(57)【要約】【課題】  放熱性に優れ、また生産性に優れた半導体レーザ装置を提供すること。【解決手段】  半導体レーザチップ５を搭載する板状の搭載部１ａおよびこの搭載部１ａに連なって延びるリード部１ｂを有する第１リード１を備える。第１リード１のリード部１ｂに沿って延びる第２リード２１，２２，２３を備える。第１リード１および第２リード２１，２２，２３を一体に保持する絶縁性材料からなる保持部３を備える。第１リード１の搭載部１ａの裏面１ｃが保持部３から露出している。第１リード１は、搭載部１ａの裏面１ｃに沿って搭載部１ａから突出したタイバー部６ａ，６ｂを有する。【選択図】図１
2005311147.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザチップを搭載する板状の搭載部およびこの搭載部に連なって延びるリード部を有する第１リードと、
上記第１リードのリード部に沿って延びる第２リードと、
上記第１リードおよび第２リードを一体に保持する絶縁性材料からなる保持部を備え、
上記第１リードは、上記搭載部の裏面が上記保持部から露出するとともに、上記搭載部の裏面に沿って上記搭載部から突出したタイバー部を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記タイバー部は上記半導体レーザチップの光軸に対して垂直方向に突出していることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記タイバー部の突出方向の先端は上記搭載部の任意の部分よりも上記半導体レーザチップから遠い位置にあることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記タイバー部の幅は半導体レーザチップの幅と同じか又はその幅以上であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記第２リードは、この第２リードの上記保持部に対する移動を規制する抜け止め部を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記第１リードは上記搭載部の前縁に、上記半導体レーザチップの搭載位置を示すように後退した凹部を有し、
上記半導体レーザチップの直前に相当する上記凹部の内縁は、上記半導体レーザチップの光軸に対して傾斜していることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記第１リードは部分的に厚さの異なる異形フレームからなることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体レーザ装置において、
上記第１リードの上記搭載部のうち上記半導体レーザチップが搭載される部分の厚さに比して、上記搭載部のうち残りの部分の厚さが厚くなっていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項９】
請求項７に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザチップの上面と上記第１リードのリード部上面との間の高低差を少なくするように、上記第１リードの上記リード部の厚さが上記搭載部の厚さに対して厚くなっていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体レーザ装置において、
上記第１リードの上記搭載部と上記リード部とが溶接されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザチップの上面と上記第１リードのリード部上面とがワイヤで接続されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記第１リードの上記搭載部のうち上記半導体レーザチップが搭載されている領域以外の領域に、上記搭載部の表裏を通じる貫通穴が設けられ、
上記搭載部の裏面に上記貫通穴の周りを上記貫通穴に連なって取り囲む窪みが設けられ、
上記保持部の材料が上記搭載部の表面側から上記貫通穴を通して上記窪みを埋めていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記第１リードの上記搭載部のうち上記半導体レーザチップが搭載されている領域以外の領域に、上記搭載部の表裏を通じる貫通穴を形成するように切り起こし部が設けられ、
上記保持部の材料が上記搭載部の表面側から上記貫通穴を通して上記切り起こし部の裏側の空間を埋めていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記第１リードのリード部および第２リードのうち上記保持部から突出したアウターリード部分に局所的に細いネックが設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体レーザ装置において、
上記各リードは、芯材に、この芯材に比して半田濡れ性の良い金属をメッキしたものであることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の半導体レーザ装置において、
上記芯材がＣｕからなり、上記メッキされた金属の最表面がＳｎまたはＡｕであることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１７】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記保持部の材料が樹脂であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１８】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記保持部の材料がセラミックであることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１９】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記保持部の色が黒色であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２０】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記保持部上に上記半導体レーザチップを保護するための蓋を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２１】
ハウジングを備え、
請求項１に記載の半導体レーザ装置が、上記第１リードの搭載部およびタイバー部を上記ハウジングに接触させた態様で取り付けられていることを特徴とする光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体レーザ装置に関し、より詳しくは、フレームタイプの半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
また、この発明は、そのような半導体レーザ装置を備えた光ピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
ＣＤ−ＲＯＭ（コンパクトディスク−読出専用メモリ）やＭＤ（ミニディスク）などの情報記録媒体に記録された情報を読み取るために、光ピックアップ装置の部品として半導体レーザ装置が広く使用されている。半導体レーザ装置の中には、特許文献１（特開２００２−４３６７９号公報）に示されているようなフレームタイプのレーザ装置がある。このフレームタイプのレーザ装置は、金属のリードフレームと電極となる複数のリードとが樹脂により一体成形されたパッケージを備えている。リードフレームの素子配置部（チップを搭載する部分）に半導体レーザチップが搭載され、その半導体レーザチップと電極リードとはワイヤにより電気的に接続されている。特許文献１のものは、このリードフレームが上記樹脂の側面から突出した翼部を備えて、放熱効率を高めることを図っている。
【特許文献１】特開２００２−４３６７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、近年の光ピックアップ装置では高出力の半導体レーザチップを用いることが多く、半導体レーザチップの放熱特性をさらに改善する必要性がある。
【０００５】
そこで、この発明の課題は、放熱性に優れ、また生産性に優れた半導体レーザ装置を提供することにある。
【０００６】
また、この発明の課題は、そのような半導体レーザ装置を備えた光ピックアップ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、この発明の半導体レーザ装置は、
半導体レーザチップを搭載する板状の搭載部およびこの搭載部に連なって延びるリード部を有する第１リードと、
上記第１リードのリード部に沿って延びる第２リードと、
上記第１リードおよび第２リードを一体に保持する絶縁性材料からなる保持部を備え、
上記第１リードは、上記搭載部の裏面が上記保持部から露出するとともに、上記搭載部の裏面に沿って上記搭載部から突出したタイバー部を有することを特徴とする。
【０００８】
ここで、第１リードの「搭載部の裏面」とは、半導体レーザチップを搭載した面とは反対側の面をさす。
【０００９】
この発明の半導体レーザ装置では、第１リードの搭載部に半導体レーザチップが搭載されている。この第１リードの上記搭載部の裏面が上記保持部から露出するとともに、タイバー部が上記搭載部の裏面に沿って上記搭載部から突出している。したがって、この半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で光ピックアップ装置のハウジングに上記第１リードの搭載部（裏面）およびタイバー部を接触させれば、半導体レーザチップの動作時に上記搭載部とともに上記タイバー部が放熱のために働く。つまり、半導体レーザチップが発生した熱が上記搭載部およびタイバー部を通してハウジングに放熱される。したがって、放熱面積が広くなり、放熱性が良くなる。
【００１０】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記タイバー部は上記半導体レーザチップの光軸に対して垂直方向に突出していることを特徴とする。
【００１１】
この一実施形態の半導体レーザ装置では、上記タイバー部は上記半導体レーザチップの光軸に対して垂直方向に突出しているので、上記半導体レーザチップが出射したレーザ光が上記タイバー部によって妨げられることがない。
【００１２】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記タイバー部の突出方向の先端は上記搭載部の任意の部分よりも上記半導体レーザチップから遠い位置にあることを特徴とする。
【００１３】
この一実施形態の半導体レーザ装置では、上記タイバー部の先端は上記搭載部の任意の部分よりも上記半導体レーザチップから遠い位置にある。したがって、放熱面積が広くなり、さらに放熱性が向上する。
【００１４】
一実施形態の半導体レーザ装置では、  上記タイバー部の幅は半導体レーザチップの幅と同じか又はその幅以上であることを特徴とする。
【００１５】
ここで、上記タイバー部の「幅」とは、上記搭載部の裏面に沿った面内で上記タイバー部の突出方向に対して垂直な方向の幅を意味する。また、上記半導体レーザチップの「幅」とは、このチップから出射されるレーザ光の光軸に垂直な方向の幅を意味する。
【００１６】
この一実施形態の半導体レーザ装置では、上記タイバー部の幅は半導体レーザチップの幅と同じか又はその幅以上であるから、放熱面積が広くなり、さらに放熱性が向上する。
【００１７】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記第２リードは、この第２リードの上記保持部に対する移動を規制する抜け止め部を有することを特徴とする。
【００１８】
この一実施形態の半導体レーザ装置では、上記第２リードは、この第２リードの上記保持部に対する移動を規制する抜け止め部とを有する。したがって、例えばこの半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で上記第２リードを半田付けする時、上記保持部の材料が半田の熱によって軟化したとしても、上記抜け止め部のお蔭で、上記第２リードが上記保持部に対して移動することがない。したがって、半田付けが安定して行われ、生産性に優れる。
【００１９】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記第１リードは上記搭載部の前縁に、上記半導体レーザチップの搭載位置を示すように後退した凹部を有し、上記半導体レーザチップの直前に相当する上記凹部の内縁は、上記半導体レーザチップの光軸に対して傾斜していることを特徴とする。
【００２０】
ここで、上記搭載部の「前縁」は、上記半導体レーザチップが外部へレーザ光を出射する向きを「前」として定めるものとする。
【００２１】
この一実施形態の半導体レーザ装置では、上記第１リードは上記搭載部の前縁に、上記半導体レーザチップの搭載位置を示すように後退した凹部を有しているので、製造段階で上記搭載部上に上記半導体レーザチップを取り付ける時、半導体レーザチップの位置決めを行うことが容易となる。例えば上記搭載部上に矩形板状のサブマウント部材を介して上記半導体レーザチップを搭載する場合は、そのサブマウント部材の前縁を上記凹部の縁に沿って位置合わせすれば良い。しかも、上記半導体レーザチップの直前に相当する上記凹部の内縁は、上記半導体レーザチップの光軸に対して傾斜している。したがって、上記半導体レーザチップの動作時に、レーザ光照射対象物（例えば情報記録媒体）からの戻り光が上記凹部やサブマウント部材に入射したとしても、その戻り光は上記凹部の内縁やサブマウント部材の前縁によって上記半導体レーザチップがレーザ光を出射する向きとは異なる向きへ反射される。この結果、この半導体レーザ装置を用いる装置（例えば光ピックアップ装置）において、レーザ光照射対象物からの戻り光がノイズの原因になるのを防止できる。
【００２２】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記第１リードは部分的に厚さの異なる異形フレームからなることを特徴とする。
【００２３】
この一実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記第１リードの厚さを部分的に異なるものにすることによって、上記第１リードの各部の高さをワイヤボンディングの便宜のために設定できる。したがって、生産性に優れる。
【００２４】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記第１リードの上記搭載部のうち上記半導体レーザチップが搭載される部分の厚さに比して、上記搭載部のうち残りの部分の厚さが厚くなっていることを特徴とする。
【００２５】
この一実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記半導体レーザチップの上面と上記搭載部の上記残りの部分の上面との間の高低差が少なくなる。したがって、上記半導体レーザチップの上面と上記搭載部の上記残りの部分の上面との間を、ワイヤボンディングによってワイヤで容易に接続可能となる。したがって、生産性に優れる。
【００２６】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザチップの上面と上記第１リードのリード部上面との間の高低差を少なくするように、上記第１リードの上記リード部の厚さが上記搭載部の厚さに対して厚くなっていることを特徴とする。
【００２７】
この一実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記半導体レーザチップの上面と上記第１リードのリード部上面との間の高低差が少なくなる。したがって、上記半導体レーザチップの上面と上記第１リードのリード部上面との間を、ワイヤボンディングによってワイヤで容易に接続可能となる。したがって、生産性に優れる。
【００２８】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記第１リードの上記搭載部と上記リード部とが溶接されていることを特徴とする。
【００２９】
この一実施形態の半導体レーザ装置では、折り曲げ工程を行うことなく、上記第１リードが容易に作製される。したがって、生産性に優れる。
【００３０】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザチップの上面と上記第１リードのリード部上面とがワイヤで接続されていることを特徴とする。
【００３１】
この一実施形態の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザチップの上面と上記第１リードのリード部上面との間を接続するワイヤは、ワイヤボンディングによって容易に設けられる。したがって、生産性に優れる。
【００３２】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記第１リードの上記搭載部のうち上記半導体レーザチップが搭載されている領域以外の領域に、上記搭載部の表裏を通じる貫通穴が設けられ、
上記搭載部の裏面に上記貫通穴の周りを上記貫通穴に連なって取り囲む窪みが設けられ、
上記保持部の材料が上記搭載部の表面側から上記貫通穴を通して上記窪みを埋めていることを特徴とする。
【００３３】
この一実施形態の半導体レーザ装置では、上記保持部の材料が上記搭載部の表面側から上記貫通穴を通して上記窪みを埋めているので、上記搭載部が上記保持部によって挟まれている。したがって、上記搭載部と上記保持部とが剥がれるのを防ぐことができる。
【００３４】
なお、上記保持部の材料が上記窪みを丁度埋めるようにすれば、上記搭載部の裏面側がフラット構造になる。そのようにすれば、この半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で、上記第１リードの搭載部（裏面）およびタイバー部は光ピックアップ装置のハウジングに密接できる。したがって、放熱特性が損なわれることはない。
【００３５】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記第１リードの上記搭載部のうち上記半導体レーザチップが搭載されている領域以外の領域に、上記搭載部の表裏を通じる貫通穴を形成するように切り起こし部が設けられ、
上記保持部の材料が上記搭載部の表面側から上記貫通穴を通して上記切り起こし部の裏側の空間を埋めていることを特徴とする。
【００３６】
この一実施形態の半導体レーザ装置では、上記保持部の材料が上記搭載部の表面側から上記貫通穴を通して上記切り起こし部の裏側の空間を埋めているので、上記搭載部が上記保持部によって挟まれている。したがって、上記搭載部と上記保持部とが剥がれるのを防ぐことができる。
【００３７】
なお、上記保持部の材料が上記切り起こし部の裏側の空間を丁度埋めるようにすれば、上記搭載部の裏面側がフラット構造になる。そのようにすれば、この半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で、上記第１リードの搭載部（裏面）およびタイバー部は光ピックアップ装置のハウジングに密接できる。したがって、放熱特性が損なわれることはない。
【００３８】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記第１リードのリード部および第２リードのうち上記保持部から突出したアウターリード部分に局所的に細いネックが設けられていることを特徴とする。
【００３９】
この一実施形態の半導体レーザ装置では、上記第１リードのリード部および第２リードのうち上記保持部から突出したアウターリード部分を、上記ネックのところで容易に切断できる。上記各アウターリード部分を上記ネックのところで切断すれば、その切断された端面は、上記ネック以外のところで切断された場合に比して、小さくなる。したがって、各アウターリード部分を芯材に半田濡れ性の良い金属をメッキしたものとしておけば、芯材の露出面（端面）に比して半田濡れ性の良い面（メッキ面）が相対的に広い状態になる。したがって、この半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で各リードを半田付けする時、半田濡れ性が向上して、生産性が良くなる。
【００４０】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記各リードは、芯材に、この芯材に比して半田濡れ性の良い金属をメッキしたものであることを特徴とする。
【００４１】
この一実施形態の半導体レーザ装置では、上記各リードを上記ネックのところで切断すれば、芯材の露出面（端面）に比して半田濡れ性の良い面（メッキ面）が相対的に広い状態になる。したがって、この半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で各リードを半田付けする時、半田濡れ性が向上して、生産性が良くなる。
【００４２】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記芯材がＣｕからなり、上記メッキされた金属の最表面がＳｎまたはＡｕであることを特徴とする。
【００４３】
この一実施形態の半導体レーザ装置では、上記メッキされた金属の最表面がＳｎまたはＡｕであるから、Ｃｕからなる芯材に比して、半田濡れ性が良い。したがって、この半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で各リードを半田付けする時、半田濡れ性が向上する。
【００４４】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記保持部の材料が樹脂であることを特徴とする。
【００４５】
この一実施形態の半導体レーザ装置では、上記保持部の材料が樹脂であるから、上記保持部が金型を用いた樹脂成形によって容易に形成される。
【００４６】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記保持部の材料がセラミックであることを特徴とする。
【００４７】
この一実施形態の半導体レーザ装置では、上記保持部の材料がセラミックであるから、放熱性が向上する。
【００４８】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記保持部の色が黒色であることを特徴とする。
【００４９】
この一実施形態の半導体レーザ装置では、上記保持部の色が黒色であるから、上記半導体レーザチップの動作時に、レーザ光照射対象物（例えば情報記録媒体）からの戻り光が上記保持部に入射したとしても、その戻り光は上記保持部に吸収されて反射されない。この結果、この半導体レーザ装置を用いる装置（例えば光ピックアップ装置）において、レーザ光照射対象物からの戻り光がノイズの原因になるのを防止できる。
【００５０】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記保持部上に上記半導体レーザチップを保護するための蓋を備えたことを特徴とする。
【００５１】
この一実施形態の半導体レーザ装置では、上記蓋によって上記半導体レーザチップが保護される。
【００５２】
この発明の光ピックアップ装置は、
ハウジングを備え、
請求項１に記載の半導体レーザ装置が、上記第１リードの搭載部およびタイバー部を上記ハウジングに接触させた態様で取り付けられていることを特徴とする。
【００５３】
この発明の光ピックアップ装置では、上記発明の半導体レーザ装置が、上記第１リードの搭載部およびタイバー部を上記ハウジングに接触させた態様で取り付けられている。したがって、半導体レーザチップの動作時に上記搭載部とともに上記タイバー部が放熱のために働く。つまり、半導体レーザチップが発生した熱が上記搭載部およびタイバー部を通してハウジングに放熱される。したがって、放熱面積が広くなり、放熱性が良くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５４】
以下、この発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００５５】
図１はこの発明の一実施形態のフレームタイプの半導体レーザ装置４０を斜めから見たところを示している。また、図２（ａ）はその半導体レーザ装置４０を上方からみたところ、図２（ｂ）は図２（ａ）のものを右側からみたところ、図２（ｃ）は図２（ａ）のものを下方から見たところをそれぞれ示している。なお、この実施形態における半導体レーザ装置４０の上下左右の向きは、説明のための便宜上のものである。
【００５６】
図１および図２（ａ）に示すように、このフレームタイプの半導体レーザ装置４０は、半導体レーザチップ５を搭載する搭載部１ａを有する第１リード１と、信号入出力用の複数の第２リード２１，２２，２３と、第１リード１および第２リード２１，２２，２３を一体に保持する保持部としての樹脂部３とを備えている。
【００５７】
具体的には、第１リード１は、略矩形の板状の搭載部１ａと、この搭載部１ａに連なって細長く延びるリード部１ｂと、搭載部１ａの裏面１ｃに沿って搭載部１ａから突出したタイバー部６ａ，６ｂとを有している。搭載部１ａには、矩形の板状のサブマウント部材４を介して半導体レーザチップ５が搭載されている。この半導体レーザチップ５は、光軸方向に細長い直方体状の外形を有しており、前方（図２（ａ）における上方）へ向けてレーザ光を出射する。図２（ｃ）に示すように、搭載部１ａの裏面１ｃが樹脂部３から露出している。
【００５８】
タイバー部６ａ，６ｂは半導体レーザチップ５の光軸に対して垂直方向、つまり図２（ａ），図２（ｃ）における左右方向に突出している。タイバー部６ａ，６ｂの突出方向の先端は搭載部１ａの任意の部分よりも半導体レーザチップ５から遠い位置にある。タイバー部６ａ，６ｂの幅（突出方向に対して垂直な方向の幅）は半導体レーザチップ５の幅（このチップから出射されるレーザ光の光軸に対して垂直な方向の幅）以上になっている。
【００５９】
また、第１リード１は搭載部１ａの前縁１ｅに、半導体レーザチップ５の搭載位置を示すように後退した凹部７を有している。これにより、製造段階で搭載部１ａ上にサブマウント部材４と半導体レーザチップ５を取り付ける時、サブマウント部材４や半導体レーザチップ５の位置決めを行うことが容易となる。例えばサブマウント部材４の前縁を上記凹部７の縁に沿って位置合わせすれば良い。
【００６０】
第２リード２１，２２，２３は、第１リード１のリード部１ｂに沿って細長く延びている。図１中に示すように、第２リード２１，２２，２３の内端２１ａ，２２ａ，２３ａは、枠状に成形された樹脂部３内に露出している。図示しないＡｕ線からなるワイヤが半導体レーザチップ５およびサブマウント部材４から第２リード２１，２２，２３の内端２１ａ，２２ａ，２３ａへ配線されている。
【００６１】
樹脂部３は、この例では黒色の絶縁性樹脂材料、例えばエポキシ樹脂からなる。したがって、樹脂部３は、金型を用いた樹脂成形によって容易に形成される。
【００６２】
上述のように、この半導体レーザ装置４０では、第１リード１の搭載部１ａの裏面１ｃが樹脂部３から露出するとともに、タイバー部６ａ，６ｂが搭載部１ａの裏面１ｃに沿って搭載部１ａから突出している。しかも、タイバー部６ａ，６ｂの面積は或る程度以上に確保されている。したがって、この半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で、光ピックアップ装置のハウジングに第１リード１の搭載部１ａ（の裏面１ｃ）およびタイバー部６ａ，６ｂを接触させれば、半導体レーザチップ５の動作時に搭載部１ａとともにタイバー部６ａ，６ｂが放熱のために働く。つまり、半導体レーザチップ５が発生した熱が搭載部１ａおよびタイバー部６ａ，６ｂを通してハウジングに放熱される。したがって、放熱面積が広くなり、放熱性が良くなる。
【００６３】
図３（ａ）乃至図３（ｂ）は、上記半導体レーザ装置４０を製造する概略工程を示している。
【００６４】
ｉ）  まず、Ｃｕからなる板材を打ち抜いて、図３（ａ）に示すようなパターンを持つフレーム９０を得る（打ち抜き工程）。このとき、打ち抜きは搭載部の裏面１ｃ側から行う。その結果、打ち抜きによって生じるバリが搭載面１ａ側にでるので、本半導体レーザ装置４０を光ピックアップ等、他の装置に搭載したとき、裏面１ｃを他の装置の搭載面と密着させることができる。従って放熱性がよくなる。このフレーム９０では、第１リード１および第２リード２１，２２，２３の組が、図３（ａ）において左右方向に延びるバー９１，９２に沿って２列で複数並んでいる。バー９１，９２は連結バー９３で連結されている。また、隣り合う第１リード１の搭載部１ａ同士はタイバー６を介して連結されている。
【００６５】
ii）  次に、打ち抜かれたフレーム９０は部分的に折り曲げられる（折り曲げ工程）。折り曲げの態様については後述する。
【００６６】
iii）次に、図３（ｂ）に示すように、折り曲げられたフレーム９０に、金型を用いた樹脂成形によって樹脂部３が設けられる（樹脂成形工程）。
【００６７】
iv）  次に、第１リード１の搭載部１ａ上にサブマウント部材４を介して半導体レーザチップ５が搭載される（ダイボンディング工程）。
【００６８】
ｖ）  次に、半導体レーザチップ５およびサブマウント部材４から第２リード２１，２２，２３の内端２１ａ，２２ａ，２３ａへＡｕ線からなるワイヤが配線される（ワイヤボンディング工程）。
【００６９】
なお、この段階で、樹脂部３上に半導体レーザチップ５を保護するための蓋を設けるのが望ましい。
【００７０】
vi）  次に、第１リード１のリード部１ｂおよび第２リード２１，２２，２３のバー９１，９２近傍部分と、タイバー６とを切断して、個々の半導体レーザ装置４０を得る（タイバーカット工程）。このとき、第１リード１のリード部１ｂおよび第２リード２１，２２，２３の一部（アウターリード部分）を、個々の半導体レーザ装置４０の樹脂部３から突出した状態に残す。また、タイバー６のうちの一部６ａ，６ｂを、個々の半導体レーザ装置４０の樹脂部３から突出した状態に残す。
【００７１】
vii）  第１リード１のリード部１ｂおよび第２リード２１，２２，２３のうち樹脂部３から突出したアウターリード部分に、最表面がＡｇ（銀）またはＡｕ（金）となる金属メッキを施す（メッキ工程）。これにより、完成後に各アウターリード部分を半田付けする時、半田濡れ性を向上させることができる。最表面がＡｇの場合、環境によくないと言われるＰｂを含むロー材（ハンダ）に代えて、融点の高いＰｂを含まないロー材を用いることができる。最表面の金属としてはこれらに限られるものではなく半田の濡れ性を向上させられるＳｎ，Ｎｉ，Ｚｎ等であっても良い。
【００７２】
このようにして、半導体レーザ装置４０が容易に製造される。
【００７３】
図４（ａ）は、上記ii）の折り曲げ工程後のフレーム９０のうち、１個の半導体レーザ装置に対応する部分を上方から見たところを示している。また、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＡ−Ａ’線矢視断面を示し、図４（ｃ）は図４（ａ）におけるＢ−Ｂ’線矢視断面を示している。
【００７４】
図４（ａ）および図４（ｂ）から分かるように、第１リード１のリード部１ｂには折り曲げ工程によって屈曲された抜け止め部１ｆが設けられ、同様に、第２リード２１，２２，２３にも折り曲げ工程によって屈曲された抜け止め部２１ｆ，２２ｆ，２３ｆが設けられている。第２リード２１，２２，２３の抜け止め部２１ｆ，２２ｆ，２３ｆは、図４（ｂ）に示す方向から見て、第１リード１のリード部１ｂと同じ角度で折り曲げられている。したがって、この半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で第２リード２１，２２，２３を半田付けする時、樹脂部３の材料が半田の熱によって軟化したとしても、抜け止め部１ｆ，２１ｆ，２２ｆ，２３ｆのお蔭で、第２リード２１，２２，２３が樹脂部３に対して移動することがない。したがって、半田付けが安定して行われ、生産性に優れる。
【００７５】
特に、第１リード１の抜け止め部１ｆと第２リード２２の抜け止め部２２ｆとは、残りの部分よりも幅広に加工されている。第１リード１、第２リード２２の樹脂部３に対する移動を規制する効果が高まる。
【００７６】
また、図４（ａ）および図４（ｃ）から分かるように、第１リード１の搭載部１ａのうち半導体レーザチップ５が搭載される領域以外の領域、この例では半導体レーザチップ５の両側に相当する領域に、搭載部１ａの表裏を通じる貫通穴３０を形成するように切り起こし部３７，３８が設けられている。上記iii）の樹脂成形工程後には、樹脂部３の材料が搭載部１ａの表面側から貫通穴３０を通して切り起こし部の裏側の空間を埋めている（図２（ｃ）参照）。したがって、搭載部１ａ（より正確には切り起こし部３７，３８）が樹脂部３によって挟まれている。したがって、搭載部１ａと樹脂部３との接合強度を高めて、搭載部１ａと樹脂部３とが剥がれるのを防ぐことができる。
【００７７】
また、搭載部１ａから後方（図４（ａ）における下方）に突起３５，３６が突出している。上記iii）の樹脂成形工程後に、樹脂部３が突起３５，３６を覆う状態となる。これによって、搭載部１ａと樹脂部３とが剥がれるのをさらに防ぐことができる。
【００７８】
なお、樹脂部３の材料が切り起こし部３７，３８の裏側の空間を丁度埋めるようにすれば、搭載部１ａの裏面１ｃ側がフラット構造になる。そのようにすれば、この半導体レーザ装置４０を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で、第１リード１の搭載部１ａ（裏面１ｃ）およびタイバー部６ａ，６ｂは光ピックアップ装置のハウジングに密接できる。したがって、放熱特性が損なわれることはない。
【００７９】
折り曲げの代わりに、半導体レーザチップ搭載部１ａを形成するフレームとリード１ｂを形成するフレームの２枚のフレームを用いて、半導体レーザチップ搭載部１ａとリード１ｂとを溶接により接続することによっても、同様に半導体レーザ装置４０の底面側をフラット構造にすることができる。
【００８０】
図４（ｄ）は、切り起こし部３７，３８に代えて、搭載部１ａの表裏を通じる貫通穴３２を設けるとともに、搭載部１ａの裏面１ｃに貫通穴３２の周りを貫通穴３２に連なって取り囲む窪み３１を設けた例を示している。この場合も、上記iii）の樹脂成形工程後には、樹脂部３の材料が搭載部１ａの表面側から貫通穴３２を通して窪み３１を埋める。これにより、搭載部１ａが樹脂部３によって挟まれた状態となる。したがって、搭載部１ａと樹脂部３との接合強度を高めて、搭載部１ａと樹脂部３とが剥がれるのを防ぐことができる。
【００８１】
なお、樹脂部３の材料が窪み３１を丁度埋めるようにすれば、搭載部１ａの裏面１ｃ側がフラット構造になる。そのようにすれば、この半導体レーザ装置４０を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で、第１リード１の搭載部１ａ（裏面１ｃ）およびタイバー部６ａ，６ｂは光ピックアップ装置のハウジングに密接できる。したがって、放熱特性が損なわれることはない。
【００８２】
図４（ｅ）は、上述のフレーム９０として、部分的に厚さの異なる異形フレームを用いた例を示している。この例では、第１リード１の搭載部１ａのうち半導体レーザチップ５が搭載される部分１ｄの厚さに比して、上記搭載部１ａのうち残りの部分１ａ′の厚さが厚くなっている。これにより、半導体レーザチップ５の上面と上記残りの部分１ａ′の上面との間の高低差が少なくなる。したがって、例えば接地（ＧＮＤ）配線のために、半導体レーザチップ５の上面と上記残りの部分１ａ′の上面との間を、ワイヤボンディングによってワイヤで容易に接続可能となる。つまり、高さが異なることによるワイヤ跳ね等の不具合を解消することができる。したがって、生産性に優れる。
【００８３】
また、図７に示す例のように、第１リード１のリード部（１ｂ′で表す。）の厚さを搭載部１ａの厚さに対して厚くしても良い。これにより、半導体レーザチップ５の上面と第１リード１のリード部１ｂ′上面との間の高低差が少なくなる。したがって、例えば接地（ＧＮＤ）配線のために、半導体レーザチップ５の上面と第１リード１のリード部１ｂ′上面との間を、ワイヤボンディングによってワイヤで容易に接続可能となる。つまり、高さが異なることによるワイヤ跳ね等の不具合を解消することができる。したがって、生産性に優れる。なお、この場合、折り曲げ工程の代わりに、半導体レーザチップ搭載部１ａを形成するフレームとリード１ｂ′を形成するフレームの２枚のフレームを用いて、半導体レーザチップ搭載部１ａとリード１ｂ′とを溶接により接続しても良い。これにより、第１リード１が容易に作製される。したがって、生産性に優れる。
【００８４】
図５は、上記半導体レーザ装置４０を用いた光ピックアップ装置（全体を符号５０で示す。）の概略構成を示している。この光ピックアップ装置５０は、半導体レーザ装置４０の他に、ビームスプリッタ１０を含む光学系８と、受光素子１１とを備えている。これらの要素は図示しないハウジングに取り付けられている。符号９は、レーザ光照射対象物である情報記録媒体としての光ディスクを示している。
【００８５】
半導体レーザチップ５から出射したレーザ光Ｌ１は、光学系８を通り、ディスク９に到達し、ディスク９により反射される。反射されたレーザ光Ｌ２は光学系８に戻り、レーザ光Ｌ２の一部がビームスプリッタ１０により分岐されて受光素子１１に入射する。この受光素子１１によって、ディスク９が持つ情報が読み取られる。なお、半導体レーザ装置４０のタイバー部６ａ，６ｂは半導体レーザチップ５の光軸に対して垂直方向に突出しているので、半導体レーザチップ５が出射したレーザ光Ｌ１がタイバー部６ａ，６ｂによって妨げられることがない。
【００８６】
一方、反射されたレーザ光Ｌ２のうちビームスプリッタ１０をそのまま通過した部分は、戻り光Ｌ３となって半導体レーザ装置４０内に入射する。前述の通り、半導体レーザチップ５を搭載した搭載部１ａには、サブマウント部材４を介して半導体レーザチップ５がマウントされている。このため、戻り光Ｌ３はサブマウント部材４や凹部７の内縁により反射され、再び光学系８に入射し、ビームスプリッタ１０を介して受光素子１１に入射し、ノイズとなる可能性がある。
【００８７】
そこで、図６に示す例では、搭載部１ａのうち半導体レーザチップ５の直前に相当する凹部７の内縁７ａを、半導体レーザチップ５の光軸に対して約５度程度傾斜させるとともに、サブマウント部材４の前縁４ａを上記凹部７の内縁７ａに沿って位置合わせしている。半導体レーザチップ５の光軸は前方（図６における上方）へ真っ直ぐに向けている。このようにした場合、半導体レーザチップ５の動作時に、光ディスク９からの戻り光Ｌ３がサブマウント部材４や凹部７に入射したとしても、その戻り光Ｌ３はサブマウント部材４の前縁４ａや凹部７の内縁７ａによって、半導体レーザチップ５が出射するレーザ光Ｌ１とは異なる向きへ反射される。この結果、この光ピックアップ装置５０において、光ディスク９からの戻り光Ｌ３がノイズの原因になるのを防止できる。
【００８８】
また、樹脂部３の色が黒色であるから、光ディスク９からの戻り光Ｌ３が樹脂部３に入射したとしても、その戻り光Ｌ３は樹脂部３に吸収されて反射されない。したがって、光ディスク９からの戻り光Ｌ３がノイズの原因になるのを防止できる。
【００８９】
なお、上記半導体レーザ装置４０を光ピックアップ装置５０に実装する段階で、第１リード１のリード部１ｂおよび第２リード２１，２２，２３のうち樹脂部３から突出したアウターリード部分が切断されて、実装に適した長さにされることが多い。各リードの端面で芯材Ｃｕが剥き出しになると、半田濡れ性が損なわれる。そこで、図８に示すように、各アウターリード部分に、局所的に細いネック１ｔ，２１ｔ，２２ｔ，２３ｔを設けるのが望ましい。このようにした場合、各アウターリード部分を、ネック１ｔ，２１ｔ，２２ｔ，２３ｔのところで容易に切断できる。しかも、図９に例示するように、その切断された端面２１ｅは、ネック以外のところで切断された場合に比して、小さくなる。したがって、芯材Ｃｕの露出面（端面）２１ｅに比して半田濡れ性の良いＳｎまたはＡｕの面が相対的に広い状態になる。したがって、上記半導体レーザ装置４０を光ピックアップ装置５０に実装する段階で各アウターリード部分を半田付けする時、半田濡れ性が向上して、生産性が良くなる。
【００９０】
この実施形態では、保持部の材料が絶縁性樹脂であるものとしたが、セラミックであっても良い。保持部の材料がセラミックであれば、さらに放熱性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】この発明の一実施形態の半導体レーザ装置を示す斜視図である。
【図２】図２（ａ）は上記半導体レーザ装置を上方から見たところ、図２（ｂ）は上記半導体レーザ装置を右側方から見たところ、図２（ｃ）は上記半導体レーザ装置を下方から見たところをそれぞれ示す図である。
【図３】図３（ａ）乃至図３（ｂ）は上記半導体レーザ装置の製造過程を示す工程図である。
【図４】図４（ａ）はフレームの１個の半導体レーザ装置に対応する部分を示す図、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＡ−Ａ’線矢視断面図、図４（ｃ）は図４（ａ）におけるＢ−Ｂ’線矢視断面図、図４（ｄ）は搭載部の裏面に窪みを設けた変形例の図４（ｃ）対応する図、図４（ｅ）は異形フレームを使用した変形例の図４（ａ）に対応する図である。
【図５】光ピックアップ装置の概略構成を示す図である。
【図６】第１リードの半導体レーザチップ位置を示す凹部の内縁を傾斜させた変形例を示す図である。
【図７】第１リードの搭載部よりもリード部を厚くした変形例を示す図である。
【図８】アウターリード部分にネックを設けた変形例を示す図である。
【図９】アウターリード部分をネック部のところで切断した後の態様を示す図である。
【符号の説明】
【００９２】
１  第１リード
１ａ  搭載部
１ｂ  第１リードのリード部
３  樹脂部
４  サブマウント
５  半導体レーザチップ
６  タイバー
６ａ，６ｂ  タイバー部
４０  半導体レーザ装置
５０  光ピックアップ装置
【図１】
2005311147.tif 000003
【図２】
2005311147.tif 000004
【図３】
2005311147.tif 000005
【図４】
2005311147.tif 000006
【図５】
2005311147.tif 000007
【図６】
2005311147.tif 000008
【図７】
2005311147.tif 000009
【図８】
2005311147.tif 000010
【図９】
2005311147.tif 000011