(57)【要約】【課題】複雑な構造を必要とせず様々な照明環境で十分な画像の明るさおよびコントラストを得る。【解決手段】液晶表示素子はＴＦＴ基板２および対向基板１と、ＴＦＴ基板２および対向基板１間に挟持され液晶組成物を含む液晶層５とを備える。ＴＦＴ基板２は対向基板１側から液晶層５を介して入射する光を反射する少なくとも一対の第１および第２反射電極７，８ａを有し、対向基板１は少なくとも第１反射電極７に対向して液晶層５に縦方向電界を印加する透明電極８ｂを有し、第２反射電極８ａはＴＦＴ基板２側から液晶層５に入射する光を透過させると共に液晶層５に横方向電界を印加するように第１反射電極７から離される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２基板と、前記第１および第２基板間に挟持され液晶組成物を含む液晶層とを備え、前記第１基板は前記第２基板側から前記液晶層を介して入射する光を反射する少なくとも一対の第１および第２反射電極を有し、前記第２基板は少なくとも前記第１反射電極に対向して前記前記液晶層に縦方向電界を印加する透明電極を有し、前記第２反射電極は前記第１基板側から前記液晶層に入射する光を透過させると共に前記液晶層に横方向電界を印加するように前記第１反射電極から離されることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】
前記第１基板は前記第１および第２反射電極よりも下側で前記第１および第２反射電極間で横方向電界が印加される透過領域の周囲に配線およびスイッチング素子を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項３】
前記第１基板の外面に配置される偏光板と、前記第２基板の外面に配置される一対の1/4波長板および偏光板をさらに備え、前記液晶層が波長λ＝５５０ｎｍである入射光に対して略４分の１の位相差を持つように設定されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項４】
前記液晶層は液晶分子が電圧無印加時に前記横方向電界の方向と略直交する方位に配列したホモジニアス配向することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項５】
前記第２基板は透明電極の下地としてカラーフィルタ層を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項６】
前記カラーフィルタ層は前記第１反射電極に対応する反射領域において前記透過領域よりも大きい透過率を有することを特徴とする請求項５の液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶層が一対の基板間に挟持される液晶表示素子に関し、特に透過光および反射光が画像を表示するために併用される液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示素子はノートパソコン、モニタ、カーナビゲーション、関数電卓、中小型ＴＶなど様々な分野に応用されている。例えば反射型液晶表示素子は外光を反射することにより画像表示を行うことから、屋外で利用する機会が多いモバイルＰＣ、携帯電話、カーナビゲーション等のポータブル機器用ディスプレイとして適している。しかし、表示画面の明るさが周囲の照明環境に依存し、画像が暗闇で全く見えなくなってしまう。このため、反射型液晶表示素子は補助光源として表示画面の前方に配置されるフロントライトからの光を反射することにより暗所でも画像を見えるようにしている。
【０００３】
一般に反射型表示素子はフロントライト光を各種導光部材を介して表示画面に導くように構成されている。このため、これら導光部材の界面において生じる反射(フレネル反射)の直接的な影響によって良好なコントラスト特性を得ることが難しい。こうした問題は、補助光源として表示画面の後方に配置されるバックライトを備えた半透過型液晶表示素子において生じない。この半透過型液晶表示素子では、画像表示が外光を反射しバックライト光を透過することにより行われる（例えば特許文献１を参照）。半透過型液晶表示素子のコントラスト特性は暗所において反射型液晶表示素子のコントラスト特性よりも優れているため、現在では、半透過型液晶表示素子がポータブル機器用ディスプレイの主流になっている。
【０００４】
ここで、従来の半透過型液晶表示素子の構造および動作原理について図５〜図１２を参照して説明する。
【０００５】
例えば図５〜図８に示す従来の半透過型液晶表示素子は対向基板１およびＴＦＴ基板２間に液晶層５を挟持しこの液晶層５の厚さを略一様にした構造を有する。画素の平面構造は図５および図６において断面構造の範囲Ａに対応して示される。この液晶表示素子では、複数の画素電極がＴＦＴ基板２側に配置され、共通電極がこれら画素電極に対向して対向基板１側に配置される。画素電極は透明電極７aおよび反射電極７bからなり、共通電極は透明電極８からなる。透明電極７ａおよび反射電極７ｂはいずれも信号線等の配線４を覆う絶縁層３上に形成される。液晶層５は誘電率異方性が正のネマティック液晶を含む。画素電極および共通電極間に電圧が印加されない電圧無印加時、液晶分子６は図５に示すように４分の１の位相差を得るよう振れ配向またはホモジニアス配向される。画素電極および対向電極間に電圧が印加される電圧印加時、液晶分子６はこれら電極間で液晶層５の法線方向に印加される電界により図６に示すように垂直に配列する。このとき、液晶層５の位相差がほぼゼロとなる。また、偏光板１０ａ，１０ｂの吸収軸１５，１４および1/4波長板１１ａ，１１ｂの遅相軸１６，１９が互いに直交し円偏光板として機能するようにそれぞれ対向基板１の外面およびＴＦＴ基板２外面に配置される。これにより、図７に示す電圧無印加時には、４分の１の位相差が液晶層５に生じるため、反射電極７ｂに対応した反射領域および透過電極７ａに対応した透過領域の両方が明表示状態となる。また、図８に示す電圧印加時には、液晶層５に位相差が生じないため、反射領域および透過領域の両方が暗表示状態となる。
【０００６】
しかしながら、上述の半透過型液晶表示素子では、反射領域の表示を成立させるためには液晶層５の位相差を４分の１とする必要があるため、透過領域の位相差も必然的に４分の１となる。図７および図８に示すように、外光は反射領域おいて液晶層５を２回通過するので全体で２分の１の位相差を得るが、バックライト光は透過領域において液晶層５を１回しか通過しないので４分の１の位相差しか得られない。電界は液晶層５の法線方向に印加されるため、電圧印加時の液晶層５の位相差はゼロ以上となる。これにより、液晶層５の位相差の制御範囲は４分の１以下となる。従って、半透過型液晶表示素子が図８に示す電圧印加時に暗表示状態を得るように構成される場合、電圧無印加時に得られる明表示状態で、図７に示すように液晶層５からの出射光は直線偏光となり、出射光が偏光板１０ａによって略５０％吸収される。従って、透過領域の表示が暗くなるという問題が生じる。
【０００７】
こうした問題は、例えば図９〜図１２に示す従来の半透過型液晶表示素子により解決できる。この半透過型液晶表示素子は対向基板１およびＴＦＴ基板２間に液晶層５を挟持しこの液晶層５の厚さを各画素の反射領域および透過領域において異ならせた構造を有する。画素の平面構造は図９および図１０において断面構造の範囲Ａに対応して示される。この半透過型液晶表示素子では、絶縁層３が反射電極７ｂだけの下地として形成され、透明電極７ａおよび反射電極７ｂの高低差が絶縁層３の厚さに等しい。この高低差は、液晶層５の厚さを透過領域において反射領域に対して略２倍にするように設定されており、これにより電圧無印加時の液晶層５の位相差を略２分の１としている。従って、反射領域では、液晶層５の位相差が４分の１となる。この場合、液晶層５の位相差は液晶印加電圧によって略ゼロから４分の１の間で制御され、表示の明暗を設定する。これに対して透過領域では、液晶層５の位相差は液晶印加電圧によって略ゼロから２分の１の間で制御され、表示の明暗を設定する。従って、透過領域および反射領域のいずれでもトータルの位相差量はゼロから２分の１の制御となるため、図１１に示すように、明表示状態で対向基板１側の1/4波長板１１ａに入射する光は円偏光であり、対向基板１側の偏光板１０ａをほぼ透過させることができる。
【特許文献１】特開平１１−２４２２２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、図９から図１２に示す半透過型液晶表示素子の製造プロセスでは、各画素について２種類の異なる液晶層５の厚さを得るために反射領域に対する液晶層５の厚さと絶縁層３の厚さとの両方を制御する必要がある。このため、プロセスマージンが狭いという問題が生じている。また、図５〜図８に示す半透過型液晶表示素子および図９〜図１２に示す半透過型液晶表示素子では、透明電極７ａおよび反射電極７ｂに対応する２つの電極パタンがＴＦＴ基板２側に形成される必要がある。このため、一般的な透過型あるいは反射型液晶表示素子よりもプロセス数が増加してしまう。さらに、図５〜図８に示す半透過型液晶表示素子および図９〜図１２に示す半透過型液晶表示素子では、２つの1/4波長板１１ａ，１１ｂが対向基板１側およびＴＦＴ基板２側にそれぞれ配置される必要があるため、部材コストが高くつく。
【０００９】
本発明の目的は、複雑な構造を必要とせず様々な照明環境で十分な画像の明るさおよびコントラストを得ることができる半透過型液晶表示素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、第１および第２基板と、第１および第２基板間に挟持され液晶組成物を含む液晶層とを備え、第１基板は第２基板側から液晶層を介して入射する光を反射する少なくとも一対の第１および第２反射電極を有し、第２基板は少なくとも第１反射電極に対向して液晶層に縦方向電界を印加する透明電極を有し、第２反射電極は第１基板側から液晶層に入射する光を透過させると共に液晶層に横方向電界を印加するように第１反射電極から離される液晶表示素子が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
この液晶表示素子では、第２反射電極が第１基板側から液晶層に入射する光を透過させると共に液晶層に横方向電界を印加するように第１反射電極から離される。ここでは、液晶分子の配列が反射電極に対応した反射領域で縦方向電界により制御され、反射電極の周囲に対応した透過領域で横方向電界により制御される。この場合、十分な明るさおよびコントラストを得るために第１および第２基板のいずれかに反射電極および透明電極の両方を形成したり、複数種の厚さを液晶層に設けたりする必要がない。従って、透過光および反射光のいずれか一方を表示に用いる液晶表示素子と同等のプロセスで製造できる。さらに、上述の構造であれば、第１基板側に設けられるような1/4波長板についても不要にできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の一実施形態に係る半透過型液晶表示素子について添付図面を参照して説明する。
【００１３】
図１はこの半透過型液晶表示素子に設けられる画素の断面構造および平面構造を電圧無印加時の液晶分子配列と共に示し、図２はこの画素の断面構造および平面構造において得られる電圧印加時の液晶分子配列を示し、図３は電圧無印加時の液晶分子配列にある画素に入射する入射光の透過、吸収および偏光作用を概念的に示し、図４は電圧印加時の液晶分子配列にある画素に入射する入射光の透過、吸収および偏光作用を概念的に示す。ここで、画素の平面構造は図１および図２において断面構造の範囲Ａに対応して示される。また、図１〜図４では、同様または類似する構成要素を同一参照符号で表し、重複する説明を省略する。
【００１４】
この半透過型液晶表示素子は図１〜図４に示すように対向基板１およびＴＦＴ基板２間に液晶層５を挟持しこの液晶層５の厚さを略一様にした構造を有する。ＴＦＴ基板２は対向基板１側から液晶層５を介して入射する光を反射し略マトリクス状に配置される複数対の第１および第２反射電極７，８ａ、複数対の第１および第２反射電極７，８ａに隣接して配置される複数の薄膜トランジスタＷ、およびこれら第１および第２反射電極７，８ａおよび複数の薄膜トランジスタＷを支持するガラス等の透明絶縁基板ＳＡを有する。対向基板１は第１反射電極７に対向して液晶層５に縦方向電界（液晶層５の法線方向の電界）を印加する透明電極８ｂ、カラーフィルタ層９、およびこれら透明電極８ｂおよびカラーフィルタ層９を支持するガラス等の透明絶縁基板ＳＢを有する。
【００１５】
第２反射電極８ａはＴＦＴ基板２側から液晶層５に入射する光を透過させると共に液晶層５に横方向電界（液晶層５の法線方向に直交するＴＦＴ基板２の基板平面方向の電界）を印加するように第１反射電極７から離される。ここで、第１反射電極７は画素電極であり、第２反射電極８ａは画素電極（第１反射電極７）と協力して横方向電界を印加する共通電極である。また、透明電極８ｂは画素電極（第１反射電極７）と協力して縦方向電界を印加する共通電極であり、ＴＦＴ基板２側の共通電極（第２反射電極８ａ）に電気的に接続される。信号線等の配線４および薄膜トランジスタＷは透明絶縁基板ＳＡの上方において絶縁層３により覆われる。反射電極７および反射電極８ａは絶縁層３の表面である同一平面上に配置される。ここでは、絶縁層３が透明レジストおよび透明な無機膜を用いて形成され、反射電極７および反射電極８ａが絶縁層３を覆って形成される金属層をパターニングすることにより離間して形成されている。この金属層の材料としては、反射電極７，８ａに高い反射率を得ることができるアルミニウム（Ａｌ）等が適している。反射電極７は絶縁層３に形成されるコンタクトホールを介して薄膜トランジスタＷに接続されたドレイン電極を構成し、配線４の信号線は薄膜トランジスタＷに接続されるソース電極を構成する。また、配線４および薄膜トランジスタＷは透過領域の周囲に配置される。具体的には、配線４が遮光膜として画素間に配置され、薄膜トランジスタＷが画素スイッチング素子として配線４および反射電極７に重なるように配置されている。
【００１６】
カラーフィルタ層９は透明絶縁基板ＳＢ上においてストライプ状に並べられた赤Ｒ、緑Ｇ、および青Ｂの着色層からなり、透明電極８ｂはこのカラーフィルタ層９上に形成される例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる。ＲＧＢの着色層はＴＦＴ基板２において略マトリクス状に配置された複数対の反射電極７，８ａの列にそれぞれ対向する。これにより、ＲＧＢの着色層に対向して行方向に並ぶ３対の反射電極７，８ａが１個のカラー画素を構成する３個のサブピクセル（副画素）をそれぞれ規定する。
【００１７】
各画素（カラー画素に対するサブピクセル）では、縦方向電界による制御が反射電極７に対応した反射領域で行われ、横方向電界による制御が反射電極７の周囲、具体的には反射電極７および反射電極８ａの間隙および反射電極８ａに対応した透過領域で行われる。この場合、反射領域で液晶層５の位相差を４分の１とする必要があるが、透過領域で液晶層５の位相差を４分の１としても十分な光利用効率が得られる。このため、液晶層５の厚さは透過領域および反射領域において等しい。画像表示はそれぞれの画素の反射領域で得られる反射光と、透過領域で得られる透過光とを併用して行われる。
【００１８】
液晶層５は誘電率異方性が正のネマティック液晶を液晶組成物として含む。このネマティック液晶としては、例えば(株)メルク製のＺＬＩ−４７９２が用いられる。画素電極および共通電極間に電圧が印加されない電圧無印加時、液晶分子６は４分の１の位相差を得るようホモジニアス配向される。
【００１９】
透過領域で液晶層５の遅相軸を略９０°変化させるには、電圧無印加時にホモジニアス配向する液晶層５の液晶分子配列方向を横方向電界の方向とほぼ直交させる必要がある。このため、水平配向膜（図示せず）が液晶層５に隣接してＴＦＴ基板２側の反射電極７，８ａおよび対向基板１側の透明電極８ｂを覆って形成されている。この水平配向膜は、例えば(株)日産化学製のＳＥ７４９２の配向膜材料を塗布し、対向基板１側の配向膜およびＴＦＴ基板２側の配向膜をそれぞれ図１および図２に示す方向１２,１３にラビング処理することにより得られる。図１および図２に示すような液晶分子配列を実現させるため、実際のラビング方向は液晶分子方位が横方向電界により一様な方向に変化するようＴＦＴ基板２上の共通電極(反射電極８a)の長手方向に対して１°程度ずれた方向に設定される。
【００２０】
また、偏光板１０ａおよび1/4波長板１１が対向基板１の外面に配置され、偏光板１０ｂがＴＦＴ基板２の外面に配置される。偏光板１０ｂの吸収軸１４は電圧無印加時の液晶分子配列方向と４５°の角度となる方位に設定される。偏光板１０ｂを透過した直線偏光は液晶層５によって右円偏光および左円偏光に変換される。偏光板１０ａの吸収軸１５は図１および図２に示す方位１５に設定され、1/4波長板１１の遅相軸１６は図１および図２に示す方位に設定される。1/4波長板１１および偏光板１０aは円偏光板として機能する。1/4波長板１１としては、ポリカーボネイトやアートン樹脂を一軸延伸したもの、テイジン製の逆波長分散樹脂を一軸延伸したもの、あるいはこれらを２軸化して偏光板１０ａ，１０ｂの視角特性を補償する機能を加えたものを用いることができる。また、位相差の波長分散特性を解消するように1/2波長板と1/4波長板を組み合わせたものを用いてもよい。この場合には、全体として得られる遅相軸が前述の方向に設定されれば良い。
【００２１】
透過領域では、液晶分子配列の方位が横方向電界により制御され、液晶層５の位相差を維持したまま、その位相差の遅相方向を変えることができる。つまり、透過領域における液晶分子は従来から透過型に用いられているインプレーンスイッチングモード(ＩＰＳモード)で機能する。ここで、液晶層５の位相差は可視光波長のうち視感度の高い５５０ｎｍの波長にて４分の１となるように設定される。液晶層５内の液晶組成物の屈折率異方性Δｎと液晶層５の厚さｄとを乗じた値Δｎｄを１３２ｎｍとして、ＴＦＴ基板２側から液晶層５に入射する光がバックライトＢＬから出射し偏光板１０ｂを透過した光のような直線偏光であるとすれば、液晶層５を透過した光の偏光状態を図３および図４に示すように右円偏光〜左円偏光の間で制御できる。（図３および図４において、１７は透過領域に関して光の進行方向、透過光量、および偏光状態を概念的に表し、１８ａは反射領域に関して反射電極７に入射する光の進行方向、透過光量、および偏光状態を概念的に表し、１８ｂは反射領域に関して反射電極７で反射した光の進行方向、透過光量、および偏光状態を概念的に表す。これらは、従来図においても同様の参照符号で表されている）
液晶層５を透過した光は1/4波長板１１により図３および図４に示すように電圧印加時と電圧無印加時とで直交する直線偏光に変換され、偏光板１０ａをほぼ１００％透過する状態とほぼ１００％吸収する状態と間の状態に制御できる。これに対して、反射領域では、液晶分子が反射電極７および透明電極８ｂ間の縦方向電界によって図５に示す従来の半透過型液晶表示素子の反射領域と同様に機能する。
【００２２】
図３に示す電圧無印加時には、液晶層５が４分の１の位相差を発揮するため、反射領域、透過領域の両方が明表示状態となる。また、図４に示す電圧印加時には、位相差が液晶層５で生じないため、反射領域および透過領域の両方が暗表示状態となる。
【００２３】
本実施形態の半透過型液晶表示素子では、第２反射電極８ａがＴＦＴ基板２側から液晶層５に入射する光を透過させると共に液晶層５に横方向電界を印加するように第１反射電極７から離される。ここでは、反射領域の液晶分子６ａの配列が縦方向電界により制御され、透過領域の液晶分子６ｂの配列が横方向電界により制御される。この場合、十分な明るさおよびコントラストを得るために対向基板１およびＴＦＴ基板２のいずれかに反射電極および透明電極の両方を形成したり、複数種の厚さを液晶層５に設けたりする必要がない。従って、透過光および反射光のいずれか一方を表示に用いる液晶表示素子と同等のプロセスで製造できる。さらに、上述のように1/4波長板１１を対向基板１側に設ければ、これ以外の1/4波長板をＴＦＴ基板２側に設ける必要がない。
【００２４】
尚、対向基板１側の共通電極（透明電極８ｂ）は透過領域に対して設けられていないが、反射領域および透過領域に対して設けられた場合でも、十分な横方向電界を確保できるので上述の制御を行うことができる。この場合、透明電極８ｂの材料であるＩＴＯの透過率分、透過領域の輝度が若干下がるものの、対向基板１側で共通電極（透明電極８ｂ）を得るために行われるＩＴＯ層のパターニングを不要にすることができる。
【００２５】
尚、光は反射領域でカラーフィルタ層９を２回通過する必要があるため、カラーフィルタ層９の色の濃さが一様である場合に反射領域の透過光量が透過領域の透過光量よりも少なくなる。このため、反射領域におけるカラーフィルタ層９の色の濃さを透過領域におけるカラーフィルタ層９の色の濃さより薄く設定すれば、透過領域での色の濃さおよび色再現範囲を十分高くしたまま反射領域の輝度を確保することができる。この他に、カラーフィルタ層９の厚さを反射領域において透過領域よりも薄くしたり、反射領域のカラーフィルタ層の一部に穴を設けたり、カラーフィルタ層９の顔料濃度または染料濃度を反射領域において透過領域よりも薄くしたりして、反射領域の色再現範囲を透過領域の色再現範囲とほぼ同等にすることもできる。ちなみに、モノクロ表示だけを行う場合には、カラーフィルタ層９は省略可能であり、前述したサブピクセルの各々がモノクロ用画素となる。
【００２６】
（製造例１）
図１および図２に示す半透過型液晶表示素子を作製した。この半透過型液晶表示素子の画素電極および共通電極間に薄膜トランジスタＷを介して４Ｖの駆動電圧を選択的に供給することによりコントラスト特性を測定した。コントラストはバックライトＢＬを点灯させた状態の照度＝０ルクスで５００:１、照度＝１０万ルクスでも３０:１という高い値が得られた。また、電圧無印加時の積分反射率を測定したところ、積分球反射率は５％と高い値であった。さらに、電圧無印加時の透過率を測定したところ、透過率は１０％という高い値であった。
【００２７】
（比較例１）
図５および図６示す半透過型液晶表示素子を作製した。ここでは、画素の開口率やカラーフィルタの透過率、透過領域と反射領域の面積比は製造例１と同様としてある。比較例１の半透過型液晶表示素子について、製造例１と同様にコントラスト特性を測定したところ、コントラストはバックライトを点灯させた状態の照度＝０ルクスで５００:１、照度＝１０万ルクスでも３０:１という高い値が得られた。また、電圧無印加時の積分球反射率を測定したところ、積分球反射率は５％という高い値であった。しかしながら、電圧無印加時の透過率を測定したところ、透過率は５％と製造例１の半分の値しかなかった。
【００２８】
（比較例２）
図９および図１０示す半透過型液晶表示素子を作製した。ここでは、画素の開口率やカラーフィルタの透過率、透過領域と反射領域の面積比は製造例１と同様としてある。比較例２の半透過型液晶表示素子について、製造例１と同様にコントラスト特性を測定したところ、コントラストはバックライトを点灯させた状態の照度＝０ルクスで５００:１、照度＝１０万ルクスでも３０:１という高い値が得られた。また、電圧無印加時の積分球反射率を測定したところ、積分球反射率は５％という高い値であった。さらに、電圧無印加時の透過率を測定したところ、透過率は１０％という高い値であった。しかしながら、液晶層の厚さを透過領域および反射領域について異ならせる制御を適切に行うことが難しい。具体的には、反射電極と透過電極との高低差を決定する絶縁膜の厚さが均一でないために、表示ムラが発生していた。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施形態に係る半透過型液晶表示素子に設けられる画素の断面構造および平面構造を電圧無印加時の液晶分子配列と共に示す図である。
【図２】図１に示す画素の断面構造および平面構造において得られる電圧印加時の液晶分子配列を示す図である。
【図３】図１に示す電圧無印加時の液晶分子配列にある画素に入射する入射光の透過、吸収および偏光作用について説明するための断面図である。
【図４】図２に示す電圧印加時の液晶分子配列にある画素に入射する入射光の透過、吸収および偏光作用について説明するための断面図である。
【図５】従来から知られる半透過型液晶表示素子に設けられる画素の断面構造および平面構造を電圧無印加時の液晶分子配列と共に示す図である。
【図６】図５に示す画素の断面構造および平面構造において得られる電圧印加時の液晶分子配列を示す図である。
【図７】図５に示す電圧無印加時の液晶分子配列にある画素に入射する入射光の透過、吸収および偏光作用について説明するための断面図である。
【図８】図６に示す電圧印加時の液晶分子配列にある画素に入射する入射光の透過、吸収および偏光作用について説明するための断面図である。
【図９】従来から知られる他の半透過型液晶表示素子に設けられる画素の断面構造および平面構造を電圧無印加時の液晶分子配列と共に示す図である。
【図１０】図９に示す断面構造および平面構造において得られる電圧印加時の液晶分子配列を示す図である。
【図１１】図９に示す電圧無印加時の液晶分子配列にある画素に入射する入射光の透過、吸収および偏光作用について説明するための断面図である。
【図１２】図１０に示す電圧印加時の液晶分子配列にある画素に入射する入射光の透過、吸収および偏光作用について説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００３０】
１…対向基板、２…ＴＦＴ基板、３…絶縁層、４…信号線、５…液晶層、６…液晶分子、７…第１反射電極（画素電極）、８a…第２反射電極（共通電極）、８b…透明電極（共通電極）、９…カラーフィルタ層、１０a…偏光板、１０b…偏光板、１１…1/4波長板、１２，１３…ラビング方向、１４，１５…偏光板の吸収軸、１６…1/4波長板の遅相軸。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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