(57)【要約】  【課題】ＬＣ共振器、電圧制御発振器または高周波モジュールにおいて、トリミング用導体に対する位置合わせ精度が向上し、トリミング精度が向上し、歩留まりが向上したものとその特性調整方法を提供する  【解決手段】集合多層基板のチップ対応の各領域内にトリミング部４ｃを有するインダクタンス素子４の少なくとも１つあるいは一部に形成する。インダクタンス素子４と同層に、積層方向と直角をなすＸ軸方向、Ｙ軸方向にそれぞれ設けた各引き出し電極４ｄ、４ｅを介してインダクタンス素子４に接続された２つのパターン位置検出用コンデンサ電極４ｘ、４ｙを形成する。前記引き出し電極４ｄ、４ｅをそれぞれ切断して切断終了による共振周波数等特性の急変を検出してその層のパターンの位置ずれ量を求める。その位置ずれ量に基づいて共振周波数調整用のトリミング部の位置を求めてトリミングを行なう。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数個取りの集合多層基板より縦横に切断されて製造されるＬＣ共振器であって、
積層体内に少なくとも１つのＬＣ共振器を含み、
前記積層体内にＬＣ共振器を構成しかつ共振周波数調整用のトリミング部を有するインダクタンス素子の少なくとも１つあるいは一部を形成し、
前記積層体に内装されたインダクタンス素子と同層に、積層方向と直角をなすＸ軸方向、Ｙ軸方向にそれぞれ設けた各引き出し電極を介して前記インダクタンス素子に接続された２つのパターン位置検出用コンデンサ電極を形成し、
前記コンデンサ電極は前記積層体の異なる層に形成したコンデンサ電極に対向することを特徴とするＬＣ共振器。
【請求項２】
請求項１に記載のＬＣ共振器において、
前記ＬＣ共振器は誘電体層を有し、
前記誘電体層は、有機樹脂材料とセラミック誘電体粉末とを混合したハイブリッド材料でなり、
前記有機樹脂材料は、ポリビニルベンジルエーテル化合物を含み、
前記セラミック誘電体粉末は、チタンバリウム系セラミックスを含み、
前記ポリビニルベンジルエーテル化合物の含有率をａ（ＶＯＬ％）とし、前記チタンバリウム系セラミックスの含有率をｂ（ＶＯＬ％）としたとき、
ａ：ｂ＝（７０：３０）〜（６０：４０）からなる材料を、少なくとも１つの層に用いていることを特徴とするＬＣ共振器。
【請求項３】
請求項１または２に記載のＬＣ共振器において、
レーザー光の照射面から前記引き出し電極までの間の少なくとも１つの層に光不透過性の材料または導体を用いていることを特徴とするＬＣ共振器。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれかに記載のＬＣ共振器において、
前記引き出し電極を有する層が、ＬＣ共振器の裏面の接地導体より内部の層に形成されていることを特徴とするＬＣ共振器。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれかに記載のＬＣ共振器を備えることを特徴とする電圧制御発振器。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれかに記載のＬＣ共振器を備えることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項７】
多数個取りの集合多層基板より縦横に切断されて製造されるＬＣ共振器の特性調整方法であって、
前記集合多層基板のチップ対応の各領域内に前記ＬＣ共振器を構成しかつ共振周波数調整用のトリミング部を有するインダクタンス素子の少なくとも１つあるいは一部に形成すると共に、
前記各領域に内装されたインダクタンス素子と同層に、積層方向と直角をなすＸ軸方向、Ｙ軸方向にそれぞれ設けた各引き出し電極を介して前記インダクタンス素子に接続された２つのパターン位置検出用コンデンサ電極を、前記各領域の異なる層に形成したコンデンサ電極に対向させて形成し、
前記Ｘ軸方向、Ｙ軸方向に設けた引き出し電極をそれぞれ切断して切断終了による共振周波数の急変を検出して引き出し電極の存在する層のＸ軸方向、Ｙ軸方向のパターンの位置ずれ量を求め、
その位置ずれ量に基づいて前記共振周波数調整用のトリミング部の位置を求めてトリミングを行なうことを特徴とするＬＣ共振器の特性調整方法。
【請求項８】
多数個取りの集合多層基板より縦横に切断されて製造される電圧制御発振器の特性調整方法であって、
前記集合多層基板のチップ対応の各領域内に前記電圧制御発振器を構成しかつ発振周波数調整用のトリミング部を有するインダクタンス素子の少なくとも１つあるいは一部に形成すると共に、
前記各領域に内装されたインダクタンス素子と同層に、積層方向と直角をなすＸ軸方向、Ｙ軸方向にそれぞれ設けた各引き出し電極を介して前記インダクタンス素子に接続された２つのパターン位置検出用コンデンサ電極を、前記各領域の異なる層に形成したコンデンサ電極に対向させて形成し、
前記Ｘ軸方向、Ｙ軸方向に設けた引き出し電極をそれぞれ切断して切断終了による発振周波数の急変を検出して引き出し電極の存在する層のＸ軸方向、Ｙ軸方向のパターンの位置ずれ量を求め、
その位置ずれ量に基づいて前記発振周波数調整用のトリミング部の位置を求めてトリミングを行なうことを特徴とする電圧制御発振器の特性調整方法。
【請求項９】
多数個取りの集合多層基板より縦横に切断されて製造される高周波モジュールの特性調整方法であって、
前記集合多層基板のチップ対応の各領域内に前記高周波モジュールを構成しかつその特性調整用のトリミング部を有する素子の少なくとも１つあるいは一部を形成すると共に、
前記多層基板に内装された素子と同層に、積層方向に直角をなすＸ軸方向、Ｙ軸方向に設けた各引き出し電極を介して前記素子に接続された２つのパターン位置検出用コンデンサ電極を、前記多層基板の異なる層に形成したコンデンサ電極に対向させて形成し、
前記Ｘ軸方向、Ｙ軸方向に設けた引き出し電極をそれぞれ切断して切断終了による特性の急変を検出して引き出し電極の存在する層のＸ軸方向、Ｙ軸方向のパターンの位置ずれ量を求め、
その位置ずれ量に基づいて前記特性調整用のトリミング部の位置を求めてトリミングを行なうことを特徴とする高周波モジュールの特性調整方法。
【請求項１０】
請求項７から９までのいずれかに記載の特性調整方法において、
前記特性調整を、集合多層基板の状態で行ない、
前記集合多層基板の少なくとも３つのコーナー部に位置するＬＣ共振器、電圧制御発振器または高周波モジュールのチップ対応領域について前記引き出し電極の存在する層のＸ軸方向、Ｙ軸方向のパターンの位置ずれ量を求め、
その位置ずれ量から、コーナー部以外の各チップ対応領域のパターンの位置ずれ量を求め、
その位置ずれ量に基づいてコーナー部以外の部分のチップ対応領域のトリミング部の位置を求めてトリミングを行なうことを特徴とする特性調整方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の特性調整方法において、
前記集合多層基板のパターンの位置ずれ検出用のコーナー部以外の前記チップ対応領域の前記引き出し電極により接続されたパターン位置検出用のコンデンサ電極を、特性調整のためにトリミングすることを特徴とする特性調整方法。
【請求項１２】
請求項６から１１までのいずれかに記載の特性調整方法において、
前記引き出し電極を有する層を、前記集合多層基板の裏面の接地導体より内部の層に形成することを特徴とする特性調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＣ共振器と電圧制御発振器と高周波モジュールとこれらの共振周波数、発振周波数またはその他の特性の調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話等の電子機器の小型化の要求から、基板内部にＬＣ共振器を形成した高周波モジュールが多用されている。その代表例が電圧制御発振器であり、発振周波数の調整を行なうために、基板に形成されたＬＣ共振器の共振周波数の調整が不可欠となっている。このようなＬＣ共振器あるいは電圧制御発振器もしくは高周波モジュールについての従来の特性調整方法について、以下に記載するものが提案されている。
【０００３】
（１）部品面上のインダクタ導体をトリミングするもの。特許文献１、２には、ストリップラインを基板内部に形成し、このストリップラインにスルーホールを介して接続されたトリミング用のインダクタを部品表面に形成したものが開示されている。
【０００４】
（２）部品面上のコンデンサ電極をトリミングするもの、特許文献３、４には、トリミング用コンデンサ電極を部品表面に形成して周波数調整を行なうものが開示ｓれている。
【０００５】
（３）表面のＬＣトリミングにより、周波数を上下に調整可能にしたもの。特許文献５、６には、部品表面のコンデンサ、インダクタの２つをトリミングして周波数を調整することを可能にしてものが開示されている。
【０００６】
（４）部品表面に被せるケースによる特性のばらつきを少なくするもの。部品のトリミング後の外界の影響を防止するため、トリミング部および部品搭載面を覆うようなシールドケースを被せるのが一般的である。しかしながら、通常、ケースを取付けることにより、電圧制御発振器の発振周波数がシフトすると共に、ケース取付けのばらつきやトリミング量の違いから、そのシフト量は必ずしも一定ではない。したがって、発振周波数のシフトを正確に予測することは困難であり、トリミングを正確に行なっても、ケース取付け後に発振周波数がばらついてしまうという問題点があり、そのため、前記特許文献５には、裏面のグランド電極のトリミングにより周波数が調整できるように、インダクタンス素子とグランド電極とをスルーホールにより接続し、その接続部の両側部をトリミングしている。
【０００７】
（５）部品裏面をトリミングするもの。トリミング用導体を電圧制御発振器等の部品の搭載面に形成することは、近年の小型化の要求の妨げになることから、部品の裏面側からトリミングする方法が特許文献７〜１２に開示されている。特許文献８に記載のものは、部品の裏面の電極にトリミング用の開口部を設け、そこ開口部を通してレーザ光を照射した内部の導体をトリミングしている。また、特許文献１１、１２に記載のものは、裏面の接地導体にスリット状に導体のない領域を設け、そのスリットを目印にしてレーザー光を内部に至る深さで照射して内部のトリミング用導体の切除を行なうようにしている。
【０００８】
【特許文献１】特許第２６６２７４８号公報
【特許文献２】特許第３１７０８８０号公報
【特許文献３】特許第２５３１０００号公報
【特許文献４】特許第３１４１３５０号公報
【特許文献５】特開平１０−９３３４２号公報
【特許文献６】特開２００１−１２７５４７号公報
【特許文献７】特開平５−２３５６３７号公報
【特許文献８】特開２０００−３１７３８号公報
【特許文献９】特開平９−１５３７３７号公報
【特許文献１０】特開平１１−２１４９２５号公報
【特許文献１１】特開２０００−１２４８２８号公報
【特許文献１２】特開平２００１−７６４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来より一般的に行われている部品表面または裏面における導体のトリミングによれば、部品を基板にセットした後に外界による影響によって調整値がずれるおそれがある。そこで接地導体により覆われた多層基板の内部にトリミング用導体を設け、外部から内部まで達するレーザー光を照射してトリミングを行うことが好ましい。従来のように、表面または裏面の導体をトリミングする場合はカメラ等で直視可能なため、レーザー光によるトリミング位置の位置合わせが比較的容易であり、ターゲットに対し、±５０μｍ以内に位置ずれを抑えることが可能であった。
【００１０】
しかし、内部の導体パターンを直接削る場合、内部の導体パターンを直視することは通常困難である（通常、裏面はグランドパターンでシールド性を確保しているので、透視できない。）。このため、特許文献１２に記載のように、予め部品の裏面の接地導体にスリット、ピンボール等の位置合わせ用のパターン（目印）を設け、これを基準にして内部パターンへの位置決めをし、トリミングを行なう方法を適用することが考えられる。しかし、部品を構成する多層基板の製造では、一般に±１００μｍ程度の積層ずれを有し、しかも裏面の導体パターンとトリミングを行なう導体パターンの積層ずれの方向およびそのずれ量は連動するものではなく、独立的である。従って、本来レーザー光を照射すべき位置から場合によっては２００μｍ程度ずれることがあり、その結果、トリミング精度が低下した過調整が起こり、歩留まりが悪化するという問題点がある。
【００１１】
部品を構成する誘電体層が半透明な例えばＦＲ４のような樹脂材料であれば、集合基板の端部の捨て基板部に、トリミングするパターンと同層に位置合わせ用の基準パターンを設け、これを直視し、この基準パターンのずれ量をそのまま他の領域の切断前の部品にも適用してトリミングを行なうことは可能であるが、不透明な誘電体を用いる場合には、この方法は適用できないという問題点がある。
【００１２】
本発明は、上記問題点に鑑み、ＬＣ共振器、電圧制御発振器あるいは高周波モジュールにおいて、これらの多層基板を不透明の材料により構成し、かつシールド性を向上させるために接地導体より内部にトリミング用の導体を形成する場合、トリミング用導体に対する位置合わせ精度が向上し、トリミング精度が向上し、歩留まりが向上したものとその特性調整方法を提供することを目的とする。また、本発明は、シールドケースを設ける場合においても、シールドケースによる特性の変動が少なく、安定した特性のものと特性調整方法を提供することを他の目的とする。また、本発明は、部品搭載用の表面に調整個所を設ける必要がなく、小型化が可能な構成および特性調整方法を提供することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
（１）本発明のＬＣ共振器は、多数個取りの集合多層基板より縦横に切断されて製造されるＬＣ共振器であって、
積層体内に少なくとも１つのＬＣ共振器を含み、
前記積層体内にＬＣ共振器を構成しかつ共振周波数調整用のトリミング部を有するインダクタンス素子の少なくとも１つあるいは一部を形成し、
前記積層体に内装されたインダクタンス素子と同層に、積層方向と直角をなすＸ軸方向、Ｙ軸方向にそれぞれ設けた各引き出し電極を介して前記インダクタンス素子に接続された２つのパターン位置検出用コンデンサ電極を形成し、
前記コンデンサ電極は前記積層体の異なる層に形成したコンデンサ電極に対向することを特徴とする。
【００１４】
（２）また、本発明のＬＣ共振器は、前記（１）において、
前記ＬＣ共振器は誘電体層を有し、
前記誘電体層は、有機樹脂材料とセラミック誘電体粉末とを混合したハイブリッド材料でなり、
前記有機樹脂材料は、ポリビニルベンジルエーテル化合物を含み、
前記セラミック誘電体粉末は、チタンバリウム系セラミックスを含み、
前記ポリビニルベンジルエーテル化合物の含有率をａ（ＶＯＬ％）とし、前記チタンバリウム系セラミックスの含有率をｂ（ＶＯＬ％）としたとき、
ａ：ｂ＝（７０：３０）〜（６０：４０）からなる材料を、少なくとも１つの層に用いていることを特徴とする。
【００１５】
（３）また、本発明のＬＣ共振器は、前記（１）または（２）において、
レーザー光の照射面から前記引き出し電極までの間の少なくとも１つの層に光不透過性の材料または導体を用いていることを特徴とする。
【００１６】
（４）また、本発明のＬＣ共振器は、前記（１）から（３）までのいずれかにおいて、
前記引き出し電極を有する層が、ＬＣ共振器の裏面の接地導体より内部の層に形成されていることを特徴とする。
【００１７】
（５）本発明の電圧制御発振器は、前記（１）から（４）までのいずれかに記載のＬＣ共振器を備えることを特徴とする。
【００１８】
（６）本発明の高周波モジュールは、前記（１）から（５）までのいずれかに記載のＬＣ共振器を備えることを特徴とする。
【００１９】
（７）本発明のＬＣ共振器の特性調整方法は、多数個取りの集合多層基板より縦横に切断されて製造されるＬＣ共振器の特性調整方法であって、
前記集合多層基板のチップ対応の各領域内に前記ＬＣ共振器を構成しかつ共振周波数調整用のトリミング部を有するインダクタンス素子の少なくとも１つあるいは一部に形成すると共に、
前記各領域に内装されたインダクタンス素子と同層に、積層方向と直角をなすＸ軸方向、Ｙ軸方向にそれぞれ設けた各引き出し電極を介して前記インダクタンス素子に接続された２つのパターン位置検出用コンデンサ電極を、前記各領域の異なる層に形成したコンデンサ電極に対向させて形成し、
前記Ｘ軸方向、Ｙ軸方向に設けた引き出し電極をそれぞれ切断して切断終了による共振周波数の急変を検出して引き出し電極の存在する層のＸ軸方向、Ｙ軸方向のパターンの位置ずれ量を求め、
その位置ずれ量に基づいて前記共振周波数調整用のトリミング部の位置を求めてトリミングを行なうことを特徴とする。
【００２０】
（８）本発明の電圧制御発振器の特性調整方法は、多数個取りの集合多層基板より縦横に切断されて製造される電圧制御発振器の特性調整方法であって、
前記集合多層基板のチップ対応の各領域内に前記電圧制御発振器を構成しかつ発振周波数調整用のトリミング部を有するインダクタンス素子の少なくとも１つあるいは一部に形成すると共に、
前記各領域に内装されたインダクタンス素子と同層に、積層方向と直角をなすＸ軸方向、Ｙ軸方向にそれぞれ設けた各引き出し電極を介して前記インダクタンス素子に接続された２つのパターン位置検出用コンデンサ電極を、前記各領域の異なる層に形成したコンデンサ電極に対向させて形成し、
前記Ｘ軸方向、Ｙ軸方向に設けた引き出し電極をそれぞれ切断して切断終了による発振周波数の急変を検出して引き出し電極の存在する層のＸ軸方向、Ｙ軸方向のパターンの位置ずれ量を求め、
その位置ずれ量に基づいて前記発振周波数調整用のトリミング部の位置を求めてトリミングを行なうことを特徴とする。
【００２１】
（９）本発明の高周波モジュールの特性調整方法は、多数個取りの集合多層基板より縦横に切断されて製造される高周波モジュールの特性調整方法であって、
前記集合多層基板のチップ対応の各領域内に前記高周波モジュールを構成しかつその特性調整用のトリミング部を有する素子の少なくとも１つあるいは一部を形成すると共に、
前記多層基板に内装された素子と同層に、積層方向に直角をなすＸ軸方向、Ｙ軸方向に設けた各引き出し電極を介して前記素子に接続された２つのパターン位置検出用コンデンサ電極を、前記多層基板の異なる層に形成したコンデンサ電極に対向させて形成し、
前記Ｘ軸方向、Ｙ軸方向に設けた引き出し電極をそれぞれ切断して切断終了による特性の急変を検出して引き出し電極の存在する層のＸ軸方向、Ｙ軸方向のパターンの位置ずれ量を求め、
その位置ずれ量に基づいて前記特性調整用のトリミング部の位置を求めてトリミングを行なうことを特徴とする。
【００２２】
（１０）本発明の特性調整方法は、前記（７）から（９）までのいずれかにおいて、
前記特性調整を、集合多層基板の状態で行ない、
前記集合多層基板の少なくとも３つのコーナー部に位置するＬＣ共振器、電圧制御発振器または高周波モジュールのチップ対応領域について前記引き出し電極の存在する層のＸ軸方向、Ｙ軸方向のパターンの位置ずれ量を求め、
その位置ずれ量から、コーナー部以外の各チップ対応領域のパターンの位置ずれ量を求め、
その位置ずれ量に基づいてコーナー部以外の部分のチップ対応領域のトリミング部の位置を求めてトリミングを行なうことを特徴とする。
【００２３】
（１１）また、本発明の特性調整方法は、前記（１０）において、
前記集合多層基板のパターンの位置ずれ検出用のコーナー部以外の前記チップ対応領域の前記引き出し電極により接続されたパターン位置検出用のコンデンサ電極を、特性調整のためにトリミングすることを特徴とする。
【００２４】
（１２）また、本発明の特性調整方法は、前記（６）から（１１）までのいずれかにおいて、
前記引き出し電極を有する層を、前記集合多層基板の裏面の接地導体より内部の層に形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明においては、トリミングすべき導体が存在する層に、位置検出用のＸ軸方向、Ｙ軸方向の引き出し電極およびパターン位置検出用のコンデンサ電極を設け、引き出し電極を切断し、切断が終了した際の特性の急変を検出してＸ軸、Ｙ軸方向の導体パターンのずれを検出するようにしたので、トリミングすべき層の位置ずれを正確に検出できる。このため、トリミングすべき導体が直視できない不透明な材料を全体の層に用いるか、または少なくともレーザー光照射面から引き出し電極に至る層の少なくとも一部に不透明な材料または光透過を阻害する接地導体等が存在する場合であっても、トリミングすべき導体の位置合わせ精度が向上し、トリミング精度が向上し、歩留まりが向上する。
【００２６】
また、接地導体内にトリミング導体を有する構成が採用できるため、外界による特性変動が少ない特性調整が行なえ、シールドケースを設ける場合でも、特性が変動しない安定したＬＣ共振器、電圧制御発振器あるいは高周波モジュールが得られる。また、基板内部に形成されたトリミング部を基板の裏面からトリミングするため、部品搭載面である表面に調整個所を設ける必要がなく、ＬＣ共振器、電圧制御発振器あるいは高周波モジュールの小型化が可能となる。
【００２７】
また、従来より特性調整に用いられてきたレーザー装置、共振周波数や発振周波数等の測定器等を用いて特性調整が実施できるため、特殊な照明装置あるいはＸ線装置等が不要となり、比較的容易に実施できる。
【００２８】
また、位置検出用の電極が存在する層とトリミングを行なう導体部分が同一層にあるため、レーザー光のパワー条件等を一定にでき、短時間でかつ安定なトリミングが行なえる。
【００２９】
また、集合多層基板のコーナー部以外の領域のＬＣ共振器、電圧制御発振器、高周波モジュールの引き出し電極に接続されたコンデンサ電極をトリミングする方法を採用することにより、周波数を下げる方向のみならず、周波数を上げる方向の調整も可能となり、歩留まりが向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
図１は従来の電圧制御発振器の回路図である。この回路は、コルピッツ型の発振回路を基本とする。Ｔ１は制御電圧を加えるコントロール端子、Ｔ２は電源端子、Ｔ３は出力端子である。Ｃ１、Ｌ１は発生する発振信号の外部への通過を防止し外部からのノイズの入力を防止するコンデンサおよびインダクタである。コンデンサＣ２、Ｃ３と、バリキャップコンデンサＤ１と、ストリップライン型共振器ＳＬは共振回路を構成するものである。トランジスタＱ１、Ｑ２と、コンデンサＣ５〜Ｃ１１と、抵抗Ｒ１〜Ｒ４と、インダクタＬ２は負性抵抗部を構成する。Ｃ４は共振回路部と負性抵抗部とを結合するコンデンサである。
【００３１】
図２は本発明による電圧制御発振器の一実施の形態を、図１と共通部分を省略して示す回路図である。図２において、図１と異なる点はストリップライン型共振器ＳＬに並列に、２つのコンデンサＣｘ、Ｃｙが設けられていることである。
【００３２】
図３は本発明による電圧制御発振器の一実施の形態を示す層構成図である。図３において、１ａ〜１ｊは誘電体層であり、これらの誘電体層の少なくとも１つの層は、有機樹脂材料とセラミック誘電体粉末とを混合したハイブリッド材料でなる。前記有機樹脂材料は、ポリビニルベンジルエーテル化合物を含み、前記セラミック誘電体粉末は、チタンバリウム系セラミックスを含む。そして、前記ポリビニルベンジルエーテル化合物の含有率をａ（ＶＯＬ％）とし、前記チタンバリウム系セラミックスの含有率をｂ（ＶＯＬ％）としたとき、ａ：ｂ＝（７０：３０）〜（６０：４０）からなる。このような材料を用いることにより、高周波特性に優れ、低損失の電圧制御発振器を得ることができる。本発明を実施する場合、誘電体材料や樹脂材料として勿論他の材料を用いてもよい。また、部分的に磁性材料を用いてもよい。
【００３３】
図３において、第１層１ａは図１、図２に示したコンデンサＣ１〜Ｃ１１や抵抗Ｒ１〜Ｒ４等を搭載した受動素子やトランジスタＱ１、Ｑ２やバリキャップダイオードＤ１等の搭載部品２の搭載面を形成する。第３層１ｃは前記インダクタＬ１およびＬ２を形成した層である。第５層１ｅには、第８層のインダクタンス素子（ストリップライン）４と共に前記共振器ＳＬを構成する接地導体（グランド電極）５が形成される。第１０層１ｊの裏面には、前記コントロール端子Ｔ１と、電源端子Ｔ２と、出力端子Ｔ３と、前記インダクタンス素子４との間で共振器ＳＬを構成する接地導体６とが形成される。
【００３４】
図４は前記インダクタンス素子４の構成を示す図である。４ａは前記接地導体５、６にスルーホール（図示せず）を介して接続されるストリップライン４の端部、４ｂはホット端子である。ホット端子４ｂの近傍には矢印７のように集合多層基板の裏面側から接地導体６を貫通してレーザー光を照射することによりトリミングを行なうトリミング部４ｃが形成される。４ｘ、４ｙはそれぞれ前記接地導体５、６に誘電体層を介して対向してコンデンサＣｘ、Ｃｙを構成するコンデンサ電極であり、これらのコンデンサ電極４ｘ、４ｙは図５に示す集合多層基板９の積層方向に直角をなすＹ軸方向、Ｘ軸方向に向けて形成された引き出し電極４ｄ、４ｅを介して前記インダクタンス素子４に接続される。
【００３５】
図５に示す集合多層基板９は個々のチップとなる領域１０を、縦横に形成してなるものであり、例えば１辺が１００ｍｍの正方形をなすものである。１１は集合基板９の最下層１ｊのコーナー部に設けた集合基板の基準位置設定用のフィデンシャルマークである。
【００３６】
前記インダクタンス素子４が形成された層の位置ずれを検出するためには、テーブル上に裏面を上にして置かれた集合多層基板９上の少なくとも３つのコーナー部の領域の未切断の電圧制御発振器形成領域１０ａ、１０ｂ、１０ｃにおいて、図４に示すストリップライン４の位置検出を行なえば、コーナー部以外のチップ対応領域１０について、演算により下記の要領で位置検出を行なえる。
【００３７】
すなわち、図３において、前記搭載部品２を搭載した積層構造の集合多層基板のチップ対応領域１０の接地導体６、コントロール端子Ｔ１、電源端子Ｔ２、出力端子Ｔ３に作動用および発振周波数検出用のプローブを当てて作動を行なわせ、周波数カウンタ等で発振周波数を検出しながら、まずレーザー光を図４の左から右に走査して引き出し電極４ｄを切断し、引き出し電極４ｄが切断された時の発振周波数の急変を検出して引き出し電極４ｄが接続された部分（ホット端子４ｂ）、すなわち基準位置のＸ座標を求める。
【００３８】
次にレーザー光を図４の図面上の下から上に走査して引き出し電極４ｅを切断し、引き出し電極４ｅが切断された時の発振周波数の急変を検出して引き出し電極４ｅが接続された部分（ホット端子４ｂ）、すなわち基準位置のＹ座標を求める。図示の例では、コンデンサ電極４ｘを切り離した際には発振周波数が９００ＭＨｚから９０５ＭＨｚに急変し、コンデンサ電極４ｙを切り離した際には葉発振周波数が９０５ＭＨｚから９１０ＭＨｚに急変した例を示している。
【００３９】
このようにして３つのコーナー部１０ａから１０ｃにおいてインダクタンス素子４の位置検出を行ない、本来あるべき位置からのＸ軸方向、Ｙ軸方向の位置ずれを検出する。そして、チップとなるべき個数がＸ軸方向にｎ個、Ｙ軸方向にｍ個あるとして、コーナー部１０ａ、１０ｂ、１０ｃの各領域の基準位置の座標を図６に示すように、Ｐ１（ｘ１１，ｙ１１）、Ｐ２（ｘｎ１，ｙｎ１）、Ｐ３（ｘ１ｍ，ｙ１ｍ）として表現した場合、任意の領域の基準位置をＰ（ｘｉｊ，ｙｉｊ）として、各領域におけるインダクタンス素子４が形成された位置情報Ｐ（ｘｉｊ、ｙｉｊ）を下記の式から求める。なお、図６において、θは引き出電極４４ｄ、４ｅのある層のＸ、Ｙ座標に対する回転方向のずれ角度を示している。実情では、このずれ角度は３度以下となっている。
ｘｉｊ＝ｘ１１＋（ｉ−１）・（ｘｎ１−ｘ１１）／（ｎ−１）
＋（ｊ−１）・（ｘ１ｍ−ｘ１１）／（ｍ-１）
ｙｉｊ＝ｙ１１＋（ｉ−１）・（ｙｎ１−ｙ１１）／（ｎ−１）
＋（ｊ−１）・（ｙ１ｍ−ｙ１１）／（ｍ-１）
このようにして求められた位置座標ｘｉｊ、ｙｉｊを、予め予定された位置座標Ｘｉｊ、Ｙｉｊとの減算
Δｘｉｊ＝ｘｉｊ−Ｘｉｊ、Δｙｉｊ＝ｙｉｊ−Ｙｉｊ
により位置ずれ量を求める。なおこの位置ずれを前記Ｐ１〜Ｐ３の座標から求める方法は上記のものに限定されず、他の手法を用いることもできる。
【００４０】
トリミングを行なう際には、トリミング始点のＸ軸方向、Ｙ軸方向の位置を、予め予定されている位置から前記ずれ量だけ補正してトリミングを行なう。このトリミング部４ｃをトリミングすることにより、インダクタンス素子４の線路長が長くなり、インダクタンス値が上がるため、発振周波数は下がる方向に変化する。そして目標となる発振周波数となったところでトリミングを停止する。
【００４１】
このようなトリミング位置の補正を行なうことにより、該当する層の積層ずれを補正したトリミングが行なえる。一般に集合多層基板の積層ずれは±１００μｍ程度有し、裏面の層１ｊのパターンでこの位置合わせを行なうと、インダクタンス素子４を形成している層１ｈではレーザー光の照射位置が最大で２００μｍずれる可能性がある。従ってこのままでは高精度の周波数調整が望めないが、この位置ずれ量を検出すれば、照射位置を補正することができる。
【００４２】
本発明において、位置検出精度を高めるためには、引き出し電極４ｄ、４ｅの幅は細いほどよく、５０μｍ〜１００μｍ程度が好ましい。
上記のトリミングにより、場合によっては過調整により、発振周波数が下がり過ぎる場合がある。このような場合には、コンデンサ電極Ｃｘ、Ｃｙを必要に応じて切り離すことにより、あるいはこれらのコンデンサ電極Ｃｘ、Ｃｙの少なくともいずれか一方の一部をトリミングすることにより、発振周波数を上げることも可能であり、コンデンサ電極Ｃｘ、Ｃｙを副トリミング部として使用することができ、その結果、歩留まりを上げることができる。
【００４３】
本実施の形態では、接地導体６より内側の層にトリミング導体を有する構成が採用できるため、外界による特性変動が少ない特性調整が行なえ、シールドケースを設ける場合でも、特性が変動しない安定した電圧制御発振器が得られる。また、基板内部に形成されたトリミング部を基板の裏面からトリミングするため、部品搭載面である表面に調整個所を設ける必要がなく、電圧制御発振器の小型化が可能となる。
【００４４】
また、従来より特性調整に用いられてきたレーザー装置、共振周波数や発振周波数等の測定器等を用いて特性調整が実施できるため、特殊な照明装置あるいはＸ線装置等が不要となり、比較的容易に実施できる。
【００４５】
また、位置検出用の電極が存在する層とトリミングを行なう導体部分が同一層にあるため、レーザー光のパワー条件等を一定にでき、短時間でかつ安定なトリミングが行なえる。
【００４６】
以上の説明は、電圧制御発振器について行なったが、同様な構造を持つＬＣ共振器、あるいはそれを備えた高周波モジュールにおいても本発明を適用して同様の効果をあげることができる。高周波モジュールの具体例としては、パワーアンプ内蔵型アイソレータの周波数に対するアイソレーション特性を調整するため、コンデンサ電極等をトリミングしたり、電圧制御発振器と組み合わされるＰＬＬモジュールにおいて電圧制御発振器の素子のトリミングを行なう場合等に用いることができる。
【００４７】
また、本発明において、インダクタンス素子４は引き出し電極４ｄ、４ｅを設けた層にその一部を設けたものでもよく、また、ＬＣ共振器は１つのチップに複数個設けられたものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】従来の電圧制御発振器の一例を示す回路図である。
【図２】本発明による電圧制御発振器の一実施の形態を示す部分回路図である。
【図３】本発明による電圧制御発振器の一実施の形態を示す層構成図である。
【図４】本実施の形態のインダクタンス素子のトリミングの説明図である。
【図５】本実施の形態の集合多層基板の平面図である。
【図６】本実施の形態の集合多層基板における座標の説明図である。
【符号の説明】
【００４９】
１ａ〜１ｊ：誘電体層、２：搭載部品、４：インダクタンス素子、４ａ：接地導体との接続端部、４ｂ：ホット端子、４ｃ：トリミング部、４ｄ、４ｅ：引き出し電極、４ｘ、４ｙ：パターン位置検出用コンデンサ電極、５、６：接地導体、Ｃ１〜Ｃ１１：コンデンサ、Ｃｘ、Ｃｙ：パターン位置検出用コンデンサ、Ｄ１：バリキャップコンデンサ、Ｌ１、Ｌ２：インダクタ、Ｑ１、Ｑ２：トランジスタ、Ｒ１〜Ｒ４：抵抗、ＳＬ：共振器、Ｔ１：コントロール端子、Ｔ２：電源端子、Ｔ３：出力端子、７：レーザー光の走査方向、９：集合多層基板、１０：チップ対応領域、１０ａ〜１０ｃ：コーナー部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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