(57)【要約】【課題】表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすること。【解決手段】複数の光導波路２０Ｘ1〜２０Ｘ4と複数の光導波路２０Ｙ1〜２０Ｙ3とがＸＹ直交をなすようにマトリクス状に配置されてなる光導波路マトリクス２０と、複数の光導波路２０Ｘ1〜２０Ｘ4を光でそれぞれ走査するＬＥＤ３０Ｘ1〜３０Ｘ4と、複数の光導波路２０Ｙ1〜２０Ｙ3を光でそれぞれ走査するＬＥＤ３０Ｙ1〜３０Ｙ3と、光導波路マトリクス２０における各交点に対応する散乱部２０11〜２０43からしきい値以上のレベルの光が照射された場合、当該交点に対応するドット画像を表示する表示パネル４０とを備えている。【選択図】        図１
2005316274.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１光導波路と複数の第２光導波路とが交差するようにマトリクス状に配置されてなる光導波路マトリクスと、
前記複数の第１光導波路を光でそれぞれ走査する第１光走査手段と、
前記複数の第２光導波路を光でそれぞれ走査する第２光走査手段と、
前記光導波路マトリクスにおける各交点からしきい値以上のレベルの光が照射された場合、当該交点に対応するドット画像を表示する表示手段と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記複数の第１光導波路および前記複数の第２光導波路は、光ファイバであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数の第１光導波路において前記各交点に対応する部分には、前記表示手段に照射すべき光を取り出すための散乱部が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記表示手段は、前記しきい値以上の光により発光するエレクトロ・ルミネッセンス層を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項５】
複数の光導波路と、複数のメタル配線とが交差するようにマトリクス状に配置されてなる光導波路−メタル配線マトリクスと、
前記複数の光導波路を光でそれぞれ走査する光走査手段と、
前記複数のメタル配線を電圧でそれぞれ走査する電圧走査手段と、
前記光導波路−メタル配線マトリクスの各交点に設けられ、前記光および前記電圧に基づいて駆動制御される複数の液晶画素と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
前記複数の光導波路と前記複数のメタル配線との各交点に設けられ、前記複数の液晶画素に接続された複数の光検出手段を備え、前記複数の光導波路において各交点に対応する部分には、伝搬光の一部を各光検出手段へ照射するための散乱部が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関するものであり、特に、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができる表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、代表的な直視型の表示装置には、液晶パネル、プラズマ・ディスプレイ・パネル、ＥＬ（Electronic Luminescent）パネル等が用いられている。これらの表示装置では、Ｘ軸、Ｙ軸に走査する二次元の走査手段により、パネル上のいずれかの画素を特定した後、この画素をオン／オフすることにより、画像をドット表示している。
【０００３】
ここで、上記走査手段は、複数のメタル配線（導電線）をストライプ状に配設したものをＸＹ直交させてマトリクス状としたものと、各交点に設けられた複数の画素スイッチとを備え、選択した画素スイッチをオン／オフしている。
【０００４】
また、表示装置における表示面積の大型化に伴って、メタル配線の線路長が長くなるため、インダクタンス成分およびキャパシタンス成分が増大し、過渡応答特性が悪化するという問題があった。そこで、従来では、表示パネルをレーザ光で走査するという光書き込みが可能な表示装置が提案されている（特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平７−１７５４２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、従来の表示装置（特許文献１）では、レーザ光で走査する場合、通常、ミラースキャナやポリゴンミラー等によりレーザビームをＸＹ方向に走査し、光書き込みを行う方法が考えられる。しかしながら、従来の表示装置においては、表示面積を大きくした場合でも過渡応答特性が向上する一方、表示パネル全体を走査するためにレーザ発生器と表示パネルとの間の投射距離を長くする必要、すなわち大きな空間が必要であり、おのずと装置が大型化するという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができる表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、複数の第１光導波路と複数の第２光導波路とが交差するようにマトリクス状に配置されてなる光導波路マトリクスと、前記複数の第１光導波路を光でそれぞれ走査する第１光走査手段と、前記複数の第２光導波路を光でそれぞれ走査する第２光走査手段と、前記光導波路マトリクスにおける各交点からしきい値以上のレベルの光が照射された場合、当該交点に対応するドット画像を表示する表示手段と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、複数の第１光導波路と複数の第２光導波路とが交差するようにマトリクス状に配置されてなる光導波路マトリクスを設け、複数の第１光導波路および複数の第２光導波路の双方を光で走査し、光導波路マトリクスにおける各交点からしきい値以上のレベルの光が照射された場合、当該交点に対応するドット画像を表示手段に表示させることとしたので、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができるという効果を奏する。
【００１０】
また、本発明は、上記発明において、前記複数の第１光導波路および前記複数の第２光導波路は、光ファイバであることを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、複数の第１光導波路および複数の第２光導波路を光ファイバとしたので、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができるとともに、製作を容易にすることができるという効果を奏する。
【００１２】
また、本発明は、上記発明において、前記複数の第１光導波路において前記各交点に対応する部分には、前記表示手段に照射すべき光を取り出すための散乱部が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、複数の第１光導波路において各交点に対応する部分に、表示手段に照射すべき光を取り出すための散乱部が形成することとしたので、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができるという効果を奏する。
【００１４】
また、本発明は、上記発明において、前記表示手段は、前記しきい値以上の光により発光するエレクトロ・ルミネッセンス層を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、しきい値以上の光により発光するエレクトロ・ルミネッセンス層を有することとしたので、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができるという効果を奏する。
【００１６】
また、本発明は、複数の光導波路と、複数のメタル配線とが交差するようにマトリクス状に配置されてなる光導波路−メタル配線マトリクスと、前記複数の光導波路を光でそれぞれ走査する光走査手段と、前記複数のメタル配線を電圧でそれぞれ走査する電圧走査手段と、前記光導波路−メタル配線マトリクスの各交点に設けられ、前記光および前記電圧に基づいて駆動制御される複数の液晶画素と、を備えたことを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、複数の光導波路と、複数のメタル配線とが交差するようにマトリクス状に配置されてなる光導波路−メタル配線マトリクスを設け、光および電圧で走査し、液晶画素を駆動することとしたので、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができるという効果を奏する。
【００１８】
また、本発明は、上記発明において、前記複数の光導波路と前記複数のメタル配線との各交点に設けられ、前記複数の液晶画素に接続された複数の光検出手段を備え、前記複数の光導波路において各交点に対応する部分には、伝搬光の一部を各光検出手段へ照射するための散乱部が形成されていることを特徴とする。
【００１９】
本発明によれば、複数の光導波路と、複数のメタル配線とが交差するようにマトリクス状に配置されてなる光導波路−メタル配線マトリクス、複数の光検出手段を設け、光および電圧で走査し、液晶画素を駆動することとしたので、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、本発明にかかる表示装置の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例によりこの発明が限定されるものではない。
【実施例１】
【００２１】
図１は、本発明にかかる実施例１の構成を説明する斜視図である。同図には、Ｘ軸およびＹ軸の双方を光で走査することにより、画像をドット表示させる表示装置１０が図示されている。表示装置１０において、光導波路マトリクス２０は、光書き込みによる走査手段であり、図２に示したように、Ｘ軸に対応する光導波路２０Ｘ1〜２０Ｘ4と、Ｙ軸に対応する光導波路２０Ｙ1〜２０Ｙ3とがＸＹ直交をなすようにマトリクス状に配置されてなる。また、光導波路２０Ｘ1〜２０Ｘ4と光導波路２０Ｙ1〜２０Ｙ3との各交点は、表示装置１０における各画素に対応している。これらの光導波路２０Ｘ1〜２０Ｘ4および光導波路２０Ｙ1〜２０Ｙ3は、ガラス、シリコン等の基板をエッチングして形成された空洞または透明部に対応している。
【００２２】
ＬＥＤ（Light Emitting Diode）３０Ｘ1〜３０Ｘ4は、光導波路２０Ｘ1〜２０Ｘ4に対応して配設されており、制御部（図示略）の制御に基づいて、光導波路２０Ｘ1〜２０Ｘ4の各一端面に向けて走査光を発光する。同様にして、ＬＥＤ３０Ｙ1〜３０Ｙ3は、光導波路２０Ｙ1〜２０Ｙ3に対応して配設されており、制御部（図示略）の制御に基づいて、光導波路２０Ｙ1〜２０Ｙ3の各一端面に向けて走査光を発光する。
【００２３】
また、光導波路２０Ｘ1〜２０Ｘ4において、各交点に対応する表面には、略凸形状（または、略凹形状）の散乱部が形成されている。例えば、光導波路２０Ｘ1においては、光導波路２０Ｙ1〜２０Ｙ3との３つの交点に対応する表面に散乱部２０11〜２０13がそれぞれ形成されている。以下同様にして、光導波路２０Ｘ4においては、光導波路２０Ｙ1〜２０Ｙ3との３つの交点に対応する表面に散乱部２０41〜２０43がそれぞれ形成されている。
【００２４】
これらの散乱部は、表面光を取り出す役目をしている。すなわち、図３に示したように、ＬＥＤ３０Ｘ1で発光された走査光は、光導波路２０Ｘ1の一端面より入射した後、伝搬光ＰＸ1として光導波路２０Ｘ1を伝搬する。一方、ＬＥＤ３０Ｙ1（図２参照）で発光された走査光は、光導波路２０Ｙ1の一端面に入射した後、伝搬光として光導波路２０Ｙ1を伝搬し、表面から光導波路２０Ｘ1にエバネッセント光ＰＹ1（近接場光）がしみ出す。これにより、散乱部２０11からは、伝搬光ＰＸ1の一部とエバネッセント光ＰＹ1とが合成された表面光Ｐ11が出射する。
【００２５】
図１に戻り、表示パネル４０は、光導波路マトリクス２０と近接した状態で設けられており、各画素（散乱部２０11〜２０43）に応じたドット画像を表示するためのパネルである。具体的には、表示パネル４０は、各散乱部からの光の光量がしきい値以上である場合に、ドット画像として発光する。この表示パネル４０には、電圧Ｖが印加されている。具体的には、表示パネル４０は、図４に示したように、導電率可変層４１、有機ＥＬ層４２および透明電極層４３が、ガラス基板（図示略）上に積層されてなる。
【００２６】
導電率可変層４１は、例えば、アモルファスシリコン、感光性有機膜等から構成されており、照射される光の光量に応じて、導電率が変化するという電気的特性を備えている。例えば、光が照射されない場合、すなわち、光量が０である場合、導電率可変層４１の導電率は、ほぼ０（言い換えれば、抵抗値が無限大）となる。一方、導電率可変層４１に光を照射すると、導電率可変層４１の導電率は、光量に応じて大きくなる（言い換えれば、抵抗値が小さくなる）。このように、導電率可変層４１は、照射される光に応じて抵抗値が変化する可変抵抗と考えることができる。
【００２７】
有機ＥＬ層４２は、図６に示したように発光ダイオードと同様に不感帯を有しており、不感帯に対応するしきい値以上の光が表示パネル４０の各散乱部から照射された場合に発光する機能を備えている。表示パネル４０からの光量をＥとすると、図６に示した特性となる。すなわち、不感帯では、有機ＥＬ層４２は、発光しない。図４に戻り、透明電極層４３は、有機ＥＬ層４２の表面に蒸着して形成した透明な電極層である。図５は、図４に示した表示パネル４０の等価回路を示す図である。同等価回路においては、導電率可変層４１（図４参照）に対応する可変抵抗４１’と、有機ＥＬ層４２（図４参照）に対応する発光ダイオード４２’とが直列接続されており、これらに電圧Ｖが印加されている。
【００２８】
つぎに、実施例１の動作について説明する。以下では、図１に示した散乱部２０11に対応するドット画像を表示パネル４０に表示させる場合について説明する。この場合、制御部（図示略）は、ＬＥＤ３０Ｘ1およびＬＥＤ３０Ｙ1を駆動する。これにより、ＬＥＤ３０Ｘ1で発光された走査光は、光導波路２０Ｘ1の一端面より入射した後、伝搬光ＰＸ1として光導波路２０Ｘ1を伝搬する。
【００２９】
一方、ＬＥＤ３０Ｙ1で発光された走査光は、光導波路２０Ｙ1の一端面に入射した後、伝搬光として光導波路２０Ｙ1を伝搬し、表面から光導波路２０Ｘ1にエバネッセント光ＰＹ1（近接場光）がしみ出す。これにより、散乱部２０11からは、伝搬光ＰＸ1の一部とエバネッセント光ＰＹ1とが合成された表面光Ｐ11が導電率可変層４１に照射される。なお、表面光Ｐ11は、有機ＥＬ層４２が発光する条件であるしきい値以上の光量を有している。
【００３０】
導電率可変層４１では、表面光Ｐ11により抵抗値が小さくなる。これにより、有機ＥＬ層４２においては、散乱部２０11に対応する画素部分が発光し、光Ｐ11’が照射される。この光Ｐ11’は、ドット画像である。なお、図１に示した光導波路２０Ｘ1においては、散乱部２０12および散乱部２０13からも表面光が導電率可変層４１に照射される、しかしながら、いすれの表面光も、表面光Ｐ11のようにエバネッセント光の成分が含まれていないため、有機ＥＬ層４２が発光する条件であるしきい値未満の光量とされているため、対応する画素部分が発光しない。
【００３１】
なお、実施例１においては、表示パネル４０の有機ＥＬ層４２が有する不感帯（図６参照）を利用して、ドット画像を表示させる構成例について説明したが、表示パネル４０に代えて、しきい値以上の光が入射された場合に発光する発光素子を散乱部２０11〜２０43に設ける構成例としてもよい。
【００３２】
以上説明したように、実施例１によれば、複数の光導波路２０Ｘ1〜２０Ｘ4と複数の光導波路２０Ｙ1〜２０Ｙ3とが直交をなすようにマトリクス状に配置されてなる光導波路マトリクス２０を設け、複数の光導波路２０Ｘ1〜２０Ｘ4および光導波路２０Ｙ1〜２０Ｙ3の双方を光で走査し、光導波路マトリクス２０における各交点からしきい値以上のレベルの光が照射された場合、当該交点に対応するドット画像を表示パネル４０に表示させることとしたので、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができる。
【実施例２】
【００３３】
さて、前述した実施例１では、図１に示した光導波路マトリクス２０を用いて、Ｘ軸およびＹ軸の双方を光で走査することにより、表示パネル４０で画像をドット表示させる構成例について説明したが、光導波路マトリクス２０に代えて、図７および図１０に示した光ファイバ布５０を用いる構成例としてもよい。以下では、この構成例を実施例２として説明する。
【００３４】
図１０に示した光ファイバ布５０は、略直交する方向に光学繊維である光ファイバ５０Ｘ1〜５０Ｘ4と、光ファイバ５０Ｙ1〜５０Ｙ3とを、図７に示したように、糸で布を織るように交互に織られてなる。ここで、光ファイバ５０Ｘ1〜５０Ｘ4は、光導波路２０Ｘ1〜２０Ｘ4（図２参照）に対応しており、光を伝搬させる。光ファイバ５０Ｙ1〜５０Ｙ3は、光導波路２０Ｙ1〜２０Ｙ3に対応しており、光を伝搬させる。
【００３５】
また、光ファイバ５０Ｘ1〜５０Ｘ4と光ファイバ５０Ｙ1〜５０Ｙ3との各交点は、各画素に対応している。光ファイバ５０Ｘ1〜５０Ｘ4には、ＬＥＤ３０Ｘ1〜３０Ｘ4（図２参照）が配設されている。これらのＬＥＤ３０Ｘ1〜３０Ｘ4は、実施例１と同様にして、制御部（図示略）の制御に基づいて、光ファイバ５０Ｘ1〜５０Ｘ4の各一端面に向けて走査光を発光する。同様にして、光ファイバ５０Ｙ1〜５０Ｙ3には、ＬＥＤ３０Ｙ1〜３０Ｙ3（図２参照）が配設されている。これらのＬＥＤ３０Ｙ1〜３０Ｙ3も、実施例１と同様にして、制御部（図示略）の制御に基づいて、光ファイバ５０Ｙ1〜５０Ｙ3の各一端面に向けて走査光を発光する。
【００３６】
また、図１０に示した光ファイバ布５０において、各交点に対応する表面には、マトリクス状に散乱部５０11〜５０13、・・・、５０41〜５０43が形成されている。これらの散乱部５０11〜５０13、・・・、５０41〜５０43は、研磨により形成される。すなわち、図８に示したように散乱部が形成されていない光ファイバ布５０’の全体をブラックコートし、片面を深く研磨してシリンドリカルレンズとした後、図９に示したようにもう片面を浅く研磨し露出させることにより、散乱部５０11、５０12、・・・がそれぞれ形成される。
【００３７】
これらの散乱部５０11〜５０13、・・・、５０41〜５０43は、実施例１で説明した散乱部２０11等（図４参照）と同様にして、表面光を取り出す役目をしている。例えば、図７に示した光ファイバ５０Ｘ1の伝搬する伝搬光の一部は、エバネッセント光として光ファイバ５０Ｙ1にしみ出す。これにより、光ファイバ５０Ｙ1を伝搬する伝搬光の一部と、上記エバネッセント光とが合成された表面光が、散乱部５０11より表示パネル４０（図１参照）の導電率可変層４１に照射され、実施例１と同様にして、散乱部５０11に対応する有機ＥＬ層４２の部分が発光する。
【００３８】
以上説明したように、実施例２によれば、複数の光ファイバ５０Ｘ1〜５０Ｘ4と複数の光ファイバ５０Ｙ1〜５０Ｙ3からなる光ファイバ布５０を用いたので、実施例１と同様にして、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができるとともに、製作を容易にすることができる。
【実施例３】
【００３９】
さて、前述した実施例１では、図１に示した光導波路マトリクス２０を用いて、Ｘ軸およびＹ軸の双方を光で走査することにより、有機ＥＬ層４２を有する表示パネル４０で画像をドット表示させる構成例について説明したが、表示パネル４０に代えて、液晶を用いて画像をドット表示させる構成例としてもよい。以下では、この構成例を実施例３として説明する。
【００４０】
図１１は、本発明にかかる実施例３の構成を説明する斜視図である。同図には、Ｘ軸を光で走査する一方、Ｙ軸を電圧印加により走査することにより、液晶に画像をドット表示させる表示装置６０が図示されている。表示装置６０において、光導波路−メタル配線マトリクス７０は、光と電圧とを併用した走査手段であり、図１２に示したように、Ｘ軸に対応する光導波路７０Ｘ1〜７０Ｘ4と、Ｙ軸に対応するメタル配線７０Ｙ1〜７０Ｙ3とがＸＹ直交をなすようにマトリクス状に配置されてなる。また、光導波路７０Ｘ1〜７０Ｘ4とメタル配線７０Ｙ1〜７０Ｙ3との各交点は、表示装置６０における各画素に対応している。これらの光導波路７０Ｘ1〜７０Ｘ4は、光導波路２０Ｘ1〜２０Ｘ4（図２参照）と同様にして、ガラス、シリコン等の基板をエッチングして形成された空洞または透明部に対応している。
【００４１】
ＬＥＤ８０Ｘ1〜８０Ｘ4は、光導波路７０Ｘ1〜７０Ｘ4に対応して配設されており、制御部（図示略）の制御に基づいて、光導波路７０Ｘ1〜７０Ｘ4の各一端面に向けて走査光を発光する。液晶画素７１11〜７１13、・・・、７１41〜７１43は、光導波路７０Ｘ1〜７０Ｘ4とメタル配線７０Ｙ1〜７０Ｙ3で囲まれた矩形部分にそれぞれ形成されており、印加される電圧に応じてドット画像を表示する素子である。
【００４２】
フォトダイオード７２11〜７２13、・・・、７２41〜７２43は、光導波路７０Ｘ1〜７０Ｘ4とメタル配線７０Ｙ1〜７０Ｙ3との各交点にそれぞれ形成されており、光導波路７０Ｘ1〜７０Ｘ4を伝搬する光に応じてオン／オフされる。なお、光導波路７０Ｘ1〜７０Ｘ4の交点に対応する部分には、フォトダイオード７２11〜７２13、・・・、７２41〜７２43へ伝搬光の一部を照射する散乱部等が形成されている。
【００４３】
図１３は、図１２に示した光導波路−メタル配線マトリクス７０の等価回路を示す図である。同図に示したように、液晶画素７１11には、コンデンサ７３11が並列接続されている。また、液晶画素７１11には、フォトダイオード７２11を介して、メタル配線７０Ｙ1から電圧が印加される。
【００４４】
つぎに、実施例３の動作について説明する。以下では、図１１に示した液晶画素７１11にドット画像を表示させる場合について説明する。この場合、制御部（図示略）は、ＬＥＤ８０Ｘ1を駆動するとともに、メタル配線７０Ｙ1に電圧を印加する。これにより、ＬＥＤ８０Ｘ1で発光された走査光は、図１３に示した光導波路７０Ｘ1の一端面より入射した後、伝搬光として光導波路７０Ｘ1を伝搬する。
【００４５】
そして、伝搬光の一部は、漏れ光Ｐ’’としてフォトダイオード７２11に入射される。これにより、フォトダイオード７２11は、オフからオンとされ、メタル配線７０Ｙ1と液晶画素７１11との間が導通し、液晶画素７１11に電圧が印加される。これにより、液晶画素７１11には、ドット画像が表示される。なお、実施例１〜３においては、走査光として可視光（赤外線を除く）、紫外線を用いることができる。
【００４６】
以上説明したように、実施例３によれば、複数の光導波路７０Ｘ1〜７０Ｘ4と、複数のメタル配線７０Ｙ1〜７０Ｙ3とが直交をなすようにマトリクス状に配置されてなる光導波路−メタル配線マトリクス７０を設け、光および電圧で走査し、液晶画素７１11〜７１43を駆動することとしたので、表示面積を大きくした場合であっても過渡応答特性を向上させつつ装置を小型にすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
以上のように、本発明にかかる表示装置は、表示面積の大型化と過渡応答特性の向上に対して有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明にかかる実施例１の構成を示す斜視図。
【図２】図１に示した光導波路マトリクス２０の構成を示す斜視図。
【図３】図１に示した光導波路マトリクス２０の光伝搬を説明する側面図。
【図４】図１に示した表示パネル４０の構成を示す側面図。
【図５】図４に示した表示パネル４０の等価回路図。
【図６】図４に示した有機ＥＬ層４２の特性を示す図。
【図７】本発明にかかる実施例２における光ファイバ布５０を示す斜視図。
【図８】同実施例２における光ファイバ布５０’を示す斜視図。
【図９】図８に示した光ファイバ布５０’の研磨状態を示す側面図。
【図１０】同実施例２における光ファイバ布５０を示す概略平面図。
【図１１】本発明にかかる実施例３の構成を示す平面図。
【図１２】図１１に示した光導波路−メタル配線マトリクス７０を示す平面図。
【図１３】図１１に示した光導波路−メタル配線マトリクス７０の等価回路図。
【符号の説明】
【００４９】
１０  表示装置、２０  光導波路マトリクス、４０  表示パネル、５０  光ファイバ布、６０  表示装置、７０  光導波路−メタル配線マトリクス
【図１】
2005316274.tif 000003
【図２】
2005316274.tif 000004
【図３】
2005316274.tif 000005
【図４】
2005316274.tif 000006
【図５】
2005316274.tif 000007
【図６】
2005316274.tif 000008
【図７】
2005316274.tif 000009
【図８】
2005316274.tif 000010
【図９】
2005316274.tif 000011
【図１０】
2005316274.tif 000012
【図１１】
2005316274.tif 000013
【図１２】
2005316274.tif 000014
【図１３】
2005316274.tif 000015