(57)【要約】【課題】  電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することが可能な、電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】  電子部品の能動面にレジスト２０を形成する工程と、レジスト２０の表面にフッ素樹脂膜２１を形成する工程と、電極パッド４２の上方にレジスト２０の開口部を形成する工程と、開口部の内側にバンプ４４を形成する工程と、（ａ）バンプ４４の表面に導電性粒子５０を散布する工程と、（ｂ）導電性粒子５０を熱可塑性樹脂５２によりバンプ４４の表面に固着させる工程とを有し、（ｃ）レジスト２０の剥離にともなって熱可塑性樹脂５２が剥離されない構成とした。【選択図】        図３
2005229044.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
能動面に形成された電極パッドを介して相手側基板に実装される電子部品の製造方法であって、
前記能動面上に配置され、表面が撥液性を示し、前記電極パッドの上方に開口部を有するマスクと、前記開口部の内側に配置され、前記マスクより高さの低いバンプと、を形成する工程と、
前記バンプの表面に導電性粒子を散布する工程と、
前記導電性粒子を接着剤により前記バンプの表面に固着させる工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
能動面に形成された電極パッドを介して相手側基板に実装される電子部品の製造方法であって、
前記能動面にマスクを形成する工程と、
前記マスクの表面を撥液処理する工程と、
前記電極パッドの上方に前記マスクの開口部を形成する工程と、
前記開口部の内側に、前記マスクより高さの低いバンプを形成する工程と、
前記バンプの表面に導電性粒子を散布する工程と、
前記導電性粒子を接着剤により前記バンプの表面に固着させる工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項３】
能動面に形成された電極パッドを介して相手側基板に実装される電子部品の製造方法であって、
前記能動面にマスクを形成する工程と、
前記電極パッドの上方に前記マスクの開口部を形成する工程と、
前記開口部の内側に、前記マスクより高さの低いバンプを形成する工程と、
前記マスクの表面を撥液処理する工程と、
前記バンプの表面に導電性粒子を散布する工程と、
前記導電性粒子を接着剤により前記バンプの表面に固着させる工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記導電性粒子を接着剤により固着させる工程の前に、前記バンプの表面を親液処理する工程を有することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
能動面に形成された電極パッドを介して相手側基板に実装される電子部品の製造方法であって、
前記電極パッドの上方に開口部を有するマスクを、前記能動面に形成する工程と、
前記開口部の内側に、前記マスクより高さが低いバンプを形成する工程と、
前記バンプの表面に導電性粒子を散布する工程と、
前記導電性粒子を接着剤により前記バンプの表面に固着させる工程と、
前記マスクの表面に紫外線を照射して、前記接着剤を除去する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項６】
能動面に形成された電極パッドを介して相手側基板に実装される電子部品の製造方法であって、
前記電極パッドの上方に開口部を有するマスクを、前記能動面に形成する工程と、
前記開口部の内側に、前記マスクより高さが５μｍ以上低いバンプを形成する工程と、
前記バンプの表面に導電性粒子を散布する工程と、
前記導電性粒子を接着剤により前記バンプの表面に固着させる工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項７】
能動面に形成された電極パッドを介して相手側基板に実装される電子部品の製造方法であって、
前記能動面上に、前記電極パッドの表面から上方にかけて開口面積が小さくなる開口部を有するマスクを形成する工程と、
前記開口部の内側に、前記マスクより高さが低いバンプを形成する工程と、
前記バンプの表面に導電性粒子を散布する工程と、
前記導電性粒子を接着剤により前記バンプの表面に固着させる工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項８】
能動面に形成された電極パッドを介して相手側基板に実装される電子部品の製造方法であって、
前記電極パッドの上方に開口部を有するマスクを、前記能動面に形成する工程と、
前記開口部の内側に、前記マスクより高さが低いバンプを形成する工程と、
前記バンプの表面に導電性粒子を散布する工程と、
前記導電性粒子を接着剤により前記バンプの表面に固着させる工程と、
前記接着剤を冷却して、前記マスクの表面に配置された接着剤を、前記バンプの表面に配置された前記接着剤から分離する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記導電性粒子を固着させる工程の前に、前記マスクの表面に残存する前記導電性粒子を除去することを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記導電性粒子を散布する工程の前および／または後に、前記バンプの表面に熱可塑性樹脂からなる前記接着剤を塗布する工程を有し、
前記導電性粒子を固着させる工程では、前記接着剤を可塑化させた後に、前記接着剤を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の電子部品の製造方法を使用して製造したことを特徴とする電子部品。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子部品を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法、電子部品および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等の電子部品は、回路基板等に実装されて使用されている。この電子部品を回路基板に実装する方法について、さまざまな方法が提案されている。図１５に、従来技術に係る電子部品の実装方法の説明図を示す。図１５（ａ）では、異方導電性フィルム（ＡＣＦ）１９０を挟んで、ＩＣ等の電子部品１７０が相手側基板１２０に実装されている。異方導電性フィルム１９０は、熱硬化性樹脂１９２に導電性粒子１９５を分散させたものである。この導電性粒子１９５が、電子部品１７０の能動面に形成された電極パッド１７２と、相手側基板１２０の表面に形成された電極パッド１２２との間に入り込んで、両者が電気的に接続されている。また、加熱により硬化した熱硬化性樹脂１９２により、電子部品１７０と相手側基板１２０とが機械的に接続されている。
【０００３】
近年では、電子部品の小型化にともなって、電極パッド相互の狭ピッチ化が進んでいる。ところが、異方導電性フィルムを使用した上記の実装方法では、水平方向に隣接する電極パッドの間にも導電性粒子が配置されるため、電極パッド相互の短絡が発生するおそれがある。また、電極パッドの狭ピッチ化にともなって電極パッド自体も小さくなるため、各電極パッドが捕捉する導電性粒子の個数が減少し、電気的接続の信頼性が低下する。さらに、高価な導電性粒子のすべてを電気的接続に利用することができないといった問題がある。
【０００４】
そこで、特許文献１ないし３には、あらかじめ電極パッドの表面に導電性粒子を固着させて相手側基板に実装することにより、隣接する電極パッドの間に導電性粒子を配置しない構造が開示されている。図１５（ｂ）に、特許文献３に開示された実装方法の説明図を示す。この実装方法では、導電粒子２９５を接着剤２９６で被覆して接着性導電粒子２９８を形成し、この接着性導電粒子２９８を電子部品２７０における電極パッド２７２の表面に接着する。その接着方法は、まず電子部品２７０の能動面における電極パッド２７２の形成部分以外の部分に、レジスト膜２８０を形成する。次に、接着性導電粒子２９８を平面上に分散し、分散された接着性導電粒子２９８に対して電子部品２７０を加熱加圧する。これにより、電子部品２７０の能動面全体に接着性導電粒子２９８が接着される。次に、電極パッド２７２以外のレジスト膜２８０の表面に接着された接着性導電粒子２９８を、レジスト膜２８０とともに除去する。以上により、電極パッド２７２の表面のみに接着性導電粒子２９８が接着された状態となる。そして、残された接着性導電粒子２９８を相手側基板２２０の電極パッド２２２に位置決めして、電子部品２７０を相手側基板２２０に加熱圧着する。これにより、接着性導電粒子２９８の接着剤２９６が溶解して電子部品２７０と相手側基板２２０とが機械的に接続され、また露出した導電粒子２９５により両者が電気的に接続される。
【特許文献１】特開平７−６７９９号公報
【特許文献２】特開平１０−８４１７８号公報
【特許文献３】特開２００２−１７０８３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献３に記載された実装方法では、レジスト膜２８０を除去する際に、電極パッド２７２に接着された導電性微粒子２９８も同時に除去される場合がある。この場合、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができないという問題がある。また、レジスト膜２８０を除去する際に、レジスト膜２８０に接着された接着性導電粒子２９８を同時に除去するので、余った接着性導電粒子２９８を再利用することができないという問題がある。なお、導電粒子２９５は高価であり、これを接着剤２９６で被覆した接着性導電粒子２９８はさらに高価であることから、余った接着性導電粒子２９８を廃棄することにより多くの製造コストを浪費することになる。
【０００６】
さらに、特許文献３に記載された実装方法では、接着性導電粒子２９８を平面上に分散し、その表面に電子部品２７０を加熱加圧して接着性導電粒子２９８を接着させるが、接着性導電粒子２９８を平面上に均等に分散させるのは困難である。接着性導電粒子２９８が不均等に分散された場合には、電子部品２７０の電極パッド２７２の表面に接着性導電粒子２９８を配置することが困難になり、電子部品２７０と相手側基板２２０とを電気的に接続することができなくなるという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することが可能であり、また余った導電性粒子を再利用することが可能な、電子部品の製造方法の提供を目的とする。
また、電気的接続の信頼性に優れた電子部品および電子機器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の電子部品の製造方法は、能動面に形成された電極パッドを介して相手側基板に実装される電子部品の製造方法であって、前記能動面上に配置され、表面が撥液性を示し、前記電極パッドの上方に開口部を有するマスクと、前記開口部の内側に配置され、前記マスクより高さの低いバンプと、を形成する工程と、前記バンプの表面に導電性粒子を散布する工程と、前記導電性粒子を接着剤により前記バンプの表面に固着させる工程と、前記マスクを除去する工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
なお、能動面に形成された電極パッドを介して相手側基板に実装される電子部品の製造方法であって、前記能動面にマスクを形成する工程と、前記マスクの表面を撥液処理する工程と、前記電極パッドの上方に前記マスクの開口部を形成する工程と、前記開口部の内側に、前記マスクより高さの低いバンプを形成する工程と、前記バンプの表面に導電性粒子を散布する工程と、前記導電性粒子を接着剤により前記バンプの表面に固着させる工程と、前記マスクを除去する工程と、を有する構成としてもよい。
【００１０】
また、能動面に形成された電極パッドを介して相手側基板に実装される電子部品の製造方法であって、前記能動面にマスクを形成する工程と、前記電極パッドの上方に前記マスクの開口部を形成する工程と、前記開口部の内側に、前記マスクより高さの低いバンプを形成する工程と、前記マスクの表面を撥液処理する工程と、前記バンプの表面に導電性粒子を散布する工程と、前記導電性粒子を接着剤により前記バンプの表面に固着させる工程と、前記マスクを除去する工程と、を有する構成としてもよい。
【００１１】
上記の各構成によれば、撥液処理されたマスクの表面には接着剤が付着せず、バンプの表面のみに接着剤が塗布される。これにより、マスクの除去にともなってバンプ表面から接着剤が剥離されることがなくなり、バンプ表面から導電性粒子が離脱するのを防止することが可能になる。したがって、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００１２】
また、前記導電性粒子を接着剤により固着させる工程の前に、前記バンプの表面を親液処理する工程を有することが望ましい。
この構成によれば、バンプ表面に対して接着剤を強固に固着させることができる。これにより、マスクの除去にともなってバンプ表面から接着剤が剥離されることがなくなり、バンプ表面から導電性粒子が離脱するのを防止することが可能になる。したがって、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００１３】
また、本発明の他の電子部品の製造方法は、能動面に形成された電極パッドを介して相手側基板に実装される電子部品の製造方法であって、前記電極パッドの上方に開口部を有するマスクを、前記能動面に形成する工程と、前記開口部の内側に、前記マスクより高さが低いバンプを形成する工程と、前記バンプの表面に導電性粒子を散布する工程と、前記導電性粒子を接着剤により前記バンプの表面に固着させる工程と、前記マスクの表面に紫外線を照射して、前記接着剤を除去する工程と、前記マスクを除去する工程と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、マスク表面の接着剤を除去することができるので、マスクの除去にともなってバンプ表面から接着剤が剥離されるのを防止することが可能になる。したがって、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００１４】
また、本発明の他の電子部品の製造方法は、能動面に形成された電極パッドを介して相手側基板に実装される電子部品の製造方法であって、前記電極パッドの上方に開口部を有するマスクを、前記能動面に形成する工程と、前記開口部の内側に、前記マスクより高さが５μｍ以上低いバンプを形成する工程と、前記バンプの表面に導電性粒子を散布する工程と、前記導電性粒子を接着剤により前記バンプの表面に固着させる工程と、前記マスクを除去する工程と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、マスクとバンプとの高さが大きく異なるので、ステップカバレッジが困難になり、バンプ表面の接着剤およびマスク表面の接着剤が相互に分断された状態で配置される。これにより、マスクの除去にともなってバンプ表面から接着剤が剥離されるのを防止することが可能になる。したがって、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００１５】
また、本発明の他の電子部品の製造方法は、能動面に形成された電極パッドを介して相手側基板に実装される電子部品の製造方法であって、前記能動面上に、前記電極パッドの表面から上方にかけて開口面積が小さくなる開口部を有するマスクを形成する工程と、前記開口部の内側に、前記マスクより高さが低いバンプを形成する工程と、前記バンプの表面に導電性粒子を散布する工程と、前記導電性粒子を接着剤により前記バンプの表面に固着させる工程と、前記マスクを除去する工程と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、マスク開口部の側壁にアンダーカットが形成されるので、ステップカバレッジが不可能になり、バンプ表面の接着剤およびマスク表面の接着剤が相互に分断された状態で配置される。これにより、マスクの除去にともなってバンプ表面から接着剤が剥離されるのを防止することが可能になる。したがって、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００１６】
また、本発明の他の電子部品の製造方法は、能動面に形成された電極パッドを介して相手側基板に実装される電子部品の製造方法であって、前記電極パッドの上方に開口部を有するマスクを、前記能動面に形成する工程と、前記開口部の内側に、前記マスクより高さが低いバンプを形成する工程と、前記バンプの表面に導電性粒子を散布する工程と、前記導電性粒子を接着剤により前記バンプの表面に固着させる工程と、前記接着剤を冷却して、前記マスクの表面に配置された接着剤を、前記バンプの表面に配置された前記接着剤から分離する工程と、前記マスクを除去する工程と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、マスクおよびバンプの高さが異なっているので、バンプ表面の接着剤とマスク表面の接着剤との連結部分では、接着剤の厚さが薄くなっている。そのため、接着剤が冷却によって収縮すると、前記連結部分に応力集中が発生して、バンプ表面の接着剤とレジスト表面の接着剤とが分断される。これにより、マスクの除去にともなってバンプ表面から接着剤が剥離されるのを防止することが可能になる。したがって、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００１７】
また、前記導電性粒子を固着させる工程の前に、前記マスクの表面に残存する前記導電性粒子を除去することが望ましい。
この構成によれば、余った導電性粒子を再利用することができる。
【００１８】
また、前記導電性粒子を散布する工程の前および／または後に、前記バンプの表面に熱可塑性樹脂からなる前記接着剤を塗布する工程を有し、前記導電性粒子を固着させる工程では、前記接着剤を可塑化させた後に、前記接着剤を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させることが望ましい。
この構成によれば、導電性粒子がバンプの表面に確実に固着されるので、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。なお、前記熱可塑性樹脂は、ポリアミドであることが望ましい。
【００１９】
また、本発明の電子部品は、上述した電子部品の製造方法を使用して製造したことを特徴とする。
この構成によれば、相手側基板との電気的接続を確実に行うことが可能な電子部品を提供することができる。
【００２０】
また、本発明の電子機器は、上述した電子部品を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、電気的接続の信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
［第１実施形態］
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
最初に、本発明の第１実施形態につき、図１ないし図５を用いて説明する。
【００２２】
［電子部品の実装構造］
図１は、ＩＣ等の半導体素子（電子部品）４０の実装状態の説明図であって、図１１のＢ−Ｂ線における正面断面図である。図１に示すように、半導体素子４０の能動面には、Ａｌ等の導電材料からなる複数の電極パッド４２が、所定ピッチで形成されている。なお、電極パッド４２の周縁部は絶縁膜４８で覆われている。また、各電極パッド４２の表面には、ＡｕメッキやＡｕ／Ｎｉメッキ等によるバンプ４４が形成されている。一例をあげれば、各バンプ４４は３０μｍ程度の幅に形成され、隣接するバンプ４４は１０μｍ程度の間隔で配置されて、各バンプのピッチは４０μｍ程度となっている。
【００２３】
さらに、各バンプ４４の表面には、複数の導電性粒子５０が配置されている。導電性粒子５０は、樹脂ボール等の表面に、ハンダコートや金属メッキ等を施したものである。この金属メッキには、電解Ａｕメッキや無電解Ｎｉメッキ等を採用することができる。また、下地に無電解Ｎｉメッキを施し、上地に無電解Ａｕメッキを施してもよい。この導電性粒子５０は、たとえば直径４．５μｍ程度に形成されている。そして、この導電性粒子５０は、ポリアミド等の熱可塑性樹脂５２を固着手段として、バンプ４４の表面に固着されている。このポリアミドは、１５０〜２００℃程度の低温で可塑化するので、加工性に優れるとともに、電子部品に対する熱影響を抑制することができる。
【００２４】
なお、導電性粒子５０の固着手段として、エポキシ等の熱硬化性樹脂を採用することも可能である。特にエポキシは、１５０〜２００℃程度の低温で硬化するので、加工性に優れるとともに、電子部品に対する熱影響を抑制することができる。また、導電性粒子５０の固着手段として、アクリル等の光硬化性樹脂を採用することも可能である。この場合、紫外線等の光を照射することによって簡単に硬化性樹脂を硬化させることができる。また、導電性粒子５０の固着手段として、インジウム（Ｉｎ）や錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）等の低融点金属、またはハンダを含むこれらの合金を採用することも可能である。この場合、低温で金属を溶融させることができるので、電子部品に対する熱影響を抑制することができる。特に、錫（Ｓｎ）は、濡れ性がよく、また２３０℃程度の低温で溶融することから、前記金属として好適である。
【００２５】
一方、相手側基板１０の表面には、半導体素子４０の電極パッド４２と対向するように、電極パッド１２が形成されている。この電極パッド１２は、図１１に示すガラス基板８０（相手側基板１０）のデータ線８１等の端部に形成されている。そして、図１に示すように、半導体素子４０に固着された導電性粒子５０の先端が、相手側基板１０の電極パッド１２の表面に接触して、相手側基板１０の信号電極と半導体素子４０とが電気的に接続されている。また、半導体素子４０と相手側基板１０との間には、エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂層６０が配置され、半導体素子４０と相手側基板１０とが機械的に接続されている。なお、熱硬化性樹脂層６０により、半導体素子４０の能動面ならびに半導体素子４０および相手側基板１０の電気的接続部が保護されている。
【００２６】
［電子部品の製造方法］
次に、第１実施形態に係る電子部品の製造方法につき、図２および図３を用いて説明する。図２および図３は、半導体素子の製造方法の説明図であり、半導体素子の能動面を上にして記載したものである。第１実施形態に係る電子部品の製造方法は、図２に示すように、（ａ）能動面にレジスト２０を形成する工程と、（ｂ）レジスト２０の表面を撥液処理する工程と、（ｃ）電極パッド４２の上方にレジスト２０の開口部２２を形成する工程と、（ｄ）開口部２２の内側にレジスト２０より高さの低いバンプ４４を形成する工程とを有するものである。また図３に示すように、（ａ）バンプ４４の表面に導電性粒子５０を散布する工程と、（ｂ）導電性粒子５０を熱可塑性樹脂５２によりバンプ４４の表面に固着させる工程と、（ｃ）レジスト２０を除去する工程とを有するものである。なお本実施形態では、ウエハに形成された複数の半導体素子に対して同時に以下の処理を行い、最後にウエハから半導体素子を分離する。これにより、製造コストを低減することができる。
【００２７】
まず、図２（ａ）に示すように、バンプを形成するためのマスク２０を形成する。このマスク２０は、レジスト等を塗布して形成する。レジスト２０は、フォトレジストや電子線レジスト、Ｘ線レジスト等のいずれであってもよく、ポジ型またはネガ型のいずれであってもよいが、後述するメッキ液に対する耐性を有するものを使用する。このようなレジスト２０として、たとえばノボラック樹脂を使用することができる。なお、バンプはウエハ４１の能動面の電極パッド４２上に形成するので、レジスト２０は半導体素子の能動面全体に塗布する。レジスト２０の塗布は、スピンコート法やディッピング法、スプレーコート法などによって行う。ここで、レジスト２０の厚さは、形成すべきバンプの高さ以上に設定する。なお、レジスト２０を塗布した後にプリベークを行う。
【００２８】
次に、図２（ｂ）に示すように、レジスト２０の表面を撥液処理する。撥液処理は、あらゆる有機溶剤に対して撥液性を示すフッ素樹脂膜２１を、レジスト２０の表面に形成することによって行う。フッ素樹脂膜２１の形成は、レジスト２０の表面にフッ素樹脂溶液を塗布することによって行う。フッ素樹脂溶液として、テトラフルオロエチレン等のフッ素樹脂を、デカフルオロペンタン等のフッ素系溶媒に溶解させたものを使用することが可能である。またフッ素樹脂溶液の塗布には、スピンコート法やスプレーコート法などを採用することが可能である。次に、塗布したフッ素樹脂溶液を１０分程度自然乾燥させた後に加熱処理する。加熱処理の条件は、例えば２００℃×３０分または２５０℃×１５分程度とする。これにより、レジスト２０の表面に厚さ１μｍ程度のフッ素樹脂膜２１が形成される。
【００２９】
次に、図２（ｃ）に示すように、形成すべきバンプの平面形状を、レジスト２０にパターニングする。具体的には、レジスト２０における電極パッド４２の上方に、バンプの平面形状に対応した開口部２２を形成する。なお、バンプの平面形状は矩形に限られず、円形等であってもよい。レジスト２０のパターニングは、まず所定のパターンが形成されたフォトマスクを用いてレジスト２０を露光し、さらに露光されたレジスト２０を現像することによって行う。なお、レジスト２０の表面に形成されたフッ素樹脂膜２１も、レジスト２０と同時にパターニングされる。また、レジスト２０のパターニング後にポストベークを行う。
【００３０】
次に、図２（ｄ）に示すように、レジスト２０をマスクとして、その開口部２２に導電材料を充填することにより、バンプ４４を形成する。バンプ４４は、ＡｕメッキやＮｉメッキ等によって形成する。また、バンプ４４の下地をＮｉメッキで形成し、上地をＡｕメッキで形成してもよい。なお、メッキ法として、例えば電気化学プレーティング（ＥＣＰ）法等を用いることができる。また、メッキ法における電極として、電極パッド４２を用いることができる。なお、メッキ法以外のＣＶＤ法やスパッタ法等を採用して導電材料を充填し、バンプ４４を形成してもよい。ここで、バンプ４４の高さは、レジスト２０の厚さから導電性粒子の直径を減算した高さ以下に形成するのが好ましい。
【００３１】
次に、図３（ａ）に示すように、ウエハ４１の能動面上に導電性粒子５０を散布する。散布された導電性粒子５０は、バンプ４４の上方およびレジスト２０の上方に均等に分散して配置される。ここで、レジスト２０の高さはバンプ４４より高いので、バンプ４４の上方にはレジスト２０の開口部２６が形成されている。そのため、散布された導電性粒子５０の多くは開口部２６に捕捉される。これにより、バンプ４４の表面に確実に導電性粒子５０を配置することができる。
【００３２】
ここで、ウエハ４１を振動させることにより、レジスト２０の上方に配置された導電性粒子５０を開口部２６に落下させて、より多くの導電性粒子をバンプ４４の上方に配置することが望ましい。具体的には、ウエハ４１を５０〜１０００Ｈｚの高周波数で振動させる。特に、２５０〜５００Ｈｚの高周波数で振動させた場合には導電性粒子５０が活発に動くので、より多くの導電性粒子をバンプ４４の上方に配置することができる。また、ウエハ４１の振動方向は、ウエハ４１の能動面と平行な方向（水平方向）であっても、能動面と垂直な方向（垂直方向）であってもよい。その振幅は、水平方向振動の場合には、隣接するバンプ４４のピッチ以下とするのが好ましく、たとえば４０μｍ程度とする。また、垂直方向振動の場合には、開口部２６の深さ以下とするのが好ましく、たとえば１０μｍ程度とする。これにより、開口部２６内に捕捉されていた導電性粒子５０が、開口部２６から飛び出すのを防止することができる。
【００３３】
さらに、レジスト２０の上方に残存している導電性粒子５０を除去する。導電性粒子５０の除去は、１．ウエハ４１の能動面に気体を吹き付けて、導電性粒子５０を飛ばす方法、２．ウエハ４１を振動させて、ウエハ４１の周縁部から導電性粒子５０を落下させる方法、３．ウエハ４１を傾斜させつつ振動させることによりことにより、ウエハ４１の周縁部から導電性粒子５０を落下させる方法、４．可撓性を有する平板状のスキージを用いて導電性粒子５０を掻き取ることにより、導電性粒子５０を強制的に排除する方法などがあり、いずれの方法を採用してもよい。これにより、レジスト２０の表面に残存する導電性粒子５０の多くを除去することができる。また、レジスト２０の表面に残存する導電性粒子５０を除去しつつ、一部の導電性粒子を開口部に落下させることができる。したがって、より多くの導電性粒子５０をバンプ４４の表面に配置することができる。
なお、前工程では導電性粒子５０を開口部２６に落下させるためにウエハ４１を振動させたが、その振幅を徐々に大きくして２．または３．の方法を実施してもよい。これにより、製造工程を簡略化することができる。
【００３４】
ここで、レジスト２０の厚さは、バンプ４４の高さに導電性粒子５０の直径を加算した厚さ以上に設定している。そのため、バンプ４４の上方の導電性粒子５０は、開口部２６内に安定して捕捉されている。したがって、上述したいずれの除去方法を採用した場合でも、レジスト２０の上方に配置された導電性粒子５０のみを除去することが可能であり、バンプ４４の上方に配置された導電性粒子５０が同時に除去されるおそれは少ない。以上により、レジスト２０の上方に残存する導電性粒子５０の多くを除去すれば、図３（ａ）に示す状態となる。
【００３５】
次に、図３（ｂ）に示すように、バンプ４４の表面に熱可塑性樹脂溶液を塗布して、熱可塑性樹脂膜５２を形成する。具体的には、ポリアミド等の熱可塑性樹脂をトルエンＩＰＡ等の溶剤に溶解して１０ｗｔ％程度の熱可塑性樹脂溶液を製造し、これをウエハ４１の能動面上に塗布する。熱可塑性樹脂溶液の塗布は、ディスペンス法やスプレーコート法、スピンコート法、ディッピング法などによって行うことが可能である。なお、塗布する厚さは導電性粒子５０の直径程度とするのが好ましい。
上述したように、レジスト２０の表面にはフッ素樹脂膜２１が形成されている。このフッ素樹脂膜２１は、熱可塑性樹脂溶液の溶媒であるトルエンＩＰＡをはじめ、あらゆる有機溶媒に対して撥液性を示すものである。そのため、熱可塑性樹脂溶液は、フッ素樹脂膜２１にはじかれて、レジスト２０の表面に付着しない。したがって、バンプ４４の表面のみに選択的に熱可塑性樹脂溶液を塗布することができる。
【００３６】
次に、塗布した熱可塑性樹脂溶液を乾燥させ、溶剤を蒸発させる。すると、溶剤に溶解されていた熱可塑性樹脂が凝結し、バンプ４４の表面のみに熱可塑性樹脂膜５２が形成される。これにより、バンプ４４の表面に導電性粒子５０が固着される。
【００３７】
なお、上述した熱可塑性樹脂溶液の塗布方法では、バンプ４４の表面に加えてレジスト２０の表面にも熱可塑性樹脂溶液が塗布されるので、レジスト２０の表面にも熱可塑性樹脂膜５２が形成されることになる。この点、インクジェット装置等の液滴吐出装置によれば、バンプ４４の表面のみに一定量の熱可塑性樹脂溶液を吐出することができる。これにより、バンプ４４の表面に対する導電性粒子５０の固着状態を均一化することが可能になり、半導体素子と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。また、熱可塑性樹脂溶液の消費量を低減することが可能になり、製造コストを低減することができる。
【００３８】
なお、導電性粒子５０の散布工程の前に熱可塑性樹脂溶液を塗布して、あらかじめバンプ４４の表面に熱可塑性樹脂膜５２を形成しておいてもよい。この場合、導電性粒子５０を散布した後に、熱可塑性樹脂膜５２を加熱処理して可塑化させることにより、バンプ４４の表面に導電性粒子５０を固着させることができる。
【００３９】
また、導電性粒子の散布工程の前に熱可塑性樹脂膜を形成するとともに、導電性粒子の散布工程の後に熱可塑性樹脂溶液を塗布して、バンプ４４の上方に熱可塑性樹脂膜５２を形成してもよい。この場合、後に塗布された熱可塑性樹脂溶液に含まれている溶剤が、先に形成された熱可塑性樹脂膜に浸透し、先に形成された熱可塑性樹脂膜が再溶解して、後に塗布された熱可塑性樹脂溶液と一体になる。すると、熱可塑性樹脂溶液が導電性粒子５０の表面に沿って濡れ上がり、導電性粒子５０が熱可塑性樹脂膜の内部に沈没してバンプ４４の表面に配置される。その後、まず５０℃程度で加熱して溶剤を蒸発させ、熱可塑性樹脂を凝結させる。これにより、熱可塑性樹脂膜５２が形成されて、導電性粒子５０がバンプ４４の表面に固着される。さらに、２００℃で１０分程度アニール（加熱）処理することにより、先に形成した熱可塑性樹脂膜の熱可塑性樹脂と、後に塗布した熱可塑性樹脂溶液の熱可塑性樹脂とを溶着させる。これにより、導電性粒子５０に対する固着力を向上させることができる。このように、２回に分けて熱可塑性樹脂を塗布することにより、導電性粒子５０をバンプ４４の表面に確実に固着させることができる。
なお、先に形成する熱可塑性樹脂膜の厚さは、導電性粒子５０の直径の半分程度とし、最終的に形成する熱可塑性樹脂膜５２の厚さは、導電性粒子５０の直径程度とすることが望ましい。また、上述した導電性粒子５０を固着させる工程は、バンプ４４の表面に向かって導電性粒子５０を加圧しつつ行うことが望ましい。これにより、導電性粒子５０がバンプ４４の表面に接触した状態で固着され、両者が確実に電気的接続される。
【００４０】
次に、図３（ｃ）に示すように、レジストを除去する。レジストの除去は、レジスト剥離液にウエハ４１を浸漬することによって行う。レジスト剥離液には、モノエタノールアミンとジメチルスルホキシドとを７：３の割合で混合した液体等を使用する。なお、レジストの上方に散布された導電性粒子を除去した後にレジストを剥離するので、除去した導電性粒子を再利用することができる。
次に、ダイシング等により、ウエハ４１から半導体素子を分離する。以上により、本実施形態の半導体素子が形成される。
【００４１】
以上に詳述したように、本実施形態の半導体素子の形成方法では、レジストの表面にフッ素樹脂膜を形成して撥液処理する構成とした。これにより、撥液処理されたレジストの表面には熱可塑性樹脂溶液が付着せず、バンプの表面のみに熱可塑性樹脂溶液が塗布される。したがって、バンプの表面のみに熱可塑性樹脂膜が形成され、レジストの上方には熱可塑性樹脂膜が形成されない。この場合、レジストの剥離にともなって、バンプ表面から熱可塑性樹脂膜が剥離されることがなくなる。したがって、導電性粒子がバンプ表面から離脱するのを防止することが可能になり、半導体素子と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００４２】
これに加えて、本実施形態では、導電性粒子がレジストの表面に散布された場合でも、その導電性粒子を除去してから半導体素子を実装するので、除去された導電性粒子を再利用することができる。これにより、高価な導電性粒子を無駄に廃棄することなく、そのすべてを電気的接続に利用することができる。また、本実施形態では、レジストの厚さをバンプの高さより厚く形成するので、バンプの上方にレジストの開口部が形成される。この場合、散布された導電性粒子の多くが開口部に捕捉されるので、バンプの表面に確実に導電性粒子を配置することができる。したがって、半導体素子と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００４３】
ここで、第１実施形態に係る半導体素子の製造方法の変形例につき、図４を用いて説明する。図４は、第１実施形態に係る半導体素子の製造方法の変形例の説明図である。なお、第１実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
【００４４】
変形例では、図４（ａ）に示すように、まずウエハ４１の能動面全体にレジスト２０を塗布する。次に、図４（ｂ）に示すように、電極パッド４２の上方にレジスト２０の開口部２２を形成する。なお、これ以外にも、例えばドライフィルムを用いることにより、またスクリーン印刷等の印刷法を用いることにより、パターニングされた状態でレジスト２０を形成することができる。また、インクジェット装置等の液滴吐出装置を用いて、レジストの液滴をレジスト２０の形成位置のみに吐出することにより、パターニングされた状態でレジスト２０を形成してもよい。これらにより、フォトリソグラフィに使用するフォトマスクが不要となり、製造コストを削減することができる。次に、図４（ｃ）に示すように、開口部２２の内側に、レジスト２０より高さの低いバンプ４４を形成する。
【００４５】
次に、図４（ｄ）に示すように、レジスト２０の表面を撥液処理する。撥液処理の方法として、例えばテトラフルオロメタンを処理ガスとして大気雰囲気中でプラズマ処理するＣＦ4 プラズマ処理法を採用することが可能である。具体的なＣＦ4 プラズマ処理法の条件として、例えばプラズマパワーを１００〜８００ｋＷ、４フッ化メタンガス流量を５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対するウエハ搬送速度を０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、ウエハ温度を７０〜９０℃とすればよい。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。このような撥液処理を行うことにより、レジスト２０を構成する樹脂中にフッ素基が導入される一方で、バンプ４４の表面にはフッ素基が導入されない。したがって、レジスト２０の表面のみに撥液性を付与することが可能になる。
なお、撥液性を有する材料（例えばフッ素基を有する樹脂材料）によってレジスト２０を構成することにより、上述した撥液処理を省略することも可能である。
【００４６】
その後、図３に示す第１実施形態と同様に、バンプ４４の表面に導電性粒子５０を散布して、熱可塑性樹脂溶液を塗布する。ここで、レジスト２０の表面は撥液処理されているので、レジスト２０の上方には熱可塑性樹脂膜が形成されず、バンプ４４の表面のみに熱可塑性樹脂膜５２が形成されて導電性粒子５０が固着される。この場合、図３（ｃ）に示すようにレジストを剥離しても、バンプ４４の表面から熱可塑性樹脂膜５２が剥離されることはない。したがって、第１実施形態と同様に、導電性粒子５０がバンプ表面から離脱するのを防止することが可能になり、半導体素子と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００４７】
［電子部品の実装方法］
次に、本実施形態に係る半導体素子の実装方法につき、図５を用いて説明する。図５は、本実施形態に係る半導体素子の実装方法の説明図である。
図５（ａ）に示すように、まず相手側基板１０の表面に熱硬化性樹脂層６０を形成する。熱硬化性樹脂層６０の形成は、未硬化のエポキシ樹脂フィルムを貼り付けることによって行う。なお、未硬化のエポキシ樹脂ペーストを相手側基板１０の表面に塗布することによって熱硬化性樹脂層６０を形成してもよい。また、熱硬化性樹脂層６０は半導体素子４０の能動面上に形成してもよい。この場合には、ウエハの能動面に熱硬化性樹脂層６０を形成した後に、ウエハから半導体素子４０を分離する。また、半導体素子４０を相手側基板１０に実装した後に、半導体素子４０と相手側基板１０との隙間にアンダーフィルを充填して熱硬化性樹脂層６０を形成してもよい。なお、いずれの場合でも、異方導電性フィルム（ＡＣＦ）とは異なり、熱硬化性樹脂層６０には導電性粒子が含まれていないことに注意されたい。
【００４８】
そして、上記のように形成した半導体素子４０を、上下反転して相手側基板１０の上方に配置する。その際、半導体素子４０に形成されたバンプ４４と、相手側基板１０に形成された電極パッド１２とが対向するように、半導体素子４０と相手側基板１０とを配置する。
【００４９】
次に、図５（ｂ）に示すように、相手側基板１０の表面に半導体素子４０を押し付けて加圧する。これにより、半導体素子４０のバンプ４４上に固着された導電性粒子５０が、相手側基板１０の電極パッド１２に接触して、両者が電気的に接続される。そして、この状態で熱硬化性樹脂層６０を加熱する。加熱温度は、たとえば２００℃とする。なお、相手側基板１０への半導体素子４０の加圧と同時に熱硬化性樹脂層６０への加熱を行ってもよい。これにより、熱硬化性樹脂層６０が硬化して、半導体素子４０と相手側基板１０とが機械的に接続される。また、半導体素子４０および相手側基板１０の電気的接続部が保護される。
【００５０】
なお、導電性粒子５０をバンプに固着している熱可塑性樹脂膜５２は、１５０℃程度で軟化する。加えて、半導体素子４０を相手側基板１０に加圧しているので、バンプ４４の表面に導電性粒子５０が積層されていた場合でも、導電性粒子５０を平坦化してバンプ４４の表面のみに配置することができる。また、バンプ４４の表面と導電性粒子５０との間に熱可塑性樹脂膜５２が介在していた場合でも、その熱可塑性樹脂膜５２が軟化するので、バンプ４４の表面と導電性粒子５０とを接触させることができる。さらに、導電性粒子５０と相手側基板１０の電極パッド１２との間に熱可塑性樹脂膜５２が介在していた場合でも、その熱可塑性樹脂膜５２が軟化するので、導電性粒子５０と電極パッド１２とを接触させることができる。したがって、半導体素子４０と相手側基板１０とを確実に電気的接続することができる。以上により、半導体素子４０が相手側基板１０に実装される。
【００５１】
近年では、電子部品の小型化にともなって、電極パッド相互の狭ピッチ化が進んでいる。その場合でも、上述した熱硬化性樹脂層６０には導電性粒子が含まれていないので、隣接する電極パッドが相互に短絡するおそれはない。また、バンプ４４の表面にあらかじめ導電性粒子を固着してから実装するので、電極パッド自体が小さくなっても、確実に電気的接続を行うことができる。
【００５２】
なお、半導体素子と相手側基板との間に異方導電性フィルム（ＡＣＦ）を配置した場合には、半導体素子のバンプと相手側基板の電極パッドとの間に配置される導電性粒子の個数は１０〜２０個程度である。そして、これ以上の導電性粒子を配置するには、ＡＣＦに含まれる導電性粒子の密度を増加させる必要があるが、隣接する電極パッドが相互に短絡する可能性が大きくなる。これに対して、本実施形態に係る電子部品の製造方法を使用して半導体素子を製造すれば、バンプの表面に多数の導電性粒子を配置することができる。一例をあげれば、バンプの表面積の８０％以上に導電性粒子を配置することも可能である。これにより、半導体素子のバンプと相手側基板の電極パッドとの間の電気抵抗が小さくなり、液晶モジュールの電力消費量を低減することができる。この場合でも、隣接する電極パッドが相互に短絡するおそれがないのは、上述した通りである。
【００５３】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係る半導体素子の製造方法つき、図６を用いて説明する。図６は、第２実施形態に係る半導体素子の製造方法の説明図である。第２実施形態に係る半導体素子の製造方法は、熱可塑性樹脂溶液を塗布して導電性粒子をバンプ４４の表面に固着させる工程の前に、バンプ４４の表面を親液処理する工程を有するものである。なお、第１実施形態およびその変形例と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
【００５４】
図６（ａ）は、図４（ｃ）と同様に、レジスト２０の開口部２２の内側にバンプ４４を形成した状態を示している。次に第２実施形態では、図６（ｂ）に示すように、ウエハ４１の能動面全体を親液処理する。具体的には、熱可塑性樹脂溶液の溶媒であるトルエンＩＰＡとの親和性が増加するように、バンプ４４の表面を処理する。
その具体的な方法として、酸素を処理ガスとして大気雰囲気中でプラズマ処理するＯ2 プラズマ処理法を採用することが可能である。このＯ2 プラズマ処理法は、ウエハ４１に対してプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射するものである。Ｏ2 プラズマ処理法の具体的な条件として、例えばプラズマパワーを１００〜８００ｋＷ、酸素ガス流量を５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対するウエハ搬送速度を０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、ウエハ温度を７０〜９０℃とすればよい。このＯ２プラズマ処理により、バンプ４４の表面に付着している有機物が分解・除去されて、親液性が付与される。
【００５５】
次に、図６（ｃ）に示すように、レジスト２０の表面を撥液処理する。撥液処理の方法として、第１実施形態の変形例において説明したＣＦ4 プラズマ処理法を採用する。ＣＦ4 プラズマ処理法では、バンプ４４の表面がフッ化処理されないので、バンプ表面の親液性は維持される。一方で、レジスト２０を構成するアクリル樹脂やポリイミド樹脂等は、Ｏ2 プラズマによる前処理を行うことによりフッ化されやすくなる性質を有する。そのため、前記Ｏ2 プラズマ処理を行った後に、ＣＦ4 プラズマ処理を行うことにより、レジスト２０の表面に強い撥液性を付与することができる。
【００５６】
その後、図３に示す第１実施形態と同様に、バンプ４４の表面に導電性粒子５０を散布し、熱可塑性樹脂溶液を塗布する。ここで、レジスト２０の表面は強い撥液性を示すので、レジスト２０の表面には熱可塑性樹脂溶液が付着せず、熱可塑性樹脂膜が形成されない。一方、バンプ４４の表面は親液性を示すので、バンプ４４の表面には熱可塑性樹脂溶液が付着しやすくなって、熱可塑性樹脂膜５２が形成される。この場合、図３（ｃ）に示すようにレジストを剥離しても、これに随伴して熱可塑性樹脂膜５２がバンプ４４の表面から剥離されることはない。したがって、導電性粒子５０がバンプ表面から離脱するのを防止することが可能になり、半導体素子と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００５７】
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態に係る半導体素子の製造方法つき、図７を用いて説明する。図７は、第３実施形態に係る半導体素子の製造方法の説明図である。第３実施形態に係る半導体素子の製造方法は、熱可塑性樹脂溶液を塗布する工程の後に、レジスト２０の表面に紫外線２８を照射して、レジスト２０の表面に形成された熱可塑性樹脂膜５２ａを除去するものである。なお、上記各実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
【００５８】
まず、第１実施形態の変形例と同様に、レジストの開口部の内側にバンプを形成する。具体的には、図４（ａ）に示すように、ウエハ４１の能動面全体にレジスト２０を塗布する。次に、図４（ｂ）に示すように、電極パッド４２の上方にレジスト２０の開口部２２を形成する。次に、図４（ｃ）に示すように、開口部２２の内側にバンプ４４を形成する。その後、第１実施形態と同様に、バンプの表面に導電性粒子を固着する。具体的には、図３（ａ）に示すように、バンプ４４の表面に導電性粒子５０を散布する。次に、図３（ｂ）に示すように、熱可塑性樹脂溶液を塗布して、バンプ４４の表面に熱可塑性樹脂膜５２を形成する。なお、ウエハ４１の能動面にシランカップリング剤等を塗布して、バンプ４４の表面に親液性を付与することが望ましい。一方、レジスト２０の表面には撥液処理を施していないので、図７（ａ）に示すように、レジスト２０の表面にも熱可塑性樹脂膜５２ａが形成される。
【００５９】
次に、図７（ｂ）に示すように、レジスト２０の表面に形成された熱可塑性樹脂膜５２ａを除去する。熱可塑性樹脂膜５２ａの除去は、熱可塑性樹脂膜５２ａに紫外線レーザ２８を照射して、熱可塑性樹脂膜５２ａを分解・除去することによって行う。紫外線レーザ２８として、ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）やＫｒＦ（波長２４９ｎｍ）、ＸｅＣｌ（波長３０８ｎｍ）、ＸｅＦ（波長３５０ｎｍ）等のエキシマレーザを採用することが可能である。なお、レジスト２０の表面に前記シランカップリング剤が塗布された場合でも、紫外線レーザ２８の照射により、レジスト２０の表面に形成された熱可塑性樹脂膜５２ａを分解・除去することが可能である。
【００６０】
上述した紫外線レーザ２８の照射は、レジスト２０の形成領域に対応した開口部を有するメタルマスク３０を介して行うことが望ましい。特に、狭ピッチのバンプ間にレーザを照射する場合には、レーザの分解能に限界があるため、メタルマスク３０を使用するのが有効である。これにより、バンプ４４の表面にレーザが照射されなくなり、バンプ表面に形成された熱可塑性樹脂膜の分解・除去が防止される。したがって、導電性粒子５０がバンプ表面から離脱するのを防止することが可能になり、半導体素子と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００６１】
次に、図７（ｃ）に示すように、レジストを剥離する。この場合、レジストに随伴して熱可塑性樹脂膜５２がバンプ４４の表面から剥離されることはない。したがって、導電性粒子５０がバンプ表面から離脱するのを防止することが可能になり、半導体素子と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００６２】
［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態に係る半導体素子の製造方法つき、図８を用いて説明する。図８は、第４実施形態に係る半導体素子の製造方法の説明図である。第４実施形態に係る半導体素子の製造方法は、レジスト２０の開口部の内側に、レジスト２０より高さが５μｍ以上低いバンプ４４を形成するものである。なお、上記各実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
【００６３】
まず、第１実施形態の変形例と同様に、レジストの開口部を形成する。具体的には、図４（ａ）に示すように、ウエハ４１の能動面全体にレジスト２０を塗布する。次に、図４（ｂ）に示すように、電極パッド４２の上方にレジスト２０の開口部２２を形成する。
第４実施形態では、図８（ａ）に示すように、レジスト２０より高さが５μｍ以上低いバンプ４４を形成する。具体的には、形成すべきバンプ４４より高さが５μｍ以上高いレジスト２０をあらかじめウエハ４１の能動面に形成しておき、その上でレジスト２０より高さが５μｍ以上低いバンプ４４を形成する。より好ましくは、レジスト２０より高さが１０μｍ以上低いバンプ４４を形成する。なお、バンプ４４をメッキ法によって形成する場合には、メッキ浴の時間を調整することにより、バンプの高さを調整することが可能である。
【００６４】
次に、図８（ｂ）に示すように、バンプ４４の表面に導電性粒子５０を散布する。さらに、ウエハ４１の能動面に熱可塑性樹脂溶液を塗布して熱処理する。これにより、バンプ４４の表面に熱可塑性樹脂膜５２が形成されて導電性粒子５０が固着されるとともに、レジスト２０の表面にも熱可塑性樹脂膜５２ａが形成される。ところが、レジスト２０とバンプ４４とは高さが５μｍ以上異なるので、ステップカバレッジが困難になり、バンプ表面の熱可塑性樹脂膜５２およびレジスト表面の熱可塑性樹脂膜５２ａが分断した状態で形成される。この場合、図８（ｃ）に示すようにレジストを剥離しても、バンプ４４の表面から熱可塑性樹脂膜５２が剥離されることはない。したがって、第１実施形態と同様に、導電性粒子５０がバンプ表面から離脱するのを防止することが可能になり、半導体素子と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００６５】
ここで、第４実施形態に係る半導体素子の製造方法の変形例につき、図９を用いて説明する。図９は、第４実施形態に係る半導体素子の製造方法の変形例の説明図である。第４実施形態の変形例は、電極パッド４２の表面から上方にかけて開口面積が小さくなる開口部２２をレジスト２０に形成するものである。なお、上記各実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
【００６６】
変形例では、まずウエハ４１の能動面全体にレジスト２０を塗布する。次に、図９（ａ）に示すように、電極パッド４２の表面から上方にかけて開口面積が小さくなる開口部２２をレジスト２０に形成する。具体的には、ネガ型レジストを使用して、非開口部の表面のみを硬化させるようにハーフ露光する。その後、現像処理を行って開口部２２のレジストを除去すれば、開口部の側壁にアンダーカットが形成される。次に、開口部２２の内側にバンプ４４を形成する。このバンプ４４は、前記開口部２２の形状にしたがって台形状に形成される。
【００６７】
次に、図９（ｂ）に示すように、バンプ４４の表面に導電性粒子５０を散布する。さらに、ウエハ４１の能動面に熱可塑性樹脂溶液を塗布して熱処理する。これにより、バンプ４４の表面に熱可塑性樹脂膜５２が形成されて導電性粒子５０が固着されるとともに、レジスト２０の表面にも熱可塑性樹脂膜５２ａが形成される。ところが、レジスト２０の開口部２２の側壁にはアンダーカットが形成されているので、ステップカバレッジが不可能になり、バンプ表面の熱可塑性樹脂膜５２およびレジスト表面の熱可塑性樹脂膜５２ａが分断した状態で形成される。この場合、図９（ｃ）に示すようにレジストを剥離しても、バンプ４４の表面から熱可塑性樹脂膜５２が剥離されることはない。したがって、第１実施形態と同様に、導電性粒子５０がバンプ表面から離脱するのを防止することが可能になり、半導体素子と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００６８】
［第５実施形態］
次に、本発明の第５実施形態に係る半導体素子の製造方法つき、図１０を用いて説明する。図１０は、第５実施形態に係る半導体素子の製造方法の説明図である。第５実施形態に係る半導体素子の製造方法は、熱可塑性樹脂膜５２を冷却することにより、レジスト表面に配置された熱可塑性樹脂膜５２ａをバンプ表面に配置された熱可塑性樹脂膜５２から分断するものである。なお、上記各実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
【００６９】
まず、第３実施形態と同様に、レジスト２０の開口部２２の内側にバンプ４４を形成する。次に、熱可塑性樹脂溶液を塗布して熱可塑性樹脂膜５２を形成することにより、バンプ４４の表面に導電性粒子５０を固着する。熱可塑性樹脂膜５２を形成するには、まず熱可塑性樹脂溶液を５０℃程度で加熱して溶剤を蒸発させ、溶質である熱可塑性樹脂を凝結させる。さらに、２５０℃で１０分程度アニール（加熱）処理することにより、熱可塑性樹脂を溶着させる。なお、レジスト２０の表面を撥液処理していないので、レジスト２０の表面にも熱可塑性樹脂膜５２ａが形成されることになる。以上により、図１０（ａ）に示す状態となる。
【００７０】
次に、図１０（ｂ）に示すように、熱可塑性樹脂膜５２を冷却する。具体的には、ウエハ４１を液体窒素に浸漬する方法等により、熱可塑性樹脂膜５２を例えば−４０℃程度まで冷却する。ところで、レジスト２０およびバンプ４４は高さが異なっているので、バンプ表面の熱可塑性樹脂膜５２とレジスト表面の熱可塑性樹脂膜５２ａとの連結部分では、熱可塑性樹脂膜の厚さが薄くなっている。そのため、熱可塑性樹脂膜５２が冷却によって収縮すると、前記連結部分に応力集中が発生して、バンプ表面の熱可塑性樹脂膜５２とレジスト表面の熱可塑性樹脂膜５２ａとが分断される。なお、熱可塑性樹脂膜５２の加熱および冷却を繰り返し行えば、より確実にバンプ表面の熱可塑性樹脂膜５２とレジスト表面の熱可塑性樹脂膜５２ａとを分断することができる。
【００７１】
この場合、図１０（ｃ）に示すようにレジストを剥離しても、バンプ４４の表面から熱可塑性樹脂膜５２が剥離されることはない。したがって、第１実施形態と同様に、導電性粒子５０がバンプ表面から離脱するのを防止することが可能になり、半導体素子と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００７２】
［電気光学装置］
次に、前記半導体素子が実装された電気光学装置の一例である液晶モジュールにつき、図１１ないし図１３を用いて説明する。
図１１は、液晶モジュールの分解斜視図である。図１１に示す液晶モジュール１は、カラー画像を表示する液晶パネル９０と、液晶パネル９０の上基板８０（相手側基板１０）に実装される液晶パネル９０の駆動用半導体素子４０とを主として構成されている。
【００７３】
図１２は液晶パネルの分解斜視図であり、図１３は図１２のＡ−Ａ線における側面断面図である。図１３に示すように、液晶パネル９０は、下基板７０および上基板８０により液晶層９２を挟持して構成されている。この液晶層９２にはネマチック液晶等が採用され、液晶パネル９０の動作モードとしてツイステッドネマチック（ＴＮ）モードが採用されている。なお上記以外の液晶材料を採用することも可能であり、また上記以外の動作モードを採用することも可能である。なお以下には、スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス型の液晶パネルを例にして説明するが、これ以外のアクティブマトリクス型の液晶パネルやパッシブマトリクス型の液晶パネルに本発明を適用することも可能である。
【００７４】
図１２に示すように、液晶パネル９０では、ガラス等の透明材料からなる下基板７０および上基板８０が対向配置されている。
上基板８０の内側には、複数のデータ線８１が形成されている。そのデータ線８１の側方には、ＩＴＯ等の透明導電性材料からなる複数の画素電極８２が、マトリクス状に配置されている。なお、各画素電極８２の形成領域により画素領域が構成されている。この画素電極８２は、ＴＦＤ素子８３を介して各データ線８１に接続されている。このＴＦＤ素子８３は、基板表面に形成されたＴａを主成分とする第１導電膜と、その第１導電膜の表面に形成されたＴａ２Ｏ３を主成分とする絶縁膜と、その絶縁膜の表面に形成されたＣｒを主成分とする第２導電膜とによって構成されている（いわゆるＭＩＭ構造）。そして、第１導電膜がデータ線８１に接続され、第２導電膜が画素電極８２に接続されている。これによりＴＦＤ素子８３は、画素電極８２への通電を制御するスイッチング素子として機能する。
【００７５】
一方、下基板７０の内側には、カラーフィルタ膜７６が形成されている。カラーフィルタ膜７６は、平面視略矩形状のカラーフィルタ７６Ｒ，７６Ｇ，７６Ｂによって構成されている。各カラーフィルタ７６Ｒ，７６Ｇ，７６Ｂは、それぞれ異なる色光のみを透過する顔料等によって構成され、各画素領域に対応してマトリクス状に配置されている。また、隣接する画素領域からの光洩れを防止するため、各カラーフィルタの周縁部には遮光膜７７が形成されている。この遮光膜７７は、光吸収性を有する黒色の金属クロム等により、額縁状に形成されている。さらに、カラーフィルタ膜７６および遮光膜７７を覆うように、透明な絶縁膜７９が形成されている。
【００７６】
その絶縁膜７９の内側には、複数の走査線７２が形成されている。この走査線７２は、ＩＴＯ等の透明導電材料によって略帯状に形成され、上基板８０のデータ線８１と交差する方向に延在している。そして走査線７２は、その延在方向に配列された前記カラーフィルタ７６Ｒ，７６Ｇ，７６Ｂを覆うように形成され、対向電極として機能するようになっている。そして、走査線７２に走査信号が供給され、データ線８１にデータ信号が供給されると、対向する画素電極８２および対向電極７２により、液晶層に電界が印加されるようになっている。
【００７７】
また図１３に示すように、画素電極８２および対向電極７２を覆うように、配向膜７４，８４が形成されている。この配向膜７４，８４は、電界無印加時における液晶分子の配向状態を制御するものであり、ポリイミド等の有機高分子材料によって構成され、その表面にラビング処理が施されている。これにより電界無印加時には、配向膜７４，８４の表面付近における液晶分子が、その長軸方向をラビング処理方向に一致させて、配向膜７４，８４と略平行に配向されるようになっている。なお、配向膜７４の表面付近における液晶分子の配向方向と、配向膜８４の表面付近における液晶分子の配向方向とが、所定角度だけずれるように、各配向膜７４，８４に対してラビング処理が施されている。これにより、液晶層９２を構成する液晶分子は、液晶層９２の厚さ方向に沿ってらせん状に積層されるようになっている。
【００７８】
また、両基板７０，８０は、熱硬化型や紫外線硬化型などの接着剤からなるシール材９３によって周縁部が接合されている。そして、両基板７０，８０とシール材９３とによって囲まれた空間に、液晶層９２が封止されている。なお、液晶層９２の厚さ（セルギャップ）は、両基板の間に配置されたスペーサ粒子９５によって規制されている。
一方、下基板７０および上基板８０の外側には、偏光板（不図示）が配置されている。各偏光板は、相互の偏光軸（透過軸）が所定角度だけずれた状態で配置されている。また入射側偏光板の外側には、バックライト（不図示）が配置されている。
【００７９】
そして、バックライトから照射された光は、入射側偏光板の偏光軸に沿った直線偏光に変換されて、下基板７０から液晶層９２に入射する。この直線偏光は、電界無印加状態の液晶層９２を透過する過程で、液晶分子のねじれ方向に沿って所定角度だけ旋回し、出射側偏光板を透過する。これにより、電界無印加時には白表示が行われる（ノーマリーホワイトモード）。一方、液晶層９２に電界を印加すると、電界方向に沿って配向膜７４，８４と垂直に液晶分子が再配向する。この場合、液晶層９２に入射した直線偏光は旋回しないので、出射側偏光板を透過しない。これにより、電界無印加時には黒表示が行われる。なお、印加する電界の強さによって階調表示を行うことも可能である。
液晶パネル９０は、以上のように構成されている。
【００８０】
図１１に戻り、液晶パネル９０を構成する上基板８０の一辺に、下基板７０からの張り出し部８０ａが形成されている。その張り出し部８０ａには、上基板８０からデータ線８１が、下基板７０から走査線７２がそれぞれ引き回され、これらの端部には上述した電極パッド（不図示）が形成されている。そして、その電極パッドに対し、上述した熱硬化性樹脂層６０を介して、本実施形態の半導体素子４０が実装されている。この半導体素子４０により、液晶パネル９０のデータ線８１および走査線７２に対する通電が制御され、液晶パネル９０の各画素が駆動されて、画像表示が行われるようになっている。
【００８１】
以上には、半導体素子４０をガラス基板８０に実装するＣＯＧ（Chip On Grass）に対して本発明を適用する場合について述べたが、ポリイミド等からなるフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）に半導体素子４０を実装するＣＯＦ（Chip On Film）に対して本発明を適用することも可能である。この場合、ＦＰＣは、異方導電性フィルム（ＡＣＦ）等を介して、液晶パネル９０の上基板８０における張り出し部８０ａに実装される。
【００８２】
［電子機器］
図１４は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話１３００は、上述した電気光学装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
上述した電気光学装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの場合にも電気的接続の信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
【００８３】
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】第１実施形態に係る半導体素子の実装状態の側面断面図である。
【図２】第１実施形態に係る半導体素子の製造方法の説明図である。
【図３】第１実施形態に係る半導体素子の製造方法の説明図である。
【図４】第１実施形態に係る半導体素子の製造方法の変形例の説明図である。
【図５】第１実施形態に係る半導体素子の実装方法の説明図である。
【図６】第２実施形態に係る半導体素子の製造方法の説明図である。
【図７】第３実施形態に係る半導体素子の製造方法の説明図である。
【図８】第４実施形態に係る半導体素子の製造方法の説明図である。
【図９】第４実施形態に係る半導体素子の製造方法の変形例の説明図である。
【図１０】第５実施形態に係る半導体素子の製造方法の説明図である。
【図１１】液晶モジュールの分解斜視図である。
【図１２】液晶パネルの分解斜視図である。
【図１３】液晶パネルの側面断面図である。
【図１４】携帯電話の斜視図である。
【図１５】従来技術に係る半導体素子の実装状態の側面断面図である。
【符号の説明】
【００８５】
２０レジスト  ２１フッ素樹脂膜  ４２電極パッド  ４４バンプ  ５０導電性粒子  ５２熱可塑性樹脂
【図１】
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【図２】
2005229044.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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