(57)【要約】  【課題】低湿度および低温の環境下でも十分なプロトン伝導度を有するプロトン伝導膜を提供すること。  【解決手段】プロトン伝導膜は、イオン伝導性ポリマーセグメント（Ａ）および非イオン伝導性ポリマーセグメント（Ｂ）とを有する共重合体からなる膜であって、該膜を９０℃の水に３０分間浸漬したとき、その吸水された水のうち、−３０℃〜０℃に凍結温度を示す水が共重合体１ｇあたり０．０１ｇ〜３．０ｇである。前記共重合体は、共重合体を形成する主鎖骨格が芳香環を結合基で共有結合させた構造を有する。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン伝導性ポリマーセグメント（Ａ）および非イオン伝導性ポリマーセグメント（Ｂ）とを有する共重合体からなる膜であって、該膜を９０℃の水に３０分間浸漬したとき、その吸水された水のうち、−３０℃〜０℃に融解温度を示す水が共重合体１ｇ当たり０．０１ｇ〜３．０ｇであることを特徴とするプロトン伝導膜。
【請求項２】
上記共重合体のモルフォロジーとして、イオン伝導性ポリマーセグメント（Ａ）が連続相を形成することを特徴とする請求項１に記載のプロトン伝導膜。
【請求項３】
上記共重合体は、イオン伝導性ポリマーセグメント（Ａ）と非イオン伝導性ポリマーセグメント（Ｂ）が共有結合しているブロック共重合体であることを特徴とする請求項１または２に記載のプロトン伝導膜。
【請求項４】
上記共重合体は、該共重合体を形成する主鎖骨格が芳香環を結合基で共有結合させた構造を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のプロトン伝導膜。
【請求項５】
上記イオン伝導性ポリマーセグメント（Ａ）が、下記一般式（Ａ）で表される繰り返し構成単位を含み、上記非イオン伝導性ポリマーセグメント（Ｂ）が、下記一般式（Ｂ）で表される繰り返し構成単位を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のプロトン伝導膜；
【化１】
2005197235.tif 000030
（式中、Ｙは２価の電子吸引性基を示し、Ｚは２価の電子供与基ま
たは直接結合を示し、Ａｒは−ＳＯ3Ｈで表される置換基を有する芳香族基を示し、ｍは
０〜１０の整数を示し、ｎは０〜１０の整数を示し、ｋは１〜４の整数を示す。）
【化２】
2005197235.tif 000031
（式中、ＡおよびＤは、互いに同一でも異なっていてもよく、直接
結合または、−ＣＯ−、−ＳＯ2−、−ＳＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＦ2）l−（ｌは１〜１０の整数である）、−（ＣＨ2）l−（ｌは１〜１０の整数である）、−
Ｃ（Ｒ'）2−（Ｒ'はアルキル基、フッ化アルキル基またはアリール基）、−Ｏ−、−Ｓ
−、シクロヘキシリデン基およびフルオレニデン基からなる群より選ばれた少なくとも１種の構造を示し、Ｂは、互いに同一でも異なっていてもよく、酸素原子または硫黄原子であり、Ｒ1〜Ｒ16は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、アル
キル基、一部またはすべてがハロゲン化されたハロゲン化アルキル基、アリル基、アリール基、ニトロ基、ニトリル基からなる群より選ばれた少なくとも１種の原子または基を示し、ｓおよびｔは、互いに同一でも異なっていてもよく、０〜４の整数を示し、ｒは０または１以上の整数を示す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体高分子型燃料電池に用いられる電解質用途に好適なプロトン伝導膜に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
燃料電池は基本的に２つの触媒電極と、電極に挟まれた固体電解質膜とから構成される。燃料である水素は一方の電極でイオン化され、この水素イオンは固体電解質膜中を拡散した後に他方の電極で酸素と結合する。このとき２つの電極を外部回路で接続していると、電流が流れ、外部回路に電力を供給する。ここで固体電解質膜は、水素イオンを拡散させると同時に、燃料ガスの水素と酸素を物理的に隔離し且つ電子の流れを遮断する機能を担っている。
【０００３】
このような固体電解質膜は、親水性チャネル（イオン伝導チャネル）に形成される水のクラスターを通して、水素イオンを拡散させるとされている。そのため、低湿度下では水の乾燥により、また、低温では水の凍結によりイオン伝導性が大幅に低下するという問題があった。そのイオン伝導に関しては、膜中のイオン伝導性基に吸着・束縛される水分量および膜中でイオン伝導性基が形成するチャネル構造が極めて重要であると考えられている。
【０００４】
本発明者は、このような従来技術における問題点に鑑み検討した結果、イオン伝導性ポリマーセグメント（Ａ）および非イオン伝導性ポリマーセグメント（Ｂ）からなる膜のイオン伝導性基に吸着された水のうち、−３０℃〜０℃に融解温度を示す水分量を十分に確保することで、水の低湿度下での乾燥および低温下での凍結を抑制でき、低湿度および低温の環境下でも十分なプロトン伝導度を有する高分子固体電解質膜が得られることを見出した。さらに、膜のモルフォロジーとして、イオン伝導性ポリマーセグメント（Ａ）が連続相を形成することで、−３０℃〜０℃に融解温度を示す水分量を十分にもつ高分子固体電解質膜が得られることを見出して本発明を完成するに至った。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、低湿度および低温の環境下でも十分なプロトン伝導度を有するプロトン伝導膜を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば下記プロトン伝導膜が提供されて、本発明の前記目的が達成される。
（１）
イオン伝導性ポリマーセグメント（Ａ）および非イオン伝導性ポリマーセグメント（Ｂ）とを有する共重合体からなる膜であって、該膜を９０℃の水に３０分間浸漬したとき、その吸水された水のうち、−３０℃〜０℃に融解温度を示す水が共重合体１ｇあたり０．０１ｇ〜３．０ｇであることを特徴とするプロトン伝導膜。
（２）
上記共重合体のモルフォロジーとして、イオン伝導性ポリマーセグメント（Ａ）が連続相を形成することを特徴とする上記（１）に記載のプロトン伝導膜。
（３）
上記共重合体は、イオン伝導性ポリマーセグメント（Ａ）と非イオン伝導性ポリマーセグメント（Ｂ）が共有結合しているブロック共重合体であることを特徴とする上記（１）または（２）に記載のプロトン伝導膜。（４）
上記共重合体は、該共重合体を形成する主鎖骨格が芳香環を結合基で共有結合させた構造を有することを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載のプロトン伝導膜。
（５）
上記イオン伝導性ポリマーセグメント（Ａ）が、下記一般式（Ａ）で表される繰り返し構成単位を含み、上記非イオン伝導性ポリマーセグメント（Ｂ）が、下記一般式（Ｂ）で表される繰り返し構成単位を含むことを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載のプロトン伝導膜；
【０００７】
【化１】
2005197235.tif 000002
【０００８】
（式中、Ｙは２価の電子吸引性基を示し、Ｚは２価の電子供与基または直接結合を示し、Ａｒは−ＳＯ3Ｈで表される置換基を有する芳香族基を示し、ｍは０〜１０の整数を示し
、ｎは０〜１０の整数を示し、ｋは１〜４の整数を示す。）。
【０００９】
【化２】
2005197235.tif 000003
【００１０】
（式中、ＡおよびＤは、互いに同一でも異なっていてもよく、直接結合または、−ＣＯ−、−ＳＯ2−、−ＳＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＦ2）l−（ｌは１〜１０の
整数である）、−（ＣＨ2）l−（ｌは１〜１０の整数である）、−Ｃ（Ｒ'）2−（Ｒ'は
アルキル基、フッ化アルキル基またはアリール基）、−Ｏ−、−Ｓ−、シクロヘキシリデン基およびフルオレニデン基からなる群より選ばれた少なくとも１種の構造を示し、Ｂは、互いに同一でも異なっていてもよく、酸素原子または硫黄原子であり、Ｒ1〜Ｒ16は、
互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、アルキル基、一部またはすべてがハロゲン化されたハロゲン化アルキル基、アリル基、アリール基、ニトロ基、ニトリル基からなる群より選ばれた少なくとも１種の原子または基を示し、ｓおよびｔは、互いに同一でも異なっていてもよく、０〜４の整数を示し、ｒは０または１以上の整数を示す。）
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係るプロトン伝導膜は、低湿度および低温の環境下でも十分なプロトン伝導度を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下本発明に係るプロトン伝導膜について具体的に説明する。
本発明に係るプロトン伝導膜は、イオン伝導性基を有するイオン伝導性ポリマーセグメント（Ａ）およびイオン伝導性基を有さない非イオン伝導性ポリマーセグメント（Ｂ）とを有する共重合体からなる膜であって、該膜を９０℃の水に３０分間浸漬したとき、その吸水された水のうち、−３０℃〜０℃に融解温度を示す水が共重合体１ｇ当たり０．０１
ｇ〜３．０ｇである。
【００１３】
（−３０℃〜０℃に融解温度を示す水分量）
膜中に吸着された水には、一般的に不凍水、０℃以下に融解温度を示す水および自由水があり、不凍水は、イオン伝導性ポリマーセグメントと強い相互作用で結びついた水、０℃以下に融解温度を示す水は、イオン伝導性ポリマーセグメントと弱い相互作用で結びついた水、あるいは、不凍水と弱い相互作用で結びついた水、自由水はイオン伝導性基と相互作用をもたない水であると考えられる。そのため、不凍水および０℃以下に融解温度を示す水を増加させることにより、低湿度および低温下におけるプロトン伝導度を向上させることができる。しかし、不凍水はポリマーのイオン交換容量に大きく依存するため、材料面での制限が大きいが、０℃以下に融解温度を示す水は、膜中のイオン伝導性基の配置（モルフォロジー）にも大きな影響を受けるため、制御しやすい。
【００１４】
本発明に係るプロトン伝導膜は、該膜を９０℃の水に３０分間浸漬したとき、その吸水された水のうち、−３０℃〜０℃に融解温度を示す水がポリマー１ｇあたり０．０１ｇ〜３．０ｇ、好ましくは０．１ｇ〜２．０ｇである。
【００１５】
プロトン伝導膜中の−３０℃〜０℃に融解温度を示す水が上記範囲内であると、イオン伝導性基と水との相互作用により、低湿度下での水の乾燥および低温下での水の凍結を抑制でき、低湿度および低温の環境下でも十分なプロトン伝導度を得ることができる。一方、上記範囲より少ないと、イオン伝導性基に吸着された水が少なく、十分なイオン伝導度を発現できないことがあり。また、上記範囲を超えると、プロトン伝導膜の膨潤・寸法変化が大きく、燃料電池の発電中に電極層面との剥れ、電極層のひび割れなどが発生する傾向にある。
【００１６】
なお、プロトン伝導膜中の−３０℃〜０℃に融解温度を示す水分量測定は、プロトン伝導膜を９０℃の水に３０分間浸漬した後、これを取り出し、示差走査熱量計（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎａｌｙｓｔ  ２０００；ＤｕＰｏｎｔＩｎｓｔｒａｍｅｎｔｓ製）において、５℃／ｍｉｎで−１００℃まで降温させ、次に、２００℃まで昇温させる。その時の水の融解ピークの熱量から、ポリマー１ｇあたりの−３０℃〜０℃に融解温度を示す水分量を算出している。すなわち、−３０℃〜０℃に融解温度を示す水分量は、示差走査熱量計による測定において−３０℃〜０℃の範囲内に観測される融解ピークから求めた値である。
【００１７】
（モルフォロジー）
本発明に係るプロトン伝導膜は、該膜を形成する共重合体のモルフォロジーが、イオン伝導性ポリマーセグメント（Ａ）（以下「セグメント（Ａ）」ともいう。）が連続相を形成している。さらに、本発明に係るプロトン伝導膜を形成する共重合体は、イオン伝導性ポリマーセグメント（Ａ）が等方的な連続相を形成することが好ましい。また、非イオン伝導性ポリマーセグメント（Ｂ）（以下「セグメント（Ｂ）」ともいう。）が非連続相を形成することが好ましく、さらに、セグメント（Ｂ）が島相に近い構造を形成することが好ましい。その構造の長周期は、１ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであることがより好ましい。
【００１８】
プロトン伝導膜を形成する共重合体において、セグメント（Ａ）が連続相を形成すると、セグメント（Ａ）からなるイオンチャネルが膜を貫通して均一に配置せしめられると共に、イオン伝導性基に吸着・束縛される水の量が増加し、低湿度下での水の乾燥および低温下での水の凍結を抑制でき、低湿度および低温の環境下でも十分なプロトン伝導度を得ることができる。
【００１９】
一方、セグメント（Ａ）が非連続相を形成すると、セグメント（Ａ）が、膜を貫通して
均一に確保できないと共に、セグメント（Ａ）に吸着・束縛できる水分量が減少し、低湿度および低温下の環境で十分なプロトン伝導度を発現できない。
【００２０】
また、本発明に係るセグメント（Ａ）およびセグメント（Ｂ）からなる共重合体は、セグメント（Ａ）とセグメント（Ｂ）が共有結合しているブロック共重合体であることが好ましく、さらに、セグメント（Ａ）とセグメント（Ｂ）を有する共重合体を形成する主鎖骨格が芳香環を結合基で共有結合させた構造を有することが好ましい。
さらに、本発明において、イオン伝導性基としては、スルホン酸基が好ましい。
【００２１】
本発明において、プロトン伝導膜を形成する共重合体としては、下記一般式（Ａ）で表される繰り返し構成単位（セグメント（Ａ））と、下記一般式（Ｂ）で表される繰り返し構成単位（セグメント（Ｂ））とを含むスルホン酸基を有するポリアリーレン、例えば、下記一般式（Ｃ）で表されるスルホン酸基を有するポリアリーレンであることが好ましい。下記一般式（Ｃ）で表される共重合体を用いると、耐水性、機械的強度が向上するため、イオン交換容量を向上でき、それに伴い、−３０℃〜０℃に融解温度を示す水も増加し、プロトン伝導度も向上するため、なお好ましい。
【００２２】
（スルホン酸基を有するポリアリーレン）
本発明に好適に使用されるスルホン酸基を有するポリアリーレンは、下記一般式（Ａ）で表される繰り返し構成単位と、下記一般式（Ｂ）で表される繰り返し構成単位とを含んでいる。
【００２３】
【化３】
2005197235.tif 000004
【００２４】
式（Ａ）中、Ｙは２価の電子吸引性基を示し、具体的には−ＣＯ−、−ＳＯ2−、−Ｓ
Ｏ−、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＦ2）l−（ここで、ｌは１〜１０の整数である）、−Ｃ（ＣＦ3）2−などが挙げられる。
Ｚは２価の電子供与基または直接結合を示し、電子供与基の具体例としては、−（ＣＨ2
）−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ―および
【００２５】
【化４】
2005197235.tif 000005
【００２６】
などが挙げられる。
なお、電子吸引性基とは、ハメット（Hammett）置換基常数がフェニル基のｍ位の場合、
０．０６以上、ｐ位の場合、０．０１以上の値となる基をいう。
【００２７】
Ａｒは−ＳＯ3Ｈで表される置換基を有する芳香族基を示し、芳香族基として具体的に
はフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナンチル基などが挙げられる。これらの基のうち、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
ｍは０〜１０、好ましくは０〜２の整数、ｎは０〜１０、好ましくは０〜２の整数を示し、ｋは１〜４の整数を示す。
【００２８】
【化５】
2005197235.tif 000006
【００２９】
一般式（Ｂ）において、ＡおよびＤは、互いに同一でも異なっていてもよく、直接結合または、−ＣＯ−、−ＳＯ2−、−ＳＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＦ2）l−
（ｌは１〜１０の整数である）、−（ＣＨ2）l−（ｌは１〜１０の整数である）、−Ｃ（Ｒ'）2−（Ｒ'はアルキル基、フッ化アルキル基またはアリール基）、−Ｏ−、−Ｓ−、
シクロヘキシリデン基およびフルオレニデン基からなる群より選ばれた少なくとも１種の構造を示す。−Ｃ（Ｒ'）2−で表される構造のＲ'としては、メチル基、エチル基、プロ
ピル基などのアルキル基、トリフルオロメチル基、ヘプタフルオロエチル基などのフッ化アルキル基、フェニル基、ナフチル基などのアリール基を挙げることができ、−Ｃ（Ｒ'
）2−で表される構造の具体例としては、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（
Ｃ6Ｈ5）2−などである。
【００３０】
これらのうち、直接結合または、−ＣＯ−、−ＳＯ2−、−Ｃ（Ｒ'）2−（Ｒ'はアルキル基、フッ化アルキル基またはアリール基）、−Ｏ−、シクロヘキシリデン基およびフルオレニデン基が好ましい。
【００３１】
Ｂは、互いに同一でも異なっていてもよく、酸素原子または硫黄原子であり、酸素原子であることが好ましい。
Ｒ1〜Ｒ16は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、アルキル
基、一部またはすべてがハロゲン化されたハロゲン化アルキル基、アリル基、アリール基、ニトロ基、ニトリル基からなる群より選ばれた少なくとも１種の原子または基を示す。
【００３２】
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基などが挙げられる。ハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基などが挙げられる。アリル基としては、プロペニル基などが挙げられ、アリール基としては、フェニル基、ペンタフルオロフェニル基などが挙げられる。
ｓおよびｔは、互いに同一でも異なっていてもよく、０〜４の整数を示す。
ｒは０または１以上の整数を示し、上限は通常１００、好ましくは１〜８０である。
【００３３】
ｓ、ｔの値と、Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｒ1〜Ｒ16の構造についての好ましい組み合わせとしては
、（１）ｓ＝１、ｔ＝１であり、Ａが−Ｃ（Ｒ'）2−（Ｒ'はアルキル基、フッ化アルキ
ル基またはアリール基）、シクロヘキシリデン基またはフルオレニデン基であり、Ｂが酸素原子であり、Ｄが−ＣＯ−または、−ＳＯ2−であり、Ｒ1〜Ｒ16が水素原子またはフッ素原子である構造、
（２）ｓ＝１、ｔ＝０であり、Ｂが酸素原子であり、Ｄが−ＣＯ−または、−ＳＯ2−で
あり、Ｒ1〜Ｒ16が水素原子またはフッ素原子である構造、
（３）ｓ＝０、ｔ＝１であり、Ａが−Ｃ（Ｒ'）2−（Ｒ’はアルキル基、フッ化アルキル基またはアリール基）、シクロヘキシリデン基またはフルオレニデン基であり、Ｂが酸素原子であり、Ｒ1〜Ｒ16が水素原子またはフッ素原子またはニトリル基である構造が挙げ
られる。
【００３４】
スルホン酸基を有するポリアリーレンは、具体的には下記一般式（Ｃ）で表される重合体である。
【００３５】
【化６】
2005197235.tif 000007
【００３６】
一般式（Ｃ）において、Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｙ、Ｚ、Ａｒ、ｋ、ｍ、ｎ、ｒ、ｓ、ｔおよびＲ1〜Ｒ16は、それぞれ上記一般式（Ａ）および（Ｂ）中のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｙ、Ｚ、Ａｒ、ｋ
、ｍ、ｎ、ｒ、ｓ、ｔおよびＲ1〜Ｒ16と同義である。ｘ、ｙはｘ＋ｙ＝１００モル％と
した場合のモル比を示す。
本発明で用いられるスルホン酸基を有するポリアリーレンは、式（Ａ）で表される繰り返し構成単位すなわちｘのユニットを０．５〜１００モル％、好ましくは１０〜９９．９９９モル％の割合で、式（Ｂ）で表される繰り返し構成単位すなわちｙのユニットを９９．５〜０モル％、好ましくは９０〜０．００１モル％の割合で含有している。
【００３７】
（スルホン酸基を有するポリアリーレンの製造方法）
スルホン酸基を有するポリアリーレンは、上記一般式（Ａ）で表される構造単位となりうるスルホン酸エステル基を有するモノマーと、上記一般式（Ｂ）で表される構造単位となりうるオリゴマーとを共重合させ、スルホン酸エステル基を有するポリアリーレンを製造し、このスルホン酸エステル基を有するポリアリーレンを加水分解して、スルホン酸エステル基をスルホン酸基に変換することにより合成することができる。
【００３８】
また、スルホン酸基を有するポリアリーレンは、上記一般式（Ａ）で表される骨格を有しスルホン酸基、スルホン酸エステル基を有しない構造単位と、上記一般式（Ｂ）の構造単位からなるポリアリーレンを予め合成し、この重合体をスルホン化することにより合成することもできる。
【００３９】
上記一般式（Ａ）の構造単位となりうるモノマーと、上記一般式（Ｂ）の構造単位となりうるオリゴマーとを共重合させてスルホン酸エステル基を有するポリアリーレンを合成する場合には、上記一般式（Ａ）の構造単位となりうるモノマーとしては、例えば下記一般式（Ｄ）で表されるスルホン酸エステル（以下、「モノマー（Ｄ）」ともいう。）が用いられる。
【００４０】
【化７】
2005197235.tif 000008
【００４１】
式（Ｄ）中、Ｘはフッ素を除くハロゲン原子（塩素、臭素、ヨウ素）、−ＯＳＯ2Ｚ（
ここで、Ｚはアルキル基、フッ素置換アルキル基またはアリール基を示す。）から選ばれる原子または基を示し、Ｙ、Ｚ、ｍ、ｎおよびｋは、それぞれ上記一般式（Ａ）中のＹ、Ｚ、ｍ、ｎおよびｋと同義である。
【００４２】
Ｒaは炭素原子数１〜２０、好ましくは４〜２０の炭化水素基を示し、具体的には、メ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチル基、アダマンタンメチル基、２−エチルヘキシル基、ビシクロ［２.２.１］へプチル基、ビシクロ［２.２.１］へプチルメチル基、テトラヒドロフルフリル基、２−メチルブチル基、３,３−ジメチル−２,４−ジオキソランメチル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、ビシクロ［２.２.１］ヘプチルメチル基などの直鎖状炭化水素基、分岐状炭化水素基、脂環式炭化水素基、５員の複素環を有する炭化水素基などが挙げられる。これらのうちｎ−ブチル基、ネオペンチル基、テトラヒドロフルフリル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、ビシクロ［２.２.１］ヘプチルメチル基が好ましく、さらにはネオペンチル基が好ましい。
【００４３】
Ａｒ'は−ＳＯ3Ｒbで表されるスルホン酸エステルを有する芳香族基を示し、芳香族基
として具体的にはフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナンチル基などが挙げられる。これらの基のうち、フェニル基、ナフチル基が好ましい。スルホン酸エステル−ＳＯ3Ｒbは、芳香族基に１個または２個以上置換しており、置換基−ＳＯ3Ｒbが２個以上置換している場合には、これらのスルホン酸エステルは互いに同一でも異なっていてもよい。
【００４４】
ここで、Ｒbは炭素原子数１〜２０、好ましくは４〜２０の炭化水素基を示し、具体的
には上記炭素原子数１〜２０の炭化水素基などが挙げられる。これらのうちｎ−ブチル基、ネオペンチル基、テトラヒドロフルフリル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、ビシクロ［２.２.１］ヘプチルメチル基が好ましく、さらにはネオペンチル基が好ましい。
上記一般式（Ｄ）で表されるスルホン酸エステルの具体例としては、以下の様な化合物が挙げられる。
【００４５】
【化８】
2005197235.tif 000009
【００４６】
【化９】
2005197235.tif 000010
【００４７】
【化１０】
2005197235.tif 000011
【００４８】
【化１１】
2005197235.tif 000012
【００４９】
【化１２】
2005197235.tif 000013
【００５０】
【化１３】
2005197235.tif 000014
【００５１】
【化１４】
2005197235.tif 000015
【００５２】
【化１５】
2005197235.tif 000016
【００５３】
また、上記一般式（Ｄ）で表されるスルホン酸エステルとして、上記化合物において塩素原子が臭素原子に置き換わった化合物、上記化合物において−ＣＯ−が−ＳＯ2−に置
き換わった化合物、上記化合物において塩素原子が臭素原子に置き換わり、かつ−ＣＯ−が−ＳＯ2−に置き換わった化合物なども挙げられる。
【００５４】
一般式（Ｄ）中のＲb基は１級のアルコール由来で、β炭素が３級または４級炭素であ
ることが、重合工程中の安定性に優れ、脱エステル化によるスルホン酸の生成に起因する重合阻害や架橋を引き起こさない点で好ましく、さらには、これらのエステル基は１級アルコール由来でβ位が４級炭素であることが好ましい。
【００５５】
また、上記一般式（Ｄ）で表されるスルホン酸エステルと同様の骨格を有し、スルホン酸基、スルホン酸エステル基を有しない化合物の具体例としては、下記の様な化合物が挙げられる。
【００５６】
【化１６】
2005197235.tif 000017
【００５７】
上記化合物において塩素原子が臭素原子に置き換わった化合物、上記化合物において−ＣＯ−が−ＳＯ2−に置き換わった化合物、上記化合物において塩素原子が臭素原子に置
き換わり、かつ−ＣＯ−が−ＳＯ2−に置き換わった化合物なども挙げられる。
【００５８】
上記一般式（Ｂ）の構造単位となりうるオリゴマーとしては、例えば下記一般式（Ｅ）で表される化合物（以下「オリゴマー（Ｅ）」ともいう。）が用いられる。
【００５９】
【化１７】
2005197235.tif 000018
【００６０】
式（Ｅ）中、Ｒ'およびＲ''は互いに同一でも異なっていてもよく、フッ素原子を除く
ハロゲン原子または−ＯＳＯ2Ｚ（ここで、Ｚはアルキル基、フッ素置換アルキル基また
はアリール基を示す。）で表される基を示す。Ｚが示すアルキル基としてはメチル基、エチル基などが挙げられ、フッ素置換アルキル基としてはトリフルオロメチル基などが挙げられ、アリール基としてはフェニル基、ｐ−トリル基などが挙げられる。
【００６１】
一般式（Ｅ）において、Ａ、Ｄ、Ｂ、Ｒ1〜Ｒ16、ｒ、ｓおよびｔは、それぞれ上記一
般式（Ｂ）中のＡ、Ｄ、Ｂ、Ｒ1〜Ｒ16、ｒ、ｓおよびｔと同義である。
ｓ、ｔの値と、Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｒ1〜Ｒ16の構造についての好ましい組み合わせとしては
、上記一般式（Ｂ）と同様である。
【００６２】
上記一般式（Ｅ）で表される化合物として具体的には、ｒ＝０の場合、例えば４,４'−ジクロロベンゾフェノン、４,４'−ジクロロベンズアニリド、ビス（クロロフェニル）ジフルオロメタン、２,２−ビス（４−クロロフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４−ク
ロロ安息香酸−４−クロロフェニル、ビス（４−クロロフェニル）スルホキシド、ビス（４−クロロフェニル）スルホン、２，６−ジクロロベンゾニトリル、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンが挙げられる。これらの化合物において塩素原子が臭素原子またはヨウ素原子に置き換わった化合物、さらにこれらの化合物において４位に置換したハロゲン原子の少なくとも１つ以上が３位に置換した化合物などが挙げられる。
【００６３】
またｒ＝１の場合、上記一般式（Ｅ）で表される具体的な化合物としては、例えば４,
４'−ビス（４−クロロベンゾイル）ジフェニルエーテル、４,４'−ビス（４−クロロベ
ンゾイルアミノ）ジフェニルエーテル、４,４'−ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジフェニルエーテル、４,４'−ビス（４−クロロフェニル）ジフェニルエーテルジカルボキシレート、４,４'−ビス〔（４−クロロフェニル）−１,１,１,３,３,３−ヘキサフル
オロプロピル〕ジフェニルエーテル、４,４'−ビス〔（４−クロロフェニル）テトラフルオロエチル〕ジフェニルエーテル、これらの化合物において塩素原子が臭素原子またはヨウ素原子に置き換わった化合物、さらにこれらの化合物において４位に置換したハロゲン原子が３位に置換した化合物、さらにこれらの化合物においてジフェニルエーテルの４位に置換した基の少なくとも１つが３位に置換した化合物などが挙げられる。
【００６４】
さらに上記一般式（Ｅ）で表される化合物としては、２,２−ビス［４−｛４−（４−
クロロベンゾイル）フェノキシ｝フェニル］−１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロプロ
パン、ビス［４−｛４−（４−クロロベンゾイル）フェノキシ｝フェニル］スルホン、および下記式で表される化合物が挙げられる。
【００６５】
【化１８】
2005197235.tif 000019
【００６６】
上記一般式（Ｅ）で表される化合物は、例えば以下に示す方法で合成することができる。
まず電子吸引性基で連結されたビスフェノールを対応するビスフェノールのアルカリ金属塩とするために、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ,Ｎ-ジメチルアセトアミド、スルホラン、ジフェニルスルホン、ジメチルスルホキサイドなどの誘電率の高い極性溶媒中でリチウム、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属、水素化アルカリ金属、水酸化アルカリ金属、アルカリ金属炭酸塩などを加える。
【００６７】
通常、アルカリ金属はフェノールの水酸基に対し、過剰気味で反応させ、通常、１．１〜２倍当量を使用する。好ましくは、１．２〜１．５倍当量の使用である。この際、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン、オクタン、クロロベンゼン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、アニソール、フェネトールなどの水と共沸する溶媒を共存させて、電子吸引性基で活性化されたフッ素、塩素等のハロゲン原子で置換された芳香族ジハライド化合物、例えば、４,４'−ジフルオロベンゾフェノン、４,４'−ジクロロベンゾフェノン、４,４'−クロロフルオロベンゾフェノン、ビス（４−クロロフェニル）スルホン、ビス（４−フルオロフェニル）スルホン、４−フルオロフェニル−４'−クロロ
フェニルスルホン、ビス（３−ニトロ−４−クロロフェニル）スルホン、２,６−ジクロ
ロベンゾニトリル、２,６−ジフルオロベンゾニトリル、ヘキサフルオロベンゼン、デカ
フルオロビフェニル、２,５−ジフルオロベンゾフェノン、１,３−ビス（４−クロロベンゾイル）ベンゼンなどを反応させる。反応性から言えば、フッ素化合物が好ましいが、次の芳香族カップリング反応を考慮した場合、末端が塩素原子となるように芳香族求核置換反応を組み立てる必要がある。活性芳香族ジハライドはビスフェノールに対し、２〜４倍モル、好ましくは２．２〜２．８倍モルの使用である。芳香族求核置換反応の前に予め、ビスフェノールのアルカリ金属塩としていてもよい。反応温度は６０℃〜３００℃で、好ましくは８０℃〜２５０℃の範囲である。反応時間は１５分〜１００時間、好ましくは１時間〜２４時間の範囲である。最も好ましい方法としては、下記式で示される活性芳香族ジハライドとして反応性の異なるハロゲン原子を一個ずつ有するクロロフルオロ体を用いることであり、フッ素原子が優先してフェノキシドと求核置換反応が起きるので、目的の活性化された末端クロロ体を得るのに好都合である。
【００６８】
【化１９】
2005197235.tif 000020
【００６９】
（式中、Ａは一般式（Ｅ）に関して定義した通りである。）
また、上記一般式（Ｅ）で表される化合物を合成する方法としては、特開平２−１５９号公報に記載のように求核置換反応と親電子置換反応を組み合わせ、目的の電子吸引性基、電子供与性基からなる屈曲性化合物の合成方法がある。
具体的には電子吸引性基で活性化された芳香族ビスハライド、例えば、ビス（４−クロロフェニル）スルホンをフェノールと求核置換反応させてビスフェノキシ置換体とする。次いで、このビスフェノキシ置換体を例えば、４−クロロ安息香酸クロリドとのフリーデルクラフト反応により目的の化合物を得る。ここで用いる電子吸引性基で活性化された芳香族ビスハライドは上記で例示した化合物が適用できる。フェノールは置換されていてもよいが、耐熱性や屈曲性の観点から、無置換化合物が好ましい。なお、フェノールの置換反応にはアルカリ金属塩とするのが好ましく、アルカリ金属化合物としては上記に例示した化合物を使用できる。使用量はフェノール１モルに対し、１．２〜２倍モルである。反応に際し、上述した極性溶媒や水との共沸溶媒を用いることができる。フリーデルクラフト
反応では、ビスフェノキシ置換体を塩化アルミニウム、三フッ化ホウ素、塩化亜鉛などのルイス酸のフリーデルクラフト反応の活性化剤存在下に、アシル化剤として、クロロ安息香酸クロライドを反応させる。クロロ安息香酸クロライドはビスフェノキシ化合物に対し、２〜４倍モル、好ましくは２．２〜３倍モルの使用である。フリーデルクラフト活性化剤は、アシル化剤のクロロ安息香酸などの活性ハライド化合物１モルに対し、１．１〜２倍当量使用する。反応時間は１５分〜１０時間の範囲で、反応温度は−２０℃から８０℃の範囲である。使用溶媒は、フリーデルクラフト反応に不活性な、クロロベンゼンやニトロベンゼンなどを用いることができる。
【００７０】
一般式（Ｅ）において、ｒが２以上である化合物は、２,２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホンなどのビスフェノ
ールのアルカリ金属塩と、過剰の４,４−ジクロロベンゾフェノン、ビス（４−クロロフ
ェニル)スルホンなどの活性芳香族ハロゲン化合物との置換反応をＮ−メチル−２−ピロ
リドン、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、スルホランなどの極性溶媒存在下で前記単量体
の合成手法に順次重合して得られる。
このような化合物の例示としては、下記式で表される化合物などを挙げることができる。
【００７１】
【化２０】
2005197235.tif 000021
【００７２】
上記において、ｐは２または正の整数であり、上限は通常１００、好ましくは１０〜８０である。
上記一般式（Ｃ）で表されるスルホン酸エステル基を有するポリアリーレンは、モノマー（Ｄ）とオリゴマー（Ｅ）を触媒の存在下に反応させることにより合成されるが、この際使用される触媒は、遷移金属化合物を含む触媒系であり、この触媒系としては、（ｉ）遷移金属塩および配位子となる化合物（以下、「配位子成分」という。）、または配位子が配位された遷移金属錯体（銅塩を含む）、ならびに（ii）還元剤を必須成分とし、さらに、重合速度を上げるために、「塩」を添加してもよい。
【００７３】
ここで、遷移金属塩としては、塩化ニッケル、臭化ニッケル、ヨウ化ニッケル、ニッケルアセチルアセトナートなどのニッケル化合物；塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウムなどのパラジウム化合物；塩化鉄、臭化鉄、ヨウ化鉄などの鉄化合物；塩化コバルト、臭化コバルト、ヨウ化コバルトなどのコバルト化合物などが挙げられる。これらのうち特に、塩化ニッケル、臭化ニッケルなどが好ましい。
【００７４】
また、配位子成分としては、トリフェニルホスフィン、２,２'−ビピリジン、１,５−
シクロオクタジエン、１,３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパンなどが挙げられる
。これらのうち、トリフェニルホスフィン、２,２'−ビピリジンが好ましい。上記配位子成分である化合物は、１種単独で、あるいは２種以上を併用することができる。
【００７５】
さらに、配位子が配位された遷移金属錯体としては、例えば、塩化ニッケルビス（トリフェニルホスフィン）、臭化ニッケルビス（トリフェニルホスフィン）、ヨウ化ニッケルビス（トリフェニルホスフィン）、硝酸ニッケルビス（トリフェニルホスフィン）、塩化ニッケル（２,２'−ビピリジン）、臭化ニッケル（２,２'−ビピリジン）、ヨウ化ニッケル（２,２'−ビピリジン）、硝酸ニッケル（２,２'−ビピリジン）、ビス（１,５−シク
ロオクタジエン）ニッケル、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル、テトラキス（トリフェニルホスファイト）ニッケル、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムなどが挙げられる。これらのうち、塩化ニッケルビス（トリフェニルホスフィン）、塩化ニッケル（２,２'−ビピリジン）が好ましい。
【００７６】
上記触媒系に使用することができる還元剤としては、例えば、鉄、亜鉛、マンガン、アルミニウム、マグネシウム、ナトリウム、カルシウムなどが挙げられる。これらのうち、亜鉛、マグネシウム、マンガンが好ましい。これらの還元剤は、有機酸などの酸に接触させることにより、より活性化して用いることができる。
【００７７】
また、上記触媒系において使用することのできる「塩」としては、フッ化ナトリウム、塩化ナトリウム、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、硫酸ナトリウムなどのナトリウム化合物、フッ化カリウム、塩化カリウム、臭化カリウム、ヨウ化カリウム、硫酸カリウムなどのカリウム化合物；フッ化テトラエチルアンモニウム、塩化テトラエチルアンモニウム、臭化テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチルアンモニウム、硫酸テトラエチルアンモニウムなどのアンモニウム化合物などが挙げられる。これらのうち、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、臭化カリウム、臭化テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチルアンモニウムが好ましい。
【００７８】
各成分の使用割合は、遷移金属塩または遷移金属錯体が、上記モノマーの総計（モノマー（Ｄ）＋オリゴマー（Ｅ）の総計、以下同じ）１モルに対し、通常、０．０００１〜１０モル、好ましくは０．０１〜０．５モルである。０．０００１モル未満では、重合反応が十分に進行しないことがあり、一方、１０モルを超えると、分子量が低下することがある。
【００７９】
上記触媒系において、遷移金属塩および配位子成分を用いる場合、この配位子成分の使用割合は、遷移金属塩１モルに対し、通常、０．１〜１００モル、好ましくは１〜１０モルである。０．１モル未満では、触媒活性が不十分となることがあり、一方、１００モルを超えると、分子量が低下することがある。
【００８０】
また、還元剤の使用割合は、上記モノマーの総計１モルに対し、通常、０．１〜１００モル、好ましくは１〜１０モルである。０．１モル未満では、重合が十分進行しないことがあり、１００モルを超えると、得られる重合体の精製が困難になることがある。
【００８１】
さらに、「塩」を使用する場合、その使用割合は、上記モノマーの総計１モルに対し、通常、０．００１〜１００モル、好ましくは０．０１〜１モルである。０．００１モル未満では、重合速度を上げる効果が不十分であることがあり、１００モルを超えると、得られる重合体の精製が困難となることがある。
【００８２】
モノマー（Ｄ）とオリゴマー（Ｅ）とを反応させる際に使用することのできる重合溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジメチルスルホキシド、Ｎ,
Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、γ−ブチロラクトン、Ｎ,Ｎ'−ジメチルイミダゾリジノンなどが挙げられる。これらのうち、テトラヒドロフラン、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ,Ｎ'−ジメチルイミダゾリジノンが好ましい。これらの重合溶媒は、十分に乾燥してから用いることが好ましい。
【００８３】
重合溶媒中における上記モノマーの総計の濃度は、通常、１〜９０重量％、好ましくは５〜４０重量％である。
重合する際の重合温度は、通常、０〜２００℃、好ましくは５０〜１２０℃である。また、重合時間は、通常、０．５〜１００時間、好ましくは１〜４０時間である。
モノマー（Ｄ）を用いて得られたスルホン酸エステル基を有するポリアリーレンは、スルホン酸エステル基を加水分解して、スルホン酸基に変換することによりスルホン酸基を有するポリアリーレンとすることができる。
【００８４】
加水分解は、
（１）少量の塩酸を含む過剰量の水またはアルコールに、上記スルホン酸エステル基を有するポリアリーレンを投入し、５分間以上撹拌する方法
（２）トリフルオロ酢酸中で上記スルホン酸エステル基を有するポリアリーレンを８０〜１２０℃程度の温度で５〜１０時間程度反応させる方法
（３）スルホン酸エステル基を有するポリアリーレン中のスルホン酸エステル基（−ＳＯ3Ｒ）１モルに対して１〜３倍モルのリチウムブロマイドを含む溶液、例えばＮ−メチル
ピロリドンなどの溶液中で上記ポリアリーレンを８０〜１５０℃程度の温度で３〜１０時間程度反応させた後、塩酸を添加する方法
などを挙げることができる。
【００８５】
スルホン酸基を有するポリアリーレンを、上記一般式（Ｄ）で表されるスルホン酸エステルと同様の骨格を有しスルホン酸エステル基を有しないモノマーと、上記一般式（Ｅ）で表されるオリゴマーを共重合させることによりスルホン酸基を有しないポリアリーレンを予め合成し、このスルホン酸基を有しないポリアリーレンをスルホン化することにより合成する場合は、上記合成方法に準じた方法によりスルホン酸基を有しないポリアリーレンを製造した後、スルホン化剤を用い、スルホン酸基を有しないポリアリーレンにスルホン酸基を導入することによりスルホン酸基を有するポリアリーレンを得ることができる。
【００８６】
このスルホン酸基を有しないポリアリーレンのスルホン化は、スルホン酸基を有しないポリアリーレンを、無溶剤下、あるいは溶剤存在下で、スルホン化剤を用い、常法によりスルホン酸基を導入することにより得ることが出来る。
スルホン酸基を導入する方法としては、例えば、上記スルホン酸基を有しないポリアリーレンを、無水硫酸、発煙硫酸、クロルスルホン酸、硫酸、亜硫酸水素ナトリウムなどの公知のスルホン化剤を用いて、公知の条件でスルホン化することができる〔Polymer Preprints,Japan,Vol.42,No.3,p.730(1993)；Polymer Preprints,Japan,Vol.43,No.3,p.736(1994)；Polymer Preprints,Japan,Vol.42,No.7,p.2490〜2492(1993)〕。
【００８７】
すなわち、このスルホン化の反応条件としては、上記スルホン酸基を有しないポリアリーレンを、無溶剤下、あるいは溶剤存在下で、上記スルホン化剤と反応させる。溶剤としては、例えばｎ−ヘキサンなどの炭化水素溶剤、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶剤、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドのような非プロトン系極性溶剤のほか、テトラクロロエタン、ジクロロエタン、クロロホルム、塩化メチレンなどのハロゲン化炭化水素などが挙げられる。反応温度は特に制限はないが、通常、−５０〜２００℃、好ましくは−１０〜１００℃である。また、反応時間は、通常、０．５〜１,０００時間、好ましくは１〜２００時間である。
【００８８】
上記のような方法により製造されるスルホン酸基を有するポリアリーレン（Ｃ）中の、スルホン酸基量は、通常０．３〜５ｍｅｑ／ｇ、好ましくは０．５〜３ｍｅｑ／ｇ、さらに好ましくは０．８〜２．８ｍｅｑ／ｇである。０．３ｍｅｑ／ｇ未満では、プロトン伝導度が低く実用的ではない。一方、５ｍｅｑ／ｇを超えると、耐水性が大幅に低下してしまうことがあるため好ましくない。
上記のスルホン酸基量は、例えばモノマー（Ｄ）とオリゴマー（Ｅ）の種類、使用割合、組み合わせを変えることにより、調整することができる。
【００８９】
このようにして得られるスルホン酸基を有するポリアリーレンの分子量は、ゲルパーミエションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量で、１万〜１００万、好ましくは２万〜８０万である。
【００９０】
上記スルホン酸基を有するポリアリーレンから得られたプロトン伝導膜は、該膜を９０℃の水に３０分間浸漬したとき、その吸水された水のうち、−３０℃〜０℃に融解温度を示す水がポリマー１ｇあたり０．０１ｇ〜３．０ｇ、好ましくは０．１ｇ〜２．０ｇである。
【００９１】
スルホン酸基を有するポリアリーレンから得られたプロトン伝導膜は、該膜を形成する共重合体のモルフォロジーが、セグメント（Ａ）が連続相を形成している。さらに、スルホン酸基を有するポリアリーレンから得られたプロトン伝導膜は、セグメント（Ａ）が等方的な連続相を形成することが好ましい。また、セグメント（Ｂ）が非連続相を形成することが好ましく、さらに、セグメント（Ｂ）が島相に近い構造を形成することが好ましい。
【００９２】
プロトン伝導膜を調製し、該膜を９０℃の水に３０分間浸漬したとき、−３０℃〜０℃に融解温度を示す水がポリマー１ｇあたり０．０１ｇ〜３．０ｇとなるようなスルホン酸基を有するポリアリーレン、モルフォロジーが、セグメント（Ａ）が連続相を形成しているスルホン酸基を有するポリアリーレン、セグメント（Ａ）が等方的な連続相を形成しているスルホン酸基を有するポリアリーレン、セグメント（Ｂ）が非連続相を形成しているスルホン酸基を有するポリアリーレン、セグメント（Ｂ）が島相に近い構造を形成しているスルホン酸基を有するポリアリーレンは、例えば以下のようにして製造することができる。
【００９３】
また、スルホン酸基を有するポリアリーレンは、上記一般式（Ａ）で表される繰り返し構成単位と上記一般式（Ｂ）で表される繰り返し構成単位が共有結合しているブロック共重合体であることが好ましい。
【００９４】
スルホン酸基を有するポリアリーレンには、老化防止剤、好ましくは分子量５００以上のヒンダードフェノール系化合物を含有させて使用してもよく、老化防止剤を含有することで電解質としての耐久性をより向上させることができる。
【００９５】
本発明で使用することのできるヒンダードフェノール系化合物としては、トリエチレングリコール−ビス［３−（３−ｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロオネート］（商品名：IRGANOX 245）、１,６−ヘキサンジオール−ビス［３−（３,５−
ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（商品名：IRGANOX 259）
、２,４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３,５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−３,５−トリアジン(商品名：IRGANOX 565)、ペンタエリスリチルーテトラキス［３−（３,５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］(商品名：IRGANOX 1010)、２,２−チオ−ジエチレンビス［３−（３,５−ジ−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシフェニル）プロピオネート］(商品名：IRGANOX 1035)、オクタデシル−３−（３,５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート)(商品名：IRGANOX 1076)、Ｎ,Ｎ−ヘキサメチレンビス（３,５−ジ−ｔ−ブチルー４−ヒドロキシ−ヒドロシンナマミド）（商品名：IRGAONOX 1098）、１,３,５−トリメチル−２,４,６−トリス（
３,５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン（商品名：IRGANOX 1330）
、トリス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−イソシアヌレイト(
商品名：IRGANOX 3114)、３,９−ビス［２−〔３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ〕−１,１−ジメチルエチル］−２,４,８,１０−テトラオキサスピロ［５.５］ウンデカン（商品名：Sumilizer GA-80）などを挙げることができる。
【００９６】
本発明において、スルホン酸基を有するポリアリーレン１００重量部に対してヒンダードフェノール系化合物は０．０１〜１０重量部の量で使用することが好ましい。
（プロトン伝導膜）
上述したようなセグメント（Ａ）およびセグメント（Ｂ）からなる共重合体からプロトン伝導膜を製造するには、例えば該共重合体と有機溶媒とからなる組成物を調製し、この組成物を用いてキャスティングにより、基体上に流延し、フィルム状に成形するキャスティング法などのより、フィルムを製造する方法がある。
【００９７】
なお、上記組成物はセグメント（Ａ）およびセグメント（Ｂ）からなる共重合体および有機溶媒以外に、硫酸、リン酸などの無機酸、カルボン酸を含む有機酸、適量の水などが含まれても良い。
【００９８】
組成物中のポリマー濃度は、セグメント（Ａ）およびセグメント（Ｂ）からなる共重合体の分子量にもよるが、通常、５〜４０重量％、好ましくは７〜２５重量％である。５重量％未満では、厚膜化し難く、また、ピンホールが生成しやすくなることがある。一方、４０重量％を超えると、溶液粘度が高すぎてフィルム化し難く、また、表面平滑性に欠けることがある。
【００９９】
組成物の溶液粘度は、共重合体の分子量や、ポリマー濃度にもよるが、通常、２,００
０〜１００,０００ｍＰａ・ｓ、好ましくは３,０００〜５０,０００ｍＰａ・ｓである。
２,０００ｍＰａ・ｓ未満では、加工中の溶液の滞留性が悪く、基体から流れてしまうこ
とがあり。一方、１００,０００ｍＰａ・ｓを超えると、高粘度過ぎて、ダイからの押し
出しができず、流延法によるフィルム化が困難となることがある。
【０１００】
組成物は、例えば上記各成分を所定の割合で混合し、従来公知の方法、例えばウエーブローター、ホモジナイザー、ディスパーサー、ペイントコンディショナー、ボールミルなどの混合機を用いて混合することにより調製することができる。
【０１０１】
本発明で用いられる有機溶媒としては、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ｎ−ブチルアルコール、２−メチル−１−プロパノール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、２−メチル−１−ブタノール、３−メチル−１−ブタノール、２−メチル−２−ブタノール、３−メチル−２−ブタノール、２,
２−ジメチル１−プロパノール、シクロヘキサノール、ジシクロヘキサノール、１−ヘキサノール、２−メチル−１−ペンタノール、２−メチル−２−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、２−エチル−１−ブタノール、１−メチルシクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール、３−メチルシクロヘキサノール、４−メチルシクロヘキサノール、１−オクタノール、２−オクタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、１,３―ブタンジオール、グリセロール、ｍ−ク
レゾール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、エチルラクテート、ｎ−ブチルラクテート、ジアセトンアルコール、ジオキサン、ブチルエーテル、フェニルエーテル、イソペンチルエーテル、ジメトキシエタン、ジエトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ビス（２−エトキシエチル）エーテル、シネオール、ベンジルエチルエーテル、フラン、テトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール、アセタール、アセトン、メチルエチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−ヘキサノン、４−メチル−２−ペンタノン、２−ヘプタノン、２,４
−ジメチル−３−ペンタノン、２−オクタノン、アセトフェノン、メシチルオキサイド、ベンズアルデヒド、酢酸エチル、酢酸−ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸イソアミル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、３−メトキシブチルアセタート、酪酸メチル、酪酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、γ―ブチロラクトン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−（メトキシメトキシ）エタノール、２−イソプロポキシエタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール、ジメチルジエチレングリコール、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルサルフィド、アセトニトリル、ブチロニトリル、ニトロメタン、ニトロエタン、２−ニトロプロパン、ニトロベンゼン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン、シメチルアセアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、１,３-ジメチル-２-イミダゾリジノンなどを挙げることができ、これらは１種類以上を組み合わせて用いることもでき、そのうち１種類以上は、−Ｏ−、−ＯＨ、−ＣＯ−、−ＳＯ2−、−ＳＯ3−、−ＣＮおよび−ＣＯ2−からなる基を少なくとも１種類以上有する有機溶媒であることが好ましい。
【０１０２】
上記基体としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどが挙げられるが、これに限定されるものではなく、通常の溶液キャスティング法に用いられる基体であれば、如何なる素材でもよく、例えばプラスチック製でも、金属製でも特に制限されるものではない。
【０１０３】
上記キャスティング法による製膜後、３０〜１６０℃、好ましくは５０〜１５０℃で３〜１８０分、好ましくは５〜１２０分乾燥することにより、フィルム（プロトン伝導膜）を得ることができる。その乾燥膜厚は、通常、１０〜１００μｍ、好ましくは２０〜８０μｍである。乾燥後、膜中に溶媒が残存する場合は、必要に応じて、水抽出により脱溶媒することもできる。
【０１０４】
なお本発明に係るプロトン伝導膜には、セグメント（Ａ）およびセグメント（Ｂ）から
なるポリマー以外に、硫酸、リン酸などの無機酸、カルボン酸を含む有機酸、適量の水などが含まれても良い。
【０１０５】
本発明のプロトン伝導膜は、例えば一次電池用電解質、二次電池用電解質、表示素子、各種センサー、信号伝達媒体、固体コンデンサー、イオン交換膜などに利用可能なプロトン伝導性の伝導膜に利用可能である。
【０１０６】
［実施例］
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例において、スルホン酸当量、分子量およびプロトン伝導度は以下のようにして求めた。
【０１０７】
１．スルホン酸当量
得られたスルホン酸基を有する重合体の水洗水が中性になるまで洗浄し、フリーに残存している酸を除いて充分に水洗し、乾燥後、所定量を秤量し、ＴＨＦ／水の混合溶剤に溶解したフェノールフタレインを指示薬とし、ＮａＯＨの標準液を用いて滴定を行い、中和点から、スルホン酸当量を求めた。
【０１０８】
２．分子量の測定
スルホン酸基を有しないポリアリーレン重量平均分子量は、溶剤としてテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用い、ＧＰＣによって、ポリスチレン換算の分子量を求めた。スルホン酸基を有するポリアリーレンの分子量は、溶剤として臭化リチウムと燐酸を添加したＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を溶離液として用い、ＧＰＣによって、ポリスチレン換算の分子量を求めた。
【０１０９】
３．プロトン伝導膜中の−３０℃〜０℃に融解温度を示す水分量の測定
プロトン伝導膜を９０℃の水に３０分間浸漬した後、これを取り出し、示差走査熱量計（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎａｌｙｓｔ  ２０００；ＤｕＰｏｎｔＩｎｓｔｒａｍｅｎｔｓ製）において、５℃／ｍｉｎで−１００℃まで降温させ、次に、２００℃まで昇温させる。その時の水の融解ピークの熱量から、ポリマー１ｇあたりの−３０℃〜０℃に融解温度を示す水分量を算出する。
（ポリマー１ｇあたりの−３０℃〜０℃に融解温度を示す水分量（ｇ／ｇ））＝（膜中の−３０℃〜０℃の水の融解熱量（Ｊ））／水の融解熱量（Ｊ／ｇ））／測定後重量（ｇ）
４．プロトン伝導度の測定
交流抵抗は、５ｍｍ幅の短冊状のプロトン伝導膜試料の表面に、白金線（ｆ＝０．５ｍｍ）を押し当て、恒温恒湿装置中に試料を保持し、白金線間の交流インピーダンス測定から求めた。すなわち、８５℃、相対湿度４５％の環境下および２５℃、５℃、０℃、−１０℃、−２０℃、相対湿度５０％の環境下で交流１０ｋＨｚにおけるインピーダンスを測定した。抵抗測定装置として、（株）ＮＦ回路設計ブロック製のケミカルインピーダンス測定システムを用い、恒温恒湿装置には、（株）ヤマト科学製のＪＷ２４１を使用した。白金線は、５ｍｍ間隔に５本押し当てて、線間距離を５〜２０ｍｍに変化させ、交流抵抗を測定した。線間距離と抵抗の勾配から、膜の比抵抗を算出し、比抵抗の逆数から交流インピーダンスを算出し、このインピーダンスから、プロトン伝導度を算出した。
比抵抗Ｒ（Ω・ｃｍ）＝０．５（ｃｍ）×膜厚（ｃｍ）×抵抗線間勾配（Ω／ｃｍ）
［合成例１］
（オリゴマーの調製）
撹拌機、温度計、冷却管、Dean-Stark管、窒素導入の三方コックを取り付けた１Ｌの三つ口のフラスコに、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロプロパン（ビスフェノールＡＦ）６７．３ｇ（０．２０モル）、４,４'−ジク
ロロベンゾフェノン（４,４'−ＤＣＢＰ）６０．３ｇ（０．２４モル）、炭酸カリウム 
７１．９ｇ（０．５２モル）、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）３００ｍＬ、
トルエン １５０ｍＬをとり、オイルバス中、窒素雰囲気下で加熱し撹拌下１３０℃で反
応させた。反応により生成する水をトルエンと共沸させ、Dean-Stark管で系外に除去しながら反応させると、約３時間で水の生成がほとんど認められなくなった。反応温度を１３０から徐々に１５０℃まで上げた。その後、反応温度を徐々に１５０℃まで上げながら大部分のトルエンを除去し、１５０で１０時間反応を続けた後、４,４'−ＤＣＢＰ １０．
０ｇ（０．０４０モル）を加え、さらに５時間反応した。得られた反応液を放冷後、副生した無機化合物の沈殿物を濾過除去し、濾液を４Ｌのメタノール中に投入した。沈殿した生成物を濾別、回収し乾燥後、テトラヒドロフラン ３００ｍＬに溶解した。これをメタ
ノール４Ｌに再沈殿し、目的の化合物９５ｇ（収率８５％）を得た。
【０１１０】
得られた重合体のＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒）で求めたポリスチレン換算の重量平均分子量は１１,２００であった。また、得られた重合体はＴＨＦ、ＮＭＰ、ＤＭＡｃ、スルホラン
などに可溶で、Ｔｇは１１０℃、熱分解温度は４９８℃であった。
得られた化合物は式（Ｉ）で表されるオリゴマー（以下、「ＢＣＰＡＦオリゴマー」という）であった。
【０１１１】
【化２１】
2005197235.tif 000022
【０１１２】
［合成例２］
ネオペンチル基を保護基としたポリアリーレン共重合体の調製
撹拌機、温度計、冷却管、Dean-Stark管、窒素導入の三方コックを取り付けた１Ｌの三つ口のフラスコに、３−（２,５−ジクロロベンゾイル）ベンゼンスルホン酸ネオ-ペンチル ３９．５８ｇ（９８．６４ミリモル）とＢＣＰＡＦオリゴマー（Ｍｎ＝１１,２００）１５．２３ｇ（１．３６ミリモル）、Ｎｉ（ＰＰｈ3）2Ｃｌ2 １．６７ｇ（２．５５ミリモル）、ＰＰｈ3 １０．４９ｇ（４０ミリモル）、ＮａＩ ０．４５ｇ（３ミリモル）、
亜鉛末 １５．６９ｇ（２４０ミリモル）、乾燥ＮＭＰ ３９０ｍＬを窒素下で加えた。反応系を攪拌下に加熱し（最終的には７５℃まで加温）、３時間反応させた。重合反応液をＴＨＦ ２５０ｍＬで希釈し、３０分攪拌し、セライトをろ過助剤に用い、ろ過紙、ろ液
を大過剰のメタノール １,５００ｍＬに注ぎ、凝固させた。凝固物を濾集、風乾し、さらにＴＨＦ／ＮＭＰ（それぞれ２００／３００ｍＬ）に再溶解し、大過剰のメタノール １,５００ｍＬで凝固析出させた。風乾後、加熱乾燥により目的の黄色繊維状のネオペンチル基で保護されたスルホン酸誘導体からなる共重合体４７．０ｇ(収率９９％)を得た。ＧＰＣによる分子量はＭｎ＝４７,６００、Ｍｗ＝１５９,０００であった。
【０１１３】
こうして得られたネオペンチル基で保護されたスルホン酸誘導体からなる共重合体５．１ｇをＮＭＰ６０ｍＬに溶解し、９０℃に加温した。反応系にメタノール ５０ｍＬと濃
塩酸 ８ｍＬの混合物を一時に加えた。懸濁状態となりながら、温和の還流条件で１０時
間反応させた。蒸留装置を設置し、過剰のメタノールを溜去させ、淡緑色の透明溶液を得た。この溶液を大量の水／メタノール（１：１重量比）中に注いで、ポリマーを凝固させた後、洗浄水のｐＨが６以上となるまで、イオン交換水でポリマーを洗浄した。こうして得られたポリマーのＩＲスペクトルおよびイオン交換容量の定量分析から、スルホン酸エステル基（−ＳＯ3Ｒ）は定量的にスルホン酸基（−ＳＯ3Ｈ）に転換し、下記式（II）で表される構造を有することがわかった。
得られたスルホン酸基を有するポリアリーレンのＧＰＣによる分子量は、Ｍｎ＝５３,２
００、Ｍｗ＝１８５,０００であり、スルホン酸等量は１．９ｍｅｑ／ｇであった。
【０１１４】
【化２２】
2005197235.tif 000023
【０１１５】
［合成例３］
（オリゴマーの調製）
４,４'-ジヒドロキシベンゾフェノン（４,４'-ＤＨＢＰ）１０３．７ｇ（０．４８ｍｏｌ）、４,４'-ジクロロジフェニルスルホン（４,４'-ＤＣＤＳ）１４８．２ｇ（０．５２ｍｏｌ）、炭酸カリウム ８６．９ｇ（０．６３ｍｏｌ）、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）５００ｍＬ、トルエン２００ｍＬを用いて、反応の操作は合成例１と同様に行い、目的の化合物１８０ｇ（収率７８％）を得た。
【０１１６】
得られた重合体のＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒）で求めたポリスチレン換算の数平均分子量は１３,７００であった。また、得られた重合体はＮＭＰ、ＤＭＡｃ、ＤＭＩなどに可溶で、
Ｔｇは１５９℃、熱分解温度は５００℃であった。
得られた化合物は下記式（III）で表される構造を有することが推定されるオリゴマー（
以下「Ｃオリゴマー」という。）であった。
【０１１７】
【化２３】
2005197235.tif 000024
【０１１８】
［合成例４］
（ネオペンチル基を保護基としたポリアリーレン共重合体の調製）
合成例２においてＢＣＰＡＦオリゴマー（Ｍｎ＝１１,２００）の代わりに、合成例３
で得られたＣオリゴマー（Ｍｎ＝１３,７００）を用い、合成例２と同様に重合、後処理
を行った。
【０１１９】
こうして得られたネオペンチル基を保護基としたポリアリーレン共重合体（PolyAC-SO3neo-Pe）を合成例２と同様な方法で脱保護反応し、こうして得られたポリマーのＩＲスペクトルおよびイオン交換容量の定量分析から、スルホン酸エステル基（−ＳＯ3Ｒ）は定
量的にスルホン酸基（−ＳＯ3Ｈ）に転換し、下記式（IV）の構造を有することがわかっ
た。
得られたスルホン酸基を有するポリアリーレンのＧＰＣによる分子量はＭｎ＝５５,２０
０、Ｍｗ＝１８８,０００であり、スルホン酸等量は１．９ｍｅｑ／ｇであった。
【０１２０】
【化２４】
2005197235.tif 000025
【０１２１】
［合成例５］
（オリゴマーの調製）
攪拌機、温度計、Dean-stark管、窒素導入管、冷却管を取り付けた１Ｌの三口フラスコに、２,６−ジクロロベンゾニトリル ４８．８ｇ（２８４ｍｍｏｌ）、２,２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロプロパン ８９．５ｇ（２６６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム ４７．８ｇ（３４６ｍｍｏｌ）を秤り採った。窒素置換
後、スルホラン ３４６ｍＬ、トルエン １７３ｍＬを加えて攪拌した。オイルバスで反応液を１５０℃で加熱還流させた。反応によって生成する水はDean-stark管にトラップした。３時間後、水の生成がほとんど認められなくなったところで、トルエンをDean-stark管から系外に除去した。徐々に反応温度を２００℃に上げ、３時間攪拌を続けた後、２,６
−ジクロロベンゾニトリル ９．２ｇ（５３ｍｍｏｌ）を加え、さらに５時間反応させた
。
【０１２２】
反応液を放冷後、トルエン １００ｍＬを加えて希釈した。反応液に不溶の無機塩を濾
過し、濾液をメタノール ２Ｌに注いで生成物を沈殿させた。沈殿した生成物を濾過、乾
燥後、テトラヒドロフラン ２５０ｍＬに溶解し、これをメタノール ２Ｌに注いで再沈殿させた。沈殿した白色粉末を濾過、乾燥し、目的物１０９ｇを得た。ＧＰＣで測定した数平均分子量（Ｍｎ）は９,５００であった。
得られた化合物は式（Ｖ）で表されるオリゴマーであることを確認した。
【０１２３】
【化２５】
2005197235.tif 000026
【０１２４】
［合成例６］
スルホン化ポリアリーレンの合成
攪拌機、温度計、窒素導入管をとりつけた１Ｌの三口フラスコに、３−（２,５−ジク
ロロベンゾイル）ベンゼンスルホン酸ネオペンチル １３５．２ｇ（３３７ｍｍｏｌ）、
合成例（５）で得られた式（Ｖ）で表されるＭｎが９,５００のオリゴマー ４８．７ｇ（５．１ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケルジクロリド ６．７１ｇ（
１０．３ｍｍｏｌ）、ヨウ化ナトリウム １．５４ｇ（１０．３ｍｍｏｌ）、トリフェニ
ルホスフィン３５．９ｇ（１３７ｍｍｏｌ）、亜鉛 ５３．７ｇ（８２１ｍｍｏｌ）を秤
り採り、乾燥窒素置換した。
ここにＮ,Ｎ-ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）４３０ｍＬを加え、反応温度を８０℃に保持しながら３時間攪拌を続けた後、ＤＭＡｃ ７３０ｍＬを加えて希釈し、不溶物を濾
過した。
【０１２５】
得られた溶液を攪拌機、温度計、窒素導入管を取り付けた２Ｌの三口フラスコに入れた
。１１５℃に加熱攪拌し、臭化リチウム ４４ｇ（５０６ｍｍｏｌ）を加えた。７時間攪
拌後、アセトン５Ｌに注いで生成物を沈殿させた。ついで、１Ｎ塩酸、純水の順で洗浄後、乾燥して目的の重合体１２２ｇを得た。得られた重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は１３５,０００であった。得られた重合体は式（VI）で表されるスルホン化ポリマーと推定
される。このポリマーのイオン交換容量は２．３ｍｅｑ／ｇであった。
【０１２６】
【化２６】
2005197235.tif 000027
【実施例１】
【０１２７】
合成例２で得られたスルホン酸基を有するポリアリーレン ４ｇ、１−メトキシ−２−
プロパノール １１．７ｇ、トルエン ８．８ｇおよびγ−ブチロラクトン ８．８ｇを５
０ｃｃのスクリュー管に加え、ウエーブローターで２４時間攪拌を行い、粘度４,５００
ｃｐの均一なポリマー溶液を得た。
【０１２８】
上記の溶液をＰＥＴフィルム上にバーコーダー法によりキャストし、８０℃で３０分間、１２０℃で６０分間、乾燥することで、膜厚４０μｍの均一且つ透明な固体電解質フィルムＡを得た。フィルムの内部構造は、フィルムの超薄切片を切り出し、該切片を硝酸鉛で染色した後、日立製作所製ＨＦ−１００ＦＡ透過型電子顕微鏡（以下「ＴＥＭ」）で観察した。
【０１２９】
ＴＥＭ観察では、セグメント（Ａ）からなるドメインとセグメント（Ｂ）からなるドメインが等方的にミクロ相分離している様子が観察された。セグメント（Ｂ）からなるドメインは島相に近いドメインを形成し、セグメント（Ａ）からなるドメインはマトリックスをなし、ネットワーク上に連結し、膜を貫いて連続していることが観測された。また、ＴＥＭ写真を画像処理ソフト（ｓｃｉｏｎ  ｉｍａｇｅ）により解析した結果、構造の長周期は２５ｎｍであった。
プロトン伝導膜中の−３０℃〜０℃に融解温度を示す水分量、プロトン伝導度の結果を表１および表２に示す。
【実施例２】
【０１３０】
合成例２で得られたスルホン酸を有するポリアリーレン ４ｇおよびメタノール １１．７ｇおよびＮ−メチル−２−ピロリドン １７．６ｇを５０ｃｃのスクリュー管に加え、
ウエーブローターで２４時間攪拌を行い、粘度４,０００ｃｐの均一なポリマー溶液を得
た。
【０１３１】
上記の溶液をＰＥＴフィルム上にバーコーダー法によりキャストし、８０℃で３０分間、１４０℃で６０分間、乾燥することで、膜厚４０μｍの均一且つ透明な固体電解質フィルムＣを得た。フィルムの内部構造は、フィルムの超薄切片を切り出し、該切片を硝酸鉛で染色した後、ＴＥＭで観察した。
【０１３２】
ＴＥＭ観察では、セグメント（Ａ）からなるドメインと、セグメント（Ｂ）からなるからなるドメインが等方的にミクロ相分離している様子が観察された。セグメント（Ａ）からなるドメインおよびセグメント（Ｂ）からなるドメインが共連続構造に近い構造を形成していることが観測された。また、ＴＥＭ写真を画像処理ソフト（ｓｃｉｏｎ  ｉｍａｇ
ｅ）により解析した結果、構造の長周期は２９ｎｍであった。
プロトン伝導膜中の−３０℃〜０℃に融解温度を示す水分量、プロトン伝導度の結果を表１および表２に示す。
【実施例３】
【０１３３】
合成例６で得られたスルホン酸基を有するポリアリーレン ４ｇおよびメタノール １４．４ｇ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン ２１．６ｇを５０ｃｃのスクリュー管に加え、ウ
エーブローターで２４時間攪拌を行い、粘度４,０００ｃｐの均一なポリマー溶液を得た
。
【０１３４】
上記の溶液をＰＥＴフィルム上にバーコーダー法によりキャストし、８０℃で３０分間、１４０℃で６０分間、乾燥することで、膜厚４０μｍの均一且つ透明な固体電解質フィルムＣを得た。フィルムの内部構造は、フィルムの超薄切片を切り出し、該切片を硝酸鉛で染色した後、ＴＥＭで観察した。
【０１３５】
ＴＥＭ観察では、セグメント（Ａ）からなるドメインと、セグメント（Ｂ）からなるからなるドメインが等方的にミクロ相分離している様子が観察された。セグメント（Ａ）からなるドメインおよびセグメント（Ｂ）からなるドメインが共連続構造に近い構造を形成していることが観測された。また、ＴＥＭ写真を画像処理ソフト（ｓｃｉｏｎ  ｉｍａｇｅ）により解析した結果、構造の長周期は２０ｎｍであった。
プロトン伝導膜中の−３０℃〜０℃に融解温度を示す水分量、プロトン伝導度の結果を表１および表２に示す。
【０１３６】
［比較例１］
合成例４で得られたスルホン酸基を有するポリアリーレン ４ｇ、メタノール １１．７ｇおよびＮ−メチル−２−ピロリドン １７．６ｇを５０ｃｃのスクリュー管に加え、ウ
エーブローターで２４時間攪拌を行い、粘度４,３００ｃｐの均一なポリマー溶液を得た
。
【０１３７】
上記の溶液をＰＥＴフィルム上にバーコーダー法によりキャストし、８０℃で３０分間、１４０℃で６０分間、乾燥することで、膜厚３９μｍの均一且つ透明な固体電解質フィルムＣを得た。フィルムの内部構造は、フィルムの超薄切片を切り出し、該切片を硝酸鉛で染色した後、ＴＥＭで観察した。
【０１３８】
ＴＥＭ観察では、セグメント（Ａ）からなるドメインとセグメント（Ｂ）からなるドメインがミクロ相分離している様子が観察された。セグメント（Ｂ）からなるドメインが連続相を形成し、セグメント（Ａ）からなるドメインを囲い込むことで、セグメント（Ａ）からなるドメインが非連続相になっていることが観測された。また、ＴＥＭ写真を画像処理ソフト（ｓｃｉｏｎ  ｉｍａｇｅ）により解析した結果、構造の長周期は５０ｎｍであった。
プロトン伝導膜中の−３０℃〜０℃に融解温度を示す水分量、プロトン伝導度の結果を表１に示す。
【０１３９】
【表１】
2005197235.tif 000028
【０１４０】
【表２】
2005197235.tif 000029