(57)【要約】【課題】耐圧特性に優れ、表示性能及び信頼性を向上できる画像表示装置を製造可能な画像表示装置の製造方法及び画像表示装置の製造装置を提供する。【解決手段】真空チャンバ３０内において、前面基板及び背面基板の少なくとも一方の処理対象基板３３と処理電極３４とを対向配置し、これらの間に交流電界を印加して電界処理を行う。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示面を有した前面基板と、前記画像表示面に向けて電子を放出する電子放出素子を有した背面基板と、を備えた画像表示装置の製造方法であって、
前記前面基板及び前記背面基板の少なくとも一方の処理対象基板の主面と、前記処理対象基板に対向配置した前記処理電極と、の間に交流電界を印加する電界処理工程と、
前記電界処理工程の後、前記前面基板と前記背面基板とを真空雰囲気中で対向配置した状態で互いに封着する封着工程と、を具備することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記電界処理工程では、前記処理対象基板を接地するとともに、前記処理電極に交流電圧を印加することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記交流電界の周波数、振幅、及び、印加周期は、前記処理電極と前記処理対象基板とが接触しない範囲に設定されたことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記交流電界の周波数、振幅、及び、印加周期は、前記処理対象基板が振動する範囲に設定されたことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記電界処理工程において、前記処理電極に印加する電圧の尖頭値は、画像表示装置として前記画像表示面に印加されるアノード電圧以上の相当電界を得られるレベルであることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記電界処理工程において、前記処理電極に印加する電圧は、前記処理電極と前記処理対象基板との間に交番電界を発生させる波形を有することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項７】
さらに、真空雰囲気中で、前記前面基板の前記画像表示面側にゲッタ膜を形成するゲッタ膜形成工程を具備し、
前記ゲッタ膜形成工程の前後の少なくとも一方で、前記前面基板の電界処理工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項８】
画像表示面を有した前面基板と、前記画像表示面に向けて電子を放出する電子放出素子を有した背面基板と、を備えた画像表示装置の製造装置であって、
前記前面基板及び前記背面基板の少なくとも一方の処理対象基板を収納可能な真空チャンバと、
前記真空チャンバの内部を真空排気する排気機構と、
前記真空チャンバ内において、前記処理対象基板と対向して配置された処理電極と、
前記処理対象基板と前記処理電極との間に交流電界を印加する電界印加機構と、
を備えたことを特徴とする画像表示装置の製造装置。
【請求項９】
前記処理電極は、前記処理対象基板の大きさ以上の寸法を有する板状電極であることを特徴とする請求項８に記載の画像表示装置の製造装置。
【請求項１０】
前記電界印加機構は、前記処理対象基板を接地するとともに、前記処理電極に交流電圧を印加することを特徴とする請求項８に記載の画像表示装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、画像表示装置の製造方法及び画像表示装置の製造装置に係り、特に、画像表示装置の耐圧性を改善可能な製造方法及び製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、次世代の画像表示装置として、多数の電子放出素子を画像表示面と対向配置させた平面型の画像表示装置の開発が進められている。電子放出素子には様々な種類があるが、いずれも基本的には電界による電子放出を利用したもので、これらの電子放出素子を用いた画像表示装置は、一般に、フィールド・エミッション・ディスプレイ（以下、ＦＥＤと称する）と呼ばれている。このようなＦＥＤの内、表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置は、表面伝導型電子放出ディスプレイ（以下、ＳＥＤと称する）とも呼ばれているが、ＳＥＤも含む総称としてＦＥＤという用語を用いる。
【０００３】
ＦＥＤは、一般に、所定の隙間を置いて対向配置された前面基板及び背面基板を有している。これらの基板は、矩形枠状の側壁を介してそれぞれの周縁部同士を互いに接合され、真空外囲器を構成している。真空外囲器の内部は、真空度が１０−４Ｐａ程度以下の高真空に維持されている。また、背面基板及び前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これらの基板の間には複数の支持部材が配設されている。
【０００４】
前面基板の内面には、赤、青、緑にそれぞれ発光する蛍光体層を含む蛍光体スクリーンが形成されている。また、実用的な表示特性を得るために、蛍光体スクリーン上にメタルバックと呼ばれるアルミ薄膜が形成されている。さらに、真空外囲器の内部に残留したガス及び各基板の放出ガスを吸着するために、ゲッタ膜と呼ばれるガス吸着特性を持った金属膜がメタルバック上に蒸着されている。
【０００５】
背面基板の内面には、蛍光体層を励起して発光させるための電子を放出する多数の電子放出素子が設けられている。また、多数の走査線及び信号線がマトリックス状に形成され、各電子放出素子に接続されている。
【０００６】
このようなＦＥＤでは、蛍光体スクリーン及びメタルバックを含む画像表示面にはアノード電圧が印加され、電子放出素子から放出された電子ビームがアノード電圧により加速されて蛍光体層に衝突することにより、蛍光体層が発光する。これにより、画像表示面に画像が表示される。この場合、アノード電圧は、最低でも数ｋＶ、できれば１０ｋＶ以上にすることが望まれる。
【０００７】
このようなＦＥＤでは、前面基板と背面基板との隙間を１〜３ｍｍ程度に設定することができ、現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されている陰極線管（ＣＲＴ）と比較して、大幅な軽量化、薄型化を達成することができる。
【０００８】
しかしながら、前面基板と背面基板との間の隙間は、解像度や電子放出効率の特性などの観点からあまり大きくすることはできず、１〜３ｍｍ程度に設定する必要がある。したがって、ＦＥＤでは、前面基板と背面基板との小さい隙間に強電界が形成されることを避けられず、両基板間の放電（絶縁破壊）が問題となる。
【０００９】
放電が起こると、瞬間的に１００Ａ以上の電流が流れるため、電子放出素子や画像表示面の破壊あるいは劣化を招くことになる。また、放電によって駆動回路が破壊されることもある。これらをまとめて放電によるダメージと呼ぶことにする。このようなダメージは、製品として許容されない。したがって、ＦＥＤを実用化するためには、放電によるダメージを抑制しなければならない。しかしながら、放電を完全に抑制することは非常に困難である。
【００１０】
一方、放電が発生しないようにするのではなく、放電が起きても電子放出素子ヘの影響を無視（軽減）できるよう、放電の規模を縮小するという対策がある。このような考え方に関連する技術として、例えば、特許文献１には、画像表示面に設けられたメタルバックに切り欠きを入れてジグザグなどのパターンを形成し、蛍光面の実効的なインダクタンス・抵抗を高める技術が開示されている。また、特許文献２には、メタルバックを分割する技術が開示されている。さらに、特許文献３には、分割部での沿面放電を抑制するために、分割部に導電性材料の被覆を設けるという技術が開示されている。
【００１１】
しかしながら、これらの技術を用いる場合でも、放電によるダメージを完全に抑制することは困難である。  
一般に、放電が生じる電圧にはばらつきがある。また、長期間経過した後に放電が起こることもある。放電を抑制するということは、アノード電圧印加時に放電が全く起こらないようにするか、放電確率を実用上許容できる程度まで小さくすることを意味する。放電を抑制しつつ印加可能なアノード−カソード間の電位差を、以後、耐圧と称することとする。
【００１２】
放電の要因にはいろいろなものがある。第１は、カソード側の微小な突起や異物などからの電子放出がトリガとなるものである。第２は、カソードあるいはアノードに付着した微粒子、あるいはそれらの一部がはがれたものが対向面に衝突することがトリガとなるものである。とりわけ、ＦＥＤでは、蛍光体スクリーンに重ねてメタルバックという強度の弱い薄膜及びゲッタ膜が形成されているため、その一部がはがれることが放電のトリガとなりうる。
【００１３】
更に、このゲッタ膜は、ゲッタの基盤となる金属基盤にガス吸着特性の大きいＢａ，Ｔｉなどの金属を固定し金属基盤を加熱することにより蒸着膜としてメタルバック上に形成される。この際、金属基盤の加熱による蒸着工程で金属基盤の一部及びゲッタ電極の一部が溶解し、前面基板及び背面基板上に落下することがあり、これが放電源となり放電を拡大する大きな要因となっている。
【００１４】
一般に耐圧を向上させるための技術として、コンディショニングという手法が周知である。この手法の詳細については、例えば、放電ハンドブック（オーム社、１９９８）の３０２ページに記載されている。これは、対向面間に電位差を形成し、耐圧を向上させるものである。コンディショニングには、放電を起こす場合と起こさない場合とがあるが、狭義では、放電（スパーク）を起こすスパークコンディショニングをコンディショニングと称することもある。スパークコンディショニングにより耐圧が向上するメカニズムは詳細にはわかっていないが、微小突起や異物等の放電源が放電により溶けて除去されること、あるいは、付着した微粒子が電界により除去されることによると考えられている。
【００１５】
例えば、ＣＲＴでは、電子銃の電極間に動作時電圧の４倍程度のパルス電圧を印加し、数千回程度の放電を起こすという処理が広く行われている。これはスパークコンディショニングに相当する。
【００１６】
ところが、ＦＥＤでは、このようなスパークコンディショニングを行うと、画像表示面や電子放出素子が破壊ないし劣化してしまう。そのため、単純にはこの手法を用いることができない。
【００１７】
コンディショニング以外の耐圧向上策としては、材料、構造、製造プロセスの最適化、製造環境のクリーン化、洗浄、エアーブロー等が考えられる。しかし、このような対策だけでは耐圧を望ましい値まで高めることが困難であり、より効果の大きな耐圧改善策が強く望まれている。また、コスト低減の観点から、クリーン度を非常に高くすることや、徹底的に微粒子を除去するといった手法は望ましくない。
【特許文献１】特開２０００−３１１６４２号公報
【特許文献２】特開平１０−３２６５８３号公報
【特許文献３】特開２０００−２５１７９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
以上述べたように、ＦＥＤにおいては、放電対策が重要であるが、放電を抑制する目的で、動作電圧であるアノード電圧を低く設定したり、前面基板と背面基板とのギャップを大きくしたりすると、輝度や解像度などの表示性能の低下を招くこととなり、製品として望まれる十分な表示性能を得ることが困難となる。
【００１９】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、耐圧特性に優れ、表示性能及び信頼性を向上できる画像表示装置を製造可能な画像表示装置の製造方法及び画像表示装置の製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
この発明の第１の様態による画像表示装置の製造方法は、
画像表示面を有した前面基板と、前記画像表示面に向けて電子を放出する電子放出素子を有した背面基板と、を備えた画像表示装置の製造方法であって、
前記前面基板及び前記背面基板の少なくとも一方の処理対象基板の主面と、前記処理対象基板に対向配置した前記処理電極と、の間に交流電界を印加する電界処理工程と、
前記電界処理工程の後、前記前面基板と前記背面基板とを真空雰囲気中で対向配置した状態で互いに封着する封着工程と、を具備することを特徴とする。
【００２１】
この発明の第２の様態による画像表示装置の製造装置は、
画像表示面を有した前面基板と、前記画像表示面に向けて電子を放出する電子放出素子を有した背面基板と、を備えた画像表示装置の製造装置であって、
前記前面基板及び前記背面基板の少なくとも一方の処理対象基板を収納可能な真空チャンバと、
前記真空チャンバの内部を真空排気する排気機構と、
前記真空チャンバ内において、前記処理対象基板と対向して配置された処理電極と、
前記処理対象基板と前記処理電極との間に交流電界を印加する電界印加機構と、
を備えたことを特徴とする。
【００２２】
このように構成された画像表示装置の製造方法及び画像表示装置の製造装置によれば、真空雰囲気中で処理対象基板の主面と処理電極とを対向配置した状態でこれらの間に交流電界を印加することにより、処理対象基板の主面に残留した異物や突起等の放電発生の要因を取り除くことができる。このような電界処理を行った処理対象基板を用いることにより、耐圧特性に優れ、表示性能及び信頼性を向上した画像表示装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００２３】
この発明によれば、耐圧特性に優れ、表示性能及び信頼性を向上できる画像表示装置を製造可能な画像表示装置の製造方法及び画像表示装置の製造装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、この発明の一実施の形態に係る画像表示装置の製造方法及び画像表示装置の製造装置について図面を参照して説明する。なお、ここでは、本製造方法及び製造装置により製造される画像表示装置として、表面伝導型の電子放出素子を備えたＦＥＤを例にとって説明する。
【００２５】
図１及び図２に示すように、ＦＥＤは、１〜２ｍｍの隙間を置いて対向配置された前面基板１１及び背面基板１２を備えている。これら前面基板１１及び背面基板１２は、絶縁基板としてそれぞれ板厚が１〜３ｍｍ程度の矩形状のガラス板を用いて構成されている。これらの前面基板１１及び背面基板１２は、矩形枠状の側壁１３を介して周縁部同士が接合され、内部が１０−４Ｐａ程度の高真空に維持された扁平な矩形状の真空外囲器１０を構成している。
【００２６】
真空外囲器１０は、その内部に設けられ、前面基板１１及び背面基板１２に加わる大気圧荷重を支えるための複数のスペーサ１４を備えている。このスペーサ１４としては、板状あるいは柱状等の形状を採用可能である。
【００２７】
前面基板１１は、その内面に画像表示面を備えている。すなわち、画像表示面は、蛍光体スクリーン１５、蛍光体スクリーン１５上に配置されたメタルバック２０、メタルバック２０上に配置されたゲッタ膜２２などで構成されている。
【００２８】
蛍光体スクリーン１５は、赤、緑、青にそれぞれ発光する蛍光体層１６と、マトリクス状に配置された黒色光吸収層１７とを有している。これらの蛍光体層１６は、ストライプ状に形成されても良いし、ドット状に形成されても良い。メタルバック２０は、アルミニウム膜等で形成され、アノード電極として機能する。ゲッタ膜２２は、ガス吸着特性を持った金属膜によって形成され、真空外囲器１０の内部に残留したガス及び各基板からの放出ガスを吸着する。
【００２９】
背面基板１２は、その内面に表面伝導型の電子放出素子１８を備えている。この電子放出素子１８は、蛍光体スクリーン１５の蛍光体層１６を励起する電子源として機能する。すなわち、複数の電子放出素子１８は、背面基板１２上において、画素毎に対応して複数列及び複数行に配列され、それぞれ蛍光体層１６に向けて電子ビームを放出する。各電子放出素子１８は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。また、電子放出素子１８に電位を供給するための多数本の配線２１は、背面基板１２の内面にマトリック状に設けられ、その端部は真空外囲器１０の外部に引出されている。
【００３０】
このようなＦＥＤでは、画像を表示する動作時においては、蛍光体スクリーン１５及びメタルバック２０を含む画像表示面にアノード電圧を印加する。そして、電子放出素子１８から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーン１５へ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン１５の蛍光体層１６が励起され、それぞれ対応する色に発光する。このようにして、画像表示面にカラー画像が表示される。
【００３１】
次に、上述したような構成のＦＥＤを製造するための製造装置について説明する。  
図３に示すように、製造装置は、真空チャンバ３０、排気機構３２、処理電極３４、電界印加機構３５などを備えて構成されている。真空チャンバ３０は、真空処理槽で構成され、その内部に、処理対象基板３３を載置する載置台３１を備えている。処理対象基板３３は、その主面に画像表示面を有した前面基板１１及びその主面に電子放出素子１８を有した背面基板１２の少なくとも一方である。排気機構３２は、真空チャンバ３０の内部を真空排気するものであって、真空チャンバ３０に接続された排気ポンプ３２などで構成されている。
【００３２】
処理電極３４は、真空チャンバ３０内に設けられている。この処理電極３４は、載置台３１上に載置された処理対象基板３３の主面３３Ａに対してほぼ平行に、かつ、所定の隙間をおいて配置されている。ここで適用される処理電極３４は、処理対象基板３３の大きさ以上の寸法を有している。
【００３３】
電界印加機構３５は、真空チャンバ３０内において、処理対象基板３３と処理電極３４との間に交流電界を印加する。すなわち、電界印加機構３５は、処理対象基板３３を接地するとともに、処理電極３４に対して所定の交流電圧を印加する交流電源３６を備えている。なお、真空チャンバ３０は、処理対象基板３３と同電位のアース電位に接地されている。処理電極３４に印加される電圧は、処理電極３４と処理対象基板３３との間に交番電界を発生させるものであれば如何なる波形を有しても良い。
【００３４】
次に、上述したような構成のＦＥＤを製造するための製造方法について説明する。  
まず、画像表示面を有した前面基板１１、及び、電子放出素子１８を有した背面基板１２を用意する。続いて、前面基板１１及び背面基板１２の少なくとも一方の処理対象基板３３に対して図３に示したような製造装置を用いて電界処理を施す。
【００３５】
すなわち、この電界処理工程では、まず、排気機構３２を作動し、真空チャンバ３０内を所望の真空度まで真空排気する。これにより、真空チャンバ３０内を真空雰囲気とする。
【００３６】
続いて、真空チャンバ３０内に処理対象基板３３を搬入し、載置台３１上の所定の電界処理位置に設置する。このとき、処理対象基板３３は、電界処理位置において、その主面３３Ａと処理電極３４とがほぼ平行に、かつ、隙間をおいて対向した状態で配置される。処理対象基板３３が前面基板１１である場合には、画像表示面を有した主面を処理電極３４と対向配置し、また、処理対象基板３３が背面基板１２である場合には、電子放出素子１８を有した主面を処理電極３４と対向配置する。
【００３７】
続いて、処理電極３４を電界印加機構３５の交流電源３６に電気的に接続するとともに、処理対象基板３３をアースに電気的に接続する。続いて、処理電極３４に交流電源３６により所定の交流電圧を印加する。これにより、処理電極３４と処理対象基板３３との間に交流電界が発生し、処理対象基板３３が電界処理される。この電界処理により、処理対象基板３３上に残留していた塵、埃等の異物すなわち放電発生要因は、処理電極３４と処理対象基板３３との間で往復運動を繰り返し、この往復運動とともにその位置も変化し、最終的には処理対象基板３３から外部へ排出される。同時に、処理対象基板３３の生産過程で形成された不用な突起などもこの電界処理により除去される。
【００３８】
このような電界処理工程の後、前面基板１１と背面基板１２とを真空雰囲気中で対向配置した状態で互いに封着する。このとき、前面基板１１及び背面基板１２は、互いの主面を対向した状態で矩形枠状の側壁１３を介して接合される。
【００３９】
なお、上述した製造方法においては、真空雰囲気中で前面基板１１の画像表示面側にゲッタ膜２２を形成するゲッタ膜形成工程を追加しても良い。この場合、ゲッタ膜形成工程前後の少なくとも一方で、前面基板１１の電界処理工程を行うことが望ましい。
【００４０】
上述したＦＥＤの製造方法によれば、処理対象基板３３と処理電極３４との間に交流電界を印加したことにより、処理対象基板３３と処理電極３４との間にクーロン力が発生する。このクーロン力は、ゼロ（Ｎ）から最大（Ｎ）までを繰り替えす。このため、放電発生要因となる異物は、このクーロン力により処理対象基板３３と処理電極３４との間を往復運動する。これにより、周波数、振幅、印加周期を最適化することにより異物が処理対象基板３３または処理電極３４に衝突することによる処理中の放電による処理対象基板３３及び処理電極３４のダメージを抑制することができるとともに、処理対象基板３３から異物を除去することが可能となる。
【００４１】
すなわち、処理対象基板３３と処理電極３４との間に直流電界を印加した場合、クーロン力によって異物が処理対象基板３３または処理電極３４に引き寄せられる。このため、処理対象基板３３または処理電極３４は、異物が衝突することによるダメージを受けることになる。
【００４２】
これに対して、処理対象基板３３と処理電極３４との間に交流電界を印加した場合、交流電圧の周波数、振幅（最大電圧）、及び、印加周期（間隔）を制御することにより、処理対象基板３３と処理電極３４との間に発生するクーロン力を制御することが可能である。例えば、最大電圧の交流電圧が印加された第１タイミングにおいては、異物は、クーロン力によって処理対象基板３３から処理電極３４に向かって引き寄せられる。そして、異物が処理電極３４に衝突する前の第２タイミングにおいては、比較的小さなレベルの交流電圧が印加されることにより、クーロン力が第１タイミングより小さくなり、異物は再び処理対象基板３３に向かって移動を開始する。
【００４３】
このような作用が繰り返される周波数、振幅、印加周期を選んで交流電源３６の設定を行うことにより、処理対象基板３３及び処理電極３４のいずれもダメージを与えない電界処理が可能となる。つまり、処理対象基板３３と処理電極３４との間の交流電界を最適設定することにより、クーロン力によって移動する異物の処理対象基板３３及び処理電極３４への衝突を防止することができる。
【００４４】
また、処理対象基板３３と処理電極３４の間の交流電界は、その周波数、振幅（最大電圧）、及び、印加周期が、処理対象基板３３と処理電極３４との間に発生するクーロン力による吸引で処理対象基板３３と処理電極３４とが接触しない範囲に設定することが望ましい。
【００４５】
すなわち、電界処理に必要な最大電圧でのクーロン力が処理対象基板３３の質量を上回る場合でも、交流電界を用いることでその力は平均化されて最大値より小さくなり、処理対象基板３３と処理電極３４との衝突を防止することができる。また、これは、処理対象基板３３が処理電極３４に衝突しない周波数及び印加周期に設定することでも同じ効果が得られる。このため、通常用いられている処理対象基板３３を静電力または機械的に固定する方法を採用する必要がなく、製造装置のコストを低減可能である。
【００４６】
さらに、処理対象基板３３と処理電極３４との間の交流電界は、その周波数、振幅（最大電圧）、及び、印加周期が、処理対象基板３３と処理電極３４との間に発生するクーロン力による吸引で処理対象基板３３と処理電極３４とが接触しない範囲で処理対象基板３３が振動する範囲に設定されることが望ましい。このような処理対象基板３３の振動により、異物の移動が助長され、異物の除去効果を向上することが可能となる。
【００４７】
またさらに、処理電極３４に印加する電圧の尖頭値は、画像表示装置として画像表示面に印加されるアノード電圧以上のレベルに設定されても良い。すなわち、電界処理工程においては、処理対象基板３３と処理電極３４との間に直流電界を印加する場合、処理対象基板３３と処理電極３４との衝突を防止するために、クーロン力が処理対象基板３３の質量を上回るような直流電圧を印加することはできない。
【００４８】
これに対して、処理対象基板３３と処理電極３４との間に交流電界を印加する場合、尖頭値（最大電圧）でのクーロン力が処理対象基板３３の質量を上回る場合でも、上述した理由により、処理対象基板３３と処理電極３４との衝突を防止することができる。このため、瞬間的に強いクーロン力を発生することができ、異物の除去効果を向上することが可能となる。
【００４９】
なお、ここで適用される交流電圧の交流波形は、その所望する効果により適宜設定可能であり、連続波形、単発波形、バースト波形より選択すれば良い。また、この交流波形は、複数の周波数成分を混合したものであっても良い。
【００５０】
以上説明したように、処理対象基板３３に放電痕の発生による不良箇所（未発光箇所、輝度低下箇所、基板自体の放電破壊などの発生）を発生することが無く、異物の処理電極３４または処理対象基板３３への衝突による放電を防止することができる。このため、最大値の大きい電圧での処理が可能となり、電界処理効果を高めることが可能となる。
【００５１】
したがって、残留異物の極めて少ない基板の製作が可能となり、長寿命で耐放電特性に優れ、しかも表示性能及び信頼性の高い画像表示装置を製造することができる。さらに、電界処理時のクーロン力による処理対象基板３３と処理電極３４との衝突を防止できるため、処理対象基板３３を固定する機構を不要とすることができ、製造装置の簡易化も実現できる。
【００５２】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００５３】
例えば、上述した実施の形態では、電界処理工程において、処理対象基板３３を接地するとともに処理電極３４に交流電圧を印加したが、逆に、処理電極３４を接地するとともに処理対象基板３３に交流電圧を印加しても良い。
【００５４】
また、上述した実施の形態では、電界処理工程で適用される製造装置では、図３に示したように、処理電極３４は、処理対象基板３３の大きさ以上の寸法を有する電極であったが、この例に限定されるものではない。例えば、図４に示すように、処理電極３４は、処理対象基板３３とほぼ等しい幅及び処理対象基板３３よりも短い長さを有し、処理対象基板３３と対向した状態でその長さ方向に移動可能に設けられても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】図１は、この発明の実施の形態に係る製造方法及び製造装置により製造されるＦＥＤの一例を概略的に示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示したＦＥＤのＡ−Ａ線に沿った断面構造を概略的に示す図である。
【図３】図３は、この発明の一実施の形態に係る画像表示装置の製造装置を概略的に示す断面図である。
【図４】図４は、この発明の一実施の形態に係る他の画像表示装置の製造装置を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０…真空外囲器
１１…前面基板
１２…背面基板
１５…蛍光体スクリーン
１８…電子放出素子
２０…メタルバック
２２…ゲッタ膜
３０…真空チャンバ
３２…排気機構
３４…処理対象基板（前面基板、背面基板）
３５…電界印加機構
３６…交流電源
【図１】
2005174677.tif 000003
【図２】
2005174677.tif 000004
【図３】
2005174677.tif 000005
【図４】
2005174677.tif 000006