(57)【要約】【課題】  接触子が電子部品側の外部接続部に対して安定した状態で接触できるようにした接続装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  図５はスパイラル接触子２０の中心に設けられた接触領域２３を示している。電子部品の外部接触部Ｃが前記接触領域２３に接すると、接触領域２３に突出形成された複数の凸接点２３Ｂが前記外部接触部Ｃに点接触するため、この間の接点圧を高めることができる。よって、前記接触領域２３が前記外部接触部Ｃに接触するときに生じやすい滑りの発生を防止することができるため、前記接触領域２３と前記外部接触部Ｃとの間の接触を安定させることが可能となる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の接触子が設けられたシートを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置において、
前記接触子はメッキ層を膜厚方向に積層することにより形成されており、前記外部接続部に対向する前記接触子の接触領域には前記メッキ層を部分的に厚く成長させることにより形成された凸接点が設けられていることを特徴とする接続装置。
【請求項２】
前記接触領域は、接触領域としての幅寸法が部分的に広い幅広部と部分的に狭い狭幅部とを有しており、前記凸接点は前記狭幅部に形成されている請求項１記載の接続装置。
【請求項３】
前記接触領域内に複数の前記凸接点を有している請求項１または２記載の接続装置。
【請求項４】
前記接触領域が、王冠状に形成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の接続装置。
【請求項５】
前記接触子は基部から中心方向に延びる巻き終端が渦巻き状に形成されたスパイラル接触子であり、前記凸接点が前記巻き終端の先端に設けられている請求項１ないし４のいずれかに記載の接続装置。
【請求項６】
前記スパイラル接触子が、平面形状または前記基部から前記巻き終端に向かうにしたがって高さが増す立体形状で形成されている請求項１ないし５のいずれかに記載の接続装置。
【請求項７】
前記接触子の膜厚寸法は、１０μｍ〜２０μｍの範囲内で形成される請求項１ないし６のいずれかに記載の接続装置。
【請求項８】
前記凸接点の高さ方向の寸法が、２０μｍ〜４０μｍの範囲内で形成される請求項１ないし７のいずれかに記載の接続装置。
【請求項９】
複数の接触子が設けられたシートを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置の製造方法において、
（ａ）  基板上にレジスト層を所定膜厚で形成する工程と、
（ｂ）  前記レジスト層に露光現像により、前記接触子およびその一部である接触領域の形状パターンを形成する工程と、
（ｃ）  一定の電流密度下においてメッキを施し、前記形状パターン内にメッキ層を所定の膜厚寸法となるまで成長させて前記接触子および前記接触領域を同時に形成する工程と、
（ｄ）  前記所定の膜厚寸法で形成された前記接触領域の表面から上方に向けて突出する凸接点をメッキ形成する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）の工程後に前記基板およびレジスト層を除去する工程と、
を有することを特徴とする接続装置の製造方法。
【請求項１０】
前記（ｂ）工程で、前記接触領域を形成する形状パターンの一部を部分的に広くした幅広部を５μｍ〜２０μｍの幅寸法で形成し、且つ他の一部を部分的に狭くした狭幅部を３μｍ〜５μｍの幅寸法で形成する請求項９記載の接続装置の製造方法。
【請求項１１】
前記（ｄ）工程で、前記一定の電流密度よりも大きな電流密度で形成する請求項９または１０記載の接続装置の製造方法。
【請求項１２】
前記（ｃ）工程と（ｄ）工程とを連続して行う請求項９ないし１１のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＩＣ（集積回路）等が装着されるＩＣソケットである接続装置及びその製造方法に係わり、特に、接触子が外部接続部に対して安定して接触することができるようにした接続装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１，２に記載されている半導体検査装置（ＩＣソケット）は、半導体（ＩＣ等）を外部の回路基板などに電気的に仮接続させるものである。半導体の背面側には格子状またはマトリックス状に配置された多数の球状接触子が設けられており、これに対向する絶縁基台上には多数の凹部が設けられ、この凹部内にスパイラル接触子が対向配置されている。
【０００３】
前記半導体の背面側を前記絶縁基台に向けて押圧すると、前記球状接触子の外表面に前記スパイラル接触子が螺旋状に巻き付くように接触するため、個々の球状接触子と個々のスパイラル接触子との間の電気的接続が確実に行われるようになっている。
【０００４】
このようなスパイラル接触子の具体的な構造は、例えば以下の特許文献１の図１、図２、図８、図１０、図１１等および特許文献２の図１５、図１６、図１７、図１８などに記載されている。
【特許文献１】特開２００２−１７５８５９号公報
【特許文献２】特開２００１−１５２３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記のような半導体検査装置では、半導体の特性を高精度に測定する必要があり、そのためには半導体検査装置側の個々のスパイラル接触子と半導体側の個々の外部接触部との電気的な接続が安定して行われるようにする必要がある。
【０００６】
しかし、前記外部接触部が球状接触子の場合においては、例えば個々のスパイラル接触子に塑性的な変形が生じたり、あるいは半導体の形状などの制約により部分的に異なる加圧力が生じたりする場合があると、ある球状接触子との間ではスパイラル接触子の基端部付近に電気的な接点が形成され、他の球状接触子との間ではスパイラル接触子の先端部付近で電気的な接点が形成されるというように、球状接触子とスパイラル接触子の各組ごとに接点の箇所が異なり、電気的に安定した接続を確保することができないという問題がある。
【０００７】
一方、半導体自体の加圧力を増大して球状接触子とスパイラル接触子との間の個々の接点圧を増強すれば安定した電気的接続を得ることが可能と思われがちである。
【０００８】
しかし、半導体に加えることが可能な加圧力には限界があり、むしろ半導体の破損等を考慮すればより少ない加圧力の方が好ましいこと、および接点数が増えるとそれだけ１ヶ当たりの接点圧が小さくなり、個々の接点に十分な接点圧を与えるのにも限界があることなどの理由から、半導体に加える加圧力を増大するという方法は必ずしも良策とはいえるものではない。
【０００９】
さらには、従来は外部接触部の表面に有効な凹凸を形成することが困難であったため、前記スパイラル接触子と平面状接触子との間の摩擦係数が低く、前記スパイラル接触子の先端部が前記平面状接触部の表面を滑り、その際に平面状接触子の表面に傷を生じさせるなどの問題があった。
【００１０】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、検査装置側の個々のスパイラル接触子と半導体など電子部品側の個々の外部接触部との間の接点圧を少なくても安定した接触が得られるようにした接続装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、複数の接触子が設けられたシートを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置において、
前記接触子はメッキ層を膜厚方向に積層することにより形成されており、前記外部接続部に対向する前記接触子の接触領域には前記メッキ層を部分的に厚く成長させることにより形成された凸接点が設けられていることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明では、接触領域に突出形成された凸接点が電子部品側の外部接続部に点接触するため、この間の接点圧を高めることができる。よって、前記接触領域が前記外部接続部に接触するときに生じやすい滑りの発生を防止することができるため、前記接触領域と前記外部接続部との間の接触を安定させることが可能となる。
【００１３】
上記においては、前記接触領域は、接触領域としての幅寸法が部分的に広い幅広部と部分的に狭い狭幅部とを有しており、前記凸接点は前記狭幅部に形成されているものとして構成される。
【００１４】
具体的には、前記接触領域内に複数の前記凸接点を有しているもの、例えば前記接触領域が王冠状に形成されているものである。
【００１５】
このように、接触領域を王冠状に形成すると、外王冠の一部を形成する複数の凸接点が外部接触部に接触するようになるため、より安定した接触状態を得ることができる。
【００１６】
また、前記接触子は基部から中心方向に延びる巻き終端が渦巻き状に形成されたスパイラル接触子であり、前記凸接点が前記巻き終端の先端に設けられているものとして構成できる。さらには、前記スパイラル接触子が、平面形状または前記基部から前記巻き終端に向かうにしたがって高さが増す立体形状で形成されているものとすることもできる。
【００１７】
上記において、前記接触子の膜厚寸法は、１０μｍ〜２０μｍの範囲内で形成され、前記凸接点の高さ方向の寸法が、２０μｍ〜４０μｍの範囲内で形成されたものが好ましい。
【００１８】
また本発明の接続装置の製造方法は、複数の接触子が設けられたシートを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置の製造方法において、
（ａ）  基板上にレジスト層を所定膜厚で形成する工程と、
（ｂ）  前記レジスト層に露光現像により、前記接触子およびその一部である接触領域の形状パターンを形成する工程と、
（ｃ）  一定の電流密度下においてメッキを施し、前記形状パターン内にメッキ層を所定の膜厚寸法となるまで成長させて前記接触子および前記接触領域を同時に形成する工程と、
（ｄ）  前記所定の膜厚寸法で形成された前記接触領域の表面から上方に向けて突出する凸接点をメッキ形成する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）の工程後に前記基板およびレジスト層を除去する工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００１９】
本発明では、上記の（ｄ）工程で、メッキ層がレジスト層の表面を超えて上方に突出する凸接点が隆起形成される。このため、前記（ｂ）工程で、前記接触領域を形成する形状パターンの一部を部分的に広くした幅広部を５μｍ〜２０μｍの幅寸法で形成し、且つ他の一部を部分的に狭くした狭幅部を３μｍ〜５μｍの幅寸法で形成することが好ましい。
【００２０】
また前記（ｄ）工程で、前記一定の電流密度よりも大きな電流密度で形成することが好ましく、されには前記（ｃ）工程と（ｄ）工程とを連続して行うことが好ましい。
【００２１】
上記手段では、メッキ層の成長速度を部分的に調整し、容易に前記凸接点を形成することができる。しかも、特別が装置を用いることなく従来の既存の製造接部だけで前記凸接点を接触領域内に形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明では、スパイラル接触子の先端に設けられた接触領域の表面から突出する凸接点を少なくとも１以上有するように構成したことから、前記接触領域が電子部品側の外部接触部に接触した際に、前記接触領域が外部接触部の表面を滑るのを前記凸接点が防止するため、前記接触領域と前記外部接触部との良好な接触を実現できる。
【００２３】
特に前記凸接点を３ヶ以上も受けることにより、外部接触部が球状接触子であっても接触領域と前記球状接触子との接触を安定させることができる。
【００２４】
また本発明では、凸接点を前記接触領域に確実且つ容易に成形することが可能な製造方法を提供できる。特に従来の製造方法を大幅に変更することを要しないため、従来の製造設備を有効に利用することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１は電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置（接続装置）を示す斜視図、図２は、図１の２−２線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図である。
【００２６】
図１に示すように、検査装置１０は基台１１と、この基台１１の一方の縁部に設けられたひんじ部１３を介して回動自在に支持された蓋体１２とで構成されている。前記基台１１および蓋体１２は絶縁性の樹脂材料などで形成されており、前記基台１１の中心部には図示Ｚ２方向に凹となる装填領域１１Ａが形成されている。そして、前記装填領域１１Ａ内に半導体などの電子部品Ｂが装着できるようになっている。また基台１１の他方の縁部には、被ロック部１４が形成されている。
【００２７】
この検査装置１０は、接続面に多数の外部接触部Ｃがマトリックス状（格子状または碁盤の目状）に配置された電子部品Ｂを検査対象とするものである。前記外部接触部は、例えば薄板状に形成された平面状接触子（ＬＧＡ：Land Grid Array）、あるいは以下の実施の形態（図２参照）に示すような球状接触子（ＢＧＡ：Ball Grid Array）などである。
【００２８】
図２に示すように、前記装填領域１１Ａには所定の径寸法からなり、装填領域１１Ａの表面から基台１１の裏面に貫通する複数の凹部（スルーホール）１１ａが、前記電子部品Ｂの接続面に設けられた球状接触子である外部接触部Ｃに対応して設けられている。
【００２９】
前記凹部１１ａの上面（装填領域１１Ａの表面）には、接触子が渦巻き状に形成された複数のスパイラル接触子２０が設けられている。
【００３０】
図３はシートに配設されスパイラル接触子を拡大して示す平面図である。
図３に示すように、前記各スパイラル接触子２０は装填領域１１Ａの表面に固定されたシート（接続部材）１６の縦方向および横方向に所定の間隔を空けて複数配置されている。前記シート１６には前記凹部１１ａに対向する位置に開孔１６ａ（図３、図１１参照）がそれぞれ穿設されており、前記スパイラル接触子２０の基部２１の外縁が、前記シート１６の下面にて前記開孔１６ａの縁部に固定されている。基部２１の中心側には内縁の一部を巻き始端２２ａとし、この巻き始端２２ａから自由端側である巻き終端２２ｂが前記凹部１１ａ及び開孔１６ａの中心に向かって渦巻き状に延びる接触片２２が片持ち状態で設けられている。そして、前記接触片２２の巻き終端２２ｂの先端には、前記外部接触部Ｃである前記球状接触子に接触可能な接触領域２３が設けられている。前記スパイラル接触子２０は、接触片２２が上下（Ｚ１およびＺ２方向）に弾性変形することが可能となっている。
【００３１】
図４Ａは接触領域の実施の形態を拡大して示す平面図、図４Ｂは図４Ａに示す４Ｂ−４Ｂ線における矢視断面図である。
【００３２】
図４Ａ，図４Ｂに示す実施の形態における接触領域２３は円盤形状をしており、前記接触領域２３の外縁部には接触領域２３の平均的な板厚寸法からよりも図示上方（Ｚ１方向）に突出する凸接点２３Ｂが複数形成されている。なお、図４Ａに示す実施の形態では前記凸接点２３Ｂが３ヶ設けられた構成であり、これら凸接点２３Ｂによって前記接触領域２３はほぼ王冠状に形成されている。
【００３３】
前記凸接点２３Ｂの数は、１ヶまたは２ヶでもよいが、外部接触部Ｃと接触領域２３とのより安定した接触を実現するには上記のように３ヶ、またはそれ以上設けた構成が好ましい。
【００３４】
前記スパイラル接触子２０の接触片２２の幅寸法Ｔ１は、強度およびばね定数を考慮した場合、１０μｍ〜３０μｍの範囲で形成したものが好ましい。また外部接触部Ｃが、例えば径寸法４００μｍの球状接触子である場合、前記スパイラル接触子２０の接触領域２３を含めた、平均的な膜厚寸法（Ｚ方向の寸法）Ｈ１の好ましい範囲は１０μｍ〜２０μｍである。この場合における前記凸接点２３ＢのＺ方向の高さ寸法Ｈ２の好ましい範囲は２０μｍ〜４０μｍである。すなわち、前記スパイラル接触子２０の膜厚寸法Ｈ１と前記凸接点２３Ｂの高さ寸法Ｈ２とはほぼＨ２≒２・Ｈ１の関係で形成されている。
【００３５】
一方、前記凹部（スルーホール）１１ａの内壁面には図示しない導通部が形成されており、導通部の上端と前記スパイラル接触子２０の前記基部２１とが導電性接着材などで接続されている。また凹部１１ａの下方の開口端は前記導通部に接続された接続端子１８で塞がれている。
【００３６】
図２に示すように、前記基台１１の下方には複数の配線パターンやその他の回路部品を有するプリント基板２９が設けられており、前記基台１１はこのプリント基板２９上に固定されている。前記プリント基板２９の表面には前記基台１１の底面に設けられた接続端子１８に対向する対向電極３１が設けられており、前記各接続端子１８が各対向電極３１にそれぞれ接触することにより、電子部品Ｂとプリント基板２９とが、前記スパイラル接触子２０、導通部および接続端子１８を介して電気的に接続される。
【００３７】
一方、検査装置１０の蓋体１２の内面の中央の位置には、電子部品Ｂを図示下方に押し付ける凸形状の押圧部１２ａが前記装填領域１１Ａに対向して設けられている。また前記ひんじ部１３と逆側となる位置にはロック部１５が形成されている。
【００３８】
前記蓋体１２の内面と押圧部１２ａとの間には前記押圧部１２ａを蓋体１２の内面から遠ざかる方向に付勢するコイルスプリングなどからなる付勢部材が設けられている（図示せず）。したがって、電子部品Ｂを前記凹部１１ａ内に装着して蓋体１２を閉じ、ロック部１５を被ロック部１４に掛止させてロックすると、電子部品Ｂを装填領域１１Ａの表面に接近する方向（Ｚ２方向）に弾性的に押し付けることが可能となっている。
【００３９】
前記基台１１の装填領域１１Ａの大きさは、前記電子部品Ｂの外形とほぼ同じ大きさであり、電子部品Ｂを前記装填領域１１Ａに装着して蓋体１２を基台１１にロックすると、前記電子部品Ｂが装填領域１１Ａに位置決めされ、電子部品Ｂの接続面に設けられた各外部接触部Ｃを検査装置１０の凹部１１ａの表面に固定されたシート１６に配列された各スパイラル接触子２０に正確に対向させることができるようになっている。
【００４０】
蓋体１２のロック部１５が基台１１の被ロック部１４にロックされると、電子部品Ｂが前記押圧部１２ａによって図示下方に押し付けられるため、前記外部接触部Ｃである各球状接触子により各スパイラル接触子２０が凹部１１ａの内部方向（図示Ｚ２方向）に弾性変形させられる。同時に、スパイラル接触子２０の外形は、前記巻き終端２２ｂから巻き始端２２ａ方向（渦巻きの中心から外方向）に押し広げるように変形させられるため、前記接触片２２が前記球状接触子（外部接触部Ｃ）の外表面を抱き込むように巻き付きつく。
【００４１】
図５はスパイラル接触子の接触領域と外部接触部との接触状態を拡大して示す断面図である。
【００４２】
図５に実線で示すように、前記スパイラル接触子２０の接触領域２３に形成された複数の前記凸接点２３Ｂが、外部接触部Ｃである球状接触子の表面に点接触する。なお、外部接触部Ｃが平面状接触子である場合には、図５にて一点鎖線で示すように平面状接触子の下面に各凸接点２３Ｂが点接触する。
【００４３】
ここで、前記凸接点２３Ｂが３ヶ以上設けてある場合には、複数の前記凸接点２３Ｂが外部接触部Ｃの表面に多点で接触（３点支持、４点支持など）するため、前記接触領域２３と前記外部接触部Ｃとの間の接触を安定化することが可能となる。
【００４４】
また前記凸接点２３Ｂの先端部は、鋭利に形成されたものが好ましい。このように前記凸接点２３Ｂの先端部を鋭利に形成しておくと、前記先端部と外部接触部Ｃの表面との間の接点圧を高めることができるため、前記接触領域２３と外部接触部Ｃの表面との間の滑りを防止することが可能となる。よって、前記接触領域２３と前記外部接触部Ｃとの間の接触を安定化することができる。
【００４５】
次に、図６ないし図１１に示す工程図を用いて、図３，図４Ａおよび図４Ｂの断面図に示すような接触領域を有するスパイラル接触子を備えた接続装置の製造方法について説明する。なお、以下の説明する製造方法は、従来の製造方法とほぼ同様であり、既存の製造設備を用いて行うことが可能である。
【００４６】
図６に示す符号４０は基板である。前記基板４０はＣｕ等による導電性金属基板、あるいは絶縁基板であってもよいが、導電性金属基板であるとメッキ下地層を設ける必要が無くなるため好ましい。
【００４７】
図６に示すように、前記基板４０上にレジスト層４１をスピンコート法によって塗布する。前記レジスト層４１の膜厚は前記スパイラル接触子２０の平均的な膜厚寸法Ｈ１である。
【００４８】
次に図７に示す工程では、前記レジスト層４１上にスパイラル接触子２０平面形状と同じ形状のパターン４１ａを露光現像によって複数形成する。なお、前記形状パターン４１ａの数はスパイラル接触子２０と同じであり、縦方向および横方向に所定の間隔をおいて複数形成される。また前記形状パターン４１ａの幅寸法は、上記の接触片２２の幅寸法Ｔ１で形成される。
【００４９】
ここで、従来の製造方法と異なるのは、図４Ａに示す王冠状の前記接触領域２３を形成する場合である。すなわち、接触領域２３の中心に三角形状のレジスト層４１ｂを残すように露光現像する点で相違している。その理由は後述するが、露光する際のマスクのうち、接触領域２３の中心に相当する部分に三角形状に形成しておく点が異なるだけであり、既存の設備を用いることができる点では変わりはない。
【００５０】
図１０に示す工程では、前記基板４０に所定の形状パターン４１ａが形成されたレジスト層４１をＮｉ金属などが溶解されているメッキ浴に浸漬し、一定の電流密度下において前記形状パターン４１ａ内に内部メッキ層４２を形成する。この際、前記形状パターン４１ａでは、内部メッキ層４２がメッキ成長し、基部２１、接触片２２および接触領域２３が同時に形成される。
【００５１】
このとき、前記基板４０の中心に三角形状に残されたレジスト層４１ｂによって、前記図４Ａ，図４Ｂに示すような三角形状の孔２３Ａを有する接触領域２３が形成される。
【００５２】
ところで、メッキの成長速度は、幅寸法の広い形状パターン内では遅く、幅寸法の狭い形状パターン内では早いという特性と、同じ幅寸法の形状パターン内であっても、形状パターンの縁に近いほどメッキの成長速度は速く、中心部ほど遅くなるという特性がある。
【００５３】
図４Ａに示す孔２３Ａの３つの内縁２４ｃと、前記内縁２４ｃに対応する接触領域２３の外縁２３ｂとに囲まれる符号２３ａで示す部分（広幅部）の幅寸法Ｗ２は、孔２３Ａの３つの頂点と接触領域２３の外縁２３ｂとに囲まれ図示点線で示す符号２３ｅで示す部分（狭幅部）の幅寸法Ｗ１よりも長い。
【００５４】
よって、一定の電流密度でメッキを成長させると、内部メッキ層４２の膜厚寸法は、図４Ａ，Ｂに示す前記広幅部２３ａの中心部が最も薄く、外縁２３ｂおよび内縁２４ｃに向かうにしたがって徐々に厚くなるように形成される。また外縁２３ｂおよび内縁２４ｃでは、一方の頂点と他方の頂点との中間点が薄く、両頂点に向かうにしたがって徐々に厚く形成され、前記狭幅部２３ｅで示す部分が最も厚く形成される。よって、図９に示すように前記狭幅部２３ｅに、前記内部メッキ層４２が部分的に厚く成長することにより形成された凸接点２３Ｂが現れることとなる。
【００５５】
ここで、前記スパイラル接触子２０は前記図６ないし図１１に示す工程において形成されるが、図８に示す工程の後半において、すなわち前記内部メッキ層４２の膜厚寸法が、所定の寸法（例えば、前記レジスト層４１の膜厚寸法Ｈ１の１／２）に達したとき、前記メッキ工程を中断せずに、電流密度を高めた状態でさらに続けることが好ましい。このような調整を行うと、メッキ成長過程における前記特性を加速させることができる。その結果、狭幅部２３ｅにおけるメッキの成長速度と、広幅部２３ａの中心部におけるメッキの成長速度との速度差を大きくすることができる。よって、より短時間で前記狭幅部２３ｅの部分に凸接点２３Ｂが形成され、前記凸接点２３Ｂの高さ寸法Ｈ２を広幅部２３ａの中心部の膜厚寸法の２倍程度に成長させることが可能となる。
【００５６】
次に図１０工程では、隣り合うスパイラル接触子２０の基部２１と基部２１間にポリイミド等で形成されたシート（接続部材）１６を接着剤等により貼り付け、前記隣り合うスパイラル接触子２０を前記シートによって繋ぐ。前記シート１６により各スパイラル接触子２０の前記基部２１，２１間を繋げることで、後工程で、レジスト層４１及び基板４０を除去しても各スパイラル接触子２０がばらばらになることがない。
【００５７】
次に図１１に示す工程では、基板４０及びレジスト層４１を同時に除去する。これによりシート１６で繋げられた複数のスパイラル接触子２０を有する接触子シートが完成する。
【００５８】
なお、上記実施の形態では、３ヶの凸接点を有する王冠状の接触領域２３を示したが本発明はこれに限られるものではなく、凸接点は４ヶ以上のものであってもよく、その場合接触領域２３には三角形状の孔ではなく、四角形状、五角形状の孔を形成するようにすればよい。
【００５９】
また、接触領域２３の形状は王冠状に限られるものではなく、例えば図１２Ａ，Ｂに示すような平面星型形状の接触領域５３とすれば４ヶの凸接点５３Ｂを得ることができる。また図１３Ａ，Ｂに示すような形状の接触領域６３とすると、１ヶの凸接点６３Ｂを得ることができ、さらには図１４Ａ，Ｂに示すような平面三日月形状の接触領域７３とすると、２つの凸接点７３Ｂを得ることが可能であり、このような接触領域を有するスパイラル接触子で形成された接続装置としたものであってもよい。すなわち、各接触領域５３，６３および７３の先端部分は、例えば中央部分５３ａ，６３ａおよび７３ａなどと比較して幅寸法が狭い構造である。よって、上記の製造方法を用いることにより前記先端部分ではメッキ層が厚く成長するため、この部分に凸接点５３Ｂ，６３Ｂ，および７３Ｂを形成することができる。
【００６０】
また本発明では、接触子をスパイラル形状のものとして説明したが、前記接触子はスパイラル形状でなくてもよく、直線的な板バネの先端に上記のような接触領域を有する接触子であってもよい。また図３に示すスパイラル接触子２０は、巻き始端２２ａから巻き終端２２ｂに向けて徐々に上方に突出するように立体成形されたものであることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図、
【図３】シート上に配設されスパイラル接触子を拡大して示す平面図、
【図４Ａ】図４Ａは接触領域の実施の形態を拡大して示す平面図、
【図４Ｂ】図４Ａに示す４Ｂ−４Ｂ線における矢視断面図、
【図５】スパイラル接触子の接触領域と外部接触部との接触状態を拡大して示す断面図、
【図６】本発明の接触子シートの製造方法を示す一工程図、
【図７】図６の次に行われる一工程図、
【図８】図８工程時における基板及びその上に塗布されたレジスト層の平面図、
【図９】図７の次に行われる一工程図、
【図１０】図８の次に行われる一工程図、
【図１１】図９の次に行われる一工程図、
【図１２Ａ】接触領域の他の実施の形態を示す平面図、
【図１２Ｂ】図１２Ａの１２Ｂ−１２Ｂ線における矢視断面図、
【図１３Ａ】接触領域の他の実施の形態を示す平面図、
【図１３Ｂ】図１３Ａの１３Ｂ−１３Ｂ線における矢視断面図、
【図１４Ａ】接触領域の他の実施の形態を示す平面図、
【図１４Ｂ】図１４Ａの１４Ｂ−１４Ｂ線における矢視断面図、
【符号の説明】
【００６２】
１０  検査装置
１１  基台
１１Ａ  装填領域
１１ａ  凹部（スルーホール）
１６  シート（接続部材）
２０  スパイラル接触子
２１  基部
２２  接触片
２２ａ  巻き始端
２２ｂ  巻き終端
２３  接触領域
２３Ａ  孔
２３Ｂ  凸接点
２３ａ  広幅部
２３ｅ  狭幅部
４０  基板
４１  レジスト層
４２  内部メッキ層
Ｂ  電子部品
Ｃ  外部接触部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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