(57)【要約】【課題】  ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で、記録速度がＤＶＤ８倍速（２８ｍ／ｓ）でも変調度が大きくオーバーライト記録が可能であり、かつ長期保存後も反射率変動が少なくオーバーライト記録が可能な相変化型光記録媒体の提供。【解決手段】  （１）基板上に、少なくとも第一中間層、記録層、第二中間層、反射層をこの順に有し、該記録層がＧａαＳｎβＣｕγＳｂδ（但し、５≦α≦２０、１０≦β≦３０、５≦γ≦２０、４０≦δ＜８０、α＋β＋γ＋δ＝１００原子％）で示される組成の合金からなり、記録層の非晶質相（アモルファス）と結晶相との可逆的な相変化を利用して記録・消去可能である相変化型光記録媒体。（２）５≦α≦１５、１５≦β≦２５、５≦γ≦１５、５０≦δ≦７５である（１）記載の相変化型光記録媒体。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも第一中間層、記録層、第二中間層、反射層をこの順に有し、該記録層がＧａαＳｎβＣｕγＳｂδ（但し、５≦α≦２０、１０≦β≦３０、５≦γ≦２０、４０≦δ＜８０、α＋β＋γ＋δ＝１００原子％）で示される組成の合金からなり、記録層の非晶質相（アモルファス）と結晶相との可逆的な相変化を利用して記録・消去可能であることを特徴とする相変化型光記録媒体。
【請求項２】
５≦α≦１５、１５≦β≦２５、５≦γ≦１５、５０≦δ≦７５であることを特徴とする請求項１記載の相変化型光記録媒体。
【請求項３】
反射層がＡｇ又はＡｇを主成分とする合金からなることを特徴とする請求項１又は２記載の相変化型光記録媒体。
【請求項４】
反射層の膜厚が６０〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項３記載の相変化型光記録媒体。
【請求項５】
反射層の膜厚が１２０〜２５０ｎｍであることを特徴とする請求項４記載の相変化型光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー光を照射することにより記録層材料に光学的な変化を生じさせて情報の記録、再生を行い、かつ書換えが可能な相変化型光記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在のＤＶＤ系の記録材料に関しては、２．５倍速（約８．５ｍ／ｓ）のスピード記録ができるシステムが開発され、更に、高速記録の要求が高まっている。現在、ＤＶＤ＋ＲＷに使用されている相変化記録材料は、ＣＤ−ＲＷに採用されているＡｇＩｎＳｂＴｅ系高速記録材料を改良し、高線速まで記録消去を可能にしたものである。この材料系では、高線速記録領域の記録スピードに対応するためＳｂの含有量をＣＤ−ＲＷ対応の記録材料よりも多くしたものが用いられているが、Ｓｂ量が多くなると、結晶化スピードは速くなるものの、結晶化温度が低下するという問題がある。結晶化温度の低下は、保存信頼性の悪化につながることが実験により確認されている。ディスクの保存信頼性の問題は、記録材料中のＡｇ含有量の増加、或いはＧｅなどの第５元素の添加により、実用上問題にならない程度に抑えられているが、更なる高線速記録を達成するためにＳｂ量を増加させると分相が生じ、記録層は相変化層として機能しなくなってしまう。このときの限界記録スピードは１８ｍ／ｓ程度と推定されている。
【０００３】
そこで本発明者らは、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系に代わる次世代の高速記録用材料としてＧａＳｂ材料系に着目した。ＧａＳｂ共晶組成近傍では、Ｓｂ量が多いので結晶化速度が速く、またＧａとＳｂの結合力が大きいので、アモルファス相を熱的に結晶化させるため共有結合を切ってネットワークを組み替えるのに大きなエネルギーを必要とする。従ってアモルファスマークの安定性にも優れている。本発明者らは、このＧａＳｂ共晶組成合金を記録層に用いた光記録媒体が、ＤＶＤ８倍速の高線速において繰り返し記録可能であることを第１４回相変化記録研究会シンポジウムで報告した（非特許文献１）。しかし実用化のためには、初期化特性や保存特性など種々の解決しなければならない問題がある。
【０００４】
ＧａＳｂ材料系を用いた他の公知技術としては、特許文献１に、ＧａＳｂの組成比５０：５０近傍の合金に金属又はカルコゲナイド元素Ｍを添加した記録材料を用いることが開示されているが、Ｇａ５０Ｓｂ５０（原子％）組成近傍の合金は、融点が７１０℃、結晶化温度が３５０℃と高く、現在市販されている初期化装置ではパワーが足りないため、初期結晶化させようとしても周内での均一な結晶状態が得られず反射率が不均一となる。反射率が不均一な状態でマークを記録すると信号のノイズが大きく、特にＤＶＤのように高密度で信号を記録することは困難である。
また、特許文献２には、ＧａＳｂを主成分とする合金を記録材料として用いた相変化型光記録媒体が開示されているが、この光記録媒体は、結晶−結晶間の相変化を用いて情報を記録するものであって、本発明とは相変化の態様が異なる上に、変調度は良くても２９％であり実用上問題がある。更に、結晶−結晶間の相変化では、結晶粒径の違いによる反射率差を利用するため、微小なマークを記録する必要がある高密度の情報記録には不向きであり、この光記録媒体にＤＶＤ−ＲＯＭと同容量の密度で情報を記録することは困難である。
【０００５】
また、特許文献３には、基板上に第一誘電体層、酸化物層、記録層、第二誘電体層、反射層を有する、繰り返し耐久性及び保存耐久性に優れた相変化記録媒体が開示されており、実施例では、記録層にＧｅＳｂＴｅを用いているが、記録線速は６〜９ｍ／ｓの範囲であり、高速記録には対応していない。
また、本出願人の先願に係る特願２００２−１８９６２８号（平成１４年６月２８日出願）には、ＧａαＳｂβＭγ（Ｍ＝Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂ）を記録層に用いた相変化型光記録媒体が開示されているが、ＳｎとＣｕを同時に添加した実例及びその特有の効果については全く記載されていない。
同じく、本出願人の先願に係る特願２００２−３４４７１９号（平成１４年１１月２７日出願）には、ＧａＳｂ又はＧｅＳｂ合金からなり、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｂ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｎが添加された相変化材料を用いた高速記録可能な相変化型光記録媒体が開示されているが、ＳｎとＣｕを同時に添加した実例及びその特有の効果については全く記載されていない。
【０００６】
【特許文献１】米国特許第４８１８６６６号明細書
【特許文献２】特開昭６１−１６８１４５号公報
【特許文献３】特開平１１−３３９３１４号公報
【非特許文献１】第１４回相変化記録研究会シンポジウム予稿集  ｐ１１“Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  ＧａＳｂ  Ｐｈａｓｅ−Ｃｈａｎｇｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌ  ｏｆ  Ｈｉｇｈ−Ｓｐｅｅｄ  ＲｅＷｒｉｔａｂｌｅ  Ｍｅｄｉａ”
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、初期結晶化後の周内均一性が良く、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で、記録速度がＤＶＤ８倍速（２８ｍ／ｓ）でも変調度が大きくオーバーライト記録が可能であり、かつ長期保存後も結晶相の反射率変動が少なくオーバーライト記録が可能な相変化型光記録媒体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
高速記録可能な相変化型光記録媒体の実用化に向けて、上記先願発明よりも更に優れた特性を有するＧａＳｂ共晶組成近傍の合金を探索した結果、Ｇａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｃｕからなる記録材料を用いれば、特に初期結晶化後の周内均一性が良くＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で記録線速が８倍速（２８ｍ／ｓ）でのオーバーライト記録が可能であり、かつ長期保存後も結晶相の反射率変動が少なく、オーバーライト記録が可能であることが分った。Ｓｂ量が多い組成は結晶化速度が速いが、初期結晶化後の周内均一性が悪くなるので、Ｓｂ量を少なくし、代わりにＳｎを添加することにより初期結晶化後の周内均一性を改善した。しかし、Ｓｎの添加により長期保存後に結晶相の反射率が著しく低下するため、この問題点をＣｕを添加することで解消したものである。
即ち、上記課題は、次の１）〜５）の発明（以下、本発明１〜５という）によって解決される。
１）  基板上に、少なくとも第一中間層、記録層、第二中間層、反射層をこの順に有し、該記録層がＧａαＳｎβＣｕγＳｂδ（但し、５≦α≦２０、１０≦β≦３０、５≦γ≦２０、４０≦δ＜８０、α＋β＋γ＋δ＝１００原子％）で示される組成の合金からなり、記録層の非晶質相（アモルファス）と結晶相との可逆的な相変化を利用して記録・消去可能であることを特徴とする相変化型光記録媒体。
２）  ５≦α≦１５、１５≦β≦２５、５≦γ≦１５、５０≦δ≦７５であることを特徴とする１）記載の相変化型光記録媒体。
３）  反射層がＡｇ又はＡｇを主成分とする合金からなることを特徴とする１）又は２）記載の相変化型光記録媒体。
４）  反射層の膜厚が６０〜３００ｎｍであることを特徴とする３）記載の相変化型光記録媒体。
５）  反射層の膜厚が１２０〜２５０ｎｍであることを特徴とする４）記載の相変化型光記録媒体。
【０００９】
以下、上記本発明について詳細に説明する。
書換え可能な相変化型光記録媒体は、レーザー光を照射することによって記録層を加熱し、記録層を結晶相とアモルファス相の間で相変化させることにより信号を記録・消去するものである。結晶相とアモルファス相では反射率が異なるが、通常は未記録状態を高反射率の結晶相とし、この結晶相に高パワーのレーザーパルスを照射して記録層を加熱し急冷することにより低反射率であるアモルファスマークを信号として記録する。
ＧａＳｂ共晶組成近傍では高速結晶化が可能であり、かつＧａとＳｂの結合力が大きく、アモルファス相を熱的に結晶化させるために共有結合を切ってネットワークを組み替えるのに大きなエネルギーを必要とするので、アモルファスマークの安定性に優れている。
しかし、その反面、ＧａＳｂは結晶化温度が高いため、記録層を製膜時のアモルファス相から未記録状態の結晶相にするための初期化工程における初期結晶化が難しいという欠点がある。
【００１０】
本発明は、このＧａＳｂ合金を母相とし、更にＳｎを添加することにより、結晶化温度が高く初期結晶化が困難であるＧａＳｂの欠点を解決すると共に、更なる高速結晶化及び十分な変調度を得ることを可能とした。しかし、Ｓｎの添加によりＧａＳｂの欠点は克服できたが、新たな問題として、Ｓｎ量が多くなるほど、未記録状態の結晶相が、高反射率の結晶相よりも低い反射率を示す低反射率の結晶相へ相転移し易くなり、長期保存後に著しく結晶相の反射率が低下することが分った。
未記録状態の結晶相の反射率が変化すると光学特性が大きく変わり、同じ記録条件で信号を記録することが困難となってしまう。実際に市販されている書換え型ドライブでは、作製して直ぐの光記録媒体に合わせて記録条件を決めており、長期保存後に反射率が大きく変化してしまうと、光記録媒体に信号を記録することができなくなってしまうため、このような光記録媒体を製品として市販することはできない。
【００１１】
ＧａＳｂＳｎ合金に反射率低下が見られる理由としては、レーザー光照射後の結晶相には空孔が多数存在し、結晶相に歪みがある状態であり、この歪みが時間と伴に緩和され、レーザー光照射後の結晶相よりも低い反射率を示す低反射率結晶相へ変化することが考えられる。
そこで、この問題を解決するため鋭意検討を行なった結果、ＧａＳｂＳｎ合金にＣｕを添加すれば、長期保存後の反射率低下を抑えられることが分った。これは、Ｃｕを添加するとＧａＳｂＳｎ合金に見られた空孔をＣｕが埋めるため歪みの少ない結晶になり、反射率低下が起り難くなるためと思われる。
【００１２】
ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で記録線速８倍速（２８ｍ／ｓ）でオーバーライト記録するには、組成をＧａαＳｎβＣｕγＳｂδ（但し、５≦α≦２０、１０≦β≦３０、５≦γ≦２０、４０≦δ＜８０、α＋β＋γ＋δ＝１００原子％）とするのがよい。Ｇａが５％未満ではアモルファス化し難くなり、変調度、記録ジッタが悪くなる。２０％を超えると結晶化速度が遅くなりすぎて、ＤＶＤ８倍速での繰返し記録ができなくなる。また、Ｓｎが１０％未満では均一な初期結晶化を行なうことができず、３０％を超えると結晶化速度が速くなりすぎて、アモルファス化が困難になる。また、Ｃｕが５％未満では長期保存後の反射率変動が大きくなり、Ｃｕが２０％を越えると結晶化速度が遅くなりすぎて、ＤＶＤ８倍速での繰返し記録ができなくなる。Ｓｂが４０％未満ではアモルファス化が困難であり、Ｓｂが８０％以上では初期化後の周内均一性が悪い。
更に繰り返し特性を良くするには、組成範囲を５≦α≦１５、１５≦β≦２５、５≦γ≦１５、５０≦δ≦７５とすることが好ましい。
記録層の膜厚は、通常、１０〜２０ｎｍ程度とする。
【００１３】
図１に本発明の光記録媒体の基本的な層構成を示す。このような媒体は、スパッタ法により、基板上に第一中間層、相変化記録層、第二中間層、反射層をこの順に設け、次いでスピンコート法によりＵＶ硬化樹脂からなる保護層を積層して作製する。更に、その上に媒体の補強又は保護のために、別の基板を貼り合わせてもよい。
基板材料としては一般にガラス、セラミックス又は樹脂が用いられるが、成形性、コストの点から樹脂製基板が望ましい。樹脂の例としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられるが、加工性、光学特性等の点からポリカーボネート樹脂が好ましい。また、基板の形状は、ディスク状、カード状、シート状などの何れであってもよい。基板の厚さは、１．２ｍｍ、０．６ｍｍ、０．１ｍｍ等任意のものが使用できる。
【００１４】
第一中間層及び第二中間層に用いられる材料としては、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＺｒＯ２等の酸化物；ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＮ等の窒化物；ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ３等の硫化物；ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物；或いはそれらの混合物が挙げられる。
第一中間層としては、基板から水分等の不純物が記録層に混入しないように記録層を保護する役目、基板に熱的ダメージを与えないようにする役目、光学的特性を調整する役目等を担うため、水分を透過し難く、耐熱性がよく、吸収率ｋが小さく、屈折率ｎが大きい材料がよい。また、記録層の効果的な光吸収を可能にする光干渉層としての役割も担うことから、高線速での繰り返し記録に適した光学特性を有することが望ましい。好ましい材料としては（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０が挙げられる。
第一中間層の膜厚は、４０〜３００ｎｍ、好ましくは６０〜１５０ｎｍ程度とする。
第二中間層は、記録層の熱的な特性を調整する役目を担う。第二中間層の膜厚を薄くすると熱が逃げ易くなり、膜厚を厚くすると熱が逃げ難くなる。また、記録層及び反射層との密着性が良いこと、耐熱性が高いことなどが要求される。更に、記録層の効果的な光吸収を可能にする光干渉層としての役割も担うことから、高線速での繰り返し記録に適した光学特性を有することが望ましい。好ましい材料としては、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０が挙げられる。
第二中間層の膜厚は、５〜５０ｎｍ、好ましくは５〜２０ｎｍ程度とする。
【００１５】
反射層は、熱伝導率が高いＡｇ又はＡｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｔｉ等のＡｇ合金とすることが好ましい。反射層の膜厚は、６０〜３００ｎｍが好ましい。６０ｎｍ未満では放熱効果が得られずアモルファスが形成し難くなり、３００ｎｍを超えると界面剥離が生じ易くなる。特に十分な変調度を得るには１２０〜２５０ｎｍとすることが好ましい。純Ａｇが最も放熱効果が高いが、第二中間層にＳが含まれている場合、Ｓが拡散してＡｇ２Ｓを生成し劣化し易いので、第二中間層と反射層の間にＳの拡散を防止する層（硫化防止層）を形成する必要がある。好ましい材料としては、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＳｉＯ２等が挙げられる。生産性向上のため層数を減らしたい場合は、純ＡｇではなくＣｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ａｌなどを添加したＡｇ合金を用いれば、Ｓの拡散を防止する層を用いることなくＡｇの劣化を抑えることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明１〜２によれば、初期結晶化後の周内均一性が良く、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で、記録線速がＤＶＤ８倍速（２８ｍ／ｓ）でもオーバーライト記録が可能であり、かつ長期保存後も結晶相の反射率変動が少ない相変化型光記録媒体を提供できる。
本発明３〜５によれば、更に、変調度が大きくオーバーライト記録特性が良好な相変化型光記録媒体を提供できる。
【実施例】
【００１７】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
【００１８】
実施例１〜７、比較例１〜９
実施例及び比較例の各光記録媒体を次のようにして作製した。
トラックピッチ０．７４μｍ、溝深さ４００Åの案内溝を有する直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、スパッタリング法により、第一中間層、相変化記録層、第二中間層、硫化防止層、反射層を順に製膜した。
第一中間層は、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０をターゲットに用い膜厚７０ｎｍ、記録層は〔表１〕及び〔表２〕に示す材料組成に対応する組成（原子％）の合金ターゲットを用い膜厚１６ｎｍ、第二中間層は（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０をターゲットに用い膜厚１０ｎｍ、硫化防止層はＳｉＣターゲットを用い膜厚４ｎｍ、反射層はＡｇターゲットを用い膜厚１４０ｎｍとした。
記録層の合金ターゲットは、予め仕込み量を秤量し、ガラスアンプル中で加熱溶融した後これを取り出して粉砕機により粉砕し、得られた粉末を加熱焼結することによって円盤状のターゲット形状とした。製膜後の記録層の組成比を誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分光分析法により測定したところ、ターゲット仕込み量と同じ組成比であった。ＩＣＰ発光分光分析法には、セイコーインスツルメンツ製：シーケンシャル型ＩＣＰ発光分光分析装置ＳＰＳ４０００を使用した。なお、後述する実施例及び比較例においても、記録層の合金組成とスパッタリングターゲットの合金組成とは同一である。
【００１９】
【表１】
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【表２】
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【００２０】
次いで、反射層上にスピンコート法によりアクリル系硬化樹脂を厚さ５〜１０μｍ塗布した後、紫外線硬化させ保護層を形成した。
更にその上に直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を紫外線硬化樹脂により接着して実施例及び比較例の光記録媒体を作製した。
初期結晶化は、日立コンピュータ機器製の初期化装置ＰＯＰ１２０−７ＡＨを使用し、上記各光記録媒体を一定線速１２ｍ／ｓで回転させ、パワー密度が２０ｍＷ／μｍ２のレーザー光を半径方向に送り３６μｍ／ｒで移動させながら照射することにより行った。
これらの各光記録媒体に対し、波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップを用いて記録再生を行なった。記録線速２８ｍ／ｓ、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量の記録線密度０．２６７μｍ／ｂｉｔ、記録パワーＰｗ＝３０ｍＷ、消去パワーＰｅ＝７ｍＷという記録条件で、ＤＶＤの変調方式であるＥＦＭ＋変調方式により、ランダムパターンを記録した。記録ストラテジはそれぞれ最適化して記録を行った。再生は全て線速３．５ｍ／ｓ、パワー０．７ｍＷで行った。
上記各光記録媒体について、初期結晶化後の周内分布均一性、記録線速２８ｍ／ｓでの変調度及び初回記録とオーバーライト１００回後のジッター及び保存安定性について評価を行なった。ジッターは、データ・トゥ・クロック・ジッター（ｄａｔａ  ｔｏ  ｃｌｏｃｋ  ｊｉｔｔｅｒ）σを検出窓幅Ｔｗで規格化した値である。
【００２１】
各評価項目の評価基準は次の通りである。
・初期結晶化後の周内分布均一性：
上記初期化条件で初期結晶化後、波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップを有するパルステック社製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）を用いて周内の反射率分布を確認し、周内反射率分布＝（最大反射率−最小反射率）÷最大反射率×１００としたとき、周内反射率分布が１０％以内の場合を○、１０％を超えた場合を×とした。
・記録線速２８ｍ／ｓでの変調度：
ＤＶＤの規格値である６０％以上の場合を○、更に安定したシステムを得ることができる６５％以上の場合を◎、６０％未満の場合を×とした。
・記録線速２８ｍ／ｓでの初回記録及びオーバーライト１００回後のジッター：
９％以下の場合を○、９％を超える場合を×とした。
・長期保存後の結晶相の反射率変動を調べるための８０℃８５％ＲＨ環境下での加速試験：
光記録媒体を８０℃８５％ＲＨの恒温槽に３００時間保持したのち、結晶相の反射率を測定し、反射率低下が３％以下の場合を○、３％を超える場合を×とした。
【００２２】
【表３】
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【表４】
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【００２３】
実施例１〜７の光記録媒体は、初期化後の周内分布均一性が良好で、ＤＶＤ８倍速での初回記録及び１００回記録後のジッタが良好であった。また、変調度に関しては、実施例１〜４のとき、安定したシステムが得られる変調度６５％以上と特に良好であった。保存安定性に関しても反射率低下が少なく、かつ実施例１〜７の光記録媒体を８０℃８５％ＲＨの恒温槽に３００時間保持した後、記録線速２８ｍ／ｓで記録したところジッタが９％以下であった。
これに対し、比較例１は８Ｘ記録での変調度、記録ジッタが悪く、比較例２は特に８Ｘでの繰返し記録特性及び初期結晶化後の周内均一性が悪かった。比較例３は初期結晶化後の周内分布均一性が悪いため記録ジッタも悪い。比較例４では、結晶化速度が速すぎてアモルファス化が困難であり、８Ｘ記録できなかった。比較例５では、記録ジッタは良いものの、長期保存後の結晶相の反射率変動が悪かった。比較例６では、結晶化速度が遅くなりすぎて８Ｘ記録できなかった。比較例７では、初期結晶化後の周内分布均一性が悪く記録ジッタが悪かった。比較例８では、結晶化速度が速すぎてアモルファス化が困難であり、８Ｘ記録できなかった。比較例９では、初期結晶化後の周内分布均一性が悪く記録ジッタが悪かった。
【００２４】
実施例８
反射層の膜厚を４０ｎｍ、６０ｎｍ、１２０ｎｍ、１４０ｎｍ、２００ｎｍ、２５０ｎｍ、３００ｎｍと変化させた点以外は、実施例２と同様にして光記録媒体を作製し、記録線速２８ｍ／ｓでの変調度を調べた。結果を図２に示す。
反射層の膜厚が６０〜３００ｎｍの間で変調度が６０％以上となり、特に１２０〜２５０ｎｍの間で変調度が６５％以上となり、安定なシステムを得るのに十分な変調度が得られた。
【００２５】
比較例１０
反射層材料をＡｌＴｉ（Ｔｉ＝１重量％）に変えた点以外は、実施例４と同様にして光記録媒体を作製し、記録線速２８ｍ／ｓでの変調度を調べたところ、変調度が５２％と小さかった。
実施例４と比較例１０の記録線速２８ｍ／ｓでの繰り返し特性を図３に示す。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の光記録媒体の基本的な層構成を示す図。
【図２】実施例８の変調度変化を示す図。
【図３】実施例４と比較例１０の記録線速２８ｍ／ｓでの繰り返し特性を示す図。
【図１】
2005119103.tif 000007
【図２】
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【図３】
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