(57)【要約】【課題】  半導体レーザバーとヒートシンクの接合を斑無く均一にできるようにする。【解決手段】  半導体レーザバー１１の活性層１１ａ側にＡｕ膜１２、破砕膜としてのＴｉ膜１８、酸化防止膜としてのＡｕ薄膜１９を形成し、ヒートシンク１３側にＩｎ膜１４および酸化防止膜としてのＡｕ薄膜２０を形成する。両者を熱圧着することで反応層形成工程を実施すると、硬いＴｉ膜１８によりＩｎ膜１４の上面のＡｕ薄膜２０が破砕され、Ａｕ膜１２とＩｎ膜１４とが金属化合物を形成し、Ｔｉ膜１８の断片を含んだ反応層を形成する。反応層は全面にわたり均一に形成されるので、電気的および熱的に品質の高い接合を得ることができる。【選択図】  図１
2005311050.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が形成された第１の基板と、
放熱用の第２の基板と、
前記第１の基板に形成された第１の接合膜と、
前記第２の基板に形成された第２の接合膜と、
前記第１の基板および第２の基板とを接合するように形成され前記第１の接合膜の表面に形成された自然酸化膜を破砕する破砕膜を含んだ状態で前記第１の接合膜および第２の接合膜の金属の反応層とを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１の基板は、高出力用の半導体レーザ素子を複数備えた半導体レーザバーにより構成され、
前記第２の基板は、前記半導体レーザバーの放熱用のヒートシンク基板により構成され、
前記反応層は、前記第１の基板および第２の基板を電気的に接続するように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
前記破砕膜は、Ｔｉ（チタン）薄膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
前記破砕膜は、Ｎｉ（ニッケル）薄膜、Ｐｔ（白金）薄膜、Ｐｄ（パラジウム）薄膜のいずれかもしくはそれらの複合的な膜により構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第２の接合膜は、Ｉｎ（インジウム）膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記第２の基板のＩｎ膜の表面には酸化防止膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、
前記酸化防止膜は、Ａｕ（金）薄膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１の接合膜は、中間部に反応防止膜が介在された状態に積層形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置において、
前記反応防止膜は、Ｐｔ膜、Ｐｄ膜、Ｒｈ（ロジウム）膜、Ｉｒ（イリジウム）膜のいずれかもしくはこれらの複合膜として形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
半導体素子が形成された第１の基板に第１の接合膜および自然酸化膜を破砕する破砕膜を形成する工程と、
放熱用の第２の基板に第２の接合膜を形成する工程と、
前記第１の基板の破砕膜を形成した面と前記第２の基板の第２の接合膜を形成した面とを熱圧着する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体レーザ素子が複数形成された半導体レーザバーに第１の接合膜であるＡｕ膜および自然酸化膜を破砕する破砕膜を形成する第１の膜形成工程と、
放熱用のヒートシンク基板に第２の接合膜であるＩｎ膜を形成する第２の膜形成工程と、
前記第１の基板の破砕膜を形成した面と前記第２の基板の第２の接合膜を形成した面とを熱圧着することで破砕膜を内部に含んだＡｕ膜およびＩｎ膜の反応層を形成する反応層形成工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の膜形成工程では、前記破砕膜として前記Ｉｎ膜の表面にできる自然酸化膜を反応層形成工程時に破砕可能なＴｉ薄膜、Ｎｉ薄膜、Ｐｔ薄膜もしくはＰｄ薄膜のいずれかもしくはそれらの複合膜として形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の膜形成工程では、前記Ｉｎ膜を形成した後に酸化防止膜としてＡｕ薄膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の膜形成工程では、前記破砕膜を形成した後、その破砕膜の酸化防止膜としてＡｕ薄膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１１ないし１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の膜形成工程では、前記第１の接合膜としてＡｕ膜を形成した後に反応防止膜および反応用Ａｕ膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高出力半導体レーザバーなどの素子をヒートシンクに接合する構成の半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の半導体装置として、例えば特許文献１に示されるものがある。これは、高出力半導体レーザバーをヒートシンクに接合する場合に、硬蝋材であるＡｕＳｎよりも、信頼性を考慮して軟蝋材であるＩｎ等が用いられることが開示されている。これにより、熱膨張係数の違いに起因して半導体レーザバーにかかる応力の低減を図り、信頼性の高いものを提供することができる。
【特許文献１】特開平１１−３４６０３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、軟蝋材であるＩｎは還元性が強く、Ｉｎ膜を成膜した後、大気中に放置するとＩｎ膜の表面に自然酸化膜が容易に形成されてしまう。この自然酸化膜は数ｎｍ程度の極薄膜であるが、半導体レーザバーとの接合時には反応を阻害する膜となって作用する。
例えば、図１０に示すように、半導体レーザバー１側の接合表面に接合膜となるＡｕ膜２を成膜し、ヒートシンク３にＩｎ膜４を形成した状態（図１０（ａ）参照）で、両者の接合を実施することを想定する。このとき、Ｉｎ膜４表面に自然酸化膜が存在しない場合には、接合温度でＡｕ膜２とＩｎ膜４とが合金層を形成するようになり、両者を接合させることができる。
【０００４】
しかし、図１０（ａ）に示すように、Ｉｎ膜４の表面に自然酸化膜５が形成されている場合には、図１０（ｂ）に示すように、熱圧着を実施すると、接触時に部分的に自然酸化膜５が破壊されるようになり（図１０（ｃ）参照）、Ｉｎ膜４が露出した部分ではＡｕ膜２と接触して反応が進行して反応層６が形成されるが、自然酸化膜５が残存する部分においては、Ｉｎ膜４とＡｕ膜２とが原子レベルで接触することができないために未反応領域となって残ってしまう（図１０（ｄ）参照）。この傾向は段差のない平坦部でより顕著である。
【０００５】
このように未反応領域が存在した状態のものでは、半導体レーザバー１の活性層１ａを横断する電流経路において、未反応領域では抵抗が増大し、電流分布および発光強度分布が不均一となる。さらに、活性層１ａを横断する電流が局所的に大となる領域で寿命が短くなり、活性層全体の寿命も著しく低下するようになるという不具合があった。
本発明は、上記した事情を考慮してなされたもので、その目的は、上記した特性劣化を回避するために、Ｉｎ膜等の第２の基板であるヒートシンクに形成した第２の接合膜との接合性を向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１の発明によれば、第１の基板と第２の基板とが、第１の基板に形成された第１の接合膜と第２の基板に形成された第２の接合膜とを接合するように形成された反応層を介した状態で接合されており、しかもその反応層中には接合前に表面に形成されやすい自然酸化膜を破砕すべく形成された破砕膜を含んでいるので、第１の接合膜や第２の接合膜の表面に自然酸化膜が形成されていた場合でもそれを破砕膜により破砕して反応層を形成することができ、これによって、第１の基板と第２の基板とを広い範囲にわたって均一に接合することができるようになる。
【０００７】
この結果、第１の基板に形成された半導体素子から発生する熱を第２の基板に反応層を介して効率よく放熱することができるようになり、局部的に熱が発生したり蓄積するのを抑制して安定した動作を行わせることができると共に長寿命化を図ることができるようになる。
【０００８】
請求項２の発明によれば、上記請求項１の発明において、第１の基板として高出力用の半導体レーザ素子を複数備えた半導体レーザバーを、第２の基板として半導体レーザバーの放熱用のヒートシンク基板を用い、反応層を、第１の基板および第２の基板を電気的に接続するように形成しているので、高出力の半導体レーザバーを大電流で駆動する場合などに、反応層の全体に渡って電流を均一に流すことができ、電流集中を極力抑制して長寿命化を図ることができると共に、ヒートシンクとの接合性を高めたものとすることができるので、放熱性を良好とすることができるようになる。
【０００９】
請求項３の発明によれば、上記各発明において、破砕膜を、Ｔｉ（チタン）薄膜としたので、硬質性で且つ接合膜の表面に形成される自然酸化膜を破砕して反応層を形成することを促進できるようになる。
【００１０】
請求項４の発明によれば、上記請求項１および２の発明において、破砕膜として、Ｎｉ（ニッケル）薄膜、Ｐｔ（白金）薄膜、Ｐｄ（パラジウム）薄膜のいずれかもしくはそれらの複合的な膜により構成したので、これらの膜を形成することで接合膜に形成された自然酸化膜を破砕して反応層を形成することができるようになる。
【００１１】
請求項５の発明によれば、上記各発明において、第２の接合膜としてＩｎ（インジウム）膜を用いているので、第１の基板と第２の基板とを応力の低下を図りながら接合して反応層を形成することができる。
【００１２】
請求項６の発明によれば、上記請求項５の発明において、第２の基板のＩｎ膜の表面に酸化防止膜を形成するので、Ｉｎ膜のように還元性が高く自然酸化膜が形成されやすい表面にあらかじめ酸化防止膜を形成することで、より自然酸化膜による反応層形成の障害を少なくした状態とすることができるようになる。
【００１３】
請求項７の発明によれば、上記発明において、酸化防止膜としてＡｕ（金）薄膜を用いるので、簡単且つ薄膜により酸化防止膜としての機能を果たすことができるようになる。
【００１４】
請求項８の発明によれば、上記各発明において、第１の接合膜を、中間部に反応防止膜が介在した状態に積層形成しているので、反応防止膜よりも表面側の接合膜により反応層を形成し、反応防止膜よりも内部側の接合膜の層をそのままの状態で残すようにして反応層を形成することができるので、第１の基板内部に形成する半導体素子の構成まで反応層が及ぶのを抑制して安定した品質のものとして構成することができる。
【００１５】
請求項９の発明によれば、上記発明において、反応防止膜を、Ｐｔ膜、Ｐｄ膜のいずれかもしくはこれらの複合膜として形成するので、簡単な構成としながら反応防止の機能を達成することができるようになる。
【００１６】
請求項１０の発明によれば、半導体素子が形成された第１の基板に第１の接合膜および自然酸化膜を破砕する破砕膜を形成し、放熱用の第２の基板に第２の接合膜を形成し、この後、第１の基板の破砕膜を形成した面と第２の基板の第２の接合膜を形成した面とを熱圧着するので、第２の基板の第２の接合膜の表面に自然酸化膜が形成された場合でも、第１の基板に第１の接合膜および破砕膜を形成しているので、熱圧着時に破砕膜によりその自然酸化膜を破砕して第１の接合膜と第２の接合膜とを反応させて反応層を形成することができるようになり、むらなく均一な反応層を形成することができるようになる。
【００１７】
請求項１１の発明によれば、第１の膜形成工程において、半導体レーザ素子が複数形成された半導体レーザバーに第１の接合膜であるＡｕ膜および自然酸化膜を破砕する破砕膜を形成し、第２の膜形成工程において、放熱用のヒートシンク基板に第２の接合膜であるＩｎ膜を形成し、反応層形成工程において、第１の基板の破砕膜を形成した面と第２の基板の第２の接合膜を形成した面とを熱圧着することで破砕膜を内部に含んだＡｕ膜およびＩｎ膜の反応層を形成するので、Ｉｎ膜の表面に自然酸化膜が形成されている場合でもこれを破砕膜により破砕してＡｕ膜と反応させることができるようになり、電気的特性および熱的特性の双方を向上させることができ、これによって長寿命化も図ることができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（第１の実施形態）
以下、本発明を高出力用の半導体レーザバーの接合に適用した場合の第１の実施形態について図１ないし図５を参照して説明する。
図３ないし図５は全体の概略的な構成を模式的に示すもので、第１の基板である半導体レーザバー１１は、化合物半導体基板にエピタキシャル成長法およびエッチング処理などにより形成したストライプ状のメサ突起を多数（図示では４本）備えた構成とされている。各メサ突起には活性層１１ａが埋め込まれた状態に形成されており、その活性層１１ａの端面部から高出力のレーザ発光出力が得られるように構成され、これらのレーザ発光出力を光学系により収束して高出力レーザを得るものである。
【００１９】
この半導体レーザバー１１の活性層１１ａ側には電極層が形成されると共に、電極金属を接触させる部分以外を絶縁膜で覆った構成に形成されている。この半導体レーザバー１１の活性層１１ａ側には、電極層と電気的にオーミック接触するように、第１の接合膜であるＡｕ膜１２が膜厚１００ｎｍ〜１μｍで形成されている。
ここで、半導体レーザバー１１の活性層１１ａ側に形成された電極層は、Ｐ型のオーミック電極であれば、活性層側からＣｒ／Ｐｔ膜あるいはＴｉ／Ｐｔ膜が形成され、Ｎ型のオーミック電極であれば、活性層側からＡｕＧｅ／Ｎｉ膜が形成される（図示せず）。これらの電極層上に第１の接合膜が形成されることになる。また、この半導体レーザバー１１の裏面（図中上部側）には裏面電極１１ｂが成膜されている。
【００２０】
第２の基板としてのヒートシンク１３は、例えばＣｕＷ（銅タングステン）のブロックから構成されるもので、半導体レーザバー１１の放熱手段および電極としての機能を果たすものである。このヒートシンク１３には第２の接合膜としてＩｎ膜１４が成膜されている。そして、このＩｎ膜１４と半導体レーザバー１１のＡｕ膜１２とが後述するようにして反応層２１（図２参照）を介して接合されていて、熱的および電気的に均一な分布となるように接触状態が形成されている。
【００２１】
また、ヒートシンク１３には、半導体レーザバー１１を接合固定した部分の側部にＡｕ膜からなる電極パッド１５ａ，１５ｂが例えば蒸着法により形成されている。これらの電極パッド１５ａ，１５ｂは、図５に断面図で示すように配設されている。電極パッド１５ａは、下地のヒートシンク１３表面に形成された絶縁膜としてのポリイミド膜１６の上に矩形状にパターニング形成されている。他方の電極パッド１５ｂは、ヒートシンク１３の表面に直接矩形状にパターニング形成され、この上から全面に形成したポリイミド膜１６を開口している。
【００２２】
電極パッド１５ａには、図４にも示すように、半導体レーザバー１１の裏面電極１１ｂとの間にボンディングワイヤ１７が接続されており、電気的に接続された状態となっている。電極パッド１５ｂは、ヒートシンク１３を介して半導体レーザバー１１の活性層１１ａ側の電極と電気的に接続された状態となっている。また、これらの電極パッド１５ａ，１５ｂは、外部の電極と接続する場合のターミナルとして機能するものである。
【００２３】
次に、図１および図２も参照して上記構成の詳細とその製造過程について説明する。なお、図１および図２では、半導体レーザバー１１の一つの活性層１１ａ部分を例にとってその接合膜１２，１４および反応層２１の部分の接合過程とその構造を模式的に示している。
半導体レーザバー１１とヒートシンク１３とは、接合前の状態では、図１に示すように形成されている。すなわち、半導体レーザバー１１には、前述のように活性層１１ａ側に電極が形成されており、この表面に、第１の膜形成工程としてＡｕ膜１２を形成した後に破砕膜として硬い金属膜であるＴｉ膜１８を膜厚１０〜２０ｎｍで形成し、この表面にさらにＡｕ薄膜１９を膜厚２０ｎｍで形成している。なお、Ａｕ薄膜１９は、Ｔｉ膜１８の成膜に続けて同一チャンバー内で連続的に成膜される。
【００２４】
このＡｕ薄膜１９は、酸化防止膜として機能するものであり、破砕膜として使用しているＴｉ膜１８が還元性の強い金属であることから、これを成膜した後に空気中に晒すと酸化してしまうため、Ｔｉ膜１８を成膜した後に真空状態のままで連続的に成膜するものである。この場合、Ａｕ薄膜１９は、上記した程度の膜厚で十分にその機能を達成するものであり、これ以上の膜厚たとえば１００ｎｍ程度まで厚くなると、Ｔｉ膜１８の破砕膜としての機能が低下してしまう。これにより、成膜後に空気中に晒した場合でも反応性の弱いＡｕ薄膜１９の表面に自然酸化膜などが形成されるのを抑制することができるようになる。
【００２５】
ヒートシンク１３側においては、第２の膜形成工程として、半導体レーザバー１１を接合する部分に蒸着法によりＩｎ膜１４を成膜しており、この上面に連続的にＡｕ薄膜２０を成膜している。このＡｕ薄膜２０の膜厚は２０ｎｍ程度であり、これはＩｎ膜１４の酸化防止膜として機能するように設けられたものである。
次に、図２に示すように、反応層形成工程として、半導体レーザバー１１とヒートシンク１３とを熱圧着法により接合する。このとき、破砕膜としてのＴｉ膜１８は、Ｉｎ膜１４の表面に成膜されているＡｕ薄膜２０を破砕してＩｎ膜１４と接触するように働くもので、これによってＩｎ膜１４とＡｕ膜１２とが相互拡散し、接合面全体に渡って金属化合物が形成され、この金属化合物およびＴｉ膜１８の分断された状態の膜が混合状態となった反応層２１が形成され、良好な接合状態を得ることができる。
【００２６】
なお、Ｔｉ膜１４のＴｉは還元性の強い金属であるから、本実施形態のようにＩｎ膜１４の表面に酸化防止膜としてのＡｕ薄膜２０を形成しなくてもそのＩｎ膜１４の表面にできた酸化物を還元する機能があるので、金属化合物を形成して反応層２１を得ることができる。この場合には、Ｔｉ膜１４が破砕作用を果たしたときに自らは酸化物となるため反応層２１の抵抗値が若干上昇することもある。
【００２７】
このような第１の実施形態によれば、半導体レーザバー１１側に第１の接合膜としてＡｕ膜１２、破砕膜としてＴｉ膜１８、Ａｕ薄膜１９を設け、ヒートシンク１３の表面に第２の接合膜としてＩｎ膜１４、Ａｕ薄膜２０を設けて両者を熱圧着するので、半導体レーザバー１１側のＴｉ膜１８によりヒートシンク１３側のＡｕ薄膜２０を破砕してＩｎ膜１４と半導体レーザバー１１のＡｕ膜１２とを全面にわたって確実に金属化合物として形成させることができ、これによって反応層２１を形成して良好な接合状態を得ることができるようになる。
【００２８】
また、Ｔｉ膜１８の表面に酸化防止膜としてＡｕ薄膜１９を形成し、Ｉｎ膜１４の表面に酸化防止膜としてＡｕ薄膜２０を形成しているので、反応層２１の抵抗値を極力低減して良好な接合状態を得ることができるようになる。
これによって、熱的にも電気的にも安定した動作を行わせることができ、品質の向上および信頼性の向上を図ることができるようになる。
【００２９】
（第２の実施形態）
図６および図７は本発明の第２の実施形態を示すもので、以下、第１の実施形態と異なる部分について説明する。この実施形態においては、図６に示すように、半導体レーザバー１１に形成する第１の接合膜としてＡｕ膜１２に加えて、反応防止膜としてのＰｔ（白金）膜２２および接合形成用の膜としてのＡｕ膜２３を順次成膜した構成としている。
【００３０】
Ｐｔ膜２２は例えば膜厚１００ｎｍで形成され、Ａｕ膜２３は膜厚１００ｎｍで形成されている。このＡｕ膜２３の表面には、破砕膜としてのＴｉ膜１８および酸化防止膜としてのＡｕ薄膜１９が前述同様にして形成されている。なお、この反応防止膜としては、Ｐｔ膜２２以外に、Ｐｄ膜、Ｒｈ膜、Ｉｒ膜などを用いることができるし、これらの合金を用いた膜を使用することもできる。
【００３１】
このような構成とすることにより、半導体レーザバー１１とヒートシンク１３とを熱圧着する反応層形成工程では、図７に示すように、Ｉｎ膜１４の酸化防止膜であるＡｕ薄膜２０が、硬い金属膜であるＴｉ膜１８により破砕（圧延）され、Ｉｎ膜１８とＡｕ膜２３相互拡散し、接合面全体に渡って金属化合物が形成され、Ｔｉ膜１８の断片を含んだ反応層２４が形成される。この反応層２４は、深さ方向においては反応防止膜であるＰｔ膜２２により拡散が抑制され、異常拡散のない良好な接合が可能となる。これは、Ｐｔ膜２２が熱圧着時の温度では反応しない性質を有するからである。
【００３２】
この構造により、反応層２４が深さ方向および平面方向においても均一な組成となるため、良好な接合が得られるほか、活性層１１ａを横断する電流経路が面内で均一になるため、発光層の均一な発光が得られ（抵抗が均一となるため）、素子特性の信頼性を向上させることが可能となる。
このような第２の実施形態によれば、第１の接合膜に反応防止膜としてＰｔ膜２２を介在させる構成として反応層形成工程を実施するので、反応層２４を深さ方向にも均一な組成で安定なものとすることができるようになり、半導体レーザバー１１の動作特性を向上させることができるようになる。
【００３３】
（第３の実施形態）
図８および図９は本発明の第３の実施形態を示すもので、第２の実施形態と異なるところは、半導体レーザバー１１に形成する破砕膜として、Ｔｉ膜１８に代えて硬い貴金属膜であるＰｔ膜２５を用いる構成とし、このＰｔ膜２５が酸化されにくい特性を有することを利用して、この実施形態では、酸化防止膜としてのＡｕ薄膜１９を設けない構成としている。
【００３４】
このような構成においても、第２の実施形態と同様にして反応層形成工程を実施することにより、反応層２６を形成することができる。この反応層２６には、Ｐｔ膜２５の断片を含んだ金属化合物が形成されている。なお、破砕膜としては、Ｐｔ膜２５以外に、Ｐｄ膜を用いることができる。
【００３５】
（他の実施形態）
本発明は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、次のように変形また拡張できる。
第１の基板は、半導体レーザバー１１以外に、単体の半導体レーザを用いても良いし、他のヒートシンクを必要とする半導体素子全般に適用することができる。
第２の基板としてのヒートシンク１３は、ＣｕＷ以外に、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）などの種々の材料を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の第１の実施形態について接合部分の接合前の状態を示す模式的断面図
【図２】接合部分の接合後の状態を示す模式的断面図
【図３】全体構成の外観斜視図
【図４】縦断側面図
【図５】電極パッド部分を切断して示す縦断側面図
【図６】本発明の第２の実施形態を示す図１相当図
【図７】図２相当図
【図８】本発明の第３の実施形態を示す図１相当図
【図９】図２相当図
【図１０】従来技術を示す接合工程の説明図
【符号の説明】
【００３７】
図面中、１１は半導体レーザバー（第１の基板）、１２はＡｕ膜（第１の接合膜）、１３はヒートシンク（第２の基板）、１４はＩｎ膜（第２の接合膜）、１５ａ、１５ｂは電極パッド、１６はポリイミド膜（絶縁膜）、１７はボンディングワイヤ、１８はＴｉ膜（破砕膜）、１９，２０はＡｕ薄膜（酸化防止膜）、２１，２４，２６は反応層、２２はＰｔ膜（反応防止膜）、２３はＡｕ膜、２５はＰｔ膜（破砕膜）である。
【図１】
2005311050.tif 000003
【図２】
2005311050.tif 000004
【図３】
2005311050.tif 000005
【図４】
2005311050.tif 000006
【図５】
2005311050.tif 000007
【図６】
2005311050.tif 000008
【図７】
2005311050.tif 000009
【図８】
2005311050.tif 000010
【図９】
2005311050.tif 000011
【図１０】
2005311050.tif 000012