(57)【要約】【課題】高密度かつ高速で読み出し読み出しが可能なリムーバブル記録媒体の書き込み読み出し方法を提供する。【解決手段】光記録材料を含有する複数の記録セルがトラック方向に一定周期で配列された複数の記録トラック、および複数の記録セルを互いに分離する非記録材料からなる非記録領域を有し、互いに隣り合う記録トラックの記録セルがトラック方向にずれて一定周期で配列された光記録層と、光記録層上に形成され、光強度に応じて非線形的に光学特性が変化する光超解像層とを有する記録媒体に対し、記録書き込み時には記録セルの光学特性を変化させる強度のレーザー光を照射して１つの記録セルの光学特性を変化させる工程を繰り返し、記録読み出し時には記録が起こらない強度の読み出し光を照射して２以上の記録セルの記録情報を同時に読み出すことを特徴とする記録媒体の書き込み読み出し方法。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光照射によって光学特性を変化させる光記録材料を含有する複数の記録セルがトラック方向に一定周期で配列された複数の記録トラック、および複数の前記記録セルを互いに分離する非記録材料からなる非記録領域を有し、互いに隣り合う前記記録トラックを形成する前記記録セルが前記トラック方向にずれて前記一定周期で配列された光記録層と、前記光記録層上に形成され、光強度に応じて非線形的に光学特性が変化する光超解像層とを有する記録媒体に対し、記録書き込み時には記録セルの光学特性を変化させる強度のレーザー光を照射して１つの前記記録セルの前記光学特性を変化させる工程を繰り返し、記録読み出し時には記録が起こらない強度の読み出し光を照射して２以上の前記記録セルの記録情報を同時に読み出すことを特徴とする記録媒体の書き込み読み出し方法。
【請求項２】
互いに隣り合う前記記録トラックを形成する前記記録セルは、前記トラック方向に１／２周期ずれて前記一定周期で配列されていることを特徴とする請求項１に記載の記録媒体の書き込み読み出し方法。
【請求項３】
複数の記録トラックが集合して形成された記録トラック帯と、記録トラック帯間を分離する、非記録材料または記録材料で形成された分離領域とを有することを特徴とする請求項１または２に記載の記録媒体の書き込み読み出し方法。
【請求項４】
前記非記録領域を形成する材料は、前記記録セルを形成する材料よりも熱伝導率が高いことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の記録媒体の書き込み読み出し方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度記録媒体の書き込み読み出し方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パソコンなど情報機器の飛躍的な機能向上により、ユーザーの扱う情報は著しく増大してきている。このような状況の下で、これまでより飛躍的に記録密度の高い情報記録再生装置に対する期待は高まるばかりである。記録密度を向上させるためには、記録媒体において記録の書き込み単位である１つの記録セルまたは記録マークの大きさを微小化することが必要である。しかし、従来の記録媒体において記録セルまたは記録マークの微小化は大きな困難に直面している。
【０００３】
例えば、ハードディスクなどの磁気記録媒体では、記録層に粒度分布の広い多結晶体を用いている。しかし、結晶の熱揺らぎのために、小さい多結晶体では記録が不安定となる。このため、記録セルが大きい場合は問題ないが、記録セルが小さいと記録の不安定性やノイズの増大が生じる。これは、記録セルに含まれる結晶粒の数が少なくなることと、記録セル間の相互作用が相対的に大きくなることが要因になっている。
【０００４】
相変化材料を用いた光記録媒体においても状況は同様であり、記録マークサイズが相変化材料の結晶サイズと同程度となる１インチ平方当たり数百ギガビット以上の記録密度では、記録が不安定になるとともに媒体ノイズが大きくなる。
【０００５】
これらの問題を回避するため、磁気記録の分野においては、あらかじめ記録材料を非記録材料により分断し、単一の記録材料粒子を単一の記録セルとして記録再生を行うナノ構造メディアが提案されている（非特許文献１、特許文献１、特許文献２、非特許文献２、特許文献３）。
【０００６】
一方、相変化記録や色素分子を用いた記録分野においても、本発明者らにより、あらかじめ記録材料を非記録材料により分断し、単一の記録材料粒子を単一の記録セルとして記録再生を行うナノ構造メディアが提案されている（特許文献４）。
【０００７】
リムーバブル記録媒体において、記録サイズを小さくする方法として超解像を利用した方法が知られている。光強度により屈折率や透過率が非線形的に変化する光超解像膜を用いた高密度光記録の提案がなされている（特許文献５）。また熱および磁場の印加により下地記録層の信号磁場を拡大して再生する磁気超解像膜を用いた高密度光磁気記録の提案もされている（特許文献６）。これらは再生時に強い光を照射して超解像作用を得るため、隣接トラックの信号や同一トラック内の前後の信号が消去されやすいという問題があった。これに対して、記録トラックを溝で分離して記録安定性を得るという方法が提案されているが（特許文献７）、記録密度が低下するという問題があった。
【０００８】
また、光強度による非線形を利用した光超解像膜を利用すると、読み出しと書き込みの光強度が異なる場合、照射スポット径が異なり、記録書き込み読み出しがうまく行えないという問題もあった。
【非特許文献１】S. Y. Chou et al., J. Appl. Phys., 76(1994) pp6673
【特許文献１】米国特許第５，８２０，７６８号明細書
【特許文献２】米国特許第５，９５６，２１６号明細書
【非特許文献２】R. H. M. New et al., J. Vac. Sci. Technol., B12 (1994) pp3196
【特許文献３】特開平１０−２３３０１５号公報
【特許文献４】特開平１１-３２８７２５号公報
【特許文献５】特開平１１−２５０４９３号公報
【特許文献６】特開平６−３０２０３８号公報
【特許文献７】特開平１１−３２８７６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したように、Ｔｂｐｓｉ級の記録密度を実現するために、ナノ構造を持ったメディアや超解像膜は有効な手段であるが、記録が安定でかつ高密度なリムーバブル記録メディアは得られていない。また光超解像膜を用いた記録書き込み読み出しは十分ではない。
【００１０】
本発明の目的は、高密度かつ高速で読み出し読み出しが可能なリムーバブル記録媒体の書き込み読み出し方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様に係る記録媒体の書き込み読み出し方法は、光照射によって光学特性を変化させる光記録材料を含有する複数の記録セルがトラック方向に一定周期で配列された複数の記録トラック、および複数の前記記録セルを互いに分離する非記録材料からなる非記録領域を有し、互いに隣り合う前記記録トラックを形成する前記記録セルが前記トラック方向にずれて前記一定周期で配列された光記録層と、前記光記録層上に形成され、光強度に応じて非線形的に光学特性が変化する光超解像層とを有する記録媒体に対し、記録書き込み時には記録セルの光学特性を変化させる強度のレーザー光を照射して１つの前記記録セルの前記光学特性を変化させる工程を繰り返し、記録読み出し時には記録が起こらない強度の読み出し光を照射して２以上の前記記録セルの記録情報を同時に読み出すことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、高密度かつ高速で読み出し読み出しが可能な、記録媒体の書き込み読み出し方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１（Ａ）および（Ｂ）に本発明の一実施形態に係る記録媒体の断面図および平面図をそれぞれ示す。図１（Ａ）に示す記録媒体は、基板１１と、非記録材料からなる非記録領域１２で互いに分離して形成された記録セル１３を有する記録層１４と、その上に形成された超解像層１５とを有する。基板１１と記録層１４の間には、さらに誘電体層、反射膜、軟磁性層などが形成される場合がある。また記録層１４と超解像層１５の間にも誘電体層や磁気スイッチング層などが形成される場合がある。超解像層１５の上には、さらに誘電体層や反射膜、保護膜などが形成される場合がある。
【００１４】
図１（Ｂ）に示すように、この記録媒体の記録層１４では、非記録領域１２で互いに分離して形成された記録セル１３がピッチＰの一定周期で配列して記録トラック１ａ〜１ｄを形成しており、互いに隣り合う記録トラック上に位置する最近接の２つの記録セル１３は互いの中心がトラック方向に沿って１／２周期（Ｐ／２）ずれており、１／２周期だけずれた逆位相の検出信号を生じる。なお、隣り合う記録トラック上に位置する最近接の２つの記録セルの周期のずれは、１／２周期であることが好ましいが、１／２周期でなくても構わない
さらに、記録層１４は、複数の記録トラックが集合して形成された記録トラック帯と、記録トラック帯間を分離する、非記録材料または記録材料で形成された分離領域とを有していてもよい。
【００１５】
このように、互いに隣り合う記録トラック上に位置する最近接の２つの記録セル１３の中心がトラック方向に沿って１／２周期ずれている媒体構造では、下記に示すような方法で書き込み、読み出しを行うことが可能となる。
【００１６】
図２（Ａ）および（Ｂ）に本発明の一実施形態に係る記録媒体に対する書き込み時および読み出し時における光スポット２１Ｗ１、２１Ｗ２、２１Ｒと記録セル１３との関係をそれぞれ示す。
【００１７】
例えば光超解像層を用いた場合の一例を説明する。図２（Ａ）に示すように、書き込み時にレーザー光を照射すると、光超解像層には光スポット２１Ｗ２が照射され、光スポット２１Ｗ２のうちレーザー光強度の高い中心部のみ光透過性が高まり、記録層表面においては光スポット２１Ｗ１のみ記録セルの光学特性を変化させるに充分な光強度が得られ、光スポット２１Ｗ１内に収まる１つの記録セルの記録を行うことができる。
【００１８】
また、図２（Ｂ）に示すように、読み出し時には記録が起こらないような低強度の光を用いるので、超解像効果が比較的小さく、大きなスポット径の光スポット２１Ｒを記録層に照射することになる。この場合、互いに隣り合う記録トラック上に位置する最近接の２つの記録セル１３がトラック方向に沿って１／２周期ずれていると、分割された光検出器を用いてパターン認識によるデータ解析がより容易となる。実際には、まず最外周または最内周の記録トラックのみを読み出し、次に最外周または最内周の記録トラックとその隣接トラックを同時に検出する。最外周または最内周の記録に基づいて、検出信号を解析することにより隣接トラックの記録を読み出すことができる。一方、互いに隣り合う記録トラック上に位置する最近接の２つの記録セルにずれがないと、検出光が干渉しやすく、記録パターンの変化が出にくい。
【００１９】
また、超解像層を有する記録媒体では、書き込みおよび読み出し時に超解像層が加熱され、記録の書き込みや読み出しをしない隣接記録セルも同時に加熱されるため、隣接記録セルの記録が破壊されやすい。これに対して、互いに隣り合う記録トラック上に位置する最近接の２つの記録セル１３がトラック方向に沿って１／２周期ずれていると、記録セル１３間の距離を離すことができ、記録の破壊が起こりにくい。
【００２０】
特に、記録セルを形成する材料よりも熱伝導性の高い非記録材料を用いると、隣接記録セルの記録の破壊をより有効に防ぐことができる。
【００２１】
本発明に係る記録媒体の記録層１４は、以下のような製造方法によって作製することができる。すなわち、基板上に、連続的または断続的な溝領域または特定の化学成分を含む帯領域を形成する工程と、前記溝領域または帯領域に自己組織化分子または微粒子の２次元的な規則配列構造を形成する工程と、前記規則配列構造に対応する記録セルを形成する工程とを有する方法を用いて容易に製造できる。
【００２２】
本発明に係る記録媒体を製造するには、化学反応により記録層を不揮発性の反応物に変換して記録セル周囲の非記録材料を形成する方法を用いてもよい。この場合には平坦な記録媒体が容易に得られる。化学反応としてはＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉなどの磁気記録媒体や無機の相変化媒体の場合には、フッ素化反応などのハロゲン化反応、酸化、窒素化などが好ましい。こうした化学反応によって記録特性が失われるので、読み出し手段によって記録信号領域と明確に区別することができる。
【００２３】
溝領域または帯領域の幅は、複数の記録トラックが安定に作製でき、シークなどが容易で、かつ記録密度が高まるようにすることが好ましい。このためには溝領域または帯領域の幅は３０ｎｍ〜１０μｍが好ましく、１００ｎｍ〜１μｍがさらに好ましい。
【００２４】
溝領域または帯領域間の分離領域は非記録材料からなっていてもよいし、記録領域と同一の記録材料からなっていてもよい。分離領域が非記録材料からなる場合、読み出しヘッドが複数の記録トラック帯を横切る度に、周期的に信号がない領域が現れることを利用して記録帯のシークが容易になる。分離領域が記録材料からなる場合、分離領域に記録トラック帯のアドレス情報を記録することができる。
【００２５】
上記のように、複数の記録トラックが集合して形成された記録トラック帯と、記録トラック帯間を分離する非記録材料または記録材料で形成された分離領域とを有する記録層は、自己組織化分子を用いて容易に製造することができ、しかも所望の記録トラック帯へのアドレスが容易になるという利点も得られる。
【００２６】
本発明において、光超解像層には光強度に応じて非線形的に光学特性が変化する材料が用いられる。光超解像層に用いられる材料は、無機材料でも有機材料でもよい。光超解像層に用いられる無機材料としては、例えばＳｉ、Ｓｅ、Ｇｅ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓ、ＡｌＩｎＡｓ、ＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＰ2、ＩｎＰ、ＰｂＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＴｅ、Ａｓ2ＳｅＴｅ2、Ａｓ2Ｔｅ3、ＣｄＳ、ＺｎＯ、ＣｄＴｅ、ＺｎＣｄＴｅ、ＣｄＳＳｅ、ＣｄＳｅ、ＣｕＩｎＳｅ2、ＣｕＳなどが挙げられる。
【００２７】
光超解像層に用いられる有機材料としては、例えばスピロオキサジン類、ジアリールエテン類、フルギド類、インジゴ類、スピロピラン類、シクロファン類、カルコン類、縮合多環化合物、カルボシアニン類、ジカルボシアニン類、トリカルボシアニン類、テトラカルボシアニン類、ペンタカルボシアニン類、スチリル色素類、クマリン色素類、ポルフィリン色素類、スクアリウム色素類、ピラノン色素類、カルボスチリル色素類、ローダミン色素類、シンチレータ色素類、ロイコ色素と顕色材の混合物などがある。
【００２８】
これらの材料は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。また、これらの材料は微粒子として種々のマトリックス中に分散させて用いることができる。その好ましい形態は材料によって異なる。
【００２９】
本発明において、磁気超解像層には所定量以上の磁場および熱が印加された領域の磁区を可逆的に変化させる材料が用いられる。磁気超解像層に用いられる材料としては、例えばＧａＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＮｄＧｄＦｅＣｏなどの垂直磁気異方性の小さな希土類−鉄族非晶質合金や、Ｐｔ／Ｃｏ、Ｐｄ／Ｃｏなどの白金族−鉄族周期構造膜や、ガーネット等のバブルメモリ用材料が望ましい。
【００３０】
光超解像層と組み合わせる記録層用の材料としては、例えば無機の相変化光記録材料が用いられる。具体的には、Ｓｂ−Ｓｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇａ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｔｅ−Ｇａ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｎ、Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ、Ｃｓ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅなどが挙げられる。
【００３１】
光超解像層と組み合わせる記録層用の材料として、有機色素を用いることもできる。有機色素としては、相変化記録用色素、ライトワンス型の記録用色素、フォトクロミック色素、蛍光色素、フォトリフラクティブ色素などがある。有機色素媒体で、結晶−非晶質の相変化により記録する場合は、結晶化速度が大きい色素分子が用いられる。ライトワンス型色素は光を吸収して非可逆的に変化するか、または光を吸収して周囲を非可逆的に変化させる材料である。読み出しに蛍光を用いる場合には蛍光強度の大きいことが好ましい。光により吸収が変化するフォトクロミック化合物も使用することができる。有機色素の具体例は、例えば特開平１１−３２８７２５に開示されている。蛍光化合物は、有機蛍光化合物でも無機蛍光化合物でもよい。一般に、無機化合物の蛍光寿命は有機化合物の蛍光寿命と比べて長いので、高速の読み出しのためには有機化合物の方が好ましい。
【００３２】
磁気超解像層と組み合わせる記録層用の材料としては、例えばＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏなどの希土類−鉄族非晶質合金で、垂直磁気異方性及び保磁力が大きく、微小なピットが記録でき、かつ形成された記録ピットができるだけ安定に保持できるものが望ましい。
【実施例】
【００３３】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３４】
［実施例１］
図３（Ａ）に示すように、以下のようにして基板上に溝構造を形成した。直径２．５インチのガラスディスク基板３１上に、厚さ約３０ｎｍのＰｔ反射層３２と厚さ３０ｎｍのＳｉＯ2層３３を製膜し、約２０ｎｍの相変化材料Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを製膜して記録層３４を形成し、さらに記録層３４上に厚さ約３０ｎｍのＳｉＯ2膜３５を製膜した。ＳｉＯ2膜３５上にレジスト３６をスピンコートした。ナノインプリンティングリソグラフィーによりレジスト３６を加工し、幅４０ｎｍの凸部によって幅約４００ｎｍのスパイラル形状の溝３７を規定するようにレジストパターンを形成した。このレジストパターンをマスクとして、ＲＩＥにより記録層３４に達するまでＳｉＯ2膜３５をエッチングしてＳｉＯ2膜３５に溝３７を転写した。このようにして形成された溝領域が記録トラック帯となる。また、レジストパターン下部の記録層が分離領域として用いられる。
【００３５】
図３（Ｂ）に示すように、以下のようにして溝領域内にブロックコポリマーを埋め込んで微粒子の規則配列構造を形成した。記録層３４の表面をヘキサメチルジシラザンにより疎水化処理した。その後、レジストパターンの残渣をアッシングした。ポリスチレン−ポリブタジエンのブロックコポリマー（ＰＳの分子量Ｍｗ＝４０００、ＰＢの分子量Ｍｗ＝２００００）をトルエンに１％ｗ／ｗの濃度で溶解した溶液を調製した。試料上に溶液をスピンコートしてＳｉＯ2膜３５に転写された溝領域内にブロックコポリマー３８を埋め込んだ。試料を真空中において１５０℃で３０時間アニールして、ブロックコポリマー３８を規則配列化させた。この結果、島状のポリスチレン粒子３９が海状のポリブタジエン部分４０によって囲まれた構造が形成される。
【００３６】
図３（Ｃ）に示すように、以下のようにして規則配列した微粒子をマスクとして記録セルを形成した。ブロックコポリマー３８をオゾン処理してポリブタジエン部分４０を除去した後、水洗した。残ったポリスチレン粒子３９をマスクとしてＡｒイオンミリングにより記録層３４をエッチングして記録セル４１を形成した。
【００３７】
図３（Ｄ）に示すように、以下のようにして記録セル間のマトリックス（非記録領域）を形成し、表面を平坦化した。ポリスチレン粒子の残渣をアッシングした。全面に厚さ約５０ｎｍのＣｕ膜を製膜して記録セル４１間に埋め込んでマトリックス４２を形成した。Ｃｕ膜の表面をケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）により研磨して平坦化した。その後、全面にＳｉＯ2を製膜して誘電体膜４３を形成した。誘電体膜４３の上にＳｂを蒸着して光超解像層４４を製膜した、さらにその上にＳｉＯ2からなる保護膜４５を形成した。
【００３８】
この記録媒体を図４で示した記録装置で書き込み読み出しを行った。上記のようにして製造された相変化光ディスク５１はスピンドルモーター５２に装着される。相変化光ディスク５１に対しては、半導体レーザー５３から高開口数のレンズ光学系５４を通してレーザービームが照射される。相変化光ディスク５１からの反射光は、光検出器５５によって検出される。半導体レーザー５３、レンズ光学系５４、光検出器５５はアクチュエータ５６によって駆動される。
【００３９】
本実施例では、相変化光ディスク５１の外周から所望の記録トラック帯に達するまでの、横断する記録トラック帯の数を記録しながら、アクチュエータ５６の加速度および速度を制御した。所望の記録トラック帯に達すると、記録トラック帯の外周側の記録トラック（例えば図１（Ｂ）の１ａ）に再生出力の光スポット２１Ｒが照射されるように設置し、ピッチＰに基づく周波数信号のみが検出されるように、トラッキングを行った。得られた再生信号を微分し、記録位置と記録信号を求めた。
【００４０】
次に、図２（Ｂ）のように、再生出力の光スポット２１Ｒが記録トラック１ａと隣接した記録トラック１ｂの両者を含むようにアクチュエータ５６を作動した。得られた再生信号と、先に求めた記録トラック１ａの信号から、記録トラック１ｂの信号をパターン認識を用いた演算により求めた。この場合、読み出しヘッドのトラッキングがずれていても記録トラック１ａの信号が前もって分かっているため、記録トラック１ｂの信号を正確に求めることができた。
【００４１】
書き込み時には、半導体レーザーの出力を記録出力まで上げ、図２（Ａ）のようにいわゆる筆先記録で記録セル１つに記録を行うことができた。書き込みタイミングは記録開始直前までの読み出し信号を検出することにより設定した。また書き込みが成功したかどうかは、書き込み時の光検出器５５での検出信号の変化を観測することにより判別することができた。
【００４２】
［実施例２］
図５に本実施例の記録媒体の断面図を示した。この記録媒体は、基板６１上に、光磁気記録材料からなる記録セル６２およびその周囲の非記録材料６３を有する光磁気記録層６４と、磁気超解像層６５と、保護膜６６を形成したものである。この記録媒体も実施例１と同様にジブロックポリマーを自己組織化させることにより作製した。
【００４３】
この記録媒体を図６で示した記録装置で書き込み読み出しを行った。上記のようにして製造された光磁気ディスク７１はスピンドルモーター７２に装着される。光磁気ディスク７１に対しては、半導体レーザー７３から高開口数のレンズ光学系７４および磁場印加コイル７５を通してレーザービームが照射される。光磁気ディスク７１からの反射光は、カー回転角光検出器７６によって検出される。半導体レーザー７３、レンズ光学系７４、磁場印加コイル７５、カー回転角光検出器７６はアクチュエータ７７によって駆動される。
【００４４】
本実施例では、光磁気ディスク７１の外周から所望の記録トラック帯に達するまでの、横断する記録トラック帯の数を記録しながら、アクチュエータ７７の加速度および速度を制御した。所望の記録トラック帯に達すると、記録トラック帯の外周側の記録トラック（例えば図１（Ｂ）の１ａ）に再生出力の光スポット２１Ｒが照射されるように設置し、ピッチＰに基づく周波数信号のみが検出されるように、トラッキングを行った。得られた再生信号を微分し、記録位置と記録信号を求めた。
【００４５】
次に、図２（Ｂ）のように、再生出力の光スポット２１Ｒが記録トラック１ａと隣接した記録トラック１ｂの両者を含むようにアクチュエータ７７を作動した。得られた再生信号と、先に求めた記録トラック１ａの信号から、記録トラック１ｂの信号をパターン認識を用いた演算により求めた。この場合、読み出しヘッドのトラッキングがずれていても記録トラック１ａの信号が前もって分かっているため、記録トラック１ｂの信号を正確に求めることができた。
【００４６】
書き込み時には、半導体レーザーの出力を記録出力まで上げるとともに磁場を印加し、所定量以上の磁場および熱が印加された領域の磁区を可逆的に変化させて、図２（Ａ）のようにいわゆる筆先記録で記録セル１つに記録を行うことができた。書き込みタイミングは記録開始直前までの読み出し信号を検出することにより設定した。また書き込みが成功したかどうかは、書き込み時の光検出器７６での検出信号の変化を観測することにより判別することができた。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一実施形態に係る記録媒体の断面図および平面図。
【図２】本発明の一実施形態に係る記録媒体の書き込み時および読み出し時における光スポットと記録セルの関係を示す平面図。
【図３】実施例１における記録媒体の製造方法を示す断面図。
【図４】実施例１における記録装置を示す概略図。
【図５】実施例２における記録媒体の断面図。
【図６】実施例２における記録装置を示す概略図。
【符号の説明】
【００４８】
１１…基板、１２…非記録領域、１３…記録セル、１４…記録層、１５…超解像層、２１Ｗ１、２１Ｗ２、２１Ｒ…光スポット、３１…基板、３２…Ｐｔ反射層、３３…ＳｉＯ2層、３４…記録層、３５…ＳｉＯ2層、３６…レジスト、３７…溝、３８…ブロックコポリマー、３９…ポリスチレン部分、４０…ポリブタジエン部分、４１…記録セル、４２…マトリックス、４３…誘電体膜、４４…光超解像層、４５…保護膜、５１…相変化光ディスク、５２…スピンドルモーター、５３…半導体レーザー、５４…レンズ光学系、５５…光検出器、５６…アクチュエータ、６１…基板、６２…記録セル、６３…非記録材料、６４…光磁気記録層、６５…磁気超解像層、６６…保護膜、７１…光磁気ディスク、７２…スピンドルモーター、７３…半導体レーザー、７４…レンズ光学系、７５…磁場印加コイル、７６…光検出器、７７…アクチュエータ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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