(57)【要約】【課題】情報トラック間の磁気的分断のためにアニール処理を用いず、また、磁気的分断によるデッドスペース量（面積）を極力少なくした磁壁移動型光磁気記録媒体の提供。【構成】図１（ａ）に示した様な細くて（深い）溝１２ａを有したランド・グルーブ基板１１ａ（情報記録面はランド部分のみ）を用いて、磁性層１３ａ等を形成後、ミリング等のエッチング手段で、主に溝部分の磁性層を物理的に除去した（図１（ａ）’に示した）。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体表面の各情報トラック間に、情報トラック幅の半分以下の幅の溝を有する光磁気記録媒体において、該溝部分の積層薄膜の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
前記光磁気記録媒体が磁性層を少なくとも３層有し、該第１の磁性層は、第３の磁性層と比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きく、第２の磁性層は、両側の磁性層と比較してキュリー温度が低く、第３の磁性層は垂直磁化膜であることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
前記光磁気記録媒体に対して、膜面側からエッチングすることにより、前記深溝部分の積層薄膜を、情報トラック部の積層薄膜よりも多く削ることを特徴とする請求項１、２に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は光磁気記録媒体及びそれを用いた情報記録再生装置、及び該光磁気記録媒体の製造方法に関し、特に記録された情報信号を磁壁移動型再生方式により再生する光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
書き換え可能な高密度記録方式として、半導体レーザーの熱エネルギーを用いて磁性薄膜に磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いてその情報を読み出す光磁気記録媒体があり、近年更にその記録密度を高めて大容量の記録媒体とする要求が高まっている。
【０００３】
光磁気記録媒体等の光ディスクの線記録密度は、再生光学系のレーザー波長及び対物レンズの開口数に大きく依存する。しかしながら、レーザー波長や対物レンズの開口数の改善にも限界がある。このため、記録媒体の構成や読み取り方法を工夫し、記録密度を向上させる技術がいくつか提案されている。
【０００４】
例えば、特開平０６−２９０４９６号では、磁気的に結合している磁壁移動層と記録保持層とを有してなる多層膜の、記録保持層に信号を記録し、光ビームの照射による温度勾配を利用して、記録保持層の記録データを変化させることなく、磁壁移動層の記録マークの磁壁を移動させ、すなわち、光ビームスポット内の大部分の領域が同一磁化になるように磁壁移動層を磁化変化させ、該光ビーム反射光の偏向面の変化を検出し、光の回折限界以下の記録マークを再生する信号再生方法（いわゆる磁壁移動型光磁気記録の再生方法）が提案されている。この方法によれば、光の回折限界以下の大きさの記録マークの再生が可能となることから、記録密度及び転送速度を大幅に向上させた光磁気記録媒体とその再生方法が提供される。
【０００５】
なお、上記特開平０６−２９０４９６号においては、記録マークの磁壁の移動を起こりやすくさせる目的で、情報記録トラックを挟む両隣接溝部（あるいは、突起部）に、予め高パワーのレーザー光を照射して磁性層を変質させる『アニール処理』が施されている。該『アニール処理』によって、情報トラック上に記録されたマーク（記録磁区）を形成する磁壁が開放され、閉じた磁区とならない（分断された線となる）ことから、磁壁抗磁力の作用が軽減され、磁壁が動きやすくなる。
【０００６】
また、特開平１０−２７５３６９号においては、記録マークの磁壁の移動を起こりやすくさせる目的で、ランド・グルーブ基板の斜面部分の磁性層をイオンビームで除去し、すなわち磁性層を物理的に分断し、不連続とすることで、磁壁の開放を実現している。
【０００７】
【先行技術文献】
特開平０６−２９０４９６号
特開平１０−２７５３６９号
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記アニール処理を施した光磁気記録媒体では、その記録再生特性がアニール条件に大きく依存し、例えば、媒体の基板形状や基板の厚み、磁性層の組成・厚み等が変化した時、該アニール条件の最適値が変化しやすいという問題があった。また、書き換え耐久特性や環境保存特性もアニール条件に大きく依存していた。このことは、アニール処理部分と未処理部分の境界が（連続的で）不明瞭であることから、各種媒体のパラメータに複雑に依存しやすく、記録再生に寄与する情報トラックの実質的な幅が変化しやすいことが原因であると推測している。
【０００９】
また、アニールの条件出し（最適化）も複雑であるという問題があった。
【００１０】
また、アニールした部分は、記録密度的には明らかにデッドスペース（非情報記録部分）となる為、媒体全体の高トラック密度化を妨げている。
【００１１】
また、アニール処理工程は、メディアのコストアップにも繋がる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記問題点に鑑みて鋭意検討した結果得られたものであり、アニールを用いない磁性層分断手法と、分断によるデッドスペース量（面積）を極力少なくした磁壁移動型の光磁気記録媒体を提供するものである。
【００１３】
すなわち、本発明は、図１（ａ）に示した様な細くて（深い）溝１２ａを有したランド・グルーブ基板１１ａ（情報記録面はランド部分のみ）を用いて、磁性層１３ａ等を形成後、ミリング等のエッチング手段で、主に溝部分の磁性層を物理的に除去したもの（図１（ａ）’に示した）である。特に、イオンミリング手法は、入射角依存性があり、斜面部の磁性層が平坦部の磁性層よりも多く削られることから、磁性層の物理的分断（不連続性）に適している。ここで、磁性層が除去される部分は、図１（ａ）’においてＡの部分であり、この部分は、媒体としてはトラック間の磁気的分断のみを達成する（記録密度的には寄与しない）デッドスペースとなる。
【００１４】
一方、特開平１０−２７５３６９号等で開示されている通常のランド・グルーブ基板を図１（ｂ）に示した。また、特願２００１−１２０９０９号等で開示されているグルーブ記録用のランド・グルーブ基板を図１（ｃ）に示した。いずれも、トラックピッチ１４を図１（ａ）と同等にしている。これらの基板を用いて、図１（ａ）の基板の場合と同様にイオンミリングを行なうと、それぞれ図１（ｂ）’、図１（ｃ）’の様に磁性層等が除去され、デッドスペースは、それぞれＢ、Ｃで示した部分となる。いずれも、本発明の図１（ａ）’のＡ部分より明らかに面積（及び体積）が大きい。特に、図１（ｃ）は、磁性層堆積時の膜厚効果で、見かけ上の（磁性層上での）ランド幅が広くなることから、デッドスペースも増大している。
【００１５】
以下、本発明の光磁気記録媒体の構成について詳細に述べる。
【００１６】
まず、図１（ａ）を用いて，本発明の光磁気記録媒体に用いる基板について説明する。
【００１７】
本発明のランド・グルーブ基板１１ａの溝形状は、例えば、トラックピッチ１４ａが０．８μｍ以下、ランド幅１５ａはトラックピッチ１４ａの半分以上、グルーブ底幅１６ａはトラックピッチ１４ａの１／３以下、溝深さ１２ａは５０ｎｍ以上、斜面部の角度１７ａは４０°以上とした。
【００１８】
次に、磁性層の分断方法（イオンミリングの場合）について図２〜図５を用いて説明する。
【００１９】
まず、図２に示した様に、基板２１上に下地誘電体層２８と磁性層２３をこの順に形成した後、その上に保護膜としてカーボン層２９を形成した後、図３に示した向き（磁性層形成側３１）からイオンビーム３３を照射してミリング（エッチング）を行なった。ここで、カーボン保護層の役目は、ミリングレートの角度依存性が大きい（イオンビームの入射角に対して、削れ量の差が大きい）特徴を有することから、ミリング時のアシスト層（選択的なミリング状態を実現する）として用いた。
【００２０】
次に、ミリングによって溝部分の磁性層が所望の量だけ除去された後の形状の一例を図４に示した。
【００２１】
続いて、図５に示した様に、上地誘電体層５５、放熱層５６、保護コート層５７等をこの順に形成して、光磁気記録媒体５１として完成させる。なお、磁性層５３は、特開平０６−２９０４９６号に示された様に、移動層５３１とスイッチング層５３２とメモリ層５３３（図示無し）から構成される。また、磁性層のミリングは、斜面部の磁性層全部を完全に削る必要はなく、その一部（例えばメモリ層５３３のみとか）でも良い。
【００２２】
次に、イオンミリング特性について、図２〜図４を用いて説明する。
【００２３】
カーボン膜に対するイオンミリング特性は、図３に示した様に、イオンビームを媒体に対して垂直に照射させた場合（３３）、媒体の斜面部分のミリングレートが速い（削れ量が多い）。しかも、図２において、カーボン層の膜厚は、成膜直後は、斜面部２９’の方がランド面２９と比較して若干薄くなっている（基板凹凸による遮蔽効果）ことから、斜面部のカーボン層２９’がより短時間で除去され、その下に位置する磁性層２３’が露出する。また、斜面部の磁性層２３’（ＧｄＴｂ系）は、ミリングレートがカーボンと比較して更に大きい（材料依存；数倍）ことから、磁性層の斜面部分２３’が続いて削られ、その下部の下地誘電体層２８’が露出する。従って、最終的には、図４に示した様に、斜面の磁性層４２’が選択的に除去された媒体が得られる。
【００２４】
以上、本発明で、図１（ａ）に示した様な細い溝（グルーブ）を有するランド・グルーブ基板を選んだ利点は、第１に、図１（ａ）’において、ミリング後の削られた斜面部分Ａ（＝デッドスペース）がほぼ溝幅（グルーブ幅）１６に近い幅まで抑えることが出来ることである。それと比較して、図１（ｂ）、（ｃ）の様に、グルーブ幅１６ｂ、１６ｃが広いタイプのランド・グルーブ基板（トラックピッチは同等）を用いた場合には、ミリング後のデッドスペースが実質広くなる（Ｂ部分とＣ部分に相当する）。ここで、図１（ｂ）、（ｃ）において、デッドスペースが傾斜部以上にはみ出している理由は、そもそもミリング前に（基板の斜面から成長した）磁性層等が存在していた部分であるか、あるいはミリング時にイオン注入の影響で磁性層がダメージを受けた部分であることから、平坦部とは磁気特性が異なっていて、記録再生に寄与出来ない部分となっている為である。その反面、本発明の図１（ａ）では、磁性膜が溝（グルーブ）を狭くする方向に成長する為、その部分をミリング（エッチング）しても、もとの基板形状（溝幅）以上に削れ部分が拡がることが無い。以上、本発明の媒体は、用いる基板形状の工夫から、ミリング等のエッチングによるデッドスペースを極力少なくすることが可能となる。
【００２５】
利点の第２は、本発明は、情報記録面をランド部のみ（図１（ａ）’の１８ａ）とすることで、ランド・グルーブ基板を用いる時に問題となっているランドとグルーブの特性差の調整を必要としないことである。通常、図１（ｂ）’に示したような光磁気ディスクでは、ランドとグルーブ間で、磁性層の磁気特性、光学特性が異なる（図１（ｂ）’において、断面形状、実効的なトラック幅１８ｂ、１８ｂ’等も異なっている）ことから、ランド／グルーブ間の記録再生特性の感度差が生じている。
【００２６】
以上、本媒体を磁壁移動型の光磁気記録媒体で説明したが、本発明は、磁壁移動型の媒体に限定されず、他の高密度な磁気記録媒体にも適用される。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
（実施例１）
図２〜図５は、本発明の媒体の断面構成概念図である。
【００２８】
図１（ａ）は、本発明に用いたポリカーボネート基板１１ａの表面形状の詳細である。
【００２９】
ポリカーボネート基板１１ａは、ランド幅１５ａが０．４４μｍ、グルーブ底幅１６ａが０．１０μｍ、溝深さ１２ａが１５０ｎｍ、斜面傾斜部の角度１７ａ（テーパ角）が７０°のランド・グルーブ基板である。
【００３０】
図２は、ミリング前の媒体構成図である。
【００３１】
該ポリカーボネート基板２１（図１（ａ）の１１ａと同じ）上に干渉層（下地誘電体層）としてＳｉＮ層２８を３５ｎｍ形成し、続いて磁性層２３を形成する。磁性層２３としては、ＳｉＮ層２８上に移動層としてＧｄＦｅＣｏＣｒ層２３３を３６ｎｍ、スイッチング層としてＴｂＦｅＣｒ層２３４を１０ｎｍ、メモリ層としてＴｂＦｅＣｏＣｒ層２３５を８０ｎｍ形成し、続いてＣ（カーボン）層２９を１０ｎｍ形成した。
【００３２】
次に、図３に示した様に、媒体の上面（磁性層形成面側３１）からイオンミリングを行なうことにより、特に斜面部の積層薄膜が選択的に除去され（４２’）、斜面部に、その下方から下地誘電体層であるＳｉＮ層２８が現れるまでミリングを行なった（図４）。ミリングの終点は、媒体断面をＦＥ−ＳＥＭ（電界放射型走査電子顕微鏡）で観察することによって確認した。なお、斜面部のＣ（カーボン）層４９’は、ランドの肩の部分に多少残っている程度で、斜面中央部以下には全く無く、平坦部のＣ（カーボン）層４９は、５ｎｍ厚程度残っていた。ミリングによる磁性層の削れ部分の幅Ａは約０．１μｍであった。これは、基板のグルーブ幅（０．１０μｍ）とほぼ同等であり、トラックピッチに対しては約１９％に相当する。
【００３３】
続いて、図５に示した様に、干渉層（上地誘電体層）としてＳｉＮ層５５を１０ｎｍ、放熱層としてＡｌＳｉ層５６を３０ｎｍ形成し、続いて大気中で保護コート層として紫外線硬化樹脂層５７を２μｍスピンコート法で形成した。
【００３４】
この様にして得られた光磁気記録媒体のランド部（図１（ａ）’の１８ａ）に対し、通常の光磁気記録再生評価装置を用いて、磁界変調方式で記録し、続いて磁壁移動再生を行なった。使用した光ヘッドは、波長６５０ｎｍ、ＮＡ０．６０、記録パワーは６．４ｍＷ、記録マーク長は０．１μｍ、媒体の線速度は２．４ｍ／ｓｅｃであった。再生パワーを２．２ｍＷとした時に最もジッタ−σが良くなり、σは３．５ｎｓであった。また、この時のビットエラーレートは５．５×１０−５であり、十分実用レベルであった。また、クロスライト特性、及びクロストーク特性も実用上問題の無いレベルであった。更に、記録耐久特性、環境保存特性も実用上問題の無いレベルであった。
【００３５】
以上、狭い溝（グルーブ）１６ａを有するランド・グルーブ基板１１ａを用いて、そのグルーブ部の磁性層のみを、ミリング等のエッチング手段で物理的に除去することによって、アニール等の手法を用いなくても磁性層の分断が容易に実現され、更に分断部分の面積を極めて小さくすることができる為、狭トラックピッチ０．５４μｍにおいても十分な再生信号が得られ、高トラック密度化の実現を可能とした。なお、ここで用いた薄膜のエッチング法は、汎用の技術であり、しかも連続成膜装置内で実現可能な為、アニール手法を用いた場合と比較して、媒体を安価に提供することが出来る。
（比較例１）
図１（ｂ）に示した様な均等な比率のランド・グルーブ基板を用いた他は、実施例１と同じとした。すなわち、ポリカーボネート基板１１ｂは、ランド幅１５ｂが０．３２μｍ、グルーブ底幅１６ｂが０．２２μｍ、溝深さ１２ｂが１５０ｎｍ、斜面傾斜部１７ｂの角度が６０°のランド・グルーブ基板であった。
【００３６】
この基板上に磁性層等の積層薄膜を形成し、実施例１と同様に、ランドの斜面部で下部ＳｉＮ層２８が現れる直前までミリングを行ない、図１（ｂ）’の様な形状を得た。ここで、ミリングによる磁性層の削れ部分の幅Ｂは０．２２μｍであった。これは、トラックピッチの約４１％であり、実施例１と比較すると約２．２倍であった。
【００３７】
この様にして得られた光磁気記録媒体を、そのグルーブ部及びランド部（それぞれ図（ｂ）’の１８ｂ、１８ｂ’）に対し、通常の光磁気記録再生評価装置を用いて、磁界変調方式で記録し、続いて磁壁移動再生を行なった。使用した光ヘッドは、実施例１と同様、波長６５０  ｎｍ、ＮＡ０．６であり、記録パワーは６．４ｍＷ、記録マーク長は０．１μｍ、媒体の線速度は２．４ｍ／ｓｅｃであった。再生パワーを２．２ｍＷとした時に最もジッタ−σが良くなり、σはグルーブ部で４．０ｎｓ、ランド部で４．９ｎｓであった。
なお、いずれも、再生信号の振幅が不十分であった。このことは、実効的な情報記録幅（１８ｂ、１８ｂ’）が狭くなっていることが原因と予想される。また、ランド・グルーブ間で感度差が生じていることも問題である。また、この時のビットエラーレートは、ランド部で６．５×１０−５であり、実用レベルには若干達していなかった。一方で、クロスライト特性、及びクロストーク特性、記録耐久特性、環境保存特性等は、いずれも実用上問題の無いレベルであった。
【００３８】
以上の結果から、均等幅に近いランド・グルーブ基板１１ｂを用いた場合、磁性層等のエッチングによるデッドスペース面積が１１ａと比較して大きくなり、実効的な情報トラック部の幅が狭くなることから、再生信号振幅が低減し、記録再生特性が悪化した。また、ランド・グルーブ間の特性差は改善されなかった。従って、本比較例の基板１１ｂと膜のミリング工程の組合せは、実施例１と比較して、高トラック密度化に対しては不利であることが明らかとなった。
（比較例２）
図１（ｃ）に示した様な、細いランドを有するグルーブ記録用の基板を用いた他は、実施例１と同じとした。すなわち、ポリカーボネート基板１１ｃは、ランド幅１５ｃが０．１０μｍ、グルーブ底幅１６ｃが０．４４μｍ、溝深さ１２ｃが５０ｎｍ、斜面傾斜部１７ｃの角度が６０°のランド・グルーブ基板であった。
【００３９】
この基板上に磁性層等の積層薄膜を形成し、実施例１と同様に、ランドの斜面部で下部ＳｉＮ層２８が現れる直前までミリングを行ない、図１（ｃ）’の様な形状を得た。ここで、ミリングによる磁性層の削れ部分の幅Ｃは０．２４μｍであった。これは、トラックピッチの約４４％であり、実施例１と比較すると約２．４倍であった。
【００４０】
この様にして得られた光磁気記録媒体を、そのグルーブ面に、通常の光磁気記録再生装置を用いて、磁界変調方式で記録し、続いて磁壁移動再生を行なった。
使用した光ヘッドは、実施例１と同様、波長６５０  ｎｍ、ＮＡ０．６であり、記録パワーは６．４ｍＷ、記録マーク長は０．１μｍ、媒体の線速度は２．４ｍ／ｓｅｃであった。再生パワーを２．２ｍＷとした時に最もジッタ−σが良くなり、σは４．０ｎｓであった。また、この時のビットエラーレートは４．５×１０−４であった。実施例１と比較すると、再生信号の振幅が小さく、マージン的には不十分であった。このことは、実効的な情報記録幅（１８ｃ、１８ｃ’）が実施例１と比較して狭くなっていることが原因と予想される。一方、クロスライト特性、及びクロストーク特性、記録耐久特性、環境保存耐久性については、実用上問題の無いレベルであった。
【００４１】
以上の結果から、狭いランドを有するランド・グルーブ基板１１ｃを用いた場合、磁性層等のエッチングによるデッドスペース面積が１１ａと比較して大きくなり、実効的な情報トラック部の幅が狭くなることから、再生信号振幅が低減し、記録再生特性が悪化した。従って、本比較例の基板１１ｃと膜のミリング工程の組合せは、実施例１と比較して、高トラック密度化に対しては不利であることが明らかとなった。
（実施例２）
実施例１より更なる高トラック密度化を狙って、トラックピッチを狭めた基板を用意した。
【００４２】
すなわち、ポリカーボネート基板１１ａ’は、ランド幅１５ａ’が０．２８μｍ、グルーブ底幅１６ａ’が０．０７μｍ、溝深さ１２ａ’が５０ｎｍ、斜面傾斜部１７ａ’の角度が６０°のランド・グルーブ基板であった（図１（ａ）に準じる）。
【００４３】
この基板を用いて、実施例１と同様に磁性層等を形成し、ミリングしたところ、デッドスペースとなった幅Ａ’は０．０７５μｍであった。これは、基板のグルーブ幅（０．０７μｍ）の約１１％増であり、トラックピッチに対しては約２０％に相当する。
【００４４】
この様にして得られた光磁気記録媒体を、そのランド部（図１（ａ）’の１８ａと同等部位）に、通常の光磁気記録再生評価装置を用いて、磁界変調方式で記録し、続いて磁壁移動再生を行なった。使用した光ヘッドは、実施例１と同様、波長６５０ｎｍ、ＮＡ０．６０であり、記録パワーは６．４ｍＷ、記録マーク長は０．１μｍ、媒体の線速度は２．４ｍ／ｓｅｃであった。再生パワーを２．０ｍＷとした時に最もジッタ−σが良くなり、σは３．８ｎｓであった。また、この時のビットエラーレートは１．０×１０−４であり、十分実用レベルであった。また、クロスライト特性、及びクロストーク特性も実用上問題の無いレベルであった。さらに、記録耐久特性、環境保存特性も実用上問題の無いレベルであった。
【００４５】
以上の結果から、トラックピッチ０．３５μｍと実施例１よりさらに狭めた場合でも、本発明の基板形状とミリング工程を用いることによって、実用レベルの再生信号が得られ、更なる高密度化が達成された。
【００４６】
【発明の効果】
以上述べたように、ランド・グルーブ基板上に積層薄膜を形成した後、該積層薄膜の少なくとも一部をエッチング等の手法で除去して磁性層の磁気的分断を達成する高密度な光磁気記録媒体において、該ランド・グルーブ基板を、グルーブ幅を狭くすることによって、エッチング等で除去される積層薄膜の面積を極めて少なくすることが可能となることから、高トラック密度化が達成される。
【００４７】
また、本発明の媒体では、分断に寄与するのがグルーブで、記録再生領域がすべてランドであることから、再生信号の感度差が無く、品質の良い信号が得られる。
【００４８】
また、本発明を用いることで、アニール処理を不要とする磁壁移動型光磁気記録媒体が提供されることから、媒体のコストダウンが図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気記録媒体と従来の光磁気記録媒体を説明する概念図。
（ａ）実施例１、２で用いた媒体のミリング前
（ａ）’実施例１、２で用いた媒体のミリング後
（ｂ）比較例１で用いた媒体のミリング前
（ｂ）’比較例１で用いた媒体のミリング後
（ｃ）比較例２で用いた媒体のミリング前
（ｃ）’比較例２で用いた媒体のミリング後
【図２】本発明の光磁気記録媒体のミリング前の断面形状を示す概念図。
【図３】本発明の光磁気記録媒体のミリングの様子を示す概念図。
【図４】本発明の光磁気記録媒体のミリング後の断面形状を示す概念図。
【図５】本発明の光磁気記録媒体の最終構成を示す概念図。
【符号の説明】
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、２１・・  ランド・グルーブ基板
１２ａ・・・・・・・・・・・溝深さ
１３ａ、２３、５３・・・・・・・磁性層
２３’、４２’  ・・・・・・・・斜面部の磁性層
１４ａ、１４ｂ、１４ｃ・・・・・・トラックピッチ
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ・・・・・・ランド幅
１６ａ、１６ｂ、１６ｃ・・・・・・グルーブ底幅部
１７ａ・・・・・・・・・・・斜面傾斜部の角度（テーパ角）
１８ａ、１８ｂ、１８ｃ・・・・・・記録再生領域
Ａ、Ｂ、Ｃ・・・・・・    記録再生に寄与しない分断領域（デッドスペース）
２８、５２・・・・・・・・  下地誘電体層
２８’・・・・・・・・・・  斜面部の下地誘電体層
２９、４９、５４・・・・・・・カーボン層
２９’、４９’・・・・・・・・斜面部のカーボン層
３０、４１、５１・・・・・・・光磁気ディスク
３１、４２・・・・・・・・・磁性層形成面側
３３・・・・・・・・・・・イオンビーム照射の向き
５５・・・・・・・・・・・上地誘電体層
５６・・・・・・・・・・・放熱層
５７・・・・・・・・・・・保護コート層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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