(57)【要約】【課題】  マグネトロン用の高電圧入力端子を提供する。【解決手段】  リード導体（５０，５２）に形成された突出部（５８，６０）が絶縁物（６２，６４）と絶縁ケース（９２）により止められ、絶縁ケースに接地金属（１０２）が結合され、絶縁物に形成された拡張部（６６，６８）が絶縁ケースと接地金属により止められてリード導体が堅実に固定されるようにし、リード導体の任意脱去を防止する。【選択図】      図３
2005197224.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードタップが備えられ、突出部が形成された１対のリード導体と、
該リード導体のそれぞれが長手方向に挿通するように中空に形成され、かつ一部分の厚さが拡張された拡張部が形成され、この拡張部に前記突出部が係止される係止段部が形成された絶縁物と、
前記拡張部が挿入される筒部と、前記突出部または拡張部が止められ、前記リードタップが貫通する第１貫通穴が形成された板部とからなる絶縁ケースと、
前記筒部と結合され、前記絶縁物における前記拡張部以外の部分が挿通する第２貫通穴が形成された接地金属と、を有して構成されたことを特徴とするマグネトロン用の高電圧入力端子。
【請求項２】
前記接地金属には、前記筒部が圧入固定される圧入溝が形成されたことを特徴とする請求項１に記載のマグネトロン用の高電圧入力端子。
【請求項３】
前記絶縁ケースには、前記筒部にフックが突出形成され、
前記接地金属には、前記フックが係止される係止穴が形成されたことを特徴とする請求項１に記載のマグネトロン用の高電圧入力端子。
【請求項４】
リードタップが備えられ、第１突出部が形成された１対のリード導体と、
前記リード導体がそれぞれ長手方向に挿通するように中空に形成され、一部の厚さが拡張された拡張部が形成され、この拡張部に前記第１突出部が係止される係止段部が形成された絶縁物と、
前記拡張部が挿入され、第２突出部が形成された筒部と、前記第１突出部または前記拡張部が止められ、前記リードタップが貫通する第１貫通穴が形成された板部とからなる絶縁ケースと、
前記絶縁物における前記拡張部以外の部分が挿通する第２貫通穴が形成された接地金属と、
前記絶縁ケースの筒部が貫通する第３貫通穴が形成され、前記第２突出部が係止され、かつ前記接地金属が装着されるフィルターケースと、を有して構成されたことを特徴とするマグネトロン用の高電圧入力端子。
【請求項５】
前記接地金属は、前記フィルターケースに密着される板体部と、前記第２突出部が受容されるように前記板体部と段差をもって形成された受容溝部とから構成され、
前記第２突出部は、前記受容溝部に受容されたときに前記板体部と同一の平面上に位置されることを特徴とする請求項４に記載のマグネトロン用の高電圧入力端子。
【請求項６】
前記第２突出部には、フックが突出形成され、
前記受容溝部には、前記フックが挿入されて係止される係止穴が形成されることを特徴とする請求項４に記載のマグネトロン用の高電圧入力端子。
【請求項７】
前記係止段部は、前記拡張部の一端に長手方向に突出形成され、
前記拡張部と前記絶縁ケースの板部との間には高周波吸収体が介在されたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のマグネトロン用の高電圧入力端子。
【請求項８】
リードタップが備えられ、突出部が形成された１対のリード導体と、
このリード導体がそれぞれ挿通する第１貫通穴が形成され、前記突出部が係止される係止段部が形成された高周波吸収体と、
前記リード導体がそれぞれ長手方向に挿通するように中空に形成され、一部分の厚さが拡張された拡張部が形成された絶縁物と、
前記高周波吸収体及び前記拡張部が挿入される筒部と、前記高周波吸収体または前記突出部が止められ、前記リードタップが貫通する第２貫通穴が形成された板部とからなる絶縁ケースと、
前記筒部と結合され、前記絶縁物における前記拡張部以外の部分が挿通する第３貫通穴が形成された接地金属と、を有して構成されたことを特徴とするマグネトロン用の高電圧入力端子。
【請求項９】
前記接地金属には、前記筒部が圧入固定される圧入溝が形成されたことを特徴とする請求項８に記載のマグネトロン用の高電圧入力端子。
【請求項１０】
前記絶縁ケースには、前記筒部にフックが突出形成され、
前記接地金属には、前記フックが挿入されて係止される係止穴が形成されることを特徴とする請求項８に記載のマグネトロン用の高電圧入力端子。
【請求項１１】
前記筒部には、第２突出部が形成され、かつ
前記絶縁ケースの筒部が貫通される第４貫通穴が形成され、前記第２突出部が係止されるフィルターケースをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載のマグネトロン用の高電圧入力端子。
【請求項１２】
前記接地金属は、前記フィルターケースに密着される板体部と、前記第２突出部が受容されるように前記板体部と段差をもって形成された受容溝部とから構成され、
前記第２突出部は、前記受容溝部に受容されたときに前記板体部と同一の平面上に位置することを特徴とする請求項１１に記載のマグネトロン用の高電圧入力端子。
【請求項１３】
前記リード導体との間に前記絶縁物の一部が介在されるように前記絶縁物に挿入され、前記接地金属に連結された金属ガイドをさらに含むことを特徴とする請求項１乃至６及び請求項８乃至１２のいずれか一項に記載のマグネトロン用の高電圧入力端子。
【請求項１４】
前記接地金属と前記拡張部との間には、高周波吸収体が介在されたことを特徴とする請求項１乃至６及び請求項８乃至１２のいずれか一項に記載のマグネトロン用の高電圧入力端子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マグネトロンに高電圧を入力するマグネトロン用の高電圧入力端子に関し、特に、高電圧が入力されるリード導体が長手方向の両側において止められてその任意脱去（離脱）が抑えられるマグネトロン用の高電圧入力端子に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、マグネトロンは、電子レンジなどに装着されてマイクロ波を生成・出力する装置であって、高圧を入力するための高圧コンデンサーが備えられる。
【０００３】
図１は、従来の技術によるマグネトロンの内部構造を示す断面図であり、マグネトロンは、内部に位置し、一定の陽極電圧と陽極電流が印加されるときに、内部のベーン１２とストラップ１３が共振回路を構成する陽極部と、該陽極部の内側に設置されて多量の熱電子を発散し、前記ベーン１２の先端との作用空間でマイクロ波が発生するようにする陰極部１４と、前記作用空間で発生したマイクロ波を外部へ伝送するアンテナ１５と、前記陽極部の外周面に設置され、マイクロ波に切り換えられなかった残留エネルギーが変換された熱を放熱させる多数の冷却フィン１６と、前記陽極部及び冷却フィン１６を保護及び支持し、外部空気を冷却フィン１６に案内するヨーク１７，１８と、前記陽極部が設置されたヨーク１７，１８の上下部に配置されて磁気閉回路を構成する上・下永久磁石１９，２０と、高周波放射ノイズを除去するためのＬＣフィルター２１を含むフィルターボックス２２と、前記フィルターケース２２に装着されて高電圧を入力する高電圧入力端子２３と、を含めて構成される。
【０００４】
前記陽極部は、円筒形のアノード本体１１と、このアノード本体１１の内部に設置された複数枚のベーン１２と、このベーン１２を貫通して設置され、ベーン１２との間に共振回路を形成するストラップ１３とから構成される。
【０００５】
図２は、従来の技術によるマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図である。
【０００６】
図２に示すように、従来のマグネトロン用の高電圧入力端子２３は、１対のリード導体２４，２５と、このリード導体２４，２５のそれぞれを包囲する中空の絶縁チューブ２６，２７と、この絶縁チューブ２６，２７が貫通し、前記フィルターケース２２に締付ボルトにて固定される接地金属２８と、を含めて構成される。
【０００７】
上記のように構成された従来の高出力マグネトロンは、高周波のマイクロ波を発生させてシステムに伝送しているが、前記高電圧入力端子のリード導体を通して高電圧が入力されると、前記アノード本体１１には一定の陽極電圧と陽極電流が印加され、真空状態に密封されたアノード本体１１の内部では、ベーン１２とストラップ１３による共振回路が構成される。このように共振回路が構成されると、ベーン１２の先端と陰極部のフィラメント１４との間の作用空間ではマイクロ波が発生し、このマイクロ波はアンテナ１５を介してシステムに伝送される。
【０００８】
しかしながら、従来の技術によるマグネトロン用の高電圧入力端子は、リード導体２４，２５が長手方向に脱去（離脱）しやすく、前記絶縁チューブ２６，２７が流動的であるため、この絶縁チューブ２６，２７を堅実に固定させる必要があり、また、外力が加えられると前記リード導体２４，２５が変形または分離しやすくなる、という問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記の従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、リード導体の任意脱去が抑えられるマグネトロン用の高電圧入力端子を提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的は、マグネトロン用の高電圧入力端子を簡易にかつ堅実に組み立てることにある。
【００１１】
本発明のさらに他の目的は、マグネトロンの動作時に発生する高周波の外部への漏れを最小限に抑えることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成すべく、本発明のマグネトロン用の高電圧入力端子は、リードタップが備えられ、突出部が形成された１対のリード導体と、該リード導体のそれぞれが長手方向に挿通するように中空に形成され、かつ一部分の厚さが拡張された拡張部が形成され、この拡張部に前記突出部が係止される係止段部が形成された絶縁物と、前記拡張部が挿入される筒部と、前記突出部または拡張部が止められ、前記リードタップが貫通する第１貫通穴が形成された板部とからなる絶縁ケースと、前記筒部と結合され、前記絶縁物における前記拡張部以外の部分が挿通する第２貫通穴が形成された接地金属と、を有して構成されたことを特徴とする。
【００１３】
前記接地金属には、前記筒部が圧入固定される圧入溝が形成されたことを特徴とする。
【００１４】
前記絶縁ケースには、前記筒部にフックが突出形成され、前記接地金属には、前記フックが係止される係止穴が形成されたことを特徴とする。
【００１５】
本発明のマグネトロン用の高電圧入力端子は、リードタップが備えられ、第１突出部が形成された１対のリード導体と、前記リード導体がそれぞれ長手方向に挿通するように中空に形成され、一部の厚さが拡張された拡張部が形成され、この拡張部に前記第１突出部が係止される係止段部が形成された絶縁物と、前記拡張部が挿入され、第２突出部が形成された筒部と、前記第１突出部または前記拡張部が止められ、前記リードタップが貫通する第１貫通穴が形成された板部とからなる絶縁ケースと、前記絶縁物における前記拡張部以外の部分が挿通する第２貫通穴が形成された接地金属と、前記絶縁ケースの筒部が貫通する第３貫通穴が形成され、前記第２突出部が係止され、かつ前記接地金属が装着されるフィルターケースと、を有して構成されたことを特徴とする。
【００１６】
前記接地金属は、前記フィルターケースに密着される板体部と、前記第２突出部が受容されるように前記板体部と段差をもって形成された受容溝部とから構成され、前記第２突出部は、前記受容溝部に受容されたときに前記板体部と同一の平面上に位置することを特徴とする。
【００１７】
前記第２突出部には、フックが突出形成され、前記受容溝部には、前記フックが挿入されて係止される係止穴が形成されることを特徴とする。
【００１８】
前記係止段部は、前記拡張部の一端に長手方向に突出形成され、前記拡張部と前記絶縁ケースの板部との間には高周波吸収体が介在されたことを特徴とする。
【００１９】
本発明のマグネトロン用の高電圧入力端子は、リードタップが備えられ、突出部が形成された１対のリード導体と、このリード導体がそれぞれ挿通する第１貫通穴が形成され、前記突出部が係止される係止段部が形成された高周波吸収体と、前記リード導体がそれぞれ長手方向に挿通するように中空に形成され、一部分の厚さが拡張された拡張部が形成された絶縁物と、前記高周波吸収体及び前記拡張部が挿入される筒部と、前記高周波吸収体または前記突出部が止められ、前記リードタップが貫通する第２貫通穴が形成された板部とからなる絶縁ケースと、前記筒部と結合され、前記絶縁物における前記拡張部以外の部分が挿通する第３貫通穴が形成された接地金属と、を有して構成されたことを特徴とする。
【００２０】
前記接地金属には、前記筒部が圧入固定される圧入溝が形成されたことを特徴とする。
【００２１】
前記絶縁ケースには、前記筒部にフックが突出形成され、前記接地金属には、前記フックが挿入されて係止される係止穴が形成されることを特徴とする。
【００２２】
前記筒部には、第２突出部が形成され、前記マグネトロン用の高電圧入力端子は、前記絶縁ケースの筒部が貫通される第４貫通穴が形成され、前記第２突出部が係止されるフィルターケースをさらに含むことを特徴とする。
【００２３】
前記接地金属は、前記フィルターケースに密着される板体部と、前記第２突出部が受容されるように前記板体部と段差をもって形成された受容溝部とから構成され、前記第２突出部は、前記受容溝部に受容されたときに前記板体部と同一の平面上に位置することを特徴とする。
【００２４】
前記マグネトロン用の高電圧入力端子は、前記リード導体との間に前記絶縁物の一部が介在されるように前記絶縁物に挿入され、前記接地金属に連結された金属ガイドをさらに含むことを特徴とする。
【００２５】
前記接地金属と前記拡張部との間には、高周波吸収体が介在されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によるマグネトロン用の高電圧入力端子によれば、リード導体に形成された突出部が絶縁物と絶縁ケースに止められ、絶縁ケースに接地金属が結合され、絶縁物に形成された拡張部が絶縁ケースと接地金属に止められるため、リード導体が堅実に固定され、リード導体の任意脱去を防ぐことが可能になる。
【００２７】
また、本発明によるマグネトロン用の高電圧入力端子によれば、絶縁ケースの筒部が接地金属に圧入固定されたり、フック結合されたりするため、その組立が容易で堅実になる、という利点が得られる。
【００２８】
また、本発明によるマグネトロン用の高電圧入力端子によれば、絶縁ケースに形成された第２突出部が接地金属とフィルターケースに止められるように配置されるので、絶縁ケースの揺れや任意脱去を防ぐことが可能になる。
【００２９】
また、本発明によるマグネトロン用の高電圧入力端子によれば、前記リード導体との間に前記絶縁物の一部が介在されるように前記絶縁物に挿入される金属ガイドをさらに含むため、前記絶縁物の一部は、マグネトロンの動作時に所定のキャパシター値を持ってＬＣフィルターの構成要素の一部を構成するようになり、前記金属ガイドは、前記絶縁物の位置を固定させて前記リード導体及び絶縁物を安定的に支持できるようになる。
【００３０】
また、本発明によるマグネトロン用の高電圧入力端子によれば、高周波吸収体が組み込まれるため、マグネトロンの動作時に発生する高周波の外部への漏れを最小限に抑えることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００３２】
図３は、本発明の第１の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図であり、図４は、図３に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【００３３】
本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子は、図３及び図４に示すように、１対のリード導体５０，５２のそれぞれにリードタップ５４，５６が備えられ、突出部５８，６０が形成される。
【００３４】
前記リード導体５０，５２は、棒状に形成され、前記リードタップ５４，５６のそれぞれは、前記リード導体５０，５２それぞれの一端に長手方向に突出され、四角棒の形状を有する。
【００３５】
前記突出部５８，６０は、前記リード導体５０，５２の両端のうち、前記リードタップ５４，５６が突出される端部５０ａ，５２ａの側面に厚さ方向に突出形成される。
【００３６】
この突出部５８，６０は、前記リード導体５０，５２の外周面に沿って輪状に突出することも可能であるが、後述する絶縁物６２，６４に回転方向に係止されるように外周面の一側に突起形状に突出形成されることが望ましい。
【００３７】
前記１対のリード導体５０，５２は、マグネトロンに高電圧を印加するためのものであって、金属材質からなるとともに、絶縁物にて包囲される。
【００３８】
前記絶縁物は、前記リード導体５０，５２を包囲するとともに、充分なる耐電圧を持つエポキシ樹脂などからなり、前記リード導体５０，５２がともに貫通する１つの絶縁物からなってもよく、前記リード導体５０，５２がそれぞれ貫通し、互いに離れて配置される２つの絶縁物６２，６４からなってもいい。
【００３９】
前記絶縁物が１つに形成される場合には、前記リード導体５０，５２の左右揺れを別途の支持構造物無しで防ぐことができ、前記絶縁物が２つからなり、互いに離れて配置される場合には、その離隔空間だけの絶縁物が節減され、材料費が節約される。以下では、説明の便宜のために、絶縁物が２つの絶縁物６２，６４でなる場合が挙げられる。
【００４０】
前記絶縁物６２，６４のそれぞれは、前記リード導体５０，５２のそれぞれが長手方向に貫通するように中空にされる。
【００４１】
前記絶縁物６２，６４のそれぞれには、一部分の厚さが拡張された拡張部６６，６８が形成される。
【００４２】
前記拡張部６６，６８は、前記絶縁物６２，６４において該拡張部以外の部分(以下、縮小部７０，７２と称する。)と段差をもって形成される。
【００４３】
すなわち、前記拡張部６６，６８と縮小部７０，７２は、内径は同一で、外径は異なって形成される。
【００４４】
前記拡張部６６，６８のそれぞれの一端には、前記突出部５８，６０がリード導体５０，５２の下方(Ａ)に係止される係止段部７４，７６が形成される。
【００４５】
この係止段部７４，７６は、前記突出部５８，６０が輪状である場合、前記突出部５８，６０が嵌められて安置されるように輪型の溝に形成され、前記突出部５８，６０が前記リード導体５０，５２の外周面の一側から突出された突起形状である場合には、前記突出部５８，６０が挿入されて安置された後に回転方向に止められるように前記突出部５８，６０と同一形状の溝に形成される。
【００４６】
前記絶縁物６２，６４は、前記リード導体５０，５２の貫通時に、前記リードタップ５４，５６と、このリードタップ５４，５６の反対側の部位５０ｂ，５２ｂが露出されるように前記リード導体５０，５２の長さよりも短い長さを持つ。
【００４７】
すなわち、前記リード導体５０，５２は、前記絶縁物６２，６４に挿通したときに、前記突出部５８，６０が係止段部７４，７６に係止されることによって、その過度な挿入及び脱去が制限され、また、リードタップ５４，５６の反対側の部位５０ｂ，５２ｂとリードタップ５４，５６は、絶縁物６２，６４に包囲されなくなる。
【００４８】
一方、前記マグネトロン用の高電圧入力端子は、前記拡張部６６，６８がそれぞれ挿入され、筒部が形成された筒部８６と、前記突出部５８，６０または拡張部６６，６８が上方(Ｂ)に止められ、前記リードタップ５４，５６が貫通する第１貫通穴８７，８８が形成された板部９０と、からなる絶縁ケース９２をさらに含む。
【００４９】
前記筒部８６は、前記拡張部６６，６８の外周面が密着されるように、内面のうち少なくとも一部が、前記拡張部６６，６８の外周面の一部と同一形状を有する。
【００５０】
前記板部９０は、前記筒部８６の内周一側に一体に形成される。
【００５１】
また、前記マグネトロン用の高電圧入力端子は、前記筒部８６が圧入溝１０２ｂに圧入固定されて前記絶縁ケース９２と結合され、前記絶縁物６２，６４において拡張部６６，６８以外の部分である縮小部７０，７２が貫通する第２貫通穴９８，１００が形成され、前記拡張部６６，６８が下方(Ａ)に止められるようにする接地金属１０２を含む。
【００５２】
この接地金属１０２は、板体部１０２ａと、前記筒部８６が圧入固定されるように前記板体部１０２ａに形成された圧入溝１０２ｂとから構成され、前記圧入溝１０２ｂは、前記筒部８６が圧入固定されるように前記筒部８６と同一の大きさを持つ。
【００５３】
上記のように構成された本発明に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の組立過程を詳細に説明すると、下記の通りである。
【００５４】
まず、前記リード導体５０，５２をそれぞれ前記絶縁物６２，６４に挿入すると、前記リード導体５０，５２の突出部５８，６０はそれぞれ前記絶縁物６２，６４の係止段部７４，７６に係止され、前記リード導体５０，５２において前記リードタップ５４，５６の反対側の部位５０ｂ，５２ｂと前記リードタップ５４，５６は、前記絶縁物６２，６４の外部へ露出される。
【００５５】
続いて、前記絶縁物６２，６４の拡張部６６，６８及びリード導体５０，５２を前記絶縁ケース９２の筒部８６の内側に挿入しながら、前記リード導体５０，５２のリードタップ５４，５６を、前記絶縁ケース９２の板部９０に形成された第１貫通穴８７，８８に挿通させると、前記リード導体５０，５２は、前記リードタップ５４，５６が延長し始まる端部５０ａ，５２ａと前記突出部５８，６０が前記絶縁ケース９２の板部９０の一面により上方(Ｂ)に止められ、前記絶縁物６２，６４もまた、前記拡張部６６，６８の一端が前記絶縁ケース９２の板部９０の一面により上方(Ｂ)に止められる。
【００５６】
この状態で、リード導体のリードタップ５４，５６の反対側の部位と前記絶縁物６２，６４の縮小部７０，７２を、前記接地金属１０２の第２貫通穴９８，１００に挿通させつつ前記筒部８６を前記接地金属１０２の圧入溝１０２ｂに圧入固定すると、前記絶縁ケース９２と接地金属１０２が結合され、前記絶縁物６２，６４の拡張部６６，６８は前記絶縁ケース９２の筒部８６及び板部９０と前記接地金属１０２により囲まれ、前記板部９０と接地金属１０２によりそれぞれ上方(Ｂ)及び下方(Ａ)に止められるようになる。
【００５７】
このように組み立てられたマグネトロン用の高電圧入力端子は、前記リード導体５０，５２のリードタップ５４，５６または前記絶縁ケース９２が上方(Ｂ)に引っ張られる場合、前記リード導体５０，５２は、前記リードタップ５４，５６が延長し始まる端部５０ａ，５２ａと突出部５８，６０が、前記絶縁ケース９２の板部９０の一面により上方(Ｂ)に止められるためにその脱去が制限され、前記絶縁ケース９２は、前記筒部８６が前記接地金属１０２に圧入固定されているためにその脱去が抑えられる。
【００５８】
そして、前記リード導体５０，５２のリードタップ５４，５６の反対側の部位が、下方(Ａ)に引っ張られる場合、前記リード導体５０，５２は、前記突出部５８，６０が前記絶縁物６２，６４の係止段部７４，７６により下方(Ａ)に係止されており、前記絶縁物６２，６４は、その拡張部６６，６８が前記接地金属１０２により下方(Ａ)に止められるために、前記リード導体５０，５２と絶縁物６２，６４はその脱去が抑えられる。
【００５９】
図５は、本発明の第２の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図であり、図６は、図５に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【００６０】
本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子は、図５及び図６に示すように、絶縁ケース９２の筒部８６に、フック７８，８０が備えられ、接地金属１０２に、前記フック７８，８０が係止される係止穴９４，９６が形成される。このように前記フック７８，８０と係止穴９４，９６がさらに設けられる以外は、本発明の第１の実施形態と同様な構成を持つので、同一の構成には同一の符号を付け、その詳細な説明は省略する。
【００６１】
前記フック７８，８０は、前記筒部８６の周縁に沿って少なくとも２個が下方(Ａ)に突出形成される。
【００６２】
一方、前記接地金属１０２は、本発明の第１の実施形態と同様に、前記筒部８６が圧入固定される圧入溝が形成されてもよく、また、前記筒部８６が受容される受容溝部１０２ｂ´が形成されてもいい。
【００６３】
前記接地金属１０２は、圧入溝が形成される場合、この圧入溝が前記筒部８６と同一の大きさに形成され、受容溝部１０２ｂ´が形成される場合、この受容溝部１０２ｂ´は前記筒部８６よりも大きく形成される。
【００６４】
すなわち、本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子では、前記絶縁ケース９２と接地金属１０２の結合が、単に、前記フック７８，８０が係止穴９４，９６に係止されてなるか、前記筒部８６が前記接地金属１０２に形成された圧入溝に圧入固定されつつ前記フック７８，８０が係止穴９４，９６に係止されてなるか、あるいは、前記筒部８６が前記接地金属１０２に形成された受容溝部１０２ｂ´に受容されつつ前記フック７８，８０が係止穴９４，９６に係止されてなるのである。
【００６５】
図７は、本発明の第３の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図であり、図８は、図７に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【００６６】
本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子は、図７及び図８に示すように、絶縁ケース９２の筒部８６に第２突出部８２が形成され、 絶縁ケース９２の筒部８６が挿通する第３貫通穴１０４が形成され、前記第２突出部８２が上方(Ｂ)に止められ、接地金属１０２が装着されるフィルターケース１０６をさらに含めて構成される。このように前記第２突出部８２及びフィルターケース１０６が備えられる以外は、本発明の第１の実施形態と同様な構成及び作用を有するので、同一の部材には同一の符号を付け、その詳細な説明は省略する。
【００６７】
前記接地金属１０２とフィルターケース１０６は、相対向する位置において締付穴１０３，１０７がそれぞれ形成され、ボルトなどの締付部材１０８が前記締付穴１０３，１０７に締め付けられることにより固定されてもよく、締付穴１０３，１０７のうちいずれか一方においてフックが突出形成され、残りの一方にフックが係止される係止穴が形成され、フック固定されてもいい。
【００６８】
一方、前記接地金属１０２は、前記フィルターケース１０６に密着される板体部１０２ａと、前記第２突出部８２が受容されるように前記板体部１０２ａに形成された受容溝部１０２ｂ´とから構成され、前記受容溝部１０２ｂ´の高さは前記第２突出部８２の厚さと同一の大きさに形成される。
【００６９】
すなわち、前記第２突出部８２は、前記受容溝部１０２ｂ´に受容されたときに前記板体部１０２ａと同一の平面上に位置するようになる。
【００７０】
本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子では、絶縁ケース９２の筒部８６を前記フィルターケース１０６の第３貫通穴１０４に貫通させると、前記絶縁ケース９２の第２突出部８２は、前記接地金属１０２及びフィルターケース１０６の一部との間に配置され、このフィルターケース１０６の一部と接地金属１０２により上方(Ｂ)及び下方(Ａ)に止められ、前記接地金属１０２とフィルターケース１０６の締付穴１０３，１０７に締付部材１０８を締め付けることで、前記接地金属１０２が前記フィルターケース１０６に固定される。
【００７１】
図９は、本発明の第４の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図であり、図１０は、図９に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【００７２】
本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子は、図９及び図１０に示すように、第２突出部８２にフック７８，８０が突出形成され、受容溝部１０２ｂ´には、前記フック７８，８０が挿入されて係止される係止穴９４，９６が形成される以外は、本発明の第３の実施形態と同様の構成及び作用を有するので、同一の部材には同一の符号を付け、その詳細な説明は省略する。
図１１は、本発明の第５の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図であり、図１２は、図１１に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【００７３】
本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子は、図１１及び図１２に示すように、
リードタップ１５４，１５６が備えられ、突出部１５８，１６０が形成された１対のリード導体１５０，１５２と、該リード導体１５０，１５２のそれぞれが挿通する第１貫通穴１６１ａ，１６１ｂが形成され、前記突出部１５８，１６０が下方(Ａ)に係止される係止段部１６１c，１６１ｄが形成された高周波吸収体１６１とを含めて構成される。
【００７４】
前記リード導体１５０，１５２は、棒状に形成され、前記リードタップ１５４，１５６はそれぞれ、前記リード導体１５０，１５２の一端に長手方向に延設されるとともに、四角棒の形状を有する。
【００７５】
前記突出部１５８，１６０は、前記リード導体１５０，１５２のうち、前記リードタップ１５４，１５６が延長し始まる端部１５０ａ，１５２ａの側面から厚さ方向に突出形成される。
【００７６】
前記突出部１５８，１６０は、前記リード導体１５０，１５２の外周面に沿って輪状に突出形成されてもいいが、前記高周波吸収体１６１に、回転方向に係止されるように外周面の一側に突出された突起形状に形成されることが望ましい。
【００７７】
前記１対のリード導体１５０，１５２は、マグネトロンに高電圧を印加するためのものであり、金属材質からなる。
【００７８】
前記高周波吸収体１６１は、フェライト材質からなる。
【００７９】
前記係止段部１６１c，１６１ｄは、前記突出部１５８，１６０が輪状に形成される場合、前記突出部１５８，１６０が挿入されて安置されるように輪型の溝で形成され、前記突出部１５８，１６０が前記リード導体１５０，１５２の外周面の一側から突出した突起形状である場合には、前記突出部１５８，１６０が挿入されて安置された後に回転方向に係止されるように前記突出部１５８，１６０と同一形状の溝で形成される。
【００８０】
一方、前記１対のリード導体１５０，１５２は絶縁物に囲まれる。
【００８１】
この絶縁物は、前記リード導体１５０，１５２を包囲するとともに、充分なる耐電圧を持つものであり、前記リード導体１５０，１５２が一緒に挿通する１つの絶縁物からなってもよく、前記リード導体１５０，１５２がそれぞれ挿貫するように互いに離れて配置される２個の絶縁物１６２，１６４からなってもよいが、以下では、説明の便宜のために、前記絶縁物が２個の絶縁物１６２，１６４からなる場合が挙げられる。
【００８２】
前記絶縁物１６２，１６４はそれぞれ、前記リード導体１５０，１５２が長手方向に挿通するように中空となっており、一部分の厚さが拡張された拡張部１６６，１６８が形成され、この拡張部１６６，１６８は、前記絶縁物１６２，１６４において拡張部以外の部分(以下、‘縮小部１７０，１７２’と称する。)と段差をもって形成される。
【００８３】
前記絶縁物１６２，１６４は、前記リード導体１５０，１５２の挿通時に、前記リードタップ１５４，１５６と前記リードタップ１５４，１５６の反対側の部位１５０b，１５２ｂが露出されるように、前記リード導体１５０，１５２の長さよりも短い長さを持つ。
【００８４】
一方、前記マグネトロン用の高電圧入力端子は、前記高周波吸収体１６１及び絶縁物１６２，１６４の拡張部１６６，１６８が挿入される筒部１８６と、前記突出部１５８，１６０または高周波吸収体１６１が上方(Ｂ)に止められ、前記リードタップ１５４，１５６が挿通する第２貫通穴１８７，１８８が形成された板部１９０とからなる絶縁ケース１９２を含む。
【００８５】
前記筒部１８６は、前記拡張部１６６，１６８の外周面が密着されるように内面の少なくとも一部が、前記拡張部１６６，１６８の外周面の一部と同一形状に形成される。
【００８６】
前記板部１９０は、前記筒部１８６の内周一側に一体形成される。
【００８７】
また、前記マグネトロン用の高電圧入力端子は、前記筒部１８６が圧入溝２０２ｂに圧入固定されて前記絶縁ケース１９２と結合され、前記絶縁物１６２，１６４において拡張部１６６，１６８以外の部分が貫通する第３貫通穴１９８，２００が形成され、前記拡張部１６６，１６８が止められる接地金属２０２をさらに含めてなる。
【００８８】
この接地金属２０２は、板体部２０２ａと、前記筒部１８６が圧入固定されるように前記板体部２０２ａに形成された圧入溝２０２ｂとから構成され、前記圧入溝２０２ｂは、前記筒部１８６が圧入固定されるように前記筒部１８６と同一の大きさを持つ。
【００８９】
前記圧入溝２０２ｂは、前記筒部１８６の厚さほど凹んで形成される。
【００９０】
本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の組立過程を詳細に説明すると、下記の通りである。
【００９１】
まず、前記リード導体１５０，１５２をそれぞれ前記高周波吸収体１６１の第１貫通穴１６１ａ，１６１ｂに挿通させ、前記突出部１５８，１６０を前記係止段部１６１c，１６１ｄに係止させると、前記リード導体１５０，１５２はそれぞれ下方(Ａ)に止められる。
【００９２】
続いて、前記リード導体１５０，１５２をそれぞれ前記絶縁物１６２，１６４に挿通させると、前記リード導体１５０，１５２は前記リードタップ１５４，１５６と前記リードタップ１５４，１５６の反対側の部位１５０b，１５２ｂを除いた部分が、前記高周波吸収体１６１と絶縁物１６２，１６４により囲まれるようになる。
【００９３】
その後に、前記リード導体１５０，１５２と高周波吸収体１６１と絶縁物１６２，１６４の拡張部１６６，１６８を、前記絶縁ケース１９２の筒部１８６の内側に挿入させつつ、前記リード導体１５０，１５２のリードタップ１５４，１５６を前記絶縁ケース１９２の板部１９０に形成された第２貫通穴１８７，１８８に挿通させると、前記リード導体１５０，１５２は、前記リードタップ１５４，１５６が延長し始まる端部１５０ａ，１５２ａと突出部１５８，１６０が前記絶縁ケース１９２の板部１９０の一面により上方(Ｂ)に止められ、前記高周波吸収体１６１もまた、前記絶縁ケース１９２の板部１９０の一面により上方(Ｂ)に止められる。
【００９４】
この状態で、前記リード導体１５０，１５２のリードタップの反対側の部位１５０ｂ，１５２ｂと前記絶縁物１６２，１６４の縮小部１７０，１７２を前記接地金属２０２の第３貫通穴１９８，２００に挿通させつつ前記筒部１８６を前記接地金属２０２の圧入溝２０２ｂに圧入固定すると、前記絶縁ケース１９２と接地金属２０２とが結合され、前記高周波吸収体１６１と絶縁物１６２，１６４の拡張部１６６，１６８は、前記絶縁ケース１９２の筒部１８６及び板部１９０と前記接地金属２０２により囲まれ、前記板部１９０と接地金属２０２によりそれぞれ上方(Ｂ)及び下方(Ａ)に止められるようになる。
【００９５】
一方、上記のように組み立てられたマグネトロン用の高電圧入力端子において、前記リード導体１５０，１５２のリードタップ１５４，１５６または前記絶縁ケース１９２が上方(Ｂ)に引っ張られる場合、前記リード導体１５０，１５２は、前記リードタップ１５４，１５６が延長し始まる端部１５０ａ，１５２ａと突出部１５８，１６０が、前記絶縁ケース１９２の板部１９０の一面により上方(Ｂ)に止められてその脱去が制限され、前記絶縁ケース１９２は、前記筒部１８６が前記接地金属２０２に圧入固定されてその脱去が抑えられる。
【００９６】
そして、前記リード導体１５０，１５２のリードタップ１５４，１５６の反対側の部位が下方(Ａ)に引っ張られると、前記リード導体１５０，１５２は、前記突出部１５８，１６０が前記高周波吸収体１６１の係止段部１６１ｃ，１６１ｄにより下方(Ａ)に係止され、前記高周波吸収体１６１は前記絶縁物１６２，１６４の拡張部により下方(Ａ)に止められ、前記絶縁物１６２，１６４は、前記拡張部１６６，１６８が前記接地金属２０２により下方(Ａ)に止められるため、前記リード導体１５０，１５２、高周波吸収体１６１及び絶縁物１６２，１６４は、その脱去が抑えられる。
【００９７】
図１３は、本発明の第６の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図であり、図１４は、図１３に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【００９８】
本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子は、図１３及び図１４に示すように、絶縁ケース１９２の筒部１８６にフック１７８，１８０が設けられ、接地金属２０２に、前記フック１７８，１８０が係止される係止穴１９４，１９６が形成されてなる。このように前記フック１７８，１８０と係止穴１９４，１９６が形成される以外は、本発明の第５の実施形態と同様な構成を有するので、同一の部材には同一の符号を付け、その詳細な説明は省略する。
【００９９】
前記フック１７８，１８０は、前記筒部１８６の周縁に沿って少なくとも２個が下方(Ａ)に突出して形成される。
【０１００】
一方、前記接地金属２０２は、前記筒部１８６の一面と密着される平坦な板体で形成されてもよく、本発明の第５の実施形態と同様に、前記筒部１８６が圧入固定される圧入溝が形成されてもよく、また、前記筒部１８６が受容される受容溝部２０２ｂ´が形成されてもいい。
【０１０１】
前記接地金属２０２は、圧入溝が形成される場合、この圧入溝２０２ｂが前記筒部１８６と同一の大きさに形成され、受容溝部２０２ｂ´が形成される場合、この受容溝部２０２ｂ´は前記筒部１８６よりも大きく形成される。
【０１０２】
図１５は、本発明の第７の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図であり、図１６は、図１５に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【０１０３】
本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子は、図１５及び図１６に示すように、 絶縁ケース１９２の筒部１８６に第２突出部１８２が形成され、絶縁ケース１９２の筒部１８６が挿通する第４貫通穴２０４が形成され、前記第２突出部１８２が上方(Ｂ)に止められ、接地金属２０２が装着されるフィルターケース２０６をさらに含めて構成される。このように前記フィルターケース２０６が備えられる以外は、本発明の第５の実施形態と同様な構成及び作用を有するので、同一の部材には同一の符号を付け、その詳細な説明は省略する。
【０１０４】
前記接地金属２０２とフィルターケース２０６は、相対向する位置において締付穴２０３，２０７がそれぞれ形成され、ボルトなどの締付部材２０８が前記締付穴２０３，２０７に締め付けられることにより固定されてもよく、締付穴２０３，２０７のうちいずれか一方においてフックが突出形成され、残りの一方にフックが係止される係止穴が形成され、フック固定されてもいい。
【０１０５】
一方、前記接地金属２０２は、前記フィルターケース２０６に密着される板体部２０２ａと、前記第２突出部１８２が受容されるように前記板体部２０２ａに形成された受容溝部２０２ｂ´とから構成され、前記受容溝部２０２ｂ´の高さは前記第２突出部１８２の厚さと同一の大きさに形成される。
【０１０６】
すなわち、前記第２突出部１８２は、前記受容溝部２０２ｂ´に受容されたときに前記板体部２０２ａと同一の平面上に位置するようになる。
【０１０７】
本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子では、絶縁ケース１９２の筒部１８６を、前記フィルターケース２０６の第４貫通穴２０４に貫通させると、前記絶縁ケース１９２の第２突出部１８２は、前記接地金属２０２とフィルターケース２０６の一部との間に配置され、フィルターケース２０６の一部と前記接地金属２０２により上方(Ｂ)及び下方(Ａ)に止められ、前記接地金属２０２とフィルターケース２０６の締付穴２０３，２０７に締付部材２０８を締め付けることで、前記接地金属２０２が前記フィルターケース２０６に固定される。
【０１０８】
図１７は、本発明の第８の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図であり、図１８は、図１７に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【０１０９】
本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子は、図１７及び図１８に示すように、
第２突出部１８２にフック１７８，１８０が突出形成され、受容溝部２０２ｂ´には、前記フック１７８，１８０が挿入されて係止される係止穴１９４，１９６が形成される以外は、本発明の第７の実施形態と同様の構成及び作用を有するので、同一の部材には同一の符号を付け、その詳細な説明は省略する。
図１９は、本発明の第９の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図であり、図２０は、図１９に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【０１１０】
本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子は、図１９及び図２０に示すように、リード導体５０，５２との間に前記絶縁物６２，６４の一部が介在されるように前記絶縁物６２，６４に挿入される金属ガイド１１０，１１２を含めて構成される。このように前記金属ガイド１１０，１１２を含む以外は、本発明の第１の実施形態ないし第８の実施形態のうちいずれか一つと同様の構成及び作用を有するので、同一の部材には同一の番号を共通使用し、その詳細な説明は省略する。
【０１１１】
前記金属ガイド１１０，１１２は、前記リード導体５０，５２と金属ガイド１１０，１１２との間の絶縁物６６´，６８´が、所定のキャパシター値を持つように前記接地金属１０２に連結されるか、接地金属１０２に一体形成される。
【０１１２】
すなわち、前記リード導体５０，５２と金属ガイド１１０，１１２との間の絶縁物６６´，６８´は、マグネトロン動作時に発生するノイズを遮蔽するＬＣフィルターの構成要素の一部を構成するようになる。
【０１１３】
前記金属ガイド１１０，１１２は、前記絶縁物６２，６４にそれぞれ挿入されるように２つからなることが望ましく、それぞれは、前記絶縁物６２，６４それぞれの縮小部７０，７２が挿通するとともに前記絶縁物６２，６４それぞれの拡張部６６，６８の内側に挿入されるように、前記接地金属１０２の第２貫通穴９８，１００と内側が通じるように連結または形成される。
【０１１４】
前記絶縁物６２，６４はそれぞれ、前記拡張部６６，６８に前記金属ガイド１１０，１１２が挿入されるように、長手方向に挿入溝６６ａ，６８ａが長く形成される。
【０１１５】
前記挿入溝６６ａ，６８ａ及び前記金属ガイド１１０，１１２は、管状に形成される。
【０１１６】
本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子は、前記金属ガイド１１０，１１２の内側を前記接地金属１０２の第２貫通穴９８，１００と通じる位置に載せて置いた後に、前記金属ガイド１１０，１１２それぞれの一端と前記接地金属１０２を熔接などの方法で固定させる。
【０１１７】
しかる後に、前記絶縁物６２，６４の縮小部７０，７２を前記金属ガイド１１０，１１２の内側に挿通させると、前記絶縁物６２，６４の縮小部７０，７２は前記金属ガイド１１０，１１２の内側と前記接地金属１０２の第２貫通穴９８，１００を順に貫通し、前記金属ガイド１１０，１１２はそれぞれ、前記絶縁物６２，６４の拡張部６６，６８に形成された挿入溝６６ａ，６８ａに挿入される。
【０１１８】
挿入された金属ガイド１１０，１１２は、マグネトロンの動作時に、その内側の絶縁物６６´，６８´がキャパシター値を持つようにするとともに、前記絶縁物６２，６４の拡張部６６，６８の位置を固定させて前記絶縁物６２，６４を堅実に固定させる。
【０１１９】
図２１は、本発明の第１０の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図であり、図２２は、図２１に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【０１２０】
本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子は、図２１及び図２２に示すように、絶縁物６２，６４の拡張部６６，６８と接地金属１０２との間に高周波吸収体１２０が介在される。このように高周波吸収体１２０が介在される以外は、本発明の第１の実施形態ないし第９の実施形態のうちいずれか一つと同様な構成を有するので、同一の構成には同一の符号を付け、その詳細な説明は省略する。
【０１２１】
本実施形態に従う絶縁物６２，６４の拡張部６６，６８は、本発明の第１の実施形態ないし第９の実施形態に示した絶縁物の拡張部に比べて、前記高周波吸収体１２０の厚さほど短く形成されるとともに、前記高周波吸収体１２０により下方(Ａ)に止められる。
【０１２２】
前記高周波吸収体１２０は、前記絶縁物６２，６４において拡張部６６，６８を除いた部分である縮小部７０，７２が挿通する貫通穴１２２，１２４が形成された板体である。
【０１２３】
この高周波吸収体１２０は、前記絶縁ケース９２の筒部８６の内側に挿入されるように前記筒部８６の内側と同一の形状に形成される。
【０１２４】
また、この高周波吸収体１２０は、フェライト材質からなる。
【０１２５】
本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の組立過程を詳細に説明すれば、下記の通りである。
【０１２６】
まず、前記リード導体５０，５２をそれぞれ、前記絶縁物６２，６４に挿入させ、前記リード導体５０，５２が挿入された絶縁物６２，６４の拡張部６６，６８を、前記絶縁ケース９２の筒部８６の内側に挿入させる。その後に、前記高周波吸収体１２０を前記絶縁ケース９２の筒部８６の内側に圧入しつつ、前記絶縁物６２，６４の縮小部７０，７２を前記高周波吸収体１２０の貫通穴１２２，１２４に貫通させると、前記高周波吸収体１２０は前記絶縁物６２，６４の拡張部６６，６８とともに前記絶縁ケース９２の筒部８６内に配置されるようになる。
【０１２７】
続いて、前記絶縁ケース９２と接地金属１０２を、本発明の第１の実施形態ないし第４の実施形態のうちいずれか一つにおけると同様にして結合させると、前記絶縁物６２，６４の拡張部６６，６８及び高周波吸収体１２０は、前記絶縁ケース９２と前記接地金属１０２により囲まれるようになる。
【０１２８】
一方、本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子によれば、マグネトロンの動作時に前記接地金属１０２から漏れる高周波を、前記高周波吸収体１２０により吸収／遮蔽することができる。
【０１２９】
図２３は、本発明の第１１の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図であり、図２４は、図２３に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【０１３０】
本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子は、図２３及び図２４に示すように、絶縁物６２，６４の拡張部６６，６８の一端に、係止段部７４，７６が長手方向に突出形成され、前記絶縁物６２，６４の拡張部６６，６８と前記絶縁ケース９２の板部９０との間には高周波吸収体１３０が介在される。このように前記係止段部７４，７６及び高周波吸収体１３０が設けられる以外は、本発明の第１の実施形態ないし第４の実施形態、第９の実施形態、及び第１０の実施形態のうちいずれか一つと同様なので、その詳細な説明は省略する。
【０１３１】
前記絶縁物６２，６４は、前記拡張部６６，６８が本発明の第１の実施形態ないし第４の実施形態、第９の実施形態、及び第１０の実施形態のうちいずれか一つの拡張部に比べて、前記高周波吸収体１３０の厚さほど短く形成され、前記拡張部６６，６８により前記高周波吸収体１３０は下方(Ａ)に止められる。
【０１３２】
前記高周波吸収体１３０は、前記リード導体５０，５２及び係止段部７４，７６が貫通する貫通穴１３２，１３４が形成された板体である。
【０１３３】
前記高周波吸収体１３０は、前記絶縁ケース９２の筒部８６の内側に挿入されるように前記筒部８６の内側と同一の形状に形成される。
【０１３４】
また、前記高周波吸収体１３０は、フェライト材質からなる。
【０１３５】
本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の組立過程を詳細に説明すれば、下記の通りである。
【０１３６】
まず、前記高周波吸収体１３０を前記絶縁ケース９２の筒部８６の内側に挿入させると、前記高周波吸収体１３０は、前記絶縁ケース９２の板部９０に止められる。
【０１３７】
その後、前記リード導体５０，５２をそれぞれ、前記絶縁物６２，６４に挿入させ、前記リード導体５０，５２が挿入された絶縁物６２，６４の拡張部６６，６８を前記絶縁ケース９２の筒部８６の内側に挿入させる。
【０１３８】
このとき、前記リード導体５０，５２のリードタップ５４，５６は、前記高周波吸収体１３０の貫通穴１３２，１３４と前記絶縁ケース９２の板部９０に形成された第１貫通穴８７，８８を順に貫通して前記絶縁ケース９２の外側に突出され、前記リードタップ５４，５６が延長し始まるリード導体５０，５２の端部５０ａ，５２ａ、突出部５８，６０及び前記絶縁物６２，６４の係止段部７４，７６は、前記高周波吸収体１３０の貫通穴１３２，１３４の内側に位置しつつ前記絶縁ケース９２の板部９０の一面により上方(Ｂ)に止められる。
【０１３９】
続いて、前記絶縁ケース９２と接地金属１０２を、本発明の第１の実施形態ないし第４の実施形態のうちいずれか一つにおけると同様にして結合すると、前記高周波吸収体１３０と前記絶縁物６２，６４の拡張部６６，６８は、前記絶縁ケース９２と前記接地金属１０２により囲まれるようになる。
【０１４０】
一方、本実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子によれば、マグネトロンの動作時に前記接地金属１０２を通して前記絶縁ケース９２の内側に侵入される高周波を、前記高周波吸収体１３０により吸収／遮蔽することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４１】
【図１】従来の技術によるマグネトロンの内部構造を示す断面図である。
【図２】従来の技術によるマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図である。
【図４】図３に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図である。
【図６】図５に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図である。
【図８】図７に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図である。
【図１０】図９に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【図１１】本発明の第５の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図である。
【図１２】図１１に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【図１３】本発明の第６の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図である。
【図１４】図１３に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【図１５】本発明の第７の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図である。
【図１６】図１５に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【図１７】本発明の第８の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図である。
【図１８】図１７に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【図１９】本発明の第９の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図である。
【図２０】図１９に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【図２１】本発明の第１０の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図である。
【図２２】図２１に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【図２３】本発明の第１１の実施形態に従うマグネトロン用の高電圧入力端子の内部構造を示す断面図である。
【図２４】図２３に示したマグネトロン用の高電圧入力端子の分解斜視図である。
【符号の説明】
【０１４２】
５０，５２    リード導体
５４，５６    リードタップ
５８，６０    第１突出部
６２，６４    絶縁物
６６，６８    拡張部
７０、７２    縮小部
７４，７６    係止段部
７８，８０    フック
８２    第２突出部
８６    筒部
８７，８８    第１貫通穴
９０    板部
９２    絶縁ケース
９４，９６    係止穴
９８，１００    第２貫通穴
１０２    接地金属
１０２ａ    板体部
１０２ｂ    圧入溝
１０２ｂ´    受容溝部
１０４    第３貫通穴
１０６    フィルターケース
１０７    締付穴
１０８    締付部材
１１０，１１２    金属ガイド
１２０    高周波吸収体
１２２，１２４    貫通穴
１３０    高周波吸収体
１３２，１３４    貫通穴
１６１    高周波吸収体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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