(57)【要約】【課題】  小型化を図りながら、歩留りや電気特性の経時的な安定性に優れた電子部品素子、電子部品及び通信機を提供する。【解決手段】  圧電基板１上に電子機能部としてのくし型電極部を形成する。くし型電極部に接続された電極パッド３を設ける。電極パッド３における、Ａｕバンプ５と当接する最上層である接合性改善層３ｅを、３軸配向Ａｌ膜により設ける。【選択図】  図１
2005197595.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された電子機能部と、
前記電子機能部に接続された電極パッドと、
前記電極パッド上に形成されたＡｕバンプとを有し、
前記電極パッドにおける、Ａｕバンプと当接する最上層が、３軸配向Ａｌ膜からなっていることを特徴とする電子部品素子。
【請求項２】
前記電極パッドは、最上層の下層に拡散バリア層が設けられていることを特徴とする請求項１記載の電子部品素子。
【請求項３】
前記電極パッドは、さらに、基板と拡散バリア層との間に、基板側から、下層電極層と、接着層と、応力緩和層とを有していることを特徴とする請求項２記載の電子部品素子。
【請求項４】
前記拡散バリア層は、Ｔｉからなっていることを特徴とする請求項２又は３記載の電子部品素子。
【請求項５】
前記拡散バリア層の層厚が６０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項２ないし４の何れか１項に記載の電子部品素子。
【請求項６】
前記基板は、圧電基板であり、前記電子機能部は、該圧電基板上に形成されたくし型電極部であることを特徴とする請求項１ないし５の何れか１項に記載の電子部品素子。
【請求項７】
請求項１ないし６の何れか１項に記載の電子部品素子と、
前記Ａｕバンプに対応した位置に外部電極が形成されたパッケージとを有していることを特徴とする電子部品。
【請求項８】
請求項１ないし６の何れか１項に記載の電子部品素子、又は請求項７記載の電子部品を備えたことを特徴とする通信機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、小型化できると共に、歩留りや特性の経時的安定性に優れた弾性表面波装置といった電子部品素子、それをパッケージに収納して用いた電子部品、及びそれを備えた通信機に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話などの小型の通信機では、数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚの範囲内を通過帯域周波数とするバンドパスフィルタが電子部品として多く用いられている。上記バンドパスフィルタの一例としては、小型化が可能な弾性表面波（以下、ＳＡＷと記す）デバイスが挙げられる。ＳＡＷデバイスは、圧電基板上に複数のくし型電極部をフィルタ機能が発揮されるようにそれぞれ組み合わせて有するＳＡＷ素子をパッケージ内に収納したものである。
【０００３】
上記くし型電極部は、相互に間挿して交叉する各くし状電極を有する電気信号−表面波結合変換器（Inter Digital Transducer、以下ＩＤＴと記す）である。上記各ＩＤＴの組み合わせとしては、縦結合共振子型、横結合共振子型、トランスバーサル型、ラダー型、ラティス型等の種類が挙げられる。
【０００４】
携帯電話の小型化に伴うＳＡＷデバイスの小型化要求に対応するために、チップ状に形成されたＳＡＷ素子のパッケージヘの接続では、従来のようにワイヤボンディング接続ではなく、Ａｕバンプによるバンプ接続が採用されている。
【０００５】
このＡｕバンプは、チップ状のＳＡＷ素子の圧電基板面に形成された電極パッド上に対し、Ａｕワイヤの先端部に形成されたボールを超音波の印加により圧着し、その後、ボールの基端部分からＡｕワイヤを切断して、形成されている。
【０００６】
Ａｕバンプが形成される電極パッドの層構造に関する先行技術としては、特許文献１が挙げられる。特許文献１には、電極パッドの層構成として、素子基板側から、Ａｌより形成される下層電極と、中間電極（ＮｉＣｒ層と、Ａｌ層と、Ｔｉ層とからなる）と、Ａｌより形成される上層電極とを有するものが開示されている。
【０００７】
この電極パッドを上記層構成にて形成する理由は、熱衝撃や落下衝撃によりＳＡＷデバイスの圧電基板にクラックや割れが発生する問題があり、上記層構成の下部電極及び上部電極と中間電極の材質、さらに中間電極の厚みを適正な値にすることによって、上記クラックや割れの発生を防止できるからである。ここで、下部電極は、ＩＤＴと同時形成する必要があるため、その厚みを自由に変更できないものである。
【特許文献１】特開２００１−３１３３０５号公報（公開日：２００１年１１月９日）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のようなＳＡＷデバイスに対して、熱衝撃、或いは落下衝撃を加えると、ＳＡＷデバイスといった電子部品におけるＡｌの電極パッド層とＡｕバンプとの接合部分にて接合破壊が生じる場合があるという不具合が発生している。
【０００９】
本発明の目的は、小型化できるバンプボンディングを用いると共に、歩留りや経時的な特性の安定性を向上できるＳＡＷ素子といった電子部品素子、電子部品及び通信機を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記不具合について鋭意検討したところ、接合破壊の発生は、接合の拡散径（Ａｕバンプ下で、ＡｕＡｌ系合金が形成されている円形の部分の直径）が小さく接合面積が不十分であることに起因することを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】
本発明の電子部品素子は、以上の課題を解決するために、基板と、前記基板上に形成された電子機能部と、前記電子機能部に接続された電極パッドと、前記電極パッド上に形成されたＡｕバンプとを有し、前記電極パッドにおける、Ａｕバンプと当接する最上層が３軸配向Ａｌ膜からなっていることを特徴としている。
【００１２】
上記構成によれば、Ａｕバンプと当接する最上層を３軸配向Ａｌ膜としたので、上記最上層の層硬度を小さくでき、Ａｕバンプと３軸配向Ａｌ膜からなる最上層との接合部分での接合の拡散径（Ａｕバンプ下で、ＡｕＡｌ系合金が形成されている円形の部分の直径）を、従来と比べて大きくすることができる。
【００１３】
これにより、上記構成は、接合面積の増大化によって、上記接合強度を向上でき、耐熱衝撃性や、耐落下衝撃性を改善でき、製造時の歩留りや、経時的な特性安定性を向上させることが可能となる。
【００１４】
上記電子部品素子では、前記電極パッドは、最上層の下層に拡散バリア層が設けられていることが好ましい。上記電子部品素子においては、前記電極パッドは、さらに、基板と拡散バリア層との間に、基板側から、下層電極層と、接着層と、応力緩和層とを有していることが望ましい。
【００１５】
上記電子部品素子では、前記拡散バリア層は、Ｔｉからなっていてもよい。上記電子部品素子においては、前記拡散バリア層の層厚が６０ｎｍ以上であることが好ましい。上記構成によれば、拡散バリア層の層厚を６０ｎｍ以上に設定することで、拡散バリア層上での３軸配向Ａｌ膜の形成を確実化できる。
【００１６】
上記電子部品素子においては、前記基板は、圧電基板であり、前記電子機能部は、該圧電基板上に形成されたくし型電極部であってもよい。
【００１７】
本発明の電子部品は、前記課題を解決するために、上記の何れかに記載の電子部品素子と、前記Ａｕバンプに対応した位置に外部電極が形成されたパッケージとを有していることを特徴としている。
【００１８】
上記構成によれば、該電極パッド及び外部電極を互いに接続するＡｕバンプを設けたことで、基板の表面に対向した面積内に外部電極を形成できるから、外部電極を基板の表面に対向した面積外に設ける必要がある従来のワイヤボンディングによる電子部品と比べて、小型化が可能となる。
【００１９】
また、上記構成は、本発明に係る電子部品素子を有しているので、前述したように、接合面積の増大化によって、上記接合強度を向上でき、耐熱衝撃性や、耐落下衝撃性を改善できて、製造時の歩留りや、経時的な特性安定性を向上させることが可能となる。
【００２０】
本発明の通信機は、前記課題を解決するために、上記の何れかに記載の電子部品素子、又は上記電子部品を備えたことを特徴としている。
【００２１】
上記構成によれば、上記の何れかに記載の電子部品素子、又は上記電子部品を備えたことにより、小型化を図ることができると共に、耐熱衝撃性や、耐落下衝撃性を改善できて、製造時の歩留りや、経時的な特性安定性を向上させることが可能となる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の電子部品素子は、以上のように、基板と、前記基板上に形成された電子機能部と、前記電子機能部に接続された電極パッドと、前記電極パッド上に形成されたＡｕバンプとを有し、前記電極パッドにおける、Ａｕバンプと当接する最上層が３軸配向Ａｌ膜からなっている構成である。
【００２３】
それゆえ、上記構成は、Ａｕバンプと当接する最上層を３軸配向Ａｌ膜としたので、上記最上層の層硬度を小さくでき、Ａｕバンプと３軸配向Ａｌ膜からなる最上層との接合部分での接合の拡散径を従来と比べて大きくすることができる。
【００２４】
これにより、上記構成は、接合面積の増大化によって、上記接合強度を向上でき、耐熱衝撃性や、耐落下衝撃性を改善できて、製造時の歩留りや、経時的な特性安定性を向上させることが可能となるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の実施の各形態について図１ないし図１２に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２６】
本発明の電子部品素子としてのＳＡＷ素子においては、図２に示すように、圧電基板１の表面上に、複数、例えば２個の各ＩＤＴ（電子機能部）２、２がそれぞれ形成されている。各ＩＤＴ２は、圧電基板１の表面上にてＳＡＷの振動を入力された電気信号により発生させ、伝搬してくるＳＡＷを検出して電気信号に変換して出力してフィルタ機能を発揮するものである。本実施の形態では、説明や図面作成上の都合により、圧電基板１上に２個の各ＩＤＴ２を形成した例を挙げたが、特に上記の数に限定されるものではない。圧電基板１としては、ＬｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3、又は水晶などの圧電基板が挙げられる
また、圧電基板１上には、図１に示すように、外部である配線基板（図示せず）との電気的導通及び機械的な接続を図るための複数の各電極パッド３と、各ＩＤＴ２と各電極パッド３とをそれぞれ接続する引き回しの各配線パターン４とが形成されている。
【００２７】
各ＩＤＴ２、各電極パッド３の最下層である第一層３ａ及び各配線パターン４は、アルミニウム（Ａｌ）とチタン（Ｔｉ）とを主とする多層構造配線により、真空蒸着法、スパッタリング法あるいはメッキ法によって形成されている。本実施の形態では、上記多層構造配線として、圧電基板１側にＴｉ層を配し、そのＴｉ層上にＡｌ層を配したものを用いた。このような多層構造配線により、配線抵抗を低減できる。上記多層構造配線の第一層３ａの厚さは、Ｔｉ層とＡｌ層との合計で４００ｎｍ程度に設定されている。上記Ｔｉ層の厚さは上記合計の１割程度に設定されていればよい。
【００２８】
上記電極パッド３は、第一層３ａ上に、接着層（コンタクトメタル）３ｂ、応力緩和層３ｃ、拡散バリア層３ｄ及び接合性改善層３ｅが、この順にて積層されて形成されている。接着層３ｂ、応力緩和層３ｃ、拡散バリア層３ｄ及び接合性改善層３ｅの形成は、真空蒸着法、スパッタリング法あるいはメッキ法が用いられている。
【００２９】
接着層３ｂは、Ａｌからなる第一層３ａと、第一層３ａとは別体にて形成されるＡｌからなる応力緩和層３ｃとの接合性向上を目的としたものであり、接合上有害な相を生成しない元素である、Ｎｉ、Ｃｒ、及びＴｉからなる群から選択された少なくとも一つであればよいが、本実施の形態では、ＮｉＣｒ合金が用いられている。
【００３０】
応力緩和層３ｃは、電気伝導性を有し、応力緩和層３ｃに当接する上下の各層より硬度が小さいものであればよいが、本実施の形態においては、他層にＡｌを用いており、その製造装置を兼用できる製造の容易さにより、Ａｌからなっている。
【００３１】
拡散バリア層３ｄは、後述するＡｕバンプ５のＡｕ成分が下層の接着層３ｂに拡散することを防止して接合強度を維持するためのものであればよいが、本実施の形態では、Ｔｉからなっている。また、Ｔｉが拡散バリア層３ｄとして機能することでＡｕＡｌＮｉＣｒという脆い合金の形成を抑制できることにより、接合信頼性をさらに向上できる。さらに、拡散バリア層３ｄは、その上のＡｌ層である接合性改善層３ｅの配向性を制御、つまり向上させるための配向性制御層としての機能も備えている。
【００３２】
接合性改善層３ｅは、３軸配向膜（エピタキシャルＡｌ層、単結晶Ａｌ層とも呼ばれる）となるように配向性が、上記拡散バリア層３ｄにより制御されたＡｌ層である。Ａｕバンプ５に当接する接合性改善層３ｅを３軸配向膜とすることで、接合性改善層３ｅの膜硬度を小さくできて後述するように接合性改善層３ｅとＡｕバンプ５との間での接合性を改善できる。
【００３３】
なお、接合性改善層３ｅを３軸配向膜とする他の手段としては、接合性改善層３ｅのＡｌ層の成膜時における真空度を１０-4Ｐａ以下にすることが挙げられる。さらに、他の手段としては、接合性改善層３ｅのＡｌ層の成膜レートを２．０ｎｍ／秒以上に大きくすることが挙げられる。
【００３４】
このようなＳＡＷ素子においては、各電極パッド３を用いたフリップチップボンディングによりパッケージや通信機の配線基板に取り付けられて使用されるため、各電極パッド３上にＡｕバンプ５がそれぞれボールボンディング法により形成されている。Ａｕバンプ５の素材は、Ａｕ単独、又はＡｕを主成分（Ａｕが５０モル％以上）とする合金である。
【００３５】
以下に、図３に示すように、上記ＳＡＷ素子を、フリップチップボンディングによりパッケージ６の配線基板６ａに取り付けて、ＳＡＷデバイスを形成した例について説明する。
【００３６】
上記パッケージ６は、複数のセラミックまたは樹脂を積層することにより凹部形状（有底箱状）に形成されている。つまり、上記パッケージ６は、略長方形板状の配線基板６ａの各周辺からそれぞれ立設された各側壁部６ｂと、配線基板６ａと各側壁部６ｂとにより形成されるキャビティ部６ｃを覆って封止するためのキャップ部６ｄと、各側壁部６ｂとキャップ部６ｄとの間を封止する封止部６ｅとを備えている。
【００３７】
キャップ部６ｄは、Ｆｅ−Ｎｉ合金やＦｅ等を含む合金からなる金属板または、耐熱性に優れた樹脂からなり、その表面に必要に応じてメッキ処理が施されたものである。封止部６ｅの素材としては、ろう材やエポキシ樹脂などの封止用樹脂が挙げられる。
【００３８】
また、上記パッケージ６には、図４（ａ）及び図４（ｂ）にも示すように、キャビティ部６ｃに面した、配線基板６ａの底面６ｆ上に、パッケージ内電極パターン６ｇ、６ｈがそれぞれＡｌ層又はＴｉ下地層／Ａｌ層により形成されている。パッケージ内電極パターン６ｇは、入出力用パッドであり、パッケージ内電極パターン６ｈは、アース用パッドである。また、本実施の形態では、パッケージ内電極パターン６ｇ、６ｈは、ＳＡＷ素子に対して、外部電極として機能するものである。
【００３９】
その上、パッケージ６においては、配線基板６ａの外表面６ｉにさらに外部との電気的な接続のための電極端子６ｊが複数形成されている。各電極端子６ｊは、電極用金属、例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、又はそれらの合金や積層構造体からなり、また、パッケージ内電極パターン６ｇ、６ｈとそれぞれ配線基板６ａ内の図示しない配線により電気的に接続されている。
【００４０】
次に、Ａｕバンプ５を各電極パッド３上にそれぞれ取り付けたこのようなＳＡＷ装置を、上記パッケージ６に実装する方法を説明する。まず、図３及び図４に示すように、各電極パッド３に対応した位置に形成されているパッケージ内電極パターン６ｇ、６ｈを備えたパッケージ６に対し、Ａｕバンプ５を介してＳＡＷ装置を載置する。このとき、上記ＳＡＷ装置は、その各ＩＤＴ２の形成面がパッケージ内電極パターン６ｇ、６ｈ、つまり配線基板６ａの底面６ｆに面していることになる。
【００４１】
続いて、上記ＳＡＷ素子に対し、押圧力、熱及び超音波の少なくとの一つを印加する。これにより、図５に示すように、Ａｕバンプ５の一部と接合性改善層３ｅの一部とが互いに融着して、Ａｕ−Ａｌ拡散層５ａ、５ｂを形成する。Ａｕ−Ａｌ拡散層５ａは、主にＡｕ4Ａｌからなっている。Ａｕ−Ａｌ拡散層５ｂは、Ａｕ5Ａｌ2からなっている。このようなＡｕ−Ａｌ拡散層５ａ、５ｂの形成によって、上記ＳＡＷ装置は、Ａｕバンプ５により電気的かつ機械的に接続されてパッケージ６内に実装される。
【００４２】
その後、上記パッケージ６に対し、キャビティ部６ｃ内を封止するように、封止部６ｅによりキャップ部６ｄが取り付けられて電子部品としてのＳＡＷデバイスが得られる。
【００４３】
このようなＳＡＷ素子やＳＡＷデバイスにおいて、電極パッド３の最上層である接合性改善層３ｅを３軸配向膜とすることの効果についてＸ線回折法（ＸＲＤ）に基づき調べた。すなわち、接合性改善層３ｅのＡｌ（１１１）におけるＸ線回折線（ロッキングカーブ）の半値幅と、膜硬度を示す塑性変形量との関係を調べた。上記塑性変形量は、ダイヤモンド圧子（針）を膜に押し当て、膜に残った圧子の痕（塑性変形量）を計測するＳＰＭ硬度測定法を用いた。その結果を図６に示した。
【００４４】
図６の結果は、調べた各接合性改善層３ｅがいずれも３軸配向膜を示すデータとなっており、本発明の範囲内であるが、半値幅が２°以下であればより好ましいことを示しており、配向性が良いほど、膜硬度が小さくなって接合性が良いことを示している。
【００４５】
なお、拡散バリア層のＴｉの厚さが、１０ｎｍ〜５０ｎｍの場合、後述するように、１軸配向となり、その場合の半値幅は２°〜４°、塑性変形量は１０ｎｍ〜１８ｎｍと膜硬度が３軸配向の場合より大きいことがわかった。
【００４６】
次に、拡散バリア層のＴｉの厚さを、２００ｎｍ、１００ｎｍ、６０ｎｍ、５０ｎｍ、０と、種々変化させ、その上に接合性改善層３ｅであるＡｌ層を形成して、そのＡｌ層のＸＲＤによるＡｌ（２００）極点を調べた。それらの結果を図７ないし図１１にそれぞれ示した。図７はＴｉの厚さが２００ｎｍの場合、図８はＴｉの厚さが１００ｎｍの場合、図９はＴｉの厚さが６０ｎｍの場合、図１０はＴｉの厚さが５０ｎｍの場合、図１１はＴｉの厚さが０つまり、ＮｉＣｒ層である接着層３ｂ上にＡｌ層を形成した場合を示す。
【００４７】
これらの結果から、拡散バリア層３ｄのＴｉ層の厚さが２００ｎｍ、１００ｎｍ、６０ｎｍでは、その上に形成したＡｌ層が３軸配向していることを示す６回対称パターン（配向性が良いほどクリアな図形が得られる）がそれぞれ得られることがわかる（図７ないし図９参照）。また、Ｔｉ層の厚さが５０ｎｍにおいては、その上に形成したＡｌ層が１軸配向していることを示すリング状の図形を示す結果が得られていることがわかる（図１０参照）。さらに、Ｔｉ層の厚さゼロでは、無配向を示していることがわかる（図１１参照）。また、上記結果から、拡散バリア層３ｄのＴｉ層の層厚を６０ｎｍ以上とすることが好ましいことがわかる。
【００４８】
ところで、特許文献１の第４４段落に、第２実施例として、素子基板側から、厚さ１００〜４００ｎｍ程度のＡｌから成る下部電極と、中間電極（厚さ５０ｎｍのＮｉＣｒ層と、厚さ１μｍのＡｌ層と、厚さ５０ｎｍのＴｉ層から成る）と、１μｍ程度のＡｌからなる上部電極を有する、層構成が示されている。
【００４９】
この特許文献１に対して、本発明は、電極パッド３の最上層である接合性改善層３ｅのＡｌ層を３軸配向膜に設定することにより相違している。３軸配向のＡｌ層は膜硬度が小さくなるので、Ａｕバンプ５と電極パッド３の接合性改善層３ｅであるＡｌ層との拡散径を広くでき、耐熱衝撃性や耐落下衝撃性を改善することが可能となる。
【００５０】
そこで、本発明に係るＳＡＷ素子と、従来例（特許文献１）とについて、それぞれ、例えば、２．５×３．０×０．６５ｍｍｎパッケージのデュアルＳＡＷフィルタを下記の検体個数ずつ作製し、それらの耐落下衝撃性、耐熱衝撃性を試験して、比較した。
【００５１】
まず、それらの試験方法は、封止熱最高到達温度３４０℃、落下１．０ｍ×３０回、リフロー２６０℃×５回に対して、接合異常の発生率（異常発生個数／検体個数）は、本発明のＳＡＷ素子の拡散バリア層３ｄとしてのＴｉ層の厚さ１００ｎｍでは、０／１１８７個、従来例のＴｉ層の厚さ５０ｎｍでは、１個／１１９５個となっていた。よって、本発明は、異常の発生が抑制されて、耐落下衝撃性、耐熱衝撃性に優れていることがわかる。
【００５２】
また、本発明においては、封止工程における最高到達温度３４０℃、落下１．０ｍ×１１５回、リフロー２６０℃×１５回でも問題ないことを確認しており（０／１１８９個）、耐落下衝撃性、耐熱衝撃性に優れていることがわかる。
【００５３】
また、上記試験に使用した本発明のＳＡＷ素子の電極パッド３における層構成の各層の厚みは、基板側から、Ａｌが３８７ｎｍ、ＮｉＣｒが２００ｎｍ、Ａｌが１００ｎｍ、Ｔｉが１００ｎｍ、Ａｌが８４０ｎｍである。従来例の電極パッドにおける層構成の各層の厚みは、基板側から、Ａｌが３８７ｎｍ，ＮｉＣｒが２００ｎｍ、Ａｌが１００ｎｍ、Ｔｉが５０ｎｍ、Ａｌが８４０ｎｍである。
【００５４】
言い換えると、従来例における落下衝撃及び熱衝撃によるＡｕバンプとＡｌパッド層接合の破壊モードは、ＡｕバンプとＡｌパッド層接合層のはがれである。この原因は、上層Ａｌ層が硬いためＡｕＡｌ拡散径が小さくなったためである。このはがれの不都合は、本発明の接合性改善層３ｅであるＡｌ層を３軸配向Ａｌ膜とすると、上記の各結果から上記Ａｌ層が塑性変形されやすいことにより、抑制されることがわかる。
【００５５】
次に、上記実施の形態に記載のＳＡＷ素子又はＳＡＷデバイスを用いた通信機について図１２に基づき説明する。上記通信機１００は、受信を行うレシーバ側（Ｒｘ側）として、アンテナ１０１、アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１０２、アンプ１０３、Ｒｘ段間フィルタ１０４、ミキサ１０５、１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ミキサ１０７、２ｎｄＩＦフィルタ１０８、１ｓｔ＋２ｎｄローカルシンセサイザ１１１、ＴＣＸＯ（temperature compensated crystal oscillator（温度補償型水晶発振器））１１２、デバイダ１１３、ローカルフィルタ１１４を備えて構成されている。
【００５６】
Ｒｘ段間フィルタ１０４からミキサ１０５へは、図１２に二本線で示したように、バランス性を確保するために各平衡信号にて送信することが好ましい。
【００５７】
また、上記通信機１００は、送信を行うトランスミッタ側（Ｔｘ側）として、上記アンテナ１０１および上記アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１０２を共用するとともに、ＴｘＩＦフィルタ１２１、ミキサ１２２、Ｔｘ段間フィルタ１２３、アンプ１２４、カプラ１２５、アイソレータ１２６、ＡＰＣ（automatic power control（自動出力制御））１２７を備えて構成されている。
【００５８】
そして、上記のＲｘ段間フィルタ１０４、１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ＴｘＩＦフィルタ１２１、Ｔｘ段間フィルタ１２３には、上述した本実施の形態に記載のＳＡＷ素子又はＳＡＷデバイスが好適に利用できる。
【００５９】
本発明にかかるＳＡＷ素子又はＳＡＷデバイスは、小型化できると共に、歩留りや経時的な電気特性の安定性を改善できるという優れた特性を有するものである。よって、上記ＳＡＷ素子又はＳＡＷデバイスを有する本発明の通信機は、小型化でき、かつ、低コスト化や経時的な安定性を向上できるものとなっている。
【００６０】
なお、上記実施の形態では電子部品素子として、ＳＡＷ素子を用いた例を挙げたが、Ａｕバンプ５によるボンディングを用いるものであれば、本発明を適用でき、例えば半導体素子（電子機能部）である集積回路（ＬＳＩ）をパッケージしたＱＦＰ（Quad Flat Pack-type）にも本発明を適用できる。
【００６１】
また、上記実施の形態に記載のＳＡＷ素子やＳＡＷデバイスでは、Ａｕバンプ５を電極パッド３上に、まず形成した例を挙げたが、ＳＡＷ素子に対する外部電極となるパッケージ内電極パターン６ｇ、６ｈ側にＡｕバンプ５をまず設けてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明の電子部品素子、電子部品、及び通信機は、小型化を図りながら、歩留りや電気特性の経時的な安定性に優れるから、携帯電話などの通信分野に好適に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の電子部品素子としてのＳＡＷ素子の要部断面図である。
【図２】上記ＳＡＷ素子の平面図である。
【図３】本発明のＳＡＷデバイスの概略断面図である。
【図４】上記ＳＡＷデバイスのパッケージを示し、（ａ）は要部平面図であり、（ｂ）は要部断面図である。
【図５】上記ＳＡＷデバイスにおける電極パッド及びＡｕバンプの要部断面図である。
【図６】上記ＳＡＷデバイスにおける、電極パッドのＡｌ層（１１１）の配向性を示すＸ線回折による回折線（ロッキングカーブ）の半値幅と、上記Ａｌ層の硬度を示す塑性変形量との関係を示すグラフである。
【図７】上記Ａｌ層の下層のＴｉの厚さが２００ｎｍの場合における、上記Ａｌ層のＸＲＤによるＡｌ（２００）極点の測定結果を示すグラフである。
【図８】上記Ａｌ層の下層のＴｉの厚さが１００ｎｍの場合における、上記Ａｌ層のＸＲＤによるＡｌ（２００）極点の測定結果を示すグラフである。
【図９】上記Ａｌ層の下層のＴｉの厚さが６０ｎｍの場合における、上記Ａｌ層のＸＲＤによるＡｌ（２００）極点の測定結果を示すグラフである。
【図１０】上記Ａｌ層の下層のＴｉの厚さが５０ｎｍの場合における、上記Ａｌ層のＸＲＤによるＡｌ（２００）極点の測定結果を示すグラフである。
【図１１】上記Ａｌ層の下層のＴｉの厚さが０ｎｍの場合における、上記Ａｌ層のＸＲＤによるＡｌ（２００）極点の測定結果を示すグラフである。
【図１２】本発明の通信機の要部ブロック図である。
【符号の説明】
【００６４】
１：圧電基板（基板）
２：ＩＤＴ（電子機能部）
３：電極パッド
３ｅ：接合性改善層（３軸配向Ａｌ膜）
５：Ａｕバンプ
【図１】
2005197595.tif 000003
【図２】
2005197595.tif 000004
【図３】
2005197595.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005197595.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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