(57)【要約】【課題】  半導体装置の製造方法において、バイアエッチング後に、バリヤー材料としてハフニウムを使用して銅表面上の酸化物を熱力学的に除去できる方法を提供する。【解決手段】  本方法は、基板上の少なくとも１つの保護絶縁層内に埋込まれた銅ラインを形成させるステップと、上記少なくとも１つの保護絶縁層内にバイアホールを形成して上記埋込まれた銅ラインの一部分を露出させるステップと、上記バイアホール内にハフニウム層を形成させ、上記埋込まれた銅ラインの露出された部分を上記ハフニウム層によってカバーするステップと、上記ハフニウム層を含む上記基板上に導電性層を形成させるステップとを含む。【選択図】      図２ｃ
2005197710.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置製造方法であって、
基板上の少なくとも１つの保護絶縁層内に埋込まれたＣｕラインを形成させるステップと、
上記少なくとも１つの保護絶縁層内にバイアホールを形成して上記埋込まれたＣｕラインの一部分を露出させるステップと、
上記バイアホール内にＨｆ層を形成させ、上記埋込まれたＣｕラインの露出された部分を上記Ｈｆ層によってカバーするステップと、
上記Ｈｆ層を含む上記基板上に導電性層を形成させるステップと、
を含むことを特徴とする半導体装置製造方法。
【請求項２】
上記Ｈｆ層は、５０乃至５００Å厚に形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記Ｈｆは、イオン化物理蒸着によって形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記方法は更に、Ｈｆ層を形成させる前に、Ａｒ+イオンを使用するＲＦエッチング予備洗浄を行うステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
上記上記少なくとも１つの保護絶縁層は、それに対して上記ＲＦエッチング予備洗浄を行うために、１０乃至１００Åに形成されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
上記埋込まれたＣｕラインの露出された部分上に形成される酸化物層は、Ｈｆ層によって還元されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
上記導電性層は、上記Ｈｆ層上にＡｌを堆積させることによって形成させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
上記導電性層を形成させるステップは、
上記Ｈｆ層上にＨｆＮｘ層を形成させるステップと、
上記バイアホール内のＨｆ層上にタングステンプラグを形成させるステップと、
上記タングステンプラグを含む上記基板上にＡｌを堆積させるステップと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
上記ＨｆＮｘ層は、迅速アニールまたは炉アニールによって形成させることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
上記導電性層を形成させるステップは、
ＴｉＮ、Ｔａ、及びＴａＮからなるグループから選択された材料を堆積させるステップと、
上記堆積された材料上にタングステンプラグを形成させるステップと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置製造方法に関し、特に銅（Ｃｕ）ラインの上部に形成されたＣｕ酸化膜を、酸素捕集能力が優れたＨｆ（ハフニウム）を用いて除去し、Ｃｕ／Ｈｆの界面特性の優れたＣｕラインを形成するための半導体装置製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｃｕは接続用金属ラインとして一般的な材料である。それにも拘わらず、最上部層、すなわちパッケージング時にボンディングパッドとパッケージとの間の配線部分には、アルミニウム（Ａｌ）をそのまま使用している。Ｃｕ表面は極めて酸化し易いので、酸素が酸化したＣｕ表面を通して下側層内へ拡散し、下側層内に含まれるＣｕの腐食をもたらしかねない。更に、パッケージング時の配線にはＡｌパッドが非常に有利であることが知られている。
【０００３】
図１は従来技術によるＣｕ配線を示す断面図である。
【０００４】
図１を参照する。Ｃｕライン１１は、第１絶縁層１２内に埋込まれている。第２絶縁層１３は、第１絶縁層１２の上に酸化物、窒化物、またはポリマーで形成されている。
【０００５】
Ｃｕライン１１上には、バリヤー層１４及びアルミニウム（Ａｌ）層１５がこの順番にスタックされている。この場合、Ｃｕライン１１の表面のＣｕ酸化物層を除去するために、ＲＦエッチング予備洗浄または化学的湿式洗浄を行う。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来技術の金属配線プロセスは、Ｃｕ表面上の酸化物の除去に失敗するか、またはＣｕラインを過エッチングして、下側層内のＣｕラインの劣化をもたらす問題点があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、従来技術の制限及び欠陥を実質的に解消する半導体装置製造方法を提供する。
【０００８】
本発明の目的は、バイアをエッチングした後のＣｕ表面上の酸化物を、バリヤー材料としてハフニウム（Ｈｆ）を使用して熱力学的に除去することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００９】
これらの、及び他の目的を達成するために、及び本発明による半導体装置の製造方法は、基板上の少なくとも１つの保護絶縁層内に埋込まれたＣｕラインを形成させるステップと、上記少なくとも１つの保護絶縁層内にバイアホールを形成して上記埋込まれたＣｕラインの一部分を露出させるステップと、上記バイアホール内にＨｆ層を形成させ、上記埋込まれたＣｕラインの露出された部分を上記Ｈｆ層によってカバーするステップと、上記Ｈｆ層を含む上記基板上に導電性層を形成させるステップとを含む。
【００１０】
好ましくは、Ｈｆ層は、５０乃至５００Å厚に形成させる。
【００１１】
好ましくは、Ｈｆ層は、イオン化物理蒸着によって形成させる。
【００１２】
好ましくは、上記方法は更に、Ｈｆ層を形成させる前に、Ａｒ+イオンを使用してＲＦエッチング予備洗浄を行うステップを含む。
【００１３】
より好ましくは、上記少なくとも１つの保護絶縁層は、それに対して上記ＲＦエッチング予備洗浄を行うために、１０乃至１００Åに形成される。
【００１４】
好ましくは、上記埋込まれたＣｕラインの露出された部分上に形成される酸化物層は、Ｈｆ層によって還元する。
【００１５】
好ましくは、上記導電性層は、上記Ｈｆ層上にＡｌを堆積させることによって形成させる。
【００１６】
好ましくは、上記導電性層を形成させるステップは、上記Ｈｆ層上にＨｆＮｘ層を形成させるステップと、上記バイアホール内のＨｆ層上にタングステンプラグを形成させるステップと、上記タングステンプラグを含む上記基板上にＡｌを堆積させるステップとを含む。
【００１７】
より好ましくは、ＨｆＮｘ層は、迅速熱焼鈍（アニール）または炉焼鈍（アニール）によって形成させる。
【００１８】
好ましくは、上記導電性層を形成させるステップは、ＴｉＮ、Ｔａ、及びＴａＮからなるグループから選択された材料を堆積させるステップと、上記堆積された材料上にタングステンプラグを形成させるステップとを含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明は、半導体装置製造方法のＣｕ配線における最上部層の金属ライン形成方法に関する。詳述すれば、バイアホールにＲＦエッチング予備洗浄を適用することなく、バイアホールの底のＣｕライン層に形成された自然酸化物としてのＣｕＯｘ層を除去する方法に関する。
【００２０】
即ち、本発明は、バイアホール内に金属ラインライナーを堆積させてＣｕＯｘをＣｕに還元することによって良好なバイアホール抵抗を確保し、Ｈｆ内に酸化物が形成されるのを回避し、そして従来技術のＲＦエッチング予備洗浄プロセスの使用の代わりにＨｆを堆積させるという手法でＣｕ／Ｈｆの金属界面を形成させる方法に関する。
【００２１】
一方、本発明は結合層及びバリヤー層としてＨｆ層を使用することを特徴とする。Ｈｆは、酸素との反応性が非常に優れた金属であり、従来使用されていたＲＦエッチング予備洗浄を使用することなく、バイアをエッチングした後にバイアの底と下側のＡｌラインとの間に存在する酸化物層としてのＣｕＯｘ層を還元し、清浄なＣｕ表面との界面を形成して良好なＣｕ／Ａｌ界面抵抗を提供する。
【００２２】
ＨｆによってＣｕＯｘを還元する場合、Ｈｆのギブズエネルギーは２９８Ｋにおいて（−）３５２ｋＪであり、Ｃｕのギブズエネルギは２９８Ｋにおいて（−）２９７ｋＪである。従って、自然Ｃｕ酸化物であるＣｕＯｘの酸素は、ＣｕＯｘ層上のＨｆ層内に集められ、それによって清浄な表面をＣｕに提供することができる。Ｈｆを堆積させる場合には、バイアの底及び下側のＣｕラインとの界面のＣｕＯｘが効果的に除去されてバイアの低抵抗が保証され、一方バイアエッチングプロファイルは、ＲＦエッチング予備洗浄によるバイアプロファイルの変形またはＣＤ（臨界寸法）膨張を生ずることなく維持することができる。たとえ底領域にＨｆ層を約５０Åより薄く形成したとしても、その十分な抵抗を確保することができる。
【００２３】
図２ａ乃至図２ｃは本発明による半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【００２４】
図２ａを参照する。半導体基板２１に対する所定のプロセスが完了した後に、半導体基板２１に一連のフォトリソグラフィを行うことによって、Ｃｕで形成された下側ライン２２、第１絶縁層２３、及び第２絶縁層２４をパターン化してパッドに通ずるバイアホールを形成させる。この時、バイアプラグを形成する前にバイアホールの底に形成されたＣｕＯｘ２５を除去するステップが必要である。
【００２５】
図２ｂを参照する。普通の湿式または乾式予備洗浄を使用する代わりに、図２ａに示すようにＣｕ酸化物層内のＣｕを還元するためのＨｆ層２６を基板上に５０乃至５００Åの厚さに物理蒸着（ＰＶＤ）または化学蒸着（ＣＶＤ）させる。それによって、自然酸化物層であるＣｕＯｘ層よりも熱力学的に安定である堆積されたＨｆがＣｕＯｘをＣｕに還元し、集められた酸素はＨｆ層内に溶解し、付加的な酸化物層等を形成しないので、Ｃｕ／Ｈｆ界面２７は良好なバイア抵抗を提供することができる。
【００２６】
図２ｃを参照する。Ａｌ層２８をＨｆ層上に直接堆積させて金属ライン２８を形成させる。
【００２７】
図２ｄを参照する。バイアホール内にタングステン（Ｗ）プラグ２９を形成させる場合、ライナーとして堆積させたＨｆ層に対して迅速アニールまたは炉アニールを遂行してＨｆ層の表面をＨｆＮｘ層３０に変形させることによって、結合層及びバリヤー層としてのＨｆ／ＨｆＮｘを優先的に形成させる。次いで、タングステンプラグ２９を、バイアホール内に形成させる。即ち、アニールによって形成されたＨｆＮｘ層を拡散バリヤー層として役立たせる場合には、タングステンプラグ２９をＣＶＤによってＨｆＮｘ層上に形成させるのである。次いで、タングステンプラグを含む基板上にＡｌ層３１を形成させて、金属配線を完成させる。
【００２８】
代替として、ＨｆＮｘ層は、高真空状態にあるＰＶＤまたはＣＶＤによって、つまり元の位置においてＨｆＮｘを堆積させるか、または真空を破った後に別のチャンバまたは設備内において、つまり別の位置においてバリヤー層として使用されるＨｆＮｘを堆積させる手法で形成させることができる。
【００２９】
代替として、ＨｆＮｘ層は、堆積させたＨｆ層上に拡散層としてＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮを堆積させ、Ｈｆ／ＴｉＮ、Ｈｆ／Ｔａ、またはＨｆ／ＴａＮ構造を構成させる手法で形成させることができる。Ｈｆを堆積させる時に、堆積温度は常温乃至４０００℃にセットされ、ＣｕＯｘを還元するプロセスを活性化させるためにアニールが遂行される。
【００３０】
代替として、ＨｆＮｘ層は、Ｈｆをイオン化してＰＶＤによってＣｕ酸化物層上に堆積させるイオン化ＰＶＤによって形成することができる。このようにするには、Ｃｕ酸化物層を還元するための活性化特性を、Ｃｕ酸化物層上にＨｆＮｘ層を堆積させる時の物理的インパクト等によって得ることができるように、イオン化Ｈｆの加速及び直進性を高める。
【００３１】
代替として、ＨｆＮｘ層は、ＲＦエッチング予備洗浄が完了した後に、Ｈｆ堆積を行うような手法で形成させることができる。このようにするには、ＲＦエッチングを行う際のＡｒ+イオンによって生ずるバイアプロファイルの変形を最小にするために、ＲＦエッチングを最小にした後にＨｆを堆積させることができる。即ち、Ａｒ+イオンによってＣｕ酸化物を活性化させた後に、Ｈｆ層の還元特性を高めることができる。ＲＦエッチングを行う時に、最小基準として第１または第２絶縁層のような熱シリコン酸化物ＳｉＯｘを採用することによって、除去される厚みが１０乃至１００Åにセットされる。従って、物理的ショックがＣｕ酸化物層に加えられて、Ｈｆ層によるその還元が十分に活性化され、またバイアプロファイル変形が最小にされる。
【００３２】
以上に説明したように、本発明は、エッチング予備洗浄の代わりにＨｆ堆積を使用し、バイアプラグを形成させる前にＣｕ酸化物を除去し、乾式エッチング予備洗浄によるバイアホールの臨界寸法（ＣＤ）の増加を阻止し、またＣｕ酸化物がＣｕ表面上に伸びるのを阻止する。
【００３３】
また、本発明は、バイアのＣＤを設計通りに保つことを可能にし、湿式エッチングを行う際の溶液強度によってバイアの底領域が増加するのを防ぎ、そしてＨｆが、酸素または水分がパッドを通してＣｕ配線へ拡散するのを阻止することを可能にする。
【００３４】
当業者ならば、本発明に種々の変化及び変形が可能であることは理解されよう。従って、これらの変化及び変形は本発明の範囲内にあることは明白である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】従来技術によるＣｕ配線の断面図である。
【図２ａ】本発明に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２ｂ】本発明に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２ｃ】本発明に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２ｄ】本発明に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
２１：半導体基板
２２：下側配線
２３：第１絶縁層
２４：第２絶縁層
２５：ＣｕＯｘ
２６：Ｈｆ
２７：Ｃｕ／Ｈｆ界面
２８：Ａｌ
２９：タングステンプラグ
３０：ＨｆＮｘ層
３１：Ａｌ
【図１】
2005197710.tif 000003
【図２ａ】
2005197710.tif 000004
【図２ｂ】
2005197710.tif 000005
【図２ｃ】
2005197710.tif 000006
【図２ｄ】
2005197710.tif 000007