(57)【要約】【課題】  ヘリカルスキャン磁気記録再生装置に適用される磁気テープにおいて、優れた電磁変換特性、走行耐久性、及び走行安定性を長期に亘って維持する。【解決手段】  ヘリカルスキャン記録再生装置に適用される磁気記録媒体であって、長尺状の非磁性支持体上に、真空薄膜形成技術により形成した磁性層を有し、磁性層上に、ダイヤモンドライクカーボン保護層を有し、保護層の、ヘリカルスキャン記録再生装置の適用時における磁気ヘッドの非接触部１１が、アルゴン窒素雰囲気下でプラズマ処理された、硬質化領域とされている磁気記録媒体１０を提供する。【選択図】図６
2005174519.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果型磁気ヘッド、又は巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、磁気ヘッド）を用いたヘリカルスキャン記録再生装置に適用される磁気記録媒体であって、
長尺状の非磁性支持体上に、真空薄膜形成技術により形成した磁性層を有し、
前記磁性層上に、ダイヤモンドライクカーボン膜よりなる保護層を有してなり、
前記保護層の、前記ヘリカルスキャン記録再生装置の適用時における前記磁気ヘッドの非接触部が、アルゴン窒素雰囲気下でプラズマ処理された硬質化領域であり、
前記保護層の硬質化領域が、窒素濃度２〜１０ａｔｍ％の高窒素含有部であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記保護層の硬質化領域の、前記幅方向における長さが、全幅の１０〜２５％であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記磁性層の膜厚が２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記保護層の膜厚が５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記非磁性支持体の、前記磁性層形成面側には、高さ５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の微小突起が、１０〜５０個／μｍ2の割合で形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
下記一般式（１）で示される末端にカルボキシル基を有する二官能パーフルオロポリエーテルとアミンとの化合物と、
下記一般式（２）で示される部分フッ化カルボン酸アルキルエステルとを含有する潤滑剤が最外層に保持されてなることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【化１】
2005174519.tif 000008
（但し、Ｒfは、パーフルオロポリエーテル鎖を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、それぞれ水素、あるいは炭化水素基を表す。）
ＣnＦ2n+1（ＣＨ2）mＣＯＯＲ・・・（２）
（但し、Ｒは炭化水素基、ｎ、ｍは、自然数を表す。）
【請求項７】
磁気抵抗効果型磁気ヘッド、又は巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、磁気ヘッド）を用いたヘリカルスキャン式記録再生システムに適用される磁気記録媒体の製造方法であって、
長尺状の非磁性支持体上に、真空薄膜形成技術により磁性層を成膜する工程と、
前記磁性層上に、ダイヤモンドライクカーボン膜よりなる保護層を成膜する工程と、
長手方向に直交する幅方向の、エッジ一端側から、局部的にアルゴン窒素雰囲気下でプラズマ処理を行うことにより、保護層の、幅方向におけるエッジ部を硬質化処理する工程とを有し、
前記硬質化処理されてなる領域を、窒素濃度２〜１０ａｔｍ％の高窒素含有部とすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はテープ状の磁気記録媒体に関するものであり、特に、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）や、巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）のような高感度型の磁気ヘッド用いた、ヘリカルスキャン記録再生装置に適用した際において、優れた電磁変換特性及び走行耐久性を実現可能な磁気記録媒体を提供するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の磁性材料を、塩化ビニル−酢酸ビニル重合体、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機結合剤中に分散させた磁性塗料を塗布、乾燥させて作製される、いわゆる塗布型の磁気記録媒体が広く知られていた。
【０００３】
これに対して、高密度記録化への要求から、金属あるいはＣｏ−Ｎｉ等の合金からなる強磁性材料を、メッキや真空薄膜形成技術（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等）によって、非磁性支持体上に直接被着せしめて強磁性金属薄膜よりなる磁性層を有する磁気記録媒体が提案されており、例えば、ハイバンド８ｍｍビデオテープレコーダー、デジタルビデオテープレコーダー用の蒸着テープ等が実用化されている。
【０００４】
上述した金属薄膜型の磁気記録媒体は、保磁力、残留磁化、角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層をきわめて薄く形成できるため、記録減磁や再生時の厚み損失が小さく、磁性層中に非磁性材である結合剤を混入する必要がないため、磁性材料の充填密度が高められ、大きな磁化が得られることができる等、数々の利点を有している。
【０００５】
さらに、この種の磁気記録媒体の電磁変換特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるようにするため、磁性層を斜めに蒸着する、いわゆる斜方蒸着が提案され、高画質ＶＴＲ用、デジタルＶＴＲ用の磁気テープとして実用化されている。
【０００６】
上述のような高密度記録型の磁気記録媒体においては、記録及び再生を行う磁気ヘッドとの摺動面、すなわち磁性層側の最表面との摩擦を低減させ、磁性層の耐久性を確保するために、磁性層側の最表面に、微細突起を形成することが必要とされている。
【０００７】
特に、近年の高密度記録化の要請に伴い、表面の微細突起は、スペーシングロスを抑制するために、高さが一様で断面の径が小さい突起であることが要求され、また、低摩擦、高耐久性を確保しながら適度な磁気特性を保持するために、均一かつ適切な密度で磁性層の表面に分散していること等が要求されており、一方において、磁性層は、磁気記録媒体の小型化、大容量化の要請から、さらに薄層に形成することが要求されている。
【０００８】
また、さらなる高密度記録化、小型化、大容量化に対応すべく、磁気ヘッドは、従来の誘導型ヘッドに代わり、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）や、巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）のような高感度型の磁気ヘッドが適用されるようになってきている。
【０００９】
このような高感度型の磁気ヘッド(ＭＲヘッド、ＧＭＲヘッド)の適用を考えた場合、従来の蒸着テープでは発生する磁化量が大きすぎるため、磁気ヘッドが直線性を保つ領域を外れてしまい、歪のない特性を得ることができないという問題を生じているのが実情である。
【００１０】
本質的に塗布型の磁気記録媒体と比較して、低ノイズ化を示す蒸着テープは、高感度型の磁気ヘッド(ＭＲヘッド、ＧＭＲヘッド)の使用に対して優位性を持っているが、磁気ヘッド素子の飽和、歪を起こさないようにするために、磁気記録媒体の表面の磁束量を決定する要因である磁性層の膜厚、及び残留磁化量を最適化する必要がある。
【００１１】
また、ヘリカルスキャン記録再生装置に適用するテープ型の磁気記録媒体においては、従来より、磁気ヘッドに対する摺動耐久性を向上させるために、磁性層の表面にスパッタリング法によりカーボンを主成分とした保護層が設けられていた。
しかしながら、スパッタリング法により形成されたカーボン膜は硬度が高いため、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドのような薄膜磁気ヘッドを摺動させると、ヘッド素子部が摩耗してしまうという問題が生じた。
【００１２】
上述したように、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドのような高感度型の磁気ヘッドを使用することを考えれば、磁性層上の保護層を軟化させることが必要となった。
そこで上記スパッタリング法によるカーボン保護層に代えて、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）によりカーボン保護層を形成することにより、層を軟化させる方法が提案され、これにより、スパッタリング法によるカーボン保護層よりも、ＭＲヘッド自体の摩耗が約１／５程度にまで減少させることができた。
【００１３】
しかしながら、上記のようにカーボン保護層の強度を軟化させたことにより、特にヘリカルスキャン記録再生装置に適用する際、磁気テープ表面上に予め設けられている微小突起が、回転ドラムや磁気ヘッドとの接触により削れてしまい、繰り返し走行により磁気テープの耐摺動性が悪化してしまうという問題が生じた。
【００１４】
従来においては、金属磁性薄膜よりなる磁性層を有する磁気テープにおいて、走行耐久性の向上、及び磁気ヘッドの磨耗の低減化を図るべく、磁性層形成面側に形成される微小突起の高さや密度を特定したり、あるいは最外層に所定の潤滑剤層を形成したりしていた（例えば、特許文献１、２参照。）。
【００１５】
しかしながら、上述したような従来技術においては、今後磁気記録媒体の高密度化が進み、磁性層の膜厚が薄層化すること、高感度型の磁気ヘッドを適用することが必要となることからも、さらに走行耐久性、表面保護機能、磁気ヘッドの耐磨耗性の課題を解決するためには充分であるとは言えない。
【００１６】
【特許文献１】特開２０００−３４８３２５号公報
【特許文献２】特開２０００−４８３４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
そこで、本発明においては、上述したような従来の問題点に鑑みて、特にヘリカルスキャン記録再生装置に適用する磁気テープに関し、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドのような高感度型の磁気ヘッドの使用に対応して、優れた電磁変換特性と走行耐久性、及び磁気ヘッドの耐磨耗性の向上を図ることとした。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明においては、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、又は巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、磁気ヘッド）を用いたヘリカルスキャン記録再生装置に適用される磁気記録媒体であって、長尺状の非磁性支持体上に、真空薄膜形成技術により形成した磁性層を有し、磁性層上に、ダイヤモンドライクカーボン膜よりなる保護層を有し、保護層の、ヘリカルスキャン記録再生装置の適用時における前記磁気ヘッドの非接触部が、アルゴン窒素雰囲気下でプラズマ処理された硬質化領域であり、この硬質化領域は、窒素濃度２〜１０ａｔｍ％の高窒素含有部であるものとした磁気記録媒体を提供する。
【００１９】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、長尺状の非磁性支持体上に、真空薄膜形成技術により磁性層を成膜する工程と、磁性層上に、ダイヤモンドライクカーボン膜よりなる保護層を成膜する工程と、長手方向に直交する幅方向の、エッジ一端側から、局部的にアルゴン窒素雰囲気下でプラズマ処理を行うことにより、保護層の、幅方向におけるエッジ部を硬質化処理する工程とを有するものとし、この硬質化処理されてなる領域を、窒素濃度２〜１０ａｔｍ％の高窒素含有部とするものである。
【００２０】
本発明によれば、ヘリカルスキャン記録再生装置に適用する磁気記録媒体（磁気テープ）の表面磨耗が低減化され、同時に高感度型磁気ヘッドの素子部の摩滅の低減化も図られる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドのような高感度型の磁気ヘッドを用いたヘリカルスキャン記録再生装置に適用した場合においても、優れた電磁変換特性を確保しつつ、走行耐久性、及び磁気ヘッドの耐磨耗性の向上が図られた。
【００２２】
また、磁性層形成面側の微小突起の高さと密度、及び磁性層の膜厚、保護層の膜厚を最適化したことにより、優れた走行耐久性を確保しつつ、高い電磁変換特性が得られ、同時に磁気ヘッドの耐磨耗性の向上が実現された。
【００２３】
また、最表面に保持する潤滑剤について特定したことにより、潤滑剤層と保護層との密着性の向上が図られ、長期に亘って良好な走行性、及び摺動耐久性が維持できた。
【００２４】
また、本発明方法によれば、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、又は巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用いたヘリカルスキャン記録再生装置に適用される高密度記録型の磁気記録媒体であって、優れた電磁変換特性、走行耐久性、及び磁気ヘッドの耐磨耗性を長期に亘って維持可能な磁気記録媒体を簡易な工程で作製できた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の具体的な実施形態について説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
本発明の磁気記録媒体１０の一例の概略断面図を図１に示す。磁気記録媒体１０は、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、又は巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用いたヘリカルスキャン式記録再生システムに適用されるものであり、長尺状の非磁性支持体の一主面上に、磁性層２が形成されてなり、この磁性層２上に保護層３及び潤滑剤層４が順次形成され、他の主面にバックコート層５が形成された構成を有している。以下、詳細に説明する。
【００２６】
非磁性支持体１は、通常、磁気テープ用の基体として用いられている公知の材料をいずれも適用することができる。
例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド等が挙げられる。
【００２７】
非磁性支持体１の表面性は、非磁性支持体１上に、真空薄膜形成技術により磁性層２を形成した場合に表面性に影響を与え、最終的に得られる磁気記録媒体１０の電磁変換特性や耐摺動性、走行耐久性に影響を与えるので制御する必要がある。
高い電磁変換特性を得るためには、非磁性支持体１は、表面形状をできるだけ突起の少ない平坦なものに選定して、表面を平滑にすればよいが、表面が平滑になり過ぎると、磁気ヘッドとの摩擦が大きくなり、結果として磁気記録媒体１０の走行性や耐久性が劣化する。他方において、磁性層２の表面に突起を多く形成しすぎると、走行耐久性については向上するが、スペーシングロスの影響により電磁変換特性が劣化する。
上述した点に鑑みて、優れた走行性や耐久性を確保しつつ、高い電磁変換特性を得るためには、非磁性支持体１の磁性層形成面側に、高さ５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の微小突起が、１０〜５０個／μｍ2の割合で形成することが好適であることを見出した。
【００２８】
磁性層２は、通常磁気テープの磁気記録層形成用材料として適用されるものであれば、いかなるものであってもよい。
例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属、ＦｅＣｏ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＮｉＰｔ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＮｉＢ、ＦｅＣｏＮｉＣｒ等の強磁性合金等が挙げられる。
【００２９】
磁性層２は、真空下で金属磁性材料を加熱蒸発させ、非磁性支持体１上に沈着させる真空蒸着法や、金属磁性材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし、アルゴンイオンでターゲット表面の原子を叩き出すスパッタ法等、いわゆるＰＶＤ技術によって形成することができる。磁性層２の膜厚は、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることが好適である。
【００３０】
保護層３は、耐久性、耐蝕性の向上を図るため、カーボンを基材として形成する。
保護層３は、公知の真空成膜技術により形成することができるが、例えば、炭素化合物をプラズマ中で分解し、磁性層２上に成膜するＣＶＤ法は、耐磨耗性、耐蝕性、表面被覆率に優れ、平滑な表面形状と高い電気抵抗率をもつダイヤモンドライクカーボンと呼ばれる硬質カーボン膜を薄層に安定して成膜できる。
保護層３は、厚く形成し過ぎると、スペーシングによる損失が増加し、薄過ぎると、耐磨耗性、及び耐蝕性が劣化するので、１０ｎｍ程度の厚さ、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下とすることが好適である。
また、保護層３は、ダイヤモンドライクカーボン膜の他、金属磁性薄膜型の磁気記録媒体の保護層として一般的に適用可能ないかなるものであってもよい。
例えば、ＣｒＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＢＮ、Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｏ4 、ＳｉＮ4、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＴｉＣ等が挙げられる。保護層３はこれらの単層膜であってもよいし、多層膜であってもよい。
【００３１】
本発明の磁気記録媒体１０の保護層３は、図２の概略平面図に示すように、幅方向におけるエッジ部、すなわちヘリカルスキャン記録再生装置適用時の磁気ヘッド非接触部１１が、硬質化されているものとする。具体的には下記において詳細に説明するが、この磁気ヘッド非接触部１１は、アルゴン窒素雰囲気下でプラズマ処理された、窒素密度が原子比率で２〜１０％の高窒素含有部であるものとする。
なお、この磁気ヘッド非接触部（高窒素含有部）１１の、磁気テープ幅方向における長さｗは、全幅Ｗの１０〜２５％、すなわちＷ：ｗ＝１０：２．５〜１とすることが好適である。
【００３２】
磁気記録媒体１０は、保護層３上に潤滑剤層４を有し、他の主面にバックコート層５を有している。両層には所定の潤滑剤が塗布されている。
潤滑剤は、下記一般式（１）に示す、末端にカルボキシル基を有する二官能パーフルオロポリエーテルとアミンとの化合物と、一般式（２）に示す部分フッ化カルボン酸アルキルエステルとの混合物を適用する。混合比は、重量比で１０：９０〜９０：１０であるのが好ましい。
【００３３】
【化２】
2005174519.tif 000003
【００３４】
但し、Ｒfは、パーフルオロポリエーテル鎖を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、それぞれ水素、あるいは炭化水素基を表す。
【００３５】
ＣnＦ2n+1（ＣＨ2）mＣＯＯＲ・・・（２）
（但し、Ｒは炭化水素基、ｎ、ｍは、自然数を表す。）
【００３６】
潤滑剤の塗布量は、０.０５ｍｇ／ｍ２〜１００ｍｇ／ｍ２であるのが好ましく、０．１ｍｇ／ｍ２〜５０ｍｇ／ｍ２であるのがより好ましい。塗布量が少なすぎると、摩擦係数の低下、耐磨耗性及び耐久性の向上という効果が表れず、また、この塗布量が多すぎると、摺動部材と強磁性金属薄膜との間でハリツキ現象が起こり、却って走行性が悪くなるためである。
【００３７】
なお、潤滑剤は上記に限定されず、上記一般式（２）に代えて、下記一般式（３）に示すカルボン酸パーフルオロアルキルエステル、一般式（４）に示すパーフルオロカルボン酸エステルを適用してもよい。
【００３８】
ＲＣＯＯ（ＣＨ2）mＣnＦ2n+1・・・（３）
（但し、Ｒはアルキル基を表し、ｍ、ｎはｍ＋ｎ≧８を満足する整数を表す。）
【００３９】
ＣnＦ2n+1ＣＯＯＲ・・・（４）
（但し、ｎは６〜１０の整数を表し、Ｒは炭素数９〜２５のアルキル基を表す。）
【００４０】
次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法について説明する。
先ず、上述したような長尺状の非磁性支持体１を用意する。非磁性支持体１の表面性に関しては、良好な走行性、耐久性を確保しつつ、高い電磁変換特性を得るために、磁性層形成面側に、高さ５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の微小突起を１０〜５０個／μｍ2の割合で形成する。
【００４１】
次に、磁性層２を形成する。
図３に、磁性層２の成膜を行う蒸着装置２０の一例の概略構成図を示す。
蒸着装置２０においては、排気口２１、２２から排気されて略真空状態となされた真空室２３内に、送りロール２４と巻き取りロール２５とが設けられており、これらの間に非磁性支持体１が順次走行するようになされている。
【００４２】
これら送りロール２４と巻き取りロール２５との間に、非磁性支持体１が走行する途中には、冷却キャン２６が設けられている。この冷却キャン２６には、非磁性支持体１の走行面を冷却可能な冷却装置（図示せず）が設けられており、非磁性支持体１の温度上昇による熱変形等を抑制している。
【００４３】
非磁性支持体１は、送りロール２４から順次送り出され、さらに冷却キャン２６の周面を通過して巻き取りロール２５に巻き取られるようになされている。なお、ガイドロール２７、２８により、非磁性支持体１には、所定のテンションがかけられ、円滑に走行するようになされている。
【００４４】
真空室２３内には、冷却キャン２６の下方に、ルツボ２９が設けられており、ルツボ２９内には、金属磁性材料３０が充填されている。一方、真空室２３の側壁部には、ルツボ２９内に充填された金属磁性材料３０を加熱蒸発させるための電子銃３１が設けられている。この電子銃３１は、これより放出される電子線Ｂが、ルツボ２９内の金属磁性材料３０に照射されるような位置に配置されている。そして、この電子線Ｂの照射によって蒸発した金属磁性材料３０が非磁性支持体１の表面に被着して、磁性層２の形成がなされる。
【００４５】
また、冷却キャン２６とルツボ２９との間であって、冷却キャン２６の近傍には、シャッター３２が、冷却キャン２６の周面を走行する非磁性支持体１の所定領域を覆う形で配置されており、このシャッター３２により蒸発した金属磁性材料３０が非磁性支持体１に対して所定の入射角度範囲で斜めに蒸着するようになされている。
【００４６】
さらに、磁性層の蒸着に際し、真空室２３の側壁部を貫通して設けられている酸素ガス導入管（図示せず）により、非磁性支持体１の表面に酸素ガスが供給されるようになされ、磁性層２の磁気特性、耐久性、及び耐候性の向上が図られている。
【００４７】
次に、磁性層２上に保護層３を形成する。
図４に、保護層３の成膜装置として、プラズマＣＶＤ連続膜形成装置４０の概略構成図を示す。
この装置４０においては、排気系４１によって内部が略真空状態となされた真空室４２内に、定速回転する送りロール４３と巻き取りロール４４とが設けられ、これら送りロール４３から巻き取りロール４４に、磁性層２が形成された非磁性支持体１、すなわち被処理体４５が順次走行するようになされている。
【００４８】
これら送りロール４３から巻き取りロール４４に被処理体４５が走行する中途部には、対向電極用キャン４６が設けられている。この対向電極用キャン４６は、被処理体４５を図中下方に引き出すように設けられ、図中、矢印Ａ方向に定速回転する構成とされる。
被処理体４５は、送りロール４３から順次送り出され、さらに対向電極用キャン４６の周面を通過し、巻き取りロール４４に巻き取られるようになされている。なお、送りロール４３と対向電極用キャン４６との間、及び対向電極用キャン４６と巻き取りロール４４との間には、それぞれガイドロール４７、４８が配置されており、被処理体４５に所定のテンションをかけ、被処理体４５が円滑に走行するようになされている。
【００４９】
また、真空室４２内には、対向電極用キャン４６の下方に、パイレックス（登録商標）ガラス、プラスチック等よりなる反応管４９が設けられている。この反応管４９は、端部が真空室４２の底部を貫通しており、この端部から成膜ガスが反応管４９内に導入されるようになされている。また、反応管４９内の中途部には、金属メッシュ等よりなる電極５０が取り付けられている。この電極５０は、外部に配設されたＤＣ電源５１と接続されており、５００〜２０００〔Ｖ〕の電圧が印加されるようになっている。
【００５０】
この装置４０では、電極５０に電圧が印加されることで、電極５０と対向電極用キャン４６との間にグロー放電が生じる。そして、反応管４９内に導入された成膜ガスは、この生じたグロー放電によって分解し、被処理体４５上に被着され、保護層３が形成される。
【００５１】
なお、保護層形成用の炭素化合物としては、炭化水素系、ケトン系、アルコール系等が挙げられる。また、プラズマ生成時には、炭素化合物の分解を促進するためのガスとして、Ａｒ、Ｈ2 等が導入されていてもよい。
【００５２】
その他、保護層３を構成するダイヤモンドライクカーボン膜の硬度、耐蝕性の向上を図るため、カーボンが窒素、フッ素と反応した状態であってもよく、ダイヤモンドライクカーボン膜は単層であっても多層であってもよい。
また、プラズマ生成時に、炭素化合物の他、Ｎ2、ＣＨＦ3、ＣＨ2Ｆ2等のガスを、単独あるいは適宜混合して用いることもできる。
【００５３】
次に、図２に示したようにテープエッジ部Ｅから所定幅ｗ（後述するヘリカルスキャン記録再生装置における磁気ヘッドが非接触となる領域）に対してプラズマ処理を施すことにより硬質化を行う。
具体的には、図４に示したプラズマＣＶＤ連続膜形成装置４０を用い、保護層３成膜後の被処理体を送りロール４３から巻き取りロール４４に、対向電極用キャン４６を介して走行するようにし、対向電極用キャン４６の周面に対向するようにして設けられている反応管４９において被処理体のプラズマ処理を行う。
なお、プラズマ処理を行う際、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、仕切り手段５５によって反応管４９を、テープ全幅Ｗ：ヘリカルスキャン記録再生装置における磁気ヘッド非接触部ｗ＝１０：１〜２．５に相当するように分割しておき、ｗ幅の部分にのみアルゴン窒素ガスを導入し、グロー放電によって該当部分にプラズマ処理を施す。
なお、図５（ａ）、（ｂ）においては、説明を簡略化するために最終的に得られる磁気テープ単位あたりのプラズマ処理の状態を示したが、実際の工程においては、幅広のテープ原反を用いるため、上記ピッチに分割することにより複数のアルゴン窒素ガス導入部を有する反応管４９を用い、複数本のプラズマ処理部を形成しておき、最終的に、目的とするテープ幅に裁断するものとする。
【００５４】
次に、保護層３上に潤滑剤層４を形成し、磁性層形成面側とは反対の主面に、バックコート層５を形成する。
なお、潤滑剤としては、下記一般式（１）に示す末端にカルボキシル基を有する二官能パーフルオロポリエーテルとアミンとの化合物と、一般式（２）に示す部分フッ化カルボン酸アルキルエステルとの混合物を用いることとし、混合比は、重量比で１０：９０〜９０：１０とすることが好適である。
【００５５】
【化３】
2005174519.tif 000004
【００５６】
但し、Ｒfは、パーフルオロポリエーテル鎖を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、それぞれ水素、あるいは炭化水素基を表す。
【００５７】
ＣnＦ2n+1（ＣＨ2）mＣＯＯＲ・・・（２）
（但し、Ｒは炭化水素基、ｎ、ｍは、自然数を表す。）
【００５８】
上記潤滑剤を最外層に保持させる方法としては、保護層表面に潤滑剤を塗布する方法が挙げられる。ここで、その塗布量は、０.０５ｍｇ／ｍ2〜１００ｍｇ／ｍ2であるのが好ましく、０.１ｍｇ／ｍ2〜５０ｍｇ／ｍ2であるのがより好ましい。
【００５９】
次に、上述した本発明の磁気記録媒体１０に適用するヘリカルスキャン記録再生装置について図を参照して説明する。再生用磁気ヘッドとしてＧＭＲヘッドを用いることとし、ＧＭＲヘッドとしては、例えばＧＭＲ素子をシールドで挟み込んだシールド型のＧＭＲヘッド（スピンバルブタイプ、ＭＲ抵抗変化率：５％前後）を用い、これが回転ドラムに搭載されているものとする。
【００６０】
図６に、ヘリカルスキャン記録再生装置に搭載される回転ドラム装置６０の一例の要部の概略斜視図を示す。
図６に示すように、回転ドラム装置６０は、円筒状の固定ドラム６１と、円筒状の回転ドラム６２と、回転ドラム６２を回転駆動させるためのモータ（図示せず）とを具備し、回転ドラム６２の固定ドラム６１に対向する側には、記録用の磁気ヘッドである一対のインダクティブ型磁気ヘッド６３ａ、６３ｂと、再生用磁気ヘッドである一対のＧＭＲヘッド６４ａ、６４ｂとが搭載されている。
【００６１】
固定ドラム６１は、回転することなく保持されるドラムである。この固定ドラム６１の側面には、磁気記録媒体（磁気テープ）１０の走行方向に沿ってリードガイド部が形成されており、磁気テープ１０は、このリードガイド部に沿って走行するようになされている。そして、固定ドラム６１と中心軸が一致するように回転ドラム６２が配置されている。
回転ドラム６２は、磁気テープ１０に対する記録再生時に、モータによって所定の回転速度で回転駆動されるドラムである。回転ドラム６２は、固定ドラム６１と略同径の円筒状であり、固定ドラム６１と中心軸が一致するように配置されている。
【００６２】
インダクティブ型磁気ヘッド６３ａ、６３ｂは、一対の磁気コアが磁気ギャップを介して接合されるとともに、磁気コアにコイルが巻装されてなる磁気ヘッドであり、磁気記録媒体１０に対して信号を記録する際に使用される。これらインダクティブ型磁気ヘッド６３ａ、６３ｂは、回転ドラム６２の中心に対して互いに成す角度が１８０°となり、それらの磁気ギャップ部分が回転ドラム６２の外周から突き出すように、回転ドラム６２に搭載されている。なお、インダクティブ型磁気ヘッド６３ａ、６３ｂは、磁気記録媒体１０に対してアジマス記録を行うように、アジマス角が互いに逆となるように設定されている。
【００６３】
一方、ＧＭＲヘッド６４ａ、６４ｂは、磁気記録媒体１０からの信号を検出する感磁素子としてスピンバルブ素子を備えた磁気ヘッドである。これらのＧＭＲヘッド６４ａ、６４ｂは、回転ドラム６２の中心に対して互に成す角度が１８０°となり、磁気ギャップ部分が回転ドラムの外周から突き出すように、回転ドラム６２に搭載されている。なお、これらのＧＭＲヘッド６４ａ、６４ｂは、磁気記録媒体１０に対してアジマス記録された信号を再生できるように、アジマス角が互いに逆となるように設定されている。
【００６４】
上述したような構成を有する磁気記録再生装置においては、回転ドラム装置６０に磁気記録媒体１０を摺動させて、信号の記録、及び再生が行われる。
実際の記録再生時においては、その走行形態より、磁気記録媒体（磁気テープ）の上端エッジ部から長さにして１０〜２５％までがドラムの側面と強く接触しながら走行する。すなわち、この領域は、インダクティブ型磁気ヘッド６３ａ、６３ｂやＧＭＲヘッド６４ａ、６４ｂとは非接触状態で走行することとなる、図２に示した磁気ヘッド非接触部１１に相当する。
そして、ドラムの側面との摺動が多数回繰り返されると、磁気記録媒体の表面に形成されている微小突起が摩耗していき、摩擦係数が上昇し、貼り付きにより走行性が悪化する。一方、この磁気ヘッド非接触部１１においては、磁気ヘッドとの接触は行われないため、実際の信号記録再生には寄与せず、記録再生に伴うエラーには影響を及ぼさない。
そこで本発明の磁気記録媒体１０においては、保護層３の、ヘリカルスキャン記録再生装置の適用時における磁気ヘッドの非接触部１１が、アルゴン窒素雰囲気下でプラズマ処理された、硬質化領域とし、走行による磨耗を低減化し、優れた走行性を長期に亘って維持することとした。
【００６５】
また、上記硬質化領域１１以外の領域、すなわち、図６中の磁気ヘッド接触部１２においては、上述したようなアルゴン窒素雰囲気下におけるプラズマ処理を行わず、比較的硬度の低いダイヤモンドライクカーボン膜よりなるので、ＧＭＲヘッドの磨耗の低減化が図られ、繰り返し走行を行った場合においても、安定した記録再生機能を維持することができることが確かめられた。
【実施例】
【００６６】
以下、本発明の磁気記録媒体について、具体的に実施例及び比較例を挙げて説明するが、本発明は以下に示す例に限定されるものではない。
【００６７】
〔実施例１〕
図１に示した磁気記録媒体１０の非磁性支持体１として、厚さ６μｍ、幅１５０ｍｍのポリエチレンナフタレートフィルムを用意した。
非磁性支持体１の表面には、高さ５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の微小突起が、２６．０個／μｍ2の密度に形成されているものとした。
【００６８】
次に、非磁性支持体１上に磁性層２を下記の条件により形成した。
（磁性層の成膜条件）
金属磁性材料：Ｃｏ１００ｗｔ％
入射角：４５°〜９０°
導入ガス：酸素ガス
酸素の導入量：３．３×１０-6ｍ3／ｓｅｃ
蒸着時の真空度：２．０×１０-2Ｐａ
磁性層の膜厚ｔ：５０ｎｍ
【００６９】
次に、磁性層２上に下記に示す成膜条件によってプラズマＣＶＤ法によりダイヤモンドライクカーボン膜よりなる保護層３を形成した。
（保護層の成膜条件）
反応ガス：トルエン
反応ガス圧：３０〔Ｐａ〕
導入電力：ＤＣ１．８ｋＶ
保護層厚さ：１０ｎｍ
【００７０】
次に、最終的に得られる８ｍｍ幅の磁気テープの、長手方向に直交する幅方向のエッジ一端側から幅２ｍｍの領域に該当する部分に、下記に示す条件で、局部的に窒素アルゴン雰囲気下でプラズマ処理を施した。
具体的には、上記１５０ｍｍの幅広テープを原反として作製するので、プラズマ処理の際に、図４に示した反応管４９を、図５（ｂ）に示す要部の概略図に示すように仕切り手段５５によって６：２の比率に区分けして、複数の区分管を形成せしめ、最終的に得られる８ｍｍ幅の磁気テープの長手方向に直交する幅方向のエッジ一端側から幅２ｍｍの領域に該当する部分に対応する領域にプラズマ処理を行うものとする。
（プラズマ処理条件）
導入ガス：アルゴン／ 窒素＝１／１
反応ガス圧：１０Ｐａ
導入電力：ＤＣ１．２ｋＶ
硬質化領域におけるＤＬＣ膜中の窒素濃度：５％
【００７１】
次に、磁性層形成面側とは反対側の主面に、カーボンとウレタン樹脂からなる塗料を塗布して０．５μｍの膜厚のバックコート層５を形成した。その後研磨テープを用いて研磨処理を行った。
【００７２】
次に、一般式（１）に示す末端にカルボキシル基を有する二官能パーフルオロポリエーテルとアミンとの化合物、及び一般式（２）に示す部分フッ化カルボン酸アルキルエステルを含有する潤滑剤を、重量比で５０：５０となるように塗布し、潤滑剤層４を形成した。
なお、塗布量は２５ｍｇ／ｍ2〜１００ｍｇ／ｍ2とした。最後に８．０ｍｍ幅に裁断し、目的とする磁気テープサンプルとした。
【００７３】
【化４】
2005174519.tif 000005
【００７４】
但し、Ｒfは、パーフルオロポリエーテル鎖を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、それぞれ水素、あるいは炭化水素基を表す。
【００７５】
ＣnＦ2n+1（ＣＨ2）mＣＯＯＲ・・・（２）
（但し、Ｒは炭化水素基、ｎ、ｍは、自然数を表す。）
【００７６】
〔実施例２〕
磁性層２の膜厚を８０ｎｍとした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００７７】
〔実施例３〕
磁性層２の膜厚を１００ｎｍとした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００７８】
〔実施例４〕
磁性層２の膜厚を２０ｎｍとした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００７９】
〔実施例５〕
保護層３の膜厚を１５ｎｍとした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００８０】
〔実施例６〕
保護層３の膜厚を５ｎｍとした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００８１】
〔実施例７〕
磁性層形成面側に、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の高さの微小突起が、１０個／μｍ2の割合で形成されているものとした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００８２】
〔実施例８〕
磁性層形成面側に、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の高さの微小突起が、４５個／μｍ2の割合で形成されているものとした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００８３】
〔実施例９〕
窒素アルゴン雰囲気下でプラズマ処理による硬質化領域１１の、ＤＬＣ膜中の窒素濃度を８ａｔｍ％とした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００８４】
〔実施例１０〕
磁性層２の膜厚を７５ｎｍとし、保護層３の膜厚を１２ｎｍとした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００８５】
〔実施例１１〕
磁性層２の膜厚を３３ｎｍ、保護層３の膜厚を７ｎｍとした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００８６】
〔実施例１２〕
磁性層２の膜厚を８５ｎｍ、磁性層形成面側に、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の高さの微小突起が、４８個／μｍ2の割合で形成されているものとした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００８７】
〔実施例１３〕
保護層３の膜厚を５ｎｍ、磁性層形成面側に、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の高さの微小突起が、４０個／μｍ2の割合で形成されているものとした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００８８】
〔実施例１４〕
磁性層の膜厚を２５ｎｍ、窒素アルゴン雰囲気下でプラズマ処理を行った後の硬質化領域１１の、ＤＬＣ膜中の窒素濃度の割合を１０ａｔｍ％とした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００８９】
〔実施例１５〕
磁性層形成面側に、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の高さの微小突起が、３２個／μｍ2の割合で形成されているものとした。
窒素アルゴン雰囲気下でプラズマ処理を行った後の硬質化領域１１の、ＤＬＣ膜中の窒素濃度の割合を３％とした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００９０】
〔実施例１６〕
磁性層２の膜厚を８５ｎｍ、保護層３の膜厚を５ｎｍ、磁性層形成面側に、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の高さの微小突起が、１０個／μｍ2の割合で形成されているものとした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００９１】
〔実施例１７〕
磁性層２の膜厚を２５ｎｍ、保護層３の膜厚を１２ｎｍ、窒素アルゴン雰囲気下でプラズマ処理を行った後の硬質化領域１１の、ＤＬＣ膜中の窒素濃度の割合を３ａｔｍ％とした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００９２】
〔実施例１８〕
磁性層２の膜厚を８５ｎｍ、保護層３の膜厚を６ｎｍ、磁性層形成面側に、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の高さの微小突起が、４５個／μｍ2の割合で形成されているものとした。
窒素アルゴン雰囲気下でプラズマ処理を行った後の硬質化領域１１の、ＤＬＣ膜中の窒素濃度の割合を４ａｔｍ％とした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００９３】
〔実施例１９〕
磁性層２の膜厚を４０ｎｍ、保護層３の膜厚を１５ｎｍ、磁性層形成面側に、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の高さの微小突起が、５０個／μｍ2の割合で形成されているものとした。
窒素アルゴン雰囲気下でプラズマ処理を行った後の硬質化領域１１の、ＤＬＣ膜中の窒素濃度の割合を１５ａｔｍ％とした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００９４】
〔実施例２０〕
磁性層２の膜厚を２０ｎｍ、保護層３の膜厚を５ｎｍ、磁性層形成面側に、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の高さの微小突起が、１０個／μｍ2の割合で形成されているものとした。
窒素アルゴン雰囲気下でプラズマ処理を行った後の硬質化領域１１の、ＤＬＣ膜中の窒素濃度の割合を２ａｔｍ％とした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００９５】
〔比較例１〕
保護層３上及び磁性層形成面側とは反対側の主面に、潤滑剤としてパーフルオロポリエーテル系、例えばフッ素系コハク酸潤滑剤を塗布した。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００９６】
〔比較例２〕
磁性層２の膜厚を１８ｎｍとした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００９７】
〔比較例３〕
磁性層２の膜厚を１０５ｎｍとした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００９８】
〔比較例４〕
保護層に対し、窒素アルゴン雰囲気下によるプラズマ処理を行わなかった。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【００９９】
〔比較例５〕
保護層３の膜厚を４ｎｍとし、磁性層形成面側に、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の高さの微小突起が、５３個／μｍ2の割合で形成されているものとした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【０１００】
〔比較例６〕
磁性層形成面側に、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の高さの微小突起が、６０個／μｍ2の割合で形成されているものとした。
窒素アルゴン雰囲気下でプラズマ処理を行った後の硬質化領域１１の、ＤＬＣ膜中の窒素濃度の割合を１ａｔｍ％とした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【０１０１】
〔比較例７〕
保護層３の膜厚を２０ｎｍ、窒素アルゴン雰囲気下でプラズマ処理を行った後の硬質化領域１１の、ＤＬＣ膜中の窒素濃度の割合を４ａｔｍ％とした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【０１０２】
〔比較例８〕
保護層３の膜厚を６ｎｍとし、磁性層形成面側に、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の高さの微小突起が、５個／μｍ2の割合で形成されているものとした。
窒素アルゴン雰囲気下でプラズマ処理を行った後の硬質化領域１１の、ＤＬＣ膜中の窒素濃度の割合を５ａｔｍ％とした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【０１０３】
〔比較例９〕
保護層３の膜厚を４ｎｍとし、磁性層形成面側に、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の高さの微小突起が、３個／μｍ2の割合で形成されているものとした。
窒素アルゴン雰囲気下でプラズマ処理を行った後の硬質化領域１１の、ＤＬＣ膜中の窒素濃度の割合を１０ａｔｍ％とした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【０１０４】
〔比較例１０〕
保護層３の膜厚を２０ｎｍとし、磁性層形成面側に、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の高さの微小突起が、５０個／μｍ2の割合で形成されているものとした。
窒素アルゴン雰囲気下でプラズマ処理を行った後の硬質化領域１１の、ＤＬＣ膜中の窒素濃度の割合を１ａｔｍ％とした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【０１０５】
〔比較例１１〕
磁性層２の膜厚を３０ｎｍ、保護層３の膜厚を５ｎｍとし、磁性層形成面側に、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の高さの微小突起が、５個／μｍ2の割合で形成されているものとした。
窒素アルゴン雰囲気下でプラズマ処理を行った後の硬質化領域１１の、ＤＬＣ膜中の窒素濃度の割合を１２ａｔｍ％とした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【０１０６】
〔比較例１２〕
磁性層２の膜厚を１２０ｎｍ、保護層３の膜厚を５ｎｍとし、磁性層形成面側に、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の高さの微小突起が、６個／μｍ2の割合で形成されているものとした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【０１０７】
〔比較例１３〕
磁性層２の膜厚を１８ｎｍ、保護層３の膜厚を４ｎｍとし、磁性層形成面側に、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の高さの微小突起が、２個／μｍ2の割合で形成されているものとした。
窒素アルゴン雰囲気下でプラズマ処理を行った後の硬質化領域１１の、ＤＬＣ膜中の窒素濃度の割合を１２ａｔｍ％とした。
その他の製造条件は実施例１と同様として磁気テープを作製した。
【０１０８】
上述のようにして作製した実施例１〜実施例２０、及び比較例１〜比較例１３の各サンプル磁気テープについて、電磁変換特性〔デジタルＳＮＲ〕、走行耐久性〔Ｌ／ＵＬ耐久性〕の評価を行った。
実施例１〜２０の評価結果を下記表１に示し、比較例１〜１３の評価結果を下記表２に示す。
【０１０９】
【表１】
2005174519.tif 000006
【０１１０】
【表２】
2005174519.tif 000007
【０１１１】
なお、表中、電磁変換特性の測定は、８ｍｍＶＴＲを改造したものを用いることとし、各サンプル磁気テープに、記録波長０．２３μｍにて情報信号を記録した後、ＭＲヘッドにより再生出力とテープノイズを測定してデジタルＳＮＲを算出した。
なお、表１においては、デジタルＳＮＲの値は、高い値ほど磁気テープ特性として望ましいが、１８．０ｄＢ以上の値が得られれば、実用上充分に良好なレベルとして判断し、  また、１６．０〜１８．０〔ｄＢ〕の範囲であれば製品化が可能なレベルとし、１６．０〔ｄＢ〕未満であれば製品化が不可能なレベルとし、表中において◎、○、×の三段階で評価を表した。
【０１１２】
走行耐久性は、８ｍｍデータストレージ用ＡＩＴシステムを用いることとし、標準環境下にてLoad Unload耐久性テストを行うことにより評価した。
Load Unload耐久性テストにおいては、多数回摺動により、長手方向に直交する幅方向のエッジ部の、磁気ヘッド非接触部がドラムの周面と多数回接触することにより、微小突起が摩耗し摩擦係数が上昇する。磁気テープとドラムとが貼り付きを起してエラーにより停止する。この時、１００００パス以上貼り付きを起こさずに走行すれば、実用上充分に良好なレベルとして判断した。また１００００パス以下であれば製品化が不可能なレベルとし、表中において○、×で評価を表した。
【０１１３】
上記表１に示すように、磁性層形成面側において、５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の高さの微小突起の密度が、１０〜５０個／μｍ2であり、磁性層２の膜厚が２０〜１００ｎｍであり、保護層３の膜厚が５〜１５ｎｍであり、窒素アルゴン雰囲気下でのプラズマ処理により保護層３の磁気ヘッド非接触領域における窒素濃度が２〜１０ａｔｍ％であるものとした実施例１〜実施例２０の磁気テープにおいては、いずれも、実用上充分に良好な電磁変換特性、及び走行耐久性が得られた。
【０１１４】
上記表２に示すように、比較例１の磁気テープは、潤滑剤としてパーフルオロポリエーテル系、例えばフッ素系コハク酸潤滑剤を塗布したため、充分な耐摺動特性が得られなかった。
【０１１５】
比較例２の磁気テープは、磁性層２の膜厚が２０ｎｍ未満であるものとしたため、電磁変換特性において出力が不足し、デジタルＳＮＲが劣化した。
【０１１６】
比較例３の磁気テープは、磁性層２の膜厚が１００ｎｍよりも厚くしたため、電磁変換特性においてノイズレベルが上昇し、デジタルＳＮＲが劣化した。
【０１１７】
比較例４の磁気テープは、テープの端部の２ｍｍ幅の範囲までの領域に、アルゴン窒素雰囲気下におけるプラズマ処理を行わなかったため、表面の微小突起の摩耗が増大し、耐摺動特性が劣化した。
【０１１８】
比較例５の磁気テープは、保護層３の膜厚が５ｎｍ未満としたため、充分な表面保護効果が得られず、耐摺動特性が劣化した。
【０１１９】
比較例６の磁気テープは、微小突起の密度が５０個／μｍ2 よりも多いため、スペーシングロスが増加してしまい、電磁変換特性が劣化した。
【０１２０】
比較例７の磁気テープは、保護層３の膜厚が１５ｎｍよりも厚いため、スペーシングロスが増加し、電磁変換特性が劣化した。
【０１２１】
比較例８の磁気テープは、微小突起の密度が、１０個／μｍ2未満であるため、耐摺動特性が劣化した。
【０１２２】
比較例９の磁気テープは、微小突起の密度が、１０個／μｍ2未満、保護層の膜厚が５ｎｍ未満であるため、耐摺動特性が劣化した。
【０１２３】
比較例１０の磁気テープは、アルゴン窒素雰囲気下でプラズマ処理を行うことによる窒素濃度が２ａｔｍ％未満であるものとしたため、突起密度、保護層の膜厚が充分に確保されていても、耐摺動特性が劣化した。
また、保護層３の膜厚が１５ｎｍよりも厚いため、スペーシングロスが増加し、電磁変換特性が劣化した。
【０１２４】
比較例１１の磁気テープは、アルゴン窒素雰囲気下でプラズマ処理を行うことによる窒素濃度が１０％よりも多いため、プラズマ処理により逆に保護層（ＤＬＣ膜）の破壊が生じ、耐摺動特性が劣化した。
【０１２５】
比較例１２の磁気テープは、磁性層２の膜厚が１００ｎｍよりも厚いため、微小突起密度が少なくなり、保護層の膜厚も小さいため、スペーシングロスが小さく、実用上充分な電磁変換特性が得られた。
しかし、微小突起の密度が、１０個／μｍ2未満であるため、耐摺動特性が劣化した。
【０１２６】
比較例１３の磁気テープは、磁性層２の膜厚が２０ｎｍ未満であるが、微小突起密度が小さく、保護層の膜厚も小さいため、スペーシングロスが小さく、実用上充分な電磁変換特性が得られた。
しかし、保護層の膜厚が５ｎｍ未満であり、アルゴン窒素雰囲気下におけるプラズマ処理を行うことによる窒素濃度が１０％以上を超えるものとしたため、耐摺動特性が劣化した。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】本発明の磁気記録媒体の概略断面図を示す。
【図２】磁気記録媒体の保護層の状態を示す概略平面図を示す。
【図３】磁性層形成用の蒸着装置の概略構成図を示す。
【図４】保護層形成用のプラズマＣＶＤ連続膜形成装置の概略構成図を示す。
【図５】（ａ）保護層のプラズマ処理工程における概略平面図を示す。（ｂ）プラズマ処理工程において用いる反応管の概略断面図を示す。
【図６】ヘリカルスキャン記録再生装置の要部の回転ドラム装置の概略斜視図を示す。
【符号の説明】
【０１２８】
１……非磁性支持体、２……磁性層、３……保護層、４……潤滑剤層、５……バックコート層、１０……磁気記録媒体、１１……磁気ヘッド非接触部（硬質化領域）、１２……磁気ヘッド接触部、２０……蒸着装置、２１，２２……排気口、２３……真空室、２４……送りロール、２５……巻き取りロール、２６……冷却キャン、２７，２８……ガイドロール、２９……ルツボ、３０……金属磁性材料、３１……電子銃、３２……シャッター、４０……プラズマＣＶＤ連続膜形成装置、４１……排気系、４２……真空室、４３……送りロール、４４……巻き取りロール、４５……被処理体、４６……対向電極用キャン、４７，４８……ガイドロール、４９……反応管、５０……電極、５１……ＤＣ電源、５５……仕切り手段、６０……回転ドラム装置、６１……固定ドラム、６２……回転ドラム、６３ａ，６３ｂ……インダクティブ型磁気ヘッド、６４ａ，６４ｂ……ＧＭＲヘッド
【図１】
2005174519.tif 000009
【図２】
2005174519.tif 000010
【図３】
2005174519.tif 000011
【図４】
2005174519.tif 000012
【図５】
2005174519.tif 000013
【図６】
2005174519.tif 000014