(57)【要約】【課題】可視光線を反射する物体の形状、形成位置を工夫することで、視差を生じないようにすることで液晶表示装置の画質を向上させ、かつ歩留りを高め、コストを低減することを可能とする。【解決手段】支持基板１１と薄膜デバイス層１３とが接着層１２によって接着された薄膜デバイス１０において、前記接着層１２内に可視光を反射させる物体として反射粒子１４を含むものであり、または、図示はしないが、支持基板と薄膜デバイス層とが接着層によって接着された薄膜デバイスにおいて、前記支持基板に可視光を反射する反射層が全面もしくは一部に形成されているもので、前記反射層が形成される前記支持基板表面は凹凸が形成されているものである。【選択図】図１
2005208281.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と薄膜デバイス層とが接着層によって接着された薄膜デバイスにおいて、
前記接着層内に可視光を反射させる物体を含む
ことを特徴とする薄膜デバイス。
【請求項２】
支持基板と薄膜デバイス層とが接着層によって接着された薄膜デバイスにおいて、
前記支持基板に可視光を反射する反射層が全面もしくは一部に形成されている
ことを特徴とする薄膜デバイス。
【請求項３】
前記反射層が形成される前記支持基板表面は凹凸が形成されている
ことを特徴とする請求項２記載の薄膜デバイス。
【請求項４】
第１基板上に薄膜デバイス層を形成した後に前記薄膜デバイス層上に第１接着層を介してもしくは被覆層と第１接着層とを介して第２基板を接着する工程と、
化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により前記第１基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、
前記薄膜デバイス層の第１基板が形成されていた側または部分的に残した第１基板を、第２接着層を介して第３基板に接着する工程と、
前記第２基板を分離または除去する工程と
を備えた薄膜デバイスの製造方法において、
前記第２接着層に可視光を反射させる物体を含むものを用いる
ことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
【請求項５】
第１基板上に薄膜デバイス層を形成した後に前記薄膜デバイス層上に第１接着層を介してもしくは被覆層と第１接着層とを介して第２基板を接着する工程と、
化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により前記第１基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、
前記薄膜デバイス層の第１基板が形成されていた側または部分的に残した第１基板を、第２接着層を介して第３基板に接着する工程と、
前記第２基板を分離または除去する工程と
を備えた薄膜デバイスの製造方法において、
前記第３基板に可視光を反射する層が全面もしくは一部に形成されているものを用いる
ことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記反射層が形成される前記第３基板表面に凹凸を形成する
ことを特徴とする請求項５記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項７】
支持基板と薄膜デバイス層とが接着層によって接着された薄膜デバイスを用いた液晶表示装置において、
前記接着層に可視光を反射させる物体を含む
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
支持基板と薄膜デバイス層とが接着層によって接着された薄膜デバイスを用いた液晶表示装置において、
前記支持基板に可視光を反射する層が全面もしくは一部に形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
前記反射層が形成される前記支持基板表面に凹凸が形成されている
ことを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
一対の対向する基板間に液晶が封入されてなる液晶表示装置の製造方法であって、
前記１対の対向する基板のうち、薄膜デバイス層が形成される基板は、
第１基板上に薄膜デバイス層を形成した後に前記薄膜デバイス層上に第１接着層を介してもしくは被覆層と第１接着層とを介して第２基板を接着する工程と、
化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により前記第１基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、
前記薄膜デバイス層の第１基板が形成されていた側または部分的に残した第１基板を、第２接着層を介して第３基板に接着する工程と、
前記第２基板を分離または除去する工程と
により製造され、
前記第２接着層に可視光を反射させる物体を含むものを用いる
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
一対の対向する基板間に液晶が封入されてなる液晶表示装置の製造方法であって、
前記１対の対向する基板のうち、薄膜デバイス層が形成される基板は、
第１基板上に薄膜デバイス層を形成した後に前記薄膜デバイス層上に第１接着層を介してもしくは被覆層と第１接着層とを介して第２基板を接着する工程と、
化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により前記第１基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、
前記薄膜デバイス層の第１基板が形成されていた側または部分的に残した第１基板を、第２接着層を介して第３基板に接着する工程と、
前記第２基板を分離または除去する工程と
により製造され、
前記第３基板に可視光を反射する層が全面もしくは一部に形成されているものを用いる
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記反射層が形成される前記第３基板表面に凹凸を形成する
ことを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、製造コストの低減および画質の向上が容易な液晶表示装置の基板、液晶表示装置の基板の製造方法、液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄膜デバイスは、使用機器の小型化の影響を受けて、薄型化、軽量化、堅牢化に対する要求を受けている。しかしながら、薄膜デバイスは、高温、真空という環境で作製されるために、製造に使われる基板に制限がある。例えば、薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置では、１０００℃の温度に耐える石英基板、５００℃の温度に耐えるガラス基板が使われている。これらの基板の薄型化も検討されているが、石英基板、ガラス基板を用いる限り、基板の剛性が低下することを考慮して基板サイズを縮小せざるを得ず、それによって生産性が低下する。また、基板が薄くなれば堅牢さも急激に低下するため、実用上の問題点となる。このように、製造基板に要求されている性能と実際に使用する際に求められている性能とが異なる。また、薄型、軽量、堅牢化が可能なプラスチック基板上に直接、薄膜トランジスタを作製しようという試みもあるが、耐熱温度の点から困難さが高い。
【０００３】
そこで、耐熱温度の高い製造基板上に形成した薄膜デバイスを実使用基板に転写する技術が検討されている。転写する方法としては、剥離層を設けてデバイス作製後に剥離層から剥離する方法（例えば、特許文献１参照。）や、エッチングによりガラス基板を除去してしまう方法（例えば、特許文献２参照。）などが検討されている。これらの方法を使用することによって、プラスチック基板上に薄膜デバイスを形成することが可能となる。
【０００４】
また、透過型液晶表示装置が室外で使用される場合、明るい外光の下ではコントラストが極端に低下し見にくくなるという問題がある。このため、屋外で使用されうる機器用には、フロントライトや外光を利用して表示する反射型の液晶表示装置、バックライトと外光を併用した半透過型の液晶表示装置が使われている。
【０００５】
また、反射型、半透過型の液晶表示装置においては、図１６に示すように、アクティブ基板８０１には薄膜デバイス層８０２が形成されている。この薄膜デバイス層８０２上には、拡散層８０３を介して反射層８０４が形成されている。上記拡散層８０３は、上記反射層８０４表面で鏡面反射をしないように光を拡散させるために、表面が凹凸形状に形成されている。上記拡散層８０３は、感光性樹脂を塗布しフォトリソグラフィー技術を用いてパターン化し、加熱によるリフローにより所定の凹凸形状に形成されている。そして反射層８０４側を内側にして、アクティブ基板８０１と対向基板８１１とを間隔を設けて対向させ、その隙間に液晶８２１を封入して液晶表示装置が構成されている。このように、セル内部に反射層８０４を形成しなければならない。
【０００６】
また、図１７に示すように、アクティブ基板９０１には薄膜デバイス層９０２が形成されている。またアクティブ基板９０１の薄膜デバイス層９０２が形成されている面とは反対側の面には、表面を凹凸形状に形成した拡散層９０３に反射層９０４を形成した反射板９０５が接着層９０６を介して形成されている。そして薄膜デバイス層９０２側を内側にして、アクティブ基板９０１と対向基板９１１とを間隔を設けて対向させ、その隙間に液晶９２１を封入して液晶表示装置が構成されている。
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−１２５９３０号公報
【特許文献２】特開２００３−６８９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
解決しようとする問題点は、感光性樹脂は、わずかな光の強度や温度の変化により、その表面形状は変化してしまうため、制御性が非常に悪く、歩留まりを下げる原因となっている点である。また、工程が複雑であり、感光性樹脂も高価であるため、コスト高になる点である。また、セルの外側に反射板を形成する場合、反射する位置が基板の厚さだけずれるため、視差が生じ、２重写りが起こり、画質が劣化する点である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１薄膜デバイスは、支持基板と薄膜デバイス層とが接着層によって接着された薄膜デバイスにおいて、前記接着層内に可視光を反射させる物体を含むことを主要な特徴とする。
【００１０】
本発明の第２薄膜デバイスは、支持基板と薄膜デバイス層とが接着層によって接着された薄膜デバイスにおいて、前記支持基板に可視光を反射する反射層が全面もしくは一部に形成されていることを主要な特徴とする。
【００１１】
本発明の第１薄膜デバイスの製造方法は、第１基板上に薄膜デバイス層を形成した後に前記薄膜デバイス層上に第１接着層を介してもしくは被覆層と第１接着層とを介して第２基板を接着する工程と、化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により前記第１基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、前記薄膜デバイス層の第１基板が形成されていた側または部分的に残した第１基板を、第２接着層を介して第３基板に接着する工程と、前記第２基板を分離または除去する工程とを備えた薄膜デバイスの製造方法において、前記第２接着層に可視光を反射させる物体を含むものを用いることを主要な特徴とする。
【００１２】
本発明の第２薄膜デバイスの製造方法は、第１基板上に薄膜デバイス層を形成した後に前記薄膜デバイス層上に第１接着層を介してもしくは被覆層と第１接着層とを介して第２基板を接着する工程と、化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により前記第１基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、前記薄膜デバイス層の第１基板が形成されていた側または部分的に残した第１基板を、第２接着層を介して第３基板に接着する工程と、前記第２基板を分離または除去する工程とを備えた薄膜デバイスの製造方法において、前記第３基板に可視光を反射する層が全面もしくは一部に形成されているものを用いることを主要な特徴とする。
【００１３】
本発明の第１液晶表示装置は、支持基板と薄膜デバイス層とが接着層によって接着された薄膜デバイスを用いた液晶表示装置において、前記接着層に可視光を反射させる物体を含むことを主要な特徴とする。
【００１４】
本発明の第２液晶表示装置は、支持基板と薄膜デバイス層とが接着層によって接着された薄膜デバイスを用いた液晶表示装置において、前記支持基板に可視光を反射する層が全面もしくは一部に形成されていることを主要な特徴とする。
【００１５】
本発明の第１液晶表示装置の製造方法は、一対の対向する基板間に液晶が封入されてなる液晶表示装置の製造方法であって、前記１対の対向する基板のうち、薄膜デバイス層が形成される基板は、第１基板上に薄膜デバイス層を形成した後に前記薄膜デバイス層上に第１接着層を介してもしくは被覆層と第１接着層とを介して第２基板を接着する工程と、化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により前記第１基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、前記薄膜デバイス層の第１基板が形成されていた側または部分的に残した第１基板を、第２接着層を介して第３基板に接着する工程と、前記第２基板を分離または除去する工程とにより製造され、前記第２接着層に可視光を反射させる物体を含むものを用いることを主要な特徴とする。
【００１６】
本発明の第２液晶表示装置の製造方法は、一対の対向する基板間に液晶が封入されてなる液晶表示装置の製造方法であって、前記１対の対向する基板のうち、薄膜デバイス層が形成される基板は、第１基板上に薄膜デバイス層を形成した後に前記薄膜デバイス層上に第１接着層を介してもしくは被覆層と第１接着層とを介して第２基板を接着する工程と、化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により前記第１基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、前記薄膜デバイス層の第１基板が形成されていた側または部分的に残した第１基板を、第２接着層を介して第３基板に接着する工程と、前記第２基板を分離または除去する工程とにより製造され、前記第３基板に可視光を反射する層が全面もしくは一部に形成されているものを用いることを主要な特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の第１薄膜デバイスは、薄膜デバイス層を支持基板に接着する接着層内に可視光を反射させる物体を含むため、薄膜デバイス層に反射層を形成するものと比べて、反射層を形成しなくても光を反射させることができる。よって、反射層を形成しなくてもよいので、工程を短くでき、コストダウン、歩留まり向上が可能となるという利点がある。また、可視光を反射させる物体を適当な形状、混入量に選択することで、表面が凹凸形状をした拡散層も形成する必要がない。
【００１８】
本発明の第２薄膜デバイスは、支持基板に可視光を反射する反射層が全面もしくは一部に形成されているため、反射型または半透過型の液晶表示装置において、パネルの外側に反射フィルムを貼る液晶表示装置に比べて、この薄膜デバイスを用いた液晶表示装置では、セル内部に表面が凹凸形状をした拡散層を形成する必要がない。また、支持基板にエンボス加工等の簡単な工程により表面が凹凸形状をした拡散層を形成することができる。また、液晶セル内に反射板を形成しなくても、視差が生じない液晶表示装置となり、液晶表示装置の画質が向上される。また、液晶セル内に反射板が形成されていないため、歩留まりもあがり、コストも安くなる。
【００１９】
本発明の第１薄膜デバイスの製造方法は、第２接着層に可視光を反射させる物体を含むものを用いるため、薄膜デバイス層に反射層を形成する製造方法と比べて、反射層を形成しなくても、光を反射させることができる。よって、工程を短くでき、コストダウン、歩留まり向上が可能となるという利点がある。また、可視光を反射させる物体を適当な形状、混入量に選択することで、表面が凹凸形状をした拡散層も形成する必要がない。
【００２０】
本発明の第２薄膜デバイスの製造方法は、第３基板に可視光を反射する層が全面もしくは一部に形成されているものを用いるため、反射型または半透過型の液晶表示装置において、パネルの外側に反射フィルムを貼る液晶表示装置の製造方法に比べて、この薄膜デバイスの製造方法を用いて製造された薄膜デバイスを用いた液晶表示装置では、液晶セル内部に表面が凹凸形状をした拡散層を形成する必要がない。また、第３基板にエンボス加工等の簡単な工程により表面が凹凸形状をした拡散層を形成することができる。また、セル内に反射板を形成しなくても、視差が生じない液晶表示装置となり、液晶表示装置の画質が向上される。さらに、液晶セル内に反射板が形成されていないため、歩留まりも高くなり、コストも安くなる。
【００２１】
本発明の第１液晶表示装置は、本発明の第１薄膜デバイスを用いることにより、上記説明した第１薄膜デバイスと同様なる作用効果が得られる。
【００２２】
本発明の第２液晶表示装置は、本発明の第２薄膜デバイスを用いることにより、上記説明した第１薄膜デバイスと同様なる作用効果が得られる。
【００２３】
本発明の第１液晶表示装置の製造方法は、本発明の第１薄膜デバイスの製造方法により製造された薄膜デバイスを用いることにより、上記説明した第１薄膜デバイスの製造方法と同様なる作用効果が得られる。
【００２４】
本発明の第２液晶表示装置の製造方法は、本発明の第２薄膜デバイスの製造方法により製造された薄膜デバイスを用いることにより、上記説明した第２薄膜デバイスの製造方法と同様なる作用効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
視差を生じないようにすることで液晶表示装置の画質を向上させ、かつ歩留りを高め、コストを低減するという目的を、薄膜デバイス層を支持基板に接着する接着層内に可視光を反射させる物体を含ませること、もしくは薄膜デバイス層が支持される支持基板に可視光を反射する反射層を全面もしくは一部に形成することで、製造工程の負荷を増大させずに実現した。
【００２６】
すなわち、図１に示すように、第１薄膜デバイス１０は、支持基板１１と薄膜デバイス層１３とが接着層１２によって接着されたもので、上記接着層１２内に可視光を反射させる物体、すなわち反射粒子１４を含むものである。上記接着層１２には例えば紫外線硬化型接着剤を用いる。また、この第１薄膜デバイス１０を例えばアクティブ基板として用いて、対向基板１５と貼り合わせ、基板間に液晶１６を封入することで、反射型もしくは半透過型の液晶表示装置１が構成される。
【００２７】
すなわち、図２に示すように、第２薄膜デバイス２０は、支持基板２１と薄膜デバイス層２３とが接着層２２によって接着されたもので、上記支持基板２１に可視光を反射する反射層２４が全面もしくは一部に形成されているものである。なお、図面では、全面に形成された場合を示した。また、この第２薄膜デバイス２０を例えばアクティブ基板として用いて、対向基板２５と貼り合わせ、基板間に液晶２６を封入することで、反射型もしくは半透過型の液晶表示装置が構成される。
【実施例１】
【００２８】
本発明の第１液晶表示装置および第１液晶表示装置の製造方法に係る一実施例を、図３〜図６によって説明する。本実施例では、プラスチック基板に液晶用のアクティブ基板を作製した。
【００２９】
まず、薄膜デバイス層の形成方法を、図３によって説明する。図３に示すように、第１基板１０１上に、後に行うフッ酸によるエッチング時における第１基板１０１の保護層１０２を形成する。上記第１基板１０１には、例えば厚さ０．４ｍｍ〜１．１ｍｍ程度、例えば０．７ｍｍ厚のガラス基板を用いる。このガラス基板のかわりに石英基板を用いてもよい。上記保護層１０２は、フッ酸に耐えられる材料を用いて形成するもので、例えばモリブデン（Ｍｏ）層を用い、例えば５００ｎｍの厚さに形成した。今回、モリブデン層の膜厚を５００ｎｍとしたが、フッ酸に耐えられるならば、厚さを適宜変更しても問題ない。このモリブデンの保護層１０２は、例えばスパッタリング法によって成膜することができる。その後、絶縁層１０３を形成する。この絶縁層１０３は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ2）膜を５００ｎｍの厚さに成膜して形成する。この絶縁層１０３は、例えばプラズマＣＶＤ法によって成膜することができる。
【００３０】
次に、一般的な低温ポリシリコン技術、例えば「２００３  ＦＰＤテクノロジー大全」（電子ジャーナル２００３年３月２５日発行、ｐ．１６６−１８３およびｐ．１９８−２０１）、「'９９最新液晶プロセス技術」（プレスジャーナル１９９８年発行、ｐ．５３−５９）、「フラットパネル・ディスプレイ１９９９」（日経ＢＰ社、１９９８年発行、ｐ．１３２−１３９）等に記載されているような低温ポリシリコンボトムゲート型薄膜トランジスタ（以下薄膜トランジスタをＴＦＴと記す）プロセスでＴＦＴを含む薄膜デバイス層を形成した。薄膜デバイス層の形成方法の一例を以下に説明する。
【００３１】
まず、第１基板１０１上に保護層１０２を介して形成された絶縁層１０３上にゲート電極１０４を形成するための導電膜を形成した。この導電膜には例えば厚さが１００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）膜を用いた。モリブデン膜の形成方法としては例えばスパッタリング法を用いた。そして上記導電膜をゲート電極１０４に形成した。このゲート電極１０４は、一般的なフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングして形成した。次いで、ゲート電極１０４上を被覆するようにゲート絶縁膜１０５を形成した。ゲート絶縁膜１０５は、例えばプラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ2）層、または酸化珪素（ＳｉＯ2）層と窒化珪素（ＳｉＮx）層との積層体で形成した。さらに連続的に非晶質シリコン層(厚さ３０ｎｍ〜１００ｎｍ)を形成した。
【００３２】
この非晶質シリコン層に波長３０８ｎｍのＸｅＣlエキシマレーザパルスを照射し熔融再結晶化し結晶シリコン層（ポリシリコン層）を作製した。このポリシリコン層を用いて、チャネル形成領域となるポリシリコン層１０６を形成し、その両側にｎ-型ドープ領域からなるポリシリコン層１０７、ｎ+型ドープ領域からなるポリシリコン層１０８を形成した。このように、アクティブ領域は高いオン電流と低いオフ電流を両立するためのＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とした。またポリシリコン層１０６上にはｎ-型のリンイオン打込み時にチャネルを保護するためのストッパー層１０９を形成した。このストッパー層１０９は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ2）層で形成した。
【００３３】
さらに、プラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ2）層、または酸化珪素（ＳｉＯ2）層と窒化珪素（ＳｉＮx）層との積層体からなる層間絶縁膜１１０を形成した。この層間絶縁膜１１０上に、各ポリシリコン層１０８に接続するソース電極１１１およびドレイン電極１１２を形成した。各ソース電極１１１およびドレイン電極１１２は例えばアルミニウム、アルミニウム合金、高融点金属等の導電性材料で形成した。
【００３４】
各ソース電極１１１およびドレイン電極１１２形成した後、カラーフィルター１１３を形成した。カラーフィルター１１３は、カラーレジストを全面に塗布した後、リソグラフィー技術でパターニングを行って形成した。カラーフィルター１１３には、ソース電極１１１と後に形成する液晶駆動用電極が接続されるようにコンタクトホール１１３Ｃを形成した。このカラーフィルターの形成工程を３回行って、ＲＧＢの３色（赤、緑、青）を形成した。次に、平坦化を行うために保護膜１１４を形成した。保護膜１１４は例えばポリメチルメタクリル酸樹脂系の樹脂により形成した。また保護膜１１４には、ソース電極１１１と液晶駆動用電極とが接続されるようにコンタクトホール１１４Ｃを形成した。その後、ソース電極１１１に接続する画素電極１１５を形成した。この画素電極１１５は、例えば、透明電極で形成される。透明電極としては、例えばインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）により形成され、その形成方法としてはスパッタリング法が用いられる。
【００３５】
以上の工程により、第１基板１０１上にアクティブマトリックス基板が作製できた。また、今回は、ボトムゲート型ポリシリコンＴＦＴを作製したが、トップゲート型ポリシリコンＴＦＴやアモルファスＴＦＴでも同じように実施できる。
【００３６】
次に、第１基板１０１上の薄膜デバイス層１２１をプラスチック基板上に移載する工程を説明する。
【００３７】
図４（１）に示すように、第１基板１０１上に保護層１０２、絶縁層１０３、薄膜デバイス層１２１を形成したものをホットプレート１２２で８０℃〜１４０℃に加熱しながら、第１接着剤１２３を厚さ１ｍｍ程度に塗布し、第２基板１２４を上に載せ、加圧しながら、室温まで冷却した。第２基板１２４には、例えば厚さ１ｍｍのモリブデン基板を用いた。または、第２基板１２４にガラス基板を用いてもよい。または、第２基板１２４上に第１接着剤１２３を塗布して、その上に保護層１０２から薄膜デバイス層１２１が形成された第１基板１０１の薄膜デバイス層１２１側を載せてもよい。上記第１接着剤１２３には、例えばホットメルト接着剤を用いた。
【００３８】
次に、図４（２）に示すように、第２基板１２４を貼り付けた第１基板１０１をフッ酸（ＨＦ）１２５に浸漬して、第１基板１０１のエッチングを行った。このエッチングは、保護層１０２である酸化アルミニウム層がフッ酸１２５にエッチングされないため、このエッチングは保護層１０２で自動的に停止する。ここで用いたフッ酸１２５は、一例として、重量濃度が５０％のもので、このエッチング時間は３．５時間とした。フッ酸１２５の濃度とエッチング時間は、第１基板１０１のガラスを完全にエッチングすることができるならば、変更しても問題はない。
【００３９】
上記フッ化水素酸１２５によるエッチングの結果、図５（３）に示すように、第１基板１０１〔前記図４（２）参照〕が完全にエッチングされ、保護層１０２が露出される。
【００４０】
次に、混酸〔例えば、リン酸（Ｈ3ＰＯ4）７２wt％と硝酸（ＨＮＯ3）３wt％と酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）１０wt％〕により、保護層１０２〔前記図５（３）参照〕であるモリブデン層（厚さ：５００ｎｍ）をエッチングした。これは、透過型の液晶パネルを作製するために、不透明なモリブデン層があると問題となるためである。上記混酸で５００ｎｍの厚さのモリブデン層をエッチングするのに必要な時間は約１分である。このエッチングの結果、図５（４）に示すように、この混酸は第１絶縁層１０３である酸化珪素をエッチングしないため、第１絶縁層１０３で自動的にエッチングが停止する。
【００４１】
次に、図５（５）に示すように、上記エッチング後に、薄膜デバイス層１２１の裏面側、すなわち絶縁層１０３表面に、第２接着層１２６を形成した。第２接着層１２６には可視光線を反射する物体、すなわち反射粒子１２７が含まれている。例えば紫外線硬化型接着剤に、反射粒子１２７を混入させた。この反射粒子１２７には、例えば樹脂粒子に銀（Ａｇ）をコーティングしたものを用いた。この反射粒子１２７の形状は、球状、楕円球、円柱、多面体など光が反射できるような形ならば特に問わないが、今回は球状のものを使用した。今回使用した反射粒子１２７の直径は１μｍ〜１０μｍ程度である。接着剤の平均厚さは、１μｍ〜５０μｍが適当であるが、今回は１５μｍとした。ただし、接着剤の厚さは反射粒子１２７の粒径よりは大きくなければならない。反射粒子１２７の接着剤に対する体積比は、今回は３０％とした。この比率は、透過率を増やしたい場合は減らし、反射率を増やしたい場合は増やすことができる。また、反射粒子１２７は、一つの画素（今回の場合は８０μｍ×２４０μｍとした）に比べて十分に小さいため、基板との位置合わせを考える必要はない。
【００４２】
上記第２接着層１２６の塗布方法は、今回はスプレーコーティングを用いたが、その他の方法、例えば、ディップコーティングやスピンコーティングを用いてもよい。また、反射粒子１２７を混入していない接着剤を塗布した後、反射粒子を散布してもよい。
【００４３】
続けて、図６（６）に示すように、上記第２接着層１２６に第３基板１２８を貼り付けた。第３基板１２８にはプラスチック基板を用いた。このプラスチック基板には、例えばポリカーボネートフィルムを用いることができる。今回は０．２ｍｍ厚のポリカーボネートフィルムを用いた。その後、紫外線を照射して第２接着層１２６を硬化させた。
【００４４】
次に、上記基板をアルコール（図示せず）中に浸漬し、ホットメルト接着剤からなる第１接着層１２３〔前記図４（１）参照〕を溶かして第２基板１２４〔前記図４（１）参照〕を外した。次いで、８０℃、１時間の加熱処理を行った。この熱処理によって、上記第２接着層１２６中に存在させた反射粒子のために硬化していない部分の紫外線硬化接着剤を硬化させた。その結果、図６（７）に示すように、第３基板１２８上に反射粒子１２７を含む第２接着層１２６、絶縁層１０３を介して薄膜デバイス層１２１が載った薄膜デバイス（アクティブ基板）１００を得た。
【００４５】
上記薄膜デバイス１００は、薄膜デバイス層１２１を支持基板となる第３基板１２８に接着する第２接着層１２６内に可視光を反射させる物体となる反射粒子１２７を含むため、従来の薄膜デバイス層１２１に反射層を形成するものと比べて、反射層を形成しなくても、光を反射することができる。また、反射粒子１２７に適当な形状および混入量を選ぶことで、表面が凹凸形状をした拡散層も形成する必要がない。また、上記薄膜デバイスの製造方法では、従来の薄膜デバイス層１２１に反射層を形成する製造方法と比べて、反射層を形成しなくてもよいので、工程を短くでき、コストダウン、歩留まり向上が可能となるという利点がある。
【００４６】
次に、図示はしないが、対向基板と上記アクティブ基板１００とに配向膜（例えばポリイミド膜）を塗布してラビング処理を行う配向処理を行った。ラビング方向は、対向基板１３０とアクティブ基板１００とで互いに直交するように行った。次に、アクティブ基板１００にはシール剤（図示せず）を塗布し、対向基板には多数のスペーサー（図示せず）を散布した。そして、アクティブ基板１００と対向基板とを張り合わせた後、加圧しながら紫外線を照射してシール剤を硬化させた。次に、レーザー加工によりパネルの大きさに切断した後、注入口（図示せず）から液晶を注入して、注入口をモールド樹脂で覆い、モールド樹脂を硬化させ、液晶表示パネルを作製した。
【００４７】
以上の工程により、前記図１によって説明したの構造を持った半透過型の液晶表示装置を作製することができた。ＴＦＴ基板側に反射板を形成する製造方法に比べると、工程が少ないため、コストが安くなり、歩留まり向上が見込める。また、反射層を基板の外側に形成した構造（前記図１７参照）と異なり、反射層（反射粒子）が液晶層から近いため、視差は発生せず、２重写りしないため、画質が高いものとなる。
【実施例２】
【００４８】
本発明の第２液晶表示装置および第２液晶表示装置の製造方法に係る第１実施例を、図７〜図１２によって説明する。この実施例では、プラスチック基板上に液晶用のアクティブ基板を作製した。
【００４９】
まず、薄膜デバイス層の形成方法を図７によって説明する。図７に示すように、第１基板２０１上にアモルファスシリコン層２０２を形成する。上記第１基板２０１には、例えば厚さ０．４ｍｍ〜１．１ｍｍ程度、例えば０．７ｍｍ厚のガラス基板を用いる。このガラス基板のかわりに石英基板を用いてもよい。また上記アモルファスシリコン層２０２の膜厚は、例えば５０ｎｍとした。この膜厚は１０ｎｍ〜５００ｎｍであるならば問題はない。アモルファスシリコン層２０２の成膜方法は、プラズマＣＶＤ法を用いた。プラズマＣＶＤ法では、アモルファスシリコン層２０２中に、水素を多く含むように、また製造途中で薄膜デバイス層が剥がれない限りの低温が望ましい。今回は１５０℃にて成膜を行った。また、低圧ＣＶＤ法、大気圧プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲ法、スパッタ法によりアモルファスシリコン層２０２を成膜しても問題はない。
【００５０】
次いで、上記アモルファスシリコン層２０２上に保護絶縁層２０３を成膜する。この保護絶縁層２０３は、例えば１００ｎｍの厚さに形成した。この保護絶縁層２０３は、例えばプラズマＣＶＤ法によって成膜することができる。
【００５１】
その後、一般的な低温ポリシリコン技術、例えば「２００３  ＦＰＤテクノロジー大全」（電子ジャーナル２００３年３月２５日発行、ｐ．１６６−１８３およびｐ．１９８−２０１）、「'９９最新液晶プロセス技術」（プレスジャーナル１９９８年発行、ｐ．５３−５９）、「フラットパネル・ディスプレイ１９９９」（日経ＢＰ社、１９９８年発行、ｐ．１３２−１３９）等に記載されているような低温ポリシリコンボトムゲート型薄膜トランジスタ（以下薄膜トランジスタをＴＦＴと記す）プロセスでＴＦＴを含む薄膜デバイス層を形成した。薄膜デバイス層の形成方法の一例を以下に説明する。
【００５２】
まず、第１基板２０１上にアモルファスシリコン層２０２を介して形成された保護絶縁層２０３上にゲート電極２０４を形成するための導電膜を形成した。この導電膜には例えば厚さが１００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）膜を用いた。モリブデン膜の形成方法としては例えばスパッタリング法を用いた。そして上記導電膜をゲート電極２０４に形成した。このゲート電極２０４は、一般的なフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングして形成した。次いで、ゲート電極２０４上を被覆するようにゲート絶縁膜２０５を形成した。ゲート絶縁膜２０５は、例えばプラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ2）層、または酸化珪素（ＳｉＯ2）層と窒化珪素（ＳｉＮx）層との積層体で形成した。さらに連続的に非晶質シリコン層(厚さ３０ｎｍ〜１００ｎｍ)を形成した。
【００５３】
この非晶質シリコン層に波長３０８ｎｍのＸｅＣlエキシマレーザパルスを照射し熔融再結晶化し結晶シリコン層（ポリシリコン層）を作製した。このポリシリコン層を用いて、チャネル形成領域となるポリシリコン層２０６を形成し、その両側にｎ-型ドープ領域からなるポリシリコン層２０７、ｎ+型ドープ領域からなるポリシリコン層２０８を形成した。このように、アクティブ領域は高いオン電流と低いオフ電流を両立するためのＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とした。またポリシリコン層２０６上にはｎ-型のリンイオン打込み時にチャネルを保護するためのストッパー層２０９を形成した。このストッパー層２０９は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ2）層で形成した。
【００５４】
さらに、プラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ2）層、または酸化珪素（ＳｉＯ2）層と窒化珪素（ＳｉＮx）層との積層体からなる層間絶縁膜２１０を形成した。この層間絶縁膜２１０上に、各ポリシリコン層２０８に接続するソース電極２１１およびドレイン電極２１２を形成した。各ソース電極２１１およびドレイン電極２１２は例えばアルミニウム、アルミニウム合金、高融点金属等の導電性材料で形成した。
【００５５】
ソース電極２１１およびドレイン電極２１２形成した後、素子を保護するためと平坦化を行うために保護層２１３を形成した。保護層２１３は、例えばポリメチルメタクリル樹脂系の材料で形成される。そして、保護層２１３は、次工程で保護層２１３上に形成される反射層表面に凹凸が形成されるように、上記保護層２１３表面が凹凸となるように形成される。次いで、通常のコンタクトホールの形成技術によって、保護膜２１３に、ソース電極２１１と後に形成される液晶駆動用電極とが接続されるようにコンタクトホール２１３Ｃを形成した。その後、上記保護層２１３表面およびコンタクトホール２１３Ｃ内面に、反射層２１４を形成した。この反射層２１４は、例えばスパッタリングによって銀（Ａｇ）を堆積して形成した。
【００５６】
上記反射層２１４を形成後、カラーフィルター２１５を形成した。これは、カラーレジストを全面に塗布した後、リソグラフィー技術でパターニングを行って形成した。次いで、カラーフィルター２１５に、ソース電極２１１と後に形成される液晶駆動用電極が接続されるようにコンタクトホール２１５Ｃを形成した。このカラーフィルターの形成工程を３回行って、ＲＧＢの３色（赤、緑、青）を形成した。
【００５７】
その後、上記カラーフィルター２１５表面およびコンタクトホール２１５Ｃ内面に画素電極２１６を形成した。この画素電極２１６は、例えばインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）を、例えばスパッタリングによって堆積して形成した。したがって、画素電極２１６はソース電極２１１に接続して形成される。
【００５８】
以上の工程により、ガラス基板からなる第１基板２０１上にアクティブマトリックス基板が作製できた。また、今回は、ボトムゲート型ポリシリコンＴＦＴを作製したが、トップゲート型ポリシリコンＴＦＴやアモルファスＴＦＴでも同じように実施できる。
【００５９】
次に、第１基板２０１上の薄膜デバイス層をプラスチック基板上に移載する工程を説明する。
【００６０】
図８（１）に示すように、第１基板２０１上にアモルファスシリコン層２０２、保護絶縁層２０３を介して形成されている薄膜デバイス層２２１に、第１接着剤２２２を介して第２基板２２３を貼り付ける。この第２基板２２３には、例えば厚さ１ｍｍのモリブデン基板を用いた。または、第２基板２２３にガラス基板を用いてもよい。または、第２基板２２３上に第１接着剤２２２を形成して、その上にアモルファスシリコン層２０２から薄膜デバイス層２２１までが形成された第１基板２０１の薄膜デバイス層２２１側を載せてもよい。上記第１接着剤２２２には、例えばホットメルト接着剤を用いた。
【００６１】
次に、ガラス基板からなる第１基板２０１側から紫外線レーザー光を照射した。この紫外線レーザー光には、例えばキセノン塩素（ＸｅＣｌ）エキシマレーザー光を用いた。ガラスは上記紫外線レーザー光を透過させるため、紫外線レーザー光は、アモルファスシリコン層２０２で吸収される。アモルファスシリコン層２０２に紫外線が吸収されると水素が発生し、アモルファスシリコン層２０２を境として薄膜デバイス層２２１と第１基板２０１との分離が起きる。この技術の詳細は、特開平１０−１２５９３０号公報に開示されている。その結果、図８（２）に示すように、保護絶縁層２０３が露出された。
【００６２】
次に、図８（３）に示すように、保護絶縁層２０３に第２接着層２２４を形成した。この第２接着層２２４は、例えば紫外線硬化接着剤を塗布により形成される。塗布方法は、スプレーコーティング、ディップコーティングもしくはスピンコーティングを用いることができる。
【００６３】
続けて、図９（４）に示すように、上記第２接着層２２４に第３基板２２５を貼り付けた。この第３基板２２５は、表面に反射層２２６が形成された凹凸を有する樹脂基板からなり、上記プラスチック基板としてはポリカーボネート基板を用い、上記反射層２２６側を上記第２接着層２２４に貼り付けた。その後、紫外線を照射して第２接着層２２４を硬化させた。図面では、上記凹凸が２次元的に描かれているが、実際には３次元的な凹凸形状を成している。この隣接する凸部間の間隔は、例えば１０μｍ〜３０μｍであり、凹部と凸部との高低差は例えば０．２μｍ〜１．０μｍとした。
【００６４】
上記反射層２２６は、例えば可視光線を反射する材料として、例えば銀（Ａｇ）で形成され、上記凹凸に合わせてパターンニングされたものである。例えば、スパッタリング法で銀膜を形成した後、フォトリソグラフィー技術によりマスクを形成し、そのマスクをエッチングマスクに用いたエッチング技術により銀膜をパターニングした。このパターニングでは、入射光がある一定の範囲にだけ反射するようにした。これは、人間の目に入る以外の反射光は意味をなさないため、その方向に反射させる反射層を取り除き、そこを透過型の液晶部分とした。凹凸のどこに反射層を形成するかは、液晶パネルを使用する際の外光の入射角と使用者の見る角度に依存するため、それに合わせて変更することができる。
【００６５】
次に、上記基板をアルコール（図示せず）中に浸漬し、ホットメルト接着剤からなる第１接着層２２２を溶かして第２基板２２３を外した。次いで、８０℃、１時間の加熱処理を行った。この熱処理によって、反射層２２６が存在することによって上記第２接着層２２４の硬化していない部分の紫外線硬化接着剤を硬化させた。その結果、薄膜デバイス層２２１が露出され、図９（５）に示すように、凹凸を有する表面の一部分に反射層２２６が形成された第３基板２２５表面上に第２接着層２２４、保護絶縁層２０３を介して薄膜デバイス層２２１が載った薄膜デバイス（アクティブ基板）２００を得た。
【００６６】
次に、図示はしないが、対向基板と上記アクティブ基板２００とに配向膜（例えばポリイミド膜）を塗布してラビング処理を行う配向処理を行った。ラビング方向は、対向基板とアクティブ基板２００とで互いに直交するように行った。次に、アクティブ基板２００にはシール剤（図示せず）を塗布し、対向基板には多数のスペーサー（図示せず）を散布した。そして、アクティブ基板２００と対向基板とを張り合わせた後、加圧しながら紫外線を照射してシール剤を硬化させた。次に、レーザー加工によりパネルの大きさに切断した後、注入口（図示せず）から液晶を注入して、注入口をモールド樹脂で覆い、モールド樹脂を硬化させ、液晶表示パネルを作製した。
【００６７】
次に、上記反射層２２６の形態の一例を以下に説明する。例えば、図１０に示すように、第３基板２２５の凹凸が形成された主面に対して、斜め上方に使用者が見ている場合で、垂直方向から外光Ｌが入射する場合には、反射層２２６は、各凸部の頂上部分から一方向側の傾斜面に形成される。
【００６８】
また、図１１に示す構成では、前記図１０に示した構成と比較して、第３基板２２５の凹凸が形成された主面に対して、使用者の使用する角度は同じであるが、外光Ｌが斜めから入射するように設計されている。この構成における反射層２２６は、各凸部の頂上部分を覆うように形成されている。
【００６９】
また、図１２に示す構成では、第３基板２２５の凹凸が形成された主面に対して、反射層２２６が凹凸を被覆するように全面に形成されている。この反射層２２６は、非常に薄い銀膜からなり、その膜厚は例えば１ｎｍ〜３０ｎｍ程度に形成される。このような、反射層２２６を形成することによって、半透過型の液晶表示装置を形成することもできる。また、反射型の液晶表示装置を作製したい場合は、第３基板２２５の凹凸が形成された主面の全面に入射光を反射させるのに十分な厚さに反射層２２６を形成すればよい。
【００７０】
また、上記凹凸は画素に比べて十分に小さいため、プラスチック基板と位置合わせはしなくてよい。このような反射構造に形成することで、人間が見る際の反射率を落とすことなく、半透過型の液晶表示装置を作ることができる。
【００７１】
以上の工程により、半透過型の液晶表示装置を作製することができた。ＴＦＴ基板側に反射板を形成する製造方法に比べると、工程が少ないため、コストが安くなり、歩留まり向上が見込める。また、反射層を基板の外側に形成した構造（前記図１７）参照）と異なり、反射層（反射粒子）が液晶層から近いため、視差は発生せず、２重写りしないため、画質が高いものとなる。また、前記図１２によって説明した構成をとることによって、前記図２の構造を持った半透過型の液晶表示装置を作製することができた。また、第３基板２２５表面の凹凸をエンボス加工で形成することができるため、製造コストが安くなり、工程も減らすことができるため、歩留まりも向上する。
【実施例３】
【００７２】
本発明の第２薄膜デバイス、第２薄膜デバイスの製造方法、第２液晶表示装置および第２液晶表示装置の製造方法に係る第２実施例を、図１３〜図１５によって説明する。
【００７３】
図１３および図１４に示すように、画素を透過部と反射部とに分けて、薄膜デバイスを形成した。
【００７４】
まず、薄膜デバイス層の形成方法を、図１４によって説明する。図１４に示すように、第１基板４０１上に、後に行うフッ酸によるエッチング時における第１基板４０１の保護層４０２を形成する。上記第１基板４０１には、例えば厚さ０．４ｍｍ〜１．１ｍｍ程度、例えば０．７ｍｍ厚のガラス基板を用いる。このガラス基板のかわりに石英基板を用いてもよい。上記保護層４０２は、フッ酸に耐えられる材料を用いて形成するもので、例えばモリブデン（Ｍｏ）層を用い、例えば５００ｎｍの厚さに形成した。今回、モリブデン層の膜厚を５００ｎｍとしたが、フッ酸に耐えられるならば、厚さを適宜変更しても問題ない。このモリブデンの保護層４０２は、例えばスパッタリング法によって成膜することができる。その後、絶縁層４０３を形成する。この絶縁層４０３は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ2）膜を５００ｎｍの厚さに成膜して形成する。この絶縁層４０３は、例えばプラズマＣＶＤ法によって成膜することができる。
【００７５】
次に、一般的な低温ポリシリコン技術、例えば「２００３  ＦＰＤテクノロジー大全」（電子ジャーナル２００３年３月２５日発行、ｐ．１６６−１８３およびｐ．１９８−２０１）、「'９９最新液晶プロセス技術」（プレスジャーナル１９９８年発行、ｐ．５３−５９）、「フラットパネル・ディスプレイ１９９９」（日経ＢＰ社、１９９８年発行、ｐ．１３２−１３９）等に記載されているような低温ポリシリコンボトムゲート型薄膜トランジスタ（以下薄膜トランジスタをＴＦＴと記す）プロセスでＴＦＴを含む薄膜デバイス層を形成した。薄膜デバイス層の形成方法の一例を以下に説明する。
【００７６】
まず、第１基板４０１上に保護層４０２を介して形成された絶縁層４０３上にゲート電極４０４を形成するための導電膜を形成した。この導電膜には例えば厚さが１００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）膜を用いた。モリブデン膜の形成方法としては例えばスパッタリング法を用いた。そして上記導電膜をゲート電極４０４に形成した。このゲート電極４０４は、一般的なフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングして形成した。次いで、ゲート電極４０４上を被覆するようにゲート絶縁膜４０５を形成した。ゲート絶縁膜４０５は、例えばプラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ2）層、または酸化珪素（ＳｉＯ2）層と窒化珪素（ＳｉＮx）層との積層体で形成した。さらに連続的に非晶質シリコン層(厚さ３０ｎｍ〜１００ｎｍ)を形成した。
【００７７】
この非晶質シリコン層に波長３０８ｎｍのＸｅＣlエキシマレーザパルスを照射し熔融再結晶化し結晶シリコン層（ポリシリコン層）を作製した。このポリシリコン層を用いて、チャネル形成領域となるポリシリコン層４０６を形成し、その両側にｎ-型ドープ領域からなるポリシリコン層４０７、ｎ+型ドープ領域からなるポリシリコン層４０８を形成した。このように、アクティブ領域は高いオン電流と低いオフ電流を両立するためのＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とした。またポリシリコン層４０６上にはｎ-型のリンイオン打込み時にチャネルを保護するためのストッパー層４０９を形成した。このストッパー層４０９は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ2）層で形成した。
【００７８】
さらに、プラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ2）層、または酸化珪素（ＳｉＯ2）層と窒化珪素（ＳｉＮx）層との積層体からなる層間絶縁膜４１０を形成した。
【００７９】
次いで、透過部のゲート絶縁膜４０５と層間絶縁膜４１０とを、エッチングにより除去した。
【００８０】
上記層間絶縁膜４１０上に、各ポリシリコン層４０８に接続するソース電極４１１およびドレイン電極４１２を形成した。各ソース電極４１１およびドレイン電極４１２は例えばアルミニウム、アルミニウム合金、高融点金属等の導電性材料で形成した。
【００８１】
各ソース電極４１１およびドレイン電極４１２形成した後、カラーフィルター４１３を形成した。カラーフィルター４１３は、カラーレジストを全面に塗布した後、リソグラフィー技術でパターニングを行って形成した。カラーフィルター４１３には、ソース電極４１１と後に形成する液晶駆動用電極が接続されるようにコンタクトホール４１３Ｃを形成した。このカラーフィルターの形成工程を３回行って、ＲＧＢの３色（赤、緑、青）を形成した。次に、平坦化を行うために保護膜４１４を形成した。保護膜４１４は例えばポリメチルメタクリル酸樹脂系の樹脂により形成した。また保護膜４１４には、ソース電極４１１と液晶駆動用電極とが接続されるようにコンタクトホール４１４Ｃを形成した。
【００８２】
また、上記コンタクトホール４１４Ｃを形成する際に、透過部の保護膜４１４を一緒に除去した。このとき、透過部に形成されているカラーフィルター４１３の上層部も除去されている。したがって、透過部と反射部とで段差を形成することが可能となる。これにより、液晶層のギャップを透過部と反射部とで変えることが可能となる。
【００８３】
その後、ソース電極４１１に接続する画素電極４１５を形成した。この画素電極４１５は、例えば、透明電極で形成される。透明電極としては、例えばインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）により形成され、その形成方法としてはスパッタリング法が用いられる。
【００８４】
以上の工程により、第１基板４０１上にアクティブマトリックス基板が作製できた。また、今回は、ボトムゲート型ポリシリコンＴＦＴを作製したが、トップゲート型ポリシリコンＴＦＴやアモルファスＴＦＴでも同じように実施できる。
【００８５】
次に、第１基板４０１上の薄膜デバイス層をプラスチック基板上に移載する工程を説明する。
【００８６】
前記図４および図５（１）、（２）によって説明したのと同様にして、薄膜デバイス層側に第１接着層（図示せず）を介して第２基板（図示せず）を接着した後、エッチングにより第１基板４０１を除去する。さらにエッチングにより、保護層４０２を除去する。次いで、前記図８（３）および図９によって説明したのと同様にして、図１５に示すように、絶縁層４０３側に第２接着層４２２を介して第３基板４２３を貼り付けた。この第３基板４２３は、表面に反射層４２４が形成された凹凸を有する樹脂基板からなり、上記プラスチック基板としてはポリカーボネート基板を用い、上記反射層４２４側を上記第２接着層４２３に貼り付けた。その後、紫外線を照射して第２接着層４２３を硬化させた。図面では、上記凹凸が２次元的に描かれているが、実際には３次元的な凹凸形状を成している。この隣接する凸部間の間隔は、例えば１０μｍ〜３０μｍであり、凹部と凸部との高低差は例えば０．２μｍ〜１．０μｍとした。この凹凸形状は、例えばエンボス加工により形成することができる。
【００８７】
上記反射層４２３は、例えば可視光線を反射する材料として、例えば銀（Ａｇ）で形成され、透過部と反射部とに合わせてパターンニングされたものである。例えば、スパッタリング法で銀膜を形成した後、フォトリソグラフィー技術によりマスクを形成し、そのマスクをエッチングマスクに用いたエッチング技術により銀膜をパターニングした。第３基板４２３と薄膜デバイス４２１とを貼り合わせる際には、透過部と反射部とがずれないように、位置合わせをしながら貼り合わせた。薄膜デバイス４２１と第３基板４２３とにパネル外に位置合わせ用のパターンニングを行い、位置合わせができるようにした。この合わせ精度には、±１０μｍ以内、望ましくは±３μｍが必要である。
【００８８】
次に、上記基板をアルコール（図示せず）中に浸漬し、ホットメルト接着剤からなる第１接着層（図示せず）を溶かして第２基板（図示せず）を外した。次いで、８０℃、１時間の加熱処理を行った。この熱処理によって、反射層２２６が存在することによって上記第２接着層２２４の硬化していない部分の紫外線硬化接着剤を硬化させた。その結果、薄膜デバイス層４２１が露出され、図１５に示したように、反射部における凹凸を有する表面に反射層４２４が形成された第３基板４２３に第２接着層４２２、保護絶縁層４０３を介して薄膜デバイス層４２１が載った薄膜デバイス（アクティブ基板）４００を得た。
【００８９】
次に、図示はしないが、対向基板と上記アクティブ基板４００とに配向膜（例えばポリイミド膜）を塗布してラビング処理を行う配向処理を行った。ラビング方向は、対向基板とアクティブ基板４００とで互いに直交するように行った。次に、アクティブ基板４００にはシール剤（図示せず）を塗布し、対向基板には多数のスペーサー（図示せず）を散布した。そして、アクティブ基板４００と対向基板とを張り合わせた後、加圧しながら紫外線を照射してシール剤を硬化させた。次に、レーザー加工によりパネルの大きさに切断した後、注入口（図示せず）から液晶を注入して、注入口をモールド樹脂で覆い、モールド樹脂を硬化させ、液晶表示パネルを作製した。この液晶表示装置では、透過部と反射部との液晶層のギャップが違うため、前記実施例２と比べて、画質があげることができる。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明の薄膜デバイス、薄膜デバイスの製造方法、液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法は、薄膜デバイスを耐熱性の高い製造基板上に作製後、実使用基板上に転写するという用途に適用するのに好適である。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】第１薄膜デバイスおよび第１液晶表示装置に係る実施の形態を示した概略構成断面図である。
【図２】第２薄膜デバイスおよび第２液晶表示装置に係る実施の形態を示した概略構成断面図である。
【図３】本発明の第１液晶表示装置および第１液晶表示装置の製造方法に係る一実施例を示す製造工程断面図である。
【図４】本発明の第１液晶表示装置および第１液晶表示装置の製造方法に係る一実施例を示す製造工程断面図である。
【図５】本発明の第１液晶表示装置および第１液晶表示装置の製造方法に係る一実施例を示す製造工程断面図である。
【図６】本発明の第１液晶表示装置および第１液晶表示装置の製造方法に係る一実施例を示す製造工程断面図である。
【図７】本発明の第２液晶表示装置および第２液晶表示装置の製造方法に係る第１実施例を示す製造工程断面図である。
【図８】本発明の第２液晶表示装置および第２液晶表示装置の製造方法に係る第１実施例を示す製造工程断面図である。
【図９】本発明の第２液晶表示装置および第２液晶表示装置の製造方法に係る第１実施例を示す製造工程断面図である。
【図１０】反射層の形態を示す概略構成断面図である。
【図１１】反射層の形態を示す概略構成断面図である。
【図１２】反射層の形態を示す概略構成断面図である。
【図１３】本発明の第２液晶表示装置および第２液晶表示装置の製造方法に係る第２実施例を示す平面レイアウト図である。
【図１４】本発明の第２液晶表示装置および第２液晶表示装置の製造方法に係る第２実施例を示す製造工程断面図である。
【図１５】本発明の第２液晶表示装置および第２液晶表示装置の製造方法に係る第２実施例を示す製造工程断面図である。
【図１６】従来の薄膜デバイスおよび液晶表示装置を示した概略構成断面図である。
【図１７】従来の薄膜デバイスおよび液晶表示装置を示した概略構成断面図である。
【符号の説明】
【００９２】
１…液晶表示装置、１１…支持基板、１２…接着層、１３…薄膜デバイス層、１４…反射粒子
【図１】
2005208281.tif 000003
【図２】
2005208281.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005208281.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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