(57)【要約】【課題】  金属材料からなる基板を用いて表示装置用基板を製造する場合でも、製造コストを増加させることなく、表示装置用基板の生産性を向上する。【解決手段】  金属基板１００と、この金属基板１００にマトリックス状に配置されるゲート電極１０６およびソース電極１１１とを備える表示パネル用基板の製造方法において、金属基板１００の第１および第２の切断箇所を切断する際に、第１および第２の切断箇所に生じるバリ８ａ，８ｂが突出する方向を、金属基板１００の厚み方向のいずれか一方に揃えるように切断する切断工程を有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材料からなる基板と、該基板にマトリックス状に配置される走査電極および情報電極と、を備える表示装置用基板の製造方法において、
前記基板の複数の切断箇所を切断する際に、該複数の切断箇所に生じる突出部が突出する方向を、前記基板の厚み方向のいずれか一方に揃えるように切断する切断工程を有することを特徴とする表示装置用基板の製造方法。
【請求項２】
前記複数の切断箇所は、前記基板の対向する二辺を含む請求項１に記載の表示装置用基板の製造方法。
【請求項３】
前記切断工程では、前記基板をプレス加工することによって前記複数の切断箇所を同時に切断する請求項１または２に記載の表示装置用基板の製造方法。
【請求項４】
前記切断工程は、第１の切断手段によって前記基板の第１の切断箇所に再切断しろを残して切断する第１の切断ステップと、第２の切断手段によって前記再切断しろを切断する第２の切断ステップとを有する請求項１または２に記載の表示装置用基板の製造方法。
【請求項５】
前記切断工程では、前記第１の切断ステップの後、前記基板の厚み方向の軸回りに前記基板を１８０度回転させて、前記第２の切断ステップで、前記第２の切断手段によって前記再切断しろを切断する請求項４に記載の表示装置用基板の製造方法。
【請求項６】
前記切断工程では、前記基板が前記第１の切断手段側から前記第２の切断手段側に進行し、前記第２の切断ステップで、前記基板の進行方向に直交する平面に対して、前記第１の切断手段のカッタと面対称に配置された前記第２の切断手段のカッタによって、前記再切断しろを切断する請求項４に記載の表示装置用基板の製造方法。
【請求項７】
前記切断工程では、所望の厚さに形成されて格納された状態の金属板から所望の大きさの前記基板が切り出される請求項１に記載の表示装置用基板の製造方法。
【請求項８】
前記切断工程では、前記表示装置の製造過程で所望の大きさに予め切り出された金属板から、最終形態での大きさの前記基板が切り出される請求項１に記載の表示装置用基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１または２に記載の表示装置用基板の製造方法によって製造された表示装置用基板と、
前記表示装置用基板と対向して配置された第２の基板と、
前記表示装置用基板および前記第２の基板の少なくとも一方の基板に、一方の電極が設けられた一対の電極と、
前記表示装置用基板と第２の基板との間に設けられた光学変調素子とを備える表示装置。
【請求項１０】
前記光学変調素子は、電気泳動粒子と、該電気泳動粒子が分散されている媒質とを有する請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
金属板を供給する供給手段と、該供給手段から供給された前記金属板を切断する切断手段と、を有する切断装置において、
前記切断手段は、前記金属板を支持するために前記金属板の搬送路を挟むように上下に配された少なくとも２対のガイド部材と、前記金属板を挟み込んで切断するためのプレス部材を有し、少なくとも該プレス部材を前記金属板を挟むように上下方向に駆動するための駆動手段とを有することを特徴とする切断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁体によって絶縁された金属基板上にマトリクス配線が設けられた表示装置の製造方法および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）は、液晶表示素子やＥＬ（Electroluminescent）表示素子、または電気泳動表示装置等に用いられている。例えば電気泳動表示装置では、各画素において泳動液内に封入されたトナーに電界を印加するために制御電極電位を制御するための素子として用いられている。
【０００３】
各画素に配設されるＴＦＴに用いられる半導体膜には、非晶質のシリコン薄膜（ａ−Ｓｉ薄膜）や多結晶のシリコン薄膜（ｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜）がある。
【０００４】
従来、これらの技術は、例えば表示装置である液晶ディスプレイ用途にはガラス材からなる基板として用いることが多く、それゆえ、用途にもよるが、耐衝撃性や、柔軟性については十分ではない。
【０００５】
また、近年、上述したような電気泳動方式を用いた表示装置として、従来実現し得なかった、薄く、破損し難く、かつ、紙のようなしなやかな可撓性を有するディスプレイの開発も盛んに行われている。
【０００６】
これに伴い、表示素子を駆動するためのＴＦＴ（Thin Film Transistor）バックプレーンも、従来のガラスからなるガラス基板にではなく、比較的破損し難い金属薄板からなる金属基板や、プラスチック材からなるプラスチック基板上に形成することが考えられている。
【０００７】
従来、例えば、ステンレス（ＳＵＳ：Steel Use Stainless）材からなる金属基板上に、ＴＦＴバックプレーンを形成するための技術が開示されている（特許文献１参照。）。
【０００８】
このように、ステンレス等の薄板からなる金属基板を用いる場合には、圧延工程などを経て、薄く延ばされてロール状に巻回された金属プレートを、切断機によって所望の外形寸法の金属基板に切断し、その後の工程で、切断時に金属基板の切断面に生じているバリ（かえり）を除去する必要がある。金属板の切断時に外周端部に生じたバリを一括して取り除くために、バリの突出方向が同一方向になるように複数の金属板を揃えて重ね合わせ、その後、外周端部に向けてレーザーを照射することで、バリの除去を行う製造方法について開示されている（特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開平０９−１７９１０６号公報
【特許文献２】特開平１１−１５１６７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図８に示すように、切断された金属基板２０１には、通常、切断箇所に、金属基板２０１の厚み方向に湾曲されて金属基板材料が突出した突出部（バリ）２０８ａ，２０８ｂが生じる。このバリ２０８ａ，２０８ｂは、金属基板２０１の対向する両面にそれぞれ突出する。このため、例えば、バリ２０８ａ，２０８ｂを残したままの状態で金属基板２０１上に配線形成等を行う場合は、幾つかの問題が生じる。
【００１０】
まず、表示装置用基板の製造工程では、加工時の金属基板の固定方法として、吸着ステージに金属基板を真空吸着して保持することが必要になることがある。このとき、図８に示したように、金属基板２０１の外周端部に生じているバリ２０８ａ，２０８ｂのいずれか一方が、吸着ステージ側に突出する下向きになる場合には、金属基板２０１が吸着ステージから浮き上がってしまうため、良好に吸着保持することが困難になる。
【００１１】
また、同様に、通常は配線形成する際にフォトレジスト膜を基板上に塗布し、焼成する必要があるが、その際にホットプレートを用いた場合も、同様に、基板全面が均一にホットプレートの加熱ステージ上に接触せず、フォトレジスト膜を均一に形成することが困難である。
【００１２】
また、フォトレジスト膜を露光する際にも、金属基板の外周端部に生じているバリのいずれか一方が、露光ステージに当接される下向きになる場合は、露光ステージから金属基板が浮き上がってしまう。このため、金属基板を良好に吸着保持することが困難なことに加え、金属基板上に塗布されたフォトレジスト膜の面の高さが異なり、その結果として、フォトレジスト膜の露光を行う際に一部焦点が合わずに均一な条件での露光ができなくなるという問題点がある。
【００１３】
以上の理由等から金属基板に生じたバリを除去する必要があり、バリを除去する方法としては、切断後の金属基板全体をプレス加工して基板のバリを圧延して平滑に加工する方法や、切断後の金属基板のバリが突出している外周端部に研磨加工を施す方法が挙げられる。
【００１４】
しかし、金属基板を切り出した後に、バリを延ばすために金属基板をプレス加工するという圧延工程が増えてしまい、製造コストがかさむ要因となる。また、同様に、金属基板の外周端面を研磨することも、製造コストを増加させる上に、例えば厚み３００μｍ程度の薄い金属基板の外周端面を研磨する加工自体が非常に困難である。
【００１５】
また、金属板から金属基板を使用する所望の寸法に切り出す切断工程で、例えばレーザカッター等を用いて、金属基板の切断箇所にバリ等が生じないように切断することは可能である。しかしながら、この場合には、金属基板を切断する加工コスト自体が増加してしまう不都合がある。
【００１６】
また、特許文献２の製造方法においても、複数枚の金属板を精度良く積み重ねて配置することや、レーザーの照射が必要なこと等から加工コストの増加を否めない。
【００１７】
そこで、本発明は、基板の切断時に生じるバリによる表示装置用基板の製造工程での悪影響を解消し、金属材料からなる基板を用いて表示装置用基板を製造する場合でも、製造コストを増加させることなく、表示装置用基板の生産性を向上することができる表示装置用基板の製造方法および表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上述した目的を達成するため、本発明に係る表示装置用基板の製造方法は、金属材料からなる基板と、この基板にマトリックス状に配置される走査電極および情報電極と、を備える表示装置用基板の製造方法において、基板の複数の切断箇所を切断する際に、複数の切断箇所に生じる突出部が突出する方向を、基板の厚み方向のいずれか一方に揃えるように切断する切断工程を有する。
【００１９】
上述した本発明に係る表示装置用基板の製造方法によれば、基板の複数の切断箇所に生じる突出部が突出する方向が一方に揃えられることで、突出部が突出していない側の面を保持するための面とし、突出部が突出している側の面を、表示するための各種機能膜を形成する機能面として、表示装置用基板の製造ラインの後工程を行うことで、基板を良好に保持することが可能になる。また、同様に、この製造方法によれば、突出部が突出していない側の面を載置面とすることで、例えば、突出部が突出している側の面に形成される各種機能膜を良好に形成することが可能になる。したがって、この製造方法によれば、表示装置用基板の製造工程での、基板に生じる突出部が引き起こす不都合が解消され、突出部を除去するための工程が不要になり、生産性が向上される。
【００２０】
また、本発明に係る表示装置は、上述した本発明の表示装置用基板の製造方法によって製造された表示装置用基板と、この表示装置用基板と対向して配置された第２の基板と、表示装置用基板および第２の基板の少なくとも一方の基板に一方の電極が設けられた一対の電極と、表示装置用基板と第２の基板との間に設けられた光学変調素子とを備える。
【００２１】
また、本発明に係る切断装置は、金属板を供給する供給手段と、この供給手段から供給された金属板を切断する切断手段とを有する。そして、切断手段は、金属板を支持するためにこの金属板の搬送路を挟むように上下に配された少なくとも２対のガイド部材と、金属板を挟み込んで切断するためのプレス部材を有し、少なくともプレス部材を金属板を挟むように上下方向に駆動するための駆動手段とを有する。
【発明の効果】
【００２２】
上述したように、本発明によれば、金属材料からなる基板を用いて表示装置用基板を製造する場合でも、製造コストを増加させることなく、表示装置用基板の生産性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２４】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態の表示パネル用基板の製造方法で、金属板を切断する切断工程を説明するための断面図である。
【００２５】
図１に示すように、本実施形態の切断工程では、ロール状に巻回された帯状の金属板１を供給する供給装置６と、この供給装置６から供給された金属板１から所定の長さの金属基板１００を切断するプレス装置７と、供給装置６から供給された金属板１をプレス装置７に搬送する搬送装置（不図示）とが用いられる。
【００２６】
供給装置６は、ＳＵＳ材によって所望の板厚に形成された金属板１が巻回されたロール体を回転可能に支持している。
【００２７】
プレス装置７は、供給装置１１から供給された金属板１を挟持するための一組の上ガイド部材２ａ，２ｂおよび下ガイド部材４ａ，４ｂと、金属板１を挟み込んで切断（せん断）するための一組の上パンチ３および下パンチ５と、下ガイド部材４ａ，４ｂおよび下パンチ５に対して上ガイド部材２ａ，２ｂおよび上パンチ３を図１中の上下方向に駆動する駆動機構（不図示）とを備えている。
【００２８】
上パンチ３は、上ガイド部材２ａと上ガイド部材２ｂとの間に設けられている。同様に、下パンチ５は、下ガイド部材４ａと下ガイド部材４ｂとの間に設けられている。
【００２９】
本実施形態の表示パネル用基板の製造方法が有する切断工程について図面を参照して説明する。
【００３０】
まず、図１（ａ）に示すように、プレス装置７内に、供給装置６から金属板１の一端が引き出されて、下ガイド部材４ａ，４ｂおよび下パンチ５上に載置される。
【００３１】
続いて、図１（ｂ）に示すように、プレス装置７によってプレス加工を開始した際、図１（ｂ）に示すように、上ガイド部材２ａ，２ｂおよび上パンチ３が下降されて、金属板１に当接される。
【００３２】
さらに、図１（ｃ）に示すように、上パンチ３が更に下降され、上パンチ３と下パンチ５との間に金属板１が挟み込まれた状態で、上パンチ３が下パンチ５と共に下降される。
【００３３】
最後に、下降する上パンチ３に追従して下パンチ５が下降され、更に、上ガイド部材２ａ，２ｂが上パンチ３と共に下降されることで、金属板１が引き出される進行方向に交差する方向である対向する二辺が同時に切断され、金属板１から金属基板１００が切り離される。この結果、切断された金属基板１００の外周端部には、図２に示すように、対向する二辺に、突出部であるバリ８ａ，８ｂがそれぞれ生じている。これらバリ８ａ，８ｂは、金属基板１００の厚み方向の突出方向が表裏面の一方に揃えられている。
【００３４】
上述した切断工程によって切断された金属基板１００から各バリ８ａ，８ｂを除去することなく、突出方向が一様に揃えられた各バリ８ａ，８ｂが残されている状態の金属基板１００を用いて製造する、薄型の表示パネルの製造方法について説明する。
【００３５】
図３は、本実施形態の薄型の表示パネルを模式的に示す断面図である。
【００３６】
図３に示すように、各バリ８ａ，８ｂを有する金属基板１００上に、酸化シリコン膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって成膜し、基板絶縁層１０１を形成する。  続いて、例えば、ボトムゲート構造のＴＦＴ（Thin Film Transistor）を用いる場合には、ゲート電極１０６をなす配線を形成する。
【００３７】
ここで、ゲート電極１０６をなす配線の形成方法について、簡単に説明する。例えば、抵抗率が比較的低いＡｌ配線を用い、その後の製造工程でＡｌの融点を超えるようなプロセスがある場合は、例えばＣｒやＴａ、Ａｌ−Ｎｄをスパッタリングによって蒸着させて導電性膜を形成する。
【００３８】
続いて、各種配線を形成する際には、金属基板１００にフォトレジスト膜をロールコーターによって塗布し、ホットプレートでプリベークし、続いて塗布したフォトレジスト膜を選択的に露光、現像除去して、ポストベークを行い、最後にエッチングによってパターニングし、フォトレジスト膜の剥離を行う。
【００３９】
このような製造工程では、金属基板１００の各バリ８ａ，８ｂの突出方向が厚み方向の一方に揃っているために、ホットプレートによる焼成や、露光装置の露光ステージ上に真空吸着によって良好に保持することができる。また、フォトレジスト膜の露光時に焦点ズレによる露光不良等も起こらなかった。
【００４０】
なお、金属基板の外周端部近傍のバリ部に関しては、特に配線パターン等が存在しないため、フォトレジスト膜の露光時に焦点がずれても問題とはならない。
【００４１】
次に、ゲート電極１０６を絶縁するためにゲート絶縁層１０８を形成し、その後、例えばアモルファス半導体層１０９を形成し、例えばイオン注入法によりオーミック接触層１１０を形成し、このオーミック接触層１１０の一部を選択に除去することで、ソース電極１１１およびドレイン電極１１２を形成する。
【００４２】
図４は、本実施形態の３００行×２５０列をなすＴＦＴアクティブマトリクスアレイの一部分を示す模式図である。
【００４３】
本実施形態の薄型の表示パネル１０は、図４に示すように、導電性を有する金属基板１００と、この金属基板１００上にマトリックス状に設けられたゲート電極１０６群およびソース電極１１１群と、マトリクス状に配された画素電極、例えばゲート電極１０６群およびソース電極１１１群の各交点に配された画素電極１１４と、ゲート電極１０６群およびソース電極１１１群をそれぞれ駆動するゲート線駆動回路１２５およびソース線駆動回路１２６とを備える。ゲート線駆動回路１２５は、ゲート線駆動電圧が例えばオン電圧［＋］２０Ｖ、オフ電圧［−］２０Ｖに設定されており、またソース線駆動回路１２６は、ソース線駆動電圧が例えば０Ｖ〜１５Ｖに設定されている。また、図４に示すように、各画素にＴＦＴ１３０が配設されている。
【００４４】
次に、本実施形態の表示パネルについて、更に詳細に説明する。
【００４５】
また、図５（ａ）は、本実施形態の薄型の表示パネルを模式的に示す断面図である。また、図５（ｂ）は、本実施形態の３００行×２５０列をなすＴＦＴアクティブマトリクスアレイの一部分を示す模式図である。
【００４６】
以下、金属基板１００上に、基板絶縁層１０１を形成し、さらに各画素を含むＴＦＴマトリクスアレイを形成するまでの各工程について、図面を参照して説明する。
【００４７】
１）板厚０．２ｍｍのＳＵＳ材からなる金属基板１００上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によってＳｉＮ膜を膜厚３００ｎｍで成膜し、基板絶縁層１０１を形成する。
【００４８】
２）基板絶縁層１０１上に、Ａｌ―Ｎｄ膜を膜厚２００ｎｍでスパッタリングによって成膜し、フォトマスクを用いて、ゲート電極１０６および画素容量形成電極（Ｃｓ配線）１０７等のＴＦＴ１３０の下電極を形成する。なお、本実施形態の電気泳動方式の表示パネルは、ＴＦＴ１３０の保持駆動を行う際の補助容量を必要とするため、ゲート電極１０６と同一の層（レイヤー）に画素容量形成電極１０７を形成する。
【００４９】
３）ゲート電極１０６上に、ゲート絶縁層１０８としてＳｉＮ膜を膜厚２５０ｎｍでＣＶＤ法によって成膜するとともに、アモルファス半導体層１０９としてａ−Ｓｉ膜をそれぞれ膜厚２００ｎｍでＣＶＤ法によって成膜する。
【００５０】
４）オーミック接触層１１０として、ＣＶＤ法によってａ−Ｓｉ（ｎ+）膜を２０ｎｍで成膜する。
【００５１】
５）オーミック接触層１１０上に、スパッタリングによってＡｌ膜を膜厚２００ｎｍで成膜する。
【００５２】
６）Ａｌ膜に、フォトマスクを用いたウェットエッチングを施すことによって、ＴＦＴ１３０部を含むソース電極１１１、およびドレイン電極１１２をそれぞれ形成する。引き続き、同レジストパターンを用いてドライエッチングによってＴＦＴチャネル部のオーミック接触層１１０を除去し、ＳｉＮ膜１１３を膜厚３００ｎｍで成膜する。
【００５３】
７）ドライエッチングによってＳｉＮ膜１１３に、図５（ｂ）中の部分ａで示すようにコンタクトホールを作製し、ドレイン電極１１２の一部を露出させる。
【００５４】
８）ＳｉＮ膜１１３上にスパッタリングによってＡｌ膜を膜厚２００ｎｍで成膜する。
【００５５】
９）Ａｌ膜に、フォトマスクを用いたウェットエッチングを施すことによって、画素電極１１４を形成する。
【００５６】
１０）ＴｉＯ2を含有したアクリル系樹脂を膜厚４μｍで塗布し、白色散乱層１１５を形成する。
【００５７】
１１）この白色散乱層１１５上に、絶縁層１１６として、アクリル系樹脂を膜厚１μｍで成膜する。
【００５８】
１２）白色散乱層１１５上にＴｉ層１１７を膜厚３００ｎｍで成膜し、さらにその上に、カーボンを含有したフォトレジスト層１１８を膜厚３００ｎｍで成膜する。
【００５９】
１３）次に、フォトレジスト層１１８上に、他のフォトレジスト層を膜厚１５μｍで形成することで、他のフォトレジスト層によって画素間の隔壁１１９が形成されるように、画素間の部分を残して現像除去する。
【００６０】
１４）他のフォトレジスト層からなる隔壁１１９を用いて、Ｔｉ層１１７およびフォトレジスト層１１８をエッチングし、ＴＦＴバックプレーン１２８を形成する。
【００６１】
１５）最後に、光学変調素子として、パラフィン系炭化水素溶媒を主成分とする絶縁性液体１２０中にカーボンブラックを含有したポリスチレン樹脂からなる黒色の帯電性粒子１２１を分散させた分散液を、隔壁１１９で区画された空間に充填し、透明な第２の基板１２２を隔壁１１９上に接着剤（不図示）によって固定する。
【００６２】
上述したように、本実施形態の表示パネル用基板の製造方法は、金属基板１００を切り出した際に生じるバリ８ａ，８ｂの突出方向が、金属基板１００の厚み方向、すなわち表裏面のいずれか一方向に揃えるように切断する切断工程を有している。
【００６３】
従来であれば、金属板から金属基板を切り出すために切断したときに生じるバリを除去しない場合、後の表示パネルの製造工程において、金属基板を良好に吸着保持することが困難になることや、フォトレジスト膜の露光時の焦点を正確に合わせることが困難になること、また、ホットプレートによるフォトレジスト膜の焼成ができないなどの不都合が生じた。したがって、従来の表示パネルの製造方法では、金属基板を用いる場合、金属基板の切断箇所のバリを除去する除去工程を追加する必要があり、製造コストの増加を招いていた。
【００６４】
一方、本実施形態の表示パネル用基板の製造方法によれば、切断箇所のバリ８ａ，８ｂが厚み方向に一方に突出するように切断された金属基板１００を用いて製造されるために、仮にバリ８ａ，８ｂが生じた状態であっても、バリ８ａ，８ｂが突出していない側の面を吸着面とし、バリ８ａ，８ｂが突出している側の面を、画像を表示するための各種機能膜を形成する機能面として、表示パネル用基板の製造ラインの後工程を行うことで、金属基板１００を良好に吸着保持することが可能である。
【００６５】
また、同様に、バリ８ａ，８ｂが突出していない側の面を載置面とすることで、フォトレジスト膜の露光や、ホットプレートによるフォトレジスト膜の焼成等についても良好に行うことができる。その結果として、金属基板を用いた場合にも、製造コストの増加を招いていた、バリの除去工程を追加することなく、良好な画質の表示パネルを製造することが可能になる。すなわち、本実施形態の製造方法によれば、金属基板を用いた場合でも、製造コストを増加させることなく、表示パネル用基板を良好に製造することができる。
【００６６】
（第２の実施形態）
上述した第１の実施形態の製造方法が有する切断工程では、ポンチを用いたプレス加工によって金属基板が切断されたが、切断機およびターンテーブルが用いられる切断工程について説明する。
【００６７】
図６は、第２の実施形態の表示パネル用基板の製造方法で、金属板を切断する切断工程を説明するための断面図である。なお、切断工程以降の他の工程は、上述した第１の実施形態の表示パネル用基板の製造方法と同一であるため、説明を省略する。
【００６８】
図６に示すように、第２の実施形態の製造方法が有する切断工程では、ロール状に巻回された帯状の金属板１を供給する供給装置６と、この供給装置６から供給された金属板１から所定の長さの金属基板１００を切断する第１および第２の切断装置１２，１３と、供給装置６から供給された金属板１を第１および第２の切断装置１２，１３に搬送する搬送装置１４と、金属板１の厚み方向の軸回りに金属板１を１８０度回転させるためのターンテーブル１５とが用いられる。
【００６９】
第１および第２の切断装置１２，１３は、搬送装置１４による金属板１の搬送方向に沿って所定の間隔をあけて配置されている。これら第１および第２の切断装置１２，１３は、各カッタ１２ａ，１３ａの刃先が、金属板１に対して同一の向きに配置されている。搬送装置１４が有する搬送ローラ等については、本発明の要部に何らかかわる構成ではないため説明を省略する。ターンテーブル１５は、第１の切断機１２と第２の切断機１３との間に配置されており、金属板１の厚み方向の軸回りに回転可能に設けられている。
【００７０】
本実施形態の切断工程について図面を参照して説明する。
【００７１】
まず、図６（ａ）に示すように、ロール状に巻回された金属板１は、最終的に表示パネルの製造工程を流す際に必要とされる金属基板１００の大きさよりも大きく、再切断しろである切り捨てしろ１８を残した状態で、第１の切断機１２によって切断される。第１の切断機１２によって切断された状態で、金属板１から切り離された金属基板１００の外周端部の各バリは、一端側が下方向に突出されており、他端側が上方向に突出されている。
【００７２】
次に、搬送装置１４によって搬送された金属板１は、ターンテーブル１５上に載置され、図６（ｂ）に示すように、このターンテーブル１５によって、金属基板の厚み方向の軸回りである水平方向に１８０度だけ回転される。
【００７３】
最後に、図６（ｃ）に示すように、ターンテーブル１４によって１８０度回転された金属基板１００の切り捨てしろ１８を、第２の切断機１３によって金属基板１００の切り捨てしろを切断除去することで、後の製造工程を流す際に必要とする大きさに形成される。
【００７４】
以上の切断工程によって、図６（ｃ）に示すように、バリ８ａ，８ｂの突出方向が厚み方向の一方に揃えられた金属基板１００が得られる。
【００７５】
その結果として、第１の実施形態と同様に、バリ８ａ，８ｂが残されている金属基板１００を用いても表示パネルを良好に製造することが可能となる。
【００７６】
（第３の実施形態）
上述した第２の実施形態の製造方法が有する切断工程では、ターンテーブルによって金属板が回転されたが、金属板を回転させることなく切断する切断工程について説明する。
【００７７】
図７は、第３の実施形態の表示パネル用基板の製造方法で、金属板を切断する切断工程を説明するための断面図である。なお、切断工程以降の他の工程は、上述した第１の実施形態の表示パネル用基板の製造方法と同一であるため、説明を省略する。
【００７８】
図７に示すように、第３の実施形態の製造方法が有する切断工程では、ロール状に巻回された帯状の金属板１を供給する供給装置６と、この供給装置６から供給された金属板１から所定の長さの金属基板１００を切断する第１および第２の切断装置２２，２３と、供給装置６から供給された金属板１を第１および第２の切断装置２２，２３に搬送する搬送装置１４，１６とが用いられる。
【００７９】
第１および第２の切断装置２２，２３は、搬送装置１４，１６による金属板１の搬送方向に沿って所定の間隔をあけて配置されている。これら第１および第２の切断装置２２，２３は、金属板１の搬送方向に直交する平面に対して、カッタ２２ａの刃先とカッタ２３ａの刃先とが互いに面対称に配置されている。搬送装置１４，１６が有する搬送ローラ等については、本発明の要部に何らかかわる構成ではないため説明を省略する。
【００８０】
本実施形態の切断工程について図面を参照して説明する。
【００８１】
まず、図７（ａ）に示すように、ロール状に巻回された金属板１は、最終的に表示パネルの製造工程を流す際に必要とされる金属基板１００の大きさよりも大きく、再切断しろである切り捨てしろ１８を残した状態で、第１の切断機２２によって切断される。第１の切断機２２によって切断された状態で、金属板１から切り離された金属基板１００の外周端部の各バリは、一端側が下方向に突出されており、他端側が上方向に突出されている。
【００８２】
次に、搬送装置１４によって、金属板１は、第２の切断機２３による切断が可能な位置まで搬送される。そして、第２の切断装置２３は、図７（ｂ）および図７（ｃ）に示すように、金属板１の搬送方向に直交する平面に対して、カッタ２２ａと面対称に配置されたカッタ２３ａによって、金属基板１００の切り捨てしろ１８を切断除去する。これによって、金属基板１００は、後の製造工程を流す際に必要とする所望の大きさにされる。
【００８３】
このように、第２の切断機２３のカッタ２３ａは、第１の切断機２２のカッタ２２ａとは、金属基板１００を切断する刃先の合わせ方向が異なっている。換言すれば、カッタ２３ａの刃先は、カッタ２２ａによる切断時と同一方向にバリを突出させる刃先の向きに対して、金属板１の厚み方向の軸回りに１８０度回転された向きに配置されている。
【００８４】
このため、第１の切断機２２による第１の切断箇所と、第２の切断機２３による第２の切断箇所とでは、同一の金属基板の同一辺を切断する際に生じるバリの突出方向が反対向きになるが、金属基板１００の切断される二辺が対向しているために、結果として、バリ８ａ，８ｂが突出する方向が厚み方向の一方に揃えられた金属基板１００を得ることができる。したがって、本実施形態によれば、上述した第１および第２の実施形態と同様に、バリ８ａ，８ｂが残されている金属基板１００を用いても表示パネルを良好に製造することが可能となる。
【００８５】
なお、本実施形態の製造方法では、上述した切断工程が、ロール状に巻回された金属板から、表示パネルとしての製品形態での大きさ、すなわち製品における最終的な大きさ（最終形態）に切断するために行われたが、表示パネルの製造ラインにおける上述した切断工程の前工程で、金属板から所定の大きさの金属基板に一旦切り出され、この所定の大きさに予め切り出された金属基板を、表示パネルとしての最終形態の大きさに切断するために、上述した切断工程が行われてもよい。
【００８６】
また、本実施形態は、電気泳動方式の表示パネルのＴＦＴバックプレーンとして構成されたが、この構成に限定されるものではなく、例えば反射型の液晶表示パネルに応用することも可能である。この構成の場合には、例えば第２の基板１２２上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜のような透明な導電膜を成膜することでコモン電極（対向電極）を形成し、このコモン電極とドレイン電極との間に液晶を挟み込んで、ドレイン電極とコモン電極との間に所定の電界を印加することで、画像の表示を行うことが可能である。
【００８７】
また、本実施形態では、アモルファスシリコンが用いられたいわゆる逆スタガー構造、すなわち、ゲート電極１０６がゲート絶縁層１０８（ＳｉＮ膜）の下方に設けられたボトムゲート型の構成が採用されたが、例えば、トップゲート構造等が採用されても何ら問題はない。
【００８８】
加えて、ＴＦＴとしては、アモルファスシリコンを用いたＴＦＴに限らず、例えば、アモルファスシリコンにレーザーアニールが施されてなるポリシリコンの活性層を有するポリシリコンＴＦＴや、ＴＦＴを基板に転写する単結晶ＴＦＴの転写技術を用いた場合でも同様の効果を得ることができる。
【００８９】
最後に、上述した電気泳動方式の表示パネルは、ある程度の折り曲げに対応できる可撓性を有しているため、例えば、紙媒体に置き換えられるような用途や、情報携帯端末（ＰＤＡ）等の情報処理機器の表示パネルとして用いられて好適である。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】第１の実施形態の表示パネル用基板の製造方法において金属板を切断する切断工程を説明するための断面図である。
【図２】本実施形態による金属基板のバリの突出方向を示す斜視図である。
【図３】前記金属基板を用いた表示パネルの要部を示す断面図である。
【図４】前記表示パネルのＴＦＴバックプレーンを示す模式図である。
【図５】前記表示パネルを示す模式図である。
【図６】第２の実施形態の表示パネル用基板の製造方法において金属板を切断する切断工程を説明するための断面図である。
【図７】第３の実施形態の表示パネル用基板の製造方法において金属板を切断する切断工程を説明するための断面図である。
【図８】従来の金属基板のバリの突出方向を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９１】
１  金属板
２，２’  上基板ガイド
３  上パンチ
４，４’  下基板ガイド
５  下パンチ
８ａ，８ｂ  バリ
１２  第１の切断機
１３  第２の切断機
１４  ターンテーブル
２２  第１の切断機
２３  第２の切断機
１００  金属基板
１０１  基板絶縁層（ＳｉＮ膜）
１０６  ゲート電極
１０７  画素容量形成電極（Ｃｓ配線）
１０８  ゲート絶縁層（ＳｉＮ膜）
１０９  アモルファス半導体層
１１０  オーミック接触層（ａ−Ｓｉ（ｎ+））
１１１  ソース電極
１１２  ドレイン電極
１１３  ＳｉＮ膜
１１４  画素電極
１１５  白色散乱層
１１６  絶縁層（アクリル系樹脂）
１１７  Ｔｉ層
１１８  フォトレジスト層
１１９  隔壁
１２０  絶縁性液体
１２１  帯電性粒子
１２２  第２の基板
１２５  ゲート線駆動回路
１２６  ソース線駆動回路
１２８  ＴＦＴバックプレーン
１３０  ＴＦＴ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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