(57)【要約】【課題】  粉砕法による粉末を用いた場合であっても、樹脂との混合物の流動性を確保することのできる誘電体セラミックス粉末を提供する。【解決手段】  比表面積が９ｍ2／ｃｍ3以下、格子歪が０．２以下であることを特徴とする誘電体セラミックス粉末は、比表面積及び格子歪を上記のように規制することにより、誘電体セラミックス粉末が粉砕法による不定形粒子から構成される場合であっても、樹脂との混合物の流動性を確保するとともに、複合誘電体材料として高い誘電特性を得ることができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
比表面積が９ｍ2／ｃｍ3以下、格子歪が０．２以下であることを特徴とする誘電体セラミックス粉末。
【請求項２】
前記誘電体セラミックス粉末は、粉砕法による不定形粒子によって構成されることを特徴とする請求項１に記載の誘電体セラミックス粉末。
【請求項３】
前記誘電体セラミックス粉末の最大粒径が１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の誘電体セラミックス粉末。
【請求項４】
前記誘電体セラミックス粉末が複合ペロブスカイト系セラミックスであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の誘電体セラミックス粉末。
【請求項５】
前記複合ペロブスカイト系セラミックスが、（Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ3系セラミックス又は（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ3系セラミックスであることを特徴とする請求項４に記載の誘電体セラミックス粉末。
【請求項６】
誘電体セラミックス粉末の製造方法であって、
原料組成物を所定温度で所定時間保持して焼成物を得る焼成工程と、
前記焼成物を粉砕する粉砕工程と、を備え、
前記焼成工程及び前記粉砕工程を２回以上繰返すことを特徴とする誘電体セラミックス粉末の製造方法。
【請求項７】
前記原料組成物は、原料粉末を仮焼きして得た仮焼き組成物であることを特徴とする請求項６に記載の誘電体セラミックス粉末の製造方法。
【請求項８】
前記焼成物の粉砕は気流粉砕機により行うことを特徴とする請求項６又は７に記載の誘電体セラミックス粉末の製造方法。
【請求項９】
前記粉砕工程で得られた粉砕粉末を８００〜１１００℃の温度範囲で熱処理することを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の誘電体セラミックス粉末の製造方法。
【請求項１０】
比表面積が９ｍ2／ｃｍ3以下、格子歪が０．２以下である誘電体セラミックス粉末と、
前記誘電体セラミックス粉末が分散される樹脂と、
を備えることを特徴とする複合誘電体材料。
【請求項１１】
前記誘電体セラミックス粉末は、粉砕法による不定形粒子によって構成されることを特徴とする請求項１０に記載の複合誘電体材料。
【請求項１２】
前記誘電体セラミックス粉末の最大粒径が１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の複合誘電体材料。
【請求項１３】
前記誘電体セラミックス粉末が複合ペロブスカイト系セラミックスであることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の複合誘電体材料。
【請求項１４】
前記複合ペロブスカイト系セラミックスが（Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ3系セラミックス又は（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ3系セラミックスであることを特徴とする請求項１３に記載の複合誘電体材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体セラミックス粉末に関し、特に樹脂とともに複合基板を形成して高い特性を示すことのできる誘電体セラミックス粉末に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信機の小型化、軽量化、高速化が強く望まれている。その中で、デジタル携帯電話等の携帯移動体通信、衛星通信に使用される電波の周波数帯域はメガからギガＨｚ帯（以下、「ＧＨｚ帯」という）の高周波帯域のものが使用されている。使用される通信機器の急速な発展の中で、匡体および基板、電子素子の小型高密度実装化が図られているが、高周波帯域に対応した通信機器の小型化、軽量化をより一層推進するためには、通信機器に使用される基板等の材料はＧＨｚ帯において高周波伝送特性が優れた（誘電損失が小さい）ものでなければならない。ここで、誘電損失は周波数と基板の誘電率εと誘電正接（以下ｔａｎδと記載する）の積に比例する。よって、誘電損失を小さくするためには基板のｔａｎδを小さくしなければならない。また、基板中では電磁波の波長が１／（ε）0.5に短縮されるため、誘電率εが大きい程基板の小型化が可能である。以上のことから高周波帯域で使用される小型の通信機器、電子機器、情報機器に用いる回路基板としては、誘電率εが高く、かつＱ値が大きいことが要求されている。
【０００３】
このような回路基板の材料としては、無機材料としての誘電体材料、有機材料としてフッ素樹脂等が用いられている。ところが、誘電体材料からなる基板は、誘電率ε、Ｑ値の特性は優れているが寸法精度、加工性に難点があり、脆いため欠けや割れが生じやすいという問題点があった。他方、樹脂等の有機材料からなる基板は、成形性及び加工性に優れＱ値も大きいという利点はあるが、誘電率εが小さいという問題があった。このため、近年、両者の利点を有する基板を得るため、例えば特許文献１（特許第２６１７６３９号公報）において有機材料と無機材料の複合体として樹脂材料中に誘電体材料を混合してなる複合基板が提案されている。
【０００４】
こうした複合基板の登場に伴い、樹脂材料に対する分散性、充填性に優れた誘電体材料が要求されている。樹脂材料に対する分散性、充填性を確保するための一つの要素として、粉末の粒径がある。例えば、沈殿法のように液相から製造された粉末は微細すぎて樹脂材料に対する分散性、充填性を確保することができない。また、樹脂材料に対する分散性、充填性を確保するための他の要素として、粒子の形態がある。なお、本願明細書中において、粉末とは粒子の集合体を意味しており、粒子の集合体として粉末と呼ぶのが適当と判断される場合には「粉末」といい、粉末を構成する単位としての「粒子」と呼ぶのが適当と判断される場合には粒子ということにする。しかし、その基本単位が共通であるから、その実態に差異がない場合があることは言うまでもない。したがって、「粉末」および「粒子」のいずれの表現を用いることができる場合がある。
本願出願人は、以上の観点から、特許文献２（特開２００３−１５１３５２号公報）において、樹脂材料中に分散される誘電体セラミックス粉末を、粒子の球状度が０．８２〜１であり、かつ粉末の１０％径と９０％径の比が３０以下である球状の誘電体セラミックス粉末とすることを提案している。粒子の球状度を０．８２〜１と、真球により近い状態とすることにより、誘電体材料の樹脂材料に対する分散性、充填性が著しく向上し、高周波特性に優れた複合誘電体材料を得ることができる。また、誘電体セラミックス粉末粒度の分布が狭く、球状度が高い誘電体セラミックス粉末を用いることにより、基板パターンのエッジにも樹脂材料と誘電体セラミックス粉末との混合物、すなわち複合誘電体材料を充填することができることを開示している。
【０００５】
【特許文献１】特許第２６１７６３９号公報
【特許文献２】特開２００３−１５１３５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献２に開示された誘電体セラミックス粉末は、顆粒粉末を燃焼炎フレーム中に供給して作製される。供給された顆粒粉末は、燃焼炎フレーム中に所定時間だけ滞留する間に溶融し、球状粒子を構成する。誘電体セラミックス粉末の作製方法としては、以上の他に粉砕法がある。この粉砕法は、概略、原料を焼成した後に気流粉砕機等の粉砕機によって微粉砕して粉砕粉末を得るというものである。粉砕法による粉末は、粒子の形態が不定形なため、樹脂材料と混合された際に混合物の流動性を害することが懸念されている。複合誘電体基板は、誘電体セラミックス粉末と樹脂の混合物からなるシートを加熱しながらプレス成形される。このプレス成形時に混合物（樹脂）に十分な流動性がないと電気回路パターンの隙間に混合物（樹脂）が流れ込まなくなり、正確な電気回路パターンを形成できないおそれがある。
【０００７】
本発明は、このような技術的課題に基づいてなされたもので、粉砕法による粉末を用いた場合であっても、樹脂との混合物の流動性を確保することのできる誘電体セラミックス粉末を提供することを目的とする。また本発明は、樹脂との混合物の流動性を確保することのできる誘電体セラミックス粉末を得るための誘電体セラミックス粉末の製造方法を提供することを課題とする。さらに本発明の誘電体セラミックス粉末は、そのような誘電体セラミックス粉末を用いた樹脂との複合誘電体材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
誘電体セラミックス粉末と樹脂との混合物の流動性について検討した。ここで、複合誘電体基板に用いる樹脂は通常熱硬化性樹脂を用いている。誘電体セラミックス粉末と熱硬化性樹脂からなる混合物は、室温から温度を上げていくと熱硬化性樹脂の部分は粘度が低下する。粘度はある温度まで単調に低下するが、樹脂の硬化温度に達すると粘度は増大に転じる。流動性は、熱硬化の過程における最低の粘度（最低溶融粘度）で評価した。その結果、粉末の比表面積が最低溶融粘度に影響を与えることを知見した。
一方で、混合物の流動性を確保できたとしても、誘電特性（誘電率ε、Ｑ値）が劣化したのでは意味がない。同一組成の誘電体セラミックス粉末であっても、その格子歪の値によって誘電特性、特にＱ値が劣化することを知見した。
【０００９】
本発明は以上の知見に基づくものであり、比表面積が９ｍ2／ｃｍ3以下、格子歪が０．２以下であることを特徴とする誘電体セラミックス粉末である。比表面積及び格子歪を上記のように規制することにより、誘電体セラミックス粉末が粉砕法による不定形粒子から構成される場合であっても、樹脂との混合物の流動性を確保するとともに、複合誘電体材料として高い誘電特性を得ることができる。
本発明の誘電体セラミックス粉末は、その最大粒径を１０μｍ以下とすることが望ましい。誘電体複合基板の厚さが薄い場合には、粒径の大きな粒子が存在すると表面粗度が粗くなるおそれがあるからである。
本発明に適用する誘電体セラミックス粉末としては、複合ペロブスカイト系セラミックスが望ましく、その中でも（Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ3系セラミックス又は（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ3系セラミックスであることが望ましい。他の組成に比べて、高い誘電率（ε）を得ることができるからである。
【００１０】
本発明はまた、原料組成物を所定温度で所定時間保持して焼成物を得る焼成工程と、焼成物を粉砕する粉砕工程と、を備え、焼成工程及び粉砕工程を２回以上繰返すことを特徴とする誘電体セラミックス粉末の製造方法を提供する。焼成工程及び粉砕工程を２回以上繰返すことによって、焼成工程及び粉砕工程を１回しか行わない場合に比表面積及び格子歪が上記の範囲外のものを、本発明の範囲内に制御することができる。なお、焼成に供される原料組成物としては、原料粉末を仮焼きした仮焼き組成物であることが一般的である。ただし、焼成が仮焼きを兼ねるような場合には、焼成に供される原料組成物は原料粉末となる。
本発明の誘電体セラミックス粉末の製造方法において、粉砕は気流粉砕機を用いて行うのが望ましい。
また、本発明の誘電体セラミックス粉末の製造方法において、粉砕工程で得られた粉砕粉末を８００〜１１００℃の温度範囲で熱処理することが望ましい。誘電特性向上のためである。この粉砕工程は、焼成工程及び粉砕工程を２回以上繰返したときの、最後の粉砕工程の後に行うのが望ましい。
【００１１】
また本発明は、本発明による誘電体粉末を用いた複合誘電体材料を提供する。この複合誘電体材料は比表面積が９ｍ2／ｃｍ3以下、格子歪が０．２以下である誘電体セラミックス粉末と、誘電体セラミックス粉末が分散される樹脂と、を備えることを特徴とする。
この誘電体セラミックス粉末は、粉砕法による不定形粒子によって構成することができ、このような不定形粒子であっても、本発明の複合誘電体材料は流動性を確保することができる。
誘電体セラミックス粉末は最大粒径が１０μｍ以下であることが望ましい。粒径が大きすぎると、厚さの薄い基板を作製するのが困難になるからである。
誘電体セラミックス粉末は、前述したように、複合ペロブスカイト系セラミックスが望ましく、その中でも（Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ3系セラミックス又は（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ3系セラミックスであることが望ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の誘電体セラミックス粉末によれば、樹脂との混合物の流動性を確保することにより基板の成形性に優れ、かつ複合誘電体基板として高い特性を得ることのできる誘電体セラミックス粉末を得ることができる。
本発明の誘電体セラミックス粉末の製造方法によれば、焼成工程及び粉砕工程を１回しか行わない場合に比表面積及び格子歪が上記の範囲外のものを、本発明の範囲内に制御することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
本発明の誘電体セラミックス粉末は、比表面積（ＳＳＡ）が９ｍ2／ｃｍ3以下である。前述したように、誘電体セラミックス粉末の比表面積は、樹脂との混合物の最低溶融粘度に影響を及ぼす。溶融粘度が低く流動性が高いほど、基板成形に有利だからである。本発明者等の検討によると、最低溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以下であることが、基板作製にとって望ましい。ところが、後述する実施例に示すように、比表面積が９ｍ2／ｃｍ3を超えると最低溶融粘度が５００Ｐａ・ｓを超えてしまうため、本発明の誘電体セラミックス粉末はその比表面積を９ｍ2／ｃｍ3以下とする。本発明における誘電体セラミックス粉末の望ましい比表面積は８．５ｍ2／ｃｍ3以下、さらに望ましい比表面積は８ｍ2／ｃｍ3以下である。
なお、本発明における比表面積は、密度の異なる粒子同士の比較を行うために下記式（１）に基づいて単位体積あたりの値に換算している。
ＳＳＡ（ｍ2／ｃｍ3）＝ＳＳＡ（ｍ2／ｇ）×ρ（ｇ／ｃｍ3）…（１）
ＳＳＡ（ｍ2／ｇ）：ＢＥＴ法により測定した粒子の比表面積
ρ：比重ビンを用いて測定した粒子の密度
【００１４】
本発明の誘電体セラミックス粉末の格子歪は０．２以下である。格子歪は複合材料としてのＱ値に影響を与え、格子歪が０．２を超えるとＱ値が３００未満と低くなる。本発明における誘電体セラミックス粉末の望ましい格子歪は０．１８以下、さらに望ましい格子歪は０．１６以下である。
本発明における格子歪はＨａｌｌの方法、つまり下記式（２）に基づいて求めるものとする。
βｃｏｓθ／λ＝２η（ｓｉｎθ／λ）＋Ｋ／Ｄ…（２）
β：積分幅、θ：回折線のブラッグ角、η：格子歪、Ｄ：結晶子サイズ、Ｋ：Schrrer定数、
λ：Ｘ線波長（ＣｕＫα1、１．５４０５６Å）
式（２）においてηは、図１に示すように粉末Ｘ線回折パターンからピーク位置（２θ）とピークの積分幅（β）を求め、さらに図２のグラフのようにプロットして得た直線の傾きを２で割って求める。
なお、測定条件は下記のとおりである。
装置：ＲＩＮＴ２５００（株式会社リガク製）
電流−電圧：５０ｋＶ−３００ｍＡ、２θ：２０〜８０°、スキャン速度：１°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．００２°、発散スリット：１／２°、散乱スリット：１／２°
受光スリット：開放
【００１５】
また、本発明の誘電体セラミックス粉末は、最大粒径を１０μｍ以下とすることが望ましい。樹脂とともに形成する複合基板の厚さが４０μｍ程度の場合に、その厚さに対して粒径が大きすぎるために１０μｍ以下とする。望ましい最大粒径は８μｍ以下、さらに望ましい最大粒径は６μｍ以下である。
【００１６】
本発明の誘電体セラミックス粉末を構成するセラミックスとしては、アルミナ系セラミックス、Ｂａ−Ｎｄ−Ｔｉ系セラミックス、Ｂａ−Ｓｍ−Ｔｉ系セラミックス、チタン酸バリウム−錫系セラミックス、鉛−カルシウム系セラミックス、二酸化チタン系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミックス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミックス、チタン酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネシウム系セラミックス等が挙げられる。さらに、ＣａＷＯ4系セラミックス、（Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ3系セラミックス、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ3系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ3系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ3系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ3系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ3系セラミックスも挙げられる。この中では、（Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ3系セラミックス、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ3系セラミックスを用いることが望ましい。
【００１７】
本発明の誘電体セラミックス粉末は、原料粉末を焼成した後に粉砕して作製することができる。例えば、最終組成になるように秤量された原料粉末を混合した後に仮焼きを行い、仮焼き組成物に対して添加物を添加して粉砕し、さらに粉砕粉末を焼成し、得られた焼成物を粉砕することにより得ることができる。なお、前述したように、焼成が仮焼きを兼ねる場合には、原料粉末を上記焼成に供することになる。この際、比表面積及び格子歪を本発明の範囲内とするためには、この製造工程中で条件を制御する必要がある。以下、この点について言及する。
【００１８】
はじめに、焼成温度が高い場合には、比表面積及び格子歪がともに大きくなる傾向にある。後述する実施例に示すように、焼成温度を１３００℃とした場合には比表面積が９ｍ2／ｃｍ3を超え、かつ格子歪が０．２を超えるため、焼成温度は１３００℃以下とすることが望ましい。
また、添加物を含めた組成によっては、焼成温度を１３００℃以下とした場合であっても、比表面積を９ｍ2／ｃｍ3以下、かつ格子歪を０．２以下とすることができない場合がある。その場合は、焼成、粉砕の工程を繰返すことが有効である。はじめの焼成、粉砕後には比表面積が９ｍ2／ｃｍ3を超え、かつ格子歪が０．２を超えている場合であっても、焼成、粉砕を再度繰返すことにより、比表面積を９ｍ2／ｃｍ3以下、かつ格子歪を０．２以下にすることができる。後述する実施例に示すように、焼成、粉砕を繰返す回数は２回で十分であるが、３回以上繰返してもよいことは言うまでもない。
なお、繰返される焼成、粉砕の条件は一致していても異なっていてもよい。例えば、１回目の焼成を１１００℃で４時間保持した場合に、粉砕後の２回目の焼成を１１００℃で４時間としてもよいし、１１５０℃で３時間としてもよい。また、粉砕についても同様であり、１回目と２回目の粉砕手法を変えることができるし、粉砕時間を変えることもできる。
【００１９】
粉砕には種々の粉砕機を用いることができるが、比表面積を９ｍ2／ｃｍ3以下とし、さらに最大粒径を１０μｍ以下とするためには、粉砕機を選定することが望ましい。粉砕された粉末の粒径は均一ではなく、相対的に微細な粉末が得られる。この微細な粉末がさらに粉砕されると、比表面積は大きくなってしまう。したがって、このように微細な粉末が繰り返し粉砕されてしまう粉砕機、例えばボールミルの使用を本発明では避けるべきである。本発明では気流粉砕機を用いることが望ましい。気流粉砕機は一般に分級機能を備えており、微細な粉末の過剰な粉砕を抑制することができるため、比表面積を９ｍ2／ｃｍ3以下、さらに最大粒径を１０μｍ以下の誘電体セラミックス粉末を得ることが容易である。これに対して、ボールミルを使用すると、比表面積を９ｍ2／ｃｍ3以下にすると最大粒径は１０μｍを超え、逆に最大粒径を１０μｍ以下にすると比表面積は９ｍ2／ｃｍ3を超えてしまう。
【００２０】
粉砕が終了した後に、粉砕粉末を８００〜１２００℃の温度範囲で熱処理することが誘電特性向上のため望ましい。加熱温度が８００℃未満では歪み低減の効果が小さく誘電特性向上が不十分であり、また１２００℃を超えると粒子同士の焼結が進行し、流動性を低下させる。
以上は本発明における製造方法の特徴的な事項であるが、製造方法に拘わる他の事項は常法に従えばよい。
【００２１】
次に、本発明の複合誘電体材料について説明する。
本発明の複合誘電体材料において、誘電体セラミックス粉末と樹脂との合計を１００ｖｏｌ％としたとき、誘電体セラミックス粉末の含有量は３０〜７０ｖｏｌ％とする。誘電体セラミックス粉末の量が３０ｖｏｌ％未満になる（樹脂の量が７０ｖｏｌ％を超える）と、基板としての寸法安定性を欠くとともに、誘電率εが低下してしまう。つまり、誘電体セラミックス粉末を含有する効果があまりみられない。一方、誘電体セラミックス粉末の量が７０ｖｏｌ％を超える（樹脂の量が３０ｖｏｌ％未満になる）と、プレス成形の際、流動性が非常に悪くなり、緻密な成形物が得られなくなる。その結果、強度の低下、水等の侵入が容易になり電気特性の劣化につながる。また、誘電体セラミックス粉末を添加しない場合に比べて、Ｑ値が大きく低下することもある。よって、誘電体セラミックス粉末の含有量は３０〜７０ｖｏｌ％とする。望ましい誘電体セラミックス粉末の含有量は３０〜５０ｖｏｌ％、さらに望ましい誘電体セラミックス粉末の含有量は３５〜４５ｖｏｌ％である。
【００２２】
また、本発明の複合誘電体材料に用いる樹脂としては、ポリオレフィン系樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン（シアネートエステル）樹脂、ポリフェニレンエーテル（オキサイド）樹脂、フマレート樹脂、ポリブタジエン樹脂、ビニルベンジル樹脂、のうちいずれか１種以上の熱硬化性樹脂を用いることができる。または、芳香族ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンサルファイド樹脂、ポリエチルエーテルケトン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリアリレート樹脂、グラフト樹脂のうち少なくとも１種以上の熱可塑性樹脂を用いることができる。さらに前記熱硬化性樹脂のうちの少なくとも1種以上と前記熱可塑性樹脂の少なくとも1種以上とを複合させた樹脂を用いることもできる。
【００２３】
本発明における樹脂には、補強材を添加することができる。補強材は機械的強度や寸法安定性を向上させる上で有効であり、回路用基板を作製するにあたっては、通常、所定量の補強材が樹脂に添加される。補強材としては、繊維状または板状あるいは粒状などの非繊維状の補強材を挙げることができる。繊維状の補強材としては、ガラス繊維、アルミナ繊維、硼酸アルミニウム繊維、セラミック繊維、炭化珪素繊維、アスベスト繊維、石膏繊維、黄銅繊維、ステンレス繊維、スチール繊維、金属繊維、ホウ酸マグネシウムウィスカまたはその繊維、チタン酸カリウムウィスカまたはその繊維、酸化亜鉛ウィスカ、ボロンウィスカ繊維等の無機繊維および炭素繊維、芳香族ポリアミド繊維、アラミド繊維、ポリイミド繊維などが挙げられる。繊維状の補強材を用いる場合には、特開２００１−１８７８３１号公報等に記載の、いわゆる含浸方法を採用することができる。要するに、誘電体セラミックス粉末と樹脂とがスラリー状に調整された塗工槽に、シート状に成形した繊維状の補強材を浸漬すればよい。
【００２４】
また、非繊維状の補強材としては、ワラステナイト、セリサイト、カオリン、マイカ、クレー、ベントナイト、アスベスト、タルク、アルミナシリケート、パイロフィライト、モンモリロナイト等の珪酸塩、二硫化モリブデン、アルミナ、塩化珪素、酸化ジルコニウム、酸化鉄、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ドロマイトなどの炭酸塩、硫酸カルシウム、硫酸バリウムなどの硫酸塩、ポリリン酸カルシウム、グラファイト、ガラスビーズ、ガラスマイクロバルーン、ガラスフレーク、窒化ホウ素、炭化珪素およびシリカなどの針状、板状、あるいは粒状の補強材などが挙げられ、これらは中空であってもよい。非繊維状の補強材を用いる場合には、樹脂に添加すればよい。
【００２５】
これらの補強材は、１種だけ用いてもよく、２種類以上併用することが可能であり、必要によりシラン系ならびにチタン系カップリング剤で予備処理して使用することができる。特に好ましい補強材は、ガラス繊維である。ガラス繊維の種類は、一般に樹脂の強化用に用いられるものなら特に限定はなく、例えば長繊維タイプや短繊維タイプのチョップドストランド、チョップドストランドマット、連続長繊維マット、織物、編物等の布帛状ガラス、ミルドファイバーなどから選択して用いることができる。
複合誘電体材料中の補強材の含有量は、１０〜３０ｗｔ％の範囲であることが好ましい。より好ましくは１５〜２５ｗｔ％である。
【００２６】
本発明の複合誘電体材料は、フィルムとして、あるいはバルク状や所定形状の成形体で、そしてフィルム状のラミネーション、など種々の形態で用いることができる。したがって高周波用の電子機器や電子部品に用いることができる。また、ＣＰＵ用オンボード基板にも用いることができる。
【００２７】
本発明の複合誘電体材料およびこれらを用いた基板は、ＧＨｚ帯域においても好適に使用することができ、周波数帯域が２ＧＨｚの場合において１２以上の誘電率ε、および３００以上のＱ値を有することができる。
【実施例１】
【００２８】
以下本発明の実施例について説明する。
ＳｒＣＯ3粉末、ＣａＣＯ3粉末、ＢａＣＯ3粉末及びＴｉＯ2粉末を、焼成後に表１に示す主組成となるように秤量し、湿式ボールミルにて１６時間だけ混合、粉砕した。次いで、混合された原料粉末を１２００℃で２時間保持する仮焼を行った。次に、得られた仮焼き組成物に表１に示す添加物を添加した後に、湿式ボールミルにて１６時間だけ粉砕を行った。得られた粉砕粉末を表１に示す各温度で焼成を行った後に、目開き１ｍｍのメッシュを通過するまで乳鉢を用いて粗粉砕し、次いで表１に示すように気流粉砕機又は乾式ボールミルで微粉砕を行った。ここで、表１の「焼成＋粉砕回数」の欄が１の例は焼成、粗粉砕、微粉砕を１回のみ行った例である。また、当該欄が２の例は焼成、粗粉砕、微粉砕を行った後に、再度焼成、粗粉砕、微粉砕を行った、つまり焼成、粗粉砕、微粉砕を２回繰返した例である。さらに、当該欄が３の例は焼成、粗粉砕、微粉砕を３回繰返した例である。なお、主組成以外の添加物を添加しない表１のＮｏ．５は仮焼を行わず、湿式ボールミルによる混合の後に焼成を行った。また、表１のＮｏ．１７〜２０については、粉砕終了後に熱処理（最終熱処理）を行った。この熱処理は焼成と粉砕を複数回繰返す場合には、その繰り返しが終了してから行った。
【００２９】
【表１】
2005174711.tif 000002
【００３０】
次に、以上で得られた誘電体セラミックス粉末について表２に示す粉体特性を測定した。また、得られた誘電体セラミックス粉末をビニルベンジル樹脂に対して体積比で４０％添加した後に、最低熔融粘度を測定した。さらに、誘電体セラミックス粉末とビニルベンジル樹脂とからなる複合誘電体材料について、誘電率（ε）及びＱ値を求めた。なお、測定周波数は２ＧＨｚである。以上の結果を表２にまとめて示す。
【００３１】
【表２】
2005174711.tif 000003
【００３２】
表１及び表２のＮｏ．１〜５を参照すると、同一の組成を有していても焼成温度が高くなると比表面積が９ｍ2／ｃｍ3を超え、かつ格子歪も０．２を超えて本発明の範囲外の粉末となることがある。
表１及び表２のＮｏ．６、７と他の例を比較すると、ボールミルを用いて粉砕を行うと最大粒径が大きいにもかかわらず、比表面積が９ｍ2／ｃｍ3を超える大きな値を示す。これに対して気流粉砕機を用いると、比表面積を９ｍ2／ｃｍ3以下に制御するのが容易であることがわかる。
次に、Ｎｏ．８〜１０、Ｎｏ．１１〜１３及びＮｏ．１４〜１６を参照すると、焼成＋粉砕の回数が１回のときに比表面積が９ｍ2／ｃｍ3を超え、かつ格子歪が０．２を超えているにもかかわらず、焼成＋粉砕を繰返すことにより、比表面積が９ｍ2／ｃｍ3以下、かつ格子歪を０．２以下とすることができる。
【００３３】
次に、表２より、比表面積が９ｍ2／ｃｍ3を超えると最低熔融粘度が５００Ｐａ・ｓを超えてしまい、誘電体セラミックス粉末と樹脂の混合物の流動性に支障がでる。また、格子歪が０．２を超えると、誘電特性、特にＱ値が３００未満に低下する。
粉砕後に行う熱処理（表１では最終熱処理と記している）を行うと、格子歪が低減される結果、誘電特性が向上する。その効果は８００℃以上での熱処理で顕著となる。したがって、熱処理を行う場合には８００℃以上の温度を採用すべきである。
本発明に従った誘電体セラミックス粉末を使用した複合誘電体材料は、１２以上の誘電率ε、３００以上のＱ値と優れた誘電特性を有している。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本実施の形態における格子歪を求める際のＸ線回折パターンである。
【図２】本実施の形態における格子歪の求める際に用いるグラフである。
【図１】
2005174711.tif 000004
【図２】
2005174711.tif 000005