(57)【要約】【課題】本発明は、プリント基板回路技術や半導体回路配線技術で使用される露光方法及びそれを用いたコイル部品の製造方法に関し、露光光の進行方向に平行な面内に形成されたレジスト層を露光する露光方法を提供することにある。また、コイル導体の抵抗が低く、製造歩留まりの高い低コストのコイル部品を提供することにある。【解決手段】ＢＴレジンウエハ２１に形成されたスルーホール７の壁部にフォトレジスト層２７を形成する。ＢＴレジンウエハ２１を光散乱面が形成された載置板２９上に載置する。所定の光透過パターンがスルーホール７壁部接続部のフォトレジスト層２７近傍に位置するようにフォトマスク３１を配置して露光光を照射する。光透過パターンを透過した露光光を載置板２９上の光散乱面で散乱させて、光透過パターン近傍のスルーホール７壁部のフォトレジスト層２７を露光する。【選択図】図８
2005114954.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の壁部にレジスト層を形成し、
光散乱面が形成された載置板上に裏面側を対面させて前記基板を載置し、
所定の光透過パターンが形成されたフォトマスクを前記基板表面側に配置し、前記光透過パターンが前記壁部のレジスト層近傍の所定位置にくるように前記フォトマスクを位置合わせして露光光を照射し、
前記光透過パターンを透過した前記露光光を前記載置板上の前記光散乱面で散乱させて、前記光透過パターン近傍の前記壁部のレジスト層を露光すること
を特徴とする露光方法。
【請求項２】
請求項１記載の露光方法であって、
前記基板表面にレジスト層を形成し、
前記基板表面のレジスト層を露光する際に、同時に前記基板壁部のレジスト層の露光を行うこと
を特徴とする露光方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の露光方法であって、
前記載置板上に前記表面側を対面させて前記基板を載置し、
所定の光透過パターンが形成されたフォトマスクを前記基板裏面側に配置し、前記光透過パターンが前記壁部のレジスト層近傍の所定位置にくるように前記フォトマスクを位置合わせして露光光を照射し、
前記光透過パターンを透過した前記露光光を前記載置板上の前記光散乱面で散乱させて、前記光透過パターン近傍の前記壁部のレジスト層を露光すること
を特徴とする露光方法。
【請求項４】
請求項３記載の露光方法であって、
前記基板裏面にレジスト層を形成し、
前記基板裏面のレジスト層を露光する際に、同時に前記基板壁部のレジスト層の露光を行うこと
を特徴とする露光方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光方法であって、
前記載置板として、基板載置面全面に前記光散乱面が形成された載置板を用いること
を特徴とする露光方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光方法であって、
前期載置板として、前記光透過パターンに対応する位置に前記光散乱面が形成された載置板を用いること
を特徴とする露光方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光方法であって、
前記載置板として、アルミニウム製の載置板を用いること
を特徴とする露光方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の露光方法であって、
前記レジスト層にポジ型レジストを用いること
を特徴とする露光方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の露光方法であって、
前記露光光として平行光を用いること
を特徴とする露光方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の露光方法であって、
前記基板として、ガラスクロスに樹脂を含浸させた基板を用いること
を特徴とする露光方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の露光方法であって、
前記壁部は、前記基板表裏面を貫通する開口の内壁部であること
を特徴とする露光方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の露光方法であって、
前記フォトマスクは、前記基板の表面又は裏面に近接配置すること
を特徴とする露光方法。
【請求項１３】
貫通孔を有する基板全面に導電膜を形成し、前記基板全面にレジスト層を形成し、前記基板表裏面及び前記貫通孔壁部のレジスト層をパターニングしてメッキマスクを形成し、前記メッキマスクの形成されていない前記導電膜にメッキを施して、前記基板表裏面にそれぞれコイル導体を形成し、前記貫通孔壁部に前記基板表裏面の前記コイル導体を接続するコイル接続部を形成するコイル部品の製造方法において、
前記レジスト層のパターニング時に請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の露光方法を用いること
を特徴とするコイル部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板回路技術や半導体回路配線技術で使用される露光方法及びそれを用いたコイル部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面実装型コイル部品は民生用機器や産業用機器等に幅広く利用されている。例えば小型携帯機器の機能の充実化に伴い、小型携帯機器の内部回路に実装される電子部品は単一の電源から生成された複数の電圧で駆動される。このような電源用途にも表面実装型コイル部品は使用されている。小型携帯機器に使用する表面実装型コイル部品には、高い電気的絶縁性と高信頼性が求められる。さらに、表面実装型コイル部品には超小型化及び低コスト化が求められる。これを実現するためにプリント基板回路技術や半導体回路技術を応用した平面コイル構造の表面実装型コイル部品が提案されている（特許文献１及び特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平１０−１４２８０７号公報
【特許文献２】特開２００２−１３４３２１号公報
【０００３】
平面コイル構造の表面実装型コイル部品では、絶縁性の基板上にプリント基板回路技術及び半導体回路技術を応用してコイルパターンが形成されている。当該表面実装型コイル部品は、巻き線型構造の表面実装型コイル部品と比較して、小型であっても電気的特性や製品寸法のばらつきが少ないので、大量生産による低コスト化が図り易い。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、表面実装型コイル部品をさらに小型、薄型化するためには、電流の流れるコイル導体の高集積化（高密度化）が求められる。また、コイル導体に大電流が流れる電源用途では、低抵抗のコイル導体を形成する必要がある。コイル導体は、絶縁性基板の表裏面にスパイラル形状に形成されている。絶縁性基板には中央部を開口したスルーホールが設けられており、表裏面に形成されたコイル導体はスルーホール壁部に形成された接続部を介して接続されている。
【０００５】
スルーホール壁部の接続部はフォトリソグラフィ法を用いて形成される。接続部の形成工程において、スルーホール壁部に形成されたレジスト層にマスクを介して露光光を照射してパターニングし接続部を形成する。ところが、スルーホール壁部は露光光の進行方向と平行な面内にあるのでレジスト層を十分に露光することが困難である。このため、除去すべきレジスト層を十分に除去することができず、レジスト残渣で表裏面に形成されたコイル導体の接続が阻害され、コイル導体の抵抗値が高くなってしまう。また、最悪の場合には、接続部でコイル導体の断線不良が生じる。
【０００６】
さらに、レジスト残渣があると、コイル部品を高温又は高温高湿中で使用した場合に、レジストがコイル部品の外部へ溶出したり炭化したりして、表面実装型コイル部品の信頼性が著しく低下する問題を有している。
【０００７】
本発明の目的は、露光光の進行方向に平行な面内に形成されたレジスト層を露光する露光方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、コイル導体の抵抗が低く、製造歩留まりの高い低コストのコイル部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的は、基板の壁部にレジスト層を形成し、光散乱面が形成された載置板上に裏面側を対面させて前記基板を載置し、所定の光透過パターンが形成されたフォトマスクを前記基板表面側に配置し、前記光透過パターンが前記壁部のレジスト層近傍の所定位置にくるように前記フォトマスクを位置合わせして露光光を照射し、前記光透過パターンを透過した前記露光光を前記載置板上の前記光散乱面で散乱させて、前記光透過パターン近傍の前記壁部のレジスト層を露光することを特徴とする露光方法によって達成される。
【０００９】
上記本発明の露光方法であって、前記基板表面にレジスト層を形成し、前記基板表面のレジスト層を露光する際に、同時に前記基板壁部のレジスト層の露光を行うことを特徴とする。
【００１０】
上記本発明の露光方法であって、前記載置板上に前記表面側を対面させて前記基板を載置し、所定の光透過パターンが形成されたフォトマスクを前記基板裏面側に配置し、前記光透過パターンが前記壁部のレジスト層近傍の所定位置にくるように前記フォトマスクを位置合わせして露光光を照射し、前記光透過パターンを透過した前記露光光を前記載置板上の前記光散乱面で散乱させて、前記光透過パターン近傍の前記壁部のレジスト層を露光することを特徴とする。
【００１１】
上記本発明の露光方法であって、前記基板裏面にレジスト層を形成し、前記基板裏面のレジスト層を露光する際に、同時に前記基板壁部のレジスト層の露光を行うことを特徴とする。
【００１２】
上記本発明の露光方法であって、前記載置板として、基板載置面全面に前記光散乱面が形成された載置板を用いることを特徴とする。
【００１３】
上記本発明の露光方法であって、前期載置板として、前記光透過パターンに対応する位置に前記光散乱面が形成された載置板を用いることを特徴とする。
【００１４】
上記本発明の露光方法であって、前記載置板として、アルミニウム製の載置板を用いることを特徴とする。
【００１５】
上記本発明の露光方法であって、前記レジスト層にポジ型レジストを用いることを特徴とする。
【００１６】
上記本発明の露光方法であって、前記露光光として平行光を用いることを特徴とする。
【００１７】
上記本発明の露光方法であって、前記基板として、ガラスクロスに樹脂を含浸させた基板を用いることを特徴とする。
【００１８】
上記本発明の露光方法であって、前記壁部は、前記基板表裏面を貫通する開口の内壁部であることを特徴とする。
【００１９】
上記本発明の露光方法であって、前記フォトマスクは、前記基板の表面又は裏面に近接配置することを特徴とする。
【００２０】
また、上記目的は、貫通孔を有する基板全面に導電膜を形成し、前記基板全面にレジスト層を形成し、前記基板表裏面及び前記貫通孔壁部のレジスト層をパターニングしてメッキマスクを形成し、前記メッキマスクの形成されていない前記導電膜にメッキを施して、前記基板表裏面にそれぞれコイル導体を形成し、前記貫通孔壁部に前記基板表裏面の前記コイル導体を接続するコイル接続部を形成するコイル部品の製造方法において、前記レジスト層のパターニング時に上記本発明の露光方法を用いることを特徴とするコイル部品の製造方法によって達成される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、露光光の進行方向に平行な面内に形成されたレジスト層を十分に露光することができる。
また、本発明によれば、コイル導体の抵抗が低く、製造歩留まりの高い低コストのコイル部品を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の一実施の形態による露光方法及びそれを用いたコイル部品の製造方法について図１乃至図９を用いて説明する。まず、本実施の形態によるコイル部品１の概略の構成を図１乃至図５を用いて説明する。図１は、コイル部品１をほぼ中央部を含む領域で切断した断面を示している。コイル部品１は、フェライトで形成され中央部が凸状で断面形状がＴ字状のＴ型フェライトコア１１と、同じくフェライトで形成され周辺対向部が凸状で断面形状がＣ字状のＣ型フェライトコア１３とを有している。Ｔ型フェライトコア１１の中央部には中央脚部１１ａが形成されている。さらにコイル部品１は、Ｔ型フェライトコア１１とＣ型フェライトコア１３との間にガラスクロスに樹脂（ＢＴレジン）を含浸したＢＴレジン基板３を有している。また、ＢＴレジン基板３のほぼ中央部にはＢＴレジン基板３を貫通する貫通孔（スルーホール）７が形成されている。中央脚部１１ａはスルーホール７に挿入されている。
【００２３】
ＢＴレジン基板３表面のスルーホール７外側にはスパイラル形状のコイル導体５ａが形成され、裏面のスルーホール７外側にはコイル導体５ａとほぼ同形状のスパイラル形状のコイル導体５ｂが形成されている。コイル導体５ａ、５ｂは、スルーホール７壁部に形成されたコイル接続部５ｃで電気的に接続されている。ＢＴレジン基板３、コイル導体５ａ、５ｂ及びコイル接続部５ｃ表面には、これら導電部材を保護するソルダーレジスト等の保護樹脂層９が形成されている。
【００２４】
図２は、コイル導体５ａを含むＢＴレジン基板３の形状を示している。図２（ａ）は、ＢＴレジン基板３表面のコイル導体５ａの平面形状を示し、図２（ｂ）は、スルーホール７壁部に形成されたコイル接続部５ｃを示している。図２（ａ）に示すように、ＢＴレジン基板３は、一辺の長さが例えば約３ｍｍの正方形状に形成されている。ＢＴレジン基板３表面に形成されたスパイラル形状のコイル導体５ａの一端子はスルーホール７壁部に形成されたコイル接続部５ｃに接続され、他端子はコイル部品１の一側面に形成された導出端電極部１５ａに接続されている。なお、導出端電極部１５ａの形成側に離間して形成された導出端電極部１５ａ’は、この後で説明する外部端子電極（不図示）を形成することで導出端電極部１５ａに接続される。
【００２５】
ＢＴレジン基板３の裏面に形成されたコイル導体５ｂは、コイル導体５ａと同様の周回方向を有し、一端子はスルーホール７壁部に形成されたコイル接続部５ｃに接続されている。これにより、図２（ｂ）に示すように、コイル導体５ａ、５ｂはコイル接続部５ｃを介して接続されている。また、コイル導体５ｂの他端子は導出端電極部１５ａの形成側面に対面する側面に形成された導出端電極部（不図示）に接続されている。なお、導出端電極部１５ａの形成側面に対向する側面であって、ＢＴレジン基板３表面に形成された導出端電極部１５ｂ、１５ｂ’は、この後で説明する外部端子電極（不図示）を形成することでコイル導体５ｂの他端子が接続された導出端電極部に接続される。
【００２６】
図３は、外部端子電極形成前のコイル部品１の一側面の概略の構成を示す斜視図である。図３に示すように、コイル部品１の一側面には、ＢＴレジン基板３表面に形成された導出端電極部１５ａ、１５ａ’と、ＢＴレジン基板３の裏面に形成された導出端電極部１５ｃ、１５ｃ’とが露出している。なお、保護樹脂層９が形成されたＢＴレジン基板３は、Ｔ型フェライトコア１１及びＣ型フェライトコア１３間に挿入され、接着剤１７で接着して固定されている。
【００２７】
図４は、外部端子電極１９ａ、１９ｂを形成したコイル部品１の斜視図である。外部端子電極１９ａは、一側面及び他側面に銅等の導体層を形成し、次いで当該導体層上に別の導体層を形成した積層構造を有している。外部端子電極１９ａは一側面上、Ｔ型フェライトコア１１の一部及びＣ型フェライトコア１３の一部に断面コの字状に形成されている。同様に、外部端子電極１９ｂは、他側面上、Ｔ型フェライトコア１１の一部及びＣ型フェライトコア１３の一部に断面コの字状に形成されている。これにより、対向して形成された外部端子電極１９ａ、１９ｂは、コイル導体５ａ、コイル接続部５ｃ及びコイル導体５ｂを介して接続される。
【００２８】
図５は、Ｔ型フェライトコア１１及びＣ型フェライトコア１３の斜視図である。図５に示すように、Ｔ型フェライトコア１１は平板部１１ｂのほぼ中央部に直方体形状の中央脚部１１ａが形成されている。Ｃ型フェライトコア１３は平板部１３ｂの対向する一対の端辺に外側脚部１３ａがそれぞれ形成されている。中央脚部１１ａ及び外側脚部１３ａは、所定厚さのフェライト基板をダイヤモンドホイール砥石等の砥石を用い、高精度スライサで研削加工して形成される。
【００２９】
Ｔ型フェライトコア１１とＣ型フェライトコア１３とは、平板部１１ｂに外側脚部１３ａの頂部を付き合わせて接着して固定される。ここで、外側脚部１３ａの短辺側の長さを中央脚部１１ａの高さより僅かに長く形成しておくことで、Ｃ型フェライトコア１３の平板部１１ｂと中央脚部１１ａとの間に微小ギャップ１４が形成される（図１参照）。微小ギャップ１４により、コイル導体５ａ、５ｂに流れる電流でＴ型フェライトコア１１及びＣ型フェライトコア１３が磁気飽和するのを防止できる。
【００３０】
また、コイル導体５ａ、５ｂに通電することにより、コイル導体５ａ、５ｂの中心軸を含む断面において、Ｔ型フェライトコア１１の平板部１１ｂ、Ｔ型フェライトコア１１の中央脚部１１ａ、微小ギャップ１４、Ｃ型フェライトコア１３の平板部１３ｂ、Ｃ型フェライトコア１３の外側脚部１３ａをこの順（又は逆順）に通る閉磁路Ｍが形成される（図１参照）。
【００３１】
次に、本実施の形態によるコイル部品１の製造方法について、図６乃至図９を用いて説明する。図６は、ガラスクロスにＢＴレジンを含浸したＢＴレジンウエハ２１を示している。図６（ａ）は、ＢＴレジンウエハ２１のコイル導体５ａの形成面を示し、図６(ｂ)は、図６（ａ）の仮想円Ａの拡大図を示している。図７乃至図９は、図６（ｂ）の仮想直線Ａ−Ａで切断した端面におけるコイル部品１の製造工程を示している。なお、図１乃至図５に示したコイル部品１の構成要素と同一の作用・機能を奏する構成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。
【００３２】
図６（ａ）、図７（ａ）に示すように、厚さが約０．２ｍｍで直径が約８ｃｍのＢＴレジンウエハ２１を準備し、金型を用いたプレス加工で直径が約１ｍｍの複数のスルーホール７を開口する。スルーホール７は、ほぼ３ｍｍ間隔でＢＴレジンウエハ２１にマトリクス状に形成する。同時に、製造装置のステージ（不図示）上にＢＴレジンウエハ２１を載置する際に用いる複数の位置決め用孔２３をＢＴレジンウエハ２１周辺部に形成する。
【００３３】
次に、図７（ｂ）に示すように、スルーホール７が形成されたＢＴレジンウエハ２１の全面（少なくともＢＴレジンウエハ２１の表裏面及びスルーホール７の壁部）に、銅等の金属材料からなる導電膜を無電解メッキ法で形成し、下地導体層（シード層）２５を形成する。次に、図７（ｃ）に示すように、スルーホール７内壁を含む全面にポジ型のフォトレジストを電着成膜し、フォトレジスト層２７を形成する。なお、フォトレジスト層２７は、スピンコータ等を用いた塗布により形成してももちろんよい。
【００３４】
次に、図８（ａ）に示すように、アルミニウムで形成された載置板２９に、フォトレジスト層２７を形成したＢＴレジンウエハ２１を載置する。載置板２９の表面には露光光を散乱させる例えば断面が鋸形状の光散乱面が形成されている。光散乱面の凹凸形状は鋸形状に限らず種々の光散乱形状をとることが可能である。光散乱面は載置板２９のＢＴレジンウエハ２１の載置面全面に形成されている。ＢＴレジンウエハ２１は裏面側を光散乱面に対面させて、ウエハ端部に形成された不図示のオリエンテーションフラットやノッチにより粗い位置合わせがなされて載置板２９に載置される。
【００３５】
次いで、所定の光透過パターンが形成されたフォトマスク３１をＢＴレジンウエハ２１表面側に近接配置する。フォトマスク３１には、ＢＴレジンウエハ２１表面上のフォトレジスト層２７に転写すべきコイル導体５ａ及び導出端電極部１５ａ、１５ａ’、１５ｂ、１５ｂ’のコイル用パターン３１ａが描画されている。また、フォトマスク３１には、スルーホール７壁部のコイル接続部５ｃ形成領域のフォトレジスト層２７近傍に光を透過させる壁部用パターン３１ｂが描画されている。壁部用パターン３１ｂは、例えば、円形、楕円形、半円形、半楕円形、台形、長方形、正方形、三角形、多角形、あるいは扇形等の種々のパターンを用いることができ、スルーホール７の大きさや深さ、壁部のコイル接続部５ｃ形成領域の大きさや形状、さらにはレジスト層２７の感光特性を考慮しつつ、全体の露光条件との関係で種々選択することができる。
【００３６】
不図示の位置合わせ系を用いて、載置板２９に載置されたＢＴレジンウエハ２１とフォトマスク３１との正確な位置合わせを行うことにより、ＢＴレジンウエハ２１表面上にコイル用パターン３１ａが配置されると共に、スルーホール７壁部のコイル接続部５ｃ形成領域近傍に壁部用パターン３１ｂが配置される。
【００３７】
次に、図８（ｂ）に示すように、フォトマスク３１を介してフォトレジスト層２７に露光光を照射して、フォトレジスト層２７を近接露光する。これにより、ＢＴレジンウエハ２１表面のフォトレジスト層２７には、コイル導体５ａ及び導出端電極部１５ａ、１５ａ’、１５ｂ、１５ｂ’を含むコイル用パターン３１ａが転写される。
また、露光光の一部は、スルーホール７壁部のコイル接続部５ｃ形成領域近傍の壁部用パターン３１ｂを透過してスルーホール７内部に進入する。露光光はほぼ平行光であり、スルーホール７壁部にほぼ平行に入射する。このため、入射光がスルーホール７壁部のフォトレジスト層２７を直接露光する率は極めて低い。しかしながら、壁部用パターン３１ｂを透過してスルーホール７内部に入射した光の殆どは載置板２９に到達し、載置板２９表面に形成された光散乱面で乱反射してスルーホール７壁部のコイル接続部５ｃ形成領域のフォトレジスト層２７を露光する。
載置板２９表面の光散乱面の光散乱特性や露光光強度、及びフォトマスク３１の壁部用パターン３１ｂの開口形状等を最適化することにより、スルーホール７壁部のコイル接続部５ｃ形成領域のレジスト層２７だけを効率よく感光させ、スルーホール７壁部の他領域のレジスト層２７を未感光状態にすることができる。
【００３８】
次に、図示は省略するが、ＢＴレジンウエハ２１裏面に形成されたフォトレジスト層２７を上記と同様の段取で露光してコイル導体５ｂのパターンを転写する。このとき、裏面用フォトマスクに壁部用パターン３１ｂと同様のパターンを設け、スルーホール７壁部のコイル接続部５ｃ形成領域のレジスト層２７をウエハ裏面から再度露光するようにしてもよい。
例えば、ＢＴレジンウエハ２１を裏返して表裏面を逆転させ、粗い位置決めを行ってＢＴレジンウエハ２１表面を載置板２９の光散乱面に対面させて載置板２９に載置する。
次いで、コイル導体５ｂ及び導出端電極部１５ｃ、１５ｃ’のコイル用パターンと壁部用パターンとが描画された別のフォトマスクをＢＴレジンウエハ２１裏面に近接配置して正確に位置決めしてフォトレジスト層２７を近接露光する。これにより、ＢＴレジンウエハ２１裏面のフォトレジスト層２７にコイル導体５ｂ等が転写される。さらに、載置板２９の光散乱面で乱反射した露光光でスルーホール７壁部のコイル接続部５ｃ形成領域のフォトレジスト層２７が露光される。
このように、スルーホール７壁部のコイル接続部５ｃ形成領域のフォトレジスト層２７を表裏面から２度に亘って２方向から露光することによりコイル接続部５ｃ形成領域のフォトレジスト層２７を十分に感光させることができる。
【００３９】
次に、ＢＴレジンウエハ２１のフォトレジスト層２７を現像液で現像する。次いで洗浄工程に移る。ＢＴレジンウエハ２１に付着した現像液を洗浄液で洗浄し、フォトレジスト層２７の現像溶解反応を停止させる。洗浄液としては、例えば純水が用いられる。洗浄が終了すると図８（ｃ）に示すように、所定形状にパターニングされた選択メッキ用マスクレジスト層３３が形成される。図中の領域αはコイル接続部５ｃ形成領域であり、メッキ処理によりコイル接続部５ｃが形成されるように、レジスト層３３は除去されて下地導体層２５が露出している。
【００４０】
次に、図９（ａ）に示すように、ＢＴレジンウエハ２１をメッキ液に浸漬して、選択メッキ用マスクレジスト層３３をメッキマスクとして、露出する下地導体層２５上に電解メッキ法で銅等の導電材料からなる導電膜を形成し、選択メッキ用マスクレジスト層３３より厚いコイル導体用電気メッキ層３５を電着形成する。これにより、スルーホール７壁部のコイル接続部５ｃ形成領域にもコイル導体用電気メッキ層３５が形成される。また、コイル導体用電気メッキ層３５は選択メッキ用マスクレジスト層３３上の一部にも形成される。
【００４１】
次に、図９（ｂ）に示すように、選択メッキ用マスクレジスト層３３をエッチングにより下地導体層２５から除去する。次いで、露出した下地導体層２５をエッチングによりＢＴレジンウエハ２１から除去する。
【００４２】
次に、図９（ｃ）に示すように、ＢＴレジンウエハ２１をメッキ液に浸漬して、電解メッキ法によりコイル導体用電気メッキ層３５上に銅等の導電膜を電着させて形成し、コイル導体５ａ、５ｂ及びコイル接続部５ｃを形成する。これにより、電流の流れる方向に直交するコイル導体５ａ、５ｂの断面は十分な肉厚が得られ、隣り合う導体部間の隙間は１５μｍ以下になる。次いで、錆防止のためにコイル導体５ａ、５ｂ及びコイル接続部５ｃ表面に黒化処理を施す。
【００４３】
次に、図９（ｄ）に示すように、コイル導体５ａ、５ｂ及びコイル接続部５ｃ並びにＢＴレジンウエハ２１の全面に、ソルダーレジスト等の保護樹脂層９を例えば印刷法により形成する。
【００４４】
次に、図示は省略するが、ＢＴレジンウエハ２１の周囲を高精度スライサで切断し、長方形状に形成する。次に、フェライトウエハをダイヤモンドホイール砥石を用いて切削し、スルーホール７とほぼ同間隔の複数の中央脚部１１ａがマトリクス状に形成されたＴ型フェライトコアウエハを形成する。さらに、別のフェライトウエハを同様の方法で切削し、複数の外側脚部１３ａがほぼ等間隔に形成されたＣ型フェライトコアウエハを形成する。
【００４５】
次に、保護樹脂層９が形成されたＢＴレジンウエハ２１をＴ型フェライトコアウエハとＣ型フェライトコアウエハとの間に配置し、スルーホール７に中央脚部１１ａを挿入する。次いで、１５０℃雰囲気中で加圧しながらエポキシ系樹脂等の接着剤１７でＢＴレジンウエハ２１、Ｔ型フェライトコアウエハ及びＣ型フェライトコアウエハを接着して固定する。次いで、最終的に平板部１１ｂになるＴ型フェライトウエハの背板部分を平坦化するために、高精度スライサで研削する。
【００４６】
次に、Ｔ型フェライトコアウエハ等をダイサで個々のコイル部品１に切断分離する。次に、回路基板実装用端子となる外部端子電極１９ａ、１９ｂを形成するために、コイル部品１をバレル研磨する。次いで、コイル部品１の一対の側面に露出する導出端電極部１５ａ、１５ａ’、１５ｂ、１５ｂ’、１５ｃ、１５ｃ’を含む側面上をウェット処理とドライ処理とを用いて洗浄し、その後マスクスパッタ法で、クロム導体層と銅導体層とをこの順に形成する。次に、当該銅導体層上にバレルメッキ法で銅、ニッケル、錫をこの順に形成し、外部端子電極１９ａ、１９ｂを形成する。外部端子電極１９ａ、１９ｂは、コイル部品１の側面とＴ型フェライトコア１１の一部及びＣ型フェライトコア１３の一部に断面コの字状に形成される。こうして、コイル部品１の製造が終了する。
【００４７】
以上説明したように、本実施の形態の露光方法及びそれを用いたコイル部品１の製造方法では、露光光の進行方向に平行な面内のスルーホール７壁部に形成されたフォトレジスト層２７を散乱光を利用して十分に露光することができる。これにより、レジスト残渣を極めて減少させることができるので、スルーホール７壁部にコイル導体用電気メッキ層３５が十分に形成され、低抵抗のコイル接続部５ｃを形成することができる。さらに、電流の流れる方向に直交するコイル導体５ａ、５ｂの断面形状は高いアスペクト比を有し、コイル導体５ａ、５ｂは低抵抗になる。従って、コイル部品１のコイル導体（コイル導体５ａ、５ｂ及びコイル接続部５ｃ）の直流抵抗は０．０１〜１０Ω程度になり、コイル部品１は大電流を流す電源用途に適用できる。
【００４８】
また、スルーホール７壁部のレジスト残渣を極めて減少させることができるので、コイル導体の高抵抗化や断線不良の発生を減少させることができる。さらに、コイル部品１を高温又は高温高湿中で使用してもレジスト残渣が溶出したり炭化したりすることは殆どなくなるので、コイル部品１の信頼性が向上する。これにより、コイル部品１の製造歩留まりが向上し、低コスト化を実現できる。
【００４９】
また、本実施の形態によれば、スルーホール７内部を導電材料で埋め込まなくてもコイル導体５ａとコイル導体５ｂとを接続することができる。これにより、コイル導体５ａ、５ｂの内周側と外周側に磁性材料（Ｔ型フェライトコア１１及びＣ型フェライトコア１３）を配置して閉磁路構造を形成できるので、高いインダクタンスを有するコイル部品１を製造することができる。
【００５０】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
上記実施の形態では、コイル導体５ａ（又はコイル導体５ｂ）等のコイル用パターン３１ａとスルーホール７壁部のコイル接続部５ｃ形成領域近傍に光を透過させる壁部用パターン３１ｂとが描画されたフォトマスク３１を用いて、ＢＴレジンウエハ２１の表面（又は裏面）とスルーホール７壁部のコイル接続部５ｃ形成領域を同時に露光しているが、本発明はこれに限られない。例えば、コイル用パターン３１ａのみが描画されているフォトマスクと、壁部用パターン３１ｂのみが描画されているフォトマスクとを用いて、ＢＴレジンウエハ２１の表面（又は裏面）とスルーホール７壁部のコイル接続部５ｃ形成領域とを別々に露光してももちろんよい。この場合、表面（又は裏面）に形成されたフォトレジスト層２７とスルーホール７壁部に形成されたフォトレジスト層２７との露光条件を異ならせることができるので、双方のフォトレジスト層２７を最適条件で十分に露光することができる。
【００５１】
また、上記実施の形態では、スルーホール７壁部の露光は基板表裏面側から２回行われているが、本発明はこれに限られない。例えば、スルーホール７壁部の露光は１回であってもよい。ＢＴレジンウエハ２１の表面から裏面に亘るスルーホール７壁部のコイル接続部５ｃ形成領域を１回で十分に露光できるように露光条件等を最適化することにより、上述と同等の効果を得ることができる。
【００５２】
また、上記実施の形態では、載置板２９の全面に光散乱面が形成されているが、本発明はこれに限られない。例えば、フォトマスク３１の壁部用パターン３１ｂを透過した露光光が入射する領域だけに光散乱面を形成してもよい。このようにしても、スルーホール７壁部のコイル接続部５ｃ形成領域のフォトレジスト層２７だけを十分露光することができる。このように光散乱面を形成することにより、載置板２９にＢＴレジンウエハ２１を載置する際に、ＢＴレジンウエハ２１の表裏面に形成されたフォトレジスト層２７を光散乱面で損傷させてしまうのを確実に防止できる。
【００５３】
また、上記実施の形態では、スルーホール７壁部に形成されたフォトレジスト層２７の露光方法について説明したが、本発明はこれに限られず、露光光の進行方向に平行な壁面に形成されたフォトレジスト層の露光に広く適用することができる。
【００５４】
また、上記実施の形態では、コイル導体５ａ、５ｂ及びコイル接続部５ｃを形成する基板としてＢＴレジンウエハ２１（ＢＴレジン基板３）を用いており、プレス加工等で生じる摩擦熱でスルーホール７壁部に形成されるスミア（バリ）の発生を少なくできるので、スミアを除去するデスミア処理が不要になる。また、本発明は、ＢＴレジンウエハ２１（ＢＴレジン基板３）に代えて、ポリイミド、アラミド等の樹脂ウエハ（基板）を用いることも可能である。これらの基板もコイル導体５ａ等を形成する際のプレス加工、ドリル及びレーザ等で穴あけ加工してもスルーホール７壁部にスミアの発生が少ない。なお、浮遊容量の増大を回避するために誘電率が７以下の材料を用いた基板が最適である。基板材質はエポキシ樹脂基板、一般的にＰＣＢ（プリント回路基板）で使用されているＦＲ−４材でもよく、無機材質の基板でもよい。
【００５５】
また、上記実施の形態では、アルミニウムで載置板２９を形成しているが、本発明はこれに限られない。例えば、アルミニウム以外の反射率の優れた材料を用いて載置板２９を形成してもよいし、アルミニウム以外の材料で形成した載置板２９の載置面にアルミニウムで形成した光散乱面を固定するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施の形態によるコイル部品１の切断面を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態によるコイル部品１のＢＴレジン基板３の形状を示す図である。図２（ａ）は、コイル導体５ａの平面形状を示し、図２（ｂ）は、スルーホール７壁部に形成されたコイル接続部５ｃを示している。
【図３】本発明の一実施の形態によるコイル部品１の外部端子電極形成前の一側面の概略の構成を示す斜視図である。
【図４】本発明の一実施の形態によるコイル部品１に外部端子電極１９ａ、１９ｂを形成した状態の斜視図である。
【図５】本発明の一実施の形態によるコイル部品１のＴ型フェライトコア１１及びＣ型フェライトコア１３の分解斜視図である。
【図６】本発明の一実施の形態によるコイル部品１のＢＴレジンウエハ２１を示している。図６（ａ）は、ＢＴレジンウエハ２１のコイル導体５ａの形成面を示し、図６(ｂ)は、図６（ａ）の仮想円Ａの拡大図を示している。
【図７】本発明の一実施の形態によるコイル部品１の製造工程を示す図であって、図６（ｂ）の仮想直線Ａ−Ａで切断した端面を示す図である。図７（ａ）は、ＢＴレジンウエハ２１の端面を示し、図７（ｂ）は、下地導体層２５の形成工程を示し、図７（ｃ）は、フォトレジスト層２７の形成工程を示している。
【図８】本発明の一実施の形態によるコイル部品１の製造工程を示す図であって、図６（ｂ）の仮想直線Ａ−Ａで切断した端面を示す図である。図８（ａ）、（ｂ）は、露光工程を示し、図８（ｃ）は、選択メッキ用マスクレジスト層３３の形成工程を示している。
【図９】本発明の一実施の形態によるコイル部品１の製造工程を示す図であって、図６（ｂ）の仮想直線Ａ−Ａで切断した端面を示す図である。図９（ａ）は、コイル導体用電気メッキ層３５の形成工程を示し、図９（ｂ）は、選択メッキ用マスクレジスト層３３及び下地導体層２５の除去工程を示し、図９（ｃ）は、コイル導体５ａ、５ｂ、コイル接続部５ｃの形成工程を示し、図９（ｄ）は、保護樹脂層９の形成工程を示している。
【符号の説明】
【００５７】
１  コイル部品
３  ＢＴレジン基板
５ａ、５ｂ  コイル導体
５ｃ  コイル接続部
７  スルーホール
９  保護樹脂層
１１  Ｔ型フェライトコア
１１ａ  中央脚部
１１ｂ、１３ｂ  平板部
１３  Ｃ型フェライトコア
１３ａ  外側脚部
１４  微小ギャップ
１５ａ、１５ａ’、１５ｂ、１５ｃ  導出端電極部
１７  接着剤
１９ａ、１９ｂ  外部端子電極
２１  ＢＴレジンウエハ
２３  位置決め用孔
２５  下地導体層
２７  フォトレジスト層
２９  載置板
３１  フォトマスク
３１ａ  コイル用パターン
３１ｂ  壁部用パターン
３３  選択メッキ用マスクレジスト層
３５  コイル導体用電気メッキ層
α  コイル接続部５ｃ形成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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