(57)【要約】      （修正有）【課題】積層導電膜をパターン形成して反射電極を形成する際に、導電膜の端部の剥がれによる製造歩留まりの低下を抑止することができる液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板に複数の画素がマトリクス状に設けられ、その各画素には反射電極６が配設されたアクティブマトリクス基板を有する液晶表示装置の製造方法であって、基板上に金属導電膜６ａ’及び非晶質透明導電膜６ｂ’を順に成膜して積層導電膜６’を形成する積層導電膜形成工程と、積層導電膜６’をパターン形成して反射電極６を形成する反射電極形成工程とを備え、その反射電極形成工程は、金属導電膜６ａ’及び非晶質透明導電膜６ｂ’を同時にエッチングする第１エッチング工程と、非晶質透明導電膜６ｂ’のみをエッチングする第２エッチング工程とを含む。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、１層又は２層以上の金属層により構成された第１金属導電膜、及び該第１金属導電膜よりもエッチングレートの遅い第２金属導電膜を順に成膜して積層導電膜を形成する積層導電膜形成工程と、
上記積層導電膜をパターン形成して導電素子を形成する導電素子形成工程とを備える導電素子基板の製造方法であって、
上記導電素子形成工程は、上記第１金属導電膜よりも上記第２金属導電膜の方の断面形状が上記基板の上方に向かって細くなる順テーパ状になるように、少なくとも２回、異なるエッチング液を用いてエッチング処理するエッチング工程を含むことを特徴とする導電素子基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された導電素子基板の製造方法において、
上記導電素子形成工程は、上記第１金属導電膜及び上記第２金属導電膜を同時にエッチングする第１エッチング工程と、上記第２金属導電膜のみをエッチングする第２エッチング工程とを含むことを特徴とする導電素子基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載された導電素子基板の製造方法において、
上記第２エッチング工程は、上記第１エッチング工程が行われた後に行われることを特徴とする導電素子基板の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載された導電素子基板の製造方法において、
上記第１エッチング工程は、上記第２エッチング工程が行われた後に行われることを特徴とする導電素子基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載された導電素子基板の製造方法において、
上記第２金属導電膜は、非晶質透明導電膜であることを特徴とする導電素子基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載された導電素子基板の製造方法において、
上記非晶質透明導電膜は、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物により形成され、上記第２エッチング工程においてシュウ酸水溶液によりエッチングされることを特徴とする導電素子基板の製造方法。
【請求項７】
請求項２に記載された導電素子基板の製造方法において、
上記第１エッチング工程は、上記積層導電膜の膜厚方向に対してエッチング液をシャワー状に噴出するシャワー処理を含んで、エッチング液を上記積層導電膜上に付着させることを特徴とする導電素子基板の製造方法。
【請求項８】
請求項２に記載された導電素子基板の製造方法において、
上記第２エッチング工程は、上記第１金属導電膜及び第２金属導電膜が成膜された基板をエッチング液に浸すディップ処理、及び該基板にエッチング液をシャワー状に噴出するシャワー処理の少なくとも一方の処理により行われることを特徴とする導電素子基板の製造方法。
【請求項９】
基板上に設けられ、１層又は２層以上の金属層より構成された第１金属導電層と、
上記第１金属導電層上に設けられ、該第１金属導電層よりもエッチングレートの遅い第２金属導電層とを有する導電素子を備えた導電素子基板であって、
上記第１金属導電層よりも上記第２金属導電層の方の断面形状が上記基板の上方に向かって細くなる順テーパ状になるように構成されていることを特徴とする導電素子基板。
【請求項１０】
互いに対応するように配置された一対の基板と、該一対の基板間に挟持された液晶層とを有する液晶表示装置の製造方法であって、
上記少なくとも一方の基板上に、１層又は２層以上の金属層により構成された第１金属導電膜、及び該第１金属導電膜よりもエッチングレートの遅い第２金属導電膜を順に成膜して積層導電膜を形成する積層導電膜形成工程と、
上記積層導電膜をパターン形成して導電素子を形成する導電素子形成工程とを備え、
上記導電素子形成工程は、上記第１金属導電膜よりも上記第２金属導電膜の方の断面形状が上記基板の上方に向かって細くなる順テーパ状になるように、少なくとも２回、異なるエッチング液を用いてエッチング処理するエッチング工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載された液晶表示装置の製造方法において、
上記導電素子形成工程は、上記第１金属導電膜及び上記第２金属導電膜を同時にエッチングする第１エッチング工程と、上記第２金属導電膜のみをエッチングする第２エッチング工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載された液晶表示装置の製造方法において、
上記第２エッチング工程は、上記第１エッチング工程が行われた後に行われることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載された液晶表示装置の製造方法において、
上記第１エッチング工程は、上記第２エッチング工程が行われた後に行われることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０に記載された液晶表示装置の製造方法において、
上記第２金属導電膜は、非晶質透明導電膜であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載された液晶表示装置の製造方法において、
上記非晶質透明導電膜は、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物により形成され、上記第２エッチング工程においてシュウ酸水溶液によりエッチングされることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１０に記載された液晶表示装置の製造方法において、
上記導電素子は、反射電極であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１１に記載された液晶表示装置の製造方法において、
上記第１エッチング工程は、上記積層導電膜の膜厚方向に対してエッチング液をシャワー状に噴出するシャワー処理を含んで、エッチング液を上記積層導電膜上に付着させることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１１に記載された液晶表示装置の製造方法において、
上記第２エッチング工程は、上記第１金属導電膜及び第２金属導電膜が成膜された基板をエッチング液に浸すディップ処理、及び該基板にエッチング液をシャワー状に噴出するシャワー処理の少なくとも一方の処理により行われることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１０に記載された液晶表示装置の製造方法において、
上記積層導電膜形成工程は、上記基板上に透明電極を形成する透明電極形成工程を備え、該透明電極を覆うように上記第１金属導電膜及び上記第２金属導電膜を順に成膜して積層導電膜を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１０に記載された液晶表示装置の製造方法において、
上記積層導電膜形成工程と上記導電素子形成工程との間に、上記第２金属導電膜の上に、レジスト膜を所望のパターンにパターニングするフォトリソグラフィー工程を備え、
上記導電素子形成工程では、上記パターニングされたレジストパターンをマスクとしてエッチングすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１１に記載された液晶表示装置の製造方法において、
上記第１エッチング工程は、硝酸と、リン酸と、酢酸と、水との混合液を用いてエッチングすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項１０に記載された液晶表示装置の製造方法において、
上記第１金属導電膜は、下層のモリブデン膜と、上層のアルミニウム膜とにより形成されていることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２３】
互いに対応するように配置された一対の基板と、該一対の基板間に挟持された液晶層とを備えた液晶表示装置であって、
上記少なくとも一方の基板上に設けられ、１層又は２層以上の金属層より構成された第１金属導電層と、該第１金属導電層上に設けられ、該第１金属導電層よりもエッチングレートの遅い第２金属導電層とを有する導電素子を備え、
上記第１金属導電層よりも上記第２金属導電層の方の断面形状が上記基板の上方に向かって細くなる順テーパ状になるように構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２４】
請求項２３に記載された液晶表示装置において、
上記第２金属導電層は、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物により形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２５】
請求項２３に記載された液晶表示装置において、
上記第１金属導電層は、下層のモリブデン層と、上層のアルミニウム層とにより形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２６】
請求項２３に記載された液晶表示装置において、
上記第１金属導電層の基板側には、酸化インジウムと酸化スズとの化合物により構成された透明電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２７】
請求項２３乃至２６の何れか１つに記載された液晶表示装置を表示画面部に用いた電子情報機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電素子基板の製造方法に関するものであり、特に、液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板上に反射電極を形成する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置の１つである半透過型の液晶表示装置は、透過型と反射型との両方のモードで表示する機能をもったものであり、バックライトを有するために暗い場所でも視認性の高いという透過型の液晶表示装置の特徴と、周囲光を利用するために低消費電力であるという反射型の液晶表示装置の特徴とを合わせもったものである。
【０００３】
一般的な液晶表示装置は、複数の画素電極及びＴＦＴ（薄膜トランジスタ）がマトリクス状に配設されたアクティブマトリクス基板と、共通電極を有する対向基板と、それら両基板間に挟持されるように設けられた液晶層とを備えており、各画素電極に所定の電荷を書き込むことにより、各画素電極と共通電極との間の液晶層からなる液晶容量に所定の電圧を印加し、その印加電圧に応じて液晶層を構成する液晶分子の配向状態が変わることを利用して、画像表示を行うものである。
【０００４】
半透過型の液晶表示装置では、画像の最小単位である画素を構成する上記各画素電極が、透明電極と反射電極とにより構成され、透明電極によってバックライトからの光を透過して透過モードの表示を行い、反射電極によって周囲光を反射して反射モードの表示を行っている。
【０００５】
ここで、透明電極は、酸化スズ膜、酸化亜鉛膜、酸化インジウムと酸化スズとの化合物であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜、及び酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物であるＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透明導電膜により構成されている。特に、ＩＴＯ膜及びＩＺＯ膜は、可視光に対する透明性に優れ、また、良好な導電性を有するので、よく用いられている。
【０００６】
一方、反射電極は、反射率が高く、且つ電気抵抗の低いアルミニウム膜等の金属導電膜がよく用いられている。
【０００７】
一般に、上記透明導電膜及び金属導電膜のような電極材料はそれぞれ異なった仕事関数を有している。そして、上記透明電極及び反射電極では、構成する電極材料が違っているので、両電極間で仕事関数が異なることになる。こうなると、両電極の電極電位が互いに異なってしまい表示不良となる恐れがある。その具体的な理由を以下に説明する。
【０００８】
液晶表示装置では、液晶分子の寿命を考慮して、交流駆動がなされ、液晶層に印加する電圧の極性を交互に反転している。しかしながら、ＴＦＴの寄生容量等により液晶層の印加電圧に歪みが生じて、液晶層に直流電圧が印加される恐れがあるので、オフセット電圧も液晶層に印加する必要がある。
【０００９】
このオフセット電圧は、全ての画素に対して、１つしか設定できないので、上記のように反射電極及び透明電極の電極電位が互いに異なったとしても、両電極の何れか一方に対してのみオフセット電圧を設定することになる。この場合、液晶層に直流電圧が印加されることになって、輝度変化（フリッカ）が発生して、表示品位が著しく低下する恐れがある。
【００１０】
そこで、このような仕事関数が異なることに起因する表示不良（対向ずれ）を解消するには、反射電極の電極材料の仕事関数と透明電極の仕事関数とを揃えるようにすることが考えられている。
【００１１】
例えば、特許文献１には、反射型の液晶表示装置において、電極の電極材料の仕事関数に着眼して、液晶層を挟む共通電極と反射電極（画素電極）との仕事関数がほぼ等しくなるように構成することにより、ちらつきが低減するという技術が記載されている。
【００１２】
また、半透過型の液晶表示装置では、具体的に、透明電極がＩＴＯ膜により構成され、反射電極がアルミニウム膜により構成されている場合には、アルミニウム膜の上層に、ＩＴＯ膜と同じぐらいの仕事関数を持つ透明導電膜を積層することにより、反射電極の表面の電極材料の仕事関数と透明電極の表面の電極材料の仕事関数とをほぼ等しくする技術が知られている。
【００１３】
このように反射モードと透過モードとで対向ずれが生じるという問題を解決するために、画素の反射電極を構成するアルミニウム膜上に、ＩＴＯ膜と仕事関数が近いＩＺＯ膜を形成する方法が挙げられる。アルミニウム膜上にＩＴＯ膜を設けない理由は、電極を形成する際にアルミニウム膜とＩＴＯ膜とが接触すると電食反応が起こり、その結果、ＩＴＯ膜が欠落するという問題が生じるためである。
【００１４】
また、画素の反射電極の最上層にＩＺＯ膜を形成することによる長所としては、ＩＺＯ膜が透明導電膜であるために反射電極としてのアルミニウム膜の妨げにならないこと、対向側の透明電極との仕事関数が近いこと、及び下層のアルミニウム膜と同じエッチング液によってパターニング可能であることなどが挙げられる。
【００１５】
一方、反射電極（画素電極）が形成される基板部には、他にも種々の金属配線が形成されている。例えば、外部からの駆動信号を入力するため、基板の端部にはドライバ（駆動回路）が設置されている。このドライバと画素電極に電圧を供給する配線とを接続するための接続端子電極も、基板の端部に形成されている。接続端子電極の最上部には、空気に対して安定であること、及び接続抵抗が低いことなどの理由から、ＩＴＯ膜が使用されている。このような接続端子電極のＩＴＯ層が形成されている基板上に、アルミニウム膜からなる配線や電極を形成する際に、上記と同様に、アルミニウム膜とＩＴＯ膜とが接触すると電食反応が起こり、その結果、ＩＴＯ膜が欠落するという問題が生じる。
【００１６】
このように、アルミニウム膜とＩＴＯ膜とが接触することによる電食の問題を解決するために、ＩＴＯ層とアルミニウム層との間に、保護金属層としてモリブデン層を形成する方法が挙げられる。
【００１７】
ここで、アルミニウム層とモリブデン層とは、別々のエッチング液でパターニングしなくても、同じエッチング液（例えば、硝酸、リン酸、酢酸及び水の混合液）によってパターニング可能であることが知られている。例えば、特許文献２には、エッチング液を膜厚方向に噴霧することによって、一種類のエッチング液を用いてアルミニウム層とモリブデン層との２層の膜を断面形状が順テーパ状にパターニングする方法が開示されている。
【００１８】
さらに、ＩＺＯ層とアルミニウム層とモリブデン層とについても、別々のエッチング液でパターニングしなくても、同じエッチング液（例えば、硝酸、リン酸、酢酸及び水の混合液）によってパターニング可能であることが知られている。
【特許文献１】特開平１０−２０６８４５号公報
【特許文献２】特開２０００−１４８０４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
このように、反射電極を構成するアルミニウム膜の上層に積層される透明導電膜としては、可視光に対する透明性、導電性及び下層に位置するアルミニウム膜との関係（エッチング特性、電蝕等）を考慮すると、非晶質のＩＺＯ膜が好適に用いられる。
【００２０】
しかしながら、反射電極を形成するために、金属導電膜（アルミニウム膜）及び非晶質透明導電膜（ＩＺＯ膜）を順に成膜して、フォトレジストをパターン形成してそのレジストパターンを介して、金属導電膜及び非晶質透明導電膜の積層導電膜をエッチングすると、図４５の断面模式図に示すように、金属導電層６ａの上層の非晶質透明導電層６ｂ’’が庇状に突き出て形成されてしまう恐れがある。
【００２１】
このように非晶質透明導電層６ｂ’’が庇状に突き出て形成されてしまうのは、例えば、アルミニウム膜等の金属導電膜をエッチングする弱酸性のエッチング液にとって、非晶質透明導電膜のＩＺＯ膜が、アルミニウム膜等の金属導電膜よりも、エッチングされにくいためと考えられる。
【００２２】
より具体的には、対向ずれの防止を目的として最上層にＩＺＯ層を形成し、反射電極として中層にアルミニウム層を形成し、電食防止を目的として最下層にモリブデン層を形成すると、最上層のＩＺＯ層よりも中層のアルミニウム層、及び最下層のモリブデン層の方がエッチングレートが速くなる。このため、同一のエッチング液を用いて一回のエッチング処理でパターニングを行った場合、図４６の要部断面図に示すように、断面部分が逆テーパ状のきのこ形状となって、膜強度が低く、膜剥がれが生じ易い。
【００２３】
この図４６では、ガラス基板１０１上にモリブデン層１０２、アルミニウム層１０３及びＩＺＯ層１０４がこの順に積層形成され、中層のアルミニウム層１０３が最上層のＩＺＯ層１０４よりも痩せた細い形状にパターニングされている。以下に、この問題について、図４７〜図５２を用いてさらに詳しく説明する。
【００２４】
図４７では、ガラス基板１０１上に最上層であるＩＺＯ膜１０４、中層であるアルミニウム膜１０３、及び下層であるモリブデン膜１０２の３層が積層形成されている。最上層であるＩＺＯ膜１０４上には、所望の形状にパターニングされたレジスト層１０５が配置されている。この状態でエッチングを行うと、ＩＺＯ膜１０４、アルミニウム膜１０３及びモリブデン膜１０２は、ほぼ等方的にエッチングされる。
【００２５】
まず、図４８に示すように、最上層であるＩＺＯ膜１０４がエッチングされていく。
【００２６】
次に、ＩＺＯ膜１０４のエッチングが終了した後に、図４９に示すように、ＩＺＯ膜１０４の水平方向へのエッチングとアルミニウム膜１０３の膜厚方向のエッチングが同時に進行する。
【００２７】
さらに、アルミニウム膜１０３のエッチングが終了した後、図５０に示すように、アルミニウム膜１０３の水平方向へのエッチングとモリブデン膜１０２の膜厚方向のエッチングが同時に進行するが、アルミニウム膜１０３及びモリブデン膜１０２は、ＩＺＯ膜１０４の水平方向のエッチング速度に比べて、膜厚方向及び水平方向のエッチング速度が非常に速いため、ＩＺＯ膜１０４の水平方向へのエッチングが進行する以上の速さでアルミニウム膜１０３及びモリブデン膜１０２の膜厚方向及び水平方向へのエッチングが進行していく。なお、図４８〜図５０には、エッチング速度をその速度に応じて矢印の本数で示している。
【００２８】
モリブデン膜１０２の膜厚方向へのエッチングが終了したときには、図５１に示すように、アルミニウム層１０３及びモリブデン層１０２は、最上層であるＩＺＯ層１０４の形状よりも水平方向に痩せた細い形状にパターニングされている。
【００２９】
図５２は、レジスト膜１０５を除去したときの形状を示す要部断面図である。図５２に示すように、いかなるエッチング方式（シャワー方式、ディップ方式、シャワー／ディップ併用方式）を用いた場合でも、エッチングレートが遅い最上層のＩＺＯ層１０４よりも、エッチングレートが速い下層のアルミニウム層１０３及びモリブデン層１０２の方が断面形状が痩せて細くなり、上部が大きい逆テーパ状のきのこ形状になってしまう。
【００３０】
そして、反射電極を構成する非晶質透明導電層６ｂ’’（ＩＺＯ層１０４）の端部に庇形状の部分が存在すると、例えば、ラビング工程のような基板表面に荷重が加わる後工程において、この非晶質透明導電層６ｂ’’（ＩＺＯ層１０４）の端部の庇形状の部分が剥がれて、基板上の画素電極等に非晶質透明導電層６ｂ’’（ＩＺＯ層１０４）の剥がれ片が付着する可能性がある。そうなると、画素電極間に短絡が発生して、アクティブマトリクス基板の製造歩留まりを低下させる恐れがある。
【００３１】
すなわち、アルミニウム層及びモリブデン層により構成された第１金属導電膜と、その第１金属導電膜よりもエッチングレートの遅くＩＺＯ層により構成された第２金属導電膜とが順に積層された積層導電膜をパターン形成して導電素子を形成する際に、ＩＺＯ層である第２金属導電膜の端部が剥がれてしまうという問題がある。
【００３２】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、第１金属導電膜と、その第１金属導電膜よりもエッチングレートの遅い第２金属導電膜とが順に積層された積層導電膜をパターン形成して導電素子を形成する際に、第２金属導電膜の端部の剥がれによる製造歩留まりの低下を抑止することができる導電素子基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
本発明は、導電素子を構成する第２金属導電膜のみをエッチングする工程を備えるようにしたものである。
【００３４】
具体的に、本発明に係る導電素子基板の製造方法は、基板上に、１層又は２層以上の金属層により構成された第１金属導電膜、及び該第１金属導電膜よりもエッチングレートの遅い第２金属導電膜を順に成膜して積層導電膜を形成する積層導電膜形成工程と、上記積層導電膜をパターン形成して導電素子を形成する導電素子形成工程とを備える導電素子基板の製造方法であって、上記導電素子形成工程は、上記第１金属導電膜よりも上記第２金属導電膜の方の断面形状が上記基板の上方に向かって細くなる順テーパ状になるように、少なくとも２回、異なるエッチング液を用いてエッチング処理するエッチング工程を含むことを特徴とする。
【００３５】
上記導電素子形成工程は、上記第１金属導電膜及び上記第２金属導電膜を同時にエッチングする第１エッチング工程と、上記第２金属導電膜のみをエッチングする第２エッチング工程とを含んでもよい。
【００３６】
上記第２エッチング工程は、上記第１エッチング工程が行われた後に行われてもよい。
【００３７】
上記第１エッチング工程は、上記第２エッチング工程が行われた後に行われてもよい。
【００３８】
上記第２金属導電膜は、非晶質透明導電膜であってもよい。
【００３９】
上記非晶質透明導電膜は、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物により形成され、上記第２エッチング工程においてシュウ酸水溶液によりエッチングされてもよい。
【００４０】
上記第１エッチング工程は、上記積層導電膜の膜厚方向に対してエッチング液をシャワー状に噴出するシャワー処理を含んで、エッチング液を上記積層導電膜上に付着させてもよい。
【００４１】
上記第２エッチング工程は、上記第１金属導電膜及び第２金属導電膜が成膜された基板をエッチング液に浸すディップ処理、及び該基板にエッチング液をシャワー状に噴出するシャワー処理の少なくとも一方の処理により行われてもよい。
【００４２】
本発明に係る導電素子基板は、基板上に設けられ、１層又は２層以上の金属層より構成された第１金属導電層と、上記第１金属導電層上に設けられ、該第１金属導電層よりもエッチングレートの遅い第２金属導電層とを有する導電素子を備えた導電素子基板であって、上記第１金属導電層よりも上記第２金属導電層の方の断面形状が上記基板の上方に向かって細くなる順テーパ状になるように構成されていることを特徴とする。
【００４３】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、互いに対応するように配置された一対の基板と、該一対の基板間に挟持された液晶層とを有する液晶表示装置の製造方法であって、上記少なくとも一方の基板上に、１層又は２層以上の金属層により構成された第１金属導電膜、及び該第１金属導電膜よりもエッチングレートの遅い第２金属導電膜を順に成膜して積層導電膜を形成する積層導電膜形成工程と、上記積層導電膜をパターン形成して導電素子を形成する導電素子形成工程とを備え、上記導電素子形成工程は、上記第１金属導電膜よりも上記第２金属導電膜の方の断面形状が上記基板の上方に向かって細くなる順テーパ状になるように、少なくとも２回、異なるエッチング液を用いてエッチング処理するエッチング工程を含むことを特徴とする。
【００４４】
上記導電素子形成工程は、上記第１金属導電膜及び上記第２金属導電膜を同時にエッチングする第１エッチング工程と、上記第２金属導電膜のみをエッチングする第２エッチング工程とを含んでもよい。
【００４５】
上記第２エッチング工程は、上記第１エッチング工程が行われた後に行われてもよい。
【００４６】
上記第１エッチング工程は、上記第２エッチング工程が行われた後に行われてもよい。
【００４７】
上記第２金属導電膜は、非晶質透明導電膜であってもよい。
【００４８】
上記非晶質透明導電膜は、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物により形成され、上記第２エッチング工程においてシュウ酸水溶液によりエッチングされてもよい。
【００４９】
上記導電素子は、反射電極であってもよい。
【００５０】
上記第１エッチング工程は、上記積層導電膜の膜厚方向に対してエッチング液をシャワー状に噴出するシャワー処理を含んで、エッチング液を上記積層導電膜上に付着させてもよい。
【００５１】
上記第２エッチング工程は、上記第１金属導電膜及び第２金属導電膜が成膜された基板をエッチング液に浸すディップ処理、及び該基板にエッチング液をシャワー状に噴出するシャワー処理の少なくとも一方の処理により行われてもよい。
【００５２】
上記積層導電膜形成工程は、上記基板上に透明電極を形成する透明電極形成工程を備え、該透明電極を覆うように上記第１金属導電膜及び上記第２金属導電膜を順に成膜して積層導電膜を形成してもよい。
【００５３】
上記積層導電膜形成工程と上記導電素子形成工程との間に、上記第２金属導電膜の上に、レジスト膜を所望のパターンにパターニングするフォトリソグラフィー工程を備え、
上記導電素子形成工程では、上記パターニングされたレジストパターンをマスクとしてエッチングしてもよい。
【００５４】
上記第１エッチング工程は、硝酸と、リン酸と、酢酸と、水との混合液を用いてエッチングしてもよい。
【００５５】
上記第１金属導電膜は、下層のモリブデン膜と、上層のアルミニウム膜とにより形成されていてもよい。
【００５６】
本発明に係る液晶表示装置は、互いに対応するように配置された一対の基板と、該一対の基板間に挟持された液晶層とを備えた液晶表示装置であって、上記少なくとも一方の基板上に設けられ、１層又は２層以上の金属層より構成された第１金属導電層と、該第１金属導電層上に設けられ、該第１金属導電層よりもエッチングレートの遅い第２金属導電層とを有する導電素子を備え、上記第１金属導電層よりも上記第２金属導電層の方の断面形状が上記基板の上方に向かって細くなる順テーパ状になるように構成されていることを特徴とする。
【００５７】
上記第２金属導電層は、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物により形成されていてもよい。
【００５８】
上記第１金属導電層は、下層のモリブデン層と、上層のアルミニウム層とにより形成されていてもよい。
【００５９】
上記第１金属導電層の基板側には、酸化インジウムと酸化スズとの化合物により構成された透明電極が形成されていてもよい。
【００６０】
本発明に係る電子情報機器は、本発明の液晶表示装置を表示画面部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００６１】
以下に、本発明の作用について説明する。
【００６２】
本発明の導電素子基板の製造方法によると、少なくとも２回、異なるエッチング液を用いてエッチング処理することになるので、エッチング工程が、例えば、第１エッチング工程と第２エッチング工程とにより構成される。そして、第１エッチング工程では、積層導電膜を構成する第１金属導電膜及び第２金属導電膜が同時にエッチングされ、一方、第２エッチング工程では、積層導電膜を構成する第２金属導電膜のみがエッチングされることになる。
【００６３】
ここで、第２金属導電膜に対するエッチング速度が第１金属導電膜に対するエッチング速度よりも遅い、すなわち、第２金属導電膜が第１金属導電膜よりもエッチングされにくいので、第１エッチング工程において、第１金属導電膜の上層の第２金属導電膜の端部が庇形状に残って形成される恐れがある。しかし、本発明では第２エッチング工程において、上記残された庇形状の第２金属導電膜の端部がエッチングされる。その結果、第２金属導電膜及び第１金属導電膜に対するエッチング速度の差が解消される。
【００６４】
すなわち、第１エッチング工程において上記両導電膜に対するエッチング速度の差に起因して第２金属導電膜の端部が一旦庇形状に形成される場合があるが、第２エッチング工程において、その一旦形成された庇形状の第２金属導電膜の端部がエッチングされるので、最終的には、第２金属導電膜の端部は庇形状に形成されない。そのため、後工程において第２金属導電膜の端部が剥がれる可能性が低くなる。このことにより、導電素子基板の製造において、第２金属導電膜の端部の剥がれによる製造歩留まりの低下が抑止される。
【００６５】
また、第２エッチング工程が、第１エッチング工程の後に行われる場合には、まず、積層導電膜形成工程において、基板上に第１金属導電膜及び第２金属導電膜を順に成膜して積層導電膜を形成する。次いで、導電素子を形成するために、第１エッチング工程において、積層導電膜を構成する第１金属導電膜及び第２金属導電膜を同時にエッチングする。ここで、第２金属導電膜が第１金属導電膜よりもエッチングされにくいので、第１金属導電膜の上層の第２金属導電膜の端部は、庇形状に一旦形成される。次いで、第２エッチング工程において、その一旦形成された庇形状の第２金属導電膜の端部がエッチングされる。
【００６６】
その結果、導電素子の端部は、順テーパの形状、つまり、導電素子の周端がその上側から下側に向けてその外側に傾斜した形状に形成されるので、後工程において、導電素子を構成する第２金属導電膜の端部が剥がれる可能性が低くなる。このことにより、導電素子基板の製造において、第２金属導電膜の端部の剥がれによる製造歩留まりの低下が抑止される。
【００６７】
一方、第１エッチング工程が、第２エッチング工程の後に行われた場合には、まず、積層導電膜形成工程において、基板上に第１金属導電膜及び第２金属導電膜を順に成膜して積層導電膜を形成する。次いで、導電素子を形成するために、第２エッチング工程において、積層導電膜を構成する第２金属導電膜のみをエッチングする。次いで、第１エッチング工程において、積層導電膜を構成する第１金属導電膜及び第２金属導電膜を同時にエッチングする。この第１エッチング工程では、第２エッチング工程において露出した第１金属導電膜がエッチングされると共に、第２エッチング工程においてエッチングされた第２金属導電膜の端部がさらにエッチングされる。
【００６８】
その結果、導電素子の端部は、順テーパの形状、つまり、導電素子の周端がその上側から下側に向けてその外側に傾斜した形状に形成されるので、後工程において、導電素子を構成する第２金属導電膜の端部が剥がれる可能性が低くなる。このことにより、導電素子基板の製造において、第２金属導電膜の端部の剥がれによる製造歩留まりの低下が抑止される。
【００６９】
また、第２金属導電膜が、例えば、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物（ＩＺＯ）膜により形成された非晶質透明導電膜である場合には、本発明の作用効果が具体的に奏されることになる。つまり、第２エッチング工程において、積層導電膜のＩＺＯ膜のみがシュウ酸水溶液によりエッチングされることになる。
【００７０】
具体的に、第２エッチング工程が第１エッチング工程の後に行われる場合には、導電素子を形成するために、まず、第１エッチング工程において、例えば、弱酸性のエッチング液を用いて、積層導電膜を構成する第１金属導電膜及びＩＺＯ膜（第２金属導電膜）を同時にエッチングする。ここで、上記弱酸性のエッチング液に対して、ＩＺＯ膜は第１金属導電膜よりもエッチングされにくいので、第１金属導電膜の上層のＩＺＯ膜の端部は、一旦庇形状に形成される。次いで、第２エッチング工程において、その一旦庇形状に形成されたＩＺＯ膜の端部をエッチングする。
【００７１】
その結果、導電素子の端部は、順テーパの形状、つまり、導電素子の周端がその上側から下側に向けてその外側に傾斜した形状に形成されるので、後工程において、導電素子を構成するＩＺＯ膜の端部が剥がれる可能性が低くなる。
【００７２】
一方、第１エッチング工程が第２エッチング工程の後に行われる場合には、導電素子を形成するために、まず、第２エッチング工程において、積層導電膜を構成するＩＺＯ膜（第２金属導電膜）のみをシュウ酸水溶液を用いてエッチングする。次いで、第１エッチング工程において、例えば、上記弱酸性のエッチング液を用いて、積層導電膜を構成する第１金属導電膜及びＩＺＯ膜を同時にエッチングする。この第１エッチング工程では、第２エッチング工程において露出した第１金属導電膜がエッチングされると共に、第２エッチング工程においてエッチングされたＩＺＯ膜の端部がさらにエッチングされる。
【００７３】
その結果、導電素子の端部は、順テーパの形状、つまり、導電素子の周端がその上側から下側に向けてその外側に傾斜した形状に形成されるので、後工程において、導電素子を構成するＩＺＯ膜の端部が剥がれる可能性が低くなる。
【００７４】
また、第２エッチング工程において、ディップ処理及びシャワー処理を適宜組み合わせることにより、導電素子基板の製造において、第２金属導電膜（非晶質透明導電膜）のエッチングが効率化される。
【００７５】
さらに、第１エッチング工程において、シャワー処理を行うことにより、導電素子基板の製造において、第１金属導電膜のエッチングが効率化される。
【００７６】
また、本発明の導電素子基板によると、導電素子の断面形状が基板の上方に向かって順テーパ状になるように構成されているので、その後で如何なる製造プロセスが続いたとしても、第２金属導電層において強い膜強度を保つことが可能になり、第２金属導電層の膜剥がれが防止される。
【００７７】
本発明の液晶表示装置の製造方法によると、少なくとも２回、異なるエッチング液を用いてエッチング処理することになるので、エッチング工程が、例えば、第１エッチング工程と第２エッチング工程とにより構成される。そして、第１エッチング工程では、積層導電膜を構成する第１金属導電膜及び第２金属導電膜が同時にエッチングされ、一方、第２エッチング工程では、積層導電膜を構成する第２金属導電膜のみがエッチングされることになる。
【００７８】
ここで、第２金属導電膜に対するエッチング速度が第１金属導電膜に対するエッチング速度よりも遅い、すなわち、第２金属導電膜が第１金属導電膜よりもエッチングされにくいので、第１エッチング工程において、第１金属導電膜の上層の第２金属導電膜の端部が庇形状に残って形成される恐れがある。しかし、本発明では第２エッチング工程において、上記残された庇形状の第２金属導電膜の端部がエッチングされる。その結果、第２金属導電膜及び第１金属導電膜に対するエッチング速度の差が解消される。
【００７９】
すなわち、第１エッチング工程において上記両導電膜に対するエッチング速度の差に起因して第２金属導電膜の端部が一旦庇形状に形成される場合があるが、第２エッチング工程において、その一旦形成された庇形状の第２金属導電膜の端部がエッチングされるので、最終的には、第２金属導電膜の端部は庇形状に形成されない。そのため、後工程において第２金属導電膜の端部が剥がれる可能性が低くなる。このことにより、導電素子を有する液晶表示装置の製造において、第２金属導電膜の端部の剥がれによる製造歩留まりの低下が抑止される。
【００８０】
また、第２エッチング工程が、第１エッチング工程の後に行われた場合には、まず、積層導電膜形成工程において、基板上に第１金属導電膜及び第２金属導電膜を順に成膜して積層導電膜を形成する。次いで、導電素子、具体的には、反射電極を形成するために、第１エッチング工程において、積層導電膜を構成する第１金属導電膜及び第２金属導電膜を同時にエッチングする。ここで、第２金属導電膜が第１金属導電膜よりもエッチングされにくいので、第１金属導電膜の上層の第２金属導電膜の端部は、庇形状に一旦形成される。次いで、第２エッチング工程において、その一旦形成された庇形状の第２金属導電膜の端部をエッチングする。
【００８１】
その結果、反射電極の端部は、順テーパの形状、つまり、反射電極の周端がその上側から下側に向けてその外側に傾斜した形状に形成されるので、後工程において、反射電極を構成する第２金属導電膜の端部が剥がれる可能性が低くなる。このことにより、液晶表示装置の製造において、第２金属導電膜の端部の剥がれによる製造歩留まりの低下が抑止される。
【００８２】
この場合、第１エッチング工程において第２金属導電膜の端部は、一旦庇形状に形成され、その庇形状部の底面が露出することになるので、第２エッチング工程においてエッチング液が第２金属導電膜の端部の側面及び底面から接触するようになる。そのため、第２エッチング工程が第１エッチング工程の後に行われる場合は、第１エッチング工程が第２エッチング工程の後に行われて、第２金属導電膜のエッチング液が主に側面から接触する場合よりも、第２金属導電膜のエッチングに要する時間が短くなる。
【００８３】
一方、第１エッチング工程が、第２エッチング工程の後に行われた場合には、まず、積層導電膜形成工程において、基板上に第１金属導電膜及び第２金属導電膜を順に成膜して積層導電膜を形成する。次いで、導電素子、具体的には、反射電極を形成するために、第２エッチング工程において、積層導電膜を構成する第２金属導電膜のみをエッチングする。次いで、第１エッチング工程において、積層導電膜を構成する第１金属導電膜及び第２金属導電膜を同時にエッチングする。この第１エッチング工程では、第２エッチング工程において露出した第１金属導電膜がエッチングされると共に、第２エッチング工程においてエッチングされた第２金属導電膜の端部がさらにエッチングされる。
【００８４】
その結果、反射電極の端部は、順テーパの形状、つまり、反射電極の周端がその上側から下側に向けてその外側に傾斜した形状に形成されるので、後工程において、反射電極を構成する第２金属導電膜の端部が剥がれる可能性が低くなる。このことにより、液晶表示装置の製造において、第２金属導電膜の端部の剥がれによる製造歩留まりの低下が抑止される。
【００８５】
その上、例えば、基板上に透明電極及び積層導電膜が順に積層される場合には、第２エッチング工程において、透明電極が第１金属導電膜で覆われているので、第２金属導電膜用のエッチング液が透明電極に接触することがない。そのため、透明電極がエッチング液に接する回数が減ることになる。これにより、第１エッチング工程が第２エッチング工程の後に行われる場合は、第２エッチング工程が第１エッチング工程の後に行われて上記両工程において透明電極がエッチング液に接触する場合よりも、透明電極の剥がれが抑止される。
【００８６】
また、第２金属導電膜が、例えば、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物（ＩＺＯ）膜により形成された非晶質透明導電膜であり、第１金属導電膜が下層のモリブデン膜及び上層のアルミニウム膜により形成される場合には、本発明の作用効果が具体的に奏されることになる。つまり、第１エッチング工程において、モリブデン膜、アルミニウム膜及びＩＺＯ膜が硝酸と、リン酸と、酢酸と、水との混合液等の弱酸性の水溶液によりエッチングされると共に、第２エッチング工程において、積層導電膜のＩＺＯ膜のみがシュウ酸水溶液によりエッチングされることになる。
【００８７】
具体的に、第２エッチング工程が第１エッチング工程の後に行われる場合には、反射電極を形成するために、まず、第１エッチング工程において、例えば、硝酸と、リン酸と、酢酸と、水との混合液等の弱酸性のエッチング液を用いて、積層導電膜を構成するモリブデン膜、アルミニウム膜及びＩＺＯ膜を同時にエッチングする。ここで、上記弱酸性のエッチング液に対して、ＩＺＯ膜はモリブデン膜及びアルミニウム膜よりもエッチングされにくいので、ＩＺＯ膜の端部は、一旦庇形状に形成される。次いで、第２エッチング工程において、その一旦庇形状に形成されたＩＺＯ膜の端部をエッチングする。
【００８８】
その結果、反射電極の端部は、順テーパの形状、つまり、反射電極の周端がその上側から下側に向けてその外側に傾斜した形状に形成されるので、後工程において、反射電極を構成するＩＺＯ膜の端部が剥がれる可能性が低くなる。
【００８９】
一方、第１エッチング工程が第２エッチング工程の後に行われる場合には、反射電極を形成するために、まず、第２エッチング工程において、ＩＺＯ膜のみをシュウ酸水溶液を用いてエッチングする。次いで、第１エッチング工程において、例えば、上記弱酸性のエッチング液を用いて、モリブデン膜、アルミニウム膜及びＩＺＯ膜を同時にエッチングする。この第１エッチング工程では、第２エッチング工程において露出したアルミニウム膜及びモリブデン膜がエッチングされると共に、第２エッチング工程においてエッチングされたＩＺＯ膜の端部がさらにエッチングされる。
【００９０】
その結果、反射電極の端部は、順テーパの形状、つまり、反射電極の周端がその上側から下側に向けてその外側に傾斜した形状に形成されるので、後工程において、反射電極を構成するＩＺＯ膜の端部が剥がれる可能性が低くなる。
【００９１】
また、第２エッチング工程において、ディップ処理及びシャワー処理を適宜組み合わせることにより、導電素子基板の製造において、第２金属導電膜（非晶質透明導電膜）のエッチングが効率化される。
【００９２】
そして、第１エッチング工程において、シャワー処理を行うことにより、導電素子基板の製造において、第１金属導電膜のエッチングが効率化される。
【００９３】
さらに、積層導電膜形成工程が、基板上に透明電極を形成する透明電極形成工程を備え、その透明電極を覆うように第１金属導電膜及び第２金属導電膜を順に成膜して積層導電膜を形成する場合には、各画素には透明電極とその上層の第１金属導電膜及び第２金属導電膜により構成された反射電極とが配設されることになる。そのため、各画素毎に透明電極及び反射電極が配設された半透過型の液晶表示装置の製造において、非晶質透明導電膜の端部の剥がれによる製造歩留まりの低下が抑止される。
【００９４】
また、本発明の液晶表示装置によると、導電素子の断面形状が基板の上方に向かって細くなる順テーパ状になるように構成されているので、その後に、ラビング工程等、如何なる製造プロセスが続いたとしても、第２金属導電層において強い膜強度を保つことが可能になり、第２金属導電層の膜剥がれが防止される。
【００９５】
以上のように、本発明にあっては、選択性を有する二種類以上のエッチング液を用いて、エッチングレートが異なる二種類以上の金属層をパターニングし、順テーパ状の導電素子を形成する。
【００９６】
例えば、第２金属導電層がＩＺＯ層により形成されていると共に、第１金属導電層が上層のアルミニウム層と下層のモリブデン層とにより形成されている場合に、これらの全てをエッチング可能な第１のエッチング液を用いてエッチングを行うことによって、図４６に示すような断面形状が逆テーパ状のきのこ形状の導電素子が形成される。この場合でも、最上層であるＩＺＯ層１０４のみを選択的にエッチング可能な第二のエッチング液を用いてエッチングを行うことによって、図２２に示すように、アルミニウム層１０３及びモリブデン層１０２よりも最上層のＩＺＯ層１０４の断面形状が水平方向に痩せて細くなり、順テーパ形状の導電素子を形成することができる。
【００９７】
また、第１のエッチング処理前に、最上層のＩＺＯ膜上にフォトリソグラフィー工程によりレジスト膜を所望のパターンにパターニングして、このレジスト膜のパターンをマスクとして第１のエッチング処理及び第２のエッチング処理を行うことができる。従って、一度のフォトリソグラフィー工程で作製されたレジスト膜により第１のエッチング処理及び第２のエッチング処理を連続して行うことができるため、製造工程が大幅に増加することはない。
【００９８】
ＩＺＯ層、アルミニウム層及びモリブデン層をエッチング可能な第１のエッチング液としては、例えば、硝酸とリン酸と酢酸と水との混合液を用いることができる。また、ＩＺＯ層のみを選択的にエッチング可能な第２のエッチング液としては、例えばシュウ酸水溶液を用いることができる。
【００９９】
そして、複数層で構成された導電素子において、図２２のような積層断面の順テーパ形状が得られれば、この構造が最終的な構造であっても、その後で如何なる製造プロセスが続いたとしても、下層において強い膜強度を保つことが可能になり、下層の膜剥がれが防止される。
【発明の効果】
【０１００】
本発明の導電素子基板の製造方法は、第１金属導電膜と、その第１金属導電膜よりもエッチングレートの遅い第２金属導電膜とが順に積層された積層導電膜をパターン形成することにより、導電素子を形成する際に、第２金属導電膜のみをエッチングする第２エッチング工程を備えるので、第１金属導電膜及び第２金属導電膜を同時にエッチングする第１エッチング工程において、積層導電膜を構成する第１金属導電膜及び第２金属導電膜に対するエッチング速度の差に起因して第２金属導電膜の端部が一旦庇形状に形成される場合があるが、第２エッチング工程において、その一旦形成された庇形状の第２金属導電膜の端部がエッチングされるので、最終的には、第２金属導電膜の端部は庇形状に形成されない。これにより、後工程において第２金属導電膜の端部が剥がれる可能性が低くなり、導電素子基板の製造において、第１金属導電膜と、その第１金属導電膜よりもエッチングレートの遅い第２金属導電膜とが順に積層された積層導電膜をパターン形成して導電素子を形成する際に、第２金属導電膜の端部の剥がれによる製造歩留まりの低下を抑止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１０１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の実施形態では、導電素子基板として、液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板を例に説明する。なお、以下の実施形態に記載された反射電極が導電素子基板の導電素子に対応する。
【０１０２】
《発明の実施形態１》
以下に、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置について説明する。
【０１０３】
図１は、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置５０を構成するアクティブマトリクス基板２０の平面模式図であり、図２は、図１中のII−II断面における液晶表示装置５０の断面模式図である。また、図３は、図１中のIII−III断面におけるアクティブマトリクス基板２０の断面模式図であり、隣接する２つの画素間の断面を示している。
【０１０４】
液晶表示装置５０は、アクティブマトリクス基板２０と、それに対向するように設けられた対向基板３０と、両基板２０及び３０との間に挟持されるように設けられた液晶層４０とを備えている。
【０１０５】
アクティブマトリクス基板２０では、ガラス基板１０上に、相互に並行に延びる複数のゲート線１と、相互に並行に延びる複数のソース線２とが互いに直交するように配設され、ゲート線１とソース線２との各交差部にはＴＦＴ４が設けられている。また、一対のゲート線１及びソース線２で囲われる表示領域には、画素電極７が各ＴＦＴ４に対応して設けられている。
【０１０６】
画素電極７は、各表示領域の全域にわたって設けられた透明電極５と、ＴＦＴ４を覆うように設けられた反射電極６とにより構成されている。
【０１０７】
また、アクティブマトリクス基板２０は、ガラス基板１０上に、ゲート絶縁膜１１及び層間絶縁膜１３が順に積層された多層積層構造となっている。
【０１０８】
ガラス基板１０とゲート絶縁膜１１との層間には、ゲート線１及びゲート線１からソース線２の延びる方向に突出したゲート電極１ａが設けられている。
【０１０９】
ゲート絶縁膜１１と層間絶縁膜１３との層間には、ＴＦＴ４を構成する半導体層１２が設けられている。
【０１１０】
半導体層１２は、下層の真性アモルファスシリコン層１２ａと上層のｎ＋アモルファスシリコン層１２ｂとにより構成されている。
【０１１１】
そして、半導体層１２の上層には、ソース線２、ソース線２からゲート線１の延びる方向に突出したソース電極２ａ、及びソース電極２ａと対峙してドレイン電極３が設けられている。
【０１１２】
層間絶縁膜１３の上層には、凹凸形成絶縁膜１４が設けられ、凹凸形成絶縁膜１４の反射電極６に対応する領域の上面は凹凸形状に形成されている。
【０１１３】
凹凸形成絶縁膜１４の上層には、ドレイン電極３にコンタクトホール７ａを介して接続された画素電極７が設けられている。
【０１１４】
画素電極７は、透明電極５と、下層の金属導電層（第１金属導電層）６ａ及び上層の非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂからなる反射電極６とにより構成され、その反射電極６に対応する領域は、その下層にある凹凸形成絶縁膜１４の上面形状を反映した凹凸形状に形成されている。この凹凸形状によって、反射電極６に入射する光を散乱させることが可能となり、光の反射方向を、基板面の法線方向に集約することができる。そのため、基板面の法線方向の光量が増加するため、実質的に反射電極６の反射率が向上することになる。
【０１１５】
対向基板３０は、ガラス基板１０’上に、カラーフィルタ層８、オーバコート層（不図示）及び共通電極９が順に積層された多層積層構造になっている。
【０１１６】
カラーフィルタ層８には、各画素に対応して赤、緑及び青のうちの１色の着色層が設けられ、各着色層の間にはブラックマトリクスが設けられている。
【０１１７】
液晶層４０は、電気光学特性を有するネマチック液晶材料からなる液晶分子により構成されている。
【０１１８】
この液晶表示装置５０は、各画素電極７毎に１つの画素が構成されており、各画素において、ゲート線１からゲート信号が送られてＴＦＴ４をオン状態としたときに、ソース線２からソース信号が送られてソース電極２ａ及びドレイン電極３を介して、画素電極７に所定の電荷を書き込まれ、画素電極７と共通電極９との間で電位差が生じることになり、液晶層４０からなる液晶容量に所定の電圧が印加されるように構成されている。そして、液晶表示装置５０では、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。また、液晶表示装置５０は、半透過型の液晶表示装置であるので、透明電極５によってバックライトからの光を透過して透過モードの表示を行い、反射電極６によって周囲光を反射して反射モードの表示を行っている。
【０１１９】
次に、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置５０の製造方法について説明する。
【０１２０】
＜＜＜アクティブマトリクス基板作製工程＞＞＞
以下に、本発明の実施形態１に係るアクティブマトリクス基板２０の作製工程について、図面を用いて説明する。このアクティブマトリクス基板作製工程は、ＴＦＴ形成工程と、積層導電膜形成工程と、反射電極形成工程とを備えている。図４〜図１０は、実施形態１に係るアクティブマトリクス基板の作製工程における反射電極６の形成工程を示す断面模式図であり、図１中のIII−III断面に対応する。
【０１２１】
＜＜ＴＦＴ形成工程（凹凸形成絶縁膜１４の形成まで）＞＞
以下に、ＴＦＴ形成工程について、説明する。
【０１２２】
まず、ガラス基板１０上の基板全体に、タンタル（Ｔａ）膜（厚さ３０００Å程度）をスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィー技術（Photo Engraving Process、以下、「ＰＥＰ技術」と称する）によりパターン形成して、ゲート線１及びゲート電極１ａを形成する。
【０１２３】
次いで、ゲート線１及びゲート電極１ａ上の基板全体に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜（厚さ３０００Å程度）を成膜し、ゲート絶縁膜１１を形成する。
【０１２４】
次いで、ゲート絶縁膜１１上の基板全体に、ＣＶＤ法により真性アモルファスシリコン（Ｓｉ）膜（厚さ１５００Å程度）及びｎ＋アモルファスシリコン（ｎ＋Ｓｉ）膜（厚さ５００Å程度）を順に成膜し、その後、真性アモルファスシリコン膜及びｎ＋アモルファスシリコン膜からなる半導体膜をＰＥＰ技術によりゲート電極１ａ上に島状にパターン形成する。
【０１２５】
次いで、島状にパターン形成された半導体膜及びゲート絶縁膜１１上の基板全体に、ＩＴＯ膜（厚さ４５００Å程度）及びタンタル（Ｔａ）膜（厚さ４５００Å程度）を順にスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、ＩＴＯ層及びＴａ層からなるソース線２、ソース電極２ａ及びドレイン電極３を形成する。
【０１２６】
このように、ソース線２を、ＩＴＯ層及びＴａ層との２層構造とすることにより、一方の層に断線等が発生しても他方の層により電気的接続が保持されるので、ソース線２の断線を少なくすることができる。
【０１２７】
次いで、ソース電極２ａ及びドレイン電極３をマスクとして、島状にパターン形成された半導体膜のｎ＋アモルファスシリコン膜をエッチングすることにより、チャネル部を形成してｎ＋アモルファスシリコン層１２ｂを形成する。これによって、ゲート電極１ａ、ゲート絶縁膜１１、真性アモルファスシリコン層１２ａ及びｎ＋アモルファスシリコン層１２ｂからなる半導体層１２、ソース電極２ａ並びにドレイン電極３により構成されたＴＦＴ４が形成される。
【０１２８】
次いで、ソース線２、ソース電極２ａ及びドレイン電極３上の基板全体に、ＣＶＤ法により窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜（厚さ３０００Å程度）を成膜し、その後、ＳｉＮｘ膜のドレイン電極３に対応する部分をエッチング除去して、層間絶縁膜１３を形成する。
【０１２９】
次いで、層間絶縁膜１３上の基板全体に、スピンコート法により感光性アクリル樹脂膜（厚さ３μｍ程度）等を塗布する。
【０１３０】
次いで、上記感光性アクリル樹脂膜に対して以下のような２段階の露光を行う。
【０１３１】
ここで、感光性アクリル樹脂膜は露光した部分が易溶性となるものである。
【０１３２】
まず、ｈ線（波長４０５ｎｍの紫外線）の光線を用いて、露光エネルギー４０ｍＪによりハーフ露光状態となるように露光を行い、感光性アクリル樹脂膜の表面に凹部を形成する。
【０１３３】
次いで、感光性アクリル樹脂膜のドレイン電極３に対応する部分にのみ、ｈ線の光線を用いて、露光エネルギー２４０ｍＪで完全露光を行い、現像、熱硬化して、表面が凹凸形状になった凹凸形成絶縁膜１４及びコンタクトホール７ａを形成する。
【０１３４】
次いで、凹凸形成絶縁膜１４とその上層に成膜されるＩＴＯ膜との密着性の向上、及びコンタクトホール７ａ上に残る凹凸形成絶縁膜１４の残渣の除去のために、アッシング処理を行う。
【０１３５】
＜＜積層導電膜形成工程＞＞
以下に、積層導電膜形成工程について、説明する。この積層導電膜形成工程は、透明電極形成工程と、金属導電膜・非晶質透明導電膜成膜工程とを備えている。
【０１３６】
＜透明電極形成工程＞
凹凸形成絶縁膜１４上の基板全体に、ＩＴＯ膜（厚さ１５００Å程度）をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、透明電極５を形成する。
【０１３７】
＜金属導電膜・非晶質透明導電膜成膜工程＞
図４に示すように、透明電極５上の基板全体に、モリブデン膜（厚さ７５０Å程度）及びアルミニウム膜（厚さ１０００Å程度）からなる金属導電膜（第１金属導電膜）６ａ’、並びにＩＺＯ膜（厚さ１００Å）からなる非晶質透明導電膜（第２金属導電膜）６ｂ’を順にスパッタリング法により成膜して積層導電膜を形成する。
【０１３８】
ここで、ＩＺＯ膜の膜厚は、液晶表示装置の表示品位の観点から、１０〜２００Åの範囲であることが望ましい。例えば、ＩＺＯ膜の膜厚が数１０００Åである場合には、反射すべき光をその極めて厚肉のＩＺＯ膜が吸収してしまい表示品位が著しく低下する。また、色味が膜厚に依存することにより、ＩＺＯ膜が２００Åを超える場合には、着色が発生して表示品位が低下するので、ＩＺＯ膜の膜厚の上限は、２００Åである。それとは反対に、ＩＺＯ膜の膜厚が薄すぎる場合には、反射電極６及び透明電極５の表面の仕事関数が揃わないので、仕事関数を揃えるためにＩＺＯ膜の膜厚の下限は、１０Å必要である。このように、反射モードの表示において、画素電極７における反射電極６での色味が表示品位に直接に影響することから、ＩＺＯ膜の膜厚制御は重要である。
【０１３９】
＜＜反射電極形成工程＞＞
以下に、反射電極形成工程について、説明する。この反射電極形成工程は、レジスト塗布工程と、露光工程と、現像工程と、第１エッチング工程と、第２エッチング工程と、剥離工程とを備えている。
【０１４０】
＜レジスト塗布工程＞
図５に示すように、非晶質透明導電膜（第２金属導電膜）６ｂ’上の基板全体に、感光性樹脂からなるフォトレジスト１５を厚さ２．０〜２．４μｍで塗布する。このフォトレジスト１５は、ノボラック樹脂を含有するポシ型レジストである。
【０１４１】
＜露光工程＞
図６に示すように、基板全体に塗布されたフォトレジスト１５に、フォトマスク１６を介して露光を行う。これによって、フォトマスク１６から露出したフォトレジスト１５は、易溶化する。
【０１４２】
＜現像工程＞
図７に示すように、現像液として、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）が２．３８重量％含有されたアルカリ水溶液を用いて現像を行い、レジストパターン１５’を形成する。
【０１４３】
なお、フォトレジスト１５としてネガ型レジストを用いる場合には、フォトレジスト１５を残すべき部分をフォトマスク１６でマスクすればよい。
【０１４４】
＜第１エッチング工程＞
図８に示すように、レジストパターン１５’をマスクとして、硝酸、酢酸及びリン酸が含有された水溶液（弱酸性エッチング液）を用いて、積層導電膜６’をエッチングして、金属導電層（第１金属導電層）６ａ及び非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂ’’形成する。これによって、非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂ’’の端部は一旦庇形状に形成される。
【０１４５】
＜第２エッチング工程＞
図９に示すように、レジストパターン１５’をマスクとして、シュウ酸水溶液を用いて、非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂ’’の端部をエッチングして、非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂを形成する。これによって、第１エッチング工程において一旦庇形状に形成された非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂ’’の端部がエッチングされ、金属導電層６ａ（第１金属導電層）及び非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂからなる反射電極６が形成される。
【０１４６】
ここで、反射電極６の端部は、順テーパの形状、つまり、反射電極６の周端がその上側から下側に向けてその外側に傾斜した形状に形成されるので、ラビング処理等の後工程において、反射電極６を構成する非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂの端部が剥がれる可能性が低くなる。
【０１４７】
また、第１エッチング工程において形成された非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂ’’の端部は、一旦庇形状に形成され、その庇形状部の底面が露出することになるので、第２エッチング工程においてシュウ酸水溶液が非晶質透明導電層６ｂ’’（第２金属導電層）の端部の側面及び底面から接触するようになる。そのため、第１エッチング工程が第２エッチング工程の後に行われて、シュウ酸水溶液が主に側面から接触する場合（後述する実施形態２）よりも、非晶質透明導電膜（第２金属導電膜）６ｂ’のエッチングに要する時間が短くなる。
【０１４８】
＜剥離工程＞
図１０に示すように、積層導電膜６’のパターン形成に用いたレジストパターン１５’を、アミン系の剥離液を用いて剥離する。
【０１４９】
以上のようにして、アクティブマトリクス基板２０を作製することができる。
【０１５０】
＜＜＜対向基板作製工程＞＞＞
以下に、対向基板作製工程について、説明する。
【０１５１】
まず、ガラス基板１０’上に、クロム薄膜を成膜した後、ＰＥＰ技術によりパターン形成してブラックマトリクスを形成する。
【０１５２】
次いで、ブラックマトリクス間のそれぞれに、赤、緑及び青の何れかの着色層をパターン形成してカラーフィルタ層８を形成する。
【０１５３】
次いで、カラーフィルタ層８上の基板全体に、アクリル樹脂を塗布してオーバコート層を形成する。
【０１５４】
次いで、オーバコート層上の基板全体に、ＩＴＯ膜を成膜して共通電極９を形成する。
【０１５５】
上記のようにして、対向基板３０を作製することができる。
【０１５６】
＜＜＜液晶表示装置作製工程＞＞＞
以下に、液晶表示装置作製工程について、説明する。
【０１５７】
まず、アクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０の表面に、ポリイミド樹脂を厚さ１０００Å程度で塗布することにより配向膜を形成して、その後、１８０〜２００℃で焼成する。
【０１５８】
次いで、焼成された配向膜の表面にラビング処理を行う。
【０１５９】
次いで、アクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０うちの一方にスクリーン印刷により、熱硬化性エポキシ樹脂等からなるシール材料を液晶注入口の部分を欠いた枠状パターンに塗布して、他方の基板に液晶層４０の厚さに相当する直径を持ち、樹脂又はシリカからなる球状のスペーサーを散布する。
【０１６０】
次いで、アクティブマトリクス基板２０と対向基板３０とを貼り合わせ、シール材料を硬化させ、空セルを形成する。
【０１６１】
次いで、空セルのアクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０の両基板間に、減圧法により液晶材料を注入し液晶層４０を形成する。その後、液晶注入口にＵＶ硬化樹脂を塗布して、ＵＶ照射によりＵＶ硬化樹脂を硬化して、注入口を封止する。
【０１６２】
以上のようにして、本発明の液晶表示装置５０を製造することができる。
【０１６３】
以上説明したように、本発明の液晶表示装置５０の製造方法によれば、反射電極６を形成するために、第１エッチング工程において、積層導電膜を構成する金属導電膜（第１金属導電膜）６ａ’及び非晶質透明導電膜（第２金属導電膜）６ｂ’を同時にエッチングして、金属導電層（第１金属導電層）６ａの上層の非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂ’’の端部は、庇形状に一旦形成される。そして、第１エッチング工程に続く第２エッチング工程において、その一旦形成された庇形状の非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂ’’の端部をエッチングするので、最終的には、非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂの端部は庇形状に形成されないことになる。
【０１６４】
そのため、後工程において非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂの端部が剥がれる可能性が低くなる。このことにより、液晶表示装置５０の製造において、非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂの端部の剥がれによる製造歩留まりの低下が抑止される。
【０１６５】
《発明の実施形態２》
以下に、本発明の実施形態２に係る液晶表示装置について説明する。
【０１６６】
本発明の実施形態２に係る液晶表示装置、並びにその液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の平面構造及び断面構造は、実施形態１に記載のものと実質的に同じであって、その製造方法のみが異なっているため、以下の実施形態では、液晶表示装置の製造方法、特に、アクティブマトリクス基板の作製工程を中心に説明する。
【０１６７】
＜＜＜アクティブマトリクス基板作製工程＞＞＞
以下に、本発明の実施形態２に係るアクティブマトリクス基板の作製工程について、図面を用いて説明する。このアクティブマトリクス基板作製工程は、ＴＦＴ形成工程と、積層導電膜形成工程と、反射電極形成工程とを備えている。図１１〜図１３は、実施形態２に係るアクティブマトリクス基板の作製工程における反射電極６の形成工程を示す断面模式図であり、図１中のＢ−Ｂ’断面に対応する。
【０１６８】
＜＜ＴＦＴ形成工程（凹凸形成絶縁膜１４の形成まで）＞＞
実施形態１と同様な方法で、ガラス基板１０上にＴＦＴ４、層間絶縁膜１３及び凹凸形成絶縁膜１４等を形成する。
【０１６９】
＜＜積層導電膜形成工程＞＞
実施形態１と同様に、透明電極形成工程及び金属導電膜・非晶質透明導電膜成膜工程を行って、図４に示すように、ガラス基板１０の透明電極５上に、金属導電膜（第１金属導電膜）６ａ’及び非晶質透明導電膜（第２金属導電膜）６ｂ’からなる積層導電膜６’を形成する。
【０１７０】
＜＜反射電極形成工程＞＞
実施形態１と同様に、レジスト塗布工程（図５）、露光工程（図６）及び現像工程を行って、図７に示すように、ガラス基板１０の積層導電膜６’上に、レジストパターン１５’を形成する。
【０１７１】
＜第２エッチング工程＞
図１１に示すように、レジストパターン１５’をマスクとして、シュウ酸水溶液を用いて、非晶質透明導電膜（第２金属導電膜）６ｂ’をエッチングして、非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂ’’を形成する。
【０１７２】
＜第１エッチング工程＞
図１２に示すように、レジストパターン１５’をマスクとして、硝酸、酢酸及びリン酸が含有された水溶液（弱酸性エッチング液）を用いて、金属導電膜（第１金属導電膜）６ａ’及び非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂ’’をエッチングして、金属導電層（第１金属導電層）６ａ及び非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂを形成する。これによって、金属導電層（第１金属導電層）６ａ及び非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂからなる反射電極６が形成される。
【０１７３】
この第１エッチング工程では、第２エッチング工程において露出した金属導電膜（第１金属導電膜）６ａ’がエッチングされると共に、第２エッチング工程においてエッチングされた非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂ’’の端部がさらにエッチングされる。
【０１７４】
その結果、反射電極６の端部は、順テーパの形状、つまり、反射電極６の周端がその上側から下側に向けてその外側に傾斜した形状に形成されるので、ラビング処理等の後工程において、反射電極６を構成する非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂの端部が剥がれる可能性が低くなる。
【０１７５】
＜剥離工程＞
図１３に示すように、積層導電膜６’のパターン形成に用いたレジストパターン１５’を、アミン系の剥離液を用いて剥離する。
【０１７６】
以上のようにして、アクティブマトリクス基板２０を作製することができる。
【０１７７】
対向基板作製工程、液晶表示装置作製工程については、実施形態１に記載のものと実質的に同じであるので、その説明は省略する。
【０１７８】
以上のようにして、本発明の液晶表示装置５０を製造することができる。
【０１７９】
以上説明したように、本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、反射電極６を形成するために、第２エッチング工程において、積層導電膜を構成する非晶質透明導電膜（第２金属導電膜）６ｂ’のみをエッチングする。次いで、第１エッチング工程において、積層導電膜を構成する金属導電膜（第１金属導電膜）６ａ’、及び非晶質透明導電膜、すなわち、非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂ’’を同時にエッチングする。この第１エッチング工程では、第２エッチング工程において露出した金属導電膜（第１金属導電膜）６ａ’がエッチングされると共に、第２エッチング工程においてエッチングされた非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂ’’の端部がさらにエッチングされる。
【０１８０】
そのため、反射電極６の端部は、順テーパの形状、つまり、反射電極６の周端がその上側から下側に向けてその外側に傾斜した形状に形成されるので、後工程において、反射電極６を構成する非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂの端部が剥がれる可能性が低くなる。このことにより、液晶表示装置の製造において、非晶質透明導電層（第２金属導電層）６ｂの端部の剥がれによる製造歩留まりの低下が抑止される。
【０１８１】
また、第２エッチング工程において、透明電極５が金属導電膜（第１金属導電膜）６ａ’で覆われているので、シュウ酸水溶液が透明電極５に接触することがない。そのため、透明電極５がエッチング液に接する回数が減ることになる。これにより、実施形態１のように第２エッチング工程が第１エッチング工程の後に行われて、第１及び第２エッチング工程の両工程において透明電極５がエッチング液（弱酸性エッチング液及びシュウ酸水溶液）に接触する場合よりも、透明電極５の剥がれを抑止することができる。
【０１８２】
上記のように透明電極５の剥がれが抑止される方法は、実施形態１に記載された方法よりも、第２エッチング工程におけるエッチング時間が長くなるが、後述するフォトリワークプロセスにおいて、その効果が有効に発揮される。
【０１８３】
このフォトリワークプロセスに係る具体的内容について以下に説明する。
【０１８４】
ここで、透明電極５及び反射電極６を形成する工程、その中でも反射電極６を形成する工程は、半透過型の液晶表示装置５０を構成するアクティブマトリクス基板２０の製造において、最終工程にあたるので、積層導電膜６’をエッチングしてパターン形成する前に、レジストパターン１５’が所定通りパターン形成されているか検査することは、製造歩留まりを向上させる上で有効な手段である。
【０１８５】
そして、レジストパターン１５’が所定通りに正常に形成されている場合には、そのまま、その正常なレジストパターン１５’を介して積層導電膜６’をエッチングすることにより、パターン形成して反射電極６を形成することになる。
【０１８６】
一方、レジストパターンが所定通りに形成されていない場合には、その不良なレジストパターン、積層導電膜６’を一旦除去した後に、再度、図４〜図７に示す工程を実施して、積層導電膜６’上にレジストパターン１５を形成し直すフォトリワークプロセスを行う。
【０１８７】
そして、上記手順によってフォトリワークプロセスを行った後、図８に示す第１エッチング工程、及び図９に示す第２エッチング工程を引き続き行うと、図１４に示すように、透明電極５に膜浮き部１７ａ及び膜剥がれ部１７ｂが発生する恐れがある。しかしながら、実施形態２による方法では、図４〜図７に示す工程の後に、図１１〜図１３に示す工程を行うことにより、上記のように第２エッチング工程において、透明電極５が金属導電膜（第１金属導電膜）６ａ’で覆われているので、シュウ酸水溶液が透明電極５に接触することがない。そのため、透明電極５がエッチング液に接する回数が減ることになる。これにより、透明電極５の剥がれを抑止することができる。
【０１８８】
また、上記実施形態１及び２における第２エッチング工程のエッチング処理を、処理基板をシュウ酸水溶液に浸すディップ処理と、その処理基板にシュウ酸水溶液をシャワー状に噴出するシャワー処理とを適宜組み合わせることにより、非晶質透明導電膜（第２金属導電膜）６ｂ’のエッチングが効率化される。ここで、ディップ処理は、エッチングに要する時間が長くなるが、処理基板の面全体が均一にエッチングされ、面内均一性が良好であるのに対して、シャワー処理は、エッチングに要する時間が短くなるが、面内均一性が劣るものである。そして、特に、処理基板をシュウ酸水溶液中の上層に配置してディップ処理を行うと同時に、その処理基板上面に対してシュウ酸水溶液をシャワー状に噴出してシャワー処理を行う場合には、非晶質透明導電膜（第２金属導電膜）６ｂ’のエッチングに要する時間が短縮され、且つ面内均一性が良好になる。そして、非晶質透明導電膜（第２金属導電膜）６ｂ’のエッチングに要する時間を考慮しない場合、或いは、面内均一性を考慮しない場合には、ディップ処理、或いは、シャワー処理の何れか一方で、非晶質透明導電膜（第２金属導電膜）６ｂ’をエッチングしてもよい。
【０１８９】
さらに、上記実施形態１及び２では、非晶質透明導電膜（第２金属導電膜）６ｂ’のエッチング液として、シュウ酸水溶液を用いているが、例えば、硼酸系水溶液のような非晶質透明導電膜のみを選択的にエッチングできるエッチング液を用いてもよい。
【０１９０】
また、上記実施形態１及び２では、補助容量線及び補助容量電極の構成を省略したが、補助容量線及び補助容量電極の構成を追加して、液晶容量と並列に補助容量を形成してもよい。
【０１９１】
さらに、上記実施形態１及び２では、各画素に透明電極と反射電極とが配設された半透過型の液晶表示装置を例に説明したが、本発明は、各画素に反射電極が配設された反射型の液晶表示装置についても適用でき、そして、反射電極を形成する場合だけでなく、ゲート線、ソース線及び補助容量線等の配線のような各種導電素子を形成する場合についても適用できる。
【０１９２】
また、上記実施形態１及び２では、ＴＦＴをスイッチング素子として用いたアクティブ駆動型の液晶表示装置を例に説明したが、ＴＦＴ以外の３端子素子、及びＭＩＭ（Metal Insulator Metal）等の２端子素子のアクティブ駆動型の液晶表示装置にも適用でき、さらに、アクティブ駆動型の液晶表示装置だけでなく、パッシブ（マルチプレックス）駆動型の液晶表示装置にも適用できる。
【０１９３】
次に、具体的に行った実験について説明する。
【０１９４】
まず、種々の導電膜（アルミニウム膜、モリブデン膜、ＩＴＯ膜及びＩＺＯ膜）に対するシュウ酸水溶液のエッチング特性を確認するため、図１５〜図１７に示す各方法で実験を行った。
【０１９５】
第１に、図１５に示すように、エッチング槽２２内のシュウ酸水溶液２１に各導電膜サンプル２３を別々に浸して、単位時間当たりの各導電膜サンプル２３のダメージ量（Å／秒）を測定した。
【０１９６】
図１８のグラフは、その測定結果である。これによれば、アルミニウム膜、モリブデン膜及びＩＴＯ膜がほとんどエッチングされないで、ＩＺＯ膜のみがエッチングされた。このことにより、シュウ酸水溶液によりＩＺＯ膜が選択的にエッチングされることが確認された。
【０１９７】
第２に、図１６に示すように、エッチング槽２２内のシュウ酸水溶液２１に、実際の積層導電膜の組み合わせになるように、各導電膜サンプル２３を２個ずつ浸して、単位時間当たりの各導電膜サンプル２３のダメージ量（Å／秒）を測定した。
【０１９８】
図１９のグラフは、その測定結果である。グラフ横軸のＡＬ−ＩＴＯ（ＡＬ）とは、アルミニウム膜とＩＴＯ膜とを同時で浸したときのＡＬ膜の単位時間当たりのダメージ量（Å／秒）である。同様に、ＡＬ−ＩＺＯ（ＩＺＯ）とは、アルミニウム膜とＩＺＯ膜とを同時で浸したときのＩＺＯ膜の単位時間当たりのダメージ量（Å／秒）である。これによれば、第１の実験結果と同様に、アルミニウム膜、モリブデン膜及びＩＴＯ膜がほとんどエッチングされないで、ＩＺＯ膜のみがエッチングされた。このことにより、シュウ酸水溶液によりＩＺＯ膜が選択的にエッチングされることが確認された。
【０１９９】
第３に、図１７に示すように、エッチング槽２２内のシュウ酸水溶液２１に、実際の積層導電膜の組み合わせになるように、２個の導電膜サンプル２３（アルミニウム膜、モリブデン膜、ＩＴＯ膜及びＩＺＯ膜）をリード線２４によって互いに接続した状態で浸して、単位時間当たりの各導電膜サンプル２３のダメージ量（Å／秒）を測定した。この実験では、各導電膜サンプル２３がリード線２４によって接続されているので、接続された各導電膜サンプル２３間の電位差により電気分解が起きれば、電蝕（エッチング）が促進されることになる。
【０２００】
図２０のグラフは、その測定結果である。グラフ横軸のＡＬ−ＩＺＯ導通（ＩＺＯ）とは、アルミニウム膜とＩＺＯ膜とを接続して浸したときのＩＺＯ膜の単位時間当たりのダメージ量（Å／秒）である。これによれば、第１及び第２の実験結果と同様に、アルミニウム膜、モリブデン膜及びＩＴＯ膜がほとんどエッチングされないで、ＩＺＯ膜のみがエッチングされた。このことにより、シュウ酸水溶液によりＩＺＯ膜が選択的にエッチングされることが確認された。なお、ＡＬ−ＩＴＯ導通（ＩＴＯ）及びＭｏ−ＩＴＯ導通（ＩＴＯ）で、電蝕が僅かながら確認されたが、例えば、ＡＬ−ＩＴＯ導通（ＩＴＯ）では、１５０秒間に５４Åだけエッチングされたものであり、品質的に影響のあるレベルではなかった。
【０２０１】
次に、本発明の実施形態の実施例として、上記実施形態１及び２と同じ方法で、反射電極６を形成した。具体的には、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて、モリブデン膜、アルミニウム膜及びＩＺＯ膜を連続的に成膜を行った。本実験では、ＩＺＯ膜として、「ＩＺＯターゲット」（出光興産（株）製）を用い、ＩＺＯ膜のエッチングは、３〜８重量％のシュウ酸水溶液を用いて、液温を４０〜４５℃とすると共に、エッチング時間を２〜５００秒とした。
【０２０２】
図２１は、実施例で形成した反射電極６の断面模式図である。
【０２０３】
反射電極６は、モリブデン層６ａａ及びアルミニウム層６ａｂからなる金属導電層（第１金属導電層）６ａと、第２金属導電層である非晶質透明導電層（ＩＺＯ層）６ｂとにより構成されている。
【０２０４】
【表１】
2005316399.tif 000003
【０２０５】
表１は、実施例においてシュウ酸水溶液でエッチングされたＩＺＯ膜の後退量Ｘ（μｍ）を測定した測定結果である。
【０２０６】
表１に示すように、第１エッチング工程の後に第２エッチング工程を行ったフローでは、エッチング時間が１５０秒で後退量Ｘが０．５μｍであるのに対して、第２エッチング工程の後に第１エッチング工程を行ったフローでは、上記０．５μｍと同等の後退量を得るには、エッチング時間が２３０秒以上必要であることがわかった。これによって、実施形態１及び２の記載のように、後者のフローの方がエッチング時間が長くなることが確認された。
【０２０７】
また、このように反射電極を構成するＩＺＯ膜をシュウ酸水溶液でエッチングした反射電極６では、その反射電極６の周端を走査型電子顕微鏡等で観察すると、ＩＺＯ層６ｂの境界を明瞭に確認できた。ここで、従来の反射電極を形成する方法では、ＩＺＯ層６ｂの端部が庇形状に形成されるか、反射電極６の端部が緩やかな順テーパ状、つまり、反射電極６の周端がその上側から下側に向けて外側に緩やかに傾斜した形状に形成され、ＩＺＯ層６ｂの境界を確認できなかった。
【０２０８】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。
【０２０９】
《発明の実施形態３》
図２２は、本実施形態３の電極配線基板（導電素子基板）の概略構成例を示す要部断面図である。
【０２１０】
図２２に示すように、電極配線基板（導電素子基板）１０７は、ガラス基板１０１上に、エッチングレートが異なる二種類以上の層として、エッチングレートが遅い最上層としてのＩＺＯ層（第２金属導電層）１０４と、それよりもエッチングレートが速い下層としてのＡｌ層（第１金属導電層）１０３及びＭｏ層（第１金属導電層）１０２が設けられている。最上層であるＩＺＯ層（第２金属導電層）１０４は、下層のＡｌ層（第１金属導電層）１０３及びＭｏ層（第１金属導電層）１０２よりも断面形状が水平方向に痩せて細くなっており、下層の膜強度が強い断面形状が順テーパ形状の電極及び／又は配線の積層構造が構成されている。
【０２１１】
上記構成により、以下に、本実施形態３の電極配線基板（導電素子基板）１０７の製造方法について、図２３〜図３１を用いて説明する。
【０２１２】
図２３〜図３１は、本実施形態３の電極配線基板１０７（導電素子基板）の各製造工程について説明するための要部断面図である。
【０２１３】
まず、図２３に示すように、ガラス基板１０１上にＭｏ膜（第１金属導電膜）１０２をスパッタリング法により膜厚２０００Åに形成する。
【０２１４】
次に、図２４に示すように、Ｍｏ膜１０２上にＡｌ膜（第１金属導電膜）１０３をスパッタリング法により膜厚２０００Åに形成する。
【０２１５】
さらに、図２５に示すように、Ａｌ膜１０３上にＩＺＯ膜（第２金属導電膜）１０４をスパッタリング法により膜厚１００Åに形成する。
【０２１６】
さらに、図２６に示すように、ＩＺＯ膜１０４の全面に、レジスト膜１０５をスピンコーティング法により厚み約２μｍに塗布し、フォトリソグラフィー法により図２７に示すような所定のフォトマスク１０６を用いて、図２８に示すようにレジスト膜１０５を所望のパターンにパターニングする。
【０２１７】
この基板部に対して、Ｍｏ膜１０２、Ａｌ膜１０３及びＩＺＯ膜１０４をエッチング可能な第一のエッチング液として、硝酸とリン酸と酢酸と水の混合液を用いて、シャワー／ディップ併用方式により第一のエッチング処理を行う。これにより、図２９に示すように、最上層であるＩＺＯ層１０４がその下層に設けられた中層のＡｌ層１０３、及び最下層のＭｏ層１０２よりも断面形状が水平方向（横方向）に太くなり、逆テーパ状のきのこ形状に形成される。
【０２１８】
さらに、この基板部に対して、所定形状のレジスト層１０５直下のＩＺＯ層１０４のみを選択的にエッチング可能な第二のエッチング液として、シュウ酸水溶液を用いて、シャワー／ディップ併用方式により第２のエッチング処理を行う。これにより、図３０に示すように、最上層であるＩＺＯ層（第２金属導電層）１０４がその下層に設けられた中層のＡｌ層（第１金属導電層）１０３、及び最下層のＭｏ層（第１金属導電層）１０２よりも断面形状が水平方向に痩せて細くなり、下層の膜強度が強い断面形状が順テーパ状の形状に形成される。
【０２１９】
さらに、基板部上に残っている所定のレジスト層１０５を除去することにより、図３１に示すような断面形状が順テーパ状の電極配線基板（導電素子基板）１０７が作製される。
【０２２０】
ここで、上記エッチング工程について、図３２を用いて以下に詳細に説明する。図３２は、本実施形態３の各エッチング工程について説明するためのエッチング槽の要部断面図である。ここでは、エッチング槽内に、エッチング液に基板部１３０を浸漬させながら搬送可能なローラ１３１と、基板部１３０上にエッチング液１３２を噴射させるノズル部１３３とが設けられている。
【０２２１】
このエッチング工程では、図３２に示すように、ローラ１３１で搬送された基板部１３０がエッチング槽内に入れられ、膜面（図の上方）側からエッチング液１３２がシャワー方式とディップ方式の併用処理により基板部１３０の上面に付着して、基板部１３０の上面に形成された金属層が順次エッチングされる。シャワー方式では、膜厚方向にエッチング液１３２が噴霧されて基板部１３０の上面に付着し、ディップ方式では、基板部１３０が液面に漬けられてエッチング液１３２が基板部１３０の上面に付着する。
【０２２２】
このエッチング工程の詳細について、以下に、図３３〜図３８を用いて更に詳細に説明する。
【０２２３】
図３３に示すように、レジスト膜１０５をパターニングした後に、最上層であるＩＺＯ膜１０４、下層であるＡｌ膜１０３及びＭｏ膜１０２をエッチング可能な第一のエッチング液を用いて第一のエッチング処理を行う。このとき、まず、ＩＺＯ膜１０４のエッチングが進行するが、膜厚方向（縦方向）に対するエッチング速度が速くなるため、図３４に示すように、水平方向（横方向）に対するエッチング量が少ないうちに、膜厚方向へのエッチングが完了する。
【０２２４】
次に、Ａｌ膜１０３のエッチングが始まるが、上記ＩＺＯ膜１０４と同様に、シャワー方式とディップ方式とを併用する場合、ＩＺＯ層１０４の水平方向（横方向；膜面に沿った方向）に対するエッチング量が少ない状態で、Ａｌ膜１０３の膜厚方向へのエッチングが進行する。このため、図３５に示すように、Ａｌ層１０３の断面形状がＩＺＯ層１０４よりも水平方向に細い部分を有するきのこ形状にエッチングされる。
【０２２５】
次に、Ｍｏ膜１０２のエッチングが始まるが、上記ＩＺＯ膜１０４及びＡｌ膜１０３と同様に、シャワー方式とディップ方式とを併用する場合、ＩＺＯ層１０４の水平方向（横方向）のエッチング量が少ない状態で、Ａｌ層１０３の水平方向及び、Ｍｏ膜１０２の膜厚方向（縦方向；膜面に沿った方向に垂直な方向）及び水平方向へのエッチングが進行する。このため、図３６に示すように、Ａｌ層１０３及びＭｏ層１０２の断面形状がＩＺＯ層１０４よりも水平方向に痩せて細い部分を有するきのこ形状にエッチングされる。
【０２２６】
さらに、第二のエッチング処理では、図３７に示すように、Ａｌ層１０３及びＭｏ層１０２にはダメージを与えることなく、ＩＺＯ層１０４のみを選択的にエッチング可能な第二のエッチング液を用いてエッチング処理を行う。これにより、図３７に示すように、ＩＺＯ層１０４の断面形状がＡｌ層１０３及びＭｏ層１０２よりも水平方向に痩せて細くなり、安定した順テーパ状の形状が得られる。
【０２２７】
以上により、本実施形態３によれば、エッチング工程において、エッチングレートが遅い最上層（第２金属導電膜）、及びエッチングレートが速い下層（第１金属導電膜）をエッチング可能な第一のエッチング液を用いて第一のエッチング処理を行った後に、最上層に対して選択的にエッチング可能な第二のエッチング液を用いて第二のエッチング処理を行うことによって、膜強度が高く、かつ、膜が剥がれにくい順テーパ状の３層膜を作製することができる。これによって、図３１に示すような順テーパ状の断面形状が得られれば、この構造が最終的な構造であっても、この後、如何なる製造プロセスが続いたとしても、強い膜強度を保つことが可能になる。これに伴って、膜剥がれによるリーク不良を低減し、断線不良を低減することが可能となって、製造歩留まりを向上させることができる。
【０２２８】
なお、上記第一のエッチング処理において、エッチング方式としては、ディップ方式とシャワー方式との併用処理以外に、ディップ方式のみ、またはシャワー方式のみで行ってもよい。この場合、ディップ方式による処理を支配的に行えば、図４６のような逆テーパ状の断面形状になるが、シャワー方式による処理を支配的に行えば、図２２のような順テーパ状の断面形状が得られる傾向にある。いずれの場合でも、最上層に対して選択的にエッチング可能な第二のエッチング液を用いて第二のエッチング処理を行うことによって、膜強度の強い図２２のような順テーパ状の断面形状を得ることができる。
【０２２９】
また、第二のエッチング処理についても、エッチング方式として、ディップ方式とシャワー方式との併用処理以外に、ディップ方式のみ、またはシャワー方式のみで行っってもよい。第二のエッチング処理については、エッチング方式に関わらず、良好な形状が得られるが、エッチング処理装置の処理能力及び面内均一性を向上させるためには、ＩＺＯ層１０４に対してエッチングレートが速くなるように、ディップ方式とシャワー方式との併用処理により第二のエッチング処理を行うことが好ましい。
【０２３０】
《発明の実施形態４》
本実施形態４では、上記実施形態３の電極配線基板（導電素子基板）とその製造方法を用いた液晶表示装置及びその製造方法について説明する。
【０２３１】
図３９及び図４０は、本実施形態４の液晶表示装置の概略構成例を示す要部断面図である。
【０２３２】
図３９には、液晶層を挟んで対向配置される一方の基板部において、Ａｌからなる反射電極と、ＩＴＯからなる透明電極と、それらをスイッチングするスイッチング素子としてのＴＦＴとが設けられている画素領域のうち、反射電極及びＴＦＴの形成領域が示されている。図４０には、この一方の基板部において、基板端部に設置されるドライバを接続するためにＩＴＯからなる接続端子電極が設けられている端子領域が示されている。
【０２３３】
図３９に示すように、一方の基板部は、絶縁性基板であるガラス基板１０１上に、走査線としての複数のゲートバスライン（図示せず）と信号線としての複数のソースバスライン（図示せず）とが互いに交差して設けられている。各ゲートバスライン及び各ソースバスラインによって区切られた各画素領域には、画素電極として、Ａｌ層１０３からなる反射電極とＩＴＯ層からなる透明電極（図示せず）とが設けられている。
【０２３４】
反射電極は、Ａｌ層１０３の下層にＩＴＯ層との電食を防ぐためにＭｏ層１０２が形成されており、ＩＴＯからなる対向電極と仕事関数を近付けるためにＡｌ層１０３の上層にＩＺＯ層１０４が形成されている。
【０２３５】
この画素領域では、その隅部にゲートバスラインから画素電極に向かって分岐されたゲート電極１１１が設けられ、その先端部分にスイッチング素子としてのＴＦＴが設けられている。
【０２３６】
ＴＦＴは、ガラス基板１０１上に形成されたゲート電極１１１上に形成されており、ゲート電極１１１はゲート絶縁膜１１２により覆われている。そのゲート絶縁膜１１２上に、ゲート電極１１１と対向するように半導体層１１３が積層されており、この半導体層１１３の両端部に重畳して半導体層１１３の上で二つに分断されたコンタクト層１１４ａ及び１１４ｂが形成されている。さらに、一方のコンタクト層１１４ａ上には、ソースバスラインからＴＦＴに向かって分岐されたソース電極１１５が重畳されてＴＦＴの一部を構成している。ソースバスラインは、ソース電極１１５と同じ金属層が下層に設けられ、その上層にＩＴＯ層１１７が設けられて二層構造となっている。
【０２３７】
また、他方のコンタクト層１１４ｂ上には、ＴＦＴのドレイン電極１１６がソース電極１１５と間隔を開けて設けられている。このドレイン電極１１６は、透明電極及び反射電極の形成領域まで延びており、層間絶縁膜１１９のコンタクトホール１１９ａを介して、ＩＴＯ層（図示せず）からなる透明電極と、Ｍｏ層（第１金属導電層）１０２、Ａｌ層（第１金属導電層）１０３及びＩＺＯ層（第２金属導電層）１０４からなる反射電極に接続されている。反射電極の形成領域には、反射特性を良好にするために、層間絶縁膜１１９の下に滑らかな断面略円筒状の凸部１１８ａ及び１１８ｂが形成されている。
【０２３８】
端子領域では、図４０に示すように、ガラス基板１０１上にゲートバスラインと同じ材料からなる金属層１１１ａが形成され、その上を覆うゲート絶縁膜１１２の開口部上に、ソースバスライン及びソース電極１１５と同じ金属層１１５ａとＩＴＯ層１１７ａとが積層形成されている。
【０２３９】
このように構成された本実施形態４の液晶表示装置における一方の基板部、すなわち、電極配線基板（導電素子基板）を作製する方法について、図４１〜図４４を用いて以下に説明する。
【０２４０】
図４１及び図４２は、本実施形態４の液晶表示装置の構成を説明するための要部断面図であり、図４３は、図４１及び図４２の液晶表示装置を製造するための各製造工程を説明するフローチャートである。図４１には、図３９の場合と同様に、液晶層を挟んで対向配置される一方の基板部において、Ａｌ層からなる反射電極及びＩＴＯ層からなる透明電極とそれらをスイッチングするスイッチング素子としてのＴＦＴが設けられている各画素領域のうち、反射電極及びＴＦＴの形成領域が示されている。また、図４２には、図４０の場合と同様に、この一方の基板部において、基板端部に設置されるドライバを接続するためにＩＴＯからなる接続端子電極が設けられている端子領域が示されている。
【０２４１】
まず、図４３に示すステップＳ１のゲート形成工程で、図４１に示すように、ガラス基板１０１上にＣｒやＴａなどからなる複数のゲートバスラインと、このゲートバスラインから分岐されたゲート電極１１１とを形成する。このとき、端子領域では、図４２に示すように、ガラス基板１０１上にゲートバスラインと同じ材料からなる金属層１１１ａを形成する。
【０２４２】
次に、ステップＳ２の陽極酸化工程において、ゲートバスライン、ゲート電極１１１及び金属層１１１ａの表面が陽極酸化法により酸化された陽極酸化膜（図示せず）を形成する。この陽極酸化工程は、必要に応じて行われる。
【０２４３】
ステップＳ３のＧＩ（ゲート絶縁膜）形成工程において、図４１に示すように、ゲートバスライン及びゲート電極１１１を覆って、ガラス基板１０１上の全面にＳｉＮｘやＳｉＯｘなどからなるゲート絶縁膜１１２を形成する。このとき、端子領域では、図４２に示すように、金属層１１１ａを覆うようにゲート絶縁膜１１２を形成し、その後、ドライエッチングなどにより金属層１１１ａ上の中央位置に開口部を形成する。
【０２４４】
ステップＳ４のｎ＋領域形成工程において、図４１に示すように、ゲート絶縁膜１１２の上に非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）や多結晶シリコンなどからなる半導体層１１３を形成し、ｎ＋ａ−Ｓｉなどからなるコンタクト層１１４ａ及び１１４ｂを半導体層１１３の両端部に重畳するように形成する。
【０２４５】
ステップＳ５のソース形成工程において、図４１に示すように、ソースバスラインを構成するＴｉなどからなる金属層を形成し、同時に一方のコンタクト層１１４ａの上にはソース電極１１５を重畳形成する。それと共に、他方のコンタクト層１１４ｂの上にはドレイン電極１１６を重畳形成する。このドレイン電極１１６は、透明電極及び反射電極の形成領域まで延びるように形成される。このとき、端子領域では、図４２に示すように、ゲート絶縁膜１１２の金属層１１１ａ上の開口部にソースバスラインと同じ材料からなる金属層１１５ａを形成する。
【０２４６】
ステップＳ６のＰａｓ（Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ膜）形成工程及びステップＳ７のＪａｓ（高分子樹脂膜）形成工程の後に、ステップＳ８の画素ＩＴＯ形成工程において、図４１に示すように、ソースバスラインを構成する金属層１１５の上にＩＴＯ層１１７を形成する。また、図示しない透明電極の形成領域では、ＩＴＯ層を透明電極として形成する。さらに、端子領域では、図４２に示すように、金属層１１５ａの上にＩＴＯ層１１７ａからなる接続端子電極を形成する。
【０２４７】
さらに、反射電極が形成される領域の下の部分に感光性樹脂からなる断面略半円形状の滑らかな凸部１１８ａ及び１１８ｂを形成し、その上にさらに表面を滑らかにするために、例えば、高分子樹脂膜からなる膜厚１０００Åの層間絶縁膜１１９を形成する。
【０２４８】
ステップＳ９のＡｌデポ前ベーク工程において、基板をベーク（焼成）する。
【０２４９】
ステップＳ１０の微反射ＩＺＯ／Ａｌ／Ｍｏデポ工程において、図４１及び図４２に示すように、Ｍｏ膜（第１金属導電膜）１０２、Ａｌ膜（第１金属導電膜）１０３及びＩＺＯ膜（第２金属導電膜）１０４を順次形成する。このうち、最下層のＭｏ膜１０２は基板部内に使用されるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜とＡｌ膜との間の電食を防止するバリアメタルとして使用されるため、その膜厚は５０Å〜１００００Å程度であればよい。本実施形態４ではスパッタリング法によってＭｏ膜１０２の膜厚が２０００Åとなるように成膜した。
【０２５０】
中層のＡｌ膜１０３は反射電極として使用されるため、高い反射率が得られる５０Å〜１００００Å程度の膜厚が必要になる。本実施形態４ではスパッタリング法によってＡｌ膜１０３の膜厚が２０００Åとなるように成膜した。
【０２５１】
最上層のＩＺＯ膜１０４は反射モード（反射電極形成領域）と透過モード（透明電極形成領域）とで対向ずれ（表示異常）が生じることを防止するため、反射電極（Ａｌ層）の上に形成して使用されるため、その膜厚は１０Å〜２００Å程度であればよい。本実施形態４では、スパッタリング法によりＩＺＯ膜１０４の膜厚が１００Åとなるように成膜した。なお、これらの膜厚は、それぞれの目的を達成させるために適切な組み合わせに設定することが可能であり、また、成膜方法についても、蒸着など、各種薄膜作製方法を用いることが可能である。
【０２５２】
ステップＳ１１のＩＺＯデポ後ベーク工程において、基板部をベークする。
【０２５３】
ステップＳ１２のＩＺＯ／Ａｌ／Ｍｏフォト工程において、上記実施形態３の場合と同様に、フォトリソグラフィー法によりレジスト膜を所望のパターンにパターニングする。ここでは、画素領域では反射電極形成領域のＩＺＯ膜（第２金属導電膜）１０４、Ａｌ膜（第１金属導電膜）１０３及びＭｏ膜（第１金属導電膜）１０２の上にレジスト膜がパターン形成され、端子領域ではレジスト膜が形成されない。
【０２５４】
ステップＳ１３の現像完検査において、レジスト膜が所望のパターンにパターニングされているか否かを検査する。
【０２５５】
ステップＳ１４のＩＺＯ／Ｍｏ／Ａｌエッチ工程において、Ｍｏ膜（第１金属導電膜）１０２、Ａｌ膜（第１金属導電膜）１０３及びＩＺＯ膜（第２金属導電膜）１０４をエッチング可能な第一のエッチング液として、硝酸とリン酸と酢酸と水の混合液を用いて、第一のエッチング処理を行う。この第一のエッチング処理のエッチング方式としては、ディップ方式とシャワー方式との併用処理以外に、ディップ方式のみ及びシャワー方式のみの処理も行った。この場合、ディップ方式による処理を支配的に行えば、図４６のような逆テーパ状の断面形状になるが、シャワー方式による処理を支配的に行えば、図２２のような順テーパ状の断面形状が得られる。第一のエッチング液の混合比は、適切なものを選択することが可能である。また、第一のエッチング液は、ＩＺＯ膜、Ａｌ膜及びＭｏ膜を一回でエッチング可能なエッチング液であれば、他のものであってもよい。
【０２５６】
ステップＳ１５のシュウ酸水溶液エッチ工程において、ＩＺＯ層（第２金属導電層）１０４のみを選択的にエッチング可能な第二のエッチング液として、シュウ酸水溶液を用いて、第二のエッチング処理を行う。この第二のエッチング処理のエッチング方式としても、ディップ方式とシャワー方式との併用処理以外に、ディップ方式のみ及びシャワー方式のみの処理も行った。第二のエッチング処理については、エッチング方式に関わらず、図２２のような順テーパ状の形状が得られるが、エッチング処理装置の処理能力及び面内均一性を向上させるためには、ＩＺＯ層（第２金属導電層）１０４に対してエッチングレートが速くなるように、ディップ方式とシャワー方式との併用処理により第二のエッチング処理を行うことが好ましい。第二のエッチング液としては、Ａｌ層及びＭｏ層にダメージを与えることなく、ＩＺＯ層（第２金属導電層）１０４のみを選択的にエッチング可能なエッチング液であれば、他のものであってもよい。
【０２５７】
上記ステップＳ１４及びステップＳ１５により、図３９に示すように、画素領域では反射電極の形成領域にＩＺＯ層（第２金属導電層）１０４、Ａｌ層（第１金属導電層）１０３及びＭｏ層（第１金属導電層）１０２からなる反射電極が形成される。また、図４０に示すように、端子領域に設けられたＩＺＯ層（第２金属導電膜）１０４、Ａｌ層（第１金属導電膜）１０３及びＭｏ層（第１金属導電膜）１０２は除去され、接続端子電極の最上層にあるＩＴＯ層１１７ａが露出する。
【０２５８】
ステップＳ１６のＩＺＯ／Ａｌ／Ｍｏフォト剥離工程において、基板上に残っているレジスト膜を除去することにより、図２２に示すような順テーパ状の断面形状を有する反射電極が作製され、ＴＦＴの作製工程が完了する。
【０２５９】
本実施形態４のように、膜厚方向にエッチングが支配的になるように第一のエッチング液を噴霧して第一のエッチング処理を行った後、選択性を有する第二のエッチング液を用いて最上層のＩＺＯ層（第２金属導電膜）１０４のみを選択的にエッチングすることにより、図２２に示すように、断面形状が順テーパ状で、膜強度が高い３層構造の電極や配線を得ることができる。
【０２６０】
上記実施形態３及び４のようにＩＺＯ層（第２金属導電層）１０４、Ａｌ層（第１金属導電層）１０３及びＭｏ層（第１金属導電層）１０２をパターニングした基板部に対して、以下のようなピールテストにより密着性試験を行い、膜強度を調べた（参考文献：「薄膜の力学的特性評価技術」、金原  粲、河野  彰夫、生地  文也、馬場  茂  編集、ＲＥＡＬＩＺＥ  ＩＮＣ．）。
【０２６１】
まず、ＩＺＯ層１０４、Ａｌ層１０３及びＭｏ層１０２がパターニングされた基板部に、テープを約１ｃｍ2貼り付け、一定の力で基板部に対して垂直方向に引っ張ってテープを剥がす。このときにパターニングされたＩＺＯ層１０４、Ａｌ層１０３及びＭｏ層１０２がどの程度剥がれたかによって、その膜密着強度を知ることができる。ＩＺＯ層１０４、Ａｌ層１０３及びＭｏ層１０２のパターニング形状は、所望する精細度によって数μｍ〜数ｍｍと異なるが、本実施形態４では数百μｍピッチのパターニングを行った基板部で実験を行った。
【０２６２】
比較のために、図４３のステップＳ１５のシュウ酸エッチ工程がない図４４のフローチャートに示すような各製造工程の処理手順でＩＺＯ層１０４、Ａｌ層１０３及びＭｏ層１０２をパターニングした基板部についても、同様な密着性試験を行った。図４４のステップＳ２１〜ステップＳ３３及びステップＳ３５は、上記実施形態４の図４３のステップＳ１〜ステップＳ１３及びステップＳ１６の場合と同様である。図４４と図４３との違いは、前述したように、図４４では第二のエッチング処理工程は行わず、ステップＳ３４で第一のエッチング処理工程のみを行っているという点である。この図４４の方法では、図４６に示すような逆テーパ状の断面形状（きのこ形状）を有する反射電極が作製されている。
【０２６３】
この結果、上記実施形態３及び４のように第一のエッチング処理工程及び第二のエッチング処理工程によって図２２に示すような順テーパ状の断面形状を有するようにＩＺＯ層１０４（第２金属導電層）、Ａｌ層１０３（第１金属導電層）及びＭｏ層１０２（第２金属導電層）をパターニングした基板部では、膜剥がれが全く発生しなかったのに対して、比較例のように第一のエッチング処理のみによって図４６に示すような逆テーパ状の断面形状を有するようにＩＺＯ層１０４、Ａｌ層１０３及びＭｏ層１０２をパターニングした基板部では（ディップ処理のみで作成した基板）、１ｃｍ2当たりに約数十箇所、膜剥がれが発生した。
【０２６４】
このように反射電極が形成された基板部を用いて半透過型液晶表示装置を作製する場合には、反射電極を形成後、配向膜形成プロセスを経ることになる。この配向膜の形成方法は、オフセット印刷法やスピンコーティング法などで基板部上に配向膜を塗布し、硬化工程を経た後、ラビング処理と称される配向処理工程が行われる。したがって、上述したようにＩＺＯ層（第２金属導電層）１０４、Ａｌ層（第１金属導電層）１０３及びＭｏ層（第１金属導電層）１０２がパターニングされた基板部に外的衝撃が加えられることになる。しかしながら、上記実施形態４のように、第一のエッチング処理及び第二のエッチング処理によってＩＺＯ層（第２金属導電層）１０４、Ａｌ層（第１金属導電層）１０３及びＭｏ層（第１金属導電層）１０２をパターニングした基板部では、膜剥がれが生じることなく、配向膜を形成することが可能になる。
【０２６５】
その後、このようにして配向膜が設けられた一方の素子側基板部と、ガラス基板上にカラーフィルター、ＩＴＯからなる対向電極、及び配向膜が設けられた他方の対向側基板部とを、スペーサを介して貼り合わせ、その間に液晶材料を注入する。対向側基板部側に位相差板及び偏光板を配置することによって、透過モードと反射モードとを有する液晶表示装置を完成させることができる。
【０２６６】
以上により、上記実施形態３及び４によれば、ガラス基板１０１上に、下層のＭｏ膜（第１金属導電膜）１０２、Ａｌ膜１０３（第１金属導電膜）、及び最上層のＩＺＯ膜（第２金属導電膜）１０４となる各金属膜を連続して順次積層形成し、その金属膜を二種類以上のエッチング液を用いてパターニングする。第一のエッチング処理では、Ｍｏ膜１０２、Ａｌ膜１０３及びＩＺＯ膜１０４をエッチング可能な第一のエッチング液を用い、第二のエッチング処理では、Ａｌ層１０３及びＭｏ層１０２にダメージを与えず、最上層のＩＺＯ層１０４を選択的にエッチング可能な第二のエッチング液を用いて行う。これによって、下層のＡｌ層１０３及びＭｏ層１０２よりもエッチングレートが遅い層が最上層に配置されていても、下層のＡｌ層１０３及びＭｏ層１０２の水平方向の痩せ細りや、膜剥がれを防いで、順テーパ状の電極及び／又は配線を形成することができる。
【０２６７】
なお、上記実施形態３及び４において、エッチングレートが異なる金属層の組み合せについては、ＩＺＯ層、Ａｌ層及びＭｏ層の組み合せに限らず、最上層にエッチングレートが遅い金属層が設けられ、その下層にはそれよりもエッチングレートが速い一層または二層以上の層が設けられている構成であれば、他の材料についても本発明は適用可能である。また、電極や配線は三層で説明したが、電極や配線は二層であっても、四層以上であってもよい。金属材料が異なる場合、使用される第一のエッチング液及び第二のエッチング液の組み合せも異なり、第一のエッチング液は最上層及び下層をエッチング可能なエッチング液を適宜用いることが可能であり、第二のエッチング液は最上層をエッチング可能で下層にダメージを与えないエッチング液を適宜用いることが可能である。
【０２６８】
以上のように、本発明の好ましい実施形態１〜４を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態１〜４に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態１〜４の記載から、本発明の記載及び技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願及び文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
【産業上の利用可能性】
【０２６９】
以上説明したように、本発明は、反射電極を構成する非晶質透明導電膜（第２金属導電膜）の端部が、ラビング処理等の後工程において、剥がれることが抑止されるので、反射電極を有するアクティブマトリクス基板の作製において有用である。
【０２７０】
また、本発明は、例えばＰＤＡ、携帯電話装置やデジタルスチルカメラなどのモバイル機器、テレビジョンセットなどのＡＶ機器及びパーソナルコンピュータなどのＯＡ機器などの各種の電子情報機器の表示画面部に利用される液晶表示装置及びその製造方法、これに好適に用いられる電極配線基板（導電素子基板）及びその製造方法の分野において、ガラス基板上にエッチングレートが異なる二層以上の層からなる金属層を、二種類のエッチング液を用いてエッチングすることによって、膜強度が高く、膜が剥がれにくい、順テーパ状にパターニングされた電極及び／又は配線を作製することができる。これに伴って、膜剥がれによるリーク不良を低減し、断線不良を低減することができる。このため、電極配線基板（導電素子基板）や液晶表示装置の製造歩留まりをいっそう向上させることができる。本発明では、例えばＰＤＡや携帯電話装置、デジタルスチルカメラなどのモバイル機器、テレビジョンセットなどのＡＶ機器、パーソナルコンピュータなどのＯＡ機器などの電子情報機器に広く利用することが可能であり、信頼性が高い電子情報機器を歩留まりよく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２７１】
【図１】本発明の実施形態１及び２に係る液晶表示装置５０を構成するアクティブマトリクス基板２０の平面模式図である。
【図２】図１中の断面II−IIにおける液晶表示装置５０の断面模式図である。
【図３】図１中の断面III−IIIにおけるアクティブマトリクス基板２０の断面模式図である。
【図４】本発明の実施形態１及び２に係る反射電極を形成する際の積層導電膜形成工程を示す断面模式図であり、図１中の断面III−IIIに対応するものである。
【図５】本発明の実施形態１及び２に係る反射電極を形成する際のレジスト塗布工程を示す断面模式図であり、図１中の断面III−IIIに対応するものである。
【図６】本発明の実施形態１及び２に係る反射電極を形成する際の露光工程を示す断面模式図であり、図１中の断面III−IIIに対応するものである。
【図７】本発明の実施形態１及び２に係る反射電極を形成する際の現像工程を示す断面模式図であり、図１中の断面III−IIIに対応するものである。
【図８】本発明の実施形態１に係る反射電極を形成する際の第１エッチング工程を示す断面模式図であり、図１中の断面III−IIIに対応するものである。
【図９】本発明の実施形態１に係る反射電極を形成する際の第２エッチング工程を示す断面模式図であり、図１中の断面III−IIIに対応するものである。
【図１０】本発明の実施形態１に係る反射電極を形成する際の剥離工程を示す断面模式図であり、図１中の断面III−IIIに対応するものである。
【図１１】本発明の実施形態２に係る反射電極を形成する際の第２エッチング工程を示す断面模式図であり、図１中の断面III−IIIに対応するものである。
【図１２】本発明の実施形態２に係る反射電極を形成する際の第１エッチング工程を示す断面模式図であり、図１中の断面III−IIIに対応するものである。
【図１３】本発明の実施形態２に係る反射電極を形成する際の剥離工程を示す断面模式図であり、図１中の断面III−IIIに対応するものである。
【図１４】フォトリワークした後、本発明の実施形態１の方法で反射電極６を形成した際の反射電極６の周辺の電子顕微鏡写真である。
【図１５】種々の導電膜に対するシュウ酸水溶液のエッチング特性を確認するための第１の実験の方法を示す模式図である。
【図１６】種々の導電膜に対するシュウ酸水溶液のエッチング特性を確認するための第２の実験の方法を示す模式図である。
【図１７】種々の導電膜に対するシュウ酸水溶液のエッチング特性を確認するための第３の実験の方法を示す模式図である。
【図１８】種々の導電膜に対するシュウ酸水溶液のエッチング特性を確認した第１の実験の結果を示すグラフである。
【図１９】種々の導電膜に対するシュウ酸水溶液のエッチング特性を確認した第２の実験の結果を示すグラフである。
【図２０】種々の導電膜に対するシュウ酸水溶液のエッチング特性を確認した第３の実験の結果を示すグラフである。
【図２１】実施例として作製したアクティブマトリクス基板の反射電極６の断面模式図である。
【図２２】本実施形態３の電極配線基板（導電素子基板）における電極及び配線の基本構成例を示す要部断面図である。
【図２３】本実施形態３の電極配線基板（導電素子基板）の製造方法におけるＭｏ膜形成工程の基板部の要部断面図である。
【図２４】本実施形態３の電極配線基板（導電素子基板）の製造方法におけるＡｌ膜形成工程の基板部の要部断面図である。
【図２５】本実施形態３の電極配線基板（導電素子基板）の製造方法におけるＩＺＯ膜形成工程の基板部の要部断面図である。
【図２６】本実施形態３の電極配線基板（導電素子基板）の製造方法におけるレジスト膜形成工程の基板部の要部断面図である。
【図２７】本実施形態３の電極配線基板（導電素子基板）の製造方法における露光工程の基板部の要部断面図である。
【図２８】本実施形態３の電極配線基板（導電素子基板）の製造方法におけるレジスト膜パターニング工程の基板部の要部断面図である。
【図２９】本実施形態３の電極配線基板（導電素子基板）の製造方法における第１のエッチング処理工程の基板部の要部断面図である。
【図３０】本実施形態３の電極配線基板（導電素子基板）の製造方法における第２のエッチング処理工程の基板部の要部断面図である。
【図３１】本実施形態３の電極配線基板（導電素子基板）の製造方法における剥離工程の基板部の要部断面図である。
【図３２】本実施形態３のエッチング工程について説明するためのエッチング槽内の要部断面図である。
【図３３】本実施形態４の電極配線基板（導電素子基板）の製造方法におけるレジスト膜パターニング工程の基板部の要部断面図である。
【図３４】本実施形態４の電極配線基板（導電素子基板）の製造方法における第１のエッチング処理工程の基板部の第１の要部断面図である。
【図３５】本実施形態４の電極配線基板（導電素子基板）の製造方法における第１のエッチング処理工程の基板部の第２の要部断面図である。
【図３６】本実施形態４の電極配線基板（導電素子基板）の製造方法における第１のエッチング処理工程の基板部の第３の要部断面図である。
【図３７】本実施形態４の電極配線基板（導電素子基板）の製造方法における第２のエッチング処理工程の基板部の第１の要部断面図である。
【図３８】本実施形態４の電極配線基板（導電素子基板）の製造方法における第２のエッチング処理工程の基板部の第２の要部断面図である。
【図３９】本実施形態４の液晶表示装置の概略構成例を示す要部断面図であって、画素領域の反射電極及びＴＦＴ形成領域を示す図である。
【図４０】本実施形態４の液晶表示装置の概略構成例を示す要部断面図であって、端子領域を示す図である。
【図４１】本実施形態４の液晶表示装置の製造方法について説明するための要部断面図であって、画素領域の反射電極およびＴＦＴ形成領域を示す図である。
【図４２】本実施形態４の液晶表示装置の製造方法について説明するための要部断面図であって、端子領域を示す図である。
【図４３】本実施形態４の液晶表示装置の製造方法における各工程について説明するためのフローチャートである。
【図４４】本実施形態４の液晶表示装置に対する比較例として、液晶表示装置の製造方法における各工程について説明するためのフローチャートである。
【図４５】従来の方法で反射電極を形成したアクティブマトリクス基板２０’の断面模式図である。
【図４６】従来の電極または配線の断面形状を説明するための基板部の要部断面図である。
【図４７】従来のエッチング工程（レジスト膜パターニング工程）について説明するための要部断面図である。
【図４８】従来のエッチング工程（ＩＺＯ層エッチング工程）について説明するための要部断面図である。
【図４９】従来のエッチング工程（ＩＺＯ層／Ａｌ層エッチング工程）について説明するための要部断面図である。
【図５０】従来のエッチング工程（ＩＺＯ層／Ａｌ層／Ｍｏ層エッチング工程）について説明するための第１の要部断面図である。
【図５１】従来のエッチング工程（Ｍｏ層エッチング工程後）について説明するための要部断面図である。
【図５２】従来のエッチング工程（レジスト膜除去工程）について説明するための第１の要部断面図である。
【符号の説明】
【０２７２】
５              透明電極
６              反射電極（導電素子）
６’            積層導電膜
６ａ            金属導電層（第１金属導電層）
６ａ’          金属導電膜（第１金属導電膜）
６ｂ，６ｂ’’  非晶質透明導電層（第２金属導電層）
６ｂ’          非晶質透明導電膜（第２金属導電膜）
１０，１０１    ガラス基板
１５，１０５    フォトレジスト（レジスト膜）
１５’          レジストパターン
２０，２０’    アクティブマトリクス基板（導電素子基板）
２１            シュウ酸水溶液（エッチング液）
３０            対向基板
４０            液晶層
５０            液晶表示装置
１０２          Ｍｏ膜（第１金属導電膜）、Ｍｏ層（第１金属導電層）
１０３          Ａｌ膜（第１金属導電膜）、Ａｌ層（第１金属導電層）
１０４          ＩＺＯ膜（第２金属導電膜）、ＩＺＯ層（第２金属導電層）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図１４】
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