(57)【要約】【課題】  非常に簡便な方法であって、スペーサーの高さを高精度に設計可能な手法を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明のスペーサーの形成方法は、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換層４を含む基材５上にスペーサー形成材料層６を設け、前記スペーサー形成材料層６と被処理材１とを対向させた状態で、前記基材５の所定領域に光を照射することで、前記所定領域に応じた前記スペーサー形成材料層６を前記被処理材１に転写し、該被処理材１上の所定領域にスペーサーを形成することを特徴とする。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む基材上に、スペーサー形成材料を含む転写層を設け、前記転写層と被処理材とを対向させた状態で、前記基材の所定領域に光を照射することで、前記所定領域に応じた前記スペーサー形成材料を前記被処理材に転写し、該被処理材上の所定領域にスペーサーを形成することを特徴とするスペーサーの形成方法。
【請求項２】
前記基材、前記転写層、及び前記光熱変換材料を含む光熱変換層のそれぞれが互いに独立して設けられていることを特徴とする請求項１に記載のスペーサーの形成方法。
【請求項３】
前記光熱変換層は、前記基材と前記転写層との間に設けられていることを特徴とする請求項２に記載のスペーサーの形成方法。
【請求項４】
前記光熱変換層は、前記基材の前記転写層が設けられていない他方の面側に設けられていることを特徴とする請求項２又は３記載のスペーサーの形成方法。
【請求項５】
前記基材に、前記光熱変換材料が混在されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のスペーサーの形成方法。
【請求項６】
前記基材と前記転写層との間に、光照射又は加熱によりガスを発生するガス発生材料を含むガス発生層が設けられていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のスペーサーの形成方法。
【請求項７】
前記基材に、光照射又は加熱によりガスを発生するガス発生材料が混在されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載のスペーサーの形成方法。
【請求項８】
所定のパターンを有するマスクを介して前記基材に光を照射することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載のスペーサーの形成方法。
【請求項９】
前記光に対して前記基材及び前記被処理材を相対移動させながら、照射を行うことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載のスペーサーの形成方法。
【請求項１０】
前記基材の前記転写層と前記被処理材とを密着させた状態で前記光を照射することを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載のスペーサーの形成方法。
【請求項１１】
前記基材の前記転写層と前記被処理材とを対向させた後、前記転写層と前記被処理材との間の空間を減圧することで密着させることを特徴とする請求項１０に記載のスペーサーの形成方法。
【請求項１２】
前記転写した後、前記減圧を解除することで前記基材と前記被処理材とを離すことを特徴とする請求項１１に記載のスペーサーの形成方法。
【請求項１３】
光照射又は加熱によりガスを発生するガス発生材料を含むガス発生層を含む基材上に、スペーサー形成材料を含む転写層を設け、前記転写層と被処理材とを対向させた状態で、前記基材の所定領域に光を照射することで、前記所定領域に応じた前記スペーサー形成材料を前記被処理材に転写し、該被処理材上の所定領域にスペーサーを形成することを特徴とするスペーサーの形成方法。
【請求項１４】
光照射又は加熱によりガスを発生するガス発生材料を含む基材上に、スペーサー形成材料を含む転写層を設け、前記転写層と被処理材とを対向させた状態で、前記基材の所定領域に光を照射することで、前記所定領域に応じた前記スペーサー形成材料を前記被処理材に転写し、該被処理材上の所定領域にスペーサーを形成することを特徴とするスペーサーの形成方法。
【請求項１５】
一対の基板間に液晶層が挟持されてなる液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板に対し、請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の形成方法によりスペーサーを形成する工程を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１６】
前記スペーサーの形成工程において、前記基板のうち、当該液晶装置の非画素部に相当する領域に前記スペーサーを選択的に形成することを特徴とする請求項１５に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１５又は１６に記載の製造方法により製造されたことを特徴とする液晶装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スペーサーの形成方法、液晶装置の製造方法、液晶装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ノートパソコン、携帯電話などの携帯機器の普及に伴い、薄くて軽量な液晶表示装置が幅広く用いられている。この種の液晶表示装置は、上基板及び下基板の間に液晶層を挟持した構成を具備しており、具体的には、ガラス基板と、このガラス基板上に互いに交差するように配線されたゲート走査電極及びソース電極と、同じくガラス基板上に配線されたドレイン電極と、このドレイン電極に接続された画素電極（ＩＴＯ）と、ゲート走査電極及びソース電極間に介在された絶縁層と、薄膜半導体からなるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）とを備えて構成されている。
【０００３】
このような液晶表示装置においては、一対の基板の間隔、つまり液晶層厚（セル厚）が表示特性に大きな影響を及ぼし、特に表示装置の大画面化に伴って、上記セル厚の精度が一層高く要求されている。このような背景のなか、従来より上記基板間にスペーサーを介して液晶層を挟持する構成が採用されており、その大半がボール状のスペーサービーズを液晶に散布する方法を採用したものである。この散布によるスペーサービーズの配設方法では、画素開口部に入ってしまったビーズは光漏れを生じる一因となり、表示コントラストの低下や画面のざらつきが顕著になるという欠点を有している。
【０００４】
そこで、最近ではフォトリソグラフィ技術を用いた貝柱状のポストスペーサーの配設方法が提案されている。この方法では、所望の位置にスペーサーを配設することができるため、例えば画素以外のマトリクス上に形成することが可能で、画素の表示品位を高めることができる。また、例えば特許文献１にはフレキソ印刷法、レーザ光照射に基づく熱固着法によりスペーサーを配設する方法が開示されており、これらの方法も、所望の位置にスペーサーを配設することができる手法の一つである。
【特許文献１】特開２００１−２４９３４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１では、選択的なレーザ光照射によりスペーサービーズを選択的に熱固着させる方法を採用しているが、レーザ光照射による熱固着法は確実性に劣る上、非照射部分のスペーサーを洗浄する工程を必要とし、該洗浄時に照射した部分のスペーサーも剥ぎ取れる等の不具合も生じる場合がある。したがって、製造効率が低く、製造歩留りの低下が懸念される。また、ビーズ状のスペーサーを固着させる手法であるため、そのビーズの大きさがセル厚を決定付けるが、該ビーズを高精度に製造する技術にも手間が掛かるため効率の良い方法とは言い難い。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、スペーサーの形成方法に関し、非常に簡便な方法であって、スペーサーの高さを高精度に設計可能な手法を提供することを目的とし、製造歩留りも非常に高い高効率なスペーサーの形成方法を提供することを目的とする。また、本発明は上記スペーサーの形成方法を用いた高信頼性の液晶装置を製造する方法と、その液晶装置、さらには該液晶装置を備えた電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明のスペーサーの形成方法は、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む基材上に、スペーサー形成材料を含む転写層を設け、前記転写層と被処理材とを対向させた状態で、前記基材の所定領域に光を照射することで、前記所定領域に応じた前記スペーサー形成材料を前記被処理材に転写し、該被処理材上の所定領域にスペーサーを形成することを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、基材に光熱変換材料を含ませることにより、照射した光の光エネルギーを効率良く熱エネルギーに変換することができる。そして、その熱エネルギーを転写層に供与することで、スペーサー形成材料を含む転写層の一部を一旦溶融状態にして被処理材に転写することができる。したがって、形成しようとするスペーサーに応じた基材上の所定領域に対して光を照射することで、その所定領域に応じた転写層を選択的に被処理材に転写し、被処理材上に所望の貝柱状のスペーサーを形成することができる。そして、本発明では、光を照射するだけで所望のスペーサーを被処理材上に形成でき、従来のような洗浄工程を必要としないため、生産性を向上することができる。また、特に光熱変換材料を含ませることにより、光照射による転写（熱固着）が確実に行われるため、歩留りを向上でき、得られるスペーサーの信頼性も極めて高いものとなる。さらに、転写層の層厚（形成されるスペーサーの高さに相当）を適宜設計することにより、所望の高さの貝柱状スペーサーを形成できるため、液晶装置のセル厚を高精度に保つことが可能なスペーサーを提供できるようになる。
【０００９】
本発明のスペーサーの形成方法において、前記基材、前記転写層、及び前記光熱変換材料を含む光熱変換層のそれぞれが互いに独立して設けられている構成を採用することが可能で、また前記基材に、前記光熱変換材料が混在されている構成を採用することも可能で、さらに前記転写層に、前記光熱変換材料が混在されている構成を採用することも可能である。いずれの構成であっても、光熱変換材料は照射された光の光エネルギーを効率良く熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーを転写層に供与することができる。
【００１０】
前記基材、前記転写層、及び前記光熱変換材料を含む光熱変換層のそれぞれを互いに独立して設ける構成において、前記光熱変換層を、前記基材の前記転写層が設けられた一方の面側に設ける構成を採用することも可能であるし、前記基材の前記転写層が設けられていない他方の面側に設ける構成を採用することも可能である。いずれの構成であっても、照射した光の光エネルギーを熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーを転写層に供与することができる。特に、前記光熱変換層を、前記基材と前記転写層との間に設けることにより、光熱変換層で生成された熱エネルギーを、その光熱変換層に隣接する転写層に良好に供与することができる。
【００１１】
本発明のスペーサーの形成方法において、前記基材と前記転写層との間に、光照射又は加熱によりガスを発生するガス発生材料を含むガス発生層が設けられている構成を採用することができる。あるいは、前記基材に、光照射又は加熱によりガスを発生するガス発生材料が混在されている構成を採用することができる。ガス発生材料より発生したガスにより、基材と転写層とを分離するエネルギーが提供され、転写層を被処理材に対して円滑に転写することができる。
【００１２】
一方、上記課題を解決するために、本発明のスペーサーの形成方法は、光照射又は加熱によりガスを発生するガス発生材料を含むガス発生層を含む基材上に、スペーサー形成材料を含む転写層を設け、前記転写層と被処理材とを対向させた状態で、前記基材の所定領域に光を照射することで、前記所定領域に応じた前記スペーサー形成材料を前記被処理材に転写し、該被処理材上の所定領域にスペーサーを形成することを特徴とする。また、本発明のスペーサーの形成方法のさらに異なる態様として、光照射又は加熱によりガスを発生するガス発生材料を含む基材上に、スペーサー形成材料を含む転写層を設け、前記転写層と被処理材とを対向させた状態で、前記基材の所定領域に光を照射することで、前記所定領域に応じた前記スペーサー形成材料を前記被処理材に転写し、該被処理材上の所定領域にスペーサーを形成することを特徴とする。
【００１３】
この場合、ガス発生材料に対して光照射を行うことで、ガスが発生し、その発生したガスにより、基材と転写層とを分離するエネルギーが提供され、転写層を被処理材に対して転写することが可能となる。
【００１４】
上述した本発明のスペーサーの形成方法において、前記光はレーザ光であり、前記光熱変換材料に応じた波長を有する光を照射することを特徴とする。これにより、光熱変換材料に照射した光エネルギーを効率良く熱エネルギーに変換できる。
【００１５】
また、本発明のスペーサーの形成方法において、所定のパターンを有するマスクを介した光を前記基材に照射する構成を採用することができる。これにより、照射する光の光束径以下の微細なスペーサーを形成することができる。一方、前記光に対して前記基材及び前記被処理材を相対移動させながら、照射を行う構成を採用することもできる。つまり、照射する光（レーザ光）と基材及び被処理材とを相対移動してスペーサー形成位置を描画するようにしてもよく、この構成によればマスクを製造する工程を省略できる。
【００１６】
また、本発明のスペーサーの形成方法において、前記基材の前記転写層と前記被処理材とを密着させた状態で前記光を照射する構成を採用可能である。これにより、転写層を基材から被処理材に円滑に転写できる。この場合において、前記基材の前記転写層と前記被処理材とを対向させた後、前記転写層と前記被処理材との間の空間を減圧することで密着させることができる。また、前記転写した後、前記減圧を解除することで前記基材と前記被処理材とを離すことができる。
【００１７】
次に、本発明の液晶装置の製造方法は、一対の基板間に液晶層が挟持されてなる液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に対し、上述した方法によりスペーサーを形成する工程を含むことを特徴とする。このような方法によると、液晶装置のスペーサー形成工程が簡便化され、しかも液晶層厚（セル厚）を所定の値で高精度に保つことが可能なスペーサーを含んだ信頼性の高い液晶装置を提供することが可能となる。
【００１８】
また、上述したスペーサーの形成方法を用いて液晶装置を製造すると、スペーサーの形成位置を光照射位置により任意に設計することが可能となる。したがって、例えば上記スペーサーの形成工程において、一対の基板の少なくとも一方の基板のうち、当該液晶装置の非画素部に相当する領域にスペーサーを選択的に形成することが可能となる。
【００１９】
さらに、本発明の電子機器は、上記記載の製造方法により製造された液晶装置を備えることを特徴とする。本発明によれば、高コントラストで表示特性に優れた表示部を上記の方法で製造された液晶装置にて構成することができ、しかも非常に生産性に優れたものであるため、当該電気機器を安価に提供することができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
＜スペーサーの形成方法＞
以下、本発明のスペーサーの形成方法について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明のスペーサーの形成方法に用いられるスペーサー形成装置の一実施形態を示す概略構成図である。図１において、スペーサー形成装置１０は、所定の波長を有するレーザ光束を射出するレーザ光源１１と、被処理材１を支持するステージ１２とを備えている。レーザ光源１１及び被処理材１を支持するステージ１２はチャンバ１４内に配置されている。チャンバ１４には、このチャンバ１４内のガスを吸引可能な吸引装置１３が接続されている。本実施形態では、レーザ光源１１として近赤外半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）が使用される。
【００２１】
ここで、以下の説明において、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸及びＹ軸のそれぞれに直交する方向（鉛直方向）をＺ軸方向とする。
【００２２】
ステージ１２に支持された被処理材１に対してドナーシート７が密着されている。ドナーシート７は、基材５と、基材５上に設けられた光熱変換層４及びスペーサー形成材料層６とを備えている。基材５、スペーサー形成材料層６、及び光熱変換層４のそれぞれは互いに独立した層として設けられている。スペーサー形成材料層６は基材５の下面側（被処理材１側）に設けられ、光熱変換層４も基材５のスペーサー形成材料層６が設けられた下面側に設けられている。この場合、光熱変換層４は、基材５とスペーサー形成材料層６との間に設けられ、光熱変換層４とスペーサー形成材料層６とが隣り合っている。
【００２３】
ステージ１２は、被処理材１及びこの被処理材１に密着したドナーシート７を支持した状態でＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能に設けられており、被処理材１及びドナーシート７はステージ１２の移動により光源１１から射出された光束に対して移動可能となっている。また、ステージ１２はＺ軸方向にも移動可能となっている。ここで、光源１１とステージ１２に支持されたドナーシート７との間には不図示の光学系が配置されている。被処理材１及びドナーシート７を支持したステージ１２はＺ軸方向に移動することにより、前記光学系の焦点に対するドナーシート７（被処理材１）の位置を調整可能となっている。そして、光源１１より射出された光束は、ステージ１２に支持されているドナーシート７（基材５）を照射するようになっている。
【００２４】
基材５としては、レーザ光束を透過可能な例えばガラス基板や透明性高分子等を用いることができる。透明性高分子としては、ポリエチレンテレフタレートのようなポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリサルホン、ポリイミド等が挙げられる。基材５の形状は、連続的に転写層を形成し、乾燥するためにも長い帯状のものが好ましい。具体的には、膜厚０．１ｍｍ〜１．０ｍｍ、幅１００ｍｍ〜１０００ｍｍ、長さ１０００ｍｍ以上（例えば１０００ｍｍ〜５０００ｍｍ）程度のものが好適に用いられる。また、透明性高分子により基材５を形成した場合、その厚さは１０μｍ〜５００μｍであることが好ましい。こうすることにより、例えば、基材５を帯状に形成してロール状に巻くことができ、回転ドラム等に保持させつつ搬送（移動）することもできる。
【００２５】
なお、ここでは基材５をＸＹ方向に並進移動するステージ１２に支持させているが、基材５を回転ドラムに保持させる場合、回転ドラムは、水平並進方向（走査方向、Ｘ方向）、回転方向（Ｙ方向）、及び鉛直方向（Ｚ軸方向）に移動可能である。
【００２６】
光熱変換層４は、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含んで構成されている。光熱変換層４を構成する光熱変換材料としては公知のものを使用することができ、レーザ光を効率よく熱に変換できる材料であれば特に限定されないが、例えば、アルミニウム、その酸化物及び／又はその硫化物よりなる金属層や、カーボンブラック、黒鉛又は赤外線吸収色素等が添加された高分子よりなる有機層等が挙げられ、これらを組み合わせたものを用いることもできる。赤外線吸収色素としては、アントラキノン系、ジチオールニッケル錯体系、シアニン系、アゾコバルト錯体系、ジインモニウム系、スクワリリウム系、フタロシアニン系、ナフタロシアニン系等が挙げられる。また、エポキシ樹脂等の合成樹脂をバインダとし、そのバインダ樹脂に前記光熱変換材料を溶解又は分散して基材５上に設けるようにしてもよい。この場合、エポキシ樹脂は硬化剤としての機能を有し、硬化させることにより光熱変換層４を基材５上に定着することができる。また、バインダに溶解又は分散せずに、前記光熱変換材料を基材５上に設けることももちろん可能である。
【００２７】
光熱変換層４として金属層を用いる場合には、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、又はスパッタリングを利用して基材５上に形成することができる。光熱変換層４として有機層を用いる場合には、一般的なフィルムコーティング方法、例えば、押出コーティング方法、スピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、リバースロールコーティング方法、ロッドコーティング方法、マイクログラビアコーティング方法、ナイフコーティング方法、バーコーター法どにより基材５上に形成することができる。光熱変換層４のコーティング方法においては、基材５の表面に帯電した静電気を除電して光熱変換層形成用機能液を均一に基材５に形成するのが好ましく、各方法に用いられる装置には除電装置が取り付けてあるのが好ましい。
【００２８】
スペーサー形成材料層６は、アクリル樹脂等の高分子材料を含んで構成されている。また、その中に、ビーズを分散させてもよい。ビーズは無機材料でも高分子でも構わない。さらに、ビーズのみを塗布してもよいが、その場合、表面処理をする必要がある。スペーサー形成材料層６は、一般的なフィルムコーティング方法、例えば、押出コーティング方法、スピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、リバースロールコーティング方法、ロッドコーティング方法、マイクログラビアコーティング方法などにより、光熱変換層４（基材５）上に形成することができる。スペーサー形成材料層６のコーティング方法においては、光熱変換層４（基材５）の表面に帯電した静電気を除電してスペーサー形成材料用機能液を均一に光熱変換層４（基材５）に形成するのが好ましく、各方法に用いられる装置には除電装置が取り付けてあるのが好ましい。
【００２９】
次に、図２を参照しながらスペーサーの形成手順について説明する。図２（ａ）に示すように、ドナーシート７のスペーサー形成材料層６と被処理材１とを対向させた後、密着させる。スペーサー形成材料層６と被処理材１とを密着させるには、スペーサー形成材料層６と被処理材１とを対向させた後、吸引装置１３（図１参照）を駆動し、チャンバ１４内のガスを吸引してチャンバ１４内を減圧する。これにより、スペーサー形成材料層６と被処理材１との間の空間も減圧されて負圧状態となり、スペーサー形成材料層６と被処理材１とが密着される。
【００３０】
そして、ドナーシート７（基材５）の上面側から所定の光束径を有するレーザ光束が照射される。レーザ光束が照射されることにより、その照射領域に対応する基材５及び光熱変換層４が加熱される。光熱変換層４は照射されたレーザ光束の光エネルギーを熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーを隣接するスペーサー形成材料層６に供与する。熱エネルギーが供与されたスペーサー形成材料層６の一部（光熱変換層４との界面付近の一部）は、例えばガラス転移温度以上に加熱されて溶融状態となり、被処理材１に転写される。ここで、スペーサー形成材料層６が転写可能となるのは、レーザ光束の照射領域に対応した領域である。したがって、レーザ光束の照射領域に対応したスペーサー形成材料層６が被処理材１に転写される。
【００３１】
そして、照射するレーザ光束に対してステージ１２をＸＹ平面に沿って移動することにより、そのステージ１２の移動軌跡に応じたスペーサー形成材料層６の一部が被処理材１に転写される。スペーサー形成材料層６が被処理材１に転写された後、吸引装置１３の駆動を解除し、前記減圧状態（負圧状態）を解除することで、図２（ｂ）に示すように、ドナーシート７と被処理材１とが分離可能となる。こうして、被処理材１の所定領域にスペーサー形成材料層６が転写（形成）され、最終的にこれを貝柱状のスペーサーとして用いることが可能となる。
【００３２】
以上説明したように、基材５上に光熱変換層４を設けたことにより、照射した光の光エネルギーを効率良く熱エネルギーに変換することができる。そして、その熱エネルギーをスペーサー形成材料層６に供与することで、スペーサー形成材料層６の光照射領域に対応する部分を被処理材１に転写することができる。したがって、形成しようとするスペーサーに応じた基材５上の所定領域に対して光を照射することで、その所定領域に応じたスペーサー形成材料層６を被処理材１に転写し、被処理材１上の所定位置にスペーサーを形成することができる。また、電子ビームや紫外線を用いずに近赤外レーザ光などを用いても、光熱変換層４を設けたことによりスペーサー形成材料層６を転写するための十分な熱エネルギーをそのスペーサー形成材料層６に供与することができる。したがって、使用する光照射装置の選択の幅が広がり、高価で大掛かりな光照射装置を用いなくても、十分な熱エネルギーでドナーシート７よりスペーサー形成材料層６を良好に転写してスペーサーを形成することができる。
【００３３】
なお本実施形態では、被処理材１及びドナーシート７を支持したステージ１２を移動することで、被処理材１上の所定位置にスペーサーを形成するものとしているが、もちろん、被処理材１及びドナーシート７を停止した状態で照射する光束を移動するようにしてもよいし、被処理材１及びドナーシート７と光束との双方を移動するようにしてもよい。また、被処理材１及びドナーシート７を移動する場合、ステージ１２でＸＹ平面内を移動する構成の他に、上述したように回転ドラムに保持させた状態で移動する構成も可能である。
【００３４】
スペーサーを形成する際、図３に示すように、形成しようとするスペーサーに応じたパターンを有するマスク１５に対して光を照射し、マスク１５を介した光をドナーシート７に照射するようにしてもよい。図３に示す例において、マスク１５は、マスク１５を透過した光を通過するための開口部１６Ａを有するマスク支持部１６に支持されている。光源１１から射出された光束は、光学系１７により均一な照度分布を有する照明光に変換された後、マスク１５を照明する。マスク１５を通過した光は、ステージ１２に支持されているドナーシート７を照射し、その照射された光に基づいて発生する熱によりスペーサー形成材料層６の一部が被処理材１に転写され、スペーサーが形成される。マスク１５を用いることにより、レーザ光源１１から射出された光束の径より微細なスペーサーを形成することができ、すなわち微細な領域に選択的にスペーサーを形成することが可能となる。一方、図１を参照して説明したように、光束とドナーシート７（被処理材１）とを相対移動しつつ光照射することによりマスク１５を製造する手間が省ける。
【００３５】
なお、図３に示す例では、マスク１５とドナーシート７とを離した状態で、ドナーシート７に対して光を照射しているが、マスク１５とドナーシート７とを密着させた状態でマスク１５に光を照射し、そのマスク１５を介した光をドナーシート７に照射するようにしてもよい。
【００３６】
また、光源１１としては、近赤外半導体レーザの他に、水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、フラッシュランプなどを用いることも可能である。また、紫外線レーザなど、近赤外線レーザ以外の全ての汎用的なレーザを用いることができる。
【００３７】
一方、図４に示すように、光熱変換層４を基材５のスペーサー形成材料層６が設けられていない上面側（光源１１側）に設ける構成も可能である。このとき、光熱変換層４より発生した熱エネルギーを下面側（被処理材１側）に設けたスペーサー形成材料層６に良好に伝えるために、基材５はその厚さ及び材料を最適に選択される。なお、光熱変換層４を基材５の上面側及び下面側の双方に設けるようにしてもよい。
【００３８】
光源１１から照射する光としては、光熱変換材料に応じた波長を有する光を照射することが好ましい。つまり、使用する光熱変換材料に応じて良好に吸収する光の波長帯域が異なるため、光変換材料に応じた波長を有する光を照射することにより、光エネルギーを熱エネルギーに効率良く変換できる。換言すれば、照射する光に応じて使用する光熱変換材料を選択する。本実施形態では、レーザ光源として近赤外半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）を使用しているため、光熱変換材料としては、赤外線〜可視光線領域の光を吸収する性質を有している材料を用いることが好ましい。
【００３９】
なお、上記各実施形態では、光熱変換材料は、基材５及びスペーサー形成材料層６とは独立した層（光熱変換層４）に設けられているが、基材５に光熱変換材料を混在させる構成も可能であり、スペーサー形成材料層６に光熱変換材料を混在させる構成も可能である。このような構成であっても、照射したレーザ光の光エネルギーを熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーをスペーサー形成材料層６に供与することができる。なお、光熱変換材料が混在された基材５に、それとは別に光熱変換層４を設けてもよい。
【００４０】
一方、図５に示すように、基材５とスペーサー形成材料層６との間に、光照射又は加熱によりガスを発生するガス発生材料を含むガス発生層８を設けてもよい。ガス発生材料は、光を吸収したり光エネルギーから変換された熱エネルギーを吸収すると、分解反応を起こして窒素ガスや水素ガスなどを放出するものであって、発生したガスによりスペーサー形成材料層６を基材５より分離するエネルギーを提供する役割を有する。このようなガス発生材料としては、四窒酸ペンタエリトリトール(pentaerythritol tetranitrate ：ＰＥＴＮ)及びトリニトロトルエン(trinitrotoluene：ＴＮＴ)、ペンタアザジエン（pentazadiene）よりなる群から選択された少なくとも一つの物質等が挙げられる。
【００４１】
また、図６に示すように、基材５の下面側に光熱変換層４が設けられている構成の場合、光熱変換層４とスペーサー形成材料層６との間にガス発生層８を設けることもできる。あるいは、基材５と光熱変換層４との間にガス発生層８を設けることもできる。また、光熱変換層４にガス発生材料を混在させてもよい。また、基材５にガス発生材料を混在させてもよい。
【００４２】
また、図２等に示す実施形態において、光熱変換層４とスペーサー形成材料層６との間に、光熱変換層４の光熱変換作用を均一化するための中間層を設けることができる。このような中間層形成材料としては、上記要件を満たすことのできる樹脂材料を挙げることができる。このような中間層は、所定の組成を有する樹脂組成物を例えばスピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、ダイコーティング法等の公知のコーティング方法に基づいて光熱変換層４の表面に塗布し、乾燥させることによって形成可能である。レーザ光束が照射されると、光熱変換層４の作用により、光エネルギーが熱エネルギーに変換され、さらにこの熱エネルギーが中間層の作用により均一化される。したがって、光照射領域に該当する部分のスペーサー形成材料層６には均一な熱エネルギーが供与される。
【００４３】
また、図２等に示す実施形態において、光熱変換層４とスペーサー形成材料層６との間に熱伝播層や剥離層を形成してもよい。熱伝播層や剥離層を構成する材料としては、例えばポリαメチルスチレン酸等が挙げられる。また、熱伝播層及び剥離層は、特に限定されないが、それぞれ１μｍ程度に形成される。また、光熱変換層４とスペーサー形成材料層６との離型性を向上させるために、光熱変換層４中に離型剤を含有させてもよい。離型剤としては、ポリエチレンワックス、アミドワックス、シリコン系樹脂の微粉末、フッ素系樹脂の微粉末等の固形あるいはワックス状物質；フッ素系、リン酸エステル系等の界面活性剤；パラフィン系、シリコーン系、フッ素系のオイル類等、従来公知の離型剤がいずれも使用できるが、特にシリコーンオイルが好ましい。シリコーンオイルとしては、無変性のもの以外にカルボキシ変性、アミノ変性、エポキシ変性、ポリエーテル変性、アルキル変性等の変性シリコーンオイルを単独あるいは２種以上併用して用いることができる。
【００４４】
＜液晶装置及びその製造方法＞
以下、本発明の液晶装置、及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。図７は本発明の液晶装置の一実施形態たる液晶表示装置について、マトリクス構造を示す部分平面模式図であって、図８は図７のＡ−Ａ’断面模式図あり、本実施形態は単純マトリクス方式の液晶表示装置の例である。なお、以下の図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【００４５】
液晶表示装置１００は、図８に示すように、下基板２０と上基板３０とが対向配置され、この上下基板２０，３０に挟まれた空間にＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶からなる液晶４０が挟持されて概略構成された液晶パネル１０１と、この液晶パネル１０１の後面側（下基板２０の外面側）に配設されたバックライト（図示略）とを備えて概略構成されている。
【００４６】
ガラスや樹脂などからなる下基板２０の内面側には、ＩＴＯ等の透明導電膜からなるストライプ状の走査電極８０が紙面垂直方向に延在し、この走査電極８０を覆うようにポリイミド等からなる配向膜９０が積層されている。一方、ガラスや樹脂などからなる上基板３０の内面側には、下基板２０の走査電極８０と直交するように、ＩＴＯ等の透明導電膜からなるストライプ状の信号電極６０が図示横方向に延在しており、この信号電極６０上にポリイミド等からなる配向膜７０が積層形成されている。
【００４７】
図７及び図８に示すように走査電極８０及び信号電極６０が交差する領域は、電極間電位の変化による液晶駆動により、表示が行われる画素領域３５と、各電極８０，６０が交差しない領域は非画素領域３６とされている。すなわち、非画素領域３６は、ストライプ状の走査電極８０、或いはストライプ状の信号電極６０の間隙部分である。
【００４８】
一方、走査電極８０及び配向膜９０が形成された下基板２０と、信号電極６０及び配向膜７０が形成された上基板３０との間にはスペーサー６ａを介して液晶（液晶層）４０が挟持されており、本実施形態では特にスペーサー６ａは非画素領域３６にのみ配設されている。そして、このスペーサー６ａは上述した本発明に係るスペーサーの形成方法により得られたものを採用している。
【００４９】
このような液晶表示装置１００の製造方法については、まず、ガラス等からなる下側の基板２０上に例えばフォトリソグラフィにより走査電極８０をストライプ状に形成し、さらにこれを覆うようにポリイミドをラビング処理した配向膜９０を形成する。このように走査電極８０及び配向膜９０を形成した後、基板２０上の所定領域、本実施形態では非画素領域３６にスペーサー６ａを配設する。具体的には、本実施形態の場合、上述した転写によるスペーサーの形成方法を採用している。したがって、スペーサー６ａの配置、つまり非画素領域６ａへの定点配置を高精度に行うことができ、しかも、スペーサー６ａを所望の高さに高精度に製造することが可能とされており、ひいては高信頼性の液晶表示装置１００として提供することが可能とされている。
【００５０】
なお、図９に示したようなアクティブマトリクスタイプの液晶表示装置２００に対して本発明に係るスペーサーの形成方法を採用することも可能で、この場合、画素電極１３５に対応して各色の着色層１１２が設けられ、その着色層１１２の境界領域、すなわちブラックマトリクス１１３（非画素領域１３６）に対してスペーサー６ａが配設されている。この場合も、スペーサー６ａは上述した本発明に係るスペーサーの形成方法により得られたものを採用している。
【００５１】
＜電子機器＞
次に、上記液晶表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。図１０は携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。このように、図１０に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであるので、表示特性の優れた電子機器となる。
【００５２】
なお、上述した例に加えて、他の例として、液晶テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、電子ペーパー、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。本発明の液晶装置は、こうした電子機器の表示部としても適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明のスペーサーの形成方法に使うスペーサー形成装置の一実施形態を示す概略構成図。
【図２】本発明のスペーサーの形成方法の一工程例を示す断面模式図。
【図３】本発明のスペーサーの形成方法に使うスペーサー形成装置の他の実施形態を示す概略構成図。
【図４】本発明のスペーサーの形成方法の他の実施形態を示す断面模式図。
【図５】本発明のスペーサーの形成方法の他の実施形態を示す断面模式図。
【図６】本発明のスペーサーの形成方法の他の実施形態を示す断面模式図。
【図７】本発明の液晶装置の一実施形態を示す平面模式図。
【図８】図７の液晶装置の断面構造を示す模式図。
【図９】本発明の液晶装置の他の実施形態を示す平面模式図。
【図１０】本発明の電子機器の一例を示す斜視図。
【符号の説明】
【００５４】
１…被処理材、４…光熱変換層、５…基材、６…スペーサー形成材料層（転写層）、 ７…ドナーシート、８…ガス発生層、１１…光源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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