(57)【要約】【課題】  低い記録パワーのレーザビームを用いて、高い記録線速度で、追記型の光記録媒体に情報を記録することができる光記録媒体への情報記録方法を提供することを目的とする。【解決手段】  基板１１上に設けられた記録層１４を有する追記型の光記録媒体１０に、記録パワーおよび基底パワーを含むパルス列パターンにしたがって変調されたレーザビームＬ１０を照射して、記録層の所定の領域に記録マークを形成し、情報を記録する方法であって、記録線速度が高いほど、記録パワーからなるパルスの数が少なく、かつ、基底パワーのレベルと記録パワーのレベルの比が高くなるように設定されたパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調し、記録マークを形成することを特徴とする光記録媒体への情報記録方法。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた記録層を有する追記型の光記録媒体に、少なくとも記録パワーおよび基底パワーを含むパルス列パターンにしたがって変調されたレーザビームを照射して、前記記録層の所定の領域に記録マークを形成し、情報を記録する方法であって、記録線速度が高いほど、記録パワーからなるパルスの数が少なく、かつ、前記基底パワーのレベルと前記記録パワーのレベルの比が高くなるように設定されたパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調し、記録マークを形成することを特徴とする光記録媒体への情報記録方法。
【請求項２】
第１の線速度ＶＨ以上の記録線速度で、情報を記録する場合に、前記パルスの数を１に設定することを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体への情報記録方法。
【請求項３】
第１の線速度ＶＨ未満で、かつ、第２の線速度ＶＬを越える記録線速度ＶＭで、情報を記録する場合、少なくとも最短の記録マークを形成するときは、前記パルスの数を１に設定し、形成すべき記録マークの長さが長いほど、前記パルスの数を大きく、設定することを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体への情報記録方法。
【請求項４】
第１の線速度ＶＨ未満で、かつ、第２の線速度ＶＬを越える記録線速度ＶＭで、情報を記録する場合、少なくとも最短の記録マークを形成するときは、前記パルスの数を１に設定し、記録線速度ＶＭが低くなるほど、前記パルスの数を大きく、設定することを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体への情報記録方法。
【請求項５】
前記第２の線速度ＶＬ以下の記録線速度で、それぞれの長さを有する記録マークを形成し、情報を記録する場合に、記録マークの長さを表わす数との差が一定になるように、前記パルスの数を設定することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の光記録媒体への情報記録方法。
【請求項６】
前記第１の線速度が、１０ｍ／ｓｅｃ以上に設定されたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の光記録媒体への情報記録方法。
【請求項７】
前記光記録媒体に、４５０ｎｍ以下の波長を有するレーザビームを照射して、情報を記録することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の光記録媒体への情報記録方法。
【請求項８】
λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズおよび波長λを有するレーザビームを用い、前記対物レンズを介して、前記光記録媒体に、レーザビームを照射して、情報を記録することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の光記録媒体への情報記録方法。
【請求項９】
前記光記録媒体が、さらに、光透過層を備え、前記記録層が、前記基板と前記光透過層の間に形成された第一の反応層と第二の反応層を含み、前記光透過層を介して、レーザビームを照射して、前記第一の記録層に主成分として含まれている元素と、前記第二の記録層に主成分として含まれている元素とを混合させて、記録マークを形成するように構成されたことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の光記録媒体への情報記録方法。
【請求項１０】
前記第二の反応層が、前記第一の反応層に接するように、形成されたことを特徴とする請求項９に記載の光記録媒体への情報記録方法。
【請求項１１】
基板上に設けられた記録層を有する追記型の光記録媒体に、少なくとも記録パワーおよび基底パワーを含むパルス列パターンにしたがって変調されたレーザビームを照射して、前記記録層の所定の領域に記録マークを形成し、情報を記録する光記録媒体への情報記録装置であって、記録線速度が高いほど、記録パワーからなるパルスの数が少なく、かつ、前記基底パワーのレベルと前記記録パワーのレベルの比が高くなるように設定されたパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調し、記録マークを形成することを特徴とする光記録媒体への情報記録装置。
【請求項１２】
第１の線速度ＶＨ以上の記録線速度で、情報を記録する場合に、前記パルスの数を１に設定することを特徴とする請求項１１に記載の光記録媒体への情報記録装置。
【請求項１３】
第１の線速度ＶＨ未満で、かつ、第２の線速度ＶＬを越える記録線速度ＶＭで、情報を記録する場合、少なくとも最短の記録マークを形成するときは、前記パルスの数を１に設定し、形成すべき記録マークの長さが長いほど、前記パルスの数を大きく、設定することを特徴とする請求項１１または１２に記載の光記録媒体への情報記録装置。
【請求項１４】
第１の線速度ＶＨ未満で、かつ、第２の線速度ＶＬを越える記録線速度ＶＭで、情報を記録する場合、少なくとも最短の記録マークを形成するときは、前記パルスの数を１に設定し、記録線速度ＶＭが低くなるほど、前記パルスの数を大きく、設定することを特徴とする請求項１１または１２に記載の光記録媒体への情報記録装置。
【請求項１５】
前記第２の線速度ＶＬ以下の記録線速度で、それぞれの長さを有する記録マークを形成し、情報を記録する場合に、記録マークの長さを表わす数との差が一定になるように、前記パルスの数を設定することを特徴とする請求項１１ないし１４のいずれか１項に記載の光記録媒体への情報記録装置。
【請求項１６】
前記第１の線速度が、１０ｍ／ｓｅｃ以上に設定されたことを特徴とする請求項１１ないし１５のいずれか１項に記載の光記録媒体への情報記録装置。
【請求項１７】
前記光記録媒体に、４５０ｎｍ以下の波長を有するレーザビームを照射して、情報を記録することを特徴とする請求項１１ないし１６のいずれか１項に記載の光記録媒体への情報記録装置。
【請求項１８】
λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズおよび波長λを有するレーザビームを用い、前記対物レンズを介して、前記光記録媒体に、レーザビームを照射して、情報を記録することを特徴とする請求項１１ないし１６のいずれか１項に記載の光記録媒体への情報記録装置。
【請求項１９】
基板と前記基板上に形成された記録層を備え、少なくとも記録パワーおよび基底パワーを含むパルス列パターンにしたがって変調されたレーザビームが照射されて、前記記録層に記録マークが形成され、情報が記録されるように構成された追記型の光記録媒体であって、記録線速度が高いほど、記録パワーからなるパルスの数が少なく、かつ、前記基底パワーのレベルと前記記録パワーのレベルの比が高くなるように設定されたパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調するために必要な記録条件設定用データが記録されていることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２０】
さらに、光透過層を備え、前記記録層が、前記基板と前記光透過層の間に形成された第一の反応層と第二の反応層を含み、前記光透過層を介して、レーザビームが照射されたときに、前記第一の記録層に主成分として含まれている元素と、前記第二の記録層に主成分として含まれている元素とが混合し、記録マークが形成されるように構成されたことを特徴とする請求項１９に記載の光記録媒体。
【請求項２１】
前記第二の反応層が、前記第一の反応層に接するように、形成されたことを特徴とする請求項２０に記載の光記録媒体。
【請求項２２】
前記光透過層が、１０ないし３００ｎｍの厚さを有するように形成されたことを特徴とする請求項２０または２１に記載の光記録媒体。
【請求項２３】
第１の線速度ＶＨ以上の記録線速度で、情報を記録する場合に、前記パルスの数が１に設定されていることを特徴とする請求項１９ないし２２のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項２４】
第１の線速度ＶＨ未満で、かつ、第２の線速度ＶＬを越える記録線速度ＶＭで、情報を記録する場合、少なくとも最短の記録マークを形成するときは、前記パルスの数が１に設定され、形成すべき記録マークの長さが長いほど、前記パルスの数が大きく、設定されていることを特徴とする請求項１９ないし２３のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項２５】
第１の線速度ＶＨ未満で、かつ、第２の線速度ＶＬを越える記録線速度ＶＭで、情報を記録する場合、少なくとも最短の記録マークを形成するときは、前記パルスの数が１に設定され、記録線速度ＶＭが低くなるほど、前記パルスの数が大きく、設定されていることを特徴とする請求項１９ないし２３のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項２６】
前記第２の線速度ＶＬ以下の記録線速度で、それぞれの長さを有する記録マークを形成し、情報を記録する場合に、記録マークの長さを表わす数との差が一定になるように、前記パルスの数が設定されていることを特徴とする請求項１９ないし２５のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体への情報記録方法、光記録媒体への情報記録装置および光記録媒体に関するものであり、さらに詳細には、高い記録線速度で、追記型の光記録媒体に、情報を記録するのに適した光記録媒体への情報記録方法および情報記録装置ならびに高い記録線速度で、情報を記録するのに適した追記型の光記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。これらの光記録媒体は、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭのように、データの追記や書き換えができないタイプの光記録媒体（ＲＯＭ型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒのように、データの追記はできるが、データの書き換えができないタイプの光記録媒体（追記型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷのように、データの書き換えが可能なタイプの光記録媒体（書き換え型光記録媒体）とに大別することができる。
【０００３】
広く知られているように、ＲＯＭ型光記録媒体においては、製造段階において基板に形成されるプリピットにより、データが記録されることが一般的であり、書き換え型光記録媒体においては、たとえば、記録層の材料として相変化材料が用いられ、その相状態の変化に起因する光学特性の変化を利用して、データが記録されることが一般的である。
【０００４】
これに対し、追記型光記録媒体においては、記録層の材料として、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、アゾ色素などの有機色素が用いられ、その化学的変化あるいは化学的変化および物理的変化に起因する光学特性の変化を利用して、データが記録されることが一般的である。
【０００５】
また、二層の記録層が積層された追記型光記録媒体も知られており（たとえば、特開昭６２−２０４４４２号公報参照）、この光記録媒体においては、レーザビームを照射することによって、二層の記録層を構成する元素を混合させて、周囲の領域とは異なる光学特性を有する領域を形成し、この領域を記録マークとして用いることによって、データが記録される。
【０００６】
記録マークを形成するために照射するレーザビームの最適な強度変調方法は、一般的に「パルス列パターン」あるいは「記録ストラテジ」と呼ばれているが、本明細書においては、「パルス列パターン」と称する。
【０００７】
図８は、有機色素を用いた記録層を有するＣＤ−Ｒに、データを記録する場合の代表的なパルス列パターンを示す図であり、ＥＦＭ変調方式における３Ｔ信号ないし１１Ｔ信号を記録する場合のパルス列パターンを示している。
図８に示されるように、ＣＤ−Ｒにデータを記録する場合には、一般に、形成すべき記録マークＭの長さに相当する幅の記録パルスが用いられる（たとえば、特開２０００−１８７８４２号公報参照）。
【０００８】
すなわち、レーザビームの強度は、記録マークＭを形成しないブランク領域においては、基底パワーＰｂに固定され、記録マークＭを形成すべき領域において記録パワーＰｗに固定される。その結果、記録マークＭを形成すべき領域においては、記録層に含まれる有機色素が分解、変質し、場合によっては、その領域が変形することによって、記録マークＭが形成される。本明細書においては、このようなパルス列パターンを「単パルスパターン」という。
【０００９】
図９は、有機色素を用いた記録層を有するＤＶＤ−Ｒに、データを記録する場合の代表的なパルス列パターンを示す図であり、８／１６変調方式における７Ｔ信号を記録する場合のパルス列パターンを示している。
【００１０】
ＤＶＤ−Ｒに対しては、ＣＤ−Ｒに比して、高い記録線速度で、データの記録が行われるため、ＣＤ−Ｒにデータを記録する場合のように、記録マークＭの長さに相当する幅の記録パルスを用いる場合には、良好な形状の記録マークＭを形成することが困難である。
【００１１】
このため、ＤＶＤ−Ｒにデータを記録する場合には、図９に示されるように、形成すべき一つの記録マークＭに対し、その長さに応じた数に分割されたパルス列を用いて、データが記録される。
【００１２】
具体的には、ｎＴ信号（ｎは、８／１６変調方式においては、３ないし１１および１４の整数である。）を形成するために、（ｎ−２）個の分割パルスを用い、レーザビームのパワーは、分割パルスのピークにおいては、記録パワーＰｗに、その他においては、基底パワーＰｂに設定される。本明細書においては、このようなパルス列パターンを「基本パルス列パターン」という。
【００１３】
図９に示されるように、基本パルス列パターンにおいては、基底パワーＰｂのレベルは、データ再生に用いられる再生パワーＰｒと等しいか、あるいは、これに近いレベルに設定されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
一方、近年、データの記録密度が高められ、かつ、非常に高いデータ転送レートを実現可能な次世代型の光記録媒体が提案されている。
【００１５】
このような次世代型の光記録媒体においては、高いデータ転送レートを実現するため、従来の光記録媒体に比べて、高い記録線速度で、データを記録することが要求されるが、一般に、追記型の光記録媒体においては、記録マークの形成に必要な記録パワーＰｗは、記録線速度の平方根に略比例するため、次世代型の光記録媒体に、データを記録する場合には、高出力の半導体レーザを用いることが必要とされる。
【００１６】
また、次世代型の光記録媒体においては、記録容量を高めるとともに、非常に高いデータ転送レートを実現するため、必然的に、データの記録・再生に用いるレーザビームのビームスポット径を非常に小さく絞ることが要求される。
【００１７】
レーザビームのビームスポット径を小さく絞るためには、レーザビームを集束するための対物レンズの開口数（ＮＡ）を０．７以上、たとえば、０．８５程度まで大きくするとともに、レーザビームの波長λを４５０ｎｍ以下、たとえば、４００ｎｍ程度まで、短くすることが必要になる。
【００１８】
しかしながら、７８０ｎｍの波長λを有するレーザビームを発するＣＤ用の半導体レーザや、６５０ｎｍの波長λを有するレーザビームを発するＤＶＤ用の半導体レーザに比して、４５０ｎｍ以下の波長λを有する半導体レーザは出力が小さく、また、出力が高い半導体レーザは高価であるという問題がある。
【００１９】
このような問題を解決するためには、図８に示された単パルスパターンを用いることによって、記録マークを形成する際に、レーザビームによって記録層に加えられる総熱量を大きくすることが有効と考えられるが、このような場合には、記録線速度によっては、レーザビームによって記録層に加えられる総熱量が過大になり、光記録媒体のトラックに対して垂直な方向における記録マークの幅が広がって、クロストークが増大してしまうという問題があり、とくに、記録マークの長さが長いほど、クロストークの増大が顕著になるという問題があった。
【００２０】
以上のような問題は、複数の反応層を含む記録層に、レーザビームを照射して、照射されたレーザビームによって生じる熱により、複数の反応層を構成する元素を混合させ、記録マークを形成する追記型光記録媒体において、とくに顕著であった。
【００２１】
したがって、本発明は、低い記録パワーのレーザビームを用いて、高い記録線速度で、追記型の光記録媒体に情報を記録することができる光記録媒体への情報記録方法を提供することを目的とするものである。
【００２２】
本発明の別の目的は、二層以上の反応層を含む記録層を備えた追記型の光記録媒体に、低い記録パワーのレーザビームを用いて、高い記録線速度で、追記型の光記録媒体に情報を記録することができる光記録媒体への情報記録方法を提供することを目的とすることにある。
【００２３】
本発明の他の目的は、低い記録パワーのレーザビームを用いて、高い記録線速度で、追記型の光記録媒体に情報を記録することができる光記録媒体への情報記録装置を提供することにある。
【００２４】
本発明のさらに他の目的は、二層以上の反応層を含む記録層を備えた追記型の光記録媒体に、低い記録パワーのレーザビームを用いて、高い記録線速度で、情報を記録することができる光記録媒体への情報記録装置を提供することにある。
【００２５】
本発明のさらに他の目的は、低い記録パワーのレーザビームを用いて、高い記録線速度で、情報を記録することができる追記型の光記録媒体を提供することにある。
【００２６】
本発明のさらに他の目的は、低い記録パワーのレーザビームを用いて、高い記録線速度で、情報を記録することができる二層以上の反応層を含む記録層を備えた追記型の光記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明のかかる目的は、基板上に設けられた記録層を有する追記型の光記録媒体に、少なくとも記録パワーおよび基底パワーを含むパルス列パターンにしたがって変調されたレーザビームを照射して、前記記録層の所定の領域に記録マークを形成し、情報を記録する方法であって、記録線速度が高いほど、記録パワーからなるパルスの数が少なく、かつ、前記基底パワーのレベルと前記記録パワーのレベルの比が高くなるように設定されたパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調し、記録マークを形成することを特徴とする光記録媒体への情報記録方法によって達成される。
【００２８】
本発明によれば、記録線速度が高いほど、記録パワーからなるパルスの数が少なく、かつ、基底パワーのレベルと前記記録パワーのレベルの比が高くなるように設定されたパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調し、記録マークを形成し、情報を記録するように構成されているから、記録線速度が高い場合には、そのパワーが記録パワーに設定されたレーザビームによって供給される熱量を増大させることが可能になり、さらに、そのパワーが基底パワーに設定されたレーザビームによって、記録パワーのレーザビームによる加熱を補うことができ、したがって、記録線速度が高い場合にも、出力が比較的低い半導体レーザを用いて、低い記録パワーのレーザビームで、情報を記録することが可能になり、その一方で、記録線速度が低い場合には、そのパワーが記録パワーに設定されたレーザビームによって過大な熱量が供給されることを防止することが可能になり、さらに、そのパワーが基底パワーに設定されたレーザビームによる補助加熱量を抑制することでき、したがって、記録線速度が低い場合に、クロストークの影響を抑制することができるように、光記録媒体に、所望のように、情報を記録することが可能になる。
【００２９】
また、本発明によれば、記録線速度が高いほど、基底パワーのレベルと記録パワーのレベルの比が高くなるように設定されたパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調し、記録マークを形成するように構成されているから、複数の記録線速度の中から、所望の記録線速度を選択して、情報を記録可能なシステム（マルチスピード記録）において、異なる記録線速度で、情報を記録する場合に、ほぼ同じ記録パワーのレーザビームを用いて、情報を記録することが可能になる。
【００３０】
本発明の好ましい実施態様においては、第１の線速度ＶＨ以上の記録線速度で、情報を記録する場合に、前記パルスの数を１に設定するように構成されている。
【００３１】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、第１の線速度ＶＨ未満で、かつ、第２の線速度ＶＬを越える記録線速度ＶＭで、情報を記録する場合、少なくとも最短の記録マークを形成するときは、前記パルスの数を１に設定し、形成すべき記録マークの長さが長いほど、前記パルスの数を大きく、設定するように構成されている。
【００３２】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、第１の線速度ＶＨ未満で、かつ、第２の線速度ＶＬを越える記録線速度ＶＭで、情報を記録する場合、少なくとも最短の記録マークを形成するときは、前記パルスの数を１に設定し、記録線速度ＶＭが低くなるほど、前記パルスの数を大きく、設定するように構成されている。
【００３３】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第２の線速度ＶＬ以下の記録線速度で、それぞれの長さを有する記録マークを形成し、情報を記録する場合に、記録マークの長さを表わす数との差が一定になるように、前記パルスの数を設定するように構成されている。
【００３４】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第１の線速度が、１０ｍ／ｓｅｃ以上に設定されている。
【００３５】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、記録線速度が高いほど、前記基底パワーが高いレベルに設定されるように構成されている。
【００３６】
本発明のさらに好ましい実施態様によれば、記録線速度が高いほど、基底パワーが高いレベルに設定されるから、記録線速度が高い場合には、そのパワーが基底パワーに設定されたレーザビームによって、記録パワーのレーザビームによる加熱を補うことができ、したがって、記録線速度が高い場合にも、出力が比較的低い半導体レーザを用いて、低い記録パワーのレーザビームで、情報を記録することが可能になり、その一方で、記録線速度が低い場合には、そのパワーが基底パワーに設定されたレーザビームによる補助加熱量を抑制することでき、したがって、記録線速度が低い場合に、クロストークの影響を抑制することができるように、光記録媒体に、所望のように、情報を記録することが可能になる。
【００３７】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記光記録媒体に、４５０ｎｍ以下の波長を有するレーザビームを照射して、情報を記録するように構成されている。
【００３８】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズおよび波長λを有するレーザビームを用い、前記対物レンズを介して、前記光記録媒体に、レーザビームを照射して、情報を記録するように構成されている。
【００３９】
本発明の好ましい実施態様においては、前記光記録媒体が、さらに、光透過層を備え、前記記録層が、前記基板と前記光透過層の間に形成された第一の反応層と第二の反応層を含み、前記光透過層を介して、レーザビームを照射して、前記第一の記録層に主成分として含まれている元素と、前記第二の記録層に主成分として含まれている元素とを混合させて、記録マークを形成するように構成されている。
【００４０】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第二の反応層が、前記第一の反応層に接するように、形成されている。
【００４１】
本発明の前記目的はまた、基板上に設けられた記録層を有する追記型の光記録媒体に、少なくとも記録パワーおよび基底パワーを含むパルス列パターンにしたがって変調されたレーザビームを照射して、前記記録層の所定の領域に記録マークを形成し、情報を記録する光記録媒体への情報記録装置であって、記録線速度が高いほど、記録パワーからなるパルスの数が少なく、かつ、前記基底パワーのレベルと前記記録パワーのレベルの比が高くなるように設定されたパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調し、記録マークを形成することを特徴とする光記録媒体への情報記録装置によって達成される。
【００４２】
本発明の好ましい実施態様においては、第１の線速度ＶＨ以上の記録線速度で、情報を記録する場合に、前記パルスの数を１に設定するように構成されている。
【００４３】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、第１の線速度ＶＨ未満で、かつ、第２の線速度ＶＬを越える記録線速度ＶＭで、情報を記録する場合、少なくとも最短の記録マークを形成するときは、前記パルスの数を１に設定し、形成すべき記録マークの長さが長いほど、前記パルスの数を大きく、設定するように構成されている。
【００４４】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、第１の線速度ＶＨ未満で、かつ、第２の線速度ＶＬを越える記録線速度ＶＭで、情報を記録する場合、少なくとも最短の記録マークを形成するときは、前記パルスの数を１に設定し、記録線速度ＶＭが低くなるほど、前記パルスの数を大きく、設定するように構成されている。
【００４５】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第２の線速度ＶＬ以下の記録線速度で、それぞれの長さを有する記録マークを形成し、情報を記録する場合に、記録マークの長さを表わす数との差が一定になるように、前記パルスの数を設定するように構成されている。
【００４６】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第１の線速度が、１０ｍ／ｓｅｃ以上に設定されている。
【００４７】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、記録線速度が高いほど、前記基底パワーが高いレベルに設定されるように構成されている。
【００４８】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記光記録媒体に、４５０ｎｍ以下の波長を有するレーザビームを照射して、情報を記録するように構成されている。
【００４９】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズおよび波長λを有するレーザビームを用い、前記対物レンズを介して、前記光記録媒体に、レーザビームを照射して、情報を記録するように構成されている。
【００５０】
本発明の前記目的はまた、基板と前記基板上に形成された記録層を備え、少なくとも記録パワーおよび基底パワーを含むパルス列パターンにしたがって変調されたレーザビームが照射されて、前記記録層に記録マークが形成され、情報が記録されるように構成された追記型の光記録媒体であって、記録線速度が高いほど、記録パワーからなるパルスの数が少なく、かつ、前記基底パワーのレベルと前記記録パワーのレベルの比が高くなるように設定されたパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調するために必要な記録条件設定用データが記録されていることを特徴とする光記録媒体によって達成される。
【００５１】
本発明の好ましい実施態様においては、光記録媒体は、さらに、光透過層を備え、前記記録層が、前記基板と前記光透過層の間に形成された第一の反応層と第二の反応層を含み、前記光透過層を介して、レーザビームが照射されたときに、前記第一の記録層に主成分として含まれている元素と、前記第二の記録層に主成分として含まれている元素とが混合し、記録マークが形成されるように構成されている。
【００５２】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第二の反応層が、前記第一の反応層に接するように、形成されている。
【００５３】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記光透過層が、１０ないし３００ｎｍの厚さを有するように形成されている。
【００５４】
本発明の好ましい実施態様においては、第１の線速度ＶＨ以上の記録線速度で、情報を記録する場合に、前記パルスの数が１に設定されている。
【００５５】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、第１の線速度ＶＨ未満で、かつ、第２の線速度ＶＬを越える記録線速度ＶＭで、情報を記録する場合、少なくとも最短の記録マークを形成するときは、前記パルスの数が１に設定され、形成すべき記録マークの長さが長いほど、前記パルスの数が大きく、設定されている。
【００５６】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、第１の線速度ＶＨ未満で、かつ、第２の線速度ＶＬを越える記録線速度ＶＭで、情報を記録する場合、少なくとも最短の記録マークを形成するときは、前記パルスの数が１に設定され、記録線速度ＶＭが低くなるほど、前記パルスの数が大きく、設定されている。
【００５７】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第２の線速度ＶＬ以下の記録線速度で、それぞれの長さを有する記録マークを形成し、情報を記録する場合に、記録マークの長さを表わす数との差が一定になるように、前記パルスの数が設定されている。
【００５８】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第１の線速度が、１０ｍ／ｓｅｃ以上に設定されている。
【００５９】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、記録線速度が高いほど、前記基底パワーが高いレベルに設定されている。
【発明の効果】
【００６０】
本発明によれば、低い記録パワーのレーザビームを用いて、高い記録線速度で、追記型の光記録媒体に情報を記録することができる光記録媒体への情報記録方法を提供することが可能になる。
【００６１】
また、本発明によれば、二層以上の反応層を含む記録層を備えた追記型の光記録媒体に、低い記録パワーのレーザビームを用いて、高い記録線速度で、追記型の光記録媒体に情報を記録することができる光記録媒体への情報記録方法を提供することが可能になる。
【００６２】
さらに、本発明によれば、低い記録パワーのレーザビームを用いて、高い記録線速度で、追記型の光記録媒体に情報を記録することができる光記録媒体への情報記録装置を提供することが可能になる。
【００６３】
また、本発明によれば、二層以上の反応層を含む記録層を備えた追記型の光記録媒体に、低い記録パワーのレーザビームを用いて、高い記録線速度で、情報を記録することができる光記録媒体への情報記録装置を提供することが可能になる。
【００６４】
さらに、本発明によれば、低い記録パワーのレーザビームを用いて、高い記録線速度で、情報を記録することができる追記型の光記録媒体を提供することが可能になる。
【００６５】
また、本発明によれば、低い記録パワーのレーザビームを用いて、高い記録線速度で、情報を記録することができる二層以上の反応層を含む記録層を備えた追記型の光記録媒体を提供することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６６】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
【００６７】
図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の構造を示す略断面図である。
【００６８】
図１に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、追記型の光記録媒体として構成され、基板１１と、基板１１の表面上に形成された反射層１２と、反射層１２の表面上に形成された第二の誘電体層１３と、第二の誘電体層１３の表面上に形成された記録層１４と、記録層１４の表面上に設けられた第一の誘電体層１５と、第一の誘電体層１５の表面上に形成された光透過層１６を備えている。図１に示されるように、記録層１４は、第二の誘電体層１３の表面上に形成された第二の反応層３２と、第二の反応層３２の表面上に形成された第一の反応層３１を含んでいる。
【００６９】
図１に示されるように、光記録媒体１０の中央部分には、センターホール１７が形成されている。
【００７０】
本実施態様においては、図１に示されるように、光透過層１６の表面に、レーザビームＬ１０が照射されて、光記録媒体１０にデータが記録され、光記録媒体１０から、データが再生されるように構成されている。
【００７１】
基板１１は、光記録媒体１０に求められる機械的強度を確保するための支持体として、機能する。
【００７２】
基板１１を形成するための材料は、光記録媒体１０の支持体として機能することができれば、とくに限定されるものではない。基板１１は、たとえば、ガラス、セラミックス、樹脂などによって、形成することができる。これらのうち、成形の容易性の観点から、樹脂が好ましく使用される。このような樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、加工性などの点から、ポリカーボネート樹脂がとくに好ましい。
【００７３】
本実施態様においては、基板１１は、約１．１ｍｍの厚さを有している。
【００７４】
図１に示されるように、基板１１の表面には、交互に、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが形成されている。基板１１の表面に形成されたグルーブ１１ａおよび／またはランド１１ｂは、データを記録する場合およびデータを再生する場合において、レーザビームＬ１０のガイドトラックとして、機能する。
【００７５】
反射層１２は、光透過層１６を介して、入射したレーザビームＬ１０を反射し、再び、光透過層１６から出射させる機能を有している。
【００７６】
反射層１２の厚さは、とくに限定されるものではないが、１０ｎｍないし３００ｎｍであることが好ましく、２０ｎｍないし２００ｎｍであることが、とくに好ましい。
【００７７】
反射層１２を形成するための材料は、レーザビームを反射できればよく、とくに限定されるものではなく、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕなどによって、反射層１２を形成することができる。これらのうち、高い反射率を有しているＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、または、ＡｇとＣｕとの合金などのこれらの金属の少なくとも１つを含む合金などの金属材料が、反射層１２を形成するために、好ましく用いられる。
【００７８】
反射層１２は、レーザビームＬ１０を用いて、第一の反応層３１および第二の反応層３２に光記録されたデータを再生するときに、多重干渉効果によって、記録部と未記録部との反射率の差を大きくして、高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得るために、設けられている。
【００７９】
第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３は、記録層１４を保護する役割を担っている。したがって、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３により、長期間にわたって、光記録されたデータの劣化を効果的に防止することができる。また、第二の誘電体層１３は、基板１１などの熱変形を防止する効果があり、したがって、変形に伴うジッターの悪化を効果的に防止することが可能になる。
【００８０】
第一の誘電体層１５および第２の誘電体層１３を形成するための誘電体材料は、透明な誘電体材料であれば、とくに限定されるものではなく、たとえば、酸化物、硫化物、窒化物またはこれらの組み合わせを主成分とする誘電体材料によって、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３を形成することができる。より具体的には、基板１１などの熱変形を防止し、記録層１４を保護するために、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３が、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＧｅＮ、ＧｅＣｒＮ、ＣｅＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮおよびＳｉＣよりなる群から選ばれる少なくとも１種の誘電体材料を主成分として含んでいることが好ましく、ＺｎＳ・ＳｉＯ２を主成分として含んでいることがより好ましい。
【００８１】
第一の誘電体層１５と第二の誘電体層１３は、互いに同じ誘電体材料によって形成されていてもよいが、異なる誘電体材料によって形成されていてもよい。さらに、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の少なくとも一方が、複数の誘電体膜からなる多層構造であってもよい。
【００８２】
なお、本明細書において、誘電体層が、誘電体材料を主成分として含むとは、誘電体層に含まれている誘電体材料の中で、その誘電体材料の含有率が最も大きいことをいう。また、ＺｎＳ・ＳｉＯ２は、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を意味する。
【００８３】
第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の層厚は、とくに限定されるものではないが、３ないし２００ｎｍであることが好ましい。第一の誘電体層１５あるいは第二の誘電体層１３の層厚が３ｎｍ未満であると、上述した効果が得られにくくなる。一方、第一の誘電体層１５あるいは第二の誘電体層１３の層厚が２００ｎｍを越えると、成膜に要する時間が長くなり、光記録媒体１０の生産性が低下するおそれがあり、さらに、第一の誘電体層１５あるいは第二の誘電体層１３のもつ応力によって、光記録媒体１０にクラックが発生するおそれがある。
【００８４】
記録層１４は、記録マークが形成されて、データが記録される層であり、第二の誘電体層１３の表面上に形成された第二の反応層３２と、第二の反応層３２の表面上に形成された第一の反応層３１を含んでいる。図１に示されるように、本実施態様においては、第一の反応層３１は、光透過層１６側に配置され、第二の反応層３２は、基板１１側に配置されている。
【００８５】
本実施態様においては、第一の反応層３１は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｚｒ、ＡｇおよびＰｔよりなる群から選ばれた元素を主成分として含み、第二の反応層３２は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｚｒ、ＡｇおよびＰｔよりなる群から選ばれた元素で、第一の反応層３１に主成分として含まれている元素とは異なる元素を主成分として含んでいる。
【００８６】
第一の反応層３１および第二の反応層３２が、このような元素を主成分として含んでいる場合には、光記録媒体１０の長期間の保存に対する信頼性を向上させることが可能になる。
【００８７】
また、これらの元素は、環境に関する負荷が小さく、地球環境を害するおそれがない。
【００８８】
再生信号のノイズレベルを低く抑えるためには、第一の反応層３１および第二の反応層３２に、主成分として含まれている元素以外の元素が添加されていることが好ましい。このような元素を添加することによって、第一の反応層３１および第二の反応層３２の表面平滑性を向上させて、再生信号のノイズレベルを低く抑えることが可能になるとともに、光記録媒体１０の長期間の保存に対する信頼性を向上させることが可能になる。
【００８９】
第一の反応層３１および第二の反応層３２に添加される元素は、一種類である必要はなく、第一の反応層３１および第二の反応層３２に、二種類以上の元素を添加することもできる。
【００９０】
記録層１４の層厚は、とくに限定されるものではないが、２ｎｍないし４０ｎｍの厚さを有するように、記録層１４を形成することが好ましく、２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有するように、記録層１４を形成することがより好ましい。このような厚さを有するように、記録層１４を形成することによって、第一の反応層３１および第二の反応層３２の表面平滑性を向上させて、再生信号のノイズレベルを低く抑えることができ、また、充分に高いレベルの再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得ることが可能になるとともに、記録感度を十分に向上させることが可能になる。
【００９１】
第一の反応層３１および第二の反応層３２のそれぞれの層厚は、とくに限定されるものではないが、再生信号のノイズレベルを低く抑えるとともに、記録感度を十分に向上させ、データを記録する前後の反射率の変化を十分に大きくするためには、第一の反応層３１の層厚が、１ｎｍないし３０ｎｍであり、第二の反応層３２の層厚が、１ｎｍないし３０ｎｍであることが好ましい。さらに、第一の反応層３１の層厚と第二の反応層３２の層厚との比（第一の反応層３１の層厚／第二の反応層３２の層厚）は、０．２ないし５．０であることが好ましい。
【００９２】
光透過層１６は、レーザビームＬ１０が透過する層であり、１０μｍないし３００μｍの厚さを有していることが好ましく、より好ましくは、光透過層１６は、５０μｍないし１５０μｍの厚さを有している。
【００９３】
光透過層１６を形成するための材料は、とくに限定されるものではないが、塗布によって、光透過層１６を形成する場合には、紫外線硬化性のアクリル樹脂やエポキシ樹脂などが好ましく用いられる。
【００９４】
光透過層１６は、第一の誘電体層１５の表面に、光透過性樹脂によって形成されたシートを、接着剤を用いて、接着することによって、形成されてもよい。
【００９５】
以上のような構成を有する光記録媒体１０は、たとえば、以下のようにして、製造される。
【００９６】
まず、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが形成された基板１１の表面上に、反射層１２が形成される。
【００９７】
反射層１２は、たとえば、反射層１２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
【００９８】
次いで、反射層１２の表面上に、第二の誘電体層１３が形成される。
【００９９】
第二の誘電体層１３は、たとえば、第二の誘電体層１３の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
【０１００】
さらに、第二の誘電体層１３の表面上に、第二の反応層３２が形成される。第二の反応層３２も、第二の誘電体層１３と同様にして、第二の反応層３２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。
【０１０１】
次いで、第二の反応層３２の表面上に、第一の反応層３１が形成される。第一の反応層３１も、第一の反応層３１の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって形成することができる。
【０１０２】
さらに、第一の反応層３１の表面上に、第一の誘電体層１５が形成される。第一の誘電体層１５もまた、第一の誘電体層１５の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。
【０１０３】
最後に、第一の誘電体層１５の表面上に、光透過層１６が形成される。光透過層１６は、たとえば、粘度調整されたアクリル系の紫外線硬化性樹脂あるいはエポキシ系の紫外線硬化性樹脂を、スピンコーティング法などによって、第一の誘電体層１５の表面に塗布して、塗膜を形成し、紫外線を照射して、塗膜を硬化させることによって、形成することができる。
【０１０４】
以上のようにして、光記録媒体１０が製造される。
【０１０５】
以上のような構成を有する光記録媒体１０に、たとえば、以下のようにして、データが記録される。
【０１０６】
まず、図１に示されるように、所定のパワーを有するレーザビームＬ１０が、光透過層１６を介して、記録層１４に照射される。
【０１０７】
図２（ａ）は、図１に示された光記録媒体の一部拡大略断面図であり、レーザビームＬ１０が、記録層１４に照射される前の状態を示している。
【０１０８】
データを高い記録密度で、光記録媒体１０に記録するためには、４５０ｎｍ以下の波長を有するレーザビームＬ１０を、開口数ＮＡが０．７以上の対物レンズ（図示せず）を用いて、光記録媒体１０上に集束することが好ましく、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍであることがより好ましい。この場合には、第一の反応層３１の表面におけるレーザビームＬ１０のビームスポット径は０．６５μｍ以下になる。
【０１０９】
本実施態様においては、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームＬ１０が、開口数が０．８５の対物レンズを用いて、第一の反応層３１の表面におけるレーザビームＬ１０のビームスポット径が約０．４３μｍとなるように、光記録媒体１０上に集束される。
【０１１０】
その結果、レーザビームＬ１０が照射された領域において、第一の反応層３１に主成分として含まれた元素と、第二の反応層３２に主成分として含まれた元素とが混合されて、図２（ｂ）に示されるように、第一の反応層３１に主成分として含まれた元素と、第二の反応層３２に主成分として含まれた元素とが混合されて、混合領域Ｍが形成される。
【０１１１】
第一の反応層３１に主成分として含まれた元素と、第二の反応層３２に主成分として含まれた元素とが混合されると、その領域の反射率が大きく変化し、したがって、こうして形成された混合領域Ｍの反射率は、その周囲の領域の反射率と大きく異なることになるので、混合領域Ｍを記録マークＭとして用いて、光記録媒体１０にデータを記録し、光記録媒体１０からデータを再生することが可能になる。
【０１１２】
光記録媒体１０に、レーザビームＬ１０を照射して、データを記録する場合には、記録パワーＰｗと基底パワーＰｂを含むパルス列パターンにしたがって、レーザビームＬ１０のパワーが変調される。
【０１１３】
図１に示された次世代型の光記録媒体１０においては、高い記録線速度で、データを記録することが要求され、追記型の光記録媒体においては、記録マークを形成するのに必要な記録パワーＰｗが、記録線速度の平方根に略比例するため、高い記録線速度で、光記録媒体１０にデータを記録するためには、パルス列パターンにおける記録パワーＰｗを高いレベルに設定することが要求される。
【０１１４】
しかしながら、次世代型の光記録媒体１０にデータを記録する場合に用いられる４５０ｎｍ以下の低波長のレーザビームを発する半導体レーザは出力が低く、また、出力の高い半導体レーザは高価であるため、高い記録線速度で、光記録媒体１０にデータを記録する場合にも、記録パワーＰｗをできるかぎり低いレベルに設定して、データが記録できるように、レーザビームＬ１０のパワーを変調するパルス列パターンを選択することが要求される。
【０１１５】
本発明者の研究によれば、低い記録パワーのレーザビームを用いて、高い記録線速度で、光記録媒体１０にデータを記録するためには、単パルスパターンにしたがって、レーザビームＬ１０のパワーを変調して、記録マークＭを形成するために供給される総熱量が高くすることが効果的であるが、データの記録線速度が低い場合には、単パルスパターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調して、記録マークを形成すると、供給される総熱量が過剰になって、記録マークの幅が大きくなり、クロストークが増大し、とくに、記録マークＭの長さが長くなるほど、この傾向が顕著になることが見出されている。
【０１１６】
そこで、本実施態様においては、データの記録線速度が高いほど、記録パワーＰｗからなるパルス数が少ないパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調し、記録マークを形成するように構成されている。
【０１１７】
図３は、１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合の記録マークの長さに対するレーザビームを変調するパルス列パターンのパルス数および記録線速度の関係を示すテーブルであり、具体的には、１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合には、図３に示されるように、記録線速度および記録マークＭの長さに応じて、パルス列パターンのパルス数が選択される。
【０１１８】
すなわち、図３に示されるように、記録線速度が低い第１の記録線速度ＶＬで、光記録媒体１０にデータを記録する場合には、レーザビームＬ１０のパワーを変調するパルス列パターンとして、基本パルス列パターンが選択され、ｎＴ信号（ｎは、１，７ＲＬＬ変調方式においては、２ないし８の整数である）を記録するときは、（ｎ−１）個の分割パルスを含む基本パルス列パターンが用いられる。２Ｔ信号を記録する場合には、パルス数が１となり、単パルスパターンと同じパターンになる。
【０１１９】
これに対して、記録線速度が高い第３の記録線速度ＶＨで、光記録媒体１０にデータを記録する場合には、レーザビームＬ１０のパワーを変調するパルス列パターンとして、単パルスパターンが選択される。ここに、第１の記録線速度ＶＬと第３の記録線速度ＶＭの関係は、２ＶＬ≦ＶＨであることが好ましく、４ＶＬ≦ＶＨであると、さらに好ましい。また、第３の記録線速度ＶＨは、１０ｍ／ｓｅｃ以上であることが好ましく、より好ましくは、２０ｍ／ｓｅｃ以上である。
【０１２０】
一方、第１の記録線速度ＶＬよりも高く、第２の記録線速度ＶＨよりも低い第２の記録線速度ＶＭで、光記録媒体１０にデータを記録する場合には、形成されるべき記録マークＭの長さが短いときは、レーザビームＬ１０のパワーを変調するパルス列パターンとして、単パルスパターンが選択され、形成されるべき記録マークＭの長さが長いときは、レーザビームＬ１０のパワーを変調するパルス列パターンとして、基本パルス列パターンが選択される。
【０１２１】
さらに、第１の記録線速度ＶＬよりも高く、第２の記録線速度ＶＨよりも低い第２の記録線速度ＶＭで、光記録媒体１０に、同じ長さの記録マークＭを形成する場合には、記録線速度ＶＭが低くなるほど、パルス列パターンに含まれる記録パワーＰｗのパルス数が多くなるように、パルス列パターンが設定され、一方、第１の記録線速度ＶＬよりも高く、第２の記録線速度ＶＨよりも低い第２の記録線速度ＶＭで、光記録媒体１０に記録マークＭを形成する場合に、記録線速度ＶＭが同じときは、形成すべき記録マークＭの長さが長いほど、パルス列パターンに含まれる記録パワーＰｗのパルス数が多くなるように、パルス列パターンが設定される。
【０１２２】
本実施態様において、基本パルス列パターンとしては、図９に示されるように、（ｎ−２）個の分割パルスを含む基本パルス列パターンだけでなく、ｎ個または（ｎ−１）個の分割パルスを含む基本パルス列パターンも含まれ、８／１６変調方式においては、（ｎ−２）個の分割パルスを含む基本パルス列パターンを用い、１，７ＲＬＬ変調方式においては、（ｎ−１）個の分割パルスを含む基本パルス列パターンを用いることが好ましい。
【０１２３】
図４は、第１の記録線速度ＶＬで、光記録媒体１０にデータを記録する場合のパルス列パターンを示す図であり、図４（ａ）は、２Ｔ信号を記録する場合のパルス列パターンを示し、図４（ｂ）は、３Ｔ信号ないし８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【０１２４】
図４（ａ）および図４（ｂ）に示されるように、第１の記録線速度ＶＬで、光記録媒体１０にデータを記録する場合には、記録マークＭを形成するための記録パルスが、（ｎ−１）個に分割され、レーザビームＬ１０のパワーは、各分割パルスのピークにおいて、記録パワーＰｗＬに、その他の期間において、基底パワーＰｂＬに設定される。
【０１２５】
このように、記録線速度が低い第１の記録線速度ＶＬで、光記録媒体１０にデータを記録する場合には、記録マークＭを形成するための記録パルスが、（ｎ−１）個に分割され、レーザビームＬ１０のパワーは、各分割パルスのピークにおいて、記録パワーＰｗＬに、その他の期間において、基底パワーＰｂＬに設定されているから、記録マークＭを形成するために、供給される総熱量が過大となることが防止されるから、記録マークＭの幅が広がって、クロストークが増大することを効果的に防止することができる。
【０１２６】
記録パワーＰｗは、レーザビームＬ１０の照射によって、第一の反応層３１に主成分として含まれる元素と、第２の反応層３２に主成分として含まれる元素が加熱されて、混合し、記録マークＭが形成されるような高いレベルに設定され、一方、基底パワーＰｂは、基底パワーＰｂ１のレーザビームＬ１０が照射されても、第一の反応層３１に主成分として含まれる元素と、第２の反応層３２に主成分として含まれる元素が実質的に混合することがないような低いレベルに設定される。
【０１２７】
ここに、基底パワーＰｂＬのレベルは、図４（ａ）および図４（ｂ）に示されるように、再生パワーＰｒよりも高いレベルに設定されている。
【０１２８】
このように、基底パワーＰｂＬのレベルを、再生パワーＰｒよりも高いレベルに設定することによって、記録パワーＰｗＬのレーザビームＬ１０による加熱を、基底パワーＰｂＬのレーザビームによって、補助することができ、したがって、記録パワーＰｗＬを低いレベルに設定することが可能になる。
【０１２９】
図５は、第３の記録線速度ＶＨで、光記録媒体１０にデータを記録する場合のパルス列パターンを示す図である。
【０１３０】
図５に示されるように、第３の記録線速度ＶＨで、光記録媒体１０にデータを記録する場合には、レーザビームＬ１０のパワーを変調するためのパルス列パターンとして、単パルスパターンが選択され、レーザビームＬ１０のパワーは、記録マークＭを形成すべき領域において、記録パワーＰｗＨに、その他の期間において、基底パワーＰｂＨになるように変調される。
【０１３１】
したがって、記録マークＭを形成するために供給される総熱量を高くすることができ、したがって、記録パワーＰｗＨを低いレベルに設定することが可能になる。
【０１３２】
記録パワーＰｗＨは、レーザビームＬ１０の照射によって、第一の反応層３１に主成分として含まれる元素と、第二の反応層３２に主成分として含まれる元素が加熱されて、混合し、記録マークＭが形成されるような高いレベルに設定され、基底パワーＰｂＬは、基底パワーＰｂＬのレーザビームＬ１０が照射されても、第二の反応層３１に主成分として含まれる元素と、第二の反応層３２に主成分として含まれる元素が実質的に混合することがないような低いレベルに設定される。
【０１３３】
基底パワーＰｂＨのレベルは、再生パワーＰｒよりも高いレベルに設定されることが好ましい。基底パワーＰｂＨのレベルを、再生パワーＰｒよりも高いレベルに設定することによって、記録パワーＰｗＨのレーザビームＬ１０による加熱を、基底パワーＰｂＨのレーザビームによって、補助することができ、したがって、記録パワーＰｗＨを低いレベルに設定することが可能になる。
【０１３４】
図６は、第１の記録線速度ＶＬよりも高く、第３の記録線速度ＶＨよりも低い第２の記録線速度ＶＭで、光記録媒体１０にデータを記録する場合のパルス列パターンを示す図であり、図６（ａ）は２Ｔ信号ないし５Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、図６（ｂ）は６Ｔ信号ないし８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【０１３５】
図６（ａ）に示されるように、第３の記録線速度ＶＨよりも低い第２の記録線速度ＶＭで、光記録媒体１０にデータを記録する場合には、２Ｔ信号ないし５Ｔ信号を記録するときには、レーザビームＬ１０のパワーを変調するためのパルス列パターンとして、単パルスパターンが選択され、６Ｔ信号ないし８Ｔ信号を記録するときには、２個ないし４個の分割パルスを含む基本パルス列パターンが選択される。この場合、レーザビームＬ１０のパワーは、単パルスおよび分割パルスのピークにおいて、記録パワーＰｗＭに、その他の期間において、基底パワーＰｂＭになるように変調される。
【０１３６】
このように、レーザビームＬ１０を変調するパルス列パターンを設定することによって、２Ｔ信号ないし５Ｔ信号を記録する場合には、記録マークＭを形成するために、供給される総熱量が大きくなるから、記録パワーＰｗＭのレベルを低いレベルに設定することが可能になるとともに、記録マークＭを形成するために、過大な熱量が供給されることがないから、６Ｔ信号ないし８Ｔ信号を用いて、形成された長い記録マークの幅が広がって、クロストークが増大することを効果的に防止することが可能になる。
【０１３７】
記録パワーＰｗＭは、レーザビームＬ１０の照射によって、第一の反応層３１に主成分として含まれる元素と、第二の反応層３２に主成分として含まれる元素が加熱されて、混合し、記録マークＭが形成されるような高いレベルに設定され、基底パワーＰｂＭは、基底パワーＰｂＭのレーザビームＬ１０が照射されても、第二の反応層３１に主成分として含まれる元素と、第二の反応層３２に主成分として含まれる元素が実質的に混合することがないような低いレベルに設定される。
【０１３８】
基底パワーＰｂＭのレベルは、再生パワーＰｒよりも高いレベルに設定される。基底パワーＰｂＭのレベルを、再生パワーＰｒよりも高いレベルに設定することによって、記録パワーＰｗＭのレーザビームＬ１０による加熱を、基底パワーＰｂＭのレーザビームによって、補助することができ、したがって、記録パワーＰｗＭを低いレベルに設定することが可能になる。
【０１３９】
第１の記録線速度ＶＬで、データを記録する場合に用いられるパルス列パターンの基底パワーＰｂＬ、第３の記録線速度ＶＨで、データを記録する場合に用いられるパルス列パターンの基底パワーＰｂＨおよび第２の記録線速度ＶＭで、データを記録する場合に用いられるパルス列パターンの基底パワーＰｂＭは、ＰｂＬ＜ＰｂＭ≦ＰｂＨであることが好ましく、３ＰｂＬ≦ＰｂＭ≦ＰｂＨであることがより好ましく、５ＰｂＬ≦ＰｂＭ＜ＰｂＨであることが最も好ましい。
【０１４０】
また、第１の記録線速度ＶＬで、データを記録する場合に用いられるパルス列パターンの基底パワーＰｂＬと記録パワーＰｗＬとの比（ＰｂＬ／ＰｗＬ）、第３の記録線速度ＶＨで、データを記録する場合に用いられるパルス列パターンの基底パワーＰｂＨと記録パワーＰｗＨとの比（ＰｂＨ／ＰｗＨ）および第２の記録線速度ＶＭで、データを記録する場合に用いられるパルス列パターンの基底パワーＰｂＭと記録パワーＰｗＭとの比（ＰｂＭ／ＰｗＭ）が、（ＰｂＬ／ＰｗＬ）＜（ＰｂＭ／ＰｗＭ）≦（ＰｂＨ／ＰｗＨ）となるように、それぞれのパルス列パターンが設定されることが好ましく、さらに好ましくは、３（ＰｂＬ／ＰｗＬ）≦（ＰｂＭ／ＰｗＭ）≦（ＰｂＨ／ＰｗＨ）であり、最も好ましくは、５（ＰｂＬ／ＰｗＬ）≦（ＰｂＭ／ＰｗＭ）≦（ＰｂＨ／ＰｗＨ）である。
【０１４１】
レーザビームのパワーを変調するパルス列パターンの記録パワーおよび基底パワーを、このように設定することによって、複数の記録線速度の中から、所望の記録線速度を選択して、データを記録可能なシステム（マルチスピード記録）において、異なる記録線速度で、データを記録する場合に、記録パワーＰｗのレベルをほぼ同じレベルに設定することが可能になる。
【０１４２】
したがって、本実施態様においては、記録パワーＰｗＭを低いレベルに設定することができ、しかも、異なる記録線速度で、データを記録する場合に、記録パワーＰｗのレベルをほぼ同じレベルに設定することが可能になるから、比較的安価で、低出力の半導体レーザを使用することが可能となる。
【０１４３】
本実施態様によれば、記録線速度が高い第３の記録線速度ＶＨで、光記録媒体１０にデータを記録する場合には、レーザビームＬ１０のパワーを変調するパルス列パターンとして、単パルスパターンが選択されるように構成されているから、記録マークＭを形成するために供給される総熱量を高くすることができ、したがって、記録パワーＰｗＨを低いレベルに設定して、光記録媒体１０にデータを記録することが可能になるから、比較的安価で、低出力の半導体レーザを使用することが可能になる。
【０１４４】
また、本実施態様によれば、記録線速度が低い第１の記録線速度ＶＬで、光記録媒体１０にデータを記録する場合には、レーザビームＬ１０のパワーを変調するパルス列パターンとして、基本パルス列パターンが選択され、ｎＴ信号（ｎは、１，７ＲＬＬ変調方式においては、２ないし８の整数である）を記録するときは、（ｎ−１）個の分割パルスを含む基本パルス列パターンが用いられるように構成されているから、記録マークＭを形成するために、供給される総熱量が過大になって、記録マークＭの幅が広がり、クロストークが増大することを効果的に防止することができる。
【０１４５】
さらに、本実施態様によれば、第１の記録線速度ＶＬよりも高く、第３の記録線速度ＶＨよりも低い第２の記録線速度ＶＭで、光記録媒体１０にデータを記録する場合には、図６に示されるように、形成されるべき記録マークＭの長さが短いときは、レーザビームＬ１０のパワーを変調するパルス列パターンとして、単パルスパターンが選択され、形成されるべき記録マークＭの長さが長いときは、レーザビームＬ１０のパワーを変調するパルス列パターンとして、基本パルス列パターンが選択されるから、記録マークＭを形成するために、供給される総熱量が過大になって、記録マークＭの幅が広がり、クロストークが増大することを効果的に防止することが可能になるとともに、記録パワーＰｗＭを低いレベルに設定して、光記録媒体１０にデータを記録することができ、比較的安価で、低出力の半導体レーザを使用することが可能となる。
【０１４６】
また、本実施態様によれば、第１の記録線速度ＶＬで、データを記録する場合に用いられるパルス列パターンの基底パワーＰｂＬ、第３の記録線速度ＶＨで、データを記録する場合に用いられるパルス列パターンの基底パワーＰｂＨおよび第２の記録線速度ＶＭで、データを記録する場合に用いられるパルス列パターンの基底パワーＰｂＭが、好ましくは、ＰｂＬ＜ＰｂＭ≦ＰｂＨとなるように設定され、より好ましくは、３ＰｂＬ≦ＰｂＭ≦ＰｂＨ、さらに好ましくは、５ＰｂＬ≦ＰｂＭ＜ＰｂＨとなるように、設定されているから、記録線速度が低く、そのパワーが記録パワーに設定されたレーザビームＬ１０によって供給される熱量が少なくなる場合に、そのパワーが基底パワーに設定されたレーザビームによって、記録パワーのレーザビームＬ１０によって供給される熱量の不足を補うことができ、したがって、比較的安価で、低出力の半導体レーザを用いて、所望のように、記録マークを形成し、データを記録することが可能になる。
【０１４７】
さらに、本実施態様においては、第１の記録線速度ＶＬで、データを記録する場合に用いられるパルス列パターンの基底パワーＰｂＬ、第３の記録線速度ＶＨで、データを記録する場合に用いられるパルス列パターンの基底パワーＰｂＨおよび第２の記録線速度ＶＭで、データを記録する場合に用いられるパルス列パターンの基底パワーＰｂＭが、好ましくは、ＰｂＬ＜ＰｂＭ≦ＰｂＨとなるように設定され、より好ましくは、３ＰｂＬ≦ＰｂＭ≦ＰｂＨ、さらに好ましくは、５ＰｂＬ≦ＰｂＭ＜ＰｂＨとなるように、設定されるとともに、第１の記録線速度ＶＬで、データを記録する場合に用いられるパルス列パターンの基底パワーＰｂＬと記録パワーＰｗＬとの比（ＰｂＬ／ＰｗＬ）、第３の記録線速度ＶＨで、データを記録する場合に用いられるパルス列パターンの基底パワーＰｂＨと記録パワーＰｗＨとの比（ＰｂＨ／ＰｗＨ）および第２の記録線速度ＶＭで、データを記録する場合に用いられるパルス列パターンの基底パワーＰｂＭと記録パワーＰｗＭとの比（ＰｂＭ／ＰｗＭ）が、好ましくは、（ＰｂＬ／ＰｗＬ）＜（ＰｂＭ／ＰｗＭ）≦（ＰｂＨ／ＰｗＨ）となるように設定され、より好ましくは、３（ＰｂＬ／ＰｗＬ）≦（ＰｂＭ／ＰｗＭ）≦（ＰｂＨ／ＰｗＨ）、最も好ましくは、５（ＰｂＬ／ＰｗＬ）≦（ＰｂＭ／ＰｗＭ）≦（ＰｂＨ／ＰｗＨ）となるように設定されているから、複数の記録線速度の中から、所望の記録線速度を選択して、データを記録可能なシステム（マルチスピード記録）において、異なる記録線速度で、データを記録する場合に、記録パワーＰｗのレベルをほぼ同じレベルに設定することが可能になる。
【０１４８】
したがって、本実施態様によれば、高い記録線速度で、光記録媒体１０にデータを記録する場合にも、比較的安価で、低出力の半導体レーザを使用することが可能となる。
【０１４９】
図７は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体への情報記録装置のブロックダイアグラムである。
【０１５０】
図７に示されるように、本実施態様にかかる情報記録装置５０は、光記録媒体１０を回転させるためのスピンドルモータ５２と、光記録媒体１０に、レーザビームを照射するとともに、光記録媒体１０によって、反射された光を受光するヘッド５３と、スピンドルモータ５２およびヘッド５３の動作を制御するコントローラ５４と、ヘッド５３に、レーザ駆動信号を供給するレーザ駆動回路５５と、ヘッド５３に、レンズ駆動信号を供給するレンズ駆動回路５６とを備えている。
【０１５１】
図７に示されるように、コントローラ５４は、フォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８およびレーザコントロール回路５９を備えている。
【０１５２】
フォーカスサーボ追従回路５７が活性化すると、回転している光記録媒体１０の第一の記録層３１に、レーザビームＬ１０がフォーカスされ、トラッキングサーボ追従回路５８が活性化すると、光記録媒体１０のトラックに対して、レーザビームのスポットが自動追従状態となる。
【０１５３】
図７に示されるように、フォーカスサーボ追従回路５７およびトラッキングサーボ追従回路５８は、それぞれ、フォーカスゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能およびトラッキングゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能を有している。
【０１５４】
また、レーザコントロール回路５９は、レーザ駆動回路５５により供給されるレーザ駆動信号を生成する回路である。
【０１５５】
本実施態様においては、上述したパルス列パターンを特定するためのデータが、データを記録する際に必要な記録線速度などの種々の記録条件を特定するためのデータとともに、記録条件設定用データとして、光記録媒体１０に、ウォブルやプレピットの形で、記録されている。
【０１５６】
したがって、レーザコントロール回路５９は、データを記録するのに先立って、光記録媒体１０に記録された記録条件設定用データを読み出し、読み出した記録条件設定用データに基づいて、所望のパルス列パターンを選択し、レーザ駆動信号を生成し、レーザ駆動回路５５からヘッド５３に出力させる。
【０１５７】
こうして、所望の記録ストラテジにしたがって、光記録媒体１０にデータが記録される。
【０１５８】
本実施態様によれば、光記録媒体１０には、レーザビームＬ１０のパワーを変調するために用いるパルス列パターンを特定するためのデータが、データを記録する際に必要な記録線速度などの種々の記録条件を特定するためのデータとともに、記録条件設定用データとして、記録されており、光記録媒体１０にデータを記録するのに先立って、レーザコントロール回路５９により、記録条件設定用データが読み出され、読み出された記録条件設定用データに基づいて、所望のパルス列パターンが選択され、光記録媒体１０に、レーザビームを照射するヘッド５３が制御されるように構成されているから、所望の記録ストラテジにしたがって、光記録媒体１０にデータを記録することが可能になる。
【実施例】
【０１５９】
以下、本発明の効果をより明瞭なものとするため、実施例を掲げる。
【０１６０】
実施例１
以下のようにして、図１に示される光記録媒体１と同様の構成を有する光記録媒体を作製した。
【０１６１】
すなわち、まず、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、次いで、ポリカーボネート基板上に、Ａｇ、ＰｄおよびＣｕの混合物を含み、１００ｎｍの層厚を有する反射層、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を含み、３０ｎｍの層厚を有する第二の誘電体層、Ｃｕを主成分として含み、５ｎｍの層厚を有する第二の記録層、Ｓｉを主成分として含み、５ｎｍの層厚を有する第一の記録層、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を含み、２５ｎｍの層厚を有する第一の誘電体層を、順次、スパッタリング法によって、形成した。
【０１６２】
第一の誘電体層および第二の誘電体層に含まれたＺｎＳとＳｉＯ２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ２のモル比率は、８０：２０であった。
【０１６３】
さらに、第一の誘電体層上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、スピンコーティング法によって、塗布して、塗布層を形成し、塗布層に紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、１００μｍの層厚を有する光透過層を形成した。
【０１６４】
こうして作製した光記録媒体を、パルステック工業株式会社製の光記録媒体評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、波長が４０５ｎｍの青色レーザ光を、記録用レーザ光として用い、ＮＡ（開口数）が０．８５の対物レンズを用いて、レーザ光を、光透過層を介して、集光し、データを記録した。
【０１６５】
記録信号としては、２Ｔないし８Ｔのランダム信号を用い、記録信号にかかわらず、（ｎ−１個）の分割パルスを含む第１のパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調して、データを記録した。
【０１６６】
第１のパルス列パターンの基底パワーＰｂは０．５ｍＷに固定し、記録パワーＰｗを変化させて、第１の記録線速度ＶＬ、第２の記録線速度ＶＭおよび第３の記録線速度ＶＨで、データを記録した。
【０１６７】
第１の記録線速度ＶＬは、５．３ｍ／ｓｅｃ（チャンネルクロック：６６ＭＨｚ）に設定し、第２の記録線速度ＶＭは、１０．６ｍ／ｓｅｃ（チャンネルクロック：１３２ＭＨｚ）に設定し、第３の記録線速度ＶＨは、２１．２ｍ／ｓｅｃ（チャンネルクロック：２６３ＭＨｚ）に設定した。
【０１６８】
第１の記録線速度ＶＬにおいては、フォーマット効率を８０％とした場合のデータ転送レートは約３５Ｍｂｐｓであり、最短ブランク長と記録線速度との比（最短ブランク長／記録線速度）は、３０．４ｎｓｅｃであった。また、第２記録線速度ＶＭにおいては、フォーマット効率を８０％とした場合のデータ転送レートは約７０Ｍｂｐｓであり、最短ブランク長と記録線速度との比（最短ブランク長／記録線速度）は、１５．２ｎｓｅｃであった。さらに、第３記録線速度ＶＨにおいては、フォーマット効率を８０％とした場合のデータ転送レートは約１４０Ｍｂｐｓであり、最短ブランク長と記録線速度との比（最短ブランク長／記録線速度）は、７．６ｎｓｅｃであった。
【０１６９】
次いで、上述の光媒体評価装置を用いて、光記録媒体に記録されたデータを再生して、再生信号のクロックジッターが最小になったときのレーザビームの記録パワーＰｗを求め、最適な記録パワーとした。データの再生にあたっては、レーザ光の波長を４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡ（開口数）を０．８５とした。再生信号のクロックジッターは、タイムインターバルアナライザにより、再生信号の「ゆらぎ（σ）」を求め、σ／Ｔｗにより算出した。ここに、Ｔｗはクロックの１周期である。
【０１７０】
測定結果は、表１に示されている。
【０１７１】
実施例２
２Ｔ信号ないし５Ｔ信号を記録するときには、単パルスパターンが選択され、６Ｔ信号ないし８Ｔ信号を記録するときには、２個ないし４個の分割パルスを含む基本パルス列パターンが選択されるように構成された第２のパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調した以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体にデータを記録し、記録されたデータを再生して、再生信号のクロックジッターが最小になったときのレーザビームの記録パワーＰｗを求め、最適な記録パワーとした。
【０１７２】
測定結果は、表１に示されている。
【０１７３】
実施例３
記録信号にかかわらず、単パルスパターンが選択されるように構成された第３のパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調した以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体にデータを記録し、記録されたデータを再生して、再生信号のクロックジッターが最小になったときのレーザビームの記録パワーＰｗを求め、最適な記録パワーとした。
【０１７４】
測定結果は、表１に示されている。
【０１７５】
【表１】
2005293845.tif 000003
【０１７６】
表１に示されるように、基底パワーＰｂを０．５ｍＷに固定した場合には、記録線速度が高くなるほど、最適な記録パワーが高くなることが認められた。
【０１７７】
また、いずれの記録線速度においても、最適な記録パワーは、第１のパルス列パターン、第２のパルス列パターン、第３のパルス列パターンの順に、低くなることがわかった。
【０１７８】
ただし、使用した光ディスク評価装置のレーザビームの強度変調速度の限界から、第３の記録線速度ＶＨでは、第１のパルス列パターンにしたがって、レーザビームを変調して、データを記録することができなかった。
【０１７９】
実施例４
第１の記録線速度ＶＬで、光記録媒体にデータを記録する場合に、第１のパルス列パターンの基底パワーＰｂを１．５ｍＷに設定し、第２の記録線速度ＶＭで、光記録媒体にデータを記録する場合に、第１のパルス列パターンの基底パワーＰｂを２．０ｍＷに設定し、第３の記録線速度ＶＨで、光記録媒体にデータを記録する場合に、第１のパルス列パターンの基底パワーＰｂを２．５ｍＷに設定した以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体にデータを記録し、記録されたデータを再生して、再生信号のクロックジッターが最小になったときのレーザビームの記録パワーＰｗを求め、最適な記録パワーとした。
【０１８０】
測定結果は表２に示されている。
【０１８１】
表２において、括弧内の数値は、実施例１によって、得られた最適記録パワーとの差である。
【０１８２】
実施例５
第１の記録線速度ＶＬで、光記録媒体にデータを記録する場合に、第２のパルス列パターンの基底パワーＰｂを１．５ｍＷに設定し、第２の記録線速度ＶＭで、光記録媒体にデータを記録する場合に、第２のパルス列パターンの基底パワーＰｂを２．０ｍＷに設定し、第３の記録線速度ＶＨで、光記録媒体にデータを記録する場合に、第２のパルス列パターンの基底パワーＰｂを２．５ｍＷに設定した以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体にデータを記録し、記録されたデータを再生して、再生信号のクロックジッターが最小になったときのレーザビームの記録パワーＰｗを求め、最適な記録パワーとした。
【０１８３】
測定結果は表２に示されている。
【０１８４】
表２において、括弧内の数値は、実施例２によって、得られた最適記録パワーとの差である。
【０１８５】
実施例６
第１の記録線速度ＶＬで、光記録媒体にデータを記録する場合に、第３のパルス列パターンの基底パワーＰｂを１．５ｍＷに設定し、第２の記録線速度ＶＭで、光記録媒体にデータを記録する場合に、第３のパルス列パターンの基底パワーＰｂを２．０ｍＷに設定し、第３の記録線速度ＶＨで、光記録媒体にデータを記録する場合に、第３のパルス列パターンの基底パワーＰｂを２．５ｍＷに設定した以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体にデータを記録し、記録されたデータを再生して、再生信号のクロックジッターが最小になったときのレーザビームの記録パワーＰｗを求め、最適な記録パワーとした。
【０１８６】
測定結果は表２に示されている。
【０１８７】
表２において、括弧内の数値は、実施例３によって、得られた最適記録パワーとの差である。
【０１８８】
【表２】
2005293845.tif 000004
【０１８９】
表２に示されるように、第１の記録線速度ＶＬで、光記録媒体にデータを記録する場合に、パルス列パターンの基底パワーＰｂを１．５ｍＷに設定し、第２の記録線速度ＶＭで、光記録媒体にデータを記録する場合に、パルス列パターンの基底パワーＰｂを２．０ｍＷに設定し、第３の記録線速度ＶＨで、光記録媒体にデータを記録する場合に、パルス列パターンの基底パワーＰｂを２．５ｍＷに設定した場合には、いずれのパルス列パターンを用いた場合でも、パルス列パターンの基底パワーＰｂを０．５ｍＷに設定した場合に比して、最適な記録パワーＰｗの値が低下することがわかった。
【０１９０】
また、記録線速度が高いほど、最適な記録パワーＰｗの低下が大きくなることが認められた。これは、記録線速度が高いほど、隣り合った記録マークから受ける熱の影響が大きく、したがって、パルス列パターンの基底パワーＰｂのレベルを高いレベルに設定したことによる最適な記録パワーＰｗの低下も、記録線速度が高いほど、大きくなるためと予測される。
【０１９１】
実施例７
記録パワーＰｗを、実施例４によって得られた最適な記録パワーに設定し、実施例４と同様にして、１本のトラックに、２Ｔないし８Ｔのランダム信号を記録し、記録した信号を再生して、再生信号のクロックジッターを測定した。以下、こうして測定されたクロックジッターを、「シングルジッター」という。
【０１９２】
さらに、同じ記録条件で、隣り合った３本のトラックに、２Ｔないし８Ｔのランダム信号を記録し、中央のトラックに記録した信号を再生して、再生信号のクロックジッターを測定した。以下、こうして測定されたクロックジッターを、「クロスジッター」という。
【０１９３】
次いで、記録線速度ごとに、シングルジッターとクロスジッターとの差を算出した。
【０１９４】
算出結果は表３に示されている。
【０１９５】
実施例８
記録パワーＰｗを、実施例５によって得られた最適な記録パワーに設定し、実施例５と同様にして、１本のトラックに、２Ｔないし８Ｔのランダム信号を記録し、記録した信号を再生して、再生信号のシングルジッターを測定した。
【０１９６】
さらに、同じ記録条件で、隣り合った３本のトラックに、２Ｔないし８Ｔのランダム信号を記録し、中央のトラックに記録した信号を再生して、再生信号のクロスジッターを測定した。
【０１９７】
次いで、記録線速度ごとに、シングルジッターとクロスジッターとの差を算出した。
【０１９８】
算出結果は表３に示されている。
【０１９９】
実施例９
記録パワーＰｗを、実施例６によって得られた最適な記録パワーに設定し、実施例６と同様にして、１本のトラックに、２Ｔないし８Ｔのランダム信号を記録し、記録した信号を再生して、再生信号のシングルジッターを測定した。
【０２００】
さらに、同じ記録条件で、隣り合った３本のトラックに、２Ｔないし８Ｔのランダム信号を記録し、中央のトラックに記録した信号を再生して、再生信号のクロスジッターを測定した。
【０２０１】
次いで、記録線速度ごとに、シングルジッターとクロスジッターとの差を算出した。
【０２０２】
算出結果は表３に示されている。
【０２０３】
【表３】
2005293845.tif 000005
【０２０４】
表３に示されるように、第１の記録線速度ＶＬおよび第２の記録線速度ＶＭで、データを記録した場合には、第１のパルス列パターン、第２のパルス列パターン、第３のパルス列パターンの順に、シングルジッターとクロスジッターとの差が大きくなり、クロストークが増大することがわかった。これは、第１のパルス列パターン、第２のパルス列パターン、第３のパルス列パターンの順に、形成された記録マークの幅が広くなったためと考えられる。
【０２０５】
また、第２の記録線速度ＶＭで、データを記録した場合に比し、第１の記録線速度ＶＬで、データを記録した場合には、第１のパルス列パターン、第２のパルス列パターン、第３のパルス列パターンの順に、シングルジッターとクロスジッターとの差がより大きくなることが判明した。
【０２０６】
一方、第３の記録線速度ＶＨで、データを記録した場合には、第２のパルス列パターンを用いた場合と第３のパルス列パターンを用いた場合とで、シングルジッターとクロスジッターとの差に変化は認められなかった。
【０２０７】
実施例１ないし実施例９から、第１の記録線速度ＶＬで、データを記録する場合に、第２のパルス列パターンあるいは第３のパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調するときは、クロストークが増大するから、第１の記録線速度ＶＬで、データを記録する場合には、第１のパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調することが望ましいことがわかった。これは、第１の記録線速度ＶＬで、データを記録する場合には、記録線速度が低いため、記録パワーＰｗのレベルを高くすることはもともと要求されてはおらず、記録パワーＰｗのレベルを高くするとクロストークが増大するからである。
【０２０８】
また、実施例１ないし実施例９から、第２の記録線速度ＶＭで、データを記録する場合には、第１のパルス列パターン、第２のパルス列パターン、第３のパルス列パターンの順に、クロストークが増大するが、第２の記録線速度ＶＭで、データを記録する場合には、記録パワーＰｗのレベルを低下させることがより重要であるため、第２のパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調することが望ましいことがわかった。
【０２０９】
さらに、実施例１ないし実施例９から、第３の記録線速度ＶＨで、データを記録する場合には、第３のパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調したときに、記録パワーＰｗのレベルを最も低いレベルに設定することができ、また、第２のパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調したときと、クロストークのレベルにも差が認められないから、第３の記録線速度ＶＨで、データを記録する場合には、第３のパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調することが望ましいことがわかった。
【０２１０】
本発明は、以上の実施態様および実施例に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【０２１１】
たとえば、前記実施態様および前記実施例においては、光記録媒体１０の記録層１４が、互いに接触するように形成された第一の反応層３１と第二の反応層３２とによって構成されているが、光記録媒体１０の記録層１４は、第一の反応層３１と第二の反応層３２を含んでいればよく、記録層１４を、互いに接触するように形成された第一の反応層３１と第二の反応層３２とによって構成することは必ずしも必要でない。記録層１４は、３層以上の反応層を備えていてもよく、たとえば、光記録媒体１０の記録層１４が、２つの第一の反応層３１と、２つの第一の反応層３１の間に配置された第二の反応層３２とによって構成されていてもよい。
【０２１２】
また、前記実施態様および前記実施例においては、光記録媒体１０は、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３を備え、記録層１４が、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の間に配置されているが、光記録媒体１０が、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３を備えていることは必ずしも必要でなく、単一の誘電体層を有していてもよいし、誘電体層を備えていなくてもよい。
【０２１３】
さらに、前記実施態様および前記実施例においては、光記録媒体１０は反射層１２を備えているが、レーザ光が照射された結果、第一の反応層３１に主成分として含まれた元素と、第二の反応層３２に主成分として含まれた元素が混合して形成された記録マークＭにおける反射光のレベルと、それ以外の領域における反射光のレベルの差が十分に大きい場合には、反射層１２を省略することができる。
【０２１４】
また、図７に示された実施態様においては、レーザビームＬ１０のパワーを変調するために使用すべきパルス列パターンを特定するためのデータが、データを記録する際に必要な記録線速度などの種々の記録条件を特定するためのデータとともに、記録条件設定用データとして、ウォブルやプレピットの形で、光記録媒体１０に記録されているが、レーザビームＬ１０のパワーを変調するために使用すべきパルス列パターンを特定するためのデータを、データを記録する際に必要な記録線速度などの種々の記録条件を特定するためのデータとともに、記録条件設定用データを、ウォブルやプレピットの形で、光記録媒体１０に記録しておくことは必ずしも必要でなく、光記録媒体１０の第一の反応層３１あるいは第二の反応層３２に、記録条件設定用データを記録するようにしてもよい。
【０２１５】
さらに、図７に示された実施態様においては、レーザビームＬ１０のパワーを変調するために使用すべきパルス列パターンを特定するためのデータが、データを記録する際に必要な記録線速度などの種々の記録条件を特定するためのデータとともに、記録条件設定用データとして、光記録媒体１０に、ウォブルやプレピットの形で、記録されているが、レーザビームＬ１０のパワーを変調するために使用すべきパルス列パターンを特定するためのデータおよびデータを記録する際に必要な記録線速度などの種々の記録条件を特定するためのデータを、記録条件設定用データとして、光記録媒体１０に記録しておくことは必ずしも必要でなく、レーザビームＬ１０のパワーを変調するために使用すべきパルス列パターンを特定するためのデータのみが、記録条件設定用データとして、光記録媒体１０に記録されていてもよい。
【０２１６】
また、図７に示された実施態様においては、レーザビームＬ１０のパワーを変調するために使用すべきパルス列パターンを特定するためのデータが、データを記録する際に必要な記録線速度などの種々の記録条件を特定するためのデータとともに、記録条件設定用データとして、光記録媒体１０に、ウォブルやプレピットの形で、記録されているが、レーザビームＬ１０のパワーを変調するために使用すべきパルス列パターンを特定するためのデータおよびデータを記録する際に必要な記録線速度などの種々の記録条件を特定するためのデータを、記録条件設定用データとして、光記録媒体１０に記録しておくことは必ずしも必要でなく、情報記録装置内に、レーザビームＬ１０のパワーを変調するために使用すべきパルス列パターンを特定するためのデータおよび記録条件を特定するためのデータを、あらかじめ格納しておき、記録条件設定用データとして、それらに基づいて、情報記録装置内にあらかじめ格納されているデータを特定することができ、間接的に、選択すべき記録ストラテジを特定可能なデータを、光記録媒体１０に記録しておくようにすることもできる。
【０２１７】
さらに、図７に示された実施態様においては、フォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８およびレーザコントロール回路５９が、コントローラ５４内に組み込まれているが、フォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８およびレーザコントロール回路５９を、コントローラ５４内に組み込むことは必ずしも必要でなく、コントローラ５４とは別体に、フォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８およびレーザコントロール回路５９を設けることもできるし、フォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８およびレーザコントロール回路５９の機能を果たすソフトウエアを、コントローラ５４内に組み込むようにしてもよい。
【０２１８】
また、前記実施態様においては、データの記録線速度が低くなるほど、記録マークＭの幅が広がりやすく、クロストークが増大するため、データの記録線速度に基づいて、パルス列パターンを選択しているが、本発明者の研究によれば、記録マークＭの幅が広がることに起因するクロストークは、トラックピッチが狭く、ビームスポット径が大きいほど、増大することが認められており、したがって、記録線速度に代えて、あるいは、記録線速度とともに、トラックピッチＴＰとビームスポット径Ｄとの比（ＴＰ／Ｄ）を用いて、パルス列パターンを選択するようにしてもよい。記録線速度に代えて、トラックピッチＴＰとビームスポット径Ｄとの比（ＴＰ／Ｄ）を用いて、パルス列パターンを選択する場合には、トラックピッチＴＰとビームスポット径Ｄとの比（ＴＰ／Ｄ）が相対的に大きいときは、図５に示される単パルスパターンを選択し、トラックピッチＴＰとビームスポット径Ｄとの比（ＴＰ／Ｄ）が相対的に小さいときは、図４に示される基本パルス列パターンを選択し、さらに、トラックピッチＴＰとビームスポット径Ｄとの比（ＴＰ／Ｄ）がこの中間で、小さくも、大きくもないときは、基本パルス列パターンと単パルスパターンとを併用すればよい。基本パルス列パターンと単パルスパターンとを併用する場合には、トラックピッチＴＰとビームスポット径Ｄとの比（ＴＰ／Ｄ）が小さいほど、パルス列パターンに含まれる記録パワーＰｗからなるパルスの数が多くなるように、パルス列パターンを設定し、トラックピッチＴＰとビームスポット径Ｄとの比（ＴＰ／Ｄ）が大きくなるほど、パルス列パターンに含まれる記録パワーＰｗからなるパルスの数が少なくなるように、パルス列パターンを設定することが好ましい。
【０２１９】
さらに、前記実施態様および前記実施例においては、高出力の半導体レーザを用いることが要求される次世代型の光記録媒体にデータを記録する場合につき、説明を加えたが、本発明は、次世代型の光記録媒体にデータを記録する場合に限らず、次世代型の光記録媒体以外の追記型光記録媒体に、データを記録する場合に広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２２０】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の構造を示す略断面図である。
【図２】図２（ａ）は、図１に示された光記録媒体の一部拡大略断面図であり、図２（ｂ）は、データが記録された後の光記録媒体の一部拡大略断面図である。
【図３】図３は、１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合の記録マークの長さに対するレーザビームを変調するパルス列パターンのパルス数および記録線速度の関係を示すテーブルである。
【図４】図４は、第１の記録線速度ＶＬで、光記録媒体１０にデータを記録する場合のパルス列パターンを示す図であり、図４（ａ）は、２Ｔ信号を記録する場合のパルス列パターンを示し、図４（ｂ）は、３Ｔ信号ないし８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【図５】図５は、第３の記録線速度ＶＨで、光記録媒体１０にデータを記録する場合のパルス列パターンを示す図である。
【図６】図６は、第１の記録線速度ＶＬよりも高く、第３の記録線速度ＶＨよりも低い第２の記録線速度ＶＭで、光記録媒体１０にデータを記録する場合のパルス列パターンを示す図であり、図６（ａ）は２Ｔ信号ないし５Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、図６（ｂ）は６Ｔ信号ないし８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【図７】図７は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体への情報記録装置のブロックダイアグラムである。
【図８】図８は、有機色素を用いた記録層を有するＣＤ−Ｒに、データを記録する場合の代表的なパルス列パターンを示す図であり、ＥＦＭ変調方式における３Ｔ信号ないし１１Ｔ信号を記録する場合のパルス列パターンを示している。
【図９】図９は、有機色素を用いた記録層を有するＤＶＤ−Ｒに、データを記録する場合の代表的なパルス列パターンを示す図であり、８／１６変調方式における７Ｔ信号を記録する場合のパルス列パターンを示している。
【符号の説明】
【０２２１】
１０  光記録媒体
１１  基板
１１ａ  ランド
１１ｂ  グルーブ
１２  反射層
１３  第二の誘電体層
１４  記録層
１５  第一の誘電体層
１６  光透過層
１７  センターホール
３１  第一の反応層
３２  第二の反応層
５０  情報記録装置
５２  スピンドルモータ
５３  ヘッド
５４  コントローラ
５５  レーザ駆動回路
５６  レンズ駆動回路
５７  フォーカスサーボ追従回路
５８  トラッキングサーボ追従回路
５９  レーザコントロール回路
Ｌ１０  レーザビーム
Ｍ  記録マーク（混合領域）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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