(57)【要約】【課題】半導体素子の縮小化に応じてインナーリード間に中継電極部を設け、金属細線の接続ループを短く低く接続して、封止工程での金属細線同士の接触を防ぐ。【解決手段】縮小化された半導体素子７において、中継電極部となる導体パターン４を形成させて、電極間の接続は金属細線８を導体パターン４を中継して、インナーリード６に電気的に接続させることができ、金属細線８の接続ループを短く低くすることができ、封止成型においても、金属細線８同士の接触を防ぐことができ、信頼性および歩留り向上を図り、半導体素子７の縮小化における多ピン化、薄型化が可能になる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームのダイパッドの下側と接着する絶縁層と、前記絶縁層の周辺端部でインナーリードと相対位置に形成した金属細線を中継する中継電極部となる導体パターンとを備え、前記導体パターンの上面に金メッキ層を形成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
リードフレームのダイパッドの下側に粘着テープを貼り付けて絶縁層と接着する工程と、前記絶縁層の周辺端部で複数本のインナーリードと相対位置に中継電極部となる導体パターンを形成した後に、前記導体パターンの上面に金メッキ層を形成する工程と、金属細線により半導体素子のボンディングパッドと前記導体パターンを接続し、さらに前記導体パターンとインナーリードを接続する工程とを有し、前記半導体素子を封止成型したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体素子上のボンディングパッドにスタッドバンプを形成し、前記スタッドバンプを介して、金属細線により中継電極部となる導体パターンと接続したことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通信分野、ビデオ，オーディオ等のデジタル映像音響分野における機器用の半導体素子を縮小化して使用されるシステム化された半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の多機能化，小型化，高密度化に対応するために半導体装置等に対しても半導体部品の高密度、高機能化、システム化が要求され、それに伴って、半導体部品における半導体素子の縮小化が要望されている。
【０００３】
一般にシステム化に用いられる半導体装置はダイパッド上に半導体素子を接着剤等で接着し、金属細線を用いて、インナーリードに直接接続するよう構成されている。図６は従来の半導体装置を示す断面図である。
【０００４】
図６に示すように、従来の半導体装置において、複数本のインナーリード６と一体的に連結された複数本のアウターリード１１は封止樹脂体１０から導出され、ダイパッド１、半導体素子７、金属細線８、接着剤１２、インナーリード６は封止樹脂体１０で封止されている。また、封止樹脂体１０は四辺形の平板状に形成されているとともにアウターリード１１は封止樹脂体１０の４辺からそれぞれ引き出されている。
【０００５】
この従来の半導体装置はダイパッド１に接着剤１２を塗布して、その上に半導体素子７を固着している。そして電極間の接続は、金属細線８を用いて、半導体素子７と複数本のインナーリード６とが直接接続されている。
【特許文献１】特開平５−１２９５０８号公報
【特許文献２】特開平５−３３５４６８号公報
【特許文献３】特開平６−８５１４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このような構成の半導体装置は、半導体素子が縮小化することにより、半導体素子とインナーリードとの距離が長くなり、この間を電気的に接続している金属細線もそれに伴って長くなる構造であることから、ワイヤーボンディング工程における金属細線の安定化および封止工程の封止成型性においても、金属細線同士の接触等の不具合が生じて、信頼性および歩留りの低下につながり、さらには、半導体素子の縮小化による、多ピン化、薄型化が困難になるという課題があった。
【０００７】
本発明は、前記従来技術の課題を解決することに指向するものであり、半導体素子とインナーリードの間に中継電極部を設けることで、金属細線の接続ループを短く低く接続して、封止工程における金属細線８同士の接触等を防ぎ、信頼性、歩留りの向上に優れた半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、リードフレームのダイパッドの下側と接着する絶縁層と、絶縁層の周辺端部でインナーリードと相対位置に形成した金属細線を中継する中継電極部となる導体パターンとを備え、導体パターンの上面に金メッキ層を形成したことを特徴とする。
【０００９】
また、半導体装置の製造方法は、リードフレームのダイパッドの下側に粘着テープを貼り付けて絶縁層と接着する工程と、絶縁層の周辺端部で複数本のインナーリードと相対位置に中継電極部となる導体パターンを形成した後に、導体パターンの上面に金メッキ層を形成する工程と、金属細線により半導体素子のボンディングパッドと導体パターンを接続し、さらに導体パターンとインナーリードを接続する工程とを有し、半導体素子を封止成型して製造すること、さらに、半導体素子上のボンディングパッドにスタッドバンプを形成し、スタッドバンプを介して、金属細線により中継電極部となる導体パターンと接続して製造したことを特徴とする。
【００１０】
前記の半導体装置および半導体装置の製造方法によれば、金属細線の接続ループを短く安定化させ、さらにスタッドバンプの形成により、金属細線の接続ループを低くでき、樹脂封止による金属細線同士の接触等を防ぎ、半導体装置の多ピン化，薄型化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１１】
以上説明したように、本発明によれば、ダイパッドの下側に粘着テープを貼り付けて絶縁層と接着し、この絶縁層の周辺端部に複数本のインナーリードと相対位置に中継電極部となる金メッキ層を設けた導体パターンを形成して、半導体素子の縮小化においても、金属細線の接続ループを短く安定化させ、さらに、半導体素子上のボンディングパッドにスタッドバンプを形成して、金属細線の接続ループを低くすることができ、樹脂封止による金属細線同士の接触等を防いで、多ピン化，薄型化を図り、さらには、信頼性および歩留りの向上を図ることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明における実施の形態を詳細に説明する。
【００１３】
図１は本発明の実施の形態における半導体装置を示す断面図であり、図２は半導体装置を示す平面図である。ここで、前記従来例を示す図６において説明した構成部材に対応し実質的に同等の機能を有するものには同一の符号を付して示す。
【００１４】
本発明の実施の形態について図１，図２を参照しながら説明する。図１，図２に示すように半導体装置は、リードフレームのダイパッド１の下側に粘着テープ２を貼り付け、その下に絶縁層３を接着させる。さらに絶縁層３の周辺端部には、複数本のインナーリード６と相対位置に中継電極部となる導体パターン４を形成し、さらに導体パターン４上には、金メッキ層５を形成する。
【００１５】
ダイパッド１上にディスペンサーによる塗布工程で、接着剤１２を塗布しておき、その上に半導体素子７を固着する。また電極間の接続は、半導体素子７上にある１つ以上のボンディングパッドに金属細線８を接続させ、中継電極部となる導体パターン４に接続する。さらに、導体パターン４と金属細線８を接続させて、複数本のインナーリード６と電気的に接続する。また、半導体素子７上の各ボンディングパッドにスタッドバンプ９を形成し、電極間の接続はスタッドバンプ９を介して金属細線８で導体パターン４と接続する。
【００１６】
さらに、導体パターン４と金属細線８により電気的に接続される複数本のインナーリード６と一体的に連結される各アウターリード１１は封止樹脂体１０から導出される。ダイパッド１，粘着テープ２，絶縁層３，導体パターン４，金メッキ層５，インナーリード６，半導体素子７，金属細線８，スタッドバンプ９，接着剤１２が封止樹脂体１０で全体を完全に覆うように封止されている。封止樹脂体１０は四辺形の平板状に成型されるとともに、アウターリード１１は封止樹脂体１０の四辺から、それぞれ引き出されている。
【００１７】
次に、本実施の形態における図１，図２に示した半導体装置の製造方法を図３〜図５の部分断面図に基づいて説明する。
【００１８】
図３（ａ）はリードフレーム状態を示す部分断面図である。図３（ａ）に示すように、リードフレームのダイパッド１に粘着テープ２を貼り付け、その下に絶縁層３を接着させる。この絶縁層３には、周辺端部に複数本のインナーリード６と相対位置に中継電極部となる導体パターン４を設けて、その上に金メッキ層５を形成している。
【００１９】
また、図３（ｂ）はダイスボンディング工程の状態を示す部分断面図である。図３（ｂ）に示すように、あらかじめダイパッド１上にディスペンサーによる塗布工程により接着剤１２を塗布しておく。その上にコレット１３を使い半導体素子７を固着させる。
【００２０】
そして、図４（ａ）〜（ｃ）はワイヤーボンディング工程を示す部分断面図である。図４（ａ）に示すように半導体素子７上のボンディングパッドに金属細線８を接続し、さらに中継電極部となる導体パターン４に接続する。または、図４（ｂ）に示すように半導体素子７上のボンディングパッドにスタッドバンプ９を形成させ、このスタッドバンプ９を介して導体パターン４と金属細線８で接続させる。
【００２１】
さらに、図４（ｃ）で示すように、導体パターン４とインナーリード６を金属細線８で電気的に接続させる。図４（ａ）〜（ｃ）に示す工程によって、半導体素子７が縮小化されても、金属細線８を中継電極部となる導体パターン４により中継することによって、金属細線８の接続ループを短く低くすることにより、安定した形状に金属細線８の接続ループを形成することが可能になる。
【００２２】
図５は封止工程を説明する部分断面図である。図５に示すように、各インナーリード６と一体的に連結されたアウターリード１１は封止樹脂体１０から導出され、ダイパッド１，粘着テープ２，絶縁層３，導体パターン４，金メッキ層５，インナーリード６，半導体素子７，金属細線８，スタッドバンプ９，接着剤１２が封止樹脂体１０で封止されている。そして、封止樹脂体１０は四辺形の平板状に形成されているとともに、アウターリード１１は封止樹脂体１０の４辺から、それぞれ引き出されている。
【００２３】
樹脂封止成型において、前述した図４に示す工程によって、金属細線８が隣接の金属細線８との接触等を防ぐことができるため、信頼性および歩留りの向上を図ることができ、図１，図２に示す半導体装置を完成させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００２４】
本発明に係る半導体装置およびその製造方法は、半導体素子の縮小化においても、多ピン化、薄型化を図ることができ、半導体素子を縮小化して使用するシステム化された機器等に用いて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態における半導体装置を示す平面図
【図３】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法の（ａ）はリードフレーム状態、（ｂ）はダイスボンディング工程の状態を示す部分断面図
【図４】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法の（ａ）はボンディングパッドと導体パターンとの接続、（ｂ）はボンディングパッドに形成したスタッドバンプとを介して導体パターンとの接続、（ｃ）は導体パターンとインナーリード６との接続を示す部分断面図
【図５】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法の封止工程を説明する部分断面図
【図６】従来の半導体装置を示す断面図
【符号の説明】
【００２６】
１  ダイパッド
２  粘着テープ
３  絶縁層
４  導体パターン
５  金メッキ層
６  インナーリード
７  半導体素子
８  金属細線
９  スタッドバンプ
１０  封止樹脂体
１１  アウターリード
１２  接着剤
１３  コレット
１４  吊りリード
【図１】
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【図２】
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【図３】
2005311097.tif 000005
【図４】
2005311097.tif 000006
【図５】
2005311097.tif 000007
【図６】
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