(57)【要約】【課題】  省接地占有面積でありながら従来にない大きな弾性ばね変位が取れる超弾性フランジをシールドケースの周囲に一体に形成すること。【解決手段】  回路基板１上の電子部品６を覆うように配設され、基板１上の接地導通部分３にシールドケース２と一体をなすフランジ７が弾性的に変形して接地することでシールドケース２外への電磁波漏洩を防止する電磁波シールドケース２であって、フランジ７が、金属ガラスを用いてシールドケース２と一体に作製されている。金属ガラスを用いて作製することにより、塑性変形とは異なる原子単位の粘性流動による変形を利用することができ、これによりスプリングバックのない寸法精度の高いフランジ７の成形を達成することができる。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板上の電子部品を覆うように配設され、基板上の接地導通部分にシールドケースと一体をなすフランジが弾性的に変形して接地することでシールドケース外への電磁波漏洩を防止する電磁波シールドケースであって、
前記フランジが、破壊強度／弾性定数が０．０１以上となる金属を用いて前記シールドケースと一体に作製されていることを特徴とする電磁波シールドケース。
【請求項２】
請求項１に記載の電磁波シールドケースであって、
前記フランジが、１ｍｍ以下の張り出し幅を有して形成されていることを特徴とする電磁波シールドケース。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電磁波シールドケースであって、
前記フランジに、少なくとも１個の切り込みが幅方向に設けられていることを特徴とする電磁波シールドケース。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電磁波シールドケースであって、
前記フランジが、非直線的形状の外周縁部を有して形成されていることを特徴とする電磁波シールドケース。
【請求項５】
回路基板上の電子部品を覆うように配設され、基板上の接地導通部分にシールドケースと一体をなすフランジが弾性的に変形して接地することでシールドケース外への電磁波漏洩を防止する電磁波シールドケースであって、
前記フランジが、金属ガラスを用いて前記シールドケースと一体に作製されていることを特徴とする電磁波シールドケース。
【請求項６】
請求項５に記載の電磁波シールドケースであって、
前記フランジが、１ｍｍ以下の張り出し幅を有して形成されていることを特徴とする電磁波シールドケース。
【請求項７】
請求項５または６に記載の電磁波シールドケースであって、
前記フランジに、少なくとも１個の切り込みが幅方向に設けられていることを特徴とする電磁波シールドケース。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか１項に記載の電磁波シールドケースであって、
前記フランジが、非直線的形状の外周縁部を有して形成されていることを特徴とする電磁波シールドケース。
【請求項９】
請求項５〜８のいずれか１項に記載の電磁波シールドケースの製造方法であって、
前記電磁波シールドケースが、前記金属ガラスの過冷液体温度域における加圧成形によって製作されることを特徴とする電磁波シールドケースの製造方法。
【請求項１０】
請求項５〜８のいずれか１項に記載の電磁波シールドケースの製造方法であって、
前記電磁波シールドケースが、前記金属ガラスのガラス転移温度と結晶化温度との間の温度域で、温間プレスすることによって製作されることを特徴とする電磁波シールドケースの製造方法。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の電磁波シールドケースの製造方法であって、
前記金属ガラスは、ジルコニウム基を有する非晶質合金であることを特徴とする電磁波シールドケースの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
携帯電話機やコンピュータなどに使用される回路基板（プリント基板）上の電子部品を覆うように配設される電磁波シールドケースおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板上において、発振回路などの電磁波を発生させる部品が存在する場合、電磁波によって他の回路素子に対する影響、具体的には輻射ノイズの発生を防止することを目的として、電子部品を導体である金属を素材としている電磁波シールドケースによって包囲し、かつ発生する電磁波が外部へ伝播しないようにシールド（遮蔽）することが従来技術として採用されている。
【０００３】
このような電磁波シールドケースを回路基板に配設する場合には、図１７のように回路基板１にシールドケース２の下端縁に対応する領域および当該領域の周囲において、金属製のグラウンド線３（接地導通部分）を形成し、当該グラウンド線３とシールドケース２の下端の一部または全てとの間において、半田接合４を行っている。
【０００４】
しかしながら、この半田接合法は以下に示す課題を有していることが知られている。
【０００５】
すなわち、半田接合法は、
ａ．半田付け時の加熱に基づくプリント基板や電子部品への悪影響（変形または部分的な破損）があること、
ｂ．使用年限を過ぎた回路基板１において、シールドケース２を再資源として利用する場合に、金属ケース２から半田を除去しなければならないという作業場の非効率性があること、
ｃ．半田付け前後における洗浄などの処理を行うことによる煩雑性があること、
ｄ．半田付け作業の段階におけるフラックスおよびはんだ自体の飛散や飛散に伴う回路素子への付着があること、
ｅ．シールドケース２内の電子部品を交換する場合にはおいて、半田による接着を破壊しなければならないことによる作業の煩雑さがあること、
等の課題を有している。
【０００６】
そこで従来、前記課題を解決すべく種種の技術が試みられている。
【０００７】
従来技術１は、前記課題ｅを解決するためのもので、図１８に示すように、半田付け４でトラス状の枠組５をグラウンド線３に接合し、この枠組５と着脱可能な上蓋６を結合するような所謂２ピースタイプのシールドケース２を採用するものである。
【０００８】
また、従来技術２は、前記課題ａ〜ｅを解決するために本発明者等により開発されたもので、半田付けを行うことなく、シールドケースと一体形成した曲げ弾性を有するアンカーピンが基板に設けたスルーホールと弾性的に接合するシールドケースの設置構造を採用するものである（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
さらに、従来技術３は、前記課題ａ〜ｅを解決するために本発明者等により開発されたもので、半田付けを行うことなく、シールドケースの背面側に一体形成した曲げ弾性を有するロックピンが回路基板を覆う筐体に弾性的に結合され、グラウンド線へはシールドケースの下端縁の一部が電気的に接するシールドケースの設置構造を採用するものである（例えば、特許文献２参照）。
【００１０】
またさらに、従来、本発明者等により開発された大きな非晶質形成能と強度・靱性に優れたＺｒ系非晶質合金（金属ガラス）が知られている（例えば、特許文献３、４参照）。
【特許文献１】特開２００３−１７９３７８号公報
【特許文献２】特開２００３−１７９３７９号公報
【特許文献３】特開２０００−１２９３７８号公報
【特許文献４】特開２０００−１７８７００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来技術１は、背高が高くなりがちで、回路基板１上の構成の薄型化を阻害し、更には製造コストの高騰を招くという課題を有している。
【００１２】
また、従来技術２は、急速に小型化が進む携帯電話やコンピュータなどでは、電子部品配設によるスペースの制約を受けたり、両面実装基板の普及によって基板裏面側にも電子部品が搭載されるなどにより、もはや回路基板に必要十分な数のスルーホールを設けることすら許されなくなりつつあるという、新たな課題が生まれつつある。
【００１３】
さらに、従来技術３は、回路基板にスルーホールを設ける必要はないが、信頼性ある電気的接続を実現するためには次のような新たな課題を有している。
【００１４】
すなわち、従来技術３は、より薄型化する筐体やプリント基板のたわみを吸収し、信頼性ある電気的接続を実現するためにはグラウンド線と接地するための弾性ばね変位をより大きく取る必要があること、および無線通信などに利用される周波数帯域がますます高周波化（短波長化）されつつあるため、接地間隔をより密に取らねばならないことの２つの要件を満たすためには、弾性ばねの接地に要するスペースの制約を受けながら、グラウンド線との接地を極めて密にし、シールドケースと一体に形成することになり、従来の金属をプレス打抜きした後に曲げ成形する所謂板金加工方法では、設計に無理が生じるという新たな課題が生じている。
【００１５】
すなわち、プレス打抜きと曲げ成形によるシールドケースの量産加工性と、高接地密度・省接地占有面積かつ大きな弾性ばね変位を与えるシールドケースの設計の両立は困難を極めるようになってきている。
【００１６】
また、シールドケースを製作するためには、従来の結晶金属材料を塑性変形による曲げ成形または深絞り成形する方法では、弾性フランジの張り出し幅と曲げ半径を小さく保ちながら、十分な弾性変位を稼ぐ設計には限界がある。
【００１７】
そこで、本発明者等は、種種検討した結果、前記金属ガラスを用い、塑性変形とは異なる原子単位の粘性流動による変形を利用することで、スプリングバックのない寸法精度の高いフランジ成形を達成し得ることの知見を得、この知見に立脚して本発明を完成したものである。
【００１８】
本発明は、従来からの課題ａ〜ｅを解決するためのみならず、従来技術１〜３の新たな課題を解決するため、スルーホールが要らず、省接地占有面積でありながら従来にない大きな弾性ばね変位が取れる超弾性フランジをシールドケースの周囲に一体に形成してなる電磁波シールドケースおよびその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記目的を達成するために、請求項１の発明は、回路基板上の電子部品を覆うように配設され、基板上の接地導通部分にシールドケースと一体をなすフランジが弾性的に変形して接地することでシールドケース外への電磁波漏洩を防止する電磁波シールドケースであって、
前記フランジが、破壊強度／弾性定数が０．０１以上となる金属を用いて前記シールドケースと一体に作製されていることを特徴とする。
【００２０】
ここで、破壊強度とは、機械強度試験での降伏応力あるいは弾性限界となる応力で定義する破壊強度のことであり、弾性定数とは、弾性限界内の応力と歪みとの間の比例定数で定義される弾性定数のことである。
【００２１】
このため請求項１の電磁波シールドケースは、破壊強度／弾性定数が０．０１以上となる金属を用いて作製することにより、塑性変形とは異なる原子単位の粘性流動による変形を利用することができ、これによりスプリングバックのない寸法精度の高いフランジ成形を達成することができる。
【００２２】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の電磁波シールドケースであって、
前記フランジが、１ｍｍ以下の張り出し幅を有して形成されていることを特徴とする。
【００２３】
このため請求項２の発明では、相互に隣接する２個のシールドケースの間隔を、最大でも２ｍｍまで狭めることができる。
【００２４】
また、請求項３の発明は、請求項１または２に記載の電磁波シールドケースであって、
前記フランジに、少なくとも１個の切り込みが幅方向に設けられていることを特徴とする。
【００２５】
このため請求項３の発明では、フランジのばね定数を切り込みの個数により制御することができる。
【００２６】
また、請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電磁波シールドケースであって、
前記フランジが、非直線的形状の外周縁部を有して形成されていることを特徴とする。
【００２７】
このため請求項４の発明では、フランジの外周縁部を非直線的な形状にすることによって周長が長くなり、これによって接地導通部分（グラウンド線）との摩擦力を大きくし、フランジの横滑りを防止することができる。
【００２８】
また、請求項５の発明は、回路基板上の電子部品を覆うように配設され、基板上の接地導通部分にシールドケースと一体をなすフランジが弾性的に変形して接地することでシールドケース外への電磁波漏洩を防止する電磁波シールドケースであって、
前記フランジが、金属ガラスを用いて前記シールドケースと一体に作製されていることを特徴とする。
【００２９】
このため請求項５の電磁波シールドケースは、金属ガラスを用いて作製することにより、塑性変形とは異なる原子単位の粘性流動による変形を利用することができ、これによりスプリングバックのない寸法精度の高いフランジ成形を達成することができる。
【００３０】
また、請求項６の発明は、請求項５に記載の電磁波シールドケースであって、
前記フランジが、１ｍｍ以下の張り出し幅を有して形成されていることを特徴とする。
【００３１】
このため請求項６の発明では、相互に隣接する２個のシールドケースの間隔を、最大でも２ｍｍまで狭めることができる。
【００３２】
また、請求項７の発明は、請求項５または６に記載の電磁波シールドケースであって、
前記フランジに、少なくとも１個の切り込みが幅方向に設けられていることを特徴とする。
【００３３】
このため請求項７の発明では、フランジのばね定数を切り込みの個数により制御することができる。
【００３４】
また、請求項８の発明は、請求項５〜７のいずれか１項に記載の電磁波シールドケースであって、
前記フランジが、非直線的形状の外周縁部を有して形成されていることを特徴とする。
【００３５】
このため請求項８の発明では、フランジの外周縁部を非直線的な形状にすることによって周長が長くなり、これによって接地導通部分（グラウンド線）との摩擦力を大きくし、フランジの横滑りを防止することができる。
【００３６】
また、請求項９の発明は、請求項５〜８のいずれか１項に記載の電磁波シールドケースの製造方法であって、
前記電磁波シールドケースが、前記金属ガラスの過冷液体温度域における加圧成形によって製作されることを特徴とする。
【００３７】
また、請求項１０の発明は、請求項５〜８のいずれか１項に記載の電磁波シールドケースの製造方法であって、
前記電磁波シールドケースが、前記金属ガラスのガラス転移温度と結晶化温度との間の温度域で、温間プレスすることによって製作されることを特徴とする。
【００３８】
また、請求項１１の発明は、請求項９または１０に記載の電磁波シールドケースの製造方法であって、
前記金属ガラスは、ジルコニウム基を有する非晶質合金であることを特徴とする。
【００３９】
このため請求項９、１０、あるいは１１の電磁波シールドケースの製造方法では、単ロール法による箔材を深絞り成形する方法に限ることはなく、金型鋳造法や高圧射出成形法に代表されるさまざまな成形方法を選択することができ、これによりシールドケースは、箱型形状に限定されることなく、ドーム形状のものや、非対称の形状を含むその他の形状のもの、あるいは非直線的形状の外周縁部を有するフランジを備えたもの等を容易に成形可能である。
【発明の効果】
【００４０】
以上説明したように、請求項１の発明によれば、破壊強度／弾性定数が０．０１以上となる金属を用いて作製することにより、スプリングバックのない寸法精度の高いフランジ成形を達成することができ、これにより従来必要としたスルーホールが要らず、省接地占有面積でありながら従来にない大きな弾性ばね変位が取れる超弾性フランジをシールドケースの周囲に一体に形成してなる電磁波シールドケースを提供することができる。
【００４１】
また、請求項２の発明によれば、相互に隣接する２個のシールドケースの間隔を、最大でも２ｍｍまで狭めることができ、これにより請求項１の発明の効果に加えて、回路基板上のスペース制約に対処することができる。
【００４２】
また、請求項３の発明によれば、フランジのばね定数を切り込みの個数により制御することができ、これにより請求項１または２に記載の発明の効果に加えて、フランジとグラウンド線との接地をより完全なものとすることができると共に、回路基板およびシールドケースを収容する筐体の着脱の容易化をも図ることができる。
【００４３】
また、請求項４の発明によれば、フランジの外周縁部を非直線的な形状にすることによって周長が長くなり、これにより請求項１〜３のいずれか１項に記載の発明の効果に加えて、接地導通部分（グラウンド線）との摩擦力を大きくし、フランジの横滑りを防止することができる。
【００４４】
また、請求項５の発明によれば、金属ガラスを用いて作製することによりスプリングバックのない寸法精度の高いフランジ成形を達成することができ、これにより従来必要としたスルーホールが要らず、省接地占有面積でありながら従来にない大きな弾性ばね変位が取れる超弾性フランジをシールドケースの周囲に一体に形成してなる電磁波シールドケースを提供することができる。
【００４５】
また、請求項６の発明によれば、相互に隣接する２個のシールドケースの間隔を、最大でも２ｍｍまで狭めることができ、これにより請求項５の発明の効果に加えて、回路基板上のスペース制約に対処することができる。
【００４６】
また、請求項７の発明によれば、フランジのばね定数を切り込みの個数により制御することができ、これにより請求項５または６に記載の発明の効果に加えて、フランジとグラウンド線との接地をより完全なものとすることができると共に、回路基板およびシールドケースを収容する筐体の着脱の容易化をも図ることができる。
【００４７】
また、請求項８の発明によれば、フランジの外周縁部を非直線的な形状にすることによって周長が長くなり、これにより請求項５〜７のいずれか１項に記載の発明の効果に加えて、接地導通部分（グラウンド線）との摩擦力を大きくし、フランジの横滑りを防止することができる。
【００４８】
また、請求項９、１０、あるいは１１の電磁波シールドケースの製造方法によれば、単ロール法による箔材を深絞り成形する方法に限ることはなく、金型鋳造法や高圧射出成形法に代表されるさまざまな成形方法を選択することができ、これによりシールドケースの形状を、箱型形状に限定することなく、ドーム形状のものや、非対称の形状を含むその他の形状のもの、あるいは非直線的形状の外周縁部を有するフランジを備えたもの等を容易に成形可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４９】
以下、本発明を、実施の形態に基づいて具体的に説明する。なお、図１７および図１８に示す構成要素と同一のものは、同一符号を付してその説明を簡略にすることにする。
【００５０】
図１および図２は、本発明の一実施形態としての電磁波シールドケース２を示す。このシールドケース２は、回路基板１上の電子部品６を覆うように配設され、基板１上のグラウンド線（接地導通部分）３にシールドケース２と一体をなすフランジ７が弾性的に変形して接地することでシールドケース２外への電磁波漏洩を防止するように構成されている。
【００５１】
このときフランジ７は、破壊強度／弾性定数が０．０１以上となる金属を用いてシールドケース２と一体に作製されている。
【００５２】
具体的には、シールドケース２は、薄肉の金属箔で形成されており、小幅の帯状の一体フランジ７がその開口端の全周に亘って形成されていて、電子機器の筐体８の内部に収まった回路基板１上のグラウンド線３の上に置かれている。シールドケース２は、例えば、５５Ｚｒ−３０Ｃｕ−５Ｎｉ−１０Ａｌ合金（数字は原子比率）で製作され得るが、必ずしもこれに限らず、破壊強度（σｆ）／弾性定数（Ｅ）の比が０．０１以上となる金属であれば良い。
【００５３】
ここで破壊強度（σｆ）とは、機械強度試験での降伏応力あるいは弾性限界となる応力で定義する破壊強度のことであり、弾性定数（Ｅ）とは、弾性限界内の応力と歪みとの間の比例定数で定義されるヤング率のことである。
【００５４】
シールドケース２は、予め角度を設けてあるフランジ７のばね性によって浮き上がっている（図２参照）。この状態では、基板１のたわみ等によってグラウンド線３とフランジ７とが電気的に接続していない箇所が存在し得る。
【００５５】
図３は、回路基板１上に置かれたシールドケース２の上から、さらに筐体９を被せた場合を示しており、電子機器は通常この状態で使用される。筐体８、９の一部に押圧されたシールドケース２は、フランジ７の弾性変形によって、フランジ７の周囲をグラウンド線３に接地させることができる。シールドケース２は、筐体９の内面に設けられた凸部９ａによりその天井部が押圧されている。
【００５６】
図４は、このときのフランジ７の作動を説明する。図４（ａ）は、筐体９で押圧する前の、回路基板１上に載置されたシールドケース２を示し、フランジ７はその先端をグラウンド線３に当接させると共に、その付け根部を変位ｄだけグラウンド線３から離隔させた状態になっている。図４（ｂ）は、筐体９で押圧されたシールドケース２を示し、フランジ７はその先端から付け根部までの全体をグラウンド線３に当接させた状態になっている。図４（ｃ）は、筐体９を取り外してシールドケース２に対する押圧を解除した状態を示し、フランジ７は図４（ａ）の状態に復元する。このようにフランジ７は、超弾性を有するため、破壊したり永久変形することなく容易に筐体８、９を着脱することができる。
【００５７】
また、シールドケース２は、前記作動を奏するようにするため、破壊強度（σｆ）／弾性定数（Ｅ）の比が０．０１以上となる金属を用いて作製される。
【００５８】
すなわち、ステンレス、チタン、あるいはアルミニウム合金等の構造用金属材料の多くは、図５に示すように、破壊強度（σｆ）と弾性定数（Ｅ）とのチャート上で見た場合、σｆ／Ｅ＜０．０１の範囲で点在する。これらの材料を選択して、当該業者が常識的に用いている厚さ０．１ｍｍから０．３ｍｍ程度のシールドケース２を成形する場合、１ｍｍ幅のフランジ７の曲げ加工を行う際に曲げＲ部にクラックが生じることが判った。もちろんブロック素材から切削してシールドケース２を製作することもできるが、非効率である。
【００５９】
これに対して本発明の金属は、σｆ／Ｅ＞０．０１の範囲（図５中、斜線を付して示す）に点在しており、この金属を用いてシールドケース２を製作することにより、塑性変形とは異なる原子単位の粘性流動による変形を利用することができ、これによりスプリングバックのない寸法精度の高いフランジ７の成形を曲げＲ部にクラックの生じること無く達成することができる。本発明の金属を例示すると、Ｎｉ−Ｎｂ−Ｚｒ−Ｔｉ合金、Ｃｕ−Ｚｒ−Ｔｉ−Ｂｅ合金、Ｃｕ−Ｚｒ−Ｔｉ合金、Ｚｒ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ａｌ合金（金属ガラス）、Ｍｇガラス、あるいはβ−Ｔｉ合金等である。
【００６０】
また、ばね定数の小さな金属材料のほうが微小な張り出しを持つ鋭角的なフランジ７の成形をするのに有利である。そこで次にばね特性の観点から、本発明に適用される金属の限定理由を説明する。
【００６１】
図６は、金属材料の弾性変形曲線（応力−歪曲線）を示しており、先に示した多くの構造用金属材料（ステンレス、チタン、りん青銅、あるいはアルミニウム合金）は、僅かな弾性歪み（弾性歪みεとは外力を加えて起こる弾性変位ΔＳをもとの長さＳで割った量の自然対数を取ったもの；ε＝Ｌｎ｛ΔＳ／Ｓ｝）しか得られないで永久変形してしまう。図６中、○印は弾性限界点を示す。
【００６２】
これに対して本発明の金属は、σｆ／Ｅ＞０．０１の範囲、すなわちσｆ／Ｅ＝０．０１に相当するσ−ε線以下の範囲（図６中、斜線を付して示す）に点在しており、この金属によれば、前記した構造用金属材料よりも充分大きい弾性歪みを奏することができる。
【００６３】
したがって、図７に示すように、前記した構造用金属材料を用いて、厚さ０．１ｍｍから０．３ｍｍのシールドケース２０（比較例）を製作し、その開口部の周縁部に張り出しを１ｍｍとした針状弾性ばね２１を、図７（ａ）に示すように放射状に形成すると、僅かなばね変位しか得られないか、あるいはばね変位が得られる前に永久変形してしまう。他方、図７（ｂ）に示すように、シールドケース３０（比較例）を製作し、針状弾性ばね２１に替えて十分長いＬ字形状弾性ばね３１を形成すれば前記した構造用金属材料でも永久変形することなく十分な変位が得られるが、この場合、前述した従来技術２の新たな課題である高接地密度化を解決するものとはならない。
【００６４】
これに対しシールドケース２は、σｆ／Ｅ≧０．０１を満足する金属や金属ガラスで製作されるものであるから、厚さが０．１〜０．３ｍｍ程度で、張り出し幅が１ｍｍ以内の超弾性を有する帯状のフランジ７を容易に製作することができる。
【００６５】
また好ましくは、シールドケース２は、フランジ７が、１ｍｍ以下の張り出し幅を有して形成される。
【００６６】
シールドケース２は、図８に示すように、基板１上の機能領域毎に複数のケース２、２…が隣接して配設されることも多い。この場合、従来技術において半田接合に必要な接合代は幅１ｍｍが既に達成されており、互いに隣接する２つのシールドケース２、２の間隔ｔは２ｍｍまで狭められている。このときフランジ７の張り出し幅は、基板１上のスペース制約を考慮すれば１ｍｍ以上に許容されることはなく、１ｍｍ以下でないとメリットがない。
【００６７】
シールドケース２は、σｆ／Ｅ≧０．０１を満足する金属または金属ガラスで製作することにより、張り出し幅１ｍｍ以下のフランジ７を有するものとして十分設計製作できる。
【００６８】
また好ましくは、図９に示すように、フランジ７に、少なくとも１個の切り込み１０が幅方向に設けられる。
【００６９】
この構成では、フランジ７のばね定数を切り込み１０の個数により制御することができ、これによりグラウンド線３との接地をより完全なものとすることができると共に、回路基板１およびシールドケース２を収容する筐体８、９の着脱の容易化をも図ることができる。
【００７０】
また好ましくは、図１０に示すように、フランジ７が、非直線的形状の外周縁部１１を有して形成される。このときの外周縁部１１は、図示例の単純な非線形に限らず、幾何学的な模様であってもよく、さらにはグラウンド線３と接するフランジ７の周長が長くなるような立体構造を形成しても良い。
【００７１】
この構成では、フランジ７の外周縁部１１を非直線的な形状にすることによって周長が長くなり、これによってグラウンド線３との摩擦力が大きくなり、ひいてはフランジ７の横滑りを防止することができる。これによりシールドケース２の位置決めが達成できる。
【００７２】
さらに図１１〜図１４に、シールドケース２の変形例を示す。これらのシールドケース２のいずれもが、本発明に属するものであることは勿論である。
【００７３】
図１１のシールドケース２は、全体が非対称の形状をしているが、σｆ／Ｅ≧０．０１を満足する金属または金属ガラスを用いることにより容易に製作することができるばかりでなく、さらに箱型形状でなくともドーム型、あるいはその他の形状であっても製作できることは勿論である。
【００７４】
図１２のシールドケース２は、フランジ７に外方へ突出させて形成した取付片１２に、基板１との位置決め用の穴１３を設けた例である。シールドケース２は、位置決め用の穴１３を介して、基板１にネジ固定したり、基板１あるいは筐体８（あるいは筐体９）側に設けたボス（図示せず）を挿入して位置決めすることもできる。
【００７５】
図１３のシールドケース２は、天井面に粘着テープ１４を貼り、筐体９に固定することで位置決めするものである。
【００７６】
図１４のシールドケース２は、その天井面に微小な凹凸模様１５を多数形成することによって表面積を大きくした例で、シールドケース２に覆われたパワーアンプ等の電子部品６からの発熱を、効率良く放熱する役割をも兼ね備えている。
【００７７】
また、図１５は、シールドケース２の位置決め手段の別例を示す。このときの位置決め手段は、筐体９側に設けた、シールドケース２の天井部分の面積分の凹み１６で構成されている。シールドケース２は、その天井部分を凹み１６に嵌入させた状態で筐体８、９により押圧される。
【００７８】
次に電磁波シールドケースの製造方法について説明する。
【００７９】
この製造方法は、電磁波シールドケースを、金属ガラスの過冷液体温度域における加圧成形によって製作するものである。
【００８０】
換言すれば、この製造方法は、電磁波シールドケースを、金属ガラスのガラス転移温度と結晶化温度との間の温度域で、温間プレスすることによって製作するものである、とすることもできる。
【００８１】
また、このときの金属ガラスは、ジルコニウム基を有する非晶質合金である。
【００８２】
具体的には、単ロール法などによって得られた厚さ０．１ｍｍの５５Ｚｒ−３０Ｃｕ−５Ｎｉ−１０Ａｌ（数字は原子比率）金属ガラスの箔材を、非晶質構造を維持できる過冷液体温度域であって、なおかつ非晶質構造が失われる上限温度となる結晶化温度に達しない温度条件を選び、金型を用いた深絞り成形によりシールドケースを製作する。液体を過冷するためには、液体を冷却する過程で結晶核の生成や成長を抑制する必要があるので、前記した温度条件の選択が必要となるのである。
【００８３】
ここで、単ロール法とは、電気炉あるいは高周波炉により合金を溶解し、その溶融合金をガス圧によりるつぼの先端孔から噴出させ、回転する冷却用回転体の表面上で接触凝固させる金属箔の製造方法のことである。
【００８４】
このとき、過冷液体温度域での成形が行われれば、単ロール法による箔材を深絞り成形する方法に限ることはなく、金型鋳造法や高圧射出成形法に代表されるさまざまな成形方法が選択されて良い。
【００８５】
表１は、実施例と比較例のシールドケースを、フランジの成形性、得られる最大変位、およびシールド性能を基準にして比較した結果を示す。
【００８６】
【表１】
2005197510.tif 000003
【００８７】
表１中、フランジ成形性は、クラックの入ることなく０．７ｍｍ幅のフランジが成形できるか否かで判定した。シールド性能は、０．１〜６ＧＨｚの高周波に対する実効シールド量ＳＥ＜−６０ｄＢの場合を◎（良好）、−６０ｄＢ＜ＳＥ＜−３０ｄＢの場合を△（問題あり）、−３０ｄＢ＜ＳＥを×（不良）として判断した。
【００８８】
実施例１から実施例８のシールドケースは、図１に示すシールドケース２であり、長手３３ｍｍ、短手２３ｍｍ、肉厚０．１ｍｍ、ケースの下端周囲に幅０．７ｍｍの一体フランジを形成したシールドケースである。
【００８９】
そして実施例１から実施例７のシールドケースは、単ロール法で作った金属ガラス（ジルコニウム基を有する非晶質合金）の箔材を過冷液体温度域で温間プレス成形して製作した。また、実施例８のシールドケースは、β−Ｔｉ合金の箔材を用いて、深絞り加工により製作した。
【００９０】
比較例１から比較例４のシールドケースは、図１に示すシールドケース２のように一体フランジ７を形成することができないので、図７（ａ）に示すシールドケース２０のように針状弾性ばね２１を１ｍｍ間隔で板金加工で形成した。
【００９１】
またシールド性能は、図１６に示す測定装置４０を用いて測定した。すなわち測定装置４０は、ケーシング４１で覆われた電波暗室４２と、この電波暗室４２内に対向して設けられた送信アンテナ４３および受信アンテナ４４と、中央に開けた穴４５ａを送信アンテナ４３と受信アンテナ４４との対向間に位置させて電波暗室４２内に配置された回路基板４５と、穴４５ａを覆うように配設された供試用シールドケースＡと、送信アンテナ４３から出射する高周波を制御すると共に供試用シールドケースＡから洩れた前記高周波を受信アンテナ４４を介して測定するネットワークアナライザ４６とから構成されている。図１６中、符号４７は信号回路である。
【００９２】
そしてシールド性能は、測定装置４０を用いて、回路基板４５の中央に開けた穴４５ａを覆うように供試用シールドケースＡを配設し、このケースＡの配設されたのと反対側の送信アンテナ４３から０．１〜６ＧＨｚの高周波を試験的に入射し、ケースＡの外へ漏れる高周波の量を受信アンテナ４４を介して計測する方法で評価した。
【００９３】
この測定に際しては、実施例１から８の供試用シールドケースＡは、フランジの変位０．５ｍｍ内でケースＡを基板４５に押圧して固定した。一方、比較例１から４においては、ばね片に永久変位が生じて破壊しない範囲でケースＡを基板４５に僅かに押圧して固定した。
【００９４】
表１から明らかなように、実施例１〜８のシールドケースは、その全てにおいて、−６０ｄＢの良好な実効シールド量（ＳＥ）が得られたが、比較例１〜４のシールドケースは、その全てにおいて、十分なシールド効果を得ることはできなかった。
【００９５】
このことにより、シールドケース２は、破壊強度（σｆ）／弾性定数（Ｅ）が０．０１以上となる金属、あるいは金属ガラスを用いて作製することが如何に有用かが理解できる。
【００９６】
具体的には、本実施形態によれば、背高が低く、フランジ７が僅かな張り出し幅を要するのみで従来の半田接合よりも密に隣接した複数の電磁波シールドケース２を配設することができる。
【００９７】
また、フランジ７は、信頼性あるシールドの為の接地に必要な大きな変位を得ることができ、確実な接地が得られた結果として良好な電磁波シールド性能を得ることができる。
【００９８】
さらに言うまでもなく、シールドケース２の配設に、従来必要としたスルーホールが要らず、着脱が容易であり、配設に際しては複雑な工程を要することがなく、安価であり、再資源としてのリサイクル利用が容易にできる。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の一実施形態としての電磁波シールドケースの装着状態を示す、一部省略した概略斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う概略断面図である。
【図３】図１のＩＩ−ＩＩ線に対応する概略断面図で、上側および下側筐体で挟持された電磁波シールドケースの装着状態を示す。
【図４】本発明の一実施形態としての電磁波シールドケースのフランジの作動説明図で、（ａ）は筐体で押圧する前の回路基板上に載置されたシールドケースを示し、（ｂ）は筐体で押圧されたシールドケースを示し、（ｃ）は筐体を取り外してシールドケースに対する押圧を解除した状態を示す。
【図５】金属材料の破壊強度と弾性定数との関係を示すグラフである。
【図６】金属材料の応力と歪との関係を示すグラフである。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、２例の比較例としてのシールドケースの斜視図である。
【図８】シールドケースの回路基板上の配置例を示す概略斜視図である。
【図９】本発明の他の実施形態としての電磁波シールドケースの要部斜視図である。
【図１０】本発明の他の実施形態としての電磁波シールドケースの要部斜視図である。
【図１１】本発明の他の実施形態としての電磁波シールドケースの要部斜視図である。
【図１２】本発明の他の実施形態としての電磁波シールドケースの要部斜視図である。
【図１３】本発明の他の実施形態としての電磁波シールドケースの要部斜視図である。
【図１４】本発明の他の実施形態としての電磁波シールドケースの要部斜視図である。
【図１５】本発明の他の位置決め手段を示す概略断面図である。
【図１６】シールド性能の測定系の説明図である。
【図１７】従来の電磁波シールドケースの接地状態の説明図である。
【図１８】従来の他の電磁波シールドケースの接地状態の説明図である。
【符号の説明】
【０１００】
１  基板（回路基板）
２  シールドケース（電磁波シールドケース）
３  グラウンド線（接地導通部分）
６  電子部品
７  フランジ
１０  切り込み
【図１】
2005197510.tif 000004
【図２】
2005197510.tif 000005
【図３】
2005197510.tif 000006
【図４】
2005197510.tif 000007
【図５】
2005197510.tif 000008
【図６】
2005197510.tif 000009
【図７】
2005197510.tif 000010
【図８】
2005197510.tif 000011
【図９】
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【図１０】
2005197510.tif 000013
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2005197510.tif 000019
【図１７】
2005197510.tif 000020
【図１８】
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