(57)【要約】【課題】  内部構造及び組立工程が簡易なマグネトロン用の高圧コンデンサーを提供する。【解決手段】  １対の誘電体セラミックが、アーチ状に形成されるとともに、互いに離れて配置され、誘電体セラミックの内周面に中心導体が直接接合され、誘電体セラミックの外周面に接地金属が接続される。これにより、誘電体セラミックと中心導体を接続するための別途の接続構造物が不要となり、中心導体の構造が単純化され、前記１対の誘電体セラミックが離隔された分だけ誘電体セラミックを節約できる。【選択図】      図４
2005197219.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アーチ状の誘電体セラミックと、
該誘電体セラミックの内周に形成された内側電極と、
該内側電極に接合された中心導体と、
前記誘電体セラミックの外周に形成された外側電極と、
前記外側電極に接合された接地金属と、
前記誘電体セラミック及び中心導体を包囲する絶縁充填物と、
を含めて構成されたことを特徴とするマグネトロン用の高圧コンデンサー。
【請求項２】
前記誘電体セラミックと、内側電極と、中心導体と、外側電極をそれぞれ、一対ずつ備えることを特徴とする、請求項１に記載のマグネトロン用の高圧コンデンサー。
【請求項３】
前記絶縁充填物及び接地金属の一部を包囲する絶縁ケースをさらに有することを特徴とする、請求項１に記載のマグネトロン用の高圧コンデンサー。
【請求項４】
前記接地金属に内挿され、前記中心導体が貫通するように貫通穴が形成された絶縁ベースをさらに有することを特徴とする、請求項１に記載のマグネトロン用の高圧コンデンサー。
【請求項５】
アーチ状に形成されるとともに、外周面に外側電極が配置され、内周面に内側電極が配置される１対の誘電体セラミックと、
前記内側電極のそれぞれと接続される１対の中心導体と、
前記外側電極のそれぞれと接する筒部を持つ接地金属と、
前記誘電体セラミック及び筒部を取り囲む絶縁ケースと、
前記筒部内に挿入され、前記１対の中心導体が貫通するように１対の貫通穴が形成され、前記１対の誘電体セラミックの間に位置する、中空の突出部が形成された絶縁ベースと、
前記絶縁ケースの内側に注ぎ込まれて硬化された絶縁充填物と、を有して構成されることを特徴とするマグネトロン用の高圧コンデンサー。
【請求項６】
前記突出部の内側に配置された高周波吸収体をさらに有することを特徴とする、請求項５に記載のマグネトロン用の高圧コンデンサー。
【請求項７】
アーチ状に形成されるとともに、外周面に外側電極が配置され、内周面に内側電極が配置される１対の誘電体セラミックと、
前記内側電極のそれぞれと接続される１対の中心導体と、
前記外側電極のそれぞれと接する筒部を持つ接地金属と、
前記誘電体セラミック及び筒部を取り囲む絶縁ケースと、
前記筒部に内挿され、前記１対の中心導体が貫通するように１対の第１貫通穴が形成された絶縁ベースと、
前記絶縁ケースの内側に注ぎ込まれて硬化された絶縁充填物と、
前記接地金属に装着され、前記１対の中心導体が貫通するように１対の第２貫通穴が形成された高周波遮蔽ガスケットと、を有して構成されたことを特徴とするマグネトロン用の高圧コンデンサー。
【請求項８】
前記絶縁ベースには、前記１対の誘電体セラミック間に位置する中空の突出部が備えられたことを特徴とする、請求項７に記載のマグネトロン用の高圧コンデンサー。
【請求項９】
前記突出部の内側に配置された高周波吸収体をさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載のマグネトロン用の高圧コンデンサー。
【請求項１０】
前記絶縁ベースには、前記中心導体が貫通する管部が一体に延設されたことを特徴とする、請求項４乃至９のいずれか１項に記載のマグネトロン用の高圧コンデンサー。
【請求項１１】
前記絶縁ベースには、前記接地金属を貫通した中心導体の一部を保護できるように筒部が一体形成されたことを特徴とする、請求項４乃至９のいずれか１項に記載のマグネトロン用の高圧コンデンサー。
【請求項１２】
前記接地金属に装着される高周波吸収体をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項に記載のマグネトロン用の高圧コンデンサー。
【請求項１３】
前記絶縁充填物を覆う高周波吸収体をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項に記載のマグネトロン用の高圧コンデンサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マグネトロン用の高圧コンデンサーに関し、誘電体セラミックが複数個に分割されるとともにアーチ状に形成され、その側面に電極が形成されたマグネトロン用の高圧コンデンサーに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、マグネトロンは、電子レンジなどに装着されてマイクロ波を生成・出力する装置であって、高圧を入力するための高圧コンデンサーが備えられる。
図１は、従来の技術によるマグネトロンの内部構造を示す断面図であり、マグネトロンは、内部に位置し、一定量の陽極電圧が印加され陽極電流が流れるときに、内部のベーン１２とストラップ１３が共振回路を構成する陽極部と、該陽極部の内側に設置されて多量の熱電子を発散し、前記ベーン１２の先端との作用空間でマイクロ波が発生するようにする陰極部１４と、前記作用空間で発生したマイクロ波を外部へ伝送するアンテナ１５と、前記陽極部の外周面に設置され、マイクロ波に切り換えられなかった残留エネルギーが変換された熱を放熱させる多数の冷却フィン１６と、前記陽極部及び冷却フィン１６を保護及び支持し、外部空気を冷却フィン１６に案内するヨーク１７，１８と、前記陽極部が設置されたヨーク１７，１８の上下部に配置されて磁気閉回路を構成する上・下永久磁石１９，２０と、高周波放射ノイズを除去するためのＬＣフィルター２１を含むフィルターボックス２２と、を含めて構成される。
【０００３】
前記陽極部は、円筒形のアノード本体１１と、このアノード本体１１の内部に設置された複数枚のベーン１２と、このベーン１２を貫通して設置され、ベーン１２との間に共振回路を形成するストラップ１３とから構成される。
前記フィルターボックス２２は、前記ＬＣフィルター２１のインダクタンスとして機能するコイルとフェライトが内部に装着され、前記マグネトロンに高電圧を入力するとともに前記ＬＣフィルター２１のキャパシターとして機能する高圧コンデンサー２３が一側面に装着される。
【０００４】
図２は、従来の技術によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの一例を示す断面図であり、図３は、図２に示したマグネトロン用の高圧コンデンサーの一例を示す分解斜視図である。
従来の高圧コンデンサー２３は、図２及び図３に示すように、誘電体セラミック３１と、接地金属３７と、下部蓋３８と、金属キャップ３９，４０と、中心導体４１，４２と、上部蓋４３と、絶縁チューブ４４，４５と、絶縁充填物４６，４７と、を含めて構成される。
【０００５】
前記誘電体セラミック３１は、１対の貫通穴３２，３３が形成され、上部表面に１対の分離電極３４，３５が設置され、下部表面に共通電極３６が設置される。
前記接地金属３７は、長方形の板部３７ａの四つの角部に、前記フィルターボックスとの固定のための複数個の締付穴３７ｂが形成される。また、この長方形の板部３７ａには楕円形の貫通穴３７ｃが形成され、前記共通電極３６に連結される隆起部３７ｄが突設される。
【０００６】
前記金属キャップ３９，４０は、前記中心導体４１，４２と前記分離電極３４，３５とを接続するように前記中心導体４１，４２に接続されるとともに、前記分離電極３４，３５に接続される。
前記中心導体４１，４２は、その上端にタップ４１ａ，４２ｂが一体形成され、前記金属ギャップ３９，４０、誘電体セラミック３１の貫通穴３２，３３、及び接地金属３７の楕円形の貫通穴３７ｃを順に貫通し、前記金属キャップ３９，４０とハンダ付けされて接合される。
前記中心導体４１，４２にはシリコンのような伸縮性ある材質の絶縁チューブ４４，４５が被覆される。
【０００７】
前記絶縁充填物４６，４７は、誘電体セラミック３１よりも中心導体４１，４２の方に密着し、この絶縁充填物４６，４７の残留応力または温度変化による応力のために絶縁充填物４６，４７が誘電体セラミック３１から剥離されて耐電圧性能が低下するが、上記のような伸縮性ある材質の絶縁チューブ４４，４５を前記中心導体４１，４２に被覆すると、このような耐電圧性能の劣化を抑えることができる。
【０００８】
一方、前記下部蓋３８は、前記接地金属３７に接合されて、前記絶縁チューブ４４，４５で被覆された中心導体４１，４２の下部を取り囲む。
前記上部蓋４３は、前記接地金属３７に接合されて、前記誘電体セラミック３１、金属キャップ３９，４０と中心導体４１，４２の上部を取り囲む。
前記高圧コンデンサー２３は、内部が前記接地金属３７、誘電体セラミック３１、及び金属キャップ３９，４０により上下に画設された構造を持ち、前記絶縁充填物４６，４７は、前記上部蓋４３の開口と下部蓋３８の開口からそれぞれ注ぎ込まれる。
【０００９】
前記上部蓋４３の開口から注ぎ込まれた絶縁充填物４６は、前記誘電体セラミック３１と金属キャップ３９，４０の外部及び前記中心導体４１，４２の上部を包み、前記下部蓋３８の開口から注ぎ込まれた絶縁充填物４７は、前記誘電体セラミック３１と金属キャップ３９，４０の内部に埋め込まれて前記絶縁チューブ４４，４５を包む。
しかしながら、従来の技術によるマグネトロン用の高圧コンデンサーは、前記高圧コンデンサー２３の内部が上下に区画されていることから、絶縁充填物４６，４７を２回の工程で注入／硬化させなければならないため、絶縁充填物４６，４７の充填時間及びコストが増加するのみならず、前記中心導体４１，４２と分離電極３４，３５の接続のために金属キャップ３９，４０及び金属キャップ３９，４０のハンダ付け工程が必要とされる。しかも、中心導体４１，４２に金属キャップが接続されるためにその構造が複雑となり、かつ、前記中心導体４１，４２の間に余計な誘電体セラミック３１と絶縁充填物４６，４７が配置されてしまう、という問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記の従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、誘電体セラミックが複数個に分割されるとともにアーチ状に形成され、かつ、その側面に電極が形成されることによって、内部構造及び組立工程が簡易となり、低コストとなるマグネトロン用の高圧コンデンサーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成すべく、本発明のマグネトロン用の高圧コンデンサーは、アーチ状に形成されるとともに、外周面に外側電極が配置され、内周面に内側電極が配置される１対の誘電体セラミックと、前記内側電極のそれぞれと連結される１対の中心導体と、前記外側電極のそれぞれと接する筒部を持つ接地金属と、前記誘電体セラミック及び筒部を取り囲む絶縁ケースと、前記筒部内に挿入される前記１対の中心導体が貫通するように１対の貫通穴が形成された絶縁ベースと、前記絶縁ケースの内側に注ぎ込まれて硬化された絶縁充填物と、を含めて構成されたことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明のマグネトロン用の高圧コンデンサーは、アーチ状に形成されるとともに、外周面に外側電極が配置され、内周面に内側電極が配置される１対の誘電体セラミックと、前記内側電極のそれぞれと接続される１対の中心導体と、前記外側電極のそれぞれと接する筒部を持つ接地金属と、前記誘電体セラミック及び筒部を取り囲む絶縁ケースと、前記筒部内に挿入され、前記１対の中心導体が貫通するように１対の貫通穴が形成され、前記１対の誘電体セラミックの間に位置する、中空の突出部が形成された絶縁ベースと、前記絶縁ケースの内側に注ぎ込まれて硬化された絶縁充填物と、を含めて構成されたことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明のマグネトロン用の高圧コンデンサーは、アーチ状に形成されるとともに、外周面に外側電極が配置され、内周面に内側電極が配置される１対の誘電体セラミックと、前記内側電極のそれぞれと接続される１対の中心導体と、前記外側電極のそれぞれと接する筒部を持つ接地金属と、前記誘電体セラミック及び筒部を取り囲む絶縁ケースと、前記筒部内に挿入され、前記１対の中心導体が貫通するように１対の第１貫通穴が形成された絶縁ベースと、前記絶縁ケースの内側に注ぎ込まれて硬化された絶縁充填物と、前記接地金属に装着され、前記１対の中心導体が貫通するように１対の第２貫通穴が形成された高周波遮蔽ガスケットと、を含めて構成されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のマグネトロン用の高圧コンデンサーによれば、１対の誘電体セラミックがアーチ状に形成されるとともに、互いに離れて配置され、誘電体セラミックの内周面に中心導体が直接接続され、誘電体セラミックの外周面に接地金属の筒部が接続されるので、誘電体セラミックと中心導体を接続するための別途の接続構造物が要らないのみならず、中心導体の構造が単純となり、前記１対の誘電体セラミック間の離隔空間だけ誘電体セラミックを節約できる、という利点が得られる。
また、本発明によるマグネトロン用の高圧コンデンサーによれば、接地金属の筒部内に、中心導体が貫通する貫通穴が形成された絶縁ベースが挿入され、絶縁ケースが誘電体セラミック及び筒部を取り囲み、絶縁充填物が絶縁ケースの内側で注ぎ込まれるため、１回の絶縁充填物注入作業により絶縁充填物を注入／硬化させることができ、作業費用及び時間を節減できる、という利点が得られる。
【００１５】
また、本発明によるマグネトロン用の高圧コンデンサーによれば、絶縁ベースの中央に、１対の誘電体セラミックの間に位置する中空の突出部が形成され、この突出部が占める空間だけ絶縁充填物を節約できる、という利点が得られる。
また、本発明によるマグネトロン用の高圧コンデンサーによれば、高周波遮蔽ガスケットが接地金属に装着されるため、マグネトロン用の高圧コンデンサーからの電磁波漏れを最小限に抑えられる、という利点が得られる。
【００１６】
また、本発明によるマグネトロン用の高圧コンデンサーによれば、中心導体と内側電極が熔接にて接合され、接地金属の筒部と外側電極が熔接にて接合されるので、その接合が迅速で簡便となる。
また、本発明によるマグネトロン用の高圧コンデンサーによれば、絶縁ベースに中心導体のそれぞれが貫通する１対の管部が延設されるため、別途の絶縁チューブ無しで絶縁距離を確保することが可能になる。
また、本発明によるマグネトロン用の高圧コンデンサーによれば、接地金属を貫通した中心導体の一部を保護できるように絶縁ベースに筒部が一体形成されるため、中心導体の破損などを防止することが可能になる。
【００１７】
また、本発明によるマグネトロン用の高圧コンデンサーによれば、高周波吸収体が接地金属または絶縁ベースの突出部に装着されたり、絶縁充填物を覆うように装着されるため、マグネトロン用の高圧コンデンサーからの高周波漏れを最小限に抑えることが可能になる。
また、本発明によるマグネトロン用の高圧コンデンサーは、高周波遮蔽ガスケットが接地金属の筒部に圧入されるように高周波遮蔽ガスケットの外周縁に沿って突起が形成されるため、高周波遮蔽ガスケットの装着が容易になる、という利点が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーを、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
図４は、本発明の第１の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの縦断面図であり、図５は、図４に示したマグネトロン用の高圧コンデンサーの横断面図であり、図６は、図４に示したマグネトロン用の高圧コンデンサーの分解斜視図である。
【００１９】
本実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーは、図４ないし図６に示すように、誘電体セラミック５０，６０がそれぞれアーチ状に形成され、それぞれの誘電体セラミック５０,６０は、外周面に外側電極５２，６２が配置されて内周面に内側電極５４，６４が配置される。
ここで、これらの外側電極５２，６２及び内側電極５４，６４は、アーチ状に薄く配置される。
前記１対の誘電体セラミック５０，６０は、前記内側電極５４，６４が対向するように相互に離れて配置される。
そして、前記マグネトロン用の高圧コンデンサーは、前記内側電極５４，６４のそれぞれと接続される１対の中心導体７０，８０を含む。
この中心導体７０，８０は、その外周面の１８０゜のみが前記内側電極５４，６４と触れて溶接される。
【００２０】
ここで、前記中心導体７０，８０は、前記内側電極５４，６４との接合が円周方向に３６０゜接合されるのではなく、１８０゜だけ接合されるので、オン／オフ動作時に中心導体７０，８０と誘電体セラミック５０，６０との間に応力がほとんど生じなく、また、誘電体セラミック５０，６０と後述する絶縁充填物１２０間の剥離が生じないため、従来と違い、剥離防止のための別途の絶縁チューブを備えずにすむ。
【００２１】
そして、前記マグネトロン用の高圧コンデンサーは、マグネトロンのフィルターボックス２２と締付ボルト９０にて締め付けられる接地金属９２をさらに含む。
この接地金属９２は、前記外側電極５２，６２とそれぞれ接する筒部９４と、この筒部９４の一側から外方へ延設された板部９６とからなる。
前記筒部９４は、互いに対向しつつ離れて配置された第１及び第２板体部９４ａ,９４ｂと、前記誘電体セラミック５０，５２のようなアーチ状に形成された第１及び第２曲面部９４c，９４ｄとから構成され、長手方向に中空が形成される。
【００２２】
この筒部９４は、前記外側電極５２，６２とそれぞれ熔接されて接合される。
前記板部９６は、前記筒部９４の一端から外方に延設されるとともに、四つの角部には前記締付ボルト９０が締め付けられる締付穴９６ａが形成される。
そして、前記マグネトロン用の高圧コンデンサーは、前記誘電体セラミック５０，５２及び筒部９４を取り囲む絶縁ケース１００をさらに含む。
この絶縁ケース１００は、前記筒部９４に嵌められるように、この筒部９４と同一形状からなり、長手方向に中空が形成され、また、前記筒部９４よりも長く形成される。
そして、前記マグネトロン用の高圧コンデンサーは、前記筒部９４内に挿入され、前記１対の中心導体７０，８０が貫通するように１対の第１貫通穴１１２，１１４が形成された絶縁ベース１１６をさらに含む。
この絶縁ベース１１６は、前記絶縁ケース１００及び筒部９４の一側開口を塞ぐものであり、周縁部が前記筒部９４の内周縁と同一形状に形成される。
前記絶縁ベース１１６の中央には、誘電体セラミック５０及び中心導体７０と誘電体セラミック６０及び中心導体８０との間に配置され、内部が空いた突出部１１８が形成される。
【００２３】
この突出部１１８は、内部が空いているとともに、一面が開放された直方体の形状を有する。
前記絶縁充填物１２０は、前記筒部９４及び絶縁ベース１１６とともに前記誘電体セラミック５０，６０と中心導体７０，８０の一部を包み、充分なる耐電圧を持つものであって、エポキシ樹脂などの合成樹脂からなる。
この絶縁充填物１２０は、前記絶縁ケース１００の他側開口から前記絶縁ケース１００の内側に注ぎ込まれる一方で、前記筒部９４及び絶縁ベース１１６により囲まれて、前記絶縁ケース１００の内側において硬化される。
【００２４】
次に、上記のように構成されたマグネトロン用の高圧コンデンサーの組立過程について詳細に説明する。
まず、前記誘電体セラミック５０，６０の内側電極５４，６４にそれぞれ前記中心導体７０，８０を接触させたのち、内側電極５４，６４と中心導体７０，８０を熔接して接合し、前記接地金属９２の筒部９４の内周に前記誘電体セラミック５０，６０の外側電極５２，６２がそれぞれ接するようにしたのち、外側電極５２，６２と接地金属９２の筒部９４を熔接して接合する。
【００２５】
このとき、前記誘電体セラミック５０，６０は互いに離れて配置されるため、離隔空間だけの材料が節減される。
続いて、前記接地金属９２の筒部９４が前記絶縁ケース１００に内接するように前記接地金属９２の筒部９４を前記絶縁ケース１００に挿入すると、前記中心導体７０，８０の一部、誘電体セラミック５０，６０、及び前記接地金属９２の筒部９４は、前記絶縁ケース１００に囲まれるようになる。
【００２６】
そして、前記絶縁ベース１１６の突出部１１８を、誘電体セラミック５０，６０の間に位置するように前記接地金属９２の筒部９４内に挿入固定すると、前記接地金属９２の筒部９４及び絶縁ケース１００は、前記絶縁ベース１１６により一方の開口が塞がるとともに、前記突出部１１８により内部が左右２つの空間に分けられる。
しかる後に、液状の絶縁充填物１２０を前記絶縁ケース１００の他側開口から注ぎ込むと、注ぎ込まれた液状の絶縁充填物１２０は、前記絶縁ケース１００と外側電極５２，６２との間に埋め込まれ、同時に前記中心導体７０，８０と誘電体セラミック５０，６０と突出部１１８との間に埋め込まれるに対し、前記突出部１１８のために前記絶縁ケース１００の中央部には埋め込まれない。
【００２７】
すなわち、前記突出部１１８が占める空間だけ液状の絶縁充填物１２０を充填しなくてすむのである。
前記絶縁ケース１００の内側に注ぎ込まれた液状の絶縁充填物１２０は、所定時間が経過すると硬化し、前記接地金属９２の筒部９４及び絶縁ベース１１６とともに、中心導体７０，８０の一部と前記誘電体セラミック５０，６０を包むようになる。
最終的に、前記接地金属９２をフィルターケース２２に締付ボルト９０にて締め付けることで、前記マグネトロン用の高圧コンデンサーの組立は完了する。
【００２８】
一方、このように組み立てられたマグネトロン用の高圧コンデンサーでは、前記マグネトロンの動作時に、前記誘電体セラミック５０，６０は、外側電極５２，６２と内側電極５４，６４間に発生する電位差により所定のキャパシター値を持つようになり、前記高圧コンデンサーを通過するノイズをフィルターリングする。
【００２９】
図７は、本発明の第２の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの断面図であり、図８は、図７に示したマグネトロン用の高圧コンデンサーの分解斜視図である。
本実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーは、図７及び図８に示すように、本発明の第１の実施形態と同様に、１対の誘電体セラミック５０，６０と、１対の中心導体７０，８０と、接地金属９２と、絶縁ケース１００と、絶縁ベース１１６と、絶縁充填物１２０と、を含み、これに加えて、前記接地金属９２に装着され、前記１対の中心導体７０，８０が貫通するように１対の第２貫通穴１３０，１３２が形成された高周波遮蔽ガスケット１３４を含む。このように高周波遮蔽ガスケット１３４をさらに含む以外は、本発明の第１の実施形態と同様なので、同一の部材には同一の符号を付け、その詳細な説明は省略するものとする。
【００３０】
前記高周波遮蔽ガスケット１３４は、金属薄板からなり、前記接地金属９２の筒部９４に圧入されるように外周縁が前記筒部９４と同一形状になり、その圧入のために外周縁に沿って突起１３６が形成される。
本実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーは、前記マグネトロンの動作時に、高周波遮蔽ガスケット１３４により高周波が遮蔽され、前記誘電体セラミック５０，６０が所定のキャパシター値を持つようになるため、前記高圧コンデンサーを通過するノイズがフィルターリングされる。
【００３１】
図９は、本発明の第３の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサの断面図である。
本実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーは、図９に示すように、絶縁ベース１１６に前記中心導体７０，８０がそれぞれ貫通する１対の管部１１９ａ，１１９ｂが一体に延設される。この１対の管部１１９ａ，１１９ｂが形成される以外は、本発明の第１実施形態または第２実施形態と同様な構成及び作用を有するので、その詳細な説明は省略される。
【００３２】
前記１対の管部１１９ａ，１１９ｂは、前記中心導体７０，８０を取り囲むように、前記絶縁ベース１１６の第１貫通穴１１２，１１４と通じるように形成され、前記絶縁ベース１１６の突出部１１８と反対方向に一体に延設される。
本実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーは、前記１対の管部１１９ａ，１１９ｂが前記中心導体７０，８０の一部を取り囲むので、絶縁距離を確保することができる、という利点がある。
【００３３】
図１０は、本発明の第４の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの断面図である。
本実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーは、図１０に示すように、絶縁ベース１１６に、前記中心導体７０，８０のそれぞれが貫通する１対の管部１１９ａ，１１９ｂが一体に延設され、前記接地金属９２に装着され、前記１対の中心導体７０，８０及び管部１１９ａ，１１９ｂが貫通するように１対の第２貫通穴１３０´，１３２´が形成された高周波遮蔽ガスケット１３４´をさらに含む。このように前記１対の管部１１９ａ，１１９ｂ及び高周波遮蔽ガスケット１３４´が設けられる以外は、本発明の第１実施形態または第２実施形態と同様な構成及び作用を有するので、その詳細な説明は省略される。
本実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーは、前記１対の管部１１９ａ，１１９ｂが前記中心導体７０，８０の一部を取り囲むので、絶縁距離を確保することができ、前記マグネトロンの動作時に高周波遮蔽ガスケット１３４´により高周波が遮蔽される。
【００３４】
図１１は、本発明の第５の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの断面図である。
本実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーは、図１１に示すように、接地金属９２に装着され、前記１対の中心導体７０，８０が貫通する高周波吸収体１４０をさらに含む。このように前記高周波吸収体１４０をさらに含む以外は、本発明の第１の実施形態ないし第４の実施形態のうちいずれか一つと同様な構成及び作用を有するので、その詳細な説明は省略される。
前記高周波吸収体１４０は、フェライト材質からなり、前記中心導体７０，８０が貫通する１対の貫通穴１４１，１４２が形成される。
この高周波吸収体１４０は、前記接地金属９２の筒部９４に挿入固定されるように外周縁が前記筒部９４と同一の形状を有する。
本実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーは、前記マグネトロンの動作時に高周波吸収体１４０により高周波が吸収され、前記誘電体セラミック５０，６０が所定のキャパシター値を持つようになるので、前記高圧コンデンサーを通過するノイズをフィルターリングすることができる。
【００３５】
図１２は、本発明の第６の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの断面図である。
本実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーは、図１２に示すように、絶縁充填物１２０を覆う高周波吸収体１５０をさらに含む。このように前記高周波吸収体１５０をさらに含む以外は、本発明の第１実施形態ないし第４実施形態のうちいずれか一つと同様な構成及び作用を有するので、その詳細な説明は省略される。
前記高周波吸収体１５０は、フェライト材質からなり、前記中心導体７０，８０が貫通する１対の貫通穴１５１，１５２が形成される。
【００３６】
前記高周波吸収体１５０は、前記絶縁ケース１００に挿入固定されるように外周縁が前記絶縁ケース１００と同一の形状を有し、絶縁充填物１２０が硬化された後に前記絶縁ケース１００に挿入される。
もちろん、この高周波吸収体１５０は、前記絶縁ベース１１６の突出部１１８を覆うように構成してもよく、前記絶縁ベース１１６の突出部１１８が貫通するように構成してもよい。
１５３は、前記絶縁ベース１１６の突出部１１８が前記高周波吸収体１５０を貫通するように形成された貫通穴である。
本実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーは、前記マグネトロンの動作時に前記誘電体セラミック５０，６０が所定のキャパシター値を持つようになるため、前記高圧コンデンサーを通過するノイズをフィルターリングし、高周波吸収体１５０により高周波が吸収される。
【００３７】
図１３は、本発明の第７の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの断面図である。
本実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーは、図１３に示すように、絶縁ベース１１６の突出部１１８の内側に配置された高周波吸収体１６０をさらに含めて構成される。このように前記高周波吸収体１６０をさらに含む以外は、本発明の第１の実施形態ないし第４の実施形態のうちいずれか一つと同様な構成及び作用を有するので、その詳細な説明は省略する。
前記高周波吸収体１６０は、フェライト材質からなり、前記突出部１１８の空いた空間と同一の形状を有し、前記突出部１１８の開口を通して前記突出部１１８の内側に挿着される。
本実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーは、前記マグネトロンの動作時に前記誘電体セラミック５０，６０が所定のキャパシター値を持つようになるため、前記高圧コンデンサーを通過するノイズをフィルターリングし、前記突出部１１８を通過する高周波が前記高周波吸収体１６０により吸収される。
【００３８】
図１４は、本発明の第８の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの断面図である。
本実施形態に従うマグネトロン用の高圧コンデンサーは、図１４に示すように、接地金属９２を貫通した中心導体７０，８０の一部を保護できるように絶縁ベース１１６に筒部１１９ｃが一体形成される。このように筒部１１９ｃをさらに含む以外は、本発明の第１実施形態ないし第４実施形態のうちいずれか一つと同一の構成及び作用を有するので、その詳細な説明は省略する。
前記筒部１１９ｃは、接地金属９２を貫通した中心導体７０，８０の周りの一部に位置するように前記絶縁ベース１１６の突出部１１８と反対方向に所定長さ延設される。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】従来の技術によるマグネトロンの内部構造を示す断面図である。
【図２】従来の技術によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの一例を示す断面図である。
【図３】従来の技術によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの一例を示す分解斜視図である。
【図４】本発明の第１の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの縦断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの横断面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの分解斜視図である。
【図７】本発明の第２の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの分解斜視図である。
【図９】本発明の第３の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの断面図である。
【図１０】本発明の第４の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの断面図である。
【図１１】本発明の第５の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの断面図である。
【図１２】本発明の第６の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの断面図である。
【図１３】本発明の第７の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの断面図である。
【図１４】本発明の第８の実施形態によるマグネトロン用の高圧コンデンサーの断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
５０，６０    誘電体セラミック
５２，６２    外側電極
５４，６４    内側電極
７０，８０    中心導体
９２    接地金属
９４    筒部
９６    板部
１００    絶縁ケース
１１２，１１４    第１貫通穴
１１６    絶縁ベース
１１８    突出部
１１９ａ，１１９ｂ    管部
１２０    絶縁充填物
１３０，１３２    第２貫通穴
１３４    高周波遮蔽ガスケット
１４０，１５０，１６０    高周波吸収体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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