θ＋ｃｏｓ２θ＝１を適用した式（ｋＹｓｉｎ２θ＋ｋＴｃｏｓ２θ）から求めることができる。例えば、θ=４５とすると、変化率はｋＹとｋＴの変化率が均等に反映されることになる。また、０＜θ＜４５の変化率はｋＴの変化率のほうが反映され、４５＜θ＜９０の変化率はｋＹの変化率のほうが反映されることになる。
【００１８】
本発明を用いて、実際にレジストパターンを形成する際には、上記のようにして求めたｋＹ、ｋＴ、およびｋＮと、レジストパターンの所望幅とから版胴の凹部パターン幅を決定し、そして、決定した凹部パターン幅を有する版胴を用い、上記各工程を経ることで所望幅どおりのレジストパターンを精度良く得ることができる。
【００１９】
上記工程（Ｉ）は、印刷インキ組成物を主胴上に形成されたシリコン樹脂面にキャップコータ等を使用して塗布し、インキ組成物層を形成する工程である。コータの種類は、印刷インキ組成物を均一に塗布することができれば特に制限はなく、毛管現象を利用して印刷組成物を供給するキャップコータの他に、ダイコータ、コンマコータ等を用いることができる。塗布後の印刷インキ組成物は、数秒〜数分間風乾させる。
【００２０】
上記工程（ＩＩ）は、表面に凹凸パターンが形成された版胴を、工程（Ｉ）のインキ組成物層に押圧し、その一部を転写除去する工程である。前記版胴としては、ガラス、石英、金属、樹脂等が用いられ、それらの表面を機械研磨、機械切削、機械彫刻、エッチングする等して凹凸パターンが形成される。また、その形状は、板状、シート状、ロール状等、特に限定されないが、ロール状であると回転しながら加工が可能となるので好ましい。さらに、必要に応じて、凹凸パターン表面に酸化防止処理、保護メッキ、離型処理を行ってもよい。
【００２１】
上記工程（ＩＩＩ）は、工程（ＩＩ）でシリコン樹脂面に残ったインキ組成物層をシリコン樹脂面から基板面に転写させ所望のレジストパタ−ンを得る工程である。前記基板としては、用途により選択されるが、例えば、白板ガラス、青板ガラス、シリカコート青板ガラス等の透明ガラス板、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂等の合成樹脂製シート、フィルム又は板、アルミニウム板、銅板、ニッケル板、ステンレス板等の金属板、その他セラミック板、光電変換素子を有する半導体基板などが挙げられる。また、これら基板にエッチング下地としてＡｌ、Ａｇ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｉｎ、Ｓｉなどの金属単体、またはそれらの合金、またはそれらの酸化膜や窒化膜、酸窒化膜が１種類以上積層されていてもよい。
【００２２】
基板上にインキ組成物層を転写することで形成されたレジストパターンは、さらに１００℃から１５０℃で１分から１５分熱処理することによって十分に乾燥させる。このようにして形成されたパターンの厚みは、用途によって適宜定まるが、０．１〜１０μｍの範囲であることが好ましく、０．２〜５μｍの範囲であることがより好ましい。
【００２３】
また、本発明の電子部品は、上記のようにして基板上にレジストパターンを形成し、ついで、公知のエッチング方法により下地を加工することで得ることができる。
【００２４】
本発明で用いるエッチングレジスト用印刷インキ組成物としては、特に限定されないが、例えば、有機溶剤可溶性樹脂、熱重合開始剤、光開始剤、カップリング剤、添加剤等を溶剤に溶解したものを用いることができる。
【００２５】
上記溶剤としては、エステル系溶剤、高沸点アルコ−ル系有機溶剤、アルコ−ル系溶剤等を用いることができ、好ましくは、２０℃での表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の溶剤、及び２０℃での蒸気圧が２．０ｈＰａ以下の溶剤をそれぞれ一種類以上使用する。
【００２６】
２０℃での表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下の溶剤は、シリコン樹脂面またはシリコンブランケットに均一なインキ組成物層を形成する上で重要な役割を果たす。このような溶剤としては、例えば、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル等のエステル系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶剤などを挙げることができる。
【００２７】
また、２０℃での蒸気圧が２．０ｈＰａ以下の溶剤は、基板への転写性を向上させることができる。このような溶剤としては、例えば、アルキレングリコール、アルキレングリコールエーテル化合物などが挙げられる。アルキレングリコールとしてはジエチレングリコールなどが挙げられる。アルキレングリコールエーテル化合物としては、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールイソプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール−ｔ−ブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールメチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールプロピルエーテルアセテート、トリエチレングリコールイソプロピルエーテルアセテート、トリエチレングリコールブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコール−ｔ−ブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコ−ルジメチルエ−テル、ジプロピレングリコ−ルモノブチルエ−テル等を挙げることができる。ただし、これらの高沸点アルコ−ル系有機溶剤の添加量は５０％以下、好ましくは４０％以下がよい。添加量が５０％を超えると基板への転写性が低下する傾向にある。
【００２８】
さらに、これらの溶剤のほかに、塗膜の均一性、乾燥性、転写性を調整するためにペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、イソペンタン、イソヘキサン、イソオクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロペンタンなどの炭化水素系溶剤、メタノ−ル、エタノ−ル、プロパノ−ル、イソプロパノ−ル、セカンダリブタノ−ル、タ−シャリブタノ−ル等のアルコ−ル系溶剤を組み合わせて使用することができる。
【００２９】
また、上記有機溶剤可溶性樹脂としては、印刷インキ組成物としたときの成膜性、転写性を有するものであることが好ましい。このような樹脂としてはノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン樹脂、アクリル樹脂、アミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等を挙げることができ、これらは１種または２腫以上併用することもできる。なかでもフォトリソ法のレジストに使用されるノボラック樹脂、アクリル樹脂およびポリヒドロキシスチレン樹脂はエッチング耐性の面から好ましい。
【００３０】
上記ノボラック樹脂としては、例えば、フェノール、クレゾール、キシレノールなどとホルムアルデヒドとの重縮合体を使用することができる。上記アクリル樹脂としては２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、グリシジルメタクリレート、ビス・グリシジルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ラウリルメタクリレート、ステアリルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、ベンジルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、ブチルメタクリレート、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、ブチルアクリレート、ヘキシルメタクリレート、ヘキシルアクリレート、オクチルメタクリレート、オクチルアクリレート、含リンメタクリレート、等のアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステル、スチレン、スチレン誘導体、その他の重合性モノマの単独重合体又は共重合体、（メタ）アクリル酸（アクリル酸及びメタクリル酸を意味する。以下同様）、イタコン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、マレイン酸モノアルキルエステル、シトラコン酸、無水シトラコン酸、シトラコン酸モノアルキルエステル等のカルボキシル基含有重合性モノマと（メタ）アクリル酸エステル、スチレンのスチレン誘導体、その他の重合性モノマとの共重合体等を使用することができる。上記ポリヒドロキシスチレン樹脂としては、ヒドロキシスチレン、α−メチルスチレンなどの単独重合体のほか、前述の重合性モノマとの共重合体組成を用いることができる。
【００３１】
ノボラック樹脂を用いる場合、その重量平均分子量は１，０００以上であることが好ましく、２，０００以上であることがより好ましい。重量平均分子量が１０００未満ではエッチング耐性が低下する。
【００３２】
また、アクリル樹脂を用いる場合、その重量平均分子量は１，５００〜２００，０００の範囲内であることが好ましく、５，０００〜１００，０００の範囲内であることがより好ましく、１０，０００〜５０，０００の範囲内であることが特に好ましい。アクリル樹脂の重量平均分子量が１５００未満ではエッチング耐性が低下し、重量平均分子量が２００，０００を超えると有機溶剤に対する溶解性が低下する。
【００３３】
ポリヒドロキシスチレン樹脂を用いる場合、その重量平均分子量は１，０００〜１００，０００の範囲であることが好ましく、２，０００〜５０，０００の範囲内であることがより好ましく、５，０００〜３０，０００の範囲内であることが特に好ましい。重量平均分子量が１０００未満ではエッチング耐性が低下し、重量平均分子量が１００，０００を超えると有機溶剤に対する溶解性が低下する。
【００３４】
なお、本明細書において、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて換算した値である。
【００３５】
また、有機溶剤可溶性樹脂として、光または熱重合性不飽和結合を有するものを使用してもよい。このような樹脂の好ましい例としては、高酸価のカルボキシ基含有アクリル系樹脂にグリシジルメタクリレート、グルシジルアクリレート、アリルグリシジルエーテル、α−エチルグリシジルアクリレート、クロトニルグリシジルエーテル、イタコン酸モノアルキルグリシジルエーテル等のオキシラン環と、エチレン性不飽和結合をそれぞれ１個有する化合物やアリルアルコール、２−ブテン−４−オール、フルフリルアルコール、オレイルアルコール、シンナミルアルコール、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、Ｎ−メチロールアクリルアミド等の水酸基とエチレン性不飽和結合をそれぞれ１個有する化合物（不飽和アルコール）を反応させた樹脂、水酸基を有するカルボキシル基含有樹脂に遊離イソシアネート基含有不飽和化合物を反応させた樹脂、エポキシ樹脂と不飽和カルボン酸との付加反応物に多塩基酸無水物を反応させた樹脂、共役ジエン重合体や共役ジエン共重合体と不飽和ジカルボン酸無水物との付加反応物に水酸基含有重合性モノマを反応させた樹脂などが挙げられる。
【００３６】
上記の光重合性不飽和結合を分子内に２個以上有するモノマとしては、例えば、ＥＯ変性ビスフェノールＡジアクリレート、ＥＣＨ変性ビスフェノールＡジアクリレート、ビスフェノールＡジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、グリセロールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ＥＯ変性リン酸ジアクリレート、ＥＣＨ変性フタル酸ジアクリレート、ポリエチレングリコール４００ジアクリレート、ポリプロピレングリコール４００ジメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ＥＣＨ変性１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ＥＯ変性リン酸トリアクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリアクリレート、ＰＯ変性トリメチロールプロパントリアクリレート（ＰＯはプロピレンオキシドを意味する。以下同様）、トリス（メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート等のアクリレート、これらに対応するメタクリレートなどが挙げられる。これらのモノマは、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３７】
また、上記熱重合開始剤としては、例えば、ベンゾイルパーオサイド、クメンヒドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、アゾビスイソブチロニトリルなどを用いることができる。これらの熱重合開始剤は単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。また、上記光開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ′−テトラエチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４′−ジメチルアミノベンゾフェノン、ベンジル、２，２−ジエトキシアセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、チオキサントン、２−クロロチオキサントン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノ−１−プロパン、ｔ−ブチルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２，３−ジクロロアントラキノン、３−クロル−２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントラキノン、１，２−ベンゾアントラキノン、１，４−ジメチルアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体などが挙げられる。これらの光開始剤は単独で又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００３８】
また、上記カップリング剤は、基板との密着性を向上させるために用いることができ、例えば、イソプロピルトリメタクリロイルチタネート、ジイソプロピルイソステアロイル−４−アミノベンゾイルチタネート等のチタネートカップリング剤やビニル基、エポキシ基、アミノ基、メルカプト基等を有したシランカップリング剤等を用いることができる。さらに、上記添加剤としては、膜の平滑性を向上させるための界面活性剤（フッ素系、シリコン系、炭化水素系等）及びその他、紫外線吸収剤、酸化防止剤などを挙げることができる。
【００３９】
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例】
【００４０】
（実施例１）
主胴の回転方向と直交するゲート膜配線用の５０μｍ幅ライン状レジストパターンを作製するために、凸版反転オフセット法を次のように行った。
【００４１】
１Ｌスケールの四つ口フラスコにクレゾールノボラック樹脂（明和化成社製  重量平均分子量５，０００、ｐ−クレゾール：ｍ−クレゾール＝６０：４０）６２．５ｇを秤りとった。ここに酢酸エチル２６２．５ｇ、２−アセトキシ−１−メトキシプロパン２５０ｇ、ジエチレングリコール５０ｇを添加し、窒素雰囲気下、６時間攪拌して樹脂を溶解させた。２ミクロンテフロン（登録商標）フィルターで加圧ろ過し、実施例１の印刷用インキ組成物を得た。
【００４２】
上記で得た印刷用インキ組成物を、図１に示すようにシリコン樹脂面（ブランケット）上にキャップコータを用いて塗布し、３０秒間乾燥させて膜厚０．５μｍのインキ組成物層を形成した。その後、ｋＹ＝０．９として、このｋ値と所望幅５０μｍから決定した凹部パターン幅WＹ＝５５．６μｍの版胴を用いてシリコン樹脂面から不要部分のインキ組成物層を除去した。その後、シリコン樹脂面に残ったインキ組成物層をガラス基板面に転写し、基板上にレジストパターンを形成した。このレジストパタ−ンの精度、形状幅を顕微鏡で観察したところ、そのパターン幅は５０μｍであった。さらに、このレジストパターンを用いて、ＴＦＴ電極用下地ゲート膜基板（Ｍｏ／Ａｌ  Ｎｄ）をリン酸／硝酸／酢酸水溶液でエッチングした（４０℃、２分）ところ、５０ミクロン幅の配線の幅を形成できた。
【００４３】
（実施例２）
主胴の回転方向と平行となるゲート膜配線用の２５μｍ幅ライン状レジストパターンを作製するために、凸版反転オフセット法を次のように行った。
【００４４】
１Ｌスケールの四つ口フラスコにクレゾールノボラック樹脂（明和化成社製  重量平均分子量５，０００、ｐ−クレゾール：ｍ−クレゾール＝６０：４０）１２５ｇを秤りとった。ここに酢酸エチル２００ｇ、２−アセトキシ−１−メトキシプロパン２５０ｇ、ジエチレングリコール５０ｇを添加し、窒素雰囲気下、６時間攪拌して樹脂を溶解させた。２ミクロンテフロン（登録商標）フィルターで加圧ろ過し、実施例２の印刷用インキ組成物を得た。
【００４５】
上記で得た印刷用インキ組成物を、図１に示すようにシリコン樹脂面（ブランケット）上にキャップコータを用いて塗布し、３０秒間乾燥させて膜厚１．０μｍのインキ組成物層を形成した。その後、ｋＴ＝０．９として、このｋ値と所望幅２５μｍから決定した凹部パターン幅WＴ＝２７．８μｍの版胴を用いてシリコン樹脂面から不要部分のインキ組成物層を除去した。その後、シリコン樹脂面に残ったインキ組成物層をガラス基板面に転写し、基板上にレジストパターンを形成した。このレジストパタ−ンの精度、形状幅を顕微鏡で観察したところ、そのパターン幅は２５μｍであった。さらに、このレジストパターンを用いて、ＴＦＴ電極用下地ゲート膜基板（Ｍｏ／Ａｌ  Ｎｄ）をリン酸／硝酸／酢酸水溶液でエッチングした（４０℃、２分）ところ、２５ミクロン幅の配線の幅を形成できた。
【００４６】
（実施例３）
主胴の回転方向と直交または平行となるゲート膜配線用の２５μｍ幅ライン状レジストパターンを作製するために、凸版反転オフセット法を次のように行った。
【００４７】
１Ｌスケールの四つ口フラスコにクレゾールノボラック樹脂（明和化成社製  重量平均分子量５，０００、ｐ−クレゾール：ｍ−クレゾール＝６０：４０）６２．５ｇを秤りとった。ここに酢酸エチル２６２．５ｇ、２−アセトキシ−１−メトキシプロパン２５０ｇ、ジエチレングリコール５０ｇを添加し、窒素雰囲気下、６時間攪拌して樹脂を溶解させた。２ミクロンテフロン（登録商標）フィルターで加圧ろ過し、実施例３の印刷用インキ組成物を得た。
【００４８】
上記で得た印刷用インキ組成物を、図１に示すようにシリコン樹脂面（ブランケット）上にキャップコータを用いて塗布し、３０秒間乾燥させて膜厚０．５μｍのインキ組成物層を形成した。その後、ｋＹ＝ｋＴ＝０．９として、このｋ値と所望幅２５μｍから決定した凹部パターン幅WＹ＝WＴ＝２７．８μｍの版胴を用いてシリコン樹脂面から不要部分のインキ組成物層を除去した。その後、シリコン樹脂面に残ったインキ組成物層をガラス基板面に転写し、基板上にレジストパターンを形成した。このレジストパタ−ンの精度、形状幅を顕微鏡で観察したところ、そのパターン幅は２６μｍであった。さらに、このレジストパターンを用いて、ＴＦＴ電極用下地ゲート膜基板（Ｍｏ／Ａｌ  Ｎｄ）をリン酸／硝酸／酢酸水溶液でエッチングした（４０℃、２分）ところ、２５ミクロン幅の配線の幅を形成できた。
【００４９】
（比較例１）
主胴の回転方向と直交するゲート膜配線用の５０μｍ幅ライン状レジストパターンを作製するために、凸版反転オフセット法を次のように行った。
【００５０】
ｋＹ＝１．０として、このｋ値と所望幅５０μｍから決定した凹部パターン幅WＹ＝５０の版胴を用いた以外は、実施例１と同様にレジストパターンを作製した。転写されたレジストパタ−ンの精度、形状幅を顕微鏡で観察したところ、パターン幅は４４．４μｍであった。さらに、このレジストパターンを用いて、このレジストパターンを用いて、ＴＦＴ電極用下地ゲート膜基板（Ｍｏ／Ａｌ  Ｎｄ、２５００Å）をリン酸／硝酸／酢酸水溶液でエッチングした（４０℃、２分）ところ、配線幅は４４．４μｍ幅であり、所望配線幅を得られなかった。
【００５１】
（比較例２）
主胴の回転方向と平行となるゲート膜配線用の２５μｍ幅ライン状レジストパターンを作製するために、凸版反転オフセット法を次のように行った。
【００５２】
ｋＴ＝１．０として、このｋ値と所望幅２５μｍから決定した凹部パターン幅WＹ＝WＴ＝２５．０μｍの版胴を用いた以外は、実施例２と同様にレジストパターンを作製した。転写されたレジストパタ−ンの精度、形状幅を顕微鏡で観察したところ、パターン幅は２２．２μｍであった。さらに、このレジストパターンを用いて、このレジストパターンを用いて、ＴＦＴ電極用下地ゲート膜基板（Ｍｏ／Ａｌ  Ｎｄ、２５００Å）をリン酸／硝酸／酢酸水溶液でエッチングした（４０℃、２分）ところ、配線幅は２２．２μｍ幅であり、所望配線幅を得られなかった。
【００５３】
（比較例３）
主胴の回転方向と直交または平行となるゲート膜配線用の２５μｍ幅ライン状レジストパターンを作製するために、凸版反転オフセット法を次のように行った。
【００５４】
ｋＹ＝ｋＴ＝１．０として、このｋ値と所望幅２５μｍから決定した凹部パターン幅WＹ＝WＴ＝２５．０μｍの版胴を用いた以外は、実施例３と同様にレジストパターンを作製した。転写されたレジストパタ−ンの精度、形状幅を顕微鏡で観察したところ、パターン幅は２３．２μｍであった。さらに、このレジストパターンを用いて、このレジストパターンを用いて、ＴＦＴ電極用下地ゲート膜基板（Ｍｏ／Ａｌ  Ｎｄ、２５００Å）をリン酸／硝酸／酢酸水溶液でエッチングした（４０℃、２分）ところ、配線幅は２２．２μｍ幅であり、所望配線幅を得られなかった。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明のレジストパターン形成方法の一実施形態を示す図である。
【図２】主胴の回転方向、および主胴回転方向と版胴の凹部パターンとのなす角を示す図である。
【図３】テスト凸版におけるＬＹ、ＬＴ、ＬＮ、ＷＹ、ＷＴ、ＷＮを示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  インキ組成物
２  主胴
３  インキ組成物層
４  ブランケット（シリコン樹脂）
５  版胴
６  凸部
７  基板
８  ＣＡＰコータ
【図１】
2005246712.tif 000003
【図２】
2005246712.tif 000004
【図３】
2005246712.tif 000005