(57)【要約】【課題】ピン数を増加することなく複数チャンネルのミューティング動作を独立して制御できるミューティング回路用集積回路を提供すること。【解決手段】ミューティング回路用集積回路は、複数のミュート制御信号生成回路３０−１，３０−２，…、充放電回路２１及び制御回路２２を備えている。各ミュート信号選択合成回路は、時定数制御端子１５に共通接続され、この時定数制御端子１５の電位と中間電位Ｖｂ１，Ｖｂ２，…とを比較し、時定数制御端子の電位に対応する第１の電流Ｉａと中間電位に対応する第２の電流Ｉｂとを選択的に合成してミュート制御信号Ｉout1，Ｉout2，…を生成する。そして、制御回路で、複数のミュート信号選択合成回路による第１の電流と第２の電流との選択的な合成をそれぞれ制御し、且つ充放電回路による時定数制御端子の充放電を制御することを特徴とする。【選択図】      図１
2005295011.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が時定数制御端子に共通接続され、前記時定数制御端子の電位と中間電位とを比較し、前記時定数制御端子の電位に対応する第１の電流と前記中間電位に対応する第２の電流とを選択的に合成してミュート制御信号を生成する複数のミュート制御信号生成回路と、
前記時定数制御端子の充放電を行う充放電回路と、
前記複数のミュート制御信号生成回路による前記第１の電流と前記第２の電流との選択的な合成をそれぞれ制御し、且つ前記充放電回路による前記時定数制御端子の充放電を制御する制御回路とを具備し、
前記中間電位は、第１の基準電位と第２の基準電位の間の電位であり、
前記制御回路は、音声非出力状態には、電流が０のミュート制御信号のレベルを設定し、音声非出力状態から音声出力状態への遷移時には、前記第１，第２の電流のいずれか一方であって、電流が０から増加する方向の電流に基づいてミュート制御信号のレベルを設定し、音声出力状態には前記第１，第２の電流に基づいてミュート制御信号のレベルを設定し、音声出力状態から音声非出力状態への遷移時には、前記第１，第２の電流のいずれか一方であって、電流が０まで減少する方向の電流に基づいてミュート制御信号のレベルを設定し、
且つ前記複数のミュート制御信号生成回路のいずれかにミュート制御開始の信号が送信された時に、前記時定数制御端子の電位を、第1の基準電位から第２の基準電位まで変化させるように前記充放電回路を制御し、前記時定数制御端子の電位が第２の基準電位に達した後に、第２の基準電位から第１の基準電位まで復帰させるように前記充放電回路を制御すること
を特徴とするミューティング回路用集積回路。
【請求項２】
時定数制御端子の電位と中間電位とを比較し、前記時定数制御端子の電位と前記中間電位との電位差に応じて電流を分離する分離回路と、前記分離回路で分離された前記時定数制御端子の電位に対応する第１の電流を選択する第１のスイッチ回路と、前記分離回路で分離された前記中間電位に対応する第２の電流を選択する第２のスイッチ回路と、前記分離回路で分離され、前記第１，第２のスイッチ回路で選択された前記第１，第２の電流を合成してミュート制御信号を生成する合成回路とをそれぞれ備え、各々が前記時定数制御端子に共通接続された複数のミュート制御信号生成回路と、
前記時定数制御端子の充放電を行う充放電回路と、
前記各ミュート制御信号生成回路における前記第１，第２のスイッチ回路のスイッチング状態、及び前記充放電回路による前記時定数制御端子の充放電を制御する制御回路とを具備し、
前記中間電位は、第１の基準電位と第２の基準電位の間の電位であり、
前記制御回路は、音声非出力状態には前記第１，第２のスイッチ回路により電流が０のミュート制御信号のレベルを設定し、音声非出力状態から音声出力状態への遷移時には、前記第１あるいは第２のスイッチ回路により前記第１あるいは第２の電流が０から増加する方向の電流を選択してミュート制御信号のレベルを設定し、音声出力状態には前記第１，第２のスイッチ回路により前記第１，第２の電流を選択して合成することによりミュート制御信号のレベルを設定し、音声出力状態から音声非出力状態への遷移時には前記第１あるいは前記第２のスイッチ回路により前記第１あるいは前記第２の電流が０まで減少する方向の電流を選択してミュート制御信号のレベルを設定し、
且つ前記複数のミュート制御信号生成回路のいずれかにミュート制御開始の信号が送信された時に、前記時定数制御端子の電位を、第1の基準電位から第２の基準電位まで変化させるように前記充放電回路を制御し、前記時定数制御端子の電位が第２の基準電位に達した後に、第２の基準電位から第１の基準電位まで復帰させるように前記充放電回路を制御すること
を特徴とするミューティング回路用集積回路。
【請求項３】
前記分離回路は、第１の電位供給源に接続された第１の電流源と、一端が前記第１の電流源に電気的に結合され、制御端子が前記時定数制御端子に接続され、他端が前記第１のスイッチ回路に接続された第１の電圧−電流変換素子と、一端が前記第１の電流源に電気的に結合され、制御端子に前記中間電位が印加され、他端が前記第２のスイッチ回路に接続された第２の電圧−電流変換素子とを備えること
を特徴とする請求項２に記載のミューティング回路用集積回路。
【請求項４】
各々が時定数制御端子に共通接続され、前記時定数制御端子の電位と中間電位とを比較し、前記時定数制御端子の電位に対応する第１の電流と前記中間電位に対応する第２の電流とを選択的に合成してそれぞれミュート制御信号を生成する複数のミュート制御信号生成回路と、
前記時定数制御端子の充放電を行う充放電回路と、
前記複数のミュート制御信号生成回路による第１の電流と第２の電流との選択的な合成をそれぞれ制御し、且つ前記ミュート信号から遅延ミュート信号を生成し、前記充放電回路による前記時定数制御端子の充放電を制御する制御回路とを具備し、
前記制御回路は、前記ミュート信号が第１の論理レベルで前記遅延ミュート信号が第２の論理レベルのときに、前記第１の電流に基づいてミュート制御信号のレベルを設定し、前記ミュート信号及び前記遅延ミュート信号がともに第１の論理レベルのときに、前記第１，第２の電流に基づいてミュート制御信号のレベルを設定し、前記ミュート信号が第２の論理レベルで前記遅延ミュート信号が第１の論理レベルのときに、前記第２の電流に基づいてミュート制御信号のレベルを設定し、
且つ前記ミュート信号と前記遅延ミュート信号の論理レベルが異なるときに前記充放電回路により前記時定数制御端子を第２の基準電位まで変化させ、第２の基準電位に達した際に、前記遅延ミュート信号の論理レベルを、前記ミュート信号の論理レベルに一致させ、且つ前記充放電回路により前記時定数制御端子を第１の基準電位の状態に復帰、あるいは維持させること
を特徴とするオーディオシステム。
【請求項５】
各々の入力端子が時定数制御端子に共通接続された複数のミュート制御信号生成回路と、
前記時定数制御端子の充放電を行う充放電回路と、
前記各ミュート制御信号生成回路の動作状態、及び前記充放電回路による前記時定数制御端子の充放電を制御する制御回路とを具備し、
前記複数のミュート制御信号生成回路はそれぞれ、前記時定数制御端子の電位と中間電位とを比較し、前記時定数制御端子の電位と前記中間電位との電位差に応じて電流を分離する分離回路と、前記制御回路により制御され、前記分離回路で分離された前記時定数制御端子の電位に対応する第１の電流を選択する第１のスイッチ回路と、前記制御回路により制御され、前記分離回路で分離された前記中間電位に対応する第２の電流を選択する第２のスイッチ回路と、前記分離回路で分離され、前記第１，第２のスイッチ回路で選択された前記第１，第２の電流を合成してミュート制御信号を生成する合成回路とを備え、
前記制御回路は、音声非出力状態には前記第１，第２のスイッチ回路により電流０のミュート制御信号のレベルを設定し、音声非出力状態から音声出力状態への遷移時には、前記第１のスイッチ回路あるいは第２のスイッチ回路のいずれか一方により前記第１あるいは第２の電流のいずれか一方の電流が０レベルから増加する方向の電流を選択してミュート制御信号のレベルを設定し、音声出力状態には前記第１，第２のスイッチ回路により前記第１，第２の電流を選択して合成することによりミュート制御信号のレベルを設定し、音声出力状態から音声非出力状態への遷移時には前前記第１のスイッチ回路あるいは第２のスイッチ回路のいずれか一方により前記第１あるいは第２の電流のいずれか一方の電流が０レベルまで減少する方向の電流を選択してミュート制御信号のレベルを設定し、
且つ前記複数のミュート制御信号生成回路のいずれかにミュート制御開始の信号が送信された時に、前記時定数制御端子の電位を、第1の基準電位から第２の基準電位まで変化させるように前記充放電回路を制御し、前記時定数制御端子の電位が第２の基準電位に達した後に、第２の基準電位から第１の基準電位まで復帰させるように前記充放電回路を制御すること
を特徴とするオーディオシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ミューティング回路用集積回路及びオーディオシステムに関し、例えば、音声ミューティング機能を有するアナログアンプＩＣ等の音声出力ＩＣ中に設けられ、ミューティング回路の一部として働くミューティング回路用集積回路、及びこのミューティング回路用集積回路と音声出力ＩＣに外付けされる時定数回路とにより構成されるミューティング回路を備えたオーディオシステム等に適用されるものである。
【背景技術】
【０００２】
アナログアンプＩＣ等の音声出力信号の電位は、電源のオン／オフ時におけるアナログアンプＩＣのバイアス回路のオンオフによる過渡現象による電位変動によって、激しく変化することが知られている（例えば、特許文献１参照）。この時、出力電位変動がスピーカに発生する事による耳障りな音（いわゆるポップ音あるいはポップノイズ、ここではＰＯＰ音と称する）が発生する。
【０００３】
そこで、従来は上記ポップ音を低減するために、音声出力ＩＣ（例えば、アナログアンプＩＣ等）にミュート制御用の回路と外部端子を設け、数１０ｍＳ程度の時定数回路を外付けしている。
【０００４】
図６は、複数チャンネルの音声出力アンプを内蔵した、アナログアンプＩＣ１００に設けられた従来のミューティング回路を示している。このミューティング回路は、ミュート制御信号生成回路１１０と時定数回路１３０とから構成される。上記ミュート制御信号生成回路１１０は音声ミューティング機能内蔵のアナログアンプＩＣ１００中に集積回路化され、時定数回路１３０はこのアナログアンプＩＣ１００のミュート制御端子１３５に外付けされる。
【０００５】
上記時定数回路１３０は、抵抗素子Ｒ１及びキャパシタＣ１により構成される。抵抗素子Ｒ１の一端はミュート信号ｍ１の入力端子１３１に接続され、他端はキャパシタＣ１の一方の電極及びミュート制御端子１３５に接続される。このキャパシタＣ１の他方の電極は、接地電源ＧＮＤに接続される。そして、上記入力端子１３１に供給されたミュート信号ｍ１に所定の時定数を与え、上記ミュート制御端子１３５に出力する。
【０００６】
また、上記ミュート制御信号生成回路１１０は、電流源１２０、抵抗素子Ｒ２〜Ｒ６、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタ１２１，１２２、及びＮＰＮ型バイポーラトランジスタ１２３，１２４，１２５等を含んで構成されている。上記抵抗素子Ｒ２，Ｒ３の一端は電流源１２０に接続され、これら抵抗素子Ｒ２，Ｒ３の他端にはバイポーラトランジスタ１２１，１２２のエミッタがそれぞれ接続される。上記バイポーラトランジスタ１２１のベースはミュート制御端子１３５に接続され、コレクタは接地電源ＧＮＤに接続される。また、上記バイポーラトランジスタ１２２のベースには基準電位Ｖｂが印加されてバイアスされ、コレクタにはバイポーラトランジスタ１２３のコレクタ及びベースが接続される。このバイポーラトランジスタ１２３のエミッタと接地電源ＧＮＤとの間には、抵抗素子Ｒ４が接続される。上記バイポーラトランジスタ１２３のベースには、バイポーラトランジスタ１２４，１２５，…のベースが共通接続される。これらバイポーラトランジスタ１２４，１２５，…のエミッタと接地電源ＧＮＤとの間には抵抗素子Ｒ５，Ｒ６，…がそれぞれ接続され、コレクタからミュート制御信号（出力電流）Ｉout1，Ｉout2，…を得るようになっている。Ｉout1,Ｉout2,…は、それぞれ、複数の音声出力アンプ１、２、…に与えられるものとする。
【０００７】
図７は、上記図６に示したミューティング回路の動作を示すタイミングチャート図である。まず、ミュート信号ｍ１が“Ｈ”レベル（Highレベル）に遷移する時刻ｔ１より前（ｔ０〜ｔ１）は、ミュート制御端子１３５は“Ｌ”レベル（Lowレベル）である。よって、上記ミュート信号ｍ１の“Ｌ”レベルの電位と基準電位Ｖｂとの電位差に応じた電流Ｉ２，Ｉ３（Ｉ２＋Ｉ３＝Ｉ１）がトランジスタ１２１、１２２のエミッタ，コレクタ間をそれぞれ流れる。この場合ミュート制御端子１３５の電位はＬレベルなので、トランジスタ１２１を介して電流Ｉ１が全て接地電源ＧＮＤに流れ、トランジスタ１２２のコレクタ側には電流は流れない。その結果、ミュート制御信号（出力電流）Ｉout1，Ｉout2，…は出力されない。この状態が、アナログアンプＩＣが音声を出力出来ない、つまりミュートオン状態である。
【０００８】
時刻ｔ１にミュート信号ｍ１が“Ｈ”レベルになると、ミュート制御端子１３５の電位は抵抗素子Ｒ１とキャパシタＣ１とによる所定の時定数を持って図７のように立ち上がる。この電位変化がトランジスタ１２１，１２２によって比較され、トランジスタ１２１のコレクタ電流Ｉ２が減少し、トランジスタ１２２のコレクタ電流Ｉ３が増大する。そして、ミュート制御端子１３５の電位が基準電位Ｖｂよりも低くなると、トランジスタ１２４，１２５，…のコレクタ，エミッタ間を流れる電流が増加し、ミュート制御信号Ｉout1，Ｉout2，…が同時に出力される。この状態が、アナログアンプＩＣが音声を出力出来る状態、つまりミュートオフの状態である。
【０００９】
このＩout1，Ｉout2，…の立ち上がりの遷移（ミュートオンからミュートオフ）が急峻に行われる事になれば、アナログアンプＩＣの音声出力端子の電位変動が、高周波成分を多く含む事になり、耳障りな音、いわゆるＰＯＰ音がスピーカにて発生する。しかし、図６に示した回路の場合、ＩＣに外付けされたＲ１，Ｃ１の持つ時定数によって、Ｉout1，Ｉout2，…の立ちあがりの遷移期間が決定されるために、音声出力端子の電位変動が高周波成分を多く含まない事になり、スピーカにて発生するＰＯＰ音を抑える事が出来るのである。この動作を、ミュートオンからミュートオフに遷移する際のＰＯＰ音制御と呼ぶ事とする。このＰＯＰ音制御の期間は一般的におよそ２０〜４０ｍＳ程度の期間である。
【００１０】
そして、時刻ｔ２にミュート信号ｍ１が“Ｌ”レベルとなると、ミュート制御端子１３５の電位は抵抗素子Ｒ１とキャパシタＣ１とによる時定数を持って低下する。この電位変化がトランジスタ１２１，１２２によって比較され、トランジスタ１２２のコレクタ電流Ｉ３が減少し、トランジスタ１２１のコレクタ電流Ｉ２が増大する。これによって、トランジスタ１２４，１２５，…のコレクタ，エミッタ間を流れる電流が減少し、ミュート制御信号Ｉout1，Ｉout2，…の電流が低下して、再びミュートオンの状態となる。
【００１１】
このＩout1，Ｉout2，…の立ち下がりの遷移（ミュートオフからミュートオン）が急峻に行われる事になれば、アナログアンプＩＣの音声出力端子の電位変動が、高周波成分を多く含む事になり、耳障りな音、いわゆるＰＯＰ音がスピーカにて発生する。しかし、図６に示した回路の場合、ＩＣに外付けされたＲ１，Ｃ１の持つ時定数によって、Ｉout1，Ｉout2，…の立ちあがりの遷移期間が決定されるために、音声出力端子の電位変動が高周波成分を多く含まない事になり、スピーカにて発生するＰＯＰ音を抑える事が出来るのである。この動作を、ミュートオフからミュートオンに遷移する際のＰＯＰ音制御と呼ぶ事とする。このＰＯＰ音制御の期間は一般的におよそ２０〜４０ｍＳ程度の期間である。
【００１２】
しかし、上述したような構成の従来のミューティング回路では、Ｉout1,2…の複数のチャンネルのミューティング動作に関するＰＯＰ音制御を、同時制御であるため、複数のチャンネルを個別に独立してＰＯＰ音制御することが出来ない。即ち、どこか特定のチャンネルだけミュートオフからミュートオンに遷移する際のＰＯＰ音制御を行う事や、あるいは特定のチャンネルだけミューティング動作を行わない、あるいは同一のタイミングで送信されたミュート制御信号により、特定のチャンネルのみミュートオフからミュートオンに遷移する際のＰＯＰ音制御を行い、同時に、特定のチャンネルのみミュートオンからミュートオフに遷移する際のＰＯＰ音制御を行うと言うような個別の制御は不可能である。
【００１３】
従来回路において、各チャンネルのＰＯＰ音を制御したミューティング動作を個別に制御するためには、図６に示したようなミューティング回路をチャンネル数分だけ設け、複数のチャンネル数分だけの独立した時定数回路、すなわち、外付けのＲ１、Ｃ１をチャンネル数分も用意する必要がある。このような構成は、ミュート制御端子の数（ＩＣピン数）を増加させたり、外付けの時定数回路の数を増加させたりする必要があり、ＩＣコストの上昇や、これを使用するオーディオシステムのセットスペースを増大させる事や、外付け部品点数を増大させる事で、ＩＣを使用する顧客満足度の低下を招く。
【特許文献１】特開平７−１４２９３１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
上記のように従来のミューティング回路用集積回路は、複数チャンネルのＰＯＰ音を制御したミューティング動作を独立して制御しようとすると、複数の外付け時定数を設け、複数のミュート制御端子（時定数制御端子）を設けるためのＩＣのピン数が増加するという問題があった。
【００１５】
また、ミューティング回路を備えた従来のオーディオシステムは、複数チャンネルのミューティング動作を独立して制御しようとすると、外付けの部品点数が増加するという問題があった。
【００１６】
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、ピン数を増加することなく複数チャンネルのＰＯＰ音制御したミューティング動作を独立して制御できるミューティング回路用集積回路を提供することを目的とする。
【００１７】
また、外付けの部品数を増加することなく複数チャンネルのＰＯＰ音制御したミューティング動作を独立して制御できるミューティング回路を備えたオーディオシステムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
この発明の一態様によるミューティング回路用集積回路は、各々が時定数制御端子に共通接続され、前記時定数制御端子の電位と中間電位とを比較し、前記時定数制御端子の電位に対応する第１の電流と前記中間電位に対応する第２の電流とを選択的に合成してミュート制御信号を生成する複数のミュート制御信号生成回路と、前記時定数制御端子の充放電を行う充放電回路と、前記複数のミュート制御信号生成回路による前記第１の電流と前記第２の電流との選択的な合成をそれぞれ制御し、且つ前記充放電回路による前記時定数制御端子の充放電を制御する制御回路とを具備し、前記中間電位は、第１の基準電位と第２の基準電位の間の電位であり、前記制御回路は、音声非出力状態には電流０のミュート制御信号のレベルを設定し、音声非出力状態から音声出力状態への遷移時には、前記第１，第２の電流のいずれか一方であって、電流が０から増加する方向の電流に基づいてミュート制御信号のレベルを設定し、音声出力状態には前記第１，第２の電流に基づいてミュート制御信号のレベルを設定し、音声出力状態から音声非出力状態への遷移時には、前記第１，第２の電流のいずれか一方であって、電流が０まで減少する方向の電流に基づいてミュート制御信号のレベルを設定し、且つ前記複数のミュート制御信号生成回路のいずれかにミュート制御開始の信号が送信された時に、前記時定数制御端子の電位を、第1の基準電位から第２の基準電位まで変化させるように前記充放電回路を制御し、前記時定数制御端子の電位が第２の基準電位に達した後に、第２の基準電位から第１の基準電位まで復帰させるように前記充放電回路を制御する。
【００１９】
この発明の一態様によるミューティング回路用集積回路は、時定数制御端子の電位と中間電位とを比較し、前記時定数制御端子の電位と前記中間電位との電位差に応じて電流を分離する分離回路と、前記分離回路で分離された前記時定数制御端子の電位に対応する第１の電流を選択する第１のスイッチ回路と、前記分離回路で分離された前記中間電位に対応する第２の電流を選択する第２のスイッチ回路と、前記分離回路で分離され、前記第１，第２のスイッチ回路で選択された前記第１，第２の電流を合成してミュート制御信号を生成する合成回路とをそれぞれ備え、各々が前記時定数制御端子に共通接続された複数のミュート制御信号生成回路と、前記時定数制御端子の充放電を行う充放電回路と、前記各ミュート制御信号生成回路における前記第１，第２のスイッチ回路のスイッチング状態、及び前記充放電回路による前記時定数制御端子の充放電を制御する制御回路とを具備し、前記中間電位は、第１の基準電位と第２の基準電位の間の電位であり、前記制御回路は、音声非出力状態には前記第１，第２のスイッチ回路により電流が０のミュート制御信号のレベルを設定し、音声非出力状態から音声出力状態への遷移時には、前記第１あるいは第２のスイッチ回路により前記第１あるいは第２の電流が０から増加する方向の電流を選択してミュート制御信号のレベルを設定し、音声出力状態には前記第１，第２のスイッチ回路により前記第１，第２の電流を選択して合成することによりミュート制御信号のレベルを設定し、音声出力状態から音声非出力状態への遷移時には前記第１あるいは前記第２のスイッチ回路により前記第１あるいは前記第２の電流が０まで減少する方向の電流を選択してミュート制御信号のレベルを設定し、且つ前記複数のミュート制御信号生成回路のいずれかにミュート制御開始の信号が送信された時に、前記時定数制御端子の電位を、第１の基準電位から第２の基準電位まで変化させるように前記充放電回路を制御し、前記時定数制御端子の電位が第２の基準電位に達した後に、第２の基準電位から第１の基準電位まで復帰させるように前記充放電回路を制御する。
【００２０】
また、この発明の一態様によるオーディオシステムは、各々が時定数制御端子に共通接続され、前記時定数制御端子の電位と中間電位とを比較し、前記時定数制御端子の電位に対応する第１の電流と前記中間電位に対応する第２の電流とを選択的に合成してそれぞれミュート制御信号を生成する複数のミュート制御信号生成回路と、前記時定数制御端子の充放電を行う充放電回路と、前記複数のミュート制御信号生成回路による第１の電流と第２の電流との選択的な合成をそれぞれ制御し、且つ前記ミュート信号から遅延ミュート信号を生成して前記充放電回路による前記時定数制御端子の充放電を制御する制御回路とを具備し、前記制御回路は、前記ミュート信号が第１の論理レベルで前記遅延ミュート信号が第２の論理レベルのときに、前記第１の電流に基づいてミュート制御信号のレベルを設定し、前記ミュート信号及び前記遅延ミュート信号がともに第１の論理レベルのときに、前記第１，第２の電流に基づいてミュート制御信号のレベルを設定し、前記ミュート信号が第２の論理レベルで前記遅延ミュート信号が第１の論理レベルのときに、前記第２の電流に基づいてミュート制御信号のレベルを設定し、且つ前記ミュート信号と前記遅延ミュート信号の論理レベルが異なるときに前記充放電回路により前記時定数制御端子を第２の基準電位まで変化させ、論理レベルが一致するときに前記充放電回路により前記時定数制御端子を第１の基準電位の状態に復帰、あるいは維持させる。
【００２１】
この発明の一態様によるオーディオシステムは、各々の入力端子が時定数制御端子に共通接続された複数のミュート制御信号生成回路と、前記時定数制御端子の充放電を行う充放電回路と、前記各ミュート制御信号生成回路の動作状態、及び前記充放電回路による前記時定数制御端子の充放電を制御する制御回路とを具備し、前記複数のミュート制御信号生成回路はそれぞれ、前記時定数制御端子の電位と中間電位とを比較し、前記時定数制御端子の電位と前記中間電位との電位差に応じて電流を分離する分離回路と、前記制御回路により制御され、前記分離回路で分離された前記時定数制御端子の電位に対応する第１の電流を選択する第１のスイッチ回路と、前記制御回路により制御され、前記分離回路で分離された前記中間電位に対応する第２の電流を選択する第２のスイッチ回路と、前記分離回路で分離され、前記第１，第２のスイッチ回路で選択された前記第１，第２の電流を合成してミュート制御信号を生成する合成回路とを備え、前記制御回路は、音声非出力状態には前記第１，第２のスイッチ回路により電流０のミュート制御信号のレベルを設定し、音声非出力状態から音声出力状態への遷移時には、前記第１のスイッチ回路あるいは第２のスイッチ回路のいずれか一方により前記第１あるいは第２の電流のいずれか一方の電流が０レベルから増加する方向の電流を選択してミュート制御信号のレベルを設定し、音声出力状態には前記第１，第２のスイッチ回路により前記第１，第２の電流を選択して合成することによりミュート制御信号のレベルを設定し、音声出力状態から音声非出力状態への遷移時には前前記第１のスイッチ回路あるいは第２のスイッチ回路のいずれか一方により前記第１あるいは第２の電流のいずれか一方の電流が０レベルまで減少する方向の電流を選択してミュート制御信号のレベルを設定し、且つ前記複数のミュート制御信号生成回路のいずれかにミュート制御開始の信号が送信された時に、前記時定数制御端子の電位を、第1の基準電位から第２の基準電位まで変化させるように前記充放電回路を制御し、前記時定数制御端子の電位が第２の基準電位に達した後に、第２の基準電位から第１の基準電位まで復帰させるように前記充放電回路を制御する。
【発明の効果】
【００２２】
この発明によれば、ピン数を増加することなく複数チャンネルのＰＯＰ音を制御したミューティング動作を独立して制御できるミューティング回路用集積回路を提供することができる。
【００２３】
外付けの部品数を増加することなく複数チャンネルのミューティング動作を独立して制御できるミューティング回路を備えたオーディオシステムを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、この発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、この説明においては、全図にわたり共通の部分には共通の参照符号を付す。
【００２５】
まず、図１を用いてこの発明の一実施形態に係るミューティング回路用集積回路について概略的に説明する。図１はミューティング回路用集積回路を模式的に示す回路図である。
【００２６】
図１に示すように、時定数制御端子１５に第１のミュート信号生成回路３０−１の入力端子１５−１及び第２のミュート制御信号生成回路３０−２の入力端子１５−２が夫々共通に接続される。さらに、時定数制御端子１５には充放電回路２１が接続される。また、充放電回路２１の充放電、第１及び第２のミュート制御信号生成回路３０−１，３０−２の電流の選択的な合成を制御するように、制御回路２２が設けられる。
【００２７】
上記ミュート制御信号生成回路３０−１、３０−２は、Ｖ−Ｉ変換回路（電圧−電流変換回路）１０−１，１０−２及びミュート信号選択合成回路２０−１，２０−２により構成される。Ｖ−Ｉ変換回路１０−１，１０−２は、時定数制御端子１５に接続された入力端子１５−１，１５−２と中間端子１６−１，１６−２を有する。さらに、入力端子１５−１，１５−２に対応する第１の電流Ｉａ，Ｉｂ及び中間端子１６−１，１６−２に対応する第２の電流Ｉｃ，Ｉｄをミュート信号選択合成回路２０−１，２０−２に出力する。
【００２８】
さらに、ミュート信号選択合成回路２０−１，２０−２は、上記Ｖ−Ｉ変換回路により変換された第１の電流Ｉａ，Ｉｂ及び第２の電流Ｉｃ，Ｉｄを選択的に合成した後、ミュート制御電流Ｉout1，Ｉout2を出力端子２４−１，２４−２に出力する。
【００２９】
次に、図１に示すミューティング回路用集積回路の動作について説明する。以下の説明においては、第１のミュート制御信号生成回路３０−１の動作を例に挙げて説明する。
【００３０】
以下、時定数制御端子１５を介して入力端子１５−１に入力されるミュート信号Ｍ１をミューティング動作させ、第１のミュート制御電流Ｉout1を出力端子２４−１から出力する動作について説明する。ここで、上記ミュート信号Ｍ１により時定数制御端子１５に印加される電位は、“Ｈ”レベルである第１の電位レベルＶ１と、“Ｌ”レベルである第２の電位レベルＶ２を有する。また、上記中間電位Ｖｂ１の電位レベルは、第１の電位レベルＶ１と第２の電位レベルＶ２の半分の大きさの電位レベルである。
【００３１】
さらに、第１のミュート制御電流Ｉout1が“大電流”の時はミュートティング用集積回路が音声出力状態であり、第１のミュート制御電流Ｉout1が“小電流”の時はミュートティング用集積回路が音声非出力状態とする。
【００３２】
まず、ミュート信号Ｍ１の電位レベルが“Ｌ”のままで遷移しない場合の動作について説明する。この場合においては、時定数制御端子１５に印加される電位は、充放電回路２１により第１の電位レベルＶ１に維持されている。上記充放電回路２１は制御回路２２により制御されている。
【００３３】
この場合において、第１のＶ−Ｉ変換回路１０−１により、入力端子１５−１に印加される“Ｈ”である第１の電位レベルＶ１と、“Ｌ”である中間電位Ｖｂ１とが比較され夫々の電位に対応した電流に変換される。つまり、第１の電位レベルＶ１に対応した“大電流”の第１の電流Ｉａ及び中間電位Ｖｂ１に対応した“小電流”の第２の電流Ｉｂが、第１のミュート信号選択合成回路２０−１に出力される。
【００３４】
引き続き、第１のミュート信号選択合成回路２０−１により、上記第１の電流Ｉａ及び第２の電流Ｉｂのうちいずれも選択、及び合成されない。従って、第１の出力端子２４−１には、“小電流”の第１のミュート制御電流Ｉout1が出力される。ここで、上記第１の電流Ｉａ及び第２の電流Ｉｂの選択的な合成は制御回路２２により制御される。
【００３５】
以上のように、この場合においては第１の電流Ｉａ及び第２の電流Ｉｂのいずれも選択、合成されない。従って、この場合における第１のミュート制御電流Ｉout1は“小電流”であり、ミューティング用集積回路は音声非出力状態となる。
【００３６】
次に、ミュート信号Ｍ１の電位レベルが“Ｌ”から“Ｈ”に遷移する際の動作について説明する。
【００３７】
この際、充放電回路２１による放電により、時定数制御端子１５に印加される電位レベルが第１の電位レベルＶ１から第２の電位レベルＶ２に遷移する。即ち、ミューティング用集積回路が音声出力状態から音声非出力状態に遷移する。この際の充放電回路２１による放電は、制御回路２２により制御される。
【００３８】
従って、時定数制御端子１５に印加される電位レベルは“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移する。さらに、第１のＶ−Ｉ変換回路により、入力端子１５−１に印加された第１の電位レベルＶ１と中間電位Ｖｂ１が比較され夫々の電位に対応した電流に変換される。つまり、第１の電位レベルＶ１に対応して第１の電流Ｉａは“大電流”から“小電流”に遷移し、中間電位Ｖｂ１に対応して第２の電流Ｉｂは“小電流”から“大電流”に遷移して、第１のミュート信号選択合成回路２０−１に出力される。
【００３９】
ここで、時定数制御端子１５に印加される電位が、第１の電位レベルＶ１から第２の電位レベルＶ２に完全に遷移した時、即ち、電位レベルが“Ｈ”から“Ｌ”に遷移した時には、充放電回路２１により時定数制御端子の電位レベルが再び“Ｈ”に復帰される。この時、上記充放電回路２１は制御回路２２により制御される。
【００４０】
引き続き、第１のミュート信号選択合成回路２０−１により、上記第１の電流Ｉａ及び第２の電流Ｉｂのうち、第２の電流Ｉｂが選択され、合成される。従って、第１の出力端子２４−１には、第２の電流Ｉｂに基づいて、“小電流”から“大電流”に遷移する第１のミュート制御電流Ｉout1が出力される。ここで、上記第１の電流Ｉａ１の選択的な合成は制御回路２２により制御される。
【００４１】
以上のように、この場合においては第２の電流Ｉｂが選択的に合成され、第１のミュート制御電流Ｉout1が決定される。従って、この場合における第１のミュート制御電流Ｉout1は“小電流”から“大電流”に遷移する。そのため、ミューティング用集積回路は音声非出力状態とから音声出力状態に遷移し、ミューティング動作をする。
【００４２】
次に、ミュート信号Ｍ１の電位レベルが“Ｈ”のままで遷移しない場合の動作について説明する。この場合においても、時定数制御端子１５に印加される電位は、充放電回路２１により第１の電位レベルＶ１に維持されている。
【００４３】
この場合において、第１のＶ−Ｉ変換回路により、入力端子１５−１に印加される“Ｈ”である第１の電位レベルＶ１と“Ｌ”である中間電位Ｖｂ１が比較され夫々の電位に対応した電流に変換される。つまり、第１の電位レベルＶ１に対応した“大電流”の第１の電流Ｉａ及び中間電位Ｖｂに対応した“小電流”の第２の電流Ｉｂが、第１のミュート信号選択合成回路２０−１に出力される。
【００４４】
引き続き、第１のミュート信号選択合成回路２０−１により、上記第１の電流Ｉａ１及び第２の電流Ｉｂ１のうちいずれもが選択され、合成されて出力される。従って、第１の出力端子２４−１には、“大電流”の第１のミュート制御電流Ｉout1が出力される。
【００４５】
以上のように、この場合においては第１の電流Ｉａ及び第２の電流Ｉｂのいずれも選択され、合成される。従って、この場合における第１のミュート制御電流Ｉout1は“大電流”であり、ミューティング用集積回路は音声出力状態となる。
【００４６】
次に、ミュート信号Ｍ１の電位レベルが“Ｈ”から“Ｌ”に遷移する際の動作について説明する。
【００４７】
従って、時定数制御端子１５に印加される電位レベルは“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移する。さらに、第１のＶ−Ｉ変換回路により、入力端子１５−１に印加された第１の電位レベルＶ１と中間電位Ｖｂ１が比較され夫々の電位に対応した電流に変換される。つまり、第１の電位レベルＶ１に対応して第１の電流Ｉａは“大電流”から“小電流”に遷移し、中間電位Ｖｂ１に対応して第２の電流Ｉｂは“小電流”から“大電流”に遷移して、第１のミュート信号選択合成回路２０−１に出力される。
【００４８】
ここで、時定数制御端子１５に印加される電位が、第１の電位レベルＶ１から第２の電位レベルＶ２に完全に遷移した時、即ち、電位レベルが“Ｈ”から“Ｌ”に遷移した時には、充放電回路２１により時定数制御端子の電位レベルが再び“Ｈ”に復帰される。
【００４９】
引き続き、第１のミュート信号選択合成回路２０−１により、上記第１の電流Ｉａ及び第２の電流Ｉｂのうち、第１の電流Ｉａが選択され、合成される。従って、第１の出力端子２４−１には、第１の電流Ｉａに基づいて、“大電流”から“小電流”に遷移する第１のミュート制御電流Ｉout1が出力される。
【００５０】
以上のように、この場合においては第１の電流Ｉａが選択的に合成され、第１のミュート制御電流Ｉout1が決定される。従って、この場合における第１のミュート制御電流Ｉout1は“大電流”から“小電流”に遷移する。そのため、ミューティング用集積回路は音声出力状態とから音声非出力状態に遷移し、ミューティング動作をする。
【００５１】
以上のような動作は、ミュート信号Ｍ２を時定数制御端子１５に入力させた場合についての第２のミュート制御信号生成回路３０−２の動作についても同様である。従って、この実施形態に係るミューティング回路用集積回路は以上のような動作を繰り返す。
【００５２】
上記のように、音声出力状態から音声非出力状態に遷移する際、及び音声非出力状態から音声出力状態に遷移する際の動作において、時定数制御端子１５に印加される電位が、第１の電位レベルＶ１から第２の電位レベルＶ２に完全に遷移した時に、充放電回路２１により時定数制御端子の電位レベルが再びもとの第１の電位レベルＶ１に復帰される。即ち、ミューティング動作の後においても時定数制御端子１５は再びもとの電位レベルに復帰し、さらに別個のミュート信号（例えば、ミュート信号Ｍ２）に対して待機することが出来る。
【００５３】
そのため、１つの時定数制御端子１５を２つのミュート制御信号生成回路３０−１，３０−２で共用しつつ独立してチャンネル毎にミュート制御信号Ｉout1，Ｉout2を出力することが出来る。よって、一方のチャンネルについてはミューティング動作を行い、他方のチャンネルについてはミューティング動作を行わない等の個別の制御ができる。即ち、一方のチャンネルだけに遷移する際のＰＯＰ音制御を行い、他方のチャンネルは待機状態とする等の個別の制御が可能である。
【００５４】
さらに、２つのミュート制御信号生成回路３０−１，３０−２において１つの時定数制御端子１５を共有して使用している。
【００５５】
そのため、１つのミュート信号生成回路ごとに遅延のための外付け部品を付ける必要がない。従って、外付け部品数を増大させる事が無く、製造コスト及びチップサイズを低減することが出来る。その結果、顧客満足度が向上し、製造コスト及びチップサイズを低減する集積回路用ミューティング回路を提供することが出来る。
【００５６】
[第１の実施形態]
次に図２乃至図４を用いて、この発明の第１の実施形態に係るミューティング回路用集積回路及びオーディオシステムについて説明する。図２は、第１の実施形態に係るミューティング回路用集積回路及びオーディオシステムについて説明するための回路図である。この図２では、ミューティング回路を備えたオーディオシステムの一部を抽出して示している。この回路は、例えば音声ミューティング機能が内蔵されたアナログアンプＩＣ等の音声出力ＩＣ中に設けられミューティング回路の一部として働くミューティング回路用集積回路２０、及びこの音声出力ＩＣに外付けされる時定数回路１０により構成されている。
【００５７】
上記時定数回路１０は、抵抗素子Ｒ１１及びキャパシタＣ１１により構成される。抵抗素子Ｒ１１の一端は基準電圧Ｖ１の入力端子１１に接続され、他端はキャパシタＣ１１の一方の電極、及び音声出力ＩＣの外部端子である時定数制御端子１５に接続される。このキャパシタＣ１１の他方の電極は、接地電源ＧＮＤに接続される。一例をあげると、上記抵抗素子Ｒ１１の抵抗値は４７ＫΩ程度、上記キャパシタＣ１１の容量は１μＦ程度である。そして、上記入力端子１１に供給された基準電圧Ｖ１に数１０ｍＳの時定数を与え、上記時定数制御端子１５に供給する。
【００５８】
上記ミューティング回路用集積回路２０中には、複数のミュート制御信号生成回路３０−１，３０−２，…、充放電回路２１及び制御回路２２が設けられている。上記ミュート制御信号生成回路３０−１，３０−２，…の入力端子は、時定数制御端子１５に共通に接続されており、時定数回路１０を共用するようになっている。上記充放電回路２１は、上記制御回路２２により制御され、時定数制御端子１５を充放電する。上記制御回路２２は、上記各ミュート制御信号生成回路３０−１，３０−２，…中のスイッチＳａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄ，…をオン／オフ制御することにより、各ミュート制御信号生成回路３０−１，３０−２，…の動作を制御するようになっている。
【００５９】
上記ミュート制御信号生成回路３０−１は、電流源２３−１、抵抗素子Ｒ１２〜Ｒ１７、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタ３１，３２、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ３３〜３６及びスイッチＳａ，Ｓｂ等を含んで構成されている。上記抵抗素子Ｒ１２，Ｒ１３の一端は電流源２３−１に接続され、これら抵抗素子Ｒ１２，Ｒ１３の他端にはバイポーラトランジスタ３１，３２のエミッタがそれぞれ接続される。上記バイポーラトランジスタ３１のベースは時定数制御端子１５に接続され、コレクタはバイポーラトランジスタ３３のコレクタ及びベースに接続される。また、上記バイポーラトランジスタ３２のベースには基準電位Ｖｂ１が印加されてバイアスされ、コレクタはバイポーラトランジスタ３４のコレクタ及びベースに接続される。上記バイポーラトランジスタ３３のエミッタと接地電源ＧＮＤとの間には、抵抗素子Ｒ１４が接続される。上記バイポーラトランジスタ３４のエミッタと接地電源ＧＮＤとの間には、抵抗素子Ｒ１５が接続される。
【００６０】
また、上記バイポーラトランジスタ３３のベースと接地電源ＧＮＤとの間には、スイッチＳａが接続され、このスイッチＳａは制御回路２２によりオン／オフ制御される。共通接続されたバイポーラトランジスタ３３、３４のベースと接地電源ＧＮＤとの間には、スイッチＳｂが接続され、このスイッチＳｂは制御回路２２によりオン／オフ制御される。
【００６１】
上記バイポーラトランジスタ３３のベースには、バイポーラトランジスタ３５のベースが共通接続される。このバイポーラトランジスタ３５のエミッタと接地電源ＧＮＤとの間には抵抗素子Ｒ１６が接続され、コレクタがミュート制御信号出力端子２４−１に接続される。更に、上記バイポーラトランジスタ３４のベースには、バイポーラトランジスタ３６のベースが共通接続される。このバイポーラトランジスタ３６のエミッタと接地電源ＧＮＤとの間には抵抗素子Ｒ１７が接続され、コレクタが上記ミュート制御信号出力端子２４−１に接続される。
【００６２】
上記時定数制御端子１５は、充放電回路２１が動作していない期間は、上記中間電位Ｖｂ１及びＶｂ２よりも高い電位になるように、基準電位Ｖ１が与えられているものとする。
【００６３】
上記のような構成において、電流源２３−１、抵抗素子Ｒ１２，Ｒ１３及びバイポーラトランジスタ３１，３２は、時定数制御端子１５の電位と基準電位Ｖｂ１とを比較し、上記時定数制御端子１５の電位と上記基準電位Ｖｂ１との電位差に応じて電流源２３−１から供給された電流Ｉ１を時定数制御端子１５の電位に対応した電流Ｉａと基準電位Ｖｂ１に対応した電流Ｉｂに分離するＶ−Ｉ変換回路として働く。ここで、上記各電流は、“Ｉａ＋Ｉｂ＝Ｉ１”なる関係にある。また、上記バイポーラトランジスタ３３、抵抗素子Ｒ１４及びスイッチＳａは、上記Ｖ−Ｉ変換回路で分離された時定数制御端子１５の電位に対応する第１の電流Ｉａを選択する第１のスイッチ回路として働く。上記バイポーラトランジスタ３４、抵抗素子Ｒ１５及びスイッチＳｂは、上記Ｖ−Ｉ変換回路で分離された基準電位Ｖｂ１に対応する第２の電流Ｉｂを選択する第２のスイッチ回路として働く。更に、上記バイポーラトランジスタ３５，３６及び抵抗素子Ｒ１６，Ｒ１７は、上記Ｖ−Ｉ変換回路で分離され、上記第１，第２のスイッチ回路で選択された第１，第２の電流Ｉａ，Ｉｂを合成して第１のミュート制御信号（出力電流）Ｉout1を生成する合成回路として働く。
【００６４】
上記ミュート制御信号生成回路３０−２も、上記ミュート制御信号生成回路３０−１と同様な回路構成になっており、電流源２３−２、抵抗素子Ｒ２２〜Ｒ２７、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタ４１，４２、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ４３〜４６及びスイッチＳｃ，Ｓｄ等を含んで構成されている。そして、制御回路２２によりスイッチＳｃ，Ｓｄが制御されて出力端子２４−２から第２のミュート制御信号（出力電流）Ｉout2を出力する。
【００６５】
３チャンネル以上を制御する場合には、同様な構成のミュート信号選択合成回路の入力端子を上記時定数制御端子１５に共通接続して設ければよい。
【００６６】
上記充放電回路２１は、例えば図３に示すように構成されている。時定数制御端子１５と接地電源ＧＮＤとの間には、放電用のスイッチＳ１と放電用の定電流源２５が直列接続される。また、上記時定数制御端子１５と接地電源ＧＮＤとの間には、充電用のスイッチＳ２と充電用の定電圧源２５が直列接続される。これらのスイッチＳ１及びスイッチＳ２は、制御回路２２によってオン／オフ状態が制御される。スイッチＳ１がオンでスイッチＳ２がオフの場合は、定電流源２５により時定数制御端子１５に接続されているキャパシタＣ１１の電荷が放電される。一方、スイッチＳ２がオンでスイッチＳ１がオフの場合は、定電圧源２６によりキャパシタＣ１１が急速に充電される。
【００６７】
上記制御回路２２は、上記ミュート制御信号生成回路３０−１の動作に着目すると、ミュートオン状態からミュートオフ（音声出力）状態への遷移時には、スイッチＳａにより電流Ｉａを選択して第１のミュート制御信号Ｉout1のレベル（電流量）を設定し、ミュートオフ（音声出力）状態にはスイッチＳａ，Ｓｂにより電流Ｉａ，Ｉｂを選択して合成することにより第１のミュート制御信号Ｉout1のレベルを設定し、ミュートオフ（音声出力）状態からミュートオン状態への遷移時にはスイッチＳｂにより電流Ｉｂを選択して第１のミュート制御信号Ｉout1のレベルを設定する。
【００６８】
また、この制御回路２２は、複数のミュート制御信号生成回路３０−１，３０−２，…のいずれかがミューティング動作をする際に、前記時定数制御端子１５の電位を、初期値である基準電位Ｖ１から、Ｖｂ１、Ｖｂ２よりも低い基準電位Ｖ２へと、放電させるために充放電回路２１を制御して前記時定数制御端子１５を放電させる。この期間が数十ｍＳの時定数である。比較器２８は、前記時定数制御端子１５の電位が、前記基準電位Ｖ２に到達する事を検出するものであり、この検出信号を、前記制御回路２２に与える。この検出信号を受けた制御回路２２は、再び、充放電回路２１を制御して前記時定数制御端子１５を基準電位Ｖ１まで再び充電させる。
【００６９】
換言すれば、ミュート信号（Ｍ１，Ｍ２，…）が“Ｈ”レベル（第１の論理レベル）で遅延ミュート信号ＤＭ１，ＤＭ２，…が“Ｌ”レベル（第２の論理レベル）のときに、電流Ｉａ、及びＩｃに基づいてミュート制御信号のレベルを設定し、ミュート信号Ｍ１，Ｍ２，…及び遅延ミュート信号ＤＭ１，ＤＭ２，…がともに“Ｈ”レベルのときに、電流Ｉａ，Ｉｂ、及びＩｃ，Ｉｄに基づいてミュート制御信号のレベルを設定し、ミュート信号Ｍ１，Ｍ２，…が“Ｌ”レベルで遅延ミュート信号ＤＭ１，ＤＭ２，…が“Ｈ”レベルのときに、電流Ｉｂ、及びＩｄに基づいてミュート制御信号のレベルを設定する。ここで、遅延ミュート信号ＤＭ１、ＤＭ２、…は、ミュート信号Ｍ１，Ｍ２…の遅延信号であり、前記時定数制御端子が、基準電位Ｖ２に到達した事を、比較器２８が検出した事を受けて、データの更新を行うものとする。
【００７０】
上記制御回路２２には、Ｉ２ＣＢＵＳ等の通信手段を介してマイクロコンピュータ（Ｉ２ＣＢＵＳ制御のマイクロコンピュータ）等の制御装置５０が接続されている。この制御装置５０は、複数のチャンネルの各々独立したミュート信号Ｍ１，Ｍ２…、を生成し、制御回路２２に送信する。
【００７１】
次に、図４を用いて上述したミューティング回路の動作を説明する。図４は、上記図２に示したミューティング回路の動作を示すタイミングチャートである。まず、第１のチャンネル（ミュート制御信号生成回路３０−１）に対応するミュート信号Ｍ１が“Ｈ”レベルに遷移する時刻ｔ１より前（ｔ０〜ｔ１）は、充放電回路２１によりキャパシタＣ１１が充電され、時定数制御端子１５の電位は基準電位Ｖ１（“Ｈ”レベル）に保持されている。この時、制御回路２２の制御により、図２に示した充放電回路２１におけるスイッチＳ１はオフされ、スイッチＳ２はオンされており、定電圧源２６によりキャパシタＣ１１が充電されている。また、上記制御回路２２の制御により、スイッチＳａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄ，…は全てオンされている。よって、トランジスタ３３〜３６，４３〜４６はオフ状態となり、ミュート制御信号（出力電流）Ｉout1，Ｉout2は出力されない。
【００７２】
時刻ｔ１にミュート信号Ｍ１が“Ｈ”レベルになると、充放電回路２１のスイッチＳ１がオンされ、スイッチＳ２はオフされて放電状態となり、時定数制御端子１５の電位が低下する。この電位変化がトランジスタ３１，３２によって比較され、トランジスタ３１のコレクタ電流Ｉａが増大し、トランジスタ３２のコレクタ電流Ｉｂが減少する。この時、スイッチＳａはオフ、スイッチＳｂがオンとなり（スイッチＳｃ，Ｓｄ，…はオン状態を維持）、トランジスタ３１のコレクタ電流Ｉａに基づいて第１のミュート制御信号Ｉout1が出力される。
【００７３】
そして、上記時定数制御端子１５の電位が基準電位Ｖｂ１よりも低くなり、比較器２８により、コレクタ電流Ｉａ，Ｉｂの大小関係が切り替わり、時定数制御端子１５が基準電位Ｖ２まで到達した事が検出されると、ミュート信号Ｍ１の遅延信号である、遅延ミュート信号ＤＭ１（“Ｈ”レベル）が制御回路２２により生成される（時刻ｔ２）。この遅延ミュート信号ＤＭ１は、上記制御回路２２から充放電回路２１に供給され、スイッチＳ１がオンからオフへ、スイッチＳ２がオフからオンに反転し、時定数制御端子１５の放電動作が終了して充電動作が開始される。即ち、ミュート信号Ｍ１が“Ｈ”レベルになってから遅延ミュート信号ＤＭ１が“Ｈ”レベルになるまでの期間（ｔ１〜ｔ２）、換言すれば、ミュート信号Ｍ１と遅延ミュート信号ＤＭ２の論理レベルが異なるときにのみ時定数制御端子１５の放電が行われる。この際、スイッチＳｂがオンからオフに反転して、スイッチＳａ，Ｓｂがともにオフ状態となり、トランジスタ３４，３６がオンする。これによって、第１のミュート制御信号（出力電流）Ｉout1は、コレクタ電流ＩａとＩｂとの和に対応する電流となる。Ｉout1の立ちあがりの遷移期間（ｔ１〜ｔ２）は、時定数回路及び充放電回路により、数十ｍＳとなるので、音声出力端子の電位変動が高周波成分を多く含まない事になり、スピーカにて発生するＰＯＰ音を抑える事が出来るのである。この動作は、Iout1のミュートオンからミュートオフに遷移する際のＰＯＰ音制御であり、Iout2、…、の変化と独立に行われるものである。
【００７４】
その後、上記時定数制御端子１５の充電によって、この時定数制御端子１５の電位が基準電位Ｖｂ１よりも高くなり、コレクタ電流ＩｂがＩａよりも大きくなり、基準電位Ｖ１に到達すると、次の動作の待機状態となる（時刻ｔ３）。
【００７５】
次の時刻ｔ４に第２のチャンネル（ミュート制御信号生成回路３０−２）に対応するミュート信号Ｍ２が“Ｈ”レベルに遷移すると、充放電回路２１のスイッチＳ１がオンされ、スイッチＳ２はオフされて放電状態となり、時定数制御端子１５の電位が再び低下する。この電位変化がトランジスタ４１，４２によって比較され、トランジスタ４１のコレクタ電流Ｉｃが増大し、トランジスタ４２のコレクタ電流Ｉｄが減少する。この時、スイッチＳｃはオフ、スイッチＳｄがオンとなり（スイッチＳａ，Ｓｂはオフ状態を維持）、トランジスタ４１のコレクタ電流Ｉｃに基づいて第２のミュート制御信号Ｉout2が出力される。
【００７６】
上記時定数制御端子１５の電位が基準電位Ｖｂ２よりも低くなり、比較器２８により、コレクタ電流Ｉｃ，Ｉｄの大小関係が切り替わり、時定数制御端子１５が基準電位Ｖ２まで到達した事が検出されると、ミュート信号Ｍ２の遅延信号である、遅延ミュート信号ＤＭ２（“Ｈ”レベル）が制御回路２２により生成される（時刻ｔ５）。遅延ミュート信号ＤＭ２が上記制御回路２２から上記充放電回路２１に供給されると、スイッチＳ１がオンからオフへ、スイッチＳ２がオフからオンに反転し、時定数制御端子１５の放電動作が終了して充電動作が開始される。即ち、ミュート信号Ｍ２が“Ｈ”レベルになってから遅延ミュート信号ＤＭ２が“Ｈ”レベルになるまでの期間（ｔ４〜ｔ５）、換言すれば、ミュート信号Ｍ２と遅延ミュート信号ＤＭ２の論理レベルが異なるときに時定数制御端子１５の放電が行われる。この際、スイッチＳｄがオンからオフに反転して、スイッチＳｃ，Ｓｄがともにオフ状態となり、トランジスタ４４，４６がオンする。これによって、第２のミュート制御信号（出力電流）Ｉout2は、コレクタ電流ＩｃとＩｄとの和に対応する電流となる。Ｉout２の立ちあがりの遷移期間（ｔ４〜ｔ５）は、時定数回路及び充放電回路により、数十ｍＳとなるので、音声出力端子の電位変動が高周波成分を多く含まない事になり、スピーカにて発生するＰＯＰ音を抑える事が出来るのである。この動作は、Iout2のミュートオンからミュートオフに遷移する際のＰＯＰ音制御であり、Iout1、…、の変化と独立に行われるものである。
【００７７】
その後、上記時定数制御端子１５の充電によって、この時定数制御端子１５の電位が基準電位Ｖｂ２よりも高くなり、コレクタ電流ＩｃがＩｄよりも大きくなり、基準電位Ｖ１に到達すると、次の動作の待機状態となる（時刻ｔ６）。
【００７８】
時刻ｔ７にミュート信号Ｍ１が“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに反転すると、充放電回路２１のスイッチＳ１がオンされ、スイッチＳ２はオフされて放電状態となる。これによって、時定数制御端子１５の電位が低下する。この電位変化がトランジスタ３１，３２によって比較され、トランジスタ３１のコレクタ電流Ｉａが増大し、トランジスタ３２のコレクタ電流Ｉｂが減少する。この時、スイッチＳａはオン、スイッチＳｂがオフとなり、トランジスタ３２のコレクタ電流Ｉｂに基づいて第１のミュート制御信号Ｉout1が出力される。
【００７９】
そして、上記時定数制御端子１５の電位が基準電位Ｖｂ１よりも低くなり、比較器２８によりコレクタ電流Ｉａ，Ｉｂの大小関係が切り替わり、基準電位Ｖ２に到達した事が検出されると、遅延ミュート信号ＤＭ１が“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに反転する（時刻ｔ８）。これによって、ミュート信号Ｍ１が“Ｌ”レベルになってから遅延ミュート信号ＤＭ１が“Ｌ”レベルになるまでの期間（ｔ７〜ｔ８）、即ち、ミュート信号Ｍ１と遅延ミュート信号ＤＭ１の論理レベルが異なるときに時定数制御端子１５の放電が行われる。Ｉout1の立ち下がりの遷移期間（ｔ７〜ｔ８）は、時定数回路及び充放電回路により、数十ｍＳとなるので、音声出力端子の電位変動が高周波成分を多く含まない事になり、スピーカにて発生するＰＯＰ音を抑える事が出来るのである。この動作は、Iout1のミュートオフからミュートオンに遷移する際のＰＯＰ音制御であり、Iout2、…、の変化と独立に行われるものである。
【００８０】
その後、上記時定数制御端子１５の充電によって、この時定数制御端子１５の電位が基準電位Ｖｂ１よりも高くなり、コレクタ電流ＩｂがＩａよりも大きくなり、基準電位Ｖ１に到達し、次の動作の待機状態となる（時刻ｔ９）。
【００８１】
時刻ｔ９以降は、上述した動作と同様な動作を繰り返す。
【００８２】
上記のような構成によれば、複数のチャンネルを制御するミュート信号（Ｍ１，Ｍ２，…）のうちの１つ以上のミュート信号Ｍｉ,H（ｉ,H＝１，２，…のいずれか）のレベルが遷移し、対応するミュート制御信号生成回路３０−ｉ,Hにより時定数制御端子１５の電荷が放電されたときに、充放電回路２１により時定数制御端子１５を充電して別のチャンネルのミュート信号を待機する状態に出来る。この際、時定数制御端子１５の電位変化に応じてミュート制御信号Ｍｉを生成するための電流の出力経路を切り換えるので、１つの時定数制御端子１５（時定数回路１０）を複数のミュート制御信号生成回路３０−１，３０−２，…で共用しつつ独立してチャンネル毎にミュート制御信号Ｉout1，Ｉout2，…を出力できる。よって、特定のチャンネルだけミューティング動作を行ったり、特定のチャンネルだけミューティング動作を行わないと言うような個別の制御ができる。即ち、どこか特定のチャンネルだけミュートオフからミュートオンに遷移する際のＰＯＰ音制御を行う事や、あるいは特定のチャンネルだけミューティング動作を行わない、あるいは同一のタイミングで送信されたミュート制御信号により、特定のチャンネルのみミュートオフからミュートオンに遷移する際のＰＯＰ音制御を行い、同時に、特定のチャンネルのみミュートオンからミュートオフに遷移する際のＰＯＰ音制御を行うと言うような個別の制御が可能である。
【００８３】
従って、例えば音声ミューティング機能が内蔵されたアナログアンプＩＣ等の音声出力ＩＣのピン数や外付けの部品数を増加することなく、複数チャンネルのＰＯＰ音制御したミューティング動作を独立に制御して高い自由度でポップ音を低減する事が出来て、ＩＣコストの上昇や、これを使用するオーディオシステムのセットスペースを増大させる事や、外付け部品点数を増大させる事が無く、低コスト化とＩＣを使用する顧客満足度の向上も図ることが出来る。
【００８４】
なお、上述した説明では、説明を簡単にするために各チャンネル（ミュート制御信号生成回路３０−１，３０−２，…）の順にミューティング動作を行う場合を例に取って説明したが、ミューティング動作させるチャンネルとその順序は制御装置５０により自由に選択できる。
【００８５】
また、音声出力ＩＣを用いたオーディオシステムを例に取って説明したが、ミューティング動作が必要な他のシステムにも適用できるのは言うまでもない。
【００８６】
さらに、以上の実施形態中の説明においてバイポーラトランジスタを用いて説明したが、本発明はこれに限らずＶ−Ｉ変換（電圧−電流変換、トランスコンダクタンスアンプ）をすることが出来る素子を用いる場合であっても実施可能である。上記Ｖ−Ｉ変換する素子は、第１、第２、及び第３の三端子を有し、第１の端子と第２の端子の間を導通する電流を第３の端子に印加する電圧により制御する素子である。さらに、上記Ｖ−Ｉ変換素子として具体的には例えば、ＭＯＳ型トランジスタ等を適用することが可能である。
【００８７】
さらに、上記バイポーラトランジスタのエミッタと、基準電位との間には抵抗素子Ｒ１２〜Ｒ１７が接続されている。そのため、バイポーラトランジスタのｇｍ（トランスコンダクタンス）を低下させ、ＰＯＰ音を効果的に低下することが出来る。尚、上記抵抗素子Ｒ１２〜Ｒ１７がない場合であっても、図２に示した回路は動作可能である。
【００８８】
[第２の実施形態]
次に図５を用いて、この発明の第２の実施形態に係るミューティング回路用集積回路及びオーディオシステムについて説明する。図５は、第２の実施形態に係るミューティング回路用集積回路及びオーディオシステムについて説明するための回路図である。以下の説明において、上記第１の実施形態と重複する部分についてはその説明を省略する。
【００８９】
図５に示すように、この実施形態は上記第１の実施形態に係るミュート制御信号生成回路３０−１，３０−２，…に印加する電位の極性を反転した場合の一実施形態である。上記第１の実施形態と同様に、第１のミュート制御信号生成回路３０−１は第１の電圧−電流変換回路１０−１及び第１のミュート信号選択合成回路２０−１から構成される。
【００９０】
上記第１の電圧−電流変換回路１０−１は電流源２３−１、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＰ３１，Ｐ３２により構成される。上記第１のミュート信号選択合成回路２０−１は、エミッタが内部電源Ｖｄｄに接続されたＰＮＰ型バイポーラトランジスタＮ３３，Ｎ３４，Ｎ３５，Ｎ３６、スイッチＳａ，及びスイッチＳｂにより構成される。尚、この実施形態ではバイポーラトランジスタのエミッタと基準電位の間に接続された抵抗素子Ｒ１２〜Ｒ１７を省略している。上記抵抗素子Ｒ１２〜Ｒ１７がなくとも動作可能であるからである。
【００９１】
動作については上記第１の実施形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００９２】
図６に示すように、ミュート信号生成回路３０−１，…に印加する電位の極性を反転した場合であっても、上記第１の実施形態と同様の効果を有する。
【００９３】
以上に説明したように、上記第１又は第２の実施形態に係るミューティング回路用集積回路及びオーディオシステムの構成によれば、複数のチャンネルを制御するミュート信号のうちの一つあるいは複数のミュート信号のレベルが遷移し、対応するミュート制御信号生成回路により時定数制御端子の電荷が放電され、それぞれ対応するミュート制御信号のレベルが変化している間にも、残りの他の複数のチャンネルのミュート制御信号のレベルは変化せず、任意のチャンネルのミュート制御のみ独立に行う事が可能である。よって、１つの時定数制御端子（時定数回路）を複数のミュート制御信号生成回路で共用しつつチャンネル毎にミュート制御信号を出力し、高い自由度でポップ音を低減することが出来る。
【００９４】
従って、ＩＣのピン数及び外付けの部品数を増加することなく複数チャンネルのミューティング動作を独立に制御でき、低コスト化と顧客満足度の向上を図ることが出来る。
【００９５】
以上、第１又は第２の実施形態を用いて本発明の説明を行ったが、この発明は上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】この発明のミューティング回路用集積回路について概略的に説明するためのもので、ミューティング回路を抽出して示す回路図。
【図２】この発明の第１の実施形態に係るミューティング回路用集積回路及びオーディオシステムについて説明するためのもので、ミューティング回路を抽出して示す回路図。
【図３】図１に示す回路における充放電回路の構成例を示す回路図。
【図４】図１に示すミューティング回路の動作を示すタイミングチャート図。
【図５】この発明のこの発明の第２の実施形態に係るミューティング回路用集積回路及びオーディオシステムについて説明するためのもので、ミューティング回路を抽出して示す回路図。
【図６】従来のミューティング回路用集積回路及びオーディオシステムについて説明するためのもので、ミューティング回路を抽出して模式的に示す回路図。
【図７】図６に示すミューティング回路の動作を示すタイミングチャート図。
【符号の説明】
【００９７】
１５…時定数制御端子、３０−１，３０−２…ミュート制御信号生成回路、２１…充放電回路、２２…制御回路、２４−１，２４−２…出力端子、１０−１，１０−２…Ｖ−Ｉ変換回路（電圧−電流変換回路）、２０−１，２０−２…ミュート信号選択合成回路、Ｖｂ１，Ｖｂ２…中間電位、Ｉａ，Ｉｃ…第１の電流、Ｉｂ，Ｉｄ…第２の電流、Ｉout1，Ｉout2…ミュート制御電流、Ｍ１，Ｍ２…ミュート信号、Ｖ１…第１の電位レベル、Ｖ２…第２の電位レベル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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