(57)【要約】【課題】  アルミニウム等の金属を腐食することなく、現像を行うことのできるレジスト現像液を提供する【解決手段】  トリアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、チアジアゾール、およびこれらの誘導体よりなる群から選択される少なくとも１種の化合物を含むレジスト現像液を用いて、半導体基板１００上に形成されたアルミニウムのパッド１０２上のレジスト１０４を所定形状にパターニングし、パッド１０２を露出させる。【選択図】  図１
2005208329.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トリアゾール、イミダゾール、チアゾール、チアジアゾール、およびこれらの誘導体よりなる群から選択される少なくとも１種の化合物を含むレジスト現像液。
【請求項２】
請求項１に記載のレジスト現像液において、
前記化合物は、ベンゾトリアゾールまたはその誘導体であるレジスト現像液。
【請求項３】
請求項１または２に記載のレジスト現像液において、
アセチレングリコール系界面活性剤をさらに含むレジスト現像液。
【請求項４】
請求項３に記載のレジスト現像液において、
前記アセチレングリコール系界面活性剤とは異なるノニオン界面活性剤をさらに含むレジスト現像液。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれかに記載のレジスト現像液において、
アミン化合物をさらに含むレジスト現像液。
【請求項６】
請求項５に記載のレジスト現像液において、
前記アミン化合物は、アミノアルコールを含むレジスト現像液。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれかに記載のレジスト現像液において、
直鎖状多価アルコールをさらに含むレジスト現像液。
【請求項８】
請求項７に記載のレジスト現像液において、
前記直鎖状多価アルコールは、２価から１０価の直鎖状アルコールであるレジスト現像液。
【請求項９】
アセチレングリコール系界面活性剤を含むレジスト現像液。
【請求項１０】
請求項９に記載のレジスト現像液において、
前記アセチレングリコール系界面活性剤とは異なるノニオン界面活性剤をさらに含むレジスト現像液。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載のレジスト現像液において、
アミン化合物をさらに含むレジスト現像液。
【請求項１２】
請求項１１に記載のレジスト現像液において、
前記アミン化合物は、アミノアルコールを含むレジスト現像液。
【請求項１３】
請求項１乃至１２いずれかに記載のレジスト現像液において、
テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド、または水酸化２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムであるアルカリ性化合物をさらに含むレジスト現像液。
【請求項１４】
金属部材が形成された半導体基板上にレジストを形成する工程と、
前記レジストに光線または電子線を照射する工程と、
前記レジストを、請求項１乃至１４いずれかに記載のレジスト現像液により現像する工程と、
を含み、
前記レジスト現像液により現像する工程において、前記レジスト現像液が前記金属部材の少なくとも一部と接する半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記レジストを形成する工程において、前記レジストを前記金属部材上に形成し、
前記レジスト現像液により現像する工程において、前記レジストで覆われた前記金属部材の少なくとも一部を露出させる半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の半導体装置の製造方法において、
前記レジストは、エポキシ樹脂組成物を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト現像液および当該レジスト現像液を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェア等の基板上にレジスト液を塗布し、露光後現像してレジストパターンを形成するリソグラフィ技術においては、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等を含むアルカリ性の現像液が用いられている（特許文献１）。
【特許文献１】特開平５−１８１２８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、このようなアルカリ性の現像液を用いてレジストパターンを形成する際に、アルミニウム等の配線やパッドが露出していると、現像液によりアルミニウムが腐食されるという問題があった。
【０００４】
本発明は上記事情を踏まえてなされたものであり、本発明の目的は、アルミニウム等の金属を腐食することなく、現像を行うことのできるレジスト現像液を提供することにある。また、本発明の目的は、アルミニウム等の金属を腐食することなく半導体装置を製造する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、トリアゾール、イミダゾール、チアゾール、チアジアゾール、およびこれらの誘導体よりなる群から選択される少なくとも１種の化合物を含むレジスト現像液が提供される。
【０００６】
このような化合物を用いることにより、アルミニウムや銅等の金属への防食性を向上させることができる。このような複素環を含むアゾール類の化合物において、複素環中の窒素のキレート作用により、金属への防食性が高まると考えられる。
【０００７】
本発明のレジスト現像液において、上記化合物は、ベンゾトリアゾールまたはその誘導体とすることができる。
【０００８】
本発明のレジスト現像液は、テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド、または水酸化２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムであるアルカリ性化合物をさらに含むことができる。
【０００９】
本発明のレジスト現像液は、アセチレングリコール系界面活性剤をさらに含むことができる。これにより、アルミニウムや銅等の金属への防食性をより向上させることができる。また、浸透力が向上して良好な現像パターンを得ることができる。
【００１０】
本発明のレジスト現像液は、アセチレングリコール系界面活性剤とは異なるノニオン界面活性剤をさらに含むことができる。これにより、レジストの溶解性を促進させることができる。
【００１１】
本発明のレジスト現像液は、アミン化合物をさらに含むことができる。これにより、レジストの溶解性を高めることができる。ここで、アミン化合物は、アミノアルコールを含むことができる。
【００１２】
本発明のレジスト現像液は、直鎖状多価アルコールをさらに含むことができる。これにより、上記化合物の溶解性を高めることができる。ここで、直鎖状多価アルコールは、２価から１０価の直鎖状アルコールとすることができる。
【００１３】
本発明によれば、アセチレングリコール系界面活性剤を含むレジスト現像液が提供される。これにより、アルミニウムや銅等の金属への防食性をより向上させることができる。また、浸透力が向上して良好な現像パターンを得ることができる。
【００１４】
本発明のレジスト現像液は、アセチレングリコール系界面活性剤とは異なるノニオン界面活性剤をさらに含むことができる。これにより、レジストの溶解性を促進させることができる。
【００１５】
本発明のレジスト現像液は、アミン化合物をさらに含むことができる。ここで、アミン化合物は、アミノアルコールを含むことができる。
【００１６】
本発明によれば、金属部材が形成された半導体基板上にレジストを形成する工程と、レジストに光線または電子線を照射する工程と、レジストを、上記いずれかのレジスト現像液により現像する工程と、を含み、レジスト現像液により現像する工程において、レジスト現像液が金属部材の少なくとも一部と接する半導体装置の製造方法が提供される。
【００１７】
本発明において、アルミニウムや銅等の金属への防食性の高いレジスト現像液を用いてレジストの現像を行うので、現像時に金属部材がレジスト現像液と接しても金属部材が腐食することなく、半導体装置を精度よく製造することができる。
【００１８】
本発明の半導体装置の製造方法において、レジストを形成する工程において、レジストを金属部材上に形成することができ、レジスト現像液により現像する工程において、レジストで覆われた金属部材の少なくとも一部を露出させることができる。
【００１９】
本発明の製造方法において、レジストは、エポキシ樹脂組成物を含むことができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、アルミニウム等の金属を腐食することなく、現像を行うことのできるレジスト現像液を提供することができる。本発明によれば、アルミニウム等の金属を腐食することなく半導体装置を製造する技術を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本実施の形態において、現像液は、アルカリ性化合物、アミン化合物、アゾール類、ノニオン系界面活性剤、および水を含む。
【００２２】
本発明の実施の形態において、アルカリ性化合物としては、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイドやテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等のテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド、または水酸化２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウム（コリン）等が例示される。
【００２３】
現像液中のアルカリ性化合物の現像液全量に対する含有量は、現像対象のレジストの種類によっても異なるが、たとえば、０．５〜２５重量％とすることができる。より好ましくは、２〜５重量％とすることができる。下限をこのような範囲とすることにより、レジストの溶解性を高めることができる。上限はとくに制限されないが、このような範囲とすることにより、レジストの溶解速度を適切に制御することができる。
【００２４】
本発明の実施の形態において、アミン化合物としては、
Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン（（Ｃ２Ｈ５）２ＮＣ２Ｈ４ＯＨ）；
Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン（（ＣＨ３）２ＮＣ２Ｈ４ＯＨ）；
Ｎ−（２−アミノエチル）エタノールアミン（ＮＨ２Ｃ２Ｈ４ＮＨＣ２Ｈ４ＯＨ）；
Ｎ−メチルジエタノールアミン（ＣＨ３Ｎ（Ｃ２Ｈ４ＯＨ）２）；
Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン（（Ｃ４Ｈ９）２ＮＣ２Ｈ４ＯＨ）；
Ｎ−メチルエタノールアミン（ＣＨ３ＮＨＣ２Ｈ４ＯＨ）；
エタノールアミン（Ｈ２ＮＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）；
ジエタノールアミン（ＮＨ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）２）；
トリエタノールアミン（Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）３）；
プロパノールアミン等が例示される。これらの化合物は単独で用いてもよく、または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２５】
現像液中のアミン化合物の現像液全量に対する含有量は、０．０１〜４０重量％とすることができる。より好ましくは、０．５〜２重量％とすることができる。下限をこのような範囲とすることにより、レジストの溶解性を高めることができる。上限はとくに制限されないが、このような範囲とすることにより、レジストの溶解速度と現像マージンを適切に制御することができる。
【００２６】
本発明の実施の形態において、アゾール類としては、下記一般式（１）で表される構造を有する環状トリアゾール、下記一般式（２）で表されるトリアゾール、下記一般式（３）で表されるチアジアゾール、下記一般式（４）で表されるベンゾチアゾール、またはイミダゾール等が例示される。これらの化合物は単独で用いてもよく、または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２７】
【化１】
2005208329.tif 000003
（Ａ１は、置換基なし、または水素原子を表す。Ａ２およびＡ３は、それぞれ独立して、置換基なし、あるいは水素原子、水酸基、炭素数１〜５のアルキル基、アミノ基、ＳＨ基、あるいは置換または未置換のフェニル基を表す。Ａ４、Ａ５、Ａ６、およびＡ７は、それぞれ独立して水素原子、水酸基、炭素数１〜５のアルキル基、アミノ基、またはＳＨ基を表す。）
【００２８】
ここで、このような環状トリアゾールの具体例としては、
１，２，３−ベンゾトリアゾール；
４，５，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ−ベンゾトリアゾール；
２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール；
２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール；
２−（３，５−ジ−ｔ−アミル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール；
２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール等が例示される。
【００２９】
【化２】
2005208329.tif 000004
（Ａ８は置換基なし、または水素原子を表す。Ａ９、Ａ１０およびＡ１１は、それぞれ独立して、置換基なし、水素原子、水酸基、炭素数１〜５のアルキル基、アミノ基、またはＳＨ基を表す。）
【００３０】
ここで、このようなトリアゾールの具体例としては、
５−アミノ−３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール；
３−アミノ−１，２，４トリアゾール；
４−アミノ−１，２，４−トリアゾール；
３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール等が例示される。
【００３１】
【化３】
2005208329.tif 000005
（Ａ１２およびＡ１３は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、炭素数１〜５のアルキル基、アミノ基、またはＳＨ基を表す。）
【００３２】
ここで、このようなチアジアゾールの具体例としては、
２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾール；
３−アミノ−１，３，４−チアジアゾール等のチアジアゾール等が例示される。
【００３３】
【化４】
2005208329.tif 000006
（Ａ１４は、水素原子、水酸基、炭素数１〜５のアルキル基、アミノ基、またはＳＨ基を表す。）
【００３４】
ここで、このようなベンゾチアゾールの具体例としては、２−メルカプトベンゾチアゾール等が例示される。
【００３５】
イミダゾールとしては、ベンゾイミダゾール等が例示される。
【００３６】
これらの中でも、現像液への溶解性を良好にするために、アルコール性水酸基を含むものを用いることが好ましい。
【００３７】
現像液中のアゾール類の現像液全量に対する含有量は、たとえば、０．０１〜１０重量％とすることができる。より好ましくは、０．５〜２重量％とすることができる。下限をこのような範囲とすることにより、現像液のアルミニウムの防食性を高めることができる。上限はとくに制限されないが、このような範囲とすることにより、現像性能を低下させることなく、アルミニウムの防食性を高めることができる。
【００３８】
本発明の実施の形態において、直鎖状多価アルコールとしては、エチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，２−ヘキサンジオール、２，４−ヘキサンジオール、１，７−ヘプタンジオール、１，８−オクタンジオール、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオール、シクロペンタン−１，２−ジオール、シクロヘキサン−１，４−ジオール、ポリエチレングリコール、ポリオキシプロピレングリコール、ポリオキシプロピレン−ポリオキシエチレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、１，２，６−ヘキサントリオール、ペンタエリスリトール、メチルグルコシド、ソルビトール、マンニトール、スクロース等が例示される。これらの化合物は単独で用いてもよく、または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３９】
現像液中の直鎖状多価アルコールの現像液全量に対する含有量は、たとえば、２〜５０重量％とすることができる。より好ましくは、５〜１５重量％とすることができる。下限をこのような範囲とすることにより、現像液のアルミニウムの防食性を高めることができる。上限はとくに制限されないが、このような範囲とすることにより、現像性能を低下させることなく、アルミニウムの防食性を高めることができる。
【００４０】
本発明の実施の形態において、ノニオン界面活性剤としては、アセチレングリコール系界面活性剤、およびアセチレングリコール系界面活性剤とは異なる活性剤を用いることができる。
【００４１】
本発明の実施の形態において、アセチレングリコール系界面活性剤としては、アセチレングリコール、アセチレングリコールのエチレンオキサイド付加物、アセチレンアルコール等が例示される。これらの化合物は単独で用いてもよく、または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４２】
現像液中のアセチレングリコール系界面活性剤の現像液全量に対する含有量は、０．０１〜１０重量％とすることが好ましい。より好ましくは、０．１〜１重量％とすることができる。下限をこのような範囲とすることにより現像液のアルミニウムの防食性を高めることができる。上限はとくに制限されないが、このような範囲とすることにより、現像性能を低下させることなく、アルミニウムの防食性を高めることができる。
【００４３】
本発明の実施の形態において、アセチレングリコール系界面活性剤とは異なるノニオン界面活性剤としては、
ポリオキシエチレンβ−ナフチルエーテルエチレンオキサイド付加物；
ポリオキシエチレンベンジルエーテルエチレンオキサイド付加物；
ポリオキシエチレンフェニルエーテルエチレンオキサイド付加物；
ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルエチレンオキサイド付加物；
ポリオキシエチレンドデシルフェニルエーテルエチレンオキサイド付加物；
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルエチレンオキサイド付加物；
ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテルエチレンオキサイド付加物；
ポリオキシエチレンイソステアリルエーテルエチレンオキサイド付加物；
ポリオキシエチレントリデシルエーテルエチレンオキサイド付加物；
ポリオキシエチレンセカンダリーアルコールエーテルエチレンオキサイド付加物；
ポリオキシエチレン合成アルコールエーテル（Ｃ１２〜Ｃ１５）エチレンオキサイド付加物；
ポリオキシエチレン−２−エチルヘキシルエーテルエチレンオキサイド付加物；
ポリオキシエチレンヤシアルコールエーテルエチレンオキサイド付加物；
ポリオキシエチレンオレイルエーテルエチレンオキサイド付加物；
ポリオキシエチレンステアリルエーテルエチレンオキサイド付加物；
ポリオキシエチレンセチルエーテルエチレンオキサイド付加物；
ポリオキシエチレンラウリルエーテルエチレンオキサイド付加物；
ポリオキシエチレンデシルエーテルエチレンオキサイド付加物等のポリオキシエチレンアルキルエーテル型エチレンオキサイド付加物が例示される。これらの化合物は単独で用いてもよく、または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４４】
現像液中のアセチレングリコール系界面活性剤とは異なるノニオン界面活性剤の現像液全量に対する含有量は、０．１〜１０重量％とすることが好ましい。より好ましくは、０．５〜１．５重量％とすることができる。下限をこのような範囲とすることにより、レジストの溶解性を高めることができる。上限はとくに制限されないが、このような範囲とすることにより、現像液の泡立ちを少なく制御することができる。
【００４５】
現像液全量に対する水の含有量は、３０〜９５重量％とすることができる。なお、本実施の形態における現像液は、水で適宜希釈して用いることもできる。本明細書中において、「現像液全量」とは、水で希釈した後の、最終的にレジストに作用させる現像液の全量のことをいう。
【００４６】
本実施の形態において、レジストは、アルカリ性化合物により現像されることが知られている種々の材料を用いることができる。レジストは、ポジ型でもネガ型でもいずれであってもよい。
【００４７】
ポジ型レジストとしては特に限定はされないが、たとえば、ノボラック樹脂、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾールとナフトキノンジアジドスルホン酸がエステル化された化合物、または、ナフトキノンジアジドスルホン酸とフェノール化合物がエステル化された化合物と、ノボラック樹脂、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール等との混合物が挙げられる。
【００４８】
ネガ型レジストとしては、特に限定はされないが、たとえば、アクリロイル基やメタクリロイル基を有する化合物と光ラジカル発生剤の混合物、エポキシ樹脂等のカチオン重合性化合物と光カチオン発生剤の混合物等が挙げられる。  
【００４９】
光ラジカル発生剤としては、特に限定はされないが、たとえば、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル等が挙げられる。
【００５０】
アクリロイル基やメタクリロイル基を有する化合物としては、特に限定はされないが、たとえば、アクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルのモノマー等が挙げられる。一例として、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ジンクジアクリレート、１，３−ブタンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、プロポキシ化ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリアクリレート、エトキシ化メチロールプロパントリアクリレート、プロポキシ化メチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロキシペンタアクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、２−（２−エトキシエトキシ）エチルアクリレート、ステアリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−フェノキシエチルアクリレート、イソデシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、トリデシルアクリレート、カプロラクトンアクリレート、エトキシ化ノニルフェノールアクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１．６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、ポリプロピレングリコールジメタクリレート、１，３−ブチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、イソデシルメタクリレート、ラウリルメタクリレート、ポリプロピレングリコールモノメタクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジメタクリレート、ウレタンアクリレート、アクリロイル基またはメタクリロイル基含有ノボラック樹脂、アクリロイル基またはメタクリロイル基含有ポリイミド前駆体等が挙げられる。
【００５１】
エポキシ樹脂としては、特に限定はされないが、一例として、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００５２】
光カチオン発生剤としては、特に限定はされないが、一例として、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、トリアリールセレノニウム塩、ジアルキルフェナシルスルホニウム塩、ジアルキル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウム塩、スルホン酸エステル、鉄−アレン化合物等が挙げられる。
【００５３】
また、これらに加えて、ゴム、フィラー、レベリング剤、カップリング剤等の添加剤が添加されていてもよい。
【００５４】
エポキシ樹脂を含むレジストとしては、たとえば以下の組成とすることができる。
エポキシ樹脂２０〜４０重量部；
アクリル変性フェノール樹脂２０〜４０重量部；
アクリル樹脂２０〜４０重量部；
光反応開始剤０．５〜１０重量部；および
フィラー（シリカ）５〜２０重量部。
【００５５】
図１および図２は、本実施の形態における半導体装置の製造工程の一例を示す図である。図１は、上面図、図２は図１のＡ−Ａ’断面図である。
まず、半導体基板１００上にアルミニウムのパッド１０２を形成する（図１（ａ）、図２（ａ））。つづいて、半導体基板１００上にスピンコートやラミネートによりレジスト１０４を形成する（図１（ｂ）、図２（ｂ））。レジスト１０４は、ポジ型でもネガ型でもいずれであってもよい。本実施の形態において、レジスト１０４がネガ型の例を示す。
【００５６】
つづいて、レジスト１０４上に所定形状の開口を有するマスク１０６を配置し、レジストに光線または電子線を照射する（図２（ｃ））。これにより、レジスト１０４の光線または電子線が照射された部分のみが架橋され、現像液に難溶となる。このようなレジスト１０４としては、たとえば、上述したようなエポキシ樹脂、アクリル変性フェノール樹脂、アクリル樹脂、光反応開始剤、およびフィラーを含む樹脂組成物を用いることができる。この場合、レジスト１０４が露光されると、露光された部分でアクリル樹脂が架橋され、その間にエポキシ樹脂およびアクリル変性フェノール樹脂が取り込まれて露光された部分が現像液に対して難溶となる。その後、本実施の形態における現像液を用いて架橋されていない部分のレジスト１０４を除去する（図１（ｃ）、図２（ｄ））。これにより、所定形状にパターニングされたレジスト１０４を形成することができる。
【００５７】
本実施の形態において、アルミニウムの防食性の高い現像液を用いてレジスト１０４の現像を行っているので、レジスト１０４の現像時にアルミニウムパッド１０２が露出するような場合でも、アルミニウムパッド１０２が現像液に腐食されることがない。これにより、半導体装置を精度よく製造することができる。
【００５８】
なお、以上の例では、レジスト１０４を半導体基板１００上に形成する例を示したが、レジスト１０４を他の層の上に形成した場合も同様に行うことができる。たとえば、図１（ｃ）に示したレジスト１０４の上にさらに別のレジスト層を形成してもよい。また、レジスト１０４を他の層の上に形成し、当該他の層のパターニングを行うマスクとしてレジスト１０４を用い、その後レジスト１０４を除去してもよい。本実施の形態におけるレジスト１０４は、このようなマスクとして用い、最終的な半導体装置に含まれない層とすることもできるし、また最終的な半導体装置に含まれる層とすることもできる。
【実施例】
【００５９】
（実施例１）
アルカリ性化合物として、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド３．３重量％；
アミン化合物として、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン１．５重量％；
アセチレングリコール系界面活性剤とは異なるノニオン界面活性剤として、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルエチレンオキサイド付加物０．９重量％；
環状トリアゾールとして、４，５，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ−ベンゾトリアゾール０．９重量％；
直鎖状多価アルコールとして、ソルビトール１０．５重量％；
水８２．９重量％；
を混合し、現像液を準備した。
【００６０】
この現像液にアルミニウム片を１０分間浸漬させ、浸漬前の重量と浸漬後の重量を測定した。その結果、重量損失は０．８％であった。
【００６１】
（実施例２）
アルカリ性化合物として、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド３．３重量％；
アミン化合物として、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン１．５重量％；
アセチレングリコール系界面活性剤とは異なるノニオン界面活性剤として、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルエチレンオキサイド付加物０．９重量％；
アセチレングリコール系界面活性剤として、アセチレングリコールのエチレンオキサイド付加物０．３重量％；
直鎖状多価アルコールとして、ソルビトール１０．５重量％；
水８３．５重量％；
を混合し、現像液を準備した。
【００６２】
この現像液にアルミニウム片を１０分間浸漬させ、浸漬前の重量と浸漬後の重量を測定した。その結果、重量損失は１％であった。
【００６３】
（実施例３）
アルカリ性化合物として、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド３．３重量％；
アミン化合物として、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン１．５重量％；
アセチレングリコール系界面活性剤とは異なるノニオン界面活性剤として、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルエチレンオキサイド付加物０．９重量％；
アセチレングリコール系界面活性剤として、アセチレングリコールのエチレンオキサイド付加物０．３重量％；
直鎖状多価アルコールとして、ソルビトール１０．５重量％；
環状トリアゾールとして、４，５，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ−ベンゾトリアゾール０．９重量％；
水８２．６重量％；
を混合し、現像液を準備した。
【００６４】
この現像液にアルミニウム片を１０分間浸漬させ、浸漬前の重量と浸漬後の重量を測定した。その結果、重量損失は０．０％であった。
【００６５】
（実施例４）
アルカリ性化合物として、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド３．３重量％；
アミン化合物として、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン１．５重量％；
アセチレングリコール系界面活性剤とは異なるノニオン界面活性剤として、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルエチレンオキサイド付加物０．９重量％；
アセチレングリコール系界面活性剤として、アセチレングリコールのエチレンオキサイド付加物０．３重量％；
直鎖状多価アルコールとして、ソルビトール１０．５重量％；
ベンゾチアゾールとして、２−メルカプトベンゾチアゾール０．９重量％；
水８２．６重量％；
を混合し、現像液を準備した。
【００６６】
この現像液にアルミニウム片を１０分間浸漬させ、浸漬前の重量と浸漬後の重量を測定した。その結果、重量損失は０．０％であった。
【００６７】
（比較例１）
３％ＴＭＡＨにアルミニウム片を４分間浸漬させ、浸漬前の重量と浸漬後の重量を測定した。その結果、重量損失は５．１％であった。
また、３％ＴＭＡＨにアルミニウム片を１０間浸漬させ、浸漬前の重量と浸漬後の重量を測定した結果、重量損失は１５．１％であった。
【００６８】
（比較例２）
アルカリ性化合物として、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド３．３重量％；
アミン化合物として、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン１．５重量％；
アセチレングリコール系界面活性剤とは異なるノニオン界面活性剤として、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルエチレンオキサイド付加物０．９重量％；
直鎖状多価アルコールとして、ソルビトール１０．５重量％；
水８３．８重量％；
を混合し、現像液を準備した。
【００６９】
この現像液にアルミニウム片を４分間浸漬させ、浸漬前の重量と浸漬後の重量を測定した。その結果、重量損失は０．５％であった。
また、この現像液にアルミニウム片を１０間浸漬させ、浸漬前の重量と浸漬後の重量を測定した結果、重量損失は１．２％であった。
【００７０】
（実施例５）
また、シリコン基板上に、以下の組成のレジストを形成し、所定パターンのマスクを用いてｉ線を露光し、実施例１〜実施例４の現像液を用いてレジストを現像した。現像は、２５℃で８０秒間行った。
エポキシ樹脂３０重量部；
アクリル変性フェノール樹脂３０重量部；
アクリル樹脂３０重量部；
光反応開始剤１重量部；および
フィラー（シリカ）９重量部。
【００７１】
その結果、いずれの場合も、良好に現像することができた。
【００７２】
（実施例６）
実施例３で用いた現像液に、銅合金の試験片（ＪＩＳ  Ｃ１１００Ｐ）を常温（２３℃）で２４時間浸漬させた結果、試験片に変色はなかった。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程の一例を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００７４】
１００  半導体基板
１０２  パッド
１０４  レジスト
１０６  マスク
【図１】
2005208329.tif 000007
【図２】
2005208329.tif 000008