(57)【要約】      （修正有）【課題】基板と、粒子を含むＳｉＯ２含有磁気層とを有する磁気記録媒体を提供する。【解決手段】磁気層は、粒子間に実質的なＳｉＯ２を有する。この状態は、真空下において気体を含むチャンバ内で磁気層をスパッタ蒸着することによって達成される。気体は実質的に酸素を含まない。当該気体は、酸素含有気体混合物を生成するために意図的に酸素が導入されないが、チャンバ内の気体と同様の真空下において空気中に存在する量の微量の酸素分子を含有してもよい。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、粒子を含むＳｉＯ２含有磁気層とを含む、前記磁気層は前記粒子間にＳｉＯ２を有する、磁気記録媒体。
【請求項２】
前記ＳｉＯ２含有磁気層は、真空下において気体を含むチャンバ内でスパッタ蒸着によって前記基板上に積層され、前記気体は実質的に酸素を含まない請求項１に記載の媒体。
【請求項３】
酸素を前記気体に意図的に導入しない請求項２に記載の媒体。
【請求項４】
前記ＳｉＯ２含有磁気層は、約６から１０％のＳｉＯ２を含有する請求項１に記載の媒体。
【請求項５】
前記媒体は、他の媒体の前記ＳｉＯ２含有磁気層が約４％のＳｉＯ２を含有し、真空下においてアルゴンと酸素の気体混合物を含むチャンバ内でスパッタ蒸着されることを除いては、前記媒体と同じ構造を有する前記他の媒体よりＳＭＮＲが高い請求項４に記載の媒体。
【請求項６】
前記気体は実質的に純粋のアルゴンである請求項２に記載の媒体。
【請求項７】
前記ＳｉＯ２含有磁気層はＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２である請求項１に記載の媒体。
【請求項８】
前記ＳｉＯ２含有磁気層は、０から１５原子％のＣｒと、１０から３５原子％のＰｔと、０．０１から１２原子％のＳｉＯ２と、３５から９０原子％のＣｏとを含む請求項１に記載の媒体。
【請求項９】
前記ＳｉＯ２含有磁気層のＳｉＯ２は、前記粒子の偏析及び分離により前記ＳｉＯ２含有磁気層の特性を向上させる請求項１に記載の媒体。
【請求項１０】
付加した磁気層と、場合によっては前記ＳｉＯ２含有磁気層と前記付加した磁気層の間に非磁気スペーサとをさらに含む請求項１に記載の媒体。
【請求項１１】
基板を取得する工程と、粒子を含むＳｉＯ２含有磁気層を積層する工程とを含み、前記磁気層は、前記粒子間にＳｉＯ２を有する磁気記録媒体を製造する方法。
【請求項１２】
前記ＳｉＯ２含有磁気層は、真空下において気体を含むチャンバ内でスパッタ蒸着により基板上に積層され、前記気体は実質的に酸素を含まない請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
酸素を前記気体に意図的に導入しない請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＳｉＯ２含有磁気層は、約６から１０％のＳｉＯ２を含有する請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記気体は実質的に純粋のアルゴンである請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＳｉＯ２含有磁気層はＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２である請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記ＳｉＯ２含有磁気層は、０から１５原子％のＣｒと、１０から３５原子％のＰｔと、０．０１から１２原子％のＳｉＯ２と、３５から９０原子％のＣｏとを含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記ＳｉＯ２含有磁気層のＳｉＯ２は、前記粒子の偏析及び分離により前記ＳｉＯ２含有磁気層の特性を向上させる請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
付加した磁気層と、場合によっては前記ＳｉＯ２含有磁気層と前記付加した磁気層の間に非磁気スペーサとをさらに含む請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
基板と、粒子を含むＳｉＯ２含有磁気手段とを含み、前記磁気手段は前記粒子間にＳｉＯ２を有する、磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気データの記録、記憶及び読取りに関し、特には非反応処理によって磁性体を付着させた粒状垂直磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の方法では、磁性化可能な形態でデータを記憶するために磁気ディスク及びディスク・ドライブを採用している。好ましくは、１つ又は複数のディスクを、ディスクの記録面に近接して配置され、ディスクに対して全体的に半径方向に移動するデータ導入ヘッドと組み合わせて中心軸上で回転させる。磁気ディスクは、通常、ディスクの表面に弾性的に接触し、押しつけられた特定の荷重を磁気ヘッドに持たせた静的状態で磁気ディスク・ユニットに収容される。ディスクの表面上を近接して飛行する磁気ヘッド変換器組立品により、急速に回転する記録ディスクに対してデータと書込み及び読取りを行う。好ましくは、各ディスクの各面は、独立した独自のヘッドを有する。
【０００３】
磁気媒体では、「０’ｓ」と「１’ｓ」の組合せで表されるデジタル情報が、（それ自体さらに小さい多くの粒子で構成される）小さい磁気ビットに書き込まれる。ビットが書き込まれるとき、ディスク・ドライブのヘッドによって生成される磁場は、０又は１に対応する特定方向にビットの磁性化を配向させる。ヘッドにおける磁性は、本質的に、２つの安定した方位の間のビットにおける磁性化を「反転」させる。
【０００４】
細粒多結晶磁気合金層が活性記録媒体層として機能する磁気薄膜媒体は、磁性体の粒子の磁区の方位に応じて、「縦」又は「垂直」に広く分類される。縦媒体（しばしば「従来型」媒体とも呼ばれる）では、ヘッドがディスクに相対的に移動する方向に対して平行配置と反平行配置の間でビットにおける磁性化を反転する。垂直媒体では、ディスクの磁性化は、縦方向記録のようにディスクの平面に配置する代わりに、ディスクの平面に垂直な末端に位置する。次いで、ビットは、（デジタル・データの１’ｓ及び０’ｓに対応する）上方又は下方誘導磁性の領域として表される。
【０００５】
図１は、ディスク記録媒体、及び縦記録と垂直記録の違いを示すディスクの断面を示す図である。図１は、非磁気ディスクの一面を示しているが、磁気記録層は、図１の非磁気アルミニウム基板の両面にスパッタリングで積層されている。また、図１は、アルミニウム基板を示しているが、他の実施形態は、ガラス、ガラス−セラミック、ＮｉＰ／アルミニウム、金属合金、プラスチック／ポリマー材料、セラミック、ガラス−ポリマー、複合体又は他の非磁性体を含む。
【０００６】
磁気媒体の面積記録密度、すなわちビット密度又は単位面積当たりのビット数、及び信号対媒体雑音比（ＳＭＮＲ）を高めるための努力がずっと行われてきた。面積密度を継続的に向上させ、全体的な記憶容量を増加させるためには、データ・ビットを小さくし、より近づける必要がある。しかし、ビットをどこまで小さくできるかということについては限界がある。ビットが小さくなりすぎると、ビットを所定位置に保持する磁気エネルギーが小さくなって、熱エネルギーによりそれが経時的に消磁する場合がある。この現象は、超常磁性として知られている。
【０００７】
垂直記録媒体は、縦媒体が直面している熱安定性の同様の限界を伴うことなく、面積密度をはるかに高いレベルに高める能力が発展しつつある。垂直記録媒体に対する主な設計の１つは、酸素と一般的な不活性ガスの気体混合物中での磁気層の反応スパッタリングを利用して、所謂垂直媒体を製造することである。この方法によって製造された磁気層は、粒界に酸素を有することで、交換結合を効果的に分解し、より良好な記録性能をもたらす。
【０００８】
物質内の双極子に隣接して、互いに平行又は非平行に整列する傾向を交換（又は交換結合）と呼ぶ。基本的には、交換は、隣接原子上の軌道電子の重複によって生じる。原子の原子モーメントは、原子の角運動量に比例する。この角運動量は、軌道中の電子の回転による軌道角運動量と、独自の軸を中心とした電子の回転によるスピン角運動量（「スピン」と省略する）とから構成される。近隣原子上の２つの電子のスピン角運動量がｓ１及びｓ２であれば、この電子対のエネルギーＥはＥ＝−２Ｊｓ１＊ｓ２である（ここで、Ｊは交換積分と呼ばれる定数である）。強磁性体では、Ｊは正で、隣接原子のモーメントは同一方向を向く。抗強磁性体では、Ｊは負である。抗強磁性体では、隣接原子のモーメントは反対方向を向くため、該物質には正味の巨視的なモーメントは存在しない。さらに他の種類の交換は、Ｊが、磁気層の厚さに応じて負から正へ、又は正から負へ変化する所謂ＰＫＫＹである。
【０００９】
交換は、主に、固体中の原子間の距離（数オングストローム）に典型的な距離にわたって生じる最近接現象である。粒界に酸素の如き１つの物質の１つの中間層が存在すれば、中間層によって分離される粒界の間の交換を停止するのに十分でありうる（ただし、より厚い中間層を使用することも可能である）。粒界間の交換におけるこの停止は、データ・ビットを保持する粒子をより小さくするとともに、互いに近づけることを可能にする。したがって、より小さい粒子を形成するためには、酸素を含む気体混合物のなかで磁気層をスパッタリングすることが極めて有用であることがわかった。
【００１０】
しかし、反応処理は、急速な酸素消費により膜特性の均一性が極めて悪化するとともに、処理安定性の問題を生じる。結果的に、処理制御の欠如、並びにさらなる反応ガスの投入／安定化及び減圧時間によるスループットの限界によって製造能力が低下する。したがって、反応スパッタ処理をせずに同様の性能を満たすことが可能な新規の磁性体を開発することが大いに望まれる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、当該条件を満たす磁気合金設計に関する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、好ましくは、基板と、粒子を含むＳｉＯ２含有磁気層とを含み、磁気層は粒子間にＳｉＯ２を有する磁気記録媒体に関する。好ましくは、ＳｉＯ２含有磁気層は、真空下において気体を含むチャンバ内でスパッタ蒸着することによって基板上に積層され、例えば、該気体は実質的に酸素を含まない、すなわち該気体中に故意に酸素を導入しない。一実施形態では、該気体は実質的に純粋のアルゴンである。好ましくは、ＳｉＯ２含有磁気層は、約６から１０％のＳｉＯ２を含有する。また、好ましくは、前記媒体は、他の媒体のＳｉＯ２含有磁気層が４％のＳｉＯ２を含有し、真空下においてアルゴンと酸素の気体混合物を含むチャンバ内でスパッタ蒸着されることを除いては、該媒体と同じ構造を有する他の媒体よりＳＭＮＲが高い。好ましくは、ＳｉＯ２含有磁気層は、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２である。より好ましくは、ＳｉＯ２含有磁気層は、０から１５原子％のＣｒと、１０から３５原子％のＰｔと、０．０１から１２原子％のＳｉＯ２と、３５から９０の原子％のＣｏとを含む。より好ましくは、ＳｉＯ２含有磁気層のＳｉＯ２は、粒子の偏析（ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ）及び分離（ｄｅ−ｃｏｕｐｌｉｎｇ）によりＳｉＯ２含有磁気層の特性を向上させる。媒体は、付加した磁気層を、そして場合によっては、ＳｉＯ２含有磁気層と付加した磁気層との間に非磁気スペーサをさらに含むことが可能である。
【００１３】
他の実施形態は、磁気記録媒体を製造する方法であって、基板を取得する工程と、粒子を含むＳｉＯ２含有磁気層を積層する工程とを含み、磁気層は粒子の間にＳｉＯ２を有する方法である。
【００１４】
さらに他の実施形態は、基板とＳｉＯ２含有磁気手段とを含み、磁気手段は粒子の間にＳｉＯ２を有する磁気記録媒体である。
【００１５】
本発明のさらなる利点は、単に発明を実施するために意図された最良の形態を例示する目的で本発明の好ましい実施形態のみを示し、記載した以下の詳細な説明を読めば当業者に容易に理解されるであろう。理解されるように、本発明は、他の実施形態及び異なる実施形態が可能であり、本発明から逸脱することなく、様々な明白な点においてその詳細を改変することが可能である。よって、図面及び説明は、本質的に例示的なものであると見なされ、限定的なものであると見なすべきではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（記録密度をさらに高めるために）磁気記録媒体の信号対雑音比（ＳＮＲ）を向上させるための１つの方法は、平均粒子体積Ｖを減じることによるものである。達成可能なＳＮＲは、記録遷移当たりの粒子の数Ｎが増加するに従って、並びに記録媒体のＭｒｔが減少するに従って〜Ｎ１／２として増加する。Ｍｒｔは、残留磁化Ｍｒと、磁性体の膜厚ｔとの積である。ＳＮＲを高める両方法は、熱運動による磁化反転に抵抗するより小さいエネルギー／バリヤＫｕＶにする。
【００１７】
磁気媒体によって生成される信号電圧は、すべての媒体パラメータを含むＭｒｔに比例する。例えば、微粒子媒体の場合は、磁性体の粒子は比較的離れており、そのＭｒが低いため、当該媒体は、高いＭｒｔを得るために磁気層の大きな膜厚を必要とする。他方で、そのほぼ１００％が磁性を有する物質を使用した膜は、当該膜のＭｒｔを十分大きくできるため、薄膜でも十分な信号電圧を与えることができる。
【００１８】
本発明は、基板と、粒子を含むＳｉＯ２含有磁気層とを有する磁気記録媒体に関する。磁気層は、粒子間の目標物質からの実質的なＳｉＯ２を有する。この状態は、真空下において気体を含むチャンバ内で磁気層をスパッタ積層することによって達成される。該気体は、実質的に酸素を含まない。当該気体は、酸素含有気体混合物を生成するために酸素を意図的に導入しないが、チャンバ内の気体と同様の真空下で空気中に存在する量の微量の酸素分子を含むことができる。
【００１９】
図２は、本発明の実施形態の簡易断面図である。すべての層は静的スパッタシステムで生成された。典型的なサンプルに対するより詳細な膜構造は、ＮｉＰメッキＡｌ基板／３０Å  ＵＬ１／８００Å  ＵＬ２／１５Å  ＵＬ３／２００Å  ＩＬ／１００Å  ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２／３０Å  Ｃである。ＵＬ１の組成はＴｉ、ＵＬ２はＦｅＣｏＢ、ＵＬ３はＡｇ、ＩＬはＲｕＣｒ１０である。これらの下部層／中間層に適した材料としては多くの他の候補が挙げられ、例えばＵＬ１は、Ｃｒ、ＴｉＣｒを含む他の接着金属材料、ＵＬ２は、他の高飽和磁性化（Ｂｓ）軟質磁性体（微量の他の元素を含むＦｅＣｏ、ＣｏＺｒ、ＣｏＴａ合金）、ＵＬ３は、ＦＣＣ、ＢＣＣ又はＨＣＰ結晶構造を有する他の金属層、ＩＬは、他のＨＣＰ材（Ｒｕ、Ｒｕ合金又は非磁気Ｃｏ合金）でありうる。ここに示す層の数も例示的であって限定的ではない。
【００２０】
基板上の層は、ＮｉＰシード層の代わりに、ＮｉＮｂシード層、Ｃｒ／ＮｉＮｂシード層又は任意の他のＮｉ含有シード層の如き任意のＮｉ含有シード層でありうる。場合によっては、基板とシード層の間に接着層を設けることも可能である。場合によっては、Ｎｉ含有シード層の表面を酸化することも可能である。
【００２１】
本発明の実施形態は、Ｎｉ含有シード層上にＣｒ又はＣｒ合金下部層、例えばＣｒＭｏの如き下部層の積層を含む。本発明の実施形態は、磁気層に、ＣｏＣｒＢ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＮｉＢ、ＣｏＣｒＮｉＰｔＢ、ＣｏＣｒＮｉＴａＢ、ＣｏＣｒＮｉＮｂＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ、ＣｏＣｒＰｔＮｂＢ及びＣｏＣｒＰｔＴａＮｂＢ、並びにＢ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔａ及びＮｂの他の組合せのような様々な磁気合金のいずれかを使用することを含む。好ましい実施形態では、磁気層はＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ２である。他の実施形態では、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ２は少なくとも０から１５原子％のＣｒ、１０から３５原子％のＰｔ、０．０１から１２原子％のＳｉＯ２及び不定量のＣｏを含む。
【００２２】
好ましい実施形態では、ＵＬ１の厚さは、１０から１００Å、より好ましくは１０から４０Å、ＵＬ２の厚さは５００から３０００Å、より好ましくは１０００から２０００Å、ＵＬ３の厚さは５から５０Å、より好ましくは１０から３０Å、ＩＬの厚さは、５０から５００Å、より好ましくは１００から２００Å、磁気層の厚さは約５０Åから約３００Å、より好ましくは８０から１５０Åである。保護膜は、厚さが２０から８０Å、より好ましくは３０から５０Åの水素化、窒化、ハイブリッド又は他の形の炭素でありうる。
【００２３】
磁気記録媒体は、残留保磁度が約２０００から約１００００エルステッドで、Ｍｒｔ（残留磁気とＭｒと磁気層の厚さｔとの積）が約０．２から約２．０ｍｅｍｕ／ｃｍ２である。好ましい実施形態では、保磁度は約２５００から９０００エルステッド、より好ましくは約４０００から約８０００エルステッド、最も好ましくは約４０００から約７０００エルステッドである。好ましい実施形態では、Ｍｒｔは約０．２５から約１ｍｅｍｕ／ｃｍ２、より好ましくは約０．３から約０．７ｍｅｍｕ／ｃｍ２である。
【００２４】
ディスク媒体の製造はほぼすべて、大気中の粉塵の量が極めて少なく維持され、厳密に制御、監視されるクリーンルームで行われる。非磁気基板に対する１つ又は複数の洗浄及びテクスチャリング処理の後で、基板は超洗浄面を有し、基板上の磁気媒体の層の積層に備えられる。
【００２５】
当該媒体に必要なすべての層を積層するための装置は、すべての層を好適な真空環境内で連続的に積層する静的スパッタシステム又はパスバイシステムでありうる。
【００２６】
潤滑剤上塗層を除いて、本発明の磁気記録媒体を構成する各々の層は、任意の好適な物理蒸着技術（ＰＶＤ）、例えばスパッタリング、又はＰＶＤ技術の組合せ、すなわちスパッタリング、真空蒸着等によって積層又は形成できるが、スパッタリングが好ましい。潤滑剤層は、典型的には、潤滑剤化合物の溶液を含む槽に媒体を浸した後、布ぶき、又は気相潤滑油蒸着法によって過剰の液を除去することによって、上塗層として設けられる。
【００２７】
スパッタリングは、記録媒体を作製する全体処理において、おそらく最も重要な工程である。二種類のスパッタリング、すなわちパスバイスパッタリング及び静的スパッタリングがある。パスバイスパッタリングでは、ディスクを真空チャンバ内に通し、基板上の１つ又は複数の層として積層される磁性体及び非磁性体でそれらをボンバード処理する。静的スパッタリングは、より小さい機械を使用し、各ディスクを取り上げて個別にスパッタする。図２のディスク上の層は静的スパッタリングによって積層されたものである。
【００２８】
スパッタリング層は、スパッタリング装置に充填されるボンベと呼ばれるもののなかで積層される。ボンベは、いずれかの側にターゲットが配置された真空チャンバである。基板は、ボンベのなかに運ばれ、スパッタ材料でボンバードされる。
【００２９】
スパッタリングは、スパッタ後のディスク上にある程度微粒子を形成させる。これらの微粒子を除去して、ヘッドと基板の間に引掻きが生じないようにすることが必要である。したがって、潤滑油を基板上の上塗層の一部として基板表面に塗布するのが好ましい。
【００３０】
潤滑油を塗布すると、基板はバフ／バーニッシング段階に移り、好ましくは主軸のまわりを回転しながら研磨される。バフ／バーニッシングの後に、基板を拭き、清潔な潤滑油を基板に均一に塗布する。
【００３１】
続いて、ディスクを準備し、三段階処理を通じて品質を試験する。まず、バーニッシング・ヘッドが表面を移動し、凹凸（専門用語ではアスペリティという）を除去する。次いで、滑走ヘッドがディスクを移動し、凹凸が残っているかどうかをチェックする。最後に、確認ヘッドが、製造欠陥について表面をチェックするとともに、基板の磁気記録能力を測定する。
【実施例】
【００３２】
表１は、純粋のＡｒ中で、つまり非反応スパッタ処理でスパッタしたＣｏＣｒ６Ｐｔ１８ＳｉＯ２８合金で作製された媒体サンプルに対するカー・ルーパ（Ｋｅｒｒ  Ｌｏｏｐｅｒ）によって測定された磁気特性を示す。カー・ループ（Ｋｅｒｒ  Ｌｏｏｐ）は、高密度記録に適した範囲内の保磁力で完全に平方される。
【表１】
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【００３３】
表２は、その磁気特性が表１に示されたサンプルとともに、標準サンプル（標準１及び２）の記録性能特性を示す。標準１は、ＡｒとＯ２の気体混合物を含む環境のなかで、つまり反応酸化処理でスパッタされたＣｏＣｒ６Ｐｔ１８ＳｉＯ２４磁気合金を有していた。標準２は、Ｏ２を含まないＡｒ中で、つまり非反応酸化処理でスパッタされたＣｏＣｒ６Ｐｔ１８ＳｉＯ２４磁気合金を有していた。５００ｋｆｃｉの線形密度、及び５４００ｒｐｍの条件においてＧｕｚｉｋテスタで測定を行った。
【表２】
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【００３４】
表２の標準１と標準２のＳＭＮＲ値を比較することにより、粒子間に酸化物を形成させるスパッタリング・チャンバ内の酸素の存在は、磁気層におけるＳｉＯ２の濃度を含む他のパラメータが実質的に約４％で同じであれば、ＳＭＮＲを向上させることがわかる。他方で、磁気層におけるＳｉＯ２含有量を４％から８％に増加させながら、磁気層のスパッタリングを通じて蒸着チャンバ内に無酸素環境を維持すると、ＳＭＮＲ値が、４％のＳｉＯ２を含有し、ＡｒとＯ２の気体混合物を含む環境内でスパッタされた磁気層である標準２の値を超えるレベルまで高められることがわかった。
【００３５】
図３は、実質的に酸素を含まない実質的に純粋のＡｒ中でスパッタされたＣｏＣｒ６Ｐｔ１８ＳｉＯ２８合金（上の構造）、及び標準２のＣｏＣｒ６Ｐｔ１８ＳｉＯ２８合金（下の構造）を有するサンプルの断面ＴＥＭ画像を示す図である。酸素含有環境中でスパッタされた４％ＳｉＯ２材と比較すると、ＣｏＣｒＰｔ−８％ＳｉＯ２の優れた微構造プロフィルが明確にわかる。
【００３６】
ＳｉＯ２を添加すると、効果的な偏析及び粒子分離によりＣｏＣｒＰｔ磁気合金膜の性能が向上する。磁気合金中に十分なＳｉＯ２が存在すると、反応酸化処理を必要とすることにより、処理制御並びに製造性において大きな利益がもたらされる。
【００３７】
本発明を要約すると、Ｃｒは、磁気層において０から１５原子％、好ましくは５から８原子％の範囲とし、Ｐｔは１０から３５％、好ましくは１５から２５％の範囲とし、ＳｉＯ２は０．０１から１２％、好ましくは６から１０％の範囲とし、Ｃｏは不定量とする。使用される基板は、Ａｌを主成分とした導電型、又はガラス、ガラス・セラミック型とし、磁気層の下に随意の数の下部層及び／又は中間層を設け、垂直簡易軸方位及び粒子構造を確立するのに適したものとする。
【００３８】
加えて、磁気層は、磁気層は、Ｂ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｚｒ等よりなる群から選択される少なくとも１つ以上の元素を含むことが可能である。記憶用磁気層は、単一層、又は多数の隣接層、又は薄い非磁気空間を含む積層構造でありうる。
【００３９】
本願には、本文及び図面にいくつかの数的範囲が開示されている。本発明は、開示された数的範囲全体を通じて実施できるため、開示されている数的範囲は、本明細書において厳密な範囲が逐語的に記されていなくても、開示されている数的範囲内の任意の範囲又は値をサポートしている。
【００４０】
上記説明は、当業者が、本発明を具体化し、利用することを可能にするために示されており、特定の用途及びその要件の観点で提示されている。好ましい実施形態に様々な修正を加えられることを当業者なら容易に理解するであろうし、本発明の主旨及び範囲を逸脱することなく、本明細書に定められた一般的な原理を他の実施形態及び用途に適用できる。したがって、本発明を、示された実施形態に限定することを意図するのではなく、本明細書に開示されている原理及び特徴に合致した最も広い範囲で提供するものである。最後に、本願に示された発明及び出版物の全開示内容は参照により本明細書に組み込まれている。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】縦又は垂直記録を比較する磁気ディスク記録媒体を模式的に示す図である。
【図２】本発明による磁気記録媒体の膜構造の例を示す図である。
【図３】ＣｏＣｒＰｔ−８％ＳｉＯ２（無酸化）及び４％ＳｉＯ２材（酸化）を有する磁気層の微構造プロフィルの断面ＴＥＭ画像を示す図である。
【図１】
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【図２】
2005174531.tif 000006
【図３】
2005174531.tif 000007
【外国語明細書】
2005174531000001.pdf