(57)【要約】【課題】  階調表現の精度を向上させることができる発光表示パネルの駆動装置を提供すること。【解決手段】  発光素子としての有機ＥＬ素子Ｅ1 と発光駆動トランジスタＴr1、走査選択トランジスタＴr2および消去用トランジスタＴr3を備えたＳＥＳ駆動方式の画素構成による発光表示パネルの駆動装置であり、前記ＥＬ素子Ｅ1 に蓄積された電荷を除去するために、さらにＥＬ素子Ｅ1 の両端子間に並列にリセット用トランジスタＴr4が配置され、前記リセット用トランジスタのゲートは、前記消去用トランジスタのゲートに共通接続されている。この構成により消去ドライバからの消去信号により、消去用トランジスタＴr3およびリセット用トランジスタＴr4が共にオンされ、ＥＬ素子Ｅ1 に蓄積された電荷、および発光維持用コンデンサの電荷を同時に放電させることができる。このために、各サブフレームごとにおけるＥＬ素子Ｅ1 の発光の立ち上がり特性を殆ど同一に揃えることができる。したがって、各ＥＬ素子Ｅ1 ごとの発光輝度のばらつきが抑制され、階調制御の精度を向上させることが可能となる。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデータ線および複数の走査選択線の交差位置に配され、それぞれに発光素子と発光駆動トランジスタ、走査選択トランジスタおよび消去用トランジスタを備えたアクティブマトリクス型発光表示パネルの駆動装置であって、
前記発光素子に蓄積された電荷を除去するために、前記発光素子の両端子間に並列にリセット用トランジスタが配置され、前記リセット用トランジスタのゲートは、前記消去用トランジスタの制御線に接続されていることを特徴とする発光表示パネルの駆動装置。
【請求項２】
前記発光駆動トランジスタのゲートには、前記発光素子の発光状態を維持させるコンデンサが配置されていることを特徴とする請求項１に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項３】
前記発光素子は、有機化合物を発光層に用いた有機ＥＬ素子により構成したことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項４】
複数のデータ線および複数の走査選択線の交差位置に配され、それぞれに発光素子と発光駆動トランジスタ、走査選択トランジスタおよび消去用トランジスタを備えたアクティブマトリクス型発光表示パネルの駆動方法であって、
前記発光素子に蓄積された電荷を除去するために、前記発光素子の両端子間に並列にリセット用トランジスタが配置され、前記リセット用トランジスタと前記消去用トランジスタとは、同じタイミングでオン・オフ制御されると共に、各サブフレーム期間に跨って前記発光素子が点灯制御される場合においては、前記サブフレームの切り替わりのタイミングにおいて、前記リセット用トランジスタと前記消去用トランジスタとが共にオン状態に制御されることを特徴とする発光表示パネルの駆動方法。
【請求項５】
複数のデータ線および複数の走査選択線の交差位置に配され、それぞれに発光素子と発光駆動トランジスタ、走査選択トランジスタおよび消去用トランジスタを備えたアクティブマトリクス型発光表示パネルの駆動方法であって、
前記発光素子に蓄積された電荷を除去するために、前記発光素子の両端子間に並列にリセット用トランジスタが配置され、前記リセット用トランジスタと前記消去用トランジスタとは、同じタイミングでオン・オフ制御されると共に、サブフレーム期間ごとに選択的にオン状態に制御されることを特徴とする発光表示パネルの駆動方法。
【請求項６】
前記リセット用トランジスタと前記消去用トランジスタとは、発光表示パネルのディマー制御の程度に応じて、サブフレーム期間ごとに選択的にオン状態に制御されることを特徴とする請求項５に記載の発光表示パネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、画素を構成する発光素子を、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）によってアクティブ駆動させる発光表示パネルの駆動装置に関し、特に階調表現の精度を向上させることができる発光表示パネルの駆動装置および駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子をマトリクス状に配列して構成される発光表示パネルを用いたディスプレイの開発が広く進められている。このような表示パネルに用いられる発光素子として、例えば有機材料を発光層に用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子が注目されており、既に一部の製品において実用化されている。これはＥＬ素子の発光層に、良好な発光特性を期待することができる有機化合物を使用することによって、実用に耐えうる高効率化および長寿命化が進んだことも背景にある。
【０００３】
前記した有機ＥＬ素子は、電気的にはダイオード特性を有する発光エレメントと、この発光エレメントに並列に結合する寄生容量成分とによる構成に置き換えることができ、有機ＥＬ素子は容量性の発光素子であると言える。この有機ＥＬ素子は発光駆動電圧が印加されると、まず、当該素子の電気容量に相当する電荷が電極に変位電流として流れ込み蓄積される。そして、当該素子固有の一定の電圧（発光閾値電圧＝Ｖth）を超えると、一方の電極（ダイオード成分のアノード電極側）から発光層を構成する有機層に電流が流れ始め、この電流に比例した強度で発光するものと考えることができる。
【０００４】
かかる有機ＥＬ素子を用いた表示パネルとして、ＥＬ素子を単にマトリクス状に配列したパッシブマトリクス型表示パネルと、マトリクス状に配列したＥＬ素子の各々に、例えばＴＦＴからなる能動素子を加えたアクティブマトリクス型表示パネルが提案されている。後者のアクティブマトリクス型表示パネルは、前者のパッシブマトリクス型表示パネルに比べて、低消費電力化を実現することができ、また画素間のクロストークが少ない等の特質を備えており、特に大画面を構成する高精細度のディスプレイに適している。
【０００５】
図１は、既に提案されているアクティブマトリクス型表示パネルにおける１つの画素１０に対応する回路構成の例を示している。なお、この図１に示す画素１０の構成は、時分割階調表現を実現する同時消去法（ＳＥＳ＝Simultaneous Erasing Scan ）と呼ばれる点灯駆動方式を採用した例を示している。
【０００６】
この画素１０の構成においては、データドライバ１１からの映像信号に対応したデータ信号Ｖdataが、表示パネルに配列されたデータ線を介して走査選択トランジスタ、すなわちデータ書き込みトランジスタ（以下、単に書き込みトランジスタとも言う。）Ｔr2のソースＳに供給されるように構成されている。また、前記書き込みトランジスタＴr2のゲートＧには、走査ドライバ１２から走査選択線を介して走査信号Selectが供給されるように構成されている。
【０００７】
前記書き込みトランジスタＴr2のドレインＤは、発光駆動トランジスタＴr1（以下、単に駆動トランジスタとも言う。）のゲートＧに接続されると共に、発光維持用コンデンサＣ1 の一方の端子に接続されている。また、駆動トランジスタＴr1のソースＳは、前記コンデンサＣ1 の他方の端子に接続されると共に、駆動電源Ｖccに接続されている。さらに、駆動トランジスタＴr1のドレインＤは、発光素子としての有機ＥＬ素子Ｅ1 のアノード端子に接続され、この有機ＥＬ素子Ｅ1 のカソード端子は、基準電位点（グランド）に接続されている。
【０００８】
さらに、消去用トランジスタＴr3のゲートには、消去信号線を介して消去ドライバ１３より消去信号Erase が供給されるように構成されている。そして、消去トランジスタＴr3のソースＳおよびドレインＤには、前記キャパシタＣ1 の各端部がそれぞれ接続されている。なお、図１に示す画素１０においては、駆動トランジスタＴr1のみがｐチャンネル型ＴＦＴにより構成され、他はｎチャンネル型ＴＦＴにより構成されている。そして、前記した構成の画素１０は、行および列方向にマトリクス状に多数配列されて表示パネルが構成されている。
【０００９】
図１に示した画素１０の構成において、書き込みトランジスタＴr2のゲートには、アドレス期間において走査ドライバ１２より走査信号としてのオン電圧Selectが供給される。これにより、書き込みトランジスタＴr2のソース・ドレインを介して、データドライバ１１から供給されるデータ信号Ｖdataに対応した電流がコンデンサＣ1 に流れ、コンデンサＣ1 は充電される。そして、その充電電圧が駆動トランジスタＴr1のゲートに供給されて、トランジスタＴr1はそのゲート電圧と、ドレインに供給される駆動電源Ｖccに対応した電流をＥＬ素子Ｅ1 に流し、これによりＥＬ素子Ｅ1 は発光する。
【００１０】
そして、アドレス期間が経過して書き込みトランジスタＴr2のゲートがオフ電圧になると、トランジスタＴr2はいわゆるカットオフ状態となる。しかしながら、コンデンサＣ1 に蓄積された電荷により駆動トランジスタＴr1のゲート電圧が保持され、これによりＥＬ素子Ｅ1 への駆動電流が維持される。したがって、ＥＬ素子Ｅ1 は次のアドレス動作に至る期間（例えば、次の１サブフレーム期間）まで、前記データ信号Ｖdataに対応した点灯状態を継続することができる。
【００１１】
一方、前記ＥＬ素子Ｅ1 の点灯期間の途中（例えば、１サブフレーム期間の途中）において、前記消去ドライバ１３より消去トランジスタＴr3をオンさせる消去信号Erase が供給されるようになされ、これによりコンデンサＣ1 にチャージされている電荷は消去（放電）される。この結果、駆動トランジスタＴr1はカットオフ状態となり、ＥＬ素子Ｅ1 は直ちに消灯される。換言すれば、消去ドライバ１３からのゲートオン電圧の出力タイミングを制御することで、ＥＬ素子Ｅ1 の点灯期間が制御され、これにより多階調表現を実現することができる。
【００１２】
図２は、前記したＳＥＳ駆動方式の画素構成を備えた表示パネルにおいてなされる階調制御の一例を示したものである。図２に示すように、“５”〜“０”の各階調ビットに対応してサブフレームの数が重みとして割り当てられている。例えば階調ビットが“５”である場合には、４つのサブフレームが割り当てられ、例えば階調ビットが“０”である場合には、１／８のサブフレームが割り当てられる。
【００１３】
そして、１フレーム期間はサブフレームナンバー“１”〜“１０”で示すように１０のサブフレームと、１つのダミーサブフレーム（ＤＭ）に分割されている。さらに、各サブフレームごとに階調ビットが割り当てられており、例えば階調ビット“５”は、１フレーム期間内において、４つのサブフレーム、すなわちサブフレームナンバー“２”，“５”，“７”，“９”に割り当てられている。一方、例えば階調ビット“０”は、１／８の重みとして１フレーム期間内において、サブフレームナンバー“１０”に割り当てられている。
【００１４】
したがって、第１サブフレームにおいては、第３階調ビットが割り当てられ、重み１のサブフレームの点灯動作が実行される。これにより、第１サブフレームの開始時に図１に示す走査ドライバ１２より、書き込みトランジスタＴr2のゲートに走査信号、すなわち図２に示す書き込みスタートパルスが供給され、データドライバ１１からのデータ信号Ｖdataに基づいてコンデンサＣ1 が充電される。この充電電圧に基づいて駆動トランジスタＴr3はＥＬ素子Ｅ1 に駆動電流を供給し、これによりＥＬ素子Ｅ1 は発光駆動される。
【００１５】
次の第２サブフレームにおいては、第５階調ビットが割り当てられており、同じく重み１のサブフレームの点灯動作が実行される。この時の動作は前記した第１サブフレームにおける動作と同様になる。さらに次の第３サブフレームにおいては、第２階調ビットが割り当てられ、この場合にはサブフレーム期間の１／２の点灯制御がなされる。すなわち、第３サブフレームの開始時点には書き込みスタートパルスが供給される。そして当該サブフレームの１／２が経過した時点で、消去スタートパルス（消去信号）が図１に示す消去ドライバ１３より供給され、これにより消去用トランジスタＴr3がオンされる。
【００１６】
したがって、コンデンサＣ1 に蓄積されている電荷は放電され、直ちに駆動トランジスタＴr1はカットオフされるためＥＬ素子Ｅ1 は消灯される。なお、第４サブフレーム以降においても前記と同様の作用により、各サブフレームごとに割り当てられた重みに基づくＥＬ素子の点灯制御が実行され、この図２に示した例によると６４階調の階調制御を行なうことができる。なお、前記したダミーサブフレーム（ＤＭ）期間は、この期間において、ＥＬ素子の発光寿命を延ばすために、ＥＬ素子に対して逆バイアス電圧を印加する動作が実行される。
【００１７】
図３は、前記したＳＥＳ駆動方式の画素構成を備えた表示パネルにおいてなされる重み無しサブフレーム方式による階調制御の例を示したものである。この図３に示す階調制御においては、１フレーム期間を１０のサブフレーム期間と、２つのダミーサブフレーム（ＤＭ）期間に分割されている。そして、図３に示す例においては、第１〜第１０サブフレームの各スタート時点において、書き込みスタートパルスが出力され、これにより図１に示す書き込みトランジスタＴr2はオン状態になされ、コンデンサＣ1 に対する書き込み動作が実行される。
【００１８】
一方、図３に示す例においては、ダミーサブフレームに至る時点において消去スタートパルスが出力され、これにより消去用トランジスタＴr3がオンになされるため、ＥＬ素子Ｅ1 は非点灯状態に制御される。なお、前記２つのダミーサブフレーム期間は図２に示す例と同様に、この期間においてＥＬ素子の発光寿命を延ばすために、ＥＬ素子に対して逆バイアス電圧を印加する動作が実行される。そして、図３に示した例においては、１０階調の階調制御を行なうことができる。
【００１９】
ところで、各画素を構成する発光素子としての有機ＥＬ素子は、先に説明したとおり容量性の発光素子であり、１つのサブフレーム期間において発光駆動される場合、その前のサブフレーム期間において発光駆動されていたか否かによって、発光輝度が異なる現象が発生する。すなわち、１つ前のサブフレーム期間において発光駆動されていた場合においては、ＥＬ素子の寄生容量に順方向に電荷が蓄積されており、したがって次のサブフレーム期間における発光の立ち上がりはきわめて速い。言い換えれば、ＥＬ素子は連続して発光状態になされる。
【００２０】
これに対して、１つ前のサブフレーム期間においてＥＬ素子が発光駆動されていない場合には、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積されている電荷量は少なく、次のサブフレーム期間の始めにおいては発光駆動電流は前記寄生容量を充電するために費やされ、ＥＬ素子の発光の立ち上がりが若干遅れる。したがって、このサブフレーム期間における発光輝度は実質的に低下するという問題を招来させる。
【００２１】
前記した現象は、図２に示した重み付けサブフレーム方式による階調制御であっても、図３に示した重み無しサブフレーム方式による階調制御であっても同様に発生する。そして、前記した現象はＥＬ素子が消灯されている期間に応じて個々にばらつくことになり、階調制御の精度が低下するという問題を抱えている。
【００２２】
この様な問題点を解消するために、例えば各フレームごとにＥＬ素子の両電極間を短絡し、寄生容量に蓄積されている電荷をその都度放電させることで、階調制御の精度を上げようとする構成が、次に示す特許文献１および特許文献２に開示されている。
【特許文献１】特許第３２５９７７４号公報
【特許文献２】特開２００３−１７３１５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
ところで、前記特許文献１に示された構成によると、走査対象となる１つ前の走査ラインに印加される走査電圧を利用して、次の走査ラインにおけるＥＬ素子の寄生容量に蓄積されている電荷を放電させるスイッチングトランジスタ備えられている。この構成によると、走査対象となる直前においてＥＬ素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させることができるので、ＥＬ素子の発光輝度にばらつきが生ずるのを抑えることができる。
【００２４】
前記したように走査対象となる直前にＥＬ素子の寄生容量に蓄積された電荷を個々に放電させることは、ＥＬ素子の発光輝度のばらつきを抑える点で効果的であるが、一方において選択の余地なく電荷を放電させることになるために、電源の利用効率を犠牲にするという問題が発生する。前記した階調表現の精度の向上と電源の利用効率とは相反する技術的な課題であり、例えばディマー表示が低い状態（画像表示が暗い状態）に制御されている場合などのように、人間の目視においては微妙な階調表現が認識できないような状況においては、むしろ電源の利用効率を向上させるように選択することは重要である。
【００２５】
一方、前記特許文献２に示された構成によると、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積されている電荷を放電させるスイッチングトランジスタ備えられ、このスイッチングトランジスタを駆動する専用の制御線を配置した構成が示されている。この構成によると、所定のタイミングでＥＬ素子に蓄積された電荷を放電させることができるものの、前記した専用の制御線を表示パネル上に配列させなければならないという問題が発生する。
【００２６】
さらに、正確な階調表現を実現させようとする場合においては、発光駆動トランジスタのゲートおよびこれに接続された発光維持用コンデンサＣ1 の電荷もその都度放電させることが望ましい。
【００２７】
この発明は、前記した技術的な観点に基づいてなされたものであり、例えばサブフレームごとにＥＬ素子の寄生容量に蓄積された電荷、ならびに駆動トランジスタのゲートおよび発光維持用コンデンサの電荷も同時に放電させることで、より精度の高い階調表現を実現させると共に、前記した放電動作を実行するか否かも回路規模を増大させることなく容易に選択できるように構成した発光表示パネルの駆動装置および駆動方法を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかる発光表示パネルの駆動装置は、請求項１に記載のとおり、複数のデータ線および複数の走査選択線の交差位置に配され、それぞれに発光素子と発光駆動トランジスタ、走査選択トランジスタおよび消去用トランジスタを備えたアクティブマトリクス型発光表示パネルの駆動装置であって、前記発光素子に蓄積された電荷を除去するために、前記発光素子の両端子間に並列にリセット用トランジスタが配置され、前記リセット用トランジスタのゲートは、前記消去用トランジスタの制御線に接続されている点に特徴を有する。
【００２９】
一方、前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかる一つの態様の駆動方法は、請求項４に記載のとおり、複数のデータ線および複数の走査選択線の交差位置に配され、それぞれに発光素子と発光駆動トランジスタ、走査選択トランジスタおよび消去用トランジスタを備えたアクティブマトリクス型発光表示パネルの駆動方法であって、前記発光素子に蓄積された電荷を除去するために、前記発光素子の両端子間に並列にリセット用トランジスタが配置され、前記リセット用トランジスタと前記消去用トランジスタとは、同じタイミングでオン・オフ制御されると共に、各サブフレーム期間に跨って前記発光素子が点灯制御される場合においては、前記サブフレームの切り替わりのタイミングにおいて、前記リセット用トランジスタと前記消去用トランジスタとが共にオン状態に制御される点に特徴を有する。
【００３０】
さらに、前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかる他の態様の駆動方法は、請求項５に記載のとおり、複数のデータ線および複数の走査選択線の交差位置に配され、それぞれに発光素子と発光駆動トランジスタ、走査選択トランジスタおよび消去用トランジスタを備えたアクティブマトリクス型発光表示パネルの駆動方法であって、前記発光素子に蓄積された電荷を除去するために、前記発光素子の両端子間に並列にリセット用トランジスタが配置され、前記リセット用トランジスタと前記消去用トランジスタとは、同じタイミングでオン・オフ制御されると共に、サブフレーム期間ごとに選択的にオン状態に制御される点に特徴を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、この発明にかかる発光表示パネルの駆動装置について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。図４〜図６はこの発明にかかる駆動装置において、好適に利用される表示画素の回路構成を示したものであり、図４はリセット状態を示し、図５はデータ書き込み状態を示し、図６はデータ保持状態をそれぞれ示している。図４〜図６に示す構成においては、すでに説明した図１に示すＳＥＳ駆動方式の画素構成に、ｎチャンネル型ＴＦＴによるリセット用トランジスタＴr4が加わっている。そして、前記リセット用トランジスタＴr4のドレインおよびソースは、ＥＬ素子Ｅ1 のアノードおよびカソードにそれぞれ接続されており、そのゲートは消去用トランジスタＴr3の制御線、すなわち消去用トランジスタＴr3のゲートに共通接続されている。
【００３２】
図４〜図６の各図において、それぞれの箇所における電位を例示したとおり、この実施の形態においては駆動トランジスタＴr1のソースにはＶＡＮとして示す１８Ｖが供給され、ＥＬ素子Ｅ1 のカソード側にはＶＣＡとして示す−２Ｖが供給されている。そして、書き込みトランジスタＴr2のソースにはデータドライバよりデータ信号としてＶＳＨ（１８Ｖ）もしくはＶＳＬ（−２Ｖ）が供給されるようになされる。
【００３３】
図４に示すリセット状態においては、書き込みトランジスタＴr2のゲートに対して走査ドライバよりＶＧＬ（−１Ｖ）が供給され、また消去用トランジスタＴr3、およびリセット用トランジスタＴr4の各ゲートに対して消去ドライバよりＶＧＨ（２０Ｖ）が供給される。この結果、書き込みトランジスタＴr2はオフになされ、消去用トランジスタＴr3、およびリセット用トランジスタＴr4はオンになされる。これによりコンデンサＣ1 に蓄積された電荷は消去用トランジスタＴr3により放電され、この結果、駆動トランジスタＴr1もオフになされる。またリセット用トランジスタＴr4のオン動作により、ＥＬ素子Ｅ1 の寄生容量に蓄積された電荷は放電され、リセット状態になされる。
【００３４】
図５に示すデータ書き込み状態においては、書き込みトランジスタＴr2のゲートにＶＧＨが供給され、消去用トランジスタＴr3、およびリセット用トランジスタＴr4の各ゲートにはＶＧＬが供給される。この結果、消去用トランジスタＴr3、およびリセット用トランジスタＴr4は共にオフになされ、書き込みトランジスタＴr2はオンになされる。したがって、この時に書き込みトランジスタＴr2のソースに供給されるＶＳＨもしくはＶＳＬの電位に対応する電位がコンデンサＣ1 に書き込まれる。ここで、コンデンサＣ1 にＶＳＨに対応する電位が書き込まれた場合には、駆動トランジスタＴr1はオフになされ、コンデンサＣ1 にＶＳＬに対応する電位が書き込まれた場合には、駆動トランジスタＴr1はオンになされる。
【００３５】
図６に示すデータ保持状態においては、書き込みトランジスタＴr2のゲートにはＶＧＬが供給されてオフになされる。しかしながら、前記コンデンサＣ1 に書き込まれたデータ電圧が駆動トランジスタＴr1のゲートに供給されるため、駆動トランジスタＴr1は、図５に示したデータ書き込み時のデータ信号に対応してオフまたはオン動作を継続するようになされる。
【００３６】
図７および図８は、以上説明した図４〜図６に示す実施の形態によってなされる階調制御の動作例を示したものである。なお図７に示す例は重み付けサブフレーム方式による階調制御の例を示しており、これはすでに説明した図２に示す階調制御における技術的な課題を解決するものである。また図８に示す例は重み無しサブフレーム方式による階調制御の例を示しており、これはすでに説明した図３に示す階調制御における技術的な課題を解決するものである。
【００３７】
図７に示す階調制御は図２との対比で、また、図８に示す階調制御は図３との対比で明らかなように、各サブフレーム期間に跨って前記ＥＬ素子が点灯制御される場合においては、前記サブフレームの切り替わりのタイミングにおいて、消去スタートパルスが消去ドライバより出力される。これにより、図４に基づいて説明したリセット状態になされる。
【００３８】
したがって、リセット用トランジスタＴr4のオン動作により、ＥＬ素子Ｅ1 の寄生容量に蓄積された電荷は放電され、リセット状態になされると共に、消去用トランジスタＴr3のオン動作により、コンデンサＣ1 に蓄積された電荷も放電される。これに続く次のサブフレーム期間の始めにおいて、すなわち図７および図８で示すように消去スタートパルスの発生から時間ｔの経過後に書き込みスタートパルスが発生し、これにより次のサブフレーム期間におけるＥＬ素子の点灯制御がなされる。
【００３９】
前記した書き込みスタートパルスが発生するタイミングにおいては、ＥＬ素子Ｅ1 の寄生容量における電荷、および発光維持用コンデンサＣ1 の電荷は、共にリセット（放電）状態になされているので、各サブフレームごとにおけるＥＬ素子Ｅ1 の発光の立ち上がり特性は殆ど同一に揃えることができる。これにより各ＥＬ素子Ｅ1 ごとの発光輝度のばらつきを抑制させることができ、階調制御の精度を向上させることが可能となる。
【００４０】
図９は、図８と同様に重み無しサブフレーム方式による階調制御の他の例を示したものである。この図９に示す例においては、ディマー制御が実行された場合を例示している。すなわち、前記したようにディマー制御により画像表示が暗い状態に制御されているような状況においては、たとえ精度の高い階調制御を実行しても、人間の目視においてはこれを識別することは不可能となる。
【００４１】
そこで、図９に示す例はディマー制御の程度に応じて、前記したリセット動作を選択的に実行させるようにしている。例えば、図９における破線で示した消去スタートパルスは、このタイミングにおいては出力させずに、すなわちリセット動作を実行せずに、書込みスタートパルスを利用してデータ信号の書き換えのみを実行するようにしている。この様な制御を実行した場合には、前記したリセット動作に伴う電力の利用効率の低下を抑制させることができる。
【００４２】
また、消去スタートパルスを発生させるか否かはディマー制御の程度によって、適宜選択できるように構成されていることが望ましい。例えばディマーの設定が比較的明るい場合には、階調制御の精度を優先させてサブフレームごとに消去スタートパルスを発生させることが望ましく、また、ディマーの設定が比較的暗い場合には、電力の利用効率を優先させてサブフレームごとにおいて消去スタートパルスを発生させるのを抑制するように制御することが望ましい。
【００４３】
前記したように、リセット動作を実行するか否かは、ＳＥＳ駆動方式を基本とした図４〜図６に示す回路構成によると、発光表示パネルに格別に制御用の信号ラインを配列させることなく、消去ドライバの制御によって、これを実現させることができる。
【００４４】
なお、以上説明した実施の形態においては、発光素子として有機ＥＬ素子を用いているが、この発光素子は有機ＥＬ素子に限らず、他の容量性の発光素子を利用した場合においても前記と同様の作用効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】従来のアクティブマトリクス型表示パネルにおける１つの画素に対応する回路構成の一例を示した結線図である。
【図２】従来のＳＥＳ駆動方式の画素構成を備えた表示パネルにおいてなされる重み付きサブフレーム方式による階調制御の例を示したタイミング図である。
【図３】同じく重み無しサブフレーム方式による階調制御の例を示したタイミング図である。
【図４】この発明において好適に利用される発光表示画素において、リセット状態の各電位関係を説明する回路構成図である。
【図５】同じくデータ書き込み状態の各電位関係を説明する回路構成図である。
【図６】同じくデータ保持状態の各電位関係を説明する回路構成図である。
【図７】図４〜図６に示す回路構成によってなされる第１の階調制御の動作例を示したタイミング図である。
【図８】同じく第２の階調制御の動作例を示したタイミング図である。
【図９】同じく第３の階調制御の動作例を示したタイミング図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０    画素
１１    データドライバ
１２    走査ドライバ
１３    消去ドライバ
Ｃ1     発光維持用コンデンサ
Ｅ1     発光素子（有機ＥＬ素子）
Ｔr1    発光駆動トランジスタ
Ｔr2    データ書き込みトランジスタ（走査選択トランジスタ）
Ｔr3    消去用トランジスタ
Ｔr4    リセット用トランジスタ
【図１】
2005292272.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2005292272.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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