(57)【要約】【課題】  半導体基板の強度を低下させることなく、永久磁石による静磁界が駆動コイルに効率よく作用するようにしたプレーナ型電磁アクチュエータを提供する。【解決手段】  半導体基板に、枠部と、該枠部に対してトーションバーにより回動可能に軸支された可動板と、該可動板の周縁部に敷設されて通電により磁界を発生する駆動コイルとを形成し、前記可動板の駆動コイルに静磁界を与える永久磁石を、前記枠部の前記トーションバーの軸方向に平行な位置に設けられた貫通孔内、凹部上、または切欠き部に配置する構成としたプレーナ型電磁アクチュエータとする。【選択図】  図１
2005295646.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に、枠部と、該枠部に対してトーションバーにより回動可能に軸支された可動板と、該可動板の周縁部に敷設されて通電により磁界を発生する駆動コイルとを形成し、該半導体基板をベース基板に搭載し、前記可動板の駆動コイルに静磁界を与える永久磁石とを備えて構成したプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、
前記枠部の前記トーションバーの軸方向に平行な位置に貫通孔が設けられており、該貫通孔内に前記永久磁石を配置することを特徴とするプレーナ型電磁アクチュエータ。
【請求項２】
半導体基板に、枠部と、該枠部に対してトーションバーにより回動可能に軸支された可動板と、該可動板の周縁部に敷設されて通電により磁界を発生する駆動コイルとを形成し、該半導体基板をベース基板に搭載し、前記可動板の駆動コイルに静磁界を与える永久磁石とを備えて構成したプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、
前記枠部の前記トーションバーの軸方向に平行な位置に凹部が設けられており、該凹部上に前記永久磁石を配置することを特徴とするプレーナ型電磁アクチュエータ。
【請求項３】
半導体基板に、枠部と、該枠部に対してトーションバーにより回動可能に軸支された可動板と、該可動板の周縁部に敷設されて通電により磁界を発生する駆動コイルとを形成し、該半導体基板をベース基板に搭載し、前記可動板の駆動コイルに静磁界を与える永久磁石とを備えて構成したプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、
前記枠部の前記トーションバーの軸方向に平行な位置に切欠き部が設けられており、該切欠き部に前記永久磁石を配置することを特徴とするプレーナ型電磁アクチュエータ。
【請求項４】
半導体基板に、枠部と、該枠部に対して第１のトーションバーにより回動可能に軸支された外側可動板と、該外側可動板の内側で第１のトーションバーと直交する第２のトーションバーにより回動可能に軸支された内側可動板とからなり、当該内側可動板および前記外側可動板の周縁部に敷設されて通電により磁界を発生する駆動コイルを形成し、前記内側可動板、外側可動板の駆動コイルに静磁界を与える永久磁石とを備えて構成したプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、
前記枠部の前記第１及び第２トーションバーの軸方向と平行な位置に貫通孔が設けられており、該貫通孔内に前記永久磁石を配置することを特徴とするプレーナ型電磁アクチュエータ。
【請求項５】
半導体基板に、枠部と、該枠部に対して第１のトーションバーにより回動可能に軸支された外側可動板と、該外側可動板の内側で第１のトーションバーと直交する第２のトーションバーにより回動可能に軸支された内側可動板とからなり、内側可動板および外側可動板の周縁部に敷設されて通電により磁界を発生する駆動コイルを形成し、前記内側可動板、外側可動板の駆動コイルに静磁界を与える永久磁石とを備えて構成したプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、
前記枠部の前記第１及び第２トーションバーの軸方向と平行な位置に凹部が設けられており、該凹部上に前記永久磁石を配置することを特徴とするプレーナ型電磁アクチュエータ。
【請求項６】
半導体基板に、枠部と、該枠部に対して第１のトーションバーにより回動可能に軸支された外側可動板と、該外側可動板の内側で第１のトーションバーと直交する第２のトーションバーにより回動可能に軸支された内側可動板とからなり、内側可動板および外側可動板の周縁部に敷設されて通電により磁界を発生する駆動コイルを形成し、前記内側可動板、外側可動板の駆動コイルに静磁界を与える永久磁石とを備えて構成したプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、
前記枠部の前記第１及び第２トーションバーの軸方向と平行な位置に切欠き部が設けられており、該切欠き部に前記永久磁石を配置することを特徴とするプレーナ型電磁アクチュエータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばレーザー光を偏向走査するレーザースキャナまたは光スイッチ等に利用するプレーナ型電磁アクチュエータに関する。
【背景技術】
【０００２】
図５は従来の１次元プレーナ型電磁アクチュエータを示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面断面図である。半導体基板４０１に可動板４０２が一対のトーションバー４０３ａ、４０３ｂにより回動可能に軸支されるとともに、該トーションバー４０３ａ、４０３ｂを支持する枠部４０４により構成されており、該可動板４０２の周縁部に沿って駆動コイル４０５が設けられている。また、可動板４０２の駆動コイル４０５が設けられた面の反対面には反射ミラー（不図示）が設けられる。このような半導体基板４０１はベース基板４０６に実装され、該ベース基板４０６上の、トーションバー４０３ａ、４０３ｂの近傍に一対の永久磁石４０７ａ、４０７ｂがトーションバー４０３ａ、４０３ｂと平行に配置される。このように構成された１次元プレーナ型電磁アクチュエータは、駆動コイル４０５に電流を流すと永久磁石４０７ａ、４０７ｂの磁界によって駆動コイル４０５にローレンツ力が働き、トーションバー４０３ａ、４０３ｂを軸とし可動板４０２が回動する。（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図６は従来の２次元プレーナ型電磁アクチュエータを示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は正面断面図である。半導体基板５０１に、第１トーションバー５０３ａ、５０３ｂにより回動可能に軸支された外側可動板５０２と、その第１トーションバー５０３ａ、５０３ｂに対して直交方向に形成された第２トーションバー５０５ａ、５０５ｂで外側可動板５０２の内側に回動可能に軸支される内側可動板５０４と、第１トーションバー５０３ａ、５０３ｂを支持する枠部５０６と、により構成されており、該内側可動板５０４の周縁部に沿って内側駆動コイル５０８が、外側可動板５０２に沿って外側駆動コイル５０７が設けられている。内側可動板５０４の内側駆動コイル５０８が設けられた面の反対面には反射ミラー（不図示）が設けられる。半導体基板５０１はベース基板５０９に実装され、該ベース基板５０９にはヨーク５１０が半導体基板５０１を囲むように配置され、該ヨーク５１０の、第１トーションバー５０３ａ、５０３ｂと平行方向の２辺に一対の永久磁石５１１が、第２トーションバー５０５ａ、５０５ｂと平行方向の２辺に一対の永久磁石５１２が配置される。永久磁石５１１、５１２はベース基板５０９に設けられた貫通孔５０９ａ、５０９ｂ、５０９ｃ、５０９ｄに挿入した状態で配置される。このように構成された２次元プレーナ型電磁アクチュエータは、２対の永久磁石５１１，５１２の磁界中に配置された内側及び外側駆動コイル５０８，５０７に電流を流すことで内側及び外側可動板５０４、５０２が回動する。（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
ところで、一般に磁界の強度は距離の２乗に反比例することから、駆動コイルと静磁界発生手段である永久磁石との距離が離れるほど、駆動コイルに対して与えられる磁界が弱くなり、アクチュエータの駆動効率が悪くなる。そのため、従来のプレーナ型電磁アクチュエータでは、十分な駆動トルクを得ようとすれば、永久磁石を大きくして磁力を増す必要があった。しかし、永久磁石を大きくすることはアクチュエータの小型、軽量化の妨げとなる。そこで、プレーナ型電磁アクチュエータを効率良く駆動させるために、トーションバーを支持する枠部のトーションバーと平行方向の２辺を設けず、駆動コイルに静磁界を発生するための永久磁石を接近させた特許文献１のような構造が考えられる。ところで、永久磁石の磁界は永久磁石の中心が最も磁束密度が高く磁界強度が最大となり中心から離れるほど弱くなる。そこで、特許文献２のようにトーションバーを支持する枠部を可動板を囲うように設けることで半導体基板の強度を確保し、永久磁石をベース基板に挿入した状態で設置して永久磁石の中心を通る面に駆動コイルの設置面を近づける構造も考えられる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３５０４５７号公報  図１
【特許文献２】特開２００２−１８９１８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来のプレーナ型電磁アクチュエータは、トーションバーを支持する枠部のうち、トーションバーと平行方向の２辺を設けず、駆動コイルに静磁界を発生するための永久磁石を接近させている。このような構造は、枠部が２辺しかないためシリコン基板の強度が低くシリコン基板の取り扱いが大変困難である。そこで、シリコン基板の強度を上げるため、トーションバーを支持する枠部の外方から駆動コイルに対して磁界を与える構造とすることが考えられるが、駆動コイルと永久磁石との距離が、最低でも枠部の幅以上離れることとなり、駆動コイルに及ぼす磁界の効率が良いとは言えない。また、永久磁石をベース基板に挿入した状態で設置し、永久磁石の中心を通る面に駆動コイルの設置面を近づける構造は、ベース基板の両面において、永久磁石がベース基板表面から突出する構造となり、可動板（反射ミラー）の光偏向角度によっては反射光のケラレの原因となる。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題点に着目してなされたもので、半導体基板の強度を低下させることなく永久磁石による静磁界が駆動コイルに効率よく作用するようにし、さらに反射光のケラレを考慮したプレーナ型電磁アクチュエータを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
半導体基板に、枠部と、該枠部に対してトーションバーにより回動可能に軸支された可動板と、該可動板の周縁部に敷設されて通電により磁界を発生する駆動コイルとを形成し、前記可動板の駆動コイルに静磁界を与える永久磁石を、前記枠部の前記トーションバーの軸方向に平行な位置に設けられた貫通孔内、凹部上、または切欠き部に配置する構成としたプレーナ型電磁アクチュエータとする。
【０００９】
半導体基板に、枠部と、該枠部に対して第１のトーションバーにより回動可能に軸支された外側可動板と、該外側可動板の内側で第１のトーションバーと直交する第２のトーションバーにより回転可動に軸支された内側可動板とからなり、当該内側可動板および前記外側可動板の周縁部に敷設されて通電により磁界を発生する駆動コイルを形成し、前記内側可動板、外側可動板の駆動コイルに静磁界を与える永久磁石を、前記枠部の前記第１及び第２トーションバーの軸方向と平行な位置に設けられた貫通孔内、凹部上、または切欠き部に配置する構成としたプレーナ型電磁アクチュエータとする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のプレーナ型電磁アクチュエータによれば、半導体基板の枠部の貫通孔内、凹部上、または切欠き部に永久磁石を配置することで永久磁石と駆動コイルを接近させることができ、プレーナ型電磁アクチュエータを効率的に作動させることができる。また、半導体基板の枠部の幅を広げても永久磁石、駆動コイル間の距離は変化しないため、枠部の幅を広げることで半導体基板の強度を低下させずに駆動効率の良いプレーナ型電磁アクチュエータを提供できる。さらに、半導体基板、永久磁石等を基板に実装した際に、半導体基板、永久磁石を実装した面の反対面には永久磁石の突出がないので、反射光のケラレの原因が減少し、設計の自由度が増すこととなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
プレーナ型電磁アクチュエータにおいて、枠部に貫通孔、凹部、または切欠き部を設け、前記貫通孔内、凹部上、または切欠き部に永久磁石を配置した構成とする。
【実施例１】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明のプレーナ型電磁アクチュエータを示す図で（ａ）は上面図、（ｂ）は側面断面図である。半導体基板１０１（以下、アクチュエータチップと呼ぶ）に可動板１０２が一対のトーションバー１０３ａ、１０３ｂにより回動可能に軸支されるとともに、該トーションバー１０３ａ、１０３ｂを支持する枠部１０４により構成されており、該可動板１０２の周縁部に沿って駆動コイル１０５が設けられる。駆動コイル１０５の両端部はトーションバー１０３ａ、１０３ｂの上面を経由して枠部１０４の上面に設けられた電極部１０６に接続されてベース基板に接続できるようになっている。また枠部１０４の、トーションバー１０３ａ、１０３ｂと平行な２辺には貫通孔１０４ａ、１０４ｂが設けられ、可動板１０２の駆動コイル１０５が設けられていない面に反射ミラー（不図示）が設けられている。反射ミラーは、可動板１０２の駆動コイル１０５が設けられていない面だけに限らず、駆動コイル１０５が設けられた面、あるいは可動板１０２の両面に設けても良い。
【００１３】
図２はアクチュエータチップ１０１の製造工程を示す図である。図２では、図１のアクチュエータチップ１０１のＡ−Ａ’断面を用い製造工程を説明する。アクチュエータチップ１０１は工程ａ〜工程ｈの手順で製造される。以下、各工程の説明をする。
工程ａ（酸化膜形成工程）：厚さ５００μｍのシリコン貼り合わせ基板（通称ＳＯＩ基板といい、例えば活性層２０１（１００μm）、シリコン酸化膜から成る中間層２０２（１μm）、支持基板２０３（４００μm））の上下面を熱酸化してシリコン酸化膜（１μｍ）２０４を形成する。
工程ｂ（コイルパターン形成工程）：基板上面側にフォトリソグラフィとエッチングによりコイル１０５、絶縁膜２０５、保護膜２０６の各パターンを順次積層する。
工程ｃ（酸化膜除去工程１）：枠部１０４（貫通孔１０４ａ、１０４ｂを形成する部分は除く）を除いて、露出しているシリコン酸化膜２０４をエッチングにより除去する。
工程ｄ（活性層除去工程）：工程ｃのエッチングにより露出された活性層シリコン２０１のうち、可動板形成部を除いた部分をエッチングにより除去する。
工程ｅ（中間層除去工程１）：工程ｄのエッチングにより露出された中間層シリコン酸化膜２０２をエッチングにより除去する。（枠部１０４の貫通孔１０４ａ、１０４ｂ部分にあたる中間層シリコン酸化膜は除去する。）
工程ｆ（酸化膜除去工程２）：シリコン酸化膜２０４の、枠部１０４（貫通孔１０４ａ、１０４ｂを形成する部分は除く）を除いた部分をエッチングにより除去する。（枠部１０４の貫通孔１０４ａ、１０４ｂ部分にあたるシリコン酸化膜は除去する。）
工程ｇ（支持基板除去工程）：工程ｆのエッチングにより露出された支持基板シリコン２０３をエッチングにより除去する。異方性エッチングはシリコンとシリコン酸化膜とでエッチングレートに選択性を持たせてあるため、エッチングが可動板下面の中間層２０２に到達すると見かけ上終了し、この時点で基板の貫通部分が完全に抜ける。
工程ｈ（中間層除去工程２）：活性層シリコン２０１下面の露出した中間層２０２をドライエッチングにより除去する。
工程ｉ（ミラー形成工程）：シリコン面を露出させた上に蒸着またはスパッタにより全反射ミラー２０７を形成する。このような工程でプレーナ型電磁アクチュエータチップは製造されるが、通常は半導体素子と同様大きなウエハに同時に多数個のチップを形成し、完成後に個々に分割される。
【００１４】
このアクチュエータチップ１０１をベース基板１０７上面に搭載し、接着剤等で固定する。ベース基板１０７上面には不図示の配線パターンが設けられており、該配線パターンとアクチュエータチップ１０１上に設けられた電極部１０６をワイヤーボンディング等の手段で電気的接続をとる。次に、永久磁石１０８をアクチュエータチップ１０１の枠部１０４に設けた貫通孔１０４ａ、１０４ｂに挿入し、接着剤等で固定され完成となる。このように構成された１次元プレーナ型電磁アクチュエータは、駆動コイル１０５に電流を流すと永久磁石１０８の磁界によって駆動コイル１０５にローレンツ力が働き、トーションバー１０３ａ、１０３ｂを軸として可動板１０２が回動する。ここで、永久磁石１０８をアクチュエータチップ１０１の枠部１０４に設けた貫通孔１０４ａ、１０４ｂ内に配置することで、永久磁石１０８を枠部１０４外方に配置した場合よりも駆動コイル１０５に永久磁石１０８が接近した状態となり、プレーナ型電磁アクチュエータの駆動効率が良くなる。さらに、枠部１０４の幅を広げても永久磁石１０８と駆動コイル１０５の距離に影響がないため、枠部１０４の強度を十分に確保する枠幅で駆動効率を上げることが可能となる。ここで、第１実施例では１次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータを例に本発明を説明したが、２次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータにも適用できるのは言うまでも無い。
【実施例２】
【００１５】
次に、本発明の第２実施形態によるプレーナ型電磁アクチュエータを説明する。図３は本発明のプレーナ型電磁アクチュエータを示す図で（ａ）は上面図、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は正面断面図である。
【００１６】
半導体基板３０１（以下、アクチュエータチップと呼ぶ）に、第１トーションバー３０３ａ、３０３ｂにより回動可能に軸支された外側可動板３０２と、その第１トーションバー３０３ａ、３０３ｂに対して直交方向に形成された第２トーションバー３０５ａ、３０５ｂで外側可動板３０２の内側に回動可能に軸支される内側可動板３０４と、第１トーションバー３０３ａ、３０３ｂを支持する枠部３０６とにより構成されており、該内側可動板３０４の周縁部に沿って内側駆動コイル３０８が、外側可動板３０２に沿って外側駆動コイル３０７が設けられている。内側可動板３０４の内側駆動コイル３０８が設けられた面の反対面には反射ミラー（不図示）が設けられる。反射ミラーは、可動板３０４の内側駆動コイル３０８が設けられていない面だけに限らず、内側駆動コイル３０８が設けられた面、あるいは内側可動板３０４の両面に設けても良い。また枠部３０６には凹部３０６ａ、３０６ｂ、３０６ｃ、３０６ｄが設けられる。
【００１７】
図４はアクチュエータチップ３０１の製造工程を示す図である。図４では、図３のアクチュエータチップ３０１のＡ−Ａ’断面を用い製造工程を説明する。アクチュエータチップ３０１は工程ａ〜工程ｉの手順で製造される。アクチュエータチップ３０１の製造工程は基本的に第１実施例と同様である。以下、各工程の説明をする。
工程ａ（酸化膜形成工程）：厚さ５００μｍのシリコン貼り合わせ基板の上下面を熱酸化してシリコン酸化膜（１μｍ）２０４を形成する。
工程ｂ（コイルパターン形成工程）：基板上面側にフォトリソグラフィとエッチングによりコイル３０８、３０７、絶縁膜２０５、保護膜２０６の各パターンを順次積層する。
工程ｃ（酸化膜除去工程１）：枠部３０６（凹部３０６ａ、３０６ｂ、３０６ｃ、３０６ｄを形成する部分は除く）を除いて、露出しているシリコン酸化膜２０４をエッチングにより除去する。
工程ｄ（活性層除去工程）：工程ｃのエッチングにより露出された活性層シリコン２０１のうち、可動板形成部を除いた部分をエッチングにより除去する。
工程ｅ（中間層除去工程１）：工程ｄのエッチングにより露出された中間層シリコン酸化膜２０２をエッチングにより除去する。
工程ｆ（酸化膜除去工程２）：シリコン酸化膜２０４の、枠部３０６（凹部３０６ａ、３０６ｂ、３０６ｃ、３０６ｄを形成する部分も含む）を除いた部分をエッチングにより除去する。
工程ｇ（支持基板除去工程）：工程ｆのエッチングにより露出された支持基板シリコン２０３をエッチングにより除去する。
工程ｈ（中間層除去工程２）：露出した中間層２０２をドライエッチングにより除去する。
工程ｉ（ミラー形成工程）：活性層シリコン２０１下面を露出させた上に蒸着またはスパッタにより全反射ミラー２０７を形成する。
【００１８】
このような工程で製造されたアクチュエータチップ３０１はベース基板３０９に実装され、該ベース基板３０９にはヨーク３１０がアクチュエータチップ３０１を囲むように配置される。さらに、枠部３０６の凹部３０６ａ、３０６ｂ（第２トーションバー３０５ａ、３０５ｂと平行方向の枠部２辺の凹部）上に一対の永久磁石３１１が、凹部３０６ｃ、３０６ｄ（第１トーションバー３０３ａ、３０３ｂと平行方向の枠部２辺の凹部）上に一対の永久磁石３１２がそれぞれ接着剤等により固定される。このように構成された２次元プレーナ型電磁アクチュエータは、２対の永久磁石３１１，３１２の磁界中に配置された内側及び外側駆動コイル３０８，３０７に電流を流すことで内側及び外側可動板３０４、３０２が回動する。この第２実施例でも、第１実施例と同様に駆動コイルと永久磁石を接近させることが可能となり、さらに枠部３０６の枠幅を確保することも可能なので、アクチュエータチップ３０１の強度を十分に確保し駆動効率を上げることができる。ここで、第２実施例では２次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータを例に本発明を説明したが、１次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータにも適用できるのは言うまでも無い。
【実施例３】
【００１９】
次に、本発明の第３実施形態によるプレーナ型電磁アクチュエータを説明する。図７は、本発明のプレーナ型電磁アクチュエータを示す図で（ａ）は上面図、（ｂ）は側面断面図である。半導体基板７０１（以下、アクチュエータチップと呼ぶ）に可動板７０２が一対のトーションバー７０３ａ、７０３ｂにより回動可能に軸支されるとともに、該トーションバー７０３ａ、７０３ｂを支持する枠部７０４により構成されており、該可動板７０２の周縁部に沿って駆動コイル７０５が設けられる。駆動コイル７０５の両端部はトーションバー７０３ａ、７０３ｂの上面を経由して枠部７０４の上面に設けられた電極部７０６に接続されてベース基板に接続できるようになっている。また枠部７０４の、トーションバー７０３ａ、７０３ｂと平行な２辺には切欠き部７０４ａ、７０４ｂが設けられ、可動板７０２の駆動コイル７０５が設けられていない面に反射ミラー（不図示）が設けられている。反射ミラーは、可動板７０２の駆動コイル７０５が設けられていない面だけに限らず、駆動コイル７０５が設けられた面、あるいは可動板７０２の両面に設けても良い。
【００２０】
このアクチュエータチップ７０１をベース基板７０７上面に搭載し、接着剤等で固定する。ベース基板７０７上面には不図示の配線パターンが設けられており、該配線パターンとアクチュエータチップ７０１上に設けられた電極部７０６をワイヤーボンディング等の手段で電気的接続をとる。次に、永久磁石７０８がアクチュエータチップ７０１の枠部７０４に設けた切欠き部７０４ａ、７０４ｂに配置し、ベース基板７０７に接着剤等で固定され完成となる。このように構成された１次元プレーナ型電磁アクチュエータは、駆動コイル７０５に電流を流すと永久磁石７０８の磁界によって駆動コイル７０５にローレンツ力が働き、トーションバー７０３ａ、７０３ｂを軸とし可動板７０２が回動する。この第３実施例でも、第１実施例、第２実施例と同様に駆動コイルと永久磁石を接近させることが可能となり、さらに枠部７０４の枠幅を確保することも可能なので、アクチュエータチップ７０１の強度を十分に確保し駆動効率を上げることができる。ここで、第３実施例では１次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータを例に本発明を説明したが、２次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータにも適用できるのは言うまでも無い。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明のプレーナ型電磁アクチュエータを示す図で（ａ）は上面図、（ｂ）は側面断面図。（実施例１）
【図２】アクチュエータチップの製造工程を示す図。（実施例１）
【図３】本発明のプレーナ型電磁アクチュエータを示す図で（ａ）は上面図、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は正面断面図。（実施例２）
【図４】アクチュエータチップの製造工程を示す図。（実施例２）
【図５】従来の１次元プレーナ型電磁アクチュエータを示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面断面図。
【図６】従来の２次元プレーナ型電磁アクチュエータを示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は正面断面図。
【図７】本発明のプレーナ型電磁アクチュエータを示す図で（ａ）は上面図、（ｂ）は側面断面図。（実施例３）
【符号の説明】
【００２２】
１０１  アクチュエータチップ
１０２  可動板
１０３ａ、１０３ｂ  トーションバー
１０４  枠部
１０４ａ、１０４ｂ  貫通孔
１０５  駆動コイル
１０６  電極部
１０７  ベース基板
１０８  永久磁石
２０１  活性層シリコン
２０２  中間層シリコン酸化膜
２０３  支持基板シリコン
２０４  シリコン酸化膜
２０５  絶縁膜
２０６  保護膜
２０７  反射ミラー
３０１  アクチュエータチップ
３０２  外側可動板
３０３ａ、３０３ｂ  第１トーションバー
３０４  内側可動板
３０５ａ、３０５ｂ  第２トーションバー
３０６  枠部
３０６ａ、３０６ｂ、３０６ｃ、３０６ｄ  凹部
３０７  外側駆動コイル
３０８  内側駆動コイル
３０９  ベース基板
３１０  ヨーク
３１１  永久磁石
３１２  永久磁石
４０１  半導体基板
４０２  可動板
４０３ａ、４０３ｂ  トーションバー
４０４  枠部
４０５  駆動コイル
４０６  ベース基板
４０７ａ、４０７ｂ  永久磁石
５０１  半導体基板
５０２  外側可動板
５０３ａ、５０３ｂ  第１トーションバー
５０４  内側可動板
５０５ａ、５０５ｂ  第２トーションバー
５０６  枠部
５０７  外側駆動コイル
５０８  内側駆動コイル
５０９  ベース基板
５０９ａ、５０９ｂ、５０９ｃ、５０９ｄ  貫通孔
５１０  ヨーク
５１１  永久磁石
５１２  永久磁石
７０１  アクチュエータチップ
７０２  可動板
７０３ａ、７０３ｂ  トーションバー
７０４  枠部
７０４ａ、７０４ｂ  切欠き部
７０５  駆動コイル
７０６  電極部
７０７  ベース基板
７０８  永久磁石
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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