(57)【要約】  【課題】  多数の有機ＥＬ素子をマトリクス状に配列して画素を構成した有機ＥＬ基板の各画素毎の電流を測定するには長時間を要するという課題があった。  【解決手段】  絶縁基板上に、スイッチング素子により選択されて発光する有機ＥＬ素子を、多数組マトリクス状に配列した有機ＥＬ基板の、選択信号線に接続されたスイッチング素子群に流れる第１群の電流値を得る第１のステップと、データ信号線に接続されたスイッチング素子群に流れる第２群の電流値を得る第２のステップと、第１、第２の各ステップによって得られた各群のパルス信号毎の電流値から、有機ＥＬ素子を含む各スイッチング素子に流れる電流を演算する第３のステップとを含む有機ＥＬ基板の検査方法。  【選択図】        図１
2005070614.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に、
選択用端子とデータ供給用端子を有するスイッチング素子と、
このスイッチング素子により選択されデータが供給される有機ＥＬ素子を、
多数組マトリクス状に配列し、
行方向に配列されたスイッチング素子の選択用端子を共通接続した多数本の選択信号線と、
列方向に配列されたスイッチング素子のデータ供給用端子を共通接続し前記選択信号線に対して交差配列された多数本のデータ信号線と、
選択された行の有機ＥＬ素子に出力すべき映像に応じた電圧を印加し発光させる多数本の共通制御線と
を備えた有機ＥＬ基板の、
すべてのデータ信号線に一定レベルの信号を供給した状態で、選択信号線に第１のパルス信号を、共通制御線に第２のパルス信号を、それぞれ同期して順次供給し、各パルス信号を供給する毎に選択信号線に接続されたスイッチング素子群に流れる第１群の電流値を得る第１のステップと、
すべての選択信号線に第１のパルス信号を、すべての共通制御線に第２のパルス信号をそれぞれ同期して順次供給した状態で、データ信号線に第３のパルス信号を順次供給し、データ信号線に接続されたスイッチング素子群に流れる第２群の電流値を得る第２のステップと、
第１、第２の各ステップによって得られた各群のパルス信号毎の電流値から、有機ＥＬ素子を含む各スイッチング素子に流れる電流を演算する第３のステップと、
を含む有機ＥＬ基板の検査方法。
【請求項２】
異なるレベルの第１のパルス信号を、
前記第１のステップにて、それぞれの選択信号線に供給し、選択信号線に接続されたスイッチング素子群に流れる第１群の電流値を得、
前記第２のステップにて、すべての選択信号線に供給し、データ信号線に接続されたスイッチング素子群に流れる第２群の電流値を得て、各群の電流値から、スイッチング素子の電子移動度または閾値電圧を求める有機ＥＬ基板の検査方法。
【請求項３】
絶縁基板上に、選択用端子とデータ供給用端子を有するスイッチング素子と、このスイッチング素子により選択されデータが供給される有機ＥＬ素子を、多数組マトリクス状に配列し、
行方向に配列されたスイッチング素子の選択用端子を共通接続した多数本の選択信号線と、
列方向に配列されたスイッチング素子のデータ供給用端子を共通接続し選択信号線に対して交差配列された多数本のデータ信号線と、
選択された行の有機ＥＬ素子に出力すべき映像に応じた電圧を印加し発光させる多数本の共通制御線と
を備えた有機ＥＬ基板と、
前記スイッチング素子の個々の特性データを記憶させたメモリと、
前記メモリに記憶させたスイッチング素子の特性データにより有機ＥＬ基板に供給する映像信号を補正する演算部と
をを含む有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
スイッチング素子がアモルファスシリコン薄膜トランジスタである請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ基板上に多数形成したスイッチング素子の個々の特性を検査する検査方法と個々のスイッチング素子の特性のばらつきを補正する補正手段を備えた有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、絶縁基板上に、選択端子とデータ端子を有するスイッチング素子と有機ＥＬ素子を多数マトリクス状に配列し、行方向に配列されたスイッチング素子の選択端子を共通接続した多数本の選択用信号線と、列方向に配列されたスイッチング素子のデータ端子を共通接続し選択信号線に対して交差配列された多数本のデータ信号線とを備えた有機ＥＬ基板の、各スイッチング素子により選択された有機ＥＬ素子を発光させ表示するもので、スイッチング素子として薄膜トランジスタが用いられる。
【０００３】
この薄膜トランジスタの半導体材料としてアモルファスシリコンやポリシリコンやが用いられるが、アモルファスシリコンから製造された薄膜トランジスタは、特性のばらつきが緩やかで表示のばらつきも画面全体に分散されるのに対して、アモルファスシリコンをレーザ光により局所加熱して製造されたポリシリコンは画素単位で特性がばらつくという傾向がある。
【０００４】
このスイッチング素子は特性がはらつくと有機ＥＬ素子の輝度のばらつきを生じ、その結果、表示品質がばらつくため、スイッチング素子の特性を安定化することが重要である。
【０００５】
しかしながら、スイッチング素子の数は画面サイズが大型化すると飛躍的に増大するため、すべてのスイッチング素子の特性を良好にすることは困難である。
【０００６】
特許文献１には有機ＥＬ素子の負荷電流を電流測定回路で測定し、その結果により表示データを補正し輝度補正を行うようにした表示装置が開示されている。
【０００７】
また特許文献２には、画素毎及び有機ＥＬ基板毎に均一な発光光量を得、画像品位を良くした表示装置がそれぞれ開示されている。
【特許文献１】特開２００２−３４１８２５号公報
【特許文献２】特開平１０−３３３６４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
動画の表示を主目的とする表示装置は、画面の局所に発光輝度のばらつきが集中すると画質が極端に低下する。そのため、特性のばらつきを生じても画面全体に分散する傾向にあるアモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタをスイッチング素子として利用している。スイッチング素子の特性のうち、スイッチング速度や閾値電圧が重要で、閾値電圧がばらつくと輝度がばらつく。
【０００９】
特許文献１に開示された表示装置は、スイッチング素子すなわち有機ＥＬ素子に流れる電流を検出し、この検出電流に基づいてデータ信号線に供給する信号のレベルを調整している。
【００１０】
しかしながら、有機ＥＬ基板とデータ信号線にデータを供給するドライバＩＣとの間に、電流測定部、測定した電流値を記憶させるメモリ、補正量を演算する演算部、演算部から出力されるデジタルデータをアナログデータに変換するＤ／Ａ変換器などから構成される付加回路が、各データ信号線毎に必要で、この付加回路のコストが嵩むという問題があった。
【００１１】
また特許文献２に開示された表示装置も、画像信号を記憶させる画像信号記憶部、この記憶部からの信号を演算する演算回路、演算回路から出力される複数のサブフレームデータを記憶させる複数のサブフレームメモリ、サブフレームメモリから所定のフレームデータを取り出す読み出し回路などが必要で回路が複雑になるという問題があった。
【００１２】
また全画素を検査するのに長時間の検査時間を要し、データを保存するため大容量のメモリが必要であった。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明による有機ＥＬ基板の検査方法は、絶縁基板上に、選択端子とデータ端子を有するスイッチング素子と、このスイッチング素子により選択されデータが供給される有機ＥＬ素子を、多数組マトリクス状に配列し、行方向に配列されたスイッチング素子の選択端子を共通接続した多数本の選択信号線と、列方向に配列されたスイッチング素子のデータ端子を共通接続し前記選択信号線に対して交差配列された多数本のデータ信号線と、選択された行の有機ＥＬ素子に出力すべき映像に応じた電圧を印加し発光させる多数本の共通制御線とを備えた有機ＥＬ基板の、すべてのデータ信号線に一定レベルの信号を供給した状態で、選択信号線及び共通制御線に順次第１、第２のパルス信号を同期して供給し、各パルス信号を供給する毎に選択信号線に接続されたスイッチング素子群に流れる第１群の電流値を得る第１のステップと、すべての選択信号線及び共通制御線に一定レベルの第１、第２のパルス信号を同期して供給した状態で、データ信号線に第３のパルス信号を順次供給し、データ信号線に接続された全スイッチング素子群に流れる第２群の電流値を得る第２のステップと、第１、第２の各ステップで得たパルス信号毎の各群の電流値から、有機ＥＬ素子を含む各スイッチング素子に流れる電流を演算する第３のステップとを含み、これにより個々のスイッチング素子に流れる電流値を知ることができる。
【００１４】
また上記検査方法で、前記選択信号線に供給する第１のパルス信号のレベルを、データ信号線に供給する信号レベルに対して変化させることにより、各スイッチング素子の電子移動度及び閾値電圧を知ることができる。
【００１５】
また本発明による有機ＥＬ表示装置は、絶縁基板上に、選択端子とデータ端子を有するスイッチング素子と、このスイッチング素子により選択されデータが供給される有機ＥＬ素子を、多数組マトリクス状に配列し、行方向に配列されたスイッチング素子の選択端子を共通接続した多数本の選択信号線と、列方向に配列されたスイッチング素子のデータ端子を共通接続し選択信号線に対して交差配列された多数本のデータ信号線と、選択された行の有機ＥＬ素子に出力すべき映像に応じた電圧を印加し発光させる多数本の共通制御線とを備えた有機ＥＬ基板と、前記スイッチング素子の個々の特性データを記憶させたメモリと、前記メモリに記憶させたスイッチング素子の特性データにより有機ＥＬ基板に供給する映像信号を補正する演算部とを含む。
【発明の効果】
【００１６】
本発明による有機ＥＬ基板の検査方法によれば、少ないデータで各スイッチング素子を通して有機ＥＬ素子に流れる電流値を知ることができ、有機ＥＬ基板全体の電流の分布状態を知ることができる。また検査用パルス信号のレベルを変化させて各スイッチング素子に流れる電流値を求めることにより、各スイッチング素子の電子移動度や閾値を知ることもできる。
【００１７】
また本発明による有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ基板内の各スイッチング素子を流れる電流値を記憶させたメモリを備え、有機ＥＬ基板毎の各スイッチング素子の特性のばらつきを前記メモリに記憶させたデータに基づいて補正できるため、表示画面全面の表示品質を均一化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
絶縁基板上に、選択端子とデータ端子を有するスイッチング素子と、このスイッチング素子により選択されデータが供給される有機ＥＬ素子を、多数組マトリクス状に配列し、行方向に配列されたスイッチング素子の選択端子を共通接続した多数本の選択信号線と、列方向に配列されたスイッチング素子のデータ端子を共通接続し前記選択信号線に対して交差配列された多数本のデータ信号線と、選択された行の有機ＥＬ素子にその閾値以上の電圧を印加し発光させる多数本の共通制御線とを備えた有機ＥＬ基板は、スイッチング素子により選択された有機ＥＬ素子のみが共通制御線に供給される電圧に応じた輝度で発光する。一方、選択されたスイッチング素子には行方向又は列方向に多数のスイッチング素子が接続されているが、これらは選択信号線とデータ信号線から同時にパルスが供給されないため、オフ状態であり、有機ＥＬ素子には電流は流れない。
【００１９】
マトリクス配列されたスイッチング素子及び有機ＥＬ素子のうち、任意の座標（ｘ、ｙ）のスイッチング素子及び有機ＥＬ素子に流れる電流値ｉ（ｘ，ｙ）が関数ｆ（ｘ）及びｇ（ｙ）によって、ｉ（ｘ，ｙ）＝ｆ（ｘ）・ｇ（ｙ）であるものと仮定し、任意の座標（ｘ，ｙ）の選択されたスイッチング素子が接続されたｙ行の複数のスイッチング素子を同時にオン状態としてｙ行のすべてのスイッチング素子に流れる全電流値をＩ（ｘ）、ｘ列の複数のスイッチング素子を同時にオン状態としてｘ列のすべてのスイッチング素子に流れる全電流値をＪ（ｙ）とすると、ｙ行の全電流値Ｉ（ｘ）は、
【００２０】
【数１】
2005070614.tif 000003
となり、ｘ列の全電流値Ｊ（ｙ）は、
【００２１】
【数２】
2005070614.tif 000004
となる。
また、有機ＥＬ基板全体に流れる電流の総計Ｔは、
【００２２】
【数３】
2005070614.tif 000005
となる。
【００２３】
上記式１から決定されるｇ（ｙ）と、式２から決定されるｆ（ｘ）を式３に代入すると、
【００２４】
【数４】
2005070614.tif 000006
が得られる。
【００２５】
この式４から、任意座標（ｘ，ｙ）のスイッチング素子及び有機ＥＬ素子に流れる電流ｉ（ｘ，ｙ）はｙ行方向の全電流値Ｉ（ｘ）、ｘ列方向の全電流値Ｊ（ｙ）及び有機ＥＬ基板全体に流れる電流の総計Ｔから求めることができる。
【００２６】
一方、スイッチング素子のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ、電子移動度に比例する係数をβ（ｘ，ｙ）、閾値電圧をＶｔｈ（ｘ，ｙ）とすると、スイッチング素子に流れる電流ｉ（ｘ，ｙ）は、
【００２７】
【数５】
2005070614.tif 000007
で表される。
【００２８】
ここで、異なる座標を２点以上指定し、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓを異ならせて、指定されたｙ行方向の全電流値Ｉ（ｘ）、ｘ列方向の全電流値Ｊ（ｙ）を求め、指定された座標の電流値が求められると、電子移動度に比例する係数β（ｘ，ｙ）及び閾値電圧Ｖｔｈ（ｘ，ｙ）を求めることができる。
【実施例１】
【００２９】
以下に本発明の実施例を説明する。図１は有機ＥＬ表示装置を示し、１０は絶縁基板、１２ａ、１２ｂは２個一組の第１、第２のスイッチング素子、図示例ではＭＯＳＦＥＴで、第１のスイッチング素子１２ａのゲート電極を選択用端子、ソース電極をデータ供給用端子とし、ドレイン電極を第２のスイッチング素子１２ｂのゲート電極に接続している。１４は一端が第１、第２のスイッチング素子１２ａ、１２ｂの接続点に接続されたデータ保持用のコンデンサで、他端は第２のスイッチング素子１２ｂのソース電極に接続されて共通端子としている。１６は有機ＥＬ素子で、カソード電極が第２のスイッチング素子１２ｂのドレイン電極に接続され、アノード電極を接地端子としている。上記スイッチング素子１２ａ、１２ｂとコンデンサ１４、有機ＥＬ素子１６は前記絶縁基板１０上に多数組マトリクス状に配置されている。図示横方向（行方向）に配列されたスイッチング素子１２ａの選択用端子と共通端子はそれぞれ選択信号線にｓｅｌ（１）〜ｓｅｌ（ｎ）とｃｏｍ（１）〜ｃｏｍ（ｎ）に共通接続され、縦方向（列方向）に配列されたスイッチング素子１２ａのデータ供給用端子は前記選択信号線に対して交差配列された多数本のデータ信号線ｄａｔａ（１）〜ｄａｔａ（ｍ）に共通接続され、すべての有機ＥＬ素子１６のアノード電極は接地線ＧＮＤに共通接続されている。この有機ＥＬ基板１８の接地線ＧＮＤを電流検出用の抵抗２０を介して接地し、各ステップ毎に図２に示すパルス信号を与え、抵抗２０の端子間電圧から流れる電流を検出する。
【００３０】
（第１のステップ）  先ず図２（ａ）に示すように、すべてのデータ信号線ｄａｔａ（１）〜ｄａｔａ（ｍ）に一定レベルの信号を供給した状態で、各選択信号線ｓｅｌ（１）〜ｓｅｌ（ｎ）に第１のパルス信号を順次与え、この第１のパルス信号と同期して共通制御線ｃｏｍ（１）〜ｃｏｍ（ｎ）に第２のパルス信号を同期して順次供給する。第１、第２のパルス信号を供給する毎に選択信号線ｓｅｌ（１）〜ｓｅｌ（ｎ）に接続されたスイッチング素子群に流れる第１群の電流値を得、この電流値をＪ（１）〜Ｊ（ｎ）とする。
【００３１】
（第２のステップ）  次に図２（ｂ）に示すように、すべての選択信号線ｓｅｌ（１）〜ｓｅｌ（ｎ）に第１のパルス信号を、すべての共通制御線ｃｏｍ（１）〜ｃｏｍ（ｎ）に第２のパルス信号をそれぞれ同期して順次供給した状態で、データ信号線ｄａｔａ（１）〜ｄａｔａ（ｍ）に第３のパルス信号を順次供給し、データ信号線ｄａｔａ（１）〜ｄａｔａ（ｍ）に接続されたスイッチング素子群に流れる第２群の電流値を得る。この電流値をＩ（１）〜Ｉ（ｍ）とする。
【００３２】
（第３のステップ）  第１、第２の各ステップによって得られた各群のパルス信号毎の電流値Ｊ（１）〜Ｉ（ｎ）、Ｉ（１）〜Ｉ（ｍ）から、有機ＥＬ素子１６を含む各スイッチング素子１２に流れる電流を演算する。例えばＸＧＡ仕様の表示装置では、画素数が横１０２４、縦７６８に設定され、全画素数はカラーの場合２３５９２９６となるが、説明を簡略化するため、画素数を横４、縦３とする。この表示装置の画面上で、各座標の電流値（真値）が図３（ａ）に示す値であるとする。
【００３３】
本発明では、各画素毎の電流値は未知であるが、第１のステップからスイッチング素子群に流れる第１群の電流値Ｊ（１）〜Ｊ（３）が求められ、また第２のステップから第２群の電流値Ｉ（１）〜Ｉ（４）が求められる。そしていずれかの群の電流値から全画素に流れる電流の合計値Ｔが求められる。第３のステップではｉ（ｘ，ｙ）＝Ｉ（ｘ）・Ｊ（ｙ）／Ｔから、各画素位置毎の電流値が演算される。例えば画面左上の座標（１，１）の電流値はｉ（１，１）＝Ｉ（１）・Ｊ（１）／Ｔから、６７×４８／２１４＝１５．０となる。他の座標の電流値も同様にして計算でき、各電流値は図３（ｂ）のようになる。この計算値と真値との差は図３（ｃ）に示すように微差で、各画素座標の真値の代わりに計算値を利用することができる。縦横比が３：４で横方向の画素数が１０２４のカラー表示装置の場合、１０２４×３×７６８個（全画素数は２３５９２９６）の座標を検査する必要がある。これに対して本発明による検査方法では（１０２４×３＋７６８＋１）×２個（全データ数は７６８２個）検査すればよく、全座標を検査する場合の約１／３００で済み、短時間で検査でき、検査データを記憶させるメモリも小容量で済み、より高精細の表示装置では顕著な効果を奏する。
【００３４】
本発明による検査方法は、各選択信号線やデータ信号線毎に電流検出する必要がなく、有機ＥＬ素子１６が接続された接地端子に接続した抵抗２０の端子間電圧を検出するだけでよく、検査のためのパルス信号もパーソナルコンピュータ等で容易に発生させることができるため、簡単な検査装置で済む。
【実施例２】
【００３５】
図１に示す有機ＥＬ表示基板１８に、図２（ａ）に示すパルス信号を供給する。すべてのデータ信号線ｄａｔａ（１）〜ｄａｔａ（ｍ）に一定レベルの信号を供給した状態で、各選択信号線ｓｅｌ（１）〜ｓｅｌ（ｎ）に第１のパルス信号（レベルをＶｇ１とする）を順次与え、この第１のパルス信号と同期して共通制御線ｃｏｍ（１）〜ｃｏｍ（ｎ）に第２のパルス信号を同期して順次供給する。これにより第１のパルス信号とデータ信号線に与えられる信号の差レベルの電圧がスイッチング素子１２ａのゲート・ソース間に与えられ、第１、第２のパルス信号を供給する毎に選択信号線ｓｅｌ（１）〜ｓｅｌ（ｎ）に接続されたスイッチング素子群に流れる第１群の電流値Ｊ１（１）〜Ｊ１（ｎ）を得る。
【００３６】
そして図２（ｂ）に示すパルス信号を供給する。すべての選択信号線ｓｅｌ（１）〜ｓｅｌ（ｎ）に第１のパルス信号（レベルはＶｇ１）を、すべての共通制御線ｃｏｍ（１）〜ｃｏｍ（ｎ）に第２のパルス信号をそれぞれ同期して順次供給した状態で、データ信号線ｄａｔａ（１）〜ｄａｔａ（ｍ）に第３のパルス信号を順次供給する。
【００３７】
これにより第１のパルス信号とデータ信号線に与えられる第３のパルス信号の差レベルの電圧がスイッチング素子１２ａのゲート・ソース間に与えられ、データ信号線ｄａｔａ（１）〜ｄａｔａ（ｍ）に接続されたスイッチング素子群に流れる第２群の電流値Ｉ１（１）〜Ｉ１（ｍ）を得る。
【００３８】
次に図２（ａ）に示すパルス信号のうち、選択信号線に供給する第１のパルス信号のレベルのみを９０〜５０％間の一定レベルＶｇ２に設定し、他条件は変えずに再度スイッチング素子群に流れる第１群の電流値Ｊ２（１）〜Ｊ２（ｎ）を得る。
【００３９】
そして図２（ｂ）に示すパルス信号を供給する。すべての選択信号線ｓｅｌ（１）〜ｓｅｌ（ｎ）に第１のパルス信号（レベルはＶｇ２）を、すべての共通制御線ｃｏｍ（１）〜ｃｏｍ（ｎ）に第２のパルス信号をそれぞれ同期して順次供給した状態で、データ信号線ｄａｔａ（１）〜ｄａｔａ（ｍ）に第３のパルス信号を順次供給し、データ信号線ｄａｔａ（１）〜ｄａｔａ（ｍ）に接続されたスイッチング素子群に流れる第２群の電流値Ｉ２（１）〜Ｉ２（ｍ）を得る。
【００４０】
上記第１のパルス信号としてレベルＶｇ１の信号を与えたときの第１群の電流値Ｊ１（１）〜Ｊ１（ｎ）と第２群の電流値Ｉ１（１）〜Ｉ１（ｍ）及び全電流値Ｔから各座標の電流値が求まる。
【００４１】
また第１のパルス信号としてレベルＶｇ２の信号を与えたときの第１群の電流値Ｊ２（１）〜Ｊ２（ｎ）と第２群の電流値Ｉ２（１）〜Ｉ２（ｍ）及び全電流値Ｔから各座標の電流値が求まる。
【００４２】
レベルＶｇ１の第１のパルスを与えたとき、任意に選択した２つの座標の電流値が前記式４より演算され、それぞれａ１、ａ２とし、レベルＶｇ２の第１のパルスを与えたとき、上記２つの座標の電流値をａ３、ａ４とする。
【００４３】
ソース電圧を決定するデータ信号のレベルは一定であるから、第１のスイッチング素子１２ａにかかるゲート・ソース間電圧はゲート電圧である第１のパルスのレベルで決定され、これをＶｇｓ１、Ｖｇｓ２とする。
【００４４】
スイッチング素子１２ａのゲートソース間電圧Ｖｇｓが既知であるから、選択した座標の電流値ａ１、ａ３又はａ２，ａ４を前記式５に代入すると、閾値電圧Ｖｔｈを求めることができ、これを再度式５に代入することにより電子移動度に比例する係数βを求めることができる。電流値ａ１、ａ３を式５に代入した結果を式６に示す。
【００４５】
【数６】
2005070614.tif 000008
【実施例３】
【００４６】
図４は本発明を適用した有機ＥＬ表示装置を示す。図において、図１と同一部分には同一符号を付し重複する説明を省略する。２２、２４は内部にスイッチング素子と有機ＥＬ素子とを多数組みマトリクス状に配列した有機ＥＬ基板１８の周縁部に固定されたドライバＩＣを示す。選択信号線ｓｅｌと共通制御線ｃｏｍを駆動するドライバＩＣ（ゲートドライバＩＣ）２２は、有機ＥＬ基板１８の両側もしくは片側に配置され、データ信号線ｄａｔａを駆動するデータ信号線ドライバＩＣ（ソースドライバＩＣ）２４は有機ＥＬ基板１８の上辺もしくは下辺に沿って配置されている。
【００４７】
２４は外部から供給される映像信号を内部処理する制御ＩＣで、図示省略するがシフトレジスタ、ラッチ回路、アナログデータスイッチなどから構成され、内部処理した信号を各ドライバＩＣ２２、２４に供給する。
【００４８】
２８は本発明検査方法により得られた各画素毎の電流を記憶させたメモリで、表示画面の行方向の電流値Ｉ（１）〜Ｉ（ｍ）と列方向の電流値Ｊ（１）〜Ｊ（ｎ）のデータを記憶させている。ＸＧＡ仕様の表示装置では、画素数が横１０２４、縦７６８に設定され、カラー表示装置の場合、データ数は（１０２４×３＋７６８＋１）×２個（７６８２個）のデータを記憶させている。
【００４９】
３０はメモリ２８に記憶させたデータに基づいて、映像信号のレベルを補正する演算部で、行方向の電流値Ｉ（ｘ）と列方向の電流値Ｊ（ｙ）、行又は列方向の電流値を合計して得られる全電流値Ｔから、
座標（ｘ、ｙ）の画素に流れる電流値ｉ（ｘ、ｙ）をＩ（ｘ）・Ｊ（ｙ）／Ｔより、電子移動度に比例する係数β（ｘ，ｙ）と閾値電圧Ｖｔｈを式６よりそれぞれ演算し、これらの値に基づいて画素毎の映像信号のレベルを調整する。
【００５０】
この有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ基板１８上の画素毎の電流値のばらつきを補正して、画面全体の電流値を平均化できるため、有機ＥＬ基板１８に配列したスイッチング素子、有機ＥＬ素子のばらつきを補正することができ、表示品質を向上し、安定させることができる。
【００５１】
この表示装置に装着したメモリ２８は組み合わされる有機ＥＬ基板１８の画素電流データを検査し、その検査データを記憶させたものであるが、全データ数が画面の（横画素数×３＋縦画素数＋１）×２で済むため、検査時間を短縮でき、小容量のメモリで済む。
【００５２】
そのため高精細の表示装置、例えばＵ−ＸＧＡ仕様では画素数が１６００×１２００で、カラーの場合、全画素数は５，７６０，０００個となるが、データ数は１２，００２個で済み、さらに高精細度のＱ−ＸＧＡ仕様では、画素数は２０４８×１５３６で、カラーの場合、全画素数は９,４３７,１８４個となるが、データ数は１５，３６２個で済み、高精細度の表示装置ほど、検査時間を短縮でき、小容量のメモリで済む。
【００５３】
有機ＥＬ素子を選択し、データ信号を供給するためのスイッチング素子は、一般的に薄膜トランジスタが用いられる。アモルファスシリコンで構成した薄膜トランジスタは、ばらつきが表示画面全体に分散されるため、近傍のトランジスタ間で特性のばらつきが小さい。
【００５４】
そのため本発明はスイッチング素子をアモルファスシリコンにより形成した有機ＥＬ基板に好適で、特に高速で動く画像を高速で補正する必要がある動画用表示装置に好適である。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は画素数が多く高精細の有機ＥＬ表示装置に適用して検査時間を短縮でき、画像が高速で動く動画用表示装置に適用して画像信号を高速で補正することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】有機ＥＬ基板の画素の一例を示す平面図
【図２】図１基板に供給するパルス信号の波形図
【図３】図２に示すパルス信号を図１に示す基板に供給して得られた電流値から画素毎の電流を演算した電流値配置図
【図４】本発明による有機ＥＬ表示装置のブロック図
【符号の説明】
【００５７】
１０      絶縁基板
１２ａ、１２ｂ      スイッチング素子
１６      有機ＥＬ素子
１８      有機ＥＬ基板
２０      抵抗
【図１】
2005070614.tif 000009
【図２】
2005070614.tif 000010
【図３】
2005070614.tif 000011
【図４】
2005070614.tif 000012