(57)【要約】【課題】  特にウエットエッチング法にて接触子を成形する際に、容易に且つ適切に所定形状の前記接触子を成形することが可能な接続装置の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】  導電性部材４０の表面にスパイラル接触子２０の形状がパターン形成された第１マスク４３を形成し、前記第１マスク４３に覆われていない前記導電性部材４０を途中までウエットエッチング法にてエッチングする。次に、前記導電性部材４０の裏面から同様の方法にてエッチングし、スパイラル接触子２０を成形する。このように前記導電性部材４０を表裏から別々にウエットエッチングすることで、各エッチング時間を短縮でき、所定形状のスパイラル接触子２０を高精度に成形することができる。【選択図】図９
2005114522.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台と、前記基台に設けられた複数の接触子とを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置の製造方法において、
（ａ）  導電性部材の表面に、前記接触子のパターンが形成された第１マスクを設ける工程と、
（ｂ）  前記第１マスクに覆われていない前記導電性部材をウエットエッチング法にて、途中までエッチングする工程と、
（ｃ）  前記導電性部材の裏面に、前記接触子のパターンが形成された第２マスクを設ける工程と、
（ｄ）  前記第２マスクに覆われていない、前記（ｂ）工程で残された残りの前記導電性部材をウエットエッチング法でエッチングし、前記導電性部材を前記接触子形状に成形する工程と、
（ｅ）  前記接触子を前記基台に接合する工程と、
を有することを特徴とする接続装置の製造方法。
【請求項２】
前記（ａ）工程の前記第１マスクとして、金属膜を前記導電性部材の表面にメッキ形成し、前記（ｄ）工程で、前記第１マスクを前記接触子の表面層として残す請求項１記載の接続装置の製造方法。
【請求項３】
前記（ａ）工程にて、前記第１マスクを前記導電性部材よりも薄い膜厚で形成する請求項１または２に記載の接続装置の製造方法。
【請求項４】
前記（ｂ）工程にて、前記導電性部材を、少なくともその膜厚の半分までエッチングする請求項１ないし３のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項５】
前記（ａ）工程にて、前記導電性部材の裏面に補強部材を設ける請求項１ないし４のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項６】
前記補強部材に感光性樹脂を使用する請求項５記載の接続装置の製造方法。
【請求項７】
前記（ｃ）工程で、前記補強部材を、前記接触子形状に形成し、前記第２マスクとして使用する請求項５または６に記載の接続装置の製造方法。
【請求項８】
前記補強部材を、前記（ｄ）工程後に除去する請求項７記載の接続装置の製造方法。
【請求項９】
前記補強部材を、前記（ｂ）工程後に除去し、前記（ｃ）工程で、金属膜を前記導電性部材の表面に第２マスクとしてメッキ形成し、前記（ｄ）工程で、前記第２マスクを前記接触子の裏面層として残す請求項１ないし６のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項１０】
少なくとも前記（ｂ）工程よりも後で、前記（ｄ）工程よりも前の段階で、接合部材を用いて、前記（ｄ）工程で複数の接触子となる部分の前記導電性部材間を繋ぎ、その後、前記（ｄ）工程を行う請求項１ないし８のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項１１】
前記導電性部材を銅あるいは銅合金で形成する請求項１ないし１０のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項１２】
前記導電性部材を箔体で形成する請求項１ないし１１のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１マスク及び第２マスクには、前記導電性部材よりも降伏点及び弾性係数が高い材質を使用する請求項１ないし６、または９ないし１２のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１マスク及び第２マスクを、Ａｕ、ＮｉあるいはＮｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのうちいずれか１種以上）から選択された単層、あるい多層構造で形成する請求項１３記載の接続装置の製造方法。
【請求項１５】
前記接触子を螺旋状で形成する請求項１ないし１４のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＩＣ（集積回路）等が装着されるＩＣソケットである接続装置の製造方法に係わり、特に、前記接続装置内に搭載される接触子を所定形状に容易に且つ適切に成形することが可能な接続装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載されている半導体検査装置は、半導体を外部の回路基板などに電気的に仮接続させるものである。半導体の背面側には格子状またはマトリックス状に配置された多数の球状接触子が設けられており、これに対向する絶縁基板上には多数の凹部が設けられ、この凹部内にスパイラル接触子が対向配置されている。
【０００３】
前記半導体の背面側を前記絶縁基板に向けて押圧すると、前記球状接触子の外表面に前記スパイラル接触子が螺旋状に巻き付くように接触するため、個々の球状接触子と個々のスパイラル接触子との間の電気的接続が確実に行われるようになっている。
【特許文献１】特開２００２−１７５８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところでこの特許文献１には、スパイラル状接触子２の形成方法について簡単な説明がある。
【０００５】
例えばこの公報の図３７工程では、レジスト層に接触子形状のパターンを形成し、このパターン内に前記接触子をメッキ形成している。
【０００６】
しかし前記接触子のばね性等を良好に保つには、前記接触子を比較的厚く形成することが必要であり、そのため、高さの高い前記レジスト層を形成しなければならないが、膜厚の厚いレジスト層に高精度に接触子形状のパターンを形成することは難しく、所定厚みの接触子を所定形状で形成しづらい。
【０００７】
また特許公報１の図２８工程では、銅メッキ４を施し、図２９工程では、前記スパイラル状接触子の形状のエッチングマスクを前記銅メッキ４上に形成し、図３０工程では、エッチングにて前記マスクに覆われていない前記銅メッキ４を削り、残された銅メッキによりスパイラル状接触子を形成している。
【０００８】
上記製造方法では、前記エッチングがドライエッチング法なのかウエットエッチング法なのか特に言及してはいないが、銅箔などをエッチングにてスパイラル形状に成形するとき、比較的膜厚の厚い前記銅箔をドライエッチング法にて、高精度にスパイラル状に成形するのは、製造工程上非常に困難である。
【０００９】
そこでウエットエッチング法にて、前記銅箔をスパイラル状に成形することが考えられるが、次のような点が問題となった。
【００１０】
図１７は、その問題点を説明するための断面図である。ここで符号１は、銅箔であり、その上に所定パターン６１ａが露光現像で形成されたレジスト層６１が形成されている。前記パターン６１ａはスパイラル状であり、図１７では、その一部のパターン６１ａのみが開示されている。
【００１１】
前記パターン６１ａから露出する前記銅箔６０をウエットエッチング法にてエッチングしていくと、ウエットエッチング法は等方的なエッチングであるから、前記パターン６１ａ内に露出する銅箔６０のみならず、図１７の矢印に示すように、エッチングが前記レジスト層６１下にある銅箔６０の部分まで回り込んで、前記レジスト層６１下の銅箔６０も溶かしてしまう。
【００１２】
前記銅箔６０は比較的厚い膜厚（例えば２０μｍ程度）で形成されるため、前記エッチングが前記銅箔６０の表面６０ａから裏面６０ｂに到達するまでに、前記レジスト層６１下の銅箔６０へのエッチングの回り込み量が多くなり、前記銅箔６０からなる前記スパイラル状接触子の各ターンの幅が非常に小さくなってしまったり、前記各ターンの膜厚が非常に薄くなり、前記スパイラル状接触子を所定形状に成形できないといった問題があった。
【００１３】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特にウエットエッチング法にて接触子を成形する際に、表裏から別々にウエットエッチングを施すことで、容易に且つ適切に所定形状の前記接触子を成形することが可能な接続装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、基台と、前記基台に設けられた複数の接触子とを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置の製造方法において、
（ａ）  導電性部材の表面に、前記接触子のパターンが形成された第１マスクを設ける工程と、
（ｂ）  前記第１マスクに覆われていない前記導電性部材をウエットエッチング法にて、途中までエッチングする工程と、
（ｃ）  前記導電性部材の裏面に、前記接触子のパターンが形成された第２マスクを設ける工程と、
（ｄ）  前記第２マスクに覆われていない、前記（ｂ）工程で残された残りの前記導電性部材をウエットエッチング法でエッチングし、前記導電性部材を前記接触子形状に成形する工程と、
（ｅ）  前記接触子を前記基台に接合する工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００１５】
上記のように本発明では、前記導電性部材をまず（ｂ）工程にて表面側から途中までウエットエッチングし、（ｄ）工程にて裏面側から残りの前記導電性部材をウエットエッチングして前記接触子を成形している。
【００１６】
このように導電性部材を表裏から別々にエッチングすることで、前記導電性部材が厚い膜厚で形成されている場合でも、（ｂ）工程と（ｄ）工程での各エッチング時間を、従来のように一回のエッチングのみで接触子を形成する場合に比べて、それぞれ短縮できるから、前記マスク下にある導電性部材のウエットエッチングによる影響を低減でき、その結果、前記ウエットエッチング法で所定形状の接触子を容易に且つ適切に成形することが可能になる。
【００１７】
本発明では、前記（ａ）工程の前記第１マスクとして、金属膜を前記導電性部材の表面にメッキ形成し、前記（ｄ）工程で、前記第１マスクを前記接触子の表面層として残すことが好ましい。
【００１８】
また本発明では、前記（ａ）工程にて、前記第１マスクを前記導電性部材よりも薄い膜厚で形成することが可能である。
【００１９】
また本発明では、前記（ｂ）工程にて、前記導電性部材を、少なくともその膜厚の半分までエッチングすることが好ましい。
【００２０】
また本発明では、前記（ａ）工程にて、前記導電性部材の裏面に補強部材を設けることが好ましい。前記導電性部材は何等かの手段にて補強しないと製造工程中、撓り易い状態にあるため、製造の容易性を向上させるために、前記導電性部材の裏面に補強部材を設けて、製造工程の際に前記導電性部材が撓るのを抑制することが好ましい。
【００２１】
例えば前記補強部材に感光性樹脂を使用する。なお、前記（ｃ）工程で、前記補強部材を、前記接触子形状に形成し、前記第２マスクとして使用することも可能であり、また前記第２マスクとして使用された前記補強部材を、前記（ｄ）工程後に除去してもよい。
【００２２】
また本発明では、前記補強部材を、前記（ｂ）工程後に除去し、前記（ｃ）工程で、金属膜を前記導電性部材の表面に第２マスクとしてメッキ形成し、前記（ｄ）工程で、前記第２マスクを前記接触子の裏面層として残すことも可能である。
【００２３】
本発明では、少なくとも前記（ｂ）工程よりも後で、前記（ｄ）工程よりも前の段階で、接合部材を用いて、前記（ｄ）工程で複数の接触子となる部分の前記導電性部材間を繋ぎ、その後、前記（ｄ）工程を行うことが好ましい。隣り合う接触子間を繋がないで、前記（ｄ）工程を施してしまうと、成形された各接触子がばらばらになってしまうためである。
【００２４】
また本発明では、前記導電性部材を銅あるいは銅合金で形成することが好ましく、また前記導電性部材を箔体で形成することが好ましい。前記接触子は導電性に優れた特性を有する必要であるため、導電性に優れた銅合金を使用し、また箔体で形成すれば、前記導電性部材を厚い膜厚にて形成することができる。
【００２５】
また本発明では、前記第１マスク及び第２マスクには、前記導電性部材よりも降伏点及び弾性係数が高い材質を使用することが好ましい。これによりばね性に優れた接触子を成形できる。具体的には、前記第１マスク及び第２マスクを、Ａｕ、ＮｉあるいはＮｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのうちいずれか１種以上）から選択された単層、あるい多層構造で形成することが好ましい。
【００２６】
なお本発明では、前記接触子を螺旋状で形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明では、接触子を構成する導電性部材を表裏から別々のマスクを用いて別々にウエットエッチングする。従って各エッチング時間を短縮でき、よって前記マスク下にある導電性部材を適切に前記エッチングから保護でき、前記導電性部材が厚い膜厚で形成されている場合でも、所定形状の接触子を高精度に成形することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１は電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、図２は図１の２−２線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図である。
【００２９】
図１に示すように、検査装置１０は基台１１と、この基台１１の一方の縁部に設けられたひんじ部１３を介して回動自在に支持された蓋体１２とで構成されている。前記基台１１および蓋体１２は絶縁性の樹脂材料などで形成されており、前記基台１１の中心部には図示Ｚ２方向に凹となる装填領域１１Ａが形成されている。そして、前記装填領域１１Ａ内に半導体などの電子部品１が装着できるようになっている。また基台１１の他方の縁部には、被ロック部１４が形成されている。
【００３０】
図２に示すように、この検査装置１０は、電子部品１の下面に多数の球状接触子（外部接続部）１ａがマトリックス状（格子状または碁盤の目状）に配置されたものを検査対象とするものである。
【００３１】
図２に示すように、前記装填領域１１Ａには所定の径寸法からなり、装填領域１１Ａの表面から基台１１の裏面に貫通する複数の凹部（スルーホール）１１ａが、前記電子部品１の球状接触子１ａに対応して設けられている。
【００３２】
前記凹部１１ａの上面（装填領域１１Ａの表面）には、接触子が渦巻き状に形成された複数のスパイラル接触子２０が設けられている。
【００３３】
図３は前記スパイラル接触子２０の斜視図である。図３に示すように、前記スパイラル接触子２０は基台１１に、図示Ｘ方向及びＹ方向に所定間隔を空けて複数形成されている。
【００３４】
前記各スパイラル接触子２０は、図３のように、前記凹部１１ａの上方の開口端の縁部に固定された基部２１を有し、スパイラル接触子２０の巻き始端２２が前記基部２１側に設けられている。そして、この巻き始端２２から渦巻き状に延びる巻き終端２３が前記凹部１１ａの中心に位置するようになっている。
【００３５】
前記凹部１１ａの内壁面には図示しない導通部が形成されており、導通部の上端と前記スパイラル接触子２０の前記基部２１とが導電性接着材などで接続されている。また凹部１１ａの下方の開口端は前記導通部に接続された接続端子１８で塞がれている。
【００３６】
図２に示すように、前記基台１１の下方には複数の配線パターンやその他の回路部品を有するプリント基板３０が設けられており、前記基台１１はこのプリント基板３０上に固定されている。前記プリント基板３０の表面には前記基台１１の底面に設けられた接続端子１８に対向する対向電極３１が設けられており、前記各接続端子１８が各対向電極３１にそれぞれ接触することにより、電子部品１とプリント基板３０とが検査装置１０を介して電気的に接続される。
【００３７】
一方、検査装置１０の蓋体１２の内面の中央の位置には、電子部品１を図示下方に押し付ける凸形状の押圧部１２ａが前記装填領域１１Ａに対向して設けられている。また前記ひんじ部１３と逆側となる位置にはロック部１５が形成されている。
【００３８】
前記蓋体１２の内面と押圧部１２ａとの間には前記押圧部１２ａを蓋体１２の内面から遠ざかる方向に付勢するコイルスプリングなどからなる付勢部材が設けられている（図示せず）。従って、電子部品１を前記凹部１１ａ内に装着して蓋体１２を閉じてロックすると、電子部品１を装填領域１１Ａの表面に接近する方向（Ｚ２方向）に弾性的に押し付けることが可能となっている。
【００３９】
前記基台１１の装填領域１１Ａの大きさは、前記電子部品１の外形とほぼ同じ大きさであり、電子部品１を前記装填領域１１Ａに装着して蓋体１２をロックすると、電子部品１側の各球状接触子１ａと検査装置１０側の各スパイラル接触子２０とが正確に対応して位置決めできるようになっている。
【００４０】
蓋体１２のロック部１５が基台１１の被ロック部１４にロックされると、電子部品１が前記押圧部１２ａによって図示下方に押し付けられるため、前記各球状接触子１ａが各スパイラル接触子２０を凹部１１ａの内部方向（図示下方）に押し下げる。同時に、スパイラル接触子２０の外形は、前記巻き終端２３から巻き始端２２方向（渦巻きの中心から外方向）に押し広げられるように変形し、前記球状接触子１ａの外表面を抱き込むように巻き付き、各球状接触子１ａと各スパイラル接触子２０とが接続される。
【００４１】
図４は、図３に示す前記スパイラル接触子２０の各ターンを構成する接触子片２０ａを４−４線から切断し、矢印方向から見た部分拡大断面図である。
【００４２】
図４に示すように、前記接触子片２０ａは、導電性部材２５と、その表面２５ａに形成された、導電性の表面層２６と、前記導電性部材２５の裏面２５ｂに形成された、導電性の裏面層２７との３層構造である。
【００４３】
前記導電性部材２５は銅合金など、導電性に優れた材質で形成されている。一方、前記表面層２６及び裏面層２７は、前記導電性部材２５よりも、降伏点及び弾性係数が高い材質で形成されていることが好ましい。例えば前記表面層２６及び裏面層２７は、Ａｕ、ＮｉあるいはＮｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのうちいずれか１種以上）から選択された単層、あるいは多層構造で形成される。
【００４４】
図４に示すように、前記接触子片２０ａの両側端面２０ａ１，２０ａ２は、前記表面層２６の表面２６ａの両側縁部２６ａ１，２６ａ２から前記導電性部材２５のほぼ膜厚中心にかけて前記接触子片２０ａの幅寸法が膨らむようにして延びる第１湾曲面Ａと、前記裏面層２７の下面２７ａの両側縁部２７ａ１，２７ａ２から前記導電性部材２５のほぼ膜厚中心にかけて前期接触子２０の幅寸法が膨らむようにして延びる第２湾曲面Ｂとで構成され、前記第１湾曲面Ａと第２湾曲面Ｂとが頂部Ｃを介して繋がっている。
【００４５】
本発明では図４に示す点線Ｄ，Ｄのように、前記表面層２６の両側縁部２６ａ１，２６ａ２から前記裏面層２７の両側縁部２７ａ１，２７ａ２にかけてほぼ直線的に伸びる平坦化面であってもよいが、次に説明する本発明の製造方法によれば、前記接触子片２０ａの両側端面２０ａ１，２０ａ２は、２つの湾曲面Ａ，Ｂから構成されやすい。
【００４６】
図５から図１２は、本発明における前記スパイラル接触子２０の製造方法を示す一工程図である。各工程図は、製造工程中のスパイラル接触子２０の部分断面図である。
【００４７】
図５工程では、符号４０は導電性部材である。本発明では、この導電性部材４０を銅あるいは銅合金からなる箔体で形成することが好ましい。
【００４８】
前記銅合金としては、ＣｕとＴｉからなる合金や、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｓｉ及びＮｉからなる合金など既存の材質を選択できる。
【００４９】
また前記導電性部材４０を箔体で形成することで、前記導電性部材４０の膜厚を比較的厚い膜厚にできる。例えば前記導電性部材４０を２０μｍ程度で形成できる。
【００５０】
このように前記導電性部材４０を銅あるいは銅合金で形成することで、この導電性部材４０を主体として構成されるスパイラル接触子２０の導電性を良好なものにでき、また前記導電性部材４０を箔体で形成することで、前記スパイラル接触子２０を比較的厚い膜厚で形成でき適度な強度を有するスパイラル接触子２０を形成できる。例えば前記スパイラル接触子２０を無荷重状態でへたりにくい状態に維持できる。
【００５１】
図５工程では、前記導電性部材４０の裏面４０ｂに補強部材４１を設けている。前記補強部材４１は、感光性樹脂、具体的には例えばドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）であり、例えば前記補強部材４１は前記導電性部材４０の裏面４０ｂに接着剤等を介して貼り付けられる。
【００５２】
前記補強部材４１を前記導電性部材４０の裏面４０ｂに設けることで、前記導電性部材４０が次工程以降の工程中、撓りにくくなり、製造工程の容易化を図ることができる。
【００５３】
次に図６工程では、前記導電性部材４０の表面４０ａにレジスト層４２をスピンコートなどで塗布し、前記レジスト層４２に図３と同様のスパイラル接触子２０形状のパターン４２ａを露光現像にて形成する。
【００５４】
図６工程では、前記レジスト層４２を２〜３μｍ程度の薄い膜厚で形成できる。すなわち図６工程で前記レジスト層４２を厚い膜厚で形成する必要はない。このレジスト層４２は次工程で第１マスク４３をメッキ形成するためのフレームであるが、前記第１マスク４３は前記導電性部材４０がウエットエッチング工程で余分な箇所まで削られないようにする保護層であるため、前記第１マスク４３を厚く形成する必要はなく、よって前記レジスト層４２も薄い膜厚で形成することが可能であり、容易且つ高精度に前記レジスト層４２の塗布、パターン４２ａ形成を行うことができる。
【００５５】
次に図７工程では、前記レジスト層４２に形成されたパターン４２ａ内に第１マスク４３をメッキ形成する。前記第１マスク４３は導電性の材料からなるが、このとき、第１マスク４３は、次工程のウエットエッチング工程に使用されるエッチング液に対するエッチングレートが、前記導電性部材４０のエッチングレートよりも遅いことが必須条件であり、最も好ましくは前記ウエットエッチングに使用されるエッチング液より溶けない材質であることである。しかもその条件を満たし、且つ前記第１マスク４３を前記導電性部材４０よりも降伏点及び弾性係数が高い材質で形成することが好ましい。具体的には、前記第１マスク４３を、Ａｕ、ＮｉあるいはＮｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのうちいずれか１種以上）から選択された単層、あるい多層構造で形成することが好ましい。
【００５６】
この第１マスク４３は、図４に示す表面層２６として残され、すなわち将来的にスパイラル接触子２０の一部を構成する。従って前記第１マスク４３に高いばね性を有する材質を用いることで前記スパイラル接触子２０のばね性を適切に向上させることができる。
【００５７】
また図７工程では、前記第１マスク４３を、例えば１〜２μｍ程度の薄い膜厚で形成できる。図６工程では、前記レジスト層４２を２〜３μｍ程度の膜厚で形成したので、前記第１マスク４３の膜厚はそれよりも若干薄い膜厚となる。
【００５８】
本発明では、このように前記第１マスク４３を、前記導電性部材４０よりも薄い膜厚で形成できる。上記したように前記第１マスク４３は、前記導電性部材４０をウエットエッチング工程で余分な箇所が削られないようにするための保護層としての役割を担うものであるため、厚い膜厚で形成する必要はなく、従って前記第１マスク４３を高精度且つ容易に形成できる。
【００５９】
なお図７工程で、前記第１マスク４３をメッキ形成するとき、下地が前記導電性部材４０であるため、わざわざメッキ下地層を設ける必要がない。
【００６０】
次に図８工程では、前記レジスト層４２を除去する。図８のように、前記導電性部材４０の表面４０ａには第１マスク４３のみが残された状態になる。
【００６１】
次に図９工程では、前記第１マスク４３に覆われていない前記導電性部材４０をウエットエッチング法によりエッチングする。
【００６２】
本発明ではこの図９工程で、前記導電性部材４０の膜厚の途中までエッチングし、ウエットエッチングを終了する。
【００６３】
前記ウエットエッチングは、等方的なエッチングである。このため、特に導電性部材４０の膜厚が厚くエッチング時間が長くなるときなどでは、ウエットエッチングによって溶かされる領域は、前記第１マスク４３から露出した導電性部材４０の領域のみならず、前記第１マスク４３下にある、本来エッチングから保護されるべき領域にまで及びやすい。
【００６４】
しかし本発明では、前記ウエットエッチング工程を、前記導電性部材４０が途中までエッチングされた時点で終了し、前記第１マスク４３に覆われていない領域にある導電性部材４０を全てエッチングして除去しない。このため、エッチング時間を短縮でき、エッチング量を減らすことができるから、前記第１マスク４３下にある領域の導電性部材４０は前記ウエットエッチングの影響を受けにくくなり、前記第１マスク４３下に適切に所定形状で導電性部材４０が残された状態を維持できる。
【００６５】
この図９工程では、少なくとも前記導電性部材４０を、その膜厚の半分まで前記ウエットエッチング法でエッチングすることが好ましい。これにより図１１工程での次のウエットエッチングを楽に行うことができる。ただし、前記導電性部材４０の膜厚や、エッチング液の種類によってどの辺りまで前記導電性部材４０をエッチングするかを決定することが必要である。図９の工程時点で、ウエットエッチングによるエッチング量を多くしたことで、前記第１マスク４３下にある導電性部材４０が前記ウエットエッチングの影響で溶け出す領域が広がっては、従来課題を適切に解決できないからである。
【００６６】
なお図９工程でのエッチング液としては、例えば塩化第２鉄水溶液や、メルテックス社の「エープロセス」（商品名）などの薬品を用いることができる。
【００６７】
図９に示すように、前記ウエットエッチングにより、前記第１マスク４３間にある導電性部材４０に、湾曲した凹部４０ｃが形成される。
【００６８】
次に図１０工程では、隣り合う、スパイラル接触子２０の基部２１（図３を参照）となる導電性部材４の間を接合部材４５によって繋ぐ。前記接合部材４５には、ちょうどスパイラル接触子２０を構成する位置に前記スパイラル接触子２０よりも一回り大きい穴部４５ａが設けられており、この穴部４５ａとスパイラル接触子２０として途中加工状態の導電性部材４０とを位置合わせし、前記スパイラル接触子２０の基部２１となる前記導電性部材４０の上に位置する第１マスク４３上に前記接合部材４５を貼り付ける。前記接合部材４５は例えばポリイミド等で形成される。
【００６９】
この接合部材４５を図１０工程の時点（厳密には、図１１工程でのウエットエッチング工程前の時点）で設けておかないと、図１１工程のウエットエッチングを施した後では、形成された複数のスパイラル接触子２０が互に繋がっていない状態になるので、前記接合部材４５によって各スパイラル接触子２０間を繋げてばらばらにならないようにしておくことが必要である。
【００７０】
図１１工程では、前記導電性部材４０を図１０の状態から裏返し、前記導電性部材４０の裏面４０ｂに設けられていた補強部材４１を除去し、前記導電性部材４０の裏面４０ｂに、図６ないし図８工程と同様の方法にて、前記スパイラル接触子２０形状がパターン形成された第２マスク４６を形成する。
【００７１】
前記第２マスク４６は、前記第１マスク４３と前記導電性部材４０の膜厚方向に同位置に位置決めされてパターン形成される。前記第２マスク４６は前記第１マスク４３と同様に、前記導電性部材４０よりも降伏点及び弾性係数が高い金属で形成することが好ましく、具体的には、Ａｕ、ＮｉあるいはＮｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのうちいずれか１種以上）から選択された単層、あるいは多層構造で形成することが好ましい。
【００７２】
そして、図９と同様に、ウエットエッチング法により、前記第２マスク４６間に覆われていない前記導電性部材４０をエッチングしていく。
【００７３】
図１１に示すように、前記導電性部材４０には、凹部４０ｃが設けられており、具体的には前記導電性部材４０を半分程度の膜厚までエッチングしているから、図１１工程での前記導電性部材４０に対するエッチング量を少なくでき、前記第２マスク４６下にある導電性部材４０が等方的なウエットエッチングによって溶け出すのを適切に抑制できる。
【００７４】
図１１に示す点線部分がウエットエッチングによって削られる導電性部材４０の領域を示している。
【００７５】
図１２は、図１１工程によるウエットエッチング終了後の状態を示す断面図である。図１２に示すように、スパイラル接触子２０は、導電性部材４０と第１マスク４３及び第２マスク４６とで構成され、各スパイラル接触子２０は接合部材４５によって繋げられた状態になっている。
【００７６】
そして前記スパイラル接触子２０の基部２１を図１１に示す基台１１に導電性接着剤を介して接着固定する。
【００７７】
このように本発明の製造方法によれば、前記導電性部材４０の表裏を別々のマスク４３，４６を用いて別々の工程にてウエットエッチングすることで、各エッチング時間を短縮でき、よって前記マスク下にある導電性部材４０を適切に前記エッチングから保護でき、前記導電性部材４０の膜厚が厚い場合であっても、所定形状のスパイラル接触子２０を高精度に形成することが可能である。
【００７８】
図１３ないし図１５は、図９ないし図１２工程とは異なる工程を用いた本発明の別の実施形態である。
【００７９】
図８工程まで終了した後、第１マスク４３に覆われていない導電性部材４０に対しウエットエッチングを施す。このとき、図１３のように、可能であれば（前記導電性部材４０の膜厚等を加味して判断される）、前記導電性部材４０を前記ウエットエッチング法で少なくとも半分の膜厚以上にエッチングすることが好ましい。これにより前記導電性部材４０には、底が深い凹部４０ｄが形成される。
【００８０】
図１３工程では前記ウエットエッチングの終了後に前記接合部材４５を、各スパイラル接触子２０の基部２１となる第１マスク４３上に設ける。
【００８１】
図１４工程では、前記導電性部材４０を裏返し、前記補強部材４１を例えば露光現像によってスパイラル接触子２０形状にパターン成形する。すなわち前記補強部材４１を図１１工程に示す第２マスク４６として使用する。
【００８２】
前記補強部材４１は例えばドライフィルムレジストであるので、露光現像により、前記補強部材４１を所定形状にパターン成形することは可能である。
【００８３】
ここで前記補強部材４１をスパイラル接触子２０形状にパターン成形する方法は、露光現像に限るものではない。当然に前記補強部材４１の材質等によるが、例えばＸ線リソグラフィやＹＡＧレーザを用いた描画法等、既存の手法を用いることができる。
【００８４】
そしてパターン成形された補強部材４１に覆われていない導電性部材４０をウエットエッチング法によりエッチングする。図１４に示す点線部分が前記ウエットエッチングで除去される領域である。
【００８５】
図１３工程で、既に膜厚の半分以上、導電性部材４０をエッチングしているため、図１４工程でのウエットエッチングでは、前記導電性部材４０をエッチングするエッチング量が少なくて済む。このため図１４工程でのエッチング時間は短いため、サイドエッチング量が少なくてすみ、スパイラル接触子２０が所定形態からかなり外れた形態になってしまうことはない。
【００８６】
前記補強部材４１は、前記導電性部材４０が製造工程中に撓ったりするのを抑制するための感光性を持った補強材であり、ある程度厚い膜厚（例えば２０μｍ程度）で形成される。通常の感光性樹脂（例えばドライフィルムレジスト（ＤＦＲ））では膜厚に相当するパターン解像度が得られ、解像力（Ｌ/Ｓ）が２０μｍ程度の接触子２０のパターン形成は可能である。
【００８７】
前記補強部材４１を第２マスクとして利用するウエットエッチング工程では、そのエッチング時間が少ないので、サイドエッチング量が少なくなり、完成したスパイラル接触子２０が大幅に所定形状から外れた形態になることはなく、従って図１４工程のように、既に膜厚の半分以上の導電性部材４０をエッチングしている場合には、前記補強部材４１を第２マスクとして使用することが製造工程の簡素化を図る点からも効果的である。
【００８８】
図１５工程では、前記ウエットエッチング後、前記補強部材４１を除去する。これによって前記導電性部材４０と第１マスク４３からなるスパイラル接触子２０が完成する。
【００８９】
図１６工程は、図１５工程の次に行われる一工程図である。図１６工程では、無電解メッキ法を用いて、各スパイラル接触子の各ターン毎の接触子片２０ａや基部２１の周辺にメッキ膜５０をメッキ形成する。無電解メッキ法は、別名、化学メッキ法とも呼ばれ、メッキ液の還元物質と金属イオンを反応させ、化学反応のみを利用して被メッキ物の表面に金属塩を析出してメッキする方法である。
【００９０】
この方法を用いれば、適切に前記接触子片２０ａを構成する導電性部材４０及び第１マスク４３の周囲を完全に前記メッキ膜５０によって覆うことが可能である。
【００９１】
このメッキ膜５０は、第１マスク４３と同様に、前記導電性部材４０よりも降伏点及び弾性係数が高い金属であることが好ましく、具体的には、Ａｕ、ＮｉあるいはＮｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのうちいずれか１種以上）から選択された単層、あるいは多層構造で形成されることが好ましい。ただし前記メッキ膜５０は導電性部材４０と同様に銅合金等の導電性に優れた材質であってもよい。
【００９２】
前記メッキ膜５０の形成により、ばね性に効果的に優れたスパイラル接触子２０を形成することができる。
【００９３】
図１６工程を図１５工程の次に施すか否かは任意であり、また図１２工程の次に、前記無電解によるメッキ膜５０の形成を行ってもよい。
【００９４】
なお図５ないし図１６工程は、図３に示すスパイラル接触子２０の形成方法であったが、接触子はスパイラル形状（螺旋形状）に限定されるものではなく、どのような形態であってもかまわない。
【００９５】
また図４における導電性部材２５、表面層２６（第１マスク４３）、及び裏面層２７（第２マスク４６）の材質は上記したもの以外であってもよく、また表面層２６及び裏面層２７に使用するに好ましい材質を導電性部材２５に、前記導電性部材２５に使用するに好ましい材質を表面層２６及び裏面層２７に使用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、
【図２】図１の２−２線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図、
【図３】本発明におけるスパイラル接触子の形状を示す拡大斜視図、
【図４】図３に示す４−４線から切断したスパイラル接触子の部分拡大断面図、
【図５】本発明における接触子の製造方法を示す一工程図、
【図６】図５の次に行われる一工程図、
【図７】図６の次に行われる一工程図、
【図８】図７の次に行われる一工程図、
【図９】図８の次に行われる一工程図、
【図１０】図９の次に行われる一工程図、
【図１１】図１０の次に行われる一工程図、
【図１２】図１１の次に行われる一工程図、
【図１３】図９ないし図１２工程とは別の製造方法を説明するための一工程図、
【図１４】図１３の次に行われる一工程図、
【図１５】図１４の次に行われる一工程図、
【図１６】本発明における別の製造方法を説明するための一工程図、
【図１７】従来における接触子の形成方法の問題を説明するための説明図、
【符号の説明】
【００９７】
１  電子部品
１ａ  球状接触子（外部接続部）
１０  接続装置
１１  基台
２０  スパイラル接触子
２０ａ  接触子片
２１  基部
２２  巻き始端
２３  巻き終端
２５、４０  導電性部材
２６  表面層
２７  裏面層
４１  補強部材
４２  レジスト層
４３  第１マスク
４５  接合部材
４６  第２マスク
５０  メッキ膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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