(57)【要約】【課題】従来の基体を用いて金属薄膜をセラミックシート上に転写する方法では完全に転写することができない場合があり、また、積層セラミック部品の小型化に伴い基体の加工寸法精度が追いつかないことから、転写のパターン精度が悪化し、得られたセラミック電子部品の特性にばらつきが生じていた。  さらに、転写ごとに基体上に薄膜を形成する必要性があることから、数百層の内部電極を形成する必要がある積層セラミック電子部品では著しく生産性が劣るという問題点もあった。【解決手段】本発明は樹脂層をパターン化することによりベースフィルムから金属薄膜のセラミックシート上への転写性を向上し、かつセラミックと内部電極界面の接合性を向上させることにより、安定した電気特性を持ち、ばらつきの少ないセラミック電子部品を高収率で製造する方法を提供するものである。【選択図】図４
2005197332.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の支持体上に金属薄膜を設ける第１工程と、第２の支持体上に所定のパターンを有する第１の樹脂層を設ける第２工程と、次にこの第１の樹脂層とセラミックシートを重ね合わせ加圧した後第２の支持体を剥離し、第１の樹脂層を有するセラミックシートを得る第３工程と、前記金属薄膜と前記第１の樹脂層を有するセラミックシートとを第１の樹脂層を介して支持体ごと重ね合わせて加圧する第４工程と、次に前記第１の支持体を剥離し所定のパターンを有する樹脂層部分のみに金属薄膜を転写させる第５工程と、次いで第３の支持体上全面に第２の樹脂層を設ける第６工程と、前記第２の樹脂層と所定のパターンに転写された金属薄膜を有するセラミックシートとを金属薄膜を介して重ね合わせて加圧後、第３の支持体を剥離する第７工程と、次いで第４工程から第７工程を繰り返し、前記セラミックシートと前記金属薄膜が交互に積層された積層体を作製する第８工程と、その後前記積層体を加圧後所定の大きさに切断し焼成する第９工程とを備えたセラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
第１の支持体上に金属薄膜を設ける第１工程と、次にこの金属薄膜上に所定のパターンを有する第１の樹脂層を設け、第１の樹脂層を有する金属薄膜を得る第２工程と、次いでセラミックシート上全面に第２の樹脂層を設ける第３工程と、前記第１の樹脂層を有する金属薄膜と前記セラミックシートの第２の樹脂層を設けた面と反対側の面とを第１の樹脂層を介して支持体ごと重ね合わせる第４工程と、次に前記第１の支持体を剥離することにより第１の樹脂層に対応する所定のパターン部分にのみ金属薄膜を転写する第５工程と、前記第４工程から第５工程を所定回数繰り返すことにより積層体を作製する第６工程と、その後前記積層体を加圧後所定の大きさに切断し焼成する第７工程とを備えたセラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
第１の支持体上に金属薄膜を設ける第１工程と、第２の支持体上全面に第２の樹脂層を設ける第２工程と、次にこの第２の樹脂層とセラミックシートを重ね合わせた後、第２の支持体を剥離する第３工程と、前記セラミックシートの第１の樹脂層を設けた面と反対側の面に所定のパターンを有する第１の樹脂層を設ける第４工程と、前記パターンを有するセラミックシートと金属薄膜とを第１の樹脂層を介して第１の支持体ごと重ね合わせる第５工程と、前記重ね合わせを行ったセラミックシートと金属薄膜とを前記第１の支持体を剥離することにより、第１の樹脂層に対応する所定のパターン部分にのみ金属薄膜を転写させる第６工程と、前記第５工程から第６工程を所定回数繰り返すことにより積層体を作製する第７工程と、その後前記積層体を加圧後所定の大きさに切断し焼成する第８工程とを備えたセラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
第１の樹脂層、および第２の樹脂層中に、ＭｇＯ、Ｃｕ、ガラス、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＴｉＯ3のうち少なくとも１種類以上を含有する請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
第１の樹脂層、および第２の樹脂層の厚みが金属薄膜の厚みと同等以下である請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
ＭｇＯ、Ｃｕ、ガラス、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＴｉＯ3の粒径が金属薄膜の厚みの１／２以下である請求項４に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項７】
第１の樹脂層、および第２の樹脂層の厚みが金属薄膜の厚みと同等以下で、かつＭｇＯ、Ｃｕ、ガラス、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＴｉＯ3の粒径が前記金属薄膜の厚みの１／２以下である請求項４に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項８】
ＭｇＯ、Ｃｕ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3のうち少なくとも１種の添加物の添加量は金属薄膜の重量を１００重量部としたときに０．０５重量部以上１重量部以下である請求項７に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項９】
ガラス、ＢａＴｉＯ3のうち少なくとも１種の添加物の添加量は金属薄膜の重量を１００重量部としたときに１重量部以上６重量部以下である請求項７に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項１０】
セラミックシートは少なくともセラミック原料とポリエチレンを含有したものであり、第１、第２の樹脂層は、可塑剤と前記セラミックシート中のポリエチレンよりも低軟化点のバインダとを含有したものである請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項１１】
金属薄膜は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法のいずれか一つの薄膜形成法で形成された薄膜である請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１１はセラミック電子部品の一例としての一般的な積層セラミックコンデンサの一部切欠斜視図であり、誘電体層１と内部電極２とが交互に積層されて積層体を構成し、内部電極２はその端部が積層体の対向する両端面に交互に露出するよう積層されており、積層体の両端面に形成された一対の外部電極３に交互に接続されている。
【０００３】
以下に従来の積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
【０００４】
まず、チタン酸バリウムなどの誘電体材料と、ポリビニルブチラールなどのバインダ成分と、ベンジルブチルフタレートなどの可塑剤成分と溶剤とを混合してスラリー化した後、ドクターブレード法を用いてポリエチレンテレフタレートなどのベースフィルム上にセラミック誘電体層１となるセラミックシートを形成する。
【０００５】
次に所定のパターンを有した基体上に、所定のパターンの内部電極２となる金属薄膜を薄膜形成法により複数形成する。
【０００６】
次にセラミックグリーンシート上、もしくは金属薄膜表面にあらかじめ粘着層を形成する。
【０００７】
次いで基体上に形成した金属薄膜をセラミックシート上に熱転写して積み重ねて積層体を形成し、所定の大きさに切断、焼成を行うことで積層セラミックコンデンサとしている。
【０００８】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平９−２９３６２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記従来の方法によると、基体上に離型層を介して金属薄膜を形成しているにも関わらず、セラミックシートに熱転写した際、金属薄膜がセラミックシート上に所望の形状で完全に転写しないことがある。
【００１０】
この場合、内部電極２が不連続な状態となり、十分な静電容量が得られない、静電容量のばらつきが発生するなどの問題点を有している。
【００１１】
また、積層セラミック部品の小型、大容量化に伴い、用いる基体も小型化、高精度化が求められる。しかしながら金型の加工精度には限界があることから、加工精度がパターンの要求精度に追いつかず、パターンの精度が不十分となるため、内部電極２の大きさがばらつき、静電容量のばらつきにつながるという問題点を有している。
【００１２】
さらに１度の転写ごとに基体上に薄膜を形成する必要性があることから、数百層の内部電極を形成する必要がある積層セラミック電子部品では著しく生産性が劣るという問題点も有している。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有する。
【００１４】
本発明の請求項１に記載の発明は、第１の支持体上に金属薄膜を設ける第１工程と、第２の支持体上に所定のパターンを有する第１の樹脂層を設ける第２工程と、次にこの第１の樹脂層とセラミックシートを重ね合わせ加圧した後第２の支持体を剥離し、第１の樹脂層を有するセラミックシートを得る第３工程と、前記金属薄膜と前記第１の樹脂層を有するセラミックシートとを第１の樹脂層を介して支持体ごと重ね合わせて加圧する第４工程と、次に前記第１の支持体を剥離し所定のパターンを有する樹脂層部分のみに金属薄膜を転写させる第５工程と、次いで第３の支持体上全面に第２の樹脂層を設ける第６工程と、前記第２の樹脂層と所定のパターンに転写された金属薄膜を有するセラミックシートとを金属薄膜を介して重ね合わせて加圧後、第３の支持体を剥離する第７工程と、次いで第４工程から第７工程を繰り返し、前記セラミックシートと前記金属薄膜が交互に積層された積層体を作製する第８工程と、その後前記積層体を加圧後所定の大きさに切断し焼成する第９工程とを有し、この方法により、精度良く所望の形状のみ金属薄膜を転写させることができ、安定した電気特性を有するセラミック電子部品を得ることができる。
【００１５】
本発明の請求項２に記載の発明は、第１の支持体上に金属薄膜を設ける第１工程と、次にこの金属薄膜上に所定のパターンを有する第１の樹脂層を設け、第１の樹脂層を有する金属薄膜を得る第２工程と、次いでセラミックシート上全面に第２の樹脂層を設ける第３工程と、前記第１の樹脂層を有する金属薄膜と前記セラミックシートの第２の樹脂層を設けた面と反対側の面とを第１の樹脂層を介して支持体ごと重ね合わせる第４工程と、次に前記第１の支持体を剥離することにより第１の樹脂層に対応する所定のパターン部分にのみ金属薄膜を転写する第５工程と、前記第４工程から第５工程を所定回数繰り返すことにより積層体を作製する第６工程と、その後前記積層体を加圧後所定の大きさに切断し焼成する第７工程とを有し、この方法により、精度良く所望の形状の金属薄膜を転写させることができ、安定した電気特性を有するセラミック電子部品を得ることができる。
【００１６】
本発明の請求項３に記載の発明は、第１の支持体上に金属薄膜を設ける第１工程と、第２の支持体上全面に第２の樹脂層を設ける第２工程と、次にこの第２の樹脂層とセラミックシートを重ね合わせた後、第２の支持体を剥離する第３工程と、前記セラミックシートの第１の樹脂層を設けた面と反対側の面に所定のパターンを有する第１の樹脂層を設ける第４工程と、前記パターンを有するセラミックシートと金属薄膜とを第１の樹脂層を介して第１の支持体ごと重ね合わせる第５工程と、次に前記第１の支持体を剥離することにより、第１の樹脂層に対応する所定のパターン部分にのみ金属薄膜を転写させる第６工程と、前記第５工程から第６工程を所定回数繰り返すことにより積層体を作製する第７工程と、その後前記積層体を加圧後所定の大きさに切断し焼成する第８工程とを有し、この方法により、精度良く所望の形状のみ金属薄膜を転写させることができ、安定した電気特性を有するセラミック電子部品を得ることができる。
【００１７】
本発明の請求項４に記載の発明は、第１の樹脂層、および第２の樹脂層の中に、ＭｇＯ、Ｃｕ、ガラス、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＴｉＯ3のうち少なくとも１種類以上の添加物を含有する請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法であり、焼成過程においてセラミック誘電体層と内部電極との界面に前記添加物による無機物の層を形成してセラミックシートと内部電極間の接着性を強めることができ、焼成後の構造欠陥を抑制することができる。
【００１８】
本発明の請求項５に記載の発明は、第１、第２の樹脂層の厚みは金属薄膜の厚みと同等以下である請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法であり、樹脂層の厚みを制御することにより焼成後の内部電極の連続性を良好にすることができる。
【００１９】
本発明の請求項６に記載の発明は、ＭｇＯ、Ｃｕ、ガラス、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＴｉＯ3のうち少なくとも１種の添加物の粒径が金属薄膜厚みの１／２以下である請求項４に記載のセラミック電子部品の製造方法であり、粒子径の大きい粒子を取り除くことにより、粒子径の大きな添加物粒子がセラミックシートを突き破ることにより発生するショート不良を軽減することができる。
【００２０】
本発明の請求項７に記載の発明は、第１の樹脂層、および第２の樹脂層の厚みが金属薄膜の厚みと同等以下で、かつ前記ＭｇＯ、Ｃｕ、ガラス、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＴｉＯ3のうち少なくとも１種の添加物の粒径が前記金属薄膜の厚みの１／２以下である請求項４に記載のセラミック電子部品の製造方法であり、焼成後の内部電極の連続性を良好にでき、粒子径の大きい粒子を取り除くことにより、粒子径の大きな添加物粒子がセラミックシートを突き破ることにより発生するショート不良を軽減することができる。
【００２１】
本発明の請求項８に記載の発明は、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3のうち少なくとも１種の添加物の添加量は、金属薄膜１層の重量を１００重量部としたときに０．０５重量部以上１重量部以下である請求項７に記載のセラミック電子部品の製造方法であり、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3などの添加物を添加しない場合に比べてセラミック誘電体の誘電率を著しく低下させることなく、セラミックシートと内部電極間の接着性を維持することができる。
【００２２】
本発明の請求項９に記載の発明は、ガラス、ＢａＴｉＯ3のうち少なくとも１種の添加物の添加量は金属薄膜１層の重量を１００重量部としたときに１重量部以上６重量部以下である請求項７に記載のセラミック電子部品の製造方法であり、ガラスやＢａＴｉＯ3などの添加物を添加しない場合に比べてセラミック誘電体の誘電率を著しく低下させることなくセラミックシートと内部電極間の接着性を維持することができる。
【００２３】
本発明の請求項１０に記載の発明は、セラミックシートは少なくともセラミック原料とポリエチレンを含有したものであり、第１、第２の樹脂層は可塑剤と、セラミックシート中のポリエチレンよりも低軟化点のバインダとを含有したものである請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法であり、より容易にセラミックシートに金属薄膜を転写することができる。
【００２４】
本発明の請求項１１に記載の発明は、金属薄膜は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法のいずれか一つの方法で形成された薄膜である請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法であり、導電体層が薄膜であり、積層における加圧時に導電体層が形成されていない部分にも十分な圧力が加わるので、クラックや層間剥離のない積層セラミック電子部品を得ることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明のセラミック電子部品の製造方法は、ベースフィルムからセラミックシート上へ金属薄膜を転写する際の転写精度を向上し、かつセラミックと内部電極との界面の接合を向上させることにより、安定した電気特性を有するとともに静電容量のばらつきの小さいセラミック電子部品を高収率で製造する方法を提供できるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
（実施の形態１）
以下、本発明の特に請求項１、４、５、１０、１１に記載の発明について、積層セラミックコンデンサを例に図面を参照しながら説明する。
【００２７】
図１は金属薄膜を形成する工程を説明するための断面図、図２は第１の樹脂層を形成する工程を説明するための断面図、図３は第１の樹脂層とセラミックシートを第１の樹脂層を介して重ね合わせ加圧した後、支持体を剥離する工程を説明するための断面図、図４はセラミックシートへの金属薄膜の転写工程を説明するための断面図、図５は金属薄膜とセラミックシートとの重ね合わせ工程を説明するための断面図、図６は積層体を説明するための断面図であり、１２は第１の支持体、１３は第１の樹脂層、１４は金属薄膜、１５は第２の樹脂層、１６は第２の支持体、１７はセラミックシート、１８は第３の支持体、２０はプレス板を示す。
【００２８】
また図１１はセラミック電子部品の一例としての一般的な積層セラミックコンデンサの一部切欠斜視図であり、誘電体層１と内部電極２とが交互に積層されて積層体を構成し、内部電極２はその端部が積層体の対向する両端面に交互に露出するよう積層されており、積層体の両端面に形成された一対の外部電極３に交互に接続されている。
【００２９】
まず、樹脂として重量平均分子量が４０００００のポリエチレンと、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体粉末とを混合し、シート状に成形したのち２軸延伸して、セラミック誘電体層１となる空隙率が２０％である厚み１μｍのセラミックシート１７を形成する。
【００３０】
一方、図２に示すように第２の支持体１６上に所定のパターンをする厚み約０．３μｍ、０．５μｍと厚みを変えて第１の樹脂層１３を形成し、次に図３に示すようにセラミックシート１７と第１の樹脂層を介して重ね合わせ加圧した後、支持体１６を剥離する。このとき第１の樹脂層中にはＭｇＯを金属薄膜１００重量部に対し１重量部加えている。
【００３１】
次に図１に示すように第１の支持体１２上に蒸着法により金属薄膜１４を形成していたものを、支持体ごと図４に示すように第１の樹脂層を介してセラミックシートに重ね合わせ加圧し、第１の樹脂層に対応する部分のみに金属薄膜１４を転写させ、金属薄膜のそれ以外の部分は第１の支持体１２とともに剥離する。
【００３２】
この金属薄膜はニッケルを用いて形成したものであり、その厚みは均一で約０．５μｍである。
【００３３】
次いで図５に示すように第３の支持体１８上の全面に形成した約０．３μｍの第２の樹脂層１５を支持体ごと金属薄膜上に重ね合わせ、表面が平坦なプレスで支持体１８側から加熱しつつ加圧する。
【００３４】
加熱しつつ加圧するのは、セラミックシート１７及び第２の樹脂層１５中のバインダを軟化させて加圧することによりセラミックシートと金属薄膜の接着を確実に行うためである。
【００３５】
ここで図５に示すように、第７工程において金属薄膜１４の存在しない部分については、加圧することにより第２の樹脂層はセラミックシートに接着する。
【００３６】
また図５では第２の支持体上と、第２の樹脂層に空間が存在しているように見えるが、これは厚み方向の寸法を強調して表したことによるものであり、実際にはセラミックシートが空間を埋めるため空間はほとんど残らない。
【００３７】
樹脂層１３，１５に用いる樹脂としては、セラミックシートに用いるものより低軟化点のものを用いることが望ましい。これは、セラミックシートに用いる樹脂と同程度の軟化点の樹脂を用いた場合、積層時に温度及び圧力がかかることによりセラミックシートに伸びが発生し、積層段階で不良が発生する。それに対し、樹脂層に用いる樹脂をセラミックシートに用いる樹脂よりも低軟化点の樹脂を用いることにより、セラミックシートの伸びを発生させることなく、金属薄膜を転写させることが可能となるためである。
【００３８】
さらに樹脂層１３，１５には可塑剤を含有させることがより好ましい。
【００３９】
なお、第２の樹脂層１５は、積層時における金属薄膜とセラミックシート間の接着性を持たす接着剤の役割を果たすものである。
【００４０】
第２の樹脂層中にはＭｇＯを金属薄膜１００重量部に対し１重量部加えており、その厚みを約０．３μｍ、約０．５μｍと変えて検討した。
【００４１】
次いで図５で得られた支持体１８、第２の樹脂層１５、金属薄膜１４、第１の樹脂層１３を備えるセラミックシート１７を、図６に示すようにセラミックシート１７と第２の樹脂層１５、金属薄膜１４、第１の樹脂層１３とが交互に積層されるように支持体１８を剥離しながら６枚積層して積層体ブロックを得る。
【００４２】
その後積層体ブロックを所定の形状に切断して積層体を得る。この積層体を窒素中で脱脂した後、還元雰囲気中で焼成し、焼結体を得る。
【００４３】
焼成により第１の樹脂層、第２の樹脂層は消失するとともに、樹脂層中に含まれる添加物は誘電体層と内部電極の界面に無機物の層を形成し、誘電体層と内部電極との接着性を強めることになる。
【００４４】
次いで内部電極２の露出した両端部に銅の外部電極３を形成し、図１１に示す積層セラミックコンデンサとする。
【００４５】
本実施の形態１においては、所定のパターンを有する樹脂層を用いて、内部電極のパターンを形成する構成であるため、従来よりも金属薄膜の転写性が良く、金属薄膜１４の転写不良や金属薄膜のパターン精度のばらつきによる静電容量のばらつきといった積層セラミックコンデンサとしての不良を抑制することができ、歩留まりの向上に効果がある。
【００４６】
また、本実施の形態１において、第１の樹脂層を支持体上に形成しているのは、平滑な面を持つ支持体上に樹脂層を形成することで樹脂層の表面を平滑にすることができ、従って表面平滑性に優れた金属薄膜層を形成することができるためである。
【００４７】
さらに、本発明においては第２の樹脂層を用いて金属薄膜とセラミックシートを結合しているが、これは従来結合力の弱い高分子量ポリエチレンを含むセラミックシートと金属薄膜間の接合性を上げ、積層体時での構造欠陥を抑制するためである。
【００４８】
なお、所定のパターンを有する第１の樹脂層よりも、第２の樹脂層の方が薄いことが望ましい。これは、第１の樹脂層は金属薄膜を精度良く確実に転写させるため一定量の樹脂量が必要であるのに対し、第２の樹脂層は金属薄膜とセラミックシートとを接着させるだけの樹脂量で十分であるため、第１の樹脂層程厚みは必要ではないからである。
【００４９】
本発明の実施の形態１による静電容量ばらつきについて（表１）に示す。
【００５０】
【表１】
2005197332.tif 000003
【００５１】
（表１）から明らかなように、本発明の方法により、最大値と最小値との差（Ｒ値）で表した静電容量のばらつきが非常に小さくなっていることがわかる。また、樹脂層の厚みを金属薄膜の厚みと同等以下にすることによりショート率が大きく改善するとともに、静電容量についても改善していることがわかる。
【００５２】
これは、焼成を行う際に、樹脂が分解されることにより、樹脂層に対応する部分に空間が発生し、この空間部分において内部電極が凝集することにより内部電極の厚みが厚くなり、内部電極の連続性が悪化した場合には静電容量が小さくなるとともにそのばらつきが増加するのに対して本発明により樹脂層に含まれる無機物により誘電体層と内部電極との結合性が向上し、空間部分の発生を抑え、内部電極の連続性を確保することができるためである。
【００５３】
樹脂層の厚みは、用いる金属薄膜の厚みと同等以下であることがより好ましい。
【００５４】
また上記実施の形態１では薄膜形成法として蒸着法を用いたが、薄膜形成法としてスパッタ、イオンプレーティングを用いた場合でも同様の効果が得られる。
【００５５】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２を用いて本発明の特に請求項６に記載の発明について説明する。
【００５６】
図３に示すように第２の支持体１６上に所定のパターンを有する厚み約０．３μｍ程度の第１の樹脂層１３を形成し、セラミックシート１７とを重ね合わせる。
【００５７】
この樹脂層上にあらかじめ第１の支持体１２上に蒸着法またはスパッタ法などの薄膜形成法で金属薄膜１４を形成していたものを重ね合わせる。この金属薄膜はニッケルを用いて形成したものであり、その厚みは均一で約０．５μｍである。
【００５８】
次いで第３の支持体１８上の全面に形成した約０．３μｍの第２の樹脂層を前記金属薄膜上に重ね合わせる。
【００５９】
なお、樹脂層の厚みは約０．３μｍとし、樹脂層中には添加する無機物の粒径を（表２）のように変化させ、添加する無機物の粒径による影響を確認した。
【００６０】
なお、各無機物の添加量としては、金属薄膜１層当たりの重量を１００重量部とした時に無機物の添加量が１重量部となるように添加した。
【００６１】
【表２】
2005197332.tif 000004
【００６２】
（表２）から明らかなように、ＭｇＯ、Ｃｕ、ガラス、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＴｉＯ3の粒径を金属薄膜の１／２以下にすることによりショート率が改善していることがわかる。
【００６３】
これは、積層を行う際、粒径の大きなＭｇＯ、Ｃｕ、ガラス、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＴｉＯ3が存在していると、粒子径の大きな粒子がセラミックシートを突き破ることにより、焼成段階において内部電極が焼結反応により収縮し厚みが増加した際、内部電極がセラミック誘電体層へ進入してショートが発生しやすくなるのに対し、添加物の粒径を小さくすることによりセラミックシートを突き破ることが軽減されるためである。
【００６４】
従って、樹脂層へ添加するＭｇＯ、Ｃｕ、ガラス、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＴｉＯ3の粒径は、用いる金属薄膜の厚みの１／２以下であることが好ましい。
【００６５】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３を用いて本発明の特に請求項７〜９に記載の発明について説明する。
【００６６】
図３に示すように第２の支持体１６上にパターンを有して形成した厚み約０．３μｍ程度の第１の樹脂層１３とセラミックシート１７とを重ね合わせる。
【００６７】
この樹脂層上にあらかじめ第１の支持体上に蒸着法またはスパッタ法などの薄膜形成法で金属薄膜１４を形成していたものを重ね合わせる。この金属薄膜はニッケルを用いて形成したものであり、その厚みは均一で約０．５μｍである。
【００６８】
次いで第３の支持体１８上の全面に形成した約０．３μｍの第２の樹脂層を前記金属薄膜上に重ね合わせる。
【００６９】
なお、前記樹脂層の厚みは約０．３μｍとし、樹脂層に加える無機物の粒径はＭｇＯ、ＳｉＯ2は０．１μｍ、Ａｌ2Ｏ3は０．２μｍのものを用いた。また、無機物の添加量を（表３）のように変化させ、用いる無機物の添加量の影響を確認した。
【００７０】
【表３】
2005197332.tif 000005
【００７１】
（表３）から明らかなように、樹脂層へ添加するＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3の添加割合が金属薄膜を１００重量部としたときの添加割合として０．０５重量部以上１重量部以下のものでは十分な静電容量が得られている。しかしながら、１重量部よりも添加量が多い場合、セラミック誘電体へＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3の拡散が生じることから、セラミック誘電体の従来備えている誘電率が低下し、静電容量が減少している。
【００７２】
従って、樹脂層へ添加するＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3の添加割合は金属薄膜の重量を１００重量部としたときに上記添加物が０．０５重量部以上１重量部以下であることが好ましい。
【００７３】
また、樹脂層へ添加するＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3の添加割合が金属薄膜を１００重量部としたときの添加割合として０．０５重量部未満ではクラックが発生する結果となったことから、添加量は０．０５重量部以上であることが好ましい。
【００７４】
Ｃｕ、ガラス、ＢａＴｉＯ3についても、金属薄膜１層あたりの金属薄膜の重量を１００重量部としたときにその添加割合が１重量部以上６重量部以下の場合において上記と同様の結果が得られた。
【００７５】
（実施の形態４）
以下、本発明の実施の形態４を用いて本発明の特に請求項２に記載の発明について説明する。
【００７６】
実施の形態４において実施の形態１と異なるのは、図７に示すように第１の支持体１２上の金属薄膜１４上に、所定のパターンを有する厚み約０．３μｍ程度の第１の樹脂層１３を形成し、またセラミックシート１７上に全面に形成した約０．３μｍの第２の樹脂層１５を形成しておき、図８に示すように金属薄膜とセラミックシートを重ね合わせて金属薄膜を所定のパターンに転写した後、転写されなかった残りの金属薄膜を支持体１２とともに剥離する点である。
【００７７】
その他の条件については実施の形態１と同条件である。
【００７８】
この積層セラミックコンデンサについて、積層セラミックコンデンサの静電容量を測定し、評価を行った。
【００７９】
なお、比較のために実施の形態１で作製した試料番号１の積層セラミックコンデンサの静電容量と共に、本実施の形態４の静電容量測定結果を（表４）に示す。
【００８０】
【表４】
2005197332.tif 000006
【００８１】
（表４）から明らかなように、本検討において実施した、実施の形態１、及び実施の形態４どちらの方法で積層セラミックコンデンサを作製した場合においても、同様の効果が得られる。
【００８２】
（実施の形態５）
以下、本発明の実施の形態５を用いて本発明の特に請求項３に記載の発明について説明する。
【００８３】
実施の形態５において実施の形態１と異なるのは、図９に示すように片側に第１の樹脂層１３を全面に有するセラミックシート上に、所定のパターンを有する厚み約０．３μｍ程度の第２の樹脂層１５を形成し、図１０に示すように前記金属薄膜と前記セラミックシートを重ね合わせて金属薄膜を所定のパターンに転写した後、転写されなかった残りの金属薄膜を支持体１２とともに剥離する点であり、その他の条件については実施の形態１と同条件である。
【００８４】
この積層セラミックコンデンサについて、積層セラミックコンデンサの静電容量を測定し、評価を行った。
【００８５】
なお、比較のために実施の形態１で作製した試料番号１の積層セラミックコンデンサの静電容量と共に、本実施の形態５の静電容量測定結果を（表５）に示す。
【００８６】
【表５】
2005197332.tif 000007
【００８７】
（表５）から明らかなように、本検討において実施した、実施の形態１、及び実施の形態５どちらの方法で積層セラミックコンデンサを作製した場合においても、同様の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明のセラミック電子部品の製造方法は、ベースフィルムからセラミックシート上へ金属薄膜を転写する際の転写精度を向上し、かつセラミックと内部電極との界面の接合を向上させることにより、安定した電気特性を有するとともに静電容量のばらつきの小さいセラミック電子部品を高収率で製造する方法を提供できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明の実施の形態１〜５における金属薄膜の製造工程を説明するための断面図
【図２】本発明の実施の形態１〜３における第１の樹脂層の製造工程を説明するための断面図
【図３】本発明の実施の形態１〜３における第１の樹脂層とセラミックシートを第１の樹脂層を介して重ね合わせ加圧した後、支持体を剥離する製造工程を説明するための断面図
【図４】本発明の実施の形態１〜３におけるセラミックシートへの金属薄膜の転写工程を説明するための断面図
【図５】本発明の実施の形態１〜３における積層体の製造工程を説明するための断面図
【図６】本発明の実施の形態１〜５における積層体を説明するための断面図
【図７】本発明の実施の形態４における第１の樹脂層の製造工程を説明するための断面図
【図８】本発明の実施の形態４におけるセラミックシートへの金属薄膜の転写工程を説明するための断面図
【図９】本発明の実施の形態５における第２の樹脂層の製造工程を説明するための断面図
【図１０】本発明の実施の形態５におけるセラミックシートへの金属薄膜の転写工程を説明するための断面図
【図１１】一般的な積層セラミックコンデンサの一部切欠斜視図
【符号の説明】
【００９０】
１  誘電体層
２  内部電極
３  外部電極
１２  第１の支持体
１３  第１の樹脂層
１４  金属薄膜
１５  第２の樹脂層
１６  第２の支持体
１７  セラミックシート
１８  第３の支持体
２０  プレス板
【図１】
2005197332.tif 000008
【図２】
2005197332.tif 000009
【図３】
2005197332.tif 000010
【図４】
2005197332.tif 000011
【図５】
2005197332.tif 000012
【図６】
2005197332.tif 000013
【図７】
2005197332.tif 000014
【図８】
2005197332.tif 000015
【図９】
2005197332.tif 000016
【図１０】
2005197332.tif 000017
【図１１】
2005197332.tif 000018