(57)【要約】【課題】  本発明は、作製された光学記録媒体から信号特性が良好な再生信号が得られる露光パターンを記録し得る光学記録媒体を実現しようとするものである。【解決手段】  原盤上にγ特性値が４より大きい有機材料を塗布してなる被露光体の被露光面に、ガウシアン分布型のレーザ光を露光照射する際、所定のウオーブル情報に基づく記録信号と、所定のフオーマツトに基づく変調パルス信号の各パルス露光部分を同一周期でかつ所定パルス幅のパルス列にそれぞれ変換して得られる駆動信号とのいずれか一方を、光変調器に供給するようにしたことにより、作製された光学記録媒体から信号特性が良好な再生信号が得られる露光パターンを記録し得る光学記録媒体を実現することができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被露光面に所定のピツト列が形成されると共に所定のグルーブ幅を有するグルーブが形成されてなる被露光体に基づいて作製された光学記録媒体において、
上記グルーブの底面の幅は、上記グルーブの上記被露光面におけるエツジ間の幅よりも小さく、かつ上記グルーブの底面の幅と上記グルーブの上記被露光面におけるエツジ間の幅との差は0.15〔μｍ〕以下でなる
ことを特徴とする光学記録媒体。
【請求項２】
上記グルーブ幅は、上記グルーブのトラツクピツチに対して55.0〔％〕〜75.0〔％〕の割合でなる
ことを特徴とする請求項１に記載の光学記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学記録媒体に関し、例えばＭＤ（Mini Disc）等の光磁気デイスクを製造するためのレーザカツテイングマシーンに適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光記録媒体（光デイスクや光磁気デイスク等）の原盤作製、あるいはプリント配線基板及び半導体集積回路等の作製に用いられるフオトレジストマスクの作製等においては、レーザ光を用いた光学記録装置が使用されている。
【０００３】
このような光学記録装置では、光デイスク等の技術開発の進展に伴つて、光デイスクに微小化したピツトを形成する技術の高度化や、ピツト形状及びグルーブ形状を高精度で制御する技術の高度化が望まれている。
【０００４】
ここで図１０に示すように、従来の光記録媒体の原盤作製に用いられる光学記録装置について説明する。この光学記録装置１においては、例えばヘリウム・カドミウム（He-Cd）レーザ（波長441.6〔nm〕）のように気体を増幅媒質とするレーザ光源２からレーザ光Ｌ１が出射され、当該レーザ光Ｌ１はミラーＭ１及びＭ２に反射されて平行光のまま移動光学テーブル３に入射される。
【０００５】
移動光学テーブル３は、音響光学変調偏向器（ＡＯＭ：Acousto Optic Modulator／ＡＯＤ：Acousto Optic Deflector）４を有し、当該音響光学変調偏向器４の光路の前後にビーム縮小レンズ５及びビーム拡大レンズ６が設けられた構成からなる。ミラーＭ２を介して移動光学テーブル３に入射されたレーザ光Ｌ１は、ビーム縮小レンズ５において所定のビーム径に縮小された後、音響光学変調偏向器４に入射される。
【０００６】
ここで、例えばＭＤ（ミニデイスク）等の光磁気デイスクにおいては、デイスク表面の内側領域にＴＯＣ（Table of Contents）等が記録されたナロウピツト（Narrow Pits）が形成されると共に、当該ナロウピツトの外側領域に記録トラツクとしてアドレス情報等に応じてウオーブルしたワイドグルーブ（Wide Groove）が形成されている。
【０００７】
また図１１に示すように音響光学変調偏向器４は、音響光学媒体（例えばPbMoO４結晶、TeO２結晶等）４Ａ上に圧電振動子（トランスジユーサ）（例えばLiNbO３、ZnO等でなる薄膜）４Ｂが接着された構成からなる。この場合、音響光学変調偏向器４にはドライバ７が接続され、さらに当該ドライバ７には、ＥＦＭ変調回路８が接続されると共にＶＣＯ（電圧周波数制御器）９及び続く制御信号発生回路１０が接続されている。
【０００８】
またワイドグルーブ記録形成時にはＥＦＭ変調回路８から所定の信号レベルでなるＤＣ信号Ｓ１がドライバ７に入力されると共に、当該ＤＣ信号Ｓ１に同期して、制御信号発生回路１０から44.1〔kHz〕の周波数信号と５〔MHz〕の周波数信号とが重畳されてなる重畳周波数信号Ｓ３がＶＣＯ９に入力される。続いてＶＣＯ９は当該当該重畳周波数信号Ｓ３に基づいて発振周波数を変化させた高周波信号Ｓ５をドライブ２５に供給する。これによりドライバ２５はＤＣ信号Ｓ１及び高周波信号Ｓ５に基づく電圧信号Ｓ７を音響光学変調偏向器４に供給する。
【０００９】
因みに、重畳周波数信号Ｓ５のうち、44.1〔kHz〕の周波数信号はアドレスのウオーブル情報（以下、これをＡＤＩＰ（Address In Pregroove）と呼ぶ）を記録するための記録信号でなり、また５〔MHz〕の周波数信号はその振幅量に応じてグルーブの幅を広げるための信号である。
【００１０】
これに対して、ナロウピツト記録形成時にはＥＦＭ変調回路８からＥＦＭ変調された高周波記録信号Ｓ２がドライバ７に入力されると共に、当該高周波記録信号Ｓ２に同期して、制御信号発生回路１０から零レベルでなるＤＣ信号Ｓ４がＶＣＯ９に入力される。続いてＶＣＯ９は当該ＤＣ信号Ｓ４に基づいて発振周波数を変化しない高周波信号Ｓ６をドライブ７に供給する。これによりドライバ７は高周波記録信号Ｓ２及び高周波信号Ｓ６に基づく電圧信号Ｓ８を音響光学変調偏向器４に供給する。
【００１１】
音響光学変調偏向器４では、圧電振動子４Ｂによつて電圧信号Ｓ７又はＳ８はそれぞれ超音波信号に変換され、音響光学媒体４Ａ内において当該音響光学媒体４Ａの屈折率を周期的に変化させることにより、当該音響光学媒体４Ａは光に対して回折格子の役割を果たすこととなる（以下、これを超音波回折格子と呼ぶ）。この場合、ブラツグ回折では格子間隔ｄ、レーザ光波長λ、及びレーザ光と格子面とのなす角θでなるとき、次式
【００１２】
【数１】
2005063664.tif 000003
【００１３】
を満たすときの角θ（以下、これをブラツグ角と呼ぶ）でレーザ光Ｌ１が入射し得るように音響光学変調偏向器４を配置するようにする。
【００１４】
この状態において、超音波波面にブラツグ角で入射したレーザ光Ｌ１は、当該超音波波面と同じ角度をなす方向にのみ回折され、当該レーザ光Ｌ１の光強度を当該電圧信号Ｓ７又はＳ８に応じてオン状態又はオフ状態により断続させて変調する。さらに超音波の周波数を変えることによつて超音波回折格子の格子間隔ｄが変わり、すなわちブラツグ角が変わることにより、この結果レーザ光Ｌ１Ａの光偏向の角度を変えることができる。
【００１５】
続いて、電圧信号Ｓ７又はＳ８に基づき音響光学変調偏向器４によつて強度変調されると共に光偏向の角度が変えられたレーザ光Ｌ１Ａは、レーザ光Ｌ１のビーム水平高さを保ちつつレンズ１１を介してミラーＭ３に反射される。このミラーＭ３によつて反射されたレーザ光Ｌ１Ａは、対物レンズ１２を介して集光され、ガラス原盤１３上に塗布されたフオトレジスト膜１４に照射される。
【００１６】
ここで、移動光学テーブル３は、ガラス原盤１３の径方向にスライド移動し得るようになされ、またガラス原盤１３は、モータ（図示せず）の出力軸の回転駆動に伴つて矢印ａで示す方向又はこれとは逆方向に線速度一定（ＣＬＶ）で回転し得るようになされている。
【００１７】
これにより、ガラス原盤１３のフオトレジスト膜１４にレーザ光Ｌ１Ａがスパイラルに照射され、かくして図１２に示すように、フオトレジスト膜１４のうちレーザ光Ｌ１Ａの露光部分が現像処理により溶解して、ナロウピツトＮＰ及びワイドグルーブＷＧが記録形成される。
【００１８】
因みに、ナロウピツト及びワイドグルーブが形成されたガラス原盤１３の複製をＮｉメツキすることにより金型（スタンパ）を作製し、当該金型を用いてＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）及びＰＣ（ポリカーボネイト）等の透明樹脂に成形を行うことにより、微小な凹凸（信号に相当するピツトやグルーブパターン）が転写された透明基盤を形成することができる。これらピツトやグルーブを含む透明基盤の表面には光を反射する金属膜や光磁気膜等が設けられ、さらに保護膜が信号ピツトや反射膜を保護するために設けられることにより、ＭＤ等の光デイスクが製造されることとなる。
【００１９】
ところで、ＭＤ等の光磁気デイスクにおいては、ワイドグルーブの幅をある程度（例えば1.1〔μｍ〕程度）まで広く形成することにより、当該ワイドグルーブに記録された光磁気膜の信号特性が良好になるようになされている。
【００２０】
またＭＤ等の光磁気デイスクにおいては、最短ピツト長（３Ｔ）から最長ピツト長（１１Ｔ）までの複数種類のピツトが、各々のピツト長に対応する露光パルスによつてフオトレジスト膜にそれぞれ形成されるようになされている。この場合、ｇ線用ポジ型フオトレジスト膜に各ピツト長に対応する露光パルスに基づくピツトをそれぞれ形成する場合には、３Ｔピツトと１１Ｔピツトとではピツト幅（半径方向）がほとんど変わらない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
ところで、より高密度記録されたＭＤ用のスタンパを作製する場合には、当該ナロウピツトのピツト幅をより小さく形成すると共に、当該ワイドグルーブの断面形状を信号特性の良い台形に形成する必要がある。
【００２２】
ところが、γ特性値がそれ程高くない通常のフオトレジスト膜１４にワイドグルーブを形成する場合には、図１３（Ａ）に示すようにガラス原盤１３の上面に対してワイドグルーブＷＧ０のエツジの傾斜が緩やか（傾斜角θ０）になり、この結果、グルーブの底面の幅（以下、これを底面幅と呼ぶ）と、信号記録面におけるグルーブのエツジ間の幅（以下、これをエツジ幅と呼ぶ）との差ＴＰ０が長くなることから、作製されたＭＤの再生時に隣接するワイドグルーブ間でクロストークが生じるおそれがあつた。従つて通常のγ特性値を有するフオトレジスト膜にエツジの傾斜が急なワイドグルーブを形成することは非常に困難であつた。
【００２３】
さらに従来のような光強度分布がほぼ一定のレーザ光で露光した場合には、ワイドグルーブのエツジ部分も露光することとなるため、通常のγ特性値を有するフオトレジスト膜を露光する場合と同様に、ワイドグルーブＷＧ０のエツジの傾斜が緩やかになり（図１３（Ａ））、作製されたＭＤからは適正な信号特性を得ることが非常に困難となる問題があつた。
【００２４】
従つて、エツジの傾斜が急なワイドグルーブを形成するためには、γ特性値が比較的高い（γ特性値＞４）（すなわち高解像度タイプの）フオトレジスト膜（以下、これを高ガンマフオトレジスト膜と呼ぶ）を用いると共に、当該高ガンマフオトレジスト膜に、例えばガウシアンビームのようにサイドローブがほとんどなく、かつ中心に近づくにつれて強度が高くなる強度分布を有する（以下、これをガウシアン分布型と呼ぶ）レーザ光を照射する必要があつた。
【００２５】
このようにすれば、図１３（Ｂ）に示すようにガラス原盤１３の上面に対してワイドグルーブのエツジの傾斜を格段と急にすることができ（傾斜角θ１＜θ０）、すなわちグルーブの底面幅と信号記録面におけるグルーブのエツジ幅との差ＴＰ１を格段と短くする（ＴＰ１＜0.1〔μｍ〕）ことができることから、作製されたＭＤの再生時に隣接するワイドグルーブ間でクロストークが生じるのを回避することができる。
【００２６】
しかし、ガウシアン分布型のレーザ光で露光する場合には、ワイドグルーブのエツジの傾斜を急にすることができるが、当該ワイドグルーブの底面幅ＧＰ１（図１３（Ｂ））を従来の底面幅ＧＰ０（図１３（Ａ））と同じ幅（すなわちＧＰ１＝ＧＰ０）に確保しなければならないため、レーザ光のビーム径を比較的太くする必要があつた。
【００２７】
さらに、高ガンマフオトレジスト膜に各ピツト長に対応する露光パルスに基づくピツトをそれぞれ形成する場合には、３Ｔピツトから１１Ｔピツトまで光量を全て一定にして露光しても、３Ｔピツトと１１Ｔピツトとではピツトの幅が１１Ｔピツトの方が幅広くなる傾向が現れるという問題もあつた。実際上この傾向は、線速度一定（ＣＬＶ）及び回転速度一定（ＣＡＶ：Constant Angular Velocity）のいずれの場合も現れる。
【００２８】
このように高ガンマフオトレジスト膜を用いた場合にピツト長の長い方が幅広になる理由を以下に説明する。まず実際上、フオトレジスト膜のγ特性値にかかわらずフオトレジスト膜に形成されるピツト長の長さに対応して露光レベルが上がることから、３Ｔピツトよりも１１Ｔピツトの方が露光量が若干多くなる。ここで通常のフオトレジスト膜を用いた場合には、このようなピツト長の長短に応じて露光量が若干相違してもピツト幅に影響を及ぼすことはほとんどない。これに対して高ガンマフオトレジスト膜を用いた場合には、γ特性値が高くなることに伴つてピツト長の長短に応じた露光量の若干の相違が増長され、この結果ピツト幅に影響が及ぶこととなる。従つて高ガンマフオトレジスト膜を用いた場合にはピツト長の長い方が幅広になる。
【００２９】
このため３Ｔピツトと１１Ｔピツトとでは、ピツト幅の差異に起因して信号振幅にもさらに差異が広がることとなり、このため安定した信号振幅を有する光デイスクを作製することが困難となる問題があつた。
【００３０】
さらに１１Ｔピツトの幅広を回避すべく、露光光量を全体的に下げた場合には、３Ｔピツトが十分に形成されず、この結果当該３Ｔピツトの変調度が十分に確保し得なくなるおそれがあつた。
【００３１】
実験結果によれば、γ特性値＝５でなる高ガンマフオトレジスト膜、波長441.6〔nm〕でなるヘリウム・カドミウムレーザ光源、及び開口数ＮＡ＝0.9でなる対物レンズを用いて露光処理した場合には、３Ｔピツトのピツト幅は0.27〔μm〕、１１Ｔピツトのピツト幅は0.35〔μm〕という値が得られる。このことは、３Ｔピツトと１１Ｔピツトとでは約20〔％〕以上もピツト幅に差異が生じることを表している。
【００３２】
このようなピツト幅に差異が生じる問題を解決する１つの方法として、高ガンマフオトレジスト膜に各ピツト長に対応する露光パルスに基づくピツトをそれぞれ形成する場合には、１１Ｔピツトのとき露光光量を下げて３Ｔピツトと同じピツト幅になるように光量変調して露光する方法が用いられている。
【００３３】
ところが、この方法によれば、ＣＬＶ露光では行い得るが、ＣＡＶ露光の場合では、半径位置により露光光量を変えるようにして変調していることから、その変調信号をさらに制御する必要があり、装置全体として煩雑になるという問題があつた。
【００３４】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、作製された光学記録媒体から信号特性が良好な再生信号が得られる露光パターンを記録し得る光学記録媒体を提案しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００３５】
かかる課題を解決するため本発明においては、被露光面に所定のピツト列が形成されると共に所定のグルーブ幅を有するグルーブが形成されてなる被露光体に基づいて作製された光学記録媒体において、グルーブの底面の幅は、グルーブの被露光面におけるエツジ間の幅よりも小さく、かつグルーブの底面の幅とグルーブの被露光面におけるエツジ間の幅との差は0.15〔μｍ〕以下でなるようにした。
【００３６】
また本発明においては、被露光面に所定のピツト列が形成されると共に所定のグルーブ幅を有するグルーブが形成されてなる被露光体に基づいて作製された光学記録媒体において、グルーブ幅は、グルーブのトラツクピツチに対して55.0〔％〕〜75.0〔％〕の割合でなるようにした。
【００３７】
このように原盤上にγ特性値が４より大きい有機材料を塗布してなる被露光体の被露光面に、中心に近づくにつれて強度が高くなる強度分布を有するレーザ光を露光照射する際、所定のフオーマツトに基づく変調パルス信号の各パルス露光部分を同一周期でかつ所定パルス幅のパルス列にそれぞれ変換して得られる駆動信号を光変調器に供給するようにしたことにより、被露光体の被露光面に形成される変調パルス信号に応じた種々の長さでなる複数の潜像の各幅を当該各潜像の長さにかかわらず全てほぼ同一にすることができ、かくして作製された光学記録媒体から信号特性が良好な再生信号を得ることができる。
【発明の効果】
【００３８】
上述のように本発明によれば、原盤上にγ特性値が４より大きい有機材料を塗布してなる被露光体の被露光面に、中心に近づくにつれて強度が高くなる強度分布を有するレーザ光を露光照射する際、所定のウオーブル情報に基づく記録信号と、所定のフオーマツトに基づく変調パルス信号の各パルス露光部分を同一周期でかつ所定パルス幅のパルス列にそれぞれ変換して得られる駆動信号とのいずれか一方を、光変調器に供給するようにしたことにより、作製された光学記録媒体から信号特性が良好な再生信号が得られる露光パターンを記録し得る光学記録媒体を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。
【００４０】
図１０との対応部分に同一符号を付して示す図１において、光学記録装置２０は、図１０に示す光学記録装置１とは、レーザ光源２１がガウシアン分布型のレーザ光Ｌ１Ｘを照射する点で従来のレーザ光源２と異なり、またＥＦＭ変調回路２２及びドライバ７間にパルス列変換回路２３が設けられていることを除いてほぼ同様の構成からなる。またガラス原盤１３の上面には高ガンマフオトレジスト膜２４が塗布されている。
【００４１】
この場合、ＥＦＭ変調回路２２は、ワイドグルーブ記録形成時には、所定の信号レベルでなるＤＣ信号Ｓ１をそのままドライバ７に供給し、一方、ナロウピツト記録形成時には、ＥＦＭ変調された高周波記録信号Ｓ２のみならずチヤンネルクロツク信号ＣＨＣＫ０もパルス列変換回路２３に供給するようになされている。
【００４２】
すなわち図２に示すように、ワイドグルーブ記録形成時にはＥＦＭ変調回路２２から所定の信号レベルでなるＤＣ信号Ｓ１がドライバ７に入力されると共に、当該ＤＣ信号Ｓ１に同期して、制御信号発生回路１０から44.1〔kHz〕の周波数信号と５〔MHz〕の周波数信号とが重畳されてなる重畳周波数信号Ｓ３がＶＣＯ９に入力される。続いてＶＣＯ９は当該重畳周波数信号Ｓ３に基づいて発振周波数を変化させた高周波信号Ｓ５をドライブ２５に供給する。これによりドライバ２５はＤＣ信号Ｓ１及び高周波信号Ｓ５に基づく電圧信号Ｓ７を音響光学変調偏向器４に供給する。
【００４３】
これに対して、ナロウピツト記録形成時にはＥＦＭ変調回路２２からＥＦＭ変調された高周波記録信号Ｓ２及びチヤンネルクロツク信号ＣＨＣＫ０がパルス列変換回路２３に入力される。
【００４４】
図３に示すように、パルス列変換回路２３において、第１の遅延回路３０はチヤンネルクロツク信号ＣＨＣＫ０の論理「Ｈ」の立上り時点ｔ１から時点ｔ２まで遅延させた後、これを遅延クロツク信号ＣＨＣＫ１としてエツジ抽出及び反転回路３１に供給する（図４（Ａ）及び（Ｃ））。
【００４５】
エツジ抽出及び反転回路３１は、遅延クロツク信号ＣＨＣＫ１の論理「Ｈ」の立上り時点ｔ２から所定時間分抽出した後、これを反転させてクロツクエツジ信号ＣＨＣＫ２として第２の遅延回路３２及びＪＫ型フリツプフロツプ回路３３のセツト入力端に供給する（図４（Ｄ））。
【００４６】
第２の遅延回路３２は、クロツクエツジ信号ＣＨＣＫ２の論理「Ｈ」の立上り時点ｔ２から時点ｔ３まで遅延させた後、これを遅延クロツクエツジ信号ＣＨＣＫ３としてＪＫ型フリツプフロツプ回路３３のリセツト入力端に供給する（図４（Ｅ））。
【００４７】
このＪＫ型フリツプフロツプ回路３３は、クロツクエツジ信号ＣＨＣＫ２の立下り（時点ｔ２）で論理「Ｈ」に立上がると共に、遅延クロツクエツジ信号ＣＨＣＫ３の立上り（時点ｔ３）で論理「Ｌ」に立下がるクロツクパルス信号ＣＨＣＫ４がＱ出力として得られ、これがＮＡＮＤ回路３４の一入力端に与えられる（図４（Ｆ））。
【００４８】
一方、パルス列変換回路２３において、Ｄ型フリツプフロツプ回路３５は、ＥＦＭ変調回路２１からチヤンネルクロツク信号ＣＨＣＫ０をクロツク入力端に受けると共に、高周波記録信号Ｓ２をデータ入力端に受ける（図４（Ａ）及び（Ｂ））。このＤ型フリツプフロツプ回路３５は、チヤンネルクロツク信号ＣＨＣＫ０の立上り時点ｔ１でトリガされ、高周波記録信号Ｓ２をチヤンネルクロツク信号ＣＨＣＫ０に同期させた同期化高周波記録信号Ｓ１０をＮＡＮＤ回路３４の他入力端に与える（図４（Ｇ））。
【００４９】
ＮＡＮＤ回路３４は、同期化高周波記録信号Ｓ１０が論理「Ｈ」に立上つている時点ｔ１から時点ｔ６までの間、クロツクパルス信号ＣＨＣＫ４を通過させた後、反転させ、これをパルス列変換信号Ｓ１１としてドライバ７（図１及び図２）に送出する（図４（Ｈ））。
【００５０】
このようにパルス列変換信号Ｓ１１は、高周波記録信号Ｓ２に基づくピツト形成パルス（すなわち露光時間に相当する高周波記録信号Ｓ２のパルス露光部分）をウインドウ（１Ｔピツトすなわち３Ｔピツトの３分の１又は１１Ｔピツトの１１分の１）毎のパルス列に変換したものであり、所定のパルス幅に設定された同一パルスが周期的に繰り返されてなるパルス列として波形表示される。
【００５１】
例えば図５（Ａ）に示すように、３ＴピツトはＥＦＭ変調された高周波記録信号Ｓ２に基づくパルス幅がＰ３Ｔでなるピツト形成パルスに応じて形成される。このパルス幅Ｐ３Ｔを３分の１にしたパルス幅（以下、これを１ウインドウ幅と呼ぶ）Ｐ１Ｔは、高周波記録信号Ｓ２をパルス列変換信号Ｓ１１に変換したことにより、１パルス幅Ｐ１Ｔ′でなるパルス数が３個のパルス列に変換される（図５（Ｂ））。
【００５２】
このとき１パルス幅Ｐ１Ｔ′を１ウインドウ幅Ｐ１Ｔで規格化した値としてＤｕｔｙ（デユーテイ）比が定義され、当該デユーテイ比は、１ウインドウ幅Ｐ１Ｔとパルス列に変換された後の１パルス幅Ｐ１Ｔ′との比（Ｐ１Ｔ′／Ｐ１Ｔ）で表される。因みに実験によれば、このデユーテイ比を10〔％〕から75〔％〕までの間に設定することにより、３Ｔピツトと１１Ｔピツトとでピツト幅の均一性を保ち得るという結果が得られる。
【００５３】
一方、制御信号発生回路１０からは、パルス列変換信号Ｓ１１に同期して零レベルでなるＤＣ信号Ｓ４がＶＣＯ９に入力される（図１及び図２）。続いてＶＣＯ９は当該ＤＣ信号Ｓ４に基づいて発振周波数を変化しない高周波信号Ｓ６をドライブ７に供給する。これによりドライバ７はパルス列変換信号Ｓ１１及び高周波信号Ｓ６に基づく電圧信号Ｓ１２を音響光学変調偏向器４に供給する。
【００５４】
音響光学変調偏向器４では、圧電振動子４Ｂによつて電圧信号Ｓ７又はＳ１２はそれぞれ超音波信号に変換され、音響光学媒体４Ａ内において当該音響光学媒体４Ａの屈折率を周期的に変化させることにより、当該音響光学媒体４Ａは光に対して超音波回折格子の役割を果たす。なお、ブラツグ回折ではブラツグ角（式（１））でレーザ光Ｌ１Ｘが入射し得るように音響光学変調偏向器４を配置するようにする。
【００５５】
この状態において、超音波波面にブラツグ角で入射したレーザ光Ｌ１Ｘは、当該超音波波面と同じ角度をなす方向にのみ回折され、当該レーザ光Ｌ１Ｘの光強度を当該電圧信号Ｓ７又はＳ１２に応じてオン状態又はオフ状態により断続させて変調する。さらに超音波の周波数を変えることによつて超音波回折格子の格子間隔ｄが変わり、すなわちブラツグ角が変わることにより、この結果レーザ光Ｌ１ＸＡの光偏向の角度を変えることができる。
【００５６】
続いて、電圧信号Ｓ７又はＳ１２に基づき音響光学変調偏向器４によつて強度変調されると共に光偏向の角度が変えられたレーザ光Ｌ１ＸＡは、レーザ光Ｌ１Ｘのビーム水平高さを保ちつつレンズ１１を介してミラーＭ３に反射される。このミラーＭ３によつて反射されたレーザ光Ｌ１ＸＡは、対物レンズ１２を介して集光され、ガラス原盤１３上に塗布されたフオトレジスト膜１４に照射される。
【００５７】
以上の構成において、光学記録装置２０では、ガラス原盤１３上に高ガンマフオトレジスト膜２４を塗布しておき、レーザ光源２１からガウシアン分布型のレーザ光Ｌ１Ｘを照射する。まずワイドグルーブ記録形成時には、高ガンマフオトレジスト膜２４にガラス原盤１３の上面に対してエツジの傾斜が急なワイドグルーブを記録形成することができ、この結果、作製されたＭＤの再生時に隣接するワイドグルーブ間でクロストークが生じるのを回避することができると共に、当該ＭＤから信号特性の良い再生信号を得ることができる。
【００５８】
これに対してナロウピツト記録形成時には、図６（Ａ）〜（Ｆ）に示すように、３Ｔピツト及び１１Ｔピツトは、それぞれＥＦＭ変調された高周波記録信号Ｓ２がパルス列変換信号Ｓ１１に変換されることにより、パルス幅がＰ３Ｔ及びＰ１１Ｔでなるピツト形成パルスがそれぞれウインドウ毎に１パルス幅がＰ１Ｔ′でなる３個及び１１個のパルス列に変換される（図６（Ａ）及び（Ｄ））。この場合、デユーテイ比は10〔％〕から75〔％〕までの間に予め設定されている。
【００５９】
このときピツト長にかかわらず、ウインドウ（１Ｔピツト）毎にそれぞれ１パルス幅Ｐ１Ｔ′で繰り返し露光することにより、高ガンマフオトレジスト膜を用いた場合にピツト長の長短に応じた露光量の相違が増長されることを回避することができる。この結果、３Ｔピツトの露光レベルＥ３Ｔ′と１１Ｔピツトの露光レベルＥ１１Ｔ′は、ほぼ同一の数値を示すこととなる（図６（Ｂ）及び（Ｅ））。従つて、高ガンマフオトレジスト膜を用いた場合でも、３Ｔピツトのピツト幅Ｗ３Ｔ′と１１Ｔピツトのピツト幅Ｗ１１Ｔ′とをほぼ同一のピツト幅（Ｗ３Ｔ′＝Ｗ１１Ｔ′）にすることができる（図６（Ｃ）及び（Ｆ））。
【００６０】
さらに、このようにウインドウ（１Ｔピツト）毎にそれぞれ１パルス幅Ｐ１Ｔ′で繰り返し露光することにより、ビーム径が比較的太いガウシアン分布型のレーザ光を用いた場合であつても、各ピツトのピツト幅をほぼ同一のピツト幅にすることができる。
【００６１】
このようにして３Ｔピツトから１１Ｔピツトまでの複数種類のピツトをそれぞれ高ガンマフオトレジスト膜に形成する場合に、各々のピツト長にかかわらず全てほぼ同一のピツト幅にすることができ、かくしてピツト長の長い方がピツト長の短い方よりもピツト幅が幅広になるのを防止することができる。
【００６２】
因みに、光学記録装置２０において、γ特性値＝６でなる高ガンマフオトレジスト膜を用いて、ワイドグルーブ及びナロウピツトの各トラツクピツチを1.1〔μｍ〕として露光処理する場合、制御信号発生回路１０から与えられる重畳周波数信号Ｓ３における44.1〔kHz〕の周波数信号（ＡＤＩＰ）の振幅量を±20〔nm〕及び５〔MHz〕の周波数信号の振幅量を０〜0.2〔μｍ〕程度としてワイドグルーブを形成すると、グルーブ幅は0.6〜0.8〔μｍ〕程度となり、かつワイドグルーブのエツジの傾斜を格段と急に、すなわち信号記録面（底面）に対するエツジ部分のグルーブ幅の差を0.1〔μｍ〕以下と格段と短くすることができる（図１０（Ｂ））。さらにデユーテイ比を50〔％〕に設定してナロウピツトを形成すると、３Ｔピツトから１１Ｔピツトまでの各ピツト幅はほぼ0.4〔μｍ〕という値が得られ、これにより３Ｔピツトと１１Ｔピツトとで十分にピツト幅の均一性を保つことができる。
【００６３】
また、実際に上述のようなガラス原盤１３を用いて作製した金型（スタンパ）に基づいてＭＯ（光磁気）デイスク（デイスク厚 1.2〔mm〕）を製造した場合において、当該ＭＯデイスクの光磁気膜から得られる再生信号の信号特性を評価する場合について説明する。
【００６４】
この場合、再生光学系（図示せず）では、レーザ光の波長（λ）を685〔nm〕及び対物レンズの開口数（ＮＡ）を0.55として、ビームスポツト径を現行ＭＤの１／√２倍となるように予め設定しておく。またガラス原盤１３の高ガンマフオトレジスト膜２４には、５種類のグルーブ幅でなるワイドグルーブ（以下、これらを第１〜第５グルーブと呼ぶ）がそれぞれトラツクピツチが 1.1〔μｍ〕、ウオーブル量が40〔nm〕及びグルーブ深さがλ／８ｎ（ｎは屈折率、この場合1.5）で形成されている。
【００６５】
これら第１〜第５グルーブは、図７に示すようにＭＯデイスク４０の光磁気膜４１に、第１〜第５グルーブの底面４１Ｂの底面幅Ｗ１と当該第１〜第５グルーブの信号記録面４１Ａにおけるエツジ４１ＡＸ間のエツジ幅Ｗ２とがそれぞれ所定の値となるように形成されたものである。
【００６６】
すなわち図８に示す図表において、第１〜第５グルーブの底面幅Ｗ１は、それぞれ0.58〔μｍ〕、0.62〔μｍ〕、0.67〔μｍ〕、0.74〔μｍ〕及び0.79〔μｍ〕であり、またエツジ幅Ｗ２は、それぞれ0.68〔μｍ〕、0.75〔μｍ〕、0.78〔μｍ〕、0.86〔μｍ〕及び0.91〔μｍ〕である。これにより第１〜第５グルーブのグルーブ幅（Ｗ１＋Ｗ２）／２は、それぞれ0.63〔μｍ〕、0.68〔μｍ〕、0.72〔μｍ〕、0.80〔μｍ〕及び0.85〔μｍ〕となる。
【００６７】
なお第１〜第５グルーブでは、底面幅Ｗ１とエツジ幅Ｗ２との差がそれぞれ0.10〔μｍ〕、0.13〔μｍ〕、0.11〔μｍ〕、0.12〔μｍ〕及び0.12〔μｍ〕となつており、当該差を全て0.15〔μｍ〕以下とすることによつて、隣接するグルーブ間でクロストークが生じるのを回避し得るように、底面幅Ｗ１及びエツジ幅Ｗ２の値が予め設定されている。
【００６８】
これら第１〜第５グルーブについて、Ｃ／Ｎ比（狭帯域信号対雑音比）（１マーク当たりの長さ0.64〔μｍ〕、解像帯域（ＲＢＷ:resolution bandwidth）30〔kHz〕、再生信号の周波数1.7〔MHz〕）を測定すると、それぞれ43.9〔dB〕、44.9〔dB〕、45.7〔dB〕、46.1〔dB〕及び47.0〔dB〕となる。このＣ／Ｎ比（狭帯域信号対雑音比）は、第１〜第５グルーブをそれぞれ長さ0.64〔μｍ〕単位でマークをとり、当該各マークから得られる再生信号（周波数1.7〔MHz〕）を、30〔kHz〕の解像帯域で周波数スペクトラム分析した結果から得られる当該再生信号の周波数レベル（Ｃ値：carrier level）とノイズレベル（Ｎ値：noise level）との比をとつたものである。この場合、実用上十分なＣ／Ｎ比は約44.0〔dB〕以上である。
【００６９】
また第１〜第５グルーブにおいて、ＡＤＩＰ（アドレスのウオーブル情報）の記録エラーが３〔％〕以下の条件でラジアルスキユー（半径方向への傾斜変位量）を測定すると、当該測定結果はそれぞれ2.0〔deg〕、1.9〔deg〕、1.8〔deg〕、1.4〔deg〕及び1.0〔deg〕となる。この場合、再生信号を安定して検出するために、通常、1.0〔deg〕より大きいラジアルスキユーをグルーブにもたせるようになされている。
【００７０】
このように第１〜第５グルーブにおいて、それぞれＣ／Ｎ比とラジアルスキユーとの測定結果を考慮すると、実用上十分なグルーブ幅を有するものは第１〜第４グルーブであると判断し得る。このときの第１〜第４グルーブについて、それぞれトラツクピツチに対するグルーブ幅の割合を算出すると、図９に示す図表のように、57.3（≒0.63／1.1×100）〔％〕、61.8（≒0.68／1.1×100）〔％〕、65.5（≒0.72／1.1×100）〔％〕及び72.7（≒0.80／1.1×100）〔％〕となる。このことからトラツクピツチに対するグルーブ幅の割合は、55.0〔％〕〜75.0〔％〕程度が最適であることがわかる。
【００７１】
なお、底面幅Ｗ１とエツジ幅Ｗ２とが同じ値である場合、仮にグルーブ幅が上述した第１〜第５グルーブよりも狭い値0.58〔μｍ〕であつても、ラジアルスキユーが1.0〔deg〕となることが実験上確認されている。これにより底面幅Ｗ１をエツジ幅Ｗ２よりも短くする必要がある。従つて、上述の実験結果も考慮すれば、底面幅Ｗ１をエツジ幅Ｗ２よりも短くすると共に、当該底面幅Ｗ１とエツジ幅Ｗ２との差を0.15〔μｍ〕以下となるように設定すれば良い。
【００７２】
以上の構成によれば、ガラス原盤１３上に高ガンマフオトレジスト膜２４を塗布した状態でガウシアン分布型のレーザ光Ｌ１Ｘを露光照射することにより、エツジの傾斜が急なワイドグルーブを形成し得るようになされた光学記録装置２０において、３Ｔピツトから１１Ｔピツトまでの複数種類のナロウピツトを形成する場合に、各ピツトに対応するピツト形成パルスのパルス幅を、それぞれウインドウ（１Ｔピツト）毎に１パルス幅が短い所定数のパルス列に変換するようにしたことにより、各々のピツト長にかかわらずピツト幅の均一性を保つことができ、かくして作製されたＭＤから信号特性が良好な再生信号を得ることができる。
【００７３】
なお上述の実施例においては、レーザ光源２１としてヘリウム・カドミウム（He-Cd）レーザを用いた場合について述べたが、本発明はこれに限らず、アルゴン（Ar＋）レーザ及びクリプトン（Kr＋）レーザ等のガスレーザや半導体レーザ等を用いても良い。要は、ガウシアン分布型のレーザ光Ｌ１Ｘを発射するレーザ光源であれば、種々のものを広く適用し得る。
【００７４】
また上述の実施例においては、ガウシアン分布型のレーザ光Ｌ１Ｘをレーザ光源２１から発射するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、レーザ光源２１からガラス原盤１３上の高ガンマフオトレジスト膜２４までの間にフイルタ（図示せず）等を配置しておき、これを通過することによつてレーザ光をガウシアン分布型に変換するようにしても良い。
【００７５】
また上述の実施例においては、ピツトを形成する光学記録媒体としてＭＤに本発明を適用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えばウオーブルピツト又はプリグルーブを有する記録可能な光デイスク（ＤＶＤ：Digital Versatile Disc）等に適用しても良い。
【００７６】
この場合、ドライバ７を介して音響光学変調偏向器４に入力する信号をＥＦＭ変調（８→14変調：Eight to Fourteen Modulation）された高周波記録信号Ｓ２ではなく、ＥＦＭプラス変調（８→16変調：Eight to Sixteen Modulation）された高周波記録信号（図示せず）に設定する必要がある。さらに本発明は光デイスクに限らず、他の光学素子、例えば光カード等に適用しても良い。
【００７７】
さらに上述の実施例においては、ＭＤ等の光磁気デイスクのスタンパを作製する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えばフオトマスクを作製する場合に適用するようにしても良く、本発明を用いることによつて開口部の長さにかかわらずその幅がほぼ一定となるような高性能のフオトマスクパターンを形成することができる。
【００７８】
さらに上述の実施例においては、ガラス原盤１３上に塗布されたγ特性値が４より大きい有機材料として、高ガンマフオトレジスト膜２４を適用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えばγ特性値が４より大きい有機色素系を用いて、当該有機色素系に本発明によるパルス露光を行つて所望の凹凸パターンを形成するようにしても良い。
【００７９】
さらに上述の実施例においては、光変調器として音響光学変調偏向器（ＡＯＭ／ＡＯＤ）４を用いた場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば電気光学変調偏向器（ＥＯＭ：Electro Optic Modulator／ＥＯＤ：Electro Optic Deflector）等の他の光変調器を用いるようにしても良い。
【００８０】
さらに上述の実施例においては、ガラス原盤１３をモータ（図示せず）の出力軸の回転駆動に伴つてＣＬＶで回転させる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、ガラス原盤１３をＣＡＶで回転させるようにしても本発明を適用し得る。
【００８１】
さらに上述の実施例においては、パルス列変換回路２２は図３に示すような回路構成でなる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、ＥＦＭ変調された高周波記録信号Ｓ２を所定のクロツクチヤンネルＣＨＣＫ０に同期させて、所定のパルス幅に設定され、同一周期に繰り返されるパルス列に変換し得るようにすれば種々の回路構成のものを適用し得る。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明による光学記録装置の構成を示すブロツク図である。
【図２】本発明による音響光学変調偏向器の構成を示す略線図である。
【図３】本発明によるパルス列変換回路の構成を示すブロツク図である。
【図４】図３に示すパルス列変換回路の動作の説明に供する信号波形図である。
【図５】デユーテイ比の説明に供する信号波形図である。
【図６】３Ｔピツト及び１１Ｔピツトの露光状態の説明に供する略線図である。
【図７】ワイドグルーブの断面形状を示す略線図である。
【図８】第１〜第５グルーブの評価測定の説明に供する図表である。
【図９】第１〜第５グルーブにおけるトラツクピツチに対するグルーブ幅の割合を示す図表である。
【図１０】従来の光学記録装置の構成を示すブロツク図である。
【図１１】従来の音響光学変調偏向器の構成を示す略線図である。
【図１２】ガラス原盤上に形成されたナロウピツト及びワイドグルーブを示す略線図である。
【図１３】ワイドグルーブの断面形状を示す略線図である。
【符号の説明】
【００８３】
１、２０……光学記録装置、２、２１……レーザ光源、３……移動光学テーブル、４……音響光学変調偏向器、７……ドライバ、８、２２……ＥＦＭ変調回路、９……ＶＣＯ、１０……制御信号発生回路、１２……対物レンズ、１３……ガラス原盤、１４……フオトレジスト膜、２３……パルス列変換回路、２４……高ガンマフオトレジスト膜、３０……第１の遅延回路、３１……エツジ抽出及び反転回路、３２……第２の遅延回路、３３……ＪＫ型フリツプフロツプ回路、３４……ＮＡＮＤ回路、３５……Ｄ型フリツプフロツプ回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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