(57)【要約】【課題】  反射防止と帯電防止の両方に対して実用的な効果を奏することができる導電性反射防止膜を、蒸着またはスパッタリングなどを利用して成膜できるようにすること。【解決手段】  屈折率の異なる複数種類の層を積層し、最外層から２層目に導電を主目的とするＩＴＯ層１３を配し、最外層に反射防止を主目的とするＳｉＯ2層１４を配してなる導電性反射防止膜１０であって、表面抵抗率が、１×１０7〜１×１０12（Ω／□）の範囲内となるように、ＳｉＯ2層１４を多数の小孔１５を有したポーラス構造とする。【選択図】        図１
2005178057.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈折率の異なる複数種類の層を積層し、最外層から２層目に導電を主目的とする導電層を配し、最外層に反射防止を主目的とする反射防止層を配してなる導電性反射防止膜であって、
表面抵抗率が１×１０7〜１×１０12（Ω／□）の範囲内となるように、前記反射防止層を多数の小孔を有したポーラス構造としたことを特徴とする導電性反射防止膜。
【請求項２】
前記小孔が前記反射防止層を貫く貫通孔であることを特徴とする請求項１記載の導電性反射防止膜。
【請求項３】
前記小孔の中に前記導電層が入り込んでいることを特徴とする請求項１または２記載の導電性反射防止膜。
【請求項４】
前記導電層がＩＴＯからなり、前記反射防止がＳｉＯ2からなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の導電性反射防止膜。
【請求項５】
画像を表示する表示装置の画面に請求項１ないし４のいずれかに記載の導電性反射防止膜を成膜してなることを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
透明基板の表面に請求項１ないし４のいずれかに記載の導電性反射防止膜を成膜してなることを特徴とする透光板。
【請求項７】
投写画像を生成して出力する液晶パネルの外側面に請求項１ないし４のいずれかに記載の導電性反射防止膜を備えてなることを特徴とするプロジェクタ。
【請求項８】
屈折率の異なる複数種類の層を積層し、最外層から２層目にＩＴＯ層を配し、最外層にＳｉＯ2層を配してなる導電性反射防止膜の成膜方法であって、
成膜しよう部材に前記ＳｉＯ2層までの全ての層を積層した後、多数の開口を有したマスクを前記ＳｉＯ2層上に形成し、該マスクを保護膜として前記ＳｉＯ2層をエッチングして多数の小孔を形成し、
その後、前記マスクを除去することを特徴とする導電性反射防止膜の成膜方法。
【請求項９】
屈折率の異なる複数種類の層を積層し、最外層から２層目にＩＴＯ層を配し、最外層にＳｉＯ2層を配してなる導電性反射防止膜の成膜方法であって、
成膜しよう部材に前記ＩＴＯ層までの複数の層を積層した上に、多数の開口を有したマスクを通してＳｉＯ2を蒸着またはスパッタして多数の小孔を有した前記ＳｉＯ2層を形成することを特徴とする導電性反射防止膜の成膜方法。
【請求項１０】
屈折率の異なる複数種類の層を積層し、最外層から２層目にＩＴＯ層を配し、最外層にＳｉＯ2層を配してなる導電性反射防止膜の成膜方法であって、
成膜しよう部材に前記ＩＴＯ層より下位の複数の層を積層した上に、多数の開口を有した第１マスクを通してＩＴＯを蒸着またはスパッタして多数の凸部を有した前記ＩＴＯ層を形成し、
前記ＩＴＯ層の上に該ＩＴＯ層の凸部間に対応した領域を開口した第２マスクを通してＳｉＯ2を蒸着またはスパッタして前記ＳｉＯ2層を形成することを特徴とする導電性反射防止膜の成膜方法。
【請求項１１】
屈折率の異なる複数種類の層を積層し、最外層から２層目にＩＴＯ層を配し、最外層にＳｉＯ2層を配してなる導電性反射防止膜の成膜方法であって、
成膜しよう部材に前記ＩＴＯ層より下位の複数の層を積層した上に、多数の開口を有した第３マスクを通してＩＴＯを蒸着またはスパッタして多数の凸部を有した前記ＩＴＯ層を形成し、
前記ＩＴＯ層の上に該ＩＴＯ層の凸部に対応した領域を開口した第４マスクを通してＳｉＯ2を蒸着またはスパッタして多数の小孔を有した前記ＳｉＯ2層を形成し、
その後、前記凸部先端のＳｉＯ2層をエッチングして除去することを特徴とする導電性反射防止膜の成膜方法。
【請求項１２】
屈折率の異なる複数種類の層を積層し、最外層から２層目にＩＴＯ層を配し、最外層にＳｉＯ2層を配してなる導電性反射防止膜の成膜方法であって、
成膜しよう部材に前記ＩＴＯ層より下位の複数の層を積層した上に、多数の開口を有した第５マスクを通してＩＴＯを蒸着またはスパッタして多数の凸部を有した前記ＩＴＯ層を形成し、
前記ＩＴＯ層の上に該ＩＴＯ層の凸部間に対応した領域を開口した第６マスクを通してＳｉＯ2を蒸着またはスパッタして前記ＳｉＯ2層を形成し、
その後、前記凸部間の前記ＳｉＯ2層をエッチングして前記ＩＴＯ層に向かう小孔を形成することを特徴とする導電性反射防止膜の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、帯電防止機能と反射防止機能の両方を兼ね備えた導電性反射防止膜、その導電性反射防止膜を備えた画像表示装置、透光板、プロジェクタなどに関する。
【背景技術】
【０００２】
表示管や表示パネルの表面における帯電を防止し、かつ表面の反射を防止するためのいくつかの方法が知られている。例えば、まずガラス基板に真空蒸着またはスパッタリングなどにより導電性膜を形成し、その上に反射防止膜を形成するものがある（例えば、特許文献１参照）。また、超微粒子膜をディッピング・焼結形成することで、低反射率と導電性を得るようにしたものもある（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開昭６１−５１１０１号公報
【特許文献２】特開平７−２７２６４６号公報（図２など）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来の蒸着またはスパッタリングなどにより導電性膜および反射防止膜を形成したものは、表面に導電率が低い反射防止膜が一様に形成されているため、必ずしも実用的な帯電防止効果を得ることができなかった。一方、超微粒子膜を成膜する方法はディッピングによる成膜に限定されているため、蒸着またはスパッタリングなどの方法を使って成膜しているものにとっては、そのための装置の交換や操作の習得が必要となる。
本発明は上記課題に対応したものであり、反射防止と帯電防止の両方に対して実用的な効果を奏することが出来る導電性反射防止膜を蒸着またはスパッタリングなどを利用して成膜すること、さらにその導電性反射防止膜を備えた画像表示装置、透光板並びにプロジェクタを提案することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の導電性反射防止膜は、屈折率の異なる複数種類の層を積層し、最外層から２層目に導電を主目的とする導電層（例えばＩＴＯからなる層）を配し、最外層に反射防止を主目的とする反射防止層（例えばＳｉＯ2からなる層）を配してなるものであって、表面抵抗率が１×１０7〜１×１０12（Ω／□）の範囲内となるように、前記反射防止層を多数の小孔を有したポーラス構造としたことを特徴とする。なお、前記小孔は前記反射防止層を貫く貫通孔であってもよい。また、反射防止層のいずれか一方の面に形成された凹部であってもよい。さらに、前記小孔の中に前記導電層が入り込んでいてもよい。これらによって、帯電防止と反射防止の両方に対して実用的な効果を奏する導電性反射防止膜が得られる。
【０００５】
本発明の画像表示装置は、画像を表示する表示装置の画面に上記の導電性反射防止膜を成膜してなることを特徴とする。また、本発明の透光板は、透明基板の表面に上記の導電性反射防止膜を成膜してなることを特徴とする。これらにより、埃がつきにくくかつ反射が抑制される視認性に優れた画像表示装置や透光板が得られる。さらに、本発明のプロジェクタは、投写画像を生成して出力する液晶パネルの外側面に上記の導電性反射防止膜を備えてなることを特徴とする。これにより、投写画像から液晶パネルに埃がつきにくくなるとともに、光が効率的に利用されるため、画像品質が向上する。
【０００６】
本発明の成膜方法は、屈折率の異なる複数種類の層を積層し、最外層から２層目にＩＴＯ層を配し、最外層にＳｉＯ2層を配してなる導電性反射防止膜の成膜方法であって、成膜しよう部材に前記ＳｉＯ2層までの全ての層を積層した後、多数の開口を有したマスクを前記ＳｉＯ2層上に形成し、該マスクを保護膜として前記ＳｉＯ2層をエッチングして多数の小孔を形成し、その後、前記マスクを除去することを特徴とする。
【０００７】
また、屈折率の異なる複数種類の層を積層し、最外層から２層目にＩＴＯ層を配し、最外層にＳｉＯ2層を配してなる導電性反射防止膜の成膜方法であって、成膜しよう部材に前記ＩＴＯ層までの複数の層を積層した上に、多数の開口を有したマスクを通してＳｉＯ2を蒸着またはスパッタして多数の小孔を有した前記ＳｉＯ2層を形成することを特徴とする。
【０００８】
また、屈折率の異なる複数種類の層を積層し、最外層から２層目にＩＴＯ層を配し、最外層にＳｉＯ2層を配してなる導電性反射防止膜の成膜方法であって、成膜しよう部材に前記ＩＴＯ層より下位の複数の層を積層した上に、多数の開口を有した第１マスクを通してＩＴＯを蒸着またはスパッタして多数の凸部を有した前記ＩＴＯ層を形成し、前記ＩＴＯ層の上に該ＩＴＯ層の凸部間に対応した領域を開口した第２マスクを通してＳｉＯ2を蒸着またはスパッタして前記ＳｉＯ2層を形成することを特徴とする。
【０００９】
また、屈折率の異なる複数種類の層を積層し、最外層から２層目にＩＴＯ層を配し、最外層にＳｉＯ2層を配してなる導電性反射防止膜の成膜方法であって、成膜しよう部材に前記ＩＴＯ層より下位の複数の層を積層した上に、多数の開口を有した第３マスクを通してＩＴＯを蒸着またはスパッタして多数の凸部を有した前記ＩＴＯ層を形成し、前記ＩＴＯ層の上に該ＩＴＯ層の凸部に対応した領域を開口した第４マスクを通してＳｉＯ2を蒸着またはスパッタして多数の小孔を有した前記ＳｉＯ2層を形成し、その後、前記凸部先端のＳｉＯ2層をエッチングして除去することを特徴とする。
【００１０】
さらに、屈折率の異なる複数種類の層を積層し、最外層から２層目にＩＴＯ層を配し、最外層にＳｉＯ2層を配してなる導電性反射防止膜の成膜方法であって、成膜しよう部材に前記ＩＴＯ層より下位の複数の層を積層した上に、多数の開口を有した第５マスクを通してＩＴＯを蒸着またはスパッタして多数の凸部を有した前記ＩＴＯ層を形成し、前記ＩＴＯ層の上に該ＩＴＯ層の凸部間に対応した領域を開口した第６マスクを通してＳｉＯ2を蒸着またはスパッタして前記ＳｉＯ2層を形成し、その後、前記凸部間の前記ＳｉＯ2層をエッチングして前記ＩＴＯ層に向かう小孔を形成することを特徴とする。
【００１１】
以上の各方法にれば、反射防止と帯電防止の両方に対して実用的な効果を奏することが可能な導電性反射防止膜が、蒸着またはスパッタリングにより、またそれらにエッチング処理を加えて成膜できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（導電性反射防止膜）
図１は本発明の実施形態に係る導電性反射防止膜の構成を示す図であって、（ａ）がその一部断面図、（ｂ）がその一部平面図である。この導電性反射防止膜１０は、液晶パネルの表示面に備えられる防塵ガラス基板１に成膜されたものであり、ガラス基板１側から、ＺｒＯ2層１１、ＳｉＯ2層１２、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）層１３、ＳｉＯ2層１４の各層が順に積層された多層膜である。従って、ＳｉＯ2層１４が最外層となり、ＩＴＯ層１３が最外層から２層目となっている。なお、ここでは各層の厚さの基準となる光の波長λはλ＝５００〜５２０ｎｍであり、各層の厚さは、ＺｒＯ2層１１が０．１３λ、ＳｉＯ2層１２が０．０６λ、ＩＴＯ層１３が０．２５λ、ＳｉＯ2層１４が０．２５λとなっている。
【００１３】
最外層であるＳｉＯ2層１４には、この層を貫通する小孔１５がほぼ均等に配置されている。この小孔１５の目的は、最外層であるＳｉＯ2層１４をポーラス構造にしてその空孔率を増し、その誘電率を低下させて、ＳｉＯ2層表面に存在する電荷量を減少させることである。すなわち、小孔１５は導電性反射防止膜１０の表面の表面抵抗率を、それが帯電防止効果を奏するとされている値、１×１０7〜１×１０12Ω／□（単位面積当たり）の範囲内とするように調整をするために設けられたものである。この場合の空孔率は、
（小孔総数×１個当たりの小孔面積）／（ＳｉＯ2層１４の全面積）
を意味している。なお、小孔１５は、必ずしも貫通孔である必要はなく、ＳｉＯ2層１４
の外側面または内側面に対して凹部となっているものであってもよい。また、小孔１５は、必ずしも同径の円筒形状である必要はなく、テーパ形状となっていてもよい。
【００１４】
小孔１５は以上のような性格のものであり、その定量化は必ずしも容易ではないが、次のように言うことは出来る。小孔１５の最大直径は可視光波長以下とするのが好ましく、例えば３００ｎｍとする。また、小孔１５の最小直径は金属原子の有効半径の１００倍程度とするのが好ましく、その有効半径を０．１５ｎｍとして、例えば１５ｎｍとする。なお、小孔１５間のピッチについては、図２に示すＳｉＯ2の比誘電率と空孔率との関係を利用してそれを決定することが可能である。また、ピッチを変えたいくつか例を実施してそれらの表面抵抗率を求め、そのなかの最も適切なピッチに定めてもよい。
【００１５】
図１の導電性反射防止膜１０において、得られた表面抵抗率は、１．８×１０9Ω／□〜２．０×１０10Ω／□ であった。これは、帯電防止効果を奏するとされている値、１×１０7Ω／□〜１×１０12Ω／□の範囲内にある。図１の導電性反射防止膜１０が成膜された防塵ガラスを備えた液晶パネル２個と、導電性反射防止膜１０が成膜されていない防塵ガラスを備えた液晶パネル２個とを１週間同じ環境のもとに置いて、粉塵の付着試験を行った。なお、導電性反射防止膜１０が成膜された防塵ガラスの導電性反射防止膜１０の表面は、接地（アース）して、電荷がその表面からＧＮＤへ流れるようにした。その結果は、図３に示すとおりである。図３によれば、導電性反射防止膜１０が成膜された防塵ガラスを備えた液晶パネルでは、粉塵の付着量は１００ピクセルに相当する値以下であったのに対して、導電性反射防止膜１０が成膜されていない防塵ガラスを備えた液晶パネルの場合は、粉塵の付着量が約８００ピクセルと約１８００ピクセル相当となった。これにより、導電性反射防止膜１０の帯電防止効果による防塵効果が実証できた。
【００１６】
ところで、導電性反射防止膜１０は図１に示すような４層から成るものであっが、本発明の導電性反射防止膜は、それらに限定されるものではなく、図４の番号１〜８に示すような層の組合わせから成るものから構成してもよい。なお、図４においては、層番号１が基板側となり、層番号が大きくなるほど外側の層となっている。また、最外層のＳｉＯ2と最外層から２番目のＩＴＯ層は、それぞれ同様の性質を有する他の金属で置き換えてもよい。
【００１７】
（導電性反射防止膜の製造方法）
その１
図５は本発明に係る導電性反射防止膜の成膜方法その１を示す工程図である。これは、まず成膜しよう部材にＳｉＯ2層１４までの全ての層を蒸着またはスパッタを利用して積層する。その後、小孔１５に対応する多数の開口を有したマスク２０をＳｉＯ2層上に形成し（ａ）、それを保護膜としてＳｉＯ2層１４をエッチングして多数の小孔１５を形成し（ｂ）、その後、マスク２０を除去して導電性反射防止膜１０を成膜するものである。なお、図５ではＩＴＯ層１３より下位の層を省略している。マスク２０は、例えばＳｉＯ2層１４上にコーティングしたレジスト膜であり、このレジスト膜をフォトリソグラフィ法などを利用して開口となるべき部位を除去してマスクとしたものである。小孔１５の形成後、マスク２０であるレジスト膜はレジスト剥離液や酸素プラズマなどを利用してＳｉＯ2層１４から除去する。なお、小孔１５は、図６に示すように、ＩＴＯ層１３に届く深さとなるようにしてもよい。
【００１８】
その２
図７は本発明に係る導電性反射防止膜の成膜方法その２を示す工程図である。これは、まず成膜しよう部材にＩＴＯ層１３までの複数層を蒸着またはスパッタを利用して積層する。その後、小孔１５に対応する多数の開口を有したマスク（金属板など）２１を、ＩＴＯ層１３から離して位置させたまま、そのマスク２１を通してＳｉＯ2を蒸着またはスパッタして、多数の小孔を有したＳｉＯ2層１４をＩＴＯ層１３上に形成するものである（ａ〜ｂ〜ｃ）。なお、図７ではＩＴＯ層１３より下位の層を省略している。また、この場合にも、小孔１５が、図６に示すように、ＩＴＯ層１３に届く深さとなるようにしてもよい。
【００１９】
その３
図８は本発明に係る導電性反射防止膜の成膜方法その３を示す工程図である。これは、まず成膜しよう部材にＩＴＯ層１３より下位の層までの複数層１１，１２を蒸着またはスパッタを利用して積層する。その後、小孔１５に対応する多数の開口を有した第１マスク（金属板など）２２を通してＩＴＯを蒸着またはスパッタして多数の凸部を有したＩＴＯ層１３を形成する（ａ）。さらに、ＩＴＯ層１３の上にその凸部間に対応した領域を開口した第２マスク（金属板など）２３を通してＳｉＯ2を蒸着またはスパッタしてＳｉＯ2層１４を形成するものである（ｂ〜ｃ）。この形状は、結果的に、ＳｉＯ2層１４が有する多数の小孔１５の中にＩＴＯ層１３が入り込んでいるのと同じ状態である。なお、図９に示すように、ＩＴＯ層１３の凸部先端がＳｉＯ2層から露出する状態となってもよい。
【００２０】
その４
図１０は本発明に係る導電性反射防止膜の成膜方法その４を示す工程図である。これは、まず成膜しよう部材にＩＴＯ層１３より下位の層までの複数層１１，１２を蒸着またはスパッタを利用して積層する。その後、小孔１５に対応する多数の開口を有した第３マスク（金属板など）２４を通してＩＴＯを蒸着またはスパッタして多数の凸部を有したＩＴＯ層１３を形成する（ａ）。さらに、ＩＴＯ層１３の上にその凸部に対応した領域を開口した第４マスク（金属板など）２５を通してＳｉＯ2を蒸着またはスパッタして多数の小孔１５を有したＳｉＯ2層１４を形成する（ｂ）。その後、ＳｉＯ2層１４上にエッチングマスクを形成して、ＩＴＯ層１３の凸部先端にあるＳｉＯ2層１４のみをエッチングして除去する（ｃ）。そして最後に、エッチングマスクを除去すれば完了である（ｄ）。なお、ここでも、ＩＴＯ層１３の凸部先端を露出させるようにしてもよい。この場合のＳｉＯ2層１４のエッチングも、上記その１で説明した方法を利用して行うことができる。
【００２１】
その５
図１１は本発明に係る導電性反射防止膜の成膜方法その５を示す工程図である。これは、まず成膜しよう部材にＩＴＯ層１３より下位の層までの複数層１１，１２を蒸着またはスパッタを利用して積層する。その後、小孔１５に対応する多数の開口を有した第５マスク（金属板など）２６を通してＩＴＯを蒸着またはスパッタして多数の凸部を有したＩＴＯ層１３を形成する（ａ）。さらにＩＴＯ層１３の上にその凸部間に対応した領域を開口した第６マスク（金属板など）２７を通してＳｉＯ2を蒸着またはスパッタしてＳｉＯ2層１４を形成する（ｂ〜ｃ）。その後、ＳｉＯ2層１４上にエッチングマスクを形成して、ＩＴＯ層１３の凸部間のＳｉＯ2層１４をエッチングして、そこにＩＴＯ層１３に至る小孔１５を形成する（ｄ〜ｅ）。そして最後に、エッチングマスクを除去すれば完了である（ｆ）。なお、小孔１５は、必ずしもＩＴＯ層１３まで貫通している必要はない。また、この場合のＳｉＯ2層１４のエッチングも、上記その１で説明した方法を利用して行うことができる。
【００２２】
（導電性反射防止膜を備えた液晶パネル）
次に、導電性反射防止膜を備えた液晶パネルについて説明する。図１２は光変調手段としてプロジェクタに組み込まれる液晶パネル５０の分解斜視図である。なお、図１２においては、右側が入射面側、左側が出射面側である。
【００２３】
液晶パネル５０は、ほぼ矩形状の保持枠５００内に、光変調表示体としての液晶表示体７０が収納され、その外側（出射面側）から、中央に光通過用の開口５１２を有し、且つ入射面側に凸に湾曲した構成の板状バネ部材５１０の左右端部の枠状部５１４が、保持枠５００に設けられたフック５０１に係合することで各構成部材が一体的に結合された構成となっている。
【００２４】
保持枠５００は、その中央部に光通過用の開口部５０２を有している。また、保持枠５００の四隅には、液晶パネル５０を図示しない固定部材を介してプリズム合成体にネジ固定するためのネジ穴５０４が螺設されている。また、保持枠５００の左右側面部に前述のフック５０１が設けられている。
【００２５】
液晶表示体７０は、液晶パネル本体４０と、液晶パネル本体４０の入射側表面及び出射側表面にそれぞれ配置された２枚の防塵ガラス６００，６０２とを有している。液晶パネル本体４０には、本例ではＴＦＴ基板４２とこのＴＦＴ基板４２に対向する対向基板４４との間に図示しない液晶を封入した構成のものを用いている。
【００２６】
入射側の防塵ガラス６００は、液晶パネル本体４０の対向基板４４と外形形状がほぼ同じに設定されており、液晶パネル本体４０の入射側の表面に貼着固定されている。そしてその外側面のほぼ全面に前述した導電性反射防止膜１０が成膜されている。一方、出射側の防塵ガラス６０２は、液晶パネル本体４０のＴＦＴ基板４２と外形形状がほぼ同じに設定されており、液晶パネル本体４０の出射側の表面に貼着固定されている。そしてその外側面のほぼ全面に前述した導電性反射防止膜１０が成膜されている。このような導電性反射防止膜１０を設けることで、防塵ガラス６００，６０２の表面における静電気の帯電が防止されて粉塵の付着に起因する表示影が低減され、かつ、光の透過率が向上して光の利用効率を高めることも可能となり、これにより鮮明な画像を得ることが可能となる。
【００２７】
なお、静電気の帯電をより効果的に防止するため、液晶パネル本体４０の表示領域６２の外周に相当する部分の各防塵ガラス６００，６０２の表面に、導電性反射防止膜１０よりも電気抵抗値の小さい導電部材６０４を周設しておくのがよい。これにより、液晶表示体７０表面に帯電しようとする静電気の放電効果を高めるできるからである。この導電部材６０４としては、例えば、蒸着、スパッタリング、メッキなどで形成されたＣｕ、Ｎｉ等の導電性薄膜や、弾性力を有する導電性ゴム材が用いられる。
【００２８】
また、対向基板４４とＴＦＴ基板４２との間の上部から上方に向けては、液晶パネル本体４０に対して電気的な接続を行うためのフレキシブルケーブル（ＦＰＣ）４６が延びている。このＦＰＣ４６には、液晶パネル本体４０を駆動するための駆動回路に接続される複数ライン（図示せず）が設けられている。また、ＦＰＣ４６の入射側表面及び出射側表面のそれぞれには、幅方向（左右方向）に離間して２つのＦＰＣ４８が設けられている。ＦＰＣ４８は、ＦＰＣ４６と電気的に接続されており、それらは導電性反射防止膜１０を電気的に接地するＧＮＤライン４００に接続されている。
【００２９】
ＦＰＣ４８の下端部は、導電部材６０４にハンダ付けされており、これによりＧＮＤライン４００と導電部材６０４とが電気的に接続されて導電部材６０４が電気的に接地された状態となっている。また、ここでは、ＧＮＤライン４００を入射面側、出射面側にそれぞれ２つずつ設けた構成を図示しているが、１つずつとしても良い。
【００３０】
このように導電部材６０４をＧＮＤライン４００に接続することにより、液晶パネル５０の表示領域６２に帯電しようとする静電気は、表面の導電性反射防止膜１０から導電部材６０４を介してＧＮＤライン４００へ逃がされる。このため、静電気の帯電に起因する表示領域６２へのゴミ、ケバ等の付着を防止することができる。その結果、ゴミ、ケバ等の付着に伴う画質の劣化防止を行うことができる。
【００３１】
（導電性反射防止膜を備えた液晶パネルを組み込んだプロジェクタ）
図１３はプロジェクタの光学系の概略構成図である。本例の光学系は、光源ランプ８０５と、均一照明光学素子であるインテグレータレンズ９２１，９２２を有する均一照明光学系９２３と、この照明光学系９２３から出射される光束Ｗを、赤、緑、青の各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂに分離する色分離光学系９２４と、各色光束を変調する光変調素子としての液晶パネル本体４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂをそれぞれ有する３枚の液晶パネル５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂと、変調された色光束を合成する色合成光学系としてのプリズム合成体２２と、合成された光束を投写面上に拡大投写する投写レンズ８０とから構成される。また、色分離光学系９２４によって分離された各色光束のうち、青色光束Ｂを対応する液晶パネル５０Ｂに導くリレー光学系９２７を有している。
【００３２】
色分離光学系９２４は、青緑反射ダイクロイックミラー９４１と、緑反射ダイクロイックミラー９４２と、反射ミラー９４３から構成される。まず、青緑反射ダイクロイックミラー９４１において、均一照明光学系９２３を通った光束Ｗのうち、そこに含まれている青色光束Ｂおよび緑色光束Ｇが直角に反射されて、緑反射ダイクロイックミラー９４２の側に向かう。赤色光束Ｒは、このミラー９４１を通過して、後方の反射ミラー９４３で直角に反射されて、赤色光束の出射部９４４から色合成光学系の側に出射される。次に、緑反射ダイクロイックミラー９４２において、ミラー９４１において反射された青および緑の光束Ｂ、Ｇのうち、緑色光束Ｇのみが直角に反射されて、緑色光束の出射部９４５から色合成光学系の側に出射される。このミラー９４２を通過した青色光束Ｂは、青色光束の出射部９４６からリレー光学系９２７の側に出射される。本例では、均一照明光学素子の光束の出射部から、色分離光学系９２４における各色光束の出射部９４４，９４５，９４６までの距離が全てほぼ等しくなるように設定されている。
【００３３】
色分離光学系９２４の赤色光束及び緑色光束の出射部９４４，９４５の出射側には、それぞれ集光レンズ９５１，９５２が配置されている。したがって、各出射部から出射した赤色光束及び緑色光束は、これらの集光レンズ９５１，９５２に入射して平行化される。平行化された赤色および緑色の光束Ｒ、Ｇは、偏光板６０Ｒ，６０Ｇによって偏光方向が揃えられた後、液晶パネル５０Ｒ，５０Ｇに入射して変調され、各色光に対応した画像情報が付加される。
【００３４】
一方、青色光束Ｂは、リレー光学系９２７を介し、さらに、偏光板６０Ｂによって偏光方向が揃えられた後、対応する液晶パネル５０Ｂに導かれて、ここにおいて、同様に画像情報に応じて変調が施される。
【００３５】
リレー光学系９２７は、集光レンズ９７４と入射側反射ミラー９７１と、出射側反射ミラー９７２と、これらのミラー間に配置した中間レンズ９７３と、液晶パネル本体４０Ｂの手前側に配置した集光レンズ９５３から構成される。各色光束の光路の長さ、すなわち、光源ランプ８０５から各光変調装置までの距離は、青色光束Ｂが最も長くなり、したがって、この光束の光量損失が最も多くなる。しかし、リレー光学系９２７を介在させることにより、光量損失を抑制できる。
【００３６】
各液晶パネル５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂを通って変調された各色光束は、偏光板６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂに入射し、これを透過した光がプリズム合成体２２に入射され、ここで合成される。本例では、ダイクロイックプリズムからなるプリズム合成体２２を用いて色合成光学系を構成している。ここで合成されたカラー画像は、投写レンズ８０を介して、所定の位置にある投写面１００上に拡大投写される。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明の導電性反射防止膜１０は、ブラウン管、液晶表示装置、プラズマディスプレイ、リアプロジェクションＴＶなどの画像表示装置の画面、建物または自動車の窓ガラス、ガラスケースなどの各種透光板に成膜して、反射防止用および防塵用として利用することができる。なお、実際の適用に当たっては、前述したように、それら導電性反射防止膜１０の表面を接地しておくと、より効果的な帯電防止が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施形態に係る導電性反射防止膜を示す図。
【図２】ＳｉＯ2膜の比誘電率と空孔率との相関関係を示す図。
【図３】導電性反射防止膜の有無による液晶パネルの粉塵付着試験結果を示す図。
【図４】本発明の実施形態に係る導電性反射防止膜の膜の組み合わせ例を示す図。
【図５】本発明に係る導電性反射防止膜の成膜方法その１を示す工程図。
【図６】導電性反射防止膜の最外層の他の態様を示す断面図。
【図７】本発明に係る導電性反射防止膜の成膜方法その２を示す工程図。
【図８】本発明に係る導電性反射防止膜の成膜方法その３を示す工程図。
【図９】導電性反射防止膜の最外層とそれに隣接する層の他の態様を示す断面図。
【図１０】本発明に係る導電性反射防止膜の成膜方法その４を示す工程図。
【図１１】本発明に係る導電性反射防止膜の成膜方法その５を示す工程図。
【図１２】本発明の実施形態に係る液晶パネルの外観斜視部。
【図１３】本発明の実施形態に係るプロジェクタの概略光学構成図。
【符号の説明】
【００３９】
１…ガラス基板、１０…導電性反射防止膜、１１…ＺｒＯ2層、１２…ＳｉＯ2層、１３…ＩＴＯ層、１４…ＳｉＯ2層、１５…小孔、２０…マスク、２１…マスク、２２…第１マスク、２３…第２マスク、２４…第３マスク、２５…第４マスク、２６…第５マスク、２７…第６マスク。
【図１】
2005178057.tif 000003
【図２】
2005178057.tif 000004
【図３】
2005178057.tif 000005
【図４】
2005178057.tif 000006
【図５】
2005178057.tif 000007
【図６】
2005178057.tif 000008
【図７】
2005178057.tif 000009
【図８】
2005178057.tif 000010
【図９】
2005178057.tif 000011
【図１０】
2005178057.tif 000012
【図１１】
2005178057.tif 000013
【図１２】
2005178057.tif 000014
【図１３】
2005178057.tif 000015