(57)【要約】【課題】半導体集積回路が高密度化されることによって互いに隣接する配線が短絡されるブリッジ現象を防止して、集積回路の特性及び動作を安定化させることができる半導体集積回路の配線製造方法を提供する。【解決手段】本発明による半導体集積回路の配線製造方法は、半導体基板組立体上にエッチング停止膜110及び層間絶縁膜120を順次に形成する段階、層間絶縁膜120上に犠牲絶縁膜130を形成する段階、犠牲絶縁膜130上にトレンチ形成領域を定義する感光膜パターン143,145を形成する段階、感光膜パターン143,145をマスクとして層間絶縁膜120をエッチングしてトレンチ155を形成する段階、エッチング停止膜を全面エッチングする段階を含む。【選択図】図２ｅ
2005197694.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にエッチング停止膜及び層間絶縁膜を順次に形成する段階と、
前記層間絶縁膜上に犠牲絶縁膜を形成する段階と、
前記犠牲絶縁膜上にトレンチ形成領域を定義する感光膜パターンを形成する段階と、
前記感光膜パターンをマスクとして前記層間絶縁膜をエッチングしてトレンチを形成する段階と、
前記エッチング停止膜を全面エッチングする段階と、
を含むことを特徴とする、半導体集積回路の配線製造方法。
【請求項２】
前記犠牲絶縁膜は窒化物系列の物質で形成することを特徴とする、請求項１に記載の半導体集積回路の配線製造方法。
【請求項３】
前記犠牲絶縁膜の厚さは前記エッチング停止膜の厚さに比べて同程度以上に厚く形成することを特徴とする、請求項１に記載の半導体集積回路の配線製造方法。
【請求項４】
前記層間絶縁膜は酸化物系列の物質を利用して複数の層として形成することを特徴とする、請求項１に記載の半導体集積回路の配線製造方法。
【請求項５】
前記エッチング停止膜を全面エッチングする段階の後に、
前記トレンチを含む前記層間絶縁膜上に上に拡散防止膜を形成する段階と、
前記拡散防止膜上に導電膜を蒸着して前記トレンチを埋立てる段階と、
前記導電膜にアニーリング工程を実施する段階と、
前記導電膜及び前記拡散防止膜を前記層間絶縁膜の上部表面が露出される時点まで化学機械的に研磨して平坦化する段階と、をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体集積回路の配線製造方法。
【請求項６】
前記導電膜は銅で形成することを特徴とする、請求項５に記載の半導体集積回路の配線製造方法。
【請求項７】
半導体基板上にエッチング停止膜及び層間絶縁膜を順次に形成する段階と、
前記層間絶縁膜上に犠牲絶縁膜を形成する段階と、
前記犠牲絶縁膜上にビアホールを定義する第１感光膜パターンを形成する段階と、
前記第１感光膜パターンをマスクとして前記層間絶縁膜をエッチングしてビアホールを形成する段階と、
前記犠牲絶縁膜上にトレンチを定義する第２感光膜パターンを形成する段階と、
前記第２感光膜パターンをマスクとして前記層間絶縁膜の一部分を選択的にエッチングしてデュアルダマシン溝を形成する段階と、
前記エッチング停止膜を全面エッチングする段階と、
を含むことを特徴とする、半導体集積回路の配線製造方法。
【請求項８】
前記犠牲絶縁膜は窒化物系列の物質で形成することを特徴とする、請求項１に記載の半導体集積回路の配線製造方法。
【請求項９】
前記犠牲絶縁膜の厚さは前記エッチング停止膜の厚さに比べて同等以上に厚く形成することを特徴とする、請求項１に記載の半導体集積回路の配線製造方法。
【請求項１０】
前記層間絶縁膜は酸化物系列の物質を利用して複数の層で形成することを特徴とする、請求項１に記載の半導体集積回路の配線製造方法。
【請求項１１】
前記第２感光膜パターンをマスクとして前記層間絶縁膜の一部分を選択的にエッチングしてデュアルダマシン溝を形成する段階は、
前記ビアホール内に非感光性物質を埋立てて前記エッチング停止膜を保護する段階と、
前記第２感光膜パターンをマスクとして前記層間絶縁膜の一部分をエッチングしてトレンチを形成する段階と、
前記非感光性物質を全て除去する段階と、を含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体集積回路の配線製造方法。
【請求項１２】
前記エッチング停止膜を全面エッチングする段階後に、
前記ダマシン溝を含む前記層間絶縁膜上に拡散防止膜を形成する段階と、
前記拡散防止膜上に導電膜を蒸着して前記ダマシン溝を埋立てる段階と、
前記導電膜にアニーリング工程を進める段階と、
前記導電膜及び前記拡散防止膜を前記層間絶縁膜の上部表面が露出される時点まで化学機械的に研磨して平坦化する段階と、をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体集積回路の配線製造方法。
【請求項１３】
前記導電膜は銅で形成することを特徴とする、請求項１２に記載の半導体集積回路の配線製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体集積回路の製造方法に関し、より詳しくはダマシン溝を利用する半導体集積回路の配線製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、半導体集積回路を集積化する工程技術力が向上していて、配線抵抗、金属間の寄生容量などの特性を改善させて、回路の動作速度を高めるための一環として、既存のアルミニウム配線の代りに銅配線が広く使われるようになった。また、層間絶縁膜として既存の酸化膜の代わりに低誘電定数物質が次世代集積回路の導体絶縁材料として脚光を浴びている。
【０００３】
また、このように効果のある銅と低誘電定数物質を利用した配線工程の場合、銅のエッチング状態が悪いために、既存エッチング工程の代わりにダマシン工程が銅配線に適した工程として利用されている。
【０００４】
従来のダマシン工程を利用した半導体集積回路の銅配線製造方法によれば、厚い層間絶縁膜の上部にダマシン溝を形成した後、溝の下にある接続孔が十分に埋立てられるように銅膜を厚く過剰に蒸着する。そして銅膜にアニーリング工程を実施して銅膜蒸着時に混入した不純物を除去した後、層間絶縁膜の上部表面が露出される時点まで表面上の銅膜を化学機械的に研磨してダマシン溝内に埋立てられる銅配線を形成する。ここで、ダマシン溝は上下部配線層を連結するためのビアホールと上部配線層が形成されるトレンチからなるデュアルダマシン溝または上部配線層が形成されるトレンチのみからなるシングルダマシン溝で構成される。
【０００５】
一方、従来技術によるダマシン工程は、厚い層間絶縁膜の上部にダマシン溝を形成して半導体基板の一部を露出させるエッチング工程を行う時、半導体基板に形成されている金属配線などの下部構造が損傷することを防止するためにエッチング停止膜を配置する。
【０００６】
ところで、ダマシン溝を形成した後、銅膜と半導体素子部材（例えば、ソース・ドレイン領域、ゲート引出し線など）とを接続する部分の界面抵抗を低くするために、半導体基板組立体の上に形成されているエッチング停止膜を部分的に除去する時、エッチング停止膜が除去されると同時にダマシン溝の上端部両側に位置する層間絶縁膜の一部もまた失われてダマシン溝の上端部側壁が丸く削られ、上端部の幅が広くなる。これは半導体集積回路の製造工程で素子の集積密度を高めるためにデザインルールが縮少される傾向を考慮すれば、ダマシン溝に銅などの金属を埋立てて配線を形成する場合、隣接する配線が互いに連結されるブリッジ現象や漏洩電流を発生する問題点になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が目的とする技術的課題は、半導体集積回路が高密度化された場合にも、互いに隣接する配線が短絡されるブリッジ現象を防止し、集積回路の特性及び動作を安定化させることができる半導体集積回路の配線製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような課題を構成するために本発明では次のような半導体集積回路の配線製造方法を提示する。
【０００９】
請求項１に記載の発明は、半導体集積回路の配線製造方法において、半導体基板上にエッチング停止膜及び層間絶縁膜を順次に形成する段階と、前記層間絶縁膜上に犠牲絶縁膜を形成する段階と、前記犠牲絶縁膜上にトレンチ形成領域を定義する感光膜パターンを形成する段階と、前記感光膜パターンをマスクとして前記層間絶縁膜をエッチングしてトレンチを形成する段階と、前記エッチング停止膜を全面エッチングする段階と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の半導体集積回路の配線製造方法において、前記犠牲絶縁膜は窒化物系列の物質で形成することを特徴とする。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の半導体集積回路の配線製造方法において、前記犠牲絶縁膜の厚さは前記エッチング停止膜の厚さに比べて同程度以上に厚く形成することを特徴とする。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の半導体集積回路の配線製造方法において、前記層間絶縁膜は酸化物系列の物質を利用して複数の層として形成することを特徴とする。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の半導体集積回路の配線製造方法において、前記エッチング停止膜を全面エッチングする段階の後に、前記トレンチを含む前記層間絶縁膜上に上に拡散防止膜を形成する段階と、前記拡散防止膜上に導電膜を蒸着して前記トレンチを埋立てる段階と、前記導電膜にアニーリング工程を実施する段階と、前記導電膜及び前記拡散防止膜を前記層間絶縁膜の上部表面が露出される時点まで化学機械的に研磨して平坦化する段階と、をさらに含むことを特徴とする。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の半導体集積回路の配線製造方法において、前記導電膜は銅で形成することを特徴とする。
【００１５】
請求項７に記載の発明は、半導体集積回路の配線製造方法において、半導体基板上にエッチング停止膜及び層間絶縁膜を順次に形成する段階と、前記層間絶縁膜上に犠牲絶縁膜を形成する段階と、前記犠牲絶縁膜上にビアホールを定義する第１感光膜パターンを形成する段階と、前記第１感光膜パターンをマスクとして前記層間絶縁膜をエッチングしてビアホールを形成する段階と、前記犠牲絶縁膜上にトレンチを定義する第２感光膜パターンを形成する段階と、前記第２感光膜パターンをマスクとして前記層間絶縁膜の一部分を選択的にエッチングしてデュアルダマシン溝を形成する段階と、前記エッチング停止膜を全面エッチングする段階と、を含むことを特徴とする。
【００１６】
請求項８に記載の発明は、請求項１に記載の半導体集積回路の配線製造方法において、前記犠牲絶縁膜は窒化物系列の物質で形成することを特徴とする。
【００１７】
請求項９に記載の発明は、請求項１に記載の半導体集積回路の配線製造方法において、前記犠牲絶縁膜の厚さは前記エッチング停止膜の厚さに比べて同等以上に厚く形成することを特徴とする。
【００１８】
請求項１０に記載の発明は、請求項１に記載の半導体集積回路の配線製造方法において、前記層間絶縁膜は酸化物系列の物質を利用して複数の層で形成することを特徴とする。
【００１９】
請求項１１に記載の発明は、請求項１に記載の半導体集積回路の配線製造方法において、前記第２感光膜パターンをマスクとして前記層間絶縁膜の一部分を選択的にエッチングしてデュアルダマシン溝を形成する段階は、前記ビアホール内に非感光性物質を埋立てて前記エッチング停止膜を保護する段階と、前記第２感光膜パターンをマスクとして前記層間絶縁膜の一部分をエッチングしてトレンチを形成する段階と、前記非感光性物質を全て除去する段階と、を含むことを特徴とする。
【００２０】
請求項１２に記載の発明は、請求項１に記載の半導体集積回路の配線製造方法において、前記エッチング停止膜を全面エッチングする段階後に、前記ダマシン溝を含む前記層間絶縁膜上に拡散防止膜を形成する段階と、前記拡散防止膜上に導電膜を蒸着して前記ダマシン溝を埋立てる段階と、前記導電膜にアニーリング工程を進める段階と、前記導電膜及び前記拡散防止膜を前記層間絶縁膜の上部表面が露出される時点まで化学機械的に研磨して平坦化する段階と、をさらに含むことを特徴とする。
【００２１】
請求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の半導体集積回路の配線製造方法において、前記導電膜は銅で形成することを特徴とする。
【００２２】
本発明の一観点によって述べると、半導体基板組立体の上にエッチング停止膜及び層間絶縁膜を順次に形成する段階、層間絶縁膜上に犠牲絶縁膜を形成する段階、犠牲絶縁膜上にトレンチ形成領域を定義する感光膜パターンを形成する段階、感光膜パターンをマスクとして層間絶縁膜をエッチングしトレンチを形成する段階、エッチング停止膜を全面エッチングする段階を含む半導体集積回路の配線製造方法を提示する。
【００２３】
ここで、犠牲絶縁膜は窒化物系列の物質で形成するのが好ましい。
また、犠牲絶縁膜の厚さはエッチング停止膜の厚さに比べて同程度以上に厚く形成するのが好ましい。
また、層間絶縁膜は酸化物系列の物質を利用して複数の層として形成するのが好ましい。
【００２４】
また、エッチング停止膜を全面エッチングする段階の後にトレンチを含む層間絶縁膜上に拡散防止膜を形成する段階、拡散防止膜上に導電膜を蒸着してトレンチを埋立てる段階、導電膜にアニーリング工程を実施する段階、導電膜及び拡散防止膜を層間絶縁膜の上部表面が露出される時点まで化学機械的に研磨して平坦化する段階をさらに含むのが好ましい。
また、導電膜は銅で形成するのが好ましい。
【００２５】
本発明の他の観点によって述べると、半導体基板組立体の上にエッチング停止膜及び層間絶縁膜を順次に形成する段階、層間絶縁膜上に犠牲絶縁膜を形成する段階、犠牲絶縁膜上にビアホールを定義する第１感光膜パターンを形成する段階、第１感光膜パターンをマスクとして層間絶縁膜をエッチングしてビアホールを形成する段階、犠牲絶縁膜上にトレンチを定義する第２感光膜パターンを形成する段階、第２感光膜パターンをマスクとして層間絶縁膜の上部を選択的にエッチングしてデュアルダマシン溝を形成する段階、エッチング停止膜を全面エッチングする段階を含む半導体集積回路の配線製造方法を提示する。
【００２６】
また、第２感光膜パターンをマスクとして層間絶縁膜の一部分を選択的にエッチングしてデュアルダマシン溝を形成する段階はビアホール内に非感光性物質を埋立ててエッチング停止膜を保護する段階、第２感光膜パターンをマスクとして層間絶縁膜の一部分をエッチングしてトレンチを形成する段階、非感光性物質を全て除去する段階を含むのが好ましい。
【００２７】
また、エッチング停止膜を全面エッチングする段階の後にダマシン溝を含む層間絶縁膜上に上に拡散防止膜を形成する段階、拡散防止膜上に導電膜を蒸着してダマシン溝を埋立てる段階、導電膜にアニーリング工程を進める段階、導電膜及び拡散防止膜を層間絶縁膜の上部表面が露出される時点まで化学機械的に研磨して平坦化する段階をさらに含むのが好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、配線を形成するためのダマシン溝の上端部側壁が丸く削られることを防止して互いに隣接する配線が短絡されるブリッジ現象を防止することができるという効果を奏する。また、ダマシン溝の上端部側壁の欠損によって発生する漏れ電流を最少化する。したがって、集積回路の特性及び動作を安定化させることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様で相異なる形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００３０】
図面で多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似な部分については同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の上にあるとする時、これは他の部分の直ぐ上にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。これに反し、ある部分が他の部分の直上にあるとする時には中間に他の部分がないことを意味する。
まず、本発明の実施形態による半導体集積回路を添付した図面を参照して詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
【００３１】
図１は本発明の第１実施形態による半導体集積回路の配線を概略的に示した断面図である。図１に示すように、シリコン基板に不純物領域や絶縁物領域、金属などを埋め込んだり積み上げた下部構造が形成されている半導体基板組立体１００上に層間絶縁膜１２０が形成されている。層間絶縁膜１２０は酸化物系列の物質または低誘電定数の物質からなり、半導体基板組立体１００の一部分である 半導体素子部材（例えば、ソース・ドレイン領域、ゲート引出し線など）を局部的に露出するトレンチ１５５を有する。この時、層間絶縁膜１２０は工程特性及び工程条件によって複数の層として形成することができる。
【００３２】
層間絶縁膜１２０に掘られたトレンチ１５５内面には拡散防止膜１６０が形成されている。そして、拡散防止膜１６０上には銅（Cu）、銀(Ag)などの導電物質からなっており、トレンチ１５５を埋立てる配線１７５が形成されている。また、半導体基板組立体１００と層間絶縁膜１２０との間には、トレンチ１５５を形成するエッチング工程時、トレンチ１５５下部の半導体基板組立体として形成されている下部構造を保護するエッチング停止膜１１０が介在する。
【００３３】
以上で説明した本発明の第１実施形態による半導体集積回路の配線を製造する方法について添付した図面を参照して詳細に説明する。
【００３４】
図２ａ乃至図２ｅは本発明の第１実施形態による半導体集積回路の配線製造方法を説明するために工程順に示した各工程における断面図である。
【００３５】
まず、図２ａに示すように、埋め込み部分などの下部構造（図示せず）が形成されている半導体基板組立体１００上にエッチング停止膜１１０と層間絶縁膜１２０を順次に形成する。ここで、エッチング停止膜１１０は窒化シリコンなど窒化物系列の物質を利用して形成し、層間絶縁膜１２０は酸化シリコンなど酸化物系列の物質または低誘電定数の絶縁体（例えば、フッ素添加した酸化シリコン）を利用して形成する。また、層間絶縁膜１２０は工程特性及び工程条件によって同一であったり互いに異なる酸化物系列の物質を利用して複数の層で形成することができる。
【００３６】
そして図２ｂに示すように、層間絶縁膜１２０上に犠牲絶縁膜１３０を形成する。ここで犠牲絶縁膜１３０の厚さはエッチング停止膜１１０の厚さに比べて同程度以上に厚く形成して、後述するエッチング停止膜１１０を除去する全面エッチング工程において層間絶縁膜１２０を保護する役割を果たす。また、犠牲絶縁膜１３０はエッチング停止膜１１０と同質の窒化物系列の物質で形成するのが好ましい。なお、上記の全面エッチングとは、犠牲絶縁膜１３０以外の選択マスクを使わずに、露出している全てのエッチング停止膜１１０を異方性エッチングにより除去することを言う。
【００３７】
次いで、犠牲絶縁膜１３０上に感光膜を塗布した後、露光及び現像工程を実施して配線を形成するためのトレンチ形成領域を定義する感光膜パターン１４０を形成する。
図２ｅに示すように、感光膜パターンをマスクとして犠牲絶縁膜１３０及び層間絶縁膜１２０をエッチングし層間絶縁膜１２０内にシングルダマシン溝になるトレンチ１５５を形成する。トレンチ１５５を形成するためのエッチング工程の時、埋め込み部分などの下部構造を有する半導体基板組立体１００は、これの上に位置するエッチング停止膜１１０によって保護される。
【００３８】
そして図２ｄに示すように、トレンチ１５５の下部に位置するエッチング停止膜１１０を局部的に除去する。一方、エッチング停止膜１１０を除去するエッチング工程を進める時、トレンチ１５５の上端部側壁の一部が同時にエッチングされて失われる。しかし、本発明の実施形態によれば、エッチング停止膜１１０を除去する時、層間絶縁膜１２０上にエッチング停止膜１１０の厚さと同程度以上に厚く形成されている犠牲絶縁膜１３０の一部分が除去されるだけで、その下にある層間絶縁膜１２０の欠損を防止することができる。したがって、層間絶縁膜１２０の形状によって決定されるトレンチ１５５の形状が変化する、つまり、トレンチ１５５上端部の幅が広くなる問題を防止する。
【００３９】
次に図２ｅに示すように、トレンチ１５５内部を含んで層間絶縁膜１２０上にタンタルシリコンナイトライド（TaSiN）などを利用して拡散防止膜１６０を形成する。そして、拡散防止膜１６０を含む層間絶縁膜１２０上に、トレンチ１５５が十分に埋立てられるように銅（Cu）などの導電膜１７０を厚く、過剰に蒸着する。
次に、導電膜１７０にアニーリング工程を行って導電膜１７０を蒸着する時に混入した不純物を除去する。
【００４０】
また図１に示すように、層間絶縁膜１２０の上部表面が露出される時点まで化学機械的に研磨して仕上がり表面を平坦化する。その結果、導電物質がトレンチ１５５内にのみ存在する導電膜からなる半導体集積回路の配線１７５が完成する。
＜第２実施形態＞
【００４１】
次に、本発明の第２実施形態による半導体集積回路の配線について図３乃至図４ｇを参照して詳細に説明する。
図３は本発明の第２実施形態による半導体集積回路の配線を概略的に示した断面図である。
【００４２】
図３に示すように、下部配線１０５などの下部構造が形成されている半導体基板組立体１００上に層間絶縁膜１２０が形成されている。層間絶縁膜１２０は酸化物系列の物質または低誘電定数の絶縁物質からなり、下部配線１０５の一部分を露出するデュアルダマシン溝１５８を有する。この時、デュアルダマシン溝１５８は上下部配線層を連結するためのビアホール１５０と上部配線層が形成されるトレンチ１５５からなる。
【００４３】
層間絶縁膜１２０のデュアルダマシン溝１５８の内面には拡散防止膜１６０が形成されている。
そして、拡散防止膜１６０上には銅（Cu）などの導電物質からなっていてデュアルダマシン溝１５８を埋立てる上部配線１７５が形成されている。
【００４４】
以上で説明した本発明の第２実施形態による半導体集積回路の配線製造する方法について添付した図面を参照して詳細に説明する。
【００４５】
図４ａ乃至図４ｇは本発明の第２実施形態による半導体集積回路の配線製造方法を説明するために工程順に示した断面図である。
【００４６】
まず、図４ａに示すように、下部配線１０５が形成されている半導体基板組立体１００上にエッチング停止膜１１０と層間絶縁膜１２０を順次に形成する。ここでエッチング停止膜１１０はシリコン窒化物を利用して形成し、層間絶縁膜１２０はシリコン酸化物系列の物質及び低誘電定数の絶縁体を利用して形成する。また、層間絶縁膜１２０は工程特性及び工程条件によって同一であったり互いに異なったりする酸化物系列の物質を利用して複数の層として形成することができる。
【００４７】
図４ｂに示すように、層間絶縁膜１２０上に犠牲絶縁膜１３０を形成する。ここで犠牲絶縁膜１３０の厚さはエッチング停止膜１１０の厚さに比べて同程度以上に厚く形成して後述するエッチング停止膜１１０を除去するエッチング工程から層間絶縁膜１２０を保護する役割を果たす。また、犠牲絶縁膜１３０は窒化物系列の物質で形成するのが好ましい。
【００４８】
次に、犠牲絶縁膜１３０上に感光膜を塗布した後、露光及び現像工程を行って上下配線を連結するためのビアホール形成領域を定義する第１感光膜パターン１４３を形成する。
【００４９】
図４ｅに示すように、第１感光膜パターン１４３をマスクとして犠牲絶縁膜１３０及び層間絶縁膜１２０をエッチングして層間絶縁膜１２０内にビアホール１５０を形成する。ビアホール１５０を形成するためのエッチング工程の時、下部配線１０５が形成されている半導体基板組立体１００は、これの上に位置するエッチング停止膜１１０によって保護される。
そして、犠牲絶縁膜１３０上に形成されている第１感光膜パターン１４３を全て除去する。
【００５０】
図４ｄに示すように、第１感光膜パターン１４３が除去された犠牲絶縁膜１３０の上に再び感光膜を塗布した後、露光及び現像工程を行って配線を形成するためのトレンチ形成領域を定義する第２感光膜パターン１４５を形成する。
【００５１】
そして、ビアホール１５０に非感光性物質１４８を埋め込んで後述するトレンチ形成のためのエッチング工程時、ビアホール１５０が損傷されることを防止する。一方、これは必須なことではなく、工程特性及び条件によって省略することができる。
【００５２】
次に図４ｅに示すように、第２感光膜パターン１４５をマスクとして犠牲絶縁膜１３０及び層間絶縁膜１２０の一部分をエッチングしてデュアルダマシン溝１５８を形成する。この時、デュアルダマシン溝１５８は上下部配線層を連結するためのビアホール１５０及び上部配線層が形成されるトレンチ１５５を有する。
【００５３】
図４ｆに示すように、ビアホール１５０の下部に位置するエッチング停止膜１１０を除去する。一方、エッチング停止膜１１０を除去するエッチング工程を進める時、デュアルダマシン溝１５８の上端部側壁の一部分が共にエッチングされて失われる。しかし、本発明の実施形態によれば、エッチング停止膜１１０を除去する時、層間絶縁膜１２０上にエッチング停止膜１１０の厚さと同程度以上の厚さに形成されている犠牲絶縁膜１３０の一部分が除去されてその下に隠れる層間絶縁膜１２０の欠損を防止することができる。したがって、層間絶縁膜１２０の形状によって決定されるデュアルダマシン溝１５８の形状が変化する問題、つまり、デュアルダマシン溝１５８のトレンチ１５５上端部の幅が広くなる問題を防止する。  
【００５４】
また図４ｇに示すように、デュアルダマシン溝１５８内部を含んで層間絶縁膜１２０上にタンタルシリコンナイトライド（TaSiN）などを利用して拡散防止膜１６０を形成する。そして、拡散防止膜１６０を含む層間絶縁膜１２０の上からデュアルダマシン溝１５８が十分に埋立てられるように銅（Cu）などの導電膜１７０を厚く蒸着する。
次に、導電膜１７０にアニーリング工程を行って導電膜１７０蒸着時に混入した不純物を除去する。
【００５５】
また図３に示すように、層間絶縁膜１２０の上部表面が露出される時点まで化学機械的に研磨して仕上がり表面を平坦化する。その結果、導電膜がデュアルダマシン溝１５８内にのみ存在して導電膜からなる半導体集積回路用配線１７５が完成する。
【００５６】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明によれば、配線を形成するためのダマシン溝の上端部側壁が丸く削られることを防止して互いに隣接する配線が短絡されるブリッジ現象を防止する。また、ダマシン溝の上端部側壁の欠損によって発生する漏れ電流を最少化する。したがって、集積回路の特性及び動作を安定化させることができる。
【００５７】
本発明の権利範囲は詳細に説明した本発明の好ましい実施形態に限定されず、請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体集積回路の配線を概略的に示した断面図である。
【図２ａ】本発明の第１実施形態による半導体集積回路の配線製造方法を説明するために順次に示した工程断面図である。
【図２ｂ】本発明の第１実施形態による半導体集積回路の配線製造方法を説明するために順次に示した工程断面図である。
【図２ｃ】本発明の第１実施形態による半導体集積回路の配線製造方法を説明するために順次に示した工程断面図である。
【図２ｄ】本発明の第１実施形態による半導体集積回路の配線製造方法を説明するために順次に示した工程断面図である。
【図２ｅ】本発明の第１実施形態による半導体集積回路の配線製造方法を説明するために順次に示した工程断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態による半導体集積回路の配線を概略的に示した断面図である。
【図４ａ】本発明の第２実施形態による半導体集積回路の配線製造方法を説明するために順次に示した工程断面図である。
【図４ｂ】本発明の第２実施形態による半導体集積回路の配線製造方法を説明するために順次に示した工程断面図である。
【図４ｃ】本発明の第２実施形態による半導体集積回路の配線製造方法を説明するために順次に示した工程断面図である。
【図４ｄ】本発明の第２実施形態による半導体集積回路の配線製造方法を説明するために順次に示した工程断面図である。
【図４ｅ】本発明の第２実施形態による半導体集積回路の配線製造方法を説明するために順次に示した工程断面図である。
【図４ｆ】本発明の第２実施形態による半導体集積回路の配線製造方法を説明するために順次に示した工程断面図である。
【図４ｇ】本発明の第２実施形態による半導体集積回路の配線製造方法を説明するために順次に示した工程断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１００  半導体基板
１０５  下部配線
１１０  エッチング停止膜
１２０  層間絶縁膜
１３０  犠牲絶縁膜
１４０  感光膜パターン
１４３  第１感光膜パターン
１４５  第２感光膜パターン
１５０  ビアホール
１５５  トレンチ
１５８  デュアルダマシン溝
１６０  拡散防止膜
１７０  導電膜
１７５  金属配線
【図１】
2005197694.tif 000003
【図２ａ】
2005197694.tif 000004
【図２ｂ】
2005197694.tif 000005
【図２ｃ】
2005197694.tif 000006
【図２ｄ】
2005197694.tif 000007
【図２ｅ】
2005197694.tif 000008
【図３】
2005197694.tif 000009
【図４ａ】
2005197694.tif 000010
【図４ｂ】
2005197694.tif 000011
【図４ｃ】
2005197694.tif 000012
【図４ｄ】
2005197694.tif 000013
【図４ｅ】
2005197694.tif 000014
【図４ｆ】
2005197694.tif 000015
【図４ｇ】
2005197694.tif 000016