(57)【要約】【課題】プラズマディスプレイパネル等を製造する際に基板上に形成された電極の不良箇所を容易かつ迅速に検出する。【解決手段】基板１４上に形成された電極１３の検査装置において、電極１３の温度を制御して基板１４と電極１３との温度差を変化させる電極温度調節手段（ペルチェ素子１９、熱伝導体２０、温度制御装置２１および熱電対）と、電極１３が形成される電極エリアおよび電極１３が形成されない基板エリアから放射される赤外線を検出する赤外線検出手段（赤外線カメラ１６）とを有する。そして、基板１４と電極１３との温度差を変化させて、電極エリアおよび基板エリアから放射される赤外線を検出することにより電極の検査を行う。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された電極の検査方法において、前記基板と前記電極との温度差を変化させて、前記電極が形成される電極エリアおよび電極が形成されない基板エリアから放射される赤外線を検出することにより電極の検査を行うことを特徴とする電極検査方法。
【請求項２】
電極の温度を変化させることを特徴とする請求項１に記載の電極検査方法。
【請求項３】
基板の温度を変化させるとともに、前記基板の温度の変化方向とは逆の方向に電極の温度を変化させることを特徴とする請求項１に記載の電極検査方法。
【請求項４】
基板の赤外線放射率が電極の赤外線放射率よりも小さい場合には、前記電極の温度を上昇させ、基板の赤外線放射率が電極の赤外線放射率よりも大きい場合には、前記電極の温度を低下させることを特徴とする請求項１に記載の電極検査方法。
【請求項５】
電極エリアおよび基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化と、正常な電極エリアおよび正常な基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化とをそれぞれ比較することにより電極の検査を行うことを特徴とする請求項１に記載の電極検査方法。
【請求項６】
基板および電極の温度を−６６℃〜８９℃の範囲にすることを特徴とする請求項１に記載の電極検査方法。
【請求項７】
基板上に形成された電極の検査装置において、前記電極の温度を制御して前記基板と前記電極との温度差を変化させる電極温度調節手段と、前記電極が形成される電極エリアおよび電極が形成されない基板エリアから放射される赤外線を検出する赤外線検出手段とを有することを特徴とする電極検査装置。
【請求項８】
基板の温度を変化させる基板温度調節手段を有することを特徴とする請求項７に記載の電極検査装置。
【請求項９】
基板の温度を変化させるとともに、前記基板の温度の変化方向とは逆の方向に電極の温度を変化させることを特徴とする請求項８に記載の電極検査装置。
【請求項１０】
基板の赤外線放射率が電極の赤外線放射率よりも小さい場合には、前記電極の温度を上昇させ、基板の赤外線放射率が電極の赤外線放射率よりも大きい場合には、前記電極の温度を低下させることを特徴とする請求項７に記載の電極検査装置。
【請求項１１】
電極エリアおよび基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化と、正常な電極エリアおよび正常な基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化とをそれぞれ比較することにより電極の検査を行うことを特徴とする請求項７に記載の電極検査装置。
【請求項１２】
基板および電極の温度を−６６℃〜８９℃の範囲にすることを特徴とする請求項７に記載の電極検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板上に形成された電極の検査に関するものであり、特にプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の基板に形成される電極の検査方法および検査装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＰＤＰは２枚のガラス基板である前面基板と背面基板とを貼りあわせ、前面基板と背面基板との間に形成される放電空間にネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）等の希ガスを封入した構造になっている。前面基板上には、走査電極と維持電極とからなる表示電極が複数形成され、その表示電極を覆うように誘電体層が形成され、誘電体層上に保護層が形成されている。背面基板上には、表示電極と直交する方向に複数のアドレス電極と隔壁が形成され、隔壁で仕切られた領域に蛍光体層が形成されている。そして、表示電極とアドレス電極に所定の電圧を印加して放電を発生させ、この放電によって生じる紫外線で蛍光体層を発光させることにより画像表示を行う。
【０００３】
このようなＰＤＰの製造工程においては、表示電極やアドレス電極をガラス基板上に形成すると、形成した電極の一部に断線や欠け、隣接する電極間の短絡といった不良が発生することがある。そこで、例えば特許文献１に開示されているように、形成した電極について検査が行われる。
【特許文献１】特開２００２−２１４２７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、ＰＤＰに対して低消費電力、高輝度化の要求が高まっており、また高精細化が進んでいる。そのためパネル画素数は、ワイドＶＧＡ（垂直方向８５０画素、水平方向４８０画素）、ＸＧＡ（垂直方向１０２４画素、水平方向７６８画素）からＨＤＴＶ（垂直方向１９２０画素、水平方向１０８０画素）へと高精細化する傾向であり、１画素のセルピッチも小さくなる。これに伴い、電極の幅もかなり狭くなっており、このような電極に対応できる電極検査が要望される。
【０００５】
本発明はこのような現状に鑑みてなされたものであり、ＰＤＰ等を製造する際に基板上に形成された電極の不良箇所を容易かつ迅速に検出することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この目的を達成するために、本発明は、基板上に形成された電極の検査方法において、前記基板と前記電極との温度差を変化させて、前記電極が形成される電極エリアおよび電極が形成されない基板エリアから放射される赤外線を検出することにより電極の検査を行うことを特徴とする電極検査方法である。
【０００７】
また、本発明は、基板上に形成された電極の検査装置において、前記電極の温度を制御して前記基板と前記電極との温度差を変化させる電極温度調節手段と、前記電極が形成される電極エリアおよび電極が形成されない基板エリアから放射される赤外線を検出する赤外線検出手段とを有することを特徴とする電極検査装置である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ＰＤＰ等を製造する際に基板上に形成された電極の不良箇所を容易かつ迅速に検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板上に形成された電極の検査方法において、前記基板と前記電極との温度差を変化させて、前記電極が形成される電極エリアおよび電極が形成されない基板エリアから放射される赤外線を検出することにより電極の検査を行うことを特徴とする電極検査方法である。
【００１０】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、電極の温度を変化させることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、基板の温度を変化させるとともに、前記基板の温度の変化方向とは逆の方向に電極の温度を変化させることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、基板の赤外線放射率が電極の赤外線放射率よりも小さい場合には、前記電極の温度を上昇させ、基板の赤外線放射率が電極の赤外線放射率よりも大きい場合には、前記電極の温度を低下させることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、電極エリアおよび基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化と、正常な電極エリアおよび正常な基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化とをそれぞれ比較することにより電極の検査を行うことを特徴とする。
【００１４】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、基板および電極の温度を−６６℃〜８９℃の範囲にすることを特徴とする。
【００１５】
請求項７に記載の発明は、基板上に形成された電極の検査装置において、前記電極の温度を制御して前記基板と前記電極との温度差を変化させる電極温度調節手段と、前記電極が形成される電極エリアおよび電極が形成されない基板エリアから放射される赤外線を検出する赤外線検出手段とを有することを特徴とする電極検査装置である。
【００１６】
また、請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、基板の温度を変化させる基板温度調節手段を有することを特徴とする。
【００１７】
また、請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の発明において、基板の温度を変化させるとともに、前記基板の温度の変化方向とは逆の方向に電極の温度を変化させることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項１０に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、基板の赤外線放射率が電極の赤外線放射率よりも小さい場合には、前記電極の温度を上昇させ、基板の赤外線放射率が電極の赤外線放射率よりも大きい場合には、前記電極の温度を低下させることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項１１に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、電極エリアおよび基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化と、正常な電極エリアおよび正常な基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化とをそれぞれ比較することにより電極の検査を行うことを特徴とする。
【００２０】
また、請求項１２に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、基板および電極の温度を−６６℃〜８９℃の範囲にすることを特徴とする。
【００２１】
以下、本発明の一実施の形態について図面を用いて説明する。
【００２２】
（実施の形態１）
まず、ＰＤＰの構造について図１を用いて説明する。図１（ａ）はＰＤＰの一部分を所定方向に切った断面図であり、同図（ｂ）は前記所定方向に対して垂直な方向に切った断面図である。
【００２３】
ガラス基板である前面基板１上には、ストライプ状の走査電極２および維持電極３が対となった表示電極が複数形成されており、走査電極２および維持電極３を覆うように誘電体層４が形成され、誘電体層４上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層５が形成されている。走査電極２および維持電極３は、それぞれ、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等からなる透明電極６と、透明電極６上に形成された銀（Ａｇ）等からなる金属電極７とにより構成されている。
【００２４】
また、背面基板８上にはストライプ状のアドレス電極９が複数形成されており、アドレス電極９を覆うように誘電体層１０が形成されている。さらに、誘電体層１０上にはアドレス電極９の間に位置するようにアドレス電極９に平行な隔壁１１が形成されている。そして、隣接する隔壁１１間には赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に発光する蛍光体層１２が１色ずつ順に形成されている。
【００２５】
前面基板１と背面基板８とは、走査電極２および維持電極３とアドレス電極９とが直交するように対向配置されて周囲が密閉され、基板間に形成される放電空間にはＮｅとＸｅ等の希ガスが封入されている。表示を行う際の最小単位であるセルは、走査電極２および維持電極３とアドレス電極９との立体交差部に形成される。走査電極２とアドレス電極９とに電圧を印加して表示を行うセルを選択し、走査電極２と維持電極３との間に交流電圧を印加して、各セルにおける放電によって生じる真空紫外線により蛍光体層１２を発光させ、前面基板１を透過する光で画像表示を行うものである。
【００２６】
このようなＰＤＰを製造する場合、前面基板１と背面基板８のそれぞれの上に、電極等の所定の構造物を順次積層して形成した後、前面基板１と背面基板８とを貼り合わせる。電極の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、メッキ法、スクリーン印刷法、コーティング法、フィルムラミネート法等によってガラス基板上に電極材料の膜を形成した後、その膜をフォトリソグラフィー法によってパターニングする方法や、スクリーン印刷あるいはオフセット印刷によりパターニング印刷する方法がある。また、誘電体層４、１０はスクリーン印刷法やフィルムラミネート法等により形成される。隔壁１１は、隔壁材料の膜を形成してサンドブラスト法によって切削する方法や、感光性ペーストを成膜してリソグラフィーによりパターニングする方法等によって形成される。蛍光体層１２は、スクリーン印刷により隣接する隔壁１１間にＲ、Ｇ、Ｂ各色の蛍光体ペーストを選択的に充填する方法等によって形成される。
【００２７】
そして、ＰＤＰの製造工程においては、走査電極２、維持電極３、アドレス電極９の電極を基板上に形成した後、形成した電極に断線等のような不良が発生していないかどうかを確認するために、電極検査を行う。図２は前面基板１上に走査電極２および維持電極３を形成したときの平面図であり、走査電極２と維持電極３はそれぞれ前面基板１の対向する辺に引き出され、各辺の端部に設けられた端子に接続されている。このように基板上に形成された電極について検査を行う。次に、本発明の実施の形態１による電極検査装置について、図面を参照しながら説明する。
【００２８】
図３は電極検査装置の概略構成図である。図３（ａ）に示すように、電極１３が形成された検査対象の基板１４は検査台１５上に載置されて真空吸着装置（図示せず）によって検査台１５に吸着固定され、電極検査が行われる。また、基板１４上に形成された電極１３および基板１４から放射される赤外線を検出するための赤外線カメラ（赤外線検出手段）１６と、赤外線カメラ１６からのデータを処理し、不良箇所を特定するための演算処理部１７と、正常な電極部分および正常な非電極分の赤外線データを格納するとともに不良箇所の位置座標を記憶するための記憶部１８とを有している。例えば線幅が７０μｍの電極１３について電極検査するためには、赤外線カメラ２０は１０μｍ□程度の解像度を持つものが望ましい。
【００２９】
また、図３（ｂ）に示すように、基板１４上に形成した電極１３を冷却するために、ペルチェ素子１９と熱電対（図示せず）が複数設けられ、ペルチェ素子１９が装着された熱伝導体２０が電極１３に接触する構成となっている。温度制御装置２１はペルチェ素子１９を制御するものであり、熱電対からの温度情報を受けた温度制御装置２１がペルチェ素子１９を制御することにより電極１３の温度を任意に変化させることができる。なお、電極１３および基板１４は、それぞれ前述した金属電極７および前面基板１に対応するものであり、透明電極６は省略している。また、図３（ａ）においては、図３（ｂ）に示すペルチェ素子１９、熱伝導体２０および温度制御装置２１を省略している。
【００３０】
上記のように電極検査装置は、検査対象の基板１４上に形成された電極１３の温度を制御するための電極温度調節手段と、不良箇所認識手段を有している。すなわち、ペルチェ素子１９、熱伝導体２０、温度制御装置２１および熱電対によって電極温度調節手段を構成し、赤外線カメラ１６、演算処理部１７および記憶部１８によって不良箇所認識手段を構成している。なお、図示していないが、電極検査装置は、電極１３および基板１４から放射される赤外線のみを検出することができるように、周囲からの放射赤外線を遮蔽するための暗幕内に設置されている。
【００３１】
次に、この電極検査装置を用いて電極検査を行う方法について説明する。まず、電極１３が形成された検査対象の基板１４を、検査台１５上の所定位置に設置し、真空吸着装置によって吸着固定する。また、ペルチェ素子１９が装着された熱伝導体２０を基板１４上の電極１３に接触させる。このとき、基板１４および電極１３の温度は約２０℃の室温である。そして、電極温度調節手段によって、基板１４とは独立して電極１３の温度を毎秒１０℃のレートで−２０℃まで下降させる。このとき、基板１４の温度は室温のままであり、電極１３の部分と、電極１３が形成されていない基板１４の部分からは下記のプランクの法則に従い、赤外線が放射されている。
【００３２】
プランクの法則：Ｗλ＝ελ・Ｃ1・λ-5／｛ｅｘｐ（Ｃ2／λＴ）−１｝
Ｗλ：波長λにおける放射強度
ελ：波長λにおける放射率
Ｃ1：３．７４×１０-16（Ｗ・ｍ2）
Ｃ2：１．４４×１０-2（ｍ・Ｋ）
Ｔ：温度  （Ｋ）
また、温度Ｔ（Ｋ）における放射赤外線のピーク波長（赤外線の放射強度が最大となる波長）λmax（μｍ）は、以下のウィーンの法則に従う。
【００３３】
ウィーンの法則：λmax＝２８９８／Ｔ
ここで、赤外線カメラ１６で赤外線を検出する被測定エリアを１０μｍ×１０μｍのメッシュに分割して、電極１３が形成されるエリア（電極エリア）と電極１３が形成されないエリア（基板エリア）を設定する。そして、エリア毎に放射される赤外線を測定する。正常な基板エリア（基板１４が１００％占めるエリア）が２０℃の時に放射する赤外線のピーク波長の変化と、正常な電極エリア（電極１３が１００％占めるエリア）が２０℃から−２０℃まで毎秒１０℃のレートで下降した時に放射する赤外線のピーク波長の変化は、ウィーンの法則に従い図４に示したようになる。すなわち、正常な基板エリアから放射される赤外線のピーク波長は図４（ａ）、（ｂ）の実線ａで示したようにほぼ一定であり、正常な電極エリアから放射される赤外線のピーク波長は図４（ａ）、（ｂ）の実線ｂで示したように時間を経る毎に大きくなる。
【００３４】
例えば、電極エリアの中の電極１３の一部に欠けなどの欠損不良があれば、その電極エリアから放射される赤外線のピーク波長の上昇率は、基板１４から放射される赤外線も含むために図４（ａ）中の破線ｃのようになり、実線ｂで表される正常な電極エリアの波長変化よりも小さくなる。また電極１３に断線等の大きな欠損不良があれば、電極エリアから放射される赤外線のピーク波長の上昇率は、基板１４から放射される赤外線を多く含むため図４（ａ）中の一点鎖線ｄのように、より小さい変化率になる。さらに、電極エリア中の電極１３が全て欠損していると、正常な基板エリアにおけるピーク波長の変化と同じになる。このように電極１３の欠損不良の程度に応じて、検出される赤外線のピーク波長の変化率が異なったものとなる。
【００３５】
また、基板エリアの中に電極１３の太り（電極１３の幅が太くなった状態）のような不良があれば、その基板エリアから放射される赤外線のピーク波長は、電極１３から放射される赤外線も含むために図４（ｂ）中の破線ｅのように変化する。また基板エリアの大部分に電極１３の太りのような大きな不具合があれば、その基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化は、電極１３から放射される赤外線を多く含むため図４（ｂ）に一点鎖線ｆで示すように、より大きい変化率になる。さらに、基板エリアを全て電極１３が占めていると、正常な電極エリアにおけるピーク波長の変化と同じになる。このように電極１３の太りの程度に応じて、検出される赤外線のピーク波長の変化率が異なったものとなる。
【００３６】
このようにして、基板エリアおよび電極エリアから放射された赤外線のピーク波長は、赤外線カメラ１６により測定、定量され、その情報は信号ケーブルを通じて演算処理部１７に送られ、電極１３の不良箇所と不良の程度、不良の種類を特定することができる。さらにそのデータを記憶部１８に記憶させることによって、電極１３の不良部分を修正する作業を容易にすることができ、プロセスの改善につなげることができる。
【００３７】
本実施の形態１では、電極１３の温度を低下させているので、電極１３の材料と基板１４の材料の赤外線放射率が同等であっても、温度による赤外線のピーク波長の違いから電極１３の不良を容易に検出することができる。
【００３８】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２による電極検査装置について、図面を参照しながら説明する。
【００３９】
図５は実施の形態２における電極検査装置の概略構成図である。この電極検査装置は、実施の形態１による電極検査装置に、基板１４の温度を制御する手段を加えた構成としており、実施の形態１の電極検査装置と同じ部分には同じ符号を付けている。
【００４０】
図５に示すように、電極１３が形成された検査対象の基板１４を載置する検査台１５の上部には熱伝導体２２が設けられており、基板１４は真空吸着装置（図示せず）によって熱伝導体２２に吸着固定される。また、検査台１５内には、熱伝導体２２の下部に接するように、電気抵抗ヒーター等のようなヒーター２３と熱電対２４が複数設けられている。温度制御装置２５は、熱電対２４からの温度情報に基づいてヒーター２３を制御するもので、基板１４の温度を任意に変化させることができる。このように、実施の形態２における電極検査装置は、熱伝導体２２、ヒーター２３、熱電対２４および温度制御装置２５によって構成される基板温度調節手段を有している。他の構成については、図３を用いて説明した実施の形態１における電極検査装置と同じである。すなわち、ペルチェ素子１９、熱伝導体２０、温度制御装置２１および熱電対によって構成される電極温度調節手段と、赤外線カメラ１６、演算処理部１７および記憶部１８によって構成される不良箇所認識手段を有している。
【００４１】
次に、この電極検査装置を用いて電極検査を行う方法について説明する。まず、電極１３が形成された検査対象の基板１４を、検査台１５の上部の熱伝導体２２上の所定位置に設置し、真空吸着装置によって吸着固定する。また、ペルチェ素子１９が装着された熱伝導体２０を基板１４上の電極１３に接触させる。このとき、基板１４および電極１３の温度は約２０℃の室温である。そして、基板温度調節手段によって、基板１４の温度を毎秒１０℃のレートで６０℃まで上昇させ、電極温度調節手段によって、電極１３の温度を毎秒１０℃のレートで−２０℃まで下降させる。このとき、電極１３の部分と、電極１３が形成されていない基板１４の部分からは前述したプランクの法則に従い、赤外線が放射されている。
【００４２】
ここで、赤外線カメラ１６で赤外線を検出する被測定エリアを１０μｍ×１０μｍのメッシュに分割して、電極１３が形成されるエリア（電極エリア）と電極１３が形成されないエリア（基板エリア）を設定する。そして、各エリア毎に放射される赤外線を測定する。正常な基板エリア（基板１４が１００％占めるエリア）が２０℃から６０℃まで毎秒１０℃のレートで上昇した時に放射する赤外線のピーク波長の変化と、正常な電極エリア（電極１３が１００％占めるエリア）が２０℃から−２０℃まで毎秒１０℃のレートで下降した時に放射する赤外線のピーク波長の変化は、ウィーンの法則に従い図６に示したようになる。すなわち、正常な基板エリアから放射される赤外線のピーク波長は図６（ａ）、（ｂ）の実線ａで示したように時間を経る毎に小さくなり、正常な電極エリアから放射される赤外線のピーク波長は図６（ａ）、（ｂ）の実線ｂで示したように時間を経る毎に大きくなる。
【００４３】
例えば、電極エリアの中の電極１３の一部に欠けなどの欠損不良があれば、その電極エリアから放射される赤外線のピーク波長の上昇率は、基板１４から放射される赤外線も含むために図６（ａ）中の破線ｃのようになり、実線ｂで表される正常な電極エリアの波長変化よりも小さくなる。また電極１３に断線等の大きな欠損不良があれば、電極エリアから放射される赤外線のピーク波長の上昇率は、基板１４から放射される赤外線を多く含むため図６（ａ）中の一点鎖線ｄのように、負の変化率になる。さらに、電極エリア中の電極１３が全て欠損していると、正常な基板エリアにおけるピーク波長の変化と同じになる。このように電極１３の欠損不良の程度に応じて、検出される赤外線のピーク波長の変化率が異なったものとなる。
【００４４】
また、基板エリアの中に電極１３の太りのような不良があれば、その基板エリアから放射される赤外線のピーク波長は、電極１３から放射される赤外線も含むために図６（ｂ）中の破線ｅのようになり、正常な基板エリアの波長変化よりも小さくなる。また基板エリアの大部分に電極１３の太りのような大きな不良があれば、その基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化は、電極１３から放射される赤外線を多く含むために図６（ｂ）に一点鎖線ｆで示すように、正の変化率になる。さらに、基板エリアを全て電極１３が占めていると、正常な電極エリアにおけるピーク波長の変化と同じになる。このように電極１３の太りの程度に応じて、検出される赤外線のピーク波長の変化率が異なったものとなる。
【００４５】
このようにして、基板エリアおよび電極エリアから放射された赤外線のピーク波長は、赤外線カメラ１６により測定、定量され、その情報は信号ケーブルを通じて演算処理部１７に送られ、電極１３の不良箇所と不良の程度、不良の種類を特定することができる。さらにそのデータを記憶部１８に記憶させることによって、電極１３の不良部分を修正する作業を容易にすることができ、プロセスの改善につなげることができる。
【００４６】
本実施の形態２では、基板１４の温度を上昇させ、電極１３の温度を低下させているので、電極１３の材料と基板１４の材料の赤外線放射率が同等であっても、温度による赤外線のピーク波長の違いから電極１３の不良を容易に検出することができる。
【００４７】
（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３による電極検査装置について、図面を参照しながら説明する。
【００４８】
図７は実施の形態３における電極検査装置の概略構成図である。図７（ａ）に示すように、電極１３が形成された検査対象の基板１４は検査台１５上に載置されて真空吸着装置（図示せず）によって検査台１５に吸着固定され、電極検査が行われる。また、基板１４上に形成された電極１３および基板１４から放射される赤外線を検出するための赤外線カメラ（赤外線検出手段）１６と、赤外線カメラ１６からのデータを処理し、不良箇所を特定するための演算処理部１７と、不良箇所の位置座標を記憶するための記憶部１８とを有しており、実施の形態１の場合と同じである。
【００４９】
また、図７（ｂ）に示すように、基板１４上に形成した電極１３を加熱するために、電極加熱用のヒーター２６と熱電対（図示せず）が設けられ、ヒーター２６が装着された熱伝導体２７が電極１３に接触する構成となっている。温度制御装置２８は、熱電対からの温度情報に基づいてヒーター２６を制御するものであり、熱電対からの温度情報を受けた温度制御装置２８がヒーター２６を制御することにより電極１３の温度を任意に変化させることができる。なお、図７（ａ）においては、図７（ｂ）に示すヒーター２６、熱伝導体２７および温度制御装置２８を省略している。
【００５０】
上記のように電極検査装置は、検査対象の基板１４上に形成された電極１３の温度を制御するための電極温度調節手段と、不良箇所認識手段を有している。すなわち、ヒーター２６、熱伝導体２７、温度制御装置２８および熱電対によって電極温度調節手段を構成し、赤外線カメラ１６、演算処理部１７および記憶部１８によって不良箇所認識手段を構成している。なお、図示していないが、電極検査装置は、電極１３および基板１４から放射される赤外線のみを検出することができるように、周囲からの放射赤外線を遮蔽するための暗幕内に設置されている。
【００５１】
次に、この電極検査装置を用いて電極検査を行う方法について説明する。まず、電極１３が形成された検査対象の基板１４を、検査台１５上の所定位置に設置し、真空吸着装置によって吸着固定する。また、ヒーター２６が装着された熱伝導体２７を基板１４上の電極１３に接触させる。このとき、基板１４および電極１３の温度は約２０℃の室温である。そして、電極温度調節手段によって、電極１３の温度を毎秒１０℃のレートで６０℃まで上昇させる。このとき、基板１４の温度は室温のままであり、電極１３の部分と、電極１３が形成されていない基板１４の部分からは前述したプランクの法則に従い、赤外線が放射されている。
【００５２】
ここで、赤外線カメラ１６で赤外線を検出する被測定エリアを１０μｍ×１０μｍのメッシュに分割して、電極１３が形成されるエリア（電極エリア）と電極１３が形成されないエリア（基板エリア）を設定する。そして、各エリア毎に放射される赤外線を測定する。正常な基板エリア（基板１４が１００％占めるエリア）が２０℃の時に放射する赤外線のピーク波長の変化と、正常な電極エリア（電極１３が１００％占めるエリア）が２０℃から６０℃まで毎秒１０℃のレートで上昇した時に放射する赤外線のピーク波長の変化は、ウィーンの法則に従い図８に示したようになる。すなわち、正常な基板エリアから放射される赤外線のピーク波長は図８（ａ）、（ｂ）の実線ａで示したようにほぼ一定であり、正常な電極エリアから放射される赤外線のピーク波長は図８（ａ）、（ｂ）の実線ｂで示したように時間を経る毎に小さくなる。
【００５３】
例えば、電極エリアの中の電極１３の一部に欠けなどの欠損不良があれば、その電極エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化は、基板１４から放射される赤外線も含むために図８（ａ）中の一点鎖線ｃのようになり、実線ｂで表される正常な電極エリアの波長変化よりも小さい変化率となる。また電極１３に断線等の大きな欠損不良があれば、電極エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化は、基板１４から放射される赤外線を多く含むため図８（ａ）中の破線ｄのように、より小さい変化率になる。さらに、電極エリア中の電極１３が全て欠損していると、正常な基板エリアにおけるピーク波長の変化と同じになる。このように電極１３の欠損不良の程度に応じて、検出される赤外線のピーク波長の変化率が異なったものとなる。
【００５４】
また、基板エリアの中に電極１３の太りのような不良があれば、その基板エリアから放射される赤外線のピーク波長は、電極１３から放射される赤外線も含むために図８（ｂ）中の一点鎖腺ｅのように変化する。また基板エリアの大部分に電極１３の太りのような大きな不具合があれば、その基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化は、電極１３から放射される赤外線を多く含むため図８（ｂ）に破線ｆで示すように、より大きい変化率になる。さらに、基板エリアを全て電極１３が占めていると、正常な電極エリアにおけるピーク波長の変化と同じになる。このように電極１３の太りの程度に応じて、検出される赤外線のピーク波長の変化率が異なったものとなる。
【００５５】
このようにして、基板エリアおよび電極エリアから放射された赤外線のピーク波長は、赤外線カメラ１６により測定、定量され、その情報は信号ケーブルを通じて演算処理部１７に送られ、電極１３の不良箇所と不良の程度、不良の種類を特定することができる。さらにそのデータを記憶部１８に記憶させることによって、電極１３の不良部分を修正する作業を容易にすることができ、プロセスの改善につなげることができる。
【００５６】
本実施の形態３では、電極１３の温度を上昇させているので、電極１３の材料と基板１４の材料の赤外線放射率が同等であっても、温度による赤外線のピーク波長の違いから電極１３の不良を容易に検出することができる。
【００５７】
（実施の形態４）
次に、本発明の実施の形態４による電極検査装置について、図面を参照しながら説明する。
【００５８】
図９は実施の形態４における電極検査装置の概略構成図である。この電極検査装置は、実施の形態３による電極検査装置に、基板１４の温度を制御する手段を加えた構成としており、実施の形態３の電極検査装置と同じ部分には同じ符号を付けている。
【００５９】
図９に示すように、電極１３が形成された検査対象の基板１４を載置する検査台１５の上部には熱伝導体２９が設けられており、基板１４は真空吸着装置（図示せず）によって熱伝導体２９に吸着固定される。また、検査台１５内には、熱伝導体２９の下部に接するように、ペルチェ素子３０と熱電対２４が複数設けられている。温度制御装置３１は、熱電対２４からの温度情報に基づいてペルチェ素子３０を制御するもので、基板１４の温度を任意に変化させることができる。このように、実施の形態４における電極検査装置は、熱伝導体２９、ペルチェ素子３０、熱電対２４および温度制御装置３１によって構成される基板温度調節手段を有している。他の構成については、図７を用いて説明した実施の形態３における電極検査装置と同じである。すなわち、ヒーター２６、熱伝導体２７、温度制御装置２８および熱電対によって構成される電極温度調節手段と、赤外線カメラ１６、演算処理部１７および記憶部１８によって構成される不良箇所認識手段を有している。
【００６０】
次に、この電極検査装置を用いて電極検査を行う方法について説明する。まず、電極１３が形成された検査対象の基板１４を、検査台１５の上部の熱伝導体２９上の所定位置に設置し、真空吸着装置によって吸着固定する。また、ヒーター２６が装着された熱伝導体２７を基板１４上の電極１３に接触させる。このとき、基板１４および電極１３の温度は約２０℃の室温である。そして、基板温度調節手段によって、基板１４の温度を毎秒１０℃のレートで−２０℃まで下降させ、電極温度調節手段によって、電極１３の温度を毎秒１０℃のレートで６０℃まで上昇させる。このとき、電極１３の部分と、電極１３が形成されていない基板１４の部分からは前述したプランクの法則に従い、赤外線が放射されている。
【００６１】
ここで、赤外線カメラ１６で赤外線を検出する被測定エリアを１０μｍ×１０μｍのメッシュに分割して、電極１３が形成されるエリア（電極エリア）と電極１３が形成されないエリア（基板エリア）を設定する。そして、各エリア毎に放射される赤外線を測定する。正常な基板エリア（基板１４が１００％占めるエリア）が２０℃から−２０℃まで毎秒１０℃のレートで下降した時に放射する赤外線のピーク波長の変化と、正常な電極エリア（電極１３が１００％占めるエリア）が２０℃から６０℃まで毎秒１０℃のレートで上昇した時に放射する赤外線のピーク波長の変化は、ウィーンの法則に従い図１０に示したようになる。すなわち、正常な基板エリアから放射される赤外線のピーク波長は図１０（ａ）、（ｂ）の実線ａで示したように時間を経る毎に大きくなり、正常な電極エリアから放射される赤外線のピーク波長は図６（ａ）、（ｂ）の実線ｂで示したように時間を経る毎に小さくなる。
【００６２】
例えば、電極エリアの中の電極１３の一部に欠けなどの欠損不良があれば、その電極エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化は、基板１４から放射される赤外線も含むために図１０（ａ）中の一点鎖線ｃのようになり、実線ｂで表される正常な電極エリアの波長変化よりも小さくなる。また電極１３に断線等の大きな欠損不良があれば、電極エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化は、基板１４から放射される赤外線を多く含むため、図１０（ａ）中の破線ｄのように正の変化率になる。さらに、電極エリア中の電極１３が全て欠損していると、正常な基板エリアにおけるピーク波長の変化と同じになる。このように電極１３の欠損不良の程度に応じて、検出される赤外線のピーク波長の変化率が異なったものとなる。
【００６３】
また、基板エリアの中に電極１３の太りのような不良があれば、その基板エリアから放射される赤外線のピーク波長は、電極１３から放射される赤外線も含むために図１０（ｂ）中の一点鎖線ｅのようになり、正常な基板エリアの波長変化よりも小さくなる。また基板エリアの大部分に電極１３の太りのような大きな不良があれば、その基板エリアから放射される赤外線のピーク波長の変化は、電極１３から放射される赤外線を多く含むために図１０（ｂ）に破線ｆで示すように負の変化率になる。さらに、基板エリアを全て電極１３が占めていると、正常な電極エリアにおけるピーク波長の変化と同じになる。このように電極１３の太りの程度に応じて、検出される赤外線のピーク波長の変化率が異なったものとなる。
【００６４】
このようにして、基板エリアおよび電極エリアから放射された赤外線のピーク波長は、赤外線カメラ１６により測定、定量され、その情報は信号ケーブルを通じて演算処理部１７に送られ、電極１３の不良箇所と不良の程度、不良の種類を特定することができる。さらにそのデータを記憶部１８に記憶させることによって、電極１３の不良部分を修正する作業を容易にすることができ、プロセスの改善につなげることができる。
【００６５】
本実施の形態４では、基板１４の温度を低下させ、電極１３の温度を上昇させているので、電極１３の材料と基板１４の材料の赤外線放射率が同等であっても、温度による赤外線のピーク波長の違いから電極１３の不良を容易に検出することができる。
【００６６】
上記実施の形態では、電極１３と基板１４との温度差を変化させて赤外線量を検出しており、電極１３および基板１４の材料に応じて電極検査時の温度の変化を適宜設定することにより、精度よく電極検査を行うことができる。例えば、基板材料の赤外線放射率が電極材料の赤外線放射率よりも大きい場合には、実施の形態１，２のように電極１３の温度を低下させることで検出感度を上げることができる。また、基板材料の赤外線放射率が電極材料の赤外線放射率よりも小さい場合には、実施の形態３，４のように電極１３の温度を上昇させることで検出感度を上げることができる。
【００６７】
また、上記実施の形態による電極検査装置では基板１４の各辺に引き出された電極１３に一括して熱伝導体を接触させればよく、個々の電極１３に対応して検査用のプローブを当てる必要はないので、短時間で容易に電極検査を行うことができる。赤外線を検出することにより検査を行っているので、断線幅が小さい場合でも断線箇所を検出することができる。
【００６８】
上記実施の形態では、基板１４および電極１３の温度調節にヒーターやペルチェ素子を使用しているが、温度調節可能なものであればそれ以外のものを使用してもよい。また、１つではなく複数個の赤外線カメラを用いれば、個々の赤外線カメラが担当する検査領域が小さくなり解像度が向上し、より精度よく検査することができる。また、赤外線カメラ１６で赤外線を検出する被測定エリアを１０μｍ×１０μｍのメッシュに分割した例を示したが、このメッシュの大きさは測定対象に応じて変更すればよい。
【００６９】
また、赤外線を検出する際、大気中の赤外線吸収成分の影響を排除するために、ピーク波長が８μｍ〜１４μｍの赤外線で行うことが望ましい。そのためには前述のウィーンの法則に従い、基板１４および電極１３の温度は−６６℃〜８９℃の範囲内で制御することが望ましい。
【００７０】
なお、走査電極２または維持電極３として、透明電極６を形成せず、複数の金属電極７を並べて形成することにより構成する場合もあるが、その場合の電極検査や、背面基板８上に形成されたアドレス電極９の検査にも本発明を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
以上のように本発明によれば、基板上に形成された電極の検査を行う際に、基板と電極との温度差を変化させて赤外線を検出することで、電極の不良箇所を容易かつ迅速に検出することができ、ＰＤＰ等を製造する際の電極検査に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】（ａ）、（ｂ）はプラズマディスプレイパネルの一部分を示す断面図
【図２】同プラズマディスプレイパネルの前面基板に電極を形成したときの平面図
【図３】（ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態１における電極検査装置の概略構成図
【図４】（ａ）、（ｂ）は同電極検査装置で検出される赤外線ピーク波長の特性図
【図５】本発明の実施の形態２における電極検査装置の概略構成図
【図６】（ａ）、（ｂ）は同電極検査装置で検出される赤外線ピーク波長の特性図
【図７】（ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態３における電極検査装置の概略構成図
【図８】（ａ）、（ｂ）は同電極検査装置で検出される赤外線ピーク波長の特性図
【図９】本発明の実施の形態４における電極検査装置の概略構成図
【図１０】（ａ）、（ｂ）は同電極検査装置で検出される赤外線ピーク波長の特性図
【符号の説明】
【００７３】
１３  電極
１４  基板
１６  赤外線カメラ
１９、３０  ペルチェ素子
２０、２２、２７、２９  熱伝導体
２１、２５、２８、３１  温度制御装置
２３、２６  ヒーター
２４  熱電対
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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