(57)【要約】【課題】  湿式処理の前に電極ガラス基板に貫通穴が形成されていても、処理液が駆動機構の空間部へ浸入するのを防止することができるインクジェットヘッドの製造方法、その製造方法で用いられる載置台及び吸着補助治具、インクジェットヘッド、そのインクジェトヘッドを搭載したインクジェット記録装置を提供する。【解決手段】  電極ガラス基板２において接合面と反対側の面に封止剤注入穴１６を覆うように保護フィルム６１を貼るとともに、保護フィルム６１をエッチング、洗浄を含む湿式処理で用いられる液から保護する保護治具７１を保護フィルム６１を覆うように取り付けた後に、湿式処理を行う。【選択図】        図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
吐出室及びリザーバーとなる凹部を有し、前記吐出室の壁面の一部が振動板となるキャビティ基板と、前記振動板に隙間をもって対向する個別電極を有し、前記隙間の外部連通部を封止するための封止剤注入穴が貫通形成された電極ガラス基板とを接合して接合基板を構成し、前記接合基板の前記キャビティ基板側の厚みを減らした後、前記キャビティ基板に吐出室及びリザーバーとなる凹部を、少なくともエッチング、洗浄を含む湿式処理を用いて形成するインクジェットヘッドの製造方法であって、
前記電極ガラス基板において接合面と反対側の面に前記封止剤注入穴を覆うように保護フィルムを貼るとともに、前記保護フィルムを前記湿式処理で用いられる液から保護する保護治具を前記保護フィルムを覆うように取り付けた後に、前記湿式処理を行うことを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記電極ガラス基板には、前記リザーバにインクを供給するためのインク供給穴が貫通形成されており、前記保護フィルムを、前記封止剤注入穴に加えて前記インク供給穴も覆うように貼ることを特徴とする請求項１記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記保護フィルムは、製造過程における熱影響に耐えうる耐熱性を有し、且つ、電極ガラス基板との熱収縮率の違いによる前記電極ガラス基板の割れが発生しない程度の熱収縮率を有することを特徴とする請求項１又は請求項２記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記保護フィルムの耐熱温度が、製造過程における最高処理温度以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記保護フィルムの材質がポリエステル、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィドの何れかであることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記保護フィルムは、糊残りすることなく剥離可能なものであることであることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れかに記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記保護治具の前記接合基板への取り付けは、真空吸着により行うことを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れかに記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６の何れかに記載のインクジェットヘッドの製造方法で用いられる載置台であって、
前記電極ガラス基板への前記保護フィルムの貼り付けは、前記接合基板を載置台上に前記キャビティ基板側が前記載置台に対向するように載置した状態で行うものであり、前記接合基板全体を載置できる形状に構成された第１の凹部と、前記第１の凹部の内側に形成され、前記キャビティ基板が載置された際に、前記キャビティ基板の前記吐出室の形成部分との間に隙間を形成する第２の凹部と、前記第２の凹部内において突設され、高さが略同一な複数の凸部を有することを特徴とする載置台。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６の何れかに記載のインクジェットヘッドの製造方法で用いられる吸着補助治具であって、
前記保護治具の前記接合基板への取り付けは、前記保護治具上に前記接合基板を前記電極ガラス基板側が前記保護治具に対向するように配置し、且つ前記キャビティ基板上に吸着補助治具を載せた状態で真空チャンバ内に収容して真空チャンバ内を減圧することにより行うものであり、前記接合基板の反りを矯正して前記接合基板を前記保護治具に密着させることのできる重量を有し、且つ、前記キャビティ基板上に載せられた際に、前記キャビティ基板の前記吐出室の形成部分との間に隙間を形成する凹部を有することを特徴とする吸着補助治具。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項７の何れかに記載のインクジェットヘッドの製造方法で製造されたインクジェットヘッド。
【請求項１１】
請求項１０記載のインクジェットヘッドを搭載したことを特徴とするインクジェット記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は記録を必要とする時にのみインク液滴を吐出し、記録紙面に付着させるインクジェット記録装置の主要部であるインクジェットヘッドの製造方法及びその製造方法で得られたインクジェットヘッドを搭載したインクジェット記録装置に関し、特にその駆動方式として静電気力を利用するインクジェットヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インクジェット記録装置の主要部であるインクジェットヘッドは、高速印字に対応するため多ノズル化が進んでおり、また高解像度化の要求から微小な駆動機構（アクチュエータ）が求められている。駆動機構が小型化され、高密度化されると、インクを吐出するノズルごとに設けられた吐出室の隔壁が薄くなり、隔壁の剛性が低くなるため、１つの吐出室のインクが吐出されたときに隣接する吐出室が影響を受けるという、いわゆるクロストークの問題があった。
このクロストークの発生を抑制するためには、吐出室の隔壁の高さを低くして剛性を高めるという方法があるが、吐出室（キャビティ）の隔壁を形成するキャビティ基板の厚さを薄くして吐出室の隔壁の高さを低くすると、キャビティ基板の取り扱いが難しくなり歩留りが極端に低下するという問題点があった。
【０００３】
このような問題点を解決するために従来のインクジェットヘッドでは、比較的厚いキャビティ基板と個別電極を備えた電極ガラス基板を接合し、キャビティ基板の厚みを減らした後に、振動板と吐出室の隔壁を形成することにより、歩留りが低下するのを防止し、吐出室の隔壁の高さを低くするものがあった（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また従来のインクジェットヘッドでは、インクジェットヘッドの奥行きを小さくしてヘッドサイズをコンパクトにするために、キャビティ基板の電極ガラス基板との接合面側に封止剤注入溝を形成し、電極ガラス基板に封止剤注入溝に連通する封止剤注入穴及び封止剤排出穴を貫通形成して、封止剤のインクジェットヘッドの奥行き方向への幅を小さくしているものがあった（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平１１−９９３号公報（図３、図４）
【特許文献２】特開２００１−１７９９７４号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような、キャビティ基板と電極ガラス基板を接合し、キャビティ基板の厚さを減らした後に、振動板と吐出室の隔壁を形成するインクジェットヘッドの製造方法と（例えば、特許文献１参照）、キャビティ基板に封止剤注入溝を形成し、電極ガラス基板に封止剤注入穴及び封止剤排出穴を形成するインクジェットヘッドの製造方法を組み合わせると（例えば、特許文献２参照）、駆動機構の高密度化、ヘッドサイズのコンパクト化を実現できる。
【０００６】
しかしこの時、キャビティ基板の厚さを減らす工程と、振動板と吐出室の隔壁を形成する工程において、処理液を使用したウェットエッチングを行うため、このような湿式処理の前に封止剤注入穴及び封止剤排出穴といった駆動機構（アクチュエータ）の空間部に連通する貫通穴が形成されていると、処理液が貫通穴を介して空間部に浸入し、駆動機構が正常に機能しなくなるという問題点があった。
また電極ガラス基板に、リザーバー（共通インク室）に繋がるインク供給穴がウェットエッチングの前に貫通形成されていると、キャビティ基板にインク供給穴がまだ形成されていなくても、インク供給穴付近の接合状態が不十分であった場合には、電極ガラス基板とキャビティ基板の接合界面から処理液が浸入し、駆動機構の空間部に処理液が入ってしまうという問題点があった。
【０００７】
本発明は、湿式処理の前に電極ガラス基板に貫通穴が形成されていても、処理液が駆動機構の空間部へ浸入するのを防止することができるインクジェットヘッドの製造方法、その製造方法で用いられる載置台及び吸着補助治具、インクジェットヘッド、そのインクジェトヘッドを搭載したインクジェット記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るインクジェットヘッドの製造方法は、吐出室及びリザーバーとなる凹部を有し、吐出室の壁面の一部が振動板となるキャビティ基板と、振動板に隙間をもって対向する個別電極を有し、隙間の外部連通部を封止するための封止剤注入穴が貫通形成された電極ガラス基板とを接合して接合基板を構成し、接合基板のキャビティ基板側の厚みを減らした後、キャビティ基板に吐出室及びリザーバーとなる凹部を、少なくともエッチング、洗浄を含む湿式処理を用いて形成するインクジェットヘッドの製造方法であって、電極ガラス基板において接合面と反対側の面に封止剤注入穴を覆うように保護フィルムを貼るとともに、保護フィルムを湿式処理で用いられる液から保護する保護治具を保護フィルムを覆うように取り付けた後に、湿式処理を行うものである。これにより、隙間を形成する空間部、すなわち駆動機構の空間部に処理液が侵入するのを防止できる。なお、この製造方法は、キャビティ基板と電極ガラス基板を接合した後にキャビティ基板を減少させる方式と、電極ガラス基板に設けた封止剤注入穴を利用して外部連通部を封止する方式を採用しているため、駆動機構を高密度化とヘッドサイズがコンパクトなインクジェットヘッドを得ることができる。
【０００９】
また、本発明に係るインクジェットヘッドの製造方法は、電極ガラス基板には、リザーバにインクを供給するためのインク供給穴が貫通形成されており、保護フィルムを、封止剤注入穴に加えてインク供給穴も覆うように貼るものである。このように、電極ガラス基板にインク供給穴が貫通形成されていても、上記と同様の効果を奏する。
【００１０】
また、本発明に係るインクジェットヘッドの製造方法において、保護フィルムは、製造過程における熱影響に耐えうる耐熱性を有し、且つ、電極ガラス基板との熱収縮率の違いによる電極ガラス基板の割れが発生しない程度の熱収縮率を有するものである。
また、本発明に係るインクジェットヘッドの製造方法は、保護フィルムの耐熱温度が、製造過程における最高処理温度以上であるものである。
これにより、製造過程全般に渡って確実に処理液の空間部への浸入を防止できるとともに、電極ガラス基板の割れを防止できる。
【００１１】
また、本発明に係るインクジェットヘッドの製造方法は、保護フィルムの材質がポリエステル、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィドの何れかであるものである。
【００１２】
また、本発明に係るインクジェットヘッドの製造方法において、保護フィルムは、糊残りすることなく剥離可能なものである。これにより、糊残りによって生じる不都合を防止できる。
【００１３】
また、本発明に係るインクジェットヘッドの製造方法は、保護治具の接合基板への取り付けは、真空吸着により行うものである。これにより、保護治具と接合基板の着脱が容易となる。
【００１４】
本発明に係る載置台は、上記の何れかのインクジェットヘッドの製造方法で用いられる載置台であって、電極ガラス基板への保護フィルムの貼り付けは、接合基板を載置台上にキャビティ基板側が載置台に対向するように載置した状態で行うものであり、接合基板全体を載置できる形状に構成された第１の凹部と、第１の凹部の内側に形成され、キャビティ基板が載置された際に、キャビティ基板の吐出室の形成部分との間に隙間を形成する第２の凹部と、第２の凹部内において突設され、高さが略同一な複数の凸部を有するものである。
電極ガラス基板に保護フィルムを貼り付けするに際し、このような載置台を利用することにより、キャビティ基板の吐出室形成部分に載置台との接触による傷、汚れが発生することがなく、引いては吐出室形成工程の歩留り低下を防ぐことが可能である。また、高さが略同一な複数の凸部によって、保護フィルム貼付時に接合基板全体の平坦性を保つことが可能である。
【００１５】
本発明に係る吸着補助治具は、上記の何れかのインクジェットヘッドの製造方法で用いられる吸着補助治具であって、保護治具の接合基板への取り付けは、保護治具上に接合基板を電極ガラス基板側が保護治具に対向するように配置し、且つキャビティ基板上に吸着補助治具を載せた状態で真空チャンバ内に収容して真空チャンバ内を減圧することにより行うものであり、接合基板の反りを矯正して接合基板を保護治具に密着させることのできる重量を有し、且つ、キャビティ基板上に載せられた際に、キャビティ基板の吐出室の形成部分との間に隙間を形成する凹部を有するものである。
保護治具を接合基板に取り付けるに際し、このような吸着補助治具を利用することにより、確実に保護治具を接合基板に取り付けることが可能になるとともに、キャビティ基板の吐出室形成部分に載置台との接触による傷、汚れが発生することがなく、引いては吐出室形成工程の歩留り低下を防ぐことが可能である。
【００１６】
本発明に係るインクジェットヘッドは、上記の何れかのインクジェットヘッドの製造方法で製造されたインクジェットヘッド。これにより、駆動機構及びノズルが高密度でヘッドサイズがコンパクトなインクジェットヘッドが得られる。
【００１７】
本発明に係るインクジェット記録装置は、上記のインクジェットヘッドを搭載したものである。これにより、駆動機構及びノズルが高密度でヘッドサイズがコンパクトなインクジェットヘッドを搭載した高性能のインクジェット記録装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
実施形態１．
図１は、本発明の実施形態１に係る静電駆動方式のインクジェットヘッドの一例を示した図である。図１（ａ）はインクジェットヘッドの裏面図であり、図１（ｂ）はｂ−ｂ線に沿ったインクジェットヘッドの縦断面図、図１（ｃ）はｃ−ｃ線に沿った横断面図である。図１に示すインクジェットヘッドは、シリコン製のキャビティ基板１を、電極ガラス基板２とシリコン製のノズル基板３が上下から挟む構造となっており、キャビティ基板１、電極ガラス基板２及びノズル基板３は互いに接合されている。なお、ノズル基板３は必ずしもシリコン製である必要はなく、ホウ珪酸ガラス等であってもよい。ノズル基板３の表面には多数のノズル穴４が開口している。ノズル基板３及びキャビティ基板１の間には、リザーバー５と、オリフィス６を介してリザーバー５に連通している吐出室７が設けられており、各吐出室７にはノズル穴４が設けられている。オリフィス６及び吐出室７は、ノズル穴４ごとに個別に設けられている。なおノズル穴４は、キャビティ基板１又はノズル基板３に溝を設けて横方向（図１（ｂ）の左方向）からインク液滴を吐出できるように設けてもよい。
【００１９】
リザーバー５には、インク供給穴８を介して外部からインクが供給されるようになっている。各吐出室７の底面部分（図１（ｂ）の上側の部分）は、電極ガラス基板２の方向に振動可能な振動板９となっている。電極ガラス基板２のキャビティ基板１との接合面側には、各振動板９に対向する位置に細長い一定の深さの空間部１０が設けられている。なお、この空間部１０は電極ガラス基板２に凹部を形成する他に、キャビティ基板１に凹部を形成したり、スペーサーを挟むことによって設けることもできる。電極ガラス基板２の空間部１０に面する位置には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｈｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる個別電極１１が備えられており、この個別電極１１は一定の間隔の隙間をもって振動板９に対向している。個別電極１１は、空間部１０の底面に沿って電極ガラス基板２の後端面１２まで延びており、その後端部分が外部配線に接続するための電極取り出し部１３となっている。
【００２０】
キャビティ基板１の電極ガラス基板２との接合面側には、封止剤注入溝１４が空間部１０と直交する方向に形成されている。この封止剤注入溝１４は、空間部１０の外部連通部１５よりも内側に形成されており、各空間部１０と繋がっている。
電極ガラス基板２には、キャビティ基板１に設けられた封止剤注入溝１４の両端に対応する位置に、電極ガラス基板２を厚さ方向に貫通する２つの封止剤注入穴１６が形成されている。
この封止剤注入穴１６及び封止剤注入溝１４は、空間部１０に塵埃等の異物が入るのを防止するために、封止剤を空間部１０に注入するために設けられたものである（図５（ｄ）参照）。一方の封止剤注入穴１６からディスペンサ等で圧入された封止剤（接着剤）は、封止剤注入溝１４の内部をもう一方の封止剤注入穴１６に向かって流れる。封止剤注入溝１４は細長い空間部１０と連通しているため、毛細管力によって封止剤は各空間部１０に若干入り込んだ状態で充填される。そして封止剤が封止剤注入溝１４の他端に達し、もう一方の封止剤注入穴１６に入り込むまで封止剤の注入を行うことによって、空間部１０は密閉されることとなる。
【００２１】
図１に示すインクジェットヘッドは、振動板９と個別電極１１との間に電圧を与え電位差を生じさせることにより、静電気力を発生させて、振動板９を電極ガラス基板２側に湾曲させ、リザーバー５からオリフィス６を介して吐出室７にインクを供給する。そして振動板９と個別電極１１との間に与えた電圧を除去することにより、振動板９が元の状態に復元するように振動してインク液滴をノズル穴４から吐出するようになっている。
【００２２】
図２、図３、図４及び図５は、本発明の実施形態１に係るインクジェットヘッドの製造方法を示す断面図である。図２は、キャビティ基板１と電極ガラス基板２を接合する前の工程のキャビティ基板１の断面図であり、図３は、キャビティ基板１と電極ガラス基板２を接合する前の工程の電極ガラス基板２の断面図である。また図４及び図５は、キャビティ基板１と電極ガラス基板２を接合する工程及び接合した後の工程の断面図である。
以下に図２から図５において、図１に示すインクジェットヘッドの製造方法を詳細に説明する。なおこのインクジェットヘッドの製造方法は、駆動機構（吐出室７、振動板９等）が高密度でヘッドサイズがコンパクトなインクジェットヘッドを製造することを目的とし、処理液が空間部１０に浸入することによって不具合が生じることのないようにしている。
【００２３】
図２は、キャビティ基板１の製造工程の途中までを示した図である。
インクジェットヘッドのキャビティ基板１となる下面の研磨された厚さ５２５μｍのＳｉ（シリコン）基板１ａを、１０７５℃下の水蒸気を含む酸素雰囲気中で熱酸化し、Ｓｉ基板の表側表面及び裏側表面に厚さ１μｍのＳｉＯ2 膜２１を形成する（図２（ａ））。次にＳｉ基板１ａの裏面に、フォトリソグラフィーにより封止剤注入溝１４となる部分２２のＳｉＯ2 膜２１をパターニングして、エッチングにより封止剤注入溝１４となる部分２２のＳｉＯ2 膜を除去し（図２（ｂ））、続いてＳｉ基板１ａを、濃度が３５重量％で８０℃の水酸化カリウム水溶液でエッチングして封止剤注入溝１４を形成する（図２（ｃ））。そして、Ｓｉ基板１ａのＳｉＯ2 膜２１をフッ酸水溶液によってすべて除去する（図２（ｄ））。その後、Ｓｉ基板１ａの裏側表面に、ボロンを高濃度に拡散し、ボロン拡散層９ａを形成する（図２（ｅ））。そして、裏側表面のボロン拡散層９ａに重ねて、プラズマＣＶＤによって絶縁膜９ｂを形成する（図２（ｆ））。
【００２４】
図３は、電極ガラス基板２の製造工程の途中までを示した図である。
インクジェットヘッドの電極ガラス基板２となるホウ珪酸ガラス製（厚さ１ｍｍ）のガラス基板２ａの表側表面にＣｒ／Ａｕ膜３１（クロム・金合金膜）をスパッタにより形成する（図３（ａ））。次に、空間部１０に対応する形状にフォトリソグラフィーによりＣｒ／Ａｕ膜３１をパターニングし、エッチングによりＣｒ／Ａｕ膜３１の空間部１０に対応する部分を除去する（図３（ｂ））。そして、Ｃｒ／Ａｕ膜３１をエッチングマスクとして、フッ酸水溶液でガラス基板２ａをエッチングして空間部１０となる凹部１０ａを形成する（図３（ｃ））。その後、Ｃｒ／Ａｕ膜３１をエッチングによりすべて除去し（図３（ｄ））、表側表面全体にＩＴＯ膜１１ａをスパッタにより成膜する（図３（ｅ））。次に、フォトリソグラフィーによりＩＴＯ膜１１ａを個別電極１１に対応する形状をパターニングし、個別電極１１の部分以外のＩＴＯ膜１１ａをエッチングにより除去して個別電極１１を形成する（図３（ｆ））。そして、封止剤注入穴を形成する部分とインク供給穴を形成する部分を掘削し、封止剤注入穴１６及びインク供給穴８を形成する（図３（ｇ））。
【００２５】
図４及び図５は、キャビティ基板１となるＳｉ基板１ａと、電極ガラス基板２となるガラス基板２ａを接合する工程及び接合してからインクジェットヘッドの完成までの工程を示した図である。
図２の工程で封止剤注入穴１６、ボロン拡散層９ａ及び絶縁膜９ｂを形成したＳｉ基板１ａと、図３の工程で個別電極１１、封止剤注入穴１６及びインク供給穴８を形成したガラス基板２ａとを準備し（図４（ａ））、Ｓｉ基板１ａとガラス基板２ａとの間に電圧をかけて陽極接合し、接合基板４１を作成する（図４（ｂ））。次にＳｉ基板１ａの表側表面から、３５重量％、８０℃の水酸化カリウムでエッチングを行い、後にキャビティ基板１となるＳｉ基板１ａの厚さを１４０μｍまで減少させるＳｉ基板１ａの厚さを１４０μｍまで減少させる（図４（ｃ））。
【００２６】
ここで、本実施形態１は、図４（ｃ）のエッチングや、以下に述べるその他のエッチングや洗浄といった湿式処理の際に、封止剤注入穴１６及びインク供給穴８を介して空間部１０に処理液が侵入するのを防止することを目的としたものであるが、そのための構成の詳細説明は後に譲るとして、ここでは図４及び図５の説明を続ける。
【００２７】
続いて、接合基板４１のＳｉ基板１ａの表面に、ＣＶＤ装置によって厚さ１μｍのＳｉＯ2 膜４２を形成する（図４（ｄ））。その後、ＳｉＯ2 膜４２の吐出室７に対応する部分７ａ、リザーバー５に対応する部分５ａ及び電極取り出し部１３に対応する部分１３ａをフォトリソグラフィーによりパターニングし、この部分のＳｉＯ2 膜を除去する（図４（ｅ））。なおこのとき、ＳｉＯ2 膜４２のリザーバー５に対応する部分５ａは完全に除去せず、ハーフエッチングするようにする。
【００２８】
そして、水酸化カリウム水溶液で接合基板４１をエッチングし、その後、ＳｉＯ2 膜４２のリザーバー５に対応する部分５ａを、２５℃のフッ酸、フッ化アンモニウム混合液によるエッチングで除去する。そして、再度、接合基板４１をエッチングして吐出室７となる凹部７ｂ、電極取り出し部１３となる凹部１３ｂ、リザーバー５となる凹部５ｂを完成する（図４（ｆ））。なおこのＳｉ基板１ａのエッチング工程については後述の図１１により詳述する。その後、接合基板４１をフッ酸水溶液に浸し、Ｓｉ基板１ａの表側表面に形成したＳｉＯ2膜４２をすべて除去する（図４（ｇ））。
【００２９】
図５は、図４の製造工程の続きの工程の図であり、インクジェットヘッドの完成までを示したものである。
リザーバー５となる凹部５ｂ部にＹＡＧレーザー或いはフェムト秒レーザーを照射してインク供給穴８とリザーバー５となる凹部５ｂを貫通させ、インク供給穴８を完成する（図５（ａ））。ここまでの工程で、キャビティ基板１と電極ガラス基板２が完成する。
【００３０】
次に、封止剤注入穴１６から封止剤５２を注入し（図１参照）、空間部１０（アクチュエータ）を密閉する（図５（ｂ））。最後にキャビティ基板１の表側にノズル基板３を接着剤で接着し（図５（ｃ））、ダイシングすることでインクジェットヘッドが完成する（図５（ｄ））。
【００３１】
以上の説明により、インクジェットヘッドの製造に係る一連の工程が明らかになったところで、次に、本発明の特徴部分について説明する。すなわち、エッチングや洗浄といった湿式処理の際に、封止剤注入穴１６及びインク供給穴８を介して空間部１０に処理液が侵入するのを防止するための構成について説明する。本発明においては、接合基板４１に保護フィルムと保護治具とを取り付けることで空間部１０に処理液が侵入するのを防止するようにしている。
【００３２】
図６は、接合基板４１に保護フィルム６１及び保護治具７１を取り付けた状態を示す図である。
接合基板４１のガラス基板２ａ側の表面（ガラス基板２ａにおいてＳｉ基板１ａとの接合面と反対側の面）には、封止剤注入穴１６及びインク供給穴８を覆うように保護フィルム６１が貼られている。また、保護フィルム６１を湿式処理で用いられる処理液から保護するための保護治具７１が、保護フィルム６１を覆うようにして取り付けられている。なお、保護治具７１は、以下に詳述するが、本例では真空減圧を利用して接合基板４１に取り付けられている。このように接合基板４１に保護フィルム６１及び保護治具７１が取り付けられた状態で湿式処理に供されることにより、封止剤注入穴１６及びインク供給穴８を介して空間部１０に処理液が侵入するのを防止できるようになっている。
【００３３】
以下、保護フィルム６１及び保護治具７１の具体的な構成について順に詳述する。
【００３４】
保護フィルム６１は、接合基板４１に貼り付けされた状態のままで接合基板４１に対して後述の水洗工程（例えば図９、Ｓ６）が行われるため、粘着面への水洗水の浸入を防ぐ程度の粘着力を有する必要がある。また、保護フィルム６１が貼り付けされた状態のままで接合基板４１に対して行われる製造過程の中には、例えば後述のベーク工程（図１０、Ｓ１６）において最高１５０℃で加熱され、Ｓｉエッチング時（図１１、Ｓ３１、Ｓ３５、Ｓ３７）に８０℃で数時間加熱されるなどの加熱工程がある。このため、保護フィルム６１は、このときの熱影響に耐えうる耐熱性を有する必要がある。なお、ここでいう耐熱性とは、製造過程における最高処理温度以内でフィルムの変形、剥れが生じないことを指し、本例では、最高処理温度は、ベーク工程（図１０参照）の１５０℃であるため、この温度以上の耐熱温度を有する保護フィルム６１が使用されている。また、保護フィルム６１の材質によっては、電極ガラス基板２との熱収縮率の違いによって接合基板４１の割れを発生させてしまう場合があることから、このような割れが発生しない程度の熱収縮率を有するものが用いられる。
【００３５】
ここで、次の表１は、耐熱性の高い２種の材料の保護フィルムについて熱収縮及び基板破損率を調査した結果である。熱収縮については、温度１５０℃のクリーンオーブンで２０分間加熱し測定し、基板破損率については実際にそれぞれの保護フィルムを使用して製造した場合について調査した。
【００３６】
【表１】
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【００３７】
ポリプロピレンフィルムの方が、ポリエステルフィルムより熱収縮が７倍程度大きく、この熱収縮による応力によってポリプロピレン素材の保護フィルムで基板割れが多発することが分かった。このことから、耐熱性があり、熱収縮が小さいポリエステル素材の保護フォルムが最適であり、この保護フィルムを用いることにより製造工程中の基板割れを防ぐことができた。なお、保護フィルム６１の基材としてはポリエステル素材が望ましいが、熱収縮が小さければ、これに限定するものでなく、他に例えばポリイミド、ポリフェニレンスルフィドを用いることができる。また、保護フィルム６１は、最終的には剥がされるため、剥離時に糊残りし難いものが好ましい。具体的には、本例では粘着剤としてアクリル系のものが使用された保護フィルムが用いられている。
【００３８】
図７は、保護治具７１を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
保護治具７１は、上述したようにエッチングや洗浄といった湿式処理の際に処理液に晒されることから、耐薬品性を有するテフロン（登録商標）製で構成されている。また、その構造は、図７に示されているように、接合基板４１全体を載置できる形状に構成された第１の凹部７３と、第１の凹部７３の内側に周状に形成されたＯリング７４装着用のＯリング装着凹部７５と、Ｏリング装着凹部７５によって囲まれた領域内に形成された複数の第２の凹部７６とを有している。この第２の凹部７６は、保護治具７１を接合基板４１に真空吸着により取り付ける際の真空保持用の空間を形成するためのものであり、真空を保持するのに十分な大きさに設定されている。なお、保護治具７１の接合基板４１への取り付けの詳細は実施形態３で詳述する。また、保護治具７１には、真空吸着を解除した後の接合基板４１を取出し易くするためピンセットが挿入できるような第３の凹部７７が形成されている。
【００３９】
以上のように構成された保護治具７１に接合基板４１が吸着保持された状態においては、エッチング液等の処理液中に投入されるなどしても、封止剤注入穴１６及びインク供給穴８が保護フィルム６１によって保護されていることに加え、封止剤注入穴１６及びインク供給穴８の形成領域がその外側に設けられたＯリング７４によってシールされているため、封止剤注入穴１６及びインク供給穴８からの液の侵入を確実に防止できるようになっている。
【００４０】
なお、保護治具７１としては、図７に示したもの以外に、図８に示すように、本体側面から空間７２に連通する吸引通路１１２を有する保護治具１１３を用い、この吸引通路１１２の本体側面側開口にチューブ１１４を接続し、チューブ１１４を介して外部の真空ポンプで常に吸引することで接合基板４１を保持するようにしても良い。但し、この保護治具１１３の場合、チューブ１１４があることによって、エッチング量の面内均一性を目的に行われるエッチング液内での基板の回転が不可能となることと、多数枚処理するときチューブ１１４の取扱いが煩雑になるといったことから、構造が簡単な図７に示した保護治具７１を使用することが望ましい。
【００４１】
図９は、図４（ｂ）で陽極接合した後のＳｉ基板１ａの全面エッチング工程の詳細を説明するためのフローチャートで、図４（ｂ）から図４（ｃ）の工程を更に詳細に説明したものである。図９に示した各工程において、湿式処理は、ステップＳ３の全面エッチング工程とステップＳ５のアンモニア過水洗浄工程が相当する。
まず、後述のステップＳ３のＳｉ基板１ａの全面エッチング工程に先だって、陽極接合された接合基板４１のガラス基板２ａ側に保護フィルム６１を貼り付ける（Ｓ１）とともに、上述した手順で保護治具７１を取り付ける（Ｓ２）。そして、保護フィルム６１及び保護治具７１を取り付けられた接合基板４１を、３５重量％、８０℃の水酸化カリウム水溶液内に浸漬してエッチングし（Ｓ３）、Ｓｉ基板１ａ側を厚み１４０μｍにする。このようにエッチングの際に保護フィルム６１及び保護治具７１を使用していることにより、ガラス基板２ａの貫通穴（封止剤注入穴１６及びインク供給穴８）からエッチング液が浸入するのを防止できるようになっている。
【００４２】
そして、エッチング終了後、水洗、乾燥（Ｓ４）した後、７０℃のアンモニア、過酸化水素混合液でアンモニア過水洗浄を行う（Ｓ５）。この洗浄に際しても、保護フィルム６１及び保護治具７１を使用した状態にあるため、洗浄液の侵入を防止できる。そして、水洗、乾燥（Ｓ６）した後、保護治具７１を取り外す（Ｓ７）。そして、保護フィルム６１を貼ったままの状態で再度水洗し、乾燥する（Ｓ８）。接合基板４１と保護治具７１のＯ−リング７４との接触面付近には薬液が残り易いことから、ステップＳ８で再度水洗するようにしている。この保護治具７１の取り外し後の水洗の際には、保護フィルム６１が貼られた状態にあるため、ガラス基板２ａの貫通穴（封止剤注入穴１６及びインク供給穴８）への水洗水の侵入を防止することができるようになっている。そして、保護フィルム６１を剥離する（Ｓ９）。
【００４３】
また、図４（ｅ）に示した、ＳｉＯ2 膜４２のパターニング工程においても、保護フィルム６１及び保護治具７１を使用する。
【００４４】
図１０は、ＳｉＯ2 膜のパターニング工程の詳細を示すフローチャートである。
ここではまず、保護フィルム６１及び保護治具７１を取り付ける工程を除き、図４（ｅ）に示したＳｉＯ2 膜のパターンを形成する工程のみを説明する。まず、レジストコート工程（後述のステップＳ１７）に先だって、接合基板４１の上面を１００℃の硫酸過水混合液（硫酸と過酸化水素との混合液）で硫酸洗浄する（Ｓ１３）。その後、水洗、乾燥する（Ｓ１４）。そして、１５０℃でベークして（Ｓ１６）、レジストコーターで接合基板４１の上面全体にレジストコートを行なった（Ｓ１７）後、９０℃でプレベークする（Ｓ１８）。そして、露光（Ｓ１９）、現像（Ｓ２０）を行い、水洗、乾燥（Ｓ２１）した後、１２０℃でポストベークする（Ｓ２２）。その後、２５℃のフッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液でフッ酸エッチングを行う（Ｓ２４）。そして、水洗、乾燥（Ｓ２５）した後、１００℃の硫酸過水混合液でレジストを剥離し（Ｓ２６）、再度水洗、乾燥する（Ｓ２７）。以上のステップＳ１３〜ステップＳ２７の処理を２回くり返すことにより、ＳｉＯ2 膜を２段にエッチングする（Ｓ２８）。図４（ｅ）は、ＳｉＯ2 膜の２段エッチング後の状態を示しており、ＳｉＯ2 膜４２の吐出室７に対応する部分７ａ及び電極取り出し部１３に対応する部分１３ａを完全に除去されていると共に、ＳｉＯ2 膜４２のリザーバー５に対応する部分５ａが一部残された状態となっている。
【００４５】
ここで、本実施形態１においては、まず、硫酸洗浄工程（Ｓ１３）の前に、接合基板４１に保護フィルム６１と保護治具７１とを取り付ける。これにより、硫酸が封止剤注入穴１６及びインク供給穴８を介して空間部１０に侵入するのを防止できる。そして、ステップＳ１４の水洗、乾燥工程が終了した後、ベーク工程（Ｓ１６）の前に保護治具７１を取り外す（Ｓ１５）。これは、接合基板４１を加熱する各ベーク工程を行う各ホットプレートや、レジストコートを行うレジストコーター、露光機、現像を行うデベロッパー等の装置には、保護治具７１を取り付けた状態のままでは載せることができないため取り外すようにしている。そして、水洗、乾燥工程（Ｓ２１）では、保護フィルム６１が貼られた状態であるため、水洗水の浸入が防がれている。
【００４６】
また、保護フィルム６１は、ステップＳ１６〜ステップＳ２２の工程内で接合基板４１に貼り付けられたままの状態となっているが、これらの工程内で使われるレジストコーター、露光機、デベロッパー等の装置では、接合基板４１のガラス基板２ａ側表面を真空吸着で保持、搬送するようにしているため、接合基板４１を安定して保持、搬送する上で、保護フィルム６１を貼ったままの状態としておくことは好ましい。これは、保護フィルム６１を剥がしてしまうと、吸着面に穴（電極ガラス基板２の封止剤注入穴１６及びインク供給穴８）が空いていることにより、真空がリークして接合基板４１を保持できなかったり、搬送できなかったりする不具合が発生することが考えられるためである。
【００４７】
そして、ポストベーク工程（Ｓ２２）終了後、フッ酸エッチング工程（Ｓ２４）に先だって保護治具７１が再度取り付けられる（Ｓ２３）。これにより、フッ酸、フッ化アンモニウム混合液の空間部１０への侵入を防止できるようになっている。
【００４８】
また、図４（ｆ）に示した、Ｓｉ基板１ａのエッチング工程においても保護フィルム６１及び保護治具７１を使用する。
【００４９】
図１１は、Ｓｉエッチング工程の詳細を示すフローチャートである。なお、Ｓｉエッチング工程の開始段階においては、図１０のステップＳ１１及びステップＳ２３で取り付けられた保護フィルム６１及び保護治具７１がそのまま取り付けられた状態となっている。まず、３５重量％、８０℃の水酸化カリウム水溶液に、保護フィルム６１及び保護治具７１が取り付けられた状態の接合基板４１を浸し、吐出室７となる凹部７ｂ、電極取り出し部１３となる凹部１３ｂを途中までエッチングする（Ｓ３１）。そして、水洗、乾燥した（Ｓ３２）後、ＳｉＯ2 膜４２のリザーバー５に対応する部分５ａを、２５℃のフッ酸、フッ化アンモニウム混合液によるエッチングで除去し（Ｓ３３）、その後、水洗、乾燥する（Ｓ３４）。
【００５０】
そして、３５重量％、８０℃の水酸化カリウム水溶液で接合基板４１のエッチングを継続し（Ｓ３５）、これにより吐出室７となる凹部７ｂ、電極取り出し部１３となる凹部１３ｂが完成する。そして水洗、乾燥する（Ｓ３６）。このステップＳ３５のエッチングでは、ボロン拡散層９ａに到達する前にエッチングが終了するようになっている。一方、Ｓｉ基板１ａのエッチングの開始を遅らせたリザーバー５となる凹部５ｂの底面部分のシリコンは、ボロン拡散層９ａまでエッチングが進まず厚く残ることとなる。
【００５１】
そして、リザーバー５となる凹部５ｂが所望の深さとなるように更にエッチングを継続するのであるが、このまま３５重量％の水酸化カリウム水溶液でエッチングを継続すると、ボロン拡散層９ａまでエッチングされてしまう。そのため、ボロン拡散層９ａのエッチングが進まないように、ボロン拡散層９ａのエッチング速度が小さくなる低濃度の水酸化カリウム水溶液を用いて行う。ここでは３重量％で８０℃の水酸化カリウム水溶液でエッチングを行う（Ｓ３７）。そして水洗、乾燥する（Ｓ３８）。これにより、エッチングされずに残ったボロン拡散層９ａ及び絶縁膜９ｂが振動板９となり、所望の深さを有する凹部５ｂが形成される（図４（ｆ））。その後、２５℃のフッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液に接合基板４１を浸してフッ酸エッチングを行い（Ｓ３９）、Ｓｉ基板１ａの表側表面に形成したＳｉＯ2 膜４２をすべて除去する（図４（ｇ））。そして、水洗、乾燥（Ｓ４０）した後、保護治具７１を取り外す（Ｓ４１）。保護治具７１を取り外した後、再度水洗、乾燥（Ｓ４２）して、最後に保護フィルム６１を剥離する（Ｓ４３）。
【００５２】
以上のように、本実施形態１によれば、エッチング、洗浄といった湿式処理において保護フィルム６１及び保護治具７１を使用するようにしているので、空間部１０の処理液が侵入するのを防止できる。
また、水洗の際には保護フィルム６１を使用しているため、水洗水の空間部１０への浸入も防止できるようになっている。
さらに、キャビティ基板１の厚さを、キャビティ基板１と電極ガラス基板２を接合した後に減少させる方式を採用しているので、吐出室７の隔壁を低くして剛性を高めることができ、駆動機構の高密度化を実現することができる。また、初めに比較的厚いＳｉ基板１ａを用いているので、歩留りが低下することもない。
また、キャビティ基板１に封止剤注入溝１４を形成し、電極ガラス基板２に封止剤注入穴１６を形成する方式を採用しているので、ヘッドサイズのコンパクト化を実現することができる。
【００５３】
また、保護フィルム６１は、製造過程における熱影響に耐えうる耐熱性を有し、且つ、電極ガラス基板２との熱収縮率の違いによる電極ガラス基板２の割れが発生しない程度の熱収縮率を有するものが用いられているため、製造過程全般に渡って確実に処理液の空間部１０への浸入を防止できるとともに、電極ガラス基板２の割れを防止できる。
また、保護フィルム６１は、糊残りすることなく剥離可能なものを用いているため、糊残りによって例えばインク供給穴８を介してインク内に粘着剤が混ざり、ノズルづまりを起こしたりするなどの不都合を防止できる。
【００５４】
なお、図４（ｂ）から（ｃ）のＳｉ基板１ａの薄板化の処理は、通常のシリコン基板の研削、研磨と同じようにダイヤホイールを用いて研削した後、ラッピングマシンによって研磨してもよい。この場合は、保護フィルム６１だけを使用し、保護治具７１の取付は不要である。
【００５５】
また、実施形態１では真空減圧を利用して接合基板４１と保護治具７１とを取り付ける例を説明したが、この方法に限られたものではなく、任意の方法を採用できる。
【００５６】
実施形態２．
実施形態２では、接合基板４１に保護フィルム６１を貼り付ける際の手順と、その際に用いられる載置台について説明する。
【００５７】
図１２は、接合基板４１に保護フィルム６１を貼り付ける際の手順を示す図である。図１３は、接合基板４１に保護フィルム６１を貼り付る際に用いる載置台８１を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図１４は、接合基板４１のキャビティ基板１（Ｓｉ基板１ａ）側の平面図である。
【００５８】
載置台８１は、接合基板４１全体を載置できる形状に構成された第１の凹部８２と、第１の凹部８２の内側に形成された第２の凹部８３とを有している。第１の凹部８２は、その深さが、第１の凹部８２内に接合基板４１が載置された際に接合基板４１の上面が載置台８１の上面よりも突出するように寸法調整されている。
【００５９】
第２の凹部８３は、接合基板４１を第１の凹部８２と第２の凹部８３とで形成される段差を利用して載置台８１に載せた際に、吐出室形成部分９１が載置台８１と接触することのないように吐出室形成部分９１との間に隙間を形成するためのものである。また、第２の凹部８３には、保護フィルム６１貼付時に接合基板４１全体の平坦性が保てるように、高さが略同一な複数の凸部８４が設けられている。この各凸部８４は、接合基板４１が載せられた際に、図１４に示した各ヘッドチップ９２の角部に位置するように配置され、吐出室形成部分９１に接触しないようになっている。また、載置台８１には保護フィルム６１貼付後の接合基板４１を取出し易くするためピンセットが挿入できるような第３の凹部８５が形成されている。
【００６０】
このように構成された載置台８１上に接合基板４１に保護フィルム６１を貼り付ける際には、図１２に示すように、（ａ）接合基板４１のＳｉ基板１ａ側が載置台８１に対向するように載置し、（ｂ）ガラス基板２ａ表面全体を覆うように保護フィルム６１を貼付する。このとき、気泡を粘着面に巻込まないようにゴムローラー等を使って保護フィルム６１の粘着剤層６１ａを下にしてガラス基板２ａに貼付する。そして、（ｃ）余分な保護フィルム６１をカッターナイフでカットし取り除く。ここで、保護フィルム６１には、一般的に強アルカリのエッチング液に耐えられる耐薬品性は無いため、保護フィルム６１の貼付エリアが保護治具７１のＯ−リング７４（図６参照）の内側になるように、保護フィルム６１をカットする。
【００６１】
このような載置台８１を使って保護フィルム６１を貼付することにより、保護フィルム６１貼付時に、Ｓｉ基板１ａの吐出室形成部分９１が載置台８１と接触して、吐出室形成部分９１に傷や汚れが発生することを防止できる。ここで、吐出室形成部分９１に対する傷や汚れは、上述したエッチングによる吐出室７形成の際に、吐出室７の形状を崩してしまう要因となり、引いては吐出室形成工程の歩留まり低下につながることから、本例にように吐出室形成部分９１の傷や汚れを防止できることは、歩留まり低下防止の面で非常に有効である。
また、載置台８１に設けられた高さが略同一な複数の凸部によって、保護フィルム６１貼付時に接合基板４１全体の平坦性を保つことが可能である。
【００６２】
実施形態３．
実施形態３では、保護フィルム６１が貼付られた接合基板４１に保護治具７１を取り付ける際の手順と、その取り付けの際に用いられる吸着補助治具１０１について説明する。
【００６３】
図１５は、接合基板４１に保護治具７１を真空吸着により取り付ける際の状態を示す図である。
接合基板４１と保護治具７１の取り付けは、上述したように本例では真空減圧を利用して行われる。すなわち、保護治具７１上に接合基板４１を載置し、更に接合基板４１上に吸着補助治具１０１を載置した状態で、図示しない真空チャンバー内に入れられる。そして、真空チャンバー内を徐々に減圧することにより、保護治具７１の第２の凹部７６によって形成された空間７２が徐々に減圧され、そして、真空チャンバーを急激に大気開放することにより空間７２が減圧状態で取り残される。これにより、接合基板４１と保護治具７１とが真空吸着されるようになっている。
【００６４】
ここで、保護フィルム６１を貼付した接合基板４１には反りがあり、完全に平坦ではない。このため、単に接合基板４１を保護治具７１上に載せただけでは接合基板４１と保護治具７１のＯ−リング７４全体が接触しない。そうすると、真空チャンバー内で減圧しても真空吸着されない。これを防ぐため、接合基板４１を押さえつける吸着補助治具１０１が用いられている。
【００６５】
図１６は、接合基板４１を保護治具７１にセットする際に用いる吸着補助治具１０１を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面図ある。
吸着補助治具１０１は、Ｓｉ基板１ａ上に載せられた際に、位置決めのガイドとなる凹部１０２と、その凹部１０２内にＳｉ基板１ａの吐出室形成部分９１との間に隙間を形成するための凹部１０３が設けられている。この凹部１０３により、吐出室形成部分９１が吸着補助治具１０１表面と接触しないようになっており、吐出室形成部分９１に傷や汚れが発生するのを防止できる。これによる効果は載置台８１の場合と同様で、吐出室形成工程の歩留り低下を防ぐことができることにある。
【００６６】
また、吸着補助治具１０１の重量は、軽すぎると接合基板４１の反りを矯正できず、接合基板４１と保護治具７１のＯ−リング７４全体との接触を確保できずに吸着できない。一方、重過ぎると接合基板４１と保護治具７１のＯ−リング７４が密着し過ぎ、空間７２が減圧されず、同様に吸着できない。このことから、吸着補助治具１０１の重さは、反りの矯正が可能で、且つ重荷重による接合基板４１と保護治具７１のＯ−リング７４との過密着が生じないように最適化された重さに設定されている。本実施形態３の場合、最適な吸着補助治具１０１の重さは３００ｇ程度であった。
【００６７】
このように構成された吸着補助治具１０１の使用によって確実に保護治具７１で接合基板４１を吸着保持することが可能となっている。
また、このように真空吸着により接合基板４１に保護治具７１を取り付けるようにしているので、着脱が容易である。なお、接合基板４１から保護治具７１を取り外す際には、再度真空チャンバーに入れて真空チャンバー内を真空状態とすることにより行う。
【００６８】
実施形態４．
図１７は、本発明の実施形態４に係るインクジェット記録装置の例を示したものである。図１７に示されるインクジェット記録装置１５０は、インクジェットプリンタであり、実施形態１のインクジェットヘッドの製造方法で得られたインクジェットヘッドを搭載している。実施形態１のインクジェットヘッドの製造方法で得られるインクジェットヘッドは、駆動機構が高密度であり、封止剤注入溝１４が設けられているため、封止剤がインクジェットヘッドの奥行き方向に広がっておらずヘッドサイズがコンパクトなため、高速でかつ高解像度の印字が可能である。このため、本実施形態４では、高速、高解像度のインクジェット記録装置１５０を得ることができる。
【００６９】
図１８は、図１７に示すインクジェット記録装置の印字部を示した図である。実施形態１のインクジェットヘッドの製造方法で得られたインクジェットヘッド２００は、キャリッジ２０１に設置されている。キャリッジ２０１は、ガイドレール２０２に沿って左右方向に移動可能となっており、記録紙面２０３は、ローラー２０４が回転することによって、ガイドレール２０２に垂直な方向にスライドするようになっている。キャリッジ２０１が左右方向に移動し、ローラー２０４が回転するのに合わせてインクジェットヘッド２００からインク液滴が吐出されることにより文字、画像の印刷が可能となっている。
【００７０】
本発明の実施形態１に係るインクジェットヘッドの製造方法で得られたインクジェットヘッドは、図１７に示すようなインクジェットプリンタの他に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造や、液晶表示装置のカラーフィルタの製造、ＤＮＡデバイスの製造等に使用することもできる。
なお、本発明の実施形態１のインクジェットヘッドの製造方法は、静電アクチュエータを用いたミラーデバイス等のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ、微小電子機械システム）デバイスの製造にも応用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】実施形態１に係るインクジェットヘッドの一例を示した図。
【図２】キャビティ基板の製造工程の途中までの断面図。
【図３】電極ガラス基板の製造工程の途中までの断面図。
【図４】キャビティ基板と電極ガラス基板を接合した後の工程の断面図。
【図５】図４の製造工程の続きの製造工程の断面図。
【図６】接合基板に保護フィルム及び保護治具を取り付けた状態を示す図。
【図７】保護治具を示す図。
【図８】保護治具の他の構成例を示す図。
【図９】Ｓｉ基板の全面エッチング工程詳細を説明するためのフローチャート。
【図１０】ＳｉＯ2 膜のパターニング工程の詳細を示すフローチャート。
【図１１】Ｓｉエッチング工程の詳細を示すフローチャート。
【図１２】接合基板に保護フィルムを貼り付ける際の手順を示す図。
【図１３】接合基板に保護フィルムを貼り付る際に用いる載置台を示す図。
【図１４】接合基板のキャビティ基板（Ｓｉ基板）側の平面図。
【図１５】接合基板に保護治具を真空吸着により取り付ける際の状態を示す図。
【図１６】吸着補助治具を示す図。
【図１７】実施形態２に係るインクジェット記録装置の例を示した図。
【図１８】図１７のインクジェット記録装置の印字部を示した図。
【符号の説明】
【００７２】
１  キャビティ基板、２  電極ガラス基板、５  リザーバー、７  吐出室、８  インク供給穴、９  振動板、１１  個別電極、１５  外部連通部、１６  封止剤注入穴、４１  接合基板、６１  保護フィルム、７１  保護治具、７３  第１の凹部、８１  載置台、８２  第１の凹部、８３  第２の凹部、８４  凸部、１０１  吸着補助治具、１０３  凹部、１５０  インクジェット記録装置、２００  インクジェットヘッド。
【図１】
2005178314.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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