(57)【要約】【課題】高性能な磁気特性を有する光沢かつ均一なめっき膜を形成する事。高性能な磁気特性を有するめっき膜を磁極部に採用する事で、高記録周波数帯域でも使用可能な薄膜磁気ヘッドを提供する事。【解決手段】めっき浴を低ｐＨ１．５〜２．３の条件下でめっきする事。ｐＨ制御の高精度化を行う事。またこのめっき条件下でＣｒ、Ｍｏ等の高抵抗金属を添加した磁性膜を形成する事。更に本発明によるめっき膜に磁場中熱処理を行う事により、磁気特性を向上する事。これらの手段により、磁気特性としてヒステリシス損失と渦電流損失を低減し、高飽和磁束密度を有する光沢かつ均一なめっき膜を形成する事ができる。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部磁極の磁気コアの少なくとも一部が、Ｆｅ−Ｎｉ系合金めっき膜であり、その膜組成がＦｅ８４〜９２ｗｔ％である事を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
ギャップ近傍における上部磁極の磁極端と下部磁極の磁極端の少なくとも一部が、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金めっき膜であり、その膜組成がＦｅ８４〜９２ｗｔ％、Ｃｏ１〜８ｗｔ％である事を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
下部磁極の磁気コアの少なくとも一部が、非磁性金属Ｃｒ又はＰｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｉｒの少なくとも一つを添加したＦｅ−Ｎｉ或いはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金めっき膜であり、その膜組成が磁性金属Ｆｅ８４〜９２ｗｔ％、Ｃｏ１〜８ｗｔ％、非磁性金属０．５〜１．５ｗｔ％である事を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
めっき下地膜を含む上部磁極の磁気コアと、上部磁極の磁極端と、下部磁極の磁極端と、下部磁極の磁気コアの少なくとも一部に、請求項１乃至３のいずれかに記載した合金膜と同一の膜組成のめっき下地層を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
上部磁極の磁極端と、下部磁極の磁極端と、下部磁極の磁気コアの少なくとも一部に、請求項１で記載した合金膜を使用する事を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
上部磁極の磁気コアと下部磁極の磁気コアの少なくとも一部に、請求項２で記載した合金膜を使用する事を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
上部磁極の磁気コアと、上部磁極の磁極端と、下部磁極の磁極端の少なくとも一部に、請求項３で記載した合金膜を使用する事を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
Ｆｅ−Ｎｉ系合金膜（Ｆｅ８４〜９２ｗｔ％）、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金膜（Ｆｅ８４〜９２ｗｔ％、Ｃｏ１〜８ｗｔ％）、非磁性金属Ｃｒ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｉｒの少なくとも一つを添加したＦｅ−Ｎｉ系又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金膜（Ｆｅ８４〜９２ｗｔ％、Ｃｏ１〜８ｗｔ％、非磁性金属０．５〜１．５ｗｔ％）の少なくとも１つの膜を、浴ｐＨ１．５〜２．３のめっき浴を用いて行うめっき工程を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
Ｆｅ組成が８４〜９２ｗｔ％である上部磁極の磁気コア、下部磁極の磁気コア、上部磁極の磁極端、下部磁極の磁極端のすくなくとも一部を、浴ｐＨ１．５〜２．３のめっき浴を用いて行うめっき工程を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、大容量貯槽（２００〜３００Ｌ）を使用し、めっき電解等による浴ｐＨ変動に対し、ｐＨ調整液による自動調整をし、浴ｐＨ±０．２０の範囲で管理することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
請求項８又は９に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記めっき浴中におけるＦｅイオン濃度とＮｉイオン濃度の比がＦｅイオン／Ｎｉイオン≧０．４であることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、めっき後工程で磁場中熱処理を行う事を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜４のいずれか１項記載の薄膜磁気ヘッドを搭載する事を特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスク装置搭載の、デ−タ記録・再生に用いられる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法と、
この薄膜磁気ヘッドを使用する磁気ディスク装置に関する。
更に詳細には、薄膜磁気ヘッドの記録特性を高める磁極部形成技術として、材料及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気ディスク装置として、デ−タ通信速度の高速化と高記録密度化が要求されている。
【０００３】
これに伴い高保磁力特性を有する記録媒体が使用され、薄膜磁気ヘッドとしては、高速通信化に対応して記録周波数の高周波数化を図り、磁極部においてヒステリシス損失を低減する必要から困難軸方向の保磁力（以下Ｈｃとする）或いは異方性磁界（以下Ｈｋとする）が低い特性を有する材料を使用することが望まれている。更に渦電流損失を低減する必要から比抵抗（以下ρとする）が高い材料を使用することが望まれている。また尚且つ飽和磁束密度（以下Ｂｓとする）の高い材料を使用する事により、高保磁力媒体への記録特性の向上を図り、高記録密度化を実現してきた。
【０００４】
従来磁極部として、コア部には低Ｈｃ（１．０〜１．５Ｏｅ）かつ高ρ（４０〜５０μΩｃｍ）を有する５２〜５８ｗｔ％ＦｅＮｉ系合金めっき（Ｈｋ５〜１０Ｏｅ、Ｂｓ１．６５〜１．７５Ｔ）を使用し、ギャップ近傍には高Ｂｓ（２．０〜２．４Ｔ）を有するＣｏＮｉＦｅ系合金めっき（Ｈｃ１０〜２５Ｏｅ、Ｈｋ１５〜２５Ｏｅ、ρ１５〜２０μΩｃｍ）を使用してきた。高Ｂｓ材料の報告としては特許文献１のＣｏＮｉＦｅ系或いは特許文献２のＮｉＦｅ系合金めっきにおいてＢｓ２．０Ｔ以上とあり、薄膜磁気ヘッドメ−カ各社の発表及び製品からも既知である。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−２１７０２９号公報
【特許文献２】
特開２００２−２０８５１４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
磁気ディスク装置の更なる高速化と高記録密度化に対し、薄膜磁気ヘッドの磁極部としては、高記録周波数帯域におけるヒステリシス損失と渦電流損失をより一層低減し、尚且つ高Ｂｓ特性を有する材料を採用しなければならない。
【０００７】
またヒステリシス損失と渦電流損失により、薄膜磁気ヘッドの記録動作即ち記録磁界発生時において、磁極部が発熱してしまう。この発熱により磁極部が熱膨張して記録媒体方向へ突出更には衝突といったサ−マルプロトリュ−ジョン問題を持っている。この問題は薄膜磁気ヘッドの低浮上量化を妨げる要因であり、磁気ディスク装置の高速化及び高記録密度化を妨げる致命的な課題となっている。
【０００８】
従来の技術では上記のデ−タから分かる様に、５２〜５８ｗｔ％ＦｅＮｉ系合金めっき材料は低Ｈｃ、高ρだがＨｋが大きくＢｓが小さいといった難点があり、ＣｏＮｉＦｅ系合金めっき材料は高ＢｓだがＨｃとＨｋが大きくρが小さいといった難点がある。ＦｅＮｉ系合金に関しては、Ｆｅ組成５２〜５８ｗｔ％領域でρ４０〜５０μΩｃｍのピ−クを持ち、更にＦｅリッチ領域（Ｆｅが６０ｗｔ％以上の範囲）でρは低下するがＢｓは増加するといった利点がある。しかしＦｅ≧６０ｗｔ％においてはめっき面荒れによる白濁及び黒濁が発生し製品として機能しない問題がある。
【０００９】
一方ＣｏＮｉＦｅ系合金に関しては、Ｂｓ≧１．８Ｔを有する組成領域の多くは結晶構造がｂｃｃ構造となる為、ｂｃｃ構造によるＨｃ低減は不可能である。これまで組成変調によるｆｃｃ構造を開発してきたが、上記ＦｅＮｉ系合金と同様、面荒れ現象が発生してしまい開発断念するばかりである。  かかる困難を克服した薄膜磁気ヘッド及びその製造方法は、これまで提供されていなかった。
【００１０】
本発明の目的は、かかる困難を鑑みて、高性能な薄膜磁気ヘッドとその製造方法を提供する事に有る。
【００１１】
更には該薄膜磁気ヘッドを搭載した高性能な磁気ディスク装置を提供する事に有る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する為の手段として本発明では、低ｐＨ  １．５〜２．３浴にてめっきする事により実現した。この条件下で得られためっき膜は、ＦｅＮｉ系合金ではＦｅ≧６０ｗｔ％領域で光沢かつ均一性が可能となり、ＣｏＮｉＦｅ系合金ではｂｃｃ構造のＮｉ含有量を抑え、ｆｃｃ構造のＦｅ、Ｃｏ含有量を増加した組成領域で光沢かつ均一性が可能となる。この光沢かつ均一性を以って初めて、磁気特性が適正となる膜組成を選択して、高性能な薄膜磁気ヘッドが実現できた。更に本発明で得られためっき膜を磁場中にて熱処理を行うと再結晶化等の効果により、磁気特性が向上する事も実現した。また記録媒体との整合性から、磁気特性として高ρ重視で磁極部を形成したい場合、これまで製品化不可能であったＣｒ又はＭｏ等の非磁性金属を添加した磁性めっき膜を採用する事も本発明により実現できた。
【００１３】
本発明による低ｐＨめっきの場合、ｐＨ微小変動による組成・磁気特性劣化及び膜厚均一性の劣化が製品量産化には致命的であり、変動要因であるめっき電解反応及び大気中酸素混入、バッファ−作用となる貯槽容量等を十分考慮しなければならない。本発明では常時ｐＨ測定と調整液による自動調整方法を行い、また貯槽容量を従来１２０Ｌから大容量化２００〜３００Ｌして尚且つ窒素（Ｎ２）攪拌パ−ジを行う事で、ｐＨ制御の高精度化を実現した。
【００１４】
一方、これも記録媒体との整合性から、本発明による磁性膜をギャップ近傍のみに部分的に薄膜≦０．３μｍを形成する事で、記録磁界を増加し更に漏洩磁界を低減した薄膜磁気ヘッドを提供する事ができる。その製造方法は、ギャップ下部に対してはライトトラック幅と比較して寸法精度が緩和できる事、ギャップ上部に対しては磁極端めっき下地膜として形成可能な事から、特性及び膜厚均一形成が容易なスパッタリング法を用いることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態に係る薄膜磁気ヘッド及びその製造方法について、以下説明する。
ここで、基板は５インチ径セラミック基板を使用し、めっき導通下地膜としてスパッタリング法により積層膜Ａｕ／Ｃｒ＝１２／７ｎｍを形成した。めっき浴温３０±１℃、浴組成はＦｅ２＋２．０〜１０ｇ／ｌ  ，Ｎｉ２＋５〜１５ｇ／ｌ、サッカリンナトリウム１．５±０．５ｇ／ｌ、ほう酸２５±５ｇ／ｌ、塩化ナトリウム２５±５ｇ／ｌ、貯槽でのめっき浴容量２５０Ｌ（Ｎ２攪拌パ−ジ有り）を使用した。
【００１６】
ここで、めっき浴中におけるＦｅイオン濃度とＮｉイオン濃度の比がＦｅイオン／Ｎｉイオン≧０．４であることが望ましい。
めっき電源は定電流電源を使用し、パソコンを用いて時間と電流値を設定することで、１秒及び１ｍＡ単位で印加電流シ−ケンスを自由に設定できるようにした。膜厚・膜組成測定は蛍光Ｘ線分析装置を使用、磁気特性Ｈｃ，Ｈｋ，Ｂｓ測定は薄膜用Ｂ−Ｈトレ−サを使用、比抵抗ρ測定は薄膜用抵抗測定装置を使用した。
【００１７】
第１の実施の形態を以下に説明する。
【００１８】
まずＦｅＮｉ合金に対し面内均一に光沢めっきを得る為の必要条件として、ｐＨ依存性を図１に示す。図１より、従来使用しているめっき浴としてｐＨ３．５での光沢領域がＦｅ≦６０ｗｔ％であるのに対し、ｐＨ≦２．２ではＦｅ＝１００ｗｔ％に達する事が分った。本結果は、浴温、浴濃度、電流密度により多少光沢領域が変化するものの、ｐＨ３．０以上のめっき条件ではＦｅ≧７０ｗｔ％において、光沢膜が得られないことが分った。低ｐＨ化が最も有効な手段といえる。
【００１９】
続いて磁気特性の膜組成（Ｆｅ含有量）依存性を図２〜図５に示す。各図に示す様に、めっき後とその膜の磁場中熱処理後の磁気特性を測定した。磁場中熱処理条件は、真空中２５０℃，３ｈｒであり、薄膜磁気ヘッドにおける磁極端形成後のコイル絶縁膜形成時の条件を用いた。即ち本発明を下部磁極又は磁極端に採用した場合、プロセス上必然的に掛かる熱処理での最大温度である。またこの場合、低ｐＨ程析出速度が遅くなる為、本発明の量産化を考え、析出速度を出来るだけ早くかつ白濁無い条件としてｐＨ１．９０±０．０２を設定した。組成変調は従来組成５４ｗｔ％ＦｅＮｉ膜から９５ｗｔ％ＦｅＮｉ膜までＦｅを添加していく方法を行った。
【００２０】
図２に示す保磁力ＨｃはＦｅ８０ｗｔ％近傍で７（Ｏｅ）のピ−クをもつが、熱処理を行うと１．２（Ｏｅ）まで低下し、しかもそのピ−クは非常に小さい傾向となる。但しＦｅ＞９２ｗｔ％では熱処理してもＨｃ低減効果が少なく、またＨｃが１．５（Ｏｅ）を超える範囲となることが事が分った。よって保磁力Ｈｃの観点からは、Ｆｅ≦９２ｗｔ％の範囲であることが必要であることがわかる。
【００２１】
図３に示す異方性磁界ＨｋはＦｅ増加と共に低下し熱処理後も同一傾向である事が分った。しかし、Ｆｅ＜８４ｗｔ％の範囲では、Ｈｋが１．５（Ｏｅ）を超えることになる。よって、異方性磁界Ｈｋの観点からは、Ｆｅ≧８４ｗｔ％の範囲であることが必要であることがわかる。
【００２２】
図４  に示す飽和磁束密度ＢｓはＦｅ増加と共に増加し、Ｆｅ≧７５ｗｔ％ではＦｅ含有量に依存しない事が分った。また熱処理後も同一傾向である事が分った。
【００２３】
図５に示す比抵抗ρはＦｅ増加と共に減少し、Ｆｅ≧６５ｗｔ％では３０〜３５μΩｃｍでＦｅ含有量に依存しない事が分った。
【００２４】
以上の検討より、薄膜磁気ヘッドの磁極部として高記録周波数帯域におけるヒステリシス損失と渦電流損失をより一層低減すべく低Ｈｃ≦１．５Ｏｅ、低Ｈｋ≦１．５Ｏｅ、高Ｂｓ≧２．０Ｔ、ρ≧３０μΩｃｍ  のいずれの条件をも満たすＦｅの組成範囲は８４〜９２ｗｔ％が最適と考えられる。また、この組成領域Ｆｅ＝８４〜９２ｗｔ％なるＦｅＮｉ合金に対し、面内均一に光沢めっきを得る為のめっき浴ｐＨ必要条件は、図１よりｐＨ≦２．３である。しかしｐＨ≦１．４では、磁極形成用レジストフレ−ムに形状異常が発生したり、めっき下地膜（ＦｅＮｉ或いはＦｅＮｉＣｏ）がエッチングするといった問題が有る為、１．５≦ｐＨ≦２．３が適正といえる。以上より、図１に示すような領域範囲が、めっきｐＨとＦｅ組成の観点からみた本実施の形態の範囲となる。
【００２５】
薄膜磁気ヘッドの構成を図９に示す。上部磁気シ−ルド１４、ＧＭＲセンサ−部１５、下部磁気シ−ルド１６を有する再生部と、上部磁極の磁気コア１０、上部磁極の磁極端１１、下部磁極の磁極端１２、下部磁極の磁気コア１３とコイル２０を有する記録部を有する。薄膜磁気ヘッドの上部磁極の磁気コア部１０に本実施の形態のめっき法により形成される８８ｗｔ％ＦｅＮｉを採用した。磁気コアの周波数特性を図６に示す。この測定は、スライダ−加工前のウエハ状態で薄膜磁気ヘッドのコイルに電流を流し、その電流周波数を変化させた時の磁気コアに生じる磁気特性Ｌ（μＨ）を測定したものである。評価指標としているＬ＝０．００６μＨにおいて、従来５４ｗｔ％ＦｅＮｉがｆ＝５００〜６００ＭＨｚに対し本発明の８８ｗｔ％ＦｅＮｉはｆ＝７００〜８００  ＭＨｚと上昇し、更に熱処理を行うとｆ＝９００〜１０００  ＭＨｚも向上する事が分かった。即ち高周波数に対し記録磁界が減少しないという事である。更に熱処理を行うと一層記録磁界の減少が抑えられるという事が分かった。また、本実施の形態では、８８ｗｔ％ＦｅＮｉを上部磁極の磁気コア１０に適用したが、磁気コア１０の全体である場合のみならず、一部の層領域に適用した場合でもよい。
【００２６】
続いてこの薄膜磁気ヘッドをスライダ−加工し、記録媒体への記録動作を行い、記録能力を表すオ−バライト（以下Ｏ／Ｗと示す）測定を行った。記録周波数に対するＯ／Ｗを図８に示す。従来５４ｗｔ％ＦｅＮｉ磁気コアの薄膜磁気ヘッドに対する同様のＯ／Ｗを図７に示す。記録周波数ｆ＝５０〜５００ＭＨｚにおいて測定した。従来磁気コアでは周波数上昇に伴いＯ／Ｗが２０〜２５ｄＢから１０〜１５ｄＢまで減少してしまう。即ち記録能力が低下する。しかし、本実施の形態の８８ｗｔ％ＦｅＮｉ磁気コアでは周波数上昇においてもＯ／Ｗが減少することなく２０〜３０ｄＢの範囲を維持することができ、即ち記録磁界を低下せずに発生する事が可能となった。またこの薄膜磁気ヘッドのサ−マルプロトリュ−ジョンを測定したところ、浮上面方向への突出量が従来薄膜磁気ヘッドの１９ｎｍに対し１５ｎｍと、４ｎｍ低減する事が実現できた。これは低Ｈｃ、低Ｈｋ（Ｈｃ≦１．５Ｏｅ、Ｈｋ≦１．５Ｏｅ）によりヒステリシス損失及び渦電流損失を低減し磁気コア部の発熱を低減した効果と考えられる。
【００２７】
第２の実施例として、上記８８ｗｔ％ＦｅＮｉ膜に対しＣｏ３ｗｔ％添加した８８Ｆｅ９Ｎｉ３Ｃｏなるめっき膜を形成した。熱処理後の磁気特性は５４ｗｔ％ＦｅＮｉ  と比較してＨｃ１．１Ｏｅ（−０．３Ｏｅ）、Ｈｋ１．４Ｏｅ（−３．２Ｏｅ）と低減出来、更にはＢｓ１．７Ｔから２．３Ｔ（＋０．６Ｔ）と８８ｗｔ％ＦｅＮｉよりも高Ｂｓ化する事が出来た。Ｃｏの組成範囲は、低Ｈｃ≦１．５Ｏｅ、低Ｈｋ≦１．５Ｏｅ、高Ｂｓ≧２．０Ｔ、ρ≧３０μΩｃｍ  のいずれの条件をも満たす範囲で検討したところ、Ｃｏ１〜８ｗｔ％の範囲で実現できることがわかった。本実施の形態では、この８８Ｆｅ９Ｎｉ３Ｃｏ膜を上部磁極の磁極端部１１に採用し、磁極端においてめっき下地膜（図示せず）として同等組成をスパッタリング法で形成した。上記同様Ｏ／Ｗ測定を行った結果、周波数依存性は８８ｗｔ％ＦｅＮｉ膜と同様低下せず、更にＯ／Ｗノミナル値が平均２７ｄＢから３１ｄＢ（＋４ｄＢ）と上昇する効果が得られた。高Ｂｓ化の効果と考えられる。また、本実施の形態の８８ｗｔ％Ｆｅ９ｗｔ％Ｎｉ３ｗｔ％Ｃｏ膜は、上部磁極の磁極端部１１の全体に適用する場合のみならず、一部の層部分に適用する構造としても本発明の範囲内である。また、８８Ｆｅ９Ｎｉ３Ｃｏ膜を下部磁極の磁極端部１２の全体または一部に適用することもできる。
【００２８】
第３の実施例として、上記８８ｗｔ％ＦｅＮｉ膜に対し非磁性金属であるＣｒを１ｗｔ％添加し、８８Ｆｅ１１Ｎｉ１Ｃｒなるめっき膜を形成した。添加方法はめっき浴に塩化クロムを溶解して加えた。この膜も光沢かつ均一性を有し、熱処理後の磁気特性は５４ｗｔ％ＦｅＮｉ  と比較してＨｃ１．３Ｏｅ（−０．１Ｏｅ）、Ｈｋ１．５Ｏｅ（−３．１Ｏｅ）と低減、Ｂｓ２．１Ｔ（＋０．４Ｔ）と増加する事が出来た。この磁気特性は実施例１及び実施例２の膜よりは効果が小さいものの、それらの膜と比較してρが３５μΩｃｍから４０μΩｃｍ  （＋５μΩｃｍ）と高ρ化する事が出来た。更にこの８８Ｆｅ１１Ｎｉ１Ｃｒ膜を下部磁極の磁気コア部１３に採用し、上記同様Ｏ／Ｗ測定を行った。周波数依存性は８８ｗｔ％ＦｅＮｉ膜と同様低下せず、Ｏ／Ｗノミナル値も２７．３ｄＢと同レベルの効果が得られた。８８Ｆｅ１１Ｎｉ１Ｃｒ膜を上部磁極の磁気コア１０に採用した場合も同様な効果をえることができた。本実施の形態では、Ｃｒ  １ｗｔ％を８８ｗｔ％ＦｅＮｉに添加する組成としたが、Ｃｒ  １ｗｔ％を８８ｗｔ％ＦｅＮｉ３ｗｔ％Ｃｏに添加する組成としてもよい。また、Ｃｒの添加量は０．５〜１．５ｗｔ％の範囲で、同様な磁気特性を得ることが出来る。さらに、本実施の形態では、Ｃｒの変わりにＰｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｉｒの少なくとも一つを添加したＦｅ−Ｎｉ系合金めっき膜、或いはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金めっき膜によっても低Ｈｃ（Ｈｃ≦１．５Ｏｅ）、低Ｈｋ（Ｈｋ≦１．５Ｏｅ）で、高Ｂｓ≧２．０Ｔ、ρ≧３０μΩｃｍを満たす磁気特性となることがわかった。
【００２９】
第４、第５、第６の実施例として、異なる磁気ディスク装置仕様、即ち異なる記録媒体に対する薄膜磁気ヘッドの整合性から、第１の実施例で記載した８８ＦｅＮｉ膜を上部磁極の磁極端１１、下部磁極の磁極端１２、下部磁極の磁気コア部１３のすくなくとも一部に採用し（第４の実施の形態）、第２の実施例で記載した８８Ｆｅ９Ｎｉ３Ｃｏ膜を上部磁極の磁気コア１０や下部磁極の磁気コア１３の少なくとも一部に採用し（第５の実施の形態）、また第３の実施例で記載した８８Ｆｅ１１Ｎｉ１Ｃｒ膜を上部磁極の磁極端部１１及び下部磁極の磁極端部１２に採用した（第６の実施の形態）。その結果、各々の記録媒体に対し、Ｏ／Ｗ低下はなく高周波数帯域でも十分使用可能な事が確認できた。
【００３０】
第７の実施例として、図１０に本発明を採用した垂直記録型薄膜磁気ヘッドを示す。垂直記録型薄膜磁気ヘッドの記録部は、上部ヨーク１７、主磁極１８、副磁極１９、コイル２０を有する。本実施の形態では、上部ヨーク１７に８８ｗｔ％ＦｅＮｉ膜を、副磁極１９にＣｒ１ｗｔ％添加した８８Ｆｅ１１Ｎｉ１Ｃｒ膜を採用した。その結果、従来の垂直記録型薄膜磁気ヘッドと比較して、Ｏ／Ｗ低下はなく高周波数帯域でも十分使用可能な事が確認できた。また、それぞれの組成範囲については、第１〜第３の実施の形態で説明した範囲とすることができる。
【００３１】
本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置を図１１に示す。この磁気ディスク装置構成は、情報を記録する磁気ディスク１０５と、磁気ディスクを回転させるモ−タ−１０６と、磁気ディスクに情報を記録又は再生する薄膜磁気ヘッド１０７と、薄膜磁気ヘッドを磁気ディスクの目標位置に決めるアクチュエ−タ１０８と、ボイスコイルモ−タ１０９とを備える。また記録又は再生時において、薄膜磁気ヘッドと磁気ディスクとの間隔をサブミクロンスペ−スで安定浮上させる為のサスペンション１１０を固定し、アクチュエ−タとボイスコイルモ−タにより駆動されるガイドア−ム１１１を備えている。更に図示していないが、磁気ディスク回転制御系、ヘッド位置決め制御系、記録／再生信号処理系とからなる。
【００３２】
【発明の効果】
本発明は、薄膜磁気ヘッドの記録特性を著しく向上させ、その製造プロセスも従来技術と同等である為、高性能かつ高品質な磁気ディスク装置を安価に提供出来る様になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＦｅＮｉ合金めっきにおける光沢領域のめっき浴ｐＨ依存性の図である。
【図２】本発明によるＦｅＮｉ合金めっきにおける保磁力ＨｃのＦｅ組成依存性の図である。
【図３】本発明によるＦｅＮｉ合金めっきにおける異方性磁界ＨｋのＦｅ組成依存性の図である。
【図４】本発明によるＦｅＮｉ合金めっきにおける飽和磁束密度ＢｓのＦｅ組成依存性の図である。
【図５】本発明によるＦｅＮｉ合金めっきにおける比抵抗ρのＦｅ組成依存性の図である。
【図６】本発明による８８ＦｅＮｉ上部磁気コアにおけるＬ特性の記録周波数依存性の図である。
【図７】従来薄膜磁気ヘッドおけるＯ／Ｗ特性の記録周波数依存性の図である。
【図８】本発明による薄膜磁気ヘッドおけるＯ／Ｗ特性の記録周波数依存性の図である。
【図９】本発明による面内記録型薄膜磁気ヘッド断面の図である。
【図１０】本発明による垂直記録型薄膜磁気ヘッド断面の図である。
【図１１】本発明による薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置の図である。
【符号の説明】
１０・・・上部磁極の磁気コア、１１・・・上部磁極の磁極端、１２・・・下部磁極の磁極端、１３・・・下部磁極の磁気コア
１４・・・上部磁気シ−ルド、１５・・・ＧＭＲセンサ−部、１６・・・下部磁気シ−ルド、１７・・・上部ヨーク、１８・・・主磁極、
１９・・・副磁極、２０・・・コイル
１０５・・・磁気ディスク、１０６・・・モ−タ−、１０７・・・薄膜磁気ヘッド、１０８・・・アクチュエ−タ
１０９・・・ボイスコイルモ−タ、１１０・・・サスペンション、１１１・・・ガイドア−ム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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