(57)【要約】【課題】  確実にレーザーカットできるＩＣトリミング素子レイアウトパターンおよびトリミング装置を提供する。【解決手段】  トリミング素子の導電配線パターンを重複させて配置し、レーザービームなどのビーム直径を導電配線パターンの幅の二倍と導電配線パターン間の長さを加えた長さと同じもしくは長くしたことにより、ビームのアライメント許容ズレ幅を大きくして、ビームがずれても導電配線パターンの切断の確立を向上させた。【選択図】    図１
2005197416.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターン形成後、該配線パターンをビームにより切断する半導体ＩＣのトリミング素子において、前記トリミング素子の導電配線パターンを重複させて配置し、前記ビームのビーム直径を前記導電配線パターンの幅の二倍と導電配線パターン間の長さを加えた長さと同じもしくは長くしたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前期導電配線パターンがＳ字形状であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前期導電配線パターンがＳ字形状が連続した蛇腹形状であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体ＩＣ上のトリミング素子の配線パターンをビームにより切断するトリミング装置において、前記半導体ＩＣ上のトリミング素子の導電配線パターンを重複させて配置した導電配線パターンを切断する場合、前記ビームのビーム直径を前記導電配線パターンの幅の二倍と導電配線パターン間の長さを加えた長さと同じもしくは長くしたことを特徴とするトリミング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置のトリミング素子レイアウトパターンおよびトリミング素子を切断するトリミング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ＩＣにおけるトリミング部の回路図の一例を図２に示す。一般に抵抗のトリミングでは端子Ａ−Ｂ間の抵抗値をある所望の値に合わせ込む。ここではトリミング素子Ｆ１〜Ｆ４が直列に接続され、各トリミング素子と並列に抵抗Ｒ１〜Ｒ４が接続されている。トリミング素子Ｆ１〜Ｆ４の抵抗値は実質的に無視できるほど小さく、抵抗Ｒ１〜Ｒ４の抵抗値は設定する抵抗値に合わせて全て同じ値であってもよいし異なる値であってもよい。  
【０００３】
図２示された回路においてトリミング素子Ｆ１をカットすると端子Ａ−Ｂ間の抵抗はＲ１となる。トリミング素子Ｆ２をカットすると端子Ａ−Ｂ間の抵抗はＲ２となる。またトリミング素子Ｆ１とＦ２をカットすればＡ−Ｂ間の抵抗値はＲ１＋Ｒ２となる。従って、トリミング素子Ｆ１〜Ｆ２を任意にカットすることで端子Ａ−Ｂ間の抵抗値を所望の値に調整することが可能である（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
このようなトリミング回路を半導体ＩＣにより実現した場合の、従来のトリミング素子のレイアウトパターンを図３に示す。トリミング素子はポリシリコンなどによる導電配線パターン３１により構成される。トリミング素子をカットする場合、導電配線パターン３１を切断すればよい。一般的に図３のように構成された導電配線パターン３１のトリミング素子を切断するには、例えばレーザーや電子ビームなどの高出力のビームにより導電配線パターン３１切断するトリマー装置を用いる。トリミング素子の導電配線パターン３１をレーザービームにより切断する場合、図３のように導電配線パターン３１に直径Ｒ１の所定の広がりを有するレーザービームを当てことによりカットする。
【特許文献１】特開平１１−１８６２７２号公報（第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
導電配線パターン３１の幅をＹ１、レーザービーム３２が導電配線パターン３１の中心に照射された場合の導電配線パターン３１の縁からレーザービーム３２の縁までの距離をＡ２とすると、トリマー装置のアライメントのずれやレーザービーム３２の直径Ｒ１のバラツキにより、レーザービーム３２の照準が図３の点線で示されるレーザービーム３２１、即ちＡ２以上ずれた場合、トリミング素子の導電配線パターン３１は完全に切断されない。その結果、同じ場所を再度カットし直さばければならず二度手間となりコストアップになってしまう。
そこでこの発明の目的は、従来のこのような問題点を解決するために、一回のカットで確実にトリミング素子の導電配線パターンを切断するようにしたことである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明半導体ＩＣのトリミング素子のレイアウトパターンにおいて、トリミング素子の導電配線パターンを重複させると共にレーザービームの直径を導電配線パターンの幅の二倍と導電配線パターンの間隙を加えた長さと同じか、長くすることによりレーザーカットで確実に切断することが出来ることを特徴とする。
【０００７】
この発明の構成によれば、一回のレーザーカットで確実にトリミング素子の導電配線パターンを切断することができる。
また、導電配線パターンをＳ字形状もしくはＳ字形状が連続した蛇腹形状に構成することでより、確実にトリミング素子の導電配線パターンを切断することができる。
また、半導体ＩＣ上のトリミング素子の配線パターンをビームにより切断するトリミング装置において、前記半導体ＩＣ上のトリミング素子の導電配線パターンを重複させて配置した導電配線パターンを切断する場合、前記ビームのビーム直径を前記導電配線パターンの幅の二倍と導電配線パターン間の長さを加えた長さと同じもしくは長くしたことを特徴とする。
この発明の構成によれば、半導体ＩＣ上のトリミング素子の導電配線パターンが重複しているトリミング素子を切断する場合、確実に切断することが出来る。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、以上説明したように構成することにより、一回のレーザーカットでより確実にトリミング素子の導電配線パターンを切断することができるため、導電配線パターンの切断不良による歩留まりの低下を抑え、再度のレーザーカットによるコストの追加を削減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
【実施例１】
【００１０】
以下、実施例について図面を参照して説明する。本発明の第１の実施形態のトリミング素子の配線レイアウトパターンを図１に示す。図１はトリミング素子の導電配線パターン１１をＳ字形状にしたものである。ここで導電配線パターン１１の配線幅をＷ１、導電配線パターン１１間の距離をＷ２とし、レーザービーム１２の直径をＲ１≧２Ｗ１＋Ｗ２とする。レーザービーム１２は点線で示されるレーザービーム１２１までアライメントのずれが許容される。Ｗ１、Ｗ２はそれぞれ製造上のデザインルールにより決定されることが多い。またレーザービーム１２はその円面内において一様な強度を持つものとする。
【００１１】
図３に示した従来のレイアウトパターンにおいて、レーザービームの直径Ｒ、導電配線パターン幅Ｕ１としたとき、トリミング素子の導電配線パターン３１を確実に切断するための垂直Ｙ方向のアライメント許容ズレ幅Ａ２は、
Ａ２＜（Ｒ−Ｙ１）／２・・・（１）
である。Ｒ＝Ｒ１、Ｙ１＝Ｗ１とすれば、
Ａ２＜（Ｒ１−Ｗ１）／２・・・（２）
である。いま、前記のように直径Ｒ≧２Ｗ1+Ｗ２と定義したレーザービーム１２の直径Ｒが最小、即ちＲ１＝２Ｗ１＋Ｗ２とすればアライメント許容ズレ幅Ａ２は、
Ａ２＜（Ｗ１＋Ｗ２）／２・・・（３）
となる。
【００１２】
一方、本発明の図１のレイアウトパターンにおいて、垂直Ｙ方向のアライメント許容ズレ幅Ａ１は、
Ａ１＜（Ｒ１−Ｗ１）／２＋Ｗ１＋Ｗ２・・・（４）
となり、Ｒ１＝２Ｗ１＋Ｗ２とすれば、
Ａ１＜（Ｗ１＋Ｗ２）／２＋Ｗ１＋Ｗ２・・・（５）
となる。
【００１３】
式（２）と式（４）、式（３）と式（５）を比較すると分かるように、本発明の図１に示される配線パターンは図３で示される従来の配線パターンより、レーザーカットの垂直Ｙ方向のアライメント許容ズレ幅がＷ１＋Ｗ２だけ大きくなる。これによりレーザービームが大きくずれてもトリミング素子の導電配線パターン３１が切断される確立が向上し、所望のトリミング素子の切断が容易となり、製品の歩留まりを向上させることが可能となる。
【実施例２】
【００１４】
次に本発明の第２の実施形態について説明する。図４は本発明の第２の実施例のトリミング素子の配線レイアウトパターンを示す図であり、トリミング素子の導電配線パターン４１をＳ字の連続した蛇腹形状にしたものである。また第１の実施形態と同様、トリミング素子の導電配線パターン４１の配線幅をＷ１、配線間距離をＷ２とし、レーザービーム４２の直径Ｒ１をＲ１≧２Ｗ1+Ｗ２とする。アライメントのずれＡ３は点線で示されるレーザービーム４２１の位置まで許容され、導電配線パターン４１を蛇腹型に増やせば増やすほど、Ｙ方向のアライメント許容ズレ幅が大きくなることは明白である。
【００１５】
なお、第１、第２の実施形態は垂直Ｙ方向のアライメントずれに対応した構成により説明したが、例えば実施例の導電配線パターンを９０度回転させることにより水平Ｘ方向のアライメントずれにも対応可能であり、導電配線パターンを適宜回転させることにより所望の方向のアライメントずれに対応可能であることは言うまでもない。
【００１６】
また、高出力エネルギービームにより半導体素子上の配線パターンを切断するものであればレーザービームに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかるＩＣトリミング素子のレイアウトパターン図である。
【図２】トリミング素子の回路図である。
【図３】従来のＩＣトリミング素子レイアウトパターン図である。
【図４】本発明の第２の実施形態にかかるＩＣトリミング素子のレイアウトパターン図である。
【符号の説明】
【００１８】
１１、３１、４１  導電配線パターン
１２、１２１、３２、３２１、４２、４２１  レーザービーム
Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４  トリミング素子
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４  抵抗
Ａ、Ｂ  端子
【図１】
2005197416.tif 000003
【図２】
2005197416.tif 000004
【図３】
2005197416.tif 000005
【図４】
2005197416.tif 000006