(57)【要約】【課題】  モールドＩＣにおいて、調整用のリード端子におけるプロービングに必要な領域が樹脂で覆われるのを防止する。【解決手段】  半導体チップ１０、１１と、半導体チップ１０、１１と電気的に接続された信号入出力用のリード端子２１と、半導体チップ１０、１１と電気的に接続された調整用のリード端子２２と、信号入出力用のリード端子２１および調整用のリード端子２２の一部を突出させた状態で、各半導体チップ１０、１１および各リード端子２１、２２をモールドするモールド樹脂４０とを備える電子装置Ｓ１において、調整用のリード端子２２におけるモールド樹脂４０から突出する部位の根元部には、溝５０が形成されている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子（１０、１１）と、
前記電子素子（１０、１１）と電気的に接続された信号入出力用のリード端子（２１）と、
前記電子素子（１０、１１）と電気的に接続された調整用のリード端子（２２）と、
前記信号入出力用のリード端子（２１）および前記調整用のリード端子（２２）の一部を突出させた状態で、前記電子素子（１０、１１）、前記信号入出力用のリード端子（２１）および前記調整用のリード端子（２２）をモールドするモールド樹脂（４０）とを備える電子装置において、
前記調整用のリード端子（２２）における前記モールド樹脂（４０）から突出する部位の根元部には、溝（５０）が形成されていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記信号入出力用のリード端子（２１）における前記モールド樹脂（４０）から突出する部位の根元部にも、溝（５１）が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップなどの電子素子をモールド樹脂にてモールドしてなる電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電子装置は、一般に、半導体チップなどの電子素子とこの電子素子に電気的に接続された信号入出力用のリード端子とを、当該信号入出力用のリード端子の一部を突出させた状態で、モールド樹脂にてモールドしてなるものであり、いわゆるモールドＩＣといわれる。
【０００３】
このようなモールドＩＣは、電子素子と信号入出力用のリード端子とをボンディングワイヤなどにより電気的に接続した後、このものを、金型に投入して樹脂成形を行い、モールド樹脂を成形することにより製造される。
【０００４】
ここで、このようにして製造されたモールドＩＣの組付工程の中に電子素子の信号オフセットなどを調整する調整工程があるが、その方法の一つとして電気的に調整する場合がある。その場合、信号入出力用のリード端子以外に処理回路などの調整用に使用するリード端子を設ける場合がある。
【０００５】
その場合、調整用のリード端子の長さは、信号入出力のリード端子のように長くせず必要最低限の長さとする構造を採用している。また、電気的な調整はＩＣソケットなどにリード端子を挿入する方法ではなく、プロービングにより電気的コンタクトをとる方法を採用している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、モールド樹脂の成形時において、調整用のリード端子のうちモールド樹脂から突出する部位に樹脂バリ（リードフラッシュ）が発生すると、当該リード端子の表面が絶縁物である樹脂にて覆われることになり、電気的調整時のプロービングの際にリード端子と電気的なコンタクトが取れなくなるという問題がある。
【０００７】
特に、上述したように、調整用のリード端子の長さは、信号入出力のリード端子のように長くせず必要最低限の長さとしており、調整用のリード端子のうちモールド樹脂から突出する部位の長さも比較的短いことから、樹脂バリによって調整用のリード端子におけるプロービングに必要な領域が覆われてしまいやすい。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑み、モールドＩＣにおいて、調整用のリード端子におけるプロービングに必要な領域が樹脂で覆われるのを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、電子素子（１０、１１）と、電子素子（１０、１１）と電気的に接続された信号入出力用のリード端子（２１）と、電子素子（１０、１１）と電気的に接続された調整用のリード端子（２２）と、信号入出力用のリード端子（２１）および調整用のリード端子（２２）の一部を突出させた状態で、電子素子（１０、１１）、信号入出力用のリード端子（２１）および調整用のリード端子（２２）をモールドするモールド樹脂（４０）とを備える電子装置において、調整用のリード端子（２２）におけるモールド樹脂（４０）から突出する部位の根元部には、溝（５０）が形成されていることを特徴としている。
【００１０】
それによれば、調整用のリード端子（２２）のうちモールド樹脂（４０）から突出する部位において、突出先端部とモールド樹脂（４０）との間に位置する部分に、溝（５０）が介在された形となる。
【００１１】
そのため、モールド樹脂（４０）の成形時において、調整用のリード端子（２２）のうちモールド樹脂（４０）から突出する部位に発生する樹脂バリを、溝（５０）でせき止めたり、あるいは選択的に溝（５０）へ導くことができる。
【００１２】
よって、本発明によれば、調整用のリード端子（２２）のうちモールド樹脂（４０）から突出する部位における突出先端部に、樹脂バリが発生するのを防止することができ、調整用のリード端子（２２）におけるプロービングに必要な領域が樹脂で覆われることを防止できる。
【００１３】
また、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の電子装置において、信号入出力用のリード端子（２１）におけるモールド樹脂（４０）から突出する部位の根元部にも、溝（５１）が形成されていることを特徴としている。
【００１４】
それによれば、本発明の溝（５１）も、上記請求項１に記載の電子装置における溝（５０）と同様の効果を奏することから、信号入出力用のリード端子（２１）におけるモールド樹脂（４０）から突出する部位が、樹脂で覆われることを防止できる。そのため、当該信号入出力用のリード端子（２１）と外部との接続において効果的である。
【００１５】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００１７】
図１（ａ）は、本発明の実施形態に係る電子装置Ｓ１の概略平面図であり、図１（ｂ）は、（ａ）中の電子装置Ｓ１の概略断面図である。なお、図１（ａ）では、モールド樹脂４０の内部を透過して示してある。
【００１８】
電子素子としての半導体チップ１０、１１が、リードフレームのアイランド部２０に接着剤などを介して搭載されている。これら半導体チップ１０、１１は、たとえばシリコン半導体からなる基板に半導体製造技術を用いてトランジスタ素子などを形成したＩＣチップである。
【００１９】
ここで、図１中、左側に位置する第１の半導体チップ１０と右側に位置する第２の半導体チップ１１とは、互いにボンディングワイヤ３０を介して結線され電気的に接続されている。このボンディングワイヤ３０は、金やアルミニウムなどからなる。
【００２０】
また、アイランド部２０の周囲には、リードフレームのリード部としてのリード端子２１、２２が配置されている。ここで、比較的長いリード端子２１が、信号入出力用のリード端子２１、比較的短いリード端子２２が、調整用のリード端子２２である。
【００２１】
そして、第１の半導体チップ１０と、信号入出力用のリード端子２１および調整用のリード端子２２とは、上記同様のボンディングワイヤ３０を介して結線され電気的に接続されている。
【００２２】
このように、各ボンディングワイヤ３０を介して、電子素子である半導体チップ１０、１１と信号入出力用のリード端子２１および調整用のリード端子２２とは、電気的に接続されている。
【００２３】
そして、信号入出力用のリード端子２１および調整用のリード端子２２の一部を突出させた状態で、各半導体チップ１０、１１、信号入出力用のリード端子２１および調整用のリード端子２２、さらにボンディングワイヤ３０は、モールド樹脂４０により包み込まれるように封止されている。
【００２４】
ここで、モールド樹脂４０は、通常のモールドＩＣに用いられるモールド材料、たとえばエポキシ系樹脂などを採用することができ、金型を用いたトランスファーモールド法により成形されるものである。
【００２５】
ここにおいて、本実施形態では、電子装置Ｓ１において、調整用のリード端子２２におけるモールド樹脂４０から突出する部位の根元部には、溝５０が形成されている。図２は、この溝５０の詳細構成を示す図である。
【００２６】
図２において、（ａ）は、調整用のリード端子２２に形成された溝５０の拡大平面図、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、（ａ）における溝５０の深さ方向における種々の形状を示す図である。
【００２７】
図２に破線の丸にて示されるように、調整用のリード端子２２におけるモールド樹脂４０から突出する部位の突出先端部２２ａは、電気的な調整を行う際に調整用装置のプローブが当たる部位、すなわちプロービングに必要な領域２２ａとして構成されている。
【００２８】
そして、調整用のリード端子２２のうちモールド樹脂４０から突出する部位において、突出先端部である上記領域２２ａとモールド樹脂４０との間に位置する部分に、溝５０が介在された形となる。
【００２９】
ここで、溝５０の深さ方向の形状は、図２（ｂ）〜（ｄ）に示されるように、Ｖ字形状、Ｕ字形状、コの字形状等任意のものとできる。
【００３０】
さらに、図３は、本実施形態における溝５０の平面配置構成の他の例を示す図である。なお、図３（ｂ）は、図３（ａ）における溝５０の深さ方向における種々の形状を示す図である。
【００３１】
図３（ａ）、（ｃ）、（ｄ）に示されるように、調整用のリード端子２２のうちモールド樹脂４０から突出する部位における上記領域２２ａを取り囲むように、溝５０が形成されていてもよい。
【００３２】
また、本実施形態では、好ましい形態として、図１に示されるように、信号入出力用のリード端子２１におけるモールド樹脂４０から突出する部位の根元部にも、溝５１が形成されている。この信号入出力用のリード端子２１に形成される溝５１についても、その構成は、上記図２や図３に示される溝形状と同様にすることができる。
【００３３】
要するに、本実施形態の溝５０、５１は、各リード端子２１、２２において上記したような樹脂バリの抑制効果を奏するものであれば、その本数や形状などは任意のものにすることができる。
【００３４】
そして、これら各リード端子２１、２２に形成される溝５０、５１は、リードフレームを製造する際のエッチングやプレス加工等により、容易に形成することができる。
【００３５】
このような電子装置Ｓ１は、次のようにして製造される。図４は、モールド樹脂４０の成形方法を示す概略断面図である。
【００３６】
溝５０、５１が形成されたリードフレームを用意する。このリードフレームでは、上記アイランド部２０と、各リード端子２１、２２とが、吊りリードやタイバーなどにより連結されて一体化されている。
【００３７】
このリードフレームのアイランド部２０に、上記半導体チップ１０、１１をダイマウントし、固定する。その後、各半導体チップ１０、１１同士の間および半導体チップ１０と各リード端子２１、２２との間を、ワイヤボンディングを行うことにより、ボンディングワイヤ３０にて結線する。
【００３８】
次に、このボンディングワイヤによる結線まで行ったものを、図４に示されるように、上型１１０、下型１２０を合致させてなる金型１００のキャビティ１３０内に設置する。そして、金型１００に設けられているゲート１４０から溶融状態にある樹脂をキャビティ１３０内に充填する。
【００３９】
キャビティ１３０内の樹脂が硬化したら、金型からワークを取り出すことにより、本実施形態のモールドＩＣとしての電子装置Ｓ１ができあがる。その後、この電子装置Ｓ１の組み付けを行うにあたって、電子装置Ｓ１の電気的な特性を調整する。
【００４０】
この電気的な調整は、調整用のリード端子２２における上記領域にプロービングによって電気的コンタクトを実現することにより、行うことができる。
【００４１】
ところで、本実施形態によれば、電子素子である半導体チップ１０、１１と、半導体チップ１０、１１と電気的に接続された信号入出力用のリード端子２１と、半導体チップ１０、１１と電気的に接続された調整用のリード端子２２と、信号入出力用のリード端子２１および調整用のリード端子２２の一部を突出させた状態で、各半導体チップ１０、１１および各リード端子２１、２２をモールドするモールド樹脂４０とを備える電子装置において、調整用のリード端子２２におけるモールド樹脂４０から突出する部位の根元部には、溝５０が形成されていることを特徴とする電子装置Ｓ１が提供される。
【００４２】
それによれば、調整用のリード端子２２のうちモールド樹脂４０から突出する部位において、突出先端部とモールド樹脂４０との間に位置する部分に、溝５０が介在された形となる。
【００４３】
そのため、モールド樹脂４０の成形時において、調整用のリード端子２２のうちモールド樹脂４０から突出する部位に発生する樹脂バリを、溝５０でせき止めたり、あるいは選択的に溝５０へ導くことができる。
【００４４】
よって、本実施形態によれば、調整用のリード端子２２のうちモールド樹脂４０から突出する部位における突出先端部に、樹脂バリが発生するのを防止することができ、調整用のリード端子２２におけるプロービングに必要な領域が、絶縁膜である樹脂で覆われることを防止できる。
【００４５】
それによって、電子装置Ｓ１の電気的な特性を調整する際に、調整用のリード端子２２における上記領域と装置のプローブとの良好な電気的コンタクトが確保されるため、当該調整を適切に行うことができる。
【００４６】
また、本実施形態では、好ましい形態として、信号入出力用のリード端子２１におけるモールド樹脂４０から突出する部位の根元部にも、溝５１が形成されている。
【００４７】
それによれば、この信号入出力用のリード端子２１における溝５１も、上記調整用のリード端子２２における溝５０と同様の効果を奏することから、信号入出力用のリード端子２１におけるモールド樹脂４０から突出する部位が、樹脂で覆われることを防止できる。そのため、当該信号入出力用のリード端子２１と外部との接続において効果的である。
【００４８】
（他の実施形態）
なお、上記実施形態では、信号入出力用のリード端子２１および調整用のリード端子２２の両方に、溝５０、５１を設けたが、調整用のリード端子２２だけに溝５０を設けた構成であってもよい。
【００４９】
また、半導体チップ１０、１１とリード端子とはボンディングワイヤによる電気的な接続以外であってもよい。たとえば、バンプを用いたフリップチップ実装方式による電気的な接続方法を採用してもよい。また、半導体チップは、複数個でなくてもよく、１個でもよい。
【００５０】
また、電子素子としては、半導体チップ以外にも、コンデンサ素子、抵抗素子などの実装部品でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態に係る電子装置の概略平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の電子装置の概略断面図である。
【図２】（ａ）は、調整用のリード端子に形成された溝の拡大平面図、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、（ａ）における溝の深さ方向における種々の形状を示す図である。
【図３】本実施形態における溝５０の平面配置構成の他の例を示す図である。
【図４】モールド樹脂の製造方法を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０、１１…半導体チップ、２１…信号入出力用のリード端子、
２２…調整用のリード端子、４０…モールド樹脂、５０、５１…溝。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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