(57)【要約】      （修正有）【課題】有機電界発光ディスプレー装置に係り、残像及びストライプ現象を除去するための画素構造に関する。【解決手段】電源電圧配線と；電源電圧配線に連結された第１駆動トランジスタ及び第２駆動トランジスタと；第２駆動トランジスタに連結された有機電界発光素子と；データ配線と；データ配線に連結された第１スイッチングトランジスタと；第１スイッチングトランジスタ及び第１駆動トランジスタに連結される第２スイッチングトランジスタと；第２スイッチングトランジスタと第１駆動トランジスタ及び第２駆動トランジスタに連結される第３スイッチングトランジスタと；電源電圧配線と第３スイッチングトランジスタ間に構成される 貯蔵キャパシターと；第１スイッチングトランジスタに連結される第１スキャン配線と；第２スイッチングトランジスタ及び第３スイッチングトランジスタに連結される第２スキャン配線を含む画素構造とする。【選択図】  図１２
2005316380.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１信号によって駆動される第１スイッチング素子と、第１信号とは異なる第２信号によって駆動される第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子と；
電源電圧配線、貯蔵キャパシタンス及び前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子、第３スイッチング素子とに連結される第１駆動素子と；
前記電源電圧配線、前記貯蔵キャパシタンス、有機発光ダイオード及び第３スイッチング素子とに連結される第２駆動素子を含み、第１スイッチング素子、第２スイッチング素子、第３スイッチング素子は、相互に直列に連結されることを特徴とする有機電界発光ディスプレー装置。
【請求項２】
前記第１スイッチング素子は、前記第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子が駆動を止めた以後に、駆動を止めることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光ディスプレー装置。
【請求項３】
前記第１駆動素子及び第２駆動素子は、ＰＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光ディスプレー装置。
【請求項４】
前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子は、ＰＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光ディスプレー装置。
【請求項５】
前記第１駆動素子及び第２駆動素子は、ＮＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光ディスプレー装置。
【請求項６】
前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子も、ＮＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光ディスプレー装置。
【請求項７】
前記第３スイッチング素子の出力信号は、前記第２駆動素子のゲートへ流れ込むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光ディスプレー装置。
【請求項８】
記第１駆動信号のゲートは、前記第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子の連結点に連結されていることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光ディスプレー装置。
【請求項９】
前記第１駆動素子及び第２駆動素子は、電流ミラー回路を構成することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光ディスプレー装置。
【請求項１０】
前記第１スイッチング素子は、データ信号配線に連結されていることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光ディスプレー装置。
【請求項１１】
前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子が駆動を止めた時、前記第１駆動素子のゲート電圧は、前記第２駆動素子のゲート電圧と同じになることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光ディスプレー装置。
【請求項１２】
前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子が駆動を止めた時、前記第１駆動素子のゲートは、電気的信号を受けることができないことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光ディスプレー装置。
【請求項１３】
電源電圧配線及びデータ配線と；
前記電源電圧配線に連結された第１駆動トランジスタと；
前記電源電圧配線に連結された第２駆動トランジスタと；
前記第２駆動トランジスタに連結された有機電界発光ダイオードと；
前記でデータ配線に連結された第１スイッチングトランジスタと；
前記第１スイッチングトランジスタ及び第１駆動トランジスタとに連結される第２スイッチングトランジスタと；
前記第２スイッチングトランジスタと第１駆動トランジスタ及び第２駆動トランジスタとに連結される第３スイッチングトランジスタと；
前記電源電圧配線と第３スイッチングトランジスタ間に構成される貯蔵キャパシタンスと；
前記第１スイッチングトランジスタに連結される第１スキャン配線と；
前記第２スイッチングトランジスタ及び第３スイッチングトランジスタとに連結される第２スキャン配線を含む画素構造の有機電界発光ディスプレー装置。
【請求項１４】
前記第１スイッチングトランジスタは、前記第２スイッチングトランジスタ及び第３スイッチングトランジスタが駆動を止めた以後に、駆動を止めることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光ディスプレー装置。
【請求項１５】
前記第１駆動トランジスタ及び第２駆動トランジスタは、ＰＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光ディスプレー装置。
【請求項１６】
前記第１スイッチングトランジスタ、第２スイッチングトランジスタ及び第３スイッチングトランジスタは、ＰＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光ディスプレー装置。
【請求項１７】
前記第２スイッチングトランジスタの応答出力は、前記第１駆動トランジスタのゲートに入力されることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光ディスプレー装置。
【請求項１８】
前記第３スイッチングトランジスタの応答出力は、前記第２駆動トランジスタのゲート端子に入力されることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光ディスプレー装置。
【請求項１９】
前記第１駆動トランジスタ及び第２駆動トランジスタは、電流ミラー回路を構成することを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光ディスプレー装置。
【請求項２０】
前記第１スイッチングトランジスタ、第２スイッチングトランジスタ及び第３スイッチングトランジスタが駆動を止めた時、前記第１駆動トランジスタのゲートは、電気的信号を受けることができないことを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光ディスプレー装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬディスプレー装置に係り、より詳しくは、画質の残像及びストライプ現象を除去するための画素構造のディスプレー装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在に幅広く使用されているディスプレー装置であるアクティブマトリックス液晶ディスプレー(ＡＭＬＣＤ)装置は、軽薄、低消費電力の特性があるが、それ自体発光の特性がないので、バックライトを利用する短所がある。
【０００３】
ＡＭＬＣＤの短所を解消するためのディスプレー装置がアクティブマトリックス有機ＥＬディスプレー装置である。有機ＥＬディスプレー装置のＥＬは、蛍光性有機化合物を電気的に励起させ、発光される自発光性ディスプレー装置であって、低い電圧で駆動することができて、薄型等の長所がある。
【０００４】
図１は、従来のアクティブマトリックス有機ＥＬディスプレー装置の構造を示したものであって、マトリックス状に配列されたスキャン配線等Ｓ1、Ｓ２、・・・、Ｓｍとデータ配線等Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｎ各々の間に、スイッチング用ＰＭＯＳトランジスタＰ１、キャパシターＣ１、電流駆動用ＰＭＯＳトランジスタＰ２、有機ＥＬ(Ｅ)を備えて構成されている。
【０００５】
スイッチング用ＰＭＯＳトランジスタＰ１のゲート電極は、スキャン配線に連結されて、ソース電極は、データ配線に連結されている。キャパシターＣ１の一側は、スイッチング用ＰＭＯＳトランジスタＰ１のドレイン電極に連結されて、他側は、電圧Ｖｄｄに連結されている。駆動用ＰＭＯＳトランジスタＰ２のソース電極は、電圧Ｖｄｄに連結されて、ゲート電極は、スイッチング用ＰＭＯＳトランジスタＰ１のドレイン電極に連結されて、ドレイン電極は、有機ＥＬ(Ｅ)の両極に連結されている。
【０００６】
図１に示した装置の駆動方法を説明する。
スキャン配線へと印加されるネガティブ選択電圧によって、スイッチング用ＰＭＯＳトランジスタＰ１がオン(ｏｎ)になると、データ配線へと印加される電圧Ｖｄｄによって、キャパシターＣ１に電荷が蓄積される。キャパシターＣ１の電圧によって、電流駆動用ＰＭＯＳトランジスタＰ２に流れる電流の量が決定される。決定された電流の量によって、有機ＥＬ(Ｅ)が発光される。
【０００７】
前述した方法によって、スキャン配線等Ｓ1、Ｓ２、・・・、Ｓｍを順に使用状態しながら、該当スキャン配線で、データ配線等Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｎを通じてデータ信号が印加される。
【０００８】
前記のような基本構成と動作の特徴の有機ＥＬディスプレー装置は、その必要によって、多様な画素構造で応用されて、１つの画素に、４つの薄膜トランジスタＴＦＴと１つのキャパシターがある構造を、図２を通じて説明する。
【０００９】
図２に示した電流駆動型の有機ＥＬディスプレー装置は、４-ＴＦＴ／1-ＣＡＰ有機ＥＬディスプレー装置とも称する。
【００１０】
図示された画素構造を察すると、データ配線Ｄ、電源電圧ＶＤＤ、前記電源電圧ＶＤＤを受けた第１駆動トランジスタＭ１及び第２駆動トランジスタＭ２、前記第２駆動トランジスタＭ２に連結される有機電界発光素子Ｅ、データ信号が入力される第１スイッチングトランジスタＳＷ１、前記第１スイッチングトランジスタＳＷ１及び第１駆動トランジスタＭ１の出力が入力される第２スイッチングトランジスタＳＷ２、前記第１スイッチングトランジスタＳＷ１及び第２スイッチングトランジスタＳＷ２へ、スキャン信号を供給する第１スキャン配線Ｓｃ１及び第２スキャン配線Ｓｃ２、前記電源電圧ＶＤＤと第２スイッチングトランジスタＳＷ２間に構成されて、前記第１駆動トランジスタＭ１及び第２駆動トランジスタＭ2のゲート端子に信号を供給する貯蔵キャパシターＣstとで構成される。
【００１１】
ここで、前記第１スイッチングトランジスタＳＷ１は、ＮＭＯＳ素子であって、前記第２スイッチングトランジスタＳＷ２は、ＰＭＯＳ素子を構成する。
【００１２】
また、前記第１駆動トランジスタＭ１及び第２駆動トランジスタＭ２は、ＰＭＯＳ素子であって、第１駆動トランジスタＭ１と第２駆動トランジスタＭ２は、電流ミラー回路である。
【００１３】
前記有機電界発光素子Ｅは、前記第２駆動トランジスタＭ２に、アノード＋端子が連結される。  
【００１４】
前記画素構造の特徴は、前記第２駆動トランジスタＭ２と、そのミラートランジスタである第１駆動トランジスタＭ１のミラーの比(ＭＲ)によって、前記有機電界発光素子Ｅへと印加されるデータの値に対する電流が制御される。
【００１５】
前述したような構成で、動作を図３のスキャン信号タイミング図と、図４Ａ及び図４Ｂのオン(ｏｎ)オフ(ｏｆｆ)時の回路図を利用して察する。
【００１６】
先ず、図３のスキャン配線のタイミング図のように、スキャン信号が各々第１スキャン配線Ｓｃ１、第２スキャン配線Ｓｃ２に各々入力される。
【００１７】
前記第１駆動トランジスタＭ１及び第２駆動トランジスタＭ２の駆動の特性が同じだとすると、前記第１スイッチングトランジスタＳＷ１及び第２スイッチングトランジスタＳＷ２が、オン(oｎ)になると、図４Ａのように、前記第１駆動トランジスタＭ１は、ダイオードとして動作され、前記第１駆動トランジスタＭ１のデータ電流Ｉdataを利用して、 前記第２駆動トランジスタＭ２に印加される電流ＩOLEDを調節することができる。
【００１８】
例えば、前記第１駆動トランジスタＭ１及び第２駆動トランジスタＭ２のミラーの比ＭＲが５：１の場合、ホワイトカラーを表示するため、前記有機電界発光素子Ｅに、１μＡの電流が必要だとすると、前記第１駆動トランジスタＭ１を通じて、５μＡの電流をシンクすると、前記第２駆動トランジスタＭ２を通じて、１μＡの電流を有機電界発光素子Ｅに印加することができる。このような駆動を行う画素構造は、図４Ｂのように、オフ時、電流シンク方式であるために、接する画素の素子の特性とは関係なしに、前記第１駆動トランジスタＭ１のゲート電圧Ｖｇ_ｍ１及び第２駆動トランジスタＭ２のゲート電圧Ｖｇ_ｍ２が同じく生成されるので、画質の不均一現象が改善される特徴がある。前記データが、プログラムされる間に、貯蔵キャパシターＣstに充電されたデータ電圧を利用して、前記第１スイッチングトランジスタSW１及び第２スイッチングトランジスタSW２が、オフ(off)された後にも、１フレームの間、データの値を維持することができる。
【００１９】
ところが、前述したような第１従来技術の画素構造は、図５のように例示された寄生キャパシタンスＣ１、Ｃ２の影響を受けて、前記第１スイッチングトランジスタＳＷ１及び第２スイッチングトランジスタＳＷ２のオフ以後にも、各々下記の式(１)と式(２)に計算されたΔＩｐくらいの電流キックバック現象を発生され、画面にストライプ現象を誘発させる。
式(１)  
【数１】
2005316380.tif 000003
式(２)  
【数２】
2005316380.tif 000004
【００２０】
ここで、前記Ｃ１は、第１駆動トランジスタＭ１、第２駆動トランジスタＭ２のゲート端子と、第１スイッチングトランジスタＳＷ１間に発生される寄生キャパシタンスであって、Ｃ２は、第１駆動トランジスタＭ１、第２駆動トランジスタＭ２のゲート端子と、第２スイッチングトランジスタＳＷ２間に発生される寄生キャパシタンスである。また、ΔＩ１及びΔＩ２は、前記Ｃ１とＣ２に印加される電流である。
【００２１】
前述したように発生される寄生キャパシタンスＣ１、Ｃ２によるキックバック電圧ΔＶｐ１、ΔＶｐ２による全体の電圧の降下は、図６のシミュレーショングラフのように、第２スイッチングトランジスタＳＷ２及び第１スイッチングトランジスタＳＷ１の順序的なオフによって、「Ａ」と「Ｂ」部分に、電流の降下を発生される。この時、前記「Ａ」と「Ｂ」を通じた全体のキックバックの大きさΔＩｐは、約２７.１％に当たる。
【００２２】
図７は、電流駆動型４−ＴＦＴ／１−ＣＡＰ構造の有機ＥＬディスプレー装置の画素を示した回路図である。前述した図２の画素構造と同じ構成要素は、同じ図面の符号を利用する。
【００２３】
図示された画素構造を察すると、データ配線Ｄ、電源電圧ＶＤＤ、前記電源電圧ＶＤＤを受けて、第１駆動トランジスタＭ１及び第２駆動トランジスタＭ２、前記第２駆動トランジスタＭ２に連結される有機電界発光素子Ｅ、データが入力される第１スイッチングトランジスタＳＷ１、前記第１スイッチングトランジスタＳＷ１及び第１駆動トランジスタＭ１とに連結された第２スイッチングトランジスタＳＷ２、前記第１スイッチングトランジスタＳＷ１及び第２スイッチングトランジスタＳＷ２へスキャン信号を供給する第１スキャン配線Ｓｃ１及び第２スキャン配線Ｓｃ２、前記電源電圧ＶＤＤと第２スイッチングトランジスタＳＷ２間に構成されて、前記第２駆動トランジスタM２のゲート端子に信号を供給する貯蔵キャパシターＣstとで構成される。
【００２４】
ここで、前記第１スイッチングトランジスタＳＷ１及び第２スイッチングトランジスタＳＷ２は、ＰＭＯＳ素子であって、また、第１駆動トランジスタＭ１及び第２駆動トランジスタＭ２も、ＰＭＯＳ素子である。 第１駆動トランジスタＭ１及び第２駆動トランジスタＭ２も、電流シンク方式であって、前記有機電界発光素子Ｅは、アノード＋端子は、前記第２駆動トランジスタＭ２に連結される。
【００２５】
前記画素構造の特徴は、前記第２駆動トランジスタＭ２と、そのミラートランジスタである第１トランジスタＭ１のミラーの比ＭＲによって、前記有機電界発光素子Ｅに印加されるデータの値に対する電流が制御される。
【００２６】
前述したような構成で、動作を図８スキャン信号のタイミング図と、図９Ａ及び図９Ｂのオン(ｏｎ)オフ(ｏｆｆ)時の回路図を利用して察する。
【００２７】
先ず、図８のタイミング図のように、スキャン信号が各々スキャン配線Ｓｃ１、スキャン配線Ｓｃ２に入力される。この時、前記構造も、電流シンク方式であるので、図９Ａのように、第１スイッチングトランジスタ及び第２スイッチングトランジスタのオン(ｏｎ)駆動にも、第１駆動トランジスタＭ１のゲート電圧Ｖｇ_ｍ１及び第２駆動トランジスタＭ２のゲート電圧Ｖｇ_ｍ２が同じく形成される。従って、前記図７のような構造は、画質の不均一が解決できる構造である。
【００２８】
ところが、図９Ｂのように、前記第１スイッチングトランジスタＳＷ１及び第２スイッチングトランジスタＳＷ２がオフになると、前記図２に示した第１従来技術の画素構造では、第１駆動トランジスタＭ１及び第２駆動トランジスタＭ２のゲート電圧が同じであることに比べて、図７に示した第２従来技術の画素構造では、第１駆動トランジスタＭ１及び第２駆動トランジスタＭ２のゲート電圧が、相互に異なるように出力される。
【００２９】
これによって、前記第１駆動トランジスタＭ１及び第２駆動トランジスタＭ２が受けるストレスの程度が異なり、駆動によって、素子の特性が変わる。
【００３０】
すなわち、前記第１スイッチングトランジスタＳＷ１及び第２スイッチングトランジスタＳＷ２のオフ駆動時、前記第２駆動トランジスタＭ２のゲート電圧Ｖｇ_ｍ２は、入力されるデータＤに当たる電圧が入力されて、前記第１駆動トランジスタＭ１のゲート電圧Ｖｇ_ｍ１は、前記第１スイッチングトランジスタＳＷ１及び第２スイッチングトランジスタＳＷ２のオフ駆動にも、持続的にダイオードコネクションの形成によって、電源電圧ＶＤＤと第１駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ_ｍ１ほどのゲート電圧が形成される。
【００３１】
従って、前述した図２の第１従来技術では、前記第１駆動トランジスタＭ１及び第２駆動トランジスタＭ２の特性が同じ場合、各画素の画質の不均一現象が改善されることに比べて、図７の第２従来技術による画素構造では、前記第１スイッチングトランジスタＳＷ１及び第２スイッチングトランジスタＳＷ２のオフ時、前記第１駆動トランジスタＭ１及び第２駆動トランジスタＭ２が受けるストレスが異なることによる動作の特性の差によって、画質の不均一現象の改善の程度が、第１従来技術の画素構造に比べて、不十分である。
【００３２】
これは、図１０に示したように、第２スイッチングトランジスタＳＷ２のオフ駆動で、式(３)のように寄生キャパシタンスＣ３が発生されて、前記寄生キャパシタンスＣ３によって発生するキックバック現象による有機電界発光素子Ｅに致す電流の影響を、図１１のシミュレーショングラフに示している。
式(３)
【数３】
2005316380.tif 000005
【００３３】
ここで、前記Ｃ３は、第２駆動トランジスタＭ２と第２スイッチングトランジスタＳＷ２間に発生する寄生キャパシタンスであって、ΔＩ３は、Ｃ３に印加された電流である。
【００３４】
この時、図１１に示したように、全体のキックバックΔＩｐは、約６.１％に達する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３５】
前述した第１従来技術の画素構造の短所であるキックバック現象を改善して、第２従来技術による画素構造の短所である駆動トランジスタの不均等なストレスの程度に基づく画質の不均等の問題を改善した折衷型の電流駆動型の有機電界発光素子の画素構造を提示する。
【課題を解決するための手段】
【００３６】
前述した目的を達成するため、本発明の有機電界発光ディスプレー装置は、第１信号によって駆動される第１スイッチング素子と、第１信号とは異なる第２信号によって駆動される第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子と；電源電圧配線、貯蔵キャパシタンス及び前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子、第３スイッチング素子とに連結される第１駆動素子と；前記電源電圧配線、前記貯蔵キャパシタンス、有機発光ダイオード及び第３スイッチング素子とに連結される第２駆動素子を含み、第１スイッチング素子、第２スイッチング素子、第３スイッチング素子は、相互に直列に連結されることを特徴とする。
【００３７】
前記有機電界発光ディスプレー装置は、前記第１スイッチング素子は、前記第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子が駆動を止めた以後に、駆動を止めることを特徴とする。前記第１駆動素子及び第２駆動素子は、ＰＭＯＳトランジスタである。また、前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子は、ＰＭＯＳトランジスタである。
【００３８】
さらに、前記有機電界発光ディスプレー装置は、第１駆動素子及び第２駆動素子は、ＮＭＯＳトランジスタであって、前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子も、ＮＭＯＳトランジスタである。
【００３９】
前記有機電界発光ディスプレー装置において、前記第３スイッチング素子の出力信号は、前記第２駆動素子のゲートへ流れ込むことを特徴とする。記第１駆動信号のゲートは、前記第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子の連結点に連結されている。前記第１駆動素子及び第２駆動素子は、電流ミラー回路を構成する。前記第１スイッチング素子は、データ信号配線に連結されている。前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子が駆動を止めた時、前記第１駆動素子のゲート電圧は、前記第２駆動素子のゲート電圧と同じになる。また、前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子が駆動を止めた時、前記第１駆動素子のゲートは、電気的信号を受けることができない。
【００４０】
前述した目的を達成するために、本発明の有機電界発光ダイオードは、電源電圧配線及びデータ配線と；前記電源電圧配線に連結された第１駆動トランジスタと；前記電源電圧配線に連結された第２駆動トランジスタと；前記第２駆動トランジスタに連結された有機電界発光ダイオードと；前記でデータ配線に連結された第１スイッチングトランジスタと；前記第１スイッチングトランジスタ及び第１駆動トランジスタとに連結される第２スイッチングトランジスタと；前記第２スイッチングトランジスタと第１駆動トランジスタ及び第２駆動トランジスタとに連結される第３スイッチングトランジスタと；前記電源電圧配線と第３スイッチングトランジスタ間に構成される貯蔵キャパシタンスと；前記第１スイッチングトランジスタに連結される第１スキャン配線と；前記第２スイッチングトランジスタ及び第３スイッチングトランジスタとに連結される第２スキャン配線を含む画素構造である。
【００４１】
前記有機電界発光ディスプレー装置は、前記第１スイッチングトランジスタは、前記第２スイッチングトランジスタ及び第３スイッチングトランジスタが駆動を止めた以後に、駆動を止めることを特徴とする。前記第１駆動トランジスタ及び第２駆動トランジスタは、ＰＭＯＳトランジスタであって、前記第１スイッチングトランジスタ、第２スイッチングトランジスタ及び第３スイッチングトランジスタは、ＰＭＯＳトランジスタである。前記第２スイッチングトランジスタの応答出力は、前記第１駆動トランジスタのゲートに入力される。前記第３スイッチングトランジスタの応答出力は、前記第２駆動トランジスタのゲート端子に入力される。前記第１駆動トランジスタ及び第２駆動トランジスタは、電流ミラー回路を構成する。前記第１スイッチングトランジスタ、第２スイッチングトランジスタ及び第３スイッチングトランジスタが駆動を止めた時、前記第１駆動トランジスタのゲートは、電気的信号を受けることができない。
【００４２】
以下、添付された図面を参照して、本発明による電流駆動型の有機電界発光ディスプレー装置とその駆動を説明する。
【発明の効果】
【００４３】
本発明による電流駆動型の有機電界発光ディスプレー装置の画素構造は、従来の画素構造で発生する駆動トランジスタのストレスの特性による画質の不均一の問題と、スイッチングトランジスタのオフ駆動で発生されるキックバック現象を同時に改善する特徴がある。
【００４４】
これは、電流駆動型の有機電界発光素子の安定な駆動を誘導して、これによる画質の改善効果を導出する長所がある。
【実施例】
【００４５】
図１２は、本発明による有機電界発光ディスプレー装置の画素構造を示した図であって、その構成において、電源電圧ＶＤＤと電流ミラー回路であって、前記電源電圧ＶＤＤを受けた第１駆動トランジスタＭＴ１及び第２駆動トランジスタＭＴ２と、前記第２駆動トランジスタＭＴ２に連結された有機電界発光素子ＯＬＥＤと、データを出力するデータ配線Ｄと、前記データ配線Ｄに連結されデータを受けた第１スイッチングトランジスタＳＷＴ１と、前記第１スイッチングトランジスタＳＷＴ１及び第１駆動トランジスタＭＴ１とに連結される第２スイッチングトランジスタＳＷＴ２と、前記第２スイッチングトランジスタＳＷＴ２と第１駆動トランジスタＭＴ１及び第２駆動トランジスタＭＴ２とに連結される第３スイッチングトランジスタＳＷＴ３と、前記電源電圧ＶＤＤと第３スイッチングトランジスタＳＷＴ３とに連結される貯蔵キャパシタンスＣstと、前記第１スイッチングトランジスタＳＷＴ１に連結される第１スキャン配線Ｓｃ１と、前記第２スイッチングトランジスタＳＷＴ２及び第３スイッチングトランジスタＳＷＴ３とに連結される第２スキャン配線Ｓｃ２とで構成されている。
【００４６】
前記提示した画素の動作を、図１３のタイミング図と図１４Ａ及び図１４Ｂのオン(ｏｎ)オフ(ｏｆｆ)時の回路図を参照して説明する。
【００４７】
前記示した本発明の画素構造は、前述した第１従来技術及び第２従来技術で、各々問題になるキックバック現象と、駆動トランジスタのストレスの差による画質の不均一の問題を解決する方案を提示している。
【００４８】
すなわち、前記図７に示した第２従来技術では、第１駆動トランジスタＭ１のゲート電圧Ｖｇ_ｍ１が、第１スイッチングトランジスタＳＷＴ１及び第２スイッチングトランジスタＳＷＴ２がオフされた後にも、持続的にダイオードコネクションを構成して、第１駆動トランジスタＭ１及び第２駆動トランジスタＭ２間の特性の変化を誘発する問題があった。ところで、本発明では、図１２に示したように、両スイッチングトランジスタ間に、スイッチングトランジスタＳＷＴ２をさらに付加して解決している。すなわち、図１２の本発明の画素構造では、第１スイッチングトランジスタＳＷＴ１及び第３スイッチングトランジスタＳＷＴ３が、既存の画素を構成していたスイッチングトランジスタであって、第２スイッチングトランジスタＳＷＴ２が、さらに新しく構成された素子である。
【００４９】
図１３Ｂに示したように、前記新しく付加された第２スイッチングトランジスタＳＷＴ２と第３スイッチングトランジスタＳＷＴ３は、前記第２スキャン配線Ｓｃ２によって同時にオン／オフ駆動されるので、前記第１駆動トランジスタＭＴ１は、第１スイッチングトランジスタＳＷＴ１、第２スイッチングトランジスタＳＷＴ２、第３スイッチングトランジスタＳＷＴ３が、オフになっても、持続的にダイオードコネクションを形成しなくなり、 第１駆動トランジスタＭ１及び第２駆動トランジスタＭ２が受けるストレスの程度が、ほとんど同じになって、画質の不均一現象を除去することができる。
【００５０】
図１５は、本発明の画素構造図によって発生される寄生キャパシタンスを説明するための図であって、各スイッチングトランジスタと駆動トランジスタ間に、多数の寄生キャパシタンスが発生する可能があるが、キックバック現象に、最も影響を与える代表とする寄生キャパシタンスだけを示している。
【００５１】
図示された寄生キャパシタンスＣ４は、第３スイッチングトランジスタＳＷＴ３のオフ駆動時、第３スイッチングトランジスタＳＷＴ３のゲート端子と第２駆動トランジスタＭＴ２間に発生して、これによるキックバック電流の大きさは、下記の式(４)のように計算される。
式(４)   
【数４】
2005316380.tif 000006
【００５２】
ここで、前記Ｃ４は、第２駆動トランジスタＭＴ２と第３スイッチングトランジスタＳＷＴ３間に発生する寄生キャパシタンスであって、ΔＩ４は、Ｃ４に印加された電流、すなわち、前記第２駆動トランジスタＭＴ２のゲート端子と第３スイッチングトランジスタＳＷＴ３間に印加された電流である。
【００５３】
前述したように構成された本発明による電流駆動型の有機電界発光ディスプレー装置の画素構造の駆動の結果を、図１６のシミュレーション結果グラフで示している。
【００５４】
グラフに示したように、第２スイッチングトランジスタＳＷＴ２及び第３スイッチングトランジスタＳＷＴ３のオフ駆動時に、キックバック現象が発生して(「Ａ」サークル部分)、第１スイッチングトランジスタＳＷＴ１のオフ駆動では、キックバック現象が発生しない(「Ｂ」サークル部分)。
【００５５】
この時、発生するキックバック電流は、全体電流の約８.３％程度の、前述した第２従来技術のキックバック量と、類似な特性を示している。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】従来のアクティブマトリックス有機ＥＬディスプレー装置の構造を示した図である。
【図２】第１従来技術による電流駆動型４−ＴＦＴ／１−ＣＡＰ構造の有機ＥＬディスプレー装置の画素を示した回路図である。
【図３】図２の画素構造のスキャン配線の駆動信号を示したタイミング図である。
【図４Ａ】図２の画素構造で、スイッチングトランジスタのオン駆動時の等価回路を示した図である。
【図４Ｂ】図２の画素構造で、スイッチングトランジスタのオフ駆動時の等価回路を示した図である。
【図５】図２の画素構造の駆動で発生する寄生キャパシタンスを示した図である。
【図６】図２の画素構造で発生するキックバック現象を表すシミュレーショングラフである。
【図７】第２従来技術による電流駆動型４−ＴＦＴ／１−ＣＡＰ構造の有機ＥＬディスプレー装置の画素を示した図である。
【図８】図７の画素構造のスキャン配線の駆動信号を示したタイミング図である。
【図９Ａ】図７の画素構造で、スイッチングトランジスタのオン駆動時の等価回路を示した図である。
【図９Ｂ】図７の画素構造で、スイッチングトランジスタのオフ駆動時の等価回路を示した図である。
【図１０】図７の画素構造の駆動で発生する寄生キャパシタンスを示した図である。
【図１１】図７の画素構造で発生するキックバック現象を表すシミュレーショングラフである。
【図１２】本発明のよる有機電界発光ディスプレー装置の画素構造を示した図である。
【図１３】図１２の画素構造のスキャン配線の駆動信号を示したタイミング図である。
【図１４Ａ】本発明のよる有機電界発光ディスプレー装置の画素構造で、スイッチングトランジスタのオン駆動時の等価回路を示した図である。
【図１４Ｂ】本発明のよる有機電界発光ディスプレー装置の画素構造で、スイッチングトランジスタのオフ駆動時の等価回路を示した図である。
【図１５】本発明のよる有機電界発光ディスプレー装置の画素構造によって発生される寄生キャパシタンスを説明するための図である。
【図１６】本発明のよる有機電界発光ディスプレー装置の画素構造で発生するキックバック現象を表すシミュレーショングラフである。
【符号の説明】
【００５７】
Ｄ：データ配線                
ＶＤＤ：電源電圧
ＳＷＴ１：第１スイッチングトランジスタ
ＳＷＴ２：第２スイッチングトランジスタ
ＳＷＴ３：第３スイッチングトランジスタ
ＭＴ１：第１駆動トランジスタ
ＭＴ２：第２駆動トランジスタ
Ｅ：有機電界発光素子
Ｃst：貯蔵キャパシター
Ｓｃ１：第１スキャン配線
Ｓｃ２：第２スキャン配線
【図１】
2005316380.tif 000007
【図２】
2005316380.tif 000008
【図３】
2005316380.tif 000009
【図４Ａ】
2005316380.tif 000010
【図４Ｂ】
2005316380.tif 000011
【図５】
2005316380.tif 000012
【図７】
2005316380.tif 000013
【図８】
2005316380.tif 000014
【図９Ａ】
2005316380.tif 000015
【図９Ｂ】
2005316380.tif 000016
【図１０】
2005316380.tif 000017
【図１２】
2005316380.tif 000018
【図１３】
2005316380.tif 000019
【図１４Ａ】
2005316380.tif 000020
【図１４Ｂ】
2005316380.tif 000021
【図１５】
2005316380.tif 000022
【図６】
2005316380.tif 000023
【図１１】
2005316380.tif 000024
【図１６】
2005316380.tif 000025