(57)【要約】【課題】大板組立方式の電気光学装置の製造方法において、一対のマザー基板を精度良く貼り合わせることのできる電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】素子基板が複数個構成された第１のマザー基板と該第１のマザー基板に対向配置される第２のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に仮止め材を１箇所形成する工程、及び上記素子基板の周縁部を囲むように配置されるシール材を形成する工程と、上記第１のマザー基板と、上記第２のマザー基板とを、上記シール材及び上記１箇所の仮止め材を介して貼り合わせ、対向配置させる工程と、上記第１のマザー基板と上記第２のマザー基板とを上記１箇所の仮止め材によって仮止めする工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図１
2005208347.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板が複数個構成された第１のマザー基板と該第１のマザー基板に対向配置される第２のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に仮止め材を１箇所形成する工程、及び上記素子基板の周縁部を囲むように配置されるシール材を形成する工程と、
上記第１のマザー基板と、上記第２のマザー基板とを、上記シール材及び上記１箇所の仮止め材を介して貼り合わせ、対向配置させる工程と、
上記第１のマザー基板と上記第２のマザー基板とを上記１箇所の仮止め材によって仮止めする工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
素子基板が複数個構成された第１のマザー基板と該第１のマザー基板に対向配置される第２のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に仮止め材を１箇所形成する工程、及び上記素子基板の周縁部を切り欠きを有して囲むように配置されるシール材を形成する工程と、
上記第１のマザー基板と、上記第２のマザー基板とを、上記シール材及び上記１箇所の仮止め材を介して貼り合わせ、対向配置させる工程と、
上記第１のマザー基板と上記第２のマザー基板とにアライメントを施して上記１箇所の仮止め材を硬化させる工程と、
上記切り欠きを有するシール材を硬化させる工程と、
上記複数個の素子基板を上記第２のマザー基板とともにそれぞれ切断する工程と、
上記素子基板と該素子基板に対向する切断された上記第２のマザー基板との間に上記シール材の切り欠きから電気光学物質を注入する工程と、
上記切り欠きに封止材を注入して硬化する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
素子基板が複数個構成された第１のマザー基板と上記第１のマザー基板に対向配置される第２のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に仮止め材を１箇所形成する工程、及び上記素子基板の周縁部を囲むように配置されるシール材を形成する工程と、
上記第１のマザー基板、または上記第２のマザー基板に真空下において電気光学物質を滴下する工程と、
上記第１のマザー基板と、上記第２のマザー基板とを、真空下において上記シール材及び上記１箇所の仮止め材を介して貼り合わせ、対向配置させる工程と、
上記第１のマザー基板と上記第２のマザー基板とにアライメントを施して上記１箇所の仮止め材を硬化させる工程と、
上記シール材を硬化させる工程と、
上記複数個の素子基板を上記第２のマザー基板とともにそれぞれ切断する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
上記仮止め材は、上記第１のマザー基板または上記第２のマザー基板から、上記素子基板若しくは該素子基板に対向する部位を切断されない位置に形成されることを特徴とする請求項１，２または３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
上記仮止め材は、上記第１のマザー基板、または上記第２のマザー基板の重心位置を含む重心位置の近傍の、上記第１のマザー基板と上記第２のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に形成されることを特徴とする請求項１，２，３または４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
上記仮止め材は、上記第１のマザー基板、または上記第２のマザー基板が丸形状の基板である場合は、上記第１のマザー基板と上記第２のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板の中心を含む領域に、上記両マザー基板が角形状の基板である場合は、上記第１のマザー基板と上記第２のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板の対角線の交点を含む領域に形成されることを特徴とする請求項１，２，３または４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
上記仮止め材は、主成分が紫外線硬化型樹脂により構成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
上記仮止め材は、円状に形成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
上記仮止め材は、十字状に形成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
上記仮止め材は、上記第１のマザー基板、または上記第２のマザー基板を切断するための切断線を除く４つのＬ字からなる十字路状に形成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
上記仮止め材は、環状に形成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
上記仮止め材は、点に形成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、詳しくは、素子基板が複数個構成された第１のマザー基板と、該第１のマザー基板に対向配置される第２のマザー基板とを仮止め材を介して仮止めする工程を有する電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に電気光学装置、例えば、電気光学物質に液晶を用いて所定の表示を行う液晶装置は、一対の基板間に液晶が挟持された構成となっている。このうち、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）駆動、ＴＦＤ（Thin Film Diode）駆動等によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置においては、縦横に夫々配列された多数のゲート電極となるゲート線である走査線及びソース線であるデータ線の各交点に対応して、画素電極及び薄膜トランジスタであるスイッチング素子をアクティブマトリクス基板上に設けて構成される。
【０００３】
スイッチング素子を構成するＴＦＴ素子は、ゲート線に供給されるオン信号によってオンとなり、ソース線を介して供給される画像信号をソース・ドレイン路が形成されたソース・ドレイン領域を介して透明電極（ＩＴＯ）である画素電極に書込む。
【０００４】
これにより、画素電極と画素電極に対向する電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。こうして、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。
【０００５】
また、画素電極を配置した、例えばＴＦＴ基板等の素子基板と、このＴＦＴ基板に相対して配置され、対向電極等の構成要素を配置した基板（以下、対向基板と称す）とは、別々に製造され、その後、パネル組立工程において高精度に貼り合わされた後、液晶が封入され液晶表示装置が製造されるようになっている。
【０００６】
尚、このパネル組立工程に、例えば多数のＴＦＴ基板を構成した石英等の一方のマザーガラス基板と、多数の対向基板となる対向電極等の構成要素が全面に構成された他方のマザーガラス基板とを高精度に貼り合わせた後、上記ＴＦＴ基板毎にそれぞれ切断し、液晶が封入されて液晶表示装置が複数個同時に製造できる大板組立方式が知られており、例えば特許文献１に開示されている。
【０００７】
特許文献１に開示された大板組立方式は、先ず、１個または複数個のＴＦＴ基板を構成した一方のマザーガラス基板と、対向電極等の構成要素が全面に構成された他方のマザーガラス基板との、液晶層と接する面上に、液晶分子を基板面に沿って配向させるための配向膜を形成する。この配向膜は、例えばポリイミドを約数十ナノメータの厚さで印刷することにより形成される。その後、焼成を行い、さらに、電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理を施す。
【０００８】
次いで、１個または複数個のＴＦＴ基板を構成した一方のマザーガラス基板と他方のマザーガラス基板とを対向させ、１個または複数個のＴＦＴ基板上の周縁に切り欠きを有する接着剤となる主成分が熱硬化型樹脂により構成されたシール材を描画する。また、一方のマザーガラス基板、または他方のマザーガラス基板の４隅に、主成分が紫外線硬化型樹脂により構成された仮止め材を４箇所形成する。
【０００９】
このシール材及び４箇所の仮止め材を用いて一方のマザーガラス基板と他方のマザーガラス基板とを貼り合わせる。その後、この状態でアライメント誤差が５μ以内となるようアライメントを施しながら対向基板を４００ｋｇｆの荷重で加圧しながら、４つの仮止め材に紫外線を照射して硬化させる。
【００１０】
次いで、仮止めされた一方のマザーガラス基板と他方のマザーガラス基板とを焼成炉へと搬送し、熱硬化型樹脂により形成されたシール材を硬化させる。さらに、シール材の一部に設けられた切り欠きを介して液晶を封入し、封止材により切り欠きを封止した後、ＴＦＴ基板毎に切断することにより液晶表示装置が複数個形成される。
【００１１】
このように、大板組立方式を用いることにより、一度に多数の液晶表示装置を製造できるため、液晶表示装置の製造に、高い生産性を得ることができる。
【特許文献１】特開２００２−２５０９１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、特許文献１に開示された大板組立方式では、一対のマザー基板は、４隅の仮止め材によって仮止めされているため、一対のマザー基板が薄い場合に、加圧開放後、焼成炉に搬送される際、上記マザー基板が撓んでしまい、シール材の強度が低下してしまう、またはアライメントにズレが生じてしまうといった問題がある。
【００１３】
また、一対のマザー基板が厚い場合には、上記マザー基板が一定の方向に微少な反りを有していると、一方のマザー基板に他方のマザー基板をシール材及び仮止め材を介して加圧した後、４隅の仮止め材によって仮止めされると、一対のマザー基板に、上記反り方向に力が働く。
【００１４】
よって、この状態においてシール材を硬化させてしまうと、切断後、上記反り方向の力による基板のひずみが残留したまま液晶表示装置が製造されてしまう可能性が有り、液晶表示装置のシール材の強度の低下、信頼性の低下、または液晶表示装置のセルギャップの経時的変化をもたらす原因となる。
【００１５】
本発明は、これらの問題点に鑑みてなされたものであり、大板組立方式の電気光学装置の製造方法において、一対のマザー基板を精度良く貼り合わせることのできる電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造方法は、素子基板が複数個構成された第１のマザー基板と該第１のマザー基板に対向配置される第２のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に仮止め材を１箇所形成する工程、及び上記素子基板の周縁部を囲むように配置されるシール材を形成する工程と、上記第１のマザー基板と、上記第２のマザー基板とを、上記シール材及び上記１箇所の仮止め材を介して貼り合わせ、対向配置させる工程と、上記第１のマザー基板と上記第２のマザー基板とを上記１箇所の仮止め材によって仮止めする工程と、を有することを特徴とする。
【００１７】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、第１のマザー基板と第２のマザー基板とを仮止めする際、少なくとも一方のマザー基板上の１箇所の仮止め材によって仮止めすることにより、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等にかかわらず、仮止め材の形成量を少なくして第１のマザー基板と第２のマザー基板とを高精度かつ低コストにより貼り合わせることができるという効果を有する。
【００１８】
また、上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造方法は、素子基板が複数個構成された第１のマザー基板と該第１のマザー基板に対向配置される第２のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に仮止め材を１箇所形成する工程、及び上記素子基板の周縁部を切り欠きを有して囲むように配置されるシール材を形成する工程と、上記第１のマザー基板と、上記第２のマザー基板とを、上記シール材及び上記１箇所の仮止め材を介して貼り合わせ、対向配置させる工程と、上記第１のマザー基板と上記第２のマザー基板とにアライメントを施して上記１箇所の仮止め材を硬化させる工程と、上記切り欠きを有するシール材を硬化させる工程と、上記複数個の素子基板を上記第２のマザー基板とともにそれぞれ切断する工程と、上記素子基板と該素子基板に対向する切断された上記第２のマザー基板との間に上記シール材の切り欠きから電気光学物質を注入する工程と、上記切り欠きに封止材を注入して硬化する工程と、を有することを特徴とする。
【００１９】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、第１のマザー基板と第２のマザー基板とを仮止めする際、少なくとも一方のマザー基板上の１箇所の仮止め材によって仮止めすることにより、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等にかかわらず、仮止め材の形成量を少なくして切断後の電気光学装置のセルギャップを、各基板の影響なく高精度に保つことができ、また低コストにより電気光学装置を製造することができるという効果を有する。
【００２０】
さらに、上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造方法は、素子基板が複数個構成された第１のマザー基板と上記第１のマザー基板に対向配置される第２のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に仮止め材を１箇所形成する工程、及び上記素子基板の周縁部を囲むように配置されるシール材を形成する工程と、上記第１のマザー基板、または上記第２のマザー基板に真空下において電気光学物質を滴下する工程と、上記第１のマザー基板と、上記第２のマザー基板とを、真空下において上記シール材及び上記１箇所の仮止め材を介して貼り合わせ、対向配置させる工程と、上記第１のマザー基板と上記第２のマザー基板とにアライメントを施して上記１箇所の仮止め材を硬化させる工程と、上記シール材を硬化させる工程と、上記複数個の素子基板を上記第２のマザー基板とともにそれぞれ切断する工程と、を有することを特徴とする。
【００２１】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、液晶滴下方式を用いて電気光学装置を製造する場合であっても、第１のマザー基板と第２のマザー基板とを仮止めする際、少なくとも一方のマザー基板上の１箇所の仮止め材によって仮止めすることにより、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等にかかわらず、仮止め材の形成量を少なくして切断後の電気光学装置のセルギャップを、基板形状の影響なく高精度に保つことができ、また低コストにより電気光学装置を製造することができるという効果を有する。
【００２２】
また、上記仮止め材は、上記第１のマザー基板または上記第２のマザー基板から、上記素子基板若しくは該素子基板に対向する部位を切断されない位置に形成されることを特徴とする。さらに、上記仮止め材は、上記第１のマザー基板、または上記第２のマザー基板の重心位置を含む重心位置の近傍の、上記第１のマザー基板と上記第２のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に形成されることを特徴とする。
【００２３】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、第１のマザー基板と第２のマザー基板とを仮止めする１箇所の仮止め材を、第１のマザー基板または第２のマザー基板の重心位置を含む重心位置近傍の、上記第１のマザー基板と上記第２のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に形成することにより、１箇所の仮止め材は、貼り合わせ後の各マザー基板の撓みまたは反り等による各基板のひずみを最小にすることから、切断後の電気光学装置のセルギャップを、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等の影響なく高精度に保つことができるという効果を有する。
【００２４】
また、上記仮止め材は、上記第１のマザー基板、または上記第２のマザー基板が丸形状の基板である場合は、上記第１のマザー基板と上記第２のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板の中心を含む領域に、上記両マザー基板が角形状の基板である場合は、上記第１のマザー基板と上記第２のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板の対角線の交点を含む領域に形成されることを特徴とする。
【００２５】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、第１のマザー基板と第２のマザー基板とを仮止めする１箇所の仮止め材を、上記第１のマザー基板、または上記第２のマザー基板が丸形状の基板である場合は、上記第１のマザー基板と上記第２のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板の中心を含む領域に、上記両マザー基板が角形状の基板である場合は、上記第１のマザー基板と上記第２のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板の対角線の交点を含む領域に形成することにより、１箇所の仮止め材は、貼り合わせ後の各マザー基板の撓みまたは反り等による各基板のひずみを最小にすることから、切断後の電気光学装置のセルギャップを、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等の影響なく高精度に保つことができるという効果を有する。
【００２６】
また、上記仮止め材は、主成分が紫外線硬化型樹脂により構成されていることを特徴とする。
【００２７】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、紫外線を１箇所の仮止め材に照射するだけにより、仮止め材は硬化するため、短時間により、仮止め材を硬化させることができるという効果を有する。
【００２８】
さらに、上記仮止め材は、円状に形成されることを特徴とする。
【００２９】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、仮止め材は、円状に形成されることにより、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等による各基板のひずみを最小にすることから、切断後の電気光学装置のセルギャップを、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等の影響なく高精度に保つことができるという効果を有する。
【００３０】
また、上記仮止め材は、十字状に形成されることを特徴とする。
【００３１】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、仮止め材は、十字状に形成されることにより、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または反り等による各基板のひずみを最小にすることから、切断後の電気光学装置のセルギャップを、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等の影響なく高精度に保つことができるという効果を有する。
【００３２】
さらに、上記仮止め材は、上記第１のマザー基板、または上記第２のマザー基板を切断するための切断線を除く４つのＬ字からなる十字路状に形成されることを特徴とする。
【００３３】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、仮止め材は、第１のマザー基板、または第２のマザー基板を切断するための切断線を除く４つのＬ字からなる十字路状に形成されることにより、切断の際の妨げにならず、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等による各基板のひずみを最小にすることから、容易にマザー基板を切断でき、また、切断後の電気光学装置のセルギャップを、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等の影響なく高精度に保つことができるという効果を有する。
【００３４】
また、上記仮止め材は、環状に形成されることを特徴とする。
【００３５】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、仮止め材は、環状に形成されることにより、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等による各基板のひずみを最小にすることから、切断後の電気光学装置のセルギャップを、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等の影響なく高精度に保つことができるという効果を有する。
【００３６】
さらに、上記仮止め材は、点に形成されることを特徴とする。
【００３７】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、仮止め材は、点に形成されることにより、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等による各基板のひずみを仮止め材の形成量を少なくして最小にすることから、切断後の電気光学装置のセルギャップを、低コストにより貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等の影響なく高精度に保つことができるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。尚、本実施の形態は、電気光学装置は、素子基板であるＴＦＴを用いた液晶表示装置を例に挙げて説明する。よって、液晶表示装置に用いる一対の基板の内、一方の基板は、ＴＦＴ基板となり、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する基板（以下、対向基板と称す）となる。さらに、電気光学物質は、液晶となる。
【００３９】
図１は、本発明の一実施の形態を示す液晶表示装置の製造方法を示すフローチャート、図２は、液晶表示装置のＴＦＴ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図、図３は、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶表示装置を、図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切断した断面図、図４は、図２の液晶表示装置の製造工程のおける分断前の複数個のＴＦＴ基板が構成されたマザー基板の平面図、図５は、図４のマザー基板の他の例を示した平面図、図６は、複数個のＴＦＴ基板が構成された図４のマザー基板に、全面に対向電極等の構成要素が形成されたマザー基板をシール材及び仮止め材を介して貼り合わせたものの部分分解斜視図、図７は、図６のマザー基板同士を貼り合わせた後ＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断した断面図、図８〜図１１は、図４のマザー基板に形成された仮止め材の他の形状を示した平面図である。
【００４０】
先ず、図２、図３を参照して、本実施の形態の液晶表示装置の製造方法によって、製造される液晶表示装置の構成について説明する。  
同図に示すように、液晶表示装置１００は、ＴＦＴ基板１０とそれに対向して設けられる対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。ＴＦＴ基板１０上に画素を構成する画素電極９ａ等がマトリクス状に配置される。
【００４１】
対向基板２０に表示領域を区画する額縁としての遮光膜（ＢＭ）４２が設けられている。遮光膜４２は、例えば遮光性材料によって形成される。
【００４２】
遮光膜４２の外側の領域に、液晶を封入するシール材４１がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に形成されている。シール材４１は、対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを相互に固着する。
【００４３】
シール材４１は、ＴＦＴ基板１０の１辺の一部において欠落しており、貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の相互の間隙に、液晶５０を注入するための切り欠きである液晶注入口７８が形成されている。液晶注入口７８より液晶５０が注入された後、液晶注入口７８は、封止材７９により封止される。
【００４４】
ＴＦＴ基板１０のシール材４１の外側の領域に、データ線駆動回路６１及び実装端子６２がＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する２辺に沿って、走査線駆動回路６３が設けられている。
【００４５】
ＴＦＴ基板１０の残る一辺に、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路６３間を接続する複数の配線６４が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間を電気的に導通させる導通材６５が設けられている。
【００４６】
次に、このように構成される液晶表示装置１００の製造方法について、図１，図４〜図１１を用いて説明する。  
図１に示すように、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０（いずれも図２参照）とは、前述したように別々に製造される。先ず、ＴＦＴ基板１０を複数個構成する第１のマザー基板３００の製造方法を説明する。
【００４７】
ステップＳ１において、先ず、第１のマザー基板であるマザー基板３００に、図４に示すように、既知の成膜工程により画素電極９ａ等の構成要素が形成されたＴＦＴ基板１０を、マザー基板３００の計算より求めた重心位置を含む重心位置の近傍と重ならない位置に複数個構成して、ステップＳ２に移行する。尚、マザー基板３００は、図４に示すように、四角状を有しており、例えば石英から構成されている。ステップＳ２では、マザー基板３００の一方の面（以下、内面と称す）の全面に配向膜を約数十ナノメータの厚さで形成してステップＳ３に移行する。
【００４８】
ステップＳ３では、ステップＳ２において形成された配向膜に、液晶表示装置１００の電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理を施してステップＳ４に移行し、さらにステップＳ４では、上記ラビング処理によって生じた塵埃を除去するための洗浄を行ってステップＳ５に移行する。
【００４９】
ステップＳ５では、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０を貼り合わせるための接着剤の役割をする、例えば主成分が熱硬化型樹脂により構成されたシール材４１を、図４に示すように、マザー基板３００の内面の配向膜上であって、ＴＦＴ基板１０の周縁部を、後述する液晶注入用の液晶注入口７８を有して囲むように、例えば９μｍ〜１５μｍの高さで描画する。尚、この際、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０を電気的に導通させる導通材６５（図２参照）も塗布する、その後、ステップＳ６に移行する。
【００５０】
ステップＳ６では、マザー基板３００の内面の配向膜上に仮止め材７７を１箇所形成する。仮止め材７７は、マザー基板３００の重心位置を含む重心位置の近傍に、図４に示すように円形に描画または印刷することにより形成する。尚、上記重心位置を含む重心位置の近傍は、上述したように、計算より求めた、後述するマザー基板３００からＴＦＴ基板１０を切断する際に、マザー基板３００から切断されない位置、即ちマザー基板３００上のＴＦＴ基板１０が構成されていない位置となっている。
【００５１】
このように、仮止め材７７は、重心位置を含む重心位置の近傍に円状に形成されることにより、後述するマザー基板３００とマザー基板４００とを貼り合わせた際の各マザー基板３００，４００の撓み、または各マザー基板３００，４００の反り等によるひずみを最小限にする。よって、後述する切断後の電気光学装置１００のセル厚であるセルギャップを、一定に保つことができる。
【００５２】
また、仮止め材７７は、複数個のＴＦＴ基板１０が構成されたマザー基板３００及び複数個の対向基板２０となる第２のマザー基板であるマザー基板４００（図６参照）を貼り合わせるための接着剤の役割をするものであり、例えば主成分が紫外線硬化型樹脂により構成されている。
【００５３】
尚、仮止め材７７は、円形に限らず、図８に示すように十字状、図９に示すように環状に形成しても良い。よって、仮止め材７７は、重心位置を含む重心位置の近傍に十字状または環状に形成されることにより、貼り合わせ後の各マザー基板３００，４００の撓み、または各マザー基板３００，４００の反り等によるひずみを最小限にする。よって、切断後の電気光学装置１００のセルギャップを、一定に保つことができる。
【００５４】
また、仮止め材７７は、図１０に示すように点に形成しても良い。よって、仮止め材７７は、重心位置を含む重心位置の近傍に、例えば径が１ｍｍ以上の点に形成されることにより、貼り合わせ後の各マザー基板３００，４００の撓み、または各マザー基板３００，４００の反り等によるひずみを仮止め材７７の形成量を少なくして最小限にする。よって、切断後の電気光学装置１００のセルギャップを、一定に保つことができる。
【００５５】
さらに、仮止め材７７は、図１１に示すようにマザー基板３００からＴＦＴ基板１０を切断する際の切断線３００ａを除く４つのＬ字からなる十字路状に形成されていても良い。よって、仮止め材７７は、重心位置を含む重心位置の近傍にＴＦＴ基板１０を切断するための切断線３００ａを除く４つのＬ字からなる十字路状に形成されることにより、切断の際の妨げにならず、貼り合わせ後の各マザー基板３００，４００の撓みまたは各マザー基板３００，４００の反り等によるひずみを最小限にする。よって、容易にマザー基板３００からＴＦＴ基板１０を切断でき、また、切断後の電気光学装置のセルギャップを、一定に保つことができる
図１に戻って、仮止め材７７を形成後、図４に示すように、マザー基板３００とマザー基板４００とを貼り合わせる際の位置合わせのためのアライメントマーク３００ｂを形成する。その後、ステップ１１に移行する。
【００５６】
次に、対向基板２０となる第２のマザー基板４００の製造方法を説明する。  
先ず、ステップＳ７において、第２のマザー基板であるマザー基板４００に、既知の成膜工程により対向電極４００ａ（いずれも図６参照）等の構成要素を一方の面（以下、内面と称す）の全面、または第１のマザー基板３００と第２のマザー基板４００とを貼り合わせた際、第１のマザー基板３００に複数個構成されたＴＦＴ基板１０に対向する位置に複数形成して、ステップＳ８に移行する。尚、マザー基板４００は、図４に示すマザー基板３００と同一形状を有しており、例えば石英から構成されている。
【００５７】
ステップＳ８では、マザー基板４００の内面の全面に、配向膜を約数十ナノメータの厚さで形成してステップＳ９に移行し、ステップＳ９では、ステップＳ８で形成された配向膜に、液晶表示装置１００の電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理を施してステップＳ１０に移行し、さらにステップＳ１０では、上記ラビング処理によって生じた塵埃を除去するための洗浄を行ってステップＳ１１に移行する。
【００５８】
尚、上述した、マザー基板３００及びマザー基板４００は、図４に示すように、角状であるとしたが、マザー基板３００とマザー基板４００とが同一の形状であれば、図５に示めすように、各マザー基板３００，４００は、例えば位置決め用の切り欠きであるオリエンテーションフラット３００ｃが形成された略円形状であってもよい。
【００５９】
ステップＳ１１では、上述したように形成されたマザー基板３００及びマザー基板４００を、図６に示すように、仮止め材７７を介して貼り合わせる。その際、仮止め材７７は、マザー基板３００の重心位置を含む重心位置近傍に１箇所形成されているため、仮に、各マザー基板３００，４００が薄かったとしても、１箇所の仮止め材７７は、貼り合わせ後の各マザー基板３００，４００の撓みを最小限にすることができる。
【００６０】
また、仮に各マザー基板３００，４００が厚かったとしても、各マザー基板３００，４００の反りによるひずみを最小限にする。よって、後述する切断後の電気光学装置のセル厚（セルギャップ）を、マザー基板の撓みまたは反り等の影響なく高精度に保つことができる。その後、ステップＳ１２に移行する。
【００６１】
ステップＳ１２では、マザー基板３００に貼り合わせたマザー基板４００の内面を、アライメントマーク３００ｂを用いてアライメントを保ちながら（例えばアライメント誤差１μ以内）、例えば加圧ヘッドにより圧着する。
【００６２】
このとき、マザー基板４００を、マザー基板３００に形成された未硬化の仮止め材７７を押しつぶすように押圧し、図７に示すように、同じくマザー基板３００に描画されたシール材４１の高さ位置まで貼り合わせる。このように貼り合わせれば、液晶表示装置１００のセルギャップは、シール材４１の高さによって規定することができるため、上記セル厚を高精度に設定することができる。その後、ステップＳ１３に移行する。
【００６３】
ステップＳ１３では、例えば２０００ｍＪ，１０〜３０ｍｗ／ｃｍ２の条件によって、仮止め材７７に紫外線を、３〜７ｓｅｃ間一括照射する。このことにより、紫外線硬化型樹脂により構成された仮止め材７７は硬化し、マザー基板３００とマザー基板４００とは仮止めされる。よって、仮止め材７７に紫外線硬化型樹脂を用いることにより、短時間により、仮止め材７７を硬化させることができる。その後、ステップＳ１４に移行する。
【００６４】
ステップＳ１４では、仮止め材７７によって仮止めされて貼り合わされたマザー基板３００とマザー基板４００とを、加圧解放後、焼成炉に搬送して、ステップＳ１５に移行する。この際、上記各マザー基板３００，４００が薄い場合であって、複数個の仮止め材７７を用いている場合に、搬送の途中において、上記各マザー基板３００，４００が撓んでしまい、シール材４１の強度が低下してしまう、またはアライメントにズレが生じてしまう等の問題がある。
【００６５】
しかしながら、本実施の形態においては、各マザー基板３００，４００の重心位置を含む重心近傍に１箇所形成された仮止め材７７により各マザー基板３００，４００は仮止めされているため、また、貼り合わせ後のマザー基板の反りの中心は、該マザー基板の重心位置を含む重心位置近傍に位置することが既知であることから、１箇所の仮止め材７７は、貼り合わせ後の各マザー基板３００，４００の撓みを最小限にすることより、アライメントずれなく上記各マザー基板３００，４００を搬送することができる。
【００６６】
ステップＳ１５では、焼成炉を用いて、例えば温度１００°の雰囲気下において３〜７時間熱焼成を行い、シール材４１を硬化する。その後、ステップＳ１６に移行する。
【００６７】
ステップＳ１６では、貼り合わされたマザー基板３００と、マザー基板４００とから、ＴＦＴ基板１０毎にＴＦＴ基板１０とそれに対向するマザー基板４００とを切断する。このことから、マザー基板４００は、ＴＦＴ基板１０に対向する対向基板２０となる。その後、ステップＳ１７に移行する。
【００６８】
この際、上記各マザー基板３００，４００が厚い場合であって、複数個の仮止め材を用いている場合に、切断後、上記各マザー基板３００，４００の反り方向の力が残留したまま電気光学装置が製造されてしまう可能性が有り、電気光学装置のシール材４１の強度の低下、信頼性の低下、または電気光学装置のセルギャップの経時的変化をもたらす原因となっていた。
【００６９】
しかしながら、本実施の形態においては、各マザー基板３００，４００の重心位置を含む重心近傍に１箇所形成された仮止め材７７により各マザー基板３００，４００は仮止めされているため、また、貼り合わせ後の各マザー基板３００，４００の反りの中心は、該マザー基板３００，４００の重心位置を含む重心位置近傍に位置することが既知であることから、１箇所の仮止め材７７は、各マザー基板３００，４００の反りによる応力ひずみを最小限にすることより、電気光学装置のシール材４１の強度の低下、信頼性の低下、または電気光学装置のセルギャップの経時的変化なく上記各マザー基板３００，４００を切断することができる。
【００７０】
ステップＳ１７では、ＴＦＴ基板１０と対向基板との間に配置されたシール材４１の液晶注入口（図６参照）から液晶を注入してステップＳ１８に移行し、該ステップＳ１８では、液晶注入口を封止材７９（図２参照）を用いて封止して、ステップＳ１９に移行し、最後にステップＳ１９では、封止材７９を硬化させて液晶表示装置１００の製造は完了する。
【００７１】
このように、本発明の一実施の形態における液晶表示装置の製造方法においては、複数個のＴＦＴ基板１０が構成されたマザー基板３００と対向基板２０となるマザー基板４００とを仮止め材７７を介して貼り合わせる際、仮止め材７７をマザー基板３００の重心位置を含む重心位置の近傍に１箇所形成した。
【００７２】
このことにより、マザー基板３００と第２のマザー基板とを仮止めする際、仮止め材７７は、各マザー基板３００，４００が、薄いまたは厚いことにより発生する、撓み若しくは反り等にかかわらず、切断後の電気光学装置のセルギャップを、各マザー基板３００，４００の影響なく高精度に保つことができ、また仮止め材７７は、１箇所でよいことから低コストにより電気光学装置１００を製造することができる。
【００７３】
尚、本実施の形態においては、液晶をシール材４１の液晶注入口より注入して電気光学装置１００を製造すると示したが、これに限らず、最初にＴＦＴ基板または対向基板に液晶を滴下した後、ＴＦＴ基板と対向基板を貼り合わせる、所謂液晶滴下方式を用いた電気光学装置の製造方法に適用しても、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００７４】
詳しくは、図１２を用いて説明する。図１２は、液晶滴下方式による液晶表示装置の製造方法を示すフローチャートである。  
先ず、ＴＦＴ基板１０を構成するマザー基板３００の製造方法を説明する。ステップＳ１〜ステップＳ６までは、シール材４１に切り欠きを有さないよう形成すること以外は、図１において上述した製造方法と同一である。
【００７５】
ステップＳ６において、仮止め材７７を形成後、ステップＳ２０に移行し、該ステップＳ２０では、マザー基板３００を真空雰囲気下に移動させてステップＳ１１に移行する。
【００７６】
次に、対向基板２０となるマザー基板４００の製造方法を説明する。  
ステップＳ７〜ステップＳ１０は、図１で上述した製造方法と同一である。ステップＳ１０において、上記ラビング処理によって生じた塵埃を除去するための洗浄を行った後、ステップＳ２３に移行する。
【００７７】
ステップＳ２３では、マザー基板４００を真空雰囲気下に移動させてステップＳ２４に移行し、ステップＳ２４では、既知の液晶滴下方式により、規定量の液晶５０を、配向膜の上面に滴下してステップＳ２５に移行する。ここで、真空下において、液晶を滴下するのは、液晶滴下中に気泡が紛れ込むのを防止するためである。
【００７８】
ステップＳ２５では、真空下において、上述したように形成されたマザー基板３００及びマザー基板４００を、仮止め材７７を介して貼り合わせる。その際、仮止め材７７は、マザー基板３００の重心位置を含む重心位置近傍に１箇所形成されているため、１箇所の仮止め材７７は、貼り合わせ後の各マザー基板３００，４００の撓みまたは反り等によるひずみを最小限にする。
【００７９】
よって、後述する切断後の電気光学装置のセルギャップを、各マザー基板３００，４００の影響なく高精度に保つことができる。その後、ステップＳ１２に移行する。尚、以下ステップＳ１２〜ステップＳ１６は、図１において上述した製造方法と同一である。
【００８０】
液晶滴下方式では、ステップＳ１６において、貼り合わされたマザー基板３００と、マザー基板４００とから、ＴＦＴ基板１０毎にＴＦＴ基板１０とそれに対向するマザー基板４００とを切断することにより、マザー基板４００は、ＴＦＴ基板１０に対向する対向基板２０となり、液晶表示装置の製造は完了する。
【００８１】
このように、液晶滴下方式を用いた電気光学装置の製造方法に適用しても、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００８２】
また、本実施の形態においては、シール材４１及び仮止め材７７は、マザー基板３００に形成されると示したが、これに限らず、マザー基板４００に形成してもよいことは勿論である。さらに、マザー基板３００、マザー基板４００の両方に仮止め材７７を形成して、仮止め材７７同士を貼り合わせるようにしてもよい。
【００８３】
さらに、仮止め材７７には、主成分が紫外線硬化型樹脂から構成されるものを用いたが、これに限らず、硬化時間を無視すれば、主成分が熱硬化型樹脂、及び紫外線／熱併用型樹脂から構成されるものを用いても本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００８４】
さらに、仮止め材７７を硬化させるため、２０００ｍＪ，１０〜３０ｍｗ／ｃｍ２の条件によって、仮止め材７７に紫外線を、３〜７ｓｅｃ間一括照射すると示したが、この照射条件に限定されないことは勿論である。
【００８５】
また、本シール材４１を硬化させるため、焼成炉を用いて、温度１００°の雰囲気下において３〜７時間熱焼成を行い、シール材４１を硬化させると示したが、この焼成条件に限定されないことは云うまでもない。
【００８６】
さらに、仮止め材７７は、マザー基板３００とマザー基板４００の少なくとも一方の、マザー基板上の重心位置を含む重心位置の近傍に形成されると示したが、これに限らず、仮止め材７７は、マザー基板３００、またはマザー基板４００が丸形状の基板である場合は、マザー基板３００とマザー基板４００の少なくとも一方のマザー基板の中心を含む領域に、上記両マザー基板が角形状の基板である場合は、マザー基板３００とマザー基板４００の少なくとも一方のマザー基板の対角線の交点を含む領域に形成してもよい。
【００８７】
このように仮止め材７７を形成しても、マザー基板３００とマザー基板４００とを貼り合わせた際の各マザー基板３００，４００の撓み、または各マザー基板３００，４００の反り等による応力ひずみを最小限にする。よって、後述する切断後の電気光学装置１００のセル厚であるセルギャップを、一定に保つことができる。さらに、本実施の形態における電気光学装置の製造方法によって製造される電気光学装置は、液晶表示装置を、また電気光学物質は液晶を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Field Emission Display）装置、ＳＥＤ(Surface-Conduction Electron-Emitter Display)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【００８８】
また、本実施の形態における電気光学装置の製造方法によって製造される本発明の電気光学装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶表示装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明の一実施の形態を示す液晶表示装置の製造方法を示すフローチャート。
【図２】液晶表示装置を対向基板側から見た平面図。
【図３】図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切断した断面図。
【図４】図２の液晶表示装置の製造工程のおける分断前の複数個のＴＦＴ基板が構成されたマザー基板の平面図。
【図５】図４のマザー基板の他の例を示した平面図。
【図６】図４の一方のマザー基板に、他方のマザー基板をシール材及び仮止め材を介して貼り合わせたものの部分分解斜視図。
【図７】図６のマザー基板同士を貼り合わせた後ＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断した断面図。
【図８】図４のマザー基板に形成された仮止め材を十字形状に形成する例を示した平面図。
【図９】図４のマザー基板に形成された仮止め材を環形状に形成する例を示した平面図。
【図１０】図４のマザー基板に形成された仮止め材を点形状に形成する例を示した平面図。
【図１１】図４のマザー基板に形成された仮止め材を各マザー基板を切断するための切断線を除く４つのＬ字からなる十字路形状に形成する例を示した平面図。
【図１２】液晶滴下方式による液晶表示装置の製造方法を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００９０】
１０…ＴＦＴ基板、４１…シール材、５０…液晶、７７…仮止め材、７８…液晶注入口、７９…封止材、１００…液晶表示装置、３００…一方のマザー基板、３００ａ…切断線、４００…他方のマザー基板。
【図１】
2005208347.tif 000003
【図２】
2005208347.tif 000004
【図３】
2005208347.tif 000005
【図４】
2005208347.tif 000006
【図５】
2005208347.tif 000007
【図６】
2005208347.tif 000008
【図７】
2005208347.tif 000009
【図８】
2005208347.tif 000010
【図９】
2005208347.tif 000011
【図１０】
2005208347.tif 000012
【図１１】
2005208347.tif 000013
【図１２】
2005208347.tif 000014