(57)【要約】【課題】ＴＦＴアレイの検査において、線欠陥の検出精度を高めることができ、また、点欠陥と線欠陥の識別精度を高めること。【解決手段】  ＴＦＴアレイ検査方法の形態において、ＴＦＴ基板の各画素を駆動して得られる二次元の測定データについて、ｘ方向及び／又はｙ方向の各ラインの測定データの積算値又は平均強度を求めて同方向の累積プロファイルデータを作成し、作成した累積プロファイルデータから各ラインのしきい値を求める。各ラインの累積プロファイルデータを、そのラインの累積プロファイルデータから求めたしきい値と比較することによって、ＴＦＴ基板のｘ方向及び／又はｙ方向のラインについてライン単位で画素欠陥を検出する。【選択図】図１
2005208245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＦＴ基板の各画素を駆動して得られる二次元の測定データについて、ｘ方向及び／又はｙ方向の各ラインの測定データから同方向のライン特性を表す累積プロファイルデータを求め、当該累積プロファイルデータの信号強度及び／又は信号幅に基づいてライン単位で画素欠陥を検出することを特徴とするＴＦＴアレイ検査方法。
【請求項２】
ＴＦＴ基板の各画素を駆動して得られる二次元の測定データについて、ｘ方向及び／又はｙ方向の各ラインの測定データの積算値又は平均強度を求めて同方向の累積プロファイルデータを作成し、
当該累積プロファイルデータから各ラインのしきい値を求め、
各ラインの累積プロファイルデータ及びしきい値を用いて、ＴＦＴ基板のｘ方向及び／又はｙ方向のライン単位の画素欠陥を検出することを特徴とするＴＦＴアレイ検査方法。
【請求項３】
前記しきい値は、前記累積プロファイルデータに一次元のローパスフィルタ処理を施し、当該処理後のデータの標準偏差を求めることにより得ることを特徴とする請求項２に記載のＴＦＴアレイ検査方法。
【請求項４】
前記画素欠陥は点欠陥及び線欠陥を含み、
異なるしきい値を用いることにより点欠陥と線欠陥とを識別することを特徴とする請求項２又は３に記載のＴＦＴアレイ検査方法。
【請求項５】
前記線欠陥において、
累積プロファイルデータの線欠陥部分のベース部の幅と半値幅との比率を指標として単線欠陥と複線欠陥とを識別することを特徴とする請求項４に記載のＴＦＴアレイ検査方法。
【請求項６】
前記測定データは、ＴＦＴ基板に電子線を照射し、当該電子線照射によりＴＦＴ基板の画素から発生する二次電子を検出することにより得ることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一つに記載のＴＦＴアレイ検査方法。
【請求項７】
ＴＦＴ基板の各画素を駆動して得られる二次元の測定データに基づいてＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、
ＴＦＴ基板の二次元の測定データから画素の欠陥情報を得るデータ処理手段を備え、
前記データ処理手段は、ｘ方向及び／又はｙ方向の各ラインの測定データから同方向のライン特性を表す累積プロファイルデータを求め、当該累積プロファイルデータに基づいてライン単位の画素欠陥を検出することを特徴とするＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項８】
前記データ処理手段は、ＴＦＴ基板の各画素を駆動して得られる二次元の測定データについて、ｘ方向及び／又はｙ方向の各ラインの測定データの積算値又は平均強度を求めて同方向の累積プロファイルデータを作成する累積プロファイルデータ作成手段と、
前記累積プロファイルデータから各ラインのしきい値を求めるしきい値算出手段と、
各ラインの累積プロファイルデータ及びしきい値を用いて、ＴＦＴ基板のｘ方向及び／又はｙ方向のライン単位の画素欠陥を検出する画素欠陥検出手段とを備えることを特徴とする請求項７に記載の積算ＴＦＴアレイ検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどに使われるＴＦＴアレイ基板の検査に使用するＴＦＴアレイ検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴアレイ検査装置として電子線方式や光学方式が知られている。この従来のＴＦＴアレイ検査装置では、電子線や光をＴＦＴ基板に照射することにより得られるＴＦＴ基板の電位状態を測定し、ＴＦＴ基板の異常電位のピクセルを検出することによってＴＦＴアレイの欠陥を検出する。電子線を用いたＴＦＴアレイ検査装置としては、例えば特許文献１，２があり、光を用いたＴＦＴアレイ検査装置としては、例えば特許文献３，４がある。
【０００３】
ＴＦＴアレイ検査装置では、上記に示した手法により検査対象であるＴＦＴ基板の画素配列に対応した二次元の測定データが得られ、この二次元の測定データから欠陥画素を抽出し、欠陥画素の座標や欠陥種の分類などの検査を行う。
【０００４】
ここで、二次元の測定データから欠陥画素を検出するには、特定の信号強度を持つ画素を抽出して欠陥画素としている。また、欠陥種の分類としては、例えば孤立した点として存在する点欠陥と、ＴＦＴ基板のｘ方向あるいはｙ方向に欠陥点が連続して集合する線欠陥に分類される。
【特許文献１】特開２０００−３１４２号公報
【特許文献２】特開平１１−２６５６７８号公報
【特許文献３】特許第３１９９４８１号
【特許文献４】特許第３２７５１０３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図８は、二次元の測定データを用いて欠陥画素を検出する従来処理を説明するための概略図である。図８（ｂ），（ｄ）は、検査対象であるＴＦＴ基板の画素配列に対応した二次元の測定データについて、あるライン（図８（ａ））上の各点の信号強度をプロットしたプロファイル例である。したがって、図８（ｂ），（ｄ）に示すプロファイルの信号強度は、ライン上の各画素の信号強度を表している。
【０００６】
このプロファイルから欠陥画素を抽出するには、プロファイルの信号強度をしきい値と比較することにより行う。ここで、図８（ｂ），（ｄ）に示すプロファイルはラインに線欠陥があるものとする。
【０００７】
欠陥がある画素の信号強度は正常な画素の信号強度よりも低くなるため、信号強度がしきい値以下の画素は欠陥画素として検出することができる。図８（ｃ），（ｅ）は欠陥検出の結果であり、信号強度がしきい値以下の画素を示している。ラインに線欠陥がある場合には、ライン上の各画素の信号強度はしきい値以下となるため、欠陥検出結果は各画素の欠陥点の集合として表される。
【０００８】
これら欠陥点の集合には、欠陥点が連続して成る線欠陥と、単に多数の欠陥点が不連続に集まってなる点欠陥の集まりが含まれる。ＴＦＴ基板の検査においては、これら欠陥点の集合が線欠陥であるのか、あるいは不連続な点欠陥の集まりであるのかを識別する必要がある。
【０００９】
図９，図１０は線欠陥を抽出する処理を説明するためのフローチャート及び説明図である。
【００１０】
図１０（ａ）は、欠陥検出結果をＴＦＴ基板の画素位置の各セグメントに合わせて示した図である。図１０（ａ）中の斜線を施したセグメントは欠陥検出された点セグメントを示している。この点セグメントは、信号強度としきい値との比較する欠陥検出処理により抽出することができる（ステップＳ２１）。このセグメントが線欠陥を形成する線セグメントを構成するものであるのか、あるいは点欠陥を形成する点セグメントであるかを以下のステップＳ２２〜ステップＳ２４により判定する。
【００１１】
図１０（ａ）の点セグメントについて、ｘ方向あるいはｙ方向に連続する点セグメントを結合する。図１０（ｂ）は点セグメントの結合によって結合セグメントを形成した状態を示している。なお、図ではｘ方向に連続する点セグメントを結合する例を示している。（ステップＳ２２）。
【００１２】
次に、結合したセグメントの内で所定の長さ以上の結合セグメントについても線セグメントとする。図１０（ｂ）では、長さ３以上の結合セグメントを線セグメントとしている（ステップＳ２３）。
【００１３】
さらに、同一ライン上にある点セグメントや線セグメントのセグメント間の距離が一定の距離以下のセグメントを結合して結合セグメントとする。図１０（ｃ）はセグメント間の距離が長さ１あるいは２以下の隣接するセグメントを結合する例について示している（ステップＳ２４）。
【００１４】
この欠陥点の抽出精度は測定信号強度のばらつきやＳ／Ｎによって大きく影響される。例えば、欠陥が線欠陥である場合には、検査対象の画素に応じて欠陥点は連続して検出されることが望まれる。しかしながら、Ｓ／Ｎが不十分な場合などには抽出した欠陥点の連続性が低下するため、線欠陥として検出されずに、多数の点欠陥として分類されることになる。
【００１５】
例えば、図８（ｄ）に示すようにラインの一部にノイズが発生して信号強度が変動すると、図８（ｅ）に示すように得られた欠陥抽出欠陥は線欠陥としてではなく、多数の不連続な点欠陥として表されることになる。
【００１６】
このように、測定データにおいて、正常画素と欠陥画素の信号強度に十分な差異がある場合には、分離・抽出は比較的に容易であるが、ＴＦＴ画素の状態に起因して、あるいは測定ノイズなどの要因で十分な信号強度差が得られない場合、欠陥画素の抽出精度は低下する。その結果、線欠陥は連続した欠陥画素の集合として検出されず、線欠陥の抽出精度が低下することになる。
【００１７】
そこで、本発明は、線欠陥の検出精度を高めることを目的とし、また、点欠陥と線欠陥の識別精度を高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、ＴＦＴ基板の各画素を駆動して得られる二次元の測定データについて、ｘ方向及び／又はｙ方向の各ラインの測定データから同方向のライン特性を表す累積プロファイルデータを求め、求めた累積プロファイルデータを用いて画素欠陥を検出するものである。この累積プロファイルデータは、一ライン上の各画素の個々の測定信号強度のばらつきやＳ／Ｎによる影響を低減し、一ラインが全体として備える特性を表すものであり、これにより線欠陥の検出精度を高め、また、点欠陥と線欠陥の識別精度を高める。
【００１９】
一ライン上にある各画素の欠陥が点欠陥である場合には各画素は独立性が強く、画素間の相関性は低い。これに対して、一ライン上にある各画素の欠陥が線欠陥である場合は、ＴＦＴ画素の構造や性質に起因して基板画素間により強い相関性が観察される。この相関性は、求めた累積プロファイルデータの信号強度とばらつきとして現れ、線欠陥の信号強度は点欠陥の信号強度よりも大きく、また、信号幅も大きくなる。本発明は、累積プロファイルデータについて、その信号強度や信号幅に基づいて画素欠陥を検出することにより線欠陥の検出精度や、点欠陥と線欠陥の識別精度を高める。
【００２０】
本発明はＴＦＴアレイ検査方法の形態とＴＦＴアレイ検査装置の形態とすることができる。
【００２１】
本発明のＴＦＴアレイ検査方法の形態において、ＴＦＴ基板の各画素を駆動して得られる二次元の測定データについて、ｘ方向及び／又はｙ方向の各ラインの測定データの積算値又は平均強度を求めて同方向の累積プロファイルデータを作成し、作成した累積プロファイルデータから各ラインのしきい値を求める。各ラインの累積プロファイルデータを、そのラインの累積プロファイルデータから求めたしきい値と比較することによって、ＴＦＴ基板のｘ方向及び／又はｙ方向のラインについてライン単位で画素欠陥を検出する。
【００２２】
したがって、ＴＦＴ基板のｘ方向のラインについて画素欠陥を検出する場合には、ｘ方向の各ラインについて測定データを積算して積算値又は平均強度を求めることによりｘ方向の累積プロファイルデータを作成し、作成した累積プロファイルデータから各ラインのしきい値を求める。しきい値は、同じラインの累積プロファイルデータを用いて求めることにより、ライン間の測定データのばらつきによる影響を低減することができる。
【００２３】
しきい値は、累積プロファイルデータに一次元のローパスフィルタ処理を施し、ローパスフィルタ処理後のデータの標準偏差を求めることにより得ることができる。ローパスフィルタ処理は、メディアンフィルタ処理を用いることができる。
【００２４】
累積プロファイルデータと正常な画素強度との差分を求め、その差分がしきい値を超える場合に画素欠陥と判定する。しきい値は、標準偏差の係数を乗ずることによって設定することができる。また、標準偏差に乗ずる係数を変えることにより検出する画素欠陥の種類を変えることができる。
【００２５】
画素欠陥は点欠陥及び線欠陥を含み、異なるしきい値を用いることにより点欠陥と線欠陥とを識別することができる。例えば標準偏差に大きな係数を乗じて算出したしきい値を用いることにより線欠陥を検出する。一方、標準偏差に小さな係数を乗じて算出したしきい値を用いることにより線欠陥のほかに点欠陥を合わせて検出することができる。
【００２６】
また、線欠陥は、単線の欠陥と複数線の欠陥とを含む。複数線の欠陥は、単線欠陥が連続する欠陥であり、ピーク部分の幅は広くなる。そこで、累積プロファイルデータの線欠陥部分のベース部の幅と半値幅との比率を指標とすることによって単線欠陥と複線欠陥とを識別することができる。
【００２７】
本発明のＴＦＴアレイ検査装置の形態は、ＴＦＴ基板の各画素を駆動して得られる二次元の測定データに基づいてＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、ＴＦＴ基板の二次元の測定データから画素の欠陥情報を得るデータ処理手段を備える。データ処理手段は、ｘ方向及び／又はｙ方向の各ラインの測定データから同方向のライン特性を表す累積プロファイルデータを求め、当該累積プロファイルデータに基づいて画素欠陥を検出する。
【００２８】
さらに、データ処理手段は、ＴＦＴ基板の各画素を駆動して得られる二次元の測定データについて、ｘ方向及び／又はｙ方向の各ラインの測定データの積算値又は平均強度を求めて同方向の累積プロファイルデータを作成する累積プロファイルデータ作成手段と、累積プロファイルデータから各ラインのしきい値を求めるしきい値算出手段と、各ラインの累積プロファイルデータ及びしきい値を用いて、ＴＦＴ基板のｘ方向及び／又はｙ方向のライン単位の画素欠陥を検出する画素欠陥検出手段とを備える。
【００２９】
測定データは、ＴＦＴ基板に電子線を照射し、電子線照射によりＴＦＴ基板の画素から発生する二次電子を検出することにより得ることができる。
【００３０】
本発明によれば、線欠陥を精度よく検出することができるほか、しきい値を変更することにより点欠陥を検出することもできる。
【００３１】
また、本発明によれば、線欠陥について単線欠陥と欠陥がある複数の線が連続する複線欠陥を識別することができる。
【発明の効果】
【００３２】
ＴＦＴアレイの検査において、線欠陥の検出精度を高めることができ、また、点欠陥と線欠陥の識別精度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、図を用いて発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００３４】
図１は、本発明のＴＦＴアレイの検査を説明するための概略図である。図１中の符号１０はＴＦＴ基板の一枚のパネルにおける測定データの画像表示であり、欠陥のある画素に対応する位置（ライン）を表示している。図１ではｘ方向の欠陥画素表示１１とｙ方向の欠陥画素表示１２を示し、ｘ方向の欠陥画素表示１１については点欠陥によるライン１１ａと線欠陥１１ｂ，１１ｃが示し、ｙ方向の欠陥画素表示１２については点欠陥によるラインが示している。
【００３５】
本発明によるＴＦＴアレイ検査では、ｘ方向のラインあるいはｙ方向のラインについて測定データを累積する。この測定データの累積を同方向の全ラインについて行うことにより、同方向のライン特性を表す累積プロファイルデータを求る。例えば、図１中の累積プロファイルデータ１３はｘ方向の累積プロファイルデータであり、ｘ方向の全ラインについてライン毎に測定データを累積してライン順に並べる（図では縦方向）ことにより求める。また、図１中の累積プロファイルデータ１４はｙ方向の累積プロファイルデータであり、ｙ方向の全ラインについてライン毎に測定データを累積してライン順に並べる（図では横方向）ことにより求める。
【００３６】
図１に示す累積プロファイルデータ１３は、点欠陥によるライン１１ａの部分と、線欠陥によるライン１１ｂ、１１ｃの部分にピーク部分を持ち、累積プロファイルデータ１４は、点欠陥によるライン１２の部分にピーク部分を持つ。
【００３７】
この累積プロファイルデータのピーク部分の位置はパネル上の欠陥が存在するライン位置を示す。また、ピーク部分の波高値は、ライン上に存在する画素の欠陥に起因する信号強度と関連する値であり、線欠陥により得られる波高値の大きさは点欠陥の集合により得られる大きさよりも大きくなる。また、線欠陥においても、単線欠陥が集合する場合と、複線欠陥の場合とは、ピーク部分の幅に差異が生じる。
【００３８】
本発明のＴＦＴアレイ検査は、累積プロファイルデータを所定の大きさのしきい値と比較することにより線欠陥の検出を行う。また、大きさが異なるしきい値を用いることにより点欠陥と線欠陥とを識別することもできる。
【００３９】
また、線欠陥が検出されたピーク部分において、狭いピーク部分については単線欠陥と判定し、幅が広いピーク部分については複線欠陥と判定する。
【００４０】
以下、図２〜図４を用いて線欠陥及び点欠陥の検出処理について説明し、図５，６を用いて線欠陥について単線欠陥と複線欠陥との識別について説明する。
【００４１】
はじめに、線欠陥及び点欠陥の検出処理について説明する。図２，３，４は線欠陥及び点欠陥の検出処理を説明するためのフローチャート、概略図及び累積プロファイルデータによる欠陥検出を説明するための図である。
【００４２】
二次元測定データについてｘ方向のラインについて各データ信号強度を積算あるいは平均を算出する。なお、以下では、ｘ方向のラインを例にして説明するが、ｙ方向のラインについても同様である。図３はＴＦＴ基板の一パネルの各画素の測定データの二次元配列を模式的に示し、各矩形は画素に対応し測定データのデータ値を備える。
【００４３】
ラインの欠陥状態を表す累積プロファイルデータを求めるために、各ラインが有する画素の測定データを積算する。例えば、第１行目のｘ方向ラインについて各画素の測定データを累積した値ｄx1を算出する。累積値ｄx1は、測定データを積算した積算値とするほかに、この積算値を画素数で除した平均値を用いることもできる。次の第２行目のｘ方向ラインについても同様にして各画素の測定データを累積し累積値ｄx2を算出する。同様にして、第ｎ行目のｘ方向ラインまで各画素の測定データを累積して累積値ｄxnを算出する。
【００４４】
累積プロファイルデータＲａｗは、上記にようにして算出した累積値ｄx1，ｄx2，…，ｄxnのデータ列により形成される（ステップＳ１）。
【００４５】
ステップＳ１で求めた累積プロファイルデータＲａｗに対して一次元のメディアンフィルタ処理によりローパスフィルタ処理を施す。この処理は累積プロファイルデータＲａｗの低周波数成分を求める処理であり、求めたデータ列から線欠陥や点欠陥の画素欠陥を検出するためのしきい値を算出することができる。図３において、メディアンフィルタ処理後のデータ列をＤx1，Ｄx2，…，Ｄxnで示している（ステップＳ２）。
【００４６】
このデータ列Ｄx1，Ｄx2，…，Ｄxnから標準偏差σxを算出する。この標準偏差σxは累積プロファイルデータＲａｗから点欠陥や線欠陥の画素欠陥を抽出するしきい値を定める元値となる（ステップＳ３）。
【００４７】
次に、図４を用いて、累積プロファイルデータＲａｗから点欠陥や線欠陥の画素欠陥を抽出する処理について説明する。図４に示すデータ曲線は累積プロファイルデータであり、正常画素の強度Ｉ０を基準として示している。画素が正常であれば累積プロファイルデータは正常画素の強度Ｉ０となり、画素に欠陥がある場合には累積プロファイルデータは正常画素の強度Ｉ０とからはずれた値となる。
【００４８】
欠陥画素を値するしきい値としてｋ・σを用いる。なお、ここで、σは前記ステップＳ３で求めた標準偏差σであり、ｋはしきい値を定める係数である。線欠陥を含む画素のデータの強度と正常画素の強度Ｉ０との大きさの差分は、点欠陥を含む画素のデータの強度と正常画素の強度Ｉ０との大きさの差分よりも大きいため、線欠陥を抽出するしきい値を定める係数ｋ1は点欠陥を抽出するしきい値を定める係数ｋ2よりも大きく設定する。したがって、線欠陥を抽出するしきい値をｋ1・σとして設定し、点欠陥を抽出するしきい値をｋ2・σとして設定する。
【００４９】
累積プロファイルデータがしきい値ｋ1・σを超える部分は線欠陥の領域Ｒ1であり、図４において（Ｉ０＋ｋ1・σ）以上の部分あるいは（Ｉ０−ｋ1・σ）以下の部分である。また、累積プロファイルデータがしきい値ｋ2・σとしきい値ｋ1・σとの間の部分は点欠陥の領域Ｒ2であり、図４において（Ｉ０＋ｋ2・σ）と（Ｉ０＋ｋ1・σ）の間の部分、あるいは（Ｉ０−ｋ2・σ）と（Ｉ０−ｋ1・σ）の間の部分である（ステップＳ４，５）。なお、線欠陥を検出する場合には、ステップＳ４の処理のみを行う。
【００５０】
ステップＳ４の工程で求めた線欠陥の領域Ｒ1内にある累積プロファイルデータのピーク位置を求め、このピーク位置を線欠陥の位置とし（ステップＳ６）、ステップＳ５の工程で求めた点欠陥の領域Ｒ2内にある累積プロファイルデータのピーク位置を求め、このピーク位置を点欠陥の位置とする（ステップＳ７）。
【００５１】
上記説明は、ｘ方向のラインについて説明したが、ｙ方向のラインについても同様に線欠陥及び／又は点欠陥を検出することができる。
【００５２】
検出した線欠陥の中には、単線による線欠陥と、複数の単線が連続した複線欠陥が含まれる。線欠陥による信号は信号強度のばらつきにより隣接する画素にも信号強度の幅を有している。そのため、複線欠陥は単線の線欠陥が連続するため、信号強度は大きな幅を持つことになる。
【００５３】
本発明は、信号強度の幅を判定基準に用いて単線欠陥と複線欠陥との識別を行う。図５，６は単線欠陥と複線欠陥との識別を行う処理を説明するためのフローチャート及び信号図である。
【００５４】
前記図２に示すフローチャートのステップＳ４，６により累積プロファイルデータから線欠陥とピーク位置を抽出する（ステップＳ１１）。抽出した線欠陥の信号波形について、ピークの半値幅ｗ1とベース部分の幅ｗ0を求める（ステップＳ１２）。
【００５５】
図６（ａ）は単線欠陥における信号波形例であり、この信号波形がガウス分布（正規分布）に従うものとすると、２σの範囲内に９５．４％が含まれ、３σの範囲内に９８．８％が含まれる。また、ガウス分布（正規分布）においては、半値幅ｗ1は約１．１７５σに当たる。ここで、ベース部分の幅ｗ0が３σに相当すると仮定すると、半値幅ｗ1とベース部分の幅ｗ0との比率ｗ1／ｗ2は約０．３９となる。
【００５６】
一方、図６（ｂ）は複線欠陥における信号波形例であり、単線欠陥により信号強度の重ね合わせと考えることができ、このときの半値幅ｗ1とベース部分の幅ｗ0の比率ｗ1／ｗ2は単線欠陥による比率ｗ1／ｗ2よりも大きくなる。
【００５７】
したがって、この比率ｗ1／ｗ2を指標とすることにより、線欠陥が単線欠陥であるかあるいは複線欠陥であるかを識別することができる。このとき、識別する指標値を例えば前記した０．３９と設定することができる。なお、この値は一例であり、実験値に基づいて設定することもできる。ここで、この指標値となる比率をＫとする。
【００５８】
そこで、ステップＳ１２で求めたｗ1とｗ2から比率ｗ1／ｗ2を算出し（ステップＳ１３）、あらかじめ設定した比率Ｋと比較する。比率ｗ1／ｗ2が比率Ｋよりも小さい場合には単線欠陥と判定し（ステップＳ１４，１５）、比率ｗ1／ｗ2が比率Ｋよりも大きい場合には複線欠陥と判定する（ステップＳ１４，１６）。
【００５９】
図７は、本発明のＴＦＴアレイ検査装置の一構成例を説明するための図である。ＴＦＴアレイ検査装置１は、検査対象であるＴＦＴ基板２に電子線や光等の測定用プローブを照射する測定用プローブ源６と、ＴＦＴ基板２の電位等を検出する検出器７と、検査制御手段３とを備える。検査制御手段３は、ＴＦＴ基板２に検査信号を印加する検査信号形成手段４、測定電圧に基づいて欠陥検査を行うデータ処理手段５を制御する。
【００６０】
ＴＦＴ基板２は、アレイ状に配置されたピクセル電極と、ＴＦＴ基板の駆動回路と、電源ラインを含む配線とを備えるＴＦＴ液晶基板であり、検査信号形成手段４は、電源ラインの他データラインやスキャン信号ラインの配線に欠陥検査項目に応じた所定パターンの検査信号を印加する。印加する検査信号パターンは、欠陥検査項目に応じて検査制御手段３により選択される。
【００６１】
データ処理手段５は、検出器７から取得した電圧を、欠陥検査項目に応じて予め設定されている電圧と比較することにより、ＴＦＴアレイの欠陥を検査する。
【００６２】
データ処理手段５は、ＴＦＴ基板の各画素を駆動して得られる二次元の測定データについて、ｘ方向及び／又はｙ方向の各ラインの測定データの積算値又は平均強度を求めて同方向の累積プロファイルデータを作成する累積プロファイルデータ作成手段５ａと、累積プロファイルデータから各ラインのしきい値を求めるしきい値算出手段５ｂと、各ラインの累積プロファイルデータ及びしきい値を用いて、ＴＦＴ基板のｘ方向及び／又はｙ方向のライン単位の画素欠陥を検出する画素欠陥検出手段５ｃとを備える。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明のＴＦＴアレイの検査を説明するための概略図である。
【図２】本発明の線欠陥及び点欠陥の検出処理を説明するためのフローチャートである。
【図３】本発明の線欠陥及び点欠陥の検出処理を説明するための概略図である。
【図４】本発明の累積プロファイルデータによる欠陥検出を説明するための図である。
【図５】本発明の単線欠陥と複線欠陥との識別を行う処理を説明するためのフローチャートである。
【図６】本発明の単線欠陥と複線欠陥との識別を行う処理を説明するための信号図である。
【図７】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の一構成例を説明するための図である。
【図８】二次元の測定データを用いて欠陥画素を検出する従来処理を説明するための概略図である。
【図９】線欠陥を抽出する処理を説明するためのフローチャートである。
【図１０】線欠陥を抽出する処理を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００６４】
１…ＴＦＴアレイ検査装置、２…ＴＦＴアレイ、３…検査制御装置、４…検査駆動回路、５…データ処理手段、５ａ…累積プロファイルデータ作成手段、５ｂ…しきい値算出手段、５ｃ…画素欠陥検出手段、６…検査用プローブ源、７…検出器、。  
【図１】
2005208245.tif 000003
【図２】
2005208245.tif 000004
【図３】
2005208245.tif 000005
【図４】
2005208245.tif 000006
【図５】
2005208245.tif 000007
【図６】
2005208245.tif 000008
【図７】
2005208245.tif 000009
【図８】
2005208245.tif 000010
【図９】
2005208245.tif 000011
【図１０】
2005208245.tif 000012