(57)【要約】【解決手段】  本発明の光ファイバ伝送路１は、伝送用のシングルモードファイバ（ＳＭＦ）２ａ、２ｂの間にグレーデッドインデックスファイバ（ＧＩＦ）３が挿入されている。ＧＩＦ３はモードフィールド径（ＭＦＤ）が光の入射側から徐々に拡大されるようになっており、長さが４分の１ピッチのところでＭＦＤが最も大きくなるようになっている。この光の入射側に配置するＧＩＦ３ａと反対にＭＦＤが徐々に減少してゆく光の出射側のＧＩＦ３ｂとの長さをそれぞれ４分の１ピッチとして、これらを接続してＧＩＦ３の長さは２分の１ピッチとしている。【効果】  本発明によれば、光ファイバ伝送路の途中にＭＦＤの大きい部分が挿入されるので、たとえファイバヒューズ現象が発生して延焼が始まったとしてもこのＭＦＤの大きい部分でファイバヒューズ現象を遮断することができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の屈折率を有するコアとその周囲の前記コアよりも屈折率の低いクラッドとからなるシングルモードファイバにより構成される伝送路の途中にグレーデッドインデックスファイバが挿入されていることを特徴とする光ファイバ伝送路。
【請求項２】
前記グレーデッドインデックスファイバは前記光ファイバ伝送路の途中において融着接続されていることを特徴とする請求項１記載の光ファイバ伝送路。
【請求項３】
前記グレーデッドインデックスファイバは前記光ファイバ伝送路の途中においてコネクタ接続されていることを特徴とする請求項１記載の光ファイバ伝送路。
【請求項４】
前記グレーデッドインデックスファイバは前記光ファイバ伝送路の途中においてＶ溝接続されていることを特徴とする請求項１記載の光ファイバ伝送路。
【請求項５】
前記挿入されたグレーデッドインデックスファイバは光の入射側からモードフィールド径が拡大した後光の出射側に向けてモードフィールド径が減少していることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載の光ファイバ伝送路。
【請求項６】
前記光の入射側からモードフィールド径が拡大し、前記光の出射側に向けてモードフィールド径が減少しているグレーデッドインデックスファイバの長さは２分の１ピッチであることを特徴とする請求項５記載の光ファイバ伝送路。
【請求項７】
前記光の入射側からモードフィールド径が拡大したグレーデッドインデックスファイバ及び前記光の出射側に向けてモードフィールド径が減少しているグレーデッドインデックスファイバの長さはそれぞれ４分の１ピッチであることを特徴とする請求項６記載の光ファイバ伝送路。
【請求項８】
前記グレーデッドインデックスファイバは伝送路の途中に複数本直列に挿入されていることを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれかの請求項に記載の光ファイバ伝送路。
【請求項９】
前記光の入射側からモードフィールド径が拡大したグレーデッドインデックスファイバ及び前記光の出射側に向けてモードフィールド径が減少しているグレーデッドインデックスファイバの間にモードフィールド径が拡大されたシングルモードファイバが挿入されていることを特徴とする請求項５から請求項８までのいずれかの請求項に記載の光ファイバ伝送路。
【請求項１０】
前記光の入射側からモードフィールド径が拡大したグレーデッドインデックスファイバ及び前記光の出射側に向けてモードフィールド径が減少しているグレーデッドインデックスファイバの間に前記拡大したグレーデッドインデックスファイバのモードフィールド径よりも小さいモードフィールド径を有するシングルモードファイバが挿入されていることを特徴とする請求項５から請求項８までのいずれかの請求項に記載の光ファイバ伝送路。
【請求項１１】
前記グレーデッドインデックスファイバの拡大したモードフィールド径は１５〜８５μｍの範囲にあることを特徴とする請求項５から請求項１０までのいずれかの請求項に記載の光ファイバ伝送路。
【請求項１２】
前記グレーデッドインデックスファイバの拡大したモードフィールド径は１５〜６５μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１１記載の光ファイバ伝送路。
【請求項１３】
前記グレーデッドインデックスファイバのコア径は前記光の入射側から４分の１ピッチの長さにおける拡大したモードフィールド径の１．５倍以上であることを特徴とする請求項５から請求項１２までのいずれかの請求項に記載の光ファイバ伝送路。
【請求項１４】
前記グレーデッドインデックスファイバのコア径は前記光の入射側から４分の１ピッチの長さにおける拡大したモードフィールド径の２倍以上であることを特徴とする請求項１３記載の光ファイバ伝送路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高出力の光を光ファイバに伝送した時に生じるファイバヒューズ現象を遮断する光ファイバ伝送路に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＦＴＴＨ（Ｆｉｂｅｒ  Ｔｏ  Ｔｈｅ  Ｈｏｍｅ）の導入が始まり各家庭での高速インターネットの利用が急速に普及してきている。このような状況において通信ネットワークをますます充実させる必要性が高まり、例えば波長分割多重（ＷＤＭ；Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ）方式などが用いられるようになってきている。
【０００３】
このＷＤＭ方式は従来に比べてはるかに高い光パワーを必要とする。例示すれば数Ｗオーダーの光パワーを必要とするために光ファイバの端面が焼損したり、光伝送路の中でも光パワー耐性の低い箇所でコアが焼損するという現象が生じることがある。
【０００４】
光伝送路の中において光パワー耐性の低い箇所でコアが焼損すると焼損部が導火線のように光源方向に向かって連鎖的に延焼してゆくファイバヒューズ現象が発生する（例えば、非特許文献１、非特許文献２参照）。
【０００５】
このようなファイバヒューズ現象による延焼は一度発生すると融着接続部やコネクタ接続部を乗り越えて光源まで達するので最終的には送信機や増幅器等の機器類を破損させてしまうという虞がある。
【０００６】
ところで、ファイバヒューズ現象は高温、高いパワー密度、光の吸収が発生要因とされている。例えば融着接続部においては接続部の不整合でありコネクタ接続点においてはしばしば端面の汚れによって光が吸収され、温度が上昇してファイバヒューズ現象が発生しやすくなる。このようにファイバヒューズ現象は光の吸収体を含む部分において発生しやすくなるのでコア中のドーパント、例えばＧｅなどもその発生要因になり得る。
【０００７】
また、光のパワーについては同じパワー値であっても伝搬モードの実効断面積が小さい方がパワー密度が高くなる。実効断面積はモードフィールド径とほぼ等しいので、モードフィールド径が小さいとファイバヒューズ現象が発生しやすくなる。
【０００８】
上記のようなファイバヒューズ現象に対して従来いくつかの対策が施されている。例えばコネクタ端面においてシングルモードファイバのコア径を拡大して事前にファイバヒューズ現象の発生を防止する方法や（例えば、特許文献１参照）、ファイバヒューズ現象が発生した場合にコリメータレンズを用いてその後に生じる延焼を遮断するための装置である（例えば、特許文献２参照）。
【非特許文献１】２００３  電子情報通信学会総合大会  Ｃ−３−４４  １８４頁
【非特許文献２】Technical  Digest  of  Optical  Amplifiers  &  their  applicationsTopical meeting,  Otaru, Japan, 2003(Optical society of America, Washington, D. C.)        ＴｕＣ４  １９３〜１９５頁
【特許文献１】特開２００２−２７７６８５号公報
【特許文献２】特開２００２−３２３６３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上記のような従来の技術には、次のような解決すべき課題があった。
【００１０】
即ち、特許文献１に開示されたファイバヒューズ現象を防止する方法は、シングルモードファイバに熱を加えてコア中のＧｅを拡散させてコア径を拡大するＴＥＣ（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｅｘｐａｎｔｅｄ  Ｃｏｒｅ）技術を用いて行うものであるが、コア径の拡大に限界があり十分な効果を奏するとは言い難かった。また、ＴＥＣ技術を用いるために工程が煩雑となりコストが高くなるという問題もあった。
【００１１】
一方、特許文献２に開示された装置を用いた場合にもコリメータ対による空間伝送部（ファイバ隔絶部）を設けるので装置が大型化し、また、コリメータレンズを用いているためにコストが高くなるという問題があった。
【００１２】
本発明は以上の点に着目してなされたもので、簡易な構成でファイバヒューズ現象を十分遮断し得る光ファイバ伝送路を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は以上の点を解決するため次の構成を採用する。
【００１４】
〈構成１〉所定の屈折率を有するコアとその周囲の前記コアよりも屈折率の低いクラッドとからなるシングルモードファイバにより構成される伝送路の途中にグレーデッドインデックスファイバが挿入されていることを特徴とする光ファイバ伝送路。
【００１５】
このような構成にすると、ファイバヒューズ現象が効果的に遮断できる。
【００１６】
〈構成２〉前記グレーデッドインデックスファイバは前記光ファイバ伝送路の途中において融着接続されていることを特徴とする構成１記載の光ファイバ伝送路。
【００１７】
このように融着接続した場合には、接続部での反射が生じないので接続損失が少なく、前記グレーデッドインデックスファイバの挿入が効果的に行える。
【００１８】
〈構成３〉前記グレーデッドインデックスファイバは前記光ファイバ伝送路の途中においてコネクタ接続されていることを特徴とする構成１記載の光ファイバ伝送路。
【００１９】
このようにコネクタ接続した場合には、機械的に簡便な接続が行えるので作業効率が極めて高い。
【００２０】
〈構成４〉前記グレーデッドインデックスファイバは前記光ファイバ伝送路の途中においてＶ溝接続されていることを特徴とする構成１記載の光ファイバ伝送路。
【００２１】
このようにＶ溝接続した場合は、外径が異なる光ファイバ同士でも簡便に接続することができる。
【００２２】
〈構成５〉前記挿入されたグレーデッドインデックスファイバは光の入射側からモードフィールド径が拡大した後光の出射側に向けてモードフィールド径が減少していることを特徴とする構成１から構成４までのいずれかの構成に記載の光ファイバ伝送路。
【００２３】
このような構成にすると、ファイバヒューズ現象の遮断がより確実に行うことができる。
【００２４】
〈構成６〉前記光の入射側からモードフィールド径が拡大し、前記光の出射側に向けてモードフィールド径が減少しているグレーデッドインデックスファイバの長さは２分の１ピッチであることを特徴とする構成５記載の光ファイバ伝送路。
【００２５】
このように２分の１ピッチの長さにすると、モードフィールド径の拡大が最も効率よく行える。
【００２６】
〈構成７〉前記光の入射側からモードフィールド径が拡大したグレーデッドインデックスファイバ及び前記光の出射側に向けてモードフィールド径が減少しているグレーデッドインデックスファイバの長さはそれぞれ４分の１ピッチであることを特徴とする構成６記載の光ファイバ伝送路。
【００２７】
このような構成にすると、モードフィールド径が最も拡大した部分でグレーデッドインデックスファイバ同士を接続できかつ長さが２分の１ピッチになる。
【００２８】
〈構成８〉前記グレーデッドインデックスファイバは伝送路の途中に複数本直列に挿入されていることを特徴とする構成１から構成７までのいずれかの構成に記載の光ファイバ伝送路。
【００２９】
このような構成にすると、ファイバヒューズ現象の遮断がさらに確実に行うことができる。
【００３０】
〈構成９〉前記光の入射側からモードフィールド径が拡大したグレーデッドインデックスファイバ及び前記光の出射側に向けてモードフィールド径が減少しているグレーデッドインデックスファイバの間にモードフィールド径が拡大されたシングルモードファイバが挿入されていることを特徴とする構成５から構成８までのいずれかの構成に記載の光ファイバ伝送路。
【００３１】
このようにモードフィールド径が拡大されたシングルモードファイバをグレーデッドインデックスファイバの間に挿入すると安定した拡大されたモードフィールド径が得られる。
【００３２】
〈構成１０〉前記光の入射側からモードフィールド径が拡大したグレーデッドインデックスファイバ及び前記光の出射側に向けてモードフィールド径が減少しているグレーデッドインデックスファイバの間に前記拡大したグレーデッドインデックスファイバのモードフィールド径よりも小さいモードフィールド径を有するシングルモードファイバが挿入されていることを特徴とする構成５から構成８までのいずれかの構成に記載の光ファイバ伝送路。
【００３３】
このような構成にすると、やはりファイバヒューズ現象の遮断がより確実に行うことができる。
【００３４】
〈構成１１〉前記グレーデッドインデックスファイバの拡大したモードフィールド径は１５〜８５μｍの範囲にあることを特徴とする構成５から構成１０までのいずれかの構成に記載の光ファイバ伝送路。
【００３５】
このような構成にすると、ファイバヒューズ現象を遮断するのに十分なモードフィールド径が得られかつモードフィールド径がグレーデッドインデックスファイバのコア径よりも小さくなることがなく接続損失が増大することもない。
【００３６】
〈構成１２〉前記グレーデッドインデックスファイバの拡大したモードフィールド径は１５〜６５μｍの範囲にあることを特徴とする構成１１記載の光ファイバ伝送路。
【００３７】
このような構成にすると、接続損失を安定的に小さくすることができる。
【００３８】
〈構成１３〉前記グレーデッドインデックスファイバのコア径は前記光の入射側から４分の１ピッチの長さにおける拡大したモードフィールド径の１．５倍以上であることを特徴とする構成５から構成１２までのいずれかの構成に記載の光ファイバ伝送路。
【００３９】
このような構成にすると、モードフィールド径がグレーデッドインデックスファイバのコア内に収まらないということがなくなり光の伝搬状態が劣化する虞もない。
【００４０】
〈構成１４〉前記グレーデッドインデックスファイバのコア径は前記光の入射側から４分の１ピッチの長さにおける拡大したモードフィールド径の２倍以上であることを特徴とする構成１３記載の光ファイバ伝送路。
【００４１】
このような構成にすると、光の伝搬状態がより安定化する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、本発明の実施の形態について具体例を用いて説明する。
【００４３】
図１は本発明の光ファイバ伝送路を説明する実施例の断面図である。図１において本発明の光ファイバ伝送路１では、伝送用のシングルモードファイバ（以下、ＳＭＦ）２ａ、２ｂの途中にグレーデッドインデックスファイバ（以下、ＧＩＦ）３が挿入されている。ＧＩＦ３の長さは２分の１ピッチである。ＧＩＦ中を伝送される光のモードフィールド径（以下、ＭＦＤ）は、よく知られているように、最小値−最大値−最小値−最大値と、伝送路に沿って周期的に連続的に変化する。この実施例でピッチとは、この一周期分の長さを指している。
【００４４】
図１に示したとおり、光は、伝送用のシングルモードファイバ（以下、ＳＭＦ）２ａ、ＧＩＦ３ａ、ＧＩＦ３ｂ、伝送用のシングルモードファイバ２ｂという順に、矢印の方向に伝送される。ここで、ＧＩＦ３ａのモードフィールド径は、光の入射側から、徐々に拡大されていき、光の入射端から計って、長さが４分の１ピッチのところで最も大きくなる。ＧＩＦ３ａの長さは、４分の１ピッチに選定されている。ＧＩＦ３ａの出力側にＧＩＦ３ｂを接続する。ＧＩＦ３ｂのモードフィールド径は、光の入射側から、徐々に減少していき、光の入射端から計って、長さが４分の１ピッチのところで最も小さくなる。ＧＩＦ３ａの長さも、４分の１ピッチに選定されている。この出力側に、伝送用のシングルモードファイバ２ｂを接続する。ＧＩＦ３の長さは、長さが４分の１ピッチのＧＩＦ３ａとＧＩＦ３ｂを接続したから、２分の１ピッチとなる。
【００４５】
上記のようにしてＧＩＦ３を構成すると、光の入射側のＳＭＦ２ａと接続されているＧＩＦ３ａの接続部４ａではＭＦＤがほぼ同じであるため接続損失が生じず、次にＭＦＤが徐々に拡大してＧＩＦ３ａとＧＩＦ３ｂとの接続部４ｂでは最も拡大されたＭＦＤとなり、この接続部においてもＭＦＤはほぼ等しくなるので接続損失が生じない。そしてＧＩＦ３ｂのＭＦＤは徐々に減少して光の出射側のＳＭＦ２ｂと接続されるが、この接続部４ｃは伝送用の通常のＳＭＦとほぼ等しいＭＦＤとなっているのでやはり接続損失が生じることがない。なお、図１はＭＦＤの状況を説明しやすいように模式的に表しており、以下も同様とする。
【００４６】
この結果、光ファイバ伝送路の途中にＭＦＤの大きい部分が挿入されるので、たとえファイバヒューズ現象が発生して延焼が始まったとしてもこのＭＦＤの大きい部分で延焼が拡散するのでファイバヒューズ現象を遮断することができる。
【００４７】
図２は本発明の光ファイバ伝送路においてファイバヒューズ現象を遮断する状況を模式的に説明するための図である。なお図１と同一の箇所は同番号とし、以下も同様とする。
【００４８】
図２において、伝送用ＳＭＦ２ａ、２ｂの途中にＧＩＦ３が挿入された光ファイバ伝送路１に光送信機や光増幅器等の光源５から矢印のように光が入射される。この伝送路中で何らかの原因でファイバヒューズ現象６が発生した場合にはこのファイバヒューズ現象が太い矢印で示したように光源５側に向かって延焼する。しかし本発明のＧＩＦ３を伝送路の途中に挿入しておけばそこでファイバヒューズ現象６は遮断され、延焼が光源に達することがなくなり、伝送路の光ファイバや機器類の安全を確保することができる。
【００４９】
ここで、ＧＩＦ３の長さは２分の１ピッチであることが好ましい。この理由は、ＧＩＦは４分の１ピッチの長さで最もＭＦＤが大きくなる。従って、ＧＩＦ３を構成するＧＩＦ３ａの長さとＧＩＦ３ｂの長さをともに４分の１ピッチに設定すれば最も効率よくＭＦＤを拡大でき、ファイバヒューズ現象の遮断に効果がある。
【００５０】
なお、図３に示すようにＧＩＦ３は伝送路の途中に複数本直列に接続して挿入してもよい。このようにして光ファイバ伝送路を構成するとより確実にファイバヒューズ現象を防止することができる。
【００５１】
また、ＧＩＦ３を構成するＧＩＦ３ａあるいはＧＩＦ３ｂの４分の１ピッチの長さにおける最も大きくなるＭＦＤの値は１５μｍ〜８５μｍであることが好ましい。この理由は、１５μｍ未満ではＭＦＤの拡大が十分ではなく、ファイバヒューズ現象を確実に遮断できないためであり、８５μｍを超えた場合にはＭＦＤよりもＧＩＦのコア径が小さくなる場合が出てくることがあり、接続損失が大きくなる虞があるためである。
【００５２】
特に接続損失を安定的に生じにくくするためには上記ＭＦＤの値は１５μｍ〜６５μｍであることがなお好ましい。
【００５３】
なお、ＧＩＦのコア径はＭＦＤの１．５倍以上、好ましくは２倍以上あるとよい。この理由は、ＭＦＤがコア内に収まらない場合には光の伝搬状態が劣化する虞があるためである。図４に示すように通常モードフィールド分布はＭＦＤの２倍程度に広がっているため（本図ではＭＦＤが２０μｍの例を示している）、モードフィールド分布をコア内に収めるためには少なくともＭＦＤの１．５倍以上、好ましくは２倍以上必要であるからである。
【００５４】
次に本発明のさらに他の実施の形態を説明する。図５はＧＩＦ３の間にＭＦＤが拡大されたＳＭＦ７を挿入したものである。このような構成を取るとＭＦＤの拡大が安定してファイバヒューズ現象の遮断がより確実に行えるようになる。
【００５５】
ここで、ＭＦＤが拡大されたＳＭＦとしては、コア径が大きく、比屈折率差の小さいステップインデックスファイバや実効コア径が大きいフォトニック結晶ファイバあるいはホーリーファイバのようなものでもよい。
【００５６】
上記したような図１、図３あるいは図５に示す実施の形態ではＧＩＦは光ファイバ伝送路の間に融着接続されている。ＧＩＦ３の外径は伝送用ＳＭＦ２ａ、２ｂの外径と等しい方が融着接続が効率よく行えるが、特に限定されるわけではない。ＧＩＦと伝送用ＳＭＦとの外径が異なっていたとしても接続損失に悪影響を与えない限り差し支えない。
【００５７】
次に本発明のさらに他の実施の形態を説明する。本実施の形態ではＧＩＦをコネクタ内に収納して光ファイバ伝送路の途中でコネクタ接続した例である。図６は例えばＳＭＦ２ａと融着接続した図１または図５に示すＧＩＦ３ａ、ＭＦＤ拡大ＳＭＦ７をコネクタ８のフェルール９に挿入してアダプタ１０と接続した例を示している。アダプタ１０のもう一方の側にも本実施の形態と同様のコネクタが接続されており、この結果ファイバヒューズ現象を防止できる機能を有したコネクタ同士の接続も容易に実現することができる。
【００５８】
図７は本発明の光ファイバ伝送路をコネクタ同士の接続で構成した場合のコネクタ端面（フェルール端面）のそれぞれのＭＦＤの状況を示した図である。図７（ａ）はＭＦＤ拡大ＳＭＦ同士を接続した例であり、通常のＳＭＦ２ａ、２ｂにそれぞれＧＩＦ３ａ、３ａが接続され、さらにＭＦＤが拡大されたＳＭＦ７ａ、７ｂが接続されてコネクタ８ａ、８のフェルール９ａ、９ｂに挿入され、アダプタ１０に接続されている。
【００５９】
図７（ｂ）はフェルール端面が通常のＭＦＤを有するＳＭＦ同士の接続を示している例である。即ち、通常のＳＭＦ２ａ（２ｂ）にＧＩＦ３ａ、３ｂが接続され、さらに通常のＭＦＤを有するＳＭＦ１１ａ、１１ｂがフェルール９ａ、９ｂに挿入され、アダプタ１０に接続されている。
【００６０】
次に図８はＧＩＦの拡大されたＭＦＤ側の端面にこのＭＦＤよりも小さいＭＦＤを有するＳＭＦを接続した例を示した図である。即ち、通常のＳＭＦ２ａ（２ｂ）にＧＩＦ３ａ、３ａが接続され、さらにこのＧＩＦ３ａにＧＩＦ３ａの端面のＭＦＤよりも小さいＭＦＤを有するＳＭＦ１２ａ、１２ｂがフェルール９ａ、９ｂに挿入され、アダプタ１０に接続されている。
【００６１】
このようにさまざまな形態の接続方法を採用してファイバヒューズ現象を防止できる光ファイバ伝送路を構成することができるが、もちろん上記の実施の形態に限定されるものではなく、例えばＶ溝によるメカニカル接続や光スイッチあるいは光アイソレータを用いた接続等本発明の目的に適うならば種々の変更が可能である。
【実施例１】
【００６２】
図１の実施の形態の構成を有し、ＭＦＤを最大４０μｍに拡大したコア径６０μｍのＧＩＦを挿入した光ファイバ伝送路に波長１５５０ｎｍ、光パワー３Ｗのラマンアンプから光信号を伝送したところファイバヒューズ現象が発生した。この時の伝送用ＳＭＦのＭＦＤは１０μｍであった。そして光源に向かってファイバヒューズ現象による延焼が始まったがこの延焼はＧＩＦにおいて遮断された。
【００６３】
なお、ファイバヒューズ現象が生じていない状態での伝送用ＳＭＦ２ａとＧＩＦ３ａ、ＧＩＦ３ａとＧＩＦ３ｂ、ＧＩＦ３ｂと伝送用ＳＭＦ２ｂの接続損失は合計でも０．１ｄＢ以下であった。
【実施例２】
【００６４】
図５の実施の形態の構成を有し、ＭＦＤを最大３０μｍに拡大したコア径４５μｍのＧＩＦとＭＦＤ拡大ＳＭＦを挿入した光ファイバ伝送路に波長１０５０ｎｍ、光パワー２ＷのＹＡＧレーザから光信号を伝送したところファイバヒューズ現象が発生した。この時の伝送用ＳＭＦのＭＦＤは８μｍであった。光源に向かってファイバヒューズ現象による延焼が始まったがこの延焼はＭＦＤ拡大ＳＭＦにおいて遮断された。
【００６５】
なお、本実施例では伝送用ＳＭＦにＮＳＰ（Ｎｏｎ−Ｓｔｒｉｐｐａｂｌｅ  Ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏａｔｉｎｇ）ＳＭＦを用い、ＧＩＦとの間をＶ溝によりメカニカル接続し、ファイバ端面にはマッチングオイルを塗布した。ファイバヒューズ現象が生じていない状態での伝送用ＳＭＦ２ａとＧＩＦ３ａ、ＧＩＦ３ａとＭＦＤ拡大ＳＭＦ７、ＭＦＤ拡大ＳＭＦ７とＧＩＦ３ａ、ＧＩＦ３ａと伝送用ＳＭＦ２ｂの接続損失は合計でも０．１ｄＢ以下であった。
【実施例３】
【００６６】
図７（ａ）の実施の形態の構成を有し、ＭＦＤを最大５０μｍに拡大したコア径１００μｍのＧＩＦとＭＦＤ拡大ＳＭＦからなるファイバヒューズ現象遮断部分をアダプタに代えて光スイッチに接続し、その反対側にも同様にＭＦＤを最大５０μｍに拡大したＧＩＦとＭＦＤ拡大ＳＭＦからなるファイバヒューズ現象遮断部分を接続して光ファイバ伝送路を形成し、波長１５５０ｎｍ、光パワー４Ｗのフェムト秒レーザから光信号を伝送したところファイバヒューズ現象が発生した。この時の伝送用ＳＭＦのＭＦＤは７．５μｍであった。光源に向かってファイバヒューズ現象による延焼が始まったがこの延焼は光スイッチの手前で遮断された。
【００６７】
なお、ファイバヒューズ現象が生じていない状態での伝送用ＳＭＦ２ａとＧＩＦ３ａ、ＧＩＦ３ａとＭＦＤ拡大ＳＭＦ７ａ、ＭＦＤ拡大ＳＭＦ７ａと光スイッチ、光スイッチとＭＦＤ拡大ＳＭＦ７ｂ、ＭＦＤ拡大ＳＭＦ７ｂとＧＩＦ３ａ、ＧＩＦ３ａと伝送用ＳＭＦ２ｂの接続損失は合計でも０．１ｄＢ以下であった。光スイッチは波長１５５０ｎｍで駆動電圧０、１０Ｖで０．５、２５ｄＢのものを用いた。
【実施例４】
【００６８】
図７（ａ）の実施の形態の構成を有し、ＭＦＤを最大２０μｍに拡大したコア径４５μｍのＧＩＦとＭＦＤ拡大ＳＭＦからなるファイバヒューズ現象遮断部分同士をアダプタに代えて光アイソレータにより接続して光ファイバ伝送路を形成し、波長１５５０ｎｍ、光パワー１．５ＷのＤＦＢ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  ＦｅｅｄＢａｃｋ）レーザから光信号を伝送したところファイバヒューズ現象が発生した。この時の伝送用ＳＭＦのＭＦＤは１０μｍであった。光源に向かってファイバヒューズ現象による延焼が始まったがこの延焼は光アイソレータの手前で遮断された。本実施例では伝送用ＳＭＦにＨＮＡ（Ｈｉｇｈ  Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ａｐｐｅｒｔｕｒｅ）ＳＭＦを用いた。
【００６９】
なお、ファイバヒューズ現象が生じていない状態での伝送用ＳＭＦ２ａとＧＩＦ３ａ、ＧＩＦ３ａとＭＦＤ拡大ＳＭＦ７ａ、ＭＦＤ拡大ＳＭＦ７ａと光アイソレータ、光アイソレータとＭＦＤ拡大ＳＭＦ７ｂ、ＭＦＤ拡大ＳＭＦ７ｂとＧＩＦ３ａ、ＧＩＦ３ａと伝送用ＳＭＦ２ｂの接続損失は合計でも０．１ｄＢ以下であった。光アイソレータは挿入損失１ｄＢ、アイソレーションが４２ｄＢのものを用いた。
【実施例５】
【００７０】
図８の実施の形態の構成を有し、ＭＦＤを最大３４μｍに拡大したコア径８６μｍのＧＩＦとＭＦＤが１０μｍのＳＭＦからなるファイバヒューズ現象遮断部分同士を光アイソレータにより接続して光ファイバ伝送路を形成し、波長１５５０ｎｍ、光パワー２Ｗのラマンアンプから光信号を伝送したところファイバヒューズ現象が発生した。この時の伝送用ＳＭＦのＭＦＤは１０μｍであった。光源に向かってファイバヒューズ現象による延焼が始まったがこの延焼は光アイソレータの手前で遮断された。本実施例ではＭＦＤの小さいＳＭＦとして通常の伝送用ＳＭＦを用いた。
【００７１】
なお、ファイバヒューズ現象が生じていない状態での伝送用ＳＭＦ２ａとＧＩＦ３ａ、ＧＩＦ３ａとＳＭＦ１２ａ、ＳＭＦ１２ａと光アイソレータ、光アイソレータとＳＭＦ１２ｂ、ＳＭＦ１２ｂとＧＩＦ３ａ、ＧＩＦ３ａと伝送用ＳＭＦ２ｂの接続損失は合計でも０．１ｄＢ以下であった。光アイソレータは挿入損失１ｄＢ、アイソレーションが４２ｄＢのものを用いた。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の一実施の形態を説明する断面図である。
【図２】ファイバヒューズ現象を遮断する状況を説明する図である。
【図３】本発明の他の実施の形態を説明する断面図である。
【図４】モードフィールド分布を説明する図である。
【図５】本発明のさらに他の実施の形態を説明する断面図である。
【図６】本発明のさらに他の実施の形態を説明する断面図である。
【図７】本発明のさらに他の実施の形態を説明する断面図である。
【図８】本発明のさらに他の実施の形態を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１    光ファイバ伝送路
２    伝送用ＳＭＦ
３    ＧＩＦ
４    接続部
５    光源
６    ファイバヒューズ現象
７    ＭＦＤ拡大ＳＭＦ
８    コネクタ
９    フェルール
１０  アダプタ
１１  通常のＭＦＤを有するＳＭＦ
１２  ＭＦＤの小さいＳＭＦ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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