(57)【要約】【課題】液晶表示装置のバックライトに利用できる平面発光型のフィールドエミッションランプの寿命を長くする。【解決手段】平面状の陰極側ガラス基板１上に、複数の直線状の陰極導体３を平行に配置する。陰極導体３の陽極側表面には、グラファイトの炭素皮膜８をCVD法により形成する。陽極側ガラス基板２を、陰極側ガラス基板１に対向して配置し、各陰極導体３に対応して設けた溝部７、陽極導体５を設け、陽極導体５上に蛍光体５を塗布する。陰極側ガラス基板１と陽極側ガラス基板２とを、真空容器に収容する。炭素皮膜８を形成した複数の直線状の陰極導体３を平行に配置したので、ランプ寿命を長くしながら、発光面を平面状にでき、液晶表示装置のバックライトに最適なフィールドエミッションランプが実現できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面状の陰極側ガラス基板と、前記陰極側ガラス基板上に平行に配置された複数の直線状の陰極導体と、前記陰極側ガラス基板に対向して配置され、前記各陰極導体に対応する溝部を有する陽極側ガラス基板と、前記溝部に設けられた陽極導体と、前記陽極導体上に塗布された蛍光体と、前記陰極側ガラス基板と前記陽極側ガラス基板とを収容する真空容器とを具備することを特徴とするフィールドエミッションランプ。
【請求項２】
平面状の陰極側ガラス基板と、前記陰極側ガラス基板上に格子状に配置された複数の陰極導体と、前記陰極側ガラス基板に対向して配置された陽極側ガラス基板と、前記陽極側ガラス基板上のほぼ全面に設けられた透明陽極導体と、前記陽極導体上に一面に塗布された蛍光体と、前記陰極側ガラス基板と前記陽極側ガラス基板とを収容する真空容器とを具備することを特徴とするフィールドエミッションランプ。
【請求項３】
複数の方形の凹部を格子状に設けた陰極側アクリル基板と、前記陰極側アクリル基板の凹部に配置された陰極導体と、平面状の陽極側アクリル基板上に前記陰極導体に対向して設けた透明陽極導体と、前記陽極導体上に塗布された蛍光体とを具備し、前記陰極側アクリル基板と前記陽極側アクリル基板とを合せて前記凹部を真空にして封じたことを特徴とするフィールドエミッションランプ。
【請求項４】
複数の溝部を平行に設けた陰極側アクリル基板と、前記陰極側アクリル基板の溝部に配置された陰極導体と、平面状の陽極側アクリル基板上に前記陰極導体に対向して設けた帯状の透明陽極導体と、前記陽極導体上に塗布された蛍光体とを具備し、前記陰極側アクリル基板と前記陽極側アクリル基板との間を真空にして封じたことを特徴とするフィールドエミッションランプ。
【請求項５】
前記陰極導体の陽極側表面に炭素皮膜を形成したことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のフィールドエミッションランプ。
【請求項６】
請求項５記載のフィールドエミッションランプを製造する製造方法において、前記陰極導体の陽極側表面に炭素皮膜をＣＶＤ法により形成することを特徴とするフィールドエミッションランプの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィールドエミッションランプに関し、特に、液晶表示装置のバックライトに用いる平面発光型のフィールドエミッションランプに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置のバックライト光源としては、冷陰極蛍光灯が使用されている。蛍光灯は、発光効率が高くないので、エネルギー損失が大きい。また、蛍光灯は水銀を使用しているので、使用済みの蛍光灯を適切に処理しないと、環境に害を及ぼす。そこで、これらの欠点のないフィールドエミッションランプを、液晶表示装置のバックライトとして使用することが提案されている。
【０００３】
従来のフィールドエミッションランプの例をいくつかあげて、簡単に説明する。図８（ａ）に断面図を示すフィールドエミッションランプは、３極管構造のランプである。このランプを、投射型液晶表示装置のプロジェクタ光源として利用することが提案されている。図８（ｂ）に斜視図を示すフィールドエミッションランプが、非特許文献１に開示されている。陰極導体上に、ナノカーボン薄膜を化学蒸着法で生成する。カーボンナノチューブやグラファイトナノ結晶などの薄膜から、高効率で冷陰極電子が放出される。図８（ｃ）に断面図を示すフィールドエミッションランプが、特許文献１に開示されている。このランプは、２極管あるいは３極管構造のフィールドエミッションランプである。ランプ容器の裏と下側から各電極に接続できるので、個々のランプを互いに接近させて配置することができる。
【０００４】
図８（ｄ）に斜視図を示すフィールドエミッションランプが、特許文献２に開示されている。カーボンナノチューブ（CNT）のフィールドエミッション電極により点灯する平面型カラーランプである。この平面型カラーランプは、３つに区切られたランプ室で構成されている。基板上に、エミッタスタックが形成されている。カバー基板の上に３つの蛍光体がある。各蛍光体は、ナノチューブエミッタスタックから放出される電子で、赤緑青の３原色の光を発生する。ナノチューブスタックは、炭素やダイアモンドなどのナノメートルサイズの中空繊維をバインダと混合して印刷する厚膜印刷技術を用いて、低コストで形成できる。平面型カラーランプを液晶表示装置のバックライトに使うことで、液晶表示装置を、小型低コストにできる。図９（ａ）に断面図を示すフィールドエミッションランプが、非特許文献２に開示されている。ガラス-Si-ガラス構造と、ガラス-ガラス構造を、静電接着法により形成することができる。その方法で、シリコン基板の電界放出素子配列を真空容器中に密封して、フィールドエミッションランプを構成する。
【０００５】
特許文献３、４には、図９（ｂ）に示すように、フィールドエミッタアレイにより照明される画素を有する液晶表示装置が開示されている。このフィールドエミッタアレイは、各々の画素を個別に照明するために用いられる。表示装置全体を照明するためのバックライトランプとしても利用できる。フィールドエミッタアレイをバックライトに用いる液晶表示装置は、蛍光ランプを用いる場合と比べて、より小形になり、発光効率も輝度も高く、寿命も長い。このフィールドエミッタアレイは、すべての色の光を発生できるので、液晶表示装置にカラーフィルタを使用する必要がない。
【特許文献１】米国特許第6008595号明細書
【特許文献２】米国特許第6426590号明細書
【特許文献３】米国特許第5646702号明細書
【特許文献４】特表平10-508120号公報
【非特許文献１】A. N. Obraztsov, et al.;"Field emission characteristics of nanostructured thin film carbon materials",Applied Surface Science 215, (2003) 214-221.
【非特許文献２】D. -J. Lee et al.; "Vacuum Sealing of Field-Emission Arrays Using Field-Assisted BondingMethod", SID'98, 589-592, (1998).
【非特許文献３】A. N. Obraztsov, et al.;"CVD growth and field emission properties of nanostructured carbonfilms", J. Phys. D: Appl. Phys. 35 (2002) 357-362.
【非特許文献４】A. N. Obraztsov, et al.;"Chemical vapor deposition of carbon films: in-situ plasmadiagnostics", Carbon 41 (2003), 836-839.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、従来のフィールドエミッションランプでは、液晶表示装置のバックライトに利用できる寿命の長い平面発光ランプを実現できないという問題があった。平面状に発光するランプでは、電子を放出するエミッタを点状にしているので、陰極の電流密度が大きくなり、重い負荷で寿命が短くなる。寿命が長い線状の陰極を有するランプでは、発光面が円筒状になり、液晶表示装置のバックライトに使用するには、厚さが厚くなりすぎる。本発明は、上記従来の問題を解決して、液晶表示装置用の寿命の長い平面型フィールドエミッションランプを実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明では、フィールドエミッションランプを、平面状の陰極側ガラス基板と、陰極側ガラス基板上に配列された複数の陰極導体と、陰極側ガラス基板に対向して配置された陽極側ガラス基板と、陽極側ガラス基板に設けられた陽極導体と、陽極導体上に塗布された蛍光体と、陰極側ガラス基板と陽極側ガラス基板とを収容する真空容器とを具備する構成とした。また、陰極導体の陽極側表面に炭素皮膜をCVD法により形成する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明では、上記のように構成したことにより、液晶表示装置用のバックライトに最適な寿命の長い平面発光型のフィールドエミッションランプを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図１〜図７を参照しながら詳細に説明する。
【実施例１】
【００１０】
本発明の実施例１は、平面状の陰極側ガラス基板上に、陽極側表面にグラファイト皮膜をCVD法により形成した複数の直線状の陰極導体を平行に配置し、陰極側ガラス基板に対向して配置した陽極側ガラス基板に、各陰極導体に対応する溝部を設け、溝部に陽極導体を設け、陽極導体上に蛍光体を塗布し、陰極側ガラス基板と陽極側ガラス基板とを真空容器に収容したフィールドエミッションランプである。
【００１１】
本発明の実施例１におけるフィールドエミッションランプの構成と製法を説明する。図１は、本発明の実施例１におけるフィールドエミッションランプの斜視図と一部断面図である。図２は、フィールドエミッションランプの断面図である。図３は、フィールドエミッションランプの平面図である。これらは模式的な概念図であり、各部の比率などは、実際とは異なる。図１〜図３において、陰極側ガラス基板１は、光が放射される側の平面状のガラス基板である。陽極側ガラス基板２は、溝部を有するガラス基板である。陰極側基板と陽極側基板としてガラス基板を用いているが、材質は必ずしもガラスでなくてもよい。温度上昇を100℃以下に抑えることができればアクリル板でもよい。陽極側ガラス基板２を、陰極側ガラス基板１に対向して配置する。陰極導体３は、陰極側ガラス基板上に並行して配列された直線状の電極である。陽極導体４は、溝部に蒸着されたアルミニウム電極である。蛍光体５は、陽極導体上に塗布された蛍光体である。真空容器６は、陰極側ガラス基板と陽極側ガラス基板とを収容する容器である。溝部７は、陽極を設けるために陽極側ガラス基板２に形成された溝である。炭素皮膜８は、電子放出効率を高めるために、陰極導体上にCVD法により形成された炭素皮膜である。
【００１２】
平面状の陰極側ガラス基板１上に、複数の直線状のNiの陰極導体３を平行に等間隔で配列する。陰極導体３は、Niの他にFeやCu等を使うこともできる。陰極導体３の太さを、溝部７のサイズに対して十分細くして、光がむら無く放射されるようにする。輝度を一様にするために、散光板や偏光板を使ってもよい。陰極導体３の陽極側表面には、グラファイトの炭素皮膜８をCVD法により形成する。炭素皮膜８の厚さは、２〜３μmである。CVD法の条件を適切に制御することで、陰極導体３上の炭素皮膜８の電子放出点の密度を、107/cm2にすることができる。CVD法によりグラファイト皮膜を形成する方法については、非特許文献１や非特許文献３や非特許文献４などを参照されたい。
【００１３】
各陰極導体３に対応する溝部７を、陽極側ガラス基板２に設ける。溝部７に、Alを蒸着して形成した陽極導体４を設ける。陽極導体４の厚さは１〜２μmである。陽極導体４は、反射板の役目も兼ねている。陽極導体４上に、白色を発生するように蛍光体５を塗布する。蛍光体の厚さは、５〜７μmである。蛍光体は、低電圧用では、Zn0.2Cd0.8S:Ag,Cl（赤）、Zn0.62Cd0.98S:Ag,Cl（緑）、ZnS:Ag,Al（青）を用いる。高電圧用では、Y2O3:Eu（赤）、Gd2O2S:Tb（緑）、ZnS:Ag（青）を用いる。
【００１４】
陰極導体３と陽極導体４との電極間距離は、10〜20μmであるが、10mm程度まで大きくすることも可能である。したがって、溝部７のサイズもこれと同程度となる。陰極導体３と陽極導体４との電極間距離を極力小さくすることにより少ない電圧で発光させることができる。陰極側ガラス基板１と陽極側ガラス基板２とを密着させて、真空容器６に収容する。真空容器６を使わず、陰極側ガラス基板１と陽極側ガラス基板２とを直接溶着して、真空にして封じてもよい。真空度は10-1〜10-3torrである。全体の大きさは、約10cm×10cm程度であるが、約１ｍ×１ｍ程度まで大きくできる。
【００１５】
上記のように構成された本発明の実施例１におけるフィールドエミッションランプの動作を説明する。陰極導体３と陽極導体４との間に単極性のパルス電圧を印加する。電圧は250〜500Vで、電流は約１mAである。電圧は、10ｋV程度まで高くすることも可能である。周波数は１〜５kHzである。パルス幅は、３〜８μsecである。放電開始電圧は、１V/μmである。陰極の電流密度は、100mA/cm2（10V/μmのとき）である。点灯用電源の基本的構成は、従来のフィールドエミッションランプ用のものと同じでよい。点灯用電源は、陰極導体３と陽極導体４の１組あるいは複数組ごとに別々に設けてもよいし、全ての組に共通に１つにしてもよい。
【００１６】
陰極導体３と陽極導体４との間に電圧を印加すると、陰極導体３上の炭素皮膜から電界放出により冷陰極電子が飛び出し、蛍光体５に当たり、光を発生する。蛍光体５から出た光は、陰極側ガラス基板１から直接出射するとともに、陽極導体４で反射されて陰極側ガラス基板１から出射する。輝度は、単色で約20万cd/m2、白色で約３万cd/m2である。発光効率は約30％である。ランプの寿命は約５万時間である。このようにして、発光面を平面状にしながら、フィールドエミッションランプの寿命を長くできる。液晶バックライトとして使用する際は、一定温度を超えると液晶に障害が生じるので、温度を低くしておかなくてはならない。そのため、冷却手段に応じた駆動電力で駆動する必要がある。
【００１７】
上記のように、本発明の実施例１では、フィールドエミッションランプを、平面状の陰極側ガラス基板上に、陽極側表面にグラファイト皮膜をCVD法により形成した複数の直線状の陰極導体を平行に配置し、陰極側ガラス基板に対向して配置した陽極側ガラス基板に、各陰極導体に対応する溝部を設け、溝部に陽極導体を設け、陽極導体上に蛍光体を塗布し、陰極側ガラス基板と陽極側ガラス基板とを真空容器に収容する構成としたので、液晶表示装置用の寿命の長いバックライトを実現できる。
【実施例２】
【００１８】
本発明の実施例２は、平面状の陰極側ガラス基板上に、陽極側表面にグラファイト皮膜をCVD法により形成した複数の陰極導体を格子状に配置し、陰極側ガラス基板に対向して配置した陽極側ガラス基板上のほぼ全面に、透明陽極導体を設け、陽極導体上に一面に蛍光体を塗布し、陰極側ガラス基板と陽極側ガラス基板とを真空容器に収容したフィールドエミッションランプである。
【００１９】
本発明の実施例２におけるフィールドエミッションランプの構成と製法を説明する。図４は、本発明の実施例２におけるフィールドエミッションランプの平面図と断面図と斜視図である。図４（ａ）は、陰極側ガラス基板の平面図である。図４（ｂ）は、陰極側ガラス基板と陽極側ガラス基板の断面図である。図４（ｃ）は、陰極側ガラス基板の斜視図である。これらは模式的な概念図であり、各部の比率などは、実際とは異なる。
【００２０】
図４において、陰極側ガラス基板１は、平面状のガラス基板である。陽極側ガラス基板２は、光が放射される側のガラス基板である。陽極側ガラス基板２を、陰極側ガラス基板１に対向させて平行に配置する。陰極側基板と陽極側基板としてガラス基板を用いているが、材質は必ずしもガラスでなくてもよい。温度上昇を100℃以下に抑えることができればアクリル板でもよい。陰極導体３は、陰極側ガラス基板上に格子状に配列された電極である。格子状に配列するとは、タイル状のものを、隙間をあけて碁盤目状に配列することである。陰極導体３は、一面をカバーするものでもよい。陽極導体４は、陽極側ガラス基板上のほぼ全面に蒸着された透明ITO電極である。蛍光体５は、陽極導体上に一面に塗布された蛍光体である。炭素皮膜８は、電子放出効率を高めるために、陰極導体上にCVD法により形成された炭素皮膜である。
【００２１】
平面状の陰極側ガラス基板１上に、複数のNiの陰極導体３を格子状に等間隔で配列する。陰極導体３の陽極側表面には、グラファイトの炭素皮膜８をCVD法により形成する。陽極側ガラス基板上のほぼ全面にITOを蒸着して形成した陽極導体４を設ける。陽極導体４の厚さは１〜２μmである。全体の大きさは、約100mm×100mm程度であるが、約１ｍ×１ｍ程度まで大きくできる。サイズを大きくする場合は、必要に応じて、陰極側ガラス基板１と陽極側ガラス基板２との間隔を維持するためのボスまたはリブを設ける。陽極導体４上に、陰極導体３に対向させて一面に、白色を発生するように蛍光体５を塗布する。
【００２２】
陰極導体３と電源を結ぶ配線は図示していないが、各陰極導体に個別に配線してもよいし、行または列ごとにまとめて配線してもよい。陰極導体３と陽極導体４との間に電圧を印加すると、陰極導体３上の炭素皮膜から電界放出により冷陰極電子が飛び出し、蛍光体５に当たり、光を発生する。蛍光体５から出た光は、陽極導体４を透過して陽極側ガラス基板２から出射する。陰極導体３の間隔を、陰極導体３のサイズに対して十分狭くして、光がむら無く放射されるようにする。輝度を一様にするために、散光板や偏光板を使ってもよい。偏光フィルムを用いると光の減光が生じるので、陽極側の内側または外側の形状を凹凸にして、レンティキュラーレンズのようにして、光の影をなくするようにするとよい。レンティキュラーレンズの構造によっては、光が平行光とならないことがあるので、それを修正するために、偏光フィルムや塗料などを塗布する。その他の構成と動作は、実施例１と同様である。
【００２３】
上記のように、本発明の実施例２では、フィールドエミッションランプを、平面状の陰極側ガラス基板上に、陽極側表面にグラファイト皮膜をCVD法により形成した複数の陰極導体を格子状に配置し、陰極側ガラス基板に対向して配置した陽極側ガラス基板上のほぼ全面に、透明陽極導体を設け、陽極導体上に一面に蛍光体を塗布し、陰極側ガラス基板と陽極側ガラス基板とを真空容器に収容する構成としたので、液晶表示装置用の寿命の長いバックライトを実現できる。
【実施例３】
【００２４】
本発明の実施例３は、陰極側アクリル基板に複数の方形の凹部を格子状に設け、陽極側表面にグラファイト皮膜をCVD法により形成した陰極導体を凹部内に配置し、陽極側アクリル基板上に陰極導体に対向して透明陽極導体を設け、陽極導体上に蛍光体を塗布し、陰極側アクリル基板と陽極側アクリル基板とを合せて電極部を真空にして封じたフィールドエミッションランプである。
【００２５】
図５と図６は、本発明の実施例３におけるフィールドエミッションランプの平面図（ａ）と断面図(ｂ)である。図５は、電極部を１つ示したものである。図６は、複数の電極部を示したものである。これらは模式的な概念図であり、各部の比率などは、実際とは異なる。図５と図６において、陰極導体３は、陰極側アクリル基板の凹部に設けられた電極である。陰極導体３の厚さは、0.3mmである。図示してないが、陰極導体３上には、電子放出効率を高めるために、炭素皮膜がCVD法により形成されている。陽極導体４は、陽極側アクリル基板上に格子状に蒸着された透明ITO電極である。陽極導体４の厚さは１〜２μmである。
【００２６】
蛍光体５は、陽極導体上に塗布された白色の蛍光体である。陰極側アクリル基板９は、陰極導体を収める方形の凹部を格子状に設けた平面状のアクリル基板である。厚さは、1.5mmである。陽極側アクリル基板10は、光が放射される側の平面状のアクリル基板である。厚さは、1.5mmであり、凹部のサイズは、25mm×25mmである。凹部間の間隔は３mmで、アクリル基板の端部との間隔は５mmである。陰極側アクリル基板９と陽極側アクリル基板10とを合せて、電極部を真空にして封じる。蛍光体５と陰極導体３との間隔は0.5〜1.0mmである。この空間の真空度は、10-3〜10-4Paである。全体の大きさは、約100mm×100mm程度であるが、約１ｍ×１ｍ程度まで大きくできる。
【００２７】
陰極側アクリル基板９に格子状に等間隔で配列された方形の凹部に、Niなどの陰極導体３を配置する。陰極導体３の陽極側表面には、グラファイトの炭素皮膜をCVD法により形成する。陽極側アクリル基板10上に、陰極導体３に対向する位置にITOを蒸着して形成した陽極導体４を設ける。陽極導体４上の陰極導体３側に、白色を発生するように蛍光体５を塗布する。その他の構成と動作は、実施例１、２と同様である。
【００２８】
上記のように、本発明の実施例３では、フィールドエミッションランプを、陰極側アクリル基板に複数の方形の凹部を格子状に設け、陽極側表面にグラファイト皮膜をCVD法により形成した陰極導体を凹部内に配置し、陽極側アクリル基板上に陰極導体に対向して透明陽極導体を設け、陽極導体上に蛍光体を塗布し、陰極側アクリル基板と陽極側アクリル基板とを合せて電極部を真空にして封じた構成としたので、液晶表示装置用の寿命の長いバックライトを実現できる。
【実施例４】
【００２９】
本発明の実施例４は、平面状の陰極側アクリル基板に複数の溝部を平行に設け、陽極側表面にグラファイト皮膜をCVD法により形成した直線状の陰極導体を溝部に配置し、陰極側アクリル基板に対向して配置した陽極側アクリル基板に、各陰極導体に対向する陽極導体を設け、陽極導体上に蛍光体を塗布し、陰極側アクリル基板と陽極側アクリル基板とを真空に封じたフィールドエミッションランプである。
【００３０】
図７は、本発明の実施例４におけるフィールドエミッションランプの部分斜視図である。電極の１組分のみを示してある。これは模式的な概念図であり、各部の比率などは、実際とは異なる。図７において、陰極導体３は、陰極側アクリル基板の溝部に配置された直線状の電極である。陰極導体３の直径は、0.5〜1.0mmである。図示してないが、陰極導体３上には、電子放出効率を高めるために、炭素皮膜がCVD法により形成されている。陽極導体４は、陽極側アクリル基板上に、陰極導体３に対向するように帯状に蒸着された透明ITO電極である。陽極導体４の厚さは１〜２μmである。
【００３１】
蛍光体５は、陽極導体４上に塗布された白色の蛍光体である。陰極側アクリル基板９は、複数の溝部が平行に設けられた平面状のアクリル基板である。厚さは1.5mmであり、溝方向の長さは50mmである。電極１組分の幅は2.5mmである。陽極側アクリル基板10は、光が放射される側のアクリル基板である。厚さは、0.5〜1.0mmである。陽極側アクリル基板10を、陰極側アクリル基板９に対向させて平行に配置する。陰極側アクリル基板９と陽極側アクリル基板10とを合せて、電極部を真空にして封じる。陰極導体３と蛍光体５との間の真空部分の間隔は、0.5〜1.0mmである。全体の大きさは、約50mm×100mm程度であるが、約１ｍ×１ｍ程度まで大きくできる。
【００３２】
平面状の陰極側アクリル基板９の溝部に、Niなどの陰極導体３を配置する。陰極導体３の陽極側表面には、グラファイトの炭素皮膜をCVD法により形成する。陽極側アクリル基板10上に、陰極導体３に対向させて、ITOを蒸着して形成した陽極導体４をストライプ状に設ける。陽極導体４上に、陰極導体３に対向させて、白色を発生するように蛍光体５を塗布する。その他の構成と動作は、実施例１〜３と同様である。
【００３３】
上記のように、本発明の実施例４では、フィールドエミッションランプを、平面状の陰極側アクリル基板に複数の溝部を平行に設け、陽極側表面にグラファイト皮膜をCVD法により形成した直線状の陰極導体を溝部に配置し、陰極側アクリル基板に対向して配置した陽極側アクリル基板に、各陰極導体に対向する陽極導体を設け、陽極導体上に蛍光体を塗布し、陰極側アクリル基板と陽極側アクリル基板とを真空に封じた構成としたので、液晶表示装置用の寿命の長いバックライトを実現できる。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明のフィールドエミッションランプは、液晶表示装置のバックライト光源として最適である。また、天井などに設置する平面照明装置や、平面看板や道路標識や信号等としても利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施例１におけるフィールドエミッションランプの斜視図と一部断面図、
【図２】本発明の実施例１におけるフィールドエミッションランプの断面図、
【図３】本発明の実施例１におけるフィールドエミッションランプの平面図、
【図４】本発明の実施例２におけるフィールドエミッションランプの平面図と断面図と斜視図、
【図５】本発明の実施例３におけるフィールドエミッションランプの平面図と断面図、
【図６】本発明の実施例３におけるフィールドエミッションランプの平面図と断面図、
【図７】本発明の実施例４におけるフィールドエミッションランプの斜視図、
【図８】従来のフィールドエミッションランプの概念図、
【図９】従来のフィールドエミッションランプの概念図である。
【符号の説明】
【００３６】
１  陰極側ガラス基板
２  陽極側ガラス基板
３  陰極導体
４  陽極導体
５  蛍光体
６  真空容器
７  溝部
８  炭素皮膜
９  陰極側アクリル基板
10  陽極側アクリル基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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