(57)【要約】【課題】磁界検出回路を使用することにより、信号入力の為の電極端子を設けることなく、また印加する磁束密度を多値化して、少ない磁界検出回路で多数のデータ設定を可能とし、チップ面積の小型化を実現する。【解決手段】データ入力端子、制御信号端子にホール素子を用いた第１の磁界検出回路１１０の出力を第１のＤ−ＦＦ１０１のデータ端子、第２の磁界検出回路１１１の出力を第１のＤ−ＦＦ１０１のクロック端子に接続し、第１のＤ−ＦＦ１０１のＱ端子を第２のＤ−ＦＦ１０２のＤ端子に接続、第２のＤ−ＦＦ１０２のＱ端子を第３のＤ−ＦＦ１０３のＤ端子に接続する。第１〜第３のＤ−ＦＦ１０１〜１０３のクロック端子を全て共通に接続し、第１〜第３のＤ−ＦＦ１０１〜１０３のＱ端子あるいはＮＱ端子で、３ビットのデータを設定する。磁気的信号を用いて、データ入力，制御信号の入力を行うことで、電極端子を削除して電子部品パッケージを小型化する。【選択図】図１
2005295008.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の磁界検出回路と、第２の磁界検出回路と、前記第１の磁界検出回路の出力とデータ端子を接続し、前記第２の磁界検出回路の出力とクロック端子を接続した第１のデータ端子付きフリップフロップ（以下、Ｄ−ＦＦという）と、前記第１のＤ−ＦＦのＱ端子とデータ端子を接続した第２のＤ−ＦＦと、前記第２のＤ−ＦＦから以下同様にＱ端子とデータ端子をシリーズに接続したｎ個のＤ−ＦＦとを備え、前記１〜ｎ個の各Ｄ−ＦＦのクロック端子を全て共通に接続し、ｎ個のＤ−ＦＦの各Ｑ端子あるいはＮＱ端子によって、ｎビットのデータを設定することを特徴とするデータ入力回路。
【請求項２】
３状態の磁束密度に対応した出力を行う磁界検出回路と、ｎ個の前記磁界検出回路の出力を入力とするエンコーダ回路とを備え、前記エンコーダ回路の出力によって、ｍ（ｍは２ｍ＞３ｎを満たす自然数）ビットのデータを設定することを特徴とするデータ入力回路。
【請求項３】
前記エンコーダ回路に、３状態の磁束密度に対応した出力を行う磁界検出回路の出力を接続し、前記磁界検出回路の出力する３状態の切り替わりに対応したデータ入力の制御を行うことを特徴とする請求項２記載のデータ入力回路。
【請求項４】
４状態の磁束密度に対応した出力を行う磁界検出回路と、前記磁界検出回路の出力を入力とするエンコーダ回路とを備え、前記エンコーダ回路の出力によって、２ビットのデータを設定することを特徴とするデータ入力回路。
【請求項５】
前記磁界検出回路をｎ（ｎは２以上の自然数）個設け、ｎ個の前記磁界検出回路の出力を入力とするエンコーダ回路の出力によって、２ｎビットのデータを設定することを特徴とする請求項４記載のデータ入力回路。
【請求項６】
ｎ状態の磁束密度に対応した出力を行う磁界検出回路と、前記磁界検出回路の出力を入力するＡ−Ｄ変換回路とを備え、前記Ａ−Ｄ変換回路の出力によって、ｍ（ｍは２ｍ≧ｎを満たす自然数）ビットのデータを設定することを特徴とするデータ入力回路。
【請求項７】
前記磁界検出回路をｊ（ｊは２以上の自然数）個設けて、ｊｍビットのデータを設定することを特徴とする請求項６記載のデータ入力回路。
【請求項８】
ｎ状態の磁束密度に対応した出力を行う磁界検出回路と、前記磁界検出回路の出力を入力とするエンコーダ回路とを備え、前記磁界検出回路におけるｎ状態の磁束密度が切り替わる場合の数ｎ（ｎ−１）に対応した前記エンコーダ回路の出力によって、ｍ（ｍは２ｍ≧ｎ（ｎ−１）を満たす自然数）ビットのデータを設定することを特徴とするデータ入力回路。
【請求項９】
前記磁界検出回路をｊ（ｊは２以上の自然数）個設けて、ｊｍビットのデータを設定することを特徴とする請求項８記載のデータ入力回路。
【請求項１０】
ｎ状態の磁束密度に対応した出力を行う磁界検出回路と、前記磁界検出回路の出力を入力とするエンコーダ回路とを備え、前記磁界検出回路におけるｎ状態の磁束密度がｋ（ｋは２以上の自然数）回切り替わる場合の数ｐに対応した前記エンコーダ回路の出力によって、ｍ（ｍは２ｍ≧ｐを満たす自然数）ビットのデータを設定することを特徴とするデータ入力回路。
【請求項１１】
前記磁界検出回路をｊ（ｊは２以上の自然数）個設けて、ｊｍビットのデータを設定することを特徴とする請求項１０記載のデータ入力回路。
【請求項１２】
ｎ状態の磁束密度に対応した出力を行う第１の磁界検出回路と、２状態の磁束密度に対応した出力を行う第２の磁界検出回路と、前記第１，第２の磁界検出回路の各出力を入力とするエンコーダ回路とを備え、前記第２の磁界検出回路の出力信号で同期をとり、前記第１の磁界検出回路におけるｎ状態の磁束密度がｋ（ｋは２以上の自然数）回切り替わる場合の数qに対応した前記エンコーダ回路の出力によって、ｍ（ｍは２ｍ≧qを満たす自然数）ビットのデータを設定することを特徴とするデータ入力回路。
【請求項１３】
前記第１の磁界検出回路をｊ（ｊは２以上の自然数）個設けて、ｊｍビットのデータを設定することを特徴とする請求項１２記載のデータ入力回路。
【請求項１４】
前記第２の磁界検出回路に代えて電気的端子を設け、同期信号を入力することを特徴とする請求項１２記載のデータ入力回路。
【請求項１５】
前記第１の磁界検出回路をｊ（ｊは２以上の自然数）個設けて、ｊｍビットのデータを設定し、前記第２の磁界検出回路に代えて電気的端子を設けて同期信号を入力することを特徴とする請求項１２記載のデータ入力回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路に設けられている、特にデータ入力回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種のデータ入力回路には、シリーズにデータを入力することで、入力端子数を少なくしたものがある。また、磁界検出回路にはホール素子を利用して、高精度の検出を可能としたものがある(特許文献１参照)。
【０００３】
以下、従来の半導体集積回路に設けられるデータ入力回路について図面を用いて説明する。図９（ａ）は、３ビットのデータを設定するためのデータ入力回路を示す図であり、第１のデータ端子付きフリップフロップ（以下、Ｄ−ＦＦという）１の出力であるＱ端子を第２のＤ−ＦＦ２の入力であるＤ端子に接続し、以下同様に計３個のＤ−ＦＦの入出力端子をシリーズに接続し構成している。各Ｄ−ＦＦのクロック端子を全て共通に接続し、第１〜第３のＤ−ＦＦ１〜３の３個のＱ端子あるいはＮＱ端子において、３ビットのデータを設定する。
【０００４】
図９（ｂ）に示すように、データ入力用のデータ入力端子５から設定したいデータを時間的にシリーズに入力し、制御信号用の制御信号端子６から、同期用の信号を入力する。Ｄ−ＦＦは、クロック信号の立ち下がりを検出して、Ｄ端子の入力をＱ端子に出力する特徴をもち、最初のクロックの立ち下がり時に第１のデータをＤ端子から入力し、２番目のクロックの立ち下がり時に、第２のデータをＤ端子から入力し、３番目のクロックの立ち下がり時に、第３のデータをＤ端子から入力する。
【０００５】
この時、第１のデータは、１番目のクロックの立ち下がり時に、Ｄ−ＦＦ１のＱ端子に到達し、２番目のクロックの立ち下がり時にＤ−ＦＦ２のＱ端子に到達し、３番目のクロックの立ち下がり時にＤ−ＦＦ３のＱ端子に出力され、ｂ０ビットが設定されることになる。同様に、第２のデータは、３番目のクロックの立ち下がり時にＤ−ＦＦ２のＱ端子から出力され、ｂ１ビットが設定され、第３のデータは、３番目のクロックの立ち下がり時にＤ−ＦＦ１のＱ端子から出力され、ｂ２ビットが設定される。このようにして、データ入力回路により、３ビットの入力データが、回路内部のビットに設定される。
【０００６】
この例は、３ビットのデータを設定するデータ入力回路であるが、ｎビットのデータを設定するデータ入力回路の場合も、Ｄ−ＦＦをｎ個シリーズに接続した構成をとることにより実現でき、前述と同様の動作を行う。
【０００７】
次に、磁界検出回路について図面を用いて説明する。図１０は、特許文献１に記載された磁界センサの構成を単純化した磁界検出回路を示す図であり、ホール素子１１，増幅器１２，比較器１３〜１５から構成される。
【０００８】
ある強さの磁束密度をホール素子１１に印加すると、ホール効果により、電流及び磁束密度に垂直な方向にホール電圧と呼ばれる電位差が発生する。図１０の場合、ホール素子１１のノードＥ−Ｇ間に電流が流れるので、ノードＦ−Ｈ間にホール電圧が発生する。この電圧は、印加する磁束密度の大きさに比例する。磁束密度は、ベクトルのため方向を有し、磁石のＳ極を近づけた場合を正の磁束密度、Ｎ極を近づけた場合を負の磁束密度とすると、ホール電圧は、正負まで含めて磁束密度の大きさに比例する。
【０００９】
このホール素子１１で発生する微小なホール電圧を、増幅器１２で増幅する。ここでは、ホール電圧を増幅した電圧がある基準電圧（例えば、電源電圧ＶＣＣの１／２の電圧）を基準に、正及び負の方向に出力されることを想定している。図１０に示す増幅器１２の出力Ａ１は、印加された磁束密度に比例したアナログ電圧であり、比較器１３〜１５に入力されて、基準電圧Ｖref１〜３と比較することにより、デジタルの出力Ｄ１〜Ｄ３に変換される。このようにして、印加される磁束密度の強さに応じたアナログ電圧出力Ａ１あるいは、デジタル電圧出力Ｄ１〜Ｄ３が出力されることになり、磁界検出回路の動作が実現される。
【特許文献１】特開２００２−２３６１６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前述した従来のデータ入力回路においては、データ入力のための端子と、制御信号入力のための電極端子を設ける必要があり、この電極端子のために半導体集積回路等を１つにまとめたパッケージを構成する際に小型化できないという課題があった。
【００１１】
本発明は、前記従来技術の課題を解決することを指向するものであり、磁界検出回路によって、データ入力，制御信号入力のための電極端子を設けることなく、また磁界検出回路に印加する磁束密度の多値化により、少ない磁界検出回路で多数のデータ設定を可能としたチップ面積の小さなデータ入力回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この目的を達成するために、本発明に係るデータ入力回路は、第１の磁界検出回路と、第２の磁界検出回路と、第１の磁界検出回路の出力とデータ端子を接続し、第２の磁界検出回路の出力とクロック端子を接続した第１のデータ端子付きフリップフロップ（以下、Ｄ−ＦＦという）と、第１のＤ−ＦＦのＱ端子とデータ端子を接続した第２のＤ−ＦＦと、第２のＤ−ＦＦから以下同様にＱ端子とデータ端子をシリーズに接続したｎ個のＤ−ＦＦとを備え、１〜ｎ個の各Ｄ−ＦＦのクロック端子を全て共通に接続し、ｎ個のＤ−ＦＦの各Ｑ端子あるいはＮＱ端子によって、ｎビットのデータを設定することを特徴とする。
【００１３】
また、３状態の磁束密度に対応した出力を行う磁界検出回路と、ｎ個の磁界検出回路の出力を入力とするエンコーダ回路とを備え、エンコーダ回路の出力によって、ｍ（ｍは２ｍ＞３ｎを満たす自然数）ビットのデータを設定すること、さらに、エンコーダ回路に、３状態の磁束密度に対応した出力を行う磁界検出回路の出力を接続し、磁界検出回路の出力する３状態の切り替わりに対応したデータ入力の制御を行うことを特徴とする。
【００１４】
また、４状態の磁束密度に対応した出力を行う磁界検出回路と、磁界検出回路の出力を入力とするエンコーダ回路とを備え、エンコーダ回路の出力によって、２ビットのデータを設定すること、さらに、磁界検出回路をｎ（ｎは２以上の自然数）個設け、ｎ個の磁界検出回路の出力を入力するエンコーダ回路の出力によって、２ｎビットのデータを設定することを特徴とする。
【００１５】
また、ｎ状態の磁束密度に対応した出力を行う磁界検出回路と、磁界検出回路の出力を入力とするＡ−Ｄ変換回路とを備え、Ａ−Ｄ変換回路の出力によって、ｍ（ｍは２ｍ≧ｎを満たす自然数）ビットのデータを設定すること、さらに、磁界検出回路をｊ（ｊは２以上の自然数）個設けて、ｊｍビットのデータを設定することを特徴とする。
【００１６】
また、ｎ状態の磁束密度に対応した出力を行う磁界検出回路と、磁界検出回路の出力を入力とするエンコーダ回路とを備え、磁界検出回路におけるｎ状態の磁束密度が切り替わる場合の数ｎ（ｎ−１）に対応したエンコーダ回路の出力によって、ｍ（ｍは２ｍ≧ｎ（ｎ−１）を満たす自然数）ビットのデータを設定すること、さらに、磁界検出回路をｊ（ｊは２以上の自然数）個設けて、ｊｍビットのデータを設定することを特徴とする。
【００１７】
また、ｎ状態の磁束密度に対応した出力を行う磁界検出回路と、磁界検出回路の出力を入力とするエンコーダ回路とを備え、磁界検出回路におけるｎ状態の磁束密度がｋ（ｋは２以上の自然数）回切り替わる場合の数ｐに対応したエンコーダ回路の出力によって、ｍ（ｍは２ｍ≧ｐを満たす自然数）ビットのデータを設定すること、さらに、磁界検出回路をｊ（ｊは２以上の自然数）個設けて、ｊｍビットのデータを設定することを特徴とする。
【００１８】
また、ｎ状態の磁束密度に対応した出力を行う第１の磁界検出回路と、２状態の磁束密度に対応した出力を行う第２の磁界検出回路と、第１，第２の磁界検出回路の各出力を入力とするエンコーダ回路とを備え、第２の磁界検出回路の出力信号で同期をとり、第１の磁界検出回路におけるｎ状態の磁束密度がｋ（ｋは２以上の自然数）回切り替わる場合の数qに対応したエンコーダ回路の出力によって、ｍ（ｍは２ｍ≧qを満たす自然数）ビットのデータを設定すること、さらに、第１の磁界検出回路をｊ（ｊは２以上の自然数）個設けて、ｊｍビットのデータを設定すること、または第２の磁界検出回路に代えて電気的端子を設け、同期信号を入力することを特徴とする。
【００１９】
前記構成によれば、データ入力回路を備えた半導体集積回路において必要であった電気的端子を設けることなく、また印加する磁束密度を多値化すると少ない磁界検出回路で多数のデータを設定可能となり、チップ面積の小型化が実現できる。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように、本発明によれば、従来のデータ入力回路を備えた半導体集積回路において必要であった電気的端子を設けることなく、また印加磁束密度を多値化すると、少ない磁界検出回路で多数のデータ設定しつつ、チップ面積の小型化を実現できる。例えばＴＣＸＯ（温度補償型水晶発振器）等の電子部品のパッケージの小型化が可能であり、またシリアル入力でデータ設定を行っている分野においても、パラレル入力で高速にデータ設定が可能となるため、従来より調整工程、製造工程の時間の短縮を図れるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明における実施の形態を詳細に説明する。
【００２２】
図１は本発明の実施の形態１におけるデータ入力回路の概略構成を示すブロック図である。図１に示すように、第１の磁界検出回路１１０の出力を第１のデータ端子付きフリップフロップ（以下、Ｄ−ＦＦという）１０１のデータ端子に接続し、第２の磁界検出回路１１１の出力を第１のＤ−ＦＦ１０１のクロック端子に接続し、第１のＤ−ＦＦ１０１のＱ端子を第２のＤ−ＦＦ１０２のＤ端子に接続し、第２のＤ−ＦＦ１０２のＱ端子を第３のＤ−ＦＦ１０３のＤ端子に接続する。
【００２３】
また、第１〜第３のＤ−ＦＦ１０１〜１０３のクロック端子を全て共通に接続し、第１〜第３のＤ−ＦＦ１０１〜１０３の３個のＱ端子あるいはＮＱ端子にて、３ビットのデータを設定する。また、第１，第２の磁界検出回路１１０，１１１は、図１０に示す構成を有し、その動作に関しては背景技術の欄で説明したとおりである。例えば、図２（ａ）に示すように２状態の強さの磁束密度を印加した場合に、磁界検出回路のデジタル電圧出力Ｄ１から、領域Ａ，Ｂに対応して、Ｈigh、Ｌowの電圧が出力される（図２（ｂ）参照）。この信号を第１のＤ−ＦＦ１０１のデータ端子から、設定したいｂ０〜ｂ２ビットのデータとして時間的にシリーズに入力する。
【００２４】
また、領域Ａから領域Ｂに磁束密度を強くすることで、ＨighからＬowへの立ち下がりエッジを得ることができる。この磁束密度を強くする方法としては、コイルに電流を流して磁場を発生させる方法が考えられる。コイル電流を大きくすることにより任意の磁場を作り出すことが可能で、領域Ａから領域Ｂの磁束密度を実現できる。この信号を第１〜第３のＤ−ＦＦ１０１〜１０３のクロック端子に入力して、領域Ａから領域Ｂに切り替わるタイミングにより、設定したいデータが入力され、ｂ０〜ｂ２ビットにデータを設定できる。
【００２５】
なお、本実施の形態１において説明したデータ入力回路は３ビットのデータを設定する場合を例としているが、ｎビットのデータを設定するデータ入力回路の場合も、Ｄ−ＦＦをｎ個シリーズに接続した構成とすることにより実現できる。
【００２６】
図３は本発明の実施の形態２におけるデータ入力回路の概略構成を示すブロック図である。図３に示すように、３状態の磁束密度に対応した出力を行う３個の第１〜第３の磁界検出回路２１０〜２１２の各出力をエンコーダ回路２０１に入力し、エンコーダ回路２０１の出力により５ビットのデータを設定する。ここで、第１〜第３の磁界検出回路２１０〜２１２は、図１０に示す構成を有し、例えば図４（ａ）に示すように３状態の磁束密度を印加した場合に、磁界検出回路の出力Ｄ１，Ｄ２に、領域Ａ〜Ｃの３状態に対応した電圧が出力される。
【００２７】
ここで、領域Ａ〜Ｃは、Ｎ極の磁場が印加されている状態、磁場が印加されていない状態、Ｓ極の磁場が印加されている状態を想定している。図３に示す構成では、第１〜第３の磁界検出回路２１０〜２１２を備えているので、領域Ａ〜Ｃの３状態に対応して、各３通りの計３３＝２７通りの状態を識別できる。各磁界検出回路からはＤ１，Ｄ２の信号が出力され、この信号をエンコーダ回路２０１にて論理合成して５ビットのデータを出力する。このエンコーダ回路２０１の出力ビット数は、２ｍ≧３３を満たす自然数ｍ（通常は、この式を満たす最小の自然数）として決定され、この出力ビットにてデータを設定できる。
【００２８】
なお、本実施の形態は、磁界検出回路を３個用いた場合を例としているが、ｎ個の磁界検出回路を備えて構成してもよい。
【００２９】
図５は本発明の実施の形態３におけるデータ入力回路の概略構成を示すブロック図である。本実施の形態３は、前述の実施の形態２においてデータ入力回路を示す図３のエンコーダ回路２０１に代えて、図５に示すように、エンコーダ回路２０２として、３状態の磁束密度に対応した出力を行う第４の磁界検出回路２２０の出力を接続し、３状態の切り替わりに対応して、データ入力の制御を行うように構成したものである。
【００３０】
また、第１〜第３の磁界検出回路２１０〜２１２は図３と同様であり、第４の磁界検出回路２２０は、図１０に示す構成を有し、図４（ａ）に示すように３状態の磁束密度を印加した場合に、出力Ｄ１，Ｄ２に、領域Ａ〜Ｃの３状態に対応した電圧が出力される。この領域Ａ〜Ｃ間の切り替わり時に、出力Ｄ１，Ｄ２が変化するので、この切り替わりを検出することが可能である。ここで、３つの領域Ａ〜Ｃの切り替わりとしては、（１）領域Ａから領域Ｂ、（２）領域Ｂから領域Ａ、（３）領域Ｂから領域Ｃ、（４）領域Ｃから領域Ｂ、（５）領域Ｃから領域Ａ、（６）領域Ａから領域Ｃの６通りの切り替わりが考えられる。この切り替わりタイミングで、エンコーダ回路２０２のデータ入力を制御する。
【００３１】
図６は本発明の実施の形態４におけるデータ入力回路の概略構成を示すブロック図である。図６に示すように、４状態の磁束密度に対応した出力を行う磁界検出回路２３０の出力をエンコーダ回路２０３に入力し、両極性検出ロジック回路２０３ａ、片極性検出ロジック回路２０３ｂから構成されるエンコーダ回路２０３の出力で、２ビットのデータを設定する。ここで、磁界検出回路２３０は、図１０に示す構成を有し、図７（ａ）に示すように４状態の磁束密度を印加した場合に、磁界検出回路の出力Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３に、領域Ａ〜Ｄの４状態に対応した電圧が出力される。
【００３２】
このデジタル電圧出力Ｄ１とＤ２の論理積をとることで、デジタル電圧出力Ｄ４の信号を合成することが可能で、このデジタル電圧出力Ｄ３，Ｄ４の信号をエンコーダ回路２０３のｂ０，ｂ１ビットとして、データを設定する（図７（ｂ）参照）。また、本実施の形態４におけるデータ入力回路として、図６に示す磁界検出回路２３０をｎ（ｎは２以上の自然数）個設けて、２ｎ個のデータを設定することもできる。
【００３３】
図８は本発明の実施の形態５におけるデータ入力回路の概略構成を示すブロック図である。図８に示すように、例えば２５６状態の磁束密度に対応した出力を行う磁界検出回路２４０の出力をＡ−Ｄ変換回路２０４に入力し、このＡ−Ｄ変換回路２０４の出力で、８ビットのデータを設定する。ここで、磁界検出回路２４０は、図１０に示す構成を有し、２５６状態の磁束密度を印加した場合に、アナログ電圧出力Ａ１に２５６個の状態に対応した電圧を出力する。このアナログ電圧出力Ａ１は、Ａ−Ｄ変換回路２０４に入力されて、８ビットのデジタル信号ｂ０〜ｂ７に変換されて出力される。このＡ−Ｄ変換回路２０４のビット数は、２ｍ≧２５６を満たす自然数ｍとして決定され、この出力ビットにてデータを設定できる。
【００３４】
なお、本実施の形態５において説明した磁界検出回路２４０は２５６状態の磁束密度に対応した出力をする場合を例としているが、ｎ状態の磁束密度に対応した出力を行う磁界検出回路としても実現できる。また、本実施の形態５におけるデータ入力回路として、図８に示す磁界検出回路２４０をｊ（ｊは２以上の自然数）個設けて、ｊｍビットのデータを設定することもできる。
【００３５】
本発明の実施の形態６におけるデータ入力回路として、例えば４状態の磁束密度の状態に対応した出力を行う場合を例として説明する。本実施の形態６の磁界検出回路は、図１０に示す構成を有し、図７（ａ）に示すような４状態の磁束密度を印加した場合、出力Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３に、領域Ａ〜Ｄの４状態に対応した電圧が出力される。４つの領域Ａ〜Ｄの切り替わりを考えると、４×３＝１２通りの場合が考えられる。
【００３６】
この１２通りの場合の数に対応して、磁界検出回路の出力Ｄ１〜Ｄ３が切り替わるので、適切にエンコーダ回路を構成することにより、この場合の数に対応した４ビットの出力を得ることができる。ここで、このエンコーダ回路の出力ビット数は、２ｍ≧１２を満たす自然数ｍとして決定され、この出力ビットによってデータを設定できる。
【００３７】
なお、本実施の形態６において説明した磁界検出回路は４状態の磁束密度に対応した出力をする場合を例としているが、ｎ状態の磁束密度に対応した出力を行う磁界検出回路としても実現できる。また、本実施の形態６に記載のデータ入力回路において、磁界検出回路をｊ（ｊは２以上の自然数）個設けて、ｊｍビットのデータを設定することもできる。
【００３８】
また、本発明の実施の形態７におけるデータ入力回路として、４状態の磁束密度の状態に対応した出力を行う場合を例として説明する。本実施の形態７の磁界検出回路は、図１０に示す構成を有し、図７（ａ）に示すような４状態の磁束密度を印加した場合、出力Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３に、領域Ａ〜Ｄの４状態に対応した電圧が出力される。次に、４つの領域Ａ〜Ｄの切り替わりを２回考えると、場合の数ｐは、ｐ＝４×３×３＝３６通りとなる。この場合の数ｐに対応して、磁界検出回路の出力Ｄ１〜Ｄ３が切り替わるので、適切にエンコーダ回路を構成することにより、この場合の数ｐに対応した６ビットの出力を得ることができる。ここで、このエンコーダ回路の出力ビット数は、２ｍ≧３６を満たす自然数ｍとして決定され、この出力ビットにてデータを設定できる。
【００３９】
なお、本実施の形態７において説明した磁界検出回路は４状態の磁束密度に対応した出力を行う場合を例としているが、ｎ状態の磁束密度に対応した出力を行う磁界検出回路を用いても実現できる。また、本実施の形態７に記載のデータ入力回路において、この磁界検出回路をｊ（ｊは２以上の自然数）個設けて、ｊｍビットのデータを設定することもできる。
【００４０】
また、本発明の実施の形態８におけるデータ入力回路として、４状態と２状態の磁束密度の状態に対応した出力を行う磁界検出回路を備えた場合を例として説明する。本実施の形態８の第１の磁界検出回路は、図１０に示す構成を有し、図７（ａ）に示すような４状態の磁束密度を印加した場合、出力Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３に、領域Ａ〜Ｄの４状態に対応した電圧が出力される。また第２の磁界検出回路も、図１０に示す構成を有し、図２（ａ）に示すように２状態の磁束密度を印加した場合、出力Ｄ１に、２状態に対応した電圧が出力される。
【００４１】
この第２の磁界検出回路の２つの領域Ａ、Ｂの切り替わりに同期して、第１の磁界検出回路に印加の磁束密度として、４状態を３回入力する場合の数を考えると、場合の数ｑは、ｑ＝４×４×４＝６４通りとなる。この場合の数ｑに対応して、第１の磁界検出回路の出力が切り替わるので、適切にエンコーダ回路を構成することにより、この場合の数ｑに対応した７ビットの出力を得ることができる。ここで、このエンコーダ回路の出力ビット数は、２ｍ≧６４を満たす自然数ｍとして決定され、この出力ビットにてデータを設定できる。
【００４２】
なお、本実施の形態８において説明した第１の磁界検出回路は４状態の磁束密度に対応した出力を行う場合を例としているが、ｎ状態の磁束密度に対応した出力を行う磁界検出回路を用いても実現できる。また、本実施の形態８に記載のデータ入力回路において、第１の磁界検出回路をｊ（ｊは２以上の自然数）個設けて、ｊｍビットのデータを設定できる。
【００４３】
また、本実施の形態８におけるデータ入力回路において、第２の磁界検出回路の代わりに電気的端子を設けて同期信号を入力し、この信号に同期して、第１の磁界検出回路の入力を行うこともできる。さらに、前述の第２の磁界検出回路に代えて電気的端子を備えたデータ入力回路において、第１の磁界検出回路をｊ（ｊは２以上の自然数）個設けて、ｊｍビットのデータを設定することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明に係るデータ入力回路は、半導体集積回路の入力端子の為の電極端子を設けることなく、また印加する磁束密度を多値化することにより、少ない磁界検出回路で多数のデータを設定できるので、チップ面積の小型化が可能で、半導体集積回路のデータ入力回路として用いると有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施の形態１におけるデータ入力回路の概略構成を示すブロック図
【図２】本実施の形態１における２状態の強さの磁束密度を印加した場合の（ａ）は磁界検出回路のデジタル電圧出力Ｄ１のタイミングチャート、（ｂ）は領域Ａ，Ｂの対応表を示す図
【図３】本発明の実施の形態２におけるデータ入力回路の概略構成を示すブロック図
【図４】本実施の形態２における３状態の強さの磁束密度を印加した場合の（ａ）は磁界検出回路のデジタル電圧出力Ｄ１，Ｄ２のタイミングチャート、（ｂ）は領域Ａ，Ｂ，Ｃの対応表を示す図
【図５】本発明の実施の形態３におけるデータ入力回路の概略構成を示すブロック図
【図６】本発明の実施の形態４におけるデータ入力回路の概略構成を示すブロック図
【図７】本実施の形態４における４状態の強さの磁束密度を印加した場合の（ａ）は磁界検出回路のデジタル電圧出力Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のタイミングチャート、（ｂ）は領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの対応表を示す図
【図８】本発明の実施の形態５におけるデータ入力回路の概略構成を示すブロック図
【図９】従来のデータ入力回路の（ａ）は概略構成を示すブロック図、（ｂ）はデータ入力、制御信号のタイミングチャート
【図１０】従来の磁界センサの構成を単純化した磁界検出回路を示す図
【符号の説明】
【００４６】
１，２，３，１０１，１０２，１０３  Ｄ−ＦＦ
５  データ入力端子
６  制御信号端子
１１  ホール素子
１２  増幅器
１３，１４，１５  比較器
１１０，１１１，２１０，２１１，２１２，２２０，２３０，２４０  磁界検出回路
２０１，２０２，２０３  エンコーダ回路
２０３ａ  両極性検出ロジック回路
２０３ｂ  片極性検出ロジック回路
２０４  Ａ−Ｄ変換回路
【図１】
2005295008.tif 000003
【図２】
2005295008.tif 000004
【図３】
2005295008.tif 000005
【図４】
2005295008.tif 000006
【図５】
2005295008.tif 000007
【図６】
2005295008.tif 000008
【図７】
2005295008.tif 000009
【図８】
2005295008.tif 000010
【図９】
2005295008.tif 000011
【図１０】
2005295008.tif 000012