(57)【要約】【課題】ＡＩＴ４フォーマットに適応し、ブロックエラーレート（１×１０-4以下）を達成可能な磁気記録媒体を作製する。【解決手段】芳香族ポリアミドフィルムよりなる非磁性支持体１上に金属磁性薄膜よりなる磁性層２２が形成された構成を有し、保磁力Ｈｃが１２０ｋＡ／ｍ〜２３５ｋＡ／ｍ、角形比Ｒｓが０．６９以上である磁気記録媒体２０を提供する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族ポリアミドフィルムよりなる非磁性支持体上に、金属磁性薄膜よりなる磁性層を有する磁気記録媒体であって、
上記磁性層の保磁力Ｈｃが、１２０ｋＡ／ｍ〜２３５ｋＡ／ｍであり、
角形比Ｒｓが、０．６９以上であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
磁気記録システムのＡＩＴ４フォーマットに対応していることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
ＡＭＲヘッド、あるいはＧＭＲヘッドを用いて信号の再生を行うことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
非磁性支持体を連続的に走行させ、酸素ガスの導入下において、真空蒸着法により磁性層を形成する工程において、上記非磁性支持体の走行速度を１３０ｍ／分〜２３０ｍ／分とし、
上記磁性層の保磁力Ｈｃを１２０ｋＡ／ｍ〜２３５ｋＡ／ｍとし、かつ角形比Ｒｓを０．６９以上とすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミニコンピュータやパーソナルコンピュータ等のオフィスコンピュータ、その他の各種用途におけるコンピュータの記憶媒体、特に外部記憶媒体として用いられる大容量の磁気テープ、及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ミニコンピュータ、パーソナルコンピュータ等のオフィスコンピュータの普及に伴って、外部記憶媒体としてコンピュータデータを記録するための磁気テープ、いわゆるテープストリーマーの研究が盛んに行われている。このような用途の磁気テープの実用化に際しては、特にコンピュータの小型化、情報処理能力の増大と相まって記録の大容量化、小型化を達成するために記録容量の向上が強く要求されてきている。
【０００３】
また、磁気テープの使用環境の広がりによる幅広い環境条件下、特に変動の激しい温度条件、及び湿度条件下等での使用、データ保存に対する信頼性、更に高速での繰り返し使用による多数回走行におけるデータの安定した記録、読み出し等の性能に対する信頼性等への要求も高まってきている。
【０００４】
一般に磁気テープは、合成樹脂等の可撓性材料よりなる非磁性支持体上に磁性層が設けられた構成を有している。このような磁気テープにおいて上述したような大記録容量（体積記録容量）を達成するためには、強磁性金属薄膜よりなる磁性層を形成して磁性層自体の記録密度を高めると共に、磁気テープの全厚を薄くすることが有効な方法であるとされている。すなわち、非磁性支持体上に金属磁性薄膜を成膜した、いわゆる蒸着テープが好適である。
【０００５】
このような金属磁性薄膜を成膜した蒸着テープの非磁性支持体としては、一般にポリエステル、主としてポリエチレンテレフタレートフィルムが適用されている。例えば８ｍｍテープのようなホームビデオカセットテープにおいては、厚さ７〜１０μｍ程度のポリエチレンテレフタレートフィルムが用いられ、コンピュータのデータバックアップ用のテープストリーマーには厚さ５〜７μｍ程度のポリエチレンテレフタレートフィルムが用いられている。
また、ビデオテープに使用される磁気記録媒体の記録時間を延長するための方法としては、例えば、非磁性支持体としてポリエステルを主成分とする材料、具体的には、ポリエチレンナフタレートを用いるのが望ましいとされている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
また、非磁性支持体としてポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートフィルムに比べ強度が高いポリアミドフィルムを用いる検討もなされている。ポリアミドフィルムは、強度が高いため、厚さを薄くすることが可能であり、ビデオカセットテープの長時間記録化、テープストリーマーの大容量化に対応した磁気記録媒体として注目されている。
【０００７】
また、昨今の情報量の増大化に伴い、テープストリーマーにおいても大容量化が要求されており、磁気記録密度の向上、すなわち記録波長の短波長化、狭トラックピッチ化が強く要求されている。しかしながら、短波長化、狭トラックピッチ化は、ともに出力やＳ/Ｎ比の低下をもたらすため、磁気ヘッドの性能向上とともに磁気テープのさらなる高出力化、高Ｓ/Ｎ化が要求されている。
【０００８】
ところで、８ｍｍ幅の蒸着テープを記録媒体として使用するテープストリーマーフォーマットとして、テープストレージの主要規格の一つにＡＩＴ（Advanced Intelligent Tape）があるが、この規格において、従来のＡＩＴ３（１００ＧＢ／巻）に対して、さらなる高容量化を実現する次世代フォーマットとして、ＡＩＴ４（２００ＧＢ／巻）が提案されている。
このＡＩＴ４規格においては、トラックピッチを従来よりも狭め、記録波長を短くし、再生用磁気ヘッドとして、従来の誘導型再生用磁気ヘッドに比して高感度の磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＡＭＲヘッド）や巨大磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＧＭＲヘッド）を適用することにより２倍の高容量化を実現しているものであるが、これに伴い、より高Ｓ／Ｎ比（信号雑音比）のテープが求められることになった。
【０００９】
大容量の磁気テープの磁性層成膜工程においては、例えばＣｏのような強磁性金属あるいはその合金からなる蒸着膜を形成するが、上記のような高出力化に対応するものとして、蒸着プロセスにおいて酸素を導入する方法がある。このような強磁性金属、あるいはその合金を蒸着する際には、図１に例示するような連続巻取り式の真空蒸着装置１０を用いることができる。
図１中、非磁性支持体１は、巻き出しロール２から供給され、冷却キャン６の周面を走行し、巻き取りロール７に巻き取られるようになされている。酸素導入管４から供給される微量の酸素の存在下、ルツボ５内の金属磁性体３に電子銃８から電子ビームが照射され、金属磁性体が非磁性支持体１の表面に蒸着して金属磁性薄膜が形成される。
このように成膜工程において酸素を導入することにより、蒸着時に成長するＣｏ結晶が微細化され、またＣｏ−ＯによりＣｏ結晶の磁気的分離が進み、残留磁束密度が向上し、高出力化、低ノイズ化が実現される。
【００１０】
上記のような酸素導入下で金属磁性薄膜の形成を行う場合、導入酸素量があまりに少ないと、結晶の微細化が進行せず、金属磁性薄膜からなる磁性層の出力は低下し、ノイズが大きくなるという問題がある。
一方、導入酸素量が多すぎると、微細化が進み低ノイズとなるとともに保磁力Ｈｃの上昇によって短波長では自己減磁、記録減磁が減少して高出力が得られるが、その出力増加には極大値があり、高出力化の限界がある。出力の極大値に対応する酸素量以上に導入量を増加させて保磁力Ｈｃを大きくさせると、逆に残留磁化Ｍｒが低下し、長波長の出力が著しく低下する。従って使用帯域全体でみればＳ/Ｎ比は低下してしまうという問題がある。
【００１１】
また、導入酸素によって磁性層表面に酸化膜が形成されるが、この酸素膜は導入酸素量の少ない方が薄くなり短波長での高出力につながる。しかし、前述のように酸素量が少ないと蒸着金属磁性体の微細化が進まず、短波長の出力は低下し、ノイズが著しく大となるため、Ｓ／Ｎ比は結果的に低下してしまう。
【００１２】
従って、従来よりも保磁力Ｈｃが若干低い領域でＣｏの微細化を進行させられれば、残留磁束密度が増加し、かつ表面酸化層が薄い磁性膜を作ることが可能になり、従来よりも高出力でかつ低ノイズの磁気記録媒体、すなわち高Ｓ／Ｎ比の磁気記録媒体を作ることが可能となる。
【００１３】
上述したように、酸素を導入しながら非磁性支持体上に金属磁性薄膜を形成する磁気テープの場合、保磁力Ｈｃと残留磁化Ｍｒとに関する特性を両立し、低ノイズ、すなわち高Ｓ／Ｎで高出力を達成することが課題となっている。
【００１４】
【特許文献１】特開平６−２１５３５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
そこで本発明においては、上述したような技術的背景に鑑み、高速で蒸着を行うことにより金属結晶の微細化を促進し、かつ、磁性層の酸化度をやや低減化し、表面酸化膜の膜厚を減少させることで隙間損失を減少させ、高Ｓ／Ｎ比を実現することを目的とした。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の磁気記録媒体は、芳香族ポリアミドフィルムよりなる非磁性支持体上に、金属磁性薄膜よりなる磁性層が形成されてなる構成を有するものとし、磁性層の保磁力Ｈｃは１２０ｋＡ／ｍ〜２３５ｋＡ／ｍであり、角形比Ｒｓは０．６９以上であるものとする。
【００１７】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性支持体を連続的に走行させ、酸素ガスの導入下において、真空蒸着法により磁性層を形成する工程において、非磁性支持体の走行速度を１３０ｍ／分〜２３０ｍ／分とし、磁性層の保磁力Ｈｃを１２０ｋＡ／ｍ〜２３５ｋＡ／ｍ、かつ角形比Ｒｓを０．６９以上となるようにするものとする。
【００１８】
本発明によれば、磁性層成膜工程における非磁性支持体の搬送速度を従来方法よりも高速に設定したことにより、膜酸化度の低減化が図られる。また、保磁力Ｈｃを好適な範囲に制御することにより角形比Ｒｓの向上が図られる。
また、磁性層の表面酸化層が薄くなるため、ブロックエラーレートの低減化が図られる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、磁性層の蒸着工程における膜酸化度を制御し、保磁力Ｈｃを１２０ｋＡ／ｍ〜２３５ｋＡ／ｍ、角形比を０．６９以上に特定したことにより、極めて高記録密度のＡＩＴ４フォーマットに必要なブロックエラーレート（１×１０-4以下）を達成することができた。
【００２０】
また、本発明方法によれば、磁性層成膜時における走行速度を従来方法（８０ｍ／分）よりも高速化して、特に１３０ｍ／分〜２３０ｍ／分に設定し、磁性層の膜厚は従来と同等とし、従来よりも磁性層の酸化度を下げ、保磁力Ｈｃを１２０ｋＡ／ｍ〜２３５ｋＡ／ｍに制御したことにより、角形比Ｒｓの向上が図られ、特に角形比を０．６９以上に特定したことにより、極めて高記録密度のＡＩＴ４フォーマットに必要なブロックエラーレート（１×１０-4以下）を達成可能な磁気記録媒体が得られた。
【００２１】
本発明によれば、従来のＡＩＴ３フォーマット（１００ＧＢ／巻）の２倍の記録容量を持つ、次世代のテープストレージの主要規格であるＡＩＴ４フォーマット（２００ＧＢ／巻）に対応可能な磁気記録媒体が提供された。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の磁気記録媒体の具体的な実施形態について説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
以下、図２に磁気記録媒体２０の構成例、図３に磁気記録媒体の概略製造工程フローを示して本発明について説明する。
【００２３】
図２に示すように、磁気記録媒体２０は、非磁性支持体１の一主面上に金属磁性薄膜からなる磁性層２２と、保護層２３とが形成されてなり、非磁性支持体１の他の主面上にバックコート層２４が形成された構成を有している。
なお、本発明の磁気記録媒体は、テープストレージの主要規格の一つであるＡＩＴ（Advanced Intelligent Tape）におけるＡＩＴ４（記録容量２００ＧＢ／巻）に好適なものであるとし、再生用磁気ヘッドとしては、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドを適用するものである。
【００２４】
上記磁気記録媒体の非磁性支持体１は、芳香族ポリアミドフィルムからなるものとする。芳香族ポリアミドフィルムは、ポリエチレンテレフタレート等の汎用性プラスチックフィルムに比べ強度が高いため、磁気記録媒体を薄層化することが可能でありテープストリーマーの大容量化への対応に適している。
【００２５】
図３に磁気記録媒体２０の作製工程のフローチャートを示した。
先ず、後述するハイレート蒸着法によってポリアミドフィルム（東レ製）の一主面に蒸着膜を形成した後、蒸着膜の上にＣＶＤ法によってカーボン保護層を形成する。次に磁性層形成面とは反対側の主面にバックコート層を塗布形成する。その後、ホットロール処理を行い、反りを補正した後、保護層の表面に潤滑剤を塗布した。
このようにして作製した磁気テープを８ｍｍ幅に裁断した後、ＶＳＭにより磁気特性を測定し、また、ＡＩＴ４試作機でブロックエラーレートを測定評価した。
以下に、各工程について順に詳しく述べる。
【００２６】
〔磁性層の形成〕
酸素ガスの導入下で強磁性金属の蒸着を行う真空蒸着プロセスを適用して連続的に走行させながら非磁性支持体１上に磁性層２２を成膜するに際して、非磁性支持体１の走行速度を適正な範囲に制御することとし、これを１３０ｍ／分〜２３０ｍ／分に規定した。
磁性層の成膜工程について図１に示した連続巻き取り式真空蒸着装置１０を用いて蒸着する場合を例として説明する。
非磁性支持体１は、巻き出しロール２から供給され冷却キャン６の外周表面に沿って走行し、巻き取りロール７に連続的に巻き取られるようになされている。
この連続走行の際、電子銃８から放射された電子Ｅによって加熱されたルツボ５内の金属磁性体３、例えばＣｏが蒸発して非磁性支持体１上に付着し、磁性層２２が形成される。この磁性層２２の形成の際に酸素導入管４から導入された酸素によって適度に酸化され、磁性金属結晶（Ｃｏ結晶）の微細化が行われる。
【００２７】
蒸着に際しては、連続巻き取り式の内部を真空ポンプにより１０-3Ｐａ程度の真空状態となるように排気した。そして連続真空斜め蒸着法により、Ｃｏからなる金属磁性膜を形成した。蒸着材料の入射角は非磁性支持体の法線方向に対して８０〜４５度となるように設定した。非磁性支持体１を−４０℃に冷却した冷却キャン６の周面上に走行させ、走行速度、及び導入酸素量を制御し、磁性金属薄膜の膜厚が、例えば常に５０ｎｍになるように電子銃に投入する電力を調節して電子ビームの強さを制御した。
【００２８】
蒸着工程において、非磁性支持体１の走行速度を従来の蒸着テープ作製工程における条件（８０ｍ／分）よりも高速にし、電子銃８に投入する電力量を増加させて電子ビーム出力を増し、従来の蒸着テープと同じ膜厚の金属磁性薄膜を形成すると、従来法により形成した磁性層よりもＣｏ結晶の微細化が進み、同波長において高Ｓ／Ｎ比が得られるようになる。
すなわち従来よりも高速度で蒸着を行い、かつ膜酸化度を抑制し、磁性層の高い出力を得る方法、いわゆる「ハイレート蒸着法」によって本発明の磁気記録媒体が得られる。
【００２９】
磁性層形成工程においては、非磁性支持体１の走行速度を、特に１３０ｍ／分〜２３０ｍ／分とした。そして磁性層の保磁力Ｈｃを１２０ｋＡ／ｍ〜２３５ｋＡ／ｍとし、かつ角形比Ｒｓを０．６９以上となるようにした。
【００３０】
〔保護層の形成〕
次に、図４に示すＣＶＤ装置３０を用いて、磁性層２２を形成した被処理体上に、エチレンガス（Ｃ2Ｈ4）を原料とし、エチレンとアルゴンガスの混合比を４：１としたガス雰囲気下で、反応管電圧をＤＣ１．６ｋＶに制御し、カーボン膜よりなる保護層２３を膜厚１０ｎｍに形成した。
原料ガスをプラズマ中で分解して成膜するＣＶＤ法は、耐磨耗性、耐蝕性、表面被覆率に優れ、平滑な表面形状と高い電気抵抗率をもつダイヤモンドライクカーボン膜を、極めて薄層に安定して成膜することができる。使用する原料ガスとなる炭化水素ガスは、単体、または複合状態で用いてもよく、また、プラズマ生成時には、炭素化合物の分解を促進するためのガスとして、Ａｒ、Ｎ2 等の非炭化水素ガスが導入されていてもよい。
【００３１】
図４に示すＣＶＤ装置３０は、排気系３１から排気されて略真空状態となされた真空室３２内に、巻き出しロール３４と、巻き取りロール３５とが設けられ、これら巻き出しロール３４と巻き取りロール３５との間に、被処理体３６が順次走行するようになされている。これら巻き出しロール３４から巻き取りロール３５に向かって被処理体３６が走行する途中には、円筒状の回転可能な対向電極用キャン３７が設けられている。
【００３２】
被処理体３６は、巻き出しロール３４から順次送り出され、対向電極用キャン３６の周面を通過し、巻き取りロール３５に巻き取られていくようになされている。なお、巻き出しロール３４と対向電極用キャン３７との間、および対向電極用キャン３７と巻き取りロール３５との間には、それぞれガイドロール３８が配置され、被処理体３６に所定のテンションをかけ、被処理体３６が円滑に走行するようになされている。
【００３３】
また、対向電極用キャン３７に対向して、例えばパイレックス（登録商標）ガラス、プラスチック等よりなる反応管４１〜４３が設けられている。この反応管４１〜４３においては、それぞれに連結されたガス導入口５１〜５３から成膜用ガスが内部に導入されるようになされている。
また、反応管４１〜４３には、平板状の放電電極４４〜４６が組み込まれている。この放電電極４４〜４６には、外部に配設された直流電源４７〜４９により、例えば５００〜２０００Ｖの電位が印加されるようになされている。
【００３４】
上述した構成のＣＶＤ装置３０においては、放電電極４４〜４６に電圧が印加されることで、放電電極４４〜４６と対向電極用キャン３７との間にプラズマが発生する。そして、反応管４１〜４３内に導入された成膜用ガスは、生じたプラズマのエネルギーによって分解、及び化学的結合が起こり、被処理体３６上に被着し保護層２３が成膜される。
【００３５】
〔バックコート層の形成〕
次に、磁性層２２形成面とは反対側の主面に、バックコート層２４を形成する。
例えば、カーボンブラック、ポリエステルポリウレタン、有機溶剤を混合してバックコート層用塗料を調整し、これを非磁性支持体の金属磁性膜が成膜された面とは反対側の面に塗布乾燥することでバックコート層２４を形成する。
【００３６】
〔反り補正（ホットロール処理）〕
バックコート層２４を形成した後、図５に概略構成を示すようなホットロール装置６０によって、テープの反り（カッピング）を補正する熱処理、すなわちホットロール処理を行う。図５において、ヒートロール６４は内部に加熱手段、例えば加熱誘導コイル等を備えた直径が２５０ｍｍ程度の金属製の円筒状ロールであり、所定の温度範囲でロールの表面温度を自由にコントロールできるようにしてある。なお、温度範囲は１００℃〜３００℃程度に制御する。巻き出しロール６５から供給された被処理体６１は、回転するヒートロール６４の表面に磁性層形成面側を接触させつつ走行するようにし、反り補正を行い、巻き取りロール６６に巻き取られる。
【００３７】
〔潤滑剤塗布工程〕
反り補正を行った後、保護層２３表面に、潤滑剤としてパーフルオロポリエーテルを約１０ｎｍの膜厚に塗布した。これにより走行性、耐磨耗性、耐久性等を付与することができる。
【００３８】
上述のようにして、非磁性支持体１の一主面上に磁性層２２、保護層２３が形成され、他の一主面上にバックコート層２４が形成されたテープ原反が作製される。このテープ原反を８ｍｍ幅にスリットすることにより、磁気テープが得られる。これをＡＩＴカセット本体に収納してＡＩＴ用カセットテープが得られる。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明の磁気記録媒体の実施例及び比較例について、具体的な実験結果に基づいて説明するが、本発明は以下に示す例に限定されるものではない。
【００４０】
〔実施例１〜１１〕、〔比較例１〜１１〕
図２に示す層構成の磁気記録媒体を、図３に示した製造工程フローに従い作製した。
非磁性支持体１として、幅１ｍ、長さ１００００ｍの東レ製ポリアミドフィルムを用い、図１に示したような連続巻き取り式の蒸着装置にセッティングした。
蒸着装置１０内部を１０−３Ｐａ程度の真空状態に排気し、下記表１に示すように、非磁性支持体１の走行速度、及び酸素導入量をサンプルごとに制御して、それぞれ非磁性支持体１上に連続真空斜め蒸着法によりＣｏ金属磁性膜を形成した。
【００４１】
【表１】
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【００４２】
蒸着の入射角は非磁性支持体の法線方向に対して８０〜４５度とし、−４０℃に冷却された冷却キャン６上において、膜厚５０ｎｍの磁性層を形成した。
なお、非磁性支持体１の走行速度が２３０ｍ／分を超える場合には、装置の性能上の限界により安定した走行ができなくなるため、これ以上の高速度での実験は行わなかった。
【００４３】
次に、図４に示したＣＶＤ装置を用いて磁性層上に保護層２３を形成した。なおエチレンガス（Ｃ2Ｈ4）を原料とし、エチレンとアルゴンガスの混合比を４対１とし、反応管電圧をＤＣ１．６ｋＶとして、膜厚１０ｎｍのカーボン膜よりなる保護層を形成した。
【００４４】
次に、磁性層２２形成面とは反対側の主面に、下記組成の塗料を塗布することによりバックコート層２４を形成した。
（バックコート層形成用塗料組成）
カーボンブラック（旭社製  ＃５０）                １００重量部
ポリエステルポリウレタン                          １００重量部
（ニッポラン社製  商品名Ｎ−２３０４）
溶剤：メチルエチルケトン                          ５００重量部
トルエン                                    ５００重量部
【００４５】
バックコート層２４を形成した後、図５に示すホットロール装置６０を用いて、磁気テープの反り（カッピング）を補正する熱処理、すなわちホットロール処理を行った。ヒートロール６４は内部に加熱手段、例えば加熱誘導コイル等を備えた直径が２５０ｍｍ程度の金属製の円筒状ロールであるものとし、例えば１００℃〜３００℃程度に制御した。
【００４６】
上述したようにホットロール処理を行った後、最表面にパーフルオロポリエーテルよりなる潤滑剤を約１０ｎｍの膜厚に塗布し、潤滑剤層を形成した。
【００４７】
〔評価〕
上述のようにして作製した磁気テープの原反を８ｍｍ幅に裁断してサンプル磁気テープとし、ＡＩＴカセットに組み込み、ＡＩＴ４ドライブを用いて、ブロックエラーレートの測定を行った。また、ＶＳＭ（振動試料型磁力計）により磁気特性を測定した。
各サンプル磁気テープの磁性層成膜条件、保磁力Ｈｃ、角形比Ｒｓ、及びエラーレートの測定結果について表２に示す。なお、表２においては表１に記載した蒸着時の非磁性支持体の走行速度を併記した。
【００４８】
【表２】
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【００４９】
表２に示した各サンプル磁気テープの保磁力Ｈｃとエラーレートの関係について、成膜時の走行速度（８０、１３０、１８０、２３０ｍ／分）別に分けて図６に表した。図６において、横軸は、ＶＳＭで測定した保磁力Ｈｃを示し、縦軸は、ＡＩＴ４のブロックエラーレートを示す。
ＡＩＴ４フォーマットにおいては、ブロックエラーレートが実用上、１×１０-4以下であることが必要であるが、この条件を満たすものは、蒸着時における非磁性支持体１の走行速度を、従来の蒸着時走行速度（８０ｍ／分）よりも高速の１３０ｍ／分〜２３０ｍ／分とし、かつ保磁力Ｈｃが１２０ｋＡ／ｍ〜２３５ｋＡ／ｍになる、すなわち図６中、点ａ〜ｄに囲まれた領域中の１１個のサンプル（実施例１〜１１に相当）であることが分かった。
【００５０】
次に、表２に示した各サンプル磁気テープの保磁力Ｈｃと角形比Ｒｓとの関係について図７に示した。横軸は、ＶＳＭで測定した保磁力Ｈｃを示し、縦軸は、角形比Ｒｓを示す。
図７中、一点鎖線Ｌ1、Ｌ2は、図６において選定したＨｃの下限（１２０ｋＡ／ｍ）と上限（２３５ｋＡ／ｍ）を示す。
図６においてブロックエラーレートが１×１０-4以下となった、図６中の点ａ〜ｄに囲まれた領域中にある１１個のサンプルは、図７においては、角形比Ｒｓが０．６９以上の領域にあることが分かった。
【００５１】
上述したことから明らかなように、磁性層成膜時において、非磁性支持体の走行速度を１３０ｍ／分以上の高速走行とするハイレート蒸着を行い、保磁力Ｈｃを１２０ｋＡ／ｍ〜２３５ｋＡ／ｍとし、かつ角形比Ｒｓを０．６９以上となるように特定したことにより、ＡＩＴ４フォーマットに必要なブロックエラーレート（１×１０-4以下）を達成することができた。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】磁性層形成用の真空蒸着装置の概略構成図を示す。
【図２】磁気記録媒体の概略断面図を示す。
【図３】磁気記録媒体の製造工程のフローチャートを示す。
【図４】保護層形成用のＣＶＤ装置の概略構成図を示す。
【図５】磁気テープの反り補正用のホットロール装置の概略構成図を示す。
【図６】サンプル磁気テープの保磁力Ｈｃとブロックエラーレートとの関係を示す。
【図７】サンプル磁気テープの保磁力Ｈｃと角形比Ｒｓとの関係を示す。
【符号の説明】
【００５３】
１……非磁性支持体、２……巻き出しロール、３……金属磁性体、４……酸素導入管、５……ルツボ、６……冷却キャン、７……巻き取りロール、８……電子銃、１０……真空蒸着装置、２０……磁気記録媒体、２２……磁性層、２３……保護層、２４……バックコート層、３０……ＣＶＤ装置、３１……排気系、３２……真空室、３４……巻き出しロール、３５……巻き取りロール、３６……被処理体、３７……対向電極用キャン、３８……ガイドロール、４１〜４３……反応管、４４〜４６……電極、４７〜４９……直流電源、５１〜５３……ガス導入口、６０……ホットロール装置、６１……被処理体、６４……ヒートロール、６５……巻き出しロール、６６……巻き取りロール
【図１】
2005063508.tif 000005
【図２】
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【図３】
2005063508.tif 000007
【図４】
2005063508.tif 000008
【図５】
2005063508.tif 000009
【図６】
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【図７】
2005063508.tif 000011