(57)【要約】【課題】  基板同士を安定して接合するとともに、接合強度の向上に寄与する。【解決手段】  第１基板２と第２基板とを電気的に接合する。第１基板２に凹部１０を形成する工程と、凹部１０に応じた開口２３を有する保持部材２２を第１基板２に装着する工程と、開口２３を介して凹部１０に、凹部１０の深さと保持部材２２の厚さとを合わせた寸法より小さい粒径の導電性粒子４ｂを含む接合材料４を塗布する工程と、保持部材２２を除去する工程と、を有する。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板とが電気的に接合されてなるデバイスの製造方法であって、
前記第１基板に凹部を形成する工程と、
前記凹部に応じた開口を有する保持部材を前記第１基板に装着する工程と、
前記開口を介して前記凹部に、前記凹部の深さと前記保持部材の厚さとを合わせた寸法より小さい粒径の導電性粒子を含む接合材料を塗布する工程と、
前記保持部材を除去する工程と、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のデバイスの製造方法において、
前記導電性粒子が、略球形であることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載のデバイスの製造方法において、
前記導電性粒子は、樹脂製粒子の表面に導電性金属メッキを施したものであることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項１または２記載のデバイスの製造方法において、
前記導電性粒子は、金属微粒子であることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のデバイスの製造方法において、
第３基板から電気素子を剥離して前記第１基板に転写する工程を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載のデバイスの製造方法において、
前記第３基板に設けられた複数の前記電気素子のうち、一部の電気素子を選択して転写することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項５または６記載のデバイスの製造方法において、
前記電気素子が、薄膜トランジスタ素子であることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載のデバイスの製造方法において、
前記第２基板は、有機ＥＬ素子基板または液晶表示素子基板であることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項９】
第１基板と第２基板とが電気的に接合されるデバイスであって、
前記第１基板には凹部が形成され、
前記凹部には該凹部より突出する粒径で、且つ前記第２基板と電気接続される導電性粒子が設けられることを特徴とするデバイス。
【請求項１０】
請求項９記載のデバイスを有することを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスとその製造方法及び電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示器（ＬＣＤ）パネル、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示器のような半導体応用装置では、変形や落下による壊れ防止、コスト引き下げ等の理由により下地基板としてプラスチック基板を使用することが望ましい場合がある。
ところが、パネル型の表示器に使用される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ素子）の製造では高温プロセスを使用するため、プラスチック基板や、ＥＬ素子等の回路素子には、高温に耐えられないものがある。
【０００３】
そこで、本出願人は、高温プロセスを含む従来の半導体製造技術によってＴＦＴ素子等の半導体装置を耐熱の基礎基板上に製造した後に、当該基板から半導体装置が形成されている素子形成膜（層）を剥離し、これを接着剤によりプラスチック基板に貼り付けることによって半導体応用装置（デバイス）を製造する転写技術を提案している。これらの転写技術は、例えば特許文献１〜特許文献３に詳細に説明されている。
【特許文献１】特開平１０−１２５９２９号公報
【特許文献２】特開平１０−１２５９３０号公報
【特許文献３】特開平１０−１２５９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
例えばＴＦＴ素子が転写された配線基板と有機ＥＬ基板とを接合してデバイスを製造する場合、導電性樹脂を印刷方式で配線基板に印刷し、この導電性樹脂を介して電気的に接合することで配線基板と有機ＥＬ基板との導通を確保している。
ところが、配線基板上にはＴＦＴ素子が実装されているため、導電性樹脂の厚さを大きくする必要があるが、印刷方式では所定の厚さに均一に塗布することが困難である。また、厚さのバラツキにより基板に反りが生じる虞もあり、この場合基板の反りを矯正することは困難である。
さらに、印刷方式の場合、導電性樹脂を所定の位置に高精度に印刷することが困難であることに加えて、導電性樹脂がその特性により硬化後に脆くなるという欠点があり、基板同士の接合に関して強度に限界がある。
【０００５】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、基板同士を安定して接合できるとともに、接合強度の向上に寄与できるデバイスとその製造方法及び電気光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明のデバイスの製造方法は、第１基板と第２基板とが電気的に接合されるデバイスの製造方法であって、前記第１基板に凹部を形成する工程と、前記凹部に応じた開口を有する保持部材を前記第１基板に装着する工程と、前記開口を介して前記凹部に、前記凹部の深さと前記保持部材の厚さとを合わせた寸法より小さい粒径の導電性粒子を含む接合材料を塗布する工程と、前記保持部材を除去する工程と、を有することを特徴とするものである。
【０００７】
従って、本発明では、一部が凹部に位置し、この凹部から保持部材の厚さ分、突出させた接合材料を形成することができる。この接合材料により第１基板と第２基板とを接合させる際には、導電性粒子により導通を確保することができるとともに、導電性粒子により接合部の厚さを一定にできるために安定した接合性を得ることができる。また、本発明では、導電性粒子を介在させた状態で第１基板及び第２基板を接合するため、接合強度も向上させることができる。そして、本発明では、第１基板から突出し、強度も大きな接合材料により第２基板と接合するため、接合用の外部接続端子（バンプ等）を設ける必要がなくなり、デバイスの低価格化及び生産効率の向上に寄与することもできる。
【０００８】
凹部への接合材料の塗布方式としては、充分な大きさの導電性粒子を塗布できることから印刷方式が好ましいが、この場合、導電性粒子としては、略球形であることが凹部に円滑に充填する点で好ましい。また、導電性粒子としては、樹脂製粒子の表面に導電性金属メッキを施したものや、金属微粒子を用いることができる。
【０００９】
第３基板から電気素子を剥離して前記第１基板に転写する工程を有する場合には、微細な電気素子を第１基板に容易に設けることが可能になる。この電気素子の転写方式としては、第３基板に設けられた複数の前記電気素子のうち、一部の電気素子を選択して転写することが可能である。また、電気素子としては、薄膜トランジスタ素子とすることができる。また、前記第２基板としては、有機ＥＬ素子基板または液晶表示素子基板とすることが可能である。
【００１０】
一方、本発明のデバイスは、第１基板と第２基板とが電気的に接合されるデバイスであって、前記第１基板には凹部が形成され、前記凹部には該凹部より突出する粒径で、且つ前記第２基板と電気接続される導電性粒子が設けられることを特徴としている。
これにより、本発明では、この接合材料により第１基板と第２基板とを接合させる際には、導電性粒子により導通を確保することができるとともに、導電性粒子により接合部の厚さを一定にできるために安定した接合性を得ることができる。また、本発明では、導電性粒子を介在させた状態で第１基板及び第２基板を接合するため、接合強度も向上させることができる。そして、本発明では、第１基板から突出し、強度も大きな接合材料により第２基板と接合するため、接合用の外部接続端子（バンプ等）を設ける必要がなくなり、装置の低価格化及び生産効率の向上に寄与することもできる。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置は、上記のデバイスを有することを特徴としている。
従って、本発明では、導通が安定して確保され、接合強度も向上した高品質の電気光学装置を得ることができるとともに、低価格化及び生産効率の向上を実現した電気光学装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明のデバイスとその製造方法及び電気光学装置の実施の形態を、図１ないし図８を参照して説明する。
ここでは、ＴＦＴ素子を設けた配線基板に有機ＥＬ基板を接合してなるデバイスを用いて、電気光学装置としての有機ＥＬ表示体を製造する場合の例を用いて説明する。
【００１３】
（第１実施形態）
図１において、符号１は有機ＥＬ表示体（電気光学装置）である。
この有機ＥＬ表示体１は、第１基板としての配線基板２と、第２基板としてのＥＬ基板（有機ＥＬ素子基板）３とを接合部４において電気的に接合した構成となっており、これら配線基板２とＥＬ基板３との間は封止樹脂２５で封止されている。
【００１４】
配線基板２は、ガラス等の絶縁物なる基板５の表面に絶縁層２ａが設けられ、絶縁層２ａ上に有機ＥＬ表示体１の画素の位置に対応して電気素子としてのＴＦＴ素子（薄膜トランジスタ素子）６が後述する転写によりバンプ７を介して実装された構成となっている。さらに、絶縁層２ａ上には、配線基板２の表面を平坦化（平滑化）するために、アクリル等の樹脂材で形成された樹脂層９が設けられている。
【００１５】
このＴＦＴ素子６は、接続パッド８及び上記の接合部４を介してＥＬ基板３と電気的に接続される。接合部４は、ここでは接合材料として異方性導電ペースト（ＡＣＰ；Anisotropic Conductive Paste）が用いられており、絶縁層２及び樹脂層９を連通するように形成された凹部１０内に、樹脂層９から突出する高さに形成されている。異方性導電ペーストは、接合用樹脂等のバインダ４ａに導電性粒子（フィラー）４ｂが分散されたもので、分散剤が添加される場合もある。導電性粒子４ｂは、略球形の樹脂性粒子（樹脂ボール）の表面に金メッキ等の導電性金属メッキを施したものが用いられており、その粒径は配線基板２とＥＬ基板３とを接合する際の厚さに基づいて設定されている。より詳細には、導電性粒子４ｂは、凹部１０内で接続パッド８に当接したときに樹脂層９から突出して、所定の高さでＥＬ基板３を支持する粒径に設定されている。
【００１６】
ＥＬ基板３は、ガラス等の透明基板１１の表面全体に亘って透明電極層１２が形成されており、透明電極層１２の上面には絶縁物からなるバンク１３で相互に分離された画素形成領域に位置して、正孔注入層及び有機ＥＬ層からなる発光層１４と、陰極層（カソード電極層）１５が積層されている。陰極層１５は、バンク１３上に到るように延設されており、この画素形成領域の外側において接合部４（導電性粒子４ｂ）を介して配線基板２と電気的に接続される。
なお、透明電極層１２、発光層１４、陰極層１５を形成する材料は、公知の有機ＥＬ表示体に用いられている材料と同じものが適用可能である。
【００１７】
ＴＦＴ素子６は、図２（ｂ）に示すように、第３基板としてのＴＦＴ基板１６上に複数形成される。ＴＦＴ基板１６は、例えば、１０００℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板１９上に剥離層２０が形成され、剥離層２０上に複数のＴＦＴ素子６が形成された構成となっている。透光性耐熱基板１９の厚さには、大きな制限要素はないが、基板の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると基板の透過率が低い場合に後述する照射光の減衰を招くため、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることがより好ましい。
【００１８】
剥離層２０は、レーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう）を生ずる。即ち、一定の強度の照射光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション（ablation）等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層２０に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層２が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
剥離層２０の組成としては、例えば、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を使用することができる。この非晶質シリコン中には、水素（Ｈ）が含有されていてもよい。水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２〜２０％ａｔ％であることが更に好ましい。水素が含有されていると、光の照射により、水素が放出されることにより剥離層２０に内圧が発生し、これが剥離を促進する。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。この他の剥離層材料としては、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料（光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの）、金属、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、ＧｄもしくはＳｍ、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
【００１９】
剥離層２０の厚さとしては、剥離層２０の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じ、剥離層２０の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、また、剥離後に残された剥離層２０の残渣を除去するのに時間を要したりするため、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍ程度であるのが更に好ましい。
剥離層２０の形成方法としては、均一な厚みで剥離層２０を形成可能な方法であればよく、剥離層２０の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等に適用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。
特に剥離層２０の組成が非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。また、剥離層２０をゾル−ゲル（sol-gel）法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
そして、この剥離層２０上に、シリコン酸化膜の絶縁層、不純物がドープされたソース・ドレイン領域を含むシリコン層、ゲート絶縁膜、ゲート配線膜、層間絶縁膜、ソース・ドレインの配線膜等によって構成されるＴＦＴ素子６が公知の技術により複数形成される。
【００２０】
続いて、上記構成の有機ＥＬ表示体の製造手順について図２及び図３を参照して説明する。なお、これらの図においては、理解を容易にするため、各層や各部材毎に簡略化して図示するとともに縮尺を異ならせてある。
【００２１】
まず、図２（ａ）に示すように、スパッタリングやフォトリソ等の公知の技術を用いて、基板５上に絶縁層２ａ、バンプ７及び接続パッド８等の配線を形成する。
次に、図２（ｂ）に示すように、複数のＴＦＴ素子６が形成されたＴＦＴ基板１６をスペーサー１７を介して対向配置する。
このとき、バンプ７上には予め導電性接着剤１８が塗布され、ＴＦＴ基板１６は、ＴＦＴ素子６とバンプ７とが対向し、これらの間に導電性接着剤１８が充填されるようにセットさる。そして、導電性接着剤１８を図中縦方向に加熱及び加圧しつつ硬化させる。これにより、ＴＦＴ素子６とバンプ７とが導電性接着剤１８を介して接着されるとともに、この導電性接着剤１８中の図示しない導電粒子が図中縦方向につながり（接触し）、ＴＦＴ素子６とバンプ７とが前記導電粒子を介して電気的に接続される。
【００２２】
次に、複数のＴＦＴ素子の中、所定のＴＦＴ素子６に対して、透光性耐熱基板１９の裏面側（照射光入射面１９ａ側）から照射光２１を選択的（局所的）に照射する。この照射光２１は、基板１９を透過した後、界面側から剥離層２０に照射される。
照射光２１としては、剥離層２０に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α線、β線、γ線）等が挙げられるが、そのなかでも、分離層２の剥離（アブレーション）を生じさせ易いという点で、レーザ光が好ましい。このレーザ光を発生させるレーザ装置としては、各種気体レーザ、固体レーザ（半導体レーザ）等が挙げられるが、エキシマレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ２レーザ、ＣＯレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が好適に用いられ、その中でもエキシマレーザが特に好ましい。エキシマレーザは、短波長域で高エネルギーを出力するため、極めて短時間で剥離層２０にアブレーションを生じさせることができ、よって、隣接するまたは近傍のＴＦＴ素子６、基板１９等に温度上昇をほとんど生じさせることなく、すなわち劣化、損傷を生じさせることなく剥離層２０を剥離することができる。
これにより、剥離層２０に層内剥離および／または界面剥離が生じ、結合力が減少または消滅するので、基板１９とＴＦＴ素子６とを離間させると、図２（ｃ）に示すように、ＴＦＴ素子６が基板１９から離脱して、配線基板２へ転写される。
【００２３】
この後、図３（ｄ）に示すように、ＴＦＴ素子６及び接続パッド８を覆うように配線基板２上に樹脂を全面塗布して樹脂層９を形成し、配線基板２の上面を平滑化する。なお、図２及び図３においては、便宜上、絶縁層２ａと樹脂層９とを一体化した状態で図示している。
【００２４】
そして、フォトマスクを用いたフォトリソ等の手法により、図３（ｅ）に示すように、接続パッド８が露出するように樹脂層９に凹部１０を形成する。続いて、図３（ｆ）に示すように、凹部１０と略同一幅の開口２３を有する印刷マスク２２を保持部材として、凹部１０と開口２３とが連通するように装着する。
ここで、印刷マスク２２の厚さＴは、凹部１０の深さと合わせた寸法Ｈが接合部４（図１参照）の高さとなるように設定されている。そして、導電性粒子４ｂの粒径は、この凹部１０の深さと印刷マスク２２の厚さＴと合わせた寸法Ｈよりも僅かに小さく設定されている。
なお、印刷マスク２２の開口２３の幅は、導電性粒子４ｂの粒径よりも大きくする必要があるが、凹部１０の幅は、導電性粒子４ｂが底部において接続パッド８と当接する値であれば必ずしも導電性粒子４ｂの粒径よりも大きくなくても構わない。
【００２５】
このように設定された印刷マスク２２の上面に、バインダ４ａに導電性粒子４ｂが分散された接合材料を供給するとともに、スキージ２４を印刷マスク２２の表面に沿って凹部１０に向けて駆動することで、開口２３を介して凹部１０内に接合材料を塗布する。
これにより、図４（ｇ）に示すように、バインダ４ａ及び導電性粒子４ｂは、樹脂層９及び印刷マスク２２に保持されて、高さＨの接合部４を形成することになる。
続いて、配線基板２から印刷マスク２２を除去することにより、図４（ｈ）に示すように、樹脂層９から高さＴで突出した接合部４が形成される。この場合、接合部４における導電性粒子４ｂは、底部において接続パッドに接続している。
【００２６】
そして、図１に示したように、ＥＬ基板３を配線基板２に対して位置決めしながら、接合部４において陰極層１５を接合する。このとき、ＥＬ基板３を加圧しながら接合することで、接合部４における上部のバインダ４ａが流動するため、導電性粒子４ｂが陰極層１５とが接続することになる。
この後、バインダ４ａを硬化させるとともに、ＥＬ基板３と配線基板２との隙間を封止樹脂２５で封止することにより、有機ＥＬパネルが完成する。
【００２７】
以上のように、本実施の形態では、導電性粒子４ｂを介在させてＥＬ基板３と配線基板２とを電気的に接続するので、ＥＬ基板３と配線基板２とを一定の間隔で接合することができるとともに確実な導通確保が可能となる。そのため、本実施の形態では、大型ディスプレイ等で、複数の画素領域毎に接合部４で接合する場合でも、ＥＬ基板３と配線基板２との間隔を一定に維持することが可能となり、各基板に反りが生じることなく安定して接合することができる。また、導電性粒子４ｂを含む接合部４で基板の自重を支えることになるため、接合後のＥＬ基板３及び配線基板２の構造強度を向上させることも可能となる。
【００２８】
また、本実施の形態では、印刷マスク２２を用いて接合部４を形成しているので、樹脂層９から突出する接合部４を高精度、且つ容易に形成することが可能となっている。さらに、接合部４を凹部１０内に設けて保持させているので、接合部４を所定位置に精度よく形成することも可能である。また、導電性粒子４ｂを略球形とすることで、容易に凹部１０内に塗布することもできる。
加えて、本実施の形態では、導電性粒子４ｂを用いてＥＬ基板３と配線基板２とを電気的に接続しているので、接続用の外部接続端子（パッド等）を別途設ける必要がなくなり、装置の低価格化及び生産効率の向上に寄与することもできる。
【００２９】
なお、上記実施の形態では、配線基板２にＥＬ基板３を接合して有機ＥＬ表示体１を製造する構成として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の機能性基板、例えば液晶表示素子基板を配線基板２に接合して液晶表示体（電気光学装置）を製造する構成としてもよい。この場合、ＴＦＴ素子６は、液晶表示素子の駆動のためのスイッチング素子として機能することになる。
【００３０】
（第２実施形態）
上記第１実施形態では、配線基板２とＥＬ基板３との接合に本発明を適用したが、本実施の形態では、図５乃至図７を参照して、配線基板２に対してＴＦＴ基板１６上のＴＦＴ素子６を転写・接合する際に本発明を適用する場合の例について説明する。
なお、上述した第１の実施の形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
【００３１】
まず、図５（ａ）に示すように、スパッタリングやフォトリソ等の公知の技術を用いて、基板５上に絶縁層２ａ及び接続パッド等の配線８を形成する。
次に、図５（ｂ）に示すように、配線８を覆うように配線基板２（絶縁層２ａ）上に樹脂を全面塗布して樹脂層９を形成し、配線基板２の上面を平滑化する。
そして、フォトマスクを用いたフォトリソ等の手法により、図５（ｃ）に示すように、配線８の中、ＴＦＴ素子６との接続部８ａが露出するように樹脂層９に凹部１０を形成する。
【００３２】
続いて、図６（ｄ）に示すように、凹部１０と略同一幅の開口２３を有する印刷マスク２２を保持部材として、凹部１０と開口２３とが連通するように装着する。
このように設定された印刷マスク２２の上面に、バインダ４ａに導電性粒子４ｂが分散された接合材料を供給するとともに、スキージ２４を印刷マスク２２の表面に沿って凹部１０に向けて駆動することで、開口２３を介して凹部１０内に接合材料を塗布する。
これにより、図６（ｅ）に示すように、バインダ４ａ及び導電性粒子４ｂは、樹脂層９及び印刷マスク２２に保持されて、接合部４を形成することになる。
続いて、配線基板２から印刷マスク２２を除去することにより、図６（ｆ）に示すように、樹脂層９から突出した接合部４が形成される。この場合、接合部４における導電性粒子４ｂは、底部において接続部８ａに接続している。
【００３３】
この後、図７（ｇ）に示すように、複数のＴＦＴ素子６が形成されたＴＦＴ基板１６を配線基板２に対向配置する。
このとき、ＴＦＴ素子６の外部接続用端子（図示せず）が接続部４と対向するようにＴＦＴ基板１６を配置する。このとき、ＴＦＴ基板１６を加圧しながら接合することで、接合部４における上部のバインダ４ａが流動するため、導電性粒子４ｂがＴＦＴ素子６の外部接続用端子と接続することになる。
この後、バインダ４ａを硬化させることにより、配線基板２とＴＦＴ素子６とが導電性粒子４ｂを介して電気的に接続される。
【００３４】
そして、複数のＴＦＴ素子の中、所定のＴＦＴ素子６に対して、透光性耐熱基板１９の裏面側（照射光入射面１９ａ側）から照射光２１を選択的（局所的）に照射する。この照射光２１は、基板１９を透過した後、界面側から剥離層２０に照射される。
これにより、照射光２１が照射された剥離層２０に層内剥離および／または界面剥離が生じ、結合力が減少または消滅するので、基板１９とＴＦＴ素子６とを離間させると、図７（ｈ）に示すように、ＴＦＴ素子６が基板１９から離脱して、配線基板２へ転写される。
【００３５】
このように、本実施の形態では、配線基板２とＴＦＴ素子６とを接合する場合であっても、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができ、配線基板２とＴＦＴ素子６との安定した接合、及び装置の低価格化及び生産効率の向上を実現することができる。
【００３６】
（第３実施形態）
図８に、本発明の電気光学装置を適用した電子機器の具体例について説明する。
図８（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図８（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の有機ＥＬ表示体１や液晶表示体を備えた表示部を示している。
図８（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図８（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の有機ＥＬ表示体１や液晶表示体を備えた表示部を示している。
図８（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図８（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の有機ＥＬ表示体１や液晶表示体を備えた表示部を示している。
図８（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の有機ＥＬ表示体１や液晶表示体を備えたものであるので、小型化、薄型化及び高品質化が可能となる。
なお、本実施形態の電子機器は有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備えるものとしたが、液晶装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００３７】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００３８】
例えば、上記実施形態では、導電性粒子として樹脂ボールに金属メッキを施したものを用いる構成としたが、これに限られるものではなく、所定の粒径を有する金属微粒子を用いてもよい。なお、金属メッキ材料、金属微粒子は鉛フリー材料を用いることが地球環境保護の観点から好ましい。
また、上記実施の形態では、ＴＦＴ基板１６上の一部のＴＦＴ素子６を配線基板２に転写する構成としたが、予めＴＦＴ基板上の画素領域に対応した位置にＴＦＴ素子を複数形成しておき、全てのＴＦＴ素子を一括して配線基板２に転写する構成としてもよい。
【００３９】
さらに、上記実施の形態では、電気素子としてＴＦＴ素子を配線基板２に転写する構成としたが、ＴＦＴ素子以外にも、薄膜ダイオード、その他の薄膜半導体デバイス、電極（例：ＩＴＯ、メサ膜のような透明電極）、太陽電池やイメージセンサ等に用いられる光電変換素子、スイッチング素子、メモリー、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー（ピエゾ薄膜セラミックス）、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、光記録媒体等の記録媒体、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダクター、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルター、反射膜、ダイクロイックミラー、偏光素子等の光学薄膜、半導体薄膜、超伝導薄膜（例：ＹＢＣＯ薄膜）、磁性薄膜、金属多層薄膜、金属セラミック多層薄膜、金属半導体多層薄膜、セラミック半導体多層薄膜、有機薄膜と他の物質の多層薄膜等が挙げられ、さらに、これらの素子を配線基板に接合する際にも本発明を適用可能である。
このなかでも、特に、薄膜デバイス、マイクロ磁気デバイス、マイクロ三次元構造物の構成、アクチュエータ、マイクロミラー等に適用することの有用性が高く、好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】配線基板とＥＬ基板とが接合された有機ＥＬ表示体の部分断面図である。
【図２】有機ＥＬ表示体の製造手順を示す図である。
【図３】有機ＥＬ表示体の製造手順を示す図である。
【図４】有機ＥＬ表示体の製造手順を示す図である。
【図５】配線基板にＴＦＴ素子を接合する手順を示す図である。
【図６】配線基板にＴＦＴ素子を接合する手順を示す図である。
【図７】配線基板にＴＦＴ素子を接合する手順を示す図である。
【図８】本発明の電気光学装置を適用した電子機器の具体例を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
１…有機ＥＬ表示体（電気光学装置）、  ２…配線基板（第１基板）、  ３…ＥＬ基板（第２基板、有機ＥＬ素子基板）、  ６…ＴＦＴ素子（電気素子）、  １６…ＴＦＴ基板（第３基板）、  ２２…印刷マスク（保持部材）、  ２３…開口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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