(57)【要約】      （修正有）【課題】アルミニウム配線上の絶縁層の部分的剥離を防止することができ、外観不良、信頼性不良をなくする半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。【解決手段】第１絶縁層上にスパッタ法によるアルミニウムを主成分とする配線用の金属膜を形成する。金属膜上にはフォトリソグラフィ工程に作用する反射防止膜のＴｉＮ膜が形成されている（処理Ｓ１）。フォトリソグラフィ工程終了後、エッチング工程に移行し（処理Ｓ４）、配線パターンを形成する。その後、レジストパターンは除去される（処理Ｓ５）。次に、上記配線パターンを水素原子の含まれるガスプラズマに晒す（処理Ｓ６）。その後、配線層としてでき上がった配線パターン上を含んで第１絶縁層上に第２絶縁層を形成する（処理Ｓ７）。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層上に下層の電気的接続部と繋がる領域を有し、上面が反射防止膜で被覆されるアルミニウムを主成分とする配線用の金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上にフォトレジスト膜を塗布し所定のレジストパターンを形成するフォトリソグラフィ工程と、
前記レジストパターンに従って前記金属膜を異方性エッチングし、配線パターンを形成するエッチング工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
少なくとも前記配線パターンを覆うように第２絶縁層を形成する工程と、
を含み、
前記第２絶縁層を形成する前において、前記配線パターンを少なくとも水素原子を含むガスプラズマに晒す工程を付加する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第１絶縁層上に下層の電気的接続部と繋がる領域を有し、上面がＴｉＮ膜で被覆されるアルミニウムを主成分とする配線用の金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上にフォトレジスト膜を塗布し所定のレジストパターンを形成するフォトリソグラフィ工程と、
前記レジストパターンに従って前記金属膜を異方性エッチングし、配線パターンを形成するエッチング工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
少なくとも前記配線パターンを覆うように第２絶縁層を形成する工程と、
を含み、
前記第２絶縁層を形成する前において、前記配線パターンをＮＨ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２から選ばれるいずれかのガスプラズマに晒す工程を付加する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ガスプラズマに晒す工程は、前記レジストパターンを除去する工程の一つに含まれる請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ガスプラズマに晒す工程は、前記レジストパターンを除去する工程の一つに含まれ、前記レジストパターンを除去する工程は、前記フォトリソグラフィ工程の後、再度前記フォトリソグラフィ工程を行う際に実施され、前記ガスプラズマに晒す工程として、Ｈ２Ｏガスプラズマを用いる請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２絶縁層は窒化膜であり、前記ガスプラズマに晒す工程は、ＮＨ３ガスのプラズマを用いる請求項１〜３いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記エッチング工程は、マルチチャンバ方式のエッチング装置におけるエッチング室で実施され、前記ガスプラズマに晒す工程は、前記レジストパターンを除去する工程と共に、前記エッチング装置に配備されているアッシング処理室で実施される請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
少なくとも前記第２絶縁層を形成する工程は、プラズマＣＶＤ装置で実施され、前記ガスプラズマに晒す工程は、前記プラズマＣＶＤ装置にて前記第２絶縁層を形成する前処理工程として実施される請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
レジストパターンに従って金属膜を異方性エッチングするエッチング処理室と、
少なくとも水素原子を含むガスプラズマを発生させるアッシング処理室と、
を含む半導体製造装置。
【請求項９】
配線パターンが含まれる被処理層に絶縁層を堆積するためのガスが供給されるプラズマＣＶＤ処理室と、
少なくとも前記絶縁層を堆積する前の段階で前記被処理層を水素原子の含まれるガスプラズマ雰囲気に晒すため、前記プラズマＣＶＤ処理室に水素原子を含むガスを供給する機構と、
を含む半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線構造を有する半導体装置の製造に係り、特に微細化が要求されるアルミニウムを主成分とする多層配線を有する半導体装置の製造方法及び半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の大規模集積化に伴い、ＬＳＩプロセスでは金属配線の微細化、多層化が進められる。金属配線の形成にはＡｌ系配線材料が有用であり、一般に純ＡｌまたはＣｕやＳｉを僅かに含有するＡｌ合金が使用される。このようなＡｌ系配線材料をここでは単にアルミニウム配線と称する。アルミニウム配線のスパッタ、パターニング形成後において、Ａｌの再結晶化防止、かつ、素子活性化のためにＨ２雰囲気の熱処理、いわゆるシンター処理が行われる。
【０００３】
アルミニウム配線は耐熱性に欠けるため、ＬＳＩプロセス中に受ける高温の熱履歴によりヒロックやボイドが発生し易い。シンター処理は、基板温度４００〜４５０℃、２０〜４０分と長い時間行われることもある。また、配線間隔が狭いため、高密度プラズマによる絶縁層の堆積を混在させた層間絶縁層等の形成も実施される。その際、高密度プラズマの雰囲気は４８０℃くらいに達することもある。シンター処理をどこで行うか、どのくらいの時間行うかは注意が必要である。
【０００４】
アルミニウム配線の最上部は通常、反射防止膜としてＴｉＮ膜が形成されている。すなわち、ＴｉＮ膜上にフォトレジストが形成され、フォトレジストのパターン（レジストパターン）に従ってエッチングされることにより、アルミニウム配線がパターニングされる。その後、レジストパターンを除去し、アルミニウム配線上を含んで層間の絶縁層やパッシベーション膜（保護膜）が形成される。
【０００５】
上記アルミニウム配線のパターニングに関し、フォトレジストの除去やエッチング工程でのアッシング条件として、Ｏ２プラズマ処理を実施する（例えば、特許文献１参照）。その後、絶縁層や保護膜、例えば酸化膜や窒化膜をアルミニウム配線上に堆積するのである。
【特許文献１】特開平９−１７７９６号公報（図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
フォトレジストのパターン形成不良が起こると、フォトレジストのパターン形成のし直し、いわゆるリワーク処理が実施される。リワーク処理は、一旦形成したフォトレジストのパターンを除去し、再度フォトレジストをパターニングするため、フォトレジストの除去工程として、より多くの時間Ｏ２プラズマ処理が実施されることになる。
【０００７】
フォトレジストのリワーク処理を経て、アルミニウム配線パターンのエッチングが行われ、その上に例えば高密度プラズマＣＶＤ（化学気相成長）による酸化膜を形成すると、剥離の問題が生じる。すなわち、ＴｉＮ膜と酸化膜の界面が剥がれ易く、複数箇所において円形状に膜剥がれを起こす。パッシベーション膜（保護膜）としての窒化膜についても同様の現象が見られることがある。この現象は、フォトレジストのリワーク処理を経ると顕著になり、アルミニウム配線パターンのエッチング後、Ｏ２プラズマ処理を行っても現出する。この結果、外観不良、信頼性不良として扱われ、製品歩留まりを低下させる。
【０００８】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、アルミニウム配線上の絶縁層の部分的剥離を防止することができ、外観不良、信頼性不良をなくする半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１絶縁層上に下層の電気的接続部と繋がる領域を有し、上面が反射防止膜で被覆されるアルミニウムを主成分とする配線用の金属膜を形成する工程と、前記金属膜上にフォトレジスト膜を塗布し所定のレジストパターンを形成するフォトリソグラフィ工程と、前記レジストパターンに従って前記金属膜を異方性エッチングし、配線パターンを形成するエッチング工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、少なくとも前記配線パターンを覆うように第２絶縁層を形成する工程と、を含み、前記第２絶縁層を形成する前において、前記配線パターンを少なくとも水素原子を含むガスプラズマに晒す工程を付加する。
【００１０】
本発明に係るより好ましい半導体装置の製造方法は、第１絶縁層上に下層の電気的接続部と繋がる領域を有し、上面がＴｉＮ膜で被覆されるアルミニウムを主成分とする配線用の金属膜を形成する工程と、前記金属膜上にフォトレジスト膜を塗布し所定のレジストパターンを形成するフォトリソグラフィ工程と、前記レジストパターンに従って前記金属膜を異方性エッチングし、配線パターンを形成するエッチング工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、少なくとも前記配線パターンを覆うように第２絶縁層を形成する工程と、を含み、前記第２絶縁層を形成する前において、前記配線パターンをＮＨ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２から選ばれるいずれかのガスプラズマに晒す工程を付加する。
【００１１】
上記それぞれ本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、第２絶縁層を形成する前において、配線パターンを少なくとも水素原子を含むガスプラズマに晒す。水素原子を含むガスプラズマとしては、好ましくはＮＨ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２から選ばれるいずれかのガスプラズマを利用する。これにより、第２絶縁層形成後において、配線パターン上面との部分的な膜剥がれが抑制される。
【００１２】
なお、上記本発明に係る半導体装置の製造方法において、好ましくは次のようないずれかの特徴を有して第２絶縁層の部分的な剥離が防止される。
前記ガスプラズマに晒す工程は、前記レジストパターンを除去する工程の一つに含まれる。
前記ガスプラズマに晒す工程は、前記レジストパターンを除去する工程の一つに含まれ、前記レジストパターンを除去する工程は、前記フォトリソグラフィ工程の後、再度前記フォトリソグラフィ工程を行う際に実施され、前記ガスプラズマに晒す工程として、Ｈ２Ｏガスプラズマを用いる。
前記第２絶縁層は窒化膜であり、前記ガスプラズマに晒す工程は、ＮＨ３ガスのプラズマを用いる。
前記エッチング工程は、マルチチャンバ方式のエッチング装置におけるエッチング室で実施され、前記ガスプラズマに晒す工程は、前記レジストパターンを除去する工程と共に、前記エッチング装置に配備されているアッシング処理室で実施される。
少なくとも前記第２絶縁層を形成する工程は、プラズマＣＶＤ装置で実施され、前記ガスプラズマに晒す工程は、前記プラズマＣＶＤ装置にて前記第２絶縁層を形成する前処理工程として実施される。
【００１３】
本発明に係る半導体製造装置は、レジストパターンに従って金属膜を異方性エッチングするエッチング処理室と、少なくとも水素原子を含むガスプラズマを発生させるアッシング処理室と、を含む。
【００１４】
本発明に係る半導体製造装置は、配線パターンが含まれる被処理層に絶縁層を堆積するためのガスが供給されるプラズマＣＶＤ処理室と、少なくとも前記絶縁層を堆積する前の段階で前記被処理層を水素原子の含まれるガスプラズマ雰囲気に晒すため、前記プラズマＣＶＤ処理室に水素原子を含むガスを供給する機構と、を含む。
【００１５】
上記いずれかの本発明に係る半導体製造装置によれば、水素原子を含むガスプラズマに晒す工程がより効率的に実施可能である。これにより、第２絶縁層形成後において、配線パターン上面との部分的な膜剥がれが抑制され、信頼性向上に寄与する。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を工程順に示す流れ図である。半導体装置における多層配線層を形成する配線工程である。多層配線層のうち、任意の層間の絶縁層を形成する一つである第１絶縁層上に下層の電気的接続部と繋がる領域が設けられている。その領域を含んで第１絶縁層上に、スパッタ法によりアルミニウムを主成分とする配線用の金属膜を形成する。この金属膜は下層の、例えばＴｉ／ＴｉＮ積層等のバリア膜の形成を経ての形成が考えられる。また、下層の電気的接続部は周知のプラグ金属（バリア膜及びＷプラグ等）が形成される場合もある。金属膜上には次のフォトリソグラフィ工程時に作用する反射防止膜としてＴｉＮ膜が形成される（処理Ｓ１）。
【００１７】
このような金属膜上にフォトレジスト膜を塗布し、所定のレジストパターンを形成するフォトリソグラフィ工程を実施する（処理Ｓ２）。このフォトリソグラフィ工程において、フォトレジストのパターン形成不良が起こると、フォトレジストのパターン形成のし直し、いわゆるリワーク処理が実施される（処理Ｓ３）。リワーク処理は、一旦形成したフォトレジストのパターンをアッシング除去し、再度フォトレジストをパターニングするため、フォトレジストの除去工程として、より多くの時間Ｏ２プラズマ処理が実施されることになる。
【００１８】
フォトリソグラフィ工程終了後、エッチング工程に移行する（処理Ｓ４）。すなわち、レジストパターンに従って金属膜を異方性エッチングし、配線パターンを形成する。その後、レジストパターンは除去される（処理Ｓ５）。このレジストパターンの除去にはＯ２プラズマ処理が実施される。
【００１９】
次に、上記配線パターンを水素原子の含まれるガスプラズマに晒す（処理Ｓ６）。ここでは、例えばＮＨ３ガスプラズマが使用される。これにより、配線パターン上面のＴｉＮ膜がＮＨ３ガスプラズマに晒される。レジストに関係する残留物または残留成分の除去にも寄与する。
【００２０】
その後、第１絶縁層上に、配線層としてでき上がった配線パターンを覆うように第２絶縁層を形成する。第２絶縁層は、例えば高密度プラズマＣＶＤ技術を用いて例えばシリコン酸化膜を形成する（処理Ｓ７）。その他、第２絶縁層は、プラズマＣＶＤ技術を用いたシリコン窒化膜の形成も考えられる。
【００２１】
上記実施形態の方法によれば、第２絶縁層を形成する前において、配線パターンを少なくとも水素原子を含むガスプラズマに晒す（処理Ｓ６）。これにより、配線パターン上面（ＴｉＮ膜）が水素置換され、第２絶縁層形成後において、問題となっていた部分的な膜剥がれが抑制される。特に、リワーク処理の実施された配線パターンにおいて、第２絶縁層形成後、第２絶縁層の部分的剥離を抑制する効果は大きい。
なお、上記処理Ｓ６において、水素原子を含むガスプラズマとして、ＮＨ３ガスを利用する説明をしたが、これに限らず、その他、Ｈ２Ｏ、Ｈ２から選ばれるいずれかのガスプラズマを利用してもほぼ同様の効果が得られる。
【００２２】
また、上記Ｓ３のリワーク処理の実施時、あるいは処理Ｓ５において、レジストパターンを除去するためにＯ２プラズマ処理を実施する説明をしたが、Ｏ２プラズマ処理後に同じ処理室内でＨ２Ｏプラズマ処理工程をさらに追加してもよい。つまり、レジストパターンを除去する工程の一つに水素原子を含むガスプラズマ処理を含ませる。その際、上記処理Ｓ６に関し、水素原子を含むガスプラズマとしてＨ２Ｏを選べば、レジストパターンの除去から連続した処理となって処理の効率化が図れる。ただし、処理Ｓ７において、第２絶縁層としてシリコン窒化膜を形成する場合には、上記処理Ｓ６では実施形態の方法に示したとおりＮＨ３ガスを利用する方がより好ましい膜の安定性が得られる。
【００２３】
なお、上記実施形態の方法によれば、第１絶縁層と第２絶縁層は任意の絶縁層であって、配線パターンは、多層配線の何層目の配線層であるかは別段限定していない。何層目かの配線層によっては上記処理Ｓ５以降にシンター処理を実施することも考えられる。しかし、上記処理Ｓ６におけるＮＨ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２から選ばれるいずれかのガスプラズマを利用したプラズマ処理の時間によってはシンター処理同様の効果が得られる可能性もある。すなわち、本発明に係る水素原子を含むガスプラズマ処理の実施により、シンター処理の省略が期待できる。
【００２４】
図２〜図５は、それぞれ前記図１に関する主要な半導体装置の製造方法の具体例を示す断面図である。
まず、図２は、図１中の処理Ｓ３における、リワーク処理に関するレジストパターン除去工程を示す。第１絶縁膜２０上の金属膜２１は、図示しない下層の接続部と電気的に接続される領域を有する。金属膜２１は、アルミニウムを主成分とした配線用金属膜であり、Ｔｉ／ＴｉＮ積層等のバリア膜２１１、Ｃｕを僅かに含有したアルミニウム配線２１２、反射防止膜（ＴｉＮ膜）２１３の順次のスパッタ積層により形成される。フォトリソグラフィ工程により、所定のレジストパターン２２を形成する。しかし、パターン形成不良となり、リワーク処理のためにレジストパターン２２をアッシング除去する。アッシング除去にはＯ２プラズマ処理が実施されるが、連続してＨ２Ｏプラズマ処理を実施してもよい。
【００２５】
図３は、図１中の処理Ｓ６における、配線パターンを水素原子の含まれるガスプラズマに晒す工程を示す。第１絶縁膜２０上の金属膜２１は所定のエッチングを終え、配線パターン２１Ｐとして形成されている。配線パターン２１Ｐは、水素原子を含むガスプラズマ、例えばＮＨ３ガスプラズマに晒されその表面が水素置換される。この他、ＮＨ３ガスに代えてＨ２ＯガスまたはＨ２ガスいずれかのガスプラズマを利用することも考えられる。前段階であるレジストパターン除去工程（処理Ｓ５）を経ても、配線パターン２１Ｐ上面のＴｉＮ膜２１３上または配線パターン側部にレジストに関係する残留物または残留成分が存在する可能性がある。配線パターン２１Ｐを水素原子の含まれるガスプラズマに晒すことにより、このようなレジストに関係する残留物または残留成分が除去されることも考えられる。
【００２６】
レジストパターン除去工程（処理Ｓ５）で使用されるエッチング装置がマルチチャンバ方式であってアッシング処理室が配備されていれば、効率的な処理が可能である。すなわち、このアッシング装置にて水素原子の含まれるガスプラズマに晒す工程を付加すればよい。
【００２７】
図４は、図１中の処理Ｓ７における、第２絶縁層を形成する工程の第１例を示す。シランガス（ＳｉＨ４ガス）及び酸化性ガス（Ｏ２ガスまたはＮ２Ｏガス）を用いた高密度プラズマＣＶＤ技術により、配線パターン２１Ｐ上を含んで第１絶縁膜２０上にシリコン酸化膜２３が堆積されている。図示しないが、シリコン酸化膜２３上には平坦化のためにさらなる絶縁膜が形成されることもある。その後、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）技術、エッチバック技術等が施され絶縁層の平坦化がなされる。前記処理Ｓ６の工程を付加することによって、ＴｉＮ膜２１３とシリコン酸化膜２３の界面は剥がれ難く、部分的な膜剥がれも防止できる。このような成膜処理を実施するプラズマＣＶＤ装置において、前処理として水素原子を含むガスプラズマに晒す工程を付加することも可能である。処理の効率化に寄与する。
【００２８】
図５は、図１中の処理Ｓ７における、第２絶縁層を形成する工程の第２例を示す。例えば上部層となる第１絶縁層２０上に配線パターン２１Ｐが形成されている。シランガス及びアンモニアガス（ＮＨ３ガス）を用いたプラズマＣＶＤ技術により、配線パターン２１Ｐ上を含んでシリコン窒化膜２４が堆積される。前記処理Ｓ６の工程を付加することによって、ＴｉＮ膜２１３とシリコン窒化膜２４の界面は剥がれ難く、部分的な膜剥がれも防止できる。このような成膜処理を実施するプラズマＣＶＤ装置において、前処理として水素原子を含むガスプラズマに晒す工程を付加することも可能である。処理の効率化に寄与する。
【００２９】
図６は、本発明の第２実施形態に係る半導体製造装置の要部を示す構成図である。必要に応じて前記図１を参照しながら説明する。マルチチャンバ方式のエッチング装置３１であって、少なくともエッチング処理室３２及びアッシング処理室３３が配備されている。被処理ウェハＷＦは、エッチング処理室３２におけるエッチング工程（処理Ｓ４）終了後、搬送室３４を介してアッシング処理室３３に移送される。アッシング処理室３３ではＯ２プラズマ処理が実施され、レジストパターンが除去される。これに加えてアッシング処理室３３では、前記処理Ｓ６における、水素原子の含まれるガスプラズマに晒す工程も実施可能となっている。ここでは、Ｈ２Ｏガスプラズマが利用される。これにより、被処理ウェハＷＦは、レジストパターンの除去から連続的に水素原子の含まれるガスプラズマに晒す工程に移行できる。
【００３０】
図７は、本発明の第３実施形態に係る半導体製造装置の要部を示す構成図である。必要に応じて前記図１を参照しながら説明する。プラズマＣＶＤ装置４１であって、被処理ウェハＷＦは、エッチング工程（処理Ｓ４）及びレジストパターン除去工程（処理Ｓ５）終了後に装置４１内に搬入されてくる。ここで、前処理として水素原子を含むガスプラズマに晒す工程を付加することも可能である。プラズマＣＶＤ装置４１は、例えばシリコン窒化膜の成膜を行う装置であり、被処理ウェハＷＦは、この装置４１のＣＶＤ処理室４２で、前処理用ガスとして水素原子を含むガス、例えばＮＨ３ガスのプラズマに晒す工程が付加される。その後、配線パターン上を含んでシリコン窒化膜が堆積される。これにより、被処理ウェハＷＦは、積層すべき絶縁膜の剥離防止の表面処理をしてから連続的に絶縁膜の形成工程に移行できる。
【００３１】
なお、上記実施形態では、水素原子を含むガスプラズマに晒す前処理工程と成膜工程は同じ処理室で行う構成を示したが、これに限らず、前処理工程と成膜工程を別個の処理室で行うプラズマＣＶＤ装置の構成でもよい。プラズマＣＶＤ装置（４１）の構成は様々考えられる。また、シリコン窒化膜の成膜に限らず、シリコン酸化膜の成膜、高密度プラズマＣＶＤ成膜等を実現するものであってもよい。
【００３２】
以上説明したように本発明によれば、半導体装置の製造方法において、配線パターン上に絶縁層を形成する前に、配線パターンを少なくとも水素原子を含むガスプラズマに晒す。水素原子を含むガスプラズマとしては、好ましくはＮＨ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２から選ばれるいずれかのガスプラズマを利用する。これにより、配線パターン上には剥離の生じ難い絶縁層を形成することができる。半導体製造装置によっては、水素原子を含むガスプラズマに晒す工程がより効率的に実施可能である。これにより、絶縁層積層界面の信頼性向上に寄与する。この結果、アルミニウム配線上の絶縁層の部分的剥離を防止することができ、外観不良、信頼性不良をなくする半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】一実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を工程順に示す流れ図。
【図２】図１に関する主要な半導体装置の製造方法の具体例を示す第１断面図。
【図３】図１に関する主要な半導体装置の製造方法の具体例を示す第２断面図。
【図４】図１に関する主要な半導体装置の製造方法の具体例を示す第３断面図。
【図５】図１に関する主要な半導体装置の製造方法の具体例を示す第４断面図。
【図６】第２実施形態に係る半導体製造装置の要部を示す構成図。
【図７】第３実施形態に係る半導体製造装置の要部を示す構成図。
【符号の説明】
【００３４】
Ｓ１〜Ｓ７…処理ステップ、２０…第１絶縁膜、２１…金属膜、２１１…バリア膜、２１２…アルミニウム配線、２１Ｐ…配線パターン、２１３…反射防止膜、２２…レジストパターン、２３…シリコン酸化膜、２４…シリコン窒化膜、３１…エッチング装置、３２…エッチング処理室、３３…アッシング処理室、３４…搬送室、４１…プラズマＣＶＤ装置、４２…ＣＶＤ処理室。
【図１】
2005197452.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2005197452.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005197452.tif 000009