(57)【要約】【課題】  例えば直視型の液晶装置等において、画素部のアドレス情報の特定を容易に行い、表示性能を向上させる。【解決手段】  基板上の画像表示領域内に形成された複数の画素部と、該複数の画素部のうち一の画素部の開口領域内に配置されており、該一の画素部の前記画像表示領域内における位置を示すアドレス情報に応じた形状を有する凹凸パターンとを備える。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の画像表示領域内に形成された複数の画素部と、
該複数の画素部のうち一の画素部の開口領域内に配置されており、該一の画素部の前記画像表示領域内における位置を示すアドレス情報に応じた形状を有する凹凸パターンと
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記凹凸パターンは、光透過性を有する膜を用いて構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記凹凸パターンは、散乱膜の一部として形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記凹凸パターン上に形成された散乱膜を更に備えたことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記散乱膜の上層側或いは下層側に形成された反射膜を更に備えたことを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記開口領域内に、ランダムな形状を有する他の凹凸パターンが更に形成されていること
を特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記他の凹凸パターンは、前記各画素部において凹部及び凸部の形成密度が均一となるように形成されていることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記凹凸パターンは、前記アドレス情報を２進数で標記し、該アドレス情報に応じた形状を有する凹部又は凸部を含むこと
を特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記凹凸パターンは、前記アドレス情報を表す１０進数の数字を標記し、該アドレス情報に応じた形状を有する凹部又は凸部を含むこと
を特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置等の直視型の電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えてなる例えば携帯電話等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置において、基板上の画像表示領域には、表面に凹凸パターンが形成された散乱層が設けられる。このような散乱層を設けることにより、室内照明等の表示画面への映りこみを防止し、表示性能を向上させることが可能となる。しかしながら、各画素部において、散乱層の表面に形成された凹凸パターンの形状が同一であると、散乱層によって散乱された光が互いに干渉することにより虹色模様などの干渉縞が発生するため、表示性能が劣化するという問題点が生じる。
【０００３】
このため、特許文献１によれば、反射型液晶装置の各画素部において、反射板の表面に凹部をらせん状に配置して凹凸パターンを形成する。これにより、任意の直線状断面における反射板の凹凸形状が不規則になり、干渉縞の発生を抑制することが可能となるとされている。
【０００４】
他方、電気光学装置を検査する際に、検出された欠陥画素を特定して不良原因を解明する場合がある。この際、画素の特定は、画像表示領域における所定の基準端から欠陥画素までの画素数を数えることにより行う。或いは、各画素部において、画像表示に影響がない個所、例えば開口領域の外周部分に、対応する画素部のアドレス情報を記入しておく等の手作業によって画素の特定が行われる。このように、人的な作業により画素の特定を行う場合、欠陥画素のアドレス情報を正確に割り出すのに膨大な労力と時間を費やすこととなる。
【０００５】
このため、特許文献２によれば、欠陥画素を検出するために、透過型液晶装置の表示に影響を及ぼさない画素内に、アドレス情報が標記される。これにより、各画素のアドレス情報を容易に把握することが可能となるとされている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１４２１１号公報
【特許文献２】特開平７−１５９２８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に開示の技術によれば、凹部の配置されたらせん状の軌跡に着目すれば、該軌跡の中心付近とそれよりも外側とで、凹部の形成密度が異なるため表示性能が不均一となる。従って、当該液晶装置における表示性能は劣化する恐れがあるほか、各画素部のアドレス情報を割り出すのに、膨大な労力と時間を要する。
【０００８】
他方、特許文献２に開示の技術は、干渉縞の発生を防止し、表示性能を向上させるということに寄与するものではない。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑み成されたものであり、各画素部のアドレス情報の特定を容易に行うことが可能であると共に、表示性能を向上させることが可能な電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えた各種電子機器を提供することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上の画像表示領域内に形成された複数の画素部と、該複数の画素部のうち一の画素部の開口領域内に配置されており、該一の画素部の前記画像表示領域内における位置を示すアドレス情報に応じた形状を有する凹凸パターンとを備える。
【００１１】
本発明の電気光学装置における、各画素部のアドレス情報は、例えば、画像表示領域を平面的に見て、任意のＸ軸及びＹ軸を基準として、各画素部の中心位置をＸ座標及びＹ座標によって表したものである。
【００１２】
また、前記一の画素部の開口領域には、該画素部のアドレス情報を標記する凹部又は凸部が形成される。例えば、アドレス情報（Ｘ，Ｙ）＝（１２０１，１０６）によって表される位置に配置された画素部の開口領域において、数字「１」の形状の凸部、数字「２」の形状の凸部、数字「０」の形状の凸部、及び数字「１」の形状の凸部が形成される。その結果、Ｘ座標を表す数字「１２０１」が凸部によって標記される。或いは、１０進数で表されたＸ座標「１２０１」を２進数に変換し、該２進数で表されたＸ座標「１００１０１１０００１」を、凸部或いは凹部を形成することによって、標記するようにしてもよい。更には、各数字に対応するマークの形状を有する凸部或いは凹部を形成するようにしてもよい。例えばＸ座標「１２０１」を２進数に変換し、数字「１」に対応するマークの形状の凸部又は凹部、及び数字「０」に対応するマークの形状の凸部又は凹部を形成するようにしてもよい。
【００１３】
また、Ｙ座標「１０６」も、Ｘ座標と同様に標記される。その結果、前記一の画素部において、凹凸パターンによってアドレス情報（１２０１，１０６）が標記されることとなる。
【００１４】
従って、何れの場合にも、画像表示領域内において、Ｘ座標及びＹ座標の組合せからなるアドレスは、縦横斜めに画素毎に異なるので、アドレス情報に応じた形状を有する凹凸パターンは、面内において基本的にランダムなパターンとされる。
【００１５】
ここで、アドレス情報に応じた形状の凹凸パターンは、全ての画素部について形成されていてもよいし、一部の画素部について、アドレス情報に応じた形状の凹凸パターンが形成されており、他の画素部について、アドレス情報とは無関係の形状即ちランダムな形状の凹凸パターンが形成されていてもよい。
【００１６】
また、各画素部において、凹凸パターンの形状が同一とならないように、凸部や凹部の配置位置を変化させるのが好ましい。また、前記一の画素部において、アドレス情報に応じた形状の凹凸パターンに加え、ランダムな形状を有する凹凸パターンを形成するようにしてもよい。このようにすれば、各画素部において、凹部及び凸部の形成密度を均一とすることが可能となる。
【００１７】
更に、半透過反射型又は反射型の電気光学装置において、散乱膜或いは反射膜の一部として凹凸パターンが形成されてもよい。或いは、例えば保護膜等の一部として凹凸パターンを形成し、該膜上に散乱膜或いは反射膜を形成するようにしてもよい。凹凸パターンを反射膜の一部として形成した場合には、当該電気光学装置の動作時に、例えば直視時に、入射光は、該凹凸パターンによって散乱されることとなる。これにより、反射膜は散乱膜として機能することも可能となる。また、アクティブ駆動型の電気光学装置において、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下適宜、”ＴＦＴ”と称する）等のアクティブ素子の遮光膜として形成された保護膜の一部として凹凸パターンを形成した場合、該保護膜上に散乱膜又は反射膜を形成することによって、該散乱膜又は反射膜の表面形状を、保護膜の表面に形成された凹凸パターンに対応する形状とすることが可能となる。
【００１８】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、一部或いは全ての画素部の開口領域において夫々、各画素部に固有のアドレス情報が標記されることにより凹凸パターンが形成される。よって、一見して各画素部のアドレス情報を容易に把握することが可能となる。これにより、例えば電気光学装置の検査時、欠陥画素の特定を容易に行うことが可能となる。しかも、凹凸パターンが、アドレス情報に応じて各画素部においてその形状が同一とならないように、即ち画像表示領域の面内において基本的にランダムなパターンとなるように形成されることにより、電気光学装置の表示画面において干渉縞の発生を防止することが可能となる。更には、各画素部において形成密度が均一となるように、凹部及び凸部が形成されることにより、表示性能を向上させることが可能となる。
【００１９】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記凹凸パターンは、光透過性を有する膜を用いて構成されている。
【００２０】
この態様によれば、例えば透過型の電気光学装置において、凹凸パターンに影響されず、画像表示を行うことが可能となる。また、凹凸パターンにおいて光源からの入射光或いは反射光等が散乱されることにより、室内照明等の表示画面への映りこみを防止することができる。
【００２１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記凹凸パターンは、散乱膜の一部として形成されている。
【００２２】
この態様によれば、凹凸パターンが、各画素部においてその形状が同一とならないように形成されることにより、電気光学装置の表示画面において干渉縞の発生を防止することが可能となる。凹凸パターンを反射膜の一部として形成した場合には、該反射膜は散乱膜として機能することも可能となる。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記凹凸パターン上に形成された散乱膜を更に備える。
【００２４】
この態様によれば、例えば、アクティブ駆動型の電気光学装置において、アクティブ素子の遮光膜として形成された保護膜の一部として凹凸パターンを形成した場合、該保護膜上に散乱膜又は反射膜を形成することによって、該散乱膜又は反射膜の表面形状を、保護膜の表面に形成された凹凸パターンに対応する形状とすることが可能となる。
【００２５】
この、散乱膜を備える態様では、前記散乱膜の上層側或いは下層側に形成された反射膜を更に備えるように構成してもよい。
【００２６】
このように構成すれば、半透過反射型又は反射型の電気光学装置において、室内照明等の表示画面への映りこみ、及び干渉縞の発生を防止し、表示性能を向上させることが可能となる。
【００２７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記開口領域内に、ランダムな形状を有する他の凹凸パターンが更に形成されている。
【００２８】
この態様によれば、各画素部において、凹凸パターンの形状が同一とならないようにすると共に、凹部及び凸部の形成密度を均一とすることが可能となる。
【００２９】
この、他の凹凸パターンが更に形成されている態様によれば、前記他の凹凸パターンは、前記各画素部において凹部及び凸部の形成密度が均一となるように形成されているように構成してもよい。
【００３０】
このように構成すれば、表示性能を向上させることが可能となる。
【００３１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記凹凸パターンは、前記アドレス情報を２進数で標記し、該アドレス情報に応じた形状を有する凹部又は凸部を含む。
【００３２】
この態様によれば、例えばアドレス情報が、１０進数で表されたＸ座標及びＹ座標を含む情報である場合、Ｘ座標及びＹ座標を２進数に変換する。そして、変換後のＸ座標及びＹ座標を凹部又は凸部によって標記する。より具体的には、凹部又は凸部を、数字「１」又は数字「０」の形状として形成したり、数字「１」に対応するマークの形状又は数字「０」に対応するマークの形状として形成したりすることが可能である。
【００３３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記凹凸パターンは、前記アドレス情報を表す１０進数の数字を標記し、該アドレス情報に応じた形状を有する凹部又は凸部を含む。
【００３４】
この態様によれば、人的な作業、或いはパーソナルコンピュータ、ワークステーション等を用いた自動的な作業によって、各画素部のアドレス情報を容易に把握することが可能となる。その結果、例えば電気光学装置の検査時、欠陥画素の特定を容易に行うことが可能となる。
【００３５】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００３６】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、各画素部のアドレス情報の特定を容易に行い、表示性能を向上させることが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）等を実現することも可能である。
【００３７】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を反射型液晶装置に適用したものである。
【００３９】
＜１：第１実施形態＞
先ず、本発明の電気光学装置に係る第１実施形態について、図１から図５を参照して説明する。
【００４０】
＜１−１：電気光学装置の全体構成＞
本発明の電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置１を例にとる。
【００４１】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４２】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００４３】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４４】
画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００４５】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４６】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、後述するように、散乱膜が形成されると共に、各画素部毎に反射膜が形成されている。また、これら散乱膜及び
反射膜に加え、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。尚、図２中、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された各種構成要素のうち散乱膜や反射膜等の一部の構成要素の図示は省略してある。
【００４７】
他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、ストライプ状や、モザイク状、トライアングル状等に配列したカラーフィルタ、並びに、例えば、クロムやニッケルなどの金属材料や、カーボンやチタンなどをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどのブラックマトリクス２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。図２中、対向基板２０上に形成された各種構成要素についても、カラーフィルタ等の一部の構成要素の図示は省略してある。
【００４８】
また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００４９】
なお、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置１の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５０】
＜１−２：画素部における構成＞
以下では、本実施形態における電気光学装置１の画素部における構成について、図３から図５を参照して説明する。ここに図３は、電気光学装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。また、図４は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の任意の画素部の平面図であり、図５は図４に示す画素部の断面の構成を示す断面図である。なお、図５においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００５１】
図３において、本実施形態における電気光学装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５２】
また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａ及びゲート電極３ａａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００５３】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００５４】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。
【００５５】
次に、図４及び図５を参照して、任意の一の画素部におけるＴＦＴアレイ基板１０側の構成についてより詳細に説明する。
【００５６】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラス基板等の絶縁性の透明基板を用いて構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０上に、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）が下地絶縁層１２として形成されており、該下地絶縁層１２上に、ＴＦＴ３０が形成されている。また、図５には図示しないが、下地絶縁層１２上には、図４に示す蓄積容量７０が形成されている。
【００５７】
図４及び図５において、ＴＦＴ３０は、下地絶縁層１２上に、例えば１０［ｎｍ］から１００［ｎｍ］の膜厚として形成された半導体層３、該半導体層３を埋め込んで形成された、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）よりなる膜厚１０［ｎｍ］から１００［ｎｍ］のゲート絶縁層２、更には該ゲート絶縁層２上に、半導体層３に対応して、例えばアルミニウム（Ａｌ）を主成分とする導電性の材料を用いて形成されたゲート電極３ａａを含む。
【００５８】
ここに、ゲート電極３ａａと好ましくは同一の導電膜によって図４に示す走査線１１ａが形成される。尚、ゲート電極３ａａ及び走査線１１ａを構成する導電膜の膜厚は膜厚１０［ｎｍ］から１０００［ｎｍ］であるのが好ましい。
【００５９】
また、図４において、蓄積容量７０は、下地絶縁層１２上に形成された下部電極７１、及びゲート絶縁層２上に形成された、固定電位側容量電極としての容量電極３００を含む。下部電極７１及び容量電極３００は導電膜を用いて構成されている。
【００６０】
図５において、ゲート電極３ａａ、並びに図示しない走査線１１ａ及び容量電極３００を埋め込んで、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）よりなる膜厚５００［ｎｍ］から２０００［ｎｍ］の層間絶縁層４０が形成されている。層間絶縁層４０には、該層間絶縁層４０の表面から、層間絶縁層４０及びゲート絶縁層２を貫通して半導体層３の表面に至るコンタクトホール５０１及び５０２が形成されている。そして、コンタクトホール５０１及び５０２に、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする導電性材料を埋め込んで、層間絶縁層４０上にＴＦＴ３０のソースに電気的に接続するデータ線６ａが形成されていると共に、ドレイン電極５１０が形成されている。データ線６ａ及びドレイン電極５１０の膜厚は好ましくは１００［ｎｍ］から１０００［ｎｍ］程度として形成されている。
【００６１】
また、層間絶縁層４０上には遮光性の保護膜６０が形成されると共に、アクリル等の材料を用いて構成される散乱層８０、並びに該散乱層８０上に例えばアルミニウム（Ａｌ）等の材料を用いて構成される反射膜８５が形成されている。保護膜６０は、ＴＦＴ３０に上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。
【００６２】
また、反射膜８５の表面から、散乱層８０及び保護膜６０を貫通してドレイン電極５１０の表面に至るコンタクトホール５０５が開孔されている。該コンタクトホール５０５に、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用いて構成される導電性材料を埋め込んで、図４に示すように画素部の開口領域に対応する領域に画素電極９ａが形成されている。
【００６３】
本実施形態では、図４に示すように、画素部の開口領域内に位置する散乱層８０の表面には、該画素部のアドレス情報に応じた形状を有する凹凸パターンが形成されている。図５において、凹凸パターンのうち凸部８によって、アドレス情報が２ビットで標記される。尚、図５には、散乱層８０表面に形成された凹凸パターンの概略的な構成を理解できる程度に示してある。
【００６４】
図４に示す画素部のアドレス情報を（Ｘ，Ｙ）＝（１２０１，１０６）とする。開口領域の中心部分には、Ｘ座標を２ビットで標記する円形状の２種の凸部８ｂａ及び８ｂｂが形成されており、該２種の凸部８ｂａ及び８ｂｂを挟んで開口領域の両端部分には、Ｙ座標を２ビットで標記する円形状の２種の凸部８ａａ及び８ａｂが形成されている。また、Ｘ座標を標記する凸部８ｂａ及び８ｂｂは、Ｙ座標を標記する凸部８ａａ及び８ａｂより小さい円形状となっている。尚、凸部８の形状は円形状に限られず、矩形状等としてもよい。
【００６５】
図４中、下側から上側に向かって、上位ビットから下位ビットが標記される。１０進数で表されたＸ座標「１２０１」を２進数に変換すると、変換後のＸ座標は「１００１０１１０００１」として表される。図４において、開口領域の中心部分において、左側に配置された凸部８ｂａは数字「１」に対応し、右側に配置された凸部８ｂｂは数字「０」に対応する。
【００６６】
また、Ｙ座標「１０６」についても、Ｘ座標と同様に２進数に変換すると、「０１１０１０１０」として表される。そして、開口領域の両端部分において、左端側に配置された凸部８ａａは数字「１」に対応し、該左端側に対して中心部分を挟んで右端側に配置された凸部８ａｂは数字「０」に対応する。
【００６７】
このように、凸部８が数字「１」又は数字「０」に対応するマークの形状として形成される例に限られず、凸部８は数字「１」又は数字「０」の形状として形成されてもよい。更に、散乱層８０の表面に形成された凹凸パターンの凹部、或いは凸部及び凹部の両方によってアドレス情報が標記されるようにしてもよい。例えば、図４において円形の凸部８として示した領域に、円形の凹部を形成してもよい。
【００６８】
図５において、反射膜８５は、画素毎に形成される。反射膜８５の表面形状は、散乱層８０の表面に形成された凹凸パターンに対応する形状を有している。ここで、図２及び図５において、外光は対向基板２０側から入射して、カラーフィルタ及び配向膜等を通過して液晶層５０に至り、該液晶層５０及び画素電極９ａを通過して反射膜８５に至る。そして、反射膜８５の表面で反射されると共に散乱されて、散乱光は前述した各部材を通過して対向基板２０側から外部に出射する。
【００６９】
尚、本実施形態では、散乱層８０の表面における凹凸パターンは、全ての画素部について形成されていてもよいし、一部の画素部について、アドレス情報に応じた形状として形成されており、他の画素部について、ランダムな形状として形成されていてもよい。また、各画素部において、散乱層８０の表面における凹凸パターンの形状が同一とならないように、凸部や凹部を、その配置位置を変化させて形成するのが好ましい。
【００７０】
また、図５において、例えば保護膜８０上に更に他の層間絶縁層を形成し、該他の層間絶縁層上に、散乱層８０として各画素部の開口領域内に断続的に凸部８が形成されてもよいし、反射膜８５が形成されて該反射膜８５の表面に凹凸パターンが形成されてもよい。或いは、保護膜６０の表面に凹凸パターンを形成し、保護膜６０上に散乱膜６０及び反射膜８５を形成するようにしてもよい。
【００７１】
以上説明したような本実施形態では、一部或いは全ての画素部の開口領域において夫々、各画素部に固有のアドレス情報が標記されるため、顕微鏡、パターン認識装置等を使用することで、一見して各画素部のアドレス情報を容易に把握することが可能となる。これにより、例えば電気光学装置の検査時、欠陥画素の特定を容易に行うことが可能となる。
【００７２】
また、散乱層８０の表面における凹凸パターンが、各画素部においてその形状が同一とならないように形成されることにより、電気光学装置１の表示画面において干渉縞の発生を防止することが可能となる。更には、各画素部において形成密度が均一となるように、散乱層８０の表面に凹部及び凸部が形成されることにより、表示性能を向上させることが可能となる。
【００７３】
＜１−３；電気光学装置の製造方法＞
電気光学装置１の製造方法について説明する。尚、以下においては、図４及び図５に示すＴＦＴアレイ基板１０上の各構成要素に係る製造工程についてのみ特に詳しく説明することとし、図１及び図２に示す他の構成要素に係る製造工程の説明に関しては省略することとする。
【００７４】
先ず、ＴＦＴアレイ基板１０上に下地絶縁層１２を成膜後、半導体層３を形成する。半導体層３は、下地絶縁層１２上に半導体層を成膜した後、該半導体層をパターニングすることによって形成する。また、半導体層３をパターニングして形成する際、下地絶縁層１２上に半導体層と共に成膜された導電膜をもパターニングすることによって下部電極７１を形成する。
【００７５】
続いて、ゲート絶縁層２を成膜し、該ゲート絶縁層２上にゲート層を成膜して、該ゲート層をパターニングすることによって、ゲート電極３ａａ及び走査線１１ａを形成する。また、ゲート電極３ａａ及び走査線１１ａを形成する際、ゲート絶縁層２上にゲート層と共に成膜された導電膜をもパターニングすることによって容量電極３００を形成する。
【００７６】
その後、層間絶縁層４０を成膜し、該層間絶縁層４０に対してエッチング工程を施してコンタクトホール５０１及び５０２を開孔した後、該コンタクトホール５０１及び５０２を導電性材料によって埋め込んでソース層を成膜し、該ソース層をパターニングすることにより、データ線６ａ及びドレイン電極５１０を形成する。
【００７７】
その後、層間絶縁層４０上に保護膜６０を成膜した後、例えばアクリルを有機材料とし、該有機材料をスピンコート法によって保護膜６０上に塗布する。そして、塗布した有機膜に対して例えば露光処理及び現像処理を施して、凹凸パターンを形成する。
【００７８】
続いて、反射膜８５を成膜すると共にパターニングを施した後、コンタクトホール５０５をエッチング工程により開孔して、該コンタクトホール５０５に導電性材料を埋め込んで、画素電極９ａを形成する。
【００７９】
本実施形態では、上述したような各製造工程を従来と同一のプロセスにより行うことが可能なため、生産コストの上昇や生産性の低下を招くことなく電気光学装置１を製造することができる。
【００８０】
＜２：第２実施形態＞
次に、本発明の電気光学装置に係る第２実施形態について説明する。第２実施形態における電気光学装置は第１実施形態と比較して散乱層８０の凹凸パターンの構成が異なる。よって、該凹凸パターンの構成について、以下において、図５に加えて図６を参照して説明する。尚、図６において第１実施形態との共通個所には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００８１】
図６は、アドレス情報（Ｘ，Ｙ）＝（１２０１，１０６）に対応する画素部の平面図である。図６において、図５に示す散乱層８０の凹凸パターンのうち凹部又は凸部によって、アドレス情報を表す１０進数の数字が標記される。
【００８２】
図６中、開口領域の左側には、数字「１」の形状の凸部８ｃｄ、数字「２」の形状の凸部８ｃｃ、数字「０」の形状の凸部８ｃｂ、並びに数字「１」の形状の凸部８ｃａが形成される。その結果、Ｘ座標を表す数字「１２０１」が凸部８によって標記される。また、図６中、開口領域の右側に、Ｙ座標「１０６」も、Ｘ座標と同様に凸部８によって標記される。尚、本実施形態では、凸部８により、各数字が浮き出すように形成されているが、これに代えて、凹部により、各数字が沈み込むように形成されてもよい。
【００８３】
このように、第２実施形態では、一部或いは全ての画素部の開口領域において夫々、各画素部にアドレス情報が１０進数の数字によって標記される。従って、人的な作業、或いはパーソナルコンピュータ、ワークステーション等を用いた自動的な作業によって、各画素部のアドレス情報を容易に把握することが可能となる。
【００８４】
＜３：変形例＞
以上説明した第１又は第２実施形態の変形例について説明する。先ず、図５に示す画素部の構成は、保護膜６０上に反射膜８５が形成されると共に、該反射膜８５上に散乱膜８０が形成されているように構成してもよい。若しくは、散乱膜８０が図２に示す対向基板２０上に形成されているように構成してもよい。
【００８５】
また、上述したように散乱層８０を光透過性を有する膜を用いて構成すれば、透過型或いは半透過反射型の電気光学装置において、凹凸パターンにより輝度の低下が殆ど起こることなく、画像表示を行うことが可能となる。
【００８６】
加えて、図４又は図６に示す画素部の開口領域内に、ランダムな形状を有する他の凹凸パターンを更に形成するようにしてもよい。図７には、図６に示す画素部の開口領域内に、他の凹凸パターンを更に形成した構成を示してある。図７において、アドレス情報を標記する凸部に加えて、ランダム形状を有する凸部８ｄｄが更に形成されている。このように、他の凹凸パターンを更に形成することにより、各画素部において、凹凸パターンの形状が同一とならないようにすると共に、凹部及び凸部の形成密度を均一とすることが可能となる。その結果、表示性能を更に向上させることが可能となる。
【００８７】
＜４；電子機器＞
次に、上述した電気光学装置１を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【００８８】
＜４−１：モバイル型コンピュータ＞
先ず、この電気光学装置１を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図８は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた電気光学装置１の一例である液晶パネル１００５を用いて構成されている。
【００８９】
＜４−２；携帯電話＞
さらに、この電気光学装置１を、携帯電話に適用した例について説明する。図９は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶パネル１００５を備えるものである。この反射型の液晶パネル１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【００９０】
尚、図８及び図９を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００９１】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、並びに該電気光学装置を備える電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路である。
【図４】第１実施形態におけるＴＦＴアレイ基板の任意の画素部の平面図である。
【図５】図４に示す画素部の断面の構成を示す断面図である。
【図６】第２実施形態における任意の画素部の構成を示す平面図である。
【図７】変形例における任意の画素部の構成を示す平面図である。
【図８】液晶装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図９】液晶装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９３】
１…電気光学装置
６ａ…データ線
８ａａ、８ａｂ、８ｂａ、８ｂｂ、８ｃａ、８ｃｂ、８ｃｃ、８ｃｄ、８ｄｄ…凸部
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１０ａ…画像表示領域
１１ａ…走査線
２０…対向基板
３０…ＴＦＴ
５０…液晶層
７０…蓄積容量
８０…散乱層
８５…反射膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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