(57)【要約】【課題】  両面で放熱量が異なる半導体モジュールを効率よく冷却する。【解決手段】  チューブ１内を内部プレート１４によって第１冷媒通路１１と第２冷媒通路１２とに分割し、ベローズ２の筒部２２の内径と内部プレート１４の挿入穴１３１の内径とを異ならせる。これにより、第１冷媒通路１１に流入する冷媒の流量と第２冷媒通路１２に流入する冷媒の流量を異ならせて、第１冷媒通路１１側の冷却能力と第２冷媒通路１２側の冷却能力とを異ならせる。そして、半導体モジュール５における放熱量が大きい方の面を、冷却能力が高い方の冷媒通路側に合わせ、半導体モジュール５における放熱量が小さい方の面を、冷却能力が低い方の冷媒通路側に合わせる。【選択図】        図３
2005311046.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷媒が流れる冷媒通路を有する複数のチューブ（１）が所定間隔を隔てて積層され、隣接する前記チューブ（１）間に保持された電子部品（５）を両面から冷却する冷却器において、
前記冷媒通路は、前記冷媒通路内に配置された中間壁（１４）によって、前記チューブ（１）の積層方向に並ぶ第１冷媒通路（１１）と第２冷媒通路（１２）とに分割され、
前記第１冷媒通路（１１）側の冷却能力と前記第２冷媒通路（１２）側の冷却能力とが異なることを特徴とする冷却器。
【請求項２】
前記第１冷媒通路（１１）の冷媒の流量と前記第２冷媒通路（１２）側の冷媒の流量とを異ならせて、前記第１冷媒通路（１１）側の冷却能力と前記第２冷媒通路（１２）側の冷却能力とを異ならせたことを特徴とする請求項１に記載の冷却器。
【請求項３】
冷媒が流れる冷媒通路を有する複数のチューブ（１）が所定間隔を隔てて積層され、隣接する前記チューブ（１）間に保持された電子部品（５）を両面から冷却する冷却器において、
隣接する前記チューブ（１）における冷媒の入口側を連結する筒状の連結部材（２）を備え、
前記チューブ（１）には、前記連結部材（２）の筒部（２２）が挿入される挿入穴（１３１）が形成され、
前記冷媒通路は、前記冷媒通路内に配置された中間壁（１４）によって、前記チューブ（１）の積層方向に並ぶ第１冷媒通路（１１）と第２冷媒通路（１２）とに分割され、
前記中間壁（１４）には、前記挿入穴（１３１）に対向する位置に、前記第１冷媒通路（１１）と前記第２冷媒通路（１２）とを連通させる中間壁穴（１４１）が形成され、
前記筒部（２２）の内径（Ｄ１）と前記中間壁穴（１４１）の内径（Ｄ２）とが異なることを特徴とする冷却器。
【請求項４】
前記筒部（２２）の内径（Ｄ１）よりも前記中間壁穴（１４１）の内径（Ｄ２）が大きいことを特徴とする請求項３に記載の冷却器。
【請求項５】
冷媒が流れる冷媒通路を有する複数のチューブ（１）が所定間隔を隔てて積層され、隣接する前記チューブ（１）間に保持された電子部品（５）を両面から冷却する冷却器において、
隣接する前記チューブ（１）における冷媒の入口側を連結する筒状の連結部材（２）を備え、
前記チューブ（１）には、前記連結部材（２）の筒部（２２）が挿入される挿入穴（１３１）が形成され、
前記冷媒通路は、前記冷媒通路内に配置された中間壁（１４）によって、前記チューブ（１）の積層方向に並ぶ第１冷媒通路（１１）と第２冷媒通路（１２）とに分割され、
前記中間壁（１４）には、前記挿入穴（１３１）に対向する位置に、前記第１冷媒通路（１１）と前記第２冷媒通路（１２）とを連通させる中間壁穴（１４１）が形成され、
前記筒部（２２）は、前記挿入穴（１３１）から前記冷媒通路内に突出しており、
前記第１冷媒通路（１１）側の前記筒部（２２）の突出長さ（Ｌ１）と前記第２冷媒通路（１２）側の前記筒部（２２）の突出長さ（Ｌ２）とが異なることを特徴とする冷却器。
【請求項６】
冷媒が流れる冷媒通路を有する複数のチューブ（１）が所定間隔を隔てて積層され、隣接する前記チューブ（１）間に保持された電子部品（５）を両面から冷却する冷却器において、
前記冷媒通路は、前記冷媒通路内に配置された中間壁（１４）によって、前記チューブ（１）の積層方向に並ぶ第１冷媒通路（１１）と第２冷媒通路（１２）とに分割され、
熱交換を促進するフィン（１５）が前記第１冷媒通路（１１）と前記第２冷媒通路（１２）とに配置され、
前記第１冷媒通路（１１）内の前記フィン（１５）と前記第２冷媒通路（１２）内の前記フィン（１５）とは、熱交換性能が異なることを特徴とする冷却器。
【請求項７】
冷媒が流れる冷媒通路を有する複数のチューブ（１）が所定間隔を隔てて積層され、隣接する前記チューブ（１）間に保持された電子部品（５）を両面から冷却する冷却器において、
前記冷媒通路は、前記冷媒通路内に配置された中間壁（１４）によって、前記チューブ（１）の積層方向に並ぶ第１冷媒通路（１１）と第２冷媒通路（１２）とに分割され、
熱交換を促進するフィン（１５）が、前記第１冷媒通路（１１）および前記第２冷媒通路（１２）の一方のみに配置されていることを特徴とする冷却器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両面発熱する電子部品を冷却する冷却器に関するもので、特にハイブリッド電気自動車用インバータの両面冷却型電子部品を冷却する冷却器として好適である。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体モジュール（電子部品）を水冷式の冷却器に取り付けて冷却するものが知られている。両面冷却型半導体装置として特許文献１で提案された装置は、冷却水の通路を有するチューブと両面冷却型半導体モジュールとを交互に積層している。
【０００３】
また、本出願人は、特願２００３−４０４９４０号にて、チューブに中間壁を設けてチューブ内を第１冷媒通路と第２冷媒通路とに分割した冷却器を提案している。
【特許文献１】特開２００２−２６２１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、発熱体である半導体モジュールは、両面発熱するが、内部の構造上両面への放熱量が異なっている。そのため、特願２００３−４０４９４０号に示された冷却器にて両面冷却型半導体モジュールを冷却する場合、第１冷媒通路と第２冷媒通路のうちの一方に過度に負担が掛かってしまい、冷却効率が低下するという問題が発生する。
【０００５】
本発明は上記点に鑑みて、両面で放熱量が異なる電子部品を効率よく冷却することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、冷媒が流れる冷媒通路を有する複数のチューブ（１）が所定間隔を隔てて積層され、隣接する前記チューブ（１）間に保持された電子部品（５）を両面から冷却する冷却器において、冷媒通路は、冷媒通路内に配置された中間壁（１４）によって、チューブ（１）の積層方向に並ぶ第１冷媒通路（１１）と第２冷媒通路（１２）とに分割され、第１冷媒通路（１１）側の冷却能力と第２冷媒通路（１２）側の冷却能力とが異なることを特徴とする。
【０００７】
これによると、電子部品における発熱量（放熱量）が大きい方の面を、冷却能力が高い方の冷媒通路側に合わせ、電子部品における発熱量（放熱量）が小さい方の面を、冷却能力が低い方の冷媒通路側に合わせることにより、電子部品を効率よく冷却することができる。
【０００８】
また、第１冷媒通路と第２冷媒通路を流れる冷媒の温度上昇が略等価になることで、熱の移動が減少し、温度差によるチューブの歪み発生が防止されてチューブの信頼性（寿命）が向上する。そして、電子部品の両面の表面温度も同様に均一化することで、温度差による電子部品の歪み発生が防止されて電子部品の信頼性（寿命）も向上する。          
【０００９】
請求項２に記載の発明のように、第１冷媒通路（１１）の冷媒の流量と第２冷媒通路（１２）側の冷媒の流量とを異ならせて、第１冷媒通路（１１）側の冷却能力と第２冷媒通路（１２）側の冷却能力とを異ならせることができる。
【００１０】
請求項３に記載の発明では、冷媒が流れる冷媒通路を有する複数のチューブ（１）が所定間隔を隔てて積層され、隣接するチューブ（１）間に保持された電子部品（５）を両面から冷却する冷却器において、隣接するチューブ（１）における冷媒の入口側を連結する筒状の連結部材（２）を備え、チューブ（１）には、連結部材（２）の筒部（２２）が挿入される挿入穴（１３１）が形成され、冷媒通路は、冷媒通路内に配置された中間壁（１４）によって、チューブ（１）の積層方向に並ぶ第１冷媒通路（１１）と第２冷媒通路（１２）とに分割され、中間壁（１４）には、挿入穴（１３１）に対向する位置に、第１冷媒通路（１１）と第２冷媒通路（１２）とを連通させる中間壁穴（１４１）が形成され、筒部（２２）の内径（Ｄ１）と中間壁穴（１４１）の内径（Ｄ２）とが異なることを特徴とする。
【００１１】
これによると、筒部の内径と中間壁穴の内径とを異ならせることにより、図４に示すように、筒部（２２）からチューブ（１）に流入するときに起こる拡大流れによって第１冷媒通路に流入する冷媒の流量と第２冷媒通路に流入する冷媒の流量を異ならせて、第１冷媒通路側の冷却能力と第２冷媒通路側の冷却能力とを異ならせることができ、したがって、請求項１の発明と同様の効果を得ることができる。
【００１２】
請求項４に記載の発明では、筒部（２２）の内径（Ｄ１）よりも中間壁穴（１４１）の内径（Ｄ２）が大きいことを特徴とする。
【００１３】
これによると、筒部の内径よりも中間壁穴の内径が小さい場合と比較して、中間壁穴部位での圧損を小さくすることができる。
【００１４】
請求項５に記載の発明では、冷媒が流れる冷媒通路を有する複数のチューブ（１）が所定間隔を隔てて積層され、隣接するチューブ（１）間に保持された電子部品（５）を両面から冷却する冷却器において、隣接するチューブ（１）における冷媒の入口側を連結する筒状の連結部材（２）を備え、チューブ（１）には、連結部材（２）の筒部（２２）が挿入される挿入穴（１３１）が形成され、冷媒通路は、冷媒通路内に配置された中間壁（１４）によって、チューブ（１）の積層方向に並ぶ第１冷媒通路（１１）と第２冷媒通路（１２）とに分割され、中間壁（１４）には、挿入穴（１３１）に対向する位置に、第１冷媒通路（１１）と第２冷媒通路（１２）とを連通させる中間壁穴（１４１）が形成され、筒部（２２）は、挿入穴（１３１）から冷媒通路内に突出しており、第１冷媒通路（１１）側の筒部（２２）の突出長さ（Ｌ１）と第２冷媒通路（１２）側の筒部（２２）の突出長さ（Ｌ２）とが異なることを特徴とする。
【００１５】
これによると、第１冷媒通路側の筒部の突出長さと第２冷媒通路側の筒部の突出長さとを異ならせることにより、第１冷媒通路に流入する冷媒の流量と第２冷媒通路に流入する冷媒の流量を異ならせて、第１冷媒通路側の冷却能力と第２冷媒通路側の冷却能力とを異ならせることができ、したがって、請求項１の発明と同様の効果を得ることができる。
【００１６】
請求項６に記載の発明では、冷媒が流れる冷媒通路を有する複数のチューブ（１）が所定間隔を隔てて積層され、隣接するチューブ（１）間に保持された電子部品（５）を両面から冷却する冷却器において、冷媒通路は、冷媒通路内に配置された中間壁（１４）によって、チューブ（１）の積層方向に並ぶ第１冷媒通路（１１）と第２冷媒通路（１２）とに分割され、熱交換を促進するフィン（１５）が第１冷媒通路（１１）と第２冷媒通路（１２）とに配置され、第１冷媒通路（１１）内のフィン（１５）と第２冷媒通路（１２）内のフィン（１５）とは、熱交換性能が異なることを特徴とする。
【００１７】
これによると、第１冷媒通路内のフィンと第２冷媒通路内のフィンの熱交換性能を異ならせることにより、第１冷媒通路側の冷却能力と第２冷媒通路側の冷却能力を異ならせることができ、したがって、請求項１の発明と同様の効果を得ることができる。
【００１８】
請求項７岸冷媒が流れる冷媒通路を有する複数のチューブ（１）が所定間隔を隔てて積層され、隣接するチューブ（１）間に保持された電子部品（５）を両面から冷却する冷却器において、冷媒通路は、冷媒通路内に配置された中間壁（１４）によって、チューブ（１）の積層方向に並ぶ第１冷媒通路（１１）と第２冷媒通路（１２）とに分割され、熱交換を促進するフィン（１５）が、第１冷媒通路（１１）および第２冷媒通路（１２）の一方のみに配置されていることを特徴とする。
【００１９】
これによると、第１冷媒通路および前記第２冷媒通路の一方のみにフィンを配置することにより、第１冷媒通路側の冷却能力と第２冷媒通路側の冷却能力を異ならせることができ、したがって、請求項１の発明と同様の効果を得ることができる。
【００２０】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る冷却器について説明する。図１は第１実施形態に係る冷却器の正面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う要部の断面図、図３は図１のＢ部の正面断面図、図４は図３のＣ部の拡大正面断面図である。
【００２２】
本発明の冷却器は、ハイブリッド電気自動車用インバータの両面冷却型半導体モジュールの冷却に用いることができる。
【００２３】
図１〜図３に示すように、冷却器は、冷媒が流れる冷媒通路１１、１２が内部に形成されるとともに、冷媒通路１１、１２内での冷媒の流れ向きＸ（以下、流れ向きＸという）に対して直交する方向Ｙ（以下、積層方向Ｙという）に所定間隔を隔てて積層された多数のチューブ１と、隣接するチューブ１間に配置されて隣接するチューブ１同士を連結するベローズ２と、積層方向Ｙの一端側に位置するチューブ１にろう付け接合されて、冷媒が流入する入口パイプ３と、積層方向Ｙの一端側に位置するチューブ１にろう付け接合されて、冷媒が流出する出口パイプ４とを備えている。なお、冷媒としては、本実施形態ではエチレングリコール系の不凍液が混入した水を用いている。
【００２４】
チューブ１は、２枚の外部プレート１３を最中状に合わせて内部に空間が形成されており、扁平形状になっている。その空間は、２枚の外部プレート１３間に狭持された平板状の１枚の内部プレート１４によって、積層方向Ｙに並ぶ第１冷媒通路１１と第２冷媒通路１２とに分割されている。各冷媒通路１１、１２には、熱交換を促進する波板状のフィン１５が配置されている。
【００２５】
各プレート１３、１４およびフィン１５は、アルミニウム製の薄板をプレス成形したものであり、孔食防止の観点から、内側が犠牲陽極材付きのブレージングシート材を使用するのが望ましい。
【００２６】
外部プレート１３には、冷媒通路１１、１２内での冷媒の流れ方向の両端側に、ベローズ２の筒部（詳細後述）が挿入される円形の挿入穴１３１が形成されている。内部プレート１４には、挿入穴１３１に対向する位置に、第１冷媒通路１１と第２冷媒通路１２とを連通させる連通穴１４１が形成されている。なお、内部プレート１４は本発明の中間壁に相当し、連通穴１４１は本発明の中間壁穴に相当する。
【００２７】
ベローズ２は、蛇腹状の管であり、積層方向Ｙに容易に伸縮可能な蛇腹部２１と、蛇腹部２１の両端に設けられた円筒状の筒部２２と、筒部２２の外周部に設けられた鍔部２３とを有する。ベローズ２は、アルミニウムよりなり、隣接する２つのチューブ１の挿入穴１３１に筒部２２を挿入して接合されている。
【００２８】
入口パイプ３および出口パイプ４は、アルミニウムよりなり、積層方向Ｙの一端側に位置するチューブ１の挿入穴１３１に挿入されてチューブ１にろう付け接合されている。入口パイプ３および出口パイプ４は、冷媒を循環させる図示しないポンプ、および冷媒を冷却する図示しない熱交換器に接続されている。
【００２９】
発熱体となる両面冷却型の半導体モジュール５は、本発明の電子部品に相当するものであり、ＩＧＢＴ素子５１と、銅板５２と、放熱板５３が、モールド樹脂５４にて一体化されている。そして、半導体モジュール５は隣接する２つのチューブ１間に配置され、半導体モジュール５は、絶縁材６（主にセラミック板）や熱伝導グリスを介してチューブ１に接触するようになっている。なお、半導体モジュール５は、チューブ１に直接接触させた状態で配設してもよい。また、図示しない板ばねによって、積層されたチューブ１を積層方向Ｙ両端から挟圧することにより、チューブ１間に半導体モジュール５が保持される。
【００３０】
図４は、チューブ１における冷媒の入口側を示しており、この冷媒入口側においては、ベローズ２の筒部２２の内径φＤ１と、内部プレート１４の連通穴１４１の内径φＤ２が、異なっている。より詳細には、筒部２２の内径φＤ１よりも連通穴１４１の内径φＤ２が大きくなっている。なお、ベローズ２は本発明の連結部材に相当する。
【００３１】
上記構成において、入口パイプ３から流入した冷媒は、ベローズ２内を通って各チューブ１の冷媒通路１１、１２の一端側に流入し、冷媒通路１１、１２内を流れ向きＸに沿って流れ、冷媒通路１１、１２の他端側からベローズ２内を通って出口パイプ４に至る。このとき、冷媒通路１１、１２内を流れる冷媒と半導体モジュール５との間で熱交換が行われ、半導体モジュール５が冷却される。
【００３２】
そして、筒部２２の内径φＤ１よりも連通穴１４１の内径φＤ２を大きくすることにより、ベローズ２から各冷媒通路１１、１２に冷媒が分配される部分で図４に示すような急拡大流れを生じさせることで、ベローズ２内での冷媒の流れ向きに対し手前側（上流側）の第１冷媒通路１１には冷媒が流れにくく、奥側（下流側）の第２冷媒通路１２には流れやすくなる。したがって、第１冷媒通路１１を流れる冷媒の流量Ｑ１よりも第２冷媒通路１２を流れる冷媒の流量Ｑ２の方が多くなり、第１冷媒通路１１側よりも第２冷媒通路１２側の方が冷却能力が高くなる。
【００３３】
そして、半導体モジュール５における発熱量（放熱量）が大きい方の面を、冷却能力が高い方の第２冷媒通路１２側に合わせ、半導体モジュール５における発熱量（放熱量）が小さい方の面を、冷却能力が低い方の第１冷媒通路１１側に合わせることにより、半導体モジュール５を効率よく冷却することができる。
【００３４】
因みに、図５は、筒部２２の内径φＤ１が２０ｍｍ程度で、冷却器に１２Ｌ／ｍｉｎの冷媒を流した場合の、内径差増減率（Ｄ２−Ｄ１）／Ｄ１と流量差増減率（Ｑ２−Ｑ１）／Ｑ１の関係を示している。                          
【００３５】
図５に示すように、筒部２２の内径φＤ１よりも連通穴１４１の内径φＤ２を大きくして内径差増減率を増加させた場合、内径差増減率が略０％から略１０％まで増加する範囲では、流量差増減率も増加することが確認された。但し、筒部２２の内径φＤ１よりも連通穴１４１の内径φＤ２が大きくなりすぎると、ベローズ２方向の流れからチューブ１方向の流れが支配的になり流量差が生じなくなる。                        
【００３６】
以上述べたように、本実施形態では、筒部２２の内径φＤ１よりも連通穴１４１の内径φＤ２を大きくすることにより、第１冷媒通路１１側よりも第２冷媒通路１２側の方が冷却能力が高くなるようにしている。したがって、半導体モジュール５における発熱量（放熱量）が大きい方の面を、冷却能力が高い方の第２冷媒通路１２側に合わせ、半導体モジュール５における発熱量（放熱量）が小さい方の面を、冷却能力が低い方の第１冷媒通路１１側に合わせることにより、半導体モジュール５を効率よく冷却することができる。
【００３７】
また、第１冷媒通路１１と第２冷媒通路１２を流れる冷媒の温度上昇が略等価になることで、熱の移動が減少し、温度差によるチューブ１の歪み発生が防止されてチューブ１の信頼性（寿命）が向上する。そして、半導体モジュール５の両面の表面温度も同様に均一化することで、温度差による半導体モジュール５の歪み発生が防止されて半導体モジュール５の信頼性（寿命）も向上する。              
【００３８】
また、筒部２２の内径φＤ１よりも連通穴１４１の内径φＤ２を小さくした場合と比較すると、本実施形態のように、筒部２２の内径φＤ１よりも連通穴１４１の内径φＤ２を大きくした場合、連通穴１４１部位での圧損を小さくすることができる。
【００３９】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。図６は第２実施形態に係る冷却器の要部の断面図である。第１実施形態と同一もしくは均等部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００４０】
第１実施形態では、筒部２２の内径φＤ１よりも連通穴１４１の内径φＤ２を大きくしたのに対し、本実施形態は、筒部２２の内径φＤ１よりも連通穴１４１の内径φＤ２を小さくしている。
【００４１】
これにより、ベローズ２内での冷媒の流れ向きに対し手前側（上流側）の第１冷媒通路１１には冷媒が流れやすく、奥側（下流側）の第２冷媒通路１２には冷媒が流れにくくなる。すなわち、図５に示すように、筒部２２の内径φＤ１よりも連通穴１４１の内径φＤ２を小さくして内径差増減率を減少させた場合、内径差増減率が略０％から−側に減少すると流量差増減率も減少する。
【００４２】
本実施形態では、第１冷媒通路１１側よりも第２冷媒通路１２側の方が冷却能力が低くなるため、半導体モジュール５における発熱量（放熱量）が大きい方の面を、冷却能力が高い方の第１冷媒通路１１側に合わせ、半導体モジュール５における発熱量（放熱量）が小さい方の面を、冷却能力が低い方の第２冷媒通路１２側に合わせることにより、半導体モジュール５を効率よく冷却することができる。
【００４３】
また、第１実施形態と同様に、チューブ１や半導体モジュール５の信頼性（寿命）を向上させることができる。
【００４４】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。図７は第３実施形態に係る冷却器の要部の断面図である。第１実施形態と同一もしくは均等部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００４５】
図７に示すように、本実施形態は、筒部２２の第１冷媒通路１１への突出長さＬ１と、筒部２２の第２冷媒通路１２への突出長さＬ２とを異ならせることによって、チューブ１の入口断面積、すなわち、ベローズ２から各冷媒通路１１、１２に冷媒が分配される部分の通路断面積を変えるようにしている。
【００４６】
これにより、第１冷媒通路１１を流れる冷媒の流量Ｑ１と第２冷媒通路１２を流れる冷媒の流量Ｑ２とを異ならせ、第１冷媒通路１１側の冷却能力と第２冷媒通路１２側の冷却能力とを異ならせることができる。
【００４７】
したがって、本実施形態では、第１実施形態と同様に、半導体モジュール５を効率よく冷却することができるとともに、チューブ１や半導体モジュール５の信頼性（寿命）を向上させることができる。
【００４８】
（他の実施形態）
上記各実施形態では、第１冷媒通路１１を流れる冷媒の流量Ｑ１と第２冷媒通路１２を流れる冷媒の流量Ｑ２とを異ならせることにより、第１冷媒通路１１側の冷却能力と第２冷媒通路１２側の冷却能力とを異ならせるようにしたが、第１冷媒通路１１内のフィン１５と第２冷媒通路１２内のフィン１５の熱交換性能を異ならせることにより、換言すると、高性能なフィンをどちらか一方に配置することにより、第１冷媒通路１１側の冷却能力と第２冷媒通路１２側の冷却能力とを異ならせるようにしてもよい。因みに、上記の高性能なフィンは、微細な流路、伝熱面積の拡大、オフセットフィンにすることで実現可能である。
【００４９】
また、第１冷媒通路１１および第２冷媒通路１２の一方のみにフィン１５を配置することにより、第１冷媒通路１１側の冷却能力と第２冷媒通路１２側の冷却能力とを異ならせるようにしてもよい。
【００５０】
上記各実施形態では、冷媒としてエチレングリコール系の不凍液が混入した水を用いたが、冷媒としては、水やアンモニア等の自然冷媒や、フロリナート等のフッ化炭素系冷媒、ＨＣＦＣ１２３、ＨＦＣ１３４ａ等のフロン系冷媒、メタノール、アルコール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒などを用いることができる。
【００５１】
また、上記実施形態においては、ハイブリッド電気自動車用インバータの両面冷却型半導体モジュールの冷却に本発明を適用したが、例えば産業機器のモータ駆動インバータや、ビル空調用のエアコンインバータなどの半導体モジュールの冷却に本発明を適用することもできる。
【００５２】
また、本発明の冷却器は、半導体モジュール５ではなく、パワートランジスタ、パワーＦＥＴ、ＩＧＢＴなどの電子部品を冷却することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る冷却器の正面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う要部の断面図である。
【図３】図１のＢ部の正面断面図である。
【図４】図３のＣ部の拡大正面断面図である。
【図５】内径差増減率と流量差増減率の関係を示す特性図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る冷却器の要部の断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る冷却器の要部の断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１…チューブ、５…半導体モジュール（電子部品）、１１…第１冷媒通路、１２…第２冷媒通路。
【図１】
2005311046.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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