(57)【要約】【課題】  ＣＭＰ等の方法に比して簡便に基板表面を平坦化することができる半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】  基板１０ａ上に半導体素子１３を形成する工程と、前記半導体素子１３が形成された基板上に樹脂膜を形成する工程とを含み、前記樹脂膜の形成工程は、未硬化樹脂を塗布する工程と、該塗布した未硬化樹脂層３０ｂに対して、型５０の平坦面を押し当てることにより、該未硬化樹脂層３０ｂの表面を平坦化する工程とを含むことを特徴とする。【選択図】  図８
2005316275.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に半導体素子を形成する工程と、
前記半導体素子が形成された基板上に樹脂膜を形成する工程とを含み、
前記樹脂膜の形成工程は、未硬化樹脂を塗布する工程と、該塗布した未硬化樹脂層に対して、型の平坦面を押し当てることにより、該未硬化樹脂層の表面を平坦化する工程とを含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１基板上に半導体素子を形成する工程は、
前記第１基板上に配線を形成して配線基板を製造する工程と、
第２基板上に半導体素子を形成して素子基板を製造する工程と、
前記第１基板と前記第２基板との間に半導体素子が挟まれるように、前記配線基板と前記素子基板とを貼り合わせる工程と、
前記半導体素子から前記第２基板を剥離する工程とを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項３】
第１基板上に半導体素子を形成する工程と、
前記半導体素子が形成された基板上に樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜上に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程とを含み、
前記樹脂膜の形成工程は、未硬化樹脂を塗布する工程と、該塗布した未硬化樹脂層に対して、型の平坦面を押し当てることにより、該未硬化樹脂層の表面を平坦化する工程とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項４】
前記未硬化樹脂層の表面を平坦化する工程において、前記型として、その平坦面上に凸部を有するものを用い、該凸部を前記未硬化樹脂層に押し当てることで、前記半導体素子と前記有機エレクトロルミネッセンス素子とを電気的に接続するためのコンタクトホールを形成することを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項５】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程は、液滴吐出法を用いた液滴吐出工程を含み、
前記未硬化樹脂層の表面を平坦化する工程において、前記型として、その平坦面上に凸部を有するものを用い、該凸部を前記未硬化樹脂層に押し当てることで、前記樹脂膜に隔壁部を形成し、
前記液滴吐出工程においては、前記隔壁部で囲まれた領域に液滴を吐出することを特徴とする請求項３又は４に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１基板上に半導体素子を形成する工程は、
前記第１基板に配線を形成して配線基板を製造する工程と、
第２基板に半導体素子を形成して素子基板を製造する工程と、
前記第１基板と前記第２基板との間に半導体素子が挟まれるように、前記配線基板と前記素子基板とを貼り合わせる工程と、
前記第２基板を前記半導体素子から剥離する工程とを有することを特徴とする請求項３ないし５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１基板上に半導体素子を形成する工程は、
前記第１基板の表面に配線側端子を有する配線基板を製造する工程と、
素子側端子を有する半導体素子を、第２基板に対し、前記素子側端子が該第２基板の表面に面するように形成して素子基板を製造する工程と、
前記第１基板のうち前記配線側端子が形成された面と、前記第２基板のうち前記半導体素子が形成された面とをそれぞれ対向させつつ、前記配線側端子が基板面内において前記半導体素子の外側に位置するように、前記配線基板と前記素子基板とを貼り合わせる工程と、
前記第２基板を前記半導体素子から剥離する工程と、
前記第２基板の剥離により剥き出しになった素子側端子と、前記半導体素子の外側に位置する配線側端子とを無電解めっきにより電気的に接続する工程とを含むことを特徴とする請求項３ないし６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項８】
請求項３ないし７のいずれか１項に記載の製造方法により得られたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項９】
請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置において、発光主体たるＥＬ素子を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等により駆動することで、パネル表示を高画質化させる技術が進んでいる。このようなＴＦＴを用いたＥＬ装置では、ＴＦＴを形成したＴＦＴ基板と、これと対向する基板との間に発光層を形成した構成のものが主とされている。
【０００３】
ここで、ＴＦＴ基板の表面には、ＴＦＴの形成に由来する凹凸が形成される場合があり、該凹凸に基づいて発光層に段差又は膜厚の不連続部が生じる惧れがある。そして、このような発光層における段差又は膜厚の不連続部の発生は、表示ムラの原因となり、表示品質低下の一因となる場合がある。そこで、例えばＴＦＴの上層に厚膜の絶縁膜を形成したり、絶縁膜の表面をＣＭＰ（化学的機械研磨）により平坦化して、上記問題を解決する技術が検討されている。
【０００４】
一方、大型パネルの実現に向けて、ＴＦＴ基板を大型化する要求があるが、該ＴＦＴ基板を大型化するには多大な設備投資が必要であるため、例えば特許文献１には、小型の基板上に形成したＴＦＴ素子を大型の配線基板上に転写する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−３８５１７９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１のように転写技術を用いた場合にも、上述のような基板表面の凹凸が問題となる場合がある。具体的には、ＴＦＴ素子を転写した場合、接着層や接続のためのバンプ等により、配線基板上の凹凸が大きくなるため、例えば上述したような厚膜の有機膜の形成による平坦化は困難であり、またＣＭＰで行う場合も設備投資が過大となる問題がある。そこで、ＥＬ素子を別基板に成膜し、配線基板に接合する方式が考えられている。
【０００６】
一方、ＥＬ素子として高分子タイプのものを用いた場合には、インクジェット法で該高分子ＥＬ材料の溶液を基板に塗布するため、着弾がずれたり、ムラになる可能があるため、バンクと呼ばれる樹脂製の土手を画素周りに設けている。以上のプロセスでは、ＥＬ素子を形成した基板と配線基板とを接合する際、数百万の画素に対してＴＦＴ素子を接続しなければならず、信頼性の確保が困難となる場合があり、またバンクの形成ではフォト工程が増え、製造に手間が掛かる場合もある。
【０００７】
本発明は、上述の問題を解決するためになされたものであって、ＣＭＰ等の方法に比して簡便に基板表面を平坦化することができる半導体基板の製造方法を提供することを目的としている。また、特に半導体基板を備える有機ＥＬ装置においてバンクや素子接続部等を形成する必要がある場合に、好適に半導体基板内面を平坦化することができる有機ＥＬ装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の半導体基板の製造方法は、第１基板上に半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子が形成された基板上に樹脂膜を形成する工程とを含み、前記樹脂膜の形成工程は、未硬化樹脂を塗布する工程と、該塗布した未硬化樹脂層に対して、型の平坦面を押し当てることにより、該未硬化樹脂層の表面を平坦化する工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
このような半導体基板の製造方法によると、基板上に形成する半導体素子の大きさ・形状等に拘らず、得られる半導体基板の表面を確実に平坦化でき、しかもその平坦化の方法が、型を用いて行うものであるため、非常に簡便で信頼性の高いものとなる。したがって、当該半導体基板を有機エレクトロルミネッセンス装置（有機ＥＬ装置）や液晶装置を構成する半導体基板として用いることで、該有機ＥＬ装置や液晶装置の信頼性が向上することとなる。また、場合によっては型の平坦面の一部に凹凸を付与することで、基板表面に所望の凹凸部を付与しつつ、該凹凸部以外の領域では確実に平坦化を実現するといった手法を提供することも可能となる。
【００１０】
上記製造方法において、前記第１基板上に半導体素子を形成する工程は、前記第１基板上に配線を形成して配線基板を製造する工程と、第２基板上に半導体素子を形成して素子基板を製造する工程と、前記第１基板と前記第２基板との間に半導体素子が挟まれるように、前記配線基板と前記素子基板とを貼り合わせる工程と、前記半導体素子から前記第２基板を剥離する工程とを有するものとすることができる。
【００１１】
このような方法によると、基板上に半導体素子を好適に形成することができるようになり、特に大型の基板（第１基板）に対しても、半導体素子を備える小型の基板（第２基板）を複数用いて容易に半導体素子を形成することができるようになる。そして、更に基板（第１基板）上に配線を形成したり、或いは該配線と半導体素子とを接続するための端子を基板（第１基板）に形成したりした場合にも、上述のように基板上に未硬化樹脂層を形成し、これを型で平坦化した樹脂膜を形成することで、当該半導体基板の表面に配線や端子に対応した凹凸が形成されることを防止ないし抑制できるようになる。したがって、上記方法により、大型でしかも表面が平坦な半導体基板を簡便且つ確実に製造することが可能となる。
【００１２】
次に、上記課題を解決するために、本発明の有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置の製造方法は、第１基板上に半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子が形成された基板上に樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程とを含み、前記樹脂膜の形成工程は、未硬化樹脂を塗布する工程と、該塗布した未硬化樹脂層に対して、型の平坦面を押し当てることにより、該未硬化樹脂層の表面を平坦化する工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】
このような有機エレクトロルミネッセンス装置（有機ＥＬ装置）の製造方法によると、基板上に形成する半導体素子の大きさ・形状等に拘らず、該基板の表面を確実に平坦化でき、その上に形成する有機ＥＬ素子においても段差が発生することなく、該素子を構成する機能層において層厚が不連続となるような不具合も生じ難いものとなる。したがって、表示ムラ等が生じ難く、表示品質の高い有機ＥＬ装置を提供することができるようになる。また、その平坦化の方法が、型を用いて行うものであるため、非常に簡便で信頼性の高いものとなる。また、場合によっては型の平坦面の一部に凹凸を付与することで、基板表面に所望の凹凸部を付与しつつ、該凹凸部以外の領域では確実に平坦化を実現するといった手法を提供することも可能となる。
【００１４】
具体的には、前記型として、その平坦面上に凸部を有するものを用い、該凸部を前記未硬化樹脂層に押し当てることで、前記半導体素子と前記有機エレクトロルミネッセンス素子とを電気的に接続するためのコンタクトホールを形成することができる。この場合、コンタクトホールの形成領域以外の樹脂膜表面は確実に平坦化され、しかも有機ＥＬ素子に電気的接続をとるために必要なコンタクトホールを、別途フォトリソグラフィ等により形成することもなく、平坦化と同時に形成することが可能となり、工程の簡便化を実現することができるようになる。
【００１５】
或いは、前記有機ＥＬ素子を形成する工程において、該有機ＥＬ素子を構成する機能層を形成するために、インクジェット装置等による液滴吐出法を用いるとともに、前記未硬化樹脂層の表面を平坦化する工程において、前記型として、その平坦面上に凸部を有するものを用い、該凸部を前記未硬化樹脂層に押し当てることで、前記樹脂膜に隔壁部を形成し、さらに前記液滴吐出工程においては、前記隔壁部で囲まれた領域に液滴を吐出するものとすることができる。この場合、隔壁部の形成により吐出された液滴が濡れ広がる不具合を解消することができるようになる。そして、隔壁部の形成領域以外の樹脂膜表面は確実に平坦化され、しかも該隔壁部は別途フォトリソグラフィ等により形成することもなく、平坦化と同時に形成することが可能なため、工程の簡便化を実現することができるようになる。
【００１６】
上記有機ＥＬ装置の製造方法において、前記第１基板上に半導体素子を形成する工程は、前記第１基板に配線を形成して配線基板を製造する工程と、第２基板に半導体素子を形成して素子基板を製造する工程と、前記第１基板と前記第２基板との間に半導体素子が挟まれるように、前記配線基板と前記素子基板とを貼り合わせる工程と、前記第２基板を前記半導体素子から剥離する工程とを有するものとすることができる。
【００１７】
このような方法によると、基板上に半導体素子を好適に形成することができるようになり、特に大型の基板（第１基板）に対しても、半導体素子を備える小型の基板（第２基板）を複数用いて容易に半導体素子を形成することができるようになる。そして、更に基板（第１基板）上に配線を形成したり、或いは該配線と半導体素子とを接続するための端子を基板（第１基板）に形成したりした場合にも、上述のように基板上に未硬化樹脂層を形成し、これを型で平坦化した樹脂膜を形成することで、当該基板の表面に配線や端子に対応した凹凸が形成されることを防止ないし抑制できるようになる。したがって、上記方法により、大型でしかも表面が平坦な基板を簡便且つ確実に製造することが可能となり、ひいては有機ＥＬ素子における段差発生ないし膜厚不均一化を防止ないし抑制することができるようになる。
【００１８】
また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記第１基板上に半導体素子を形成する工程は、前記第１基板の表面に配線側端子を有する配線基板を製造する工程と、素子側端子を有する半導体素子を、第２基板に対し、前記素子側端子が該第２基板の表面に面するように形成して素子基板を製造する工程と、前記第１基板のうち前記配線側端子が形成された面と、前記第２基板のうち前記半導体素子が形成された面とをそれぞれ対向させつつ、前記配線側端子が基板面内において前記半導体素子の外側に位置するように、前記配線基板と前記素子基板とを貼り合わせる工程と、前記第２基板を前記半導体素子から剥離する工程と、前記第２基板の剥離により剥き出しになった素子側端子と、前記半導体素子の外側に位置する配線側端子とを無電解めっきにより電気的に接続する工程とを含むものとすることができる。
【００１９】
このような製造方法によると、配線側端子が上方（貼り合わせ面側）を向き、且つ素子側端子が上方（貼り合わせ面の反対側）を向くように半導体素子を配線基板に転写した後、それぞれ上方を向いた配線側端子と素子側端子の間で無電解めっきにより電気的に接続をとるものとしているため、接続のために加熱加圧量を高めて素子を破損、損傷させるような不具合を伴うことなく、導通性を一層高めることが可能となる。また、各端子間の接続部が上方を向いているため、外観、触針式検査方法等による接続状況の確認を容易に行うことができるようになる。さらに、仮に接続不良が生じた場合にも、接続部が上方を向いているため、その修復作業も簡易なものとなる。
【００２０】
なお、前記配線基板の形成工程において、複数の配線側端子にて構成される端子群を形成し、前記貼合せの工程において、前記端子群の面内内側領域を貼合せ面として、該内側領域に接着剤を塗布し、該接着剤を介して前記配線基板と前記素子基板とを貼り合わせるものとすることができる。このような貼合せを行うことで、該貼合せの強度を高めることができ、しかも配線側端子の端子群の内側領域に接着剤を塗布するものとしているため、該配線側端子が接着剤により被覆されることも防止ないし抑制され、その結果、素子側端子との接続性を良好に保つことが可能となる。なお、ここで言う配線側端子の端子群の内側領域とは、素子基板が貼り合わされる領域、つまり素子基板との貼合せ面を形成する領域のことであって、具体的には複数の配線側端子にて構成される端子群を環状に構成し、その環状の内側領域に接着剤を塗布するものとすることができ、該環状の内側領域を貼合せ面とすることができる。
【００２１】
また、前記端子同士を電気的に接続する工程において、両端子からめっき成長させて接続を行うものとすることができる。このような方法によると、接続工程の処理時間を短縮することができるとともに、配線側端子と素子側端子の両方から析出しためっきが繋がることで電気的接続が行われるため、両者の接続性（導通性）を高めることが可能となる。
【００２２】
また、前記端子同士を電気的に接続する工程の前に、前記半導体素子の周りに位置する配線側端子の外側に、めっきの外側への広がりを規制するための絶縁壁を形成することができる。このように絶縁壁を形成することで、めっきを十分に析出させることができ、更なる導通性の向上を図ることができるようになる。例えば、配線側端子と素子側端子との距離が設計通りでなくても（つまり、転写位置がずれたとしても）、導通性を良好に確保することができるようになる。
【００２３】
次に、上記課題を解決するために、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記製造方法により得られたことを特徴とし、さらに本発明の電子機器は、該有機エレクトロルミネッセンス装置を例えば表示部等に備えたことを特徴とする。このような有機エレクトロルミネッセンス装置或いは電子機器は、表示ムラ等が生じ難く非常に信頼性に優れたものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２５】
（有機ＥＬ装置の第１実施形態）
まず、図１は本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置（有機ＥＬ装置）の一実施形態について、その要部構成を示す断面模式図である。本実施の形態の有機ＥＬ装置１は、半導体基板３上に有機ＥＬ素子２９を備えた構成を具備している。
【００２６】
半導体基板３は、主にガラス基板１０ａと、該ガラス基板１０ａ上に形成された所定形状の配線パターン１１と、有機ＥＬ素子（発光機能素子）２１を駆動させるＴＦＴ（駆動素子）１３と、ＴＦＴ１３と配線パターン１１とを電気的に接続する端子１４と、有機ＥＬ素子２１と配線パターン１１とを電気的に接続する端子１５と、層間絶縁膜１６と、樹脂膜３０によって構成されている。ここで、端子１４は、ＴＦＴのパターンに応じて形成されるものであり、無電解メッキ処理によって形成されたバンプより構成されてなり、またＴＦＴ１３は端子１４に対して導電性ペースト１７を介して接続されている。なお、導電性ペースト１７は、異方性導電粒子（ＡＣＰ）を含むものである。
【００２７】
また、半導体基板３に設けられた樹脂膜３０は、ＴＦＴ１３や端子１５等を覆う形にて形成され、当該半導体基板３の内面を平坦化する機能を有している。また、樹脂膜３０には、コンタクトホール（導通用貫通孔）３０ａが形成されており、該コンタクトホール３０ａ内に形成されたバンプ（導通部）３２によりＴＦＴ１３と有機ＥＬ素子２９とが電気的に接続されている。
【００２８】
有機ＥＬ素子２９は、半導体基板３に形成されたＴＦＴ１３と電気的に接続されてなる陽極２１と、正孔注入／輸送層２２と、発光層２３と、電子注入／輸送層２４と、陰極２５とを含んで構成されており、陽極２１で発生した正孔と陰極２５で発生した電子が発光層２３で結合することで、発光が生じるようになっている。なお、このような有機ＥＬ素子２９の詳細な構造は、公知技術が採用される。
【００２９】
更に、有機ＥＬ素子２９は封止剤２６によって封止され、該封止剤２６上にはカバーガラス２０が形成されている。また、有機ＥＬ素子２９は画素構成を有しており、１つの画素の周りには、該画素を取り囲む形にて隔壁部たるバンク２７が形成されている。バンク２７は、有機ＥＬ素子２９をインクジェット法にて形成する際に必要な部材であって、例えばアクリル樹脂等にて構成されている。
【００３０】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、図１に示す有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。本実施の形態の有機ＥＬ装置１の製造方法は、半導体基板３を製造した後、有機ＥＬ素子２９を形成し、さらにこれを封止剤２６にて封止するとともにカバーガラス２０を被覆させるものである。以下、順を追って説明する。
【００３１】
（１．半導体基板の製造工程）
半導体基板３の製造工程においては、ＴＦＴ１３を備える素子基板４０（図２参照）を製造し、さらに配線パターン１１を有する配線基板１０（図３参照）を製造した後、素子基板４０のＴＦＴ１３を配線基板１０に転写する方法を採用している。
【００３２】
（１−１．素子基板の製造工程）
まず、図２を参照して、基礎基板（第１基板）４０ａ上にＴＦＴ１３を形成して素子基板４０を製造する工程について説明する。なお、ＴＦＴ１３の製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、詳細な説明を省略し、剥離層４１の形成について詳しく説明することとする。
【００３３】
はじめに、図２に示したような基礎基板４０ａを用意する。ここで、素子基板４０の土台となる基礎基板４０ａは、有機ＥＬ装置１の構成要素ではなく、ＴＦＴ製造工程と、貼り合わせ及び転写工程にのみに用いられる部材である。
【００３４】
基礎基板４０ａとしては、１０００℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板が好ましい。また、基礎基板４０ａの厚さには、大きな制限要素はないが、０．１ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることがより好ましい。基礎基板４０ａの厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると基台の透過率が低い場合に照射光の減衰を招くからである。
【００３５】
そして、基礎基板４０ａ上に剥離層４１を形成する。剥離層４１は、レーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう）が生ずる材料からなるものである。即ち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション（ablation）等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層４１に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層４１が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
【００３６】
剥離層４１の組成としては、例えば、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）が採用され、また、当該非晶質シリコン中に水素（Ｈ）が含有されていてもよい。水素が含有されていると、光の照射により、水素が放出されることにより剥離層２に内圧が発生し、これが剥離を促進するので好ましい。この場合の水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２〜２０％ａｔ％であることが更に好ましい。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。この他の剥離層材料としては、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料（光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの）、金属、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、ＧｄもしくはＳｍ、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
【００３７】
剥離層４１の厚さとしては、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍ程度であるのが更に好ましい。剥離層４１の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じるからであり、剥離層４１の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、また、剥離後に残された剥離層４１の残渣を除去するのに時間を要したりする。
【００３８】
剥離層４１の具体的な形成方法は、均一な厚みで剥離層４１を形成可能な方法であればよく、剥離層４１の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等に適用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。
【００３９】
特に剥離層４１の組成が非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。また、剥離層４１をゾル−ゲル法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
【００４０】
そして、剥離層４１上に所定パターンのＴＦＴ１３を公知の技術により形成し、目的の素子基板４０を得るものとしている。
【００４１】
（１−２．配線基板の製造工程）
次に、図３に示す配線基板１０の製造工程について説明する。
まず、図３に示すようなガラス基板１０ａを用意し、該ガラス基板１０ａ上に配線パターン１１を形成する。配線パターン１１の形成方法としては、フォトリソフィ法等の公知技術が採用される。また、金属微粒子を溶剤に分散させた分散液を液滴吐出法（インクジェット法）を用いてガラス基板１０ａ上に形成してもよい。このような配線パターン１１を構成する材料としては、低抵抗材料を採用するのが好ましく、ＡｌやＡｌ合金（Ａｌ・Ｃｕ合金等）を用いることが好ましい。
【００４２】
なお、ガラス基板１０ａの表面には、下地絶縁膜として酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）等を形成してもよい。また、図３では、配線パターン１１が１層のみ形成された構造について説明しているが、２層や３層構造であってもよい。また、配線材料は、ＡｌやＡｌ合金のみに限定することなく、Ａｌ等の低抵抗金属をＴｉやＴｉ化合物によって積層させたサンドイッチ構造でもよい。このようにすれば、Ａｌ配線に対するバリア性を高めることができる。
【００４３】
次に、配線パターン１１上に樹脂絶縁膜１６を形成する。樹脂絶縁膜１６は、アクリル樹脂によって形成されることが好ましく、スピンコート法等の液相法を用いることにより高精度な平坦性が得られた層間絶縁膜１６を形成することができる。更に、マスクを介した露光やフォトリソグラフィ法によって層間絶縁膜１６に端子１４及び端子１５を形成するための開口部を該層間絶縁膜１６に形成する。
【００４４】
次に、無電解メッキ法を用いて端子１４を形成する。まず、メッキ成長させるため、上記層間絶縁膜１６に形成された開口部から剥き出しとなった配線パターン１１（以下、パッドとも言う）表面の濡れ性向上、及び残さを除去するために、フッ酸と硫酸を含有した水溶液中に含浸する。
その後、水酸化ナトリウムを含むアルカリ性水溶液に加温した中に浸漬し、表面の酸化膜を除去する。その後、ＺｎＯを含有したジンケート液中に浸漬してパッド表面をＺｎに置換する。その後、硝酸水溶液に浸漬し、Ｚｎを剥離し、再度ジンケート浴中に浸漬し、緻密なＺｎ粒子をＡｌ表面に析出させる。
その後、無電解Ｎｉメッキ浴に浸漬し、Ｎｉメッキを形成する。メッキ高さは２μｍ〜１０μｍ程度析出させる。ここで、メッキ浴は次亜リン酸を還元剤とした浴であるため、リン（Ｐ）が共析する。最後に置換Ａｕメッキ浴中に浸漬し、Ｎｉ表面をＡｕにする。Ａｕは０．０５μｍ〜０．３μｍ程度に形成する。Ａｕ浴はシアンフリータイプを用いて浸漬を行う。
【００４５】
このようにしてパッド上にＮｉ−Ａｕバンプ（端子１４）が形成される。また、Ｎｉ−Ａｕバンプ上に、半田やＰｂフリー半田を、例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系等の半田をスクリーン印刷やディッピング等で形成してバンプとしてもよい。なお、各化学処理の間には、水洗処理を行う。水洗槽はオーバーフロー構造あるいはＱＤＲ機構を有しており、最下面からＮ２バブリングを行う。バブリング方法は、テフロン（登録商標）のチューブ等に穴を開け、Ｎ２を出す方法や、焼結体等を通じてＮ２を出す。以上の工程により、短時間で十分効果のあるリンスを行うことができる。
【００４６】
次に、端子１５を形成する。ここでは、公知の成膜方法が用いられる。例えば、気相法を用いる場合には、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等、半導体製造工程で用いられる種々の方法が挙げられる。
また、液相法を用いて端子１５を形成してもよい。この場合、金属微粒子と溶媒とを混合させた分散液を材料液体として採用する。具体的な液相法としては、スピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレー法、ロールコート法、カーテンコート法、印刷法、液滴吐出法等が挙げられる。
このような一連の工程を経て、図３に示す配線基板１０を得るものとしている。
【００４７】
（１−３．ＴＦＴの転写工程）
次に、図４から図６を参照しつつ、上記の配線基板３と素子基板４０とを貼り合わせて、ＴＦＴ１３を配線基板１０に転写し、半導体基板３を得る方法について説明する。
【００４８】
図４に示すように、素子基板４０のうちＴＦＴ１３側を配線基板１０に指向させ、且つＴＦＴ１３と端子１４との間に異方性導電粒子（ＡＣＰ）を含有する導電性ペースト１７を介在させて、素子基板４０と配線基板１０とを貼り合わせる。
【００４９】
次に、図５に示すように、導電性ペースト１７が塗布された部分のみを局所的に、且つ基礎基板４０の裏面側（ＴＦＴ非形成面）から、レーザ光ＬＡを照射する。これにより、剥離層４１の原子や分子の結合が弱まり、また、剥離層４１内の水素が分子化し、結晶の結合から分離され、即ち、ＴＦＴ１３と基礎基板４０ａとの結合力が完全になくなり、レーザ光ＬＡが照射された領域において、ＴＦＴ１３から基礎基板４０ａを容易に取り外すことが可能となる。
【００５０】
次に、図６に示すように、基礎基板４０ａを貼合せ状態から剥離することで、基礎基板４０ａ上からＴＦＴ１３が除去されると共に、当該ＴＦＴ１３が配線基板１０に転写される。なお、ＴＦＴ１３の端子は、上記の端子１４及び導電性ペースト１７を介して、配線パターン１１に接続されている。
【００５１】
以上のような転写工程を経て、図６に示すようにガラス基板１０ａ上にＴＦＴ１３が形成された構成の配線基板１０を得る。
【００５２】
（１−４．樹脂膜の形成工程）
次に、図７から図９を参照して、樹脂膜３０の形成方法について説明する。
まず、図７に示すように、配線基板１０の全面に、つまりＴＦＴ１３や端子１５を完全に覆うよう未硬化の樹脂層３０ｂを塗布する。未硬化樹脂材料としては、光硬化型の樹脂、或いは熱硬化型の樹脂のいずれであっても良く、本実施の形態では光硬化型のアクリル樹脂を採用している。なお、樹脂層３０ｂの塗布法としては、スピンコート法等の液相法を採用している。
【００５３】
樹脂層３０ｂを形成した後、樹脂層３０ｂの上方から図８に示すような型体５０を押し付けることによって樹脂層３０ｂの表面を平坦化する。ここで型体５０とは、樹脂層３０ｂに所定の表面形状を付与するための型（表面型）が形成されたものを意味するものであり、例えばガラスなどの紫外線透過材料で構成されている。具体的には、コンタクトホール３０ａを形成するための凸部５０ａと、凹部（その凹底面は平坦面となっている）５０ｂが形成されたものである。なお、樹脂層３０ｂを構成する材料が熱硬化型の樹脂である場合には、型体５０をＮｉ電鋳等で形成することができる。
【００５４】
このような型体５０を樹脂層３０ｂに押圧することによってコンタクトホール３０ａに相当する凸部５０ａが樹脂層３０ｂの表面から樹脂層３０ｂの底面まで達し、そして、型体５０を樹脂層３０ｂから抜くことにより凸部形状を樹脂層３０ｂに転写させることができる。これによって、樹脂層３０ｂにコンタクトホール３０ａを形成しつつ、凹部５０ｂの有する凹底面に対応した平坦面を付与することが可能となる。ここで、型体５０の凸部５０ａは、樹脂層３０ｂの厚さを基板面内で一定の厚さにするための位置決めの機能も担っている。
【００５５】
なお、型体５０の表面（少なくとも樹脂層３０ｂと接する面）に撥水処理等を施すことで、樹脂層３０ｂからの剥離を容易にすることができる。また、型体５０が好適に剥離（抜き出し）できるように、凸部５０ａの側面にテーパが形成されていてもよい。さらに、回転可能なローラに巻回されたベルトに型体５０を取り付けて、ローラの回転に伴ってベルトを走査し、そして型体５０を環状に移動させながら、かつ、半導体基板３をコンベア等によって移動させながら、型体５０を樹脂層３０ｂに押圧させてよい。この場合、連続的に型体５０を移動させながら、型体５０を樹脂層３０ｂに押し付けることができるので、半導体基板３の大量生産が可能となる。
【００５６】
以上のような平坦化処理後、加熱処理（ベーキング）を施して、樹脂層３０ｂを仮硬化させ、更に、マスクが形成された状態でＵＶ露光を行って本硬化を行い、マスクを剥離し、現像を行うことで、図９に示すようにコンタクトホール３０ａを備える樹脂膜３０が形成される。
【００５７】
次に、図１０に示すようにバンプ３２を形成する。
本実施形態のバンプ３２は、無電解メッキ法を用いることによって形成される。バンプ３２は、先に記載した無電解メッキ法による端子１４の製造工程と同じ工程によって形成される。なお、無電解メッキ法以外にも、銀ペーストをコンタクトホール３０ａ内に塗布する方法が挙げられる。
この方法においては、コンタクトホール３０ａ内に銀ペーストが収納されるので、後述する半導体基板３と有機ＥＬ基板４との貼り合わせ工程において銀ペーストの変形が生じることなく、バンプ３２を形成することが可能となる。また、銀ペーストを塗布する方法以外にも、半田をコンタクトホール３０ａに設ける方法を用いてもよく、この場合でも半導体基板３と有機ＥＬ基板４とを良好に導通させることが可能となる。
【００５８】
以上のような工程を経て、図１０に示したような半導体基板３を得るものとしている。
【００５９】
（２．有機ＥＬ素子の形成工程及び封止工程）
有機ＥＬ素子２９の形成工程は、公知のインクジェット法を用いて行っている。
簡単に説明すると、まず半導体基板３上にＩＴＯ等の陽極２１を所定パターンで形成した後、アクリル樹脂からなるバンク２７を所定パターンにて形成する。そして、バンク２７の表面に撥液処理を施す一方、陽極２１の表面に親液処理を施す。その後、バンク２７で囲まれた領域に正孔注入／輸送層２２と、発光層２３と、電子注入／輸送層２４とをインクジェット法で形成する。そして、電子注入／輸送層２４及びバンク２７の全面を覆う形にてＡｌ等の陰極２５を形成するとともに、これを封止剤２６にて封止し、さらにカバーガラス２０を形成して、図１に示した有機ＥＬ装置１を得るものとしている。
【００６０】
なお、陽極２１を構成する材料（ＩＴＯ等）をコンタクトホール３０ａに沿ったビア形状とすることで、バンプ３２を省略することができる。また、バンク２７はバンプ３２を覆う形にて形成することが好ましい。バンプ３２を覆うことで、陰極と陽極との間に配設される有機ＥＬ素子２９にピンホールができて短絡が生じる不具合を回避することができるようになる。
【００６１】
また、本実施形態では、高分子タイプのＥＬ素子を用いた場合について説明したが、例えばマスクスパッタにより成膜する低分子タイプのＥＬ素子を用いても良い。この場合、バンク形成、バンクの撥液処理、陽極の親液処理は不要となる。
【００６２】
（有機ＥＬ装置の第２実施形態）
次に、図１１を参照し、有機ＥＬ装置の第２実施形態について説明する。
図１１に示した有機ＥＬ装置１００は、図１の有機ＥＬ装置１とは異なり、有機ＥＬ素子２９の形成面を平坦化する樹脂膜３００により、バンク２７０を一体形成している。つまり、バンク２７０が、樹脂膜３００と同一材料にて連続的に（材料組成が不連続となる部分を有さず）形成されており、樹脂膜３００を型体により平坦化する際にコンタクトホール３０ａと同時に形成されるものである。
【００６３】
具体的には、図１２に示すような型体５００を用いて樹脂層３００ｂの平坦化、コンタクトホール３０ａの形成、バンク２７０の形成を行っている。型体５００は、バンク２７０を形成するための凹部５０ｃと、平坦面を形成するための第１凸部５０ｂと、該第１凸部５０ｂから突出してなりコンタクトホール３０ａを形成するための第２凸部５０ａとを有している。このような方法により、別途バンクを形成するための工程を省略することができ、当該有機ＥＬ装置の製造工程を簡略化することができるようになる。
【００６４】
なお、本実施形態では、バンプ３２の表面が樹脂膜３００の表面よりも低い位置になるように該バンプ３２が形成されている。つまり、バンプ３２がコンタクトホール３０ａの開口部から突出しない形にて、言い換えるとコンタクトホール３０ａの内部に入り込んだ形にて形成されている。
【００６５】
（有機ＥＬ装置の第３実施形態）
次に、図１３を参照し、有機ＥＬ装置の第３実施形態について説明する。
図１３に示した有機ＥＬ装置１０１は、端子１４とＴＦＴ１３とを接続する構成が、図１の有機ＥＬ装置１とは異なっている。具体的には、ＴＦＴ１３側の端子と、配線パターン１１側の端子１４とが、めっきにより形成した導通部７０に電気的に接続されている。しかも、ＴＦＴ１３側の端子の表面と配線パターン１１側の端子１４の表面とが共に上方（有機ＥＬ素子２９側）を向く形にて接続されている。
【００６６】
このような構成によると、各端子間の導通部（接続部）７０が上方を向いているため、つまり図１の有機ＥＬ装置１のように導通部（接続部）がＴＦＴ１３にて覆われていないため、外観、触針式検査方法等による接続状況の確認を容易に行うことができるようになる。
【００６７】
以下、図１３に示した有機ＥＬ装置１０１の製造工程のうち、半導体基板３の製造工程について説明する。
まず、本実施の形態の半導体基板３の製造工程においては、ＴＦＴ１３の形成方法として、配線パターン１１を形成した基板（配線基板１０（図１４参照））に対してＴＦＴ１３を転写させる方法を採用している。つまり、端子１４を有する配線基板１０（図１４参照）に対して、ＴＦＴ１３を有する素子基板２００（図１５参照）を貼り合わせ、該ＴＦＴ１３を配線基板１０（図１４参照）側に転写させることで、半導体基板３を得ている。そこで、これら配線基板１０（図１４参照）と素子基板２００（図１５参照）の製造工程を説明した後に、これら配線基板１０（図１４参照）と素子基板２００（図１５参照）との貼合せ工程、及びＴＦＴ１３の転写工程等について、順を追って説明する。
【００６８】
図１４は、配線基板１０の構成を示す平面図（図１４（ａ））及びそのＡ−Ａ’断面図（図１４（ｂ））であり、図１５は、素子基板２００の構成を示す平面図（図３（ａ））及びそのＢ−Ｂ’断面図（図３（ｂ））である。また、図１６〜図１７は、各基板１０，２００の貼合せ工程ないしＴＦＴ１３の転写工程を断面にて示す図、図１８〜図１９は、図１６〜図１７で示した貼合せ工程ないし転写工程を平面にて示す図である。
【００６９】
（１．配線基板の製造工程）
まず、図１４に示した配線基板１０の製造工程について説明する。
はじめに、ガラス基板（第１基板）１０ａを用意する。ガラス基板１０ａとしては、石英ガラス、ソーダガラス等からなる透光性耐熱基板が好ましい。そして、このガラス基板１０ａの表面にＣＶＤ（化学的気相成長）法を用いて酸化シリコン膜（図示略）を形成した後、該酸化シリコン膜上に配線パターン１１を形成する。
【００７０】
次に、配線パターン１１上に樹脂絶縁膜（図示略）を形成した後、該樹脂絶縁膜の一部を除去することにより開口部を形成し、配線パターン１１の露出部を形成する。そして、開口部をＴＦＴ接続部１４とする。以上の工程により、図１４に示した配線基板１０を得ることができる。
【００７１】
なお、端子１４は、所定のパターンにて形成するものとし、具体的には図１４（ａ）に示すように複数の端子１４が平面視矩形環状の接続部群（端子群）を構成し、該接続部群の内側領域に貼合せ領域１３ａを有する形にて形成されている。
【００７２】
ここでは、端子１４は、１チップ（１つのＴＦＴ１３）あたり１０個形成され、その配置は図１４に示すように、５×２列の配置とされている。また、端子１４の大きさは５〜３０μｍ×５〜３０μｍとし、端子１４，１４間のスペースは、１０〜２５μｍとした。
【００７３】
（２．素子基板の製造工程）
次に、図１５に示した素子基板２００の製造工程について説明する。
はじめに、ガラス基板（第２基板）２０ａを用意する。ガラス基板２０ａとしては、石英ガラス、ソーダガラス等からなる透光性耐熱基板が好ましい。そして、このガラス基板２０ａの表面にＴＦＴ１３を形成する。ＴＦＴ１３の製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、説明を省略する。なお、ここではＴＦＴ１３の接続端子６１がガラス基板２０ａの直上に位置するように、つまりＴＦＴ１３の接続端子６１がガラス基板２０ａの表面に面するように、該ＴＦＴ１３を公知の高温プロセス技術にて形成するものとしている。
【００７４】
なお、ガラス基板２０ａのＴＦＴ１３が形成された表面には、剥離層４１が形成されている。剥離層４１は、レーザ光等の照射により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう）が生ずる材料からなる。即ち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション（ablation）等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層４１に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層４１が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
【００７５】
剥離層４１の組成としては、ここでは非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）が採用され、また、当該非晶質シリコン中に水素（Ｈ）が含有されていてもよい。水素が含有されていると、光の照射により、水素が放出されることにより剥離層４１に内圧が発生し、これが剥離を促進するので好ましい。この場合の水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２〜２０ａｔ％であることが更に好ましい。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。この他の剥離層材料としては、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料（光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの）、金属、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、ＧｄもしくはＳｍ、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
【００７６】
剥離層４１の厚さとしては、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍ程度であるのが更に好ましい。剥離層４１の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じるからであり、剥離層４１の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、また、剥離後に残された剥離層４１の残渣を除去するのに時間を要したりする。
【００７７】
剥離層４１の形成方法は、均一な厚みで剥離層４１を形成可能な方法であればよく、剥離層４１の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気めっき、浸漬めっき（ディッピング）、無電解めっき法等の各種めっき法、ラングミュア・ブロジェット（ＬＢ）法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等が適用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。
【００７８】
特に剥離層４１の組成が非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。また、剥離層４１をゾル−ゲル法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
【００７９】
（３．貼り合わせ工程）
次に、以上のような方法により製造した配線基板１０と素子基板２００の貼り合わせを行う。ここでは、まず、図１６（ａ）及び図１８（ａ）に示したように、配線基板１０のガラス基板１０ａ上であって、複数の端子１４にて構成される接続部群の内側領域（貼合せ領域）１３ａに接着剤５１を塗布する。接着剤５１の塗布方法は、例えばディスペンス法、フォトリソグラフィ法、或いはインクジェット装置を用いた液滴吐出法等にて行うことができる。
【００８０】
接着剤５１の塗布部分は、ガラス基板１０ａの端子１４が形成された領域を避けた位置であり、後述するＴＦＴ１３を貼り合わせた際に、接着剤５１が該端子１４へ流れて濡れ広がらない位置としている。また、接着剤５１の塗布量は、同じく端子１４へ流れて濡れ広がらない程度の量としている。
【００８１】
なお、接着剤５１の塗布は、素子基板２００側にも行うことができ、さらには配線基板１０及び素子基板２００の双方に行うものとしても良い。また、接着剤５１の塗布形状は、平面視角形状や円形状の他、点や線を散在させたものであっても良い。接着剤５１としては熱可塑性樹脂のほか、光硬化型樹脂を用いても良く、さらに接着剤５１中にフィラーや粒子を含有させたものを用いても良い。
【００８２】
次に、塗布した接着剤５１を介して、配線基板１０と素子基板２００とを貼り合わせる。具体的には、図１６（ｂ）及び図１８（ｂ）に示したように、配線基板１０側のガラス基板１０ａのうち端子１４が形成された面と、素子基板２００側のガラス基板２０ａのうち接続端子６１が形成された面とをそれぞれ対向させつつ各基板１０，２００を貼り合わせるものとしている。したがって、ＴＦＴ１３が配線基板１０の表面に当接されることとなる。また、特に端子１４が基板面内においてＴＦＴ１３の外側に位置するように、つまり貼合せ領域１３ａ内にＴＦＴ１３が位置するように貼り合わせを行うものとしている。
【００８３】
（４．転写工程）
次に、ガラス基板２０ａ側に形成されたＴＦＴ１３をガラス基板１０ａ側（配線基板１０側）に転写するために、ガラス基板２０ａの剥離を行う。具体的には、図１６（ｃ）に示すように、ガラス基板２０ａの裏面側（素子基板２００のＴＦＴ１３が形成されていない側の面）から、レーザ光Ｌを照射する。これにより、剥離層４１の原子や分子の結合が弱まり、また、剥離層４１内の水素が分子化し、結晶の結合から分離され、即ち、ＴＦＴ１３とガラス基板２０ａとの結合力が完全になくなり、レーザ光Ｌが照射された部分のガラス基板２０ａとＴＦＴ１３との結合（接着）を容易に取り外すことが可能となる。
【００８４】
以上のようなレーザ光照射により、ＴＦＴ１３からガラス基板２０ａを剥離することで、図１７（ａ）及び図１９（ａ）に示したように、ＴＦＴ１３が配線基板１０に転写される。そして、同図に示したように、配線基板１０の端子１４の表面と、素子基板２００の端子６１の表面とが、それぞれ同方向（上方向）を指向する形にて配置されるようになる。
【００８５】
（５．端子の接続工程）
以上の転写を行った後、各端子１４，６１間の電気的接続を行う。ここでは、無電解めっき処理法を用いて接続するものとしている。まず、各端子１４，６１の表面の濡れ性向上、及び残さを除去するために処理液に浸漬する。本実施形態では、フッ酸が０．０１％〜０．１％、及び硫酸が０．０１％〜０．１％含有した水溶液中に１分〜５分間含浸する。あるいは０．１％〜１０％の水酸化ナトリウム等のアルカリベースの水溶液に１分〜１０分浸漬してもよい。
【００８６】
次に、水酸化ナトリウムベースでｐＨが９〜１３のアルカリ性水溶液を２０℃〜６０℃に加温した中に１秒〜５分間浸漬し、表面の酸化膜を除去する。あるいは５％〜３０％硝酸をベースとしたｐＨ１〜３の酸性水溶液を２０℃〜６０℃に加温した中に１秒〜５分間浸漬してもよい。
さらに、ＺｎＯを含有したｐＨ１１〜１３のジンケート液中に１秒〜２分間浸漬し、端子表面をＺｎに置換する。その後、５％〜３０％の硝酸水溶液に１秒〜６０秒浸漬し、Ｚｎを剥離する。そして、再度ジンケート浴中に１秒〜２分浸漬し、緻密なＺｎ粒子をＡｌ表面に析出させる。その後、無電解Ｎｉめっき浴に浸漬し、Ｎｉめっきを形成する。
めっき高さは２μｍ〜１０μｍ程度析出させる。めっき浴は次亜リン酸を還元剤とした浴であり、ｐＨ４〜５、浴温８０℃〜９５℃である。
【００８７】
このような工程においては、次亜リン酸浴を行うので、リン（Ｐ）が共析する。めっき金属は、配線基板３の端子１４及びＴＦＴ１３の接続端子６１の双方から等方成長するため、双方の端子１４，６１にて成長しためっき金属が各端子の高さギャップの半分の厚さまで成長することにより接合する。なお、接続面積を増やすために、接合後もある程度めっきを継続するものとしている。
【００８８】
全ての端子１４，６１同士が接続されたら、最後に置換Ａｕめっき浴中に浸漬し、Ｎｉ表面をＡｕにする。Ａｕは０．０５μｍ〜０．３μｍ程度に形成する。Ａｕ浴はシアンフリータイプを用い、ｐＨ６〜８、浴温５０℃〜８０℃で、１分〜３０分間の浸漬を行う。このようにして、双方の接続端子１４，６１上にＮｉ−Ａｕめっきバンプを形成する。
【００８９】
以上により、図１７（ｂ）及び図１９（ｂ）に示すように、双方の接続端子１４，６１は、無電解めっきによって成長したバンプ７１，７２によって互いに電気的に接続され、配線基板１０上に半導体素子たるＴＦＴ１３が実装された半導体基板３を得ることができる。
【００９０】
このように、本実施の形態では、各端子１４，６１がそれぞれ上方を向くようにＴＦＴ１３を配線基板１０に転写した後、それぞれ上方を向いた端子１４，６１間で無電解めっきにより電気的に接続をとるものとしているため、外観、触針式検査方法等による接続状況の確認を容易に行うことができるようになる。さらに、仮に接続不良が生じた場合にも、接続部が上方を向いているため、その修復作業も簡易なものとなる。
【００９１】
以下、半導体基板３上に図１３に示したようなコンタクトホール３０ａを有する樹脂膜３０を形成し、該コンタクトホール３０ａにバンプ３２を形成するとともに、図１の有機ＥＬ装置１と同様の方法により有機ＥＬ素子２９、封止剤２６及びカバーガラス２０を形成して、有機ＥＬ装置１０１を得るものとしている。
【００９２】
（電子機器）
次に、上記有機ＥＬ装置を備えた電子機器の例について、図２０を用いて説明する。図２０は、携帯電話の斜視図である。上記有機ＥＬ装置は、携帯電話３０００の筐体内部に配置されている。そして、この携帯電話３０００からなる電子機器によれば、安価で信頼性の高い有機ＥＬ装置を備えた電子機器とすることができる。
【００９３】
なお、上記の方法で形成した有機ＥＬ装置は、携帯電話以外にも種々の電子機器に適用することができる。例えば、パーソナルコンピュータ用モニタ、ワードプロセッサ用モニタ、テレビ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置などの電子機器に適用することが可能である。
【００９４】
なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の有機ＥＬ装置の第１実施形態の要部構成を示す断面図。
【図２】図１の有機ＥＬ装置を製造するための素子基板の構成を示す断面図。
【図３】図１の有機ＥＬ装置を製造するための配線基板の構成を示す断面図。
【図４】ＴＦＴの転写工程の態様を示す断面図。
【図５】レーザ光照射の工程を説明するための断面図。
【図６】基板の剥離工程を説明するための断面図。
【図７】樹脂膜の形成工程を説明するための断面図。
【図８】樹脂膜の形成工程を説明するための断面図。
【図９】樹脂膜の形成工程を説明するための断面図。
【図１０】バンプの形成工程を説明するための断面図。
【図１１】本発明の有機ＥＬ装置の第２実施形態の要部構成を示す断面図。
【図１２】図１１の有機ＥＬ装置の半導体基板の製造工程を説明するための断面図。
【図１３】本発明の有機ＥＬ装置の第３実施形態の要部構成を示す断面図。
【図１４】半導体基板の概略構成を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図１５】素子基板の概略構成を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図１６】半導体基板の製造工程を断面にて示す説明図。
【図１７】半導体基板の製造工程を断面にて示す説明図。
【図１８】半導体基板の製造工程を平面にて示す説明図。
【図１９】半導体基板の製造工程を平面にて示す説明図。
【図２０】本発明の電子機器の一実施形態を示す斜視図。
【符号の説明】
【００９６】
１…有機ＥＬ装置、１０ａ…ガラス基板、１３…ＴＦＴ（半導体素子）、３０…樹脂膜、３０ｂ…樹脂層（未硬化樹脂層）、５０…型体（型）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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