(57)【要約】      （修正有）【課題】単純な構成で反射のＯＮ／ＯＦＦ及び反射角度の調整を可能とすると共に、反射ＯＦＦ時の迷光の漏れを防ぐ光反射装置を提供する。【解決手段】帯電可能な光反射手段と、光反射手段の所定の第一の部位を保持する保持手段と、保持手段を固定する固定手段と、前記第一の部位と異なる第二の部位に静電引力を付加する静電引力付加手段と、固定手段又は光反射手段上に形成した絶縁層とを有し、静電引力により、第二の部位の他端部が固定手段の絶縁層に接触、または他端部の絶縁層が固定手段に接触して、光反射手段が屈曲し、光反射手段の形状変化の有無を切り替えるビーム光束の結像スイッチングと、光反射手段の傾斜の有無を切り替える反射スイッチングを可能にする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯電可能な光反射手段と、
前記光反射手段の所定の第一の部位を保持する保持手段と、
前記保持手段を固定する固定手段と、
前記光反射手段が前記第一の部位のまわりに略回動するように、前記光反射手段の前記第一の部位と異なる第二の部位に静電引力を付加する静電引力付加手段と、
前記固定手段又は前記光反射手段上に形成した絶縁層とを有し、
前記静電引力付加手段による静電引力により、前記第一の部位の他端部が前記固定手段の絶縁層に接触、または前記他端部の絶縁層が前記固定手段に接触して、前記光反射手段が屈曲し、前記光反射手段の形状変化が有る状態と無い状態を切り替えるビーム光束の結像スイッチングと、前記光反射手段の傾斜の有無を切り替えるビーム光束の反射スイッチングを可能にすることを特徴とする光反射装置。
【請求項２】
帯電可能な光反射手段と、
前記光反射手段の所定の第一の部位を保持する保持手段と、
前記保持手段を固定する固定手段と、
前記光反射手段が前記第一の部位のまわりに略回動するように、前記光反射手段の前記第一の部位と異なる第二の部位に静電引力を付加する静電引力付加手段と、
前記静電引力付加手段による静電引力により、前記光反射手段の前記固定手段側への傾斜の有無を切り替えるビーム光束の反射スイッチングを可能にする光反射装置において、
前記固定手段は、前記光反射手段による前記ビーム光束の反射が無いときの前記ビーム光束を通過させるための開口部を有することを特徴とする光反射装置。
【請求項３】
上記固定手段は、ビーム光束を通過させるための開口部を有しており、上記光反射手段によるビーム光束の反射が無いときは、前記ビーム光束が前記開口部を通過可能であることを特徴とする請求項１に記載の光反射装置。
【請求項４】
上記光反射手段に対して上記固定手段と反対側に、第二の絶縁層と第二の固定手段を設けることにより、上記光反射手段の第二の部位に静電引力又は斥力を付加することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の光反射装置。
【請求項５】
帯電可能な光反射手段と、
前記光反射手段の所定の第一の部位を保持する保持手段と、
前記保持手段を固定する固定手段と、
前記光反射手段が前記第一の部位のまわりに略回動するように、前記光反射手段の前記第一の部位と異なる第二の部位に静電引力を付加する静電引力付加手段と、
前記静電引力付加手段による静電引力により、前記光反射手段の前記固定手段側への傾斜の有無を切り替えるビーム光束の反射スイッチングを可能にする光反射装置において、
前記光反射手段に対して前記固定手段と反対側に、第二の絶縁層と第二の固定手段を設けることにより、前記光反射手段の第二の部位に静電引力又は斥力を付加することを特徴とする光反射装置。
【請求項６】
上記光反射手段の変形量が該光反射手段の部位により異なるように、上記光反射手段がその部位毎に所定の厚さ又は所定の幅を有することを特徴とする請求項１、請求項３、又は請求項４のいずれかに記載の光反射装置。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載の光反射装置を複数有し、各光反射装置の光反射手段の回動軸を所定の角度に設定することを特徴とする光反射装置ユニット。
【請求項８】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載の光反射装置、又は請求項７に記載の光反射装置ユニットを１次元アレイ状に配列して、所定の位置に１次元配列でビーム光束を照射することを特徴とする光反射装置アレイ。
【請求項９】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載の光反射装置、又は請求項７に記載の光反射装置ユニットを２次元アレイ状に配列して、所定の位置に２次元配列でビーム光束を照射することを特徴とする光反射装置アレイ。
【請求項１０】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載の光反射装置、請求項７に記載の光反射装置ユニット、又は請求項８あるいは請求項９に記載の光反射装置アレイにおいて、同一基板上に光源を有することを特徴とする光源装置。
【請求項１１】
上記光源の出射端に、該光源から出射したビーム光束のビーム拡がり角を抑制するレンズを有することを特徴とする請求項１０に記載の光源装置。
【請求項１２】
請求項１、請求項３、請求項４あるいは請求項６のいずれかに記載の光反射装置、又は請求項８あるいは請求項９に記載の光反射装置アレイにおいて、同一基板上に光源を備えると共に、前記光源の出射端に、前記光反射装置によるビーム光束の屈折方向に対して垂直方向の屈折力を有するレンズを備えることを特徴とする光源装置。
【請求項１３】
請求項１、請求項３、請求項４あるいは請求項６のいずれかに記載の光反射装置、又は請求項８あるいは請求項９に記載の光反射装置アレイにおいて、同一基板上に光源を備えると共に、それぞれの光反射装置の出口に、各光反射装置によるビーム光束の屈折方向に対して垂直方向の屈折力を有するレンズを設けることを特徴とする光源装置。
【請求項１４】
請求項２〜請求項４、あるいは請求項６のいずれかに記載の光反射装置、又は請求項７に記載の光反射装置ユニットを１次元アレイ状に配列し、前記１次元アレイ状に配列した光反射装置又は光反射装置ユニットの配列方向とビーム伝播方向を一致させて、単一の光源を設けたことを特徴とする光源装置。
【請求項１５】
請求項２〜請求項４、又は請求項６のいずれかに記載の光反射装置を１次元アレイ状に配列し、前記１次元アレイ状に配列した光反射装置の配列方向とビーム伝播方向を一致させて、単一の光源を設けると共に、前記それぞれの光反射装置の出口に、各光反射装置によるビーム光束の屈折方向に対して垂直方向の屈折力を有するレンズを設けることを特徴とする光源装置。
【請求項１６】
請求項２〜請求項４、あるいは請求項６のいずれかに記載の光反射装置、又は請求項７に記載の光反射装置ユニットを２次元アレイ状に配列し、前記２次元アレイ状に配列した光反射装置又は光反射装置ユニットの一方向の配列数と同数の光源を設けたことを特徴とする光源装置。
【請求項１７】
請求項２〜請求項４、又は請求項６のいずれかに記載の光反射装置を２次元アレイ状に配列し、前記２次元アレイ状に配列した光反射装置の一方向の配列数と同数の光源を設けると共に、前記それぞれの光反射装置の出口に、各光反射装置によるビーム光束の屈折方向に対して垂直の屈折力を有するレンズを設けることを特徴とする光源装置。
【請求項１８】
上記２次元アレイ状に配列した各列の配列を所定量だけずらしたことを特徴とする請求項１０〜請求項１３、請求項１６、又は請求項１７のいずれかに記載の光源装置。
【請求項１９】
上記１次元アレイ状又は２次元アレイ状に配列された光反射装置又は光反射装置ユニットにおいて、光源から最も離れた光反射装置の後部に受光手段を設けたことを特徴とする請求項１４〜請求項１８のいずれかに記載の光源装置。
【請求項２０】
請求項１０〜請求項１９のいずれかに記載の光源装置を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２１】
上記光源装置の各光反射装置を制御する信号の値を格納するデータ格納手段を有することを特徴とする請求項２０に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術を活用し、ミラーの角度を制御するのみならず、形状を変化させて、ビーム光束の反射に加え、集光や結像を可能とする光反射装置(マイクロミラー)、光反射装置ユニット(マイクロミラーユニット)、光反射装置アレイ(マイクロミラーアレイ)、及び光源装置に関するものである。
そして、本発明は、主に電子写真方式の書込みユニット、感光体等から構成される画像形成部を持つ複写機、及びプリンター製品等の電子写真製品において、感光体に露光するビーム光束を走査せずに、各露光位置に対応した光源からの出射光を結像して、感光体面上に潜像を形成し、高精細な画像を出力することが可能であり、光反射装置、光反射装置ユニット、光反射装置アレイ、光源装置を有する画像形成装置に応用可能である。
この他には、例えば、複数光源を有するＬＤ（Laser Diode）アレイ、ＬＥＤ（Light-Emitting Diode）アレイ等の光源列を用いた画像製品や、光通信のスイッチング制御にも応用可能である。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式の画像製品に搭載される画像形成装置には、大きく分けて次のような２つのタイプがある。第１のタイプは、ＬＤ等の光源から出射されるビームをコリメータレンズ等で整形し、回転多面体鏡等により走査ビームに変調し、この走査ビームに変調されたビームはｆθレンズ、シリンドリカルレンズ、又はミラー等の光学素子を経て、所望のビーム径及びビームプロファイルに加工されて、感光体面上に結像する走査露光タイプであり、第２のタイプは、複数光源、例えばＬＥＤアレイと、セルホックレンズアレイ等の結像素子アレイを用いて、主走査ラインを一度に露光するアレイタイプである。
【０００３】
前記走査露光タイプの課題としては、次のようなことが挙げられる。
主走査方向の一列の露光データは、通常、光源を点灯制御し、ポリゴンミラーによる偏向により形成されるが、書き出し位置や露光位置は、走査の同期検知信号を基に光源の時間的な点灯制御によって行われている。そのために、同期検知信号に幅がある場合や、ポリゴンジッタによるぶれ等により露光位置にばらつきが生じて、色ずれ等の問題の原因となっている。
また、高速画像形成においては、ポリゴンミラーの高速化、光源制御の高速化が必要となるが、数１０ＭＨｚの光源制御では熱による光量低下や、駆動パルスの品質低下による露光エネルギーのばらつきが問題となる。
他に、書込み光学系のサイズを小型化できないことも、製品自体の小型化に対する課題として挙げられる。この課題に対しては、全走査域を網羅する光学素子のため、その走査域全体においてビームの品質を確保する必要がある。また、光学素子の取り付け時に生じる座屈によって、設計段階で予測された光学特性が得られないという課題も挙げられる。
【０００４】
次に、アレイタイプの課題としては、結像素子アレイの配列精度を確保しなければならないことが挙げられる。配列精度が悪いと、感光体面上における露光量にばらつきを生じ、スジ画像等が発生する原因となる。また、隣接する光源のビーム光束が迷光となり、予測外の位置に結像するフレアの問題等も課題として指摘される。
そして、上記両タイプの画像形成装置では、一旦組上げた後での局所的な光学特性の補正や変更は困難である、という課題もある。
【０００５】
最近になって、ＤＭＤ（デジタルミラーデバイス）を利用した光書込み装置に関する出願が目立っており、その利点としては、ＤＭＤをアレイ状に配列することにより、上記アレイタイプと同様、複数列の露光がＤＭＤのＯＮ／ＯＦＦにより可能となるものであり、半導体製造技術を利用したアレイでは、セルホックレンズアレイのような結像素子配列よりも精度を向上することが可能である。
しかし、反射と集光を同時に実現しようとするものは提案されていない。また、ＤＭＤを利用した従来例に適用されている光源は、ＤＭＤアレイ全体をカバーする単一光源であって、その照射領域全体での明るさを一様に保つこと、又は調整することは困難である。他にスイッチングの信頼性を向上するためには、迷光の除去も大きな課題である。
【０００６】
特開平９−１６４７２３号公報に記載された「カラープリンタ」においては、マイクロミラーは回動時、傾斜動作をするのみであり、この傾斜角度によりビーム照射の有効無効を決定するものであるが、構成上、必ずマイクロミラーにビーム光束が照射されている状態であり、そのために、各ミラー毎に光源を設定するか、又はマイクロミラーアレイ全体を照射可能な大型の光源を必要とするものである。
各マイクロミラーに対応した光源を設定する場合は、マイクロミラーの動作上、同一基板上に設定することは不可能である。それは、マイクロミラーの角度によりミラー面にビーム光束が照射されず、ミラー面裏側に照射されることになるからである。また、マイクロミラーアレイ全体をビーム光束で照射するために大型の光源を設定する場合は、マイクロミラーアレイの各ミラーに照射される光量のムラが問題になり、マイクロミラーアレイ面全体を均一の光量で照射し、ビームの放射角もコリメートされているか、又はミラーと結像面の光路を勘案した収束光となるよう、光源とマイクロミラーアレイの間に設置する光学素子の仕様も厳密なものとなる。
そして、マイクロミラーのＯＮ／ＯＦＦ動作時に、基板に対して角度を僅かに変えるだけで同一方向への反射を避けられない構成であるため、反射ＯＦＦ時でもノイズ画像の一因となり得る迷光の影響を懸念せざるを得ない。
【０００７】
特開２００２−１３１５１８号公報に記載された「マイクロミラーとマイクロプリズムおよびその製造方法」は、同一基板上にフォトリソ工程でグレー階調のマスクを利用し、エッチング量を制御して、任意の傾斜角や形状のミラー又はプリズムを形成する発明であり、また公知技術としてＭＥＭＳ  ＯＰＴＩＣＡＬ，ＩＮＣ．等から提供されているグレースケルのマスクによるマイクロレンズやプリズム等の製品があり、その適用事例として判断すると、小型化、位置決め精度の面では優れた技術であるといえる。
しかし、それらの光学素子を形成した後は、その形状の変更は困難であり、結像特性の調整も不可能である。
【０００８】
特開２００２−１３１６８０号公報に記載された「光偏向装置」においては、光偏向装置として圧電アクチュエータが適用されているが、単一の圧電アクチュエータにより光を走査させる際には、ヒステリシスによるビーム光束位置への影響が懸念されるため、アクチュエータの数だけヒステリシス補正手段を付加するか、又はヒステリシスを考慮した高精度かつ複雑なビーム光束の点灯パターン制御が必要となる。このために、コスト面においても問題があると考えられる。
【０００９】
特開２００３−９８４６９号公報に記載された「光走査装置及び画像形成装置」においては、ミラー共振周波数で振動させて、振動の同期信号を得ることにより、ポリゴンミラーを用いた従来の走査光学系、画像形成装置に適用されている技術をそのまま流用することができる点において、実用的であり、小型化、走査装置の製作コストの低減等優れている点が多いと考えられる。しかし、走査装置から出射したビーム光束は感光体への結像のためにｆθレンズ等が必要となり、走査光学系全体としてのコスト面では従来の方式に比べて優れている点があまり見られないことが懸念される。
【００１０】
【特許文献１】特開平９−１６４７２３号公報
【特許文献２】特開２００２−１３１５１８号公報
【特許文献３】特開２００２−１３１６８０号公報
【特許文献４】特開２００３−９８４６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明においては、従来技術における問題点を解決するものであり、ＭＥＭＳ技術を適用することができる光反射装置（マイクロミラー）であって、単純な構成で反射のＯＮ／ＯＦＦ及び反射角度の調整を可能とすると共に、反射ＯＦＦ時の迷光の漏れを防ぐ光反射装置を提供することである。
さらに、前記反射角度の調整のみならず、走査光学系において課題として挙げていた、素子の座屈（屈曲）を積極的に活用することにより、集光や結像を可能とする光反射装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題に対する解決手段は、静電引力により光反射手段（ミラー）の傾きや形状を変えることを基本とするものである。
〔解決手段１〕（請求項１に対応）
上記課題を解決するために講じた解決手段１は、帯電可能な光反射手段と、前記光反射手段の所定の第一の部位を保持する保持手段（ヒンジに対応）と、前記保持手段を固定する固定手段（ミラー保持部材及びＳｉ基板に対応）と、前記光反射手段が前記第一の部位のまわりに略回動するように、前記光反射手段の前記第一の部位と異なる第二の部位に静電引力を付加する静電引力付加手段と、前記固定手段又は前記光反射手段上に形成した絶縁層とを有し、
前記静電引力付加手段による静電引力により、前記第一の部位の他端部が前記固定手段の絶縁層に接触、または前記他端部の絶縁層が前記固定手段に接触して、前記光反射手段が屈曲し、前記光反射手段の形状変化が有る状態と無い状態を切り替えるビーム光束の結像スイッチングと、前記光反射手段の傾斜の有無を切り替えるビーム光束の反射スイッチングを可能にすることである。
〔作 用〕
光反射手段に静電引力を付加することにより、該光反射手段を回動させてその傾きや形状を変更することによって、ビーム光束の反射のＯＮ／ＯＦＦ、反射角度の変更、及び集光や結像の調整を行うことができる。
【００１３】
〔解決手段２〕（請求項２に対応）
上記課題を解決するために講じた解決手段２は、帯電可能な光反射手段と、前記光反射手段の所定の第一の部位を保持する保持手段と、
前記保持手段を固定する固定手段と、前記光反射手段が前記第一の部位のまわりに略回動するように、前記光反射手段の前記第一の部位と異なる第二の部位に静電引力を付加する静電引力付加手段と、前記静電引力付加手段による静電引力により、前記光反射手段の前記固定手段側への傾斜の有無を切り替えるビーム光束の反射スイッチングを可能にする光反射装置において、
前記固定手段は、前記光反射手段による前記ビーム光束の反射が無いときの前記ビーム光束を通過させるための開口部を有することである。
〔作 用〕
光反射手段に静電引力を付加することにより、該光反射手段を回動させてその傾きを変更することによって、ビーム光束の反射のＯＮ／ＯＦＦ、及び反射角度の変更を行うことができる。そして、光反射手段の反射ＯＦＦのとき、ビーム光束は固定手段の開口部を通過する。
【００１４】
〔実施態様１〕（請求項３に対応）
実施態様１は、上記解決手段１の光反射装置において、固定手段はビーム光束を通過させるための開口部を有しており、光反射手段によるビーム光束の反射が無いときは、前記ビーム光束が前記開口部を通過可能であることである。
〔作 用〕
光反射手段の反射がＯＦＦのとき、ビーム光束は固定手段に設けられた開口部を通過する。
【００１５】
〔実施態様２〕（請求項４に対応）
実施態様２は、上記解決手段１、解決手段２又は実施態様１の光反射装置において、光反射手段に対して固定手段と反対側に、第二の絶縁層と第二の固定手段を設けることにより、前記光反射手段の第二の部位に静電引力又は斥力を付加することである。
〔作 用〕
第二の絶縁層と第二の固定手段を設けることにより、上方から静電引力又は斥力を付加することができるので、光反射手段の回動動作を確実にして、反射ＯＦＦ時の迷光の漏れを防ぎ、ビーム光束の反射スイッチング（反射のＯＮ／ＯＦＦ）の信頼性を向上することが可能である。
【００１６】
〔解決手段３〕（請求項５に対応）
上記課題を解決するために講じた解決手段３は、帯電可能な光反射手段と、前記光反射手段の所定の第一の部位を保持する保持手段と、前記保持手段を固定する固定手段と、前記光反射手段が前記第一の部位のまわりに略回動するように、前記光反射手段の前記第一の部位と異なる第二の部位に静電引力を付加する静電引力付加手段と、前記静電引力付加手段による静電引力により、前記光反射手段の前記固定手段側への傾斜の有無を切り替えるビーム光束の反射スイッチングを可能にする光反射装置において、
前記光反射手段に対して前記固定手段と反対側に、第二の絶縁層と第二の固定手段を設けることにより、前記光反射手段の第二の部位に静電引力又は斥力を付加することである。
〔作 用〕
光反射手段に静電引力を付加することにより、該光反射手段を回動させてその傾きを変更することによって、ビーム光束の反射のＯＮ／ＯＦＦ、及び反射角度の変更を行うことができる。また、第二の絶縁層と第二の固定手段を設けることにより、上方から静電引力又は斥力を付加することができるので、光反射手段の回動動作（上下動作）を確実にして、反射ＯＦＦ時の迷光の漏れを防ぎ、ビーム光束の反射スイッチング（反射のＯＮ／ＯＦＦ）の信頼性を向上することが可能である。
【００１７】
〔実施態様３〕（請求項６に対応）
実施態様３は、上記解決手段１、実施態様１、又は実施態様２のいずれかの光反射装置において、光反射手段の変形量が該光反射手段の部位により異なるように、前記光反射手段がその部位毎に所定の厚さ又は所定の幅を有することである。
〔作 用〕
光反射手段の幅や厚さを部位によって異ならせることにより、該光反射手段の端部と基板上の絶縁層との接触による座屈現象（屈曲）が生じ易い部位を意図的に設定して、ビーム光束の反射と集光を制御することができる。
【００１８】
〔実施態様４〕（請求項７に対応）
実施態様４は、上記解決手段１〜解決手段３、又は実施態様１〜実施態様３のいずれかの光反射装置を複数有し、各光反射装置の光反射手段の回動軸を所定の角度に設定することである。
〔作 用〕
１つの光反射手段の座屈（屈曲）によるビーム光束の集光は一方向のみであるため、各光反射手段の回動軸の角度により座屈の生じる方向を調整して、複数の光反射手段を組み合わせることにより、ビーム光束を一様に絞ることが可能である。
【００１９】
〔実施態様５〕（請求項８に対応）
実施態様５は、上記解決手段１〜解決手段３、又は実施態様１〜実施態様３のいずれかの光反射装置、又は実施態様４の光反射装置ユニットを１次元アレイ状に配列して、所定の位置に１次元配列でビーム光束を照射することである。
〔作 用〕
光反射装置、又は光反射装置ユニットを１次元アレイ状に配置することにより、複数の位置にビーム光束を照射することが可能である。また、光反射装置、又は光反射装置ユニットを１次元アレイ状に配置しているため、光反射装置の固定手段に開口部を設ける場合は、複数個の光反射装置に対して１つの光源を設けるだけで、複数位置にビーム光束を反射することができる。
【００２０】
〔実施態様６〕（請求項９に対応）
実施態様６は、上記解決手段１〜解決手段３、又は実施態様１〜実施態様３のいずれかの光反射装置、又は実施態様４の光反射装置ユニットを２次元アレイ状に配列して、所定の位置に２次元配列でビーム光束を照射することである。
〔作 用〕
光反射装置、又は光反射装置ユニットを２次元アレイ状に配置することにより、光源からのビーム光束を２次元状に照射することができ、高密度の２次元のビーム光束列を形成することが可能である。また、画像形成装置に適用する場合は、高速化、小型化、消費エネルギー低減、低コスト化等を実現することができ、更に、光反射装置の反射角度を調整できるため、故障した光反射装置を隣接する光反射装置により補完することが可能となる。そして、ビーム光束の結像状態を個別に調整することができるため、ビーム光束の結像位置を精度良く配列することが可能である。
【００２１】
〔実施態様７〕（請求項１０に対応）
実施態様７は、上記解決手段１〜解決手段３、又は実施態様１〜実施態様３のいずれかの光反射装置、実施態様４の光反射装置ユニット、又は実施態様５あるいは実施態様６の光反射装置アレイにおいて、同一基板上に光源を有することである。
〔作 用〕
光反射装置、光反射装置ユニット、又は光反射装置アレイの同一基板上に光源を有するので、光源を位置精度良く配置することができると共に、小型化やコスト低減も可能である。
【００２２】
〔実施態様８〕（請求項１１に対応）
実施態様８は、前記実施態様７の光源装置において、光源の出射端に、該光源から出射したビーム光束のビーム拡がり角を抑制するレンズを有することである。
〔作 用〕
コリメートレンズ等のビーム拡がり角を抑制するレンズを設置するので、光反射装置と光源及び前記レンズとの距離を拡大することが可能であり、光路分岐など必要に応じて他の光学素子を光路中に挿入することが可能である。また、ビーム光束の拡がり角が抑制されるので、光反射手段の座屈（屈曲）による結像動作において光反射手段の変形量を小さくすることができる。そして、コリメートレンズ等により平行光とした場合、光反射装置アレイのアレイ長を長くすることが可能である。
【００２３】
〔実施態様９〕（請求項１２に対応）
実施態様９は、上記解決手段１あるいは実施態様１〜実施態様３のいずれかの光反射装置、又は実施態様５あるいは実施態様６の光反射装置アレイにおいて、同一基板上に光源を備えると共に、前記光源の出射端に、前記光反射装置によるビーム光束の屈折方向に対して垂直方向の屈折力を有するレンズを備えることである。
〔作 用〕
光反射装置と、この光反射装置によるビーム光束の屈折方向に対して垂直の屈折力を有するレンズを備えることにより、ビーム光束の結像特性を調整する方向は一方向に限定されるが、光反射装置、又は光反射装置アレイの構成が単純化されるので、制御や製造が容易となる。また、ＬＤのように拡がり角が伝播方向において垂直な面内で異なる場合には、結像に要する屈折力の差により、シリンドリカルレンズと光反射装置とを組合わせて結像特性を実現することが可能である。
【００２４】
〔実施態様１０〕（請求項１３に対応）
実施態様１０は、上記解決手段１あるいは実施態様１〜実施態様３のいずれかの光反射装置、又は実施態様５あるいは実施態様６の光反射装置アレイにおいて、同一基板上に光源を備えると共に、それぞれの光反射装置の出口に、各光反射装置によるビーム光束の屈折方向に対して垂直方向の屈折力を有するレンズを設けることである。
〔作 用〕
上記実施態様９の作用と同じである。
【００２５】
〔実施態様１１〕（請求項１４に対応）
実施態様１１は、上記解決手段２あるいは実施態様１〜実施態様３のいずれかの光反射装置、又は実施態様４の光反射装置ユニットを１次元アレイ状に配列し、前記１次元アレイ状に配列した光反射装置又は光反射装置ユニットの配列方向とビーム伝播方向を一致させて、単一の光源を設けたことである。
〔作 用〕
１次元アレイ状に配列した光反射装置又は光反射装置ユニットの配列方向とビーム伝播方向を一致させて、単一の光源を設けたので、反射ＯＦＦ状態の光反射装置を通過しても、反射ＯＮ状態の光反射装置においてビーム光束が反射又は集光されるため、複数個の光反射装置に対して１つの光源を設けるだけで、複数位置にビーム光束を反射又は結像することが可能である。また、光源の個数を減らすことにより、部品コストの低減、エネルギー消費量の低減、光源から発生する熱の総和量を減らして熱による光量変動の低減と回路動作の安定化を図ることができる。さらに、光源を同一基板上に固定可能であるから、位置決め精度を向上することができ、製造コストを低減することができる。
【００２６】
〔実施態様１２〕（請求項１５に対応）
実施態様１２は、上記解決手段２あるいは実施態様１〜実施態様３のいずれかの光反射装置を１次元アレイ状に配列し、前記１次元アレイ状に配列した光反射装置の配列方向とビーム伝播方向を一致させて、単一の光源を設けると共に、前記それぞれの光反射装置の出口に、各光反射装置によるビーム光束の屈折方向に対して垂直方向の屈折力を有するレンズを設けることである。
〔作 用〕
上記実施態様１１の作用と実質的に同じである。
【００２７】
〔実施態様１３〕（請求項１６に対応）
実施態様１３は、前記解決手段２あるいは実施態様１〜実施態様３のいずれかの光反射装置、又は実施態様４の光反射装置ユニットを２次元アレイ状に配列し、前記２次元アレイ状に配列した光反射装置又は光反射装置ユニットの一方向の配列数と同数の光源を設けたことである。
〔作 用〕
光反射装置又は光反射装置ユニットを２次元アレイ状に配列し、一方向の配列数と同数の光源を設けたので、反射ＯＦＦ状態の光反射装置を通過しても、反射ＯＮ状態の光反射装置においてビーム光束が反射又は集光されるため、複数個の光反射装置に対して１つの光源を設けるだけで、複数位置にビーム光束を反射又は結像することが可能である。また、光源の個数を減らすことにより、部品コストの低減、エネルギー消費量の低減、光源から発生する熱の総和量を減らして熱による光量変動の低減と回路動作の安定化を図ることができる。さらに、光源を同一基板上に固定可能であるから、位置決め精度を向上することができ、製造コストを低減することができる。
【００２８】
〔実施態様１４〕（請求項１７に対応）
実施態様１４は、前記解決手段２又は実施態様１〜実施態様３のいずれかの光反射装置を２次元アレイ状に配列し、前記２次元アレイ状に配列した光反射装置の一方向の配列数と同数の光源を設けると共に、前記それぞれの光反射装置の出口に、各光反射装置によるビーム光束の屈折方向に対して垂直の屈折力を有するレンズを設けることである。
〔作 用〕
上記実施態様１３の作用と実質的に同じである。
【００２９】
〔実施態様１５〕（請求項１８に対応）
実施態様１５は、上記実施態様７〜実施態様１０、実施態様１３、又は実施態様１４のいずれかの光源装置において、２次元アレイ状に配列した各列の配列を所定量だけずらしたことである。
〔作 用〕
光反射装置を行方向と列方向に整列させると共に、行方向又は列方向にずらして配置して、各光反射装置の光反射手段の角度及び形状を個別に調整することにより、行方向又は列方向において隣接するビーム位置の間を他の行方向又は列方向のビームで補完することを可能とし、光反射装置の幅よりも高密度にビーム光束を結像又は照射することが可能である。
【００３０】
〔実施態様１６〕（請求項１９に対応）
実施態様１６は、上記実施態様１１〜実施態様１５のいずれかの光源装置において、１次元アレイ状又は２次元アレイ状に配列された光反射装置又は光反射装置ユニットにおける、光源から最も離れた光反射装置の後部に受光手段を設けたことである。
〔作 用〕
１次元アレイ状又は２次元アレイ状に配列された光反射装置又は光反射装置ユニットにおいて、光源から最も離れた光反射装置の後部に受光手段を設けたので、光反射装置アレイにおける光反射手段の動作の異常について、前記受光手段によるビーム光束の伝播の有無により検出することができる。
【００３１】
〔実施態様１７〕（請求項２０に対応）
実施態様１７は、上記実施態様７〜実施態様１６のいずれかの光源装置を適用する画像形成装置である。
〔作 用〕
マイクロマシニング技術特有の高精度な位置精度を確保することができ、高速化、消費エネルギーの低減、小型化、製造コストの低減を図ることができる。
【００３２】
〔実施態様１８〕（請求項２１に対応）
実施態様１８は、上記実施態様１７の画像形成装置において、光源装置の各光反射装置を制御する信号の値を格納するデータ格納手段を有することである。
〔作 用〕
光源装置の各光反射装置を制御する信号の値を格納するデータ格納手段を有するので、この格納されたデータに基づいて、各光反射装置を個別に制御することができるだけでなく、光源の点灯タイミングも制御することができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明の効果を全体的にみれば、次のとおりである。
本発明の光反射装置（マイクロミラー）は、ＭＥＭＳ製造方法を適用することができるので、製造コストを低減することが可能である。また、光反射手段（ミラー）の反射角度を調整することができるので、画像形成装置への適用に際して、感光体へ結像するビーム光束の位置やプロファイルを個別に調整可能である。さらに、反射、集光及び結像を可能とする構成では、結像光学系を設置しなくても、又はビーム整形用の最小限の結像光学系の配置のみでビーム光束を絞ることが可能である。ここで、最小限の結像光学系の配置とは、コリメートや光源出射端からのビームの拡がり角を抑制するための予備的な結像素子の配置を指している。このような予備的な結像素子に含まれない結像レンズは、それを固定した後で、位置や姿勢の微調整をすることは困難であるが、前記光反射装置では、それに設けられている光反射手段の角度や形状を変位させること（屈曲）により、結像位置や結像特性を調整することが容易にできる。
【００３４】
また、光反射装置と光源を組み合わせて、アレイ状に配置することにより、画像形成プロセスの高速化が図られ、また走査光学レンズ等を使用しないため光路を短くすることが可能となり、光学系の小型化に寄与することができる。そして、反射ＯＦＦ時にビーム光束が通過する開口部を固定手段（ミラー保持部材）に形成する構造により、光反射装置アレイ（マイクロミラーアレイ）と同一基板上に光反射装置（マイクロミラー）よりも少ない個数の光源を設けることが可能となり、熱源である光源の個数を低減することができる。
ここで、座屈（屈曲）による光反射手段（ミラー）の形状の変更に伴い光反射手段全体の角度も変更されるため、ビーム光束の結像位置が変わってしまうという懸念がある。しかし、画像形成装置に適用するには、そのビーム光束の移動方向を副走査方向になるよう配置して、点灯タイミングを調整することにより、結像位置が変わっても、感光体上の露光位置への影響を除去することができる。前記点灯タイミングは、光反射装置の動作時におけるビーム光束のプロファイル及び位置が分かっていれば可能であるため、補助的な要素である。
【００３５】
そして、本発明の効果を主な請求項毎に整理すると、次ぎのとおりである。
(１) 請求項１に係る発明
光反射手段に静電引力を付加することにより、該光反射手段を回動させてその傾きや形状を変更することによって、ビーム光束の反射のＯＮ／ＯＦＦ、反射角度の変更、及び集光や結像の調整を行うことができる。
前記静電引力を付加しない反射ＯＦＦ状態では、光反射手段は独自の形状を保っているだけであるから、姿勢保持のためのエネルギーを必要とせず、反射ＯＮの時のみ光反射手段に駆動力を付加するので、消費エネルギーの低減化を図ることができる。更に、反射スイッチングのみならず光反射手段を構成する部材の座屈（屈曲）により生じる曲面を利用して、集光レンズ等を適用しなくても、ビーム光束の集光、結像スイッチング機能を有する光学系を構成することが可能である。また、マイクロマシニング技術を応用できる点で、小型化、品質の一様化を実現することが可能であり、製造段階における省エネルギー、低コスト化が可能である。
【００３６】
(２) 請求項２係る発明
光反射手段（ミラー）に静電引力を付加して該光反射手段の傾きを変更することにより、ビーム光束の反射のＯＮ／ＯＦＦ、及び反射角度の変更を行うことができる。光反射手段の反射ＯＦＦのときは、ビーム光束は反射されず固定手段の開口部を通過する。
前記固定手段に開口部を設けた光反射装置をアレイ状に配置したとき、ビーム光束は反射ＯＦＦ状態の光反射手段（ミラー）を通過するが、反射ＯＮ状態の光反射手段で反射されるため、複数個の光反射装置に対し、１つ又は光反射装置の個数以下の光源により複数位置にビーム光束を反射することが可能となる。また、光源の個数を減らすことで、部品コストの低減、消費エネルギーの低減、光源から発生する熱を減らすことによる光量変動の低減及び回路動作の安定化を図ることができる。
【００３７】
(３) 請求項３に係る発明
光反射手段（ミラー）に静電引力を付加することにより、該光反射手段を回動させてその傾きや形状を変更することによって、ビーム光束の反射のＯＮ／ＯＦＦ、反射角度の変更、及び集光や結像の調整を行うことができる。前記光反射手段の反射ＯＦＦのときは、ビーム光束は反射されず固定手段の開口部を通過する。
前記固定手段に開口部を設けた光反射装置をアレイ状に配置したとき、ビーム光束は反射ＯＦＦ状態の光反射手段（ミラー）を通過するが、反射ＯＮ状態の光反射手段で反射されるため、複数個の光反射装置に対し、１つ又は光反射装置の個数以下の光源により複数位置にビーム光束を反射又は結像することが可能となる。また、光源の個数を減らすことで、部品コストの低減、消費エネルギーの低減、光源からの熱を減らすことにより光量の変動を低減し回路動作を安定化することができる。
【００３８】
(４) 請求項４に係る発明
請求項１〜請求項３のいずれかの発明の効果に加え、光反射手段を反射ＯＦＦの状態に戻すために、上方から静電引力を付加して、第二の固定手段（上側基板）に光反射手段を吸着することにより、スイッチングの信頼性を向上することが可能である。光反射手段が反射ＯＦＦの状態のときは、反射ＯＦＦ側の絶縁層に光反射手段が接触して蓋をした状態であり、漏れ光を低減することが可能となる。また、光反射手段の回動軸のヒンジ機構において、ばね定数をゼロとする（回動方向のみ自由とする）構成にすることにより、反射のＯＮ／ＯＦＦの切替えを高速化することが可能となる。
【００３９】
(５) 請求項５に係る発明
光反射手段（ミラー）に静電引力を付加して該光反射手段の傾きを変更することにより、ビーム光束の反射のＯＮ／ＯＦＦ、及び反射角度の変更を行うことができる。
光反射手段を反射ＯＦＦの状態に戻すために、上方から静電引力を付加して、第二の固定手段（上側基板）に光反射手段を吸着することにより、スイッチングの信頼性を向上することが可能である。光反射手段が反射ＯＦＦの状態のときは、反射ＯＦＦ側の絶縁層に光反射手段が接触して蓋をした状態であり、迷光の漏れを防止することが可能となる。また、光反射手段の回動軸のヒンジ機構において、ばね定数をゼロとする（回動方向のみ自由とする）構成にすることにより、反射のＯＮ／ＯＦＦの切替えを高速化することが可能となる。
【００４０】
(６) 請求項６係る発明
請求項１、請求項３、又は請求項４の発明の効果に加え、光反射手段の幅や厚さを部位によって異なるようにしたので、光反射手段の座屈現象（屈曲）が生じ易い部位を意図的に設定することができ、ビーム光束の反射と集光を制御することが可能である。
(７) 請求項７に係る発明
請求項１〜請求項６のいずれかの発明の効果に加え、複数の光反射装置における光反射手段の回動軸の角度により、傾斜又は座屈が生じる方向を調整して、複数の光反射手段を組み合わせることにより、ビームの反射方向を変更することやビーム光束を一様に絞ることが可能である。
【００４１】
(８) 請求項８に係る発明
請求項１〜請求項７のいずれかの発明の効果に加え、マイクロマシニング技術を適用することができるから、光反射手段を高密度アレイ状に配置することが可能であり、複数の位置にビーム光束を結像することができる。また、光反射装置の固定手段に開口部を設けている場合は、請求項２及び請求項３の発明と同じ効果を生じる。
(９) 請求項９に係る発明
請求項１〜請求項７のいずれかの発明の効果に加え、光反射装置、又は光反射装置ユニットを２次元アレイ状に配置することにより、光源からのビーム光束を２次元状に照射又は結像することができ、高密度の２次元のビーム光束列を形成することが可能である。また、画像形成装置に適用する場合は、高速化、小型化、消費エネルギーの低減、低コスト化等を実現することができ、更に、光反射装置の反射角度を調整できるため、１つの光反射装置が故障した場合でも、それに隣接する光反射装置により補完することが可能となる。そして、ビーム光束の結像状態を個別に調整することができるため、ビーム光束の結像位置を精度良く配列することが可能である。
【００４２】
(１０) 請求項１０係る発明
請求項１〜請求項９のいずれかの発明の効果に加え、マイクロマシニング技術を適用することが可能であるから、光反射装置、光反射装置ユニット、又は光反射装置アレイの同一基板上に光源を有するので、光源を位置精度良く配置することができると共に、小型化やコスト低減も可能である。
(１１) 請求項１１に係る発明
請求項１０の発明の効果に加え、基板上に光源とコリメートレンズ等のビーム拡がり角を抑制するレンズを設置するので、光反射装置と光源及び前記レンズとの距離を拡大することが可能であり、光路分岐など必要に応じて他の光学素子を光路中に挿入することが可能である。また、ビーム光束の拡がり角が抑制されるので、光反射手段の座屈による結像動作において光反射手段の変形量を小さくできるから、光反射手段に与える機械的負荷を低減して寿命を長くできる。そして、コリメートレンズ等により平行光とした場合、光反射装置アレイのアレイ長を長くすることが可能となり、１つの光源により高密度で多数位置へのビーム光束の結像が可能である。このようにして、光源個数を低減することにより熱の発生を抑制し、光学系への熱的な影響の除去、消費エネルギーの低減、部品コストの削減、光源の設置に占める面積を削減することによる高密度化が可能となる。
【００４３】
(１２) 請求項１２及び請求項１３に係る発明
請求項１、請求項３、請求項４、請求項６、請求項８、又は請求項９の発明の効果に加え、光反射装置と、この光反射装置によるビーム光束の屈折方向に対して垂直方向の屈折力を有するレンズを備えることにより、ビーム光束の結像特性を調整する方向は一方向に限定されるが、光反射装置、又は光反射装置アレイの構成が単純化されるので、制御や製造が容易となる。また、ＬＤのように拡がり角が伝播方向において垂直な面内で異なる場合には、結像に要する屈折力の差により、シリンドリカルレンズと光反射装置との組合わせで結像特性を実現することが可能である。
【００４４】
(１３) 請求項１４〜請求項１７に係る発明
請求項２〜請求項４、請求項６、又は請求項７のいずれかの発明の効果に加え、光源を同一基板上に固定可能であるから、位置決め精度を向上することができ、製造コストを低減することができる。
また、光反射装置の個数に対して光源の個数を低減することができるので、熱の発生を抑制することができるばかりでなく、光学系への熱的な影響の除去、消費エネルギーの低減、部品コストの削減、光源の設置に占める面積を削減することによる高密度化が可能となる。
【００４５】
(１４) 請求項１８に係る発明
請求項１０〜請求項１３、請求項１６、又は請求項１７のいずれかの発明の効果に加え、光反射装置を行方向と列方向に整列させると共に、行方向又は列方向にずらして配置して、各光反射装置の光反射手段の角度及び形状を個別に調整することにより、行方向又は列方向において隣接するビーム位置の間を他の行方向又は列方向のビームで補完することを可能とし、光反射装置の幅よりも高密度にビーム光束を結像又は照射することが可能である。
【００４６】
(１５) 請求項１９に係る発明
請求項１４〜請求項１８のいずれかの発明の効果に加え、１次元アレイ状又は２次元アレイ状に配列された光反射装置又は光反射装置ユニットにおいて、光源から最も離れた光反射装置の後部に受光手段を設けたので、光反射装置アレイにおける光反射手段の動作に異常があれば、その異常を前記受光手段によるビーム光束の伝播の有無により検出することができる。
そして、２次元アレイ状に配列された光反射装置アレイにおいて光反射手段（ミラー）の動作に異常があれば、動作しない光反射手段について、他の列における欠陥光反射手段と同じ行の光反射手段により反射させることで補完することが可能である。
回転ドラム状の感光体を有する画像形成装置に適用するときは、欠陥画素を補正することにより、高精度の出力画像を得ることができ、信頼性の高い画像形成装置を提供することが可能である。
【００４７】
(１６) 請求項２０に係る発明
請求項１０〜請求項１９のいずれかに記載の光源装置を有するので、マイクロマシニング技術特有の高精度な位置精度を確保することができ、高速化、消費エネルギーの低減、小型化、製造コストの低減を可能とし、さらに、感光体に結像させるビーム光束を個別に調整可能であるので、高密度で安定した画像品質を取得することができる。
(１７) 請求項２１に係る発明
請求項２０の発明の効果に加え、光源装置は、各光反射装置を個別に調整可能であるから、それぞれの光反射装置におけるビーム光束の位置補正量を記憶するデータ格納手段を保有し、この格納データに基づいて点灯タイミングをずらすことにより、調整済みのビーム光束を取得することが可能となる。このことにより、製品自体の歩留まりを向上することができ、安定した画像品質を取得することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
ＭＥＭＳ技術を適用することができ、単純な構造で、反射のＯＮ／ＯＦＦ、反射角度の調整、集光又は結像も可能である光反射装置を実現することである。
【実施例１】
【００４９】
本発明の実施例１（請求項１に対応）について、図１〜図１１を参照しながら説明する。
先ず、図１に示されている光反射装置（マイクロミラー）について説明する。Ｓｉ(シリコン)ミラー(１)とＳｉ基板(２)はそれぞれ電極(３,３ａ)を有しており、前記Ｓｉミラー(１)は、ヒンジ(４)によりＳｉミラー保持部材(５)に保持されている。前記Ｓｉ基板(２)は、その上層にＳｉＯ２（二酸化シリコン）からなる絶縁層(６)を有しており、前記Ｓｉミラー(１)とＳｉ基板(２)を絶縁している。また、前記Ｓｉミラー保持部材(５)はＳｉ又はＳｉＯ２ から成っている。前記Ｓｉミラー(１)の表面に白金又はアルミニウム等をコーティングすることにより、ビーム光束の反射率を高めることが可能である。
【００５０】
上記光反射装置において、図２に示すように、電源(７)により電極(３ｂ,３ｃ)を介して、Ｓｉミラー(１ａ)とＳｉ基板(２ａ)に電位差を与えると、静電引力が発生し、ヒンジ(４ａ)を回転中心として前記Ｓｉミラー(１ａ)が絶縁層(６ａ)に接触するまで回動して、傾斜した平面ミラー(１ｂ)となる。引き続き、前記電位差を大きくすることにより、図３に示すように、Ｓｉミラー(１ｃ)のＳｉ基板(２ｂ)との接触点において、２次モーメントＭが生じる。前記平面ミラー(１ｂ)とＳｉ基板(２ａ)との間の静電引力を増加することにより、図２に示す平面ミラー(１ｂ)は弾性変形することにより曲面ミラー(１ｃ)となる。
図２に示されている電源(７)から電極(３ｂ,３ｃ)に付加する電圧をスイッチングすることにより、図１〜図３に示される動作を繰り返すことが可能である。
また、上記図１に示されているＳｉミラー(１)に代えて、図４に示すようなアルミ蒸着膜等による金属ミラー(８)にすると、アルミニウム（Ａｌ）はＳｉに比べてヤング率が４０％以下であって屈曲し易いため、静電引力に必要な電力を低減することが可能である。
【００５１】
以上のような動作により、図５に示すようにビーム光束(９)の反射と集光を同時に行うことが可能であり、電極に付加する電気信号を調整して傾斜又は屈曲の角度を変更することにより、反射角度及び集光の状態を変更することが可能である。
この実施例１の光反射装置を適用する対象として画像形成装置を想定した場合、ビーム径は数１０μｍであるため、ミラー面のサイズを数１００μｍ角程度とすることが可能である。このようなミラーのサイズでは、静電引力を遮断すると、スケール効果によって屈曲したミラーは重力の影響を殆ど受けることがなく、元の状態に戻ることが可能である。
【００５２】
次に、実施例１の光反射装置の製造方法について、図６〜図１０を用いて説明する。この製造方法の殆どの工程がリソグラフィ及びエッチング技術から成り、Ｓｉ基板の加工は｛１００｝面を対象としている。
上記Ｓｉミラーを有する光反射装置の場合は、図６に示すように、Ｓｉ基板(１０)の表層にＳｉＯ２ 層(１１)を形成し、ＫＯＨ（水酸化カリウム）により前記Ｓｉ基板(１０)をエッチングして（図６(ａ)）、再度、前記Ｓｉ基板(１０)の表層にＳｉＯ２ 層(１１ａ)を形成する（図６(ｂ)）。この状態から、さらにＳｉ層(１０)をエッチングして、再度のＳｉＯ２ 層(１１ｂ)を形成する（図６(ｃ)）。次に、Ｓｉ基板(１０)の裏層にＳｉＯ２ 層(１２)を形成し、前記Ｓｉ基板(１０)を前記ＳｉＯ２ 層(１１ｂ)が裏層より露出するまでエッチングする（図６(ｄ)）。さらに、ギャップ(１３)を残して、前記Ｓｉ基板(１０)の裏層全体にＳｉＯ２ 層(１２ａ)を形成し（図６(ｅ)）、前記Ｓｉ基板(１０)をエッチングした後、ＨＦ（フッ化水素）で全ＳｉＯ２ 層を除去して、電極(３ｄ)を蒸着することにより形成する（図６(ｆ)）。このような工程により、図６(ｆ)に示すようなヒンジ(４ｂ)を有するミラー(１ｄ)を作製することができる。そして、図７に示すように、電極(３ｅ)と絶縁層(６ｂ)であるＳｉＯ２ 層とを形成したＳｉ基板(２ｃ)とから成る基板の前記絶縁層(６ｂ)の上面と、図６(ｆ)に示したミラー(１ｄ)のＳｉ基板(１０)の下面とを、界面の原子間力で直接接合により一体化することによって、図８に示すようなＳｉミラーを有する光反射装置を作製することができる。
【００５３】
他方、上記Ａｌミラーを有する光反射装置の場合は、図６(ａ)の状態から、一度、ＳｉＯ２ 層(１１)を除去して、図９に示すように、Ｓｉ３Ｎ４（窒化シリコン）層(１４)を形成し、その上にＡｌ（アルミニウム）層(１５)を蒸着する。再度、Ｓｉ基板(１０)にＳｉＯ２ 層(１２)を形成して、裏層からＳｉ基板(１０)をＳｉ３Ｎ４ 層(１４)が露出するまでエッチングする。その後、常温でＨ３ＰＯ４（リン酸）でＳｉ３Ｎ４層(１４)をエッチングすることにより、図１０に示すようなＡｌミラー(１５ａ)を有する光反射装置を作製することができる。電極の形成や図７に示す基板との接合は、Ｓｉミラーを有する光反射装置の製造と同様である。
【００５４】
そして、上記光反射装置のミラーの角度や形状を制御するときの電気信号の値は、シミュレーションにより決定することも可能である。しかし、スケール効果によって、基板とミラー間摩擦など面積成分に影響する力が大きくなり、重力など体積成分に影響する力が小さくなるなど、不明確な要素が多いので、実用的にはビーム反射角度、ビーム径等を測定して確認を行うのが、現状においては好ましいことである。
光反射装置の制御信号、及び光反射装置の動作確認方法の一例について、図１１を用いて説明する。
ＣＣＤ（Charge Coupled Device）エリアセンサ(１６)により、ミラー(１ｅ)から反射されたビーム光束(９ａ)を受光し、ビームのサイズ及び位置を検出して、コンピュータ(１７)に格納する。また、ミラー(１ｅ)とＳｉ基板(２ｄ)間に電位差を与える電源(７ａ)の出力をコンピュータ(１７)で制御可能にすることによって、電源(７ａ)の出力を可変としたときの、ビームのサイズ及び位置の変化を検出することが可能となる。ビームの最適なサイズ及び位置が得られたときの電源(７ａ)の出力値を格納することにより、制御信号の値を決定することができる。
【実施例２】
【００５５】
次に、本発明の実施例２（請求項２及び請求項３に対応）について、図１２を参照しながら説明する。
この実施例２の光反射装置は、その構成及び動作が上記実施例１と殆ど同じであり説明が重複するため、実施例１と異なる部分について説明する。
実施例２の光反射装置は、図１２(ａ)に示すように、Ｓｉ基板(１０)の端部（実施例１のＳｉミラー保持部材）にリソグラフィ及びエッチングにより開口(１８)を形成する。この構成により、ミラー(１ｆ)の反射ＯＦＦ時には、ビーム光束(９ｂ)が前記開口(１８)を伝播し、反射ＯＮ時には第１２図(ｂ)に示すように、ビーム光束(９ｃ)はミラー(１ｇ)により反射される。
【実施例３】
【００５６】
次に、本発明の実施例３（請求項４に対応）について、図１３〜図２２を参照しながら説明する。
この実施例３は、図１３に示すように、上記実施例１の光反射装置（図８参照）において、ミラー(１ｈ)の上方において、Ｓｉ基板(２ｆ)と絶縁層(６ｄ)であるＳｉＯ２ 層と電極(３ｈ)より成り、開口(１９)を有する上側の基板を、直接接合によって接合することにより構成される光反射装置である。前記ミラー(１ｈ)のスイッチングにおいて、反射をＯＮにする場合には、該ミラー(１ｈ)とＳｉ基板(２ｅ)との間には静電引力が生じ、且つ該ミラー(１ｈ)とＳｉ基板(２ｆ)との間には斥力が生じるように電位差を与える。また、反射をＯＦＦにする場合には、電位差の関係を上記の逆にする。以上のような動作より、スイッチングを確実にすると共に、漏れ光を低減することができる。
また、上記図１３に示す光反射装置において、ミラー(１ｈ)とミラー保持部の接点を、図１４に示すような蝶番(２０,２０ａ)の構造とすることによって、ミラー(１ｉ)はその回動方向のみに自由となり、上側及び下側の基板との電位差により行われるスイッチング動作をスムーズに行うことが可能となる。
【００５７】
次に、多結晶Ｓｉから成る蝶番構造を有する光反射装置の製造方法の一例について、図１５〜図２２を参照しながら説明する。
最初に、上記実施例１として説明した光反射装置の製造方法と同様の手法によって、Ｓｉミラー(１ｊ)及びミラー保持部(１０)から成る図１５に示されているものを作製する。次に、図１６に示すように、リソグラフィ及びエッチングによりＳｉＯ２ 層(１１ｃ)と多結晶Ｓｉ層(２０ｂ)を形成する。次に、図１７に示すように、多結晶Ｓｉ層(２０ｃ)には貫通穴(２１)を形成する。以下、図１７中のＡ−Ａ’断面と同一面内において説明する。図１６に示されているものの表層に、図１８に示すようにＳｉＯ２ 層(１１ｄ)を形成し、図１９に示した部位のＳｉＯ２ 層(１１ｄ)以外の部分をエッチングして、貫通穴(２１ａ)を形成する。図２０において、多結晶Ｓｉ層(２０ｅ)を形成すると共に、前記ＳｉＯ２ 層(１１ｃ,１１ｄ)をエッチングにより除去して蝶番構造を形成する。次に、図２１に示すように、基板裏層にギャップ(１３ａ,１３ｂ)を有するＳｉＯ２ 層(１２)を形成した後、エッチングによりミラー(１ｋ)とミラー保持部であるＳｉ基板(１０)を分離し、その後、前記ＳｉＯ２層(１２)をエッチングにより除去する。そして、Ｓｉ基板(２ｇ,２ｈ)の上に絶縁層としてＳｉＯ２ 層(６ｅ,６ｆ)を有する下側基板及び上側基板と接合することによって、図２２に示す光反射装置を作製することができる。ここで、前記蝶番の材料として用いた多結晶Ｓｉは電極としての機能も有する。
【実施例４】
【００５８】
次に、本発明の実施例４（請求項５に対応）について、図２３及び図２４を参照しながら説明する。この実施例４は、上記実施例１〜実施例３におけるそれぞれの光反射装置に共通するミラーの形状に関するものである。
図２３は、ミラーを上方から見たときの形状を示す平面図である。図２３(ａ)に示すように、ミラーの固定端（上側端）から自由端（下側端）に向けて幅を狭めていき、自由端に近い位置において屈曲を補助する（屈曲し易い）形状や、図２３(ｂ)に示すように、ミラーの任意の位置で幅を狭めたり、又は広げたりすることにより、屈曲する位置をミラー中央部、又は両端に近い位置にする形状や、図２３(ｃ)に示すように、自由端から固定端に向けて幅を狭めていき、固定端に近い位置において屈曲を補助する形状にすることができる。このようなミラーの平面形状は、マスクの形状を変更することにより実現することが可能である。
【００５９】
また、図２４は、ミラーを横から見たときの形状を示す側面図であり、ミラーの厚みを変えることにより、屈曲する位置を変更し得ることを説明するものである。図２４(ａ)に示すように、ミラーを固定端側において厚くし、自由端に近い位において屈曲を補助する（屈曲し易い）形状や、図２４(ｂ)に示すように、ミラーを任意の位置において厚くして、屈曲する位置をミラー中央部、又は両端に近い位置とする形状や、図２４(ｃ)に示すように、自由端側において厚くし、固定端に近い位置において屈曲を補助する形状にすることができる。このようなミラーの厚みは、選択的なエッチングにより実現することが可能である。
【実施例５】
【００６０】
次に、本発明の実施例５（請求項６に対応）について、図２５を参照しながら説明する。この実施例５は、２つの光反射装置を重ねて接合した光反射装置ユニットであり、前記接合される各光反射装置は、上記実施例１〜実施例４において説明した光反射装置と基本的に同じものである。
図２５に示すように、Ｓｉミラー(１ｌ)及びミラー保持部であるＳｉ基板(１０)を備える光反射装置と、Ｓｉミラー(１ｍ)及びミラー保持部であるＳｉ基板(１０ａ)を備える光反射装置とを、それぞれのＳｉＯ２ 層(６ｇ,６ｈ,６ｉ,６ｊ)を有する各Ｓｉ基板(２ｉ,２ｊ,２ｋ)により挟むように接合することによって構成されている。前記それぞれのＳｉミラー(１ｌ,１ｍ)は、ミラー回動軸が垂直となっているため、ビーム光束(９ｄ)を集束させる方向が出射光の伝播方向に対して互いに垂直であり、ビーム光束を鉛直方向及び水平方向に集束させることが可能である。ここでは、各Ｓｉミラー(１ｌ,１ｍ)の動作に対して、中央のＳｉ基板(２ｊ)を共通化することができるように、Ｓｉミラー(１ｍ)に対するビーム伝播方向が、Ｓｉミラー(１ｌ)の場合と逆になる配置とされている。
【実施例６】
【００６１】
次に、本発明の実施例６（請求項７に対応）について、図２６を参照しながら説明する。この実施例６は、光反射装置を１列に配置したものであり、前記各光反射装置は、上記実施例１〜実施例４において説明した光反射装置と基本的に同じものである。
図２６に示すように、ミラーを有する光反射装置を１次元アレイ状に配置して、各ミラーにより反射、集光のスイッチングを独立して行う光反射装置アレイである。そして、隣接する光反射装置のミラーと基板間の電位差により、スイッチングの誤動作を生じる恐れがある場合は、隣接する光反射装置間にＳｉＯ２等の絶縁層を設けることにより、誤動作を防止することが可能である。
【実施例７】
【００６２】
次に、本発明の実施例７（請求項８に対応）について、図２７を参照しながら説明する。
この実施例７は、１次元光反射装置アレイ（図２６参照）のミラー保持部であるＳｉ基板(１０ｂ,１０ｃ)同士を接合面(２２)で接合することにより、２次元光反射装置アレイとして作製したものである。この実施例７において、上記実施例６において説明した１次元光反射装置アレイ（図２６参照）と同様、スイッチング誤動作を生じる恐れがある場合は、各隣接光反射装置の接合面に絶縁層を設ける必要がある。
なお、図２８に示されている光源と一体となった光反射装置を２次元的に配置することも考えられるが、光源の個数が多くなり熱の発生が懸念される。この課題に対応した構成は、後に記載する実施例１０の構成及び動作において説明する。
【実施例８】
【００６３】
次に、本発明の実施例８（請求項９及び請求項１０に対応）について、図２８〜図３１を参照しながら説明する。
この実施例８は、光反射装置が光源を備える光源装置であり、図２８に示すように、同一Ｓｉ基板上にリソグラフィ及び｛１００｝面の短時間でのエッチングによりＶ溝(２３)を形成して、ＬＤ光源(２４)を位置決めする光源装置である。
この光源装置は、上記のようにＬＤ光源を位置決めする他に、半導体プロセスにより、光源を光反射装置と一体構造として作製することも可能である。
【００６４】
そして、図２９に示すように、ＬＤ光源(２４ａ)の出射端近傍にボールレンズ等のコリメートレンズ(２５)を設置して、図３０に示すように、ＬＤ光源(２４ｂ)の出射光の水平及び垂直放射角を抑え、平行光(９ｅ)としている。通常、垂直放射角が水平放射角に比べ大きいため、平行光(９ｅ)のビーム径は垂直方向の方が大きくなるが、本発明による光反射装置のミラーの屈曲により、垂直方向のビームを集光し、水平方向ビーム径と均一にすることができる。
また、コリメートレンズ(２５ａ)により平行光(９ｅ)を得ると、図３１に示すように、開口(１８ｂ)を有する複数の光反射装置に対し、単一のＬＤ光源(２４ｃ)から光を出射することにより、複数位置に結像することが可能となる。
さらに、単一の光反射装置とＬＤ光源の組合わせにおいては、レンズによって完全な平行光としなくても、放射角を抑えることにより、光反射装置のミラーの屈曲を大きくすることなく、レンズとミラーの光学特性を合成して収束光を取得することができ、さらに、ミラーの角度及び屈曲を制御することにより、微調整を行うことが可能である。
【実施例９】
【００６５】
次に、本発明の実施例９（請求項１１及び請求項１２に対応）について、図３２及び図３３を参照しながら説明する。
この実施例９は、上記実施例８において説明した光源装置（図２８〜図３１参照、）において、ビーム光束をシリンドリカルレンズにより一方向に集光し得るものであり、図３２に示すように、ＬＤ光源(２４ｄ)からのビーム光束(９ｇ)に対して、ミラー(１ｎ)が前記ビーム光束(９ｇ)の垂直方向に屈折力を有する一方、水平方向に屈折力を有するシリンドリカルレンズ(２６)が、ＬＤ光源(２４ｄ)の出射端近傍に設置されているので、前記ビーム光束(９ｇ)は水平及び垂直方向に集光することができる。
前記シリンドリカルレンズ(２６)の設置位置は、リソグラフィ及びエッチングにより高い面精度が得られるため、該シリンドリカルレンズ(２６)の位置決め精度を高めることが可能である。
【００６６】
また、図３２のＬＤ光源(２４ｄ)の出射端にコリメートレンズを設置してビーム光束を平行光とし、ミラー(１ｎ)とシリンドリカルレンズ(２６)により結像性能を得るように構成することも可能である。
そして、図３３に示すように、絶縁層(６ｋ)を有するＳｉ基板(２ｌ)上において、開口(１９ａ)を横断するように形成されたＶ溝(２７)に対してシリンドリカルレンズ(２８)を固定することにより、ビーム光束を集光することが可能である。この際、シリンドリカルレンズ(２８)をロッドレンズとすると、位置決め精度を確保することができる。
【実施例１０】
【００６７】
次に、本発明の実施例１０（請求項１３及び請求項１４に対応）について、図３４及び図３５を参照しながら説明する。
この実施例１０は、上記実施例２における光反射装置を一列に配置して単一の光源を設けると共に、シリンドリカルレンズを用いてビーム光束を一方向に集光する光源装置である。
図３４に示すように、開口(１９ｂ)を形成した絶縁層(６ｌ)とＳｉ基板(２ｍ)とシリンドリカルレンズ(２８ａ)を有する１次元の光反射装置アレイ（１次元の光反射装置アレイは、図３１(実施例８)にも示されている）において、ＬＤ光源から出射してコリメートレンズを通った平行光は、反射ＯＦＦ状態のミラー(１ｏ)のミラー保持部(１０)の開口(１８ｃ)を通過し、反射ＯＮ状態のミラー(１ｐ)で反射及び集光されて、シリンドリカルレンズ(２８ａ)において、ミラー(１ｐ)で集束された方向に対して垂直を成す方向のビーム径を集束して、所定の位置に結像される。
【００６８】
この実施例１０においては、単一ＬＤ光源を用いているから、各ミラーに光源を設置する場合と比較して、全体として熱の発生を格段に低減することが可能である。また、反射ＯＦＦのミラー(１ｏ)は絶縁層(６ｌ)の開口(１９ｃ)を閉じる構成となり、漏れ光を低減することが可能である。
また、図３５に示すように、上記実施例５（図２５参照）における光反射装置ユニットをアレイ状に配置して、単一のＬＤ光源とコリメートレンズを用いることにより、ビームの反射及び集光を実現して所定の位置に結像することも可能である。
【実施例１１】
【００６９】
次に、本発明の実施例１１（請求項１５及び請求項１６に対応）について、図３６及び図３７を参照しながら説明する。
この実施例１１は、上記実施例１０における１次元の光反射装置を有する光源装置（図３４及び図３５参照）を２次元状に配列して、２次元アレイ状の光源装置としたものである。
例えば、図３４に示されている単一のＬＤ光源と、コリメートレンズと、１次元の光反射装置アレイと、シリンドリカルレンズとから成る光源装置を、図３６に示すように、２次元状に配列して、２次元アレイ状の光源装置を構成することができる。このとき、シリンドリカルレンズ(２８ｂ,２８ｃ)は、レンティキュラレンズのように一体的な構造とすることも可能である。
また、図３５に示されている単一のＬＤ光源と、コリメートレンズと、１次元の光反射装置ユニットを配置した光源装置を、図３７に示すように、２次元状に配列して、２次元アレイ状の光源装置を構成することができる。
【実施例１２】
【００７０】
次に、本発明の実施例１２（請求項１７に対応）について、図３８及び図３９を参照しながら説明する。
この実施例１２は、上記実施例１１における図３６に示された光源装置において、ビーム出射位置を所定距離だけずらして配置したものである。
図３８及び図３９に示すように、光源装置のビーム出射位置を、例えばビーム径の１／２又は１／３の距離等、所定の距離ｘ１又はｘ２だけずらして配置することによって、画像形成装置に適用する際、画像の密度を向上し得る光源装置として構成することができる。この光源装置では、同一列上に配置された光反射装置に対して同一光源とコリメートレンズを適用することになるため、光源とコリメートレンズの個数は、複数の光反射装置が並んでいる列の数だけ必要となる。
また、上記実施例１１における図３７に示された光源装置においても、同様の配置が可能である。
【実施例１３】
【００７１】
次に、本発明の実施例１３（請求項１８に対応）について、図４０を参照しながら説明する。
この実施例１３は、上記実施例１１における光源装置（図３６及び図３７参照）において、反射ＯＮとなるべき光反射装置のミラーが作動しなかったとき（反射ＯＮとならなかったとき）、それを他の列の光反射装置のミラーにより補完することができる光源装置である。
図４０に示すように副走査方向を図中Ｉの方向とすれば、ミラー(１ｓ)で反射ＯＮとした場合に、ＰＤ（フォトダイオード）(２９)で受光が確認されると、ミラー(１ｓ)が動作していないことになるため（図示されているミラー(１ｓ)は、正常に反射ＯＮ動作をしている状態である）、一列ずれた開口(１９ｅ)下にあるミラー（図には表れていない）をミラー(１ｓ)の代替として動作させることにより、欠陥箇所であるミラー(１ｓ)を補完することが可能である。
【実施例１４】
【００７２】
次に、本発明の実施例１４（請求項１９及び請求項２０に対応）について、図４１〜図４３を参照しながら説明する。
この実施例１４は、図４１に示すように、光源装置(３０)の各光反射装置のミラーによる反射光が感光体(３１)上に結像するように、前記光源装置(３０)を設置した画像形成装置である。前記光源装置(３０)は、上記実施例１０〜実施例１３において説明した光源装置（図３４〜図４０参照）である。
この光源装置(３０)においては、図４２に示すように、各ミラー(１ｔ,１ｕ)に付加する制御信号により、ミラーの角度及び曲率を調整して、ビーム光束(９ｎ,９ｏ)のように、結像位置及び集光状態を調整することが可能である。上記実施例１の説明において示したビーム特性検出方法（図１１参照）により、各光反射装置のミラーの結像特性を取得することによって、ビーム集光状態を調整すると共に、位置ずれ量は感光体の回転と点灯タイミングを合わせることにより、均一な潜像を得るためのビーム光量分布を各ビーム毎に調整することができる。
【００７３】
次に、画像形成装置において、光源装置の各光反射装置（マイクロミラー）の位置ずれ補正について、図４３を用いて説明する。
上記のように、実施例１の説明において示したビーム特性検出方法（図１１参照）により、予め光源装置(３０ａ)の各光反射装置の結像特性を取得して位置ずれを検出する。この位置ずれ量をｓとし、感光体(３１ａ)の線速をｖとすると、ｓ／ｖで点灯タイミングのずれ量が得られる。図４３に示すように、検出した各光反射装置のミラーの位置ずれ量を格納したメモリ(３２)を光源制御装置（図示を省略）に接続し、位置ずれがある光反射装置を用いてビーム光束を結像する際に、前記メモリ(３２)から位置ずれ量ｓを読み出して、ｓ／ｖだけタイミングをずらして、点灯と光反射装置のミラーの反射をＯＮとすることにより、一走査ライン上で位置ずれのないビーム光量分布を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】は、実施例１のＳｉミラーを有する光反射装置を説明する模式図である。
【図２】は、実施例１のＳｉミラーの傾き動作を説明する模式図である。
【図３】は、実施例１のＳｉミラーの屈曲動作を説明する模式図である。
【図４】は、実施例１のＡｌミラーを有する光反射装置を説明する模式図である。
【図５】は、光反射装置のミラーによる反射と集光を説明する模式図である。
【図６】は、実施例１のＳｉミラーの製造方法を説明する模式図である。
【図７】は、実施例１の基板の製造方法を説明する模式図である。
【図８】は、実施例１のＳｉミラーを有する光反射装置の完成図である。
【図９】は、実施例１のＡｌミラーの製造方法を説明する模式図である。
【図１０】は、実施例１のＡｌミラーの完成図である。
【図１１】は、光反射装置の制御信号及び動作確認方法について説明する模式図である。
【図１２】は、実施例２の光反射装置を模式的に表す斜視図である。
【図１３】は、実施例３の光反射装置を模式的に表す斜視図である。
【図１４】は、実施例３の光反射装置の蝶番構造を模式的に表す斜視図である。
【図１５】は、実施例３の蝶番構造を有する光反射装置の製造方法を説明する模式図である。
【図１６】は、図１５と同じ製造方法を説明する模式図である。
【図１７】は、図１５と同じ製造方法を説明する模式図である。
【図１８】は、図１５と同じ製造方法を説明する模式図である。
【図１９】は、図１５と同じ製造方法を説明する模式図である。
【図２０】は、図１５と同じ製造方法を説明する模式図である。
【図２１】は、図１５と同じ製造方法を説明する模式図である。
【図２２】は、図１５と同じ製造方法を説明する模式図である。
【図２３】は、実施例４の光反射装置における光反射手段の形状を示す平面図である。
【図２４】は、実施例４の光反射装置における光反射手段の厚みを示す側面図である。
【図２５】は、実施例５の光反射装置ユニットを模式的に表す斜視図である。
【図２６】は、実施例６の光反射装置アレイを模式的に表す斜視図である。
【図２７】は、実施例７の光反射装置アレイを模式的に表す斜視図である。
【図２８】は、実施例８の光源装置を模式的に表す斜視図である。
【図２９】は、実施例８の光源装置の一部を模式的に表す斜視図である。
【図３０】は、実施例８の光源装置の一部を説明する模式図である。
【図３１】は、実施例８の光源装置を模式的に表す斜視図である。
【図３２】は、実施例９の光源装置を模式的に表す斜視図である。
【図３３】は、実施例９の光源装置を模式的に表す斜視図である。
【図３４】は、実施例１０の光源装置を模式的に表す斜視図である。
【図３５】は、実施例１０の光源装置を模式的に表す斜視図である。
【図３６】は、実施例１１の光源装置を模式的に表す斜視図である。
【図３７】は、実施例１１の光源装置を模式的に表す斜視図である。
【図３８】は、実施例１２の光源装置を模式的に表す斜視図である。
【図３９】は、実施例１２の光源装置を模式的に表す斜視図である。
【図４０】は、実施例１３の光源装置を模式的に表す斜視図である。
【図４１】は、実施例１４の画像形成装置を模式的に表す斜視図である。
【図４２】は、光反射手段（ミラー）とビーム光束との関係を説明する模式図である。
【図４３】は、実施例１４の画像形成装置を模式的に表す斜視図である。
【符号の説明】
【００７５】
１，１ａ〜１ｕ ‥‥‥‥‥‥ ミラー（光反射手段）
２，２ａ〜２ｐ ‥‥‥‥‥‥ Ｓｉ基板（固定手段）
３，３ａ〜３ｈ ‥‥‥‥‥‥ 電極
４，４ａ，４ｂ ‥‥‥‥‥‥ ヒンジ（保持手段）
５，５ａ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥ Ｓｉミラー保持部材（固定手段）
６，６ａ〜６ｐ ‥‥‥‥‥‥ 絶縁層
７，７ａ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 電源装置
８ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 金属ミラー
９，９ａ〜９ｏ ‥‥‥‥‥‥ ビーム光束
１０，１０ａ〜１０ｃ ‥‥‥ Ｓｉ基板
１１，１１ａ〜１１ｄ ‥‥‥ ＳｉＯ２層
１２，１２ａ ‥‥‥‥‥‥‥ ＳｉＯ２層
１３，１３ａ〜１３ｂ ‥‥‥ ギャップ
１４ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ Ｓｉ３Ｎ４ 層
１５，１５ａ ‥‥‥‥‥‥‥ Ａｌ層
１６ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ ＣＣＤエリアセンサ
１７ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ コンピュータ
１８，１８ａ〜１８ｃ ‥‥‥ 開口
１９，１９ａ〜１９ｅ ‥‥‥ 開口
２０，２０ａ〜２０ｇ ‥‥‥ 多結晶Ｓｉ層
２１，２１ａ ‥‥‥‥‥‥‥ 貫通穴
２２ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 接合面
２３ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ Ｖ溝
２４，２４ａ〜２４ｄ ‥‥‥ ＬＤ光源
２５，２５ａ，２５ｂ ‥‥‥ コリメートレンズ
２６ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ シリンドリカルレンズ
２７，２７ａ ‥‥‥‥‥‥‥ Ｖ溝
２８，２８ａ〜２８ｉ ‥‥‥ シリンドリカルレンズ（ロッドレンズ）
２９，２９ａ ‥‥‥‥‥‥‥ ＰＤ（フォトダイオード）
３０，３０ａ ‥‥‥‥‥‥‥ 光源装置
３１，３１ａ ‥‥‥‥‥‥‥ 感光体
３２ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ メモリ
【図１】
2005165142.tif 000003
【図２】
2005165142.tif 000004
【図３】
2005165142.tif 000005
【図４】
2005165142.tif 000006
【図５】
2005165142.tif 000007
【図６】
2005165142.tif 000008
【図７】
2005165142.tif 000009
【図８】
2005165142.tif 000010
【図９】
2005165142.tif 000011
【図１０】
2005165142.tif 000012
【図１１】
2005165142.tif 000013
【図１２】
2005165142.tif 000014
【図１３】
2005165142.tif 000015
【図１４】
2005165142.tif 000016
【図１５】
2005165142.tif 000017
【図１６】
2005165142.tif 000018
【図１７】
2005165142.tif 000019
【図１８】
2005165142.tif 000020
【図１９】
2005165142.tif 000021
【図２０】
2005165142.tif 000022
【図２１】
2005165142.tif 000023
【図２２】
2005165142.tif 000024
【図２３】
2005165142.tif 000025
【図２４】
2005165142.tif 000026
【図２５】
2005165142.tif 000027
【図２６】
2005165142.tif 000028
【図２７】
2005165142.tif 000029
【図２８】
2005165142.tif 000030
【図２９】
2005165142.tif 000031
【図３０】
2005165142.tif 000032
【図３１】
2005165142.tif 000033
【図３２】
2005165142.tif 000034
【図３３】
2005165142.tif 000035
【図３４】
2005165142.tif 000036
【図３５】
2005165142.tif 000037
【図３６】
2005165142.tif 000038
【図３７】
2005165142.tif 000039
【図４１】
2005165142.tif 000040
【図４２】
2005165142.tif 000041
【図４３】
2005165142.tif 000042
【図３８】
2005165142.tif 000043
【図３９】
2005165142.tif 000044
【図４０】
2005165142.tif 000045