(57)【要約】【課題】本発明は低抵抗金属で反射膜と同時に電源供給ラインを形成して、電圧降下と電源供給ライン間のショート発生を防止した有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は低抵抗金属で反射膜と電源供給ラインを同時に形成して電圧降下及び電源供給ライン間のショートを防止する有機電界発光表示装置に係り、絶縁基板上に形成されたゲートライン、データライン及び電源供給ラインと；ゲートライン、データライン及び電源供給ラインにより限定される画素領域と；画素領域に配列される少なくとも反射膜及び画素電極を備える画素を含み、反射膜は電源供給ラインと同一層上に形成される有機電界発光表示装置を提供することを特徴とする。【選択図】図２Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成されたゲートライン、データライン及び電源供給ラインと；
前記ゲートライン、データライン及び電源供給ラインにより限定される画素領域と；
前記画素領域に配列される少なくとも反射膜及び画素電極を備える画素を含み、
前記反射膜は、前記電源供給ラインと同一層上に形成されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記電源供給ラインは、ゲートライン及びデータラインと他の層上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記反射膜及び電源供給ラインは、同一物質からなることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記反射膜及び電源供給ラインは、低抵抗の高い反射率を有する物質からなることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記反射膜と前記画素電極は、間に絶縁層が介在して電気的に分離されていることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記反射膜と前記画素電極は、間に絶縁層が介在しており、ビアホールを通じて電気的に連結していることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記絶縁層は、アクリルＰＩ、ＰＡまたはＢＣＢなどの透明有機物質からなることを特徴とする請求項５または６に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記絶縁層は、１μｍないし２μｍであることを特徴とする請求項５または６に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
絶縁基板上に形成され、ソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタと；
前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレイン電極のうちいずれか一つを露出させるコンタクトホールを備えた第１絶縁膜と；
前記第１絶縁膜上に形成された反射膜と；
前記第１絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうちいずれか一つと電気的に連結する電源供給ラインと；
前記反射膜及び電源供給ラインを備える前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレイン電極のうち他の一つを露出させるビアホールを備えた第２絶縁膜と；
前記第２絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうち他の一つと電気的に連結した画素電極を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記反射膜及び電源供給ラインは、反射率が優れ、抵抗が低い金属で構成されることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記電源供給ラインは、線状構造で形成されることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記電源供給ラインは、格子構造で形成されることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記第１絶縁膜は保護膜であって、第２絶縁膜は平坦化膜であることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記第２絶縁膜は、１μｍないし２μｍの厚さを有することを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
絶縁基板上に形成され、ソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタと；
前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを備えた第１絶縁膜と；
前記第１絶縁膜上に形成され、前記ソース／ドレイン電極のうちいずれか一つと電気的に連結する第１画素電極と；
前記第１絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうち他の一つと電気的に連結する電源供給ラインと；
前記第１画素電極及び電源供給ラインを備える前記絶縁基板上に形成され、前記第１画素電極の一部分を露出させるビアホールを備えた第２絶縁膜と；
前記第２絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを通じて前記第１画素電極と電気的に連結した第２画素電極を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記反射膜及び電源供給ラインは反射率が優秀であり、抵抗が低い金属で構成されることを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
前記電源供給ラインは、線状構造で形成されることを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１８】
前記電源供給ラインは、格子構造で形成されることを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１９】
前記第１絶縁膜は保護膜であって、第２絶縁膜は平坦化膜であることを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２０】
前記第２絶縁膜は、１μｍないし２μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光表示装置に係り、さらに詳細には低抵抗金属で反射膜と電源供給ラインを同時に形成して電圧降下及び電源供給ライン間のショートを防止する有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリックス有機電界発光表示装置（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ；ＡＭＯＬＥＤ）は一般に、各単位画素が基本的にスイッチングトランジスタ、駆動トランジスタ、キャパシター及び発光素子を備え、前記駆動トランジスタ及びキャパシターには電源供給ラインから共通電源Ｖｄｄが提供される。電源供給ラインは駆動トランジスタを通じて発光素子に流れる電流を制御する役割を有するので、均一な輝度を得るためにはマトリックス状に配列された数多くの画素に均一に共通電源が提供されなければならない。
【０００３】
添付された図面を参照して、従来技術に対して説明する。
【０００４】
図１は、従来の有機電界発光表示装置を示す断面図である。
【０００５】
図１を参照すれば、バッファー層１１０が形成された絶縁基板１００上にポリシリコン膜からなる活性層１２０を形成する。
【０００６】
その次に、前記絶縁基板１００全面にゲート絶縁膜１３０とゲートメタルを蒸着して、ゲートメタルをパターニングしてゲート電極１４０を形成する。
【０００７】
前記ゲート電極１４０を形成した後、前記ゲート電極１４０をマスクとして利用して所定の不純物をドーピングして、ソース領域１２１とドレイン領域１２５を形成する。そして、前記活性層１２０のうちソース領域１２１とドレイン領域１２５間の領域はチャネル領域１２３として作用する。
【０００８】
その後、層間絶縁膜１５０を蒸着して、パターニングしてソース領域１２１とドレイン領域１２５の一部を露出させるコンタクトホール１５１、１５５を形成する。絶縁基板１００全面に金属層を蒸着した後、フォトエッチングしてソース／ドレイン電極１６１、１６５を形成する。前記ソース／ドレイン電極１６１、１６５のうちいずれか一つ、例えばソース電極１６１が電源供給ラインの役割を有する。
【０００９】
前記ソース／ドレイン電極１６１、１６５を含む絶縁基板１００全面に保護膜１７０を形成して、前記保護膜１７０にドレイン電極１６５の一部を露出させるビアホール１７５を形成する。
【００１０】
その次に、前記絶縁基板１００の反射率が優れたＡｇ、Ａｌなどの金属を蒸着した後、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な伝導性物質を蒸着してパターニングして反射膜１８１と透明電極１８３で構成されるアノード（ａｎｏｄｅ）電極１８０を形成する。
【００１１】
以後には、図面上には図示しなかったが、有機発光層とカソード電極を形成する。
【００１２】
前記した従来の有機電界発光表示装置は、通常的に電源供給ラインをソース／ドレイン電極１６１、１６５を利用して形成する。しかし、前記ソース／ドレイン電極１６１、１６５として主に使われるＭｏＷは、抵抗が高くて電圧降下（ＩＲ  ｄｒｏｐ）が多いという問題点がある。
【００１３】
また、ソース／ドレイン電極１６１、１６５を電源供給ラインとして用いる場合には、隣接した配線間にショートが発生するという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
したがって、本発明の目的は前記した従来技術の問題点を解決するためのことであって、本発明は低抵抗金属で反射膜と同時に電源供給ラインを形成して、電圧降下と電源供給ライン間のショート発生を防止した有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記した目的を達成するための本発明は絶縁基板上に形成されたゲートライン、データライン及び電源供給ラインと；前記ゲートライン、データライン及び電源供給ラインにより限定される画素領域と；前記画素領域に配列される少なくとも反射膜及び画素電極を備える画素を含み、前記反射膜は前記電源供給ラインと同一層上に形成される有機電界発光表示装置を提供することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は絶縁基板上に形成され、ソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタと；前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレイン電極のうちいずれか一つを露出させるコンタクトホールを備えた第１絶縁膜と；前記第１絶縁膜上に形成された反射膜と；前記第１絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうちいずれか一つと電気的に連結する電源供給ラインと；前記反射膜及び電源供給ラインを備える前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレイン電極のうち他の一つを露出させるビアホールを備えた第２絶縁膜と；前記第２絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうち他の一つと電気的に連結した画素電極を含む有機電界発光表示装置を提供することを特徴とする。
【００１７】
また、本発明は絶縁基板上に形成され、ソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタと；前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを備えた第１絶縁膜と；前記第１絶縁膜上に形成され、前記ソース／ドレイン電極のうちいずれか一つと電気的に連結する第１画素電極と；前記第１絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうち他の一つと電気的に連結する電源供給ラインと；前記第１画素電極及び電源供給ラインを備える前記絶縁基板上に形成され、前記第１画素電極の一部分を露出させるビアホールを備えた第２絶縁膜と；前記第２絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを通じて前記第１画素電極と電気的に連結した第２画素電極を含む有機電界発光表示装置を提供することを特徴とする。
【００１８】
本発明の望ましい実施例において、前記電源供給ラインは、ゲートライン及びデータラインと他の層上に形成されることが望ましい。
【００１９】
また、前記反射膜と電源供給ラインは、間に絶縁層が介在して電気的に分離（絶縁）されている。
【００２０】
また、前記第１画素電極と電源供給ラインは、間に絶縁層が介在しており、ビアホールを通じて電気的に連結（接続）している。
【００２１】
また、前記反射膜または第１画素電極及び電源供給ラインは同一物質からなって、抵抗が低い金属で構成されることが望ましい。また、前記反射膜及び電源供給ラインは厚さが１０００Åないし５０００Åであることが望ましい。
【００２２】
また、前記電源供給ラインは、線状（ｌｉｎｅａｒ）または格子（ｇｒｉｄ）構造で形成されることが望ましい。
【００２３】
また、前記第１絶縁膜は保護膜であって、第２絶縁膜は平坦化膜であり、前記第２絶縁膜はアクリル、ＰＩ、ＰＡまたはＢＣＢなどの透明有機物質からなることが望ましく、厚さが１μｍないし２μｍであることが望ましい。
【発明の効果】
【００２４】
前記したように本発明によると、本発明は電源供給ラインを反射膜または第１画素電極と同時に形成して電源供給ライン間のショート発生を防止する有機電界発光表示装置を提供することができる。
【００２５】
また、本発明は電源供給ラインとして反射膜または第１画素電極物質で用いられる低抵抗金属を用いて電圧降下効果を抑制した有機電界発光表示装置を提供することができる。
【００２６】
前記では本発明の望ましい実施例を参照しながら説明したが、該技術分野の熟練された当業者は特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
【００２８】
（実施例１）
図２Ａは、本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置の平面構造を示したものであって、図２Ｂは断面構造を示したものである。図２Ｂは図２ＡのIIＢ−IIＢ線による有機電界発光表示装置の断面構造であって、画素のうち駆動薄膜トランジスタ、ＥＬ素子及びキャパシターに限定して示したものである。
【００２９】
図２Ａ及び図２Ｂを参照すれば、第１実施例によるアクティブマトリックス有機電界発光表示装置は、絶縁基板２００上に形成された複数のゲートライン２１０、前記ゲートライン２１０と交差するように前記絶縁基板２００上に形成された複数のデータライン２２０、共通電源を供給するための電源供給ライン２３０及び前記信号ライン２１０、２２０と電源供給ライン２３０に連結する複数の画素を備える。
【００３０】
各画素は、前記ゲートライン２１０及びデータライン２２０に連結するスイッチング用薄膜トランジスタ２７０と、ビアホール２５９を通じて電源供給ライン２３０に連結するキャパシター２４０と、前記ビアホール２５９を通じて電源供給ライン２３０に連結する駆動用薄膜トランジスタ２５０及びＥＬ素子２６０を備える。
【００３１】
前記キャパシター２４０の上部電極２４６及び下部電極２４４は、層間絶縁膜２５５の上、下部にアイランド（ｉｓｌａｎｄ）状でそれぞれ形成される。前記キャパシター２４０の下部電極２４４は駆動用薄膜トランジスタ２５０のゲート電極２５４に連結して、スイッチング用薄膜トランジスタ２７０のソース／ドレイン電極２７３ａ、２７３ｂのうちいずれか一つ、例えばソース電極２７３ａにコンタクトホール２７４を通じて連結する。前記キャパシター２４０の上部電極２４６はビアホール２５９を通じて電源供給ライン２３０に連結する。前記ＥＬ素子２６０の反射膜２６１は電源供給ライン２３０と同一層、例えば第１絶縁膜２５７上に形成され、第２絶縁膜２６２によって他の層と絶縁される。
【００３２】
また、前記ＥＬ素子の画素電極２６３は、第２絶縁膜２６２上に形成されてビアホール２５８を通じて駆動用薄膜トランジスタ２５０のソース／ドレイン電極２５６ａ、２５６ｂのうちいずれか一つ、例えばドレイン電極２５６ｂに連結する。
【００３３】
この時、前記ゲートライン２１０とデータライン２２０は、両ライン２１０、２２０間に層間絶縁膜２５５からなる絶縁層を介在して電気的に相互分離される。前記電源供給ライン２３０は第１絶縁膜２５７とゲート絶縁膜２５３からなる絶縁層を介在して前記ゲートライン２１０及びデータライン２２０と電気的に相互分離される。したがって、本発明においては電源供給ライン２３０が反射膜２６１と同一層、すなわち第１絶縁膜２５７上に形成される。それゆえ、電源供給ライン２３０がゲートライン２１０またはデータライン２２０とは異なった層上に形成されるので、インラインショートが防止される。
【００３４】
前記したような構造を有する本発明の有機電界発光表示装置の製造方法を説明すると次の通りである。
【００３５】
バッファー層２５１が形成された絶縁基板２００上にポリシリコン膜で形成された活性層２５２を形成する。
【００３６】
その次に、前記活性層２５２を含むバッファー層２５１上にゲート絶縁膜２５３を形成して、前記ゲート絶縁膜２５３上にゲートメタルを蒸着して、ゲートメタルをパターニングしてゲート電極２５０を形成する。
【００３７】
前記ゲート電極２５４を形成した後、前記ゲート電極２５４をマスクとして利用して所定の不純物を注入して、ソース／ドレイン領域２５２ａ、２５２ｂを形成する。
【００３８】
前記ソース／ドレイン領域２５２ａ、２５２ｂを形成した次に、層間絶縁膜２５５を蒸着して、パターニングしてソース領域２５２ａとドレイン領域２５２ｂの一部を露出させるコンタクトホール２５５ａ、２５５ｂを形成する。
【００３９】
前記コンタクトホール２５５ａ、２５５ｂを形成した次に、前記絶縁基板２００の全面に金属物質を蒸着してパターニングして前記コンタクトホール２５５ａ、２５５ｂを通じて前記ソース／ドレイン領域２５２ａ、２５２ｂと電気的に連結するソース／ドレイン電極２５６ａ、２５６ｂを形成して活性層２５２、ゲート電極２５４、ソース／ドレイン電極２５６ａ、２５６ｂなどで構成される薄膜トランジスタを形成する。
【００４０】
その次に、前記薄膜トランジスタを含む絶縁基板２００全面に第１絶縁膜２５７を形成してエッチングして前記ソース／ドレイン電極２５６ａ、２５６ｂのうちいずれか一つ、例えばソース電極２５６ａの一部を露出させるビアホール２５９を形成する。前記第１絶縁膜２５７はＳｉＮｘまたはＳｉＯ２等のような無機物質を用いて形成して保護膜として作用する。
【００４１】
前記ビアホール２５９を形成した後、絶縁基板２００全面に抵抗が低く、反射率が優れた金属物質を蒸着してパターニングして以後に形成される有機発光層から発光する光を反射させる役割を有する反射膜２６１を形成すると同時に、前記ビアホール２５９を通じて前記ソース電極２５６ａと電気的に連結する電源供給ライン２３０を形成する。この時、前記反射膜２６１及び電源供給ライン２３０は反射率が優れ、抵抗が低い金属を用いることが望ましく、さらに望ましくはＡｌ、Ａｇなどの金属を用いる。また、前記反射膜２６１及び電源供給ライン２３０は厚さが１０００Åないし５０００Åであることが望ましい。
【００４２】
前記反射膜２６１と電源供給ライン２３０を同時に形成した後、前記絶縁基板２００全面に第２絶縁膜２６２を形成してパターニングして、前記第２絶縁膜２６２に前記ソース／ドレイン電極２５６ａ、２５６ｂのうち他の一つ、例えばドレイン電極２５６ｂの一部を露出させるビアホール２５８を形成する。
【００４３】
この時、前記第２絶縁膜２６２は、平坦化膜として作用し、アクリル（Ａｃｒｙｌ）、ＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＰＡ（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）またはＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）等のように透明で、流動性があって下部構造の屈曲を緩和させて平坦化させることができる物質を用い、以後に形成される有機発光層から発光する光の透過と充分な平坦化を考慮して１μｍないし２μｍの厚さに蒸着することが望ましい。
【００４４】
前記ビアホール２５８を形成した後、前記絶縁基板２００全面にＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な伝導性の物質を蒸着してパターニングして前記ソース／ドレイン電極のうち他の一つと電気的に連結する画素電極２６３を形成する。
【００４５】
その次に、前記画素電極２６３上に画素電極の一部分を露出させる開口部２６９を備える画素定義膜２６４と、有機発光層２６５と、カソード電極２６６を形成してＥＬ素子２６０を形成する。
【００４６】
以後には、図面上には図示しなかったが、封じ基板を利用して前記絶縁基板２００を封止して前面発光有機電界発光表示装置を形成する。
【００４７】
図３Ａ及び図３Ｃは、本発明の望ましい実施例による反射膜３６１と電源供給ライン３３０の平面構造を示したものである。
【００４８】
図３Ａでは、電源供給ラインの各格子内に反射膜３６１がアイランド状で含まれる形態に形成される。前記したように、前記電源供給ライン３３０が格子型で形成されれば、電源電圧Ｖｄｄを４方向（矢印表示）から印加できるので、電源供給ライン３３０を通した電圧降下効果を抑制することができる。
【００４９】
また、図３Ｂでは、前記アイランド状の反射膜３６１が列と行のマトリックス状に配列されて、列方向に配列された隣接する反射膜３６１間にライン（ｌｉｎｅ）状で電源供給ライン３３０が形成される。
【００５０】
また、図３Ｃでのように、列と行のマトリックス状に配列された前記アイランド状の隣接する反射膜３６１間に行方向に配列されることができる。
【００５１】
（実施例２）
図４Ａは、本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置の平面構造を示したものであって、図４Ｂは断面構造を示したものである。図４Ｂは図４ＡのIVＢ−IVＢ線による有機電界発光表示装置の断面構造であって、画素のうち駆動薄膜トランジスタ、ＥＬ素子及びキャパシターに限定して示したものである。
【００５２】
図４Ａ及び図４Ｂに示したアクティブマトリックス有機電界発光表示装置は、前記第１実施例のアクティブマトリックス有機電界発光表示装置と構造的に同様である。ただし、第１実施例の反射膜と画素電極が相互に電気的に連結して反射型第１画素電極４６１と透過型第２画素電極４６４で構成され、前記反射型第１画素電極４６１が下部のソース／ドレイン電極４５６ａ、４５６ｂと連結する構造だけが違う。
【００５３】
すなわち、第２実施例によるアクティブマトリックス有機電界発光表示装置は、図４Ａ及び図４Ｂでのように、ＥＬ素子４６０の第１画素電極４６１は電源供給ライン４３０と同一層、例えば第１絶縁膜４５７上に形成され、第１絶縁膜のコンタクトホール４５８を通じて駆動用トランジスタのソース／ドレイン電極４５６ａ、４５６ｂのうちいずれか一つ、例えばドレイン電極４５６ｂに連結する。
【００５４】
また、前記ＥＬ素子の第２画素電極４６４は、第２絶縁膜４６２上に形成されてビアホール４６３を通じて第１画素電極４６１に電気的に連結する。
【００５５】
図５Ａ及び図５Ｃは、本発明の望ましい実施例による第１画素電極５６１と電源供給ライン５３０の平面構造を示したものである。
【００５６】
図５Ａでは、電源供給ラインの各格子内に第１画素電極５６１がアイランド状で含まれる形態に形成され、前記電源供給ライン５３０が格子型で形成される。
【００５７】
また、図５Ｂ及び図５Ｃでは、前記アイランド状の第１画素電極５６１が列と行のマトリックス状に配列されて、列方向または行方向に配列された隣接する第１画素電極５６１間にライン状で電源供給ライン５３０が形成される。
【００５８】
前記したように、電源供給ラインをソース／ドレイン電極と同時に形成しなくて、反射膜２６１または第１画素電極４６１と同時に形成することによって、ゲート／データラインと電源供給ライン間のインラインショート（ｉｎ−ｌｉｎｅ  ｓｈｏｒｔ）問題を解決することができる。また、反射膜２６１または第１画素電極４６１として用いられる低抵抗金属を電源供給ラインとして用いることによって、電圧降下効果を抑制することができる。
【００５９】
また、付随的にゲート／データラインとのインラインショートを解決することによって、電源供給ラインの幅を広げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】従来の有機電界発光表示装置を示す断面図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置の平面図である。
【図２Ｂ】図２ＡのIIＢ−IIＢ線による有機電界発光表示装置の断面図である。
【図３Ａ】本発明の望ましい実施例による反射膜と電源供給ラインを示す平面図である。
【図３Ｂ】本発明の望ましい実施例による反射膜と電源供給ラインを示す平面図である。
【図３Ｃ】本発明の望ましい実施例による反射膜と電源供給ラインを示す平面図である。
【図４Ａ】本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置の平面図である。
【図４Ｂ】図４ＡのIVＢ−IVＢ線による有機電界発光表示装置の断面図である。
【図５Ａ】本発明の望ましい実施例による第１画素電極と電源供給ラインを示す平面図である。
【図５Ｂ】本発明の望ましい実施例による第１画素電極と電源供給ラインを示す平面図である。
【図５Ｃ】本発明の望ましい実施例による第１画素電極と電源供給ラインを示す平面図である。
【符号の説明】
【００６１】
２００  絶縁基板
２１０  ゲートライン
２２０  データライン
２３０、４３０、５３０  電源供給ライン
２４０  キャパシター
２５０  駆動用薄膜トランジスタ
２５２  活性層
２５７、４５７  第１絶縁膜
２５８  ビアホール
２５９  ビアホール
２６０、４６０  ＥＬ素子
２６１  反射膜
２６２、４６２  第２絶縁膜
２７０  スイッチング用薄膜トランジスタ
４６１  反射型第１画素電極
４６２  透過型第２画素電極
４６３  ビアホール
５６１  第１画素電極
【図１】
2005070741.tif 000003
【図２Ａ】
2005070741.tif 000004
【図２Ｂ】
2005070741.tif 000005
【図３Ａ】
2005070741.tif 000006
【図３Ｂ】
2005070741.tif 000007
【図３Ｃ】
2005070741.tif 000008
【図４Ａ】
2005070741.tif 000009
【図４Ｂ】
2005070741.tif 000010
【図５Ａ】
2005070741.tif 000011
【図５Ｂ】
2005070741.tif 000012
【図５Ｃ】
2005070741.tif 000013