(57)【要約】【課題】  シリコンエピタキシャルウェーハの主裏面、特に主裏面のリフトピン頭部に対向する部分に微小な凹凸が生じることを抑制する。【解決手段】  シリコンエピタキシャル層が気相成長されるシリコン単結晶ウェーハＷを載置する座ぐり１０を有するサセプタ１と、座ぐりに設けられた貫通孔１３に挿通して配設されたリフトピン４とを備え、リフトピンには、軸部４１と当該軸部よりも大きいリフトピン頭部４２とが設けられ、貫通孔には、リフトピン頭部を係合するリフトピン受部１３１が設けられた気相成長装置である。リフトピン頭部は、軸部に向かってサセプタに対し水平方向の断面直径が漸次小さくなるとともに当該リフトピン頭部の曲面状外周面部４２ｃが外方に向かって凸の曲面状に形成されている。【選択図】図４
2005311108.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンエピタキシャル層が気相成長されるシリコン単結晶ウェーハを載置する座ぐりを有するサセプタと、前記座ぐりに設けられた貫通孔に挿通して配設されたリフトピンとを備え、前記リフトピンには、軸部と当該軸部よりも大きいリフトピン頭部とが設けられ、前記貫通孔には、前記リフトピン頭部を係合するリフトピン受部が設けられた気相成長装置において、
前記リフトピン頭部は、前記軸部に向かってサセプタ主表面に対し水平方向の断面が漸次小さくなるとともに当該リフトピン頭部の外周面部が外方に向かって凸の曲面状に形成されていることを特徴とする気相成長装置。
【請求項２】
前記リフトピン頭部の前記外周面部は、球体の一部をなす形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項３】
前記リフトピン頭部の前記外周面部は、研磨が施されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の気相成長装置。
【請求項４】
前記リフトピン受部は、前記サセプタの主表面側から主裏面側に向かってサセプタ主表面に対し水平方向の断面が漸次小さくなるとともに当該リフトピン受部の内周面部がサセプタに向かって凸の曲面状に形成されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の気相成長装置。
【請求項５】
前記リフトピン受部の前記内周面部は、球体の一部に面接触可能な帯状の面接触領域を有してなることを特徴とする請求項４に記載の気相成長装置。
【請求項６】
前記リフトピン受部の前記内周面部は、研磨が施されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の気相成長装置。
【請求項７】
シリコンエピタキシャル層が気相成長されるシリコン単結晶ウェーハを載置する座ぐりを有するサセプタと、前記座ぐりに設けられた貫通孔に挿通して配設されたリフトピンとを備え、前記リフトピンには、軸部と当該軸部よりも大きいリフトピン頭部とが設けられ、前記貫通孔には、前記リフトピン頭部を係合するリフトピン受部が設けられた気相成長装置において、
前記リフトピン頭部は、前記軸部に向かってサセプタ主表面に対し水平方向の断面が漸次小さくなるとともに当該リフトピン頭部の外周面部が外方に向かって凸の曲面状に形成されており、
前記リフトピン受部は、前記サセプタの主表面側から主裏面側に向かってサセプタ主表面に対し水平方向の断面が漸次小さくなるとともに当該リフトピン受部の内周面部がサセプタに向かって凸の曲面状に形成されていることを特徴とする気相成長装置。
【請求項８】
前記リフトピン頭部の前記外周面部は、球体の一部をなす形状に形成され、前記リフトピン受部の前記内周面部は、前記リフトピン頭部の前記外周面部に面接触可能な帯状の面接触領域を有してなることを特徴とする請求項７に記載の気相成長装置。
【請求項９】
前記リフトピン頭部の前記外周面部及び前記リフトピン受部の前記内周面部は、研磨が施されていることを特徴とする請求項７又は８に記載の気相成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リフトピンを昇降させてサセプタ上のウェーハの着脱を行う気相成長装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、シリコン単結晶ウェーハの表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させてシリコンエピタキシャルウェーハを製造する気相成長装置が知られている。
【０００３】
気相成長装置としては、シリコン原料ガスが供給される反応容器内に、シリコン単結晶ウェーハを載置するための座ぐりが形成されるとともに上下動自在に配設されたサセプタと、座ぐりに設けられた貫通孔に挿通してサセプタの上下動に伴って摺動自在に配設されたリフトピン等を備えるものが知られている。
【０００４】
リフトピンは、軸部と、軸部よりも大きく形成された頭部とを備えて構成されており、頭部を座ぐりに臨ませるようにして貫通孔に配設されている。そして、シリコンエピタキシャルウェーハの製造時に、リフトピン頭部にシリコン単結晶ウェーハの裏面が載置され、サセプタの上昇に伴ってリフトピンを摺動させその頭部を座ぐりに没入させることにより、座ぐりにシリコン単結晶ウェーハを収容する。
【０００５】
このとき、前記座ぐりに前記リフトピンが没入された状態において、リフトピン頭部が座ぐりの底面から突出しないように、貫通孔にはリフトピン頭部を係合可能な形状に形成されたリフトピン受部が設けられている。リフトピン受部は、上面側から下面側にかけて水平方向の孔断面積が小さくなるようなテーパを有してなり、リフトピン頭部はテーパに隙間なく嵌合するように外周面が同様のテーパ状に形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
上記の気相成長装置を用いて、両主面が鏡面研磨されたシリコン単結晶ウェーハの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長する場合、気相成長後のシリコンエピタキシャルウェーハの主裏面、特に、主裏面のリフトピン頭部に対向する部分に微小な凹凸が形成され、それが集光灯下で曇りとして観察されることがある。
【０００７】
このように、気相成長後のシリコンエピタキシャルウェーハの主裏面に微小な凹凸が観察されるのは、次の理由に依る。
シリコンエピタキシャルウェーハを製造する場合には、先ず、両主面を鏡面研磨されたシリコン単結晶ウェーハをサセプタの座ぐり上に載置する。このウェーハには両主面に自然酸化膜が形成されている。続いて、反応容器内を水素熱処理温度に加熱して水素熱処理を行うことによって、シリコン単結晶ウェーハの主表面に形成された自然酸化膜を水素によりエッチングして除去する。次いで、反応容器内をシリコンの気相成長温度に設定し、シリコン単結晶ウェーハの主表面上にシリコン原料ガスを供給し、これによりシリコン単結晶ウェーハの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させてシリコンエピタキシャルウェーハを製造する。
【０００８】
しかしながら、サセプタのリフトピン受部に形成されたテーパとリフトピン頭部との密着性が悪く、リフトピン頭部とリフトピン受部との間に隙間があると、水素熱処理の際に、水素ガスがリフトピン受部とリフトピン頭部との隙間を通り抜けて、座ぐりの底面と座ぐりに載置されたシリコン単結晶ウェーハとの隙間に回り込むことによって、シリコン単結晶ウェーハの主裏面、特にリフトピン頭部に対向する部分の自然酸化膜がエッチングされる。
このように自然酸化膜が局部的にエッチングされてエッチングムラの生じた状態でシリコンエピタキシャル層の気相成長を行うと、シリコン原料ガスは、シリコン単結晶ウェーハの主裏面側にも回り込んで供給されるので、当該シリコン単結晶ウェーハの主裏面のリフトピン頭部に対向するシリコンが露出された部分にも局所的にシリコン層が気相成長され、微少な凹凸が顕著に形成されてしまう。
【特許文献１】特開２０００−３２３５５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、シリコンエピタキシャルウェーハの主裏面、特に主裏面のリフトピン頭部に対向する部分に微小な凹凸が生じることを抑制できる気相成長装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の気相成長装置は、シリコンエピタキシャル層が気相成長されるシリコン単結晶ウェーハを載置する座ぐりを有するサセプタと、座ぐりに設けられた貫通孔に挿通して配設されたリフトピンとを備え、リフトピンには、軸部と当該軸部よりも大きいリフトピン頭部とが設けられ、貫通孔には、リフトピン頭部を係合するリフトピン受部が設けられた気相成長装置において、リフトピン頭部は、軸部に向かってサセプタ主表面に対し水平方向の断面が漸次小さくなるとともに当該リフトピン頭部の外周面部が外方に向かって凸の曲面状に形成されていることを特徴としている。
【００１１】
また、リフトピン頭部の外周面部は、球体の一部をなす形状に形成されていることが好ましい。
さらに、リフトピン頭部の外周面部は、研磨が施されていることが好ましい。
【００１２】
また、リフトピン受部は、サセプタの主表面側から主裏面側に向かってサセプタ主表面に対し水平方向の断面が漸次小さくなるとともに当該リフトピン受部の内周面部がサセプタに向かって凸の曲面状に形成されていることが好ましい。
さらに、リフトピン受部の内周面部は、球体の一部に面接触可能な帯状の面接触領域を有してなることが好ましい。
また、リフトピン受部の内周面部は、研磨が施されていることが好ましい。
【００１３】
また、本発明の気相成長装置は、シリコンエピタキシャル層が気相成長されるシリコン単結晶ウェーハを載置する座ぐりを有するサセプタと、座ぐりに設けられた貫通孔に挿通して配設されたリフトピンとを備え、リフトピンには、軸部と当該軸部よりも大きいリフトピン頭部とが設けられ、貫通孔には、リフトピン頭部を係合するリフトピン受部が設けられた気相成長装置において、リフトピン頭部は、軸部に向かってサセプタ主表面に対し水平方向の断面が漸次小さくなるとともに当該リフトピン頭部の外周面部が外方に向かって凸の曲面状に形成されており、リフトピン受部は、サセプタの主表面側から主裏面側に向かってサセプタ主表面に対し水平方向の断面が漸次小さくなるとともに当該リフトピン受部の内周面部がサセプタに向かって凸の曲面状に形成されていることを特徴としている。
【００１４】
また、リフトピン頭部の外周面部は、球体の一部をなす形状に形成され、リフトピン受部の内周面部は、リフトピン頭部の外周面部に面接触可能な帯状の面接触領域を有してなることが好ましい。
さらに、リフトピン頭部の外周面部及びリフトピン受部の内周面部は、研磨が施されていることが好ましい。
【００１５】
本発明によれば、リフトピン頭部の外周面部及びサセプタのリフトピン受部の内周面部のうち、少なくともリフトピン頭部の外周面部は曲面状であるので、リフトピン受部とリフトピン頭部との接触状態が変化しても、リフトピン頭部とリフトピン受部は、必ず貫通孔を塞ぐように密着し、前記リフトピン頭部と前記リフトピン受部との間に隙間が生じることが抑制できる。従って、シリコン単結晶ウェーハに水素或いは塩化水素によるエッチング処理等を施してもシリコン単結晶ウェーハの主裏面に形成された自然酸化膜が局部的にエッチングされ難くなる。そのため、エッチング処理に続いて行われるシリコンエピタキシャル成長処理において、シリコン単結晶ウェーハの主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させても該ウェーハの主裏面、特に、主裏面のリフトピン頭部に対向する部分に微小な凹凸が生じるのを抑制でき、主裏面に鏡面加工が施されている場合でも、集光灯下で曇りが観察されることがなくなる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、リフトピン受部とリフトピン頭部との接触状態が変化しても、リフトピン頭部とリフトピン受部との間に隙間が生じることが抑制できる。従って、シリコン単結晶ウェーハに水素或いは塩化水素によるエッチング処理等を施してもシリコン単結晶ウェーハの主裏面に形成された自然酸化膜が局部的にエッチングされ難くなる。その後、該ウェーハにシリコンエピタキシャル層を気相成長しても前記ウェーハの主裏面、特に、主裏面のリフトピン頭部に対向する部分に微小な凹凸が生じるのを抑制でき、主裏面に鏡面加工が施されている場合でも、集光灯下で曇りが観察されなくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、図面を参照して、本発明に係る実施の形態について説明するが、本発明がこれに限定されないことは言うまでもない。
【００１８】
［第一の実施の形態］
先ず、本発明が適用された第一の実施の形態の気相成長装置の好適な一例としての枚葉式の気相成長装置の構成について、図１を参照して説明する。
【００１９】
図１に示すように、気相成長装置１００は、気相成長の際に、シリコン単結晶ウェーハＷを支持する略円盤状のサセプタ１と、サセプタ１が略水平状態で内部に配される反応容器２と、サセプタ１を下面側から支持するサセプタ支持部材３と、サセプタ１に対して相対的にシリコン単結晶ウェーハＷを上下動させるリフトピン４と、反応容器２内を加熱するための例えばハロゲンランプ等の加熱装置５と、シリコン原料ガスを反応容器２内のサセプタ１の上側領域に導入してこのサセプタ１上のシリコン単結晶ウェーハＷの主表面上に供給するガス導入路６と、反応容器２に対しガス導入路６と同じ側に設けられパージガスを反応容器２内のサセプタ１の下側領域に導入するパージガス導入路７と、これら反応ガス導入路６及びパージガス導入路７に対し反応容器２の反対側に設けられ反応容器２からガスを排気する排気路８とを備えて構成されている。
【００２０】
サセプタ支持部材３は、上下方向Ａに移動可能に設けられており、当該サセプタ支持部材３の先端部には、放射状に分岐するように複数の支持アーム３ａが設けられている。この支持アーム３ａの先端部は、サセプタ１の主裏面に形成された凹部１ａに嵌合されており、これにより、サセプタ１をその上面が略水平となるように支持している。
また、支持アーム３ａには、リフトピン４の軸部４１が挿通された貫通孔３ｂが形成されている。
【００２１】
サセプタ１は、例えば、炭化珪素で被覆されたグラファイトから構成されており、その主表面には、内部に、シリコンエピタキシャル層が気相成長されるシリコン単結晶ウェーハＷを載置する座ぐり１０が形成されている。
この座ぐり１０は、シリコン単結晶ウェーハＷの外周縁部を支持する上段座ぐり部１１と、この上段座ぐり部１１よりも中心側下段に形成された下段座ぐり部１２とを有する二段構成を成している。
【００２２】
下段座ぐり部１２の底面１２ａには、サセプタ１をその主表面側から主裏面側に亘って貫通する貫通孔１３が形成されている。この貫通孔１３には、リフトピン４が挿通されており、該リフトピン４はそのリフトピン頭部４２を底面１２ａに臨ませるように配設されている。
【００２３】
以下に、貫通孔１３及びリフトピン４について、図２〜図４を参照してさらに詳細に説明する。
【００２４】
図２に示すように、リフトピン４は、略円柱状に形成された軸部４１と、軸部４１に連続して、当該軸部４１よりも大径に形成されたリフトピン頭部４２とを備えて構成されている。
【００２５】
リフトピン頭部４２は、軸部４１と反対側の端部に、座ぐり１０内に収納されるシリコン単結晶ウェーハＷの主裏面に当接して当該シリコン単結晶ウェーハＷを支持可能な略円形状の支持面４２ａと、この支持面４２ａの周端部から軸部４１側に向かって略垂直に、且つ、略同じ厚さに形成された垂直外周面部４２ｂと、この垂直外周面部４２ｂの軸部４１側の端部から軸部４１の外周面に亘って、曲面状に形成された曲面状外周面部４２ｃとを有している。
【００２６】
曲面状外周面部４２ｃは、軸部４１に向かってサセプタ１に対し水平方向の断面直径が漸次小さくなるとともに、図２のような断面図において、当該リフトピン頭部４２の外方に膨らむように形成されている。具体的には、曲面状外周面部４２ｃの曲率は、球体Ｓ（図２及び図３において破線で示す）の一部の曲率と略等しくなるように形成されている。即ち、曲面状外周面部４２ｃは、球体Ｓの一部をなす形状に形成されている。
【００２７】
また、リフトピン頭部４２の支持面４２ａ、垂直外周面部４２ｂ及び曲面状外周面部４２ｃは、研磨加工が施されている。ここで、研磨精度は、例えば表面粗さ８μｍ以下であることが好ましい。
【００２８】
貫通孔１３は、図３に示すように、リフトピン頭部４２を係合するリフトピン受部１３１を備えて構成されている。
リフトピン受部１３１は、その深さがリフトピン頭部４２の厚さよりもわずかに深くなるように形成されており、下段座ぐり部１２の底面１２ａからサセプタ１の主裏面側に向かい、且つ、全周に亘って略同じ角度で内側に向かって傾斜して形成された傾斜内周面部１３ａと、この傾斜内周面部１３ａの下端からサセプタ１の主裏面に亘って、曲面状に形成された曲面状内周面部１３ｂとを有している。
【００２９】
曲面状内周面部１３ｂは、サセプタ１の主表面側から主裏面側に向かってサセプタ１に対し水平方向の断面直径が漸次小さくなるとともに、図３のような断面図において、サセプタ１に向かって凸形状になるように形成されている。具体的には、曲面状内周面部１３ｂの曲率は、リフトピン頭部４２の球体Ｓの一部をなす曲面状外周面部４２ｃの曲率と略等しくなるように形成されている。即ち、曲面状内周面部１３ｂには、リフトピン頭部４２の曲面状外周面部４２ｃに面接触可能な帯状の面接触領域Ｒが形成されている。
【００３０】
また、リフトピン受部１３１の傾斜内周面部１３ａ及び曲面状内周面部１３ｂは、研磨加工が施されている。ここで、研磨精度は、例えば表面粗さ８μｍ以下であることが好ましい。
【００３１】
上記のように構成された貫通孔１３及びリフトピン４は、サセプタ支持部材３の上方向に対する移動に伴ってサセプタ１が上方向に移動して、リフトピン受部１３１内にリフトピン頭部４２が没入されることとなって、これにより、例えば、図４に示すように、リフトピン受部１３１にリフトピン頭部４２が係合される。このとき、リフトピン受部１３１の曲面状内周面部１３ｂの面接触領域Ｒには、リフトピン頭部４２の曲面状外周面部４２ｃが略隙間なく面接触した状態となる。
【００３２】
次に、上記のように構成された気相成長装置１００によるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法について説明する。
【００３３】
ここで、シリコンエピタキシャル層の気相成長に用いられるシリコン単結晶ウェーハＷは、その両主面に、鏡面加工が施されている。
そして、このシリコン単結晶ウェーハＷを洗浄し、両主面に自然酸化膜が形成された状態で、反応容器２内に投入して、サセプタ１の座ぐり１０内にシリコン単結晶ウェーハＷを載置する（図１参照）。
なお、座ぐり１０内にシリコン単結晶ウェーハＷを載置する方法は、従来と同様の方法であり、その説明を省略する。
【００３４】
そして、シリコンエピタキシャル層の気相成長工程の前に、加熱装置５により反応容器２内を加熱してシリコン単結晶ウェーハＷの主表面に形成された自然酸化膜を水素ガスによりエッチングして除去する水素熱処理工程を行う。
このとき、貫通孔１３のリフトピン受部１３１には、その曲面状内周面部１３ｂに曲面状外周面部４２ｃを略隙間なく面接触させるようにしてリフトピン頭部４２が係合されているので、反応容器２内の加熱によってサセプタ１が変形することでリフトピン受部１３１とリフトピン頭部４２との接触状態が変化しても、リフトピン頭部４２の曲面状外周面部４２ｃとリフトピン受部１３１の曲面状内周面部１３ｂとの間に隙間が生じることが抑制できる。これにより、水素ガスがリフトピン受部１３１とリフトピン頭部４２との隙間を通り抜けて、下段座ぐり部１２の底面１２ａと座ぐり１０に載置されたシリコン単結晶ウェーハＷとの隙間に回り込むことを防止することができる。
【００３５】
その後、シリコン単結晶ウェーハＷの主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程を行うことにより、シリコンエピタキシャルウェーハを製造する。
【００３６】
以上のように、本実施の形態によれば、シリコン単結晶ウェーハＷに水素によるエッチング処理等を施してもシリコン単結晶ウェーハＷの主裏面に形成された自然酸化膜が局部的にエッチングされ難くなるので、その後、シリコンエピタキシャル層を気相成長することによりシリコン単結晶ウェーハＷの主裏面、特に、主裏面のリフトピン頭部４２に対向する部分に微小な凹凸が生じるのを抑制でき、主裏面に鏡面加工が施されている場合でも、集光灯下で曇りが観察されなくなる。
【００３７】
また、リフトピン頭部４２の曲面状外周面部４２ｃは、球体Ｓの一部をなす形状に形成され、リフトピン受部１３１の曲面状内周面部１３ｂは、リフトピン頭部４２の曲面状外周面部４２ｃに面接触可能な帯状の面接触領域Ｒを有してなるので、リフトピン受部１３１の曲面状内周面部１３ｂの面接触領域Ｒにリフトピン頭部４２の曲面状外周面部４２ｃが略隙間なく面接触した状態となり、リフトピン頭部４２とリフトピン受部１３１との密着性を高めることができる。
さらに、リフトピン受部１３１の曲面状内周面部１３ｂ及びリフトピン頭部４２の曲面状外周面部４２ｃは、研磨が施されているので、リフトピン頭部４２とリフトピン受部１３１との密着性をさらに高めることができる。
【００３８】
なお、上記第一の実施の形態では、リフトピン受部１３１として、リフトピン頭部４２の曲面状外周面部４２ｃに面接触可能な帯状の面接触領域Ｒを有する曲面状内周面部１３ｂが形成されたものを例示したが、これに限られるものではなく、サセプタ１の主表面側から主裏面側に向かってサセプタ１に対し水平方向の断面直径が漸次小さくなるとともに当該リフトピン受部１３１のサセプタ方向に凸形状となるように曲面状に形成された内周面部を有するものであれば如何なる構成のものであっても良い。
【００３９】
［第二の実施の形態］
第二の実施の形態の気相成長装置では、図５に示すように、貫通孔１１３に、下段座ぐり部１２の底面１２ａからサセプタ１の主裏面側に向かって略垂直に、且つ、略同じ深さに形成された上側垂直内周面部１３ｃと、この上側垂直内周面部１３ｃの下端からサセプタ１の主裏面側に向かい、且つ、全周に亘って略同じ角度で内側に向かって傾斜して形成されたテーパ状の傾斜内周面部１３ｄと、この傾斜内周面部１３ｄの下端からサセプタ１の主裏面に亘って略垂直に、且つ、略同じ深さに形成された下側垂直内周面部１３ｅとを有するリフトピン受部１１３１が形成されている。
一方、リフトピン４は、上記第一の実施の形態と同様の構成となっており、曲面状外周面部４２ｃを有するリフトピン頭部４２ａが形成されている。
【００４０】
従って、第二の実施の形態の気相成長装置によれば、リフトピン頭部４２は曲面状外周面部４２ｃを有してなるので、上記第一の実施の形態と同様に、リフトピン頭部４２とリフトピン受部１１３１との間に隙間が生じることが抑制できることとなって、シリコン単結晶ウェーハＷの主裏面に形成された自然酸化膜が局部的にエッチングされ難くすることができる。
【００４１】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることはなく、例えば、リフトピン頭部４２は、少なくとも、軸部４１に向かってサセプタ１に対し水平方向の断面直径が漸次小さくなるとともに当該リフトピン頭部４２の外方に膨らむように曲面状に形成された外周面部を有するものであれば如何なる構成であっても良い。
また、リフトピン頭部４２の曲面状外周面部４２ｃ及びリフトピン受部１３１の曲面状内周面部１３ｂに研磨を施すようにしたが、研磨を施すか否かは適宜任意に変更可能となっている。
さらに、上記実施の形態では、シリコン単結晶ウェーハＷの主表面の自然酸化膜を除去するエッチング処理においては、水素の他に塩化水素を用いても良く、この場合であっても、塩化水素ガスによってシリコン単結晶ウェーハＷの主裏面の自然酸化膜が局部的にエッチングされることを防止することができる。
【００４２】
また、上段座ぐり部１１と下段座ぐり部１２とを有する座ぐり１０が形成されたサセプタ１について説明したが、座ぐり１０の形状は、これに限られるものではなく、シリコン単結晶ウェーハＷを載置可能な形状であれば座ぐり１０の形状は如何なるものであっても良い。
さらに、シリコンエピタキシャルウェーハを製造する装置として枚葉式の気相成長装置１００を例示したが、これに限られるものではなく、バッチ式の気相成長装置であっても良い。
【実施例１】
【００４３】
Ｐ型＜１００＞３００ｍｍφの両面研磨されたシリコン単結晶ウェーハを２０枚準備し、そのうちの１０枚の主表面に本発明における第一の実施の形態の気相成長装置を用いて、厚さ５μｍのシリコンエピタキシャル層を気相成長させた。エピタキシャル成長後のウェーハの主裏面を集光灯下で観察したが、曇りの発生しているウェーハはなかった。
【００４４】
［比較例１］
実施例１で使用したシリコン単結晶ウェーハのうち、残りの１０枚のものの主表面に従来の気相成長装置を用いて厚さ５μｍのシリコンエピタキシャル層を気相成長させた。エピタキシャル成長後のウェーハの主裏面を集光灯下にて観察したところ、全数のウェーハにおいて曇りが観察された。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明が適用された第一の実施の形態として例示する気相成長装置を示す模式的な正面断面図である。
【図２】図１の気相成長装置に係るリフトピンの好適な一例を示す正面拡大断面図である。
【図３】図１の気相成長装置に係る貫通孔の好適な一例を示す正面拡大断面図である。
【図４】図１の気相成長装置に係る貫通孔とリフトピンとの係合状態を示す正面拡大断面図である。
【図５】本発明が適用された第二の実施の形態として例示する気相成長装置に係る貫通孔とリフトピンとの係合状態を示す正面拡大断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１            サセプタ
４            リフトピン
１０          座ぐり
１３、１１３  貫通孔
１３１、１１３１  リフトピン受部
１３ｂ        曲面状内周面部（内周面部）
４１          軸部
４２          リフトピン頭部
４２ｃ        曲面状外周面部（外周面部）
１００        気相成長装置
Ｒ            面接触領域
Ｓ            球体
【図１】
2005311108.tif 000003
【図２】
2005311108.tif 000004
【図３】
2005311108.tif 000005
【図４】
2005311108.tif 000006
【図５】
2005311108.tif 000007