(57)【要約】【課題】  立体回路基板を安価に生産する。【解決手段】  立体的表面を有する回路基板素材２０の表面にレジスト７を塗布して、この回路基板素材２０の上方に設けた平板状のマスク８を通過した平行光をもってレジストを露光する工程を含む立体回路基板１０の製造方法において、露光にはマスク８と回路基板素材２０が密着しない投影露光方式を用い、マスク上の線幅に対応して作製されたレジストの線幅の線幅比率が１００％となる距離をマスク８と回路基板素材２０の最精度要求面迄の距離に合せてレジストを露光する。この簡便な露光方法を用いて実用上必要な線幅を確保できるのでマスク８の設計と製作が簡単になり、立体回路基板のコストダウンにつながる。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
立体的表面を有する回路基板素材の表面にレジストを塗布して、この回路基板素材の上方に設けた平板状のマスクを通過した平行光をもってレジストを露光する工程を含む立体回路基板の製造方法において、露光にはマスクと回路基板素材が密着しない投影露光方式を用い、
もし、線幅比率が１００％となるマスクと回路基板素材間の距離が存在しない場合は、線幅比率が１００％に最も近いマスクと回路基板素材間の距離をマスクと回路基板素材の最精度要求面迄の距離に合せて、
もし、線幅比率が１００％となるマスクと回路基板素材間の距離が２個存在し、且つ、回路基板素材深さの半分より底面側に最精度要求面が存在する場合は、マスクと回路基板素材間の距離がより離れて線幅比率１００％となる距離をマスクと回路基板素材の最精度要求面迄の距離に合せて、
もし、線幅比率が１００％となるマスクと回路基板素材間の距離が２個存在し、且つ、回路基板素材深さの半分より上面側に最精度要求面が存在する場合は、マスクと回路基板素材間の距離がより近付いて線幅比率が１００％となる距離をマスクと回路基板素材の最精度要求面迄の距離に合せてレジストを露光することを特徴とする立体回路基板の配線パターン形成方法。
【請求項２】
立体的表面を有する回路基板素材の表面にレジストを塗布して、この回路基板素材の上方に設けた平板状のマスクを通過した平行光をもってレジストを露光する工程を含む立体回路基板の製造方法において、露光にはマスクと回路基板素材が密着しない投影露光方式を用い、もし、線幅比率が１００％となるマスクと回路基板素材との間の距離が２個存在する場合は、回路基板素材深さの半分の位置に、線幅比率が１００％となる２個の距離の平均距離を合せてレジストを露光することを特徴とする立体回路基板の配線パターン形成方法。
【請求項３】
レジストを電着手法で塗布することを特徴とする請求項１乃至請求項２のいずれか１つに記載の立体回路基板の配線パターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は立体的な絶縁基板上に配線や可変抵抗器の抵抗パターン等を立体的に形成した立体回路基板の配線パターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下背景技術を図４〜図９を用いて説明する。図４（ａ）は段数が２段の立体回路基板の斜視図、図４（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図、図４（ｃ）は３段の立体回路基板の部分斜視図、図５及び図６は立体回路基板の製造工程の一例を示し、図５（ａ）〜（ｄ）はその前半部の各工程毎の断面図、図６（ｅ）〜（ｈ）はその後半部の各工程毎の断面図、図７（ａ）は図５（ｄ）の露光工程において、立体回路基板素材にマスクを被覆した状態のＰ部拡大図、（ｂ）はこの時のマスクパターンの平面図、図８は、マスクを複数段に分けて、重ねて露光する場合の断面図、図９はコリメータを用いて露光する場合の説明図である。
【０００３】
図４（ａ）、（ｂ）に示した様に、立体回路基板１０は、樹脂等を材料に立体的に製作した基体１の上に、無電解メッキによる無電解メッキ層２を設け、その無電解メッキ層２の上に導電性の銅（Ｃｕ）等の金属薄膜からなり配線パターン形状を有する電気メッキ層３を設け、その配線パターン上を金（Ａｕ）等の表面メッキ層４で被覆した回路基板で、その上面に電子部品５等を実装し、電子機器等のマザーボード６に搭載して利用するものである。図４（ａ）、（ｂ）には、その立体回路基板１０の段数が２段の場合を示したが、立体回路基板の段数は２段以上になる場合も多く、図４（ｃ）には３段になった場合の形状を拡大部分斜視図で模式的に示した。この様な立体回路基板１０を製作するための製造工程の１例を、図５、６を用いて先ず説明しておく。
【０００４】
図５中の工程ａでは、先ず立体的表面を有する基体１を樹脂成形で製作、表面を粗面化した後、工程ｂで無電解メッキで表面に無電解メッキ層２を設ける。次に工程ｃでこの上からフォトレジスト７を略５〜８μｍの厚みに塗布、工程ｄでマスク８を被せて露光した後、現像する。（以下の説明では、このフォトレジスト塗布前の中間製品を「回路基板素材２０」と、また、フォトレジスト７は単に「レジスト７」と称する）次に図６中の工程ｅに移り、回路形成部分のレジスト７を除去した後、無電解メッキ層２に通電して電気メッキを行う。これにより、レジストで覆われていない露出面に略厚み１５〜２０μｍの電気メッキ層３を析出させ、工程ｆで、更に、この上から金メッキ等で略厚み０．５μｍの表面メッキ層４を形成し、工程ｇでレジスト７を剥離した後、露出した無電解メッキ層２をエッチングで除去することで立体回路基板１０が完成する。このようにして製作した立体回路基板１０は、電子部品５を実装したりして電子機器の回路基板として使用する。
【０００５】
以上のようなレジスト露光工程においては、マスク８に平面状のものを用いると、回路基板素材２０表面が立体的であるため、回路基板素材２０の凹部では回路基板素材２０の表面にマスク８を密着することはできない。このため、マスク８と回路基板素材２０の間の隙間から光線が漏れて正確な露光ができなくなる。その結果、ネガ型レジストを用いた場合は、凹部や斜面で、未露光となるべき部分が露光されて細くなり、ネガ型レジストを現像してから溶解する際に、溶解する幅も狭くなって形成した線幅は凹部では細くなり、斜面では一様に形成しない問題があった。（ポジ型レジストだと、逆に凹部で線が太くなる。）この問題を解決する１つの方法に、回路基板素材２０の表面と雌雄関係の形状を有する立体的マスクを製作し、この立体的マスクをレジスト７に密着させて露光する手法があるが、マスクが複雑で高価になる欠点があった。そこで、この問題を解決する手法が下記特許文献中に幾つか開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特許公開平６−２８２０６２号公報
【０００７】
特許文献１に開示された対策の１つは、図７に示したように、回路形成表面との間隔に伴う平行光の広がりに応じた寸法調整をした光非透過部１８ａを形成した平板状のマスク１８を用いる方法である。 図７（ａ）のように回路基板素材２０の表面にマスク１８を被せるとき、間隔が大きくなる凹部では光透過部１８ｂを透過した光が回折現象で光非透過部１８ａの裏側の一部にも回り込むが、この回り込み量は間隔が大きくなるに従って大きくなるので、図７(ｂ)のように、光非透過部１８ａの内、凹部に対応する部分のマスク１８に設ける線幅を予め広く調整しておくことで、凹部を含め均一の幅で立体回路基板の配線パターン形成が可能になる。
【０００８】
特許文献１には、その他の方法として、図８に示すようにマスク８と回路形成表面との間隔に応じて複数段に分けてマスク８を重ねて露光する方法や、図９の様に平行光９を用い、レジスト７を塗布した回路基板素材２０とマスク８とを離して、コリメータ１１で平行度を高めた光１２で露光する方法や、同じパターンのマスクを平行光の照射方向に露光パターンが揃うように所定間隔をおいて複数枚重ねて露光する方法が示されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
以上述べた従来技術のように、マスク線幅を予め調整したり、マスクを複数段に分けて準備する方法では、マスクの設計、製造、設置等が複雑となり、その結果、製品である立体回路基板が高価になってしまう欠点があった。また、マスクを回路基板素材と接触させて使用すると、マスクを繰返し使用する場合マスクダメージが発生する欠点もあった。また、露光用の光線に平行光を用いる方法は、マスクを密着させることができない凹部でも比較的正確なパターンで露光することが可能になるが、平行光を用いても光の回折現象や反射光等で光が非透過部の裏側に回り込みレジストが露光されこと迄は避けえなかった。
尚、以下の説明に当たっては、マスク上の線幅を「マスク線幅」と称し、マスク線幅に対応して、レジスト上に作製されたレジストの線幅を「レジスト線幅」と称し、レジスト線幅のマスク線幅に対する比率を単に「線幅比率」と称することにする。またパターン形成面が複数段に亘るとき、線幅比率が１００％になるか、１００％に近付くことを最も必要とする面を「最精度要求面」と称することにする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上記課題を解決するために成されたものであり、本発明の請求項１記載に係わる発明は、従来技術の課題を解決する手段として、立体的表面を有する回路基板素材の表面にレジストを塗布して、この回路基板素材の上方に設けた平板状のマスクを通過した平行光をもってレジストを露光する工程を含む立体回路基板の製造方法において、露光にはマスクと回路基板素材が密着しない投影露光方式を用い、
もし、線幅比率が１００％となるマスクと回路基板素材間の距離が存在しない場合は、線幅比率が１００％に最も近いマスクと回路基板素材間の距離をマスクと回路基板素材の最精度要求面迄の距離に合せて、
もし、線幅比率が１００％となるマスクと回路基板素材間の距離が２個存在し、且つ、回路基板素材深さの半分より底面側に最精度要求面が存在する場合は、マスクと回路基板素材間の距離がより離れて線幅比率が１００％となる距離をマスクと回路基板素材の最精度要求面迄の距離に合せて、
もし、線幅比率が１００％となるマスクと回路基板素材間の距離が２個存在し、且つ、回路基板素材深さの半分より上面側に最精度要求面が存在する場合は、マスクと回路基板素材間の距離がより近付いて線幅比率１００％となる距離をマスクと回路基板素材の最精度要求面迄の距離に合せてレジストを露光することを特徴とする立体回路基板の配線パターン形成方法である。
【００１１】
また本発明の請求項２記載に係わる発明は、立体的表面を有する回路基板素材の表面にレジストを塗布して、この回路基板素材の上方に設けた平板状のマスクを通過した平行光をもってレジストを露光する工程を含む立体回路基板の製造方法において、露光にはマスクと回路基板素材が密着しない投影露光方式を用い、もし、線幅比率が１００％となるマスクと回路基板素材との間の距離が２個存在する場合は、回路基板素材深さの半分の位置に、線幅比率が１００％となる２個の距離の平均距離を合せてレジストを露光することを特徴とする立体回路基板の配線パターン形成方法である。
【００１２】
また本発明の請求項３記載に係わる発明は、レジストを電着手法で塗布することを特徴とする立体回路基板の配線パターン形成方法である。
【発明の効果】
【００１３】
発明の効果として、請求項１記載に係わる発明を用いると投影方式の露光でも最精度要求面においてマスク線幅とレジスト線幅とが一致するので、マスクの設計や製作が容易になり、その結果、最精度要求面において線幅の設計寸法を保ちながら立体回路基板を安価に生産することが可能となる。また、投影方式の露光なので、マスクと回路基板素材の間が非接触になりマスクダメージが発生しない。
【００１４】
また、請求項２記載に係わる発明を用いると、最精度要求面での線幅比率は１００％にはならないが、それに近似した線幅比率が得られ、かつレジスト露光時の条件設定が請求項１の場合より単純になり、露光作業が容易になる。
【００１５】
また、請求３記載に係わる発明を用いることで、レジストが照射光と反応しやすくなり、面の段差による凹凸のためレジストに照射する光の強度にバラツキが生じても、現像工程後にしっかりしたレジスト線を形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
次に本発明を実施するための最良の形態（以下、「実施形態」と略す）を説明する。実施形態の説明には図１、図２、図３（ａ）、（ｂ）を用いる。図１は、本発明に用いる露光方式の構成説明図、図２（ａ）は、本発明に用いる投影露光方式において、マスク８と回路基板素材２０間の距離変化量（Δｚ）に対する線幅比率（％）の変化を、マスク線幅毎に測定したデータで、図２（ｂ）は、その測定データのグラフ表示、図３は、本発明に用いる投影露光方式において、マスクと回路基板素材間の距離を設定する方法の説明図で、図３（ａ）は、線幅比率が１００％となるマスクと回路基板素材との間の距離が存在しない場合を、図３（ｂ）は、線幅比率が１００％となるマスクと回路基板素材との間の距離が２個存在し、かつ、回路基板深さの半分より底面側に最精度要求面が存在する場合の説明図である。尚、本発明の製造方法で製造した立体回路基板の外観形状は、背景技術の説明に用いた図４に示したものと同一であるので図示と説明は省略した。また、本発明の説明の中では、背景技術で説明した構成部品と同一部品には同一符号を付し、その説明は簡単に留めるか省略した。
【００１７】
背景技術の中で説明したマスク８と回路基板素材２０を接触させて露光する方法は、光の回り込み量を少なくできるので線幅比率１００％を確保する上では都合が良いが、回路基板素材２０と接触しているマスク８は繰り返し使用することでダメージを受け易い。そこで本発明の方法を実施する装置ではマスク８と回路基板素材２０の間を完全に非接触にする投影方式の露光機を用いた。投影方式では、マスク８と回路基板素材２０の間は離れており、接触によるマスクダメージは発生しないし、また投影方式の露光機を用いても本発明の方法を用いることで、線幅比率を略１００％に確保できる。以下、先ずその露光機の構成の説明から始める。
【００１８】
本発明に用いる投影露光方式の装置を図１に示した。ランプ１０１から発した光は、照明光学系１１０を経て、マスク８を照射する。即ち、超高圧水銀灯を用いたランプ１０１から発した光は、楕円集光鏡１１２で効率よく集光され、第１平面鏡１１３とシャッター１１４を通過し、インテグレーター１１５で光密度を高められてから、第２平面鏡１１６で反射し、コンデンサーレンズ１１７で更に圧縮されると共に平行光に整えられる。この間には、各ミラーに施した特殊コーティングで光の波長が選択されるので、コンデンサーレンズ１１７を出た光は高均一で、かつ高平行になっている。この照明光学系１１０の後にマスク８を設けることで、マスク８を通過した平行光は投影レンズ１１９中を深い焦点深度を維持して通過し、レジスト７を塗布した回路基板素材２０上の露光面を照射する。尚、マスク８とコンデンサーレンズ１１７、及びマスク８と投影レンズ１１９、投影レンズ１１９とレジスト７を塗布した回路基板素材２０の間には、それぞれ１０〜２０ｃｍの空隙が設けてある。
【００１９】
以上説明した投影露光方式の装置を使用した場合、コンデンサーレンズ１１７を出た光は、通常の技術的な概念では平行光であるが、純粋に理論的な観点から言うと完璧な平行光線ではない。現在市販している投影露光方式の装置で、低ディストーションを強調した照明光学系を有する装置でも、投影レンズ１１９を出た光は２〜３度の視角を有し、焦点も持っている。従って、露光に際しては、マスク８と回路基板素材２０間の距離設定が必要になる。
【００２０】
本発明を実施するためには、先ず、マスク８と回路基板素材２０間の距離を微小に変更しながら、基礎データの採取を行っておく。マスク８と回路基板素材２０間の距離を微小に変更する手段としては、図１中に示したように、ベース１２１上に固定したダイヤルゲージ１２２を用い、ダイヤルゲージ１２２の先端部の伸張でテーブル１２３下面に設けた斜面（傾斜勾配を２分の１とした）を押すことにより、回路基板素材２０を載置したテーブル１２３を上下に移動させる機構を用いた。
【００２１】
図２（ａ）は、上記装置を使用した場合の、マスク８と回路基板素材２０間の距離変化量（Δｚ：単位ｍｍ）に対する、線幅比率（％）の変化を、マスク線幅（単位μｍ）毎に測定したデータで、図２（ｂ）は、その測定結果のグラフ表示である。測定データ及び、そのデータを元に描いたグラフから明らかの通り、マスク８と回路基板素材２０の距離が増加（Δｚ）するにつれて、線幅比率は減少を続ける。しかし、ある距離を通過すると、一転して、マスク８と回路基板素材２０の距離が増加するにつれて線幅比率が増加を始める。（測定結果をプロットした図２（ｂ）から明らかの通り、その割合はマスク線幅により異なる。また、マスク線幅により、線幅比率１００％の点が存在する場合と、存在しない場合とがある）本発明はこれらの知見を元に行われた。
【００２２】
本実施形態では、立体的な回路基板素材２０の上方に設けた平板状のマスク８を通過した平行光を用いて、前記回路基板素材２０の上に塗布したレジスト７を露光する立体回路基板の製造工程において、露光には、マスク８と回路基板素材２０が密着しない投影露光方式を用いる。そして、この露光において、もし、図３（ａ）に示した様に、線幅比率が１００％となるマスク８と回路基板素材２０間の距離が存在しなかった場合（つまり、図２（ｂ）において、線幅比率が１００％の線とグラフ曲線が交点を持たない場合）は、線幅比率が１００％に最も近いマスク８と回路基板素材２０間の距離（図３（ａ）中のグラフ曲線上のＰ点迄の距離）をマスク８と回路基板素材２０の最精度要求面（図３（ａ）中では、Ｃ面に仮定して描いてある）迄の距離に合せた状態でレジスト７を露光する。
【００２３】
図３（ｂ）は、線幅比率が１００％となるマスク８と回路基板素材２０との間の距離が２個存在し（説明を進めていく都合上、線幅比率が１００％の距離が存在する場合は必ず２個であるものとする。測定上で、たとえ１個しか確認されない場合でも、同じ距離で２個重なって存在すると見なすことにする）、かつ、回路基板深さ（ｈ）の半分より底面側のＣ面が最精度要求面であると仮定した場合のマスク８と回路基板素材２０間の距離設定方法の説明図である。この場合は、マスク８と回路基板素材２０との間の距離がより離れて線幅比率が１００％となる距離（つまり、Ｒ点）をマスク８と回路基板素材２０最精度要求面（Ｃ面）迄の距離に合せておいてからレジスト７を露光する。
【００２４】
また、線幅比率が１００％となるマスク８と回路基板素材２０との間の距離が２個存在し、かつ、回路基板深さ（ｈ）の半分より上面側に最精度要求面が存在する場合は、（図示は省略したが）マスク８と回路基板素材２０との間の距離がより近付いて線幅比率１００％となる距離（つまりＬ点）をマスク８と回路基板素材２０の最精度要求面迄の距離に合せてレジスト７を露光する。
【００２５】
以上の方法でマスク８と回路基板素材２０の距離を設定しておいてからレジスト７を投影露光すると、最精度要求面と高さが相違する面上では線幅比率は１００％にはならないが、最精度要求面では設計値もしくはそれに近い線幅で露光される。実際の立体回路基板では全面において線幅比率１００％は必要無い場合が多い（例えば、図４（ｃ）における最上位面（Ａ面）は精度を必要としない場合が多い）ので、この簡便な露光方法を用いて実用上必要な線幅を確保できる場合は、マスク８の設計と製作が簡単になり、立体回路基板のコストダウンにつながる。また、本発明の製造方法ではマスク８と回路基板素材２０の間が離れているので、立体回路基板の量産に本発明の製造方法を適用する場合でも接触によるマスクダメージは発生しない。
【００２６】
次に本発明で使用するレジストの物性について説明する。本発明で用いる平行光はレジストに良く吸収されることが大切である。レジストの特性値には、光吸収率の他に、回路基板素材２０との密着性、製膜の緻密性、解像度、抜け性などあるが、本発明で特に光吸収率を重視する理由は、回路基板素材２０面の高低により、照射場所により光の強度が不均一になっても、現像後に（線の幅は設計値と異なっても）しっかりしたレジスト線を得る為である。またレジスト膜の下には無電解メッキ層２が存在するので、照射光が反射を起こし易いが、この反射をできるだけ減少して、反射による回り込みを減少する為でもある。光吸収率を優先してレジストを選択する結果、例えば解像度等が多少犠牲になってもやむを得ない。レジストの露光に使用する光の波長は、一般的にはｉ線(３６５ｎｍ)、ｈ線(４０５ｎｍ)が多い。大方のレジストの吸収波長は、この２線をカバーするが，レジストの光吸収率を基準にして、使用する波長も選択する。尚、無電解メッキ層２は無電解メッキに限定されるものではなく、電解メッキ層でも構わない。
【００２７】
レジストの塗布方法には、塗装法(スピンコート含む)、印刷法、ドライレジスト法(フィルム貼り合わせ)、電着レジスト法などがある。本発明にはレジスト分子に電化を印加し、回路基板素材２０へ吸着させる電着レジスト法が最適である。今回の発明方法に電着レジスト法を用いると、すべての面に対してほぼ均一に膜付けができ、エッジ部の膜切れも起こらず、スルーホール内にも膜付けができるメリットがある。尚、レジスト塗厚みは通常より薄く塗布（例えば厚み７μｍ仕様品を、３〜５μｍで塗布）することでより好適な結果が得られた。
【実施例】
【００２８】
本発明の第１実施例を、図３（ｃ）を用いて説明する。線幅比率が１００％となるマスク８と回路基板素材２０との間の距離が２個存在する場合、本発明の実施形態では線幅比率が１００％となる点迄の距離をマスク８と回路基板素材２０の最精度要求面迄の距離に合せたが、図３（ｃ）に示したように、線幅比率１００％となるマスク８と回路基板素材２０との間の距離が２個存在する場合、回路基板深さ（ｈ）の半分の位置に、２個の線幅比率１００％となる点（Ｌ、Ｒ）迄の距離の平均距離を合せてレジストを露光しても良い。この方法を用いても実用上十分な線幅比率を確保することが可能になる。
【００２９】
線幅の精度を要求する面が多段に亘り、且つ本発明の実施形態で説明した方法だけでは、要求精度範囲を超える面が出てしまう時の解決策として第２実施例をあげる。このような場合は、本発明の実施形態で説明した方法と併せて、段差に応じた多段付きのマスクを必要な個所に適用することで全ての精度要求面で必要な線幅比率を確保することも可能である。このようにすれば、投影方式を用いた本発明の適用範囲が更に拡大する。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
これまで説明してきた本発明の立体回路基板の製造方法は、或る一定量まとまって生産する電子機器用の立体回路基板の生産において産業上利用可能であり、本発明の効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明に用いる投影露光方式の構成説明図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明においてマスクと回路基板素材間の距離変化量（Δｚ）に対する線幅比率（％）の変化を表すマスク線幅毎の測定データであり、図２（ｂ）は、その測定データのグラフ表示である。
【図３】本発明において、マスクと回路基板素材間の距離を設定する方法の説明図で、図３（ａ）は、線幅比率が１００％となるマスクと回路基板素材との間の距離が存在しない場合の説明図、図３（ｂ）は、線幅比率が１００％となるマスクと回路基板素材との間の距離が２個存在し、かつ、回路基板深さ（ｈ）の半分より底面側に最精度要求面が存在する場合の説明図、図３（ｃ）は線幅比率１００％となるマスクと回路基板素材との間の距離が２個存在する時、回路基板深さ（ｈ）の半分の位置に２個の線幅比率１００％となる点（Ｌ、Ｒ）迄の距離の平均距離を合せる場合の説明図である。
【図４】背景技術における立体回路基板の斜視図で、図４（ａ）は２段の立体回路基板の斜視図、図４（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図、図４（ｃ）は３段の立体回路基板の部分斜視図である。
【図５】背景技術における立体回路基板の製造工程前半部における各工程毎の断面図である。
【図６】背景技術における立体回路基板の製造工程後半部における各工程毎の断面図である。
【図７】図７（ａ）は背景技術の図５（ｄ）における露光工程で、立体回路基板素材にマスクを被覆した状態のＰ部拡大図、図７（ｂ）はこの時のマスクパターンの平面図である。
【図８】背景技術において、マスクを複数段に分け、重ねながら露光する場合の断面図である。
【図９】背景技術において、コリメータを用いて露光する場合の説明図である。
【符号の説明】
【００３２】
１  基体
２  無電解メッキ層
７  レジスト
８  マスク   
１０  立体回路基板
２０  回路基板素材
ｈ  回路基板深さ
Ｐ  線幅比率１００％近接点
Ｌ、Ｒ   線幅比率１００％点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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