(57)【要約】【課題】  確実にワイピングを行う接触構造を有し、より小さな接触力にてワイピングを確保することができ、さらに、コンタクト本体の中心軸から離れた位置に傾斜縁部を有する弾性接触部が位置してパッケージの球面形バンプの球面に当接して回転力を発生させ、これによってワイピングを行わせることができ、パッケージのボールのバラツキに対しても安定した接触ができるようにする。【解決手段】  ソケット本体と、該ソケット本体に配設された複数のコンタクトとを有する半導体装置用ソケットにおいて、前記コンタクトは、弾性変形可能な弾性部と、前記コンタクトの先端部が少なくとも１つの折り曲げられた接触部とを形成し、前記接触部は、縁辺にエッジ部を有する。【選択図】  図１
2005063868.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソケット本体と、
該ソケット本体に配設された複数のコンタクトと、を有する半導体装置用ソケットにおいて、
前記コンタクトは、弾性変形可能な弾性部と、
前記コンタクトの先端部が少なくとも１つの折り曲げられた接触部とを形成し、
前記接触部は、縁辺にエッジ部を有することを特徴とする半導体装置用ソケット。
【請求項２】
前記接触部は、縁辺が前記コンタクトの中心軸に対して傾斜した方向にエッジ部を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置用ソケット。
【請求項３】
前記接触部に弾性を持たせることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用ソケット。
【請求項４】
ソケット本体と、
前記ソケット本体に配設された複数のコンタクトと、を有する半導体装置用ソケットにおいて、
前記コンタクトは、弾性変形可能な弾性部と、
前記コンタクトの先端部が少なくとも１つの折り曲げられた接触部とを形成し、
前記接触部は、縁辺に曲率半径を有することを特徴とする半導体装置用ソケット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置のための半導体装置用ソケットに関するもので、特に、ボール・グリッド・アレイ・パッケージ用の半導体装置用ソケットに係わるものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品としての半導体装置等においては、半導体装置の各種テストのために、テストボードに取付けられた半導体装置用ソケットに、半導体装置が装着される高周波用テストソケット等の半導体装置用ソケットがある。
【０００３】
このような半導体装置用ソケットの一例として、ソケット本体に取付けられた弾性コンタクトピンに対してボール・グリッド・アレイ・タイプの半導体装置を装着して、球面形バンプを接触させるようにした半導体装置用ソケットが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特開平６−２０３９２６号公報（第２〜３頁、第１、４図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のこのような半導体装置用ソケットにおいては、ボール・グリッド・アレイ・パッケージの球面形バンプの球面に対してコンタクトの先端部を加圧接触するようにしている。
【０００６】
従来の半導体装置用ソケットにおいて、コンタクトの先端部は球面形バンプに突き当てるように接触しているので、上下方向のバネ特性を有していなく、球面形バンプの球面上を押圧接触しながら擦らせるようなワイピング作用が無い。
【０００７】
このため、繰返して使用される際に、コンタクトの先端部の接触部分が、パッケージの球面形バンプのメッキ転写による劣化や酸化被膜の形成等に対して、自己クリーニングとしてのワイピングによるクリーニング効果を確保することが難しい等の問題点が見られる。
【０００８】
また、ボール径、ボール高さ、コプラナリティのバラツキに対して安定した接触圧力が得られない等の問題点も見られる。
【０００９】
従って、本発明の目的は、上に述べた従来における問題点を解決するために、確実にワイピングを行う接触構造を有し、より小さな接触力にてワイピングを確保することができ、また、パッケージのボールのバラツキに対しても安定した接触ができるようにした半導体装置用ソケットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述の目的を達成するために、本発明の半導体装置用ソケットは、ソケット本体と、前記ソケット本体に配設された複数のコンタクトを有する半導体装置用ソケットにおいて、前記コンタクトは彎曲した弾性変形可能な弾性部と、前記コンタクトの先端部が少なくとも１つの外方に折り曲げられた接触部を形成し、前記接触部は縁辺にエッジ部とを有し構成される。
【００１１】
また、本発明の半導体装置用ソケットは、前記接触部の縁辺が前記コンタクトの中心軸に対して傾斜した方向にエッジ部を有することが好ましい。  
さらに、前記接触部に弾性を持たせることが好ましい。
【００１２】
さらにまた、本発明の半導体装置用ソケットは、ソケット本体と、前記ソケット本体に配設された複数のコンタクトを有する半導体装置用ソケットにおいて、前記コンタクトは彎曲した弾性変形可能な弾性部と、前記コンタクトの先端部が少なくとも１つの外方に折り曲げられた接触部を形成し、前記接触部は縁辺に曲率半径を有し構成される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る半導体装置用ソケットによれば、コンタクト全体の弾性変位と、コンタクト先端部の接触部の変位とにより、接触部のエッジ部が半導体装置の外部端子をそれぞれワイピングするように作用して、メッキ転写による劣化や酸化膜形成等が好適に防止されてワイピングによる自己クリーニング効果が得られる。
【００１４】
本発明のその他の目的や特徴および利点は、添付図面に示される本発明の半導体装置用ソケットの実施形態についての以下の詳細な説明から明らかになろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の半導体装置用ソケットは、コンタクトが弾性変形可能な弾性部と、コンタクトの先端部が少なくとも１つの折り曲げられた接触部とを形成し、接触部が縁辺にエッジを有している。
【実施例１】
【００１６】
本発明の実施例１における半導体装置用ソケットのコンタクトが図１乃至図６に示されている。図１は、本発明の実施例１における半導体装置用ソケットのコンタクトの１つを示す正面図で、図２は、図１の本発明の半導体装置用ソケットコンタクトの側面図、図３は、図１の本発明の半導体装置用ソケットのコンタクトの先端部を示す正面部分図で、図４は、図３の本発明の半導体装置用ソケットにおけるコンタクトの側面部分図、図５は、図３のコンタクトの先端部の平面部分図であって、図６は、図１のコンタクトの先端部とパッケージの球面形バンプとが当接する時の部分斜視図である。
【００１７】
図１乃至図５に示されるように、本発明の実施例１における半導体装置用ソケットのコンタクト１は、例えば、線状の細長い弾性金属条片をピンタイプに折り曲げる等して形成されたコンタクト本体２から成っている。コンタクト１は、ボール・グリッド・アレイ・タイプの半導体装置１０の外部端子である球面形バンプ１１（図６）と接触して接続できるようにソケット本体の底部のソケットの所要のコンタクト孔としての仕切り孔内または孔の下にそれぞれ下側から挿入されて装着される。
【００１８】
本発明における半導体装置用ソケットは、テストボード等のようなプリント基板（図示しない）の端子等に、コンタクト１の下方の基端部５により形成される端子部が接続されるように形成されている。
【００１９】
このような半導体装置用ソケットは、半導体装置１０が上方から挿入されて上絶縁基板のパッケージ装着部に装着され、半導体装置１０の外部端子である球面形バンプ１１がコンタクト１の上方の先端部４の接触部６、７に接触されるように構成されている。
【００２０】
コンタクト１は、例えば彎曲した弾性変形可能な主ばね部３と、半導体装置１０の球面形バンプ１１と接触される先端部４と、ソケット本体に固着される基端部５とを有している。
【００２１】
さらに、主ばね部３の彎曲した上方部分に左右に突出する一対の突部３ａがストッパーとしてスペーサ部材（図示しない）の下面に係合するように設けられていて先端部４の上方への突出を規制するようにしている。
【００２２】
このようなコンタクト１は、この実施例１において、先端部４の形状が、図３に示されるように正面側から見てほぼＹ字形に、さらにまた図４に示される如く、側面側から見てほぼＵ字形に二又形状に形成される。
【００２３】
この先端部４の二又形状の端部がそれぞれ外方に開くように対向する向きに折り曲げられて接触部６、７として形成されている。
【００２４】
従って、コンタクト１の、この先端部４の接触部６、７が上端の端子部として、例えばソケットの上絶縁基板の仕切り孔内に位置されて、半導体装置１０の球面形バンプ１１と接触される。
【００２５】
コンタクト１の下方の基端部５は、ソケット本体の底部に固着されていて、さらに下方に突出して、この下端部が回路基板のための端子部として形成されている。
【００２６】
このような本発明の半導体装置用ソケットのコンタクト１において、接触部６、７は、ソケットに装着された半導体装置１０の球形面バンプ１１と接触されて接続されるようになる。
【００２７】
接触部６、７は、折曲部８、９において中心軸Ｃに対して外方に開くように折り曲げられ、接触部６、７が半導体装置１０の球形面バンプ１１を受けて接触されるように形成されている。
【００２８】
また、接触部６、７は、内側の縁辺が、中心軸Ｃを通る垂直面に対して平行な垂直方向の面内に位置するエッジ部１２、１４を有している。
【００２９】
接触部６、７の折曲部８、９は、図示の実施例１においては、コンタクト１の中心軸Ｃに対してほぼ直角な方向に延びる水平な線として形成されている。
【００３０】
折曲部８、９は、例えばこのような水平な線に限らず、後述する他の実施例におけるように中心軸Ｃに対して傾斜した線として形成することも出来るものである。
【００３１】
次に、図６に、本発明のコンタクト１の先端部４と半導体装置１０の球面形バンプ１１とが当接する時の状態が示されている。
【００３２】
図示されるように、本発明のコンタクト１を有する半導体装置用ソケットに対して半導体装置１０が装着される時に、球面形バンプ１１がコンタクト１の接触部６、７の表面に対して当接されるようになる。
【００３３】
この際、半導体装置１０がしっかりと装着されて球面形バンプ１１によって接触部６、７が押されて、コンタクト１全体が弾性変位され、コンタクト１の先端部４が球面形バンプ１１に良好に接触されるようになる。
【００３４】
また、この半導体装置１０が装着されて押圧される時に、エッジ部１２、１４に球面形バンプ１１が擦れる。
【００３５】
これにより接触部６、７のエッジ部１２、１４が球面形バンプ１１の球面をそれぞれワイピングするように作用してメッキ転写による劣化や酸化膜形成等が好適に防止されてワイピングによる自己クリーニング効果が得られる。
【００３６】
エッジ部１２、１４は、例えばその断面形状において曲率半径を設けたり、あるいは面取りするように形成されても良く、このような場合、球面形バンプ１１への食い込みを減少させることができる。
【００３７】
さらに、接触部６、７も弾性変位するように、接触部６、７に弾性を持たせても良く、この場合に、コンタクト１は、図示から明らかに理解されるように、中央の彎曲した主ばね部３において、弾性変位に基づいて大きく変位する。
【００３８】
さらにまた、各接触部６、７も弾性変位し、コンタクト１の全体としての変位量が大きくなり、これにより、コンタクト１のばね特性としての十分な接触力が得られ、安定した接触圧が与えられるようになる。
【００３９】
このため、半導体装置１０の球面形バンプ１１におけるボール径や、ボール高さ、コプラナリティ等のバラツキに対して安定した接触が行われる。
【００４０】
本発明の実施例１において、コンタクト１の接触部６、７間の幅ｂと、半導体装置１０の球面バンプ１１の直径ａとにおける寸法上の比率は、以下のような比率が好適であり、半導体装置１０の球面バンプ１１の直径ａは、コンタクト１の接触部６、７間の幅ｂよりも大きい。
ａ：ｂ＝１：［０．１〜０．９０］
【００４１】
なお、本発明の上述した実施例においては、グリッド・アレイ・タイプの半導体装置としてボール・グリッド・アレイ・タイプの半導体装置が適用されるように図示、説明されているが、本発明においては、このようなボール・グリッド・アレイ・タイプの半導体装置に限定されるものではなく、ランド・グリッド・アレイ・タイプ等の他の同様なグリッド・アレイ・タイプの半導体装置が用いることができるのは勿論である。
【実施例２】
【００４２】
本発明の実施例２における半導体装置用ソケットのコンタクトが図７乃至図１０に示されている。図７は、本発明の実施例２における半導体装置用ソケットのコンタクトの１つを示す正面図で、図８は、図７の本発明の半導体装置用ソケットコンタクトの先端部とパッケージの球面形バンプとが当接する時の側面部分図、図９は、図７のコンタクトの先端部を示す平面部分図で、図１０は、コンタクトの先端部が球面形バンプによって押されて捩じれた時の平面部分図である。
【００４３】
図示されるように、本発明の実施例２におけるコンタクト２０は、先の実施例１におけるコンタクトと同様に線状の細長い弾性金属条片を折り曲げる等して形成して作られたコンタクト本体２２から成っている。
【００４４】
また、本発明の半導体装置用ソケットは、ソケットの所要のコンタクト孔としての仕切り孔内または孔の下に、コンタクト２０の先端部２４の接触条片２６、２７がそれぞれ下側から挿入されて装着されるようになっている。
【００４５】
コンタクト２０は、彎曲した弾性変形可能な主ばね部２３と、半導体装置の球面形バンプと接触される先端部２４と、ソケット本体に固着される基端部２５とを有するコンタクト本体２２とから形成されている。
【００４６】
主ばね部２３の彎曲した上方部分には、左右に突出する一対の突部２３ａがストッパーとしてスペーサ部材（図示しない）の下面に係合するように設けられていて、先端部２４の上方への突出を規制するようにしている。
【００４７】
このようなコンタクト２０は、先端部２４の形状が、図７に示されるように正面側から見てほぼＹ字形に、さらにまた図８に示される如く、側面側から見てほぼＵ字形に二又形状に形成される。
【００４８】
この先端部２４の二又形状の端部が、中心軸Ｃに対してそれぞれ外方に開くように対向する向きに折り曲げられて接触部２６、２７として形成されているが、先の実施例１のものとは幾らか異なって僅かに捩られている。
【００４９】
従って、コンタクト２０の、先端部２４の接触部２６、２７が上端の端子部として、例えばソケットの上絶縁基板の仕切り孔内または孔の下に位置されて、半導体装置３０の球面形バンプ３１と接触される。
【００５０】
また、コンタクト２０の下方の基端部２５がソケット本体の底部に固着されて、下端部が回路基板のプリント回路と接続される端子部として形成されている。
【００５１】
このような本発明の実施例２のコンタクト２０において、接触部２６、２７は、ソケットに装着された半導体装置３０の球形面バンプ３１と接触されて接続される。
【００５２】
接触部２６、２７は、コンタクト２０の中心軸Ｃに対して傾斜した方向に設けられる折曲部２８、２９において外方に開くように折り曲げられて僅かに捩られた状態に形成されている。
【００５３】
また、接触部２６、２７は半導体装置３０の球形面バンプ３１を受けて接触されるように構成されている。
【００５４】
これら接触部２６、２７の折曲部２８、２９は、図示の実施例１においては、コンタクト１の中心軸Ｃに対してほぼ直角な方向に延びる水平な線として形成されているが、この実施例２では、中心軸Ｃに対して傾斜した線として形成されている。
【００５５】
さらに、コンタクト２０のこれら接触部２６、２７は、内側の縁辺が中心軸Ｃに対して傾斜した方向に延びるように位置するエッジ部３２、３４を有している。
【００５６】
図８に、本発明のコンタクト２０の先端部２４と半導体装置３０の球面形バンプ３１とが当接する時の状態が示されている。図示されるように、本発明のコンタクト２０を有する半導体装置用ソケットに対して半導体装置３０が装着される時に、球面形バンプ３１がコンタクト２０の接触部２６、２７の表面に対して当接されるようになる。
【００５７】
半導体装置３０がしっかりと装着されて球面形バンプ３１によって接触部２６、２７が押されて、コンタクト２０が主ばね部２３において全体的に弾性変位される。
【００５８】
また、接触部２６、２７もそれぞれ押されて、かつ中心軸Ｃを中心にして僅かに捩られるように弾性変位される。
【００５９】
この時の、コンタクト２０の主ばね部２３の弾性変位によって、コンタクト２０の先端部２４が球面形バンプ３１に対して良好に接触される。
【００６０】
すなわち、半導体装置３０が装着されて押圧される時に、エッジ部３２、３４に球面形バンプ１３が擦れる。
【００６１】
これにより、接触部２６、２７のエッジ部３２、３４が球面形バンプ３１の球面をワイピングするように作用してメッキ転写による劣化や酸化膜形成等が好適に防止されてワイピングによる自己クリーニング効果が得られる。
【００６２】
本実施例において、エッジ部３２、３４は、例えばその断面形状において曲率半径を設けたり、あるいは面取りするように形成されても良く、この場合、球面形バンプ１１への食い込みを減少させることができる。
【００６３】
さらに、接触部２６、２７も弾性変位するように、接触部２６、２７に弾性を持たせても良い。
【００６４】
この場合、コンタクト２０は、図示から明白なように、中央の彎曲した主ばね部２３において、弾性変位に基づいて大きく変位する。
【００６５】
また、各接触部２６、２７も弾性変位し、コンタクト２０の全体としての変位量が大きくなり、これにより、コンタクト２０のばね特性としての十分な接触力が得られ、安定した接触圧が与えられるようになる。
【００６６】
このため、半導体装置３０の球面形バンプ３１におけるボール径や、ボール高さ、コプラナリティ等のバラツキに対して安定した接触が行われるようになる。
【実施例３】
【００６７】
本発明の実施例３における半導体装置用ソケットのコンタクトが図１１乃至図１３に示されている。図１１は、本発明の実施例３における半導体装置用ソケットのコンタクトの１つを示す図で、本発明の半導体装置用ソケットコンタクトの先端部とパッケージの球面形バンプとが当接する時の側面部分図、図１２は、図１１のコンタクトの先端部を示す平面部分図で、図１３は、図１２のコンタクトの先端部が球面形バンプによって押されて捩じれた時の平面部分図である。
【００６８】
図示されるように、本発明の実施例３におけるコンタクト４０は、先の実施例２におけるコンタクトと同様に、例えば線状の細長い弾性金属条片を折り曲げる等して形成して作られたコンタクト本体から成り、彎曲した弾性変形可能な主ばね部を有すること等は同じである。
【００６９】
この実施例３においては、半導体装置５０の球面形バンプ５１と接触されるコンタクト４０の先端部４４における形状が、図１１に示されるように、ほぼＵ字形または二又形状には形成されておらず、二又形状の一方の端部が省略されている点が、先の実施例２とは、異なっている。
【００７０】
従って、コンタクト４０の、先端部４４の１つだけの接触部４６が上端の端子部として、例えば半導体装置５０の球面形バンプ５１と接触されるように形成されている。
【００７１】
本発明の実施例３のコンタクト４０において、接触部４６は、ソケットに装着された半導体装置５０の球形面バンプ５１と接触されて接続されるようになる。
【００７２】
接触部４６は、コンタクト４０の中心軸Ｃに対して傾斜した方向に設けられる折曲部４８において外方に開くように折り曲げられて、さらに僅かに捩られた状態に形成されている。
【００７３】
従って、このような接触部４６は半導体装置５０の球形面バンプ５１を受けて接触されるように構成されている。
【００７４】
特に、接触部４６の折曲部４８は、図示の実施例１においては、コンタクト１の中心軸Ｃに対してほぼ直角な方向に延びる水平な線として形成されているが、この実施例３では、実施例２と同様に中心軸Ｃに対して傾斜した線として形成されている。
【００７５】
さらに、コンタクト４０の接触部４６は、内側の縁辺が中心軸Ｃに対して傾斜した方向に延びるように位置するエッジ部５２を有している。
【００７６】
従って、接触部４６のエッジ部５２は、半導体装置５０の球形面バンプ５１の表面を良好にワイピングすることができるものである。
【００７７】
すなわち、半導体装置５０が装着されて押圧される時に、球形面バンプ５１によって接触部４６が押されて中心軸Ｃを中心にして、図１３に矢印で示されるように僅かに捩られるようになる。
【００７８】
これによって接触部４６のエッジ部５２が球形面バンプ５１の球面をそれぞれワイピングするように作用してメッキ転写による劣化や酸化膜形成等が好適に防止されてワイピングによる自己クリーニング効果が得られる。
【００７９】
また、エッジ部５２は、例えば曲率半径を設けるように形成されても良く、この場合、球面形バンプ１１への食い込みを減少させることができる。  
さらに、接触部４６も弾性変位するように、接触部４６に弾性を持たせても良い。
【００８０】
この場合に、コンタクト４０は、図示から明らかに理解されるように、中央の彎曲した主ばね部４３において、弾性変位に基づいて大きく変位する。
【００８１】
また、接触部４６も弾性変位し、コンタクト４０の全体としての変位量が大きくなり、コンタクト４０のばね特性としての十分な接触力が得られ、安定した接触圧が与えられるようになる。
【００８２】
このため、半導体装置５０の球面形バンプ５１におけるボール径や、ボール高さ、コプラナリティ等のバラツキに対して安定した接触が行われるようになる。
【実施例４】
【００８３】
本発明の実施例４における半導体装置用ソケットのコンタクトが図１４乃至図１７に示されている。図１４は、本発明の実施例４における半導体装置用ソケットのコンタクトの１つの先端部を示す斜視図で、図１５は、図１４のコンタクトの先端部が球面形バンプによって押されて接触された時の正面部分図、図１６は、図１５に対する側面部分図で、図１７は、図１５に対する平面図である。
【００８４】
図示されるように、本発明の実施例４におけるコンタクト６０は、先の実施例１乃至３におけるコンタクトと同様に線状の細長い弾性金属条片を折り曲げる等して形成して作られたコンタクト本体６２から成る。
【００８５】
また、コンタクト６０が彎曲した弾性変形可能な主ばね部６３と、半導体装置７０の球面形バンプ７１と接触される先端部６４と、ソケット本体に固着される基端部６５とを有すること等は同じである。
【００８６】
さらに、この実施例４においては、半導体装置７０の球面形バンプ７１と接触されるコンタクト６０の先端部６４の形状が、図示されるように、ほぼＵ字形に形成されるように２つのスリットが入れられて両側の接触部６６が一方の方向に開くように折り曲げられている。
【００８７】
さらに中央の接触部６７が反対の方向に開くように折り曲げられていることが、先の実施例２、３のものと幾らか異なっている。
【００８８】
従って、コンタクト６０の、先端部６４の両側の接触部６６と、中央の１つの接触部６７が上端の端子部として、例えば半導体装置７０の球面形バンプ７１と接触されるように形成されている。
【００８９】
このような本発明の実施例４のコンタクト６０において、両側の接触部６６と中央の接触部６７とが、ソケットに装着された半導体装置７０の球形面バンプ７１と接触されて接続されるようになる。
【００９０】
両側の接触部６６と中央の接触部６７は、コンタクト６０の中心軸Ｃに対してほぼ直角な方向に延びるほぼ水平な折曲部６８、６９において、互いに反対方向に外方に開くように折り曲げられている。
【００９１】
従って、両側の接触部６６と中央の接触部６７とが半導体装置７０の球形面バンプ７１を受けて接触される。
【００９２】
これら接触部６６、６７の折曲部６８、６９は、先の実施例１と同様に、コンタクト６０の中心軸Ｃに対してほぼ直角な方向に延びる水平な線として形成されている。
【００９３】
さらに、コンタクト６０の両側の接触部６６は、内側の縁辺が中心軸Ｃに対して傾斜した方向に延びるように位置するエッジ部７２を有しており、中央の接触部６７は両側にエッジ部７３を有している。
【００９４】
図１５に、本発明のコンタクト６０の先端部６４と半導体装置７０の球面形バンプ７１とが当接する時の状態が示されている。図示されるように、本発明のコンタクト６０を有する半導体装置用ソケットに対して半導体装置７０が装着される時に、球面形バンプ７１がコンタクト６０の接触部６６、６７の表面に対して当接される。
【００９５】
次いで、半導体装置７０がしっかりと装着されて球面形バンプ７１によって接触部６６、６７が押されて、コンタクト６０が主ばね部６３において全体的に弾性変位される。
【００９６】
この時の、コンタクト６０の主ばね部６３の弾性変位によって、コンタクト６０の先端部６４が球面形バンプ７１に対して良好に接触されるようになる。
【００９７】
この半導体装置６０が装着されて押圧される時に、両接触部６６のエッジ部７２、あるいはまた一方の接触部６６のエッジ部７２と接触部６７の一方のエッジ部７３、に球面形バンプ７１が擦れる。
【００９８】
これによって接触部６６の両エッジ部７２、あるいはまた一方のエッジ部７２と接触部６７の一方のエッジ部７３、が球面形バンプ７１の球面をそれぞれワイピングするように作用してメッキ転写による劣化や酸化膜形成等が好適に防止されてワイピングによる自己クリーニング効果が得られる。
【００９９】
また、エッジ部７２、７３は、例えば曲率半径を設けるように形成されても良く、この場合、球面形バンプ７１への食い込みを減少させることができる。
【０１００】
さらに、接触部６６、６７も弾性変位するように、接触部６６、６７に弾性を持たせても良い。
【０１０１】
この場合に、コンタクト６０は、図示から明らかに理解されるように、中央の彎曲した主ばね部６３において、弾性変位に基づいて大きく変位する。
【０１０２】
また、各接触部６６、６７も弾性変位するので、コンタクト６０の全体としての変位量が大きくなり、これにより、コンタクト６０のばね特性としての十分な接触力が得られ、安定した接触圧が与えられるようになる。
【０１０３】
このため、半導体装置７０の球面形バンプ７１におけるボール径や、ボール高さ、コプラナリティ等のバラツキに対して安定した接触が行われるようになる。
【０１０４】
また、本発明のこの実施例４において、コンタクト６０の接触部６６、６７間の間隔の幅ｂ、すなわち中央の接触部６７の幅ｂと、半導体装置７０の球面バンプ７１の直径ａとにおける寸法上の比率は、以下のような比率が好適であり、半導体装置７０の球面バンプ７１の直径ａは、コンタクト６０の接触部６６、６７間の幅ｂよりも大きい。
ａ：ｂ＝１：［０．１〜０．９０］
【０１０５】
［他の実施例］
さらにまた、このような本発明の半導体装置用ソケットの他の実施例におけるコンタクトの配列状態が図１８と図１９に示されている。図１８は、コンタクトの配列状態を示す断面図で、図１９は、その一部の拡大断面部分図である。
【０１０６】
図示されるように、本発明の半導体装置用ソケット１００は、ソケット本体１０１と、ソケット本体１０１に取り付けられた台座１０２と、台座１０２に載置されて半導体装置１１０が装着される装着部材１０３と、ソケット本体１０１に対して植設された複数個のコンタクト１０５とを有しており、台座１０２に設けられた孔１０４内にコンタクト１０５の先端部１０６が配置されている。
【０１０７】
このような本発明の半導体装置用ソケット１００に、半導体装置１１０が装着されて、適宜な押圧部材（図示しない）によって押圧される時に、半導体装置１１０の球面形バンプ１１１がコンタクト１０５の先端部１０６と接触されて、コンタクト１０５を介して回路基板やプリント板と接続されるようになる。
【０１０８】
さらにまた、本発明のこのような半導体装置用ソケット１００において、コンタクト１０５は、コンタクト固定板１０７に一体型インサート成形によって一体的に形成されており、コンタクト整列板１０１Ａによってソケット本体１０１に取り付けられている。
【０１０９】
コンタクト１０５は、上方部分に左右に突出する一対の突起１０９が設けられていて、スペーサ１０８の下面に係合するストッパーとして作用するように構成されている。
【０１１０】
これにより、半導体装置用ソケット１００に半導体装置１１０が装着されて押圧されて接触された後に、半導体装置１１０の球面形バンプ１１１がコンタクト１０５の先端部１０６に貼り付いた場合に、コンタクト１０５の突起１０９がスペーサ１０８によってストッパーとして作用してコンタクト１０５の変形を防ぐようになる。
【０１１１】
また、このようにコンタクト１０５の突起１０９をスペーサ１０８の下面に係合させるように配置させることにより、スペーサ１０８にコンタクト１０５の突起１０９を初期状態において当て込むことができる。これによりコンタクト１０５の先端部１０６の高さ精度を一層向上することができる。
【０１１２】
以上に、上述したように構成される本発明の半導体装置用ソケットにおいて、半導体装置が装着される時に、コンタクトの先端部の接触部に対して半導体装置の球面形バンプが押圧されて接触される。
【産業上の利用可能性】
【０１１３】
本発明は、ボール・グリッド・アレイ・タイプのＩＣパッケージのような半導体装置のためのソケット等に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本発明の実施例１における半導体装置用ソケットのコンタクトの１つを示す正面図である。
【図２】図１の本発明の半導体装置用ソケットコンタクトの側面図である。
【図３】図１の本発明の半導体装置用ソケットのコンタクトの先端部を示す正面部分図である。
【図４】図３の本発明の半導体装置用ソケットにおけるコンタクトの側面部分図である。
【図５】図３のコンタクトの先端部の平面部分図である。
【図６】図１のコンタクトの先端部とパッケージの球面形バンプとが当接する時の部分斜視図である。
【図７】本発明の実施例２における半導体装置用ソケットのコンタクトの１つを示す正面図である。
【図８】図７の本発明の半導体装置用ソケットコンタクトの先端部の側面部分図である。
【図９】図７のコンタクトの先端部の平面部分図である。
【図１０】図９のコンタクトの先端部とパッケージの球面形バンプとが当接する時の平面部分図である。
【図１１】本発明の実施例３における半導体装置用ソケットのコンタクトの１つの先端部と半導体装置の球面形バンプとが当接する時の側面部分図である。
【図１２】図１１のコンタクトの先端部の平面部分図である。
【図１３】図１２のコンタクトの先端部とパッケージの球面形バンプとが当接する時の平面部分図である。
【図１４】本発明の実施例４における半導体装置用ソケットのコンタクトの１つの先端部を示す斜視図である。
【図１５】図１４のコンタクトの先端部が球面形バンプによって押されて接触された時の正面部分図である。
【図１６】図１５に対する側面部分図である。
【図１７】図１５に対する平面図である。
【図１８】本発明の半導体装置用ソケットのコンタクトの配列状態を示す断面図である。
【図１９】図１８のコンタクトの一部の拡大断面部分図である。
【符号の説明】
【０１１５】
１、２０、４０、６０、１０５    コンタクト          
２、２２、４２、６２            コンタクト本体
３、２３、６３                  主ばね部
４、２４、４４、６４、１０６    先端部
５、２５、４５、６５            基端部
６、２６、４６、６６            弾性接触部
７、２７、４７、６７            弾性接触部
８、２８、４８、６８            折曲部
９、２９、４９、６９            折曲部
１０、３０、５０、７０、１１０  半導体装置
１１、３１、５１、７１、１１１  球面形バンプ
１２、３２、５２、７２          エッジ部
１４、３４、７３                エッジ部  
１００                          半導体装置用ソケット
１０１                          ソケット本体
１０２                          台座
１０３                          装着部材
１０４                          孔
１０７                          コンタクト固定板
１０８                          スペーサ
１０９                          突起
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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