(57)【要約】      （修正有）【課題】シンクロトロン用セラミックスダクトのＲＦシールド配線をより簡便・確実に形成させること。【解決手段】単位ダクト０１のストライプ部０５と単位ダクト０２のストライプ部０６との間、並びに単位ダクト０２のストライプ部０６と単位ダクト０２のリング部との間を電気的に短絡させて、形成された一体の配線下地の上に銅電鋳被覆配線とこれらを繋ぐ接続配線を同時に形成させてＲＦシールド配線とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダクト表面に形成された電気的に連絡していないメタライジング部の間に金属細線を渡し、その両端を銅電析物により前記メタライジング部に固着させることにより、全てのメタライジング部とダクト両端部に取り付けられた金属フランジとを電気的に連絡させて一体の導電体とし、前記金属フランジからの通電により、前記メタライジング部に形成される被覆配線と該被覆配線間を繋ぐ接続配線とを同時に銅電鋳で形成することを特徴とする、シンクロトロン用セラミックスダクトのＲＦシールド配線形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅電鋳による被覆・接合ならびにシンクロトロン用セラミックスダクトに関する技術分野に属する。
【背景技術】
【０００２】
シンクロトロン用セラミックダクトのＲＦシールド配線には銅電鋳で形成させる配線、即ち銅電鋳配線を用いることができる。この配線は、従来、図９に示すように、ダクト本体２６の上に銅電鋳被覆配線２１を形成させたのち、これら被覆配線間を繋ぐ接続配線２７を金属細線の電鋳接合により形成させる方法を採用していた（例えば、特願２００２−２４８５０１号、特願２００３−００７８７５号参照のこと）。
【０００３】
しかしながら、ダクト本体は、その材質がアルミナで導電性が無い絶縁体であるため、この方法では、被覆配線を形成する際、金属フランジと連絡していない孤立した被配線部に対して、配線１本毎に端子を押し付けて直接電気接点をとる必要があった。更にこれら接点部にも銅電鋳被覆が必要であることから、被覆配線は、接点位置を変更して少なくとも３回電鋳を行って形成されるものであり、接続配線を形成する際に行う電鋳と合わせて計４回の電鋳作業をＲＦシールド配線形成に要していた。また、前述の接点取りは大変手間が掛かり、かつ接点の接触不良を生じるリスクもはらんでいた。
これが量産時には、品質、作業性の両面で大きな制約条件となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、メタライジング部に直接電気接点をとることからくる従来技術の問題点を解決し、シンクロトロン用ダクトのＲＦシールド配線をより簡便・確実に形成させることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、ダクト表面に形成された電気的に連絡していないメタライジング部の間に金属細線を渡し、その両端を銅電析物により前記メタライジング部に固着させることにより、全てのメタライジング部とダクト両端部に取り付けられた金属フランジとを電気的に連絡させて一体の導電体とし、前記金属フランジからの通電により、前記メタライジング部に形成される被覆配線と該被覆配線間を繋ぐ接続配線とを同時に銅電鋳で形成することを特徴とする、シンクロトロン用セラミックスダクトのＲＦシールド配線形成方法を課題解決手段とする。
【本発明の効果】
【０００６】
本発明の銅電鋳配線形成方法によれば次の効果が得られる。
（１）従来法において４回の電鋳（本体配線３回＋接続配線１回）を要していたのに対し、銅電鋳を１回必要とするだけであり、作業工程が大幅に簡素化される。
【０００７】
（２）金属フランジから通電できるため、複雑で大掛かりな通電治具が不要となり、また、接点の取り付けや取り外しに伴う煩雑な作業がなくなる。
（３）接点不良から生じる電鋳の不具合が回避される。
【０００８】
（４）金属細線（銅線）が従来法よりも下地と一体化して強固に接合され、繋ぎ目も滑らかで、外観的にも優れている。
（５）処理液への浸漬回数、ハンドリング時間、並びに電鋳液への浸漬時間が低減され、これらに起因する製品破損のリスクが大幅に軽減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施形態を説明する。
図１は、供試体としたセラミックスダクトモデルの正面図である。この供試体は、ロウ付けにより接合されたアルミナセラミックス製の単位ダクト（Ｉ）０１、同単位ダクト（II）０２、金属フランジ（Ｉ）０３、金属フランジ（II）０４から成り、各単位ダクト表面の銅電鋳により被覆すべき部分（以下、配線下地と称する）には高融点金属法によるメタライズ処理、ニッケルめっき、並びに青化銅めっきが順次施されている。この配線下地部は金属フランジ（Ｉ）０３と電気的に連絡している単位ダクト（Ｉ）０１のストライプ部０５、電気的に連絡していない単位ダクト（II）０２のストライプ部０６、並びに金属フランジ（II）０４と電気的に連絡している単位ダクト（II）０２のリング部０７から成る。本実施形態においては、単位ダクト（Ｉ）０１のストライプ部０５と単位ダクト（II）０２のストライプ部０６との間、並びに単位ダクト（II）０２のストライプ部０６と単位ダクト（II）０２のリング部０７との間を電気的に連絡させて、形成された一体の配線下地の上に銅電鋳被覆配線とこれらを繋ぐ接続配線とを同時に形成させてＲＦシールド配線とする。以下、これらの各工程を図２から図８に基づいて説明する。
【００１０】
これらの工程は、金属細線として選定した銅線を配線下地間に渡して固着させ、配線下地全体を金属フランジに繋がる一体の導電体とする工程と、銅電鋳工程とに大別される。図２は硫酸銅めっきによりストライプ部配線下地間に銅線を固着させる前者の工程の第１段階を示す。単位ダクト（Ｉ）、（II）のストライプ部配線０５、０６の間に直径０．２
８ｍｍの銅線０９が渡され、その両端が鉛テープ１０で留められている。本発明において、金属細線は導電性が高く塑性に富む銅線を用いることができ、下地との接触性、固着性、形状保持性等がバランスした径のものを用いることが好ましい。金属細線は単位ダクトのロウ付け部で高くなる立体的な形状とする。図２において、銅線０９はプラスチックフィルムを積層したガイド１１に沿った立体形状をしている。鉛テープ１０にはこの後、マスキングを施す。
【００１１】
第２段階ではこの銅線を配線下地に密着させる。このために用いるクリップとその作用を図３で説明する。使用するクリップは図３ａに示す事務用のクリップである。クリップは図３ｂのようにマスキングし絶縁して使用する。クリップの内輪部１２は図３ｃに示すように変形させる。具体的には、図３紙面に対し垂直方向に内輪部１２を引き上げて、内輪部１２と外輪部１３が互いに離隔するよう変形させる。次いで、図３ｄに示すように、内輪部１２を鉛テープ１４等で押えることにより、クリップはバネとして働き、外輪部１３が下地を押し付ける。このとき外輪の先端部に銅線が位置するよう配置すれば、外輪部が銅線を下地に押し付けることになる。
【００１２】
図４は第１段階でセットされた銅線０９をクリップ１５で押し付けている状態を示す。図２に示した鉛テープ１０とクリップ１５の２ヶ所で押えられた銅線１９は、ストライプ部配線下地０５，０６にほぼ隙間なく密着する。続く硫酸銅めっき工程における保護のために、クリップ１５を押えている鉛テープ１４、ビニールテープ１６、クリップ１５近傍の配線下地にはマスキング１７を施している。
【００１３】
次いで、直径０．３５ｍｍの銅線を用いて、以上の工程を図１に示す単位ダクト（II）の配線下地ストライプ部０６とリング部０７との間についても行ったうえで、金属フランジ（Ｉ）０３並びにセラミックスダクトモデルに巻きつけた補助導線から通電して第３段
階の硫酸銅めっきを行った。硫酸銅めっきは約１５０μｍの厚さで施した。硫酸銅めっきの浴組成と処理条件は次のとおりである。
【００１４】
浴組成
硫酸                １３５〜１４５ｇ／ｌ
硫酸銅（５水和物）  １３８〜１４８ｇ／ｌ
塩素イオン          約１５ｐｐｍ
浴温度              ２６℃
通電方法            周期的極性反転
電流密度            ４０ｍＡ／ｃｍ2
通電時間            ５Ｈｒ
めっき後、マスキング、鉛テープ、クリップおよび鉛テープ下部の銅線を除去した状態の外観を図５に示す。この硫酸銅めっきにより、銅線０９は配線下地に固着した架橋細線となり、ＲＦシールド配線を形成すべき全ての部分と両端の金属フランジは一体の導電体となる。
【００１５】
次いで、銅電鋳工程においては、ストライプ部間の接続部（接続部Ａと称する。以下同じ。）についてはこのまま、ストライプ部とリング部との間の接続部（接続部Ｂと称する。以下同じ。）については図６に示すように架橋細線１９の中央部をマスキングして銅電鋳を施した。即ち、接続部Ａは銅電鋳により架橋細線１８の両端に銅を電析させて更に強固に固着・接合させると同時に中央部も銅電析物で被覆するのに対し、ストライプ部とリング部間の接続部Ｂでは架橋細線１９の両端の固着部のみに電析させるものである。
【００１６】
銅電鋳は４８時間行い、平均して厚さ約１ｍｍの電鋳層を形成させた。銅電鋳の浴組成、処理条件は次のとおりである。
浴組成
硫酸                １３５〜１４５ｇ／ｌ
硫酸銅（５水和物）  １３８〜１４８ｇ／ｌ
塩素イオン          約１５ｐｐｍ
浴温度              ２６℃
通電方法            周期的極性反転
電流密度            ３３ｍＡ／ｃｍ2
通電時間            ４８Ｈｒ
銅電鋳後、ガイド１１とマスキング２０を取り除いた後の状態を図７に示す。図７ａは接続部Ａの近傍、図７ｂは接続部Ｂの近傍を示す図である。銅電鋳被覆配線２１と接続配線２２、２３が同時に形成され、接続配線の核となった架橋細線の両端は銅電鋳被覆配線の内部に埋め込まれてこれと一体化している。図７ａでは架橋細線全体が被覆されて厚みが増しているのに対し、図７ｂでは電鋳時にマスキングされていた架橋細線の中央部は硫酸銅めっき後の太さ（約０．５〜０．６５ｍｍ）のままである。
【００１７】
ストライプ部とリング部の接続配線間にコンデンサー２４を組み込み、完成させたセラミックスダクトモデルの外観を図８に示す。
本発明により特願２００３−００７８７５と同様の構成で、より見映えがよいシンクロトロン用セラミックスダクトＲＦシールド配線が簡単・確実に得ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、供試体として用いたセラミックスダクトモデルの正面図である。
【図２】図２は、ストライプ部の配線下地間に銅線を固着させた状態を示す図である。
【図３】図３は、銅線を押えるために用いたクリップであり、ａは使用前のクリップ、ｂはマスキングし絶縁したクリップ、ｃは内輪部を変形させたクリップ、ｄは内輪部を鉛テープで押えてバネ機能を付与したクリップである。
【図４】図４は、クリップで銅線を配線下地に押し付けた状態（硫酸銅めっき前の状態）を示す図である。
【図５】図５は、接続部Ａの電鋳前の状態（銅電析物により銅線を固着した状態）を示す図である。
【図６】図６、接続部Ｂの電鋳前の状態（架橋細線をマスキングした状態）を示す図である。
【図７】図７は、形成された銅電鋳被覆配線と接続配線の外観（接続部近傍）を示す図であり、ａは接続部Ａ、ｂは接続部Ｂを示す。
【図８】図８は、コンデンサーを取り付けて完成したＲＦシールド配線を有するセラミックスダクトモデルの外観を示す図である。
【図９】図９は、従来法によるＲＦシールド配線の形成過程を示す概念図（断面）である。
【符号の説明】
【００１９】
０１  単位ダクト（Ｉ）
０２  単位ダクト（II）
０３  金属フランジ（Ｉ）
０４  金属フランジ（II）
０５  単位ダクト（Ｉ）の配線下地のストライプ部
０６  単位ダクト（II）の配線下地のストライプ部
０７  単位ダクト（II）の配線下地のリング部
０８  単位ダクト間のロウ付け部
０９  銅線
１０  銅線を留めるための鉛テープ
１１  ガイド
１２  クリップの内輪部
１３  クリップの外輪部
１４  クリップを押える鉛テープ
１５  クリップ
１６  ビニールテープ
１７  硫酸銅めっき前のマスキング
１８  接続部Ａの架橋細線
１９  接続部Ｂの架橋細線
２０  接続部Ｂの架橋細線のマスキング部
２１  銅電鋳被覆配線
２２  接続配線Ａ
２３  接続配線Ｂ
２４  コンデンサー
２５  ＲＦシールド配線
２６  ダクト本体
２７  銅電鋳被覆配線後に形成させた接続配線
【図１】
2005174787.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2005174787.tif 000008
【図７】
2005174787.tif 000009
【図８】
2005174787.tif 000010
【図９】
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