(57)【要約】【課題】  温度変化があっても温度特性の変化を軽減して共振周波数がズレることがないようにして周波数の選択性の良い圧電薄膜共振子を得ることを目的とする。【解決手段】  シリコン基板１１と、シリコン基板１１上に設けられた下電極膜１３、下電極膜１３に重なる圧電膜１５及び圧電膜１５に重なる上電極膜１４からなる積層共振体１２とを備え、シリコン基板１１と下電極膜１３との間に下電極膜１３の共振周波数に対する温度特性とは逆の温度特性を持つ下温度補正膜１６を設け、上電極膜１４の上面に上電極膜１４の共振周波数に対する温度特性とは逆の温度特性を持つ上温度補正膜１７を設けたものである。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に設けられた第一電極膜、前記第一電極膜に重なる圧電膜及び前記圧電膜に重なる第二電極膜からなる積層共振体とを備えてなる圧電薄膜共振子において、
前記第一電極膜又は前記第二電極膜に接するように、前記第一電極膜又は前記第二電極膜の共振周波数に対する温度特性とは逆の温度特性を持つ温度補正膜を設けたことを特徴とする圧電薄膜共振子。
【請求項２】
前記温度補正膜は前記基板と前記第一電極膜の中間又は／及び前記第二電極膜上部に設けることを特徴とする請求項１記載の圧電薄膜共振子。
【請求項３】
前記温度補正膜は前記第一電極膜と前記圧電膜の中間又は／及び前記圧電膜と前記第二電極膜の中間に設けることを特徴とする請求項１記載の圧電薄膜共振子。
【請求項４】
前記温度補正膜はＳｉＯ2膜であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の圧電薄膜共振子。
【請求項５】
前記第一電極膜及び前記第二電極膜はＡｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔａ，Ｃｒ、Ａｕのいずれか１つ又はいずれか１つ以上を任意に組み合わせた積層膜又は合金膜として形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の圧電薄膜共振子。
【請求項６】
前記基板の上面に設けられている前記温度補正膜を所望の周波数となるように除去又は前記基板の上面に設けられている前記温度補正膜の上面に別の温度補正膜を所望の周波数となるように堆積させることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の圧電薄膜共振子。
【請求項７】
前記基板の開口面に温度補正膜を所望の周波数となるように設け、又は前記基板の開口面に設けられている温度補正膜を所望の周波数となるように除去することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の圧電薄膜共振子。
【請求項８】
前記圧電膜はＺｎＯ、ＡｌＮ、ＫＮｂＯ3、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3、ＰＺＴ、ＢａＴｉＯ３、水晶のいずれかであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の圧電薄膜共振子。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１つに記載の圧電薄膜共振子を複数有し、前記複数の圧電薄膜共振子がラダー型接続され、ラダー型フィルタとして構成されていることを特徴とするフィルタ。
【請求項１０】
基板と、前記基板上に設けられた第一電極膜、前記第一電極膜に重なる圧電膜及び前記圧電膜に重なる第二電極膜からなる積層共振体を形成する工程と、
前記基板に対して、前記積層共振体に対応する位置において開口する貫通穴を形成する工程とを含む圧電薄膜共振子の製造方法において、
前記積層共振体を形成する工程は前記第一電極膜又は前記第二電極膜に接する温度補正膜を設ける工程を含むことを特徴とする圧電薄膜共振子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、いわゆるＦｂａｒ(Film Bulk Acoustic Resonator：薄膜バルク音響共振子)あるいはＳＭＲ(Solid Mounted Resonator)と呼ばれる音響反射多層膜を設けた振動子に属する数種類の圧電薄膜共振子、これを用いて構成される主にＧＨｚ帯で用いられるフィルタ及び圧電薄膜共振子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＦＢＡＲと呼ばれる圧電薄膜共振子は、基板と、基板上に設けられた積層共振体とからなる。積層共振体は、圧電膜と、当該圧電膜を上下から挟む一対の薄膜電極からなる。下部電極の下方において、基板には空隙部が開設されている。また、ＳＭＲと呼ばれる圧電薄膜共振子は下部に音響反射膜を設けているが、振動膜に関しては同様の考え方を行っているため、ここではＦＢＡＲに限って説明する。
圧電薄膜共振子の上下の電極に交流電圧を印加すると、逆圧電効果により、これらに挟まれた圧電膜はその厚み方向に振動し、電気的共振特性を示す。逆に、圧電効果によって、圧電膜に生ずる弾性波ないし振動は、電気信号に変換される。この弾性波は、圧電膜の厚み方向に主変位を持つ厚み縦振動波である。
【０００３】
このような圧電薄膜共振子では、積層共振体の厚みＨが弾性波の１／２波長の整数倍（ｎ倍）となる周波数にて、積層共振体において共振現象が生じる。材料の種類によって定まる弾性波の伝搬速度をＶとすると、共振周波数Ｆは、Ｆ＝ｎＶ／２Ｈと表される。
【０００４】
この式によると、積層共振体の厚みＨを調節することによって、当該積層共振体の共振周波数を制御できることが理解される。
共振周波数を制御することによって、所望の周波数特性を有する圧電薄膜共振子を作製することができる。そして、そのような共振子をラダー型に接続することによって、所定の通過周波数帯域を有するバンドパスフィルタを構成することができる。
【０００５】
従来の圧電薄膜共振子は、第１の面およびこれと反対の第２の面を有する基板と、第１面に接する第１電極膜、当該第１電極膜に重なる圧電膜、および当該圧電膜に重なる第２電極膜からなる積層共振体とを備え、基板には積層共振体に対応する位置において、第１の面に開口する第１開口部および第２の面にて開口する第２開口部を有しつつ第１の面に対して略垂直な空隙部が開設されて構成されている。
このように、基板を貫通する空隙部を積層共振体に対して過度に広く開口することなく形成することによって、圧電薄膜共振子自体の小型化を図っている。（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００３−２０４２３９号公報（第１頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の圧電薄膜共振子は、それを構成する積層共振体が周波数に対する所定の温度特性を持っているため、所定の共振周波数を持つ厚電薄膜共振子を例えばフィルタとして使用した場合に環境温度が変化することに伴い共振周波数が変化してしまうため、共振周波数がズレることによってフィルタとしての周波数選択性が悪くなるという問題があった。
そこで、本発明はかかる問題点を解決するために、温度変化があっても温度特性の変化を軽減して共振周波数がズレることがないようにして周波数の選択性の良い圧電薄膜共振子、フィルタ及びを圧電薄膜共振子の製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る圧電薄膜共振子は、基板と、前記基板上に設けられた第一電極膜、前記第一電極膜に重なる圧電膜及び前記圧電膜に重なる第二電極膜からなる積層共振体とを備えてなる圧電薄膜共振子において、前記第一電極膜又は前記第二電極膜に接するように、前記第一電極膜又は前記第二電極膜の共振周波数に対する温度特性とは逆の温度特性を持つ温度補正膜を設けたことを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、第一電極膜又は前記第二電極膜に接するように、該第一電極膜又は該第二電極膜の共振周波数に対する温度特性とは逆の温度特性を持つ温度補正膜を設けたので、第一電極膜又は該第二電極膜の温度特性を温度補正膜の温度特性が相殺し、圧電薄膜共振子は環境温度が変化しても共振周波数があまり変化しない温度特性を持った周波数選択性が良好なものとなる。
【０００９】
本発明の圧電薄膜共振子において、前記温度補正膜は前記基板と前記第一電極膜の中間又は／及び前記第二電極膜上部に設けることを特徴とする。
これは、第一電極膜又は／及び第二電極膜に対応させて温度補正膜を設けたものである。
【００１０】
本発明の圧電薄膜共振子において、前記温度補正膜は前記第一電極膜と前記圧電膜の中間又は／及び前記圧電膜と前記第二電極膜の中間に設けることを特徴とする。
これは、第一電極膜又は／及び第二電極膜に対応させて前記とは別の位置に温度補正膜を設けたものである。
【００１１】
本発明の圧電薄膜共振子において、前記温度補正膜はＳｉＯ2膜であることを特徴とする。
これは温度補正膜をＳｉＯ2膜とすることにより、第一電極膜又は該第二電極膜の共振周波数に対する温度特性とは逆の温度特性を持つ素材を限定したものである。
【００１２】
本発明の圧電薄膜共振子において、前記第一電極膜及び前記第二電極膜はＡｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔａ，Ｃｒ、Ａｕのいずれか１つ又はいずれか１つ以上を任意に組み合わせた積層膜又は合金膜として形成されていることを特徴とする。
これは第一電極膜及び前記第二電極膜を構成する素材がいずれも周波数に対する温度特性が同じものであれば、適宜に選択できることを示している。
【００１３】
本発明の圧電薄膜共振子において、前記基板の上面に設けられている前記温度補正膜を所望の周波数となるように除去又は前記基板の上面に設けられている前記温度補正膜の上面に別の温度補正膜を所望の周波数となるように堆積させることを特徴とする。
このようして補正膜を含んだ積層共振体の厚さを変えることにより、周波数調整を行うことができる。
【００１４】
本発明の圧電薄膜共振子において、前記基板の開口面に温度補正膜を所望の周波数となるように設け、又は前記基板の開口面に設けられている温度補正膜を所望の周波数となるように除去することを特徴とする。
このようにして補正膜を含んだ積層共振体の厚さを変えることにより、周波数調整を行うことができる。
【００１５】
本発明の圧電薄膜共振子において、前記圧電膜はＺｎＯ、ＡｌＯ、ＫＮｂＯ3、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3、水晶のいずれかであることを特徴とする。
これは配向性の高い圧電膜を形成する素材を限定したものである。
【００１６】
本発明に係るフィルタは、前記に記載の圧電薄膜共振子を複数有し、前記複数の圧電薄膜共振子がラダー型接続され、ラダー型フィルタとして構成されていることを特徴とする。
このようにすることにより、共振特性が良好なフィルタを得ることができる。
【００１７】
本発明の圧電薄膜共振子の製造方法は、基板と、前記基板上に設けられた第一電極膜、前記第一電極膜に重なる圧電膜及び前記圧電膜に重なる第二電極膜からなる積層共振体を形成する工程と、前記基板に対して、前記積層共振体に対応する位置において開口する貫通穴を形成する工程とを含む圧電薄膜共振子の製造方法において、前記る積層共振体を形成する工程は前記第一電極膜又は前記第二電極膜に接する温度補正膜を設ける工程を含むことを特徴とする。
【００１８】
このようにすることにより、本発明に係る圧電薄膜共振子を製造することができる。従って、本発明の製造方法によっても、本発明に係る圧電薄膜共振子と同様の効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
実施の形態１．
図１は本発明の実施の形態１に係る圧電薄膜共振子の概略構成を示す断面図、図２は同圧電薄膜共振子の構成部材の平面形状を示す平面図、図３は同圧電薄膜共振子の共振特性を示すグラフ、図４は本発明と従来例の圧電薄膜共振子の温度特性の比較を示すグラフである。
圧電薄膜共振子１０は、シリコン基板１１と、その上に形成された積層共振体１２とを有する。シリコン基板１１０は、（１１０）カットされた単結晶シリコン基板であり、（１１０）面に相当する第１の面（上面）１１ａ及び第２の面（下面）１１ｂを有する。
積層共振体１２は、第１電極膜である下電極膜１３と、第２電極膜である上電極膜１４と、これらに挟まれた圧電膜１５とからなる。
【００２０】
シリコン基板１１と下電極膜１３との間には下温度補正膜１６が介装されおり、上電極膜１４の上面には上温度補正膜１７が設けられている。
本実施の形態では、下電極膜１３と上電極膜１４は、（１１１）の一軸配向構造をとる例えばＡｌにより形成されている。圧電膜１５は、（００２）の一軸配向構造をとる例えばＺｎＯにより形成されている。
【００２１】
なお、圧電膜１５をＺｎＯ以外では、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＫＮｂＯ３（ニオブ酸カリウム）、ＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム）、ＬｉＴａＯ３（タンタル酸リチウム）、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛を主成分とするセラミックス）、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウムをその主成分とするセラミックス）、水晶等により形成することもできる。下温度補正膜１６と上温度補正膜１７は、ＳｉＯ2 により形成されている。 
【００２２】
シリコン基板１１には、積層共振体１２の下方に貫通穴１８が形成されている。貫通穴１８は、第１の面１１ａ及び第２の面１１ｂに対して垂直にシリコン基板１１を貫通しており、第２の面１１ｂにおける貫通穴１８の開口部は、第１の面１１ａにおける開口部と同一の面積及び形状を有する。本実施の形態では、貫通穴１８の開口部は平行四辺形である。
【００２３】
このように、貫通穴１８の第１の面１１ａにおける開口部が第２の面１１ｂにおける開口部よりも拡がっていないため、シリコン基板１１ひいては圧電薄膜共振子１０を小型に設計することが可能になっている。
また、この実施の形態１の圧電薄膜共振子１０は、図３のグラフに示すような共振周波数特性を有する。
【００２４】
以上のように、この実施の形態１の圧電薄膜共振子１０においては、積層共振体１２の下電極膜１３とシリコン基板１１との間に下温度補正膜１６が介装されおり、上電極膜１４の上面には上温度補正膜１７が設けられており、下電極膜１３と上電極膜１４はＡｌにより形成され、下温度補正膜１６と上温度補正膜１７はＳｉＯ2 により形成され、積層共振体１２の圧電膜１５はＺｎＯにより形成されている。
【００２５】
そして、Ａｌにより形成された下電極膜１３及び上電極膜１４とＺｎＯにより形成されているは圧電膜１５は、温度の上昇及び下降に伴い共振周波数を増大及び減少させる温度特性を有するのに対し、ＳｉＯ2 により形成された下温度補正膜１６と上温度補正膜１７は、下電極膜１３及び上電極膜１４と圧電膜１５とは正反対の温度特性を有する。
【００２６】
従って、下電極膜１３に接する下温度補正膜１６と上電極膜１４に接する上温度補正膜１７とを備えて構成された圧電薄膜共振子１０は、下電極膜１３の温度特性を下温度補正膜１６が相殺し、上電極膜１４の温度特性を上温度補正膜１７が相殺するため、環境温度が変化しても共振周波数があまり変化しない温度特性を持った周波数選択性が良好なものとなる。
【００２７】
図４のグラフを見ると分かるように、従来例の温度補正膜がない圧電薄膜共振子では温度が上昇及び下降すると、それに伴い共振周波数が増大及び減少する温度特性を持つのに対し、本発明の実施の形態の温度補正膜がある圧電薄膜共振子では温度が上昇及び下降しても、共振周波数が殆ど変化しない温度特性を持ったものであることが分かる。
【００２８】
また、上記の実施の形態１では、下電極膜１３とシリコン基板１１との間に下温度補正膜１６を介装し、上電極膜１４の上面には上温度補正膜１７を設けているが、下温度補正膜１６を下電極膜１３と圧電膜１５との間に介装し、上温度補正膜１７と圧電膜１５との間に介装するようにしても、下温度補正膜１６は下電極膜１３に接しており、上温度補正膜１７は上電極膜１４に接しており、上記と同様に環境温度が変化しても共振周波数があまり変化しない温度特性を持っため、周波数選択性が良好なものとなる。
【００２９】
この実施形態１では、下電極膜１３及び上電極膜１４をＡｌで形成しているが、圧電膜に応じて、圧電膜が最適な配向性を持つようにＭｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ等で形成するようにしてもよいことは勿論である。
また、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａのいずれか２種類以上を積層或いは２種類以上の合金又は積層したもの同士の合金で形成するようにしてもよい。この場合の組み合せとして、例えば、Ｍｏ／Ｔｉの積層膜、ＴｉＮ／Ａｌの積層膜とＣｕ数％／ＴｉＮの積層膜との合金、Ｔｉ／Ａｌ−Ｃｕ合金の積層膜、ＴｉＷ／Ｃｒ／Ａｕの積層膜がある。
【００３０】
また、シリコン基板１１と下電極膜１３との間、即ちシリコン基板１１の上面に下温度補正膜１６が設けられているが、その下温度補正膜１６を除去することにより、温度補正膜を含む積層共振体１２全体の厚みが変わるため、共振周波数も変わることにより、周波数調整を行うこともできる。この場合、積層共振体１２全体の厚みが減るため、共振周波数は高くなる。
【００３１】
また、シリコン基板１１の上面に設けられている下温度補正膜１６に、更に別の温度補正膜を積層して堆積させることにより、温度補正膜を含む積層共振体１２全体の厚みが変わるため、共振周波数も変わることにより、周波数調整を行うこともできる。この場合、積層共振体１２全体の厚みが増えるため、共振周波数は低くくなる。
【００３２】
さらに、シリコン基板１１の第２の面１１ｂ側の開口面に温度補正膜を設けることにより、温度特性の補正の調整を行うこともできる。また、シリコン基板１１の第２の面側の開口面に設けられている温度補正膜を除去することにより、温度補正膜を含む積層共振体１２全体の厚みが変わるため、共振周波数も変わることにより、周波数調整を行うこともできる。
【００３３】
さらに、シリコン基板１１の第２の面１１ｂ側の開口面に設けられている温度補正膜に、更に別の温度補正膜を積層して堆積させることにより、温度補正膜を含む積層共振体１２全体の厚みが変わるため、共振周波数も変わることにより、周波数調整を行うこともできる。
【００３４】
実施の形態２．
図５は本発明の実施の形態２に係る圧電薄膜共振子により構成したラダー型フィルタを示す平面図、図６は図５のＡ−Ａ線断面図、図７は図５のＢ−Ｂ線断面図、図８は同ラダー型フィルタをパッケージに入れた断面図、図９は同圧電薄膜共振子により構成したラダー型フィルタの回路図、図１０はラダー型フィルタの共振特性を示すグラフ、図１１は同圧電薄膜共振子により構成したラダー型フィルタの製造工程を示す説明図である。
【００３５】
この実施の形態２のラダー型フィルタ２０はバンドパスフィルタとして使用されるものである。そのラダー型フィルタ２０を構成する各圧電薄膜共振子は、シリコン基板１１と、シリコン基板１１の上に形成された下温度補正膜１６と、下温度補正膜１６の上に形成された下電極膜１３と、下電極膜１３の上に形成された圧電膜１５と、圧電膜１５の上に形成された上電極膜１４と、上電極膜１４の上に形成された上温度補正膜１７とを備えて構成されている。
下電極膜１３、圧電膜１５及び上電極膜１４は、相互に直列に接続されている３つの圧電薄膜共振子１０（図５に示すＣ１からＣ３）と、相互に並列に接続されている４つの圧電薄膜共振子１０（図５に示すＣＡからＣＤ）とを構成するように、重なり合っている。
【００３６】
かかるラダー型フィルタ２０は、合計７個の圧電薄膜共振子１０が単一のシリコン基板１１において一体的に構成されている。図９はバンドパスフィルタとして使用されるラダー型フィルタ２０の回路図である。
このように、ラダー型フィルタ２０においては、各圧電薄膜共振子１０の貫通穴１８は、シリコン基板１１０において、積層共振体１２の励起部に対応する位置で開口し、シリコン基板１１の第１の面１１ａないし積層共振体１２に対して垂直に形成されている。
【００３７】
したがって、各積層共振体１２を近接配置することができ、その結果、ラダー型フィルタ２０の小型化が図れる。
また、各積層共振体１２を近接配置することによって、圧電薄膜共振子１０間を電気的に接続するための配線距離を短くすることができ、その結果、各圧電薄膜共振子１０間の配線抵抗を低減することが可能となっている。
【００３８】
かかる構成のラダー型フィルタ２０は、図８に示すようにパッケージに入れられて実際は使用される。３０は容器である、３１は容器の蓋、３２は端子、３３は端子板である。  図９はバンドパスフィルタとして使用されるラダー型フィルタ２０の回路図である。
また、この実施の形態２のラダー型フィルタ２０は、図１０のグラフに示すような共振周波数特性を有する。
【００３９】
本実施の形態におけるラダー型フィルタ２０を構成する各圧電薄膜共振子１０は、実施の形態１と同様に、積層共振体１２の下電極膜１３とシリコン基板１１との間に下温度補正膜１６が介装されおり、上電極膜１４の上面には上温度補正膜１７が設けられており、下電極膜１３と上電極膜１４はＡｌにより形成され、下温度補正膜１６と上温度補正膜１７はＳｉＯ2 により形成され、積層共振体１２の圧電膜１５はＺｎＯにより形成されている。
従って、ラダー型フィルタ２０として構成しても、環境温度が変化しても共振周波数があまり変化しない温度特性を持っため、周波数選択性が良好なものとなる。
【００４０】
また、ラダー型フィルタ２０を構成する各圧電薄膜共振子１０について、実施の形態１と同様に、下温度補正膜１６と上温度補正膜１７の配置や、下電極膜１３と上電極膜１４を構成する素材についても任意のものを選択することができることはいうまでもない。
【００４１】
図１１は、図１に示す圧電薄膜共振子により構成したラダー型フィルタの製造工程を示す説明図である。
ラダー型フィルタの製造においては、まず、図１１（ａ）に示すように、シリコン基板１１の第１の面（上面）に加熱処理を施して熱酸化被膜であるＳｉＯ2 の下温度補正膜１６を成膜する。
【００４２】
次に、図１１（ｂ）に示すように、スパッタリング法により、温度補正膜１６に対して、下電極膜１３を成膜し、しかる後に、所定のレジストパターンを介してドライエッチングまたはウェットエッチングを施すことにより、下電極膜１３をパターニングする。
【００４３】
ドライエッチングにおいては、例えばＡｌに対してＢＣｌ3およびＣｌ2の混合ガスを使用する。
また、ウェットエッチングにおけるエッチング液として、例えば、Ａｌに対しては、リン酸、酢酸、硝酸を含む水溶液を使用する。電極膜に対する以降のエッチングについても、これらを使用する。
【００４４】
次に、図１１（ｃ）に示すように、スパッタリング法により、圧電膜１５を成膜し、しかる後に、所定のレジストパターンを介してドライエッチングまたはウェットエッチングを施すことにより、圧電膜１５をパターニングする。圧電膜１５はＺｎＯにより形成されている。
ウェットエッチングにおけるエッチング液として、例えば、ＺｎＯに対しては酢酸水溶液を使用し、ＡｌＮに対しては加熱リン酸を含む水溶液を使用する。
【００４５】
次に、図１１（ｄ）に示すように、スパッタリング法により、上電極膜１４を成膜し、しかる後に、所定のレジストパターンを介してドライエッチングまたはウェットエッチングを施すことにより、上電極膜１４をパターニングする。
【００４６】
次に、図１１（ｅ）に示すように、スパッタリング法により、上温度補正膜１７を成膜し、しかる後に、所定のレジストパターンを介してドライエッチングまたはウェットエッチングを施すことにより、上温度補正膜１７をパターニングする。上温度補正膜１７がパターンニングされることによって、各素子ごとに下・上温度補正膜１６、１７を備えた積層共振体１２が形成されることになる。
【００４７】
次に、図１１（ｆ）に示すように、シリコン基板１１の第２の面（下面）１１ｂに対して所定のレジストパターンを介してウエットエッチングを施す。
これによって、シリコン基板１１の第１の面１１ａ及び第２の面１１ｂに対して垂直で平面的には平行四辺形の貫通穴１８が形成される。
ウエットエッチングにおけるエッチング液として、例えばＫＯＨ液を使用する。
こうして複数の圧電薄膜共振子からなるラダー型フィルタが完成する。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
上述した本発明に係る圧電薄膜共振子は、デュプレクサー又はインクジェットヘッドに応用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施の形態１に係る圧電薄膜共振子の概略構成を示す断面図。
【図２】同圧電薄膜共振子の構成部材の平面形状を示す平面図。
【図３】同圧電薄膜共振子の共振特性を示すグラフ。
【図４】本発明と従来例の圧電薄膜共振子の温度特性の比較を示すグラフ。
【図５】本発明の実施の形態２に係る圧電薄膜共振子により構成したラダー型フィルタを示す平面図。
【図６】図５のＡ−Ａ線断面図。
【図７】図５のＢ−Ｂ線断面図。
【図８】同ラダー型フィルタをパッケージに入れた断面図。
【図９】同圧電薄膜共振子により構成したラダー型フィルタの回路図。
【図１０】ラダー型フィルタの共振特性を示すグラフ。
【図１１】ラダー型フィルタの製造工程を示す説明図。
【符号の説明】
【００５０】
１０  圧電薄膜共振子、１１  シリコン基板、１２  積層共振体、１３  下電極膜（第１の電極膜）、１４  上電極膜（第２の電極膜）、１５  圧電膜、１６  下温度補正膜、１７  上温度補正膜、１８  貫通穴
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005311849.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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