(57)【要約】【課題】  所望のそり量を有する基板を提供すること。【解決手段】  光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板に硬化光を照射し、接着層を光硬化させて単板同士を貼り合わせる際に、温度制御して基板のそり量を制御する基板の処理方法であって、載置台の温度Ｔｈと基板の温度Ｔｄとから、それらの温度差ΔＴを求める段階と、基板のそり量Ｘと目標とするそり量設定値Ｘｔとから、それらのそり量差ΔＸを求める段階と、温度差ΔＴとそり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（ΔＴ−Ｍ×ΔＸ）の演算を行って温度Ｔｃを求める段階と、温度Ｔｃに従って、Ｔｃ＝Ｔｈ−Ｔｄとなるように基板と載置台との少なくとも一方を温度制御する段階とを備える基板の処理方法。【選択図】  図１
2005190621.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理方法であって、
前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとから、それらの温度差ΔＴを求める段階と、
前記基板のそり量Ｘと目標とするそり量設定値Ｘｔとから、それらのそり量差ΔＸを求める段階と、
前記温度差ΔＴと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（ΔＴ−Ｍ×ΔＸ）の演算を行って温度Ｔｃを求める段階と、
該温度Ｔｃに従って、Ｔｃ＝Ｔｈ−Ｔｄとなるように前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御する段階と、
を備えることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項２】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理方法であって、
前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとから、それらの温度差ΔＴを求める段階と、
前記基板のそり量Ｘと目標とするそり量設定値Ｘｔとから、それらのそり量差ΔＸを求める段階と、
該そり量差ΔＸの変化傾向を含む条件にて前記そり量差ΔＸを補償してなる補償値ΔＸ’を求める段階と、
前記温度差ΔＴと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（ΔＴ−Ｍ×ΔＸ’）の演算を行って温度Ｔｃを求める段階と、
該温度Ｔｃに従って、Ｔｃ＝Ｔｈ−Ｔｄとなるように前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御する段階と、
を備えることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項３】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記載置台を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理方法であって、
前記載置台の温度Ｔｈを求める段階と、
目標とするそり量設定値Ｘｔと前記そり量Ｘとを演算して、そり量差ΔＸを求める段階と、
前記載置台の温度Ｔｈと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（Ｔｈ−Ｍ×ΔＸ）の演算を行って温度Ｔｃを求める段階と、
該温度Ｔｃに従って、前記載置台を温度制御する段階と、
を備えることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項４】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記載置台を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理方法であって、
前記載置台の温度Ｔｈを求める段階と、
目標とするそり量設定値Ｘｔと前記そり量Ｘとを演算して、そり量差ΔＸを求める段階と、
該そり量差ΔＸの変化傾向を含む条件にて前記そり量差ΔＸを補償してなる補償値ΔＸ’を求める段階と、
前記載置台の温度Ｔｈと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（Ｔｈ−Ｍ×ΔＸ’）の演算を行って温度Ｔｃを求める段階と、
該温度Ｔｃに従って、前記載置台を温度制御する段階と、
を備えることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項５】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記基板を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理方法であって、
前記基板の温度Ｔｄを求める段階と、
目標とするそり量設定値Ｘｔと前記そり量Ｘとを演算して、そり量差ΔＸを求める段階と、
前記基板の温度Ｔｄと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（Ｔｄ＋Ｍ×ΔＸ）の演算を行って温度Ｔｃを求める段階と、
該温度Ｔｃに従って、前記基板を温度制御する段階と、
を備えることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項６】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記載置台を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理方法であって、
前記基板の温度Ｔｄを求める段階と、
目標とするそり量設定値Ｘｔと前記そり量Ｘとを演算して、そり量差ΔＸを求める段階と、
該そり量差ΔＸの変化傾向を含む条件にて前記そり量差ΔＸを補償してなる補償値ΔＸ’を求める段階と、
前記基板の温度Ｔｄと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（Ｔｄ＋Ｍ×ΔＸ’）の演算を行って温度Ｔｃを求める段階と、
該温度Ｔｃに従って、前記載置台を温度制御する段階と、
を備えることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか１項において、
前記比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）は、前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとの温度差ΔＴと、硬化光を照射した後の前記基板のそり量Ｘとの複数の組み合わせ（Ｘ、ΔＴ）から求められる直線の傾斜を示す比例定数であり、予め求めておくことを特徴とする基板の処理方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項６のいずれか１項において、
前記比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）は、前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとの温度差ΔＴと、硬化光を照射した後の前記基板のそり量Ｘとの複数の組み合わせ（Ｘ、ΔＴ）から求められる直線の傾斜を示す比例定数であり、随時、前記組み合わせ（Ｘ、ΔＴ）を更新して、前記比例定数Ｍを求めながら、前記基板のそりを調整することを特徴とする基板の処理方法。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれか１項において、
前記比例定数Ｍは、１５〜４０（℃／ｄｅｇ）であることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項１０】
請求項２、請求項４、請求項６のいずれか１項において、
前記そり量差ΔＸをＰＩＤ制御して補償することを特徴とする基板の処理方法。
【請求項１１】
請求項１ないし請求項１０のいずれか１項において、
前記そり量Ｘは、設定枚数ｎの前記基板の平均値を示す平均そり量Ｘａであることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記基板の平均そり量Ｘａは、設定枚数ｎの基板のそり量Ｘのうち、予め決められた許容範囲内にあるそり量を平均化した値であることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項１３】
請求項１１又は請求項１２において、
前記基板の平均そり量Ｘａが、そり設定範囲（Ｘｔ±任意の数値α）内にあるときには、前記載置台又は前記基板の前記温度を変化させずに維持することを特徴とする基板の処理方法。
【請求項１４】
請求項１１又は請求項１２において、
前記基板の平均そり量Ｘａが、そり設定範囲（Ｘｔ±任意の数値α）内にあるときには、設定枚数ｎの前記基板のそり量Ｘの移動平均値（最新のｎ枚の基板の平均値）を求めることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項１５】
請求項１１又は請求項１２において、
前記基板の平均そり量Ｘａが、そり設定範囲（Ｘｔ±任意の数値α）外であるときには、前記載置台又は前記基板の前記温度を算出し、この算出された温度で前記載置台又は前記基板の温度制御を行うと共に、設定枚数ｎの基板のそり量の測定を新たに行い、この測定が終了するまで、前記算出された温度で前記載置台又は前記基板の温度制御を行うことを特徴とする基板の処理方法。
【請求項１６】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理方法であって、
前記基板の温度Ｔｄと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数をＭとすると共に、前記基板のそり量Ｘがゼロになるときの前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとの温度差ΔＴをａとし、前記温度差ΔＴと前記そり量Ｘとの関係式（Ｔｈ−Ｔｄ＝Ｍ×Ｘ＋ａ）を求める段階と、
そり量設定値をＸｔとし、（Ｔｈ−Ｔｄ＝Ｍ×Ｘｔ＋ａ）となるように前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御する段階と、
を備えることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項１７】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理装置であって、
前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとから、それらの温度差ΔＴを求める手段と、
前記基板のそり量Ｘと目標とするそり量設定値Ｘｔとから、それらのそり量差ΔＸを求める手段と、
前記温度差ΔＴと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（ΔＴ−Ｍ×ΔＸ）の演算を行って温度Ｔｃを求める手段と、
該温度Ｔｃに従って、Ｔｃ＝Ｔｈ−Ｔｄとなるように前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御する手段と、
を備えることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項１８】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理装置であって、
前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとから、それらの温度差ΔＴを求める手段と、
前記基板のそり量Ｘと目標とするそり量設定値Ｘｔとから、それらのそり量差ΔＸを求める手段と、
該そり量差ΔＸの変化傾向を含む条件にて前記そり量差ΔＸを補償してなる補償値ΔＸ’を求める補償手段と、
前記温度差ΔＴと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（ΔＴ−Ｍ×ΔＸ’）の演算を行って温度Ｔｃを求める手段と、
該温度Ｔｃに従って、Ｔｃ＝Ｔｈ−Ｔｄとなるように前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御する手段と、
を備えることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項１９】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記載置台を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理装置であって、
前記載置台の温度Ｔｈを求める手段と、
目標とするそり量設定値Ｘｔと前記そり量Ｘとを演算して、そり量差ΔＸを求める手段と、
前記載置台の温度Ｔｈと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（Ｔｈ−Ｍ×ΔＸ）の演算を行って温度Ｔｃを求める手段と、
該温度Ｔｃに従って、前記載置台を温度制御する手段と、
を備えることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２０】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記載置台を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理装置であって、
前記載置台の温度Ｔｈを求める手段と、
目標とするそり量設定値Ｘｔと前記そり量Ｘとを演算して、そり量差ΔＸを求める手段と、
該そり量差ΔＸの変化傾向を含む条件にて前記そり量差ΔＸを補償してなる補償値ΔＸ’を求める手段と、
前記載置台の温度Ｔｈと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（Ｔｈ−Ｍ×ΔＸ’）の演算を行って温度Ｔｃを求める手段と、
該温度Ｔｃに従って、前記載置台を温度制御する手段と、
を備えることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２１】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記基板を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理装置であって、
前記基板の温度Ｔｄを求める手段と、
目標とするそり量設定値Ｘｔと前記そり量Ｘとを演算して、そり量差ΔＸを求める手段と、
前記基板の温度Ｔｄと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（Ｔｄ＋Ｍ×ΔＸ）の演算を行って温度Ｔｃを求める手段と、
該温度Ｔｃに従って、前記基板を温度制御する手段と、
を備えることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２２】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記載置台を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理装置であって、
前記基板の温度Ｔｄを求める手段と、
目標とするそり量設定値Ｘｔと前記そり量Ｘとを演算して、そり量差ΔＸを求める手段と、
該そり量差ΔＸの変化傾向を含む条件にて前記そり量差ΔＸを補償してなる補償値ΔＸ’を求める手段と、
前記基板の温度Ｔｄと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（Ｔｄ＋Ｍ×ΔＸ’）の演算を行って温度Ｔｃを求める手段と、
該温度Ｔｃに従って、前記載置台を温度制御する手段と、
を備えることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２３】
請求項１７ないし請求項２２のいずれか１項において、
前記比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）は、前記載置台の温度Ｔｈと前記基板その温度Ｔｄとの温度差ΔＴと、硬化光を照射した後の前記基板のそり量Ｘとから求められる直線の傾斜を示す比例定数であり、予め求めておくことを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２４】
請求項１７ないし請求項２２のいずれか１項において、
前記比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）は、前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとの温度差ΔＴと、硬化光を照射した後の前記基板のそり量Ｘとの複数の組み合わせ（Ｘ、ΔＴ）から求められる直線の傾斜を示す比例定数であり、随時、前記組み合わせ（Ｘ、ΔＴ）を更新して、前記比例定数Ｍを求めながら、前記基板のそりを調整することを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２５】
請求項１７ないし請求項２２のいずれか１項において、
前記比例定数Ｍは、１５〜４０（℃／ｄｅｇ）であることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２６】
請求項１８、請求項２０、請求項２２のいずれか１項において、
前記そり量差ΔＸをＰＩＤ制御して補償することを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２７】
請求項１７ないし請求項２６のいずれか１項において、
前記そり量Ｘは、設定枚数ｎの前記基板の平均値を示す平均そり量Ｘａであることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２８】
請求項２７において、
前記基板の平均そり量Ｘａは、設定枚数ｎの基板のそり量Ｘのうち、予め決められた許容範囲内にあるそり量を平均化した値であることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２９】
請求項２７又は請求項２８において、
前記基板の平均そり量Ｘａが、そり設定範囲（Ｘｔ±任意の数値α）内にあるときには、前記載置台又は前記基板の前記温度を変化させずに維持することを特徴とする基板の処理装置。
【請求項３０】
請求項２７又は請求項２８において、
前記基板の平均そり量Ｘａが、そり設定範囲（Ｘｔ±任意の数値α）内にあるときには、設定枚数ｎの前記基板のそり量Ｘの移動平均値（最新のｎ枚の基板の平均値）を求めることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項３１】
請求項２７又は請求項２８において、
前記基板の平均そり量Ｘａが、そり設定範囲（Ｘｔ±任意の数値α）外であるときには、前記載置台又は前記基板の前記温度を算出し、この算出された温度で前記載置台又は前記基板の温度制御を行うと共に、設定枚数ｎの基板のそり量の測定を新たに行い、この測定が終了するまで、前記算出された温度で前記載置台又は前記基板の温度制御を行うことを特徴とする基板の処理装置。
【請求項３２】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理装置であって、
前記基板の温度Ｔｄと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数をＭとすると共に、前記基板のそり量Ｘがゼロになるときの前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとの温度差ΔＴをａとし、前記温度差ΔＴと前記そり量Ｘとの関係式（Ｔｈ−Ｔｄ＝Ｍ×Ｘ＋ａ）を求める手段と、
そり量設定値をＸｔとし、（Ｔｈ−Ｔｄ＝Ｍ×Ｘｔ＋ａ）となるように前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御する手段と、
を備えることを特徴とする基板の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク基板などの単板同士の貼り合わせの際に基板に生じるそり量（チルト角）を所望のそり量に制御する基板の処理方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＶＤ用の光ディスクとして、記録層を有する単板と単板、あるいは記録層を有する単板と記録層を有しない単板、又は記録層を有する単板とシートフィルム、あるいは前記単板と単板（ここではこれらも単板という。）とを、それらの間に光硬化型接着剤を介在させて複数枚貼り合せることが知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
光ディスクにあっては、光ディスクに記録されている情報の読み取り、あるいは情報の記録を行うには、光ディスクを回転させながら、レーザを光ディスクの外部から照射し、光ディスクの透明な基板を透過して記録層に照射する。光ディスクの記録密度は極めて高いために、レーザを記録層に高い精度で正確に照射しなければならない。したがって、光ディスクの平面度が悪いと、記録層の平面度も当然に悪くなり、レーザを記録層の所定位置に正確に合わせて照射することができず、情報の書き込み、読み取りにエラーが生じることになる。このような理由から、光ディスクの製造にあたっては、一般的にはそりや歪みがなく、高い平面度を維持できることが必要である。
【０００４】
光ディスクの製造時において前述のようなそりを低減する方法として今までにいろいろな発明が提案されている。その一つとして、単板の貼り合せ時における硬化光の照射により温度上昇した光ディスク基板の熱を、光ディスクが載置されている載置台に放散させ、周囲温度と光ディスク基板の温度とがほぼ同じになってから、光ディスク基板を載置台から外す方法が提案されている。そして、この方法では、前記載置台を空気や冷却水のような冷却媒体で冷却しており、冷却媒体の温度を制御することが報告されている（例えば、特許文献２を参照）。また、別な方法として、光ディスク基板を載置する載置台を一定温度に維持するように、載置台を冷却する方法も提案されている（例えば、特許文献３を参照）。
【０００５】
また、光ディスクの製造時において前述のようなそり(反り)を低減する別な発明として、光ディスクの単板間に介在する光硬化型接着剤を光硬化させる際に、光ディスク基板の少なくとも一方の単板の表面側の温度を制御して、両面の温度を低減させる方法、光ディスク基板の温度を制御して、光ディスク基板の両方向における温度分布を均一化させる方法、前記載置台の表面温度を調整できる温度制御手段を備えた装置などが提案されている（例えば、特許文献４を参照）。
【０００６】
しかし、光デイスク基板の製造時に前述のような方法を実施して光ディスク基板の平坦度を高めることによって、光ディスクがその製造直後には要求される平面度を有していても、その後における光デイスクの保管形態、管理状況、流通過程などから、ある規則性をもって、光ディスクが反ってしまうことがある。例えば、貼り合せ後のレーベル印刷によってもそりが生じる。このような場合には、最終的な使用段階におけるこのような光ディスクのそりを考慮して、光ディスクのそりを制御し、最終的な使用時のそりがほとんど無くなるように、相殺するそりをわざわざ光ディスクに付けておくことが必要である。
【特許文献１】特開平０５−２０７１４号公報
【特許文献２】特開平１０−１９９０５３号公報
【特許文献３】特開２００３−９９９８５号公報
【特許文献４】特開２０００−７６７１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、本発明は、製造時における光ディスクのそり量（チルト角）をいかにそり設定値に制御するかということを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
未硬化の光硬化型接着剤を介在させて重ね合わせた複数の単板からなる光ディスク基板（以下、基板と言う。）の測定温度Ｔｄとその基板を載置する載置台の測定温度Ｔｈとから温度差ΔＴ（℃）（＝Ｔｈ−Ｔｄ）を求めると共に、その基板の測定そり量Ｘ（ｄｅｇ）を求めて、それら複数の（ΔＴとＸ）をプロットすると、その結果は１次式で示される直線上にあり、その傾斜を比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）とした。
【０００９】
この比例定数Ｍを使用し、（Ｔｈ−Ｔｄ）−Ｍ×（ΔＸ又はΔＸ’）の式、又はＴｈ−Ｍ×（ΔＸ又はΔＸ’）の式に従って演算することによって求められる制御温度で、載置台と基板のいずれか一方又は双方を温度制御すると、所望のそりを有する基板を得ることができる。ここで、Ｘｔは基板の目標とするそり設定値であり、Ｘは測定された反り量である。また、ΔＸ＝Ｘｔ−Ｘであり、ΔＸ’はΔＸを補償した補償値である。この補償は、ΔＸの変化傾向など、例えば、その増減方向、増減が１次あるいは２次、又はそれ以上の曲線で増減するのか否かなどを加味して行われる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の基板処理方法及び処理装置によれば、所望のそり量（チルト角）を有する単板貼り合わせ基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
先ず、本発明を実施するための最良の形態である実施例１について説明する前に、本発明の新たな知見について説明する。
【００１２】
図１に示すように、本件発明者は、間に未硬化の光硬化型接着剤を介在させて重ね合わせた複数の単板からなる光ディスク基板（以下、基板と言う。）の載置台に載せる前の温度Ｔｄを測定（イ）した。また、紫外線のような硬化光を照射する前の基板を載置する載置台の温度Ｔｈを測定（ロ）した。そして、図１に示すように、前記温度Ｔｄと前記温度Ｔｈとの温度差ΔＴ（℃）（＝Ｔｈ−Ｔｄ）を求め（ハ）、他方では、硬化光を前記基板に照射して前記光硬化型接着剤を硬化させた後、ほぼ常温まで温度が低下した状態で前記基板Ｄのそり量Ｘ（ｄｅｇ）を測定（ニ）した。
【００１３】
多数の基板について、前記そり量Ｘ（ｄｅｇ）と前記複数の温度差ΔＴ（℃）とをプロット（ホ）した結果、図２に示すように、前記そり量Ｘと前記温度差ΔＴとの関係が１次式Ｍ’上にあり、ほぼ比例関係にあるという知見を得た。その１次式Ｍ’の傾斜を比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）とした。多数の実験結果から、貼り合わせる単板のそりの状態によって１次式Ｍ’の切片は変わるが、その傾き、つまり比例定数Ｍはほとんど変わらず、したがって、比例定数Ｍ又は前記１次式Ｍ’を採用することによって、載置台の温度と基板の温度との温度差を制御すると、その温度差で基板のそり量（チルト角）を所望の値にできることを確認した。特に、１５（℃／ｄｅｇ）から４０（℃／ｄｅｇ）の範囲、つまり、１５（℃／ｄｅｇ）≦Ｍ≦４０（℃／ｄｅｇ）の範囲にある比例定数Ｍを採用することによって、貼り合わせ基板のそり量を短時間で所望の値にできる。
【実施例１】
【００１４】
図３ないし図７によって、本発明にかかる基板の処理方法及び処理装置の基本的な実施例について説明する。図３は、本発明の基本的な考え方を説明するための図である。図４は、基板のそり量Ｘの制御を説明するための一実施例に係る光ディスク貼り合わせ装置１００を示す図であり、図５は、貼り合わせ基板、この実施例では複数の単板を貼り合わせてなる光ディスク基板のそり量を制御する機構の概略図を示す。図６は、基板のそり量を制御する温度制御装置の好ましい１例の概略を説明するための図であり、図７は、基板のそり量を制御する温度制御装置のブロック構成を示す図である。
【００１５】
先ず、図３によって本発明の基本的な考え方を説明する。載置台の測定温度がＴｈ１であり、基板の測定温度がＴｄ１であるときの、基板のそり量がＸ１であったとする。Ｔｈ１−Ｔｄ１＝ΔＴ１とし、図３に示すように、前記１次式Ｍ’上の（ΔＴ１、Ｘ１）の点をＭ１とする。
【００１６】
基板のそり量Ｘ１を所望の設定そり量Ｘｔにするためには、鎖線で示すように、基板の設定そり量Ｘｔにおける１次式Ｍ’上の点Ｍ２に対応する温度差ΔＴ２＝（Ｔｈ２−Ｔｄ２）を満足する載置台の温度Ｔｈ２、基板の温度Ｔｄ２であればよい。このとき、前記ΔＴ１とΔＴ２との差（ΔＴ１−ΔＴ２）はＭ（Ｘｔ−Ｘ１）となる。これを式で表せば、（ΔＴ１−ΔＴ２）＝Ｍ（Ｘｔ−Ｘ１）となる。この式から、最終的には（Ｔｈ２−Ｔｄ２）＝（Ｔｈ１−Ｔｄ１）−Ｍ（Ｘｔ−Ｘ１）となる。ここで、（Ｔｈ１−Ｔｄ１）は載置台の測定温度Ｔｈ１から基板の測定温度Ｔｄ１を差し引いた温度差ΔＴ１であり、Ｘ１はそのときの基板のそり量であるので、それぞれを測定した時点で既知の数値となっている。
【００１７】
したがって、この原理式（Ｔｈ２−Ｔｄ２）＝（Ｔｈ１−Ｔｄ１）−Ｍ（Ｘｔ−Ｘ１）を満足するように、載置台の温度Ｔｈ２と基板の温度Ｔｄ２のいずれか一方又は双方を制御すれば良いことが分かる。ここで、上記式を簡潔に表すために、載置台の温度Ｔｈ、基板の温度Ｔｄで表すと、（Ｔｈ−Ｔｄ）＝Ｔｃ＝ΔＴ−Ｍ×（ΔＸ又はΔＸ’）となる。以下では、この式を基本式として用いる。ただし、ΔＴは点Ｍ１を求めたときに測定された載置台の温度Ｔｈと基板の温度Ｔｄとの温度差であり、ΔＸは所望のそり設定値Ｘｔと測定されたそり量Ｘとの差を示すそり量差である。前述したように、ΔＸ’はΔＸを補償した補償値である。この補償は、ΔＸの変化傾向など、例えば、増減方向、その増減が１次あるいは２次、又はそれ以上の曲線で増減するのか否かなどを加味して行われる。実施例１では、載置台の温度のみを制御する。
【００１８】
図４に示すように、図示しない２枚の単板は光硬化型接着剤を介して重ね合わされ、スピンナ装置１で不要な光硬化型接着剤を除去することによって、接着剤が未硬化の重ね合わせ基板ｄが得られる。その基板ｄは、スピンナ装置１からターンテーブル３に移載される途中で、不図示の赤外線温度センサなどのような基板温度測定手段を利用した一般的な方法によって基板の温度Ｔｄが測定され、一定速度で間欠的に矢印（時計）方向に回転するターンテーブル３に一定間隔で順番に配置されている複数の載置台５ａ〜５ｊのうちの載置台５ａに載置される。
【００１９】
載置台５ａのポジションで各載置台の温度Ｔｈの測定が一般的な方法、例えば不図示の赤外線センサ、あるいは不図示の熱電対のような載置台温度測定手段で行われる。載置台５ａに載置された基板ｄは、載置台５ａの温度Ｔｈの温度によって、基板ｄの載置台５ａに接している側の単板が膨張又は収縮する。単板間の接着剤が未硬化の状態では、載置台５ａに接している側の単板は比較的自由に形状を変化することができる。なお、ここでは５ａ〜５ｊを載置ポジションに位置する載置台と考える。
【００２０】
ターンテーブル３の載置台５ａ〜５ｊには、載置台５の温度制御手段となる冷却・加熱機構７が設けられており、温度調整領域６における載置ポジション５ｈ、５ｉ、５ｊ、５ａ、５ｂで，載置台の温度と基板の温度との温度差を調整するように載置台温度の調整が行われる。次に、載置台の温度調整について説明する。
【００２１】
基板ｄの未硬化の光硬化型接着剤は、硬化光照射装置９から紫外線のような硬化光が照射されることによって、光硬化され、単板が完全に接着された貼り合せ基板Ｄとなる。そして、基板Ｄは、常温まで温度が低下した状態で、検査装置１１によって必要な検査が行われる。その内の一つの検査が、基板Ｄのそり量Ｘの測定である。
【００２２】
図６によって温度制御装置１３の好ましい１例の概略を説明する。温度制御装置１３は、入力された基板Ｄのそり目標値Ｘｔとそり検査の行われた基板Ｄのそり量Ｘとを演算して、それらの差であるそり量差ΔＸを求める。このそり量差ΔＸは、補償手段１３ｋで補償される。この補償手段１３ｋの好ましい１例について説明すると、補償手段１３ｋは、広く使われているＰＩＤ制御方式を用いている。このＰＩＤ制御方式は、目標値と測定値との偏差に比例した出力信号を出力する比例動作（proportional control action）を行う手段ｋ１と、偏差の時間積分に比例した出力信号を出力する積分動作（integral control action）を行う手段ｋ２と、偏差の時間的変化率に比例した出力信号を出力する微分動作（derivative control action）を行う手段ｋ３とによって、前記そり量差ΔＸの変化傾向など、例えばその変化傾向が時間の１次関数なのか、あるいは時間の２次関数であるのか、又は他の関数であるのかなどに応じて補償した値である補償値ΔＸ’を出力する。温度制御装置１３の演算部１３ｍで、前述したＴｃ＝ΔＴ−Ｍ×ΔＸ’の演算を行い、基板のそり量Ｘをそり設定値Ｘｔにスムーズに、かつ短時間で近づけるように冷却・加熱機構７の温度調節を行っている。
【００２３】
なお、以上の説明では、補償手段１３ｋはＰＩＤ制御によってそり量差ΔＸを補償したが、必ずしもＰＩＤ制御によらずとも、別の適当な制御方法であっても良い。
【００２４】
温度制御装置１３の詳しい一例を図７によって説明すると、温度制御装置１３に入力されたそり量Ｘは、ゲート部１３ＡのゲートＣ１を通して第１のそり演算部１３Ｂに入力され、演算される。第１のそり演算部１３Ｂでは、所定枚数の基板Ｄのそり量Ｘの単純平均値、あるいは許容範囲内のそり量Ｘの平均値（以下、それらを平均そり量Ｘａという。）が求められる。
【００２５】
また、温度制御装置１３のそり設定部１３Ｃには所望のそり設定値Ｘｔが基準値として入力され、設定される。この所望のそり設定値Ｘｔは、基板の完成品におけるそのそり量がゼロ又は許容範囲内になることを考慮して決められるものである。次に、温度制御装置１３内のそり演算・判定部１３Ｄでは、前記平均そり量Ｘａと前記所望のそり設定値Ｘｔとの差であるそり量差ΔＸを求める演算が行われる。そり量差ΔＸは、前述のように、補償手段で補償されたほうが好ましいが、必ずしも補償することはないので、図７の温度制御装置１３では、補償手段を省略しているが、温度Ｔｃの算出時にそり量差ΔＸに代えてその補償値ΔＸ’を用いても勿論よい。
【００２６】
この温度制御装置１３の比例定数設定部１３Ｅには、前述のようにして求められた比例定数Ｍが登録されている。比例定数Ｍは、１５（℃／ｄｅｇ）≦Ｍ≦４０（℃／ｄｅｇ）の範囲で選定できるようになっていても良いし、あるいは１５（℃／ｄｅｇ）≦Ｍ≦４０（℃／ｄｅｇ）の範囲内の適当な値、例えば、ほぼ中間の値、２７又は２８（℃／ｄｅｇ）に設定されていても良い。
【００２７】
比例定数Ｍについて述べると、１５（℃／ｄｅｇ）≦Ｍ≦４０（℃／ｄｅｇ）の範囲の比例定数Ｍの場合には、基板Ｄのそり量Ｘを短時間でそり設定値Ｘｔに制御できる。しかし、比例定数Ｍは、基板Ｄのそり量Ｘを温度に変換する定数であり、この比例定数Ｍが最適値から外れて小さくなると、そり設定値Ｘｔへの応答が悪くなり、逆に比例定数が大きくなると、そり設定値Ｘｔへの応答が速くなるが、発振を起しやすく、収束させるのに時間がかかる。本実施例では、比例定数Ｍが１５（℃／ｄｅｇ）よりも小さい場合には、温度制御によって、基板Ｄのそり量Ｘがゆっくりとそり設定値Ｘｔに近づいて行くので、そり設定値Ｘｔに到達するのに長い時間がかかり、実際の貼り合わせラインでは適用し難い。また、比例定数Ｍが４０（℃／ｄｅｇ）よりも大きい場合には、短時間でそり設定値Ｘｔに向けて近づくが、そり設定値Ｘｔを中心に上下に振動し、そり設定値Ｘｔに収束するのに長い時間がかかり、実際の貼り合わせラインでは適用し難い。
【００２８】
一方、温度制御装置１３における温度差演算部１３Ｆには、載置台５ａの測定温度Ｔｈと、載置台に載置される前の基板ｄの測定温度Ｔｄとが入力され、温度差演算部１３Ｆは（Ｔｈ−Ｔｄ）の演算を行って、その演算結果を示す温度差ΔＴを示す信号を出力する。そして、そりＸがそり設定値Ｘｔになるよう、変化させる温度Ｔｃを求める温度制御量演算部１３Ｇは、比例定数設定部１３Ｅからの比例定数Ｍと前記そり演算・判定部１３Ｄからのそり量差ΔＸと温度差演算部１３Ｆからの温度差ΔＴによって、前述の式に従って、（ΔＴ−Ｍ×ΔＸ）の演算を行い、載置台の温度Ｔｈと基板ｄの温度Ｔｄとの温度差である温度Ｔｃを求める。そして、その温度Ｔｃに従って温度を何度℃上昇させるか、あるいは低下させるか、又はそのままに保持するかの温度指令を、冷却・加熱機構７に与える。この温度指令は、現在与えている温度指令を何度℃変更するかというものである。
【００２９】
冷却・加熱機構７は、例えば各載置台における基板が載置される下面にペルチエ素子のような電気―熱変換素子（図示せず）を備え、電気信号によって温度調整ができるようになっている。図５に示す載置台５の温度調整は、図４に示すように、載置ポジション５ｈ、５ｉ、５ｊ、５ａ、５ｂを含む温度調整領域６で、前記温度制御量Ｔｃに従って行われる。ここで、温度調整領域６に５個の載置台が存在するようにしたのは、載置台５の温度変化の速度と載置台５が温度調整領域６を通過するのに要する時間とを考慮したからであり、載置台５の温度調整の時間遅れがあまり問題にならない場合には、温度調整領域６に１又は２個の載置台が存在するようにしても良い。
【００３０】
このように載置台の温度を調整することによって、載置台５の温度Ｔｈと基板Ｄの温度Ｔｄとの温度差ΔＴの制御が行われ、基板Ｄのそり量が制御される。基板Ｄのそりと温度との関係は、基板Ｄの温度を上昇させると、基板Ｄのそりは凹状になり、また、基板Ｄの温度を下降させると、基板Ｄのそりは凸状になる。つまり、基板Ｄの温度が変化すると、そり量と方向が変化する。
【００３１】
図４に戻って動作を説明すると、硬化光照射装置９の後段に、基板Ｄの温度を室温と同程度にするための温度調整領域１０が備えられている。この温度調整領域１０は、他の一般的な単板の貼り合わせ装置でも備えられているので詳しく説明しない。しかし、電気−熱変換素子などを用いた冷却・加熱機構にあっては、単位温度あたりの冷却時間は加熱時間に比べて２．５倍程度の時間がかかるので、この温度調整領域１０で基板Ｄの温度を、室温程度に、あるいは冷却・加熱機構７のそのときの制御温度よりも幾分低い温度になるように、冷却しておいた方が前記温度差ΔＴを短時間で所定値に調整できる。
【００３２】
そして、基板Ｄは温度調整領域１０に搬送される前に排出されるか、あるいは図示のように載置ポジション５ｈで排出され、図示しない冷却ポジションで自然冷却されて、室温程度まで温度が降下した状態で、検査装置１１で検査される。検査装置１１で求められたそり量Ｘのデータは、前述のように、温度制御装置１３に送られ、前述のような動作が繰り返される。ここで、室温とは、基板Ｄの周囲温度を言い、基板Ｄが部屋の雰囲気内にある場合には部屋の温度であり、また、基板Ｄが装置の囲まれた雰囲気内にある場合には、その雰囲気の温度を指す。
【００３３】
実施例１によれば、前述のように載置台５の温度を制御し、載置台５の温度と基板ｄの温度との温度差を調整し、調整された温度差で重ね合わせ基板ｄのそり量を制御することによって、接着剤硬化後の貼り合せ基板Ｄのそり量を所望の値にすることができる。
【実施例２】
【００３４】
図５ないし図１１によって第２の実施例を説明する。図５、図６、図７は前述したので、説明を省略する。図８は、光ディスク基板のそり量Ｘの制御を説明するためのフローチャートを示す図である。図９は、光ディスク基板のそり変化と時間との関係を示す図である。図１０は、本発明の他の実施例に係る光ディスク貼り合わせ装置２００を示す図である。図１１は、図４又は図１０の光ディスク貼り合わせ装置に用いられる載置台の例を示す図である。以下に記載するステップＳ１〜Ｓ９は、図９のフローチャートにおけるＳ１〜Ｓ９に相当する。
【００３５】
基板の貼り合わせラインを起動するに当たって、先ず、ステップＳ１．基板Ｄのそり目標値であるそり設定値Ｘｔを、温度制御装置１３に入力してそり設定部１３Ｃに設定すると共に、載置台５の初期温度も温度制御部１３Ｈに設定する。この初期温度は、例えば室温に近い実績値が用いられる。
【００３６】
ステップＳ２．この初期温度で冷却・加熱機構７を制御し、載置台５の温度が初期温度で安定したら、図１０に示すような基板の貼り合わせラインを起動する。この待機時間は、例えば１０−３０秒程度である。待機時間の経過後、実施例１で述べたように、スピンナ装置１で重ね合わされた基板ｄは、左右に旋回動作を行う単一の移載アーム１５に吸着保持されて、スピンナ装置１から載置台５に搬送される。基板ｄの温度Ｔｄを測定する必要がある場合には、移載アーム１５に取り付けられている赤外線温度センサのような基板温度測定手段１７によって、基板ｄの搬送の途中で基板ｄの温度Ｔｄを測定する。
【００３７】
載置台５は、例えば図１１に示すような構造になっており、載置台５の内部を流路５Ｙがジグザグに形成され、載置台５をほぼ均一に冷却又は加熱できるようになっている。流路５Ｙには、冷却・加熱機構７の温度調整部（不図示）よって温度が調整された水又は空気のような温調用媒体が通流する。図示しないが、載置台５の下面側にはその温度を測定するための赤外線センサ又は熱電対のような載置台温度測定手段が設けられている。
【００３８】
載置台５上に載置された基板ｄは、載置台５と一緒に単軸ロボットのような搬送機構１５によって硬化光照射装置９まで搬送される。ここで、紫外線のような硬化光が照射されることによって、基板ｄにおける単板間の接着剤は硬化され、基板ｄは貼り合わせ基板Ｄとなる。基板Ｄは、搬送機構１９によって載置台５と一緒に図示位置まで戻され、図示位置で、第２の移載アーム２１によって除電機構２３に移送される。除電機構２３は正負イオンを有するエアを基板Ｄに吹き付け、基板Ｄの帯電電荷を中和すると共に、冷却を行う。この段階で、基板Ｄはほぼ室温になる。その後、基板Ｄは、第３の移載アーム２５によって検査装置１１に搬送される。
【００３９】
ステップＳ３．設定枚数ｎの基板Ｄが検査装置１１によって検査され、順次、図７のゲート部１３ＡのゲートＣ１を通して第１のそり演算部１３Ｂに入力されるが、ｎ枚の基板Ｄのそり量Ｘが測定されるまで、温度制御は前記初期温度で行われる。ここで、温度制御部１３Ｈに初期温度を設定したときに、図示しない信号がそり演算・判定部１３Ｄに送られ、そり演算・判定部１３Ｄはその信号を受けて、ゲート部１３ＡのゲートＣ１を閉じている。このときゲートＣ２は開いている。つまり、ゲートＣ１とＣ２とは逆位相で動作するようになっている。
【００４０】
ステップＳ４．第１のそり演算部１３Ｂは、ゲートＣ１を通して送られてくるｎ枚の基板Ｄのそり量Ｘの平均そり量Ｘａを求める。この平均そり量Ｘａは、予め定めた許容範囲内におけるそり量Ｘの平均値であり、前記許容範囲外のそり量Ｘは無視する。
【００４１】
ステップＳ５．ｎ枚の基板Ｄのそり量Ｘの平均そり量Ｘａはそり演算・判定部１３Ｄに送られ、そり演算・判定部１３Ｄは、平均そり量Ｘａがそり設定値Ｘｔ±αの目標範囲に入っているか、否かについて判定する。αは、例えば、０．１°以下、好ましくは０．０５°以下の値の中から選定される。
【００４２】
ステップＳ６．平均そり量Ｘａがそり設定値Ｘｔ±αの目標範囲に入っていなければ、そり演算・判定部１３Ｄは平均そり量Ｘａとそり設定値Ｘｔとの差であるそり量差ΔＸを温度制御量演算部１３Ｇに送り、温度制御量演算部１３Ｇは、そり量差ΔＸ（又はその補償値ΔＸ’）と、比例定数設定手段１３Ｅに設定されている前記比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）と、入力される載置台５の測定温度Ｔｈと、基板ｄの測定温度Ｔｄとから、前述した式（ΔＴ−Ｍ×ΔＸ又はその補償値ΔＸ’）に従って演算を行い、温度Ｔｃを算出し、温度Ｔｃに相当する信号を温度制御部１３Ｈに送る。
【００４３】
温度Ｔｃは現在の温度制御量、この場合には前記初期温度をどの程度変化させるかを示すものである。温度制御部１３Ｈは、設定されている前記初期温度と温度Ｔｃとを合わせた指令温度で冷却・加熱機構７を制御する。ここで、温度Ｔｃがプラスのときは設定されている前記初期温度を上昇させ、温度Ｔｃがマイナスのときは設定されている前記初期温度を下降させることになる。
【００４４】
ステップＳ７．載置台５の温度が前記指令温度に安定するまで、制御を変更することなく、前記指令温度で載置台５を制御する。そして、前記指令温度で安定すると、再び前述のような制御動作が行われる。
【００４５】
新たに求められた平均そり量Ｘａがそり設定値Ｘｔ±αの目標範囲に入っていなければ、再び、温度制御量演算部１３Ｇは、新たに求められた平均そり量Ｘａとそり設定値Ｘｔとの差であるそり量ΔＸと、比例定数設定部１３Ｅに設定されている前記比例定数Ｍと、入力される載置台５の測定温度Ｔｈと、基板ｄの測定温度Ｔｄとから、前述した式（ΔＴ−Ｍ×ΔＸ又はその補償値ΔＸ’）＝Ｔｃに従って演算を行い、温度Ｔｃを算出し、前記指令温度と温度Ｔｃとを合わせた新たな指令温度で冷却・加熱機構７を制御する。そして、その制御を保持し、載置台が新たな前記指令温度で安定すると、再び前述のような制御動作が行われ、再度、新たな平均そり量Ｘａが算出される。
【００４６】
ステップＳ８．その再び算出された新たな平均そり量Ｘａがそり設定値Ｘｔ±αの目標範囲内（Ｘｔ−α≦Ｘａ≦Ｘｔ＋α）に入っていれば、そり演算・判定部１３Ｄは温度制御量演算部１３Ｇに信号を出力しない。したがって、温度制御量演算部１３Ｇは温度Ｔｃを温度制御部１３Ｈに送出しないから、温度制御部１３Ｈは前記新たな指令温度を保持し、前記新たな平均そり量Ｘａがそり設定値Ｘｔ±αの目標範囲に入っている限り、前記新たな指令温度で冷却・加熱機構７を制御する。
【００４７】
ステップＳ９．また、Ｘｔ−α≦Ｘａ≦Ｘｔ＋αのときには、そり演算・判定部１３Ｄはゲート部１３ＡのゲートＣ１をゲートＣ２に切り換え、ゲートＣ２を閉じ、第２のそり演算部１３ＩはゲートＣ２を通して送られて来るｎ枚の基板Ｄのそり量Ｘを演算して移動平均値Ｘａを求める。ここで移動平均値は、最新のｎ枚の基板のそり量の内、予め決めた許容範囲にあるそり量Ｘの平均値Ｘａを示す。
【００４８】
そのそり量Ｘの平均値Ｘａが、Ｘｔ−α≦Ｘａ≦Ｘｔ＋αのときには、指令温度を変えずに、前の指令温度が維持される。
【００４９】
しかし、最新の移動平均そり量Ｘａがそり設定値Ｘｔ±αの目標範囲に入っていないものとして、そり演算・判定部１３Ｄが判定すると、図８のフローチャートで前記ステップＳ６→Ｓ７→Ｓ３の動作に戻り、更に前記ステップＳ４、Ｓ５以降の動作が行われることになる。
【００５０】
このようにして、載置台５の温度制御が行われ、載置台５の温度Ｔｈと基板ｄの温度Ｔｄとの温度差、つまり温度制御量Ｔｃを求め、載置台５だけの温度を制御して、載置台５と基板ｄとの温度差をＴｃにすることによって、重ね合わせ基板ｄのそり量を制御し、接着剤硬化後における貼り合せ基板Ｄのそり量を所望の値にすることができる。
【００５１】
図９は、図８に示したフローチャートのステップＳ１〜Ｓ９の動作を行うことによって、基板ｄのそり量Ｘが時間の経過と共にそり設定値Ｘｔ±αの目標範囲に入り、設定値Ｘｔに近づく状態を示している。図中のＳ１〜Ｓ９は、図８に示したフローチャートのステップＳ１〜Ｓ９に対応している。図中のステップＳ３とＳ７は待機時間を示し、ステップＳ６の矢印はそり量（チルト角）Ｘが大きくそり設定値Ｘｔ方向に変化することを示している。
【実施例３】
【００５２】
実際の単板の貼り合わせラインでは、貼り合わせ環境に単板が搬入され、貼り合わされるまでに一定以上の時間があり、かつ貼り合わせ環境の温度はほぼ一定（例えば、２５℃）に保たれているので、接着剤を介して重ね合わされた基板ｄの温度は一定であると考えて良い場合が多い。
【００５３】
したがって、この場合には、前記原理式、（Ｔｈ２−Ｔｄ２）＝（Ｔｈ１−Ｔｄ１）−Ｍ（Ｘｔ−Ｘ１）において、基板ｄの温度は、Ｔｄ２＝Ｔｄ１と考えられるから、結局、前記式は、Ｔｈ２＝Ｔｈ１−Ｍ（Ｘｔ−Ｘ１）＝Ｔｈ１−ＭΔＸとなる。この式から、比例定数Ｍを求めたときの載置台の温度Ｔｈ１からＭΔＸを減算するだけで、載置台の温度Ｔｈ２を求めることができる。また、そり量差ΔＸを前述のように補償した補償値ΔＸ’を用いれば、載置台の温度Ｔｈ１からＭΔＸ’を減算するだけで、載置台の温度Ｔｈ２を求めることができる。
【００５４】
前述したように、本発明者は、比例定数Ｍが１５（℃／ｄｅｇ）から４０（℃／ｄｅｇ）の範囲内の数値であることが好ましいことを確認しており、この範囲内の数値の比例定数Ｍを使用すれば、比例定数Ｍを求めたときの載置台の温度Ｔｈ１は既知であるから、実際の貼り合わせラインでは載置台の温度測定、基板の温度測定の双方とも不要となり、基板Ｄのそり量Ｘを測定し、前記式に従って演算するだけで、載置台の温度を何度に制御すれば良いのかが求まる。
【００５５】
この実施例において、例えば、冷却・加熱機構７の冷却能力を２秒／℃とすると共に、比例定数Ｍを２８．５℃／ｄｅｇとし、基板Ｄの測定値Ｘが設定そり量Ｘｔよりも０．２ｄｅｇ小さいとすると、Ｔｈ２＝Ｔｈ１−Ｍ（Ｘｔ−Ｘ１）の式から、Ｔｈ２＝Ｔｈ１−５．７℃となる。したがって、比例定数Ｍを求めたときの温度Ｔｈ１からほぼ６℃低い値にすればよいことが分かる。例えば、温度Ｔｈ１が２６℃であれば、ほぼ２０℃にしてやれば良い。そのときの時間は、図４又は図１０に示した冷却・加熱装置７の冷却能力が２秒／℃であるから、約１２秒程度となり、約１２秒程度の時間が経過した後に載置台の温度がほぼ安定し、貼り合せラインを稼動させることができる。このケースでは、約１２秒の時間が前記待機時間となる。
【００５６】
また、従来は、硬化光照射装置において接着剤層を硬化する際に、接着剤層が硬化する過程で発生する重合熱で載置台の温度が上昇するという問題があったが、図１０、図１１に示す装置でこの実施例３を実現する場合には、硬化光の照射時にも載置台の温度制御を行っているので、載置台の温度上昇を抑制することができ、このことは載置台の温度変化を小さくすると同時に、基板の温度上昇も小さくすることができるという効果がある。
【００５７】
以上の説明では、基板ｄの温度を、Ｔｄ２＝Ｔｄ１と考えたが、同様に載置台の温度Ｔｄも、Ｔｈ２＝Ｔｈ１と考えることができる場合もある。この場合には、前記原理式、（Ｔｈ２−Ｔｄ２）＝（Ｔｈ１−Ｔｄ１）−Ｍ（Ｘｔ−Ｘ１）において、載置台の温度は、Ｔｈ２＝Ｔｈ１と考えられるから、結局、前記式は、Ｔｄ２＝Ｔｄ１＋Ｍ（Ｘｔ−Ｘ１）＝Ｔｄ１＋ＭΔＸとなる。この式から、比例定数Ｍを求めたときの基板の温度Ｔｄ１にＭΔＸをプラスするだけで、基板の温度Ｔｄ２を求めることができる。また、そり量差ΔＸを前述のように補償した補償値ΔＸ’を用いれば、基板の温度Ｔｄ１にＭΔＸ’をプラスするだけで、より好ましい基板の温度Ｔｄ２を求めることができる。
【実施例４】
【００５８】
以上の実施例では、比例定数Ｍが１５（℃／ｄｅｇ）から４０（℃／ｄｅｇ）の範囲、つまり、１５（℃／ｄｅｇ）≦Ｍ≦４０（℃／ｄｅｇ）の範囲にある比例定数から適当に選択して利用する形態で述べたが、実施例１、実施例２で述べたように、図示しない実際の製造ラインにおいては載置台の温度Ｔｈを測定する温度センサ、基板の温度Ｔｄを測定する温度センサを備えて、それらの測定温度データを得ている場合があるので、基板の処理装置に比例定数Ｍを算出する演算装置を備え、そのときの処理条件に適合する比例定数Ｍを求めても良い。
【００５９】
この実施例では、基板の温度Ｔｄと載置台の温度Ｔｈとの温度差ΔＴを求めると共に、硬化光を照射した後の基板Ｄのそり量Ｘを測定する。そして、温度差ΔＴとそり量Ｘとの少なくとも２点以上の組み合わせ（Ｘ、ΔＴ）から求められる直線の傾斜から、比例定数Ｍを求め、各基板毎に随時前記組み合わせ（Ｘ、ΔＴ）を追加し、比例定数Ｍを更新する。例えば、２０個の温度差ΔＴとそり量Ｘとの組み合わせ（Ｘ、ΔＴ）から、前述のようにして直線（前記１次式Ｍ’で示される直線と同様な直線）を求め、その直線の傾斜から比例定数Ｍを求めるとすると、２５番目の温度差ΔＴとそり量Ｘとが求められるとき、６番目の温度差ΔＴ、そり量Ｘから２５番目の温度差ΔＴ、そり量Ｘまでの２０の点から比例定数Ｍを求める。そして、２６番目の温度差ΔＴとそり量Ｘとが求められるとき、７番目の温度差ΔＴ、そり量Ｘから２６番目の温度差ΔＴ、そり量Ｘまでの２０の点から比例定数Ｍを求める。
【００６０】
このように、基板ごとに温度差ΔＴとそり量Ｘとの組み合わせ（Ｘ、ΔＴ）を加味して比例定数Ｍを求めながら、求めた比例定数Ｍを利用し、実施例１と２、あるいは実施例３で説明したように、（ΔＴ−Ｍ×ΔＸ又はその補償値ΔＸ’）の演算を行って温度Ｔｃを求め、Ｔｃ＝Ｔｈ−Ｔｄとなるように、載置台の温度Ｔｈ、基板の温度Ｔｄの双方又はいずれか一方を制御すればよい。
【００６１】
この実施例によれば、各載置台と各基板それぞれの温度測定データと、各基板のそり量測定データとによって、次々と比例定数Ｍを求めながら適した制御温度を求めているので、そのときの種々の条件により適合した比例定数Ｍを１５（℃／ｄｅｇ）≦Ｍ≦４０（℃／ｄｅｇ）の範囲から自動的に選定することができる。
【実施例５】
【００６２】
実施例４では、各載置台と各基板とについて比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）を更新したが、この実施例のように、処理した基板の枚数が設定枚数、例えば、５００枚あるいは１０００枚に達する毎に、設定枚数（例えば、１０枚）の基板の測定温度を抽出し、それらの平均温度Ｔｄ１を求める。同様にして、次ぎの設定枚数（例えば、１０枚）の基板の測定温度を抽出し、それらの平均温度Ｔｄ２を求める。他方では、それらの設定枚数の基板を載置した載置台の測定温度を抽出し、それらの平均温度Ｔｈ１を求める。同様にして、次ぎの設定枚数の基板を載置した載置台の測定温度を抽出し、それらの平均温度Ｔｈ２を求める。
【００６３】
また、基板のそり量に関しては、前記測定温度の抽出対象になった設定枚数の基板のそり量データを抽出し、それらの単純平均、あるいは許容範囲内のそり量の平均を求めて基板のそり量Ｘとする。前述のように、そり量Ｘとそり設定値Ｘｔとの差を示すそり量差ΔＸを求める。あるいは前述のようにして、そり量差ΔＸを補償した値である補償値ΔＸ’を求める。
【００６４】
そして、実施例４で説明したように、前記原理式からそのときの比例定数Ｍを求めてもよい。この実施例では基板の設定枚数ごとに比例定数Ｍを求め、次の設定枚数の比例定数Ｍを求めるまでは、その求めた比例定数Ｍを利用して、各載置台と各基板の双方又はいずれか一方の温度制御を行うので、実施例４と同様に、そのときの種々の条件により適合した比例定数Ｍを１５（℃／ｄｅｇ）≦Ｍ≦４０（℃／ｄｅｇ）の範囲から自動的に選定することができる。
【００６５】
実施例４、実施例５において、実施例３と同様に、基板の温度はほとんど室温と同じであって、室温が一定であれば、基板の温度も一定であるので、基板の温度を測定せずに、載置台の温度のみを測定し、前記温度Ｔｃに従って載置台の温度を制御してもよい。制御を簡略化できる。
【実施例６】
【００６６】
以上の実施例では、比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）を利用して、基板Ｄのそりを目標そり量Ｘｔに近づけ、合致するよう、Ｔｃ＝ΔＴ−Ｍ×（ΔＸ又はΔＸ’）の式に従って、制御する温度Ｔｃを求め、現在の載置台の温度と基板の温度との温度差に、加減する温度差を求めて制御したが、図２及び図３に示した１次式Ｍ’を利用して求めて制御してもよい。
【００６７】
この場合には、１次式Ｍ’は、図２と図３とから明らかなように、Ｔｈ−ＴｄをΔＴとおくと、傾きはＭであるから、ΔＴ＝ＭＸ＋ａの式で示される。ここで、一定値ａは貼り合わされる単板のそり量Ｘ（横軸）がゼロのときにおけるΔＴ（縦軸）の値であり、一定値ａは貼り合わされる単板のそり量Ｘとそりの方向など、２枚の単板のそりの組み合わせによって決まる値である。
【００６８】
マイコン又はマイクロコントローラなどに１次式Ｍ’（ΔＴ＝ＭＸ＋ａ）を入力しておくことによって、あるいは種々の条件に対応して予め決められた一定値ａ１、ａ２、ａ３、・・・・ａｎを有する複数の１次式Ｍ’を入力しておき、条件によっていずれかを選択する。そして、目標とするそり設定値Ｘｔを前記１次式Ｍ’に入力することで、自動的に載置台と基板との求める温度差ΔＴが求まり、載置台と基板との温度差がΔＴになるように、載置台と基板との一方又は双方を制御すればよい。
【００６９】
この実施例では、成形、スパッタ技術のバラツキや周囲温度の変化などの因子によって、単板のそり量にバラツキが生じて基板のそり量が変化しても、常に最適な１次式Ｍ’を用いて制御を行うことができる。例えば、基板のそり量Ｘをそり設定値Ｘｔにするために、
前記１次式Ｍ’から、ΔＴ１＝Ｍ・Ｘｔ＋ａ１・・・（１）で制御して、そり量Ｘをそり設定値Ｘｔにして一定で制御していたときに、何らかの原因でそり量Ｘが設定範囲から外れてきた場合（前記１次式Ｍ’の傾きは変わらずに、切片ａが変わっている。）、図示しないそり量判定手段が信号を出力することによって、次のような操作が行われる。
【００７０】
先ず、現在の基板の測定されたそり量Ｘを前記１次式Ｍ’に代入して、現在の載置台の温度と基板の温度との温度差ΔＴ２｛＝Ｍ・Ｘ＋ａ２・・・（２）｝を算出する。ここで、載置台の温度と基板の温度との温度差は一定値で制御されているので、ΔＴ１＝ΔＴ２となり、前記（１）式と（２）式とから、ａ２＝Ｍ・Ｘｔ−Ｍ・Ｘ＋ａ１が得られる。したがって、（２）式の切片ａ１をａ２に変更して制御することで、そり量Ｘを調整することができる。
【００７１】
以上述べた実施例では、載置台の温度だけを制御したが、基板の温度だけを制御、あるいは載置台と基板との双方を温度制御しても、本発明を実施することが可能であり、前述と同様に基板のそり量をそり設定値Ｘｔにすることができる。そり量をゼロにすることも勿論できる。
【００７２】
また、以上の実施例では、基板を光ディスク基板として説明したが、基板は薄いガラスシート、合成樹脂シートなどを接着剤を介在させて貼り合わせてなる他の基板につても本発明を同様に実施できる。
【００７３】
各請求項にかかる発明の効果は下記のとおりである。
（１）請求項１の発明によれば、所望のそり量（チルト角）を有する単板の貼り合わせ基板を自動的に得ることができる。
（２）請求項２の発明によれば、基板のそり量Ｘの補償値ΔＸを用い、所望のそり量（チルト角）を有する単板の貼り合わせ基板をよりスムーズに、かつ短時間で自動的に得ることができる。
（３）請求項３の発明によれば、基板の温度を測定することなく、所望のそり量（チルト角）を呈する単板の貼り合わせ基板を簡単、かつ自動的に得ることができる。
（４）請求項４の発明によれば、基板のそり量Ｘの補償値ΔＸを用い、基板の温度をほぼ一定とすることによって基板の温度を測定することなく、所望のそり量（チルト角）を呈する単板の貼り合わせ基板をスムーズに、かつ短時間で自動的に得ることができる。
（５）請求項５の発明によれば、載置台の温度をほぼ一定とし、載置台の温度を測定することなく、所望のそり量（チルト角）を呈する単板の貼り合わせ基板を簡単、かつ自動的に得ることができる。
（６）請求項６の発明によれば、基板のそり量Ｘの補償値ΔＸを用い、かつ基板の温度をほぼ一定とすることによって、簡単、かつスムーズに所望のそり量（チルト角）を呈する単板の貼り合わせ基板を自動的に得ることができる。
（７）請求項７の発明によれば、前もって本発明の知見とも言える比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）を求めておくことにより、実際の貼り合わせ工程において、所望のそり量（チルト角）を有する単板の貼り合わせ基板をより簡単に、かつ自動的に得ることができる。
（８）請求項８の発明によれば、前もって本発明の知見とも言える比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）を求めておかなくとも、貼り合わせ時の条件に適した前記比例定数Ｍを得ながら、所望のそり量（チルト角）を有する単板の貼り合わせ基板を自動的に得ることができる。
（９）請求項９の発明によれば、比例定数Ｍの好ましい範囲を特定しており、比例定数Ｍを選択して用いることができる。
（１０）請求項１０の発明によれば、ＰＩＤ制御によって基板のそり量Ｘを補償できるので、より好ましい基板のそり調整が可能になる。
（１１）請求項１１の発明によれば、ｎ枚の基板のそり量の平均そり量を求め、平均そり量で温度を算出し、この温度Ｔｃで載置台の温度制御を行っているので、そりのバラツキの影響を低減でき、安定した温度制御ができる。
（１２）請求項１２の発明によれば、大きなノイズをカットしているので、より一層、そりのバラツキの影響を低減でき、安定した温度制御ができる。
（１３）請求項１３の発明によれば、載置台の温度を設定範囲内に容易に維持することができる。
（１４）請求項１４の発明によれば、最新のそり量データの平均で、安定に載置台の温度制御を行うことができる。
（１５）請求項１５の発明によれば、基板の平均そり量Ｘａが設定範囲内に無い場合に、ハンチングせずに短時間で設定範囲内に戻すことができる。
（１６）請求項１６の発明によれば、所定の１次式に目標とするそり設定値Ｘｔを代入するだけで載置台と基板との温度差ΔＴを求めることができ、温度制御を簡単なものにすることができる。
（１７）請求項１７の発明によれば、所望のそり量（チルト角）の貼り合わせ基板を自動的に得ることができる基板の処理装置を提供できる。
（１８）請求項１８の発明によれば、所望のそり量（チルト角）の貼り合わせ基板をより短時間、かつスムーズに得ることができる基板の自動処理装置を提供できる。
（１９）請求項１９の発明によれば、基板の温度を測定することなく、所望のそり量（チルト角）を呈する単板の貼り合わせ基板を簡単、かつ自動的に得ることができる。
（２０）請求項２０の発明によれば、基板のそり量Ｘの補償値ΔＸを用い、基板の温度をほぼ一定ととすることによって基板の温度を測定することなく、所望のそり量（チルト角）を呈する単板の貼り合わせ基板を、スムーズにかつ短時間で自動的に得ることができる。
（２１）請求項２１の発明によれば、載置台の温度をほぼ一定とし、載置台の温度を測定することなく、所望のそり量（チルト角）を呈する単板の貼り合わせ基板を簡単、かつ自動的に得ることができる。
（２２）請求項２２の発明によれば、基板のそり量Ｘの補償値ΔＸを用い、かつ基板の温度をほぼ一定とすることによって、基板の温度を測定することなく、簡単、かつスムーズに所望のそり量（チルト角）を呈する単板の貼り合わせ基板を自動的に得ることができる。
（２３）請求項２３の発明によれば、前もって本発明の知見とも言える比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）を求めておくことにより、実際の貼り合わせ工程において、所望のそり量（チルト角）を有する単板の貼り合わせ基板をより簡単に、かつ自動的に得ることができる。
（２４）請求項２４の発明によれば、前もって本発明の知見とも言える比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）を求めておかなくとも、貼り合わせ時の条件に適した前記比例定数Ｍを得ながら、所望のそり量（チルト角）を有する単板の貼り合わせ基板を自動的に得ることができる。
（２５）請求項２５の発明によれば、比例定数Ｍの好ましい範囲を特定しており、比例定数Ｍを選択して用いることができ、装置の簡略化が図れる。
（２６）請求項２６の発明によれば、ＰＩＤ制御によって基板のそり量Ｘを補償できるので、より好ましい基板のそり調整が可能な装置を提供できる。
（２７）請求項２７の発明によれば、ｎ枚の基板のそり量の平均そり量を求め、平均そり量で温度を算出し、この温度Ｔｃで載置台の温度制御を行っているので、そりのバラツキの影響を低減でき、安定した温度制御ができる。
（２８）請求項２８の発明によれば、より一層、そりのバラツキの影響を低減でき、安定した温度制御ができる。
（２９）請求項２９の発明によれば、載置台の温度を設定範囲内に容易に維持することができる。
（３０）請求項３０の発明によれば、最新のそり量データの平均で、安定に載置台の温度制御を行うことができる。
（３１）請求項３１の発明によれば、基板の平均そり量Ｘａが設定範囲内に無い場合に、ハンチングせずに短時間で設定範囲内に戻すことができる。
（３２）請求項３２の発明によれば、所定の１次式に目標とするそり設定値Ｘｔを代入するだけで載置台と基板との温度差ΔＴを求めることができ、温度制御を簡単なものにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の知見を説明するための図であり、比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）の求め方を示す。
【図２】（基板の載置台温度Ｔｈ−基板温度Ｔｄ）と基板のそり量Ｘとの関係を示す図である。
【図３】本発明の基本的な考え方を説明するための図である。
【図４】本発明の一実施例である光ディスク基板の貼り合わせライン１００の一部分を示す図である。
【図５】基板のそり量を制御する構成の概略を示す図である。
【図６】本発明の実施例に係る温度制御を説明するための図である。
【図７】本発明の実施例に用いられる温度制御装置を説明するための図である。
【図８】本発明の一実施例の動作のフローチャートを示す図である。
【図９】図７のフローチャートと（基板Ｄのそり量Ｘ−時間）との関係を示す図である。
【図１０】本発明の別の一実施例である光ディスク基板の貼り合わせライン２００を示す図である。
【図１１】本発明に用いられる載置台の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００７５】
１・・・スピンナ、
３・・・ターンテーブル、
５・・・載置台、
６・・・温度調整領域、
７・・・冷却・加熱機構、
９・・・硬化光照射装置、
１０・・温度調整領域、
１１・・検査装置、
１３・・温度制御装置、
１５・・第１の移載アーム、
１７・・基板温度測定手段（赤外線温度センサ）、
１９・・搬送機構、
２１・・第２の移載アーム、
２３・・除電機構、
２５・・第３の移載アーム。
【図１】
2005190621.tif 000003
【図２】
2005190621.tif 000004
【図３】
2005190621.tif 000005
【図４】
2005190621.tif 000006
【図５】
2005190621.tif 000007
【図６】
2005190621.tif 000008
【図７】
2005190621.tif 000009
【図８】
2005190621.tif 000010
【図９】
2005190621.tif 000011
【図１０】
2005190621.tif 000012
【図１１】
2005190621.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月5日(2004.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理方法であって、
前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとから、それらの温度差ΔＴを求める段階と、
前記基板のそり量Ｘと目標とするそり量設定値Ｘｔとから、それらのそり量差ΔＸを求める段階と、
前記温度差ΔＴと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（ΔＴ−Ｍ×ΔＸ）の演算を行って温度Ｔｃを求める段階と、
該温度Ｔｃに従って、Ｔｃ＝Ｔｈ−Ｔｄとなるように前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御する段階と、
を備えることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項２】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理方法であって、
前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとから、それらの温度差ΔＴを求める段階と、
前記基板のそり量Ｘと目標とするそり量設定値Ｘｔとから、それらのそり量差ΔＸを求める段階と、
該そり量差ΔＸの変化傾向を含む条件にて前記そり量差ΔＸを補償してなる補償値ΔＸ’を求める段階と、
前記温度差ΔＴと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（ΔＴ−Ｍ×ΔＸ’）の演算を行って温度Ｔｃを求める段階と、
該温度Ｔｃに従って、Ｔｃ＝Ｔｈ−Ｔｄとなるように前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御する段階と、
を備えることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項３】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記載置台を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理方法であって、
前記載置台の温度Ｔｈを求める段階と、
目標とするそり量設定値Ｘｔと前記そり量Ｘとを演算して、そり量差ΔＸを求める段階と、
前記載置台の温度Ｔｈと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（Ｔｈ−Ｍ×ΔＸ）の演算を行って温度Ｔｃを求める段階と、
該温度Ｔｃに従って、前記載置台を温度制御する段階と、
を備えることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項４】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記載置台を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理方法であって、
前記載置台の温度Ｔｈを求める段階と、
目標とするそり量設定値Ｘｔと前記そり量Ｘとを演算して、そり量差ΔＸを求める段階と、
該そり量差ΔＸの変化傾向を含む条件にて前記そり量差ΔＸを補償してなる補償値ΔＸ’を求める段階と、
前記載置台の温度Ｔｈと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（Ｔｈ−Ｍ×ΔＸ’）の演算を行って温度Ｔｃを求める段階と、
該温度Ｔｃに従って、前記載置台を温度制御する段階と、
を備えることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項５】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記基板を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理方法であって、
前記基板の温度Ｔｄを求める段階と、
目標とするそり量設定値Ｘｔと前記そり量Ｘとを演算して、そり量差ΔＸを求める段階と、
前記基板の温度Ｔｄと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（Ｔｄ＋Ｍ×ΔＸ）の演算を行って温度Ｔｃを求める段階と、
該温度Ｔｃに従って、前記基板を温度制御する段階と、
を備えることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項６】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記載置台を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理方法であって、
前記基板の温度Ｔｄを求める段階と、
目標とするそり量設定値Ｘｔと前記そり量Ｘとを演算して、そり量差ΔＸを求める段階と、
該そり量差ΔＸの変化傾向を含む条件にて前記そり量差ΔＸを補償してなる補償値ΔＸ’を求める段階と、
前記基板の温度Ｔｄと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（Ｔｄ＋Ｍ×ΔＸ’）の演算を行って温度Ｔｃを求める段階と、
該温度Ｔｃに従って、前記載置台を温度制御する段階と、
を備えることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか１項において、
前記比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）は、前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとの温度差ΔＴと、硬化光を照射した後の前記基板のそり量Ｘとの複数の組み合わせ（Ｘ、ΔＴ）から求められる直線の傾斜を示す比例定数であり、予め求めておくことを特徴とする基板の処理方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項６のいずれか１項において、
前記比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）は、前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとの温度差ΔＴと、硬化光を照射した後の前記基板のそり量Ｘとの複数の組み合わせ（Ｘ、ΔＴ）から求められる直線の傾斜を示す比例定数であり、随時、前記組み合わせ（Ｘ、ΔＴ）を更新して、前記比例定数Ｍを求めながら、前記基板のそりを調整することを特徴とする基板の処理方法。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれか１項において、
前記比例定数Ｍは、１５〜４０（℃／ｄｅｇ）であることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項１０】
請求項２、請求項４、請求項６のいずれか１項において、
前記そり量差ΔＸをＰＩＤ制御して補償することを特徴とする基板の処理方法。
【請求項１１】
請求項１ないし請求項１０のいずれか１項において、
前記そり量Ｘは、設定枚数ｎの前記基板の平均値を示す平均そり量Ｘａであることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記基板の平均そり量Ｘａは、設定枚数ｎの基板のそり量Ｘのうち、予め決められた許容範囲内にあるそり量を平均化した値であることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項１３】
請求項１１又は請求項１２において、
前記基板の平均そり量Ｘａが、そり設定範囲（Ｘｔ±任意の数値α）内にあるときには、前記載置台又は前記基板の前記温度を変化させずに維持することを特徴とする基板の処理方法。
【請求項１４】
請求項１１又は請求項１２において、
前記基板の平均そり量Ｘａが、そり設定範囲（Ｘｔ±任意の数値α）内にあるときには、設定枚数ｎの前記基板のそり量Ｘの移動平均値（最新のｎ枚の基板の平均値）を求めることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項１５】
請求項１１又は請求項１２において、
前記基板の平均そり量Ｘａが、そり設定範囲（Ｘｔ±任意の数値α）外であるときには、前記載置台又は前記基板の前記温度を算出し、この算出された温度で前記載置台又は前記基板の温度制御を行うと共に、設定枚数ｎの基板のそり量の測定を新たに行い、この測定が終了するまで、前記算出された温度で前記載置台又は前記基板の温度制御を行うことを特徴とする基板の処理方法。
【請求項１６】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理方法であって、
前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとの温度差ΔＴと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数をＭとすると共に、前記基板のそり量Ｘがゼロになるときの前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとの温度差ΔＴをａとし、前記温度差ΔＴと前記そり量Ｘとの関係式（Ｔｈ−Ｔｄ＝Ｍ×Ｘ＋ａ）を求める段階と、
そり量設定値をＸｔとし、（Ｔｈ−Ｔｄ＝Ｍ×Ｘｔ＋ａ）となるように前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御する段階と、
を備えることを特徴とする基板の処理方法。
【請求項１７】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理装置であって、
前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとから、それらの温度差ΔＴを求める手段と、
前記基板のそり量Ｘと目標とするそり量設定値Ｘｔとから、それらのそり量差ΔＸを求める手段と、
前記温度差ΔＴと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（ΔＴ−Ｍ×ΔＸ）の演算を行って温度Ｔｃを求める手段と、
該温度Ｔｃに従って、Ｔｃ＝Ｔｈ−Ｔｄとなるように前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御する手段と、
を備えることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項１８】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理装置であって、
前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとから、それらの温度差ΔＴを求める手段と、
前記基板のそり量Ｘと目標とするそり量設定値Ｘｔとから、それらのそり量差ΔＸを求める手段と、
該そり量差ΔＸの変化傾向を含む条件にて前記そり量差ΔＸを補償してなる補償値ΔＸ’を求める補償手段と、
前記温度差ΔＴと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（ΔＴ−Ｍ×ΔＸ’）の演算を行って温度Ｔｃを求める手段と、
該温度Ｔｃに従って、Ｔｃ＝Ｔｈ−Ｔｄとなるように前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御する手段と、
を備えることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項１９】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記載置台を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理装置であって、
前記載置台の温度Ｔｈを求める手段と、
目標とするそり量設定値Ｘｔと前記そり量Ｘとを演算して、そり量差ΔＸを求める手段と、
前記載置台の温度Ｔｈと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（Ｔｈ−Ｍ×ΔＸ）の演算を行って温度Ｔｃを求める手段と、
該温度Ｔｃに従って、前記載置台を温度制御する手段と、
を備えることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２０】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記載置台を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理装置であって、
前記載置台の温度Ｔｈを求める手段と、
目標とするそり量設定値Ｘｔと前記そり量Ｘとを演算して、そり量差ΔＸを求める手段と、
該そり量差ΔＸの変化傾向を含む条件にて前記そり量差ΔＸを補償してなる補償値ΔＸ’を求める手段と、
前記載置台の温度Ｔｈと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（Ｔｈ−Ｍ×ΔＸ’）の演算を行って温度Ｔｃを求める手段と、
該温度Ｔｃに従って、前記載置台を温度制御する手段と、
を備えることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２１】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記基板を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理装置であって、
前記基板の温度Ｔｄを求める手段と、
目標とするそり量設定値Ｘｔと前記そり量Ｘとを演算して、そり量差ΔＸを求める手段と、
前記基板の温度Ｔｄと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（Ｔｄ＋Ｍ×ΔＸ）の演算を行って温度Ｔｃを求める手段と、
該温度Ｔｃに従って、前記基板を温度制御する手段と、
を備えることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２２】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記基板を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理装置であって、
前記基板の温度Ｔｄを求める手段と、
目標とするそり量設定値Ｘｔと前記そり量Ｘとを演算して、そり量差ΔＸを求める手段と、
該そり量差ΔＸの変化傾向を含む条件にて前記そり量差ΔＸを補償してなる補償値ΔＸ’を求める手段と、
前記基板の温度Ｔｄと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数Ｍを利用して、（Ｔｄ＋Ｍ×ΔＸ’）の演算を行って温度Ｔｃを求める手段と、
該温度Ｔｃに従って、前記基板を温度制御する手段と、
を備えることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２３】
請求項１７ないし請求項２２のいずれか１項において、
前記比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）は、前記載置台の温度Ｔｈと前記基板その温度Ｔｄとの温度差ΔＴと、硬化光を照射した後の前記基板のそり量Ｘとから求められる直線の傾斜を示す比例定数であり、予め求めておくことを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２４】
請求項１７ないし請求項２２のいずれか１項において、
前記比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）は、前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとの温度差ΔＴと、硬化光を照射した後の前記基板のそり量Ｘとの複数の組み合わせ（Ｘ、ΔＴ）から求められる直線の傾斜を示す比例定数であり、随時、前記組み合わせ（Ｘ、ΔＴ）を更新して、前記比例定数Ｍを求めながら、前記基板のそりを調整することを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２５】
請求項１７ないし請求項２２のいずれか１項において、
前記比例定数Ｍは、１５〜４０（℃／ｄｅｇ）であることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２６】
請求項１８、請求項２０、請求項２２のいずれか１項において、
前記そり量差ΔＸをＰＩＤ制御して補償することを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２７】
請求項１７ないし請求項２６のいずれか１項において、
前記そり量Ｘは、設定枚数ｎの前記基板の平均値を示す平均そり量Ｘａであることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２８】
請求項２７において、
前記基板の平均そり量Ｘａは、設定枚数ｎの基板のそり量Ｘのうち、予め決められた許容範囲内にあるそり量を平均化した値であることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２９】
請求項２７又は請求項２８において、
前記基板の平均そり量Ｘａが、そり設定範囲（Ｘｔ±任意の数値α）内にあるときには、前記載置台又は前記基板の前記温度を変化させずに維持することを特徴とする基板の処理装置。
【請求項３０】
請求項２７又は請求項２８において、
前記基板の平均そり量Ｘａが、そり設定範囲（Ｘｔ±任意の数値α）内にあるときには、設定枚数ｎの前記基板のそり量Ｘの移動平均値（最新のｎ枚の基板の平均値）を求めることを特徴とする基板の処理装置。
【請求項３１】
請求項２７又は請求項２８において、
前記基板の平均そり量Ｘａが、そり設定範囲（Ｘｔ±任意の数値α）外であるときには、前記載置台又は前記基板の前記温度を算出し、この算出された温度で前記載置台又は前記基板の温度制御を行うと共に、設定枚数ｎの基板のそり量の測定を新たに行い、この測定が終了するまで、前記算出された温度で前記載置台又は前記基板の温度制御を行うことを特徴とする基板の処理装置。
【請求項３２】
光硬化型接着剤層を介在させた一対の単板からなる基板を載置台に載置した状態で、硬化光を前記基板に照射し、前記接着層を光硬化させて前記単板同士を貼り合わせる際に、前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御して、前記基板のそり量（チルト角）を制御する基板の処理装置であって、
前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとの温度差ΔＴと前記そり量Ｘとの少なくとも二つ以上の組み合わせの相関関係によって決まる比例定数をＭとすると共に、前記基板のそり量Ｘがゼロになるときの前記載置台の温度Ｔｈと前記基板の温度Ｔｄとの温度差ΔＴをａとし、前記温度差ΔＴと前記そり量Ｘとの関係式（Ｔｈ−Ｔｄ＝Ｍ×Ｘ＋ａ）を求める手段と、
そり量設定値をＸｔとし、（Ｔｈ−Ｔｄ＝Ｍ×Ｘｔ＋ａ）となるように前記基板と前記載置台との少なくとも一方を温度制御する手段と、
を備えることを特徴とする基板の処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図５ないし図１１によって第２の実施例を説明する。図５、図６、図７は前述したので、説明を省略する。図８は、光ディスク基板のそり量Ｘの制御を説明するためのフローチャートを示す図である。図９は、光ディスク基板のそり変化と時間との関係を示す図である。図１０は、本発明の他の実施例に係る光ディスク貼り合わせ装置２００を示す図である。図１１は、図４又は図１０の光ディスク貼り合わせ装置に用いられる載置台の例を示す図である。以下に記載するステップＳ１〜Ｓ９は、図８のフローチャートにおけるＳ１〜Ｓ９に相当する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
この場合には、１次式Ｍ’は、図２と図３とから明らかなように、Ｔｈ−ＴｄをΔＴとおくと、傾きはＭであるから、ΔＴ＝ＭＸ＋ａの式で示される。ここで、一定値ａは貼り合わされる単板のそり量Ｘ（横軸）がゼロのときにおけるΔＴ（縦軸）の値であり、一定値ａは基板Ｄのそり量Ｘとそりの方向など、２枚の単板のそりの組み合わせによって決まる値である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
各請求項にかかる発明の効果は下記のとおりである。
（１）請求項１の発明によれば、所望のそり量（チルト角）を有する単板の貼り合わせ基板を自動的に得ることができる。
（２）請求項２の発明によれば、基板のそり量Ｘの補償値ΔＸを用い、所望のそり量（チルト角）を有する単板の貼り合わせ基板をよりスムーズに、かつ短時間で自動的に得ることができる。
（３）請求項３の発明によれば、基板の温度を測定することなく、所望のそり量（チルト角）を呈する単板の貼り合わせ基板を簡単、かつ自動的に得ることができる。
（４）請求項４の発明によれば、基板のそり量Ｘの補償値ΔＸを用い、基板の温度をほぼ一定とすることによって基板の温度を測定することなく、所望のそり量（チルト角）を呈する単板の貼り合わせ基板をスムーズに、かつ短時間で自動的に得ることができる。
（５）請求項５の発明によれば、載置台の温度をほぼ一定とし、載置台の温度を測定することなく、所望のそり量（チルト角）を呈する単板の貼り合わせ基板を簡単、かつ自動的に得ることができる。
（６）請求項６の発明によれば、基板のそり量Ｘの補償値ΔＸを用い、かつ基板の温度をほぼ一定とすることによって、簡単、かつスムーズに所望のそり量（チルト角）を呈する単板の貼り合わせ基板を自動的に得ることができる。
（７）請求項７の発明によれば、前もって本発明の知見とも言える比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）を求めておくことにより、実際の貼り合わせ工程において、所望のそり量（チルト角）を有する単板の貼り合わせ基板をより簡単に、かつ自動的に得ることができる。
（８）請求項８の発明によれば、前もって本発明の知見とも言える比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）を求めておかなくとも、貼り合わせ時の条件に適した前記比例定数Ｍを得ながら、所望のそり量（チルト角）を有する単板の貼り合わせ基板を自動的に得ることができる。
（９）請求項９の発明によれば、比例定数Ｍの好ましい範囲を特定しており、比例定数Ｍを選択して用いることができる。
（１０）請求項１０の発明によれば、ＰＩＤ制御によって基板のそり量Ｘを補償できるので、より好ましい基板のそり調整が可能になる。
（１１）請求項１１の発明によれば、ｎ枚の基板のそり量の平均そり量を求め、平均そり量で温度を算出し、この温度Ｔｃで載置台の温度制御を行っているので、そりのバラツキの影響を低減でき、安定した温度制御ができる。
（１２）請求項１２の発明によれば、大きなノイズをカットしているので、より一層、そりのバラツキの影響を低減でき、安定した温度制御ができる。
（１３）請求項１３の発明によれば、載置台の温度を設定範囲内に容易に維持することができる。
（１４）請求項１４の発明によれば、最新のそり量データの平均で、安定に載置台の温度制御を行うことができる。
（１５）請求項１５の発明によれば、基板の平均そり量Ｘａが設定範囲内に無い場合に、ハンチングせずに短時間で設定範囲内に戻すことができる。
（１６）請求項１６の発明によれば、所定の１次式に目標とするそり設定値Ｘｔを代入するだけで載置台と基板との温度差ΔＴを求めることができ、温度制御を簡単なものにすることができる。
（１７）請求項１７の発明によれば、所望のそり量（チルト角）の貼り合わせ基板を自動的に得ることができる基板の処理装置を提供できる。
（１８）請求項１８の発明によれば、所望のそり量（チルト角）の貼り合わせ基板をより短時間、かつスムーズに得ることができる基板の自動処理装置を提供できる。
（１９）請求項１９の発明によれば、基板の温度を測定することなく、所望のそり量（チルト角）を呈する単板の貼り合わせ基板を簡単、かつ自動的に得ることができる。
（２０）請求項２０の発明によれば、基板のそり量Ｘの補償値ΔＸを用い、基板の温度をほぼ一定ととすることによって基板の温度を測定することなく、所望のそり量（チルト角）を呈する単板の貼り合わせ基板を、スムーズにかつ短時間で自動的に得ることができる。
（２１）請求項２１の発明によれば、載置台の温度をほぼ一定とし、載置台の温度を測定することなく、所望のそり量（チルト角）を呈する単板の貼り合わせ基板を簡単、かつ自動的に得ることができる。
（２２）請求項２２の発明によれば、基板のそり量Ｘの補償値ΔＸを用い、かつ載置台の温度をほぼ一定とすることによって、載置台の温度を測定することなく、簡単、かつスムーズに所望のそり量（チルト角）を呈する単板の貼り合わせ基板を自動的に得ることができる。
（２３）請求項２３の発明によれば、前もって本発明の知見とも言える比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）を求めておくことにより、実際の貼り合わせ工程において、所望のそり量（チルト角）を有する単板の貼り合わせ基板をより簡単に、かつ自動的に得ることができる。
（２４）請求項２４の発明によれば、前もって本発明の知見とも言える比例定数Ｍ（℃／ｄｅｇ）を求めておかなくとも、貼り合わせ時の条件に適した前記比例定数Ｍを得ながら、所望のそり量（チルト角）を有する単板の貼り合わせ基板を自動的に得ることができる。
（２５）請求項２５の発明によれば、比例定数Ｍの好ましい範囲を特定しており、比例定数Ｍを選択して用いることができ、装置の簡略化が図れる。
（２６）請求項２６の発明によれば、ＰＩＤ制御によって基板のそり量Ｘを補償できるので、より好ましい基板のそり調整が可能な装置を提供できる。
（２７）請求項２７の発明によれば、ｎ枚の基板のそり量の平均そり量を求め、平均そり量で温度を算出し、この温度Ｔｃで載置台の温度制御を行っているので、そりのバラツキの影響を低減でき、安定した温度制御ができる。
（２８）請求項２８の発明によれば、より一層、そりのバラツキの影響を低減でき、安定した温度制御ができる。
（２９）請求項２９の発明によれば、載置台の温度を設定範囲内に容易に維持することができる。
（３０）請求項３０の発明によれば、最新のそり量データの平均で、安定に載置台の温度制御を行うことができる。
（３１）請求項３１の発明によれば、基板の平均そり量Ｘａが設定範囲内に無い場合に、ハンチングせずに短時間で設定範囲内に戻すことができる。
（３２）請求項３２の発明によれば、所定の１次式に目標とするそり設定値Ｘｔを代入するだけで載置台と基板との温度差ΔＴを求めることができ、温度制御を簡単なものにすることができる。