(57)【要約】【課題】３−ショットＳＬＳ方法で結晶粒の大きさを極大化させることができるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の形成方法を提供する。【解決手段】基板上のバッファ膜介在下の非晶質シリコン膜をマスク利用のレーザー照射によって結晶化させる多結晶シリコン膜の形成方法において、同一の長さを有する第１、第２、及び第３のショット領域に区分され、第１、第２のショット領域は、透過部と非透過部とが交互に配置され、第１、第２のショット領域の透過部と非透過部の位置が互いに反対に配置され、各領域の透過部はその縁部が一定部分重なる形状を有し、第３のショット領域は、透過部と非透過部とが交互に配置され、透過部は第１、第２のショット領域での透過部の中央に対応する位置に配置される形状を有するマスクパターンを有するマスクを用い基板を所定距離単位平行移動させながら１次〜ｎ次レーザー照射工程を実施し非晶質シリコン膜全体を結晶化させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上にバッファ膜の介在下に蒸着された非晶質シリコン膜を所定のマスクを利用したレーザービームの照射によって結晶化させる多結晶シリコン膜の形成方法において、
前記所定のマスクは、互いに同一な一定の長さを有する第１のショット領域、第２のショット領域、及び第３のショット領域に区分され、前記第１のショット領域及び第２のショット領域は、透過部と非透過部とが交互に配置されており、第１のショット領域と第２のショット領域の透過部と非透過部の位置がお互いに反対になるよう配置され、各領域の透過部はその縁部が一定部分重なる形状を有しており、前記第３のショット領域は、透過部と非透過部とが交互に配置されるものの、前記透過部は第１のショット領域及び第２のショット領域での透過部の中央に対応する位置に配置される形状を有するマスクパターンを具備するように設計され、
前記マスクパターンを有するマスクを利用して前記ガラス基板を所定の距離単位で平行移動（ｔｒａｎｓｌａｔｉｏｎ）させながら１次からｎ次までレーザー照射工程を実施して非晶質シリコン膜の全体を結晶化させることを特徴とする多結晶シリコン膜の形成方法。
【請求項２】
前記第１のショット領域及び第２のショット領域の透過部は、ここを通したレーザービーム照射時に自発的な核生成（ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ）が生じ、第３のショット領域の透過部を通したレーザービームの照射によって非晶質シリコン膜が多結晶シリコンに結晶化されることができる大きさを有することを特徴とする請求項１に記載の多結晶シリコン膜の形成方法。
【請求項３】
前記第３のショット領域の透過部は、第１及び第２のショット領域の透過部より小さな大きさを有することを特徴とする請求項２に記載の多結晶シリコン膜の形成方法。
【請求項４】
前記レーザー照射工程は、非晶質シリコン膜または多結晶シリコン膜を完全に溶融させることのできるのに充分なエネルギーで実施することを特徴とする請求項１に記載の多結晶シリコン膜の形成方法。
【請求項５】
前記レーザー照射工程は、パルスの持続時間が増加するようにパルスの持続増量機（ｐｕｌｓｅ  ｄｕｒａｔｉｏｎ  ｅｘｔｅｎｄｅｒ）を利用して実施することを特徴とする請求項１に記載の多結晶シリコン膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置の製造方法に関するものであり、より詳細には、多結晶シリコン薄膜トランジスタを形成するための多結晶シリコン膜の形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置または有機発光表示装置などでスイッチング素子として使われる薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、ＴＦＴと記す）は前述の平板表示装置の性能において最も重要な構成要素である。ここで、ＴＦＴの性能を判断する基準である移動度（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）または漏洩電流などは電荷運搬体が移動する経路である活性層がどのような状態（ｓｔａｔｅ）または構造を有するのか、すなわち、活性層の材料であるシリコン薄膜がどのような状態または構造を有するのかに大きく左右される。現在標準生産されている液晶表示装置の場合、ＴＦＴの活性層はほとんど非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ：以下、ａ−Ｓｉと記す）である。
【０００３】
ところが、活性層としてａ−Ｓｉを適用したａ−ＳｉＴＦＴは移動度が０．５ｃｍ２／Ｖｓ内外と非常に低いために液晶表示装置に入っているすべてのスイッチング素子をａ−ＳｉＴＦＴで作ることには問題がある。これは液晶表示装置の周辺回路用の駆動素子は非常に早い速度で動作しなければならないが、ａ−ＳｉＴＦＴは周辺回路用の駆動素子で要求される動作速度を満足させることができないために、ａ−ＳｉＴＦＴを用いての周辺回路用の駆動素子の具現が実質的に困難であるということを意味する。
【０００４】
一方、活性層として多結晶シリコン（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ：以下、ｐｏｌｙ−Ｓｉと記す）を適用したｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴは移動度が数十〜数百ｃｍ２／Ｖｓと高いために周辺回路用の駆動素子に対応可能な高い駆動速度を出すことができる。このために、ガラス基板上にｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を形成させると、画素スイッチング素子だけでなく周辺回路用の駆動部品も具現が可能になる。よって、周辺回路の形成に必要な別途のモジュール工程が必要でなくなるだけでなく、画素領域を形成する時に共に周辺回路の駆動部品まで形成することができるために周辺回路用の駆動部品費用の節減を期待することができる。
【０００５】
それだけでなく、ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴは高い移動度であるためにａ−ＳｉＴＦＴより小さくすることができるし、さらに、集積工程を通じて周辺回路の駆動素子と画素領域のスイッチング素子を共に同時に形成することができるために、線幅の微細化がより容易になってａ−ＳｉＴＦＴ−ＬＣＤで実現が難しい高解像度を得るのに非常に有利である。
【０００６】
さらに、ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴは優れた電流特性を有するために次世代の平板表示装置である有機発光表示装置の駆動素子として好適であり、従って、近年、ガラス基板上でｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を形成させてＴＦＴを製造するｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴの研究が活発に行われている。
【０００７】
ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜をガラス基板上に形成させるための方法としては、ａ−Ｓｉ膜の蒸着後に熱処理を行ってａ−Ｓｉ膜を結晶化させる方法を挙げることができる。ところが、この場合には６００℃以上の高温工程でガラス基板に変形が生じるようになって、そのために、信頼性及び収率の減少をもたらすようになる。
【０００８】
これに対し、ガラス基板に熱的損傷（ｔｈｅｒｍａｌ  ｄａｍａｇｅ）を与えないでａ−Ｓｉ膜のみを結晶化させることができる方法としてエキシマレーザーアニーリング（Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）方法が提案され、他の方法として逐次的横方向結晶化（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ：以下、ＳＬＳと記す）方法が提案された（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
ここで、ＳＬＳ方法はパルスレーザー（ｐｕｌｓｅ  ｌａｓｅｒ）と選択的に透過部を提供するスリットパターンを具備したマスクを利用してａ−Ｓｉをｐｏｌｙ−Ｓｉに結晶化させる方法であり、この方法の場合はマスクの形態と進行方法によって結晶化の形態が大きく変わる。
【００１０】
このようなＳＬＳ方法は先に形成されたｐｏｌｙ−Ｓｉをシード（ｓｅｅｄ）にして次のｐｏｌｙ−Ｓｉを成長させるように行われ、その代表的な工程としてディレクショナル（ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ）工程、２−ショット（２−ｓｈｏｔ）工程、３−ショット（３−ｓｈｏｔ）工程、ｎ−ショット（ｎ−ｓｈｏｔ）工程などがある。
【００１１】
３−ショットＳＬＳ方法において、第１のショットのスリットパターン、即ち、透過部の両側から横方向成長するｐｏｌｙ−Ｓｉ結晶粒が中央で衝突して突出部（ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）を形成しながら成長が止まる。第２のショットは第１のショットで形成された結晶粒をシード（ｓｅｅｄ）として成長していく途中で同様に透過部の両側で横方向成長する結晶粒の衝突によって成長が止まる。そして、第３のショットも既に第１及び第２のショットで形成された結晶粒をシードにして成長していく途中で互いに衝突によって成長が止まる。
【００１２】
ところが、３−ショットＳＬＳ方法によると、両側から横方向成長する結晶粒の衝突によって成長が止まるようになるために結晶粒が最大限に成長することができなく、これによって、ｐｏｌｙ−Ｓｉの大きさが制限され、結果的に、ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴの性能向上が制限されるという問題があった。
【００１３】
【特許文献１】米国特許第６３６８９４５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで、本発明は上記従来のにおける問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、３−ショットＳＬＳ方法を利用しながらも結晶粒の大きさを極大化させることができるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の形成方法を提供することにある。
【００１５】
また、本発明の他の目的は、３−ショットＳＬＳ方法を利用しながらも結晶粒の大きさを極大化させることでＴＦＴの性能を向上させることができるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するためになされた本発明による多結晶シリコン膜の形成方法は、ガラス基板上にバッファ膜の介在下に蒸着された非晶質シリコン膜を所定のマスクを利用したレーザービームの照射によって結晶化させる多結晶シリコン膜の形成方法において、前記所定のマスクは、互いに同一な一定の長さを有する第１のショット領域、第２のショット領域、及び第３のショット領域に区分され、前記第１のショット領域及び第２のショット領域は、透過部と非透過部とが交互に配置されており、第１のショット領域と第２のショット領域の透過部と非透過部の位置がお互いに反対になるよう配置され、各領域の透過部はその縁部が一定部分重なる形状を有しており、前記第３のショット領域は、透過部と非透過部とが交互に配置されるものの、前記透過部は第１のショット領域及び第２のショット領域での透過部の中央に対応する位置に配置される形状を有するマスクパターンを具備するように設計され、前記マスクパターンを有するマスクを利用して前記ガラス基板を所定の距離単位で平行移動（ｔｒａｎｓｌａｔｉｏｎ）させながら１次からｎ次までレーザー照射工程を実施して非晶質シリコン膜の全体を結晶化させることを特徴とする。
【００１７】
ここで、前記第１のショット領域及び第２のショット領域の透過部は、ここを通したレーザービーム照射時に自発的な核生成（ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ）が生じ、第３のショット領域の透過部を通したレーザービームの照射によって非晶質シリコン膜が多結晶シリコンに結晶化されることができる大きさを有することを特徴とする。
前記第３のショット領域の透過部は、第１及び第２のショット領域の透過部より小さな大きさを有することを特徴とする。
前記レーザー照射工程は、非晶質シリコン膜または多結晶シリコン膜を完全に溶融させることのできるのに充分なエネルギーで実施することを特徴とする。
前記レーザー照射工程は、パルスの持続時間が増加するようにパルスの持続増量機（ｐｕｌｓｅ  ｄｕｒａｔｉｏｎ  ｅｘｔｅｎｄｅｒ）を利用して実施することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る多結晶シリコン膜の形成方法によれば、ＳＬＳ方法によってａ−Ｓｉを結晶化させてｐｏｌｙ−Ｓｉを形成しながら、結晶化時に使われるマスクパターンの形状を変更して結晶粒の横方向成長が中央部での自発的な核生成が生じるまで進行されるようにすることで従来より大きい大きさの結晶粒を有するｐｏｌｙ−Ｓｉを形成することができるという効果がある。
【００１９】
したがって、大きい結晶粒のｐｏｌｙ−Ｓｉを形成することができるために、ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴの性能を向上させることができ、ひいては、このようなｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴが適用される液晶表示装置の品質を向上させることができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
次に、本発明に係る多結晶シリコン膜の形成方法を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
先ず、本発明の技術的原理を説明すると、本発明は３−ショットＳＬＳ方法によってａ−Ｓｉをｐｏｌｙ−Ｓｉで結晶化させることにおいてマスクパターンの形状を変更させて最終的に得られるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の結晶粒の大きさを従来の方法によって得られたｐｏｌｙ−Ｓｉ膜でのそれより格段に大きくなるようにする。
【００２１】
すなわち、ＳＬＳ方法での結晶粒成長は両側から横方向成長する結晶粒が中央で衝突しながら成長を止まるようになるが、この時、成長した結晶粒の大きさはａ−Ｓｉを完全溶融させるスリットパターンの大きさ（スリット幅）と関連がある。これによって、具体的に言及しないが、従来ではレーザーが透過されるスリットパターンの幅が小さいために、両側で横方向成長する結晶粒の成長長さが短くなることによって結晶粒の成長の大きさが小さくなるしかなく、そのために、最終的に得られるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜での結晶粒の大きさが制限されてしまう。
【００２２】
したがって、本発明では、３−ショット工程を実施するにおいて、使われるマスクでのマスクパターンを３個の領域に分けて構成し、第１のショット領域及び第２のショット領域は透過部と非透過部との位置のみがお互いに反対になるように構成しながら透過部であるスリットパターンの大きさ（幅）を従来より大きくて中央で自発的な核生成が生じることができるほどの大きさで広げ、そして、第３のショット領域は、第１のショット及び第２のショットで核生成の生じた領域が再び溶融及び横方向成長することができるようにする位置に透過部を配置させる。
【００２３】
このようにすると、第１のショット及び第２のショットによって成長した結晶粒の大きさが従来の方法によって成長したそれの大きさより大きくなるために、結果的に、本発明は従来より大きい大きさの結晶粒を有するｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を形成することができるようになり、これによって、ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴの性能を改善させることができるようになる。
【実施例】
【００２４】
図１乃至図３は、本発明によるＳＬＳ方法を利用したｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の形成方法を説明するための図面であり、図１は、本発明によるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の形成方法でのマスクパターンを示した図面であり、図２は、本発明によるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の形成方法の過程を説明するための図面であり、図３は、本発明によって形成されたｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の微細構造を示す図面である。
【００２５】
図１を参照すると、本発明のｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の形成方法で使われるマスク３０はそのマスクパターンが互いに同一の一定長さを有する３個の領域、すなわち、第１のショット領域、第２のショット領域、及び第３のショット領域に区分されて具備され、この時、各ショット領域はスリットパターンに該当する透過部Ａとスリットパターンではない非透過部Ｂが垂直方向に対して交互に配置された形状を有する。
【００２６】
より詳しくは、第１のショット領域は透過部Ａと非透過部Ｂとが交互に配置された形状であり、この時、透過部Ａは中央で自発的な核生成（ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ）が発生することができるほどの広さ、すなわち、厚さｄを有するように具備される。一方、核生成が生じる領域（以下、核生成領域）は以後第３のショットによって全部溶融されて横方向成長したｐｏｌｙ−Ｓｉに変わることができるほどの厚さｄを有するように設計する。
【００２７】
第２のショット領域は第１のショット領域と同様に透過部Ａと非透過部Ｂとが交互に配置される形状で構成するものの、第１のショット領域と比べる時、透過部Ａと非透過部Ｂとの位置がお互いに反対になるよう配置され、併せて、連続的な結晶粒成長がなされるように透過部Ａの縁部が第１のショットの縁部と重なるように構成する。同様に、透過部Ａは中央に核生成が生じることができるほどの厚さを有するように設計する。
【００２８】
第３のショット領域も同様に透過部Ａと非透過部Ｂとが交互に配置される形状で構成するものの、透過部Ａが第１のショット領域及び第２のショット領域で核生成の領域に対応する位置に配置されるように構成し、これによって、第１のショット及び第２のショット領域での核生成領域で結晶粒の横方向成長によってｐｏｌｙ−Ｓｉ領域になるようにする。この時、透過部Ａの大きさ（幅）は核生成領域のそれよりすこし大きいように設計することが望ましい。
【００２９】
一方、各ショット領域の長さはこのようなマスクパターンを具備したマスクを利用した３−ショットＳＬＳ工程の進行時にマスクパターンの平行移動（ｔｒａｎｓｌａｔｉｏｎ）距離になる。
【００３０】
このような本発明のマスク３０を利用したｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の形成方法を図２に示す。
図２を参照すると、ガラス基板２０上にＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙまたはＳｉＮｘなどのシリコン含有酸化膜または窒化膜、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉ及びＷのような金属膜、または、金属窒化膜及び金属酸化膜などでなされたバッファ膜２２を形成した後、バッファ膜２２上にａ−Ｓｉ膜２４を蒸着する。
【００３１】
次に、ａ−Ｓｉ膜２４の上部に図１で示したようなマスクパターンを有するマスク３０を配置させた状態で、ａ−Ｓｉ膜２４に対して該当ａ−Ｓｉ領域を完全溶融させることができるエネルギー以上のパルスレーザーで１次レーザー照射工程３２を実施する。
【００３２】
なお、ここで、レーザー照射工程は、マスク３０のマスクパターンの第１のショット領域のみの１次レーザー照射工程、第１、第２のショット領域のみの２次レーザー照射工程、第１、第２、第３のショット領域全体の３次レーザー照射工程、以下、ｎ−２次レーザー照射工程まで第１、第２、第３のショット領域全体にレーザー照射を行い、ｎ−１次レーザー照射工程で第２、第３のショット領域のみ、ｎ次次レーザー照射工程で第３のショット領域のみというふうに実施され、進行していくが、以下の説明では最初に第１のショット領域でレーザー照射される部分のみに説明の焦点を当てて結晶化の詳細な過程を説明していく。当然、他の領域でも同様の工程が順次進行していくものである。
【００３３】
この時、マスクパターンの第１のショット領域の透過部のみにレーザービームが照射され、照射された領域のａ−Ｓｉは完全溶融される。そして、完全溶融されたａ−Ｓｉ部分のみは時間が経つにつれて温度が低くなりながらレーザービームが照射された領域の周辺縁部からｐｏｌｙ−Ｓｉへの凝固（ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）及び結晶粒の横方向成長（ｌａｔｅｒａｌ  ｇｒｏｗｔｈ）が起こる。特に、両側から成長する結晶粒（ｇｒａｉｎ）は溶融された領域の中央で発生する核生成領域の衝突によってその横方向成長が止まるようになり、本発明では、結晶粒が自発的な核生成が生じる溶融領域の中央部まで横方向成長をすることができて従来よりもさらに大きい結晶粒のｐｏｌｙ−Ｓｉを得ることができるようになる。
【００３４】
続いて、ガラス基板２０をマスクパターンでの平行移動距離の相当する所定距離だけ移動させてパルスレーザーで２次レーザー照射工程３４を実施する。この時、マスクパターンの第１のショット領域及び第２のショット領域の透過部のみにレーザービームが照射される。
この場合、１次レーザー照射工程で結晶化された結晶領域の周辺縁部を含んで、結晶化されなかったａ−Ｓｉ膜の部分にレーザービームの照射がなされ、前述と同様にレーザーの照射がなされて完全に溶融されたａ−Ｓｉ領域は時間が経つにつれて温度が低くなりながらレーザーが照射された領域の周辺縁部からｐｏｌｙ−Ｓｉへの凝固及び結晶粒の横方向成長が起こる。
【００３５】
この時、横方向成長は第１のショットで形成されたｐｏｌｙ−Ｓｉをシード（ｓｅｅｄ）として成長するために結晶粒が連続的に成長することができる。また、両側から成長する結晶粒は溶融された領域の中央で発生する核生成領域の衝突によってその横方向成長が止まるようになり、同様に自発的な核生成が生じる溶融領域の中央部まで横方向成長することができて本発明は従来よりもっと大きい結晶粒のｐｏｌｙ−Ｓｉを得ることができるようになる。
【００３６】
１次及び２次レーザー照射工程の結果、マスクパターンでの第１のショット領域と第２のショット領域によって溶融領域の両側から横方向成長した大きい結晶粒のｐｏｌｙ−Ｓｉと、溶融領域の中央部で核生成によって発生した小さな結晶粒のｐｏｌｙ−Ｓｉが共に共存する構造を有するようになる。
【００３７】
ところが、小さな結晶粒のｐｏｌｙ−Ｓｉ領域は全体ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の特性に悪影響を与えることがある。よって、以後の３次レーザー照射工程３６によって小さな結晶粒のｐｏｌｙ−Ｓｉ領域をとり除く。
【００３８】
次に、ガラス基板２０を再びマスクパターンでの平行移動距離の相当する所定距離だけ移動させてパルスレーザーで３次レーザー照射工程３６を実施する。この時、実質的なレーザーの照射は１次及び２次レーザー照射工程３２、３４時に自発的な核生成が生じた領域、すなわち、小さな結晶粒のｐｏｌｙ−Ｓｉ領域に対して実施されることであり、よって、３次レーザー照射工程３６は小さな結晶粒のｐｏｌｙ−Ｓｉ領域を完全に溶融させることができるエネルギーで実施する。
【００３９】
３次レーザー照射工程の結果、小さな結晶粒のｐｏｌｙ−Ｓｉ領域が完全に溶融されることはもちろん、時間が経つにつれて温度が低くなりながらレーザーが照射された領域の周辺縁部からｐｏｌｙ−Ｓｉへの凝固及び結晶粒の横方向成長が起こり、この時、横方向成長は第１のショット及び第２のショットによって形成されたｐｏｌｙ−Ｓｉをシードとして成長するために結晶粒が連続的に成長することができる。併せて、透過部の両側から横方向成長する結晶粒は溶融された領域の中央でお互いに衝突して突出部（ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）を形成することでその横方向成長が止まるようになる。
【００４０】
ここで、３次レーザー照射工程３６によるｐｏｌｙ−Ｓｉの形成は従来と同様に両側から横方向成長している途中に中央でお互いに衝突して成長を止まるため、結晶粒の大きさは著しく大きくはならないが、既に１次及び２次レーザー照射工程を通じて大きい結晶粒のｐｏｌｙ−Ｓｉを形成しており、併せて、３次レーザーの照射対象領域は核生成の領域であり、また、完全に溶融される領域の大きさもすこし増加させたために、３次レーザーの照射工程での領域でも従来より大きい結晶粒のｐｏｌｙ−Ｓｉを得ることができる。
【００４１】
以後、上述した工程を連続して実施し、すなわち、ガラス基板２０をマスクパターンでの平行移動距離の相当する所定距離だけ移動させてパルスレーザーでｎ次レーザー照射工程３８を実施してａ−Ｓｉ膜全体を結晶化させ、これによって、最終的に図３に示すような微細構造の大きい結晶粒を有するｐｏｙ−Ｓｉ膜２６を形成する。
【００４２】
一方、上述した本発明の実施例において、ガラス基板の代りにプラスチック基板を適用することも可能である。また、レーザーの照射はパルスの持続時間（ｐｕｌｓｅ  ｄｕｒａｔｉｏｎ  ｔｉｍｅ）が増加されるようにパルスの持続増量機（ｐｕｌｓｅ  ｄｕｒａｔｉｏｎ  ｅｘｔｅｎｄｅｒ）を利用して実施することが望ましい。さらに、レーザー照射時に基板移動の方向は前方向及び後方向の両方を利用することができる。
【００４３】
そして、上述した本発明の方法は、ａ−Ｓｉ膜を結晶化させること以外にａ−Ｇｅ、ａ−ＳｉｘＧｅｙ、ａ−Ｇａ、ａ−ＧａＮｘ、または、ａ−ＧａｘＡｓｙなども結晶化させることができるし、併せて、上述した多結晶膜自体も結晶化させることもできる。
【００４４】
尚、本発明は、上述の実施例に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明による多結晶シリコン膜の形成方法においてマスクパターンを説明するための図面である。
【図２】本発明による多結晶シリコン膜の形成方法を説明するための図面である。
【図３】本発明によって形成された多結晶シリコン膜の微細構造を示す概略図面である。
【符号の説明】
【００４６】
２０        ガラス基板
２２        バッファ膜
２４        非晶質シリコン膜（ａ−Ｓｉ膜）
２６        多結晶シリコン膜（ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜）
３０        マスク
３２        １次レーザー照射工程
３４        ２次レーザー照射工程
３６        ３次レーザー照射工程
３８        ｎ次レーザー照射工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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