(57)【要約】    【課題】  簡単な工程によりトラックピッチの狭小化を実現する。    【解決手段】  まずガラス基板２０１上に蓄熱層２０２およびフォトレジスト層２０３が形成されたフォトレジスト原盤２０４が作製される。次いで、フォトレジスト原盤２０４に対して、レーザカッティングが行われる。レーザカッティングでは、遠紫外域レーザビーム２２０が使用され、レーザビーム２２０を所定の範囲内の照射レートで照射することにより行われる。レーザビームの照射レートを所定の範囲内に設定することにより、ビームの中央部が通過する領域に凸部２０３Ｙが形成され、その結果、２本のグルーブが同時に形成される。【選択図】  図２
2005063526.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体の製造に使用されるスタンパであって、
螺旋状または同心円状に一対のグルーブが形成されていることを特徴とするスタンパ。
【請求項２】
螺旋状または同心円状に一対のグルーブが形成されていることを特徴とする記録媒体。
【請求項３】
基板と、前記基板上に設けられた所定の厚みＬを有する蓄熱層と、前記蓄熱層上に設けられたフォトレジスト層とを少なくとも備えているフォトレジスト原盤に対して、
Ｌ＜78nmのとき、
−０．０１０１Ｌ＋１．６３９≦Ｉ≦−０．００４５Ｌ＋１．５５０７
という条件を満足し、
Ｌ≧78nmのとき、
−０．００１４Ｌ＋０．９５８１≦Ｉ≦−０．０００９Ｌ＋１．２７２３
という条件を満足するように遠紫外域のレーザビームを所定の照射レートＩで螺旋状または同心円状に照射して、前記フォトレジスト原盤を露光する工程と、
前記フォトレジスト原盤を現像することにより、凹凸パターンが形成されたフォトレジスト原盤を作製する工程と、
前記フォトレジスト原盤上の凹凸パターンを転写してスタンパを製造する工程を少なくとも含むスタンパの製造方法。
【請求項４】
前記蓄熱層の厚みＬが、1nm≦Ｌ≦300nmという条件を満足する請求項３に記載のスタンパの製造方法。
【請求項５】
前記蓄熱層の厚みＬが、50nm≦Ｌ≦200nmという条件を満足する請求項３に記載のスタンパの製造方法。
【請求項６】
前記基板が、ガラス基板であり、
前記蓄熱層が、光吸収性を持つ有機化合物を含有しており、
前記フォトレジスト層が、ノボラック型フォトレジスト層である請求項３乃至５のいずれか１項に記載のスタンパの製造方法。
【請求項７】
基板と、前記基板上に設けられた所定の厚みＬを有する蓄熱層と、前記蓄熱層上に設けられたフォトレジスト層とを少なくとも備えているフォトレジスト原盤に対して、
Ｌ＜78nmのとき、
−０．０１０１Ｌ＋１．６３９≦Ｉ≦−０．００４５Ｌ＋１．５５０７
という条件を満足し、
Ｌ≧78nmのとき、
−０．００１４Ｌ＋０．９５８１≦Ｉ≦−０．０００９Ｌ＋１．２７２３
という条件を満足するように遠紫外域のレーザビームを所定の照射レートＩで螺旋状または同心円状に照射して、前記フォトレジスト原盤を露光する工程と、
前記フォトレジスト原盤を現像することにより、凹凸パターンが形成されたフォトレジスト原盤を作製する工程と、
前記フォトレジスト原盤上の凹凸パターンを転写してスタンパを製造する工程と、
前記スタンパ上の凹凸パターンを転写して記録媒体用基板を製造する工程を少なくとも含む記録媒体の製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スタンパ、記録媒体およびこれらの製造方法に関し、より詳細には、狭トラックピッチ化により大容量化を図ることが可能なスタンパ、記録媒体およびこれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
記録媒体の一つである光ディスクの製造では、まず精密に研磨・洗浄されたガラス基板上にフォトレジストをスピンコート法によって均一に塗布して、ガラス基板上にフォトレジスト層が形成されたフォトレジスト原盤を作製する。次いで、所定のフォーマットにしたがって光変調されかつ集光されたレーザビームを照射してフォトレジスト層を露光することにより、ピットやグルーブなどの潜像を形成する。さらにこのガラス基板を現像することにより、潜像部分を除去して、ガラス基板上にグルーブなどの凸凹パターンを形成する。さらに、凹凸パターンが形成されたフォトレジスト原盤にメッキ処理を行った後、メッキ部分を剥離して、凸凹パターンが転写されたスタンパを作製する。このスタンパを用いて光ディスクが製造される。
【０００３】
ところで、近年の記録媒体の大容量化への要求に応えるためには、グルーブやプリピットのスケールを小さくし、トラックピッチを狭める必要がある。そのためには、レーザビームを原盤面に集光したときに形成されるビームのスポットサイズを小さくする必要がある。スポットサイズは、レーザビームの波長をλ、対物レンズの開口数をＮＡとすると、λ／ＮＡに比例するため、波長λを短くするかまたＮＡを大きくすれば、スポットサイズを小さくすることが可能になる。しかし、ＮＡはすでに限界に近い0.9以上が使われており、λを現状より短い紫外領域にすると、光学部品のコストが上がることとなり、また焦点深度が小さくなるためさらに露光装置の条件が厳しくなってしまう。
【０００４】
例えば、大容量の光ディスクであるブルーレイディスクのトラックピッチは0.32μmとされ、スタンパのグルーブ作成用レーザとしては遠紫外域、具体的には波長λ＝248〜266nm前後のものが使用される。この波長のレーザビームを用いてスタンパを製造する場合において、大容量化を図るべくトラックピッチをぎりぎりまで詰めたとしても、スポットサイズの限界から、トラックピッチはせいぜい0.24μmとすることしかできず、その場合でもエッジの鋭いパターンを形成することはできなかった。すなわち、高密度化の限界は0.24μm程度であった。
【０００５】
一方、露光スポットサイズよりも細いグルーブを形成することを可能とし、かつトラックピッチが狭くなったとしても均一なパターンを形成することが可能なフォトレジスト原盤（スタンパ）の製造方法も知られている（特許文献１）。この方法では、ガラス基板上に非感光性の水溶性樹脂からなる下層を形成し、その上にフォトレジストからなる上層を形成するが、下層と上層との間に、これらと混合しない無機材料からなる中間層を設けている。光オゾンアッシングで下層エッチングを行う工程において、中間層はエッチングされることがないため、この中間層がカバーの役割を果たす。したがって、トラックピッチを狭くすることでフォトレジスト層のマスク部の高さが低くなった場合にも、下層にエッジの崩れのない、安定したパターン形状を得ることができる。
【特許文献１】特開２００２−３３４４８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述したフォトレジスト原盤の製造方法は、下層、中間層、上層の３層を必要とし、光オゾンアッシング処理を行う必要があるなど、工数の増加が問題となる。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、簡単な工程により、トラックピッチの狭小化を実現することが可能なスタンパの製造方法および記録媒体の製造方法を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、記録媒体の大容量化を実現することが可能なスタンパを提供することにある。
【０００９】
また、本発明のさらに他の目的は、大容量化を実現することが可能な記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の前記目的は、記録媒体の製造に使用されるスタンパであって、螺旋状または同心円状に一対のグルーブが形成されていることを特徴とするスタンパによって達成される。
【００１１】
本発明によれば、記録媒体の大容量化を実現することが可能となる。
【００１２】
本発明の前記目的はまた、螺旋状または同心円状に一対のグルーブが形成されていることを特徴とする記録媒体によっても達成される。
【００１３】
本発明によれば、大容量化を実現することが可能な記録媒体を提供することができる。
【００１４】
本発明の前記目的はまた、基板と、前記基板上に設けられた所定の厚みＬを有する蓄熱層と、前記蓄熱層上に設けられたフォトレジスト層とを少なくとも備えているフォトレジスト原盤に対して、Ｌ＜78nmのとき、−０．０１０１Ｌ＋１．６３９≦Ｉ≦−０．００４５Ｌ＋１．５５０７という条件を満足し、Ｌ≧78nmのとき、−０．００１４Ｌ＋０．９５８１≦Ｉ≦−０．０００９Ｌ＋１．２７２３という条件を満足するように遠紫外域のレーザビームを所定の照射レートＩで螺旋状または同心円状に照射して、前記フォトレジスト原盤を露光する工程と、前記フォトレジスト原盤を現像することにより、凹凸パターンが形成されたフォトレジスト原盤を作製する工程と、前記フォトレジスト原盤上の凹凸パターンを転写してスタンパを製造する工程を含むスタンパの製造方法によっても達成される。
【００１５】
本発明によれば、簡単な工程により、スタンパのグルーブ幅やトラックピッチの狭小化を実現することができ、このスタンパを用いることで最終的には記録媒体の大容量化を図ることができる。
【００１６】
本発明の前記目的はまた、基板と、前記基板上に設けられた所定の厚みＬを有する蓄熱層と、前記蓄熱層上に設けられたフォトレジスト層とを少なくとも備えているフォトレジスト原盤に対して、Ｌ＜78nmのとき、−０．０１０１Ｌ＋１．６３９≦Ｉ≦−０．００４５Ｌ＋１．５５０７という条件を満足し、Ｌ≧78nmのとき、−０．００１４Ｌ＋０．９５８１≦Ｉ≦−０．０００９Ｌ＋１．２７２３という条件を満足するように遠紫外域のレーザビームを所定の照射レートＩで螺旋状または同心円状に照射して、前記フォトレジスト原盤を露光する工程と、前記フォトレジスト原盤を現像することにより、凹凸パターンが形成されたフォトレジスト原盤を作製する工程と、前記フォトレジスト原盤上の凹凸パターンを転写してスタンパを製造する工程と、前記スタンパ上の凹凸パターンを転写して記録媒体用基板を製造する工程を少なくとも含む記録媒体の製造方法によっても達成される。
【００１７】
本発明によれば、簡単な工程により、記録媒体のグルーブ幅やトラックピッチの狭小化を実現することが可能となる。
【００１８】
本発明の好ましい実施態様において、前記基板はガラス基板であり、前記蓄熱層は光吸収性を持つ有機化合物を含有しており、前記フォトレジスト層はノボラック型フォトレジスト層である。
【００１９】
本発明の好ましい実施態様によれば、フォトレジスト原盤上に一対のグルーブを確実に形成することができる。
【００２０】
本発明の好ましい実施態様においては、前記蓄熱層の層厚が１nm乃至３００nmの範囲内である。
【００２１】
本発明の好ましい実施態様によれば、レーザカッティング時に露光用レーザビームを所定の照射レートで照射することにより、フォトレジスト原盤上に一対のグルーブを確実に形成することでき、グルーブ幅やトラックピッチの狭小化の精度を高めることができる。
【００２２】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記蓄熱層の層厚が５０nm乃至２００nmの範囲内である。
【００２３】
本発明のさらに好ましい実施態様によれば、蓄熱層の機能を十分に発揮させることができ、レーザカッティング時にフォトレジスト原盤上に一対のグルーブを形成させることが可能な露光用レーザビームの照射レートの範囲を広げることができるので、最終的には、グルーブ幅やトラックピッチの狭小化の精度をさらに高めることができる。
【発明の効果】
【００２４】
以上説明したように、本発明によれば、簡単な工程により、トラックピッチの狭小化を実現することが可能なフォトレジスト原盤の製造方法、スタンパの製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、記録媒体の大容量化を実現することが可能なスタンパを提供することができる。さらにまた、本発明によれば、大容量化を実現することが可能な記録媒体を提供することができる
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
【００２６】
図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光ディスクの構造を示す略平面図である。
【００２７】
図１に示されるように、この光ディスク１０１には、実線で示されている第１のグルーブ１０２ａおよび破線で示されている第２のグルーブ１０２ｂからなる一対のグルーブ１０２が螺旋状に形成されている。なお、実線と破線は２本のグルーブを図面上で明確に区別できるようにするために用いられており、第１および第２のグルーブの幅および深さは略同一である。本実施態様において、グルーブ１０２ａとグルーブ１０２ｂとの間のトラックピッチは0.16μm以下となっている。これら一対のグルーブ１０２は、２本のグルーブ１０２ａおよび１０２ｂが同時に形成されたものである。なお、グルーブがウォブリングされる場合には、同一のウォブル形状を有することになる。グルーブのトラックピッチは従来の光ディスクのトラックピッチよりも狭いため、高密度記録を実現することができる。
【００２８】
次に、光ディスクの製造方法について詳細に説明する。光ディスクの製造では、まずマスタリング工程によりスタンパが製造され、このスタンパを用いて光ディスクが製造される。
【００２９】
図２（ａ）乃至（ｇ）は、本発明の好ましい実施態様にかかるスタンパの製造方法を示す模式図である。
【００３０】
図２（ａ）に示されるように、まず精密に研磨されたディスク状のガラス基板２０１が用意され、その上にカップリング剤が付与され、さらに光吸収性を持つ有機化合物（以下、光吸収剤ともいう）を含有する塗布液がスピンコート法によって均一に塗布される。その後、所定の温度で一定時間焼成されて、ガラス基板２０１上に所定の層厚を有する蓄熱層２０２が形成される。蓄熱層２０２の層厚としては、1nm〜300nmの範囲内であることが好ましく、50nm〜200nmの範囲内であることがさらに好ましい。
光吸収剤としては、光開始剤、光開始助剤及び染料から選択される少なくとも１種の化合物を用いることが好ましい。一般に、光開始剤は光硬化型樹脂と共に用いられ、紫外線等の光を吸収してラジカルを発生する有機化合物である。また光開始助剤は、自身は紫外線照射により活性化しないが、光開始剤と併用した場合には、光開始剤の単独使用よりも開始反応が促進され、硬化反応が効率的に進む。光開始剤はラジカルを発生して分解するが、光開始助剤は安定であるため、本発明では光開始助剤を用いることがより好ましい。光開始助剤としては、主として脂肪族又は芳香族のアミンが使用される。本発明では、光開始助剤として、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸（ｎ−ブトキシ）エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、４−ジメチルアミノ安息香酸２−エチルヘキシルの少なくとも１種を使用することが好ましく、このうち特にベンゾフェノン系化合物も用いることが好ましい。
塗布液の調製では、光吸収剤を溶媒に溶解させるが、必要に応じ熱架橋性化合物を含有させる。また、このほか、フォトレジスト層との接着性を向上させる接着助剤、吸光剤、界面活性剤などの各種添加物を、必要に応じて塗布液に添加してもよい。
次いでノボラック系樹脂やポリスチレン樹脂などを骨格樹脂とするフォトレジストがスピンコート法によって均一に塗布されて、蓄熱層２０２上に所定の層厚を有するフォトレジスト層２０３が形成される。フォトレジスト層２０３の層厚は特に限定されないが、最終的に形成されるべきグルーブの高さを考慮して適切な厚みに設定される。以上の工程を経て、ガラス基板２０１、蓄熱層２０２およびフォトレジスト層２０３からなるフォトレジスト原盤２０４が作製される。
【００３１】
次いで、図２（ｂ）に示されるように、フォトレジスト原盤２０４に対して、レーザカッティングが行われる。レーザカッティングでは、遠紫外域、具体的には波長λ＝248 nm〜266nmのレーザビーム２２０が使用される。レーザビーム２２０は対物レンズ２３０によって集光され、フォトレジスト層２０３に照射される。
【００３２】
ここで、レーザカッティングは、レーザビーム２２０を所定の照射レートで照射することにより行われる。具体的には、フォトレジスト原盤の蓄熱層１０２の厚みをＬとするとき、照射レートＩは、Ｌ＜78nmにおいて、−０．０１０１Ｌ＋１．６３９≦Ｉ≦−０．００４５Ｌ＋１．５５０７という条件を満足し、Ｌ≧78nmにおいて、−０．００１４Ｌ＋０．９５８１≦Ｉ≦−０．０００９Ｌ＋１．２７２３という条件を満足する値に設定される。
【００３３】
フォトレジスト原盤２０４は原盤露光装置内のターンテーブルにセットされ、フォトレジスト原盤２０４を回転させながら露光用レーザビーム２２０の照射位置をフォトレジスト原盤の径方向にシフトさせることにより、レーザビーム２２０はフォトレジスト原盤に対して螺旋状に照射される。このようにフォトレジスト層を露光することにより、フォトレジスト層２０３上の露光領域２０３Ｘにはグルーブの潜像が形成される。ただし隣接トラック間には未露光領域２０３Ｚが残っている。
【００３４】
通常、１本の螺旋状の露光領域２０３Ｘには１本のグルーブの潜像しか形成されないが、本実施態様においては、レーザビームの照射レートを上述した所定の範囲内に設定することにより、ビームの中央部が通過する領域に凸部２０３Ｙが形成され、その結果、２本のグルーブの潜像が同時に形成される。２本のグルーブの潜像が１ビームで形成されることから、グルーブをウォブリングする場合には、一対のグルーブが同一のウォブル形状を有することになる。凸部２０３Ｙが形成される原理は不明であるが、おそらく、ガウシアン分布をもつレーザビームの中央付近のパワーレベルの高い領域においてフォトレジストが溶融、変質して現像液に不溶になるためと考えられる。
【００３５】
その後、図２（ｃ）に示されるように、露光後のフォトレジスト原盤２０４を現像して潜像部分を除去することにより、表面に凹凸パターンが形成されたフォトレジスト原盤２０４が完成する。このとき、凸部２０３Ｙは現像液によって溶解されず、露光されていないフォトレジスト２０３Ｚとともに残存してフォトレジスト原盤２０４上の凹凸パターンの一部となる。
【００３６】
そして、フォトレジスト原盤２０４から凹凸パターンを転写することによりスタンパが製造される。まず図２（ｄ）に示されるように、フォトレジスト原盤２０４に無電解メッキ処理を施すことにより、凹凸パターン上に無電解ニッケル層２０５が形成される。なお、スパッタリングによりニッケル層２０５を形成しても構わない。
【００３７】
図２（ｅ）に示されるように、無電解ニッケル層２０５を電極として使用して電解ニッケルメッキ処理を施すことにより、無電解ニッケル層２０５上に電解ニッケル層２０６が形成される。フォトレジスト層２０３および２つのニッケル層２０５、２０６からなる積層体はガラス基板２０１から剥離され、この積層体を強アルカリ液に浸してフォトレジスト層２０３と蓄熱層２０２を除去することにより、図２（ｆ）に示されるように、無電解ニッケル層および電解ニッケル層の積層体からなり、フォトレジスト原盤の凹凸パターンが転写されたスタンパ２０７が作製される。なお、スタンパの凹凸パターンはフォトレジスト原盤の凹凸パターンのネガパターンである。
【００３８】
図３（ａ）および（ｂ）は、光ディスクの製造方法を示す模式図である。
【００３９】
光ディスクの製造では、図３（ａ）に示されるように、射出成形用の金型３０１内にスタンパ２０７をセットした後、金型内にポリカーボネートなどの樹脂を流し込み、これを硬化させる。その結果、スタンパ上の凹凸パターンが転写された光ディスク用基板２０８が作製される。さらに図２（ｂ）に示されるように、この光ディスク用基板２０８上に、誘電体層、記録層、反射層、保護層などからなる多層膜２０９を形成して、ＲＯＭ型、追記型または書き換え型の光ディスク２１０が製造される。
【００４０】
以上説明したように、本実施態様によれば、マスタリング工程においてフォトレジスト原盤をレーザカッティングする際、露光用レーザビームの照射レートを上述した所定のレートに設定することにより、ビームのスポットサイズよりも狭小かつエッジの鋭い凸部２０３Ｙをフォトレジスト原盤上に形成することができる。したがって、１本のビームを照射するだけで一対のグルーブを形成することができ、最終的には、トラックピッチの狭い光ディスクを製造することができる。例えば、本実施態様によれば、遠紫外線レーザを用いても通常は形成することができない0.16μmのトラックピッチを倍速カッティングにより形成することができる。したがって、光ディスクの大容量化を図ることができる。
【００４１】
なお、トラックピッチが従来の半分になれば径方向への記録密度は２倍となるが、実際には光ディスクの周方向への記録密度も約２倍にすることができ、光ディスク全体の高密度化を実現することができる。例えば、２５ＧＢの光ディスクであれば１００ＧＢとなり、従来に比べて４倍の記録容量を実現することができる。
【００４２】
さらに、上述した従来の製造工程のように、ガラス基板上にレジスト層として下層、中間層、上層を積層した多層構造とする必要がなく、光オゾンアッシング処理なども不要であるため、製造工程を簡素化することができる。
【００４３】
図４は、本発明の他の好ましい実施態様にかかる光ディスクの構造を示す模式図である。
【００４４】
図４に示されるように、この光ディスク４０１は、実線で示されている第１のグルーブ４０２ａおよび破線で示されている第２のグルーブ４０２ｂからなる一対のグルーブ４０２が同心円状に形成されている点が図１に示した光ディスク１０１と異なっている。これら一対のグルーブ４０２は、光ディスク４０１上１本のレーザビームを走査させることで、２本のグルーブ４０２ａおよび４０２ｂが同時に形成されたものである。グルーブのトラックピッチは従来の光ディスクのトラックピッチよりも狭いため、高密度記録を実現することができる。
【実施例１】
【００４５】
本発明の効果をよりいっそう明瞭なものとするため、以下に実施例を掲げる。
【００４６】
フォトレジスト原盤のサンプル＃１を以下のようにして作製した。
【００４７】
まず、ガラス基板を用意し、それらの上にカップリング剤を付与した後、東京応化工業（株）製のベンゾフェノン系化合物を含有する塗布液（ＳＷＫＴ５Ｄ６０）をスピンコート法により塗布し、200℃で15分間焼成して、ガラス基板上に厚さ186 nmの蓄熱層を形成した。次いで、日本ゼオン（株）製のフォトレジスト（ＤＶＲ１００）をスピンコート法により塗布し、90℃で20分間焼成して、蓄熱層上に厚さ35 nmのフォトレジスト層を形成した。
【００４８】
こうして作製されたフォトレジスト原盤のサンプル＃１に対して、波長λ＝266nmの遠紫外線レーザを光源としてゾーンカッティングを行った。カッティング条件としては、固定条件として、ＣＬＶ＝2.66m/s、トラックピッチを0.32μmとした。そして、照射レートを0.6mJ/mから1.5 mJ/mまで0.05 mJ/mステップで変化させて、１９個のゾーンを形成した。次いで、現像処理を行い、メッキ処理を行って、グルーブが形成されたスタンパのサンプル＃１とした。
【００４９】
さらに、蓄熱層の厚みを異ならせた点以外はフォトレジスト原盤のサンプル＃１と同様にして、サンプル＃２、＃３および＃４を作製し、同様にレーザカッティングを行った。フォトレジスト原盤のサンプル＃２の蓄熱層の厚みは148nmとし、サンプル＃３の蓄熱層の厚みは78nmとし、サンプル＃４の蓄熱層の厚みは34nmとした。その後スタンパサンプル＃１と同様にして、スタンパのサンプル＃２〜＃４とした。
【００５０】
以上のようにして作製されたスタンパのサンプル＃１〜＃４の各ゾーンにおけるグルーブ形状をＳＥＭ観察した。その結果を図５に示す。
【００５１】
図５は、レーザビームの照射レートとグルーブ形状の変化との関係を示すグラフである。このグラフにおいて、横軸は蓄熱層の厚みＬ[nm]を示しており、縦軸はレーザビームの照射レートＩ[mJ/m]を示している。また、丸印でプロットされた点は、凸部が形成されることによって１本のグルーブから２本のグルーブに変化したときの照射レートを示しており、四角印でプロットされた点は、凸部が形成されなくなることによって２本のグルーブから１本のグルーブに変化したときの照射レートを示している。
【００５２】
図５に示されるように、スタンパのサンプル＃１〜＃４全体の傾向として、照射レートが低い場合には１本のビームから１本のグルーブしか形成されないが、照射レートを徐々に上げていくとある照射レートから２本のグルーブが形成されるようになり、さらに上げていくと、再び１本のグルーブしか形成されなくなることが分かる。
【００５３】
個々のサンプルについて見ると、サンプル＃１では、照射レートが0.7mJ/m以上かつ1.05mJ/m以下のときに２本のグルーブが形成されており、照射レートが0.65mJ/m以下および1.1mJ/m以上のときに１本のグルーブが形成されていることが分かる。
【００５４】
サンプル＃２では、照射レートが0.75mJ/m以上かつ1.1mJ/m以下のときに２本のグルーブが形成されており、照射レートが0.70mJ/m以下および1.15mJ/m以上のときに１本のグルーブしか形成されなくなった。
【００５５】
サンプル＃３では、照射レートが0.85mJ/m以上かつ1.20mJ/m以下のときに２本のグルーブが形成されており、照射レートが0.80mJ/m以下および1.25mJ/m以上のときに１本のグルーブが形成されていることが分かる。
【００５６】
サンプル＃４では、照射レートが1.3mJ/m以上かつ1.35mJ/m以下のときに２本のグルーブが形成されていたが、照射レートが1.25mJ/m以下および1.4mJ/m以上のときに１本のグルーブが形成されていることが分かる。
【００５７】
以上の結果を考慮すると、１本のレーザビームから２本のグルーブを形成するためには、蓄熱層の厚みＬが78nmよりも小さいとき、
−０．０１０１Ｌ＋１．６３９≦Ｉ≦−０．００４５Ｌ＋１．５５０７
という条件を満足し、Ｌが78nm以上のとき、
−０．００１４Ｌ＋０．９５８１≦Ｉ≦−０．０００９Ｌ＋１．２７２３
という条件を満足していればよいと考えられる。
【００５８】
ここで、｛−０．０１０１Ｌ＋１．６３９｝は、Ｌ＜78nmのときに図５中の丸印でプロットされた点から近似的に求められる関数であり、｛−０．００１４Ｌ＋０．９５８１｝は、Ｌ≧78nmのときに丸印でプロットされた点から近似的に求められる関数である。また｛−０．００４５Ｌ＋１．５５０７｝は、Ｌ＜78nmのときに図５中の四角印でプロットされた点から近似的に求められる関数であり、｛−０．０００９Ｌ＋１．２７２３｝は、Ｌ≧78nmのときに四角印でプロットされた点から近似的に求められる関数である。レーザビームの照射レートがこれら上下２つの折れ線グラフの間にあれば、現像時に溶解されない凸部をフォトレジスト原盤上に形成させることができ、その結果、２本のグルーブが同時に形成されるものといえる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更を加えることが可能であり、これらも本発明の範囲に包含されるものであることは言うまでもない。
【００６０】
例えば、前記実施態様においては、スタンパから光ディスクが製造される場合を例に説明したが、これに限定されるものではなく、例えばディスクリートトラックメディアのような磁気記録媒体や光磁気記録媒体を製造する場合にも適用可能である。さらには、ディスク状のものに限らず、カード型記録媒体であってもよく、直線状のトラックを有する記録媒体に対しても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光ディスクの構造を示す模式図である。
【図２】図２（ａ）乃至（ｊ）は、本発明の好ましい実施態様にかかる光ディスクの製造方法を示す模式図である。
【図３】図３は、光ディスクの製造方法を示す模式図である。
【図４】図４は、本発明の他の好ましい実施態様にかかる光ディスクの構造を示す模式図である。
【図５】図５は、レーザビームの照射レートとグルーブ形状の変化との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６２】
１０１      光ディスク
１０２      グルーブ
１０２ａ      第１のグルーブ
１０２ｂ      第２のグルーブ
２０１      ガラス基板
２０２      蓄熱層
２０３      フォトレジスト層
２０３Ｘ      潜像部分
２０３Ｙ      凸部
２０４      フォトレジスト原盤
２０５      無電解ニッケル層
２０６      電解ニッケル層
２０７      スタンパ
２０８      光ディスク用基板
２０９      多層膜
２１０      光ディスク
２２０      露光用レーザビーム
４０１      光ディスク
４０２      グルーブ
４０２ａ      第１のグルーブ
４０２ｂ      第２のグルーブ
【図１】
2005063526.tif 000003
【図２】
2005063526.tif 000004
【図３】
2005063526.tif 000005
【図４】
2005063526.tif 000006
【図５】
2005063526.tif 000007