(57)【要約】【課題】  ニッケル−リンメッキ膜表面上に欠陥のないメッキ膜を成膜するための前処理方法等を提供すること。【解決手段】  本発明は、Ｎｉ−Ｐからなる第１のメッキ膜を有する基板上に、（１）Ｎｉと、（２）Ｐ及び／又はＢと、任意に（３）Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｗ及びＲｅから選択される１以上の元素とを含む第２のメッキ膜を形成する場合の、第１のメッキ膜の前処理方法であって、前記基板上の第１のメッキ膜表面を、１ｍｇ／ｍ２以上５ｍｇ／ｍ２以下のエッチング量でエッチングするエッチング工程を含み、且つ、エッチング後の前記第１のメッキ膜表面が、ニッケル酸化度として０．３以下の値を有することを特徴とする方法に関する。本発明はさらに該前処理方法を含む磁気記録媒体の製造方法および該製造方法で製造された磁気記録媒体を包含する。【選択図】  図２
2005206866.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜を有する基板上に、（１）ニッケルと、（２）リンおよび／またはホウ素と、任意に、（３）Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、ＷおよびＲｅからなる群から選択される１種またはそれ以上の元素と、を含む第２のメッキ膜を無電解メッキ法で形成する場合の、第１のメッキ膜の前処理方法であって、該前処理方法が、前記基板上の第１のメッキ膜表面を、１ｍｇ／ｍ２以上５ｍｇ／ｍ２以下のエッチング量でエッチングするエッチング工程を含み、且つ、エッチング後の前記第１のメッキ膜表面が、下記（１）式によって算出されるニッケル酸化度として０．３以下の値を有することを特徴とする前処理方法。
ニッケル酸化度＝Ｂ／（Ａ＋Ｂ）    （１）
但し、ＡおよびＢは、それぞれ、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜表面をＸＰＳ法で測定して得られたスペクトルの、８５０ｅＶと８６０ｅＶの吸収強度の位置を直線で結び、これをベースラインとした場合の以下の値を表す。
（Ｉ）Ａ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５０〜８５５ｅＶ（ニッケルピーク強度）の最大値。
（ＩＩ）Ｂ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５５〜８６０ｅＶ（酸化ニッケルピーク強度）の最大値。
【請求項２】
前記エッチング工程が、０．００１ｍｏｌ％以上０．５ｍｏｌ％以下の、アスコルビン酸、次亜リン酸、次亜リン酸アルカリ塩の水溶液またはこれらの２種以上の混合水溶液から選択されるエッチング液を用いることを特徴とする請求項１に記載の前処理方法。
【請求項３】
（Ａ）アルミ合金基板上に、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜を形成する工程と、
（Ｂ）該基板上の第１のメッキ膜上に、（１）ニッケルと、（２）リンおよび／またはホウ素と、任意に、（３）Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、ＷおよびＲｅからなる群から選択される１種またはそれ以上の元素と、を含む無電解メッキ膜を形成する工程、
を含み、前記工程（Ａ）の後に、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜表面をエッチングするエッチング工程を含み、エッチング工程でのエッチング量が、１ｍｇ／ｍ２以上５ｍｇ／ｍ２以下であり、且つ、エッチング後の前記第１のメッキ膜表面が、下記（１）式によって算出されるニッケル酸化度として０．３以下の値を有することを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
ニッケル酸化度＝Ｂ／（Ａ＋Ｂ）    （１）
但し、ＡおよびＢは、それぞれ、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜表面をＸＰＳ法で測定して得られたスペクトルの、８５０ｅＶと８６０ｅＶの吸収強度の位置を直線で結び、これをベースラインとした場合の以下の値を表す。
（Ｉ）Ａ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５０〜８５５ｅＶ（ニッケルピーク強度）の最大値。
（ＩＩ）Ｂ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５５〜８６０ｅＶ（酸化ニッケルピーク強度）の最大値。
【請求項４】
請求項３に記載の磁気記録媒体用基板の製造方法により製造される磁気記録媒体用基板であって、第１のメッキ膜のリン濃度が２０〜２５ａｔ％であり、第２のメッキ膜が１〜９ａｔ％のリン濃度のニッケル−リンメッキ膜であることを特徴とする磁気記録媒体用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は無電解ニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキ上へ、密着性のよい無電解メッキをする方法に関する。特に、本発明は無電解メッキの前処理方法、該前処理方法を含む、固定磁気ディスクを用いた記憶装置に使用される磁気記録ディスク用基板の製造方法、および、該製造方法により製造される磁気記録媒体用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体、特に磁気ディスク用の基板として主に用いられているアルミ合金製基板には、表面硬化層（下地層）として、リン濃度（以下Ｐ濃度とも称する）が２０〜２５ａｔ％のニッケル−高リンメッキ（以下Ｎｉ−高Ｐメッキとも称する）が施される。このメッキの後、基板は研磨加工により鏡面化され、磁性層が形成されて磁気記録媒体となる。このメッキ工程で不良品が発生する場合があるが、不良品は、再メッキされて再使用することが試みられる。しかし、Ｎｉ−Ｐメッキ上へＮｉ−Ｐメッキを施した基板は、サブミクロンの微小欠陥が存在し、磁気記録媒体としたときにエラーが発生する原因となるため、年々高密度化する磁気記録媒体用の基板としてこのような再メッキした基板を使用することが難しくなっている。
【０００３】
一方、磁化方向が面内を向く従来の水平記録方式に対して、より高密度な記録が可能な垂直磁気記録方式が提案されている。垂直磁気記録用の磁気記録媒体は、磁性層の下に磁界を収束させる軟磁性裏打ち層を必要とする。その形成方法としては、スパッタ法が主流であるが、その他にも特許文献１に記載のような、表面硬化層を熱処理して軟磁性裏打ち層を形成する方法が提案されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１−２８５０２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
軟磁性裏打ち層をスパッタ法で成膜する場合、その膜厚が数百ｎｍであることから、膜厚が数ｎｍ〜数十ｎｍである磁性層と比較して軟磁性裏打ち層の成膜時間が長くなり、生産性が悪い。
【０００６】
軟磁性裏打ち層は、軟磁性組成としてＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏや他の合金が知られており、無電解メッキ法により成膜することができる。しかし、軟磁性裏打ち層の膜厚が厚すぎるとノイズの原因となることから、その膜厚は厚くても数μｍ以下としなければならない。膜厚を薄くするために、アルミ合金製の基板上へ軟磁性裏打ち層を単層形成することもできるが、これでは耐ヘッド衝撃性を満足できない。また、軟磁性裏打ち層は、結晶質で研磨性が悪く、できるだけ研磨量を少なくすることが望ましいが、そのためには、メッキ後のメッキ膜表面の粗さをできるだけ小さくしなければならない。このため、鏡面研磨したＮｉ−高Ｐメッキ膜上へメッキをすることが必要となる。このような、鏡面研磨したＮｉ−高Ｐメッキ膜上へのメッキは膜厚のばらつきを小さくし、且つ平坦性を確保するためにも好ましい。
【０００７】
さらに、通常Ｎｉ−Ｐメッキ表面には酸化膜が形成されており、そのままメッキ液に浸漬しても反応が起きないか、または起きたとしても密着性のよい膜が得られない。このため、メッキを行う前にＮｉ−Ｐメッキ表面を塩酸、硫酸、硝酸などの酸溶液に浸漬し、酸化膜を除去する操作を行うが、Ｎｉ−Ｐメッキ表面のＰ濃度や酸化度のばらつきに起因するＮｉ溶出量の違いから、Ｎｉ−Ｐメッキ表面に凹凸が発生する。この凹凸は、Ｎｉ−Ｐメッキ上に施されるメッキの表面にも影響し、シャローピットやシャローバンプと呼ばれるなだらかな凹凸状の欠陥の原因となる。
【０００８】
また、軟磁性裏打ち層として、リン濃度が１〜９ａｔ％であるＮｉ−低Ｐメッキ膜は、十分な軟磁性特性を有し、且つ、組成が単純なため管理が容易であり、生産性の点でも優れている。しかし、このようなＮｉ−低Ｐメッキ膜を鏡面研磨したＮｉ−高Ｐメッキ膜上に成膜する場合、還元剤の次亜リン酸の濃度を下げる必要があり、そのようにするとメッキの反応性が悪くなり、微小欠陥が発生する。従って、Ｎｉ−高Ｐメッキ膜上へＮｉ−低Ｐメッキ膜を形成する場合には、Ｎｉ−高Ｐメッキ膜を鏡面研磨したとしても欠陥が生じる問題がある。
【０００９】
加えて、磁気記録媒体に限らず、ニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキ膜上へ均質で欠陥のない無電解メッキ膜を形成できる汎用的な方法も望まれている。
【００１０】
従って、本発明の目的は、Ｎｉ−Ｐメッキ膜（第１のメッキ膜）上へ無電解メッキ法でメッキ膜（第２のメッキ膜）を形成する場合に、第２のメッキ膜表面に欠陥を生じさせない方法を提供すること、即ち、無電解メッキの前処理方法を提供することにある。
【００１１】
更に本発明の目的は、該前処理方法を含む磁気記録媒体用基板の製造方法を提供することにある。
【００１２】
更に、本発明の目的は、該製造方法により製造された磁気記録媒体用基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜を有する基板上に、（１）ニッケルと、（２）リンおよび／またはホウ素と、任意に、（３）Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、ＷおよびＲｅからなる群から選択される１種またはそれ以上の元素と、を含む第２のメッキ膜を無電解メッキ法で形成する場合の、第１のメッキ膜の前処理方法に関し、該前処理方法は、前記基板上の第１のメッキ膜表面を、１ｍｇ／ｍ２以上５ｍｇ／ｍ２以下のエッチング量でエッチングするエッチング工程を含み、且つ、エッチング後の前記第１のメッキ膜表面が、下記（１）式によって算出されるニッケル酸化度として０．３以下の値を有することを特徴とする。
ニッケル酸化度＝Ｂ／（Ａ＋Ｂ）    （１）
但し、ＡおよびＢは、それぞれ、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜表面をＸＰＳ法で測定して得られたスペクトルの、８５０ｅＶと８６０ｅＶの吸収強度の位置を直線で結び、これをベースラインとした場合の以下の値を表す。
（Ｉ）Ａ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５０〜８５５ｅＶ（ニッケルピーク強度）の最大値。
（ＩＩ）Ｂ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５５〜８６０ｅＶ（酸化ニッケルピーク強度）の最大値。
【００１４】
本発明の前処理方法は、エッチング工程が、０．００１ｍｏｌ％以上０．５ｍｏｌ％以下の、アスコルビン酸、次亜リン酸、次亜リン酸アルカリ塩の水溶液またはこれらの２種以上の混合水溶液から選択されるエッチング液を用いることを特徴とする。
【００１５】
本発明は、さらに、磁気記録媒体用基板の製造方法に関し、該方法は、（Ａ）アルミ合金基板上に、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜を形成する工程と、（Ｂ）該基板上の第１のメッキ膜上に、（１）ニッケルと、（２）リンおよび／またはホウ素と、任意に、（３）Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、ＷおよびＲｅからなる群から選択される１種またはそれ以上の元素と、を含む無電解メッキ膜を形成する工程を含み、前記工程（Ａ）の後に、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜表面をエッチングするエッチング工程を含み、該エッチング工程でのエッチング量が１ｍｇ／ｍ２以上５ｍｇ／ｍ２以下であり、且つ、エッチング後の前記第１のメッキ膜表面が、下記（１）式によって算出されるニッケル酸化度として０．３以下の値を有することを特徴とする。
ニッケル酸化度＝Ｂ／（Ａ＋Ｂ）    （１）
但し、ＡおよびＢは、それぞれ、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜表面をＸＰＳ法で測定して得られたスペクトルの、８５０ｅＶと８６０ｅＶの吸収強度の位置を直線で結び、これをベースラインとした場合の以下の値を表す。
（Ｉ）Ａ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５０〜８５５ｅＶ（ニッケルピーク強度）の最大値。
（ＩＩ）Ｂ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５５〜８６０ｅＶ（酸化ニッケルピーク強度）の最大値。
【００１６】
本発明はさらに、上記の磁気記録媒体用基板の製造方法により製造される磁気記録媒体用基板に関し、上記工程（Ａ）で形成されるニッケル−リンからなる第１のメッキ膜のリン濃度が２０〜２５ａｔ％であり、工程（Ｂ）で形成される第２のメッキ膜が１〜９ａｔ％のリン濃度のニッケル−リンメッキ膜であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の前処理方法を適用することにより、例えばＮｉ−Ｐメッキ膜上に欠陥のない無電解ニッケルメッキ膜を形成することができる。
【００１８】
また、本発明の磁気記録媒体用基板の製造方法によれば、軟磁性裏打ち層の欠陥のない磁気記録媒体用基板を提供できる。特に本発明の製造方法は、Ａｌ合金／Ｎｉ−Ｐメッキ基板上に、リン濃度１〜９ａｔ％の低リンメッキを適用する場合に有効であり、欠陥が極小で安価な、軟磁性裏打ち層付き垂直磁気記録媒体用基板を提供できる。
【００１９】
更に、本発明の磁気記録媒体用基板は、軟磁性裏打ち層に欠陥のない基板である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の第１は、Ｎｉ−Ｐからなる第１のメッキ膜を有する基板上に無電解メッキ法により第２のメッキ膜を形成する場合の前処理方法に関する。なお、本明細書では、基板上に設けられるＮｉ−Ｐからなる第１のメッキ膜をＮｉ−Ｐメッキ下地層とも称する。
【００２１】
本発明の前処理方法に使用される基板は、Ｎｉ−Ｐメッキを施すことができるものであれば特に限定されない。例えば、アルミニウム合金、ソーダライムガラス、リチウムシリケートガラス、アルミノシリケートガラスなどのガラス、アルミナセラミック、シリコン、プラスチックなどの非磁性基板を用いることができる。特にＡｌ−Ｍｇ合金のようなアルミニウム合金が好ましい。
【００２２】
本発明の前処理方法は、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜表面をエッチングするエッチング工程を含む。この工程では、１ｍｇ／ｍ２以上５ｍｇ／ｍ２以下のエッチング量でエッチングを行い、且つ、エッチング後の第１のメッキ膜表面が、０．３以下のニッケル酸化度を有する必要がある。
【００２３】
本発明のエッチング工程は、Ｎｉ−Ｐメッキ下地層を有する基板をエッチング溶液に浸漬することにより行われる。エッチング溶液は０．００１ｍｏｌ％以上０．５ｍｏｌ％以下の濃度を有する、アスコルビン酸水溶液、次亜リン酸水溶液、または次亜リン酸アルカリ塩水溶液、またはこれら２種以上の混合水溶液を用いることが好ましいが、これらに限定されない。
【００２４】
本発明の前処理方法では、ニッケル酸化度が０．３以下となるようにエッチングを行う。ここで、ニッケル酸化度とは、下式（１）により定義されるＮｉ−Ｐメッキ下地層の表面のニッケルの酸化度をいう。
ニッケル酸化度＝Ｂ／（Ａ＋Ｂ）    （１）
但し、ＡおよびＢは、それぞれ、ニッケル−リンメッキ表面をＸＰＳ法で測定して得られたスペクトルの、８５０ｅＶと８６０ｅＶの吸収強度の位置を直線で結び、これをベースラインとした場合の以下の値を表す。
（Ｉ）Ａ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５０〜８５５ｅＶ（ニッケルピーク強度）の最大値。
（ＩＩ）Ｂ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５５〜８６０ｅＶ（酸化ニッケルピーク強度）の最大値。
【００２５】
図１を参照してより具体的に式（１）のニッケル酸化度を説明する。図１は、ＸＰＳ法によるＮｉ  ２Ｐスペクトル図である。図１のスペクトルの８５０ｅＶの点（図１の（ａ）の位置）と８６０ｅＶの点（図１の（ｂ）の位置）を結んだ直線をベースラインとする。このベースラインから、ニッケルに相当するピーク（８５０〜８５５ｅＶ）の最大値（図１の（ｃ）の位置）までの強度をニッケル強度（Ａ）とする。また、ベースラインから、酸化ニッケルに相当するピーク（８５５〜８６０ｅＶ）の最大値（図１の（ｄ）の位置）までの強度をニッケル強度（Ｂ）とする。そして、ニッケル酸化度を、下式（１）から算出する。
ニッケル酸化度＝Ｂ／（Ａ＋Ｂ）    （１）
【００２６】
ニッケル酸化度が０．３以下となる条件を満足する浸漬条件としては、例えば、浸漬温度は１０〜６０℃が好ましく、浸漬時間は３０〜３００秒が好ましい。
【００２７】
浸漬後、基板を純水（１０ＭΩ＜）などでよく洗浄することが好ましい。
【００２８】
本発明の前処理方法では、エッチング工程でＮｉ−Ｐメッキ下地層の表面のエッチング量が１ｍｇ／ｍ２以上５ｍｇ／ｍ２以下であり、且つ、エッチング後のニッケル酸化度が０．３以下であることが必要である。エッチング工程のエッチング量が上記範囲内であっても、エッチング後のＮｉ−Ｐメッキ下地層の表面のニッケル酸化度が０．３を超えると、例えば、後の無電解メッキを行う際に、反応が起こらずメッキが析出しなかったり、後の無電解メッキで欠陥が多数発生する。また、エッチング工程後のＮｉ−Ｐメッキ下地層の表面のニッケル酸化度が０．３以下であっても、エッチング量が上記範囲外であると、後の無電解メッキで多数の欠陥が生じる。
【００２９】
本発明の第２は、本発明の前処理方法を含む磁気記録媒体用基板の製造方法に関する。本発明の製造方法は、（Ａ）アルミ合金基板上に、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜を形成する工程と、（Ｂ）該基板上の第１のメッキ膜上に、（１）ニッケルと、（２）リンおよび／またはホウ素と、任意に、（３）Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、ＷおよびＲｅからなる群から選択される１種またはそれ以上の元素と、を含む無電解メッキを行う工程を含み、前記工程（Ａ）の後に、ニッケル−リンからなる第１のメッキ膜表面をエッチングするエッチング工程を含み、エッチング工程でのエッチング量が１ｍｇ／ｍ２以上５ｍｇ／ｍ２以下であり、且つ、エッチング後の前記第１のメッキ膜表面が、上記（１）式によって算出されるニッケル酸化度として０．３以下の値を有することを特徴とする。
【００３０】
工程（Ａ）では、アルミ合金基板にＮｉ−Ｐメッキ下地層を形成する。
本発明の製造方法で用いることができるアルミ合金製基板は、ハードディスク等に通常使用されるものである。例えば、加熱溶融したアルミ合金材料を圧延、加熱焼鈍した後、規定の寸法に加工が行われたアルミ合金のブランク材を使用することができる。このブランク材に、従来の手順に従って、アルカリ脱脂、酸エッチング、ジンケート処理を順次行う。次に、得られたアルミ合金基板にＮｉ−Ｐメッキを施す。メッキは無電解メッキにより行われる。Ｎｉ−Ｐメッキ下地層の厚さは、通常の磁気記録媒体用基板に適用される厚さであれば特に限定されないが、例えば５〜２０μｍの厚さとすることができる。Ｎｉ−Ｐメッキは、定法に従って行うことができる。Ｎｉ−Ｐメッキ下地層のリン濃度は特に限定されないが、磁気記録媒体用基板で用いられる、リン濃度が２０〜２５ａｔ％であるＮｉ−Ｐメッキ下地層が好ましい。
【００３１】
本発明では、上述のようにして得られた基板の第１のメッキ膜表面を研磨することが好ましい。
【００３２】
研磨には、例えば、アルミナ研磨スラリーと発泡ウレタンを用いて一次研磨を行い、次いでコロイダルシリカと発泡ウレタンを用いて二次研磨することが含まれる。研磨条件は従来の条件に従えばよいが、例えば、上記一次研磨では、０．２〜２ｍ／秒の速度、３０〜１５０ｇ／ｃｍ２の圧力で５〜２０分間研磨を行うことが好ましい。また、上記二次研磨では、０．２〜２ｍ／秒の速度、３０〜１５０ｇ／ｃｍ２の圧力で５〜２０分間研磨を行うことが好ましい。
【００３３】
本発明の磁気記録媒体用基板の製造方法では、Ｎｉ−Ｐメッキ下地層を形成した後、第１の発明で説明した無電解メッキの前処理方法を適用する。即ち、本発明の製造方法は、Ｎｉ−Ｐメッキ下地層をエッチングする工程を含む。
【００３４】
具体的にエッチング工程を説明すれば、まず、Ｎｉ−Ｐメッキ下地層を有する基板を、例えば０．００１ｍｏｌ％以上０．５ｍｏｌ％以下の濃度を有する、アスコルビン酸水溶液、次亜リン酸水溶液、次亜リン酸アルカリ塩水溶液、またはこれら２種以上の混合水溶液などの溶液に浸漬し、Ｎｉ−Ｐメッキ下地層表面をエッチングする。エッチングの条件は先に説明した通りである。また、先に示した、エッチング工程後のニッケル酸化度を満足するようにエッチング工程を行う。
【００３５】
前処理を行った基板は、次の無電解メッキ工程（工程（Ｂ））へ供される。
工程（Ｂ）では、前処理を行ったＮｉ−Ｐメッキ下地層上に無電解メッキを行う。本発明では、（１）ニッケルと、（２）リンおよび／またはホウ素と、任意に、（３）Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、ＷおよびＲｅからなる群から選択される１種またはそれ以上の元素とを含む第２のメッキ膜を形成する無電解メッキを行う。
【００３６】
本発明の製造方法では、本工程の無電解メッキで形成される膜は、（１）のＮｉを１〜９９ａｔ％、（２）のリンおよび／またはホウ素を１〜２５ａｔ％、（３）の元素を０〜９８ａｔ％含む（但し、（１）、（２）および（３）の合計は１００ａｔ％である）ことができる。
【００３７】
本発明では、リン濃度１〜１３％、好ましくはリン濃度１〜９％のＮｉ−Ｐメッキ膜を形成する無電解メッキを行うことが好ましい。特に、形成された膜のリン濃度が１〜９ａｔ％となる低リン濃度Ｎｉ−Ｐメッキを行うことが好ましい。リン濃度が１〜９ａｔ％の低リン濃度Ｎｉ−Ｐメッキ膜は、垂直磁気記録媒体用基板の軟磁性裏打ち層として十分な軟磁性特性を有し、組成が簡単であり、管理が容易であるため、磁気記録媒体用基板のメッキとして優れる。
【００３８】
本工程の無電解メッキは、上記元素を含むメッキ液を調製し、前処理された磁気記録媒体用基板を所定の温度および時間浸漬することで行うことができる。例えば、本発明の一実施形態である低リン濃度Ｎｉ−Ｐメッキの場合、硫酸ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、クエン酸ナトリウム若しくは酢酸ナトリウム、乳酸ナトリウム、グリシン、硫酸、および苛性ソーダを含むメッキ液（例えばｐＨ４．５〜６．５）を調製し、浴温７０〜１００℃、好ましくは８５〜９５℃で、３０〜６０分、基板を浸漬すればよい。
【００３９】
本工程の無電解メッキ法で作成される膜は、１〜５μｍ、好ましくは２〜３μｍの膜厚を有することができる。
【００４０】
得られた基板は、第２のメッキ膜表面を鏡面化するため研磨工程に付される。研磨は、例えばコロイダルシリカと発泡ウレタンを用いて行うことができる。研磨条件は研磨剤などにより異なるが、Ｎｉ−Ｐメッキ膜の場合、該メッキ膜をコロイダルシリカと発泡ウレタンを用いて研磨することができる。この場合、例えば３０ｒｐｍ、９０ｇ／ｃｍ２を挙げることができる。研磨後の基板は、定法に従い洗浄および乾燥を行う。
【００４１】
本発明の製造方法は、第２のメッキ膜表面の欠陥を最小限にするメッキ方法を提供する。特に、本発明の磁気記録媒体用基板の製造方法は、第２のメッキ表面の欠陥を最小限にした磁気記録媒体用基板を提供できる。
【００４２】
本発明の第３は、上記第２の発明の方法で製造された磁気記録媒体用基板である。
本発明の磁気記録媒体用基板は、図２に示されるように、基板１上に、Ｎｉ−Ｐ下地層３を有し、該下地層上に軟磁性裏打ち層（第２のメッキ膜）５を有する。なお、図２は、内周および外周を有する円盤状の基板の一部を示す断面図である。
【００４３】
本発明の磁気記録媒体用基板は、（１）ニッケルと、（２）リンおよび／またはホウ素と、任意に、（３）Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、ＷおよびＲｅからなる群から選択される１種またはそれ以上の元素とを含むことができ、その組成としては、例えば、（１）のＮｉを１〜９９ａｔ％、（２）のリンおよび／またはホウ素を１〜９ａｔ％、（３）の元素を０〜９８ａｔ％含むことができる（但し、（１）、（２）および（３）の合計は１００ａｔ％である）。
【００４４】
本発明の磁気記録媒体用基板では、第２のメッキ膜はＮｉ−Ｐ軟磁性裏打ち層、特にリン濃度１〜９ａｔ％である低リン濃度のＮｉ−Ｐ軟磁性裏打ち層が好ましい。このような低リン濃度Ｎｉ−Ｐメッキ膜は、垂直磁気記録媒体用基板の軟磁性裏打ち層として十分な軟磁性特性を有し、組成が簡単であるため管理が容易である。本発明の磁気記録媒体用基板の各層の膜厚等は、垂直磁気記録媒体用基板で用いられるものが適用可能である。
【００４５】
本発明の磁気記録媒体用基板は、メッキ表面の欠陥を最小限に抑えたものである。
【実施例】
【００４６】
（実施例１〜１５）
Ａｌ合金／Ｎｉ−Ｐ基板
内径φ２５ｍｍ、外形φ９５ｍｍ、厚さ１．２７ｍｍのＡｌ−Ｍｇ合金円盤を、従来の条件に従って、アルカリ脱脂、酸エッチング、ジンケート処理を順次行った。次いで、硫酸ニッケル（２５ｇ／Ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（３０ｇ／Ｌ）、クエン酸ナトリウム（３０ｇ／Ｌ）、乳酸ナトリウム（１０ｇ／Ｌ）、グリシン（３０ｇ／Ｌ）からなるメッキ液（硫酸および苛性ソーダでｐＨ４．６に調節し、９０℃に加温したもの）中に９０分浸漬して下地層を形成した。蛍光Ｘ線分析装置を用いて下地層のリン濃度と膜厚を測定した。リン濃度は２１ａｔ％、膜厚は１５μｍであった。
【００４７】
次に、Ｎｉ−Ｐメッキを施した基板の表面を、平均粒径０．８μｍのアルミナ研磨スラリーと発泡ウレタンパッドを貼った９Ｂ型両面研磨装置（条件：０．５〜１ｍ／秒、９０ｇ／ｃｍ２）で１０分間一次研磨した。次に、平均粒径３０ｎｍのコロイダルシリカと発泡ウレタンパッドを貼った９Ｂ型両面研磨装置（条件：０．５〜１ｍ／秒、９０ｇ／ｃｍ２）を用いて、１５分間二次研磨を行った。得られた基板は、膜厚１１．５μｍのＮｉ−Ｐ下地層を有する鏡面Ａｌ／Ｎｉ−Ｐ基板であった。
【００４８】
前処理
エッチング工程
エッチング工程を行う前に、アルカリ脱脂剤（ＡＤ６８Ｆ：村上工業製）を用いた浸漬脱脂洗浄を行い、純水（１０ＭΩ＜）で濯ぎ、基板表面のパーティクルおよび有機汚染物を除去した。
【００４９】
Ｎｉ−Ｐ下地層のエッチング処理には、アスコルビン酸水溶液、次亜リン酸水溶液または次亜リン酸ナトリウム水溶液のいずれかを用いた。実施例１〜１５で用いた溶液の種類、浸漬時間、エッチング後のＮｉ−Ｐ下地層表面のニッケル酸化度を表１に示した。エッチング処理後、直ちに基板を純水（１０ＭΩ＜）でよく濯いだ。表面のニッケル酸化度を測定するサンプルは、エアーブロー乾燥した基板表面をＸＰＳ測定して得られたスペクトルの、８５０ｅＶと８６０ｅＶの吸収強度の位置を直線で結び、これをベースラインとした場合の以下の（Ｉ）および（ＩＩ）の値を基に、式（１）に従って算出した。
（Ｉ）Ａ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５０〜８５５ｅＶ（ニッケルピーク強度）の最大値。
（ＩＩ）Ｂ＝ＸＰＳ法のスペクトルの８５５〜８６０ｅＶ（酸化ニッケルピーク強度）の最大値。
ニッケル酸化度＝Ｂ／（Ａ＋Ｂ）    （１）
【００５０】
【表１】
2005206866.tif 000003
【００５１】
３．メッキ処理（第２のメッキ膜の成膜）
前処理の終了した基板を表２に示すメッキ液（表中、メッキ液Ａ〜ＤのＮｉ−Ｐメッキ液では組成としてリン濃度（Ｐ濃度）を示した）に浸漬し、所定のメッキ膜を形成した。メッキ時間は、膜厚が２．５μｍとなるように調製した。各実施例で使用したメッキ液の種類は、後述する表４に示した。
【００５２】
【表２】
2005206866.tif 000004
【００５３】
【表３】
2005206866.tif 000005
【００５４】
メッキを施した基板を、平均粒径３０ｎｍのコロイダルシリカと発泡ウレタンを貼った両面研磨装置（条件：３０ｒｐｍ、９０ｇ／ｃｍ２）を用いて研磨した。研磨量は、減重で制御し、膜厚に換算して０．５±０．１μｍとなるようにした。研磨後の基板を、ＰＶＡスポンジとアルカリ洗剤によるスクラブ洗浄、シャワー水洗、純水ＭＳ浸漬、ＩＰＡベーパー乾燥を順次行うことにより清浄化し、正常な鏡面を有する基板を得た。
【００５５】
（比較例１〜７）
下記表３に示す条件でニッケル−リン下地層表面を前処理した後、上記実施例のメッキ液を用いて第２のメッキ膜（Ｎｉ−Ｐメッキ膜）を形成した。表３には、それぞれ、処理後のニッケル酸化度を併せて示した。また、各比較例で使用したメッキ液の種類は、後述する表４に示した。
【００５６】
【表４】
2005206866.tif 000006
【００５７】
評価
実施例１〜１５および比較例１〜７で得られた基板を、レーザー散乱式欠陥解析装置（システム精工製ＳＤＡ、検出最小径０．２μｍ）を用いて欠陥数を測定した。各実施例および比較例に対して、それぞれ、２０枚（４０面）の基板の欠陥数を測定し、平均の欠陥数を算出した。結果を表４に示す。表４には、各実施例および比較例のメッキ液の種類、生成された膜の組成（実施例１〜９および比較例はリン濃度のみ）、および、欠陥数を示した。
【００５８】
【表５】
2005206866.tif 000007
【００５９】
上記評価結果で欠陥数が１０個／面であれば許容範囲である。実施例１〜１５の基板は全てこの要件を満足し、磁気記録媒体用基板として適用可能であった。本発明の前処理方法および磁気記録媒体用基板の製造方法を用いれば、メッキの前処理が適切であるため、エッチング量が最小で基板のＮｉ−Ｐ表面を活性化でき、該表面が均質化され、第２のメッキ膜の欠陥を最小にすることができる。
【００６０】
一方、従来法である比較例１では、エッチングを行わなかった例であり、酸化膜があるためメッキ反応が起こらなかった。比較例２〜４では、硝酸および塩酸を用いてエッチングを行った例であり、Ｎｉ−Ｐ下地層表面は活性化されるが、エッチング量が多くなるため、第２のメッキ膜の欠陥が多量に発生した。比較例５〜７は、エッチング液として、アスコルビン酸水溶液、次亜リン酸水溶液、次亜リン酸ナトリウムをそれぞれ使用した例であるが、各水溶液の濃度が本発明で規定する濃度範囲以外の濃度（本発明の範囲よりも高い場合）である。これらの比較例では、エッチング量が多すぎ、Ｎｉ−Ｐ下地表面の欠陥数が許容量を超えた。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】ニッケル酸化度の算出の仕方を説明するためのＸＰＳスペクトル図である。
【図２】本発明の磁気記録媒体用基板の一部を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１    基板
３    下地層
５    第２のメッキ膜
【図１】
2005206866.tif 000008
【図２】
2005206866.tif 000009