(57)【要約】【課題】  セルの端壁面からの漏れ光を回避させた有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】  基板の一方の面の各画素領域に独立に制御されて発光する発光層が形成され、該発光層からの光が該基板を通して照射されるものであって、該基板の周辺の端壁面に遮光部材が配置されている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面の各画素領域に独立に制御されて発光する発光層が形成され、該発光層からの光が該基板を通して照射されるものであって、該基板の周辺の端壁面に遮光部材が配置されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
第１の基板と、この第１の基板の発光層が形成された表示部に対向して該表示部を囲むシール材によって固着される第２の基板とを有し、
第１の基板と第２の基板のそれぞれの端壁面に遮光部材が配置されていることを特徴する有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記発光層は各画素領域の一部にそれぞれ形成され、各発光層と隣接する他の画素領域の発光層との間にバンク層が形成されているものであって、このバンク層が基板の端壁面にまで延在されて、前記遮光材部材を構成していることを特徴とする請求項２、３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
基板の一方の面の各画素領域に独立に制御されて発光する発光層が形成され、該発光層からの光が該基板を通して照射されるものであって、該基板の周辺の端壁面に遮光部材が配置されているとともに、
前記端壁面の一部と前記遮光部材との間に光センサが配置され、この光センサの出力によって前記発光層に流す電流を制御することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
基板の一方の面の各画素領域に独立に制御されて発光する発光層が形成され、該発光層からの光が該基板を通して照射されるものであって、該基板の周辺の端壁面に遮光部材が配置されているとともに、
前記端壁面の一部と前記遮光部材との間に太陽電池が配置され、この太陽電池の出力を前記発光層の駆動に利用することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記遮光部材は樹脂材であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記遮光部材は接着テープであることを特徴とする請求項１、２、３、４、５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記遮光部材は基板に形成された材料を該基板の端壁面にまで延在させることによって形成されていることを特徴とする請求項１、２、３、４、５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬ(Electro Luminescence)表示装置に係り、特にそのセルにおいて改良を施した有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、その基板の一面の表示部がマトリクス状に配置された各画素から構成され、これら各画素領域にはそれぞれ電流を流すことによって発光する有機ＥＬ層（発光層）が設けられている。
【０００３】
また、前記基板の発光層が形成された面には、前記基板と対向して配置される他の基板が、表示部を囲むようにして形成されるシール材を介して固着され、いわゆるセルを構成するようになっている。
【０００４】
有機ＥＬ層は、酸素、湿気等により特性が変化してしまうことから、該セルによって外気との遮蔽を行なうためである。
【０００５】
発光層からの光は前記各基板のうち少なくとも一方の基板を通して観察者側に照射されるようになり、このため、一方の基板はガラス等の透明基板によって構成されている（特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２１９７８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上述のように構成された有機ＥＬ表示装置は、発光層が形成された基板であって、該発光層からの光を該基板を通して出射させる構成の場合、該基板側にそれに対し垂直方向およびそれより僅かな角度を有する方向に照射される光は基板を通過して観察者側に至るようになるが、それ以外の光は基板の面で全反射され、基板ＳＵＢ１の端壁面側に導かれるようになる。
【０００８】
このため、該基板からの漏れ光が端壁面において目視され、その対策が要望されていた。
【０００９】
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、セルの端壁面からの漏れ光を回避させた有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
（１）本発明による有機ＥＬ表示装置は、たとえば、基板の一方の面の各画素領域に独立に制御されて発光する発光層が形成され、該発光層からの光が該基板を通して照射されるものであって、該基板の周辺の端壁面に遮光部材が配置されていることを特徴とするものである。
（２）本発明による有機ＥＬ表示装置は、たとえば、第１の基板と、この第１の基板の発光層が形成された表示部に対向して該表示部を囲むシール材によって固着される第２の基板とを有し、
第１の基板と第２の基板のそれぞれの端壁面に遮光部材が配置されていることを特徴するものである。
（３）本発明による有機ＥＬ表示装置は、たとえば、（２）、（３）のいずれかの構成を前提とし、前記発光層は各画素領域の一部にそれぞれ形成され、各発光層と隣接する他の画素領域の発光層との間にバンク層が形成されているものであって、このバンク層が基板の端壁面にまで延在されて、前記遮光材部材を構成していることを特徴とするものである。
（４）本発明による有機ＥＬ表示装置は、たとえば、基板の一方の面の各画素領域に独立に制御されて発光する発光層が形成され、該発光層からの光が該基板を通して照射されるものであって、該基板の周辺の端壁面に遮光部材が配置されているとともに、
前記端壁面の一部と前記遮光部材との間に光センサが配置され、この光センサの出力によって前記発光層に流す電流を制御することを特徴とするものである。
（５）本発明による有機ＥＬ表示装置は、たとえば、基板の一方の面の各画素領域に独立に制御されて発光する発光層が形成され、該発光層からの光が該基板を通して照射されるものであって、該基板の周辺の端壁面に遮光部材が配置されているとともに、
前記端壁面の一部と前記遮光部材との間に太陽電池が配置され、この太陽電池の出力を前記発光層の駆動に利用することを特徴とするものである。
（６）本発明による有機ＥＬ表示装置は、たとえば、（１）、（２）、（３）、（４）、（５）のいずれかの構成を前提とし、前記遮光部材は樹脂材であることを特徴とするものである。
（７）本発明による有機ＥＬ表示装置は、たとえば、（１）、（２）、（３）、（４）、（５）のいずれかの構成を前提とし、前記遮光部材は接着テープであることを特徴とするものである。
（８）本発明による有機ＥＬ表示装置は、たとえば、（１）、（２）、（３）、（４）、（５）のいずれかの構成を前提とし、前記遮光部材は基板に形成された材料を該基板の端壁面にまで延在させることによって形成されていることを特徴とするものである。
【００１１】
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【発明の効果】
【００１２】
上記（１）の構成によれば、発光層からの光であって基板内を全反射しながら出射される光が該基板の端壁面から漏れることを防止することができる。
【００１３】
上記（２）の構成によれば、セルの外囲器を構成する各基板のそれぞれの端側面からの漏れ光を防止することができる。
【００１４】
上記（３）の構成によれば、一方の基板側にバンク層が形成されているものにあって特に他の材料を用いることなく基板の端壁面からの漏れ光を防止することができる。
【００１５】
上記（４）の構成によれば、自己の光をフィードバックさせて発光層からの光を制御する際に用いるセンサを特別の領域を設けることなく備えることができるようになる。
【００１６】
上記（５）の構成によれば、本来無駄となる光を有効に再利用することができるようになる。
【００１７】
上記（６）の構成によれば、いわゆる塗布作業によって容易に遮光部材を構成することができるようになる。
【００１８】
上記（７）の構成によれば、固着材を用いることなく容易に遮光部材を構成することができるようになる。
【００１９】
上記（８）の構成によれば、基板の端壁面からの漏れ光を信頼性よく防止することができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例を図面を用いて説明する。
【００２１】
《全体の構成》
図２は、本発明による有機ＥＬ表示装置の平面図を示し、対向して配置される各基板のうち一方の基板ＳＵＢ１における他方の基板側の面の構成を示した図である。
【００２２】
まず、基板ＳＵＢ１の中央の大部分には表示領域ＡＲが形成されている。この表示領域ＡＲの左右両側にはそれぞれ走査信号駆動回路ＧＤＲ−Ｌ、ＧＤＲ−Ｒが配置されている。各走査信号駆動回路ＧＤＲ−ＬとＧＤＲ−Ｒからは該表示領域ＡＲ側にゲート信号線ＧＬが延在されており、走査信号駆動回路ＧＤＲ−Ｌからのゲート信号線ＧＬ−Ｌと走査信号駆動回路ＧＤＲ−Ｒからのゲート信号線ＧＬ−Ｒとは交互に配置されている。
【００２３】
また、表示領域ＡＲの下側にはデータ信号駆動回路ＤＤＬが配置され、このデータ信号駆動回路ＤＤＬからは該表示領域ＡＲ側にデータ信号線ＤＬが延在されている。さらに、表示領域ＡＲの上側には電流供給母線ＣＳＬＢが配置され、この電流供給母線ＣＳＬＢからは該表示領域ＡＲ側に電流供給線ＣＳＬが延在されている。
【００２４】
該データ信号線ＤＬと電流供給線ＣＳＬは交互に配置され、これにより、これらデータ信号線ＤＬ、電流供給線ＣＳＬ、および前記ゲート信号線ＧＬ−Ｌ、ゲート信号線ＧＬ−Ｒで囲まれた各領域において一つの画素ＰＸの領域を構成するようになっている。
【００２５】
表示領域ＡＲ、走査信号駆動回路ＧＤＲ−Ｌ、ＧＤＲ−Ｒ、映像信号駆動回路ＤＤＬ、電流供給母線ＣＳＬＢを囲むようにしてシール剤ＳＬが形成され、このシール剤ＳＬは前記基板ＳＵＢに対向して配置される他の基板を固着するようになっている。各画素領域には有機ＥＬからなる発光層が形成され、この発光層は酸素、湿気等によって特性劣化が生じることから、外気との遮蔽を施している。
【００２６】
シール剤ＳＬの外側にあって、基板ＳＵＢの下側の表面には複数の端子からなる端子群ＣＮＴが形成され、この端子群ＣＮＴから前記走査信号駆動回路ＧＤＲ−Ｌ、ＧＤＲ−Ｒ、映像信号駆動回路ＤＤＬ、電流供給母線ＣＳＬＢに信号を供給するようになっている。
【００２７】
なお、図中符号ＣＴＨは、上層において各画素に共通に形成される導電層とそれよりも絶縁膜を介して下層に形成される配線層とを接続させるためのコンタクト領域を示している。ここで、前記導電層は表示領域ＡＲの各画素内に形成される発光層の一方の電極となる陰極としての機能を有する。
【００２８】
《画素の構成》
図３（ａ）は前記画素ＰＸの詳細を示す平面図である。各画素は、所定のパターンに形成された導電層、半導体層、絶縁層等が積層されることによって微細な回路が組み込まれている。
【００２９】
すなわち、該一画素は、その図中上側において当該画素を選択駆動するゲート信号線ＧＬによって画され、左側において当該画素に映像信号を供給するドレイン信号線ＤＬによって画され、右側において当該画素に電流を供給する電流供給線ＣＳＬによって画され、下側において当該画素と隣接する他の画素を選択駆動するゲート信号線ＧＬによって画されている。
【００３０】
この一画素の領域は図中上側と下側とに区分され、下側の領域には有機ＥＬからなる発光層が形成され、上側の領域には前記映像信号に対応した電流を形成するための回路が形成されている。
【００３１】
発光層が形成された前記領域には、基板側からたとえば透光性の導電層からなる一方の電極（図中ＩＴＯで示す）、発光層、他方の電極が順次積層されている。前記発光層は前記一方の電極の上層に形成されたバンク層ＢＭＰの開口部（図中ＢＭＰ，ＯＰＮ）に埋設されて形成され、この部分が実質的に発光部として構成される。また、前記他方の電極は前記バンク層ＢＭＰの上面をも被って各画素に共通に形成されている。
【００３２】
前記一方の電極を陽極、他方の電極を陰極として、その間の発光層に電流が流れることによって、該発光層は電流に応じた強度で発光がなされるようになっている。なお、前記バンク層ＢＭＰは当該画素からの発光を隣接する画素内に伝達されるのを回避するため、あるいは、製造の工程において当初流動性をもつ発光層を所定の輪郭を有するように形成するために設けられている。このため、前記バンク層ＢＭＰはそれをたとえば樹脂材で構成した場合に、この樹脂材中に黒色顔料等が含有されたものを用いている。
【００３３】
前記回路に形成された前記領域には、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、スイッチング素子ＳＷ２をオン・オフするコントロール信号線ＣＬ１、スイッチング素子ＳＷ３をオン・オフするコントロール信号線ＣＬ２、ドライブ・トランジスタＤＴ、容量素子Ｃ１−ＣＳｉ、ＣＳｉ−Ｃ２が形成されている。
【００３４】
この回路は、ゲート信号線ＧＬからの走査信号によって、ドレイン信号線ＤＬから映像信号を取り込み、この映像信号の強弱（電圧）に応じて、電流供給線ＣＳＬからの電流を前記発光層が形成された領域の一方の電極に供給するようになっている。
【００３５】
ここで、前記スイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ３、および容量素子Ｃｓｉ−Ｃ２は、ドライブ・トランジスタＤＴの閾値電圧が各画素毎にばらつきがある場合において、そのばらつき補正をするために設けられている。
【００３６】
《等価回路》
図３（ｂ）は前記一画素における等価回路を示し、図３（ａ）における幾何学的配置にほぼ対応させて描いている。
【００３７】
ゲート信号線ＧＬからの走査信号によって、スイッチング素子ＳＷ１がオンし、ドレイン信号線ＤＬからの映像信号が該スイッチング素子ＳＷ１を介して容量素子Ｃ１−ＣＳｉの一方の電極Ｃ１に供給される。このとき、該容量素子Ｃ１−ＣＳｉの他方の電極はフローティング状態となっている。
【００３８】
なお、容量素子Ｃ１−ＣＳｉは、その他方の電極と導電位となるゲート電極を有するドライブ・トランジスタＤＴのゲート電位を所定の期間に亘り所望の値に維持させる機能を有する。
【００３９】
このような状態で、まず、コントロール信号線ＣＬ１を通して伝送された制御信号がスイッチング素子ＳＷ２をターン・オンさせる。このとき、ドライブ・トランジスタＤＴはターン・オンされないものの、そのノードＣＨ２側はフローティング状態から有機ＥＬ素子ＬＥＤを通して基準電位に接続され、その電位は所定の値に上がる。
【００４０】
次にコントロール信号線ＣＬ２を通して伝送された制御信号が、これに対応するスイッチング素子ＳＷ３をターン・オンさせる。これにより、フローティング状態にあった容量素子ＣＳｉ−Ｃ２の一方の電極ＣＳｉは、スイッチング素子ＳＷ３を通してドライブ・トランジスタＤＴのノードＣＨ２側と接続され、その電位は上記所定の値に上がる。このとき、ドライブ・トランジスタＤＴのゲート電位（ノードＣＨ１の電位）はその出力側（ノードＣＨ２）と同じため、ドライブ・トランジスタＤＴのチャネル層は電荷の流れを遮断する。
【００４１】
電流供給線ＣＳＬには、ドレイン信号線ＤＬで伝送される映像信号に関係なく所定の電流が流れるため、その電位も概ね一定である。したがって、２つのスイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ３を順次ターン・オンする（それぞれのチャネル層を順次導通状態にする）ことにより、いずれの画素の容量素子ＣＳｉ−Ｃ２にも概ね同じ量の電荷が蓄えられる。
【００４２】
この状態で、スイッチング素子ＳＷ３のチャネル層を閉ざし、次にスイッチング素子ＳＷ１がターン・オンされると、容量素子Ｃ１−ＣＳｉの一方の電極Ｃ１に印加される電圧（映像信号）に応じて、容量素子Ｃ１−ＣＳｉの容量も変り、これに応じてノードＣＨ１の電位（ドライブ・トランジスタＤＴのゲート電位）とその出力側（ノードＣＨ２側）の電位との間に差が生じる。
【００４３】
この電位差により、ドライブ・トランジスタＤＴをターン・オンし、またターン・オンされたチャネルに流れる電荷量を制御して有機ＥＬ素子ＬＥＤを所望の輝度で光らせる。
【００４４】
《セルの構成》
図１は、上述したように構成される基板ＳＵＢ１とそれに対向してシール材ＳＬによって固着される基板ＳＵＢ２で組み立てられる有機ＥＬ表示装置のセルを示す側面図である。
【００４５】
基板ＳＵＢ１の基板ＳＵＢ２側の面に形成される発光層からの光は基板ＳＵＢ１を透過して観察者側に照射されるようになっている。
【００４６】
ここで、図中、基板ＳＵＢ１の基板ＳＵＢ２側の面に形成される導電層、半導体層、絶縁層の積層体のうち前記バンク層ＢＭＰのみを示しており、このバンク層ＢＭＰは基板ＳＵＢ１の周辺にまで延在されているとともに、さらに該基板ＳＵＢ１の端壁面を被うようにして形成されている。
【００４７】
すなわち、該バンク層ＢＰＭを用いて基板ＳＵＢ１の端壁面を遮光するように構成され、換言すれば、該バンク層ＢＰＭは基板ＳＵＢ１の端壁面を遮光する遮光部材を兼ねた構成となっている。
【００４８】
このようにした理由は、基板ＳＵＢ１内に発光層からの光が入射され、該基板ＳＵＢ１の端壁面から漏れて出射されるのを前記遮光部材によって回避せんとするためである。
【００４９】
図４は、図１の丸枠Ａに示す部分を拡大して示した図である。基板ＳＵＢ１の基板ＳＵＢ２側の面に形成された積層構造は簡単のため、該基板ＳＵＢ１側から積層されるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる画素電極ＰＩＸ、発光層ＬＥＤ、対向電極ＣＴのみを示している。
【００５０】
ここで、基板ＳＵＢ１の光屈折率を１．５、画素電極ＰＩＸの光屈折率を１．９、発光層ＬＥＤの光屈折率を１．７、外気の光屈折率を１．０とした場合、発光層ＬＥＤからの光であって画素電極ＰＩＸおよび基板ＳＵＢ１を通過する光の光路は図示したとおりになる。
【００５１】
発光層ＬＥＤから基板ＳＵＢ１側にその垂直方向およびそれに対して僅かな角度を有する方向に照射される光は基板ＳＵＢ１を通過して観察者側に至るが、基板ＳＵＢ１側にその垂直方向と比較的大きく傾く方向に照射される光は基板の面で全反射され、基板ＳＵＢ１の端面側に導かれるようになる。
【００５２】
発光層ＬＥＤからの光に対して観察者側に至る光は約２０％であるのに対し、該基板ＳＵＢ１の端壁面側に導かれる光は約８０％となる。このため、該基板ＳＵＢ１の端壁面に光が漏れるのを前記バンク層ＢＭＰの該端壁面までの延在部によって遮光している。
【００５３】
上述の実施例では、基板ＳＵＢ１の端壁面にまで延在させて遮光部材を構成するのはバンク層ＢＭＰとしたものであるが、必ずしもバンク層ＢＭＰに限定されることはなく、他の材料層であってもよい。
【００５４】
また、基板ＳＵＢ１の面に形成される材料層に限定されることはなく、基板ＳＵＢ１の端壁面を遮光する目的でのみ形成される部材、たとえば接着テープ、樹脂材で構成してもよい。さらに、基板ＳＵＢ１側のみでなく基板ＳＵＢ２側においても上述と同様に構成してもよいことはもちろんである。
【００５５】
図５ないし図６はこのようにした場合を示す構成図である。図５（ａ）は基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の各端壁面にそれぞれの各面にわたって樹脂材ＲＥＳを塗布することにより、該樹脂材ＲＥＳによって遮光をしたものであり、図５（ｂ）は該樹脂材ＲＥＳに替えて接着テープＡＤＴを用いたものである。図６（ａ）は基板ＳＵＢ１のみの端壁面に樹脂材ＲＥＳを塗布したものであり、図６（ｂ）は該樹脂材ＲＥＳに替えて接着テープＡＤＴを用いたものである。
【００５６】
また、図７に示すように、基板の端壁面に形成される遮光部材は該端壁面のみに限らずその周囲の表面にまで及んで形成されていてもよいことはもちろんである。図７（ａ）は基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の各端壁面にそれぞれの各面にわたって樹脂材ＲＥＳを塗布する場合において該基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の表面にまで及ぶもの、図７（ｂ）は該樹脂材ＲＥＳに替えて接着テープＡＤＴを用いたもの、図７（ｃ）は基板ＳＵＢ１のみの端壁面に樹脂材ＲＥＳを塗布する場合において該基板ＳＵＢ１の表面にまで及ぶもの、図７（ｄ）は該樹脂材ＲＥＳに替えて接着テープＡＤＴを用いたものを示している。
【００５７】
さらに、図８は、基板の端壁面に遮光を施すばかりでなく、この部分に出射される光の量が比較的多いことに鑑み、この光を有効に利用せんとしてなされた構成を示すものである。
【００５８】
図８（ａ）は、基板の端面と遮光部材との間に光センサＬＣを配置させ、この光センサＬＣからの出力によって、たとえば前記発光層ＬＥＤに流す電流を制御するようにしたものである。また、図８（ｂ）は、基板の端面と遮光部材との間に太陽電池ＳＶを配置させ、この太陽電池ＳＶの出力を前記発光層ＬＥＤの駆動に利用するようにしたものである。
【００５９】
上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明による有機ＥＬ表示装置の一実施例を示す断面図である。
【図２】本発明による有機ＥＬ表示装置の一実施例を示す平面図である。
【図３】本発明による有機ＥＬ表示装置の画素の構成の一実施例を示す構成図である。
【図４】有機ＥＬ表示装置の一方の基板（発光層が形成されている側の基板）内における光の光路を示す説明図である。
【図５】本発明による有機ＥＬ表示装置の他の実施例を示す要部断面図である。
【図６】本発明による有機ＥＬ表示装置の他の実施例を示す要部断面図である。
【図７】本発明による有機ＥＬ表示装置の他の実施例を示す要部断面図である。
【図８】本発明による有機ＥＬ表示装置の他の実施例を示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２  基板
ＡＲ  表示領域
ＳＬ  シール材
ＧＬ  ゲート信号線
ＤＬ  ドレイン信号線
ＣＳＬ  電流供給線
ＰＸ  画素
ＢＭＰ  バンク層
ＲＥＳ  樹脂材
ＡＤＴ  接着テープ
【図１】
2005063788.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005063788.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005063788.tif 000007
【図６】
2005063788.tif 000008
【図７】
2005063788.tif 000009
【図８】
2005063788.tif 000010