(57)【要約】【課題】  所望の共振周波数を有する共振器が精度よく得られるようにしたＭＥＭＳ共振器及びその作製方法を提供する。【解決手段】  ビーム構造を有する複数種類の共振周波数を持つＭＥＭＳ共振器群２５を形成し、ＭＥＭＳ共振器群２５に強い信号を入力して所望の周波数の共振器２２1 、２２3 以外の共振器２２2 を破壊して、所望の周波数の共振器２２1 、２２3 のみが選択されたＭＥＭＳ共振器２０を得る。【選択図】      図３
2005192146.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビーム構造を有し複数種類の共振周波数を持つ共振器群から、強い信号の入力により所望の周波数の共振器以外の共振器が破壊されて成る
ことを特徴とするＭＥＭＳ共振器。
【請求項２】
前記共振器群は、複数種類の共振周波数の共振器が並列に接続されて成る
ことを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳ共振器。
【請求項３】
ビーム構造を有する複数種類の共振周波数を持つＭＥＭＳ共振器群を形成し、
前記ＭＥＭＳ共振器群に強い信号を入力して所望の周波数の共振器以外の共振器を破壊する
ことを特徴とするＭＥＭＳ共振器の作製方法。
【請求項４】
前記ＭＥＭＳ共振器群は、複数種類の共振周波数の共振器を並列の接続した共振器群である
ことを特徴とする請求項３記載のＭＥＭＳ共振器の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ共振器及びその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報技術の発展に伴い、近年ネットワークを利用するデバイスの数は飛躍的に増加しており、使い勝手の面からも、無線ネットワーク技術に対する需要が高まっている。無線通信で用いられる高周波フロントエンドモジュールには、半導体チップの他に、高周波（ＲＦ）フィルタ用、中間周波数（ＩＦ）フィルタ用に表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタや誘電体フィルタなど、比較的サイズの大きな部品が存在している。これらの存在が高周波フロントエンドモジュールの小型化と低コスト化を阻んできた。これらのフィルタ機能を半導体チップの中に取り込むことが現在求められている。
【０００３】
半導体プロセスを用いて形成されたビーム型のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｙｓｔｅｍｓ）共振器は、デバイスの占有面積が小さいこと、高いＱ値を実現きること、他の半導体デバイスとのインテグレーションが可能であること、という特長により、無線通信デバイスの中でも中間周波数（ＩＦ）フィルタ、高周波（ＲＦ）フィルタとしての利用がミシガン大学を始めとする研究期間から提案されている（非特許文献１参照）。
【０００４】
図１４は、非特許文献１に記載された高周波フィルタを構成するＭＥＭＳ共振器の概略を示す。このＭＥＭＳ共振器１は、半導体基板２上に絶縁膜３を介して例えば多結晶シリコンによる入力側配線層４と出力電極５が形成され、この出力電極５に対向して空間６を挟んで例えば多結晶シリコンによる振動可能なビーム（所謂ビーム型の振動電極）７が形成されて成る。ビーム７は、両端のアンカー部（支持部）８〔８Ａ，８Ｂ〕にて支持されるように、出力電極５をブリッジ状に跨いで入力側配線層４に接続される。ビーム７は入力電極となる。入力側配線層４の端部には、例えば金（Ａｕ）膜９が形成される。このＭＥＭＳ共振器１では、入力側配線層４の金（Ａｕ）膜９より入力端子ｔ1 、出力電極５より出力端子ｔ2 が導出される。
【０００５】
このＭＥＭＳ共振器１は、ビーム７と接地間にＤＣバイアス電圧が印加された状態で、入力端子ｔ1 を通じてビーム７に高周波信号が供給される。即ち、入力端子ｔ1 からＤＣバイアス電圧と高周波信号が重畳された入力信号が供給される。目的周波数の高周波信号が入力されると、ビームの長さＬで決まる固有振動数を有するビーム７が、出力電極５とビーム７間に生じる静電力で振動する。この振動によって、出力電極５とビーム７との間の容量Ｃ０の時間変化とＤＣバイアス電圧に応じた高周波信号が出力電極５（したがって、出力端子ｔ2 ）出力される。高周波フィルタではビーム７の固有振動数（共振周波数）に対応した信号が出力される。
【０００６】
【非特許文献１】Ｃ．Ｔ．−Ｎｇｕｙｅｎ，″Ｍｉｃｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ｆｏｒ  ｍｉｎｉａｔｕｒｉｚｅｄ  ｌｏｗ−ｐｏｗｅｒ  ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ（ｉｎｖｉｔｅｄ  ｐｌｅｎａｒｙ），″ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ，１９９９  ＩＥＥＥ  ＭＴＴ−Ｓ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ＲＦ  ＭＥＭＳ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ，  Ｊｕｎｅ，１８，１９９９，ｐｐ．４８−７７．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、複数のＭＥＭＳ共振器を作製したとき、半導体プロセス上のばらつきにより、ビームの長さやビームの厚さにばらつきが生じ、ＭＥＭＳ共振器が所望の周波数からずれるという問題があった。一方、複数の共振周波数を持つ共振器群を作製する場合、共振周波数の組み合わせにより、複数種類の露光用マスクが必要になり、作製が煩雑になることがあった。
【０００８】
本発明は、上述の点に鑑み、例えば半導体プロセス上のばらつきがあっても、所望の共振周波数にして特性の改善を可能にしたＭＥＭＳ共振器及びその作製方法を提供するものである。
また、本発明は、任意の共振周波数の組み合わせを可能にしたＭＥＭＳ共振器及びその作成方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るＭＥＭＳ共振器は、ビーム構造を有し複数種類の共振周波数を持つ共振器群のうち、強い信号の入力により所望の周波数の共振器以外の共振器が破壊された構成とする。
【００１０】
本発明のＭＥＭＳ共振器では、複数種類の共振周波数をもつ共振器群のうち、強い信号の入力により所望の共振周波数以外の共振器が破壊されているので、所望の共振周波数のみを有したＭＥＭＳ共振器となる。
【００１１】
本発明に係るＭＥＭＳ共振器の作製方法は、ビーム構造を有する複数種類の共振周波数を持つＭＥＭＳ共振器群を形成し、このＭＥＭＳ共振器群に強い信号を入力して所望の周波数の共振器以外の共振器を破壊することを特徴とする。
【００１２】
本発明のＭＥＭＳ共振器の作製方法では、複数種類の共振周波数を持つＭＥＭＳ共振器群に強い信号を入力することにより、所望の共振周波数を持った共振器のみが選択されて残り、他の共振周波数の共振器が除去される。これにより、所望の共振周波数のＭＥＭＳ共振器が作製される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係るＭＥＭＳ共振器によれば、複数種類の共振周波数を持つ共振器群のうち、所望の共振周波数を持った共振器のみが選択されて残り、他の共振周波数の共振器が除去される。これにより、共振周波数にばらつきを持った共振器のうち、所望の共振周波数からのずれの大きな共振器を取り除くことができ、ＭＥＭＳ共振器の特性を改善することができる。従って、半導体プロセス上のばらつきがあっても、所望の共振周波数にしてＭＥＭＳ共振器の特性を改善することができる。
任意の共振周波数の共振器を組み合わせたＭＥＭＳ共振器群を容易に提供することができる。
【００１４】
本発明に係るＭＥＭＳ共振器の作製方法によれば、共振周波数にばらつきを持った共振器のうち、所望の共振周波数からのずれの大きな共振器を取り除き、所望の共振周波数の共振器のみを残すことにより、所望の共振周波数のみを有する特性改善されたＭＥＭＳ共振器を作製することができる。
複数種類の露光用マスクを作製することなく、任意の共振周波数の共振器群を作製することができる。例えば、９０ＭＨｚ〜１１０ＭＨｚの共振器を作製し、それらのいくつかを除去することにより、任意の共振周波数の組み合わせを有するＭＥＭＳ共振器群を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１６】
図１〜図３は、本発明に係るＭＥＭＳ共振器及びその作製方法の一実施の形態を示す。
本実施の形態においては、図１に示すように、共通の基板２１上にビーム構造を有する複数のＭＥＭＳ共振器素子、即ち複数種類の共振周波数のＭＥＭＳ共振器素子２２〔２２1 、２２2 、２２3 〕を並列に形成し、その入力電極２３を並列接続し、その出力電極２４を並列接続してなるＭＥＭＳ共振器群２５を作製する。
本例では９９ＭＨｚのＭＥＭＳ共振器素子２２1 、１００ＭＨｚのＭＥＭＳ共振器素子２２2 、１０１ＭＨｚのＭＥＭＳ共振器素子２２3 の３つの共振器素子からなる共振器群２５を形成する。
【００１７】
各ＭＥＭＳ共振器素子２２〔２２1 、２２2 、２２3 〕は、図１及び図１１Ａ，Ｂに示すように、基板２１の同一平面上に入力電極２３及び出力電極２４を夫々３つに分岐して形成し、分岐された各対をなす入出力電極２３、２４に対向して空間２６を挟んで各独立した振動板となるビーム（いわゆるビーム型の振動電極）２７〔２７1 、２７2 、２７3 〕形成して構成される。本実施の形態では、この複数のＭＥＭＳ共振器素子２２を並列接続して１つのデバイスとしてＭＥＭＳ共振器群２５が構成される。
【００１８】
各ビーム２７〔２７1 、２７2 、２７3 〕は、入出力電極２３、２４をブリッジ状に跨ぎ、入出力電極２３、２４の外側に配置した配線層２８に接続されるように、両端を支持部（いわゆるアンカー部）２９〔１９Ａ，２９Ｂ〕で一体に支持される。ビーム２７は両持ち梁構造となる。
基板２１は、例えばシリコン（Ｓｉ）やガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体基板上に絶縁膜を形成した基板、石英基板やガラス基板のような絶縁性基板等が用いられる。本例ではシリコン基板上にシリコン窒化膜を形成した基板が用いられる。入力電極２３、出力電極２４、配線層２８は、同じ導電材料で形成することができ、例えば多結晶シリコン膜、アルミニウム（Ａｌ）などの金属膜、さらには半導体基板に不純物を導入して形成した不純物半導体層、等にて形成することができる。ビーム２７は、例えば多結晶シリコン膜、アルミニウム（Ａｌ）などの金属膜にて形成することができる。
【００１９】
本実施の形態では、このＭＥＭＳ共振器群２５において、この中の特定の共振周波数の共振器素子を除去し、その他の共振周波数の共振器素子を残すようになす。即ち、本例では共振周波数が１００ＭＨｚの共振器素子２２2 のみを除去し、その他の共振周波数の共振器素子２２1 、２２3 を残して目的のＭＥＭＳ共振器２０を作製する方法である。
【００２０】
このため、上記ＭＥＭＳ共振器群２５の入力電極２３に、図２に示すような１００ＭＨｚにピークを持ち、通常の共振器として動作させるパワーより大きいパワー、即ちＭＥＭＳ共振器素子が破壊されない限界のパワーＰ１を超える大きいパワーＰ2 を有した強い高周波信号Ｓ1 を入力する。この高周波信号Ｓ1 が入力されると、１００ＭＨｚの共振器素子２２2 のビーム２７2 が激しく振動し、弾性限界を超えてビーム２７2 が破断し、或いは支持部２９が破損する。これにより、１００ＭＨｚの共振器素子２２2 は共振器として動作しなくなり、図３に示すように、１００ＭＨｚの共振器素子２２2 のみが破壊された構成へと変化する。このようにして、ＭＥＭＳ共振器群２５から１００ＭＨｚの共振器素子２２2 のみが取り除かれ、その他の９９ＭＨｚ、１０１ＭＨｚの共振器素子２２1 、２２3 が残った目的のＭＥＭＳ共振器、即ちＭＥＭＳ共振器群２０が完成する。
【００２１】
ＭＥＭＳ共振器素子２２の通常の動作は次の通りである。ビーム２７の所要のＤＣバイアス電圧が印加される。入力電極２３に目的周波数の高周波信号が入力されると、ビーム２７と入力電極２３間に生じる静電力で、２次の振動モードでビーム２７が共振する。このビーム２７の共振で出力電極２４から目的周波数の高周波信号が出力される。他の主は数の信号が入力されたときは、ビーム２７が共振せず、出力電極２４から信号が出力されない。
【００２２】
図４〜図６は、本発明に係るＭＥＭＳ共振器及びその作製方法の他の実施の形態を示す。本実施の形態においては、図４に示すように、共通の基板２１上にビーム構造を有する複数のＭＥＭＳ共振器素子、即ち複数種類の共振周波数のＭＥＭＳ共振器素子２２〔２２1 、２２2 、２２3 〕を並列に形成し、その入力電極２３を並列接続し、その出力電極２４を並列接続してなるＭＥＭＳ共振器群２５を作製する。
本例では前述と同様に、９９ＭＨｚのＭＥＭＳ共振器素子２２1 、１００ＭＨｚのＭＥＭＳ共振器素子２２2 、１０１ＭＨｚのＭＥＭＳ共振器素子２２3 の３つの共振器素子からなる共振器群２５を形成する。
【００２３】
本実施の形態では、このＭＥＭＳ共振器群２５において、この中の特定の共振周波数の共振器素子のみを残し、それ以外の共振周波数の共振器素子を除去するようになす。本例では共振周波数が１００ＭＨｚの共振器素子２２2 のみを残し、その他の共振周波数の共振器素子２２1 、２２3 を除去して目的のＭＥＭＳ共振器３０を作製する方法である。
【００２４】
このため、上記ＭＥＭＳ共振器群２５の入力電極２３に、図５に示すような１００ＭＨｚを除いて他の周波数のパワーＰ2 が通常の共振器として動作させるパワーより大きいパワー、即ちＭＥＭＳ器素子が破壊されない限界のパワーＰ１を超える大きいパワーである強い高周波信号Ｓ2 を入力する。この高周波信号Ｓ2 が入力されると、９９ＭＨｚと１０１ＭＨｚの共振器素子２２1 と２２3 が激しく振動し、弾性限界を超えてビーム２７1 、２７3 が破断し、或いはビーム２７1 、２７3 の支持部２９が破損する。これにより、９９ＭＨｚと１０１ＭＨｚの共振器素子２２1 と２２3 が共振器として動作しなくなり、図６に示すように、９９ＭＨｚの共振器素子２２1 と１０１ＭＨｚの共振器素子２２3 が破壊された構成へと変化する。このようにして、ＭＥＭＳ共振器群２５から１００ＭＨｚの共振器素子２２2 のみが残り、それ以外の周波数の共振器素子２２1 、２２3 が取り除かれた目的のＭＥＭＳ共振器、即ちＭＥＭＳ共振器群３０が完成する。
【００２５】
上例では、３種類の共振周波数の３つの共振器素子２２1 〜２２3 を持つＭＥＭＳ共振器群２５から所要の共振周波数を持つ共振器素子のみを残し、その他の共振器素子を除去して目的のＭＥＭＳ共振器２０、３０を構成したが、その他、２種類、或いは３種類以上共振周波数をもつ複数の共振器素子を有するＭＥＭＳ共振器群を作製して、任意の共振器素子のみを残し、それ以外の共振器素子を除去して、ＭＥＭＳ共振器を構成することができる。
【００２６】
上述の実施の形態によれば、複数の共振周波数を持つＭＥＭＳ共振器群２５に対し、強い信号を入力してＭＥＭＳ共振器群２５のうち、所望の共振周波数を持った共振器素子のみを選択して残し、その他の共振器素子を除去することにより、所望の共振周波数を持ったＭＥＭＳ共振器２０、３０を構成することができる。また、例えば半導体プロセス上のばらつきでビーム２７の長さ、厚さにばらつきを有する場合にも、所望の共振周波数からのずれの大きな共振器素子を取り除くことができ、ＭＥＭＳ共振器としての特性を改善することができる。
【００２７】
図７〜図１０は、本発明に係るＭＥＭＳ共振器及びその作製方法の更に他の実施の形態を示す。本実施の形態においては、共通の基板２１上に予め複数種類の共振周波数に定められ、夫々ビーム２７1 、２７2 、２７3 、２７4 、２７5 を有した複数のＭＥＭＳ共振器素子３２〔３２1 、３２2 、３２3 、３２４、３２5 〕を並列に形成し、その入力電極２３を並列接続し、その出力電極２４を並列接続してなるＭＥＭＳ共振器群３３を作製する。
本例では、９９ＭＨｚのＭＥＭＳ共振器素子２２1 、１００ＭＨｚのＭＥＭＳ共振器素子２２2 、１０１ＭＨｚのＭＥＭＳ共振器素子２２3 、１０２ＭＨｚのＭＥＭＳ共振器素子２２4 、１０３ＭＨｚのＭＥＭＳ共振器素子２２5 の５つの共振器素子からなる共振器群３３を形成する。
【００２８】
本実施の形態では、このＭＥＭＳ共振器群３３を用いて、任意の共振周波数の組み合わせをもったＭＥＭＳ共振器群を作製する方法である。
このため、第１の組み合わせのＭＥＭＳ共振器群を構成するときは、上記ＭＥＭＳ共振器群３３の入力電極２３に、例えば、共振器素子２２1 、２２2 及び２２4 のみを残し、その他の共振器素子２２3 、２２5 を破壊するような強い高周波信号を入力する。これによって、図８に示すような９９ＭＨｚの共振器素子２２1 と１００ＭＨｚの共振器素子２２2 と１０２ＭＨｚの共振器素子２２4 を組み合わせたＭＥＭＳ共振器群３７を得る。
第２のＭＥＭＳ共振器群を構成するときは、上記ＭＥＭＳ共振器群３３の入力電極２３に、例えば、共振器素子２２2 、２２3 及び２２5 のみを残し、その他の共振器素子２２１、２２2 を破壊するような強い高周波信号を入力する。これによって、図９に示すような１００ＭＨｚの共振器素子２２2 と１０１ＭＨｚの共振器素子２２3 と１０３ＭＨｚの共振器素子２２5 を組み合わせたＭＥＭＳ共振器群３８を得る。
第３のＭＥＭＳ共振器群を構成するときは、上記ＭＥＭＳ共振器群３３の入力電極２３に、例えば、共振器素子２２1 、２２4 及び２２5 のみを残し、その他の共振器素子２２2 、２２3 を破壊するような強い高周波信号を入力する。これによって、図１０に示すような９９ＭＨｚの共振器素子２２1 と１０２ＭＨｚの共振器素子２２4 と１０３ＭＨｚの共振器素子２２5 を組み合わせたＭＥＭＳ共振器群３９を得る。
【００２９】
本実施の形態によれば、複数種類の露光マスクを作製することなく、図７のＭＥＭＳ共振器群３３を形成するに必要な露光マスクのみで、任意の周波数の共振器素子を組み合わせた共振器群３７、３８、３９を作製することができる。この場合、任意の周波数の共振器群の半導体プロセスが一回で済み、製造が容易になる。
【００３０】
次に、図１２及び図１３を用いて本実施の形態のＭＥＭＳ共振器群２５、３３の製造方法を説明する。なお、図では要部のＭＥＭＳ共振器素子の断面構造を示す。
本実施の形態においては、先ず、図１２Ａに示すように、シリコン基板５１の上面に所要の膜圧の絶縁膜５２を形成した基板２２を用意する。本例ではシリコン基板５１上に膜厚１μｍのシリコン窒化膜（ＳｉＮ）膜５２を形成して基板２２を形成する。
【００３１】
次に、図１２Ｂに示すように、基板２２の絶縁膜５２上に下部電極、即ち入出力電極となる所要の膜厚の導電性膜５３を形成する。本例ではシリコン窒化膜５２上に膜厚０．５μｍの多結晶シリコン膜５３を蒸着により形成する。
次いで、図１２Ｃに示すように、多結晶シリコン膜５３を選択エッチングによりパターニングして下部電極となる入力電極２３及び出力電極２４と、配線層２８とを形成する。この入出力電極２３、２４及び配線層２８のパターンは、前述の図１、図４、図７に対応したパターンに形成される。
【００３２】
次に、図１２Ｄに示すように、入出力電極２３、２４及び配線層２８の上面を含む基板２２の全面に所要の膜厚の犠牲層５４を形成する。本例では犠牲層となる膜厚０．５μｍのシリコン参加（ＳｉＯ２）膜５４を蒸着により形成する。
次に、図１２Ｅに示すように、犠牲層５４を平坦化処理して、入出力電極２４、２５上の犠牲層５４の膜厚を所要の膜厚に設定する。この犠牲層５４の膜厚は前述のビーム２７と入出力電極２３、２４との間の空間２６の高さに相当する。本例ではＣＭＰ（化学機械研磨）法を用いて犠牲層のシリコン酸化膜５４を平坦化し、入出力電極２３、２４の上に膜厚０．１μｍにシリコン酸化膜５４が残るようにする。
【００３３】
次に、図１３Ｆに示すように、犠牲層５４の一部を選択エッチングして配線層２８の一部が露出するコンタクト孔５５を形成する。
次に、図１３Ｇに示すように、犠牲層５４上にビームとなる所要の膜厚の導電性膜５６を形成する。このとき、導電性膜５６の一部はコンタクト孔５５を通じて配線層２８に接続される。本例ではビームとなる膜厚０．５μｍの多結晶シリコン膜５６を蒸着により形成する。
なお、前述の多結晶シリコン膜５３、５６、シリコン酸化膜５４は、化学蒸着法であるＣＶＤ（化学気相成長）法で形成することができるが、物理蒸着法で形成することも可能である。
【００３４】
次に、図１３Ｈに示すように、導電性膜である多結晶シリコン膜５６をパターニングしてビーム２７を形成する。このビーム２７のパターンは、前述の図１、図４、図７に対応したパターンに形成される。
【００３５】
次に、図１３Ｉに示すように、犠牲層５４を選択的に除去する。本例では犠牲層であるシリコン酸化膜５４をフッ酸により除去する。これにより、入力電極２３及び出力電極２４に対して所要の空間２６を挟んでビーム２７が配置された、図１、図４又は図７に示すＭＥＭＳ共振器群２５又は３３を得る。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明に係るＭＥＭＳ共振器の作製に適用されるＭＥＭＳ共振器群の第１実施の形態を示す構成図である。
【図２】第１実施の形態のＭＥＭＳ共振器群に入力される強い信号の例を示す信号波形図である。
【図３】第１実施の形態のＭＥＭＳ共振器群から得られた本発明に係るＭＥＭＳ共振器の一実施の形態を示す構成図である。
【図４】本発明に係るＭＥＭＳ共振器の作製に適用されるＭＥＭＳ共振器群の第２実施の形態を示す構成図である。
【図５】第２実施の形態のＭＥＭＳ共振器群に入力される強い信号の例を示す信号波形図である。
【図６】第２実施の形態のＭＥＭＳ共振器群から得られた本発明に係るＭＥＭＳ共振器の一実施の形態を示す構成図である。
【図７】本発明に係るＭＥＭＳ共振器の作製に適用されるＭＥＭＳ共振器群の第３実施の形態を示す構成図である。
【図８】第３実施の形態のＭＥＭＳ共振器群から得られた本発明に係るＭＥＭＳ共振器の一実施の形態を示す構成図である。
【図９】第３実施の形態のＭＥＭＳ共振器群から得られた本発明に係るＭＥＭＳ共振器の他の実施の形態を示す構成図である。
【図１０】第３実施の形態のＭＥＭＳ共振器群から得られた本発明に係るＭＥＭＳ共振器のさらに他の実施の形態を示す構成図である。
【図１１】Ａ  本発明に係るＭＥＭＳ共振器素子の断面図である。              Ｂ  本発明に係るＭＥＭＳ共振器素子の平面図である。
【図１２】Ａ〜Ｅ  本発明に係るＭＥＭＳ共振器群の製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１）である。
【図１３】Ｆ〜Ｉ  本発明に係るＭＥＭＳ共振器群の製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その２）である。
【図１４】従来のＭＥＭＳ共振器の断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
２０、３０、３７、３８、３９・・ＭＥＭＳ共振器、２１・・基板、２２〔２２1 、２２2 、２２3 、２２4 、２２5 〕・・ＭＥＭＳ共振器素子、２３・・入力電極、２４・・出力電極、２５、３３・・ＭＥＭＳ共振器群、２７〔２７1 、２７2 、２７3 、２７4 、２７5 〕・・ビーム、Ｓ1 ，Ｓ2 ・・強い入力信号
【図１】
2005192146.tif 000003
【図２】
2005192146.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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