(57)【要約】      （修正有）【課題】電気的欠陥を修復可能な表示装置と、それに適切な修復方法を提供する。【解決手段】表示装置は、薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタによって制御される第１電極と、その第１電極を介して互いに電気的に接続されている第１容量電極および第２容量電極とを備えている。第１電極には、第１スリットが形成されている。第１スリットは、第１容量電極と第１電極を互いに電気的に接続している第１領域と、第２容量電極と第１電極を互いに電気的に接続している第２領域の間に位置している。欠陥が生じている場合、第１電極の一部を切断することによって、第１容量電極と第２容量電極を互いに絶縁することができる。【選択図】図４
2005316489.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタによって制御される第１電極と、
前記第１電極を介して互いに電気的に接続されている第１容量電極および第２容量電極を備え、
前記第１電極には、第１スリットが形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１スリットは、前記第１容量電極と前記第１電極を互いに接続している第１領域と、前記第２容量電極と前記画素電極を互いに接続している第２領域との間に位置していることを特徴とする請求項１の表示装置。
【請求項３】
前記第１電極を介して前記第１容量電極および前記第２容量電極に電気的に接続されている第３容量電極が付加されており、
前記第１電極には、前記第２容量電極と前記第１電極を互いに接続している第２領域と、前記第３容量電極と前記第１電極を互いに接続している第３領域との間に位置している第２スリットが形成されていることを特徴とする請求項１又は２の表示装置。
【請求項４】
前記第２容量電極は、前記第１容量電極と前記第３容量電極との間に形成されており、
前記第２容量電極による容量が、前記第１容量電極と前記第３容量電極の両者による容量とは異なることを特徴とする請求項３の表示装置。
【請求項５】
前記第２容量電極による容量は、前記第１容量電極と前記第３容量電極の両者による容量よりも大きいことを特徴とする請求項４の表示装置。
【請求項６】
前記第１電極は、画素電極であることを特徴とする請求項１から５のいずれかの表示装置。
【請求項７】
前記第１電極は、フィールド電極であることを特徴とする請求項１から５のいずれかの表示装置。
【請求項８】
前記第１電極は、パターン形成されている透明電極であることを特徴とする請求項１から７のいずれかの表示装置。
【請求項９】
前記表示装置は、垂直配向型の液晶層を備える液晶ディスプレイ装置であり、
前記第１スリットは、その液晶層の配向調整にも用いられており、その液晶層の複数の液晶分子を電圧印加期間中に複数の方向へ配向させることを特徴とする請求項１から８のいずれかの表示装置。
【請求項１０】
基板上に形成されている第１金属層と、
前記第１金属層を覆っている第１絶縁層が付加されていることを特徴とする請求項１の表示装置。
【請求項１１】
前記第１絶縁層上に形成されている第２金属層が付加されており、
前記第２金属層には、互いに絶縁されている第１部分と第２部分が形成されており、
前記第２金属層の第１部分は、前記第１容量電極の少なくとも一部を構成しており、
前記第２金属層の第２部分は、前記第２容量電極の少なくとも一部を構成していることを特徴とする請求項１０の表示装置。
【請求項１２】
前記第１スリットは、前記第２金属層の第１部分と第２部分を互いに絶縁している空間に対応して位置していることを特徴とする請求項１１の表示装置。
【請求項１３】
前記第２金属層を覆っている保護層が付加されており、
前記第１電極は、その保護層上に形成されていることを特徴とする請求項１１又は１２の表示装置。
【請求項１４】
前記保護層には、第１貫通孔と第２貫通孔が形成されており、
前記第１容量電極は、その第１貫通孔を介して前記第１電極に接続されており、
前記第２容量電極は、その第２貫通孔を介して前記第１電極に接続されていることを特徴とする請求項１３の表示装置。
【請求項１５】
前記第１スリットは、前記第１貫通孔と前記第２貫通孔の間に位置していることを特徴とする請求項１４の表示装置。
【請求項１６】
前記第１スリットは、前記第２金属層を跨いで形成されており、
前記第１スリットの長さは、前記第２金属層の幅よりも長いことを特徴とする請求項１１から１５のいずれかの表示装置。
【請求項１７】
前記第１スリットは、前記第１金属層を跨いで形成されており、
前記第１スリットの長さは、前記第１金属層の幅よりも長いことを特徴とする請求項１１から１６のいずれかの表示装置。
【請求項１８】
基板上に形成されている第１金属層と、
前記第１金属層を覆っている第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成されている第２金属層と、
前記第２金属層を覆っている第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に形成されている電極層を備え、
前記第２金属層には、互いに絶縁されているとともに所定距離だけ離間している第１部分と第２部分が形成されており、
前記第２絶縁層には、前記第２金属層の第１部分を露出させている第１貫通孔と、前記第２金属層の第２部分を露出させている第２貫通孔が形成されており、
前記第２金属層の第１部分と前記第２金属層の第２部分は、前記電極層を介して電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１９】
前記第１スリットは、前記第１部分と前記電極層を互いに接続している第１領域と、前記第２部分と前記電極層を互いに接続している第２領域との間に位置していることを特徴とする請求項１８の表示装置。
【請求項２０】
前記画素電極は、パターン形成されている透明電極であることを特徴とする請求項１８又は１９の表示装置。
【請求項２１】
前記第２金属層の第１部分と前記第１金属層との間に第１容量部が形成されており、
前記第２金属層の第２部分と前記第１金属層との間に第２容量部が形成されていることを特徴とする請求項１８から２０のいずれかの表示装置。
【請求項２２】
前記第２金属層の第１部分は、前記第２絶縁層の第１貫通孔を介して前記電極層と電気的に接続されており、
前記第２金属層の第２部分は、前記第２絶縁層の第２貫通孔を介して前記電極層と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１８から２１のいずれかの表示装置。
【請求項２３】
前記第１スリットは、前記第２絶縁層の第１貫通孔と前記第２絶縁層の第２貫通孔の間に位置していることを特徴とする請求項１８から２２のいずれかの表示装置。
【請求項２４】
前記第１スリットは、前記第２金属層を跨いで形成されており、
前記第１スリットの長さは、前記第２金属層の幅よりも長いことを特徴とする請求項１８から２３のいずれかの表示装置。
【請求項２５】
前記第１スリットは、前記第１金属層を跨いで形成されており、
前記第１スリットの長さは、前記第１金属層の幅よりも長いことを特徴とする請求項１８から２４のいずれかの表示装置。
【請求項２６】
前記表示装置は、垂直配向型の液晶層を備える液晶ディスプレイ装置であり、
前記第１スリットは、その液晶層の配向調整にも用いられており、その液晶層の複数の液晶分子を電圧印加中に複数の方向に配向させることを特徴とする請求項１８から２５のいずれかの表示装置。
【請求項２７】
前記第２金属層には、前記電極層を介して前記第１部分および前記第２部分に電気的に接続されている第３部分がさらに形成されており、
前記電極層には、前記第２金属層の第２部分と前記電極層を互いに接続している第２領域と、前記第２金属層の第３部分と前記電極層を互いに接続している第３領域との間に位置している第２スリットが形成されていることを特徴とする請求項１８から２６のいずれかの表示装置。
【請求項２８】
前記第２金属層の第１部分と前記第１金属層との間に第１容量部が形成されており、前記第２金属層の第２部分と前記第１金属層との間に第２容量部が形成されており、前記第２金属層の第３部分と前記第１金属層との間に第３容量部が形成されていることを特徴とする請求項２７の表示装置。
【請求項２９】
前記第２金属層では、前記第２部分が前記第１部分と前記第３部分の間に位置しており、
前記第２容量部の容量は、前記第１容量部と前記第３容量部の合計容量とは異なることを特徴とする請求項２８の表示装置。
【請求項３０】
前記第２容量部の容量は、前記第１容量部と前記第３容量部の合計容量よりも大きいことを特徴とする請求項２８又は２９の表示装置。
【請求項３１】
前記電極層は、画素電極層であることを特徴とする請求項１８から３０のいずれかの表示装置。
【請求項３２】
前記電極層は、フィールド電極層であることを特徴とする請求項１８から３０のいずれかの表示装置。
【請求項３３】
表示装置の電気的欠陥を修復する方法であって、
少なくとも第１電極を介して互いに電気的に接続されている第１容量電極および第２容量電極を備えており、前記第１電極には前記第１容量電極と前記第１電極を互いに接続している第１領域と前記第２容量電極と前記第１電極を互いに接続している第２領域の間に位置している第１スリットが形成されている表示装置を準備する工程と、
前記表示装置上で短絡が発生しているのか否か検査し、前記表示装置の修復対象位置を特定する工程と、
特定した修復対象位置に対応する前記第１電極の一部を除去することによって、前記第１容量電極と前記第２容量電極を電気的に絶縁する工程と、
を備える修復方法。
【請求項３４】
前記第１電極は、画素電極であることを特徴とする請求項３３の修復方法。
【請求項３５】
前記短絡状態は、前記表示装置の前記第１電極とデータ線路の間の短絡状態であることを特徴とする請求項３３または３４の修復方法。
【請求項３６】
前記表示装置の修復対象位置は、前記短絡状態を引き起こしている異物の位置に応じて特定されることを特徴とする請求項３３から３５のいずれかの修復方法。
【請求項３７】
前記短絡状態は、前記表示装置の前記第１容量電極と前記第２容量電極のうちの一方において発生することを特徴とする請求項３６の修復方法。
【請求項３８】
前記第１容量電極と共通電極の間および前記第２容量電極と共通電極の間には容量部が形成されており、
前記第１電極の第１スリットは、共通電極を跨いで形成されていることを特徴とする請求項３３から３７のいずれかの修復方法。
【請求項３９】
前記第１電極の一部をレーザ切断法によって切断することを特徴とする請求項３３から３８のいずれかの修復方法。
【請求項４０】
前記第１電極の一部を、共通電極の外周に対応しているとともに共通電極が伸びている方向に平行な切断線に沿って切断することを特徴とする請求項３９の修復方法。
【請求項４１】
前記第１電極は、フィールド電極であることを特徴とする請求項３３の修復方法。
【請求項４２】
表示装置の電気的欠陥を修復する方法であって、
画素電極を介して互いに電気的に接続されている第１容量電極および第２容量電極を少なくとも備えており、前記第１電極には前記第１容量電極と前記第１電極を互いに接続している第１領域と前記第２容量電極と前記第１電極を互いに接続している第２領域の間に位置している第１スリットが形成されている表示装置を準備する工程と、
前記表示装置上で短絡が発生しているのか否か検査し、前記表示装置の修復対象位置を特定する工程と、
特定した修復対象位置が第１容量電極に対応する場合は、第１容量電極に対応する前記画素電極の一部を除去し、前記第１容量電極を前記第２容量電極および前記画素電極の他の部分から電気的に絶縁する工程と、
特定した修復対象位置が第２容量電極に対応する場合は、第２容量電極に対応する前記画素電極の一部を除去し、前記第２容量電極を前記第１容量電極および前記画素電極の他の部分から電気的に絶縁する工程と、
を備える修復方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置とそれに生じる電気的欠陥を修復する方法に関する。特に、電気的欠陥を修復するための構成を備える表示装置とその表示装置に適切な修復方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（ＬＣＤ；liquid crystal display）は、操作しやすい大きさであることや、軽量であることや、消費電力が小さいことや、電磁波等を漏洩しないこと等の利点を備えており、幅広く用いられている。液晶表示装置の解像度は、画素数に応じて決まる。液晶表示装置は、多くの数の画素を備えるほど、きめ細かい画像を表示することができる。しかしながら、液晶表示装置の一部の画素は、製造時の不具合等によって電気的な欠陥を持つことがある。欠陥を持つ画素は電気信号によって制御することができないので、液晶表示装置の表示品質が劣化することとなる。
【０００３】
従来の薄膜トランジスタ方式の液晶表示装置（ＴＦＴ液晶表示装置）は、第１プレートと第２プレートを備えている。第１プレートは、複数の透明画素電極と、カラーフィルタと、ブラックマトリックス等を備えている。第２プレートは、複数の走査線路と、データ線路と、蓄積容量（ストレージキャパシタ）と、スイッチング素子（例えば、ＴＦＴ）と、透明な画素電極等を備えている。ＴＦＴ液晶表示装置では、データ線路が走査線路と交差することによって複数の画素領域が形成されており、各画素領域は一対の走査線路と対応するデータ線路によって画定されている。各画素領域は、蓄積容量部（容量ＣＳＴ）と薄膜トランジスタと画素電極（例えば、透明なＩＴＯで形成される）等を備えている。第１プレートと第２プレートとの間の空間は、多数の液晶分子で満たされている。偏光フィルムは、通常、第１プレートおよび第２プレートの外面に配置されている。直視透過型ＴＦＴ液晶表示装置はさらに、液晶表示装置の光源となるバックライトモジュールを備えている。
【０００４】
図１Ａは、図１Ｃの１Ａ−１Ａ線による断面図であり、液晶表示装置の第２プレートに設けられている薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を示している。従来技術によるＴＦＴの製造方法を、以下に説明する。先ず、基板１０２を準備する。次に、基板１０２上に第１金属層を形成し、その第１金属層に対してパターン形成工程を実施することによって、ゲート電極１０４を形成する。次に、基板１０２上に第１絶縁層１０６を形成し、ゲート電極１０４を覆う。次に、アモルファス−シリコン（ａ−Ｓｉ）層を第１絶縁層１０６上に形成し、それに対してパターン形成を実施することによって、チャネル１０５を形成する。次に、第２金属層を絶縁層１０６上に形成し、チャネル１０５を覆う。第２金属層に対してフォトリソグラフィ工程等によるパターン形成工程を実施して、ドレインＤとソースＳを形成する。次に、保護層１０８をドレインＤとソースＳ上に形成し、第１絶縁層１０６を覆う。保護層１０８には、貫通孔１１０を形成して、ソースＳの表面の一部を露出させる。最後に、保護層１０８上に画素電極（例えば、透明ＩＴＯ）１１２を形成する。画素電極１１２は貫通孔１１０内を充填し、画素電極１１２とソースＳは電気的に接続する。
【０００５】
走査線路ＳＬとデータ線路ＤＬのそれぞれは、ゲートとソースＳ／ドレインＤを形成するパターン形成工程中に形成する。また、走査線路ＳＬとデータ線路ＤＬは、第１絶縁層１０６によって互いに絶縁されている。
【０００６】
図１Ｂは、図１Ｃの１Ｂ−１Ｂ線による断面図であり、液晶表示装置の第２プレートの蓄積容量部（ＣＳＴ）を示す断面図である。蓄積容量の従来の製造方法を、以下に説明する。蓄積容量部は、共通電極１１４と容量電極１１６によって構成される。図１Ｂに示すように、共通電極１１４と容量電極１１６は、第１絶縁層１０６によって絶縁されている。蓄積容量部は、ＴＦＴの形成と併せて形成することができる。共通電極１１４は、第１の金属層を形成し、それにパターン形成工程を実施することによって形成される。同様に、容量電極１１６は、第２の金属層を形成し、それにパターン形成工程を実施することによって形成される。保護層１０８は、容量電極１１６と第１絶縁層１０６を覆っている。保護層１０８には、貫通孔１１８が形成されている。保護層１０８上に画素電極１１２を形成すると、画素電極１１２と容量電極１１６は、貫通孔１１８を介して電気的に接続される。ＴＦＴ液晶表示装置の各画素の蓄積容量部は共通する電極を備えており、その共通電極にはＴＦＴ液晶表示装置の共通電圧が印加されている。画素の蓄積容量部は、液晶分子に印加する電圧の制御に用いられる。蓄積容量部の共通電極１１４は、隣接する走査線路に接続される。ここで、液晶表示装置の駆動時におけるゲート遅延の欠点を低減するために、「共通の蓄積容量」（即ち、共通電極上に蓄積容量を設けること）は、ＴＦＴ液晶表示装置設計の一般的な流行様式となっている。
【０００７】
加えて、従来の技術では、ＴＦＴ液晶表示装置の第１プレートのガラス基板上に、透明電極を形成する。次いで、第１プレートを第２プレートと共に組み立てて、両者の間の空間を多数の液晶分子で満たす。画素電極に印加する電圧によって液晶分子の配向方向は変化することから、液晶層を通過する光の偏光状態が変調される。液晶分子の配向と駆動方法に基づいて、ＴＦＴ液晶表示装置は、垂直配向型（例えば、パターン化垂直配向（ＰＶＡ）やマルチドメイン垂直配列（ＭＶＡ））や、ツイストネマチック（ＴＮ）型や、横電界型等に分類される。多くの研究において、垂直配向型ＴＦＴ液晶表示装置の視覚特性は、画素中の液晶分子を異なる複数の方向へ配向させることで改善できると報告されている。例えば、ＭＶＡ型ＴＦＴ液晶表示装置は、液晶分子の配向方向を調整する領域（ドメイン）調整構造（例えば、画素電極のスリット）を備えている。電圧を印加すると、画素内の液晶分子は異なる方向へ配向し、視覚特性を改善するマルチドメインを形成する。また、電圧印加時には、第２プレートの画素電極１１２と第１プレートの透明電極の間に液晶容量部が構成される。液晶容量部の容量（ＣＬＣ）は、画素電極１１２の有効面積に依存する。
【０００８】
図１Ｃは、マルチドメイン垂直配向（ＭＶＡ）型ＴＦＴ液晶表示装置の単一画素の構成を模式的に例示するものである。図１Ｃに示すように、データ線路ＤＬと走査線路ＳＬによって制御される各画素は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１０７と、画素電極（ＰＥ）１１２と、蓄積容量部の共通電極（ＶＣＯＭ）１１４を備えている。図１Ｃの共通電極（ＶＣＯＭ）１１４は、図１Ｂに示すパターン形成された後の第１金属層（符号１１４）である。容量電極１１６は、第２金属層にパターン形成工程を実施することによって形成されており、共通電極１１４の上方に形成されている。最上部に位置する画素電極１１２は、貫通孔１１８を介して容量電極１１６に電気的に接続している。また、視野角を拡大することを目的として、画素電極１１２上にはスリット１２０が形成されている。さらにまた、第１プレート上には、突起状の領域調整構造１１１が形成されている。ＰＶＡ型ＴＦＴ液晶表示装置等では、第１プレートの透明電極にも、領域調整構造１１１として機能するスリットが形成されたりする。
【０００９】
ＴＦＴ液晶表示装置では、第２プレートの製造時において欠陥が生じることがある。例えば、フォトリソグラフィ工程の不具合によって異常なパターンが形成されたり、第２プレート上に異物が付着したりすることによって、画素とデータ線路の間で短絡が生じてしまうことがある。ＴＦＴ液晶表示装置において、画素が電気的欠陥（例えば短絡）を有していると、その画素は正しく機能しない不良画素となってしまう。
【００１０】
図１Ｄは、図１Ｃに示す画素に欠陥が生じた際に、その欠陥を修復する従来の技術を示す概略図である。図１Ｄに示すように、欠陥Ｄ１は、一つの共通電極１１４とデータ線路ＤＬの間や、一つの容量電極１１６と画素電極１１２の間等を、電気的に接続（短絡）してしまう位置に生じている。共通電極１１４に印加される電圧、即ち、データ線路ＤＬを介して画素電極１１２へ伝送される信号は、欠陥Ｄ１を介して画素内へ伝送されることとなる。その結果、この画素への信号伝送を、ＴＦＴ１０７によって制御できなくなってしまう。
図１Ｅは、図１Ｃの１Ｅ−１Ｅ線による断面図であって、データ線路ＤＬと容量電極１１６の間に生じている欠陥を示している。図１Ｅに示すように、データ線路ＤＬと第２金属層（即ち、容量電極）１１６は同じ高さにあることから、例えば図１Ｅ中の破線円で描いた位置に粒子等の異物が存在していると、両者は簡単に短絡してしまう。欠陥部は共通電極１１４の上方に位置することから、欠陥部を除去するためにレーザ切断等を行うと、共通電極１１４を傷つけることや、共通電極１１４を切断してしまうことがある。その場合、共通電極１１４を介して同一行内の画素に基準電圧を正しく伝送できなくなってしまう。従って、従来の技術では、共通電極の周縁で画素電極を除去（例えば、図１Ｄの切断線Ｃ１，Ｃ１’に沿うレーザ切断）し、欠陥Ｄ１に起因する障害（すなわち、短絡部）を除去するようにしている。
上記した従来の技術は、容量電極１１６の全体や画素電極の半分以上を無駄にしてしまうという重大な欠点（即ち、切断線Ｃ１上方の領域が作動不能となる）を備えている。蓄積容量部（ＣＳＴ）と液晶容量部（ＣＬＣ）による各画素の全体容量ＣＴＯＴＡＬ（即ち、ＣＴＯＴＡＬ＝ＣＳＴ＋ＣＬＣ）は、修復後において液晶容量の半分未満（ＣＴＯＴＡＬ＜（１／２）×ＣＬＣ）まで減少してしまう。画素電極の動作可能な領域は、画素電極全体の半分未満となってしまい、画素の有効表示領域は大幅に減少してしまう。さらに、容量電極による蓄積容量が不足することによって、液晶の駆動に必要な電圧を表示期間中に亘って安定して維持できなくなり、画素の表示品質は劣化してしまう。
【００１１】
また、貫通孔１１８から近い位置において異物が存在し、画素電極１１２と容量電極１１６との間で短絡が生じた場合でも、液晶の駆動に必要な電圧を表示期間中に亘って安定して維持できなくなり、画素の表示品質は劣化してしまう。
同様に、他の従来のＴＦＴ液晶表示装置に利用されている従来の修復方法についても、表示品質が劣化してしまうという問題を抱えている。
【００１２】
図２（ａ）は、蓄積容量をゲート線路ＧＬ上に形成したＴＦＴ液晶表示装置の単一画素の構成を例示するものである。図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す画素上に欠陥Ｄ２が生じた際に、それを修復するための従来の技術を説明するものである。蓄積容量部をゲート線路ＧＬ上に形成したＴＦＴ液晶表示装置では、容量電極１１６がゲート線路ＧＬ上に位置しており、画素電極１１２と容量電極１１６は貫通孔１１８を介して電気的に接続されている。欠陥Ｄ２が発生し、データ線路ＤＬ２と容量電極１１６との間に短絡が生じた場合、容量電極１１６に対向している画素電極１１２の一部を除去する。例えば、切断線Ｃ２に沿ってレーザ切断する。その結果、蓄積容量部の全体と液晶容量部の一部は取り除かれてしまう。
【００１３】
図３（ａ）は、横電界（ＩＰＳ）型ＴＦＴ液晶表示装置の単一画素の構成を例示するものである。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す画素上の欠陥Ｄ３が生じた際に、それを修復するための従来の技術を説明するものである。画素電極３１２とフィールド電極３１７は対向配置されている。フィールド電極３１７は、貫通孔１１８を介して容量電極１１６に電気的に接続されている。横電界型ＴＦＴ液晶表示装置の液晶分子は、画素電極３１２とフィールド電極３１７との間の電界によって駆動される。液晶分子が背面光源を透過したり遮断したりすることによって、画像を表示する。容量電極１１６とデータ線路ＤＬはほぼ同一平面上に位置することから、点線円の位置に欠陥Ｄ３が生じていると、容量電極１１６とデータ線路ＤＬの間において短絡が簡単に生じてしまう。従来の修復方法は、例えば切断線Ｃ３、Ｃ３’に沿ってレーザ切断を行い、貫通孔１１８の周辺においてフィールド電極３１７の一部を除去するというものである。通常、横電界型ＴＦＴ液晶表示装置では、電界が無い状態では黒色表示となる。従来の修復方法を採用すると、この制御不能となった画素は、常にＴＦＴ液晶表示装置において暗点となってしまう。ＴＦＴ液晶表示装置において、輝点（常に光を透過している点）が観察されることはないが、電気的欠陥の問題は一切解決されていない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
上記した従来の修復技術は、いかなる種類のＴＦＴ液晶表示装置においても、蓄積容量部の全体を除去してしまうものであった。また、液晶容量部の半分以上を除去してしまうものでもある。その結果、蓄積容量が不十分となり、液晶の駆動に必要な電圧を表示期間中（例えば表示周波数６０Ｈｚでは１６．６７ｍｓ）に亘って安定して維持できず、表示品質は劣化してしまう。また、画素電極の大部分が切断されることから、画素の有効表示面積を大幅に低減してしまう。
表示品質を劣化させることなく、電極間の短絡の影響を低減して電気的欠陥を効率的に修復する方法が必要とされている。
【００１５】
本発明の一つの目的は、電気的欠陥を修復可能な表示装置と、それに適切な修復方法を提供することにある。電気的欠陥を修復可能するための電極層の構成と、それに適切な修復方法を提供することによって、修復後においても画素が表示品質を維持することを可能とし、例えば表示装置の生産性を改善することを可能とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明が提供する一つの表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、その薄膜トランジスタによって制御される第１電極と、その第１電極を介して互いに電気的に接続されている第１容量電極および第２容量電極を少なくとも備えている。第１電極には、第１スリットが形成されている。第１スリットは、第１容量電極と第１電極を互いに電気的に接続している第１領域と、第２容量電極と第１電極を互いに電気的に接続している第２領域との間に位置している。第１電極は、例えば画素電極であることが好ましい。第１電極は、あるいはフィールド電極であることが好ましい。
【００１７】
上記の表示装置では、第１電極を介して第１容量電極および第２容量電極に電気的に接続されている第３容量電極が付加されていることが好ましい。第２容量電極は、第１容量電極と第３容量電極の間に配置することが好ましい。
第１電極には、第２容量電極と第１電極を互いに電気的に接続している第２領域と、第３容量電極と第１電極を互いに電気的に接続している第３領域との間に、第２スリットが形成されていることが好ましい。
第２容量電極による容量は、第１容量電極と第３容量電極の両者による容量とは異なることが好ましい。この場合、第２容量電極による容量は、第１容量電極と第３容量電極の両者による容量よりも大きいことがより好ましい。
【００１８】
本発明はまた、表示装置の電気的欠陥を修復する方法を提供する。この修復方法は、液晶表示装置を用意する工程を備えている。準備する液晶表示装置は、画素電極を介して互いに電気的に接続されている第１容量電極および第２の容量電極を備えている。その画素電極には、第１容量電極と画素電極を互いに電気的に接続している第１領域と、第２容量電極と画素電極を互いに電気的に接続している第２領域との間に、第１スリットが形成されている。
この修復方法は、表示装置上で短絡状態が発生しているか否かを検査し、表示装置の修復対象位置を特定する工程を備えている。
この修復方法は、特定した修復対象位置が第１容量電極に対応する場合、第１容量電極に対応する画素電極の一部を除去し、第１容量電極を第２容量電極および画素電極の他の部分から電気的に絶縁する工程を備えている。
この修復方法は、特定した修復対象位置が第２容量電極に対応する場合、第２容量電極に対応する画素電極の一部を除去し、第２容量電極を第１容量電極および画素電極の他の部分から電気的に絶縁する工程を備えている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の他の目的や特徴や利点等を明らかにするために、本発明を好適に実施した実施例について、図面を参照しながら説明する。
本発明を実施した液晶表示装置は、液晶表示装置に生じた電気的欠陥を修復するために、単一の画素内に互いに絶縁されている少なくとも２つの容量電極を備えている。また、画素電極は、２つの容量電極に対応して特別な形状で形成されている。それにより、液晶表示装置に電気的欠陥が生じたときに、その修復を適切な方法によって行うことができる。
本実施例の液晶表示装置では、電気的欠陥が生じたときに、画素電極の一部を除去する。画素電極の除去対象部分は、欠陥の位置に応じて決まる。この修復方法によると、液晶の蓄積容量部（ＣＳＴ）の少なくとも半分や液晶容量部の大部分を残存させることができる。
【実施例】
【００２０】
（第１の実施例）
図４は、本発明の第１実施例のマルチドメイン垂直配向（ＭＶＡ）型のＴＦＴ液晶表示装置の蓄積容量部の断面図である。図５（ａ）は、本発明の第１実施例のＭＶＡ型ＴＦＴ液晶表示装置の単一画素の構成を例示するものである。図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す画素上に欠陥が生じたときに、それを修復する方法を説明するものである。なお、図面の明瞭化を目的として、第１プレートに形成されている領域（ドメイン）調整構造（例えば第１プレートの透明電極上のスリット）は、図５（ａ）や図５（ｂ）において図示省略している。
【００２１】
第１実施例の蓄積容量部の製造方法を、以下に説明する。先ず、基板４０２上に第１金属層を形成し、パターン形成工程を実施して、共通電極４０４を形成する。第１金属層は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）やクロム（Ｃｒ）やアルミニウム（Ａｌ）やアルミニウムとネオジム（Ａｌ−Ｎｄ）の合金等で形成されている主要部と、主要部に積層されているモリブデン（Ｍｏ）や窒化モリブデン（ＭｏＮ）やチタン（Ｔｉ）やそれらの合金で形成されている副部とを備えている。
次に、基板４０２上に、第１絶縁層４０６を形成する。第１絶縁層４０６は、共通電極４０４を覆うように形成する。第１絶縁層４０６は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）や酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等によって形成することができる。
次に、第２金属層を第１絶縁層４０６上に形成し、フォトリソグラフィ等によるパターン形成工程を実施して、第１容量電極４０７と第２の容量電極４０８を形成する。第２金属層は、例えばモリブデン（Ｍｏ）層とアルミニウム（Ａｌ）層とモリブデン（Ｍｏ）層を備えるＭｏ−Ａｌ−Ｍｏ多重層や、窒化モリブデン（ＭｏＮ）層とアルミニウム（Ａｌ）層と窒化モリブデン（ＭｏＮ）層を備えるＭｏＮ−Ａｌ−ＭｏＮ多重層等によって形成することができる。
次に、保護層４１０としても公知の第２絶縁層を形成する。保護層４１０は、第１容量電極４０７と第２容量電極４０８と第１絶縁層４０６を覆うように形成する。
次に、保護層４１０に、第１貫通孔４１２と第２貫通孔４１３を形成する。第１貫通孔４１２は、第１容量電極４０７の表面を露出させる。第２貫通孔４１３は、第２容量電極４０８の表面を露出させる。
次に、保護層４１０上に画素電極４１４をパターン形成する。画素電極４１４は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ；ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）で形成することができる。ここで、ＴＦＴ液晶表示装置の視野角を拡大するために、画素電極上にスリット４１６を形成することができる。
【００２２】
図５（ａ）に示す走査線路ＳＬとデータ線路ＤＬは、ＴＦＴ４００のゲート電極やソース／ドレインの形成と併せて形成する。ここで、走査線路ＳＬとデータ線路ＤＬは、第１絶縁層４０６によって絶縁されており、画素の表示状態はスイッチ装置（ＴＦＴ４００等）によって制御される。ＴＦＴ液晶表示装置の全ての画素の蓄積容量部では、それらの共通電極がＴＦＴ液晶表示装置の共通電圧に接続されている。
【００２３】
図４と図５（ａ）に示すように、画素電極４１４は、第１貫通孔４１２を介して第１容量電極４０７と電気的に接続しているとともに、第２貫通孔４１３を介して第２容量電極４０８と電気的に接続している。第１容量電極４０７と画素電極４１４を互いに電気的に接続している領域（第１実施例では第１貫通孔４１２）と、第２容量電極４０８と画素電極４１４を互いに電気的に接続している領域（第１実施例では第２貫通孔４１３）との間には、少なくとも一つのスリット４１６が位置している。第１実施例の液晶表示装置では、スリット４１６が、第１容量電極４０７と第２容量電極４０８を分離している空間に対応する位置に形成されている。
【００２４】
図５（ｂ）に示すように、欠陥Ｄ５が生じることによって、共通電極４０４とデータ線路ＤＬのうちの一つと、第１容量電極４０７と第２容量電極４０８と画素電極４１４のうちの一つとの間で短絡が生じると、画素に対し信号を正しく伝送できなくなる。欠陥Ｄ５を有する画素は、修復する必要がある。
【００２５】
第１実施例では、画素電極４１４の右側で欠陥Ｄ５が生じる可能性と、画素電極４１４の左側で欠陥Ｄ５が生じる可能性は等しいものと仮定する。この場合、第１容量電極４０７の面積は、第２容量電極４０８の面積と等しく設定する（即ち、第１容量電極４０７と第２容量電極４０８の容量値はほぼ同じである）。
【００２６】
図５（ｂ）に示すように、第１容量電極４０７とデータ線路ＤＬを接続（短絡）する欠陥Ｄ５が生じた場合、例えば切断線Ｃ５，Ｃ５’に沿って画素電極４１４をレーザ切断し、画素電極４１４の一部を除去することによって、第１容量電極４０７と第２容量電極４０８とを電気的に絶縁する必要が生じる。画素電極４１４上の切断線Ｃ５，Ｃ５’は、共通電極４０４の外周に対応する位置が好ましく、共通電極４０４が伸びている方向と平行であることがより好ましい。
スリット４１６は、共通電極４０４を跨がるように形成されている。それにより、画素を修復するために、共通電極４０４の外側に位置する切断線Ｃ５，Ｃ５’に沿って画素電極４１４を切断すると、第１容量電極４０７を含む小さな領域（切断線Ｃ５，Ｃ５’間の領域）だけを絶縁することができる。修復前において蓄積容量部の容量（ＣＳＴ）と液晶容量部の容量（ＣＬＣ）の合計である画素の全体容量ＣＴＯＴＡＬ（ＣＴＯＴＡＬ＝ＣＳＴ＋ＣＬＣ）は、修復後において蓄積容量部の容量（ＣＳＴ）の略半分と液晶容量部の容量（ＣＬＣ）の合計へと変化する（ＣＴＯＴＡＬ＝Ｏ．５ＣＳＴ＋ＣＬＣ）。従来の修復方法（修復対象画素の容量全体が（ｌ／２）×ＣＬＣ未満へと減少する）に比べ、本実施例による表示装置とそれに対応する修復方法によると、ほぼ画素電極のほぼ全体を保存することができ、容量の低下を抑制することができる。本実施例の液晶表示装置では、画素電極や容量電極を特別な形状に形成しておき、それに対応する修復方法を用いることによって、良好な表示品質を維持することができる。
【００２７】
上記した例によれば、スリット４１６は共通電極４０４を跨いでいることが好ましい。換言すれば、スリット４１６の両端が、共通電極４０４を挟んで両側に位置していることが好ましい。即ち、スリット４１６の両端部の距離が、共通電極４０４の幅よりも長いことが好ましい。スリット４１６が共通電極４０４を跨いでいない場合は、第１容量電極４０７と第２容量電極４０８を電気的に絶縁するレーザ除去工程の際に、画素電極４１４と共通電極４０４の一部が溶着してしまう場合がある。
【００２８】
ＭＶＡ型又はパターン化垂直配向（ＰＶＡ）型ＴＦＴ液晶表示装置では、第１容量電極４０７と第２容量電極４０８の間を電気的に絶縁するために形成した画素電極４１４上のスリット４１６を、液晶分子の配向方向の調整構造に用いることもできる。画素に電圧を印加すると、液晶分子の配向方向は、配向方向の調整構造（画素電極４１４のスリット４１６等）に依存する。
【００２９】
（第２実施例）
図６は、本発明を実施した第２実施例のＴＦＴ液晶表示装置（例えば、ツイストネマチック（ＴＮ）モード）の単一画素の構成と、それに生じる欠陥の修復方法を例示するものである。この液晶表示装置では、蓄積容量部が、容量電極と共通電極（「共通電極上の蓄積容量部（ＣＳＴ on Common)」として知られている）によって構成されている。
図７は、本発明を実施した第２実施例の別のＴＦＴ液晶表示装置の単一画素の構成と、それに生じる欠陥の修復方法を例示するものである。この液晶表示装置では、蓄積容量部が、容量電極とゲート電極（「ゲート電極上の蓄積容量部（ＣＳＴ on Gate)」として知られている）によって構成されている。
第２実施例のＴＦＴ液晶表示装置の蓄積容量部の断面図は、図４を引用することができる。
【００３０】
図６に示すように、画素は、共通電極６０４と、第１容量電極６０７と、第２容量電極６０８と、画素電極６１４と、ＴＦＴ６００を少なくとも備えている。画素電極６１４は、ＴＦＴ６００によって制御される。第１容量電極６０７は、第１貫通孔６１２を介して画素電極６１４と電気的に接続されている。第２容量電極６０８は、第２貫通孔６１３を介して画素電極６１４と電気的に接続されている。
【００３１】
画素電極６１４上に形成されている少なくとも一つのスリット６１６は、第１容量電極６０７と画素電極６１４を互いに電気的に接続している領域（第２実施例では第１貫通孔６１２）と、第２容量領域６０８と画素電極６１４を互いに電気的に接続している領域（第２実施例では第２貫通孔６１３）との間に位置している。欠陥Ｄ６が生じたときには、例えば切断線Ｃ６，Ｃ６’に沿って画素電極６１４をレーザ切断し、欠陥Ｄ６の位置に対応する画素電極６１４の一部を除去して、第１容量電極６０７と第２容量電極６０８を電気的に絶縁することができる。スリット６１６は、容量電極６０８（即ち、第２金属層）を跨いでおり、好ましくは共通電極６０４（即ち、第１金属層）を跨いでいる。それにより、画素を修復するために、切断線Ｃ６，Ｃ６’に沿って画素電極６１４をレーザ切断する場合に、画素電極６１４の下方に位置する構造を損傷することが防止される。修復後において、この画素の全体容量ＣＴＯＴＡＬは、蓄積容量部の容量（ＣＳＴ）の略半分と液晶容量部の容量（ＣＬＣ）の合計にほぼ等しい（ＣＴＯＴＡＬ＝０．５ＣＳＴ＋ＣＬＣ）。
本実施例による表示装置とそれに対応する修復方法によると、ほぼ画素電極の全体を保存することができ、容量値の低下を抑制することができる。本実施例の液晶表示装置では、画素電極や容量電極を特別な形状に形成しておき、それに対応する修復方法を用いることによって、良好な表示品質を維持することができる。
【００３２】
図７に示す画素では、画素電極７１４がＴＦＴ７００によって制御される。第１容量電極７０７と第２容量電極７０８は、ゲート線路ＧＬの上方に形成されている。第１容量電極７０７は、第１貫通孔７１２を介して画素電極７１４と電気的に接続されている。第２容量電極７０８は、第２貫通孔７１３を介して画素電極７１４と電気的に接続されている。画素電極７１４では、スリット７１６が、第１容量電極７０７と画素電極７１４を互いに電気的に接続している領域（第２実施例では第１貫通孔７１２）と、第２容量電極７０８と画素電極７１４を互いに電気的に接続している領域（第２実施例では第２貫通孔７１３）との間に位置している。欠陥Ｄ７が生じると、欠陥Ｄ７の位置に対応する画素電極７１４の一部を取り除く必要が生じる。図７に示すように、画素電極７１４が特別な形状をしていることから、切断線Ｃ７に沿って画素電極７１４をレーザ切断することによって、第１容量電極７０７と第２容量電極７０８とを電気的に絶縁することは容易である。
修復後において、この画素の全体容量ＣＴＯＴＡＬは、蓄積容量部の容量（ＣＳＴ）の半分と液晶容量部の容量（ＣＬＣ）の合計にほぼ等しい（ＣＴＯＴＡＬ＝０．５ＣＳＴ＋ＣＬＣ）。
本実施例による表示装置とそれに対応する修復方法によると、ほぼ画素電極の全体を保存することができ、容量値の低下を抑制することができる。本実施例の液晶表示装置では、画素電極や容量電極を特別な形状に形成しておき、それに対応する修復方法を用いることによって、良好な表示品質を維持することができる。
【００３３】
（第３実施例）
図８（ａ）は、本発明を実施した第３実施例のＴＦＴ液晶表示装置（例えば、横電界（ＩＰＳ型）の単一画素の構成を例示するものである。図８（ｂ）は、図８（ａ）に示す画素上に欠陥が生じたときに、それを修復する方法を説明するものである。画素は、共通電極８０４と、第１容量電極８０７と、第２容量電極８０８と、第３容量電極８０９と、第４容量電極８１０と、画素電極８１４と、ＴＦＴ８００とを少なくとも備えている。画素電極８１４は、ＴＦＴ８００によって制御される。画素電極８１４とフィールド電極８１７のそれぞれは櫛状形状をしており、互いに対向配置されている。隣接する画素電極８１４間には、スリットが存在している。第１容量電極８０７は、第１貫通孔８１２を介してフィールド電極８１７と電気的に接続している。第２容量電極８０８は、第２貫通孔８１３を介してフィールド電極８１７と電気的に接続している。第３容量電極８０９は、第３貫通孔８１５を介してフィールド電極８１７と電気的に接続している。第４容量電極８１０は、第４貫通孔８１６を介してフィールド電極８１７と電気的に接続している。
【００３４】
図８（ｂ）に示すように、欠陥Ｄ８が生じたときには、欠陥Ｄ８の位置に対応するフィールド電極８１７の一部を切断線Ｃ８，Ｃ８’に沿ってレーザ切断によって除去し、第１容量電極８０７を他の容量電極８０８、８０９、８１０から電気的に絶縁する必要が生じる。この修復時では、蓄積容量の略１／４（０．２５ＣＳＴ）しか失われず、画素電極８１４についても非常に小さな領域が分離される。
本実施例による表示装置とそれに対応する修復方法によると、ほぼ画素電極の全体を保存することができ、容量値の低下を抑制することができる。本実施例の液晶表示装置では、画素電極や容量電極を特別な形状に形成しておき、それに対応する修復方法を用いることによって、良好な表示品質を維持することができる。
【００３５】
上記した実施例では、第１実施例と第２実施例においては画素内に２つの容量電極を配置した例を説明し、第３実施例においては画素内に４つの容量電極を配置した例を説明したが、本発明の技術を実施する表示装置はこれらに限定されない。容量電極の数は、実際の用途に応じて適宜選択可能である。また、画素電極の電気絶縁部、即ち除去対象部分は欠陥位置に依存する。また、画素電極と一つ（又は複数）のスリットの配置パターンは、上記の実施例の形態に限定されず、実際の用途に応じて適宜変更可能である。また、欠陥が生じる位置の確率分布に応じて、第２容量電極に対する第１容量電極の面積比を調節することも可能である。
【００３６】
（第４の実施形態）
図９（ａ）と図９（ｂ）のそれぞれは、本発明を実施した第４実施例のＴＦＴ液晶表示装置の単一画素の構成を示す図と、その画素上に生じた欠陥の修復方法を説明するものである。図９（ａ）と図９（ｂ）では、欠陥が生じている位置が異なっており、欠陥の位置に応じて修復方法は若干異なることとなる。画素は、共通電極９０４と、第１容量電極９０７と、第２容量電極９０８と、第３容量電極９０９と、画素電極９１４と、ＴＦＴ９００を少なくとも備えている。第１容量電極９０７は、第１貫通孔９１２を介して画素電極９１４と電気的に接続している。第２容量電極９０８は、第２貫通孔９１３を介して画素電極９１４と電気的に接続している。第３容量電極９０９は、第３貫通孔９１５を介して画素電極９１４と電気的に接続している。
【００３７】
画素電極９１４には、第１スリット９１６と第２のスリット９１７が形成されている。第１スリット９１６と第２のスリット９１７は、互いに異なる形状で形成されている。第１スリット９１６は、第１貫通孔９１２と第２貫通孔９１３の間に位置している。第２スリット９１７は、第２貫通孔９１３と第３貫通孔９１５の間に位置している。
【００３８】
図９（ａ）に示すように、欠陥Ｄ９が生じることによって、第１容量電極９０７と第１データ線路ＤＬ１の間に短絡が生じた場合、欠陥Ｄ９の位置に対応する画素電極９１４の一部を切断線Ｃ９，Ｃ９’に沿ってレーザ切断し、第１容量電極９０７を第２容量電極９０８や第３の容量電極９０９から電気的に絶縁することができる。この修復によると、蓄積容量の略２／３（（２／３）ＣＳＴ）が保存される。
同様に、図９（ｂ）に示すように、欠陥Ｄ９’が生じることによって、第３容量電極９０９と第２データ線路ＤＬ２との間に短絡が生じた場合、欠陥Ｄ９’の位置に対応する画素電極９１４の一部を切断線Ｃ９”，Ｃ９”’に沿ってレーザ切断し、第３容量電極９０９を第２容量電極９０８や第１容量電極９０７から電気的に絶縁することができる。
【００３９】
以上に説明したように、同じ有効面積を有するＮ（Ｎは整数でＮ≧２）個の容量電極を単一画素内に形成することもできる。欠陥が発見された場合、この欠陥の位置を特定し、欠陥の位置に対応する画素電極の一部を除去することによって、欠陥を含む容量電極を他の容量電極から絶縁することができる。修復後において、画素の容量全体ＣＴＯＴＡＬは、蓄積容量（ＣＳＴ）の［（Ｎ−１）／Ｎ］と液晶容量（ＣＬＣ）の合計（即ち、ＣＴＯＴＡＬ＝［（Ｎ−１）／Ｎ］ＣＳＴ＋ＣＬＣ）となる。Ｎの値が大きくなるほど、画素の表示品質は良くなる（即ち、修復された画素の表示品質は、不具合のない画素の表示品質に近くなる）。
【００４０】
通常、欠陥は、第２金属層にパターン形成工程を実施し、データ線路や容量電極を形成する製造期間中において、第２金属層に生じることが多い。そのことから、データ線路ＤＬ１、ＤＬ２側に位置する第１容量電極９０７や第３容量電極９０９の有効面積を、第２容量電極９０８の有効面積よりも小さくしてするのもよい。欠陥を修復するために第１容量電極９０７と第３容量電極９０９の一方又は両方を切断した場合でも、画素に大きな値の容量を残存させることができる。例えば、第１容量電極９０７と第２容量電極９０８と第３容量電極９０９による全体容量ＣＳＴを、それぞれ０．２ＣＳＴ，０．６５ＣＳＴ，０．１５ＣＳＴと分配することができる。第１容量電極９０７を切断した場合、画素の全体容量は０．８ＣＳＴとなる。同様に、第３容量電極９０９を切断した場合、画素の全体容量は０．８５ＣＳＴとなる。第１容量電極９０７と第３容量電極９０９を第２容量電極９０８から切断した場合、画素の容量全体は０．６５ＣＳＴとなる。
【００４１】
以上、４つの実施例について説明したが、本発明の技術は明細書に記載した形態に限定はされない。本発明の技術を実施するために様々な設計変更が可能であることは、当業者にとって容易に理解されるものである。
例えば、ＴＦＴの構成は図１（ａ）に例示する構成に限定されない。液晶表示装置の上部ゲート構造（即ち、半導体層上に形成したゲート電極）を使用することもできる。また、ＴＦＴの構造を保護するために、半導体層上にさらにエッチングストッパ層を形成することもできる。また、ポリシリコン構造を用いてチャンネル領域を形成することもできる。さらに、カラーフィルタ（通常、第１プレートに形成される）とＴＦＴと容量電極は、第２プレートに配置することもできる。この場合、例えば画素電極と容量電極の間に配置することができる。
【００４２】
上記の実施例では、第１容量電極と第２容量電極を、画素電極に対して独立して接続している。画素電極には、少なくとも一つのスリットが形成されている。容量電極と画素電国を電気的に接続する領域が、１つの画素内に少なくとも２つ形成されている（例えば、第１容量電極と画素電極を接続している一方の領域と、第２容量電極と画素電極と接続している他方の領域）。画素電極のスリットを用いることによって、画素電極の一部を容易に分離する（取り除く）ことができ、短絡領域を簡単に絶縁することができる。画素に十分な容量を維持するため、第２容量電極に対する第１容量電極の面積比は調整可能であり、第１容量電極や第２容量電極の形状は変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１Ａ】図１Ｃの１Ａ−１Ａ線による断面図であり、液晶表示装置の第２プレートの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の構成を示している（従来技術）。
【図１Ｂ】図１Ｃの１Ｂ−１Ｂ線による断面図であり、液晶表示装置の第２プレートの蓄積容量（ＣＳＴ）の構成を示している（従来技術）。
【図１Ｃ】マルチドメイン垂直配向（ＭＶＡ）型ＴＦＴ液晶表示装置の単一画素の構成示す図（従来技術）。
【図１Ｄ】図１Ｃに示す画素に生じた欠陥を修復する従来の方法を説明する図。
【図１Ｅ】図１Ｃの１Ｅ−１Ｅ線による断面図であり、データ線路と容量電極の間で発生する欠陥を示す図。
【図２】図２（ａ）は、ゲート上に蓄積容量が形成されているＴＦＴ液晶表示装置の単一画素の構成を示しており、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す画素上に生じた欠陥を修復する従来の方法を説明する図である。
【図３】図３（ａ）は、横電界（ＩＰＳ）型ＴＦＴ液晶表示装置の単一画素の構成を示しており、図３（ｂ）は図３（ａ）に示す画素上に生じた欠陥を修復する従来の方法を説明する図である。
【図４】第１実施例のマルチドメイン垂直配向（ＭＶＡ）型ＴＦＴ液晶表示装置の蓄積容量の断面図である。
【図５】図５（ａ）は、第１実施例のＭＶＡ型ＴＦＴ液晶表示装置の単一画素の構成を示しており、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す画素上に生じた欠陥を修復する方法を説明する図である。
【図６】第２実施例のＴＦＴ液晶表示装置（例えばツイストネマチック（ＴＮ）型）の単一画素の構成とそれに生じた欠陥の修復方法を示す図。この液晶表示装置では、蓄積容量が、容量電極と共通電極によって構成されている（共通電極上の蓄積容量部（ＣＳＴ on Common)」として知られている）。
【図７】第２実施例の別のＴＦＴ液晶表示装置の単一画素の構成とそれに生じた欠陥を修復方法を示す図。この液晶表示装置では、蓄積容量が容量電極とゲート電極によって構成されている（「ゲート電極上の蓄積容量部（ＣＳＴ on Gate)」として知られている）。
【図８】図８（ａ）は、第３実施例のＴＦＴ液晶表示装置（例えば、横電界（ＩＰＳ）型）の単一画素の構成を示しており、図８（ｂ）は、図８（ａ）に示す画素上に生じた欠陥を修復する方法を説明する図である。
【図９】図９（ａ）と図９（ｂ）は、第４実施例のＴＦＴ液晶表示装置の単一画素の構成と、それに生じた欠陥の修復方法を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
４０２：基板
４０４、６０４、８０４、９０４：共通電極
４０６：第１絶縁層
４０７、６０７、７０７、８０７、９０７：第１容量電極
４０８、６０８、７０８、８０８、９０８：第２容量電極
４１０：保護層
４１２、６１２、７１２、８１２、９１２：第１貫通孔
４１３、６１３、７１３、８１３、９１３：第２貫通孔
４１４、６１４、７１４、８１４、９１４：画素電極
４１６、６１６、７１６：スリット
６００、７００、８００、９００：ＴＦＴ
８０９、９０９：第３容量電極
８１０：第４容量電極
８１５、９１５：第３貫通孔
８１６：第４貫通孔
８１７：フィールド電極
９１６：第１スリット
９１７：第２スリット
【図１Ａ】
2005316489.tif 000003
【図１Ｂ】
2005316489.tif 000004
【図１Ｃ】
2005316489.tif 000005
【図１Ｄ】
2005316489.tif 000006
【図１Ｅ】
2005316489.tif 000007
【図２】
2005316489.tif 000008
【図３】
2005316489.tif 000009
【図４】
2005316489.tif 000010
【図５】
2005316489.tif 000011
【図６】
2005316489.tif 000012
【図７】
2005316489.tif 000013
【図８】
2005316489.tif 000014
【図９】
2005316489.tif 000015