(57)【要約】【課題】  放射線像変換パネルを、高い防湿性を有するとともに、高感度で良好な画質を与えることができるものとする。【解決手段】  透明薄膜フィルム４に再剥離フィルム５を貼り合わせて貼合せフィルムとする。再剥離フィルム５の透明薄膜フィルム４側に真空堆積法により防湿層６を設けて透明防湿フィルム７を形成する。この際、透明薄膜フィル４のＸ線吸収率が５％以下、透明防湿フィルム７の透湿度が1g/m2/day以下、酸素透過度が0.3cc/m2/day/atm以下となるようにする。輝尽性蛍光体層１を設けた基板11と透明防湿フィルム7とによって輝尽性蛍光体層１を密閉封止し、貼合せフィルムから再剥離フィルム２を剥離する。【選択図】          図３
2005172650.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも基板と、輝尽性蛍光体からなる輝尽性蛍光体層と、防湿層と透明薄膜フィルムとからなる透明防湿フィルムとをこの順に有し、前記基板と前記透明防湿フィルムとによって前記輝尽性蛍光体層を密閉封止した放射線像変換パネルであって、前記透明薄膜フィルムのＸ線吸収率が５％以下であり、前記透明防湿フィルムの透湿度が1g/m2/day以下、酸素透過度が0.3cc/m2/day/atm以下であることを特徴とする放射線像変換パネル。
【請求項２】
前記透明防湿フィルムの透湿度が0.3g/m2/day以下であることを特徴とする請求項１記載の放射線像変換パネル。
【請求項３】
前記透明防湿フィルムのヘイズ率が20％以下であることを特徴とする請求項１または２記載の放射線像変換パネル。
【請求項４】
前記放射線像変換パネルが、波長550〜750nmの範囲にある光の入射角０°〜60°における表面反射率が５％以下である反射防止層をさらに有することを特徴とする請求項１、２または３記載の放射線像変換パネル。
【請求項５】
前記防湿層の少なくとも片方の面に塗布層を有することを特徴とする請求項１〜４いずれか１項記載の放射線像変換パネル。
【請求項６】
前記輝尽性蛍光体が柱状結晶であることを特徴とする請求項１〜５いずれか１項記載の放射線像変換パネル。
【請求項７】
再剥離フィルムを前記透明薄膜フィルムに貼り合わせて貼合せフィルムとし、該貼合せフィルムの前記透明薄膜フィルム側に真空堆積法により前記防湿層を設けて前記透明防湿フィルムとし、前記輝尽性蛍光体層を設けた前記基板と前記透明防湿フィルムとによって前記輝尽性蛍光体層を密閉封止し、前記透明防湿フィルムから前記再剥離フィルムを剥離して得られたことを特徴とする請求項１〜６いずれか１項記載の放射線像変換パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、輝尽性蛍光体を利用する放射線像変換方法に用いられる放射線像変換パネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線等の放射線を照射するとこの放射線エネルギの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光を照射すると蓄積された放射線エネルギに応じて輝尽発光を示す輝尽性蛍光体を利用して、人体等の被写体の放射線像を輝尽性蛍光体層に一旦潜像として記録し、この輝尽性蛍光体層にレーザ光等の励起光を照射して輝尽発光光を生じせしめ、この輝尽発光光を光電的に検出して被写体の放射線像を表す画像信号を取得する放射線画像記録装置および放射線画像読取装置等からなる放射線画像記録再生システムがＣＲ（ComputedRadiography）として知られている。
【０００３】
上記放射線画像記録再生システムに使用される記録媒体としては、例えば剛性を有する基板と輝尽性蛍光体層とを層状に積層して形成された放射線像変換パネルが知られている。この放射線像変換パネルは、放射線像変換パネルから放射線像が読み取られた後に消去光が照射されて輝尽性蛍光体層に残存している放射線エネルギーが放出されると再度放射線像の記録が可能となり、放射線像の記録および読取りに繰り返して使用することができる。この繰返し使用による輝尽性蛍光体層の化学的な変質あるいは物理的な衝撃を抑制するために、輝尽性蛍光体層の表面（支持体に面していない側の表面）には通常、保護層が設けられている。
【０００４】
例えば、特許文献１には透明無機層と有機層とを交互に少なくとも４層以上積層し、空気透過度が0.5cc/m2/24h以下であって、かつ透湿度が0.5g/m2/24h以下である、50μｍ以下の層厚の保護層を有する放射線像変換パネルが記載されている。この放射線像変換パネルに設けられた透明無機層は金属酸化物、金属窒化物または金属酸窒化物からなり、真空堆積法によって形成されたものであって、有機層は塗布または真空堆積法によって形成されたものであって、防湿性をより向上させることができるとともに、透明無機層と有機層とを接着剤によって貼り合わせる必要がないため、接着状態に起因する画像ムラの発生を防止することが可能となり、加えて、透明保護層全体をより薄く形成することが可能であるため、高画質を実現することができるというものである。
【０００５】
また、放射線像変換パネルは、長期間に亘る多数回の放射線像の記録および読取りに使用されるので、外部からの物理的および化学的な刺激によって劣化しないように保護する必要がある。特に、輝尽性蛍光体は水分を吸収すると放射線像の記録および読取りにおける性能が低下するものもあるので、放射線像変換パネルには、保護層に防湿性を有する透明素材を使用し、この保護層となる透明防湿カバーと基板との間に蓄積性蛍光体層を密閉して封止したものも知られている。
【０００６】
例えば、特許文献２には剛性を有する基板と蓄積性蛍光体層と透明防湿カバーとをこの順に積層し、輝尽性蛍光体層が基板と透明防湿カバーとの間に密閉されて減圧された減圧空間内に封止されている放射線像変換パネルが記載されている。この放射線像変換パネルは、蓄積性蛍光体層が基板と透明防湿カバーとの間に密閉されて減圧された減圧空間内に封止されているので、外部の気圧が低下したり、蓄積性蛍光体パネルの温度が上昇して減圧空間内の圧力が上昇しても、この減圧空間内に存在する気体の膨張が抑制され、上記減圧空間内に存在する気体の膨張に起因する、基板と蓄積性蛍光体層との間および蓄積性蛍光体層と透明防湿カバーとの間の間隔の拡大や、蓄積性蛍光体層の変形を少なく抑えることができる。これにより、温度および気圧の変化が生じても、蓄積性蛍光体層の吸湿を防止すると共にこの蓄積性蛍光体層から読み取られる画像信号の品質の低下を抑制することができるというものである。
【特許文献１】特開２００３−２２７８９９号公報
【特許文献２】特開２００３−２４８０８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１に記載されている保護層（透明無機層）は真空堆積法により形成されているが、無機層を形成する対象である保護層支持体（ＰＥＴフィルム）や有機層上に真空堆積層により製膜を行うとフィルム上につれやシワが発生するため、これが放射線像変換パネルの画像品質を低下させるという問題がある。また、特許文献１に規定されている空気透過度では内部減圧を長期間保持するためには不充分である。加えて、輝尽性蛍光体層が隙間構造を有する柱状結晶に対しては、均一な無機蒸着層を形成することは困難である。
【０００８】
また、特許文献２に記載されている放射線像変換パネルは保護層を良好に密着させることは可能であるが、保護層そのものの透ガス度が充分ではなく、経時における減圧リークによる実用的な耐用年数は満足できるレベルにはない。また、保護層として用いているガラスではＸ線吸収による画質低下は避けられない。
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであって、実用耐久年数をあげることが可能な高い防湿性を有するとともに、高感度で良好な画質を与えることが可能な放射線像変換パネルを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の放射線像変換パネルは、少なくとも基板と、輝尽性蛍光体層と、防湿層と透明薄膜フィルムとからなる透明防湿フィルムとをこの順に有し、前記基板と前記透明防湿フィルムとによって前記輝尽性蛍光体層を密閉封止した放射線像変換パネルであって、前記透明薄膜フィルムのＸ線吸収率が５％以下であり、前記透明防湿フィルムの透湿度が1g/m2/day以下、酸素透過度が0.3cc/m2/day/atm以下であることを特徴とするものである。
【００１１】
前記防湿層を設けた前記透明薄膜フィルムの透湿度は、0.3g/m2/day以下であることがより好ましい。また、前記防湿層を設けた前記透明薄膜フィルムのヘイズ率は20％以下であることが好ましい。
【００１２】
本発明の放射線像変換パネルは、波長550〜750nmの範囲にある光の入射角０°〜60°における表面反射率が５％以下である反射防止層をさらに有していてもよい。また、前記防湿層の少なくとも片方の面に塗布層を有していてもよい。  
前記輝尽性蛍光体は柱状結晶であることが好ましい。
【００１３】
本発明の放射線像変換パネルは好適には、再剥離フィルムを前記透明薄膜フィルムに貼り合わせて貼合せフィルムとし、該貼合せフィルムの前記透明薄膜フィルム側に真空堆積法により前記防湿層を設けて前記透明防湿フィルムとし、前記輝尽性蛍光体層を設けた前記基板と前記透明防湿フィルムとによって前記輝尽性蛍光体層を密閉封止し、前記透明防湿フィルムから前記再剥離フィルムを剥離して得られる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の放射線像変換パネルは、少なくとも基板と、輝尽性蛍光体層と、防湿層と透明薄膜フィルムとからなる透明防湿フィルムとをこの順に有し、前記基板と前記透明防湿フィルムとによって前記輝尽性蛍光体層を密閉封止した放射線像変換パネルにおいて、透明薄膜フィルムのＸ線吸収率が５％以下であるため、Ｘ線吸収による画質低下を抑制することが可能であり、また、透明防湿フィルムの透湿度が1g/m2/day以下、酸素透過度が0.3cc/m2/day/atm以下であるため、基板と防湿層との間に密閉された輝尽性蛍光体層を有する空間内部を0.1気圧程度に減圧した場合であっても、減圧リークによる透明防湿フィルムの浮きが生ずることがなくMTFの低下を抑制することができる。
【００１５】
また、本発明の放射線像変換パネルを、再剥離フィルムを前記透明薄膜フィルムに貼り合わせて貼合せフィルムとし、該貼合せフィルムの前記透明薄膜フィルム側に真空堆積法により前記防湿層を設けて前記透明防湿フィルムとし、前記輝尽性蛍光体層を設けた前記基板と前記透明防湿フィルムとによって前記輝尽性蛍光体層を密閉封止し、前記透明防湿フィルムから前記再剥離フィルムを剥離して得た場合には、透明薄膜フィルムにシワがよることがなく、また再剥離フィルムの使用によって透明薄膜フィルムが薄くても均一に防湿層を設けることが可能となり、このため鮮鋭度、画像品質、防湿性に優れた放射線像変換パネルとすることができる。
【００１６】
なお、透明防湿フィルムの透湿度を0.3g/m2/day以下とすることによりさら防湿性に優れた放射線像変換パネルとすることができる。また、防湿層を設けた透明薄膜フィルムのヘイズ率を20％以下とすることにより、MTF低下を５％以下とすることができる。さらに、波長550〜750nmの範囲にある光の入射角０°〜60°における表面反射率が５％以下である反射防止層をさらに設けることによって、鮮鋭度に優れ、画像にムラのない放射線像変換パネルを得ることができる。また、防湿層の少なくとも片方の面に塗布層を設けることによって高い防湿性を得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の放射線像変換パネルおよびその製造方法について説明する。  
図１は本発明の一の実施の形態を示す放射線像変換パネルの概略断面図である。図１に示す放射線像変換パネル10は、基板11上に輝尽性蛍光体層１を有し、基板11上であって輝尽性蛍光体層１が設けられていない部分に封止枠12を有し、この封止枠12に接着剤８を用いて、透明薄膜フィルム４とこの透明薄膜フィルム４上に設けられた防湿層６とからなる透明防湿フィルム７を接着するとともに、透明防湿フィルム７と基板11とで輝尽性蛍光体層１を密閉封止してなるものである。
【００１８】
なお、図１に示す放射線像変換パネルは、基板11上の輝尽性蛍光体層１が設けられていない部分に封止枠12を設け、透明防湿フィルム７を接着剤８によって接着し、輝尽性蛍光体層１を封止してなる構成を示しているが、図２に示すように封止枠を設けることなく、接着剤18によって、透明薄膜フィルム14とこの透明薄膜フィルム14上に設けられた防湿層16とからなる透明防湿フィルム17を輝尽性蛍光体層21上に設け、この透明防湿フィルム17と基板15によって、輝尽性蛍光体層21を密閉するような構成としてもよい。
【００１９】
図３は図１に示す放射線像変換パネルの製造工程の一の実施の形態を順に示した図である。まず、再剥離フィルム用基材２に粘着層３を設けた再剥離フィルム５を透明薄膜フィルム４と貼り合わせ貼合せフィルムとする（図３(a)）。この再剥離フィルム５に貼り合わせた透明薄膜フィルム４側に真空堆積法により防湿層６を設けて透明防湿フィルム７を形成する（図３(b)）。この透明防湿フィルム７の防湿層６側の周囲と、基板11の周囲に設けられた封止枠12を接着剤８によって貼り合わせた後、輝尽性蛍光体層１を密閉封止する（図３(c)）。貼り合わせた後、図３(d)に示すように、再剥離フィルム用基材２を粘着層３ごと剥離すると、透明薄膜フィルム４と防湿層６からなる透明防湿フィルム７が輝尽性蛍光体層１を保護した放射線像変換パネル10が得られる（図３(e)）。
【００２０】
なお、図３では、輝尽性蛍光体層１を基板11と透明防湿フィルム７で密閉封止した後に再剥離フィルム５を剥離しているが、透明防湿フィルム７を輝尽性蛍光体層１上に設ける前に再剥離フィルム５を予め剥離して、透明防湿フィルム７と基板11とで輝尽性蛍光体層１を密閉封止することも可能である。
【００２１】
さらに、本発明の放射線像変換パネルが塗布層、励起光反射防止層、輝尽発光光反射防止層などの層を有してる場合も、上記再剥離フィルムを利用して設けることが可能である。
【００２２】
透明薄膜フィルムとしてはポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリイミド、アラミド樹脂、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリウレタン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリロニトリル、さらに環状オレフィン系やノルボルネン系のプラスチックやフルオレン骨格を有するアモルファスのポリエステル系プラスチックからなるフィルムをあげることができる。
【００２３】
防湿層は、金属酸化物、金属窒化物または金属酸窒化物などの無機層からなるものを用いることができる。より具体的には、波長300nmから1000nmで光吸収が少なくかつガスバリア性を有する無機物質からなる透明な層であることが好ましい。波長300nmから1000nmで光吸収が少ない無機物質としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化窒化ケイ素、酸化窒化アルミニウム等を好ましくあげることができる。これらのうち特に酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素は光透過率が高くかつガスバリア性が高い、すなわちクラックやマイクロポアが少なく緻密な膜を形成することができるのでより好ましく用いることができる。防湿層を２枚以上積層する場合、それぞれの防湿フィルムの透明無機層は異なる材質からなるものであっても、同じ材質からなるものであってもよい。
【００２４】
透明無機層は、真空で薄膜を形成することが可能な真空堆積法、例えば、蒸着法、スパッタ法、ＰＶＤ法（物理的気相堆積法）、ＣＶＤ法（化学的気相堆積法）等のドライプロセスによって、あるいはゾルゲル法などによって直接敷設する。いずれの方法によっても、無機層の透明性、バリア性は大きく変わらないので、適宜選択することが可能である。
【００２５】
透明薄膜フィルムのＸ線吸収率は５％以下であり、透明防湿フィルムの透湿度は1g/m2/day以下、好ましくは0.3g/m2/day以下であり、酸素透過度が0.3cc/m2/day/atm以下である。また、透明防湿フィルムのヘイズ率は20％以下とすることが好ましい。このような酸素透過度、透湿度並びにヘイズ率は、上記に掲げた透明薄膜フィルムおよび防湿層材料を適宜組み合わせることによって達成することができる。また、透明薄膜フィルムの両側に防湿層を設けることによって、さらには防湿層を何層か積層することによっても達成することができる。
【００２６】
なお、上記の防湿層はガスバリア性を有する材料から形成されることが好ましいが、本発明の放射線像変換パネルはさらに公知のガスバリア層を別に有していてもよい。有機材料系のガスバリア層としては、アクリロニトリル−アクリル酸メチル共重合体やアクリロニトリル−スチレン共重合体等のアクリロニトリル系重合体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニールアルコール、ビニールアルコールーエチレン共重合体等のビニールアルコール系重合体、等の有機高分子材料からなるフィルムをあげることができる。
【００２７】
無機系のガスバリア層としては、二酸化ケイ素あるいはこれを主成分として含み、一酸化ケイ素、酸化アルミニウムなどの金属酸化物の１種以上を含む化合物、及び／または、窒化ケイ素、あるいはこれを主成分として含み、窒化アルミニウムなどの金属窒化物の１種以上を含む化合物を用いることができ、この化合物の具体例としては、例えばSiOx、SiAlNなどがあげられる。前記無機系バリア薄膜、すなわちケイ素酸化物を主体とした金属酸化物、及び／または、ケイ素窒化物を主体とした金属窒化物のうちでもSiOx、特にｘの値が1.3〜1.8、好ましくは1.5となるものが好ましい。ガスバリア層は、単独で用いても良く、また、複数以上を併用して用いてもよい。これら無機系バリア層は上記で説明した防湿層と同様の方法で設けることができる。なお、無機系のガスバリア層は上記防湿層として用いることも可能である。
【００２８】
また、放射線画像情報を読み取る際には感度を向上させるために励起光エネルギーを増加させることがしばしば行われるが、これによって励起光の干渉が発生して画像にムラが生じることがある。このため、本発明の放射線像変換パネルには励起光の広がりを抑制することが可能な励起光反射防止層を設けることが好ましい。
【００２９】
さらに、放射線画像記録再生システムに用いられる放射線画像情報読取装置においては、スポット形状のレーザー光を走査して輝尽性蛍光体を励起し、発光光は集光ガイド板によって集光する方式（画素分割は走査に同期させた時系列分割）の場合には、画像の鮮鋭度を低下させるのは励起光の広がりのみであるが、輝尽発光光の読取り時間の短縮化、装置のコンパクト化およびコスト低減の観点から導入された、ライン状の励起光（レーザー光）を照射するライン光源を使用し、光電読取手段として発光光をラインスキャナによって画素毎に発光を集光する方式の放射線画像情報読取装置（特開2000-66316号公報等）には、励起光の広がり（ライン幅）に加えて発光光の広がりも鮮鋭度を低下させる要因となる。このため、このようなラインスキャナによって放射線画像情報を読み取る装置に用いられる放射線像変換パネルの場合には輝尽発光光の反射防止層を設けることがより好ましい。
【００３０】
このような励起光、輝尽発光光の反射防止層は、波長550〜750nmの範囲にある光の入射角０°〜60°における表面反射率が５％以下、好ましくは３％以下、より好ましくは２％以下、さらには１％以下であることが好ましく、放射線像変換パネルの励起光入射面の側に少なくとも１層設けることが好ましい。
【００３１】
反射防止層としては無機酸化物、酸窒化物、窒化物、フッ化物等の無機材料からなる蒸着層またはスパッタ層が好ましい。反射防止層を１層設ける場合には、低屈折率層を設けることが好ましく、複数層設ける場合には低屈折率層と高屈折率層をそれぞれ１層以上積層して設けることがより好ましい。低屈折率層としては、フッ化マグネシウムや酸化ケイ素等からなる層が、高屈折率層としては、酸化チタン、酸化セリウム、酸化アンチモン、酸化スズ、酸化インジウム、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、ITO（インジウム・スズ複合酸化物）等からなる層が好ましい。
【００３２】
本発明の放射線像変換パネルは防湿層の少なくとも片方の面に塗布層を設けることが好ましい。塗布層の上に防湿層を形成する構成の場合には、微小凹凸のない塗布層面上に防湿層が形成されるため、より緻密な防湿層となり防湿性能をより向上させることができる。また、防湿層の上に塗布層を形成する構成の場合には、形成された防湿層の微細クラック等が塗布層によって埋められるので、防湿性能をより向上させることができる。
【００３３】
塗布層としては公知の樹脂層を用いることができ、例えば、アクリル系モノマー等の低分子材料を塗布した後に紫外線や電子線を硬化させたり、ポリビニルアルコール（PVA）／SiO2のハイブリッド層など有機／無機のハイブリッド層をゾルゲル法により塗布形成することにより設けることができる。あるいはアクリル系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂等の樹脂を塗布、乾燥することによって設けてもよい。特に、前者は塗布層の上に防湿層を形成する構成の場合に、後者は防湿層の上に塗布層を形成する構成の場合に好適に選ばれる。
【００３４】
再剥離フィルムの再剥離フィルム用基材は、最終用途である放射線像変換パネルの透明防湿フィルムとして加工される前に剥離されるため、透明である必要はない。再剥離フィルム用基材の厚みは10〜500μｍであり、より好ましくは20〜150μｍであることが好ましい。再剥離フィルム用基材の厚みが10μｍよりも薄いと透明薄膜フィルムとのラミネートの際に取り扱いが困難となり、また、500μｍよりも厚い場合には、再剥離フィルムと透明薄膜フィルムを貼り合わせた貼合せフィルムの作製後のまきとりが困難となるため好ましくない。
【００３５】
再剥離フィルム用基材としては、ポリエチレンやポリプロピレン等のオレフィン系プラスチック、ポリ塩化ビニールやポリアクリロニトリル等のビニル系プラスチック、ポリエチレンテレフタレートやポリブチレンテレフタレート等のポリエステル系プラスチック、ポリウレタン系プラスチック、アクリル系プラスチック、ビスフェノールＡをビスフェノール成分として含有するポリカーボネート、等のプラスチックを好ましく用いることができる。
【００３６】
また、置換あるいは非置換シクロアルキリデン基、炭素数が５以上のアルキリデン基やアラアルキレン基を有するビスフェノール成分をビスフェノール成分の一部として含有するポリアリレートやポリカーボネート、ポリエステルカーボネート、具体的には、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−シクロへキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロへキサン、３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ペンタン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ヘプタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−フェニルメタンをビスフェノール成分として有するポリカーボネート、ポリアリレートやポリエステルカーボネートなどのプラスチックも用いることができる。
【００３７】
さらに、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリアミド、セルローストリアセテートなども、好適に用いることができる。加えて、環状オレフィン系やノルボルネン系のプラスチックやフルオレン骨格を有するアモルファスのポリエステル系プラスチックも好適に用いることができる。
【００３８】
特に、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィン系プラスチック、ポリエチレンテレフタレートやポリブチレンテレフタレート等のポリエステル系プラスチックから成るフィルムが好ましい。
【００３９】
再剥離フィルム用基材は片面に粘着剤層を形成する。粘着剤層としては、公知のアクリル系やシリコン系の粘着剤を用いることができるが、粘着剤の種類によっては加工中に発泡したり、粘着強度が上がって再剥離フィルムを剥離しにくくすることがあるため、加工条件に耐え得る粘着剤を選定する必要がある。また、再剥離フィルムの剥離時に、粘着剤が透明薄膜フィルムの表面に残ると透明性を損なうほか放射線像変換パネルの画像品質や鮮鋭度に好ましくない影響を与えるため、剥離時には再剥離フィルム用基材とともに剥離される必要がある。そのため、再剥離フィルム用基材に粘着加工を行う際には、再剥離フィルム用基材の粘着加工面にコロナ処理などの粘着剤との親和性を向上する前処理を行うことが望ましい。
【００４０】
なお、剥離の際の粘着剤残りの問題が無ければ、透明薄膜フィルムに粘着加工してから再剥離フィルム用基材を粘着加工面にラミネートしてもかまわない。また、ラミネート時にフィルムを加熱することは、貼合せフィルムの品質を安定させる上で好ましい。さらに、ラミネート時の異物巻き込みは、加工を経て透明薄膜フィルムへ異物斑が転写し光学的欠陥を形成するので、フィルムや環境に対して公知の異物対策を行うことが好ましい。
【００４１】
粘着加工した再剥離フィルムの透明薄膜フィルムからの剥離力は小さい方が好ましいが、余り小さいと、積層フィルム加工時に発泡などの問題を生じやすい。一方、余り大きいと再剥離時にフィルムが変形するなどの不都合を生じる。従って、剥離強度は10ｇ／25mm〜70ｇ／25mmの範囲が好ましく、さらには15ｇ／25mm〜50ｇ／25mmの範囲がより好ましい。
【００４２】
本発明の放射線像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体層の輝尽性蛍光体の例としては、
米国特許第3,859,527号明細書に記載されているSrS:Ce,Sm、SrS:Eu,Sm、ThO2:Er、およびLa2O2S:Eu,Sm、
【００４３】
特開昭55-12142号に記載されている ZnS:Cu,Pb、BaO・xAl2O3:Eu（ただし、0.8≦ｘ≦10）、および、MIIO・xSiO2 :A（ただし、MIIはMg，Ca，Sr，Zn，Cd、またはBaであり、ＡはCe，Tb，Eu，Tm，Pb，Tl，BiまたはMnであり、ｘは0.5≦x≦2.5である）、
【００４４】
特開昭55-12143号に記載されている (Ba1-X-y ,MgX ,Cay )FX:aEu2+（ただし、X はClおよびBrのうちの少なくとも一種であり、ｘおよびｙは、０＜x+y≦0.6、かつxy≠０であり、ａは、10-6≦ａ≦5×10-2である）、
【００４５】
特開昭55-12144号に記載されている LnOX:xA（ただし、LnはLa，Ｙ，Gd、およびLuのうちの少なくとも一種、XはClおよびBrのうちの少なくとも一種、AはCeおよびTbのうちの少なくとも一種、そして、ｘは、０＜ｘ＜0.1である）、
【００４６】
特開昭55-12145号に記載されている(Ba1-X,M2+X)FX:yA（ただし、M2+はMg，Ca，Sr，Zn、およびCdのうちの少なくとも一種、ＸはCl，BrおよびＩのうちの少なくとも一種、ＡはEu，Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，Ho，Nd，YbおよびErのうちの少なくとも一種、そしてｘは０≦ｘ≦0.6、ｙは０≦ｙ≦0.2である）、
【００４７】
特開昭55-160078号に記載されているMIIFX・xA:yLn（ただし、MIIはBa，Ca，Sr，Mg，ZnおよびCdのうちの少なくとも一種、AはBeO，MgO，CaO，SrO，BaO，ZnO，Al2O3，Y2O3，La2O3，In2O3，SiO2，TiO2，ZrO2，GeO2，SnO2，Nb2O5，Ta2O5 およびThO2 のうちの少なくとも一種、LnはEu，Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，Ho，Nd，Yb，Er，SmおよびGdのうちの少なくとも一種、ＸはCl，BrおよびＩのうちの少なくとも一種であり、xおよびyはそれぞれ 5×10-5≦x≦0.5、および０＜y≦0.2である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００４８】
特開昭56-116777号に記載されている(Ba1-X,MIIX)F2・aBaX2:yEu,zA（ただし、MIIはベリリウム，マグネシウム，カルシウム，ストロンチウム，亜鉛およびカドミウムのうちの少なくとも一種、Ｘは塩素，臭素およびヨウ素のうちの少なくとも一種、Ａはジルコニウムおよびスカンジウムのうちの少なくとも一種であり、ａ、ｘ、ｙ、およびｚはそれぞれ 0.5≦ａ≦1.25、０≦ｘ≦１、10-6≦ｙ≦2×10-1、および０＜ｚ≦10-2である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００４９】
特開昭57-23673号に記載されている(Ba1-X,MIIX)F2・aBaX2:yEu,zB（ただし、MII はベリリウム，マグネシウム，カルシウム，ストロンチウム，亜鉛およびカドミウムのうちの少なくとも一種、Ｘは塩素，臭素およびヨウ素のうちの少なくとも一種であり、ａ、ｘ、ｙ、およびｚはそれぞれ0.5≦ａ≦1.25、０≦ｘ≦１、10-6≦ｙ≦2×10-1、および０＜ｚ≦10-2である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００５０】
特開昭57-23675号に記載されている(Ba1-X,MIIX)F2・aBaX2:yEu,zA（ただし、MIIはベリリウム，マグネシウム，カルシウム，ストロンチウム，亜鉛およびカドミウムのうちの少なくとも一種、Ｘは塩素，臭素およびヨウ素のうちの少なくとも一種、Ａは砒素および硅素のうちの少なくとも一種であり、ａ、ｘ、ｙ、およびｚはそれぞれ0.5≦ａ≦1.25、０≦ｘ≦１、10-6≦ｙ≦2×10-1、および０＜ｚ≦5×10-1である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００５１】
特開昭58-69281号に記載されている MIIIOX:xCe（ただし、MIIIはPr，Nd，Pm，Sm，Eu，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，YbおよびBiからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、ＸはClおよびBrのうちのいずれか一方あるいはその両方であり、ｘは０＜ｘ＜0.1である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００５２】
特開昭58-206678号に記載されているBa1-XMX/2ＬX/2FX:yEu2+（ただし、ＭはLi，Na，Ｋ，RbおよびCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表わし；Lは、Sc，Ｙ，La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu，Al，Ga，InおよびTlからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属を表わし；X は、Cl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表わし;そして、ｘは10-2≦ｘ≦0.5、ｙは０＜ｙ≦0.1である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００５３】
特開昭59-27980号に記載のBaFX・xA:yEu2+（ただし、Ｘは、Cl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；Ａはテトラフルオロホウ酸化合物の焼成物であり；そして、ｘは10-6 ≦ｘ≦0.1、ｙは０＜ｙ≦0.1 である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００５４】
特開昭59-47289号に記載されているBaFX・xA:yEu2+（ただし、Ｘは、Cl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり;Aは、ヘキサフルオロケイ酸，ヘキサフルオロチタン酸およびヘキサフルオロジルコニウム酸の一価もしくは二価金属の塩からなるヘキサフルオロ化合物群より選ばれる少なくとも一種の化合物の焼成物であり；そして、ｘは10-6≦ｘ≦0.1、ｙは０＜ｙ≦0.1 である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００５５】
特開昭59-56479号に記載されているBaFX・xNaX′:aEu2+（ただし、XおよびX′は、それぞれCl、Br、およびＩのうちの少なくとも一種であり、ｘおよびａはそれぞれ０＜ｘ≦２、および０＜ａ≦0.2である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００５６】
特開昭59-56480号に記載されているMIIFX・xNaX′:yEu2+:zA（ただし、MIIは、Ba，SrおよびCaからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属であり；X およびX′は、それぞれCl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり;Aは、Ｖ，Cr，Mn，Fe，CoおよびNiより選ばれる少なくとも一種の遷移金属であり;そして、ｘは０＜ｘ≦２、ｙは０＜ｙ≦0.2、およびｚは０＜ｚ≦10-2である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００５７】
特開昭59-75200号に記載されている MIIFX・aMIX′・bM′IIX″2・cMIIIX3・xA:yEu2+（ただし、MIIはBa，SrおよびCaからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属であり；MI はLi，Na，Ｋ，RbおよびCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり;M′IIはBeおよびMgからなる群より選ばれる少なくとも一種の二価金属であり;MIII はAl，Ga，InおよびTlからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり；Aは金属酸化物であり；XはCl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；X′，X″および Xは、Ｆ，Cl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；そして、ａは０≦ａ≦２、ｂは０≦ｂ≦10-2、ｃは０≦ｃ≦10-2、かつa+b+c≧10-6  であり；x は０＜ｘ≦0.5、ｙは０＜ｙ≦0.2 である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００５８】
特開昭60-84381号に記載されている MII X2・aMIIX′2:xEu2+（ただし、MII はBa，Srおよび Caからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属であり；XおよびX′はCl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであって、かつ X≠X′であり；そしてａは0.1≦ａ≦10.0、ｘは０＜ｘ≦0.2である）の組成式で表わされる輝尽性蛍光体、
【００５９】
特開昭60-101173号に記載されているMIIFX・aMI X′:xEu2+（ただし、MII はBa，SrおよびCaからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属であり；MI はRbおよびCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり;XはCl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；X′はＦ，Cl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；そしてａおよびｘはそれぞれ０≦ａ≦4.0および０＜ｘ≦0.2である）の組成式で表わされる輝尽性蛍光体、
【００６０】
特開昭62-25189号に記載されているMI X:xBi（ ただし、MI はRbおよびCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり；X はCl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；そしてxは0＜x≦0.2の範囲の数値である）の組成式で表わされる輝尽性蛍光体、
【００６１】
特開平2-229882号に記載のLnOX:xCe（但し、LnはLa，Ｙ，GdおよびLuのうちの少なくとも一つ、ＸはCl，BrおよびＩのうちの少なくとも一つ、ｘは0＜x≦0.2 であり、LnとＸとの比率が原子比で0.500＜X/Ln≦0.998であり、かつ輝尽性励起スペクトルの極大波長λが550nm＜λ＜700nm）で表わされるセリウム賦活希土類オキシハロゲン化物蛍光体、
などをあげることができる。
【００６２】
また、上記特開昭60-84381号に記載されているMIIX2・aMIIX′2:xEu2+輝尽性蛍光体には、以下に示すような添加物がMIIX2・aMIIX′2 1モル当り以下の割合で含まれていてもよい。
【００６３】
特開昭60−166379号に記載されているbMIX″（ただし、MIはRbおよびCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、X″はＦ，Cl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、そしてｂは０＜ｂ≦10.0である）；特開昭60-221483号に記載されているbKX″・cMgX2 ・dMIII X′3（ただし、MIII はSc，Ｙ，La，Gdおよび Luからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、X″、X およびX′はいずれもＦ，Cl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、そしてｂ、ｃおよびｄはそれぞれ、０≦ｂ≦2.0、０≦ｃ≦2.0、０≦ｄ≦2.0であって、かつ2×10-5≦b+c+dである）;特開昭60-228592号に記載されている yB（ただし、yは2×10-4≦ｙ≦2×10-1である）;特開昭60-228593号に記載されている bA（ただし、AはSiO2 およびP2O5からなる群より選ばれる少なくとも一種の酸化物であり、そしてbは10-4 ≦b≦2×10-1 である）;特開昭61−120883号に記載されているbSiO（ただし、bは0＜b≦3×10-2  である）;特開昭61−120885号に記載されているbSnX″2 （ただし、X″はＦ，Cl，BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、そしてbは０＜ｂ≦10-3である）；特開昭61-235486号に記載されているbCsX″・cSnX2 （ただし、X″およびX はそれぞれＦ，Cl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、そしてｂおよびｃはそれぞれ、０＜ｂ≦10.0 および10-6≦ｃ≦2×10-2である）；および特開昭61-235487号に記載されているbCsX″・yLn3+（ただし、X″はＦ，Cl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、LnはSc，Ｙ，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，YbおよびLuからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素であり、そしてｂおよびｙはそれぞれ、０＜ｂ≦10.0および10-6≦ｙ≦1.8×10-1である）。
【００６４】
上記の輝尽性蛍光体のうちで、二価ユーロピウム賦活アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系蛍光体（例えばBaFI:Eu）、ユーロピウム賦活アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体（例えばCsBr:Eu）、ヨウ素を含有する二価ユーロピウム賦活アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体、ヨウ素を含有する希土類元素賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、およびヨウ素を含有するビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体は高輝度の輝尽発光を示し、高画質を得ることが可能となることから好ましく用いることができる。またこれらの蛍光体は柱状結晶とすることができるが、特に吸湿性が問題となりやすいため、本発明の放射線像変換パネルの構成によってより効果的な防湿を図ることができる。
【００６５】
蛍光体層は、蒸着法、スパッタ法、塗布法など公知の方法により基板上に形成することができる。蒸着法においては、まず基板を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して10-4  Pa程度の真空度とする。次いで、輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて基板表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させる。その際、0.05〜10Pa程度の真空度となるようにAr、Ｎ2等の不活性ガスを導入してもよい。蒸着工程を複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。また、蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、基板上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することもできる。蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。
【００６６】
塗布法においては、蛍光体を溶剤とともに充分に混合して結合剤溶液中に輝尽性蛍光体が均一に分散した塗布液を調製し、この塗布液を基板の表面に均一に塗布することにより塗膜を形成する。この塗布操作は、通常の塗布手段、たとえば、ドクターブレード、ロールコーター、ナイフコーターなどを用いることにより行なうことができる。
【００６７】
蛍光体層の層厚は、目的とする放射線像変換パネルの特性、蛍光体の種類、結合剤と蛍光体との混合比などによって異なり、20μｍ〜１mm程度とするのが一般的であるが、50μｍ〜500μｍとすることがより好ましい。
【００６８】
防湿層と封止枠を接着する接着剤は、特に限定されるものではないが100℃未満で硬化する樹脂であることが好ましく、樹脂の水蒸気透過係数が50g・mm/(m2・d)以下であることが好ましい。より具体的には、ポリエステル系、ポリウレタン系、ポリ酢酸系、ポリアクリル系、軟質アクリル系、ポリビニル系、ポリアミド系、エポキシ系、ゴム系、ウレタン系等の各種の接着剤を使用することができる。
【００６９】
基板としては、従来の放射線像変換パネルの基板として公知の材料から任意に選ぶことができる。また、基板と蛍光体層の結合を強化するため、あるいは放射線像変換パネルとしての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状性）を向上させるために、蛍光体層が設けられる側の基板表面にゼラチンなどの高分子物質を塗布して接着性付与層としたり、あるいは二酸化チタンなどの光反射性物質からなる光反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸収性物質からなる光吸収層などを設けることが知られているが、本発明における放射線像変換パネルについても、これらの各種の層を設けることができる。それらの構成は所望の放射線像変換パネルの目的、用途などに応じて任意に選択することができる。
【００７０】
なお、特開昭58−200200号に記載されているように、得られる画像の鮮鋭度を向上させる目的で、基板の蛍光体層側の表面（基板の蛍光体層側の表面に接着性付与層、光反射層または光吸収層などが設けられている場合には、その表面を意味する）に微小凹凸が形成されていてもよい。  
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。
【実施例】
【００７１】
（実施例１）
25μｍ厚のPETフィルムに、耐熱性があり後工程で剥離が可能な39μｍ厚の再剥離フィルム（パナック(株)：CT38）をニップローラーを用いて貼り合わせた。続いて、PETフィルム側にスパッタリングによりSiOx層を100nmの層厚で設けた。その後、PVA／SiOxハイブリッド層（ＰＳ層）をPVA：SiOx=１：１の比率でゾルゲル法によって600nmの層厚で設け貼合せフィルムとした。
【００７２】
ソーダガラス製封止枠（縦、横450mm角、厚さ0.5mm、幅6mm、内角部Ｒ＝2mmφ）と上記で作製した貼合せフィルム（最後に設けたＰＳ層側）とを２液硬化性エポキシ樹脂（XB5047、XB5067：バンティコ(株)製、水蒸気透過係数はいずれも0.5g・mm/(m2・d)）を用いて接着した。この際、封止枠中心と貼合せフィルム中心が合うように重ね合わせ、枠面と接触する貼合せフィルム表面で接着し、40℃で１日硬化させ、貼合せフィルムとガラス封止枠との接合体とした。
【００７３】
基板として縦、横450mm角、5mmφの減圧孔を隣りあう２辺から孔中心まで11mmの距離の角部に有する、片面に縁部（縁幅８mm）を除いてＡｌ蒸着反射層が敷設された８mm厚のソーダガラス板を準備した。反射層面上の周縁から８mmまでの部分と減圧孔部にマスクを配置し、マスクが配置されていない反射層面上に蒸着されるように蒸着機中に設置した。次に、蒸着源として所定の抵抗加熱容器にCsBrおよびEuBr2 をそれぞれ充填した。各蒸発源と基板の間の距離を0.15mとした。次に、蒸着機を排気して１×10-3Paの真空度とした後、さらに蒸着機にArガスを導入して１Paの真空度とした。続いて、基板をヒーターで100℃に加熱した。その後、蒸発源をそれぞれ加熱して、基板の表面にCsBr:Eu輝尽性蛍光体を10μｍ／分の速度で堆積させた。その際、加熱装置の抵抗電流を調整して、輝尽性蛍光体におけるEu／Csモル濃度比が0.003／１となるように制御した。蒸着終了後、蒸着機内を大気圧に戻し、基板を取り出した。基板上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の輝尽性蛍光体層（層厚：600μｍ）が形成されていた。
【００７４】
上記のように作製された、接着部（周縁から８mm）と減圧孔を除いてCsBr:0.01Eu輝尽性蛍光体が蒸着形成された、Ａｌ蒸着反射層敷設ソーダガラス支持体と、封止枠が接合された貼合せフィルムを接着剤（SU2153-9：サンコレック社製、水蒸気透過係数は上記と同様の方法で測定して20g・mm/(m2・d)）を用いて圧力をかけながら接着し、常温（25℃）で12時間硬化させた。さらに減圧孔にＥＤＰＭゴムを埋め込み、接着剤（SU2153-9）で接着することで減圧孔を密閉した。
【００７５】
これによって、蒸着輝尽性蛍光体層が基板、封止枠、貼合せフィルムによって密閉された構造が形成された。続いて、この密閉構造体の封止孔ＥＤＰＭゴムに注射針を刺し通し、真空ポンプにより内部の気体を抜き取り0.11気圧の減圧状態とした。その後、減圧孔のＥＤＰＭゴム上に接着剤（SU2153-9）を付着されたガラス栓で栓をした。最後に、貼合せフィルムから再剥離フィルムを剥離して放射線像変換パネルを完成させた。
【００７６】
（実施例２）
実施例１において、ＰＳ層上にさらにスパッタリングによりSiOx層を100nmの層厚で設け、これを貼合せフィルムとして用いた以外は実施例１と同様にして放射線像変換パネルを完成させた。
【００７７】
（実施例３）
実施例２において、SiOx層を設けた後、再剥離フィルムを剥離し、SiOx層側にはがした再剥離フィルムと同じ厚みに再剥離フィルムを貼り合わせた。続いて、PETフィルム側にITO（インジウム・スズ複合酸化物）層25nm／SiO2層25nm／ITＯ層85nmをこの順に積層してなる反射防止層（AR層）を設け、これを貼合せフィルムとして用いた以外は実施例２と同様にして放射線像変換パネルを完成させた。
【００７８】
（実施例４）
実施例３において、AR層を設けた後、再剥離フィルムを剥離し、AR層側にはがした再剥離フィルムと同じ厚みの再剥離フィルムを貼り合わせ、SiOx層上に実施例３と同じ構成のAR層を設け、これを貼合せフィルムとして用いた以外は実施例３と同様にして放射線像変換パネルを完成させた。
【００７９】
（比較例１）
保護膜としてガラス板を用いた以外は実施例１と同様にして放射線像変換パネルを完成させた。
【００８０】
（比較例２）
保護膜として25μｍ厚のPETフィルムのみを用いた以外は実施例１と同様にして放射線像変換パネルを完成させた。
【００８１】
（比較例３）
保護膜として25μｍ厚の表面をマット処理したPETフィルムのみを用いた以外は実施例１と同様にして放射線像変換パネルを完成させた。
【００８２】
（比較例４）
保護膜として約12μｍ厚の防湿性フィルム（12μｍPETにSiOx層を約100nm蒸着したもの）を２層と、青色着色した28μｍ厚のPETフィルムの合計３層を厚み１〜３μｍの接着層（ポリエステル系樹脂）を介して貼り合わせたフィルムを保護膜として用いた以外は実施例１と同様にして放射線像変換パネルを完成させた。
【００８３】
上記実施例および比較例で作製した放射線像変換パネルを、表１に示す項目によって評価した結果を示す。なお、表１に示す各項目の評価は以下に示すようにして行った。
【００８４】
（評価方法）
酸素透過度は23℃０％RH環境下、24時間に面積１m2の保護膜を通過する酸素量により、透湿度は40℃90％RHの環境下、24時間に面積１m2の保護膜を通過する水蒸気量によりそれぞれ測定した。
【００８５】
MTF低下は、放射線像変換パネルに、管電圧80kVpのＸ線を照射したのち（10mR相当）、放射線像変換パネルに対して線状に励起光を照射するライン状ＬＤレーザー（波長660nm）で走査して蛍光体を励起し、ライン状ＬＤレーザーにより励起光が照射された放射線像変換パネルの線状の部分の長さ方向に沿って多数の光電変換素子が配列されたＣＣＤアレイによって、蛍光体層から放射される輝尽発光を受光して電気信号に変換し、これを画像再生装置によって画像として再生して表示装置上に二次元画像を得た。これをコンピュータで解析することにより、得られた画像のMTF（1cy)を得、実施例１で保護膜を全く持たない状態の放射線像変換パネルのMTF値を測定し、実施例および比較例の保護膜を設けた放射線像変換パネルを１cyMTFの低下率で評価した。
【００８６】
ウィナー１cy（ウィナースペクトル１cy）は上記MTF低下の場合と同様にして二次元画像を得、得られた画像の濃度の揺らぎをフーリエ変換することにより求め、実施例１で保護膜を全く持たない状態の放射線像変換パネルのウィナー１cyに対する実施例および比較例の保護膜を設けた放射線像変換パネルのウィナー１cyを低下率で評価した。
【００８７】
干渉ムラは保護膜自体の光干渉による画像上のムラを目視により確認し、以下の５段階で評価した。  
１：ムラが強く実用不可
２：ムラが容易に視認でき実用不可
３：若干のムラはあるが実用可
４：わずかにムラはあるが実用可
５：ムラがなく実用可
【００８８】
30℃80％感度低下は、上記MTFと同様にパネルにＸ線を照射し、ライン状ＬＤレーザーで走査、輝尽発光光をＣＣＤアレイで発光、電気信号に変換し、その際の電気信号強度からパネルの発光量（感度）を計算により求めた。その後、放射線像変換パネルを30℃80％RHの環境下に30日間放置後、上記と同様の方法で発光量を測定し、最初に読み取った際の発光量からの低下の割合を％表示で評価した。
【００８９】
30℃80％MTF低下は、30℃80％環境下に30日間放置した後のパネルのMTFを初期値に対する低下率で示した。
【００９０】
保護膜のＸ線吸収率は放射線像変換パネル（富士イメージングプレートHYPER HS-100）上に、測定対象となる保護膜（ここで、保護膜とは実施例および比較例において、輝尽性蛍光体層上にあって、輝尽性蛍光体層を保護しているものを指す）を(A)被せた状態、(B)被せない状態のそれぞれにおいて、管電圧80kvpのＸ線（10mR相当）を照射した。上記MTF測定と同様にライン状読取装置により読み取りを行い、(A)、(B)それぞれの輝尽発光強度をPSL(A)、PSL(B)とし、
【数１】
2005172650.tif 000003
【００９１】
から保護膜のＸ線吸収率を求めた。
【表１】
2005172650.tif 000004
【００９２】
表１に示すように、実施例１〜４の放射線像変換パネルは30℃80％環境下におけるMTFの低下がほとんどみられず、感度低下率も低く、防湿性に優れ、充分に実用的な耐久性が実現された。また、接着層によって各層が貼り合わされていないため、接着層の微細なムラ、貼り合わせによるスジ、ムラ等の影響がなく、画像品質も申し分なかった。
【００９３】
一方、比較例１の放射線像変換パネルは保護膜がガラスであるために防湿性やガスバリア性には優れていたが、Ｘ線吸収が起こったため得られた画質は低下した。また、比較例２の放射線像変換パネルは防湿層を有していないために防湿性が悪く、このため実使用環境１年に相当する加速環境試験のおけるMTFの低下が著しかった。比較例３はヘイズ率の高いPETフィルムを保護膜として使用したものであるが、比較例２と同様にMTFの低下が著しかった。比較例４はPETフィルムがない防湿性フィルムを直接、接着層によって輝尽性蛍光体層上に設けているため、接着層の微細なムラ、貼り合わせによるスジ、ムラ等の影響によってウィナースペクトル１cyが大幅に悪化した。
【００９４】
以上のように、本発明の放射線像変換パネルは透明薄膜フィルムのＸ線吸収率が５％以下であるため、Ｘ線吸収による画質低下を抑制することが可能であり、また、透明防湿フィルムの透湿度が1g/m2/day以下、酸素透過度が0.3cc/m2/day/atm以下であるため、基板と防湿層との間に密閉された輝尽性蛍光体層を有する空間内部を0.1気圧程度に減圧した場合であっても、減圧リークによる透明防湿フィルムの浮きが生ずることがなくMTFの低下を抑制することができた。また、各層が接着層で貼り合わされていないため、画像品質、鮮鋭度ともに申し分のない放射線像変換パネルとすることができた。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の一の実施の形態を示す放射線像変換パネルの概略断面図
【図２】本発明の別の実施の形態を示す放射線像変換パネルの概略断面図
【図３】図１に示す放射線像変換パネルの製造工程の一の実施の形態を示す概略工程図
【符号の説明】
【００９６】
１    輝尽性蛍光体層
２    再剥離フィルム用基材
３    粘着層
４    透明薄膜フィルム
５    再剥離フィルム
６    防湿層
７    透明防湿フィルム
８    接着剤
10    放射線像変換パネル
11    基板
12    封止枠
【図１】
2005172650.tif 000005
【図２】
2005172650.tif 000006
【図３】
2005172650.tif 000007