(57)【要約】【課題】  １ｍ〜２ｍ角にも及ぶ大型の基板に対してイオン注入を行うイオン注入装置において、装置の高さ及び装置の占有面積の増大を防止できるイオン注入方法及びイオン注入装置を提供する。【解決手段】  イオンビームＢ１を発生するイオン源１１と、該イオンビーム１１をリボン状イオンビームＢ３に変化させるビーム偏向機構１２，１３と、前記リボン状イオンビームＢ３の照射方向と交差する方向に基板２０を移動する基板スキャン機構１４とを備えたイオン注入装置１０において、前記ビーム偏向機構１２，１３で、前記イオン源１１で発生したイオンビームＢ１を略鉛直方向に拡がるリボン状イオンビームＢ３に変化させると共に、前記基板スキャン機構１５で基板２０を略水平方向に移動する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンビームを発生するイオン源と、該イオンビームをリボン状イオンビームに変化させるビーム偏向機構と、前記リボン状イオンビームの照射方向と交差する方向に基板を移動する基板スキャン機構とを備えたイオン注入装置において、前記ビーム偏向機構で、前記イオン源で発生したイオンビームを略鉛直方向に拡がるリボン状イオンビームに変化させると共に、前記基板スキャン機構で基板を略水平方向に移動することを特徴とするイオン注入方法。
【請求項２】
前記ビーム偏向機構で、前記イオン源で発生したイオンビームを２カ所以上のマグネット部を通過させることによりＳ字形状に曲げて基板に照射することを特徴とする請求項１記載のイオン注入方法。
【請求項３】
前記基板スキャン機構で、基板を鉛直方向から後方に５°〜３０°傾斜させて、該基板の背面を支持体で支持すると共に、前記ビーム偏向機構で、リボン状イオンビームを該基板に対して８０°〜１００°の方向に偏向して該基板に照射することを特徴とする請求項１又は２記載のイオン注入方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のイオン注入方法を用いた基板の製造方法。
【請求項５】
イオンビームを発生するイオン源と、該イオンビームをリボン状イオンビームに変化させるビーム偏向機構と、前記リボン状イオンビームの照射方向と交差する方向に基板を移動する基板スキャン機構とを備えたイオン注入装置において、前記ビーム偏向機構を前記イオン源で発生したイオンビームを略鉛直方向に拡がるリボン状イオンビームに変化させるように構成すると共に、前記基板スキャン機構を基板を略水平方向に移動するように構成したことを特徴とするイオン注入装置。
【請求項６】
前記ビーム偏向機構を、２つのマグネット部を有して構成し、前記イオン源から発生したイオンビームの軌道を２カ所以上のマグネット部を通過させることによりＳ字形状に曲げて基板に照射することを特徴とする請求項５記載のイオン注入装置。
【請求項７】
前記基板スキャン機構において、基板を鉛直方向から後方に５°〜３０°傾斜させて、該基板の背面を支持体で支持すると共に、前記ビーム偏向機構において、リボン状イオンビームを該基板に対して８０°〜１００°の方向に偏向して該基板に照射することを特徴とする請求項５又は６記載のイオン注入装置。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか１項に記載のイオン注入装置を備えた基板の製造システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子や液晶表示装置等の製造過程で不純物導入に使用されるイオン注入方法及びイオン注入装置に関するものである。より詳細には、１ｍ〜２ｍ角にもなる大型の基板に対してイオン注入可能であると共に、装置の高さや装置の設置面積の増大を抑制できるイオン注入方法及びイオン注入装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）等の平坦な表示装置（ＦＰＤ：Flat panel display）は、携帯電話、携帯情報端末、パソコンのディスプレイ、大型テレビ画面等に多く使用されている。近年、このＦＰＤは、大型テレビ向けに使用されるようになって大型化する傾向にあり、また、生産性向上の面から１枚の基板（マザーガラス基板）から複数枚の製品を製造するようになりつつある。そのため、製造段階における基板の大きさは、数十ｃｍ角から１ｍ〜２ｍ角と大型化してきている。
【０００３】
このＦＤＰの内で、今後大幅な需要の伸びが予想されているアクティブ形では、アモルファスシリンコンＴＦＴ（Thin Film Transistor）や低温ポリシリコンＴＦＴ等の薄型フィルム状トランジスタ（ＴＦＴ）が用いられている。
【０００４】
そして、この大型の基板上にＴＦＴを製造する過程においては、半導体の性状を制御するためにイオン注入法による不純物導入が行われている。このイオン注入に使用され、高電流幅広ビームを使用する場合のイオン注入装置の一つとして、大量にイオンを発生するイオン発生源と、このイオン発生源から引き出されるイオンビームを拡大し、偏向し、そして収束させるための質量マグネットと、収束されたビームのうち不都合なビームを遮断する分解スリットと、この分解スリットを通過したビームを更に偏向させ、且つ平行にする第二磁石とから構成され、１ｍＡ以上の電流及び数ｋｅＶ以上のエネルギーで高均一性の幅広リボン形ビームを形成する小型の高電流幅広ビームのイオン注入装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
また、イオン注入に大きなエネルギーを必要とする場合には、図３に模式的に示すように、水平面内に拡がるリボン状イオンビームを発生させて、このリボン状イオンビームを基板に照射しながら、この水平ビーム（横ビーム）に対して基板を鉛直方向に移動させて、基板全面にイオン注入を行うイオン注入装置が提案されている（例えば、特許文献２及び特許文献３参照。）。
【０００６】
しかしながら、従来技術のイオン注入法のように水平面内に拡がるリボン状イオンビームを基板に放射しながら、この水平ビームに対して基板を垂直方向に移動させて走査させる方法では、基板を上下するスペースが必要となる。そのため、基板が大型化すると、基板の移動スペース、基板の保持及び走査機構のために、必要な装置高さが著しく大きくなる。
【０００７】
従って、基板の高さが１ｍ〜２ｍにもなるとイオン注入装置の高さは４〜６ｍとなってしまい、既設の通常３ｍ〜４ｍの高さの工場建屋に入りきらなくなるという問題が生じる。このイオン注入装置の高さの問題は、通常の工場の建屋の高さ以上になると、建屋の改造や新築の場合には特別な建屋の設計が必要となるため、大きな問題となっている。
【０００８】
また、イオン注入装置の奥行きに関しても、イオンの質量分離（質量分析）をアナライザーマグネットの出口から基板までの水平距離の間で行う場合には、ビーム幅を１ｍとした場合でも３ｍ以上のビームラインが、また、ビーム幅を２ｍとした場合では６ｍ以上のビームラインが必要となり、水平距離でこの距離を稼ごうとすると、イオン注入装置が占有するスペースが非常に大きくなってしまうという問題がある。
【０００９】
更に、基板を垂直方向に移動する従来技術のイオン注入装置においては、基板が１ｍ〜２ｍ角に大型化した場合に、基板を垂直に立てた状態で基板の周囲を保持して垂直方向に走査（スキャン）即ち往復移動する際に、厚さ０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ程度の非常に薄い基板が太鼓の皮の様に膨らんでしまうという問題もある。
【特許文献１】特開平６−３４２６３９号公報
【特許文献２】特開平１１−１６３０９２号公報
【特許文献３】特開２００３−２９７７７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、１ｍ〜２ｍ角にも及ぶ大型の基板に対してイオン注入を行うイオン注入装置において、装置の高さ及び装置の占有面積の増大を防止できるイオン注入方法及びイオン注入装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するための本発明のイオン注入方法は、イオンビームを発生するイオン源と、該イオンビームをリボン状イオンビームに変化させるビーム偏向機構と、前記リボン状イオンビームの照射方向と交差する方向に基板を移動する基板スキャン機構とを備えたイオン注入装置において、前記ビーム偏向機構で、前記イオン源で発生したイオンビームを略鉛直方向に拡がるリボン状イオンビームに変化させると共に、前記基板スキャン機構で基板を略水平方向に移動することを特徴とする方法として構成される。
【００１２】
なお、鉛直方向に拡がるリボン状イオンビームとは、イオンビーム形状が水平方向に薄く、鉛直面内で幅を有し、平行に照射される偏平イオンビームのことをいう。
【００１３】
この構成により、基板を水平方向に走査するので、基板の大きさが大きくなっても、基板を垂直方向に走査する場合のように、装置の高さが著しく高くならずに済む。
【００１４】
そして、上記のイオン注入方法において、前記ビーム偏向機構で、前記イオン源で発生したイオンビームを２カ所以上のマグネット部を通過させることによりＳ字形状に曲げて基板に照射すると、イオンビームの軌跡の水平距離が短くなり、装置の高さのみならず、装置の奥行きも小さくなる。
【００１５】
また、上記のイオン注入方法において、前記基板スキャン機構で、基板を鉛直方向から後方に５°〜３０°傾斜させて、該基板の背面を支持体で支持すると共に、前記ビーム偏向機構で、リボン状イオンビームを該基板に対して８０°〜１００°の方向に、好ましくは垂直な方向に、偏向して該基板に照射するようにすると、基板を走査即ち往復移動した時の基板の膨らみやばたつきが防止される。
【００１６】
そして、基板の製造方法を上記のイオン注入方法を用いるようにすると、比較的高さや奥行きの小さい製造システムとなる。
【００１７】
また、上記の目的を達成するための本発明のイオン注入装置は、イオンビームを発生するイオン源と、該イオンビームをリボン状イオンビームに変化させるビーム偏向機構と、前記リボン状イオンビームの照射方向と交差する方向に基板を移動する基板スキャン機構とを備えたイオン注入装置において、前記ビーム偏向機構を前記イオン源で発生したイオンビームを略鉛直方向に拡がるリボン状イオンビームに変化させるように構成すると共に、前記基板スキャン機構を基板を略水平方向に移動するように構成される。この構成により、基板を水平方向に走査するので、基板の大きさが大きくなっても、基板を垂直方向に走査する場合のように、装置の高さが著しく高くならずに済む。
【００１８】
そして、上記のイオン注入装置において、前記ビーム偏向機構を、２つのマグネット部を有して構成し、前記イオン源から発生したイオンビームの軌道を２カ所以上のマグネット部を通過させることによりＳ字形状に曲げて基板に照射するように構成する。この構成によれば、イオンビームの軌跡がＳ字形状となるので水平距離が短くなり、装置の高さのみならず、装置の奥行きも小さくなる。
【００１９】
また、上記のイオン注入装置で、前記基板スキャン機構において、基板を鉛直方向から後方に５°〜３０°傾斜させて、該基板の背面を支持体で支持すると共に、前記ビーム偏向機構において、リボン状イオンビームを該基板に対して８０°〜１００°の方向に、好ましくは垂直な方向に、偏向して該基板に照射するように構成する。この構成により、基板を走査即ち往復移動した時の基板の膨らみやばたつきが防止される。
【００２０】
そして、基板の製造システムを上記のイオン注入装置を備えて構成すると、高さや奥行きの小さいコンパクトな製造システムとなる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係るイオン注入方法及びイオン注入装置によれば、大きな基板に安定して不純物導入ができ、装置の高さや装置の奥行きを小さくすることができる。つまり、従来技術の基板を縦移動させるイオン注入装置では、装置を入れるために建屋の高さが問題となり、建屋の改造や新築の場合には特別な建屋の設計が必要であったが、本発明のイオン発生装置ではイオンビームと基板の関係を従来技術の水平ビーム／縦移動から垂直ビーム／横移動へと９０度回転することにより、装置高さに対する基板の大型化の影響を著しく緩和できる。
【００２２】
また、イオン源で発生したイオンビームを２カ所以上のマグネット部を通過させることによりＳ字形状に曲げて基板に照射すると、イオンビームの軌跡の水平距離が短くなるので、装置の高さのみならず、装置の奥行きも小さくすることができる。
【００２３】
従って、イオン注入装置を設置する際の建屋の大きさ、特に高さ制限の問題が無くなり、また、輸送も容易となる。
【００２４】
更に、基板を鉛直方向から後方に５°〜３０°傾斜させて、基板の背面を支持体で支持すると共に、ビーム偏向機構において、リボン状イオンビームを基板に対して８０°〜１００°の方向に、好ましくは垂直な方向に、偏向して基板に照射するように構成すると、大きさに比べて非常に薄く形状が不安定な基板の走査時における機膨らみ、ばたつきを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下図面を参照して本発明に係るイオン注入方法及びイオン注入装置の実施の形態について説明する。
【００２６】
図１に示すように、この実施の形態のイオン注入装置１０は、イオンビームＢ１を発生するイオン源１１と、このイオンビームＢ１を質量分離すると共に、リボン状イオンビームＢ３に変化させるビーム偏向機構１２，１３と、所望のイオン電流密度分布に調整するマルチポール（均一制御機構）１４と、リボン状イオンビームＢ３の照射方向に対して垂直に近い任意の角度（以下、略垂直という）、例えば、８０°〜１００°で、かつ、水平方向に基板（半導体ではウエーハ、液晶ではガラス基板）２０を走査（スキャン）する基板スキャン機構１５とを備えて構成される。
【００２７】
このイオン源１１は、ガス源（図示しない）から供給されてイオン化された不純物を加速電圧（例えば、１０〜１００ｋＶ）を印加した引き出し電極により、引き出し及び加速してイオンビームＢ１とするように構成される。
【００２８】
また、ビーム偏向機構１２，１３は、質量分離用マグネット部１２と、この質量分離用マグネット部１２で選択されたイオンビームＢ２を鉛直方向に拡がり、水平方向の幅が狭い縦長の平行ビームで形成されるリボン状イオンビームＢ３に変化させる収束マグネット部（コレクターマグネット部）１３とから構成される。
【００２９】
質量分離用マグネット部１２は、イオン源１１からのイオンビームＢ１を略９０°偏向して、分解スリットを通して所定の質量のイオンビームＢ２のみを通過させることにより、質量の軽いイオンや重いイオン等を除外して、所定の質量のイオンのみを選択して取り出すと共に、水平方向に薄く、鉛直面内で幅を有する偏平なイオンビームＢ２にするように構成される。この通過させる質量の範囲は分解スリットの開口幅によって予め設定する。
【００３０】
収束マグネット部１３は、ビームの偏向と平行化を行う装置である。ここでは、イオンビームＢ２を略７０°偏向して平行ビームにして、リボン状イオンビームＢ３にするように構成される。このリボン状イオンビームＢ３は、基板２０に照射される部分におけるイオンビーム形状が照射方向と略垂直な第一方向（厚み）に薄く、この第一方向と照射方向の両方に略垂直な第二方向（幅）に長く、平行に照射される偏平イオンビームであり、横断面が長方形又は線分状で、各横断面が同一形状である。
【００３１】
そして、このリボン状イオンビームＢ３は、基板２０に対して、略垂直に照射できるようにする。この基板２０は、鉛直方向に対して傾斜角度αを持って保持されるので、イオンビームＢ３は、水平面に対して迎角αを持つように構成される。
【００３２】
そして、本発明においては、ビーム偏向機構１２，１３を、質量分離を専門に行う質量分離用マグネット部１２と、コレクターと呼ばれるビームの幅を広げてリボン状のビームにすると共に、このリボン状イオンビームＢ３をターゲット（基板）に導く収束マグネット部１３の２つのマグネット部で構成し、イオン源１１から発生したイオンビームＢ１を両方のマグネット部を１２，１３通過させることにより、イオンビームＢ１，Ｂ２，Ｂ３の軌道をＳ字形状に曲げて基板２０に照射するように構成する。
【００３３】
このマグネットの機能を分け、二つのマグネット部１２，１３に質量分離とビームのワイド化の役割をそれぞれ分担させるダブルマグネット方式の構成により、高いイオン注入品質とビームのワイド化の両方を実現できる。また、イオンビームの軌道をＳ字形状に２度曲げているので、ビームラインＢ１，Ｂ２，Ｂ３の高さが抑制される。そのため、イオン注入装置１０の高さを増やす必要がなくなり、イオン注入装置１０の奥行きも短かくなるので、省スペースとなる。
【００３４】
そして、このダブルマグネット方式により、注入するイオン種の一層の高分解能化も可能となるため、大型基板への対応と並行して、低温ポリシリコンＴＦＴパネルの一層の高性能化に対応できる高機能装置となる。
【００３５】
また、マルチポール（均一制御機構）１４は、左右１組の小型電磁石を複数組（例えば、１５組）並べて形成される。そして、収束マグネット部１３で形成されたリボン状イオンビームＢ３を通過させると共に、各小型電磁石のコイルへの励磁電流を制御して、所定のイオン電流密度分布に調整して、イオン注入の均一化を図る。
【００３６】
そして、基板スキャン機構１５は、リボン状イオンビームＢ３の照射方向に対して略垂直となるように基板２０を後方に傾斜させて（チルトバック）して保持する基板保持機能を有して構成される。また、この実施の形態では、基板スキャン機構１５は、更に、基板２０を水平方向に走査する基板走査機能を有して構成され、プロセスチャンバー（エンドステーション）１６内に配置される。
【００３７】
基板スキャン機構１５では、支持体１５ｂにより、基板２０の周辺を把持すると共に、基板２０の背面を支持する。この支持体１５ｂは、平板、格子板、多孔板等で形成され、ヒンジ１５ｃを介して支持ブラケット１５ｄに支持され、この支持ブラケット１５ｄは支持ベッド１５ｅに固定されている。
【００３８】
この支持体１５ｂの一例を図４に示すが、この支持体１５ｂは、枠体１５ｂａと背面部剤１５ｂｂとを有してなり、枠体１５ｂａの前面に、基板２０の周辺を把持するための爪（把持部材）１５ｂｃが略等間隔に配置されている。この爪１５ｂｃで前面から枠体１５ｂａに当接される基板２０（図４には図示していない）の縁から内側の２〜３ｍｍを押さえて支持する。また、背面部材１５ｂｂは軽量化のために開口部を有する井桁構造で形成され、開口部の位置と大きさにより重量バランスが取られている。また、この井桁の交点には支持ピン１５ｂｄが植立され、この支持ピン１５ｂｄの先端部で基板２０の背面を略点接触で支持するように構成される。
【００３９】
この支持体１５ｂは、平行に照射されるリボン状イオンビームＢ３の照射方向、即ち、リボン状イオンビームＢ３の縁部Ｂ３ａに対して略垂直となるように鉛直方向からの傾斜角度αを持って後側に傾斜するように角度調整される。この傾斜角度αは５°〜３０°、好ましくは、１５°〜２５°とする。  
【００４０】
このように、基板２０を５°以上の傾斜角αを有して支持体１５ｂで背面を支えながら保持することにより、薄く不安定な基板２０を安定支持でき、基板スキャン時の基板２０の膨らみやばたつき等を回避することができる。
【００４１】
また、基板２０を保持する傾斜角度αを３０°以内に小さく保つことにより、基板２０上に埃が付着するのを防止するために、基板２０上に埃が発生するようなメカニズムや発塵しそうな物を配置しないスペースを取るが、このスペースを小さくすることができ、イオン注入装置内の無駄なスペースを小さくすることができる。
【００４２】
そして、支持ベッド１５ｅはレール１５ｆに載置され、駆動モータ１５ｇにより水平方向に往復移動するように構成される。このレール１５ｆは、水平方向で、かつ、リボン状イオンビームＢ３の照射方向に対して略垂直な方向に設けられる。また、支持ベッド１５ｅがレール１５ｆ上を移動することにより、基板２０の全面をリボン状イオンビームＢ３で照射できるように設けられる。そして、駆動モータ１５ｇは、イオン注入の均一化を図るため、精密に制御される。
【００４３】
なお、このレール１５ｆは、水平方向で、かつ、リボン状イオンビームＢ３の照射方向に対して基板２０の被照射部分が略垂直になれば、必ずしも直線状に限定されず、円弧等の曲線状に形成してもよい。例えば、レール１５ｆを、リボン状イオンビームＢ３の照射方向上に中心を有する円弧状に形成して、基板２０を回転させてもよい。但し、直線状に基板を移動した方が、曲線状に基板を移動させるよりも、基板の変形が少なくなる。
【００４４】
更に、基板スキャン機構１５で保持した基板３０の直近の前方部分（？）にリボン状イオンビームＢ３の均一性等を調べるプロファイラ（図示しない）を配置し、リボン状イオンビームＢ３のイオン電流密度分布を計測して、この計測結果をフィードバックしながら、マルチポール１４と基板スキャン機構１５を制御し、イオン注入の均一化を図る。
【００４５】
なお、このイオンビームＢ１，Ｂ２，Ｂ３の通る道筋はケース１７で覆い高排気量の真空ポンプ（図示しない）で排気して高真空に保つ。
【００４６】
そして、この構成のイオン注入装置１０において、イオン注入は次のように行われる。      
【００４７】
基板２０を基板スキャン機構１５に保持させて、基板２０をプロセスチャンバー１６内に収納する。そして、このプロセスチャンバー１６内を真空ポンプで排気し、プロセスチャンバー１６の内部とイオンビームＢ１，Ｂ２，Ｂ３の通る道筋を囲むケース１７の内部を真空に保持する。
【００４８】
適正な真空度に達した状態で、イオン源１１の引き出し電極に高電圧を印加しながら不純物イオンを発生させ、イオンビームＢ１を引き出す。この引き出したイオンビームＢ１を質量分離用マグネット部１２で略９０°屈曲して、鉛直方向に拡がるイオンビームＢ２にすると共に、分解スリットを通して所定の質量範囲のイオンビームＢ２のみを通過させることにより、質量の軽いイオンや重いイオン等を除外して、所定の質量のイオンのみとする。
【００４９】
このイオンビームＢ２を収束マグネット部１３で略５０°〜７０°屈曲すると共に平行なビームであるリボン状イオンビームＢ３にする。このリボン状イオンビームＢ３をマルチポール１４において所定のイオン電流密度分布に調整してから基板２０に照射する。
【００５０】
一方、基板２０を保持した基板スキャン機構１５を、照射されるリボン状イオンビームＢ３に対して水平方向に往復移動させて基板２０を走査（スキャン）する。
【００５１】
この基板２０の走査は、プロファイラによるイオンビームＢ３のイオン電流密度分布の検出値と基板２０の背面側で常にイオンビームＢ３を受けるプロセスチャンバー１６の内面に設置されたドーズモニター（図示しない）によるイオンビームＢ３の電流値を基に、マルチポール１４のビームの均一化制御とと共に、適正なイオン注入量になるように制御される。
【００５２】
上記のイオン注入方法及びイオン注入装置によれば、基板２０を上下方向（鉛直方向）に移動せず、水平方向に移動するので、イオン注入装置１０の高さを低くすることができる。
【００５３】
また、イオンビームの軌道をＳ字形状に２度曲げることにより、ビームラインの高さを抑制でき、これにより、イオン注入装置１０の高さを増やす必要がなくなると共に、イオンビームの水平距離が短縮されるので、イオン注入装置１０の奥行きも短かくでき、省スペース装置にすることができる。
【００５４】
そして、マグネットの機能を分けて、二つのマグネット部に質量分離とビームのワイド化の役割をそれぞれ分担させるダブルマグネット方式の構成により、注入するイオン種の一層の高分解能化を可能とすることができ、高いイオン注入品質とビームのワイド化の両方を実現できる。そのため、大型基板への対応と並行して、高いイオン注入品質が必要とされる低温ポリシリコンＴＦＴパネルの一層の高性能化にも対応できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明に係る実施の形態のイオン注入装置の構成を示す模式的な側面図である。
【図２】本発明に係るリボン状イオンビームの照射方向と基板の走査方向を示す模式的な図である。
【図３】従来技術におけるリボン状イオンビームの照射方向と基板の走査方向を示す模式的な図である。
【図４】基板の支持体の構造の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０    イオン注入装置
１１    イオン源
１２    質量分離用マグネット部（ビーム偏向機構）
１３    収束マグネット部（ビーム偏向機構）
１４    マルチポール
１５    基板スキャン機構
１５ｂ  支持体
２０    基板
Ｂ１    イオンビーム
Ｂ２    イオンビーム
Ｂ３    リボン状イオンビーム
【図１】
2005174870.tif 000003
【図２】
2005174870.tif 000004
【図３】
2005174870.tif 000005
【図４】
2005174870.tif 000006