(57)【要約】      （修正有）【課題】  ゴースト抑制効果に優れ、カラー電子写真装置や除電手段を有さない電子写真装置に搭載してもゴースト現象が生じにくい電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。【解決手段】  電子写真感光体の電荷発生層が、特定構造のフェナントレン化合物、フェナントロリン化合物、または、アセナフテン化合物を含有する。【選択図】  図１
2005208619.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体、該支持体上に設けられた電荷発生物質および結着樹脂を含有する電荷発生層、ならびに、該電荷発生層上に設けられた正孔輸送物質を含有する正孔輸送層を有する電子写真感光体において、該電荷発生層が、下記式（２）で示される構造を有するフェナントレン化合物、下記式（３）で示される構造を有するフェナントロリン化合物、または、下記式（４）で示される構造を有するアセナフテン化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2005208619.tif 000027
（式（２）中、Ｚ２０１およびＺ２０２は、それぞれ独立に、酸素原子、＝Ｃ（ＣＮ）２基、または、＝Ｎ−Ｐｈ基を示す。Ｒ２０１およびＲ２０２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換もしくは無置換のアルキル基、または、置換もしくは無置換のアルコキシ基を示す。）
【化２】
2005208619.tif 000028
（式（３）中、Ｚ３０１およびＺ３０２は、それぞれ独立に、酸素原子、＝Ｃ（ＣＮ）２基、または、＝Ｎ−Ｐｈ基を示す。Ｒ３０１およびＲ３０２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換もしくは無置換のアルキル基、または、置換もしくは無置換のアルコキシ基を示す。）
【化３】
2005208619.tif 000029
（式（４）中、Ｚ４０１およびＺ４０２は、それぞれ独立に、酸素原子、＝Ｃ（ＣＮ）２基、または、＝Ｎ−Ｐｈ基を示す。Ｒ４０１およびＲ４０２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換もしくは無置換のアルキル基、または、置換もしくは無置換のアルコキシ基を示す。）
【請求項２】
前記電荷発生層が、前記式（２）で示される構造を有するフェナントレン化合物を含有する請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記電荷発生層中の前記式（２）で示される構造を有するフェナントレン化合物の含有量が、前記電荷発生層中の結着樹脂に対して１５〜１２０質量％である請求項２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記電荷発生層中の前記式（２）で示される構造を有するフェナントレン化合物の含有量が、前記電荷発生層中の結着樹脂に対して５１〜８０質量％である請求項３に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記電荷発生層が、前記式（３）で示される構造を有するフェナントロリン化合物を含有する請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記電荷発生層中の前記式（３）で示される構造を有するフェナントロリン化合物の含有量が、前記電荷発生層中の結着樹脂に対して１５〜１２０質量％である請求項５に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記電荷発生層中の前記式（３）で示される構造を有するフェナントロリン化合物の含有量が、前記電荷発生層中の結着樹脂に対して５１〜８０質量％である請求項６に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
前記電荷発生層が、前記式（４）で示される構造を有するアセナフテン化合物を含有する請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項９】
前記電荷発生層中の前記式（４）で示される構造を有するアセナフテン化合物の含有量が、前記電荷発生層中の結着樹脂に対して１５〜１２０質量％である請求項８に記載の電子写真感光体。
【請求項１０】
前記電荷発生層中の前記式（４）で示される構造を有するアセナフテン化合物の含有量が、前記電荷発生層中の結着樹脂に対して５１〜８０質量％である請求項９に記載の電子写真感光体。
【請求項１１】
前記電荷発生物質がガリウムフタロシアニンである請求項１〜１０のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項１２】
前記ガリウムフタロシアニンがヒドロキシガリウムフタロシアニンである請求項１１に記載の電子写真感光体。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれかに記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、複写機やプリンターなどの電子写真装置には、有機の電荷発生物質および電荷輸送物質を含有する感光層を有する電子写真感光体（有機電子写真感光体）が広く用いられている。このような感光層としては、耐久性の観点から、支持体側から電荷発生物質を含有する電荷発生層、電荷輸送物質（正孔輸送物質）を含有する電荷輸送層（正孔輸送層）の順に積層してなる積層型（順層型）の層構成を有するものが主流となっている。
【０００３】
電荷発生物質のうち、赤または赤外領域に感度を有する電荷発生物質は、近年進歩の著しいレーザービームプリンターなどに搭載される電子写真感光体に使用され、その需要頻度は高くなってきている。赤外領域に高い感度を有する電荷発生物質としては、オキシチタニウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニンなどのフタロシアニン顔料や、モノアゾ、ビスアゾ、トリスアゾなどのアゾ顔料が知られている。
【０００４】
しかしながら、高感度な電荷発生物質を用いた場合、電荷の発生量が多く、正孔が正孔輸送層中に注入した後の電子が電荷発生層中に滞留しやすく、メモリーが引き起こされやすいという問題があった。具体的には、出力画像中、前回転時に光が照射された部分のみ濃度が濃くなる、いわゆるポジゴーストや、前回転時に光が照射された部分のみ濃度が薄くなる、いわゆるネガゴーストが見られる。
【０００５】
このようなゴースト現象を抑制する従来技術として、特開平１１−１７２１４２号公報（特許文献１）や特開２００２−０９１０３９号公報（特許文献２）には、電荷発生物質としてＩＩ型クロロガリウムフタロシアニンを用いる技術が開示されており、特開平０７−１０４４９５号公報（特許文献３）には、オキシチタニウムフタロシアニンを用いた電荷発生層にアクセプター化合物を含有させる技術が開示されており、特開２０００−２９２９４６号公報（特許文献４）や特開２００２−２９６８１７号公報（特許文献５）には、フタロシアニンを用いた電荷発生層にジチオベンジル化合物を含有させる技術が開示されており、その他、特開平０２−１３６８６０号公報（特許文献６）や特開平０２−１３６８６１号公報（特許文献７）や特開平０２−１４６０４８号公報（特許文献８）や特開平０２−１４６０４９号公報（特許文献９）や特開平０２−１４６０５０号公報（特許文献１０）や特開平０５−１５０４９８号公報（特許文献１１）や特開平０６−３１３９７４号公報（特許文献１２）や特開２０００−０３９７３０号公報（特許文献１３）や特開２０００−２９２９４６号公報（特許文献１４）や特開２００２−２９６８１７号公報（特許文献１５）には、電荷発生層に電子輸送物質、電子受容物質または電子吸引物質を含有させる技術が開示されている。
【０００６】
なお、特開２００１−０４０２３７号公報（特許文献１６）には、高感度化を目的として、顔料化工程時に有機アクセプター性化合物を添加してフタロシアニン結晶を製造する技術が開示されている。
【特許文献１】特開平１１−１７２１４２号公報
【特許文献２】特開２００２−０９１０３９号公報
【特許文献３】特開平０７−１０４４９５号公報
【特許文献４】特開２０００−２９２９４６号公報
【特許文献５】特開２００２−２９６８１７号公報
【特許文献６】特開平０２−１３６８６０号公報
【特許文献７】特開平０２−１３６８６１号公報
【特許文献８】特開平０２−１４６０４８号公報
【特許文献９】特開平０２−１４６０４９号公報
【特許文献１０】特開平０２−１４６０５０号公報
【特許文献１１】特開平０５−１５０４９８号公報
【特許文献１２】特開平０６−３１３９７４号公報
【特許文献１３】特開２０００−０３９７３０号公報
【特許文献１４】特開２０００−２９２９４６号公報
【特許文献１５】特開２００２−２９６８１７号公報
【特許文献１６】特開２００１−０４０２３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
今日の電子写真技術の発展は著しく、電子写真感光体にも、より優れた特性が要求されている。
【０００８】
例えば、従来、文字などの白黒画像が中心であったが、近年、写真などのカラー画像の需要が高まってきており、それらの画質に対する要求は年々高まっている。
【０００９】
上述のゴースト現象は、ハーフトーン画像に特に現れやすく、ハーフトーン画像の重ね合わせであることが多いカラー画像では、特に重要な問題となる。
【００１０】
また、カラー画像の場合、１色１色ではゴーストレベルが白黒画像のそれと同等であっても、複数の色を重ね合わせることで、ゴースト現象が顕在化しやすい。
【００１１】
また、ゴースト現象を抑制する方法として、電子写真装置に前露光などの除電手段を設ける方法もあるが、電子写真装置本体の低コスト化や小型化の観点から、除電手段が省略されることが多くなってきている。
【００１２】
上記の従来技術は、このようなゴースト現象に厳しい状況に対して十分に効果があるとはいえなかった。
【００１３】
本発明の目的は、ゴースト抑制効果に優れ、カラー電子写真装置や除電手段を有さない電子写真装置に搭載してもゴースト現象が生じにくい電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、支持体、該支持体上に設けられた電荷発生物質および結着樹脂を含有する電荷発生層、ならびに、該電荷発生層上に設けられた正孔輸送物質を含有する正孔輸送層を有する電子写真感光体において、該電荷発生層が、下記式（２）で示される構造を有するフェナントレン化合物、下記式（３）で示される構造を有するフェナントロリン化合物、または、下記式（４）で示される構造を有するアセナフテン化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
【００１５】
【化１】
2005208619.tif 000003
【００１６】
（式（２）中、Ｚ２０１およびＺ２０２は、それぞれ独立に、酸素原子、＝Ｃ（ＣＮ）２基、または、＝Ｎ−Ｐｈ基を示す。Ｒ２０１およびＲ２０２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換もしくは無置換のアルキル基、または、置換もしくは無置換のアルコキシ基を示す。）
【００１７】
【化２】
2005208619.tif 000004
【００１８】
（式（３）中、Ｚ３０１およびＺ３０２は、それぞれ独立に、酸素原子、＝Ｃ（ＣＮ）２基、または、＝Ｎ−Ｐｈ基を示す。Ｒ３０１およびＲ３０２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換もしくは無置換のアルキル基、または、置換もしくは無置換のアルコキシ基を示す。）」
【００１９】
【化３】
2005208619.tif 000005
【００２０】
（式（４）中、Ｚ４０１およびＺ４０２は、それぞれ独立に、酸素原子、＝Ｃ（ＣＮ）２基、または、＝Ｎ−Ｐｈ基を示す。Ｒ４０１およびＲ４０２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換もしくは無置換のアルキル基、または、置換もしくは無置換のアルコキシ基を示す。）
【００２１】
また、本発明は、上記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、ゴースト抑制効果に優れ、カラー電子写真装置や除電手段を有さない電子写真装置に搭載してもゴースト現象が生じにくい電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００２４】
本発明の電子写真感光体の電荷発生層には、電荷発生物質および結着樹脂に加えて、さらに下記式（２）で示される構造を有するフェナントレン化合物、下記式（３）で示される構造を有するフェナントロリン化合物、または、下記式（４）で示される構造を有するアセナフテン化合物が含有されている。
【００２５】
【化４】
2005208619.tif 000006
【００２６】
上記式（２）中、Ｚ２０１およびＺ２０２は、それぞれ独立に、酸素原子、＝Ｃ（ＣＮ）２基、または、＝Ｎ−Ｐｈ基を示す。Ｒ２０１およびＲ２０２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換もしくは無置換のアルキル基、または、置換もしくは無置換のアルコキシ基を示す。
【００２７】
【化５】
2005208619.tif 000007
【００２８】
上記式（３）中、Ｚ３０１およびＺ３０２は、それぞれ独立に、酸素原子、＝Ｃ（ＣＮ）２基、または、＝Ｎ−Ｐｈ基を示す。Ｒ３０１およびＲ３０２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換もしくは無置換のアルキル基、または、置換もしくは無置換のアルコキシ基を示す。
【００２９】
【化６】
2005208619.tif 000008
【００３０】
上記式（４）中、Ｚ４０１およびＺ４０２は、それぞれ独立に、酸素原子、＝Ｃ（ＣＮ）２基、または、＝Ｎ−Ｐｈ基を示す（Ｐｈ：置換もしくは無置換のフェニル基。以下同じ）。Ｒ４０１およびＲ４０２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換もしくは無置換のアルキル基、または、置換もしくは無置換のアルコキシ基を示す。
【００３１】
上記のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基などの鎖状のアルキル基や、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などの環状のアルキル基が挙げられる。上記のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基などが挙げられる。上記のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基などが挙げられる。上記のアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基などが挙げられる。上記の１価の複素環基としては、ヒリジル基、フラル基などが挙げられる。上記のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などが挙げられる。上記のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などが挙げられる。
【００３２】
上記各基が有してもよい置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などのアルキル基や、ビニル基、アリル基などのアルケニル基や、ニトロ基や、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子や、パーフルオロアルキル基などのハロゲン化アルキル基や、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基などのアリール基や、ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基や、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などのアルコキシ基などが挙げられる。
【００３３】
上記式（２）で示される構造を有するフェナントレン化合物の中でも、還元電位（飽和カロメル電極に対する還元電位）が−０．８０Ｖ以上であるものが好ましく、特には−０．６５Ｖ以上であるものがより好ましく、さらには−０．６０Ｖ以上であるものがより一層好ましく、一方、０．００Ｖ以下であるものが好ましく、−０．２５Ｖ以下であるものがより好ましい。
【００３４】
上記式（３）で示される構造を有するフェナントロリン化合物の中でも、還元電位（飽和カロメル電極に対する還元電位）が−０．８０〜０．００Ｖの範囲にあるものが好ましく、特には−０．６５〜−０．２５Ｖの範囲にあるものがより好ましく、さらには−０．６０〜−０．２５Ｖの範囲にあるものがより一層好ましい。
【００３５】
上記式（４）で示される構造を有するアセナフテン化合物の中でも、還元電位（飽和カロメル電極に対する還元電位）が−０．８０〜０．００Ｖの範囲にあるものが好ましく、特には−０．６５〜−０．２５Ｖの範囲にあるものがより好ましく、さらには−０．６０〜−０．２５Ｖの範囲にあるものがより一層好ましい。
【００３６】
以下に、上記式（２）で示される構造を有するフェナントレン化合物の具体例を示す。
【００３７】
【化７】
2005208619.tif 000009
【００３８】
【化８】
2005208619.tif 000010
【００３９】
【化９】
2005208619.tif 000011
【００４０】
以下に、上記式（３）で示される構造を有するフェナントロリン化合物の具体例を示す。
【００４１】
【化１０】
2005208619.tif 000012
【００４２】
【化１１】
2005208619.tif 000013
【００４３】
【化１２】
2005208619.tif 000014
【００４４】
以下に、上記式（４）で示される構造を有するアセナフテン化合物の具体例を示す。
【００４５】
【化１３】
2005208619.tif 000015
【００４６】
【化１４】
2005208619.tif 000016
【００４７】
【化１５】
2005208619.tif 000017
【００４８】
上記式（２−１）〜（２−１５）で示される構造を有するフェナントレン化合物、上記式（３−１）〜（３−１４）で示される構造を有するフェナントロリン化合物および上記式（４−１）〜（４−１４）で示される構造を有するアセナフテン化合物の還元電位はそれぞれ以下のとおりである。
（２−１）：−０．６７Ｖ
（２−２）：−０．５２Ｖ
（２−３）：−０．３２Ｖ
（２−４）：−０．５８Ｖ
（２−５）：−０．５１Ｖ
（２−６）：−０．２８Ｖ
（２−７）：−０．２３Ｖ
（２−８）：−０．２１Ｖ
（２−９）：−０．２６Ｖ
（２−１０）：−０．２４Ｖ
（２−１１）：−０．５８Ｖ
（２−１２）：−０．５５Ｖ
（２−１３）：−０．１９Ｖ
（２−１４）：−０．６５Ｖ
（２−１５）：−０．１８Ｖ
（３−１）：−０．５２Ｖ
（３−２）：−０．３７Ｖ
（３−３）：−０．２８Ｖ
（３−４）：−０．４０Ｖ
（３−５）：−０．３８Ｖ
（３−６）：−０．３５Ｖ
（３−７）：−０．２２Ｖ
（３−８）：−０．２０Ｖ
（３−９）：−０．１８Ｖ
（３−１０）：−０．２１Ｖ
（３−１１）：−０．２０Ｖ
（３−１２）：−０．３７Ｖ
（３−１３）：−０．３６Ｖ
（３−１４）：−０．１５Ｖ
（３−１５）：−０．３４Ｖ
（４−１）：−０．９０Ｖ
（４−２）：−０．６０Ｖ
（４−３）：−０．４０Ｖ
（４−４）：−０．４０Ｖ
（４−５）：−０．６５Ｖ
（４−６）：−０．５８Ｖ
（４−７）：−０．４２Ｖ
（４−８）：−０．３９Ｖ
（４−９）：−０．３７Ｖ
（４−１０）：−０．３７Ｖ
（４−１１）：−０．２７Ｖ
（４−１２）：−０．６９Ｖ
（４−１３）：−０．６５Ｖ
（４−１４）：−０．２７Ｖ
（４−１５）：−０．８０Ｖ
【００４９】
次に、本発明の電子写真感光体の構成について説明する。
【００５０】
上述のとおり、本発明の電子写真感光体は、支持体、該支持体上に設けられた電荷発生物質および結着樹脂を含有する電荷発生層、ならびに、該電荷発生層上に設けられた正孔輸送物質を含有する正孔輸送層を有する電子写真感光体である。
【００５１】
支持体としては、導電性を有するもの（導電性支持体）であればよく、例えば、アルミニウム、ニッケル、銅、金、鉄、アルミニウム合金、ステンレスなどの金属製（合金製）の支持体を用いることができる。また、アルミニウム、アルミニウム合金、酸化インジウム−酸化スズ合金などを真空蒸着によって被膜形成した層を有する上記金属製支持体やプラスチック（ポリエステル樹脂やポリカーボネート樹脂やポリイミド樹脂など）製支持体やガラス製支持体を用いることもできる。また、カーボンブラック、酸化スズ粒子、酸化チタン粒子、銀粒子などの導電性粒子を適当な結着樹脂と共にプラスチックや紙に含浸した支持体や、導電性結着樹脂を有するプラスチック製の支持体などを用いることもできる。また、支持体の形状としては、円筒状、ベルト状などが挙げられるが、円筒状が好ましい。
【００５２】
また、支持体の表面は、レーザー光などの散乱による干渉縞の防止などを目的として、切削処理、粗面化処理（ホーニング処理やブラスト処理など）、アルマイト処理などを施してもよいし、アルカリリン酸塩やリン酸やタンニン酸を主成分とする酸性水溶液に金属塩の化合物またはフッ素化合物の金属塩を溶解してなる溶液で化学処理を施してもよい。
【００５３】
ホーニング処理としては、乾式ホーニング処理と湿式ホーニング処理とがある。湿式ホーニング処理は、水などの液体に粉末状の研磨剤を懸濁させ、高速度で支持体の表面に吹き付けて支持体の表面を粗面化する方法であり、表面粗さは、吹き付け圧力、速度、研磨剤の量、種類、形状、大きさ、硬度、比重および懸濁温度などによって制御することができる。乾式ホーニング処理は、研磨剤をエアーによって高速度で支持体の表面に吹き付けて支持体の表面を粗面化する方法であり、湿式ホーニング処理と同じように表面粗さを制御することができる。ホーニング処理に用いられる研磨剤としては、炭化ケイ素、アルミナ、鉄、ガラスビーズなどの粒子が挙げられる。
【００５４】
支持体と電荷発生層または後述の中間層との間には、レーザー光などの散乱による干渉縞の防止や、支持体の傷の被覆を目的とした導電層を設けてもよい。
【００５５】
導電層は、カーボンブラック、金属粒子、金属酸化物粒子などの導電性粒子を結着樹脂に分散させて形成することができる。好適な金属酸化物粒子としては、酸化亜鉛や酸化チタンの粒子が挙げられる。また、導電性粒子として、硫酸バリウムの粒子を用いることもできる。導電性粒子には、被覆層を設けてもよい。
【００５６】
導電性粒子の体積抵抗率は０．１〜１０００Ω・ｃｍの範囲が好ましく、特には１〜１０００Ω・ｃｍの範囲がより好ましい（この体積抵抗率は、三菱油化（株）製の抵抗測定装置ロレスタＡＰを用いて測定して求めた値である。測定サンプルは４９ＭＰａの圧力で固めてコイン状としたもの。）。また、導電性粒子の平均粒径は０．０５〜１．０μｍの範囲が好ましく、特には０．０７〜０．７μｍの範囲がより好ましい（この平均粒径は、遠心沈降法により測定した値である。）。導電層中の導電性粒子の割合は、導電層全質量に対して１．０〜９０質量％の範囲が好ましく、特には５．０〜８０質量％の範囲がより好ましい。
【００５７】
導電層に用いられる結着樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド酸樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂などが挙げられる。これらは単独で、または、２種以上の混合物もしくは共重合体として用いることができる。これらは、支持体に対する接着性が良好であるとともに、導電性粒子の分散性を向上させ、かつ、成膜後の耐溶剤性が良好である。これらの中でも、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド酸樹脂が好ましい。
【００５８】
導電層の膜厚は０．１〜３０μｍであることが好ましく、特には０．５〜２０μｍであることがより好ましい。
【００５９】
導電層の体積抵抗率は１０１３Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、特には１０５〜１０１２Ω・ｃｍの範囲であることがより好ましい（この体積抵抗率は、測定対象の導電層と同じ材料によってアルミニウム板上に被膜を形成し、この皮膜上に金の薄膜を形成して、アルミニウム板と金薄膜の両電極間を流れる電流値をｐＡメーターで測定して求めた値である。）。
【００６０】
また、導電層には、必要に応じてフッ素あるいはアンチモンを含有させてもよいし、導電層の表面性を高めるために、レベリング剤を添加してもよい。
【００６１】
また、支持体または導電層と電荷発生層との間には、バリア機能や接着機能を有する中間層（下引き層、接着層とも呼ばれる。）を設けてもよい。中間層は、感光層の接着性改良、塗工性改良、支持体からの電荷注入性改良、感光層の電気的破壊に対する保護などのために形成される。
【００６２】
中間層は、アクリル樹脂、アリル樹脂、アルキッド樹脂、エチルセルロース樹脂、エチレン−アクリル酸コポリマー、エポキシ樹脂、カゼイン樹脂、シリコーン樹脂、ゼラチン樹脂、ナイロン、フェノール樹脂、ブチラール樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアリルエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ユリア樹脂などの樹脂や、酸化アルミニウムなどの材料を用いて形成することができる。
【００６３】
中間層の膜厚は０．０５〜５μｍであることが好ましく、特には０．３〜３μｍであることがより好ましい。
【００６４】
本発明の電子写真感光体に用いられる電荷発生物質としては、例えば、モノアゾ、ジスアゾ、トリスアゾなどのアゾ顔料や、金属フタロシアニン、非金属フタロシアニンなどのフタロシアニン顔料や、インジゴ、チオインジゴなどのインジゴ顔料や、ペリレン酸無水物、ペリレン酸イミドなどのペリレン顔料や、アンスラキノン、ピレンキノンなどの多環キノン顔料や、スクワリリウム色素や、ピリリウム塩、チアピリリウム塩や、トリフェニルメタン色素や、セレン、セレン−テルル、アモルファスシリコンなどの無機物質や、キナクリドン顔料や、アズレニウム塩顔料や、シアニン染料や、キサンテン色素や、キノンイミン色素や、スチリル色素や、硫化カドミウムや、酸化亜鉛などが挙げられる。これら電荷発生物質は１種のみ用いてもよく、２種以上用いてもよい。
【００６５】
上記の各種電荷発生物質の中でも、高感度である反面、ゴースト現象が発生しやすく、本発明がより有効に作用するという点で、アゾ顔料、フタロシアニン顔料が好ましく、特にはフタロシアニン顔料が好ましい。フタロシアニン顔料とその他の電荷発生物質とを併用する場合は、フタロシアニン顔料が電荷発生物質全質量に対して５０質量％以上であることが好ましい。
【００６６】
フタロシアニン顔料の中でも、金属フタロシアニン顔料が好ましく、特には、オキシチタニウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ジクロロスズフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニンがより好ましく、その中でも、ヒドロキシガリウムフタロシアニンが特に好ましい。
【００６７】
オキシチタニウムフタロシアニンとしては、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の９．０°、１４．２°、２３．９°および２７．１°に強いピークを有する結晶形のオキシチタニウムフタロシアニン結晶や、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の９．５°、９．７°、１１．７°、１５．０°、２３．５°、２４．１°および２７．３°に強いピークを有する結晶形のオキシチタニウムフタロシアニン結晶が好ましい。
【００６８】
クロロガリウムフタロシアニンとしては、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．４°、１６．６°、２５．５°および２８．２°に強いピークを有する結晶形のクロロガリウムフタロシアニン結晶や、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の６．８°、１７．３°、２３．６°および２６．９°に強いピークを有する結晶形のクロロガリウムフタロシアニン結晶や、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の８．７〜９．２°、１７．６°、２４．０°、２７．４°および２８．８°に強いピークを有する結晶形のクロロガリウムフタロシアニン結晶が好ましい。
【００６９】
ジクロロスズフタロシアニンとしては、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の８．３°、１２．２°、１３．７°、１５．９°、１８．９°および２８．２°に強いピークを有する結晶形のジクロロスズフタロシアニン結晶や、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の８．５、１１．２°、１４．５°および２７．２°に強いピークを有する結晶形のジクロロスズフタロシアニン結晶や、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の８．７°、９．９°、１０．９°、１３．１°、１５．２°、１６．３°、１７．４°、２１．９°および２５．５°に強いピークを有する結晶形のジクロロスズフタロシアニン結晶や、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の９．２°、１２．２°、１３．４°、１４．６°、１７．０°および２５．３°に強いピークを有する結晶形のジクロロスズフタロシアニン結晶が好ましい。
【００７０】
ヒドロキシガリウムフタロシアニンとしては、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．３°、２４．９°および２８．１°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶や、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が好ましい。
【００７１】
電荷発生物質の粒径は０．５μｍ以下であることが好ましく、特には０．３μｍ以下であることがより好ましく、さらには０．０１〜０．２μｍであることがより一層好ましい。
【００７２】
電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、アリル樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、スチレン−ブタジエンコポリマー、セルロース樹脂、ナイロン、フェノール樹脂、ブチラール樹脂、ベンザール樹脂、メラミン樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアリルエーテル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルメタクリレート樹脂、ポリビニルアクリレート樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、メタクリル樹脂、ユリア樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂などが挙げられる。特には、ブチラール樹脂などが好ましい。これらは単独で、または、２種以上の混合物もしくは共重合体として用いることができる。
【００７３】
本発明においては、電子写真感光体の電荷発生層に上記式（２）で示される構造を有するフェナントレン化合物、上記式（３）で示される構造を有するフェナントロリン化合物、または、上記式（４）で示される構造を有するアセナフテン化合物を含有させる。
【００７４】
電荷発生層中に上記式（２）で示される構造を有するフェナントレン化合物、上記式（３）で示される構造を有するフェナントロリン化合物、または、上記式（４）で示される構造を有するアセナフテン化合物を含有させることでゴーストが抑制される理由の詳細は不明であるが、本発明者らは以下のように考えている。
【００７５】
すなわち、ゴースト現象は、露光光（画像露光光）が照射された部分に残存する電子の数と照射されなかった部分に残存する電子の数との差によって次回転時露光光照射後の電位差が生じ、これによって起きる現象である。
【００７６】
露光光の照射により電荷発生物質で電荷（正孔および電子）が発生し、分離された正孔および電子は、電荷発生層が電荷発生物質と結着樹脂とを含む層である場合、該結着樹脂中を移動していくため、該結着樹脂の特性を大きく受けると考えられる。本発明の電子写真感光体のように、電荷発生層上に正孔輸送層が設けられた電子写真感光体、すなわち、負帯電型積層型電子写真感光体の場合、正孔は正孔輸送層側へ注入されていくが、電子は電荷発生層の結着樹脂中に残存しやすく、上記電位差を生じさせ、ゴースト現象を発生させてしまう。
【００７７】
本発明では、電荷発生層に上記式（２）で示される構造を有するフェナントレン化合物、上記式（３）で示される構造を有するフェナントロリン化合物、または、上記式（４）で示される構造を有するアセナフテン化合物を含有させており、これら化合物は電子輸送能を有する、いわゆる電子輸送物質であるため、電荷発生層の結着樹脂中に残存する電子の量を低減できていると考えられる。
【００７８】
また、電子は結着樹脂中を移動していくと考えられ、その移動をスムーズにすることによってゴースト抑制効果が得られるものと考えられるため、電荷発生層中、上記式（２）で示される構造を有するフェナントレン化合物、上記式（３）で示される構造を有するフェナントロリン化合物、または、上記式（４）で示される構造を有するアセナフテン化合物は結着樹脂に分子分散させた状態で存在させることが好ましい。また、電荷発生層中の上記式（２）で示される構造を有するフェナントレン化合物、上記式（３）で示される構造を有するフェナントロリン化合物、または、上記式（４）で示される構造を有するアセナフテン化合物の含有量は、電荷発生層中の結着樹脂に対して１５〜１２０質量％であることが好ましく、特には５１〜８０質量％であることがより好ましい。含有量が少なすぎると、本発明のゴースト抑制効果が乏しくなる。
【００７９】
このような電荷発生層は、あらかじめ電荷発生物質、結着樹脂および溶剤を含有させた溶液に上記式（２）で示される構造を有するフェナントレン化合物、上記式（３）で示される構造を有するフェナントロリン化合物、または、上記式（４）で示される構造を有するアセナフテン化合物（好ましくは該結着樹脂に対して１５〜１２０質量％、さらに好ましくは５１〜８０質量％）添加することによって電荷発生層用塗布液を調製し、この電荷発生層用塗布液を塗布し、これを乾燥させることによって形成することができる。電荷発生物質、結着樹脂および溶剤を含有する溶液は、電荷発生物質を結着樹脂および溶剤と共に分散して得られる。分散方法としては、ホモジナイザー、超音波分散機、ボールミル、サンドミル、ロールミル、振動ミル、アトライター、液衝突型高速分散機などを用いた方法が挙げられる。電荷発生物質と結着樹脂との割合は、１：０．３〜１：４（質量比）の範囲が好ましい。
【００８０】
電荷発生層用塗布液に用いられる溶剤は、使用する結着樹脂や電荷発生物質や、上記式（２）で示される構造を有するフェナントレン化合物、上記式（３）で示される構造を有するフェナントロリン化合物、上記式（４）で示される構造を有するアセナフテン化合物の溶解性や分散安定性の観点から選択されるが、有機溶剤としてはアルコール、スルホキシド、ケトン、エーテル、エステル、脂肪族ハロゲン化炭化水素、芳香族化合物などが挙げられる。
【００８１】
電荷発生層の膜厚は５μｍ以下であることが好ましく、特には０．１〜２μｍであることがより好ましい。
【００８２】
また、電荷発生層には、種々の増感剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤などを必要に応じて添加することもできる。
【００８３】
本発明の電子写真感光体に用いられる正孔輸送物質としては、例えば、トリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、スチルベン化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物、チアゾール化合物、トリアリールメタン化合物などが挙げられる。これら正孔輸送物質は１種のみ用いてもよく、２種以上用いてもよい。
【００８４】
正孔輸送層に用いられる結着樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、アクリロニトリル樹脂、アリル樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ナイロン、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ブチラール樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアリルエーテル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、メタクリル樹脂、ユリア樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリアリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂が好ましく、特には、ポリアリレート樹脂がより好ましい。
【００８５】
ポリアリレート樹脂の中でも、下記式（５）で示される繰り返し構造単位を有するポリアリレート樹脂が好ましい。
【００８６】
【化１６】
2005208619.tif 000018
【００８７】
上記式（５）中、Ｘ５０１は、単結合または−ＣＲ５０９Ｒ５１０−（Ｒ５０９およびＲ５１０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基、あるいは、Ｒ５０９とＲ５１０とが結合することによって形成されるアルキリデン基を示す。）を示す。Ｒ５０１〜Ｒ５０４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基を示す。Ｒ５０５〜Ｒ５０８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基を示す。
【００８８】
結着樹脂の重量平均分子量は５００００〜２０００００であることが好ましく、特には１０００００〜１８００００であることが好ましい。
【００８９】
本発明において、重量平均分子量は、東ソー（株）製のゲルパーミエーションクロマトグラフィーＨＬＣ−８１２０を用いて分子量分布を測定し、ポリスチレン換算で計算して求めた。展開溶媒としてはテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用いた。測定対象試料は０．１質量％溶液とした。カラムとしては排除限界分子量（ポリスチレン換算）４×１０６のカラム（商品名：ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｎ、東ソー（株）製）を用いた。検出器としてはＲＩを用いた。カラム温度は４０℃とした。インジェクション量は２０μｌとした。流速は１．０ｍｌ／ｍｉｎとした。
【００９０】
上記の樹脂は単独で、または、２種以上の混合物もしくは共重合体として用いることができる。
【００９１】
正孔輸送層は、正孔輸送物質と結着樹脂を溶剤に溶解して得られる正孔輸送層用塗布液を塗布し、これを乾燥させることによって形成することができる。正孔輸送物質と結着樹脂との割合は、２：１〜１：２（質量比）の範囲が好ましい。
【００９２】
正孔輸送層用塗布液に用いられる溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル、クロロベンゼン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン原子で置換された炭化水素などが用いられる。
【００９３】
正孔輸送層の膜厚は５〜４０μｍであることが好ましく、特には１０〜３０μｍであることがより好ましい。
【００９４】
なお、正孔輸送層上には、該正孔輸送層を保護することを目的とした保護層を設けてもよい。保護層は、結着樹脂を溶剤に溶解して得られる保護層用塗布液を塗布し、これを乾燥させることによって形成することができる。また、結着樹脂のモノマー・オリゴマーを溶剤に溶解して得られる保護層用塗布液を塗布し、これを硬化および／または乾燥させることによって保護層を形成してもよい。硬化には、光、熱または放射線（電子線など）を用いることができる。
【００９５】
保護層の結着樹脂としては、上記の各種樹脂を用いることができる。
【００９６】
また、保護層には、抵抗制御の目的で、導電性酸化スズや導電性酸化チタンなどの導電性粒子を分散してもよい。
【００９７】
保護層の膜厚は０．２〜１０μｍであることが好ましく、特には１〜５μｍであることが好ましい。
【００９８】
上記各層の塗布液を塗布する際には、例えば、浸漬塗布法（浸漬コーティング法）、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ローラーコーティング法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法などの塗布方法を用いることができる。
【００９９】
また、電子写真感光体の表面層には、クリーニング性や耐摩耗性を向上させる目的で、ポリ四フッ化エチレン、ポリフッ化ビニリデン、フッ素系グラフトポリマー、シリコーン系グラフトポリマー、フッ素系ブロックポリマー、シリコーン系ブロックポリマー、シリコーン系オイルなどの潤滑剤を含有させてもよいし、耐候性を向上させる目的で、ヒンダードフェノールやヒンダードアミンなどの酸化防止剤を添加してもよいし、強度を補強するためにシリコン玉などの膜強度補強剤を添加してもよい。
【０１００】
なお、保護層を設ける場合は保護層が電子写真感光体の表面層であり、保護層を設けない場合は正孔輸送層が電子写真感光体の表面層である。
【０１０１】
図１に、本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す。
【０１０２】
図１において、１は円筒状の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。
【０１０３】
回転駆動される電子写真感光体１の表面は、帯電手段（一次帯電手段：帯電ローラーなど）３により、正または負の所定電位に均一に帯電され、次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段（不図示）から出力される露光光（画像露光光）４を受ける。こうして電子写真感光体１の表面に、目的の画像に対応した静電潜像が順次形成されていく。
【０１０４】
電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５の現像剤に含まれるトナーにより現像されてトナー像となる。次いで、電子写真感光体１の表面に形成担持されているトナー像が、転写手段（転写ローラーなど）６からの転写バイアスによって、転写材供給手段（不図示）から電子写真感光体１と転写手段６との間（当接部）に電子写真感光体１の回転と同期して取り出されて給送された転写材（紙など）Ｐに順次転写されていく。
【０１０５】
トナー像の転写を受けた転写材Ｐは、電子写真感光体１の表面から分離されて定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより画像形成物（プリント、コピー）として装置外へプリントアウトされる。
【０１０６】
トナー像転写後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段（クリーニングブレードなど）７によって転写残りの現像剤（トナー）の除去を受けて清浄面化され、さらに前露光手段（不図示）からの前露光光（不図示）により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、図１に示すように、帯電手段３が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。
【０１０７】
上述の電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５、転写手段６およびクリーニング手段７などの構成要素のうち、複数のものを容器に納めてプロセスカートリッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。図１では、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段７とを一体に支持してカートリッジ化して、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１０を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ９としている。
【０１０８】
図２に、本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の別の例を示す。
【０１０９】
図２に示す構成の電子写真装置は、コロナ放電器を用いた帯電手段３’およびコロナ放電器を用いた転写手段６’を有している。動作については、図１に示す構成の電子写真装置と同様である。
【実施例】
【０１１０】
以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例中の「部」は「質量部」を意味する。
【０１１１】
（合成例１）
・ヒドロキシガリウムフタロシアニンの合成
ｏ−フタロジニトリル７３ｇ、三塩化ガリウム２５ｇおよびα−クロロナフタレン４００ｍｌを窒素雰囲気下２００℃で４時間反応させた後、１３０℃で生成物を濾過した。濾別された生成物をＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミドを用いて１３０℃で１時間分散洗浄した後濾過し、さらにメタノールで洗浄した後乾燥させることによって、クロロガリウムフタロシアニンを４５ｇ得た。
【０１１２】
得られたクロロガリウムフタロシアニン１５ｇを１０℃の濃硫酸４５０ｇに溶解させ、これを氷水２３００ｇ中に攪拌下で滴下して再析出させて濾過した。濾別されたものを２％アンモニア水で分散洗浄後、イオン交換水で十分に水洗した後濾過し、乾燥させることによってヒドロキシガリウムフタロシアニンを１３ｇ得た。
【０１１３】
顔料化工程として、得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン１０ｇおよびＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド３００ｇを、室温（２２℃）下、直径１ｍｍのガラスビーズ４５０ｇとともに６時間ミリング処理を行った。
【０１１４】
ミリング処理後、分散液から固形分を取り出し、メタノール、次いで水で十分に洗浄、乾燥させることによって、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶９．２ｇを得た。このヒドロキシガリウムフタロシアニンは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．３°、２４．９°および２８．１°に強いピークを有していた。
【０１１５】
（実施例１）
熱間押し出しにより得たＡ３００３（ＪＩＳ）の外径３０．５ｍｍ、内径２８．５ｍｍ、長さ２６０．５ｍｍアルミニウム素管（ＥＤ管）を支持体とした。
【０１１６】
次に、酸化スズで形成された被覆層を有する硫酸バリウム粒子（被覆率：５０質量％、粉体比抵抗：７００Ω・ｃｍ）１２０部、レゾール型フェノール樹脂（商品名：ブライオーフェンＪ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製、固形分７０％）７０部、および、２−メトキシ−１−プロパノール１００部を、ボールミル装置で２０時間分散することによって、導電層用塗布液を調製した（塗布液中の硫酸バリウム粒子の平均粒径は０．２２μｍ）。
【０１１７】
この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、これを３０分間１４０℃で硬化（熱硬化）させることによって、膜厚が１０μｍの導電層を形成した。
【０１１８】
次に、Ｎ−メトキシメチル化ナイロン３部および共重合ナイロン３部を、メタノール６５部／ｎ−ブタノール３０部の混合溶媒に溶解させることによって、中間層用塗布液を調製した。
【０１１９】
この中間層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、これを５分間９０℃で乾燥させることによって、膜厚が０．８μｍの中間層を形成した。
【０１２０】
次に、上記合成例１で得られたＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．３°、２４．９°および２８．１°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）２０部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：ＢＸ−１、積水化学工業（株）製）１０部、ならびに、シクロヘキサノン３５０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミル装置で３時間分散し、酢酸エチル１２００部を加え（このときの電荷発生物質のＣＡＰＡ−７００（堀場製作所（株）製）で測定した分散粒径は０．１５μｍ）、これに上記式（２−１）で示される構造を有するフェナントレン化合物を６部溶解させることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。
【０１２１】
この電荷発生層用塗布液を中間層上に浸漬塗布し、これを１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．１３μｍの電荷発生層を形成した。
【０１２２】
次に、下記式（６）で示される構造を有する化合物（正孔輸送物質）７部、
【０１２３】
【化１７】
2005208619.tif 000019
【０１２４】
下記式（７）で示される化合物（正孔輸送物質）１部、
【０１２５】
【化１８】
2005208619.tif 000020
【０１２６】
および、下記式（８）で示される繰り返し構造単位（ビスフェノールＣ型）を有するポリアリレート樹脂（テレフタル酸骨格とイソフタル酸骨格の質量比：テレフタル酸／イソフタル酸＝５０／５０）１０部
【０１２７】
【化１９】
2005208619.tif 000021
【０１２８】
を、モノクロロベンゼン５０部／ジクロロメタン１０部の混合溶媒に溶解させることによって、正孔輸送層用塗布液を調製した。
【０１２９】
この正孔輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、これを１時間１１０℃で乾燥させることによって、膜厚が２３μｍの正孔輸送層を形成した。
【０１３０】
このようにして、支持体、導電層、中間層、電荷発生層および正孔輸送層をこの順に有し、該正孔輸送層が表面層である電子写真感光体を作製した。
【０１３１】
作製した電子写真感光体を、以下の評価装置に装着して画像出力を行い、出力画像の評価を行った。
【０１３２】
・評価装置
評価装置は、ヒューレットパッカード社製レーザービームプリンター「カラーレーザージェット４６００」の改造機（プロセススピード：９０ｍｍ／ｓ、暗部電位：−７００Ｖに設定）である。このレーザービームプリンターの帯電手段は、帯電ローラーを備えた接触帯電手段であり、帯電ローラーには直流電圧のみの電圧が印加される。露光光（画像露光光）の光量が可変となるようにした。前露光はＯＦＦにした。
【０１３３】
・評価用の画像パターン
評価用の画像パターンとして、図３に示すゴースト用パターンを用意した。図３中、３０１の部分（黒塗り長方形）はベタ黒、３０２の部分はベタ白、３０３の部分はベタ黒３０１に起因するゴーストが出現し得る部分、３０４はハーフトーン（１ドット桂馬パターン）の部分である。マゼンタ、シアン、イエロー、黒のそれぞれ単色で作製した。
【０１３４】
・評価方法
２３℃／５０％ＲＨの環境下、画像濃度４％画像を２０００枚出力直後、ゴースト用パターンを用いて評価を行った。
【０１３５】
まず、１枚目にベタ白画像を出力し、次に、上記のゴースト用パターンを連続５枚出力し、次に、ベタ黒画像を１枚出力した後、再度、上記のゴースト用パターンを連続５枚出力した。このように、ゴースト用パターンは計１０枚である。
【０１３６】
ゴーストの評価としては、Ｘ−Ｒｉｔｅ社製分光濃度計Ｘ−Ｒｉｔｅ５０４／５０８を用いた。ゴースト用パターンの画像中、ゴーストが出現し得る部分９０３の濃度からハーフトーンの部分９０４の濃度を差し引いた濃度を測定し、この測定を１０点行い、１０点の平均値を求めた（１枚あたりの平均値）。これを１０枚分行い、それらの平均値を求めた（１０枚の平均値）。さらに、これを４色（マゼンタ、シアン、イエロー、黒）すべてについて行い、それらの平均値を求めた（４色の平均値）。各色の測定結果は、分光濃度計Ｘ−Ｒｉｔｅ５０４／５０８のマゼンタ、シアン、イエロー、黒のそれぞれについて表示されるが、画像の色と同じ色の値を測定値とした。濃度差０．０５未満であればほぼ画像上問題ないといえるが、高画質を要求される場合には濃度差０．０３未満が好ましく、さらに高印字速度や高画質を要求される場合には濃度差０．０２以下がより好ましい。結果を表１に示す。
【０１３７】
（実施例２）
実施例１において、電荷発生層に用いた上記式（２−１）で示される構造を有するフェナントレン化合物６部を上記式（２−４）で示される構造を有するフェナントレン化合物６部に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【０１３８】
（実施例３）
実施例１において、電荷発生層に用いた上記式（２−１）で示される構造を有するフェナントレン化合物６部を上記式（２−６）で示される構造を有するフェナントレン化合物６部に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【０１３９】
（実施例４）
実施例１において、電荷発生層に用いた上記式（２−１）で示される構造を有するフェナントレン化合物６部を上記式（２−１４）で示される構造を有するフェナントレン化合物６部に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【０１４０】
（実施例５）
実施例１において、電荷発生層に用いた上記式（２−１）で示される構造を有するフェナントレン化合物６部を上記式（３−４）で示される構造を有するフェナントロリン化合物６部に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【０１４１】
（実施例６）
実施例１において、電荷発生層に用いた上記式（２−１）で示される構造を有するフェナントレン化合物６部を上記式（３−１５）で示される構造を有するフェナントロリン化合物６部に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【０１４２】
（実施例７）
実施例１において、電荷発生層に用いた上記式（２−１）で示される構造を有するフェナントレン化合物６部を上記式（４−１）で示される構造を有するアセナフテン化合物６部に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【０１４３】
（実施例８）
実施例１において、電荷発生層に用いた上記式（２−１）で示される構造を有するフェナントレン化合物６部を上記式（４−７）で示される構造を有するアセナフテン化合物６部に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【０１４４】
（実施例９）
実施例１において、電荷発生層に用いた上記式（２−１）で示される構造を有するフェナントレン化合物６部を上記式（４−１５）で示される構造を有するアセナフテン化合物６部に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【０１４５】
（実施例１０）
実施例１において、電荷発生層に用いたＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．３°、２４．９°および２８．１°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部をＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．４°、１６．６°、２５．５および２８．２°に強いピークを有する結晶形のクロロガリウムフタロシアニン結晶２０部に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【０１４６】
（実施例１１）
実施例１において、電荷発生層に用いたＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．３°、２４．９°および２８．１°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部をＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の９．０°、１４．２°、２３．９°および２７．１°に強いピークを有する結晶形のオキシチタニウムフタロシアニン結晶２０部に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【０１４７】
（実施例１２）
実施例１において、電荷発生層に用いたＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．３°、２４．９°および２８．１°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶２０部を下記式（９）で示される構造を有するアゾ顔料２０部
【０１４８】
【化２０】
2005208619.tif 000022
【０１４９】
に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【０１５０】
（実施例１３）
実施例１において、正孔輸送層に用いた上記式（８）で示される繰り返し構造単位を有するポリアリレート樹脂１０部をビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（商品名：ユーピロン、三菱エンジニヤリングプラスチックス（株）製）１０部に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【０１５１】
（実施例１４）
実施例１において、電荷発生層に用いた上記式（２−１）で示される構造を有するフェナントレン化合物６部を上記式（３−４）で示される構造を有するフェナントロリン化合物６部に変更し、正孔輸送層に用いた上記式（８）で示される繰り返し構造単位を有するポリアリレート樹脂１０部をビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（商品名：ユーピロン、三菱エンジニヤリングプラスチックス（株）製）１０部に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【０１５２】
（比較例１）
実施例１において、電荷発生層に用いた上記式（２−１）で示される構造を有するフェナントレン化合物を用いなかった以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【０１５３】
（比較例２）
実施例１において、電荷発生層に用いた上記式（２−１）で示される構造を有するフェナントレン化合物６部を用いず、正孔輸送層に用いた上記式（８）で示される繰り返し構造単位を有するポリアリレート樹脂１０部をビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（商品名：ユーピロン、三菱エンジニヤリングプラスチックス（株）製）１０部に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【０１５４】
【表１】
2005208619.tif 000023
【０１５５】
（実施例１５）
実施例１において、電荷発生層に用いた上記式（２−１）で示される構造を有するフェナントレン化合物６部を上記式（３−４）で示される構造を有するフェナントロリン化合物０．５部に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１５６】
評価装置として、実施例１で用いた評価装置の帯電手段を帯電ローラーを備えた接触帯電手段からコロナ帯電器を備えたコロナ帯電手段に変更した評価装置を用いた以外は、作製した電子写真感光体について、実施例１と同様にして評価した。結果を表２に示す。
【０１５７】
（実施例１６）
実施例１５において、電荷発生層に用いた上記式（３−４）で示される構造を有するフェナントロリン化合物の量を０．５部から１．０部に変更した以外は、実施例１５と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表２に示す。
【０１５８】
（実施例１７）
実施例１５において、電荷発生層に用いた上記式（３−４）で示される構造を有するフェナントロリン化合物の量を０．５部から１．５部に変更した以外は、実施例１５と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表２に示す。
【０１５９】
（実施例１８）
実施例１５において、電荷発生層に用いた上記式（３−４）で示される構造を有するフェナントロリン化合物の量を０．５部から３．５部に変更した以外は、実施例１５と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表２に示す。
【０１６０】
（実施例１９）
実施例１５において、電荷発生層に用いた上記式（３−４）で示される構造を有するフェナントロリン化合物の量を０．５部から５．１部に変更した以外は、実施例１５と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表２に示す。
【０１６１】
（実施例２０）
実施例１５において、電荷発生層に用いた上記式（３−４）で示される構造を有するフェナントロリン化合物の量を０．５部から６．０部に変更した以外は、実施例１５と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表２に示す。
【０１６２】
（実施例２１）
実施例１５において、電荷発生層に用いた上記式（３−４）で示される構造を有するフェナントロリン化合物の量を０．５部から８．０部に変更した以外は、実施例１５と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表２に示す。
【０１６３】
（実施例２２）
実施例１５において、電荷発生層に用いた上記式（３−４）で示される構造を有するフェナントロリン化合物の量を０．５部から１２．０部に変更した以外は、実施例１５と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表２に示す。
【０１６４】
（実施例２３）
実施例１５において、電荷発生層に用いた上記式（３−４）で示される構造を有するフェナントロリン化合物の量を０．５部から１４．０部に変更した以外は、実施例１５と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表２に示す。
【０１６５】
（比較例３）
実施例１５において、電荷発生層にフェナントレン化合物を用いなかった以外は、実施例１５と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表２に示す。
【０１６６】
（比較例４）
実施例１５において、電荷発生層に用いた上記式（３−４）で示される構造を有するフェナントレン化合物０．５部を下記式（１０）で示される構造を有する化合物０．５部
【０１６７】
【化２１】
2005208619.tif 000024
【０１６８】
に変更した以外は、実施例１５と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表２に示す。
【０１６９】
（比較例５）
実施例１７において、電荷発生層に用いた上記式（３−４）で示される構造を有するフェナントレン化合物１．５部を上記式（１０）で示される構造を有する化合物１．５部に変更した以外は、実施例１７と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表２に示す。
【０１７０】
（比較例６）
実施例１７において、電荷発生層に用いた上記式（３−４）で示される構造を有するフェナントレン化合物１．５部を下記式（１１）で示される構造を有する化合物１．５部
【０１７１】
【化２２】
2005208619.tif 000025
【０１７２】
に変更した以外は、実施例１７と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表２に示す。
【０１７３】
【表２】
2005208619.tif 000026
【０１７４】
表１および２中、「ＨＯＧａＰｃ」は上記合成例１で得られたＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．３°、２４．９°および２８．１°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を意味し、「ＣｌＧａＰｃ」はＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．４°、１６．６°、２５．５および２８．２°に強いピークを有する結晶形のクロロガリウムフタロシアニン結晶を意味し、「ＴｉＯＰｃ」はＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の９．０°、１４．２°、２３．９°および２７．１°に強いピークを有する結晶形のオキシチタニウムフタロシアニン結晶を意味し、「ブチラール」はポリビニルブチラール樹脂（商品名：ＢＸ−１、積水化学工業（株）製）を意味する。
【図面の簡単な説明】
【０１７５】
【図１】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
【図２】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の別の例を示す図である。
【図３】評価用の画像パターンである。
【符号の説明】
【０１７６】
１  電子写真感光体
２  軸
３  帯電手段
３’  帯電手段
４  露光光（画像露光光）
５  現像手段
６  転写手段
６’  転写手段
７  クリーニング手段
８  定着手段
９  プロセスカートリッジ
１０  案内手段
Ｐ  転写材
３０１  ベタ黒
３０２  ベタ白
３０３  ベタ黒３０１に起因するゴーストが出現し得る部分
３０４  ハーフトーン（１ドット桂馬パターン）
【図１】
2005208619.tif 000030
【図２】
2005208619.tif 000031
【図３】
2005208619.tif 000032