(57)【要約】【課題】  対向する回路電極間の接続抵抗を低減し、且つ安定化することができると共に、隣り合う回路電極間で絶縁性を十分に向上できる回路接続材料、これを用いたフィルム状回路接続材料、回路部材の接続構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の回路部材の接続構造１０は、回路基板２１，３１の主面２１ａ，３１ａ上に複数の回路電極２２，３２が形成された回路部材２０，３０を備える。回路電極２２，３２が対向するように回路部材２０，３０同士を接続する回路接続部材６０は、本発明の回路接続材料の硬化物からなる。本発明の回路接続材料は、接着剤組成物及び、導電粒子５１の表面５１ａの一部が絶縁性微粒子５２により被覆された被覆粒子５０を含有しており、絶縁性微粒子５２の質量が導電粒子５１の質量の２／１０００〜２６／１０００である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の回路基板の主面上に複数の第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、
第二の回路基板の主面上に複数の第二の回路電極が形成された第二の回路部材と、
を、前記第一及び第二の回路電極を対向させた状態で接続するための回路接続材料であって、
接着剤組成物及び、導電粒子の表面の一部が絶縁性微粒子により被覆された被覆粒子を含有しており、
前記絶縁性微粒子の質量は、前記導電粒子の質量の２／１０００〜２６／１０００である回路接続材料。
【請求項２】
第一の回路基板の主面上に複数の第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、
第二の回路基板の主面上に複数の第二の回路電極が形成された第二の回路部材と、
を、前記第一及び第二の回路電極を対向させた状態で接続するための回路接続材料であって、
接着剤組成物及び、導電粒子の表面の一部が絶縁性微粒子により被覆された被覆粒子を含有しており、
前記導電粒子は、高分子化合物からなる核体を有しており、
前記絶縁性微粒子の質量は、前記核体の質量の７／１０００〜８６／１０００である回路接続材料。
【請求項３】
前記絶縁性微粒子の平均粒径は、前記導電粒子の平均粒径の１／４０〜１／１０であることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路接続材料。
【請求項４】
前記絶縁性微粒子は、ラジカル重合性物質の重合物からなる請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路接続材料。
【請求項５】
前記接着剤組成物は、ラジカル重合性物質と、加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤と、を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の回路接続材料。
【請求項６】
フェノキシ樹脂からなるフィルム形成材を更に含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の回路接続材料。
【請求項７】
前記フェノキシ樹脂は、分子内に多環芳香族化合物に起因する分子構造を含有することを特徴とする請求項６に記載の回路接続材料。
【請求項８】
前記多環芳香族化合物は、フルオレンであることを特徴とする請求項７に記載の回路接続材料。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の回路接続材料をフィルム状に形成してなることを特徴とするフィルム状回路接続材料。
【請求項１０】
第一の回路基板の主面上に複数の第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、
第二の回路基板の主面上に複数の第二の回路電極が形成された第二の回路部材と、
前記第一の回路基板の前記主面と前記第二の回路基板の前記主面との間に設けられ、前記第一及び第二の回路電極を相互に対向させた状態で前記第一及び第二の回路部材同士を接続する回路接続部材と、
を備えた回路部材の接続構造であって、
前記回路接続部材は、請求項１〜８のいずれか一項に記載の回路接続材料の硬化物からなり、
前記第一の回路電極と前記第二の回路電極とが、前記被覆粒子を介して電気的に接続されている回路部材の接続構造。
【請求項１１】
隣り合う前記回路電極間に５０Ｖの直流電圧を印加した場合に、隣り合う前記回路電極間の抵抗値が１０９Ω以上であることを特徴とする請求項１０に記載の回路部材の接続構造。
【請求項１２】
前記第一及び第二の回路部材のうち少なくとも一方がＩＣチップであることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の回路部材の接続構造。
【請求項１３】
前記第一の回路電極と前記第二の回路電極との間の接続抵抗が１Ω以下であることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。
【請求項１４】
前記第一及び第二の回路電極のうち少なくとも一方が、金、銀、錫、白金族の金属及びインジウム錫酸化物からなる群より選ばれる少なくとも一種で構成される電極表面層を有することを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。
【請求項１５】
前記第一及び第二の回路部材のうち少なくとも一方が、窒化シリコン、シリコーン化合物及びポリイミド樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種で構成される基板表面層を有することを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。
【請求項１６】
第一の回路基板の主面上に複数の第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、第二の回路基板の主面上に複数の第二の回路電極が形成された第二の回路部材との間に、前記第一の回路電極と前記第二の回路電極とを対向させた状態で、請求項１〜８のいずれか一項に記載の回路接続材料を介在させる工程と、
前記回路接続材料を加熱及び加圧により硬化させる工程と、
を備えた回路部材の接続構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路接続材料、これを用いたフィルム状回路接続材料、回路部材の接続構造及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示用ガラスパネルには、ＣＯＧ(Chip-On-Glass)実装又はＣＯＦ(Chip-On-Flex)実装等によって液晶駆動用ＩＣが実装される。ＣＯＧ実装では、導電粒子を含む回路接続材料を用いて液晶駆動用ＩＣを直接ガラスパネル上に接合する。ＣＯＦ実装では、金属配線を有するフレキシブルテープに液晶駆動用ＩＣを接合し、導電粒子を含む回路接続材料を用いてそれらをガラスパネルに接合する。
【０００３】
ところが、近年の液晶表示の高精細化に伴い、液晶駆動用ＩＣの回路電極である金バンプは狭ピッチ化、狭面積化しており、そのため、回路接続材料中の導電粒子が隣り合う回路電極間に流出して、ショートを発生させるといった問題がある。また、隣り合う回路電極間に導電粒子が流出すると、金バンプとガラスパネルとの間に捕捉される回路接続材料中の導電粒子数が減少し、対向する回路電極間の接続抵抗が上昇し接続不良を起こすといった問題がある。
【０００４】
そこで、これらの問題を解決する方法として、回路接続材料の少なくとも片面に絶縁性の接着層を形成することで、ＣＯＧ実装又はＣＯＦ実装における接合品質の低下を防ぐ方法（例えば、特許文献１参照）や、導電粒子の全表面を絶縁性の皮膜で被覆する方法（例えば、特許文献２参照）が開発されている。
【特許文献１】特開平８−２７９３７１号公報
【特許文献２】特許第２７９４００９号公報（図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、回路接続部材の片面に絶縁性の接着層を形成する方法では、バンプ面積が３０００μｍ２未満であって、安定した接続抵抗を得るために導電粒子数を増やす場合には、隣り合う回路電極間の絶縁性について未だ改良の余地がある。また、導電粒子の全表面を絶縁性の皮膜で被覆する方法では、対向する回路電極間の接続抵抗が上昇し、安定した電気抵抗が得られないという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明は、対向する回路電極間の接続抵抗を低減し、且つ安定化することができると共に、隣り合う回路電極間で絶縁性を十分に向上できる回路接続材料、これを用いたフィルム状回路接続材料、回路部材の接続構造及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の課題を解決するため、本発明の回路接続材料は、第一の回路基板の主面上に複数の第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、第二の回路基板の主面上に複数の第二の回路電極が形成された第二の回路部材とを、第一及び第二の回路電極を対向させた状態で接続するための回路接続材料であって、接着剤組成物及び、導電粒子の表面の一部が絶縁性微粒子により被覆された被覆粒子を含有しており、絶縁性微粒子の質量は、導電粒子の質量の２／１０００〜２６／１０００である。
【０００８】
この回路接続材料を、第一及び第二の回路部材の間に介在させ、第一及び第二の回路部材を介して加熱及び加圧し、硬化処理して、回路部材の接続構造を得ると、得られる回路部材の接続構造において、対向する回路電極間の接続抵抗が十分に低減され、且つ安定化されると共に、隣り合う回路電極間の絶縁性が十分に向上する。
【０００９】
ここで、絶縁性微粒子の質量が導電粒子の質量の２／１０００未満であると、導電粒子が絶縁性微粒子によって十分に被覆されなくなる。このため、隣り合う回路電極間の絶縁性、すなわち回路基板の面方向における絶縁性が不十分となってしまう。一方、絶縁性微粒子の質量が導電粒子の質量の２６／１０００を超えると、絶縁性微粒子が過剰に導電粒子を被覆することとなる。このため、導電粒子が、対向する回路電極同士を接続しても、回路基板の厚み方向における接続抵抗が増大してしまう。
【００１０】
また、本発明の回路接続材料は、第一の回路基板の主面上に複数の第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、第二の回路基板の主面上に複数の第二の回路電極が形成された第二の回路部材と、を、第一及び第二の回路電極を対向させた状態で接続するための回路接続材料であって、接着剤組成物及び、導電粒子の表面の一部が絶縁性微粒子により被覆された被覆粒子を含有しており、導電粒子は、高分子化合物からなる核体を有しており、絶縁性微粒子の質量は、核体の質量の７／１０００〜８６／１０００である。
【００１１】
この回路接続材料を、第一及び第二の回路部材の間に介在させ、第一及び第二の回路部材を介して加熱及び加圧し、硬化処理して、回路部材の接続構造を得ると、得られる回路部材の接続構造において、対向する回路電極間の接続抵抗が十分に低減され、且つ安定化されると共に、隣り合う回路電極間の絶縁性が十分に向上する。
【００１２】
ここで、絶縁性微粒子の質量が核体の質量の７／１０００未満であると、導電粒子が絶縁性微粒子によって十分に被覆されなくなる。このため、隣り合う回路電極間の絶縁性、すなわち回路基板の面方向における絶縁性が不十分となってしまう。一方、絶縁性微粒子の質量が核体の質量の８６／１０００を超えると、絶縁性微粒子が過剰に導電粒子を被覆することとなる。このため、導電粒子が、対向する回路電極同士を接続しても、回路基板の厚み方向における接続抵抗が増大してしまう。
【００１３】
また、絶縁性微粒子の平均粒径は、導電粒子の平均粒径の１／４０〜１／１０であると好ましい。
【００１４】
絶縁性微粒子の平均粒径が上記範囲内にあれば、平均粒径が当該範囲を外れた場合に比べて、導電粒子の表面が多数の絶縁性微粒子により覆われ易くなり、このような回路接続材料を用いて回路部材の接続構造を製造すると、隣り合う回路電極間の絶縁性、すなわち回路基板の面方向における絶縁性を更に向上できる。
【００１５】
また、絶縁性微粒子は、ラジカル重合性物質の重合物からなると好ましい。この場合、絶縁性微粒子が導電粒子の表面に付着しやすくなるので、このような回路接続材料を用いて回路部材の接続構造を製造すると、隣り合う回路電極間の絶縁性、すなわち回路基板の面方向における絶縁性を更に向上できる。
【００１６】
また、接着剤組成物は、ラジカル重合性物質と、加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤と、を含有すると好ましい。このような接着剤組成物を含む回路接続材料によって、第一及び第二の回路部材は加熱時に容易に接続される。
【００１７】
また、上記回路接続材料は、フェノキシ樹脂からなるフィルム形成材を更に含有すると好ましい。これにより、回路接続材料をフィルム状に加工することが可能となる。また、回路接続材料が裂ける、割れる、或いはべたつく等の問題が生じにくく、回路接続材料の取扱いが容易になる。
【００１８】
また、フェノキシ樹脂は、分子内に多環芳香族化合物に起因する分子構造を含有すると好ましい。これにより、接着性、相溶性、耐熱性、機械強度等に優れた回路接続材料が得られる。
【００１９】
また、多環芳香族化合物は、フルオレンであると好ましい。
【００２０】
また、本発明のフィルム状回路接続材料は、本発明の回路接続材料をフィルム状に形成してなることを特徴とする。これにより、回路接続材料が裂ける、割れる、或いはべたつく等の問題が生じにくく、回路接続材料の取扱いが容易になる。
【００２１】
また、本発明の回路部材の接続構造は、第一の回路基板の主面上に複数の第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、第二の回路基板の主面上に複数の第二の回路電極が形成された第二の回路部材と、第一の回路基板の主面と第二の回路基板の主面との間に設けられ、第一及び第二の回路電極を相互に対向させた状態で第一及び第二の回路部材同士を接続する回路接続部材と、を備えた回路部材の接続構造であって、回路接続部材は、本発明の回路接続材料の硬化物からなり、第一の回路電極と第二の回路電極とが、被覆粒子を介して電気的に接続されている。
【００２２】
このような回路部材の接続構造では、対向する回路電極間の接続抵抗を十分に低減し、且つ安定化できると共に、隣り合う回路電極間の絶縁性が十分に向上する。
【００２３】
また、隣り合う回路電極間に５０Ｖの直流電圧を印加した場合に、隣り合う回路電極間の抵抗値が１０９Ω以上であると好ましい。
【００２４】
このような回路部材の接続構造によれば、その動作時において隣り合う回路電極間の絶縁性、すなわち回路基板の面方向における絶縁性が極めて高いため、隣り合う回路電極間のショートを十分に防止することが可能となる。
【００２５】
また、第一及び第二の回路部材のうち少なくとも一方がＩＣチップであると好ましい。
【００２６】
また、第一の回路電極と第二の回路電極との間の接続抵抗が１Ω以下であると好ましい。このような回路部材の接続構造では、対向する回路電極間の接続抵抗、すなわち回路基板の厚み方向における接続抵抗が十分に低減される。
【００２７】
また、上記回路部材の接続構造は、第一及び第二の回路電極のうち少なくとも一方が、金、銀、錫、白金族の金属及びインジウム錫酸化物からなる群より選ばれる少なくとも一種で構成される電極表面層を有すると好ましい。
【００２８】
また、上記回路部材の接続構造は、第一及び第二の回路部材のうち少なくとも一方が、窒化シリコン、シリコーン化合物及びポリイミド樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種で構成される基板表面層を有すると好ましい。これにより、基板表面層が上記材料で構成されていない場合に比べて、回路部材と回路接続部材との接着強度が更に向上する。
【００２９】
また、本発明の回路部材の接続構造の製造方法は、第一の回路基板の主面上に複数の第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、第二の回路基板の主面上に複数の第二の回路電極が形成された第二の回路部材との間に、第一の回路電極と第二の回路電極とを対向させた状態で、本発明の回路接続材料を介在させる工程と、回路接続材料を加熱及び加圧により硬化させる工程と、を備える。
【００３０】
この製造方法を用いれば、対向する回路電極間の接続抵抗が十分に低減され、且つ安定化されると共に、隣り合う回路電極間の絶縁性が十分に向上した回路部材の接続構造を得ることができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、ＣＯＧ実装又はＣＯＦ実装において、対向する回路電極間で低抵抗の電気接続が安定的に得られ、且つ、隣り合う回路電極間でショート発生率を抑制できる回路接続材料、これを用いたフィルム状回路接続材料、回路部材の接続構造及びその製造方法を提供することができる。
【００３２】
また、本発明によれば、隣り合う回路電極間、すなわちバンプ間距離の狭い駆動用ＩＣに対しても、接続信頼性の高い回路接続材料、これを用いたフィルム状回路接続材料、回路部材の接続構造及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の回路接続材料、これを用いたフィルム状回路接続材料、回路部材の接続構造及びその製造方法の実施形態について説明する。なお、全図面中、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
【００３４】
（回路部材の接続構造）
図１は、本発明の回路部材の接続構造（以下、「接続構造」という）の一実施形態を示す断面図である。本実施形態の接続構造１０は、相互に対向する回路部材２０（第一の回路部材）と回路部材３０（第二の回路部材）とを備えており、回路部材２０と回路部材３０との間には、これらを接続する回路接続部材６０が設けられている。
【００３５】
回路部材２０は、回路基板２１（第一の回路基板）と、回路基板２１の主面２１ａ上に形成された複数の回路電極２２（第一の回路電極）とを備える。複数の回路電極２２は、例えばストライプ状に配置される。一方、回路部材３０は、回路基板３１（第二の回路基板）と、回路基板３１の主面３１ａ上に形成された複数の回路電極３２（第二の回路電極）とを備える。複数の回路電極３２も、例えばストライプ状に配置される。
【００３６】
回路部材２０，３０の具体例としては、半導体チップ、抵抗体チップ若しくはコンデンサチップ等のチップ部品又はプリント基板等の基板が挙げられる。接続構造１０の接続形態としては、ＩＣチップとチップ搭載基板との接続、電気回路相互の接続、ＣＯＧ実装又はＣＯＦ実装におけるＩＣチップとガラス基板又はフレキシブルテープとの接続等もある。
【００３７】
特に、回路部材２０，３０のうち少なくとも一方がＩＣチップであると好ましい。
【００３８】
回路電極２２は、回路基板２１の主面２１ａ上に形成される電極部２３と、電極部２３上に形成される電極表面層２４とから構成されており、回路電極３２も、回路基板３１の主面３１ａ上に形成される電極部３３と、電極部３３上に形成される電極表面層３４とから構成されている。ここで、電極表面層２４，３４はそれぞれ金、銀、錫、白金族の金属若しくはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）又はこれらの二種以上の組み合わせで構成されていると好ましい。
【００３９】
回路部材３０は、回路基板３１及び回路電極３２上に基板表面層３５を有する。ここで、基板表面層３５は窒化シリコン、シリコーン化合物若しくはポリイミド樹脂又はこれらの二種以上の組み合わせで構成されていると好ましい。基板表面層３５は、回路基板３１及び回路電極３２をコーティングするか、又は回路基板３１及び回路電極３２に付着している。この基板表面層３５により、回路部材３０と回路接続部材６０との接着強度が向上する。
【００４０】
特に、回路部材３０がフレキシブルテープの場合、基板表面層３５はポリイミド樹脂等の有機絶縁物質から構成されると好ましい。また、回路基板３１がガラス基板の場合、基板表面層３５は窒化シリコン、シリコーン化合物、ポリイミド樹脂若しくはシリコーン樹脂又はこれらの二種以上の組み合わせで構成されると好ましい。
【００４１】
回路接続部材６０は、回路基板２１の主面２１ａと回路基板３１の主面３１ａとの間に設けられており、回路電極２２，３２を対向させた状態で回路部材２０，３０同士を接続している。また、回路接続部材６０は、絶縁部材４０と被覆粒子５０とを備えている。被覆粒子５０は、回路電極２２と回路電極３２とを電気的に接続するためのものであり、導電粒子５１と導電粒子５１の表面５１ａの一部を被覆する絶縁性微粒子５２とで構成されている。ここで、絶縁性微粒子５２の質量は、導電粒子５１の質量の２／１０００〜２６／１０００である。
【００４２】
このような接続構造１０によれば、対向する回路電極２２，３２間の接続抵抗が十分に低減され且つ安定化されると共に、隣り合う回路電極２２，３２間の絶縁性も十分に向上される。
【００４３】
絶縁性微粒子５２の質量が導電粒子５１の質量の２／１０００未満であると、導電粒子５１が絶縁性微粒子５２によって十分に被覆されなくなる。このため、隣り合う回路電極２２，３２間の絶縁性、すなわち回路基板２１，３１の面方向における絶縁性が不十分となってしまう。一方、絶縁性微粒子５２の質量が導電粒子５１の質量の２６／１０００を超えると、絶縁性微粒子５２が過剰に導電粒子５１を被覆することとなる。このため、導電粒子５１が、対向する回路電極２２，３２同士を接続しても、回路基板２１，３１の厚み方向における接続抵抗が増大してしまう。
【００４４】
接続構造１０においては、隣り合う回路電極２２，３２間に５０Ｖの直流電圧を印加した場合に、隣り合う回路電極２２，３２間の抵抗値が１０９Ω以上であることが好ましい。このような接続構造１０では、その動作時において隣り合う回路電極２２，３２間の絶縁性、すなわち回路基板２１，３１の面方向における絶縁性が極めて高いため、隣り合う回路電極２２，３２間のショートを十分に防止することが可能となる。
【００４５】
また、接続構造１０においては、回路電極２２と回路電極３２との間の接続抵抗が１Ω以下であることが好ましい。このような接続構造１０では、対向する回路電極２２，３２間の接続抵抗、すなわち回路基板２１，３１の厚み方向における接続抵抗が十分に低減される。
【００４６】
また、被覆粒子５０においては、絶縁性微粒子５２の平均粒径ｄｉは、導電粒子５１の平均粒径ｄｃの１／４０〜１／１０であると好ましい。平均粒径ｄｉ及びｄｃは、各種顕微鏡によって観察される絶縁性微粒子５２及び導電粒子５１の長径を、各粒子１０個以上についてそれぞれ測定して得られる測定値の平均値とする。また、観察に用いる顕微鏡としては、走査型電子顕微鏡を好適に使用できる。
【００４７】
絶縁性微粒子５２の平均粒径ｄｉが上記範囲内にあれば、平均粒径ｄｉが当該範囲を外れた場合に比べて、導電粒子５１の表面５１ａが多数の絶縁性微粒子５２により覆われ易くなり、このような接続構造１０では、隣り合う回路電極２２，３２間の絶縁性、すなわち回路基板２１，３１の面方向における絶縁性を更に向上できる。
【００４８】
導電粒子５１としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、はんだ等からなる金属粒子又はカーボン等からなる粒子等が挙げられる。導電粒子５１は、熱溶融金属粒子であると好ましい。この場合、回路電極２２，３２同士を接続する際の加熱及び加圧により導電粒子５１が変形し易いので、導電粒子５１と回路電極２２，３２との接触面積が増加し、接続信頼性が向上する。
【００４９】
絶縁性微粒子５２は、ラジカル重合性物質の重合物からなると好ましい。この場合、絶縁性微粒子５２が導電粒子５１の表面５１ａに付着しやすくなるので、このような接続構造１０では、隣り合う回路電極２２，３２間の絶縁性、すなわち回路基板２１，３１の面方向における絶縁性を更に向上できる。
【００５０】
ラジカル重合性物質は、ラジカルにより重合する官能基を有する物質であり、このようなラジカル重合性物質としては、アクリレート（対応するメタクリレートも含む。以下同じ）化合物、マレイミド化合物等が挙げられる。ラジカル重合性物質はモノマー又はオリゴマーの状態で用いてもよく、また、モノマーとオリゴマーを併用することも可能である。
【００５１】
アクリレート化合物の具体例としては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、２−ヒドロキシ−１，３−ジアクリロキシプロパン、２，２−ビス［４−（アクリロキシメトキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（アクリロキシポリエトキシ）フェニル］プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス（アクリロイロキシエチル）イソシアヌレート、ウレタンアクリレート等が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を混合して用いることができる。また、必要によりハドロキノン、メチルエーテルハイドロキノン類等の重合禁止剤を用いてもよい。また、耐熱性を向上させる点からは、アクリレート化合物がジシクロペンテニル基、トリシクロデカニル基及びトリアジン環からなる群より選ばれる少なくとも１つの置換基を有することが好ましい。
【００５２】
マレイミド化合物は、分子中にマレイミド基を少なくとも２個以上含有するものであり、このようなマレイミド化合物としては、例えば、１−メチル−２，４−ビスマレイミドベンゼン、Ｎ，Ｎ’−m−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−p−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−m−トルイレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ビフェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−（３，３’−ジメチルビフェニレン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−（３，３’−ジメチルジフェニルメタン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−（３，３’−ジエチルジフェニルメタン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェニルメタンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェニルプロパンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−３，３’−ジフェニルスルホンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェニルエーテルビスマレイミド、２，２−ビス（４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（３−s−ブチル−４，８−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパン、１，１−ビス（４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）デカン、４，４’−シクロヘキシリデン−ビス（１−（４−マレイミドフェノキシ）−２−シクロヘキシルベンゼン、２，２−ビス（４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン等を挙げることができる。これらは単独で又は２種以上を混合して使用できる。
【００５３】
また、図２に示すように、導電粒子５１は、核体５１ｘと、核体５１ｘの表面を被覆するように形成された外層５１ｙとを備えるものであってもよい。なお、図２は、被覆粒子の一例を示す断面図である。図１の導電粒子５１を図２の導電粒子５１に置換してもよい。
【００５４】
核体５１ｘは高分子化合物からなり、当該高分子化合物としては、ポリスチレン、ポリジビニルベンゼン、ポリアクリル酸エステル、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ベンゾグアナミン樹脂等の各種プラスチック類、スチレンブタジエンゴムやシリコーンゴム等の各種ゴム類等が好適に用いられる。また、これらを主成分として、架橋剤、硬化剤、老化防止剤等の各種添加剤を用いることもできる。この場合、回路電極２２，３２同士を接続する際の加熱及び加圧により導電粒子５１が変形し易いので、導電粒子５１と回路電極２２，３２との接触面積が増加し、接続信頼性が向上する。
【００５５】
ここで、絶縁性微粒子５２の質量は、核体５１ｘの質量の７／１０００〜８６／１０００である。絶縁性微粒子５２の質量が核体５１ｘの質量の７／１０００未満であると、導電粒子５１が絶縁性微粒子５２によって十分に被覆されなくなる。このため、隣り合う回路電極２２，３２間の絶縁性、すなわち回路基板２１，３１の面方向における絶縁性が不十分となってしまう。一方、絶縁性微粒子５２の質量が核体５１ｘの質量の８６／１０００を超えると、絶縁性微粒子５２が過剰に導電粒子５１を被覆することとなる。このため、導電粒子５１が、対向する回路電極２２，３２同士を接続しても、回路基板２１，３１の厚み方向における接続抵抗が増大してしまう。
【００５６】
また、核体５１ｘは非導電性のガラス、セラミック、プラスチック等からなるとしてもよい。この場合であっても、回路電極２２，３２同士を接続する際の加熱及び加圧により導電粒子５１が変形し易いので、導電粒子５１と回路電極２２，３２との接触面積が増加し、接続信頼性が向上する。
【００５７】
外層５１ｙは、十分なポットライフ（可使時間）を得るために、Ｎｉ、Ｃｕ等の遷移金属類からなるのではなく、Ａｕ、Ａｇ、白金族等の貴金属類からなると好ましく、Ａｕからなるとより好ましい。
【００５８】
貴金属類の外層５１ｙの厚みは、１００オングストローム以上であると好ましい。この場合、回路電極２２，３２間で良好な接続抵抗を得ることができる。また、Ｎｉ等の遷移金属からなる核体５１ｘ表面に貴金属類の外層５１ｙを形成する場合、貴金属類の外層５１ｙの厚みは、３００オングストローム以上であると好ましい。貴金属類の外層５１ｙの厚みが３００オングストローム未満であると、例えば導電粒子５１を混合分散する際に外層５１ｙに欠損等が生じる。この欠陥等が生じた場所に、酸化還元作用による遊離ラジカルが発生し、回路接続材料の保存性を低下させてしまうおそれがある。そして、外層５１ｙの厚みが厚くなると外層５１ｙの効果が飽和してくるので、外層５１ｙの厚みは１マイクロメートル以下であると好ましい。
【００５９】
なお、本発明における導電粒子５１の質量に対する絶縁性微粒子５２の質量の比（質量比Ａ）の値、及び、核体５１ｘの質量に対する絶縁性微粒子５２の質量の比（質量比Ｂ）の値は、熱分解ガスクロマトグラフィーによって測定される値を用いる。熱分解ガスクロマトグラフィーは、各種プラスチックやゴム材料の定性分析及びそれらの共重合体やブレンド物の組成定量等に使用できることが知られている（寒川喜三郎、大栗直毅  編著、「熱分解ガスクロマトグラフィー入門」、P121−P176、技報堂出版株式会社、参照）。
【００６０】
本発明者らは、質量比Ａ及び質量比Ｂの値を測定する方法として、熱分解ガスクロマトグラフィーを用いた結果、良好な定量性が得られることを見出した。したがって、本発明では、質量比Ａ及び質量比Ｂの値は、熱分解ガスクロマトグラフィーの検量線法によって求めた値を用いるものとする。その際、用いられる検量線は、導電粒子５１と同一の材料、核体５１ｘと同一の材料、又は絶縁性微粒子５２と同一の材料を用いて作成された検量線に限定されるものでは無く、同様の種類のプラスチック類、ゴム類、ラジカル重合系物質の重合物を代用して作成された検量線であっても良い。
【００６１】
質量比Ａ及び質量比Ｂの値の測定で使用される熱分解ガスクロマトグラフィーのピークは、特に、限定されるものでは無く、導電粒子５１、核体５１ｘ及び絶縁性微粒子５２に由来する熱分解成分のピークを用いることができる。それらの熱分解成分のうち、プラスチック類、ゴム類、ラジカル重合性物質を構成する主モノマーの熱分解成分のピークを用いると、質量比Ａ及び質量比Ｂの値の定量性が向上するので好ましい。
【００６２】
（回路接続材料）
上記回路接続部材６０は、回路接続材料の硬化物からなる。ここで、回路接続材料について説明する。この回路接続材料は、被覆粒子及び接着剤組成物を含有している。
【００６３】
＜被覆粒子＞
ここで、被覆粒子は上記被覆粒子５０と同一の構成である。被覆粒子５０を構成する導電粒子５１は、接着剤組成物１００体積部に対して０．１〜３０体積部添加することが好ましく、その添加量は用途により使い分ける。なお、過剰な導電粒子５１による隣接回路電極の短絡等を防止するためには、０．１〜１０体積部添加することがより好ましい。
【００６４】
＜接着剤組成物＞
接着剤組成物は、ラジカル重合性物質と、加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤と、を含有すると好ましい。このような接着剤組成物を含む回路接続材料によって、回路部材２０，３０は加熱時に容易に接続される。
【００６５】
ラジカル重合性物質としては、絶縁性微粒子５２に使用されるラジカル重合性物質と同様のものが例示できる。ラジカル重合性物質はモノマー又はオリゴマーの状態で用いてもよく、また、モノマーとオリゴマーを併用することも可能である。
【００６６】
加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤は、加熱により分解して遊離ラジカルを発生する硬化剤であり、このような硬化剤としては、過酸化化合物、アゾ系化合物等が挙げられる。このような硬化剤は、目的とする接続温度、接続時間、ポットライフ等により適宜選定される。これらの中でも、反応性を高め、ポットライフを向上させることが可能となることから、半減期１０時間の温度が４０℃以上で、かつ、半減期１分の温度が１８０℃以下の有機過酸化物が好ましく、半減期１０時間の温度が６０℃以上で、かつ、半減期１分の温度が１７０℃以下の有機過酸化物がより好ましい。
【００６７】
硬化剤の配合量は、接続時間を１０秒以下とする場合、十分な反応率を得るために、ラジカル重合性物質と必要により配合されるフィルム形成材との和１００重量部に対して、０．１〜３０重量部であることが好ましく、１〜２０重量部であることがより好ましい。
【００６８】
硬化剤の配合量が０．１重量部未満では、十分な反応率を得ることができず、良好な接着強度又は小さな接続抵抗が得られにくくなる傾向にある。硬化剤の配合量が３０重量部を超えると、接着剤組成物の流動性が低下したり、接続抵抗が上昇したり、接着剤組成物のポットライフが短くなる傾向にある。
【００６９】
より具体的には、加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤として、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネート、パーオキシエステル、パーオキシケタール、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイド、シリルパーオキサイド等が挙げられる。また、回路電極２２，３２の腐食を抑えるという観点からは、硬化剤は、硬化剤中に含有される塩素イオンや有機酸の濃度が５０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、さらに、加熱分解後に発生する有機酸が少ないものがより好ましい。このような硬化剤は、具体的には、パーオキシエステル、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイド、シリルパーオキサイドから選定され、高反応性が得られるパーオキシエステルから選定されることがより好ましい。上記硬化剤は、適宜混合して用いることができる。
【００７０】
ジアシルパーオキサイドとしては、イソブチルパーオキサイド、２，４―ジクロロベンゾイルパーオキサイド、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、スクシニックパーオキサイド、ベンゾイルパーオキシトルエン、ベンゾイルパーオキサイド等が挙げられる。
【００７１】
パーオキシジカーボネートとしては、ジ−n−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−２−エトキシメトキシパーオキシジカーボネート、ジ（２−エチルヘキシルパーオキシ）ジカーボネート、ジメトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ（３−メチル−３メトキシブチルパーオキシ）ジカーボネート等が挙げられる。
【００７２】
パーオキシエステルとしては、クミルパーオキシネオデカノエート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシノエデカノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノデート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノネート、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｍ−トルオイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルパーオキシアセテート等が挙げられる。
【００７３】
パーオキシケタールとしては、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１―（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロドデカン、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）デカン等が挙げられる。
【００７４】
ジアルキルパーオキサイドとしては、α，α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド等が挙げられる。
【００７５】
ハイドロパーオキサイドとしては、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等が挙げられる。
【００７６】
シリルパーオキサイドとしては、ｔ−ブチルトリメチルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジメチルシリルパーオキサイド、ｔ−ブチルトリビニルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジビニルシリルパーオキサイド、トリス（ｔ−ブチル）ビニルシリルパーオキサイド、ｔ−ブチルトリアリルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジアリルシリルパーオキサイド、トリス（ｔ−ブチル）アリルシリルパーオキサイド等が挙げられる。
【００７７】
これらの硬化剤は、単独で又は２種以上を混合して使用することができ、分解促進剤、抑制剤等を混合して用いてもよい。また、これらの硬化剤をポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質等で被覆してマイクロカプセル化したものは、ポットライフが延長されるために好ましい。
【００７８】
また、上記回路接続材料は、フェノキシ樹脂からなるフィルム形成材を更に含有すると好ましい。これにより、回路接続材料をフィルム状に加工することが可能となる。また、回路接続材料が裂ける、割れる、或いはべたつく等の問題が生じにくく、通常の状態（常温常圧）で回路接続材料の取扱いが容易になる。さらに、フィルム状回路接続材料が、加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤を含有する層と被覆粒子を含有する層の２層以上に分割されていると、ポットライフが向上する。
【００７９】
＜フィルム形成材＞
フィルム形成材とは、液状物を固形化し構成組成物をフィルム形状とした場合に、そのフィルムの取扱いを容易とし、容易に裂けたり、割れたり、べたついたりしない機械的特性等を付与するものであり、通常の状態（常温常圧）でフィルムとしての取扱いができるものである。フィルム形成材としては、フェノキシ樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、キシレン樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。これらの中でも、接着性、相溶性、耐熱性、機械的強度に優れることからフェノキシ樹脂が好ましい。
【００８０】
フェノキシ樹脂は、２官能フェノール類とエピハロヒドリンを高分子量まで反応させるか、又は２官能エポキシ樹脂と２官能フェノール類を重付加させることにより得られる樹脂である。フェノキシ樹脂は、例えば２官能フェノール類１モルとエピハロヒドリン０．９８５〜１．０１５モルとをアルカリ金属水酸化物等の触媒の存在下、非反応性溶媒中４０〜１２０℃の温度で反応させることにより得ることができる。また、フェノキシ樹脂としては、樹脂の機械的特性や熱的特性の点からは、特に２官能性エポキシ樹脂と２官能性フェノール類の配合当量比をエポキシ基／フェノール水酸基＝１／０．９〜１／１．１とし、アルカリ金属化合物、有機リン系化合物、環状アミン系化合物等の触媒存在下、沸点が１２０℃以上のアミド系、エーテル系、ケトン系、ラクトン系、アルコール系等の有機溶剤中で、反応固形分が５０重量部以下の条件で５０〜２００℃に加熱して重付加反応させて得たものが好ましい。
【００８１】
２官能エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等が挙げられる。２官能フェノール類は、２個のフェノール性水酸基を持つものであり、このような２官能フェノール類としては、例えばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＳ等のビスフェノール類等が挙げられる。
【００８２】
また、フェノキシ樹脂は、その分子内に多環芳香族化合物に起因する分子構造を含有すると好ましい。これにより、接着性、相溶性、耐熱性、機械強度等に優れた回路接続材料が得られる。
【００８３】
多環芳香族化合物としては、例えばナフタレン、ビフェニル、アセナフテン、フルオレン、ジベンゾフラン、アントラセン、フェナンスレン等のジヒドロキシ化合物等が挙げられる。ここで、多環芳香族化合物はフルオレンであると好ましい。さらに、多環芳香族化合物は、９，９’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンであると特に好ましい。
【００８４】
なお、フェノキシ樹脂は、ラジカル重合性の官能基により変性されていてもよい。また、フェノキシ樹脂は、単独で用いても、２種類以上を混合して用いてもよい。
【００８５】
＜その他の含有成分＞
本実施形態の回路接続材料は、更に、アクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル及びアクリロニトリルからなる群より選ばれる少なくとも一種をモノマー成分とした重合体又は共重合体を含んでもよい。ここで、応力緩和に優れることから、グリシジルエーテル基を含有するグリシジルアクリレートやグリシジルメタクリレートを含む共重合体系アクリルゴムを併用することが好ましい。これらアクリルゴムの分子量（重量平均分子量）は、接着剤の凝集力を高める点から２０万以上が好ましい。
【００８６】
また、本実施形態の回路接続材料には、更に、充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、難燃化剤、色素、チキソトロピック剤、カップリング剤、フェノール樹脂、メラミン樹脂、イソシアネート類等を含有することもできる。
【００８７】
回路接続材料に充填剤を含有させる場合、接続信頼性等が向上するので好ましい。充填剤は、その最大径が導電粒子５１の平均粒径未満であれば使用できる。充填剤の配合量は、接着剤組成物１００体積部に対して５〜６０体積部であることが好ましい。配合量が６０体積部を超えると、接続信頼性向上効果が飽和する傾向があり、他方、５体積部未満では充填剤添加の効果が不充分となる傾向がある。
【００８８】
カップリング剤としては、ケチミン、ビニル基、アクリル基、アミノ基、エポキシ基又はイソシアネート基を含有する化合物が、接着性が向上するので好ましい。
【００８９】
具体的には、アミノ基を有するシランカップリング剤として、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。ケチミンを有するシランカップリング剤として、上記のアミノ基を有するシランカップリング剤に、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン化合物を反応させて得られたものが挙げられる。
【００９０】
次に、上記接続構造１０の製造方法について、図１、図３及び図４を用いて説明する。図３は、接続構造１０の製造に使用するフィルム状の回路接続材料を示す断面図、図４は、接続構造１０の製造方法の一工程を示す断面図である。
【００９１】
（回路部材の接続構造の製造方法）
まず、回路部材２０，３０を準備する。一方、フィルム状に成形してなるフィルム状回路接続材料６１を準備する（図３参照）。次に、回路部材２０と回路部材３０との間に、上述した回路接続材料をフィルム状に成形してなるフィルム状回路接続材料６１を介在させる。具体的には、例えば回路部材３０上にフィルム状回路接続材料６１を載せ、続いてフィルム状回路接続材料６１上に回路部材２０を載せる。このとき、回路電極２２及び回路電極３２が相互に対向するように、回路部材２０及び回路部材３０を配置する。ここで、フィルム状回路接続材料６１はフィルム状であるため取扱いが容易である。このため、このフィルム状回路接続材料６１を回路部材２０，３０間に容易に介在させることができ、回路部材２０，３０の接続作業を容易にすることができる。
【００９２】
次に、回路部材２０，３０を介してフィルム状回路接続材料６１を加熱しながら図４の矢印Ａ及びＢ方向に加熱及び加圧して硬化処理を施し（図４参照）、回路部材２０，３０の間に回路接続部材６０を形成する（図１参照）。硬化処理は、一般的な方法により行うことが可能であり、その方法は接着剤組成物により適宜選択される。なお、加熱及び加圧の際に、回路部材２０，３０のいずれか一方の側から光を照射して、回路電極２２，２３の位置合わせを行ってもよい。
【００９３】
このようにして接続構造１０を製造すると、対向する回路電極２２，３２間の接続抵抗が十分に低減され、且つ安定化されると共に、隣り合う回路電極２２，３２間の絶縁性が十分に向上された接続構造１０を得ることができる。
【００９４】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。
【００９５】
例えば、上記実施形態では、接続構造１０において回路電極２２，３２がいずれも電極表面層２４，３４を有するとしたが、回路電極２２，３２のいずれか一方が電極表面層を有するとしてもよい。また、回路電極２２，３２のいずれもが電極表面層を有しなくてもよい。
【００９６】
また、上記実施形態では、接続構造１０において回路部材３０が基板表面層３５を有するとしたが、回路部材２０のみが基板表面層を有するとしてもよい。また、回路部材２０，３０がいずれも基板表面層を有するとしてもよい。さらに、回路部材２０，３０がいずれも基板表面層を有しないとしてもよい。
【００９７】
また、上記実施形態では、フィルム状回路接続材料６１を用いて接続構造１０を製造しているが、フィルム状回路接続材料６１に限られずフィルム形成材を含まない回路接続材料を用いてもよい。この場合でも、回路接続材料を溶媒に溶解させ、その溶液を回路部材２０，３０のいずれかに塗布して乾燥させれば、回路部材２０，３０間に回路接続材料を介在させることができる。
【００９８】
また、上記実施形態では、回路接続材料が導電粒子５１を含有するとしたが、導電粒子５１を含有していなくてもよい。この場合であっても、対向する回路電極２２，３２が各々直接接触することにより電気的な接続が得られる。なお、導電粒子５１を含有する場合には、導電粒子５１を含有しない場合に比べて、より安定な電気的接続が得られる。
【実施例】
【００９９】
以下、本発明の内容を、実施例を用いて更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０１００】
（実施例１）
（１）被覆粒子の作製
まず、平均粒径５μｍの架橋ポリスチレン粒子（ＰＳｔ）の表面に、厚み０．２μｍのニッケル層を無電解めっきで設け、さらに、そのニッケル層の外側に厚み０．０４μｍの金層を設けることによって、導電粒子５１に相当するめっきプラスチック粒子（ＰＳｔ−Ｍ）を得た。このめっきプラスチック粒子の表面の一部を、絶縁性微粒子５２に相当するメタクリル酸メチルの重合物、すなわちポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）により被覆し、平均粒径０．２μｍの絶縁性微粒子で被覆された平均粒径５．２μｍの被覆粒子Ａを得た。被覆粒子Ａは、導電粒子の表面の２０％が被覆されており、被覆後の比重が被覆前の比重に対して９８／１００となるように被覆されている。なお、平均粒径は、走査型電子顕微鏡による観察で得られた測定値から算出されたものである。
【０１０１】
（２）熱分解ガスクロマトグラフィー測定
まず、質量比Ａ（導電粒子の質量に対する絶縁性微粒子の質量の比）についての検量線を作成するために熱分解ガスクロマトグラフィー測定を行った。測定結果において、めっきプラスチック粒子（ＰＳｔ−Ｍ）の熱分解成分のピークとして、スチレン（Ｓｔ）のピーク面積ＩＳｔを用いた。また、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）の熱分解成分のピークとして、メタクリル酸メチル（ＭＭＡ）のピーク面積ＩＭＭＡを用いた。これらより、ピーク面積比（ＩＭＭＡ／ＩＳｔ）を算出した。
【０１０２】
また、めっきプラスチック粒子（ＰＳｔ−Ｍ）の質量ＷＰＳｔ−Ｍは導電粒子５１の質量に相当し、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）の質量ＷＰＭＭＡは絶縁性微粒子５２の質量に相当する。これらより、質量比Ａ（ＷＰＭＭＡ／ＷＰＳｔ−Ｍ）を算出した。そして、ピーク面積比（ＩＭＭＡ／ＩＳｔ）と質量比Ａ（ＷＰＭＭＡ／ＷＰＳｔ−Ｍ）との関係について、図５に示す検量線を作成した。図５の検量線は、良好な直線性を有していた。
【０１０３】
次に、質量比Ｂ（核体の質量に対する絶縁性微粒子の質量の比）についての検量線を作成するために熱分解ガスクロマトグラフィー測定を行った。測定結果において、架橋ポリスチレン粒子（ＰＳｔ）の熱分解成分のピークとして、スチレン（Ｓｔ）のピーク面積ＩＳｔを用いた。また、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）の熱分解成分のピークとして、メタクリル酸メチル（ＭＭＡ）のピーク面積ＩＭＭＡを用いた。これらより、ピーク面積比（ＩＭＭＡ／ＩＳｔ）を算出した。
【０１０４】
また、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）の質量ＷＰＭＭＡは絶縁性微粒子５２の質量に相当し、架橋ポリスチレン粒子（ＰＳｔ）の質量ＷＰＳｔは核体５１ｘの質量に相当する。これらより、質量比Ｂ（ＷＰＭＭＡ／ＷＰＳｔ）を算出した。そして、ピーク面積比（ＩＭＭＡ／ＩＳｔ）と質量比Ｂ（ＷＰＭＭＡ／ＷＰＳｔ）との関係について、図６に示す検量線を作成した。図６の検量線は、良好な直線性を有していた。
【０１０５】
そして、被覆粒子Ａについて、表１に示す測定条件で熱分解ガスクロマトグラフィー測定を行い、ピーク面積比（ＩＭＭＡ／ＩＳｔ）を算出した。そして、このピーク面積比に基づき、質量比Ａを図５の検量線から算出した結果、質量比Ａは９／１０００であり、質量比Ｂを図６の検量線から算出した結果、質量比Ｂは２９／１０００であった（表２参照）。
【０１０６】
【表１】
2005197089.tif 000003
【０１０７】
【表２】
2005197089.tif 000004
【０１０８】
（３）回路接続材料の作製
まず、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＡとからガラス転移温度が８０℃のフェノキシ樹脂を合成した。このフェノキシ樹脂５０ｇを、重量比でトルエン（沸点１１０．６℃、ＳＰ値８．９０）／酢酸エチル（沸点７７．１℃、ＳＰ値９．１０）＝５０／５０の混合溶剤に溶解して、固形分４０重量％の溶液とした。そして、固形分重量比でフェノキシ樹脂６０ｇ、ジシクロペンテニルジアルコールジアクリレート３９ｇ、リン酸エステル型アクリレート１ｇ、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート５ｇとなるように溶液を調整した。
【０１０９】
次に、被覆粒子Ａを、上記溶液に５体積％配合分散させて、溶液を調整した。そして、この溶液を、片面を表面処理した厚み８０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムに塗工装置を用いて塗布し、７０℃で１０分の熱風乾燥により、ＰＥＴフィルム上に厚みが１０μmの第１フィルム状材料を得た。
【０１１０】
また、固形分重量比でフェノキシ樹脂６０ｇ、ジシクロペンテニルジアルコールジアクリレート３９ｇ、リン酸エステル型アクリレート１ｇ、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート５ｇとなるように別の溶液を調整した。この溶液を、片面を表面処理した厚み８０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムに塗工装置を用いて塗布し、７０℃で１０分の熱風乾燥により、ＰＥＴフィルム上に厚みが１０μmで接着剤組成物からなる第２フィルム状材料を得た。
【０１１１】
上記第１フィルム状材料及び上記第２フィルム状材料をラミネーターにて貼り合わせ、二層構成のフィルム状回路接続材料を得た。
【０１１２】
（４）回路部材の接続構造の作製
まず、第一の回路部材として、バンプ面積５０μm×５０μm、ピッチ１００μm、高さ２０μmの金バンプを配置したＩＣチップを準備した。次に、第二の回路部材として、厚み１．１ｍｍのガラス基板上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の回路を蒸着により形成したＩＴＯ基板（表面抵抗＜２０Ω／□）を準備した。
【０１１３】
そして、ＩＣチップとＩＴＯ基板との間に上記フィルム状回路接続材料を介在させ、ＩＣチップ、フィルム状回路接続材料及びＩＴＯ基板を石英ガラスと加圧ヘッドとで挟み、２００℃、１００ＭＰａで１０秒間加熱及び加圧した。このようにして、フィルム状回路接続材料を介してＩＣチップとＩＴＯ基板とを接続した。このとき、ＩＴＯ基板上にあらかじめフィルム状回路接続材料の一方の接着面を７０℃、０．５ＭＰａで５秒間加熱及び加圧して貼り付けた。その後、ＰＥＴフィルムを剥離して、フィルム状回路接続材料の他方の接着面をＩＣチップと接続した。以上のようにして、回路部材の接続構造Ａを作製した。
【０１１４】
（実施例２）
（１）被覆粒子の作製
まず、平均粒径５μｍの架橋ポリスチレン粒子の表面に、厚み０．２μｍのニッケル層を無電解めっきで設け、さらに、そのニッケル層の外側に厚み０．０４μｍの金層を設けることによって、導電粒子５１に相当するめっきプラスチック粒子（ＰＳｔ−Ｍ）を得た。このめっきプラスチック粒子の表面の一部を、絶縁性微粒子５２に相当するポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）により被覆し、平均粒径０．２μｍの絶縁性微粒子で被覆された平均粒径５．２μｍの被覆粒子Ｂを得た。被覆粒子Ｂは、導電粒子の表面の４０％が被覆されており、被覆後の比重が被覆前の比重に対して９７／１００となるように、導電粒子が絶縁性微粒子によって被覆されている。なお、平均粒径は、走査型電子顕微鏡による観察で得られた測定値から算出されたものである。また、被覆率については、実施例１と同様に測定した。
【０１１５】
（２）熱分解ガスクロマトグラフィー測定
被覆粒子Ｂについて、表１に示す測定条件で熱分解ガスクロマトグラフィー測定を行った。質量比Ａを図５の検量線から算出した結果、質量比Ａは１８／１０００であり、質量比Ｂを図６の検量線から算出した結果、質量比Ｂは５８／１０００であった（表２参照）。
【０１１６】
（３）回路接続材料の作製
まず、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂と９、９‘−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンとからガラス転移温度が８０℃のフェノキシ樹脂を合成した。このフェノキシ樹脂５０ｇを、重量比でトルエン（沸点１１０．６℃、ＳＰ値８．９０）／酢酸エチル（沸点７７．１℃、ＳＰ値９．１０）＝５０／５０の混合溶剤に溶解して、固形分４０重量％の溶液とした。そして、固形分重量比でフェノキシ樹脂６０ｇ、ジシクロペンテニルジアルコールジアクリレート３９ｇ、リン酸エステル型アクリレート１ｇ、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート５ｇとなるように溶液を調整した。
【０１１７】
次に、被覆粒子Ｂを、上記溶液に５体積％配合分散させて、溶液を調整した。そして、この溶液を、片面を表面処理した厚み８０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムに塗工装置を用いて塗布し、７０℃で１０分の熱風乾燥により、ＰＥＴフィルム上に厚みが１０μmの第１フィルム状材料を得た。
【０１１８】
また、固形分重量比でフェノキシ樹脂６０ｇ、ジシクロペンテニルジアルコールジアクリレート３９ｇ、リン酸エステル型アクリレート１ｇ、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート５ｇとなるように別の溶液を調整した。この溶液を、片面を表面処理した厚み８０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムに塗工装置を用いて塗布し、７０℃で１０分の熱風乾燥により、ＰＥＴフィルム上に厚みが１０μmで接着剤組成物からなる第２フィルム状材料を得た。
【０１１９】
上記第１フィルム状材料及び上記第２フィルム状材料をラミネーターにて貼り合わせ、二層構成のフィルム状回路接続材料を得た。
【０１２０】
（４）回路部材の接続構造の作製
上記フィルム状回路接続材料を用い、実施例１と同様にして回路部材の接続構造Ｂを作製した。
【０１２１】
（実施例３）
（１）被覆粒子の作製
被覆粒子Ｃとして、積水化学株式会社製のＡＵＬ−７０４ＧＤを用いた。被覆粒子Ｃの核体５１ｘはポリアクリル酸エステル系のプラスチックからなり、導電粒子５１の平均粒径は４μｍである。絶縁性微粒子５２はポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）から構成されており、その平均粒径は０．２μｍである。
【０１２２】
（２）熱分解ガスクロマトグラフィー測定
まず、質量比Ａについての検量線を作成するために熱分解ガスクロマトグラフィー測定を行った。測定に際しては、ポリアクリル酸エステル系のプラスチックからなる核体５１ｙを有する導電粒子５１として、積水化学株式会社製のＡＵＬ−７０４（ＰＡｃ−Ｍ）を用いた。
【０１２３】
測定結果において、ＡＵＬ−７０４（ＰＡｃ−Ｍ）の熱分解成分のピークとして、アクリル酸エステル（Ａｃ）のピーク面積ＩＡｃを用いた。また、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）の熱分解成分のピークとして、メタクリル酸メチル（ＭＭＡ）のピーク面積ＩＭＭＡを用いた。これらより、ピーク面積比（ＩＭＭＡ／ＩＳｔ）を算出した。
【０１２４】
また、ＡＵＬ−７０４（ＰＡｃ−Ｍ）の質量ＷＰＡｃ−Ｍは導電粒子５１の質量に相当し、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）の質量ＷＰＭＭＡは絶縁性微粒子５２の質量に相当する。これらより、質量比Ａ（ＷＰＭＭＡ／ＷＰＡｃ−Ｍ）を算出した。そして、ピーク面積比（ＩＭＭＡ／ＩＳｔ）と質量比Ａ（ＷＰＭＭＡ／ＷＰＡｃ−Ｍ）との関係について、図７に示す検量線を作成した。図７の検量線は、良好な直線性を有していた。
【０１２５】
次に、質量比Ｂについての検量線を作成するために熱分解ガスクロマトグラフィー測定を行った。測定に際しては、ポリアクリル酸エステル粒子である積水化学株式会社製のＬＰ−７０４（ＰＡｃ）を用いた。
【０１２６】
測定結果において、ＬＰ−７０４（ＰＡｃ）の熱分解成分のピークとして、アクリル酸エステル（Ａｃ）のピーク面積ＩＡｃを用いた。また、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）の熱分解成分のピークとして、メタクリル酸メチル（ＭＭＡ）のピーク面積ＩＭＭＡを用いた。これらより、ピーク面積比（ＩＭＭＡ／ＩＡｃ）を算出した。
【０１２７】
また、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）の質量ＷＰＭＭＡは絶縁性微粒子５２の質量に相当し、ＬＰ−７０４（ＰＡｃ）の質量ＷＰＡｃは核体５１ｘの質量に相当する。これらより、質量比Ｂ（ＷＰＭＭＡ／ＷＰＡｃ）を算出した。そして、ピーク面積比（ＩＭＭＡ／ＩＡｃ）と質量比Ｂ（ＷＰＭＭＡ／ＷＰＡｃ）との関係について、図８に示す検量線を作成した。図８の検量線は、良好な直線性を有していた。
【０１２８】
そして、被覆粒子Ｃについて、表１に示す測定条件で熱分解ガスクロマトグラフィー測定を行った結果、図９に示すパイログラムが得られた。アクリル酸エステル（Ａｃ）とメタクリル酸メチル（ＭＭＡ）のピーク面積比（ＩＭＭＡ／ＩＡＣ）は、１．９０であった。この値を用いて、質量比Ａを図７の検量線から算出した結果、質量比Ａは１１／１０００であり、質量比Ｂを図８の検量線から算出した結果、質量比Ｂは３４／１０００であった（表２参照）。
【０１２９】
（３）回路接続材料の作製
実施例１における被覆粒子Ａの代わりに被覆粒子Ｃを用いた他は、実施例１と同様にして、二層構成のフィルム状回路接続材料を得た。
【０１３０】
（４）回路部材の接続構造の作製
上記フィルム状回路接続材料を用い、実施例１と同様にして回路部材の接続構造Ｃを作製した。
【０１３１】
（比較例１）
（１）導電粒子の作製
表面が絶縁性微粒子で被覆されていない導電粒子を用いた。すなわち、導電粒子の被覆率は０％である。
【０１３２】
（２）熱分解ガスクロマトグラフィー測定
質量比Ａ及び質量比Ｂの算出結果を表２に示す。
【０１３３】
（３）回路接続材料の作製
実施例１における被覆粒子Ａの代わりに、絶縁性微粒子で被覆されていない導電粒子を用いた他は、実施例１と同様にして、二層構成のフィルム状回路接続材料を得た。
【０１３４】
（４）回路部材の接続構造の作製
上記フィルム状回路接続材料を用い、実施例１と同様にして回路部材の接続構造Ｄを作製した。
【０１３５】
（比較例２）
（１）被覆粒子の作製
まず、平均粒径５μｍの架橋ポリスチレン粒子（ＰＳｔ）の表面に、厚み０．２μｍのニッケル層を無電解めっきで設け、さらに、そのニッケル層の外側に厚み０．０４μｍの金層を設けることによって、めっきプラスチック粒子（ＰＳｔ−Ｍ）を得た。このめっきプラスチック粒子の表面の一部を、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）により被覆し、平均粒径０．２μｍの絶縁性微粒子で被覆された平均粒径５．２μｍの被覆粒子Ｅを得た。なお、平均粒径は、走査型電子顕微鏡による観察で得られた測定値から算出されたものである。
【０１３６】
（２）熱分解ガスクロマトグラフィー測定
被覆粒子Ｅについて、表１に示す測定条件で熱分解ガスクロマトグラフィー測定を行った。質量比Ａを図５の検量線から算出した結果、質量比Ａは３０／１０００であり、質量比Ｂを図６の検量線から算出した結果、質量比Ｂは１０１／１０００であった（表２参照）。
【０１３７】
（３）回路接続材料の作製
実施例１における被覆粒子Ａの代わりに被覆粒子Ｅを用いた他は、実施例１と同様にして、二層構成のフィルム状回路接続材料を得た。
【０１３８】
（４）回路部材の接続構造の作製
上記フィルム状回路接続材料を用い、実施例１と同様にして回路部材の接続構造Ｅを作製した。
【０１３９】
（対向する回路電極間の接続抵抗の測定）
回路部材の接続構造Ａ〜Ｅについて、初期（接続直後）の接続抵抗と、−４０℃で３０分及び１００℃で３０分の温度サイクル槽中に５００サイクル保持した後の接続抵抗を、２端子測定法を用いマルチメータで測定した。結果を表３に示す。ここで、接続抵抗とは対向する回路電極間の抵抗を意味する。
【０１４０】
（隣り合う回路電極間の絶縁抵抗の測定）
回路部材の接続構造Ａ〜Ｅについて、直流（ＤＣ）５０Ｖの電圧を１分間印加した後の絶縁抵抗を、２端子測定法を用いマルチメータで測定した。結果を表３に示す。ここで、絶縁抵抗とは隣り合う回路電極間の抵抗を意味する。
【０１４１】
【表３】
2005197089.tif 000005
【０１４２】
実施例１〜３の回路部材の接続構造Ａ〜Ｃでは、初期、温度サイクル後のいずれにおいても接続抵抗は十分低く抑えられており、絶縁抵抗も十分高くなっていた。
【０１４３】
これに対し、比較例１の回路部材の接続構造Ｄでは、接続構造Ａ〜Ｃに比べて絶縁抵抗が低くなっていた。また、比較例２の回路部材の接続構造Ｅでは、初期、温度サイクル後のいずれにおいても、接続構造Ａ〜Ｃに比べて接続抵抗が高くなっていた。
【０１４４】
以上より、本発明の回路接続材料を用いて回路部材の接続構造を製造した場合には、得られる回路部材の接続構造において、対向する回路電極間の接続抵抗を十分に低減し、且つ安定化できると共に、隣り合う回路電極間の絶縁性を十分に向上できることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１４５】
【図１】本発明の回路部材の接続構造の一実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の回路接続材料に用いられる被覆粒子の一例を示す断面図である。
【図３】本発明のフィルム状回路接続材料の一実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の回路部材の接続構造の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例１，２及び比較例２における質量比Ａを求めるための検量線を示すグラフである。
【図６】本発明の実施例１，２及び比較例２における質量比Ｂを求めるための検量線を示すグラフである。
【図７】本発明の実施例３における質量比Ａを求めるための検量線を示すグラフである。
【図８】本発明の実施例３における質量比Ｂを求めるための検量線を示すグラフである。
【図９】本発明の実施例３における被覆粒子Ｃについて、熱分解ガスクロマトグラフィー測定を行った結果得られたパイログラムである。
【符号の説明】
【０１４６】
１０…回路部材の接続構造、２０…回路部材（第一の回路部材）、２１…回路基板（第一の回路基板）、２１ａ…主面、２２…回路電極（第一の回路電極）、２４，３４…電極表面層、３０…回路部材（第二の回路部材）、３１…回路基板（第二の回路基板）、３１…ａ主面、３２…回路電極（第二の回路電極）、３５…基板表面層、５０…被覆粒子、５１…導電粒子、５１ｘ…核体、５１ｙ…外層、５１ａ…表面、５２…絶縁性微粒子、６０…回路接続部材、６１…フィルム状回路接続材料。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2005197089.tif 000011
【図７】
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【図８】
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【図９】
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