(57)【要約】【課題】簡単な構造を有し、簡単に製造することができ、電子出力構造素子によって発生される損失熱の極めて良好な導出を可能にする、冒頭に記載された種類の電子ユニットを取得する。【解決手段】アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる小板状の担体を備え、この小板状の担体上にセラミック基板が接着されており、このセラミック基板には導体路が備えられ、この導体路上に電子出力構造素子が配置されている電子ユニットの場合に、アルミニウム珪素合金からなるフィルム３が担体１とセラミック基板４との間に配置され、熱処理で化学的に担体１およびセラミック基板４と結合されている。【選択図】図１
2005197688.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる小板状の担体を備え、この小板状の担体上にセラミック基板が接着されており、このセラミック基板には導体路が備えられ、この導体路上に電子出力構造素子が配置されている電子ユニットにおいて、アルミニウム珪素合金からなるフィルム（３）が担体（１）とセラミック基板（４）との間に配置され、熱処理で化学的に担体（１）およびセラミック基板（４）と結合されていることを特徴とする、電子ユニット。
【請求項２】
フィルム（３）が約５μｍ〜７０μｍ、殊に１０μｍ〜５０μｍの厚さを有する、請求項１記載の電子ユニット。
【請求項３】
担体（１）がセラミック基板（４）の厚さの数倍の厚さに相当する厚さを有する、請求項１または２記載の電子ユニット。
【請求項４】
担体（１）がセラミック基板（４）の厚さの約１０倍の厚さを有する、請求項３記載の電子ユニット。
【請求項５】
担体（１）がセラミック基板（４）から離れた側に冷却リブ（２）を有する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の電子ユニット。
【請求項６】
セラミック基板（４）が約０．１〜１．５ｍｍ、殊に０．２５ｍｍ〜１．０ｍｍの厚さを有する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の電子ユニット。
【請求項７】
セラミック基板（４）上に導体路および／または絶縁層および／または抵抗体が厚膜技術、殊に厚膜ハイブリッド技術で施こされている、請求項１から６までのいずれか１項に記載の電子ユニット。
【請求項８】
電子構造部品がリフローイング法または気相法で導体路上にハンダ付けされている、請求項７記載の電子ユニット。
【請求項９】
導体路がセラミック基板上に薄膜技術で施こされている、請求項１から６までのいずれか１項に記載の電子ユニット。
【請求項１０】
導体路が銅膜としてセラミック基板上に施こされている、請求項１から６までのいずれか１項に記載の電子ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる小板状の担体を備え、この小板状の担体上にセラミック基板が接着されており、このセラミック基板には導体路が備えられ、この導体路上に電子出力構造素子が配置されている電子ユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電子ユニットを自動車電子工学で使用する場合には、この電子ユニットは、高い環境温度に耐えなければならず、電子出力構造素子の損失熱を十分に導出しなければならない。この場合には、熱伝導性接着剤がセラミック基板と担体との接着のために使用される。
【０００３】
電子出力構造素子によって発生される熱を十分に熱放散のために担体上で放出させるためには、電子出力構造素子の出力密度が増加し、損失出力が高くなるので、公知の熱伝導性接着剤の熱伝導率ではもはや不十分である。これは、電子出力構造素子の過負荷、ひいては高い故障率をまねく。
【０００４】
この事実を回避させるために、数多くの出力構造素子が同時に接続されるかまたは構造的に費用のかかる冷却手段が採用される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、簡単な構造を有し、簡単に製造することができ、電子出力構造素子によって発生される損失熱の極めて良好な導出を可能にする、冒頭に記載された種類の電子ユニットを取得することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この課題は、本発明によれば、アルミニウム珪素合金からなるフィルムが担体とセラミック基板との間に配置され、熱処理で化学的に担体およびセラミック基板と結合されていることによって解決される。
【０００７】
２つの接合部分での化学結合は、有利に保護ガス雰囲気下で熱処理によって生じ、機械的に安定性であり、極めて良好に熱伝導性である。公知の構造と比較して熱抵抗の半分を生じる前記の良好な熱導出によって、電子出力構造素子の寿命は、著しく高められる。更に、よりいっそう小型の出力構造素子、ひいてはよりいっそう安価な出力構造素子が使用されてもよいし、出力構造素子の必要とされる数は、減少されてもよく、この事実は、電子ユニットのコンパクトな構造を生じる。
【０００８】
フィルムは、約５μｍ〜７０μｍ、殊に１０μｍ〜５０μｍの厚さを有することができる。
【０００９】
それによって、セラミック基板および担体の許容差は、良好に解消されうる。
【００１０】
良好な熱導出のために、担体は、セラミック基板の数倍の厚さに相当する厚さを有し、この場合担体は、有利にセラミック基板の約１０倍の厚さを有する。
【００１１】
更に、熱導出の改善のために、担体は、セラミック基板から離れた側に冷却リブを有することができる。
【００１２】
電子出力構造素子から担体上への良好な熱移動は、できるだけ薄手のセラミック基板によって達成され、この場合、セラミック基板は、約０．１〜１．５ｍｍ、殊に０．２５ｍｍ〜１．０ｍｍの厚さを有する。
【００１３】
１つの簡単な製造法は、セラミック基板上に導体路および／または絶縁層および／または抵抗体が厚膜技術、殊に厚膜ハイブリッド技術で施こされることによって達成され、この場合、電子構造部品は、リフローイング法または気相法で導体路上にハンダ付けされていてよい。
【００１４】
しかし、導体路は、セラミック基板上に薄膜技術で施こされていてもよいし、銅膜として施こされていてもよい。
【００１５】
本発明の１つの実施例は、図に示されており、次に詳説される。
【実施例】
【００１６】
図示された電子ユニットは、アルミニウム合金からなる小板状の担体１を有し、この担体は、片側に冷却リブ２を備えている。この冷却リブ２に対向した平らな表面上には、２０μｍの厚さを有するアルミニウム珪素合金からなるフィルム３（ＡｌＳｉフィルム）が熱処理で保護ガス雰囲気下で施こされており、化学的に担体１と結合されている。
【００１７】
担体１から離れた、セラミック基板４の面は、厚膜技術で施こされた導体路５、５′、５′′および５′′′を有する。また、この場合には、導体路５′′′上に厚膜抵抗体６が施こされている。
【００１８】
電子構造部品７は、導体路５′′上にハンダ付けされている。
【００１９】
導体路５′上には、電子出力構造素子８がハンダ付けされており、この電子出力構造素子は、接続線材９により導体路５と接続されている。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明による電子ユニットの断面を示す略図である。
【符号の説明】
【００２１】
１  担体、  ２冷却リブ、  ３  フィルム、  ４  セラミック基板、  ５、５′、５′′および５′′′  導体路、  ６  厚膜抵抗体、  ７  電子構造部品、  ８  電子出力構造素子、  ９  接続線材
【図１】
2005197688.tif 000003