(57)【要約】【課題】  記録した磁界状態に依存して発生する浮遊磁界を要因として発生するエッジシフトを軽減・改善することができ、ＰＬＬ誤差の軽減、ビットエラーレートの改善が可能となる光磁気記録再生方法及び光磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】  光磁気記録媒体３に光ビームを照射すると共に、記録信号に応じて磁界を変調させ情報の記録を行う光磁気記録方法において、記録を行うマークパターンを検出し、エッジシフトのパターン依存性が軽減されるように、各マーク先端での温度分布を変化させることで磁区形成位置を変化させて、記録信号エッジ位置を補正するように記録マーク列情報を記録する。（温度分布の変化はパルス記録のパワー、パルス幅、パルス位相がある。）【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光磁気記録媒体に光ビームを照射すると共に、記録信号に対応した変調磁界を印加することにより情報の記録を行う、磁界変調記録型の光磁気記録再生方法において、
磁壁位置形成部位の記録時の温度上昇を変化させることにより磁壁形成位置を変化させて、記録マーク列を形成し情報の記録を行うことを特徴とする光磁気記録再生方法。
【請求項２】
前記温度上昇の変化が、前記磁壁位置形成部位における記録パワーを変化させることにより行われることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録再生方法。
【請求項３】
前記光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、前記温度上昇の変化が、前記磁壁位置形成部位における記録パルス幅を変化させることにより行われることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録再生方法。
【請求項４】
前記光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、前記温度上昇の変化が、前記磁壁位置形成部位における記録パルス位相を変化させることにより行われることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録再生方法。
【請求項５】
前記光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、前記温度上昇の変化が、前記磁壁位置形成部位における記録パルス幅を変化させることにより行われ、かつ、前記磁壁位置形成部位における記録パワーを変化させることにより行われることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録再生方法。
【請求項６】
前記光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、前記温度上昇の変化が、前記磁壁位置形成部位における記録パルス位相を変化させることにより行われ、かつ、前記磁壁位置形成部位における記録パワーを変化させることにより行われることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録再生方法。
【請求項７】
前記光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、前記温度上昇の変化が、前記磁壁位置形成部位における記録パルス幅を変化させることにより行われ、かつ、前記磁壁位置形成部位における記録パルス位相を変化させることにより行われることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録再生方法。
【請求項８】
前記光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、前記温度上昇の変化が、前記磁壁位置形成部位における記録パルス幅を変化させることにより行われ、かつ、前記磁壁位置形成部位における記録パルス位相を変化させることにより行われ、かつ、前記磁壁位置形成部位における記録パワーを変化させることにより行われることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録再生方法。
【請求項９】
光磁気記録媒体に光ビームを照射すると共に、記録信号に対応した変調磁界を印加することにより情報の記録を行う、磁界変調記録型の光磁気記録再生装置において、
磁壁位置形成部位の記録時の温度上昇を変化させる手段を具備し、該温度上昇を変化させる手段により、磁壁形成位置を変化させ、記録マーク列を形成し情報の記録を行うことを特徴とする光磁気記録再生装置。
【請求項１０】
前記温度上昇を変化させる手段が、前記磁壁位置形成部位における記録パワーを変化させる手段により行われることを特徴とする請求項９に記載の光磁気記録再生装置。
【請求項１１】
前記光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、前記温度上昇を変化させる手段が、前記磁壁位置形成部位における記録パルス幅を変化させる手段により行われることを特徴とする請求項９に記載の光磁気記録再生装置。
【請求項１２】
前記光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、前記温度上昇を変化させる手段が、前記磁壁位置形成部位における記録パルス位相を変化させる手段により行われることを特徴とする請求項９に記載の光磁気記録再生装置。
【請求項１３】
前記光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、前記温度上昇を変化させる手段が、前記磁壁位置形成部位における記録パルス幅を変化させる手段により行われ、かつ、前記磁壁位置形成部位における記録パワーを変化させる手段により行われることを特徴とする請求項９に記載の光磁気記録再生装置。
【請求項１４】
前記光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、前記温度上昇を変化させる手段が、前記磁壁位置形成部位における記録パルス位相を変化させる手段により行われ、かつ、前記磁壁位置形成部位における記録パワーを変化させる手段により行われることを特徴とする請求項９に記載の光磁気記録再生装置。
【請求項１５】
前記光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、前記温度上昇を変化させる手段が、前記磁壁位置形成部位における記録パルス幅を変化させる手段により行われ、かつ、前記磁壁位置形成部位における記録パルス位相を変化させる手段により行われることを特徴とする請求項９に記載の光磁気記録再生装置。
【請求項１６】
前記光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、前記温度上昇を変化させる手段が、前記磁壁位置形成部位における記録パルス幅を変化させる手段により行われ、かつ、前記磁壁位置形成部位における記録パルス位相を変化させる手段により行われ、かつ、前記磁壁位置形成部位における記録パワーを変化させる手段により行われることを特徴とする請求項９に記載の光磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光磁気効果を利用して情報を記録再生する光磁気記録再生方法及び装置に関し、特に光学系回折限界以下の微小マークの記録再生を可能とする光磁気記録再生方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
書き換え可能な高密度記録方式として、半導体レーザの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁区を書き込んで情報を記録し、光磁気効果を用いて、この情報を読み出す光磁気記録媒体がある。また近年この光磁気記録媒体の記録密度を更に高めて大容量の記録媒体とする要求が高まっている。光磁気記録媒体等の光ディスクの線記録密度は、再生光学系のレーザ波長および、対物レンズの開口数に大きく依存する。すなわち、再生光学系のレーザ波長λと対物レンズの開口数NAが決まるとビームウエストの径が決まるため、記録マーク再生時の空間周波数は2NA/λ程度が検出可能な限界となってしまう。したがって、従来の光ディスクで高密度化を実現するためには、再生光学系のレーザ波長を短くし、対物レンズのNAを大きくする必要がある。しかしながら、レーザ波長や対物レンズの開口数の改善にも限度がある。このため、記録媒体の構成や読み取り方法を工夫し、記録密度を改善する技術が開発されている。例えば、磁気的に結合される再生層と記録層とを有してなる多層膜の、記録層に信号記録を行うとともに、加熱用光ビームの照射による温度勾配を利用し、記録層の記録データを変化させることなく再生層の記録マークの磁壁を移動させ、再生用光ビームスポットのほぼ全域が同一の磁化になるように再生層を磁化させて、該再生用光ビーム反射光の偏向面の変化を検出し光の回折限界以下の記録マークを再生する信号再生方法、及び装置が提案されている（特許文献１参照。）。この方法によれば再生信号が矩形状になり、再生信号振幅を低下させることなく光学系の回折限界以下の記録マークが再生可能となり、記録密度ならびに転送速度を大幅に向上できる光磁気記録媒体、再生方法が可能となる。
【０００３】
従来における実施例の光磁気記録再生装置の構成を図１５に示す。図中１はガラスあるいはプラスチックを素材とした基板２に、光ビームの照射による温度勾配を利用し、記録層の記録データを変化させることなく再生層の記録マークの磁壁を移動させ、再生スポット内の磁化を拡大し、光ビーム反射光の偏向面の変化を検出し光学系の回折限界以下の記録マークを再生することが可能な光磁気記録媒体３を被着し、さらに保護膜４を形成した光磁気ディスク１である。この光磁気ディスク１はマグネットチャッキング等でスピンドルモータに支持され、回転軸に対して回転自在の構造となっている。５は光磁気ディスク１にレーザ光を照射し、さらに反射光から情報を得る光ヘッドの概略図であり、集光レンズ（ex.NA:0.60）、集光レンズ駆動するアクチュエータ、半導体レーザ(ex.λ:650nm)、ビームスプリッタ、偏光ビームスプリッタ、等から構成されている。半導体レーザから出射されたレーザ光は光学部品群を介して、光磁気ディスク１に照射される。このとき集光レンズはアクチュエータの制御によってフォーカシング方向、及び、トラッキング方向に移動してレーザ光が光磁気記録媒体３上に逐次焦点を結ぶように制御され、かつ、光磁気ディスク上に刻まれた案内溝に沿ってトラッキングする構成になっている。光磁気ディスク１で反射されたレーザ光は光学部品群を介して光磁気記録媒体３の磁化の極性に応じた偏向方向の違いによって、それぞれのセンサに集光され、それらを差動増幅することで光磁気信号を出力する。
【０００４】
コントローラ６は光磁気ディスク１の回転数、及び、記録半径・記録セクタ情報、さらには環境温度等を入力情報として、記録パワー、記録信号等を出力し、ＬＤドライバ７、磁気ヘッドドライバ８等を制御するものである。
【０００５】
９は記録動作時に光磁気ディスクのレーザ照射部位に変調磁界を印加するための磁気ヘッドであり、光磁気ディスク１をはさみ光ヘッド５と対向して配置されている。記録時、光ヘッド５より記録レーザ光を照射し、これと同時にこの磁気ヘッド９は磁気ヘッドドライバ８により記録信号に対応して極性の異なる磁界を発生するようになっている。また、この磁気ヘッド９は光ヘッド５と連動して光磁気ディスク１の半径方向に移動し、記録時には逐次光磁気記録媒体３のレーザ照射部位に磁界を印加することで情報を記録する構成になっている。
【０００６】
図１６を用いて記録動作に関して説明する。図中、a）は記録信号、b）は記録パワー、c）は変調磁界、d）は記録マーク列、e）は再生信号である。a）に示すような記録信号を記録する場合、記録動作開始とともにレーザパワーは b）に示すように所定の記録パワーを出力し、さらに、記録信号 a）に基づく変調磁界 c）が印加される。ここでは、印加磁界を記録情報に応じて変調させ、かつ、記録パワー b)に示すように、記録ＬＤ光を定常周期でパルス状に変調させる所謂パルス磁界変調記録を採用した場合である。これら動作により記録媒体の冷却過程において記録マーク列 d）が形成される。なお、網掛け部は及び、白抜き部は互いに逆の磁化の向きを持つ磁区を表している。
【０００７】
再生動作に関して、図１７を用いて説明する。ここでは、記録マークの保存を司る記録層１４、磁壁が移動し再生信号に直接寄与する磁壁移動層１５、記録層１４と、磁壁移動層１５との結合状態をスイッチするスイッチング層１６、の３層構造の場合に関して説明する。
【０００８】
a）は磁区再生状態を示す模式図、b）は記録膜の状態図、c）は媒体の温度状態図、d）は再生信号を示している。再生時、a）に示すように光ビーム照射により磁壁移動媒体の再生層の磁壁が移動するTs温度条件まで加熱される。b）に示すスイッチング層１６はTsより低い温度領域では交換結合により、記録層１４と、磁壁移動層１５と結合した状態となっている。媒体が光ビームの照射によりTs温度以上に加熱されると、スイッチング層１６はキュリー点に達し、磁壁移動層１５と、記録層１４との結合が切れた状態となる。このため、このTs温度領域に記録マークの磁壁が到達すると同時に、磁壁移動層１５の磁壁は磁壁移動層１５の温度勾配に対してエネルギー的に磁壁が安定して存在する位置、すなわち光ビーム照射による温度上昇の線密度方向の最高温度点にランドを横切るように磁壁が瞬時に移動する。これにより、再生光ビームに覆われる領域の大部分の磁化状態が同じになるため、通常の光ビーム再生原理においては、再生不可能な微小な記録マークであっても、図中示すような矩形に近い状態の再生信号を得ることができる。
【０００９】
したがって、図１６ ｄ）に示すような記録マーク列を光ビームで再生することにより再生信号 e）が得られる。この方法によれば、光ビームに覆われる磁化状態は大部分が同じになるため、図中 e）示すように再生信号が矩形に近い状態になり、再生信号振幅をほとんど低下させることなく光学系回折限界以下の記録マークの再生が可能となり、記録密度ならびに転送速度を大幅に向上できる光磁気記録媒体、再生方法が可能となる。
【特許文献１】特開平０６−２９０４９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記従来例によれば以下に示すような問題点が生じる。
【００１１】
光磁気記録に於いて記録時、レーザ光の照射により光磁気記録媒体のレーザ光照射部位の温度はキュリー点（Tc）まで達し磁化が消失する。しかしながら、Tcまで温度が上昇していない周辺部位では磁化が存在し、図１８中（Ｃ）に示すように、磁化を起因とする浮遊磁界が存在する。記録マーク端である磁壁は光ビーム進行方向後端で形成させるが、記録マーク端である磁壁形成時にそれら浮遊磁界は磁壁形成のための外部から磁気ヘッドにより印加される変調磁界に重畳される形で作用する。この浮遊磁界の大きさは、直前に形成された磁壁と次に形成しようとする磁壁との間隔、すなわち、形成しようとする記録マーク長、さらにはその前に位置するマーク長により変化する。したがって、上記説明したように磁壁形成部位に作用する浮遊磁界強度は記録しようとするマーク長、或いはマーク長列によって異なる。
【００１２】
また、磁壁の形成位置は温度と磁界強度との関係において決定される。ここで、レーザ光強度、磁気ヘッドからの印加磁界強度は定常状態に保たれており、記録マーク長、或いは記録マーク長列が異なる場合には重畳される浮遊磁界強度が異なってくるために、磁区形成位置に印加される磁界強度は磁気ヘッドからの磁界強度＋浮遊磁界強度となり、前述したように実質的に磁区形成部に印加される磁界強度は形成する記録マーク長、或いは記録マーク長列により異なる。その結果、磁壁形成位置が記録マーク長により異なる現象が現れる。
【００１３】
図１８を用いさらに説明を加える。図中（Ａ）は記録符号上最長・最短の記録マークを順次形成する場合、（Ｂ）は記録符号上最短・最長の記録マークを順次形成する場合を表している。図中、２１はレーザビーム、２２は光磁気記録媒体の記録層の磁化状態を、矢印２３は磁気ヘッドからの印加磁界の強度・方向を示しており、矢印２４は磁壁形成直前の磁化状態による浮遊磁界強度・方向を示している。矢印２５はさらに前に位置する記録マークからの浮遊磁界強度・方向を示している。ここでは、光磁気記録媒体の特性上、矢印２４の浮遊磁界の向きは磁壁形成時磁気ヘッドからの印加磁界を増加させる方向に印加され、矢印２５の浮遊磁界の向きは磁壁形成時磁気ヘッドからの印加磁界を減少させる方向に印加される。したがって、図中に示すように、（Ａ）、（Ｂ）の場合で磁壁形成部位の矢印２３、２４、２５の印加磁界の和が異なり、（Ｂ）の場合により強い磁界強度が印加される。その結果、磁壁形成位置はある基準位置から見ると（Ａ）の場合ΔＡずれた位置に形成され、（Ｂ）の場合はΔＢずれた位置に形成されて、ΔＡ、ΔＢの関係はΔＡ＜ΔＢなる結果となる。
【００１４】
上記説明した要因により発生したパターン依存性の結果を図１９に示す。図中、横軸はタイムインターバルアナライザにより計測されたＮ番目のマーク長、縦軸はＮ+1番目のマーク長を示しており、1Ｅ+5の計測データがドットでプロットされている。図中示されるグリッドの交点が理想位置である。ここでは、１-7変調符号を採用している。例えば、（N,N+1）が（8T、2T）の場合にタイムインターバル分布がグリッド交点からずれてエッジシフトが発生していることが確認できる。この要因により、同じマーク長を連続記録した場合のジッタ値に比べ、ランダム信号を記録した場合のジッタ値が大きく悪化する問題点が存在する。
【００１５】
さらに言えば、本発明で挙げている磁壁移動型光磁気媒体等のように、光学系分解能の制約を排除できるような飛躍的に線記録密度の向上が可能となる光磁気記録再生方法を採用することで記録マーク長が短くなり、
磁壁形成位置からの一定範囲における磁化状態の変化がより複雑化し、浮遊磁界の変化も複雑化するために記録マーク長によるエッジシフトが複雑化する。
【００１６】
上記要因によるエッジシフト量が、記録線密度が上がりマーク長が短くなることでマーク長に対する比率が従来よりも大きくなり浮遊磁界によるエッジシフト問題が顕在化した。
【００１７】
光学系分解能の制約よる符号間干渉によるエッジシフトの制約が無くなり、浮遊磁界によるエッジシフト問題が顕在化した。
【００１８】
これら、要因も上記問題点の要因となっている。
【００１９】
以上説明したように、記録マーク長が異なるマーク列を記録した場合、それぞれのマーク長が正規のマーク長からずれる所謂エッジシフトが発生し、データ再生におけるＰＬＬの誤差の増加、エラーレートの悪化を招くという問題点が存在する。
【００２０】
即ち、光磁気記録再生に於いて、先行して記録された磁区列の漏洩磁界の影響により正規の磁壁位置とはずれた位置に形成される。これが既記録のマーク長に依存する傾向が確認でき、いわゆるエッジシフトのマーク長依存性が顕在化する。本発明ではこのエッジシフトのマーク長依存性を記録時に補正することを目的とする。
【００２１】
上述の従来の技術の問題点に鑑み、本発明の目的は、記録した磁化状態に依存して発生する浮遊磁界を要因として発生するエッジシフトを軽減・改善することができ、ＰＬＬ誤差の軽減、ビットエラーレートの改善が可能となる光磁気記録再生方法及び光磁気記録再生装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明の光磁気記録再生方法は、
光磁気記録媒体に光ビームを照射すると共に、記録信号に対応した変調磁界を印加することにより情報の記録を行う、磁界変調記録型の光磁気記録再生方法において、磁壁位置形成部位の記録時の温度上昇を変化させることにより磁壁形成位置を変化させて、記録マーク列を形成し情報の記録を行う。
【００２３】
また、温度上昇の変化が、磁壁位置形成部位における記録パワーを変化させることにより行われてもよい。
【００２４】
また、光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、温度上昇の変化が、磁壁位置形成部位における記録パルス幅を変化させることにより行われてもよい。
【００２５】
また、光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、温度上昇の変化が、磁壁位置形成部位における記録パルス位相を変化させることにより行われてもよい。
【００２６】
また、光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、温度上昇の変化が、磁壁位置形成部位における記録パルス幅を変化させることにより行われ、かつ、磁壁位置形成部位における記録パワーを変化させることにより行われてもよい。
【００２７】
また、光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、温度上昇の変化が、磁壁位置形成部位における記録パルス位相を変化させることにより行われ、かつ、磁壁位置形成部位における記録パワーを変化させることにより行われてもよい。
【００２８】
また、光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、温度上昇の変化が、磁壁位置形成部位における記録パルス幅を変化させることにより行われ、かつ、磁壁位置形成部位における記録パルス位相を変化させることにより行われてもよい。
【００２９】
また、光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、温度上昇の変化が、磁壁位置形成部位における記録パルス幅を変化させることにより行われ、かつ、磁壁位置形成部位における記録パルス位相を変化させることにより行われ、かつ、磁壁位置形成部位における記録パワーを変化させることにより行われてもよい。
【００３０】
本発明の光磁気記録再生装置は、
光磁気記録媒体に光ビームを照射すると共に、記録信号に対応した変調磁界を印加することにより情報の記録を行う、磁界変調記録型の光磁気記録再生装置において、磁壁位置形成部位の記録時の温度上昇を変化させる手段を具備し、温度上昇を変化させる手段により、磁壁形成位置を変化させ、記録マーク列を形成し情報の記録を行う。
【００３１】
また、温度上昇を変化させる手段が、磁壁位置形成部位における記録パワーを変化させる手段により行われてもよい。
【００３２】
また、光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、温度上昇を変化させる手段が、磁壁位置形成部位における記録パルス幅を変化させる手段により行われてもよい。
【００３３】
また、光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、温度上昇を変化させる手段が、磁壁位置形成部位における記録パルス位相を変化させる手段により行われてもよい。
【００３４】
また、光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、温度上昇を変化させる手段が、磁壁位置形成部位における記録パルス幅を変化させる手段により行われ、かつ、磁壁位置形成部位における記録パワーを変化させる手段により行われてもよい。
【００３５】
また、光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、温度上昇を変化させる手段が、磁壁位置形成部位における記録パルス位相を変化させる手段により行われ、かつ、磁壁位置形成部位における記録パワーを変化させる手段により行われてもよい。
【００３６】
また、光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、温度上昇を変化させる手段が、磁壁位置形成部位における記録パルス幅を変化させる手段により行われ、かつ、磁壁位置形成部位における記録パルス位相を変化させる手段により行われてもよい。
【００３７】
また、光ビームの照射が、記録信号のチャネルクロックに同期したパルス状の光ビームの照射であり、温度上昇を変化させる手段が、磁壁位置形成部位における記録パルス幅を変化させる手段により行われ、かつ、磁壁位置形成部位における記録パルス位相を変化させる手段により行われ、かつ、磁壁位置形成部位における記録パワーを変化させる手段により行われてもよい。
【発明の効果】
【００３８】
本発明による記録補正を施した磁界変調型の光磁気記録再生方法よれば、記録した磁界状態に依存して発生する浮遊磁界を要因として発生するエッジシフトを軽減することができ、ＰＬＬ誤差の軽減、ビットエラーレートの改善が可能となり、さらには記録磁界強度も低減することが可能となり、より高密度・高速な情報記録装置を提供することが可能となる。また、磁壁移動型の光磁気再生方法が、光学系の分解能の影響を受けることなく、記録されている磁壁位置を忠実に読み出す特徴を持ちえるために、光学系のスポット品位の影響を受けにくい再生方法であり、本発明との組み合わせは、記録するドライブのスポット品位の個体差の影響を受けることなく記録補正を正しく行うことが可能であり、互換性が懸念される記録補正においても、その心配がなく、好適な組み合わせである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
（発明の第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態においては、記録パワー値を変化させることによる記録補正に関して説明する。
【００４０】
本発明の第１の実施の形態の光磁気記録再生装置の構成を図１に示す。図中１はガラスあるいはプラスチックを素材とした基板２に、光ビームの照射による温度勾配を利用し、記録層の記録データを変化させることなく再生層の記録マークの磁壁を移動させ、再生スポット内の磁化を拡大し、光ビーム反射光の偏向面の変化を検出し光学系の回折限界以下の記録マークを再生することが可能な光磁気記録媒体３を被着し、さらに保護膜４を形成した光磁気ディスクである。この光磁気ディスク１はマグネットチャッキング等でスピンドルモータに支持され、回転軸に対して回転自在の構造となっている。５は光磁気ディスク１にレーザ光を照射し、さらに反射光から情報を得る光ヘッドの概略図であり、集光レンズ（ex.NA:0.60）、集光レンズを駆動するアクチュエータ、半導体レーザ(ex.λ:650nm)、ビームスプリッタ、偏光ビームスプリッタ、等から構成されている。半導体レーザから出射されたレーザ光は光学部品群を介して、光磁気ディスク１に照射される。このとき集光レンズはアクチュエータの制御によってフォーカシング方向、及び、トラッキング方向に移動してレーザ光が光磁気記録媒体３上に逐次焦点を結ぶように制御され、かつ、光磁気ディスク上に刻まれた案内溝に沿ってトラッキングする構成になっている。光磁気ディスク１で反射されたレーザ光は光学部品群を介して光磁気記録媒体の磁化の極性に応じた偏向方向の違いによって、それぞれのセンサに集光され、それらを差動増幅することで光磁気信号を出力する。
【００４１】
コントローラ６は光磁気ディスクの回転数、及び、記録半径・記録セクタ情報、さらには環境温度等を入力情報として、記録パワー、記録信号等を出力し、ＬＤドライバ７、磁気ヘッドドライバ８等を制御するものである。
【００４２】
ＬＤドライバ７は記録パワーの補正情報を受けて３値以上の多値レベルでのＬＤパワー変調が可能な構成となっている。また、本実施の形態に於いてはＬＤパルスの変調は変調符号のチャネルクロック１周期に１パルスのＬＤ照射を行うパルス磁界変調に対して説明する。
【００４３】
９は記録動作時に光磁気ディスクのレーザ照射部位に変調磁界を印加するための磁気ヘッドであり、光磁気ディスク１をはさみ光ヘッド５と対向して配置されている。記録時、光ヘッド５より記録レーザ光を照射し、これと同時にこの磁気ヘッド９は磁気ヘッドドライバ８により記録信号に対応して極性の異なる磁界を発生するようになっている。また、この磁気ヘッド９は光ヘッド５と連動して光磁気ディスク１の半径方向に移動し、記録時には逐次光磁気記録媒体３のレーザ照射部位に磁界を印加することで情報を記録する構成になっている。
【００４４】
１０はパターン検出回路１１及びＬＤ変調補正回路１２からなる記録補正回路であり、１１は記録信号の所定パターンを検出するパターン検出回路、１２はパターン検出回路１１の出力を受けて多値の記録パワー補正に対応するＬＤ変調パルス列を生成するＬＤ変調補正回路である。ＬＤ変調補正回路１２の出力列はＬＤドライバ７に入力され、３値以上の多値でＬＤが変調され、記録補正が行われる構成となっている。
【００４５】
パターン検出回路１１は、記録信号列がチャネルクロックＴに対して何Ｔになっているかを検出する回路であり、例えば、1-7変調符号のNRZI信号に於いて連続する“1”レベル、“0”レベルの数をチャネルクロックで逐次計数する構成を取る。
【００４６】
本実施の形態では変調マーク列中存在頻度の高い２Ｔに着目し、２Ｔの記録マーク形成時に記録パワーの補正を行う系に関して以下説明を行う。また、２Ｔにおける補正量は同一とし、補正を行う場合の記録パワー値は１値、すなわち、３値のＬＤ変調により記録補正を行う場合に関して以下説明をする。
【００４７】
図２を用いて、パターン検出回路１１、ＬＤ変調補正回路１２の動作に関して説明する。図中(a)は変調信号のクロック、(b)は変調後の記録パターン列、(c)は、２Ｔ検出信号、(d)は補正後のＬＤ照射パルス列１、(e)は補正後のＬＤ照射パルス列２、(f)は補正後のＬＤ照射パワー列を示している。記録パターン検出回路１１は変調信号のクロック(a)、変調後の記録パターン列(b)から、２Ｔの記録パターンを検出する。このとき２Ｔパターンは記録信号の極性に依らず検出する。すなわち、“１”の連続、“０”の連続に依らず、同極性のビットが２個となる全てを検出する。検出された２Ｔのパターン(c)に基づき、ＬＤ変調補正回路１２は(d)に示す２Ｔに続くパターンの先頭のＬＤ照射パルスを削除したＬＤ照射パルス列１、(e)に示す２Ｔに続くパターンの先頭のみにＬＤ照射を行う、ＬＤ照射パルス列２を生成する。これら、ＬＤ照射パルス列１、２を受けて、(f)に示すようにＬＤが変調され記録媒体に照射される。
【００４８】
図３を用いて記録動作に関して説明する。図中、a）は記録信号、b）は上記ＬＤ変調補正回路１２より出力されＬＤ変調される記録パワーパルス列、c）は変調磁界、d）は記録マーク列、e）は再生信号である。a）に示すような記録信号を記録する場合、記録動作開始とともにレーザパワーは b）に示すように所定の記録パワーを補正信号に対応してパルス状に出力し、a）に基づく変調磁界 c）が印加される。これら動作により記録媒体の冷却過程において記録マーク列 d）が形成される。なお、網掛け部は及び、白抜き部は互いに逆の磁化の向きを持つ磁区を表している。
【００４９】
ここで、記録パワー列 b)は、Pw1、Pw2、0、の３値の記録パワー値をとる。Pw1、0は従来の記録パワー値と同じ値を取り、Pw1、Pw2は、Pw2>Pw1なる関係をとる。
【００５０】
これに関して説明を加える。問題点で前述したように長い記録マークの後端に形成される磁壁は、すでに磁化が確定している部位の浮遊磁界が外部の変調磁界に重畳されてより大きな磁界を受けて形成される。このため、温度分布の、より低温位置で磁壁が形成される結果になる。従って、この長いマークの後端の磁壁がずれマークが短めに形成される。これに対し、次に続く短マーク後端の磁壁は長いマーク形成時よりも小さな浮遊磁界を受けて、より高温位置で磁壁が形成される結果になる。その結果、次に続く短マークが長く形成される。この現象を軽減・改善するために本実施の形態では記録パワーを変化させ対応している。本実施の形態では、結果的に長くなる記録マークに対応する後端の磁壁形成部の記録パワーを高くすることで、この時の磁区が形成される温度領域を広げ変化させることで、磁壁形成位置を所望の位置に形成するように調整・補正することが可能となる。
【００５１】
上記説明した記録パワーの補正をおこなった場合の実験計測結果を図７(a),(b)に示す。図中(a)は、横軸はタイムインターバルアナライザにより計測されたＮ番目のマーク長、縦軸はＮ+1番目のマーク長を示しており、1Ｅ+5の計測データがドットでプロットされている。図中示されるグリッドの交点が理想位置である。ここでは、１-7変調符号を採用しており、問題点で指摘した同一ポイント、（N,N+1）：（8T、2T）を見ると、記録パワーの補正を行わない場合に比べてタイムインターバル分布がグリッド交点を中心に分布しておりエッジシフトが改善していることが確認できる。また、図中(b)はこのときのタイムインターバルのヒストグラムを示すものである。図中、比較のための記録パワーの補正を行わない場合のヒストグラムを併せて示している。この結果からも各マーク長における度数分布のピーク位置がより理想値（各グリッド位置）に近づいていることが確認できる。本例の記録補正により、各マーク長で規格化したジッタ分布の足し合わせのジッタ値σsumが、記録補正を行わない場合のσsum=3.8nsに対して、σsum=3.5nsに改善されたとことが確認できた。
【００５２】
また、図８に記録パワー補正の有無による記録磁界強度依存性の特性差を示す。図中、横軸は記録磁界強度、縦軸は前記各マーク長で規格化したジッタ分布の足し合わせのジッタ値σsum値を変調符号のウィンドウ幅Ｔwで規格化した値である。図中、白抜きプロットは記録補正を行っていないもの、黒塗りマークは記録補償を行ったもの、の記録磁界依存性の特性である。図中示されるようにより低磁界でより優れた特性を示し、改善の効果が大きいことが解る。このように、ボトム特性がよくなることで各種マージンが広がるだけでなく、必要記録磁界の低減につながり、ドライブ消費電力やさらには、変調周波数の上昇に対してもより効果的に作用する。
【００５３】
本実施の形態においては、記録パワーの補正を２Ｔに限定したが、これに限定されるものではない。他の数例を図４、図５、図６を用いて説明する。
【００５４】
図４は２Ｔのみならず、３Ｔ部においても図３と同様に３Ｔに続くマークの先端パルスで記録パワー補正処理を施し、３Ｔマークの後端の磁壁位置に補正を施す場合の記録動作図を示すものである。
【００５５】
図５は、３Ｔマークの後端の磁壁位置に補正を施す場合の記録動作図を示すものであり、a)とは異なるパルス位置で記録パワーの補正をおこなっている。この場合は、２Ｔと３Ｔとの補正量の差を補うものであり、３Ｔマーク後端の磁壁位置の補正を磁壁形成に直接作用するパルスを補正するのではなく、熱蓄積を考慮してプリヒート的に温度を上昇させ、磁壁形成温度分布を補正するものである。そのために、磁区形成部の１パルス前の記録パワーを変化させている。この手法により記録パワーの多値数を増加させることなく、補正量の調整が可能になる。
【００５６】
図６は、２Ｔマークの後端の磁壁位置に補正を施す場合の記録動作図を示すものである。この場合は２Ｔ先頭パルスの記録パワーを増加させるのではなく、減少させる方向に作用させる。これにより、２Ｔ先端の磁壁が補正され２Ｔマークが短く形成される方向で補正が行われる。
【００５７】
以上、数例を説明したが、補正の施し方はこれに限定されるものではない。例えば、全てのマーク長に対して上記手法の補正を施すことも考えられる。どのような補正の施し方を行うかは、記録媒体の特性（パターン依存性）、装置側の仕様（記録密度やクロスライトマージン等）、補正のよる改善効果、ＬＤ多値変調の多値の増加による装置負荷などを考慮して決めればよい。
【００５８】
また、本実施の形態においてはパルス磁界変調を例に取り説明したが、これに限定されるものではなく、ＬＤをＤＣ照射するタイプの磁界変調記録にも同様の考えで磁壁形成位置の補正をすることが可能である。この場合、上述した実施の形態においてPw2なる記録パワーを設定したタイミングと同様に、ＬＤのＤＣ照射途中に凸状にＬＤパワーを高く設定すれば、本実施の形態と同様な改善効果が得られる。
【００５９】
さらに、本発明における記録パワーの設定方法に言及しておく。本発明における記録パワーの設定を図９のフロー図を用いて説明する。まず、記録パワーのテスト動作に際して、Pw1=Pw2に設定する(S0)。この状態において、従来の記録パワーテストと同様に記録パワーPw1を段階的に変化させながら記録を行い(S1)、その後、その記録マーク列を再生し、評価指標（例えば、ジッタ、BER、SAM(Sequenced Amplitude Margin)等）を用いて、この状態での最適記録パワーをPw1として選定する(S2)。その後、Pw2のみを段階的に高く変化させながら同様に記録を行い(S3)、その後、その記録マーク列を再生し、評価パラメータを用いて最適な記録パワーPw2を設定する(S4)。さらに多くの多値記録による補正を行う場合には、補正効果の大きさを予め検証しておき、補正効果の大きな順に上記手法と同様に記録パワーテストを繰り返し、各補正記録パワーを設定すればよい。
【００６０】
（発明の第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態においては記録パルス幅、記録パルス位相を変化させることによる記録補正に関して説明する。
【００６１】
本発明の第２の実施の形態の光磁気記録再生装置の構成を図１０に示す。本発明の第１の実施の形態と重複する部分の説明は割愛する。
【００６２】
ＬＤドライバ７は本実施の形態においては２値のレベルでのＬＤパワー変調が可能な構成となっている。また、本実施の形態に於いてはＬＤパルスの変調は変調符号のチャネルクロック１周期に１パルスのＬＤ照射を行うパルス磁界変調に対して説明する。
【００６３】
１０はパターン検出回路１１及びＬＤパルス補正回路１３からなる記録補正回路であり、１１は記録信号の所定パターンを検出するパターン検出回路、１３はパターン検出回路１１の出力を受けて所定パルスのパルス幅かつまたはパルス位相を変更し、ＬＤ変調パルス列を生成するＬＤパルス補正回路である。ＬＤパルス補正回路１３の出力列はＬＤドライバ７に入力されＬＤが変調され、記録補正が行われる構成となっている。
【００６４】
記録パターン検出回路１１は、記録信号列がチャネルクロックＴに対して何Ｔになっているかを検出する回路であり、例えば、1-7変調符号のNRZI信号に於いて連続する“1”レベル、“0”レベルの数をチャネルクロックで逐次計数する構成を取る。
【００６５】
本実施の形態では変調マーク列中存在頻度の高い２Ｔに着目し、２Ｔの記録マーク形成時にＬＤ照射パルス幅またはパルス位相の補正を行う系に関して以下説明を行う。また、２Ｔにおける補正量は同一量とし、記録補正を行う場合に関して以下説明をする。
【００６６】
図８を用いて、記録パターン検出回路１１、ＬＤ変調補正回路１３の動作に関して説明する。図中、(a)は変調信号のクロック、(b)は変調後の記録パターン列、(c)は２Ｔ検出信号、(d)は補正後のＬＤ照射パルス列、(e)は補正後のＬＤ照射パワー列を示している。記録パターン検出回路１１は変調信号のクロック(a)、変調後の記録パターン列(b)から、２Ｔの記録パターンを検出する。このとき２Ｔパターンは記録信号の極性に依らず検出する。すなわち、“１”の連続、“０”の連続に依らず、同極性のビットが２個となる全てを検出する。検出された２Ｔのパターン(c)に基づき、ＬＤパルス補正回路１２は(d)に示す２Ｔにおける先頭のＬＤ照射パルスのパルス幅並びにパルス位相をそれぞれΔW、δpに変更したＬＤ照射パルス列を生成する。これら、ＬＤ照射パルス列を受けて、(e)に示すようにＬＤが変調され記録媒体に照射される。
【００６７】
図１２を用いて記録動作に関して説明する。図中、a）は記録信号、b）は上記ＬＤパルス補正回路１３により出力されＬＤ変調される記録パワーパルス列、c）は変調磁界、d）は記録マーク列、e）は再生信号である。a）に示すような記録信号を記録する場合、記録動作開始とともにレーザパワーは b）に示すように所定の記録パルス列を補正信号に対応して出力し、a）に基づく変調磁界 c）が印加される。これら動作により記録媒体の冷却過程において記録マーク列 d）が形成される。なお、網掛け部は及び、白抜き部は互いに逆の磁化の向きを持つ磁区を表している。
【００６８】
ここで、補正ＬＤパルスの補正量ΔW(パルス幅)、δp(パルス位相) は、各々単独の補正の場合は、ΔWは正の値、パルス位相は進める(負の値)状態をとるが、両者を組み合わせた場合はこの限りではなく、記録テストにより決定することが望ましい。
【００６９】
これに関して説明を加える。問題点で前述したように長い記録マークの後端に形成される磁壁は、すでに磁化が確定している部位の浮遊磁界が外部の変調磁界に重畳されてより大きな磁界を受けて形成される。このため、温度分布のより低温位置で磁壁が形成される結果になる。従って、この長いマークの後端の磁壁が所望の位置からずれ、マークが短めに形成される。この現象を軽減・改善するために本実施の形態では記録パルス幅ならびにパルス位相を変化させ対応している。磁壁形成部の記録パルス幅並びに記録パルス位相を変化させることで、記録媒体の温度上昇プロファイルを変化させることが可能となり、記録パルス幅、記録パルス位相を調整することで所望の位置に磁壁を形成することが可能となる。
【００７０】
上記説明した記録パルス幅ならびに記録パルス位相の補正をおこなった場合の実験計測結果を図１３(a),(b)に示す。図中(a)は、横軸はタイムインターバルアナライザにより計測されたＮ番目のマーク長、縦軸はＮ+1番目のマーク長を示しており、1Ｅ+5の計測データがドットでプロットされている。図中示されるグリッドの交点が理想位置である。ここでは、１-7変調符号を採用しており、問題点で指摘した同一ポイント、（N,N+1）：（8T、2T）を見ると、記録パルス幅/位相の補正を行わない場合に比べてタイムインターバル分布がグリッド交点を中心に分布しておりエッジシフトが改善していることが確認できる。また、図中(b)はこのときのタイムインターバルのヒストグラムを示すものである。図中、比較のための記録パルス幅/位相の補正を行わない場合のヒストグラムを併せて示している。この結果からも各マーク長における度数分布のピーク位置がより理想値（各グリッド位置）に近づいていることが確認できる。本実施の形態の記録補正により、各マーク長で規格化したジッタ分布の足し合わせのジッタ値σsumが、記録補正を行わない場合のσsum=3.8nsに対して、σsum=3.5nsに改善されたとことが確認できた。
【００７１】
本実施の形態においては、記録パルス幅/位相の補正を２Ｔに限定したが、これに限定されるものではない。第１の実施の形態に於いて説明した、図４、図５、図６と同様の考えに基づきパルス幅、パルス位相を補正することも可能である。さらに、これらに限定されるものではなく全てのマーク長に対して補正を施すことも考えられる。どのような補正の施し方を行うかは、記録媒体の特性（パターン依存性）、装置側の仕様（記録密度やクロスライトマージン等）、補正による改善効果、ＬＤ多値変調の多値の増加による装置負荷などを考慮して決めればよい。
【００７２】
さらに、本発明における記録パワーの設定方法に言及しておく。本発明における記録パワーの設定を図１４のフロー図を用いて説明する。まず、記録パワーのテスト動作に際して、パルス幅およびパルス位相の補正値をゼロに設定する(S0)。この状態において、従来の記録パワーテストと同様に記録パワーPwを段階的に変化させながら記録を行い(S1)、その後、その記録マーク列を再生し、評価指標（例えば、ジッタ、BER、SAM(Sequenced Amplitude Margin)等）を用いて、この状態での最適記録パワーPwを選定する(S2)。その後、パルス幅或いはパルス位相のどちらか一方のみを段階的に変化させながら同様に記録を行い(S3)、その後、その記録マーク列を再生し、評価パラメータを用いて最適な補正値を設定する(S4)。次に(S3)で変化させなかった補正パラメータを変化させながら同様に記録を行い(S5)、その後、その記録マーク列を再生し、評価パラメータを用いてもう一方の補正値の最適値を設定する(S6)。パルス幅、パルス位相の記録テストの順序は事前の検証により、より効果の大きいパラメータを選考して検証すればよい。また、多くのマーク長に対して個別の補正を行う場合には、補正効果の大きさを予め検証しておき、補正効果の大きな順に上記手法と同様に、パルス幅或いはパルス位相のどちらかに対して記録パワーテストを繰り返し、その後、他方のパラメータに対しての記録パワーテストを繰り返し、各補正パルス幅、補正パルス位相を設定すればよい。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の第１の実施の形態の基本構成図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態における記録補正の概略図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態における記録タイミング図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態における他１の記録タイミング図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態における他２の記録タイミング図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態における他３の記録タイミング図である。
【図７】(a)  本発明の第１の実施の形態の結果を示すタイムインターバル分布図である。(b)  本発明の第１の実施の形態の結果を示すタイムインターバルヒストグラムである。
【図８】本発明の第１の実施の形態の結果を記録磁界特性図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態の記録テストを示すフロー図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態の基本構成図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態における記録補正の概略図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態における記録タイミング図である。
【図１３】(a)  本発明の第１の実施の形態の結果を示すタイムインターバル分布図である。(b)  本発明の第１の実施の形態の結果を示すタイムインターバルヒストグラムである。
【図１４】本発明の第１実施例の記録テストを示すフロー図である。
【図１５】本発明の基となる原理を示す概念図である。
【図１６】従来例の基本構成図である。
【図１７】従来例における記録タイミング図である。
【図１８】本発明で用いた磁壁移動型光磁気記録媒体の再生原理図である。
【図１９】従来例におけるタイムインターバル分布図である。
【符号の説明】
【００７４】
１    光磁気ディスク
２    基板
３    光磁気記録媒体
４    保護膜
５    光ヘッド
６    コントローラ
７    ＬＤドライバ
８    磁気ヘッドドライバ
９    磁気ヘッド
１０    記録補正回路
１１    パターン検出回路
１２    ＬＤ変調補正回路
１３    ＬＤパルス補正回路
１４    記録層
１５    磁壁移動層
１６    スイッチング層
２１    レーザビーム
２２    記録層の磁化状態
２３    磁気ヘッドからの印加磁界の強度・方向
２４    磁壁形成直前の磁化状態による浮遊磁界強度・方向
２５    前に位置する記録マークからの浮遊磁界強度・方向
【図１】
2005063521.tif 000003
【図２】
2005063521.tif 000004
【図３】
2005063521.tif 000005
【図４】
2005063521.tif 000006
【図５】
2005063521.tif 000007
【図６】
2005063521.tif 000008
【図７】
2005063521.tif 000009
【図８】
2005063521.tif 000010
【図９】
2005063521.tif 000011
【図１０】
2005063521.tif 000012
【図１１】
2005063521.tif 000013
【図１２】
2005063521.tif 000014
【図１３】
2005063521.tif 000015
【図１４】
2005063521.tif 000016
【図１５】
2005063521.tif 000017
【図１６】
2005063521.tif 000018
【図１７】
2005063521.tif 000019
【図１８】
2005063521.tif 000020
【図１９】
2005063521.tif 000021