(57)【要約】【課題】  軟磁性裏打ち層上に垂直磁気記録層を積層した構成の垂直磁気記録媒体において、スパイクノイズを抑制した高記録密度の垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。【解決手段】  垂直磁気記録媒体の非磁性基体上に、情報を記録するトラック方向と４５度以上の角度で斜交する筋状の凹凸をテクスチャ加工法等により形成し、トラック方向と略直交する方向に平行な磁場を印加しながら軟磁性裏打ち層を成膜する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層、中間層、磁気記録層、保護層及び液体潤滑層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、情報を記録するトラック方向と４５度以上の角度で斜交する筋状の凹凸を前記非磁性基体に形成し、前記トラック方向と略直交する方向に平行な磁場を印加しながら前記軟磁性裏打ち層を成膜することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記凹凸の形成手段がテクスチャ加工法であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記非磁性基体がドーナッツ形状を有する円板状であり、前記トラック方向が該非磁性基体の円周方向であり、前記軟磁性裏打ち層の成膜時に印加する磁場の方向が該非磁性基体の略半径方向であることを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記非磁性基体の表面粗さＲａが０．５ｎｍ以下である事を特徴とする請求項１ないし３の何れかに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記軟磁性裏打ち層の成膜時に印加する磁場の強さが５０Ｏｅ以上であることを特徴とする、請求項１ないし４の何れかに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５の何れかに記載の製造方法により作製されたことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はコンピュータの外部記憶装置を初めとする各種磁気記録装置に搭載される垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録の高密度化を実現する技術として、従来の長手磁気記録方式に代えて、垂直磁気記録方式が注目されつつある。
垂直磁気記録媒体は、硬質磁性材料の磁気記録層と、磁気記録層への記録に用いられる磁気ヘッドが発生する磁束を集中させる役割を担う軟磁性材料で形成される裏打ち層を構成要素に含んでいる。このような構造の垂直磁気記録媒体において問題となるノイズのひとつであるスパイクノイズは、裏打ち層である軟磁性膜に形成された磁壁によるものであることが知られている。そのため垂直磁気記録方式を実現するためには、軟磁性裏打ち層の磁壁形成を抑制することが必要である。
軟磁性裏打ち層の磁壁を制御するために、軟磁性裏打ち層の上層や下層にＣｏ合金等の強磁性層を形成し、強磁性層を所望の方向に磁化させるように着磁する方法や（例えば、特許文献１参照）、軟磁性裏打ち層の上層や下層に反強磁性薄膜を形成し、交換結合を利用して磁化をピン止めする方法（例えば、特許文献２参照）が提案されている。また、軟磁性層と非磁性層を多数回積層することにより磁壁の形成を抑制する方法等も提案されている（例えば、非特許文献１参照）。これらの方法を用いることにより、軟磁性層起因のスパイクノイズを抑制することが出来る。
【０００３】
さらに、非磁性基体の半径方向にテクスチャ加工を行なうことにより、軟磁性裏打ち層の磁化を制御する方法が知られている（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開平６-１８０８３４号公報
【特許文献２】特開平１０-２１４７１９号公報
【特許文献３】特開平５-３６０６５号公報
【非特許文献１】高橋 他、アイトリプルイー  トランザクションズ  オン  マグネティックス（IEEE Transactions on magnetics）、（米国）、２００１年、第３７巻、Ｎｏ．４、ｐ．１５８６−１５８８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような方法を用いる事により、軟磁性裏打ち層起因のスパイクノイズを抑制することは出来るが、その層構成はかなり複雑なものとなる。例えば、反強磁性層を用いて磁壁形成の阻止を行なおうとする場合、反強磁性層を所望の結晶配向ならびに粒径に形成するために反強磁性層の下層に下地層を数層形成し、反強磁性層を成膜後に、さらに反強磁性結合磁界Hexを強めるためのエンハンス層等を用いる必要がある。更に、高いHexの導出を望む場合は、同一装置内にて基板加熱を行なう必要がある。このように形成した層構成の上に、さらに軟磁性層、中間層、磁気記録層、保護層を連続で形成しようとした場合、層数が多くなるために、従来量産用に用いられてきた成膜装置では全てを連続成膜することは非常に困難である。軟磁性裏打ち層の上層や下層に、Ｃｏ合金等の強磁性層を形成しこれを所望の方向に磁化させるように着磁することにより磁壁の形成を抑制する方法や、軟磁性層と非磁性層を多数回積層することにより磁壁の形成を抑制する方法等においても、反強磁性層を用いる場合と同様に層構成が複雑となり、従来の量産装置を用いて連続成膜を行なうことは非常に難しい。
【０００５】
また、非磁性基体の半径方向にテクスチャ加工を行ない、テクスチャ加工による形状異方性を利用して軟磁性裏打ち層の磁化を制御する方法においては、高密度化に伴い非磁性基体の表面粗さ（Ｒａ）を低下させる場合に、Ｒａの低下に伴いテクスチャ加工による形状異方性が発現しにくくなり、軟磁性裏打ち層の磁化配向を制御することは困難になってきた。テクスチャ加工法に限らず、他の手段で非磁性基体に凹凸を付与する場合も同様の困難が生じる。
本発明は上述の問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、軟磁性裏打ち層の磁壁を安定して制御してスパイクノイズを抑制でき、かつ高い生産性を有する垂直磁気記録媒体の製造方法およびこの製造方法を用いて作製された垂直磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的を達成するため、本発明に係わる垂直磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層、中間層、磁気記録層、保護層及び液体潤滑層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、情報を記録するトラック方向と４５度以上の角度で斜交する筋状の凹凸を前記非磁性基体に形成し、前記トラック方向と略直交する方向に平行な磁場を印加しながら前記軟磁性裏打ち層を成膜することを特徴とする。
ここで、前記凹凸の形成手段はテクスチャ加工法とすることができる。
また、前記非磁性基体がドーナッツ形状を有する円板状とすること、前記トラック方向が該非磁性基体の円周方向であり、前記軟磁性裏打ち層の成膜時に印加する磁場の方向が前記非磁性基体の略半径方向とすることができる。
また、前記非磁性基体の表面粗さＲａが０．５ｎｍ以下とすることができる。
【０００７】
また、前記軟磁性裏打ち層の成膜時に印加する磁場の強さが５０Ｏｅ以上とすることができる。
本発明に係わる垂直磁気記録媒体は、上述した何れかの製造方法により得たものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、垂直磁気記録媒体の非磁性基体上に、情報を記録するトラック方向と４５度以上の角度で斜交する筋状の凹凸をテクスチャ加工法等により形成し、トラック方向と略直交する方向に平行な磁場を印加しながら軟磁性裏打ち層を成膜することにより、筋状の凹凸と磁場の印可が相乗的に作用して軟磁性裏打ち層の磁壁を制御し、スパイクノイズを抑制することができる。本発明の方法によれば、複雑な層構成を必要としないため、簡便な成膜設備を用いて垂直磁気記録媒体を量産可能であり、高い生産性を有している。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は本発明に係わる垂直磁気記録媒体を説明するための図で断面模式図で示している。垂直磁気記録媒体は非磁性基体１上に少なくとも、軟磁性裏打ち層２、中間層３、磁気記録層４、及び保護層５が順に形成された構造を有しており、さらにその上に液体潤滑剤層６が形成されている。
非磁性基体１としては、通常の磁気記録媒体用基板として用いられる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や、強化ガラス、結晶化ガラス等を用いることができる。非磁性基体１の形状は、情報の記録・再生に適した形状であればどのような形状でも適用可能である。ドーナッツ形状を有する薄い円板状（以下、単に円板状と記す）の場合は、回転動作により情報の記録・再生が可能であり、最も好ましい。この他、記録面が長方形となる薄い板状の直方体（以下、単に長方形状と記す）等の適切な形状を使用できる。
【００１０】
非磁性基体１で情報の記録・再生に用いる面には所定の斜交角度にて筋状の凹凸を形成する。ここで、斜交角度とは、筋状の凹凸と情報の記録を行うトラックの方向がなす角度を意味する。非磁性基体１が円板状の場合には、トラックの方向は一般に円周方向が使用されるため、筋状の凹凸は円板の半径方向に向けて形成する。非磁性基体１が長方形状の場合は、トラックの方向は長方形の一辺に平行に設定されるため、これと直行する方向に向けて筋状の凹凸を形成する。斜交角度は略一定の角度であって良く、分布を有して形成されても良い。いずれの場合も、後に述べる磁場印可の効果と相俟って、軟磁性裏打ち層の磁化をトラック方向に対して略直行する方向に配向する効果を発現するためには、斜交角度の最大値である最大斜交角度を４５度以上とすることが必要である。最大斜交角度が６５度以上であれば効果は一層向上する。
【００１１】
筋状の凹凸を付与する手段は、凹凸を形成するいかなる手段も使用可能である。一般的に用いられているテクスチャ加工法が生産性の観点から好ましい。非磁性基体１が円板状の場合には非磁性基体１を回転しながら研磨布と砥粒を非磁性基体に押し当て、研磨布を半径方向に揺動しながらテクスチャ加工を行う。最大斜交角度の設定は回転速度と揺動速度の比を設定して行う。最大斜交角度を大きく設定する場合は、回転速度を著しく減少する必要があるため生産性が劣化する要因となる。同時に、研磨布の動きの方向と筋状の凹凸の方向が主として一致するため、凹凸を横切る研磨布の動きによりバリの除去を図るテクスチャ加工法の長所が減殺される。したがって、テクスチャ加工法を用いる場合は最大斜交角度は８０度以下とすることが好ましい。筋状の凹凸による形状異方性効果単独で、軟磁性裏打ち層の磁化を配向するためには、最大斜交角度を略９０度とすることが必要であり、上述の問題を生じるが、本発明の方法によれば、軟磁性層への磁場の印可と、筋状の凹凸の形成の両者の相乗効果により、小さい斜交角度で適切な配向を得ることが可能となる。
【００１２】
筋状の凹凸を施した非磁性基体１の表面粗さＲａは、今後必要とされる１００Ｇｂ／ｉｎ２以上の面記録密度に対しては、０．５ｎｍ以下にする必要がある。要求される記録密度が増加するにしたがい、この表面粗さは更に小さくする必要があるが、軟磁性裏打ち層起因のスパイクノイズを確実に抑制するためには、必要な面記録密度を確保できる限りにおいてＲａを大きく保つことが望ましい。
非磁性基体１に凹凸を付与する手段としては、テクスチャ加工法以外にも、リソグラフィ法やレーザー加工法等を用いて溝加工を行なうことも出来る。溝形状としては、三角山、矩形溝、半円溝等、軟磁性裏打ち層がその溝形状により形状異方性を発現するものであれば、特に限定されない。
軟磁性裏打ち層２としては、ＮｉＦｅ系合金、センダスト(ＦｅＳｉＡｌ)合金、飽和磁束密度の大きなＦｅＣｏ合金等を用いることが出来るが、非晶質のＣｏ合金、例えばＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒなどを用いることにより良好な電磁変換特性を得ることが出来る。軟磁性裏打ち層２の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化するが、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが、生産性との兼ね合いから望ましい。
【００１３】
軟磁性裏打ち層２の成膜時には、情報を記録するトラック方向と略直交する方向に平行に磁場を印加しながら成膜を行う。更には、磁場が非磁性基体１の情報を記録する面に略平行であることが好ましい。非磁性基体１が円板状の場合には、非磁性基体１の略半径方向に平行に磁場を印可する。非磁性基体１に形成した筋状の凹凸と印可する磁場が相乗的に作用し、軟磁性裏打ち層２の磁気異方性が非磁性基体１の半径方向に誘導されるため、スパイクノイズを抑制することが可能となる。
軟磁性裏打ち層２の成膜時に印加する磁場の強さは、軟磁性裏打ち層２を形成する材料の保磁力を考慮して適宜設定される。印可する磁場の強さは，軟磁性裏打ち層２の磁化がほぼ飽和する強さが好ましく、５０Ｏｅ以上が好ましい。印可するタイミングとしては、少なくとも、軟磁性裏打ち層を成膜している間は磁場を印加していればよい。磁場の印加手段は、必要な磁場の強さと方向が得られる手段であれば、いかなる手段も使用できる。マグネトロンスパッタ法の場合は、マグネトロンの漏れ磁場を利用することができる。軟磁性裏打ち層２での磁場の強さを５０Ｏｅ程度以上とするために、マグネトロンの磁場強度の変更、スパッタターゲットの厚みの調整、あるいは、スパッタターゲットと非磁性基体１の距離の調整を行う。マグネトロンの漏れ磁束のみでは十分な磁場強度を得られない場合は、非磁性基体１近辺に磁石を設置する。非磁性基体１が円板状の場合の磁石の設置方法としては、非磁性基体１の中心にＳ極、外周部にＮ極、または、非磁性基体１の中心にＮ極、外周部にＳ極を有するような永久磁石を配置する方法や、非磁性基体１の外周部に１対のコイルを設け、互いに逆向きに電流を流すことにより非磁性基体１の半径方向に磁場を印加することが出来る。印加磁場の角度分布に関しては、筋状の凹凸と組み合わせて使用するため、印加磁場の角度分布による影響をそれほど受けないが、半径方向からのずれが４５度以内になることが好ましい。
【００１４】
本発明によれば、非磁性基体１に形成した筋状の凹凸と軟磁性裏打ち層２の成膜途上で印可する磁場により軟磁性裏打ち層２の磁区は安定に制御される。しかしながら、軟磁性裏打ち層２の磁壁の形成を抑制する良く知られた手段を併用することも可能である。例えば、軟磁性裏打ち層２の下層にＣｏ合金等の強磁性層を形成しこれを所望の方向に磁化させるように着磁する方法や、反強磁性薄膜を形成し交換結合を利用して磁化をピン止めする方法、軟磁性層裏打ち層と非磁性層を多数回積層することにより磁壁の形成を抑制する方法等の磁区制御層を用いる方法を併用することも可能である。磁区制御層として、非磁性基体１の半径方向に磁化を配向させたＣｏ合金等の硬質磁性膜を用いる場合には、磁区制御層の下地層としてＣｒ合金、面心立方構造を有する非磁性単金属あるいは非磁性合金等を用いることが可能である。さらに下地層の微細構造を制御するために下地層の下に複数の層を設けてもよい。磁区制御層として、反強磁性膜を用いる場合には、例えばＭｎを含む合金系等を用いることも出来る。磁区制御の目的で軟磁性層と非磁性層を多数回積層する場合には、例えば非磁性層としてＣ、Ｓｉなどを用いることが出来る。
【００１５】
中間層３は、磁気記録層４の結晶配向性、結晶粒径及び粒界偏析を好適に制御するために用いられる。材料としては、面心立方構造（ｆｃｃ）あるいは六方最密充填構造（ｈｃｐ）を有する単金属膜あるいは合金膜が好ましく、Ｔｉ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ｐｔやそれらを含む合金膜が挙げられるが、それらに限定されない。良好な特性を得るために、中間層を何層か積層することも有効である。中間層３の膜厚としては、磁気記録層４の構造制御を行なうのに必要最小限の膜厚とすることが、記録の面からは必要である。
磁気記録層４としては、ＣｏＣｒＰｔ系合金膜、結晶粒界にＳｉＯ２等の非磁性酸化物や窒化物を有するグラニュラー膜、さらにＣｏ膜とＰｄ膜等との多層積層膜、希土類−遷移金属合金非晶質膜、ＦｅＰｔ規則合金膜等の良く知られた磁性膜を用いる事が出来る。
保護層５は、従来より使用されている保護膜を用いることができる。例えば、カーボンを主体とする保護膜を用いることができる。保護層５の膜厚等の条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることができる。
【００１６】
また、液体潤滑剤層６も従来より使用されている材料を用いることができる。例えば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤をもちいることができる。液体潤滑剤層６の膜厚等の条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることができる。
以下に本発明の実施例を説明するが、以下の実施例は、本発明を説明する代表例に過ぎず、本発明をなんら限定するものではない。
【実施例１】
【００１７】
最初に、非磁性基体１表面にテクスチャ加工を行った。非磁性基体１としては、通常の磁気記録媒体用に用いられているＮｉＰめっきを施した円板状のＡｌ合金基板を用いた。通常使用されているテクスチャ加工装置を用い、非磁性基体１の回転数と、研磨に用いるテープを押圧するゴムローラーを非磁性基体１の半径方向に揺動動作させる回数を変えることにより、テクスチャ加工の最大斜交角度を変えた。本例においては、最大斜交角度が０度から８７度になるように変化させた。表面粗さＲａはすべて０．３ｎｍになるように加工条件を調整した。
テクスチャ加工を施した後、非磁性基体１を洗浄した。その後、スパッタ装置内に導入し、非磁性基体１の半径方向に平行に１００Ｏｅの磁場を印加しながらＣｏＺｒＮｂターゲットを用いてＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層２を膜厚２００ｎｍにてマグネトロンスパッタ法により成膜した。磁場の印加方法は，マグネトロンの漏れ磁場を用い，非磁性基体1とターゲットの距離を調整することにより，非磁性基体1の表面における磁場強度が１００Ｏｅとなるようにした。引き続いてＲｕターゲットを用いてＲｕ中間層３を膜厚２０ｎｍにて成膜し、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２ターゲットを用いてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２磁気記録層４を膜厚２０ｎｍにて成膜した。最後にカーボンからなる保護層５を膜厚５ｎｍにて成膜後、真空装置から取り出した。その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑剤層６を膜厚２ｎｍにてディップ法により形成し、垂直磁気記録媒体とした。
【００１８】
垂直磁気記録媒体のスパイクノイズの測定は、スピンスタンドテスターを用い、ＳＰＴ／ＧＭＲヘッドにより、消磁状態での１周分の出力の平均値に対して、１５０％を超える出力を有するものの個数にて判断した。
図２に、実施例１の方法により作製した垂直磁気記録媒体のテクスチャ加工の各最大斜交角度に対するスパイクノイズの個数を示した。最大斜交角度が４５度よりも小さい場合には、スパイクノイズが観測されているが、４５度よりも大きくなると急激に発生するスパイクノイズの個数が減少している。さらに最大斜交角度が増加し、６５度以上となるとほとんどスパイクノイズが観測されていないことがわかる。
【実施例２】
【００１９】
非磁性基体１として円板状の強化ガラス基板を用いた。テクスチャ加工は、通常使用されているテクスチャ加工装置を用い、非磁性基体１の回転数と、研磨に用いるテープを押圧するゴムローラーを基体の半径方向に揺動動作させる回数を設定して、テクスチャ加工の最大斜交角度を設定した。本例においては、テクスチャ加工の最大斜交角度を７５度で固定した。研磨砥粒のサイズを変更することにより表面粗さＲａを０．１ｎｍから０．８ｎｍまで変化させた。
テクスチャ加工を施した非磁性基体１を用い、実施例１に示した方法と同様に成膜を行ない垂直磁気記録媒体を作製した。
垂直磁気記録媒体の浮上特性を示すパラメータの１つである離陸高さ（Ｔａｋｅ  ｏｆｆ  ｈｅｉｇｈｔ）の測定は、スピンスタンドテスターによりＰＺＴヘッドを用いて行なった。測定の方法としては、ＰＺＴの信号をモニターしながらスピンドルの回転数を下げていき、ヘッドが墜落した時の回転数を浮上高さ（Ｆｌｙｉｎｇ  ｈｅｉｇｈｔ）に換算して離陸高さとした。電磁変換特性の測定は、スピンスタンドテスターによりＳＰＴ／ＧＭＲヘッドを用いて行なった。
【００２０】
図３に、実施例２の方法により作製した垂直磁気記録媒体の、Ｒａに対する離陸高さの関係を示した。Ｒａが小さくなるに従い、離陸高さは単調に減少する。１００Ｇｂ／ｉｎ２以上の記録密度を達成するためには必要であるといわれている離陸高さ０．３ｎｍ以下とするためには、Ｒａを０．５ｎｍ以下にする必要があることがわかる。
同じ垂直磁気記録媒体のＲａに対するＳＮＲ（電磁変換特性における、信号とノイズの比）の関係を図４に示した。Ｒａの低下に伴いＳＮＲは単調に増加し、１００Ｇｂ／ｉｎ２を達成するために必要であるＲａ=０．５ｎｍにおいては２０ｄＢ以上の優れた特性を示す。これらのことから、Ｒａは０．５ｎｍ以下にする必要があることがわかる。
【実施例３】
【００２１】
非磁性基体1として円板状の強化ガラス基板を用いた以外は，実施例１に示した方法と同様にしてテクスチャ加工を施し、テクスチャ加工を有する非磁性基体を作製した。なお、テクスチャ加工の最大斜交角度は７５度、表面粗さは０．３ｎｍとした。
テクスチャ加工を施した非磁性基体１を洗浄後、スパッタ装置内に導入し、非磁性基体１の半径方向に平行に磁場を印加しながらＣｏＺｒＮｂターゲットを用いてＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層２を膜厚２００ｎｍにて成膜した。非磁性基体１への磁場の印加方法は，実施例1に示した方法と同様にして行なった。引き続いてＲｕターゲットを用いてＲｕ中間層３を膜厚２０ｎｍにて成膜し、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２ターゲットを用いてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２磁気記録層４を膜厚２０ｎｍにて成膜を行なった。最後にカーボンからなる保護層５を膜厚５ｎｍにて成膜後、真空装置から取り出した。その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑剤層６を膜厚２ｎｍにてディップ法により形成し、垂直磁気記録媒体とした。ＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層２を成膜する際、非磁性基体１の半径方向に印加する磁場の強さは、非磁性基体１とターゲット間距離を調整することにより１０Ｏｅから５００Ｏｅまで変化させた。
【００２２】
図５に実施例３の方法により作製した垂直磁気記録媒体のスパイクノイズの個数を印加磁場に対して示した。印加磁場が５０Ｏｅよりも小さい場合にはスパイクノイズが観測されており、Ｒａ＝０．３ｎｍ程度の表面粗さの場合には、半径方向のテクスチャ単独ではスパイクノイズを抑制することが出来ないことがわかる。これに対し、印加磁場が５０Ｏｅ以上の場合においては、ほぼスパイクノイズが抑制されていることがわかる。この様に、表面粗さが小さい場合にも、半径方向のテクスチャ加工と軟磁性裏打ち層の成膜時に半径方向に平行に印可する磁場との両者の相乗的な作用により、スパイクノイズを抑制することが可能であることが示された。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係わる磁気記録媒体の断面を模式的に示す図である。
【図２】実施例１の垂直磁気記録媒体の最大斜交角度に対するスパイクノイズの個数の関係を示した図である。
【図３】実施例２の垂直磁気記録媒体のＲａに対する離陸高さの関係を示した図である。
【図４】実施例２の垂直磁気記録媒体のＲａに対するＳＮＲの関係を示した図である。
【図５】実施例３の垂直磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層成膜時の印加磁場に対するスパイクノイズの個数の関係を示した図である。
【符号の説明】
【００２４】
１  非磁性基体
２  軟磁性裏打ち層
３  中間層
４  磁気記録層
５  保護層
６  液体潤滑剤層
【図１】
2005174393.tif 000003
【図２】
2005174393.tif 000004
【図３】
2005174393.tif 000005
【図４】
2005174393.tif 000006
【図５】
2005174393.tif 000007