(57)【要約】【課題】  電気光学装置用基板或いは電気光学装置において、下地層のパターン形状を変更することにより下地層が剥離しにくくなるように構成し、これによって反射膜の不良の発生を抑制して製品の歩留まりを向上させる。【解決手段】  本発明の電気光学装置用基板は、基板上に相互に積層配置された反射膜２１３及び下地層２１２が形成され、反射膜及び下地層の一部を含む複数の画素領域が配列されてなり、画素領域毎に、反射膜の形成されていない透過開口部２１３ａと、該透過開口部と平面的に重なる位置に配置された、下地層が形成されていない下地開口部２１２ａとが設けられ、隣接する前記画素領域間において下地開口部が相互に連続していることを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に相互に積層配置された反射膜及び下地層が形成され、前記反射膜及び前記下地層を含む複数の画素領域が配列されてなる電気光学装置用基板であって、
前記画素領域毎に、前記反射膜の形成されていない透過開口部と、該透過開口部と平面的に重なる位置に配置された、前記下地層が形成されていない下地開口部とが設けられ、隣接する前記画素領域間において前記下地開口部が相互に連続していることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
前記下地開口部は、前記画素領域の所定の配列方向に沿って連続するスリット状に構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項３】
前記画素領域は長方形形状を有し、その長手方向を所定方向に揃えた姿勢で配列され、前記所定の配列方向は前記画素領域の長手方向と交差する方向であることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置用基板。
【請求項４】
前記下地層は表面凹凸形状を有し、前記反射膜は前記表面凹凸形状を反映した光散乱性の反射面を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項５】
前記下地層における前記下地開口部の開口縁部分には前記表面凹凸形状が形成されていないことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置用基板。
【請求項６】
基板上に相互に積層配置された反射膜及び下地層が形成され、前記反射膜及び前記下地層を含む複数の画素領域が配列されてなる電気光学装置用基板の製造方法であって、
前記下地層が形成されていない下地開口部が画素領域毎に存在し、かつ、隣接する前記画素領域間において前記下地開口部が連続するように前記下地層を形成する工程と、
前記反射膜が形成されていない透過開口部が前記下地開口部と平面的に重なる位置に存在するように前記反射膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項７】
前記下地層を形成する工程では、感光性樹脂を所定のマスクを用いて露光し、現像することによって前記表面凹凸形状を有する前記下地層を形成することを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項８】
電気光学層と、該電気光学層の背後に配置された反射膜と、該反射膜の前記電気光学層とは反対側に隣接配置された下地層とを有し、前記電気光学層及び前記反射膜を含む複数の画素領域が配列されてなる電気光学装置であって、
前記画素領域毎に、前記反射膜の形成されていない透過開口部と、該透過開口部と平面的に重なる位置に配置された、前記下地層が形成されていない下地開口部とが設けられ、隣接する前記画素領域間において前記下地開口部が相互に連続していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
前記下地開口部は、前記画素領域の所定の配列方向に沿って相互に連続するスリット状に構成されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記画素領域は長方形形状を有し、その長手方向を所定方向に揃えた姿勢で配列され、前記所定の配列方向は前記画素領域の長手方向と交差する方向であることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記下地層は表面凹凸形状を有し、前記反射膜は前記表面凹凸形状を反映した光散乱性の反射面を有することを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記下地層における前記開口部の開口縁部分には、前記表面凹凸形状が形成されていないことを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
電気光学層と、該電気光学層の背後に配置された反射膜と、該反射膜の前記電気光学層とは反対側に隣接配置された下地層とを有し、前記電気光学層及び前記反射膜を含む複数の画素領域が配列されてなる電気光学装置の製造方法であって、
前記画素領域毎に存在し、かつ、隣接する前記画素領域毎に連続する下地開口を有する、表面凹凸形状を備えた下地層を形成する工程と、
前記下地開口と平面的に重なる位置に透過開口部を有し、前記下地層の表面上に前記表面凹凸形状を反映した光散乱性の反射面を備える前記反射膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
前記下地層を形成する工程では、感光性樹脂を所定のマスクを用いて露光し、現像することによって前記表面凹凸形状を有する前記下地層を形成することを特徴とする請求項１３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の電気光学装置と、該電気光学装置の制御手段とを有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電気光学装置用基板、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器に係り、特に、半透過反射型の電気光学装置として構成する場合に好適な反射膜の構造及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半透過反射型の電気光学装置は、近年の携帯型電子機器の発展に伴って数多く用いられている。たとえば、電気光学装置の一種である液晶表示装置を例にとって説明すると、半透過反射型の液晶表示体が携帯電話や携帯型情報端末などに採用されている。半透過反射型の液晶表示装置は、バックライトを点灯することによって透過型の液晶表示装置と同様の透過型表示が可能であり、また、バックライトを用いない場合でも、外光を反射膜によって反射させることによって反射型の液晶表示装置と同様の反射型表示が可能になるため、環境に応じて透過型表示と反射型表示とを選択して用いることができ、また、反射型表示を利用することによって消費電力の低減を図ることができるという利点を有する。
【０００３】
上記の半透過反射型の液晶表示装置は、外光を反射膜によって反射させ、その反射光で表示を視認可能にするように構成されているが、反射膜の反射面が例えば鏡面状態であると、照明による幻惑や背景の写り込みなどが発生し、視認性を悪化させる原因になる。そこで、微細な表面凹凸形状（粗面）を有する光散乱性の反射面とすることによって、表示の明るさを確保しつつ、照明による幻惑や背景の写り込みを防止するといった方法が一般的に採用されている。上記のような光散乱性の反射面を備えた反射膜を形成する方法としては、基板上に表面凹凸形状を備えた樹脂などで構成される下地層を形成し、この下地層の上に反射膜を形成することにより、下地層の表面凹凸形状を反映した光散乱性の反射面を形成する方法が知られている（例えば、以下の特許文献１参照）。
【０００４】
上記のような半透過反射型の液晶表示装置においては、図１８及び図１９に示すように、液晶パネルを構成する一方の基板上に、感光性樹脂を塗布し、露光及び現像を行うことにより、表面凹凸形状を備えた下地層１１２に画素毎に下地開口部１１２ａが形成されている。この下地層１１２の上には、金属薄膜などによって構成される反射膜１１３が形成されている。さらに、下地開口部１１２ａと平面的に重なる部分には、反射膜１１３が形成されていない透過開口部１１３ａが構成されている。この構成によれば、図示しないバックライトから照射された光は画素領域毎に透過開口部１１３ａ及び下地開口部１１２ａを通過することによって透過型表示を構成する表示光となり、また、外光が液晶パネル内に入射して各画素領域の反射膜１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂにより反射されることによって反射型表示を構成する表示光となる。
【特許文献１】特開２００２−９８９５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の半透過反射型の液晶表示装置においては、画素領域毎に下地層１１２を除去した下地開口部１１２ａが窓状に形成されていることにより、下地層１１２の現像時に、隣接する下地開口部１１２ａ間にあるブリッジ状に構成された樹脂部分が基板から剥離するという不具合が生ずる場合がある。特に、透過表示を重視することによって各画素領域における透過開口部１１３ａの開口率を大きく構成する場合には、上記のブリッジ状の樹脂部分の幅も小さくなるので、下地層１１２がより剥離しやすくなる。また、図１８及び図１９に示すように各画素領域が縦長の矩形形状（長方形状）を有する場合に、透過開口部１１３ａを大きく形成すると、図１８に示す樹脂部分１１３Ｘのように、画素領域の長手方向と直交する方向に隣接する下地開口部１１２ａ間の樹脂部分の幅がさらに狭くなるので、当該部分はなおさら基板から剥離しやすくなる。
【０００６】
上記のように下地層１１２の現像時に上記樹脂部分が一旦基板から剥離すると、それが基板上に再付着しても下地層１１２に形状不良が発生するため、反射膜の形状も不良となり、これによって製品の歩留まりが低下するという問題点がある。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、下地層のパターン形状を変更することにより下地層が剥離しにくくなるように構成し、これによって反射膜の不良の発生を抑制して製品の歩留まりを向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電気光学装置用基板は、基板上に相互に積層配置された反射膜及び下地層が形成され、前記反射膜及び前記下地層を含む複数の画素領域が配列されてなる電気光学装置用基板であって、前記画素領域毎に、前記反射膜の形成されていない透過開口部と、該透過開口部と平面的に重なる位置に配置された、前記下地層が形成されていない下地開口部とが設けられ、隣接する前記画素領域間において前記下地開口部が相互に連続していることを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、隣接する画素領域間において下地開口部が相互に連続していることにより、この隣接する画素領域間には下地開口部間に配置されるブリッジ状の下地層の部分が存在しなくなるため、下地層が剥離しにくくなることから、不良の発生を抑制することが可能になる。
【００１０】
ここで、隣接する画素領域間において下地開口部が相互に連続しているとは、少なくとも隣接する２つの画素領域毎に一つの下地開口部が一体に構成されている場合を含む。したがって、３以上の画素領域に亘って一つの下地開口部が一体に構成されている場合を含むがこれに限られない。
【００１１】
本発明において、前記下地開口部は、前記画素領域の所定の配列方向に沿って連続するスリット状に構成されていることが好ましい。これによれば、下地開口部が所定の配列方向に沿って連続するスリット状に構成されていることにより、下地開口部の開口縁を簡易な形状に構成できるので、下地層が当該開口縁からさらに剥離しにくくなる。
【００１２】
この場合に、下地開口部の開口縁は上記所定の配列方向に直線状に形成されていることが、下地層の剥離をさらに困難にする点でより望ましい。また、電気光学装置用基板上において上記所定の配列方向に配列されている全ての画素領域に亘って上記スリット状の透過開口部及び下地開口部が一体に（連続して）形成されていることが下地層のパターン形状をより簡易なものとする上で望ましい。
【００１３】
本発明において、前記画素領域は長方形形状を有し、その長手方向を所定方向に揃えた姿勢で配列され、前記所定の配列方向は前記画素領域の長手方向と交差する方向であることが好ましい。これによれば、下地開口部が画素領域の長手方向とは異なる方向に連続するスリット状に構成されていることにより、隣接する画素列の他の下地開口部との間の間隔を広く確保することが可能になるため、下地層の剥離をさらに低減できる。
【００１４】
ここで、前記所定の配列方向は画素領域の長手方向と直交する方向であることが好ましい。これによって、画素領域を通過する下地開口部の位置が基本的に画素領域間において同一位置となるため、下地開口部と平面的に重なるように形成される透過開口部の位置のばらつきに起因する表示品位への影響を低減することができる。
【００１５】
本発明において、前記下地層は表面凹凸形状を有し、前記反射膜は前記表面凹凸形状を反映した光散乱性の反射面を有することが好ましい。これによって、反射膜に光散乱性の反射面を容易に形成できるとともに、光散乱性の反射面によって視認性に優れた反射型表示の態様を実現できる。
【００１６】
本発明において、前記下地層における前記下地開口部の開口縁部分には前記表面凹凸形状が形成されていないことが好ましい。これによれば、下地層の開口縁部分に表面凹凸形状が形成されていないことにより、下地層の開口縁部分の密着性や強度を確保することができるため、下地層をさらに剥離しにくく構成できる。
【００１７】
なお、反射膜は、前記下地層における前記下地開口部に臨む開口縁部分の側面上にも形成されていることにより、下地層の側面が反射膜によって覆われるため、反射膜の形成後における下地層や反射膜の剥離不良を低減することができるという効果が得られる。
【００１８】
次に、本発明の電気光学装置用基板の製造方法は、基板上に相互に積層配置された反射膜及び下地層が形成され、前記反射膜及び前記下地層の一部を含む複数の画素領域が配列されてなる電気光学装置用基板の製造方法であって、前記下地層が形成されていない下地開口部が画素領域毎に存在し、かつ、隣接する前記画素領域間において前記下地開口部が連続するように前記下地層を形成する工程と、前記反射膜が形成されていない透過開口部が前記下地開口部と平面的に重なる位置に存在するように前記反射膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１９】
本発明において、前記下地層を形成する工程では、感光性樹脂を所定のマスクを用いて露光し、現像することによって前記表面凹凸形状を有する前記下地層を形成することが好ましい。これによれば、露光強度や露光パターンに応じて表面凹凸形状を容易に形成することができ、また、露光強度や露光パターンに応じて下地開口部を同時に形成することができる。
【００２０】
この場合に、反射膜を、下地層における下地開口部の開口縁部分の側面上にも形成することが望ましい。これによって、下地層の側面が反射膜によって覆われるため、反射膜の形成後における下地層や反射膜の剥離不良を低減することができる。
【００２１】
次に、本発明の電気光学装置は、電気光学層と、該電気光学層の背後に配置された反射膜と、該反射膜の前記電気光学層とは反対側に隣接配置された下地層とを有し、前記電気光学層及び前記反射膜を含む複数の画素領域が配列されてなる電気光学装置であって、前記画素領域毎に、前記反射膜の形成されていない透過開口部と、該透過開口部と平面的に重なる位置に配置された、前記下地層が形成されていない下地開口部とが設けられ、隣接する前記画素領域間において前記下地開口部が相互に連続していることを特徴とする。
【００２２】
この発明によれば、隣接する画素領域間において下地開口部が相互に連続していることにより、この隣接する画素領域間には下地開口部間に配置されるブリッジ状の下地層の部分が存在しなくなるため、下地層が剥離しにくくなることから、不良の発生を抑制することが可能になる。したがって、電気光学装置の歩留まりが向上し、より低コストで高い信頼性を有する電気光学装置を製造できるようになる。
【００２３】
本発明において、前記下地開口部は、前記画素領域の所定の配列方向に沿って相互に連続するスリット状に構成されていることが好ましい。
【００２４】
本発明において、前記画素領域は長方形形状を有し、その長手方向を所定方向に揃えた姿勢で配列され、前記所定の配列方向は前記画素領域の長手方向と交差する方向であることが好ましい。
【００２５】
本発明において、前記下地層は表面凹凸形状を有し、前記反射膜は前記表面凹凸形状を反映した光散乱性の反射面を有することが好ましい。
【００２６】
本発明において、前記下地層における前記開口部の開口縁部分には、前記表面凹凸形状が形成されていないことが好ましい。
【００２７】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、電気光学層と、該電気光学層の背後に配置された反射膜と、該反射膜の前記電気光学層とは反対側に隣接配置された下地層とを有し、前記電気光学層及び前記反射膜を含む複数の画素領域が配列されてなる電気光学装置の製造方法であって、前記画素領域毎に存在し、かつ、隣接する前記画素領域毎に連続する下地開口を有する、表面凹凸形状を備えた下地層を形成する工程と、前記下地開口と平面的に重なる位置に透過開口部を有し、前記下地層の表面上に前記表面凹凸形状を反映した光散乱性の反射面を備える前記反射膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００２８】
本発明において、前記下地層を形成する工程では、感光性樹脂を所定のマスクを用いて露光し、現像することによって前記表面凹凸形状を有する前記下地層を形成することが好ましい。
【００２９】
次に、本発明の電子機器は、上記のいずれか一項に記載の電気光学装置と、該電気光学装置の制御手段とを有することを特徴とする。電子機器としては、特に、携帯電話、携帯型情報端末、電子時計などの携帯型電子機器や、テレビジョン、モニタ、コンピュータ、置時計などの民生用電子機器などが挙げられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
次に、添付図面を参照して本発明に係る実施形態について詳細に説明する。なお、以下に説明する各実施形態はあくまでも本発明の構成例を示すものに過ぎないものであり、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【００３１】
［第１実施形態］
図１２は本発明に係る電気光学装置の第１実施形態の液晶表示装置２００のパネル構造を示す概略斜視図、図１３は同パネル構造を模式的に示す概略縦断面図、図１は、同液晶表示装置２００の図１３と直交する断面をより詳細に示す拡大部分縦断面図である。
【００３２】
図１２に示すように、液晶表示装置２００は、ガラス板や合成樹脂板等からなる透明な第１基板２１１を基体とする電気光学装置用基板２１０と、これに対向する同様の第２基板２２１を基体とする対向基板２２０とがシール材２３０を介して貼り合わせられ、シール材２３０の内側に注入口２３０ａから液晶２３２が注入された後、封止材２３１にて封止されてセル構造が構成される。
【００３３】
電気光学装置用基板２１０においては、第１基板２１１の内面（第２基板２２１に対向する表面）上に複数並列したストライプ状の透明電極２１６がスパッタリング法等により形成され、対向基板２２０においては第２基板２２１の内面上に複数並列したストライプ状の透明電極２２２が同様の方法で形成されている。また、上記透明電極２１６は配線２１８Ａに導電接続され、上記透明電極２２２は配線２２８に導電接続されている。透明電極２１６と透明電極２２２とは相互に直交し、その交差領域はマトリクス状に配列された多数の画素を構成し、これらの画素配列が液晶表示領域Ａを構成している。
【００３４】
第１基板２１１は第２基板２２１の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部２１０Ｔを有し、この基板張出部２１０Ｔ上には、上記配線２１８Ａ、上記配線２２８に対してシール材２３０の一部で構成される上下導通部を介して導電接続された配線２１８Ｂ、及び、独立して形成された複数の配線パターンからなる入力端子部２１９が形成されている。また、基板張出部２１０Ｔ上には、これら配線２１８Ａ，２１８Ｂ及び入力端子部２１９に対して導電接続されるように、液晶駆動回路等を内蔵した半導体ＩＣ２６１が実装される。また、基板張出部２１０Ｔの端部には、上記入力端子部２１９に導電接続されるように、フレキシブル配線基板２６３が実装される。
【００３５】
この液晶表示装置２００において、図１３及び図１に示すように、第１基板２１１の外面には位相差板（１／４波長板）２４０及び偏光板２４１が配置され、第２基板２２１の外面には位相差板（１／４波長板）２５０及び偏光板２５１が配置される。
【００３６】
図１３及び図１に示すように、電気光学装置用基板２１０においては、第１基板２１１の表面に透明な下地層２１２が形成される。画素領域には、上記の下地層２１２が形成されていない下地開口部２１２ａが設けられている。また、この下地層２１２の上に反射膜２１３が形成されている。ここで、上記画素領域毎に反射膜２１３が形成されていない透過開口部２１３ａが設けられる。この透過開口部２１３ａは、上記の下地開口部２１２ａと平面的に重なる領域に形成されている。
【００３７】
反射膜２１３の上には着色層２１４が形成され、その上に、透明樹脂等からなる表面保護層（オーバーコート層）２１５がさらに形成される。この着色層２１４と表面保護層２１５とによってカラーフィルタが構成される。この表面保護層２１５は、カラーフィルタの表面を平坦化するとともに、着色層２１４から有機物質が液晶に侵入して液晶を劣化させることを防止するために設けられる。
【００３８】
着色層２１４は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされる。着色層の色調の一例としては原色系フィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合せからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、補色系その他の種々の色調で形成できる。通常、基板表面上に顔料や染料等の着色材を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって不要部分を除去することによって、所定のカラーパターンを有する着色層を形成することができる。ここで、複数の色調の着色層を形成する場合には上記工程が繰り返される。
【００３９】
なお、着色層の配列パターンとして、本実施形態ではストライプ配列を採用しているが、このストライプ配列の他に、デルタ配列や斜めモザイク配列等の種々のパターン形状を採用することができる。また、上記ＲＧＢの各着色層の周囲には、着色層の一部として、画素間領域の遮光を行うための遮光膜２１４ＢＭ（ブラックマトリクス或いはブラックマスク）を形成することができる。
【００４０】
表面保護層２１５の上には、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる透明電極２１６がスパッタリング法等で形成される。透明電極２１６は図１３の紙面と直交する方向（図１の紙面と平行な方向）に伸びる帯状に形成され、複数の透明電極２１６が相互に並列してストライプ状に構成されている。透明電極２１６の上にはポリイミド樹脂等からなる配向膜２１７が形成される。
【００４１】
一方、上記液晶表示装置２００において、上記電気光学装置用基板２１０と対向する対向基板２２０には、ガラス等からなる第２基板２２１上に、上記と同様の透明電極２２２が形成され、その上に、ＳｉＯ２やＴｉＯ２などからなる硬質保護膜２２３が形成される。さらにその上には上記と同様の配向膜２２４が積層される。
【００４２】
図１に示すように、液晶表示装置２００にはバックライト２７０が用いられる。このバックライト２７０は、図示しない光源（発光ダイオードなど）と、この光源から発せられる光を導入し内部を伝播させて一方の表面から出射する導光板２７２と、導光板２７２の背後に配置される反射シート２７３とを有する。また、バックライト２７０と上記のパネル構造との間には拡散板２８１が配置される。
【００４３】
なお、本実施形態では、電気光学装置用基板２１０内にカラーフィルタを構成しているが、カラーフィルタを対向基板２２０に形成しても構わない。また、カラーフィルタを構成する各着色層２１４は、各画素領域において透過開口部２１３ａ上にある部分と、反射膜２１３上にある部分とが別々に構成されていてもよく、また、着色層２１４が反射膜２１３上の一部に形成されていなくてもよい。
【００４４】
図２は、上記電気光学装置用基板２１０の反射膜２１３の平面図である。ここで、着色層２１４は一点鎖線で示し、また、下地層２１２は反射層２１３から一部はみ出した態様で示してある。本実施形態では、下地層２１２と反射膜２１３とはほぼ等しい平面形状に構成されて相互にほぼ一致した態様で積層されている。また、上記カラーフィルタの着色層２１４Ｒ，２１４Ｇ，２１４Ｂによってそれぞれ一つの画素領域Ｄが画成されており、図示例では、３色の着色層２１４Ｒ，２１４Ｇ，２１４Ｂが配置された画素領域Ｄが隣接して一つのピクセルＰを構成している。
【００４５】
画素領域Ｄにおいては、下地開口部２１２ａ及び透過開口部２１３ａが画素領域Ｄを横断するように構成され、隣接する画素領域Ｄ間において相互に連続するように構成されている。より具体的には、下地開口部２１２ａ及び透過開口部２１３ａは、画素領域Ｄの短辺方向（図示左右方向）に配列される複数の画素領域Ｄに亘って連続するスリット状に構成されている。また、下地層２１２及び反射膜２１３の開口縁部は直線状に構成されている。これによって、下地開口部２１２ａ及び透過開口部２１３ａは長手方向に等しい幅を有する帯状に形成されている。
【００４６】
図３は、本実施形態の一つのピクセルＰ内の構造を拡大して示す拡大部分平面図である。下地開口部２１２ａは複数の画素領域Ｄに亘って連続するように構成されているので、画素領域Ｄ間（すなわち画素領域ＤＲとＤＧ、ＤＧとＤＢ、ＤＢとＤＲ）には、従来存在した開口部に挟まれたブリッジ状の部分が形成されていない。ここで、本発明において透過開口部２１３ａは隣接する画素領域Ｄ間において連続していてもしていなくてもよいが、本実施形態では、透過開口部２１３ａは下地開口部２１２ａと平面的にほぼ一致した形状を有するように構成されている。
【００４７】
（製造方法）  次に、図１０及び図１１を参照して、上記液晶表示装置の電気光学装置用基板２１０の製造方法について説明する。
【００４８】
最初に、図１０（ａ）に示すように、ガラスやプラスチックなどで構成される基板２１１の表面に、スピンコーティング法やロールコータ法などによって感光性樹脂２１２Ａを塗布する。本実施形態においては、感光性樹脂２１２Ａは、光溶解型などのポジ型の感光性樹脂であり、例えば、アクリル系樹脂であることが好ましい。もっとも、光硬化型などのネガ型の感光性樹脂を用いても構わない。
【００４９】
次に、図１０（ｂ）に示すように、上記の感光性樹脂２１２Ａはマスク１０２を用いて露光される。ここで、マスク１０２は、ガラス等の透明基板１０２Ａの表面にＣｒ等の薄膜などで構成される遮光層１０２Ｂを形成したものである。このマスク１０２において、遮光層１０２Ｂに覆われていない部分は光透過部１０２ｘとなり、遮光層１０２Ｂに覆われた部分は光遮蔽部１０２ｙとなる。光透過部１０２ｘを透過した光は感光性樹脂２１２Ａに照射される。このとき、マスク１０２と感光性樹脂２１２Ａとの間に３０〜２５０μｍ程度の露光ギャップＧを設定するプロキシミティ露光を施すことにより、マスク１０２のパターンを通過した光が適度に回折し、感光性樹脂２１２Ａに対する露光強度を平面的に滑らかに増減する態様とすることができる。なお、この露光工程は、ステッパ露光機を用いたステッパ露光でも行うことができる。
【００５０】
次に、上記感光性樹脂２１２Ａを所定の現像液により現像することにより、図１０（ｃ）に示すように、上記マスク１０２の光透過部１０２ｘに対応する領域と、光遮蔽部１０２ｙに対応する領域との間に凹凸状の段差が形成される。そして、現像工程においては、その露光強度分布に応じた量の樹脂が感光性樹脂２１２Ａの表面から除去される。これにより、図示のように比較的なだらかな表面凹凸形状２１２ｓを有する下地層２１２が得られる。
【００５１】
次に、上記のように構成された下地層２１２の表面上にアルミニウム、銀、銀合金（ＡＰＣ合金など）、クロムなどの金属の薄膜を形成し、反射膜２１３とする。反射膜２１３は、その下地面となる下地層２１２の表面に表面凹凸形状２１２ｓが形成されていることにより、その表面凹凸形状２１２ｓを反映した凹凸形状を有する光散乱性の反射面２１３ｓを備えたものとなる。
【００５２】
次に、図１１（ａ）に示すように、反射膜２１３の表面上に、通常のフォトリソグラフィ法によってレジスト等で構成されるマスク２１３Ａを形成する。マスク２１３Ａは、反射膜２１３が不要とされる領域に開口２１３Ａｘが設けられたものである。そして、このマスク２１３Ａを用いてエッチングを行うことにより、図１１（ｂ）に示すように、透過開口部２１３ａを備えた反射膜２１３を形成する。そして、さらに、マスク２１３Ａを用いて、或いは、反射膜２１３をマスクとして、下地層２１２の一部を露光し、現像することによって除去し、図１１（ｃ）に示すように、下地開口部２１２ａを形成する。このようにすると、下地層２１２に下地開口部２１２ａが形成されていることにより、反射膜２１３の透過開口部２１３ａを通過する透過光が下地層２１２を通過しないため、下地層２１２のわずかな着色や、下地層２１２の表面凹凸形状２１２ｓによる散乱作用若しくは屈折作用による透過光への影響を回避することができる。その後、カラーフィルタや透明電極などを形成することによって、上述の電気光学装置用基板２１０を形成することができる。
【００５３】
なお、上記工程の代わりに、図１１（ｄ）に示すように、反射膜２１３を形成する前に下地層２１２に下地開口部２１２ａを形成してもよい。すなわち、図１０（ｂ）に示す露光工程において、下地開口部２１２ａとなる領域を強く露光することによって、現像時において表面凹凸形状２１２ｓとともに下地開口部２１２ａを形成する。そして、その後に、図１１（ｅ）に示すように反射層２１３の成膜を行い、さらにエッチングなどによって透過開口部２１３ａを形成することにより、上記と同様に電気光学装置用基板２１０を完成できる。
【００５４】
本実施形態では、下地層２１２に下地開口部２１２ａを形成する現像時において、従来問題となっていた下地層２１２が第１基板２１１上から剥離するといったことを防止できる。これは、図３に示すように、隣接する画素領域Ｄ間において下地開口部２１２ａが連続していることにより、従来のように開口部間にブリッジ状の樹脂部分が形成されることがなくなったためである。すなわち、現像液によって溶解する部分の幅が小さくなると、現像液が下地層２１２と第１基板２１１との間に入り込むことによって当該部分の第１基板２１１への密着力が失われやすくなり、剥離が発生しやすくなる。この剥離が発生すると、当該部分が第１基板２１１に再付着しても、下地層２１２はもちろんのこと、反射膜２１３などの上層にも形状不良が発生する。このように、本実施形態では、下地層２１２に狭い幅を有するブリッジ状の部分が形成されないので、下地層２１２の剥離も発生しにくくなり、したがって製品の不良率も低減できるため、低コストで高い信頼性を有する電気光学装置を構成できる。
【００５５】
本実施形態では、長方形状に構成された画素領域Ｄの長手方向（長辺方向）と直交する短辺方向に下地開口部２１２ａが連続してスリット状に構成されているため、下地開口部２１２ａの形状が簡易なものとなることから、下地層２１２の剥離をより低減することができる。特に、下地層２１２における下地開口部２１２ａの開口縁部分が直線状に構成されているため、下地開口部２１２ａの輪郭線を短く構成できることから、下地層２１２の剥離の発生確率がさらに低減される。
【００５６】
なお、各画素領域Ｄにおける開口率（透過開口部の面積比）は、下地開口部２１２ａ及び透過開口部２１３ａの幅（図示上下幅）を調節することによって適宜に設定できる。
【００５７】
［第２実施形態］
次に、図４を参照して、本発明に係る第２実施形態について説明する。この実施形態において、図示の下地層２１２、下地開口部２１２ａ、反射膜２１３、透過開口部２１３ａの平面形状以外は上記第１実施形態と全く同様であるので、これらの説明は省略する。
【００５８】
この実施形態では、下地層２１２及び反射膜２１３が画素領域Ｄの一方の端縁（図示下方の端縁）から離れて形成され、下地開口部２１２ａ及び透過開口部２１３ａが画素領域Ｄの上記一方の端縁に沿って形成されている。これによって、下地層２１２及び反射膜２１３を画素領域Ｄの一列に一つ形成するだけでよいため、これらの形成パターンを簡易なものとすることができる。
【００５９】
なお、下地開口部２１２ａが隣接する画素領域Ｄ間において連続していること、画素領域Ｄの短辺方向に連続するスリット状に構成されていること、下地層２１２の下地開口部２１２ａの開口縁部分が直線状に構成されていることは、上記第１実施形態と同様である。
【００６０】
［第３実施形態］
次に、図５を参照して、本発明に係る第３実施形態について説明する。この実施形態において、図示の下地層２１２、下地開口部２１２ａ、反射膜２１３、透過開口部２１３ａの平面形状以外は上記第１実施形態と全く同様であるので、これらの説明は省略する。
【００６１】
この実施形態では、下地層２１２及び反射膜２１３が画素領域Ｄの相互に対向する一対の端縁（図示上下の端縁）から離れて形成され、一対の下地開口部２１２ａ及び透過開口部２１３ａが画素領域Ｄの上記一対の端縁に沿って形成されている。これによっても、下地層２１２及び反射膜２１３を画素領域Ｄの一列に一つ形成するだけよいため、これらの形成パターンを簡易なものとすることができる。
【００６２】
なお、下地開口部２１２ａが隣接する画素領域Ｄ間において連続していること、画素領域Ｄの短辺方向に連続するスリット状に構成されていること、下地層２１２の下地開口部２１２ａの開口縁部分が直線状に構成されていることは、上記第１実施形態と同様である。
【００６３】
［第４実施形態］
次に、図６を参照して、本発明に係る第４実施形態について説明する。この実施形態において、図示の下地層２１２、下地開口部２１２ａ、反射膜２１３、透過開口部２１３ａの平面形状以外は上記第１実施形態と全く同様であるので、これらの説明は省略する。
【００６４】
この実施形態では、第３実施形態と同様に、下地層２１２及び反射膜２１３が画素領域Ｄの相互に対応する一対の端縁（図示上下の端縁）から離れて形成され、一対の下地開口部２１２ａ及び透過開口部２１３ａが画素領域Ｄの上記一対の端縁に沿って形成されている。
【００６５】
ただし、本実施形態の場合には、画素領域ＤＲ，ＤＧ，ＤＢにおいて透過開口部２１３ａの開口率が相互に異なる結果、透過開口部２１３ａの開口縁が画素領域間で画素領域の長手方向（図示上下方向）にずれるように構成されているため、下地開口部２１２ａの開口縁も画素領域間で段差状にずれるように構成されている。これは、カラーフィルタを構成したときに異なる色相を有する着色層のフィルタ素材を変えずに、表示色の最適化或いは透過型表示と反射型表示のバランスの最適化を行うためには、画素領域間で透過開口部２１３ａの開口率を変える必要があるからである。
【００６６】
なお、本実施形態では、透過開口部２１３ａの開口率を変えるために、隣接する画素領域間において下地開口部２１２ａの開口縁が段差状にずれるように構成しているが、開口縁を曲線状に構成することにより、隣接する画素領域間において開口縁が滑らかに繋がるように構成することができる。
【００６７】
［第５実施形態］
次に、図７を参照して、本発明に係る第５実施形態について説明する。この実施形態において、図示の下地層２１２、下地開口部２１２ａ、反射膜２１３、透過開口部２１３ａの平面形状以外は上記第１実施形態と全く同様であるので、これらの説明は省略する。
【００６８】
この実施形態では、図示左右方向（画素領域の短辺方向）に隣接する画素領域ＤＲとＤＧ、ＤＢとＤＲとに連続する下地開口部２１２ａ及び透過開口部２１３ａが形成されている。このとき下地開口部２１２ａは２つの画素領域にのみ跨るように構成されている。このように、３つ以上の画素領域に亘って下地開口部２１２ａが連続していなくても、隣接する画素領域間に従来のような細幅のブリッジ状の下地層の部分が残らないので、上記と同様に下地層２１２の剥離を防止することができる。ただし、この場合に、隣接する下地開口部２１２ａの距離がなるべく大きくなるように開口パターンを構成することが望ましい。
【００６９】
［第６実施形態］
次に、図８を参照して、本発明に係る第６実施形態について説明する。この実施形態において、図示の下地層２１２、下地開口部２１２ａ、反射膜２１３、透過開口部２１３ａの平面形状以外は上記第１実施形態と全く同様であるので、これらの説明は省略する。
【００７０】
この実施形態では、図示左右方向（画素領域の短辺方向）に隣接する２つの画素領域間にのみ跨る一の下地開口部２１２ａ及び透過開口部２１３ａが設けられている点では第５実施形態と同様であるが、各画素領域には他の下地開口部２１２ａ及び透過開口部２１３ａが設けられている点で異なる。また、当該他の下地開口部２１２ａ及び透過開口部２１３ａは、上記一の下地開口部２１２ａ及び透過開口部２１３ａが連続する画素領域とは別の画素領域に連続するように構成されている。
【００７１】
［第７実施形態］
次に、図９を参照して、本発明に係る第２実施形態について説明する。この実施形態において、図示の下地層２１２、下地開口部２１２ａ、反射膜２１３、透過開口部２１３ａの平面形状以外は上記第１実施形態と全く同様であるので、これらの説明は省略する。
【００７２】
この実施形態は、下地層２１２、反射膜２１３、下地開口部２１２ａ及び透過開口部２１３ａのそれぞれのパターン形状に関しては基本的に第１実施形態と同様である。ただし、この実施形態では、下地層２１２における下地開口部２１２ａの開口縁部分２１２ｂには、他の部分には形成されている表面凹凸形状が形成されておらず、開口縁部分２１２ｂがほぼ平坦な表面を有する点で第１実施形態と異なる。したがって、その上に形成されている反射膜２１３についても、その透過開口部２１３ａの開口縁部分２１３ｂの反射面は光散乱性ではなく、ほぼ鏡面状態となっている。
【００７３】
このようにすると、下地層２１２のパターニング時（例えば上述の製造方法であれば現像時）において開口縁部分２１２ｂへのパターニング作用が小さくなるため、現像液などの処理液が下地層２１２と第１基板２１１との間にしみ込みにくくなるなどの理由により、開口縁部分２１２ｂの密着性の低下や強度の劣化なども防止されるため、下地層２１２がさらに剥離しにくくなる。
【００７４】
また、図９（ｃ）に示すように、下地開口部２１２ａを形成した後に反射膜２１３を成膜することによって（例えば、図１１（ｄ）及び（ｅ）に示す工程を行うことによって）、下地層２１２の下地開口部２１２ａに臨む側面２１２ｃを反射膜２１３の一部２１３ｃが被覆するように構成することができる。このようにすると、各種処理液などが第１基板２１１と下地層２１２との間、或いは、下地層２１２と反射膜２１３との間に入り込みにくくなることにより、下地層２１２の第１基板２１１に対する密着力、或いは、反射膜２１３の下地層２１２に対する密着力が低下しにくくなるため、反射膜２１３の形成後の工程における下地層２１２や反射膜２１３の剥離を防止することができる。
【００７５】
なお、本実施形態に記述された構成は、先に説明した第２乃至第６実施形態にも同様に適用することができる。
【００７６】
［第８実施形態：電気光学装置］
次に、上記とは異なる構造を有する別の電気光学装置の構造について図１４及び図１５を参照して説明する。この実施形態の電気光学装置は、電気光学装置用基板３１０を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置３００である。この液晶表示装置３００は、電気光学装置用基板３１０と、これに対向する対向基板３２０とがシール材３３０によって貼り合わされ、両基板の間に液晶３３２が封入されてなるものである。この実施形態では、カラーフィルタは電気光学装置用基板３１０上ではなく、対向基板３２０上に形成されている点でも上記第１実施形態とは異なる。
【００７７】
電気光学装置用基板３１０において、基板３１１の内面上には、図１４に示すように、上述の下地層と同様に表面凹凸形状を備えた下地層３１２及びその上に反射膜を兼ねる画素電極３１５が形成され、その上に配向膜３１６が形成されている。また、電気光学装置用基板３１０の内面上には、図１５に点線で示す走査線３１３と、図１４及び図１５に断面を示すデータ線３１４とが相互に交差（直交）する方向に伸びる態様でそれぞれ複数形成されている。
【００７８】
画素電極３１５の下層には、図１５に示すようにＴＦＴ（薄膜トランジスタ）３１０Ｔが構成されている。このＴＦＴ３１０Ｔでは、チャネル領域３１０ｃ、ソース領域３１０ｓ及びドレイン領域３１０ｄを備えた半導体層が形成され、チャネル領域３１０ｃは絶縁膜を介して上記走査線３１３に導電接続されたゲート電極３１０ｇに対向配置され、ソース領域３１０ｓは上記データ線３１４に導電接続され、ドレイン領域３１０ｄは上記画素電極３１５に導電接続されている。なお、ＴＦＴ３１０Ｔは、逆スタガー構造を有する図示の構成に限られることなく、ゲート電極がチャネル層の上に配置された構造を備えていてもよく、また、公知のＬＤＤ（Light Doped Drain）構造を採用したものであってもよい。
【００７９】
図１４に示すように、対向基板３２０においては、基板３２１の内面上にＩＴＯなどの透明導電体で構成された対向電極３２２が形成され、その上に、適宜の着色層３２３を所定の配列態様となるように形成した第１実施形態と同様のカラーフィルタが構成され、さらに、その上には配向膜３２４が形成されている。
【００８０】
図１５に示すように、各画素領域には、画素電極３１５の形成されていない画素間領域が設けられ、この画素間領域には下地層３１２も形成されていない。また、画素領域には下地開口部３１２ａが設けられ、この下地開口部３１２ａは図の紙面と直交する方向に伸びるスリット状に構成されている。本実施形態の場合、隣接する画素領域間において下地層３１２の形成されていない下地開口部３１２ａが連続するように構成されている。すなわち、図の紙面と直交する方向に隣接する画素領域間において下地開口部３１２ａが連続するように構成されている。より具体的には、下地開口部３１２ａは図１５（ａ）の紙面と直交する方向（図１５（ｂ）の上下方向）に画素電極３１５を横断するように構成されている。また、下地開口部３１２ａと平面的に重なる位置には、反射膜３１５が形成されていない透過開口部３１５ａが形成されている。したがって、この実施形態においても、上記各実施形態と同様に下地層３１２の剥離を防止できる。ただし、透過開口部３１５ａは画素電極３１５を完全に横断せず、画素電極３１５は画素連絡部３１５ｂによって一体に接続された状態となっている。
【００８１】
このように構成された液晶表示装置３００においては、走査線３１３によって選択された画素においてデータ線３１４により供給された電位が画素電極３１５に供給され、この画素電極３１５と、対向電極３２２との間に形成される電界に応じて液晶３３２の配向状態が変化し、所望の画像が形成される。
ただし、アクティブマトリクス型の液晶表示装置としては、上記のようにＴＦＴをスイッチング素子として用いるものに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として用いるものにも本発明を同様に適用することができる。
【００８２】
なお、本発明の上記電気光学装置は、図示例のような液晶表示装置だけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【００８３】
［第９実施形態：電子機器］
最後に、図１６及び図１７を参照して、本発明に係る電子機器の実施形態について説明する。この実施形態では、上記電気光学装置（液晶表示装置２００）を表示手段として備えた電子機器について説明する。図１６は、本実施形態の電子機器における液晶表示装置２００に対する制御系（表示制御系）の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、表示情報出力源２９１と、表示情報処理回路２９２と、電源回路２９３と、タイミングジェネレータ２９４と、光源制御回路２９５とを含む表示制御回路２９０を有する。また、上記と同様の液晶表示装置２００には、上述の構成を有する液晶パネル２２０Ｐを駆動する駆動回路２２０Ｄが設けられている。この駆動回路２２０Ｄは、上記のように液晶パネル２２０Ｐに直接実装されている電子部品（半導体ＩＣ２６１）で構成される。ただし、駆動回路２２０Ｄは、上記のような態様の他に、パネル表面上に形成された回路パターン、或いは、液晶パネルに導電接続された回路基板に実装された半導体ＩＣチップ若しくは回路パターンなどによっても構成することができる。
【００８４】
表示情報出力源２９１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ２９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路２９２に供給するように構成されている。
【００８５】
表示情報処理回路２９２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２２０Ｄへ供給する。駆動回路２２０Ｄは、走査線駆動回路、信号線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路２９３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【００８６】
光源制御回路２９５は、外部から導入される制御信号に基づいて、電源回路２９３から供給される電力を照明装置１００の光源部１１０に供給する。光源部１１０から放出された光は導光板１２０に入射して導光板１２０から液晶パネル２２０Ｐに照射される。この光源制御回路２９５は、上記制御信号に応じて光源部１１０の各光源の点灯／非点灯を制御する。また、各光源の輝度を制御することも可能である。
【００８７】
図１７は、本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯電話の外観を示す。この電子機器２０００は、操作部２００１と、表示部２００２とを有し、表示部２００２の内部に回路基板２１００が配置されている。回路基板２１００上には上記の液晶表示装置２００が実装されている。そして、表示部２００２の表面において上記液晶パネル２２０Ｐを視認できるように構成されている。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】第１実施形態の液晶表示装置の構造を示す拡大縦断面図。
【図２】第１実施形態の電気光学装置用基板の反射膜のパターンを示す拡大平面図。
【図３】第１実施形態のピクセル内のパターンを示す拡大平面図。
【図４】第２実施形態のピクセル内のパターンを示す拡大平面図。
【図５】第３実施形態のピクセル内のパターンを示す拡大平面図。
【図６】第４実施形態のピクセル内のパターンを示す拡大平面図。
【図７】第５実施形態のピクセル内のパターンを示す拡大平面図。
【図８】第６実施形態のピクセル内のパターンを示す拡大平面図。
【図９】第７実施形態のピクセル内のパターンを示す拡大平面図（ａ）、拡大断面図（ｂ）及び異なる構成例の拡大断面図（ｃ）。
【図１０】電気光学装置用基板の製造方法を示す工程断面図（ａ）−（ｄ）。
【図１１】電気光学装置用基板の製造方法を示す工程断面図（ａ）−（ｄ）。
【図１２】第１実施形態の液晶表示装置の液晶パネルの概略斜視図。
【図１３】第１実施形態の液晶パネルの概略縦断面図。
【図１４】第８実施形態の液晶表示装置の概略縦断面図。
【図１５】第８実施形態の液晶表示装置の拡大部分断面図（ａ）及び拡大部分平面図（ｂ）。
【図１６】第９実施形態の電子機器の概略構成図。
【図１７】第９実施形態の電子機器の概略斜視図。
【図１８】従来の液晶表示装置のピクセル内のパターンを示す拡大平面図。
【図１９】従来の別の液晶表示装置のピクセル内のパターンを示す拡大平面図。
【符号の説明】
【００８９】
２００…液晶表示装置、２１０…電気光学装置用基板、２１１…第１基板、２１２…下地層、２１２ａ…下地開口部、２１２ｂ…開口縁部分、２１３…反射膜、２１３ａ…透過開口部、２１４…着色層、２２０…対向基板、２３０…シール材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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