(57)【要約】【課題】  電極形成時におけるアラインメントの必要が無く、電極形成工程に要する時間を大幅に短縮することができ、電極の材料コスト及び製造設備のコストを低減することができるガス放電表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】  本発明のガス放電表示装置の製造方法は、ガラス基板３１の表面にケミカルエッチング等により凹部７ａ及び溝２１を形成し、次いで、ディップ法、ロールコート法、スプレーコート法等により溝２１を含むガラス基板３１の表面全面に撥液層３２を形成し、次いで、溝２１を含む端子形成範囲Ｃの撥液層３２上に、ディスペンサー３４を用いて導電性粒子を含む導電性組成物３３を供給し、この導電性組成物３３を熱処理することにより接続端子２２を形成することを特徴とする。【選択図】  図４
2005190897.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１対の透明基板が互いに対向配置され、これらの透明基板のうち一方の透明基板の一主面に複数のストライプ状の第１の電極が互いに平行に形成されるとともに、他方の透明基板の対向する側の一主面に前記第１の電極に直交する複数のストライプ状の第２の電極が互いに平行に形成され、これら第２の電極それぞれの間には隔壁が形成され、これら隔壁により画成されたそれぞれの凹部が放電セルとされ、これら凹部の長手方向の少なくとも一方の外側かつ前記他方の透明基板の一主面に前記凹部と連通する溝が形成され、当該溝に前記第２の電極と接続する接続端子が形成されてなるガス放電表示装置の製造方法であって、
前記他方の透明基板の一主面に、前記凹部に連通する溝を形成し、次いで、当該溝を含む前記一主面上に撥液層を形成し、次いで、前記溝を含む前記一主面上に前記接続端子を形成するための導電性粒子を含む導電性組成物を供給することを特徴とするガス放電表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記撥液層を、前記溝を除く前記一主面上に形成することを特徴とする請求項１記載のガス放電表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記導電性組成物と前記透明基板の一主面との接触角（θ）は、３０°以上かつ１００°以下の範囲内にあることを特徴とする請求項１または２記載のガス放電表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記導電性組成物の２３℃、剪断速度１０（１／秒）における粘度は、０．０１Ｐａ・ｓ以上かつ１０Ｐａ・ｓ以下の範囲内にあることを特徴とする請求項１、２または３記載のガス放電表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガス放電表示装置の製造方法に係り、特に詳しくは、高精細化、高輝度化を図るためのプラズマディスプレイ等の表示装置を製造する際に、電極形成時におけるアラインメントの必要が無く、電極形成工程に要する時間を大幅に短縮することができ、電極の材料コスト及び製造設備のコストを低減することが可能な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハイビジョン用の大画面、高画質の表示デバイスとしてプラズマディスプレイ（ＰＤＰ：ガス放電表示装置）が注目されている。
このプラズマディスプレイは、１対の透明基板をシール材を介して対向配置し、一方の透明基板の内表面に複数のストライプ状の第１の電極を形成するとともに、他方の透明基板の内表面に前記第１の電極に直交する複数のストライプ状の第２の電極を形成し、これら第２の電極間に隔壁を形成し、これら隔壁により画成された凹部を放電セルとした構造のもので、従来の液晶ディスプレイ等に比べて、高階調表示が可能であり、色再現性、高速応答性に優れ、しかも、対角３０インチ以上の大画面を比較的安価に実現することできるという様々な特徴を有する。
【０００３】
図５は、従来の面放電型電極構造を有するＡＣ型プラズマディスプレイ（ＡＣ−ＰＤＰ）を示す部分分解斜視図、図６は同プラズマディスプレイの背面側のガラス基板の端子部付近を示す断面図である。
このプラズマディスプレイ１００は、２枚のガラス基板（透明基板）１０１、１０２が互いに対向配置され、前面側のガラス基板１０２の内表面（ガラス基板１０１に対向する側の一主面）には、インジウム添加酸化スズ（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）、ＳｎＯ２等の透明導電材料からなるストライプ状の複数の走査電極（透明電極）１０４Ａ及び維持電極１０４Ｂが互いに平行に形成され、これら走査電極１０４Ａ及び維持電極１０４Ｂは透明な誘電体層１０３により覆われ、さらにこの誘電体層１０３は、ＭｇＯ等からなる透明な保護膜（図示略）により覆われている。上記の走査電極１０４Ａ及び維持電極１０４Ｂは、交互に配置されている。
【０００４】
一方、背面側のガラス基板１０１の内表面（ガラス基板１０２に対向する側の一主面）には、ガス放電を行う空間である放電セル１０７を形成するために、上述した走査電極１０４Ａ及び維持電極１０４Ｂと交差する方向に、所定の高さを有する複数の隔壁１０８がストライプ状に形成され、これらの隔壁１０８、１０８、…により凹部１０７ａが形成され、これら隔壁１０８、１０８及び凹部１０７ａにより囲まれた領域がガス放電を行う空間である溝状の放電セル１０７とされている。また、隔壁１０８はガラス基板１０１と一体形成されている。
それぞれの凹部１０７ａには、上述した走査電極１０４Ａ及び維持電極１０４Ｂに直交するストライプ状のＡｇ箔、ＡｇペーストあるいはＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ積層膜等の導電材料からなるアドレス電極１０６が形成され、これらアドレス電極１０６、…は反射率の高い誘電体層１０５で覆われ、この誘電体層１０５上には、３原色である赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のうちいずれかの色を発光する蛍光体１０９が積層されている。
【０００５】
背面側のガラス基板１０１の内表面（一主面）は、図６に示すように、表示面となる表示部Ｄと、この表示部Ｄの周囲をシールガラス等のシール材により封着してなるシール部Ｓと、このシール部Ｓの外側に形成されてなる端子部Ｔという３つの領域により構成され、表示部Ｄを構成する放電セル１０７の各凹部１０７ａ及びアドレス電極１０６はシール部Ｓまで延在して形成されている。
各アドレス電極１０６は引き出し電極１１１により端子部Ｔの接続端子１１２に接続されている。これらの接続端子１１２は、フレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ：図示せず）等の外部回路を電気的に接続するためのものである。
そして、これらの接続端子１１２、１１２、…の部分が露出するように、ガラス基板１０１、１０２を互いに対向させ、各放電セル１０７、１０７、…の内部に１４７ｎｍのＸｅ共鳴放射光を利用するＮｅ−Ｘｅ、Ｈｅ−Ｘｅ等の放電ガスを封入した状態で、表示部Ｄの周囲のシール部Ｓをシールガラス等のシール材により封着した構成になっている。
【０００６】
このプラズマディスプレイ１００では、例えば、サンドブラスト法により平板状のガラス基板１０１の表面を切削して凹部１０７ａを形成し、次いで、フォトリソグラフィ法によりＡｇシート等の導電材料をパターニングして凹部１０７ａにアドレス電極１０６を形成し、このアドレス電極１０６上に誘電体層１０５、蛍光体１０９を順次形成し、その後、凹部１０７ａの一方の端部の周縁部分にアドレス電極１０６と接続される引き出し電極１１１を形成する方法が採られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−４３８０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述した従来のプラズマディスプレイ１００では、フォトリソグラフィ法を用いてＡｇシート等の導電材料をパターニングし、凹部１０７ａにアドレス電極１０６を、端子部Ｔに接続端子１１２を、それぞれ形成し、このアドレス電極１０６と接続端子１１２との間に引き出し電極１１１を形成する方法が採られているが、フォトリソグラフィ法を適用した設備自体、非常に高価なものであるから、設備コストを低減することが難しいという問題点があった。
また、フォトリソグラフィ法は、導電材料形成、レジスト塗布、マスクのアラインメント、レジストのパターニング、導電材料のエッチング等、工程が複雑になるために、製造プロセスが長くなり、導電材料のロスも多いという問題点があった。特に、導電材料としてＡｇシートを用いた場合、電極となるのはＡｇシートのうちのほんの一部分であるから、高価な貴金属のかなりの部分が無駄になってしまい、製造コストを押し上げる要因になっている。
【０００８】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、電極形成時におけるアラインメントの必要が無く、電極形成工程に要する時間を大幅に短縮することができ、電極の材料コスト及び製造設備のコストを低減することができるガス放電表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は次のようなガス放電表示装置の製造方法を採用した。
すなわち、本発明のガス放電表示装置の製造方法は、１対の透明基板が互いに対向配置され、これらの透明基板のうち一方の透明基板の一主面に複数のストライプ状の第１の電極が互いに平行に形成されるとともに、他方の透明基板の対向する側の一主面に前記第１の電極に直交する複数のストライプ状の第２の電極が互いに平行に形成され、これら第２の電極それぞれの間には隔壁が形成され、これら隔壁により画成されたそれぞれの凹部が放電セルとされ、これら凹部の長手方向の少なくとも一方の外側かつ前記他方の透明基板の一主面に前記凹部と連通する溝が形成され、当該溝に前記第２の電極と接続する接続端子が形成されてなるガス放電表示装置の製造方法であって、前記他方の透明基板の一主面に、前記凹部に連通する溝を形成し、次いで、当該溝を含む前記一主面上に撥液層を形成し、次いで、前記溝を含む前記一主面上に前記接続端子を形成するための導電性粒子を含む導電性組成物を供給することを特徴とする。
【００１０】
このガス放電表示装置の製造方法では、前記他方の透明基板の一主面に、前記凹部に連通する溝を形成し、次いで、当該溝を含む前記一主面上に撥液層を形成し、次いで、前記溝を含む前記一主面上に前記接続端子を形成するための導電性粒子を含む導電性組成物を供給することにより、この導電性組成物のうち前記溝の両側の隔壁の上端部分に付着したものは、撥液層により弾かれて前記溝内に流れ落ち、隔壁の上端に残ることはない。また、この導電性組成物のうち前記溝内に供給されたものは、周囲から流れ落ちる導電性組成物と一体になって、その表面張力により表面積が小さくなるように変形して溝内に保存される。
【００１１】
このように、前記溝を含む前記一主面上に供給された導電性組成物は、前記溝内にのみ形状を保持した状態で保持されるので、この溝の外に流れ出で隔壁部分に付着する等の不具合が生じる虞はない。よって、導電性組成物を溝内に供給する際のアラインメント等の作業が不要になり、作業時間が大幅に短縮される。
これにより、前記溝を含む前記一主面上に導電性組成物を供給するという簡単な操作で、この導電性組成物を前記溝内にのみ速やかに供給することが可能になる。
【００１２】
前記撥液層を、前記溝を除く前記一主面上に形成することとしてもよい。
前記導電性組成物と前記透明基板の一主面との接触角（θ）は、３０°以上かつ１００°以下の範囲内にあることが好ましい。
前記導電性組成物の２３℃、剪断速度１０（１／秒）における粘度は、０．０１Ｐａ・ｓ以上かつ１０Ｐａ・ｓ以下の範囲内にあることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のガス放電表示装置の製造方法によれば、前記他方の透明基板の一主面に、前記凹部に連通する溝を形成し、次いで、当該溝を含む前記一主面上に撥液層を形成し、次いで、前記溝を含む前記一主面上に前記接続端子を形成するための導電性粒子を含む導電性組成物を供給するので、前記溝を含む前記一主面上に導電性組成物を供給するという簡単な操作で、アラインメントを行うことなしに前記導電性組成物を前記溝内にのみ供給することができる。したがって、アラインメントの必要が無く、透明基板上に接続端子を容易かつ短時間で形成することができ、電極形成工程に要する時間を大幅に短縮することができる。
また、導電性組成物は溝内にのみ集合するので、導電性組成物の無駄がなくなり、電極の材料コストを低減することができる。
さらに、この工程は、既存の簡単な設備で対応可能であるから、製造設備のコストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明のガス放電表示装置の製造方法の一実施の形態について図面に基づき説明する。
ここでは、ガス放電表示装置として面放電型電極構造のＡＣ型プラズマディスプレイ（ＡＣ−ＰＤＰ）を例に採り説明する。
図１は本実施形態のガス放電表示装置の製造方法が適用されるＡＣ型プラズマディスプレイ（ＡＣ−ＰＤＰ）を示す部分分解斜視図、図２は同プラズマディスプレイの背面側のガラス基板の端子部付近を示す平面図、図３は図２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。なお、図１〜図３に示すプラズマディスプレイは一例であり、本発明はこのプラズマディスプレイに限定されるものではない。
【００１５】
このプラズマディスプレイ１は、２枚のガラス基板（透明基板）２、３が互いに対向配置され、前面側のガラス基板３の内表面（ガラス基板２に対向する側の一主面）には、インジウム添加酸化スズ（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）、ＳｎＯ２等の透明導電材料からなるストライプ状の複数の走査電極（透明電極）４Ａ及び維持電極４Ｂが互いに平行に形成され、これら走査電極４Ａ及び維持電極４Ｂは透明な誘電体層５により覆われ、さらにこの誘電体層５は、ＭｇＯ等からなる透明な保護膜（図示略）により覆われている。上記の走査電極４Ａ及び維持電極４Ｂは、交互に配置されている。
【００１６】
一方、背面側のガラス基板２の内表面（ガラス基板３に対向する側の一主面）には、ガス放電を行う空間である放電セル７を形成するために、上述した走査電極４Ａ及び維持電極４Ｂの延在方向と交差する方向に、所定の高さを有する複数の隔壁８がストライプ状に形成され、これらの隔壁８、８、…により挟まれる領域が凹部７ａとされ、これら隔壁８、８及び凹部７ａにより囲まれた空間領域がガス放電を行う空間である溝状の放電セル７とされている。
【００１７】
隔壁８、８、…は、ガラス基板２とは異なる別部材により構成されていてもよいが、プラズマディスプレイ１の製造工程を簡略化するために、図１に示すように、ガラス基板２と一体形成されていることが望ましい。
各放電セル７内、すなわち凹部７ａの底面には、上述した走査電極４Ａ及び維持電極４Ｂに直交しかつ凹  部７ａの底面に沿う帯状のアドレス電極（第２の電極）１１が形成され、これらアドレス電極１１、１１、…は反射率の高い誘電体層１２で覆われ、各誘電体層１２上には、３原色である赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のうちいずれかの色を発光する蛍光体１３が積層されている。
【００１８】
これらのアドレス電極１１、１１、…は、凹部７ａ内に、少なくとも導電性粒子と、ガラスフリットと、水と、バインダー樹脂と、分散剤を含有するスラリー（導電性液状物質）を充填し、次いで、所定時間静置することにより上記の導電性粒子を沈降させ、次いで、所定の温度で所定時間熱処理し、この沈降した導電性粒子同士を互いに接合させることにより得られる。
【００１９】
上記の導電性粒子としては、例えば、平均粒径が０．０５〜５．０μｍ、好ましくは０．１〜２．０μｍの、Ａｇ粒子あるいはＡｇ合金粒子が好適に用いられる。
また、ガラスフリットとしては、電極の特性に影響を及ぼさないものであれば良く、例えば、平均粒径が０．１〜５．０μｍ、好ましくは０．１〜２．０μｍの、硼珪酸鉛ガラス、硼珪酸亜鉛ガラス、硼珪酸ビスマスガラス等が好適に用いられる。
【００２０】
これらのアドレス電極１１、１１、…は、上記の導電性粒子を沈降させる方法の他、Ａｇ箔等のストライプ状の導電箔を貼り付ける方法、あるいはフォトリソグラフィ法によりＡｇシート等の導電性シートをパターニングする方法によっても形成することができる。
この導電箔等としては、例えば、厚みが１〜１５μｍ、好ましくは２〜１０μｍのＡｇ箔あるいはＡｇ合金箔が好適に用いられる。
【００２１】
このガラス基板２の内表面には、図２及び図３に示すように、表示部を構成する各放電セル７の凹部７ａが、その長手方向の一端部がシール部Ｓまで延在するように形成され、各凹部７ａの一端部には該凹部７ａに連通する溝２１が該凹部７ａの長手方向と一致する様に形成され、この溝２１内及び凹部７ａの端面には、アドレス電極１１に接続する接続端子２２が形成されている。
この接続端子２２が形成される領域、すなわち、溝２１、凹部７ａの端面及び底部の一部が端子形成範囲Ｃになっている。
【００２２】
この場合、凹部７ａの深さＤは概ね１００〜２００μｍ、溝２１の深さｄは概ね５〜３０μｍ、凹部７ａ及び溝２１の幅Ｗは概ね５０〜１５０μｍである。
この接続端子２２は、アドレス電極１１と幅及び厚みがほぼ等しいもので、Ａｇ微粒子またはＡｇ−Ｐｄ微粒子等の導電性粒子を主成分とする導電材料により構成されている。
【００２３】
次に、本実施形態のガス放電表示装置の製造方法について図４に基づき説明する。
まず、図４（ａ）に示すように、ソーダライムガラス等からなるガラス基板（透明基板）３１を有機溶剤を用いて洗浄し、乾燥させた後、このガラス基板３１に、凹部７ａ及び溝２１を形成する。
この凹部７ａと溝２１との間の面は、略垂直な面としてもよく、所定の角度傾斜した傾斜面としてもよい。
この凹部７ａ及び溝２１は、ケミカルエッチング等のドライエッチングやウェットエッチング、あるいはサンドブラスト法を用いて形成することができる。
【００２４】
ドライエッチングやウェットエッチングの場合、凹部７ａと同一形状の開口を有するレジスト膜によりガラス基板３１の表面に底浅の凹部７ａを形成した後、凹部７ａ及び溝２１と同一形状の開口を有するマスクを用いてガラス基板３１の表面に所定の深さの凹部７ａ及び溝２１を形成する方法が取られる。
また、サンドブラスト法の場合、凹部７ａと溝２１でサンドブラストの条件を変えることにより、ガラス基板３１の表面に所定の深さの凹部７ａ及び溝２１を形成することができる。
【００２５】
次いで、図４（ｂ）に示すように、ディップ法、ロールコート法、スプレーコート法等により溝２１を含むガラス基板３１の表面全面に、後述する導電性粒子を含む導電性組成物（以下、導電性組成物と略称する）に対して撥液性を有する撥液層３２を形成する。
この撥液層３２は、アルキル基、パーフルオロアルキル基、ジメチルポリシロキシ基等を有するアルコキシシランやシリル化剤を塗布、乾燥することで形成することができる。
なお、ディップ法やスプレーコート法を用いた場合には、溝２１を含むガラス基板３１の表面全面に撥液層３２が形成されるが、ロールコート法を用いた場合には、溝２１を除くガラス基板３１の表面全面に撥液層３２を形成することも可能である。
【００２６】
次いで、図４（ｃ）に示すように、溝２１を含む端子形成範囲Ｃの撥液層３２上に導電性組成物３３を供給する。
この導電性組成物３３は、導電性粒子と、ガラスフリットと、水や有機溶剤等の溶媒と、バインダー樹脂と、分散剤を含有する液状の物質である。
【００２７】
導電性粒子としては、所定の温度で熱処理することによりガラスフリットと接合一体化するものが好ましく、例えば、平均粒径が０．０５〜５．０μｍ、好ましくは０．１〜２．０μｍの、Ａｇ粒子あるいはＡｇ合金粒子が好適に用いられる。
また、ガラスフリットとしては、上記の導電性粒子と濡れ性が良く、しかも４２０〜４９０℃で溶融するものが好ましく、例えば、平均粒径が０．１〜５．０μｍ、好ましくは０．１〜２．０μｍの、硼珪酸鉛ガラス、硼珪酸亜鉛ガラス、硼珪酸ビスマスガラス等が好適に用いられる。
【００２８】
この導電性組成物３３は、ガラス基板３１の表面（一主面）との接触角（θ）が３０°以上かつ１００°以下、好ましくは４０°以上かつ８０°以下の範囲内にあることが好ましい。
ここで、ガラス基板３１の表面（一主面）との接触角（θ）を３０°以上かつ１００°以下と限定した理由は、接触角（θ）が３０°未満では、導電性組成物３３が隔壁８の上端に残存してしまい、アドレス電極１１が短絡する虞があるからであり、また、接触角（θ）が１００°を超えると、導電性組成物３３が隔壁８の上端に孤立残存し、同様にアドレス電極１１が短絡する虞があるからである。
【００２９】
また、この導電性組成物３３の２３℃、剪断速度１０（１／秒）における粘度ηが０．０１Ｐａ・ｓ以上かつ１０Ｐａ・ｓ以下、好ましくは０．１Ｐａ・ｓ以上かつ５Ｐａ・ｓ以下の範囲内にあることが好ましい。
ここで、２３℃、剪断速度１０（１／秒）における粘度ηを０．０１Ｐａ・ｓ以上かつ１０Ｐａ・ｓ以下と限定した理由は、粘度ηが０．０１Ｐａ・ｓ未満では、導電性組成物３３が凹部７ａと溝２１との間の面に付着せず、アドレス電極１１に接続して形成される接続端子２２に断線が生じるからであり、また、粘度ηが１０Ｐａ・ｓを超えると、導電性組成物３３が隔壁８の上端に残ってしまうからである。
【００３０】
本実施形態の導電性組成物３３は、ガラス基板３１の表面（一主面）との接触角（θ）及び２３℃、剪断速度１０（１／秒）における粘度ηが、上記の各条件を満たすように、導電性粒子、ガラスフリット、水や有機溶剤等の溶媒、バインダー樹脂、分散剤それぞれの種類及び成分比が設定されている。
【００３１】
導電性組成物３３を端子形成範囲Ｃに供給する場合、ディスペンサー（供給手段）３４が好適に用いられる。
ディスペンサー３２の替わりに、インクジェットノズル、噴霧ノズル、等を用いてもよい。
供給方法としては、ディスペンサー３４あるいはインクジェットノズルを溝２１、２１、…の配列方向に平行移動しつつ、各溝２１に対して連続供給または逐一供給する方法が好適である。
【００３２】
ここでは、溝２１を含むガラス基板３１の表面全面に撥液層３２が形成されているので、導電性組成物３３が溝２１以外のガラス基板３１の表面に付着したとしても、撥液層３２の撥水性により弾かれて溝２１内に供給されることとなり、溝２１以外の部分に残ることはない。
特に、溝２１を除くガラス基板３１の表面全面に撥液層３２が形成されている場合、この効果はより顕著である。
【００３３】
次いで、図４（ｄ）に示すように、この導電性組成物３３を所定時間静置して表面のレベリングを行い、その後、所定の温度で所定時間、熱処理することにより、導電性粒子とガラスフリットが強固に接合した導電材料からなる接続端子２２が得られる。
熱処理条件としては、例えば、大気中で、最高保持温度４００〜６００℃、最高保持温度の保持時間１０〜３０分が好ましい。
【００３４】
次いで、接続端子２２に接続するアドレス電極１１を形成する。
アドレス電極１１は、凹部７ａ内に、少なくとも導電性粒子と、ガラスフリットと、水と、バインダー樹脂と、分散剤を含有するスラリー（導電性液状物質）を充填し、次いで、所定時間静置することにより上記の導電性粒子を沈降させ、次いで、所定の温度で所定時間熱処理し、この沈降した導電性粒子同士を互いに接合させることにより得られる。
【００３５】
その後、アドレス電極１１を含む凹部７ａ及び隔壁８、８の全面に、誘電体層１２を形成し、放電セル７の内面の誘電体層１２上に蛍光体１３を形成することにより、背面側のガラス基板２を作製することができる。
一方、ガラス基板の内表面に走査電極４Ａ及び維持電極４Ｂ、透明な誘電体層５、透明な保護膜（図示略）を順次積層し、前面側のガラス基板３を作製する。
その後、これらのガラス基板２、３を対向配置してガラス基板２、３同士を貼り合わせ、各放電セル７、７、…の内部にＮｅ−Ｘｅ、Ｈｅ−Ｘｅ等の混合ガスを封入し、周囲をシールガラス等により封着する。
以上により、プラズマディスプレイ１を作製することができる。
なお、上記のアドレス電極１１は、接続端子２２を形成する前に形成しておいてもよい。
【００３６】
本実施形態のガス放電表示装置の製造方法によれば、溝２１を含むガラス基板３１の表面全面に撥液層３２を形成し、次いで、溝２１を含むガラス基板３１上に導電性組成物３３を供給するので、簡単な操作で、アラインメントを行うことなしに導電性組成物３３を溝２１内にのみ供給することができる。したがって、アラインメントの必要が無く、ガラス基板３１上に接続端子２２を容易かつ短時間で形成することができ、電極形成工程に要する時間を大幅に短縮することができる。
【００３７】
また、導電性組成物３３は溝２１内にのみ供給されるので、導電性組成物３３、すなわちＡｇ微粒子等の導電性粒子の無駄がなくなり、電極の材料コストを低減することができる。
さらに、この工程は、既存の簡単な設備で対応可能であるから、製造設備のコストを低減することができる。
【００３８】
以上、本発明のガス放電表示装置の製造方法の一実施形態について図面に基づき説明してきたが、具体的な構成は上述した一実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計の変更等が可能である。
例えば、アドレス電極１１は、上述したスラリーを用いる方法の外、フォトリソグラフィ法によりＡｇシート、Ａｇ箔等の導電材料をパターニングすることにより形成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明のガス放電表示装置の製造方法は、透明基板の表面に溝を形成し、この溝を含む表面全面に撥液層を形成し、この溝を含む表面全面に導電性粒子を含む導電性組成物を供給するという簡単な操作で、アラインメントを行うことなしに導電性組成物を溝内にのみ供給することができるので、ガス放電表示装置の製造工程の大幅な短縮、製造コストの大幅な削減が可能になる。この製造方法は、透明基板の表面に接続端子が形成されたという構成を有する装置に対しても容易に適用可能であるから、その効果は非常に大きなものである。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施形態のガス放電表示装置の製造方法が適用されるＡＣ型プラズマディスプレイを示す部分分解斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態のガス放電表示装置の製造方法が適用される背面側のガラス基板の端子部付近を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図４】本発明の一実施形態のガス放電表示装置の製造方法を示す過程図である。
【図５】従来の面放電型電極構造を有するＡＣ型プラズマディスプレイを示す部分分解斜視図である。
【図６】従来の面放電型電極構造を有するＡＣ型プラズマディスプレイの背面側のガラス基板の端子部付近を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１  プラズマディスプレイ
２、３  ガラス基板（透明基板）
４Ａ  走査電極（第１の電極）
４Ｂ  維持電極
５  誘電体層
７  放電セル
７ａ  凹部
８  隔壁
１１  アドレス電極（第２の電極）
１２  誘電体層
１３  蛍光体
２１  溝
２２  接続端子
３１  ガラス基板（透明基板）
３２  撥液層
３３  導電性粒子を含む導電性組成物
３４  ディスペンサー（供給手段）
【図１】
2005190897.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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