(57)【要約】【課題】  無機系配向膜の配列ムラを抑えつつ基板上の蒸着角度を均一にすると共に、チャンバー内部の汚れを低減して装置メンテナンス工数の低減を図ることができる斜方蒸着装置及び蒸着基板の製造装置を提供する。【解決手段】  蒸着材料を収納する凹部４が形成された蒸着源るつぼ５と、水平面と所定角度をなす側面を有する漏斗形状の内部キャップ６及び外部キャップ７を備える斜方蒸着装置であって、内部キャップは凹部の上方に配置され、外部キャップはその側面が蒸着源るつぼを囲繞する様に配置されている。【選択図】    図２
2005206914.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着材料を収納する凹部が形成された蒸着源るつぼと、水平面と所定角度をなす側面を有する略漏斗形状の内部キャップ及び外部キャップを備える斜方蒸着装置であって、
前記内部キャップは、前記凹部の上方に配置され、
前記外部キャップは、同外部キャップの側面が前記蒸着源るつぼを囲繞する様に配置されたことを特徴とする斜方蒸着装置。
【請求項２】
蒸着材料を収納する凹部が形成された蒸着源るつぼと、
水平面と所定角度をなす側面を有する略漏斗形状の内部キャップ及び外部キャップと、
前記凹部と前記内部キャップの側面及び前記外部キャップの側面の間隙とを結ぶ直線上に基板を位置せしめる基板ホルダーを備える蒸着基板の製造装置であって、
前記内部キャップは、前記凹部の上方に配置され、
前記外部キャップは、同外部キャップの側面が前記蒸着源るつぼを囲繞する様に配置され、
前記基板ホルダーは、前記凹部のまわりを回転する様に構成された
ことを特徴とする蒸着基板の製造装置。
【請求項３】
前記内部キャップの側面が水平面となす角度と前記外部キャップの側面が水平面となす角度が略同一である
ことを特徴とする請求項２に記載の蒸着基板の製造装置。
【請求項４】
前記凹部の側面が水平面となす角度は、前記内部キャップの側面が水平面となす角度及び前記外部キャップの側面が水平面となす角度と略同一である
ことを特徴とする請求項３に記載の蒸着基板の製造装置。
【請求項５】
前記内部キャップ及び前記外部キャップに偏向電極が形成された
ことを特徴とする請求項２に記載の蒸着基板の製造装置。
【請求項６】
前記内部キャップ及び前記外部キャップのうち少なくとも一方は、無電解メッキ法及び電解メッキ法により複数の偏向電極が形成された
ことを特徴とする請求項５に記載の蒸着基板の製造装置。
【請求項７】
無電解メッキ法及び電解メッキ法により複数の偏向電極が形成された前記内部キャップが複数形成された
ことを特徴とする請求項５に記載の蒸着基板の製造装置。
【請求項８】
前記内部キャップ及び前記外部キャップのうち少なくとも一方は、真空蒸着膜またはスパッタリング膜のエッチングにより複数の偏向電極が形成された
ことを特徴とする請求項５に記載の蒸着基板の製造装置。
【請求項９】
真空蒸着膜またはスパッタリング膜のエッチングにより複数の偏向電極が形成された前記内部キャップが複数形成された
ことを特徴とする請求項５に記載の蒸着基板の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は斜方蒸着装置及び蒸着基板の製造装置に関する。詳しくは、基板に蒸着物質が入射する角度を制御することによって、蒸着物質の配列ムラを低減しようとした斜方蒸着装置及び蒸着基板の製造装置に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶用配向膜には、ポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜とＳｉＯｘ等の無機系配向膜がある。
前者の場合は、正の誘電異方性のツイストネマティック型液晶などに用いられ、ロールコーティング、スピンコーティング、ディッピング、バーコーティング等でＴＦＴ基板或いは対向基板にポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜を形成した後、バフラビング配向処理、２５７ｎｍ直線偏光ＵＶ照射などの光照射配向処理、アルゴンイオンビーム照射などのイオンビーム照射配向処理、２６６ｎｍＹＡＧレーザー照射などのレーザー照射配向処理などの配向処理が行われ、透過型ＬＣＤが製作される。後者の場合は、負の誘電異方性のツイストネマティック型液晶いわゆる垂直配向型液晶などに用いられ、例えば、エレクトロンビーム蒸着装置によりガラス材を所望の斜方蒸着角で飛ばし、ＴＦＴ基板や対向基板上に所望の角度を有するガラス微粒子の積層膜（斜方蒸着膜）の配向膜形成、或いはガラス材をミラートロンスパッタリング（指向性スパッタリング）で所望の角度で飛ばし、ＴＦＴ基板や対向基板上に所望のスパッタリング角度を有するガラス微粒子の積層膜（斜方スパッタリング膜）の配向膜形成が行われ、反射型ＬＣＤが製作される。
【０００３】
ところで、最近ＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）と呼ばれる反射型ＬＣＤが、プロジェクタ用途等に採用されている。これは、単結晶Ｓｉの高い電子／正孔移動度を利用し、汎用ＭＯＳＬＳＩ技術により単結晶Ｓｉ基板表面に周辺駆動回路及び表示素子のみならず、映像信号処理回路、メモリー回路等の機能を取り込んだ反射型ＬＣＤであり、高精細、高輝度といった特徴を有するものであり、このＬＣＯＳには強い入射光でも劣化しないＳｉＯｘ等の無機系配向膜と垂直配向型液晶が用いられている。
【０００４】
ここで、斜方蒸着膜は、溝構造と柱状構造を持ち、蒸着角度により両者の特徴が変化し液晶の配向方向が変化することが知られており、また、蒸着ビームが基板法線となす角度である蒸着角度によって柱状の微細構造の角度や密度が変化することが知られている。
【０００５】
この蒸着角度が２０°以上では面内配向方向は決まらずランダムな配向となり、５０°前後では表面のビームの入射面に垂直な溝構造により傾き角０°の水平配向が出現する。また、入射角８０°以上ではセルフシャドーニング効果により、柱状構造の異方性が発達し液晶分子の長軸はビームに平行な方向に配向して傾き角を発現する。
【０００６】
ところで、ＴＦＴ基板や対向基板上に形成する斜方蒸着膜は、蒸着角度を比較的狭い範囲で制御する必要があり、基板の上下端での蒸着角度の差を数度程度の範囲に収める必要がある。ところが、基板の上下端での蒸着角度の差を数度程度の範囲に収めるためには、蒸発源と基板との距離を大きくとる必要があり、そうすると蒸着チャンバーが大型になり製造コストを増大させてしまう。
また、蒸着チャンバーが大型になると、蒸着チャンバー内部に付着したガラス膜除去のメンテナンス工数も大きい。
【０００７】
上記の点に鑑みて、図８に示す様に、蒸発源１０１と基板１０２との間に格子状遮蔽物１０３を設け、その格子状遮蔽物内に電界をかけることによって蒸着角度θ１を一定にし、均一な無機系配向膜を得る蒸着基板の製造装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
この特許文献１で提案されている蒸着基板の製造装置は、格子状遮蔽物に印加された電圧により発生する電界によってイオン化した蒸着物質、例えば一酸化珪素（ＳｉＯ）がクーロン力を受け、蒸着物質の進行方向が曲げられることにより、基板に蒸着物質が入射する角度が変化することを利用し、無機系配向膜の膜厚ムラを抑えつつ基板上全面の蒸着角度を一定にすることができる。
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−１７２９３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、格子状遮蔽物の格子部に対応する基板上にはイオン化した蒸着物質、例えば一酸化珪素（ＳｉＯ）膜が形成されないので、必然的に格子ピッチに相当するＬＣＤパネルサイズに制限されることになり、例えば格子ピッチと基板上のＬＣＤパネルピッチとのアライメントが必要で、アライメント精度及び工数面で問題となり易い。
また、格子状遮蔽物以外に到達したイオン化した蒸発物質は蒸着チャンバー内部に付着し、剥がれ落ちたガラスゴミが基板に付着して画質欠陥となり得る。更に、蒸着チャンバー内部のガラス膜除去メンテナンス工数が大きくなってしまう。
【００１１】
本発明は、以上の点に鑑みて創案されたものであって、基板面内の膜厚ムラ等の場所的な均一性を確保する必要性から蒸発源の管理が重要であるという点に着目し、無機系配向膜の膜厚ムラを抑えつつ基板上の蒸着角度を均一にすると共に、チャンバー内部の汚れを低減して装置メンテナンス工数の低減を図ることができる蒸着源装置及び蒸着基板の製造装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明に係る斜方蒸着装置は、蒸着材料を収納する凹部が形成された蒸着源るつぼと、水平面と所定角度をなす側面を有する略漏斗形状の内部キャップ及び外部キャップを備える斜方蒸着装置であって、前記内部キャップは、前記凹部の上方に配置され、前記外部キャップは、同外部キャップの側面が前記蒸着源るつぼを囲繞する様に配置されている。
【００１３】
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る蒸着基板の製造装置は、蒸着材料を収納する凹部が形成された蒸着源るつぼと、水平面と所定角度をなす側面を有する略漏斗形状の内部キャップ及び外部キャップと、前記凹部と前記内部キャップの側面及び前記外部キャップの側面の間隙とを結ぶ直線上に基板を位置せしめる基板ホルダーを備える蒸着基板の製造装置であって、前記内部キャップは、前記凹部の上方に配置され、前記外部キャップは、同外部キャップの側面が前記蒸着源るつぼを囲繞する様に配置され、前記基板ホルダーは、前記凹部のまわりを回転する様に構成されている。
【００１４】
ここで、凹部の上方に配置された内部キャップ及び側面が蒸着源るつぼを囲繞する様に配置された外部キャップによって、蒸着粒子の進行方向を制御することができる。
【００１５】
また、内部キャップの側面が水平面となす角度と外部キャップの側面が水平面となす角度が略同一であることが好ましい。これにより、蒸着粒子の進行方向の制御を精度良く行うことができるからである。
【００１６】
更に、凹部の側面が水平面となす角度は、内部キャップの側面が水平面となす角度及び外部キャップの側面が水平面となす角度と略同一であることが好ましい。これにより、蒸着粒子の進行方向の制御を一層精度良く行うことができるからである。
【００１７】
また、内部キャップ及び外部キャップに偏向電極が形成された方が好ましい。それぞれの偏向電極に任意の偏向電圧を印加することで発生した偏向電界によって蒸着粒子にクーロン力を与え、蒸着粒子の進行方向を曲げることにより、蒸着粒子の進行方向の制御を容易かつ精度良く行うことができるからである。
特に、蒸着粒子の進行方向を蒸発源で制御することができるために、小さい偏向電界で基板に蒸着物質が入射する角度をコントロールできるので効率がよい。
【００１８】
更に、内部キャップ及び外部キャップのうち少なくとも一方は、無電解メッキ法及び電解メッキ法により複数の偏向電極が形成されることが好ましい。これにより、蒸着粒子の進行方向の制御を一層容易かつ精度良く行うことができるからである。
【００１９】
また、無電解メッキ法及び電解メッキ法により複数の偏向電極が形成された内部キャップが複数形成されることが好ましい。これにより、蒸着粒子の進行方向の制御を更に容易かつ精度良く行うことができるからである。
【００２０】
更に、内部キャップ及び外部キャップのうち少なくとも一方は、真空蒸着膜またはスパッタリング膜のエッチングにより複数の偏向電極が形成されることが好ましい。
【００２１】
また、真空蒸着膜またはスパッタリング膜のエッチングにより複数の偏向電極が形成された内部キャップが複数形成されることが好ましい。これにより、蒸着粒子の進行方向の制御を更に容易かつ精度良く行うことができるからである。
【００２２】
ここで、基板ホルダーにより凹部と内部キャップの側面及び外部キャップの側面の間隙とを結ぶ直線上に基板を位置せしめることによって、蒸着粒子の進行方向上に基板を位置せしめることができる。
【発明の効果】
【００２３】
上記した本発明の斜方蒸着装置及び蒸着基板の製造装置では、蒸着粒子の進行方向を制御することができ、液晶配向用のガラス微粒子の配列ムラが低減するので、色ムラが低減し、コントラスト、視野角特性が向上する。
【００２４】
また、偏向電界により蒸着粒子の進行方向を任意に制御することによって、基板に蒸着物質が入射する角度をコントロールし、無機系配向膜の膜厚ムラを抑えつつ基板上の蒸着角度を均一にすることで、耐光性、耐熱性を持ち、優れた表示品位を有する液晶表示装置を実現することができる。
【００２５】
更に、蒸着粒子の進行方向を蒸発源で制御することができるために、小さい偏向電界で基板に蒸着物質が入射する角度をコントロールできるので効率がよい。
更に、蒸着粒子の進行方向を蒸発源で制御することができるために、蒸着チャンバー内部のガラス付着面積が減少するので、ガラス膜除去のメンテナンス工数が減少し、装置メンテナンス工数削除に伴って生産性の向上を図ることができる。
【００２６】
また、蒸発源るつぼの上方に配置された内部キャップに付着した蒸着材料の再利用が可能であり、蒸着材料の効率的使用ができ、蒸着材料のコストダウンを図ることができる。
【００２７】
また、内部キャップ及び外部キャップの開口角度を制御、例えば９０°に大きくすることによって、基板のセット位置を低くすることができ、蒸着チャンバーの高さを低くすることが可能となり、蒸着チャンバーの容積の小さい蒸着装置が可能となり、装置メンテナンス工数が削減し、生産性が向上し、安価な蒸着基板の製造装置を実現することができる。
【００２８】
また、基板ホルダーが凹部のまわりを回転する様に構成されたことによって、適当な速度で基板ホルダーを回転（公転）させて、公転方向ベクトルと蒸着源からの蒸着粒子の進行方向ベクトルで決まる蒸着角度で蒸着物質を蒸着することができる。
これにより蒸着角度の制御が容易となりムラ低減が実現し、基板ホルダー数が増加するので生産性向上する。
更に、適当な速度で基板ホルダーを公転させて均一な超微細結晶あるいは非結晶の下地膜を形成した後、公転を停止させて所望の蒸着角度で蒸着物質を蒸着することができる。これにより更に下地膜の制御による蒸着角度の制御が容易となりムラ低減が実現し、基板ホルダー数が増加するので生産性向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
図１は本発明を適用した蒸着基板の製造装置の一例を説明するための模式図であり、ここで示す蒸着基板の製造装置は、蒸着チャンバー１９内に、蒸着粒子の発生源である蒸着源１、蒸着源に収納された蒸着材料を電子ビーム加熱によりイオン化するエレクトロンビーム（ＥＢ）発生・制御器２、蒸着源からの蒸着粒子の蒸着対象であるＴＦＴ基板若しくは対向基板１０を装着する基板ホルダー３が形成されている。
【００３０】
さて、蒸着源は、図２に示す様に、蒸着材料を収納する凹部４が形成された蒸着源るつぼ５と、図２中符号αで示す開口角度が６０°であり、図２中符号φ１で示す水平面となす角度が６０°である側面を有する漏斗形状のアルミナセラミックス製の内部キャップ６と、図２中符号βで示す開口角度が６０°であり、図２中符号φ２で示す水平面となす角度が６０°である側面を有する漏斗形状のアルミナセラミックス製の外部キャップ７から構成される。また、内部キャップは、るつぼにネジ止め等によって取り付けられた支持棒８によって凹部の上方に位置する様に支持されており、外部キャップは、その側面が蒸着源るつぼを囲繞する様に配置されている。なお、図２中符号γで示す凹部の開口角度も内部キャップ及び外部キャップと同様に６０°となる様に形成され、凹部の側面も図２中符号φ３で示す水平面となす角度が６０°となる様に形成されている。
【００３１】
ここで、内部キャップは凹部の上方に位置する様に配置されれば充分であり、必ずしもるつぼに取り付けられた支持棒によって支持される必要は無く、図３に示す様に、外部キャップに取り付けられた支持板９によって凹部の上方に位置する様に支持されていても構わない。
【００３２】
また、イオン化した蒸着物質にクーロン力を印加し、蒸着物質の進行方向を任意に曲げて、蒸着角度の制御を容易にすべく、内部キャップ及び外部キャップに偏向電極を設けた方が好ましい。以下、（Ａ）内部キャップに複数の偏向電極を設ける場合（Ｂ）外部キャップに複数の偏向電極を設ける場合（Ｃ）内部キャップ及び外部キャップに複数の偏向電極を設ける場合について説明する。
【００３３】
（Ａ）内部キャップに複数の偏向電極を設ける場合
図４で示す様に、内部キャップに複数の偏向電極を設ける場合、内部キャップは、アルミナセラミックスで漏斗型キャップを製作し、漏斗型キャップの外側に、無電解メッキ法及び電解メッキ法で偏向電極（１）１１、偏向電極（２）１２及び偏向電極（３）１３に必要な面積に金属薄膜を形成（例えば、絶縁表面である偏向電極間にレジスト塗布し、無電解メッキ法で例えば厚さ数μｍの無電解銅メッキ膜を形成し、その上に電解メッキ法で厚さ１０〜２０μｍの電解銅メッキ膜、３〜５μｍの電解ニッケルメッキ膜を形成）する。次に、レジストを剥離洗浄して、ベーキングしてメッキ膜の接着力を向上させた後、ガラス蒸着して漏斗型キャップの外面にガラス薄膜の絶縁膜を形成する。
一方、外部キャップは、金属成形でＳＵＳ、Ｆｅ等の金属シートを漏斗型キャップに形成して偏向電極（４）１４とする。その後、ガラス蒸着して内面にガラス薄膜の絶縁膜を形成する。或いは、成形したアルミナセラミックスの内面に金属多層膜（例えば、無電解メッキ法で例えば厚さ数μｍの無電解銅メッキ膜を形成し、その上に電解メッキ法で厚さ１０〜２０μｍの電解銅メッキ膜、３〜５μｍの電解ニッケルメッキ膜など）を形成し、ガラス蒸着して内面にガラス薄膜の絶縁膜を形成して偏向電極（４）とする。
なお、図４ではるつぼにネジ止め等によって取り付けられた支持棒によって内部キャップが支持される場合を図示しているが、外部キャップに取り付けられた支持板によって内部キャップが支持されてもいても構わない。
【００３４】
（Ｂ）外部キャップに複数の偏向電極を設ける場合
図５で示す様に、外部キャップに複数の偏向電極を設ける場合、内部キャップは、金属成形でＳＵＳ、Ｆｅ等の金属シートを漏斗型に形成して偏向電極（５）１５とする。その後、ガラス蒸着して内面にガラス薄膜の絶縁膜を形成する。或いは、成形したアルミナセラミックスの外面に金属多層膜（例えば、無電解メッキ法で例えば厚さ数μｍの無電解銅メッキ膜を形成し、その上に電解メッキ法で厚さ１０〜２０μｍの電解銅メッキ膜、３〜５μｍの電解ニッケルメッキ膜など）を形成して偏向電極（５）とする。
一方、外部キャップは、アルミナセラミックスで漏斗型キャップを製作し、漏斗型キャップの内側に、無電解メッキ法及び電解メッキ法で偏向電極（６）１６、偏向電極（７）１７及び偏向電極（８）１８に必要な面積に金属薄膜（例えば、絶縁表面である偏向電極間に樹脂を塗布し、無電解メッキ法で例えば厚さ数μｍの無電解銅メッキ膜を形成し、その上に電解メッキ法で厚さ１０〜２０μｍの電解銅メッキ膜、３〜５μｍの電解ニッケルメッキ膜など）を形成する。次に、樹脂を剥離洗浄して、ベーキングしてメッキ膜の接着力を向上させた後、ガラス蒸着して漏斗型キャップの内面にガラス薄膜の絶縁膜を形成する。
なお、図５ではるつぼにネジ止め等によって取り付けられた支持棒によって内部キャップが支持される場合を図示しているが、外部キャップに取り付けられた支持板によって内部キャップが支持されてもいても構わない。
【００３５】
（Ｃ）内部キャップ及び外部キャップに複数の偏向電極を設ける場合
図６で示す様に、内部キャップ及び外部キャップに複数の偏向電極を設ける場合、内部キャップは、アルミナセラミックスで漏斗型キャップを製作し、漏斗型キャップの外側に、無電解メッキ法及び電解メッキ法で偏向電極（１）、偏向電極（２）及び偏向電極（３）に必要な面積に金属薄膜（例えば、絶縁表面である偏向電極間にレジストを塗布し、無電解メッキ法で例えば厚さ数μｍの無電解銅メッキ膜を形成し、その上に電解メッキ法で厚さ１０〜２０μｍの電解銅メッキ膜、３〜５μｍの電解ニッケルメッキ膜など）を形成する。次に、レジストを剥離除去して、ベーキングしてメッキ膜の接着力を向上させた後、ガラス蒸着して漏斗型キャップの外面にガラス薄膜の絶縁膜を形成する。
一方、外部キャップは、アルミナセラミックスで漏斗型キャップを製作し、漏斗型キャップの内側に、無電解メッキ法及び電解メッキ法で偏向電極（６）、偏向電極（７）及び偏向電極（８）に必要な面積に金属薄膜（例えば、絶縁表面である偏向電極間にレジストを塗布し、無電解メッキ法で例えば厚さ数μｍの無電解銅メッキ膜を形成し、その上に電解メッキ法で厚さ１０〜２０μｍの電解銅メッキ膜、３〜５μｍの電解ニッケルメッキ膜など）を形成する。次に、レジストを剥離洗浄して、ベーキングしてメッキ膜の接着力を向上させた後、ガラス蒸着して漏斗型キャップの内面にガラス薄膜の絶縁膜を形成する。
なお、図６ではるつぼにネジ止め等によって取り付けられた支持棒によって内部キャップが支持される場合を図示しているが、外部キャップに取り付けられた支持板によって内部キャップが支持されてもいても構わない。
【００３６】
また、基板ホルダーは、凹部と内部キャップの側面及び外部キャップの側面の間隙２０とを結ぶ図１中符号Ａで示す直線上に基板を位置できるように構成されている。また、基板ホルダーは、凹部のまわりを回転できる様に構成されている。
【００３７】
上記した様な蒸着基板の製造装置を用いて基板上に蒸着粒子を積層する場合には、図７で示す様に、るつぼに形成された凹部に例えばＳｉＯ等の蒸着物質２１を収納し、ＥＢ発生・制御器による電子ビーム２２の加熱により蒸着物質をイオン化する。イオン化された蒸着粒子は、開口角度が６０°の蒸発源るつぼの凹部、内部キャップ及び外部キャップの側面によって図７中符号Ｂで示す凹部と内部キャップの側面及び外部キャップの側面の間隙とを結ぶ方向に進行方向が制御され、図７中符号δで示す基板表面となす角度が６０°となる方向に進行する。
【００３８】
以下、内部キャップ及び外部キャップに偏向電極を設け、クーロン力により蒸着粒子の蒸着角度の制御を行う場合について説明を行う。
【００３９】
（Ａ）内部キャップに複数の偏向電極を設ける場合
図４で示す様に、内部キャップに複数の偏向電極を設ける場合には、基板上に所望の蒸着角度で蒸着粒子が積層する様に、任意の偏向電圧をそれぞれの偏向電極に印加する。偏向電圧の印加例を表１に示す。なお、偏向電極（３）及び偏向電極（４）は、蒸着チャンバーや蒸着源との絶縁問題のために０Ｖが好ましい。更に、内部キャップをるつぼに取り付けられた支持棒で支持するときには偏向電極（３）及び偏向電極（４）は０Ｖが好ましい。
【００４０】
【表１】
2005206914.tif 000003
【００４１】
（Ｂ）外部キャップに複数の偏向電極を設ける場合
図５で示す様に、外部キャップに複数の偏向電極を設ける場合には、基板上に所望の蒸着角度で蒸着粒子が積層する様に、任意の偏向電圧をそれぞれの偏向電極に印加する。偏向電圧の印加例を表２に示す。なお、偏向電極（５）及び偏向電極（８）は、蒸着チャンバーや蒸着源との絶縁問題のために０Ｖが好ましい。更に、内部キャップをるつぼに取り付けられた支持棒で支持するときには偏向電極（５）及び偏向電極（８）は０Ｖが好ましい。
【００４２】
【表２】
2005206914.tif 000004
【００４３】
（Ｃ）内部キャップ及び外部キャップに複数の偏向電極を設ける場合
図６で示す様に、内部キャップ及び外部キャップに複数の偏向電極を設ける場合には、基板上に所望の蒸着角度で蒸着粒子が積層する様に、任意の偏向電圧をそれぞれの偏向電極に印加する。偏向電圧の印加例を表３に示す。なお、偏向電極（３）及び偏向電極（８）は、蒸着チャンバーや蒸着源との絶縁問題のために０Ｖが好ましい。更に、内部キャップをるつぼに取り付けられた支持棒で支持するときには偏向電極（３）及び偏向電極（８）は０Ｖが好ましい。
【００４４】
【表３】
2005206914.tif 000005
【００４５】
なお、上記の実施例では複数の偏向電極が形成された内部キャップが１つだけ形成された例を挙げて説明を行ったが、複数の偏向電極が形成された内部キャップが複数（二重、三重等）形成され、電界のクーロン力作用による蒸着物質の蒸着角度の制御の度合いを高めても良い。
【００４６】
尚、上記の実施例では上記の偏向電圧を印加したが、蒸着源と基板ホルダーの距離、基板への蒸着粒子の入射角度に応じて任意の偏向電圧を印加させてもよいことは言うまでもない。
特に、蒸着粒子の進行方向を蒸発源で制御することができるために、小さい偏向電界で基板に蒸着物質が入射する角度をコントロールできるので効率がよい。
【００４７】
上記本発明の実施例では、斜方蒸着を行う場合に、例えばガラス粒子等の蒸着粒子の進行方向を図７中符号Ｂで示す方向に制御することができるために、基板ホルダーを停止した状態で蒸着を行った場合には、蒸着粒子の進行方向によって決定付けられる蒸着角度で精度良く蒸着を行うことができ、基板ホルダーを適当な速度で公転させた状態で蒸着を行った場合には、公転方向と蒸着粒子の進行方向によって決定付けられる蒸着角度で精度良く蒸着を行うことができ、ＴＦＴ基板や対向基板に形成する液晶配向用のガラス微粒子の配列ムラを低減することができて色ムラが低減し、コントラスト、視野角特性が向上すると同時に、基板ホルダー数を増加して生産性向上が可能となる。
【００４８】
また、内部キャップ及び外部キャップに偏向電極を設け、それぞれに任意の偏向電圧を印加することで発生した偏向電界により蒸着物質にクーロン力を与え、蒸着物質の進行方向を曲げることによって、ＴＦＴ基板や対向基板に蒸着物質が入射する角度をコントロールすることができ、無機系配向膜の膜厚ムラを抑えつつ基板上の蒸着角度を均一にすることができ、耐光性、耐熱性を持ち、優れた表示品質を有する液晶表示装置を実現することができる。
【００４９】
更に、蒸発源るつぼの直上に漏斗型の内部キャップが配置されており、この内部キャップに付着した蒸着材料は再び凹部に戻ることが可能であるために、蒸着材料の再利用が実現し、蒸着材料のコストダウンを図ることができる。
【００５０】
また、蒸着粒子の進行方向を図７中符号Ｂで示す方向に制御することができるために、蒸着チャンバー内部に図７中符号Ｃで示す蒸着膜が形成されにくい領域と図７中符号Ｄで示す蒸着膜が形成されやすい領域が存在し、蒸着チャンバー内部の全面に蒸着膜が形成されていた従来と比較して、蒸着チャンバー内部のガラス付着面積が減少するので、ガラス膜除去のメンテナンス工数が減少し、装置メンテナンス工数削減ができるので生産性の向上を図ることができる。
【００５１】
また、蒸発源るつぼの凹部の開口角度、内部キャップの開口角度及び外部キャップの開口角度を任意に制御し、低い位置のＴＦＴ基板または対向基板に斜方蒸着を行うことによって、蒸着チャンバーの高さを低くして蒸着装置の小型化と低価格化を図ることができる。
【００５２】
尚、本実施例では内部キャップ及び外部キャップのアルミナセラミックス材に選択的な無電解メッキ法及び電解メッキ法による偏向電極形成を示したが、蒸着膜またはスパッタリング膜を形成した後に選択的にエッチングして偏向電極形成してもよいことは言うまでもない。
例えば、アルミナセラミックスで漏斗型キャップを製作し、漏斗型キャップの外側全面に真空蒸着またはスパッタリング法により銅膜１〜５μｍとニッケル膜１〜５μｍの金属積層膜を形成し、汎用フォトリソグラフィ＆エッチング技術により例えば偏向電極（１）、偏向電極（２）及び偏向電極（３）を形成し、全面にガラス蒸着形成して層間絶縁膜とし、ベーキングして金属積層膜の接着力を向上させることで偏向電極を形成する。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明を適用した蒸着基板の製造装置の一例を説明するための模式図である。
【図２】本発明を適用した蒸着源装置の一例を説明するための模式図である。
【図３】蒸着源装置の変形例を説明するための模式図である。
【図４】偏向電極が形成された内部キャップ及び外部キャップを説明するための模式図（１）である。
【図５】偏向電極が形成された内部キャップ及び外部キャップを説明するための模式図（２）である。
【図６】偏向電極が形成された内部キャップ及び外部キャップを説明するための模式図（３）である。
【図７】基板上への蒸着粒子の積層を説明するための模式図である。
【図８】従来の蒸着基板の製造装置を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  蒸着源
２  エレクトロンビーム発生・制御器
３  基板ホルダー
４  凹部
５  蒸着源るつぼ
６  内部キャップ
７  外部キャップ
８  支持棒
９  支持板
１０  ＴＦＴ基板若しくは対向基板
１１  偏向電極（１）
１２  偏向電極（２）
１３  偏向電極（３）
１４  偏向電極（４）
１５  偏向電極（５）
１６  偏向電極（６）
１７  偏向電極（７）
１８  偏向電極（８）
１９  蒸着チャンバー
２０  間隙
２１  蒸着物質
２２  電子ビーム
【図１】
2005206914.tif 000006
【図２】
2005206914.tif 000007
【図３】
2005206914.tif 000008
【図４】
2005206914.tif 000009
【図５】
2005206914.tif 000010
【図６】
2005206914.tif 000011
【図７】
2005206914.tif 000012
【図８】
2005206914.tif 000013