(57)【要約】【課題】  画素溝の埋め込みを行うことができると共に、画素電極表面の凹凸の発生を抑制することができる反射型液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】  画素電極２の上層にＳｉＯ２膜が形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板と所定の間隙を介して対面配置された対向基板と、ＴＦＴ基板及び対向基板の間隙内に保持された液晶とを備える反射型液晶表示装置の製造方法において、画素電極の上層に２５０℃〜３００℃の温度雰囲気下でプラズマＣＶＤ装置によって第１のＳｉＯ２膜を形成し、次に、３５０℃〜４００℃の温度雰囲気下でプラズマＣＶＤによって第２のＳｉＯ２膜を形成する。【選択図】    図１
2005070166.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面で光を反射する画素電極の上層に絶縁層が形成された第１の基板と、該第１の基板と所定の間隙を介して対面配置された第２の基板と、前記第１の基板及び第２の基板の間隙内に保持された液晶とを備える反射型液晶表示装置の製造方法において、
前記第１の基板の形成工程は、前記画素電極の上層に、第１の温度の雰囲気下で化学的気相成長させて第１の絶縁層を形成する工程と、
該第１の絶縁層の上層に、第２の温度の雰囲気下で化学的気相成長させて第２の絶縁層を形成する工程とを備え、
前記第１の温度は前記第２の温度より低くする
ことを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の温度を３００℃以下にするとともに、
前記第２の温度を３５０℃以上４００℃以下にする
ことを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は反射型液晶表示装置の製造方法に関する。詳しくは、相対向する一対の基板間に液晶物質を保持した構造を有する反射型液晶表示装置の製造方法に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置による画像表示は、所定の間隙を介して対面配置された一対の基板間に電圧を印加し、基板の間隙内に保持された液晶物質の複屈折特性に基づいて光透過率を制御することによって行っている。
【０００３】
ところで、近年はデータプロジェクターやリアプロジェクション型テレビ等の小型液晶表示パネルを用いた表示装置が順調に市場を拡大し成長を続けており、当初は透過型液晶表示装置が主流であった市場にも、反射型液晶を用いた液晶表示装置が参入し徐々にシェアを広げている。
【０００４】
さて、透過型液晶表示装置にとって重要な性能要素であった「明るさ」については反射型液晶表示装置にとっても重要な性能要素であり、反射型液晶表示装置でランプ、ミラー及びプリズム等の光学系を変更することなく「明るさ」を向上させるには、画素電極、即ち反射メタル層の反射率を向上させるといった方法が考えられる。ここで、反射メタル層の反射率を向上させる方法としては、（１）反射メタル層成分の調整による反射率の向上（２）反射メタル層の面積を大きくすることによる全体としての反射率の向上（３）反射メタル層の表面の状態を改善して反射率を向上させる等が考えられる。
【０００５】
しかし、上記（１）の方法に関しては、一般的に使用されているアルミニウムを主に用いた材料の場合には、添加元素としてはシリコンや銅等が一般的であるが、添加元素が入っていない反射メタル層の場合であっても反射率は既に９０％を超えており、劇的な改善が見こまれるものとは言い難い。
【０００６】
また、反射メタル層の面積を大きくすること、即ち、画素電極と画素電極との隙間である画素溝の幅の縮小化を図るという上記（２）の方法については、技術的には数十ｎｍ程度の加工まで可能ではあるが、反射メタル層同士の干渉によって液晶の配向に悪影響を及ぼす恐れがあるために、画素溝の縮小化、即ち、反射メタル層の面積改善にも限界があり、劇的な改善が見こまれるものとは言い難い。
【０００７】
上記した様な現状を鑑みると、反射メタル層の反射率を向上させる方法としては、上記（３）の反射メタル層の表面の状態を改善して反射率を向上させるという方法を採用することが有効であると考えられる。
【０００８】
ところで、液晶表示装置として考えた場合には、反射メタル層に電圧を印加することにより液晶分子を配向させる必要があり、画素溝の位置における液晶分子の異常配向を抑制すべく、図２（ａ）で示す様な反射メタル層１０２がマトリクス状に配置された基板１０１の上層に、図２（ｂ）で示す様に画素溝埋め込み層１０４が形成され、画素溝１０３の埋め込みを行っている。なお、画素溝埋め込み層は、画素溝埋め込み性能を向上させるべく、３５０℃〜４００℃程度の温度雰囲気下において化学的気相成長法（以下、ＣＶＤ法と言う）によって形成されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−４９０３３号公報  （第７頁、第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、３５０℃〜４００℃程度の温度雰囲気下においてＣＶＤ法によって画素溝埋め込み層を形成した場合には、画素溝の埋め込み性能は向上するものの、ＣＶＤを行う際の熱履歴によって画素電極表面に凹凸１０５が生じてしまい、反射メタル層の反射率の低下を招いている。
【００１１】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであって、画素電極表面の凹凸の発生を抑制することができる反射型液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明に係る反射型液晶表示装置の製造方法は、表面で光を反射する画素電極の上層に絶縁層が形成された第１の基板と、該第１の基板と所定の間隙を介して対面配置された第２の基板と、前記第１の基板及び第２の基板の間隙内に保持された液晶とを備える反射型液晶表示装置の製造方法において、前記第１の基板の形成工程は、前記画素電極の上層に、第１の温度の雰囲気下で化学的気相成長させて第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層の上層に、第２の温度の雰囲気下で化学的気相成長させて第２の絶縁層を形成する工程とを備え、前記第１の温度は前記第２の温度より低くするものである。
【００１３】
ここで、ＣＶＤ法を用いて第１の絶縁層を形成する際に、その処理温度を低くすることで、画素電極表面に凹凸を生じにくくするとともに、画素電極表面を固定することになる。
また、第２の温度の雰囲気下で化学的気相成長させて第２の絶縁層と形成することで、画素電極表面保護膜を必要な厚さにまですることになる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明を適用した反射型液晶表示装置の製造方法では、第１の絶縁層を形成して画素電極を保護した状態で第２の絶縁層を形成するために、第２の絶縁層を形成する際に画素電極表面に凹凸が発生することなく、画素電極の反射率の向上を図ることができ、反射型液晶表示装置にとって重要な「明るさ」を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１は本発明を適用した反射型液晶表示装置の製造方法の一例である反射型液晶パネルの製造方法を説明するための模式的な図である。本発明を適用した反射型液晶パネルの製造方法では、先ず、図１（ａ）で示す様な、シリコンや銅等が添加されたアルミニウムからなる反射メタル層２がマトリクス状に配置されたＴＦＴ基板本体１の上層に、図１（ｂ）で示す様に、２５０℃〜３００℃の温度雰囲気下でモノシランガス或いはＴＥＯＳ系ガスを供給してプラズマＣＶＤ装置によって、第１の絶縁層として機能する第１のＳｉＯ２膜３を形成する。第１のＳｉＯ２膜３は、２５０℃〜３００℃の温度雰囲気下で成膜を行っているために、反射メタル層表面の凹凸が発生することなく第１のＳｉＯ２膜を形成することができている。
【００１６】
この第１のＳｉＯ２膜３は、後述する第２のＳｉＯ２膜を形成する際において保護膜として機能し、第２のＳｉＯ２膜を形成する際にも反射メタル層表面の凹凸の発生を抑制することになる。
【００１７】
なお、第１のＳｉＯ２膜を形成する際における温度は、反射メタル層表面の凹凸が求める反射率を確保できる程度に抑えられる程度の温度であればよい。したがって、この温度として２５０℃〜３００℃の温度範囲にすることが好ましいが、求める反射率によっては他の温度範囲のものを採っても構わない。
【００１８】
次に、図１（ｃ）で示す様に、第１のＳｉＯ２膜の上層に、３５０℃〜４００℃の温度雰囲気下でモノシランガス或いはＴＥＯＳ系ガスを供給してプラズマＣＶＤ装置によって、第２の絶縁層として機能する第２のＳｉＯ２膜４を形成する。
【００１９】
ここで、３５０℃〜４００℃の温度雰囲気下で成膜を行っているために、絶縁層全体を必要な厚さにまで成長させることができる。
【００２０】
もちろん、第２のＳｉＯ２膜を形成する際における温度は、絶縁層を成長させるために必要で、かつ他に障害を与えない程度のものであればよく、必ずしも３５０℃〜４００℃の温度範囲に限定されるものでは無い。
【００２１】
反射メタル層の上層に第１のＳｉＯ２膜及び第２のＳｉＯ２膜を形成した後は、通常の反射型液晶表示装置の製造方法と同様に、第２のＳｉＯ２膜の上層に配向膜を形成し、配向処理を施した後に、シール材を介して対向基板と貼り合わせを行い、液晶を注入封止することによって、反射型液晶パネルを得ることができる。
【００２２】
上記した本発明を適用した反射型液晶パネルの製造方法では、第２のＳｉＯ２膜を成膜するに先だって、反射メタル層表面の保護膜として機能する第１のＳｉＯ２膜を成膜しているために、第２のＳｉＯ２膜の成膜時に反射メタル表面に発生する凹凸を抑制することができ、反射メタル層の乱反射が抑えられ、反射光の明度低下を抑制することができる。即ち、反射メタル層の乱反射の抑制を通じて、反射型液晶パネルにとって重要な「明るさ」の向上を図ることができる。
また、本発明を適用した反射型液晶パネルの製造方法では、単に成膜を行う際における温度を変化させているのみであるために、一般的な半導体製造用装置を用いて成膜を行うことが可能である。
【００２３】
なお、本実施の形態では、本発明をマトリクス状の反射型液晶表示パネルに適用した例を示したが、マトリクス状のものでなくても、たとえば、セグメント式の文字表示パネルなどに適用しても良好な結果を生じさせることができる。
【００２４】
また、第１の絶縁層の形成後第２の絶縁層の形成は連続して行うことが望ましい。第１の絶縁層と第２の絶縁層は一体になることが望まれるところ、第１の絶縁層の形成後第２の絶縁層の形成の間に他の工程等が含まれると、不純物が第１の絶縁層と第２の絶縁層の間に含まれることになり、透過率の悪化などの原因になり、好ましくないからである。
【００２５】
なお、上記実施の形態において用いた処理用のガス・材料については、一例であり、同目的を達成する他のガス・材料などを用いても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明を適用した反射型液晶表示装置の製造方法の一例を説明するための模式的な図である。
【図２】従来の反射型液晶表示装置の製造方法を説明するための模式的な図である。
【符号の説明】
【００２７】
１    ＴＦＴ基板本体
２    反射メタル層
３    第１のＳｉＯ２膜
４    第２のＳｉＯ２膜
５    画素溝
【図１】
2005070166.tif 000003
【図２】
2005070166.tif 000004