(57)【要約】【課題】  真空紫外線によるキュア効果を利用してエッチングなどの各種の耐性を改善し、変形や「倒れ」などを抑制できる疎なパターンを形成可能とした微細パターン形成方法及びこの微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】    基板の上に下地膜を形成する工程と、前記下地膜の上に、第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンに真空紫外線を照射する工程と、前記下地膜の上に、第２のレジストパターンを形成する工程と、前記第１及び第２のレジストパターンをマスクとして前記下地膜をエッチングする工程と、前記第１及び第２のレジストパターンを除去する工程と、を備えたことを特徴とする微細パターン形成方法を提供する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に下地膜を形成する工程と、
前記下地膜の上に、第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンに真空紫外線を照射する工程と、
前記下地膜の上に、第２のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１及び第２のレジストパターンをマスクとして前記下地膜をエッチングする工程と、
前記第１及び第２のレジストパターンを除去する工程と、
を備えたことを特徴とする微細パターン形成方法。
【請求項２】
前記真空紫外線の照射により前記第１のレジストパターンを縮小させることを特徴とする請求項１記載の微細パターン形成方法。
【請求項３】
前記下地膜の上に前記第１のレジストパターンを形成する際に、前記真空紫外線の照射による前記縮小を考慮したパターンサイズで形成することを特徴とする請求項２記載の微細パターン形成方法。
【請求項４】
前記真空紫外線を照射した後の前記第１のレジストパターンは、ライン幅が１００ナノメータ以下の部分を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の微細パターン形成方法。
【請求項５】
前記真空紫外線を照射した後の前記第１のレジストパターンにおけるライン幅に対するスペースの比率は１よりも大なることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の微細パターン形成方法。
【請求項６】
前記第２のレジストパターンは、前記第１のレジストパターンとは異なる材料からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の微細パターン形成方法。
【請求項７】
前記第１のレジストパターンを形成する際に用いる露光光源の波長は、前記第２のレジストパターンを形成する際に用いる露光光源の波長よりも短いことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の微細パターン形成方法。
【請求項８】
前記真空紫外線は、ピーク波長が２００ナノメータ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の微細パターン形成方法。
【請求項９】
前記真空紫外線の照射エネルギーを３．９Ｊ／ｃｍ２以上とすることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の微細パターン形成方法。
【請求項１０】
酸素の含有量が１ｐｐｍ以下の非酸化性雰囲気において前記真空紫外線を照射することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の微細パターン形成方法。
【請求項１１】
前記第２のレジストパターンに真空紫外線を照射する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載の微細パターン形成方法。
【請求項１２】
微細構造体を有する半導体装置の製造方法であって、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の微細パターン形成方法によって前記微細構造体を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細パターン形成方法及び半導体装置の製造方法に関し、特に、微細パターンの形成においてレジストパターンを改質する処理を含む微細パターン形成方法及びこの方法を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の集積度を上げるためには、微細パターンを形成する要素技術が必要とされ、この一環として、露光光の短波長化による解像度の向上が進められている。従来から用いられてきたＫｒＦ（クリプトン・フッ素）エキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）に代わってＡｒＦ（アルゴン・フッ素）エキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）が用いられ、さらに次世代には、Ｆ２エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）が用いられつつある。
【０００３】
ＡｒＦエキシマレーザを用いる露光プロセスでは、フォトレジストの光吸収による性能劣化が問題となるため、光吸収が少なくかつ高感度な化学増幅型レジストが開発され、その実用化に向けてエッチング耐性の改善などの様々な材料的な検討がされてきた。例えば、電子線を照射することによりフォトレジストをキュアするプロセスが検討されている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００３−３１６０１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者が行なった実験の結果、従来から用いられているフォトレジストでは、現像して得られるレジストパターンのラインエッジラフネス（line edge roughness：ＬＥＲ）が大きいこと、ＳＥＭ（scanning electron microscopy：走査型電子顕微鏡）による観察中に起こるレジストパターンの変形や寸法変化が大きいこと、現像後のレジストパターンをマスクとして下地膜をエッチングした場合にフォトレジストの表面が荒れること、フォトレジストが変形すること、得られた下地膜パターンのエッジラフネスが大きいこと、などが判明し、高精度な徹細パターンの形成が困難であった。特に、疎なラインパターンは、エッチング中にレジストの変形や「倒れ」が発生し、微細パターンの形成が困難であった。
【０００５】
これに対して、本発明者は、得られたレジストパターンに、波長２００ｎｍ以下の真空紫外線（vacuum ultraviolet：ＶＵＶ）を照射してキュアすることによりエッチング耐性の改善などの改質を試みてきた。その結果、得られたレジストパターンを真空紫外線で照射してキュアすることにより、エッチング耐性とＳＥＭ耐性とＬＥＲは改善できることが判明した。また、ＶＵＶ光キュアにより、レジストパターン寸法が縮小することも判明した。
【０００６】
本発明は、かかる発見に基づいてなされたものであり、その目的は、真空紫外線によるキュア効果を利用してエッチングなどの各種の耐性を改善し、変形や「倒れ」などを抑制できる疎なパターンを形成可能とした微細パターン形成方法及びこの微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明によれば、基板の上に下地膜を形成する工程と、前記下地膜の上に、第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンに真空紫外線を照射する工程と、前記下地膜の上に、第２のレジストパターンを形成する工程と、前記第１及び第２のレジストパターンをマスクとして前記下地膜をエッチングする工程と、前記第１及び第２のレジストパターンを除去する工程と、を備えたことを特徴とする微細パターン形成方法が提供される。
【０００８】
ここで、前記真空紫外線の照射により前記第１のレジストパターンを縮小させるものとすることができる。  
またさらに、前記下地膜の上に前記第１のレジストパターンを形成する際に、前記真空紫外線の照射による前記縮小を考慮したパターンサイズで形成することができる。
【０００９】
また、前記真空紫外線を照射した後の前記第１のレジストパターンは、ライン幅が１００ナノメータ以下の部分を含むものとすることができる。
【００１０】
また、前記真空紫外線を照射した後の前記第１のレジストパターンにおけるライン幅に対するスペースの比率は１よりも大なるものとすることができる。
【００１１】
また、前記第２のレジストパターンは、前記第１のレジストパターンとは異なる材料からなるものとすることができる。
【００１２】
また、前記第１のレジストパターンを形成する際に用いる露光光源の波長は、前記第２のレジストパターンを形成する際に用いる露光光源の波長よりも短いものとすることができる。
【００１３】
また、前記真空紫外線は、ピーク波長が２００ナノメータ以下であるものとすることができる。
【００１４】
また、前記真空紫外線の照射エネルギーを３．９Ｊ／ｃｍ２以上とすることができる。  また、酸素の含有量が１ｐｐｍ以下の非酸化性雰囲気において前記真空紫外線を照射することができる。
【００１５】
また、前記第２のレジストパターンに真空紫外線を照射する工程をさらに備えたものとすることができる。
【００１６】
一方、本発明によれば、微細構造体を有する半導体装置の製造方法であって、上記のいずれかの微細パターン形成方法によって前記微細構造体を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、以下に挙げる効果が得られる。  
すなわちまず、本発明によれば、微細なパターンとそれ以外のパターンとに分けることにより、微細なパターンに対して真空紫外線を照射することにより、現像後レジストパターンのエッジラフネスを低減することと、ＳＥＭ耐性を改善することと、エッチング後の表面荒れを低減することと、エッチングでのレジスト変形を低減することと、エッチング後の下地膜パターンのエッジラフネスを低減することができる。
【００１８】
続いて行なう第２リソグラフィで形成したレジストパターンは、材料的にエッチング耐性・ＳＥＭ耐性が良いものを用いることができるので、微細なパターンもその他のパターンも、ドライエッチングに必要なレジストパターンのエッチング耐性とＳＥＭ耐性を与えることができ、高精度に下地膜を加工することが可能となる。
【００１９】
またさらに、第２リソグラフィで形成したレジストパターンに対しても真空紫外線を照射することにより、エッチング耐性とＳＥＭ耐性とＬＥＲをさらに向上することができる。
【００２０】
また、露光・現像でパターンニングされたフォトレジストのパターンサイズを、ＶＵＶ光キュア処理することにより、縮小することができる。その縮小量をパターンサイズ別・パターン種顛別に調べて、その値に基づきフォトマスクのパターンを補正することにより、より微細な所望のパターンを形成することができる。
【００２１】
そして、本発明によれば、これらの微細パターン形成方法を適用することにより、精度良く形成された微細パターンを構成要素として備える半導体装置を容易に製造することができる。
【００２２】
すなわち、本発明によれば、微細パターンを確実且つ容易に製造することができ、産業上のメリットは多大である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。  
図１及び図２は、本発明の実施の形態にかかる微細パターン形成方法の要部を表す工程断面図である。
【００２４】
まず、図１（ａ）に表したように、基板３の上に下地膜２を形成し、第１リソグラフィ用のフォトレジスト１を塗布する。基板３としては、例えばシリコンウェーハや、その他各種の半導体、絶縁体、導電体などからなる基板を用途に応じて用いることができる。また、下地膜２も、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜、ポリシリコン膜や、その他各種の半導体、絶縁体、導電体などからなる膜を用途に応じて用いることができる。またさらに、下地膜２は、単層からなるものでもよく、複数の膜を積層させたものでもよい。
【００２５】
フォトレジスト１は、露光光源の波長やパターンサイズなどに応じて適宜選択することができる。露光光源としてＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）を用いる場合には、アクリル系のレジストを用いることができる。フォトレジスト１を塗布した後に、ベーク処理を適宜実行する。
【００２６】
次に、図１（ｂ）に表したように、マスク４を介してＡｒＦエキシマレーザ光５により露光を行なう。    
引き続き、露光後の加熱処理（ＰＥＢ）と現像処理を行い、図１（ｃ）に表したように第１リソグラフィ用のレジストパターン１ａを形成する。なお、後に詳述するように、このレジストパターン１ａは、ＶＵＶ光の照射によって縮小させるので、最終的に形成すべきパターンサイズよりも大きく形成する。
【００２７】
この後、図１（ｄ）に表したように、レジストパターンの全面に真空紫外線（ＶＵＶ光）６を照射する。照射方法は、連続的でも間欠的でもよい。
【００２８】
ＶＵＶ光６を照射されたフォトレジストパターン１ａは、膜中のポリマーが３次元的に架橋することにより緻密な膜構造を有するレジストパターンに変化する。その結果として、エッチング耐性が向上して表面荒れの低減・レジスト形状変化が抑制され、得られた下地膜パターンのエッジラフネスを低減できる。また、フォトレジスト膜の緻密化により、ＳＥＭ耐性も向上する。さらに、ポリマーの架橋によりレジスト体積が収縮し、レジストパターン寸法が縮小する。この際に、パターンのエッジラフネスも低減される。
【００２９】
ただし、レジストパターン１ａのサイズが縮小するので、ライン対スペース比率が変化する。従って、デザインルールを露光光の光学的な限界に設定した場合には、１：１（ラインに対するスペースの比率が１）の密なパターンは形成困難となる場合がある。このような場合には、ラインに対するスペースの比率が１以上となる疎なパターン部分のみについて、第１リソグラフィによって現像したレジストパターンにＶＵＶ光キュアを施すことにより、精密且つ微細なパターンの形成が可能となる。
【００３０】
レジストパターン１ａに照射するＶＵＶ光６の波長は、２００ｎｍ以下であることが望ましい。上述したように、レジストの少なくとも表面において架橋反応を促進させるためには、波長が２００ｎｍ以下のＶＵＶ光６を照射することが効率的だからである。
【００３１】
また、ＶＵＶ光６の照度は、１０ｍＷ／ｃｍ２以上とすることが望ましい。照度がこの値以上であれば、レジスト表面での架橋反応を実用的な時間内に進行させることができ、半導体装置の製造工程の一部として採用することが容易となるからである。具体的には、後に詳述するように、照射エネルギー３．９Ｊ／ｃｍ２以上の露光量でキュア処理を行なうことが望ましい。
【００３２】
また、ＶＵＶ光６を照射する際のレジストパターン１の周囲の雰囲気は、酸素（ＯまたはＯ２）の含有量が１ｐｐｍ以下の非酸化性雰囲気とすることが望ましい。雰囲気中に存在する酸素は、ＶＵＶ光６の照射によりオゾンを生成し、基板３の表面に形成されたレジストパターン１ａのアッシング（灰化）を促進するからである。
【００３３】
また、キュア処理中のフォトレジスト１ａの温度が、マイナス２０℃以上で、フォトレジスト１ａのガラス転移温度以下となるように、温度を制御することが望ましい。この温度範囲であれば、レジスト１ａの軟化が生ずることなく、架橋反応が実用的な速度で進行可能だからである。
【００３４】
図３は、本発明の方法を用いたＡｒＦレジスト１ａのＶＵＶ光の照射エネルギーに対する赤外（ＩＲ）スペクトルを表すグラフ図である。すなわち、同図の横軸は波数、縦軸は吸収を表す。またここでは、ＶＵＶ光６を照射しない（No Cure）サンプルと、１分間（３．９Ｊ／ｃｍ２）照射したサンプルと、照射時間を２分間、４分間、８分間、１２分間としたサンプルのスペクトルをそれぞれ表した。  
照射エネルギー３．９Ｊ／ｃｍ２以上（１分間以上）とすることにより、レジスト１ａ中の分子構造が変化することがわかる。
【００３５】
図４は、本発明の方法を用いたＡｒＦレジスト１ａのＶＵＶ光６の照射時間（Curing Time）に対する屈折率の関係を表すグラフ図である。すなわち、同図の横軸はＶＵＶ光６の照射時間（分）を表し、縦軸はレジスト１ａの屈折率を表す。  
ＶＵＶ光６を照射することで、レジスト１ａの屈折率が大きくなる。つまり、ＶＵＶ光６を照射することにより、レジスト１ａ中の分子構造が変化して緻密になったことがわかる。
【００３６】
図５は、本発明の方法を用いたＡｒＦレジスト１ａのＶＵＶ光６の照射時間に対するラインエッジラフネス（ＬＥＲ）の関係を表すグラフ図である。すなわち、同図の横軸はＶＵＶ光６の照射時間（分）を表し、縦軸はラインエッジラフネスの量（ｎｍ）を表す。  
ここで、レジスト１ａのパターンは、ライン・アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）を１３０ｎｍとした。照射時間が１分間（照射エネルギー３．９Ｊ／ｃｍ２）以上の露光量で、レジスト１ａの膜質が緻密に変化したことに対応して、パターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が大幅に低減できた。
【００３７】
図６は、本発明の方法を用いたＡｒＦレジスト１ａのＶＵＶ光６の照射時間に対する寸法縮小量の関係を表すグラフ図である。すなわち、同図の横軸はＶＵＶ光６の照射時間（分）を表し、縦軸はレジスト１ａの縮小量（ｎｍ）を表す。  
ここでも、レジスト１ａのパターンは、ライン・アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）を１３０ｎｍとした。ＶＵＶ光６を照射することで、レジスト１ａの膜質が緻密に変化したことに対応して、パターン寸法を縮小できることがわかる。
【００３８】
図７は、本発明の方法を用いたＡｒＦレジスト１ａのＶＵＶ光６の照射時間に対するＳＥＭ耐性の関係を表すグラフ図である。すなわち、同図の横軸はＶＵＶ光６の照射時間（分）を表し、縦軸は３０秒間のＳＥＭ観察によるレジスト１ａのサイズ変化量（ｎｍ）を表す。ここでも、レジスト１ａのパターンは、ライン・アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）を１３０ｎｍとした。  
露光・現像プロセスにより形成されたレジストパターン１ａは、ＳＥＭ観察中に、電子ビーム照射のダメージによりパターン寸法が変化してしまう。これに対して、ＶＵＶ光６を照射することによって、パターン寸法変化を低減できることがわかる。
【００３９】
以上、図３乃至図７に関して説明したように、現像後のレジストパターン１ａに対してＶＵＶ光６を照射することにより、その膜質を緻密に改質し、ラインエッジラフネスを低下させたり、ＳＥＭ耐性を向上させることができる。そしてさらに、パターン寸法の縮小効果により、微細なパターンの形成が可能となる。特に、パターン幅が１００ナノメータ以下の微細なパターンを形成する際に、ＶＵＶ光によるキュアを施すと、強固で微細なレジストパターンを形成でき、エッジラフネスが抑制され、エッチングやＳＥＭ観察に対する耐性も高くできる点で有利である。
【００４０】
再び図１に戻って説明を続けると、次に、図１（ｅ）に表したように、ＶＵＶキュアされたレジストパターン１ｂの上に、第２パターンのリソグラフィに用いるフォトレジスト２１を塗布する。この場合、レジストパターン１ｂは、ＶＵＶキュアにより膜の分子が架橋しており、フォトレジスト２１の溶媒に溶けることがない。
【００４１】
フォトレジスト２１としては、第１リソグラフィによって形成されたフォトレジスト１ａとは異なる材料のものを用いることができる。すなわち、エッチングやＳＥＭ観察に対する耐性の高いフォトレジスト２１を用いることができる。そして、第２パターンのリソグラフィは、レジスト１ａとは異なる光源により行うことができる。例えば、第２パターンの露光光源としてＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）を用い、フォトレジスト２１として化学増幅型の材料を用いることができる。フォトレジスト２１を塗布した後に、ベーク処理を適宜実行する。
【００４２】
次に、図２（ａ）に表したように、マスク２４を介して、ＫｒＦエキシマレーザー光２５により露光を行なう。  
引き続き、露光後の加熱処理（ＰＥＢ）と現像処理を行い、図２（ｂ）に表したように、レジストパターン２１ａを形成する。
【００４３】
次に、このようにしてパターンニングされたレジスト１ｂと２１ａとをマスクにして、下地膜２をドライエッチング装置などによりエッチングを行い、図２（ｃ）に表したようにパターン２ａの形成を行う。  
その後、図２（ｄ）に表したように、レジスト１ｂと２１ａを除去してパターン２ａが完成する。
【００４４】
図８は、本発明の方法を用いた場合の第１リソグラフィと第２リソグラフィのパターン分割例を表す模式図である。すなわち、同図（ａ）は、形成しようとするパターン２ａを表す平面図である。このようなパターン２ａを形成するために、同図（ｂ）に表したように、パターン３１とパターン３２に分割してレジストパターンを形成することができる。ここで、パターン３１は、第１リソグラフィとＶＵＶキュアにより形成するレジストパターンであり、パターン３２は、第２リソグラフィにより形成するパターンを表す。
【００４５】
図９は、本具体例のレジストパターン形成工程を説明する平面図である。  
すなわち、まず図９（ａ）に表したように、第１リソグラフィによって現像したレジストパターン１ａを形成する。これは、図１（ａ）乃至（ｃ）に関して前述した工程により形成する。
【００４６】
次に、このレジストパターン１ａにＶＵＶ光を照射してキュアすると、図９（ｂ）に表したレジストパターン１ｂが得られる。これは、図１（ｄ）に関して前述した工程に対応する。ＶＵＶキュア処理によってパターン寸法が縮小されている。このようにして、微細なパターンを形成することができる。
【００４７】
その後、図９（ｃ）に表したように、第２リソグラフィによってレジストパターン２１ａを形成する。これは、図１（ｅ）乃至図２（ｂ）に関して前述した工程に対応する。
【００４８】
しかる後に、これらレジストパターン１ｂとレジストパターン２１ａをマスクとして用いて下地膜をエッチングすることにより、図９（ｄ）に表したように下地膜パターン２ａが形成される。
【００４９】
以上説明したように、本実施形態によれば、形成すべきパターンのうちで、微細な部分について、第１のレジストパターンを形成しＶＵＶキュア処理を施すことによってパターンを縮小させるとともにエッジラフネスを低減させ、さらにエッチングやＳＥＭなどに対する耐性を向上させて精密に形成することができる。そして、微細でない部分については、エッチングやＳＥＭ観察などに対する耐性の高いレジストを用いて第２リソグラフィによってパターンを形成することができる。
【００５０】
本発明の微細パターン形成方法は、半導体装置の製造に用いて好適である。すなわち、半導体層、絶縁膜、導電層、電極などの各種の要素のパターニングに際して、ライン幅が微細で疎なパターンの形成が必要とされる場合、本発明を適用することにより、レジストパターンの変形や「倒れ」を防ぎ、エッジラフネスが抑制され、エッチング耐性やＳＥＭ耐性も高い微細なパターンを容易に形成することができる。その結果として、従来よりも高い集積度の高性能半導体装置を製造することが可能となる。
【００５１】
図１０及び図１１は、本実施形態の変型例にかかる微細パターン形成方法を表す工程断面図である。これらの図については、図１乃至図９に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５２】
本変型例においては、第２リソグラフィによって現像したレジストパターンに対しても、現像後にＶＵＶキュア処理を施す。すなわち、図１１（ｃ）に表したように、第２リソグラフィにより形成されたレジストパターン２１ａに対して、ＵＶＵ光６を照射することにより、エッジラフネスを低減し、エッチングやＳＥＭ観察などに対する耐性を向上させることができる。
【００５３】
なお、このＶＵＶキュア処理に際してサイズが縮小するので、第２リソグラフィにおいては、最終的なサイズよりも大きめにレジストパターン２１ａを形成しておく。また、図１１（ｃ）に表したＶＵＶキュア処理に際しては、第１リソグラフィによって形成されたレジストパターン１ｂもさらに耐性が向上し、またサイズが縮小する場合があるので、この縮小量も考慮してレジストパターンのサイズを決定することが望ましい。
【００５４】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００５５】
例えば、本発明の形成方法により得られる微細パターンを含む構造体の具体的な構造やサイズ、材料などついては、当業者が適宜設計変更して適用したものも、本発明の要旨を含む限り、本発明の範囲に包含される。
【００５６】
また、半導体装置を構成する各層の形成方法、形成条件、加工条件、エッチング条件、熱処理条件などについても、具体例にとして前述したもの以外にも当業者が適宜設計したものも本発明の範囲に包含される。
【００５７】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての触媒ＣＶＤ装置及び触媒ＣＶＤ法は、本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施の形態にかかる微細パターン形成方法の要部を表す工程断面図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかる微細パターン形成方法の要部を表す工程断面図である。
【図３】本発明の方法を用いたＡｒＦレジスト１ａのＶＵＶ光の照射エネルギーに対する赤外（ＩＲ）スペクトルを表すグラフ図である。
【図４】本発明の方法を用いたＡｒＦレジスト１ａのＶＵＶ光６の照射時間（Curing Time）に対する屈折率の関係を表すグラフ図である。
【図５】本発明の方法を用いたＡｒＦレジスト１ａのＶＵＶ光６の照射時間に対するラインエッジラフネス（ＬＥＲ）の関係を表すグラフ図である。
【図６】本発明の方法を用いたＡｒＦレジスト１ａのＶＵＶ光６の照射時間に対する寸法縮小量の関係を表すグラフ図である。
【図７】本発明の方法を用いたＡｒＦレジスト１ａのＶＵＶ光６の照射時間に対するＳＥＭ耐性の関係を表すグラフ図である。
【図８】本発明の方法を用いた場合の第１リソグラフィと第２リソグラフィのパターン分割例を表す模式図である。
【図９】本具体例のレジストパターン形成工程を説明する平面図である。
【図１０】本実施形態の変型例にかかる微細パターン形成方法を表す工程断面図である。
【図１１】本実施形態の変型例にかかる微細パターン形成方法を表す工程断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１ フォトレジスト
１ａ、１ｂ レジストパターン
２ 下地膜
２ａ 下地膜パターン
３ 基板
４ マスク
５ エキシマレーザ光
６ ＶＵＶ光
２１ フォトレジスト
２１ａ レジストパターン
２４ マスク
２５ エキシマレーザー光
３１ パターン
３２ パターン
【図１】
2005197349.tif 000003
【図２】
2005197349.tif 000004
【図３】
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【図４】
2005197349.tif 000006
【図５】
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【図６】
2005197349.tif 000008
【図７】
2005197349.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005197349.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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