(57)【要約】【課題】表面が原子レベルで平坦であって結晶性に優れ、強磁性的性質を自在に制御することができるコバルトドープ二酸化チタン膜を提供する。【解決手段】基板１１上に、二酸化チタン膜１２を形成する。次いで、二酸化チタン膜１２上にコバルトをドープした二酸化チタン膜１３を形成する。【選択図】図１
2005206890.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の基板を準備する工程と、
前記基板上に、二酸化チタン膜を形成する工程と、
前記二酸化チタン膜上にコバルトをドープした二酸化チタン膜を形成する工程と、
を具えることを特徴とする、コバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法。
【請求項２】
前記二酸化チタン膜は、３００℃〜５００℃の温度で形成することを特徴とする、請求項１に記載のコバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法。
【請求項３】
前記二酸化チタン膜の厚さが５ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とする、請求項１又は２に記載のコバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法。
【請求項４】
前記二酸化チタン膜を減圧雰囲気中でアニール処理する工程を具えることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載のコバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法。
【請求項５】
前記アニール処理は５００℃〜１０００℃の温度で行うことを特徴とする、請求項４に記載のコバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法。
【請求項６】
前記コバルトドープ二酸化チタン膜は、３００℃〜５００℃の温度で形成することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一に記載のコバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法。
【請求項７】
前記コバルトドープ二酸化チタン膜は、原子レベルの表面平坦性を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一に記載のコバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法。
【請求項８】
前記コバルトドープ二酸化チタン膜中の酸素欠損量を制御することにより、前記コバルトドープ二酸化チタン膜中のキャリア濃度を制御することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一に記載のコバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法。
【請求項９】
前記コバルトドープ二酸化チタン膜は、そのキャリア濃度に依存した強磁性を呈することを特徴とする、請求項８に記載のコバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法。
【請求項１０】
前記コバルトドープ二酸化チタン膜は、そのキャリア濃度に依存した磁気光学効果を呈することを特徴とする、請求項９に記載のコバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法。
【請求項１１】
前記コバルトドープ二酸化チタン膜は、そのキャリア濃度に依存した異常ホール効果を呈することを特徴とする、請求項９に記載のコバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法。
【請求項１２】
前記基板はサファイア基板であることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一に記載のコバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法。
【請求項１３】
原子レベルの表面平坦性を有することを特徴とする、コバルトドープ二酸化チタン膜。
【請求項１４】
キャリア濃度に依存した強磁性を呈することを特徴とする、コバルトドープ二酸化チタン膜。
【請求項１５】
キャリア濃度に依存した磁気光学効果を呈することを特徴とする、請求項１４に記載のコバルトドープ二酸化チタン膜。
【請求項１６】
キャリア濃度に依存した異常ホール効果を呈することを特徴とする、請求項１４に記載のコバルトドープ二酸化チタン膜。
【請求項１７】
所定の基板と、
前記基板上に形成された二酸化チタン膜と、
前記二酸化チタン膜上に形成されたコバルトドープの二酸化チタン膜と、
を具えることを特徴とする、多層膜構造。
【請求項１８】
前記二酸化チタン膜の厚さが５ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とする、請求項１７に記載の多層膜構造。
【請求項１９】
前記コバルトドープ二酸化チタン膜は、原子レベルの表面平坦性を有することを特徴とする、請求項１７又は１８に記載の多層膜構造。
【請求項２０】
前記コバルトドープ二酸化チタン膜は、そのキャリア濃度に依存した強磁性を呈することを特徴とする、請求項１７〜１９のいずれか一に記載の多層膜構造。
【請求項２１】
前記コバルトドープ二酸化チタン膜は、そのキャリア濃度に依存した磁気光学効果を呈することを特徴とする、請求項２０に記載の多層膜構造。
【請求項２２】
前記コバルトドープ二酸化チタン膜は、そのキャリア濃度に依存した異常ホール効果を呈することを特徴とする、請求項２０に記載の多層膜構造。
【請求項２３】
前記基板はサファイア基板であることを特徴とする、請求項１７〜２２のいずれか一に記載の多層膜構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法、コバルトドープ二酸化チタン膜、及び多層膜構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
コバルトを添加した二酸化チタンは室温で強磁性を示す半導体材料として注目されている。例えば、特開２００２−１４５６２２号公報においては、単結晶基板上に、レーザアブレーション法などを用いることによって、コバルトドープ二酸化チタン膜をエピタキシャル成長させることが記載されている。
【０００３】
しかしながら、このような技術によってコバルトドープ二酸化チタン膜を形成しても、その表面を原子レベルで平坦にすることはできず、結晶性についても十分なものが得られていないのが現状である。また、そのキャリア濃度を制御することができず、その結果、その強磁性的性質の発現及び制御を自在に行うことができず、前記コバルトドープ二酸化チタン膜を実用的なエレクトロニクスデバイスへ適用することは未だ実現することができないでいた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、表面が原子レベルで平坦であって結晶性に優れ、強磁性的性質を自在に制御することができるコバルトドープ二酸化チタン膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成すべく、本発明は、
所定の基板を準備する工程と、
前記基板上に、二酸化チタン膜を形成する工程と、
前記二酸化チタン膜上にコバルトをドープした二酸化チタン膜を形成する工程と、
を具えることを特徴とする、コバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法に関する。
【０００６】
本発明によれば、所定の基板上に目的とするコバルトドープ二酸化チタン膜を直接形成する代わりに、二酸化チタン膜を介して形成するようにしている。この二酸化チタン膜は、前記コバルトドープ二酸化チタン膜に対してバッファ層及び下地層として機能し、その結晶性を向上させることができるとともに、その表面平坦性を原子レベルまで向上させることができるようになる。
【０００７】
また、前記二酸化チタン膜に起因した前記コバルトドープ二酸化チタン膜の結晶性向上などに伴い、前記コバルトドープ二酸化チタン膜形成時における雰囲気中の酸素濃度を適宜制御することによって、前記コバルトドープ二酸化チタン膜中のキャリア濃度を制御することができるようになる。その結果、このキャリア濃度を所定の濃度以上に設定することによって、前記コバルトドープ二酸化チタン膜は強磁性的性質を呈するようになる。
【発明の効果】
【０００８】
以上説明したように、本発明によれば、表面が原子レベルで平坦であって結晶性に優れ、強磁性的性質を自在に制御することができるコバルトドープ二酸化チタン膜を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の詳細、並びにその他の特徴及び利点について、最良の形態に基づいて詳細に説明する。
【００１０】
図１は、本発明の多層膜構造の一例を示す構成図である。図１に示す多層膜構造１０は、所定の基板１１と、この基板１１上に形成された二酸化チタン膜１２と、この二酸化チタン膜１２上に形成されたコバルトドープの二酸化チタン膜１３とを具えている。
【００１１】
基板１１は、例えばイットリウム添加安定化ジルコニア（ＹＳＺ）基板、サファイア基板、二酸化チタン基板、シリコン基板、砒化ガリウム基板、及びマグネシア基板などから構成することができるが、好ましくはサファイア基板から構成する。
【００１２】
二酸化チタン膜１２は、その上に形成された目的とするコバルトドープ二酸化チタン膜１３に対してバッファ層及び下地層の役割を果たす。この目的のため、二酸化チタン膜１２は、３００℃〜５００℃の温度で形成することが好ましく、その厚さは５ｎｍ〜１００ｎｍであることが好ましい。なお、二酸化チタン膜１２は、必要に応じて所定の元素を含むこともできるが、好ましくは特定の目的でドープされる元素を含まないことが好ましい。但し、形成手段や条件などによって必然的に含まれる元素総てを排除するものではない。
【００１３】
なお、二酸化チタン膜１２は、その形成後であってコバルトドープ二酸化チタン膜１３の形成前において、減圧雰囲気下でアニール処理することが好ましい。このアニール処理は例えば５００℃〜１０００℃の温度で行うのが好ましく、前記減圧雰囲気としては、例えば１×１０−４Ｔｏｒｒ以下の雰囲気を採用することが好ましい。
【００１４】
コバルトドープ二酸化チタン膜１３は、基板１１上において上述した二酸化チタン膜１２を介して形成されるため、原子レベルの表面平坦性を得ることができるとともに、その結晶性を十分に向上させることができる。なお、同様の目的から、コバルトドープ二酸化チタン膜１３は、３００℃〜５００℃の温度で形成することが好ましい。
【００１５】
なお、コバルトドープ二酸化チタン膜１３は、レーザアブレーション法など公知の成膜手法を用いて形成することができる。そして、コバルトドープ二酸化チタン膜１３の高結晶性などの基づき、その形成時の雰囲気中における酸素濃度を制御することにより、内部における酸素欠損量を制御することができ、これに基づいてそのキャリア濃度を制御することができる。
【００１６】
コバルトドープ二酸化チタン膜１３は、そのキャリア濃度に依存して強磁性的性質を呈し、この強磁性的性質に基づいて種々の特性を呈するようになる。
【実施例】
【００１７】
（実施例１）
（１０−１２）サファイア基板上に、このサファイア基板を７００℃に加熱するとともに、酸素分圧１×１０−４Ｔｏｒｒにおいてノンドープ二酸化チタン膜を厚さ５ｎｍに形成した。その後、前記ノンドープ二酸化チタン膜を１×１０−４Ｔｏｒｒの減圧下に配置し、１０００℃で１時間のアニール処理を実施した。次いで、前記ノンドープ二酸化チタン膜上にコバルトドープ二酸化チタン膜を酸素分圧１×１０−６Ｔｏｒｒの雰囲気下で、厚さ１００ｎｍに形成した。なお、いずれの二酸化チタン膜もレーザアブレーション法を用いて形成した。
【００１８】
図２（ａ）は、上述のようにして得たコバルトドープ二酸化チタン膜のＸ線回折パターンであり、図２（ｂ）は、前記ノンドープ二酸化チタン膜を形成することなく、前記サファイア基板上に直接形成したコバルトドープ二酸化チタン膜のＸ線回折パターンである。図２から明らかなように、ノンドープ二酸化チタン膜を介して形成したコバルトドープ二酸化チタン膜の方がＴｉＯ２の（１０１）ピークが大きく、結晶性が向上していることが分かる。
【００１９】
図３は、図２（ａ）に関する前記コバルトドープ二酸化チタン膜の表面ＳＥＭ写真であり、図４は、同じコバルトドープ二酸化チタン膜の表面ＡＦＭ写真である。図３から明らかなように、前記コバルトドープ二酸化チタン膜上にはランダムな凹凸や析出物が形成されておらず、図４から明らかなように、前記コバルトドープ二酸化チタン膜の表面には原子層ステップが等間隔で出現し、原子レベルで平坦な表面が形成されていることが分かる。
【００２０】
（実施例２）
コバルトドープ二酸化チタン膜中のキャリア濃度を変化させることによって、その磁気円二色性を調べた。なお、キャリア濃度は〜１０２２／ｃｍ２（試料番号＃１）、〜１０２１／ｃｍ２（試料番号＃２）及び〜１０１９／ｃｍ２（試料番号＃３）とした。
【００２１】
図５は、前記コバルトドープ二酸化チタン膜の、室温における吸収スペクトル及び磁気円二色性スペルトルを示すグラフである。図５（ａ）から明らかなように、前記コバルトドープ二酸化チタン膜の、キャリア濃度の増大に伴って吸収スペクトルのピークが高エネルギー側に移行していることが分かる。また、図５（ｂ）から明らかなように、試料＃１及び＃２の磁気円二色性スペクトルにおいてピークを示すことから、これらの試料は磁気円二色性（広義の磁気光学効果）を呈することが分かる。また、キャリア濃度の高い試料＃１において、そのピーク位置は高エネルギー側にシフトする。
【００２２】
なお、キャリア濃度の低い試料＃３においては、磁気円二色性を呈さないことが判明した。また、磁気円二色性を呈する試料＃１及び＃２においては、図５（ｃ）及び（ｄ）に示すような強磁性のヒステリシスを示すことが判明した。
【００２３】
また、図５（ａ）及び（ｂ）から明らかなように、吸収スペクトルのピーク位置のシフト及び磁気円二色性のピーク位置のシフトと、コバルトドープ二酸化チタン膜中のキャリア濃度の大小とが一対一に対応していることから、前記吸収特性及び前記磁気円二色性（広義の磁気光学効果）は、前記コバルトドープ二酸化チタン膜のキャリアが寄与していることが分かる。
【００２４】
図６は、試料＃１及び＃２の、ホール効果の磁場依存性を示すグラフである。図６（ａ）から明らかなように、試料＃２では正常ホール効果が支配的であるが、挿入図にあるような磁場に比例する正常ホール効果を差し引くと、異常ホール効果が存在していることが分かる。また、図６（ｂ）から明らかなように、試料＃１では異常ホール効果が支配的で温度の低下とともに顕著になることが分かる。試料＃１及び＃２で示される本発明のコバルトドープ二酸化チタン膜は、このような異常ホール効果を呈することからキャリアのスピンが強磁性分極していることが分かる。したがって、前記異常ホール効果には、コバルトドープ二酸化チタン膜中のキャリアが寄与していることが分かる。
【００２５】
（実施例３）
本例では、コバルトドープ二酸化チタン膜形成時の、酸素分圧を種々変化させた。図７（ａ）は、コバルトドープ二酸化チタン膜の、抵抗率の温度依存性を示すグラフであり、図７（ｂ）は、前記コバルトドープ二酸化チタン膜の、抵抗率の酸素分圧依存性を示すグラフである。図７（ａ）から明らかなように、前記コバルトドープ二酸化チタン膜の、抵抗率の温度依存性は半導体的性質を呈することが分かる。また、図７（ｂ）から明らかなように、前記抵抗率は酸素分圧と一対一の関係にあり、前記抵抗率、すなわちキャリア濃度は、形成時の酸素分圧を制御することによって制御できることが分かる。
【００２６】
以上、具体例を挙げながら発明の実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００２７】
本発明は、フォトニクス分野及びエレクトロニクス分野において用いることができる。フォトニクス分野では、光アイソレータなどの磁気光学デバイス等に適用することができ、エレクトロニクス分野では、磁気抵抗デバイス、巨大磁気抵抗デバイス、電界効果型デバイス、スピン偏極キャリア注入デバイス、スピン偏極発光素子、又はこれらのデバイスを含む磁気センサあるいはスピン輸送素子などに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の多層膜構造の一例を示す構成図である。
【図２】コバルトドープ二酸化チタン膜のＸ線回折スペクトルを示すグラフである。
【図３】コバルトドープ二酸化チタン膜の表面ＳＥＭ写真である。
【図４】コバルトドープ二酸化チタン膜の表面ＡＦＭ写真である。
【図５】コバルトドープ二酸化チタン膜の、室温における吸収スペクトル及び磁気円二色性スペルトルを示すグラフである。
【図６】コバルトドープ二酸化チタン膜の、ホール効果の磁場依存性を示すグラフである。
【図７】コバルトドープ二酸化チタン膜の、抵抗率の温度依存性及び酸素分圧依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００２９】
１０  多層膜構造
１１  基板
１２  二酸化チタン膜
１３  コバルトドープ二酸化チタン膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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