(57)【要約】【課題】  焼結時間を短縮し、結晶粒成長の抑制と高密度化を両立する。また、２合金法において、助剤合金を削減する。【解決手段】  主としてＲ2Ｔ14Ｂ相（ただし、Ｒは１種以上の希土類元素、ＴはＦｅ、Ｃｏの少なくとも１種を含む遷移金属を表す。）からなる母合金の微粉と、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｒから選ばれる少なくとも１種を含む助剤合金の微粉を原料合金微粉として用いる。原料合金微粉を成形した成形体を焼結して希土類焼結磁石とするが、焼結を放電プラズマ焼結により行う。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主としてＲ2Ｔ14Ｂ相（ただし、Ｒは１種以上の希土類元素、ＴはＦｅ、Ｃｏの少なくとも１種を含む遷移金属を表す。）からなる母合金の微粉と、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｒから選ばれる少なくとも１種を含む助剤合金の微粉とを含む原料合金微粉を用い、
当該原料合金微粉を成形した成形体が、放電プラズマ焼結により焼結されていることを特徴とする希土類焼結磁石。
【請求項２】
前記助剤合金は、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆから選ばれる少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１記載の希土類焼結磁石。
【請求項３】
前記助剤合金がＢを含むことを特徴とする請求項１又は２記載の希土類焼結磁石。
【請求項４】
前記助剤合金がＣｏを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の希土類焼結磁石。
【請求項５】
前記助剤合金が、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｇａ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれる少なくとも１種を母合金より高濃度で含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の希土類焼結磁石。
【請求項６】
酸素量が２５００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の希土類焼結磁石。
【請求項７】
主相結晶粒の総面積に対して、結晶粒径が１０μｍ以下の主相結晶粒の面積の和が９０％以上であり、結晶粒径が１５μｍ以上の主相結晶粒の面積の和が５％以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の希土類焼結磁石。
【請求項８】
最終組成において、希土類元素２７．０〜３２．０重量％、ホウ素０．５〜２．０重量％であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載の希土類焼結磁石。
【請求項９】
主としてＲ2Ｔ14Ｂ相（ただし、Ｒは１種以上の希土類元素、ＴはＦｅ、Ｃｏの少なくとも１種を含む遷移金属を表す。）からなる母合金の微粉と、、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｒから選ばれる少なくとも１種を含む助剤合金の微粉とを含む原料合金微粉を用い、
当該原料合金微粉を成形した成形体を放電プラズマ焼結により焼結することを特徴とする希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項１０】
前記助剤合金は、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆから選ばれる少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項９記載の希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項１１】
前記助剤合金がＢを含むことを特徴とする請求項９又は１０記載の希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項１２】
前記助剤合金がＣｏを含むことを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項記載の希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項１３】
前記助剤合金が、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｇａ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれる少なくとも１種を母合金より高濃度で含むことを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか１項記載の希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項１４】
前記原料合金微粉に含まれる酸素量を２５００ｐｐｍ以下とすることを特徴とする請求項９乃至１３のいずれか１項記載の希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項１５】
主相結晶粒の総面積に対して、結晶粒径が１０μｍ以下の主相結晶粒の面積の和が９０％以上、結晶粒径が１５μｍ以上の主相結晶粒の面積の和が５％以下となるように焼結を行うことを特徴とする請求項９乃至１４のいずれか１項記載の希土類焼結磁石の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、希土類元素、遷移金属元素及びホウ素を主成分とする希土類焼結磁石及びその製造方法に関し、特に、焼結時の結晶粒成長を抑制し磁気特性を改善するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
希土類焼結磁石、例えばＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石は、磁気特性に優れていること、主成分であるＮｄが資源的に豊富で比較的安価であること等の利点を有することから、近年、その需要は益々拡大する傾向にある。このような状況から、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を向上するための研究開発や、品質の高い希土類焼結磁石を製造するための製造方法の改良等が各方面において進められている。
【０００３】
希土類焼結磁石の製造方法としては、粉末冶金法が知られており、低コストでの製造が可能なことから、広く用いられている。粉末冶金法では、先ず、原料合金インゴットを粗粉砕及び微粉砕し、粒径が数μｍ程度の原料合金微粉を得る。このようにして得られた原料合金微粉を静磁場中で磁場配向させ、磁場を印加した状態でプレス成形を行う。磁場中成形後、成形体を真空中、または不活性ガス雰囲気中で焼結を行う。
【０００４】
希土類焼結磁石の焼結工程では、成形体を真空、若しくはＡｒ等の不活性雰囲気中で加熱することによって焼結反応を進行させ、高密度な焼結体とすることが行われる。この時、加熱の熱源には抵抗加熱が広く採用されている。抵抗加熱では、Ｍｏ等の高融点金属若しくは炭素からなる棒状、あるいは板状の抵抗体に通電し、焼結炉内の温度を所定の温度にしている。
【０００５】
焼結方法としては、前記抵抗加熱の他、例えば放電プラズマ焼結法も知られている。放電プラズマ焼結法は、圧縮成形体に直流パルス電圧を付与し、金属粉間隙で起こる放電現象を利用して焼結を行う方法である。放電プラズマ焼結法は、例えば鉄系焼結体への適用が検討されており、特許文献１にはフェライト系ステンレス粉末からなる圧粉体を焼結する方法が開示されている。そして、その効果として強度の向上が挙げられている。
【０００６】
放電プラズマ焼結法の希土類焼結磁石への適用例としては、特許文献２〜特許文献３等に記載される技術がある。特許文献２には、ＮｄＦｅＢ系及びＲＣｏ（磁石相＋化合物相）において、電気抵抗の高いフッ化物、酸化物（Ｌｉ，Ｎａ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒの１種）を添加した場合の焼結による高電気抵抗磁石作製のための１つの手法として、放電プラズマ焼結法が示されている。特許文献３には、磁石粉末に融点２００〜７００℃の金属を１種または２種以上添加し、放電プラズマ焼結法を用いて希土類磁石を製造する方法が開示されている。特許文献４には、放電プラズマ焼結法を用い、量産性を改良した異方性磁石の製造方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００２−３３２５０３号公報
【特許文献２】特開平９−１８６０１０号公報
【特許文献３】特開平８−２６４３６１号公報
【特許文献４】特開２００１−６８３６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、前述の抵抗加熱の場合、加熱温度は通電する電力に依存し、主として輻射熱を利用して成形体に熱エネルギーを供給しているため、その昇温速度は工業的に要求されるほど速くはない。このため、所望の温度に到達するまでに、これよりも低い温度に長時間晒されることになる。また、真空雰囲気の場合には、不活性ガスが存在する場合に期待できる伝導熱による温度の均一化が全く期待できず、炉内の温度制御が難しい。そのため、成形体の温度にばらつきが生ずる可能性が高い。
【０００８】
希土類焼結磁石の焼結では、焼結温度で液相となる低融点相（副相）が溶融し、主としてＮｄ2Ｆｅ14Ｂ化合物からなる主相粒子の表面を濡らし、成形体内の空隙を外部に排除することによって高密度化（緻密化）が実現される。同時に、焼結温度では、固相同士（粒子同士）が反応することにより、主相結晶粒の粒成長が起こる。主相結晶粒の粒成長は、相対的に大きな主相粒子が、周囲の小さな粒子を吸収する形で進行する。さらに、焼結反応が進んでくると、小さな粒子を吸収した大きな主相粒子同士が反応して、より大きな粒子が生成する。
【０００９】
ここで、結晶粒の大きさは、希土類焼結磁石の特性、特に保磁力に対して大きな影響を及ぼし、結晶粒のサイズが大きいと保磁力低下の要因となることから、焼結に際しては主相結晶粒の粒成長をなるべく抑えることが要求される。すなわち、希土類焼結磁石の焼結では、成形体を構成する原料合金の微粉末のサイズをできる限り維持したまま高密度化が進むことが望ましい。
【００１０】
高密度化と粒成長の抑制という双方の目的を達成するためには、焼結時の温度と時間のパターンの制御が非常に重要となる。例えば、短時間のうちに液相が主相粒子の表面を十分に濡らすようにすることができれば、液相移動による高密度化に要する時間を短縮し、主相の粒成長を抑制することができる。液相が自由に移動できる温度と、粒成長する温度とは重複するので、制御が必要な温度は、単なる焼結炉内の温度ではなく、成形体の実際の温度であることは言うまでもない。
【００１１】
このような焼結反応から考えた場合、前述の抵抗加熱では粒成長を制御した焼結温度制御をすることは難しい。抵抗加熱では、輻射熱を利用しているために、温度の制御、特に急速な昇温、降温が困難であり、また、成形体の周囲と内部とで温度差が生じ易い。その結果、高密度化と粒成長の抑制を同時に達成することが困難であるという問題がある。また、抵抗加熱では、前記の通り、所望の温度に到達するまでに、これよりも低い温度に長時間晒されることになるため、異相が発生し易いという問題もある。主相粒子の粒成長や密度の低下、異相の発生は、いずれも得られる希土類焼結磁石の磁気特性の劣化の原因となり、その制御抑制が必要である。
【００１２】
一方、前述の特許文献２〜４等に記載される放電プラズマ焼結法は、粒子間に発生する高温の放電プラズマを利用するものであるため、輻射熱を利用した抵抗加熱に比べて急速な昇温が可能と考えられる。しかしながら、実際に希土類焼結磁石の焼結に放電プラズマ焼結法を適用してみると、必ずしも焼結反応や緻密化が急速に進行せず、結晶粒の成長の抑制が不十分となる等、放電プラズマ焼結法の利点が損なわれるという問題があることがわかってきた。したがって、特許文献２〜４記載の技術をそのまま希土類焼結磁石に適用しても、得られる希土類焼結磁石の高性能化や結晶粒の微細化は難しい。また、例えば特許文献２や特許文献３に記載される技術では、フッ化物や酸化物、あるいは融点の低い金属等を添加する必要があり、組成に制約があるという問題もある。
【００１３】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、焼結時間を短縮し、高密度化と粒成長の抑制を同時に達成することができ、異相の形成も抑制することが可能な希土類焼結磁石の製造方法を提供し、保磁力等の磁気特性に優れた希土類焼結磁石を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは、前述の問題を解決するために、種々の検討を重ねてきた。その結果、希土類焼結磁石の焼結に放電プラズマ焼結法を適用する場合、２合金法との組み合わせにおいて相乗効果が発揮され、高密度化の進行と助剤合金の添加量の削減が同時に実現されるとの結論を得るに至った。本発明は、このような知見に基づいて完成されたものである。すなわち、本発明に係る希土類焼結磁石は、主としてＲ2Ｔ14Ｂ相（ただし、Ｒは１種以上の希土類元素、ＴはＦｅ、Ｃｏの少なくとも１種を含む遷移金属を表す。）からなる母合金の微粉と、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｒから選ばれる少なくとも１種を含む助剤合金の微粉とを含む原料合金微粉を用い、当該原料合金微粉を成形した成形体が、放電プラズマ焼結により焼結されていることを特徴とする。また、本発明の希土類焼結磁石の製造方法は、前記母合金の微粉と助剤合金の微粉とを含む原料合金微粉を用い、当該原料合金微粉を成形した成形体を放電プラズマ焼結により焼結することを特徴とする。
【００１５】
放電プラズマ焼結法とは、粉末の圧縮成形体に直流パルス電圧を付与することにより、粉末間隙で瞬時に生ずる数千から１万℃程度の放電プラズマの高エネルギーを利用して、焼結を行う方法である。本発明では、原料合金微粉の成形体にパルス通電を行うことにより、原料合金微粉間をパルス大電流が通過することによる粉末表面の急激なジュール加熱、原料合金微粉間隙で生じる放電プラズマによる表面活性化及びクリーニング作用や、放電点及びジュール発熱点の移動等によって、原料合金微粉の表面付近のみが急速に発熱し、加熱される。したがって、輻射熱を利用する抵抗加熱に比べてはるかに急速な昇温、降温が可能である。
【００１６】
ただし、放電プラズマ焼結法をそのまま希土類焼結磁石の焼結に適用しても、必ずしもその利点が十分に発揮されない。そこで、本発明では、主としてＲ2Ｔ14Ｂ相（ただし、Ｒは１種以上の希土類元素、ＴはＦｅ、Ｃｏの少なくとも１種を含む遷移金属を表す。）からなる強磁性の母合金と、非磁性または弱磁性の助剤合金とを混合して焼結する２合金法を放電プラズマ焼結法と組み合わせる。
【００１７】
２合金法は、例えば特許第３１４３１８１号公報等にも記載されるように、抵抗加熱を用いた焼結法においても用いられる手法であるが、放電プラズマ焼結と組み合わせることで、より優れた効果が発揮されることがわかった。その理由としては、母合金と助剤合金を混合して焼結する際に、粉末間でプラズマ放電が起こるため、助剤合金が母相（Ｒ2Ｔ14Ｂ相）に拡散しないうちに高密度化が進行し、粒界付近に高濃度に偏在させることが可能になったことによるものと考えられる。
【００１８】
なお、母合金微粉と助剤合金微粉を含む原料合金微粉の焼結に放電プラズマ焼結法を適用する場合、酸素量に留意する必要がある。原料合金微粉に含まれる酸素量が多いと、酸化物として存在する希土類元素が増加するため、放電プラズマによる表面活性化及びクリーニング作用が不十分となり、結晶粒の成長抑制効果を得ることができない等、放電プラズマ焼結法の利点が損なわれる。そこで本発明では、酸素量を２５００ｐｐｍ以下とすることによって、放電プラズマによる原料合金微粉表面の活性化作用及びクリーニング作用が妨げられることなく、短時間での焼結を可能とし、放電プラズマ焼結法の利点である結晶粒の成長抑制効果を最大限活かすようにする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の希土類焼結磁石は、放電プラズマ焼結により焼結されるとともに、原料合金微粉として母合金微粉と助剤合金微粉を組み合わせて使用しているので、放電プラズマ焼結法の利点が最大限に活かされ、高密度化と結晶粒成長の抑制、異相の発生の抑制、さらには助剤合金の添加量の削減が同時に実現される。したがって、本発明によれば、保磁力の高い磁気特性に優れた希土類焼結磁石を提供することができる。
【００２０】
また、本発明の希土類焼結磁石の製造方法によれば、焼結に放電プラズマ焼結を採用するとともに、原料合金微粉として母合金微粉と助剤合金微粉を組み合わせて使用しているので、原料合金微粉表面のクリーニング作用や活性化作用により急速な焼結反応及び緻密化が進行し、また助剤合金が粒界付近に高濃度に偏在する。したがって、本発明によれば、焼結時間を短縮し、高密度化した焼結体を粒成長せずに得ることができ、製造される希土類焼結磁石の焼結状態を理想状態に近づけることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を適用した希土類焼結磁石及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００２２】
本発明の希土類焼結磁石は、希土類元素、遷移金属元素及びホウ素を主成分とするものである。ここで、磁石組成（最終組成）は、目的に応じて任意に選択すればよい。例えば、Ｒ−Ｔ−Ｂ（Ｒ＝Ｙを含む希土類元素の１種または２種以上、Ｔ＝ＦｅまたはＦｅ及びＣｏを必須とする遷移金属元素の１種または２種以上、Ｂ＝ホウ素）系希土類焼結磁石とする場合、磁気特性に優れた希土類焼結磁石を得るためには、焼結後の磁石組成において、希土類元素Ｒが２７．０〜３２．０重量％、ホウ素Ｂが０．５〜２．０重量％、残部が実質的に遷移金属元素Ｔ（例えばＦｅ）となるような配合組成とすることが好ましい。希土類元素Ｒの量が２７．０重量％未満であると、軟磁性であるα−Ｆｅ等が析出し、保磁力が低下する。逆に、希土類元素Ｒが３２．０重量％を越えると、Ｒリッチ相の量が多くなって耐蝕性が劣化するとともに、主相であるＲ2Ｔ14Ｂ結晶粒の体積比率が低下し、残留磁束密度が低下する。また、ホウ素Ｂが０．５重量％未満の場合には、高い保磁力を得ることができない。逆に、ホウ素Ｂが２．０重量％を越えると、残留磁束密度が低下する傾向がある。
【００２３】
前記組成において、希土類元素Ｒは、Ｙを含む希土類元素、すなわちＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる１種、または２種以上である。中でも、ＮｄやＰｒは、磁気特性のバランスが良いこと、資源的に豊富で比較的安価であることから、主成分をＮｄやＰｒとすることが好ましい。また、Ｄｙ2Ｆｅ14ＢやＴｂ2Ｆｅ14Ｂ化合物は、異方性磁界が大きく、保磁力Ｈｃｊを向上させる上で有効である。
【００２４】
さらに、本発明の希土類焼結磁石は、添加元素Ｍを加えて、Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系希土類焼結磁石とすることも可能である。この場合、添加元素Ｍとしては、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｃ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｗ、Ｖ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｍｏ等を挙げることができ、これらの１種または２種以上を選択して添加することができる。例えば、高融点金属であるＮｂ、Ｚｒ、Ｗ等の添加は、結晶粒成長を抑制する効果がある。勿論、これら組成に限らず、希土類焼結磁石の組成として従来公知の組成全般に適用可能であることは言うまでもない。
【００２５】
ただし、本発明の希土類焼結磁石は、主としてＲ2Ｔ14Ｂ相（ただし、Ｒは１種以上の希土類元素、ＴはＦｅ、Ｃｏの少なくとも１種を含む遷移金属を表す。）からなる母合金の微粉と、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｒから選ばれる少なくとも１種を含む助剤合金の微粉とを含む原料合金微粉を用い、当該原料合金微粉を成形した成形体が、放電プラズマ焼結により焼結されたものである。
【００２６】
母合金において、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる１種であるが、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｄｙを主体とする１種または２種以上の希土類元素であることが好ましい。Ｔは、ＦｅまたはＦｅ及びＣｏを主体とする１種以上の遷移金属であり、Ｃｏの含有量は、０〜４０重量％であることが好ましい。前記母合金は、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆから選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよく、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆから選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。
【００２７】
助剤合金は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｒから選ばれる少なくとも１種を含むものである。特に、ＺｒやＨｆは、最適焼結温度域を広げるという効果を有することから、好適である。したがって、助剤合金は、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆから選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましい。また、これらに加えて、前記助剤合金は、ＢやＣｏを含むことが好ましい。これは、Ｃｏは助剤として添加し、粒界付近に高濃度で存在することにより磁石の耐食性が向上する、又Ｂを含ませることにより異常粒成長のインヒビターとしての化合物が生成しやすいという理由による。さらに、前記助剤合金は、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｇａ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれる少なくとも１種を母合金より高濃度で含むことが好ましい。これらを高濃度で含むことで、粒界付近に偏在し、保磁力を高めるという利点がある。
【００２８】
これら母合金の微粉と助剤合金の微粉とを前記最終組成となるような割合で混合し、原料合金微粉として用いる。この時、第３の合金微粉をさらに加えて３合金としたり、それ以上の多成分系とすることも可能である。
【００２９】
また、本発明の希土類焼結磁石では、酸素の含有量を２５００ｐｐｍ以下とすることが好ましい。これは、後述の放電プラズマ焼結を行うこととも関連するが、酸素含有量が２５００ｐｐｍを越えると、希土類元素が酸化物として存在する量が増加し、主相及び副相に存在すべき磁気的に有効な希土類元素が減少して保磁力が低下するという問題が生ずる。さらに、生成した酸化物は非磁性であり、焼結体の磁化の低下も招く。酸素量と酸化物の生成量の関係は、化合物の化学量論比に従って直線的関係を有するが、近年の磁石応用製品において高性能希土類磁石に要求される保磁力や磁化を満足させるためには、２５００ｐｐｍ以下であることが要求され、特に２０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００３０】
さらに、本発明の希土類焼結磁石は、炭素（Ｃ）の含有量が１５００ｐｐｍ以下、窒素（Ｎ）の含有量が２００〜１５００ｐｐｍであることが好ましい。炭素の含有量が１５００ｐｐｍを越えると、炭素は希土類元素の一部と炭化物を形成し、磁気的に有効な希土類元素が減少して保磁力が低下する。また、窒素量を前記範囲とすることによって、優れた耐蝕性と高い磁気特性を両立させることができる。
【００３１】
本発明の希土類焼結磁石は、粉末冶金法により製造されるものであり、特に、放電プラズマ焼結によって焼結されてなるものである。以下、希土類焼結磁石の粉末冶金法による製造方法について説明する。
【００３２】
図１は、粉末冶金法による希土類焼結磁石の製造プロセスの一例を示すものである。この製造プロセスは、基本的には、合金化工程１、粗粉砕工程２、微粉砕工程３、磁場中成形工程４、脱バインダー工程５、焼結工程６、時効工程７、加工工程８、及び表面処理工程９とにより構成される。なお、酸化防止のために、焼結後までの各工程は、ほとんどの工程を真空中、あるいは不活性ガス雰囲気中（窒素雰囲気中、Ａｒ雰囲気中等）で行う。
【００３３】
合金化工程１では、原料となる金属、あるいは合金を母合金組成、助剤合金組成に応じて配合し、不活性ガス、例えばＡｒ雰囲気中で溶解し、鋳造することにより合金化する。鋳造法としては、溶融した高温の液体金属を回転ロール上に供給し、合金薄板を連続的に鋳造するストリップキャスト法（連続鋳造法）が生産性等の観点から好適である。原料金属（合金）としては、純希土類元素、希土類合金、純鉄、フェロボロン、さらにはこれらの合金等を使用することができる。インゴットとして鋳造した場合には、凝固偏析を解消すること等を目的に、必要に応じて溶体化処理を行ってもよい。溶体化処理の条件としては、例えば真空またはＡｒ雰囲気下、７００〜１２００℃領域で１時間以上保持する。
【００３４】
粗粉砕工程２では、先に鋳造した母合金及び助剤合金の薄板、あるいはインゴット等を、それぞれ粒径数百μｍ程度になるまで粉砕する。粉砕手段としては、スタンプミル、ジョークラッシャー、ブラウンミル等を用いることができる。粗粉砕性を向上させるために、水素を吸蔵させて脆化させた後、粗粉砕を行うことが効果的である。
【００３５】
前述の粗粉砕工程２が終了した後、通常、粗粉砕した母合金粉、助剤合金粉に粉砕助剤を添加する。粉砕助剤としては、例えば脂肪酸系化合物等を使用することができるが、特に、脂肪酸アミドを粉砕助剤として用いることで、良好な磁気特性、特に高配向度で高い磁化を有する希土類焼結磁石を得ることができる。粉砕助剤の添加量としては、０．０３〜０．４重量％とすることが好ましい。粉砕助剤の添加量が０．０３重量％未満であると、潤滑剤の磁気特性に与える効果が十分に得られず、０．４重量％以下の添加量であれば、焼結後の残留炭素の量を効果的に低減することができ、希土類焼結磁石の磁気特性を向上させる上で有効である。
【００３６】
粗粉砕工程２の後、微粉砕工程３を行うが、この微粉砕工程３は、例えば気流式粉砕機等を使用して行われる。微粉砕の際の条件は、用いる気流式粉砕機に応じて適宜設定すればよく、母合金粉、助剤合金粉を平均粒径が１〜１０μｍ程度、例えば３〜６μｍとなるまで微粉砕する。気流式粉砕機としては、ジェットミル等が好適である。ジェットミルは、高圧の不活性ガス（例えば窒素ガス）を狭いノズルより開放して高速のガス流を発生させ、この高速のガス流により粉体の粒子を加速し、粉体の粒子同士の衝突や、衝突板あるいは容器壁との衝突を発生させて粉砕する方法である。ジェットミルは、一般的に、流動層を利用するジェットミル、渦流を利用するジェットミル、衝突板を用いるジェットミル等に分類される。これらのジェットミルのうちでは、流動層を利用するジェットミル、及び渦流を利用するジェットミルが好ましく、特に流動層を利用するジェットミルが好ましい。例えば原料合金粉と粉砕助剤とは比重が大きく異なるが、流動層中及び渦流中では比重の違いに殆ど関係なく良好に粉砕及び混合が行なわれ、特に流動層中では比重の違いは殆ど問題とならないからである。
【００３７】
微粉砕工程３の後、磁場中成形工程４において、母合金微粉と助剤合金微粉、さらには必要に応じてその他の合金微粉を混合して原料合金微粉とし、この原料合金微粉を磁場中にて成形する。具体的には、微粉砕工程３にて得られた原料合金微粉を電磁石を配置した金型内に充填し、磁場印加によって結晶軸を配向させた状態で磁場中成形する。磁場中成形は、成形圧力と磁界方向が平行な縦磁場成形、成形圧力と磁界方向が直交する横磁場成形のいずれであってもよい。さらに、磁界印加手段として、パルス電源と空芯コイルも採用することができる。この磁場中成形は、例えば７００〜１３００ｋＡ／ｍの磁場中で、１００〜２００ＭＰａ前後の圧力で行えばよい。なお、母合金微粉、助剤合金微粉、その他の合金微粉の混合は、粗粉砕の後に行ってもよく、この場合には、粗粉砕後にこれらを混合した後、微粉砕工程及び磁場中成形工程を行う。
【００３８】
次に、前記磁場中成形工程により形成された成形体を焼結するが、焼結に先立って、脱バインダー工程５において脱バインダー処理を行う。この脱バインダー処理は、粉砕工程において添加され成形体に含まれる潤滑剤を系外に除去するための工程であり、脱バインダー処理を行うことで、焼結後に炭化物、酸化物等として残存する炭素や酸素の残存量を減らすことができる。また、焼結工程６において放電プラズマ焼結法により焼結を行う場合、酸素による結晶粒成長が問題となるが、この脱バインダー処理により潤滑剤を除去しておけば、結晶粒成長を最小限に抑えることもできる。
【００３９】
本発明では、この脱バインダー工程を抵抗加熱により行う。脱バインダー処理では、例えば２００℃〜５００℃程度の有機物を分解し得る温度に成形体を保持し、成形体に含まれる潤滑剤等の有機物を分解、除去するが、抵抗加熱の採用は、低温での温度制御の容易さや、温度の均一性をもたらし、脱バインダーの効率向上が図られる。また、放電プラズマ焼結法による焼結に先立ち、バインダー処理に使用する抵抗加熱により成形体を予備焼結することもできる。
【００４０】
ここで、後述の焼結工程６を放電プラズマ焼結法により行うことを考慮すると、脱バインダー処理も放電プラズマ焼結法により行うことも可能である。ただし、放電プラズマ焼結法は、脱バインダー処理に好適な低温での安定な温度制御が難しく、効率的な加熱が難しい。このため、脱バインダー処理に放電プラズマ焼結法を適用すると、炭素や酸素が残りやすく、最終的に得られる希土類焼結磁石の特性劣化の原因となるおそれがある。
【００４１】
次いで、焼結工程６において、焼結を実施する。すなわち、原料合金微粉を磁場中成形後、前記脱バインダー処理を行った成形体（予備焼結体）を真空または不活性ガス雰囲気中で焼結する。
【００４２】
本発明では、この焼結工程６において、成形体の焼結を放電プラズマ焼結により行う。図２は、放電プラズマ焼結装置の概要を示すものである。放電プラズマ焼結装置においては、例えば真空チャンバ１１内に、いわゆるダイセットが設けられている。ダイセットは、成形体１２を収納する焼結ダイ１３と、焼結ダイ１３内の成形体１２を１軸方向から加圧する下部パンチ１４及び上部パンチ１５と、下部パンチ１４及び上部パンチ１５を挟む下部電極１６及び上部電極１７とから構成され、下部電極１６及び上部電極１７が直流パルス電源１８に接続される。この放電プラズマ焼結装置を用いて焼結を行う場合には、成形体１２を内部に充填した焼結ダイ１３、下部パンチ１４及び上部パンチ１５を、下部電極１６及び上部電極１７間に設置し、加圧しながら直流パルス電源１８より通電を行う。すると、放電プラズマの放電衝撃圧力、スパッタ作用により、原料合金粉末表面の吸着ガス等を吹き飛ばしたり、絶縁酸化被膜を破壊する等、原料合金微粉表面を活性化及びクリーニングする。また、放電プラズマの発生がない場合も、大電流が通過することで急激なジュール熱を発生し、原料合金微粉表面が自己発熱する。また、パルス通電を行うことにより、電界の作用でイオンの高速移動が生じるため、成形体内で放電点及びジュール発熱点が移動、分散し、成形体全体が均一に加熱される。このように、比較的低温で、且つ急激な温度上昇によって焼結が行われる。
【００４３】
なお、希土類焼結磁石の放電プラズマ焼結に際しては、必ずしも加圧する必要はなく、その場合には、図３に示すように、成形体１２の上下に下部電極１６及び上部電極１７を配して、直流パルス電源１８より通電を行えばよい。ただし、特性を向上する上では、加圧した方が有利である。また、加圧する場合、成形体１２の配向方向と平行な方向に加圧することが好ましい。なお、前述の磁場中成形工程４を放電プラズマ装置内に組み込んで、成形から焼結までを一連の工程として行なうことも可能である。
【００４４】
ところで、前記焼結工程６において、原料合金微粉を成形した成形体を放電プラズマ焼結により焼結する場合、原料合金微粉に含まれる酸素量に留意する必要がある。例えばＮｄＦｅＢ系合金は、極めて酸化され易く、酸素雰囲気を制御して粉砕を行っても、通常は酸素量が２５００ｐｐｍを越えるレベルとなる。この酸素量は、Ｎｄ酸化物として存在するとほぼ１重量％以上となる。また、この酸素量は、潤滑剤の添加量として検討されている量（〜０．８重量％）より多く、また、潤滑剤の最適量（０．１重量％）よりはるかに多い量となる。原料合金微粉の酸素量が多いと、放電プラズマによる原料合金微粉表面の活性化作用及びクリーニング作用が妨げられ、急速昇温や焼結時間の短時間化等の利点が得られなくなる。その結果、結晶粒の成長を招き、希土類焼結磁石の保磁力が低下する等、磁気特性の低下につながる。
【００４５】
したがって、本発明においては、原料合金微粉に含まれる酸素量を、２５００ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。焼結工程に放電プラズマ焼結法を採用するとともに、酸素量を２５００ｐｐｍ以下とすることによって、放電プラズマによる原料合金粉末表面の活性化作用やクリーニング作用を充分に発現させ、急速な焼結反応及び緻密化が進行するので、結晶の粒成長を効果的に抑制できる。このため、従来の抵抗加熱に比べて高い保磁力の希土類焼結磁石を得ることができる。また、保磁力を高めることにより高価なＤｙのような希土類元素を低減できるという利点もある。
【００４６】
また、本発明によれば、従来に比べて、短時間での昇温、降温が実現され、短時間で焼結が完了する。具体的には、抵抗加熱法では４時間の焼結時間が必要な場合、本発明の方法によれば、１／５以下の焼結時間で抵抗加熱による希土類焼結磁石と同等の密度の希土類焼結磁石を得ることができる。このように、焼結時間を大幅に短縮することができるため、希土類焼結磁石の製造に要する時間が短縮され、工業上の経済的効果も極めて大きい。
【００４７】
原料合金微粉に含まれる酸素量を抑えるには、例えば、前記微粉砕工程３において、ジェットミルによる粉砕時の酸素量の増加を抑制する必要がある。そのためには、例えばジェットミルで粉砕する際に、不活性ガス雰囲気中で行い、その条件を厳しく管理することが必要である。また、微粉砕工程３に限らず、粗粉砕工程２等、全ての焼結前迄の工程における雰囲気中の酸素量管理を厳しくし、前記酸素量とすることが要求される。
【００４８】
ＮｄＦｅＢ系焼結磁石の焼結工程に放電プラズマ焼結法を適用する技術については、これまでにも例えば前述の特許文献２〜４において提案されているが、放電プラズマ焼結法の特長である結晶粒の成長抑制効果が充分に実現されたのは、低酸素量の成形体を作製可能になったことが大きな要因の一つである。例えば前述の特許文献２記載の発明においては、電気抵抗の高いフッ化物、酸化物を添加した場合の高電気抵抗磁石作製のための手法の一例として放電プラズマ焼結法が示されているのみで、焼結磁石の磁気特性の高性能化を目的としたものではない。また、焼結体の結晶粒等に関しては全く検討されていない。特許文献３や特許文献４に記載される発明も同様である。
【００４９】
放電プラズマ焼結法による焼結条件は、焼結する成形体の大きさ、原料合金微粉の大きさ等に応じて適宜設定すればよい。焼結条件を適正なものとすることにより、結晶粒の粒成長の抑制と、焼結反応の促進による高密度化を実現することができる。ここで、焼結条件の一つの指標として、焼結後の焼結体の結晶粒径分布を挙げることができる。具体的には、主相結晶粒の総面積に対して、結晶粒径が１０μｍ以下の主相結晶粒の面積の和が９０％以上、結晶粒径が１５μｍ以上の主相結晶粒の面積の和が５％以下となるように焼結を行うことが好ましい。焼結工程に放電プラズマ焼結法を採用するとともに、成形体の酸素量を特定の値以下に制御することで、従来に比べて微細な結晶粒径分布を実現することができる。主相結晶粒の総面積に対して、結晶粒径が１０μｍ以下の主相結晶粒の面積の和が９０％未満で、結晶粒径が１５μｍ以上の主相結晶粒の面積の和が５％を越えると、粒成長が進んでいることを意味し、希土類焼結磁石の保磁力が低下するおそれがある。より好ましくは、主相結晶粒の総面積に対して、結晶粒径が８μｍ以下の主相結晶粒の面積の和が８０％以上、結晶粒径が１３μｍ以上の主相結晶粒の面積の和が１０％以下であり、さらに好ましくは、主相結晶粒の総面積に対して、結晶粒径が８μｍ以下の主相結晶粒の面積の和が９０％以上、結晶粒径が１３μｍ以上の主相結晶粒の面積の和が５％以下である。さらには、主相結晶粒の総面積に対して、結晶粒径が６μｍ以下の主相結晶粒の面積の和が８０％以上、結晶粒径が１０μｍ以上の主相結晶粒の面積の和が１０％以下であることが好ましい。
【００５０】
また、焼結条件の他の指標として、焼結前の原料合金微粉の平均粒径ｒと焼結後の焼結体の結晶粒径Ｒの比率Ｒ／ｒ（粒成長比率）を挙げることができる。具体的には、この比率Ｒ／ｒが１．５以下となるように焼結条件を設定することが好ましい。前記比率Ｒ／ｒが１．５を越えるということは、粒成長が進んでいることを意味し、希土類焼結磁石の保磁力が低下するおそれがある。なお、焼結前の原料合金微粉の平均粒径ｒと焼結後の焼結体の結晶粒径Ｒは、同じ単位を持つものである。
【００５１】
焼結後、時効工程７において、得られた焼結体に時効処理を施すことが好ましい。この時効処理は、得られる希土類焼結磁石の保磁力Ｈｃｊを制御する上で重要な工程であり、例えば不活性ガス雰囲気中あるいは真空中で時効処理を施す。時効処理としては、２段時効処理が好ましく、１段目の時効処理工程では、８００℃前後の温度で１〜３時間保持する。次いで、室温〜２００℃の範囲内にまで急冷する第１急冷工程を設ける。２段目の時効処理工程では、５５０℃前後の温度で１〜３時間保持する。次いで、室温まで急冷する第２急冷工程を設ける。６００℃近傍の熱処理で保磁力Ｈｃｊが大きく増加するため、時効処理を一段で行う場合には、６００℃近傍の時効処理を施すとよい。
【００５２】
前記時効工程７の後、加工工程８及び表面処理工程９を行う。加工工程８は、所望の形状に機械的に成形する工程である。表面処理工程９は、得られた希土類焼結磁石の酸化を抑えるために行う工程であり、例えばメッキ被膜や樹脂被膜を希土類焼結磁石の表面に形成する。
【実施例】
【００５３】
次に、本発明の具体的な実施例について、実験結果を基に説明する。
【００５４】
＜希土類焼結磁石の作製＞
原料となる金属あるいは合金を所定の組成となるように配合し、アルミナ坩堝中で高周波溶解により溶製された母合金及び助剤合金を、それぞれストリップキャスト法により１ｍｍ以下の厚さの薄板状合金とした。
【００５５】
薄板状合金は、十分に排気された炉内において、室温付近で水素を吸蔵させて脆化させ、そのまま昇温させ、Ａｒフロー若しくは排気によって脱水素を行った。脆化した薄板合金を、窒素雰囲気中で機械的粉砕により数百μｍまで粗粉砕し、さらに窒素気流中のジェットミルにより、平均粒径２．６〜２．７μｍまで微粉砕した。
【００５６】
粉砕した母合金微粉と助剤合金微粉を、酸素を遮断したまま成形工程に供した。成形工程では、磁場成形機を用い、磁界によって母合金微粉の粒子の結晶方向が配向された圧粉体（成形体）を得た。この成形工程においても、雰囲気中の酸素の量は厳しく制御し、５００ｐｐｍ以下とした。
【００５７】
さらに、酸素を遮断したまま、成形体を焼結装置に移行し、脱バインダー処理の後、焼結を行った。焼結の後、時効処理を行った。時効処理は、２段時効処理とし、１段目は９００℃、１時間、２段目は５３０℃、１時間とした。
【００５８】
＜評価＞
作製した各希土類焼結磁石について、残留磁束密度Ｂｒ、保磁力ｉＨｃ、エネルギー積（ＢＨ）ｍ、角型比（Ｈｋ／ｉＨｃ）を測定した。磁石特性［残留磁束密度Ｂｒ、保磁力ｉＨｃ、エネルギー積（ＢＨ）ｍ］の測定は、Ｂ−Ｈトレーサーを用いて行った。角型比は、Ｂ−Ｈループにおいて、磁化Ｂが残留磁化Ｂｒより１０％低下した点での磁界Ｈｋと、磁化Ｂがゼロとなる点での磁界（保磁力ｉＨｃ）との比率（Ｈｋ／ｉＨｃ）より算出した。
【００５９】
＜実施例及び比較例＞
母合金組成、助剤合金組成、及び焼結方法を変え、希土類焼結磁石（実施例１〜８、及び比較例１〜４）を作製した。
【００６０】
焼結方法が放電プラズマ法の場合、放電プラズマ焼結装置としては、図２に示す放電プラズマ焼結装置を用いた。焼結に際しては、先に作製された成形体を、真空雰囲気（１０-4Ｐａ以下）に調整された放電プラズマ焼結装置内（前記真空チャンバ１１内）の中の上部電極１７並びに下部電極１６を持つダイセットに、成形体１２の配向方向が上下になるよう配置し、真空度を確認した後、室温から２００〜４００℃程度に温度を上昇させ、最初に脱バインダ処理を行った。その後、電流密度１００〜５００Ａ／ｃｍ2、電圧３０〜７０Ｖ、パルス周期１００〜２００ｍｓｅｃの範囲で調整し、１５０ｋｇ／ｃｍ2まで加圧しながら、通電焼結を行い最適特性を得た。なお、脱バインダ後から焼結終了までの時間は３０分であった。また、比較のため、同様の組成の成形体に対して、抵抗加熱により１０２０〜１０８０℃、１〜４時間の条件で焼結し、各々の比較例を得た。
主相結晶粒分布は、表面を研磨後、偏光顕微鏡で写真を撮影し、約100＊100μmの領域で画像処理を行い結晶粒径分布を求めた。
【００６１】
各実施例及び比較例における母合金組成、助剤合金組成、最終組成、焼結方法、及び磁石特性を表１〜表４に示す。
【００６２】
【表１】
2005197301.tif 000003
【００６３】
【表２】
2005197301.tif 000004
【００６４】
【表３】
2005197301.tif 000005
【００６５】
【表４】
2005197301.tif 000006
【００６６】
これら各表から明らかなように、焼結を放電プラズマ焼結法により行うことで、少ない助剤合金微粉量で効果が発揮されており、特に残留磁束密度Ｂｒや角型比の向上が見られる。また、助剤合金微粉量を削減することができれば、非磁性元素であるＡｌ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ等の割合を減らすことができ、磁石特性の観点からも有利である。
なお、本発明の実施例の希土類焼結体酸素量は、１２００〜１８００ｐｐｍであった。
又、本発明の実施例に相当する試料１の焼結体の主相結晶粒分布を測定したところ、１０μｍ以下の結晶粒が９９％、１５μｍ以上が０％であった。  又８μｍ以下の結晶粒が９４％、１３μｍ以上が０％であり、さらに６μｍ以下が８４％、１０μｍ以上が１％であった。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】希土類焼結磁石の製造プロセスの一例を示すフローチャートである。
【図２】放電プラズマ焼結装置の概略構成を示す模式図である。
【図３】放電プラズマ焼結装置の他の例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  合金化工程、２  粗粉砕工程、３  微粉砕工程、４  磁場中成形工程、５  焼結工程、６  時効工程、７  加工工程、８  表面処理工程、１１  真空チャンバ、１２  成形体、１３  焼結ダイ、１４  下部パンチ、１５  上部パンチ、１６  下部電極、１７  上部電極、１８  直流パルス電源
【図１】
2005197301.tif 000007
【図２】
2005197301.tif 000008
【図３】
2005197301.tif 000009