(57)【要約】【課題】  光ディスクの回転速度を大きくして線速度を増大させて高転送レート化や高密度記録化の実現を可能し、且つサーボ機能を安定化させる。【解決手段】  光ディスクに対して照射するレーザ光を発光する半導体レーザ１２と、半導体レーザ１２に定電流を流す定電流回路１４と、定電流回路１４により半導体レーザ１２に流される定電流をオンオフするスイッチ２１とを備える。光ディスクに記録された情報信号を消去する間、スイッチ２１は、光ディスクに対する記録時のレーザ光の間欠発光と同一の周波数又は再生時の高周波重畳信号でオンオフを繰り返す。これにより、半導体レーザ１２は、スイッチ２１のオンオフの切り換え動作に基づいてレーザ光を出射して、光ディスクに記録された情報信号を消去する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光記録媒体に対して照射するレーザ光を発光する半導体レーザと、
上記半導体レーザに定電流を流す定電流源と、
上記定電流源により上記半導体レーザに流される定電流をオンオフするスイッチとを備え、
上記光記録媒体に記録された情報信号を消去する間、上記スイッチは、上記光記録媒体に対する記録時の上記レーザ光の間欠発光と同一の周波数又は再生時の高周波重畳信号でオンオフを繰り返し、上記半導体レーザは、上記スイッチのオンオフの切り換え動作に基づいて上記レーザ光を出射して、上記光記録媒体に記録された情報信号を消去することを特徴とする半導体レーザの制御装置。
【請求項２】
光記録媒体に対して照射するレーザ光を発光する半導体レーザと、
上記半導体レーザに定電流を流す定電流源と、
上記定電流源により上記半導体レーザに流される定電流をオンオフするスイッチとを備え、
上記光記録媒体に記録された情報信号を消去する間、上記スイッチは、上記光記録媒体に対する記録時の上記レーザ光の間欠発光と同一の周波数又は再生時の高周波重畳信号でオンオフを繰り返し、上記半導体レーザは、上記スイッチのオンオフの切り換え動作に基づいて上記レーザ光を出射して、上記光記録媒体に記録された情報信号を消去することを特徴とする半導体レーザの制御装置を備えた情報信号消去装置。
【請求項３】
光記録媒体に対して照射するレーザ光を発光する半導体レーザと、上記半導体レーザに定電流を流す定電流源と、上記定電流源により上記半導体レーザに流される定電流をオンオフするスイッチとを備えた情報信号消去装置の情報信号消去方法であって、
上記光記録媒体に記録された情報信号を消去する間、上記定電流源により上記半導体レーザに定電流を流すようにすると共に、上記スイッチを上記光記録媒体に対する記録時の上記レーザ光の間欠発光と同一の周波数又は再生時の高周波重畳信号で繰り返しオンオフし、上記スイッチのオンオフの切り換え動作に基づいて上記半導体レーザより上記レーザ光を出射し、上記光記録媒体に記録された情報信号を消去する情報信号消去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体である光磁気ディスク等に記録された情報信号をレーザを用いて消去する半導体レーザの制御装置、これを備えた情報信号消去装置及び情報信号消去方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、ユーザが直接情報信号を記録，書換えできる方式として好適なものに例えば光磁気ディスク記録方式がある。この記録方式は、記録媒体である光磁気ディスク表面の垂直磁化膜に対して磁化を上向き・下向きとして情報を記録するものである。この場合、記録の形態としては磁気メモリであるが、記録再生や消去はレーザ光を熱源として用いて行われる。
【０００３】
光磁気ディスクに対して情報記録を行う方法としては、当初は垂直磁化膜の磁化の向きを一様に上向きに揃えておく。そして、レーザを間欠発光させてレーザ光を照射し、垂直磁化膜の温度を局所的に上昇させる。このとき、キュリー温度近傍まで昇温すると、垂直磁化膜の保磁力が減少し、外部に設けられた電磁コイルから発生した例えば下向きの磁界によって磁化が反転することにより情報化される。
【０００４】
そして、光磁気ディスクに記録された情報信号を消去する方法としては、先ず、外部に設けられた電磁コイルより発生する磁界の向きを記録時の逆、即ち上向きとして、光磁気ディスクの垂直磁化膜に対してレーザ光を図５に示すように直流発光させて連続的に照射する。これにより記録と同様の原理で垂直磁化膜の該当する箇所の磁化が一様に元の上向きに戻ることになる。
【０００５】
ところで、一般に半導体レーザの発光強度は、半導体素子の耐久性等との兼合いでその最大値である発光定格が決定される。光磁気ディスクの情報信号の消去時においては、上述のようにレーザ光を連続的に直流発光させる必要上、半導体素子等の受ける負担が、記録時の間欠発光による半導体素子等の受ける負担と比較して大きく、消去時の直流発光定格は必然的に記録時のそれより低値となる。
【０００６】
したがって、光磁気ディスクの情報信号の消去時においては、レーザ光の照射により光磁気ディスクの垂直磁化膜をキュリー温度まで昇温させるために要する時間が記録時と比較して長く、光磁気ディスクの回転速度の上限は情報信号の消去時の直流発光定格に依存して決定される。
【０００７】
近時における高転送レート化や高密度記録化の要請に答えるためには、光磁気ディスクの回転速度を大きくして線速度を増大させ、単位時間当りのデータ密度を向上させたり、光学系のいわゆるＯＴＦ（オプティカル・トランスファ・ファンクション）を高周波領域に伸ばす必要がある。ところが上述のように、光磁気ディスクの回転速度は、その上限が情報信号の消去時の発光定格に依存するために比較的低速に留まり、所望の高転送レート化や高密度記録化を達成することは困難な状況にある。
【０００８】
さらに、光磁気ディスクに記録された情報信号の消去する際に、レーザ光を直流発光させると、いわゆるモードポッピングノイズや戻り光励起ノイズ等のレーザノイズが発生して、光磁気ディスクシステムのサーボ機能の安定性が問題となっている。
【０００９】
【特許文献１】特開平４−１５７６３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上述の課題に鑑みて提案されたものであり、光ディスクの回転速度を大きくして線速度を増大させて高転送レート化や高密度記録化の実現を可能し、且つサーボ機能を安定化させることで、光ディスクシステムの信頼性の大幅な向上を図ることが可能となる半導体レーザの制御装置、これを備えた情報信号消去装置及び情報信号消去方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る半導体レーザの制御装置は、情報信号が書換え可能に記録された光記録媒体を対象とするものである。すなわち、本発明は、光記録媒体に対して照射するレーザ光を発光する半導体レーザと、上記半導体レーザに定電流を流す定電流源と、上記定電流源により上記半導体レーザに流される定電流をオンオフするスイッチとを備える。上記光記録媒体に記録された情報信号を消去する間、上記スイッチは、上記光記録媒体に対する記録時の上記レーザ光の間欠発光と同一の周波数又は再生時の高周波重畳信号でオンオフを繰り返し、上記半導体レーザは、上記スイッチのオンオフの切り換え動作に基づいて上記レーザ光を出射して、上記光記録媒体に記録された情報信号を消去する。また、本発明は、この半導体レーザの制御装置を備えた情報信号消去装置及びこの情報信号消去装置の情報信号消去方法である。
【００１２】
本発明においては、情報信号が書換え可能に記録された光記録媒体に対して、光記録媒体に対する記録時の上記レーザ光の間欠発光と同一の周波数又は再生時の高周波重畳信号でスイッチのオンオフを繰り返しレーザ光を光記録媒体に照射するので、直流発光の場合と比較してレーザ光の発光強度の最大値である発光定格を大きくすることが可能となる。したがって、この発光定格の増大に相当する分、光記録媒体をキュリー温度まで昇温させるために要する時間が短縮され、光記録媒体の単位時間当りの回転数を増大させることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明にによれば、情報信号が書換え可能に記録された光記録媒体に対して、光記録媒体に対する記録時の上記レーザ光の間欠発光と同一の周波数又は再生時の高周波重畳信号でスイッチのオンオフを繰り返しレーザ光を光記録媒体に照射し、光記録媒体に記録された情報信号を消去するようにしたので、光記録媒体の回転速度を大きくして線速度を増大させて高転送レート化や高密度記録化の実現を可能し、且つサーボ機能を安定化させることで、光記録媒体システムの信頼性の大幅な向上を図ることが可能となる。また、消去時特有の周期でスイッチを切り換える必要がなくなり、装置の構成の複雑化を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る情報信号消去方法を光磁気ディスクに適用した具体的ないくつかの実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１５】
先ず、第１実施例について述べる。この第１実施例においては、情報信号が書換え可能に記録された光磁気ディスクの前記情報信号を消去する際に、間欠発光によるレーザ光を用いて行う。
【００１６】
すなわち、図１に示す制御回路１を用いて、光磁気ディスクの垂直磁化膜の所望箇所に対してレーザ光を周期的に照射／非照射を繰り返すことによって、光磁気ディスクに記録された情報信号を消去する。
【００１７】
上記制御回路１は、正極端子１１と、半導体レーザ１２、スイッチ回路１３、定電流回路１４、電流制御回路１５、及び負極端子１６とから構成されている。ここで、上記正極端子１１及び負極端子１６について、これら両端子間の電位差が半導体レーザ１２の発光する範囲内の値であれば、一方が正極端子または負極端子で他方が接地、双方とも正極端子、或は双方とも負極端子としてもよい。
【００１８】
この制御回路１を用いて光磁気ディスクに記憶された情報信号を消去する方法としては、先ず、正極端子１１−負極端子１６間に、その電位差が半導体レーザ１２が発光する範囲内の所定値の電圧を印加する。このとき、電流制御回路１５からの電流制御信号Ｓ２が定電流回路１４に入力してこの定電流回路１４が調節されて半導体レーザ１２に所定の定電流が流れるようになされており、スイッチ回路１３に入力する発光制御信号Ｓ１に基づいてスイッチ２１がオン／オフの動作を一定の周期にて間欠的に繰り返す。
【００１９】
このとき、半導体レーザ１２から照射されるレーザ光は、図２に示すように、周期ｔ１＋ｔ２の間欠発光となる。すなわち半導体レーザ１２は、一周期中、時間ｔ１の間はスイッチ２１がオンの状態とされて所定の発光定格の照射強度にて発光し、時間ｔ２の間はスイッチ２１がオフの状態とされて照射は停止する。これを一周期として消去時間ｔだけ間欠発光を繰り返すことにより、光磁気ディスクの所望の情報信号を消去する。なお、情報信号の消去時において、光磁気ディスクの垂直磁化膜上の該当する箇所の磁化を一様に元の上向きとするために、消去時間ｔの間、常に光磁気ディスクの垂直磁化膜の温度がキュリー温度以上となるように、上記発光定格、時間ｔ１及びｔ２を規定する必要がある。
【００２０】
上記第１実施例に係る情報信号消去方法においては、情報信号が書換え可能に記録された光磁気ディスクに対して、間欠発光または強度変調されたレーザ光を照射するので、直流発光の場合と比較してレーザ光の発光強度最大値である発光定格を大とすることが可能となる。したがって、この発光定格の増大に相当する分、光磁気ディスクをキュリー温度まで昇温させるために要する時間が短縮され、光磁気ディスクの単位時間当りの回転数を増大させることができる。
【００２１】
なお、情報信号を光磁気ディスクに記録する際にもレーザ光の間欠発光を用いるために、消去時と同様の発光制御信号を用いることになる。したがって、消去時の発光制御信号Ｓ１は、記録時と同一の単一周波数でも再生時の高周波重畳信号でもよい。これにより、消去時特有の周期でスイッチ２１を切り換える必要がなくなり、装置の構成の複雑化を防止することができる。
【００２２】
次いで、本発明の第２実施例について説明する。なお、上記第１実施例と対応する部材等については同符号を記す。
【００２３】
この第２実施例に係る情報信号消去方法は、上記第１実施例と同様に記録媒体として光磁気ディスクを用いるが、その半導体レーザ１２の発光の仕方が異なる点で相違する。
【００２４】
すなわち、上記第２実施例においては、図３に示す制御回路２を用いて、光磁気ディスクの垂直磁化膜の所望箇所に対してレーザ光を周期的に照射／非照射を繰り返すことによって、光磁気ディスクに記録された情報信号を消去する。
【００２５】
上記制御回路２は、正極端子１１と、半導体レーザ１２、各スイッチ回路１３ａ，１３ｂ、各定電流回路１４ａ，１４ｂ、各電流制御回路１５ａ，１５ｂ、及び各負極端子１６ａ，１６ｂとから構成されている。ここで、スイッチ回路１３ａ、定電流回路１４ａ、電流制御回路１５ａ、及び負極端子１６ａと、スイッチ回路１３ｂ、定電流回路１４ｂ、電流制御回路１５ｂ、及び負極端子１６ｂとは、図示の如く並列に配されている。なお、上記正極端子１１及び各負極端子１６ａ，１６ｂについては、上記第１実施例と同様に、これら両端子間の電位差が半導体レーザ１２の発光する範囲内の値であれば、一方が正極端子または負極端子で他方が接地、双方とも正極端子、或は双方とも負極端子としてもよい。
【００２６】
この制御回路２を用いて光磁気ディスクに記憶された情報信号を消去する方法としては、先ず、正極端子１１−負極端子１６ａ及び正極端子１１−負極端子１６ｂ間に、その電位差が半導体レーザ１２の発光する範囲内の所定値となる電圧をそれぞれ印加する。このとき、各電流制御回路１５ａ，１５ｂからの電流制御信号Ｓ３，Ｓ４がそれぞれ各定電流回路１４ａ，１４ｂに入力してこれら定電流回路１４ａ，１４ｂが調節されて半導体レーザ１２に各定電流回路１４ａ，１４ｂからそれぞれ所定の定電流が流れるようになされており、スイッチ回路１３ａに入力する発光制御信号Ｓ５に基づいて各スイッチ２１ａがオン／オフの動作を一定の周期にて間欠的に繰り返し、スイッチ回路１３ｂに入力する発光制御信号Ｓ６に基づいて消去時間ｔの間、各スイッチ２１ａがオンの状態とされる。
【００２７】
このとき、半導体レーザ１２から照射されるレーザ光は、図４に示すように、消去時間ｔの間、レベル２の発光強度を基準として、更にこの状態から発光強度がレベル１とレベル２との差分（レベル１−レベル２）である周期ｔ１＋ｔ２の間欠発光が加えられたものとなる。
【００２８】
すなわち、半導体レーザ１２は、消去時間ｔの間スイッチ回路１３ｂのスイッチ２１ｂがオンの状態とされてレベル２の発光強度にて直流発光し、さらにこれと同時にスイッチ回路１３ｂと並列に設けられたスイッチ回路１３ａのスイッチ２１ａが発光制御信号Ｓ５に基づいて消去時間ｔの間一定周期にてオン／オフを繰り返す。すなわち、一周期中、時間ｔ３の間はスイッチ２１ａ及びスイッチ２１ｂがオンの状態とされて所定の発光定格であるレベル１の照射強度にて発光し、時間ｔ２の間はスイッチ２１ａがオフとされスイッチ２１ｂのみがオンの状態とされてレベル２の照射強度にて照射する。これを一周期として消去時間ｔだけ強度変調発光を繰り返すことにより、光磁気ディスクの所望の情報信号を消去する。
【００２９】
なお、情報信号の消去時において、光磁気ディスクの垂直磁化膜上の該当する箇所の磁化を一様に元の上向きとするために、消去時間ｔの間、常に光磁気ディスクの垂直磁化膜の温度がキュリー温度以上となるように、上記レベル１及びレベル２、時間ｔ３及びｔ４を規定する必要がある。
【００３０】
上記第２実施例に係る情報信号消去方法においては、上記第１実施例と同様に、情報信号が書換え可能に記録された光磁気ディスクに対して、間欠発光または強度変調されたレーザ光を照射するので、直流発光の場合と比較してレーザ光の発光強度最大値である発光定格を大とすることが可能となる。したがって、この発光定格の増大に相当する分、光磁気ディスクをキュリー温度まで昇温させるために要する時間が短縮され、光磁気ディスクの単位時間当りの回転数を増大させることができる。
【００３１】
ここで、情報信号を光磁気ディスクに記録する際にもレーザ光の間欠発光を用いるために、消去時と同様の発光制御信号を用いることになる。したがって、消去時の発光制御信号Ｓ５は、記録時と同一の単一周波数でも再生時の高周波重畳信号でもよい。これにより、消去時特有の周期でスイッチ２１ａを切り換える必要がなくなり、装置の構成の複雑化を防止することができる。
【００３２】
なお、上記第１及び第２実施例においては、その記録媒体として光磁気ディスクを用いたが、本発明はこれに限定されず、他の光ディスクにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１実施例に係る情報信号消去方法を達成するための制御回路を示す模式図である。
【図２】レーザ光の間欠発光を示す波形図である。
【図３】第２実施例に係る情報信号消去方法を達成するための制御回路を示す模式図である。
【図４】レーザ光の強度変調発光を示す波形図である。
【図５】従来の情報信号消去方法におけるレーザ光の直流発光を示す波形図である。
【符号の説明】
【００３４】
１，２ 制御回路、１１ 正極端子、１２ 半導体レーザ、１３ スイッチ回路、１４ 定電流回路、１５ 電流制御回路、１６ 負極端子、２１ スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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