(57)【要約】【課題】  電気光学装置において、薄膜トランジスタの半導体層に対する遮光性能を高めることで、光リーク電流の発生を抑制し、もってフリッカ等のない高品質な画像を表示する。【解決手段】  基板上に、内蔵遮光膜たるデータ線（６ａ）、走査線（１１ａ）、走査線により走査信号が供給される半導体層（１ａ）を含むＴＦＴ、データ線によりＴＦＴを介して画像信号が供給される画素電極（９ａ）、データ線の下側に配置された保持容量（７０）、及び、これを覆うように形成された絶縁膜（４２）を備えてなり、前記データ線は、前記保持容量の高さに起因して形成された前記絶縁膜の表面の段差（４２ＤＲ及び４２ＤＬ）を避けるように形成されている。【選択図】      図５
2005070746.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、
前記走査線により走査信号が供給される半導体層を含む薄膜トランジスタと、
前記データ線により前記薄膜トランジスタを介して画像信号が供給される画素電極と、
前記半導体層の上側に配置された遮光膜と
を備えてなり、
前記遮光膜の幅は、該遮光膜の下側に形成された複数のパターニングされた導電層の少なくとも一層の導電層の少なくとも一部分の幅よりも小さいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
基板上に、
一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、
前記走査線により走査信号が供給される半導体層を含む薄膜トランジスタと、
前記データ線により前記薄膜トランジスタを介して画像信号が供給される画素電極と、
前記半導体層の上側に配置された遮光膜と、
該遮光膜の下側に配置された複数のパターニングされた導電層の少なくとも一層の導電層と、
前記少なくとも一層の導電層の上を覆うように形成された絶縁膜と
を備えてなり、
前記遮光膜は、前記少なくとも一層の導電層の少なくとも一部分の高さに起因して形成された前記絶縁膜の表面の段差を避けるように形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
基板上に、
一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、
前記走査線により走査信号が供給される半導体層を含む薄膜トランジスタと、
前記データ線により前記薄膜トランジスタを介して画像信号が供給される画素電極と、
前記半導体層の上側に配置された遮光膜と、
該遮光膜の下側に形成されたパターニングされた導電層の少なくとも一層の導電層と、
前記少なくとも一層の導電層の上を覆うように形成されることで、当該少なくとも一層の導電層の直上部分と該少なくとも一層の導電層の直上でない部分とで高さの相違をもつ絶縁膜と
を備えてなり、
前記遮光膜は、前記直上部分の少なくとも一部に平面的に含まれるように形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
前記遮光膜の上側にその表面が平坦化された平坦化絶縁膜と、該平坦化絶縁膜の上側に配置された平坦化回路素子及び平坦化配線の少なくとも一方とを更に備えてなり、
前記平坦化回路素子及び前記平坦化配線の少なくとも一方が、前記遮光膜を覆うように形成されている部分とそうでない部分とにおいて、少なくとも後者の部分で、前記遮光膜の幅が、前記少なくとも一層の導電層の幅よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記遮光膜は、前記データ線を兼ねることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記少なくとも一層の導電層は、前記薄膜トランジスタの全部又は一部を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極に接続されたコンデンサたる保持容量を更に備えてなり、
前記少なくとも一層の導電層は、前記保持容量の少なくとも一部を兼ねることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極に接続されたコンデンサたる保持容量を更に備えてなり、
前記遮光膜は、前記保持容量の少なくとも一部を兼ねることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記画素電極及び前記薄膜トランジスタは、前記基板を平面視してマトリクス状に配列されており、
前記遮光膜は、前記画素電極の形成領域を除くように全体的に格子状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記遮光膜は、多層構造を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に
記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記多層構造は、窒化チタンからなる層及びアルミニウムからなる層を含むことを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
基板上に、
一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、
前記走査線により走査信号が供給される半導体層を含む薄膜トランジスタと、
前記データ線により前記薄膜トランジスタを介して画像信号が供給される画素電極と、
前記半導体層の上側に配置された遮光膜と、
該遮光膜の下側に配置された複数のパターニングされた導電層の少なくとも一層の導電層と、
前記少なくとも一層の導電層の上を覆うように形成された絶縁膜と
を備えてなり、
前記遮光膜の縁付近は、前記少なくとも一層の導電層の少なくとも一部分の高さに起因して形成された前記絶縁膜の表面の段差を避けるように形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
基板上に、
パターニングされた導電層の少なくとも一層の導電層を形成する工程と、
前記少なくとも一層の導電層の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に遮光膜用前駆膜を形成する工程と、
前記絶縁膜のうち前記少なくとも一層の導電層の直上部分の少なくとも一部に平面的に含まれるように形成された前記遮光膜用前駆膜を残存させるように、前記遮光膜用前駆膜をパターニングして遮光膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばアクティブマトリクス駆動の液晶装置、電子ペーパなどの電気泳動装置、ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置、電子放出素子（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）を備えた装置等の電気光学装置及びその製造方法の技術分野に属する。また、本発明は、このような電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野にも属する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の電気光学装置では、各画素に設けられた画素スイッチング用のＴＦＴのチャネル領域に入射光が照射されると、光による励起で光リーク電流が発生してＴＦＴの特性が変化する。特に、プロジェクタのライトバルブ用の電気光学装置の場合には、入射光の強度が高いため、ＴＦＴのチャネル領域やその周辺領域に対する入射光の遮光を行うことは重要となる。
【０００３】
そこで従来は、対向基板に設けられた各画素の開口領域を規定する遮光膜により、あるいはＴＦＴアレイ基板上においてＴＦＴの上を通過するとともにＡｌ（アルミニウム）等の金属膜からなる遮光膜により、かかるチャネル領域やその周辺領域を遮光するように構成されている。なお、後者の遮光膜については、基板上において、ＴＦＴ、データ線、走査線、画素電極及び保持容量等からなる積層構造の一部をなすように形成されることから、該遮光膜は、内蔵遮光膜と呼ぶことができる。このように、ＴＦＴ及び遮光膜等が積層構造を構成する電気光学装置としては、例えば特許文献１に開示されているようなものが知られている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−９４０７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した遮光技術によれば、以下の問題点がある。すなわち、前記の電気光学装置においては、前記積層構造において、ＴＦＴの上側に内蔵遮光膜が形成されることで、当該ＴＦＴの上側から入射してくる光を、当該内蔵遮光膜によって遮光することができる。しかしながら、近年、電気光学装置の小型化・高精細化の要請が一段と強まってきていることから、前記積層構造の多層化等に代表されるように、電気光学装置の構造は、より複雑化してきている。このことによって、前記の内蔵遮光膜は、その表面がいわば凸凹の状態で形成されることがある。これは、内蔵遮光膜の下側に（即ち、前記積層構造中、内蔵遮光膜よりも下層に）、前記の小型化・高精細化の要求を満たすべく、例えば、保持容量等の複数の構成要素等を構築しなければならなくなった結果、該内蔵遮光膜が、前記構成要素が固有に有する「高さ」の影響を受けることによる。即ち、この「高さ」の影響が、前記構成要素間に形成される層間絶縁膜を伝播してより上層に及び、内蔵遮光膜の表面に凸凹を生じさせてしまうのである。
【０００６】
このように、内蔵遮光膜の表面に凸凹が形成されてしまうと、当該内蔵遮光膜の表面で入射光が意外な方向に反射等する結果、その反射方向如何によっては、最終的に、該入射光がＴＦＴの半導体層ないしその一部であるチャネル領域に入射するようなことが生じるおそれがあった。特に、前記凸凹の態様が、内蔵遮光膜の端部が低く、該端部以外の部分（以下、「非端部」という。）が高いという類型にあてはまる場合（言い換えると、盛り上がった部分と縁の部分とがある場合）には、前記端部、ないしは端部及び非端部の端境部で反射した光は、ＴＦＴに入射する可能性が大きくなる。というのも、通常、ＴＦＴは、基板上、平面視してマトリクス状に配列されており、且つ、内蔵遮光膜は前記のように開口領域を規定するように配置されているため、当該内蔵遮光膜の前記の各部で光が反射すれば、当該部分の直下に位置するＴＦＴに当該光は入射しないかもしれないが、その隣り、あるいは更にその隣りに位置するＴＦＴに当該光が入射するおそれが大きくなるからである。このおそれは、光の反射が、前記の端部及び非端部間に「斜め」の部分が存在する場合により大きくなる。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、薄膜トランジスタの半導体層に対する遮光性能を高めることで、光リーク電流の発生を抑制し、もってフリッカ等のない高品質な画像を表示することの可能な電気光学装置及びその製造方法を提供することを課題とする。また、本発明はそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することをも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の電気光学装置は、上記課題を解決するため、基板上に、一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、前記走査線により走査信号が供給される半導体層を含む薄膜トランジスタと、前記データ線により前記薄膜トランジスタを介して画像信号が供給される画素電極と、前記半導体層の上側に配置された内蔵遮光膜とを備えてなり、前記内蔵遮光膜の幅は、該内蔵遮光膜の下側に形成された回路素子及び配線の少なくとも一方の幅よりも小さい。
【０００９】
本発明の第１の電気光学装置によれば、走査信号に応じてスイッチング制御される薄膜トランジスタのＯＮ・ＯＦＦに応じて、画像信号がデータ線から画素電極へと供給され、また、供給が停止される。これにより、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能となる。
【００１０】
また、本発明によれば更に、薄膜トランジスタを構成する半導体層の上側に配置された内蔵遮光膜が備えられている。これにより、例えば当該電気光学装置が液晶プロジェクタのライトバルブとして用いられた場合に、該ライトバルブに入射される比較的強力な光が、前記半導体層、とりわけそのチャネル領域に入射することを未然に防止することができる。これにより、該半導体層内において、いわゆる光リーク電流を発生させることを未然に防止することができ、もって当該電気光学装置によって画像表示等を行う場合に、該画像上にフリッカ等を発生させることも未然に防止することができる。以上により、本発明によれば、画像の品質を向上させることができる。
【００１１】
そして、本発明によれば特に、前記内蔵遮光膜の幅は、該内蔵遮光膜の下側に形成された回路素子及び配線の少なくとも一方（以下、「回路素子等」という。）の幅よりも小さい。このような限定により、典型的には以下のような構造が想定されることになる。すなわち、まず、回路素子等が形成される層が存在し、その上に層間絶縁膜、更にその上に内蔵遮光膜が存在するという積層構造を想定することができる。ここで層間絶縁膜が要求されるのは、一般に、回路素子等と内蔵遮光膜との間で短絡が生じることを防止する必要があるからである。次に、このような構造では、前記層間絶縁膜の表面に、回路素子等の高さに起因する段差が殆ど必然的に形成される。この段差は、当該回路素子等の形成領域に対応するように形成され、したがって、該回路素子等がもつ幅に対応するように形成されるから、当該段差間の幅は、当該回路素子等の幅にほぼ対応すると考えることができる。そして、このような状況において、本発明に係る内蔵遮光膜の幅は、前記回路素子等の幅よりも小さい、即ち前記段差間の幅よりも小さいということができる。したがって、当該内蔵遮光膜は、段差間の平面上に形成されているということができるから、このような場合、内蔵遮光膜の表面は平坦化される、ないしは該表面には凸凹が生じないということになる。
【００１２】
以上の結果、本発明によれば、内蔵遮光膜の表面に凸凹が存在し、そのために、該内蔵遮光膜の表面で反射した光が意外な方向に進行することで、薄膜トランジスタの半導体層ないしその一部であるチャネル領域に当該光が入射するというおそれは極めて低減されることになる。よって、本発明によれば、半導体層内における光リーク電流の発生を抑制することができ、もってより高品質な画像を表示することが可能となる。
【００１３】
なお、本発明においては、前記の作用効果をより確実に得るために、内蔵遮光膜の「すべて」が、前記にいう層間絶縁膜の段差間の平面上に収まるように形成されることが好ましいが、実際上、そのような構造を実現することが困難な場合もあり、本発明は、そのような完全性を要求するものではない。
【００１４】
また、前記の典型的な構造では、内蔵遮光膜は、段差間の「平面」に形成されるとして説明したが、場合によっては、この段差間に凸凹が存在していてもよい。この場合、内蔵遮光膜の表面には、当該凸凹に対応する凸凹が形成されることになるが、該凸凹が、内蔵遮光膜の縁付近に形成されない限り、該内蔵遮光膜に反射した光が意外な方向に進行するという可能性は低い。したがって、このような場合であっても、前記の作用効果は、略同様に奏されることになる。
【００１５】
本発明の第２の電気光学装置は、基板上に、一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、前記走査線により走査信号が供給される半導体層を含む薄膜トランジスタと、前記データ線により前記薄膜トランジスタを介して画像信号が供給される画素電極と、前記半導体層の上側に配置された内蔵遮光膜と、該内蔵遮光膜の下側に配置された回路素子及び配線の少なくとも一方と、前記回路素子及び配線の少なくとも一方の上を覆うように形成された絶縁膜とを備えてなり、前記内蔵遮光膜は、前記回路素子及び配線の少なくとも一方の高さに起因して形成された前記絶縁膜の表面の段差を避けるように形成されている。
【００１６】
本発明の第２の電気光学装置によれば、前記の第１の電気光学装置と同様に、アクティブマトリクス駆動が可能であり、また、本発明によれば更に、内蔵遮光膜を備えていることにより、半導体層内における光リーク電流発生の防止、画像品質の向上が可能である。
【００１７】
そして、本発明によれば特に、内蔵遮光膜は、前記回路素子等の高さに起因して形成された絶縁膜の表面の段差を避けるように形成されている。これにより、当該内蔵遮光膜には、前記段差に原因する凸凹が生じないということになる。以上の結果、本発明によっても、前記の第１の電気光学装置と略同様にして、前記の作用効果が得られる。
【００１８】
なお、本態様においても、前記と同様に、内蔵遮光膜の「すべて」が、前記段差を完全に避けて形成されることが好ましいが、実際上、そのような構造を実現することが困難な場合もあり、本発明は、そのような完全性を要求するものではない。
【００１９】
本発明の第３の電気光学装置は、基板上に、一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、前記走査線により走査信号が供給される半導体層を含む薄膜トランジスタと、前記データ線により前記薄膜トランジスタを介して画像信号が供給される画素電極と、前記半導体層の上側に配置された内蔵遮光膜と、該内蔵遮光膜の下側に形成された回路素子及び配線の少なくとも一方と、前記回路素子及び配線の少なくとも一方の上を覆うように形成されることで、当該回路素子及び配線の少なくとも一方の直上部分と該少なくとも一方の直上でない部分とで高さの相違をもつ絶縁膜とを備えてなり、前記内蔵遮光膜は、前記直上部分に対応するように形成されている。
【００２０】
本発明の第３の電気光学装置によれば、前記の第１の電気光学装置と同様に、アクティブマトリクス駆動が可能であり、また、本発明によれば更に、内蔵遮光膜を備えていることにより、半導体層内における光リーク電流発生の防止、画像品質の向上が可能である。
【００２１】
そして、本発明によれば特に、回路素子等の上を覆うように形成されることで当該回路素子等の直上部分とその直上でない部分とで、高さの相違をもつ絶縁膜が備えられてなり、前記内蔵遮光膜は、前記直上部分に対応するように配置されている。これによっても、前記の第１の電気光学装置と略同様にして、前記の作用効果が得られる。
【００２２】
本発明の第１の電気光学装置の一態様では、前記内蔵遮光膜の上側にその表面が平坦化された平坦化絶縁膜と、該平坦化絶縁膜の上側に配置された平坦化回路素子及び平坦化配線の少なくとも一方とを更に備えてなり、前記平坦化回路素子及び前記平坦化配線の少なくとも一方が、前記内蔵遮光膜を覆うように形成されている部分とそうでない部分とにおいて、少なくとも後者の部分で、前記内蔵遮光膜の幅が、前記回路素子及び配線の少なくとも一方の幅よりも小さい。
【００２３】
この態様によれば、内蔵遮光膜の上側に平坦化回路素子及び平坦化配線の少なくとも一方（以下、「平坦化回路素子等」という。）が形成されている。これによると、該平坦化回路素子等が、例えば光反射性能に優れたアルミニウム等からなれば、遮光膜として機能しうる。したがって、この場合において、平坦化回路素子等が内蔵遮光膜を覆うように形成されているならば、当該電気光学装置では該平坦化回路素子等と内蔵遮光膜との遮光膜の二重構造が得られることになる。そして、このような場合、より下側に位置する内蔵遮光膜について、前記のような平坦化を指向した規制（以下、簡単のため、「幅に関する規制」という。）の必要性は大きくないことになる。なぜなら、上方より入射する入射光の多くの部分の進行は、より上側に位置する平坦化回路素子等によって、遮られるからである（しかも、該平坦化回路素子等は平坦であるがゆえ、ここで反射した光が、意外な方向に進行するというおそれも小さい。）。以上により、本態様のように、平坦化回路素子等が前記内蔵遮光膜を覆うように形成されている部分とそうでない部分のうち、後者についてのみ、前記の幅に関する規制を及ぼせば、本発明に係る作用効果が、前記同様に奏されることは勿論、当該規制を及ぼす必要性が少ない部分については、より自由なレイアウト等の構想を行うことができるから、設計自由度を増大させることができる。
【００２４】
なお、本態様においては、前記の「平坦化を指向した規制」として、内蔵遮光膜及び回路素子等の幅に関する規制を念頭においたが、本発明は、このような形態に限定されない。その他、前述した別の観点からの規制（即ち、内蔵遮光膜が、「段差を避けるように」形成されるという規制、あるいは「直上部分に対応するように」形成されるという規制）についても、前記と全く同じ議論が妥当することは言うまでもない。
【００２５】
また、本態様では、平坦化回路素子等が内蔵遮光膜を覆うように形成されている部分についても、当該内蔵遮光膜について、前記の平坦化を指向した規制を及ぼしてもよい。遮光機能を有する平坦化回路素子等があっても、これを透過してくる光が存在し得るから、相応の作用効果を挙げることができる。また、このようにしておけば、二重の平坦化された遮光膜が存在することになるから、前記の作用効果がより確実になるという利点も得られる。
【００２６】
本発明の第１ないし第３の電気光学装置の他の態様では、前記内蔵遮光膜は、前記データ線を兼ねる。
【００２７】
この態様によれば、内蔵遮光膜がデータ線を兼ねることから、これらを別々に基板上に作り込む場合に比べて、構造の簡易化を図ることができる。
【００２８】
本発明の第１ないし第３の電気光学装置の他の態様では、前記回路素子及び配線の少なくとも一方は、前記薄膜トランジスタの全部又は一部を含む。
【００２９】
この態様によれば、回路素子等が薄膜トランジスタの全部又は一部を含むことから、基板上の積層構造は、下から順に、薄膜トランジスタ、層間絶縁膜及び内蔵遮光膜ということになる。この場合、薄膜トランジスタは、通常、半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極膜という三層構造を有することから、その「高さ」は比較的大きくなり、したがって、その上の層間絶縁膜の表面に形成される段差も比較的大きくなりうる。しかるに、本発明においては、既に述べたように、かかる段差が形成されたとしても、内蔵遮光膜の表面に凸凹が形成されるということにはならない。このような観点から、本態様は、好適に積層構造を構築することができるとともに、本発明に係る作用効果をより効果的に享受することが可能ということができる。
【００３０】
本発明の第１ないし第３の電気光学装置の他の態様では、前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極に接続されたコンデンサたる保持容量を更に備えてなり、前記回路素子及び配線の少なくとも一方は、前記保持容量の少なくとも一部を兼ねる。
【００３１】
この態様によれば、回路素子等が保持容量を含むことから、基板上の積層構造は、下から順に、保持容量、層間絶縁膜及び内蔵遮光膜ということになる。この場合、保持容量は、通常、画素電位側容量電極、誘電体膜及び固定電位側容量電極という三層構造を有することから、その「高さ」は比較的大きくなり、したがって、その上の層間絶縁膜の表面に形成される段差も比較的大きくなりうる。しかるに、本発明においては、既に述べたように、かかる段差が形成されたとしても、内蔵遮光膜の表面に凸凹が形成されるということにはならない。このような観点から、本態様は、好適に積層構造を構築することができるとともに、本発明に係る作用効果をより効果的に享受することが可能ということができる。
【００３２】
本発明の第１ないし第３の電気光学装置の他の態様では、前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極に接続されたコンデンサたる保持容量を更に備えてなり、前記内蔵遮光膜は、前記保持容量の少なくとも一部を兼ねる。
【００３３】
この態様によれば、内蔵遮光膜が保持容量の少なくとも一部（即ち、保持容量が画素電位側容量電極、絶縁膜及び固定電位側容量電極からなる場合には、それらの一部又は全部）を兼ねることから、これらを別々に基板上に作り込む場合に比べて、構造の簡易化を図ることができる。
【００３４】
なお、本発明に係る電気光学装置においては、本態様のように保持容量を兼ねる内蔵遮光膜を備える他、これとは別に、データ線を兼ねる内蔵遮光膜を更に備える形態をとってもよい。この場合、当該電気光学装置において典型的には、二種の内蔵遮光膜が、積層構造の上層及び下層それぞれに、いわば二重に存在する、などということになる。これによれば、半導体層に対する光入射をより確実に防止することができる。
【００３５】
本発明の第１ないし第３の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極及び前記薄膜トランジスタは、前記基板を平面視してマトリクス状に配列されており、前記内蔵遮光膜は、前記画素電極の形成領域を除くように全体的に格子状に形成されている。
【００３６】
この態様によれば、内蔵遮光膜が格子状に形成されていることから、その面積は比較的大きくなり、半導体層に対する光入射をより確実に防止することができる。
【００３７】
また、本態様では、薄膜トランジスタがマトリクス状に配列されていることから、そのうちのある一つの薄膜トランジスタに着目すると、それに相隣接する薄膜トランジスタが存在することになる。そうすると、仮に内蔵遮光膜の縁部分に段差が生じており、前記一つの薄膜トランジスタの上側に存在する内蔵遮光膜の表面、特に前記縁部分の段差付近における表面で入射光が反射すると、その反射した光が、前記相隣接する薄膜トランジスタに入射するおそれがでてくる。しかるに、本発明では、前記のように、内蔵遮光膜及び回路素子等の幅に関する規制、あるいは内蔵遮光膜を「段差を避けるように」形成する規制、更には「直上部分に対応するように」形成する規制の少なくとも一つが課せられるから、当該内蔵遮光膜には、少なくともその縁部分に、凸凹が形成されることがない。したがって、本態様によれば、前記相隣接する薄膜トランジスタに光が入射するおそれを極めて低減することができる。
【００３８】
なお、内蔵遮光膜が、「画素電極の形成領域を除く『ように』」形成されているというのは、該内蔵遮光膜が画素電極の形成領域を完全に除いて形成されている場合を当然含むほか、両者が一部重なり合って形成されている場合（例えば、内蔵遮光膜の縁部分と画素電極の縁部分とが平面視して重なり合っている場合）も含む。
【００３９】
また、「全体的に格子状」というのは、当該内蔵遮光膜が、連続したパターンで一体的に格子状に形成されている場合を含むほか、分断されたパターンではあるが“全体としてみて”格子状に形成されている場合も含む。後者の具体例としては、例えば、当該内蔵遮光膜が、ストライプ状に形成されたストライプ状内蔵遮光膜と、該ストライプ状内蔵遮光膜に接続されないが該ストライプ状内蔵遮光膜間を橋架けするように配置された橋架け様内蔵遮光膜とからなる場合を想定することができる。この場合、前記橋架け用内蔵遮光膜の内部でパターンが更に分断され、第１，第２，…，第ｎ橋架け用内蔵遮光膜が形成されてもよい。
【００４０】
ちなみに、かかる橋架け用内蔵遮光膜は、例えば、その下層に配置された回路素子及び配線等と、その上層に配置されたそれとの間で電気的接続を図るための中継層等（後述する発明の実施の形態における「容量配線用中継層６ａ１」、あるいは「第２中継電極６ａ２」等を参照。）として利用することができる。これによれば、当該電気光学装置のより一層の小型化が実現される等、基板上の積層構造のより好適な構築を行うことができる。
【００４１】
本発明の第１ないし第３の電気光学装置の他の態様では、前記内蔵遮光膜は、多層構造を有する。
【００４２】
この態様によれば、内蔵遮光膜が、例えば、その一層を光吸収能に優れた材料からなるものとし、他の一層を光反射能に優れた材料からなるものとする等の多層構造を有することになるから、遮光膜として機能をより高めることができる。
【００４３】
この態様では、前記多層構造は、窒化チタンからなる層及びアルミニウムからなる層を含むように構成してもよい。
【００４４】
このような構成によれば、前者の窒化チタンからなる層が比較的光吸収能に優れ、後者のアルミニウムからなる層が比較的光反射能に優れていることから、当該内蔵遮光膜において、比較的優れた遮光機能を期待することができる。
【００４５】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記課題を解決するために、基板上に、回路素子及び配線の少なくとも一方を形成する工程と、前記回路素子及び配線の少なくとも一方の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に内蔵遮光膜用前駆膜を形成する工程と、前記絶縁膜のうち前記回路素子及び配線の少なくとも一方の直上部分に対応するよう形成された前記内蔵遮光膜用前駆膜を残存させるように、前記内蔵遮光膜用前駆膜をパターニングして内蔵遮光膜を形成する工程とを含む。
【００４６】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、前述の本発明の第３の電気光学装置を好適に製造することができる。また、本発明にいう「直上部分に対応するように形成」の範囲には、前述の本発明の第１の電気光学装置にいう、内蔵遮光膜の幅を、回路素子及び配線の少なくとも一方の幅よりも小さく形成するということが少なくとも部分的に含まれ、また、前述の本発明の第２の電気光学装置にいう、内蔵遮光膜を、「回路素子及び配線の少なくとも一方の高さに起因して形成された前記絶縁膜の表面の段差を避けるように形成」するということが少なくとも部分的に含まれるから、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、前述の本発明の第１ないし第３の電気光学装置を好適に製造することができる。
【００４７】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した本発明の第１ないし第３の電気光学装置（但し、その各種態様を含む。）を具備してなる。
【００４８】
本発明の電子機器によれば、上述の本発明の電気光学装置を具備してなるので、フリッカ等のない極めて高品質な画像を表示することの可能な、投射型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００４９】
本発明のこのような作用及び他の利得は、次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００５１】
〔画素部における構成〕
以下では、本発明の実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図１から図４を参照して説明する。ここに図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路であり、図２及び図３は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。なお、図２及び図３は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図２）と上層部分（図３）とを分かって図示している。また、図４は、図２及び図３を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。なお、図４においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００５２】
なお、以下では、まず、本実施形態に係る電気光学装置の基本的構成について予め説明した後、本実施形態において特徴的な構成等については、後に改めて（内蔵遮光膜とその下層側に形成される構成要素との関係）なる項目を立てて詳述することとする。
【００５３】
（画素部の回路構成）
図１において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５４】
また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａ及びゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００５５】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００５６】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に保持容量７０を付加する。この保持容量７０は、走査線１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。
【００５７】
〔画素部の具体的構成〕
以下では、上記データ線６ａ、走査線１１ａ及びゲート電極３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、具体的な構成について、図２乃至図４を参照して説明する。
【００５８】
まず、図３において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線１１ａが設けられている。データ線６ａは、後述するようにアルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線１１ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線１１ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するゲート電極３ａにコンタクトホール１２ｃｖを介して電気的に接続されており、該ゲート電極３ａは該走査線１１ａに含まれる形となっている。すなわち、ゲート電極３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に、走査線１１ａに含まれるゲート電極３ａが対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。これによりＴＦＴ３０（ゲート電極を除く。）は、ゲート電極３ａと走査線１１ａとの間に存在するような形態となっている。
【００５９】
次に、電気光学装置は、図２及び図３のＡ−Ａ´線断面図たる図４に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。
【００６０】
ＴＦＴアレイ基板１０の側には、図４に示すように、前記の画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００６１】
このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、後述のシール材５２（図１３及び図１４参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。
【００６２】
一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図４に示すように、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０等を含む第２層、保持容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、容量配線４００等を含む第５層、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２、４３及び４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。なお、前述のうち第１層から第３層までが、下層部分として図２に図示されており、第４層から第６層までが上層部分として図３に図示されている。
【００６３】
（積層構造・第１層の構成―走査線等―）
まず、第１層には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等からなる走査線１１ａが設けられている。この走査線１１ａは、平面的にみて、図２のＸ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。より詳しく見ると、ストライプ状の走査線１１ａは、図２のＸ方向に沿うように延びる本線部と、データ線６ａ或いは容量配線４００が延在する図２のＹ方向に延びる突出部とを備えている。なお、隣接する走査線１１ａから延びる突出部は相互に接続されることはなく、したがって、該走査線１１ａは１本１本分断された形となっている。
【００６４】
（積層構造・第２層の構成―ＴＦＴ等―）
次に、第２層として、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、図４に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００６５】
また、本実施形態では、この第２層に、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。この中継電極７１９は、平面的に見て、図２に示すように、各画素電極９ａのＸ方向に延びる一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されているから、後者が例えば導電性ポリシリコン膜等からなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜等からなる。
【００６６】
なお、上述のＴＦＴ３０は、好ましくは図４に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００６７】
（積層構造・第１層及び第２層間の構成―下地絶縁膜―）
以上説明した走査線１１ａの上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、走査線１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００６８】
この下地絶縁膜１２には、平面的にみて半導体層１ａの両脇に、後述するデータ線６ａに沿って延びる半導体層１ａのチャネル長の方向に沿った溝状のコンタクトホール１２ｃｖが掘られており、このコンタクトホール１２ｃｖに対応して、その上方に積層されるゲート電極３ａは下側に凹状に形成された部分を含んでいる。また、このコンタクトホール１２ｃｖ全体を埋めるようにして、ゲート電極３ａが形成されていることにより、該ゲート電極３ａには、これと一体的に形成された側壁部３ｂ（前記の「下側に凹状に形成された部分」）が延設されるようになっている。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａは、図２によく示されているように、平面的にみて側方から覆われるようになっており、少なくともこの部分からの光の入射が抑制されるようになっている。
【００６９】
また、この側壁部３ｂは、前記のコンタクトホール１２ｃｖを埋めるように形成されているとともに、その下端が前記の走査線１１ａと接するようにされている。ここで走査線１１ａは、上述のようにストライプ状に形成されていることから、ある行に存在するゲート電極３ａ及び走査線１１ａは、当該行に着目する限り、常に同電位となる。
【００７０】
（積層構造・第３層の構成―保持容量等―）
前述の第２層に続けて第３層には、保持容量７０が設けられている。保持容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この保持容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、本実施形態に係る保持容量７０は、図２の平面図を見るとわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されているため（換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため）、電気光学装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。
【００７１】
より詳細には、下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、下部電極７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。また、この下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。ちなみに、ここにいう中継接続は、前記の中継電極７１９を介して行われている。
【００７２】
容量電極３００は、保持容量７０の固定電位側容量電極として機能する。本実施形態において、容量電極３００を固定電位とするためには、固定電位とされた容量配線４００（後述する。）と電気的接続が図られることによりなされている。また、容量電極３００は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。これにより、容量電極３００は、ＴＦＴ３０に上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。
【００７３】
誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。保持容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。
【００７４】
本実施形態において、この誘電体膜７５は、図４に示すように、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂというように二層構造を有するものとなっている。上層の窒化シリコン膜７５ｂは画素電位側容量電極の下部電極７１より少し大きなサイズにパターニングされ、遮光領域（非開口領域）内で収まるように形成されている。
【００７５】
なお、本実施形態では、誘電体膜７５は、二層構造を有するものとなっているが、場合によっては、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等というような三層構造や、あるいはそれ以上の積層構造を有するように構成してもよい。むろん単層構造としてもよい。
【００７６】
（積層構造、第２層及び第３層間の構成―第１層間絶縁膜―）
以上説明したＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、保持容量７０の下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００７７】
そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと保持容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。さらに、この第１層間絶縁膜４１には、保持容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が、後記第２層間絶縁膜を貫通しつつ開孔されている。
【００７８】
（積層構造・第４層の構成―データ線等―）
前述の第３層に続けて第４層には、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、図４に示すように、下層より順に、アルミニウムからなる層（図４における符号４１Ａ参照）、窒化チタンからなる層（図４における符号４１ＴＮ参照）、窒化シリコン膜からなる層(図４における符号４０１参照)の三層構造を有する膜として形成されている。窒化シリコン膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。
【００７９】
また、この第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図３に示すように、平面的に見ると、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパターニング上分断されるように形成されている。例えば図３中最左方に位置するデータ線６ａに着目すると、その直右方に略四辺形状を有する容量配線用中継層６ａ１、更にその右方に容量配線用中継層６ａ１よりも若干大きめの面積をもつ略四辺形状を有する第２中継電極６ａ２が形成されている。
【００８０】
ちなみに、これら容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２は、データ線６ａと同一膜として形成されていることから、下層より順に、アルミニウムからなる層、窒化チタンからなる層、プラズマ窒化膜からなる層の三層構造を有する。
【００８１】
（積層構造・第３層及び第４層間の構成―第２層間絶縁膜―）
以上説明した保持容量７０の上、かつ、データ線６ａの下には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ，ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第２層間絶縁膜４２が形成されている。この第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続する、前記のコンタクトホール８１が開孔されているとともに、前記容量配線用中継層６ａ１と保持容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。さらに、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するための、前記のコンタクトホール８８２が形成されている。
【００８２】
（積層構造・第５層の構成―容量配線等―）
前述の第４層に続けて第５層には、容量配線４００が形成されている。この容量配線４００は、平面的にみると、図３に示すように、図中Ｘ方向及びＹ方向それぞれに延在するように、格子状に形成されている。該容量配線４００のうち図中Ｙ方向に延在する部分については特に、データ線６ａを覆うように、且つ、該データ線６ａよりも幅広に形成されている。また、図中Ｘ方向に延在する部分については、後述の第３中継電極４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に切り欠き部を有している。
【００８３】
さらには、図３中、ＸＹ方向それぞれに延在する容量配線４００の交差部分の隅部においては、該隅部を埋めるようにして、略三角形状の部分が設けられている。容量配線４００に、この略三角形状の部分が設けられていることにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する光の遮蔽を効果的に行うことができる。すなわち、半導体層１ａに対して、斜め上から進入しようとする光は、この三角形状の部分で反射又は吸収されることになり半導体層１ａには至らないことになる。したがって、光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。この容量配線４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。
【００８４】
また、第４層には、このような容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。この第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８０４及び８９を介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。なお、これら容量配線４００及び第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。
【００８５】
他方、上述の容量配線４００及び第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。
【００８６】
（積層構造・第４層及び第５層間の構成―第３層間絶縁膜―）
以上説明した前述のデータ線６ａの上、かつ、容量配線４００の下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくは、ＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法で形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、前記の容量配線４００と容量配線用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００８７】
（積層構造・第６層並びに第５層及び第６層間の構成―画素電極等―）
最後に、第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び前記の第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。画素電極９ａとＴＦＴ３０との間は、このコンタクトホール８９及び第３中継層４０２並びに前述したコンタクトホール８０４、第２中継層６ａ２、コンタクトホール８８２、中継電極７１９、コンタクトホール８８１、下部電極７１及びコンタクトホール８３を介して、電気的に接続されることとなる。
【００８８】
（内蔵遮光膜とその下側に形成される構成要素との関係）
以上述べたような構成を備える電気光学装置において、本実施形態においては特に、内蔵遮光膜たるデータ線６ａ及び容量配線４００と、その下層側に形成される構成要素、特に、保持容量７０との関係において特徴がある。以下では、図５及び図６、並びに図８乃至図９を参照して、これについて詳述する。ここに図５は、図２及び図３を重ね合わせた場合のＢ−Ｂ´断面図であり、図６は図５に対する比較例である。また、図８及び図９は、図２及び図３を重ね合わせた場合のＣ−Ｃ´断面図及びＤ−Ｄ´断面図である。なお、これら図５乃至図９においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００８９】
まず、図５は、図２及び図３のＢ−Ｂ´断面図であり、当該断面の構造は、前記において順番に説明した図４と同様な構造が反映されている。すなわち、図５においては、ＴＦＴアレイ基板１０の側から順に、走査線１１ａ、下地絶縁膜１２、半導体層１ａを含むＴＦＴ３０、第１層間絶縁膜４１、保持容量７０、第２層間絶縁膜４２及びデータ線６ａなどという積層構造が構築されている。このうちデータ線６ａは、既に述べたように、下層より順に、アルミニウムからなる層（図５における符号４１Ａ参照）、窒化チタンからなる層（図５における符号４１ＴＮ参照）、窒化シリコン膜からなる層（図５における符号４０１参照）の三層構造を有する膜として形成されている。このうち特に、アルミニウムは光反射能に優れた材料であり、窒化チタンからなる膜は、光吸収能に優れた材料である。他方、容量配線４００もまた、既に述べたように、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。このうち特に、アルミニウムは光反射能に優れた材料であり、窒化チタンからなる膜は、光吸収能に優れた材料である。したがって、これらデータ線６ａ及び容量配線４００は、図５に示すように、半導体層１ａに対して図中上側から入射しようとする入射光ＬＵに対して、遮光膜として機能する（なお、図における入射光ＬＵは、容量配線４００でその一部が吸収されるとともに残部が透過し、該残部がデータ線６ａにまで到達していることが示されている。）。このように、本実施形態に係るデータ線６ａ及び容量配線４００は、本発明にいう「内蔵遮光膜」の一例に該当することになる。
【００９０】
また、本実施形態においては、第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等の平坦化処理を受けることにより、平坦化されている。したがって、この第３層間絶縁膜４３の上に形成されている容量配線４００もまた、図５に示すように、平坦化された表面をもち、該表面に凸凹は生じていない。なお、本実施形態では更に、第４層間絶縁膜４４の表面もまた、第３層間絶縁膜４３と同様に平坦化処理を受けている。このことから結局、画素電極９ａの表面、あるいは配向膜１６の表面は、殆ど凸凹をもたないことになる。これにより、例えば、配向膜１６の表面に対するラビング処理をスムースに進行させることができるから（もし、配向膜１６の表面に著しい凸凹があれば、ラビング処理が不十分な部分等が生じ得る）、ラビング処理が不十分な部分に原因して配向不良などを引き起こす、などということを防止することができる。
【００９１】
そして、本実施形態においては特に、前記の内蔵遮光膜たるデータ線６ａと、該データ線６ａの下側に配置された保持容量７０及び半導体層１ａとが、次のような特別な配置関係にある。すなわち、図５において、データ線６ａの幅Ｗ（６ａ）が、保持容量７０の幅Ｗ（７０）及び半導体層１ａの幅Ｗ（１ａ）よりも小さくされている。また、このようなデータ線６ａは、第２層間絶縁膜４２の上において、主に、保持容量７０の高さに起因して形成されている段差４２ＤＲ及び４２ＤＬを跨いで形成されているのではなく、該第２層間絶縁膜４２上、一定の高さを保つ平面上に形成されている。これにより、データ線６ａは、図５に示すように、段差をもたない。
【００９２】
この点、比較例たる図６においては、半導体層１ａ及び保持容量７０それぞれの幅Ｗ（１ａ）及びＷ（７０）が、データ線６ａの幅Ｗ（６ａ）よりも、狭く形成されているため、該データ線６ａは、その表面に凸凹が形成されている。この凸凹は、半導体層１ａの高さ、及び、保持容量７０の高さに起因した凸凹であることがわかる。したがって、この図６においては、データ線６ａの表面において、入射光ＬＴＥ、あるいはＬＴＦが意外な方向に反射等する結果、その反射方向如何によっては、最終的に、該入射光がＴＦＴ３０のチャネル領域に入射するようなことが生じるおそれがある。特に、前記凸凹の態様が、この図６に示すように、データ線６ａの端部６ａＰが低く、中央部６ａＣが高いという場合には、この端部６ａＰ、ないしは端部６ａＰ及び中央部６ａＣの端境部６ａＴで反射した光は、ＴＦＴ３０のチャネル領域に入射する可能性が大きくなる。というのも、本実施形態において、ＴＦＴ３０は、図２及び図３に示したように、ＴＦＴアレイ基板１０上、平面視してマトリクス状に配列されており、且つ、データ線６ａは開口領域を規定するようにストライプ状に配置されているため、当該データ線６ａの前記の各部（６ａＰあるいは６ａＴ）で光が反射すれば、この直下に位置する図示された半導体層１ａないしはこれに含まれるチャネル領域１ａ´（図４参照）には当該光は入射しないかもしれないが、その隣り、あるいは更にその隣りに位置するＴＦＴ３０に入射するおそれが大きくなるからである（例えば、図中符号ＬＴ参照）。このおそれは、光の反射が、図６に示すように、この端境部６ａＴに「斜め」の部分で生じた場合により大きくなる。
【００９３】
しかるに、本実施形態においては、前記のように、データ線６ａに凸凹が生じていないから、かかるおそれは殆どない。図５に示すように、データ線６ａに対する入射光ＬＵは、反射光ＬＵ´として進行することから、これが半導体層１ａに入射するおそれは極めて低減されているのである。したがって、本実施形態によれば、ＴＦＴ３０内で光リーク電流の発生を抑制することができるから、フリッカのない、より高品質な画像を表示することが可能となる。
【００９４】
なお、以上述べたようなデータ線６ａは、例えば図７に示すように製造される。すなわち、まず、ＴＦＴアレイ基板１０上で、公知の方法により第２層間絶縁膜４２までが形成された構造において、その第２層間絶縁膜４２の上に、図７（ａ）に示すように、データ線用前駆膜６０１を形成する。このデータ線用前駆膜６０１は、例えば、成膜する材料の相違等に応じて、スパッタリング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の成膜方法の中から選択される適当なものにより形成される（したがって、図７においては、各層につき異なる成膜方法を採用してもよい。）。また、該データ線用前駆膜６０１は、図７（ａ）に示すように、段差４２ＤＲ及び４２ＤＬの存在に関わらず、第２層間絶縁膜４２の全面を覆うように形成される。次に、図７（ｂ）に示すように、第２層間絶縁膜４２のうち保持容量７０及び半導体層１ａの直上部分に対応するよう形成された前記データ線用前駆膜６０１を残存させるように、このデータ線用前駆膜６０１をパターニング（フォトリソグラフィ及びエッチング）する。これにより、段差４２ＤＲ及び４２ＤＬ上のデータ線用前駆膜６０１は除去され、図５に示したデータ線６ａが形成されることになる。以下、図７（ｃ）に示すように、このようにして形成されたデータ線６ａの上に第３層間絶縁膜４３を形成し、且つ、その表面にＣＭＰ処理等の平坦化処理を実施して平坦化し（図７（ｃ）中の破線参照）、更に続いて、容量配線４００、第４層間絶縁膜４４、画素電極９ａ及び配向膜１６（いずれも不図示）等を形成すれば、図５に示した構造を製造することができる。
【００９５】
次に、図８及び図９について説明する。図８及び図９についても、前記の図５と同じく、当該断面の構造は、前記において順番に説明した図４と同様な構造が反映されている。但し、これらの断面図においては、図５と異なり、データ線６ａは存在せず、該データ線６ａと同一膜として形成された容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が現れている。これら容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２は、既に述べたように、前記データ線６ａと同一膜として形成されており、図４に示されるように該データ線６ａと同様、三層構造を有していることから、該容量配線用中継層６ａ１及び該第２中継電極６ａ２もまた、遮光膜として機能し、したがって本発明にいう「内蔵遮光膜」の一例に該当することになる。
【００９６】
そして、本実施形態においては特に、内蔵遮光膜たる容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２と、これらの下側に配置された保持容量７０及び中継電極７１９とが、次のような特別な配置関係にある。すなわち、まず、図８においては、容量配線用中継層６ａ１のＶ（６ａ１）が、保持容量７０の幅Ｖ（７０）（前記の幅Ｗ（７０）とは直交する方向の幅である。）よりも小さくされている。また、このような容量配線用中継層６ａ１は、第２層間絶縁膜４２の上において、保持容量７０の高さに起因して形成されている段差４２ＳＲ及び４２ＳＬを跨いで形成されているのではなく、該第２層間絶縁膜４２上、一定の高さを保つ平面上に形成されている。これにより、容量配線用中継層６ａ１は、図８に示すように、段差をもたない。
【００９７】
一方、図９においては、第２中継電極６ａ２の下側で、中継電極７１９及び保持容量７０が形成されているため、これらそれぞれの高さに起因する段差が形成されることになる。すなわち、図中右方においては、中継電極７１９の高さに起因する段差４１ＴＲ及び４１ＴＬが、第１層間絶縁膜４１上に形成されており、図中左方においては、保持容量７０の高さに起因する段差４２ＴＬが、第２層間絶縁膜４２上に形成されている。なお、第２層間絶縁膜４２の図中右方の段差４２ＴＲは、前記の段差４１ＴＲが第２層間絶縁膜４２を伝播する結果形成される。
【００９８】
また、保持容量７０及び中継電極７１９は、保持容量７０の図９中右端及び中継電極７１９の図９中左端が重なり合って形成されていることから（図２及び図３の平面図参照）、中継電極７１９の高さに起因する段差４１ＴＬが保持容量７０に影響を及ぼしており、該保持容量７０の表面には段差が形成されている。
【００９９】
そして、図９における第２中継電極６ａ２は、第２層間絶縁膜４２上において、前記の段差４２ＴＲ、あるいは４２ＴＬを跨いで形成されているのではなく、該第２層間絶縁膜４２上、一定の高さを保つ平面（但し、凸部６ａＰＲの部分を除く。）上に形成されている。これにより、第２中継電極６ａ２は、図９に示すように、殆ど段差をもたず、特にその縁部分においてはまったく段差をもたない。但し、データ線６ａには、前記の段差４１ＴＬ及び保持容量７０の高さが重畳的に伝播して影響が及ぼされる結果、該第２中継電極６ａ２の図中中央あたりの表面には凸部６ａＰＲが形成されている。
【０１００】
以上により、結局、図８及び図９に示される容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２には、図５を参照して説明したデータ線６ａと同様に、凸凹が生じていないから、これらに対して光が入射した場合であっても、その反射光が、隣りのＴＦＴ３０に入射するなどというおそれは殆どないことになる。なお、前記の凸部６ａＰＲは、図９に示すように、第２中継電極６ａ２の図中中央付近に形成されていることから、該凸部６ａＰＲが、反射光を、意外な方向、とりわけ図示しない隣接するＴＦＴ３０の半導体層１ａに導くという可能性は低い（図９の符号ＬＰＲ及びＬＰＲ´参照。この図のように、入射光ＬＰＲが反射しても、その反射点から広がる第２中継電極６ａ２の表面上で更に反射が生じ得ることから、当該反射光ＬＰＲ´が、半導体層１ａに導かれるという可能性は低い。）。すなわち、本発明においては、図９のように、内蔵遮光膜の中央部付近に凸部、あるいは凹部が形成されていてもよく、仮に、このような凸部等が形成されたとしても、半導体層１ａに対する光入射のおそれを然程高めるわけではない。したがって、本発明にいう「内蔵遮光膜」においては、内蔵遮光膜の縁付近におけるその表面に段差が形成されないように、当該内蔵遮光膜を形成するのが好ましいということがいえる。
ちなみに、以上述べたような容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２は、本実施形態において、前記で図７（ｂ）を参照して説明した、データ線用前駆膜６０１に対するパターニングの実施の際において同時に形作られることになる。したがって、この図７（ｂ）におけるパターニングでは、容量配線用中継層６ａ１については、段差４２ＳＲ及び４２ＳＬの上からデータ線用前駆膜６０１が除かれるような、また、第２中継電極６ａ２については、段差４２ＴＲ及び４２ＴＬの上からデータ線用前駆膜６０１が除かされるようなパターニングも同時に実施されることになる。
【０１０１】
なお、本発明は、前記で参照した図５、図８及び図９に示される形態に限定されるものではない。例えば、以下に記す図１０ないし図１２のような断面構造において、本発明を適用することが可能である。なお、以下で参照する図面においては、前記の図５、図８及び図９で使用した符号が指示する構成要素と実質的に同一の構成要素を指示する場合においては、同一の符号を付すこととする。
【０１０２】
まず、図１０は、図５に類似する断面であって、図５の容量配線４００及び第４層間絶縁膜４４が存在しない構造を示す断面図である。かかる構造においては、図５のように第４層間絶縁膜４４及びその上に形成された容量配線４００が存在しないため、基本的に、データ線６ａのみが内蔵遮光膜として機能することになる。したがって、この場合においては、前記の図６において容量配線４００及び第４層間絶縁膜４４が存在しない構造を想定するとわかるように、同図の入射光ＬＴＥの「全部」が容量配線４００によって反射又は吸収されることなくデータ線６ａに入射することになるから、前述した不具合がより顕著になりやすい。しかるに、図１０においても、図５に関して述べたのと同様、データ線６ａの下側には、より幅広の保持容量７０が存在していることから、データ線６ａの表面に凸凹は形成されず、したがって、ここで反射した光が、意外な方向に進行して半導体層１ａに入射するなどというおそれは殆どない。したがって、このような図１０においても前記と略同様な作用効果が得られることになる。また、図１０においては特に、容量配線４００が存在しない分、内蔵遮光膜たるデータ線６ａの遮光機能がより確実に発揮されることが期待されることから、該データ線６ａにつき前記のような構造がとられていることは、見方によれば、前記図５に比べて、より大きな作用効果が得られるということができる。
尚、図１６は、図１０の内蔵遮光膜６ａと保持容量７０との平面的な配置の一例を示した図である。ここで示されるように、保持容量７０のパターン形状は、平面的に内蔵遮光膜６ａをすべて含むように形成するのではなく、平面的に内蔵遮光膜６ａの少なくとも一部を含むように形成するものであっても、半導体層に対する遮光性能を高めることができ、光リーク電流の発生を抑制することができる。
尚、内蔵遮光膜とは、ＴＦＴアレイ基板１０上に配置された遮光膜のことであり、単に遮光膜とも言う。
さらに、本発明の内臓遮光膜の下に配置の回路素子及び配線は、パターニングされた導電層であるならば、前記回路素子及び配線に限定されるものではない。
【０１０３】
次に、図１１は、図８に類似する断面であって、図８の保持容量７０の形成態様が異なる構造を示す断面図である。かかる構造において、保持容量７０の幅Ｖ１（７０）は、図８とは異なり、図８における保持容量７０の幅Ｖ（７０）よりも小さく形成されている。したがって、この図１１における段差４２ＵＲ及び４２ＵＬ間の幅も、図８における段差４２ＳＲ及び４２ＳＬ間の幅よりも小さくなっており、その結果、容量配線用中継層６ａ１の表面には、段差が形成されている。また、かかる構造においては、容量配線４００の幅Ｖ１（４００）が、図８における容量配線４００の幅よりも大きくされている。より具体的には、この容量配線４００の幅Ｖ１（４００）は、前記容量配線用中継層６ａ１の幅Ｖ１（６ａ１）よりも大きくされている。
【０１０４】
このような容量配線４００、容量配線用中継層６ａ１及び保持容量７０間の関係が成立する場合においては、図８に示した容量配線用中継層６ａ１のように、これを平坦化する必要性は大きくない。なぜなら、この場合においては、上方より入射する入射光の多くの部分の進行は、より上側に位置する容量配線４００によって、遮られるからである。しかも、該容量配線４００は、前記のようにＣＭＰ処理等により平坦化された第３層間絶縁膜４３の上に形成されているため平坦であり、ここで反射した光が、意外な方向に進行するというおそれも小さい。したがって、図１１に示す容量配線用中継層６ａ１については、同図に示すように段差をもつ構成を採用してもよいのである。なお、いま述べたように、図８に代えて図１１のような構造を採用することはできるが、これと同じように、図９のような場合において、図１１と同趣旨の構造を採用することは困難である。なぜなら、図９では、第３中継電極４０２が図中右半分にしか存在せず、前述したような光遮蔽効果を十分に期待し得ないからである。
【０１０５】
以上のように、容量配線４００等の平坦化回路素子等が、内蔵遮光膜たる容量配線用中継層６ａ１を覆うように形成されている部分（図１１）とそうでない部分（図９）がある場合においては、後者の部分についてのみ、当該容量配線用中継層６ａ１の平坦化を行うようにしておけば、本実施形態に係る作用効果が、前記同様に奏されることは勿論、このような規制を及ぼす必要性が少ない部分（図１１）については、より自由なレイアウト等の構想を行うことができるから、設計自由度を増大させることができる。
【０１０６】
さらに、図１２は、図９に類似する断面であって、図９の保持容量７０及び中継電極７１９の形成態様が異なる構造を示す断面図である。かかる構造において、保持容量７０及び中継電極７１９は、図９とは異なり、保持容量７０の図中右端及び中継電極７１９の図中左端が重なり合って形成されていない。これにより、図１２では、中継電極７１９の高さに起因する段差が、保持容量７０に影響を及ぼすことがないから（図中段差４２ＶＲ及び４２ＶＬ参照）、図９に示したように、中継電極７１９及び保持容量７０の高さが重畳的に伝播する結果、第２中継電極６ａ２の表面に凸部６ａＰＲが形成されることがない。したがって、図１２では、第２中継電極６ａ２の表面をほぼ平坦にすることが可能となる。これにより、当該第２中継電極６ａ２の表面で反射する光が、意外な方向に進行して半導体層１ａに入射するなどというおそれは、図９に比べて更に低減されることになるから、前記の作用効果をより効果的に享受することができる。
【０１０７】
〔電気光学装置の全体構成〕
以下では、前記の電気光学装置に係る実施形態の全体構成について、図１３及び図１４を参照して説明する。ここに、図１３は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図１４は、図１３のＨ−Ｈ’断面図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【０１０８】
図１３及び図１４において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【０１０９】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
【０１１０】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。この額縁遮光膜５３より以遠の周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には特に、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【０１１１】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【０１１２】
図１４において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【０１１３】
なお、図１３及び図１４に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【０１１４】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１５は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１１５】
図１５において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。これらライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂには、前述した電気光学装置（図１乃至図５参照）が用いられている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び
出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１１６】
かかる投射型カラー表示装置では、例えば、ライトバルブ１００Ｂには、ランプユニット１１０２から発せられリレーレンズ系１１２１により絞られた光が入射されるようになっているため、多くの斜め成分の光が混じっていることになる。したがって、前記のデータ線６ａ、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２には、この斜め光（例えば、図６の入射光ＬＴＦ参照）が入射する可能性が高く、これに応じて、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ、とりわけチャネル領域１ａ´（図２参照）にも光が入射する可能性が高くなり、スクリーン１１２０上にフリッカを含む画像を表示させやすい状況にある。つまり、このような投射型カラー表示装置においては、前述したような懸念がより深刻になると考えられるのである。
【０１１７】
しかるに、本実施形態においては、前述した構成となる電気光学装置が前記のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして使用されている。これにより、これらライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂそれぞれの中のＴＦＴ３０の半導体層１ａには光が入射し難いようになっており、その結果、前述したような画像上のフリッカは生じにくくなっている。
【０１１８】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１１９】
【図１】電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、下層部分（図４における符号７０（保持容量）までの下層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図３】データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、上層部分（図４における符号７０（保持容量）を越えて上層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図４】図２及び図３を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。
【図５】図２及び図３を重ね合わせた場合のＢ−Ｂ´断面図である。
【図６】図５に対する比較例である。
【図７】図５の視点から見たデータ線の製造工程断面図である。
【図８】図２及び図３を重ね合わせた場合のＣ−Ｃ´断面図である。
【図９】図２及び図３を重ね合わせた場合のＤ−Ｄ´断面図である。
【図１０】図５に類似する断面であって、図５の容量配線４００及び第４層間絶縁膜４４が存在しない構造を示す断面図である。
【図１１】図８に類似する断面であって、図８の保持容量７０の形成態様が異なる構造を示す断面図である。
【図１２】図９に類似する断面であって、図９の保持容量７０及び中継電極７１９の形成態様が異なる構造を示す断面図である。
【図１３】ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。
【図１４】図１３のＨ−Ｈ’断面図である。
【図１５】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【図１６】図１０の内蔵遮光膜６ａと保持容量７０との平面的な配置の一例を示した図である。
【符号の説明】
【０１２０】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、６ａ…データ線、６
ａ１…容量配線用中継層、６ａ２…第２中継電極、４００…容量配線、３０…ＴＦＴ、１
ａ…半導体層、９ａ…画素電極、７０…保持容量、７１９…中継電極
４１…第１層間絶縁膜、４２…第２層間絶縁膜、４３…第３層間絶縁膜
４２ＤＲ、４２ＤＬ、４２ＳＲ、４２ＳＬ、４２ＴＲ、４２ＴＬ、４２ＵＲ、４２ＵＬ、
４２ＶＲ、４２ＶＬ…段差。
【図１】
2005070746.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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