(57)【要約】 【課題】  基板に形成された構造物形成材料層の均一な熱処理を行うことが出来るとともに、エネルギ効率が高く、熱処理時間を短縮することが出来る基板製造方法を提供する。【解決手段】  基板Ｐを収容するマイクロ波熱処理炉１１と、このマイクロ波熱処理炉１１に接続されたマイクロ波発振機１２とを備えた基板製造装置によって、構造物形成材料層が形成された基板Ｐに対してマイクロ波を照射することにより、この基板Ｐ上の構造物形成材料層の熱処理を行う。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された構造物形成材料層に対して熱処理を行うことによって所要の構造物を形成する工程を含む基板の製造方法において、
前記基板上に形成された構造物形成材料層に対してマイクロ波を照射することにより熱処理を行うことを特徴とする基板製造方法。
【請求項２】
前記構造物の形成工程が、基板上への電極の形成工程である請求項１に記載の基板製造方法。
【請求項３】
前記構造物の形成工程が、基板上への蛍光体層の形成工程である請求項１に記載の基板製造方法。
【請求項４】
前記構造物の形成工程が、基板上への誘電体層の形成工程である請求項１に記載の基板製造方法。
【請求項５】
前記構造物の形成工程が、基板上へのリブの形成工程である請求項１に記載の基板製造方法。
【請求項６】
前記マイクロ波の照射が、金属製の反射部材を備えた炉内において行われる請求項１に記載の基板製造方法。
【請求項７】
前記反射部材が、炉内に回転自在に取り付けられた金属羽根である請求項６に記載の基板製造方法。
【請求項８】
前記マイクロ波の照射が、構造物形成材料層が形成された基板を絶縁材によって支持した状態で行われる請求項１に記載の基板製造方法。
【請求項９】
前記マイクロ波の照射が、マイクロ波を吸収するマイクロ波吸収体が設けられた炉内において行われる請求項１に記載の基板製造方法。
【請求項１０】
前記マイクロ波吸収体が、炉内に支持された基板の上方に所要の間隔を開けて配置される請求項９に記載の基板製造方法。
【請求項１１】
前記マイクロ波吸収体が、炉内に支持された基板の周囲を囲むように配置される請求項９に記載の基板製造方法。
【請求項１２】
前記基板上に形成された構造物形成材料層が導電性材料によって形成されているときに、マイクロ波吸収体と基板との間隔が、マイクロ波の照射によって構造物形成材料層が放電を発生しない大きさに設定される請求項９に記載の基板製造方法。
【請求項１３】
前記マイクロ波吸収体が無機材料によって形成されている請求項９に記載の基板製造方法。
【請求項１４】
前記マイクロ波の波長が、基板上に構造物形成材料層を形成する材料によって設定される請求項１に記載の基板製造方法。
【請求項１５】
基板上に形成された構造物形成材料層に対して熱処理を行うことによって所要の構造物を形成する基板の製造装置において、
前記構造物形成材料層が形成された基板を収容してこの基板に対してマイクロ波を照射する熱処理炉と、
この熱処理炉に接続されたマイクロ波発振機とを備えていることを特徴とする基板製造装置。
【請求項１６】
前記熱処理炉内に金属製の反射板が備えられている請求項１５に記載の基板製造装置。
【請求項１７】
前記反射板が、熱処理炉内に回転自在に取り付けられた金属羽根である請求項１６に記載の基板製造装置。
【請求項１８】
前記熱処理炉内に、構造物形成材料層が形成された基板を支持する絶縁材料によって形成された基板支持部材が設けられている請求項１５に記載の基板製造装置。
【請求項１９】
前記熱処理炉内に、マイクロ波を吸収するマイクロ波吸収体が設けられている請求項１５に記載の基板製造装置。
【請求項２０】
前記マイクロ波吸収体が、熱処理炉内に支持された基板の上方に所要の間隔を開けて配置されている請求項１９に記載の基板製造装置。
【請求項２１】
前記マイクロ波吸収体が、熱処理炉内に支持された基板の周囲を囲むように配置されている請求項１９に記載の基板製造装置。
【請求項２２】
前記マイクロ波吸収体が無機材料によって形成されている請求項１９に記載の基板製造装置。
【請求項２３】
請求項１ないし１４の何れか１に記載の方法によって製造されたことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板上に形成された構造物形成材料層を熱処理することによって構造物が形成された基板の製造を行う製造方法および装置ならびにこの製造方法によって製造された表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）やプラズマアドレスド液晶表示装置（ＰＡＬＣ），フィールドエミッション表示装置（ＦＥＤ），エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）等の各種表示装置の表示用基板は、ガラス板やセラミックス板等のプレート上に、各種材料のペーストが所要のパターンに塗布されて厚膜のペースト層が形成され、この厚膜ペースト層が熱乾燥または焼成されることによって製造されている。
【０００３】
このような基板上に塗布された厚膜ペースト層の熱乾燥や焼成は、従来は、ＩＲ(Infrared Radiation)熱処理炉を用いて行われている。
【０００４】
図１は、上記のような基板の製造に使用される従来のＩＲ熱処理炉を示す概略構成図である。
【０００５】
この図１のＩＲ熱処理炉１は、基板Ｐに対する赤外線の照射と空気の対流によって、基板に塗布されたペースト材料に含まれている溶剤成分を蒸発させるもので、基板Ｐの搬送路に沿って設けられた三つの乾燥エリア１Ａ，１Ｂ，１Ｃと、各乾燥エリア１Ａ，１Ｂ，１Ｃの天井部にそれぞれ取り付けられたヒータ１Ａａ，１Ｂａ，１Ｃａと、ダンパ１Ａｂ，１Ｂｂ，１Ｃｂおよびフィルタ１Ａｃ，１Ｂｃ，１Ｃｃを介して接続された給気ダクト２と、炉の床面上に配置された固定ビーム３およびウォーキングビーム４とを備えているものである。
【０００６】
このＩＲ熱処理炉１は、固定ビーム３とウォーキングビーム４の共働による所謂ウォーキングビーム方式によって基板Ｐの搬送を行い、基板Ｐを乾燥エリア１Ａ，１Ｂ，１Ｃの順に移動させながら、それぞれの乾燥エリア１Ａ，１Ｂ，１Ｃ内において、ヒータ１Ａａ，１Ｂａ，１Ｃａから照射される赤外線と、給気ダクト２から吹き出される乾燥空気とによって、基板Ｐの表面に塗布されている厚膜のペーストを乾燥させるようになっている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
このようなＩＲ熱処理炉１を用いて基板Ｐの乾燥が行われる際には、基板Ｐに塗布されたペーストは、その熱源側の表層が最初に乾燥を始めて、熱源から遠い表層および内部へと乾燥が進んでゆく。
【０００８】
このため、このＩＲ熱処理炉１による基板Ｐの乾燥の進行過程においては、基板Ｐに塗布されたペースト膜の表層と内部とでその状態が異なる（表層は乾燥しているが内部は未乾燥である）場合が発生するので、乾燥むらが発生したり、ひび割れが発生したりする虞がある。
【０００９】
このため、この従来の基板製造方法では、ＩＲ熱処理炉１内における加熱温度や乾燥時間に対する条件が非常に厳しく、基板の製造効率を上げるために、加熱温度を高くして乾燥時間を短縮するといったことが困難であるという問題が発生する。
【００１０】
特に、ＰＤＰの基板のように、基板上に蛍光材料のペーストを塗布してこれを乾燥させることにより発光のための蛍光体層を形成するような場合には、加熱による蛍光材料の性能劣化を防ぐために、特に加熱温度の低下と乾燥時間の短縮が要求されるが、ＩＲ熱処理炉を用いた従来の基板製造方法では、その要求を十分に満たすことが困難である。
【００１１】
また、上記のようなＩＲ熱処理炉による基盤の乾燥方法では、乾燥対象のペースト層のみならず、基板自体や炉内の雰囲気がともに加熱されるために、熱効率が良くないという問題がある。
【００１２】
【特許文献１】特開２００３−１８５３３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
この発明は、上記のような従来の基板製造方法における問題点を解決することをその解決課題の一つとしているものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
第１の発明（請求項１に記載の発明）による基板製造方法は、上記目的を達成するために、基板上に形成された構造物形成材料層に対して熱処理を行うことによって所要の構造物を形成する工程を含む基板の製造方法において、前記基板上に形成された構造物形成材料層に対してマイクロ波を照射することにより熱処理を行うことを特徴としている。
【００１５】
さらに、第２の発明（請求項１５に記載の発明）による基板製造装置は、上記目的を達成するために、基板上に形成された構造物形成材料層に対して熱処理を行うことによって所要の構造物を形成する基板の製造装置において、前記構造物形成材料層が形成された基板を収容してこの基板に対してマイクロ波を照射する熱処理炉と、この熱処理炉に接続されたマイクロ波発振機とを備えていることを特徴としている。
【００１６】
さらに、第３の発明（請求項２３に記載の発明）による表示装置は、第１の発明による基板製造方法によって製造されたことを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
この発明は、構造物形成材料層が形成された基板を収容してこの基板に対してマイクロ波を照射するマイクロ波熱処理炉と、このマイクロ波熱処理炉に接続されたマイクロ波発振機とを備えた基板製造装置によって、例えば、蛍光体層や隔壁等のリブ，誘電体層，電極などの構造物形成材料層が形成されたＰＤＰ用基板等の基板に対して所要の周波数のマイクロ波を照射することにより、この基板上の構造物形成材料層の熱乾燥や焼成等の熱処理を行う基板製造方法の実施形態を、その最良の実施形態としているものである。
【００１８】
この実施形態による基板製造方法によれば、基板上に形成された構造物形成材料層は、この構造物形成材料層に含まれる有機系溶剤や樹脂等がマイクロ波を選択的に吸収することによって振動して自己発熱することにより、加熱される。
【００１９】
このため、基板上に形成された構造物形成材料層の温度は、周囲の雰囲気の温度が十分に上昇していなくても、所要の加熱温度まで上昇されるので、高いエネルギ効率を得ることが出来る。
【００２０】
さらに、構造物形成材料層がその内部から加熱されるので、従来のＩＲ熱処理炉を用いた熱乾燥のように構造物形成材料層の表層だけが先に乾燥されることによって内部蒸気の蒸発が妨げられることがなく、これによって、乾燥時間を短縮することが可能になる。
【００２１】
さらに、構造物形成材料層がそれ自体の自己発熱によって乾燥されるので、乾燥が構造物形成材料層の全体で同時に進行し、これによって、構造物形成材料層の厚みに影響を受けることなく表層と内部とで均一な乾燥が行われて、ひび割れの虞もなく、乾燥時間の短縮を行うことが可能になる。
【実施例１】
【００２２】
図２は、この発明による基板製造方法の実施形態における第１の実施例を実施するための基板製造装置を示す概略構成図である。
【００２３】
この図２において、基板製造装置１０は、マイクロ波熱処理炉１１と、このマイクロ波熱処理炉１１に接続されたマイクロ波発振機１２を備えている。
【００２４】
マイクロ波熱処理炉１１内には、その天井部に、ＳＵＳ材製のマイクロ波反射用金属羽根１１Ａが回転自在に取り付けられていて、図示しない駆動装置によって水平面内において回転されるようになっている。
【００２５】
さらに、マイクロ波熱処理炉１１内の床上には、マイクロ波を吸収し難い材料、例えばシリカ粒子を焼結した絶縁材料によって形成された基板支持台１１Ｂが設置されている。
【００２６】
この基板製造装置１０は、基板支持台１１Ｂ上の所定の位置に、表面に所要の構造物を形成するためのペーストが所要のパターンで塗布された基板Ｐがセッティングされた後、マイクロ波発振機１２によってマイクロ波熱処理炉１１内に所要の周波数のマイクロ波が照射される。
【００２７】
このマイクロ波熱処理炉１１内に照射されたマイクロ波は、回転する金属羽根１１Ａによって反射されて炉内に拡散される。
【００２８】
これによって、基板支持台１１Ｂ上に支持されている基板Ｐ上に形成されたペースト層の有機系溶剤や樹脂がマイクロ波を選択的に吸収して、自己発熱によって加熱される。
【００２９】
このような自己発熱は、誘電率が高く誘電正接が大きいペーストの有機系溶剤や樹脂がマイクロ波によって振動されることにより発生する。
【００３０】
このため、基板Ｐ上に形成されているペースト層は、炉内の雰囲気が目的の温度まで上昇していなくても、所要の加熱温度に達する。
【００３１】
例えば、基板Ｐに塗布されたペーストの厚さを３００μｍとし、マイクロ波の出力１．５ｋＷのマイクロ波を３分間照射して計測を行ったところ、炉壁および基板支持台１１Ｂの表面，炉内雰囲気の温度は４０℃であったが、基板Ｐに塗布されたペースト層内の温度は１２０℃に達していた。
【００３２】
このように、このマイクロ波の照射による基板の製造方法によれば、ペースト層の自己発熱によって加熱が行われ、さらに、加熱が誘電率が高く誘電正接が大きいペースト層に対して選択的に行われるので基板自体の温度を上昇させる必要がなく、高いエネルギ効率を得ることが出来る。
【００３３】
さらに、ペースト層が内部から加熱されるので、従来のＩＲ熱処理炉のようにペースト層の表層だけが先に乾燥されることによって内部蒸気の蒸発が妨げられることがなく、これによって、乾燥時間を短縮することが可能になる。
【００３４】
そして、上記マイクロ波の照射による基板製造方法によれば、ペースト層の自己発熱によって乾燥が行われるので、乾燥がペースト層の全体で同時に進行し、これによって、ペースト層の厚みに影響を受けることなく表層と内部とで均一な乾燥が行われて、ひび割れの虞もなく、乾燥時間を短縮することが可能になる。
【００３５】
特に、ＰＤＰ用基板に形成される蛍光体層の乾燥を行う場合等には、乾燥時間を短縮することによって蛍光材料が劣化するのを防止することが出来るようになる。
【００３６】
なお、上記のマイクロ波の照射による基板製造方法において、マイクロ波熱処理炉１１内に高誘電率で誘電正接が大きい材料で形成された例えば後述するマイクロ波吸収体のような被加熱ターゲットを設けるようにすれば、伝導および輻射による基板自体の加熱も可能になる。
【００３７】
このように、マイクロ波熱処理炉１１内に被加熱ターゲットを設けることによって、マイクロ波の吸収によって被加熱ターゲットが発熱し、この被加熱ターゲットからの伝熱および輻射によって基板が加熱されるので、マイクロ波によって自己発熱するペースト層と基板との間の温度差を無くすことが出来、これによって、ペースト層の均一な乾燥と乾燥時間の短縮をさらに図ることが出来るようになる。
【００３８】
図３は、マイクロ波熱処理炉１１におけるマイクロ波の出力を変化させて、ＰＤＰ用基板に塗布された蛍光体層形成のための蛍光材料ペースト層の乾燥を行った場合の、乾燥後の蛍光体層の輝度を比較した結果を示すグラフである。
【００３９】
この時のマイクロ波による乾燥時間は、基板表面温度が１２０℃になるまでの時間とした。
【００４０】
この図３において、ＲＥＦは、従来のＩＲ熱処理炉によって熱乾燥を行ったときの結果を示すもので、このＩＲ熱処理炉による熱乾燥の結果を１として、マイクロ波の出力が０．７ｋＷ，１．５ｋｗ，３ｋＷ，４．５ｋＷのときの輝度がそれぞれ示されている。
【００４１】
この図３から、マイクロ波出力の最適条件は３ｋＷであって、この場合には、ＩＲ熱処理炉によって熱乾燥を行った場合と比較して、蛍光体層の輝度が１０パーセント高くなっていることが分かる。
【００４２】
また、ＰＤＰ用基板に放電空間を区画する隔壁を形成する際に、マイクロ波熱処理炉１１によって乾燥された隔壁の緻密性を顕微鏡観察によって調べて見ると、乾燥条件をマイクロ波出力：１．５ｋＷ，乾燥時間：３分，基板到達温度：１２０℃，ペーストの塗布膜厚：３０μｍとして乾燥終了後に顕微鏡観察を行ったところ、従来のＩＲ熱処理炉による熱乾燥では表面から乾燥するために表面の緻密性が高く内部の緻密性が低かったのに対し、マイクロ波熱処理炉１１による乾燥では、ペースト層の全体で均一に加熱されるために、部分的な差は見られず、緻密性の高い隔壁が形成されることが分かった。
【００４３】
そして、マイクロ波熱処理炉１１を用いたマイクロ波乾燥によれば、従来のＩＲ熱処理炉による熱乾燥によってはコントロール出来なかったペースト層の乾燥状態や緻密性のコントロールが、マイクロ波出力や乾燥時間の設定によって可能であることが分かった。
【００４４】
図４は、ＰＤＰ用基板に放電空間を区画するための隔壁を形成する際の乾燥をマイクロ波熱処理炉１１によって行った際の、マイクロ波出力と乾燥後の隔壁の膜厚との関係を調べた結果を示している。
【００４５】
この図４において、０ｋＷは、従来のＩＲ熱処理炉によって熱乾燥を行ったときの結果を示している。
【００４６】
この図４から、マイクロ波出力が大きいほど乾燥後の隔壁の膜厚が減少することが分かる。
【００４７】
そして、マイクロ波出力が過大の場合には急激な加熱によって隔壁にひびが入るが、図示の出力範囲においては、隔壁の膜厚は、ＩＲ熱処理炉による熱乾燥の場合に比較して、約５パーセント薄くなることが分かった。
【００４８】
これは、ＩＲ熱処理炉による熱乾燥と比較して、マイクロ波熱処理炉１１によって乾燥を行う場合には、隔壁の内部まで十分に乾燥が進むためと考えられる。
【００４９】
図５は、ＰＤＰ用基板に誘電体層を形成する際の熱処理をマイクロ波熱処理炉１１によって行った際の、マイクロ波出力と熱処理後の誘電体層の直線透過率との関係を調べた結果を示している。
【００５０】
この図５において、０ｋＷは、従来のＩＲ熱処理炉によって熱処理を行ったときの結果を示しており、この熱処理の場合の誘電体層の透過率を１として、マイクロ波の出力が１．５ｋｗ，３ｋＷ，４．５ｋＷのときの誘電体層の直線透過率がそれぞれ示されている。
【００５１】
そして、この実験のときのＩＲ熱処理およびマイクロ波熱処理による熱処理温度は、ともに５６０℃であり、ピーク温度での温度保持は行わなかった。
【００５２】
この図５から、マイクロ波出力が大きいほど熱処理後の誘電体層の直線透過率は大きくなり、所定値（図示の場合は、３ｋＷ）以上になると飽和し、この時の直線透過率が、ＩＲ熱処理による誘電体層の直線透過率と比べて約３パーセント大きいことが分かる。
【００５３】
これは、マイクロ波熱処理によって誘電体層の気泡が減少するためである。
【００５４】
上記のようなマイクロ波熱処理炉１１を用いた基板製造方法においては、基板上に塗布されるペースト材の種類、例えばＰＤＰ用基板に形成される隔壁の形成材料や蛍光体層を形成するための蛍光材料などに含まれる有機系溶剤や樹脂の種類毎に、最適なマイクロ波の波長をそれぞれ設定するようにすることによって、より最適な基板の熱処理を行うことが出来るようになる。
【００５５】
また、上記のようなマイクロ波熱処理炉１１を用いて基板Ｐの乾燥処理を行う場合には、基板Ｐに塗布されたペースト膜の乾燥が終わると、負荷が小さくなることによって基板Ｐからのマイクロ波の反射波が増加するので、定在波測定器を用いてマイクロ波吸収体１１Ｃ内の定在波比や反射波電圧を測定するようにすれば、基板Ｐに塗布されたペースト膜の乾燥状態を確認することが出来るようになる。
【実施例２】
【００５６】
図６は、この発明による基板製造方法の実施形態における第２の実施例を実施するための基板製造装置を示す概略構成図である。
【００５７】
この図６において、基板製造装置２０は、マイクロ波熱処理炉１１内の基板支持台１１Ｂ上に、ＳｉＯ粉末とシリカ粉末を焼結した材料によって形成されたマイクロ波吸収体１１Ｃが取り付けられていて、このマイクロ波吸収体１１Ｃが、基板支持台１１Ｂ上の所定位置にセッティングされる基板Ｐの上方に位置されるようになっている。
【００５８】
そして、このマイクロ波吸収体１１Ｃの支持部１１Ｃａは、基板支持台１１Ｂの形成しているのと同じ断熱材料によって形成されている。
【００５９】
この基板製造装置２０の他の部分の構成は、前述した第１実施例の基板製造装置１０と同様であり、この基板製造装置１０と同一の構成部分については同一の符号が付されている。
【００６０】
この基板製造装置２０において、第１実施例の基板製造装置１０の構成に加えてマイクロ波熱処理炉１１内にマイクロ波吸収体１１Ｃが設けられているのは、例えばＰＤＰのように基板上に導電性ペーストを塗布してその乾燥を行うことにより電極を形成する場合のように、炉内に導電性材料が存在する場合に、マイクロ波の照射によって放電が発生するのを防止するためである。
【００６１】
すなわち、マイクロ波熱処理炉１１内にマイクロ波吸収体１１Ｃを設置することによって、マイクロ波の照射によって炉内に発生する定在波の影響や、基板に塗布された導電性ペーストがアンテナとして作用したりするのが抑えられるので、マイクロ波の照射の際に導電性ペーストによって放電が発生するのが防止される。
【００６２】
また、図６の例のように、パネル状のマイクロ波吸収体１１Ｃが基板支持台１１Ｂに支持された基板Ｐの上方に間隔を空けて設置される場合には、基板Ｐとの間隔を最適化する（例えば、１５ｍｍに設定する）ことによって、両者の間に形成される熱容量が最小限に抑えられて、マイクロ波吸収体１１Ｃの設置によって乾燥時間が延長されるのを抑制することが出来る。
【００６３】
なお、基板支持台１１Ｂをマイクロ波吸収体１１Ｃと同様のマイクロ波吸収材料によって形成するようにしてもよく、これによって、上記のような効果がさらに発揮される。
【００６４】
マイクロ波吸収体は、図６のように、パネル状のものを基板支持台１１Ｂの上方に間隔を開けて配置する場合に他、図７に示されるように、基板支持台１１Ｂ上にセッティングされる基板Ｐの周囲を囲むように配置しても良い。
【００６５】
この場合、基板Ｐの周囲を囲むように配置されたマイクロ波吸収体２１Ｃによって吸収されるマイクロ波は増加するが、基板Ｐに形成されたペースト層は、このマイクロ波吸収体２１Ｃに吸収されることなく基板Ｐに到達する一部のマイクロ波によって自己発熱して加熱されるほか、マイクロ波吸収体２１Ｃの発熱による輻射熱によって乾燥が行われることによって、乾燥時間の短縮化が図られる。
【００６６】
図８は、基板製造装置２０のマイクロ波熱処理炉１１を用いてＰＤＰ用基板にバス電極を形成する導電性ペースト層の熱処理を行った際の、マイクロ波出力と熱処理後のバス電極の抵抗値との関係を調べた結果を示している。
【００６７】
この図８において、０ｋＷは、従来のＩＲ熱処理炉によって熱処理を行った場合の結果を示しており、この熱処理の場合のバス電極の抵抗値を１として、マイクロ波の出力が１．５ｋｗ，３ｋＷ，４．５ｋＷのときのバス電極の抵抗値がそれぞれ示されている。
【００６８】
なお、この実験の際のマイクロ波吸収体１１Ｃと基板支持台１１Ｂ上にセッティングされた基板Ｐとの間隔は１５ｍｍに設定されており、ＩＲ熱処理およびマイクロ波熱処理による熱処理温度は、ともに５６０℃であり、ピーク温度での温度保持は行われていない。
【００６９】
この図８から、マイクロ波出力が大きくなるとバス電極の抵抗値が小さくなり、マイクロ波熱処理によって形成されたバス電極の抵抗値は、従来のＩＲ熱処理炉による熱処理の場合に比べて、約５パーセント小さくなっていることが分かる。
【００７０】
これは、バス電極が、マイクロ波熱処理によって形成されることによって、その緻密性が増加したためと考えられる。
【００７１】
図９の（ａ）ないし（ｂ）は、基板製造装置２０のマイクロ波熱処理炉１１によって、マイクロ波出力を変えてＰＤＰ用基板に形成される蛍光体層の乾燥を行った際の、それぞれの蛍光体層の乾燥後のプロファイルを確認した結果を示している。
【００７２】
この蛍光体層のプロファイルの確認は、乾燥の際の基板到達温度を１２０℃に設定し、乾燥時間は室温（３０℃）から基板到達温度に達するまでの時間とし、基板温度到達後にはその温度での保持を行わずに冷却を行った。
【００７３】
そして、マイクロ波吸収体１１ＣとしてはＳｉＣ板を使用し、このＳｉＣ板を基板支持台１１Ｂ上にセッティングされた基板Ｐの上方に１５ｍｍの間隔を開けて配置して、マイクロ波による乾燥を行った。
【００７４】
なお、図９（ａ）ないし（ｂ）中、ＰＡは、ＰＤＰにおいて放電空間を放電セル毎に区画する隔壁を示している。
【００７５】
図９（ａ）は、マイクロ波出力：７００Ｗ，乾燥時間：４００秒で乾燥を行ったときの蛍光体層ＰＨ１のプロファイルを示し、図９（ｂ）は、マイクロ波出力：１．５ｋＷ，乾燥時間：１３０秒で乾燥を行ったときの蛍光体層ＰＨ２のプロファイルを示し、図９（ｃ）は、マイクロ波出力：３ｋＷ，乾燥時間：９０秒で乾燥を行ったときの蛍光体層ＰＨ３のプロファイルを示し、図９（ｄ）は、マイクロ波出力：４．５ｋＷ，乾燥時間：５５秒で乾燥を行ったときの蛍光体層ＰＨ４のプロファイルを示している。
【００７６】
この図９（ａ）ないし（ｄ）から、マイクロ波出力が大きく乾燥時間が短くなるほど、蛍光体層の底膜厚が薄くなり隔壁ＰＡ側の膜厚が大きくなることが分かった。
【００７７】
また逆に、マイクロ波出力が小さく乾燥時間が長くなるほど、底膜厚は厚くなり隔壁ＰＡ側の膜厚は薄くなっている。
【００７８】
なお、基板到達温度に達するまでの時間はマイクロ波出力に依存するが、基板支持台１１Ｂの断熱材の量や、マイクロ波吸収体１１Ｃの配置等によって、調整が可能である。
【００７９】
図１０は、マイクロ波熱処理炉１１において、ＰＤＰ用基板に形成される蛍光体層の乾燥をマイクロ波出力をそれぞれ変えることによって行い、マイクロ波の出力後、室温（３０℃）から基板到達温度１２０℃に達するまでの到達時間を、マイクロ波吸収体１１Ｃが取り付けられている場合と取り付けられていない場合とでそれぞれ調べた結果を示している。
【００８０】
この図１０から、マイクロ波出力に対して、マイクロ波吸収体１１Ｃが有りの場合と無しの場合のどちらの場合も、基板到達温度までの到達時間はほぼ反比例しており、昇温速度はマイクロ波出力に対して比例していることが分かる。
【００８１】
そして、マイクロ波吸収体１１Ｃが有りの場合には、マイクロ波の損失が大きくなるために、マイクロ波吸収体１１Ｃが無しの場合に比べて、到達時間が長くなっていることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】従来例のＩＲ熱処理炉を示す概略構成図である。
【図２】この発明の第１実施例において使用されるマイクロ波熱処理炉を示す概略構成図である。
【図３】同実施例におけるマイクロ波出力と蛍光体輝度との関係を示す図である。
【図４】同実施例におけるマイクロ波出力と隔壁の膜厚との関係を示す図である。
【図５】同実施例におけるマイクロ波出力と誘電体層の透過率との関係を示す図である。
【図６】この発明の第２実施例において使用されるマイクロ波熱処理炉を示す概略構成図である。
【図７】同マイクロ波熱処理炉の変形例を示す概略構成図である。
【図８】同実施例におけるマイクロ波出力とバス電極の抵抗との関係を示す図である。
【図９】同実施例におけるマイクロ波出力と蛍光体層の乾燥後のプロファイルとの関係を示す状態説明図である。
【図１０】同実施例におけるマイクロ波出力と基板到達温度までの到達時間との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００８３】
１０，２０      …基板製造装置
１１            …マイクロ波熱処理炉
１１Ａ          …金属羽根（反射部材）
１１Ｂ          …基板支持台（基板支持部材）
１１Ｃ，２１Ｃ  …マイクロ波吸収体
Ｐ              …基板
ＰＡ            …隔壁（構造物形成材料層，リブ）
ＰＨ１〜ＰＨ４  …蛍光体層（構造物形成材料層）
【図１】
2005172371.tif 000003
【図２】
2005172371.tif 000004
【図３】
2005172371.tif 000005
【図４】
2005172371.tif 000006
【図５】
2005172371.tif 000007
【図６】
2005172371.tif 000008
【図７】
2005172371.tif 000009
【図８】
2005172371.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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