(57)【要約】【課題】高コントラスト、高アスペクト比に形成されたレジストパターンを、被加工基板にプロセス余裕度を持って転写することが可能となる近接場露光用フォトレジスト、及びこれを用いた微細パターンの作製方法を提供する。【解決手段】近接場露光用フォトレジストを、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と、近接場露光によって光反応するジアジド系感光剤と、近接場露光によって酸を発生する光酸発生剤と、溶媒と、を含む構成とし、該フォトレジストを用いてフォトレジストの上層部に形成された微細パターンを被加工基板に転写できるようにする。【選択図】            図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
近接場露光によって微細パターンを作製する際に用いる近接場露光用フォトレジストであって、
アルカリ可溶性ノボラック樹脂と、
近接場露光によって光反応するジアジド系感光剤と、
近接場露光によって酸を発生する光酸発生剤と、
溶媒と、
を含んでいることを特徴とする近接場露光用フォトレジスト。
【請求項２】
前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂が、フェノール類を酸触媒の存在下においてアルデヒド類と縮合させて合成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の近接場露光用フォトレジスト。
【請求項３】
前記ジアジド系感光剤が、ポリヒドロキシ化合物と感光基であるキノンジアジドスルホン酸とのエステル化反応によって合成することができる化合物であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の近接場露光用フォトレジスト。
【請求項４】
前記光酸発生剤が、オニウム塩またはトリアジンであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の近接場露光用フォトレジスト。
【請求項５】
前記溶媒が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、酢酸ブチル、２−ヘプタノン、等の単独または混合したものからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の近接場露光用フォトレジスト。
【請求項６】
微細パターンを形成し、該微細パターンを被加工基板に転写する微細パターンの作製方法において、
前記微細パターンを形成するに際して、請求項１〜５のいずれか１項に記載の近接場露光用フォトレジストを用い、該近接場露光用フォトレジストの上層部をシリル化し、該シリル化した部分に近接場露光によってパターンを形成し、該パターンを用いて前記微細パターンを形成することを特徴とする微細パターンの作製方法。
【請求項７】
微細パターンの作製方法において、
前記被加工基板に、請求項１〜５のいずれか１項に記載のフォトレジストを塗布する工程と、
前記フォトレジストの上層を、気相または液相によってシリル化する工程と、
前記フォトレジストのシリル化した部分を近接場露光し、該部分に潜像パターンを形成する工程と、
前記シリル化した部分に形成された潜像パターンを、アルカリ現像液によって現像する工程と、
前記現像されたシリル化した部分のパターンを、酸素ドライエッチングによって前記フォトレジストの膜厚方向に転写する工程と、
前記転写されたフォトレジストのパターンを、ドライエッチングによって基板に転写する工程と、
を有することを特徴とする微細パターンの作製方法。
【請求項８】
前記シリル化する工程において、前記シリル化した部分の厚さを、近接場露光に用いるマスクの微小開口の開口径の大きさ以下の厚さにすることを特徴とする請求項７に記載の微細パターンの作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近接場露光用フォトレジスト、及びこれを用いた微細パターンの作製方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体メモリの大容量化やＣＰＵプロセッサの高速化・大集積化の進展と共に光リソグラフィの更なる微細化は必要不可欠なものとなっている。光リソグラフィの微細化手段として、光リソグラフィ装置に用いられる光の短波長化が進み、現在は紫外線レーザが用いられ、０．１μｍ程度の微細加工が可能となっている。
しかし、さらなる微細化を行うためには、レーザの更なる短波長化、その波長領域で使用することのできるレンズの開発、装置の小型化など、解決しなければならない課題も多い。
【０００３】
一方、光により光波長以下の幅のフォトレジストパターン作製を行うために、近接場光を用いる方法が提案されている。
例えば、特許文献１には光ファイバーの先端をウェットエッチングにより先鋭化したプローブを用いたプローブ走査による近接場露光方式が開示されている。また、上記方法ではスループットが遅いという課題を解決するため、特許文献２など、マスクを用いた一括近接場露光についても多数提案がなされている。
【０００４】
近接場露光を行う場合においてのメリットは、用いる光の波長に寄らず、使用するプローブやマスクの開口径によって、作製できる最小パターン幅が決まることである。従って、これによるとエキシマレーザなどの大型で高価な光源を用いなくても、０．１μｍ以下の微細パターンの作製が可能である。露光用光源として、安価で小型な水銀ランプや、青色半導体レーザをも用いることができる。
【特許文献１】特開平７−１０６２２９号公報
【特許文献２】特開平１１−１４５０５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、近接場露光では、パターンの微細化が光の短波長化を行わなくても実現できるというメリットがあるが、近接場光がフォトレジストによって乱されることによってできる散乱光によりレジストが露光されるので、像形成用フォトレジスト膜の膜厚が大きいと、形成されるパターン幅が広がり、パターン幅が大きくなる傾向がみられる。
図４にその様子を示す。図において、２０４はマスク母材であり、２０５は遮光膜である。露光用光５０５を、微小開口５１３を有するマスクに入射することにより、近接場光５１０を微小開口５１３付近に形成する（図４（ａ））。マスクとフォトレジスト５０３を近接させる（図４（ｂ））と、この近接場光５１０が基板５０４上のフォトレジスト５０３によって散乱され、フォトレジスト５０３にフォトレジスト反応部５０１を形成する。
【０００６】
このフォトレジスト５０３の膜厚が厚い場合、その膜厚方向基板まで露光を行おうと露光量を増やすと、フォトレジスト反応部の基板５０４面方向への広がりが大きくなるため、形成できるパターン幅が広がる。また、微小開口の間隔が狭い場合は、互いの開口からのフォトレジスト反応部が重なり、さらに形成パターン線幅が広くなってしまうこととなる。また、微細パターンの作製を行おうとすると、露光量を減らす必要があるが、それではレジスト上層部の浅いところまでしかパターンを形成することができないという問題が生じる。
【０００７】
そのため、近接場露光で微細パターンを作製するためには、露光用光が通過する開口において、フォトレジストの膜厚は前記開口の最小開口径よりも薄い膜厚であることが望ましい。
しかしながら、このようにフォトレジストが薄い膜厚では、基板転写のときのエッチング耐性が低く、より微細なパターンを作製しようとすると、基板転写のときにプロセス余裕度が低くなってしまうこととなり、あるいは、フォトレジストと選択比の取れないガスやシステムを使わなくてはいけない基板に対しては転写ができない、という問題が生じる。
【０００８】
そこで、本発明は、上記課題を解決し、高コントラスト、高アスペクト比に形成されたレジストパターンを、被加工基板にプロセス余裕度を持って転写することが可能となる近接場露光用フォトレジスト、及びこれを用いた微細パターンの作製方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、以下のように構成した近接場露光用フォトレジスト、及びこれを用いた微細パターンの作製方法を提供するものである。
すなわち、本発明の近接場露光用フォトレジストは、近接場露光によって微細パターンを作製する際に用いる近接場露光用フォトレジストであって、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と、近接場露光によって光反応するジアジド系感光剤と、近接場露光によって酸を発生する光酸発生剤と、溶媒と、を含んでいることを特徴としている。
また、本発明の近接場露光用フォトレジストは、前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂が、フェノール類を酸触媒の存在下においてアルデヒド類と縮合させて合成することができる。
また、本発明の近接場露光用フォトレジストは、前記ジアジド系感光剤が、ポリヒドロキシ化合物と感光基であるキノンジアジドスルホン酸とのエステル化反応によって合成することができる化合物で構成することができる。
また、本発明の近接場露光用フォトレジストは、前記光酸発生剤が、オニウム塩またはトリアジンで構成することができる。
また、本発明の近接場露光用フォトレジストは、前記溶媒が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、酢酸ブチル、２−ヘプタノン、等の単独または混合したもので構成することができる。
また、本発明の微細パターンの作製方法は、微細パターンを形成し、該微細パターンを被加工基板に転写する微細パターンの作製方法において、前記微細パターンを形成するに際して、上記したいずれかに記載の近接場露光用フォトレジストを用い、該近接場露光用フォトレジストの上層部をシリル化し、該シリル化した部分に近接場露光によってパターンを形成し、該パターンを用いて前記微細パターンを形成することを特徴としている。
また、本発明の微細パターンの作製方法は、微細パターンの作製方法において、前記被加工基板に、上記したいずれかに記載のフォトレジストを塗布する工程と、前記フォトレジストの上層を、気相または液相によってシリル化する工程と、前記フォトレジストのシリル化した部分を近接場露光し、該部分に潜像パターンを形成する工程と、前記シリル化した部分に形成された潜像パターンを、アルカリ現像液によって現像する工程と、前記現像されたシリル化した部分のパターンを、酸素ドライエッチングによって前記フォトレジストの膜厚方向に転写する工程と、前記転写されたフォトレジストのパターンを、ドライエッチングによって基板に転写する工程と、を有することを特徴としている。
また、本発明の微細パターンの作製方法は、前記シリル化する工程において、前記シリル化した部分の厚さを、近接場露光に用いるマスクの微小開口の開口径の大きさ以下の厚さにすることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、フォトレジストの上層部に形成された微細パターンを用いて、高コントラスト、高アスペクト比のレジストパターンを形成することができ、このレジストパターンを被加工基板にプロセス余裕度を持って転写することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の実施の形態におけるフォトレジストの内容物には、アルカリ可溶性ノボラック樹脂、近接場露光によって光反応するジアジド系感光剤、近接場露光によって酸を発生する光酸発生剤、溶媒を含んでいる。
本実施の形態において使用されるアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、例えば、フェノール類を酸触媒の存在下、アルデヒド類と縮合させて合成し、合成されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂を極性溶媒、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の環状エーテル類等に溶解し、次に、水−極性溶媒混合系、ペンタン、ヘキサン等の非極性溶媒に入れ樹脂分を沈殿させて調製することができる。また、別の方法として、フェノール類とアルデヒド類とを反応させる際に、例えば、アルデヒド類を回分的または連続的に添加することにより、縮合反応を制御し調製することができる。
【００１２】
また、本実施の形態におけるアルカリ可溶性ノボラック樹脂の合成に使用されるフェノール類としては、フェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール等のキシレノール類、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−エチルフェノール、２，３，５−トリメチルフェノール、ブチルフェノール、ヒドロキノン、ジヒドロキシジフェニルプロパントリメチルフェノール、プロピルフェノール、ジヒドロキシベンゼン等を挙げることができる。これらのフェノール類は単独でまたは二種以上を混合して使用することができる。
また、本実施の形態におけるアルカリ可溶性ノボラック樹脂の合成に使用されるアルデヒド類の具体例としては、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、フルフラール等を挙げることができる。
また、本実施の形態におけるアルカリ可溶性ノボラック樹脂の合成に使用される酸触媒としては、塩酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸等を用いることができる。
上記アルデヒド類は、反応条件に応じて、フェノール類１モルに対して０．７〜３モルの範囲の量を使用することができる。上記酸触媒の使用量は、一般的には、フェノール類１モルに対して、１×１０-4〜５×１０-3モルであり、反応温度は１０〜２００℃、好ましくは７０〜１３０℃である。
なお、本発明に使用されるアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、アルカリ可溶性を損なわないかぎり、各種置換基を有してもよい。
【００１３】
また、本実施の形態において使用されるジアジド系感光剤は、ポリヒドロキシ化合物と感光基であるキノンジアジドスルホン酸とのエステル化反応によって合成することができる化合物である。
該ポリヒドロキシ化合物として、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４’−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４、６−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン等を用いることができる。
前記キノンジアジドスルホン酸としては、ベンゾキノン−１，２−ジアジド−４−スルホン酸、ナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホン酸、ナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホン酸などのナフトキノン−１，２−ジアジドスルホン酸等が挙げられる。
【００１４】
また、本実施の形態において使用される光酸発生剤としては、ヨードニウム塩、スルホニウム塩などのオニウム塩、トリアジンを用いることができる。また、光酸発生剤単独では酸発生効率が低く、像形成に問題となる場合には、２−Ｅｔｈｙｌ−９，１０−ｄｉｍｅｔｈｏｘｙａｎｔｈｒａｃｅｎｅのような増感剤を共に用いることができる。
【００１５】
上記方法により作製、用意されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂と感光剤、光酸発生剤を溶媒により溶解することで本実施の形態におけるフォトレジストを作製する。
溶媒としては、アルカリ溶解性ノボラック樹脂と感光剤、光酸発生剤が溶解するものであればよいが、安全面からＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）や乳酸エチル、酢酸ブチル、２−ヘプタノン等を単独、または混合して使用することが望ましい。
本実施の形態における近接場露光用のポジ型フォトレジストは、必要に応じて、アルカリ可溶性ノボラック樹脂以外のアルカリ可溶性樹脂、増感剤、界面活性剤、着色剤、接着助剤、保存安定剤、消泡剤等の公知の添加剤を含むことができる。
【００１６】
上記のように作製したフォトレジストを用い、以下に示すような方法によって、微細パターンを基板に転写する。
本実施の形態における微細パターン作製方法を、図１を用いて説明する。
まず、被加工基板１０２上に、上記に説明したフォトレジスト１０１を、スピンコータなどを用いて成膜する（図１（ａ））。このとき、レジスト膜厚は、基板１０２を加工したい深さに対して、基板１０２をエッチングするガスでのドライエッチング時の膜減りに耐えられる厚さとする。
次に、このフォトレジスト１０１表面に対して、シリル化処理を行う（図１（ｂ））。シリル化処理は、気相でも液相でも良い。
【００１７】
シリル化処理を行う際のシリル化剤１０３として、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｉｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＤＳ（Ｔｅｔｒａｍｅｔｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＨＭＣＴＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｔｒｉｓｉｌａｘａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）を用いることができる。
また、液相シリル化の場合は、上記シリル化剤に必要に応じて拡散促進剤、溶媒を用いる。
拡散促進剤としては、ＤＧＭ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌ  Ｄｉｍｅｔｈｌ  Ｅｔｈｅｒ）、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、ＰＧＭＥＡ（プロピレン−グリコール−メチル−エーテル−アセテート）を用いる。
溶媒としては、キシレン、ｎ−デカン、ｎ−ヘプタノンを用いる。
【００１８】
近接場露光で作製できるパターン深さは、露光に際して使用するマスクの最小開口径程度であるため、シリレーション部１０４の厚さ、つまりシリル化深さがそれ以下の厚さとなるよう、シリル化条件を調整する。シリル化条件とは、気相シリル化の場合は、シリル化剤種類、温度、気圧、時間など、液相シリル化の場合は、シリル化剤種類、シリル化剤濃度、シリル化促進剤濃度、温度、時間などである。
シリル化処理によって、フォトレジスト１０１内では、ノボラック樹脂のＯＨ基に対して図２に示すような反応がおきたと考えられる。この反応により、シリレーション部１０４が形成された。
【００１９】
上記のようにしてフォトレジスト１０１上層部に形成されたシリレーション部１０４に対し、近接場露光を行う（図１（ｃ））。ここでは、フォトマスクを用いた一括露光について図示しているが、この他にも、近接場プローブ等を用いて露光を行ってもよい。
水銀ランプ等の露光用光源から入射された入射光１０５は、マスク母材１０６を通り、遮光膜１０７に作製された微小開口１０８に入射する。微小開口１０８近傍には近接場光１０９が形成される。マスクをフォトレジスト１０１のごく近傍に近づけることにより、近接場光１０９の存在する範囲までシリレーション部１０４が近づき、フォトレジスト１０１上層のシリレーション部１０４に露光による潜像パターンを作製することができる。
ここで、露光によって、シリレーション部１０４内では以下の反応が起きると考えられる。
露光によって、光酸発生剤からは酸が発生する。この酸によってシリル化されていたノボラック樹脂が脱シリル化し（図３（ａ））、感光剤はケテンとなる（図３（ｂ））。
【００２０】
その後、ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）を行う。必要に応じて、水蒸気雰囲気中で行う。
そして、アルカリ現像を行う。
アルカリ現像を行うことによって、以下の現象が起きる。
露光部では脱シリル化したノボラック樹脂が溶け、ケテンとなっていた感光剤はインデンカルボン酸となることによりアルカリ現像液に溶ける。インデンカルボン酸は、ノボラック樹脂に対して溶解促進効果を起こしていると考えられており、ノボラック樹脂単体よりも現像液に対する溶解速度が速くなる。
未露光部では、もともとシリル化されたノボラック樹脂はアルカリ現像液に溶けにくい。また、露光されていない未反応感光剤がノボラック樹脂と結合状態を作ることによってアルカリ現像液に対する溶解抑止効果が働き、更にアルカリ現像液に対して溶けにくくなる。また、光酸発生剤にオニウム塩を用いた場合に、このオニウム塩がノボラック樹脂の溶解を抑止する。
上記の理由から、本発明のフォトレジストを用いることにより、露光部と未露光部との像のコントラストが増大される。従って、近接場露光により数十ｎｍ線幅の微細パターンを作製する場合において、浅いシリレーション部１０４にコントラスト良く微細パターンを形成することができるため、この後のプロセスに余裕度ができる。
アルカリ現像によって、露光による潜像パターンがレジスト表層凹凸パターンとしてコントラスト良く現れた（図１（ｄ））。
【００２１】
次に、このフォトレジスト表層の凹凸パターンをマスクに、酸素ガスによるドライエッチングによって基板１０２までレジストエッチングを行う（図１（ｅ））。
未露光部分のノボラック樹脂はシリル化したことによりシリコン原子を含んでおり、これが酸素ガスと反応して酸化シリコンとなるため、基板１０２側のレジストに比べて酸素ドライエッチング耐性が格段に増す。また、シリレーション部１０４に作製された凹凸パターンがコントラスト良く形成されているために、フォトレジスト１１０に対してもコントラストの良い高アスペクト比なパターンが転写できた。
【００２２】
上記のようにして作製したレジストパターンをマスクに、基板１０２をエッチングできるガスによって基板のエッチングを行う（図１（ｆ））。
基板１０２上のレジストパターンがコントラスト良く、高アスペクト比に形成できているので、基板１０２のエッチングに対しても、微細パターンが良好に転写できた。
【実施例】
【００２３】
上層Ｓｉ厚が１００ｎｍのＳＯＩ基板に対し、上層Ｓｉ層の５０ｎｍ  Ｌ／ＳパターンをＳｉＯ２上に作製するため、まず、ＳＯＩ基板上にフォトレジストをスピンコートによって成膜する。
フォトレジストの内容物は、ノボラック樹脂、ナフトキノンジアジド基を有する感光剤、トリアジン、増感剤とした。
フォトレジスト膜厚について、ＳｉをＣＨＦ３とＳＦ６の混合ガスによってエッチングするので、この混合ガスに対するＳｉとフォトレジストとのエッチング耐性の比から、ＳＯＩ基板上のフォトレジスト膜厚が５０ｎｍ以上である必要がある。
さらに、５０ｎｍ  Ｌ／Ｓを近接場露光にて作製するためには、近接場露光に用いるフォトマスクの微小開口の幅は２０ｎｍ程度となる。このことから、シリル化厚が２０ｎｍと決定される。
シリル化厚２０ｎｍをドライエッチングのマスクとすると、１００ｎｍ厚のフォトレジスト層を垂直性良く酸素によってエッチングすることができるので、Ｓｉをエッチングする際のプロセス余裕度を持たせるために、上記フォトレジスト膜厚条件からＳＯＩ基板上に塗布するフォトレジスト厚さを１００ｎｍとした。
【００２４】
その後、液相シリル化法によってフォトレジスト表面を全面シリル化する。
液相シリル化剤として、ＨＭＣＴＳと拡散促進剤をｎ−デカンに混合したものを用いた。液相シリル化を、フォトレジストを塗布した基板を室温にて液相シリル化剤に漬けることにより行い、シリル化厚さを２０ｎｍとした。
次に、近接場露光を行う。ピッチ１００ｎｍ、微小開口幅２０ｎｍのパターンが遮光膜部分に形成されているフォトマスクを、フォトレジストに対して全面密着させ、水銀ランプにて露光を行い、潜像を形成した。その後、水蒸気中にてＰＥＢを行い、アルカリ現像液に漬けることにより現像を行った。
フォトレジストには、光酸発生剤、感光剤が入っているので、露光／未露光部のコントラストが非常に良く、矩形性の良いパターンが形成できた。
【００２５】
シリル化部分に作製されたフォトレジストパターンをマスクとして、酸素ガスにてフォトレジストをＳｉ基板までドライエッチングを行った。シリル化部分のパターンが非常にコントラスト良く形成されていたので、シリル化部分の厚さが２０ｎｍという薄い厚さにも関わらず、良好なフォトレジストパターンが形成できた。
このフォトレジストパターンをドライエッチングのマスクとして、ＣＨＦ３とＳＦ６の混合ガスにてＳｉのドライエッチングを行った。フォトレジストパターンが非常に良好だったため、Ｓｉのドライエッチングプロセスに余裕度を持って、５０ｎｍ  Ｌ／Ｓの深さ１００ｎｍパターンを絶縁体上に作製することができた。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施の形態における微細パターン作製方法を示す図。
【図２】本発明の実施の形態におけるノボラック樹脂のシリル化反応を示す図。
【図３】本発明の実施の形態における露光部分の反応を示す図。
【図４】本発明の課題を説明するための厚膜レジストに対する露光の様子を示す図。
【符号の説明】
【００２７】
１０１：フォトレジスト
１０２：基板
１０３：シリル化剤
１０４：シリレーション部
１０５：入射光
１０６：マスク母材
１０７：遮光膜
１０８：微小開口
１０９：近接場光
１１０：フォトレジスト
２０４：マスク母材
２０５：遮光膜
５０１：フォトレジスト反応部
５０３：フォトレジスト
５０４：基板
５０５：露光用光
５１０：近接場
５１３：微小開口
【図１】
2005070319.tif 000003
【図２】
2005070319.tif 000004
【図３】
2005070319.tif 000005
【図４】
2005070319.tif 000006