(57)【要約】【課題】転送電極のショートによる電荷転送の不具合が解消された固体撮像素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板１１の表面層に配列された複数の受光領域１１ａと、半導体基板１１上に設けられた単層構造の転送電極１３’とを備えた固体撮像素子の製造方法であって、受光領域１１ａ間にスリット１５を有する電極材料膜１３を形成し、スリット１５を絶縁膜で埋め込むことで、複数の分離パターン１６を形成する第１工程と、レジストパターンをマスクに用いて、半導体基板１１の受光領域１１ａ上の電極材料膜１３を除去することで、受光開口部Ｗが設けられた電極材料膜１３からなる転送電極１３’を形成する第２工程と、酸化処理を行うことで、受光開口部Ｗに露出された転送電極１３’の側壁を酸化し、受光開口部Ｗの周縁に絶縁性のシリコン酸化膜１７を形成する第３工程とを有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面層に配列された複数の受光領域と、前記基板上に設けられた単層構造の転送電極とを備えた固体撮像素子の製造方法であって、
前記受光領域間にスリットを有する電極材料膜を形成し、前記スリットを絶縁膜で埋め込むことで、複数の分離パターンを形成する第１工程と、
レジストパターンをマスクに用いて、前記基板の受光領域上の前記電極材料膜を除去することで、受光開口部が設けられた前記電極材料膜からなる転送電極を形成する第２工程と、
酸化処理を行うことで、前記受光開口部に露出された前記転送電極の側壁を酸化し、前記受光開口部の周縁に絶縁性の酸化膜を形成する第３工程とを有する
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
前記第２工程では、レジストパターンをマスクに用いて、前記基板の受光領域上の前記電極材料膜を除去することで、前記分離パターンの端部を突出させた状態で前記受光開口部を形成し、当該受光開口部と前記分離パターンとで分離された前記転送電極を形成する
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
前記第２工程では、レジストパターンをマスクに用いて、前記基板の受光領域上の前記電極材料膜を除去することで、前記受光領域を挟んで隣接する前記分離パターンよりも内側に前記受光開口部が設けられた前記転送電極を形成し、
前記第３工程では、前記受光開口部の周縁に絶縁性の酸化膜を形成することで、当該酸化膜と前記分離パターンとで前記転送電極を分離する
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
前記電極材料膜は、ポリシリコンで形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固体撮像素子の製造方法に関するものであって、特に単層の転送電極構造を有する固体撮像素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像素子の転送電極構造において、単層構造の場合は同一レイヤーで複数相の転送電極を作りこむため、基板上に設けられた電極材料膜に０．１μｍ程度の幅のスリット（電極間ギャップ）を形成して、電極材料膜を区切っている。そして、このスリットを絶縁膜で埋め込むことで、複数相の転送電極に分離している（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２９９５９７号公報
【０００４】
ここで、従来の固体撮像素子の製造方法について、単層の転送電極構造のプロセスフローを図７の上面図およびＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’断面図を用いて説明する。まず、図７（ａ）に示すように、複数の受光領域１１ａがマトリクス状に設けられたシリコン基板からなる半導体基板１１上に、基板絶縁膜１２を介してポリシリコンからなる電極材料膜１３を形成する。続いて、電極材料膜１３上にシリコン酸化膜からなるオフセット絶縁膜１４を形成する。
【０００５】
次に、レジストパターン（図示省略）をマスクに用いた異方性エッチングにより、オフセット絶縁膜１４および電極材料膜１３を垂直加工することで、基板絶縁膜１２を露出し、受光領域１１ａ間に渡る０．１μｍ程度の幅のスリット１５、１５’を形成する。この場合には、受光領域１１ａ間に渡ってスリット１５を形成するとともに、後工程で電極材料膜１３を加工して形成する転送電極による電荷の転送方向（図７（ａ）における上下方向）に配列された受光領域１１ａ間において電極材料膜１３を区切るスリット１５’を形成する。このスリット１５’は、半導体基板１１上の略一面に形成される電極材料膜１３の幅方向に渡って設けられることとする。
【０００６】
次いで、スリット１５、１５’の内壁を覆うように、オフセット絶縁膜１４上に、シリコン酸化膜１６ａを成膜する。続いて、このスリット１５、１５’を埋め込む状態で、シリコン酸化膜１６ａ上に、例えばシリコン窒化膜１６ｂを成膜する。この後、エッチバックを行うことにより、シリコン酸化膜１６ａの表面が露出するまで、シリコン窒化膜１６ｂを除去する。これにより、スリット１５、１５’内に、シリコン酸化膜１６ａとシリコン窒化膜１６ｂとで構成された絶縁性の分離パターン１６、１６’をそれぞれ形成する。なお、オフセット絶縁膜１４上のシリコン酸化膜１６ａはシリコン酸化膜からなるオフセット絶縁膜１４に含まれることとする。
【０００７】
次に、分離パターン１６、１６’上を含むオフセット絶縁膜１４上にレジストを塗布し、受光領域１１ａを挟んで隣接する分離パターン１６の端部上を露出する状態で、半導体基板１１の受光領域１１ａ上が開口されたレジストパターン（図示省略）を形成する。
【０００８】
その後、図７（ｂ）に示すように、このレジストパターンをマスクに用いたエッチングにより、受光領域１１ａ上のオフセット絶縁膜１４を除去する。この際、分離パターン１６の側壁を構成するシリコン酸化膜１６ａとオフセット絶縁膜１４は同じ材質であることから、シリコン酸化膜１６ａはオフセット絶縁膜１４の膜厚と同じ分除去される。その後、このレジストパターンをマスクに用いたエッチングにより、電極材料膜１３をエッチング除去する。これにより、受光領域１１ａ上の基板絶縁膜１２を露出する受光開口部Ｗを形成し、受光開口部Ｗが設けられた電極材料膜１３からなる単層構造の転送電極１３’を形成する。
【０００９】
ここで、このエッチングは、絶縁性の分離パターン１６に対する電極材料膜１３のエッチング選択比が高い条件で行うことから、分離パターン１６の端部が受光開口部Ｗに突出した状態で残存する。これにより、単層構造の転送電極１３’は分離パターン１６と受光開口部Ｗとで複数相に分離された状態となる。その後、上述したレジストパターンを除去する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、上述したような固体撮像素子の製造方法では、図７（ｂ）を用いて説明したように、受光領域１１ａ上の電極材料膜１３を除去して受光開口部Ｗを形成する際に、分離パターン１６の端部が受光開口部Ｗに突出した状態で残存するため、突出した分離パターン１６の端部の側壁を覆う電極材料膜１３が除去され難い。このため、残存した電極材料膜１３により、受光開口部Ｗと分離パターン１６とで分離された各相の転送電極１３’が電気的にショートしてしまう、という問題があった。このため、各相の転送電極１３’のショートによる電荷転送の不具合が発生し、製品歩留まりが低下するといった問題が生じていた。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述したような課題を解決するために、本発明における固体撮像素子の製造方法は、基板の表面層に配列された複数の受光領域と、基板上に設けられた単層構造の転送電極とを備えた固体撮像素子の製造方法であって、次のような方法を順次行うことを特徴としている。まず、第１工程では、基板上に、受光領域間にスリットを有する電極材料膜を形成し、スリットを絶縁膜で埋め込むことで、複数の分離パターンを形成する工程を行う。次に、第２工程では、レジストパターンをマスクに用いて、基板の受光領域上の電極材料膜を除去することで、受光開口部が設けられた電極材料膜からなる転送電極を形成する工程を行う。次いで、第３工程では、酸化処理を行うことで、受光開口部に露出された転送電極の側壁を酸化し、受光開口部の周縁に絶縁性の酸化膜を形成する工程を行う。
【００１２】
このような固体撮像素子の製造方法によれば、第２工程で受光領域上の電極材料膜を除去することで、受光開口部が設けられた電極材料膜からなる転送電極を形成した後、第３工程で酸化処理を行う。これにより、例えば第２工程で分離パターンの端部を突出させた状態で受光開口部を形成し、受光開口部と分離パターンとで分離された複数相の転送電極を形成した場合に、突出した分離パターンの端部に除去し切れなかった電極材料膜が残存したとしても、第３工程で酸化処理を行うことで、受光開口部に露出された転送電極の側壁とともに、残存した電極材料膜も絶縁性の酸化膜となるため、各相の転送電極が電気的に絶縁された状態となる。また、例えば第２工程で受光領域を挟んで隣接する分離パターンよりも内側に受光開口部を形成する場合であっても、第３工程で酸化処理を行うことで、受光開口部に露出された転送電極の側壁を酸化し、受光開口部の周縁に絶縁性の酸化膜を形成するため、この酸化膜と分離パターンにより電気的に絶縁された状態で、転送電極が複数相に分離される。
【００１３】
以上のことから、単層構造の転送電極を、電気的に絶縁された状態で確実に複数相に分離することが可能となり、各相の転送電極のショートが防止される。
【発明の効果】
【００１４】
以上説明したように、本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、単層構造の転送電極において、複数相に区切られた転送電極のショートが防止されるため、転送電極のショートによる電荷転送の不具合が防止され、この固体撮像素子を備えた製品の歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の固体撮像素子の製造方法における実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１６】
（第１実施形態）
本実施形態における固体撮像素子の製造方法を、図１〜図３の上面図およびＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’断面図によって説明する。この固体撮像素子は単層構造の転送電極を備えていることとする。なお、背景技術で説明したものと同様の構成には、同一の番号を付して説明する。
【００１７】
まず、図１（ａ）に示すように、半導体基板１１の表面層に複数の受光領域１１ａが配列された、例えばＰ型のシリコン基板からなる半導体基板１１上に、例えば熱酸化法によりシリコン酸化膜を成膜する。その後、例えば減圧ＣＶＤ法により、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜を順次成膜して、ＯＮＯ構造の基板絶縁膜１２を形成する。ここまでの構成が請求項の基板に相当する。続いて、この基板絶縁膜１２上に、例えばポリシリコンからなる電極材料膜１３を成膜する。
【００１８】
次に、電極材料膜１３上にオフセット絶縁膜１４を形成し、レジストパターン（図示省略）をマスクに用いた異方性エッチングにより、オフセット絶縁膜１４および電極材料膜１３を垂直加工することで、基板絶縁膜１２を露出し、０．１μｍ程度の幅のスリット（電極間ギャップ）１５，１５’を形成する。この場合には、受光領域１１ａ間に渡る形状にスリット１５を形成するとともに、後工程で電極材料膜１３を加工して形成する転送電極による電荷の転送方向（図１（ａ）における上下方向）に配列された受光領域１１ａ間において電極材料膜１３を分離するスリット１５’を形成する。このスリット１５’は、半導体基板１１上の略一面に形成される電極材料膜１３の幅方向に渡って設けられることとする。
【００１９】
次いで、図１（ｂ）に示すように、例えば減圧ＣＶＤ法により、スリット１５、１５’の内壁を覆うように、オフセット絶縁膜１４上に、例えばシリコン酸化膜１６ａを成膜する。続いて、減圧ＣＶＤ法により、このスリット１５、１５’を埋め込む状態で、シリコン酸化膜１６ａ上に、例えばシリコン窒化膜１６ｂを成膜する。この後、エッチバックを行うことにより、シリコン酸化膜１６ａの表面が露出するまで、シリコン窒化膜１６ｂを除去する。これにより、スリット１５、１５’内に、シリコン酸化膜１６ａとシリコン窒化膜１６ｂとで構成された絶縁性の分離パターン１６、１６’をそれぞれ形成する。なお、オフセット絶縁膜１４上のシリコン酸化膜１６ａは、オフセット絶縁膜１４に含まれることとする。
【００２０】
次いで、ここでの図示は省略したが、分離パターン１６上を含むオフセット絶縁膜１４上にレジストを塗布し、受光領域１１ａ上が開口されたレジストパターンを形成する。ここで、このレジストパターンは、後工程で、受光領域１１ａ上のオフセット絶縁膜１４と電極材料膜１３を除去することで受光開口部を形成するマスクとして用いられる。この場合には、形成する受光開口部と分離パターン１６とで、電極材料膜１３を確実に区切ることで複数相の転送電極を形成するため、露光装置の合わせ精度も考慮に入れ、受光領域１１ａを挟んで隣接する分離パターン１６の端部上を露出する状態で、受光領域１１ａ上が開口されたレジストパターンを形成する。
【００２１】
その後、図２（ｃ）に示すように、このレジストパターン（図示省略）をマスクに用いたエッチングにより、受光領域１１ａ上のオフセット絶縁膜１４を除去する。この際、分離パターン１６の側壁を構成するシリコン酸化膜１６ａとオフセット絶縁膜１４は同じ材質であることから、シリコン酸化膜１６ａはオフセット絶縁膜１４の膜厚と同じ分除去される。その後、このレジストパターンをマスクに用いたエッチングにより、電極材料膜１３をエッチング除去する。これにより、半導体基板１１の受光領域１１ａ上の基板絶縁膜１２表面を露出する受光開口部Ｗを形成するとともに、受光開口部Ｗが設けられた電極材料膜１３からなる転送電極１３’を形成する。
【００２２】
ここで、このエッチングは、半導体基板１１の受光領域１１ａ上を覆うシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とが積層された基板絶縁膜１２をエッチングストッパーとするため、基板絶縁膜１２に対して選択比を有する条件で行われる。これにより、シリコン酸化膜１６ａとシリコン窒化膜１６ｂとで構成される分離パターン１６に対しても選択比を有する条件で行うこととなり、分離パターン１６の端部は受光開口部Ｗに突出された状態となる。したがって、転送電極１３’は、分離パターン１６、１６’と受光開口部Ｗとで複数相に区切られた状態となる。そして、この場合には、受光開口部Ｗに突出した分離パターン１６の端部の側壁には、このエッチングで除去しきれなかったポリシリコンからなる電極材料膜１３が残存し易い傾向にある。
【００２３】
次に、図２（ｄ）に示すように、例えば約９００℃で２０分間のパイロジェニック酸化法により、この状態の半導体基板１１に熱酸化処理を行うことで、受光開口部Ｗに露出された転送電極１３’の側壁を酸化し、受光開口部Ｗの周縁に絶縁性のシリコン酸化膜１７を形成する。この際、転送電極１３’の側壁は酸化されることで膨張した状態となる。また、この熱酸化処理を行うことで、受光開口部Ｗに突出した分離パターン１６の端部の側壁に電極材料膜１３が残存した場合であっても、残存した電極材料膜１３が酸化されて絶縁性のシリコン酸化膜となる。
【００２４】
なお、ここではパイロジェニック酸化法により、熱酸化処理を行うこととしたが、転送電極１３’を酸化できればよく、ウェット酸化法、ドライ酸化法、ＲＴＯ（Rapid Thermal Oxidation）、ラジカル酸化法、プラズマ酸化法等によっても行うことが可能である。また、この酸化処理は、４００℃程度までの低温プロセスで行うことが好ましく、この酸化処理による半導体基板１１内の不純物の拡散を抑制し、デバイス特性への影響を最小限に抑えることができる。
【００２５】
その後、図３（ｅ）に示すように、ＣＶＤ法により、分離パターン１６およびオフセット絶縁膜１４を覆う状態で、基板絶縁膜１２上に、例えばシリコン窒化膜を形成し、エッチバックを行うことで、オフセット絶縁膜１４および分離パターン１６の表面が露出するまでシリコン窒化膜を除去し、受光開口部Ｗの周縁を覆う状態で、サイドウォール１８を形成する。このサイドウォール１８はオフセット絶縁膜１４とともに、転送電極１３’と後工程で形成する遮光膜とを絶縁する。なお、ここでは、サイドウォール１８を形成することとしたが、オフセット絶縁膜１４とシリコン酸化膜１７とで転送電極１３’と遮光膜とが確実に絶縁される場合には、サイドウォール１８を形成しなくてもよい。
【００２６】
次に、図３（ｆ）に示すように、例えばＣＶＤ法により、この状態の半導体基板１１上の全域を覆うように、例えばタングステンからなる遮光膜Ｓを成膜する。その後、通常のフォトリソグラフィー技術を用いて、異方性エッチングによりパターニングすることで、受光領域１１ａ上の基板絶縁膜１２を覆う遮光膜Ｓを除去する。
【００２７】
このような固体撮像素子の製造方法によれば、図２（ｃ）を用いて説明したように、分離パターン１６の端部を突出させた状態で受光開口部Ｗを形成することから、受光開口部Ｗと分離パターン１６とで分離された状態の複数相の転送電極１３’を形成することができる。そして、図２（ｄ）を用いて説明したように、この状態の半導体基板１１に熱酸化処理を行うことで、受光開口部Ｗに突出した分離パターン１６の端部の側壁に電極材料膜１３が残存した場合であっても、受光開口部Ｗに露出された転送電極１３’の側壁とともに、残存した電極材料膜１３も酸化され、絶縁性のシリコン酸化膜となる。これにより、複数相の転送電極が、受光開口部Ｗと分離パターン１６とで電気的に確実に絶縁された状態となり、分離パターン１６の側壁に残存した電極材料膜１３による各相の転送電極１３’のショートが防止される。
【００２８】
したがって、各相の転送電極１３’のショートによる電荷転送の不具合が防止されるため、この固体撮像素子を備えた製品の歩留まりを向上させることができる。
【００２９】
（第２実施形態）
次に、本発明における固体撮像素子の第２の製造方法における実施の形態の一例につい、図４〜図６の上面図およびＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’断面図を用いて説明する。なお、第１実施形態と同様の構成には、同一の番号を付して説明する。
【００３０】
まず、図４（ａ）に示すように、第１実施形態と同様に、表面層に複数の受光領域１１ａが配列された半導体基板１１上に、基板絶縁膜１２を形成した後、基板絶縁膜１２上に、ポリシリコンからなる電極材料膜１３を形成する。続いて、電極材料膜１３上にシリコン酸化膜からなるオフセット絶縁膜１４を形成する。
【００３１】
次に、第１実施形態と同様に、レジストパターン（図示省略）をマスクに用いた異方性エッチングにより、オフセット絶縁膜１４および電極材料膜１３を垂直加工することで、基板絶縁膜１２を露出し、０．１μｍ程度の幅のスリット１５、１５’を形成する。ここで、受光領域１１ａ間に設けられるスリット１５は、その端部が受光領域１１ａから２０ｎｍ程度の間隔を有した状態で設けられることとする。
【００３２】
次いで、図４（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様に、スリット１５、１５’内にシリコン酸化膜１６ａとシリコン窒化膜１６ｂで構成される分離パターン１６、１６’をそれぞれ形成する。ここで、上述したように、スリット１５はその端部が受光領域１１ａから２０ｎｍ程度の間隔を有した状態で設けられることから、分離パターン１６も受光領域１１ａから２０ｎｍ程度の間隔を有した状態で設けられることとなる。
【００３３】
次いで、ここでの図示は省略するが、分離パターン１６、１６’上を含むオフセット絶縁膜１４上にレジストを塗布し、受光領域１１ａ上が開口されたレジストパターン（図示省略）を形成する。
【００３４】
その後、図５（ｃ）に示すように、このレジストパターンをマスクに用いたエッチングにより、受光領域１１ａ上のオフセット絶縁膜１４を除去した後、電極材料膜１３（前記図４（ｂ）参照）をエッチング除去する。これにより、半導体基板１１の受光領域１１ａ上の基板絶縁膜１２表面を露出する受光開口部Ｗを形成するとともに、受光開口部Ｗが設けられた電極材料膜１３からなる転送電極１３’を形成する。
【００３５】
この際、上述したように、分離パターン１６も受光領域１１ａから２０ｎｍ程度の間隔を有した状態で設けられることから、受光領域１１ａ上を露出する受光開口部Ｗは、受光領域１１ａを挟んで隣接する分離パターン１６の端部よりも２０ｎｍ程度内側に開口された状態となる。したがって、この状態での転送電極１３’は、受光開口部Ｗと分離パターン１６とで複数相に区切られた状態ではなく、分離パターン１６の端部側で転送電極１３’が連通された状態となる。
【００３６】
次に、図５（ｄ）に示すように、第１実施形態と同様に、この状態の半導体基板１１に、例えば約９００℃で２０分間のパイロジェニック酸化法により熱酸化処理を行う。これにより、受光開口部Ｗに露出された転送電極１３’の側壁を表面から例えば８０ｎｍ程度酸化して、受光開口部Ｗの周縁に絶縁性のシリコン酸化膜１７を形成する。この際、転送電極１３’の側壁は酸化されることで膨張した状態となる。ここで、受光開口部Ｗに露出された転送電極１３’の側壁表面から分離パターン１６の端部に達するまで確実に酸化することで、受光開口部Ｗの周縁のシリコン酸化膜１７と分離パターン１６により電気的に絶縁された状態で、転送電極１３’が複数相に分離される。
【００３７】
この熱酸化処理により、受光開口部Ｗの形成に用いるレジストパターンを形成する際に、マスクの合わせずれがあった場合でも、分離パターン１６の端部に達するまで、転送電極１３’の側壁を酸化することで、転送電極１３’を確実に複数相に分離することが可能となる。
【００３８】
なお、ここでの酸化もパイロジェニック酸化法により行ったが、第１実施形態で説明した他の酸化法を用いることが可能であり、４００℃程度までの低温プロセスで行うことが好ましい。
【００３９】
次に、図６（ｅ）に示すように、例えばＣＶＤ法により、この状態の半導体基板１１上の全域を覆うように、例えばタングステンからなる遮光膜Ｓを成膜する。その後、通常のフォトリソグラフィー技術を用いて、異方性エッチングによりパターニングすることで、受光領域１１ａ上の基板絶縁膜１２を覆う遮光膜Ｓを除去する。
【００４０】
このような固体撮像素子の製造方法によれば、図５（ｃ）を用いて説明したように、受光領域１１ａを挟んで隣接する分離パターン１６の端部よりも内側に受光開口部Ｗが設けられた転送電極１３’を形成する。その後、図５（ｄ）を用いて説明したように、半導体基板１１に熱酸化処理を行うことで、受光開口部Ｗに露出された転送電極１３’の側壁を酸化し、受光開口部Ｗの周縁に分離パターン１６の端部に達する状態の絶縁性のシリコン酸化膜１７を形成する。これにより、このシリコン酸化膜１７と分離パターン１６により電気的に絶縁された状態で、確実に転送電極１３’を複数相に分離することができ、各相の転送電極１３’のショートが防止される。
【００４１】
したがって、単層構造の転送電極において、複数相に分離された転送電極のショートが防止されるため、転送電極１３’のショートによる電荷転送の不具合が防止され、この固体撮像素子を備えた製品の歩留まりを向上させることができる。
【００４２】
さらに、本実施形態の固体撮像素子の製造方法によれば、受光開口部Ｗへの分離パターン１６の端部の突出が防止されることから、受光開口部Ｗを広くとることができるため、感度が向上し、光電変換を効率よく行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】第１実施形態における固体撮像素子の製造方法を説明するための上面図および断面図である（その１）。
【図２】第１実施形態における固体撮像素子の製造方法を説明するための上面図および断面図である（その２）。
【図３】第１実施形態における固体撮像素子の製造方法を説明するための上面図および断面図である（その３）。
【図４】第２実施形態における固体撮像素子の製造方法を説明するための上面図および断面図である（その１）。
【図５】第２実施形態における固体撮像素子の製造方法を説明するための上面図および断面図である（その２）。
【図６】第２実施形態における固体撮像素子の製造方法を説明するための上面図および断面図である（その３）。
【図７】背景技術における固体撮像素子の製造方法を説明するための上面図および断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１１…半導体基板、１１ａ…受光領域、１３…電極材料膜、１３’…転送電極、１５…スリット、１６…分離パターン、１７…シリコン酸化膜、Ｗ…受光開口部
【図１】
2005311008.tif 000003
【図２】
2005311008.tif 000004
【図３】
2005311008.tif 000005
【図４】
2005311008.tif 000006
【図５】
2005311008.tif 000007
【図６】
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【図７】
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