(57)【要約】  【課題】製造の工程数の増加を伴わずにＴＦＴ基板裏面側での反射光の色相または彩度を調整することで、従来よりも表示性能が向上した表示装置とその製造方法を提供する。  【解決手段】本発明に係る表示装置の透明基板５０上に形成された蓄積容量領域とゲート電極部を構成する各膜は、透明基板５０側にある光源から入射した光が蓄積容量領域とゲート電極部を構成する各膜より反射されて前記透明基板５０側に戻った反射光の色相が、光源の光の色相と概同一に成るように製造される。【選択図】      図５
2005292741.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、該透明基板に形成された単数または複数の絶縁膜から成るベースコートと、前記ベースコート上に少なくともチャネル領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極の順で形成された薄膜トランジスタと、前記ベースコート上に少なくとも第１電極、絶縁膜、第２電極の順で形成された容量部と、前記透明基板側から光を照射する光源と、を有して成る表示装置において、
前記ベースコートを構成する絶縁膜の材料および膜厚、および前記薄膜トランジスタおよび／または前記容量部を構成する各膜の材料および膜厚は、前記光源の光が前記ベースコート、および前記薄膜トランジスタおよび／または前記容量部を構成する各膜により反射されて前記透明基板側に戻った反射光の色相が、前記光源の光の色相と概同一に成るように形成されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
透明基板と、該透明基板に形成された単数または複数の絶縁膜から成るベースコートと、前記ベースコート上に少なくともチャネル領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極の順で形成された薄膜トランジスタと、前記ベースコート上から少なくとも第１電極、絶縁膜、第２電極の順で形成された容量部と、前記透明基板側から光を照射する光源と、を有して成る表示装置において、
前記ベースコートを構成する絶縁膜の材料および膜厚、および前記薄膜トランジスタおよび／または前記容量部を構成する各膜の材料および膜厚は、前記光源の光が前記ベースコート、および前記薄膜トランジスタおよび／または前記容量部を構成する各膜により反射されて前記透明基板側に戻った反射光の彩度Ｃ*値が、１０以下に成るように形成されることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
前記薄膜トランジスタは、前記チャネル領域の他、ドレイン領域と、ソース領域と、を有して成り、各領域は、電解効果キャリア移動度が５ｃｍ2／Ｖ・Ｓ以上の多結晶シリコン膜にイオンの注入がなされて形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２電極は、前記ゲート電極と同一の膜で形成され、前記第２電極および前記ゲート電極から前記透明基板の間に形成される各層の膜が、各層ごとに同一材料で同一膜厚の膜で、形成されることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
透明基板上に単数または複数の絶縁膜を形成するベースコート工程と、前記ベースコート上に半導体層を形成する半導体層工程と、前記半導体層の所望の領域にイオンの注入を行う注入工程と、前記半導体層を所望の形状に加工する加工工程と、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜工程と、前記半導体層上に容量部の容量膜を形成する容量膜工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、前記容量部の前記容量膜上に電極を形成する容量電極形成工程と、を有して成る表示装置の製造方法において、
前記各工程の少なくともいずれかは、前記透明基板側の光源から光が入射される際に、各膜により反射されて前記透明基板側に戻った反射光の色相が、前記光源の光の色相と概同一に成るように前記各膜の材料および膜厚を調整して形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
透明基板上に単数または複数の絶縁膜を形成するベースコート工程と、前記ベースコート上に半導体層を形成する半導体層工程と、前記半導体層の所望の領域にイオンの注入を行う注入工程と、前記半導体層を所望の形状に加工する加工工程と、前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜工程と、前記半導体膜上に容量部の容量膜を形成する容量膜工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、前記容量部の前記容量膜上に電極を形成する容量電極形成工程と、を有して成る表示装置の製造方法において、
前記各工程の少なくともいずれかは、前記透明基板側の光源から光が入射される際に、各膜により反射されて前記透明基板側に戻った反射光の彩度Ｃ*値が、１０以下に成るように前記各膜の材料および膜厚を調整して形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体層工程は、電解効果キャリア移動度が５ｃｍ2／Ｖ・Ｓ以上の多結晶シリコン膜を用いて前記半導体層を形成することを特徴とする請求項５または６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記容量電極形成工程は、前記ゲート電極と同一の膜を形成し、前記各工程は、前記容量電極および前記ゲート電極から前記透明基板間の各層の膜が、各層ごとに同一材料で同一膜厚と成るように各膜を形成することを特徴とする請求項５〜請求項７のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
透明基板上に形成された複数の素子と、各素子を電気的に接続し、少なくとも１つの膜から形成される配線と、層間を埋め、少なくとも１つの膜から形成される層間膜と、前記透明基板側から光を照射する光源と、を有して成る表示装置において、
前記素子と、前記配線と、前記層間膜で少なくともいずれか、を構成する各膜の材料および膜厚は、前記光源の光が、前記素子と、前記配線と、前記層間膜で少なくともいずれか、を構成する各膜により反射されて前記基板側に戻った反射光の色相が、前記光源の光の色相と概同一に成るように形成されることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
透明基板上に形成された複数の素子と、各素子を電気的に接続し、少なくとも１つの膜から形成される配線と、層間を埋め、少なくとも１つの膜から形成される層間膜と、前記透明基板側から光を照射する光源と、を有して成る表示装置において、
前記素子と、前記配線と、前記層間膜で少なくともいずれか、を構成する各膜の材料および膜厚は、前記光源の光が、前記素子と、前記配線と、前記層間膜で少なくともいずれか、を構成する各膜により反射されて前記基板側に戻った反射光の彩度Ｃ*値が、１０以下に成るように形成されることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
透明基板上に形成された複数の素子と、各素子を電気的に接続し、少なくとも１つの膜から形成される配線と、層間を埋め、少なくとも１つの膜から形成される層間膜と、前記透明基板側から光を照射する光源と、を有して成る表示装置の製造方法において、
前記表示装置の製造方法は、前記透明基板側の光源から光が照射された際に、前記素子と、前記配線と、前記層間膜で少なくともいずれか、を構成する各膜により反射されて前記透明基板側に戻った反射光の色相が、前記光源の光の色相と概同一に成るように前記各膜の材料および膜厚を調整して形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１２】
透明基板上に形成された複数の素子と、各素子を電気的に接続し、少なくとも１つの膜から形成される配線と、層間を埋め、少なくとも１つの膜から形成される層間膜と、前記透明基板側から光を照射する光源と、を有して成る表示装置の製造方法において、
前記表示装置の製造方法は、前記透明基板側の光源から光が照射された際に、前記素子と、前記配線と、前記層間膜で少なくともいずれか、を構成する各膜により反射されて前記透明基板側に戻った反射光の彩度Ｃ*値が、１０以下に成るように前記各膜の材料および膜厚を調整して形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置等の表示装置とその製造方法に関するものであり、特にその表示性能を向上させる透明基板上の膜構造とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面ディスプレイ装置としての液晶表示装置に備えられる表示装置の開発、特に、ドライバーモノリシックパネルの開発が活発に行われている。また、前記パネルに使用される薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと称する）として、多結晶シリコン膜（Poly-Silicon、略記号をｐ−Ｓｉとする）を用いたＴＦＴが種々検討されている。多結晶シリコン膜を用いたＴＦＴを有し、アクティブマトリクス駆動方式で駆動される液晶表示装置には、信号蓄積キャパシタである蓄積容量ＣSが配設されており、その表示装置が、開示・提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
次に、その従来の液晶表示装置について、図１から図３を参照しながら、以下に説明する。図１は、アクティブマトリクス方式の等価回路である。この等価回路で表される液晶表示装置では、平行に設けられた複数の走査信号線２に交差して、データ信号線１が複数設けられ、これらに囲まれた領域の各画素領域には、液晶の容量を示す液晶容量ＣLCと信号蓄積キャパシタである蓄積容量ＣSとが設けられている。液晶容量ＣLCは、画素電極７と対向電極１０間に液晶層が挟まれた構成から成り、蓄積容量ＣSは、第１蓄積容量電極８と第２蓄積容量電極９間に容量膜が挟まれた構成から成る。また、蓄積容量ＣSを構成する第２蓄積容量電極９は、蓄積容量電極線３に接続されている。各走査信号線２はＴＦＴを構成するゲート電極４に接続され、またデータ信号線１はＴＦＴを構成するソース電極５に接続されている。また、ＴＦＴを構成するドレイン電極６には、液晶容量ＣLCと蓄積容量ＣSが並列に接続されている。液晶表示装置は、このように上下方向にデータ信号線１、左右方向に走査信号線２がマトリクス状に配置されたクロス部分に、ＴＦＴ、画素電極７、蓄積容量ＣSが形成されている。上記のＴＦＴ、画素電極７および蓄積容量ＣSのアレイが透明基板上に形成されたＴＦＴ基板について以下に説明する。
【０００４】
図２は、従来の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の主要部の断面構造を示す図である。図２に示すように、従来のＴＦＴ基板では、透明基板２７上に絶縁膜で形成されたベースコート２６の上に、所定の方法によりＴＦＴのソース領域２１、チャネル領域２２およびドレイン領域２３と、蓄積容量ＣSの第１蓄積容量電極８からなる半導体層が形成されている。また、上記の半導体層上には、ゲート絶縁膜２５が形成されており、ゲート絶縁膜２５上には、ＴＦＴのゲート電極４および蓄積容量ＣSの第２蓄積容量電極９が形成され、これらを覆うように層間絶縁膜２４が形成されている。また、上記のソース領域２１上には、ソース電極５が形成されており、ドレイン領域２３上には、ドレイン電極６が形成されている。そして、層間絶縁膜２４上に、透明導電膜の酸化インジウムチタン薄膜（Indium Tin Oxide、以下ＩＴＯ膜と呼ぶ）からなる画素電極７がドレイン電極６と電気的に接続され形成されている。なお、図２に示すように、ＴＦＴを構成するソース領域２１からドレイン領域２３までの領域をＴＦＴ領域、蓄積容量ＣSを形成する領域を蓄積容量領域、表示画素となる領域を画素領域とする。
【０００５】
また、蓄積容量ＣSは、いわゆる平行電極コンデンサであり、従来の多結晶シリコン膜を用いたＴＦＴ基板の場合には、図１と図２に示すように、例えば、第２蓄積容量電極９が、ゲート電極４と同じ材料で配線された蓄積容量電極線３の一部で形成され、その対向電極の第１蓄積容量電極８が、不純物イオンでドーピングされた多結晶シリコン膜で形成され、これら電極間の絶縁体は、ゲート絶縁膜２５と同じＳｉＯ2膜で形成される。
【０００６】
そして、一般的な液晶表示装置は、ＴＦＴ基板と、カラーフィルターおよび遮光パターン上の全面にＩＴＯ膜が形成された透明基板から成るＣＦ基板と、により液晶層が挟まれており、透明基板２７側に配置された光源の光が導光板や反射板を通して透明基板２７に入射され、ＴＦＴ基板、液晶層およびＣＦ基板等を通過した光が画像として表示される構成となっている。
【特許文献１】特公平１−３３８３３号公報
【非特許文献１】ＪＩＳ規格ＪＩＳ―Ｚ―８７２９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板では、図２に示すように、第２蓄積容量電極９と透明基板２７の間には、単数または複数のベースコート２６、第１蓄積容量電極８、およびゲート絶縁膜２５といった複数の薄膜層が存在し、ＴＦＴ領域のゲート電極４と透明基板２７の間についても同様に複数の薄膜層が存在する。
【０００８】
したがって、透明基板２７側から入射する光に対して、これらの各薄膜層の屈折率および膜厚に依存した干渉が生じ、蓄積容量領域およびＴＦＴ領域における入射光に対する反射光は、干渉によりニュートラルな白ではなく色味を帯びてしまう。
【０００９】
また、図３は、図２に示めされたＴＦＴ基板の蓄積容量領域の詳細な断面およびライティング構成部材の断面の１例を示す図である。図３に示すように、透明基板２７の下に配置された光源３３から放射された光が導光板３２や反射板３４を経て、透明基板２７に入射するが、例えば、第１ベースコート２６ａが膜厚５０ｎｍのＳｉＮＯ膜、第２ベースコート２６ｂが膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2膜、第１蓄積容量電極８が膜厚５０ｎｍの多結晶シリコン膜、ゲート絶縁膜２５が膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2膜、第２蓄積容量電極９ａが膜厚３０ｎｍのＴａＮ膜、および第２蓄積容量電極９ｂが膜厚３７０ｎｍのタングステン膜（Ｗ）で構成されているとき、ＴＦＴ基板の透明基板２７に光源３３から入射した光の透明基板２７から第２蓄積容量電極９ｂ間を形成する前記多層膜による反射光は、赤色から黄色味を帯びてしまう。
【００１０】
また、図４は、上記の膜構成において計算された結果であり、図４（ａ）は、光の入射角０度における前記多層膜による反射率と、光源の分光特性の波長依存性を示し、図４（ｂ）は、光の入射角０度における前記多層膜による反射光と光源のＬ*ａ*ｂ*表色系色度図を示す図である。図４（ａ）に示すように、前記多層膜による反射率（従来の表示装置）は、光源の分光特性の強度分布と大きく異なり、また、図４（ｂ）に示すように、前記多層膜による反射光の色相と彩度Ｃ*の値（従来の表示装置）は、光源の色相と彩度Ｃ*値と大きく異なる。なお、Ｌ*ａ*ｂ*表色系については、非特許文献に記載されている（例えば、非特許文献１を参照）。
【００１１】
よって、図２と図３に示すように、特に蓄積容量領域は比較的面積が広く、表示部となる画素領域と隣り合って配置される場合が多い。このため、蓄積容量領域等の各膜の裏面で反射した光が光源３３の光とともに画像表示される表示画素部へ射出される場合、例えば、図３の観測者ａ３１ａが視認する場合、カラーフィルターの設計値に対して液晶表示装置のホワイトバランスが崩れる結果となる。
【００１２】
また、ＴＦＴ基板を観測者側の表示部として配置する構成の液晶表示装置の場合にも、例えば、図３の観測者ｂ３１ｂが視認する場合、反射光の色味を直接観察することとなり、表示性能が低下する。
【００１３】
従来技術は、ＴＦＴ基板の各層の条件（例えば、材料や膜厚等）について、ＴＦＴ特性や蓄積容量ＣSの信頼性に主眼を置いた構成を提案するものであった。このため、表示性能という点で上記のような問題が生じてしまう。
【００１４】
本発明は、上記の問題点に鑑み、製造工程数の増加を伴わずにＴＦＴ基板裏面側での反射光の色相または彩度を調整することで、従来よりも表示性能が向上した表示装置とその製造方法を提供することを目的とし、また、従来よりも表示性能が向上した表示装置を従来の表示装置と同水準の歩留りおよびコストで製造することができる表示装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、透明基板と、該透明基板に形成された単数または複数の絶縁膜から成るベースコートと、前記ベースコート上に少なくともチャネル領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極の順で形成された薄膜トランジスタと、前記ベースコート上に少なくとも第１電極、絶縁膜、第２電極の順で形成された容量部と、前記透明基板側から光を照射する光源と、を有して成り、前記ベースコートを構成する絶縁膜の材料および膜厚、および前記薄膜トランジスタおよび／または前記容量部を構成する各膜の材料および膜厚は、前記光源の光が前記ベースコート、および前記薄膜トランジスタおよび／または前記容量部を構成する各膜により反射されて前記透明基板側に戻った反射光の色相が、前記光源の光の色相と概同一に成るように形成されるとよい。本発明により、各膜により反射された光源の光が、光源の光とともに表示画素部へ射出された場合にもカラーフィルターの設計に対して表示部のホワイトバランスの崩れを防ぐことができる。
【００１６】
また、本発明に係る表示装置は、透明基板と、該透明基板に形成された単数または複数の絶縁膜から成るベースコートと、前記ベースコート上に少なくともチャネル領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極の順で形成された薄膜トランジスタと、前記ベースコート上から少なくとも第１電極、絶縁膜、第２電極の順で形成された容量部と、前記透明基板側から光を照射する光源と、を有して成り、前記ベースコートを構成する絶縁膜の材料および膜厚、および前記薄膜トランジスタおよび／または前記容量部を構成する各膜の材料および膜厚は、前記光源の光が前記ベースコート、および前記薄膜トランジスタおよび／または前記容量部を構成する各膜により反射されて前記透明基板側に戻った反射光の彩度Ｃ*値が、１０以下に成るように形成されるとよい。本発明により、前記透明基板側から直接的に観察する用途のある表示装置の場合においても、反射光の色味による視認性の低下を防ぐことができる。
【００１７】
なお、本発明に係る表示装置の前記薄膜トランジスタは、前記チャネル領域の他、ドレイン領域と、ソース領域と、を有して成り、各領域は、電解効果キャリア移動度が５ｃｍ2／Ｖ・Ｓ以上の多結晶シリコン膜にイオンの注入がなされて形成されるとよい。本発明により、薄膜トランジスタや蓄積容量のサイズを小型化することができるため、透明基板側から入射した光が、反射される領域を小さくすることが可能となり、薄膜トランジスタや蓄積容量を構成する各膜の反射光による表示性能の低下を低減することができ、また同時に表示画素部の開口率を大きくすることができる。
【００１８】
なお、本発明に係る表示装置の前記第２電極は、前記ゲート電極と同一の膜で形成され、前記第２電極および前記ゲート電極から前記透明基板の間に形成される各層の膜が、各層ごとに同一材料で同一膜厚の膜で、形成されるとよい。本発明により、薄膜トランジスタ領域と蓄積容量領域において光の反射に寄与する各膜に対して、概同一な反射特性に調整することができる。
【００１９】
また、本発明に係る表示装置の製造方法は、透明基板上に単数または複数の絶縁膜を形成するベースコート工程と、前記ベースコート上に半導体層を形成する半導体層工程と、前記半導体層の所望の領域にイオンの注入を行う注入工程と、前記半導体層を所望の形状に加工する加工工程と、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜工程と、前記半導体層上に容量部の容量膜を形成する容量膜工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、前記容量部の前記容量膜上に電極を形成する容量電極形成工程と、を有して成り、前記各工程の少なくともいずれかは、前記透明基板側の光源から光が入射される際に、各膜により反射されて前記透明基板側に戻った反射光の色相が、前記光源の光の色相と概同一に成るように前記各膜の材料および膜厚を調整して形成するとよい。本発明により、各膜により反射された光源の光が、光源の光とともに表示画素部へ射出された場合にもカラーフィルターの設計に対して表示部のホワイトバランスの崩れを防いだ表示装置を製造することができる。
【００２０】
また、本発明に係る表示装置の製造方法は、透明基板上に単数または複数の絶縁膜を形成するベースコート工程と、前記ベースコート上に半導体層を形成する半導体層工程と、前記半導体層の所望の領域にイオンの注入を行う注入工程と、前記半導体層を所望の形状に加工する加工工程と、前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜工程と、前記半導体膜上に容量部の容量膜を形成する容量膜工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、前記容量部の前記容量膜上に電極を形成する容量電極形成工程と、を有して成り、前記各工程の少なくともいずれかは、前記透明基板側の光源から光が入射される際に、各膜により反射されて前記透明基板側に戻った反射光の彩度Ｃ*値が、１０以下に成るように前記各膜の材料および膜厚を調整して形成するとよい。本発明により、前記透明基板側から直接的に観察する用途のある表示装置の場合においても、反射光の色味による視認性の低下を防いだ表示装置を製造することができる。
【００２１】
なお、本発明に係る表示装置の製造方法における前記半導体層工程は、電解効果キャリア移動度が５ｃｍ2／Ｖ・Ｓ以上の多結晶シリコン膜を用いて前記半導体層を形成するとよい。本発明により、薄膜トランジスタや蓄積容量のサイズを小型化して製造することができるため、透明基板側から入射した光が反射する領域を小さくすることが可能となり、薄膜トランジスタや蓄積容量を構成する各膜の反射光による表示性能の低下を低減することができ、また同時に表示画素部の開口率を大きくすることができる。
【００２２】
なお、本発明に係る表示装置の製造方法における前記容量電極形成工程は、前記ゲート電極と同一の膜を形成し、前記各工程は、前記容量電極および前記ゲート電極から前記透明基板間の各層の膜が、各層ごとに同一材料で同一膜厚と成るように各膜を形成するとよい。本発明により、薄膜トランジスタ領域と蓄積容量領域において、光の反射に寄与する各膜を、概同一な反射特性に調整して製造でき、表示性能の向上した表示装置を従来の表示装置と同水準の歩留まりおよびコストで製造することができる。
【００２３】
また、本発明に係る表示装置は、透明基板上に形成された複数の素子と、各素子を電気的に接続し、少なくとも１つの膜から形成される配線と、層間を埋め、少なくとも１つの膜から形成される層間膜と、前記透明基板側から光を照射する光源と、を有して成り、前記素子と、前記配線と、前記層間膜で少なくともいずれか、を構成する各膜の材料および膜厚は、前記光源の光が、前記素子と、前記配線と、前記層間膜で少なくともいずれか、を構成する各膜により反射されて前記基板側に戻った反射光の色相が、前記光源の光の色相と概同一に成るように形成されるとよい。本発明により、各膜により反射された光源の光が、光源の光とともに表示画素部へ射出された場合にもカラーフィルターの設計に対して表示部のホワイトバランスの崩れを防ぐことができる。
【００２４】
また、本発明に係る表示装置は、透明基板上に形成された複数の素子と、各素子を電気的に接続し、少なくとも１つの膜から形成される配線と、層間を埋め、少なくとも１つの膜から形成される層間膜と、前記透明基板側から光を照射する光源と、を有して成り、前記素子と、前記配線と、前記層間膜で少なくともいずれか、を構成する各膜の材料および膜厚は、前記光源の光が、前記素子と、前記配線と、前記層間膜で少なくともいずれか、を構成する各膜により反射されて前記基板側に戻った反射光の彩度Ｃ*値が、１０以下に成るように形成するとよい。本発明により、前記透明基板側から直接的に観察する用途のある表示装置の場合においても、反射光の色味による視認性の低下を防ぐことができる。
【００２５】
また、本発明に係る表示装置の製造方法は、透明基板上に形成された複数の素子と、各素子を電気的に接続し、少なくとも１つの膜から形成される配線と、層間を埋め、少なくとも１つの膜から形成される層間膜と、前記透明基板側から光を照射する光源と、を有して成り、前記表示装置の製造方法は、前記透明基板側の光源から光が照射された際に、前記素子と、前記配線と、前記層間膜で少なくともいずれか、を構成する各膜により反射されて前記透明基板側に戻った反射光の色相が、前記光源の光の色相と概同一に成るように前記各膜の材料および膜厚を調整して形成するとよい。本発明により、各膜により反射された光源の光が、光源の光とともに表示画素部へ射出された場合にもカラーフィルターの設計に対して表示部のホワイトバランスの崩れを防いだ表示装置を製造することができる。
【００２６】
また、本発明に係る表示装置の製造方法は、透明基板上に形成された複数の素子と、各素子を電気的に接続し、少なくとも１つの膜から形成される配線と、層間を埋め、少なくとも１つの膜から形成される層間膜と、前記透明基板側から光を照射する光源と、を有して成り、前記表示装置の製造方法は、前記透明基板側の光源から光が照射された際に、前記素子と、前記配線と、前記層間膜で少なくともいずれか、を構成する各膜により反射されて前記透明基板側に戻った反射光の彩度Ｃ*値が、１０以下に成るように前記各膜の材料および膜厚を調整して形成するとよい。本発明により、前記透明基板側から直接的に観察する用途のある表示装置の場合においても、反射光の色味による視認性の低下を防いだ表示装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係る表示装置とその製造方法であれば、工程数の増加を伴わずに透明基板側での反射光の色相または彩度を調整することで、従来よりも表示性能が向上した表示装置とその製造方法を提供することが可能となり、また、表示性能が向上した表示装置を従来の表示装置と同水準の歩留りおよびコストで製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下では、上記の目的を達成する本発明を液晶表示装置とその製造方法に適用した場合を例に挙げて図を参照しながら説明する。
【００２９】
図１は、本発明に係る液晶表示装置の駆動方式であるアクティブマトリクス方式の等価回路の１例を示す図であり、上記で説明した従来の表示装置と同様な構成である。図１の等価回路で表された本実施形態の液晶表示装置では、平行に設けられた複数の走査信号線２に交差して、データ信号線１が複数設けられ、これらに囲まれた領域の各画素領域には、液晶の容量を示す液晶容量ＣLCとデータ蓄積のための信号蓄積キャパシタである蓄積容量ＣSとが設けられている。液晶容量ＣLCは、画素電極７と対向電極１０間に液晶層が挟まれた構成から成り、蓄積容量ＣSは、第１蓄積容量電極８と第２蓄積容量電極９間に容量膜が挟まれた構成から成る。各走査信号線２はＴＦＴを構成するゲート電極４に接続され、またデータ信号線１はソース電極５に接続されている。また、ＴＦＴを構成するドレイン電極６には、液晶容量ＣLCと蓄積容量ＣSが並列に接続されている。液晶表示装置のＴＦＴ基板には、このように、上下方向にデータ信号線１、左右方向に走査信号線２がマトリクス状に配置されたクロス部分に、ＴＦＴ、画素電極７、蓄積容量ＣSが形成されている。
【００３０】
また、該ＴＦＴは多結晶シリコン膜からなる薄膜で形成されており、また、この多結晶シリコン膜からなる薄膜は蓄積容量ＣSの形成に利用されてもよい。該多結晶シリコンの電界効果キャリア移動度μ（ｃｍ2／Ｖ・Ｓ）はμ＞５が好ましいが、特に限定されるものではない。電界効果キャリア移動度μ（ｃｍ2／Ｖ・Ｓ）がμ＞５の多結晶シリコン膜を用いることにより、ＴＦＴや蓄積容量ＣSのサイズを小さくすることが可能になるとともに、データ信号を出力する回路を簡単化することができる。
【００３１】
図２は、本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板における主要部の断面の１例を示す図である。図２は、上記で説明した従来の表示装置と基本構造は同様であり、反射光の制御を行うために、後述のとおり適切な膜材料と膜厚の構成に変更される。
【００３２】
本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板は、図２に示すとおり、透明基板２７上に絶縁膜で形成されたベースコート２６の上に、所定の方法によりＴＦＴのソース領域２１、チャネル領域２２およびドレイン領域２３と、蓄積容量ＣSの第１蓄積容量電極８からなる半導体層が形成されている。また、その半導体層上には、ゲート絶縁膜２５が形成されており、ゲート絶縁膜２５上には、ＴＦＴのゲート電極４および蓄積容量ＣSの第２蓄積容量電極９が形成され、これらを覆うように層間絶縁膜２４が形成されている。また、上記のソース領域２１上には、ソース電極５が形成されており、ドレイン領域２３上には、ドレイン電極６が形成されている。そして、層間絶縁膜２４上に、透明導電膜のＩＴＯ膜からなる画素電極７がドレイン電極６と電気的に接続され形成されている。蓄積容量ＣSは、いわゆる平行電極コンデンサである。なお、図２に示すように、ＴＦＴを構成するソース領域２１からドレイン領域２３までの領域をＴＦＴ領域、蓄積容量ＣSを形成する領域を蓄積容量領域、表示画素となる領域を画素領域とする。
【００３３】
また、透明基板２７側の反射光の大部分は、蓄積容量領域とＴＦＴ領域での干渉反射によって生じているため、本発明に係る実施形態においては、該領域に限定して透明基板２７上のゲート電極４および第２蓄積容量電極９までの各層の材料および膜厚を次に説明する方法で決定し、干渉条件を制御することで、透明基板２７側の反射光の色相および彩度の制御を行う。
【００３４】
次に、ＴＦＴ領域および蓄積容量領域での透明基板側の反射光の制御方法について以下に説明する。一般に、光の波長より小さい膜厚の薄膜では、光の反射や屈折以外に種々の薄膜特有の性質を示す。本発明に用いられる各層の材料は様々であるが、光学的には透明体（すなわち、誘電体と吸収端以上の波長領域での半導体）と光吸収体（すなわち、金属や合金、吸収端以下の波長領域での半導体）とに大別され、材料物質の種類からは誘電体、金属（合金を含む）、半導体に分けられる。これら薄膜材料の光学的性質は、一般にその光学定数と呼ばれる複素屈折率Ｎ＝ｎ−ｉ・ｋ（複素屈折率Ｎ、屈折率ｎ、消衰係数ｋ）と物理膜厚ｄないし位相膜厚δ=２π・Ｎ・ｄ・ｃｏｓθ／λ（θは入射角、λは入射光の波長）によって一義的に決まり、薄膜を積層した多層膜の光学的性質は、これを構成する複数の物質の各光学定数と各膜厚よって決定される。
【００３５】
ここで、図２に示す本実施形態における液晶表示装置の絶縁性の透明基板２７の複素屈折率をＮ0とし、金属等で形成されたゲート電極４または第２蓄積容量電極９の複素屈折率をＮSとする。また、該透明基板２７上にあってゲート電極４または第２蓄積容量電極９までの間に存在する各層の屈折率を、透明基板に接する側から順にそれぞれＮj、位相膜厚をそれぞれδjとする（ｊ＝1〜ｍ、ｍ：層数）。このとき、入射媒体である透明基板２７から第２蓄積容量電極９またはゲート電極４までの多層膜系における光学特性は、光の入射媒質から見た多層膜系の特性マトリクスを用いて表すことができ、その多層膜の特性マトリクスは、各層の特性マトリクスの積で規定することができる。そして、エネルギー反射率に関しては、光学アドミッタンス（すなわち、屈折率）Ｎ0をもつ入射媒体と特定の光学アドミッタンスＹを有する多層膜系との境界面での反射を求めることになる。
【００３６】
すなわち、本発明に係る実施形態における多層膜系の光学アドミッタンスＹは
【数１】
2005292741.tif 000003
とした場合に光学アドミッタンスＹは、Ｙ＝Ｃ／Ｂとなる。
【００３７】
したがって、波長λの関数として反射光強度Ｒ（λ）は、
【数２】
2005292741.tif 000004
と表される。
【００３８】
また、反射光強度Ｒ（λ）の色相を表すＬ*ａ*ｂ*表色系における色度ａ*、ｂ*（クロマティクネス指数）は、
【数３】
2005292741.tif 000005
となり、彩度Ｃ*は、
【数４】
2005292741.tif 000006
と表される。但し、Ｘ、Ｙ、ＺはＸＹＺ表色系におけるＲ（λ）の三刺激値、Ｘｎ、Ｙｎ、Ｚｎは完全拡散反射面の三刺激値である。
【００３９】
上記の計算式に示されたように、多層膜による反射光の制御は、薄膜の光学的な物性を表す量である光学定数（すなわち、複素屈折率）および膜厚の条件設定が重要である。
【００４０】
よって、多層膜による反射光が光源から投射される光の色相あるいは彩度と概同一となるように、各層の材料および膜厚を上記の方法で決定し、干渉条件を制御することで、ＴＦＴ領域および蓄積容量領域での透明基板２７側への反射光を制御することができる。
【００４１】
次に、上記の計算式を用いて、透明基板２７上からゲート電極４、または第２蓄積容量電極９までの各層の材料および膜厚が決定され、透明基板２７側での反射光の色相と彩度が制御された表示装置とその製造方法の１例を以下に説明する。
【００４２】
図５は、本発明の実施形態における図２に示したＴＦＴ基板の蓄積容量領域とゲート電極部の断面および該膜構成の１例を示す図であり、説明のため、蓄積容量領域とゲート電極部の断面を１断面図で記述している。上記の反射光の制御方法から決定されたＴＦＴ基板上の蓄積容量領域とゲート電極部の各層の材料および膜厚について、図５を参照して以下に説明する。
【００４３】
図５に示すように、本実施形態のＴＦＴ基板は、透明基板５０上に２層の絶縁性の第１ベースコート５１と第２ベースコート５２が全面に形成されており、第１ベースコート５１は、膜厚約１８７ｎｍのＳｉＮＯ膜で、第２ベースコート５２は、膜厚約２８４ｎｍのＳｉＯ2膜で形成されている。また、前記ベースコート上の所定の範囲には、第１蓄積容量電極およびチャネル領域５３が、膜厚約７８ｎｍの多結晶シリコン膜で形成され、その膜上に、ゲート絶縁膜５４が膜厚約１４４ｎｍのＳｉＯ2膜で形成される。さらにその膜上に、第２蓄積容量電極ａおよびゲート電極ａ５５が膜厚約２３ｎｍのＴａＮ膜により形成され、また第２蓄積容量電極ｂおよびゲート電極ｂ５６が膜厚約３７０ｎｍのタングステン膜（Ｗ）により形成される。なお、図５の矢印は、光源からの入射光５７とこれらの各膜によって干渉反射された反射光５８である。また、該膜構成での、反射光の制御方法から求められた反射光の特性を以下に説明する。
【００４４】
図６（ａ）は、入射角０度における従来の液晶表示装置および本実施例の液晶表示装置の透明基板側での反射率と光源の分光特性の波長依存性を示す図であり、図６（ｂ）は、入射角０度における従来の液晶表示装置および本実施例の液晶表示装置の透明基板側での反射光と光源の光のＬ*ａ*ｂ*表色系色度図を示す。図６（ａ）に示すように、従来の表示装置の反射率の強度分布は、光源の分光特性の強度分布と大きく異なっているが、本実施例の表示装置では、同様な特性を示している。また、図６（ｂ）のＬ*ａ*ｂ*表色系色度図に示すように、従来の表示装置の色相は、光源の色相と大きく異なっているが、本実施例の表示装置の色相は、光源の色相に等しい。また、従来の表示装置の彩度Ｃ*の値は、４５．９で、光源の彩度Ｃ*の値１８．１と大きく異なるが、本実施例の表示装置の彩度Ｃ*の値は、１８．０でほぼ等しい。
【００４５】
したがって、上記の反射光の制御方法により各膜の膜材料と膜厚の構成を決定することによって、透明基板側の反射光の色相と彩度が、光源の色相と彩度と概同一な液晶表示装置を提供することができる。
【００４６】
次に、図７を参照にして、本実施形態のＴＦＴ基板の製造方法の１例を以下に説明する。先ず、図７（ａ）に示すように、透明基板７０上にプラズマＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition、以下ＣＶＤ法と呼ぶ）等を用いて透明基板７０の全面を覆うように、第１ベースコート７１としてＳｉＮＯ膜を約１８７ｎｍで形成し、その上に第２ベースコート７２としてＳｉＯ2膜を約２８４ｎｍで形成する。
【００４７】
そして、図７（ｂ）に示すように、これらのベースコート上に多結晶シリコンからなる半導体層７３を約７８ｎｍの膜厚で形成する。上記半導体層７３は、例えば、プラズマＣＶＤ法や低圧ＣＶＤ法等のＣＶＤ法を用いて非晶質シリコンからなる薄膜を低温で積層した後、６００℃程度の温度で固相成長させるか、あるいはエキシマレーザ等を用いてレーザ光を照射し結晶化させて多結晶シリコン膜を製造する方法等の公知の方法により形成することができる。また、上記の半導体層７３は、例えばフォトエッチングにより所定の形状に加工される。
【００４８】
次に、図７（ｃ）に示すように、例えば感光性樹脂、あるいはＳｉＯ2膜やＳｉＮX膜等の絶縁体からなる薄膜であるドーピングマスク７４を形成する。上記のドーピングマスク７４は、半導体層７３における、第１蓄積容量電極７５となるべき領域以外の領域をマスクするように形成する。
【００４９】
次に、ドーピングマスク７４にてマスクされていない上記領域に、リンを含み、かつ、イオン化された不純物を、所定の注入条件、例えば加速電圧９０ｋｅＶで、ドーズ量４×１０15個となるようにイオン注入し、非単結晶シリコン膜からなる第１蓄積容量電極７５を形成する。その後、ドーピングマスク７４を半導体層７３から剥離する。なお、上記の不純物は、リンを含む代わりに、ホウ素を含んでいてもよい。また、加速電圧やドーズ量等の注入条件は、特に限定されるものではなく、適宜変更してもよい。
【００５０】
続いて、図７（ｄ）に示すように、透明基板７０上、つまり、半導体層７３上にゲート絶縁膜７６としてＳｉＯ2膜からなる薄膜を約１４４ｎｍで形成する。ゲート絶縁膜７６は、例えば、プラズマＣＶＤ法や低圧ＣＶＤ法等の公知の方法により形成すればよい。なお、ゲート絶縁膜７６は、上記の反射光の制御方法おける干渉条件を満たす限り、他の薄膜材料から形成されいてもよく、例えば、ＳｉＯ2膜とＳｉＮX膜 とを積層してなる多層構造であってもよい。
【００５１】
次に、ＴＦＴのゲート電極ａ８０および蓄積容量の第２蓄積容量電極ａ８２となるＴａＮ膜を２３ｎｍで形成し、ＴＦＴのゲート電極ｂ８１および蓄積容量の第２蓄積容量電極ｂ８３となるタングステン膜（Ｗ）を３７０ｎｍの薄膜で形成する。なお、第１蓄積容量電極７５およびチャネル領域７８は、同じ約７８nmの多結晶シリコン層であり、各第２蓄積容量電極と各ゲート電極は、同じ構成である。
【００５２】
また、ゲート電極ａ８０および各第２蓄積容量電極ａ８２は、上記の反射光の制御方法における干渉条件を満たす限り、Ｔｉ、Ｔａ、ＣｒおよびＣｕ等の薄膜で形成してもよく、また、ＡｌとＳｉとの合金等からなる薄膜で形成してもよい。さらに、ゲート電極ａ８０と第２蓄積容量電極ａ８２とを一度に形成する代わりに、それぞれ別個に形成してもよい。
【００５３】
次に、ゲート絶縁膜７６に拡散用の開口処理を行った後、半導体層７３における、ＴＦＴのソース領域７９またはドレイン領域７７となる領域に、リンを含み、かつ、イオン化された不純物を所定の注入条件、例えば、加速電圧９０ｋｅＶで、ドーズ量４×１０15個となるようにイオン注入する。これにより、ソース領域７９およびドレイン領域７７が形成される。半導体層７３における、ソース領域７９とドレイン領域７７間の領域はチャネル領域７８となる。なお、上記の不純物は、リンを含む代わりに、ホウ素を含んでいてもよい。また、加速電圧やドーズ量等の注入条件は、特に限定されるものではなく、適宜変更してもよい。但し、該不純物は、前記第１蓄積容量電極７５を形成する際に用いた不純物と同種である方が望ましい。
【００５４】
その後、図７（e）に示すようにゲート絶縁膜７６、ゲート電極ｂ８１および第２蓄積容量電極ｂ８３上に、ＳｉＮXの薄膜からなる層間絶縁膜８４を形成する。上記層間絶縁膜８４の厚みは、例えば７００ｎｍとすればよいが、上記の反射光の制御方法における干渉条件に影響しないため、特に限定されるものではない。そして、上記の層間絶縁膜８４を形成した後、ソース領域７９およびドレイン領域７７に対応する位置に、コンタクトホールを形成する。なお、層間絶縁膜８４は、ＳｉＯ2膜からなっていてもよく、また、ＳｉＯ2膜とＳｉＮX膜とを積層してなる多層構造であってもよい。
【００５５】
続いて、上記のコンタクトホール部分に、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの順で積層した薄膜からなるソース電極８６およびドレイン電極８５を形成する。なお、ソース電極８６およびドレイン電極８５は、Ｔｉ、Ｔａ、ＣｒおよびＣｕ等の薄膜で形成してもよく、また、ＡｌとＳｉとの合金等からなる薄膜で形成してもよい。さらに、ソース電極８６とドレイン電極８５とを一度に形成する代わりに、それぞれ個別に形成してもよい。
【００５６】
次に、層間絶縁膜８４上に、ドレイン電極８５に電気的に接続した画素電極８７を形成する。この画素電極８７は、アクティブマトリックス方式のＴＦＴ基板が、液晶表示装置として組み立てられた状態において、液晶層を間に挟んで対向配設される対向基板上に形成される対向電極との間で液晶容量ＣLCを形成する。画素電極８７および対向電極は、例えば、各１００ｎｍのＩＴＯ膜で形成される。なお、ＩＴＯ膜の膜厚は、特に限定されるものではなく、ＩＴＯ膜の代わりにＺｎＯ2 等からなる透明導電膜で形成してもよい。
【００５７】
また、蓄積容量ＣSは、液晶容量ＣLCにおける液晶の誘電率がその異方性によって受ける影響を低減して表示性能の向上を図るために、前記液晶容量ＣLCと並列に設けられている。第１蓄積容量電極７５は、画素電極８７に電気的に接続されており、各第２蓄積容量電極は、蓄積容量電極線３を介して外部の電極に電気的に接続されている。なお、第２蓄積容量電極は対応するＴＦＴと電気的に接続されていない図１に示す他の走査信号線５に接続されていてもよい。
【００５８】
以上のように、本発明によれば、ＴＦＴ基板における透明基板５０側での蓄積容量領域やゲート電極部による反射光５８の色相が、光源の色相と同一であるため、基板裏面で反射した反射光５８が光源の光とともに表示画素部へ射出された場合にもカラーフィルターの設計に対して液晶表示装置パネルのホワイトバランスの崩れを防ぐことができる。また、反射光の制御方法により決定された膜材料と膜厚に変更するのみで、従来の液晶表示装置の製造方法から大幅な変更なく、従来よりも表示性能が向上した液晶表示装置を製造すること可能であるため、従来の表示装置と同水準の歩留りおよびコストで製造することができる。
【００５９】
次に、図８は、本発明にかかわるその他の実施形態における蓄積容量領域またはゲート電極部の拡大断面図および膜構成を示した図である。図８に示す膜構成は、上記の反射光の制御方法からＴＦＴ基板の透明基板側において蓄積容量電極あるいはゲート電極部分の多層膜による反射光の彩度Ｃ*値が１０以下になるように求められた膜構成であり、図８では、説明のため、蓄積容量領域とゲート電極部の断面を１断面図で記述している。図８に示すように、透明基板９０上の第１ベースコート９１は膜厚約１０３ｎｍのＳｉＮＯ膜で、第２ベースコート９２は膜厚約４４９ｎｍのＳｉＯ2膜で形成され、この膜上に第１蓄積容量電極とチャネル領域９３となる多結晶シリコン膜が膜厚約８３ｎｍで形成されている。また、これらの膜上には、ゲート絶縁膜９４が膜厚約１４４ｎｍのＳｉＯ2膜で形成されており、さらにその膜上に、第２蓄積容量電極ａとゲート電極ａとして膜厚約１９ｎｍのＴａＮ膜が、また第２蓄積容量電極ｂとゲート電極ｂ９６として膜厚約３７０ｎｍのタングステン膜（Ｗ）が形成されている。なお、図８の矢印は、光源からの入射光９７とこれらの各膜によって干渉反射された反射光９８である。また、図８に示す該膜構成での、反射光の制御方法の計算式から求められた反射光の特性を以下に説明する。
【００６０】
図９（ａ）は入射角０度での従来の表示装置およびその他の実施例の図８に示す膜構成での透明基板側の反射率の波長依存性を示す図であり、図９（ｂ）は、入射角０度での従来の表示装置および本実施例の図８に示す膜構成での透明基板側の反射光のＬ*ａ*ｂ*表色系色度図を示す。図９（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板の透明基板側における蓄積容量電極およびゲート電極部分の多層膜による反射光９８の彩度Ｃ*値が１０以下に抑えられている。
【００６１】
したがって、ＴＦＴ基板側から観測する用途のある表示装置の場合においても、反射光の色味による視認性の低下を防ぐことができる。
【００６２】
次に、上記図８の膜構成での表示装置の製造方法の１例について、図７を参照しながら以下に説明する。先ず、図７（ａ）に示すように、透明基板上にプラズマＣＶＤ法等を用いて透明基板７０の全面を覆うように、第１ベースコート７１としてＳｉＮＯ膜を１０３ｎｍの膜厚で形成し、その上に第２ベースコート７２としてＳｉＯ2膜を４４９ｎｍの膜厚で形成する。
【００６３】
そして、図７（ｂ）に示すように、これらのベースコート上に多結晶シリコン膜からなる半導体層７３を約８３ｎｍの膜厚で形成する。上記半導体層７３は、例えば、プラズマＣＶＤ法や低圧ＣＶＤ法等のＣＶＤ法を用いて非晶質シリコンからなる薄膜を低温で積層した後、６００℃程度の温度で固相成長させるか、あるいはエキシマレーザ等を用いてレーザ光を照射し結晶化させて多結晶シリコン膜を製造する方法等の公知の方法により形成することができる。また、上記の半導体層７３は、例えばフォトエッチングにより所定の形状とする。
【００６４】
次に、図７（ｃ）に示すように、例えば、感光性樹脂、あるいはＳｉＯ2膜やＳｉＮX等の絶縁体からなる薄膜であるドーピングマスク７４を形成する。上記のドーピングマスク７４は、半導体層７３における、第１蓄積容量電極７５となるべき領域以外の領域をマスクするように形成する。
【００６５】
さらに、ドーピングマスク７４にてマスクされていない上記領域に、リンを含み、かつ、イオン化された不純物を、所定の注入条件、例えば加速電圧９０ｋｅＶで、ドーズ量４×１０15個となるようにイオン注入し、非単結晶シリコンからなる第１蓄積容量電極７５を形成する。その後、ドーピングマスク７４を半導体層７３から剥離する。なお、上記の不純物は、リンを含む代わりに、ホウ素を含んでいてもよい。また、加速電圧やドーズ量等の注入条件は、特に限定されるものではなく、適宜変更してもよい。
【００６６】
続いて、図７（ｄ）に示すように、透明基板７０上、つまり、半導体層７３上にゲート絶縁膜７６としてＳｉＯ2膜からなる薄膜を１４４ｎｍの膜厚で形成する。ゲート絶縁膜７６となるべき前記薄膜は、プラズマＣＶＤ法や常圧ＣＶＤ法等の公知の方法により形成すればよい。なお、ゲート絶縁膜７６は、上記の反射光の制御方法における干渉条件を満たす限り、他の薄膜材料からなっていてもよく、例えば、ＳｉＯ2膜とＳｉＮX膜とを積層してなる多層構造であってもよい。
【００６７】
次に、ＴＦＴのゲート電極ａ８０および蓄積容量の第２蓄積容量電極ａ８２を構成するＴａＮ膜を１９ｎｍで形成し、それらの上にＴＦＴのゲート電極ｂ８１および蓄積容量の第２蓄積容量電極ｂ８３となるタングステン膜（Ｗ）を３７０ｎｍの薄膜で形成する。なお、第１蓄積容量電極７５およびチャネル領域７８は、同じ約７８ｎｍの多結晶シリコン層であり、第２蓄積容量電極ａ８２とゲート電極ａ８０、および第２蓄積容量電極ｂ８３とゲート電極ｂ８１は、それぞれ同じ構成となる。また、ゲート電極および第２蓄積容量電極は、上記の反射光の制御方法における干渉条件を満たす限り、Ｔｉ、Ｔａ、ＣｒおよびＣｕ等の薄膜で形成してもよく、また、ＡｌとＳｉとの合金等からなる薄膜で形成してもよい。さらに、ゲート電極と第２蓄積容量電極とを一度に形成する代わりに、それぞれ個別に形成してもよい。
【００６８】
次に、ゲート絶縁膜７６に拡散用の開口処理を行った後、半導体層７３における、ＴＦＴのソース領域７９またはドレイン領域７７となる領域に、リンを含み、かつ、イオン化された不純物を所定の注入条件、例えば加速電圧９０ｋｅＶで、ドーズ量４×１０15個となるようにイオン注入する。これにより、ソース領域７９およびドレイン領域７７が形成される。また、半導体層７３における、ソース領域７９とドレイン領域７７間の領域はチャネル領域７８となる。なお、上記の不純物は、リンを含む代わりに、ホウ素を含んでいてもよい。また、加速電圧やドーズ量等の注入条件は、特に限定されるものではなく、適宜変更してもよい。但し、該不純物は、前記第１蓄積容量電極７５を形成する際に用いた不純物と同種である方が望ましい。
【００６９】
その後、図７（e）に示すようにゲート絶縁膜７６、ゲート電極ｂ８１および第２蓄積容量電極ｂ８３上に、ＳｉＮX膜の薄膜からなる層間絶縁膜８４を形成する。上記層間絶縁膜８４の厚みは、例えば７００ｎｍとすればよいが、上記の反射光の制御方法における干渉条件に影響しないため、特に限定されるものではない。そして、上記の層間絶縁膜８４を形成した後、ソース領域７９およびドレイン領域７７に対応する位置に、コンタクトホールを形成する。なお、層間絶縁膜８４は、ＳｉＯ2膜からなっていてもよく、また、ＳｉＯ2膜とＳｉＮX膜とを積層してなる多層構造であってもよい。
【００７０】
続いて、上記のコンタクトホール部分に、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの順で積層された薄膜からなるソース電極８６およびドレイン電極８５を形成する。なお、ソース電極８６およびドレイン電極８５は、Ｔｉ、Ｔａ、ＣｒおよびＣｕ等の薄膜で形成してもよく、また、ＡｌとＳｉとの合金等からなる薄膜で形成してもよい。さらに、ソース電極８６とドレイン電極８５とを一度に形成する代わりに、それぞれ個別に形成してもよい。
【００７１】
次に、層間絶縁膜８４上に、ＩＴＯ膜からなる画素電極８７を形成する。上記画素電極８７の厚みは、例えば１００ｎｍとすればよいが、特に限定されるものではない。なお、画素電極８７は、ＺｎＯ2膜等からなる透明導電膜で形成してもよい。以上の製造方法により、本発明に係るその他の実施形態の液晶表示装置が形成される。
【００７２】
以上の説明のように、本発明に係るその他の実施形態の液晶表示装置では、反射光の彩度Ｃ*値を１０以下に抑えるため、反射光の制御方法から決定された膜構成に基づいて、ゲート電極と同じ薄膜で第２蓄積容量電極が形成され、かつ、これらの電極と透明基板の間には同一材料による同一膜厚の薄膜が形成されている。これにより、ＴＦＴ基板の透明基板側での蓄積容量電極およびゲート電極部分の多層膜による反射光の彩度Ｃ*値が１０以下に抑えられるため、ＴＦＴ基板側から観測する用途のある表示装置の場合においても、反射光の色味による視認性の低下を防ぐことができる。また、本表示装置は、従来の表示装置から膜材料と膜厚を変更するだけで従来よりも性能が向上された表示装置を製造することができるため、従来の表示装置と同水準の歩留りおよびコストで製造することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明は、表示基板裏側での反射光の色相または彩度を調整することで、従来よりも表示性能が向上した表示装置と、表示性能の向上した前記表示装置を従来の表示装置と同水準の歩留りおよびコストで製造することができる製造方法とを提供する技術として非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】は、アクティブマトリクス方式を用いた液晶表示装置を示す等価回路図である。
【図２】は、液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の主要部の断面構造を示す図である。
【図３】は、図２に示されたＴＦＴ基板の蓄積容量領域の詳細な断面およびライティング構成部材の断面の１例を示す図である。
【図４】は、従来の表示装置の反射率の反射分光特性およびＬ*ａ*ｂ*表色系色度を示す図である。
【図５】は、本発明の実施例における膜構成を示す図である。
【図６】は、本発明の実施例における反射分光特性およびＬ*ａ*ｂ*表色系色度を示す図である。
【図７】は、本発明の一実施例における表示装置の製造工程を示す図である。
【図８】は、本発明のその他の実施例における膜構成を示す図である。
【図９】は、本発明のその他の実施例における反射分光特性およびＬ*ａ*ｂ*表色系色度示す図である。
【符号の説明】
【００７５】
１    データ信号線
２    走査信号線
３    蓄積容量電極線
４    ゲート電極
５    ソース電極
６    ドレイン電極
７    画素電極
８    第１蓄積容量電極
９    第２蓄積容量電極
９ａ    第２蓄積容量電極ａ
９ｂ    第２蓄積容量電極ｂ
１０    対向電極
２１    ソース領域
２２    チャネル領域
２３    ドレイン領域
２４    層間絶縁膜
２５    ゲート絶縁膜
２６    ベースコート
２６ａ    第１ベースコート
２６ｂ    第２ベースコート
２７    透明基板
３１ａ    観測者ａ
３１ｂ    観測者ｂ
３２    導光板
３３    光源
３４    反射板
５０    透明基板
５１    第１ベースコート
５２    第２ベースコート
５３    第１蓄積容量電極およびチャネル領域
５４    ゲート絶縁膜
５５    第２蓄積容量電極ａおよびゲート電極ａ
５６    第２蓄積容量電極ｂおよびゲート電極ｂ
５７    入射光
５８    反射光
【図１】
2005292741.tif 000007
【図２】
2005292741.tif 000008
【図３】
2005292741.tif 000009
【図４】
2005292741.tif 000010
【図５】
2005292741.tif 000011
【図６】
2005292741.tif 000012
【図７】
2005292741.tif 000013
【図８】
2005292741.tif 000014
【図９】
2005292741.tif 000015