(57)【要約】【課題】  半導体装置の薄型化【解決手段】  半導体装置は、上面及びその反対の下面を有する封止体と、前記封止体内に位置し下面を前記封止体の下面に露出させる平坦なタブと、前記封止体内に位置し下面を前記封止体の下面に露出させる１乃至複数の平坦なポストと、前記封止体内に位置し前記タブの上面に固定される半導体チップと、前記封止体内に位置し前記半導体チップのパッド電極と前記ポストを電気的に接続する接続手段とを有し、前記タブと前記ポストは前記封止体の下面に設けられた溝によって電気的に分離されていることを特徴とする。前記タブ及び前記ポストはその一部の縁が下面縁よりも上面縁が突出した庇構造になっていて封止体から脱落し難いようになっている。タブは半導体チップの所定の電極と電気的に接続されている。【選択図】        図１
2005229010.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面及びその反対の下面を有する封止体と、
前記封止体内に位置し、上面を前記封止体内に位置させ、下面を前記封止体の下面に露出させる平坦なタブと、
前記封止体内に位置し、上面を前記封止体内に位置させ、下面を前記封止体の下面に露出させる１乃至複数の平坦なポストと、
前記封止体内に位置し、前記タブの上面に固定される半導体チップと、
前記封止体内に位置し、前記半導体チップの電極と前記ポストを電気的に接続する接続手段とを有し、
前記タブと前記ポストは前記封止体の下面に設けられ、前記タブと前記ポストを分断する溝によって電気的に分離されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記タブ及び前記ポストの一部の前記上面の縁部分は側方に突出した構造になっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記タブは前記半導体チップの所定の電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
帯状の導電平板からなり、長手方向に沿ってタブ部分とポスト部分が設けられるリードを有するリードフレームを準備する工程と、
前記リードの前記タブ部分上に半導体チップを固定する工程と、
前記半導体チップの電極と前記ポスト部分を接続手段で電気的に接続する工程と、
前記リードの下面を露出させ、かつ前記半導体チップ及び前記接続手段を含み前記リードの上面側を覆う絶縁性樹脂からなる樹脂体を形成する工程と、
前記リード及び前記樹脂体の下面側に溝を形成して前記タブ部分とポスト部分を電気的に分離させる工程と、
前記リード及び前記樹脂体を所定箇所で切断分割する工程とによって、前記絶縁性樹脂から形成される封止体と、この封止体の下面に下面を露出させ前記タブ部分及び前記ポスト部分から形成されるタブ及びポストを有する半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記リードフレームを準備する工程では、前記ポスト部分にリードフレームの長手方向に沿うようなスリットが１乃至複数並列に設けられるリードフレームを準備し、
前記電気的に接続する工程では、前記半導体チップの前記各電極と前記各ポスト部分を接続手段で電気的に接続し、
前記電気的に分離させる工程では、前記スリットを交差するように前記溝を形成し、
前記切断分割する工程では、前記スリットを交差する切断分割を行って、前記封止体の下面に下面を露出させる複数のポストを有する半導体装置を製造することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は樹脂封止型の半導体装置及びその製造方法に係わり、特にノンリード型表面実装構造の薄型半導体装置の製造技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器は、機能面から高密度実装化が、実装面から軽量化，小型化，薄型化が要請されている。このため、電子機器に組み込まれる電子部品の多くは、表面実装が可能な構造に移行してきている。また、電子部品の製造コスト低減のために、パッケージ形態は材料が安くかつ生産性が良好な樹脂封止（レジンパッケージ）が多用されている。
特に、携帯用電話機等の移動端末に組み込む能動素子や受動素子からなるディスクリート部品はさらに小型・薄型化が要請されている。受動素子であるコンデンサや抵抗等を組み込んだチップコンデンサ，チップ抵抗等のチップ部品においては、幅０．３ｍｍ、長さ０．６ｍｍ、高さ０．２ｍｍと超小型のものも市販されている。
能動素子であるダイオードやトランジスタを組み込んだディスクリート半導体装置においても小型・薄型化が要請されている。ディスクリート半導体装置として、表面実装構造からなる樹脂封止型半導体装置が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
特許文献１には、樹脂（封止体）内にトランジスタチップやダイオードチップを封止する半導体装置について記載され、図には、樹脂（封止体）の両側からガルウィング状のリード（外部電極端子）を突出する構造、封止体の下面両側からフラットなリードを突出する構造が記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平７−１４７３５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
表面実装型の樹脂封止型半導体装置の一つとして、２端子のダイオードが知られている。図１８（ａ），（ｂ）は従来のダイオード（半導体装置）を示す図である。図１８（ａ）は、ダイオードの模式的断面図、図１８（ｂ）はダイオードの平面図である。
【０００６】
図１８（ａ），（ｂ）に示すダイオード９０は、絶縁性樹脂からなる封止体９１の両側中央から真っ直ぐにフラットなリード９２ａ，９２ｂを突出させる構造である。リード９２ａ，９２ｂはその下面が封止体９１の下面と一致するような構造、即ち、リード９２ａ，９２ｂの下面が封止体９１の下面に露出する表面実装型構造になっている。また、一対のリード９２ａ，９２ｂは封止体９１内で一段階段状に折れ曲がっている。
【０００７】
左側のリード９２ａの内端上面には、半導体チップ９３が図示しない導電性接合材を介して固定されている。半導体チップ９３はダイオードを構成するため、半導体チップ９３の下面及び上面にそれぞれ図示しない電極を有する構造になっている。半導体チップ９３の上面の電極と右側のリード９２ｂは導電性のワイヤ９４によって電気的に接続されている。例えば、半導体チップ９３の上面の電極がアノード電極であり、下面の電極がカソード電極である場合、左側のリード９２ａはカソード電極端子となり、右側のリード９２ｂはアノード電極端子となる。また、封止体９１の両側から突出するリード部分は、その表面にメッキ膜９５が設けられている。
【０００８】
また、封止体９１の上面には、図１８（ｂ）に示すように、極性や品種を示すマーク９６、９７が印刷されている。この構造では、例えば、封止体９１の大きさは縦１．２ｍｍ，横０．８ｍｍ，高さ０．６ｍｍとなっている。
【０００９】
上記構造の半導体装置の製造においては、リード９２ａ，９２ｂが予め分離されているリードフレームが使用される。また、リード９２ａ，９２ｂの内端は階段状に屈曲している。この結果、激しい振動や衝撃が加わった際、リード９２ａ，９２ｂの内端は激しく振動する。ワイヤとして２５μｍ直径と細い金線を使用してワイヤボンディングした後において、激しい振動や衝撃が加わると、金線が接続部分で切れたりすることが分かった。このため、ワイヤ切れを抑止するには、リード厚さを０．１ｍｍよりも薄くはできず、半導体装置の薄型化が妨げられている。
【００１０】
また、リードフレームは、アノード電極及びカソード電極を分離させるリードフレーム構造であることから、リードフレームの製造コストが高くなり、半導体装置の製造コスト低減を妨げている。
本発明の目的は、薄型でかつ製造コストの低減が図れる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）本発明の半導体装置はノンリード型半導体装置であり、
上面及びその反対の下面を有する封止体と、
前記封止体内に位置し、上面を前記封止体内に位置させ、下面を前記封止体の下面に露出させる平坦なタブと、
前記封止体内に位置し、上面を前記封止体内に位置させ、下面を前記封止体の下面に露出させる１乃至複数の平坦なポストと、
前記封止体内に位置し、前記タブの上面に固定される半導体チップと、
前記封止体内に位置し、前記半導体チップの電極と前記ポストを電気的に接続する接続手段とを有し、
前記タブと前記ポストは前記封止体の下面に設けられ、前記タブと前記ポストを分断する溝によって電気的に分離されていることを特徴とする。
【００１２】
また、前記タブ及び前記ポストの一部の前記上面の縁部分は側方に突出して前記封止体を形成する樹脂内に食い込む構造になっている。また、前記タブは前記半導体チップの所定の電極と電気的に接続されている。
【００１３】
このような半導体装置は、
帯状の導電平板からなり、長手方向に沿ってタブ部分とポスト部分が設けられるリードを有するリードフレームを準備する工程と、
前記リードの前記タブ部分上に半導体チップを固定する工程と、
前記半導体チップの電極と前記ポスト部分を接続手段で電気的に接続する工程と、
前記リードの下面を露出させ、かつ前記半導体チップ及び前記接続手段を含み前記リードの上面側を覆う絶縁性樹脂からなる樹脂体を形成する工程と、
前記リード及び前記樹脂体の下面側に溝を形成して前記タブ部分とポスト部分を電気的に分離させる工程と、
前記リード及び前記樹脂体を所定箇所で切断分割する工程とによって製造され、
前記絶縁性樹脂から形成される封止体と、この封止体の下面に下面を露出させ前記タブ部分及び前記ポスト部分から形成されるタブ及びポストを有する半導体装置になる。
【００１４】
また、リードフレームの状態において、前記タブ部分及び前記ポスト部分の一部の前記上面の縁部分は側方に突出する構造となり、前記封止体の形成後は前記突出部分が前記封止体を形成する樹脂内に食い込む構造になる。
【発明の効果】
【００１５】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
前記（１）の手段によれば、（ａ）平坦なタブ上に半導体チップを固定し、前記タブと同じ高さに位置する平坦なポストと前記半導体チップの電極とをワイヤで接続し、これらを封止体で封止する構造になっていることから、半導体装置の薄型化を図ることができる。
【００１６】
（ｂ）前記タブ及び前記ポストの一部の縁が側方に突出した構造になっていることから、封止体を形成する樹脂は前記突出した部分の上下にも充填され、前記突出部分が封止体を形成する樹脂内に食い込む構造になることから、タブやポストが封止体から脱落し難くなり、半導体装置の信頼性が高くなる。
【００１７】
（ｃ）半導体装置の製造において、従来のようなリードが階段状に突出する構造のものを使用することなく、平坦なリード（タブ，ポスト）を使用することから、ワイヤ接続後、激しい振動や衝撃が加わってもリード（タブ，ポスト）及びこれに接続するワイヤが激しく振動することもなく、振動に起因するワイヤの切断が発生しなくなる。この結果、ワイヤ接続の信頼性が高い半導体装置を製造できるとともに、歩留り向上から半導体装置の製造コストの低減を図ることができる。
【００１８】
（ｄ）上記（ｃ）のように、半導体装置の製造において、平坦なリードを使用することから、耐衝撃性（耐振動性）が向上する。この結果、より薄いリードを使用することが可能になり、半導体装置の薄型化が達成できる。
【００１９】
（ｅ）半導体装置の製造において、平坦なリードを使用し、半導体チップの固定、ワイヤボンディング、樹脂体形成と加工処理を行い、その後樹脂体とリードの切断となることから、タブ及びポストの外端が封止体の端面と一致する構造（ノンリード型）となり、半導体装置の小型化が達成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【実施例１】
【００２１】
図１乃至図１５は本発明の実施例１である半導体装置に係わる図である。本実施例１では、本発明をノンリード型の表面実装構造のダイオード（半導体装置）に適用した例について説明する。図１乃至図５はダイオードの構造に係わる図であり、図６乃至図１５はダイオードの製造方法に係わる図である。
【００２２】
本実施例１のダイオード（半導体装置）１は、図１乃至図４に示すように、外観的には、上面２ａ，下面２ｂ，端面２ｃ及び側面２ｄを有する直方体となる封止体２と、この封止体２の下面２ｂに下面を露出させるタブ３及びポスト４とからなっている。封止体２は絶縁性樹脂、例えば、エポキシ樹脂で形成され、タブ３及びポスト４は導電平板、例えば、銅系金属板や鉄−ニッケル系合金板等の金属板で形成されている。
【００２３】
タブ３及びポスト４は、直方体の長さ方向に沿って所定間隔離れて直列に配置されるとともに、それぞれの外端は封止体２の別々の端面２ｃに一致して露出させる構造になっている。これは、ダイオード１の製造において、タブ部分及びポスト部分を有する帯状の金属板からなるリードと、リードの上面に形成した樹脂体を一緒に切断し、封止体２の一対の端面２ｃと、タブ３及びポスト４の外端面を形成することによる結果である。これにより、外部電極端子となるタブ３及びポスト４を封止体２の周面から長く突出しない、いわゆるノンリード型の表面実装構造の半導体装置を製造することができる。
【００２４】
また、タブ３及びポスト４の両側は封止体２を形成する樹脂で覆われている。即ち、タブ３及びポスト４の幅に較べて封止体２の幅は広くなっている。タブ３及びポスト４は、ダイオード１の製造において、樹脂体で覆われたリードを切断し、その切断によって形成された溝５で電気的に分離させている。例えば、タブ３とポスト４の電気的分離を行うために、リードに選択的にレーザ光を照射して溶かして飛ばし、溝５を形成する。溝５は、図５に示すように、封止体２の下面２ｂの中央部分にのみ設けられる。また、封止体２の上面２ａには極性や品種を示すマーク６，７が印刷されている。
【００２５】
一方、図４に示すように、封止体２の内部に埋没するタブ３及びポスト４の上面においては、上面の一部の縁部分が、側方に突出する構造（突出部分３ａ，４ａ）になっている。この結果、封止体を形成するための樹脂封止時、溶けた樹脂は突出部分３ａ，４ａの下方に回り込む。この結果、突出部分３ａ，４ａは封止体２を形成する樹脂内に食い込むことになる。従って、樹脂と突出部分３ａ，４ａは噛み合い、タブ３及びポスト４が封止体２から脱落し難くなり、半導体装置１の信頼性が高くなる。なお、突出部分３ａ，４ａの厚さは、特に限定はされないが、タブ３及びポスト４の厚さの半分程度になっている。また、タブ３及びポスト４の露出する下面には、ダイオード１の実装時のソルダーの濡れ性を良好とするためのメッキ膜１０が形成されている。メッキ膜は、例えば、３〜７μｍ程度の厚さのＰｂＳｎメッキ膜である。
【００２６】
図１及び図２に示すように、タブ３の上面には導電性の接着剤１１を介して半導体チップ１２が固定されている。半導体チップ１２の固定はＡｕ−Ｓｉ共晶合金による接続でもよい。半導体チップ１２は、ダイオードが形成され、半導体チップ１２の上・下面にそれぞれ電極１３，１４を有している。接着剤１１はタブ３と電極１４を電気的に接続する。また、半導体チップ１２の上面の電極１３とポスト４は導電性の金線からなるワイヤ１５によって電気的に接続されている。半導体チップ１２の上面の電極１３とポスト４を電気的に接続する接続手段は他の手段であってもよい。例えば、導電性のリボン等であってもよい。ワイヤ１５は、例えば、３０μｍ直径の金線である。
【００２７】
半導体チップ１２は、例えば、ｎ導電型のシリコン基板２０の表層部分（上面）にｐ導電型の半導体領域２１を選択的に形成し、シリコン基板２０の下面に電極（カソード電極）１４を設け、上面に半導体領域２１に接続する電極（アノード電極）１３を設けた構造になっている。シリコン基板２０の上面に露出するｐｎ接合部分及びシリコン基板２０の表層部分は絶縁膜２２で覆われている。
【００２８】
図５はダイオード（半導体装置）１の寸法例を示す模式図である。タブ３及びポスト４の厚さを０．１ｍｍとし、半導体チップ１２のサイズを１辺の長さａが０．２ｍｍで厚さが０．１ｍｍの半導体チップ１２を使用し、ワイヤ１５を直径３０μｍの金線を熱圧着法で接続した場合、ダイオード１の外形寸法は、長さＬが０．６〜０．８ｍｍ、幅が０．３〜０．４ｍｍ、高さＨが０．３〜０．４ｍｍと薄型かつ小型にすることができる。
【００２９】
この場合、タブ３とポスト４の間隔ｂは０．２ｍｍ、ポスト４の長さｃは０．１〜０．２ｍｍ、半導体チップ１２の側方の樹脂の厚さｄを０．１〜０．２ｍｍとする。また、ワイヤ１５の頂点上の樹脂の厚さは、耐湿性の観点から３０μｍ以上が望ましい。また、タブ３及びポスト４の幅は０．２ｍｍであり、突出部分３ａ，４ａの突出長さは３０μｍ、厚さは０．０５ｍｍである。タブ３及びポスト４は銅系材料または鉄−ニッケル合金等が使用される。タブ３及びポスト４は、振動等によるワイヤの破断も起き難いことから、０．１ｍｍよりもさらに薄く、例えば、０．０５ｍｍと薄くすることも可能である。
【００３０】
つぎに、このようなダイオード１の製造方法について、図６乃至図１５を参照しながら説明する。ダイオード１は、図６のフローチャートに示すように、リードフレーム準備（Ｓ０１）、チップボンディング（Ｓ０２）、ワイヤボンディング（Ｓ０３）、封止体形成（Ｓ０４）、メッキ処理（Ｓ０５）、分離加工（Ｓ０６）、マーキング（Ｓ０７）、分割（Ｓ０８）、選別（Ｓ０９）の各工程を経て製造される。
【００３１】
半導体装置（ダイオード）１の製造においては、図７に示すようなリードフレーム３０が使用される。リードフレームは、薄い一枚の平坦な金属板（導電平板）を、エッチングやプレスによって所望のパターンに形成することによって形成される。金属板としては、例えば、厚さ０．１ｍｍの銅系材料または鉄−ニッケル合金等の金属板が使用される。
【００３２】
リードフレーム３０は、平行に延在する一対の縦枠３１と、この一対の縦枠３１間に亘って平行に設けられる複数のリード３２とからなっている。図７はリードフレーム３０の一部を示す平面図であり、３本のリード３２が示されている。縦枠３１には、リードフレーム３０の移送時や位置決め時に利用されるガイド孔３３が設けられている。また、リードフレーム３０の端には一対の縦枠３１を連結する横枠を設けてもよい。
【００３３】
図９は１本のリード３２部分を示す拡大図である。リード３２の断面は図１０に示すように、幅広のＴ字状断面となっている。即ち、リードフレーム３０は、その厚さが、例えば、０．１ｍｍとなることから、リード３２の厚さも０．１ｍｍとなる。リード３２は、その断面が、前述のように幅広のＴ字状断面になっている。これは、リードフレームの形成時に、リードの下面の縁部分を所定深さエッチングすることによって、あるいはプレスによるコイニングによってリードの縁を所定厚さ押し潰すことによって形成できる。リード３２は、図１０に示すように、換言するならば、リード３２の上面の縁が側方に突出した構造（突出部分３２ａ）になる。この突出部分３２ａの厚さは、特に限定はされないが、リード３２の厚さの半分程度である。また、突出部分３２ａの突出長さは数十μｍ程度である。例えば、リード３２は、幅が０．２ｍｍ、厚さが０．１ｍｍ、突出部分３２ａの突出長さが３０μｍ、突出部分３２ａの厚さが０．１ｍｍである。
【００３４】
図７及び図９に示すように、リード３２はその長手方向に沿ってタブ部分（領域）３ｅと、ポスト部分（領域）４ｅが所定間隔で配置されている。タブ部分３ｅとポスト部分４ｅとの間には切断部分（領域）３２ｅが位置する。リード３２の上面のタブ部分３ｅには半導体チップ１２が固定され、ポスト部分４ｅにはワイヤ１５が接続される。このため、接合性を良好とするため、タブ部分３ｅ及びポスト部分４ｅの表面にはメッキ膜が形成されている。メッキ膜は、例えば、３〜７μｍ程度の厚さのＡｇメッキ膜である。図では、タブ部分３ｅは右上がりの線群によるハッチングを施し、ポスト部分４ｅは右下がりの線群によるハッチングを施してある。
【００３５】
直線的に連なる一組のタブ部分３ｅ，切断部分３２ｅ及びポスト部分４ｅは、１本のリード３２に繰り返しパターンとしてリードの長手方向に沿って複数設けられている。一組のタブ部分３ｅ，切断部分３２ｅ及びポスト部分４ｅは、その両端の繋ぎ部分（領域）３２ｆを介して、縦枠３１または隣接する一組のタブ部分３ｅ，切断部分３２ｅ及びポスト部分４ｅに繋がる構造になっている。
【００３６】
ダイオード１の製造において、製造の最終段階において、リード３２はその長手方向に直交する幅員方向に沿って切断される。この切断は、図９に示すように、各繋ぎ部分３２ｆの所定の位置（切断線３５）で行われる。
【００３７】
ダイオード１の製造においては、前述のリードフレーム３０を準備した後、図１１（ａ）〜（ｃ）に示すように、チップボンディング（Ｓ０２）し、その後ワイヤボンディング（Ｓ０３）を行う。図１１（ａ）〜（ｃ）はタブ部分３ｅの上面に半導体チップ１２を固定（搭載）し、かつ半導体チップ１２の上面の電極とポスト部分４ｅの上面を導電性のワイヤ１５で接続したリード３２の一部を示す図である。図１１（ａ）は模式的断面図であり、図１１（ｂ）は模式的平面図である。図１１（ｃ）はリード３２の幅員方向に沿う模式的拡大断面図である。図１１（ａ）では、リード３２の突出部分３２ａとの境界を実線で示す。以降の同様の図面でも同様である。
【００３８】
常用のチップボンディング法によって、図１１（ｂ）に示すように、リード３２の各タブ部分３ｅ上に接着剤１１［図１１（ｃ）参照］を介して半導体チップ１２を固定する。また、図１１（ｂ）に示すように、半導体チップ１２の上面の図示しない電極とポスト部分４ｅを導電性のワイヤ１５で接続する。ワイヤ１５は、例えば、３０μｍ直径の金線である。また、ワイヤ１５による接続長さは、０．４ｍｍ程度と短い。
【００３９】
つぎに、図１２（ａ）〜（ｃ）に示すように、常用のトランスファモールディング法によって、リードフレーム３０の各リード３２部分に絶縁性樹脂による樹脂体４０を形成する（Ｓ０４）。図１２（ａ）〜（ｃ）はリード３２の上面側に絶縁性樹脂によって樹脂体を形成したリード３２の一部を示す図である。図１２（ａ）は模式的断面図であり、図１２（ｂ）は樹脂体上から半導体チップ１２やワイヤ１５等を透視して示す模式的平面図である。図１２（ｃ）はリード３２の幅員方向に沿う模式的拡大断面図である。
【００４０】
図示しないが、リードフレーム３０の下面、即ちリード３２の下面は、トランスファモールディング装置の下金型の平坦な面上に載置され、各リードの上面及び両側は所定の空間を有して上金型のキャビテイ面に対面する。従って、下金型と上金型とによって形成される空間に絶縁性樹脂が圧入される。この結果、樹脂体４０は、各リード３２を図１２（ｃ）及び（ｂ）に示すように覆うようになる。樹脂体４０は断面が略四角形状になり（型の抜け勾配は省略）、図１２（ｃ）に示すように、樹脂体４０の下面にリード３２の下面が一致して露出する構造になる。トランスファモールディング後、樹脂のキュアーが行われ、その後、樹脂体付きリードフレームは金型から取り外される。樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂が使用される。
【００４１】
この樹脂体形成の際、リード３２の突出部分３２ａの下方にも樹脂が回り込むことから、突出部分３２ａは樹脂体４０を形成する樹脂内に食い込むことになる。従って、樹脂と突出部分３２ａは噛み合い、リード３２が樹脂体４０から脱落し難くなる。この結果、リード３２を切断してタブ３及びポスト４を形成した後の状態では、タブ３及びポスト４が封止体２から脱落し難くなる。
【００４２】
つぎに、常用の電解メッキ法によって、樹脂体付きのリードフレーム３０の露出する表面にメッキ膜１０を形成する（Ｓ０５）。図１３（ａ）及び（ｂ）は樹脂体の下面に露出するリード下面にメッキ膜を形成したリードフレームの一部を示す図である。図１３（ａ）は模式的断面図であり、図１３（ｂ）はリード３２の幅員方向に沿う模式的拡大断面図である。
【００４３】
樹脂体４０が付いた各リード３２において、樹脂体４０の下面に露出するリード３２の表面（下面）にメッキ膜１０が形成される。メッキ膜１０は、例えば、３〜７μｍ程度の厚さのＰｂＳｎメッキ膜である。
【００４４】
つぎに、図１４（ａ）〜（ｄ）に示すように、リード３２を切断部分３２ｅで切断する。即ち、樹脂体４０の下面にリードの幅員方向に沿ってリード３２を切断する溝５を形成してアノード外部電極端子とカソード外部電極端子の電気的分離加工を行う（Ｓ０６）。図１４（ａ）〜（ｄ）はワイヤ延在部分に対応するリード部分を切断分離したリード等を示す樹脂体が下となりリード３２が上となる一部の図である。図１４（ａ）は模式的断面図、図１４（ｂ）はリード３２の表面に形成したマスクのパターンを示す模式図、図１４（ｃ）はレーザ光照射によって形成された溝を示す模式図、図１４（ｄ）はリード３２の幅員方向に沿う模式的拡大断面図である。
【００４５】
本実施例では、レーザ光照射によって溝５を形成する。そこで、図１４（ｂ）に示すように、各樹脂体４０のリード３２の表面が露出する面にマスク４６を形成する。このマスク４６にはレーザ光を透過する開口５０が設けられている。そこで、レーザ光を各開口５０に所定時間照射させ、リード３２を幅員方向に沿って完全に分離するような溝５を形成する［図１４（ｃ），（ｄ）参照］。
【００４６】
つぎに、図示しないが、樹脂体４０の上面の所定箇所に極性や品種を示すマークを印刷する（Ｓ０７）。マーク印刷は、例えば、レーザマーキング装置によって行い、製品となった状態で、図２に示すように、極性や品種を示すマーク６，７が封止体２の表面の所定位置になるように樹脂体４０の上面にマーキングする。
【００４７】
つぎに、図１５（ａ）に示すように、樹脂体４０のリード３２の表面が露出する下面に支持用の接着テープ５１を貼り付け、その後、ダイシングブレードによって接着テープ５１の途中の深さまで切断を行う［Ｓ０８：図１５（ｂ）参照）］。切断溝５２は、図９の切断線３５の位置であり、各繋ぎ部分３２ｆ部分である。この切断によって、樹脂体４０は封止体２となり、タブ部分３ｅはタブ３となり、ポスト部分４ｅはポスト４となり、各ダイオード１が接着テープ５１に貼り付けられた状態になる。そこで、各ダイオード１を接着テープ５１から剥がし、図１乃至図４に示すようなダイオード１を複数製造する。この個片化は、各リード３２及び棒状の樹脂体４０をその幅員方向に切断し、リード３２や樹脂体４０をその長手方向には切断しないことから、切断が容易であり、切断作業時間の短縮やダイシングブレードの長寿命化が図れ、ダイオード１の製造コストの低減ともなる。
【００４８】
これらダイオード１は、図示しないが、電気特性の検査、外観検査によって選別され（Ｓ０９）、良品のみを出荷するようになる。
【００４９】
本実施例１によれば、以下の効果を有する。
（１）平坦なタブ３上に半導体チップ１２を固定し、前記タブ３と同じ高さに位置する平坦なポスト４と半導体チップ１２の電極１３とをワイヤ１５で接続し、これらを封止体２で封止する構造になっていることから、ダイオード（半導体装置）１の薄型化を図ることができる。
【００５０】
（２）タブ３及びポスト４の一部の縁が側方に突出（突出部分３ａ，４ａ）した構造になっていることから、封止体２を形成する樹脂は突出部分３ａ，４ａの上下にも充填され、突出部分３ａ，４ａが封止体２を形成する樹脂内に食い込む構造になることから、タブ３やポスト４が封止体２から脱落し難くなり、ダイオード１の信頼性が高くなる。
【００５１】
（３）ダイオード１の製造において、従来のようなリードが階段状に突出する構造のものを使用することなく、平坦なリード（タブ部分３ｅ，ポスト部分４ｅ）３２を使用することから、ワイヤ接続後、激しい振動や衝撃が加わってもリード（タブ部分３ｅ，ポスト部分４ｅ）３２及びこれに接続するワイヤ１５が激しく振動することもなく、振動に起因するワイヤ１５の切断が発生しなくなる。この結果、ワイヤ接続の信頼性が高いダイオード１を製造できるとともに、歩留り向上からダイオード１の製造コストの低減を図ることができる。
【００５２】
（４）上記（３）のように、ダイオード１の製造において、平坦なリード３２を使用することから、耐衝撃性（耐振動性）が向上する。この結果、より薄いリード３２（リードフレーム３０）を使用することが可能になり、ダイオード１の薄型化が達成できる。
【００５３】
（５）ダイオード１の製造において、平坦なリード３２を使用し、半導体チップ１２の固定、ワイヤボンディング、樹脂体形成と加工処理を行い、その後樹脂体４０とリード３２の切断となることから、タブ３及びポスト４の外端が封止体２の端面と一致する構造（ノンリード型）となり、ダイオード１の小型化が達成できる。
【００５４】
（６）樹脂体４０付きリード３２の切断時、リード３２及び棒状の樹脂体４０をその幅員方向に切断し、リード３２や樹脂体４０をその長手方向には切断しないことから、切断が容易であり、切断作業時間の短縮やダイシングブレードの長寿命化が図れ、ダイオード１の製造コストの低減ともなる。
【００５５】
（７）ダイオード１のカソード・アノード外部電極端子となるタブ３及びポスト４は、封止体２の下面２ｂの中央に沿って延在し、封止体２の側面２ｄにまで延在していない。これにより、ダイオード１を実装基板にソルダーを使用して実装した場合、ソルダーが封止体２の側面２ｄから外側に流れ出すことがなく、近接してダイオード１を実装できるため、実装スペースの狭小化が図れる。即ち、本発明の適用によって製造される後述するトランジスタや集積回路装置を形成した場合、これらの半導体装置は密集して実装できるため、これら半導体装置を組み込む電子機器の小型化が図れることになる。
【００５６】
（８）電流経路においては、半導体チップ１２の下面電極（カソード電極１４）は接着剤１１及び薄いタブ３を介して実装基板の配線に電気的に接続され、半導体チップ１２の上面電極は短いワイヤ１５及び薄いポスト４を介して実装基板の配線に電気的に接続されるため、インダクタンス成分の低減が可能になり、高周波特性が優れたダイオードとなる。
【００５７】
（９）封止体２の下面に下面を露出させる薄いタブ３上に半導体チップ１２が接続され、実装状態ではタブ３は実装基板に接続されるため、熱抵抗が小さくなり、半導体チップ１２で発生した熱は薄いタブ３を通して効率良く外部に放散されることから、ダイオード１の電気特性が向上しかつ安定する。
【実施例２】
【００５８】
図１６は本発明の実施例２である半導体装置の断面図である。本実施例のダイオード（半導体装置）１は、図１６に示すように、封止体２の下面２ｂに下面を露出させるタブ３及びポスト４の外端側を部分的に引っ込ませて薄くし、薄くなった部分３ｊ，４ｊの下側にも封止体２を形成する樹脂が充填されるようにしたものである。このダイオード１の製造においては、リードフレーム３０のリード３２の所定部分をエッチングやコイニングによって薄くし、薄くなった部分３ｊ，４ｊを形成するものである。引っ込む面は半導体チップ１２やワイヤ１５が接続されない面である。
【００５９】
本実施例のダイオード１は、実施例１のように、カソード・アノード外部電極端子となるタブ３及びポスト４は、封止体２の下面２ｂの中央に沿って延在し、封止体２の側面２ｄにまで延在していない。また、タブ３及びポスト４の外端も封止体２の端面２ｃにまで到達していない。これにより、ダイオード１を実装基板にソルダーを使用して実装した場合、ソルダーが封止体２の側面２ｄ及び端面２ｃから外側に流れ出すことがなく、近接してダイオード１を実装できるため、実装スペースの狭小化が図れる。即ち、本発明の適用によって製造する後述するトランジスタや集積回路装置を形成した場合、これらの半導体装置は密集して実装できるため、これら半導体装置を組み込む電子機器の更なる小型化が図れることになる。
【実施例３】
【００６０】
図１７（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例３である半導体装置に係わる図である。本実施例ではポストが複数である半導体装置に本発明を適用した例に係わるものである。図に示す半導体装置はトランジスタを構成している。
【００６１】
本実施例では、図１７（ａ），（ｂ）に示すように、実施例１のリード３２において、ポスト部分４ｅの中央に沿ってポスト部分４ｅを二分するスリット５５を１本設けておく。そして、タブ部分３ｅ上に、実施例１と同様に半導体チップ１２を固定するとともに、半導体チップ１２の上面の図示しない二つの電極をそれぞれワイヤ１５によってスリット５５で分けられたポスト部分４ｅに電気的に接続する。図示はしないが、例えば、半導体チップ１２は電界効果トランジスタが形成され、半導体チップ１２の下面電極はドレイン電極となり、半導体チップ１２にはゲート電極とソース電極が形成されているものとする。
【００６２】
その後、実施例１と同様にリード３２の上面側を樹脂体４０で覆う。また、実施例１と同様にタブ部分３ｅとポスト部分４ｅとの間に溝５を形成する際、タブ部分３ｅとポスト部分４ｅを電気的に分離する。また、実施例１と同様にダイシングブレードによってタブ部分３ｅの左側及びポスト部分４ｅの右側をそれぞれ切断する。これにより、図１７（ｃ），（ｄ）に示すように外部電極端子が３個となる３端子の半導体装置１、即ちトランジスタを製造することができる。また、スリットを並列に複数設けることによってさらにポストの数（外部電極端子の数）を増加させることができる。
【００６３】
実施例３によっても実施例１と同様に製造上の各効果を有するとともに、薄型で小型の半導体装置を安価に製造することができる。また、高周波特性及び放熱特性の優れた半導体装置ともなる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。実施例では、半導体チップを搭載するタブの一端側にのみポストを配置した構造としたが、タブの両端側にそれぞれ１乃至複数のポストを配置する構造の半導体装置（集積回路装置）にも本発明は適用でき、集積回路装置の薄型化，小型化及び低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施例１である半導体装置の断面図である。
【図２】前記半導体装置の平面図である。
【図３】前記半導体装置の底面図である。
【図４】前記半導体装置の模式的断面図である。
【図５】前記半導体装置の寸法例を示す模式図である。
【図６】前記半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図７】前記半導体装置の製造方法で使用するリードフレームの一部を示す平面図である。
【図８】前記リードフレームの断面図である。
【図９】前記リードフレームの１条リードパターンの一部を示す模式的平面図である。
【図１０】図９のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図１１】前記半導体装置の製造において、半導体チップを搭載し、かつワイヤボンディングを行ったリードフレームの一部を示す図である。
【図１２】前記半導体装置の製造において、半導体チップやワイヤを樹脂体で覆ったリードフレームの一部を示す図である。
【図１３】前記半導体装置の製造において、樹脂体の下面に露出するリード部分にメッキ膜を形成したリードフレームの一部を示す図である。
【図１４】前記半導体装置の製造において、ワイヤ延在部分に対応するリード部分を切断分離したリードフレームの一部を示す図である。
【図１５】前記半導体装置の製造において、個片化のためにリードフレーム部分を切断分割したリードフレームの一部を示す図である。
【図１６】本発明の実施例２である半導体装置の断面図である。
【図１７】本発明の実施例３である半導体装置に係わる図である。
【図１８】従来のダイオードを示す模式図である。
【符号の説明】
【００６５】
１…ダイオード（半導体装置）、２…封止体、２ａ…上面、２ｂ…下面、２ｃ…端面、２ｄ…側面、３…タブ、３ｅ…タブ部分（領域）、３ａ，４ａ…突出部分、３ｊ，４ｊ…薄くなった部分、４…ポスト、４ｅ…ポスト部分、５…溝、６，７…マーク、１０…メッキ膜、１１…接着剤、１２…半導体チップ、１３，１４…電極、１５…ワイヤ、２０…シリコン基板、２１…半導体領域、２２…絶縁膜、３０…リードフレーム、３１…縦枠、３２…リード、３２ａ…突出部分、３２ｅ…切断部分、３２ｆ…繋ぎ部分、３３…ガイド孔、３５…切断線、４０…樹脂体、４６…マスク、５０…開口、５１…接着テープ、５２…切断溝、５５…スリット、９０…ダイオード（半導体装置）、９１…封止体、９２ａ，９２ｂ…リード、９３…半導体チップ、９４…ワイヤ９４、９５…メッキ膜、９６，９７…マーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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