(57)【要約】      （修正有）【課題】放熱特性に優れ、かつ安定した放熱効率が得られる半導体装置を提供する。【解決手段】チップが樹脂でモールドされた半導体装置が、表面と裏面を備え、リード部１c、ダイパッド部１a、及びリード部１cとダイパッド部１aとを接続する接続部１bとを含むフレーム１と、ダイパッド部１aの表面に載置されたパワーチップ５と、対向する第１面と第２面とを備え、ダイパッド部１aの裏面がその第１面と接するように配置された絶縁体３と、絶縁体３の第１面上に、パワーチップを封止するように設けられたモールド樹脂２とを含む。モールド樹脂に封止された接続部１bは孔部を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップが樹脂でモールドされた半導体装置であって、
表面と裏面を備え、リード部、ダイパッド部、及び該リード部と該ダイパッド部とを接続する接続部とを含むフレームと、
該ダイパッドの該表面に載置されたパワーチップと、
対向する第１面と第２面とを備え、該ダイパッド部の該裏面がその第１面と接するように配置された絶縁体と、
該絶縁体の該第１面上に、該パワーチップを封止するように設けられたモールド樹脂とを含み、
該モールド樹脂に封止された該接続部が孔部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記リード部と上記ダイパッド部が段差を持つように上記接続部を介して接続されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記孔部が、上記接続部から、上記リード部及び上記ダイパッド部まで延びて設けられたことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記リード部、上記ダイパッド部、及び上記接続部が、略同一平面にあることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
上記孔部から上記接続部の端部までの距離が、該接続部の板厚より大きいことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
上記孔部が略矩形形状であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
上記絶縁体が、樹脂シート、セラミック、及び裏面に金属板を設けたセラミックからなる群から選択される一の絶縁体からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
チップを樹脂モールドした半導体装置の製造方法であって、
表面と裏面を備え、孔部を有する接続部を介してリード部とダイパッド部が接続されたフレームを準備する工程と、
第１面と第２面を有する絶縁体を準備する工程と、
該ダイパッド部の該表面上にパワーチップを載置する工程と、
該ダイパッド部の該裏面が該絶縁体の該第１面に接するように、該絶縁体の該第１面上に該フレームを配置する工程と、
該パワーチップを埋め込むように、該接続部の方向から該ダイパッド部上に封止用樹脂を充填する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
上記リード部と上記ダイパッド部が、段差を持つように上記接続部を介して接続され、上記封止用樹脂が、該孔部を通って上記ダイパッド部上に充填されることを特徴とする請求項８に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、パワーチップを含む電力用半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電力用の半導体装置では、パワーチップやＩＣチップが、それぞれフレーム上にダイボンドされ、更に、これらのチップは樹脂により封止されている。パワーチップは放熱量が大きいため、例えば、パワーチップが取り付けられたフレームが絶縁体の上に載置された状態で樹脂封止されるとともに、絶縁体の裏面にはヒートシンクが取り付けられ、半導体装置の放熱効率を高くしている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２０００−１３８３４３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、半導体装置の放熱効率は、フレームと絶縁体との間の密着性に依存するため、両者の接触が不十分な場合には、放熱特性が悪くなるという問題があった。また、両者の接触の程度がばらついた場合、半導体装置ごとに放熱効率がばらつくという問題もあった。
【０００４】
そこで、本発明は、放熱特性に優れ、かつ安定した放熱効率が得られる半導体装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、チップが樹脂でモールドされた半導体装置であって、表面と裏面を備え、リード部、ダイパッド部、及びリード部とダイパッド部とを接続する接続部とを含むフレームと、ダイパッド部の表面に載置されたパワーチップと、対向する第１面と第２面とを備え、ダイパッド部の裏面がその第１面と接するように配置された絶縁体と、絶縁体の第１面上に、パワーチップを封止するように設けられたモールド樹脂とを含み、モールド樹脂に封止された接続部が孔部を有することを特徴とする半導体装置である。
【０００６】
また、本発明は、チップを樹脂モールドした半導体装置の製造方法であって、表面と裏面を備え、孔部を有する接続部を介してリード部とダイパッド部が接続されたフレームを準備する工程と、第１面と第２面を有する絶縁体を準備する工程と、ダイパッド部の表面上にパワーチップを載置する工程と、ダイパッド部の裏面が絶縁体の第１面に接するように、絶縁体の第１面上にフレームを配置する工程と、パワーチップを埋め込むように、接続部の方向からダイパッド部上に封止用樹脂を充填する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【０００７】
このように、本発明にかかる半導体装置では、パワーチップを搭載したダイパッド部と絶縁体との密着性が向上し、放熱特性が良好となる。
【０００８】
また、隣接するダイパッド部の絶縁距離を一定に確保でき、良好な絶縁特性が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
実施の形態１．
図１は、全体が１００で表される、本実施の形態１にかかる半導体装置の斜視図である。また、図２は、図１の半導体装置１００の裏面図、図３は、図１の半導体装置１００をＩ−Ｉ方向に見た断面図である。
【００１０】
図１に示すように、半導体装置１００は、樹脂モールド型パッケージ構造からなり、複数の金属製のフレーム１が両側に設けられたモールド樹脂２を含む。モールド樹脂２は、好適にはエポキシ樹脂からなる。
【００１１】
図２に示すように、モールド樹脂２の裏面には、例えば銅からなる金属箔４が裏面に取り付けられた絶縁性の樹脂シート３が設けられている。樹脂シート３は、好適には、フィラーを含むエポキシ樹脂からなる。フィラーは、好適には、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、及びＢＮから選択される１又は複数の材料からなる。樹脂シート３の熱伝導率は、モールド樹脂２の熱伝導率より大きくなっている。
【００１２】
図３に示すように、半導体装置１００は、複数のフレーム１を含む。一のフレーム１には、ロジックチップのようなＩＣチップ７が載置されている。また、他方のフレーム１は、ダイパッド部１ａ、リード部１ｃ、及びダイパッド部１ａとリード部１ｃとを接続する接続部１ｂを含む。ダイパッド部１ａとリード部１ｃとは、段差を持って略並行となるように接続部１ｂを介して接続されている。
【００１３】
ダイパッド部１ａの上には、ＩＧＢＴやＦＷダイオードのようなパワーチップ５が載置されている。パワーチップ５、ＩＣチップ７、及びフレーム１の間は、例えば金やアルミニウムからなるボンディングワイヤ６、８で接続され、ＩＣチップ７により、パワーチップ５の動作が制御される。
【００１４】
一般に、パワーチップ５やＩＣチップ７は、はんだや銀ペーストを用いてフレーム１に固定される。また、パワーチップ５の接続にはアルミニウムのボンディングワイヤ８が用いられ、ＩＣチップ７の接続には、これより直径の小さな金のボンディングワイヤ６が用いられる。
なお、パワーチップ５やＩＣチップ７は、半導体装置１００の機能に応じて複数個設けても構わない。
【００１５】
上述のように、モールド樹脂２は、金属箔４が取り付けられた絶縁性の樹脂シート３を含み、モールド樹脂２の裏面から金属箔４が露出している。かかる金属箔４は、樹脂シート３をダメージから保護するため、樹脂シート３は高い絶縁性を維持できる。かかるダメージとしては、例えば、半導体装置１００を外部ヒートシンク（図示せず）に、ねじ止めする際に、半導体装置１００と外部ヒートシンクとの間に異物を噛み込んだままでねじ止めを行なった場合に発生するダメージが考えられる。
なお、ダメージが発生しにくい場合は、金属箔４を設けない構造を採用してもよい。この場合、モールド樹脂２の裏面からは、樹脂シート３が露出することとなる。
【００１６】
樹脂シート３の上には、ダイパッド部１ａの裏面が直接接するように、フレーム１が載置されている。樹脂シート３の面積は、ダイパッド部１ａの面積よりも大きくなっている。更に、パワーチップ５、ＩＣチップ７等は、モールド樹脂２で封止されている。
【００１７】
上述のように、樹脂シート３の熱伝導率はモールド樹脂２の熱伝導率より大きく、特に、２倍以上であることが好ましい。これにより、放熱特性に優れた半導体装置１００を得ることができる。
【００１８】
次に、図４に、半導体装置１００の内部のフレーム１の概略図を示す。図４中、フレーム１の延在する方向（紙面の上下方向）をＸ軸方向、その直交方向（紙面の左右方向）をＹ軸方向とする。ＸＹ平面は、樹脂シート３の表面と略並行な平面となる。また、ＸＹ平面に垂直な方向（紙面に垂直な方向）をＺ軸方向とする。
図４に示すように、半導体装置１００では、フレーム１の接続部１ｂに孔部１ｄが設けられている。
【００１９】
図５、６は、図４に示すフレーム１の部分概略図であり、孔部１ｄの形状等を詳細に示すものである。図５（ａ）、（ｂ）に示すように、孔部１ｄは、ダイパッド部１ａから接続部１ｂを経てリード部１ｃに至るように設けられている。孔部１ｄの終端部は、曲げ端部（図５に破線で示す位置）からフレーム１の板厚の半分以上の距離だけ離れていることが好ましい。かかる形状を採用することにより、フレーム１の曲げ加工に起因するダイパッド部１ａの平坦性の低下を防止し、ダイパッド部１ａと樹脂シート３との密着性を向上させることができる。
【００２０】
また、孔部１ｄの形状は、好適には略矩形形状であり、角部はＲ加工されていても構わない（半径Ｒの円周）。略矩形形状とすることにより、接続部１ｂの残存幅が略一定となる。また、Ｒ加工により、孔部１ｂの角における応力集中を防止し、モールド樹脂２の割れを防止できるとともに、プレス加工の安定性が向上する。例えば、Ｒの値（Ｒ加工の半径）は、フレーム１の板厚の半分程度が好ましい。即ち、接続部１ｂの剛性を小さくするためにはＲの値は小さい方が好ましいが、プレス打抜き加工で孔部１ｄを形成する場合のＲ加工の安定性を考えると、Ｒは板厚の半分程度が好適である。
【００２１】
また、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、接続部１ｂ及びリード部１ｃの幅をＷ１、孔部１ｄの幅をＷ２、フレーム１（ダイパッド部１ａ、接続部１ｂ、リード部１ｃ）の板厚をｔとした場合、プレス加工の加工安定性を考慮すると以下の式（１）の関係が成立することが好ましい。
【００２２】
Ｗ１−Ｗ２  ＞  ｔ                                      式（１）
【００２３】
このように、孔部１ｄを備えた接続部１ｂを採用することにより、リード部１ｃに対してダイパッド部１ａをＸＹ平面内で動かす場合の剛性を殆ど小さくすることなく、Ｚ軸方向の剛性を小さくできる。これにより、ＸＹ面内でのダイパッド部１ａの変移を抑えながら、樹脂シート３にダイパッド部１ａを容易に密着させることが可能となる。
【００２４】
なお、Ｚ軸方向の剛性を小さくする方法として、接続部１ｂの幅（Ｗ１）を小さくすることも考えられる。しかしながら、この方法では、ＸＹ面内での剛性も小さくなるため、ＸＹ面内でのダイパッド部１ａの変移量が大きくなり、隣接するダイパッド部１ａ間の絶縁距離を確保することが困難となる。
【００２５】
次に、図７、８を参照しながら、半導体装置１００の製造方法について説明する。かかる製造方法は、以下の工程１〜８を含む。なお、図７、８は、図１のＩ−Ｉと同じ方向に見た断面図である。
【００２６】
工程１：図７（ａ）に示すように、例えば銅からなるフレーム１を準備する。続いて、一のフレーム１の上にＩＣチップ７を、他方のフレーム１のダイパッド部１ａの上にパワーチップ６を、それぞれ、はんだや銀ペースト等を用いて固定する。
【００２７】
工程２：図７（ｂ）に示すように、アルミニウムのボンディングワイヤ６を用いて、パワーチップ５同士、パワーチップ５とフレーム１、フレーム１同士を接続する（アルミワイヤボンド工程）。なお、ボンディングワイヤ６には、アルミニウムや金を主成分とする合金や、金や銅等の他の金属を用いても構わない。
【００２８】
工程３：図７（ｃ）に示すように、金のボンディングワイヤ８を用いて、ＩＣチップ７とフレーム１を接続する（金ワイヤボンド工程）。なお、ボンディングワイヤ８には、金を主成分とする合金や、アルミニウムや銅のような他の金属を用いても構わない。
【００２９】
工程４：図７（ｄ）に示すように、樹脂封止用金型２０を準備する。樹脂封止用金型２０は、上部金型２１と下部金型２２に分かれるようになっている。続いて、裏面に金属箔４を取り付けた絶縁性の樹脂シート３を準備し、樹脂封止用金型２０の内部の所定の位置に配置する。この場合、金属箔４の裏面が下部金型２２の内部底面に接するように、樹脂シート３が配置される。ここで、樹脂シート３には、半硬化状態の樹脂が用いられる。樹脂シート３は、例えばエポキシ樹脂からなり、上述のように、フィラーを含むことが好ましい。
なお、半硬化状態の樹脂とは、常温では固体であるが、高温では一旦溶融した後に完全硬化に向かう、硬化が未完全状態な熱硬化樹脂をいう。
【００３０】
工程５：図８（ｅ）に示すように、パワーチップ５等を実装したフレーム１を、樹脂封止用金型２０中の所定の位置に配置する。この場合、フレーム１のダイパッド部の裏面が樹脂シート３の上面に接するように、フレーム１を配置する。
【００３１】
工程６：図８（ｆ）に示すように、下部金型２２に上部金型２１を締め付けて固定する。続いて、トランスファモールド成形法により、例えばエポキシ樹脂からなる封止用樹脂１２を樹脂封止用金型２０内に充填する。封止用樹脂１２は、矢印３０の方向に充填され、これにより、孔部１ｄを設けた接続部１ｂの方向からダイパッド部１ａの上に充填される。
【００３２】
矢印３０の方向に加圧注入された封止用樹脂１２は、ダイパッド部１ａ上を流動し、加圧されることでダイパッド部１ａと樹脂シート３とを密着させる。上述のように、ダイパッド部１ａは、封止用樹脂１２により樹脂シート３と密着するように押圧されるが、ダイパッド部１ａは、ダイパッド部１ａを支える支持部１ｂとリード部１ｃを介して樹脂封止用金型２０に固定されている。このため、接続部１ｂに孔部１ｄを有さない従来の構造では、接続部１ｂの剛性が高く、ダイパッド部１ａのＺ軸方向の変形が抑制され、結果的にダイパッド部１ａと樹脂シート３とを密着させる圧力が低減してしまい、密着不良の原因となっていた。
【００３３】
これに対して半導体装置１００では、上述のように、Ｚ軸方向の剛性を下げ、ダイパッド部１ａと樹脂シート３との密着性を安定的に向上させることができる。また、ＸＹ面での剛性は小さくならないため、隣接するダイパッド部１ａの間の沿面距離を確保できる。
【００３４】
更に、矢印３０の方向から封止用樹脂１２を注入した場合、図９に示すように、封止用樹脂１２は、孔部１ｂを通って、選択的、優先的にダイパッド部１ａに流れ込む。このため、ダイパッド部１ａを樹脂シート３に押し付けて、ダイパッド部１ａと樹脂シート３との密着力を向上させることができる。
【００３５】
かかる工程で、樹脂封止用金型２０内に設置された半硬化状態の樹脂シート３は、まず、高温の樹脂封止用金型２０から熱をもらい、一旦溶融する。更に、溶融した樹脂シート３と、ダイパッド部１ａとが、加圧状態で注入される封止用樹脂１２により加圧され、固着される。
【００３６】
工程７：図８（ｇ）に示すように、封止用樹脂１２、樹脂シート３を加熱硬化させた後、樹脂封止用金型２０から取り出す。
【００３７】
工程４〜７は、いわゆるトランスファモールド工程となる。かかる工程では、樹脂シート３が溶融時に加圧されるが、樹脂封止用金型２０内全体が封止用樹脂１２により加圧されているため、樹脂シート３の厚さはほとんど変化しない。一方、樹脂封止用金型２０内の各部が封止用樹脂１２により同時に充填されるわけではなく、各部に圧力が均等にかかるまでの時間には、僅かであるが時間のずれが生じる。従って、樹脂シート３の特性としては、溶融時の流動性が小さい方が望ましい。
【００３８】
工程８：最後に、モールド樹脂２を完全硬化させるためのポストキュア、タイバーなどのフレーム余分部の切断等を行なう。更に、フレーム（外部端子）１の成形を行なうことにより、図１に示すような半導体装置１００が完成する。
【００３９】
なお、樹脂シート３は、エポキシ樹脂を主成分とし、主に熱伝導性を高める目的から、上述のようにＳｉＯ２等の絶縁性フィラーが充填されていることが好ましい。これらのフィラーは、また、樹脂シート３の線膨張係数を小さくする効果を持つため、ダイパッド部１ａや金属箔４との熱膨張係数の差が小さくなる。このため、温度変化に起因する剥離が発生しにくい、信頼性に優れたものとすることができる。
【００４０】
また、封止用樹脂１２も、樹脂シート３と同様に、エポキシ樹脂を主成分とする材料であることが好ましい。
【００４１】
また、樹脂シート３の裏面の金属箔４としては、金属板の他にセラミック等の絶縁性ブロックを用いても良い。
【００４２】
なお、本実施の形態１では、ＩＣチップ７等をボンディングワイヤ６、８にて接続しているが、例えば、金属薄板等の他の部材を用いても良い。更には、ＩＣチップ７とパワーチップ５の間の接続は、一旦中継フレームを介して接続する例を示したが、直接接続してもかまわない。
【００４３】
また、本実施の形態１では、ダイパッド部１ａと樹脂シート３とを直接接着したが、接着剤や密着性向上剤を介して接着しても良い。
【００４４】
実施の形態２．
図１０は、全体が２００で表される、本実施の形態２にかかる半導体装置の断面図である。図１０は、図１に示すＩ−Ｉ方向と同じ方向に見た断面図であり、図１０中、図３と同一符号は同一又は相当箇所を示す
【００４５】
半導体装置２００では、樹脂シート３の裏面に金属箔４が設けられていない点を除き、上述の半導体装置１００と同一構造となっている。
【００４６】
半導体装置２００においても、接続部１ｂに孔部１ｄが設けられたフレーム１を用いることにより、ダイパッド部１ａと樹脂シート３との密着性が向上し、半導体装置２００の放熱効率が向上する。更に、金属箔３を設けないため、コストの低減も可能となる。
【００４７】
実施の形態３．
図１１は、全体が３００で表される、本実施の形態３にかかる半導体装置の断面図である。図１１は、図１に示すＩ−Ｉ方向と同じ方向に見た断面図であり、図１１中、図３と同一符号は同一又は相当箇所を示す。
【００４８】
半導体装置３００では、段差の無いフレーム１、すなわち、ダイパッド部１ａ、接続部１ｂ、及びリード部１ｃが略同一平面にあるフレーム１が用いられる。フレーム１の接続部１ｂには、上述の半導体装置１００と同様、孔部１ｄが設けられている。
【００４９】
また、ダイパッド部１ａの裏面には、絶縁材３３を介して金属板３４が取り付けられている。絶縁材３３は、例えば、セラミックや樹脂から形成されるが、放熱効率を高めるために、モールド樹脂２より熱伝導率の大きな材料から形成される。
【００５０】
このように、段差の無いフレーム１においても、上述の半導体装置１００と同様に、ＸＹ平面内での剛性を小さくすることなく、Ｚ軸方向の剛性を小さくできる。従って、半導体装置３００においても、ダイパッド部１ａと絶縁材３３との密着性が向上し、半導体装置３００の放熱効率が向上する
【００５１】
なお、フレーム１と絶縁材３３との間に接着剤を介在させても良い。また、絶縁材３３と金属板３４との間に接着剤を介在させても良い。接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エステル樹脂等の有機材料に、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＢＮ等のセラミックのフィラーを充填したものが用いられる。また、特に絶縁を要しない箇所には、銀や銅等の金属フィラーを充填してもよい。
【００５２】
実施の形態４．
図１２は、全体が４００で表される、本実施の形態４にかかる半導体装置の断面図である。図１２は、図１に示すＩ−Ｉ方向と同じ方向に見た断面図であり、図１２中、図３と同一符号は同一又は相当箇所を示す。
【００５３】
半導体装置４００でも、段差の無いフレーム１が用いられる。フレーム１の接続部１ｂには孔部１ｄが設けられている。
【００５４】
また、ダイパッド部１ａの裏面には、絶縁材３３が取り付けられている。絶縁材３３は、例えば、モールド樹脂２より熱伝導率の大きなセラミックや樹脂から形成される。
【００５５】
半導体装置４００でも、上述の半導体装置１００と同様に、ＸＹ平面内での剛性を小さくすることなく、Ｚ軸方向の剛性を小さくでき、ダイパッド部１ａと絶縁材３３との密着性を向上させ、半導体装置３００の放熱効率を向上させることができる。
【００５６】
また、絶縁材３３の裏面に金属板３４は設けないため、コストの低減が可能となる。
【００５７】
なお、フレーム１と絶縁材３３との間にエポキシ樹脂等の接着剤を介在させても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の裏面図である。
【図３】本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の内部のフレームを示す概略図である。
【図５】本発明の実施の形態１にかかるフレームの部分概略図である。
【図６】本発明の実施の形態１にかかるフレームの部分概略図である。
【図７】本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の製造工程の断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の製造工程の断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の製造工程の概略図である。
【図１０】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態３にかかる半導体装置の断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態４にかかる半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１  フレーム、1ａ  ダイパッド部、１ｂ  接続部、１ｃ  リード部、１ｄ  孔部、２  モールド樹脂、３  樹脂シート、４  金属箔、５  パワーチップ、６、８  ボンディングワイヤ、７  ＩＣチップ、１００  半導体装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005311214.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005311214.tif 000011
【図１０】
2005311214.tif 000012
【図１１】
2005311214.tif 000013
【図１２】
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