(57)【要約】【課題】  抵抗発熱体において、単位長さ当たりの発熱量を容易に変更、設計でき、かつ発熱量が変化する境界部分における信頼性を高くし、境界部分における異常発熱を防止する。【解決手段】  抵抗発熱体１は、導電性物質製の帯状物５を波形に折り曲げることによって得られる成形体からなる。また、絶縁性材料からなる基体にこの抵抗発熱体１を固定することによってヒーターが得られる。あるいは、抵抗発熱体が、導電性物質製の帯状物の巻回体からなる。【選択図】        図２  
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性物質製の帯状物を波形に成形してなる成形体からなることを特徴とする、抵抗発熱体。
【請求項２】
前記成形体の振幅、前記成形体のピッチまたは前記帯状物の幅のうち少なくとも一種が互いに異なる複数の部分を含むことを特徴とする、請求項１記載の抵抗発熱体。
【請求項３】
前記帯状物に貫通孔が形成されていることを特徴とする、請求項１または２記載の抵抗発熱体。
【請求項４】
絶縁性材料からなる基体、およびこの基体に固定されている請求項１〜３のいずれか一つの請求項に記載の抵抗発熱体を備えていることを特徴とする、ヒーター。
【請求項５】
前記抵抗発熱体が前記基体内に埋設されていることを特徴とする、請求項４記載のヒーター。
【請求項６】
導電性物質製の帯状物の巻回体からなることを特徴とする、抵抗発熱体。
【請求項７】
前記巻回体の巻き径、前記巻回体のピッチまたは前記帯状物の幅のうち少なくとも一種が互いに異なる複数の部分を含むことを特徴とする、請求項６記載の抵抗発熱体。
【請求項８】
前記帯状物に貫通孔が形成されていることを特徴とする、請求項６または７記載の抵抗発熱体。
【請求項９】
絶縁性材料からなる基体、およびこの基体に固定されている請求項６〜８のいずれか一つの請求項に記載の抵抗発熱体を備えていることを特徴とする、ヒーター。
【請求項１０】
前記抵抗発熱体が前記基体内に埋設されていることを特徴とする、請求項９記載のヒーター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体加熱に適した、温度分布制御が容易な抵抗発熱体およびヒーターに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置においては、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤなどによってシランガスなどの原料ガスから半導体薄膜を製造するに当たって、ウエハーを加熱するためのセラミックヒーターが採用されている。こうしたセラミックヒーターは、加熱面およびその上に設置される半導体ウエハーの温度を高度に均一化することが必要不可欠である。
【０００３】
こうしたセラミックヒーターにおいて、ヒーターの加熱面の温度を均一化するための手法が種々知られている。例えば、いわゆる２ゾーンヒーターはこうした手法の一つである。２ゾーンヒーターは、セラミック基体中に、高融点金属からなる内周側抵抗発熱体と外周側抵抗発熱体とを埋設し、各抵抗発熱体にそれぞれ別個の電流導入結合部材を形成し、各抵抗発熱体にそれぞれ独立して電圧を印加することにより、内周側抵抗発熱体及び外周側抵抗発熱体からの発熱を独立して制御するものである。
【０００４】
特許文献１においては、セラミック基体内に、２層の加熱素子を埋設する。そして、各層の加熱素子の内周側の発熱量と外周側の発熱量とを制御することによって、内周ゾーンと外周ゾーンとの２ゾーン制御を行っている。
【特許文献１】特開２００１−１０２１５７号公報
【０００５】
実際のセラミックヒーターの設置状況によっては、ヒーター内に埋設された抵抗発熱体からの発熱密度を調整することが設計上望まれることがある。例えばセラミック基体内にコイルスプリング状の抵抗発熱体（巻回体）を埋設した場合には、巻回体の巻き数や巻き径を多くしたり、線径を小さくすることによって、ウエハー設置面の単位面積当たりの発熱量を増大させることができる。また、巻回体の巻き数や巻き径を少なくしたり、線径を大きくすることによって、ウエハー設置面の単位面積当たりの発熱量を低下させることができる。
【０００６】
通常、セラミック基体内に埋設する抵抗発熱体の材質は、セラミックスの焼成温度において溶融せず、変形しにくい高融点金属である必要があり、制限される。例えばモリブデン線やタングステン線の巻回体を使用するとき、一本の巻回体の中で巻き径や線径を変化させることは製造上困難である。このため、巻き径、巻き数や線径の異なる複数種類の巻回体を結合し、電気的に接続した後、セラミック基体の内部に埋設する必要がある。
特許文献２においては、例えばタングステンコイルからなる抵抗発熱体をセラミック基体内部に埋設するのに際して、線径や巻き径と異なる二種類の抵抗発熱体を使用している。そして、二種類の抵抗発熱体を球形の結合端子を介して接続している。これによって、基体表面におけるホットスポットやコールドスポットを小さくできるように、互いに相異なる線径や巻き径を有する二種以上の抵抗発熱体を一つのセラミック基体内に埋設し、組み合わせることができる。
【特許文献２】特開２００３−２７２８０５号公報
【発明の開示】
【０００７】
例えばセラミック基体内に埋設される抵抗発熱体の材質は、タングステンやモリブデンのような高融点金属である。このような高融点金属からなる線は硬く、もろく、変形しにくく、加工が難しい。従って、線径の異なる抵抗発熱線を結合するためには、上述のようて端子を必要とする。しかし、このような抵抗発熱線の端子への結合箇所の強度と信頼性とを高く確保するためには、結合部分の構造、形状、結合方法を種々工夫する必要があり、また製造プロセスとしても煩雑なものになりかねない。使用時に結合部分における抵抗値が高くなると、ホットスポットの原因となるからである。
【０００８】
本発明の課題は、抵抗発熱体において、単位長さ当たりの発熱量を容易に変更、設計でき、かつ発熱量が変化する境界部分における信頼性を高くし、境界部分における異常発熱を防止できるようにすることである。
【０００９】
第一の態様に係る発明は、導電性物質製の帯状物を波形に成形してなる成形体からなることを特徴とする、抵抗発熱体に係るものであり、また絶縁性材料からなる基体、およびこの基体に固定されている前記抵抗発熱体を備えているヒーターに係るものである。
【００１０】
この利点について、図１、図２を参照しつつ説明する。図１（ａ）は、一実施形態に係る抵抗発熱体１を示す正面図であり、図１（ｂ）は抵抗発熱体１を示す平面図である。また、図２（ａ）は他の実施形態に係る抵抗発熱体１Ａを示す正面図であり、図２（ｂ）は抵抗発熱体１Ａを示す平面図である。
【００１１】
図１の抵抗発熱体１は導電性物質の帯状物５からなる。この帯状物５は、図１において左右方向へと向かって細長く帯状に延びている。抵抗発熱体１には、長手方向と略垂直方向に延びる折り目２が一定周期で多数形成されており、折り目２の両側に一対の壁部３ａ、３ｂが形成されている。一対の壁部３ａ、３ｂによって一つの繰り返し単位３が構成されている。なお、λは、一つの繰り返し単位３の長さ（ピッチ）であり、Ｂは、繰り返し単位３の振幅であり、Ｗは帯状物５の幅である。
【００１２】
図２の抵抗発熱体１Ａは導電性物質の帯状物５Ａからなる。この帯状物は、図２において左右方向へと向かって細長く帯状に延びている。抵抗発熱体１Ａには、長手方向と略垂直方向に延びる折り目２が一定周期で多数形成されており、折り目２の両側に一対の壁部３ａ、３ｂ、または４ａ、４ｂが形成されている。一対の壁部３ａ、３ｂによって一つの繰り返し単位３が構成されており、一対の壁部４ａ、４ｂによって一つの繰り返し単位４が構成されている。繰り返し単位３と４とは、一枚の帯状物５Ａ上に連続的に形成されている。
【００１３】
λ１は繰り返し単位３の長さ（ピッチ）であり、Ｂ１は繰り返し単位３の振幅であり、Ｗ１は繰り返し単位３における帯状物の幅である。また、λ２は繰り返し単位４の長さ（ピッチ）であり、Ｂ２は繰り返し単位４の振幅であり、Ｗ２は繰り返し単位４における帯状物の幅である。本例では、繰り返し単位３と４とにおいて、振幅Ｂ１とＢ２とは同じであり、ピッチλ１とλ２とは同じである。しかし、幅Ｗ１をＷ２よりも大きくしている。これによって、抵抗発熱体１Ａの長手方向へと向かって通電したときに、繰り返し単位４における単位長さ当たりの発熱量は、繰り返し単位３における単位長さ当たりの発熱量に比べて小さくなる。
【００１４】
図１、図２の例から判るように、本発明の抵抗発熱体においては、繰り返し単位３、４のピッチλ、λ１、λ２、振幅Ｂ、Ｂ１、Ｂ２、帯状物の幅Ｗ、Ｗ１、Ｗ２を比較的に自由に変更し、高い精度で設計し、製造することが可能である。これによって、抵抗発熱体の各部分における単位長さ当たりの発熱量を適宜に調節できる。例えば、抵抗発熱体の各部分において、繰り返し単位のピッチλは、折り目２の位置と壁部３ａ、３ｂ、４ａ、４ｂの傾斜角度を変更することによって、容易に制御できる。また、繰り返し単位の振幅Ｂも、折り目２の位置と壁部３ａ、３ｂ、４ａ、４ｂの傾斜角度を変更することによって、容易に制御できる。更に、帯状物の幅Ｗは、最初の帯状物の成形時にあらかじめ幅を変更しておくことで容易に対応できる。そして、抵抗発熱体の各部分のピッチ、振幅、幅を変更しても、その境界部分において帯状物は連続しており、異常発熱や断線などの危険はなく、しかも製造時に煩雑な結合工程を経る必要はない。
【００１５】
図３は、第一の態様に係る発明の一実施形態に係るヒーター８（または８Ａ）の基体９内における抵抗発熱体１（１Ａ）のパターン例を示す平面図である。本例では、基体９は略円板形状をしているが、基体９の形態は特に限定されない。また、基体９の表面や裏面上に抵抗発熱体１（１Ａ）を設けることもできるが、好ましくは基体９の内部に抵抗発熱体１（１Ａ）を埋設できる。基体９内に抵抗発熱体１（１Ａ）を埋設した場合には、図３には、埋設された抵抗発熱体の平面的パターンを模式的に示すこととする。
【００１６】
例えば一対の端子１０が基体９の中央部に埋設されており、各端子には、図示しない外部電力供給ケーブルが電気的および機械的に結合されている。一対の端子１０の間には、前述したような形態の抵抗発熱体１または１Ａが接続されている。抵抗発熱体は端子１０を包囲するように渦巻き状に所定パターンに従って配置されている。
【００１７】
ここで、例えば図４（ａ）に模式的に示すように、抵抗発熱体１の全長にわたって、ピッチλ、振幅Ｂ、幅Ｗを略一定とすることができる。この場合には、抵抗発熱体の単位長さ当たりの発熱量を全長にわたってほぼ一定とできる。これによって、基体９の表面において所望の温度分布を達成できる場合には問題ない。
【００１８】
しかし、ヒーターの設計によっては、抵抗発熱体の一部分において、他の部分よりも相対的に大きい発熱量を必要とする場合がある。例えば、図３の例において、基体９の外周縁付近にスルーホール１１を設けたものとする。すると、スルーホール１１の近くには抵抗発熱体１を埋設することが難しい上、スルーホール１１の壁面から熱が逃げる。従って、基体９のうちスルーホール１１側において温度が局所的に低下する傾向がある。この場合、図４（ｂ）に示すように、スルーホール１に近い特定領域Ｄ内では、相対的に幅の小さい繰り返し単位３を使用し、それ以外の領域では、相対的に幅の大きい繰り返し単位４を使用する。この結果、特定領域Ｄ内においては、相対的に単位長さ当たりの発熱量が大きくなり、スルーホール１１の迂回および熱の逃げを補てんするのに十分な余分な熱を基体９の表面へと供給することができる。
【００１９】
第二の態様に係る発明は、導電性物質製の帯状物の巻回体からなることを特徴とする、抵抗発熱体に係るものであり、また、絶縁性材料からなる基体、およびこの基体に固定されている前記抵抗発熱体を備えているヒーターに係るものである。
【００２０】
この利点について、図５〜図７を参照しつつ説明する。図５は、一実施形態に係る抵抗発熱体１２を示す斜視図であり、図６、図７は、それぞれ抵抗発熱体１２、１２Ａを示す平面図である。
【００２１】
図５、図６の抵抗発熱体１２は導電性物質の帯状物２０からなる。この帯状物２０は、らせん状ないしスパイラル状に巻回されており、これによって抵抗発熱体１２を構成している。図６においては、λは、らせんの一つの繰り返し単位１３の長さ（ピッチ）であり、Ｅはらせんの巻き径であり、Ｗは帯状物２０の幅である。
【００２２】
図７においては、互いに幅Ｗ１、Ｗ２の異なる帯状物２０Ａと２０Ｂとが一体に成形されており、細長く延びている。λ１は、らせんの一つの繰り返し単位１３の長さ（ピッチ）であり、Ｅ１はらせんの巻き径であり、Ｗ１は帯状物１３の幅である。また、λ２は、らせんの一つの繰り返し単位１４の長さ（ピッチ）であり、Ｅ２はらせんの巻き径であり、Ｗ２は帯状物１４の幅である。
【００２３】
本例では、繰り返し単位１３と１４とにおいて、らせんピッチλ１とλ２とは同じであり、帯状物２０Ａ、２０Ｂの幅Ｗ１とＷ２とは同じである。しかし、繰り返し単位１３の巻き径Ｅ１よりも、繰り返し単位１４の巻き径Ｅ２を大きくしている。これによって、抵抗発熱体１２Ａの長手方向へと向かって通電したときに、繰り返し単位１４における抵抗発熱体の単位長さ当たりの発熱量は、繰り返し単位１３における単位長さ当たりの発熱量に比べて大きくなる。あるいは、繰り返し単位１３と１４との間で巻き径およびピッチを同じとすることができる。この場合には、帯状物２０Ａの幅Ｗ１（繰り返し単位１３）を、帯状物２０Ｂの幅Ｗ２（繰り返し単位１４）よりも大きくする。これによって、繰り返し単位１４における抵抗発熱体の単位長さ当たりの発熱量は、繰り返し単位１３における単位長さ当たりの発熱量に比べて大きくなる。ピッチについても同様である。
【００２４】
図５〜図７の例から判るように、本発明の抵抗発熱体においては、繰り返し単位１３、１４のらせんピッチλ、λ１、λ２、らせんの巻き径Ｅ１、Ｅ２、帯状物の幅Ｗ、Ｗ１、Ｗ２を比較的に自由に変更し、高い精度で設計し、製造することが可能である。これによって、抵抗発熱体の各部分における単位長さ当たりの発熱量を適宜に調節できる。そして、抵抗発熱体の各部分のピッチ、振幅、幅を変更しても、その境界部分において帯状物は連続しており、異常発熱や断線などの危険はなく、しかも製造時に煩雑な結合工程を経る必要はない。
【００２５】
図８は、第二の態様に係る発明の一実施形態に係るヒーター１８（または１８Ａ）の基体９内における抵抗発熱体１２（１２Ａ）のパターン例を示す平面図である。基体９の表面や裏面上に抵抗発熱体１２（１２Ａ）を設けることもできるが、好ましくは基体９の内部に抵抗発熱体１２（１２Ａ）を埋設できる。基体９内に抵抗発熱体１２（１２Ａ）を埋設した場合には、図８には、埋設された抵抗発熱体の平面的パターンを模式的に示すこととする。
【００２６】
抵抗発熱体１２、１２Ａの平面的埋設パターンは、前述した図３の例と同じなので、説明を省略する。本例においては、例えば図６に示すように、抵抗発熱体１２の全長にわたって、ピッチλ、振幅Ｂ、幅Ｗを略一定とすることができる。この場合には、抵抗発熱体１２の単位長さ当たりの発熱量が全長にわたってほぼ一定とできる。
【００２７】
しかし、ヒーターの設計によっては、抵抗発熱体の一部分において、他の部分よりも相対的に大きい発熱量を必要とする場合がある。例えば、図８の例において、基体９の外周縁付近にスルーホール１１を設けたものとする。すると、基体９のうちスルーホール１１側において温度が局所的に低下する傾向がある。この場合、図７に示すように、スルーホール１に近い特定領域Ｄ内では、相対的に振幅Ｂ２の大きい繰り返し単位１４を使用し、それ以外の領域では、相対的に振幅の小さい繰り返し単位１３を使用する。この結果、特定領域Ｄ内においては、相対的に単位長さ当たりの発熱量が大きくなり、スルーホール１１の迂回および熱の逃げを補てんするのに十分な余分な熱を基体９の表面へと供給することができる。
【００２８】
第一、第二の態様に係る発明において、被加熱物の種類は限定されない。また、抵抗発熱体やヒーターの用途は特に限定されないが、半導体製造装置用途であることが好ましい。この半導体製造装置とは、半導体の金属汚染が懸念されるような、幅広い半導体製造プロセスにおいて使用される装置のことを意味している。これには、成膜装置の他、エッチング装置、クリーニング装置、検査装置が含まれる。
【００２９】
抵抗発熱体の材質は、導電性物質である限り特に限定されないが、タンタル、タングステン、モリブデン、白金、レニウム、ハフニウム及びこれらの合金であることが好ましい。特に、セラミックス基体を窒化アルミニウムから構成した場合においては、モリブデン及びモリブデン合金であることが好ましい。また、上記高融点金属以外に、カーボン、ＴｉＮ、ＴｉＣなどの導電性材料を使用することもできる。
【００３０】
基体を構成するセラミックスは特に限定されない。しかし、基体の材質は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素及びサイアロンなどの窒化物セラミックス、アルミナー炭化ケイ素複合材料などの公知のセラミックス材料であってよい。ハロゲン系ガスなどの腐食性ガスに対して高い耐腐食性を付与するためには、窒化アルミニウムやアルミナが特に好ましい。基体の形状は特に限定されないが、円板形状が好ましい。加熱面の形状は、ポケット形状、エンボス形状、溝形状とする場合もある。
【００３１】
第一、第二の態様において、帯状物の厚さは特に限定されない。抵抗発熱体の断線を防止するという観点からは、０．０５ｍｍ以上であることが好ましい。また、前述のようにらせん状、あるいは蛇腹状に変形を容易に加えるという観点からは、厚さは５ｍｍ以下であることが好ましい。
【００３２】
また、第一、第二の態様に係る各発明において、帯状物に貫通孔を形成することができる。この貫通孔の形状、寸法、個数を制御することによって、抵抗発熱体からの発熱量のパターンを任意に制御することが可能となる。また、このような貫通孔付きの帯状物からなる波形成形体や巻回体を絶縁性基体内に埋設した場合には、基体を構成する絶縁性材料、特にセラミックスと帯状物との密着性を高くすることができる。
【００３３】
図９（ａ）は、この実施形態に係る抵抗発熱体１を示す正面図であり、図９（ｂ）は抵抗発熱体１を示す平面図である。本例では、帯状物５に一定ピッチで多数の貫通孔１５が形成されている。また、図１０は、この実施形態に係る抵抗発熱体１２を示す斜視図である。この帯状物２０には、一定ピッチで多数の貫通孔１５が形成されている。
【実施例】
【００３４】
（実施例１）
図３、図４（ａ）を参照しつつ説明したようなヒーター８を作製し、表面９ａの温度分布を測定した。
具体的には、基体９は窒化アルミニウム焼結体とし、基体９の直径φは３５０ｍｍとし、厚さは２０ｍｍとした。基体９の内部に、図１（ａ）、図１（ｂ）に示す抵抗発熱体１を埋設した。ただし、帯状物１はモリブデンによって形成し、帯状物１の厚さは０．２ｍｍとし、幅Ｗは１０ｍｍとした。繰り返し単位３のピッチλは１〜７ｍｍとし、繰り返し単位３の振幅Ｂは３ｍｍとした。
【００３５】
このセラミックヒーターを昇温し、表面９ａの平均温度が約５００℃となるようにした。そして、表面９ａの温度分布をサーモビュアーによって観測した。この結果、図１１（ａ）に示すような温度等高線が得られた。温度最低点はスルーホール１の近くにあり、４９３℃であった。温度最高点はスルーホールとほぼ反対側の外周縁にあり、５０３℃であった。最高温度と最低温度との差は１０℃であり、表面の温度の均一性は非常に高くできることを確認した。
【００３６】
（実施例２）
実施例１と同様にして、図３、図４（ｂ）を参照しつつ説明したようなヒーター８Ａを作製し、表面の温度分布を測定した。基体９の内部に、図２（ａ）、図２（ｂ）に示す抵抗発熱体１Ａを埋設した。ただし、帯状物５Ａはモリブデンによって形成し、帯状物５Ａの厚さは０．２ｍｍとした。繰り返し単位３においては、幅Ｗ１は７ｍｍとし、ピッチλ１は１〜７ｍｍとし、振幅Ｂ１は３ｍｍとした。繰り返し単位４においては、幅Ｗ２は１０ｍｍとＷ１よりも大きくし、ピッチλ２は１〜７ｍｍとし、振幅Ｂ２は３ｍｍとした。
【００３７】
このセラミックヒーターを昇温し、表面９ａの平均温度が約５００℃となるようにした。そして、表面９ａの温度分布をサーモビュアーによって観測した。この結果、図１１（ｂ）に示すような温度等高線が得られた。温度最低点は外周縁部にあり、４９４℃であった。温度最高点は表面９ａの中心にあり、５０１℃であった。最高温度と最低温度との差は７℃であり、表面の温度の均一性を一層高くできることを確認した。
【００３８】
（実施例３）
図６、図８を参照しつつ説明したようなヒーター１８を作製し、表面の温度分布を測定した。具体的には、基体９は窒化アルミニウム焼結体とし、基体９の直径φは３５０ｍｍとし、厚さは２０ｍｍとした。基体９の内部に、図６に示す抵抗発熱体１２を埋設した。ただし、帯状物２０はモリブデンによって形成し、帯状物２０の厚さは０．２ｍｍとし、幅Ｗは１０ｍｍとした。繰り返し単位１３のピッチλは１〜７ｍｍとし、繰り返し単位１３の巻き径Ｅは４ｍｍとした。
【００３９】
このセラミックヒーターを昇温し、表面９ａの平均温度が約５００℃となるようにした。そして、表面９ａの温度分布をサーモビュアーによって観測した。この結果、最高温度と最低温度との差は８℃であり、表面の温度の均一性は非常に高くできることを確認した。
【００４０】
（実施例４）
実施例１と同様にして、図７、図８を参照しつつ説明したようなヒーター１８Ａを作製し、表面の温度分布を測定した。基体９の内部に、図７に示す抵抗発熱体１２Ａを埋設した。ただし、帯状物２０Ａ、２０Ｂはモリブデンによって形成し、厚さは０．１ｍｍとした。繰り返し単位１３においては、幅Ｗ１は１０ｍｍとし、ピッチλ１は１〜７ｍｍとし、巻き径Ｅ１は４ｍｍとした。繰り返し単位１４においては、幅Ｗ２は７ｍｍと小さくし、ピッチλ２は１〜７ｍｍとし、巻き径Ｅ２はＥ１と同じ４ｍｍとした。
【００４１】
このセラミックヒーターを昇温し、表面９ａの平均温度が約５００℃となるようにした。そして、表面９ａの温度分布をサーモビュアーによって観測した。この結果、最高温度と最低温度との差は５℃であり、表面の温度の均一性は一層高くできることを確認した。
【００４２】
以上述べたように、本発明によれば、抵抗発熱体において、単位長さ当たりの発熱量を容易に変更、設計でき、かつ発熱量が変化する境界部分における信頼性を高くし、境界部分における異常発熱を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】（ａ）は、第一の態様の発明に係る抵抗発熱体１を示す正面図であり、（ｂ）は抵抗発熱体１の平面図である。
【図２】（ａ）は、第一の態様の発明に係る抵抗発熱体１Ａを示す正面図であり、（ｂ）は抵抗発熱体１Ａの平面図である。
【図３】ヒーター８（８Ａ）における抵抗発熱体１（１Ａ）の平面的パターンを例示する平面図である。
【図４】（ａ）は、基体９内の抵抗発熱体１の埋設パターンを模式的に示す図であり、（ｂ）は、基体９内の抵抗発熱体１Ａの埋設パターンを模式的に示す図である。
【図５】第二の態様の発明に係る抵抗発熱体１２を示す斜視図である。
【図６】抵抗発熱体１２の正面図である。
【図７】抵抗発熱体１２Ａの正面図である。
【図８】ヒーター１８（１８Ａ）における抵抗発熱体１２（１２Ａ）の平面的パターンを例示する平面図である。
【図９】（ａ）は、貫通孔１５が形成された抵抗発熱体１を示す正面図であり、（ｂ）はこの抵抗発熱体１の平面図である。
【図１０】貫通孔１５が形成された抵抗発熱体１２を示す斜視図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、ヒーターの表面における温度分布の測定例を示す温度等高線を示す。
【符号の説明】
【００４４】
１、１Ａ  抵抗発熱体        ２  折り目        ３、４、１３、１４  繰り返し単位        ３ａ、３ｂ、４ａ、４ｂ  壁部        ５、５Ａ、２０  帯状物        ８、８Ａ、１８、１８Ａ  ヒーター        ９  基体        ９ａ  基体の表面        １０  端子        １１  スルーホール        １２、１２Ａ  抵抗発熱体        １５  貫通孔        Ｂ、Ｂ１、Ｂ２  繰り返し単位の幅        Ｅ１、Ｅ２  巻き径        λ、λ１、λ２  繰り返し単位のピッチ        Ｗ、Ｗ１、Ｗ２  帯状物の幅
【図１】
2005197074.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2005197074.tif 000007
【図６】
2005197074.tif 000008
【図７】
2005197074.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005197074.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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