(57)【要約】    【課題】  発光面積を変更する場合でも駆動回路基板を共通化することができる電気光学装置およびその製造方法を提供する。    【解決手段】  互いに異なる色で発光する単色画素（Ａｒ、Ａｇ、Ａｂ）を備えたアクティブマトリクス駆動の電気光学装置において、各単色画素を駆動するための駆動回路（Ｔｒ、Ｔｇ、Ｔｂ）、互いに略平行に延在している、各駆動回路（Ａｒ、Ａｇ、Ａｂ）の出力端子（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）、及び各出力端子のいずれかの位置に設けられ、各出力端子と各単色画素の独立した画素電極とを接続する接続手段（１１０）を備える。略平行に延在している各出力端子（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）は、各単色画素（Ａｒ、Ａｇ、Ａｂ）のいずれの画素電極に対しても接続可能に設けられている。【選択図】  図１Ｂ
2005208423.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに異なる色で発光する単色画素を複数種備えたアクティブマトリクス駆動の電気光学装置において、
各前記単色画素を駆動するための駆動回路と、
互いに略平行に延在している、各前記駆動回路の出力端子と、
各前記出力端子のいずれかの位置に設けられ、各前記出力端子と各前記単色画素の独立した画素電極とを接続する接続手段とを備え、
略平行に延在している各前記出力端子は、各前記単色画素のいずれの前記画素電極に対しても接続可能に設けられていることを特徴とするアクティブマトリクス駆動の電気光学装置。
【請求項２】
各前記出力端子の延在方向が、各前記単色画素の並びの方向と略同一である、請求項１に記載のアクティブマトリクス駆動の電気光学装置。
【請求項３】
各前記単色画素の並びの方向と、各前記駆動回路の並びの方向と、各前記接続手段の並びの方向とのうち少なくとも一の並びの方向が、他の並びの方向と異なるように構成されている、請求項１に記載のアクティブマトリクス駆動の電気光学装置。
【請求項４】
各前記駆動回路の並びの方向と各前記単色画素の並びの方向とが略直角をなす、請求項３に記載のアクティブマトリクス駆動の電気光学装置。
【請求項５】
各前記駆動回路の並びの方向と各前記単色画素の並びの方向とが略同一方向である、請求項３に記載のアクティブマトリクス駆動の電気光学装置。
【請求項６】
各前記単色画素の面積は互いに異なるように設けられている、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス駆動の電気光学装置。
【請求項７】
各前記駆動回路間のピッチはほぼ等しく設定されている、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス駆動の電気光学装置。
【請求項８】
各前記出力端子間のピッチはほぼ等しく設定されている、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス駆動の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス駆動の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
アクティブマトリクス駆動の電気光学装置の製造装置において、
各前記単色画素を駆動するための駆動回路を形成する工程と、
各前記駆動回路に接続された互いに略平行に延在している出力端子を形成する工程と、により駆動回路基板を形成し、
互いに異なる色で発光する単色画素を形成する工程と、
各前記単色画素に互いに電気的に分離した画素電極を形成する工程と、により画素基板を形成し、
前記駆動回路基板と前記画素基板とを対向させ、各前記駆動回路の出力端子と当該駆動回路に対応する前記単色画素の画素電極とが重なる領域において、当該出力端子と当該画素電極とを接続手段によって電気的に接続する工程をさらに備えたことを特徴とするアクティブマトリクス駆動の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
各前記単色画素の面積を互いに異なるように形成する、請求項１０に記載のアクティブマトリクス駆動の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
各前記駆動回路間のピッチをほぼ等しくなるよう形成する、請求項１０または１１に記載のアクティブマトリクス駆動の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
各前記出力端子間のピッチをほぼ等しくなるよう形成する、請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス駆動の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置等の電気光学装置に係り、特に画素面積を種々に異ならせる場合にも駆動回路を共通にできる電気光学装置の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロルミネッセンス現象を利用した電気光学装置はＥＬ現象を呈する蛍光性物質で構成された発光層に電流を供給して自発光させるものである。この蛍光性物質の種類により様々な色で発光させることができるため、原色で発光する蛍光性物質を組み合わせてフルカラーの表示装置とする。異なる色で発光する蛍光性物質を複数種類組み合わせてフルカラー表示装置を構成する場合、蛍光性物質毎に発光効率が異なるため、色バランスが悪くなることがあった。色バランスを合わせるためには、発光効率が悪い色の発光層に過大な電流を流すことが必要となるが、このような方法ではその発光層が早期に劣化することがあった。
【０００３】
従来、このような不都合を防止するための方法として、発光効率に応じて発光層の発光面積を変更することが考案されていた（特許文献１、特許文献２、特許文献３）。発光層の面積を変更することで、一つの発光層に単位面積当たりに過大な電流を流すことなく、バランスの取れた発色を得ることができていた。
【特許文献１】特開平６−２９０８７２号公報（段落番号０００９〜００１０、図３）
【特許文献２】特開２００１−２９０４４１号公報（段落番号００１９〜００２８、図１）
【特許文献３】特開２００３−１６８５６１号公報（段落番号０００８、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、発光面積を単色画素ごとに変えるため、その発光層に電流を駆動するための駆動回路を単色画素の面積に応じて装置ごとに設計する必要があった。すなわち発光面積が異なると隣接する単色画素間のピッチがそれに応じて異なってくる、単色画素の面積に応じて表示領域全体の配線と駆動回路のレイアウト設計を実施しなければならない。
【０００５】
つまり、同じ色で発光する異なる蛍光性物質でも発光効率は異なるため、種々の事情により複数の選択肢から選ばれる蛍光性物質を変更するたびに、駆動回路や配線までを含んだ表示領域全体のレイアウト設計をやり直さなければならなかったのである。電気的仕様は同一でよいはずの駆動回路や配線等のレイアウトを、蛍光性物質を変更するたびにやり直すため、装置全体を設計コストと製造コストを上げることになっていた。
【０００６】
そこで本発明は上記課題を解決するために、発光面積を変更する場合でも駆動回路基板を共通化できる電気光学装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、互いに異なる色で発光する単色画素を複数種備えたアクティブマトリクス駆動の電気光学装置において、各単色画素を駆動するための駆動回路と、互いに略平行に延在している、各駆動回路の出力端子と、各出力端子のいずれかの位置に設けられ、各出力端子と各単色画素の独立した画素電極とを接続する接続手段とを備え、略平行に延在している各出力端子は、各単色画素のいずれの画素電極に対しても接続可能に設けられている。
【０００８】
上記構成によれば、当該電気光学装置は互いに異なる色で発光する単色画素を複数種備えているので、各発光色の合成によりフルカラーを表示可能であるが、各単色画素に電力を供給する画素電極が、いずれの発光色に対応する駆動回路に対しても電気的に接続可能なように出力端子が略平行に延在している。このため単色画素の面積をどのような比率で設けても駆動回路からの電力を供給可能になる。したがって、発光効率や寿命の観点等から単色画素の面積や形状を変更しても、駆動回路及び出力端子のレイアウトやパターンを変更する必要がない。すなわち駆動回路及び出力端子を設ける基板（例えば駆動回路基板）を共通にしながら、単色画素を形成する基板の面積・形状を変更するだけで、発光材料の変更等の仕様変更に対応できる。
【０００９】
ここで「単色画素」の発光機構に限定はなく、電気的作用によって自ら発光し、または外部からの光の状態を変化させる構造を備えたもの一般をいう。例えば、その装置構造として、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置の他、電気泳動装置、電界の印加により発生した電子を発光板に当てて発光させる電子放出装置を備えたものをも含む。
【００１０】
「接続手段」は離間した画素電極の一部と出力端子の一部とを電気的に接続可能なものであればよく、その構造や材料に限定はない。例えば、金属で構成されたバンプ状のものや硬化性樹脂に導電性材料をフィラーとして混入させた導電性ペーストなどをいう。
【００１１】
「出力端子」は、少なくともいずれの単色画素の画素電極に接続可能な程度の長さ、略平行に延在していればよい。
【００１２】
具体的には、各出力端子の延在方向が、各単色画素の並びの方向と略同一であることが好ましい。各出力端子が単色画素の並びと同一方向に略平行に設けられていれば、いずれの単色画素の画素電極からも接続可能になるからである。このような構造において単色画素の並び方向の幅を変えて発光面積を変更しても、接続可能な状態のままである。
【００１３】
ここで、本発明では、各単色画素の並びの方向と、各駆動回路の並びの方向と、各接続手段の並びの方向とのうち少なくとも一の並びの方向が、他の並びの方向と異なるように構成されている。駆動回路を設ける基板において駆動回路の配置、単色画素の並びをどのように変更しても、略平行に設けられた出力端子によって接続する構造とする限り、このような関係が生ずるからである。
【００１４】
ここで、各駆動回路の並びの方向と各単色画素の並びの方向とが略直角をなすようにすることができる。このように構成する場合、駆動回路は色画素領域のいずれかの部分で例えば縦方向に並べられて配置され、出力端子が単色画素の並び方向に例えば横方向に延在するようになる。
【００１５】
また、各駆動回路の並びの方向と各単色画素の並びの方向とが略同一方向とすることができる。このように構成する場合、駆動回路は色画素領域のいずれかの部分で単色画素の並び方向に並べられて配置され、出力端子も同一方向に延在するようになる。各駆動回路と各出力端子との接続には別層に設けられた金属層を介することになる。
【００１６】
本発明では、各単色画素の面積は互いに異なるように設けられている。本発明は、単色画素の面積如何に関わらず駆動回路及び出力端子のレイアウトやパターンを共通にできるものであるため、単色画素の面積が異なる場合にこそ利点が大きいからである。
【００１７】
本発明では、各駆動回路間のピッチはほぼ等しく設定されている。本発明は、単色画素の面積如何に関わらず駆動回路及び出力端子のレイアウトやパターンを共通にできるものであるため、駆動回路間のピッチを等しくした共通基板の方が、特定の単色画素の面積や配置を選ばない本発明の利点を享有していることになるからである。
【００１８】
本発明では、各出力端子間のピッチはほぼ等しく設定されている。本発明は、単色画素の面積如何に関わらず駆動回路及び出力端子のレイアウトやパターンを共通にできるものであるため、出力端子間のピッチを等しくした共通基板の方が、特定の単色画素の面積や配置を選ばない本発明の利点を享有していることになるからである。
【００１９】
本発明は、上記構造のアクティブマトリクス駆動の電気光学装置を備えた電子機器でもある。ここで「電子機器」とは、複数の素子または回路の組み合わせにより一定の機能を奏する機器一般をいう。その構成に特に限定が無いが、例えば、上記電気光学装置を含むテレビジョン装置、ロールアップ形テレビジョン装置、パーソナルコンピュータ、携帯電話、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、ＩＣカード、宣伝公告用ディスプレイ等が含まれる。
【００２０】
本発明は、アクティブマトリクス駆動の電気光学装置の製造装置において、各単色画素を駆動するための駆動回路を形成する工程と、各駆動回路に接続された互いに略平行に延在している出力端子を形成する工程と、により駆動回路基板を形成し、互いに異なる色で発光する単色画素を形成する工程と、各単色画素に互いに電気的に分離した画素電極を形成する工程と、により画素基板を形成し、駆動回路基板と画素基板とを対向させ、各駆動回路の出力端子と当該駆動回路に対応する単色画素の画素電極とが重なる領域において、当該出力端子と当該画素電極とを接続手段によって電気的に接続する工程をさらに備えたことを特徴とする。
【００２１】
上記工程によれば、駆動回路基板と画素基板とは別々に形成されるが、駆動回路基板の出力端子が略平行に延在して設けられているので、画素基板のいずれの単色画素の画素電極とも重なるように形成されている。したがって、画素基板についてはその仕様によって単色画素の面積や形状を種々に変更して製造することができるが、駆動回路基板については画素基板のレイアウト如何にかかわらず同一のレイアウト・パターンで製造しておけばよい。両基板を組み合わせる際に、画素基板における単色画素の位置に対応させて駆動回路基板の出力端子上に接続手段を設けることで、いずれの駆動回路に対しても電気的な接続が行える。
【００２２】
ここで、各単色画素の面積を互いに異なるように形成することが好ましい。本発明は単色画素の面積如何に関わらず駆動回路及び出力端子のレイアウトやパターンを共通にできるものであるため、単色画素の面積が異なる場合にこそ利点が大きいからである。
【００２３】
本発明では、各駆動回路間のピッチをほぼ等しくなるよう形成することが好ましい。本発明は単色画素の面積如何に関わらず駆動回路及び出力端子のレイアウトやパターンを共通にできるものであるため、駆動回路間のピッチを等しくした共通基板の方が、特定の単色画素の面積や配置を選ばない本発明の利点を享有していることになるからである。
【００２４】
本発明では、各出力端子間のピッチをほぼ等しくなるよう形成することが好ましい。本発明は単色画素の面積如何に関わらず駆動回路及び出力端子のレイアウトやパターンを共通にできるものであるため、出力端子間のピッチを等しくした共通基板の方が、特定の単色画素の面積や配置を選ばない本発明の利点を享有していることになるからである。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、駆動回路の出力を略平行に形成された出力端子にそれぞれ出力させるようにしたので、当該出力端子に重なる範囲でどのように単色画素の面積を変更しても、駆動回路の出力に接続手段を介して接続することができる。このため、単色画素の発光面積を変更する場合でも駆動回路基板を共通に使用することができ、大幅な設計コストと製造コストの削減を図ることができる。
【００２６】
また駆動回路や配線による制限を考慮することなく単色画素のレイアウトや面積、形状を定めることができるため、設計の自由度を従来装置より格段に高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
次に本発明を実施するための好適な実施形態を、図面を参照しながら説明する。
（実施形態１）
本発明の実施形態１は、本発明の電気光学装置に係り、ＥＬ装置を含む電気光学装置の構造及びその製造方法に関する。
（構造）
本実施形態における電気光学装置１は、アクティブマトリクス駆動方式としての構造を備え、大きく駆動回路基板１００と画素基板２００とが組み合わせられて構成されている。図１Ａは、画素基板２００の概略平面図であり、図１Ｂは駆動回路基板１００の概略平面図である。
【００２８】
図１Ａに示すように、画素基板２００には、赤色、緑色、青色の単色画素Ａｒ、Ａｇ、Ａｂによって一つの色画素Ａｃが形成されている。この色画素Ａｃが多数マトリクス状に画素基板２００上に形成されて、フルカラー表示が可能な電気光学装置が構成されている。各単色画素Ａｒ、Ａｇ、Ａｂは、バンク２０４（図２Ａ〜Ｃ参照）及びカソードセパレータ２０７によって分離されている。
【００２９】
図１Ｂに示すように、駆動回路基板１００では、各単色画素を駆動するための駆動回路Ｔ（Ｔｒ、Ｔｇ、Ｔｂ）が単色画素に対応して設けられており、各駆動回路Ｔからは出力端子１０９（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）が互いに略平行に延在している。駆動回路Ｔが形成される層と出力端子１０９が形成される金属層とは異なる層になっており、互いにスルーホール１０８ｈで電気的に接続されている。
【００３０】
駆動回路基板１００と画素基板２００とは互いに本発明の接続手段に相当する導電性ペースト１１０で電気的に接続されている。導電性ペースト１１０は、各出力端子１０９と、その出力端子が電流を供給すべき単色画素の画素電極（陰極層２０９：図２Ａ〜Ｃ参照）とが平面図上重なっている領域において、その出力端子１０９とその画素電極とを電気的に接続している。
【００３１】
ここで導電性ペーストとは、硬化性樹脂に導電性材料をフィラーとして混入させた接続材料であり、熱または光硬化性高分子樹脂に、フィラーとして銀粉やカーボンなどが適量混ぜられている。その色調、硬度、粘度、比抵抗、硬化条件等に応じて適切なものが選択される。
【００３２】
ここで、駆動回路基板１００において、各出力端子１０９の延在方向（図１Ｂの斜めハッチングの矢印方向）は、画素基板２００における色画素Ａｃにおける各単色画素Ａｒ、Ａｇ、Ａｂの並びの方向（破線中抜き矢印方向）と略同一になっている。出力端子１０９は、その出力端子が電流を供給すべき単色画素の画素電極（陰極層２０９）と、平面図上少なくともその一部が重なるように形成されている。出力端子１０９は少なくともいずれの単色画素Ａｒ、Ａｇ、Ａｂの画素電極に対しても接続可能に形成されていればよい。
【００３３】
また、本発明の特徴の一つとして、各単色画素の並びの方向Ａｒ、Ａｇ、Ａｂ（破線中抜き矢印）と、各駆動回路Ｔｒ、Ｔｇ、Ｔｂの並びの方向（クロスハッチ矢印方向）と、各導電性ペーストの並びの方向（点線矢印方向）とのうち少なくとも一の並びの方向が、他の並びの方向と異なるように構成されている。特に本実施形態では、いずれの並びの方向も異なっており、各駆動回路の並びの方向（クロスハッチ矢印方向）と各単色画素の並びの方向（破線中抜き矢印）とが略直角をなしている。このようなレイアウトとすることによって、駆動回路Ｔと出力端子１０９とのパターンを各単色画素とも同一にすることができる。どの駆動回路Ｔの出力をどの単色画素の画素電極に接続するかは、導電性ペースト１１０の形成位置によって任意に変更可能となっている。
【００３４】
図２Ａ〜Ｃを参照して、さらに詳しく駆動回路基板１００と画素基板２００とを組み合わせた状態における電気光学装置１の断面構造を説明する。図２Ａは図１ＢにおけるＡ−Ａ断面図であり、図２Ｂは図１ＢにおけるＢ−Ｂ断面図であり、図２Ｃは図１ＢにおけるＣ−Ｃ断面図である。当該電気光学装置１の駆動回路は通常複数のトランジスタやキャパシタによって構成されるが、説明を簡単にするため、断面図上はトランジスタ一つのみを駆動回路Ｔとして例示してある。
【００３５】
駆動回路基板１００では、基板１０１上に単色画素のそれぞれを駆動する駆動回路Ｔｒ、Ｔｇ、Ｔｂが設けられている。図面上では、基板１０１上に絶縁膜１０２を介して半導体層１０３（ドレイン領域１０３ｄ、チャネル領域１０３ｃ、及びソース領域１０３ｓ）、絶縁膜１０４を介してゲート電極１０５、さらに絶縁膜１０６を介して電極層１０７（ドレイン電極１０７ｄ及びソース電極１０７ｓ）が設けられている。
【００３６】
駆動回路Ｔｒ、Ｔｇ、Ｔｂの出力であるドレイン電極１０７ｄの各々には、絶縁膜１０８に設けられたスルーホール１０８ｈを介して出力端子１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂが接続されている。
【００３７】
図２Ａ〜Ｃに示す画素基板２００は、ＥＬ装置形成後に天地を逆にして駆動回路基板１００に接続されている。製造時には、画素基板２００は、図面上の上層側から下層側にかけて積層されていく。基板２０１上に絶縁膜２０２を介して共通電極である陽極層２０３が形成され、各々の単色画素領域を分離するバンク２０４が設けられている。各バンクの上にはさらに陰極層２０８を分離するためのカソードセパレータ２０７が形成されている。赤色で発光する単色画素Ａｒには赤色発光の蛍光性物質を含んだ発光層２０５ｒが、緑色で発光する単色画素Ａｇには緑色発光の蛍光性物質を含んだ発光層２０５ｇが、青色で発光する単色画素Ａｂには青色発光の蛍光性物質を含んだ発光層２０５ｂが、それぞれ形成されている。発光層２０５の上には電子輸送層２０６が設けられている。そして最上層にはカソードセパレータ２０７によって単色画素ごとに分離された画素電極としての陰極層２０８が設けられている。
【００３８】
画素基板２００は、画素電極である陰極層２０８が出力端子１０９の設けられている面と対向するように駆動回路基板１００と接続されている。赤色の単色画素Ａｒの陰極層２０８は出力端子１０９ｒと、緑色の単色画素Ａｇの陰極層２０８は出力端子１０９ｇと、青色の単色画素Ａｂの陰極層２０８は出力端子１０９ｂとそれぞれ接続されている。そして、駆動回路Ｔｒ、Ｔｇ、Ｔｂの各々からの出力電流が各単色画素に供給され、それらの発光層２０５が対応する色彩で発光するようになっている。
【００３９】
図２Ａ〜Ｃから判るように、出力端子１０９の形状はどの単色画素に対しても同一であり、異なるのは導電性ペースト１１０の形成位置のみである。出力端子１０９は一つの色画素Ａｃを構成するいずれの単色画素にも一部は重なるように形成されているので、単色画素の面積がどのように変更されても、いずれかの駆動回路Ｔといずれかの単色画素とが接続可能になっている。どの駆動回路Ｔでどの単色画素を駆動するかは導電性ペーストの形成位置によって任意に変更可能である。
【００４０】
なお、図示しないが、陰極層２０８が水分や酸素によって影響を受けやすい場合には、駆動回路基板１００と画素基板２００との間の間隙及び側面に樹脂等を充填したり、不活性ガスを封入したりした密封構造を備えることが好ましい。
【００４１】
上記したような電気光学装置１の構造において、各駆動回路Ｔに接続される図示しない走査線や信号線の選択によって駆動回路Ｔが選択状態となると、図示しない電源線から供給された電流が駆動回路Ｔから出力端子１０９に出力される。この電流は導電性ペースト１１０を介して対応する単色画素の陰極層２０８に流れ、発光層２０５において電気光学作用によってその発光層の色で発光する。つまり電界の印加によって、陽極層２０３から注入された正孔と陰極層２０８から注入された電子とが発光層内で再結合する際に再結合エネルギーにより発光するエレクトロルミネッセンス現象を生ずる。単色画素が複数からなる色画素Ａｃは、各単色画素Ａｒ、Ａｇ、Ａｂの発光色の合成により定まる色彩で発光する。各単色画素Ａｒ、Ａｇ、Ａｂからの光は、透明電極である陽極層２０３から基板２０１を通して図面上側に射出される。
【００４２】
なお、上記のように基板２０１側から光が射出される構造に代えて、当該電気光学装置１を、光が陰極層２０８から駆動回路基板１００を介して図面下側に射出される構造として構成してもよい。ただしその場合には、陰極層２０８及び出力端子１０９を光透過可能な材料で形成し、その下層の層構造が光を遮断しないようにパターニングしておくことが好ましい。さらに駆動回路Ｔは光の透過を妨げないように単色画素領域に重ならないように、例えばバンク２０４に重なる位置に設けることが好ましい。
【００４３】
ここで、本実施形態１によれば、各単色画素は発光効率または／および寿命に応じて発光面積が異なるように設けられているので、色画素Ａｃの色バランスが良好であり、色再現性が良く長寿命で信頼性の高い電気光学装置となっている。
【００４４】
特に、本実施形態１の構造によれば、各単色画素に電力を供給する陰極層２０８がいずれの発光色に対応する駆動回路Ｔに対しても電気的に接続可能なように出力端子１０９が略平行に延在しているので、互いの単色画素の面積をどのような比率に設けても駆動回路Ｔからの電力を供給可能になっている。このため発光効率や寿命の観点等から単色画素の面積や形状を変更しても、駆動回路基板１００上の駆動回路Ｔや出力端子１０９等のレイアウトやパターンを変更する必要がない。したがって、用いる蛍光性物質に応じて画素基板２００における単色画素の面積を種々に変更することはあっても、駆動回路基板１００としては常に同じものを用いることができる。このため駆動回路基板１００の設計や製造にかかるコストを大幅に削減することが可能である。
【００４５】
（製造方法）
次に図３〜図５を参照して、本実施形態の電気光学装置１の製造方法を説明する。図３Ａ〜Ｄは駆動回路基板１００の製造工程断面図を示し、図４Ａ〜Ｄは画素基板２００の製造工程断面図を示し、図５は両基板の接続工程断面図を示している。駆動回路Ｔとして、簡単にするため薄膜トランジスタ一つのみを例示するが、実際には複数のトランジスタやキャパシタを相互に金属層で結線した回路を形成する。
【００４６】
まず、図３Ａ〜Ｄを参照して駆動回路基板１００の製造方法を説明する。図３Ａ〜Ｄの製造工程断面図は図１ＢのＡ−Ａ切断面における製造工程を例示するものである。
【００４７】
図３Ａに示すように、基板１０１上に駆動回路Ｔを形成する。基板１０１としては製造工程におけるハンドリングや熱処理、化学処理に耐える機械的・化学的耐性がある材料で構成されている。
【００４８】
絶縁膜１０２としては酸化ケイ素または窒化珪素膜を使用する。その厚みは、例えば１０ｎｍ〜５μｍ程度であるのが好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度であるのがより好ましい。絶縁膜１０２の形成方法としては、公知の方法、例えば、電子サイクロトロン共鳴ＰＥＣＶＤ法（ＥＣＲ−ＣＶＤ法）、平行平板プラズマ化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ法）や低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ法）、スパッタリング法等の気相堆積法が挙げられる。例えば、ＰＥＣＶＤ法を利用することにより厚さ１μｍの絶縁膜１０２を形成する。
【００４９】
次に公知の方法、例えばＬＰＣＶＤ法を適用して半導体層１０３を形成する。この半導体層１０３をパターニングして、駆動回路Ｔに必要とする薄膜トランジスタを構成する。駆動回路の構成に応じて配線層やキャパシタを形成する。これらのパターニングは公知のフォトリソグラフィ法を適用する。
【００５０】
次いで半導体層１０３上に絶縁膜１０４を上記絶縁膜１０２と同様にして設ける。この絶縁膜１０４は薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として機能するものである。
【００５１】
次に、所定の金属によりゲート電極１０５を形成する。例えば、金属材料としてタンタルまたはアルミニウムの金属薄膜をスパッタリング法または真空蒸着により形成した後、パターニングすることによって、ゲート電極１０５を形成する。
【００５２】
次いでこのゲート電極１０５をマスクとして、ドナーまたはアクセプターとなる不純物イオンを打ち込み、ドレイン領域１０３ｄ及びソース領域１０３ｓをゲート電極１０５に対して自己整合的に作製する。例えば、ＮＭＯＳトランジスタを作製するためには、不純物元素としてリン（Ｐ）を所定の濃度、例えば１×１０16ｃｍ-2の濃度でソース/ドレイン領域に打ち込んだ後、適当なエネルギーの印加、例えばＸｅＣｌエキシマレーザを照射エネルギー密度２００から４００ｍＪ／ｃｍ2程度で照射するか、２５０℃から４５０℃程度の温度で熱処理するかをすることにより、不純物元素の活性化を行う。ゲート電極１０５の下方の半導体層１０３の一部がチャネル領域１０３ｃとなる。
【００５３】
次に、絶縁膜１０２と同様にして絶縁膜１０６を形成する。例えばＰＥＣＶＤ法により約５００ｎｍの酸化ケイ素膜１０６を形成し、ドレイン領域１０３ｄ及びソース領域１０３ｓに至るコンタクトホールを設ける。これらコンタクトホールおよびコンタクトホールの周縁部に、所定の方法、例えばスパッタリング法でアルミニウム等による金属層１０７を堆積して金属層１０７を形成しフォトリソグラフィ法でドレイン電極１０７ｄ及びソース電極１０７ｓを形成する。
【００５４】
次いで図３Ｂに示すように、金属層１０７を覆うように絶縁膜１０８を形成する。絶縁膜の形成方法は絶縁膜１０２と同様である。その厚みは、駆動回路Ｔを保護しうる程度の厚みにする。
【００５５】
次いで図３Ｃに示すように、ドレイン電極１０７ｄに至るスルーホール１０８ｈを公知の方法によって開口させてから金属層１０９を形成する。この金属層を図１Ｂに示す出力端子１０９の形状になるようにパターニングする。
【００５６】
以上の各工程を経て図３Ｄに示すような駆動回路基板１００が製造される。上記製造方法によれば、駆動回路Ｔの出力端子１０９が一方向に延在するように略平行に形成される。
【００５７】
次に、図４Ａ〜Ｄを参照して画素基板２００の製造方法を説明する。
【００５８】
図４Ａに示すように、基板１０１上にカソードセパレータ２０７までを順次形成していく。基板２０１は製造工程におけるハンドリングや熱処理、化学処理に耐える機械的・化学的耐性があり、発光層２０５からの光を透過可能なように光透過性のある材料で構成されている。例えば硬い材料であればガラスであり、可撓性を有する材料であれば、透明な高分子樹脂材料を利用する。絶縁膜２０２は、上記絶縁膜１０２と同様にして形成される。特に当該絶縁膜２０２は光を透過可能な程度に薄く形成することが好ましい。
【００５９】
次いで陽極層２０３が絶縁膜２０２上の全面に形成される。陽極層２０３の材料としては、ＥＬ装置の陽極として仕事関数（例えば４ｅＶ以上）の比較的大きい金属や合金、電気伝導性の比較的高い（シート抵抗の低い）化合物、これらの混合物によって構成される透明電極が用いられる。例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ等の導電性材料が挙げられる。陽極層２０３は基板２０１にこれら導電性材料を蒸着したりスパッタリングしたりして形成させる。陽極層２０３の厚みは断線のおそれのない程度の厚みであって、光透過性を大きく低下させない程度の厚みに形成する。例えば１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚みにする。当該陽極層２０３は共通電極となるものであるため、単色画素ごとにはパターニングせず全面に形成する。
【００６０】
次いで、バンク２０４を形成する。バンク２０４は、各単色画素の周囲を囲むように立設しており、発光層用蛍光性物質を含む溶液を充填・貯留するための障壁として機能するようになっている。図４Ａではバンクが一層のみで形成されているように示してあるが、実際には画素領域となる開口を設けるための絶縁層と発光層形成時に隣接する単色画素どうしを仕切るバンク層との二層構造にすることが好ましい。陽極層２０３上の絶縁膜の形成には、酸化硅素膜（ＳｉＯx：０＜ｘ≦２）や窒化硅素膜（Ｓｉ3Ｎx：０＜ｘ≦４）等の絶縁性物質を利用し、常圧化学気相堆積法（ＡＰＣＶＤ法）や低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ法）、プラズマ化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ法）等のＣＶＤ法あるいはスパッタ法等を用いて形成し、フォトリソグラフィ法を適用して各単色画素Ａｒ、Ａｇ、Ａｂの単色画素に相当する領域に開口を設ける。
【００６１】
次いで開口以外の部分にさらにバンク層を積層しバンク２０４とする。バンク層の形成には従来のバンク形成工程を適用できる。すなわち、高分子樹脂材料を所定の厚みに塗布法またはスパッタ法で成膜してからエッチングする。成膜後の厚みは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度が好ましい。厚みが薄すぎると発光層の形成時に必要な厚み以下となり、またこれ以上の厚みだと段差が激しすぎて陰極層形成時に陰極層材料のステップカバレッジを超えてしまうからである。バンク層のための樹脂材料としては、通常用いられるポリイミド等のフォトレジスト材料を適用可能である。また、例えば特開２００２―１８９２９０号公報に開示されたような材料が利用可能である。この公報によれば、有機材料として（ａ）アルカリ可溶性樹脂と（ｂ）キノンジアジドスルホン酸エステルと（ｃ）有機溶剤と（ｄ）熱硬化性成分とを含有する感放射線性樹脂組成物において、（ｄ）熱硬化性成分が（ａ）アルカリ可溶性樹脂、（ｂ）キノンジアジドスルホン酸エステル、及び（ｃ）有機溶剤からなる感放射線性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜の耐熱温度より高い温度で硬化する化合物を利用することが開示されている。
【００６２】
バンク２０４が形成されたら、バンク２０４上に公知の方法を用いてカソードセパレータ２０７を形成する。図４Ａに示すようなカソードセパレータの形状、すなわち断面が逆テーパ形状の壁を形成するには種々の方法が考案されている。例えば特開平８―３１５９８１号公報に記載のように、ポリイミド膜を形成し上面にＳｉＯ2膜を形成してからリアクティブエッチング等で障壁形状にし、次いでアルカリ溶液によるウェットエッチングで側面をアンダーカットするような方法や、特許第３０２８０９４号公報に記載のように、リフトオフ法によるパターン形成用ネガ型感光性組成物を用いる方法が利用可能である。また、特許第２９８９０６４号に記載のように、光線の露光によって架橋する化合物、アルカリ性水溶液である現像液に可溶で、かつ、水に対しては実質的に不溶の樹脂状の成分及び架橋反応に関わる露光光線を吸収する成分を含むネガ型感光性組成物を用い、露光後にアルカリ性水溶液を現像液として現像することによって、オーバーハングした形状を形成する方法も利用可能である。
【００６３】
以上の工程によって、発光層２０５を設けるための単色画素Ａｒ、Ａｇ、Ａｂが形成される。次に図４Ｂに示すように、上記単色画素領域に対し液滴吐出装置Ｉ／ＪからＥＬ材料である蛍光性物質を含む溶液を吐出して、バンク２０４で囲まれた単色画素に溶液を充填させる。
【００６４】
発光層２０５に用いられる蛍光性物質については特に制限はなく、従来のＥＬ装置における蛍光性物質として公知のものを用いることができる。蛍光性物質は有機であるか無機であるか（Ｚｎ：Ｓなど）を問わない。有機ＥＬ物質を用いる場合、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤や、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物、ジスチリルピラジン誘導体、芳香族ジメチリジン化合物などを使用できる。
【００６５】
例えば、赤色発光層２０５ｒの蛍光性物質としてローダミン１０１を添加したＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）を、緑色発光層２０５ｇの蛍光性物質としてＰＰＶを、青色発光層２０５ｂの材料としてポリジオクチルフルオレンを利用可能である。
【００６６】
これら蛍光性物質を含む溶液は、バンク２０４間に所定量充填される。この充填量は乾燥時に発光層として機能しうる厚みに蛍光性物質が堆積する程度の量に調整する。またこの溶液を充填してもあふれ出ない程度の高さにバンク２０４の高さを調整しておく。溶液をバンク２０４で囲まれた単色画素領域に充填したら、加熱処理をして溶液中の溶媒成分を蒸発させる。この加熱温度は、溶液中の蛍光性物質に変性を来さない程度の温度に調整される。
【００６７】
キャリアの移動度を増加させるために、陽極層２０３より注入された正孔を発光層２０５に伝達する機能を有する正孔注入層や、陰極層２０８により注入される電子を発光層２０５に伝達する電子輸送層を併せて形成してもよい。いずれの層を併せて形成する場合でも、発光層２０５形成と同様の溶液の充填と乾燥とを行う。
【００６８】
図４Ｃに示すように、本実施形態では電子輸送層２０６が形成されている。電子輸送層の材料としては、例えば、ニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、さらには８−キノリノール又はその誘導体の金属錯体を利用できる。
【００６９】
なお、正孔注入層を形成する場合、発光層２０５の形成に先立って陽極層２０３と発光層２０５との間に正孔注入層を形成する。正孔注入層の材料としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系化合物、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマーなどの特定の導電性高分子オリゴマーなどを利用可能である。
【００７０】
図４Ｄに示すように、電子輸送層２０６を形成後、全面に導電性薄膜を成膜させ、カソードセパレータ２０７により薄膜を分離させ、陰極層２０８とする。陰極層２０８のための導電性薄膜材料としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、導電性化合物及びこれらの混合物などを電極物質とする金属電極が用いられる。例えば、アルカリ金属であるナトリウム、カリウム、リチウム、ルビジウム、セシウム、アルカリ土金属であるマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、イットリウム及びランタノイドからなる希土類元素などが挙げられる。また、電極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。
【００７１】
陰極層２０８を形成するために、上記導電性薄膜材料をスパッタ法または蒸着法により、所定の厚みに形成する。陰極層の厚みは薄すぎて膜形成が部分的に不全となって断線が生じることのない程度の厚み、例えば１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚みにする。このとき、カソードセパレータ２０７の庇形状によって金属薄膜が分離され、単色画素ごとに電気的に独立した陰極層２０８が形成される。
【００７２】
最後に、駆動回路基板１００の出力端子１０９上にそれぞれ導電性ペースト１１０を付着させてから、図５に示すように、画素基板２００の陰極層形成面が出力端子１０９の形成面と向かい合わせになるように画素基板２００と駆動回路基板１００とを近づける。そして両基板が電気的に接続されてから使用した導電性ペーストに適した硬化法にしたがって光照射または熱印加を行って当該導電性ペーストを硬化させる。
【００７３】
ここで、導電性ペースト１１０を設ける位置は、図１Ｂにおいて画素基板２００と駆動回路基板１００とを組み合わせた場合に単色画素Ａｒ、Ａｇ、Ａｂのいずれかに重なっている出力端子１０９上の位置とする。
【００７４】
当該実施形態によれば、単色画素の面積をどのように設定しても、当該単色画素が設けられた画素基板２００と組み合わされる駆動回路基板１００の出力端子１０９のいずれとも接続可能になっていので、駆動回路Ｔからの出力端子１０９が当該駆動回路によって駆動すべき単色画素の陰極層２０８と重なっている部分に導電性ペースト１１０を設けることができる。
【００７５】
以上の各工程により、図２Ａ〜Ｃに示すような断面構造の電気光学装置１を構成することができる。なお、一般にＥＬ装置の陰極材料は、一般に水やガスに対する耐性が弱いため、両基板接続後に図示しない封止樹脂を充填するか不活性ガスを充填するかの方法により空気が陰極層２０８に触れないように封止する。
【００７６】
（実施形態２）
上記実施形態１では、駆動回路Ｔの並びと単色画素Ａｒ、Ａｇ、Ａｂの並びとが略垂直に設けられていたが、本実施形態２ではその変形例を示す。
【００７７】
図６に本実施形態２における駆動回路基板１００ｂの概略平面図を示す。画素基板２００については実施形態１と同様のものを使用する。図６に示すように、駆動回路基板１００ｂでは、各単色画素を駆動するための駆動回路Ｔ（Ｔｒ、Ｔｇ、Ｔｂ）が単色画素に対応して設けられており、各駆動回路Ｔからは出力端子１０９（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）が互いに略平行に延在している。実施形態１と同様に、各出力端子１０９の延在方向（図６の斜めハッチングの矢印方向）は、色画素Ａｃにおける各単色画素Ａｒ、Ａｇ、Ａｂの並びの方向（破線中抜き矢印方向）と略同一になっている。同様に、出力端子１０９は、その出力端子が電流を供給すべき単色画素の画素電極（陰極層２０９）と、平面図上少なくともその一部が重なるように形成されている。出力端子１０９、少なくともいずれの単色画素Ａｒ、Ａｇ、Ａｂの画素電極に対しても接続可能なように形成されている。
【００７８】
また、各単色画素の並びの方向Ａｒ、Ａｇ、Ａｂ（破線中抜き矢印）と、各駆動回路Ｔｒ、Ｔｇ、Ｔｂの並びの方向（クロスハッチ矢印方向）と、各導電性ペースト１１０の並びの方向（点線矢印方向）とのうち少なくとも一の並びの方向が、他の並びの方向と異なるように構成されている点も、上記実施形態１と同様である。その他実施形態１と同様の点については説明を省略する。
【００７９】
特に本実施形態では、各駆動回路の並びの方向と各単色画素の並びの方向とが略同一方向としている点が特徴である。すなわち、各駆動回路Ｔｒ、Ｔｇ、Ｔｂの並びの方向（クロスハッチ矢印方向）と各単色画素Ａｒ、Ａｇ、Ａｂの並びの方向（破線中抜き矢印）とが同一方向であり、この方向は出力端子１０９の延在方向（斜めハッチングの矢印方向）とも一致している。導電性パターン１１０のみがこれらとは異なる方向に並んでいる（点線矢印方向）。
【００８０】
上記のように駆動回路Ｔが出力端子１０９の延在方向と同一方向に並んでいるため、本実施形態では離れた出力端子に出力を供給するための金属配線が必要になっている（図６における駆動回路Ｔｇと出力端子１０９ｇとを接続する配線、駆動回路ｂと出力端子１０９ｂとを接続する配線）。
【００８１】
図７Ａ〜Ｃを参照して、さらに詳しく駆動回路基板１００ｂと画素基板２００とを組み合わせた状態における電気光学装置１の断面構造を説明する。図７Ａは図６におけるＡ−Ａ断面図であり、図７Ｂは図６におけるＢ−Ｂ断面図であり、図７Ｃは図６におけるＣ−Ｃ断面図である。当該実施形態においても説明を簡単にするため、断面図上はトランジスタ一つのみを駆動回路Ｔとして例示してある。
【００８２】
図７Ａに示すように、本駆動回路基板１００ｂでは、駆動回路Ｔｒ、Ｔｇ、Ｔｂが出力端子１０９ｒの延在方向に沿って並べられている。但し出力端子１０９ｒに電気的に接続されているのは駆動回路Ｔｒのみである。一方、図７Ｂに示すように、駆動回路Ｔｇからは金属層１０７が出力端子１０９ｇ方向に延びており、スルーホール１０８ｈを介して出力端子１０９ｇに電気的に接続されている。同様に、図７Ｃに示すように、駆動回路Ｔｂからは金属層１０７が出力端子１０９ｂ方向に延び、スルーホール１０８ｈを介して出力端子１０９ｂに電気的に接続されている。
【００８３】
上記したような構造において、各駆動回路Ｔに接続される図示しない走査線や信号線の選択によって駆動回路Ｔが選択状態となると、実施形態１と同様に、図示しない電源線から供給された電流が駆動回路Ｔから出力端子１０９に出力され、導電性ペースト１１０を介して対応する単色画素の陰極層２０８に流れ、発光層２０５において電気光学作用によってその発光層の色で発光する。
【００８４】
なお、実施形態１と同様に、上記のように基板２０１側から光が射出される構造に代えて、当該電気光学装置１を、光が陰極層２０８から駆動回路基板１００を介して図面下側に射出される構造として構成してもよい。
【００８５】
ここで、本実施形態２によれば、実施形態１と同様の効果を奏する他、特に駆動回路Ｔが出力端子１０９の延在方向に並べられているので、駆動回路に供給する電源線を一つとすることが可能である。
【００８６】
（実施形態３）
本実施形態３では、上記実施形態１のレイアウトのさらなる変形例を示す。
【００８７】
図８に本実施形態３における駆動回路基板１００ｃの概略平面図を示す。画素基板２００については実施形態１と同様のものを使用する。図８に示すように、駆動回路基板１００ｃでは、各単色画素を駆動するための駆動回路Ｔ（Ｔｒ、Ｔｇ、Ｔｂ）が単色画素に対応して設けられており、各駆動回路Ｔからは出力端子１０９（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）が互いに略平行に延在している。実施形態１と同様に、各出力端子１０９の延在方向（図８の斜めハッチングの矢印方向）は、色画素Ａｃにおける各単色画素Ａｒ、Ａｇ、Ａｂの並びの方向（破線中抜き矢印方向）と略同一になっている。同様に、出力端子１０９は、その出力端子が電流を供給すべき単色画素の画素電極（陰極層２０９）と、平面図上少なくともその一部が重なるように形成されている。出力端子１０９、少なくともいずれの単色画素Ａｒ、Ａｇ、Ａｂの画素電極に対しても接続可能なように形成されている。
【００８８】
また、各単色画素の並びの方向Ａｒ、Ａｇ、Ａｂ（破線中抜き矢印）と、各駆動回路Ｔｒ、Ｔｇ、Ｔｂの並びの方向（クロスハッチ矢印方向）と各導電性ペースト１１０の並びの方向（点線矢印方向）とのうち少なくとも一の並びの方向とが他の並びの方向と異なるように構成されている点も、上記実施形態１と同様である。その他実施形態１と同様の点については説明を省略する。
【００８９】
特に本実施形態では、各駆動回路の並びの方向と各導電性ペーストの並びの方向とが略同一方向としている点が特徴である。すなわち、各駆動回路Ｔｒ、Ｔｇ、Ｔｂの並びの方向（クロスハッチ矢印方向）と導電性ペースト１１０（破線中抜き矢印）の並びの方向とが同一であり、出力端子１０９の延在方向（斜めハッチングの矢印方向）と各単色画素Ａｒ、Ａｇ、Ａｂの並び方向（点線矢印方向）とが同一である。このような配置により、本実施形態では駆動回路Ｔが導電性ペースト１１０の形成位置の近傍にそれぞれ設けられている。
【００９０】
図９Ａ〜Ｃを参照して、さらに詳しく駆動回路基板１００ｃと画素基板２００とを組み合わせた状態における電気光学装置１の断面構造を説明する。図９Ａは図８におけるＡ−Ａ断面図であり、図９Ｂは図８におけるＢ−Ｂ断面図であり、図９Ｃは図８におけるＣ−Ｃ断面図である。当該実施形態においても説明を簡単にするため、断面図上はトランジスタ一つのみを駆動回路Ｔとして例示してある。
【００９１】
図９Ａ〜Ｃに示すように、本駆動回路基板１００ｃでは、駆動回路Ｔｒ、Ｔｇ、Ｔｂが導電性ペースト１１０の形成位置の近傍にそれぞれ設けられている。したがって、本実施形態３によれば、実施形態１と同様の効果を奏する他、特に駆動回路Ｔの出力供給口（スルーホール１０８ｈ）が画素基板２００への電流供給口である導電性ペースト１１０の近傍に並べられているので、無駄な電力消費を抑えることができる。
【００９２】
（実施形態４）
本発明の実施形態４は上記電気光学装置１の構造を備えた装置全体構成と電子機器に関する。
【００９３】
図１０に、上記各実施形態で説明した電気光学装置１を電気的に配線して構成される電気光学装置本体１０のブロック図を示す。図１０に示すように、本電気光学装置本体１０は、描画プロセッサ２、デコーダ３、走査ドライバ４、電流ドライバ５、及び前記電気光学装置１を備えている。
【００９４】
描画プロセッサ２は図示しない画像メモリに格納された画像データを所定のタイミングごとに読み出してデコーダ３に転送する。デコーダ３は当該画像データに基づいて電気光学装置１のための走査信号に変換し、走査ドライバ４経由で走査線Ｖｓｇ１〜Ｖｓｇｍに供給する。またデコーダ３は画像データに基づいて電流選択信号を生成し電流ドライバ５経由で電流選択線Ｉｄ１〜Ｉｄｎに供給する。
【００９５】
上記のような配線により、電気光学装置本体１０は、単色画素ごとに駆動回路基板１００上の駆動回路Ｔと画素基板２００上のＥＬ装置ＯＥＬＤとが設けられており、走査線Ｖｓｇと電流選択線Ｉｄがともに選択状態となると、電源線Ｖｐからの電流がＥＬ装置ＯＥＬＤ経由で流れるようになっている。このとき、当該電気光学装置１は本発明の構造を備えているので、各単色画素におけるＥＬ装置ＯＥＬＤの発光面積は種々に変更されても駆動回路Ｔを含む駆動回路基板１００のレイアウトやパターンを変更する必要はない。
【００９６】
図１１Ａ及び図１１Ｂに図１０に示すような電気光学装置本体１０を備える電子機器の概観を示す。
【００９７】
図１１Ａは、テレビジョン装置３０の例であり、当該電子機器は、本発明に係る電気光学装置本体１０を含んで構成されている。また図１１Ｂはロールアップ形テレビジョン装置４０に本発明に係る電気光学装置本体１０を含んで構成されている。
【００９８】
本発明は上記実施形態に限定されることなく種々に変形して利用することが可能である。
【００９９】
例えば、上記実施形態では、画素基板２００と駆動回路基板１００とを別々に形成し、最後に両基板を組み合わせることで電気光学装置１を形成したが、駆動回路基板と画素基板とに分離せずに、同一基板上に、駆動回路形成後にさらにＥＬ装置にかかる層構造を積層するように構成してもよい。このような一枚基板の層構造であっても、少なくとも駆動回路周辺のレイアウトとパターンをＥＬ装置自体の面積変更に応じて変更する必要が無いため、設計に係る工数を削減でき、本発明の利益を享有することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１Ａ】実施形態１における電気光学装置の構造図である画素基板の平面図。
【図１Ｂ】実施形態１における電気光学装置の構造図である駆動回路基板の平面図。
【図２Ａ】実施形態１の電気光学装置の断面図（図１ＢのＡ−Ａ断面図）。
【図２Ｂ】実施形態１の電気光学装置の断面図（図１ＢのＢ−Ｂ断面図）。
【図２Ｃ】実施形態１の電気光学装置の断面図（図１ＢのＣ−Ｃ断面図）。
【図３Ａ】実施形態１の駆動回路基板の製造工程断面図（半導体装置形成工程）。
【図３Ｂ】実施形態１の駆動回路基板の製造工程断面図（絶縁膜形成工程）。
【図３Ｃ】実施形態１の駆動回路基板の製造工程断面図（金属層形成工程）。
【図３Ｄ】実施形態１の駆動回路基板の製造工程断面図（出力端子形成工程）。
【図４Ａ】実施形態１の画素基板の製造工程断面図（カソードセパレータ形成工程まで）。
【図４Ｂ】実施形態１の画素基板の製造工程断面図（溶液充填工程）。
【図４Ｃ】実施形態１の画素基板の製造工程断面図（正孔輸送層形成工程）。
【図４Ｄ】実施形態１の画素基板の製造工程断面図（陰極層形成工程）。
【図５】実施形態１の接続手段形成工程（駆動回路基板と画素基板との貼り合わせ工程）。
【図６】実施形態２における電気光学装置の構造図であり、駆動回路基板の平面図。
【図７Ａ】実施形態２の電気光学装置の断面図（図６のＡ−Ａ断面図）。
【図７Ｂ】実施形態２の電気光学装置の断面図（図６のＢ−Ｂ断面図）。
【図７Ｃ】実施形態２の電気光学装置の断面図（図６のＣ−Ｃ断面図）。
【図８】実施形態３における電気光学装置の構造図であり、駆動回路基板の平面図。
【図９Ａ】実施形態３の電気光学装置の断面図（図８のＡ−Ａ断面図）。
【図９Ｂ】実施形態３の電気光学装置の断面図（図８のＢ−Ｂ断面図）。
【図９Ｃ】実施形態３の電気光学装置の断面図（図８のＣ−Ｃ断面図）。
【図１０】実施形態４の電気光学装置本体のブロック図。
【図１１Ａ】電子機器の例示であるテレビジョン装置。
【図１１Ｂ】電子機器の例示である巻取り可能なロールアップ形テレビジョン装置。
【符号の説明】
【０１０１】
Ａｒ…赤色発光領域、Ａｇ…緑色発光領域、Ａｂ…青色発光領域、Ａｃ…カラー画素、Ｔｒ、Ｔｇ、Ｔｂ…駆動回路（トランジスタ）、１…電気光学装置、２…表示プロセッサ、３…デコーダ、４…走査ドライバ、５…電流ドライバ、１０…電気光学装置本体、３０…大型テレビジョン装置、４０…ロールアップ型テレビジョン装置、１００…駆動回路基板、１０１、２０１…基板、１０２、１０４、１０６、１０８、２０２…（層間）絶縁膜、１０３…半導体層、１０３ｃ…チャネル領域、１０３ｓ…ソース領域、１０３ｄ…ドレイン領域、１０５…ゲート電極、１０７…金属層、１０７ｓ…ソース電極、１０７ｄ…ドレイン電極、１０８ｈ…コンタクトホール、１０９、１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ…出力端子、１１０…導電性ペースト（接続手段）、２００…画素基板、２０３…陽極層、２０４…バンク、２０５…発光層、２０５ｒ…赤色発光層、２０５ｇ…緑色発光層、２０５ｂ…青色発光層、２０６…正孔輸送層、２０７…カソードセパレータ、２０８…陰極層（画素電極）
【図１Ａ】
2005208423.tif 000003
【図１Ｂ】
2005208423.tif 000004
【図２Ａ】
2005208423.tif 000005
【図２Ｂ】
2005208423.tif 000006
【図２Ｃ】
2005208423.tif 000007
【図３Ａ】
2005208423.tif 000008
【図３Ｂ】
2005208423.tif 000009
【図３Ｃ】
2005208423.tif 000010
【図３Ｄ】
2005208423.tif 000011
【図４Ａ】
2005208423.tif 000012
【図４Ｂ】
2005208423.tif 000013
【図４Ｃ】
2005208423.tif 000014
【図４Ｄ】
2005208423.tif 000015
【図５】
2005208423.tif 000016
【図６】
2005208423.tif 000017
【図７Ａ】
2005208423.tif 000018
【図７Ｂ】
2005208423.tif 000019
【図７Ｃ】
2005208423.tif 000020
【図８】
2005208423.tif 000021
【図９Ａ】
2005208423.tif 000022
【図９Ｂ】
2005208423.tif 000023
【図９Ｃ】
2005208423.tif 000024
【図１０】
2005208423.tif 000025
【図１１Ａ】
2005208423.tif 000026
【図１１Ｂ】
2005208423.tif 000027