(57)【要約】【課題】  液晶装置等の電気光学装置において、そのサンプリング回路内の薄膜トランジスタ相互間の寄生容量に基づく画像不良を低減する。【解決手段】  シリアル−パラレル変換されたｎ個の画像信号が供給されるｎ本の画像信号線を備えた電気光学装置において、駆動回路は、(i)データ線から延設されたドレイン配線に接続されたドレインと、(ii)画像信号線からデータ線延在方向に延設されたソース配線に接続されたソースと、(iii)ドレイン配線及びソース配線間に挟まれて延設されたゲートとを夫々備えると共に、複数のデータ線に対応して配列された複数の薄膜トランジスタを含むサンプリング回路を備える。複数の薄膜トランジスタのうち、グループの境目を介して隣接する二つの薄膜トランジスタは、ゲートを挟むソース配線とドレイン配線の並び方が相互に逆である。【選択図】      図３
2005077483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上における画像表示領域に、相交差して配列された複数の走査線及び複数のデータ線と前記複数の走査線及び前記複数のデータ線に接続された複数の画素部とを備え、前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、シリアル−パラレル変換されたｎ（但し、ｎは２以上の自然数）個の画像信号が供給されるｎ本の画像信号線を備えた電気光学装置を駆動する駆動回路であって、
前記周辺領域に、(i)前記データ線から前記データ線の延びる方向に延設されたドレイン配線に接続されたドレインと、(ii)前記画像信号線から前記データ線の延びる方向に延設されたソース配線に接続されたソースと、(iii)前記データ線の延びる方向に前記ドレイン配線及び前記ソース配線間に挟まれて延設されたゲートとを夫々備えると共に、前記複数のデータ線に対応して配列された複数の薄膜トランジスタを含むサンプリング回路と、
サンプリング回路駆動信号を、前記複数のデータ線のうち同時に駆動されるｎ本のデータ線に接続されたｎ個の薄膜トランジスタのグループ毎に、前記ゲートに供給するデータ線駆動回路と
を備えており、
前記複数の薄膜トランジスタのうち前記グループの境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタは、前記ゲートを挟んだ前記ソース配線と前記ドレイン配線との並び方が相互に逆であるように配置されていることを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
【請求項２】
前記グループ毎に、前記ｎ個の薄膜トランジスタは、前記境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの一方を除いて、前記並び方が統一されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項３】
前記グループ毎に、前記ｎ個の薄膜トランジスタは、前記並び方が統一されており、相隣接する二つのグループ間では、前記並び方が相互に逆であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項４】
前記複数の薄膜トランジスタは、それらの配列順に前記ゲートを挟んだ前記ソース配線と前記ドレイン配線との並び方が交互に逆であり、
前記ｎは偶数であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項５】
基板上における画像表示領域に、相交差して配列された複数の走査線及び複数のデータ線と前記複数の走査線及び前記複数のデータ線に接続された複数の画素部とを備え、前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、シリアル−パラレル変換されたｎ（但し、ｎは２以上の自然数）個の画像信号が供給されるｎ本の画像信号線を備えた電気光学装置を駆動する駆動回路であって、
前記周辺領域に、(i)前記データ線から前記データ線の延びる方向に延設されたドレイン配線に接続されたドレインと、(ii)前記画像信号線から前記データ線の延びる方向に延設されたソース配線に接続されたソースと、(iii)前記データ線の延びる方向に前記ドレイン配線及び前記ソース配線間に挟まれて延設されたゲートとを夫々備えると共に、前記複数のデータ線に対応して配列された複数の薄膜トランジスタを含むサンプリング回路と、
サンプリング回路駆動信号を、前記複数のデータ線のうち同時に駆動されるｎ本のデータ線に接続されたｎ個の薄膜トランジスタのグループ毎に、前記ゲートに供給するデータ線駆動回路と
を備えており、
前記複数の薄膜トランジスタのうち前記グループの境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの間隙は、前記グループ内において相隣接する二つの薄膜トランジスタの間隙と比べて、大きく設定されていることを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
【請求項６】
前記境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの間隙には、前記ゲートに接続されたゲート配線の一部が配線されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項７】
前記境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタは、前記ソース配線同士が相隣接するように配置されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項８】
前記境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタは、前記ドレイン配線同士が相隣接するように配置されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項９】
基板上における画像表示領域に、相交差して配列された複数の走査線及び複数のデータ線と前記複数の走査線及び前記複数のデータ線に接続された複数の画素部とを備え、前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、シリアル−パラレル変換されたｎ（但し、ｎは２以上の自然数）個の画像信号が供給されるｎ本の画像信号線を備えた電気光学装置を駆動する駆動回路であって、
前記周辺領域に、(i)前記データ線から前記データ線の延びる方向に延設されたドレイン配線に接続されたドレインと、(ii)前記画像信号線から前記データ線の延びる方向に延設されたソース配線に接続されたソースと、(iii)前記データ線の延びる方向に前記ドレイン配線及び前記ソース配線間に挟まれて延設されたゲートとを夫々備えると共に、前記複数のデータ線に対応して配列された複数の薄膜トランジスタを含むサンプリング回路と、
サンプリング回路駆動信号を、前記複数のデータ線のうち同時に駆動されるｎ本のデータ線に接続されたｎ個の薄膜トランジスタのグループ毎に、前記ゲートに供給するデータ線駆動回路と
を備えており、
前記複数の薄膜トランジスタのうち前記グループの境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの一方は、前記データ線の延びる方向にずらされて配置されていることを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
【請求項１０】
前記二つの薄膜トランジスタの一方は、前記データ線の延びる方向に沿った前記複数の薄膜トランジスタの長さ以上ずらされており且つ前記二つの薄膜トランジスタの一方における前記グループの外側に向く前記ソース配線及び前記ドレイン配線の一方が、前記二つの薄膜トランジスタの他方に対向しないこととなる方向にずらされていることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の駆動回路と、
前記基板、前記走査線、前記データ線、前記画素部及び前記画像信号線と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置の駆動回路、該電気光学装置、及びこれを備えた例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の駆動回路は、例えば液晶装置等の電気光学装置の基板上に、データ線を駆動するためのデータ線駆動回路、走査線を駆動するための走査線駆動回路、画像信号をサンプリングするためのサンプリング回路等として作り込まれる。そしてその動作時には、データ線駆動回路から供給されるサンプリング回路駆動信号のタイミングで、サンプリング回路が画像信号線上に供給される画像信号をサンプリングし、データ線に供給するように構成されている。
【０００３】
更に、駆動周波数の上昇を抑えつつ高精細な画像表示を実現するために、シリアルな画像信号を、例えば３相、６相、１２相、２４相、…など、複数のパラレルな画像信号に変換（即ち、相展開）してから、複数本の画像信号線を介して当該電気光学装置に対して供給する技術も既に実用化されている。この場合、複数の画像信号が、複数のサンプリングスイッチによって同時にサンプリングされ、複数本のデータ線に対して同時に供給されるように構成されている（特許文献１等参照）。
【０００４】
尚、本願では、このような変換を“シリアル−パラレル変換”と称する。
【特許文献１】特開２００２−４９３５７号公報
【特許文献２】特開２００２−４９３３１号公報
【特許文献３】特開２００２−４９０５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、この種の複数本のデータ線を同時に駆動する駆動回路によれば、サンプリング回路を構成する複数のサンプリングスイッチとしての複数の薄膜トランジスタ（以下適宜“ＴＦＴ”と称す）相互間における寄生容量に起因して、データ線に沿った画素列間で画像信号の干渉が生じ、画像不良が多かれ少なかれ発生している。
【０００６】
そして特に、同時駆動されるデータ線からなるグループの境目に、ゴースト或いはクロストークといった画像不良が顕著に認められるという技術的問題点がある。このようなゴースト等の画像不良は、後述の如く本願発明者の研究によれば、サンプリング回路を構成する複数の薄膜トランジスタのうち、同時駆動されるデータ線からなるグループの境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタ間における寄生容量に起因しているものと考察されている。
【０００７】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みなされたものであり、複数本のデータ線を同時に駆動する際に、特に同時駆動されるデータ線からなるグループの境目において顕在化される、サンプリング回路内の薄膜トランジスタ相互間の寄生容量に基づく画像不良を低減し得る、例えば液晶装置等の電気光学装置の駆動回路、該電気光学装置、及び例えば液晶プロジェクタ等の電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電気光学装置の第１の駆動回路は上記課題を解決するために、基板上における画像表示領域に、相交差して配列された複数の走査線及び複数のデータ線と前記複数の走査線及び前記複数のデータ線に接続された複数の画素部とを備え、前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、シリアル−パラレル変換されたｎ（但し、ｎは２以上の自然数）個の画像信号が供給されるｎ本の画像信号線を備えた電気光学装置を駆動する駆動回路であって、前記周辺領域に、(i)前記データ線から前記データ線の延びる方向に延設されたドレイン配線に接続されたドレインと、(ii)前記画像信号線から前記データ線の延びる方向に延設されたソース配線に接続されたソースと、(iii)前記データ線の延びる方向に前記ドレイン配線及び前記ソース配線間に挟まれて延設されたゲートとを夫々備えると共に、前記複数のデータ線に対応して配列された複数の薄膜トランジスタを含むサンプリング回路と、サンプリング回路駆動信号を、前記複数のデータ線のうち同時に駆動されるｎ本のデータ線に接続されたｎ個の薄膜トランジスタのグループ毎に、前記ゲートに供給するデータ線駆動回路とを備えており、前記複数の薄膜トランジスタのうち前記グループの境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタは、前記ゲートを挟んだ前記ソース配線と前記ドレイン配線との並び方が相互に逆であるように配置されている。
【０００９】
本発明の第１の駆動回路によれば、サンプリング回路を構成する、サンプリングスイッチとしての薄膜トランジスタのドレイン配線、ゲート及びソース配線は、データ線の延びる方向、例えば縦方向或いはＹ方向に延設されている。そして、複数の薄膜トランジスタは、複数のデータ線に対応して、例えば、横方向或いはＸ方向に配列されている。
【００１０】
その動作時には、ｎ本の画像信号線に供給されるシリアル−パラレル変換（即ち、相展開）されたｎ個の画像信号は、サンプリング回路を構成するｎ個の薄膜トランジスタのグループ毎に、夫々サンプリングされて、ｎ本のデータ線に対して同時に供給される。他方で、例えば走査線駆動回路から走査信号が走査線に対して順次に供給される。これらにより、例えば画素スイッチング用ＴＦＴ、画素電極、蓄積容量等を備えた画素部では、例えば液晶駆動等の電気光学動作が画素単位で行われる。
【００１１】
ここで本願発明者の研究によれば、一般には、データ線をｎ本同時に駆動する場合には、サンプリング回路内において相隣接する薄膜トランジスタ間の寄生容量により、同時に駆動されるｎ本のデータ線及びそれらに隣接するデータ線に接続された薄膜トランジスタのソース配線やドレイン配線間で相互の電位変動が影響を及ぼしあう結果、ゴースト或いはクロストーク等が発生することが確認されている。そして特に、サンプリング回路内において相隣接する薄膜トランジスタ間の寄生容量のうち、表示画像に対する悪影響を顕在化させるのは、グループの境目を介しての寄生容量であることが判明している。より具体的には、同一グループ内での、相隣接する薄膜トランジスタ間の寄生容量によっては、例えば数μｍ〜数十μｍ程度の狭い配線ピッチで相隣接するライン（即ち、データ線に沿った画素列）間におけるゴースト等のみが表示されるので、人間の視覚上では殆ど又は全く識別されない。これに対して、グループの境目を介して相隣接する薄膜トランジスタ間の寄生容量によっては、何らの対策を施さない状況下では、次のようにゴースト等が人間の視覚上で識別されてしまう。
【００１２】
即ち、例えば、ソース配線、ゲート及びドレイン配線の並び方がサンプリング回路の全域で統一されている複数の薄膜トランジスタのみが配列されている場合を想定する。この場合、Ｍ（但し、Ｍは自然数）番目のグループにおける最初の薄膜トランジスタとＭ＋１番目のグループにおける最初の薄膜トランジスタとは、同一の第１番目の画像信号線に接続されている。ここで、Ｍ番目のグループにおける最後の薄膜トランジスタ（以下適宜、単に“第ｎＴＦＴ”と称する）とＭ＋１番目のグループにおける最初の薄膜トランジスタ（以下適宜、単に“第ｎ＋１ＴＦＴ”と称する）との間にある寄生容量によって、(i)１番目の画像信号線の電位変動が、第ｎ＋１ＴＦＴのＴＦＴのソース配線から第ｎＴＦＴのドレイン配線へと伝達される。すると、第ｎＴＦＴ前者がｎ番目の画像信号線の画像信号をデータ線に供給する際に、当該画像信号に対して、上述の境目を介しての寄生容量により第ｎ＋１ＴＦＴのソース領域から伝えられた第１番目の画像信号線上の画像信号に対応する電位変動がのってしまう結果を招く。或いは、(ii)ｎ番目の画像信号線の電位変動が、第ｎＴＦＴのＴＦＴのソース配線から第ｎ＋１ＴＦＴのドレイン配線へと伝達される。すると、第ｎ＋１ＴＦＴが第１番目の画像信号線の画像信号をデータ線に供給する際に、当該画像信号に対して、上述の境目を介しての寄生容量により第ｎＴＦＴのソース領域から伝えられた第ｎ番目の画像信号線上の画像信号に対応する電位変動がのってしまう結果を招く。特に、Ｍ＋１番目のグループにおけ第ｎ番目に該当するタイミングの画像信号が、Ｍ番目のグループの第ｎ番目のソースを介してＭ＋１番目のグループの第１番目のドレインに入力されて、ｎ−１本離れた距離にあるゴーストとなってしまい、距離が離れているため目立つ。
【００１３】
上記(i)及び(ii)のいずれの場合にあっても、上述の境目を介しての寄生容量に起因して、各グループ内において第１番目と第ｎ番目とのデータ線間で、例えば、表示画像の明暗に応じて、ゴースト等として白ライン或いは黒ラインがグループの境目に表示されてしまうのである。そして、このようなゴースト等は、同時駆動されるデータ線群の幅だけ、例えば数μｍ〜数十μｍ程度×（ｎ−１）個の距離を隔てて位置するので、人間の視覚上で認識され得る或いは目立つ、ゴースト等として表示されるのである。
【００１４】
しかるに本発明によれば、ｎ本のデータ線を同時に駆動するｎ個の薄膜トランジスタからなるグループの境目を介して、相隣接する二つの薄膜トランジスタ（即ち、第ｎＴＦＴ及び第ｎ＋１ＴＦＴ）は、ゲートを挟んだソース配線とドレイン配線との並び方が相互に逆であるように配置されている。即ち、例えば一方の薄膜トランジスタが、ソース配線、ゲート及びドレイン配線の順で並べられていた場合、他方の薄膜トランジスタは、ドレイン配線、ゲート及びソース配線の順で並べられており、グループの境目を介してドレイン配線とドレイン配線とが相隣接する。又は、グループの境目を介してソース配線とソース配線とが相隣接する。
【００１５】
このため、上述の如く、第ｎ＋１ＴＦＴの電位変動が、第ｎＴＦＴのグループにおける最後の薄膜トランジスタに対して、両者間の寄生容量を介して影響しようとしても、これを抑制可能となる。即ち、第ｎＴＦＴのドレイン配線と第ｎ＋１ＴＦＴのドレイン配線とが隣接していれば、後者は第ｎ＋１ＴＦＴがオンのタイミングでは非導通状態である第ｎ薄膜トランジスタを介して第１番目の画像信号線と接続されているので、その電位変動は、前者に殆ど伝わらない。また、第ｎＴＦＴのソース配線と第ｎ＋１ＴＦＴのソース配線とが隣接していれば、いずれの配線も画像信号線に直接接続されており安定した電位とされているので、相互間の電位変動の影響は、その性質上基本的に軽微である。従って、各グループ内で、第１番目と第ｎ番目とのデータ線間で、寄生容量によるゴースト等は殆ど又は実践上全く生じないで済む。
【００１６】
以上の結果、本発明の第１の駆動回路によれば、サンプリング回路内の薄膜トランジスタ間の寄生容量に起因して、同時駆動されるデータ線群の境目に発生するゴースト等が低減された、高品位の画像を表示可能となる。しかも、このような寄生容量による画像表示への悪影響を抑制しつつサンプリング回路内における薄膜トランジスタのピッチを狭めることができるので、データ線の狭ピッチ化、即ち画素ピッチの狭ピッチ化が可能となり、高精細度の画像表示を行うことも可能となる。
【００１７】
本発明の第１の駆動回路の一態様では、前記グループ毎に、前記ｎ個の薄膜トランジスタは、前記境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの一方を除いて、前記並び方が統一されている。
【００１８】
この態様によれば、ソース配線、ゲート及びドレイン配線の並び方が統一されている構造に対して、境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの一方のみについて該並び方を逆にするだけで、本発明の第１駆動回路が簡単に得られる。
【００１９】
本発明の第１の駆動回路の他の態様では、前記グループ毎に、前記ｎ個の薄膜トランジスタは、前記並び方が統一されており、相隣接する二つのグループ間では、前記並び方が相互に逆である。
この態様によれば、ソース配線、ゲート及びドレイン配線の並び方が統一されている構造に対して、グループ単位で、並び方を交互に逆にするだけで、本発明の第１駆動回路が簡単に得られる。
【００２０】
本発明の第１の駆動回路の他の態様では、前記複数の薄膜トランジスタは、それらの配列順に前記ゲートを挟んだ前記ソース配線と前記ドレイン配線との並び方が交互に逆であり、前記ｎは偶数である。
【００２１】
この態様によれば、シリアル−パラレル変換数（即ち、相展開数）であるｎは、偶数である。即ち、例えば、６本、１２本、２４本等のデータ線毎に同時駆動される。ここで、複数の薄膜トランジスタは、それらの配列順に、ゲートを挟んだソース配線とドレイン配線との並び方が交互に逆であるので、各グループの境目に位置する該並び方は、常に同じとなる。即ち、各グループの境目全てにおいて、ソース配線同士が相隣接するか又はドレイン配線同士が相隣接することになる。従って、いずれの境界についても、寄生容量を一律に低減できる。例えば、ｎを奇数として、グループの境目によってソース配線同士が相隣接したり、ドレイン配線同士が相隣接したりで、寄生容量がばらつくことを未然に防止できる。この際、グループの境目では常に、ソース配線同士が相隣接しているように構成すれば、いずれのソース配線も画像信号線に直接接続されており安定した電位とされているので、相互間の電位変動の影響は、その性質上基本的に軽微である。逆に、グループの境目では常に、ドレイン配線同士が相隣接する構成を採用すれば、第ｎ＋１ＴＦＴのドレイン配線は非導通状態の薄膜トランジスタを介して第１番目の画像信号線と接続されているので、その電位変動は、第ｎＴＦＴに殆ど伝わらない。従って、いずれの場合にも、寄生容量によるゴースト等は殆ど又は実践上全く生じないで済むので大変有利である。
【００２２】
本発明の電気光学装置の第２の駆動回路は上記課題を解決するために、基板上における画像表示領域に、相交差して配列された複数の走査線及び複数のデータ線と前記複数の走査線及び前記複数のデータ線に接続された複数の画素部とを備え、前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、シリアル−パラレル変換されたｎ（但し、ｎは２以上の自然数）個の画像信号が供給されるｎ本の画像信号線を備えた電気光学装置を駆動する駆動回路であって、前記周辺領域に、(i)前記データ線から前記データ線の延びる方向に延設されたドレイン配線に接続されたドレインと、(ii)前記画像信号線から前記データ線の延びる方向に延設されたソース配線に接続されたソースと、(iii)前記データ線の延びる方向に前記ドレイン配線及び前記ソース配線間に挟まれて延設されたゲートとを夫々備えると共に、前記複数のデータ線に対応して配列された複数の薄膜トランジスタを含むサンプリング回路と、サンプリング回路駆動信号を、前記複数のデータ線のうち同時に駆動されるｎ本のデータ線に接続されたｎ個の薄膜トランジスタのグループ毎に、前記ゲートに供給するデータ線駆動回路とを備えており、前記複数の薄膜トランジスタのうち前記グループの境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの間隙は、前記グループ内において相隣接する二つの薄膜トランジスタの間隙と比べて、大きく設定されている。
【００２３】
本発明の第２の駆動回路によれば、上述した本発明の第１の駆動回路と同様に動作する。第２の駆動回路では特に、ｎ本のデータ線を同時に駆動するｎ個の薄膜トランジスタからなるグループの境目を介して、相隣接する二つの薄膜トランジスタ（即ち、第ｎＴＦＴ及び第ｎ＋１ＴＦＴ）の間隙は、グループ内で相隣接する他の薄膜トランジスタの間隙と比べて大きくなるように設定されている。このため、上述の如く、第ｎ＋１ＴＦＴの電位変動が、第ｎＴＦＴのグループにおける最後の薄膜トランジスタに対して、両者間の寄生容量を介して影響しようとしても、大きく設定された間隙に応じてこれを抑制可能となる。従って、各グループ内で、第１番目と第ｎ番目とのデータ線間で、寄生容量によるゴースト等は殆ど又は実践上全く生じないで済む。
【００２４】
以上の結果、本発明の第２の駆動回路によれば、ゴースト等が低減された高品位の画像を表示可能となる。しかも、境目に面した間隙を除く、即ちグループ内における薄膜トランジスタの各間隙を狭めることができるので、データ線の狭ピッチ化、即ち画素ピッチの狭ピッチ化が可能となり、高精細度の画像表示を行うことも可能となる。
【００２５】
本発明の第２の駆動回路の一態様では、前記境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの間隙には、前記ゲートに接続されたゲート配線の一部が配線されている。
【００２６】
この態様によれば、グループの境目における大きな間隙を有効利用して、ゲート配線の一部を配線する。これにより、ゲート配線に複数の経路から信号を入力することができる。加えて、当該大きな間隙を利用して冗長的なゲート配線を形成すれば、ゲート配線の一部が断線しても尚、装置全体が欠陥化することを効率的に未然防止できる。
【００２７】
本発明の第１又は第２の駆動回路の他の態様では、前記境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタは、前記ソース配線同士が相隣接するように配置されている。
【００２８】
この態様では、グループの境目では、ソース配線同士が相隣接しているので、いずれのソース配線も画像信号線に直接接続されており安定した電位とされているので、相互間の電位変動の影響は、その性質上基本的に軽微である。或いは、配線容量が限られており相対的に電位変動の影響を受けやすい筈のデータ線に接続された各ドレイン配線は、各グループにおいて内側に位置しているので、該各ドレイン配線に対する電位変動は実際には元来は小さくて済む。従って、各グループ内で、第１番目と第ｎ番目とのデータ線間で、寄生容量によるゴースト等は殆ど又は実践上全く生じないで済む。
【００２９】
本発明の第１又は第２の駆動回路の他の態様では、前記境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタは、前記ドレイン配線同士が相隣接するように配置されている。
【００３０】
この態様では、グループの境目では、ドレイン配線同士が相隣接しているので、第ｎ＋１ＴＦＴのドレイン配線は非導通状態の薄膜トランジスタを介して第１番目の画像信号線と接続されているので、その電位変動は、第ｎＴＦＴに殆ど伝わらない。従って、各グループ内で、第１番目と第ｎ番目とのデータ線間で、寄生容量によるゴースト等は殆ど又は実践上全く生じないで済む。
【００３１】
本発明の電気光学装置の第３の駆動回路は上記課題を解決するために、基板上における画像表示領域に、相交差して配列された複数の走査線及び複数のデータ線と前記複数の走査線及び前記複数のデータ線に接続された複数の画素部とを備え、前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、シリアル−パラレル変換されたｎ（但し、ｎは２以上の自然数）個の画像信号が供給されるｎ本の画像信号線を備えた電気光学装置を駆動する駆動回路であって、前記周辺領域に、(i)前記データ線から前記データ線の延びる方向に延設されたドレイン配線に接続されたドレインと、(ii)前記画像信号線から前記データ線の延びる方向に延設されたソース配線に接続されたソースと、(iii)前記データ線の延びる方向に前記ドレイン配線及び前記ソース配線間に挟まれて延設されたゲートとを夫々備えると共に、前記複数のデータ線に対応して配列された複数の薄膜トランジスタを含むサンプリング回路と、サンプリング回路駆動信号を、前記複数のデータ線のうち同時に駆動されるｎ本のデータ線に接続されたｎ個の薄膜トランジスタのグループ毎に、前記ゲートに供給するデータ線駆動回路とを備えており、前記複数の薄膜トランジスタのうち前記グループの境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの一方は、前記データ線の延びる方向にずらされて配置されている。
【００３２】
本発明の第３の駆動回路によれば、上述した本発明の第１の駆動回路と同様に動作する。第３の駆動回路では特に、ｎ本のデータ線を同時に駆動するｎ個の薄膜トランジスタからなるグループの境目を介して、相隣接する二つの薄膜トランジスタ（即ち、第ｎＴＦＴ及び第ｎ＋１ＴＦＴ）の一方は、データ線の延びる方向、例えば縦方向或いはＹ方向にずらされて配置されている。このため、上述の如く、第ｎ＋１ＴＦＴの電位変動が、第ｎＴＦＴのグループにおける最後の薄膜トランジスタに対して、両者間の寄生容量を介して影響しようとしても、ずらし量としての２次元的な距離に応じてこれを抑制可能となる。従って、各グループ内で、第１番目と第ｎ番目とのデータ線間で、寄生容量によるゴースト等は殆ど又は実践上全く生じないで済む。
【００３３】
以上の結果、本発明の第３の駆動回路によれば、ゴースト等が低減された高品位の画像を表示可能となる。しかも、境目に面した一方の薄膜トランジスタをデータ線の延びる方向にずらすことで、好ましくは該一方の薄膜トランジスタのデータ線の伸びる方向についての幅分以上ずらすことで、その他の薄膜トランジスタの各間隙を狭めることができる。従って、データ線の狭ピッチ化、即ち画素ピッチの狭ピッチ化が可能となり、高精細度の画像表示を行うことも可能となる。
【００３４】
本発明の第３の駆動回路の一態様では、前記二つの薄膜トランジスタの一方は、前記データ線の延びる方向に沿った前記複数の薄膜トランジスタの長さ以上ずらされており且つ前記二つの薄膜トランジスタの一方における前記グループの外側に向く前記ソース配線及び前記ドレイン配線の一方が、前記二つの薄膜トランジスタの他方に対向しないこととなる方向にずらされている。
【００３５】
この態様によれば、グループの境界を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの一方は、データ線の延びる方向に沿った複数の薄膜トランジスタの長さ以上ずらされている。従って、グループの境目で相隣接するソース配線とドレイン配線との距離を、比較的大きくとることができる。しかも、一方の薄膜トランジスタにおけるグループの外側に向くソース配線及びドレイン配線の一方が、他方の薄膜トランジスタに対向しないこととなる方向にずらされている。例えば、一方の薄膜トランジスタにおけるグループの外側に向く配線が、基板周辺から薄膜トランジスタに向かうソース配線であれば、当該一方の薄膜トランジスタは、データ線の延びる方向に沿って基板周辺に向かってずらされる。逆に、一方の薄膜トランジスタにおけるグループの外側に向く配線が、画像表示領域から薄膜トランジスタに向かうドレイン配線であれば、当該一方の薄膜トランジスタは、データ線の延びる方向に沿って画像表示領域に向かってずらされる。いずれの場合にも、該一方の薄膜トランジスタにおけるグループの外側を向くソース配線又はドレイン配線は、相隣接する他方の薄膜トランジスタにおけるグループの外側を向くソース配線又はドレイン配線にめぐり合う位置（即ち、相対向する位置）を前にして終端を迎える。従って、該一方の薄膜トランジスタにおけるグループの外側を向くソース配線又はドレイン配線と、相隣接する他方の薄膜トランジスタにおけるグループの外側を向くソース配線又はドレイン配線との間における寄生容量を、格段に低減できることになる。
尚、本態様では、これら二つの薄膜トランジスタは、データ線の延びる方向に沿った薄膜トランジスタの長さ以上ずらされているので、このような寄生容量を低減させる効果は極めて顕著である。しかしながら、該ずらす量を小さくしても相応の効果は得られる。即ち、データ線の延びる方向に沿って多少なりともずらしておけば、このような寄生容量を低減する効果は、ずらす量に応じて相応に得られる。
【００３６】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、上述した本発明の第１から第３の駆動回路（但し、その各種態様を含む）と、前記基板、前記走査線、前記データ線、前記画素部及び前記画像信号線とを備える。
本発明の電気光学装置によれば、上述した本発明の第１から第３の駆動回路を備えるので、ゴースト等が低減された高品位の画像を表示可能となり、高精細度の画像表示を行うことも可能となる。このような本発明の電子光学装置は、例えば液晶装置、電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出素子による装置（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）等として実現可能である。
【００３７】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品位の画像表示画が可能な、投射型表示装置、テレビジョン受像機、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現することができる。
【００３８】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００４０】
〔第１実施形態〕
まず、本発明の電気光学装置に係る第１実施形態としての液晶装置について、図１から図９を参照して説明する。
【００４１】
＜表示パネルの構成＞
図１は、本実施形態の液晶装置のうち、表示パネルの構成を示している。この液晶装置は、駆動回路内蔵型の表示パネル１００と、全体の駆動制御や画像信号に対する各種処理を行う、図示しない回路部により構成されている。
【００４２】
表示パネル１００は、ＴＦＴアレイ基板１と対向基板（図示せず）とが液晶層を介して対向配置され、画像表示領域１０において区画配列された画素部４毎に液晶層に電界を印加することにより両基板間の透過光量を制御し、画像を階調表示するように構成されている。なお、この液晶装置はＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式を採り、表示パネル１００では、ＴＦＴアレイ基板１における画素表示領域１０に、複数の走査線２、及び複数のデータ線３が相交差して配列され、走査線２、及びデータ線３の夫々に画素部４が接続されている。画素部４は、基本的に、データ線３により供給される画像信号電圧を選択的に印加するための画素スイッチッグ用のＴＦＴと、入力電圧を液晶層に印加し保持するための、即ち対向電極と共に液晶保持容量をなす画素電極とを含んで構成されている。
【００４３】
走査線２は、例えば両端において走査線２を順次選択駆動する走査線駆動回路５Ａ及び５Ｂに接続されている。走査線駆動回路５Ａ及び５Ｂは、画像表示領域１０の周辺領域に設けられ、各走査線２に両端から同時に電圧を印加するように構成されている。
【００４４】
データ線３は、画像信号Ｓｖを供給する画像信号線６に、サンプリング回路７を介して接続されている。サンプリング回路７は、画像信号線６から画像信号Ｓｖを受けるデータ線３を選択するためにデータ線３毎に付設されるスイッチング素子からなり、そのスイッチング動作は、データ線駆動回路８によってタイミング制御されるように構成されている。尚、プリチャージ回路９は、画像信号Ｓｖの印加前に、データ線３にプリチャージレベルを印加するために設けられている。
【００４５】
またここでは、表示パネル１００は“シリアル−パラレル変換”を利用して駆動されるように構成されている。即ち、図示したように、画像信号線６は複数（ここでは４本）配設され、その各々に対して配列順に接続したデータ線３（つまり４本）が１グループにまとめられており、データ線３に対応したスイッチング素子が、制御配線Ｘ（Ｘ１，Ｘ２，…）によってグループ毎にデータ線駆動回路８に接続されている。そして、データ線駆動回路８内に設けられたシフトレジスタから順次出力されるパルスがサンプリング回路駆動信号として、制御配線Ｘ１、Ｘ２、…を介して、サンプリング回路７に順番に入力される。この際、同一の制御配線Ｘに接続された一グループをなす複数のスイッチング素子は、同時に駆動される。これらにより、データ線３のグループ毎に、画像信号線６上の画像信号がサンプリングされるように構成されている。このように、複数の画像信号線６に対し、シリアルな画像信号を変換して得たパラレルな画像信号を同時に供給すると、データ線３への画像信号入力をグループ毎に同時に行うことができるので、駆動周波数が抑えられる。
【００４６】
＜サンプリング回路の機能的構成＞
図２は、表示パネルのうち、データ線の駆動に関する回路系を示したものである。なお、同図は、簡便のため、制御配線Ｘ１，Ｘ２に接続されたグループＧ１，Ｇ２のデータ線３の系についてのみ代表的に表しており、以下においても、この２つのグループの回路系に基づいてより詳細な説明を行うことにする。
【００４７】
ここで、画像信号線６は４本であり、画像信号Ｓｖ１〜Ｓｖ４が夫々供給されるように構成されている。また、サンプリング回路７のスイッチング素子は、具体的にはサンプリング用ＴＦＴ７１として構成される。サンプリング用ＴＦＴ７１の夫々は、データ線３にソース−ドレイン間で直列に接続され、そのゲートは、データ線駆動回路８に接続されている。なお、個々のデータ線３は、サンプリング回路７とは反対側において多数の画素部４に接続されており、選択された画素部４の液晶容量Ｃｓに信号電圧を供給するようになっている。尚、液晶容量Ｃｓに蓄積容量が別途並列に接続されていてもよい。
【００４８】
＜サンプリング回路のレイアウト＞
次にサンプリング回路のＴＦＴアレイ基板上におけるレイアウトについて図３及び図４を参照して説明する。
本実施形態のサンプリング回路７では、並列するサンプリング用ＴＦＴ７１のうち、グループの境目を介して相隣接する２つのサンプリング用ＴＦＴ７１は、ソース配線とドレイン配線の並び方が互いに逆であるように配置されている。
【００４９】
具体的には、サンプリング用ＴＦＴ７１が図３に示したレイアウトで配置されている。複数のサンプリング用ＴＦＴ７１は、制御配線Ｘ１及びＸ２に対応してグループＧ１及びＧ２にグループ化されている。グループＧ１及びＧ２は夫々、サンプリング用ＴＦＴ７１Ａ（図中、各グループ中の左端）及びサンプリング用ＴＦＴ７１Ｂ（図中、各グループ中の右端）を含む、４個のサンプリング用ＴＦＴ７１を含んでなる。サンプリング用ＴＦＴ７１Ａは、データ線３の延びる方向に延設されたソース配線７２Ｓ及びドレイン配線７２Ｄ、並びにデータ線３の延びる方向にソース配線７２Ｓ及びドレイン配線７２Ｄに挟まれて延設されたゲート配線７２Ｇを備えている。サンプリング用ＴＦＴ７１Ｂは、データ線３の延びる方向に延設された７３Ｓ及びドレイン配線７３Ｄ、並びにデータ線３の延びる方向にソース配線７３Ｓ及びドレイン配線７３Ｄに挟まれて延設されたゲート配線７３Ｇを備えている。
なお、図４は、Ｉ−Ｉ’線におけるＴＦＴ７１Ａの断面構成を拡大表示している。サンプリング用ＴＦＴ７１Ａは、例えばこのようにＴＦＴアレイ基板１の上に設けられた半導体層７４のソース領域７４Ｓ及びドレイン領域７４Ｄにソース配線７２Ｓ及びドレイン配線７２Ｄが夫々接続され、チャネル領域７４Ｃの上層に、チャネル領域７４Ｃとゲート絶縁膜７５を介して正対するようにゲート配線７２Ｇが設けられることによりゲートが形成されている。ソース配線７２Ｓ、ゲート配線７２Ｇ及びドレイン配線７２Ｄは、層間絶縁膜７６によって互いに電気的に絶縁されている。尚、サンプリング用ＴＦＴ７１Ｂについても、図４に示したと同様の構成を有する。
【００５０】
図３に示したように、サンプリング用ＴＦＴ７１にはゲート領域を間に互いに対称な構成のＴＦＴ７１ＡとＴＦＴ７１Ｂとの２種類があり、ソース配線７２Ｓ及びドレイン配線７２Ｄの並び方と、ソース配線７３Ｓ及びドレイン配線７３Ｄの並び方とは互いに逆になっている。ここでは、サンプリング用ＴＦＴ７１は、グループの境界ＲでＴＦＴ７１ＡとＴＦＴ７１Ｂとが隣接するように配列されている。なお、各グループ内は、一方の最端部に位置するＴＦＴ７１Ｂを除けば、すべてＴＦＴ７１Ａで構成され、ソース配線とドレイン配線の並び方が統一されている。
【００５１】
＜表示パネルの動作＞
このような表示パネル１００では、一水平走査期間中に画像信号Ｓｖを各データ線３に供給する際、データ線駆動回路８が所定のタイミングで制御配線Ｘ１，Ｘ２，…に制御信号を順次入力することによって、サンプリング用ＴＦＴ７１のオン／オフがグループ毎に制御される。このサンプリング制御に同期して、各グループのうちサンプリング用ＴＦＴ７１がオン状態となり、信号入力が許可されたグループの各データ線３に対応する画像信号Ｓｖ１〜Ｓｖ４が、画像信号線６上でサンプリングされて、対応する４本のデータ線３に対して同時に供給される。
【００５２】
いま、制御配線Ｘ１に電圧が印加され、グループＧ１に対して画像信号Ｓｖ１〜Ｓｖ４が供給されたとする（図２及び図３参照）。この場合、グループＧ１のサンプリング用ＴＦＴ７１のみオン状態であり、それ以外のサンプリング用ＴＦＴ７１は、全てオフ状態となっている。よって、グループＧ１のサンプリング用ＴＦＴ７１のソース配線７２Ｓ，７３Ｓ、およびドレイン配線７２Ｄ，７３Ｄの夫々には、入力される画像信号Ｓｖ（Ｓｖ１〜Ｓｖ４）に応じた電圧が印加されている。
【００５３】
このとき、隣接するサンプリング用ＴＦＴ７１同士には、層間絶縁膜７６を誘電体膜として介して対向することで容量電極として機能する配線部分間において寄生容量が存在している。そして、最近接配線間では特にこのような寄生容量が大きい。寄生容量はまた、高精細化により画素ピッチが狭まり、サンプリング用ＴＦＴ７１の間隔が狭まるにつれて、その誘電体膜が薄くなるので、増大する。動作中のグループＧ１では、この配線系に結合する寄生容量の大きさに応じて、主に相隣接するソース配線７２Ｓとドレイン配線７２Ｄとの間で相互に電位変動の影響を及ぼし合っている。従って、データ線３、更には画素部４に本来供給される画像信号とは別の画像信号に起因した電位変動が多かれ少なかれ生じる。これらは、厳密な意味では全てゴースト発生の原因となり得る。
【００５４】
但し、本発明の発明者は、このようなグループ内におけるサンプリング用ＴＦＴ７１の間の寄生容量に比べ、互いに異なるグループに属し、グループとグループの境界で隣接しているサンプリング用ＴＦＴ７１の間の寄生容量（以下、グループ間容量と呼ぶことにする）の方が、画質に与える影響が顕著に大きいことを見出している。
この点について図５から図７を参照して説明する。ここに図５は、本実施形態の場合の、サンプリング回路内における寄生容量の様子を示した等価的な回路図である。図６及び図７は、比較例の場合の、サンプリング回路内における寄生容量の様子を示した等価的な回路図である。
図５に示すように本実施形態の場合、グループＧ１内或いはＧ２内では、ＴＦＴ７１Ａのソース配線７２Ｓと、このソース配線７２Ｓと境界Ｒを挟まないで近接するＴＦＴ７１Ａのドレイン配線７２Ｄとの間には、寄生容量Ｃ21が寄生している。他方で、グループＧ１とグループＧ２との間では、グループＧ２のＴＦＴ７１Ｂのソース配線７３Ｓと、このソース配線７３Ｓと境界Ｒを挟んで近接するＴＦＴ７１Ａのソース配線７２Ｓとの間に、グループ間容量Ｃ11が寄生している。この場合のグループ間容量Ｃ11は、ソース配線同士が対向配置されてなる寄生容量である。
これに対して、図６に示すように、ソース配線及びドレイン配線の並び方が、全てのサンプリング用ＴＦＴで統一されている、即ち全てＴＦＴ７１Ａに統一された比較例を想定する。この比較例の場合には、図６及び図７で示したように、グループ内やグループ間に関わらず、ＴＦＴ７１Ａのソース配線７２Ｓと、このソース配線７２Ｓと近接するＴＦＴ７１Ａのドレイン配線７２Ｄとの間に、寄生容量Ｃ21が寄生している。即ち、境界Ｒを挟んで、グループ間容量Ｃ21が寄生している。この場合のグループ間容量Ｃ21は、ソース配線とドレイン配線とが対向配置されてなる寄生容量である。
【００５５】
通常、画像は画素単位でみれば急激に変化することはなく、隣接画素同士は似通った表示を行うことが知られている。つまり、近接する画素同士ほど、画素信号電圧も差がないことになる。従って、グループ内については、本実施形態の場合にも、比較例の場合にも、寄生容量Ｃ21による隣接配線間における電位変動の及ぼす悪影響は、基本的に小さくて済む。更に、仮に画素単位で急激に変化する場合であっても、隣接画素間における急激な変化であれば、相隣接するサンプリング用ＴＦＴ７１間での寄生容量によって、相隣接するデータ線に接続された画素ライン間でゴーストが生じても、これを視認するのはむしろ困難である。例えば、白画像と黒画像との境界付近に黒ライン又は白ラインが表示されていても、一ライン分のみ、例えば十数μｍ程度のみ離れた細い当該黒ラインや白ラインは殆ど又は実践的な意味では全く通常視認できない。
【００５６】
しかしながら、比較例の場合には、グループＧ１に画像信号が供給されるべき期間に、グループＧ１の一方の境界Ｒにおいて、グループ間容量Ｃ22を介して、画像信号線６に直接接続されているソース配線７２Ｓにおける電位変動が、いずれのＴＦＴにおいてもオフされたチャネル領域を経由することなく、これに隣接するドレイン配線７２Ｄに伝わってしまう。或いは、グループＧ１に画像信号が供給されるべき期間に、グループＧ１の他方の境界Ｒにおいて、グループ間容量Ｃ22を介して、画像信号線６からの画像信号が供給された状態にあるドレイン配線７２Ｄに対して、画像信号線６に直接接続されているソース配線７２Ｓの電位変動が、伝わってしまう。その場合の具体例として、本発明の発明者によれば、例えばグループＧ１において右端の画素部４を黒表示する画像信号Ｓｖ１を与えると、左端の画素部４が白く表示されるという現象が観察されている。これは、寄生容量Ｃ22が、画像信号Ｓｖ１に応じて左端の画素部４における印加電圧を実効的に減少させていることに起因している。
【００５７】
また、グループ間容量Ｃ22は、このようにグループ内で一端側に配列するデータ線３の電位を他端側のデータ線３の電位に作用させるため、その影響はグループの周期分だけ離間した画素に現れる。従って、隣接画素間で発生するノイズよりもはるかに視認されやすい。このように図６及び図７に示した比較例によれば、グループ間容量Ｃ22による悪影響が、表示画面上で距離を隔てることで顕在化するゴーストとして視覚上で目立って認識されることになってしまうのである。
【００５８】
これに対し、本実施形態では、グループの境界ＲでグループＧ２の側のソース配線７３Ｓに、グループＧ１の側はドレイン配線７３Ｄではなくソース配線７２Ｓが近接するようにサンプリング用ＴＦＴ７１をレイアウトしている。ここでのグループ間容量Ｃ11は、双方共に画像信号線６に直接接続されているので電位が極めて安定しているソース配線同士が対向配置されてなる寄生容量である。しかも、電位変動の影響があっても、サンプリング用ＴＦＴのゲートが控えており、該影響がデータ線３側まで及ぶことは殆どないと考えてよい。
【００５９】
このように図５に示した本実施形態によれば、グループ間容量Ｃ22に起因する比較例の如きデータ線３ひいては画素部４における電圧変動が軽減され、ゴースト等による画質劣化を殆どまたは全く生じさせずに画像表示を行うことができる。また、このように従来のサンプリング回路に対し一部分だけレイアウト変更を加えるだけで、グループ間容量という特に大きな寄生容量成分を軽減し、画質を飛躍的に改善するという大きな効果を得ることができる。
【００６０】
さらに、このように特に画質に及ぼす影響が大きい寄生容量成分を低減することで、寄生容量とトレードオフの関係にあるサンプリング用ＴＦＴ７１の配線ピッチを（画質を落とさずに）狭めることができる。よって、表示パネル１００は、従来に比して高精細化を図ることが可能となる。
【００６１】
（変形例１）
図８は、第１の実施形態におけるサンプリング回路の第１変形例を表している。第１の実施形態では、各グループのサンプリング用ＴＦＴ７１が、境界Ｒを境にソース配線同士が隣接するように配設されている場合について説明したが、本変形例では、境界Ｒを境にドレイン配線同士が隣接するように構成されている。例えば、同図に示した例では、サンプリング用ＴＦＴ７１の各グループは、全て、左端をＴＦＴ７１Ｂとする以外はＴＦＴ７１Ａで構成され、境界Ｒを境にＴＦＴ７１Ａが左、ＴＦＴ７１Ｂが右に配置されている（第１実施形態は、グループ右端にＴＦＴ７１Ｂを配し、境界Ｒを境にＴＦＴ７１Ｂを左、ＴＦＴ７１Ａを右としている）。
【００６２】
このような配列レイアウトにおいても、グループ間容量は軽減され、ゴースト等を抑制した、高品位の画像を表示が可能となる。さらには、画質を落とすことなくサンプリング用ＴＦＴ７１の狭ピッチ化による高精細化が可能となる。
【００６３】
（変形例２）
図９は、第１実施形態におけるサンプリング回路の第２変形例を表している。第１実施形態および第１変形例では、サンプリング用ＴＦＴ７１の各グループは、全て、一端をＴＦＴ７１Ｂとする以外はＴＦＴ７１Ａで構成されている場合について説明したが、本変形例では、サンプリング用ＴＦＴ７１を、グループ単位で配線の並び方が交互に逆になるようにしている。例えば、同図の例では、グループＧ１はＴＦＴ７１Ａが配列した構成となっており、グループＧ２はＴＦＴ７１Ｂが配列した構成となっている。この場合も、境界Ｒを境にソース配線同士が隣接するようになっており、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６４】
〔第２実施形態〕
次に図１０及び図１１を参照して第２実施形態について説明する。第２実施形態に係る電気光学装置の主要構成は、第１実施形態と同様であり、サンプリング回路のレイアウトが異なるのみである。従って、第１実施形態と同様の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を適宜省略するものとする。
【００６５】
図１０は、第２実施形態に係るサンプリング回路の構成を表している。このサンプリング回路１７は、同一構造のＴＦＴ（ここではＴＦＴ７１Ａ）が並列して構成されており、グループの境界Ｒを介して隣接するＴＦＴ７１Ａ同士の間隔Ｗ１は、グループ内において隣接するＴＦＴ７１Ａの間隔Ｗ２に比べて大きく設定されている。
【００６６】
この場合、グループ間容量（図７：容量Ｃ22）は、間隔Ｗ１により低減される。よって、データ線３ひいては画素部４の容量Ｃ22に起因する電圧変動が軽減され、ゴースト等による画質劣化を殆どまたは全く生じさせずに画像表示を行うことができる。
【００６７】
さらに、このように特に画質に及ぼす影響が大きい寄生容量成分を低減することで、寄生容量とトレードオフの関係にあるサンプリング用ＴＦＴ７１の配線ピッチを（画質を落とさずに）狭めることができる。よって、表示パネル１００は、従来に比して高精細化を図ることが可能となる。
【００６８】
（応用例）
図１１は、第２実施形態におけるサンプリング回路の応用例を表している。本応用例では、境界Ｒを介して相隣接するＴＦＴ７１Ａの間隙Ｗ１には、ゲートに接続されたゲート配線７２Ｇの一部が設けられている。即ち、ゲート配線７２Ｇは、単にグループごとに制御配線Ｘ１，Ｘ２，…に対して共通に接続されているだけでなく、同図に示したように、ゲート配線７２Ｇの共通部分をＴＦＴ７１Ａの各グループの外周に引き回されている。これにより、各ゲート配線７２Ｇには、グループの左右両側からサンプリング回路駆動信号が供給される。なお、このようにゲート配線７２Ｇを冗長に形成すれば、その一部が断線してもＴＦＴ７１Ａを正常に駆動することができる。
【００６９】
このような配線構造において、ゲート配線７２Ｇの一部を、間隙Ｗ１を利用して配線することにより、無駄のない配線レイアウトをとることができる。
【００７０】
さらに、上記第２実施形態及び応用例に係るサンプリング回路は、第１実施形態及びその変形例で説明したように、境界Ｒを介して隣接するサンプリング用ＴＦＴ７１を互いのソース配線同士、又はドレイン配線同士で隣接するように配置させる変形を施すようにしてもよい。この場合、グループ間容量を一層低減させることが可能である。
【００７１】
〔第３実施形態〕
次に図１２及び図１３を参照して第３実施形態について説明する。第３実施形態に係る電気光学装置の主要構成は、第１実施形態と同様であり、サンプリング回路のレイアウトが異なるのみである。従って、第１実施形態と同様の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を適宜省略するものとする。
【００７２】
図１２は、第３実施形態に係るサンプリング回路の構成を表している。このサンプリング回路２７は、同一構造のＴＦＴ（ここではＴＦＴ７１Ａ）が並列して構成されている。ただし、グループの境界Ｒを介して隣接するサンプリング用ＴＦＴ７１の一方であるＴＦＴ７１Ｃだけは、データ線３の延在方向に距離Ｌだけずらされて配置されている。
【００７３】
この場合、グループ間容量（図７：容量Ｃ22）は、ＴＦＴ７１Ｃのずらし量としての距離Ｌに応じて低減される。よって、データ線３ひいては画素部４の容量Ｃ22に起因する電圧変動が軽減され、ゴースト等による画質劣化を殆どまたは全く生じさせずに画像表示を行うことができる。本実施形態では特に、ＴＦＴ７１Ｃは、データ線の延びる方向に沿った各ＴＦＴの長さ以上である距離Ｌだけずらされており、しかも、ＴＦＴ７１Ｃにおけるグループの外側に向くソース配線が、隣接するグループのＴＦＴに対向しないこととなる方向にずらされている。即ち、ＴＦＴ７１Ｃにおけるグループの外側を向くソース配線は、相隣接するグループの外側を向くドレイン配線にめぐり合う位置（即ち、相対向する位置）を前にして終端を迎える。従ってＴＦＴ７１Ｃにおけるグループの外側を向くソース配線と、これと相隣接するグループの外側を向くドレイン配線との間における寄生容量は、格段に低減される。
【００７４】
また、ここでは、ＴＦＴ７１ＣをＴＦＴ７１Ａが配列する形成から離すことで、ＴＦＴ７１Ｃの幅だけＴＦＴ７１Ａの間隔を狭めることができる。よって、グループ間容量の低減とあいまって配線ピッチを（画質を落とさずに）狭めることができ、表示パネル１００の高精細化を図ることが可能となる。
【００７５】
なお、本実施形態の変形例として、図１３に示したように、図１２とは逆側のＴＦＴ７１Ｃをずらす構成を採ることも可能である。この場合、ＴＦＴ７１Ｃにおけるグループの外側を向くドレイン配線は、相隣接するグループの外側を向くソース配線にめぐり合う位置（即ち、相対向する位置）を含んで配線されている。従って、図１２に示した第３実施形態と比べると寄生容量を低減する効果は多少劣るものの、本変形例の場合にも、寄生容量を低減する効果は相応に得られると共に、サンプリング回路を構成するＴＦＴ７１Ａの間隙を狭めることも可能である。また、その他の変形例として、第１実施形態およびその変形例で説明したように、境界Ｒを介して隣接するサンプリング用ＴＦＴ７１が、互いのソース配線同士、又はドレイン配線同士で隣接するように配置すると、さらにグループ間容量を低減させることが可能である。
【００７６】
〔電子機器〕
次に、以上に説明した電気光学装置を、各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【００７７】
（プロジェクタ）
まず、この電気光学装置たる液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１４は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶装置１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。液晶装置１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した電気光学装置と同等であり、それぞれにおいて、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号が変調される。これらの液晶装置によって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。ダイクロイックプリズム１１１２では、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。これにより各色の画像が合成され、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写される。
【００７８】
（モバイル型コンピュータ）
次に、この電気光学装置たる液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１５は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。液晶表示ユニット１２０６は、前述の電気光学装置としての液晶装置１００５に、バックライトを付加した構成となっている。
【００７９】
（携帯電話）
さらに、この電気光学装置たる液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図１６は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。同図において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、前述の電気光学装置としての反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【００８０】
以上では、本発明の電気光学装置の一具体例として液晶装置を挙げて説明したが、本発明の電気光学装置は、その他にも例えば電子ペーパなどの電気泳動装置や、電子放出素子を用いた表示装置（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）等として実現することができる。また、このような本発明の電気光学装置は、先に説明した電子機器の他にも、テレビジョン受像機や、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などに適用可能である。
【００８１】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う駆動回路、該駆動回路を備えた電気光学装置、及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の表示パネルを示すブロック図である。
【図２】図１に示した表示パネルにおけるデータ線駆動回路系の構成を示す回路図である。
【図３】図２に示したサンプリング回路の配線レイアウト図である。
【図４】図３のＩ−Ｉ’断面図である。
【図５】図２に示したサンプリング回路における寄生容量について説明するための図である。
【図６】図３に示したサンプリング回路の比較例を示す配線レイアウト図である。
【図７】図６に示したサンプリング回路における寄生容量について説明するための図である。
【図８】第１実施形態に係るサンプリング回路の変形例を示す配線レイアウト図である。
【図９】第１実施形態に係るサンプリング回路の変形例を示す配線レイアウト図である。
【図１０】第２実施形態に係る電気光学装置に適用されるサンプリング回路の配線レイアウト図である。
【図１１】第２実施形態に係るサンプリング回路の応用例を示す配線レイアウト図である。
【図１２】第３実施形態に係る電気光学装置に適用されるサンプリング回路の配線レイアウト図である。
【図１３】第３実施形態の変形例に係るサンプリング回路の配線レイアウト図である。
【図１４】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す断面図である。
【図１５】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す断面図である。
【図１６】電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８３】
１…ＴＦＴ基板、２…走査線、３…データ線、４…画素部、５Ａ，５Ｂ…走査線駆動回路、６…画像信号線、７，１７，２７…サンプリング回路、８…データ線駆動回路、９…プリチャージ回路、１０…画像表示領域、７１，７１Ａ〜７１Ｃ…サンプリング用ＴＦＴ、７２Ｓ，７３Ｓ…ソース配線、７２Ｇ，７３Ｇ…ゲート配線、７２Ｄ，７３Ｄ…ドレイン配線、Ｘ，Ｘ１，Ｘ２…制御配線、Ｇ１，Ｇ２…（同時駆動される配線系の）グループ、Ｒ…グループ間の境界、Ｓｖ，Ｓｖ１〜Ｓｖ４…画像信号、１００…表示パネル
【図１】
2005077483.tif 000003
【図２】
2005077483.tif 000004
【図３】
2005077483.tif 000005
【図４】
2005077483.tif 000006
【図５】
2005077483.tif 000007
【図６】
2005077483.tif 000008
【図７】
2005077483.tif 000009
【図８】
2005077483.tif 000010
【図９】
2005077483.tif 000011
【図１０】
2005077483.tif 000012
【図１１】
2005077483.tif 000013
【図１２】
2005077483.tif 000014
【図１３】
2005077483.tif 000015
【図１４】
2005077483.tif 000016
【図１５】
2005077483.tif 000017
【図１６】
2005077483.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月28日(2004.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、基板上における画像表示領域に、相交差して配列された複数の走査線及び複数のデータ線と前記複数の走査線及び前記複数のデータ線に接続された複数の画素部とを備え、前記基板上における前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、シリアル−パラレル変換されたｎ（但し、ｎは２以上の自然数）個の画像信号が供給されるｎ本の画像信号線を備えた電気光学装置であって、
前記周辺領域に、(i)前記データ線から前記データ線の延びる方向に延設されたドレイ
ン配線に接続されたドレインと、(ii)前記画像信号線から前記データ線の延びる方向に延
設されたソース配線に接続されたソースと、(iii)前記データ線の延びる方向に前記ドレ
イン配線及び前記ソース配線間に挟まれて延設されたゲートとを夫々備えると共に、前記
複数のデータ線に対応して配列された複数の薄膜トランジスタを含むサンプリング回路と
、
サンプリング回路駆動信号を、前記複数のデータ線のうち同時に駆動されるｎ本のデー
タ線に接続されたｎ個の薄膜トランジスタのグループ毎に、前記ゲートに供給するデータ
線駆動回路と
を備えており、
前記複数の薄膜トランジスタのうち前記グループの境目を介して相隣接する二つの薄膜
トランジスタは、前記ゲートを挟んだ前記ソース配線と前記ドレイン配線との並び方が相
互に逆であるように配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記グループ毎に、前記ｎ個の薄膜トランジスタは、前記境目を介して相隣接する二つ
の薄膜トランジスタの一方を除いて、前記並び方が統一されていることを特徴とする請求
項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記グループ毎に、前記ｎ個の薄膜トランジスタは、前記並び方が統一されており、相
隣接する二つのグループ間では、前記並び方が相互に逆であることを特徴とする請求項１
に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記複数の薄膜トランジスタは、それらの配列順に前記ゲートを挟んだ前記ソース配線
と前記ドレイン配線との並び方が交互に逆であり、
前記ｎは偶数であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学
装置。
【請求項５】
基板と、基板上における画像表示領域に、相交差して配列された複数の走査線及び複数のデータ線と前記複数の走査線及び前記複数のデータ線に接続された複数の画素部とを備え、
前記基板上における前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、シリアル−パラレル変換されたｎ（但し、ｎは２以上の自然数）個の画像信号が供給されるｎ本の画像信号線を備えた電気光学装置であって、
前記周辺領域に、(i)前記データ線から前記データ線の延びる方向に延設されたドレイ
ン配線に接続されたドレインと、(ii)前記画像信号線から前記データ線の延びる方向に延
設されたソース配線に接続されたソースと、(iii)前記データ線の延びる方向に前記ドレ
イン配線及び前記ソース配線間に挟まれて延設されたゲートとを夫々備えると共に、前記
複数のデータ線に対応して配列された複数の薄膜トランジスタを含むサンプリング回路と
、
サンプリング回路駆動信号を、前記複数のデータ線のうち同時に駆動されるｎ本のデー
タ線に接続されたｎ個の薄膜トランジスタのグループ毎に、前記ゲートに供給するデータ
線駆動回路と
を備えており、
前記複数の薄膜トランジスタのうち前記グループの境目を介して相隣接する二つの薄膜
トランジスタの間隙は、前記グループ内において相隣接する二つの薄膜トランジスタの間
隙と比べて、大きく設定されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
前記境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの間隙には、前記ゲートに接続さ
れたゲート配線の一部が配線されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタは、前記ソース配線同士が相隣接
するように配置されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気
光学装置。
【請求項８】
前記境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタは、前記ドレイン配線同士が相隣
接するように配置されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電
気光学装置。
【請求項９】
基板と、基板上における画像表示領域に、相交差して配列された複数の走査線及び複数のデータ線と前記複数の走査線及び前記複数のデータ線に接続された複数の画素部とを備え、前記基板上における前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、シリアル−パラレル変換されたｎ（但し、ｎは２以上の自然数）個の画像信号が供給されるｎ本の画像信号線を備えた電気光学装置であって、
前記周辺領域に、(i)前記データ線から前記データ線の延びる方向に延設されたドレイ
ン配線に接続されたドレインと、(ii)前記画像信号線から前記データ線の延びる方向に延
設されたソース配線に接続されたソースと、(iii)前記データ線の延びる方向に前記ドレ
イン配線及び前記ソース配線間に挟まれて延設されたゲートとを夫々備えると共に、前記
複数のデータ線に対応して配列された複数の薄膜トランジスタを含むサンプリング回路と
、
サンプリング回路駆動信号を、前記複数のデータ線のうち同時に駆動されるｎ本のデー
タ線に接続されたｎ個の薄膜トランジスタのグループ毎に、前記ゲートに供給するデータ
線駆動回路と
を備えており、
前記複数の薄膜トランジスタのうち前記グループの境目を介して相隣接する二つの薄膜
トランジスタの一方は、前記データ線の延びる方向にずらされて配置されていることを特
徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
前記二つの薄膜トランジスタの一方は、前記データ線の延びる方向に沿った前記複数の
薄膜トランジスタの長さ以上ずらされており且つ前記二つの薄膜トランジスタの一方にお
ける前記グループの外側に向く前記ソース配線及び前記ドレイン配線の一方が、前記二つ
の薄膜トランジスタの他方に対向しないこととなる方向にずらされていることを特徴とす
る請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。