(57)【要約】【課題】安定して高品質の膜を形成すると共に、生産性を向上することができるレーザＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】基板２１を載置するステージ１１と、レーザ光源と、このレーザ光源によるレーザ光を照射するための照射光学系と、ＣＶＤ用の原料ガスを供給するためのガス供給ユニットと、中央部にレーザ光を通過させる空間７を有し、ガス供給ユニットから供給される原料ガスを吹き出させる吹き出し口を有するガス導入部１０とを備え、ガス導入部１０の基板２１と対向する面に、ガス導入部１０と基板２１との間への外気の侵入を防ぐための遮断ガスを導入する遮断ガス導入口５と排気口４とが設けられ、ガス導入部１０が磁力による浮上機構１２，１３を備えたレーザＣＶＤ装置を構成する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置するステージと、
レーザ光源と、
前記レーザ光源によるレーザ光を照射するための照射光学系と、
ＣＶＤ用の原料ガスを供給するためのガス供給ユニットと、
中央部に前記レーザ光を通過させる空間を有し、前記ガス供給ユニットから供給される前記原料ガスを吹き出させる吹き出し口を有するガス導入部とを備えたレーザＣＶＤ装置であって、
前記ガス導入部の前記基板と対向する面に、前記ガス導入部と前記基板との間への外気の侵入を防ぐための遮断ガスを導入する遮断ガス導入口と、排気口とが設けられ、
前記ガス導入部が磁力による浮上機構を備えた
ことを特徴とするレーザＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記ガス導入部が、その浮上高さを制御する浮上高さ制御機構を備えたことを特徴とする請求項１に記載のレーザＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記浮上高さ制御機構が、光を用いた測長機能を有することを特徴とする請求項２に記載のレーザＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記浮上高さ制御機構が、電磁石による浮上高さ調整機能を有することを特徴とする請求項２に記載のレーザＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記ガス導入部の前記排気口が、独立して複数設けられていることを特徴とする請求項１に記載のレーザＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造や液晶又は有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造に用いられるフォトマスクの欠陥修正装置や、ＴＦＴ基板の配線の修正装置に用いて好適な、レーザＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンスディスプレイに用いられるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板等の基板に対して、基板上の欠陥を修正するために、レーザＣＶＤ装置が用いられている。
【０００３】
従来、このような用途のレーザＣＶＤ装置は、レーザ光源、レーザ光を基板上に照射するレーザ照射機能及び観察のための顕微鏡機能を備える照射光学系、ＣＶＤ原料ガスを供給する原料ガス供給ユニット、排気ガスを無害化する排気ユニット、基板を位置決めして保持するＸ−Ｙステージ、並びに各ユニット等の動作を制御する制御ユニットを有して構成されている。
また、基板の所望の部分に薄膜を形成するために、原料ガスを封じ込めてこの原料ガスにレーザ光を照射して光ＣＶＤ反応をさせる反応室を備えたガス導入部が基板上を覆う構造となっている。そして、ガス導入部の基板に対向する面の反応室の下部に開口を有して、この開口を通じて反応室から反応物が供給されて基板の所望の部分に薄膜が形成される。
【０００４】
ここで、ガス導入部としては、小型であり、かつ反応室の雰囲気の置換に要する時間を短縮する形態として、基板とガス導入部との間隙のガス流を制御することによって、ガスカーテン効果によって、原料ガスを反応室内に閉じ込めると共に周囲から反応室内への空気の混入を防ぐようにした、いわゆるチャンバレスガス導入方式が知られている（特許文献１〜特許文献３参照）。
【０００５】
このチャンバレスガス導入方式では、以下の通りにガス導入部を構成して、ガスを流している。
即ち、原料ガスを反応室に向かって吹き出させるノズルを設けると共に、基板に対向する面において反応室下部の開口の周囲に環状の遮断ガス導入口及びガス排気口をそれぞれ設けて、ガス導入部を構成している。
そして、ノズルから原料ガスを反応室に吹き出させて、原料ガスを供給する。
一方、使用済みの原料ガスは、ガス排気口から排出される。
また、遮断ガスは、遮断ガス導入口から、ガス導入部と基板の間隙に導入され、ガス排気口から排出される。これにより、遮断ガスが反応室下部の開口をとり囲むため、基板との間隙を通って周囲から入り込もうとする空気の回り込みを防止する機能を有している。
【０００６】
ガス導入部の反応室の上部には、レーザ光を透過して反応室内に導入すると共に、原料ガスを閉じ込めるために、窓が設けられる。
また、上述のように光ＣＶＤ反応を利用して成膜する場合に、レーザ光を導入する窓の曇りを防止するために、さらにパージガスを別のノズル用の導入部より窓部に吹き付ける構成とすることも開示されている。
【０００７】
【特許文献１】
特表平１−５０２１４９号公報
【特許文献２】
特許第３０３６６８７号明細書
【特許文献３】
特許第３３４５５２４号明細書
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の技術には以下に示す欠点があった。
即ち、原料ガスの反応室内での流速が小さい場合には、レーザ光により分解した微粒子状の分解物が降り積もり、この分解物が反応室下部の開口から漏れて基板が汚れてしまう欠点を生じる。
【０００９】
一方、この欠点を解消するには、原料ガスの流速を高めればよいが、その場合には、原料ガスのノズルからの吹き出し量が増大することにより、原料ガス吹き出し部の近傍で引き込み流が発生し、その結果ガスカーテン作用が原料ノズルの近傍で崩れ、そこから外気が反応室付近に入り込み、ＣＶＤ膜の膜質が劣化する問題を生じる。
【００１０】
つまり、従来の方式では、流速を小さくしたときの降り積もり状堆積の抑制と流速を大きくしたときのガスカーテン効果による空気混入を防止する効果とのトレードオフを生じ、良好な堆積膜質と降り積もり状堆積の抑制とを両立できない欠点があった。
【００１１】
降り積もり状堆積は、基板を取り出して洗浄することにより除去可能ではあるが、レーザＣＶＤ装置の特徴である簡易性、高スループット性（生産性）を損う新たな問題が生じる。
また、半導体フォトマスクのように微細なパターンの修正を行う場合には、ＣＶＤにより膜を形成した後にレーザ蒸散法により堆積膜の周囲の正確に削り取る加工を行う場合があるが、降り積もり状堆積があると、パターンのエッジの検出精度が低下し、正確な加工位置同定が困難となる欠点もある。このように、加工位置同定が困難となることによっても、生産性が低下してしまう。
【００１２】
そして、上述した降り積もり状堆積や外気が入り込む現象は、ガス導入部と基板との間隔が固定式の場合において顕著に見られる。
これは、ガス導入部と基板との間隔を固定した場合に、基板を位置決めし保持するＸ−Ｙステージの平面度や基板の反り・うねりが有ることによって、基板とガス導入部との衝突を避けるために、０．５ｍｍから１ｍｍ程度の比較的大きな間隔をとらなければならないことに起因している。
即ち、このように基板とガス導入部とが大きな間隔を有することにより、ガスカーテン効果が弱まるため、原料ガスの流れが遮断状態と反応室内の状態の両方へ影響を与えるからである。
【００１３】
上述した問題の解決のために、本発明においては、安定して高品質の膜を形成すると共に、生産性を向上することができるレーザＣＶＤ装置を提供するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明のレーザＣＶＤ装置は、基板を載置するステージと、レーザ光源と、このレーザ光源によるレーザ光を照射するための照射光学系と、ＣＶＤ用の原料ガスを供給するためのガス供給ユニットと、中央部にレーザ光を通過させる空間を有し、ガス供給ユニットから供給される原料ガスを吹き出させる吹き出し口を有するガス導入部とを備え、ガス導入部の基板と対向する面に、ガス導入部と基板との間への外気の侵入を防ぐための遮断ガスを導入する遮断ガス導入口と排気口とが設けられ、ガス導入部が磁力による浮上機構を備えたものである。
【００１５】
また、上記本発明のレーザＣＶＤ装置において、ガス導入部の排気口が、独立して複数設けられている構成とすることも可能である。
【００１６】
上述の本発明のレーザＣＶＤ装置の構成によれば、ガス導入部が磁力による浮上機構を備えたことにより、浮上機構の磁力によってガス導入部を基板に対して浮上させることができる。これにより、ガス導入部と基板との間隔を安定化させることが可能になる。
また、ガス導入部と基板との間隔を、所望の間隔となるように制御することも可能になる。
【００１７】
また、ガス導入部の排気口が、独立して複数設けられている構成としたときには、外気の遮断の機能と、原料ガスの分圧や流量等の条件を調整する機能とを、複数の排気口に割り当てて、これらを独立して制御することが可能になる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明は、基板を載置するステージと、レーザ光源と、このレーザ光源によるレーザ光を照射するための照射光学系と、ＣＶＤ用の原料ガスを供給するためのガス供給ユニットと、中央部にレーザ光を通過させる空間を有し、ガス供給ユニットから供給される原料ガスを吹き出させる吹き出し口を有するガス導入部とを備えるものであって、ガス導入部の基板と対向する面に、ガス導入部と基板との間への外気の侵入を防ぐための遮断ガスを導入する遮断ガス導入口と排気口とが設けられ、ガス導入部が磁力による浮上機構を備えたレーザＣＶＤ装置である。
【００１９】
また本発明は、上記レーザＣＶＤ装置において、ガス導入部が、その浮上高さを制御する浮上高さ制御機構を備えた構成とする。
【００２０】
また本発明は、上記レーザＣＶＤ装置において、浮上高さ制御機構が、光を用いた測長機能を有する構成とする。
【００２１】
また本発明は、上記レーザＣＶＤ装置において、浮上高さ制御機構が、電磁石による浮上高さ調整機能を有する構成とする。
【００２２】
また本発明は、上記レーザＣＶＤ装置において、ガス導入部の排気口が、独立して複数設けられている構成とする。
【００２３】
本発明の一実施の形態として、レーザＣＶＤ装置の要部（ガス導入部付近）の概略構成図を図１に示す。この図１は、一部模式的断面を示す斜視図となっている。
本実施の形態のレーザＣＶＤ装置は、例えばＴＦＴ基板の欠陥修正等に用いて好適なものである。
【００２４】
このレーザＣＶＤ装置は、図１に示すガス導入部１０と、基板２１を載置するためのＸ−Ｙステージ１１と、図示しないが、原料ガス（材料ガスとキャリアガス）・窓パージガス・遮断ガスをそれぞれ供給するためのガス供給ユニットと、排気ガスを処理する排気ユニットと、レーザ光源とレーザ光源からのレーザ光をガス導入部１０に照射する照射光学系とを有して構成される。ガス供給ユニット及び排気ユニットは、ガス導入部１０に接続されて、ガスの供給や排出を行う。
【００２５】
レーザ光源としては、例えば、ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波光源を用いることができる。
照射光学系は、例えば、レーザ光を反射するミラー、レーザ光を整形するアパーチャや、成膜を行う対象の基板のパターン等の状態を観察する機能（例えば照射観察ユニット）を具備して構成される。このうち、照射観察ユニットは、例えばレーザ光の出射側（ガス導入部１０側）に倍率１００倍・作動距離５ｍｍの対物レンズを配置して構成することができる。
そして、成膜プロセスにおけるレーザ光照射条件は、例えば、繰り返し周波数２ｋＨｚ、レーザ照射パルス幅５０ｎｓ、レーザ照射強度５０ｋＷ／ｃｍ２、照射ビーム形状５μｍ角とされる。
【００２６】
ガス導入部１０は、その中央に反応室７を有し、反応室７の上部にレーザ光を導き入れる窓８が設けられ、反応室７の下部に開口が設けられている。窓８は、レーザ光は透過するが、ガス導入部１０の上方からの外気の侵入を遮断する。
ガス導入部１０の側部には、原料ガス入口１、窓パージガス入口２、２箇所の排気ガス出口３、並びに遮断ガス入口６の、４種類５箇所の開口を有している。
ガス導入部１０の下面、即ち基板２１と対向する面には、上述の反応室７の下部の開口の他に、遮断ガス導入口５と排気口４とを有している。
【００２７】
なお、図１の断面は模式的な断面を示しており、原料ガス入口１、窓パージガス入口２、排気ガス出口３、遮断ガス入口６は必ずしも同一断面にある必要はない。
また、遮断ガス導入口５と排気口４は、図２にガス導入部１０の下面の平面図を示すように、反応室７下の開口の周囲に環状に形成される。
【００２８】
排気ガス出口３が２箇所に設けられることにより、排気ガスの通路は２つの系統、即ち使用済みの原料ガス及び窓パージガスを排気する系統と、内側に向かってくる遮断ガスを排気する系統とを有している。これにより、外気を遮断するための構成と、成膜等のレーザＣＶＤプロセスを行うための構成を、それぞれ独立させることが可能となっている。
【００２９】
さらに、通常のＣＶＤ装置のように、排気ユニット内に圧力制御用のバルブを設置することにより、レーザＣＶＤプロセスの圧力を制御し、レーザ照射部のガス分圧及び流速を制御可能とし、それぞれのＣＶＤプロセスに最適な条件を、外気の遮断とは独立して制御可能とすることができる。
【００３０】
原料ガスは、原料ガス入口１から反応室７内に供給される。そして、レーザ光が、レーザ光源から光学系と窓８を経て、反応室７に導入されて照射されることにより、光ＣＶＤ反応を発生させて、反応室７下部の開口を通じて基板２１に成膜を行うことができる。
反応した後の余剰のガスは、反応室７下部の開口を経て、排気口４から排気ガス出口３に吸い込まれて排気ユニットにより排気される。
原料ガスとしては、基板にＣＶＤ法により成膜するための材料ガスとキャリアガスが用いられる。例えば、基板２１にＷ（タングステン）膜を成膜する場合には、Ｗ（ＣＯ）６ガスとキャリアガス（アルゴンガス等）が用いられる。
【００３１】
遮断ガスは、遮断ガス入口６からガス導入部１０に入り、遮断ガス導入口５からガス導入部１０及び基板２１の間隙に導入される。そして、排気口４から排気ガス出口３に吸い込まれて排気ユニットにより排気される。これにより、ガスカーテン効果によって、外部からの遮断を行うことができる。
遮断ガスとしては、反応に影響を及ぼさないものが望ましく、例えば窒素ガスを使用することができる。
【００３２】
窓パージガスは、窓パージガス入口２からガス導入部１０に入り、反応室７の上部に設けられ、窓８に向かう吹き出し口９から、吹き出される。これにより、窓８に原料ガスの分解物が付着することを防ぐことができる。余剰の窓パージガスは、反応室７下部の開口を経て、排気口４から排気ガス出口３に吸い込まれて排気ユニットにより排気される。
窓パージガスとしては、レーザ光源からのレーザ光で分解しないガスを使用する必要があり、例えばアルゴンガス等の不活性ガスを用いることができる。
【００３３】
成膜プロセス時のガス流量は、例えば、遮断ガス５Ｌ／ｍｉｎ、原料ガス０．１Ｌ／ｍｉｎ（但しＷ（ＣＯ）６分圧は４４Ｐａ、）、窓パージガス０．２Ｌ／ｍｉｎとすることができる。
【００３４】
本実施の形態のレーザＣＶＤ装置においては、特にガス導入部１０を磁気によって基板２１に対して浮上させるために、浮上機構が設けられている。
具体的には、ガス導入部１０の上面に磁石１２を設けている。またＸ−Ｙテーブル１１の下面の磁石１２に対向する位置に、浮上用電磁石１３が設けられている。
ガス導入部１０上面の磁石１２は、電磁石を用いることも可能であるが、軽量化のために永久磁石とすることが望ましい。
磁石１２は、平面形状が円形のガス導入部１０の中心から均等に、例えば４個配置することにより、ガス導入部１０をバランス良く浮上させることができる。
これら磁石１２及び浮上用電磁石１３から成る浮上機構が設けられたことにより、磁石の反発力によって、ガス導入部１０を基板２１に対して浮上させることが可能となる。
【００３５】
そして、浮上用電磁石１３に流す電流を調節して、磁石１２と浮上用電磁石１３にかかる磁力を制御することにより、ガス導入部１０の浮上高さを制御することができる。
このように、ガス導入部の浮上高さを制御する浮上高さ機構を、ガス導入部に設けることが望ましい。
【００３６】
さらに、本実施の形態のレーザＣＶＤ装置においては、ガス導入部１０の側面に、光を用いた測長機能を有する構成として、測長用レーザユニット１４が設けられている。
この測長用レーザユニット１４によって、測長用レーザユニット１４から基板２１表面までの距離Ｄ１を測定することができ、この距離Ｄ１から、ガス導入部１０及び基板２１の間隔Ｄ２を知ることができる。
そして、ガス導入部１０及び基板２１の間隔Ｄ２が所望の間隔となるように、浮上用電磁石１３に流す電流を調節してガス導入部１０の浮上高さを調節することにより、所望の間隔Ｄ２、即ち成膜又は基板の移動にそれぞれ適した間隔Ｄ２とすることができる。
【００３７】
続いて、本実施の形態のレーザＣＶＤ装置の浮上機構による、浮上の動作を説明する。
ここでは、基板２１としてＴＦＴ基板を用いて、レーザＣＶＤ装置によりこのＴＦＴ基板の欠陥を修正する場合に適用して説明する。また、説明の煩雑化を避けるため、ガスの導入等の説明は割愛する。
【００３８】
まず、Ｘ−Ｙステージ１１上に置かれた基板２１が、ガス導入部１０の下に移される。このとき、ガス導入部１０は機械的に持ち上げられ、基板２１との間隔Ｄ２を十分に保たれる。
次に、ガス導入部１０がある一定の高さまで機械的に下ろされた後に、測長用レーザユニット１４のレーザにより基板２１との間隔Ｄ２を測定しながら、浮上用電磁石１３によりガス導入部１０の浮上量が制御される。例えば、２００μｍの浮上量に制御される。
【００３９】
次に、Ｘ−Ｙステージ１１により、基板２１の欠陥位置上にガス導入部１０の反応室７及び開口が位置するように、基板２１が移動する。
このとき、前述したように、磁力により基板２１に対して十分な間隔（浮上量）Ｄ２を保持しているため、基板２１の反りやうねりによる基板２１とガス導入部１０の接触は十分に回避することができる。
また、十分な浮上量を確保しているため、大きな移動距離を高速で移動した場合のＸ−Ｙステージ１１の振動にも対応して、基板２１とガス導入部１０の接触を十分に回避することができる。
これにより、ガス導入部１０を高速で移動させることが可能になる。
さらに、高速移動を行うことにより、生産時のタクトタイムも短縮可能となり、生産性向上も図ることができる。
【００４０】
その後、測長用レーザユニット１４のレーザにより基板２１との高さＤ１を測定しながら、浮上量電磁石１３に流す電流を小さくすることによりガス導入部１０の浮上量Ｄ２を下げて、原料ガスの流れが外気の遮断に影響を及ぼさない範囲（例えば浮上量２０μｍ）に制御する。
【００４１】
続いて、レーザ光源からのレーザ光を反応室７内に照射させて、光ＣＶＤ法により、ＴＦＴ基板２１の欠陥位置に修正用の成膜を行う。
【００４２】
その後、さらにＴＦＴ基板２１の次の欠陥位置まで移動させる場合は、再び測長用レーザユニット１４により基板２１との高さＤ１を測定しながら浮上用電磁石１３によりガス導入部１０の浮上量Ｄ２を、基板２１の反りやうねりによる基板２１とガス導入部１０の接触を十分回避できる高さ、例えば高さ２００μｍまで上げた後に、Ｘ−Ｙステージ１１により基板２１を移動させる。
【００４３】
上述した動作を繰り返すことにより、ＴＦＴ基板の全ての欠陥に対して修正用の成膜を行うことができる。
【００４４】
そして、成膜と基板の移動を連続的に行うようにすれば、高い生産性と、高品質の成膜とを実現することが可能となる。
このように連続的に成膜と基板の移動を行う場合における、ガス導入部１０と基板２１との間隙部の距離（ガス導入部１０の基板２１からの浮上量）Ｄ２の変化を図３に示す。
【００４５】
上述の本実施の形態のレーザＣＶＤ装置の構成によれば、ガス導入部１０に、磁石１２及び浮上用電磁石１３から成る浮上機構が設けられていることにより、ガス導入部１０と基板２１の間隔Ｄ２を制御して安定化させることができる。
【００４６】
これにより、成膜時には、ガス導入部１０と基板２１の間隔Ｄ２を、外気の遮断及び成膜プロセスのガス条件に適した間隔に安定化させることができるため、外気の侵入や原料ガスの流れの乱れを防止して、容易に安定したＣＶＤ膜を形成することができる。
即ち、容易に安定して高品質の成膜を行うことができる。
【００４７】
このことを、以下に詳しく述べる。
浮上機構により、ガス導入部１０と基板２１の間隔Ｄ２を、例えば２０μｍ程度の従来よりも狭い間隔Ｄ２に安定化させることができる。
これにより、遮断ガスによるガスカーテン効果を充分に発揮させることができることから、外気の遮断を確実に行うことができる。
従って、外気を遮断して、外気の侵入による原料ガスの圧力や流量の条件の乱れを防ぐことができるため、前述した降り積もり堆積の発生も抑制することができる。
【００４８】
また、基板２１を移動させる際には、浮上機構によりガス導入部１０と基板２１の間隔Ｄ２を大きくすることができ、基板２１の反りやうねりがあっても、基板２１とガス導入部１０との接触を充分に回避することができる。
即ち、次の成膜位置まで基板２１を高速に移動させることができ、生産性を向上することができる。
【００４９】
従って、本実施の形態によれば、高品質の成膜を行うことができ、かつ高い生産性を有するレーザＣＶＤ装置を実現することができる。
【００５０】
また、本実施の形態によれば、ガス導入部１０の側面に測長用レーザユニット１４が設けられていることにより、レーザ光によって測長用レーザユニット１４の基板２１からの距離Ｄ１を測定して、ガス導入部１０と基板２１の間隔Ｄ２を知ることができる。
これにより、ガス導入部１０と基板２１の間隔Ｄ２の状態をフィードバックさせて浮上用電磁石１３に流す電流を制御して磁力を調整することにより、所望の間隔Ｄ２に制御することが可能になる。
【００５１】
さらに、本実施の形態によれば、排気口４が２つ設けられていることにより、レーザＣＶＤに関与するプロセスガス条件を、外気との遮断とは独立して制御することが可能になる。
これにより、ＣＶＤ膜の品質のさらなる向上を図ることができる。
【００５２】
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００５３】
例えば、電磁石により浮上量を制御する際に、レーザにより基板からの高さを測定しながら制御するのではなく、あらかじめ電磁石への供給される電流量とガス導入部の浮上量との関係を調べておくことにより、電流量のみにてガス導入部８の浮上量を制御する構成とすることも可能である。
この場合は、測長用レーザユニット等のレーザ測長機構を省略することができるため、さらに装置コストとしての利点が得られる。
【００５４】
また、上述の実施の形態では、原料ガスを反応室７内に供給する構成であったが、本発明では、ガス導入部の構成はその他の構成も可能である。
例えば前記特許文献２に記載されているように、ガス導入部と基板の間隙に原料ガスを吹き出させる構成にも、同様に本発明を適用して、磁気による浮上機構を設けることができる。
【００５５】
さらに、上述の実施の形態では、ガス導入部１０が２つの排気口４を有する構成であったが、本発明は排気口が１つだけの場合にも適用することができる。
排気口が１つだけの場合でも、本発明を適用してガス導入部に浮上機構を設けることにより、基板と接触しないようにガス導入部の浮上を安定化させることができ、外気の遮断状態や原料ガスの条件を安定化させることができる。
上述の実施の形態のように、２つの排気口を有する場合には、さらに、各排気口にそれぞれ、外気を遮断する機能と、原料ガスの分圧や流速等の条件を制御する機能と割り当てて、前述したように、これらの機能を独立して制御できる効果が得られる。
【００５６】
【発明の効果】
上述の本発明によれば、容易に安定して高品質のＣＶＤ膜を得ることができ、かつ高い生産性を有するレーザＣＶＤ装置を実現することができる。
【００５７】
また、特に、ガス導入部に排気口を複数設けた構成としたときには、外気を遮断する機能と、原料ガスの分圧や流速等のプロセス条件を制御する機能とを、独立して制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態のレーザＣＶＤ装置の概略構成図（要部の斜視図）、即ちガス導入部の構造を示す模式図である。
【図２】図１のガス導入部の下面の平面図である。
【図３】連続的に成膜と基板の移動を行う場合における、図１のガス導入部と基板との間隙部の距離の変化を示す図である。
【符号の説明】
１  原料ガス入口、２  窓パージガス入口、３  排気ガス出口、４  排気口、５  遮断ガス導入口、６  遮断ガス入口、７  反応室、８  窓、１０  ガス導入部、１１  Ｘ−Ｙステージ、１２  磁石、１３  浮上用電磁石、１４  測長用レーザユニット、２１  基板
【図１】
2005023376.tif 000003
【図２】
2005023376.tif 000004
【図３】
2005023376.tif 000005