(57)【要約】【課題】ゲッタリング能力が高く、ゲッタリング効果の持続性が長い上、パーティクルの発生が抑制されたシリコンウエーハを、容易にかつ低コストで製造することができるシリコンウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも、スライス、面取り、平面研削、及び研磨を行うことによりシリコンウエーハを製造する方法において、前記スライス後のシリコンウエーハの両面に対し、平面研削後、エッチングを行わずに研磨を行うものであって、裏面側に対しては、表面側の平面研削よりも番手の小さい砥石により平面研削を行い、かつ、表面側の研磨よりも取り代の少ないライト研磨を行うことにより、前記裏面側の平面研削により生じた加工歪みを残すことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、スライス、面取り、平面研削、及び研磨を行うことによりシリコンウエーハを製造する方法において、前記スライス後のシリコンウエーハの両面に対し、平面研削後、エッチングを行わずに研磨を行うものであって、裏面側に対しては、表面側の平面研削よりも番手の小さい砥石により平面研削を行い、かつ、表面側の研磨よりも取り代の少ないライト研磨を行うことにより、前記裏面側の平面研削により生じた加工歪みを残すことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。
【請求項２】
前記シリコンウエーハの裏面側に対し、平面研削後、ライト研磨を行う前に、該ウエーハを水で洗浄することを特徴とする請求項１に記載のシリコンウエーハの製造方法。
【請求項３】
前記平面研削後の裏面側を、前記ライト研磨によって１００ｎｍ以下の取り代で除去することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシリコンウエーハの製造方法。
【請求項４】
前記裏面側の平面研削を、１０００〜４０００番手のレジンボンド砥石を用いて行うことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のシリコンウエーハの製造方法。
【請求項５】
前記裏面側のライト研磨を、ゴム製の基体層と、接着層と、ウレタン製の表面層とからなる三層構造の研磨布を用いて行うことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のシリコンウエーハの製造方法。
【請求項６】
前記裏面側の平面研削後、前記ライト研磨を行う前及び／又は行った後に、前記シリコンウエーハに対し、熱処理を施すことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のシリコンウエーハの製造方法。
【請求項７】
前記熱処理として、７００℃以上で１５分間以上の熱処理を施すことを特徴とする請求項６に記載のシリコンウエーハの製造方法。
【請求項８】
シリコンウエーハであって、前記請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の方法により製造され、裏面側に加工歪みが残留しているものであることを特徴とするシリコンウエーハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主にシリコンウエーハの製造方法に関し、特にゲッタリング能力が高く、しかもゲッタリング効果の持続性が長いシリコンウエーハを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウエーハを製造する場合、図１０に示すように、一般にスライス工程、面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、研磨工程等を経て鏡面化されたシリコンウエーハが製造される。
具体的には、まず、単結晶引上装置によって引き上げられた単結晶棒をスライスして薄円板状のウエーハを得る。
面取り工程では、スライス工程で得られたウエーハの割れや欠けを防ぐためにその外周エッジ部を面取りする。
【０００３】
ラッピング工程では、面取りされたウエーハをラッピングしてこれを平坦化する。
エッチング工程では、面取りおよびラッピングされたウエーハ表面に残留する加工歪を除去する。
研磨工程は、ウエーハの表面を鏡面仕上げするものであり、例えば、エッチング工程後のウエーハの片面を一次鏡面研磨し（一次鏡面研磨工程）、さらに、一次鏡面研磨されたウエーハの該片面を仕上げ鏡面研磨する（仕上げ鏡面研磨工程）。
さらに、洗浄工程として、仕上鏡面研磨されたウエーハを洗浄して表面に付着している研磨剤や異物を除去する。
【０００４】
近年、ウエーハの製造工程では搬送ロボット等を用いた自動化が進められているが、上記のようなラッピング工程や、その後のエッチング工程を行う場合、自動化が困難であるという問題がある。また、エッチングは多量の廃液が生じ、環境上も問題である。
【０００５】
一方、近年半導体デバイスがより高集積化・高精度化されるのに伴い、デバイス材料となるウエーハに対する品質要求もますます厳しくなりつつある。具体的には、更なる高純度化を図るとともに、半導体デバイスの電気特性の劣化の原因となる金属汚染や結晶欠陥を低減させることが要求されている。
このような重金属を主とする汚染不純物や結晶欠陥を低減させる方法として、いわゆるゲッタリング法が知られている。ゲッタリング法としては、半導体ウエーハ内部の微小欠陥を利用するイントリンシックゲッタリング（ＩＧ）法と、半導体ウエーハの素子形成面とは反対側面（裏面）に機械加工やＣＶＤ膜コート等を施すことによるエクストリンシックゲッタリング（ＥＧ）法とに大別される。
【０００６】
ＥＧ法は、主として半導体ウエーハの裏面に歪みを付与するものであり、その一つとしてサンドブラスト法がある。サンドブラスト法は、例えば、粒径１０μｍ程度のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、炭化珪素（ＳｉＣ）等からなる粒子を半導体ウエーハの裏面に吹きつけ、その機械的損傷により導入される歪みを、不純物等のゲッタリング源（ゲッターサイト）として利用するものである。しかし、シリコンウエーハに対しアルミナ粒子を用いてサンドブラストを行うと、アルミナ粒子がウエーハに食い込んで残留し、粒子に含有される金属等の不純物によっても汚染され、本来のサンドブラストによるゲッタリング効果が十分に得られないという問題がある。
【０００７】
そのため、ブラスト材料として酸化珪素（ＳｉＯ２）粒子を用い、ブラスト後、フッ酸を用いて洗浄することにより汚染を確実に除去する方法が提案されている（特許文献１参照）。
しかしながら、サンドブラストによる方法では、ダメージ層は数十ｎｍと浅く、その後の洗浄工程や熱処理工程等によりゲッタリグ効果が急速に減少あるいは消滅してしまうという欠点がある。
【０００８】
また、他のＥＧ法として、ウエーハの裏面にＣＶＤ法によりポリシリコンを堆積させてゲッタリング源として活用する方法（ＰＢＳ法）がある。ＰＢＳ法によれば、比較的高いゲッタリング能力を付与することができるが、デバイス工程における熱処理により単結晶化が進み、ゲッタリング効果が低下してしまうという欠点がある。また、ＰＢＳ法では、ポリシリコンをＣＶＤ法により堆積させるため、製造コストが高くなるという問題もある。
【０００９】
さらに、ＥＧ法の一つとして、ウエーハの裏面に研削等の機械的加工により機械的ダメージを施してゲッタリング能力を付与する方法がある。この方法では、サンドブラスト法のようにブラスト粒子による汚染や、ＰＢＳ法のように高価なＣＶＤ装置等を必要としないという利点がある。
しかし、このように裏面に機械的加工を施すことによりゲッタリング効果を付与した場合でも、その後の熱処理工程によりゲッタリング能力が減少し、ゲッタリング効果の持続性が短いという問題がある。そこで、ゲッタリング能力を向上させるため、機械的ダメージを増加させるとなると、マイクロクラックと呼ばれる微小な割れや欠けがウエーハの裏面に生じ、その後の洗浄や熱処理においてパーティクルの発生源になるという問題がある（非特許文献１参照）。
【００１０】
【特許文献１】特許３２７４８１０号公報
【非特許文献１】菅野卓雄ほか監修、「半導体大辞典」、工業調査会、１９９９年１１月２２日、ｐ．５４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は上記のような問題に鑑みてなされたものであり、ゲッタリング能力が高く、ゲッタリング効果の持続性が長い上、パーティクルの発生が抑制されたシリコンウエーハを、容易にかつ低コストで製造することができるシリコンウエーハの製造方法を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によれば、少なくとも、スライス、面取り、平面研削、及び研磨を行うことによりシリコンウエーハを製造する方法において、前記スライス後のシリコンウエーハの両面に対し、平面研削後、エッチングを行わずに研磨を行うものであって、裏面側に対しては、表面側の平面研削よりも番手の小さい砥石により平面研削を行い、かつ、表面側の研磨よりも取り代の少ないライト研磨を行うことにより、前記裏面側の平面研削により生じた加工歪みを残すことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法が提供される（請求項１）。
【００１３】
このようにウエーハの裏面側の平面研削とライト研磨を組み合わせることにより、裏面側の微小クラック等が存在する最外層（破砕層）は除去されるとともに、裏面側の加工歪みを確実に残すことができる。従って、残留した加工歪みにより高いゲッタリング能力を発揮するとともに、パーティクルの発生が効果的に抑制されたシリコンウエーハを製造することができる。また、上記方法は主に研削と研磨によるものであるため、比較的容易に行うことができ、また、エッチングを行わないので、加工歪み層が除去されることなく、高いゲッタリング効果を発揮できるとともに、廃液処理の心配もない。従って、本発明により、製造コストを著しく低く抑えることができる。さらに、ラッピング、エッチング工程を行わないので、自動化に資するところ大である。
【００１４】
この場合、前記シリコンウエーハの裏面側に対し、平面研削後、ライト研磨を行う前に、該ウエーハを水で洗浄することが好ましい（請求項２）。
このように平面研削後、水で洗浄を行うことにより、表面に付着している研削カス等を容易に除去する一方、エッチングを行わないので、ゲッタリング源となる歪み層は確実に残すことができる。
【００１５】
本発明では、前記平面研削後の裏面側を、前記ライト研磨によって１００ｎｍ以下の取り代で除去することが好ましい（請求項３）。
裏面側をこの程度の取り代の少ないライト研磨を行えば、ゲッタリング源として作用する歪み層をより確実に残すことができるとともに、平面研削で生じた表面の微小クラックを除去することができる。
【００１６】
また、前記裏面側の平面研削を、１０００〜４０００番手のレジンボンド砥石を用いて行うことが好ましい（請求項４）。
このような砥石を用いて裏面側の平面研削を行えば、ゲッタリング源となる歪み層をより確実に形成させることができる。
【００１７】
また、前記裏面側のライト研磨を、ゴム製の基体層と、接着層と、ウレタン製の表面層とからなる三層構造の研磨布を用いて行うことが好ましい（請求項５）。
このような三層構造の研磨布を用いれば、ウエーハ形状を変化させずに面内を均一な取り代にて研磨を行うことができ、裏面側全体に歪み層をより確実に残留させることができる。
【００１８】
また、前記裏面側の平面研削後、前記ライト研磨を行う前及び／又は行った後に、前記シリコンウエーハに対し、熱処理を施すことが好ましく（請求項６）、具体的には、７００℃以上で１５分間以上の熱処理を施すことが好ましい（請求項７）。
このような熱処理を施せば、加工歪みを核としてＩＧ効果が付加されて裏面側の深い位置までゲッタリング源が形成され、より高いゲッタリング能力を付与することができる。
【００１９】
また、本発明によれば、シリコンウエーハであって、前記方法により製造され、裏面側に加工歪みが残留しているものであることを特徴とするシリコンウエーハが提供される（請求項８）。
このように本発明の方法により製造されたシリコンウエーハは、裏面側に残留している加工歪みがゲッタリング源として効果的に作用し、デバイス製造工程での熱処理を受けても、高いゲッタリング能力が維持されたものとなる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、裏面側の平面研削とライト研磨を組み合わせて裏面側の加工歪みを残すことにより、ゲッタリング能力が高く、ゲッタリング効果の持続性が長い上、パーティクルの発生が効果的に抑制されるウエーハを製造することができる。また、本発明は、平面研削及び研磨によるものであるため比較的容易に行うことができるとともに、製造コストを低く抑えることができる。
さらに、本発明では平面研削を機械的に行うことができ、その後、エッチングを行わないので自動化が容易であり、ウエーハ製造工程の全自動化にも大いに資することができるとともに、地球環境にも好ましいものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の完成に先立ち、本発明者らは、平面研削加工を行った場合の歪み層について以下のような調査を行った。
まず、２０００番手のレジンボンドを用いてシリコンウエーハの裏面に対して平面研削を行った後、取り代を変えて研磨を行い、次いで弱アルカリ洗浄（ＳＣ１−ＲＴ）を繰り返した。これは歪みを核としてエッチングにより窪み（穴）を形成させ、欠陥数を評価する方法である。
そして、研磨した面に対し、パーティクルカウンタにより、洗浄前と後の輝点（ＬＰＤ：０．１２μｍ以上）数を測定したところ、図５に示した結果が得られた。
【００２２】
図５に示したように、平面研削後、１μｍの取り代で研磨を行った場合、洗浄前では５８１７個であり、洗浄後では９０４９個であった。
一方、２μｍの取り代で研磨を行った場合、洗浄前では５４個であり、洗浄後では２９０個であった。さらに、３μｍの取り代で研磨を行った場合では、洗浄前では２１個であり、洗浄後では３１２個であった。
すなわち、平面研削後、１μｍの取り代により研磨を行った場合には輝点が大量に発生したことから、まだ歪み層が残存するが、２μｍの取り代と３μｍの取り代の場合を比較すると輝点の発生はほぼ収束しているため、平面研削により生じた歪み層の深さは１〜２μｍの範囲内と推定することができる。
【００２３】
そこで、本願発明者は、ウエーハの裏面側に平面研削を施した後、デバイス工程において悪影響を及ぼす微小クラック等が存在する破砕層のみを研磨により除去し、ゲッタリング源として有用な歪み層のみを残留させることにより、パーティクルの発生を抑えた上、ゲッタリング能力が高いシリコンウエーハを製造することができると考え、さらに鋭意検討及び研究を重ねた結果、本願発明を完成させた。
【００２４】
以下、本発明によるシリコンウエーハの製造方法に関し、添付の図面に基づいて具体的に説明する。
図１は、本発明に係るシリコンウエーハの製造工程の一例を示したものである。
まず、シリコン単結晶インゴットをウエーハ状にスライスする（図１（Ａ））。用いるシリコン単結晶インゴットは、一般的なチョクラルスキー法（ＣＺ法）により育成したもののほか、浮遊帯域溶融法（ＦＺ法）により製造したものでも良い。
【００２５】
上記スライス工程により得られたシリコンウエーハに対し、面取り加工を行う（図１（Ｂ））。ここでは通常の面取り加工と同様に行えば良く、例えばスラリーを供給しながらウエーハの外周及び上下の面取り研削及び研磨を行う。
【００２６】
面取り工程後、シリコンウエーハの両面に対し、平面研削を行う（図１（Ｃ））。このとき、本発明では、裏面側に対しては、表面側の平面研削よりも番手の小さい砥石により平面研削を行う（ここで、番手が小さいとは目が粗いということである。）。これにより、平面研削後、表面側は平滑に、裏面側は粗く仕上げることができる。
平面研削に使用する装置としては、例えば図２に示したようなインフィード型平面研削盤２０を用いることができる。この平面研削盤２０では、まず、吸着盤２１にウエーハ１を固定する。ウエーハ１は、例えば真空配管２５に通じる真空装置（不図示）により吸着固定することができる。吸着後、吸着盤を駆動モーター２４によって自転させるとともに、カップ型砥石２２を砥石駆動モーター２３によって高速駆動させながらウエーハ１と接触させる。これによりウエーハ１を片面ずつ平面研削することができる。
【００２７】
本発明では、砥石の番手の異なる表面側用と裏面側用の研削盤をそれぞれ用意し、砥石の番手の小さい（砥粒が大きい）方を裏面側用とし、番手の大きい（砥粒が小さい）方を表面側用として平面研削を行えば良い。
なお、裏面側の平面研削において、砥石の番手を１０００番手より小さくすると、加工歪みが大きくなるが、ウエーハにワレやカケが生じ易く、また、加工歪みが大き過ぎると、その後の洗浄工程や熱処理工程等でパーティクルが発生し易くなるおそれがある。
一方、砥石の番手を４０００番手より大きくすると、加工歪みが十分形成されず、ゲッタリング効果が十分得られなくなるおそれがある。
従って、裏面側の平面研削は、１０００〜４０００番手のレジンボンド砥石を用いて行うことが好ましい。例えば、裏面側の平面研削を２０００番手の砥石により行い、表面側の平面研削を４０００番手の砥石により行う。これにより、ワレやカケの発生を防ぐとともに、裏面側では約１μｍ以上の深さまで歪み層を形成させることができる。
【００２８】
平面研削後、好ましくは水で洗浄を行う（図１（Ｄ））。なお、従来のシリコンウエーハの製造で平面研削やラッピングを行った場合には、平面研削やラッピングにより生じた歪みを除去するため、エッチングを行うことが常識であった。しかし、本発明では、裏面側の歪み層等をゲッタリング源として有効に活用するため、上記のような平面研削を行った後、エッチングは行わず、好ましくは水で洗浄する程度とする。これにより、研削カスを除去し、加工歪みを残留させることができる上に、廃液処理も不要となる。
【００２９】
水洗後、ウエーハの両面に対して研磨を行うが、このとき裏面側に対しては、表面側の研磨よりも取り代の少ない研磨（ライト研磨）を行い、これにより裏面側の平面研削により生じた加工歪みを残すようにする（図１（Ｅ））。
このような平面研削後の裏面をライト研磨する際には、例えば図３に示したような片面研磨装置１０を用いることができる。ウエーハ１の表面側（デバイス形成面側）を真空吸着により又はワックス等の接着層を介して保持盤１１で保持し、定盤１２を回転させる。そして、研磨剤供給ノズル１４から研磨剤（コロイダルシリカ）１５を供給しながらウエーハ１の裏面側を研磨布１３に所定の荷重で摺接させる。
【００３０】
このように裏面側のライト研磨を行う際、裏面側の取り代を１００ｎｍより大きくすると、歪み層が除去されてしまうおそれがあるほか、特に１μｍ以上除去すると、裏面全体の歪み層が除去されてしまうおそれがある。従って、裏面側の研磨の取り代は１００ｎｍ以下として歪み層を十分に残留させておくことが好ましい。
例えば、平面研削により裏面側に１μｍの深さまで歪み層が生じている場合、１００ｎｍの取り代で研磨を行っても０．９μｍの歪み層が残留し、ゲッタリング源として効果的に利用することができる。
ただし、取り代が少な過ぎると、裏面側の最外層（破砕層）の微小な割れや欠けが残留し、その後の工程でパーティクルを発生させるおそれがあるので、１０ｎｍ以上の取り代とすることが好ましい。なお、このような取り代の少ないライト研磨は、一般的にタッチポリッシュとも呼ばれる。
【００３１】
また、裏面側のライト研磨を行う場合、研磨布としては、ゴム製の基体層と、接着層と、ウレタン製の表面層とからなる三層構造の研磨布を用いることが好ましい。図４に示したように平面研削後のウエーハ１の裏面は凹凸状となっており、通常の二層構造の研磨布を用いて裏面側の研磨を行うと、高い平坦度が得られる反面、歪み層２が残る部分と、除去されてしまう部分とに分かれてしまうおそれがある。一方、上記のような三層構造の研磨布を用いれば、比較的長い波長（１０μｍ以上）の凹凸には変化を与えず、短い波長（１〜２μｍ）の凹凸のみを除去することができる。従って、ウエーハ１の表面形状に倣って研磨を行うことでき、加工歪みを裏面全体にほぼ均一に残留させることができる。
【００３２】
一方、ウエーハの表面側に関しては、歪み層等を除去し、鏡面化するための研磨を行う（図１（Ｆ））。
ここで表面側の研磨も、図３に示したような片面研磨装置１０を使用することができるが、前記したように本発明では平面研削後、エッチングを行わないので、いわゆるエッチピットが表面に発生しておらず、表面側でも研磨による取り代を少なくすることができるという大きな利点がある。すなわち、平面研削後、従来のようにエッチングを行うと、エッチピットが発生し、エッチピットを確実に除去するため通常７〜１０μｍ程度の取り代で研磨を行う必要がある。しかし、本発明ではエッチピットは発生していないので、例えば２μｍの取り代で表面側の研磨を行えば、歪み層を確実に除去することができるとともに鏡面化することができる。従って、研磨工程の生産性を著しく向上させることができる。
【００３３】
さらに、本発明ではゲッタリング能力を一層高めるため、シリコンウエーハに対して熱処理を施すことが好ましい（図１（Ｇ））。
図６は、平面研削後、研磨を行わずに熱処理を行った後、ライフタイム測定を行った場合の結果を示している。ここでの条件は以下の通りである。
裏面側：２０００番手の砥石による平面研削
表面側：４０００番手の砥石による平面研削
熱処理：酸化性雰囲気、１０００℃、６０分
図６（Ａ）に示されているように、酸化熱処理後、エッチングを行わずにライフタイムを測定したところ、十字パターンが発生した。このパターンは、エッチングにより１０μｍ（図６（Ｂ））、さらに２０μｍ（図６（Ｃ））除去しても消滅せず、ライフタイム値が低い値になることが分かった。ライフタイム値の低下の要因としては、主に金属汚染とゲッタリング源が考えられる。さらに、１００μｍエッチオフした表面にはエッチピットがあり、歪みが１００μｍ以上の深さまで達していることが判った。
【００３４】
一方、図７は、上記と同じウエーハを用い、平面研削後、両面研磨（取り代：２μｍ）を行い、次いで上記と同様に熱処理を行った後のライフタイムの測定結果を示している。この場合、パターンの発生が無く、ライフタイム値は高い値であった。従って、シリコンウエーハに対する金属汚染は無かったものと考えられる。
これらの結果から、裏面の平面研削後、熱処理を行うことにより、歪みが伸びてゲッタリング源が２０μｍ以上、さらには１００μｍ以上の深さまで達したものと考えられる。このメカニズムは定かでないが、平面研削により生じた歪み部分に格子間酸素がトラップされてＳｉＯ２となり、その部分がゲッタリング源となったことが考えられる。
【００３５】
一方、上記と同様に平面研削後、両面を研磨し、その後熱処理を行わなかったものについては、３０μｍの取り代でエッチング除去を行ったところでピットが無くなった。従って、熱処理により裏面側の歪みが深く入り込んでいることが分かった。
【００３６】
このように裏面の平面研削後の熱処理によりゲッタリング源を深く入り込ませることで、デバイス工程での熱処理においても、より高いゲッタリング効果を維持することができる。このようなゲッタリング効果を高めるための熱処理としては、熱処理温度が７００℃未満であったり、熱処理時間が１５分未満では歪みが十分伸びないおそれがあるので、例えば７００℃以上で１５分間以上の熱処理を施すことが好ましい。ただし、シリコンの融点に近いほどの高温熱処理を施すとウエーハが変形してしまうおそれがあるので、１１００℃以下とすることが好ましい。また、長時間の熱処理を行うと生産性が低下し、歪みの伸びも限度があるので、せいぜい１０時間以内とすることが好ましい。
なお、このような熱処理は裏面側の平面研削後に行えば良く、ライト研磨を行う前、ライト研磨を行った後、あるいは、ライト研磨の前後両方において行っても良い。
【００３７】
上記のような本発明による製造工程を経て製造されたシリコンウエーハは、裏面側に加工歪みが残留しており、その後、デバイス工程等で熱処理を受けても、高いゲッタリング能力を発揮し、ゲッタリング効果の持続性も極めて長いものとなる。
【実施例】
【００３８】
以下、本発明の実施例及び比較例について説明する。
＜試料の作製＞
（試料１）
酸素析出によるゲッタリングの効果を排除するため、ＦＺ法により製造したシリコン単結晶インゴットを用い、これをウエーハ状にスライスした後、各ウエーハに面取り加工を施した。次いで、ラッピング、エッチング、研磨を行った後、ＳｉＯ２粒子（粒径約１０μｍ）を用いたサンドブラストによりウエーハ裏面側にダメージを与えた。
【００３９】
（試料２〜４）
上記面取り加工後、表面側（デバイス形成面側）を４０００番手、裏面側を２０００番手のレジンボンド砥石によりそれぞれ平面研削した。エッチングすることなく、さらに片面研磨装置を用い、裏面側は約８０ｎｍの取り代でライト研磨を行い、表面側は約２μｍの取り代で鏡面研磨を行った（試料２）。
裏面側平面研削用の砥石を、それぞれ１０００番手、３０００番手として、試料３、４を作製した。
【００４０】
（試料５）
面取り後、ラッピング、エッチング、鏡面研磨を行ったシリコンウエーハを用意した（試料５）。サンドブラスト等によるＥＧ処理は全く施さなかった。
【００４１】
＜Ｆｅ汚染に対するゲッタリング評価＞
上記のように作製した試料１及び試料２の各シリコンウエーハに対し、硝酸鉄溶液で故意汚染した。その後、アルカリ洗浄とライフタイムの測定を繰り返し行った。ここで、ゲッタリング能力の高いウエーハではライフタイムは低下し難く、ゲッタリング能力の低いウエーハはライフタイムが顕著に低下することになる。
【００４２】
図８はアルカリ洗浄回数とウエーハライフタイムを表している。図８に示したように、アルカリ洗浄回数０の時点で、本発明の試料２の方がゲッタリング能力が優れていることが分かる。そして、アルカリ洗浄を繰り返して行うと、その差がさらに大きくなり、試料２のウエーハはゲッタリング効果の持続性も高いことがわかる。
なお、ここではアルカリ洗浄によりゲッタリング能力を評価したが、熱処理工程でも同様の効果が見られる。
【００４３】
＜Ｎｉ汚染によるシャローピットの発生＞
試料１〜５の各シリコンウエーハに対し、Ｎｉで故意汚染し、その後、シャローピットの発生を測定した。図９はその結果を示すものである。
図９に見られるように、試料１はＥＧ処理を施さなかった試料５に比べシャローピットの発生が若干低下したが、試料２−４ではシャローピットはほとんど見られず、Ｎｉ汚染に対するゲッタリング効果も極めて高いことがわかった。
【００４４】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４５】
例えば、本発明によるシリコンウエーハの製造工程は図１に示したものに限定されず、例えば、表面側の鏡面研磨後、裏面側のライト研磨を行ってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明によるシリコンウエーハの製造工程の一例を示すフロー図である。
【図２】平面研削装置の一例を示す概略図である。
【図３】片面研磨装置の一例を示す概略図である。
【図４】平面研削後のウエーハの形状を示す模式図である。
【図５】平面研削後、研磨の取り代と輝点数を示す図である。
【図６】平面研削後、研磨無しの場合のウエーハライフタイムを示す図である。
【図７】平面研削後、研磨後のウエーハライフタイムを示す図である。
【図８】Ｆｅ汚染後のアルカリ洗浄回数とライフタイムを示すグラフである。
【図９】Ｎｉ汚染後のシャローピット密度を示すグラフである。
【図１０】従来のシリコンウエーハの製造工程の一例を示すフロー図である。
【符号の説明】
【００４７】
１…シリコンウエーハ、  ２…歪み層、  １０…片面研磨装置、  １１…保持盤、
１２…定盤、  １３…研磨布、  １４…研磨剤供給ノズル、  １５…研磨剤、
２０…インフィード型平面研削盤、  ２１…吸着盤、  ２２…カップ型砥石、
２３…砥石駆動モーター、  ２４…駆動モーター、  ２５…真空配管。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2005311025.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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