(57)【要約】【課題】  加熱室内の上下段各々の被加熱物の温度分布を検出することにより一段調理と二段調理の別を検出して、その温度分布及び一段調理または二段調理のいずれであるかの検出結果に基づいて効率の良い加熱制御を行なう加熱調理装置を得る。【解決手段】  被加熱物を加熱室内に載置して加熱するマグネトロン６と、加熱室内に着脱可能に設置され加熱室を２つの領域に区分する区分け手段２９と、この区分された領域毎にそれぞれ配置され、マグネトロン６により加熱される加熱領域を複数領域に分けて各領域の温度を検出する２つの温度分布検出手段１０ｃ、１０ｄとを備え、２つの温度分布検出手段１０ｃ、１０ｄの検出結果に基づいて区分け手段２９が加熱室内に設置されているか否かを判定する。【選択図】        図９
2005114351.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱物を加熱室内に載置して加熱する加熱手段と、前記加熱室内に着脱可能に設置され加熱室を２つの領域に区分する区分け手段と、この区分された領域毎にそれぞれ配置され、前記加熱手段により加熱される加熱領域を複数領域に分けて各領域の温度を検出する２つの温度分布検出手段とを備え、前記２つの温度分布検出手段の検出結果に基づいて前記区分け手段が前記加熱室内に設置されているか否かを判定することを特徴とする加熱調理装置。
【請求項２】
前記区分けされた２つの領域毎に前記加熱室にマイクロ波を供給する給電口を設けたことを特徴とする請求項１記載の加熱調理装置。
【請求項３】
被加熱物を加熱室内に載置して加熱する加熱手段と、この被加熱物を回転させる駆動手段と、前記加熱手段により加熱される加熱領域を複数領域に分けて所定間隔毎に各領域の温度を検出する単数又は複数の温度分布検出手段と、前記温度分布検出手段で検出した複数の温度データを前記分割された領域の内の所定領域に関連づけて逐一記憶する記憶手段とを備え、少なくとも一つの温度分布検出手段からの検出結果により時系列の温度変化が所定以上あるか否かに基づいて前記被加熱物の回転検出を行なうことを特徴とする加熱調理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、食品等を加熱制御して調理を行なう加熱調理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、食品等の被加熱物の加熱状態を検出して加熱制御を行なうものとしては、加熱室内の温度（赤外線センサによる非接触温度検知等を含む）、蒸気発生の有無、発生ガスの有無等によって加熱制御を行なうものが知られている。
【０００３】
しかし、加熱室温度検知、蒸気発生検知、ガス検知は被加熱物に対して間接的な計測手法であり、被加熱物を部分的または直接的に計測することが不可能であった。他方、赤外線センサによる非接触温度検知に関しては、被加熱物の表面温度を直接計測できるため直接的な方法ではあるが、一つのセンサで集光エリアを狭めると複数のセンサが必要となり、集光エリアを広げると被加熱物を含む他の部分との平均温度を検出するため、正確な被加熱物の温度を得る事ができなかった。従って、効率良く加熱制御を行なうことができず、加熱又は解凍終了検知の精度としても低かった。
【０００４】
従来、このかかる課題を解決するために、図１６に示す電子レンジが提案されている。図１６はこの従来の電子レンジの機能構成を示すブロック図である。図１６において、食品１１８を加熱室１０１内ののターンテーブル１０３上に載置し、スタートスイッチ１０８を操作すると、制御回路１０７が起動され、モータ１０４、加熱手段１０２、記憶回路１１０を制御して加熱調理を開始し、加熱室１０１の上部に設けられた赤外線センサ１０５はタイミング回路１０９からのタイミングｔ１、ｔ２、ｔ３・・・、ｔ１２で、食品１１８の各部の複数温度を検出する。
【０００５】
時刻ｔ１〜ｔ１２のすべてのタイミングでの検出温度データが１フレーム分として記憶回路１１０に記憶され、この記憶された温度データが平均温度検出装置１１１、温度差検出装置１１２、平面形状認識装置１１３に供給され、平面形状認識装置１１３の平面形状認識処理、面積算出処理により食品１１８の平面形状および面積が算出される。これにより仕上温度記憶装置１１４、加熱出力設定装置１１５、最大出力設定装置１１６を介して加熱手段１０２を制御するため、食品の初期温度の違いや量の大小にも関わらず均一に加熱調理し得る電子レンジを提供している（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−１１８１５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のような加熱調理装置の構成では、赤外線センサの視野がターンテーブル上方からの状態に限られるため、被加熱物の表面を平面（２次元）的な温度分布情報としてしか得ることができず、被加熱物の正確な立体（３次元）的な温度分布情報・形状情報は得ることができなかった。従って、体積が異なる被加熱物についても、上方から捉えた平面（２次元）的な温度分布や面積に基づいて加熱制御を行なっていた。
【０００７】
本発明は、かかる課題を解決するためになされたもので、加熱室内の上下段各々の被加熱物の温度分布を検出することにより一段調理と二段調理の別を検出して、その温度分布及び一段調理または二段調理のいずれであるかの検出結果に基づいて効率の良い加熱制御を行なう加熱調理装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、被加熱物を加熱室内に載置して加熱する加熱手段と、前記加熱室内に着脱可能に設置され加熱室を２つの領域に区分する区分け手段と、この区分された領域毎にそれぞれ配置され、前記加熱手段により加熱される加熱領域を複数領域に分けて各領域の温度を検出する２つの温度分布検出手段とを備え、前記２つの温度分布検出手段の検出結果に基づいて前記区分け手段が前記加熱室内に設置されているか否かを判定するものである。
【０００９】
また、本発明は、前記区分けされた２つの領域毎に前記加熱室にマイクロ波を供給する給電口を設けたものである。
【００１０】
また、本発明は、被加熱物を加熱室内に載置して加熱する加熱手段と、この被加熱物を回転させる駆動手段と、前記加熱手段により加熱される加熱領域を複数領域に分けて所定間隔毎に各領域の温度を検出する単数又は複数の温度分布検出手段と、前記温度分布検出手段で検出した複数の温度データを前記分割された領域の内の所定領域に関連づけて逐一記憶する記憶手段とを備え、少なくとも一つの温度分布検出手段からの検出結果により時系列の温度変化が所定以上あるか否かに基づいて前記被加熱物の回転検出を行なうものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明においては、被加熱物を加熱室内に載置して加熱する加熱手段と、前記加熱室内に着脱可能に設置され加熱室を２つの領域に区分する区分け手段と、この区分された領域毎にそれぞれ配置され、前記加熱手段により加熱される加熱領域を複数領域に分けて各領域の温度を検出する２つの温度分布検出手段とを備え、前記２つの温度分布検出手段の検出結果に基づいて前記区分け手段が前記加熱室内に設置されているか否かを判定するものである。この結果、加熱室内を２つに区分けする二段調理と一段調理を選択可能な場合には、上下段各々の被加熱物の温度分布を検出することにより一段調理と二段調理の別を検出して、それぞれの調理形態に適した加熱制御を行なうことができる。
【００１２】
また、本発明は、前記区分けされた２つの領域毎に前記加熱室にマイクロ波を供給する給電口を設けたものである。この結果、一段調理と二段調理の別を検出して、それぞれの調理形態に適してマイクロ波を供給することができる。
【００１３】
また、本発明は、被加熱物を加熱室内に載置して加熱する加熱手段と、この被加熱物を回転させる駆動手段と、前記加熱手段により加熱される加熱領域を複数領域に分けて所定間隔毎に各領域の温度を検出する単数又は複数の温度分布検出手段と、前記温度分布検出手段で検出した複数の温度データを前記分割された領域の内の所定領域に関連づけて逐一記憶する記憶手段とを備え、少なくとも一つの温度分布検出手段からの検出結果により時系列の温度変化が所定以上あるか否かに基づいて前記被加熱物の回転検出を行なうものである。この結果、温度分布検出結果から被加熱物の温度変化を算出して、被加熱物の回転の有無を判定して、異常状態の検出として用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
実施の形態１．
図１は本発明の実施の形態１に係わる加熱調理装置の１実施例としての高周波加熱装置の要部縦断面図、図２はサーモパイルユニットの拡大図、図３はこの高周波加熱装置の制御ブロック図である。
【００１５】
図１において、１は加熱調理装置の１実施例としての高周波加熱装置本体で、２は食品等の被加熱物３を加熱する加熱室、４は被加熱物３を載置するターンテーブル、４ａはターンテーブル４の下部に配置されたマイクロ波を攪拌変化させる金属のロータリープレート、５はターンテーブル４を回転駆動させるターンテーブル用モータである。６はマイクロ波を発生するマグネトロン、７はマイクロ波の通り道となる導波管、８ａは導波管７の出口で加熱室２の壁部に設けた上部給電口、８ｂは下部給電口である。９は導波管７の出口に設けられた可動板で、可動板用モータ９ａの駆動によって上下方向に可動可能であり、上部給電口８ａ及び下部給電口８ｂの開口面積を可変する。図１の（ａ）は上部給電口８ａ及び下部給電口８ｂの両方を全部開口したもの、（ｂ）は上部給電口８ａの開口面積を狭めたものを示している。
【００１６】
１０ａ，１０ｂは被加熱物３の温度分布を検出する温度分布検出手段たるサーモパイルモジュールで、サーモパイルモジュール１０ａは加熱室２の天井面に集光レンズが下向きになるように配置され、サーモパイルモジュール１０ｂは加熱室２の壁面に集光レンズが横向きになるように配置されている。
なお、本体１の前面側には開閉自在に取り付けられたドア（図示せず）が設けられており、このドアの横に設けられた操作パネルで各種調理条件や加熱開始指令を入力する入力手段（図示せず）を有している。
【００１７】
図２，３において、１１Ａａ〜１１Ｄｄはそれぞれサーモパイル（以下１１Ａａ〜１１Ｄｄまでの任意のサーモパイルを表すときは、「サーモパイル１１」とする。）を示している。最初のアルファベットの大文字が１行目からＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの順番を示し、次のアルファベットの小文字が１列目からａ，ｂ，ｃ，ｄの順番を示し、４行４列に配置されている。１２は１６素子のサーモパイル１１が４×４のマトリクス状に配列されるサーモパイルユニット、１３はサーモパイルユニット１２の前方に配置され、サーモパイルモジュール１０ａ，１０ｂそれぞれの被検知領域１４から放射される赤外線をサーモパイルユニット１２に集光させる集光レンズである。
【００１８】
一方、１５はサーモパイル１１からの出力信号を後述するアドレス信号によって選択するスキャン手段、１６はこのスキャン手段１５で選択された出力信号を所定レベルまで増幅する第１の増幅手段である。１７はサーモパイル１の冷接点に近接して配置されるサーミスタ等からなる接触型の基準温度素子、１８は基準温度素子１７からの出力信号を所定レベルまで増幅する第２の増幅手段である。１９は第１の増幅手段１６で増幅された信号と第２の増幅手段１８で増幅された出力信号とを入力として比較増幅する差動増幅手段である。ここで、サーモパイルモジュール１０ａ，１０ｂは、上記のサーモパイルユニット１２とスキャン手段１５と第１の増幅手段１６と基準温度素子１７と第２の増幅手段１８と差動増幅手段１９とをキャンパッケージ等で包み、このパッケージの表面に集光レンズ１３を配置して構成されている。
【００１９】
２０は所定のタイミングでスキャン手段１５にサーモパイル１１Ａａ〜１１Ｄｄまでのアドレス信号を出力する信号出力手段、２１は上下のサーモパイルモジュール１０ａ，１０ｂの各々の差動増幅手段１９からの出力信号を受け取り、サーモパイルモジュール１０ａ，１０ｂの選択・切替を行なうマルチプレクサ、２２はマルチプレクサ２１の電圧出力をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換手段、２３はＡ／Ｄ変換手段２２のデジタル信号出力を温度データに変換する温度データ変換手段、２４は温度データ変換手段２３から出力される温度データを記憶する記憶手段でサーモパイル１１の１６素子に対応する記憶バッファーを有している。
【００２０】
２５は信号出力手段２０と記憶手段２４からの出力信号を受け取り、その目的に応じて演算処理を行ない、マグネトロン６の出力や可動板９の可動を制御する制御手段である。２６は信号出力手段２０とマルチプレクサ２１とＡ／Ｄ変換手段２２と温度データ変換手段２３と記憶手段２４と制御手段２５とを内蔵するマイクロコンピューター（以下「マイコン」という。）である。また、２７は制御手段２５の出力結果によって、マグネトロン６の出力制御、可動板用モータ９ａの駆動制御を行なうドライバーである。
【００２１】
次に、図１〜３を参照して高周波加熱装置１の動作及びターンテーブル４に載置された被加熱物３の温度分布検出について説明する。電源スイッチ（図示せず）をＯＮすると、マグネトロン６が駆動され、マイクロ波が発信されて導波管７及び上下部給電口８ａ，８ｂを介して加熱室２内に供給され、被加熱物３を加熱する。この時、ターンテーブル用モータ５も同時に駆動して、ターンテーブル４上に載置された被加熱物３はターンテーブル４とともに回転しながら加熱される。このとき、ターンテーブル４の下部に設けられた金属のロータリープレート４ａ及び被検知物３の回転によってマイクロ波が攪拌変化する。また、マイクロ波によって加熱室２内に形成される定在波に対しの回転によって被加熱物３の位置が順次変更する。このマイクロ波の攪拌変化と被加熱物３の位置変更によって、全体として被加熱物３の加熱ムラが軽減する。
【００２２】
一方、サーモパイルモジュール１０ａ，１０ｂ、マイコン２６に通電すると、被検知領域１４から放射された赤外線が集光レンズ１３で集光されてサーモパイルユニット１２に受光される。サーモパイルユニット１２のサーモパイル１１は受光によって温度変化し、熱電対の温接点と冷接点に発生した温度差を電圧に変換して出力する。
【００２３】
この時、信号出力手段２０から出力される出力信号によりスキャン手段１５はサーモパイルユニット１２の出力電圧の内１つ、例えばサーモパイル１Ａａからの出力電圧を選択して、第１の増幅手段１６へ選択した電圧を出力する。
一方、サーモパイルユニット１２の冷接点付近に配置された基準温度素子１７は、周囲温度即ち絶対温度を検出し、第２の増幅手段１８へ電圧を出力する。これらの増幅手段１６，１８で増幅された出力電圧は、差動増幅手段１９で比較・増幅されるため、周囲温度が変化しても被検知領域１４の温度を電圧値として正確に検出することができる。
【００２４】
この差動増幅手段１９で比較・増幅された電圧は、マイコン２６に内蔵されるＡ／Ｄ変換手段２２に入力されてデジタル信号となり、このデジタル信号が温度データ変換手段２３によって、温度データに変換されてサーモパイル１１Ａａの温度データとして記憶手段１４に記憶される。以上の動作をサーモパイル１１Ａａ〜１１Ｄｄまで、サーモパイルモジュール１０ａ，１０ｂのそれぞれ順次３２回行なうことで、全てのサーモパイル１１の温度データを記憶手段２４に記憶させることができる。なお、この記憶手段２４を複数設けることによって、時系列毎のサーモパイル１１の温度データをそれぞれ記憶させておくことも可能となる。
【００２５】
この記憶手段２４に記憶された温度データと信号出力手段２０からのアドレス信号データを受け取って、制御手段２５は演算処理を行なう。以下に、その演算処理について図４〜６を用いて説明する。図４はターンテーブル４上に水の入ったグラス（被加熱物３）を載置した場合のサーモパイルモジュール１０ａ，１０ｂの被検知領域１４ａ，１４ｂを示す図である。ここで、（ａ）はサーモパイルモジュール１０ａ，１０ｂ両方の被検知領域を示した正面図、（ｂ）はサーモパイルモジュール１０ａの被検知領域を示した側面図、（ｃ）はサーモパイルモジュール１０ｂの被検知領域を示した上面図である。尚、太線で示した部分が現在の水の入ったグラス（被加熱物３）の位置を示している。
【００２６】
ここで、１４ａは１６領域の内Ａ〜Ｄ行群を示したサーモパイルモジュール１０ａの被検知領域、１４ｂは１６領域の内ａ〜ｄ列群を示したサーモパイルモジュール１０ｂの被検知領域を示している。従って、被検知領域１４ａはターンテーブル４を覆う加熱室２の底部となり、ターンテーブル４上に載置された被加熱物３の温度分布を上方向から検出可能となる。一方、被検知領域１４ｂは加熱室２の壁部となり、ターンテーブル４上に載置された被加熱物３の温度分布を横方向から検出可能となる。
【００２７】
また、図５にはサーモパイルモジュール１０ａ，１０ｂのそれぞれの４×４の１６素子のサーモパイル１１が検出する温度データの時系列的推移を示している。ここで、時刻ｔ１はターンテーブル４の回転開始時，時刻ｔ２はターンテーブル４の９０度回転時，時刻ｔ３は１８０度回転時，時刻ｔ４は２７０度回転時を示している。即ち、ターンテーブル４の１／４周ごとにサーモパイルモジュール１０ａ，１０ｂの検出タイミングを設定している。また、図中の数字は各サーモパイル１１が検出した温度データを示している。尚、以下の説明ではターンテーブル４の１回転中に、被加熱物３の昇温はないものとする。
【００２８】
サーモパイルモジュール１０ａの温度分布検出において、この被加熱物３の位置はサーモパイル１１の４×４の１６素子の温度データから推定することができる。この推定は、例えばサーモパイル１１の１６素子の平均温度を算出し、この平均温度に対して偏差が所定以上ある素子については被加熱物３の温度を検出していると判断する（この素子を以下「発火素子」と定義する。）ことによって行なう。
【００２９】
即ち、時刻ｔ１ではサーモパイルモジュール１０ａのＢ行ではサーモパイル１１Ｂａ，１１Ｂｂ、Ｃ行では１１Ｃａ，，１１Ｃｂが発火素子となっており、時刻ｔ２ではサーモパイル１１Ａｂ，１１Ａｃ，１１Ｂｂ，１１Ｂｃが発火素子となっており、時刻ｔ３ではサーモパイル１１Ｂｃ，１１Ｂｄ，１１Ｃｃ，１１Ｃｄが発火素子となっており、時刻ｔ４ではサーモパイル１１Ｃｂ，１１Ｃｃ，１１Ｄｂ，１１Ｄｃが発火素子となっている。ターンテーブル４の回転に従って、図４に示したグラスの移動に連動して、ｔ１からｔ４までの間（ターンテーブル４の１周の間）に被加熱物３の位置が順次移動していくのがわかる。
【００３０】
ここで、被加熱物３がターンテーブル４の中心に載置された場合は発火素子に変化はないが、図４・５に示すようにターンテーブル４の中心に偏心して被加熱物３が載置された場合、または、被加熱物３自体がターンテーブル４の中心軸と軸対称でない場合、例えば皿自体は円形であるがその上の食品自体は円形でない場合、ターンテーブル４の回転に伴なって発火素子が変化する。サーモパイルモジュール１０ａのみから被加熱物３の立体的（３次元）な情報は得ることができないが、平面的（２次元）な温度分布及び位置情報を得ることができる。
【００３１】
一方、サーモパイルモジュール１０ｂは横方向から被加熱物３を検出するため、被加熱物３がサーモパイルモジュール１０ｂに最も近づいたとき（ｔ３）と最も離れたとき（ｔ１）で発火素子の数が異なるが、ｔ１〜ｔ４までの全体の温度データを総和して平均値を算出することで、被加熱物３の高さを認識できる。また、このサーモパイルモジュール１０ａとサーモパイルモジュール１０ｂの発火素子を総合すると、時刻ｔ１とｔ３で両者にシンメトリー性があり、また、両者の発火素子を比較することで時系列的な温度データが同期していれば、同一の被加熱物３を検出していることを確認できる。従って、サーモパイルモジュール１０ａとサーモパイルモジュール１０ｂの発火素子を総合して被加熱物３の立体的な温度分布及び形状（３次元形状）を認識することができる。
【００３２】
ここで、図６は平たい形状の被加熱物３をターンテーブル４上に載置した場合のサーモパイルモジュール１０ａ，１０ｂの被検知領域と、それぞれのサーモパイル１１の発火素子とを示す図である。サーモパイルモジュール１０ａは、上方から被加熱物３をその視野内に置いているので、発火素子から認識される被加熱物３の平面的な温度分布及び形状（２次元形状）は上述の水の入ったグラス（被加熱物３）をターンテーブル４上に載置した場合とほとんど変わらない。
【００３３】
一方、サーモパイルモジュール１０ｂによって横方向から見ると、被加熱物３の高さが水の入ったグラスと異なり、被加熱物３の背が低いことが分かる。従って、上方から被加熱物３の平面的な温度分布及び形状（２次元形状）を検出する場合と異なり、サーモパイルモジュール１０ａ，１０ｂの両方の方向から被加熱物３の温度分布を検出し、その検出結果を総合して初めて被加熱物３の正確な温度分布及び形状（３次元形状）を認識することができることがわかる。
【００３４】
尚、以上の被加熱物３の立体的な温度分布及び形状（３次元形状）の検出は、被加熱物３が冷蔵庫や冷凍庫に入っていて加熱室２内の温度よりも十分に被加熱物３の温度が低い場合や、調理途中で加熱室２内の温度よりも十分に高い場合は高周波加熱装置１の加熱調理の前に行なうことができる。一方、室内にただ放置されていたままの食品等が被加熱物３である場合には、高周波加熱装置１による加熱調理を開始した後、一定時間経過後に行なうように設定する。
【００３５】
また、上述の説明ではターンテーブル４の１／４周毎にサーモパイルモジュール１０ａ，１０ｂで被加熱物３の温度分布を検出したが、より細かい間隔で被加熱物３の温度分布を検出することもでき、この場合、より正確に被加熱物３の立体的な温度分布及び形状（３次元形状）を認識することができる。
【００３６】
次に、図７に示すフローチャートを参照して、本実施形態の高周波加熱装置の動作について説明する。
使用者は、図示せぬ高周波加熱装置１のドアを開けて、冷凍食品等の被加熱物３を加熱室２内に入れてターンテーブル４上に載置してドアを閉め、操作パネル（図示せず）の調理メニューボタン等を操作して、調理スタートボタンを押す（ステップＳ１０１のＹＥＳ）。調理スタートボタンが押されると、マグネトロン６及びターンテーブル４が駆動する（ステップＳ１０２）。次に、サーモパイルモジュール１０ａ，１０ｂの温度分布の検出タイミングであるか否かをタイマー計測し、検出タイミングであれば（ステップＳ１０３のＹＥＳ）、サーモパイルモジュール１０ａ，１０ｂで温度分布の検出を行なう（ステップＳ１０４）。ここで、検出タイミングは、例えばターンテーブル４の１／４周の約３秒に設定すれば、１／４周毎に被加熱物３の温度分布の検出を行なうことになる。
【００３７】
また、温度分布の検出は、加熱室２の天井に配置されたサーモパイルモジュール１０ａ、及び、加熱室２の壁面に配置されたサーモパイルモジュール１０ｂのサーモパイル１１Ａａ〜１１Ｄｄによって、それぞれ被加熱物３を含めた４×４＝１６領域の温度を検出して行なわれる。この１６領域の温度が記憶手段２４に記憶されると、１６個の温度データの平均温度と、この平均温度からの温度差（偏差）が算出される。この温度差が所定以上、例えば５℃以上ある素子については被加熱物３の温度を検出していると認識して、発火素子と判定する（ステップＳ１０５）。
【００３８】
この発火素子に基づいて加熱制御を行なう場合の一例を以下に示す。図４（ａ）に示すように、サーモパイルモジュール１０ｂの被検知領域１４ｂのＢ行のサーモパイル１１が発火素子となっている場合（ステップＳ１０６のＹＥＳ）には、被加熱物３が縦長の形状であると認識する。縦長の形状の場合は、被加熱物３が液体の場合が多いため、下部給電口８ｂからより多くのマイクロ波を供給する方が効率的であり、可動板９を上方向へ可動して上部給電口８ａを絞る（ステップＳ１０７）。
【００３９】
一方、サーモパイルモジュール１０ｂの被検知領域１４ｂのＢ行のサーモパイル１１が発火素子となっていない場合（ステップＳ１０６のＮＯ）には、サーモパイルモジュール１０ａとサーモパイルモジュール１０ｂの発火素子の数を比べる（ステップＳ１０８）。この結果、サーモパイルモジュール１０ａの発火素子の数の方が多い場合には（ステップＳ１０８のＹＥＳ）、被加熱物３が所定以上の大きさであるため、全体的にマイクロ波を供給する方が効率良く、可動板９を可動せずに上下部給電口８ａ，８ｂを解放する（ステップＳ１０９）。
【００４０】
また、サーモパイルモジュール１０ｂの発火素子の数の方が多い場合には（ステップＳ１０８のＮＯ）、被加熱物３が所定以下の大きさであるため、上方からマイクロ波を供給する方が被加熱物３の全体に均一照射できるため、可動板９を下方向へ可動して下部給電口８ｂを絞る（ステップＳ１１０）。
【００４１】
上記の加熱制御を行なった後、所定の停止条件を満たしているか否か、例えばサーモパイルモジュール１０ａ，１０ｂのサーモパイル１１Ａａ〜１１Ｄｄの平均温度が所定温度になっているか否かを判定する（ステップＳ１１１）。所定の停止条件を満たしていれば、マグネトロン６及びターンテーブル４の駆動を停止させて加熱調理を終了させる（ステップＳ１１２）。
【００４２】
本明細書では、冷却が不要等の取り扱い性や電気機器へ応用できるコスト性を考慮して熱型の赤外線センサであるサーモパイルについて説明しているが、他の赤外線センサを用いても良い。
【００４３】
実施の形態２．
図８は実施形態２の高周波加熱装置の動作フローを示すチャート図である。なお、高周波加熱装置の基本的構成は実施の形態１と同様であるので説明は省略する。また、実施の形態１と同一または相当部分には同じ符号を付し説明を省略する。
【００４４】
次に、図８に示すフローチャートを参照して、本実施形態の高周波加熱装置の動作について説明する。
使用者は、図示せぬ高周波加熱装置１のドアを開けて、冷凍食品等の被加熱物３を加熱室２内に入れてターンテーブル４上に載置してドアを閉め、操作パネル（図示せず）の調理メニューボタン等を操作して、調理スタートボタンを押す（ステップＳ２０１のＹＥＳ）。調理スタートボタンが押されると、マグネトロン６及びターンテーブル４が駆動する（ステップＳ２０２）。次に、サーモパイルモジュール１０ａ，１０ｂの温度分布の検出タイミングであるか否かをタイマー計測し、検出タイミングであれば（ステップＳ２０３のＹＥＳ）、サーモパイルモジュール１０ａ，１０ｂで温度分布の検出を行なう（ステップＳ２０４）。
【００４５】
ここで、サーモパイルモジュール１０ｂについては、１６領域のサーモパイル１１が検出した温度が記憶手段１４に記憶されると、１６個の温度データの平均温度と、この平均温度からの温度差（偏差）が算出される。この温度差が所定以上、例えば５℃以上ある素子については被加熱物３の温度を検出していると認識して、発火素子と判定し（ステップＳ２０５）、この発火素子数を算出して記憶手段２４に記憶する。
【００４６】
この発火素子数の検出を所定の検出タイミング毎にターンテーブル４が一周するまで、例えば４回行う（ステップＳ２０６のＮＯ）。そして、ターンテーブル４が一周すると（ステップＳ２０６のＹＥＳ）、記憶手段２４に記憶された４回分行なった発火素子数の算出データから、発火素子数が最大となるターンテーブル４の位置を記憶する（ステップＳ２０７）。この発火素子数が最大となっているときには、被加熱物３が最も給電口８ａ，８ｂに最も接近していることを示している。
【００４７】
従って、記憶手段２４に記憶されたターンテーブル４の位置に基づいて、ターンテーブル４を可変速制御する（ステップＳ２０８）。可変速制御の一例としては、被加熱物３が最も給電口８ａ，８ｂに近づいたとき、一定時間ターンテーブル用モータ５の速度を下げて、電界強度の強い給電口８ａ，８ｂ付近で被加熱物３をゆっくり通過させることで行なう。また、被加熱物３が最も給電口８ａ，８ｂに近づいたとき一定時間（例えば１０秒）ターンテーブル用モータ５の回転を停止させることでも良い。
【００４８】
上記の加熱制御を行なった後、所定の停止条件を満たしているか否か、例えばサーモパイルモジュール１０ａ，１０ｂのサーモパイル１１Ａａ〜１１Ｄｄの平均温度が所定温度になっているか否かを判定し（ステップＳ２０９）、所定の停止条件を満たしていれば、マグネトロン６及びターンテーブル４の駆動を停止させて加熱調理を終了させる（ステップＳ２１０）。
【００４９】
実施の形態３．
図９は本発明の実施の形態３に係わる高周波加熱装置の要部縦断面図、図１０，１１は本発明の実施の形態３に係わるサーモパイルユニットの被検知領域を示す図である。なお、高周波加熱装置の基本的構成は実施の形態１と同様であるので説明は省略する。また、実施の形態１と同一または相当部分には同じ符号を付し説明を省略する。
【００５０】
図９において、２８は加熱室２内の左右壁面の上下方向略中央部に突出して設けられた係止部、２９は係止部２８によって両端を係止され加熱室２を上下に区分する区分け手段であるとともに被加熱物３を載置する二段皿である。この二段皿２９は平面略四角形状で、高周波を透過する低誘電率材、若しくは高周波を透過しない金属材等によって形成される。
１０ｃは加熱室２の上部コーナーに設けられ二段皿２９装着時に二段皿２９の略全面を４×４のマトリクス状の１６領域に分割し、その分割した各領域毎の表面温度を検出するサーモパイルモジュール、１０ｄは加熱室２の壁部コーナーに設けられターンテーブル４の略全面を４×４のマトリクス状の１６領域に分割し、その分割した各領域毎の表面温度を検出するサーモパイルモジュールである。
また、３ａはターンテーブル４上に載置された被加熱物、３ｂは二段皿２９上に載置された被加熱物である。
【００５１】
図１０，１１を用いて、サーモパイルモジュール１０ｃ，１０ｄの被検知領域について説明する。図１０は二段皿２９設置時のサーモパイルモジュール１０ｃ，１０ｄの被検知領域を示す図であり、（ａ）は上面視図、（ｂ）は（ａ）のＺ−Ｚ断面視図である。被検知領域１４は、図２で示した４×４の１６領域に分割されたサーモパイル１１Ａａ〜１１Ｄｄに対応して４×４の１６領域に分割されている。つまり、サーモパイルモジュール１０ｃは二段皿２９の略全面を１６領域に分割し、サーモパイルモジュール１０ｄはターンテーブル４の略全面を１６領域に分割して該領域の温度分布を検出する。
【００５２】
一方、図１１は二段皿２９を設置していない場合のサーモパイルモジュール１０ｃ，１０ｄの被検知領域を示す図であり、（ａ）は上面視図、（ｂ）は（ａ）のＺ−Ｚ断面視図である。サーモパイルモジュール１０ｃ，１０ｄは一部重複してそれぞれターンテーブル４の略全面を１６×２＝３２領域に分割している。即ち、２つの方向からターンテーブル４上に載置された被加熱物３ａの温度分布を立体的（３次元的）に検出することができる。
【００５３】
次に、図３，９〜１１を参照して高周波加熱装置１の加熱動作及び被加熱物３ａ，３ｂの温度分布検出について説明する。先ず、調理の目的に応じて、加熱室２内に二段皿２９を設置するかどうかを選択し、設置する場合には二段皿２９を係止部２８上に載置し、ターンテーブル４及び二段皿２９上にそれぞれ被加熱物３ａ，３ｂを載置してドア（図示せず）を閉める。
【００５４】
次に、電源スイッチ（図示せず）をＯＮすると、マグネトロン６が駆動され、マイクロ波が発信されて導波管７及び上下部給電口８ａ，８ｂを介して加熱室２内に供給され、被加熱物３ａ，３ｂを加熱する。この時ターンテーブル用モータ５も同時に駆動して、ターンテーブル４上に載置された被加熱物３ａは回転しながら加熱される。
【００５５】
この時、二段皿２９上に載置された被加熱物３ｂは、例えば二段皿２９が高周波を透過する耐熱ガラス等の低誘電率材によって構成されていれば、加熱室２が物理的に仕切られていても、金属のロータリープレート（図示せず）による定在波の攪拌効果によって加熱ムラを軽減することができる。また、二段皿２９装着時には、ターンテーブル４上に載置された被加熱物３ａは下部給電口８ｂから供給されるマイクロ波によって加熱され、二段皿２９上に載置された被加熱物３ｂは主に上部給電口８ａから供給されるマイクロ波によって加熱される。
【００５６】
一方、サーモパイルモジュール１０ｃ，１０ｄ、マイコン２６に通電すると、被検知領域１４から放射された赤外線が集光レンズ１３で集光されてサーモパイルユニット１２に受光される。サーモパイルユニット１２のサーモパイル１１は受光によって温度変化し、熱電対の温接点と冷接点に発生した温度差を電圧に変換して出力する。
【００５７】
この時、信号出力手段２０から出力される出力信号によりスキャン手段１５はサーモパイルユニット１２の出力電圧の内１つ、例えばサーモパイル１Ａａからの出力電圧を選択して、第１の増幅手段１６へ選択した電圧を出力する。
一方、サーモパイルユニット１２の冷接点付近に配置された基準温度素子１７は、周囲温度即ち絶対温度を検出し、第２の増幅手段１８へ電圧を出力する。これらの増幅手段１６，１８で増幅された出力電圧は、差動増幅手段１９で比較・増幅されるため、周囲温度が変化しても被測定領域の温度を電圧値として正確に検出することができる。
【００５８】
この差動増幅手段１９で比較・増幅された電圧は、マイコン２６に内蔵されるＡ／Ｄ変換手段２２に入力されてデジタル信号となり、このデジタル信号が温度データ変換手段２３によって、温度データに変換されてサーモパイル１１Ａａの温度データとして記憶手段１４に記憶される。以上の動作をサーモパイル１１Ａａ〜１１Ｄｄまで、サーモパイルモジュール１０ｃ，１０ｄの順次３２回行なうことで、全てのサーモパイルの温度データを記憶手段２４に記憶させることができる。なお、この記憶手段２４を複数設けることによって、時系列毎の温度データをそれぞれ記憶させておくことも可能となる。
【００５９】
この記憶手段２４に記憶された温度データと信号出力手段２１からのアドレス信号データを受け取って、制御手段２５は演算処理を行なう。例えば、記憶手段２４に記憶された温度データから、被加熱物３ｂの温度が被加熱物３ａの温度よりも高いと演算すれば、被加熱物３ｂの加熱進行度合いが早いため、被加熱物３ａのマイクロ波照射を強めるためにドライバー２７を介して可動板用モータを駆動させて可動板９を上方向へ可動して上部給電口８ａを絞る。一方、被加熱物３ａの温度が被加熱物３ｂの温度よりも高いと演算すれば、逆に可動板９を下方向へ可動して下部給電口８ｂを絞る。この動作を所定間隔毎に繰返し行なえば、被加熱物３ａ，３ｂの加熱終了を同時にすることができ、また、一方の被加熱物の過加熱を防止でき、使用者が被加熱物を取り出す頻度も１回にすることができる。
【００６０】
また、二段皿２９が係止部２８に設置されない場合には、実施の形態１で説明したのと同様に、上方から被加熱物３ａの平面的な温度分布及び形状（２次元形状）を検出する場合と異なり、サーモパイルモジュール１０ｃ，１０ｄの両方の方向から検出して、その検出結果を総合して被加熱物３ａの立体的な温度分布及び形状（３次元形状）を認識して加熱制御を行なうことができる。
【００６１】
更に、二段皿２９が係止部２８に設置有無に関わらず、被加熱物３ａ，３ｂの初期温度をサーモパイルモジュール１０ｃ，１０ｄで検出した際に初期温度が低い場合や、操作パネルの入力手段で解凍調理が使用者によって選択された場合は、エッジランナウェイ現象による被加熱物３ａ，３ｂの端部の過加熱を防止する為に、加熱調理の初期の段階はマグネトロン６を通常駆動させ、例えばサーモパイルモジュール１０ｃ，１０ｄが検出する何れかの領域の温度が所定温度以上になった後はマグネトロン６への入力を抑えて駆動させるということもできる。これによって、好適な解凍仕上がりを得ることができる。
【００６２】
実施の形態４．
図１２は本発明の実施の形態４に係わる高周波加熱装置の制御ブロック図、図１３は高周波加熱装置の制御フローを示すチャート図である。なお、高周波加熱装置の基本的構成は実施の形態３と同様であるので説明は省略する。また、実施の形態１・３と同一または相当部分には同じ符号を付し説明を省略する。
【００６３】
本実施形態では、実施の形態３で説明した高周波加熱装置の制御手段２５の実際の制御動作について説明する。図１２において、３０は制御手段２５に含まれ二段皿２９の設置有無を検出する二段皿検出手段、３１は被加熱物３の加熱制御動作を行なう加熱制御手段、３２は二段皿検出手段３０及び加熱制御手段３１の結果を出力する表示・警報手段である。この表示・警報手段３２は、例えば、二段皿２９の設置有無、被加熱物３の立体的な温度分布及び形状（３次元形状）等を液晶画面等を用いて表示し、エラー情報を検出した場合にはエラー表示やブザー等の警報装置によっ使用者に警報するものである。
【００６４】
次に、図１３に示すフローチャートを参照して、本実施形態の高周波加熱装置の制御手段２５の制御動作について説明する。高周波加熱装置１の操作パネル（図示せず）の調理スタートボタンがＯＮされると（ステップＳ３０１）、プログラム上で使用するカウンタやフラグ類の初期化が行なわれ（ステップＳ３０２）、次いでマグネトロン６及びターンテーブル４が駆動する（ステップＳ３０３）。次に、サーモパイルモジュール１０ｃ，１０ｄの温度分布の検出タイミングであるか否かをタイマー計測し、検出タイミングであれば（ステップＳ３０４のＹＥＳ）、サーモパイルモジュール１０ｃ，１０ｄで温度分布の検出を行なう（ステップＳ３０５）。ここで、検出タイミングは、例えばターンテーブル４の１／４周の約３秒に設定すれば、１／４周毎に被加熱物３の温度分布の検出を行なうことになる。
【００６５】
被加熱物３の温度分布の検出を行うと、その検出した温度データを記憶手段２４の記憶バッファにサーモパイルモジュール１０ｃ，１０ｄの現在の温度データとして格納する（ステップＳ３０６）。更に、前回の被加熱物３の温度分布を検出した温度データがあれば、記憶バッファに格納されたサーモパイルモジュール１０ｃ，１０ｄの現在の温度データと１回前に検出した温度データとの差分をとって、この差分値を、サーモパイルモジュール１０ｃ，１０ｄの温度差分データとして格納する（ステップＳ３０７）。
【００６６】
次に、記憶バッファに温度分布検出の５回分以上の温度データ（ターンテーブル１周分の温度データ＋１温度データ）が格納されているか否かを判定し（ステップＳ３０８）、格納されている場合は次のステップへと進み（ステップＳ３０８のＹＥＳ）、現在の温度データとターンテーブル４の１周前の同位置の温度データとの温度変化データを記憶バッファに格納する（ステップＳ３０９）。上記により２パターンの時系列の温度変化を算出でき、記憶バッファに格納されたこれらのデータに基づいて、以下に説明する二段皿検出（ステップＳ３１０）及び加熱制御（ステップＳ３１１）を行なう。
【００６７】
次に、二段皿２９の検出の制御動作について図１４のフローを用いて説明する。まず、サーモパイルモジュール１０ｃの１６領域の温度差分データの中にマイナス成分があるか否か、即ち前回の温度データよりも現在の温度データの方が温度が低くなっている領域があるか否かを判定する（ステップＳ４０１）。マイナス成分がある場合には（ステップＳ４０１のＹＥＳ）、ターンテーブル４上で回転している被加熱物３の温度を検出していると認識し、ターンテーブル４が回転駆動されているため、ターンテーブル４の回転カウンタをインクリメントする（ステップＳ４０２）。
【００６８】
次に、サーモパイルモジュール１０ｄの１６領域のサーモパイル１１の温度差分データの中にマイナス成分があるか否かを判定する（ステップＳ４０３）。マイナス成分がある場合には（ステップＳ４０３のＹＥＳ）、ターンテーブル４は回転している被加熱物３の温度を検出していると認識して、ターンテーブル４の停止カウンタを０にカウンタリセットする（ステップＳ４０４）。一方、マイナス成分がない場合には（ステップＳ４０３のＮＯ）、ターンテーブル４は回転していないと認識して、エラー情報としてテーブル停止カウンタをインクリメントする（ステップＳ４０５）。上記動作をサーモパイルモジュール１０ｃ，１０ｄの検出タイミング毎に行なうことで、回転カウンタ及び停止カウンタのカウンタ値が増加または０にリセットする。
【００６９】
次に、テーブル４の停止カウンタの値が所定値（ＳＣ）を超えたかどうかを判定する（ステップＳ４０６）。この所定値は、例えばターンテーブル４の１／４周毎にサーモパイルモジュール１０ｃ，１０ｄ検出タイミングが設定されている場合には４に設定する。また、マイナス成分が１度でもある場合には上述の様に停止カウンタを０にリセットするため、サーモパイルモジュール１０ｄの何れの温度差分データにも５回連続してマイナス成分がない場合にのみ所定値（ＳＣ）を超え、誤動作を防止することができる。
【００７０】
テーブル４の停止カウンタの値が所定値（ＳＣ）を超えている場合は（ステップＳ４０６のＹＥＳ）、例えばターンテーブル４上に載置された被加熱物３が大きいため加熱室２の壁面に接触し、ターンテーブル４及びロータリープレートに対してターンテーブル用モータ５が空回り等していると判断し、停止フラグを立てる（ステップＳ４０７）。この、ターンテーブル４、ロータリープレート及び被加熱物３が停止していれば、ロータリープレートによるマイクロ波の攪拌ができずに被加熱物３に加熱ムラが生じてしまうためである。
【００７１】
一方、テーブル４の停止カウンタの値が所定値（ＳＣ）を超えていない場合は（ステップＳ４０６のＮＯ）、ターンテーブル４の一周分のサーモパイルモジュール１０ｃ，１０ｄそれぞれの温度データ（４回分の温度データ）から例えば列方向の温度変化パターンを算出して（ステップＳ４０８）、それぞれのサーモパイルモジュール１０ｃ，１０ｄの温度変化パターンの比較を行なう（ステップＳ４０９）。この温度変化パターンが所定の同等条件に満たないと判断すれば（ステップＳ４０９のＹＥＳ）、温度変化のパターン相違カウンタをインクリメントし（ステップＳ４１０）、温度変化パターン相違カウンタが所定値以上であるか否かの判定を行なう（ステップＳ４１１）。変化パターン相違カウンタが所定値以上である場合には（ステップＳ４１１のＹＥＳ）、サーモパイルモジュール１０ｃはターンテーブル４上の被加熱物３の温度分布を検出していないため、二段皿２９が設置されていると判断して、二段調理が行なわれていることを示す二段フラグを立てる（ステップＳ４１２）。
【００７２】
この温度変化パターンが所定の同等条件を満たしていれば（ステップＳ４０９のＮＯ）、二段皿２９が設置されず、一段調理が行なわれていると判断する。しかし、誤動作防止のためにターンテーブル４の回転カウンタが所定値以上であるか否かの判定を行ない（ステップＳ４１３）、所定値以上である場合（ステップＳ４１３のＹＥＳ）にのみ、二段皿２９が設置されずターンテーブル４上に載置された被加熱物３のみを加熱調理する一段調理が行なわれていると判断し、一段フラグを立てる（ステップＳ４１４）。回転カウンタが所定値以上でない場合（ステップＳ４１３のＮＯ）には、フラグは立てずにリターンする。
【００７３】
次に、被加熱物３の加熱制御動作について図１５のフローを用いて説明する。ここでは、図１２のフロー中で説明した、記憶バッファに格納された現在の温度データとターンテーブル４の１周前の同位置の温度データとの温度変化データ（ステップＳ３０９）を用いる。まず、後述する所定の加熱終了条件を満たしているか否かの判定を行ない（ステップＳ５０１）、加熱終了条件を満たしていれば（ステップＳ５０１のＹＥＳ）、停止フラグを立てる（ステップＳ５０２）。
【００７４】
また、所定の加熱終了条件を満たしていない場合（ステップＳ５０１のＮＯ）、負荷チェック即ち被加熱物３があるか否かの判定を行なうことになる。特に、加熱調理初期の段階では、加熱終了条件を満たさないため負荷チェックが必ず行なわれる。ここで、サーモパイルモジュール１０ｃの１６領域についての現在の温度データとターンテーブル４の１周前の同位置の温度データとの温度変化データが所定値（ＮＴ）を超えているか否かの判定を行なう（ステップＳ５０３）。
【００７５】
サーモパイルモジュール１０ｃの１６領域のサーモパイル１１の内の何れかの領域についての温度変化データが所定値（ＮＴ）を超えている場合には（ステップＳ５０３のＹＥＳ）、被加熱物３の温度分布を検出していると判断して無負荷判定を行う無負荷カウンタのカウンタ値を０にリセットする（ステップＳ５０４）。それと同時に、所定値（ＮＴ）を超えている温度変化データに対応する領域の温度を検出しているサーモパイル１１を発火素子と判断して、この発火素子を記憶する（ステップＳ５０５）。
【００７６】
全ての温度変化データが所定値（ＮＴ）を超えていない場合には（ステップＳ５０３のＮＯ）、無負荷カウンタをインクリメントし（ステップＳ５０６）、無負荷カウンタのカウンタ値が所定値（ＮＣ）を超えたか否かの判定を行なう（ステップＳ５０７）。無負荷カウンタのカウンタ値が所定値（ＮＣ）を超えている場合は（ステップＳ５０７のＹＥＳ）、サーモパイルモジュール１０ｃは被加熱物３を検出していないため、加熱調理に対する負荷が無いと判断して無負荷フラグを立てる（ステップＳ５０８）。
【００７７】
次に、サーモパイルモジュール１０ｄの１６領域についての現在の温度データとターンテーブル４の１周前の同位置の温度データとの温度変化データが所定値（ＮＴ）を超えているか否かの判定を行なう（ステップＳ５０９）。何れかの温度変化データが所定値（ＮＴ）を超えている場合には（ステップＳ５０９のＹＥＳ）、被加熱物３の温度分布を検出していると判断して無負荷判定を行う無負荷カウンタのカウンタ値を０にリセットする（ステップＳ５１０）。それと同時に、所定値（ＮＴ）を超えている温度変化データに対応する領域の温度を検出しているサーモパイル１１を発火素子と判断して、この発火素子を記憶する（ステップＳ５１１）。
【００７８】
全ての温度変化データが所定値（ＮＴ）を超えていない場合には（ステップＳ５０９のＮＯ）、無負荷カウンタをインクリメントし（ステップＳ５１２）、無負荷カウンタのカウンタ値が所定値（ＮＣ）を超えたか否かの判定を行なう（ステップＳ５１３）。無負荷カウンタのカウンタ値が所定値（ＮＣ）を超えている場合は（ステップＳ５１３のＹＥＳ）、サーモパイルモジュール１０ｄは被加熱物３を検出していないため、加熱調理に対する負荷が無いと判断して無負荷フラグを立てる（ステップＳ５１４）。
【００７９】
次に、サーモパイルモジュール１０ｃ,１０ｄの無負荷フラグが立っているか否かの判定を行ない、両方ともフラグが立っている場合には（ステップＳ５１５のＮＯ）、無負荷即ち被加熱物３無しと判断して停止フラグを立てる（ステップＳ５０２）。両方の無負荷フラグが立っていないか、又はサーモパイルモジュール１０ｃ,１０ｄの何れか一方の無負荷フラグのみが立っている場合には（ステップＳ５１５のＹＥＳ）、前述の二段皿２９の検出によって、二段フラグが立っているか否かを判定する（ステップＳ５１６）。
【００８０】
二段フラグが立っている場合には（ステップＳ５１６のＹＥＳ）、二段皿２９が設置されている二段調理の状態であるが、サーモパイルモジュール１０ｃ,１０ｄそれぞれの無負荷フラグが立っているか否かによって、ターンテーブル４及び二段皿２９の両方に被加熱物３が載置されているのか、何れか一方にのみ被加熱物３が載置されているのかを判定する。上下の何れかが無負荷の場合には、可動板９を無負荷の方向へ可動して、被加熱物３が載置されている方へ効率の良い加熱制御を行なうことができる。例えば、二段皿２９に被加熱物３が載置されていないと判定した場合には可動板９を上方向へ可動して上部給電口８ａを閉めれば、ターンテーブル４上の被加熱物３を集中加熱することができる。
【００８１】
また、サーモパイルモジュール１０ｃ,１０ｄそれぞれの発火素子の温度分布から、被加熱物３の加熱状態を認識して、この加熱状態に基づいてマグネトロン６及び可動板９を制御する。例えば、ターンテーブル４に載置された被加熱物３の温度が二段皿２９に載置された被加熱物３の温度よりも高いと演算すれば、逆に可動板９を下方向へ可動して下部給電口８ｂを絞れば、両方の被加熱物３の加熱終了を同時にすることができる。
【００８２】
更に、被加熱物３の温度変化データや現在の温度データ等より加熱終了条件を決定する。この加熱終了条件は温度または加熱時間によって設定することができる。例えば、温度条件の場合、発火素子の平均温度や最高温度、時系列の温度変化等によって条件を設定することができる。一方、使用者が仕上がり温度を設定する場合にはその温度を用いることもでき、使用者が被加熱物３の種類（例えば酒燗、ミルク等）を設定する場合には、その種類に応じた好適な温度に設定するようにしても良い。
【００８３】
二段フラグが立っていない場合には（ステップＳ５１６のＮＯ）、二段皿２９が設置されず一段調理の状態であり、実施の形態１で説明した様にサーモパイルモジュール１０ｃ,１０ｄの検出結果を総合して被加熱物３の立体的な温度分布及び形状（３次元形状）を認識することができる。また、サーモパイルモジュール１０ｃ,１０ｄそれぞれの発火素子の温度分布から、被加熱物３の加熱状態を認識して、この加熱状態に基づいて実施の形態１で説明した様にマグネトロン６及び可動板９を制御する。更に、被加熱物３の温度変化データや現在の温度データ等より二段調理の場合と同様に加熱終了条件を決定する。
【００８４】
二段皿検出（ステップＳ３１０）及び加熱制御（ステップＳ３１１）の結果、停止フラグが立っているか否かを判定する（ステップＳ３１２）。停止フラグが立っていない場合には（ステップＳ３１２のＮＯ）、加熱制御（ステップＳ３１１）において設定されたマグネトロン６の入力制御と可動板９の位置制御を行なう（ステップＳ３１３）。この時、現在の加熱状況等を表示・警報手段３２の液晶画面等に表示する。加熱状況等の具体例としては、二段皿２９の設置の有無（一段調理なのか二段調理なのか）、その調理形態における被加熱物３の立体的な温度分布及び形状（３次元形状）、マグネトロン６の入力情報、可動板９の位置情報等がある。
【００８５】
停止フラグが立っている場合には（ステップＳ３１２のＹＥＳ）、マグネトロン６及びターンテーブル４を停止させて（ステップＳ３１５）、停止条件としてエラー情報が含まれているか否かを判定する（ステップＳ３１６）。エラー情報が含まれている場合には（ステップＳ３１６のＹＥＳ）、表示・警報手段３２によってエラー内容を表示、又は所定時間警告音を発する（ステップＳ３１７）。一方、エラー情報が含まれていない場合には（ステップＳ３１６のＮＯ）、通常の加熱終了であるため、表示・警報手段３２によって、所定の加熱終了表示と報知音によって使用者に加熱が終了したことを知らせる（ステップＳ３１８）。この場合終了表示とともに、使用者が被加熱物を取り出すまで液晶画面に仕上がり温度、被加熱物３の立体的な温度分布等を表示することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の実施形態１に係わる高周波加熱装置の要部断面図である。
【図２】本発明の実施形態１に係わるサーモパイルユニットの拡大図である。
【図３】本発明の実施形態１に係わる高周波加熱装置の制御ブロック図である。
【図４】本発明の実施形態１に係わるサーモパイルユニットの被検知領域を示す図である。
【図５】本発明の実施形態１に係わるサーモパイルユニットの各領域の温度データを示す図である。
【図６】本発明の実施形態１に係わるサーモパイルユニットの被検知領域及び各領域の温度データを示す図である。
【図７】本発明の実施形態１に係わる高周波加熱装置の動作フローを示すチャート図である。
【図８】本発明の実施形態２に係わる高周波加熱装置の動作フローを示すチャート図である。
【図９】本発明の実施形態３に係わる高周波加熱装置の要部断面図である。
【図１０】本発明の実施形態３に係わるサーモパイルユニットの被検知領域を示す図である。
【図１１】本発明の実施形態３に係わるサーモパイルユニットの被検知領域を示す図である。
【図１２】本発明の実施形態４に係わる高周波加熱装置の制御ブロック図である。
【図１３】本発明の実施形態４に係わる高周波加熱装置の制御フローを示すチャート図である。
【図１４】本発明の実施形態４に係わる高周波加熱装置の二段皿検出の制御フローを示すチャート図である。
【図１５】本発明の実施形態４に係わる高周波加熱装置の加熱動作の制御フローを示すチャート図である。
【図１６】従来の高周波加熱装置の機能構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００８７】
１  高周波加熱装置本体、２  加熱室、３，３ａ，３ｂ  被加熱物、４  ターンテーブル、４ａ  ロータリープレート、５  ターンテーブル用モータ、６  マグネトロン、
７  導波管、８ａ  上部給電口、８ｂ  下部給電口、９  可動板、９ａ  可動板用モータ、１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ  サーモパイルモジュール、１１，１１Ａａ〜１１Ｄｄ  サーモパイル、１２  サーモパイルユニット、１３  集光レンズ、１４，１４ａ，１４ｂ  被検知領域、１５  スキャン手段、１６  第１の増幅手段、１７  基準温度素子、１８  第２の増幅手段、１９  差動増幅手段、２０  信号出力手段、２１  マルチプレクサ、２２  Ａ／Ｄ変換手段、２３  温度データ変換手段、２４  記憶手段、２５  制御手段、２６  マイクロコンピューター、２７  ドライバー、２８  係止部、２９  二段皿、３０  二段皿検出手段、３１  加熱制御手段、３２  表示警報手段。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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