(57)【要約】  【課題】入力画像信号データのデジタル化を可能としつつ、液晶パネルの組み立てコストを削減する。  【解決手段】ＴＦＴ画素スイッチ３と信号電圧印加手段のＴＦＴとを、ホトレジスト工程で、一括露光と繰返し露光との組み合わせで加工する。或いは前者のゲート絶縁膜を厚くする。或いは前者のPoly−Ｓｉ粒径を大きくする。【選択図】図１
2005292844.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面基板上にマトリクス状に設けられ、液晶を駆動するための画素電極と画素電極を信号線に対してオンまたはオフするための画素スイッチとして機能する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを有する表示画素と、上記信号線に信号電圧を印加するための、信号電圧印加手段と、上記画素スイッチを選択或いは走査するための画素選択手段とを有する画像表示装置において、上記表示画素群における上記ＴＦＴ画素スイッチ群は、その形状を形成する際のホトレジスト工程において、全体を一括露光することによって加工されており、上記信号電圧印加手段は同一構造からなる複数のブロックに分けられており、さらに上記信号電圧印加手段のブロックはＴＦＴをその主要構成要素として含んでおり、上記信号電圧印加手段のブロックのＴＦＴの形状を形成する際のホトレジスト工程においては、上記信号電圧印加手段のＴＦＴは各単一ブロック或いは複数のブロック毎に繰返し露光することによって加工されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１において、上記一括露光時には等倍投影露光装置を用い、上記各信号電圧印加手段における単一ブロック毎或いは複数のブロック毎の繰返し露光時には縮小投影露光装置を用いる画像表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、上記信号電圧印加手段における配線部分は、その形状を形成する際のホトレジスト工程において、各上記繰返しブロック毎の繰返し露光によって規定される部分と、表示画素マトリクスにおける配線部分と同時に一括露光によって規定される部分とから合成されている画像表示装置。
【請求項４】
平面基板上にマトリクス状に設けられ、液晶を駆動するための画素電極と画素電極を信号線に対してオンまたはオフするための画素スイッチとして機能する
ＴＦＴとを有する表示画素と、上記信号線に信号電圧を印加するための信号電圧印加手段と、上記画素スイッチを選択或いは走査するための画素選択手段とを有する画像表示装置において、上記信号電圧印加手段はＴＦＴをその主要構成要素として含んでおり、上記表示画素における上記ＴＦＴ画素スイッチのゲート絶縁膜が、上記信号電圧印加手段におけるＴＦＴのゲート絶縁膜より実効的に厚く形成されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
請求項４において、上記ＴＦＴ画素スイッチが半導体薄膜とその上に積層された第一のゲート絶縁膜とさらにその上に積層された第二のゲート絶縁膜とさらにその上にゲート電極を有し、上記信号電圧印加手段のＴＦＴが上記半導体薄膜とその上に第一のゲート絶縁膜を介さずに積層された第二のゲート絶縁膜とさらにその上にゲート電極を有している画像表示装置。
【請求項６】
請求項４において、上記画素選択手段はＴＦＴをその主要構成要素として含んでおり、上記画素選択手段の一部のＴＦＴのゲート絶縁膜厚は、上記画素選択手段の他のＴＦＴのゲート絶縁膜厚はより実効的に厚く形成されている画像表示装置。
【請求項７】
平面基板上にマトリクス状に設けられ、液晶を駆動するための画素電極と画素電極を信号線に対してオンまたはオフするための画素スイッチとして機能する
ＴＦＴとを有する表示画素と、上記信号線に信号電圧を印加するための、信号電圧印加手段と、上記画素スイッチを選択或いは走査するための画素選択手段とを有する画像表示装置において、上記信号電圧印加手段はＴＦＴをその主要構成要素として含んでおり、上記表示画素における上記ＴＦＴ画素スイッチ及び上記信号電圧印加手段のＴＦＴは共にポリシリコン（Poly−Ｓｉ）薄膜をチャネル部分に用いて形成されたものであり、上記表示画素における上記ＴＦＴ画素スイッチのPoly−Ｓｉ薄膜の結晶粒径が、上記信号電圧印加手段におけるＴＦＴのPoly−Ｓｉ薄膜の結晶粒径より実効的に小さく形成されていることを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は画素部にＴＦＴスイッチを有し、液晶を用いた画像表示装置に関する
。
【背景技術】
【０００２】
以下、図６及び図７を用いて、従来の技術に関して説明する。
【０００３】
図６は第一の従来の技術を用いたＴＦＴ液晶表示パネルの説明図である。ガラス基板１００上にマトリクス状に配置された画素１０１（簡単のため、図中では一個の画素のみを破線で示した）には、液晶に信号電圧を印加するための画素電極１０２とアモルファスＳｉをチャネル部に用いたＴＦＴ画素スイッチ１０３が設けられており、ＴＦＴ画素スイッチ１０３のゲート及びソースはそれぞれアドレス線１０４とデータ線１０５に接続されている。アドレス線１０４及びデータ線１０５の端部には、それぞれＳｉ−ＬＳＩであるアドレス線駆動用ドライバ１０６及びデータ線駆動用ドライバ１０７が複数接続されている。アドレス線駆動用ドライバ１０６は基本的には垂直シフトレジスタ１０８で構成されている。またデータ線駆動用ドライバ１０７は、水平シフトレジスタ１０９によって選択されたタイミングで入力信号線１１６より入力されたデジタル信号データを記憶するメモリ１１０，メモリ１１０に記憶されたデジタル信号をアナログ信号に変換するＡＤ変換器１１１，ＡＤ変換器１１１の出力信号をガラス基板１００上のデータ線１０５に入力するための出力バッファ１１２より基本的に構成されている。なお共通電極１１８は、各画素電極１０２に対向し、液晶に信号電圧を印加するための電極である。
【０００４】
以下に本従来例の動作を説明する。入力信号線１１６よりデータ線駆動用ドライバ１０７に入力された画像信号データは水平シフトレジスタ１０９によって順次選択されたメモリ１１０に記憶され、ＡＤ変換器１１１及び出力バッファ112を介してアナログ信号としてデータ線１０５に出力される。このとき所定のアドレス線１０４がアドレス線駆動用ドライバ１０６内の垂直シフトレジスタ１０８によって選択され、選択されたアドレス線１０４に対応する行のＴＦＴ画素スイッチ１０３がオンすることにより、被選択行の画素１０１内の画素電極１０２にはデータ線１０５のアナログ信号が書き込まれる。液晶は画素電極１０２に書き込まれたアナログ電圧に応じてその光学特性を変化させるため、図面には省略した偏光膜やバックライトと組み合わせることにより、パネル上に画像を表示することが可能となる。
【０００５】
本従来例に関しては、非特許文献１等に詳しい。
【０００６】
図７は第二の従来の技術を用いたＴＦＴ液晶表示パネルの構成図である。ガラス基板１００上にマトリクス状に配置された画素１０１には、液晶に信号電圧を印加するための画素電極１０２とPoly−Ｓｉをチャネル部に用いたＴＦＴ画素スイッチ１１３が設けられており、ＴＦＴ画素スイッチ１１３のゲート及びソースはそれぞれアドレス線１０４とデータ線１０５に接続されている。アドレス線１０４の端部にはやはりPoly−Ｓｉ  ＴＦＴを用いた垂直シフトレジスタ１１４が設けられており、一方データ線１０５の端部にはPoly−Ｓｉ  ＴＦＴである入力ゲート１１５が設けられている。入力ゲート１１５のドレインは入力信号線１１６に接続されており、入力ゲート１１５のゲートにはPoly−Ｓｉ  ＴＦＴを用いた水平シフトレジスタ１１７が設けられている。
【０００７】
以下に本従来例の動作を説明する。アナログ信号として入力信号線１１６に入力された画像信号データは、水平シフトレジスタ１１７によって順次選択された入力ゲート１１５を介してデータ線１０５に出力される。このとき所定のアドレス線１０４が垂直シフトレジスタ１１４によって選択され、選択されたアドレス線１０４に対応する行のＴＦＴ画素スイッチ１１３がオンすることにより、被選択行の画素１０１内の画素電極１０２にはデータ線１０５のアナログ信号が書き込まれる。液晶は画素電極１０２に書き込まれたアナログ電圧に応じてその光学特性を変化させるため、図面には省略した偏光膜やバックライトと組み合わせることにより、パネル上に画像を表示することが可能となるのは第一の従来例と同様である。
【０００８】
本従来例に相当する例は、非特許文献２等が報告されている。
【０００９】
【非特許文献１】内田龍男編著「次世代液晶ディスプレイ技術」（工業調査会）
【００１０】
【非特許文献２】ソサエティー  フォー  インフォーメーション  ディスプレイ  インタナショナル  シンポジウム  ダイジェスト  オブ  テクニカル  ペーパーズ（Society for Information Display International Symposium Digest of Technical Papers）94, ８３から８６頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上記二つの従来技術では、それぞれに課題がある。すなわち、第一の従来技術では、パネルはガラス基板上に設けられたアモルファスＳｉ  ＴＦＴを用いた画素部とＳｉ−ＬＳＩを用いた周辺回路部とから構成されているため、パネル製造時には両者の組み立てコストが付加されてしまう。一方第二の従来技術では、パネルはガラス基板上に設けられたPoly−Ｓｉ  ＴＦＴで構成されているために上記組み立てコストは回避できるものの、入力信号画像信号データはアナログ信号である必要がある。アナログ信号はＳ／Ｎが劣化し易いため、第二の従来技術には画質の劣化という課題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記第二の従来技術では、特にデータ線を駆動する周辺回路部が画素部と基本的に同一構造のPoly−Ｓｉ  ＴＦＴで構成されているために、周辺回路部ではＳｉ−ＬＳＩを用いた場合のようなＡＤ変換器やメモリ等が構成できないことに上記課題の原因がある。画素部のＴＦＴには、液晶に高電圧を印加するために高耐圧であること、オフ時のリーク電流が小さいこと等が要求される。さらに大面積に形成するという制約があるために微細加工が困難であり、画素部のＴＦＴには性能の向上に限界があるためである。
【００１３】
そこで本発明では、平面基板上にマトリクス状に設けられ、液晶を駆動するための画素電極と画素電極を信号線に対してオンまたはオフするための画素スイッチとして機能するＴＦＴとを有する表示画素と、上記信号線に信号電圧を印加するための、信号電圧印加手段と、上記画素スイッチを選択或いは走査するための画素選択手段とを有する画像表示装置で、次の構成により上記課題を解決する。
１）上記表示画素群における上記ＴＦＴ画素スイッチ群は、その形状を形成する際のホトレジスト工程で、全体が一括露光することによって加工されており、さらに上記信号電圧印加手段は同一構造からなる複数のブロックに分けられており、信号電圧印加手段のブロックはＴＦＴをその主要構成要素として含んでおり、上記信号電圧印加手段ブロックのＴＦＴの形状を形成する際のホトレジスト工程では、上記信号電圧印加手段のＴＦＴは各単一ブロック或いは複数のブロック毎に繰返し露光することによって加工する。
２）上記信号電圧印加手段はＴＦＴをその主要構成要素として含んでおり、上記表示画素における上記ＴＦＴ画素スイッチのゲート絶縁膜が、上記信号電圧印加手段におけるＴＦＴのゲート絶縁膜より実効的に厚くなるように形成する。
３）上記信号電圧印加手段はＴＦＴをその主要構成要素として含んでおり、上記表示画素における上記ＴＦＴ画素スイッチ及び上記信号電圧印加手段のＴＦＴは共にPoly−Ｓｉ薄膜をチャネル部分に用いて形成されたものであり、さらに上記表示画素における上記ＴＦＴ画素スイッチのPoly−Ｓｉ薄膜の結晶粒径が、上記信号電圧印加手段におけるＴＦＴのPoly−Ｓｉ薄膜の結晶粒径より実効的に小さくなるように形成する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、組み立てコストの低減と、デジタル画像信号データ入力による高Ｓ／Ｎの確保とを両立させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
[実施例１]
【００１６】
以下、本発明の第一の実施例を図１から図４を用いて説明する。
【００１７】
図１は本発明によるＴＦＴ液晶表示パネルの説明図である。ガラス基板１００上にマトリクス状に配置された画素１には、液晶に信号電圧を印加するための画素電極２とPoly−Ｓｉをチャネル部に用いたＴＦＴ画素スイッチ３が設けられており、ＴＦＴ画素スイッチ３のゲート及びソースはそれぞれアドレス線４とデータ線５に接続されている。アドレス線４及びデータ線５の端部には、Poly−ＳｉＴＦＴを用いたアドレス線駆動ブロック６及びデータ線駆動ブロック７が複数設けられている。アドレス線駆動ブロック６は垂直シフトレジスタ８とアドレス線バッファ９とで構成されている。
【００１８】
またデータ線駆動ブロック７は、水平シフトレジスタ１０によって選択されたタイミングで入力信号線１１６より入力されたデジタル信号データを記憶するメモリ１１，メモリ１１に記憶されたデジタル信号をアナログ信号に変換するＡＤ変換器１２，ＡＤ変換器１２の出力信号をデータ線５に入力するためのデータ線バッファ１３より構成されている。なお図中では簡単のために画素数を４×４として示してあるが、本発明の適用には特に画素数に本質的な制約はない。
【００１９】
以下に本実施例の動作を説明する。入力信号線１１６よりデータ線駆動ブロック７に入力された画像信号データは水平シフトレジスタ１０によって順次選択されたメモリ１１に記憶され、ＡＤ変換器１２及びデータ線バッファ１３を介してアナログ信号としてデータ線５に出力される。このとき所定のアドレス線４がアドレス線駆動ブロック６内の垂直シフトレジスタ８によってデータ線バッファ１３を介して選択され、選択されたアドレス線４に対応する行のＴＦＴ画素スイッチ３がオンすることにより、被選択行の画素１内の画素電極２にはデータ線５のアナログ信号が書き込まれる。液晶は画素電極２に書き込まれたアナログ電圧に応じてその光学特性を変化させるため、図面には省略した偏光膜やバックライトと組み合わせることにより、パネル上に画像を表示する。
【００２０】
本実施例では、データ線駆動ブロック７やアドレス線駆動ブロック６は同一構造のものが複数個形成されており、これらの回路を構成するＴＦＴを形成する際のホトレジスト工程では、各単一ブロック或いは複数のブロック毎に繰返し露光することによって形成してある。これに関して、以下図２を用いて説明する。
【００２１】
図２は本実施例における、ＴＦＴ回路を形成する際のホトレジスト露光工程の説明図である。
図２（ａ）は、ＴＦＴ画素スイッチ３のゲート部をポジレジストを用いて露光する際の露光領域１５をハッチングで示したものであり、この領域は画素マトリクス部に相当する。ハッチングされていない領域は光を全く当てない領域である。画素加工時の露光領域は比較的大面積になるため、露光はアライナを用いた等倍露光装置によって行われる。
図２（ｂ）は、データ線駆動ブロック７及びアドレス線駆動ブロック６のゲート部をポジレジストを用いて露光する際の露光領域をハッチングで示したものであり、ハッチングされていない領域は光を全く当てない領域である。ここで図中の１７はデータ線駆動ブロック７内の露光を行う際のステッパ露光領域、１６はアドレス線駆動ブロック６内の露光を行う際のステッパ露光領域であり、それぞれデータ線駆動ブロック７及びアドレス線駆動ブロック６に対応する。
【００２２】
図では簡単化のために露光を各２回ずつとして示してあるが、いずれにしてもそれぞれ複数回の繰返し露光を行っている。このようにデータ線駆動ブロック７及びアドレス線駆動ブロック６の露光領域は比較的小面積である一方、性能向上の要求から加工ルールが微細になるため、露光はステッパを用いた縮小露光装置によって行われる。以上のＴＦＴ画素スイッチ３とデータ線駆動ブロック７及びアドレス線駆動ブロック６のＴＦＴゲート露光は連続して行われ、その後一括してエッチングを行う。
【００２３】
以上ではＴＦＴのゲート露光に関して述べたが、チャネルPoly−Ｓｉ薄膜露光，コンタクトホール露光等も必要に応じて同様にして形成することも可能である。
【００２４】
一方、図２（ｃ）は配線露光時の露光領域１６，１７，１８をハッチングで示したものである。配線加工時は、画素部の他にデータ線駆動ブロック７及びアドレス線駆動ブロック６内外にも一括して（１８）形成した方が、各ブロック間の接続が確実である。データ線駆動ブロック７及びアドレス線駆動ブロック６内の配線容量の低減を図るために、各ブロック内の配線部（１６，１７）は図２(ｂ)で説明した場合と同様にしてステッパで形成して組み合わせてある。
【００２５】
また本実施例では、ＴＦＴ画素スイッチ３のゲート絶縁膜厚は、データ線駆動ブロック７及びアドレス線駆動ブロック６のＴＦＴのゲート絶縁膜厚より厚く形成されている。今回のゲート絶縁膜に関しては、具体的にはＴＦＴ画素スイッチ３のゲート絶縁膜は膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2 、データ線駆動ブロック７及びアドレス線駆動ブロック６のＴＦＴのゲート絶縁膜は膜厚５０ｎｍのＳｉＯ2 である。これはＴＦＴ画素スイッチ３には液晶駆動用の比較的大電圧が印加されるために高耐圧が要求されるのに対して、データ線駆動ブロック７及びアドレス線駆動ブロック６内部は消費電力低減の面からも低電圧駆動で十分なオン電流がとれることが望ましいからである。これに関して、以下図３を用いて説明する。
【００２６】
図３は本実施例における、ＴＦＴ断面構造の説明図である。図３(ａ)はＴＦＴ画素スイッチ３の断面、図３（ｂ）はデータ線駆動ブロック７もしくはアドレス線駆動ブロック６内部のＴＦＴの断面である。ＴＦＴはガラス基板１００上にバッファ膜２４を介して形成されている。図に示したように、ＴＦＴ画素スイッチ３はチャネルPoly−Ｓｉ薄膜２０とゲート電極２３との間に第一層ゲート絶縁膜２１と第二層ゲート絶縁膜２２とを有しているが、データ線駆動ブロック７及びアドレス線駆動ブロック６内部のＴＦＴは第二層ゲート絶縁膜２２しか有していない。これは第一層ゲート絶縁膜２１をチャネルPoly−Ｓｉ薄膜２０上に形成した後に、レジストマスクを用いてデータ線駆動ブロック７及びアドレス線駆動ブロック６内部のＴＦＴに相当する部分の第一層ゲート絶縁膜２１を除去することによって実現したものである。
【００２７】
なお、データ線駆動ブロック７及びアドレス線駆動ブロック６内部のＴＦＴの絶縁膜を、第一層ゲート絶縁膜２１のみで形成することも、原理的には可能である。
【００２８】
なお、以上ではデータ線駆動ブロック７及びアドレス線駆動ブロック６のTFTゲート絶縁膜厚は均一であるとしたが、アドレス線バッファ９を構成するＴＦＴにも、回路構成次第ではデータ線駆動ブロック７及びアドレス線駆動ブロック６内部のＴＦＴより高電圧が印加される場合がある。このような場合には、アドレス線バッファ９を構成するＴＦＴにも、必要に応じてＴＦＴ画素スイッチ３と同様なゲート絶縁膜構造を用いた方が良い。
【００２９】
また以上では両ＴＦＴの実効膜厚差はゲート絶縁膜厚を変えて実現したが、
ＳｉＯ2 とＳｉ3Ｎ4等の誘電率の異なる絶縁膜を用いることによって実現しても良い。
【００３０】
さらに本実施例では、ＴＦＴ画素スイッチ３のチャネルPoly−Ｓｉ薄膜２０の結晶粒径は、データ線駆動ブロック７及びアドレス線駆動ブロック６のＴＦＴのチャネルPoly−Ｓｉ薄膜２０の結晶粒径よりも小さく形成した。これはＴＦＴ画素スイッチ３は液晶駆動用の電荷を画素電極２に閉じ込めておく機能が要求されるため、オフ時には低リーク電流を示すことが望ましいからである。一般に結晶粒径が小さい方がPoly−Ｓｉ  ＴＦＴのオン電流は小さくなるものの、オフ時リーク電流も小さくなる。これに関して、以下図４を用いて説明する。
【００３１】
図４は本実施例における、ＴＦＴ断面を用いたPoly−Ｓｉ薄膜２０の結晶粒径の説明図である。図４（ａ）はＴＦＴ画素スイッチ３の断面、図４（ｂ）はデータ線駆動ブロック７もしくはアドレス線駆動ブロック６内部のＴＦＴの断面である。図に示したように、ＴＦＴ画素スイッチ３のチャネルPoly−Ｓｉ薄膜２０ａの結晶粒径は、データ線駆動ブロック７及びアドレス線駆動ブロック６内部の
ＴＦＴのチャネルPoly−Ｓｉ薄膜２０ｂの結晶粒径よりも小さい。これはレーザアニールを用いてアモルファスＳｉ膜をPoly−Ｓｉ結晶化する際に、ＴＦＴ画素スイッチ３のチャネル相当部よりもデータ線駆動ブロック７及びアドレス線駆動ブロック６内部のＴＦＴのチャネル相当部により大きなレーザエネルギを与えることによって実現が可能である。
[実施例２]
【００３２】
以下、本発明の第二の実施例を図５を用いて説明する。
【００３３】
図５は本発明による画像表示装置の一構成図である。ガラス基板１００上には無線インターフェース回路部３１が設けられており、これにはマイクロプロセサ３２が接続されている。マイクロプロセサ３２にはメモリ３３と表示ドライバ
３４が接続されており、さらに表示ドライバ３４には前述の本発明の第一の実施例による表示パネル３０が接続されている。ここで無線インターフェース回路部３１，マイクロプロセサ３２及びメモリ３３はＳｉ−ＬＳＩ、および必要に応じて化合物半導体チップを併せて実装したものであるが、表示ドライバ３４，本発明の第一の実施例３０、さらにこれらの配線手段等は、本発明の第一の実施例の表示パネル３０と同一のPoly−Ｓｉ  ＴＦＴプロセスを用いて形成したものである。
【００３４】
以下に本実施例の動作を説明する。無線インターフェース回路部３１は、セルラ無線信号、或いは構内ＬＡＮ無線信号等を入出力し、そのデータのやりとりをマイクロプロセサ３２との間で行う。マイクロプロセサ３２は必要に応じて画像を含むデータをメモリ３３に格納する一方、表示ドライバ３４を介して表示パネル３０に画像を表示する。本実施例はこのようにしてインター／イントラネットビューアとして機能する。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
入力画像信号データのデジタル化を可能としつつ、液晶パネルの組み立てコストを削減した画像表示装置を得るため、ＴＦＴ画素スイッチ３と信号電圧印加手段のＴＦＴとを、ホトレジスト工程で、一括露光と繰返し露光との組み合わせで加工する。或いは前者のゲート絶縁膜を厚くする。或いは前者のPoly−Ｓｉ粒径を大きくする。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の第一の実施例における画像表示装置の説明図。
【図２】本発明の第一の実施例におけるＴＦＴ回路形成の際のホトレジスト露光工程の説明図。
【図３】本発明の第一の実施例におけるＴＦＴ断面構造の説明図。
【図４】本発明の第一の実施例におけるPoly−Ｓｉ薄膜結晶粒径の説明図。
【図５】本発明の第二の実施例における画像表示装置の説明図。
【図６】第一の従来例のＴＦＴ液晶表示パネルの説明図。
【図７】第二の従来例のＴＦＴ液晶表示パネルの説明図。
【符号の説明】
【００３７】
２…画素電極、３…ＴＦＴ画素スイッチ、４…アドレス線、５…データ線、６…アドレス線駆動ブロック、７…データ線駆動ブロック、８…垂直シフトレジスタ、９…アドレス線バッファ、１０…水平シフトレジスタ、１１…メモリ、１２…ＡＤ変換器、１３…データ線バッファ。
【図１】
2005292844.tif 000003
【図２】
2005292844.tif 000004
【図３】
2005292844.tif 000005
【図４】
2005292844.tif 000006
【図５】
2005292844.tif 000007
【図６】
2005292844.tif 000008
【図７】
2005292844.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月19日(2005.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面基板上にマトリクス状に設けられ、画素電極と該画素電極を信号線に対してオンまたはオフするための画素スイッチとして機能する薄膜トランジスタ（TFT）とを有する表示画素と、上記信号線に信号電圧を印加するための信号電圧印加手段と、上記画素スイッチを選択或いは走査するための画素選択手段とを有する画像表示装置において、上記信号電圧印加手段はTFTをその主構成要素として含んでおり、上記表示画素における上記TFT画素スイッチ及び上記信号電圧印加手段のTFTは共にポリシリコン（Poly-Si）薄膜をチャネル部分に用いて形成されたものであり、上記表示画素における上記TFT画素スイッチのPoly-Si薄膜の結晶化と、上記信号電圧印加手段におけるTFTのPoly-Si薄膜の結晶化にはレーザ結晶化プロセスが用いられており、更に上記信号電圧印加手段における少なくとも一部のTFTのPoly-Si薄膜の結晶化プロセスにおけるレーザ照射エネルギーが、上記表示画素における上記TFT画素スイッチのPoly-Si薄膜の結晶化プロセスにおけるレーザ照射エネルギーよりも大きいことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１において、上記信号電圧印加手段における少なくとも一部のTFTのPoly-Si薄膜の結晶化プロセスにおける結晶素材膜と、上記表示画素における上記TFT画素スイッチのPoly-Si薄膜の結晶化プロセスにおける結晶素材膜とが共にアモルファスSi薄膜であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
請求項１において、上記信号電圧印加手段における少なくとも一部のTFTのPoly-Si薄膜の結晶粒径が、上記表示画素における上記TFT画素スイッチのPoly-Si薄膜の結晶粒径よりも実質的に大きいことを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
請求項１において、上記信号電圧印加手段におけるTFTの加工ルールは上記表示画素における画素スイッチTFTの加工ルールよりも微細であることを特徴とする画像表示装置。  
【請求項５】
請求項１において、上記表示画素におけるTFT画素スイッチのゲート絶縁膜の誘電率は、上記信号電圧印加手段におけるTFTのゲート絶縁膜の誘電率より小さいことを特徴とする画像表示装置。  
【請求項６】
平面基板上にマトリクス状に設けられ、画素電極と該画素電極を信号線に対してオンまたはオフするための画素スイッチとして機能する薄膜トランジスタ（TFT）とを有する表示画素と、上記信号線に信号電圧を印加するための信号電圧印加手段と、上記画素スイッチを選択或いは走査するための画素選択手段とを有する画像表示装置において、上記信号電圧印加手段はメモリを有し、該メモリはTFTをその主構成要素として含んでおり、上記表示画素における上記TFT画素スイッチ及び上記信号電圧印加手段のTFTは共にポリシリコン（Poly-Si）薄膜をチャネル部分に用いて形成されたものであり、上記表示画素における上記TFT画素スイッチのPoly-Si薄膜の結晶化と、上記信号電圧印加手段におけるTFTのPoly-Si薄膜の結晶化にはレーザ結晶化プロセスが用いられており、更に上記信号電圧印加手段における少なくとも一部のTFTのPoly-Si薄膜の結晶化プロセスにおけるレーザ照射エネルギーが、上記表示画素における上記TFT画素スイッチのPoly-Si薄膜の結晶化プロセスにおけるレーザ照射エネルギーよりも大きいことを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
平面基板上にマトリクス状に設けられ、画素電極と該画素電極を信号線に対してオンまたはオフするための画素スイッチとして機能する薄膜トランジスタ（TFT）とを有する表示画素と、上記信号線に信号電圧を印加するための信号電圧印加手段と、上記画素スイッチを選択或いは走査するための画素選択手段とを有する画像表示装置において、上記信号電圧印加手段はデジタル信号をアナログ信号に変換する変換器を有し、該デジタル信号をアナログ信号に変換する変換器はTFTをその主構成要素として含んでおり、上記表示画素における上記TFT画素スイッチ及び上記信号電圧印加手段のTFTは共にポリシリコン（Poly-Si）薄膜をチャネル部分に用いて形成されたものであり、上記表示画素における上記TFT画素スイッチのPoly-Si薄膜の結晶化と、上記信号電圧印加手段におけるTFTのPoly-Si薄膜の結晶化にはレーザ結晶化プロセスが用いられており、更に上記信号電圧印加手段における少なくとも一部のTFTのPoly-Si薄膜の結晶化プロセスにおけるレーザ照射エネルギーが、上記表示画素における上記TFT画素スイッチのPoly-Si薄膜の結晶化プロセスにおけるレーザ照射エネルギーよりも大きいことを特徴とする画像表示装置。
【請求項８】
平面基板上にマトリクス状に設けられ、画素電極と該画素電極を信号線に対してオンまたはオフするための画素スイッチとして機能する薄膜トランジスタ（TFT）とを有する表示画素と、上記信号線に信号電圧を印加するための信号電圧印加手段と、上記画素スイッチを選択或いは走査するための画素選択手段とを有する画像表示装置において、上記信号電圧印加手段はバッファ回路を有し、該バッファ回路はTFTをその主構成要素として含んでおり、上記表示画素における上記TFT画素スイッチ及び上記信号電圧印加手段のTFTは共にポリシリコン（Poly-Si）薄膜をチャネル部分に用いて形成されたものであり、上記表示画素における上記TFT画素スイッチのPoly-Si薄膜の結晶化と、上記信号電圧印加手段におけるTFTのPoly-Si薄膜の結晶化にはレーザ結晶化プロセスが用いられており、更に上記信号電圧印加手段における少なくとも一部のTFTのPoly-Si薄膜の結晶化プロセスにおけるレーザ照射エネルギーが、上記表示画素における上記TFT画素スイッチのPoly-Si薄膜の結晶化プロセスにおけるレーザ照射エネルギーよりも大きいことを特徴とする画像表示装置。