(57)【要約】【課題】光電変換層に接する表面の凹凸高さの二乗平均値Ｒａが７０ｎｍ以下であることを特徴とする基板を用いることで歩留まりが高く、高い電圧値と高い歩留まりをを実現できる太陽電池や、この様な太陽電池はＩＣカード、ＩＣタグなどの電子機器の主電源もしくは補助電源装置を提供する技術が望まれていた。【解決手段】光電変換層に接する表面の凹凸高さの二乗平均値Ｒａが７０ｎｍ以下である太陽電池用基板、特にそのうち、少なくとも１つの光電変換素子における活性層が非単結晶シリコンもしくは非単結晶シリコン合金であるとか、光電変換層が単位セルを複数個積層して形成された太陽電池用基板などを提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換層に接する表面の凹凸高さの二乗平均値Ｒａが７０ｎｍ以下であることを特徴とする太陽電池用基板。
【請求項２】
請求項１記載の光電変換層のうち、少なくとも１つの光電変換素子における活性層が非単結晶シリコンもしくは非単結晶シリコン合金であることを特徴とする太陽電池用基板。
【請求項３】
請求項１または２記載の太陽電池用基板の光電変換層が、単位セルを複数個積層して形成されていることを特徴とする太陽電池用基板。
【請求項４】
請求項１、２または３記載の太陽電池用基板に少なくとも一つの光電変換素子からなる光電変換層が設けられていることを特徴とする薄膜太陽電池。
【請求項５】
請求項３記載の太陽電池を主電源もしくは補助電源として用いることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平滑な表面を有する太陽電池およびそれを電源として用いた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光電変換素子では一般的に素子内へ入射した太陽光を有効に利用するために、何らかの方策で凸凹形状を設けて光を閉じ込めることが行われている。例えば、ｐｉｎ型（スーパーストレート型）薄膜シリコン系太陽電池においては、ガラス基板上の透明電極に凹凸をもたせ、光を基板側（透明電極とは反対側）から入射する構造をとって光閉じ込め効果を発現させることが行われており、実際に光閉じ込め効果により高い変換効率が得られている。またｎｉｐ型（サブストレート型）薄膜シリコン系太陽電池においては裏面電極側に凸凹をもたせ、入射した光を乱反射させて光を閉じ込めることで、高い変換効率が得られている。
【０００３】
しかし、太陽電池デバイスにおいて凸凹構造を持たせることは凸凹構造の凸部分が短絡の原因となり、製品の歩留まりが下がるという大きな問題がある。また凸凹構造を持たせることで短絡電流値が上がるものの、微結晶シリコン太陽電池などにおいては凸凹構造に垂直に成長した微結晶粒が互いに衝突しあい、そこに欠陥を誘起し再結合中心となるため、開放電圧が減少するという報告がある（非特許文献１）。
【０００４】
また、凸凹構造が粗すぎると、基材上に形成される光電変換層（例えば薄膜シリコン層）の膜厚が不均一になって、太陽電池の効率が低下する傾向にある。また凹凸が激しいと、短絡が起こりやすく、従って薄膜太陽電池の収率が低下するという問題もある。
【０００５】
また、電圧駆動型機器の多い、携帯用電子機器やＩＣカード、ＩＣタグ等では電流値はごくわずかでも駆動可能なことが多く、このような携帯用機器の駆動用太陽電池としては電流値が若干低下しても高い電圧値を実現することが重要となってくる。
【０００６】
以下に文献を示す。
【非特許文献１】Ｍ．Ｋｏｎｄｏ，  Ａ．Ｍａｔｓｕｄａ，  Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ，  ３８３  （２００１）  １
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者らは、かかる従来の太陽電池の欠点を解消せんと鋭意検討の結果、本発明に到達した。本発明では歩留まりが高く、高い電圧値を実現できる薄膜太陽電池およびそれを電源として用いたＩＣカード、ＩＣタグなどの電子機器を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１記載の発明は光電変換層に接する表面の凹凸高さの二乗平均値Ｒａが７０ｎｍ以下であることを特徴とする太陽電池用基板を提供することにある。表面の凹凸高さの二乗平均値Ｒａが７０ｎｍ以下になることで電流値は若干減少するものの、歩留まりが高く、かつ電圧値の高い太陽電池を供することができる。
【０００９】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の光電変換層のうち、少なくとも１つの光電変換
素子における活性層が非単結晶シリコンもしくは非単結晶シリコン合金であることを特徴とする薄膜太陽電池である。
【００１０】
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の光電変換層が、単位セルを複数個積層して形成されていることを特徴とする薄膜太陽電池である。単位セルを複数個積層（いわゆるｍｕｌｔｉｊｕｎｃｔｉｏｎ  ｓｏｌａｒ  ｃｅｌｌ）することで高い電圧値を示すことができる。
【００１１】
請求項４記載の発明は請求項１、２、または３記載の太陽電池用基板に少なくとも一つの光電変換素子からなる光電変換層が設けられていることを特徴とする太陽電池である。
【００１２】
請求項５記載の発明は請求項４記載の太陽電池を主電源もしくは補助電源として用いることを特徴とするＩＣカード、ＩＣタグなどの電子機器である。
【発明の効果】
【００１３】
光電変換層に接する表面の凹凸高さの二乗平均値Ｒａが７０ｎｍ以下であることを特徴とする基板を用いることで歩留まりが高く、高い電圧値と高い歩留まりをを実現できる太陽電池を供給できる。このような太陽電池はＩＣカード、ＩＣタグなどの電子機器の主電源もしくは補助電源として好適に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に本発明について詳細に説明する。本発明の太陽電池用基材は光が基材側から太陽電池素子内へと入射される場合（スーパーストレート型）は透明である必要性があるが、基材側ではなく素子側から光が入射される場合（サブストレート型）は透明であっても不透明であっても構わない。また本基材は絶縁材料であっても、導電性材料であっても構わないが、絶縁材料である場合は太陽電池支持基体上に導電性の膜を形成することが必要である。この場合、光が基材側から太陽電池素子内へと入射される場合（スーパーストレート型）は透明である必要性があるが、基材側ではなく素子側から光が入射される場合（サブストレート型）は透明であっても不透明であっても構わない。また導電性の膜は単一材料からなる膜であっても構わないし、複数の層からなる膜であっても構わない。
【００１５】
光電変換層に接する太陽電池用基板の表面凹凸高さの二乗平均値Ｒａが７０ｎｍ以下、のぞましくは５０ｎｍとすることで、太陽電池の電圧が高くなりかつ歩留まりの高いセルを作製することができる。なお本発明での太陽電池用基板というのは支持基体のみと支持基体上に透明導電膜もしくは裏面電極を形成したもの全てを含む概念である。
【００１６】
本発明の太陽電池の支持基体としては、ガラス、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、ポリビニルフルオライドフィルム、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合樹脂、耐候性ポリエチレンテレフタレート、耐候性ポリプロピレン、ガラス繊維強化アクリル樹脂フィルム、ガラス繊維強化ポリカーボネート、ポリイミド、透明性ポリイミド、フッ素系樹脂、環状ポリオレフィン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ＳＵＳ薄板、Ａｌフォイルなどを使用することができるが、これらに限定されるわけではない。これらは単独の基材として使用してもよいが、二種以上を積層した積層体を使用することもできる。支持基体の厚さは特に限定されるものではないが、構造を支持できるような適当な強度や重量を有するように例えば１０ｍｍ〜５０ｍｍ程度であればよい。
【００１７】
また太陽電池素子の耐候性をあげるために、上記の層上あるは層間のいずれかにガスバリアー層を設けることも可能である。ケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）、ケイ素窒化物（ＳｉＮ
ｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）のいずれかの単独、もしくは二種以上の混合系の蒸着層、または無機−有機のハイブリッドコート層のうちのいずれか一種、または二種以上を組み合わせた複合層を好適に使用できる。
【００１８】
上記、ケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）、ケイ素窒化物（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）などの蒸着層は蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、ディッピング法、ゾルゲル法などにより基材フィルム上に容易に形成することができる。このようなバリア層の厚さは５〜５００ｎｍの範囲が適当であり、特に３０〜１５０ｎｍの範囲が好ましい。
【００１９】
本発明の光電変換層においては、単位セルを２個以上複数個積層する多層接合セルを用いることでさらに高い電圧が得ることができる。また単位セル間に透明な酸化物を挿入して光電流を増やすことも好適に用いられる。
【００２０】
本発明の非単結晶シリコンもしくは非単結晶シリコン合金はアモルファスシリコン、アモルファスシリコンゲルマニウム、アモルファスシリコンカーバイド、アモルファスシリコンオキサイド、アモルファスシリコンナイトライド、微結晶シリコン、微結晶シリコンゲルマニウム、微結晶シリコンカーバンド等が挙げられるが、上記のものに限定されるわけではない。またここでいう微結晶という用語は多結晶、微結晶あるいはマイクロクリスタルと呼ばれる結晶成分と非晶質成分が混在した状態のものも含んでいる。
【００２１】
透明電極は、厚さ１０〜５００ｎｍの酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛等の酸化物、もしくは厚さ５〜１５ｎｍの金、白金、パラジウム、銀およびこれらの合金等の金属薄膜などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。これらの透光性の導電膜は入射太陽光を良く透過し、かつ表面抵抗の小さい層が好ましく、厚さ５〜１５ｎｍの金、白金層、厚さ３０〜２００ｎｍのスズドープ酸化インジウム層が好ましい。透明電極はスパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｎｏ）法、ゾルゲル法、印刷法等で堆積させる。
【００２２】
また透明電極上に金属等によるグリッド電極を形成することもできる。この場合、グリッド電極はスクリーン印刷法、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、ゾルゲル法等で作製することができる。
【００２３】
裏面電極としては、鉄、クロム、チタン、タンタル、ニオブ、モリブデン、ニッケル、アルミニウム、コバルト等の金属、ニクロム、ステンレス等の合金からなる金属薄膜が用いられるがこれらに限定されるものではない。これらの金属層は、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング法、印刷法、メッキ法の手段によって設ける。またこれらの金属層と光電変換層との間に厚さ２ｎｍ〜５００ｎｍの透明な電極を設けることも可能である。また裏面電極として透明導電性酸化物薄膜を用いて太陽電池全面に透視性をもたせる、いわゆる“シースルー型太陽電池”とすることも可能である。
【００２４】
なお、本発明では後述する薄膜シリコンタイプの光電変換素子を用いた太陽電池だけではなく、色素増感タイプ等様々なタイプの光電変換素子からなる太陽電池に応用できる。
【００２５】
以下に、図面を用いて本発明の太陽電池を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらの図面に限定されるものではない。図１〜６に本発明の太陽電池の断面概略図を例示した。
【００２６】
図１は透明な支持基体上に透明導電膜Ｉを形成した本発明の太陽電池用基板上にｐ型のアモルファスシリコン層、ｉ型のアモルファスシリコン、ｎ型のアモルファスシリコンを積層し、さらに透明導電膜ＩＩ、金属電極を形成した例である。
【００２７】
図２は透明な支持基体上に透明導電膜Ｉを形成した本発明の太陽電池用基板上にｎ型の薄膜Ｓｉ層、ｉ型の薄膜Ｓｉ層、ｐ型の薄膜Ｓｉ層を積層し、さらに透明導電膜ＩＩ、金属電極を形成した例である。
【００２８】
図３は支持基体上に金属電極、透明導電膜ＩＩを形成した本発明の太陽電池用基板上に、ｎ型の薄膜Ｓｉ層、ｉ型の薄膜Ｓｉ層、ｐ型の薄膜Ｓｉ層を積層し、さらに透明導電膜Ｉを形成した例である。
【００２９】
図４は支持基体上に金属電極、透明導電膜ＩＩを形成した本発明の太陽電池用基板上に、ｐ型の薄膜Ｓｉ層、ｉ型の薄膜Ｓｉ層、ｎ型の薄膜Ｓｉ層を積層し、さらに透明導電膜Ｉを形成した例である。
【００３０】
図５は透明な支持基体上に透明導電膜Ｉを形成した本発明の太陽電池用基板上にｐ型の薄膜Ｓｉ層、ｉ型の薄膜Ｓｉ層、ｎ型の薄膜Ｓｉ層を積層し、さらに透明導電膜Ｉを形成したシースルー型太陽電池の例である。
【００３１】
図６は透明な支持基体上に透明導電膜Ｉを形成した本発明の太陽電池用基板上にｐ型の薄膜Ｓｉ層、ｉ型の薄膜Ｓｉ層、ｎ型の薄膜Ｓｉ層を積層し、さらにｐ型の薄膜Ｓｉ層、ｉ型の薄膜Ｓｉ層、ｎ型の薄膜Ｓｉ層透明を積層し、最後に導電膜ＩＩ、金属電極を形成したタンデム型太陽電池の例である。
【００３２】
本発明の太陽電池を備えた電子機器は、太陽電池で発電された電力を直接、または蓄電池やコンデンサーに一度蓄電した後、電子機器の補助電源として用いる。これにより外部電力の使用量が削減できる。
【００３３】
また、本発明の電子機器は、家庭用電源などの外部電源から電力供給を受けないものである。そのため、電子機器内部に一次電池や二次電池を内部に備えていても構わないし、太陽電池を唯一の電源とするものであっても構わない。
【００３４】
ここに本発明の太陽電池を用いた電子機器、非接触記録情報媒体およびＩＣタグについては、図面を参照しながら説明するが、これらに限定されるわけではない。図７は、本発明の意匠性を持つ太陽電池を具備した非接触型ＩＣカードの構成を示す図である。この構成は補助電源及び電源切替回路を有する以外は、通常の非接触型ＩＣカードと同様な構成である。すなわち、ＩＣ１０は、ユーザーのプログラムに従いデータ処理を行うＣＰＵ１４、プログラムを格納しているＲＯＭ１６、データを格納するＲＡＭ１７、動作されるためのクロック１５、データおよびアドレス等を伝達させるバス１３、アナログからデジタルに、デジタルからアナログに変復調させる変復調回路１１、変復調回路１１とバス１３の間でデータをパラレル／シリアル変換する入出力制御回路１２とから構成されている。ＩＣ１０に電力を供給するに当たって、補助電源からの電力と電磁波から得られる電力を電源切替回路に接続して、電源を切り替えることができるようにする。電源の切替時には、瞬断が起こらないように配慮したダイオード４１、４２、および抵抗４３からなる電源切替回路４０を形成する。
【００３５】
アンテナ回路（共振回路）６０は、コイル６１と可変コンデンサー６２からなり、端末（リーダ／ライタ）から電磁波７０によってデータの送受信及び電気の供給を受けるための回路であり、受信した電磁波から得られる交流電圧を直流電圧に整流するダイオード５１、５２、５３、５４で構成されたブリッジ回路５０、この得られた電力を安定化させるための図２に示すような電源安定化回路３１を通し電源切替回路４０に接続する。
【００３６】
一方、太陽電池である補助電源２０からも電源切替回路４０に電力を供給できるようにダイオード４１を電圧安定化回路３１の出力に接続させておく。電磁波からの電力供給が少なくなったり或いは途切れた場合は、補助電源から電力を供給させる。このような構成にすることにより、変復調回路１１、ＣＰＵ１４、記憶素子１６、１７等に電力を供給することが可能で、情報の伝送が確実に行えるようになる。
【００３７】
この様な太陽電池は、情報記録媒体の駆動に役立つ配線が設けられるものであれば以上のような配線以外でも構わないものであり、ＩＣ、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等の構成も上記以外の構成を持つものでも良い事は当然である。
【実施例１】
【００３８】
表面の凸凹高さの二乗平均値Ｒａが１０ｎｍ以下である青板ガラス上にプラズマＣＶＤ法でＦをドープした酸化錫を２００ｎｍ形成して、表面の凸凹高さの二乗平均値Ｒａが１５ｎｍ以下の太陽電池用基材を作製した。その上にプラズマＣＶＤ法でｐ型アモルファスＳｉＣ膜、ｉ型アモルファスＳｉ膜、ｎ型アモルファスＳｉ膜を以下の条件で形成した。
【００３９】
ｐ型アモルファスシリコン：ＳｉＨ4流量：１０ＳＣＣＭ、Ｈ2で希釈したＢ2Ｈ6ガス（Ｈ2：９９％、Ｂ2Ｈ6ガス：１％）流量１５ＳＣＣＭ、ＣＨ3流量：１０ＳＣＣＭ、動作圧力２５Ｐａ、投入電力１０Ｗ、励起周波数１３．５６ＭＨｚ、基板温度：２００℃、膜厚２０ｎｍ
ｉ型アモルファスシリコン膜：ＳｉＨ4流量：１０ＳＣＣＭ、Ｈ2流量：１５０ＳＣＣＭ、動作圧力５０Ｐａ、投入電力５Ｗ、励起周波数５４．２４ＭＨｚ、基板温度：１８０℃、膜厚３２０ｎｍ
ｎ型アモルファスシリコン膜：ＳｉＨ4流量：１０ＳＣＣＭ、Ｈ2で希釈したＰＨ3ガス（Ｈ2：９９％、ＰＨ3ガス：１％）流量：２５ＳＣＣＭ、動作圧力２０Ｐａ、投入電力１０Ｗ、励起周波数５４．２４ＭＨｚ、基板温度：１８０℃、膜厚２５ｎｍ
その後、セル上にマスクを載せた上で、スパッタ法でＺｎＯ膜を３０ｎｍ成膜し（基板温度５０℃）、さらにＡｇを２００ｎｍ真空蒸着法で設けて（基板温度５０℃）、１ｃｍ角のセルを２０個同一基板上に作製した。
【００４０】
［試験および結果］
以上のように作製した実施例１および後述の実施例２、および比較例１、２の太陽電池特性および歩留まりを表１に示す。
【００４１】
これにより、実施例に示した太陽電池は比較例と比べて高い開放電圧値と歩留まりを示していることが分かる。
【００４２】
なお、このときのＲａの測定方法は、Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ（原子間力顕微鏡）で測定する。
【００４３】
【表１】
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【実施例２】
【００４４】
表面の凸凹高さの二乗平均値Ｒａが１０ｎｍ以下である青板ガラス上にＡｇを２００ｎｍ真空蒸着法で設け（基板温度５０℃）、さらにスパッタ法でＺｎＯ膜を３０ｎｍ成膜し（基板温度５０℃）、表面の凸凹高さの二乗平均値Ｒａが１５ｎｍ以下の太陽電池用基材を作製した。
【００４５】
その上にプラズマＣＶＤ法でｎ型アモルファスＳｉ膜、ｉ型アモルファスＳｉ膜、ｐ型アモルファスＳｉＣ膜を以下の条件で形成した。
【００４６】
ｎ型アモルファスシリコン膜：ＳｉＨ4流量：１０ＳＣＣＭ、Ｈ2で希釈したＰＨ3ガス（Ｈ2：９９％、ＰＨ3ガス：１％）流量：２５ＳＣＣＭ、動作圧力２０Ｐａ、投入電力１０Ｗ、励起周波数５４．２４ＭＨｚ、基板温度：２５０℃、膜厚２５ｎｍ
ｉ型アモルファスシリコン膜：ＳｉＨ4流量：１０ＳＣＣＭ、Ｈ2流量：１５０ＳＣＣＭ、動作圧力５０Ｐａ、投入電力５Ｗ、励起周波数５４．２４ＭＨｚ、基板温度：２２０℃、膜厚３２０ｎｍ
ｐ型アモルファスシリコン：ＳｉＨ4流量：１０ＳＣＣＭ、Ｈ2で希釈したＢ2Ｈ6ガス（Ｈ2：９９％、Ｂ2Ｈ6ガス：１％）流量１５ＳＣＣＭ、ＣＨ3流量：１０ＳＣＣＭ、動作圧力２５Ｐａ、投入電力１０Ｗ、励起周波数１３．５６ＭＨｚ、基板温度：２００℃、膜厚２０ｎｍ
さらにセル上にマスクを載せた上で、スパッタ法でＩＴＯ（インジウムドープ酸化錫）を２００ｎｍ設けて、１ｃｍ角のセルを２０個同一基板上に作製した。
【実施例３】
【００４７】
［比較例１］
表面の凸凹高さの二乗平均値Ｒａが２０ｎｍ以下である青板ガラス上に熱ＣＶＤ法でＦをドープした酸化錫を２００ｎｍ形成して、表面の凸凹高さの二乗平均値Ｒａが６５ｎｍ以上の太陽電池用基材を作製した。その上にプラズマＣＶＤ法でｐ型アモルファスＳｉＣ膜、ｉ型アモルファスＳｉ膜、ｎ型アモルファスＳｉ膜を以下の条件で形成した。
【００４８】
ｐ型アモルファスシリコン：ＳｉＨ4流量：１０ＳＣＣＭ、Ｈ2で希釈したＢ2Ｈ6ガス（Ｈ2：９９％、Ｂ2Ｈ6ガス：１％）流量１５ＳＣＣＭ、ＣＨ3流量：１０ＳＣＣＭ、動作圧力２５Ｐａ、投入電力１０Ｗ、励起周波数１３．５６ＭＨｚ、基板温度：２００℃、膜厚２０ｎｍ
ｉ型アモルファスシリコン膜：ＳｉＨ4流量：１０ＳＣＣＭ、Ｈ2流量：１５０ＳＣＣＭ、動作圧力５０Ｐａ、投入電力５Ｗ、励起周波数５４．２４ＭＨｚ、基板温度：１８０℃、膜厚３２０ｎｍ
ｎ型アモルファスシリコン膜：ＳｉＨ4流量：１０ＳＣＣＭ、Ｈ2で希釈したＰＨ3ガス（Ｈ2：９９％、ＰＨ3ガス：１％）流量：２５ＳＣＣＭ、動作圧力２０Ｐａ、投入電力１０Ｗ、励起周波数５４．２４ＭＨｚ、基板温度：１８０℃、膜厚２５ｎｍ
その後、セル上にマスクを載せた上で、スパッタ法でＺｎＯ膜を３０ｎｍ成膜し（基板温度５０℃）、さらにＡｇを２００ｎｍ真空蒸着法で設けて（基板温度５０℃）、１ｃｍ角のセルを２０個同一基板上に作製した。
【実施例４】
【００４９】
［比較例２］
表面の凸凹高さの二乗平均値Ｒａが２０ｎｍ以下である青板ガラス上にスパッタ法で基材温度３７５℃でＡｇを３５０ｎｍ形成し、さらにスパッタ法でＺｎＯ膜を３０ｎｍ成膜し（基板温度２５０℃）、表面の凸凹高さの二乗平均値Ｒａが７０ｎｍ以上の太陽電池用基材を作製した。
【００５０】
その上にプラズマＣＶＤ法でｎ型アモルファスＳｉ膜、ｉ型アモルファスＳｉ膜、ｐ型アモルファスＳｉＣ膜を以下の条件で形成する。
【００５１】
ｎ型アモルファスシリコン膜：ＳｉＨ4流量：１０ＳＣＣＭ、Ｈ2で希釈したＰＨ3ガス（Ｈ2：９９％、ＰＨ3ガス：１％）流量：２５ＳＣＣＭ、動作圧力２０Ｐａ、投入電力１０Ｗ、励起周波数５４．２４ＭＨｚ、基板温度：２５０℃、膜厚２５ｎｍ
ｉ型アモルファスシリコン膜：ＳｉＨ4流量：１０ＳＣＣＭ、Ｈ2流量：１５０ＳＣＣＭ、動作圧力５０Ｐａ、投入電力５Ｗ、励起周波数５４．２４ＭＨｚ、基板温度：２２０℃
、膜厚３２０ｎｍ
ｐ型アモルファスシリコン：ＳｉＨ4流量：１０ＳＣＣＭ、Ｈ2で希釈したＢ2Ｈ6ガス（Ｈ2：９９％、Ｂ2Ｈ6ガス：１％）流量１５ＳＣＣＭ、ＣＨ3流量：１０ＳＣＣＭ、動作圧力２５Ｐａ、投入電力１０Ｗ、励起周波数１３．５６ＭＨｚ、基板温度：２００℃、膜厚２０ｎｍ
さらにセル上にマスクを載せた上で、スパッタ法でＩＴＯ（インジウムドープ酸化錫）を２００ｎｍ設けて、１ｃｍ角のセルを２０個同一基板上に作製した。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、平滑な表面を有する太陽電池およびそれを電源として用いた各種電子機器に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】図１は透明な支持基体上に透明導電膜Ｉを形成した本発明の太陽電池用基板上にｐ型のアモルファスシリコン層、ｉ型のアモルファスシリコン、ｎ型のアモルファスシリコンを積層し、さらに透明導電膜ＩＩ、金属電極を形成した例である。
【図２】図２は透明な支持基体上に透明導電膜Ｉを形成した本発明の太陽電池用基板上にｎ型の薄膜Ｓｉ層、ｉ型の薄膜Ｓｉ層、ｐ型の薄膜Ｓｉ層を積層し、さらに透明導電膜ＩＩ、金属電極を形成した例である。
【図３】図３は支持基体上に金属電極、透明導電膜ＩＩを形成した本発明の太陽電池用基板上に、ｎ型の薄膜Ｓｉ層、ｉ型の薄膜Ｓｉ層、ｐ型の薄膜Ｓｉ層を積層し、さらに透明導電膜Ｉを形成した例である。
【図４】図４は支持基体上に金属電極、透明導電膜ＩＩを形成した本発明の太陽電池用基板上に、ｐ型の薄膜Ｓｉ層、ｉ型の薄膜Ｓｉ層、ｎ型の薄膜Ｓｉ層を積層し、さらに透明導電膜Ｉを形成した例である。
【図５】図５は透明な支持基体上に透明導電膜Ｉを形成した本発明の太陽電池用基板上にｐ型の薄膜Ｓｉ層、ｉ型の薄膜Ｓｉ層、ｎ型の薄膜Ｓｉ層を積層し、さらに透明導電膜Ｉを形成したシースルー型太陽電池の例である。
【図６】図６は透明な支持基体上に透明導電膜Ｉを形成した本発明の太陽電池用基板上にｐ型の薄膜Ｓｉ層、ｉ型の薄膜Ｓｉ層、ｎ型の薄膜Ｓｉ層を積層し、さらにｐ型の薄膜Ｓｉ層、ｉ型の薄膜Ｓｉ層、ｎ型の薄膜Ｓｉ層透明を積層し、最後に導電膜ＩＩ、金属電極を形成したタンデム型太陽電池の例である。
【図７】図７はＩＣカードに応用した場合の電子機器の配線図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  支持基体
２  透明導電膜Ｉ
３  ｐ型アモルファスシリコン
４  ｉ型アモルファスシリコン
５  ｎ型アモルファスシリコン
６  透明導電膜ＩＩ
７  金属裏面電極
１０  ＩＣ
１１  変復調回路
１２  入出力制御回路
１３  バス
１４  ＣＰＵ
１５  クロック
１６  ＲＯＭ
１７  ＲＡＭ
２０  補助電源
２１  外部充電端子
３０  蓄電コンデンサ
３１  電圧安定回路
４０  電源切替回路
４１  ダイオード
５０  ブリッジ回路
５１，５２，５３，５４  ダイオード
６０  アンテナ（共振回路）
６１  コイル
６２  可変コンデンサ
７０  電磁波
【図１】
2005311222.tif 000004
【図２】
2005311222.tif 000005
【図３】
2005311222.tif 000006
【図４】
2005311222.tif 000007
【図５】
2005311222.tif 000008
【図６】
2005311222.tif 000009
【図７】
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