(57)【要約】【課題】チャンバの炉内高温雰囲気下によるワイヤーの局所的な劣化を低減することができる半導体単結晶製造装置を提供する。【解決手段】チャンバ２２の炉内にシリコン融液２８が充填されるルツボ２４が設けられ、チャンバ２２の上方にプルチャンバ２３が配置され、プルチャンバ２３の内部と炉内との間で昇降されるシードホルダ３２が連結部材３１を介してワイヤー５０に吊持されると共に、シードホルダ３２が着液位置にあるときにワイヤー５０の先端近傍のワイヤー露出部分が炉内の高温雰囲気下で所定温度以下になるように、ワイヤー５０にカラー５２を設ける。【選択図】図１
2005119891.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炉内に融液が充填されるルツボを設けたチャンバと、該ルツボを加熱するヒータと、前記チャンバ内に設けられたワイヤーとを備えた半導体単結晶製造装置において、
前記ワイヤーの少なくとも高温にさらされる領域を、カラーで覆ったことを特徴とする半導体単結晶製造装置。
【請求項２】
前記カラーを複数に設けたことを特徴とする請求項１に記載の半導体単結晶製造装置。
【請求項３】
前記カラーはワイヤー巻き上げ装置と種結晶との間に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体単結晶製造装置。
【請求項４】
前記カラーを前記ワイヤーを覆うよう近接させて設けたことを特徴とする請求項１〜３の何れか１つに記載の半導体単結晶製造装置。
【請求項５】
炉内に融液が充填されるルツボを設けたチャンバと該チャンバの上方に配置されたプルチャンバと、該プルチャンバの内部と前記チャンバとの間で昇降するシードホルダと、該シードホルダを連結部材を介して吊持するワイヤーとを備えた半導体単結晶製造装置において、
前記シードホルダ若しくは前記連結部材の少なくとも一方の長さを、前記シードホルダに種結晶を取り付け、該種結晶が融液に着液する位置にあるとき、前記ワイヤーの先端近傍の露出部分が前記炉内の高温雰囲気下で所定温度未満の範囲に位置する長さとしたことを特徴とする半導体単結晶製造装置。
【請求項６】
前記所定温度未満とは７００℃未満であることを特徴とする請求項５に記載の半導体単結晶製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体インゴット（例えば、単結晶シリコンのような半導体単結晶や、ガリウム砒素などの化合物半導体）を成長させる半導体単結晶製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体素子の基板には、主として高純度の単結晶シリコンのような半導体単結晶やガリウム砒素などの化合物半導体が用いられているが、この半導体の製造方法の一つとして、ルツボ内の原料融液から円柱状のインゴットを引き上げるＣＺ法（チョクラルスキー法）が知られている。
【０００３】
このＣＺ法は、まず、半導体インゴット製造装置のチャンバ内に設置したルツボに原料である素材を充填し、そのルツボの周囲に設けたヒータによって原料を加熱溶解させる。そして、シードホルダに取り付けた種結晶を融液に着液させ、シードホルダ及びルツボを互いに同方向または逆方向に回転しつつシードホルダを引き上げて、所定の大きさの円柱状のインゴットを成長させる。その後、このインゴットを薄くスライスすることで半導体集積回路等に使用するシリコンウェーハを製作する（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
図６は、このようなＣＺ法による半導体インゴット製造装置を示している。図６（Ａ）はシードホルダに取り付けた種結晶を融液に着液している状態の説明図、図６（Ｂ）はシードホルダを引き上げてインゴットを成長させた状態の説明図である。
【０００５】
図６において、半導体インゴット製造装置１は、有底円筒形状のチャンバ２と、このチャンバ２の上部中央から立ち上がる筒状のプルチャンバ３とを備えている。
チャンバ２の炉内には、上方に開放する有底円筒形状の石英よりなるルツボ４と、このルツボ４の底面に上端が固定された回転軸７とを備える。回転軸７の下端は、チャンバ２の外において図示を略する駆動源に接続されており、チャンバ２内でルツボ４が回転できるように支持している。ルツボ４の周りにはルツボ４を囲繞するヒータ５を設け、さらに、ヒータ５の周囲には外周を包囲してヒータ５からの輻射熱がチャンバ２の内壁に直接輻射されることを防止する断熱材６を設けている。
【０００６】
プルチャンバ３の上部には、ワイヤー９の巻取器１０を設けている。このワイヤー９の先端には、連結部材１１を介してシードホルダ１２が装着されている。連結部材１１には、チャージ及びリチャージ工程の際には原料となる素材を補充するためのホッパー（図示せず）が吊り下げられ、インゴット１３の引上げ工程の際には種結晶を装着したシードホルダ１２が吊り下げられる。また、プルチャンバ３の下方寄りには、プルチャンバ３内を上下で隔絶するためのゲートバルブ１４が設けられている。
【０００７】
このような構成において、チャンバ２内に設置したルツボ４に原料である素材を充填した後、そのルツボ４の周囲に設けたヒータ５の輻射熱によって素材を加熱溶解してシリコン融液８とする。その後、シードホルダ１２に取り付けた種結晶をシリコン融液８に着液させ、シードホルダ１２及びルツボ４を互いに同方向または逆方向に回転しつつ巻取器１０を駆動させることにより、シードホルダ１２を引き上げてインゴット１３を成長させる。
【特許文献１】特開平８−２６１９０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
一般にインゴットの引上げに用いられるワイヤー９は、種結晶ならびにインゴット１３の回転振れや耐熱等を考慮し、主にタングステンが用いられていることが多い。このタングステンは、空気との反応においては４００℃位になると酸化が始まる。また、タングステンは、７００℃になると高級酸化物ＷＯ３を形成して急激に酸化する性質を有する。
【０００９】
一方、半導体インゴット引き上げの雰囲気は、殆どが不活性ガスである置換ガスによって大半を占められ、その他に、シリコン融液８と石英ルツボ４との反応によって生成される酸化物が微量に存在する。このように半導体インゴット引き上げの雰囲気は、空気に比べて酸素の量が絶対的に少ないため、４００℃程度の温度ではタングステンワイヤー９には殆ど酸化は起こらない。
【００１０】
しかしながら、タングステンワイヤー９が７００℃以上の高温下に晒されると、シリコン融液８からの酸化物がワイヤー９の表面にて急激に反応し、タングステンの酸化物が形成される。
【００１１】
上記の如く構成された半導体インゴット製造装置にあっては、シリコン融液８内に種結晶を着液させている状態、すなわち図６（Ａ）に示した状態にあるときには、チャンバ２の炉内はその容積等に応じて異なるものの、例えば、ルツボ４の直上付近のエリアＡでは約９００℃〜１０００℃、その上方のエリアＢでは約７００℃〜９００℃、さらにその上方のエリアＣでは約７００℃未満といったように、複数段階の温度差の雰囲気下にある。
【００１２】
特に、ワイヤー９の連結部材１１付近の炉内露出部分は、約１０００℃前後の比較的高温な雰囲気下に晒され易く、ヒータ５からの輻射熱やシリコン融液８からの酸化物との反応により表面が酸化し易い。その結果、ワイヤー９に局所的な機械的強度の劣化が存在することになり、ワイヤー９の大部分における機械的強度が十分であるにもかかわらず、ワイヤー全体の交換を余儀なくされてしまうという問題が生じていた。
【００１３】
本出願に係る発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、チャンバの炉内高温雰囲気下におけるワイヤーの局所的な劣化を低減することができる半導体単結晶製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本出願に係る第１の発明は、炉内に融液が充填されるルツボを設けたチャンバと、該ルツボを加熱するヒータと、前記チャンバ内に設けられたワイヤーとを備えた半導体単結晶製造装置において、前記ワイヤーの少なくとも高温にさらされる領域を、カラーで覆ったことを特徴とする半導体単結晶製造装置である。
【００１５】
また、本出願に係る第２の発明は、前記カラーを複数に設けたことを特徴とする上記第１の発明に記載の半導体単結晶製造装置である。
【００１６】
さらに、本出願に係る第３の発明は、前記カラーはワイヤー巻き上げ装置と種結晶との間に設けられていることを特徴とする上記第１又は第２の発明に記載の半導体単結晶製造装置である。
【００１７】
また、本出願に係る第４の発明は、前記カラーを前記ワイヤーを覆うよう近接させて設けたことを特徴とする上記第１〜３の発明の何れか１つに記載の半導体単結晶製造装置である。
【００１８】
さらに、本出願に係る第５の発明は、炉内に融液が充填されるルツボを設けたチャンバと該チャンバの上方に配置されたプルチャンバと、該プルチャンバの内部と前記チャンバとの間で昇降するシードホルダと、該シードホルダを連結部材を介して吊持するワイヤーとを備えた半導体単結晶製造装置において、前記シードホルダ若しくは前記連結部材の少なくとも一方の長さを、前記シードホルダに種結晶を取り付け、該種結晶が融液に着液する位置にあるとき、前記ワイヤーの先端近傍の露出部分が前記炉内の高温雰囲気下で所定温度未満の範囲に位置する長さとしたことを特徴とする半導体単結晶製造装置である。
【００１９】
また、本出願に係る第６の発明は、前記所定温度未満とは７００℃未満であることを特徴とする上記第５の発明に記載の半導体単結晶製造装置である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の半導体単結晶製造装置にあっては、炉内に融液が充填されるルツボを設けたチャンバと、ルツボを加熱するヒータと、チャンバ内に設けられたワイヤーとを備え、前記ワイヤーの少なくとも高温にさらされる領域をカラーで覆っているため、ワイヤーへの直接の輻射熱や酸化物との反応が防止され、ワイヤーの局所的な劣化を低減することができる。
【００２１】
さらに、本発明の半導体単結晶製造装置にあっては、カラーを複数に設けたことにより、カラーの製作において加工精度が確保され、かつ、引き上げ時の熱的影響による変形がワイヤーの本来持っている結晶回転時の偏芯精度に影響するのを抑えることができる。また、温度域によるワイヤー露出位置の調節が可能となり、ワイヤー酸化速度の制御が可能となる。
【００２２】
また、本発明の半導体単結晶製造装置にあっては、シードホルダ若しくは連結部材の少なくとも一方の長さを、シードホルダに取り付けられた種結晶が融液に着液する位置にあるときに、ワイヤーの先端近傍の露出部分が炉内の高温雰囲気下で所定温度未満の範囲に位置する長さとしていることにより、シードホルダが着液位置にあるときであってもワイヤー露出部分がチャンバの炉内高温雰囲気下を避けた位置にあるため、ワイヤーの局所的な劣化を低減することができる。
【００２３】
このように本発明によれば、シードホルダが着液位置にあるときにワイヤーの先端近傍の露出部分が炉内の高温雰囲気下で所定温度以下を保った状態で、単結晶シリコンを成長させることにより、耐久性の高い半導体単結晶製造装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
次に、本発明の半導体単結晶製造装置を図面に基づいて説明する。
【実施例１】
【００２５】
図１乃至図３は、本発明の半導体インゴット製造装置の実施例１を示し、図１（Ａ）はシードホルダが着液位置にある状態の半導体インゴット製造装置の説明図、図１（Ｂ）はシードホルダが上端位置にある状態の半導体インゴット製造装置の説明図、図２（Ａ）はワイヤーの断面図、図２（Ｂ）はワイヤー本体とカラーとの関係を示す要部の拡大断面図、図３はワイヤー本体を連結部材との関係を示す要部の拡大断面図である。
【００２６】
図１において、半導体インゴット製造装置２１は、有底円筒形状のチャンバ２２と、このチャンバ２２の上部中央から立ち上がる筒状のプルチャンバ２３とを備えている。
チャンバ２２の炉内には、上方に開放する有底円筒形状の石英よりなるルツボ２４と、このルツボ２４の底面に上端が固定された回転軸２７とを備える。回転軸２７の下端は、チャンバ２２の外において図示を略する駆動源に接続されており、チャンバ２２内でルツボ２４が回転できるように支持している。ルツボ２４の周りにはルツボ２４を囲繞するヒータ２５を設け、さらに、ヒータ２５の周囲には外周を包囲してヒータ２５からの輻射熱がチャンバ２２の内壁に直接輻射されることを防止する断熱材２６を設けている。
【００２７】
一方、プルチャンバ２３の上部には、ワイヤー２９の巻取器３０を設けている。このワイヤー２９の先端には、連結部材３１を介してシードホルダ３２が装着されている。連結部材３１には、チャージ及びリチャージ工程の際には原料となる素材を補充するためのホッパー（図示せず）が吊り下げられ、インゴット３３の引上げ工程の際には種結晶を装着したシードホルダ３２が吊り下げられる。
【００２８】
また、プルチャンバ２３の下方寄りには、プルチャンバ２３内を上下で隔絶するためのゲートバルブ３４を設けている。プルチャンバ２３内とチャンバ２２内は連続した気密空間を形成しているが、インゴット３３の引上げ最中以外にはゲートバルブ３４を閉めることによりチャンバ２２内では融液を維持し、その状態でプルチャンバ２３内にガスを封入する事により大気開放を可能とし、引上げられたインゴット３３の取り出しやホッパー並びに種結晶の取り付け等を可能としている。
【００２９】
巻取器３０は、ワイヤー５０の先端に装着されたシードホルダ３２を着液位置（図１（Ａ）に示す位置）と上端位置（図１（Ｂ）に示す位置）との間で昇降させる。着液位置は、シードホルダ３２の先端に備えた種結晶がシリコン融液２８の液面に着いたときの位置であり、上端位置は、成長したインゴット３３を引き上げきった位置である。
【００３０】
ワイヤー５０は、ワイヤー本体５１と、このワイヤー本体５１に設けられた複数のカラー５２とを備えている。ワイヤー本体５１には、種結晶ならびにインゴット１３の回転振れや耐熱等を考慮し、タングステンなどの材料からなる線材を捩り込んだもの（ストランド）が使用されている。
【００３１】
また、図２に示すようにワイヤー本体５１の両端には、ボールジョイント方式の嵌め合いにより巻取器３０並びに連結部材３１と連結される連結部５３，５４がそれぞれ設けられている。これにより、例えば、連結部材３１には、図３に示すように、連結部５４が嵌め合わされる際の挿入部３１ａが形成されている。
【００３２】
連結部５４はステンレス製のかしめ部５４ａをかしめることによりワイヤー本体５１に取り付けられている。連結部材３１にはかしめ部５４ａのみが接触し、ワイヤー本体５１は連結部材３１には直接接触しないため、ワイヤー本体５１の磨耗を防ぐことができる。また、連結部材３１内にワイヤー本体５１が露出されることがないため、挿入部３１ａから連結部材３１内に侵入する雰囲気ガスにワイヤー本体５１が晒されることもなく、ワイヤー本体の酸化消耗を防止し、ワイヤーの劣化を低減させることができる。
【００３３】
カラー５２は、ステンレスやモリブデン、タングステン等により円筒形状に形成されており、図２（Ｂ）に示すように、その両端には隣接する上下で互いに隙無く連結するための雌雄の異なる係合部としての凸部５２ａと凹部５２ｂとが形成されている。このように、複数に分割されたカラーに雌雄の異なる係合部を設けることにより、互いに上下方向で隣接するもの同士の隙間の発生を防止することができ、カラーの隙間からの輻射熱や酸化物の侵入を防止することができる。
【００３４】
また、カラー５２は、ワイヤー本体５１の直径ｄに対して内径Ｄの方が大径とされている。この際、内径Ｄと直径ｄとの差は、ワイヤー本体５１の経年的劣化により、その芯材（図示せず）が切断されたり線材の捩りが戻った場合のように、部分的にワイヤー本体５１の直径が膨らむことを許容している。  
【００３５】
このように、カラーの内径をワイヤーの直径よりも大径としたことにより、芯のあるワイヤーの場合に、側面のワイヤーに外傷がなくても芯のワイヤーが破断に近い状態にある時には側面のワイヤーの直径がカラー内径の範囲内で大きくなり、カラーを上下に動かすことにより、その摩擦力によりふくらみを検出でき、ワイヤー破断までに至るのを防止できる。
【００３６】
例えば、定期的な点検時やホッパーと種結晶との交換時において、カラー５２をワイヤー本体５１の軸線に沿って移動させ、ワイヤー本体５１に膨らみが発生していない場合にはカラー５２の移動が滑らかに行われ、ワイヤー本体５１に膨らみが発生している場合にはカラー５２の移動が阻害されるため、ワイヤー本体５１の劣化を容易に確認することができる。もちろん、カラー５２が上下動可能なことにより、ワイヤー本体５１の断線や変形を目視により確認できることは言うまでもない。
【００３７】
また、引き上げるインゴット３３の結晶長が長くなってもカラーが障害とならないように、カラー５２の外径寸法は、巻き上げ部の空間を通過することができるサイズであることが好ましい。
【００３８】
このような構成において、原料となる素材を内部に装填したホッパーを装着した状態でワイヤー５０を下降させてルツボ２４内に素材を落下投入する。素材の投入後ホッパーを上昇させて、一旦ゲートバルブ３４によりプルチャンバ２３を上下で隔絶する（実質的にはチャンバ２２の炉内とプルチャンバ２３の内部とを隔絶する）。その状態でプルチャンバ２３内にガスを封入する事により大気開放を可能とし、ホッパーを連結部材３１から取り外した後に、新たに種結晶を装着したシードホルダ３２を連結部材３１に装着する。
【００３９】
その後、ゲートバルブ３４を開放して種結晶をルツボ２４のシリコン融液２８の液面に接触させ、ルツボ２４を回転させつつ（ワイヤー５０を同時に同方向または逆方向に回転させても良い）ワイヤー５０を巻取器３０で巻き取ってシードホルダ３２を引き上げることで単結晶のインゴット３３が成長する。
【００４０】
この際、図１（Ａ）に示すようにシードホルダ３２が着液位置にある状態では、ワイヤー本体５１の先端部分はある程度の範囲でカラー５２により覆われていることにより、ヒータ２４からの輻射熱やシリコン融液２８からの酸化物との反応によるワイヤー５０の局所的な劣化を低減することができる。より具体的には、着液位置にあるときにカラー５２により覆われているワイヤー本体５１の先端が７００℃未満になるようにする。
【００４１】
また、シードホルダ３２が着液位置にある状態において、ワイヤー本体５１がカラー５２から露出している部分、特に、カラー５２の近部でカラー５２から露出している部分が、炉内温度７００℃前後のエリアＢとエリアＣとの境界付近からエリアＣ内に位置するように、カラー５２の長さを調節する。より具体的には、着液位置にあるときにワイヤー本体５１の露出部分が７００℃未満になるように、カラー５２の長さを設定する。
【００４２】
このように、カラー５２により覆うワイヤー本体５１の範囲を、チャンバ２２の炉内高さを考慮したうえでその高温雰囲気下に相当する範囲とすることにより、装置本体の設計変更をすることなく既存の連結部材３１並びにシードホルダ３２を使用したままワイヤー本体５１の酸化に伴う劣化を低減することができる。
【００４３】
特に、酸化物との反応が激しく始まる温度である７００℃未満にワイヤーを保つことにより、ワイヤーの酸化を遅らせ、ワイヤーの局所的な劣化を低減することができる。
【００４４】
上記の実施例ではインゴットの引き上げに用いられるワイヤーについて説明を行ったが、同じようにチャンバ内で用いられるワイヤーであれば、本発明のカラーの概念は同様にして適用可能であり、本発明はインゴットの引上げに限ったものではない。
【実施例２】
【００４５】
図４は、本発明の半導体インゴット製造装置の実施例２を示し、（Ａ）はシードホルダが着液位置にある状態の半導体インゴット製造装置の説明図、（Ｂ）はシードホルダが上端位置にある状態の半導体インゴット製造装置の説明図である。
【００４６】
尚、この図４に示した実施例２の半導体インゴット製造装置２１は、上述した実施例１とはワイヤーの先端に設けられた連結部材とこの連結部材に装着されたシードホルダとが異なるのみなので、その他の構成部材には上記実施例１の図１と同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４７】
シードホルダ３２はカーボン等から形成されており、着液位置にあるときにワイヤー２９の先端近傍の露出部分がチャンバ２２の炉内上方、即ち、少なくとも炉内高温雰囲気下でエリアＢとエリアＣとの境界付近からエリアＣ内に位置するように長さが設定されている。より具体的には、着液位置にあるときにワイヤー２９の先端近傍のワイヤー露出部分が７００℃未満になるように長さを設定する。
【００４８】
また、リチャージ引上げの場合、シードホルダ３２の長さの最長は、インゴット３３を吊り上げた上端位置にあるときに、そのインゴット３３の下端がゲートバルブ３４よりも上方に位置するように設定されている。この際、プルチャンバ２３の設計変更（高さ変更やシール部品３５並びに回転伝達部品３６の大径化）は無いようにすることが好ましい。
【００４９】
このような構成において、原料となる素材を内部に装填したホッパーを装着した状態でワイヤー２９を下降させてルツボ２４内に素材を落下投入する。素材の投入後ホッパーを上昇させて、一旦ゲートバルブ３４によりプルチャンバ２３を上下で隔絶する。ホッパーを連結部材３１から取り外した後に、新たに種結晶を装着したシードホルダ３２を連結部材３１に装着する。
【００５０】
ルツボ２４内の素材をヒータ２５により溶融させ、ゲートバルブ３４を開放し、ワイヤー２９を着液位置まで下降させて種結晶をルツボ２４のシリコン融液２８の液面に接触させる。ルツボ２４を回転させつつ（ワイヤー２９を同時に同方向または逆方向に回転させても良い）ワイヤー２９を巻取器３０で巻き取ってシードホルダ３２を引き上げることで、単結晶のインゴット３３が成長する。
【００５１】
この際図４（Ａ）に示すように、シードホルダ３２が着液位置にある状態では、ワイヤー２９の先端近傍のワイヤー露出部分、即ち、連結部材３１の近部で連結部材３１から露出している部分は、炉内温度７００℃前後のエリアＢとエリアＣとの境界付近からエリアＣ内に位置しているため、ヒータ２５からの輻射熱やシリコン融液２８からの酸化物との反応によるワイヤー２９の局所的な劣化を低減することができる。
【００５２】
特に、タングステンにおいて酸化物との反応が激しく始まる温度である７００℃未満の雰囲気に、ワイヤー先端の露出部分を位置させることにより、ワイヤーの酸化を遅らせ、ワイヤーの局所的な劣化を低減することができる。
【実施例３】
【００５３】
図５は、本発明の半導体インゴット製造装置の実施例３を示し、（Ａ）はシードホルダが着液位置にある状態の半導体インゴット製造装置の説明図、（Ｂ）はシードホルダが上端位置にある状態の半導体インゴット製造装置の説明図である。
【００５４】
尚、この図５に示した実施例３の半導体インゴット製造装置２１は、上述した実施例１とはワイヤー２９の先端に設けられた連結部材とこの連結部材に装着されたシードホルダとが異なるのみなので、その他の構成部材には上記実施例１の図１と同一の符号を付してその説明を省略する。
【００５５】
連結部材４１は、ワイヤー２９に着脱可能に設けられていると共にシードホルダ４２を着脱可能に保持している。また、連結部材４１は、シートホルダ４２が着液位置にあるときにワイヤー２９の先端がチャンバ２２の炉内上方、即ち、少なくとも炉内高温雰囲気下でエリアＢとエリアＣとの境界付近からエリアＣ内に位置するように長さが設定されている。より具体的には、着液位置にあるときにワイヤー２９の先端近傍のワイヤー露出部分が７００℃未満になるように長さを設定する。
【００５６】
また、連結部材４１の長さの最長は、インゴット３３を吊り上げた上端位置にあるときに、そのインゴット３３の下端がゲートバルブ３４よりも上方に位置するように設定されている。この際、プルチャンバ２３の設計変更（高さ変更やシール部品３５並びに回転伝達部品３６の大径化）は無いようにすることが好ましい。
【００５７】
このような構成においても、ゲートバルブ３４を開放して種結晶をルツボ２４のシリコン融液２８の液面に接触させ、ルツボ２４を回転させつつ（ワイヤー２９を同時に同方向または逆方向に回転させても良い）ワイヤー２９を巻取器３０で巻き取ってシードホルダ４２を引き上げることで、単結晶のインゴット３３が成長する。
【００５８】
この際図５（Ａ）に示すように、シードホルダ４２が着液位置にある状態では、ワイヤー２９の先端近傍のワイヤー露出部分、即ち、連結部材４１の近部で連結部材４１から露出している部分は、炉内温度７００℃前後のエリアＢとエリアＣとの境界付近からエリアＣ内に位置しているため、ヒータ２５からの輻射熱やシリコン融液２８からの酸化物との反応によるワイヤー２９の局所的な劣化を低減することができる。
【００５９】
特に、タングステンにおいて酸化物との反応が激しく始まる温度である７００℃未満の雰囲気に、ワイヤー先端の露出部分を位置させることにより、ワイヤーの酸化を遅らせ、ワイヤーの局所的な劣化を低減することができる。
【００６０】
尚、上記の実施例２または３においては、上記実施例１に開示した構成を併用しても良い。また、上記実施例１乃至３において、ワイヤーとシードホルダを結合するために連結部材を用いているが、本願において連結部材とは、必ずしもシードホルダと別部材である必要はなく、シードホルダの一部分でワイヤーとの結合の役割を果たす部位も含む。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
ワイヤーの高温に晒される領域にカラーを設けることは、上記の実施例１に示したインゴットの引き上げに用いられるワイヤーに限定されるものではなく、炉内に配置される如何なる目的のワイヤーに対しても適用することができる。
また、上記の実施例１乃至３の説明においては、単結晶インゴットの製造を例に説明しているが、本発明は単結晶インゴット以外にも化合物半導体のインゴットやその他のインゴットについても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の半導体インゴット製造装置の実施例１を示し、（Ａ）はシードホルダが着液位置にある状態の半導体インゴット製造装置の説明図、（Ｂ）はシードホルダが上端位置にある状態の半導体インゴット製造装置の説明図である。
【図２】本発明の半導体インゴット製造装置の実施例１を示し、（Ａ）はワイヤーの断面図、（Ｂ）はワイヤー本体とカラーとの関係を示す要部の拡大断面図である。
【図３】本発明の半導体インゴット製造装置の実施例１を示し、ワイヤー本体を連結部材との関係を示す要部の拡大断面図である。
【図４】本発明の半導体インゴット製造装置の実施例２を示し、（Ａ）はシードホルダが着液位置にある状態の半導体インゴット製造装置の説明図、（Ｂ）はシードホルダが上端位置にある状態の半導体インゴット製造装置の説明図である。
【図５】本発明の半導体インゴット製造装置の実施例３を示し、（Ａ）はシードホルダが着液位置にある状態の半導体インゴット製造装置の説明図、（Ｂ）はシードホルダが上端位置にある状態の半導体インゴット製造装置の説明図である。
【図６】半導体インゴット製造装置の従来例を示し、（Ａ）はシードホルダが着液位置にある状態の半導体インゴット製造装置の説明図、（Ｂ）はシードホルダが上端位置にある状態の半導体インゴット製造装置の説明図である。
【符号の説明】
【００６３】
１…半導体インゴット製造装置
２…チャンバ
３…プルチャンバ
４…ルツボ
５…ヒータ
６…断熱材
７…回転軸
８…シリコン融液
９…ワイヤー
１０…巻取器
１１…連結部材
１２…シードホルダ
１３…インゴット
１４…ゲートバルブ
２１…半導体インゴット製造装置
２２…チャンバ
２３…プルチャンバ
２４…ルツボ
２５…ヒータ
２６…断熱材
２７…回転軸
２８…シリコン融液
２９…ワイヤー
３０…巻取器
３１…連結部材  ３１ａ…挿入部
３２…シードホルダ
３３…インゴット
３４…ゲートバルブ
３５…シール部品
３６…回転伝達部品
４１…連結部材
４２…シードホルダ
５０…ワイヤー
５１…ワイヤー本体
５２…カラー  ５２ａ…凸部  ５２ｂ…凹部
５３…連結部
５４…連結部  ５４ａ…かしめ部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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