(57)【要約】【課題】  積層体への導体の配置の仕方を工夫することにより、アンテナ切換回路と受信回路または送信回路とのインピーダンスの不整合を解消する。【解決手段】  アンテナ切換モジュール１０では、積層体１００の表面に、ＳＡＷフィルタ素子１２１の端子とインピーダンス整合用のインダクタ１４１Ａの端子とを導通させる端子パッドＰＬ６２ａ，ＰＬ６２ｂ、ＰＳ２ａ，ＰＳ２ｂと、ＳＡＷフィルタ素子１２２の端子とインピーダンス整合用のインダクタ１４１Ｂの端子とを導通させる端子パッドＰＬ６３ａ，ＰＬ６３ｂ、ＰＳ３ａ，ＰＳ３ｂが設けられている。これらの端子パッドＰＬ６２ａ，ＰＬ６２ｂ、ＰＳ２ａ，ＰＳ２ｂ、ＰＬ６３ａ，ＰＬ６３ｂ、ＰＳ３ａ，ＰＳ３ｂは、各端子パッドを積層体１００の積層方向に投影した範囲において、該積層体１００の内部に形成されたグランドパターン１９７，１９８，１９９以外の導体パターンと重ならいように形成されている。【選択図】  図４
2005311929.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体セラミック層を積層した積層体に、通信周波数帯域の異なる複数の通信システムのそれぞれに対応する送信回路および受信回路と通信電波の送受信を行なうアンテナとの接続を切り換えるアンテナ切換回路の少なくとも一部を形成したアンテナ切換モジュールであって、
前記アンテナ切換回路は、
一の前記通信システムに対応する送信回路，受信回路のそれぞれに接続される送信端子，受信端子と、
該送信端子または該受信端子に接続され、特定の周波数帯域の信号を通過させるフィルタ回路と、
前記送信端子または前記受信端子と前記フィルタ回路との間に配置されたインピーダンス整合回路と
を備え、
前記積層体の表面には、前記フィルタ回路を形成したフィルタ素子の端子と前記インピーダンス整合回路を形成した導体とを導通させる端子パッドが設けられており、
前記端子パッドは、該端子パッドを前記積層体の積層方向に投影した範囲において、該積層体の内部に形成されたグランドパターン以外の導電パターンと重ならないように配置されている
アンテナ切換モジュール。
【請求項２】
前記インピーダンス整合回路を形成した素子がインダクタである請求項１に記載のアンテナ切換モジュール。
【請求項３】
前記インピーダンス整合回路を形成した素子がコンデンサである請求項１に記載のアンテナ切換モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体セラミック層を積層した積層体にアンテナ切換回路の少なくとも一部を形成する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の移動体通信機器には、通信周波数帯域の異なる複数の通信システムにおいて通信が可能な、いわゆるマルチバンド対応の通信機器が知られている。マルチバンド対応の通信機器は、通信周波数帯域の異なる複数の通信システムのそれぞれに対応した送信回路および受信回路と、通信電波の送受信を行うアンテナと、これら複数の送信回路および受信回路とアンテナとの接続を切り換えるアンテナ切換回路を形成するアンテナ切換モジュールとを備える。
【０００３】
アンテナ切換モジュールとしては、小型化・高集積化を図るため、誘電体セラミックス層を積層した積層体にアンテナ切換回路を形成したものが知られている。こうしたアンテナ切換回路には、特定の周波数帯域の信号を通過させるフィルタ回路と受信端子との間にインダクタを設け、このインダクタによって、アンテナ切換回路と受信回路とのインピーダンスの整合を図るものがあった。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１４２９８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の従来の技術では、積層体におけるインダクタと他の導体との位置関係については特に限定がなく、例えば、フィルタ回路とインダクタとを接続する配線の上下に、電源線や信号線，コイル（インダクタ），コンデンサの導電パターンを配置することも可能であるが、このように配置した場合には、フィルタ回路とインダクタとを接続する配線が、上下の導電パターンのインピーダンスの影響を受け易くなり、インダクタによるインピーダンスの整合が正確に行なえないおそれがあった。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決し、積層体への導体の配置の仕方を工夫することにより、アンテナ切換回路と受信回路または送信回路とのインピーダンスの不整合を解消することを目的として、以下の構成を採った。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のアンテナ切換モジュールは、誘電体セラミック層を積層した積層体に、通信周波数帯域の異なる複数の通信システムのそれぞれに対応する送信回路および受信回路と通信電波の送受信を行なうアンテナとの接続を切り換えるアンテナ切換回路の少なくとも一部を形成したアンテナ切換モジュールであって、
前記アンテナ切換回路は、
一の前記通信システムに対応する送信回路，受信回路のそれぞれに接続される送信端子，受信端子と、
該送信端子または該受信端子に接続され、特定の周波数帯域の信号を通過させるフィルタ回路と、
前記送信端子または前記受信端子と前記フィルタ回路との間に配置されたインピーダンス整合回路と
を備え、
前記積層体の表面には、前記フィルタ回路を形成したフィルタ素子の端子と前記インピーダンス整合回路を形成した導体とを導通させる端子パッドが設けられており、
前記端子パッドは、該端子パッドを前記積層体の積層方向に投影した範囲において、該積層体の内部に形成されたグランドパターン以外の導電パターンと重ならないように配置されていることを要旨とする。
【０００８】
本発明のアンテナ切換モジュールによれば、積層体に形成されたアンテナ切換回路には、一の前記通信システムに対応する送信回路，受信回路のそれぞれに接続される送信端子，受信端子と、該送信端子または該受信端子に接続され、特定の周波数帯域の信号を通過させるフィルタ回路と、送信端子または受信端子とフィルタ回路との間に配置されたインピーダンス整合回路とが含まれている。こうした各回路を含むアンテナ切換モジュールでは、積層体の表面には、フィルタ回路を形成したフィルタ素子の端子とインピーダンス整合回路を形成した導体とを導通させる端子パッドが設けられており、この端子パッドは、該端子パッドを積層体の積層方向に投影した範囲において、該積層体の内部に形成されたグランドパターン以外の導電パターンと重ならいように形成されている。このため、フィルタ素子の端子とインピーダンス整合回路を形成した導体とを導通させる端子パッドが、上下の導電パターンの影響を受けにくくなる。従って、インピーダンス整合回路によるアンテナ切換回路と送信回路または受信回路とのインピーダンスマッチングを正確に行なうことができる。なお、上記のインピーダンス整合回路を形成した素子としては、インダクタやコンデンサなどを考えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以上説明した本発明の構成および作用を一層明らかにするために、以下本発明を適用したアンテナ切換モジュールについて、次の順序で説明する。
【００１０】
Ａ．実施例（トリプルバンド）
Ａ−（１）．アンテナ切換モジュール１０の構造
Ａ−（２）．アンテナ切換モジュール１０の回路構成
Ａ−（３）．積層体１００を構成する各層の構造
Ａ−（４）．アンテナ切換モジュール１０の製造方法
Ｂ．その他の実施形態
【００１１】
Ａ．実施例（トリプルバンド）：
本発明の実施例であるアンテナ切換モジュール１０は、ＥＧＳＭ(Extended Global System for Mobile Communications)，ＤＣＳ(Digital Communication System)，ＰＣＳ(Personal Communication Service)の３つの通信システムに準拠した、いわゆるトリプルバンドの携帯電話に搭載されるモジュールである。
【００１２】
Ａ−（１）．アンテナ切換モジュール１０の構造：
アンテナ切換モジュール１０の構造について説明する。図１は、アンテナ切換モジュール１０の外観構造を示す斜視図である。アンテナ切換モジュール１０は、携帯電話における通信周波数の異なる複数の通信システムと、通信電波の送受信を行なうアンテナとの間に実装されるモジュールである。このアンテナ切換モジュール１０は、誘電体セラミックス（ガラスセラミック）層を積層した四角柱状の積層体１００を備える。積層体１００のガラスセラミック層は、アルミナを基調としたガラスセラミック材料から成る。本実施例では、１５枚のガラスセラミック層を積層することによって１つの積層体１００を構成している。なお、積層体１００の積層面の一辺は、５ミリメートル（以下、ｍｍと表記する）程度である。
【００１３】
積層体１００の各層には、その表面に導体パターンが設けられると共に、各層間の導通を図るためのビア電極が設けられている。この導体パターンやビア電極は、銀を主成分とした導体材料から成る。更に、積層体１００の最上層表面の導体パターン上には実装部品が実装される。この導体パターン，ビア電極および実装部品によって、積層体１００には、携帯電話における複数の通信システムのそれぞれに対応した送信回路および受信回路とアンテナとの接続を切り換えるアンテナ切換回路ＡＣ１が形成されている。なお、積層体１００の各層の詳細構造については後述する。
【００１４】
積層体１００の最上層表面には、実装部品として、アンテナ切換回路ＡＣ１を形成するＳＡＷ(Surface Acoustic Wave)フィルタ素子１２１，１２２、ダイオード１３１，インダクタ１４１，抵抗器１５１，コンデンサ１５５などの種々のチップ部品が実装されている。これら実装部品の上部は、積層体１００の最上面に半田付けによって装着された導体金属製のシールドキャップ１６０によって覆われている。シールドキャップ１６０は、積層体１００の最上面に装着された際に、積層体１００の最上面に設けられたグランドパターン１９５，１９６（図２（Ａ）を参照）から積層体１００の各層を介してグランドに接続される。
【００１５】
図２はアンテナ切換モジュール１０の上面、底面、断面を示す説明図である。図２（Ａ）は、シールドキャップ１６０が装着される積層体１００の最上面を表わしている。この積層体１００の最上面は、最上層である第１５層の上面によって形成される。図２（Ｂ）はアンテナ切換モジュール１０の底面を表わしている。この積層体１００の底面は、最下層である第１層の下面によって形成される。図２（Ｃ）は、シールドキャップ１６０装着後の積層体１００（アンテナ切換モジュール１０）を、図２（Ａ）に示す２Ｃ−２Ｃ線に沿って切断したときの概略断面を表わしている。
【００１６】
図示するように、積層体１００の最上面の周縁には、その一部（短辺側）に、グランドに接続されるグランドパターン１９５，１９６が設けられている。このグランドパターン１９５，１９６上にシールドキャップ１６０が装着される。
【００１７】
一方、積層体１００の最上面の周縁よりも内側の領域には、既述したように、ＳＡＷフィルタ素子１２１，１２２、ダイオード１３１、インダクタ１４１Ａ，１４１Ｂ、抵抗器１５１、コンデンサ１５５などの実装部品が実装されている。図２（Ａ）では、チップ部品としてのダイオード１３１，インダクタ１４１Ａ、１４１Ｂ，抵抗器１５１，コンデンサ１５５を、それぞれ、Ｄ，Ｌ，Ｒ，Ｃという英字で表わし、各チップ部品に相当する回路番号（図３に示す回路図を参照）を付記している。なお、ＳＡＷフィルタ素子１２１，１２２の積層体１００に装着される側の面とは反対側の面（以下、頂上面という）には、図示しない接地ラインが設けられている。図２（Ｃ）に示すように積層体１００にシールドキャップ１６０を装着すると、シールドキャップ１６０の天壁の裏面がＳＡＷフィルタ素子１２１，１２２の頂上面の接地ラインに接する。
【００１８】
図２（Ｂ）に示すように、積層体１００の最下層表面には種々の接続端子として、アンテナに接続されるアンテナ端子ＡＮＴの他、ＥＧＳＭ系に関する接続端子としては、ＥＧＳＭ系の送信回路に接続される送信端子ＴＸ２と、ＥＧＳＭ系の受信回路に接続される受信端子ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂと、ＥＧＳＭ系の送受信経路の切換を制御する制御回路に接続される制御端子ＶＣ２と、グランドに接続されるグランド端子ＧＮＤとが設けられている。ＤＣＳ／ＰＣＳ系に関する接続端子としては、ＤＣＳ／ＰＣＳ系の送信回路に接続される送信端子ＴＸ３４と、ＤＣＳ系の受信回路に接続される受信端子ＲＸ３ａ，ＲＸ３ｂと、ＰＣＳ系の受信回路に接続される受信端子ＲＸ４と、ＤＣＳ／ＰＣＳ系の送信経路の入り切り（ＯＮ／ＯＦＦ）の切換を制御する制御回路に接続される制御端子ＶＣ３４と、ＰＣＳ系の受信経路の入り切り（ＯＮ／ＯＦＦ）の切換を制御する制御回路に接続される制御端子ＶＣ４とが設けられている。これらの端子は、積層体１００の底面の互いに対向する２つの長辺に沿って、端子間の間隔をとりながら配置されている。一方の長辺側に配置された端子群と他方の長辺側に配置された端子群の間には、アンテナ切換モジュール１０が実装された際にグランドに接続されるグランドパターン１９１，１９２，１９３，１９４が設けられている。
【００１９】
Ａ−（２）．アンテナ切換モジュール１０の回路構成：
アンテナ切換モジュール１０に形成されたアンテナ切換回路ＡＣ１について説明する。図３は、アンテナ切換回路ＡＣ１を示す回路図である。アンテナ切換回路ＡＣ１は、ＥＧＳＭ系の信号経路の切換を行なうスイッチ回路ＳＷ２と、ＤＣＳ／ＰＣＳ系の信号経路の切換を行なうスイッチ回路ＳＷ３４と、スイッチ回路ＳＷ２，ＳＷ３４に対して各受信信号および各送信信号の分配を行なうダイプレクサ回路ＤＰとを主要な回路として構成されている。
【００２０】
アンテナ端子ＡＮＴとダイプレクサ回路ＤＰとを接続する信号経路には、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ１が配設されている。ローパスフィルタ回路ＬＰＦ１には、アンテナ端子ＡＮＴ側から順に、片側がグランドに接続されるコンデンサＣ１１，Ｃ１３，Ｃ１５が接続されている。コンデンサＣ１１，Ｃ１３間には、コンデンサＣ１２とコイルＬ１２とが並行して接続され、コンデンサＣ１３，Ｃ１５間には、コンデンサＣ１４とコイルＬ１４とが並行して接続され、多段のローパスフィルタ（ＬＣエリピティックフィルタ）として構成されている。このローパスフィルタ回路ＬＰＦ１は、ＤＣＳシステムの通信周波数帯域に対する二次高調波（３．４２〜３．５７ＧＨｚ）以上の信号を減衰させる。
【００２１】
ダイプレクサ回路ＤＰには、スイッチ回路ＳＷ２に接続する信号経路にローパスフィルタ回路ＬＰＦ２が配設され、スイッチ回路ＳＷ３４に接続する信号経路にハイパスフィルタ回路ＨＰＦが配設されている。
【００２２】
ローパスフィルタ回路ＬＰＦ２には、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ１側にコイルＬ２１がコンデンサＣ２１と並行して接続され、その後段は、コイルＬ２２およびコンデンサＣ２２を介してグランドに接続され、ＬＣフィルタとして構成されている。このローパスフィルタ回路ＬＰＦ２は、ＥＧＳＭシステムの通信周波数帯域（０．８８０〜０．９６０ＧＨｚ）の信号を通過させ、それよりも高い周波数の信号を減衰させる。
【００２３】
ハイパスフィルタ回路ＨＰＦには、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ１側から順に、コンデンサＣ２５，Ｃ２７が直列して接続されている。コンデンサＣ２５，Ｃ２７間は、コイルＬ２６およびコンデンサＣ２６を介してグランドに接続され、ＬＣフィルタとして構成されている。このハイパスフィルタ回路ＨＰＦは、ＤＣＳシステムおよびＰＣＳシステムの通信周波数帯域（１．７１０〜１．９９０ＧＨｚ）の信号を通過させ、それよりも低い周波数の信号を減衰させる。
【００２４】
スイッチ回路ＳＷ２における受信端子ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂ側の信号経路には、ダイプレクサ回路ＤＰ側から順に、コイルＬ３２と、片側がグラントに接続されるコンデンサＣ３１と、カソード側が、並列して接続されたコンデンサＣ３３と抵抗器Ｒ３３を介してグランド端子ＧＮＤに接続されるダイオードＤ３３とが接続されている。スイッチ回路ＳＷ２における送信端子ＴＸ２側の信号経路には、ダイプレクサ回路ＤＰ側から順に、カソード側がダイプレクサ回路ＤＰ側に接続されたダイオードＤ３５とコンデンサＣ３５およびコイルＬ３５とが並列に接続され、その後段は、コイルＬ３６を介して制御端子ＶＣ２が接続されている。コイルＬ３６と制御端子ＶＣ２の間にはコンデンサＣ３６が接続されている。このスイッチ回路ＳＷ２は、制御端子ＶＣ２に印加される制御電圧によるダイオードＤ３３，Ｄ３５のＯＮ／ＯＦＦによって、受信端子ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂ側および送信端子ＴＸ２側の信号経路の切換を行なう。
【００２５】
スイッチ回路ＳＷ２と受信端子ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂとの間の信号経路には、スイッチ回路ＳＷ２側から順に、平衡型のＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２と、インダクタＬ６２とが接続されている。インダクタＬ６２は、受信端子ＲＸ２ａに向かう信号経路と受信端子ＲＸ２ｂに向かう信号経路との間に接続されている。ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２は、ＥＧＳＭシステムの受信周波数帯域（０．９２５〜０．９６０ＧＨｚ）の信号を通過させ、それ以外の周波数の信号を減衰させる。なお、本実施例では、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２は、チップ部品としてのＳＡＷフィルタ素子１２１に形成されている。また、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２と受信端子ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂの間の信号経路にインダクタＬ６２を配置することにより、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２の後段に、出力側回路であるアンテナ切換回路ＡＣ１と入力側回路であるＥＧＳＭ系の受信回路との間のインピーダンスの整合（インピーダンスマッチング）を行なうインピーダンス整合回路が形成されている。なお、本実施例では、インピーダンス整合回路として機能するインダクタＬ６２は、チップ部品としてのインダクタ１４１Ａに形成されている（図２（Ａ）を参照）。
【００２６】
スイッチ回路ＳＷ２と送信端子ＴＸ２とを接続する信号経路には、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ３が配設されている。ローパスフィルタ回路ＬＰＦ３には、スイッチ回路ＳＷ２側から順に、片側がグランドに接続されるコンデンサＣ４１，Ｃ４３が接続され、コンデンサＣ４１，Ｃ４３間には、コンデンサＣ４２とコイルＬ４２とが並列して接続され、ローパスフィルタ（ＬＣエリピティックフィルタ）として構成されている。このローパスフィルタ回路ＬＰＦ３は、ＥＧＳＭシステムの送信周波数帯域（０．８８０〜０．９１５ＧＨｚ）の信号を通過させ、それよりも高い周波数の信号を減衰させる。
【００２７】
スイッチ回路ＳＷ３４における受信端子ＲＸ３ａ，ＲＸ３ｂ側の信号経路には、ダイプレクサ回路ＤＰ側から順に、コイルＬ５１が接続され、その後段は、カソード側がコンデンサＣ５３を介してグランドに接続されるダイオードＤ５２が接続され、ダイオードＤ５２とコンデンサＣ５３との間は、片側がグランドに接続される抵抗器Ｒ５３が接続されている。スイッチ回路ＳＷ３４における受信端子ＲＸ４側の信号経路には、ダイプレクサ回路ＤＰ側から順に、カソード側がダイプレクサ回路ＤＰ側に接続されたダイオードＤ５４と、コンデンサＣ５４およびコイルＬ５４とが並列に接続され、その後段は、コイルＬ５５を介して制御端子ＶＣ４が接続されている。コイルＬ５５と制御端子ＶＣ４の間にはコンデンサＣ５５が接続されている。このスイッチ回路ＳＷ３４は、制御端子ＶＣ４に印加される制御電圧によって、受信端子ＲＸ４側の信号経路の入り切り（ＯＮ／ＯＦＦ）の切換を行なう。
【００２８】
スイッチ回路ＳＷ３４における送信端子ＴＸ３４側の信号経路には、ダイプレクサ回路ＤＰ側から順に、カソード側がダイプレクサ回路ＤＰ側に接続されたダイオードＤ５７と、コンデンサＣ５７およびコイルＬ５７とが並列に接続され、その後段は、コイルＬ５８を介して制御端子ＶＣ３４が接続されている。コイルＬ５８と制御端子ＶＣ３４の間にはコンデンサＣ５８が接続されている。このスイッチ回路ＳＷ３４は、制御端子ＶＣ３４に印加される制御電圧によって、送信端子ＴＸ３４側の信号経路の入り切り（ＯＮ／ＯＦＦ）の切換を行なう。
【００２９】
スイッチ回路ＳＷ３４と受信端子ＲＸ３ａ，ＲＸ３ｂとを接続する信号経路には、スイッチ回路ＳＷ３４側から順に、平衡型のＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ３と、インダクタＬ６３とが接続されている。インダクタＬ６３は、受信端子ＲＸ３ａに向かう信号経路と受信端子ＲＸ３ｂに向かう信号経路との間に接続されている。ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ３は、ＤＣＳシステムの受信周波数帯域（１．８０５〜１．８８０ＧＨｚ）の信号を通過させ、それ以外の周波数の信号を減衰させる。なお、本実施例では、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ３は、チップ部品としてのＳＡＷフィルタ素子１２２に形成されている。また、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ３と受信端子ＲＸ３ａ，ＲＸ３ｂの間の信号経路にインダクタＬ６３を配置することにより、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ３の後段に、出力側回路であるアンテナ切換回路ＡＣ１と入力側回路であるＤＣＳ系の受信回路との間のインピーダンスの整合（インピーダンスマッチング）を行なうインピーダンス整合回路が形成されている。なお、本実施例では、インピーダンス整合回路として機能するインダクタＬ６３は、チップ部品としてのインダクタ１４１Ｂに形成されている（図２（Ａ）を参照）。
【００３０】
スイッチ回路ＳＷ３４と受信端子ＲＸ４とを接続する信号経路には、平衡型のＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ４が接続され、受信端子ＲＸ４ａ，ＲＸ４ｂ間には、インダクタＬ６４が接続されている。このＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ４は、ＰＣＳシステムの受信周波数帯域（１．９３０〜１．９９０ＧＨｚ）の信号を通過させ、それ以外の周波数の信号を減衰させる。なお、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ３，ＳＡＷ４は、ＳＡＷフィルタ素子１２２に形成されている。
【００３１】
これらの回路構成によって、アンテナ切換回路ＡＣ１は、制御端子ＶＣ２，ＶＣ３４，ＶＣ４の各制御電圧に基づいて、ＥＧＳＭ，ＤＣＳ，ＰＣＳの３つのシステムの各送受信系と１つのアンテナとの間における信号経路の切換を行なうことができる。
【００３２】
Ａ−（３）．積層体１００を構成する各層の構造：
積層体１００を構成する１５の各層の構造について説明する。図４は積層体１００の最上層である第１５層から第１０層までの各層の上面を示す説明図であり、図５は積層体１００の第９層から第４層までの各層の上面を示す説明図であり、図６は積層体１００の第３層から最下層である第１層までの各層の上面を示す説明図である。積層体１００は、第１層から第２層、第３層、・・・、第１５層の順に、上面を上に向けて積層される。第１５層の上面に実装部品が実装されることにより、図２（Ａ）に示したアンテナ切換モジュール１０の上面が形成される。また、第１層の下面は、図２（Ｂ）に示したアンテナ切換モジュール１０の底面に相当する。なお、図４ないし図６では、導体パターン，ビア電極を、それぞれ、右上がりの斜線ハッチング，右下がりの斜線ハッチングで表わすと共に、導体パターンの下に位置するビア電極の図示を省略している。
【００３３】
図４（Ａ）に示すように、第１５層の表面には、図２（Ａ）に示した各種の実装部品の端子と導通される導体パターンが形成されている。この導体パターンには、ＥＧＳＭ系の受信回路との間のインピーダンス整合回路を形成したインダクタ１４１Ａの端子およびＳＡＷフィルタ素子１２１の端子に接続される端子パッド１１１，１１２と、ＤＣＳ系の受信回路との間のインピーダンス整合回路を形成したインダクタ１４１Ｂの端子およびＳＡＷフィルタ素子１２２の端子に接続される端子パッド１１３，１１４とが含まれている。図４ないし図６，図２（Ｂ）に示すように、端子パッド１１１，１１２は、積層体１００内部の各層を介して、積層体１００の底面の受信端子ＲＸ２ｂ，ＲＸ２ａに接続されている。また、端子パッド１１３，１１４は、積層体１００内部の各層を介して、積層体１００の底面の受信端子ＲＸ３ｂ，ＲＸ３ａに接続されている。
【００３４】
こうした第１５層の上面にオーバコート材１１０がコーティングされたときの様子を図７に示した。なお、図７では、オーバコート材１１０に覆われた導体パターンを破線で表わすと共に、ＳＡＷフィルタ素子１２１，１２２、インダクタ１４１Ａ，１４１Ｂが実装される位置を二点鎖線で表わしている。図７に示すように、オーバコート材１１０が第９層の表面にコーティングされると、第９層の表面に形成されている導体パターンの一部がオーバコート材１１０の開口部から露出した状態となる。この導体パターンのうちの端子パッドが露出した部分に、図２（Ａ）に示した各種の実装部品の端子が半田付けによって実装される。こうした開口部から露出した端子パッドには、図７に示すように、インダクタ１４１Ａの端子が装着される端子パッドＰＬ６２ａ，ＰＬ６２ｂと、ＳＡＷフィルタ素子１２１の端子が装着される端子パッドＰＳ２ａ，ＰＳ２ｂと、インダクタ１４１Ｂの端子が装着される端子パッドＰＬ６３ａ，ＰＬ６３ｂと、ＳＡＷフィルタ素子１２２の端子が装着される端子パッドＰＳ３ａ，ＰＳ３ｂとが含まれている。
【００３５】
図４（Ｂ）〜図４（Ｆ）、図５および図６に一点鎖線で示した投影領域ＡＲは、端子パッドＰＳ２ａ，ＰＬ６２ｂを含む端子パッド１１１、端子パッドＰＳ２ｂ，ＰＬ６２ａを含む端子パッド１１２、端子パッドＰＳ３ａ，ＰＬ６３ｂを含む端子パッド１１３、および端子パッドＰＳ３ｂ，ＰＬ６３ａを含む端子パッド１１４のそれぞれを、より下層に向けて真っ直ぐに投影したときに、投影後の各パターンが第１４層、第１３層、・・・、第１層の各層において占める領域を表わしている。図示するように、投影領域ＡＲは、第１４層から第４層の各層においては導体パターンと重ならず、第３層から第１層の各層においてグランドパターン１９７，１９８，１９９と重なっている。
【００３６】
Ａ−（４）．アンテナ切換モジュール１０の製造方法：
アンテナ切換モジュール１０の製造方法について説明する。図８は、アンテナ切換モジュール１０の製造工程の概略を示す説明図である。アンテナ切換モジュール１０を製造する際には、始めに、誘電体材料の一つである低温焼成可能なガラスセラミックス材料から成るグリーンシートを複数用意する（工程Ｓ１１０）。グリーンシートの大きさは、複数個分の積層体１００の大きさである。
【００３７】
その後、各グリーンシートに、積層体１００の隣接する各層を導通させるスルーホールと、アンテナ切換回路ＡＣ１を形成する導体パターンとを、積層体１００の各層に対応させて形成する（工程Ｓ１２０）。スルーホールについては、スルーホールを形成する箇所に穴を開けた後、その穴に導体ペーストを充填させることによってビア電極を形成する。導体パターンについては、グリーンシートの表面に導体ペーストを印刷することによって形成する。なお、本実施例の導体ペーストの材料は、銀を主体とする材料を用いる。この工程において、積層体１００の各層に対応するグリーンシートには、既述した種々の接続端子や端子パッド１１１〜１１４、グランドパターン１９１〜１９９となる導体パターンが形成される。
【００３８】
導体パターンおよびビア電極を形成した後（工程Ｓ１２０）、積層体１００の各層の導体パターンおよびビア電極が形成されたグリーンシートを、積層体１００における各層の並びの順で積層する（工程Ｓ１３０）。この工程において、第１５層に対応するグリーンシートには、既述したオーバコート材１１０がコーティングされる。オーバコート材１１０は、第１５層と同様のアルミナを基調としたガラスセラミック材料から成る。
【００３９】
こうしてグリーンシートを積層した後（工程Ｓ１３０）、積層したグリーンシートを焼成する（工程Ｓ１４０）。その後、焼成したグリーンシートにおける各積層体１００の表面に現れている導体パターンにニッケル−金メッキを施し（工程Ｓ１５０）、積層体１００の最上層表面に、ＳＡＷフィルタ素子１２１，１２２やインダクタ１４１Ａ，１４１Ｂ等の実装部品やシールドキャップ１６０を半田付けする（工程Ｓ１６０）。その後、各積層体１００を形成する個片毎に分割することで（工程Ｓ１７０）、アンテナ切換モジュール１０が完成する。
【００４０】
以上説明した本実施例のアンテナ切換モジュール１０によれば、積層体１００の表面に、ＳＡＷフィルタ素子１２１の端子とインピーダンス整合用のインダクタ１４１Ａの端子とを導通させる端子パッドＰＬ６２ａ，ＰＬ６２ｂ、ＰＳ２ａ，ＰＳ２ｂと、ＳＡＷフィルタ素子１２２の端子とインピーダンス整合用のインダクタ１４１Ｂの端子とを導通させる端子パッドＰＬ６３ａ，ＰＬ６３ｂ、ＰＳ３ａ，ＰＳ３ｂが設けられている。これらの端子パッドＰＬ６２ａ，ＰＬ６２ｂ、ＰＳ２ａ，ＰＳ２ｂ、ＰＬ６３ａ，ＰＬ６３ｂ、ＰＳ３ａ，ＰＳ３ｂは、各端子パッドを積層体１００の積層方向に投影した範囲において、該積層体１００の内部に形成されたグランドパターン１９７，１９８，１９９以外の導体パターンと重ならいように形成されている。このため、端子パッドＰＬ６２ａ，ＰＬ６２ｂ、ＰＳ２ａ，ＰＳ２ｂ、ＰＬ６３ａ，ＰＬ６３ｂ、ＰＳ３ａ，ＰＳ３ｂが、上下の導体パターンのインピーダンスの影響を受けにくくなる。従って、インピーダンス整合回路によるアンテナ切換回路ＡＣ１と送信回路または受信回路とのインピーダンスマッチングを正確に行なうことができる。
【００４１】
Ｂ．その他の実施形態：
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこうした実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。例えば、アンテナ切換モジュールが対応する通信システムは、トリプルバンドに限るものではなく、デュアルバンドやクワッドバンド、更に５つ以上の通信方式に対応するものに適用できることは勿論である。また、各接続端子の並設の順序は、実施例の順序に限定ものではなく、本発明の範囲を逸脱しない範囲で適宜変更することができる。また、並設された送信端子と受信端子との間のグランドパターンや各接続端子の形状・大きさは、実施例のものに限定するものではなく、円形や多角形など種々の態様を採ることができる。また、各接続端子やグランドパターンを、積層工程前のグリーンシートに形成するのではなく、焼成後に形成することとしても良い。また、本実施例では、ダイオードを用いて構成されたスイッチ回路を用いたが、ＧａＡｓ（ガリウム・ヒ素）スイッチを用いて構成されたスイッチ回路を採用することも可能である。
【００４２】
上記実施例では、インピーダンス整合用のインダクタＬ６２を、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２から受信端子ＲＸ２ａに向かう信号経路とＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２から受信端子ＲＸ２ｂに向かう信号経路との間に並列に接続したが、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２から受信端子ＲＸ２ａに向かう信号経路に直列に接続してもよく、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２から受信端子ＲＸ２ｂに向かう信号経路に直列に接続してもよい。インピーダンス整合用のインダクタＬ６３についても、上記のインダクタＬ６２と同様に、直列に接続することができる。更に、上記実施例では、受信端子ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂ，ＲＸ３ａ，ＲＸ３ｂに接続される信号経路にインピーダンス整合回路を設けたが、送信端子ＴＸ２，ＴＸ３４に接続される信号経路にインピーダンス整合回路を設けることも可能である。
【００４３】
上記実施例では、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２と受信端子ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂの間、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ３と受信端子ＲＸ３ａ，ＲＸ３ｂの間の信号経路に、それぞれ、チップ部品としてのインダクタ１４１Ａ、インダクタ１４１Ｂを配置することによってインピーダンス整合回路を形成したが、こうしたインダクタ１４１Ａ，１４１Ｂに換えて、チップ部品としてのコンデンサや抵抗を配置することによってインピーダンス整合回路を形成することも可能である。また、上記のインピーダンス整合回路を、チップ部品ではなく、インダクタやコンデンサ等として機能する導体パターンを用いて形成することも可能である。
【００４４】
更に、上記実施例では、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ１、ダイプレクサ回路ＤＰ、スイッチ回路ＳＷ２、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ３、スイッチ回路ＳＷ３４、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ３から構成されるアンテナ切換回路ＡＣ１を１つの積層体１００に形成したが、上記のアンテナ切換回路ＡＣ１を構成する一部の回路のみを１つの積層体に形成することとしても差し支えない。この場合には、上記の各回路を複数の積層体に分けて形成しておき、積層体同士を導通可能に接続すれば、上記実施例のアンテナ切換モジュール１０と同様の機能を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施例であるアンテナ切換モジュール１０の外観構造を示す斜視図である。
【図２】アンテナ切換モジュール１０の上面、底面、断面を示す説明図である。
【図３】アンテナ切換回路ＡＣ１を示す回路図である。
【図４】積層体１００の最上層である第１５層から第１０層までの各層の上面を示す説明図である。
【図５】積層体１００の第９層から第４層までの各層の上面を示す説明図である。
【図６】積層体１００の第３層から最下層である第１層までの各層の上面を示す説明図である。
【図７】オーバコート材１１０がコーティングされた第１５層の上面の一部を示す説明図である。
【図８】アンテナ切換モジュール１０の製造工程の概略を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０...アンテナ切換モジュール
１００...積層体
１１０...オーバコート材
１１１〜１１４...端子パッド
１２１，１２２...ＳＡＷフィルタ素子
１３１...ダイオード
１４１，１４１Ａ，１４１Ｂ...インダクタ
１５１...抵抗器
１５５...コンデンサ
１６０...シールドキャップ
１９１〜１９９...グランドパターン
ＡＣ１...アンテナ切換回路
ＡＮＴ...アンテナ端子
ＡＲ...投影領域
ＤＰ...ダイプレクサ回路
ＧＮＤ...グランド端子
ＨＰＦ...ハイパスフィルタ回路
ＬＰＦ１，ＬＰＦ２，ＬＰＦ３...ローパスフィルタ回路
ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂ，ＲＸ３ａ，ＲＸ３ｂ，ＲＸ４...受信端子
ＰＬ６２ａ，ＰＬ６２ｂ、ＰＬ６３ａ，ＰＬ６３ｂ、ＰＳ２ａ，ＰＳ２ｂ、ＰＳ３ａ，ＰＳ３ｂ...端子パッド
ＳＡＷ２,ＳＡＷ３...ＳＡＷフィルタ回路
ＳＷ２，ＳＷ３４...スイッチ回路
ＴＸ２，ＴＸ３４...送信端子
ＶＣ２，ＶＣ３４，ＶＣ４...制御端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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