(57)【要約】【課題】  真空処理の待ち時間をなくし、タクトタイムを短縮すること。【解決手段】  真空処理装置１０は、ロード室１１、真空予備加熱室１２、処理室１３およびアンロード室１４を備える。真空予備加熱室１２では処理室１３よりも長い真空処理が行われる。ロード室１１は、大気開放と真空密閉とを切り換え可能であり、基板Ｗを真空予備加熱室１２へ４搬出する。アンロード室１４も、大気開放と真空密閉とを切り換え可能であり、処理後の基板Ｗを処理室１３から搬入する。真空予備加熱室１２では、処理室１３で同時に処理される基板Ｗの個数よりも多い個数を同時に処理する能力を有する。また、搬送装置１５は、真空予備加熱室１２内に設けられ、処理室１３からアンロード室１４へ基板Ｗを搬送するための切り換え可能な搬送ラインＬ１，Ｌ２を有する。【選択図】  図１
2005314720.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理時間の長い真空処理を行う長時間処理室と、
処理時間の短い真空処理を行う短時間処理室と、
処理前の被処理物を最初に真空処理を行う処理室へ搬出する、大気開放と真空密閉とを切り換え可能なロード室と、
処理後の前記被処理物を最後に真空処理を行う処理室から搬入する、大気開放と真空密閉とを切り換え可能なアンロード室とを備え、
前記長時間処理室は、前記短時間処理室で同時に処理される前記被処理物の個数よりも多い個数を同時に処理するように構成されていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の真空処理装置において、
前記長時間処理室内には、前記被処理物を前記ロード室または直前に真空処理を行う処理室から前記長時間処理室を経由して前記アンロード室または直後に真空処理を行う処理室へ搬送するための切り換え可能な２つ以上の搬送経路を有する搬送手段が設けられていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の真空処理装置において、
前記最初に真空処理を行う処理室は、前記長時間処理室であり、
前記最後に真空処理を行う処理室は、前記短時間処理室であることを特徴とする真空処理装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の真空処理装置において、
前記最初に真空処理を行う処理室は、前記短時間処理室であり、
前記最後に真空処理を行う処理室は、前記長時間処理室であることを特徴とする真空処理装置。
【請求項５】
請求項１または２に記載の真空処理装置において、
前記長時間処理室が複数設けられ、
前記最初に真空処理を行う処理室は、第１の長時間処理室であり、
前記最後に真空処理を行う処理室は、第２の長時間処理室であることを特徴とする真空処理装置。
【請求項６】
請求項１または２に記載の真空処理装置において、
前記短時間処理室が複数設けられ、
前記最初に真空処理を行う処理室は、第１の短時間処理室であり、
前記最後に真空処理を行う処理室は、第２の短時間処理室であることを特徴とする真空処理装置。
【請求項７】
処理時間の長い真空処理を行う長時間処理室と、
前記長時間処理室に隣接し、処理時間の短い真空処理を行う短時間処理室と、
処理前の被処理物を前記長時間処理室へ搬出し、前記長時間真空処理および短時間真空処理後の前記被処理物を前記長時間処理室を通して搬入する、大気開放と真空密閉とを切り換え可能な受け渡し室とを備え、
前記長時間処理室は、前記短時間処理室により同時に処理される前記被処理物の個数よりも多い個数を同時に処理するように構成されていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の真空処理装置において、
前記長時間処理室内には、前記被処理物を前記受け渡し室から前記長時間処理室を経由して前記短時間処理室へ搬送するための第１の搬送経路および前記被処理物を前記短時間処理室から前記長時間処理室を経由して前記受け渡し室へ搬送するための第２の搬送経路を有する搬送手段が設けられていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項９】
処理時間の長い真空処理を行う長時間処理室と、
前記長時間処理室に隣接し、処理時間の短い真空処理を行う短時間処理室と、
処理前の被処理物を前記短時間処理室へ搬出し、前記短時間真空処理および長時間真空処理後の前記被処理物を前記短時間処理室を通して搬入する、大気開放と真空密閉とを切り換え可能な受け渡し室とを備え、
前記長時間処理室は、前記短時間処理室により同時に処理される前記被処理物の個数よりも多い個数を同時に処理するように構成されていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の真空処理装置において、
前記長時間処理室内には、前記被処理物を前記短時間処理室から搬入するための第１の搬送経路および前記短時間処理室へ搬送するための第２の搬送経路を有する搬送手段が設けられていることを特徴とする真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空雰囲気中で薄膜形成、エッチング、熱処理などを行う真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
１台の装置で異なる複数の真空処理を順に行う場合、真空中で被処理物を処理室から次の処理室へ搬送する装置として、真空予備加熱室と処理室とを備え、真空予備加熱室に複数の基板搬送手段を設けたロードロック式真空装置が知られている。この装置では、真空予備加熱室で基板の予備加熱を続けながら、予備加熱済みの別の基板を真空予備加熱室から処理室へ基板搬送手段を使って搬送するように構成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２３９１４４号公報（第２頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のロードロック式真空装置では、処理後の基板を大気中に取り出す際に、真空予備加熱室内を一旦大気圧にリークしなければならない。この作業中は、真空予備加熱を行うことができず、処理時間の空白が生じるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）請求項１の真空処理装置は、処理時間の長い真空処理を行う長時間処理室と、処理時間の短い真空処理を行う短時間処理室と、処理前の被処理物を最初に真空処理を行う処理室へ搬出する、大気開放と真空密閉とを切り換え可能なロード室と、処理後の被処理物を最後に真空処理を行う処理室から搬入する、大気開放と真空密閉とを切り換え可能なアンロード室とを備え、長時間処理室は、短時間処理室で同時に処理される被処理物の個数よりも多い個数を同時に処理するように構成されていることを特徴とする。この真空処理装置の長時間処理室内には、被処理物をロード室または直前に真空処理を行う処理室から長時間処理室を経由してアンロード室または直後に真空処理を行う処理室へ搬送するための切り換え可能な２つ以上の搬送経路を有する搬送手段を設けることが好ましい。
（２）請求項３の真空処理装置は、請求項１または２の真空処理装置において、最初に真空処理を行う処理室が長時間処理室であり、最後に真空処理を行う処理室が短時間処理室であってもよい。また、請求項４の真空処理装置は、請求項１または２の真空処理装置において、最初に真空処理を行う処理室が短時間処理室であり、最後に真空処理を行う処理室が長時間処理室であってもよい。
（３）請求項５の真空処理装置は、請求項１または２の真空処理装置において、長時間処理室が複数設けられ、最初に真空処理を行う処理室は、第１の長時間処理室であり、最後に真空処理を行う処理室は、第２の長時間処理室であってもよい。また、請求項６の真空処理装置は、請求項１または２の真空処理装置において、短時間処理室が複数設けられ、最初に真空処理を行う処理室は、第１の短時間処理室であり、最後に真空処理を行う処理室は、第２の短時間処理室であってもよい。
【０００６】
（４）請求項７の真空処理装置は、処理時間の長い真空処理を行う長時間処理室と、長時間処理室に隣接し、処理時間の短い真空処理を行う短時間処理室と、処理前の被処理物を長時間処理室へ搬出し、長時間真空処理および短時間真空処理後の被処理物を長時間処理室を通して搬入する、大気開放と真空密閉とを切り換え可能な受け渡し室とを備え、長時間処理室は、短時間処理室により同時に処理される被処理物の個数よりも多い個数を同時に処理するように構成されていることを特徴とする。この真空処理装置の長時間処理室内には、被処理物を受け渡し室から長時間処理室を経由して短時間処理室へ搬送するための第１の搬送経路および被処理物を短時間処理室から長時間処理室を経由して受け渡し室へ搬送するための第２の搬送経路を有する搬送手段を設けることが好ましい。
（５）請求項９の真空処理装置は、処理時間の長い真空処理を行う長時間処理室と、長時間処理室に隣接し、処理時間の短い真空処理を行う短時間処理室と、処理前の被処理物を短時間処理室へ搬出し、短時間真空処理および長時間真空処理後の被処理物を短時間処理室を通して搬入する、大気開放と真空密閉とを切り換え可能な受け渡し室とを備え、長時間処理室は、短時間処理室により同時に処理される被処理物の個数よりも多い個数を同時に処理するように構成されていることを特徴とする。この真空処理装置の長時間処理室内には、被処理物を短時間処理室から搬入するための第１の搬送経路および短時間処理室へ搬送するための第２の搬送経路を有する搬送手段を設けることが好ましい。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の真空処理装置は、大気開放と真空密閉とを切り換え可能な室を設けるとともに、長時間処理室における処理数を短時間処理室における処理数よりも多くしたので、処理の待ち時間をなくし、処理全体のタクトタイムを短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態による真空処理装置を図１〜５を参照して説明する。
〈第１の実施の形態〉
図１は、本発明の第１の実施の形態による真空処理装置の構成を模式的に示す全体構成図である。真空処理装置１０は、ロード室１１、真空予備加熱室１２、処理室１３、アンロード室１４および搬送装置１５を備える。ロード室１１とアンロード室１４は、大気開放と真空密閉とを切り換え可能に構成されている。真空予備加熱室１２と処理室１３は、真空処理装置１０が稼動中は常時、内部が真空に保持される。ロード室１１は、排気系１１ａとリーク系１１ｂに接続され、アンロード室１４は、排気系１４ａとリーク系１４ｂに接続されている。真空予備加熱室１２、処理室１３は、それぞれ排気系１２ａ，１３ａに接続されている。外部ステーション３０は、真空処理装置１０とは別体のものとして構成され、処理前の基板Ｗを保管して真空処理装置１０へ供給するための筺体であり、内部は常時大気圧となっている。
【０００９】
ロード室１１には、外部ステーション３０側に面してゲートＧ１が設けられ、ロード室１１と真空予備加熱室１２の境界には、ゲートＧ２が設けられている。真空予備加熱室１２と処理室１３の境界には、ゲートＧ３が設けられ、処理室１３とアンロード室１４の境界には、ゲートＧ４が設けられている。アンロード室１４には、ゲートＧ５が設けられている。ゲートＧ１〜Ｇ５は、基板Ｗの処理の際にはそれぞれ室内を密閉し、基板Ｗの搬出入の際にはそれぞれ室内を開放する。基板Ｗは、真空予備加熱室１２で加熱され、処理室１３で所定の処理、例えば、成膜、エッチング、スパッタリングが施される被処理物である。
【００１０】
真空予備加熱室１２内には、搬送装置１５が設けられている。搬送装置１５は、ロード室１１から基板Ｗを搬入し、予備加熱が終了すると、処理室１３へ基板Ｗを搬出するための搬送ラインを２系統有している。２系統の搬送ラインＬ１，Ｌ２の切り換えは、不図示のリフト機構により、図中、上下方向（ｙ方向）に基板Ｗを移動して行われる。すなわち、搬送装置１５は、図中、実線表示の位置（下位置という）と二点鎖線表示の位置（上位置という）とを切り換えできるように構成されている。２系統の搬送ラインＬ１，Ｌ２には、それぞれ基板Ｗを予備加熱するためのヒータ１６が配設されている。
【００１１】
図２は、本実施の形態による真空処理装置の搬送装置１５を模式的に示す斜視図である。搬送装置１５は、ヒータ１６、搬出入口１７ａ，１７ｂ、搬送部材１８ａ、１８ｂおよびリフト機構１９を有する。搬出入口１７ａ，１７ｂは、基板Ｗを通過させるための開口である。搬送部材１８ａ、１８ｂは、予備加熱中は基板Ｗを載置し、搬出入時には軸廻りに回転して搬送ラインＬ１，Ｌ２に沿って基板Ｗを移送する複数の回転部材である。搬送装置１５内部は、２段構造となっており、搬出入口１７ａと搬送部材１８ａの１セットが搬送ラインＬ１、搬出入口１７ｂと搬送部材１８ｂの１セットが搬送ラインＬ２を構成する。搬送ラインＬ１，Ｌ２は、互いに独立の搬送ラインである。なお、図２では、ヒータ１６は、１つのみ図示されているが、図１のように、搬送ラインＬ１，Ｌ２に上下１セットづつ独立に制御可能に配設されている。
【００１２】
搬送装置１５は、リフト機構１９を有しており、リフト機構１９は、移動シャフト１９ａと固定シャフト１９ｂとから成り、移動シャフト１９ａの上面が搬送装置１５の上部の底面に固設されており、不図示の動力機構により、移動シャフト１９ａが固定シャフト１９ｂに対してｙ方向に移動して搬送装置１５の上部を昇降する。なお、真空処理装置１０には、外部ステーション３０からロード室１１へ基板Ｗを搬入する搬入装置と、アンロード室１４から装置外部へ基板Ｗを搬出する搬出装置も設けられているが、図示を省略する。
【００１３】
以下、図３を参照しながら、基板Ｗの搬送動作について説明する。図３は、真空処理装置１０を用いた基板搬送のタイミングチャートであり、（ａ）〜（ｄ）は、所定時間が経過したときの装置内部の状態を表わす。なお、煩雑になるのを避けるために、図３（ａ）のみに構成部品の符号を付す。
【００１４】
本実施の形態では、真空予備加熱室１２での予備加熱時間が処理室１３での処理時間よりも長いことを前提とする。すなわち、真空予備加熱室１２が長時間処理室に該当し、処理室１３が短時間処理室に該当する。今、処理室１３の処理時間（サイクルタイム）Ｔを基準とし、真空予備加熱室１２の予備加熱時間を２×Ｔとする。矢印ｘ１〜ｘ５は、基板ＷをそれぞれゲートＧ１〜Ｇ５を通過させる動作を示す。動作ｘ１では、ロード室１１を大気圧に圧力調節した後にゲートＧ１を開いて基板Ｗを搬入し、ゲートＧ１を閉じてロード室１１を真空排気する。動作ｘ５でも同様に、アンロード室１４を大気圧に圧力調節した後にゲートＧ５を開いて基板Ｗを搬出し、ゲートＧ５を閉じてアンロード室１４を真空排気する。動作ｘ２，ｘ３，ｘ４では、各室がほぼ同等の真空圧下にあり、圧力調節をせずにゲート開閉が行われる。また、基板Ｗには、処理される順番にＷ１，Ｗ２，Ｗ３・・・のように番号を付す。
【００１５】
図３（ａ）は、１番目の基板Ｗ１を動作ｘ３により真空予備加熱室１２から処理室１３へ移送したときの真空処理装置１０の状態を示しており、これを初期状態ｔ＝０とする。このとき、搬送装置１５は下位置にあり、基板Ｗ２は、搬送装置１５の下段で処理時間Ｔが経過している。基板Ｗ３は、動作ｘ２により搬送装置１５の上段へ移送される。基板Ｗ４は、動作ｘ１によりロード室１１に搬入される。基板Ｗの搬入時にはロード室１１内を大気開放し、搬入後に真空排気する。
【００１６】
図３（ｂ）は、１サイクルの時間が経過し、ｔ＝Ｔのときの真空処理装置１０の状態を示す。このとき、基板Ｗ１は、動作ｘ４によりアンロード室１４へ移送される。搬送装置１５を上位置に移動しておき、サイクルタイム２×Ｔの処理が終了した基板Ｗ２は、動作ｘ３により処理室１３へ移送される。基板Ｗ３は、搬送装置１５の上段で処理時間Ｔが経過している。基板Ｗ４は、動作ｘ２により搬送装置１５の下段へ移送される。基板Ｗ５は、動作ｘ１によりロード室１１に搬入される。
【００１７】
図３（ｃ）は、さらに１サイクルの時間が経過し、ｔ＝２Ｔのときの真空処理装置１０の状態を示す。このとき、基板Ｗ１は、動作ｘ５により装置外部へ搬出される。基板Ｗ２は、動作ｘ４によりアンロード室１４へ移送される。搬送装置１５を下位置に移動しておき、サイクルタイム２×Ｔの処理が終了した基板Ｗ３は、動作ｘ３により処理室１３へ移送される。基板Ｗ４は、搬送装置１５の下段で処理時間Ｔが経過している。基板Ｗ５は、動作ｘ２により搬送装置１５の上段へ移送される。基板Ｗ６は、動作ｘ１によりロード室１１に搬入される。
【００１８】
図３（ｄ）は、さらに１サイクルの時間が経過し、ｔ＝３Ｔのときの真空処理装置１０の状態を示す。このとき、基板Ｗ２は、動作ｘ５により装置外部へ搬出される。基板Ｗ３は、動作ｘ４によりアンロード室１４へ移送される。搬送装置１５を上位置に移動しておき、サイクルタイム２×Ｔの処理が終了した基板Ｗ４は、動作ｘ３により処理室１３へ移送される。基板Ｗ５は、搬送装置１５の上段で処理時間Ｔが経過している。基板Ｗ６は、動作ｘ２により搬送装置１５の下段へ移送される。基板Ｗ７は、動作ｘ１によりロード室１１に搬入される。
【００１９】
以下、上記工程の繰り返しにより、複数の基板Ｗを連続的に処理することができる。図３のタイミングチャートに示されるように、ロード室１１、真空予備加熱室１２、処理室１３、アンロード室１４および搬送装置１５には常に基板Ｗが存在しており、空き時間が全く生じない。従って、複数種類の真空処理を１台の真空処理装置で行う場合にタクトタイムを短縮することができる。
【００２０】
本実施の形態では、ロード室１１、真空予備加熱室１２、処理室１３、アンロード室１４の４室構成の真空処理装置１０において、先に長時間処理（予備加熱）を行い、後に短時間処理を行う装置構成であったが、予備加熱時間が処理室１３による処理時間よりも短い場合、つまり、先に短時間処理を行う真空処理装置にも本発明が適用できる。この場合は、長時間処理を行う処理室１３に２段の搬送ラインを有する搬送装置１５を設ければよい。さらに、真空予備加熱室１２と処理室１３との間に、別の長時間処理を行う処理室および／または別の短時間処理を行う処理室を連結する真空処理装置にも本発明が適用できる。
【００２１】
本実施の形態の変形例として、最初に真空処理を行う処理室が長時間処理室であり、最後に真空処理を行う処理室が別の長時間処理室である真空処理装置や、最初に真空処理を行う処理室が短時間処理室であり、最後に真空処理を行う処理室が別の短時間処理室である真空処理装置にも本発明が適用できる。上記変形例の場合でも、長時間処理を行う処理室に２段の搬送ラインを有する搬送装置１５を設ければよい。さらに、最初に真空処理を行う処理室が長時間処理室であり、最後に真空処理を行う処理室が別の長時間処理室である真空処理装置の場合、これら２つの長時間処理室の間には、短時間処理室が連結されるのは当然であるが、第３の長時間処理室を設けることもできる。また、最初に真空処理を行う処理室が短時間処理室であり、最後に真空処理を行う処理室が別の短時間処理室である真空処理装置の場合、これら２つの短時間処理室の間には、長時間処理室が連結されるのは当然であるが、第３の短時間処理室を設けることもできる。
【００２２】
〈第２の実施の形態〉
図４は、本発明の第２の実施の形態による真空処理装置の構成を模式的に示す全体構成図である。真空処理装置２０は、ロード／アンロード室２１、真空予備加熱室２２、処理室２３および搬送装置１５を備える。ロード／アンロード室２１は、大気開放と真空密閉とを切り換え可能に構成されている。真空予備加熱室２２と処理室２３は、真空処理装置２０が稼動中は常時、内部が真空に保持される。ロード／アンロード室２１は、排気系２１ａとリーク系２１ｂに接続されている。真空予備加熱室２２、処理室２３は、それぞれ排気系２２ａ，２３ａに接続されている。外部ステーション４０は、真空処理装置２０とは別体のものとして構成され、処理前の基板Ｗを保管して真空処理装置２０へ供給するとともに、処理後の基板Ｗを回収するための筺体であり、内部は常時大気圧となっている。
【００２３】
ロード／アンロード室２１には、外部ステーション４０側に面してゲートＧ６が設けられ、ロード／アンロード室２１と真空予備加熱室２２の境界には、ゲートＧ７が設けられ、真空予備加熱室２２と処理室２３の境界には、ゲートＧ８が設けられている。ゲートＧ６〜Ｇ８は、基板Ｗの処理の際にはそれぞれ室内を密閉し、基板Ｗの搬出入の際にはそれぞれ室内を開放する。
【００２４】
真空予備加熱室２２内には、第１の実施の形態の搬送装置１５と同様の搬送装置２５が設けられている。搬送装置２５の構成は、搬送装置１５と同様であるが、搬送ラインによる搬送方向が異なる。搬送装置２５は、ロード／アンロード室２１から基板Ｗを搬入し、予備加熱が終了すると、処理室２３へ基板Ｗを搬出するための搬送ラインＬ３と、処理室２３から処理済みの基板Ｗを搬入し、ロード／アンロード室２１へ搬出するための搬送ラインＬ４を有している。搬送装置２５の構造については説明を省略する。また、搬送ラインＬ３，Ｌ４に合わせて、ロード／アンロード室２１には、搬出専用の上段２１Ａと搬入専用の２１Ｂの２段を有する。外部ステーション４０も同様である。
【００２５】
図５は、第２の実施の形態による真空処理装置２０を用いた基板搬送のタイミングチャートであり、（ａ）〜（ｄ）は、時間が経過したときの装置内部の状態を表わす。本実施の形態でも第１の実施の形態と同様に、真空予備加熱室２２が長時間処理室に該当し、処理室２３が短時間室に該当するものとし、また、処理室２３の処理時間（サイクルタイム）Ｔを基準として真空予備加熱室２２の予備加熱時間を２×Ｔとする。矢印ｘ６〜ｘ８は、基板ＷをそれぞれゲートＧ６〜Ｇ８を通過させる動作を示し、矢印ｘ９は、基板ＷをゲートＧ８，Ｇ７を順次通過させる動作を示し、矢印ｘ１０は、基板ＷをゲートＧ６を通過させる動作を示す。動作ｘ７，ｘ８は、搬送ラインＬ３による動作であり、動作ｘ９は、搬送ラインＬ４による動作である。動作ｘ６では、ロード／アンロード室２１を大気圧に圧力調節した後にゲートＧ６を開いて基板Ｗを搬入し、ゲートＧ６を閉じてロード／アンロード室２１を真空排気する。動作ｘ１０でも同様に、ロード／アンロード室２１を大気圧に圧力調節した後にゲートＧ６を開いて基板Ｗを搬出し、ゲートＧ６を閉じてロード／アンロード室２１を真空排気する。動作ｘ７，ｘ８，ｘ９では、各室がほぼ同等の真空圧下にあり、圧力調節をせずにゲート開閉が行われる。
【００２６】
図５（ａ）は、１番目の基板Ｗ１を動作ｘ８により真空予備加熱室２２から処理室２３へ移送したときの真空処理装置２０の状態を示しており、これを初期状態ｔ＝０とする。このとき、搬送装置２５を下位置とし、基板Ｗ２は、搬送装置２５の下段で処理時間Ｔが経過している。基板Ｗ３は、動作ｘ７により搬送装置２５の上段へ移送される。基板Ｗ４は、動作ｘ６によりロード／アンロード室２１の上段２１Ａに搬入される。
【００２７】
図５（ｂ）は、１サイクルの時間が経過し、ｔ＝Ｔのときの真空処理装置２０の状態を示す。先ず、搬送装置２５を上位置に移動しておき、基板Ｗ１は、動作ｘ９により処理室２３から真空予備加熱室２２を通過してロード／アンロード室２１の下段２１Ｂへ移送される。サイクルタイム２×Ｔの処理が終了した基板Ｗ２は、動作ｘ８により処理室２３へ移送される。基板Ｗ３は、搬送装置２５の上段で処理時間Ｔが経過している。基板Ｗ４は、動作ｘ７により搬送装置２５の下段へ移送される。
【００２８】
図５（ｃ）は、さらに１サイクルの時間が経過し、ｔ＝２Ｔのときの真空処理装置２０の状態を示す。このｔ＝２Ｔとなる前に、ロード／アンロード室２１が大気開放されて、基板Ｗ１は、動作ｘ１０により外部ステーション４０へ搬出されるとともに、基板Ｗ５は、動作ｘ６によりロード／アンロード室２１に搬入され、真空排気が完了している。基板Ｗ２は、動作ｘ９により処理室２３から真空予備加熱室２２を通過してロード／アンロード室２１の下段２１Ｂへ移送される。続いて、搬送装置２５を下位置に移動しておき、サイクルタイム２×Ｔの処理が終了した基板Ｗ３は、動作ｘ８により処理室２３へ移送される。基板Ｗ４は、搬送装置２５の下段で処理時間Ｔが経過している。基板Ｗ５は、動作ｘ７により搬送装置２５の上段へ移送される。
【００２９】
図５（ｄ）は、さらに１サイクルの時間が経過し、ｔ＝３Ｔのときの真空処理装置２０の状態を示す。このｔ＝３Ｔとなる前に、ロード／アンロード室２１が大気開放されて、基板Ｗ２は、動作ｘ１０により外部ステーション４０へ搬出されるとともに、基板Ｗ６は、動作ｘ６によりロード／アンロード室２１に搬入され、真空排気が完了している。搬送装置２５を上位置に移動しておき、基板Ｗ３は、動作ｘ９により処理室２３から真空予備加熱室２２を通過してロード／アンロード室２１の下段２１Ｂへ移送される。続いて、サイクルタイム２×Ｔの処理が終了した基板Ｗ４は、動作ｘ８により処理室２３へ移送される。基板Ｗ５は、搬送装置２５の上段で処理時間Ｔが経過している。基板Ｗ６は、動作ｘ７により搬送装置２５の下段へ移送される。
【００３０】
以下、上記工程の繰り返しにより、複数の基板Ｗを連続的に処理することができる。図５のタイミングチャートに示されるように、真空予備加熱室２２、処理室２３および搬送装置２５には常に基板Ｗが存在しており、空き時間が生じない。ロード／アンロード室２１は、基板Ｗの搬出入のために大気開放と真空排気を各サイクルタイムで１回づつ行うが、この動作は基板Ｗの処理中に行われるので、処理の空き時間は全く生じない。従って、複数種類の真空処理を１台の真空処理装置で行う場合にタクトタイムを短縮することができる。
【００３１】
本実施の形態の真空処理装置２０は、ロード／アンロード室２１、真空予備加熱室２２、処理室２３の３室構成であるので、第１の実施の形態の４室構成の真空処理装置１０と比べて同じ処理能力をもちながら小型化を達成できる。
【００３２】
本実施の形態の真空処理装置２０は、先に長時間処理（予備加熱）を行い、後に短時間処理を行う装置構成であったが、順序を逆にして、先に短時間処理を行い、後に長時間処理を行うにも本発明が適用できる。すなわち、本実施の形態の真空予備加熱室２２と処理室２３を入れ替えて、ロード／アンロード室２１、処理室２３、真空予備加熱室２２の順に配置する。この変形例の場合は、予備加熱を処理の後に行うことはあり得ないので、処理室２３で真空予備加熱を行い、真空予備加熱室２２で処理室２３での処理と同じ処理をする。この場合も、長時間処理を行う室に２段の搬送ラインを有する搬送装置２５を設ければよい。さらに、本実施の形態および上記変形例において、短時間処理室と長時間処理室の間に、別の長時間処理を行う処理室および／または別の短時間処理を行う処理室を連結する真空処理装置にも本発明が適用できる。
【００３３】
本発明は、その特徴を損なわない限り、以上説明した実施の形態に何ら限定されない。例えば、上記実施の形態では、短時間処理のサイクルタイムをＴとしたときに、長時間処理のサイクルタイムを２×Ｔとし、搬送装置１５，２５の搬送ラインの本数を２本としたが、長時間処理のサイクルタイムが３×Ｔならば、搬送ラインの数を３本とするように、サイクルタイムに合わせて増設することができる。また、搬送ラインの配置は、上下２段に限らず、水平方向に２列でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る真空処理装置の構成を模式的に示す全体構成図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る真空処理装置の搬送装置を模式的に示す斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る真空処理装置を用いた基板搬送のタイミングチャートである。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る真空処理装置の構成を模式的に示す全体構成図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る真空処理装置を用いた基板搬送のタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００３５】
１０，２０：真空処理装置
１１：ロード室
１２，２２：真空予備加熱室
１３，２３：処理室
１４：アンロード室
１５，２５：搬送装置
Ｇ１〜Ｇ８：ゲート
Ｗ，Ｗ１〜Ｗ８：基板（被処理物）
【図１】
2005314720.tif 000003
【図２】
2005314720.tif 000004
【図３】
2005314720.tif 000005
【図４】
2005314720.tif 000006
【図５】
2005314720.tif 000007