(57)【要約】【課題】本発明は高出力発光ダイオードパッケージに関する。【解決手段】本発明は、発光ダイオード実装領域に形成され導電性物質で充填された放熱口４６とその周囲に形成された少なくとも一個の導電性バイアホール４３ｂを有する下部基板４１と、上記下部基板４１の下面に形成され上記放熱口４６または上記少なくとも一個の導電性バイアホール４３ｂに各々連結された第１及び第２背面電極４３ｃ、４４ｃと、少なくとも上記放熱口４６を覆うよう上記下部基板４１の上面に形成された絶縁膜４７と、上記絶縁膜４７上に形成され上記放熱口４６または上記少なくとも一個の導電性バイアホール４３ｂを通して上記第１及び第２背面電極４３ｃ、４４ｃに各々接続された第１及び第２電極パターン４３ａ、４４ａと、上記第１及び第２電極パターン４３ａ、４４ａにフリップチップボンディングにより接続された発光ダイオード４５とを含むことを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオード実装領域に形成され導電性物質で充填された放熱口と上記放熱口の周囲に形成された少なくとも一個の導電性バイアホールを有する下部基板と、
上記下部基板の下面に形成され上記放熱口または上記少なくとも一個の導電性バイアホールに各々連結された第１及び第２背面電極と、
少なくとも上記放熱口を覆うよう上記下部基板の上面に形成された絶縁膜と、
上記絶縁膜上に形成され上記放熱口または上記少なくとも一個の導電性バイアホールを通して上記第１及び第２背面電極に各々接続された第１及び第２電極パターンと、
上記第１及び第２電極パターンに接続された発光ダイオードと、
を有することを特徴とする発光ダイオードパッケージ。
【請求項２】
上記発光ダイオードは第１及び第２電極パターンにフリップチップボンディング（ｆｌｉｐ  ｃｈｉｐ  ｂｏｎｄｉｎｇ）に接続されたことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項３】
上記少なくとも一個の導電性バイアホールは上記放熱口の両側に配列された第１及び第２導電性バイアホールで、上記第１及び第２電極パターンと上記第１及び第２背面電極は各々上記第１及び第２導電性バイアホールを通して連結されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項４】
上記第１及び第２導電性バイアホールは各々複数個であることを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項５】
上記第１電極パターンと上記第１背面電極とは上記少なくとも一個の導電性バイアホールにより連結され、上記第２電極パターンと上記第２背面電極とは上記放熱口を通して連結されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項６】
上記第１及び第２背面電極のうち、一つは上記放熱口まで延長されて形成されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項７】
上記放熱口の断面積は上記発光ダイオード面積の少なくとも５０％であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項８】
上記放熱口の断面積は上記発光ダイオード面積より大きいことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。  
【請求項９】
上記絶縁膜の厚さは約１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項１０】
上記下部基板上に配置され、上記発光ダイオードを囲繞する上部基板をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項１１】
上記上部基板は上記発光ダイオードを囲繞する内部側面領域に反射板が設けられることを特徴とする請求項１０に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項１２】
上記上部基板上に設けられた透明レンズ構造物をさらに有することを特徴とする請求項１０に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項１３】
上記下部基板に形成された放熱口は少なくとも一側面に水平方向または垂直方向に凹凸が形成されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項１４】
発光ダイオード実装領域に導電性物質で充填された放熱口と、上記放熱口の周囲に少なくとも一個の導電性バイアホールを有する下部基板を設ける段階と、
上記下部基板の上面に少なくとも上記放熱口を覆う絶縁膜を形成する段階と、
上記放熱口または上記少なくとも一個の導電性バイアホールに各々連結されるよう、上記下部基板の下面に第１及び第２背面電極を形成する段階と、
上記放熱口または上記少なくとも一個の導電性バイアホールを通して上記第１及び第２背面電極に各々連結されるよう上記絶縁膜上に第１及び第２電極パターンを形成する段階と、
上記第１及び第２電極パターンに接続されるよう発光ダイオードを実装する段階と、
を有することを特徴とする発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項１５】
上記発光ダイオードは第１及び第２電極パターンにフリップチップボンディング（ｆｌｉｐ  ｃｈｉｐ  ｂｏｎｄｉｎｇ）により接続されることを特徴とする請求項１４に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項１６】
上記下部基板を設ける段階は、上記放熱口と上記放熱口の両側に第１及び第２導電性バイアホールを有する下部基板を設ける段階で、上記第１及び第２電極パターンと上記第１及び第２背面電極とは上記第１及び第２導電性バイアホールを通して連結されることを特徴とする請求項１４に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項１７】
上記第１及び第２導電性バイアホールは各々複数個であることを特徴とする請求項１６に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項１８】
上記第１電極パターンと上記第１背面電極とは上記導電性バイアホールにより連結され、上記第２電極パターンと上記第２背面電極とは上記放熱口を通して連結されることを特徴とする請求項１４に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項１９】
上記第１及び第２背面電極のうち、一つは上記放熱口まで延長されて形成されることを特徴とする請求項１４に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項２０】
上記放熱口の断面積は上記発光ダイオード面積の少なくとも５０％であることを特徴とする請求項１４に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項２１】
上記放熱口の断面積は上記発光ダイオード面積より大きいことを特徴とする請求項１４に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項２２】
上記絶縁膜の厚さは約１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１４に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項２３】
上記下部基板上に上記発光ダイオードを囲繞する上部基板を装着する段階をさらに有することを特徴とする請求項１４に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項２４】
上記上部基板を装着する段階は、上記下部基板上に上記発光ダイオードを囲繞する内部側面領域に反射板が設けられた上部基板を装着する段階であることを特徴とする請求項２３に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項２５】
上記上部基板上に透明レンズ構造物を装着する段階をさらに有することを特徴とする請求項２３に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項２６】
上記下部基板を用意する段階は、少なくとも一個の内側壁が水平方向または垂直方向に沿って凹凸化した放熱口を有する下部基板を形成する段階であることを特徴とする請求項１４に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光ダイオードパッケージに関するもので、より詳しくは放熱効果を高めるばかりでなく、ワイヤボンディング工程が省略可能でパッケージ構造を簡素化すると同時にパッケージの大きさを減少させた高出力発光ダイオードパッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）は低消費電力、高輝度などの諸利点の故に光源として広く用いられており、とりわけ、最近発光ダイオードは照明装置及び大型ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）用バックライト（Ｂａｃｋｌｉｇｈｔ）装置に用いられている。こうした発光ダイオードは照明装置など各種装置に装着されやすいパッケージ形態で提供されるが、発光ダイオードパッケージは発光ダイオードの保護と装置との連結構造ばかりでなく、発光ダイオードから発生した熱を放出するための放熱性能も重要な評価基準となる。高い放熱性能は一般の照明装置及び大型ＬＣＤ用バックライトのように高出力発光ダイオードが要求される分野においてより重んじて要求されるパッケージ条件である。図１０（Ａ）には従来の高出力発光ダイオードパッケージの断面斜視図を示してある。
【０００３】
図１０（Ａ）によると、発光ダイオードパッケージ（１１０）はリードフレーム（１０２）が具備されたハウジング（１０１）、発光ダイオードチップ（１０３）、上記チップ（１０３）が安着された放熱体（１０４）、上記チップ（１０３）を密封するシリコン封止剤（１０５）、上記シリコン封止剤（１０５）を覆うプラスチックレンズ（１０７）を含む。上記発光ダイオード（１０３）は上記リードフレームにワイヤ（１０６）を通して連結されて電源の供給を受ける。また、上記発光ダイオード（１０３）はハンダにより上記放熱体（１０４）上部に安着することができる。
【０００４】
図１０（Ａ）の発光ダイオードパッケージは図１０（Ｂ）のように、所定の照明装置内の印刷回路基板（１０９）に装着され、発光ダイオードパッケージ（１１０）の放熱体（１０４）は上記発光ダイオード（１０３）から発生した熱を矢印で表示したようにハンダのような熱伝導性パッド（１０８）を通して上記基板（１０９）に熱を伝達させることにより適切に熱を放出することができる。
【０００５】
こうした高電力発光ダイオードパッケージ構造は発光ダイオードのダイボンディング及びワイヤボンディングなどの複雑な工程により製造が困難である。とりわけ、ワイヤボンディングのような組立／連結工程中不良が発生する確率が高く、ワイヤは全体パッケージの大きさを増加させる原因となる。
【０００６】
これと異なる従来の高電力発光ダイオードパッケージが図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）に示されている。
【０００７】
図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）によると、上記発光ダイオードパッケージ（１２０）はリードフレーム（１１３、１１４）を具備した下部セラミック基板（１１１）と円形キャビティが形成された上部セラミック基板（１１２）を含む。上記下部セラミック基板（１１１）上には各リードフレーム（１１３、１１４）に連結されるよう発光ダイオード（１１５）が搭載される。また、上記上部セラミック基板（１１２）のキャビティ側壁には円筒形反射板（１１２ａ）が設けられ、透明樹脂で充填されてカプセル化する。
【０００８】
上記発光ダイオードパッケージ（１２０）は図１０（Ａ）異なり上記発光ダイオード（１１５）の一側電極は一つのリードフレームにワイヤで連結されるが、図１１（Ａ）の構造においてはフリップチップボンディング形態で実装されることもできる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって、全体的な構造が簡素化し、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示した構造に比べて製造工程が有利で、不良発生の恐れがあまり無いという利点があるが、放熱量が劣ってしまう問題がある。より具体的に述べると、図１１（Ａ）のパッケージの場合にも、下部セラミック基板（１１１）に複数個の導電性バイアホール（図示せず）を形成することにより発光ダイオード（１１５）の放熱を図るが、チップを安定的に支持しリードフレームとの望まぬ接続を防止するためには、導電性バイアホールの大きさと数を制限するしかない。したがって、放熱効果は図１０（Ａ）パッケージに比べて大変劣り、高電力発光ダイオードの発熱量を処理し切れない。このように、従来の発光ダイオードパッケージはその構造と工程が複雑なことから不良が発生し易く、逆に、構造を簡素化させたパッケージにおいては重要な機能である放熱効果が低下する問題があった。
【００１０】
本発明は、従来の技術の問題を解決するためのもので、その目的は全体的な構造を簡素にして製造が容易になるばかりでなく、発光ダイオードから発生した熱をより効果的に放出させられる新たな発光ダイオードパッケージを提供することにある。
【００１１】
また、本発明の他の目的は、上記発光ダイオードパッケージの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記した技術的課題を成し遂げるために、本発明は、発光ダイオード実装領域に形成され導電性物質で充填された放熱口とその周囲に形成された少なくとも一個の導電性バイアホールを有する下部基板と、上記下部基板の下面に形成され上記放熱口または上記少なくとも一個の導電性バイアホールに各々連結された第１及び第２背面電極と、少なくとも上記放熱口を覆うよう上記下部基板の上面に形成された絶縁膜と、上記絶縁膜上に形成され上記放熱口または上記少なくとも一個の導電性バイアホールを通して上記第１及び第２背面電極に各々接続された第１及び第２電極パターンと、上記第１及び第２電極パターンに接続された発光ダイオードを含む発光ダイオードパッケージを提供する。
【００１３】
好ましくは、上記発光ダイオードは第１及び第２電極パターンにフリップチップボンディング（ｆｌｉｐ  ｃｈｉｐ  ｂｏｎｄｉｎｇ）により接続することができる。本発明は第１及び第２電極パターンと第１及び第２背面電極の垂直連結構造を様々に具現することができる。即ち、本発明の一実施形態において、上記少なくとも一個の導電性バイアホールは上記放熱口の両側に配列された第１及び第２導電性バイアホールで、上記第１及び第２電極パターンと第１及び第２背面電極は各々上記第１及び第２導電性バイアホールを通して連結されることができる。また、第１及び第２導電性バイアホールは各々複数個であることができる。本発明の他実施形態においては、上記第１電極パターンと上記第１背面電極とは上記導電性バイアホールにより連結され、上記第２電極パターンと上記第２背面電極とは上記放熱口を通して連結されることができる。好ましくは、上記第１及び第２背面電極中一つは上記放熱口まで延長され熱放出をより効果的に誘導することができる。本発明に用いる放熱口は上記発光ダイオード面積の少なくとも５０％の断面積を有し、より好ましくは上記発光ダイオード面積より大きい断面積を有する。さらに、上記絶縁膜の厚さは上記放熱口を通して熱が容易に放出されるようにすべく約１００μｍ以下となることが好ましい。また、好ましくは上記発光ダイオードパッケージは上記下部基板上に配置され上記発光ダイオードを囲繞する上部基板をさらに含み、ひいては上記上部基板は上記発光ダイオードを囲繞する内部側面領域に反射板を設けることができ、上記上部基板上に設けられた透明レンズ構造物をさらに含む。
【００１４】
本発明の他視点から発光ダイオードパッケージの製造方法を提供する。上記方法は、発光ダイオード実装領域に導電性物質で充填された放熱口と、その周囲に少なくとも一個の導電性バイアホールを有する下部基板を設ける段階と、上記下部基板の上面に少なくとも上記放熱口を覆う絶縁膜を形成する段階と、上記放熱口または上記少なくとも一個の導電性バイアホールに各々連結されるよう上記下部基板の下面に第１及び第２背面電極を形成する段階と、上記放熱口または上記少なくとも一個の導電性バイアホールを通して上記第１及び第２背面電極に各々連結されるよう上記絶縁膜上に第１及び第２電極パターンを形成する段階と、上記第１及び第２電極パターンにフリップチップボンディングにより接続されるよう発光ダイオードを実装する段階を含む。
【００１５】
このように、複雑な構造と組立工程及び不良発生の原因となるワイヤボンディング工程を省略する場合には、本発明はフリップチップボンディング方式により発光ダイオードを実装する方式を用いる。また、本発明はフリップチップボンディング用発光ダイオードを使用する同時に放熱効果を高めるための新たな構造を提供する。本発明においては、フリップチップボンディングにより実装する領域に電極連結構造と共に熱伝導性の高い金属物質で充填された放熱構造を形成するために、大きい断面積を有する放熱口を設け、上記放熱口を絶縁膜で覆った後上記絶縁膜にフリップチップボンディングに必要な電極パターンを形成する案を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
上述したように本発明によると、ワイヤボンディング方式の代わりにフリップチップボンディング方式を具現することにより全体的な構造が簡素化され製造工程が容易になるばかりでなく、フリップチップボンディング連結のための電極が設けられた絶縁膜を用いて大面積の放熱口を設けることにより放熱効果を大きく向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付の図面を参照しながら本発明をより詳しく説明する。
【００１８】
図１は本発明の一実施形態による高出力発光ダイオードパッケージの断面図である。図１によると、上記発光ダイオードパッケージ（３０）は発光ダイオード（３５）が実装された下部基板（３１）と上記発光ダイオード（３５）が形成された領域を囲繞する上部基板（３２）を含む。
【００１９】
上記下部基板（３１）は略中央領域に形成された放熱口（３６）と２個の垂直連結構造を形成する第１及び第２導電性バイアホール（３３ｂ、３４ｂ）を含む。上記放熱口（３６）は数十μｍの導電性バイアホール（３３ｂ、３４ｂ）と異なり、上記発光ダイオード（３５）の大きさに匹敵する大きさを有する。こうした放熱口（３６）は十分な大きさで下部基板（３１）に設けられたキャビティに導電性物質を充填させて形成することができる。好ましくは、上記放熱口（３６）の断面積は少なくとも実装される発光ダイオード（３５）の面積の５０％ほど、より好ましくは発光ダイオード（３５）の面積より大きく形成する。
【００２０】
また、上記下部基板（３１）上には絶縁膜（３７）が配置される。上記絶縁膜（３７）は少なくとも放熱口（３６）を覆える大きさに形成される。上記絶縁膜（３７）上には第１及び第２電極パターン（３３ａ、３４ａ）が上記第１及び第２導電性バイアホール（３３ｂ、３４ｂ）に連結されるよう設けられる。上記絶縁膜はフリップチップボンディングのための電極パターンと放熱口の充填物質（主に金属のような導電性物質）とを分離させる役目を果たす。上記絶縁膜（３７）は上記発光ダイオードから上記放熱口への熱伝達があまり妨害されないよう１００μｍ以下の厚さで形成することが好ましい。
【００２１】
上記第１及び第２電極パターン（３３ａ、３４ａ）に上記発光ダイオード（３５）の各電極がフリップチップボンディング方式により接続されるよう実装される。上記第１及び第２導電性バイアホール（３３ｂ、３４ｂ）は上記下部基板（３１）下面に形成された第１及び第２背面電極（３３ｃ、３４ｃ）に連結され、上記第１及び第２背面電極（３３ｃ、３４ｃ）は上記発光ダイオードパッケージ（３０）の電源供給端子の役目を果たす。
【００２２】
さらに、上記上部基板の内部実装領域には透明な樹脂が充填され発光ダイオードをカプセル化し、上記発光ダイオード（３５）から放出された光がより効率的に放出されるよう上記上部基板（３２）上に透明レンズ構造物（３９）が装着されることができる。
【００２３】
図２は本発明の他の実施形態による高出力発光ダイオードパッケージの断面図である。図２に示したパッケージは図１に示した形態と類似するが、発光ダイオード装着用電極と電源供給電極同士の垂直連結構造を異ならせた実施形態である。
【００２４】
図２によると、上記発光ダイオードパッケージ（４０）は発光ダイオード（４５）が実装された下部基板（４１）と上記発光ダイオード（４５）が形成された領域を囲繞する上部基板（４２）を含む。さらに、上記発光ダイオード（４５）から放出された光が効果的に放出されるよう透明レンズ構造物（４９）が上記上部基板（４２）上に装着されることができる。
【００２５】
上記下部基板（４１）は略中央領域に形成された放熱口（４６）と一個の導電性バイアホール（４３ｂ）を含む。上記放熱口（４６）は下部基板（４１）に設けられた十分な大きさのキャビティに導電性物質を充填させ形成することができる。好ましくは、上記放熱口（４６）の断面積は少なくとも実装される発光ダイオード（４５）の面積の５０％ほど、より好ましくは発光ダイオード（４５）の面積より大きく形成する。
【００２６】
また、上記下部基板（４１）上には絶縁膜（４７）が配置される。上記絶縁膜（４７）は少なくとも放熱口（４６）を覆える大きさに形成される。上記絶縁膜（４７）上には第１及び第２電極パターン（４３ａ、４４ａ）が設けられる。
【００２７】
上記第１電極パターン（４３ａ）は図１の実施形態のように上記導電性バイアホール（４３ｂ）に連結されるが、上記第２電極パターン（４４ａ）は放熱口（４６）に連結される。したがって、本実施形態においては、上記導電性バイアホール（４３ｂ）は上記第１電極パターン（４３ａ）と第１背面電極（４３ｃ）とを連結する手段として提供され、上記放熱口（４６）は上記第２電極パターン（４４ａ）と上記第２背面電極（４４ｃ）とを連結するための手段として提供される。このように、本実施形態に用いられた放熱口（４６）は熱放出手段であると共に垂直連結手段の役目も果たす。また、本実施形態において上記第２背面電極（４４ｃ）は放熱口（４６）まで延長されているので、放熱効果を向上させることができ、こうした構造は図１の実施形態にも類似して用いることができる。
【００２８】
図３（Ａ）ないし図７は本発明による高出力発光ダイオードパッケージの製造工程を説明するための工程斜視図である。
【００２９】
図３（Ａ）のように、略中央領域に形成されたキャビティ（ｃ）と、その周囲に形成された２個のバイアホール（ｈ１、ｈ２）を有する下部基板（５１）を設ける。上記下部基板はＨＴＣＣまたはＬＴＣＣ工程を利用して製造することができ、複数のグリーンシート、例えば本実施形態のように５個のグリーンシート（５１ａ〜５１ｅ）を積層して製造することができる。このように上記下部基板（５１）の材質はセラミックであることができるが、ＰＣＢまたは各種絶縁物質から形成することもできる。上記キャビティ（ｃ）は好ましくは実装された発光ダイオード面積の５０％の断面積を有するよう形成する。
【００３０】
次いで、図３（Ｂ）のように、上記下部基板（５１）に設けられたキャビティ（ｃ）とバイアホール（ｈ１、ｈ２）に各々適宜な導電性物質を充填することにより放熱口（５６）と導電性バイアホール（５３ｂ、５４ｂ）を形成する。上記放熱口（５６）に充填される熱伝導性に優れた物質は一般に電気的伝導性を有する物質なので、上記導電性バイアホール（５３ｂ、５４ｂ）のための充填工程と同一な工程から形成することができる。本工程は金属ペーストを用いた印刷工程で、とりわけ図３（Ａ）の積層工程において各グリーンシート（５１ａ〜５１ｅ）に対する印刷工程で具現することができる。
【００３１】
次に、図４（Ａ）のように、上記下部基板（５１）の上面に絶縁膜（５７）を形成する。上記絶縁膜（５７）はフリップチップボンディングのための電極パターンを形成すると同時に、実装領域に設けられた大型放熱口（５６）と絶縁させるための構成要素であり、したがって少なくても上記放熱口（５６）領域を覆えるよう形成される。上記絶縁膜は約１００μｍの厚さ以下に形成することが好ましく、積層工程、噴霧工程または印刷工程のような通常の工程を通して形成することができ、積層後安定化のために焼結工程を施すことができる。
【００３２】
次いで、図４（Ｂ）のように上記下部基板（５１）の上下面に電極を形成する工程を施す。先ず、上記絶縁膜（５７）上に上記２個の導電性バイアホール（５３ｂ、５４ｂ）に各々連結される第１及び第２電極パターン（５３ａ、５４ａ）を形成し、次に上記下部基板（５１）の下面に上記２個の導電性バイアホール（５３ｂ、５４ｂ）に各々連結される第１及び第２背面電極（５３ｃ、５４ｃ）を形成する。上記第２背面電極（５４ｃ）は上記放熱口（５６）まで延長される。こうした電極形成工程は印刷工程、メッキ工程、真空蒸着及びスパッタリング、蒸着後、写真食刻工程などの工程により形成することができ、こうして形成した電極を安定化させるために焼結工程を追加的に施すことができる。
【００３３】
次に、図５（Ａ）のように、上記下部基板（５１）上に発光ダイオード実装領域を囲繞するキャビティが形成された上部基板（５２）を装着する。こうした上部基板は材質に限定されず、金属、セラミック、プラスチックなどから製造できる。場合によっては反射度を向上させるためにキャビティ内部側面に反射膜を追加的に形成することができる。また、本上部基板装着工程は必要に応じて発光ダイオードを実装した後に行うこともできる。
【００３４】
次いで、上記第１及び第２電極パターン（５３ａ、５４ａ）にフリップチップボンディングにより接続されるよう発光ダイオードを実装する工程を行う。先ず、図５（Ｂ）のように、高出力発光ダイオードのボンディング電極が接続される上記第１及び第２電極パターン（５３ａ、５４ａ）部分にハンダバンプ（Ｂ１、Ｂ２）を形成する。次いで、図６（Ａ）のように、高出力発光ダイオード（５５）の各ボンディング電極（図示せず）が上記ハンダバンプ（Ｂ１、Ｂ２）に連結されるよう高出力発光ダイオード（５５）を電極パターン（５３ａ、５４ｂ）上に実装する。必要に応じて、発光ダイオードの表面には発光ダイオードから出る光を他波長に変換させられる蛍光物質を追加的に塗布することもできる。
【００３５】
追加的に、図６（Ｂ）のように上記上部基板（５２）のキャビティ領域を透明樹脂または透明流体（５８）で充填して発光ダイオード（５５）を保護する。次いで、図７のように、上記上部基板（５２）上に透明レンズ構造物（５９）を追加装着でき、こうした透明樹脂または透明流体（５８）は発光ダイオードから出る光を他波長に変換させられる蛍光物質と混合することができる。
【００３６】
上記した工程は垂直連結構造で提供される２個の導電性バイアホールを設けた形態を例示したもので、必要に応じて導電性バイアホールを追加的に形成することができる。例えば、第１電極パターンと第１背面電極とを連結する垂直連結構造に２個以上の導電性バイアホールを用いることができる。
【００３７】
図８は２個以上の導電性バイアホールを形成する実施形態に適用できる下部基板（６１）を例示する。
【００３８】
図８には、本発明に用いられる下部基板（６１）が示されている。上記下部基板（６１）は放熱口（６６）を具備する。上記下部基板の上面において、その周囲の両側には各々５個の導電性バイアホール（６３’、６４’）が設けられる。本実施形態においては、上面に形成される電極パターンと下部に形成される背面電極間に十分な通電面積を確保できる利点がある。とりわけ、本実施形態は複数個の電極を使用する高出力発光ダイオードに適した形態として大量の電流を導通させることができる。
【００３９】
図２に説明した実施形態のように、一個の導電性バイアホールのみ形成し、他電極に対する垂直連結構造は放熱口を利用することができる。これにより、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）の工程において導電性バイアホールを一個だけ形成し、図４（Ｂ）の工程において上記放熱口に第２電極パターンと第２背面電極を連結させるよう変形することにより容易に具現できる。
【００４０】
図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は本発明に用いることができる他の放熱口構造を有する下部基板を示した斜視図である。ここに図示した実施形態は下部基板に安定的に固定できる放熱口形態を例示する。
【００４１】
図９（Ａ）には、本発明に用いられる下部基板（７１）が示されている。上記下部基板は図２のように一個の導電性バイアホールと放熱口を有する形態に用いることができる。したがって、図９（Ｂ）に示したように、一個の背面電極（７３）は導電性バイアホール（７３’）に連結され、他方の背面電極（７４）は放熱口（７６）に連結される。
【００４２】
上記下部基板（７１）に形成された放熱口（７６）は凹凸処理された側面を有する。本発明に用いられる放熱口（７６）は大きい断面積を有するので、上記下部基板（７１）から離脱する恐れがある。こうした望まぬ離脱を防止するために、放熱口の少なくても一側面に水平方向に屈曲を有する凹凸を形成することができる。これと異なり、上記下部基板が複数の層から形成される場合には各層のキャビティの大きさを異ならせ金属ペーストを充填することにより垂直方向に屈曲を有する凹凸形態で形成することもできる。
【００４３】
このように、本発明は上述した実施形態及び添付の図面により限定されるものではなく、添付の請求の範囲により限定されるもので、請求の範囲に記載の本発明の技術的思想を外れない範囲内で様々な形態の置換、変形及び変更が可能なことは当技術分野において通常の知識を有するものにとっては自明であろう。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一実施形態による高出力発光ダイオードパッケージの断面図である。
【図２】本発明の他実施形態による高出力発光ダイオードパッケージの断面図である。
【図３】本発明による高出力発光ダイオードパッケージの製造工程を説明するための工程斜視図である。
【図４】本発明による高出力発光ダイオードパッケージの製造工程を説明するための工程斜視図である。
【図５】本発明による高出力発光ダイオードパッケージの製造工程を説明するための工程斜視図である。
【図６】本発明による高出力発光ダイオードパッケージの製造工程を説明するための工程斜視図である。
【図７】本発明による高出力発光ダイオードパッケージの製造工程を説明するための工程斜視図である。
【図８】本発明に用いることのできる複数個の導電性バイアホールを有する下部基板を示した斜視図である。
【図９】（Ａ）及び（Ｂ）は本発明に用いることのできる他放熱口構造を有する下部基板を示した斜視図である。
【図１０】（Ａ）及び（Ｂ）は従来の技術による高出力発光ダイオードパッケージの一例を示した切開斜視図及び側断面図である。
【図１１】（Ａ）及び（Ｂ）は従来の技術による高出力発光ダイオードパッケージの他例を示した斜視図及び側断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
３１  下部基板
３２  上部基板
３３ａ、３４ａ  第１及び第２電極パターン
３３ｂ、３４ｂ  第１及び第２導電性バイアホール
３３ｃ、３４ｃ  第１及び第２背面電極
３５  発光ダイオード
３６  放熱口
３７  絶縁膜
３８  透明樹脂
３９  透明レンズ構造物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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