(57)【要約】      （修正有）【課題】ポリイミドと同等の耐熱性（ハンダ耐熱性）を有し、低誘電率をも兼ね備え、電子機器の高性能化、小型化に対応したフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシートを提供する。【解決手段】２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン化合物もしくはその誘導体に由来する繰り返し単位［１］と各種二価フェノール類に由来する繰り返し単位［２］を含有し、繰り返し単位［１］の含有割合が全繰り返し単位に対してモル比で０．５〜０．９５の範囲にあるポリカーボネート共重合体を用いてフレキシブルプリント基板用のフィルムもしくはシートにする。2005206834.tif 000027式中、Ｒ１，Ｒ２はハロゲン原子，アルキル基等、Ｒ３はハロゲン原子，アルキル基，フルオロアルキル基等、ｒ，ｔは０〜４の整数、ｓは０〜１４の整数、Ｘは単結合，−Ｏ−，−ＣＯ−，ポリシロキサン基等を表わす。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の一般式[１]で表されるアダマンタン骨格を有する繰り返し単位［１］の少なくとも１種及び下記の一般式[２]で表される繰り返し単位「２」の少なくとも１種を含有し、繰り返し単位[１]の含有割合が、全繰り返し単位に対してモル比で０.５≦[［１］／（［１］＋［２］）]≦０.９５のポリカーボネート共重合体を用いて得られたことを特徴とするフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート。
【化１】
2005206834.tif 000022
［式中、Ｒ1およびＲ2は、各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリール基、炭素数７〜１３のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数１〜１２のフルオロアルキル基を示す。ｒは０〜４の整数、ｓは０〜１４の整数である。
Ｒ3はハロゲン原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリール基、炭素数７〜１３のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数１〜１２のフルオロアルキル基を示し、ｔは０〜４の整数である。Ｘは、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＲ4Ｒ5−（ここで、Ｒ4およびＲ5は各々独立に水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、もしくはトリフルオロメチル基である）、炭素数６〜１２のシクロアルキリデン基、９，９−フルオレニリデン基、１，８−メンタンジイル基、２，８−メンタンジイル基、置換もしくは無置換の１，３−アダマンチレン基、置換もしくは無置換のピラジリデン基、炭素数６〜１２の置換もしくは無置換のアリーレン基、−Ｃ（ＣＨ3）2−Ｐｈ−Ｃ（ＣＨ3）2―（ただし、Ｐｈはフェニレン基を表す）又は下記構造のポリシロキサン基を示す。
【化２】
2005206834.tif 000023
｛式中、Ｒ6とＲ7はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０（好ましくは１〜１０）のアルキル基又は炭素数６〜３０（好ましくは６〜１２）の置換又は無置換のアリール基であり（特に好ましくは、メチル基、フェニル基）、Ｒ8とＲ9はそれぞれ独立に、炭素数１〜２０（好ましくは１〜１０）のアルキレン基、ｎは１〜２００（好ましくは５から１００、より好ましくは１〜３０）の整数である。｝］
【請求項２】
繰り返し単位［２］が、下記一般式［３］で表されるものである請求項１に記載のフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート。
【化３】
2005206834.tif 000024
［式中、Ｒ3、Ｘおよびｔは、それぞれ一般式［２］におけるＲ3、Ｘおよびｔと同一の意味を表す。］
【請求項３】
自動平衡ブリッジを用い、測定周波数１ｋＨｚ、室温下、大気中での誘電率の測定値が３.０以下、飽和吸水率が０.５質量％以下、であり、かつ、銅箔と積層した状態で、２８０℃の熔融ハンダ上に５秒間浮かべても発泡または剥離を実質上生じない特性を有する請求項１または２に記載のフレキシブルプリント基板用の高耐熱ポリカーボネートフィルムフィルムもしくはシート。
【請求項４】
下記の一般式[１]で表されるアダマンタン骨格を有する繰り返し単位［１］の少なくとも１種及び下記の一般式[４]で表される繰り返し単位「４」の少なくとも１種を含有し、繰り返し単位[１]の含有割合が、全繰り返し単位に対してモル比で０.５≦[［１］／（［１］＋［４］）]≦０.９５のポリカーボネート共重合体を用いて得られたことを特徴とするフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート。
【化４】
2005206834.tif 000025
［式中、Ｒ1およびＲ2は、各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリール基、炭素数７〜１３のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数１〜１２のフルオロアルキル基を示す。ｒは０〜４の整数、ｓは０〜１４の整数である。
Ｒ10およびＲ11は各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリール基、炭素数７〜１３のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数１〜１２のフルオロアルキル基を示し、ｕおよびvは各々独立に０〜４の整数である。Ｙは−Ｏ−、＞Ｎ−Ｒ12を示す。ここで、Ｒ12は水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１３のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数１〜１２のフルオロアルキル基を示す。］
【請求項５】
繰り返し単位［４］が、下記一般式［５］で表されるものである請求項４に記載の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート。
【化５】
2005206834.tif 000026
【請求項６】
自動平衡ブリッジを用い、測定周波数１ｋＨｚ、室温下、大気中での誘電率の測定値が３.０以下、飽和吸水率が０.５質量％以下、であり、かつ、銅箔と積層した状態で、２８０℃の熔融ハンダ上に５秒間浮かべても発泡または剥離を実質的に生じない特性を有する請求項４または５に記載のフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムフィルムもしくはシート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定の構造の繰り返し単位を特定割合で含有するポリカーボネート共重合体を用いて得られたフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシートに関する。さらに詳しくは、ポリイミドと同等の耐熱性（ハンダ耐熱性）を有し、低誘電率をも兼ね備え、電子機器の高性能化、小型化に対応したフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシートに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器用途分野における、フレキシブルプリント基板のベースフィルムおよびカバーフィルムには耐熱性に優れたポリイミドフィルムが多く使用されている。そして、昨今、電子機器の高性能化、小型化に伴う導体間ピッチが狭くなり、誘電損失を防止するため、フレキシブルプリント基板のベースフィルムおよびカバーフィルムには、低誘電率が求められるようになってきた。
しかしながら、ポリイミドフィルムは誘電率が高く、低誘電率の要求に答えることができていないのが現状であり、さらに、該ポリイミドフィルムは吸水率が高く、吸水によるハンダ耐熱性の低下を招くため、フレキシブルプリント基板を作製する工程において、事前に充分な乾燥を行う必要があるなどの問題点があった。
【０００３】
また、透明性と耐熱性および機械的強度に優れた芳香族ポリカーボネート樹脂として、
アダマンタン骨格を有する特定構造のビスフェノール類由来の繰返し単位を共重合成分として含む芳香族ポリカーボネート共重合樹脂（例えば特許文献１参照）、並びにこの芳香族ポリカーボネート共重合樹脂からなる光学部品成形材料および光学部品（例えば特許文献２参照）が開示されている。
しかしながら、これらの特許文献１，２においては、該ポリカーボネート共重合樹脂を用いて得られたフィルムやシートを、電気機器分野におけるフレキシブルプリント基板に用いることについては、なんら記載されていない。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２１２９８６公報
【特許文献２】特開２００３−２２６７４６公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、このような状況下で、ポリイミドと同等の耐熱性（ハンダ耐熱性）を有し、低誘電率をも兼ね備え、電子機器の高性能化、小型化に対応したフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシートを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは前記課題を解決するために鋭意研究した。その結果、高耐熱性ポリカーボネートフィルムおよびシートの材料として、特定の構造の繰り返し単位を特定割合で含有するポリカーボネート共重合体を用いて得られたポリカーボネートフィルムもしくはシートにより、上記の目的を達成することができるを見出し、この知見に基づいて本発明を完成した。
【０００７】
本発明は、下記から構成される。
（１）下記の一般式[１]で表されるアダマンタン骨格を含有する繰り返し単位［１］の少なくとも１種及び下記の一般式[２]で表される繰り返し単位「２」の少なくとも１種を含有し、繰り返し単位[１]の含有割合が、全繰り返し単位に対してモル比で０.５≦[［１］／（［１］＋［２］）]≦０.９５のポリカーボネート共重合体を用いて得られたことを特徴とするフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート。
【化１】
2005206834.tif 000002
［式中、Ｒ1、Ｒ2は、各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリール基、炭素数７〜１３のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数１〜１２のフルオロアルキル基を示す。ｒは０〜４の整数、ｓは０〜１４の整数である。
Ｒ3はハロゲン原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリール基、炭素数７〜１３のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数１〜１２のフルオロアルキル基を示し、ｔは０〜４の整数である。Ｘは、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＲ4Ｒ5−（ここで、Ｒ4、Ｒ5は各々独立に水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、もしくはトリフルオロメチル基である）、炭素数６〜１２のシクロアルキリデン基、９，９−フルオレニリデン基、１，８−メンタンジイル基、２，８−メンタンジイル基、置換もしくは無置換の１，３−アダマンチレン基、置換もしくは無置換のピラジリデン基、炭素数６〜１２の置換もしくは無置換のアリーレン基、−Ｃ（ＣＨ3）2−Ｐｈ−Ｃ（ＣＨ3）2―（ただし、Ｐｈはフェニレン基を表す）又は下記構造のポリシロキサン基を示す。
【化２】
2005206834.tif 000003
｛式中、Ｒ6とＲ7はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０（好ましくは１〜１０）のアルキル基又は炭素数６〜３０（好ましくは６〜１２）の置換又は無置換のアリール基であり（特に好ましくは、メチル基、フェニル基）、Ｒ8とＲ9はそれぞれ独立に、炭素数１〜２０（好ましくは１〜１０）のアルキレン基、ｎは１〜２００（好ましくは５から１００、より好ましくは１〜３０）の整数である。｝］
【０００８】
（２）繰り返し単位［２］が、下記一般式（３）で表されるものである前記第１項に記載のフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート。
【化３】
2005206834.tif 000004
［式中、R3、Xおよびｔは、それぞれ一般式（２）におけるR3、Xおよびｔと同一の意味を表す。］
【０００９】
（３）自動平衡ブリッジを用い、測定周波数１ｋＨｚ、室温下、大気中での誘電率の測定値が３.０以下、飽和吸水率が０.５質量％以下、であり、かつ、銅箔と積層した状態で、２８０℃の熔融ハンダ上に５秒間浮かべても発泡または剥離を実質的に生じない特性を有する前記第１項もしくは第２項に記載のフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムフィルムもしくはシート。
【００１０】
（４）下記の一般式[１]で表されるアダマンタン骨格を含有する繰り返し単位［１］の少なくとも１種及び下記の一般式[４]で表される繰り返し単位「４」の少なくとも１種を含有し、繰り返し単位[１]の含有割合が、全繰り返し単位に対してモル比で０.５≦[［１］／（［１］＋［４］）]≦０.９５のポリカーボネート共重合体を用いて得られたことを特徴とするフレキシブル基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート。
【化４】
2005206834.tif 000005
［式中、Ｒ1、Ｒ2は、各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリール基、炭素数７〜１３のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数１〜１２のフルオロアルキル基を示す。ｒは０〜４の整数、ｓは０〜１４の整数である。
Ｒ10、Ｒ11は各々独立にハロゲン原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリール基、炭素数７〜１３のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数１〜１２のフルオロアルキル基を示し、ｕ、vは各々独立に０〜４の整数である。Ｙは−Ｏ−、＞Ｎ−Ｒ12を示す。ここで、Ｒ12は水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１３のアリール基、炭素数７〜１３のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数１〜１２のフルオロアルキル基を示す。］
【００１１】
（５）繰り返し単位［４］が、下記一般式［５］で表されるものである前記第４項に記載の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート。
【化５】
2005206834.tif 000006
【００１２】
（６）自動平衡ブリッジを用い、測定周波数１ｋＨｚ、室温下、大気中での誘電率の測定値が３.０以下、飽和吸水率が０.５質量％以下、であり、かつ、銅箔と積層した状態で、２８０℃の熔融ハンダ上に５秒間浮かべても発泡または剥離を実質的に生じない特性を有する前記第４項または第５項に記載のフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムフィルムもしくはシート。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、電子機器の製造、特に鉛フリーハンダに充分対応できる高耐熱性を有し、電子機器の高性能化・小型化に寄与できる低誘電率と、その性能を安定的に発揮しうる低吸水率を兼ね備えた、フレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシートを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明は、前記一般式〔１〕で表される繰返し単位［１］の少なくとも１種と、前記一般式〔２〕で表される繰返し単位［２］の少なくとも１種を含有し、繰り返し単位［１］の含有割合が全繰り返し単位に対してモル比で０.５≦[［１］／（［１］＋［２］）]≦０.９５のポリカーボネート共重合体を用いて得られたフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシート、前記一般式〔１〕で表される繰返し単位［１］の少なくとも１種と、前記一般式〔４〕で表される繰返し単位［４］の少なくとも１種を含有し、繰り返し単位［１］の含有割合が全繰り返し単位に対してモル比で０.５≦[［１］／（［１］＋［４］）]≦０.９５のポリカーボネート共重合体を用いて得られたフレキシブルプリント基板用の高耐熱性ポリカーボネートフィルムもしくはシートである。
【００１５】
一般式[１]で表される繰り返し単位の内、特に好適な繰り返し単位は下記の構造である。
【化６】
2005206834.tif 000007
【００１６】
一般式[２]および[４]で表される繰り返し単位の内、特に好適な繰り返し単位は下記の構造である。
【化７】
2005206834.tif 000008
【００１７】
そして、本発明に係るポリカーボネート共重合体は、一般式［１］〜［４］で表される繰り返し単位において、繰り返し単位［１］と繰り返し単位［２］〜［４］は各々１種ずつでもよいが、各々独立に２種以上の繰り返し単位を含有した構造の共重合体でもよい。さらに、ポリカーボネート共重合体の特性を改善するために、シロキサン等の柔軟性を有する構造の化合物を共重合させてもよく、ポリオルガノシロキサン等のシリコン含有高分子化合物を混合してもよい。
【００１８】
そして、前記一般式［１］〜［４］で表される繰り返し単位［１］〜［４］において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ10およびＲ11で表わされるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子または沃素原子を挙げることができる。また、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5、Ｒ10およびＲ11で表わされる炭素数１〜１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。また、炭素数１〜１２のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基などが挙げられる。また、炭素数６〜１２アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。また、炭素数７〜１３のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基としては、ベンジル基、フェネチル基、スチリル基、シンナミル基などが挙げられる。更に炭素数１〜１２のフルオロアルキル基としては、モノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基などが挙げられる。これら各種の置換基の中でも、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、トリフルオロメチル基が好ましい。そして、ｒ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖは０すなわち水素原子のみでもよいし、ｒは１〜４、ｓは１〜１４、ｔは１〜４、ｕは１〜４、ｖは１〜４の置換基を有しているものであってもよい。
Ｒ6およびＲ7については、上記Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5、Ｒ10およびＲ11における炭素数１〜１２のアルキル基および炭素数６〜１２アリール基で挙げたものと同じものが好適である。Ｒ8およびＲ9については、上記Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5、Ｒ10およびＲ11における炭素数１〜１２のアルキル基で挙げたものと同じものが好適である。
【００１９】
一般式［４］で表される繰り返し単位［４］におけるＹとしては、−Ｏ−、＞Ｎ−Ｒ12を挙げることができ、ここで、Ｒ12としては、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１３のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数１〜１２のフルオロアルキル基を挙げることができる。炭素数１〜１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。また、炭素数６〜１２のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。また、炭素数７〜１３のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基としては、ベンジル基、フェネチル基、スチリル基、シンナミル基などが挙げられる。更に炭素数１〜１２のフルオロアルキル基はモノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基などが挙げられる。好ましいものは、＞Ｎ−メチル、＞Ｎ−シクロヘキシル、＞Ｎ−フェニル等であり、特に＞Ｎ−シクロヘキシルが好ましい。
【００２０】
また、一般式［２］で表される繰り返し単位［２］におけるＲ3 で表わされる炭素数１〜１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。これらの中では、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基が好適なものとして挙げられる。
【００２１】
さらに、繰返し単位［２］としては、一般式〔３〕で表される繰り返し単位を有するものが、耐熱性や機械的強度などに優れることから好ましい。そして、これら一般式〔２〕、〔３〕で表される繰り返し単位［２］、［３］において、Ｘが表わす二価の基としては、−Ｃ（Ｒ4 Ｒ5 ）−（ただし、Ｒ4 、Ｒ5 は各々独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基またはトリフルオロメチル基を示す）、炭素数６〜１２の置換もしくは無置換のシクロアルキリデン基または９，９'−フルオレニリデン基であるものが、より耐熱性に優れていることから好ましい。
【００２２】
また、一般式[２]および [３]で表される繰り返し単位における置換基Ｒ3で表される炭素数１〜１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。また、炭素数６〜１２のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。また、炭素数７〜１３のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基としては、ベンジル基、フェネチル基、スチリル基、シンナミル基などが挙げられる。更に炭素数１〜１２のフルオロアルキル基はモノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基などが挙げられる。これら各種の置換基の中でも、ブチル基、フェニル基、シクロヘキシル基、トリフルオロエチル基が好ましい。
【００２３】
また、前記一般式〔１〕で表される繰返し単位［１］と前記一般式〔２〕で表される繰返し単位［２］もしくは繰り返し単位［４］との含有割合については、この繰返し単位［１］の全繰返し単位に対する含有割合〔［１］／（［１］＋［２］）〕もしくは［［１］／（［１］＋［４］）］が、モル比で０．５〜０．９５の範囲内にあるものが用いられる。好ましくは０．６〜０．９、より好ましくは０．７〜０．８の範囲内にあるものである。この繰返し単位［１］のモル比が０．５よりも低い場合には、成形加工性は良好であるが耐熱性が不足し、０．９５よりも高くなると、結晶化等により成形が不可能になる恐れがある。
【００２４】
つぎに、本発明の繰り返し単位［１］と繰り返し単位［２］もしくは繰り返し単位［４］を含有するポリカーボネート共重合体は、前記一般式〔１〕で表される繰り返し単位を形成する特定の２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン化合物と前記一般式〔２〕もしくは一般式［４］で表される繰り返し単位を形成する二価フェノール類に、炭酸エステル形成性化合物を反応させる方法によって製造することができる。この場合、重合溶媒や酸受容体、末端停止剤、触媒の存在下に界面重合法により行う方法もしくは減圧下にエステル交換反応を行う方法により、高分子量化してポリカーボネート共重合体を製造することができる。
【００２５】
得られるポリカーボネート共重合体は、塩化メチレンを溶媒とする濃度０．５ｇ／ｄｌの溶液の２０℃で測定した還元粘度〔ηSP／Ｃ〕が０．１ｄｌ／ｇ以上、好ましくは０．２〜４．０ｄｌ／ｇ、より好ましくは０．３〜３．０ｄｌ／ｇのものである。該還元粘度が０．１ｄｌ／ｇ以上であると、十分な機械的強度を有し、４．０ｄｌ／ｇ以下であると適度の溶液粘度、溶融粘度を有し、成形加工性が良好である。
【００２６】
繰り返し単位［１］と繰り返し単位［２］もしくは繰り返し単位［４］を含有するポリカーボネート共重合体の製造に用いるアダマンタン化合物としては、例えば、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−エチル−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−ｎ−プロピル−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−ｎ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−イソブチル−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−ｎ−ペンチル−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−ｎ−ヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−エトキシ−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−ベンジル−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−ナフチル−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３−テトラフルオロメチル−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３，５−ジメトキシ−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（３，５−ジエトキシ−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタンなどが挙げられる。これら２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン化合物は、２種以上を併用してもよい。
【００２７】
また、繰り返し単位［１］と繰り返し単位［２］を含有するポリカーボネート共重合体の製造に用いる二価フェノール類としては、例えば、４，４'−ジヒドロキシビフェニル、３，３'−ジフルオロ−４，４'−ジヒドロキシビフェニル、３，３'−ジクロロ−４，４'−ジヒドロキシビフェニル、３，３'−ジメチル−４，４'−ジヒドロキシビフェニル、３，３'−ジフェニル−４，４'−ジヒドロキシビフェニル、３，３'−ジシクロヘキシル−４，４'−ジヒドロキシビフェニル、２，２'−ジメチル−４，４'−ジヒドロキシビフェニル、３，３'，５，５'−テトラメチル−４，４'−ジヒドロキシビフェニルなどの４，４'−ジヒドロキシビフェニル類；ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、ビス（３−ノニル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、２−ヒドロキシフェニル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシ−４メチルフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシ−４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシ−４，６−ジメチルフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニル）−１−フェニルエタン、２−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン、１−フェニル−１，１−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、
【００２８】
１、１−ビス（２−ヒドロキシ−４−メチルフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフプロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジフルオロフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシ−５−クロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（２−ヒドロキシ−４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−ヒドロキシ−４，６−ジメチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルプロパン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−２−メチルプロパン、１，１−ビス（２−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ペンチルフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、２，２−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ヘプタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ノナン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）デカン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）シクロヘキサン、
【００２９】
１，１−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンなどのビス（ヒドロキシフェニル）アルカン類；ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エーテルなどのビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル類；ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィドなどのビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド類；ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホキシドなどのビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド類；ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）スルホンなどのビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン類；４，４'−ジヒドロキシベンゾフェノンなどのビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン類；９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレンなどのビス（ヒドロキシフェニル）フルオレン類；４，４"−ジヒドロキシ−ｐ−ターフェニルなどのジヒドロキシ−ｐ−ターフェニル類；４，４'''−ジヒドロキシ−ｐ−クォーターフェニルなどのジヒドロキシ−ｐ−クォーターフェニル類；２，５−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ピラジン、２，５−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，６−ジメチルピラジン、２，５−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２，６−ジエチルピラジンなどのビス（ヒドロキシフェニル）ピラジン類；１，８−ビス（４−ヒドロキシフェニル）メンタン、２，８−ビス（４−ヒドロキシフェニル）メンタン、１，８−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メンタン、１，８−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メンタンなどのビス（ヒドロキシフェニル）メンタン類；１，４−ビス〔２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル〕ベンゼン、１，３−ビス〔２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル〕ベンゼンなどのビス〔２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル〕ベンゼン類；１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、１，３−ビス（３−クロル−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、１，３−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）アダマンタンなどが挙げられる。
また、本発明のポリカーボネート共重合体の製造に用いる２価フェノール類の例として下記のものが挙げられる。
【化８】
2005206834.tif 000009
【００３０】
繰り返し単位［４］を含有するポリカーボネート共重合体の製造に用いる二価フェノール類としては下記の構造のビスフェノール類を挙げることができる。
【化９】
2005206834.tif 000010
Ｙとしては、−O−、＞Ｎ−Ｒ12を挙げることができ、ここで、Ｒ12としては、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１３のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数１〜１２のフルオロアルキル基を挙げることができる。炭素数１〜１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。また、炭素数６〜１２のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。また、炭素数７〜１３のアリール置換アルキル基もしくはアルケニル基としては、ベンジル基、フェネチル基、スチリル基、シンナミル基などが挙げられる。更に炭素数１〜１２のフルオロアルキル基はモノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基などが挙げられる。好ましいものは、＞Ｎ−メチル、＞Ｎ−シクロヘキシル、＞Ｎ−フェニル等であり、特に下記の＞Ｎ−シクロヘキシルが好ましい。
【化１０】
2005206834.tif 000011
なお、繰り返し単位［２］および繰り返し単位［４］を形成するこれら二価フェノール類は２種以上を併用してもよいし、繰り返し単位［２］を形成する二価フェノール類と繰り返し単位［４］を形成する二価フェノール類を併用することもできる。
【００３１】
上記炭酸エステル形成性化合物としては、ホスゲンなどの各種ジハロゲン化カルボニルや、クロロホーメートなどのハロホーメート、炭酸エステル化合物などを用いることができる。ホスゲンなどのガス状の炭酸エステル形成性化合物を使用する場合、これを反応系に吹き込む方法が好適に採用できる。そして、この反応において用いる溶媒としては、通常のポリカーボネート樹脂の製造に使用されているものが用いられる。例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、塩化メチレン、クロロホルム、１．１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、１，１，１，２−テトラクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、ペンタクロロエタン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素、アセトフェノンなどが好適なものとして挙げられる。これら溶媒は、１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。さらに、互いに混ざり合わない２種の溶媒を用いてもよい。
【００３２】
酸受容体としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化セシウムなどのアルカリ金属水酸化物や、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどのアルカリ金属炭酸塩、ピリジンなどの有機塩基、あるいはこれらの混合物を用いることができる。これら酸受容体の使用割合は、この反応の化学量論比（当量）を考慮して、例えば原料の二価フェノールの水酸基１モル当たり、１当量もしくはそれより若干過剰量、好ましくは１〜５当量の酸受容体を使用すればよい。
【００３３】
末端停止剤としては、一価のフェノール類を用いることができる。例えば、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル−フェノール、ｐ−フェニルフェノール、ｐ−クミルフェノール、ｐ−パーフルオロノニルフェノール、ｐ−（パーフルオロノニルフェニル）フェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−パーフルオロブチルフェノール、１−（Ｐ−ヒドロキシベンジル）パーフルオロデカンなどが用いられる。
【００３４】
分子量調整剤として好ましいのは、下記一般式で表される三価フェノール
【化１１】
2005206834.tif 000012
｛Ｒ13は炭素数１〜２０のアルキル基（好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５）または炭素数６〜３０のアリール基（好ましくは６〜１２）であり、Ｒ14、Ｒ15およびＲ16はそれぞれ独立に、炭素数０〜２０のアルキル基（好ましくは０〜１０、より好ましくは１〜５）または炭素数６〜３０のアリール基（好ましくは６〜１２）である。｝、より好ましくは下記一般式の三価フェノール
【化１２】
2005206834.tif 000013
（式中、Ｒ13は上記と同じ意味を有する。）
上記三価フェノールの具体例としては、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン等が挙げられ、特に１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタンが好ましい。
【００３５】
触媒としては、トリエチルアミンなどの第三級アミン類や第四級アンモニウム塩が好適に用いられる。さらに、この反応系には、亜硫酸ナトリウムやハイドロサルファイドなどの酸化防止剤を少量添加して反応を行う方法を採用してもよい。つぎに、界面重合法による場合の反応条件は、反応温度は、通常０〜１５０℃程度、好ましくは５〜４０℃程度であり、反応圧力は減圧、常圧、加圧のいずれでもよいが、常圧もしくは反応系の自圧程度の加圧下に行うのが好ましい。反応時間については、反応温度により左右されるが、０．５分間〜１０時間程度、好ましくは１分間〜２時間程度である。また、この反応は、連続法、半連続法、回分法のいずれの反応方式で実施してもよい。
【００３６】
また、エステル交換反応による場合には、減圧下に、１２０〜３５０℃程度で反応させる。この場合、減圧度を反応の進行にそって段階的に強化し、最終的には１３３Pa以下まで減圧して、生成するフェノール類を反応系外に抜き出すようにする。反応時間は、１〜４時間程度とすればよく、必要に応じて触媒や酸化防止剤を添加してもよい。
【００３７】
本発明のポリカーボネート共重合体には、各種の添加剤、例えば、高分子改質剤、熱安定剤、酸化防止剤、光安定剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤、可塑剤、離型剤などを適量配合することができる。
【００３８】
フィルム・シートの製造方法としては、任意の方法を採用し得るが、特に溶液キャスト法（流延法）が特に好適である。溶液キャスト法に用いられる溶媒としては、当該ポリカーボネート共重合体を溶解できる各種溶媒を使用することができ、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等が好適である。
【００３９】
繰り返し単位［１］の少なくとも１種と繰り返し単位［２］もしくは繰り返し単位［４］の少なくとも１種とを含有する本発明のポリカーボネート共重合体を用いて得られるフレキブル基板用のポリカーボネートフィルムもしくはシートは、自動平衡ブリッジを用い、測定周波数１ｋＨｚ、室温下、大気中での誘電率の測定値が３.０以下、飽和吸水率が０.５質量％以下、であり、かつ、銅箔と積層した状態で、２８０℃の熔融ハンダ上に５秒間浮かべても発泡または剥離を実質的に生じないという耐熱特性を有しており、電子機器の高性能化、小型化に対応したフレキシブルプリント基板に好適に適用できる。
【実施例】
【００４０】
以下、実施例、比較例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定されるものではない。なお、実施例、比較例で用いた測定法を下記する。
（１）還元粘度：離合（ＲＩＧＯ）オートビスコメーター  タイプＶ  ＭＲ−０４２（離合株式会社製）を用いて、塩化メチレンを溶媒とする濃度０．５ｇ/Ｌのポリカーボネート共重合体溶液の２０℃における還元粘度［ηSP／Ｃ］を測定する。
（２）誘電率：ＪＩＳ  Ｃ６４７１に準拠して測定する。
（３）吸水率：ＪＩＳ  Ｋ７２０９に準拠して測定する。
【００４１】
実施例１
下記式（Ａ）で示される２,２−ビス（４-ヒドロキシフェニル）アダマンタン５１ｇ、下記式（Ｂ）で示される１,１−ビス（４-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン１９ｇを、２モル／リットルの濃度の塩化カリウム水溶液１，３６０ミリリットルに溶解した溶液に、塩化メチレン７００ミリリットルを加え、冷却下に、この液中にホスゲンガスを９５０ミリリットル／分の割合で３０分間吹き込んだ。この反応液を静置分離し、有機相に重合度が２〜５であり、分子末端にクロロフォーメート基を有するオリゴマーの塩化メチレン溶液を得た。
【化１３】
2005206834.tif 000014
得られた塩化メチレン溶液１１０ミリリットルに塩化メチレンを加えて全量を１５０ミリリットルにした後、これに２,２−ビス（４-ヒドロキシフェニル）アダマンタン３ｇを２モル／リットル濃度の塩化カリウム水溶液に溶解した溶液を加え、さらに分子量調節剤としてｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールを０．２ｇ加えた。ついでこの反応液を激しく攪拌しながら、触媒として７％濃度のトリエチルアミン水溶液１ミリリットルを加え、室温下１時間反応させた。
反応終了後、得られて反応生成物に塩化メチレン２００ミリリットルによって希釈し、水１００ミリリットルで２回洗浄した。得られて有機相をメタノール中に投入して再沈精製することにより、ポリカーボネート共重合体の白色粉末を得た。
得られたポリカーボネート共重合体は、塩化メチレンを溶媒とする濃度０．５ｇ/Ｌの溶液の２０℃における還元粘度［ηSP／Ｃ］は０．６ｄｌ/ｇであり、、ガラス転移温度（Ｔｇ）は２７０℃であった。1Ｈ−ＮＭＲスペクトル分析により確認した化学構造は下記の繰り返し単位からなる、組成比７５：２５のポリカーボネート共重合体であった。
【化１４】
2005206834.tif 000015
このポリカーボネート共重合体の塩化メチレン溶液を用いてキャストして得られた厚さ５０μｍのフィルムの誘電率を、平衡ブリッジを用い、測定周波数１ｋＨｚ、室温下、大気中で測定したところ、誘電率は２.９であった。同じフィルムを使ってＪＩＳ法に則って吸水率を測定したところ、その飽和吸水率は０．２質量％であり、４０℃９０％ＲＨに２４時間放置した後の吸水率に変化は無かった。また、同じポリカーボネート共重合体の塩化メチレン溶液を厚さ１８μｍの銅箔上にキャストし、銅箔層の上に厚さ２５μｍのポリカーボネート層を持つ積層板（フレキシブルプリント基板）を作成し、この積層板を２８０℃の溶融したハンダに、銅箔が下側になるように５秒間浮かべたが、ポリカーボネート層に発泡や収縮は見られなかった。同じ、積層板を４０℃、９０％ＲＨに２４時間放置して同様の評価を行ったが、ポリカーボネート層に発泡や収縮は見られなかった。
【００４２】
実施例２
２,２−ビス（４-ヒドロキシフェニル）アダマンタン７４ｇを２モル／リットルの濃度の塩化カリウム水溶液１，３６０ミリリットルに溶解した溶液に、塩化メチレン７００ミリリットルを加え、冷却下に、この液中にホスゲンガスを９５０ミリリットル／分の割合で３０分間吹き込んだ。この反応液を静置分離し、有機相に重合度が２〜５であり、分子末端にクロロフォーメート基を有するオリゴマーの塩化メチレン溶液を得た。得られた塩化メチレン溶液１１０ミリリットルに塩化メチレンを加えて全量を１５０ミリリットルにした後、これに下記のビスフェノール４ｇを２モル／リットルの濃度の塩化カリウム水溶液に溶解した溶液を加え、さらに分子量調節剤としてｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールを０．２ｇ加えた。ついでこの反応液を激しく攪拌しながら、触媒として７質量％濃度のトリエチルアミン水溶液１ミリリットルを加え、室温下１時間反応させた。
【化１５】
2005206834.tif 000016
反応終了後、得られて反応生成物に塩化メチレン２００ミリリットルによって希釈し、水１００ミリリットルで２回洗浄した。得られて有機相をメタノール中に投入して再沈精製することにより、ポリカーボネート共重合体の白色粉末を得た。得られたポリカーボネート共重合体は、塩化メチレンを溶媒とする濃度０．５ｇ/Ｌの溶液の２０℃における還元粘度（ηSP／Ｃ）は０．５５ｄｌ/ｇ、Ｔｇは２８５℃であった。1Ｈ−ＮＭＲスペクトル分析法により確認した化学構造は下記の繰り返し単位からなる、組成比８０：２０のポリカーボネート共重合体であった。
【化１６】
2005206834.tif 000017
実施例１に準拠して、誘電率・吸水率を測定したところ、誘電率は３.０、吸水率は０.３質量％であり、４０℃、９０％ＲＨに２４時間放置した後の吸水率に変化は無かった。
また、実施例１に準拠して作成した積層板（フレキシブルプリント基板）を２８０℃の熔融ハンダに浮かべた後のポリカーボネート層に発泡、収縮は見られず、４０℃９０％ＲＨに２４時間放置した後の試験でも、ポリカーボネート層に発泡や収縮は見られなかった。
【００４３】
比較例１
市販のポリイミド樹脂（東レデュポン株式会社社製、商品名：カプトンＲ １００Ｈ）を用い、実施例１、２に準拠して評価試験を行った。
誘電率・吸水率を測定したところ、誘電率は３．３であり、吸水率は２.０質量％であり、４０℃９０％ＲＨに２４時間放置した後の吸水率は２.９質量％であった。
また、市販の銅貼り積層板（銅箔１８μｍ／カプトン２５μｍ）を２８０℃の熔融ハンダに浮かべた後の樹脂層に発泡、収縮は見られなかったが、４０℃、９０％ＲＨに２４時間放置した後、同様に試験を行ったところ、樹脂層に発泡が見られた。
【００４４】
比較例２
市販のポリカーボネート樹脂（出光石油化学株式会社製、商品名：タフロンＡ１９００）を用い、実施例１、２に準拠して評価試験を行った。誘電率・吸水率を測定したところ、誘電率は２.９、吸水率は０.２質量％であり、４０℃９０％ＲＨに２４時間放置した後の吸水率に変化は無かった。
実施例１に準拠して作成した積層板を２８０℃の熔融ハンダに浮かべたところ、ポリカーボネート層は溶融し、著しい収縮が残った。
【００４５】
実施例３
実施例１と同様にして得られた塩化メチレン溶液１１０ｍＬに塩化メチレンを加えて全量を１５０ｍＬにした後、これに２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン２．５ｇ、下記の末端変性ポリジメチレシロキサン１．５ｇを２規定塩化カリウム水溶液に溶解した溶液に加え、さらに分子量調節剤としてｐ−ｔ−ブチルフェノールを０．２ｇを加えた。次いで、この反応液を激しく撹拌しながら、触媒として濃度７％のトリエチルアミン水溶液１ｍＬを加え、室温下１時間反応させた。
【化１７】
2005206834.tif 000018
反応終了後、得られた反応生成物に塩化メチレン２００ｍＬによって希釈し、水１００ｍＬで２回洗浄した。得られた有機相をメタノール中に投入して再沈精製することにより、芳香族ポリカーボネートの白色粉末を得た。
ここで得られたポリカーボネート樹脂は、塩化メチレンを溶媒とする０．５ｇ／Ｌの溶液の２０℃における還元粘度は０．５８ｄＬ／ｇ、1Ｈ−ＮＭＲにより確認した組成比は７４：２５：１、Ｔgは２６８℃であった。
【化１８】
2005206834.tif 000019
このポリカーボネートの塩化メチレン溶液を用いてキャストして得られた厚さ５０μｍのフィルムの誘電率を、平衡ブリッジを用い、測定周波数１ｋＨｚ、室温下、大気中で測定したところ、誘電率は３．０であった。
同じフィルムを使ってＪＩＳ法に則って吸水率を測定したところ、その飽和吸水率は０．２％であり、４０℃、９０％ＲＨ（相対湿度）に２４時間放置した後の吸水率に変化は無かった。
また、同じポリカーボネートの塩化メチレン溶液を銅箔１８μｍの上にキャストし、銅箔層の上に厚さ２５μｍのポリカーボネート層を持つ積層板を作成し、この積層板を２８０℃の溶融したハンダに、銅箔が下側になるように５秒間浮かべたが、ポリカーボネート層に発泡や収縮は見られなかった。
【００４６】
実施例４
実施例１と同様にして得られた塩化メチレン溶液１１０ｍＬに塩化メチレンを加えて全量を１５０ｍＬにした後、これに１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン５ｇを２規定塩化カリウム水溶液に溶解した溶液に加え、さらに分子量調節剤としてｐ−ｔ−ブチルフェノールを０．３ｇと下記のトリスフェノール０．１ｇを加えた。次いで、この反応液を激しく撹拌しながら、触媒として濃度７％のトリエチルアミン水溶液１ｍＬを加え、室温下１時間反応させた。
【化１９】
2005206834.tif 000020
反応終了後、得られた反応生成物に塩化メチレン２００ｍＬによって希釈し、水１００ｍＬで２回洗浄した。得られた有機相をメタノール中に投入して再沈精製することにより、芳香族ポリカーボネートの白色粉末を得た。
ここで得られたポリカーボネート樹脂は、塩化メチレンを溶媒とする濃度０．５ｇ／Ｌの溶液の２０℃における還元粘度は０．５ｄＬ／ｇ、1Ｈ−ＮＭＲにより確認した組成比は８０：１９：１、Ｔgは２７８℃であった。
【化２０】
2005206834.tif 000021
実施例１と同様に、誘電率及び吸水率を測定したところ、誘電率は３．０、吸水率は０．３％であり、４０℃９０％ＲＨに２４時間放置した後の吸水率に変化は無かった。
また、実施例１と同様に作成した積層板を２８０℃の溶融ハンダに浮かべた後のポリカーボネート層に発泡、収縮は見られず、４０℃９０％ＲＨに２４時間放置した後の試験でも、ポリカーボネート層に発泡、収縮は見られなかった。