(57)【要約】【課題】  半導体装置の製造ラインにおいて、異物・欠陥などの異常がウエハ上に発生した場合に、その発生原因となっている装置を正確に特定し、早期に対策をとることができる技術を提供する。【解決手段】  半導体装置の製造ラインにおいて処理されたウエハ上に発生する欠陥を外観検査装置１１などで検査し、欠陥モード（欠陥分類、欠陥分布など）および異物元素と装置種類との対応関係をデータベース化した欠陥モードデータベース（第１のデータベース）２２を用いて、検査結果の欠陥分類情報から欠陥の発生原因となっている装置種類を特定し、ホストコンピュータ１５が管理している着工来歴と特定された装置種類から欠陥の発生原因となっている装置を特定する。【選択図】  図３ 
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造ラインにおいて処理されたウエハ上に発生する欠陥を検査する工程と、
欠陥モードおよび／または異物元素と装置種類との対応関係を示す第１のデータベースを用いて、前記検査の結果から前記欠陥の発生原因となっている装置種類を特定する工程と、
特定された前記装置種類と着工来歴から前記欠陥の発生原因となっている装置を特定する工程と、を有することを特徴とする検査データ処理方法。
【請求項２】
半導体装置の製造ラインにおいて処理されたウエハ上に発生する欠陥を検査する工程と、
欠陥モードおよび／または異物元素と装置種類との対応関係を示す第１のデータベースを用いて、前記検査の結果から前記欠陥の発生原因となっている装置種類を特定する工程と、
前記検査の結果が規格外の場合、着工装置の情報を第２のデータベースに保存する工程と、
前記第２のデータベースに保存された前記着工装置の情報から共通装置を特定する工程と、
特定された前記装置種類と特定された前記共通装置から前記欠陥の発生原因となっている装置を特定する工程と、を有することを特徴とする検査データ処理方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の検査データ処理方法において、
前記装置種類を特定する工程において、前記欠陥モードおよび前記異物元素について重み付けを行うことを特徴とする検査データ処理方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の検査データ処理方法において、
前記検査は、異物検査または外観検査であることを特徴とする検査データ処理方法。
【請求項５】
半導体装置の製造ラインにおいて処理されたウエハを検査する工程と、
前記ウエハ上の異常マップ情報と異常装置種類との対応関係を示す第３のデータベースを用いて、前記検査の結果から異常の発生原因となっている装置種類を特定する工程と、
前記検査の結果が規格外の場合、着工装置の情報を第４のデータベースに保存する工程と、
前記第４のデータベースに保存された前記着工装置の情報から共通装置を特定する工程と、
特定された前記装置種類と特定された前記共通装置から前記異常の発生原因となっている装置を特定する工程と、を有することを特徴とする検査データ処理方法。
【請求項６】
請求項５記載の検査データ処理方法において、
前記検査は、膜厚検査であることを特徴とする検査データ処理方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の検査データ処理方法において、
さらに、特定された前記欠陥の発生原因となっている装置についてアラームを発し、前記装置を停止する工程を有することを特徴とする検査データ処理方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の検査データ処理方法を利用することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
半導体装置の製造ラインにおいて処理されたウエハ上に発生する欠陥を検査したデータを処理する検査データ処理システムであって、
欠陥モードおよび／または異物元素と装置種類との対応関係を示す第１のデータベースと、
前記第１のデータベースに基づいて、前記欠陥の発生原因となっている装置種類を特定する手段と、
前記検査の結果が規格外の場合、着工装置の情報が保存される第２のデータベースと、
前記第２のデータベースに基づいて、前記欠陥の発生原因となっている装置を特定する手段と、を有することを特徴とする検査データ処理システム。
【請求項１０】
半導体装置の製造ラインにおいて処理されたウエハを検査したデータを処理する検査データ処理システムであって、
前記ウエハ上の異常マップ情報と異常装置種類との対応関係を示す第３のデータベースと、
前記第３のデータベースに基づいて、異常の発生原因となっている装置種類を特定する手段と、
前記検査の結果が規格外の場合、着工装置の情報が保存される第４のデータベースと、
前記第４のデータベースに基づいて、前記異常の発生原因となっている装置を特定する手段と、を有することを特徴とする検査データ処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検査データ処理方法、半導体装置の製造方法および検査データ処理システムに関し、特に半導体装置の製造ラインにおいて、異物・欠陥などの異常発生原因となっている装置を特定する技術に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、本発明者が検討した技術として、半導体装置の製造ラインにおいて、過去に検査したウエハの検査結果と、欠陥が異常発生したウエハの欠陥分布の類似度を定量評価し、得られた類似度のデータ列の周期性を解析し、この解析結果と、各製造装置の着工方法との関係を評価し、不良発生原因工程および製造装置を推定もしくは確定する技術が考えられる（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−１００８２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、前記のような半導体装置の製造ラインにおいて異常発生原因である装置を特定する技術について、本発明者が検討した結果、以下のようなことが明らかとなった。
【０００４】
例えば、前記特許文献１に記載されている技術は、欠陥を分類分けした欠陥モードや異物元素の情報が充分に活かされていないため、欠陥の発生原因となっている装置の特定確度が低く、欠陥発生装置をまだ充分には特定できないことが考えられる。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、半導体装置の製造ラインにおいて、異物・欠陥などの異常がウエハ上に発生した場合に、その発生原因となっている装置を正確に特定し、早期に対策をとることができる技術を提供することにある。
【０００６】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【０００８】
（１）本発明による検査データ処理方法は、半導体装置の製造ラインにおいて処理されたウエハ上に発生する欠陥を検査し、欠陥モード（欠陥分類、欠陥分布など）および／または異物元素と装置種類との対応関係をデータベース化した欠陥モードデータベース（第１のデータベース）を用いて、検査結果の欠陥分類情報から欠陥の発生原因となっている装置種類を特定し、ホストコンピュータが管理している着工来歴と特定された装置種類から欠陥の発生原因となっている装置を特定するものである。
【０００９】
（２）本発明による検査データ処理方法は、半導体装置の製造ラインにおいて処理されたウエハ上に発生する欠陥を検査し、欠陥モード（欠陥分類、欠陥分布など）および／または異物元素と装置種類との対応関係をデータベース化した欠陥モードデータベース（第１のデータベース）を用いて、検査結果の欠陥分類情報から欠陥の発生原因となっている装置種類を特定し、検査結果がスペックアウト（規格外）の場合、当該ウエハが処理された着工装置の情報をスペックアウト管理システムのデータベース（第２のデータベース）に保存しておき、そのデータベースに保存された着工装置の情報から共通装置を特定し、特定された装置種類および共通装置から欠陥の発生原因となっている装置を特定するものである。
【００１０】
（３）前記（１）、（２）の検査データ処理方法は、装置種類を特定するとき、欠陥モードおよび異物元素について重み付けを行うものである。
【００１１】
（４）前記（１）、（２）、（３）の検査データ処理方法は、検査が異物検査または外観検査であるものである。
【００１２】
（５）本発明による検査データ処理方法は、半導体装置の製造ラインにおいて処理されたウエハを検査し、ウエハ上の異常マップ情報と異常装置種類との対応関係を示す異常分布モードデータベース（第３のデータベース）を用いて、検査結果から異常の発生原因となっている装置種類を特定し、検査結果がスペックアウト（規格外）の場合、当該ウエハが処理された着工装置の情報をスペックアウト管理システムのデータベース（第４のデータベース）に保存しておき、そのデータベースに保存された着工装置の情報から共通装置を特定し、特定された装置種類および共通装置から異常の発生原因となっている装置を特定するものである。
【００１３】
（６）前記（５）の検査データ処理方法は、検査が膜厚検査であるものである。
【００１４】
（７）前記（１）〜（６）の検査データ処理方法は、さらに、特定された欠陥の発生原因となっている装置についてアラームを発し、その装置を停止するものである。
【００１５】
（８）本発明による半導体装置の製造方法は、前記（１）〜（７）の検査データ処理方法を利用するものである。
【００１６】
（９）本発明による検査データ処理システムは、前記（１）、（２）の欠陥モードデータベース（第１のデータベース）および／またはスペックアウト管理システムのデータベース（第２のデータベース）を有するものである。
【００１７】
（１０）本発明による検査データ処理システムは、前記（５）の異常分布モードデータベース（第３のデータベース）および／またはスペックアウト管理システムのデータベース（第４のデータベース）を有するものである。
【発明の効果】
【００１８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１９】
（１）異物・欠陥などの原因となっている異常発生装置の特定を正確に迅速に行うことができる。
【００２０】
（２）異常発生装置を迅速に特定し停止することができるため、不良の作り込みを最小限にすることができる。
【００２１】
（３）不良の作り込みが減り、損失を最小限に抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２３】
図１は本発明の一実施の形態の検査データ処理システムの構成を示すブロック図、図２は本実施の形態の検査データ処理システムにおいて、異物外観解析システムの構成を示すブロック図、図３は本実施の形態の検査データ処理方法を外観検査に適用した場合を示す説明図、図４は欠陥モードデータベースの構成を示すブロック図、図５は欠陥モードデータベースにおける装置種類の特定方法を示すフロー図、図６は本発明の他の実施の形態を示す説明図、図７はスペックアウト管理システムの構成を示すブロック図、図８はスペックアウト管理システムにおける共通装置特定の方法を示すフロー図、図９は本実施の形態の応用例を示す説明図である。
【００２４】
まず、図１により、本実施の形態の検査データ処理システムの構成の一例を説明する。本実施の形態の検査データ処理システムは、例えば、半導体装置の製造ラインにおいて、成膜、ホトリソ（ホトリソグラフィ）、エッチングなどのパターン形成工程の各処理工程における異物・外観検査などの検査データから欠陥の発生原因となっている処理装置を特定するシステムとされ、異物検査装置１０、外観検査装置１１、レビュー装置１２，１３、異物外観解析システム１４、ホストコンピュータ１５など、並びに、成膜装置１６、ホトリソ装置１７、エッチング装置１８などの複数の処理装置からなり、電気通信回線により、異物検査装置１０は、ホストコンピュータ１５、異物外観解析システム１４、レビュー装置１２に接続され、外観検査装置１１は、ホストコンピュータ１５、異物外観解析システム１４、レビュー装置１３に接続され、レビュー装置１２，１３は、ホストコンピュータ１５、異物外観解析システム１４に接続され、異物外観解析システム１４はホストコンピュータ１５に接続され、成膜装置１６、ホトリソ装置１７、エッチング装置１８などの各処理装置は、ホストコンピュータ１５に接続されている。また、成膜装置１６、ホトリソ装置１７、エッチング装置１８などの各処理装置は、それぞれ複数の処理装置からなる。
【００２５】
異物検査装置１０は、成膜装置１６による成膜工程において異物が付着したか否かについて検査を行う装置である。外観検査装置１１は、ホトリソ装置１７およびエッチング装置１８によるホトリソ工程およびエッチング工程において、導電膜や絶縁膜に形成された回路パターンに短絡欠陥や断線欠陥などの欠陥が生じたか否かについて検査を行う装置である。
【００２６】
レビュー装置１２，１３は、光学式顕微鏡または走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ；Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）などを含み、異物・外観検査などを詳細に行う装置である。レビュー装置１２，１３は、異物分析を行うことも可能であり、異物元素を特定することもできる。また、レビュー装置１２，１３を、異物検査装置１０、外観検査装置１１に含めてもよい。
【００２７】
異物外観解析システム１４は、ウエハ上の異物、欠陥情報を管理しているシステムであり、ウエハマップ画像や欠陥部分の画像などを保存する機能も有している。
【００２８】
ホストコンピュータ１５は、各種処理装置、検査装置、異物外観解析システムなどを統括的に管理するコンピュータであり、レビュー装置１２，１３、異物外観解析システム１４などを通じて異物外観情報を得ることができる。ホストコンピュータ１５は、各処理装置と検査装置などからの情報を収集し、どのウエハをどの装置で処理するかという着工管理を行っている。また、各ウエハが、どの処理装置でいつ着工されたかという着工来歴情報も管理している。
【００２９】
成膜装置１６は、導電膜や絶縁膜などを成膜するためのスパッタ成膜装置やＣＶＤ成膜装置などの複数の装置である。ホトリソ装置１７は、成膜工程で成膜された導電膜や絶縁膜上にレジスト膜を塗布するレジスト塗布装置や、塗布されたレジスト膜に対して回路パターンを露光するステッパ、エキシマレーザ露光装置や、露光されたレジスト回路パターンを現像する現像装置などの複数の装置である。エッチング装置１８は、現像されたレジスト回路パターンのとおりに導電膜や絶縁膜をエッチングするエッチング装置や、レジストを除去するレジスト除去装置などの複数の装置である。
【００３０】
本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法は、成膜装置１６による成膜、ホトリソ装置１７によるホトリソ（レジスト塗布、露光、現像）、エッチング装置１８によるエッチング（エッチング、レジスト除去）などのパターン形成工程や、不純物導入工程、拡散工程、検査工程などの複数の工程を繰り返すことによって実施される。
【００３１】
その際、本実施の形態では、成膜後に異物検査装置１０により異物検査を、またエッチング後に外観検査装置１１により外観検査を行っている。異物検査または外観検査の結果、スペックイン（規格内）の場合は次のホトリソ工程へ進み、スペックアウト（規格外）の場合はレビュー装置１２，１３により異物・欠陥などの状況を詳細に検査する。検査結果は、異物外観解析システム１４へ電気通信回線を介して伝送される。
【００３２】
図２に、異物外観解析システム１４の構成を示す。異物外観解析システム１４は、異物外観解析部２１と欠陥モードデータベース（第１のデータベース）２２から構成される。異物外観解析部２１の機能としては、異物欠陥解析、プローブ検査解析、相関解析、レポート機能などがある。異物欠陥解析は、異物欠陥分布、推移を表示する。また、レビュー装置１２，１３からのレビュー画像を表示する。プローブ検査解析は、欠陥分布、歩留り推移を表示する。また、異物欠陥検査データと突き合わせ、その分布、マップを表示する。相関解析は、異物欠陥検査及びプローブ検査データを突き合わせ、その散布図を表示する。レポートは各種検査データを定型フォーマットでレポート出力する。
【００３３】
次に、図３により、本実施の形態の検査データ処理方法の一例を説明する。なお、以下においては、これに限定されるものではないが、外観検査の場合を例に説明する。
【００３４】
図３において、外観検査装置１１による外観検査または異物検査装置１０（図１）による異物検査でスペックイン（規格内）の場合、ウエハは次工程に流れる。スペックアウト（規格外）の場合、ウエハはレビュー装置１３に運ばれ、欠陥の分類結果データ（欠陥モードデータ）が異物外観解析システム１４に送られる。その後、ウエハ（ロット）は欠陥分類結果あるいは流動基準で次工程へ流れる。あるいは、欠陥ウエハのみ抜き取られ、他のウエハは次工程へ流れる。または、対象ロットの流動をすべてストップし、解析またはスクラップ（廃棄）に回される。欠陥モードとしては、異物、パターンの断線、オープンなどがある。異物外観解析システム１４の欠陥モードデータベース２２により、欠陥の発生原因である装置種類が特定され、その情報がホストコンピュータ１５に送られ、着工来歴により発塵あるいは欠陥を発生させた装置が特定され、その装置にアラームが送られる。あるいは、その装置の停止を行う。なお、図３において、検査装置は、外観検査装置１１に限られず、異物検査装置１０などの他の検査装置であってもよく、検査前の処理工程は、エッチング工程に限られず、成膜などの他の工程であってもよい。
【００３５】
図４に欠陥モードデータベース２２の構成を示す。欠陥モードデータベース２２は、例えば、欠陥モードおよび異物元素と装置種類との対応関係を示すデータベースとされ、検査工程、欠陥モードを識別するための欠陥モード番号、異物元素、装置種類などのデータから構成される。検査工程により、それぞれ欠陥モードの重み付けがあり、その重み付けにより装置種類が特定できるデータベースを構成している。また、異物元素の情報も欠陥モードデータベース２２では有しており、欠陥モードとの組み合わせで管理できる。欠陥モードデータベース２２により、欠陥の発生原因である装置種類が特定され、この情報はホストコンピュータ１５に送られるとホストコンピュータ１５の着工来歴から異常装置を特定できる。
【００３６】
図５に、欠陥モードデータベース２２を利用した異常装置種類の特定方法を示す。前記図４で示した欠陥モードには欠陥分類と欠陥分布がある。欠陥分類は、異物、パターンブリッジ、断線、残さ、パターン異常、デフォーカス、スクラッチなどがあり、欠陥分類の割合と装置種類の関係がデータベース化されている。また、それぞれに対して上層、下層がある。欠陥分布は、各検査装置から得られたウエハマップから、装置種類が特定できた場合のマップと装置種類の関係がデータベース化されている。異物元素には、ＳＵＳ（ステンレス鋼）系、Ｆｅ（鉄）系、Ｃ（炭素）系等があり、これらも同様にデータベース化されている。図５のように、検査工程Ａにおいて発生した欠陥情報と欠陥モードデータベース２２により、欠陥の発生原因となっている装置種類を特定する。図５において、Ｎ，Ｎ’，…，Ｍ，Ｍ’，…は各項目に対して重み付けを持たせるための数値である。すなわち、欠陥分類の割合、欠陥分布の一致度、異物元素により、重み付けを行い、装置種類を特定する。
【００３７】
図６は本発明の他の実施の形態である検査データ処理方法を示す説明図である。なお、以下においては、これに限定されるものではないが、外観検査の場合を例に説明する。前記図３に示した前記実施の形態と異なる点は、スペックアウト管理システム６１が追加されている点である。スペックアウト管理システム６１を利用することにより、異常装置の特定を高精度に迅速に行うことができる。
【００３８】
図６において、外観検査装置１１による外観検査または異物検査装置１０（図１）による異物検査でスペックアウトの場合、その情報がスペックアウト管理システム６１に送られる、ウエハはレビュー装置１３に運ばれ、欠陥の分類結果データが異物外観解析システム１４に送られる。ここで、異物外観解析システム１４の欠陥モードデータベース２２で装置種類が決定できればホストの着工来歴により装置の特定ができる。
【００３９】
前記図１に示すように、各工程では複数の装置で着工している。そのため、図６において、異常が発生して外観検査または異物検査のスペックアウトが発生する毎にスペックアウト管理システム６１に送られ、その回数分、ホストコンピュータ１５とやり取りし、着工来歴から、前の検査から後の検査までの間の共通装置、あるいは当該検査の複数工程前までの共通装置を特定し、装置の絞込みを行う。これと前述の欠陥モードデータベース２２との組み合わせにより、装置の特定を行う。なお、図６において、検査装置は、外観検査装置１１に限られず、異物検査装置１０などの他の検査装置であってもよく、検査前の処理工程は、エッチング工程に限られず、成膜などの他の工程であってもよい。
【００４０】
図７に、スペックアウト管理システム６１の構成を示す。スペックアウト管理システム６１は、データベース（第２のデータベース）７１と端末７２などから構成されている。
【００４１】
図８に、スペックアウト管理システム６１による異常装置特定方法の一例を示す。スペックアウトの1回目はホストコンピュータ１５の着工来歴からＭ（Ｍ＝１，２，３，…）工程前までの装置をデータベース７１に保存する（ステップＳ８１）。スペックアウト２回目はホストコンピュータ１５の着工来歴からＭ工程前までの装置をデータベースに保存し１回目と２回目の共通装置を特定し（ステップＳ８２）、その結果を端末に表示する（ステップＳ８３）。１つの装置に特定できれば装置についてアラームを発し、または装置の停止を行う（ステップＳ８４）。同様にスペックアウト３回目までの情報をもとに共通装置の特定を行う（ステップＳ８５，Ｓ８６）。１つの装置に特定できれば装置アラームまたは停止を行う（ステップＳ８７）。スペックアウト４回目以降も、同様にして、共通装置の特定を行う。
【００４２】
図９は本発明の応用例を示す説明図である。なお、以下においては、これに限定されるものではないが、膜厚検査の場合を例に説明する。前記図６に示した前記実施の形態と異なる点は、異物外観解析システム１４の代わりに異常分布モードデータベース（第３のデータベース）９２を有し、レビュー装置１３がない点である。異常分布モードデータベース９２は、ウエハ上の異常マップ情報と異常装置種類との関係をデータベース化したものである。図９において、膜厚検査装置９１による膜厚検査でスペックアウトの場合、その情報がスペックアウト管理システム６１と異常分布モードデータベース９２に送られる。また、ロット、ウエハの処理判断がなされ、ウエハ抜き取り、流動、廃棄などが実施される。
【００４３】
前記図１に示したように、各工程では複数の装置で着工している。そのため、図９において、異常が発生して膜厚検査のスペックアウトが発生する毎に、その情報がスペックアウト管理システム６１のデータベース（第４のデータベース）７１に送られ、その回数分ホストコンピュータ１５とやり取りし、着工来歴から、前の検査から後の検査までの間の共通装置、あるいは当該検査の複数工程前までの共通装置を特定することにより装置の特定を行う。また、ウエハ上の異常マップ情報と異常装置種類との関係がデータベース化された異常分布モードデータベース９２から、装置種類を決定し、ホストコンピュータ１５の着工来歴により、異常装置の特定ができる。そして、ホストコンピュータ１５から異常装置にアラームが送られ、当該装置を停止することができる。なお、本応用例は膜厚検査についてのものであるが、他の検査にも応用できる。
【００４４】
以上説明したように、本実施の形態の検査データ処理方法、半導体装置の製造方法および検査データ処理システムによれば、異常発生装置の特定を正確に迅速に行うことができる。また、異常発生装置を早期に特定、停止することが可能となるため、不良の作り込みが減り、損失を最小限に抑えることができる。
【００４５】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４６】
例えば、前記実施の形態においては、異物検査、外観検査および膜厚検査について説明したが、これに限定されるものではなく、他の検査についても適用可能である。
【００４７】
以上の説明では、主として本発明者によってなされた発明をその属する技術分野である半導体装置に適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば液晶表示パネル、レチクルなどの他の工業製品に適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
以上に述べたように、本願において開示される発明は、半導体装置などの工業製品の製造ラインについて適用可能であり、特に、検査を伴う半導体装置の製造自動化ラインについては効果が大きい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施の形態である検査データ処理システムの構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施の形態である検査データ処理システムにおいて、異物外観解析システムの構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の一実施の形態である検査データ処理方法を示す説明図である。
【図４】本発明の一実施の形態である検査データ処理システムにおいて、欠陥モードデータベースの構成を示すブロック図である。
【図５】本発明の一実施の形態である検査データ処理方法において、欠陥モードデータベースにおける装置種類の特定方法を示すフロー図である。
【図６】本発明の他の実施の形態である検査データ処理方法を示す説明図である。
【図７】本発明の他の実施の形態である検査データ処理システムにおいて、スペックアウト管理システムの構成を示す図である。
【図８】本発明の他の実施の形態である検査データ処理方法において、スペックアウト管理システムにおける共通装置特定の方法を示すフロー図である。
【図９】本発明の応用例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０  異物検査装置
１１  外観検査装置
１２，１３  レビュー装置
１４  異物外観解析システム
１５  ホストコンピュータ
１６  成膜装置
１７  ホトリソ装置
１８  エッチング装置
２１  異物外観解析部
２２  欠陥モードデータベース（第１のデータベース）
６１  スペックアウト管理システム
７１  データベース（第２，第４のデータベース）
７２  端末
９１  膜厚検査装置
９２  異常分布モードデータベース（第３のデータベース）
【図１】
2005197437.tif 000003
【図２】
2005197437.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2005197437.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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