(57)【要約】【課題】  端子部における電気的接続の不具合を防止することにより実装不良を減少させることができる電気光学装置用基板、電気光学装置および電子機器を提供する。【解決手段】  基板上に設けられた端子部を介して入力された信号に対応して表示部にて画像を表示する電気光学装置用基板であって、端子部は表示部に配線を介して電気的に接続された金属層３０１と、金属層３０１上に形成された絶縁膜７とを備え、絶縁膜７には金属層３０１が露出されるように開口部３０３が形成され、開口部３０３の少なくとも最表面の面積が金属層３０１の面積よりも大きいことを特徴とする。【選択図】  図６
2005070723.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた端子部を介して入力された信号に対応して表示部にて画像を表示する電気光学装置用基板であって、
前記端子部は、前記表示部に配線を介して電気的に接続された金属層と、該金属層上に形成された絶縁膜とを備え、
前記絶縁膜には、前記金属層が露出されるように開口部が形成され、該開口部の少なくとも最表面の面積が前記金属層の面積よりも大きいことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
前記開口部の形状が、前記金属層から離れる方向に向かって前記開口部の面積が大きくなるテーパ形状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の電気光学装置用基板。
【請求項３】
前記開口部における前記金属層側端部の面積が、前記金属層の面積と等しいかそれより大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置用基板。
【請求項４】
前記絶縁膜の下に、前記開口部の穴深さを規定するストッパ層が配置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の電気光学装置用基板。
【請求項５】
基板上に設けられた端子部を介して入力された信号に対応して表示部にて画像を表示する電気光学装置用基板であって、
前記端子部は、前記表示部に配線を介して電気的に接続された金属層と、該金属層上に形成された絶縁膜とを備え、
前記基板上の端子部近傍の前記絶縁膜が除去され、前記金属層の上面が露出していることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項６】
前記絶縁膜の下に、前記絶縁膜の除去される厚さを規定するストッパ層が形成され、
該ストッパ層の上面が前記金属層の上面と同一面上に配置されていることを特徴とする請求項５記載の電気光学装置用基板。
【請求項７】
基板上に設けられた端子部を介して入力された信号に対応して表示部にて画像を表示する電気光学装置用基板であって、
前記端子部は、前記表示部に配線を介して電気的に接続された金属層と、該金属層上に形成された絶縁膜とを備え、
前記絶縁膜には、前記金属層が露出されるように開口部が形成され、
前記基板上の端子部近傍における前記絶縁膜の厚さが、他の領域における厚さより薄くなっていることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項８】
基板上に設けられた端子部を介して入力された信号に対応して表示部にて画像を表示する電気光学装置用基板であって、
前記端子部は、前記表示部に配線を介して電気的に接続された金属層と、該金属層上に形成された絶縁膜とを備え、
前記絶縁膜には、前記金属層が露出されるように開口部が形成され、
前記金属層の下には、前記金属層と概重なるようにダミーパターンが配置され、
前記金属層上における前記絶縁膜の厚さが、その他の領域における前記絶縁膜の厚さより薄くなっていることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項９】
前記ダミーパターンの面積が、前記金属層の面積よりも大きいことを特徴とする請求項８記載の電気光学装置用基板。
【請求項１０】
一の金属層に対して一のダミーパターンが配置されていることを特徴とする請求項８または９に記載の電気光学装置用基板。
【請求項１１】
前記一の金属層と前記一のダミーパターンとが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１０記載の電気光学装置用基板。
【請求項１２】
前記一の金属層の周辺部に配置された導通部により、前記一の金属層と前記一のダミーパターンとが、電気的に接続されていることを特徴とする請求項１１記載の電気光学装置用基板。
【請求項１３】
複数の前記金属層に対して一のダミーパターンが配置されていることを特徴とする請求項８または９に記載の電気光学装置用基板。
【請求項１４】
前記一のダミーパターンが所定の電位に固定されていることを特徴とする請求項１３記載の電気光学装置用基板。
【請求項１５】
基板上に設けられた端子部を介して入力された信号に対応して表示部にて画像を表示する電気光学装置用基板であって、
前記端子部は、前記表示部に配線を介して電気的に接続された金属層と、該金属層上に形成された絶縁膜とを備え、
前記絶縁膜には、前記金属層が露出されるように開口部が形成され、
前記開口部には導電部材からなる埋め込み部材が配置されていることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項１６】
前記埋め込み部材の形状が、前記開口部の形状と一致する形状であることを特徴とする請求項１５記載の電気光学装置用基板。
【請求項１７】
前記端子部が複数の導電層で構成され、
前記導電層の少なくとも１つが、前記開口部から前記絶縁膜の上に引き出されていることを特徴とする請求項１から１６記載の電気光学装置用基板。
【請求項１８】
請求項１から１７のいずれかに記載の電気光学装置用基板を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１９】
請求項１８記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板、電気光学装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶装置、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置等の表示装置として、マトリクス状に配置された多数の画素を、画素毎に駆動するために、各画素に薄膜半導体装置である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を設けたアクティブマトリクス型の表示装置が知られている。
例えば、アクティブマトリクス型の液晶表示装置へ信号を入出力するＩＣやＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）を接続する場合、この液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の縁辺に沿って配列された複数のパッド（端子部）に、ＩＣやＴＣＰを異方性導電膜（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）を用いて電気的に接続する方法が用いられている。
【０００３】
このパッドの構造としては、金属膜や絶縁膜を積層した多層構造のものが各種提案されている。一例を挙げれば、金属配線膜上に、絶縁膜及び金属配線膜が順次積層され、最上層に透明電極膜が形成された構造のものがある。
また、パッド間の絶縁性や、金属配線膜の端面から湿気が侵入することによる金属配線の腐食を防止するために、ＩＣやＴＣＰとの接続部以外の部分を絶縁膜で覆うようにした構造のものも提案されている。（例えば、特許文献１から３参照。）。
【特許文献１】特開２００１−１９５００５号公報  （第４頁、第３図）
【特許文献２】特許第２７９８０５２号公報  （第２−３頁、第１図）
【特許文献３】特開２００２−１９６７０３号公報  （第４−５頁、第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したように、従来の電気光学装置用基板においては、基板上の端子部の上層に絶縁膜を形成し、この絶縁膜に開口部を設けて端子部を露出させていた。この構成の場合、端子部のピッチが小さく（狭ピッチ）なると、開口部の開口幅に対してその深さの割合が大きくなるため、ＩＣ、ＴＣＰ等を端子部に接触させにくくなっていた。そのため、表示装置とＩＣ、ＴＣＰ等とを電気的に接続させにくくなり、実装不良が起こりやすくなるという問題があった。
特に、絶縁膜の表面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により平坦化する場合には、端子部よりも段差の高い領域に比べて絶縁膜が厚く残り、実装不良がさらに起こりやすくなるという問題があった。
【０００５】
また、特許文献１においては、表示装置に設けられている端子部間の絶縁膜を除去し、絶縁膜の表面を端子表面よりも低くすることで、電気的接続を確保し信頼性の高い実装を得ている。しかしながら、このような構成では端子部間の短絡を防ぎにくく狭ピッチの実装には向いていなかった。
また、絶縁膜の除去を精度よく行うための手段が施されていないため、絶縁膜を除去（エッチング）しすぎた場合、端子部間の短絡などの不具合が起きる恐れがあるという問題があった。
【０００６】
特許文献２においては、表示装置の端子部と外部回路との接続を導電性微粒子が含まれる異方性導電接着剤を介して接続する構成になっている。この構成においては、圧着により導電性微粒子が端子にくい込むようにすることで確実に接続を行っている。しかしながら、この構成では、各端子部表面の高さに差があると、導電性微粒子のくい込みに差がでて、十分な電気的接続が行われない端子が発生する恐れがあるという問題があった。
【０００７】
特許文献３においては、表示装置の端子部の上部に端子部より小さい開口部を設け、その開口部から検査用の引出し配線を引き出している。しかしながら、特許文献３において、引出し配線は積極的に実装には用いられていなかった。また、実装に用いた場合でも、上記構成では開口部の外周に引出し配線による段差が形成されるため、十分な電気的接続が行われない端子が発生する恐れがあるという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、端子部における電気的接続の不具合を防止することにより実装不良を減少させることができる電気光学装置用基板、電気光学装置および電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の第１の電気光学装置用基板は、基板上に設けられた端子部を介して入力された信号に対応して表示部にて画像を表示する電気光学装置用基板であって、端子部は、表示部に配線を介して電気的に接続された金属層と、金属層上に形成された絶縁膜とを備え、絶縁膜には、金属層が露出されるように開口部が形成され、開口部の少なくとも最表面の面積が金属層の面積よりも大きいことを特徴とする。
【００１０】
すなわち、本発明の第１の電気光学装置用基板は、開口部の少なくとも最表面の面積が金属層の面積よりも大きく形成されているため、従来の電気光学装置用基板と比べて、絶縁膜の厚さに対する開口部面積の寸法の割合が大きくなっている。そのため、上記信号を伝達する部材が開口部を通して金属層と接触しやすくなり、上記信号を電気光学装置用基板に入力しやすくなる。つまり、端子部における電気的接触不良の発生を防止しやすくなり、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
【００１１】
上記の構成を実現するために、より具体的には、開口部の形状が金属層から離れる方向に向かって開口部の面積が大きくなるテーパ形状に形成されていることが望ましい。
この構成によれば、開口部の面積が金属層から離れるにつれ大きくなっているため、上記信号を伝達する部材を開口部の中に挿入しやすくなり、金属層と接触しやすくなる。そのため、端子部における電気的接触不良の発生を防止しやすくなり、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
またこの構成では、例えば開口部を形成してからその上にスピンコートなどで配向膜などの別の層を積層する場合、開口部の形状が金属層から離れる方向に向かってその面積が大きくなる形状なので、積層される際に上記別の層が開口部上において膜厚のムラになりにくい。膜厚のムラが少ないため、開口部上の上記別の層を確実に除去でき、金属層を露出させやすくなるため、膜残りによる端子部における電気的接触不良の発生を防止しやすくなる。その結果、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
【００１２】
上記の構成を実現するために、より具体的には、開口部における金属層側端部の面積が、金属層の面積と等しいかそれより大きくしてもよい。
この構成によれば、開口部における金属層側端部の面積が、金属層の面積と等しいかそれより大きいため、金属層が完全に露出している。そのため、端子部における電気的接触不良の発生を防止しやすくなる。その結果、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
【００１３】
上記の構成を実現するために、より具体的には、絶縁膜の下に開口部の穴深さを規定するストッパ層が配置されていてもよい。
この構成によれば、絶縁膜の下に開口部の穴深さを規定するストッパ層が設けられているため、ストッパ層に到達するまで開口部の穴を形成すればよいため、開口部の穴深さの調節を行いやすくなる。
【００１４】
本発明の第２の電気光学装置用基板は、基板上に設けられた端子部を介して入力された信号に対応して表示部にて画像を表示する電気光学装置用基板であって、端子部は、表示部に配線を介して電気的に接続された金属層と、金属層上に形成された絶縁膜とを備え、基板上の端子部近傍の絶縁膜が除去され、金属層の上面が露出していることを特徴とする。
【００１５】
すなわち、本発明の第２の電気光学装置用基板は、端子部近傍の絶縁膜が除去され、金属層の上面が露出しているため、上記信号を伝達する部材が金属層と接触しやすくなり、上記信号を電気光学装置用基板に入力しやすくなる。つまり、端子部における電気的接触不良の発生を防止しやすくなり、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
また、金属層の上面が露出しているだけなので、金属層同士が短絡しにくく、電気的接触の不具合に起因する実装不良を減少させることができる。
【００１６】
上記の構成を実現するために、より具体的には、絶縁膜の下に絶縁膜の除去される厚さを規定するストッパ層が形成され、そのストッパ層の上面が金属層の上面と同一面上に配置されていてもよい。
この構成によれば、絶縁膜の下に絶縁膜の除去される厚さを規定するストッパ層が設けられているため、ストッパ層に到達するまで絶縁膜を除去すればよいため、絶縁膜を除去する厚さの調節を行いやすくなる。
【００１７】
本発明の第３の電気光学装置用基板は、基板上に設けられた端子部を介して入力された信号に対応して表示部にて画像を表示する電気光学装置用基板であって、端子部は、表示部に配線を介して電気的に接続された金属層と、金属層上に形成された絶縁膜とを備え、絶縁膜には、金属層が露出されるように開口部が形成され、基板上の端子部近傍における絶縁膜の厚さが、他の領域における厚さより薄くなっていることを特徴とする。
【００１８】
すなわち、本発明の第３の電気光学装置用基板は、上記基板上の端子部近傍における絶縁膜の厚さが、他の領域における厚さより薄くなっているため、絶縁膜の厚さに対する開口部面積の寸法の割合が大きくなっている。そのため、上記信号を伝達する部材が開口部を通して金属層と接触しやすくなり、上記信号を電気光学装置用基板に入力しやすくなる。つまり、端子部における電気的接触不良の発生を防止しやすくなり、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
【００１９】
本発明の第４の電気光学装置用基板は、基板上に設けられた端子部を介して入力された信号に対応して表示部にて画像を表示する電気光学装置用基板であって、端子部は、表示部に配線を介して電気的に接続された金属層と、金属層上に形成された絶縁膜とを備え、絶縁膜には、金属層が露出されるように開口部が形成され、金属層の下には、金属層と概重なるようにダミーパターンが配置され、金属層上における絶縁膜の厚さが、その他の領域における絶縁膜の厚さより薄くなっていることを特徴とする。
【００２０】
すなわち、本発明の第４の電気光学装置用基板は、金属層の下に概重なるようにダミーパターンが配置されているため、金属層は絶縁膜側に突出した位置に形成される。そのため、ＣＭＰなどの平坦化をした場合に金属層上における前記絶縁膜の厚さが、その他の領域における絶縁膜の厚さより薄くなり、絶縁膜の厚さに対する開口部面積の寸法の割合が大きくなる。その結果、上記信号を伝達する部材が開口部を通して金属層と接触しやすくなり、上記信号を電気光学装置用基板に入力しやすくなる。つまり、端子部における電気的接触不良の発生を防止しやすくなり、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
また、ダミーパターンは、上記表示部に設けられた配線と導通していてもよいし、導通していなくてもよい。導通させた場合は冗長配線として利用できる。
【００２１】
上記の構成を実現するために、より具体的には、ダミーパターンの面積が金属層の面積よりも大きく形成されることが望ましい。
この構成によれば、ダミーパターンの面積が金属層の面積よりも大きいため、金属層全体が絶縁膜側に突出した位置に形成される。そのため、金属膜上における前記絶縁膜の厚さが均一となり、上記信号を伝達する部材を金属層に面で接触させやすくなる。その結果、端子部における電気的接触不良の発生を防止しやすくなり、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
【００２２】
上記の構成を実現するために、より具体的には、一の金属層に対して一のダミーパターンが配置されていてもよい。
この構成によれば、一の金属層に対して一のダミーパターンが配置されているので、例えば、金属層に電気信号が入力され、それに対応するダミーパターンに電位が誘起された時にも、電気信号が入力されていない金属層に影響を与えることがない。
【００２３】
上記の構成を実現するために、より具体的には、一の金属層と一のダミーパターンとが電気的に接続されていてもよい。
この構成によれば、一の金属層と一のダミーパターンとが電気的に接続されているので、ダミーパターンを端子部の一部として利用することができる。その結果、ダミーパターンを延長して配線として使用することができ、冗長配線としての役割を果たすことができる。また、ダミーパターンを形成する材料に低抵抗の材料を用いることにより、信号伝達の時定数を改善することもできる。
【００２４】
上記の構成を実現するために、より具体的には、一の金属層の周辺部に配置された導通部により、一の金属層と一のダミーパターンとが、電気的に接続されていてもよい。
この構成によれば、金属層の周辺部に配置された導通部により、金属層とダミーパターンとの電気的接続がなされているため、金属層の略中央部には凹凸の少ない平面部が形成されている。そのため、端子部に信号を入力する部材と金属層とが平面部において接触する時に、確実に端子部に信号を入力する部材と金属層とを接触させ、信号を入力させることができる。
【００２５】
上記の構成を実現するために、より具体的には、複数の金属層に対して一のダミーパターンが配置されていてもよい。
この構成によれば、例えば端子部の間隔を狭くした場合において、一の金属膜に対して一のダミーパターンを配置していると、ダミーパターン間の隙間が狭くなり層間絶縁膜などのつきまわりが悪くなる。しかしながら、複数層の金属層に対して一のダミーパターンを配置していると、端子部の間隔を狭くしても層間絶縁膜などのつきまわり問題が発生しない。そのため、端子部の間隔を狭くするのに好適である。
【００２６】
上記の構成を実現するために、より具体的には、一のダミーパターンが所定の電位に固定されていてもよい。
この構成によれば、ダミーパターンが所定の電位に固定されているので、端子部に入力される信号により、ダミーパターンの電位が変動することがなく、それに従って信号が入力されていない金属層に電位が誘起されることがない。
【００２７】
本発明の第５の電気光学装置用基板は、基板上に設けられた端子部を介して入力された信号に対応して表示部にて画像を表示する電気光学装置用基板であって、端子部は、表示部に配線を介して電気的に接続された金属層と、金属層上に形成された絶縁膜とを備え、絶縁膜には、金属層が露出されるように開口部が形成され、開口部には導電部材からなる埋め込み部材が配置されていることを特徴とする。
【００２８】
すなわち、本発明の第５の電気光学装置用基板は、絶縁膜に金属層が露出されるように開口部が形成され、その開口部には埋め込み部材が金属層と電気的に接続されるように配置されている。そのため、上記信号を伝達する部材が金属層と接触しやすくなり、上記信号を電気光学装置用基板に入力しやすくなる。つまり、端子部における電気的接触不良の発生を防止しやすくなり、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
【００２９】
上記の構成を実現するために、より具体的には、埋め込み部材の形状が開口部の形状と一致する形状としてもよい。
この構成によれば、埋め込み部材の形状が開口部の形状と一致する形状であるので、埋め込み部材が絶縁膜から突出することがない。そのため、金属層同士が短絡しにくく、電気的接触の不具合に起因する実装不良を減少させることができる。
【００３０】
上記の構成を実現するために、より具体的には、端子部が複数の導電層で構成され、導電層の少なくとも１つが開口部から絶縁膜の上に引き出されていてもよい。
この構成によれば、端子部が複数の導電層で構成され、導電層の少なくとも１つが開口部から絶縁膜の上に引き出されていている。そのため、上記信号を伝達する部材が導電層と接触しやすくなり、上記信号を電気光学装置用基板に入力しやすくなる。つまり、端子部における電気的接触不良の発生を防止しやすくなり、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
【００３１】
本発明の電気光学装置は、上記本発明の電気光学装置用基板を備えたことを特徴とする。
すなわち、本発明の電気光学装置は、上記本発明の電気光学装置用基板を備えているため、端子部における接続不良等の不具合が生じる恐れがなくなる。したがって、電気的接続の安定性及び信頼性を向上させることができ、その結果、電気光学装置の動作及び接続の安定性及び信頼性を向上させることができる。
【００３２】
本発明の電子機器は、上記本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
すなわち、本発明の電子機器は、上記本発明の電気光学装置を備えているため、電気的接続の安定性及び信頼性を向上させることができ、その結果、電子機器の動作及び接続の安定性及び信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
〔第１の実施の形態〕
［電気光学装置］
以下、本発明における第１の実施の形態について図１から図７を参照して説明する。
本実施の形態においては、電気光学物質として液晶を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置を例に採り説明する。
図１は本実施の形態における液晶表示装置の構成を示す平面図、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図３は、この液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００３４】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、ＴＦＴアレイ基板（基板）１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及びパッド（端子部）２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００３５】
この液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、各画素１００ａには、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。ここで、データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、同時に供給してもよいし、デマルチプレクサを設けて時分割に共通してもよいし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００３６】
また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。また、画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込むようになっている。
このようにして、画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持されるようになっている。
【００３７】
また、図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０は、石英などの光透過性の絶縁基板からなるガラス基板１０Ａと、その液晶層５０側表面上に形成され、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜などの透明導電性膜からなる画素電極９ａと、表示領域に設けられた画素スイッチング用ＴＦＴ（スイッチング素子）３０および非表示領域に設けられた駆動回路用ＴＦＴ（スイッチング素子）（図示せず）と、ポリイミド膜等の有機膜から形成され、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６とを主体として構成されている。
【００３８】
他方、対向基板２０は、透明なガラスや石英などの光透過性基板からなる基板本体２０Ａと、その液晶層５０側表面上に形成された対向電極２１と、配向膜２２と、金属などからなり、各画素部の開口領域以外の領域に設けられた遮光膜２３、および、遮光膜２３と同じかあるいは異なる材料からなる額縁としての遮光膜５３とを主体として構成されている。
このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対向するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が形成されている。
【００３９】
また、図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａの液晶層５０側表面上において、各画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対応する位置には、遮光層１１ａが設けられている。また、遮光層１１ａと画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１層間絶縁膜１２が設けられている。第１層間絶縁膜１２は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを遮光層１１ａから電気的に絶縁するために設けられるものである。
【００４０】
図４に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ ）構造を有しており、走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域（ソース領域）１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅ（ドレイン領域）を備えている。
【００４１】
ここで、ゲート絶縁膜２は、その厚さが例えば６０〜８０ｎｍ程度とされているのが好ましい。これは、特に画素スイッチング用ＴＦＴ３０や駆動回路用ＴＦＴ（図示せず）の駆動電圧を１０〜１５Ｖ程度に設定した場合に、前記範囲の厚さが絶縁耐圧を確保するうえで必要となるからである。
【００４２】
また、この液晶パネルにおいては、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、さらにこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。容量線３ｂおよび走査線３ａは、同一のポリシリコン膜、または、ポリシリコン膜と、金属単体、合金、金属シリサイド等の積層構造からなり、蓄積容量７０の誘電体膜と画素スイッチング用ＴＦＴ３０および駆動回路用ＴＦＴ（図示せず）のゲート絶縁膜２とは、同一の熱酸化膜、高温酸化膜の２層構造からなっている。また、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅと、駆動回路用ＴＦＴ（図示せず）のチャネル領域、ソース領域、ドレイン領域と、第１蓄積容量電極とは、同一の半導体層１ａからなっている。
【００４３】
また、図４に示すように、走査線３ａ、ゲート絶縁膜２及び第１層間絶縁膜１２の上には第２層間絶縁膜４が形成されており、この第２層間絶縁膜４には、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５、及び画素スイッチング用ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８がそれぞれ形成されている。さらに、データ線６ａ及び第２層間絶縁膜４の上には第３層間絶縁膜（絶縁膜）７が形成されており、この第３層間絶縁膜７には画素スイッチング用ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅへのコンタクトホール８が形成されている。また、画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜７の上面に設けられている。
【００４４】
図５は、本実施の形態におけるパッドの平面図であり、図６は、図５におけるＪ−Ｊ′線矢視断面図である。
一方、パッド（端子部）２０２は、図５および図６に示すようにＴＦＴアレイ基板１０の基体としての透明なＴＦＴアレイ基板用のガラス基板１０Ａ上におけるパッドの形成領域の、表示部側の端部を含む領域を除いた領域に略５０μｍのピッチ間隔で形成されている。
また、パッド２０２は、第２層間絶縁膜４上に形成された金属層３０１と、金属層３０１上の第３層間絶縁膜７に形成された開口部３０３とから構成されている。さらに、第２層間絶縁層４上には、金属層３０１の他にストッパ層３０２が形成されている。
【００４５】
開口部３０３は、金属層３０１から離れる方向に向かってその面積が広がるように形成されるとともに、金属層３０１に第３層間絶縁膜７が被さらないように形成されている。
つまり、開口部３０３における第３層間絶縁膜７上端の寸法をａ、同じく下端の寸法をｂ、金属層３０１から開口部３０３下端の壁面までの距離をｃ、金属層３０１の寸法をｄとすると、開口部３０３の形状は、その上端の寸法が金属層３０１の寸法よりも大きく（ａ＞ｄ）、金属層３０１から離れる方向に向かってテーパ状に広がっている（ａ＞ｂ）。また好適には金属層３０１上に第３層間絶縁膜７が被さらない（ｃ≧０）ように形成するとよい。
なお、開口部３０３の形状は、その面積が金属層３０１の面積よりも広ければよく、上述したように、金属膜３０１から離れる方向に向かってテーパ状に広がる形状のほかに、その上端の寸法と下端の寸法とが同一寸法となる形状であってもよい。
【００４６】
また、ストッパ層３０２は、開口部３０３をエッチングにより形成する際に金属層３０１以外の領域が第２層間絶縁層４までエッチングされる防止するストッパであるので、図６に示すように、金属層３０１と同一層上に形成されてもよいし、第２層間絶縁膜４上にストッパ層３０２を形成しその上に金属層３０１を形成してもよい。さらに、ストッパ層３０２を形成する材質としては、開口部３０３を形成する際のエッチングにおけるストッパの役割を果たせればよく、例えばＳｉＮ、ＳｉＯＮを例示することができる。
【００４７】
金属層３０１は、データ線６ａ、すなわちＴＦＴ３０のソース配線に電気的に接続されるものであり、導電性の良い金属であればよい。材料としては、特に限定されないが、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、およびこれらの合金などが好適である。
第１層間絶縁膜１２の材料としては、酸化シリコンや、ＮＳＧ（ノンドープトシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの高絶縁性ガラス等を例示することができる。
第２層間絶縁膜４および第３層間絶縁膜７の材料としては、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜を例示することができる。
【００４８】
次に、上記の構成からなる液晶表示装置におけるパッドの接続について説明する。
図７は、本実施の形態におけるパッドの接続を示す図である。
液晶表示装置のパッド２０２には、図７に示すように、フレキシブルプリント基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔ  Ｃｉｒｃｕｉｔ：以下、ＦＰＣと略記する ）３５０が接続され、外部の機器からの信号が入力される。ＦＰＣ３５０には導電性を有するバンプ３５１が形成されており、このバンプ３５１が開口部３０３に挿入されて異方性導電膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ：以下、ＡＣＦと略記する）３５２を介して金属層３０１と電気的に接触する。
ＡＣＦ３５２は導電性微粒子３５３と接着剤３５４とから構成され、絶縁性を有する接着剤３５４中に導電性微粒子３５３が分散され厚み方向（接続方向）に導電性を有し、面方向（横方向）に絶縁性を有するものである。このＡＣＦ３５２を介して接続するときは、基本的に加熱圧着される。まず、パッド２０２を覆うようにＡＣＦ３５２を貼り付け、そしてＦＰＣ３５０を装着して加熱圧着する。圧着することにより、ＡＣＦ３５２の導電性微粒子３５３を介してバンプ３５１と金属層３０１とが導通することになる。
【００４９】
上記の構成によれば、開口部３０３の面積が金属層３０１の面積よりも大きく形成されているため、従来の電気光学装置用基板と比べて、第３層間絶縁膜７の厚さに対する開口部３０３面積の寸法の割合が大きくなっている。そのため、バンプ３５１が開口部３０３を通して金属層３０１と接触しやすくなり、外部の機器からＦＰＣ３５０を介して液晶表示装置に信号を入力しやすくなる。つまり、パッド２０２における電気的接触不良の発生を防止しやすくなり、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
【００５０】
開口部３０３の面積が金属層３０１から離れるにつれ大きくなっているため、バンプ３５１を開口部３０３の中に挿入しやすくなり、バンプ３５１が金属層３０１と接触しやすくなる。そのため、パッド２０２における電気的接触不良の発生を防止しやすくなり、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
【００５１】
開口部３０３における金属層３０１側端部の面積が、金属層３０１の面積と等しいかそれより大きいため、金属層３０１が第３層間絶縁膜７に被さられることなく完全に露出している。そのため、端子部２０２における電気的接触不良の発生を防止しやすくなる。その結果、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
第３層間絶縁膜７の下に開口部３０３の穴深さを規定するストッパ層３０２が設けられているため、ストッパ層３０２に到達するまで開口部３０３の穴を形成すればよくなり、開口部３０３の穴深さの調節を行いやすくなる。
【００５２】
また、開口部３０３の形状が金属層３０１から離れる方向に向かってその面積が大きくなる形状なので、開口部３０３の上に配向膜１６を積層する際に配向膜１６が開口部３０３上においてムラになりにくい。配向膜１６のムラが少ないため、開口部３０３上の配向膜１６を除去しやすくなり、金属層３０１を露出させやすくなるため、パッド２０２における電気的接触不良の発生を防止しやすくなる。その結果、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
【００５３】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施形態について図８および図９を参照して説明する。
本実施の形態における液晶表示装置の基本構成は、第１の実施の形態と同様であるが、第１の実施の形態とは、パッド周辺の構成が異なっている。よって、本実施の形態においては、図８および図９を用いてパッド周辺のみを説明し、ＴＦＴアレイ基板等の説明を省略する。
図８は、本実施の形態における液晶表示装置の構成を示す平面図であり、図９（ａ）は、図８におけるＫ−Ｋ′線矢視断面図であり、図９（ｂ）は、パッド部分の斜視図である。
パッド（端子部）４００は、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、第２層間絶縁膜４上に形成され第３層間絶縁膜７を貫通するように形成された金属層４０１と、第４層間絶縁層７ａを除去して金属層４０１を露出するように形成された段差部４０４とから構成されている。また、第３層間絶縁膜７上には、金属層４０１の上面４０１ａと同一平面を形成するようにストッパ層４０２が形成されている。
【００５４】
段差部４０４は、図８および図９（ａ）、（ｂ）に示すように、パッド４００が配置されている近傍の実装領域（端子部近傍）４０５全体にわたって、ストッパ層４０２より上の第４層間絶縁層７ａを除去するようにして形成されている。金属層４０１は、その上面４０１ａとストッパ層４０２とが同一平面をなすように配置されているので、ストッパ層４０２が露出している段差部４０４において、上面４０１ａのみが露出している。
なお、ストッパ層４０２を形成する材質としては、段差部４０４を形成する際のエッチングにおけるストッパの役割を果たせればよく、例えばＳｉＮ、ＳｉＯＮを例示することができる。また、ストッパ層４０２を用いて第３層間絶縁層７の除去膜厚を制御する以外にも、ストッパ層４０２を用いないでエッチング時間により第３層間絶縁層７の除去膜厚を制御してもよい。
また、金属層４０１は、データ線６ａ、すなわちＴＦＴ３０のソース配線に電気的に接続されるものであり、導電性の良い金属であればよい。材料としては、特に限定されないが、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、およびこれらの合金などが好適である。
【００５５】
次に、上記の構成からなる液晶表示装置におけるパッドの接続について説明する。
図１０は、本実施の形態におけるパッドの接続を示す図である。
液晶表示装置のパッド４００には、図１０に示すように、ＦＰＣ３５０がＡＣＦ５３２を介して金属層４０１と電気的に接続され、外部の機器からの信号が入力される。
パッド４００とＦＰＣ３５０とを接続するには、まず、パッド４００を覆うようにＡＣＦ３５２を貼り付け、そしてＦＰＣ３５０を装着して加熱圧着する。圧着することにより、ＡＣＦ３５２の導電性微粒子３５３を介してＦＰＣ３５０と金属層４０１とが導通することになる。
【００５６】
上記の構成によれば、実装領域４０５の第４層間絶縁膜７ａが除去され、金属層４０１の上面４０１ａが露出しているため、ＦＰＣ３５０がＡＣＦ３５２を介して金属層４０１と接触しやすくなり、外部の機器からＦＰＣ３５０を介して液晶表示装置に信号を入力しやすくなる。つまり、パッド４００における電気的接触不良の発生を防止しやすくなり、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
また、金属層４０１の上面４０１ａが露出しているだけなので、金属層４０１同士が短絡しにくく、電気的接触の不具合に起因する実装不良を減少させることができる。
第３層間絶縁膜７の上に第４層間絶縁膜７ａの除去される厚さを規定するストッパ層４０２が設けられているため、ストッパ層４０２に到達するまで第４層間絶縁膜７ａを除去すればよいため、第４層間絶縁膜７ａを除去する厚さの調節を行いやすくなる。
【００５７】
〔第３の実施の形態〕
次に、本発明における第３の実施の形態について図１１を参照して説明する。
本実施の形態における液晶表示装置の基本構成は、第２の実施の形態と同様であるが、第２の実施の形態とは、パッド周辺の構成が異なっている。よって、本実施の形態においては、図１１を用いてパッド周辺のみを説明し、ＴＦＴアレイ基板等の説明を省略する。
図１１（ａ）は、本実施の形態におけるパッドの断面図であり、図１１（ｂ）は、本実施の形態におけるパッドの斜視図である。
パッド（端子部）４５０は、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、第２層間絶縁膜４上に形成された金属層４５１と、第３層間絶縁膜７を貫通して金属層４５１に到達するように形成された開口部４５３とから構成されている。また、第３層間絶縁膜７には、実装領域４０５において第３層間絶縁膜７の厚さを薄くするように段差部４５４が形成されている。
【００５８】
段差部４５４は、実装領域４０５の第３層間絶縁膜７をエッチングにより除去して形成され、実装領域４０５に残される第３層間絶縁膜７の厚さをエッチング時間により制御している。開口部４５３は、金属層４５１をエッチング停止層として用い、金属層４５１を露出するように形成されている。
なお、これら段差部４５４および開口部４５３は、段差部４５４を形成してから開口部４５３を形成してもよいし、開口部４５３を形成してから段差部４５４を形成してもよい。さらには、段差部４５４の除去膜厚よりも薄い膜厚を残すように開口部４５３を途中まで形成し、段差部４５４を形成するとともに開口部４５３の残った部分を同時に除去してもよい。また、例えば画素電極とＴＦＴを接続するためのコンタクトホールの形成時に同時に行ってもよい。
なお、上記の構成からなる液晶表示装置におけるパッドの接続については、第１の実施の形態と同様であるため、その説明を省略する。
【００５９】
上記の構成によれば、実装領域４０５における第３層間絶縁膜７の厚さが、他の領域における厚さより薄くなっているため、第３層間絶縁膜７の厚さに対する開口部４５３面積の寸法の割合が大きくなっている。そのため、バンプ３５１が開口部４５３を通して金属層４５１と接触しやすくなり、上記信号を電気光学装置用基板に入力しやすくなる。つまり、パッド４５０における電気的接触不良の発生を防止しやすくなり、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
【００６０】
〔第４の実施の形態〕
〔第１実施例〕
次に、本発明における第４の実施の形態に係る第１実施例について図１２を参照して説明する。
本実施の形態に係る第１実施例における液晶表示装置の基本構成は、第１の実施の形態と同様であるが、第１の実施の形態とは、パッド周辺の構成が異なっている。よって、本実施の形態に係る第１実施例においては、図１２を用いてパッド周辺のみを説明し、ＴＦＴアレイ基板等の説明を省略する。
図１２（ａ）は、本実施の形態におけるパッドの断面図であり、図１２（ｂ）は、本実施の形態におけるパッドの斜視図である。
パッド（端子部）５００は、図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、ガラス基板１０Ａ上に形成された第１ダミーパターン（ダミーパターン）５０５と、第１層間絶縁膜１２上に形成された第２ダミーパターン（ダミーパターン）５０６と、第２層間絶縁膜４上に形成された金属層５０１と、第３層間絶縁膜７を貫通して金属層５０１に到達するように形成された開口部５０３とから構成されている。
【００６１】
第１ダミーパターン５０５は、金属層５０１が形成されている領域と略同一領域に形成され、その上に第１層間絶縁膜１２が積層されている。第１ダミーパターン５０５上の第１層間絶縁膜１２には、第１ダミーパターン５０５の膜厚と略同じ高さの第１盛り上がり部１２ａが形成される。第２ダミーパターン５０６は、第１盛り上がり部１２ａ上に形成され、その上に第２層間絶縁膜４が積層される。第２層間絶縁膜４には、第１ダミーパターン５０５と第２ダミーパターン５０６の膜厚を合わせた高さの第２盛り上がり部４ａが形成される。金属層５０１は第２層間絶縁層４の形成された第２盛り上がり部４ａ上に形成されている。
また、第１ダミーパターン５０５は、金属層５０１と少なくとも同じ寸法、面積に形成されるとともに、遮光層１１ａと略同一膜厚に形成されている。第２ダミーパターン５０６は、金属層５０１と少なくとも同じ寸法、面積に形成されるとともに、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極と略同一膜厚に形成されている。
なお、上記の構成からなる液晶表示装置におけるパッドの接続については、第１の実施の形態と同様であるため、その説明を省略する。
【００６２】
上記の構成によれば、金属層５０１の下方には第１ダミーパターン５０５および第２ダミーパターン５０６が積層されているため、金属層５０１は第３層間絶縁膜７側に突出した位置に形成される。そのため、ＣＭＰなどの平坦化をした場合に金属層５０１上における第３層間絶縁膜７の厚さが、その他の領域における第３層間絶縁膜７の厚さより薄くなり、第３層間絶縁膜７の厚さに対する開口部５０３面積の寸法の割合が大きくなる。その結果、バンプ３５１が開口部５０３を通して金属層５０１と接触しやすくなる。つまり、パッド５００における電気的接触不良の発生を防止しやすくなり、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
【００６３】
第１ダミーパターン５０５および第２ダミーパターン５０６の面積が金属層５０１の面積よりも大きいため、金属層５０１全体が絶縁膜側に突出した位置に形成される。そのため、金属層５０１上における前記絶縁膜の厚さが均一となり、バンプ３５１を金属層５０１に面で接触させやすくなる。その結果、パッド５００における電気的接触不良の発生を防止しやすくなり、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
【００６４】
また、１つの金属層５０１に対して１つの第１ダミーパターン５０５および１つの第２ダミーパターン５０６が配置されているので、例えば、所定の金属層５０１に電気信号が入力され、それに対応する１ダミーパターン５０５および第２ダミーパターン５０６に電位が誘起された時にも、電気信号が入力されていない金属層５０１に影響を与えることがない。
【００６５】
図１３（ａ）は、本実施の形態に係る別の実施例におけるパッドの断面図であり、図１３（ｂ）は、本実施の形態に係る実施例におけるパッドの部分平面図である。
なお、金属層５０１と第２ダミーパターン５０６とは、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、導電部材（導電部）５１０により接続されていてもよい。導電部材５１０は、金属層５０１の周辺部に配置されており、その材質は導電性を備えていればＣｕ、Ａｌなど、さまざまな材料を用いることができる。
この構成によれば、第２ダミーパターン５０６をパッド５００の一部として利用することができる。その結果、第２ダミーパターン５０６を延長して配線として使用することができ、冗長配線としての役割を果たすことができる。また、第２ダミーパターン５０６を形成する材料に低抵抗の材料を用いることにより、信号伝達の時定数を改善することもできる。
また、導通部材５１０は金属層５０１の周辺部に配置され、金属層５０１の略中央部には凹凸の少ない平面部が形成されている。そのため、パッド５００に信号を入力するバンプ３５１と金属層５０１とが上記平面部において接触する時に、確実にバンプ３５１と金属層５０１とを接触させ、信号を入力させることができる。
【００６６】
〔第２実施例〕
次に、本発明における第４の実施の形態に係る第２実施例について図１４および図１５を参照して説明する。
本実施の形態に係る第２実施例における液晶表示装置の基本構成は、第１の実施の形態と同様であるが、第１の実施の形態とは、パッド周辺の構成が異なっている。よって、本実施の形態に係る第２実施例においては、図１４および図１５を用いてパッド周辺のみを説明し、ＴＦＴアレイ基板等の説明を省略する。
図１４は、本実施の形態に係る第２実施例におけるパッドの断面図である。
パッド（端子部）５２０は、図１４に示すように、ガラス基板１０Ａ上に形成された第１ダミーパターン（ダミーパターン）５２５と、第１層間絶縁膜１２上に形成された第２ダミーパターン（ダミーパターン）５２６と、第２層間絶縁膜４上に形成された金属層５０１と、第３層間絶縁膜７を貫通して金属層５０１に到達するように形成された開口部５０３とから構成されている。
【００６７】
図１５は、本実施の形態に係る第２実施例におけるパッドの部分平面図である。
第１ダミーパターン５２５は、図１５に示すように、複数の金属層５０１が形成されている領域にまたがって形成され、その上に第１層間絶縁膜１２が積層されている。第１ダミーパターン５２５上の第１層間絶縁膜１２には、図１４に示すように、第１ダミーパターン５２５の膜厚と略同じ高さの第１盛り上がり部１２ａが形成されている。第２ダミーパターン５２６は、第１盛り上がり部１２ａ上に第１ダミーパターンと略同じ領域に形成され、その上に第２層間絶縁膜４が積層されている。第２層間絶縁膜４には、第１ダミーパターン５２５と第２ダミーパターン５２６の膜厚を合わせた高さの第２盛り上がり部４ａが形成されている。金属層５０１は第２層間絶縁層４の形成された第２盛り上がり部４ａ上に形成されている。
また、第１ダミーパターン５２５は遮光層１１ａと略同一膜厚に形成され、第２ダミーパターン５２６は画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極と略同一膜厚に形成されている。さらに、第１ダミーパターン５２５および第２ダミーパターン５２６は接地されている。
なお、上記の構成からなる液晶表示装置におけるパッドの接続については、第１の実施の形態と同様であるため、その説明を省略する。
【００６８】
上記の構成によれば、パッド５２０の間隔を狭くして金属層５０１の間隔を狭くしても、第１ダミーパターン５２５および第２ダミーパターン５２６は複数の金属層５０１に対して１つしか配置されていないので、第１ダミーパターン５２５および第２ダミーパターン５２６の配置間隔が狭い所が生じず、第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜４のつきまわり問題が発生しない。そのため、パッド５２０の間隔を狭くするのに好適であり、特にスパッタやＰＥＣＶＤのようなアスペクト比の大きい部分のつきまわりが悪い製造方法に用いて好適である。
また、第１ダミーパターン５２５および第２ダミーパターン５２６は接地されることで所定の電位に固定されているので、パッド５２０の金属層５０１に入力される信号により、第１ダミーパターン５２５および第２ダミーパターン５２６の電位が変動することがなく、それに従って信号が入力されていない金属層５０１に電位が誘起されることがない。
【００６９】
なお、１つの第１ダミーパターン５２５および第２ダミーパターン５２６に対応した複数の金属層５０１に対して同じ電気信号が入力される場合、上記複数の金属層５０１と第２ダミーパターン５２６とを電気的に接続してもよい。このとき、少なくとも第２ダミーパターン５２６の接地は解除されている。
この構成によれば、第２ダミーパターン５２６をパッド５２０の一部として利用することができる。その結果、第２ダミーパターン５２６を延長して配線として使用することができ、冗長配線としての役割を果たすことができる。また、第２ダミーパターン５２６を形成する材料に低抵抗の材料を用いることにより、信号伝達の時定数を改善することもできる。
【００７０】
〔第５の実施の形態〕
次に、本発明における第５の実施の形態について図１６を参照して説明する。
本実施の形態における液晶表示装置の基本構成は、第２の実施の形態と同様であるが、第２の実施の形態とは、パッド周辺の構成が異なっている。よって、本実施の形態においては、図１６を用いてパッド周辺のみを説明し、ＴＦＴアレイ基板等の説明を省略する。
図１６は、本実施の形態におけるパッドの断面図である。
パッド（端子部）５５０は、図１６に示すように、第２層間絶縁膜４上に形成された金属層５５１と、第３層間絶縁膜７を貫通して金属層５５１に到達するように形成された開口部５５３と、開口部５５３に配置された埋め込み部（埋め込み部材）５５４とから構成されている。
埋め込み部５５４は、開口部５５３に導電性の材料を象嵌して形成され、その上面は第３層間絶縁膜７の上面と同一平面をなすように形成されている。
なお、上記の構成からなる液晶表示装置におけるパッドの接続については、第２の実施の形態と同様であるため、その説明を省略する。
【００７１】
上記の構成によれば、第３層間絶縁膜７を貫通して金属層５５１に到達するように開口部５５３が形成され、その開口部５５３には埋め込み部５５４が金属層５５１と電気的に接続されるように配置されている。そのため、ＦＰＣ３５０が金属層５５１と接触しやすくなる。つまり、パッド５５０における電気的接触不良の発生を防止しやすくなり、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
【００７２】
埋め込み部５５４が象嵌により形成されるので、埋め込み部５５４の形状が開口部５５３の形状と一致する形状となり、埋め込み部５５４が第３層間絶縁膜７から突出することがない。そのため、隣り合う金属層５５１同士が短絡しにくく、電気的接触の不具合に起因する実装不良を減少させることができる。
【００７３】
〔第６の実施の形態〕
次に、本発明における第６の実施の形態について図１７を参照して説明する。
本実施の形態における液晶表示装置の基本構成は、第２の実施の形態と同様であるが、第２の実施の形態とは、パッド周辺の構成が異なっている。よって、本実施の形態においては、図１７を用いてパッド周辺のみを説明し、ＴＦＴアレイ基板等の説明を省略する。
図１７は、本実施の形態におけるパッドの断面図である。
パッド（端子部）６００は、図１７に示すように、第２層間絶縁膜４上に形成された金属層６０１と、第３層間絶縁膜７を貫通して金属層６０１に到達するように形成された開口部６０３と、開口部６０３から実装領域４０５まで形成された引出し金属層（導電層）６０５とから構成されている。金属層６０１上には第４層間絶縁膜７ａが形成されている。実装領域４０５には、引出し金属層６０５と第３層間絶縁膜７とが露出するように段差部６０４が形成されている。
【００７４】
段差部６０４は次の手順に従って形成されている。まず、金属層６０１の領域の第３層間絶縁膜７に金属層６０１が露出するように開口部６０３が形成される。次に、引出し金属層６０５が形成され、金属部６０１の領域を覆うように第４層間絶縁膜７ａを積層させる。
このように形成することにより、実装領域４０５には、引出し金属層６０５のみが露出し、金属層６０１は第２層間絶縁膜４と第４層間絶縁膜７ａとの間に配置される。
なお、引出し金属層６０５の材料としては導電性のよい金属であればよく、特に限定されないが、他の配線部にも使用されているＡｌ等の導電性金属を例示することができる。
なお、上記の構成からなる液晶表示装置におけるパッドの接続については、第２の実施の形態と同様であるため、その説明を省略する。
【００７５】
上記の構成によれば、第３層間絶縁膜７に金属層６０１が露出されるように開口部６０３が形成され、その開口部６０３には引出し金属層６０５が金属層６０１と電気的に接続されるように配置されている。そのため、ＦＰＣ３５０が金属層６０１と接触しやすくなり、上記信号を電気光学装置用基板に入力しやすくなる。つまり、パッド６００における電気的接触不良の発生を防止しやすくなり、電気的接触不良に起因する実装不良を減少させることができる。
【００７６】
なお、本実施の形態はＡｌなどの配線が多層である場合に適応して記載しているが、特にＡｌなどの配線が多層である場合に限定するものではない。
【００７７】
［電子機器］
上記の実施形態のアクティブマトリクス方式の液晶表示装置を備えた電子機器の例について説明する。
図１８は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１８において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の第１から６のいずれかの実施形態の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示している。
【００７８】
図１８に示す電子機器は、上記の第１から６のいずれかの実施形態の液晶表示装置を備えているため、パッドにおける接続不良等の不具合が生じる恐れがなくなる。また、パッドにおける絶縁性が良好に保持されるので、金属配線の信頼性を向上させることができる。したがって、電気的接続の安定性及び信頼性を向上させることができ、その結果、液晶表示部の動作及び接続の安定性及び信頼性を向上させることができる。また他の電子機器の例としては、上記の実施の形態の液晶表示装置をライトバルブとして用いた投射型カラー表示装置は高信頼で好適である。
【００７９】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記の実施の形態においては、第１から第６の実施の形態について別々に適応して説明したが、別々に適応されたものに限られることなく、第１の実施の形態と第２の実施の形態を組み合わせたもの等、その他実施の形態をさまざまに組み合わせて適応することができるものである。
また、上記の実施形態では、ＴＦＴをスイッチング素子としたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用した例を示したが、その他、ＴＦＤをスイッチング素子としたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置、あるいは一対の基板の各々に走査電極、データ電極を備えたパッシブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用することができる。さらに、液晶表示装置のみならず、有機ＥＬ装置などの他の電気光学装置にも本発明を適用できる。
また、上記の実施の形態においては、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）実装に適応して説明したが、このＣＯＦ実装に限られることなく、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）実装や、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）実装など、さまざまな実装方法に適応して説明することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の第１の実施形態の液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図３】同液晶表示装置の画像表示領域の等価回路図である。
【図４】同液晶表示装置の画像表示領域の画素の構造を示す拡大断面図である。
【図５】同液晶表示装置のパッドを示す平面図である。
【図６】図５のＪ−Ｊ′線に沿う断面図である。
【図７】同液晶表示装置のパッドの接続を示す断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態の液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図９】図８のＫ−Ｋ′線に沿う断面図である。
【図１０】同液晶表示装置のパッドの接続を示す断面図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態のパッドの構成を示す断面図である。
【図１２】本発明の第４の実施形態に係る第１実施例のパッドの構成を示す図である。
【図１３】同、第１実施例における変形例のパッドの構成を示す図である。
【図１４】本発明の第４の実施形態に係る第２実施例のパッドの構成を示す断面図である。
【図１５】同、第２実施例のパッドの構成を示す部分平面図である。
【図１６】本発明の第５の実施形態のパッドの構成を示す断面図である。
【図１７】本発明の第６の実施形態のパッドの構成を示す断面図である。
【図１８】本発明の第１から第６のいずれかの実施形態の液晶表示装置を用いた電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８１】
７・・・第３層間絶縁膜（絶縁膜）、  １０・・・ＴＦＴアレイ基板（基板）、  １００・・・液晶表示装置（電気光学装置）、  ２０２、４００、４５０、５００、５２０、５５０、６００・・・パッド（端子部）、  ３０１、４０１、４５１、５０１、５５１、６０１・・・金属層、  ３０２、４０２・・・ストッパ層、  ３０３、４０３、４５３、５０３、５５３、６０３・・・開口部、４０５・・・実装領域（端部近傍）、  ５０５、５２５・・・第１ダミーパターン（ダミーパターン）、  ５０６、５２６・・・第２ダミーパターン（ダミーパターン）、  ５１０・・・導電部材（導電部）、  ５５４・・・埋め込み部（埋め込み部材）、  ６０５・・・引出し金属層（導電層）
【図１】
2005070723.tif 000003
【図２】
2005070723.tif 000004
【図３】
2005070723.tif 000005
【図４】
2005070723.tif 000006
【図５】
2005070723.tif 000007
【図６】
2005070723.tif 000008
【図７】
2005070723.tif 000009
【図８】
2005070723.tif 000010
【図９】
2005070723.tif 000011
【図１０】
2005070723.tif 000012
【図１１】
2005070723.tif 000013
【図１２】
2005070723.tif 000014
【図１３】
2005070723.tif 000015
【図１４】
2005070723.tif 000016
【図１５】
2005070723.tif 000017
【図１６】
2005070723.tif 000018
【図１７】
2005070723.tif 000019
【図１８】
2005070723.tif 000020