(57)【要約】【課題】誘電体平板材料の、ミリ波における所望の周波数における誘電定数などの電気的物性値測定方法を提供する。【解決手段】誘電体柱３の両端に導体板２ａ，２ｂをそれぞれ設けるとともに、前記誘電体柱３と前記導体板２ａ，２ｂとの間に、測定試料である誘電体平板４を挿入して誘電体共振器型測定治具１を構成し、この誘電体共振器型測定治具１をＮＲＤガイド５，７で励振し、ＴＥ共振モードの共振周波数と無負荷Ｑを測定し、共振周波数と無負荷Ｑから誘電体平板４の誘電率、誘電正接を求める。【選択図】図１
2005172697.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一組の対向する端面導体と、前記端面導体が対向した状態で側面の少なくとも一部を取り囲む側面導体と、前記一組の対向する端面導体と前記側面導体とで形成される共振空間の中に配置された誘電体柱と、前記共振空間を励振する導波路とを備える誘電体共振器を用いて誘電体平板の電気的物性値を測定する方法であって、
前記誘電体柱の端面と前記導体板との間に、前記導体板に接触した状態で、測定資料である誘電体平板を挿入し、
前記誘電体共振器のＴＥ共振モードの共振周波数を測定し、
この測定した誘電体共振器の共振周波数に基づいて、前記誘電体平板の比誘電率などの電気的物性値を求めることを特徴とする電気的物性値測定方法。
【請求項２】
一組の対向する端面導体と、前記端面導体が対向した状態で側面の少なくとも一部を取り囲む側面導体と、前記一組の対向する端面導体と前記側面導体とで形成される共振空間の中に配置された誘電体柱と、前記共振空間を励振する導波路とを備える誘電体共振器を用いて誘電体平板の電気的物性値を測定する方法であって、
前記誘電体柱の端面と前記導体板との間に、前記導体板に接触した状態で、測定資料である誘電体平板を挿入し、
前記誘電体共振器のＴＥ共振モードの無負荷Ｑと共振周波数とを測定し、
この測定した誘電体共振器の無負荷Ｑと共振周波数に基づいて、前記誘電体平板の誘電正接などの電気的物性値を求めることを特徴とする電気的物性値測定方法。
【請求項３】
前記測定試料の厚さが誘電体柱の厚さの２０％以下である請求項１又は請求項２記載の電気的物性値測定方法。
【請求項４】
前記測定試料の幅が誘電体柱の幅の３倍以上ある請求項１又は請求項２記載の電気的物性値測定方法。
【請求項５】
前記電気的物性値が誘電体平板の比誘電率又は誘電正接などの誘電定数である請求項１から請求項４のいずれかに記載の電気的物性値測定方法。
【請求項６】
一組の対向する端面導体と、前記端面導体が対向した状態で側面の少なくとも一部を取り囲む側面導体と、前記一組の対向する端面導体と前記側面導体とで形成される共振空間の中に配置された誘電体柱と、前記共振空間を励振する導波路とを備えることを特徴とする誘電体共振器型測定治具。
【請求項７】
前記誘電体柱の形状が円柱である請求項６記載の誘電体共振器型測定治具。
【請求項８】
前記導波路がＮＲＤ(Non-Radiative Dielectric)ガイドである請求項６又は請求項７記載の誘電体共振器型測定治具。
【請求項９】
測定試料である誘電体平板は、前記誘電体柱の一端面と前記導体板との間に挿入される請求項６から請求項８のいずれかに記載の誘電体共振器型測定治具。
【請求項１０】
前記誘電体平板の挿入されない、前記誘電体柱の端面と前記端面導体との間に、すき間が存在する請求項９記載の誘電体共振器型測定治具。
【請求項１１】
測定試料である誘電体平板は２つあり、前記誘電体柱の両端面と前記導体板との間にそれぞれ挿入される請求項６から請求項８のいずれかに記載の誘電体共振器型測定治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気的物性値測定方法及び誘電体共振器型測定治具に関するものであり、特にミリ波領域で電子部品又は回路基板として使用する誘電体材料の、比誘電率、誘電正接などの誘電定数や抵抗率といった電気的物性値を好適に測定することのできる電気的物性値測定方法及びその方法に用いる誘電体共振器型測定治具に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、３０ＧＨｚ以上のミリ波帯における誘電体平板の誘電定数測定方法としてはファブリぺロ共振器法が知られている。しかしながら、このファブリぺロ共振器法では１辺７５ｍｍ以上の角板、或いは直径７５ｍｍ以上の円板形状の大型の試料が望ましいため、セラミックス等の微少な誘電体平板にこの方法を適用することは困難であった。
これに対して、近年、３０ＧＨｚ以上のミリ波帯における誘電体平板の誘電定数測定方法として、遮断円筒導波管法が提案されている（非特許文献１参照）。
【０００３】
この方法は、２個の円筒導波管の間に誘電体平板を配置して共振器構造を構成し、ＴＥ0m1（ｍ＝１、２・・・）モードの共振周波数と無負荷Ｑを測定し、該共振周波数と無負荷Ｑから誘電体平板の比誘電率と誘電正接を計算する方法である。
なお、誘電正接の計算のために必要な遮断円筒内壁の導電率測定は、試料を挟まない状態で行われ、遮断円筒の両端に短絡導体板を配置して構成した空洞共振器のＴＥ0m1（ｍ＝１、２・・・）モードの共振周波数と無負荷Ｑの測定から決定される。
【０００４】
このような遮断円筒導波管法では、比較的作製容易な１辺３０ｍｍ以下の角板、或いは直径３０ｍｍ以下の円板形状の試料を用いて測定できるため、ミリ波帯における電気的物性値測定方法として有効である。
【非特許文献１】電子情報通信学会、信学技法ＭＷ２００１−１３７（２００１−１２）「遮断円筒導波管法によるミリ波複素誘電率の測定結果に関する検討」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記遮断円筒導波管法では、測定試料である誘電体平板の比誘電率や厚さによって、ＴＥ0m1（ｍ＝１、２・・・）モードの共振周波数が、試料を挟まないときの空洞共振器の共振周波数に対して大きく低下する。その結果、測定したい周波数で測定を行うためには比誘電率が高いほど試料の厚さを薄くする必要があり、ある程度の厚みを持った試料では所望の周波数で誘電定数を測定することが困難になるという問題があった。
【０００６】
例えば、非特許文献１では、内径７．０ｍｍ、長さ２６．１ｍｍを有する遮断円筒の導電率測定の周波数は５３ＧＨｚであるのに対し、４フッ化エチレン樹脂のように比誘電率が２．１と低い場合では、厚さ０．２ｍｍの４フッ化エチレン樹脂試料の測定周波数は５２ＧＨｚであり、試料挿入による周波数低下は小さい。しかしながら、同じ遮断円筒を用いて、比誘電率が９．４と高いサファイア試料では、４フッ化エチレン樹脂試料と同じ厚さ０．２ｍｍの場合、測定周波数は４２ＧＨｚ、厚さ０．５ｍｍの場合、測定周波数は３２ＧＨｚとなり、試料挿入による周波数低下が大きくなる。このように比誘電率が高く試料が厚い場合では、測定したい周波数帯で測定できない課題があった。
【０００７】
そこで本発明は、比誘電率の高い誘電体平板や厚い誘電体平板の誘電定数や抵抗率といった電気的物性値を、測定したいミリ波周波数で測定できる電気的物性値測定方法及びそれに用いる誘電体共振器型測定治具を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明の電気的物性値測定方法は、一組の対向する端面導体と、前記端面導体が対向した状態で側面の少なくとも一部を取り囲む側面導体と、前記一組の対向する端面導体と前記側面導体とで形成される共振空間の中に配置された誘電体柱と、前記共振空間を励振する導波路とを備える誘電体共振器を用いて誘電体平板の電気的物性値を測定する方法であって、前記誘電体柱の端面と前記導体板との間に、前記導体板に接触した状態で、測定資料である誘電体平板を挿入し、前記誘電体共振器のＴＥ共振モードの共振周波数を測定し、この測定した誘電体共振器の共振周波数に基づいて、前記誘電体平板の比誘電率などの電気的物性値を求めることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の電気的物性値測定方法は、前記誘電体柱の端面と前記導体板との間に、前記導体板に接触した状態で、測定資料である誘電体平板を挿入し、前記誘電体共振器のＴＥ共振モードの無負荷Ｑと共振周波数をと測定し、この測定した誘電体共振器の無負荷Ｑと共振周波数に基づいて、前記誘電体平板の誘電正接などの電気的物性値を求めることを特徴とする。
【００１０】
従来技術である遮断円筒導波管法において、測定試料である誘電体平板を共振器に挿入した時に、ＴＥ0m1（ｍ＝１、２・・・）モードの共振周波数が、試料を挟まないときの空洞共振器の共振周波数に対して大きく低下する理由は、測定試料に電界が集中するからである。本発明の電気的物性値測定方法では、前記誘電体柱の端面と前記導体板との間に、前記導体板に接触した状態で、測定資料である誘電体平板を挿入することにより、誘電体共振器の電界が最も小さいところに測定試料である誘電体平板が配置されることになる。したがって、測定試料への電界集中が抑制され、共振周波数の低下が軽減される。このため、測定試料を除いた誘電体共振器の共振周波数を設計すれば、ミリ波帯において所望の周波数で、測定試料の電気的物性値を測定できる。
【００１１】
前記測定試料の厚さは、誘電体柱の厚さの２０％以下であることが、共振周波数の低下を小さくするために好ましい。
また、前記測定試料の幅が誘電体柱の幅の３倍以上あれば、共振周波数の変化が無視できるので好ましい。
（２）本発明の誘電体共振器型測定治具は、一組の対向する端面導体と、前記端面導体が対向した状態で側面の少なくとも一部を取り囲む側面導体と、前記一組の対向する端面導体と前記側面導体とで形成される共振空間の中に配置された誘電体柱と、前記共振空間を励振する導波路とを備えることを特徴とする。
【００１２】
この誘電体共振器型測定治具によれば、誘電体平板を測定試料として、前記誘電体柱の端面と前記導体板との間に、前記導体板に接触した状態で挿入することにより、本発明の電気的物性値測定方法を簡単に実施できる。
この誘電体共振器型測定治具において、前記誘電体柱の形状が円柱であれば、その端面に誘電体平板を容易に挿入できるので好ましい。なお、誘電体柱の形状は、円柱以外に角柱でもよい。
【００１３】
前記導波路がＮＲＤ(Non-Radiative Dielectric)ガイドであれば、励振用高周波信号を漏らすことなく共振器に注入できるので好ましい。
前記誘電体平板は、１枚、前記誘電体柱の一端面と前記導体板との間に挿入してもよく、前記誘電体平板が２枚ある場合は、前記誘電体柱の両端面と前記導体板との間にそれぞれ挿入してもよい。
【００１４】
前記誘電体平板を１枚挿入する場合は、誘電体平板の挿入されていない、前記誘電体柱の端面と前記端面導体との間に、すき間が存在してもよい。
【発明の効果】
【００１５】
以上、詳述したとおり、従来は３０ＧＨｚ以上のミリ波領域の所望の周波数で誘電体平板の電気的物性値を測定することは困難であったが、本発明の電気的物性値測定方法によればこれが容易にできる。これにより、ミリ波で使用する誘電体材料の開発や、これらの材料を用いたミリ波電子部品の設計が容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は本発明の電気的物性値測定方法の実施に用いる誘電体共振器型測定治具１の構造を示す。（ａ）は平面図、（ｂ）は平面図をＢーＢ線で切った側断面図、（ｃ）は平面図をＣーＣ線で切った側断面図である。
この誘電体共振器型測定治具１は、それぞれ中央に円孔１０が設けられた２枚のガイド用導体板６ａ、６ｂが、円孔１０を共通にして向かい合って配置され、それらのガイド用導体板６ａ、６ｂの溝に、誘電体ストリップ５と、誘電体ストリップ７がそれぞれ挿入されている。ガイド用導体板６ａ、６ｂの円孔１０には、それぞれ共振器用の円柱導体板２ａ、２ｂが、互いにその底面を向け合った状態ではめ込まれている。この円柱導体板２ａ、２ｂの両底面を端面とし、ガイド用導体板６ａ、６ｂの円孔１０を側面とする円柱空間が、両端短絡形の共振空間Ｓとなる。
【００１７】
この共振空間Ｓの側面両側に、前記誘電体ストリップ５、７とガイド用導体板６ａ、６ｂによって構成される、入出力用のＮＲＤガイドが配置されている。誘電体ストリップ５を有する一方のＮＲＤガイドが高周波信号の入力線路、誘電体ストリップ７を有する一方のＮＲＤガイドが高周波信号の出力線路となる。各ＮＲＤガイドは、変換器８、９を通して導波管に接続される。
【００１８】
この共振空間Ｓの中の下側円柱導体板２ｂには、測定試料である誘電体平板４が介装され、その上に誘電体柱３が設置されている。誘電体柱３の上面と、上側円柱導体板２ａとの間には空隙がある。
図２は、本発明の電気的物性値測定方法の実施に用いる誘電体共振器型測定治具１′の構造を示す平面図（ａ）及び側断面図（ｂ）である。
【００１９】
図１の誘電体共振器型測定治具１との相違点のみ述べると、上側の円柱導体板２ａがガイド用導体板６ａの円孔に挿通されていて上下に移動自在になっていることである。したがって、円柱導体板２ａは、自重のため誘電体柱３に当接し、両者の間の空隙はない。
なお、図１、図２では、誘電体柱３と下側導体板２ｂの間に測定試料４を介装したが、誘電体柱３と上側導体板２ａの間に測定試料４を介装しても良く、また、図３に示すように、誘電体柱３と上下の導体板２ａ、２ｂの間の両方に介装してもよい。しかし介装が容易という点から、誘電体柱３と下側導体板２ｂの間に測定試料４を介装することが望ましい。
【００２０】
また、誘電体柱３は低損失材料であることが望ましく、具体的には誘電正接が０．００１以下の誘電体からなることが望ましい。
また、導体板２ａ、２ｂは、低損失という点から銅、銀等を用いることが好ましい。
この測定試料４は、例えば、多層回路基板用のＬＴＣＣ材料であり、誘電正接が０．００１〜０．０１で、比誘電率が２〜３０の誘電体材料であることが望ましい。
【００２１】
図４は、図１に示す誘電体共振器型測定治具１のＴＥ011モードの共振周波数を、測定試料４の比誘電率の関数として計算したグラフである。なお、誘電体柱３の比誘電率を２．５とし、誘電体柱３と導体板２ａの間の空隙はゼロとした。
計算条件を詳しく説明する。誘電体柱３の厚さに対する測定試料４の厚さの比を、試料厚／円柱厚とし、
ａ．試料厚／円柱厚＝０．１５（円柱：直径＝３．８３ｍｍ、厚さ＝１．９５ｍｍ、試料：厚さ＝０．３ｍｍ）、
ｂ．試料厚／円柱厚＝０．２２（円柱：直径＝３．９１ｍｍ、厚さ＝１．８５ｍｍ、試料：厚さ＝０．４ｍｍ）、
ｃ．試料厚／円柱厚＝０．２９（円柱：直径＝３．９６ｍｍ、厚さ＝１．７５ｍｍ、試料：厚さ＝０．５ｍｍ）
の３種類の場合の計算結果を示す。これらの計算結果より、測定試料４の厚さは誘電体の厚さの２０％以下（ａの場合）であることが、測定試料４の挿入による共振周波数の低下を小さくするために、望ましいことがわかる。
【００２２】
測定試料４は、その平面形状が円形状、矩形状、三角形状等どのような形状であっても良い。測定試料４の外周は、誘電体柱３の中心から、誘電体柱３の半径の３倍以上の距離あることが望ましい。具体的には、測定試料４の平面形状が円板状の場合には、その直径が誘電体柱３の直径の３倍以上あることが望ましい。
図５はこの根拠を示すグラフであり、図１に示す誘電体共振器型測定治具１のＴＥ011モードの共振周波数を、測定試料４と誘電体柱３の直径の比（試料直径／円柱直径）の関数として計算した結果である。測定試料４の比誘電率ε′p＝５の場合をグラフ”ｄ”で、ε′p＝１０の場合をグラフ”ｅ”で示す。なお、誘電体柱３の比誘電率を２．５とし、誘電体柱３と導体板２ａの間の空隙はゼロとし、円柱直径＝３．８３ｍｍ、円柱厚さ＝１．９５ｍｍ、試料厚さ＝０．３ｍｍとした。この図より、試料直径／円柱直径が３以上であれば、共振周波数の変化は無視できることが分かる。
【００２３】
次に、本発明の誘電体共振器型測定治具１を用いた測定手順を説明する。変換機８を導波管を介してシンセサイズドスィーパー等の高周波信号発生器に接続し、変換機９をネットワークアナライザー等の測定装置に接続する。なお、変換機８，９を逆にしてもよい。
さらに誘電体共振器型測定治具１の挿入損失を１０〜３０ｄＢ程度にするため、ＮＲＤガイド５，７相互の間隔Ｄ（図１参照）を調整する。その後、共振周波数と無負荷Ｑをネットワークアナライザーにより測定する。
【００２４】
次に、本発明の測定方法の有効性を、共振器の電界分布の観点から具体的に説明する。
ＮＲＤガイド５から励振させると、誘電体共振器型測定治具１の垂直方向（ｚ軸方向）のＴＥ0m1（ｍ＝１、２、３・・・）モードの電界強度Ｅの分布は、図６に模式的に示すように誘電体柱３の上下中心付近で最大になり、導体板２ａ、２ｂの内側表面でゼロになる。ＴＥ0mn（ｎ＝２、３・・・）モードでは電界強度Ｅの最大位置は、誘電体柱３の中心付近ではなくなるが、やはり導体板２ａ、２ｂの内側表面で電界強度がゼロになる。
【００２５】
従って、ＴＥ共振モードを使用すれば、測定試料４内の電界強度は共振器全体の電界強度に比べて小さくなり、測定試料４を挿入しても、共振周波数の低下が制限される。このため、誘電体柱３と導体板２ａ、２ｂで構成される誘電体共振器のサイズを、所望の共振周波数周波数になるように設計しておけば、測定試料４の電気的物性値を、その周波数で測定することができる。
【００２６】
また本発明で使用する誘電体共振器型測定治具１の温度を変化させれば、誘電体共振器型測定治具１のＴＥ共振モードの共振周波数と無負荷Ｑの温度依存性を測定することができ、共振周波数と無負荷Ｑの温度依存性から、測定試料である誘電体平板の電気的物性値の温度依存性を容易に求めることができる。
次に、比誘電率と誘電正接の計算法について述べる。図１で示される誘電体共振器型測定治具１の共振周波数と無負荷Ｑから、平板状の誘電体からなる測定試料４の比誘電率及び誘電正接を計算するためには、有限要素法やモードマッチング法などの数値解析手法を用いる必要がある。
【００２７】
ここでは有限要素法を用いる場合について述べる。図１で示される誘電体共振器型測定治具１の共振周波数は、測定試料４の比誘電率の関数となっているので、予想される比誘電率の範囲で、測定試料４の比誘電率を数点設定し、対応するＴＥモードの共振周波数を有限要素法で計算する。これらの計算結果から、共振周波数と比誘電率の関係を適当な関数で近似し、この近似式とＴＥモードの共振周波数の測定値から、誘電体共振器型測定治具１の比誘電率を計算する。
【００２８】
また、図１の測定試料４の誘電正接tanδpを求めるため、まず無負荷Ｑ（Ｑｕと書く）を測定する。Ｑｕは、共振周波数ｆ０、３ｄB電力幅Dｆ０、共振点でのインサーションロスＩＬをネットワークアナライザーで測定した後に、次式で計算される。
【００２９】
【数１】
2005172697.tif 000003
【００３０】
このＱｕより、誘電正接tanδpは次式
【００３１】
【数２】
2005172697.tif 000004
【００３２】
を用いて計算できる。ただしＰe,pは測定試料４の電界エネルギーの集中率、Ｐe,rodは誘電体柱３内の電界エネルギーの集中率，Ｒsは導体板の表皮抵抗、Ｇは共振器の形状ファクターであり、それぞれ、
【００３３】
【数３】
2005172697.tif 000005
【００３４】
【数４】
2005172697.tif 000006
【００３５】
【数５】
2005172697.tif 000007
【００３６】
【数６】
2005172697.tif 000008
【００３７】
の各式で表される。ここで、ε′p、Ｖpは測定試料４の比誘電率、体積であり、ε′rod、Ｖrodは誘電体柱３の比誘電率、体積、ε′(v)は共振器内の比誘電率分布である。Ｅ、Ｈ、Ｈtはそれぞれ電界、磁界、導体表面での磁界である。Ｖtは共振器全体の体積、Ｓは誘電体柱３、測定試料（誘電体平板）４と対向する側の導体板２ａ、２ｂの面積である。μは導体板２ａ、２ｂの透磁率、μ0は真空の透磁率、ω＝２πｆ0は共振角周波数、ｆ0は共振周波数である。σは導体板２ａ、２ｂの実効導電率である。
【００３８】
なお、本発明の誘電体平板の電気的物性値測定方法で得られる誘電体平板の誘電率と誘電正接より、誘電体平板の抵抗率又は導電率を計算することができるため、誘電体平板の抵抗率又は導電率の測定もできる。
総合すれば、本発明の誘電体平板の電気的物性値測定方法は、共振周波数と無負荷Ｑの測定結果に寄与する値、誘電体平板試料に関しては、比誘電率、誘電正接、抵抗率、寸法（直径、厚み）等が測定できる。すなわち、本発明の誘電体平板の電気的物性値測定方法は、共振周波数と無負荷Ｑより、前記群から選ばれる１種あるいは２種以上を測定することが可能である。
【００３９】
以上で、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の実施は、前記の形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更を施すことが可能である。
【実施例】
【００４０】
図１の誘電体共振器型測定治具１を用いて、本発明の測定方法によりサファイアＣ面平板の誘電定数を測定した。誘電体柱３として直径３．８２４ｍｍ、高さ１．８５４ｍｍ、比誘電率２．５４のレクソライト円柱を用い、導体板２ａ、２ｂとして厚み１２ｍｍ、直径２２ｍｍ、の銅板を用いた。
まずレクソライト円柱と導体板のみの誘電体共振器の共振周波数を測定し、レクソライト円柱の比誘電率を計算した。次に測定試料としてサファイアＣ面平板をレクソライト円柱と下部導体の間に挿入し、共振周波数を測定し、サファイアＣ面平板の比誘電率を計算した。これらの測定結果を表１に示す。さらにサファイアＣ面平板をレクソライト円柱と下部導体の間に挿入した場合の共振ピークを図７に示す。
【００４１】
【表１】
2005172697.tif 000009
【００４２】
なお、表１の比誘電率の誤差は、共振周波数の繰り返し測定の誤差（標準偏差）から計算した。
サファイアのＣ軸に垂直な方向の比誘電率は９．４〜９．５であることが知られており、表１の測定結果９．４５はこの値と良く一致している。また、レクソライト円柱のみの誘電体共振器の共振周波数は５９ＧＨｚ、測定試料のサファイア平板を挿入した誘電体共振器の共振周波数は５５ＧＨｚであり、それらの差は比較的小さい。従って、誘電体柱３と、導体２ａ，２ｂで構成される誘電体共振器の共振周波数を所望の測定周波数になるように設計しておけば、所望の周波数で、測定試料の誘電体平板４の誘電定数を測定できることが実証された。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の電気的物性値測定方法に用いられる誘電体共振器型測定治具の一例を示す平面図と側断面図である。
【図２】本発明の電気的物性値測定方法に用いられる誘電体共振器型測定治具の他の例を示す平面図と側断面図である。
【図３】本発明の電気的物性値測定方法に用いられる誘電体共振器型測定治具のさらに他の例を示す平面図と側断面図である。
【図４】誘電体共振器の共振周波数を、測定試料の比誘電率の関数として計算した結果を示すグラフである。
【図５】本発明の電気的物性値測定方法に用いられる誘電体共振器の共振周波数を、測定試料の直径と誘電体柱の直径の比の関数として計算した結果を示すグラフである。
【図６】誘電体共振器のＴＥモードの電界分布を模式的に示す図である。
【図７】誘電体共振器のＴＥモードの共振波形の測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４４】
１  誘電体共振器型測定治具
２ａ、２ｂ  円柱導体板
３・・・誘電体柱
４・・・測定試料
５、７・・・ＮＲＤガイド用誘電体ストリップ
６ａ、６ｂ・・・ＮＲＤガイド用導体（側面導体）
８、９・・・変換器
１０  円孔
Ｓ  共振空間
【図１】
2005172697.tif 000010
【図２】
2005172697.tif 000011
【図３】
2005172697.tif 000012
【図４】
2005172697.tif 000013
【図５】
2005172697.tif 000014
【図６】
2005172697.tif 000015
【図７】
2005172697.tif 000016