(57)【要約】【課題】相変化記録膜を形成するための高強度スパッタリングターゲットおよびそのターゲットを使用して形成した電気抵抗の高い相変化記録膜を提供する。【解決手段】原子％でＧｅ：１５〜３０％、Ｓｂ：１５〜３０％を含有し、さらにＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの内の１種または２種以上を合計で０．１〜１０を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有するスパッタリングターゲットおよび電気抵抗が高い相変化記録膜。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子％で（以下、％は原子％を示す）Ｇｅ：１５〜３０％、Ｓｂ：１５〜３０％を含有し、さらにＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの内の１種または２種以上を合計で：０．１〜１０％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする電気抵抗の高い相変化記録膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｇｅ：１５〜３０％、Ｓｂ：１５〜３０％を含有し、さらにＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの内の１種または２種以上を合計で：０．１〜１０％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする電気抵抗の高い相変化記録膜。
【請求項３】
結晶化後に四探針法により測定した比抵抗値が５×１０−２〜５×１０１Ω・ｃｍであることを特徴とする請求項２記載の電気抵抗が高い相変化記録膜。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、機械的強度に優れた相変化記録膜用スパッタリングターゲットおよびそのスパッタリングターゲットを用いて形成した電気抵抗の高い相変化記録膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体不揮発メモリーの一種である相変化メモリー（Ｐｈａｓｅ  Ｃｈａｎｇｅ  ＲＡＭまたはＯｖｏｎｉｃｓ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｍｅｍｏｒｙ）に用いられる相変化記録層は、通常のＤＶＤ−ＲＡＭなどの光記録媒体に用いられているＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録膜が広く用いられている（非特許文献１〜２参照）。この相変化記録層には結晶状態の相変化材料を用い、書き換えは、その一部をヒーターで急加熱して溶融し、即急冷して部分的に非晶質化させるか、或いは非晶質部を低温でゆっくり加熱して結晶状態に戻すことで行っており、そして読み出しは結晶状態と一部非晶質化した状態の電気抵抗差によって行なっているが、従来の相変化メモリー素子は、書き込み消去時に回路に流れる電流値が大きく、消費電力が大きくなり、さらに大電流のため、回路への負担が大きいところから微細化の障害になっていることも指摘されている（非特許文献１参照）。この相変化記録層の一つとして、Ｇｅ：１５〜３０％、Ｓｂ：１５〜３０％を含有し、さらにＬａ：０．０１〜１０％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する相変化記録層が知られており、そしてこの相変化記録層はこの相変化記録層とほぼ同じ成分組成を有するターゲットを用いてスパッタリングすることにより形成することも知られている（例えば、特許文献１〜３参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特表２００１−５０２８４８号公報
【特許文献２】
特表２００２−５１２４３９号公報
【特許文献３】
特表２００２−５４０６０５号公報
【非特許文献１】
「応用物理」第７１巻  第１２号（２００２）第１５１３〜１５１７頁
【非特許文献２】
「日経  マイクロデバイス」２００２年３月号第７０〜７８頁
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、現在では、書き込み消去動作時に流れる電流値の低い相変化メモリー素子の開発が進められており、そのために、書き込み消去動作時に流れる電流値の低い相変化記録層が求められている。前記従来のＬａを含む相変化記録層も、Ｌａを添加することにより抵抗値が高め、それによって書き込み消去動作時に流れる電流値を低減させる作用を有すると考えられるが、このＬａを含むＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化記録層を形成するためのスパッタリングターゲットは、Ｌａが大気中の水分と特に反応しやすくまた潮解あるいは風解といった現象により安定に存在し難いために、Ｌａを含むＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化記録層形成用スパッタリングターゲットは機械的強度が低く、スパッタリング中における割れに対する耐性が劣り、またターゲット中に取り込まれたＬａと水分の反応物（水酸化物または酸化物）は異常放電の原因になるので好ましくない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者らも、相変化記録膜の抵抗を高くすることで書き込み消去動作時に流れる電流値を低減させることのできるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化記録膜を形成するための機械的強度の優れたスパッタリングターゲットを得るべく研究を行なった。その結果、通常のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化記録膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、Ｌａと同様の性質を示すと言われるランタノイド元素の中でもＬａよりも原子量の大きいランタノイド元素を含有させたＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化記録膜形成用スパッタリングターゲットは機械的強度が一層向上し、さらにスパッタリング中の割れに対する耐性が向上し異常放電の回数も少なくなるところから、ＬａよりもＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕを含むスパッタリングターゲットの方が機械的強度に優れ、スパッタリングに際して割れることがなく、また異常放電の発生が少ない、という研究結果が得られたのである。
【０００６】
この発明は、かかる研究結果に基づいて成されたものであって、
（１）Ｇｅ：１５〜３０％、Ｓｂ：１５〜３０％を含有し、さらにＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの内の１種または２種以上を合計で：０．１〜１０％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する相変化記録膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
【０００７】
前記（１）記載の相変化記録膜形成用スパッタリングターゲットを用いてスパッタを行うと、Ｇｅ：１５〜３０％、Ｓｂ：１５〜３０％を含有し、さらにＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの内の１種または２種以上を合計で：０．１〜１０％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する電気抵抗の高い相変化記録膜が得られる。したがってこの発明は、
（２）Ｇｅ：１５〜３０％、Ｓｂ：１５〜３０％を含有し、さらにＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの内の１種または２種以上を合計で：０．１〜１０％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する電気抵抗が高い相変化記録膜、に特徴を有するものである。
【０００８】
この発明の相変化記録膜形成用スパッタリングターゲットおよびそのターゲットを用いて形成した電気抵抗が高い相変化記録膜の成分組成を前述のごとく限定した理由を説明する。
（ａ）  Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの内の１種または２種以上：
相変化記録膜にＬａを含むその他のランタノイド元素を添加すると相変化記録膜の抵抗値が上昇するが、この相変化記録膜を形成するスパッタリングターゲットにＬａを添加するよりもＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕを添加する方が機械的強度が向上し、さらにスパッタリングに際しても割れることがなくまたパーティクル発生が減少するので、この発明のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化記録膜形成用スパッタリングターゲットにはＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの内の１種または２種以上を添加する。しかし、その含有量が０．１％未満では相変化記録膜の抵抗値を上げる効果が少ないので好ましくなく、一方、１０％を越えて含有させると得られた相変化記録膜の結晶化温度の上昇が大きくなるので好ましくない。
したがって、この発明の相変化記録膜形成用スパッタリングターゲットに含まれるＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの内の１種または２種以上を合計０．１〜１０％に定めた。これらの含有量の一層好ましい範囲は１〜８％である。
また、この発明の相変化記録膜に含まれるＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの内の１種または２種以上を合計０．１〜１０％に定めたのは、相変化記録膜における結晶化温度の最適な上昇は、非晶出状態の安定化を意味し、メモリとしては長時間の記憶保持特性に好ましい効果をもたらすが、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの内の１種または２種以上を合計で０．１％未満含有しても結晶化温度の最適な上昇はなく、一方、１０％を越えて含有すると、結晶化に高温が必要になることから、メモリとしては書き換えに大きな電力が必要になり、省電力の観点から好ましくない理由によるものである。
【０００９】
（ｂ）  Ｇｅ、Ｓｂ：
この発明の電気抵抗が高い相変化記録膜に含まれるＧｅおよびＳｂは、Ｇｅ：１５〜３０％、Ｓｂ：１５〜３０％が好ましい。その理由は、Ｇｅ：１５％未満、Ｓｂ：１５％未満であっても、またＧｅ：３０％を越え、Ｓｂ：３０％を越えても抵抗値が低くなったり結晶化時間が長くなって好ましくないことによるものである。
【００１０】
この発明の電気抵抗が高い相変化記録膜は、結晶化後に四探針法により測定した比抵抗値が５×１０−２Ω・ｃｍ以上（一層好ましくは８×１０−２Ω・ｃｍ以上）であることが必要であり、その理由は比抵抗値が５×１０−２Ω・ｃｍ未満では回路に大きな電流が流れ、そのために消費電力が大きくなり、また微細化時の障害になるので好ましくないことによるものである。また、非晶質状態のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金の比抵抗は通常１×１０３Ω・ｃｍ程度であり、安定した読み出しのためには結晶時と非晶質時で少なくとも１桁半程度の抵抗差があることが好ましい。このため、結晶時の相変化記録膜の抵抗値は５×１０１Ω・ｃｍ以下が必要であり、したがって、この発明の相変化記録膜の結晶化後に四探針法により測定した比抵抗値を５×１０−２Ω・ｃｍ〜５×１０１Ω・ｃｍに定めた。
【００１１】
この発明の相変化記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットは、所定の成分組成を有するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金をＡｒガス雰囲気中で溶解した後、鉄製モールドに出湯して合金インゴットを作製し、これらを不活性ガス雰囲気中で粉砕して２００μｍ以下の合金粉末を作製し、この合金粉末と別途作製した２００μｍ以下のＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの粉末の少なくとも１種をこの発明の成分組成となるように混合して混合粉末を作製し、この混合粉末を真空ホットプレスすることにより作製する。前記真空ホットプレスは、圧力：１４６〜１５５ＭＰａ、温度：３７０〜４３０℃、１〜２時間保持の条件で行なわれ、その後、モールドの温度が２７０〜３００℃まで下がった時点で冷却速度：１〜３℃／ｍｉｎ．で常温まで冷却することにより行われることが一層好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
実施例１
Ｇｅ、Ｓｂ、ＴｅをＡｒガス雰囲気中で溶解し鋳造して合金インゴットを作製し、この合金インゴットをＡｒ雰囲気中で粉砕することにより、いずれも粒径：１００μｍ以下の合金粉末を作製した。この合金粉末と、粒径：１００μｍ以下のＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｌａの粉末を混合して混合粉末を作製した。
【００１３】
これら混合粉末を温度：４００℃、圧力：１４６ＭＰａで真空ホットプレスすることによりホットプレス体を作製し、これらホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の表１に示される成分組成を有する本発明ターゲット１〜１４および従来ターゲット１を作製した。また、本発明ターゲット１〜１４および従来ターゲット１を作製した条件と同じ条件で作製した焼結体からなる試験片を作製し、その試験片を用いてＪＩＳＲ１６０１に規定される条件に基づいて３点曲げ強度試験を行い、その結果を表１に示した。
【００１４】
次に、これら本発明ターゲット１〜１４および従来ターゲット１をそれぞれ銅製の冷却用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のインジウムろう材にてハンダ付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置に装入し、ターゲットと基板（表面に厚さ：１００ｎｍのＳｉＯ２を形成したＳｉウエーハ）の間の距離を７０ｍｍになるようにセットした後、到達真空度：５×１０−５Ｐａ以下になるまで真空引きを行い、その後、全圧：１．０ＰａになるまでＡｒガスを供給し、
・基板温度：室温、
・投入電力：５０Ｗ（０．４Ｗ／ｃｍ２）、
の条件でスパッタリングを行い、基板の表面に厚さ：３００ｎｍを有する本発明相変化記録膜：１〜１４および従来相変化記録膜１を形成し、このとき発生した異常放電回数およびスパッタリング終了後のターゲットの割れの有無を観察し、その結果を表１に示した。
【００１５】
【表１】
2005023377.tif 000002
【００１６】
表１に示される結果から、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕを添加した本発明ターゲット１〜１４は、Ｌａを添加した従来ターゲット１に比べて３点曲げ強度が高いことから機械的強度が優れており、また本発明ターゲット１〜１４の内でも添加する希土類元素の原子量が大きくなるほど３点曲げ強度が高くなることが分かる。Ｌａを添加した従来ターゲット１は３点曲げ強度が低いのは、ターゲット中に存在するＬａが大気中の水分を吸収して潮解、風解したことに起因すると考えられる。
また本発明ターゲット１〜１４は、Ｌａを添加した従来ターゲット１に比べて異常放電回数が少なく、さらに割れ耐性に優れていることが分かる。
【００１７】
このようにして得られた本発明相変化記録膜：１〜１４および従来相変化記録膜１の成分組成をＩＣＰ（誘導結合プラズマ法）により測定し、その結果を表２示した。さらに、得られた本発明相変化記録膜：１〜１４および従来相変化記録膜１を真空中、３００℃に５分間保持して結晶化した後、四探針法で比抵抗を測定し、さらに上記と同じ条件で直径：１２０ｍｍのポリカーボネート基板上に３μｍの厚さで成膜し、付いた膜を全量剥離して粉末化したものについてＤＴＡ（示差熱分析法）により毎分２００ｍｌのＡｒフロー中、昇温速度１０℃／分の条件で結晶化温度を測定し、その結果を表２に示した。なお、本測定に用いた試料は１５ｍｇで統一した。ここでは１５０〜３００℃付近に現れる発熱ピークを結晶化温度とした。
【００１８】
【表２】
2005023377.tif 000003
【００１９】
表２示される結果から、同一量のＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの内の１種または２種以上を合計でを含む本発明ターゲット１〜１４を用いてスパッタリングすることにより得られた結晶化させた本発明相変化記録膜：１〜１４は、同一量のＬａを含む従来ターゲット１を用いてスパッタリングすることにより得られたＬａを含む従来相変化記録膜１に比べて比抵抗および結晶化温度に大差がなく、共に優れた相変化記録膜であることが分かる。
【００２０】
実施例２
Ｇｅ、Ｓｂ、ＴｅをＡｒガス雰囲気中で溶解し鋳造して合金インゴットを作製し、この合金インゴットをＡｒ雰囲気中で粉砕することにより、いずれも粒径：１００μｍ以下の合金粉末を作製した。この合金粉末と粒径：１００μｍ以下のＴｂ粉末を混合し、得られた混合粉末を温度：４００℃、圧力：１４６ＭＰａで真空ホットプレスすることによりホットプレス体を作製し、これらホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の表３に示される成分組成を有する本発明ターゲット１５〜２４および比較ターゲット１〜２を作製した。
【００２１】
【表３】
2005023377.tif 000004
【００２２】
これら本発明ターゲット１５〜２４および比較ターゲット１〜２をそれぞれ銅製の冷却用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のインジウムろう材にてハンダ付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置に装入し、ターゲットと基板（表面に厚さ：１００ｎｍのＳｉＯ２を形成したＳｉウエーハ）の間の距離を７０ｍｍになるようにセットした後、到達真空度：５×１０−５Ｐａ以下になるまで真空引きを行い、その後、全圧：１．０ＰａになるまでＡｒガスを供給し、
・基板温度：室温、
・投入電力：５０Ｗ（０．４Ｗ／ｃｍ２）、
の条件でスパッタリングを行い、基板の表面に厚さ：３００ｎｍを有する本発明相変化記録膜：１５〜２４および比較相変化記録膜１〜２を形成した。
【００２３】
このようにして得られた本発明相変化記録膜：１５〜２４および比較相変化記録膜１〜２の成分組成をＩＣＰ（誘導結合プラズマ法）により測定し、その結果を表４示した。さらに、得られた本発明相変化記録膜：１５〜２４および比較相変化記録膜１〜２を真空中、３００℃に５分間保持して結晶化した後、四探針法で比抵抗を測定し、さらに上記と同じ条件で直径：１２０ｍｍのポリカーボネート基板上に３μｍの厚さで成膜し、付いた膜を全量剥離して粉末化したものについてＤＴＡ（示差熱分析法）により毎分２００ｍｌのＡｒフロー中、昇温速度１０℃／分の条件で結晶化温度を測定し、その結果を表４に示した。なお、本測定に用いた試料は１５ｍｇで統一した。ここでは１５０〜３００℃付近に現れる発熱ピークを結晶化温度とした。
【００２４】
【表４】
2005023377.tif 000005
【００２５】
実施例３
Ｇｅ、Ｓｂ、ＴｅをＡｒガス雰囲気中で溶解し鋳造して合金インゴットを作製し、この合金インゴットをＡｒ雰囲気中で粉砕することにより、いずれも粒径：１００μｍ以下の合金粉末を作製した。この合金粉末と粒径：１００μｍ以下のＤｙ粉末を混合して混合粉末を作製し、この混合粉末を温度：４００℃、圧力：１４６ＭＰａで真空ホットプレスすることによりホットプレス体を作製し、これらホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の表５に示される成分組成を有する本発明ターゲット２５〜３４および比較ターゲット３〜４を作製した。
【００２６】
【表５】
2005023377.tif 000006
【００２７】
これら本発明ターゲット２５〜３４および比較ターゲット３〜４をそれぞれ銅製の冷却用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のインジウムろう材にてハンダ付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置に装入し、ターゲットと基板（表面に厚さ：１００ｎｍのＳｉＯ２を形成したＳｉウエーハ）の間の距離を７０ｍｍになるようにセットした後、到達真空度：５×１０−５Ｐａ以下になるまで真空引きを行い、その後、全圧：１．０ＰａになるまでＡｒガスを供給し、
・基板温度：室温、
・投入電力：５０Ｗ（０．４Ｗ／ｃｍ２）、
の条件でスパッタリングを行い、基板の表面に厚さ：３００ｎｍを有する本発明相変化記録膜：２５〜３４および比較相変化記録膜３〜４を形成した。
【００２８】
このようにして得られた本発明相変化記録膜：２５〜３４および比較相変化記録膜３〜４の成分組成をＩＣＰ（誘導結合プラズマ法）により測定し、その結果を表６示した。さらに、得られた本発明相変化記録膜：２５〜３４および比較相変化記録膜３〜４を真空中、３００℃に５分間保持して結晶化した後、四探針法で比抵抗を測定し、さらに上記と同じ条件で直径：１２０ｍｍのポリカーボネート基板上に３μｍの厚さで成膜し、付いた膜を全量剥離して粉末化したものについてＤＴＡ（示差熱分析法）により毎分２００ｍｌのＡｒフロー中、昇温速度１０℃／分の条件で結晶化温度を測定し、その結果を表２に示した。なお、本測定に用いた試料は１５ｍｇで統一した。ここでは１５０〜３００℃付近に現れる発熱ピークを結晶化温度とした。
【００２９】
【表６】
2005023377.tif 000007
【００３０】
実施例２の表３〜４および実施例３の表５〜６示される結果から、ＴｂまたはＤｙを０．１〜１０％含むを含む本発明ターゲット１５〜３４を用いてスパッタリングすることにより得られた結晶化させた本発明相変化記録膜：１５〜３４は、ＴｂまたはＤｙを０．１％未満含む比較ターゲット１または３を用いてスパッタリングすることにより得られた結晶化させた比較相変化記録膜１または３に比べて比抵抗が高く、さらにＴｂまたはＤｙを１０％を越えて含む比較ターゲット２または４を用いてスパッタリングすることにより得られた結晶化させた比較相変化記録膜２または４は結晶化温度が上がり過ぎたりして好ましくないところから、ＴｂまたはＤｙの含有量は０．１〜１０％の範囲内が好ましいことが分かる。
なお、ＴｂおよびＤｙ以外のＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｃｄ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの内の１種または２種以上を合計で含む場合についても同じような結果が得られた。
【００３１】
【発明の効果】
上述のように、この発明によると、機械的強度が優れたＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化記録膜形成用スパッタリングターゲットを提供することができ、このターゲットを用いてスパッタリングを行うと、異常放電が少なくまたスパッタリング中の割れ発生がなく、さらにこのターゲットを用いて形成した相変化記録膜は適度に高い抵抗値が得られ、書き込み消去動作時の電流値を低減し、低消費電力化、デバイスの微細化に寄与し、相変化型不揮発メモリー膜の特性の向上およびコスト削減を行うことができるとともに、新しい半導体メモリー産業の発展に大いに貢献し得るものである。