(57)【要約】      （修正有）【課題】  銀及び／又は銀合金を含む基板に適用できるフォトレジスト剥離液組成物を提供する。【解決手段】下記一般式の化合物の、１種または２種以上と、極性有機溶剤とを含有する。式（Ｉ）：ＮＨ2−Ａ−Ｙ−Ｂ−Ｚ、式（ＩＩ）：ＮＨ2−Ａ−Ｎ（−Ｂ−ＯＨ）2、式（ＩＩＩ）：2005077526.tif 000008【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
銀および／または銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物であって、
−式（Ｉ）
ＮＨ２−Ａ−Ｙ−Ｂ−Ｚ
式中、Ａ、Ｂは、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝鎖状の炭素数１〜５のアルキレン基であり、Ｙは、ＮＨまたはＯのいずれかであり、Ｚは、ＮＨ２、ＯＨ、ＮＨ−Ｄ−ＮＨ２（ここでＤは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数１〜５のアルキレン基である、）である、
で表される化合物、
−式（ＩＩ）
ＮＨ２−Ａ−Ｎ(−Ｂ−ＯＨ)２
式中、Ａ，Ｂは式（Ｉ）と同じである、
で表される化合物、
−式（ＩＩＩ）
【化１】
2005077526.tif 000007
式中、ＲはＨ、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のヒドロキシアルキル基または炭素数１〜５のアミノアルキル基である、
で表される化合物、
−ピロカテコール、
−ハイドロキノン、
−ピロガロール、
−没食子酸、及び
−没食子酸エステル
からなる群から選択される１種または２種以上と、１種または２種以上の極性有機溶剤とを含有する、前記フォトレジスト剥離液組成物。
【請求項２】
非水系である、請求項１に記載のフォトレジスト剥離液組成物。  
【請求項３】
式（Ｉ）、式（ＩＩ）又は式（ＩＩＩ）で表される化合物が、ジエチレントリアミン、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）−２−プロパノール、Ｎ−（３−アミノプロピル）−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−２−アミノエタノール、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、ジプロピレントリアミン、トリエチレンテトラミン、モルホリンである、請求項１または２に記載のフォトレジスト剥離液組成物。
【請求項４】
式（Ｉ）、式（ＩＩ）又は式（ＩＩＩ）で表される化合物の総含有量が、２０質量％以上５０質量％以下である、請求項１〜３のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液組成物。
【請求項５】
式（Ｉ）、式（ＩＩ）又は式（ＩＩＩ）で表される化合物を含み、極性有機溶剤が、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシドである、請求項１〜４のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液組成物。
【請求項６】
さらに防食剤を含有する、請求項３〜５のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液。
【請求項７】
モノエタノールアミンと、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸及び没食子酸エステルからなる群から選択される１種または２種以上とを含有する、請求項１または２に記載のフォトレジスト剥離液組成物。
【請求項８】
極性有機溶剤が、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン及び／又は１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンである、請求項７に記載のフォトレジスト剥離液組成物。
【請求項９】
基板上の所定領域に銀及び／又は銀合金からなる金属反射膜または反射電極を形成する工程と、該金属反射膜または反射電極上にフォトレジストを用いてマスク形成を行い、非マスク領域の該金属反射膜または反射電極をエッチングする工程と、前記フォトレジストを請求項１〜８のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液組成物を用いて該金属反射膜または反射電極上から剥離する工程を含む、銀及び／又は銀合金のパターン形成方法。
【請求項１０】
エッチング工程がドライエッチングである、請求項９に記載の銀及び／又は銀合金のパターン形成方法。
【請求項１１】
基板に複数の表示素子を備えた表示装置であって、前記表示素子は基板上に銀及び／又は銀合金を含む層を形成した後、該積層した膜上にフォトレジストを用いてマスクを形成し、このマスクを用いて前記積層した膜をエッチングし、前記マスクを形成したフォトレジストを、請求項１〜８のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液組成物で剥離することにより形成された、銀及び／又は銀合金からなる反射膜または反射電極を備えた表示装置。
【請求項１２】
表示素子が、銀及び／又は銀合金からなる反射膜または反射電極の上に、発光層を含む有機層及び電極が順に積層され、該発光層で発生した光を電極側から取り出す有機発光素子である、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
表示素子が、基板に、画素電極と、この画素電極に電気的に接続された駆動素子及び配線とが設けられ、銀及び／又は銀合金からなる反射膜または反射電極が、該基板と該駆動素子および配線との間に設けられてなる液晶表示素子である、請求項１１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銀及び／又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物、それを用いたパターンの製造方法ならびにそれを含む表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬディスプレイは、自己発光性を有し、液晶ディスプレイと比較して低消費電力化、高輝度化、高コントラスト化が可能となる次世代のフラットパネルディスプレイとして期待されている。
有機発光素子としては、例えば、基板の上に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）および平坦化層などを介して、第１電極、発光層を含む有機層および第２電極が順に積層されたものが知られている。発光層で発生した光は、基板の側から取り出される場合もあるが、第２電極の側から取り出される場合もある。
【０００３】
半導体基板では従来より配線材としてアルミニウムやアルミニウム合金が使用されており、フラットパネルにおいてはＴＦＴの配線や、近年では反射型液晶ディスプレイの反射膜としても用いられている（例えば、特許文献１参照）。また、有機ELの反射電極としてはアルミニウムやアルミニウム合金やクロムなどの材料を使用していた（例えば、特許文献２参照）。  
通常、金属反射膜または反射電極は、基板上に金属膜をＣＶＤ、スパッタリング、電解めっき等により堆積して形成した後、該金属膜上にフォトレジストを塗布、露光、現像してマスクを形成し、該金属膜の非マスク領域を、ウェットエッチング液によるウェットエッチングまたはドライエッチングすることによってパターンを形成した後、マスクとして用いたフォトレジストを、フォトレジスト剥離液によって該金属膜より剥離して形成する。
【０００４】
従来フォトレジスト剥離液は、ポストベーク等の加熱により基板に固着したフォトレジストを剥離するためにフェノール及び塩素化された炭化水素を含有する液が使用されているが環境上の問題から、イミダゾリジノンを主成分とする組成物（例えば、特許文献３参照）や、各種アルカノールアミンと１、３−ジメチル−２−イミダゾリジノンの混合溶液（例えば、特許文献４参照）が開発されている。
その後、ドライエッチングの採用により従来とは異なる変質したフォトレジスト層を剥離する必要から、各種アルカノールアミンと１、３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジメチルスルホキシドの組成物（例えば、特許文献５参照）や、各種アルカノールアミンと、極性有機溶剤と、各種防食剤を含む組成物が開発された。
これらの組成物は、ドライエッチング後のレジスト変質層と、基板に固着したフォトレジストとを剥離することができ、ドライエッチング後とウェットエッチング後の両方の基板に対してフォトレジスト剥離液として使用することができる。
【０００５】
防食剤としては、カテコール（例えば、特許文献６参照）、フェノールや酢酸等の弱酸（例えば、特許文献７参照）、糖類（例えば、特許文献８参照）、カテコール、没食子酸エステルまたは没食子酸のいずれか（例えば、特許文献９参照）、アミノ酸（例えば、特許文献１０参照）等が報告されている。
この他、剥離能力を強めるためにヒドロキシルアミンをさらに添加する例や、非水剥離液では（１）イソプロピルアルコールによるリンスが必要である、（２）水洗の際に金属表面にアミノ化合物が残存していると金属が腐食される等の欠点があるため、有機アミノ化合物と極性溶媒と水と防食剤からなる水溶性剥離液の例が知られている（例えば、特許文献１１、特許文献１２参照）。
【０００６】
最近アルミニウム及びアルミニウム合金より高反射率である銀及び銀合金が注目され、反射膜や反射電極等に銀の単層膜や銀層を含む多層膜が使用されるようになった。反射膜が空気中に暴露される場合に湿気等の影響を避けるため、また短波長の光に対する銀の反射率の低さを補うために銀表面に安定な酸化膜を形成した多層膜が使用され（例えば、特許文献１３、特許文献１４参照）、銀表面が空気中に暴露されない場合には銀の単層膜が使用されている（例えば、特許文献１３、特許文献１５参照）。しかし、これらの文献は、ウェットエッチングの場合についても、また、レジストが変質して剥離し難くなるドライエッチングについても、銀膜のパターン形成に用いるレジスト剥離液について全く開示しておらず、現存するフォトレジスト剥離液としては、従来のアルミニウム及びアルミニウム合金に対して腐食性のないフォトレジスト剥離液があるのみで、銀及び／又は銀合金のパターン形成に、銀及び／又は銀合金を腐食することなく好適に用いることのできるフォトレジスト剥離液はこれまで開発されていない。
【０００７】
以上のように銀及び／又は銀合金に対して腐食性がなく、且つフォトレジスト及びフォトレジスト変質層に対して高い剥離性を有するフォトレジスト剥離液組成物が求められている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−５７６７４号公報
【特許文献２】特開２００２−２１６９７６号公報
【特許文献３】特開昭６３−５０８３８号公報
【特許文献４】特開昭６３−２０８０４３号公報
【特許文献５】特開平４−３５０６６０号公報
【特許文献６】特開平５−２８１７５３号公報
【特許文献７】特開平６−２０２３４５号公報
【特許文献８】特開平８−２０２０５１号公報
【特許文献９】特開平９−２９６２００号公報
【特許文献１０】特開平７−２９５２４０公報
【特許文献１１】特開平４−２８９８６６号公報
【特許文献１２】特開平６−２６６１１９公報
【特許文献１３】特開２０００−８２８４号公報
【特許文献１４】特開２００２−１３９６０９号公報
【特許文献１５】特開２００３−２２８０７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従って、本発明は、前記の問題点を解消し、銀及び／又は銀合金を含む基板に好適に適用できるフォトレジスト剥離液組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
従来のフォトレジスト剥離液に使用されているアミノ化合物は水酸基を有するアミノ化合物（アルカノールアミノ）類と、水酸基を持たないアミノ化合物類に分類される。
水酸基を有するアミノ化合物類としては、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）−２−プロパノール、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ―ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−（３−アミノプロピル）−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−２−アミノエタノール、トリエタールアミン、トリイソプロパノールアミンが挙げられる。
【００１１】
水酸基を持たないアミノ化合物類としては、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジプロピレントリアミン、モルホリン誘導体等が挙げられる。
しかしながら、銀及び／又は銀合金を含む基板に好適に適用できるフォトレジスト剥離液組成物を再考する中で、アルミニウム及びアルミニウム合金の際に使用している従来のアミノ化合物、例えば、モノエタノールアミンを主成分とするフォトレジスト剥離液を使用すると、高い剥離性を有するが、そのまま用いたのでは、銀及び銀合金を腐食してしまうとの知見を得た。
【００１２】
さらにまた、モノエタノールアミンのアミノ基にさらに置換基を有するジエタノールアミン、トリエタールアミン、Ｎ，Ｎ―ジメチルエタノールアミン等は、後述するように、銀及び銀合金に対する腐食は少ないが、フォトレジストの剥離性、とくにフォトレジスト変質層の剥離が困難であることも明かになった。
そこで、本発明者らは、上記課題を総合的に解決すべく鋭意、検討を重ねたところ、有機アミノ化合物のアルキレン鎖の炭素鎖長が長すぎた場合、剥離性が低下し、短いと銀および銀合金に対し腐食性が増加すること、またアルキレン鎖の間に異原子を導入することにより、アルキレン基の炭素鎖長がある程度の長さを有していても、剥離性の低下を防止できるとの知見を得たことから、ある特定の有機アミノ化合物、ならびにモノエタノールアミンについてはある特定の防食剤を添加することによって、フォトレジスト剥離液として使用できることを見出し、さらに研究を進めた結果、本発明を完成させるに至った。
【００１３】
すなわち、本発明は、銀および／または銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物であって、
−式（Ｉ）
ＮＨ２−Ａ−Ｙ−Ｂ−Ｚ
式中、Ａ、Ｂは、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝鎖状の炭素数１〜５のアルキレン基であり、Ｙは、ＮＨまたはＯのいずれかであり、Ｚは、ＮＨ２、ＯＨ、ＮＨ−Ｄ−ＮＨ２（ここでＤは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数１〜５のアルキレン基である、）である、
で表される化合物、
−式（ＩＩ）
ＮＨ２−Ａ−Ｎ(−Ｂ−ＯＨ)２
式中、Ａ，Ｂは式（Ｉ）と同じである、
で表される化合物、
−式（ＩＩＩ）
【化２】
2005077526.tif 000002
式中、ＲはＨ、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のヒドロキシアルキル基または炭素数１〜５のアミノアルキル基である、
で表される化合物、
−ピロカテコール、
−ハイドロキノン、
−ピロガロール、
−没食子酸、及び
−没食子酸エステル
からなる群から選択される１種または２種以上と、１種または２種以上の極性有機溶剤とを含有する、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。
さらに、本発明は、非水系である、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。
【００１４】
また本発明は、 式（Ｉ）、式（ＩＩ）又は式（ＩＩＩ）で表される化合物が、ジエチレントリアミン、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）−２−プロパノール、Ｎ−（３−アミノプロピル）−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−２−アミノエタノール、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、ジプロピレントリアミン、トリエチレンテトラミン、モルホリンである、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。
【００１５】
さらに、本発明は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）又は式（ＩＩＩ）で表される化合物の総含有量が、２０質量％以上５０質量％以下である、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。
また、本発明は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）又は式（ＩＩＩ）で表される化合物を含み、極性有機溶剤が、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシドである、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。
また、本発明は、さらに防食剤を含有する、前記フォトレジスト剥離液に関する。
【００１６】
また、本発明は、モノエタノールアミンと、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸及び没食子酸エステルからなる群から選択される１種または２種以上とを含有する、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。
さらに、本発明は、モノエタノールアミンと、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸及び没食子酸エステルからなる群から選択される１種または２種以上とを含有するフォトレジスト剥離液組成物であって、極性有機溶剤が、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン及び／又は１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンである、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。
【００１７】
また、本発明は、基板上の所定領域に銀及び／又は銀合金からなる金属反射膜または反射電極を形成する工程と、該金属反射膜または反射電極上にフォトレジストを用いてマスク形成を行い、非マスク領域の該金属反射膜または反射電極をエッチングする工程と、前記フォトレジストを前記フォトレジスト剥離液組成物を用いて該金属反射膜または反射電極上から剥離する工程を含む、銀及び／又は銀合金のパターン形成方法に関する。
さらに、本発明は、エッチング工程がドライエッチングである、前記銀及び／又は銀合金のパターン形成方法に関する。
【００１８】
また、本発明は、基板に複数の表示素子を備えた表示装置であって、前記表示素子は基板上に銀及び／又は銀合金を含む層を形成した後、該積層した膜上にフォトレジストを用いてマスクを形成し、このマスクを用いて前記積層した膜をエッチングし、前記マスクを形成したフォトレジストを、前記フォトレジスト剥離液で剥離することにより形成された、銀及び／又は銀合金からなる反射膜または反射電極を備えた表示装置に関する。
さらに、本発明は、表示素子が、銀及び／又は銀合金からなる反射膜または反射電極の上に、発光層を含む有機層及び電極が順に積層され、該発光層で発生した光を電極側から取り出す有機発光素子である、前記表示装置に関する。
また、本発明は、表示素子が、基板に、画素電極と、この画素電極に電気的に接続された駆動素子及び配線とが設けられ、銀及び／又は銀合金からなる反射膜または反射電極が、該基板と該駆動素子および配線との間に設けられてなる液晶表示素子である、前記表示装置に関する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のフォトレジスト剥離液組成物は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）、式（ＩＩＩ）で表されるある特定の有機アミノ化合物またはある特定の防食剤を用いる構成を採用することで、銀及び／又は銀合金を含む基板のエッチング後のフォトレジストを銀および銀合金を腐食することなく、剥離することができる。
本発明に用いられる有機アミノ化合物は、そのメカニズムは明確ではないが、化合物の構造中にある特定の炭素数のアルキレン基を複数有するものであり、アルキレン基の炭素鎖長が長すぎた場合、剥離性が低下し、短いと銀および銀合金に対し腐食性が増加するため、本発明の構成のある特定の長さを採用することで、銀及び／又は銀合金を含む基板に適用することができる。
また、ドライエッチング後のフォトレジスト変質層であっても、銀及び／又は銀合金を腐食することなく、良好に剥離することができ、従来困難であるとされてきたドライエッチングを可能とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に本発明の実施の形態について詳述する。
本発明のフォトレジスト剥離液組成物は、式（Ｉ）
ＮＨ２−Ａ−Ｙ−Ｂ−Ｚ
式中、Ａ、Ｂは、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝鎖状の、炭素数１〜５のアルキレン基であり、ＹはＮＨまたはＯのいずれかであり、ＺはＮＨ２、ＯＨ，ＮＨ−Ｄ−ＮＨ２（ここでＤは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数１〜５のアルキレン基である、）である、
で表される化合物、式（ＩＩ）
ＮＨ２−Ａ−Ｎ(−Ｂ−ＯＨ)２
式中、Ａ、Ｂは式（Ｉ）と同じである、
で表される化合物、式（ＩＩＩ）
【化３】
2005077526.tif 000003
式中、ＲはＨ、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のヒドロキシアルキル基または炭素数１〜５のアミノアルキル基である、
で表される化合物、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸及び没食子酸エステルとからなる群から選択される１種または２種以上と、１種または２種以上の極性有機溶剤とを含有するフォトレジスト剥離液組成物である。
本発明に用いられるフォトレジスト剥離液組成物は、水を含有しない、非水系であることが好ましい。水を含有する場合、剥離液に含有される成分が水と反応してアルカリ性を示し、銀側面を腐食したり粒界に入り込み画素内の腐食を進行させ、欠陥が増加することがあるからである。
【００２１】
すなわち、式（Ｉ）
ＮＨ２−Ａ−Ｙ−Ｂ−Ｚ
式中、Ａ、Ｂは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数１〜５のアルキレン基であり、ＹはＮＨまたはＯのいずれかであり、ＺはＮＨ２、ＯＨ、ＮＨ−Ｄ−ＮＨ２（ここでＤは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数１〜５のアルキレン基である、）である、
で表される化合物、式（ＩＩ）
ＮＨ２−Ａ−Ｎ(−Ｂ−ＯＨ)２
式中、Ａ、Ｂは式（Ｉ）と同じであり、ＹはＮであり、ＺはＯＨである、
で表される化合物、および式（ＩＩＩ）
【化４】
2005077526.tif 000004
式中、ＲはＨ、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のヒドロキシアルキル基または炭素数１〜５のアミノアルキル基である、
で表される化合物とからなる群から選択される有機アミノ化合物は、銀及び／又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物の成分として使用できることが判明した。
【００２２】
ここで、上記式Ｉおよび式ＩＩ中のＡおよびＢは、アルキレン鎖の炭素鎖長が長すぎた場合、剥離性が低下し、短いと銀および銀合金に対し腐食するため、直鎖状または分枝鎖状の、炭素数１〜５のアルキレン基であり、フォトレジスト剥離性および銀に対する腐食性を考慮すると、ＡおよびＢの炭素数が合計して２〜１０が好ましく、さらに好ましくは、２〜６個である。
【００２３】
これらの化合物のうち、ジエチレントリアミン、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）−２−プロパノール、Ｎ−（３−アミノプロピル）−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−２−アミノエタノール、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、ジプロピレントリアミン、トリエチレンテトラミン、モルホリンが好ましい。
また、有機アミノ化合物の含有量は、フォトレジスト及びフォトレジスト変質層の剥離性能および銀及び銀合金に対する腐食性を考慮すると、２０質量％以上５０質量％以下が好ましい。
【００２４】
また、式（Ｉ）、式（ＩＩ）、式（ＩＩＩ）で表される有機アミノ化合物と混合する極性有機溶剤は、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶剤、ホルムアミド、モノメチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、モノエチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、アセトアミド、モノメチルアセトアミド、ジメチルアセトアミド、モノエチルアセトアミド、ジエチルアセトアミド等のアミド系溶剤、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ−エチル−２−ピロリジノン等のピロリジノン系溶剤、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール系溶剤、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド溶剤、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン系溶剤、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン等のラクトン系溶剤が挙げられる。
【００２５】
これらの中で好ましくは、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ−エチル−２−ピロリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシドが好ましく、フォトレジスト変質層の除去性の観点より、更に好ましくは、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシドである。
【００２６】
また、式（Ｉ）、式（ＩＩ）、式（ＩＩＩ）で表される有機アミノ化合物と極性有機溶媒を含有する本願組成物は、アミノ酢酸、酢酸等の有機酸、フロログルシノール、レゾルシノール、フェノール、ベンゾトリアゾール、ピロカテコール、ハイドロキノン、没食子酸、没食子酸エステル、ピロガロール等を防食剤としてさらに添加することができる。
【００２７】
また本発明は、モノエタノールアミンと、１種または２種以上の極性有機溶剤と、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステルからなる群から選択される１種または２種以上からなる防食剤とを含有するフォトレジスト剥離液組成物である。
しかし、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステルに類似しており、従来のフォトレジスト剥離液組成物の防食剤と使用されているフロログルシノール（１、３、５−トリヒドロキシベンゼン）、レゾルシノール（１、３−ジヒドロキシベンゼン）、フェノールや、酢酸やアミノ酢酸は、モノエタノールアミンとともに添加しても銀及び銀合金に対する腐食性は改善されない。
【００２８】
また、モノエタノールアミンと混合する極性有機溶剤は、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶剤、ホルムアミド、モノメチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、モノエチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、アセトアミド、モノメチルアセトアミド、ジメチルアセトアミド、モノエチルアセトアミド、ジエチルアセトアミド等のアミド系溶剤、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ−エチル−２−ピロリジノン等のピロリジノン系溶剤、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール系溶剤、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド溶剤、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン系溶剤、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン等のラクトン系溶剤が挙げられる。好ましくは、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン及び／又は１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンである。
【００２９】
このフォトレジスト剥離液を用いて製造する表示装置について以下に示す。
〔第１の実施の形態〕
図１にこの表示装置の一断面概略図を示す。
ガラス基板１１の上に、ＴＦＴ１２、層間絶縁膜１２Ａおよび配線１２Ｂを形成する。
次に、基板１１の全面に、例えばスピンコート法により平坦化層１３を形成し、露光および現像により平坦化層１３を所定の形状にパターニングすると共に接続孔１３Ａを形成する。そののち、ポリイミドをイミド化させるため、クリーンベーク炉で例えば３２０℃の温度で焼成する。
続いて平坦化層１３上に例えばスパッタ法により、Ａｇを含む電極層１４として銀もしくは銀合金を例えば１００nmの膜厚で積層する。
Ａｇを含む電極層１４を形成したのち、例えばリソグラフィ技術を用いて、レジストマスクを作製し、これを用いてＡｇを含む電極層１４をエッチングする。このエッチングはウェットエッチングまたはドライエッチングで行なうことが可能である。
次にフォトレジスト剥離液でレジストを除去する。
【００３０】
次に基板１１の全面にわたり、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学的気相成長）法により絶縁膜１５を成膜し、例えばリソグラフィ技術を用いて絶縁膜１５のうち発光領域に対応する部分を選択的に除去し開口部１５Ａを形成する。
次に、絶縁膜１５の上に、基板１１の全面にわたり補助電極１７Ａを形成し、例えばリソグラフィ技術を用いて選択的にエッチングし、所定の形状にパターニングする。
続いて、例えば蒸着法により、有機層１６を形成する。その際、絶縁膜１５の開口部に対して成膜するように、開口を有する金属製の蒸着マスクを用いる。
有機層１６を形成した後、基板全面にわたり、例えば蒸着法によりなる共通電極１７を形成する。これにより、共通電極１７は既に形成されている補助電極１７Ａおよび図示しない母線となる幹状補助電極に電気的に接続される。
【００３１】
その後、封止用基板21を基板１１の有機層１６を形成した側に熱硬化性樹脂よりなる接着層３０を塗布形成し、張り合わせて表示装置が完成する。
この表示装置では、例えば、Ａｇを含む電極層１４と共通電極１７との間に所定の電圧が印加されると、有機層１６で発光が起こる。
本発明によるフォトレジスト剥離液を用いることで、Ａｇが腐食されることなくレジストが剥離できる。その為、Ａｇの腐食に起因する画素欠陥が従来の剥離液と比較して１/１０に低減でき、表示素子の信頼性が向上した。
【００３２】
〔第２の実施の形態〕
図２は、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の断面構造を表すものである。
この表示装置は、透過型・反射型併用（半透過型）の液晶ディスプレイとして用いられるものであり、駆動パネル６０と対向パネル７０とが対向配置され、その間に液晶８０が設けられている。駆動パネル６０は、例えばガラスよりなる基板６１に、画素電極６２がマトリクス状に設けられている。基板６１には、画素電極６２に電気的に接続された駆動素子としてのＴＦＴ６３および配線６３Ａなどを含むアクティブ型の駆動回路が形成されている。
基板６１の液晶８０に対向する側には、配向膜６４が全面に設けられ、反対側には偏光板６５が設けられている。
【００３３】
画素は画素電極６２とＡｇを含む電極層１４とを有している。画素電極６２は例えばＩＴＯにより構成され、Ａｇを含む電極層１４は銀もしくは銀合金を含む層で構成されている。Ａｇを含む電極層１４は、画素電極６２の一部領域に重ねるように形成されている。Ａｇを含む電極層１４が形成された領域は、反射型表示領域となり、画素電極６２のＡｇを含む電極層１４が重ねられていない領域が、透過型表示領域となる。
【００３４】
ＴＦＴ６３のゲート電極（図示せず）は、図示しない走査回路に接続され、ソース（図示せず）は信号線としての配線６３Ａに接続され、ドレイン（図示せず）は、画素電極６２に接続されている。配線６３Ａの材料は、第１の実施の形態の配線１３Ｂと同様である。また、ＴＦＴ６３の構成は、第１の実施の形態のＴＦＴ１２と同様、特に限定されない。ＴＦＴ６３および配線６３Ａは、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）あるいは窒化シリコン（ＳｉＮ）よりなる保護膜６３Ｂにより被覆されている。
配向膜６４は、例えば、ポリイミドなどの有機化合物をラビング（配向）処理した膜を用いる。この場合、ラビング条件を変更することによりプレティルト角が制御される。
偏光板６５は、図示しないバックライトからの光を一定方向の直線偏光に変える光学素子であり、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルムなどを含んで構成されている。
【００３５】
対向パネル７０は、駆動パネル６０の画素電極６２の側に位置しており、ガラスなどよりなる対向基板７１を有している。
対向基板７１には、例えば、画素電極６２に対向して、透明電極７２およびカラーフィルタ７３が対向基板７１側から順に積層されて設けられている。
また、対向基板７１には、カラーフィルタ７３の境界に沿って、ブラックマトリクスとしての光吸収膜７４が設けられている。対向基板７１の液晶８０に対向する側には、配向膜７５が全面に設けられ、反対側には偏光板７６が設けられている。
【００３６】
透明電極７２は、例えばＩＴＯにより構成されている。
光吸収膜７４は、対向基板７１に入射した外光あるいは配線６４により反射された外光の反射光などを吸収してコントラストを向上させるものであり、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルターにより構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。
【００３７】
薄膜フィルタとしては、具体的には、クロムと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２Ｏ３ ）とを交互に積層したものが挙げられる。配向膜７５および偏光板７６は、駆動パネル６０の配向膜６４および偏光板６５と同様に構成されている。
液晶８０は、電圧を印加することにより配向状態が変化して透過率を変化させるものである。駆動時に液晶分子の傾斜する方向が一様でないと明暗のむらが生じるため、これを避けるために、あらかじめ液晶８０にはわずかなプレティルト角が一定方向に与えられている。
【００３８】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
まず、基板６１に画素電極６２及びＡｇを含む電極層１４を例えばスパッタ法で成膜する。その後、フォトリソ工程を用いてレジストのパターンを形成する。
その後、フォトレジストにより形成されたパターンをマスクとしてＡｇを含む電極層１４のエッチングを行なう。エッチングは薬液を用いたウェットエッチングやドライエッチングを用いることが出来る。その後、第一の実施例記載のフォトレジスト剥離液でレジストを除去する。
更に画素電極６２のパターンを形成する為にレジストパターンを同様に形成し、エッチング後上記フォトレジスト剥離液でレジストを除去する。
【００３９】
続いて、ＴＦＴ６３および配線６３Ａを形成し、保護膜６３Ｂで被覆する。そののち、基板６１の全面に配向膜６４を形成し、ラビング処理を行う。これにより、駆動パネル６０が形成される。
また、対向基板７１の表面に透明電極７２、光吸収膜７４およびカラーフィルタ７３を形成する。次に、対向基板７１の全面に配向膜７５を形成し、ラビング処理を行う。これにより、対向パネル７０が形成される。
【００４０】
次に、駆動パネル６０または対向パネル７０の周辺部分に例えばエポキシ樹脂などよりなるシール材（図示せず）を設け、球状あるいは柱状のスペーサ（図示せず）を設ける。続いて、駆動パネル６０および対向パネル７０を、画素電極６２と透明電極７２とが対向するように位置合わせし、シール材を硬化させることにより貼り合わせ、液晶８０を内部に注入して密封する。そののち、駆動パネル６０に偏光板６５を、対向パネル７０に偏光板７６をそれぞれ貼付する。以上により、図２に示した表示装置が完成する。
本発明のフォトレジスト剥離液を用いることで、反射膜であるＡｇを含む電極層１４の表面に対する腐食が無くなり、腐食などによる反射率低下に起因する表示装置の信頼性が向上する。
【実施例】
【００４１】
以下に、実施例と比較例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでない。
１．式（Ｉ）、式（ＩＩ）、式（ＩＩＩ）で表される化合物と極性有機溶剤とを含有し、非水系のフォトレジスト剥離液
（１）フォトレジスト及びフォトレジスト変質層剥離性評価
ガラス基板上に銀合金を成膜し、銀合金上に塗布、露光、現像したフォトレジストをマスクとして、ドライエッチングを行い、パターンを形成し、フォトレジスト及びフォトレジスト変質層剥離性評価基板を得た。続いてその基板をフォトレジスト剥離液中に７０℃、１０分間浸漬後、超純水による流水リンス処理後、窒素ブローによる乾燥を行った後、光学顕微鏡及び電子顕微鏡によってフォトレジスト及びフォトレジスト剥離性評価を行った。その結果を表１に示す。
【００４２】
（２）銀及び銀合金に対する腐食性評価
ガラス基板上に銀合金を成膜し、銀合金に対する腐食性評価基板を得た。続いてその基板をフォトレジスト剥離液中に７０℃、１０分間浸漬後、超純水による流水リンス処理後、窒素ブローによる乾燥を行った後、光学顕微鏡及び電子顕微鏡によって銀合金に対する腐食性評価を行った。その結果を表１に示す。
【００４３】
【表１】
2005077526.tif 000005
【００４４】
２．モノエタノールアミンと、極性有機溶剤と、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステルからなる群から選択される１種または２種以上からなる防食剤とを含有し、非水系のフォトレジスト剥離液組成物
本組成物について、フォトレジスト除去性と、銀合金に対する腐食性について、１と同様に実験評価し、その結果を表２に示した。
【００４５】
【表２】
2005077526.tif 000006
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明のフォトレジスト剥離液を使用することにより、銀及び銀合金に対して腐食することなく、銀及び銀合金をエッチングした後のフォトレジスト、更にドライエッチングした後のフォトレジスト変質層を剥離することが可能となり、よって銀及び銀合金を金属反射膜として使用した有機ＥＬディスプレイの製造が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の表示装置の第１の実施態様の一断面概略図である。
【図２】本発明の表示装置の第２の実施態様の一断面概略図である。
【符号の説明】
【００４８】
１１・・・・・ガラス基板
１２・・・・・ＴＦＴ
１２Ａ・・・・層間絶縁膜
１２Ｂ・・・・配線
１３・・・・・平坦化層
１３Ａ・・・・接続孔
１４・・・・・電極層
１５・・・・・絶縁膜
１５Ａ・・・・開口部
１６・・・・・有機層
１７・・・・・共通電極  
１７Ａ・・・・補助電極
２１・・・・・封止用基板
３０・・・・・接着層
６０・・・・・駆動パネル
６１・・・・・基板
６２・・・・・画素電極
６３・・・・・ＴＦＴ
６３Ａ・・・・配線
６３Ｂ・・・・保護膜
６４・・・・・配向膜
６５・・・・・偏光板
７０・・・・・対向パネル
７１・・・・・対向基板
７２・・・・・透明電極
７３・・・・・カラーフィルタ
７４・・・・・光吸収膜
７５・・・・・配向膜
７６・・・・・偏光板
８０・・・・・液晶
【図１】
2005077526.tif 000009
【図２】
2005077526.tif 000010