(57)【要約】【課題】画像（画面）全体の明るさを低下させること無く、画像（画面）全体の明るさが均一化された平面型表示装置を提供する。【解決手段】平面型表示装置は、Ｍ本のストライプ状の第１電極１３及びＮ本のストライプ状の第２電極１１を備え、発光領域がＭ×Ｎ個の２次元マトリックス状に配列され、第１電極１３が走査電極として順次選択される線順次駆動方式であり、第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・Ｍ）の第１電極１３に第１基準電圧を印加し、第２電極１１に第２基準電圧を印加して、第ｍ番目の第１電極１３によって構成される発光領域における発光状態を調べ、（１）係る発光領域における発光状態が基準よりも明るい場合、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における基準発光時間ＬＴmが短く設定され、（２）基準よりも暗い場合、基準発光時間ＬＴmが長く設定される。【選択図】  図１
2005070528.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延びるＭ本のストライプ状の第１電極、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＮ本のストライプ状の第２電極を備え、第１電極と第２電極との重複領域から構成された発光領域がＭ×Ｎ個の２次元マトリックス状に配列され、第１電極が走査電極として順次選択される線順次駆動方式の平面型表示装置であって、
第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・Ｍ）の第１電極に第１基準電圧を印加し、第２電極に第２基準電圧を印加して、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における発光状態を調べ、
（１）係る発光領域における発光状態が基準よりも明るい場合、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における基準発光時間ＬＴmが短く設定され、
（２）係る発光領域における発光状態が基準よりも暗い場合、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における基準発光時間ＬＴmが長く設定される、
ことを特徴とする平面型表示装置。
【請求項２】
第１の方向に延びるＭ本のストライプ状の第１電極、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＮ本のストライプ状の第２電極を備え、第１電極と第２電極との重複領域から構成された発光領域がＭ×Ｎ個の２次元マトリックス状に配列され、第１電極が走査電極として順次選択される線順次駆動方式の平面型表示装置であって、
第２電極と平行に延びるダミー第２電極を更に備え、
第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・Ｍ）の第１電極に第１基準電圧を印加し、ダミー第２電極に第２基準電圧を印加して、第ｍ番目の第１電極とダミー第２電極との重複領域から構成されたダミー発光領域における発光状態を調べ、
（１）係るダミー発光領域における発光状態が基準よりも明るい場合、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における基準発光時間ＬＴmが短く設定され、
（２）係るダミー発光領域における発光状態が基準よりも暗い場合、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における基準発光時間ＬＴmが長く設定される、
ことを特徴とする平面型表示装置。
【請求項３】
ｍ＝１からｍ＝Ｍまでの基準発光時間ＬＴmの総和は一定であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の平面型表示装置。
【請求項４】
第ｍ’番目［但し、ｍ’＝１，２・・・（Ｍ−１）］の第１電極によって構成されるＮ個の発光領域における発光状態を制御するためのデータが入力されてから、第（ｍ’＋１）番目の第１電極によって構成されるＮ個の発光領域における発光状態を制御するためのデータが入力されるまでの期間内において、基準発光時間ＬＴm'の長短が設定されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の平面型表示装置。
【請求項５】
平面型表示装置は冷陰極電界電子放出表示装置であり、
該冷陰極電界電子放出表示装置は、カソードパネルとアノードパネルとがそれらの周縁部で接合されて成り、
カソードパネルは、
（ａ）支持体、
（ｂ）支持体上に形成され、第１の方向に延びるＮ本のストライプ状のカソード電極、
（ｃ）支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層、
（ｄ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＭ本のストライプ状のゲート電極、及び、
（ｅ）カソード電極とゲート電極との重複領域に位置する電子放出領域、
から構成されており、
アノードパネルは、基板、並びに、該基板上に形成された、各電子放出領域に対応して設けられた蛍光体領域及びアノード電極から構成されており、
電子放出領域は、ゲート電極及び絶縁層に設けられた開口部の底部に位置する電子放出部から構成され、
ゲート電極が第１電極に該当し、カソード電極が第２電極に該当し、電子放出領域が発光領域の一部に該当することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の平面型表示装置。
【請求項６】
平面型表示装置は冷陰極電界電子放出表示装置であり、
該冷陰極電界電子放出表示装置は、カソードパネルとアノードパネルとがそれらの周縁部で接合されて成り、
カソードパネルは、
（ａ）支持体、
（ｂ）支持体上に形成され、第１の方向に延びるＭ本のストライプ状のカソード電極、
（ｃ）支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層、
（ｄ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＮ本のストライプ状のゲート電極、及び、
（ｅ）カソード電極とゲート電極との重複領域に位置する電子放出領域、
から構成されており、
アノードパネルは、基板、並びに、該基板上に形成された、各電子放出領域に対応して設けられた蛍光体領域及びアノード電極から構成されており、
電子放出領域は、ゲート電極及び絶縁層に設けられた開口部の底部に位置する電子放出部から構成され、
カソード電極が第１電極に該当し、ゲート電極が第２電極に該当し、電子放出領域が発光領域の一部に該当することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の平面型表示装置。
【請求項７】
第１の方向に延びるＭ本のストライプ状の第１電極、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＮ本のストライプ状の第２電極を備え、第１電極と第２電極との重複領域から構成された発光領域がＭ×Ｎ個の２次元マトリックス状に配列され、第１電極が走査電極として順次選択される線順次駆動方式の平面型表示装置の駆動方法であって、
第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・Ｍ）の第１電極に第１基準電圧を印加し、第２電極に第２基準電圧を印加して、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における発光状態を調べ、
（１）係る発光領域における発光状態が基準よりも明るい場合、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における基準発光時間ＬＴmを短く設定し、
（２）係る発光領域における発光状態が基準よりも暗い場合、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における基準発光時間ＬＴmを長く設定する、
ことを特徴とする平面型表示装置の駆動方法。
【請求項８】
第１の方向に延びるＭ本のストライプ状の第１電極、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＮ本のストライプ状の第２電極を備え、第１電極と第２電極との重複領域から構成された発光領域がＭ×Ｎ個の２次元マトリックス状に配列され、第１電極が走査電極として順次選択される線順次駆動方式の平面型表示装置の駆動方法であって、
平面型表示装置は、第２電極と平行に延びるダミー第２電極を更に備え、
第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・Ｍ）の第１電極に第１基準電圧を印加し、ダミー第２電極に第２基準電圧を印加して、第ｍ番目の第１電極とダミー第２電極との重複領域から構成されたダミー発光領域における発光状態を調べ、
（１）係るダミー発光領域における発光状態が基準よりも明るい場合、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における基準発光時間ＬＴmを短く設定し、
（２）係るダミー発光領域における発光状態が基準よりも暗い場合、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における基準発光時間ＬＴmを長く設定する、
ことを特徴とする平面型表示装置の駆動方法。
【請求項９】
ｍ＝１からｍ＝Ｍまでの基準発光時間ＬＴmの総和は一定であることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の平面型表示装置の駆動方法。
【請求項１０】
第ｍ’番目［但し、ｍ’＝１，２・・・（Ｍ−１）］の第１電極によって構成されるＮ個の発光領域における発光状態を制御するためのデータが入力されてから、第（ｍ’＋１）番目の第１電極によって構成されるＮ個の発光領域における発光状態を制御するためのデータが入力されるまでの期間内において、基準発光時間ＬＴm'の長短を設定することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の平面型表示装置の駆動方法。
【請求項１１】
平面型表示装置は冷陰極電界電子放出表示装置であり、
該冷陰極電界電子放出表示装置は、カソードパネルとアノードパネルとがそれらの周縁部で接合されて成り、
カソードパネルは、
（ａ）支持体、
（ｂ）支持体上に形成され、第１の方向に延びるＮ本のストライプ状のカソード電極、
（ｃ）支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層、
（ｄ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＭ本のストライプ状のゲート電極、及び、
（ｅ）カソード電極とゲート電極との重複領域に位置する電子放出領域、
から構成されており、
アノードパネルは、基板、並びに、該基板上に形成された、各電子放出領域に対応して設けられた蛍光体領域及びアノード電極から構成されており、
電子放出領域は、ゲート電極及び絶縁層に設けられた開口部の底部に位置する電子放出部から構成され、
ゲート電極が第１電極に該当し、カソード電極が第２電極に該当し、電子放出領域が発光領域の一部に該当することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の平面型表示装置の駆動方法。
【請求項１２】
平面型表示装置は冷陰極電界電子放出表示装置であり、
該冷陰極電界電子放出表示装置は、カソードパネルとアノードパネルとがそれらの周縁部で接合されて成り、
カソードパネルは、
（ａ）支持体、
（ｂ）支持体上に形成され、第１の方向に延びるＭ本のストライプ状のカソード電極、
（ｃ）支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層、
（ｄ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＮ本のストライプ状のゲート電極、及び、
（ｅ）カソード電極とゲート電極との重複領域に位置する電子放出領域、
から構成されており、
アノードパネルは、基板、並びに、該基板上に形成された、各電子放出領域に対応して設けられた蛍光体領域及びアノード電極から構成されており、
電子放出領域は、ゲート電極及び絶縁層に設けられた開口部の底部に位置する電子放出部から構成され、
カソード電極が第１電極に該当し、ゲート電極が第２電極に該当し、電子放出領域が発光領域の一部に該当することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の平面型表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、線順次駆動方式の平面型表示装置、及び、係る平面型表示装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
第１の方向に延びるＭ本のストライプ状の第１電極、及び、第１の方向とは異なる（例えば、直交する）第２の方向に延びるＮ本のストライプ状の第２電極を備え、第１電極と第２電極との重複領域から構成された発光領域がＭ×Ｎ個の２次元マトリックス状に配列された構造を有する平面型表示装置として、例えば、冷陰極電界電子放出表示装置、プラズマ表示装置、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、無機エレクトロルミネッセンス表示装置が知られている（例えば、特開平１１−２９６１３１号参照）。そして、これらの平面型表示装置にあっては、線順次駆動方式が屡々採用されている。ここで、線順次駆動方式とは、マトリクス状に交差する電極群の内の第１電極を走査電極、第２電極をデータ電極とし、第１電極を選択、走査し、第２電極からの信号に基づき画像を表示させ、１画面を構成する方法である。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２９６１３１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、平面型表示装置の製造時の各種要因や経時変化によって、平面型表示装置の第１電極（走査電極）によって構成される発光領域の発光状態にばらつきが生じる場合がある。即ち、或る第１電極によって構成されるＮ個の発光領域における発光状態は明るく、別の第１電極によって構成されるＮ個の発光領域における発光状態は暗いといった現象が生じる場合がある。尚、以下の説明において、例えば第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・Ｍ）の第１電極によって構成されるＮ個の発光領域を、便宜上、第ｍ番目の発光領域行と呼び、例えば第ｍ’番目［但し、ｍ’＝１，２・・・（Ｍ−１）］の第１電極によって構成されるＮ個の発光領域を、便宜上、第ｍ’番目の発光領域行と呼ぶ場合がある。
【０００５】
図１６の（Ａ）に模式的に示すように、第ｍ番目の発光領域行における発光状態を制御するためのデータ（図１６の（Ａ）においては「入力データ」で表す）が平面型表示装置に入力される。通常、第ｍ’番目の発光領域行における発光状態を制御するためのデータが平面型表示装置（より具体的には駆動ドライバ）に入力されてから、第（ｍ’＋１）番目の発光領域行における発光状態を制御するためのデータが平面型表示装置に入力されるまでに、或る期間が存在する。この期間は、ブランキング期間と呼ばれる。図１６の（Ｂ）に示すように、ブランキング期間内において、第ｍ’番目の第１電極から第（ｍ’＋１）番目の第１電極への切替タイミングパルス（ロード信号）が第１電極を駆動する駆動ドライバに入力される。そして、図１６の（Ｃ）に示すように、この切替タイミングパルス（ロード信号）に応じて、第１電極が線順次駆動され、第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・Ｍ）の第１電極に、順次、例えば一定の電圧Ｖ1が印加される。また、第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２・・・Ｎ）の第２電極には、階調に応じて、例えば、可変の電圧Ｖ2が印加され（電圧変調方式）、あるいは又、印加電圧を一定とし、印加電圧パルス幅を可変とした電圧が印加される（ＰＷＭ方式）。
【０００６】
ここで、図１６の（Ｄ）に示すように、第（ｍ＋１）番目の発光領域行の発光状態が最も明るく、第（ｍ＋２）番目の発光領域行の発光状態が最も暗いとする。
【０００７】
このような場合、第（ｍ＋２）番目の発光領域行の発光状態（輝度）に、他の第１電極によって構成されるＮ個の発光領域における発光状態を合わせる。即ち、図１６の（Ｅ）に示すように、ブランキング信号を追加して、第１電極に電圧を印加する時間を短縮する。具体的には、図１６の（Ｆ）に模式的に示すように、（輝度）×（第１電極に電圧を印加する時間）の値が出来る限り同じ値となるようなブランキング信号を生成させることで、第１電極に電圧を印加する時間を短縮する。
【０００８】
こうして、表示装置全体として画像（画面）の明るさの均一化を図ることはできる。しかしながら、最も暗い発光領域行を基準として画像（画面）の明るさの均一化が図られるが故に、画像（画面）をより一層明るくしたいという要望に反してしまう。
【０００９】
従って、本発明の目的は、画像（画面）全体の明るさを低下させること無く、画像（画面）全体の明るさが均一化された平面型表示装置、及び、係る平面型表示装置の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る平面型表示装置は、
第１の方向に延びるＭ本のストライプ状の第１電極、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＮ本のストライプ状の第２電極を備え、第１電極と第２電極との重複領域から構成された発光領域がＭ×Ｎ個の２次元マトリックス状に配列され、第１電極が走査電極として順次選択される線順次駆動方式の平面型表示装置であって、
第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・Ｍ）の第１電極に第１基準電圧を印加し、第２電極に第２基準電圧を印加して、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における発光状態を調べ、
（１）係る発光領域における発光状態が基準よりも明るい場合、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における基準発光時間ＬＴmが短く設定され、
（２）係る発光領域における発光状態が基準よりも暗い場合、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における基準発光時間ＬＴmが長く設定される、
ことを特徴とする。
【００１１】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る平面型表示装置は、
第１の方向に延びるＭ本のストライプ状の第１電極、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＮ本のストライプ状の第２電極を備え、第１電極と第２電極との重複領域から構成された発光領域がＭ×Ｎ個の２次元マトリックス状に配列され、第１電極が走査電極として順次選択される線順次駆動方式の平面型表示装置であって、
第２電極と平行に延びるダミー第２電極を更に備え、
第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・Ｍ）の第１電極に第１基準電圧を印加し、ダミー第２電極に第２基準電圧を印加して、第ｍ番目の第１電極とダミー第２電極との重複領域から構成されたダミー発光領域における発光状態を調べ、
（１）係るダミー発光領域における発光状態が基準よりも明るい場合、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における基準発光時間ＬＴmが短く設定され、
（２）係るダミー発光領域における発光状態が基準よりも暗い場合、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における基準発光時間ＬＴmが長く設定される、
ことを特徴とする。
【００１２】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る平面型表示装置の駆動方法は、
第１の方向に延びるＭ本のストライプ状の第１電極、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＮ本のストライプ状の第２電極を備え、第１電極と第２電極との重複領域から構成された発光領域がＭ×Ｎ個の２次元マトリックス状に配列され、第１電極が走査電極として順次選択される線順次駆動方式の平面型表示装置の駆動方法であって、
第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・Ｍ）の第１電極に第１基準電圧を印加し、第２電極に第２基準電圧を印加して、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における発光状態を調べ、
（１）係る発光領域における発光状態が基準よりも明るい場合、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における基準発光時間ＬＴmを短く設定し、
（２）係る発光領域における発光状態が基準よりも暗い場合、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における基準発光時間ＬＴmを長く設定する、
ことを特徴とする。
【００１３】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る平面型表示装置の駆動方法は、
第１の方向に延びるＭ本のストライプ状の第１電極、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＮ本のストライプ状の第２電極を備え、第１電極と第２電極との重複領域から構成された発光領域がＭ×Ｎ個の２次元マトリックス状に配列され、第１電極が走査電極として順次選択される線順次駆動方式の平面型表示装置の駆動方法であって、
平面型表示装置は、第２電極と平行に延びるダミー第２電極を更に備え、
第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・Ｍ）の第１電極に第１基準電圧を印加し、ダミー第２電極に第２基準電圧を印加して、第ｍ番目の第１電極とダミー第２電極との重複領域から構成されたダミー発光領域における発光状態を調べ、
（１）係るダミー発光領域における発光状態が基準よりも明るい場合、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における基準発光時間ＬＴmを短く設定し、
（２）係るダミー発光領域における発光状態が基準よりも暗い場合、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における基準発光時間ＬＴmを長く設定する、
ことを特徴とする。
【００１４】
本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る平面型表示装置あるいは平面型表示装置の駆動方法（以下、これらを総称して、単に、本発明と呼ぶ場合がある）において、第１基準電圧及び第２基準電圧は、例えば、平面型表示装置における実際の画像表示時に第１電極及び第２電極に印加される電圧とすればよい。平面型表示装置における実際の画像表示時に第１電極に印加される電圧が可変である場合には、第１基準電圧の値は、実際の画像表示時に第１電極に印加される電圧の範囲内で適宜決定すればよい。また、平面型表示装置における実際の画像表示時に第２電極に印加される電圧が可変である場合には、実際の画像表示時に第２電極に印加される電圧の範囲内で適宜決定すればよい。
【００１５】
本発明において、基準発光時間ＬＴmとは、例えば、平面型表示装置における実際の画像表示時に発光領域において規定の発光状態（例えば最大輝度若しくは最大階調、又は、所定の輝度若しくは階調）を得るために必要とされる実際の画像表示時における発光時間を意味する。場合によっては、基準発光時間ＬＴmを、一種の係数としたり、パルスカウント数とすることもできる。基準発光時間ＬＴmを一種の係数とする場合には、基準の時間に係数である基準発光時間ＬＴmを乗ずることによって、実際の画像表示時における実際の基準発光時間を得ることができる。基準発光時間ＬＴmをパルスカウント数とする場合には、パルスカウント数に相当する基準発光時間ＬＴmとパルスのカウント数とが一致したときを、実際の画像表示時における実際の基準発光時間とすればよい。
【００１６】
また、発光領域における発光状態あるいはダミー発光領域における発光状態を「基準」と比較するが、例えば、第１番目から第Ｍ番目までの第１電極に第１基準電圧を印加し、第２電極あるいはダミー第２電極に第２基準電圧を印加し、こうして得られた発光領域あるいはダミー発光領域における発光状態の平均（例えば、輝度の平均値や、流れる電流の平均値）を、係る基準として採用すればよい。
【００１７】
本発明の第１の態様に係る平面型表示装置あるいは平面型表示装置の駆動方法においては、第ｍ番目の第１電極に第１基準電圧を印加し、第２電極に第２基準電圧を印加するが、このときの第２基準電圧を印加する第２電極の本数は、最低１本であればよく、最大Ｎ本である。これによって、各第１電極において、最低１つの発光領域、最大Ｎ個の発光領域における発光状態を調べることができる。
【００１８】
本発明の第２の態様に係る平面型表示装置あるいは平面型表示装置の駆動方法においては、ダミー第２電極の本数に制限はなく、最低１本であればよく、最大Ｐ本（Ｐ≧２）である。これによって、各第１電極において、最低１つのダミー発光領域、最大Ｐ個のダミー発光領域における発光状態を調べることができる。
【００１９】
本発明において、ｍ＝１からｍ＝Ｍまでの基準発光時間ＬＴmの総和は一定である。即ち、１フレーム時間は常に一定である。尚、Ｍ本の第１電極をＱ個の群に分け、各群（第１電極の本数はＭ／Ｑ）における基準発光時間ＬＴm_Qの総和を、全ての群において等しい値としてもよい。
【００２０】
本発明においては、第ｍ’番目［但し、ｍ’＝１，２・・・（Ｍ−１）］の第１電極によって構成されるＮ個の発光領域における発光状態を制御するためのデータが入力されてから、第（ｍ’＋１）番目の第１電極によって構成されるＮ個の発光領域における発光状態を制御するためのデータが入力されるまでの期間（所謂、ブランキング期間）内において、基準発光時間ＬＴm'の長短が設定されている構成とすることが好ましい。尚、第ｍ’番目の第１電極によって構成される発光領域を、以下、便宜上、第ｍ’番目の発光領域行と呼ぶ場合があり、この第ｍ’番目の発光領域行における発光状態を制御するためのデータを第ｍ’番目の入力データと呼ぶ場合があり、第（ｍ’＋１）番目の第１電極によって構成される発光領域を、以下、便宜上、第（ｍ’＋１）番目の発光領域行と呼ぶ場合があり、この第（ｍ’＋１）番目の発光領域行における発光状態を制御するためのデータを第（ｍ’＋１）番目の入力データと呼ぶ場合がある。即ち、第ｍ’番目の発光領域行における発光開始を、第ｍ’番目の入力データが入力されてから、第（ｍ’＋１）番目の入力データが入力されるまでの期間［第ｍ’番目のブランキング期間］内とし、第ｍ’番目の発光領域行における発光終了を、第（ｍ’＋１）番目の入力データが入力されてから、第（ｍ’＋２）番目の入力データが入力されるまでの期間［第（ｍ’＋１）番目のブランキング期間］内とすることが好ましい。
【００２１】
また、本発明において、第１の方向と第２の方向は直交していることが（即ち、第１電極の射影像と第２電極の射影像とは直交していることが）、平面型表示装置の構造の簡素化といった観点から好ましい。
【００２２】
本発明にあっては、第１電極は第１電極駆動ドライバによって駆動され、第２電極は第２電極駆動ドライバによって駆動される構成とすることができるが、これらの駆動ドライバとして周知の駆動ドライバを用いることができる。また、第１電極や第２電極のそれぞれに印加すべき電圧を生成させる回路（カソード電極駆動用電源やゲート電極駆動用電源）も、周知の回路（電源）から構成することができる。
【００２３】
本発明の第１の態様に係る平面型表示装置あるいはその駆動方法にあっては、平面型表示装置の完成後、各第１電極（走査電極）によって構成される発光領域における発光状態（輝度、あるいは、平面型表示装置が例えば冷陰極電界電子放出表示装置から成る場合、例えば、アノード電極からダミーカソード電極へと流れる放出電子電流値）を測定し、この測定結果に基づき基準発光時間ＬＴmを決定し（例えば、発光領域における発光状態が基準と一致し、あるいは、基準に近づくように、基準発光時間ＬＴmを決定し）、係る基準発光時間ＬＴmを平面型表示装置に備えられた記憶手段（例えば、ＲＯＭ）に記憶させておけばよい。これによって、実際の画像表示時における基準発光時間ＬＴmの長短の設定を行うことができる。
【００２４】
また、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置あるいはその駆動方法にあっては、第１電極とダミー第２電極との重複領域から構成されたダミー発光領域における発光状態を評価し（平面型表示装置が例えば冷陰極電界電子放出表示装置から成る場合、例えば、アノード電極からダミーカソード電極へと流れる放出電子電流値を測定し）、係る評価結果（測定結果）に基づき基準発光時間ＬＴmを決定し（例えば、ダミー発光領域における発光状態が基準と一致し、あるいは、基準に近づくように、基準発光時間ＬＴmを決定し）、係る基準発光時間ＬＴmを平面型表示装置に備えられた記憶手段に記憶すればよい。これによって、実際の画像表示時における基準発光時間ＬＴmの長短の設定を行うことができる。
【００２５】
本発明にあっては、平面型表示装置として、冷陰極電界電子放出表示装置、プラズマ表示装置、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、無機エレクトロルミネッセンス表示装置を挙げることができる。階調制御方式として、電圧変調方式（第１電極を選択、走査する時、第２電極への印加電圧を階調に応じて変化させる方式）、パルス幅変調方式［ＰＷＭ（Pulse Width Modulation）方式。第２電極への印加電圧を一定とし、印加電圧パルス幅を可変とし、時間的に階調制御を行う方式］、パルス数変調方式［ＰＮＭ（Pulse Numbers Modulation）方式。第２電極への印加電圧を一定とし、印加電圧パルス幅も一定とし、印加電圧パルス数で階調制御を行う方式］、フレーム抜き取り方式（印加電圧を一定とし、フレーム表示の有無を制御することにより、時間的に階調制御を行う方式）、サブフィールド表示方式（１フレームを２のべき乗に応じた時間幅の各サブフィールドに分割し、このサブフィールドの組み合わせにより階調制御を行う方式）といった周知の階調制御方式を採用することができる。
【００２６】
本発明において、Ｍ及びＮの値の組合せとして、具体的には、（１９２０，１０８０）、（１９２０，１０３５）、（１０２４，７６８）、（８００，６００）、（６４０，４８０）、（７２０，４８０）、（１２８０，９６０）、（１２８０，１０２４）等、画像表示用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。
【００２７】
ここで、平面型表示装置を冷陰極電界電子放出表示装置とする場合、冷陰極電界電子放出表示装置は、カソードパネルとアノードパネルとがそれらの周縁部で接合されて成り、
カソードパネルは、
（ａ）支持体、
（ｂ）支持体上に形成され、第１の方向に延びるＮ本のストライプ状のカソード電極、
（ｃ）支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層、
（ｄ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＭ本のストライプ状のゲート電極、及び、
（ｅ）カソード電極とゲート電極との重複領域に位置する電子放出領域、
から構成されており、
アノードパネルは、基板、並びに、該基板上に形成された、各電子放出領域に対応して設けられた蛍光体領域及びアノード電極から構成されており、
電子放出領域は、ゲート電極及び絶縁層に設けられた開口部の底部に位置する電子放出部から構成され、
ゲート電極が第１電極に該当し、カソード電極が第２電極に該当し、電子放出領域が発光領域の一部に該当する構成とすることができる。
【００２８】
この場合、例えば、ゲート電極に印加される電圧の最大値を第１基準電圧とし、カソード電極に印加される電圧の最小値を第２基準電圧とすればよい。
【００２９】
あるいは又、平面型表示装置を冷陰極電界電子放出表示装置とする場合、冷陰極電界電子放出表示装置は、カソードパネルとアノードパネルとがそれらの周縁部で接合されて成り、
カソードパネルは、
（ａ）支持体、
（ｂ）支持体上に形成され、第１の方向に延びるＭ本のストライプ状のカソード電極、
（ｃ）支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層、
（ｄ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＮ本のストライプ状のゲート電極、及び、
（ｅ）カソード電極とゲート電極との重複領域に位置する電子放出領域、
から構成されており、
アノードパネルは、基板、並びに、該基板上に形成された、各電子放出領域に対応して設けられた蛍光体領域及びアノード電極から構成されており、
電子放出領域は、ゲート電極及び絶縁層に設けられた開口部の底部に位置する電子放出部から構成され、
カソード電極が第１電極に該当し、ゲート電極が第２電極に該当し、電子放出領域が発光領域の一部に該当する構成とすることができる。
【００３０】
この場合、例えば、カソード電極に印加される電圧の最小値を第１基準電圧とし、ゲート電極に印加される電圧の最大値を第２基準電圧とすればよい。
【００３１】
冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、カソード電極及びゲート電極に印加された電圧によって生じた強電界が電子放出部に加わる結果、量子トンネル効果により電子放出部から電子が放出される。そして、この電子は、アノードパネルに設けられたアノード電極に引きつけられ、蛍光体領域に衝突する。即ち、アノード電極からカソード電極へと放出電子電流が流れる。そして、蛍光体領域への電子の衝突の結果、蛍光体領域が発光し、画像として認識することができる。
【００３２】
カソード電極の射影像とゲート電極の射影像とが重複する領域（重複領域）に設けられ、あるいは、位置する１又は複数の電子放出部によって、電子放出領域が構成される。
【００３３】
冷陰極電界電子放出表示装置において、カソード電極はカソード電極制御回路に接続され、ゲート電極はゲート電極制御回路に接続され、アノード電極はアノード電極制御回路に接続されている。尚、これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。アノード電極制御回路の出力電圧ＶAは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１０キロボルトとすることができる。一方、カソード電極に印加する電圧ＶC及びゲート電極に印加する電圧ＶGに関しては、階調制御方式として電圧変調方式を採用した場合、
（１）カソード電極に印加する電圧ＶCを一定とし、ゲート電極に印加する電圧ＶGを変化させる方式
（２）カソード電極に印加する電圧ＶCを変化させ、ゲート電極に印加する電圧ＶGを一定とする方式
（３）カソード電極に印加する電圧ＶCを変化させ、且つ、ゲート電極に印加する電圧ＶGも変化させる方式がある。
【００３４】
冷陰極電界電子放出表示装置において、カソードパネルを構成する支持体、アノードパネルを構成する基板は、少なくとも表面が絶縁性部材から構成されていればよく、無アルカリガラス基板、低アルカリガラス基板、石英ガラス基板といった各種のガラス基板、表面に絶縁膜が形成された各種のガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成された半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板を構成するガラスとして、より具体的には、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）を例示することができる。
【００３５】
冷陰極電界電子放出表示装置を構成するカソードパネルにおけるカソード電極やゲート電極、収束電極（後述する）を構成する材料として、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）及び亜鉛（Ｚｎ）から成る群から選択された少なくとも１種類の金属；これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（インジウム・錫酸化物）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。
【００３６】
カソード電極やゲート電極、収束電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例えばストライプ状のカソード電極やゲート電極、収束電極を形成することが可能である。
【００３７】
絶縁層や後述する層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ2系材料、ＳｉＮ、ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。絶縁層や後述する層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法等の公知のプロセスが利用できる。
【００３８】
冷陰極電界電子放出表示装置においては、
（ａ）支持体上に形成され、第１の方向に延びるストライプ状のカソード電極、
（ｂ）支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層、
（ｃ）絶縁層上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるストライプ状のゲート電極、
（ｄ）ゲート電極及び絶縁層に設けられた開口部、及び、
（ｅ）開口部の底部に位置する電子放出部、
から冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する）が構成されている。
【００３９】
ここで、電界放出素子は如何なる形態の電界放出素子とすることもでき、例えば、
（１）円錐形の電子放出部が開口部の底部に位置するカソード電極上に設けられたスピント型電界放出素子
（２）略平面状の電子放出部が開口部の底部に位置するカソード電極上に設けられた扁平型電界放出素子
（３）王冠状の電子放出部が開口部の底部に位置するカソード電極上に設けられ、電子放出部の王冠状の部分から電子を放出するクラウン型電界放出素子
（４）平坦なカソード電極の表面から電子を放出する平面型電界放出素子
（５）凹凸が形成されたカソード電極の表面の多数の凸部から電子を放出するクレータ型電界放出素子
（６）カソード電極のエッジ部から電子を放出するエッジ型電界放出素子
を例示することができる。
【００４０】
電界放出素子として、上述の各種の形式の他に、表面伝導型電子放出素子と通称される素子も知られており、冷陰極電界電子放出表示装置に適用することができる。表面伝導型電子放出素子においては、例えばガラスから成る基板上に酸化錫（ＳｎＯ2）、金（Ａｕ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）／酸化錫（ＳｎＯ2）、カーボン、酸化パラジウム（ＰｄＯ）等の材料から成り、微小面積を有する薄膜がマトリクス状に形成され、各薄膜は２つの薄膜片から成り、一方の薄膜片に行方向配線、他方の薄膜片に列方向配線が接続されている。一方の薄膜片と他方の薄膜片との間には数ｎｍのギャップが設けられている。行方向配線と列方向配線とによって選択された薄膜においては、ギャップを介して薄膜から電子が放出される。
【００４１】
スピント型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、タングステン、タングステン合金、モリブデン、モリブデン合金、チタン、チタン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリコン（ポリシリコンやアモルファスシリコン）から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法、ＣＶＤ法によって形成することができる。
【００４２】
扁平型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ましく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極との間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等に基づいて決定すればよい。電界放出素子におけるカソード電極を構成する代表的な材料として、タングステン（Φ＝４．５５ｅＶ）、ニオブ（Φ＝４．０２〜４．８７ｅＶ）、モリブデン（Φ＝４．５３〜４．９５ｅＶ）、アルミニウム（Φ＝４．２８ｅＶ）、銅（Φ＝４．６ｅＶ）、タンタル（Φ＝４．３ｅＶ）、クロム（Φ＝４．５ｅＶ）、シリコン（Φ＝４．９ｅＶ）を例示することができる。電子放出部は、これらの材料よりも小さな仕事関数Φを有していることが好ましく、その値は概ね３ｅＶ以下であることが好ましい。かかる材料として、炭素（Φ＜１ｅＶ）、セシウム（Φ＝２．１４ｅＶ）、ＬａＢ6（Φ＝２．６６〜２．７６ｅＶ）、ＢａＯ（Φ＝１．６〜２．７ｅＶ）、ＳｒＯ（Φ＝１．２５〜１．６ｅＶ）、Ｙ2Ｏ3（Φ＝２．０ｅＶ）、ＣａＯ（Φ＝１．６〜１．８６ｅＶ）、ＢａＳ（Φ＝２．０５ｅＶ）、ＴｉＮ（Φ＝２．９２ｅＶ）、ＺｒＮ（Φ＝２．９２ｅＶ）を例示することができる。仕事関数Φが２ｅＶ以下である材料から電子放出部を構成することが、一層好ましい。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。
【００４３】
あるいは又、扁平型電界放出素子において、電子放出部を構成する材料として、かかる材料の２次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の２次電子利得δよりも大きくなるような材料から適宜選択してもよい。即ち、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属；シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）等の半導体；炭素やダイヤモンド等の無機単体；及び酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）、フッ化バリウム（ＢａＦ2）、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）等の化合物の中から、適宜選択することができる。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。
【００４４】
扁平型電界放出素子にあっては、特に好ましい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的にはダイヤモンドやグラファイト、グラファイト・ナノファイバー、カーボン・ナノチューブ構造体、ＺｎＯウィスカー、ＭｇＯウィスカー、ＳｎＯ2ウィスカー、ＭｎＯウィスカー、Ｙ2Ｏ3ウィスカー、ＮｉＯウィスカー、ＩＴＯウィスカー、Ｉｎ2Ｏ3ウィスカー、Ａｌ2Ｏ3ウィスカーを挙げることができる。電子放出部をこれらから構成する場合、５×１０7Ｖ／ｍ以下の電界強度にて、冷陰極電界電子放出表示装置に必要な放出電子電流密度を得ることができる。また、ダイヤモンドは電気抵抗体であるため、各電子放出部から得られる放出電子電流を均一化することができ、よって、冷陰極電界電子放出表示装置に組み込まれた場合の輝度ばらつきの抑制が可能となる。更に、これらの材料は、冷陰極電界電子放出表示装置内の残留ガスのイオンによるスパッタ作用に対して極めて高い耐性を有するので、電界放出素子の長寿命化を図ることができる。
【００４５】
カーボン・ナノチューブ構造体として、具体的には、カーボン・ナノチューブ及び／又はカーボン・ナノファイバーを挙げることができる。より具体的には、カーボン・ナノチューブから電子放出部を構成してもよいし、カーボン・ナノファイバーから電子放出部を構成してもよいし、カーボン・ナノチューブとカーボン・ナノファイバーの混合物から電子放出部を構成してもよい。カーボン・ナノチューブやカーボン・ナノファイバーは、巨視的には、粉末状であってもよいし、薄膜状であってもよいし、場合によっては、カーボン・ナノチューブ構造体は円錐状の形状を有していてもよい。カーボン・ナノチューブやカーボン・ナノファイバーは、周知のアーク放電法やレーザアブレーション法といったＰＶＤ法、プラズマＣＶＤ法やレーザＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、気相合成法、気相成長法といった各種のＣＶＤ法によって製造、形成することができる。
【００４６】
扁平型電界放出素子を、カーボン・ナノチューブ構造体やグラファイト・ナノファイバー、上記の各種ウィスカー（以下、これらを総称して、カーボン・ナノチューブ構造体等と呼ぶ）をバインダー材料に分散させたものをカソード電極の所望の領域に例えば塗布した後、バインダー材料の焼成あるいは硬化を行う方法（より具体的には、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等の有機系バインダー材料や水ガラス等の無機系バインダー材料にカーボン・ナノチューブ構造体等を分散したものを、カソード電極の所望の領域に例えば塗布した後、溶媒の除去、バインダー材料の焼成・硬化を行う方法）によって製造することもできる。尚、このような方法を、カーボン・ナノチューブ構造体等の第１の形成方法と呼ぶ。塗布方法として、スクリーン印刷法を例示することができる。
【００４７】
あるいは又、扁平型電界放出素子を、カーボン・ナノチューブ構造体等が分散された金属化合物溶液をカソード電極上に塗布した後、金属化合物を焼成する方法によって製造することもでき、これによって、金属化合物を構成する金属原子を含むマトリックスにてカーボン・ナノチューブ構造体等がカソード電極表面に固定される。尚、このような方法を、カーボン・ナノチューブ構造体等の第２の形成方法と呼ぶ。マトリックスは、導電性を有する金属酸化物から成ることが好ましく、より具体的には、酸化錫、酸化インジウム、酸化インジウム−錫、酸化亜鉛、酸化アンチモン、又は、酸化アンチモン−錫から構成することが好ましい。焼成後、各カーボン・ナノチューブ構造体等の一部分がマトリックスに埋め込まれている状態を得ることもできるし、各カーボン・ナノチューブ構造体等の全体がマトリックスに埋め込まれている状態を得ることもできる。マトリックスの体積抵抗率は、１×１０-9Ω・ｍ乃至５×１０-6Ω・ｍであることが望ましい。
【００４８】
金属化合物溶液を構成する金属化合物として、例えば、有機金属化合物、有機酸金属化合物、又は、金属塩（例えば、塩化物、硝酸塩、酢酸塩）を挙げることができる。有機酸金属化合物溶液として、有機錫化合物、有機インジウム化合物、有機亜鉛化合物、有機アンチモン化合物を酸（例えば、塩酸、硝酸、あるいは硫酸）に溶解し、これを有機溶媒（例えば、トルエン、酢酸ブチル、イソプロピルアルコール）で希釈したものを挙げることができる。また、有機金属化合物溶液として、有機錫化合物、有機インジウム化合物、有機亜鉛化合物、有機アンチモン化合物を有機溶媒（例えば、トルエン、酢酸ブチル、イソプロピルアルコール）に溶解したものを例示することができる。溶液を１００重量部としたとき、カーボン・ナノチューブ構造体等が０．００１〜２０重量部、金属化合物が０．１〜１０重量部、含まれた組成とすることが好ましい。溶液には、分散剤や界面活性剤が含まれていてもよい。また、マトリックスの厚さを増加させるといった観点から、金属化合物溶液に、例えばカーボンブラック等の添加物を添加してもよい。また、場合によっては、有機溶媒の代わりに水を溶媒として用いることもできる。
【００４９】
カーボン・ナノチューブ構造体等が分散された金属化合物溶液をカソード電極上に塗布する方法として、スプレー法、スピンコーティング法、ディッピング法、ダイクォーター法、スクリーン印刷法を例示することができるが、中でもスプレー法を採用することが塗布の容易性といった観点から好ましい。
【００５０】
カーボン・ナノチューブ構造体等が分散された金属化合物溶液をカソード電極上に塗布した後、金属化合物溶液を乾燥させて金属化合物層を形成し、次いで、カソード電極上の金属化合物層の不要部分を除去した後、金属化合物を焼成してもよいし、金属化合物を焼成した後、カソード電極上の不要部分を除去してもよいし、カソード電極の所望の領域上にのみ金属化合物溶液を塗布してもよい。
【００５１】
金属化合物の焼成温度は、例えば、金属塩が酸化されて導電性を有する金属酸化物となるような温度、あるいは又、有機金属化合物や有機酸金属化合物が分解して、有機金属化合物や有機酸金属化合物を構成する金属原子を含むマトリックス（例えば、導電性を有する金属酸化物）が形成できる温度であればよく、例えば、３００゜Ｃ以上とすることが好ましい。焼成温度の上限は、電界放出素子あるいはカソードパネルの構成要素に熱的な損傷等が発生しない温度とすればよい。
【００５２】
カーボン・ナノチューブ構造体等の第１の形成方法あるいは第２の形成方法にあっては、電子放出部の形成後、電子放出部の表面の一種の活性化処理（洗浄処理）を行うことが、電子放出部からの電子の放出効率の一層の向上といった観点から好ましい。このような処理として、水素ガス、アンモニアガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、ネオンガス、メタンガス、エチレンガス、アセチレンガス、窒素ガス等のガス雰囲気中でのプラズマ処理を挙げることができる。
【００５３】
カーボン・ナノチューブ構造体等の第１の形成方法あるいは第２の形成方法にあっては、電子放出部は、開口部の底部に位置するカソード電極の部分の表面に形成されていればよく、開口部の底部に位置するカソード電極の部分から開口部の底部以外のカソード電極の部分の表面に延在するように形成されていてもよい。また、電子放出部は、開口部の底部に位置するカソード電極の部分の表面の全面に形成されていても、部分的に形成されていてもよい。
【００５４】
電界放出素子の構造に依存するが、ゲート電極及び絶縁層に設けられた１つの開口部内に１つの電子放出部が存在してもよいし、ゲート電極及び絶縁層に設けられた１つの開口部内に複数の電子放出部が存在してもよいし、ゲート電極に複数の開口部を設け、かかる開口部と連通する１つの開口部を絶縁層に設け、絶縁層に設けられた１つの開口部内に１又は複数の電子放出部が存在してもよい。
【００５５】
開口部の平面形状（支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの形状）は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることができる。開口部の形成は、例えば、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができ、あるいは又、ゲート電極や収束電極の形成方法に依っては、ゲート電極や収束電極に開口部を直接形成することもできる。絶縁層や層間絶縁層における開口部の形成も、例えば、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。
【００５６】
カソード電極と電子放出部との間に抵抗体層を設けてもよい。あるいは又、カソード電極の表面が電子放出部に相当している場合、カソード電極を導電材料層、抵抗体層、電子放出部に相当する電子放出層の３層構成としてもよい。抵抗体層を設けることによって、電界放出素子の動作安定化、電子放出特性の均一化を図ることができる。抵抗体層を構成する材料として、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料、ＳｉＮ、アモルファスシリコン等の半導体材料、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル等の高融点金属酸化物を例示することができる。抵抗体層の形成方法として、スパッタリング法や、ＣＶＤ法やスクリーン印刷法を例示することができる。抵抗値は、概ね１×１０5〜１×１０7Ω、好ましくは数ＭΩとすればよい。
【００５７】
アノードパネルにおいて、電子放出部から放出された電子が先ず衝突する部位は、アノードパネルの構造に依るが、アノード電極であり、あるいは又、蛍光体領域である。蛍光体領域は、単色の蛍光体粒子から構成されていても、３原色の蛍光体粒子から構成されていてもよい。
【００５８】
蛍光体領域の平面形状（パターン）は、画素（発光領域）に対応して、ドット状であってもよいし、ストライプ状であってもよい。蛍光体領域が隔壁の間に形成されている場合、隔壁で取り囲まれたアノードパネルを構成する基板の部分の上に蛍光体領域が形成されている。
【００５９】
隔壁は、蛍光体領域から反跳した電子、あるいは、蛍光体領域から放出された二次電子が他の蛍光体領域に入射し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止する機能を有する。あるいは又、蛍光体領域から反跳した電子、あるいは、蛍光体領域から放出された二次電子が隔壁を越えて他の蛍光体領域に向かって侵入したとき、これらの電子が他の蛍光体領域と衝突することを防止する機能を有する。
【００６０】
隔壁の平面形状としては、格子形状（井桁形状）、即ち、１画素に相当する、例えば平面形状が略矩形（ドット状）の蛍光体領域の四方を取り囲む形状を挙げることができ、あるいは、略矩形あるいはストライプ状の蛍光体領域の対向する二辺と平行に延びる帯状形状あるいはストライプ形状を挙げることができる。隔壁を格子形状とする場合、１つの蛍光体領域の領域の四方を連続的に取り囲む形状としてもよいし、不連続に取り囲む形状としてもよい。隔壁を帯状形状あるいはストライプ形状とする場合、連続した形状としてもよいし、不連続な形状としてもよい。隔壁を形成した後、隔壁を研磨し、隔壁の頂面の平坦化を図ってもよい。
【００６１】
冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、アノードパネルとカソードパネルとによって挟まれた空間が真空状態となっているが故に、アノードパネルとカソードパネルとの間にスペーサを配しておかないと、大気圧によって冷陰極電界電子放出表示装置が損傷を受けてしまう。係るスペーサは、例えばセラミックスから構成することができる。スペーサをセラミックスから構成する場合、セラミックスとして、ムライトやアルミナ、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄、ガラスセラミックス材料、これらに、酸化チタンや酸化クロム、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ニッケルを添加したもの等を例示することができる。この場合、所謂グリーンシートを成形して、グリーンシートを焼成し、かかるグリーンシート焼成品を切断することによってスペーサを製造することができる。また、スペーサの表面に、金属や合金から成る導電材料層を形成し、あるいは又、抵抗体層を形成し、あるいは又、二次電子放出係数の低い材料から成る薄層を形成してもよい。スペーサは、例えば、隔壁と隔壁との間に挟み込んで固定すればよく、あるいは又、例えば、アノードパネルにスペーサ保持部を形成し、スペーサ保持部とスペーサ保持部との間に挟み込んで固定すればよい。
【００６２】
蛍光体領域からの光を吸収する光吸収層が隔壁と基板との間に形成されていることが、表示画像のコントラスト向上といった観点から好ましい。ここで、光吸収層は、所謂ブラックマトリックスとして機能する。光吸収層を構成する材料として、蛍光体領域からの光を９９％以上吸収する材料を選択することが好ましい。このような材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金）、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、耐熱性有機樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム／クロム積層膜を例示することができる。尚、酸化クロム／クロム積層膜においては、クロム膜が基板と接する。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せに、スクリーン印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。尚、スペーサ保持部や隔壁をアノード電極上に形成する場合、光吸収層を、基板とアノード電極との間に形成してもよいし、アノード電極とスペーサ保持部との間に形成してもよい。
【００６３】
蛍光体領域は、発光性結晶粒子（例えば、粒径５〜１０ｎｍ程度の蛍光体粒子）から調製された発光性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発光性結晶粒子組成物（赤色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、赤色発光蛍光体領域を形成し、次いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物（緑色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、緑色発光蛍光体領域を形成し、更に、青色の感光性の発光性結晶粒子組成物（青色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、青色発光蛍光体領域を形成する方法にて形成することができる。
【００６４】
発光性結晶粒子を構成する蛍光体材料としては、従来公知の蛍光体材料の中から適宜選択して用いることができる。カラー表示の場合、色純度がＮＴＳＣで規定される３原色に近く、３原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体材料を組み合わせることが好ましい。赤色発光蛍光体領域を構成する蛍光体材料として、（Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ）、（Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ）、（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｅｕ）、（ＹＢＯ3：Ｅｕ）、（ＹＶＯ4：Ｅｕ）、（Ｙ2ＳｉＯ5：Ｅｕ）、（Ｙ0.96Ｐ0.60Ｖ0.40Ｏ4：Ｅｕ0.04）、［（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕ］、（ＧｄＢＯ3：Ｅｕ）、（ＳｃＢＯ3：Ｅｕ）、（３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ2・ＧｅＯ2：Ｍｎ）、（Ｚｎ3（ＰＯ4）2：Ｍｎ）、（ＬｕＢＯ3：Ｅｕ）、（ＳｎＯ2：Ｅｕ）を例示することができる。緑色発光蛍光体領域を構成する蛍光体材料として、（ＺｎＳｉＯ2：Ｍｎ）、（ＢａＡｌ12Ｏ19：Ｍｎ）、（ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｍｎ）、（ＭｇＧａ2Ｏ4：Ｍｎ）、（ＹＢＯ3：Ｔｂ）、（ＬｕＢＯ3：Ｔｂ）、（Ｓｒ4Ｓｉ3Ｏ8Ｃｌ4：Ｅｕ）、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ）、（ＺｎＢａＯ4：Ｍｎ）、（ＧｂＢＯ3：Ｔｂ）、（Ｓｒ6ＳｉＯ3Ｃｌ3：Ｅｕ）、（ＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：Ｍｎ）、（ＳｃＢＯ3：Ｔｂ）、（Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ）、（ＺｎＯ：Ｚｎ）、（Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ）、（ＺｎＧａ2Ｏ4：Ｍｎ）を例示することができる。青色発光蛍光体領域を構成する蛍光体材料として、（Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ）、（ＣａＷＯ4：Ｐｂ）、ＣａＷＯ4、ＹＰ0.85Ｖ0.15Ｏ4、（ＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：Ｅｕ）、（Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7：Ｅｕ）、（Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7：Ｓｎ）、（ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ａｇ）、ＺｎＭｇＯ、ＺｎＧａＯ4を例示することができる。
【００６５】
アノード電極の構成材料は、冷陰極電界電子放出表示装置の構成によって適宜選択すればよい。即ち、冷陰極電界電子放出表示装置が透過型（アノードパネルが表示面に相当する）であって、且つ、アノードパネルを構成する基板上にアノード電極と蛍光体領域がこの順に積層されている場合には、基板は元より、アノード電極自身も透明である必要があり、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料を用いる。一方、冷陰極電界電子放出表示装置が反射型（カソードパネルが表示面に相当する）である場合、及び、透過型であっても基板上に蛍光体領域とアノード電極とがこの順に積層されている場合には、ＩＴＯの他、アルミニウム（Ａｌ）あるいはクロム（Ｃｒ）を用いることができる。アルミニウム（Ａｌ）あるいはクロム（Ｃｒ）からアノード電極を構成する場合、アノード電極の厚さとして、具体的には、３×１０-8ｍ（３０ｎｍ）乃至１．５×１０-7ｍ（１５０ｎｍ）、好ましくは５×１０-8ｍ（５０ｎｍ）乃至１×１０-7ｍ（１００ｎｍ）を例示することができる。アノード電極は、蒸着法やスパッタリング法にて形成することができる。尚、後者の場合、アノード電極は、蛍光体領域からの発光を反射させる反射膜としての機能の他、蛍光体領域から反跳した電子、あるいは放出された二次電子を反射させる反射膜としての機能、蛍光体領域の帯電防止といった機能を有する。
【００６６】
冷陰極電界電子放出表示装置において、アノード電極は、有効領域を覆う１枚のシート状の形状を有する構成とすることもできるし、２以上の複数個のアノード電極ユニットの集合体から構成することもできる。各アノード電極ユニットの大きさは、アノード電極ユニットの位置に拘わらず同じとしてもよいし、アノード電極ユニットの位置に依存して異ならせてもよい。
【００６７】
アノード電極と蛍光体領域の構成例として、（１）基板上に、アノード電極を形成し、アノード電極の上に蛍光体領域を形成する構成、（２）基板上に、蛍光体領域を形成し、蛍光体領域上にアノード電極を形成する構成、を挙げることができる。尚、（１）の構成において、蛍光体領域の上に、アノード電極と導通した所謂メタルバック膜を形成してもよい。また、（２）の構成において、アノード電極の上にメタルバック膜を形成してもよい。
【００６８】
カソードパネルとアノードパネルとを周縁部において接合する場合、接合は接着層を用いて行ってもよいし、あるいは、ガラスやセラミックス等の絶縁剛性材料から成る枠体と接着層とを併用して行ってもよい。枠体と接着層とを併用する場合には、枠体の高さを適宜選択することにより、接着層のみを使用する場合に比べ、カソードパネルとアノードパネルとの間の対向距離をより長く設定することが可能である。尚、接着層の構成材料としては、フリットガラスが一般的であるが、融点が１２０〜４００゜Ｃ程度の所謂低融点金属材料を用いてもよい。かかる低融点金属材料としては、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜Ｃ）；インジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ80Ａｇ20（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ95Ｃｕ5（融点２２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ97.5Ａｇ2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ94.5Ａｇ5.5（融点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ97.5Ａｇ1.5Ｓｎ1.0（融点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ95Ａｌ5（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はんだ；Ｓｎ5Ｐｂ95（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ2Ｐｂ98（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ88Ｇａ12（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上の添字は全て原子％を表す）を例示することができる。
【００６９】
基板と支持体と枠体の三者を接合する場合、三者同時接合を行ってもよいし、あるいは、第１段階で基板又は支持体のいずれか一方と枠体とを先に接合し、第２段階で基板又は支持体の他方と枠体とを接合してもよい。三者同時接合や第２段階における接合を真空雰囲気中で行えば、基板と支持体と枠体と接着層とにより囲まれた空間は、接合と同時に真空となる。あるいは、三者の接合終了後、基板と支持体と枠体と接着層とによって囲まれた空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであってもよい。
【００７０】
接合後に排気を行う場合、排気は、基板及び／又は支持体に予め接続されたチップ管を通じて行うことができる。チップ管は、典型的にはガラス管を用いて構成され、基板及び／又は支持体の無効領域（即ち、表示部分として機能する有効領域以外の領域）に設けられた貫通孔の周囲に、フリットガラス又は上述の低融点金属材料を用いて接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切られる。尚、封じ切りを行う前に、冷陰極電界電子放出表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので好適である。
【発明の効果】
【００７１】
本発明においては、従来の技術のように基準発光時間ＬＴmを単に短縮するのではなく、線順次駆動される第１電極によって構成される発光領域における発光状態の明暗に応じて基準発光時間ＬＴmの短長を設定するので（即ち、基準発光時間ＬＴmを延ばす場合が含まれるので）、平面型表示装置全体としての画像（画面）全体の明るさを低下させること無く、画像（画面）全体の明るさの均一化を図ることができる。即ち、第１電極毎の輝度補正を効果的に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７２】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、従来の平面型表示装置の構成、構造を大幅に変更すること無しに、全体としての画像（画面）全体の明るさを低下させず、画像（画面）全体の明るさが均一化された平面型表示装置を達成することができる。
【実施例１】
【００７３】
実施例１は、本発明の第１の態様に係る平面型表示装置及びその駆動方法に関する。ここで、実施例１において、平面型表示装置は冷陰極電界電子放出表示装置から成る。以下の説明において冷陰極電界電子放出表示装置を、表示装置と略称する。
【００７４】
実施例１の平面型表示装置は、第１の方向に延びるＭ本のストライプ状の第１電極、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＮ本のストライプ状の第２電極を備え、第１電極と第２電極との重複領域から構成された発光領域がＭ×Ｎ個の２次元マトリックス状に配列され、第１電極が走査電極として順次選択される線順次駆動方式の平面型表示装置である。
【００７５】
より具体的には、実施例１の平面型表示装置は冷陰極電界電子放出表示装置（表示装置）であり、この表示装置は、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとがそれらの周縁部で接合されて成り、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとによって挟まれた空間は真空状態とされている。
【００７６】
尚、実施例１の表示装置における駆動方法を説明するためのチャートを図１に示し、実施例１の表示装置の模式的な一部端面図を図２に示し、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰを分解したときの模式的な部分的斜視図を図３に示し、実施例１の表示装置の回路ブロック図を図４に示す。更には、蛍光体領域等の配列を、模式的な部分的平面図として、図５〜図８に例示する。尚、アノードパネルＡＰの模式的な一部端面図における蛍光体領域等の配列を、図７あるいは図８に示す構成としている。
【００７７】
カソードパネルＣＰは、
（ａ）支持体１０、
（ｂ）支持体１０上に形成され、第１の方向（図２の紙面と平行な方向であり、矢印Ａ−Ａで示す）に延びるＮ本のストライプ状のカソード電極１１、
（ｃ）支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２、
（ｄ）絶縁層１２上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向（図２の紙面に対して垂直な方向）に延びるＭ本のストライプ状のゲート電極１３、及び、
（ｅ）カソード電極１１とゲート電極１３との重複領域に位置する電子放出領域ＥＡ、
から構成されている。
【００７８】
一方、アノードパネルＡＰは、基板２０、並びに、この基板２０上に形成された、各電子放出領域ＥＡに対応して設けられた蛍光体領域２２（カラー表示の場合、赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、青色発光蛍光体領域２２Ｂ）及び蛍光体領域２２を覆うアノード電極２４から構成されている。
【００７９】
より具体的には、アノードパネルＡＰは、基板２０、基板２０上に形成された隔壁２１と隔壁２１との間の基板２０上に形成され、多数の蛍光体粒子から成る蛍光体領域２２（赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、青色発光蛍光体領域２２Ｂ）、及び、蛍光体領域２２上に形成されたアノード電極２４を備えている。アノード電極２４は、有効領域を覆う薄い１枚のシート状であり、アノード電極制御回路５０に接続されている。アノード電極２４は、厚さ約７０ｎｍのアルミニウムから成り、隔壁２１を覆う状態で設けられている。蛍光体領域２２と蛍光体領域２２との間であって、隔壁２１と基板２０との間には、光吸収層（ブラックマトリックス）２３が形成されている。隔壁２１とスペーサ２５と蛍光体領域２２の配置状態の一例を模式的に図５〜図８に示す。図５及び図６に示す例においては、格子形状（井桁形状）の隔壁２１が形成されており、蛍光体領域２２（赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、青色発光蛍光体領域２２Ｂ）の形状はドット状である。一方、図７及び図８に示す例においては、隔壁２１の平面形状は、略矩形の蛍光体領域２２の対向する二辺と平行に延びる帯状形状（ストライプ形状）を有する。尚、蛍光体領域２２を、図５あるいは図７の上下方向に延びるストライプ状とすることもできる。
【００８０】
そして、電子放出領域ＥＡは、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた開口部１４Ａ及び絶縁層１２に設けられた開口部１４Ｂ）の底部に位置する電子放出部１５から構成されている。尚、実施例１においては、電子放出部１５は円錐形である。また、ゲート電極１３が第１電極（走査電極）に該当し、カソード電極１１が第２電極（データ電極）に該当し、電子放出領域ＥＡが発光領域の一部に該当する。尚、第１の方向と第２の方向とは直交している。即ち、第１電極の射影像と第２電極の射影像とは直交している。より具体的には、ゲート電極１３の射影像とカソード電極１１の射影像とは直交している。ここで、ゲート電極１３には走査信号が入力され、カソード電極１１にはビデオ信号（色信号）が入力される。
【００８１】
即ち、実施例１の表示装置においては、
（ａ）支持体１０上に形成され、第１の方向に延びるストライプ状のカソード電極１１、
（ｂ）支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２、
（ｃ）絶縁層１２上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるストライプ状のゲート電極１３、
（ｄ）ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４、及び、
（ｅ）開口部の底部に位置する電子放出部１５、
から冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する）が構成されており、より具体的には、この電界放出素子は、円錐形の電子放出部１５が開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に設けられたスピント型電界放出素子である。
【００８２】
カソード電極１１の射影像とゲート電極１３の射影像とが重複する領域（重複領域）に設けられた複数の電子放出部１５によって、電子放出領域ＥＡが構成されている。そして、図３にカソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰの模式的な部分的斜視図を示すように、１画素分の領域に相当する電子放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域内に、２次元マトリクス状に配列されている。発光領域（１画素あるいは１サブピクセル）は、カソードパネル側の電子放出領域ＥＡと、この電子放出領域ＥＡに対面したアノードパネル側の蛍光体領域２２とによって構成されている。有効領域には、かかる発光領域（画素あるいはサブピクセル）が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。そして、カソード電極１１とゲート電極１３とに印加された電圧によって生じた強電界が発光領域を構成する電子放出部１５に加わる結果、量子トンネル効果により電子放出部１５から電子が放出され、アノード電極２４と衝突する。即ち、アノード電極２４からカソード電極１１へと放出電子電流が流れる。尚、図３においては、隔壁２１やスペーサ２５の図示を省略している。
【００８３】
実施例１の表示装置においては、図２に示すように、カソード電極１１はカソード電極制御回路３０に接続され、ゲート電極１３はゲート電極制御回路４０に接続され、アノード電極２４は周知のアノード電極制御回路５０に接続されている。図４に示すように、カソード電極制御回路３０は、周知のカソード電極駆動用電源３１、周知のカソード電極駆動ドライバ３２、基準発光時間記憶手段３３、及び、基準発光時間制御回路３４から構成されている。また、ゲート電極制御回路４０は、周知のゲート電極駆動用電源４１、周知のゲート電極駆動ドライバ４２、基準発光時間記憶手段３３、及び、基準発光時間制御回路３４から構成されている。
【００８４】
［基準発光時間ＬＴmの設定］
以下、基準発光時間ＬＴmの設定に関する説明を行うが、実施例１においては、ゲート電極１３が第１電極（走査電極）に該当し、カソード電極１１が第２電極（データ電極）に該当するので、以下の説明における第１電極及び第２電極を、それぞれ、必要に応じて、適宜、ゲート電極１３及びカソード電極１１と読み替えればよい。
【００８５】
例えば、表示装置が完成した時点で、第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・Ｍ）の第１電極に第１基準電圧を印加し、例えばＮ本の第２電極に第２基準電圧を印加して、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における発光状態を調べる。
【００８６】
ここで、第１電極（ゲート電極１３）に印加される電圧ＶGの最大値Ｖ1（例えば３５ボルト）を第１基準電圧とし、第２電極（カソード電極１１）に印加される電圧ＶCの最小値Ｖ2（例えば０ボルト）を第２基準電圧とする。第１基準電圧及び第２基準電圧の印加時間は、本質的には任意であるが、発光領域における安定した発光状態を得るためには、ゲート電極１３及びカソード電極１１に電圧を印加する時間を出来るだけ長くすることが好ましく、一例として、表示装置における実際の画像表示時にゲート電極１３及びカソード電極１１に電圧が印加される時間の２０倍程度を挙げることができる。
【００８７】
具体的には、図１の（Ａ）に模式的に示すように、第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・Ｍ）の第１電極によって構成されるＮ個の発光領域（第ｍ番目の発光領域行であり、Ｎ個の電子放出領域ＥＡ及び蛍光体領域２２から構成されている）において、例えば最大発光状態（即ち、電子放出領域ＥＡからの電子の最大放出量であり、蛍光体領域２２における最大輝度である）が得られるようなデータ（便宜上、第ｍ番目の最大入力データと呼ぶ）が、第ｍ番目の第１電極に接続されたゲート電極駆動ドライバ４２に、順次、入力される。更には、このような第ｍ番目の最大入力データが、Ｎ本の第２電極に接続されたＮ個のカソード電極駆動ドライバ３２にも、順次、入力される。
【００８８】
そして、第ｍ’番目［但し、ｍ’＝１，２・・・（Ｍ−１）］の最大入力データが入力されてから、第（ｍ’＋１）番目の最大入力データが入力されるまでの期間（第ｍ’番目のブランキング期間）内において、尚、図１の（Ｂ）に示すように、第ｍ’番目の第１電極から第（ｍ’＋１）番目の第１電極への切替タイミングパルス（ロード信号）が第１電極を駆動するゲート電極駆動ドライバ４２に入力される。そして、図１の（Ｃ）に示すように、この切替タイミングパルスに応じて、第１電極が線順次駆動され、第ｍ番目の第１電極に、順次、ゲート電極駆動用電源４１から第１基準電圧（一定の電圧Ｖ1）が印加される。また、切替タイミングパルスが第２電極を駆動するカソード電極駆動ドライバ３２に入力される。そして、この切替タイミングパルスに応じて、第２電極のそれぞれが駆動され、第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２・・・Ｎ）の第２電極に、一斉に、カソード電極駆動用電源３１から第２基準電圧（一定の電圧Ｖ2）が印加される。これによって、第ｍ番目の発光領域行が発光する。
【００８９】
そして、第ｍ番目の発光領域行の発光状態（輝度、あるいは、アノード電極２４から第ｍ番目の発光領域行を構成する各カソード電極１１に流れる放出電子電流値の総和）を、周知の方法にて測定する。図１の（Ｄ）に模式的に示すように、この操作をｍ＝１からｍ＝Ｍまで繰り返し、発光領域における発光状態の平均（輝度平均値あるいは放出電子電流平均値）を求める。尚、図１の（Ｄ）においては、（ｍ−１）から（ｍ＋３）までの状態を模式的に図示する。
【００９０】
次いで、第ｍ番目の発光領域行における発光状態が基準よりも明るい場合（即ち、電子放出領域ＥＡから相対的に多量の電子が放出され、輝度あるいは放出電子電流値が上述の輝度平均値あるいは放出電子電流平均値よりも高くあるいは大きい場合）、第ｍ番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴmが短く設定される。一方、係る発光領域における発光状態が基準よりも暗い場合（即ち、電子放出領域ＥＡから相対的に少量の電子が放出され、輝度あるいは放出電子電流値が上述の輝度平均値あるいは放出電子電流平均値よりも低くあるいは小さい場合）、第ｍ番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴmが長く設定される。尚、ｍ＝１からｍ＝Ｍまでの基準発光時間ＬＴmの総和は一定である。具体的には、第ｍ番目の発光領域行の発光状態（輝度あるいは放出電子電流値）が基準（輝度平均値あるいは放出電子電流平均値）と一致するように、あるいは、基準（輝度平均値あるいは放出電子電流平均値）に近づくように、言い換えれば、例えば、（輝度）×（基準発光時間ＬＴm）の値が出来る限り同じ値となるように、第ｍ番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴmを決定し、図１の（Ｅ）に示す各第１電極及び第２電極への輝度補正後の切替タイミングパルス（ロード信号）を生成させるための基準発光時間ＬＴmを、表示装置に備えられた基準発光時間記憶手段３３（例えば、ＲＯＭ）に記憶させる。
【００９１】
尚、図１に示した例においては、第（ｍ−１）番目の発光領域行における発光状態（輝度）が輝度平均値を示している。また、第ｍ番目の発光領域行における発光状態（輝度）が輝度平均値よりも高い値を示している。更には、第（ｍ＋１）番目の発光領域行における発光状態（輝度）が輝度平均値よりも一層高い値を示している。また、第（ｍ＋２）番目の発光領域行における発光状態（輝度）が輝度平均値よりも一層低い値を示している。更には、第（ｍ＋３）番目の発光領域行における発光状態（輝度）が輝度平均値よりも低い値を示している。
【００９２】
従って、図１の（Ｅ）に示すように、第（ｍ−１）番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴ(m-1)を標準値ＬＴSTDとしたとき、第ｍ番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴmは、標準値ＬＴSTDよりも短い。また、第（ｍ＋１）番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴ(m+1)は、標準値ＬＴSTDよりも一層短い。更には、第（ｍ＋２）番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴ(m+2)は、標準値ＬＴSTDよりも一層長い。また、第（ｍ＋３）番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴ(m+3)は、標準値ＬＴSTDよりも長い。
【００９３】
［表示装置の実際の画像表示］
表示装置の動作時、例えば、第１電極に相当するゲート電極１３には、一定の電圧ＶG（３５ボルト）が印加され（即ち、走査信号が入力され）、第２電極に相当するカソード電極１１には、画素の階調に応じて、０ボルト乃至１５ボルトの電圧ＶCが印加される（即ち、ビデオ信号（色信号）が入力される）。
【００９４】
表示装置における実際の画像表示においては、図４に示すように、画像信号がＡ／Ｄコンバータ６０に入力され、Ａ／Ｄコンバータ６０の出力が階調制御回路６１に送られ、階調制御用データが階調制御回路６１において作成される。この階調制御用データ（入力データと呼ぶ）は、カソード電極駆動ドライバ３２及びゲート電極駆動ドライバ４２に送出される。より具体的には、図１の（Ａ）に模式的に示すように、第ｍ番目の発光領域における発光状態（即ち、電子放出領域ＥＡからの電子の放出量であり、蛍光体領域２２における発光の輝度である）を制御するためのデータ（入力データであり走査信号である）が、第ｍ番目の第１電極に接続されたゲート電極駆動ドライバ４２に入力される。更には、入力データ（ビデオ信号あるいは色信号である）が、Ｎ本の第２電極に接続されたＮ個のカソード電極駆動ドライバ３２にも入力される。
【００９５】
そして、図１の（Ｅ）に示すように、第ｍ番目のブランキング期間内において、長短が設定された基準発光時間ＬＴmに基づき（即ち、輝度補正後の切替タイミングパルスに基づき）、第ｍ番目の第１電極には電圧ＶGが印加され、第ｎ番目の第２電極には階調に応じた電圧ＶCが印加される。具体的には、基準発光時間記憶手段３３に記憶された基準発光時間ＬＴmを読み出して、基準発光時間制御回路３４へと送出し、基準発光時間制御回路３４において基準発光時間ＬＴmに基づき、図１の（Ｅ）に示す各第１電極及び第２電極への輝度補正後の切替タイミングパルス（ロード信号）を生成し、この切替タイミングパルスをカソード電極駆動ドライバ３２及びゲート電極駆動ドライバ４２に送出することで、例えば、カソード電極駆動ドライバ３２及びゲート電極駆動ドライバ４２の駆動時間を制御する。尚、第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２・・・Ｎ）の第２電極（カソード電極１１）には、階調に応じて、例えば、このように可変の電圧ＶCが印加されてもよいし（電圧変調方式）、あるいは又、印加電圧を一定とし、印加電圧パルス幅を可変とした電圧が印加されてもよく（ＰＷＭ方式）、階調制御方式は本質的には任意の方法とすることができる。
【００９６】
以下、スピント型電界放出素子の製造方法を、カソードパネルを構成する支持体１０等の模式的な一部端面図である図９の（Ａ）、（Ｂ）及び図１０の（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明するが、冷陰極電界電子放出表示装置における電界放出素子は、スピント型電界放出素子に限定するものではない。
【００９７】
尚、このスピント型電界放出素子は、基本的には、円錐形の電子放出部１５を金属材料の垂直蒸着により形成する方法によって得ることができる。即ち、ゲート電極１３に設けられた開口部１４Ａに対して蒸着粒子は垂直に入射するが、開口部１４Ａの開口端付近に形成されるオーバーハング状の堆積物による遮蔽効果を利用して、絶縁層１２に設けられた開口部１４Ｂの底部に到達する蒸着粒子の量を漸減させ、円錐形の堆積物である電子放出部１５を自己整合的に形成する。ここでは、不要なオーバーハング状の堆積物の除去を容易とするために、ゲート電極１３及び絶縁層１２上に剥離層１６を予め形成しておく方法について説明する。尚、図９及び図１０においては、１つの電子放出部のみを図示した。
【００９８】
［工程−Ａ０］
先ず、例えばガラス基板から成る支持体１０の上に、例えばポリシリコンから成るカソード電極用導電材料層をプラズマＣＶＤ法にて成膜した後、リソグラフィ技術及びドライエッチング技術に基づきカソード電極用導電材料層をパターニングして、ストライプ状のカソード電極１１を形成する。その後、全面にＳｉＯ2から成る絶縁層１２をＣＶＤ法にて形成する。
【００９９】
［工程−Ａ１］
次に、絶縁層１２上に、ゲート電極用導電材料層（例えば、ＴｉＮ層）をスパッタ法にて成膜し、次いで、ゲート電極用導電材料層をリソグラフィ技術及びドライエッチング技術にてパターニングすることによって、ストライプ状のゲート電極１３を得ることができる。ストライプ状のカソード電極１１は、図面の紙面左右方向に延び、ストライプ状のゲート電極１３は、図面の紙面垂直方向に延びている。
【０１００】
尚、ゲート電極１３を、真空蒸着法等のＰＶＤ法、ＣＶＤ法、電気メッキ法や無電解メッキ法といったメッキ法、スクリーン印刷法、レーザーアブレーション法、ゾル−ゲル法、リフトオフ法等の公知の薄膜形成と、必要に応じてエッチング技術との組合せによって形成してもよい。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例えばストライプ状のゲート電極を形成することが可能である。
【０１０１】
［工程−Ａ２］
その後、再びレジスト層を形成し、エッチングによってゲート電極１３に開口部１４Ａを形成し、更に、絶縁層に開口部１４Ｂを形成し、開口部１４Ｂの底部にカソード電極１１を露出させた後、レジスト層を除去する。こうして、図９の（Ａ）に示す構造を得ることができる。
【０１０２】
［工程−Ａ３］
次に、支持体１０を回転させながらゲート電極１３上を含む絶縁層１２上にニッケル（Ｎｉ）を斜め蒸着することにより、剥離層１６を形成する（図９の（Ｂ）参照）。このとき、支持体１０の法線に対する蒸着粒子の入射角を十分に大きく選択することにより（例えば、入射角６５度〜８５度）、開口部１４Ｂの底部にニッケルを殆ど堆積させることなく、ゲート電極１３及び絶縁層１２の上に剥離層１６を形成することができる。剥離層１６は、開口部１４Ａの開口端から庇状に張り出しており、これによって開口部１４Ａが実質的に縮径される。
【０１０３】
［工程−Ａ４］
次に、全面に例えば導電材料としてモリブデン（Ｍｏ）を垂直蒸着する（入射角３度〜１０度）。このとき、図１０の（Ａ）に示すように、剥離層１６上でオーバーハング形状を有する導電材料層１７が成長するに伴い、開口部１４Ａの実質的な直径が次第に縮小されるので、開口部１４Ｂの底部において堆積に寄与する蒸着粒子は、次第に開口部１４Ａの中央付近を通過するものに限られるようになる。その結果、開口部１４Ｂの底部には円錐形の堆積物が形成され、この円錐形の堆積物が電子放出部１５となる。
【０１０４】
［工程−Ａ５］
その後、図１０の（Ｂ）に示すように、リフトオフ法にて剥離層１６をゲート電極１３及び絶縁層１２の表面から剥離し、ゲート電極１３及び絶縁層１２の上方の導電材料層１７を選択的に除去する。こうして、複数のスピント型電界放出素子が形成されたカソードパネルを得ることができる。その後、絶縁層１２に設けられた開口部１４Ｂの側壁面を等方的なエッチングによって後退させることが、ゲート電極１３の開口端部を露出させるといった観点から、好ましい。尚、等方的なエッチングは、ケミカルドライエッチングのようにラジカルを主エッチング種として利用するドライエッチング、あるいはエッチング液を利用するウェットエッチングにより行うことができる。エッチング液としては、例えば４９％フッ酸水溶液と純水の１：１００（容積比）混合液を用いることができる。こうして、図２に示す電界放出素子を完成することができる。
【０１０５】
［工程−Ａ６］
次いで、表示装置の組み立てを行う。具体的には、蛍光体領域等が形成されたアノードパネルＡＰを準備する。そして、例えば、アノードパネルＡＰの有効領域に設けられたスペーサ保持部（図示せず）にスペーサ２５を取り付け、蛍光体領域２２と電子放出領域ＥＡとが対向するようにアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを配置し、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰ（より具体的には、基板２０と支持体１０）とを、セラミックスやガラスから作製された高さ約２ｍｍの枠体２６を介して、周縁部において接合する。接合に際しては、枠体２６とアノードパネルＡＰとの接合部位、及び、枠体２６とカソードパネルＣＰとの接合部位にフリットガラスを塗布し、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体２６とを貼り合わせ、予備焼成にてフリットガラスを乾燥した後、約４５０゜Ｃで１０〜３０分の本焼成を行う。その後、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体２６とフリットガラス（図示せず）とによって囲まれた空間を、貫通孔（図示せず）及びチップ管（図示せず）を通じて排気し、空間の圧力が１０-4Ｐａ程度に達した時点でチップ管を加熱溶融により封じ切る。このようにして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体２６とに囲まれた空間を真空にすることができる。あるいは又、例えば、枠体２６とアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの貼り合わせを真空雰囲気中で行ってもよい。あるいは又、表示装置の構造に依っては、枠体無しで、接着層のみによってアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを貼り合わせてもよい。その後、必要な外部回路との配線接続を行い、表示装置を完成させる。
【０１０６】
実施例１においては、図１の（Ｆ）に模式的に示すように、線順次駆動される第１電極（ゲート電極１３）によって構成される発光領域における発光状態の明暗に応じて基準発光時間ＬＴmの短長を設定するので、表示装置全体としての画像（画面）全体の明るさを低下させること無く、画像（画面）全体の明るさの均一化を図ることができる。即ち、第１電極毎の輝度補正を行うことができる。
【実施例２】
【０１０７】
実施例２は、実施例１の変形である。実施例１においては、ゲート電極１３を第１電極（走査電極）に該当させ、カソード電極１１を第２電極（データ電極）に該当させた。一方、実施例２においては、カソード電極１１が第１電極（走査電極）に該当し、ゲート電極１３が第２電極（データ電極）に該当する。即ち、カソード電極１１には走査信号が入力され、ゲート電極１３にはビデオ信号（色信号）が入力される。
【０１０８】
即ち、カソードパネルＣＰは、
（ａ）支持体１０、
（ｂ）支持体１０上に形成され、第１の方向（図２の紙面と平行な方向であり、矢印Ａ−Ａで示す）に延びるＭ本のストライプ状のカソード電極１１、
（ｃ）支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２、
（ｄ）絶縁層１２上に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向（図２の紙面に対して垂直な方向）に延びるＮ本のストライプ状のゲート電極１３、及び、
（ｅ）カソード電極１１とゲート電極１３との重複領域に位置する電子放出領域ＥＡ、
から構成されている。
【０１０９】
尚、実施例２においても、電界放出素子を、円錐形の電子放出部１５が開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に設けられたスピント型電界放出素子としている。また、実施例２においても、第１の方向と第２の方向とは直交している。即ち、第１電極の射影像と第２電極の射影像とは直交している。より具体的には、カソード電極１１の射影像とゲート電極１３の射影像とは直交している。
【０１１０】
アノードパネルＡＰの構成、構造は、実施例１にて説明したアノードパネルＡＰと同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【０１１１】
［基準発光時間ＬＴmの設定］
以下、基準発光時間ＬＴmの設定に関する説明を行うが、実施例２においては、カソード電極１１が第１電極（走査電極）に該当し、ゲート電極１３が第２電極（データ電極）に該当するので、以下の説明における第１電極及び第２電極を、それぞれ、必要に応じて、適宜、カソード電極１１及びゲート電極１３と読み替えればよい。
【０１１２】
例えば、表示装置が完成した時点で、実施例１と同様に、第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・Ｍ）の第１電極に第１基準電圧を印加し、例えばＮ本の第２電極に第２基準電圧を印加して、第ｍ番目の第１電極によって構成される発光領域における発光状態を調べる。
【０１１３】
ここで、第１電極（カソード電極１１）に印加される電圧ＶCの最小値Ｖ1（例えば０ボルト）を第１基準電圧とし、第２電極（ゲート電極１３）に印加される電圧ＶGの最大値Ｖ2（例えば３５ボルト）を第２基準電圧とする。第１基準電圧及び第２基準電圧の印加時間は、本質的には任意であるが、発光領域における安定した発光状態を得るためには、ゲート電極１３及びカソード電極１１に電圧を印加する時間を出来るだけ長くすることが好ましく、一例として、表示装置における実際の画像表示時にゲート電極１３及びカソード電極１１に電圧が印加される時間の２０倍程度を挙げることができる。
【０１１４】
具体的には、図１の（Ａ）に模式的に示したと同様に、第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・Ｍ）の第１電極によって構成されるＮ個の発光領域（第ｍ番目の発光領域行であり、Ｎ個の電子放出領域ＥＡ及び蛍光体領域２２から構成されている）において、例えば最大発光状態（即ち、電子放出領域ＥＡからの電子の最大放出量であり、蛍光体領域２２における最大輝度である）が得られるようなデータ（第ｍ番目の最大入力データ）が、第ｍ番目の第１電極に接続されたカソード電極駆動ドライバ３２に、順次、入力される。更には、このような第ｍ番目の最大入力データが、Ｎ本の第２電極に接続されたＮ個のゲート電極駆動ドライバ４２にも、順次、入力される。
【０１１５】
そして、第ｍ’番目のブランキング期間内において、尚、図１の（Ｂ）に示したと同様に、第ｍ’番目の第１電極から第（ｍ’＋１）番目の第１電極への切替タイミングパルス（ロード信号）が第１電極を駆動するカソード電極駆動ドライバ３２に入力される。そして、図１の（Ｃ）に示すように、この切替タイミングパルスに応じて、第１電極が線順次駆動され、第ｍ番目の第１電極に、順次、カソード電極駆動用電源３１から第１基準電圧（一定の電圧Ｖ1）が印加される。また、切替タイミングパルスが第２電極を駆動するゲート電極駆動ドライバ４２に入力される。そして、この切替タイミングパルスに応じて、第２電極のそれぞれが駆動され、第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２・・・Ｎ）の第２電極に、一斉に、ゲート電極駆動用電源４１から第２基準電圧（一定の電圧Ｖ2）が印加される。これによって、第ｍ番目の発光領域行が発光する。
【０１１６】
そして、第ｍ番目の発光領域行の発光状態（輝度、あるいは、アノード電極２４から第ｍ番目の発光領域行を構成する各カソード電極１１に流れる放出電子電流値の総和）を測定する。図１の（Ｄ）に模式的に示したと同様に、この操作をｍ＝１からｍ＝Ｍまで繰り返し、発光領域における発光状態の平均（輝度平均値あるいは放出電子電流平均値）を求める。
【０１１７】
次いで、第ｍ番目の発光領域行における発光状態が基準よりも明るい場合（即ち、電子放出領域ＥＡから相対的に多量の電子が放出され、輝度あるいは放出電子電流値が上述の輝度平均値あるいは放出電子電流平均値よりも高くあるいは大きい場合）、第ｍ番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴmが短く設定される。一方、係る発光領域における発光状態が基準よりも暗い場合（即ち、電子放出領域ＥＡから相対的に少量の電子が放出され、輝度あるいは放出電子電流値が上述の輝度平均値あるいは放出電子電流平均値よりも低くあるいは小さい場合）、第ｍ番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴmが長く設定される。尚、ｍ＝１からｍ＝Ｍまでの基準発光時間ＬＴmの総和は一定である。具体的には、第ｍ番目の発光領域行の発光状態（輝度あるいは放出電子電流値）が基準（輝度平均値あるいは放出電子電流平均値）と一致するように、あるいは、基準（輝度平均値あるいは放出電子電流平均値）に近づくように、言い換えれば、例えば、（輝度）×（基準発光時間ＬＴm）の値が出来る限り同じ値となるように、第ｍ番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴmを決定し、図１の（Ｅ）に示す各第１電極及び第２電極への輝度補正後の切替タイミングパルス（ロード信号）を生成させるための基準発光時間ＬＴmを、表示装置に備えられた基準発光時間記憶手段３３（例えば、ＲＯＭ）に記憶させる。
【０１１８】
［表示装置の実際の画像表示］
表示装置の動作時、例えば、第１電極に相当するカソード電極１１には、一定の電圧ＶC（０ボルト）が印加され（即ち、走査信号が入力され）、第２電極に相当するゲート電極１３には、画素の階調に応じて、２０ボルト乃至３５ボルトの電圧ＶGが印加される（即ち、ビデオ信号（色信号）が入力される）。
【０１１９】
表示装置における実際の画像表示においては、図４に示すように、画像信号がＡ／Ｄコンバータ６０に入力され、Ａ／Ｄコンバータ６０の出力が階調制御回路６１に送られ、階調制御用データが階調制御回路６１において作成される。この階調制御用データ（入力データ）は、カソード電極駆動ドライバ３２及びゲート電極駆動ドライバ４２に送出される。より具体的には、図１の（Ａ）に模式的に示すように、第ｍ番目の発光領域における発光状態（即ち、電子放出領域ＥＡからの電子の放出量であり、蛍光体領域２２における発光の輝度である）を制御するためのデータ（入力データであり走査信号である）が、第ｍ番目の第１電極に接続されたカソード電極駆動ドライバ３２に入力される。更には、入力データ（ビデオ信号あるいは色信号である）が、Ｎ本の第２電極に接続されたＮ個のゲート電極駆動ドライバ４２にも入力される。
【０１２０】
そして、図１の（Ｅ）に示すように、第ｍ番目のブランキング期間内において、長短が設定された基準発光時間ＬＴmに基づき（即ち、輝度補正後の切替タイミングパルスに基づき）、第ｍ番目の第１電極には電圧ＶCが印加され、第ｎ番目の第２電極には電圧ＶGが印加される。具体的には、基準発光時間記憶手段３３に記憶された基準発光時間ＬＴmを読み出して、基準発光時間制御回路３４へと送出し、基準発光時間制御回路３４において基準発光時間ＬＴmに基づき、図１の（Ｅ）に示す各第１電極及び第２電極への輝度補正後の切替タイミングパルス（ロード信号）を生成し、この切替タイミングパルスをカソード電極駆動ドライバ３２及びゲート電極駆動ドライバ４２に送出することで、例えば、カソード電極駆動ドライバ３２及びゲート電極駆動ドライバ４２の駆動時間を制御する。尚、第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２・・・Ｎ）の第２電極（ゲート電極１３）には、階調に応じて、例えば、このように可変の電圧ＶGが印加されてもよいし（電圧変調方式）、あるいは又、印加電圧を一定とし、印加電圧パルス幅を可変とした電圧が印加されてもよく（ＰＷＭ方式）、階調制御方式は本質的には任意の方法とすることができる。
【０１２１】
実施例２においても、図１の（Ｆ）に模式的に示したと同様に、線順次駆動される第１電極（カソード電極１１）によって構成される発光領域における発光状態の明暗に応じて基準発光時間ＬＴmの短長を設定するので、表示装置全体としての画像（画面）全体の明るさを低下させること無く、画像（画面）全体の明るさの均一化を図ることができる。即ち、第１電極毎の輝度補正を行うことができる。
【実施例３】
【０１２２】
実施例３は、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置及びその駆動方法に関する。実施例３の平面型表示装置も、第１の方向に延びるＭ本のストライプ状の第１電極、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるＮ本のストライプ状の第２電極を備え、第１電極と第２電極との重複領域から構成された発光領域がＭ×Ｎ個の２次元マトリックス状に配列され、第１電極が走査電極として順次選択される線順次駆動方式の平面型表示装置である。
【０１２３】
より具体的には、実施例３の平面型表示装置も冷陰極電界電子放出表示装置（表示装置）であり、この表示装置は、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとがそれらの周縁部で接合されて成り、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとによって挟まれた空間は真空状態とされている。実施例３の表示装置の模式的な一部端面図を図１１に示し、表示装置のカソードパネルを構成するゲート電極、カソード電極及びダミー第２電極の模式的な配置を図１２に示す。ここで、図１２においては、開口部１４や絶縁層１２の図示を省略している。尚、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰを分解したときの模式的な部分的斜視図は、実質的に図３に示したと同様とすることができるし、実施例３の表示装置の回路ブロック図は、実質的に図４に示したと同様とすることができる。更には、蛍光体領域等の配列は、図５〜図８に例示したと同様とすることができる。
【０１２４】
実施例３の表示装置においては、実施例１にて説明した表示装置の構造、構成に加えて、第２電極と平行に延びるＰ本（ここで、Ｐ＝３）のダミー第２電極７０を備えている。具体的には、カソード電極群の外側においてカソード電極１１と平行に延びる３本のダミーカソード電極７０を備えている。ダミー第２電極７０は、ダミーカソード電極制御回路３０’に接続されている。尚、ダミーカソード電極制御回路３０’は、実質的に、カソード電極制御回路３０と同様の構成を有する。また、実施例１と同様に、実施例３にあっても、ゲート電極１３が第１電極に該当し、カソード電極１１が第２電極に該当し、電子放出領域ＥＡが発光領域の一部に該当する。そして、アノード電極２４、及び、第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・Ｍ）の第１電極とダミー第２電極７０との重複領域（ダミー電子放出領域ＥＡ’）から、Ｐ個のダミー発光領域が構成されている。第１電極とダミー第２電極７０との重複領域の構成、構造は、実施例１にて説明した第１電極と第２電極との重複領域の構成、構造と同じである。但し、ダミー発光領域には、蛍光体領域は設けられていない。更には、各ダミー第２電極７０には、電流検出用ＩＣから成る電流計（図示せず）が取り付けられている。第１電極とダミー第２電極７０とに印加された電圧によって生じた強電界がダミー発光領域を構成するダミー電子放出部１５’に加わる結果、量子トンネル効果によりダミー電子放出部１５’から電子が放出され、アノード電極２４と衝突する。即ち、アノード電極２４からダミー第２電極７０へと放出電子電流が流れる。この放出電子電流は、ダミー発光領域における発光状態を示す指標として、ダミー第２電極７０に取り付けられた電流計によって検出可能であり、あるいは又、アノード電極２４に取り付けられた電流計（図示せず）によって検出可能である。
【０１２５】
即ち、実施例３においては、ダミー発光領域における発光状態は、アノード電極２４からダミー第２電極７０へと流れる放出電子電流値によって評価することができるし、「基準」を、例えば、ｍ＝１からｍ＝Ｍまでの第１電極に第１基準電圧を印加し、ダミー第２電極７０に第２基準電圧を印加して得られるアノード電極２４からダミー第２電極７０へと流れる放出電子電流平均値（測定点数：ｍ×Ｐ）とすればよい。
【０１２６】
以上の点を除き、実施例３のカソードパネルＣＰの構造、構成、及び、アノードパネルＡＰの構造、構成は、実施例１のカソードパネルＣＰの構造、構成、及び、アノードパネルＡＰの構造、構成と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【０１２７】
［基準発光時間ＬＴmの設定］
以下、基準発光時間ＬＴmの設定に関する説明を行うが、実施例３においては、ゲート電極１３が第１電極（走査電極）に該当し、カソード電極１１が第２電極（データ電極）に該当するので、以下の説明における第１電極及び第２電極を、それぞれ、必要に応じて、適宜、ゲート電極１３及びカソード電極１１と読み替えればよい。
【０１２８】
例えば、表示装置が完成した時点で、あるいは、表示装置が実際に使用されている場合には一種の検査モードにおいて、第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・Ｍ）の第１電極に第１基準電圧を印加し、Ｐ本のダミー第２電極７０に第２基準電圧を印加して、第ｍ番目の第１電極によって構成されるＰ個のダミー発光領域（以下、便宜上、第ｍ番目のダミー発光領域行と呼ぶ）における発光状態を調べる。
【０１２９】
ここで、第１電極（ゲート電極１３）に印加される電圧ＶGの最大値Ｖ1（例えば３５ボルト）を第１基準電圧とし、ダミー第２電極７０に印加される第２基準電圧を例えば０ボルトとする。第１基準電圧及び第２基準電圧の印加時間は、本質的には任意であるが、発光領域における安定した発光状態を得るためには、ゲート電極１３及びカソード電極１１に電圧を印加する時間を出来るだけ長くすることが好ましく、一例として、表示装置における実際の画像表示時にゲート電極１３及びカソード電極１１に電圧が印加される時間の２０倍程度を挙げることができる。
【０１３０】
具体的には、図１の（Ａ）に模式的に示したと同様に、Ｐ本のダミー第２電極７０に接続された、ダミーカソード電極制御回路３０’を構成するＰ個のダミーカソード電極駆動ドライバ（図示せず）に、順次、第ｍ番目の規定入力データが入力される。
【０１３１】
そして、第ｍ’番目のブランキング期間内において、尚、図１の（Ｂ）に示したと同様に、第ｍ’番目の第１電極から第（ｍ’＋１）番目の第１電極への切替タイミングパルス（ロード信号）が第１電極を駆動するゲート電極駆動ドライバ４２に入力される。そして、図１の（Ｃ）に示したと同様に、この切替タイミングパルスに応じて、第１電極が線順次駆動され、第ｍ番目の第１電極に、順次、ゲート電極駆動用電源４１から第１基準電圧（一定の電圧Ｖ1）が印加される。また、切替タイミングパルスがダミー第２電極７０を駆動するダミーカソード電極駆動ドライバに入力される。そして、この切替タイミングパルスに応じて、ダミー第２電極７０のそれぞれが駆動され、Ｐ本のダミー第２電極７０に、一斉に、ダミーカソード電極駆動用電源（図示せず）から第２基準電圧が印加される。これによって、第ｍ’番目のダミー発光領域行が発光する。より具体的には、アノード電極２４からダミー第２電極７０へと放出電子電流が流れ、この放出電子電流値はダミー第２電極７０（あるいはアノード電極２４）に取り付けられた電流計によって検出される。
【０１３２】
そして、第ｍ番目のダミー発光領域行の発光状態（放出電子電流値）を測定する。図１の（Ｄ）に模式的に示したと同様に、この操作をｍ＝１からｍ＝Ｍまで繰り返し、ダミー発光領域行における発光状態の平均（放出電子電流平均値）を求める。
【０１３３】
次いで、第ｍ番目のダミー発光領域行における発光状態が基準よりも明るい場合（即ち、ダミー電子放出領域ＥＡ’から相対的に多量の電子が放出され、第ｍ番目のダミー発光領域行における放出電子電流値が上述の放出電子電流平均値よりも高い場合）、第ｍ番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴmが短く設定される。一方、第ｍ番目のダミー発光領域行における発光状態が基準よりも暗い場合（即ち、ダミー電子放出領域ＥＡ’から相対的に少量の電子が放出され、第ｍ番目のダミー発光領域行における放出電子電流値が上述の放出電子電流平均値よりも低い場合）、第ｍ番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴmが長く設定される。尚、ｍ＝１からｍ＝Ｍまでの基準発光時間ＬＴmの総和は一定である。具体的には、第ｍ番目のダミー発光領域行の発光状態（放出電子電流値）が基準（放出電子電流平均値）と一致するように、あるいは、基準（放出電子電流平均値）に近づくように、言い換えれば、例えば、（放出電子電流値）×（基準発光時間ＬＴm）の値が出来る限り同じ値となるように、第ｍ番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴmを決定し、図１の（Ｅ）に示す各第１電極及び第２電極への輝度補正後の切替タイミングパルス（ロード信号）を生成させるための基準発光時間ＬＴmを、表示装置に備えられた基準発光時間記憶手段３３（例えば、ＲＯＭ）に記憶させる。
【０１３４】
尚、図１に示した例においては、第（ｍ−１）番目の発光領域行における発光状態（放出電子電流値）が放出電子電流平均値を示している。また、第ｍ番目の発光領域行における発光状態（放出電子電流値）が放出電子電流平均値よりも高い値を示している。更には、第（ｍ＋１）番目の発光領域行における発光状態（放出電子電流値）が放出電子電流平均値よりも一層高い値を示している。また、第（ｍ＋２）番目の発光領域行における発光状態（放出電子電流値）が放出電子電流平均値よりも一層低い値を示している。更には、第（ｍ＋３）番目の発光領域行における発光状態（放出電子電流値）が放出電子電流平均値よりも低い値を示している。
【０１３５】
従って、図１の（Ｅ）に示すように、第（ｍ−１）番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴ(m-1)を標準値ＬＴSTDとしたとき、第ｍ番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴmは、標準値ＬＴSTDよりも短い。また、第（ｍ＋１）番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴ(m+1)は、標準値ＬＴSTDよりも一層短い。更には、第（ｍ＋２）番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴ(m+2)は、標準値ＬＴSTDよりも一層長い。また、第（ｍ＋３）番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴ(m+3)は、標準値ＬＴSTDよりも長い。
【０１３６】
［表示装置の実際の画像表示］
表示装置の実際の画像表示は、実施例１にて説明したと同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【０１３７】
実施例３においても、図１の（Ｆ）に模式的に示したと同様に、線順次駆動される第１電極（ゲート電極１３）によって構成される発光領域における発光状態の明暗に応じて基準発光時間ＬＴmの短長を設定するので、表示装置全体としての画像（画面）全体の明るさを低下させること無く、画像（画面）全体の明るさの均一化を図ることができる。即ち、第１電極毎の輝度補正を行うことができる。
【実施例４】
【０１３８】
実施例４は、実施例３の変形である。実施例３においては、ゲート電極１３を第１電極（走査電極）に該当させ、カソード電極１１を第２電極（データ電極）に該当させた。一方、実施例４においては、カソード電極１１が第１電極（走査電極）に該当し、ゲート電極１３が第２電極（データ電極）に該当する。
【０１３９】
実施例４の表示装置の模式的な一部端面図を図１３に示し、表示装置のカソードパネルを構成するゲート電極、カソード電極及びダミー第２電極の模式的な配置を図１４に示す。ここで、図１４においては、開口部１４や絶縁層１２の図示を省略している。尚、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰを分解したときの模式的な部分的斜視図は、実質的に図３に示したと同様とすることができるし、実施例４の表示装置の回路ブロック図は、実質的に図４に示したと同様とすることができる。更には、蛍光体領域等の配列は、図５〜図８に例示したと同様とすることができる。
【０１４０】
実施例４の表示装置においては、実施例２にて説明した表示装置の構造、構成に加えて、第２電極と平行に延びるＰ本（ここで、Ｐ＝３）のダミー第２電極８０を備えている。具体的には、ゲート電極群の外側においてゲート電極１３と平行に延びる３本のダミーカソード電極８０を備えている。ダミー第２電極８０は、ダミーゲート電極制御回路４０’に接続されている。尚、ダミーゲート電極制御回路４０’は、実質的に、ゲート電極制御回路４０と同様の構成を有する。また、実施例２と同様に、実施例４にあっては、カソード電極１１が第１電極に該当し、ゲート電極１３が第２電極に該当し、電子放出領域ＥＡが発光領域の一部に該当する。そして、アノード電極２４、及び、第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・Ｍ）の第１電極とダミー第２電極８０との重複領域（ダミー電子放出領域ＥＡ’）から、Ｐ個のダミー発光領域が構成されている。第１電極とダミー第２電極８０との重複領域の構成、構造は、実施例２にて説明した第１電極と第２電極との重複領域の構成、構造と同じである。但し、ダミー発光領域には、蛍光体領域は設けられていない。更には、各カソード電極１１には、電流検出用ＩＣから成る電流計（図示せず）が取り付けられている。第１電極（カソード電極１１）とダミー第２電極８０とに印加された電圧によって生じた強電界がダミー発光領域を構成するダミー電子放出部１５’に加わる結果、量子トンネル効果によりダミー電子放出部１５’から電子が放出され、アノード電極２４と衝突する。即ち、アノード電極２４からカソード電極１１へと放出電子電流が流れる。この放出電子電流は、ダミー発光領域における発光状態を示す指標として、カソード電極１１に取り付けられた電流計、によって検出可能であり、あるいは又、アノード電極２４に取り付けられた電流計（図示せず）によって検出可能である。
【０１４１】
即ち、実施例４においても、ダミー発光領域における発光状態は、アノード電極２４からカソード電極１１へと流れる放出電子電流値によって評価することができるし、「基準」を、例えば、ｍ＝１からｍ＝Ｍまでの第１電極に第１基準電圧を印加し、ダミー第２電極８０に第２基準電圧を印加して得られるアノード電極２４からカソード電極１１へと流れる放出電子電流平均値（測定点数：ｍ×Ｐ）とすればよい。
【０１４２】
以上の点を除き、実施例４のカソードパネルＣＰの構造、構成、及び、アノードパネルＡＰの構造、構成は、実施例２のカソードパネルＣＰの構造、構成、及び、アノードパネルＡＰの構造、構成と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【０１４３】
［基準発光時間ＬＴmの設定］
以下、基準発光時間ＬＴmの設定に関する説明を行うが、実施例４においては、カソード電極１１が第１電極（走査電極）に該当し、ゲート電極１３が第２電極（データ電極）に該当するので、以下の説明における第１電極及び第２電極を、それぞれ、必要に応じて、適宜、カソード電極１１及びゲート電極１３と読み替えればよい。
【０１４４】
例えば、表示装置が完成した時点で、あるいは、表示装置が実際に使用されている場合には一種の検査モードにおいて、第ｍ番目（但し、ｍ＝１，２・・・Ｍ）の第１電極に第１基準電圧を印加し、Ｐ本のダミー第２電極８０に第２基準電圧を印加して、第ｍ番目の第１電極によって構成されるＰ個のダミー発光領域（第ｍ番目のダミー発光領域行）における発光状態を調べる。
【０１４５】
ここで、第１電極（カソード電極１１）に印加される電圧ＶCの最小値Ｖ1（例えば０ボルト）を第１基準電圧とし、ダミー第２電極８０に印加される第２基準電圧を例えば３５ボルトとする。第１基準電圧及び第２基準電圧の印加時間は、本質的には任意であるが、発光領域における安定した発光状態を得るためには、ゲート電極１３及びカソード電極１１に電圧を印加する時間を出来るだけ長くすることが好ましく、一例として、表示装置における実際の画像表示時にゲート電極１３及びカソード電極１１に電圧が印加される時間の２０倍程度を挙げることができる。
【０１４６】
具体的には、図１の（Ａ）に模式的に示したと同様に、Ｐ本のダミー第２電極８０に接続された、ダミーゲート電極制御回路４０’を構成するＰ個のダミーゲート電極駆動ドライバ（図示せず）に、順次、第ｍ番目の規定入力データが入力される。
【０１４７】
そして、第ｍ’番目のブランキング期間内において、尚、図１の（Ｂ）に示したと同様に、第ｍ’番目の第１電極から第（ｍ’＋１）番目の第１電極への切替タイミングパルス（ロード信号）が第１電極を駆動するカソード電極駆動ドライバ３２に入力される。そして、図１の（Ｃ）に示したと同様に、この切替タイミングパルスに応じて、第１電極が線順次駆動され、第ｍ番目の第１電極に、順次、カソード電極駆動用電源３１から第１基準電圧（一定の電圧Ｖ1）が印加される。また、切替タイミングパルスがダミー第２電極８０を駆動するダミーゲート電極駆動ドライバに入力される。そして、この切替タイミングパルスに応じて、ダミー第２電極８０のそれぞれが駆動され、Ｐ本のダミー第２電極８０に、一斉に、ダミーゲート電極駆動用電源（図示せず）から第２基準電圧が印加される。これによって、第ｍ’番目のダミー発光領域行が発光する。より具体的には、アノード電極２４からカソード電極１１へと放出電子電流が流れ、この放出電子電流値はカソード電極１１（あるいはアノード電極２４）に取り付けられた電流計によって検出される。
【０１４８】
そして、第ｍ番目のダミー発光領域行の発光状態（放出電子電流値）を測定する。図１の（Ｄ）に模式的に示したと同様に、この操作をｍ＝１からｍ＝Ｍまで繰り返し、ダミー発光領域行における発光状態の平均（放出電子電流平均値）を求める。
【０１４９】
次いで、第ｍ番目のダミー発光領域行における発光状態が基準よりも明るい場合（即ち、ダミー電子放出領域ＥＡ’から相対的に多量の電子が放出され、第ｍ番目のダミー発光領域行における放出電子電流値が上述の放出電子電流平均値よりも高い場合）、第ｍ番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴmが短く設定される。一方、第ｍ番目のダミー発光領域行における発光状態が基準よりも暗い場合（即ち、ダミー電子放出領域ＥＡ’から相対的に少量の電子が放出され、第ｍ番目のダミー発光領域行における放出電子電流値が上述の放出電子電流平均値よりも低い場合）、第ｍ番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴmが長く設定される。尚、ｍ＝１からｍ＝Ｍまでの基準発光時間ＬＴmの総和は一定である。具体的には、第ｍ番目のダミー発光領域行の発光状態（放出電子電流値）が基準（放出電子電流平均値）と一致するように、あるいは、基準（放出電子電流平均値）に近づくように、言い換えれば、例えば、（放出電子電流値）×（基準発光時間ＬＴm）の値が出来る限り同じ値となるように、第ｍ番目の発光領域行における基準発光時間ＬＴmを決定し、図１の（Ｅ）に示す各第１電極及び第２電極への輝度補正後の切替タイミングパルス（ロード信号）を生成させるための基準発光時間ＬＴmを、表示装置に備えられた基準発光時間記憶手段３３（例えば、ＲＯＭ）に記憶させる。
【０１５０】
［表示装置の実際の画像表示］
表示装置の実際の画像表示は、実施例２にて説明したと同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【０１５１】
実施例４においても、図１の（Ｆ）に模式的に示したと同様に、線順次駆動される第１電極（カソード電極１１）によって構成される発光領域における発光状態の明暗に応じて基準発光時間ＬＴmの短長を設定するので、表示装置全体としての画像（画面）全体の明るさを低下させること無く、画像（画面）全体の明るさの均一化を図ることができる。即ち、第１電極毎の輝度補正を行うことができる。
【０１５２】
以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明したアノードパネルやカソードパネル、ゲート電極制御回路やカソード電極制御回路といった各種の制御回路、表示装置や電界放出素子の構成、構造は例示であり、適宜変更することができるし、アノードパネルやカソードパネル、表示装置や電界放出素子の製造方法も例示であり、適宜変更することができる。更には、アノードパネルやカソードパネルの製造において使用した各種材料も例示であり、適宜変更することができる。表示装置においては、専らカラー表示を例にとり説明したが、単色表示とすることもできる。
【０１５３】
電界放出素子においては、専ら１つの開口部に１つの電子放出部が対応する形態を説明したが、電界放出素子の構造に依っては、１つの開口部に複数の電子放出部が対応した形態、あるいは、複数の開口部に１つの電子放出部が対応する形態とすることもできる。あるいは又、ゲート電極に複数の開口部を設け、絶縁層にかかる複数の開口部に連通した複数の開口部を設け、１又は複数の電子放出部を設ける形態とすることもできる。
【０１５４】
ゲート電極を、有効領域を１枚のシート状の導電材料（開口部を有する）で被覆した形式のゲート電極とすることもできる。この場合には、かかるゲート電極に正の電圧を印加する。そして、各画素を構成するカソード電極とカソード電極制御回路との間に、例えば、ＴＦＴから成るスイッチング素子を設け、かかるスイッチング素子の作動によって、各画素を構成する電子放出部への印加状態を制御し、画素の発光状態を制御する。
【０１５５】
あるいは又、カソード電極を、有効領域を１枚のシート状の導電材料で被覆した形式のカソード電極とすることもできる。この場合には、かかるカソード電極に電圧を印加する。そして、各画素を構成する電子放出部とゲート電極制御回路との間に、例えば、ＴＦＴから成るスイッチング素子を設け、かかるスイッチング素子の作動によって、各画素を構成するゲート電極への印加状態を制御し、画素の発光状態を制御する。
【０１５６】
アノード電極は、実施例にて説明したように有効領域を１枚のシート状の導電材料で被覆した形式のアノード電極としてもよいし、１又は複数の電子放出部、あるいは、１又は複数の画素に対応するアノード電極ユニットが集合した形式のアノード電極としてもよい。アノード電極が前者の構成の場合、かかるアノード電極をアノード電極制御回路に接続すればよいし、アノード電極が後者の構成の場合、例えば、各アノード電極ユニットをアノード電極制御回路に接続すればよい。
【０１５７】
電界放出素子において、ゲート電極１３及び絶縁層１２の上に更に層間絶縁層９２を設け、層間絶縁層９２上に収束電極９３を設けてもよい。このような構造を有する電界放出素子の模式的な一部端面図を図１５に示す。層間絶縁層９２には、開口部１４Ａに連通した開口部９４が設けられている。収束電極９３の形成は、例えば、［工程−Ａ１］において、絶縁層１２上にストライプ状のゲート電極１３を形成した後、層間絶縁層９２を形成し、次いで、層間絶縁層９２上にパターニングされた収束電極９３を形成した後、収束電極９３、層間絶縁層９２に開口部９４を設け、更に、ゲート電極１３に開口部１４Ａを設ければよい。尚、収束電極のパターニングに依存して、１又は複数の電子放出部、あるいは、１又は複数の画素に対応する収束電極ユニットが集合した形式の収束電極とすることもでき、あるいは又、有効領域を１枚のシート状の導電材料で被覆した形式の収束電極とすることもできる。尚、図１５においては、スピント型電界放出素子を図示したが、その他の電界放出素子とすることもできることは云うまでもない。また、収束電極を有する電界放出素子を、実施例１〜実施例４にて説明した表示装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１５８】
【図１】図１は、実施例１の平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置における駆動方法を説明するためのチャートである。
【図２】図２は、実施例１の平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一部端面図である。
【図３】図３は、実施例１の平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置を構成するカソードパネルとアノードパネルを分解したときの模式的な部分的斜視図である。
【図４】図４は、実施例１の平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置の回路ブロック図である。
【図５】図５は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図６】図６は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図７】図７は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図８】図８は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図９】図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１におけるスピント型冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１０】図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、図９の（Ｂ）に引き続き、実施例１におけるスピント型冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１１】図１１は、実施例３の平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一部端面図である。
【図１２】図１２は、実施例３の平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置のカソードパネルを構成するゲート電極、カソード電極及びダミー第２電極の模式的な配置を示す図である。
【図１３】図１３は、実施例４の平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一部端面図である。
【図１４】図１４は、実施例４の平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置のカソードパネルを構成するゲート電極、カソード電極及びダミー第２電極の模式的な配置を示す図である。
【図１５】図１５は、収束電極を有する冷陰極電界電子放出素子の模式的な一部端面図である。
【図１６】図１６は、従来の平面型表示装置における線順次駆動方式を説明するためのチャートである。
【符号の説明】
【０１５９】
ＣＰ・・・カソードパネル、ＡＰ・・・アノードパネル、ＥＡ・・・電子放出領域、ＥＡ’・・・ダミー電子放出領域、１０・・・支持体、１１・・・カソード電極、１２・・・絶縁層、１３・・・ゲート電極、１４，１４Ａ，１４Ｂ，９４・・・開口部、１５・・・電子放出部、１５’・・・ダミー電子放出部、１６・・・剥離層、１７・・・導電材料層、２０・・・基板、２１・・・隔壁、２２，２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ・・・蛍光体領域、２３・・・光吸収層（ブラックマトリックス）、２４・・・アノード電極、２５・・・スペーサ、２６・・・枠体、３０・・・カソード電極制御回路、３０’・・・ダミーカソード電極制御回路、３１・・・カソード電極駆動用電源、３２・・・カソード電極駆動ドライバ、３３・・・基準発光時間記憶手段、３４・・・基準発光時間制御回路、４０・・・ゲート電極制御回路、４０’・・・ダミーゲート電極制御回路、４１・・・ゲート電極駆動用電源、４２・・・ゲート電極駆動ドライバ、５０・・・アノード電極制御回路、６０・・・Ａ／Ｄコンバータ、６１・・・階調制御回路、７０・・・ダミー第２電極（ダミーカソード電極）、８０・・・ダミー第２電極（ダミーゲート電極）、９２・・・層間絶縁層、９３・・・収束電極
【図１】
2005070528.tif 000003
【図２】
2005070528.tif 000004
【図３】
2005070528.tif 000005
【図４】
2005070528.tif 000006
【図５】
2005070528.tif 000007
【図６】
2005070528.tif 000008
【図７】
2005070528.tif 000009
【図８】
2005070528.tif 000010
【図９】
2005070528.tif 000011
【図１０】
2005070528.tif 000012
【図１１】
2005070528.tif 000013
【図１２】
2005070528.tif 000014
【図１３】
2005070528.tif 000015
【図１４】
2005070528.tif 000016
【図１５】
2005070528.tif 000017
【図１６】
2005070528.tif 000018