(57)【要約】【課題】  撮像装置の使用台数を抑えつつ検査時間を短縮することができるようにする。【解決手段】  被検査画像３ａと参照画像７ａの差異を基に被検査物１の検査を行うものであって、予め被検査画像３ａの最小繰り返しパターンを全て網羅した母画像４ａを生成し、被検査画像３ａが母画像４ａのどの場所であるかを検索し、検索された母画像４ａの所定の場所を含む領域を子画像として抽出し、子画像を被検査画像３ａに対する参照画像７ａとして被検査画像３ａとの差異を検出する。【選択図】        図１  
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査画像と参照画像の差異を基に前記被検査物の検査を行う外観検査方法であって、
予め前記被検査画像の最小繰り返しパターンを全て網羅した母画像を生成し、
前記被検査画像が前記母画像のどの場所であるかを検索し、
検索された前記母画像の所定の場所を含む領域を子画像として抽出し、
前記子画像を前記被検査画像に対する前記参照画像として前記被検査画像との差異を検出する
ことを特徴とする外観検査方法。
【請求項２】
前記母画像は、位置をずらして撮像した複数の画像を繋ぎ合わせた合成画像と、前記合成画像と同じ繰り返しパターンを有する他の場所で撮影した画像との差異を基に検査を行い、予め欠陥がないことが確認された画像のみを用いて作成される
ことを特徴とする請求項１記載の外観検査方法。
【請求項３】
前記被検査画像が最小繰り返しパターンの一部のみを含む場合、前記母画像の縦及び横方向の単位画像サイズが同じ拡大率で最小単位画像繰り返しパターンを含む最小の大きさの画像のそれぞれ２倍以上である
ことを特徴とする請求項１記載の外観検査方法。
【請求項４】
複数の母画像から各母画像を構成する単位画像の特徴的な部分を特徴画像として抽出し、
前記被検査画像と各特徴画像とを比較し、
前記被検査画像が備える特徴画像を判別し、
それぞれの前記特徴画像より構成された複数の母画像から使用する母画像を選択し、
選択された母画像の所定の場所を含む領域を子画像として抽出する
ことを特徴とする請求項１記載の外観検査方法。
【請求項５】
被検査画像と参照画像の差異を基に前記被検査物の検査を行う外観検査装置であって、
予め前記被検査画像の最小繰り返しパターンを全て網羅した母画像を記憶する母画像記憶手段と、
前記被検査画像が前記母画像記憶手段に記憶された母画像のどの場所であるかを検索する検索手段と、
検索された前記母画像の所定の場所を含む領域を子画像として抽出する画像抽出手段と、
前記子画像を前記参照画像として記憶する参照画像記憶手段と、
前記参照画像記憶手段に記憶された前記参照画像と前記被検査画像との差異を検出する画像相違点検出手段とを
有することを特徴とする外観検査装置。
【請求項６】
前記母画像は、位置をずらして撮像した複数の画像を繋ぎ合わせた合成画像と、前記合成画像と同じ繰り返しパターンを有する他の場所で撮影した画像との差異を基に検査を行い、予め欠陥がないことが確認された画像のみを用いて作成される
ことを特徴とする請求項４記載の外観検査装置。
【請求項７】
前記被検査画像が最小像繰り返しパターンの一部のみを含む場合、前記母画像の縦及び横方向の単位画像サイズが同じ拡大率で最小単位画像繰り返しパターンを含む最小の大きさの画像のそれぞれ２倍以上である
ことを特徴とする請求項４記載の外観検査装置。
【請求項８】
母画像を記憶する複数の母画像記憶手段と、
前記複数の母画像記憶手段に記憶された各母画像を構成する単位画像の特徴的な部分を抽出した特徴画像を記憶する特徴画像記憶手段と、
前記被検査画像と前記特徴画像記憶手段に記憶された各特徴画像とを比較し、前記被検査画像に含まれる特徴画像を判別する判別手段と、
前記判別手段の判別結果に基づき前記複数の母画像から使用する母画像を選択し、前記検索手段に出力する画像選択手段とを備える
ことを特徴とする請求項５記載の外観検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶ディスプレイや有機ＥＬ（Electronic Luminescent）ディスプレイなどの検査対象基板上に形成されたパターンを検出して、欠陥検査を行うパターン検査、異物検査等に適用して好適な外観検査方法及び外観検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどのフラットパネルディスプレイ等の検査対象基板上に形成されたパターンを検出して、欠陥検査を行うパターン検査、異物検査等の従来の技術について、図６〜図１３を参照して説明する。なお、各図面の対応する部分には同一符号を付して示している。
【０００３】
図６は、被検査物の一例としてフラットパネルディスプレイのＲＧＢのカラーフィルタを取り除いた画素パターン構成を示したものである。図６において、例えば画素５０はアクティブマトリックス方式の画素構造となっており、５１はａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）、５２はソース電極、５３はドレイン電極、５４は保持容量素子、５５は走査線、５６は信号線を表している。
【０００４】
図７は、一般的に行われている被検査物の外観を検査する外観検査工程のフローチャートである。最初に低い倍率の顕微鏡を用いてマクロ検査を行い、パネル全面をチェックする（ステップＳ１）。
【０００５】
図８は、図６に示されたフラットパネルディスプレイ（以下、パネルともいう。）の画素パターンを模式的に表した平面図であり、「Ａ」は画素（以下、単位画像とも称する。）を示す。図８に示されるようにパネルに欠陥１００がある場合、マクロ検査工程を行うことによって図９に示すようにパネル全面のどの位置に欠陥があるかを示す欠陥の位置データが生成される（ステップＳ２）。
【０００６】
被検査物を撮像装置等で撮影した被検査画像と参照画像の差異を基に検査を行う外観検査方法において、マクロ検査時に１画面内のパターンの繰り返し性を使うものでは、予め設計図等などから繰り返しの間隔を定義し、１画面内から繰り返されたパターンを全て切り出し、切り出された各画像の差異を検出することにより、欠陥情報を得ることができる。また、マクロ検査工程においては、パネル全面の検出可能な全ての欠陥について、その位置データが生成される。
【０００７】
上述の欠陥位置データを基に、次にミクロ検査工程（レビュー検査工程とも呼ばれる。）を行う。ミクロ検査工程では、より倍率の高い顕微鏡で欠陥位置を拡大表示し、詳細な欠陥情報を取得する。欠陥情報には一般に欠陥の大きさや色、形などが含まれ、それらの情報に基づいて欠陥情報を分類することもできる。まず、マクロ検査工程で算出された欠陥位置データに従って高倍率の顕微鏡で欠陥位置の画像を取得する。以下、この画像を被検査画像と呼び、図１０に被検査画像の一例を示す。
【０００８】
図１０に示される被検査画像から欠陥情報を抽出するためには、一般に同じ位置における欠陥のない基準となる画像が必要となる。以下、このような画像を参照画像と呼び、図１１に参照画像の一例を示す。
【０００９】
欠陥画像内に繰り返し性が有る場合は参照画像がなくても欠陥画像だけを使用して欠陥情報が抽出できるが、図１０に示されるように欠陥画像内にパターンの繰り返し性が無い場合は参照画像（図１１参照）が通常必要である。参照画像の作り方としては、一般に隣接する画素の同じ位置の画像を取得し、その画像を参照画像としている。
【００１０】
図１２は、従来の外観検査装置構成の一例を示し、上述の参照画像の作成を２台の撮像装置を用いて実現したものである。図１２において、１０１は被検査物であり、１０２及び１０４は拡大率調整可能な撮像装置、１０３及び１０５は撮像装置で撮像された被検査画像１０３ａ及び参照画像１０５ａをそれぞれ記憶する被検査画像メモリ、１０８は被検査画像１０４ａと参照画像メモリ１０５ａを比較して相違点を検出する画像相違点検出回路である。さらに、１０９は相違点検出回路１０８で検出された画像相違点１０８ａを記憶する相違点情報データメモリ、１１０は相違点情報データメモリ１０９から供給される画像相違点について、欠陥情報データベース１１１内の情報に基づいてどの種類の欠陥に属するか分類する欠陥分類回路１１０、１１２は分類された欠陥情報を記憶する欠陥分類情報メモリである。
【００１１】
図１２の構成によれば、２台の撮像装置１０２,１０４を使用して隣り合う画素の被検査画像１０３ａ（ｐ×ｑ画像）,１０５ａ（ｐ×ｑ画像）を取得する。被検査画像１０３ａ（図１０参照）、参照画像１０５ａをパターンマッチングにより検査して欠陥１００を含む画像相違点１０８ａを検出し、その画像相違点と欠陥情報データベースから画像相違点が欠陥であるのか、また欠陥であればどの種類の欠陥であるか分類することができる。ここで、ｐ×ｑ画像とは画像の大きさを示し、縦及び横方向の画素数（単位画像数）で表される。
【００１２】
一方、例えば、参照画像の基となる基準画像の画素数が増加してもパターンマッチング時の演算量を減少させるとともにその演算時間を短縮できる最適部分パターン抽出を提供する最適部分パターン抽出装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）
【００１３】
図１３は、特許文献１に記載された最適部分パターン抽出装置の概要を説明するためのものである。図１３において、パターンサーチ回路１２２にて基準画像メモリ１２１から供給される基準画像（ｍ×ｎ画像）１２１ａと被検査画像メモリ１０３から供給される被検査画像（ｐ×ｑ画像（ｐ＞ｍ，ｑ＞ｎ））１０３ａとの所定のパターンマッチングを行う。
【００１４】
ここで所定のパターンマッチングとは、基準画像データから所定画素数の基準部分データを座標を変えて順次取り出し、これら基準部分データを基準画像データに対して各方向に所定画素数ずらしたときの各マッチング度のうち最も高いマッチング度を求め、次に、これらのマッチング度のうち所定のマッチング度を検出し、かつ座標の異なる各基準部分データに対して検出された各マッチング度から最適マッチング度を示す座標の基準部分データを採用し、この基準部分データを基準画像データと入力画像データとの位置決めに使用するようにしたものである。
【００１５】
そして、画像シフト回路１２３にて基準画像１２１aと被検査画像１０３ｂとのパターンマッチングの結果得られた最適な位置合わせデータを基に基準画像の座標をシフトさせて位置合わせを行い、画像シフト回路１２３から供給されるシフト後の基準画像を参照画像（ｐ×ｑ画像）１２４ａとして参照画像メモリ１２４に記憶させる。そして、画像相違点検出回路１０８にて参照画像１２４ａと被検査画像１０４ｂを比較して欠陥検査を行い、欠陥１００を含む画像相違点１０８ｂを検出する。以降の処理は、図１２と同様に行われる。
【特許文献１】特開平５−２８２７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、図１２に示される従来例は、同じ繰り返しパターンを持つ別の位置における欠陥のない画像を参照画像として利用し、参照画像と被検査画像を比較して欠陥情報を抽出する方法であり、図１２に示されるように、まず撮像装置が２台とこれら２台の撮像装置の精密な位置調整が必要になるとともに、参照画像に欠陥がある可能性が排除できないという問題ある。また、１台の撮像装置を移動させて参照画像を撮影する方法も考えられるが、この場合、撮像装置の移動時間が必要となり検査時間が長くなるという問題がある。
【００１７】
また、特許文献１に記載のものにおいて、より小さな差異を検出するために撮影倍率を上げる場合、特にマクロ検査と呼ばれる第１次外観検査で欠陥の位置がわかっており、欠陥タイプの認識のためミクロ検査と呼ばれる第２次外観検査のように拡大率を高くする必要があるときには、１画面内のパターンの繰り返しがなくなり、この検査方法が使用できないという問題があった。
【００１８】
斯かる点に鑑み、本発明は、撮像装置の使用台数を抑えつつ検査時間を短縮することができるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記課題を解決し、目的を達成するため、本発明は、被検査画像と参照画像の差異を基に被検査物の検査を行う外観検査方法であって、予め被検査画像の最小繰り返しパターンを全て網羅した母画像を生成し、被検査画像が母画像のどの場所であるかを検索し、検索された母画像の所定の場所を含む領域を子画像として抽出し、この子画像を被検査画像に対する参照画像として被検査画像との差異を検出するようにしたことを特徴とする。
【００２０】
斯かる本発明によれば、検査前に最小繰り返しパターンを全て網羅した母画像を生成しておき、検査時に被検査画像が母画像のどの位置であるかを検索し、その位置を含む領域を参照画像として使用することにより、被検査画像に対応する参照画像の自動生成が可能となるので、検査時の参照画像の撮影を不要とすることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、被検査画像に対応する参照画像の自動生成が可能となるので、検査時の参照画像の撮影を不要とすることができる。したがって、例えば被検査画像の検査倍率が高く繰り返しパターンを含まない場合であっても、撮像装置が１台で済むとともに、撮像装置を移動させる必要がなくなり、検査費用の削減及び検査時間の短縮が実現できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図１〜図５を参照して、本発明の一実施の形態の例について説明する。本例においては、被検査物として、例えば図７に示される画素構造の画素５０を持つフラットパネルディスプレイ（以下、パネルという。）について行われるミクロ検査工程を説明するものである。なお、画素は繰り返しパターンを構成する最小単位であり、本例ではこのような画素を単位画像と称する。
【００２３】
図８及び図９を用いて説明したように、図８に示されるパネルのある部分に欠陥１００がある場合、マクロ検査工程によりパネル全面をチェックし、図９に示すようにパネル全面のどの位置に欠陥があるかを示す欠陥の位置データが生成される。そして、パネル全面の検出可能な全ての欠陥について、その位置データを生成しておく。
【００２４】
図１は、本発明の一実施の形態の例の構成図を示すものである。図１に示されるように、撮像装置２、被検査画像メモリ３、母画像メモリ（母画像記憶手段）４、パターンサーチ回路（検索手段）５、画像抽出回路（画像抽出手段）６、参照画像メモリ（参照画像記憶手段）７、画像相違点抽出回路（画像相違点抽出手段）８、相違点情報データメモリ９、欠陥分類回路１０、欠陥情報データベース１１、欠陥分類情報メモリ１２から構成されている。
【００２５】
図１に示される撮像装置２は、フラットパネルディスプレイ等の被検査物１の表面を撮影する拡大率調整可能な例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）素子等から構成されるカメラあるいは顕微鏡などから構成される。マクロ検査工程において発見された欠陥の位置データに基づき、高倍率の撮像装置２で撮影し欠陥位置の拡大画像を取得する。
【００２６】
また被検査画像メモリ３は撮像装置２で撮像された欠陥の拡大画像を被検査画像３ａ（ｐ×ｑ画像）として記憶する。
【００２７】
本例では参照画像を生成する基となる画像を母画像４ａと呼び、母画像メモリ４に保存しておく。この母画像４ａは、位置をずらして撮像した複数の画像を繋ぎ合わせた合成画像と、この合成画像と同じ繰り返しパターンを有する他の場所で撮影した画像との差異を基に検査を行い、予め欠陥がないことが確認された画像のみを用いて作成される。母画像のサイズ、すなわち含まれる単位画像数をｍ×ｎとして被検査画像よりも縦及び横ともに大きくなるようにする。しかし、母画像としてパネル全面分の画像は必要なく、繰り返しパターン数個分が含まれていれば十分である。例えば、被検査画像が繰り返しパターンの全部は含まない場合、母画像の縦及び横方向の単位画像数が同じ拡大率で最小単位の繰り返しパターンを含む最小の大きさの画像のそれぞれ２倍以上あればよい。
【００２８】
またパターンサーチ回路５は、母画像メモリ４に記憶された母画像４ａをターゲットとして被検査画像３ａをサーチする。すなわちパターンマッチングにより被検査画像３ａの中から母画像４ａと同じパターンの画像を検索し、検索結果を画像抽出回路６に出力する。
【００２９】
また画像抽出回路６は、上記検索結果からパターンマッチング度が一番高い画像を母画像４ａから抽出して子画像（ｐ×ｑ画像）を作成し、参照画像メモリ７に出力する。
【００３０】
また参照画像メモリ７は、画像抽出回路６から送出された子画像を被検査画像３ａに対する参照画像７ａとして記憶する。
【００３１】
また画像相違点検出回路８は、参照画像メモリ７に記憶された参照画像７ａと撮像装置２で撮影された被検査画像３ａとの画像相違点８ａを検出し、相違点情報データメモリ９に出力する。
【００３２】
また相違点情報データメモリ９は、画像相違点検出回路８で検出された画像相違点８ａを記憶する。
【００３３】
また欠陥分類回路１０は、相違点情報データメモリ９から供給される画像相違点８ａを、欠陥情報データベース１１内に登録されている種々の欠陥情報に基づいて如何なる種類の欠陥であるか分類して欠陥分類情報を生成し、欠陥分類情報メモリ１２に出力して記憶させる。
【００３４】
上述のように構成される図１の外観検査装置によるミクロ検査工程について説明する。まず、マクロ検査工程における欠陥位置データに基づき被検査物１の拡大画像が撮像素子２で撮影され、取得した拡大画像の被検査画像３ａは、被検査画像メモリ３に一旦蓄えられる。次に、パターンサーチ回路５において、パターンマッチングにより母画像メモリ４に記憶されている母画像４ａをターゲットとして被検査画像３ａをサーチし、サーチ結果からパターンマッチング度が一番高い画像を抽出して子画像を作成し、この子画像を参照画像として参照画像メモリ７に蓄えておく。
【００３５】
そして画像相違点検出回路８にて、参照画像メモリ７に蓄えられた参照画像７ａと、被検査画像メモリ３に蓄えられた被検査画像３ａとの画像相違点８ａを検出して、相違点情報データメモリ９に蓄える。さらに欠陥分類回路１０において、画像相違点８ａと欠陥情報データベース１１内の欠陥情報に基づき、欠陥分類情報を生成し、欠陥分類情報メモリ１２に蓄えることでミクロ検査を終了する。必要であれば適宜欠陥分類情報を欠陥分類情報メモリ１２から表示装置に出力して表示させるなどする。
【００３６】
上述した図１の例によれば、ミクロ検査工程のように検査倍率が高く画面内の被検査画像に繰り返しパターンを含まない場合であっても、撮像装置２を移動させたり、撮像装置を２台用いる必要がないので、検査時間の短縮や検査費用の削減が可能となる。
【００３７】
また、母画像の生成方法として、実際の画像を基に合成するので、例えば隣り合う繰り返しパターンの間隔など、予めパターン情報の詳細（設計図等）を必要としない。さらに繰り返しパターンを一部しか含まない場合でも、フラットパネルディスプレイ上面などの検査領域全てを含む画像が母画像として１枚又は複数枚用意されれば、参照画像は自動生成可能であるので外観検査が行える。
【００３８】
次に、被検査物のパターン構成によっては参照画像の生成に失敗する場合について、図２〜図４を用い説明する。
【００３９】
図２は上述した方法により作成した母画像の一例を示すものであり、単位画像の画素構造「Ａ＋」と「Ａ−」が互いに反転したパターン構成となっている。母画像メモリ３に記憶された母画像内に非常に似ているが異なる繰り返しパターンが存在する場合、被検査画像に含まれる結果によっては参照画像として生成される画像が異なってしまう恐れがある。例えば、図２に示されるように、酷似した画素構造「Ａ＋」と「Ａ−」の組み合わせからなるパターンのような場合である。
【００４０】
図３Ａは画像相違点検出回路８にて比較対照される参照画像の例、図３Ｂは同被検査画像の例を表す。ミクロ検査工程において、欠陥位置の被検査画像が図３Ｂに示すような、「Ａ＋」内に欠陥１３を含む画像である場合、図２の母画像から参照画像として図３Ａに示す「Ａ−」の画像を抽出してしまうことがある。このように本来ならば「Ａ＋」の画像を抽出するところを、画素構造が似ていたために誤った参照画像が抽出されるということが生じる。
【００４１】
図４は、画像相違点検出回路８にて検出される画像相違点の画像を表している。誤った参照画像（図３Ａ参照）が抽出された結果、図４に示すように画像相違点として、欠陥１３とともにプラス記号から横線を引いた記号１４が検出されてしまい、正確な欠陥情報を得ることができない。
【００４２】
そこで、上述のような場合にも正確な欠陥情報を取得できるようにした他の実施の形態の例について、図５を参照して説明する。図５は本発明の他の実施の形態の例の構成図を示す。図５の構成例では、予め似て非なる画素パターンの特徴となる部分の画像（以下、特徴画像という。）だけを切り出して、最初にいずれかの特徴画像を選択した後に、その選択結果に応じて参照画像の基とする母画像の切り替えを行うようにしたものである。
【００４３】
図５において、特徴画像メモリ２１,２２は、それぞれ母画像２５ａ,２６ａを構成する単位画像内の特徴画像を記憶するものであり、この例では、「Ａ＋」の“＋”の部分が特徴画像２１ａ、「Ａ−」の“−”の部分が特徴画像２２ａとなる。なお、特徴画像の大きさはｒ×ｓ（ｒ＜ｐ,ｓ＜ｑ）とする。
【００４４】
また画像選択回路２３は、特徴画像メモリ２１,２２に記録された各特徴画像を切り替えて、パターンサーチ回路２４に供給する。
【００４５】
またパターンサーチ回路２４は、撮像装置２で撮影された被検査画像（ｐ×ｑ画像（ｐ＜ｍ，ｑ＜ｎ））３ｂをターゲットにして、特徴画像２１ａ,２２ａをそれぞれ順番にサーチし、被検査画像３ｂがいずれの特徴画像の特徴を備えているかを判別し、その結果を画像選択回路２７に出力する。
【００４６】
また母画像メモリ２５,２６は、それぞれ母画像（ｍ×ｎ画像）２５ａ,２６ａを記憶するものであり、この例では、母画像２５ａ,２６ａは図２のものと同様であり、画素構造「Ａ＋」と「Ａ−」が互いに反転した画像となっている。
【００４７】
また画像選択回路２７は、パターンサーチ回路２４のサーチ結果を受けて、使用する母画像が記録されている母画像メモリを母画像メモリ２５あるいは母画像メモリ２６のいずれかを選択して切り替える。
【００４８】
そして、パターンサーチ回路５は、画像選択回路２７にて選択された母画像メモリの母画像をテーゲットとして被検査画像３ｂをサーチし、被検査画像３ａの中に母画像４ａと同じパターンの画像が含まれるかどうかをパターンマッチングにより検索して、検索結果を画像抽出回路６に出力する。その他は、図５に示される構成は図１の構成例と同様の構成である。
【００４９】
上述のように構成される図５の外観検査装置によるミクロ検査工程について説明する。まず、マクロ検査工程における欠陥位置データに基づき被検査物１の拡大画像が撮像素子２で撮影され、取得した拡大画像の被検査画像３ａは、被検査画像メモリ３に一旦蓄えられる。次に、パターンサーチ回路２４において、被検査画像メモリ３に蓄えられた被検査画像３ａをターゲットとして、画像選択回路２３を介しパターンマッチングにより特徴画像メモリ２１，２２に記憶されている特徴画像２１ａ，２２ａを順番にサーチする。このサーチ結果に基づき、被検査画像３ａがどちらの特徴を持っているかを判別し、その判別結果を画像選択回路２７に出力する。
【００５０】
次いで、画像選択回路２７は、上述の判別結果に基づき使用する母画像メモリを母画像メモリ２５あるいは母画像メモリ２６に切り替える。この例では、特徴画像２１ａのパターンサーチに成功すれば母画像２５ａ、特徴画像２２ａのパターンサーチに成功すれば母画像２６ａを選択する。そして、パターンサーチ回路５において、パターンマッチングにより選択された母画像をターゲットとして被検査画像３ｂをサーチする。このサーチ結果からパターンマッチング度が一番高い画像を抽出して子画像を作成し、この子画像を参照画像７ｂとして参照画像メモリ７に蓄えておく。
【００５１】
そして画像相違点検出回路８にて、参照画像メモリ７に蓄えられた参照画像７ｂと、被検査画像メモリ３に蓄えられた被検査画像３ｂとの画像相違点８ｂを検出して、相違点情報データメモリ９に蓄える。さらに欠陥分類回路１０において、画像相違点８ｂと欠陥情報データベース１１内の欠陥情報に基づき、欠陥分類情報（欠陥１３）を生成し、欠陥分類情報メモリ１２に蓄えることでミクロ検査を終了する。必要であれば適宜欠陥分類情報を欠陥分類情報メモリ１２から表示装置に出力して表示させるなどする。
【００５２】
上述した構成によれば、予め似ている繰り返しパターンの特徴となる部分の特徴画像を切り出して、この特徴画像２１ａ，２２ａと被検査画像３ａをパターンサーチした上で母画像を作成するようにしたので、被検査画像３ｂと同じ単位画像「Ａ＋」を持つ参照画像７ｂを抽出することができる。したがって、欠陥１３のみを含む画像相違点８ｂが検出され、正確な欠陥情報を取得することができる。
【００５３】
本発明は、上述した実施の形態の他、例えば半導体ウェーハ、フォトマスク、磁気ディスクなどの外観検査に適用可能である。
【００５４】
また、本発明は上述した実施の形態の例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を取り得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施の形態の例の外観検査装置の構成図である。
【図２】本発明の一実施の形態の例における母画像の一例を示す図である。
【図３】本発明の一実施の形態の例の画像相違点検出回路に入力される参照画像及び被検査画像の例を示す図である。
【図４】本発明の一実施の形態の例における画像相違点の例を示す図である。
【図５】本発明の他の実施の形態の例の外観検査装置の構成図である。
【図６】被検査物の一例としてフラットパネルディスプレイの概略画素パターンを表す図である。
【図７】一般的な外観検査工程を示すフローチャートである。
【図８】検査対象物の画素パターンの模式図である。
【図９】欠陥の位置データの例を示す図である。
【図１０】被検査画像の例を示す図である。
【図１１】参照画像の例を示す図である。
【図１２】従来技術の一例を示す構成図である。
【図１３】従来技術の他の例を示す構成図である。
【符号の説明】
【００５６】
１…被検査物、２…撮像装置、３…被検査画像メモリ、３ａ,３ｂ…被検査画像、５,２４…パターンサーチ回路、６…画像抽出回路、７…参照画像メモリ、７ａ,７ｂ…参照画像、８…画像相違点検出回路、８ａ,８ｂ…画像相違点画像、９…相違点情報データメモリ、１０…欠陥分類回路、１１…欠陥情報データベース、１２…欠陥分類情報メモリ、１３…欠陥、１４…画像相違点、２１，２２…特徴画像メモリ、２１ａ，２２ａ…特徴画像、２３，２７…画像選択回路、２５，２６…母画像メモリ、２５ａ,２６ａ…母画像
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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