(57)【要約】【課題】  製造が容易で、様々な材料を適用可能な平面型光導波路の製造方法、およびこれによって製造された平面型光導波路、この平面型光導波路を備える光電気複合配線基板を提供する。【解決手段】  基板１１上に下部クラッド層１２を形成する工程Ａと、基板１１上に設けられた下部クラッド層１２の上面１２ａにフォトリソグラフィによりコアのネガのコアパターン１３を形成する工程Ｂと、その開口部１３ａ内にコア材料１４を充填し、これを硬化させる工程Ｃと、コア材料１４を硬化させた後、ネガのコアパターン１３を除去する工程Ｄとを少なくとも有する平面型光導波路の製造方法とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下部クラッド層を形成する工程Ａと、前記基板上に設けられた前記下部クラッド層の上面にフォトリソグラフィによりネガのコアパターンを形成する工程Ｂと、該ネガのコアパターンの開口部内にコアをなす材料を充填し、該コアをなす材料を硬化させる工程Ｃと、前記コアをなす材料を硬化させた後、前記ネガのコアパターンを除去する工程Ｄとを少なくとも有することを特徴とする平面型光導波路の製造方法。
【請求項２】
前記工程Ｂにおいて、前記下部クラッド層の上面に感光性材料を塗布し、該感光性材料の表面に、コアパターンの端部の、コア幅および高さと同程度の長さに渡って光の透過率が段階的に変化する領域を有するコアパターンが設けられたフォトマスクを配置し、前記感光性材料の露光、現像処理を行い、端面が前記下部クラッド層側に傾斜した斜面をなすようにネガパターンを形成することを特徴とする請求項１に記載の平面型光導波路の製造方法．
【請求項３】
前記コアをなす材料の粘度を５０００ｃＰｓ以下、２５℃における表面張力を４０ｍＮ／ｍ以下とすることを特徴とする請求項１または２に記載の平面型光導波路の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の平面型光導波路の製造方法によって製造されたことを特徴とする平面型光導波路。
【請求項５】
請求項４に記載の平面型光導波路を備えたことを特徴とする光電気複合配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信分野における光集積回路、分波器、合波器およびスイッチング素子などに用いられ、さらには基板上に電気配線と光配線を共存させた光電気複合配線基板にも利用可能な平面型光導波路およびこれを備えた光電気複合配線基板、平面型光導波路の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図７は、一般的な平面型光導波路の概略構成を示す断面図である。
この平面型光導波路は、基板１０１と、下部クラッド層１０２と、コア１０３と、上部クラッド層１０４とから概略構成されている。
この平面型光導波路では、基板１０１の一方の面１０１ａ上に下部クラッド層１０２が設けられている。また、下部クラッド層１０２の上面１０２ａ上にコア１０３が設けられ、コア１０３の側面および上面を覆うように上部クラッド層１０４が設けられている。
【０００３】
コア１０３は、この周囲に配されている下部クラッド層１０２および上部クラッド層１０４よりも屈折率が高い。一般に、コア１０３の長手方向と垂直な断面形状が７μｍ〜８μｍ角のシングルモード用平面型光導波路では、コア１０３と、下部クラッド層１０２および上部クラッド層１０４との屈折率差は０．３％程度に設定されている。また、コア１０３の長手方向と垂直な断面形状が４０μｍ角程度のマルチモード用平面型光導波路では、コア１０３と、下部クラッド層１０２および上部クラッド層１０４との屈折率差は１％程度に設定されている。
【０００４】
コア１０３、下部クラッド層１０２および上部クラッド層１０４をなす材料としては、石英などのガラス材料をはじめとして、フッ素化ポリイミドやポリシロキサンなどの熱硬化性樹脂や、アクリル系、エポキシ系などの紫外線硬化型樹脂など、様々な材料が用いられている。
これらの材料を用いて、コア１０３を必要最低限の精度で、所定の形状に安価に形成することが求められている。
【０００５】
近年、マルチメディア環境が急速に普及したことにより、接続が容易で、量産に適した高分子材料からなるマルチモード用平面型光導波路が注目されている。
以下に、従来の高分子材料からなる平面型光導波路の製造方法を示す。
【０００６】
例えば、非特許文献１には、フォトリソグラフィと反応性イオンエッチングを用いた製造方法が開示されている。
この製造方法では、まず、基板上にスピンコート、ディップコートなどの方法で下部クラッド層をなす高分子材料を塗布した後、この高分子材料を硬化させて下部クラッド層を形成する。
次に、下部クラッド層の上面にコアをなす高分子材料を、少なくともコアの高さに相当する厚みを有する平坦な膜となるように塗布した後、この高分子材料を硬化させる。
次に、硬化後のコアをなす高分子材料の上面にフォトレジストのポジパターンを形成する。
次に、ポジパターンをエッチングマスクとして、反応性イオンエッチング（以下、「ＲＩＥ」と略すこともある。）などの方法によりコアリッジを形成する。
次に、必要に応じて、エッチングマスクとして利用したポジパターンを除去する。
次に、下部クラッド層の上面と、コアの側面および上面とを覆うように、スピンコート、ディップコートなどの方法で上部クラッド層をなす高分子材料を塗布した後、この高分子材料を硬化させて上部クラッド層を形成する。
【０００７】
また、特許文献１には、エッチングにより下部クラッド層に溝部を形成し、この溝部内にコアをなす高分子材料を流し込んで、コアを形成する製造方法が開示されている。
この製造方法では、まず、基板上に下部クラッド層をなす高分子材料を塗布した後、この高分子材料を硬化させて、下部クラッド層を形成する。
次に、下部クラッド層の上面にフォトレジストによりネガのレジストマスクを形成し、ウェットエッチングする方法、あるいは、金型を用いた射出成型法により、下部クラッド層に溝部を形成し、この溝部内にコアをなす高分子材料を流し込んで、側面が平滑なコアリッジを形成する。
【０００８】
さらに、特許文献２には、基板をエッチングして凸形のコアパターンを形成し、このコアパターンを用いて溝部を有する下部クラッド層を形成する製造方法が開示されている。
この製造方法では、まず、基板上にポリイミド層を形成し、このポリイミド層にフォトリソグラフィとエッチングを用いて、凸形のコアパターンを形成する。
次に、このコアパターンの表面に犠牲層を設けて成形型とする。
次に、この成形型に下部クラッド層をなす高分子材料を流し込んで、硬化させる。
次に、犠牲層をウェットエッチングにより除去して、成形型から凹部を有する下部クラッド層を剥離する。
次に、下部クラッド層の凹部内にコアをなす高分子材料を流し込んで、コアを形成する。
次に、コアの上面および下部クラッド層の上面を覆うように、上部クラッド層をなす高分子材料を塗布した後、この高分子材料を硬化させて上部クラッド層を形成する。
【０００９】
非特許文献１で開示されている製造方法では、凸型のコアパターンを形成するためにＲＩＥを用いている。このＲＩＥは、装置が高価である上に、真空工程を用いるため、作業時間が長くなる傾向にある。マルチモード用平面型光導波路の製造プロセスにおいては、量産性が重要であり、また、一方でシングルモード用平面型光導波路ほどの精密加工を要求されないので、ＲＩＥは好適ではない。
【００１０】
特許文献１で開示されている製造方法では、射出成形において特殊な装置が必要になる。また、ウェットエッチングによって溝部を形成可能な高分子材料としては、ポリイミドなどのごく一部のものに限られてしまうため、この方法は汎用性に欠けるという問題がある。
【００１１】
特許文献２で開示されている製造方法では、成形型の形成やコアの余分な部分を除去するために、ＲＩＥを用いている。上述のように、ＲＩＥは製造コストが高い。また、この方法によれば、光導波路フィルムの作製は可能であるが、基板上の任意の場所に正確な光導波路を作製することは困難であるから、光導波路を備えた光電気複合配線基板の作製には適用し難いという問題がある。
【００１２】
マルチモード用平面型光導波路を必要最低限の精度で量産するには、ＲＩＥプロセスは製造コストと量産性において不適であり、ウェットエッチングプロセスは汎用性において不適である。このようなことから、マルチモード用平面型光導波路の製造において、一般的な装置を用いて、様々な材料を適用可能な方法が望まれている。
【特許文献１】特開２０００−３２１４５６号公報
【特許文献２】特開２００２−３１７３２号公報
【非特許文献１】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｖｏｌ．１６、Ｎｏ．６、Ｊｕｎｅ  １９９８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、製造コストの抑制が図れ、製造が容易で、様々な材料を適用可能な平面型光導波路の製造方法、およびこれによって製造された平面型光導波路、この平面型光導波路を備える光電気複合配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、上記課題を解決するために、基板上に下部クラッド層を形成する工程Ａと、前記基板上に設けられた前記下部クラッド層の上面にフォトリソグラフィによりネガのコアパターンを形成する工程Ｂと、該ネガのコアパターンの開口部内にコアをなす材料を充填し、該コアをなす材料を硬化させる工程Ｃと、前記コアをなす材料を硬化させた後、前記ネガのコアパターンを除去する工程Ｄとを少なくとも有する平面型光導波路の製造方法を提供する。
【００１５】
前記工程Ｂにおいて、前記下部クラッド層の上面に感光性材料を塗布し、該感光性材料の表面に、コアパターンの端部の、コア幅および高さと同程度の長さに渡って光の透過率が段階的に変化する領域を有するコアパターンが設けられたフォトマスクを配置し、前記感光性材料の露光、現像処理を行い、端面が前記下部クラッド層側に傾斜した斜面をなすようにネガパターンを形成することもできる。
【００１６】
上記平面型光導波路の製造方法において、前記コアをなす材料の粘度を５０００ｃＰｓ以下、２５℃における表面張力を４０ｍＮ／ｍ以下とすることが好ましい。
【００１７】
本発明は、上記の平面型光導波路の製造方法によって製造された平面型光導波路を提供する。
【００１８】
本発明は、上記の平面型光導波路を備えた光電気複合配線基板を提供する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の平面型光導波路の製造方法によれば、コア形状の形成にエッチングを用いないので、コアの表面を損傷することがないばかりでなく、低コストで容易に平面型光導波路を製造することができる。
【００２０】
本発明の平面型光導波路の製造方法は、感光性樹脂の種類とその成膜、感光、現像、剥離の条件を調整することにより、硬化後の感光性樹脂からなるネガパターンの端面を、下部クラッド層側に傾斜した斜面をなすように容易に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
まず、本発明に係る平面型光導波路の製造方法の第一の実施形態について説明する。
図１は、本発明に係る平面型光導波路の製造方法の第一の実施形態を示す概略断面図である。
この実施形態では、平面型光導波路の製造装置としては、スピンコータ、紫外線照射装置、ビーカなど汎用の実験器具などが組み合わせて用いられる。
【００２２】
この実施形態では、まず、基板１１の一方の面１１ａ上にスピンコート法、ディップコート法などにより任意の厚みの高分子材料を塗布し、焼結あるいは紫外線照射によりこの高分子材料を硬化させて下部クラッド層１２を形成する（工程Ａ）。
【００２３】
下部クラッド層１２をなす高分子材料としては、フッ素化ポリイミド、ポリシラン、シロキサン、フッ素化アクリル、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、シリコーンなどの光透過性の高分子材料や、それらの誘導体が用いられる。
【００２４】
次いで、下部クラッド層１２の上面１２ａに、感光部においてアルカリや有機溶媒に対する溶解性の差を生じる感光性材料を塗布する。このような感光性材料としては、紫外線感光性材料が挙げられ、例えば、波長３６５ｎｍの紫外線で感度よく感光し、感光度合い（紫外線の照射量や強度）によって、アルカリ現像液などへの溶解性が変化するフォトレジストなどが好ましい。このフォトレジストとしては、ポジレジストまたはネガレジストを用いることができる。
【００２５】
次いで、感光性材料の表面にコアパターンが設けられたフォトマスクを配置する。続いて、表面にフォトマスクを配した感光性材料に、紫外線照射装置により紫外線を照射し、感光性材料を露光する。続いて、現像処理を行って不要な感光性材料を除去し、コアパターン（開口部）１３ａを有するネガのコアパターン１３を形成する（工程Ｂ）。
本発明では、ネガのコアパターンの形成において、ポジレジストとネガマスクを組み合わせて用いても、ネガレジストとポジマスクを組み合わせて用いてもよい。
【００２６】
また、ネガのコアパターン１３の形成において、コアパターン（開口部）１３ａの幅を、所望の光導波路を構成するコアの幅と略同一とする。このため、下部クラッド層１２の上面１２ａに塗布する感光性材料の厚みを、少なくとも所望のコアの高さと略同一とする。
ここで、例えば、感光性材料として、ＪＳＲ（株）製のネガ型レジストを用いれば、１回のスピンコートで最大１３０μｍの厚みの膜を形成することができる。
【００２７】
次いで、ネガのコアパターン１３の開口部１３ａ内にコアをなす材料（以下、「コア材料」と略す。）１４を充填し、このコア材料１４を硬化させる（工程Ｃ）。
コア材料を開口部１３ａ内に充填する方法としては、開口部１３ａの幅が、例えばマルチモード用平面型光導波路のコアの幅４０μｍ程度であれば、精密ディスペンサ２０を備えたロボット（図示略）を用いる方法が適用できる。この精密ディスペンサ２０は、ネガのコアパターン１３上における所望の位置にシリンジに取り付けたノズルの先端が移動するように制御される。このときの位置分解能は、例えば、武蔵エンジニアリング社製のショットマスター３００を用いた場合、±１０μｍである。
【００２８】
また、ネガのコアパターン１３の形状が複雑な場合や、開口部１３ａが多い場合には、スピンコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法などを用いて、開口部１３ａ内に一括してコア材料１４を充填することが有効である。
【００２９】
ただし、いずれの充填方法においても、コア材料１４が開口部１３ａ内に隙間無く充填されていなければならないため、コア材料１４としては、硬化前の粘度や表面張力が十分に低く、硬化後の収縮率が小さいものが用いられる。このようなコア材料１４としては、粘度が約５０００ｃＰｓ以下、２５℃における表面張力が４０ｍＮ／ｍ以下のものが好ましく、粘度が３０００ｃＰｓ以下、表面張力が２０ｍＮ／ｍ以下のものがより好ましい。
なお、参考までに水の表面張力は、２０℃において約７３ｍＮ／ｍである。
【００３０】
また、コア材料１４としては、具体的には、フッ素化アクリル系樹脂のワニス、フッ素化ポリイミド、ＰＭＭＡ、シロキサン、ポリシラン、シリコーンなどの光透過性の高分子材料や、その誘導体が挙げられ、これらの中でも、粘度が約２０００ｃＰｓ、２５℃における表面張力が１９．０ｍＮ／ｍのフッ素化アクリル系樹脂のワニスが好ましい。
【００３１】
次いで、焼結あるいは紫外線照射によりコア材料１４を硬化させる。焼結によりコア材料１４を硬化させる場合には、オーブンやホットプレートなどの加熱装置を用いる。紫外線照射によりコア材料１４を硬化させる場合には、紫外線照射装置を用いる。コア材料１４を露光するには、紫外線照射装置によって、一度にコア材料１４の表面全面に紫外線を照射するのが望ましいが、必要に応じて、コア材料１４を分割して露光してもよい。
また、コア材料１４の硬化条件に応じて、窒素雰囲気下もしくは空気雰囲気下でコア材料１４を硬化させる。
【００３２】
なお、コア材料１４をネガのコアパターン１３の開口部１３ａ内に充填する際に、精密ディスペンサ２０を使用した場合、開口部１３ａ内以外の部分にはコア材料１４が存在しないので、開口部１３ａ内に充填後直ちにコア材料１４を硬化することができる。
【００３３】
一方、コア材料１４をネガのコアパターン１３の開口部１３ａ内に充填する際に、スピンコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法などを用いた場合、開口部１３ａ内以外の部分にもコア材料１４が存在している。したがって、このままの状態でコア材料１４を硬化させて、上部クラッド層を形成すると、コア材料１４の存在する部分に光が導波し、損失が増大するおそれがある。そこで、余分なコア材料１４を、光が導波しない程度に除去する必要がある。余分なコア材料１４を除去するには、硬化前にコア材料１４の表面をスキージなどで掃引する。硬化後のコア材料１４を除去するには、ＲＩＥや研磨などを適用することができるが、これらの方法はコストの面から好ましくない。
【００３４】
次いで、有機溶媒を用いるなどしてネガのコアパターン１３を除去する（工程Ｄ）。ネガのコアパターン１３の形成に市販のフォトレジストを用いた場合、このフォトレジスト専用の剥離剤も市販されているので、この剥離剤を用いてネガパターン１３を除去する。
【００３５】
次いで、コア材料１４を硬化してなるコアの側面および上面と、下部クラッド層１２の上面１２ａとに、高分子材料をスピンコート法、ディップコート法などにより、厚さの均一な膜となるように塗布する。続いて、焼結あるいは紫外線照射によりこの高分子材料を硬化させて上部クラッド層（図示略）を形成し、平面型光導波路を得る。
【００３６】
上部クラッド層をなす高分子材料としては、フッ素化ポリイミド、ポリシラン、シロキサン、フッ素化アクリル、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、シリコーンなどの光透過性の高分子材料や、その誘導体が用いられる。
【００３７】
なお、この実施形態の平面型光導波路の製造方法において、ネガのコアパターン１３が形成された基板１１は、精密ディスペンサ２０を備えたロボットに設けられた精密ステージの所定の位置に高精度に配置される。この際、精密ステージおよび精密ディスペンサ２０の先端部の位置決め精度は、少なくとも±１０μｍ程度とすることが望ましい。
これにより、ロット毎にばらつきがなく、基板１１とコアとの位置関係が一定の平面型光導波路を量産することができる。
【００３８】
また、上記のロボットに設けられた精密ステージに基板１１を配置する方法を採用することにより、精密ディスペンサ２０によるコア材料１４の充填開始位置を、一回目の充填時に合わせれば、二回目以降はネガのコアパターン１３が形成された基板１１を入れ替えて、精密ディスペンサ２０の自動プログラムを実行させるだけで、コア材料１４の充填工程を行うことが可能である。
【００３９】
また、この実施形態の平面型光導波路の製造方法では、ネガのコアパターン１３を形成する感光性材料を露光、現像処理した後の開口部１３ａにおける開口端部の断面形状を矩形状、ネガのコアパターン１３の表面から下部クラッド層１２側に向かって次第に幅が狭くなるテーパ状、ネガのコアパターン１３の表面から下部クラッド層１２側に向かって次第に幅が広くなるテーパ状などに形成することができる。
開口部１３ａの開口端部の断面形状は、感光性材料の種類や、フォトリソ条件（ベーク温度、露光時間、現像時間、現像液種類、膜厚など）を適宜設定することにより、決定される。
【００４０】
図１に示すように、開口部１３ａにおける開口端部の断面形状が矩形状の場合、精密ディスペンサ２０の先端部の位置合わせをする範囲は狭い。そこで、図２に示すように、ネガのコアパターン２３の開口部２３ａにおける開口端部の断面形状を、ネガのコアパターン２３の表面から基板２１上に設けられた下部クラッド層２２側に向かって次第に幅が狭くなるテーパ状とすれば、精密ディスペンサ３０の先端部の位置合わせをする範囲は広くなる。
【００４１】
さらに、ネガのコアパターン２３の厚みを、必要とされるコアの高さの１．５〜２倍程度とし、かつ、断面形状がテーパ状をなす開口端部よりも下部クラッド層２２側の部分でコア形状を形成するようにすれば、図３に示すように、コア材料２４をレベリング後、硬化してなるコアの断面形状が方形から乖離する度合いを最小限に抑えることができる。
【００４２】
次に、本発明に係る平面型光導波路の製造方法の第二の実施形態について説明する。
図４は、本発明に係る平面型光導波路の製造方法の第二の実施形態で用いられるフォトマスクを示す概略平面図である。図５は、本発明に係る平面型光導波路の製造方法の第二の実施形態を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【００４３】
光電気複合配線基板では、光配線と電気部品の配置に応じて、光導波路（コア）端面に光路を９０°変えるための反射鏡をなす構造が必要な場合がある。具体的には、面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）や発光ダイオード（ＰＤ）を基板に設置し、その光路が基板と垂直な場合、基板と同一面内にある光導波路（コア）と光路接続するために、光導波路の端部に４５°の反射鏡構造を設ける必要がある。
そこで、この実施形態の平面型光導波路の製造方法は、光導波路のコアの形成と同時に、コアの端面に反射鏡構造を形成することを可能とするものである。
【００４４】
この実施形態では、まず、基板４１の一方の面４１ａ上にスピンコート法、ディップコート法などにより任意の厚みの高分子材料を塗布し、焼結あるいは紫外線照射によりこの高分子材料を硬化させて下部クラッド層４２を形成する（工程Ａ）。
【００４５】
次いで、下部クラッド層４２の上面４２ａに、感光部においてアルカリや有機溶媒に対する溶解性の差を生じる感光性材料を塗布する。
【００４６】
次いで、上記感光性材料が未硬化のまま、下部クラッド層４２が設けられた基板４１を紫外線照射装置のステージ上に配置して、感光性材料の表面に、端部にコアの幅および高さと同等程度の距離にわたって、中央側から末端に向かって光の透過率が段階的に変化する領域（以下、「グラデーション領域」とも言う。）４０ｂを有するコアパターン４０ａが設けられたフォトマスク（以下、「グラデーションフォトマスク」とも言う。）４０を、基板４１の所定位置に精密に配置する。
【００４７】
このようなフォトマスク４０としては、例えば、コアの幅および高さを１００μｍに形成する場合、コアパターン４０ａの幅ｄ１も１００μｍとし、グラデーション領域４０ｂの長さｄ２も１００μｍとする。フォトマスク４０がネガマスクの場合、コアパターン４０ａが光透過部となり、ポジマスクの場合、コアパターン４０ａが光不透過部となる。
【００４８】
次いで、表面にフォトマスク４０を配した感光性材料に、紫外線照射装置により紫外線を照射し、感光性材料を露光する。続いて、現像処理を行って不要な感光性材料を除去し、コアパターン４３ａを有するネガのコアパターン４３を形成する（工程Ｂ）。これにより、長手方向の側面４３ｂは下部クラッド層４２に対して略垂直、端面４３ｃは、その開口端４３ｄがネガのコアパターン４３の端面４３ｅに向かって下部クラッド層４２側に略４５°傾斜した斜面をなすコアパターン４３ａが得られる。
【００４９】
なお、ここでは、端面４３ｃは、ネガマスクとポジレジストを用い、その開口端４３ｄがネガのコアパターン４３の端面４３ｅに向かって下部クラッド層４２側に略４５°傾斜した斜面をなすように形成する例を示した。この場合、上記のグラデーション領域４０ｂを、その中央側から末端に向かって光の透過率が段階的に小さくなるように設定する。逆に、開口端４３ｄがネガのコアパターン４３の端面４３ｅに向かって上部クラッド層側に傾斜した斜面をなすように形成する場合には、上記のグラデーション領域４０ｂを、その中央側から末端に向かって光の透過率が段階的に大きくなるように設定する。
【００５０】
次いで、ネガのコアパターン４３のコアパターン４３ａ内にコア材料を充填し、このコア材料を焼結あるいは紫外線照射により硬化させる（工程Ｃ）。
【００５１】
次いで、有機溶媒または使用したレジストに所定の剥離液を用いるなどしてネガのコアパターン４３を除去する（工程Ｄ）。これにより、端面に４５°の反射鏡構造を有するコア（図示略）が得られる。
【００５２】
次いで、コアの側面および上面と、下部クラッド層４２の上面４２ａとに、高分子材料をスピンコート法、ディップコート法などにより、厚さの均一な膜となるように塗布する。続いて、焼結あるいは紫外線照射によりこの高分子材料を硬化させて上部クラッド層（図示略）を形成し、平面型光導波路を得る。
【００５３】
この実施形態によれば、光導波路（コア）端面に、基板４１および下部クラッド層４２に対して４５°傾斜した反射鏡構造を有する平面型光導波路を容易に製造することができる。
【００５４】
図６は、本発明の平面型光導波路の製造方法によって製造された平面型光導波路を備えた光電気複合配線基板の一実施形態を示す概略断面図である。
この実施形態の光電気複合配線基板は、平面型光導波路５０と、面発光レーザ６０とから概略構成されている。
【００５５】
平面型光導波路５０は、基板５１と、基板５１の一方の面５１ａ上に配された下部クラッド層５２と、下部クラッド層５２の上面５２ａ上に配されたコア５３と、下部クラッド層５２の上面５２ａと、コア５３の側面および上面を覆うように配された上部クラッド層５４とから概略構成されている。
【００５６】
また、平面型光導波路５０では、コア５３の端面５３ａが、下部クラッド層５２側に略４５°傾斜した斜面をなしている。さらに、基板５１には、他方の面５１ｂから一方の面５１ａに向かって基板５１を垂直に貫通し、一方の面５１ａ側の端部が端面５３ａに対向している貫通孔５５が設けられている。
【００５７】
この実施形態の光電気複合配線基板では、貫通孔５５に対向するように、基板５１の他方の面５１ｂに面発光レーザ６０が設けられている。
このような構成とすることにより、面発光レーザ６０から出射された光が、貫通孔５５を通ってコア５３の端面５３ａに到達し、端面５３ａで光路が９０°変わり、コア５３内を伝搬する。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明の平面型光導波路の製造方法は、シングルモード用平面型光導波路の製造にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明に係る平面型光導波路の製造方法の第一の実施形態を示す概略断面図である。
【図２】本発明に係る平面型光導波路の製造方法においてネガパターンの開口部における開口端部の形状をテーパ状とした場合を示す概略断面図である。
【図３】本発明に係る平面型光導波路の製造方法においてネガパターンの開口部における開口端部の形状をテーパ状とした場合を示す概略断面図である。
【図４】本発明に係る平面型光導波路の製造方法の第二の実施形態で用いられるフォトマスクを示す概略平面図である。
【図５】本発明に係る平面型光導波路の製造方法の第二の実施形態を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図６】本発明の平面型光導波路の製造方法によって製造された平面型光導波路を備えた光電気複合配線基板の一実施形態を示す概略断面図である。
【図７】一般的な平面型光導波路の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１１，２１，４１，５１・・・基板、１２，２２，４２，５２・・・下部クラッド層、１３，２３，４３・・・ネガのコアパターン、１３ａ，２３ａ，４３ａ・・・コアパターン（開口部）、１４，２４・・・コア材料、２０，３０・・・精密ディスペンサ、４０・・・フォトマスク、４０ｂ・・・グラデーション領域、５０・・・平面型光導波路、５３・・・コア、５４・・・上部クラッド層、５５・・・貫通孔、６０・・・面発光レーザ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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