(57)【要約】【課題】  γ補正を加えた多階調表現を実現させるにあたり、発光素子の点灯時間率を低下させることのない発光制御を実現し、発光素子の寿命を延命させることができる表示パネルの駆動装置および駆動方法を提供すること。【解決手段】  １つの画素２０を構成するＥＬ素子Ｅ1 は、２つのデータ書き込みトランジスタＴr12 ，Ｔr13 および駆動トランジスタＴr11 によって点灯駆動される。前記データ書き込みトランジスタＴr12 ，Ｔr13 は交互にオン動作されて、γ補正カーブに基づいた点灯期間ごとに駆動トランジスタＴr11 のゲート電位が書き換えられる。発光素子の１フレームにおける点灯時間率を向上させることができるので、発光素子の駆動電流を低減させることができ、結果として素子の発光寿命をより延命させることに寄与できる。【選択図】      図７
2005077812.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデータ線および複数の走査線の交差位置に配され、それぞれに点灯駆動トランジスタを介して発光制御される複数の発光素子を備えたアクティブマトリクス型発光表示パネルの駆動装置であって、
前記点灯駆動トランジスタのゲート電位を制御するための複数のデータ書き込みトランジスタと、前記各データ書き込みトランジスタによって順次書き込まれる点灯駆動トランジスタのゲート電位を、その都度書き換えて保持するキャパシタとを備えたことを特徴とする発光表示パネルの駆動装置。
【請求項２】
前記各データ書き込みトランジスタのドレインが、それぞれ点灯駆動トランジスタのゲートに接続され、前記各データ書き込みトランジスタのそれぞれのソースには、映像信号に対応したデータ信号が供給されるように構成したことを特徴とする請求項１に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項３】
単位フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割し、前記サブフレーム期間の開始ごとに前記各データ書き込みトランジスタのそれぞれのゲートに対して択一的に順次オン電圧が供給されるように構成したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項４】
前記発光素子は、有機化合物を発光層に用いた有機ＥＬ素子により構成したことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項５】
複数のデータ線および複数の走査線の交差位置に配され、少なくともそれぞれに点灯駆動トランジスタを介して発光制御される複数の発光素子を備えたアクティブマトリクス型発光表示パネルの駆動方法であって、
単位フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割し、前記各サブフレーム期間に対応して、前記点灯駆動トランジスタのゲート電位を制御するための複数のデータ書き込みトランジスタを択一的に順次オン動作させることを特徴とする発光表示パネルの駆動方法。
【請求項６】
各データ書き込みトランジスタによりもたらされる前記点灯駆動トランジスタのゲート電位をその都度書き換えつつ、前記発光素子を点灯駆動することを特徴とする請求項５に記載の表示パネルの駆動方法。
【請求項７】
前記サブフレーム期間が、γ補正カーブに基づいた点灯時間に設定されていることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の発光表示パネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、画素を構成する発光素子を、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）によってアクティブ駆動させる表示パネルの駆動装置に関し、特に前記発光素子の点灯時間率（発光デューティ比）を低下させることなく、γ補正カーブにしたがった階調表現を実現できるようにした発光表示パネルの駆動装置および駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子をマトリクス状に配列して構成される表示パネルを用いたディスプレイの開発が広く進められている。このような表示パネルに用いられる発光素子として、例えば有機材料を発光層に用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子が注目されており、既に一部の製品において実用化されている。これはＥＬ素子の発光層に、良好な発光特性を期待することができる有機化合物を使用することによって、実用に耐えうる高効率化および長寿命化が進んだことも背景にある。
【０００３】
かかる有機ＥＬ素子を用いた表示パネルとして、ＥＬ素子を単にマトリクス状に配列したパッシブマトリクス型表示パネルと、マトリクス状に配列したＥＬ素子の各々に、例えばＴＦＴからなる能動素子を加えたアクティブマトリクス型表示パネルが提案されている。後者のアクティブマトリクス型表示パネルは、前者のパッシブマトリクス型表示パネルに比べて、低消費電力化を実現することができ、また画素間のクロストークが少ない等の特質を備えており、特に大画面を構成する高精細度のディスプレイに適している。
【０００４】
図１は、既に提案されているアクティブマトリクス型表示パネルにおける１つの画素１０に対応する回路構成の一例を示している。なお、この図１に示す画素１０の回路構成は、時分割階調表現を実現する同時消去法（ＳＥＳ＝Simultaneous Erasing Scan ）と呼ばれる点灯駆動方式を採用した例を示している。この画素１０の構成においては、データドライバ１１からの映像信号に対応したデータ信号Ｖdataが、表示パネルに配列されたデータ電極線を介して制御用ＴＦＴ、すなわちデータ書き込みトランジスタ（以下、単に書き込みトランジスタとも言う。）Ｔr2のソースＳに供給されるように構成されている。また、前記書き込みトランジスタＴr2のゲートＧには、走査ドライバ１２から走査電極線を介して走査信号Selectが供給されるように構成されている。
【０００５】
前記書き込みトランジスタＴr2のドレインＤは、点灯駆動用ＴＦＴ、すなわち点灯駆動トランジスタＴr1（以下、単に駆動トランジスタとも言う。）のゲートＧに接続されると共に、電荷保持用キャパシタＣ1 の一方の端子に接続されている。また、駆動トランジスタＴr1のソースＳは、前記キャパシタＣ1 の他方の端子に接続されると共に、駆動電源Ｖccに接続されている。さらに、駆動トランジスタＴr1のドレインＤは、発光素子としての有機ＥＬ素子Ｅ1 のアノード端子に接続され、この有機ＥＬ素子Ｅ1 のカソード端子は、基準電位点（グランド）に接続されている。
【０００６】
さらに、消去用ＴＦＴとしての消去トランジスタＴr3のゲートには、消去信号線を介して消去ドライバ１３より消去信号Erase が供給されるように構成されている。そして、消去トランジスタＴr3のソースＳおよびドレインＤには、前記キャパシタＣ1 の各端部がそれぞれ接続されている。なお、図１に示す画素１０においては、駆動トランジスタＴr1のみがｐチャンネル型ＴＦＴにより構成され、他はｎチャンネル型ＴＦＴにより構成されている。そして、前記した構成の画素１０は、行および列方向にマトリクス状に多数配列されて表示パネルが構成されている。
【０００７】
図１に示した画素１０の構成において、制御トランジスタＴr2のゲートには、アドレス期間において走査ドライバ１２より走査信号としてのオン電圧Selectが供給される。これにより、制御トランジスタＴr2のソース・ドレインを介して、データドライバ１１から供給されるデータ信号Ｖdataに対応した電流をキャパシタＣ1 に流し、これによりキャパシタＣ1 は充電される。そして、その充電電圧が駆動トランジスタＴr1のゲートに供給されて、トランジスタＴr1はそのゲート電圧と、ドレインに供給される駆動電源Ｖccに対応した電流を、ＥＬ素子Ｅ1 に流し、これによりＥＬ素子Ｅ1 は発光する。
【０００８】
そして、制御トランジスタＴr2のゲート電圧がオフ電圧になると、トランジスタＴr2はいわゆるカットオフとなる。しかしながら、キャパシタＣ1 に蓄積された電荷により駆動トランジスタＴr1のゲート電圧が保持され、これによりＥＬ素子Ｅ1 への駆動電流が維持される。したがって、ＥＬ素子Ｅ1 は次のアドレス動作に至る期間（例えば、１フレーム期間）において、前記データ信号Ｖdataに対応した点灯状態を継続することができる。
【０００９】
一方、前記ＥＬ素子Ｅ1 の点灯期間の途中（例えば、１フレーム期間の途中）において、前記消去ドライバ１３より消去トランジスタＴr3をオンさせる消去信号Erase が供給される。これにより、キャパシタＣ1 にチャージされている電荷を瞬時にして消去（放電）させることができる。この結果、駆動トランジスタＴr1はカットオフ状態となり、ＥＬ素子Ｅ1 は直ちに消灯される。換言すれば、消去ドライバ１３からのゲートオン電圧の出力タイミングを制御することで、ＥＬ素子Ｅ1 の点灯期間が制御され、これにより多階調表現を実現することができる。
【００１０】
前記した消去トランジスタＴr3を具備することで、多階調表現を実現するようにした画素の回路構成は、例えば次に示す特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００１−４２８２２号公報（段落００２４、図７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、前記特許文献１に示された図１に示す画素の構成において、多階調表現を実現させようとする場合においては、図２（ａ）に示すように単位フレーム、例えば１フレーム期間を１５のサブフレームに分割し、１フレーム期間におけるサブフレームの点灯数を制御することで、１６の階調表現（１００％非点灯も１つの階調と見なした場合には、１５＋１の階調表現）を実現するようにしている。すなわち、階調を例えば“１０”に設定する場合には、図２（ａ）に示す１フレーム期間における１〜１０のサブフレーム期間においてＥＬ素子を点灯制御させると共に、１１番目のサブフレームの到来時において、図１に示す消去トランジスタＴr3をオン動作させて、残りのフレーム期間においてはＥＬ素子を消灯させるように制御する。
【００１２】
前記した階調制御は、重み無しサブフレーム方式と呼ばれるものであり、階調と発光輝度の関係がほぼリニアー（γ＝１）になされる場合を示している。しかしながら、理想的な階調と輝度特性は、γ（視感度）＝１．８〜２．２程度のγ補正カーブに基づくものであると言われている。すなわち、図３に示すように低階調側においては階調間の輝度差を小さく、高階調側においては輝度差を大きくすることが必要になる。なお、図３においては輝度値が“０”の状態を階調“０”として、計１６階調になされたγ補正カーブが示されている。
【００１３】
そこで、図１に示す画素構成において、例えばγ＝２．０程度の多階調表現を実現させようとする場合には、それぞれのサブフレーム期間を図２（ｂ）に示すように、点灯および非点灯期間にさらに分割し、各ＥＬ素子を点灯駆動させる操作が必要となる。すなわち、低階調側（図２の数値１，２，３……側）においては、それぞれのサブフレーム期間においてのＥＬ素子の点灯期間の割合を小さく、また、高階調側（図２の数値……１３，１４，１５側）においては、それぞれのサブフレーム期間においてのＥＬ素子の点灯期間の割合が大きくなるように設定された点灯駆動制御が必要になる。
【００１４】
図４は前記したγ補正カーブによる多階調表現を実現させるにあたり、図１に示した３トランジスタ構成の画素に対応させて発生させる書き込みゲート信号（ＷＧ）のスタートタイミングと、消去ゲート信号（ＥＧ）のスタートタイミングを示したものである。ここで、図４（ａ）はすでに説明した図２（ｂ）に示す階調に応じたサブフレームごとのＥＬ素子の点灯期間を示すものである。そして、図４（ｂ）は各サブフレームごとにおいて、書き込みトランジスタＴr2のゲートにオン電圧（Select）を与えるタイミング（前記ＷＧ）を示している。また、図４（ｃ）は各サブフレームごとにおいて、消去トランジスタＴr3のゲートにオン電圧（Erase ）を与えるタイミング（前記ＥＧ）を示している。
【００１５】
ここで、例えば階調“１５”を表現しようとした場合には、１フレーム期間において、ＥＬ素子は図４（ａ）に示す一連の発光パターンの点滅動作が実行される。これを実現させるために、書き込みトランジスタＴr2のゲートにオン電圧（Select）を与えるタイミング信号として図４（ｂ）に示された前記ＷＧが用いられ、消去トランジスタＴr3のゲートにオン電圧（Erase ）を与えるタイミング信号として図４（ｃ）に示された前記ＥＧが用いられる。
【００１６】
図４（ｃ）として示す消去ゲート信号（ＥＧ）のスタートタイミング信号は、一例として図５に示す構成によって生成される。すなわち、図５における符号１６は論理演算ユニットを、符号１７はサブフレームカウンタを、さらに符号１８はγテーブルを示している。この構成において、γテーブル１８には、各サブフレームごとに階調に対応した点灯時間がパラメータとして格納されている。
【００１７】
そして、サブフレームカウンタ１７より、点灯制御されるべきサブフレームナンバーが論理演算ユニット１６に供給された場合、論理演算ユニット１６はγテーブル１８をアクセスし、サブフレームナンバーに対応して格納されている点灯時間のパラメータに基づいて、消去ゲート信号（ＥＧ）のスタートタイミング信号を出力するようになされる。
【００１８】
図６は、以上説明した消去トランジスタを含む発光画素を、γ補正カーブによる多階調表現により点灯駆動させる場合の制御態様を示しており、図６においては縦方向に時間が経過する状態で示している。なお、図６においては一例として、Ｎフレーム目のサブフレーム９からサブフレーム８に移る場合の点灯制御の態様を示している。
【００１９】
図６に示すように前記した書き込みゲート信号（ＷＧ）の発生により、例えばＮフレーム目のサブフレーム９の画像に対応して各発光画素は点灯駆動される。この時の書き込みゲート信号を図６においては、便宜上ＷＧ９として示している。そして、前記サブフレーム９のγ補正カーブによる階調に対応した時間の経過後に消去ゲート信号（ＥＧ）が発生し、これにより前記サブフレーム９の残りの時間は、消去されて不点灯になされる。この時の消去ゲート信号を図６においては、便宜上ＥＧ９として示している。
【００２０】
一方、前記したサブフレーム９の画像に対応した点灯駆動動作に引き続き、サブフレーム８の画像に対応して各発光画素は点灯駆動される。この時の書き込みゲート信号を図６においては、便宜上ＷＧ８として示している。そして、前記サブフレーム８のγ補正カーブによる階調に対応した時間の経過後に消去ゲート信号（ＥＧ）が発生し、これにより前記サブフレーム８の残りの時間は、消去されて不点灯になされる。この時の消去ゲート信号を図６においては、便宜上ＥＧ８として示している。
【００２１】
図６に例示したように、従来の消去トランジスタを含む発光画素を、γ補正カーブによる多階調表現により点灯駆動させる場合においては、サブフレームの期間に、発光素子の非点灯状態が頻繁に出現することになり、これにより全体として（例えば１フレームの期間において）は、発光素子の非点灯の時間が長くなり、発光素子の点灯時間率（発光デューティ比）を低下させる結果となっている。
【００２２】
換言すれば、前記したγ補正を施すことにより発光素子の点灯時間率を大幅に低下させることになる。これにもかかわらず、所定の発光輝度特性を得ようとする場合には、発光素子の瞬間発光輝度を上昇させるべく、発光素子の駆動電流値を上昇させなければならず、これにより有機ＥＬ素子に代表される前記発光素子の寿命を短縮させる結果を招くこととなる。
【００２３】
この発明は、前記した技術的な問題点に着目してなされたものであり、γ補正を加えた多階調表現を実現させるにあたり、発光素子の点灯時間率を大幅に低下させることのない発光制御を実現し、結果として発光素子の発光寿命を短縮させる等の問題を回避することができる発光表示パネルの駆動装置および駆動方法を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかる駆動装置は、請求項１に記載のとおり、複数のデータ線および複数の走査線の交差位置に配され、それぞれに点灯駆動トランジスタを介して発光制御される複数の発光素子を備えたアクティブマトリクス型発光表示パネルの駆動装置であって、前記点灯駆動トランジスタのゲート電位を制御するための複数のデータ書き込みトランジスタと、前記各データ書き込みトランジスタによって順次書き込まれる点灯駆動トランジスタのゲート電位を、その都度書き換えて保持するキャパシタとを備えた点に特徴を有する。
【００２５】
一方、前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる駆動方法は、請求項５に記載のとおり、複数のデータ線および複数の走査線の交差位置に配され、少なくともそれぞれに点灯駆動トランジスタを介して発光制御される複数の発光素子を備えたアクティブマトリクス型発光表示パネルの駆動方法であって、単位フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割し、前記各サブフレーム期間に対応して、前記点灯駆動トランジスタのゲート電位を制御するための複数のデータ書き込みトランジスタを択一的に順次オン動作させる点に特徴を有する。この場合、請求項７に記載のとおり、前記サブフレーム期間は、γ補正カーブに基づいた点灯時間に設定されていることが望ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、この発明にかかる発光表示パネルの駆動装置について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。図７はこの発明にかかる駆動装置および駆動方法を好適に採用し得る３ＴＦＴ方式の画素の構成例を示したものである。この図７に示す画素２０の構成においては、第１と第２のデータ書き込みトランジスタＴr12 ，Ｔr13 が備えられている。
【００２７】
すなわち、第１のデータ書き込みトランジスタＴr12 のソースＳはデータラインを介して第１データドライバ２１に接続され、当該トランジスタＴr12 のゲートＧは走査ラインを介して第１走査ドライバ２３に接続されている。また、第２のデータ書き込みトランジスタＴr13 のソースＳはデータラインを介して第２データドライバ２２に接続され、当該トランジスタＴr13 のゲートＧは走査ラインを介して第２走査ドライバ２４に接続されている。
【００２８】
そして、第１および第２の書き込みトランジスタＴr12 ，Ｔr13 の各ドレインＤは共通接続されて、点灯駆動トランジスタＴr11 のゲートＧに接続されると共に、電荷保持用キャパシタＣ1 の一方の端子に接続されている。また、点灯駆動トランジスタＴr11 のソースＳは、前記キャパシタＣ1 の他方の端子に接続されると共に、動作電源ラインＶccに接続されている。
【００２９】
さらに、駆動トランジスタＴr11 のドレインＤは、発光素子としての有機ＥＬ素子Ｅ1 のアノード端子に接続され、この有機ＥＬ素子Ｅ1 のカソード端子は、基準電位点（グランド）に接続されている。そして、図７に示す画素２０の構成においては、駆動トランジスタＴr11 がｐチャンネル型ＴＦＴで構成され、第１と第２の書き込みトランジスタＴr12 ，Ｔr13 はｎチャンネル型ＴＦＴにより構成されている。
【００３０】
後で詳細に説明するが、図７に示す画素構成によると、第１および第２の書き込みトランジスタＴr12 ，Ｔr13 のゲートに対して第１走査ドライバ２３および第２走査ドライバ２４から交互にゲートオン電圧ＷＧ１，ＷＧ２が供給される。これにより、キャパシタＣ1 への充電電圧を第１データドライバ２１および第２データドライバ２２より供給される映像信号に対応したデータ信号Ｖdata1 ，Ｖdata2 によって順次書き換える（上書きする）ことができる。したがって、点灯駆動トランジスタＴr11 によって駆動されるＥＬ素子Ｅ1 は、前記Ｖdata1 ，Ｖdata2 に対応して連続的に発光させることができる。
【００３１】
図８は図７に示した画素２０を多数配列することにより構成した発光表示パネル３０と、前記した第１、第２データドライバ２１，２２および第１、第２走査ドライバ２３，２４との接続関係を示した模式図である。ここで、図８に示した発光表示パネル３０においては、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の発光色を呈するＥＬ素子をそれぞれに用いた各画素をサブピクセルとし、これら３つのサブピクセルを１組にして単位画素を構成し、この単位画素をマトリクス状に配列することで、フルカラー表示を可能にした表示パネルを示している。
【００３２】
そして前記Ｒ，Ｇ，Ｂの各サブピクセルに対しては、図７に基づいて説明したとおり、それぞれ第１、第２データドライバ２１，２２および第１、第２走査ドライバ２３，２４が接続され、映像データに基づいて個々に点灯動作および後述する階調制御を受けるように作用する。
【００３３】
図９は、前記図７および図８に示した構成を利用し、発光素子としてのＥＬ素子Ｅ1 を点灯駆動させる第１の例をタイミングチャートで示したものである。なお、図９（ａ）はすでに説明した図４（ａ）に示す階調に応じたサブフレームごとのＥＬ素子の点灯期間を示すものである。そして、図９（ｂ）は図７および図８に示す実施の形態によって実行されるＥＬ素子の点灯駆動動作を示している。また、図９（ｃ）および（ｄ）は、図９（ｂ）に示すＥＬ素子の点灯駆動動作を実現させる場合に、前記第１走査ドライバ２３および第２走査ドライバ２４よりもたらされるゲートオン電圧ＷＧ１，ＷＧ２の出力タイミングを示している。
【００３４】
ここで、図９（ｂ）におけるサブフレームナンバーが１５〜７においては、単位フレーム期間である１フレーム期間を、γ補正カーブに基づいたＥＬ素子の点灯期間のみで構成されている。すなわち、図９（ａ）に示されたサブフレームナンバーの１５〜７における点灯期間のみが時間軸に沿って並べられて、それぞれサブフレームを構成している。一方、サブフレームナンバーが６〜１の範囲においては、図９（ａ）に示す各サブフレーム６〜１と同様に点灯および消灯の駆動動作が実行される。したがって、例えば階調“１５”が選択された場合には、図９（ｂ）に示すサブフレームナンバー１５〜１の全てのパターンの点灯動作が実行されることになる。
【００３５】
前記したサブフレームナンバー１５〜７における点灯制御においては、図７に示す第１と第２の書き込みトランジスタＴr12 ，Ｔr13 のゲートに対して、第１走査ドライバ２３および第２走査ドライバ２４から交互にゲートオン電圧が供給される。例えばサブフレームナンバー１５においては、図９（ｃ）にＷＧ１として示すように、第１走査ドライバ２３よりゲートオン電圧が発生し、これにより第１書き込みトランジスタＴr12 がオンされる。したがって、この時の第１データドライバ２１からの映像信号に対応したデータ信号Ｖdata1 によってＥＬ素子は点灯制御がなされる。
【００３６】
続いてサブフレームナンバー１４においては、図９（ｄ）にＷＧ２として示すように、第２走査ドライバ２４よりゲートオン電圧が発生し、これにより第２書き込みトランジスタＴr13 がオンされる。したがって、この時の第２データドライバ２２からの映像信号に対応したデータ信号Ｖdata2 によってＥＬ素子は点灯制御がなされる。
【００３７】
この時、前のサブフレームナンバー１５による映像データに基づいてキャパシタＣ1 にチャージされていた電荷は、サブフレームナンバー１４による映像データに基づくチャージ量に書き換えられる（上書きされる）。そして、この実施の形態においては前記したような書き換え動作は図９（ｂ）に示すサブフレームナンバー７まで継続される。
【００３８】
図１０は、前記した動作を模式的に示したものであり、これはすでに説明した図６と同様に縦方向に時間が経過する状態で示している。なお、図１０においては図６と同様にサブフレーム９から８に移行する部分の動作について示している。すなわち、第１走査ドライバ２３からの第１書き込みゲート信号ＷＧ１の発生により、図１０に示すようにＮフレーム目のサブフレーム９の画像に対応して各発光画素が点灯駆動される。この時、前のサブフレーム１０による映像データは、次のサブフレーム９による映像データに書き換えられる（上書きされる）。
【００３９】
そして、前記サブフレーム９のγ補正カーブに基づいた点灯時間の経過後に、第２走査ドライバ２４より第２書き込みゲート信号ＷＧ２が発生する。したがって、第２書き込みゲート信号ＷＧ２の発生により、Ｎフレーム目のサブフレーム８の映像データに対応して各発光画素は点灯駆動される。このように、図１０に模式的に示したデータの書き換え動作は、前記したとおりサブフレームナンバー７まで継続される。
【００４０】
一方、サブフレームナンバーが６以下においては、この実施の形態においては、図９（ａ）に示す例と同様に１サブフレーム期間は、それぞれ同一（ｔ０）になされ、γ補正カーブに基づいた点灯期間と消灯期間の繰り返しの制御が実行される。これは次の理由によるものである。
【００４１】
すなわち、図９（ａ）に示す点灯制御の場合には、それぞれのサブフレーム期間（ｔ０）は、１走査期間に等しい。しかしながら図９（ｂ）に示す点灯制御の場合には、サブフレームナンバー１４〜７においてはサブフレーム期間は１走査期間に満たない状態となる。そして、サブフレームナンバーが６以下となるの場合においては、図９（ｃ）および（ｄ）にｔ１およびｔ２として示すように、第１および第２の書き込みゲート信号ＷＧ１，ＷＧ２のそれぞれの発生タイミングは１走査期間以下となる。
【００４２】
そして、隣り合うサブフレーム期間の合計時間が１走査期間に満たない状態となる場合においては、次の書き込みゲート信号ＷＧ１，ＷＧ２が間に合わなくなり点灯制御が不能になる。したがって、図９（ｂ）に示す点灯制御を実行するにあたっては、サブフレームナンバーが６以下の場合おいては、図９（ｂ）に示すように、第２書き込みゲート信号ＷＧ２を受けて、第２書き込みトランジスタＴr13 によるデータの書き込み動作が行なわれ、これに続いて、第１書き込みトランジスタＴr12 により非点灯データ（黒のデータ）の書き込みを行なうように制御される。
【００４３】
この場合、前記非点灯のデータとしては、前記した駆動トランジスタＴr11 がカットオフ状態になされるゲート電位をもたらすようになされ、このゲート電位に対応する電圧値が第１データドライバ２１より、第１書き込みトランジスタＴr12 のソースに与えられる。そして、第１書き込みトランジスタＴr12 のオン動作によりキャパシタＣ1 に対して、駆動トランジスタＴr11 がカットオフ状態になされるゲート電位が書き込まれる。これにより、ＥＬ素子Ｅ1 は非点灯状態になされる。このように、サブフレームナンバーが６以下においては、以上の動作の繰り返しにより、ＥＬ素子の点灯動作がなされ、γ補正カーブにしたがった階調制御が実行される。
【００４４】
なお、前記した１サブフレーム期間はクロック信号を可変させて作ることも可能である。この場合においては、図３に示したγ補正カーブからも理解できるとおり、階調間の輝度差が極めて小さいため、これを正確に制御するためには大きな分解能が必要となり、結果として駆動回路の全体の制御を司る前記クロック信号を常に高速化させる必要が生ずる。
【００４５】
このようにクロック信号を高速化させた場合においては、前記ＴＦＴに例えばＣＧ（非晶質）シリコンを用いた回路においては、その動作に限界が生ずるという問題が発生する。また、クロック信号の高速化により、回路の消費電力が大きくなることは免れない。これに対し、サブフレームに応じてクロック信号の周波数を可変させることも考えられるが、このような構成においては回路が複雑化し、回路規模が大きくならざるを得ない。
【００４６】
以上説明した図９（ａ）および（ｂ）の比較で明らかなように、この発明にかかる実施の形態によると、発光素子としてのＥＬ素子の点灯時間率を向上させることができる。換言すれば、発光素子の点灯時間率を向上させることができるので、発光素子の瞬間発光輝度を低下させても、所定の発光輝度特性を得ることができることになる。したがって、有機ＥＬ素子に代表される前記発光素子の駆動電流を低減させることができ、結果として素子の発光寿命をより延命させることに寄与できる。
【００４７】
なお、図９（ｂ）に示す点灯制御によると、例えばサブフレームナンバーが６以下においては、ＥＬ素子を消灯させる操作を伴うことになるために、ＥＬ素子の点灯時間率を向上させる点で、多少の難点が存在すると言わざるを得ない。そこで、図１１にはＥＬ素子の点灯時間率をより向上させることができる点灯制御の態様が示されている。
【００４８】
図１１（ａ）はすでに説明した図４（ａ）に示す階調に応じたサブフレームごとのＥＬ素子の点灯期間を示すものであり、図１１（ｂ）は、前記図７および図８に示した構成を利用し、発光素子としてのＥＬ素子Ｅ1 を点灯駆動させる第２の例をタイミングチャートで示したものである。また、図１１（ｃ）および（ｄ）は、図１１（ｂ）に示すＥＬ素子の点灯駆動動作を実現させる場合に、図７に示す第１走査ドライバ２３および第２走査ドライバ２４よりもたらされるゲートオン電圧ＷＧ１，ＷＧ２の出力タイミングを示している。
【００４９】
この図１１（ｂ）に示した各サブフレームは、図１１（ａ）に示す各サブフレームにおけるＥＬ素子の点灯期間のみを抜き出し、時間軸に沿って並べた構成とされている。しかも、隣り合う２つのサブフレームの時間の合計が、１走査期間（ｔ０）よりも大きくなるように組み合わせてある。この図１１（ｂ）に示す制御態様においても、すでに説明したように第１および第２の書き込みトランジスタＴr12 ，Ｔr13 の交互のオン動作によりキャパシタＣ1 に対するデータの書き換え動作（上書き動作）が行なわれる。
【００５０】
この場合、前記したように隣り合う２つのサブフレームの時間の合計が、１走査期間（ｔ０）よりも大きくなるように組み合わせてあるので、図１１（ｃ）および（ｄ）に示すように、第１および第２の書き込みゲート信号ＷＧ１，ＷＧ２の発生間隔ｔ３およびｔ４は、必ず１走査期間（ｔ０）よりも大きな期間になされる。それ故、図１１（ｂ）に示す点灯制御によると、図９（ｂ）に示した点灯制御のように、一部に非点灯データ（黒のデータ）の書き込み動作を実行させなければならないという問題も解消することができ、ＥＬ素子の点灯時間率を究極的に向上させることができる。
【００５１】
なお、図７に示した実施の形態においては、データ書き込みトランジスタとして２つのＴＦＴを用いて交互にオン動作させるように構成されているが、これは３つ以上のデータ書き込みトランジスタを用意し、順番にオン動作させることでデータを書き込むように構成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】従来のアクティブマトリクス型表示パネルにおける１つの画素に対応する回路構成の一例を示した結線図である。
【図２】従来の多階調表現を実現させる場合における各サブフレームごとの点灯パターンを示したタイミング図である。
【図３】γ補正カーブの一例を示した特性図である。
【図４】γ補正カーブによる多階調表現を実現させる場合の書き込みゲート信号と消去ゲート信号の発生タイミングを示したタイミング図である。
【図５】消去ゲート信号の生成手段を示したブロック図である。
【図６】図１に示す画素構成によってなされる点灯駆動の制御態様を示した模式図である。
【図７】この発明にかかる駆動装置を好適に採用し得る画素構成の例を示した結線図である。
【図８】図７に示した画素を多数配列することにより構成した発光表示パネルと、各ドライバとの接続関係を示した模式図である。
【図９】図７および図８に示した構成を利用し、発光素子を点灯駆動させる第１の例を示したタイミングチャートである。
【図１０】図７に示す画素構成によってなされる点灯駆動の制御態様を示した模式図である。
【図１１】図７および図８に示した構成を利用し、発光素子を点灯駆動させる第２の例を示したタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００５３】
２０    画素
２１    第１データドライバ
２２    第２データドライバ
２３    第１走査ドライバ
２４    第２走査ドライバ
３０    表示パネル
Ｃ1     キャパシタ
Ｅ1     発光素子（ＥＬ素子）
Ｔr11   駆動トランジスタ
Ｔr12   第１データ書き込みトランジスタ
Ｔr13   第２データ書き込みトランジスタ
【図１】
2005077812.tif 000003
【図２】
2005077812.tif 000004
【図３】
2005077812.tif 000005
【図４】
2005077812.tif 000006
【図５】
2005077812.tif 000007
【図６】
2005077812.tif 000008
【図７】
2005077812.tif 000009
【図８】
2005077812.tif 000010
【図９】
2005077812.tif 000011
【図１０】
2005077812.tif 000012
【図１１】
2005077812.tif 000013