(57)【要約】      （修正有）【課題】カソード、カウンタカソードを備え、イオン注入に適したイオン源を提供する。【解決手段】真空用チャンバ；プラズマを発生させ、内包するのに動作可能なアーク用チャンバと；電子軌道に沿ってアーク用チャンバ内に電子を放出するのに動作可能なカソードと；電子軌道内に配置されたカウンタカソードと；真空用チャンバの外側に対する真空フィードスルーを含むカウンタカソード及びカソードの各々からの別個の電気接続部と；真空フィードスルーを介して少なくともカウンタカソードに接続される真空用チャンバの外側に置かれ、カソードに関しカウンタカソードの電位を変更するために動作可能な電圧電位アジャスタと；を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空用チャンバと；
プラズマを発生させ、内包する為に動作可能なアーク用チャンバと；
電子軌道に沿って前記アークチャンバ内に電子を放出する為に動作可能なカソードと；
前記電子軌道内に配列されたカウンタカソードと；
前記カソード及び前記カウンタカソードの各々からの、それぞれ別個の電気接続部であって、前記真空用チャンバの外側への真空フィードスルーを含む、前記電気接続部と；
前記真空フィードスルーを介して前記カウンタカソードに少なくとも接続される前記真空用チャンバの外側に置かれ、前記カソードに関し前記カウンタカソードの電位を変更する為に動作可能な電圧電位アジャスタと；
を備える、イオン源
【請求項２】
前記電圧電位アジャスタは、前記カソード及び前記カウンタカソード間で電気的接触を断続する為に動作可能である、請求項１記載のイオン源。
【請求項３】
前記電圧電位アジャスタは、前記カソード及び前記カウンタカソード間の電気的接触が切断に設定されたとき、前記カウンタカソードを電気的に絶縁する為に動作可能であるように配置されている、請求項２記載のイオン源。
【請求項４】
前記電圧電位アジャスタは、前記カソードに関し前記カウンタカソードの電位を選択する為に動作可能である、請求項１記載のイオン源。
【請求項５】
前記電圧電位アジャスタは、スイッチ、可変抵抗、電源、分圧器から成る群の少なくとも一つを備える、請求項４記載のイオン源。
【請求項６】
前記カソードは、フィラメント又は、間接加熱式カソード型イオン源の管のエンドキャップである、請求項１〜５のいずれか一項に記載のイオン源。
【請求項７】
イオン源の前記フィラメント付近に置かれた電子リフレクタを更に備える、請求項６記載のイオン源。
【請求項８】
前記電子軌道を画成する為に前記アーク用チャンバ内の磁界を与えるように配置されたマグネットアセンブリを更に備える、請求項１〜７のいずれか一項に記載のイオン源。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに従うイオン源を備えるイオン注入装置であって、前記アーク用チャンバが出口アパーチャを更に備える場合、前記イオン注入装置は、前記出口アパーチャを通して前記アーク用チャンバ内に内包された前記プラズマからイオンを抽出する為に動作可能な抽出用電極と、前記アーク用チャンバから抽出されたイオンを受ける為に置かれ、特定エネルギで、ターゲット内に注入する為に、選択された質量及び電離状態のイオンを送出する為に動作可能である、質量分析ステージと、を更に備える、前記イオン注入装置。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれかに従うイオン源を動作せしめる方法であって：
前記カソード及びアノードにわたる電位を設定するステップと；
前記カウンタカソードにわたって所望電位をかける為に電圧電位アジャスタを設定するステップと；
ガスで前記アーク用チャンバを満たすステップと；
電子放出を起こす為に充分に前記カソードを加熱するステップと；
を備える、前記方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の内容】
【０００１】
本発明は、イオン注入装置に適したカソード、カウンタカソードを備えるイオン源に関する。
【０００２】
企図された本発明の出願は、イオン注入装置であり、これは、半導体装置や他の材料の製造に使用可能であるが、多くの応用も可能である。そのような一応用例において、半導体ウエハは、導電率を変更する領域を形成する為に、ウエハの本体に所望のドーパント種の原子を注入することにより変形される。慣用的なドーパント例は、ボロン、リン、ヒ素、アンチモンである。
【０００３】
通常、イオン注入装置は、真空用チャンバ内部での真空下に保持されたイオン源を内包する。イオン源は、アーク用チャンバ内部で発生されたプラズマを使用するイオンを生成する。プラズマのイオンは、半導体ウエハに衝突する為に前方へ移動するように所望質量のイオンが選択されるようにアーク用チャンバから抽出され、質量分析ステージを通される。イオン注入装置の、より詳細な説明は、米国特許第４７５４２００号で見つけられる。
【０００４】
典型的なBernas型ソースにおいて、熱電子は、カソードから放出され、磁界により抑制され、カウンタカソードに向かう電子軌道に沿って移動する。アーク用チャンバ内部の前駆体ガス分子との相互作用は、所望のプラズマを生成する。
【０００５】
既知の配置において、カウンタカソードは、カソードに接続されるので、これらは共通電位になる（米国特許第５５１７０７７号、５９７７５５２号）。カウンタカソードは、カソードから移動する電子をはね返し、アーク用チャンバ内でイオン化効率を高める。
【０００６】
他の既知の配置において、カウンタカソードは、電気的に絶縁されているので、プラズマの電位に対しフロートする（米国特許第５７０３３７２号）。
【０００７】
イオン注入装置の質量分析ステージは、磁界の制御により動作し、（それらのモーメントと電離状態の比率を介して）所望の質量のイオンの選択および（磁界内で異なる軌道に従う範囲で）不要イオンの拒絶を許容する。例えば、ボロンドーピングの場合、ＢＦ３は、通常、前駆体ガスとして使用される。アーク用チャンバにおける分解は、Ｂ＋、ＢＦ＋、ＢＦ２＋イオンを通常内包するプラズマを生じる。この混合イオンは、抽出され、質量分析ステージに入り、これが、好ましいＢ／ＢＦｘ種だけが半導体ウエハに送出されることを確実にする。多数の注入種は、Ｂ＋イオンが注入されることを必要とするが、別の注入種は、ＢＦ２＋イオンを使用する。ＢＦ２＋イオンは、半導体ウエハとの衝突で分離し、その結果として生じるボロン原子は、ある応用例で必要であるように、浅いドーピング層を生じる減じられたエネルギで注入される。
【０００８】
本発明の目的は、イオン源の動作のフレキシビリティを高めること、例えば、共通のソース材料から導き出せる異種を注入する為に当該ソースを最適化するか、特定供給材料からの特定イオン種の出力を最適化する。
【０００９】
第１の態様から、本発明は、真空用チャンバと、プラズマを発生させて内包する為に動作可能なアーク用チャンバと、そのアーク用チャンバ内に電子を電子軌道に沿って放出する為に動作可能なカソードと、その電子軌道内に配列されたカウンタカソードと、カソード及びカウンタカソードの各々からの、それぞれ別個の電気的接続部であって、真空用チャンバの外側への真空フィードスルーを含む、上記電気接続部と、真空貫通接続具を介して前記カウンタカソードに少なくとも接続される真空用チャンバの外側に置かれ、カソードに関しカウンタカソードの電位を変更する為に動作可能な電圧電位アジャスタと、を備えるイオン源に帰する。
【００１０】
電圧電位アジャスタという語句は、広く解釈されるべきであり、カソードに関してカウンタカソードの電位を変更する為に動作可能な全てのタイプのコンポーネントを含む。例えば、電圧電位アジャスタは、１以上のスイッチ、可変抵抗、電源、分圧器を備えてもよい。
【００１１】
この方式において、カウンタカソードの電位は、電子を反射する点で有効性が調整可能となるように変更できる。例えば、カウンタカソードはカソードと同電位に保持されるなら、カソードにより放出されたアーク用チャンバ内の電子寿命は、増加され、より多くの強いプラズマを生成し、ソースガス分子のイオン化および熱分解（cracking）を高める。また、カウンタカソードは、異なる電位に設定可能であり、フロートも許容可能であり、ここでは、イオン化や分子の熱分解を引き起こす可能性がある電子寿命がアーク用チャンバ内部で減少する。これは、比較的に低いプラズマ強度が必要であり、ソースガス分子のクラックを制限することが望ましい場合には好都合であるかもしれない。このため、この方式におけるイオン源の制御は、アーク用チャンバ内にあり、イオン注入装置内の質量分析ステージに送出されるイオン種の相対的濃度の制御を許容する。これは、イオン源の操作が、必要に応じて、Ｂ＋、ＢＦ＋、ＢＦ２＋イオンの使用に適するように適合可能である場合、例えばボロン注入において特に有用である。
【００１２】
電圧電位アジャスタは、カソード及びカウンタカソード間の電気的接触の断続の為に動作可能である。オプションとして、イオン源は、カソードとカウンタカソード間の電気的接触を切断するように設定されるとき、カウンタカソードを電気的に絶縁するように電圧電位アジャスタが動作可能であるように配置される。カウンタカソードは、プラズマにより設定された電位に対し浮動可能なので、これは便利である。
【００１３】
オプションとして、電圧電位アジャスタは、カソードに関しカウンタカソードの電位を選択する為に動作可能である。電圧電位アジャスタは、少なくとも、スイッチ、可変抵抗、電源、分圧器から成る群の少なくとも一つを備えてもよい。電源が使用される場合、浮動電位とカソード電位間の中間値でないカウンタカソードの電位が可能である。
【００１４】
本発明は、カソード及びカウンタカソードのリフレクタ又はリペラ（反射電極）の両方を内包するイオン源タイプを用いて使用可能である。
【００１５】
イオン源は、しばしば、マグネットアセンブリを更に備え、マグネットアセンブリは、電気軌道を画成する為にアーク用チャンバ内に磁界を与えるように配置されるが、そのようなマグネット配置は、いかなる手段でも不要である。これは、熱電子に対し、より長い電子軌道長を与えるが、これがなければ、熱電子は、隣接したアーク用チャンバ壁に直接引き寄せられる可能性がある。磁界は、アーク用チャンバの長さに沿って電子が通るように制限し、ここで、例えば、カソード及びカウンタカソードは、アーク用チャンバの反対側端部に置かれる。
【００１６】
第２態様から、本発明は、イオン注入装置に帰するが、イオン注入装置は、前述したようなイオン源を備えるが、アーク用チャンバが更に出口アパーチャを備える場合、イオン注入装置は、この出口アパーチャを通してアーク用チャンバ内で制限されたプラズマからイオンを抽出するように動作可能な抽出用電極と、このアーク用チャンバから抽出されたイオンを受けるように置かれ、ターゲットに注入する為に特定エネルギで、選択された質量及び電離状態のイオンを送出するように動作可能な質量分析ステージとを更に備える。
【００１７】
本発明の更なる態様は、前述したようなイオン源を動作せしめる方法を提供し、カソード及びアノードにわたる電位を設定するステップと；カウンタカソードにわたって所望電位をかける為に電圧電位アジャスタを設定するステップと；ガスで前記アーク用チャンバを満たすステップと；電子放出を起こす為に充分にカソードを加熱するステップと；を備える。
【００１８】
本発明の為に状況を提供する為に、例示的な応用例が図１に示されるが、これは単なる本発明の応用例の一例であり、これに限定されるものではないことが理解されよう。
【００１９】
図１は、本発明に従うイオン源１４を含む半導体ウエハ１２内にイオンを注入する為のイオン注入装置を示す。イオンは、イオン源１４により発生されるが、抽出され、質量分析ステージ３０を通過される。所望の質量のイオンは、質量分解用スリット３２を通過し、その後、半導体ウエハ１２に衝突するように選択される。
【００２０】
イオン注入装置１０は、真空用チャンバ１５内部に置かれる所望イオン種のイオンビームを発生させる為にイオン源１４を内包する。イオン源１４は、通常、アーク用チャンバ１６を備え、アーク用チャンバ１６は、その一端に置かれたカソード２０と、アーク用チャンバ１６の壁１８により提供されるアノードとを内包する。カソード２０は、熱電子を発生する為に充分に加熱される。
【００２１】
カソード２０により放出された熱電子は、もちろん、アノード、すなわち、隣接チャンバ壁１８に引き寄せられる。熱電子は、アーク用チャンバ１６を移動するとき、ガス分子をイオン化し、それにより、プラズマを形成し、所望のイオンを発生させる。
【００２２】
熱電子により辿られる軌道は、電子が単にチャンバ壁１８までの最短軌道を辿ることを防止する為に制御される。マグネットアセンブリ４６は、磁界を提供し、アーク用チャンバ１６の反対側の端部に置かれたカウンタカソード４４に向かうアーク用チャンバ１６の長さに沿って螺旋路を熱電子が辿るように、その磁界はアーク用チャンバ１６を通って延びている。
【００２３】
ガス供給２２は、前駆体ガス種（この場合、ＢＦ３）でアーク用チャンバ１６を満たす。アーク用チャンバ１６は、真空用チャンバ１５により減じられた圧力で保持される。アーク用チャンバ１６を通って移動する熱電子は、前駆体ガスＢＦ３ガス分子をイオン化し、また、ＢＦ２、ＢＦ、Ｂ分子及びイオンを形成する為にＢＦ３分子をも分解する。プラズマ内で生成されたイオンは、また、（例えば、チャンバ壁の材料から発生された）汚染イオンの痕跡量も含む。
【００２４】
（マグネットアセンブリ４６を含む）イオン源１４は、我々の実際のイオン注入装置１０と比較すると、図１において、９０°だけ回転されて示されている。実際、カソード２０とカウンタカソード４４は、紙面の平面と直交する軸に沿って整列されているが、明確性のため、回転された配置で例示されている。
【００２５】
アーク用チャンバ１６内部からのイオンは、負にバイアスされた抽出用電極２６を使用して出口アパーチャ２８を通って抽出される。抽出されたイオンを加速するために、電位差は、イオン源１４と、続く質量分析ステージ３０との間は電源２１により印加されるが、イオン源１４と質量分析ステージ３０は、絶縁体（図示せず）により電気的に互いに絶縁されている。抽出された混合イオンは、その後、質量分析ステージ３０を通過し、磁界の影響で、湾曲軌道の周囲を通過する。どんなイオンにより移動される曲率半径も、その質量、電離状態、エネルギにより決定され、所定ビームエネルギに対し、質量分解スリット３２と一致した軌道に沿って所望の質量及び電離状態を持つ、これらのイオンだけが出るように、磁界が制御される。突発的なイオンビームは、その後、ターゲット、すなわち、イオン注入される基板ウエハ１２またはビームストップ３８（ターゲット位置にウエハ１２が無い場合）に送られる。他のモードにおいて、ビームは、また、質量分析ステージ３０とターゲット位置との間に位置決めされたレンズアセンブリを使用して減速可能である。
【００２６】
半導体ウエハ１２は、入射イオンビームにウエハ１２を提示する為に回転するカルーセル３６上に位置決めされた多くの中の一つである。さらに、回転カルーセル３６は、側部から側部へと並進移動可能で、それにより、入射イオンは各ウエハにわたり走査できるようになる。ウエハ１２は、回転されるので、イオンビームがウエハ１２に入射しない回数があり、イオンは、ビームストップ３８に衝突する為にターゲット位置を超え続ける。代替え配置において、単一ウエハ１２は、イオン注入の為に搭載され、提示される。
【００２７】
図２，図３は、２つのイオン源１４を示し、これらは、より多くの細部にわたって、図１のイオン注入装置１０内で使用可能であり、図２は、フィラメント配置に対応し、図３は、間接加熱式カソード配置に対応する。
【００２８】
図２を最初に参照すると、カソードとして作用するフィラメント４０は、アーク用チャンバ１６の一端に置かれ、電子リフレクタ４２の前に載っている。電子リフレクタ４２は、フィラメント４０と同一の負電位で保持されているので、両方とも電子をはね返す。電子リフレクタ４２とライナ５６との間には小さな間隙があり、これがアーク用チャンバ１６の最も奥の部分を構成する。この間隙は、電子リフレクタ４２が、アノードとして作用するライナ５６から電気的に絶縁されることを確実にする。空隙は、アーク用チャンバ１６からの前駆体ガス損失を避ける為に最小になっている。カウンタカソード４４は、アーク用チャンバ１６の遠端部に置かれ、ライナ５６から少し分離され、電気的絶縁を確実にすると共にガス漏れを最小にする。マグネットアセンブリ４６（図１だけに図示）は、フィラメント４０から放出される電子がカウンタカソード４４に向かいアーク用チャンバ１６の長さに沿って螺旋軌道３４を辿らせる磁界を与えるように動作可能である。アーク用チャンバ１６は、ガス供給２２により、あるいは、固体又は液体を加熱可能な１以上の気化器２３により、前駆体ガス種で満たされる。
【００２９】
フィラメント４０は、クランプ４８により所定場所に保持されるが、クランプ４８は、絶縁ブロック５２を使用して、各々がイオン源１４の本体５０に接続されている。アーク用チャンバ１６から逃げるガス分子が、絶縁ブロックに達することを防止する為に、絶縁ブロック５２は、シールド５４に取り付けられている。
【００３０】
明らかなように、図３は、広く図２に対応しているので、同様の部品は簡潔のため再び記述していない。また、同様の参照符合が同様の部品に対し使用されている。
【００３１】
図２と図３の違いは、図３が間接加熱式カソード配置を示す場合、アーク用チャンバ１６の最上部である。カソードは、管６０のエンドキャップ５８により提供され、これは、アーク用チャンバ１６内に僅かに突き出ており、管６０は、加熱用フィラメント６２を内包する。加熱用フィラメント６２とエンドキャップ５８は、異なる電位で保持され、フィラメント６２により放出された熱電子がエンドキャップ６２へ加速されることを確実にし、間隙は、アーク用チャンバ１６のライナ５６と管６０との間に残され、電気的絶縁を維持している。電子のエンドキャップ５８への加速は、エネルギをエンドキャップ５８に移動させるので、エンドキャップ５８は十分に熱くなり、アーク用チャンバ１６内に熱電子を放出する。
【００３２】
フィラメント４０は、プラズマ反応性イオンにより、更に、イオンの衝突を介して、急速に腐食されるので、この配置は、図３のフィラメント配置に対する改善である。この問題を軽減する為に、間接加熱式加熱用フィラメント６２は、包囲管６０内部に収容され、イオンは加熱用フィラメント６２と接触しない。
【００３３】
以下、図４を参照すると、図３のアーク用チャンバ１６の単純化された代表例が、電源６４の横に示されている。点線のボックス６６は、真空用チャンバ１５内の収容された部品と、大気７０内に置かれた部品との境界が示されている。明らかに、大気７０内に置かれた部品は、真空を絶つ必要なく容易に調整可能である。
【００３４】
図４から分かるように、大気７０に置かれた３個の電源は、異なる電位で、イオン源１４の様々な部品に電流を提供する。フィラメント用電源７２は、比較的に高い電流をフィラメント６２に供給する。バイアス用電源７４は、エンドキャップ５８に電位を設定する為に使用され、それは、フィラメント６２に対し正電位なので、フィラメント６２から放出された熱電子がエンドキャップ５８に向かって加速される。アーク用電源７６は、アーク用チャンバ１６の壁１８（すなわち、ライナ５６）をエンドキャップ５８に関し正電位に維持する。
【００３５】
カウンタカソード４４に与えられる電気的接続も存在し、これは、真空／大気境界部６６で真空フィードスルー８０を通過し、制御用リレー７８を介してアーク用電源７６に接合する。制御用リレー７８は、真空用チャンバ１５を大気７０に通気する必要もなく、電気的接続を断続することができる。制御用リレー７８が閉じられるとき、カウンタカソード４４は、エンドキャップ５８と同電位に束縛され、それにより、カウンタカソード４４に向かって移動する電子がはね返されてアーク用チャンバ１６を通過して戻り、そのため、前駆体ガス分子のイオン化と供給材料の分解の機会を高める。制御用リレー７８が開かれるとき、カウンタカソード４４は、アーク用チャンバ１６内のプラズマの電位に対し自由に浮き上がる。このことは、電子が最早、カウンタカソード４４によって強く反射されないことを意味する。
【００３６】
束縛された電位配置が使用されるとき、アーク用チャンバ１６内で、ＢＦ３分子を熱分解する機会は、アーク用チャンバ１６内の高い電子密度のため、増大される。したがって、他のイオンタイプの全て（すなわち、ＢＦ及びＢＦ２イオン）に関してプラズマ内のボロンイオンの比率は増大する。カウンタカソード４４は、分離されており、プラズマにより設定された電位に対し浮動的になっているとき、熱分解は、より多くの分子イオン（例えば、ＢＦ＋及び／又はＢＦ２）がプラズマ内に残るように減少される。前述したように、ボロンかＢＦ２＋イオンの一方は、半導体ウエハ１２のイオン注入にとっては好ましいかもしれない。カウンタカソード４４の電位を切り替えることにより、質量分析ステージ３０に入射する好ましいイオン数を最大にし、そのため、半導体ウエハ１２上の前方透過（transmission）に利用可能である。そのため、束縛された電位配置は、ボロンイオンを使用するイオン注入に為に良好に使用され、浮動配置は、ＢＦ２＋イオンを使用してイオン注入の為に良好に使用される。
【００３７】
図５は、広く図４に対応しているので、同様の部品は簡潔性の為に再び説明されていない。さらに、同様の部品は、同様の参照符合が割り当てられている。
【００３８】
図５は、図４と同種の配置を示すが、間接加熱式カソードというよりフィラメント４０を有する。図２及び図５のイオン源は、電子リフレクタ４２の前に置かれたフィラメント４０を備える。フィラメント４０と電子リフレクタ４２は、真空６８内部に形成可能な電気的接続部８２を介して、常時、共通の負電位で保持されている。さらに、フィラメント４０と電気リフレクタ４２との電位差がないので、別個のバイアス用電源７４に対する必要性がない。したがって、単一のアーク用電源７６が、壁１８（又はライナ５６）に関してフィラメント４０及び電気リフレクタ４２の電位を設定する。
【００３９】
あるいは、図５の実施形態は、図４の実施形態に対応する。したがって、カウンタカソード４４は、制御用リレー７８が閉じているか開いているかに依存して、それぞれ、フィラメント４０及び電気リフレクタ４２の共通の負電圧に束縛されるか、或いは、プラズマにより設定された電位に対し浮動的になる。
【００４０】
当業者は、本発明の範囲から逸脱することなく、上記実施形態に対し変更例がなされ得ることが分かるであろう。
【００４１】
上記実施形態は、スイッチとして、カウンタカソード４４がアーク用電源７６と接続または切断を共用する為に、制御用リレー７８を使用するのに対して、他の配置が可能である。例えば、スイッチが、カウンタカソード４４を、カソード２０又は代替え電源の一方に接続する為に使用可能である。代替え電源は、図４，図５に示された一つでもよく、更なる電源でもよい。更なる代替えは、分割された電位を提供する為に接続された分圧器と、カソード２０又は分割された電圧電位に接続するように動作可能なスイッチでもよい。また更に、選択された電圧をカウンタカソード４４に供給する為に、可変抵抗またはポテンショメータが使用可能である。
【００４２】
制御リレー７８の一例は、スイッチング配置の好ましい一形式であるが、スイッチは、どのような標準方法でも組込可能である。
【００４３】
明らかに、イオン源１４の構成で使用される材料およびコンポーネントの特定配置は、必要に応じて選択可能である。
【００４４】
本発明の上記実施形態は、イオン注入装置１０のイオン源１４の状況において、本発明を提示するが、本発明は、イオン源１４から抽出されるイオンが質量分析を受けることなくターゲット内に注入されるイオンシャワーシステム、或いは、選択性イオン化及び／又は分子熱分子が望ましいカウンタカソードを利用する他のイオン源１４のような他の応用例で使用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】図１は、イオン注入装置の概略代表例を示す。
【図２】図２は、第１イオン源の側面図である。
【図３】図３は、第２イオン源の側面図であり、間接加熱式カソード配置を備えるものを示す。
【図４】図４は、間接加熱式カソード配置を備えたイオン源の簡略化された代表例であり、本発明の第１実施形態に従うバイアス配置を示す。
【図５】図５は、単純なフィラメント配置を備えたイオン源の単純化された代表例であり、本発明の第２実施形態に従うバイアス配置を示す。
【符号の説明】
【００４６】
１０…イオン注入装置、１２…半導体ウエハ、１４…イオン源、１５…真空用チャンバ、１６…アーク用チャンバ、１８…壁、２０…カソード、２１…電源、２２…ガス供給、２３…気化器、２６…抽出用電極、２８…出口用アパーチャ、３０…質量分析ステージ、３２…質量分解スリット、３４…螺旋軌道、３８…ビームストップ、４０…フィラメント、４２…電子リフレクタ、４４…カウンタカソード、４６…磁石アセンブリ、５０…本体、５６…ライナ、５８…エンドキャップ、６０…管、６２…加熱用フィラメント、６６…真空／大気境界部、７０…大気、７２…フィラメント用電源、７４…バイアス用電源、７６…アーク用電源、７８…制御用リレー、８０…真空フィードスルー、８２…電気的接続。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2005174913.tif 000005
【図４】
2005174913.tif 000006
【図５】
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【外国語明細書】
2005174913000001.pdf