(57)【要約】  【課題】  保護層としての金属酸化膜にＳｉＣを安定して添加することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置、プラズマディスプレイパネルの製造方法、それにより製造されたプラズマディスプレイパネルを提供すること  【解決手段】  真空排気された真空槽１内に、（１）酸素ガスおよび構成元素として（２）炭素（Ｃ）もしくは珪素（Ｓｉ）を含むガスを導入しながら、対象の基板２上に蒸着材料４の蒸着を行う工程、を備える薄膜形成方法であって、前記蒸着材料４は、（１）金属酸化物および（２）珪素（Ｓｉ）もしくは炭化珪素（ＳｉＣ）を有する、薄膜形成方法である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空排気された蒸着室内に、（１）酸素ガス、および（２）構成元素として炭素（Ｃ）もしくは珪素（Ｓｉ）を含むガスを導入しながら、対象の基板上に蒸着材料の蒸着を行う工程、を備える薄膜形成方法であって、
前記蒸着材料は、（１）金属酸化物、および（２）珪素（Ｓｉ）もしくは炭化珪素（ＳｉＣ）を有する、薄膜形成方法。
【請求項２】
前記蒸着材料は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）および珪素（Ｓｉ）であり、
前記構成元素として炭素（Ｃ）もしくは珪素（Ｓｉ）を含むガスは、メタン（ＣＨ４）である、請求項１に記載の薄膜形成方法。
【請求項３】
前記蒸着材料は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）および炭化珪素（ＳｉＣ）であり、
前記構成元素として炭素（Ｃ）もしくは珪素（Ｓｉ）を含むガスは、メタン（ＣＨ４）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）、およびテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）をガス化したもの、のいずれかである、請求項１に記載の薄膜形成方法。
【請求項４】
前記メタン（ＣＨ４）の前記酸素ガスに対する供給比は、１〜２５ｖｏｌ％の範囲にある、請求項２に記載の薄膜形成方法。
【請求項５】
前記テトラメチルシラン（ＴＭＳ）またはテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）をガス化したものの前記酸素ガスに対する供給比は、１〜２０ｖｏｌ％の範囲にある、請求項３に記載の薄膜形成方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の薄膜形成方法を用いて、ガラス基板上の誘電体層を保護する保護膜を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
ガラス基板上に形成された誘電体層を保護する保護膜を備えたプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護膜は、金属酸化物および炭化珪素（ＳｉＣ）を含有しているプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
真空排気された蒸着室内に（１）酸素ガス、および（２）構成元素として炭素（Ｃ）もしくは珪素（Ｓｉ）を含むガスを導入するガス導入手段を備える薄膜形成装置であって、
蒸着材料として、（１）金属酸化物、および（２）珪素（Ｓｉ）もしくは炭化珪素（ＳｉＣ）を対象の基板上に蒸着を行う、薄膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜形成方法および薄膜形成装置と、これを用いて作製されたプラズマディスプレイパネルの保護膜の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイは、ガラス基板上に作りこまれた個々のセルにプラズマ放電を発生させ、内部に塗布されたＲＧＢの蛍光体を光らせて表示するデバイスである。交流面放電型プラズマディスプレイでは、主放電のための電極を誘電体層で被覆し、メモリー駆動を行うことによって、その駆動電圧を低下させている。ところが、その際の放電で生じるイオン衝撃により誘電体層が変質し、駆動電圧が上昇するという問題が発生する。そこで、誘電体層を保護する保護層を形成する必要があり、一般的には酸化マグネシウム（以下、ＭｇＯと示す）をはじめとする、耐スパッタ性が高い物質が用いられる。この保護層はプラズマ放電に直面し、保護層の役割以上に、ディスプレイの表示性能に重大な影響を及ぼすことになる。
【０００３】
テレビ映像を表示するには、１フィールド＝１／６ ０［ｓ］内で全てのシーケンスを終了させる必要があり、このため書き込み期間に印加するアドレスパルスのパルス幅を狭くする必要がある。しかしパルスの立ち上がりから、かなり遅れて放電が行われるという「放電遅れ」が存在するために、印加されたパルス幅内で放電が終了する確率が低くなり、本来点灯すべきセルに書き込みなどが出来ずに点灯不良が生じる場合があった。この場合、保護層としてのＭｇＯにＳｉを添加する従来技術（例えば、特許文献１参照。）やＳｉＣを添加する技術がある。これらの不純物元素を添加した場合、電子放出能力が向上し、放電遅れ時間が短くなり、画像表示品位が向上するからである。
【０００４】
ＭｇＯ膜を形成するには、蒸着やスパッタなどの物理的方法が広く知られているが、粒状のＭｇＯ材料を電子ビームにより直接加熱し昇華させるＥＢ蒸着法が一般的でる。
【０００５】
これらの技術を実現するためのＭｇＯ膜形成方法について、詳細な記述がされた文献はないが、この技術を使用するにあたって、一般的と考えられるＭｇＯ膜の形成方法を図１１を用いて説明する。真空槽１内に被処理基板２を配置し、真空ポンプ（図示せず）により雰囲気環境を十分排気した後、ヒーター３などによって基板２を十分加熱する。基板２の下部に蒸着源であるＭｇＯペレットを含む、本発明の蒸着材料の一例である蒸着ペレット４が材料容器（ハース）５に入れられ、ここに、電子ビーム銃６から電子ビームを照射し蒸着ペレット４を加熱する。蒸着ペレット４が昇華（蒸発）しその蒸発速度が所定値になるまで電子ビームのパワーを投入する。ＭｇＯ をはじめとする昇華性材料の多くは２０００℃以上の蒸発温度を持ち、大きな電子ビームのエネルギーを必要とする。また、同時に酸素ガスを真空槽１内に導入して、蒸着時に欠損しやすい酸素原子の解離を抑制する。
【０００６】
ＭｇＯ膜内へＳｉＣのような不純物を添加するためには、蒸着ペレット４の中に、ペレットの製造段階から不純物として添加し、含有させたものを蒸着材料として使用することが一般的である。または、図１２のようにＭｇＯペレットとは別に、ＳｉＣのパウダーを用意し、真空槽１内に配置して、ＭｇＯの蒸着と同時に加熱・蒸発をさせて、膜中に取り込むことも一般的である。
【特許文献１】特開平１０−３３４８０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、上記に示すような方法では、蒸着されるＭｇＯの品質に関して、
以下のような課題が発生する。
【０００８】
すなわち、ＭｇＯにＳｉＣを含有させて製造された材料ペレットを用いる場合やＭｇＯペレットを含む蒸着ペレット４と、ＳｉＣのペレット（またはパウダー）に分けて、２元で蒸着をする場合、いずれの場合にも、蒸着材料に高いエネルギーの電子ビームが照射されるため、ＭｇＯやＳｉＣはそれぞれの原子に分解し蒸着粒子となる。これらの蒸着粒子が再び基板上で結合して膜として形成される時、ＭｇＯ膜中でＳｉＣの形で存在する確率は小さく、ＳｉやＣといった単体元素で取りこまれる確率が高い。このため、ＭｇＯ膜中におけるＳｉＣの不純物添加効果が小さくなり、所望の膜特性を得ることがむずかしくなる。また、不純物を添加するために使用している源は固体源であり、このような膜質の状況に対応して、プロセスのコントロールをすることができず、その安定性を欠いてしまうのである。
【０００９】
本発明は、上記の課題を鑑み、保護層としての金属酸化膜にＳｉＣを安定して添加することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置、プラズマディスプレイパネルの製造方法、それにより製造されたプラズマディスプレイパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、第１の本発明は、真空排気された蒸着室内に、（１）酸素ガスおよび構成元素として（２）炭素（Ｃ）もしくは珪素（Ｓｉ）を含むガスを導入しながら、対象の基板上に蒸着材料の蒸着を行う工程、を備える薄膜形成方法であって、
前記蒸着材料は、（１）金属酸化物および（２）珪素（Ｓｉ）もしくは炭化珪素（ＳｉＣ）を有する、薄膜形成方法である。
【００１１】
第２の本発明は、前記蒸着材料は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）および珪素（Ｓｉ）であり、
前記構成元素として炭素（Ｃ）もしくは珪素（Ｓｉ）を含むガスは、メタン（ＣＨ４）である、第１の本発明の薄膜形成方法である。
【００１２】
第３の本発明は、前記蒸着材料は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）および炭化珪素（ＳｉＣ）であり、
前記構成元素として炭素（Ｃ）もしくは珪素（Ｓｉ）を含むガスは、メタン（ＣＨ４）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）、およびテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）をガス化したもの、のいずれかである、第１の本発明の薄膜形成方法である。
【００１３】
第４の本発明は、前記メタン（ＣＨ４）の前記酸素ガスに対する供給比は、１〜２５ｖｏｌ％の範囲にある、第２の本発明の薄膜形成方法である。
【００１４】
第５の本発明は、前記テトラメチルシラン（ＴＭＳ）またはテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）をガス化したものの前記酸素ガスに対する供給比は、１〜２０ｖｏｌ％の範囲にある、第３の本発明の薄膜形成方法である。
【００１５】
第６の本発明は、第１〜５のいずれかの本発明の薄膜形成方法を用いて、ガラス基板上の誘電体層を保護する保護膜を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【００１６】
第７の本発明は、ガラス基板上に形成された誘電体層を保護する保護膜を備えたプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護膜は、金属酸化物および炭化珪素（ＳｉＣ）を含有しているプラズマディスプレイパネルである。
【００１７】
第８の本発明は、真空排気された蒸着室内に（３）酸素ガス、および（４）構成元素として炭素（Ｃ）もしくは珪素（Ｓｉ）を含むガスを導入するガス導入手段を備える薄膜形成装置であって、
蒸着材料として、（１）金属酸化物および（２）珪素（Ｓｉ）または炭化珪素（ＳｉＣ）を対象の基板上に蒸着を行う、薄膜形成装置である。
【発明の効果】
【００１８】
保護層としての金属酸化膜にＳｉＣを安定して添加することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置、プラズマディスプレイパネルの製造方法、それにより製造されたプラズマディスプレイパネルを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（実施の形態１）
図１は、本発明を実施するための薄膜形成装置の概略構成である。本発明の蒸着室の一例である真空槽１の内部に基板２が配置されている。基板２の背面にはヒーター３が設置されている。基板２の下方には、ＭｇＯペレットを含む蒸着ペレット４をいれた材料容器（ハース）５が配置される。真空槽１の外壁部に据付られた電子ビーム銃６は、蒸着ペレット４上にビーム照射できるよう制御される。また、基板２と蒸着ペレット４の間には、シャッター７が配置されており、基板上へのＭｇＯ形成を制御できる。真空槽１の外部には、酸素ガス８および炭化水素ガス９の容器が設置され、金属配管を通じて真空槽に接続される。蒸着ペレット４は、多くの水分が吸着しているために、基板２上に成膜するまえに、脱ガスをしておく必要がある。脱ガスの間は、シャッター７が閉じられ、基板２上に膜が形成されることはない。脱ガスが終了すると、シャッター７が開けられ、基板２上にＭｇＯ膜が形成する。炭化水素ガス９の一例として、メタン（ＣＨ４）が使用される。真空槽１内の圧カモニタには、電離真空計を用いた。
【００２０】
次に、蒸着処理の手順を説明する。真空槽１内に基板２を設置後、１０−５Ｐａまで高真空排気を行った。基板２の背面のヒーター３により、基板２を温度２００℃まで加熱した。次に、真空槽１内に、酸素ガスを２０ｓｃｃｍ導入し、真空槽１内の圧力を３×１０−２Ｐａとした。次に、電子ビーム銃６を稼動させ、蒸着ペレット４にビーム照射を開始した。蒸着ペレット４には、１００００ｐｐｍのＳｉＣが製造段階から混合されているものを使用した。電子ビームの照射条件は、加速電圧２０ｋＶ、ビーム電流量１００ｍＡとし、シャッター７は閉めて蒸着ペレット４の脱ガスを約１時間行った。脱ガス終了後、電流量を３００ｍＡに増加させた。また、メタンを０．５〜７．０ｓｃｃｍ流し、真空槽１内に導入した。この結果圧力は３×１０−２〜４×１０−２Ｐａとなった。さらに、シャッター７を開放し、基板上へのＭｇＯ蒸着を開始した。蒸着時間は２０分とし、ＭｇＯ膜の膜厚は、７００ｎｍとした。
【００２１】
上記手順によって、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという。）の保護膜を作製し、パネルの特性を評価した。図２は、本発明のＰＤＰに駆動回路を接続して構成した画像表示装置を示すブロック図である。ＰＤＰはアドレス電極１３０を介してアドレス電極駆動部２３０、走査電極１１０を介して走査電極駆動部２１０、維持電極１２０を介して維持電極駆動部２２０と接続されている。評価は、走査電極１１０−アドレス電極１３０間に電圧を印加してから実際に書き込み放電が起こるまでの放電遅れ時間を測定した。実際に、書き込み放電を観察し、その書き込み放電発光の１００回分を平均化し、書き込み放電発光のピークを示した時間を放電が起きた時間とし、その活性化エネルギーを求めた。この結果を図３に示す。
【００２２】
図３は、蒸着源として、Ｓｉを３００ｐｐｍ含有したＭｇＯと、ＳｉＣを１００ｐｐｍ含有したものを使用した場合のおのおのについて、ＣＨ４供給量と放電遅れ時間活性化エネルギーの関係を示す。ＭｇＯにＳｉのみを添加した時の活性化エネルギーの値を１として示している。なお、ＭｇＯにＳｉのみを添加した場合、この活性化エネルギー値は、そのＳｉ添加濃度によらずほぼ一定であった。いずれの蒸着源の場合でも、ＣＨ４供給量を増加することで、活性化エネルギーは低下する。活性化エネルギーは温度に対する特性の変化を示す数値であり、この値が低くなるほど温度に対して特性（本発明では放電遅れ時間）が変化しないということになる。
【００２３】
ＭｇＯにＳｉのみを添加した場合に比べて、ＳｉＣを添加した方が活性化エネルギーがより下がり良好な特性を示すのは、気相中にある炭素元素が、ＭｇＯに添加されているＳｉＣの解離を抑制し、Ｃの酸化を抑制する作用によるものと考えられる。また、ＭｇＯにＳｉのみを添加した場合においても、活性化エネルギーが低下しているが、これは添加されたＣＨ４により、ＳｉＣが生成されているため、と考えられる。
【００２４】
ＣＨ４の供給量をさらに増大し、８ｓｃｃｍ以上とした場合、いずれの蒸着源の場合も放電遅れ時間が大きくなるか、あるいは放電に必要な電圧値が異常に高くなり、従来の設定電圧値では画像表示ができなくなった。これは、添加ガスであるＣＨ４の導入量を増加したことによって、ＭｇＯの膜質の低下につながったのではないかと考えられる。このように、ＣＨ４の酸素ガスに対する供給比が、１〜２５％の範囲で、ＳｉＣを添加した場合の活性化エネルギーの特性は、Ｓｉのみを添加した場合のものより優れた特性を示した。
【００２５】
これは、明確な原因は把握できないが、ＳｉだけではなくＳｉＣとしてＭｇＯに入ることによって、温度特性を強くしていた要因を排除できるためであると考えられる。これらの結果から、ＣＨ４などの炭素を含む添加ガスを導入した場合、蒸着源の中に混合した不純物の添加効果をさらに高めることがあきらかになった。さらに、添加ガス量の調整によって、プロセス中でもコントロールすることが可能である。
【００２６】
上記に述べたことは、例えば、図４に示すように、ＭｇＯの蒸着源とＳｉもしくはＳｉＣの蒸着源との２元蒸着としても同様の効果が得られる。また、両方の蒸着ペレットを混合しても同様な効果が得られることは言うまでもない。
【００２７】
以上に述べたように、本実施の形態によれば、ＭｇＯ膜中の適正なＳｉＣ濃度を実現し、価電子帯と伝導帯との間に不純物準位を形成し、電子放出能力が向上する。その結果、放電遅れを抑え、電圧印加に対する放電の発生の応答性を改善でき、かつその温度特性が良好な画像が表示できるという大きな効果を有し、プラズマディスプレイパネルの製造に適したＭｇＯ膜を長期にわたって安定で製造しつづけることができ、産業上の利用価値もすこぶる高いものである。
【００２８】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２の薄膜形成装置の構成および動作を図面を用いて説明する。図５は、本発明の実施の形態２の薄膜形成装置の構成図である。実施の形態１の薄膜形成装置と同様の構成要素については、同一の参照番号を使用しその説明を省略する。
【００２９】
真空槽１外部には、酸素ガス８および珪素を含むガス１９の容器が設置され、金属配管を通じて真空槽に接続される。この珪素を含むガス１９の一例として、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）を使用した。テトラメチルシランは有機珪素のなかでも蒸気圧が高く、不純物添加のような微量の場合、キャリアガスがなくてもガスとして、真空槽１へ供給することが可能である。真空槽１の圧カモニタには、電離真空計を用いた。
【００３０】
蒸着処理の手順においては、テトラメチルシラン（以下ＴＭＳという。）を０．５〜５．０ｓｃｃｍまで変化させて流した。その結果、真空槽１内の圧力を３×１０−２Ｐａとした。
【００３１】
そして実施の形態１の場合と同様に、パネルの特性を評価した。この結果を図６に示す。蒸着源として、ＳｉＣを１５００ｐｐｍ含有したＭｇＯを使用した場合、ＴＭＳ供給量と放電遅れ時間活性化エネルギーの関係を示す。ＭｇＯにＳｉのみ３００ｐｐｍを添加した時の活性化エネルギーの値を１として示している。ＴＭＳ供給量を増加することで、活性化エネルギーは低下する。ＴＭＳ供給量増加に伴いが活性化エネルギーが下がり良い特性を示すのは、気相中にあるＳｉ元素や炭素がＭｇＯに添加されているＳｉＣの解離の抑制をしているものと考えられる。
【００３２】
ところが、ＴＭＳの供給量５ｓｃｃｍからをさらに増大させると、ＭｇＯの膜質が低下し、放電に必要な電圧値が異常に高くなり、従来の設定電圧値では画像表示ができなくなった。したがって、ＴＭＳの酸素に対する供給比が１〜２０％の範囲において、ＴＭＳが供給されない場合よりも活性化エネルギーの特性は優れた特性を示す。
【００３３】
これらの結果から、珪素を含む添加ガスを導入した場合、蒸着源の中に混合した不純物の添加効果をさらに高めることがあきらかになった。さらに、これらはガスであるので量の調整によって、プロセス中でもコントロールすることが可能である。
【００３４】
上記に述べたことは、例えば、図７に示すように、ＭｇＯの蒸着源とＳｉＣの蒸着源との２元蒸着としても同様の効果が得られる。また、両方の蒸着ペレットを混合しても同様な効果が得られることは言うまでもない。
【００３５】
（実施の形態３）
図８は、本発明の実施の形態３の薄膜形成装置の概略構成図である。なお、図８において、図１と同じ機能を有する構成物には、同じ番号を付し、その説明を省略する。本実施の形態において、有機珪素として、テトラエトキシシラン（以下、ＴＥＯＳという。）を使用した。有機珪素の中でも分子量が大きなＴＥＯＳは、常温で液体であり、ガス化するにはＡｒをキャリアガスとして、パブリングし真空槽１内に導入した。また、有機ガスの配管には、再液化を防ぐため、ヒーターを巻きつけ、８０℃以上を保持した。ＴＥＯＳの容器１３に接続しているＡｒガスの容器１２のバルブを開放し、ＴＥＯＳの真空槽１への導入を開始した。Ａｒ流量は０．５〜５．０ｓｃｃｍとし、導入されるＴＥＯＳは０．０２〜０．２ｓｃｃｍとした。実施の手順は、基本的に実施の形態１と同様の手順である。
【００３６】
同様にパネルの特性を評価した。図９に、ＴＥＯＳ供給量と放電遅れ活性化エネルギーの相対値との関係を示す。ＴＥＯＳ供給量を変化させることで、パネルの特性が制御できる。実施の形態１で述べたのと同様、ＭｇＯの蒸着源として、ＳｉＣを１５００ｐｐｍ含有したものを使用した。ＴＥＯＳ供給量を増加することで、活性化エネルギーは低下する。これは、気相中にあるＳｉ元素や炭素がＭｇＯに添加されているＳｉＣの解離の抑制をしているものと考えられる。ＴＥＯＳを含むＡｒの供給量をさらに、増大させると、ＭｇＯの膜質が低下し、放電に必要な電圧値が異常に高くなり、従来の設定電圧値では画像表示ができなくなった。
【００３７】
以上に述べたように、本発明の実施の形態２、３によれば、ＭｇＯ膜中の適正なＳｉＣ濃度を実現し、価電子帯と伝導帯との間に不純物準位を形成し、電子放出能力が向上する。その結果、放電遅れを抑え、電圧印加に対する放電の発生の応答性を改善でき、かつその温度特性が良好な画像が表示できるという大きな効果を有し、プラズマディスプレイパネルの製造に適したＭｇＯ膜を長期にわたって安定して製造しつづけることができ、産業上の利用価値もすこぶる高いものである。
【００３８】
上記に述べたことは、例えば、図１０に示すように、ＭｇＯの蒸着源とＳｉもしくはＳｉＣの蒸着源との２元蒸着としても同様の効果が得られる。また、両方の蒸着ペレットを混合しても同様な効果が得られることは言うまでもない。
【００３９】
なお、以上までの説明において、本発明の金属酸化物は、ＭｇＯであるとしてきたが、ＰＤＰの保護層としての役割を果たす場合は、他の金属酸化物である場合も考えられる。
【００４０】
また、以上までの説明において、本発明の構成元素として炭素（Ｃ）もしくは珪素（Ｓｉ）を含むガスは、メタン、ＴＭＳ、ＴＥＯＳである場合を説明したが、テトラメトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣＨ３）４）等他のガスである場合もあり得る。
【００４１】
また、その保護膜が、金属酸化物および炭化珪素（ＳｉＣ）を含有しているプラズマディスプレイパネルは、本発明の範囲である。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明にかかる、薄膜形成方法、薄膜形成装置によれば、保護層としての金属酸化膜にＳｉＣを安定して添加することができ、プラズマディスプレイパネルの製造方法等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施形態１の薄膜形成方法を説明する薄膜形成装置の構成図
【図２】本発明の実施の形態１の薄膜形成方法により作成したＰＤＰに駆動回路を接続して構成した画像表示装置を示すブロック図
【図３】本発明の実施の形態１の薄膜形成方法により作成されたＰＤＰにおける放電遅れの活性化エネルギー相対比とＣＨ４供給量の関係を示す図
【図４】本発明の実施形態１の他の例を説明する薄膜形成装置の構成図
【図５】本発明の実施形態２の薄膜形成方法を説明する薄膜形成装置の構成図
【図６】本発明の実施の形態２の薄膜形成方法により作成されたＰＤＰにおける放電遅れの活性化エネルギー相対比と有機珪素供給量の関係を示す図
【図７】本発明の実施形態２の薄膜形成方法の他の例を説明する薄膜形成装置の構成図
【図８】本発明の実施形態３の薄膜形成方法を説明する薄膜形成装置の構成図
【図９】本発明の実施の形態３の薄膜形成方法により作成されたＰＤＰにおける放電遅れの活性化エネルギー相対比と有機珪素供給量の関係を示す図
【図１０】本発明の実施形態３の薄膜形成方法の他の例を説明する薄膜形成装置の構成図
【図１１】従来例において使用される薄膜形成装置図の構成図
【図１２】従来例において使用される薄膜形成装置図の構成図
【符号の説明】
【００４４】
１・・・真空槽
２・・・基板
３・・・ヒーター
４ ・・・蒸着材料ペレット
５・・・材料容器（ハース）
６・・・電子ビーム銃
７・・・シャッター
８・・・酸素ガス
９・・・炭化水素ガス
１０・・・ＭｇＯ
１１・・・ＳｉＣ
１２・・・キャリアガス
１３・・・液体有機珪素
１９・・・有機珪素
１１０・・・走査電極
１２０・・・維持電極
１３０・・・アドレス電極
２１０・・・走査電極駆動部
２２０・・・維持電極駆動部
２３０・・・アドレス電極駆動部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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