(57)【要約】【課題】  ステンレス樹脂積層体において、ステンレス箔のエッチング加工を行なう際、エッチングレジストとステンレス箔の密着強度を確保するために必須となっている塩酸処理に代表されるハロゲンアニオンを含む水溶液中におけるステンレス箔の孔食を防ぎ、ステンレスの高精度加工が可能となるステンレス樹脂積層体及びその製造方法を提供すること。【解決手段】  ステンレスと絶縁層となる樹脂が接合されたステンレス樹脂積層体において、樹脂と接していないステンレスの表面に存在する酸化皮膜厚みが100Å〜150Åであり、且つ酸化皮膜の成分としてクロムを25〜40％含むことを特徴とするステンレス樹脂積層体及びその製造方法。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステンレスと絶縁層となる樹脂が接合されたステンレス樹脂積層体において、樹脂と接していないステンレスの表面に存在する酸化皮膜厚みが100Å〜150Åであり、且つ酸化皮膜の成分としてクロムを25〜40％含むことを特徴とするステンレス樹脂積層体。
【請求項２】
絶縁層となる樹脂が、熱可塑性ポリイミドである請求項１記載のステンレス樹脂積層体。
【請求項３】
ステンレスと絶縁層となる樹脂が接合されたステンレス樹脂積層体の製造方法において、ステンレスとして表面に存在する酸化皮膜厚みが、30Å〜70Åであり、且つ酸化皮膜の成分としてクロムを40％〜60％含むものを選択して用いることを特徴とするステンレス樹脂積層体の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２記載のステンレス樹脂積層体から製造されるハードディスクドライブ用サスペンション。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク用サスペンション等に広く使用されている、ステンレス樹脂積層体及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
詳しくは、エッチング加工の前処理に使用される塩酸処理において、耐孔食性に優れるステンレス樹脂積層体及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
従来よりハードディスク用サスペンションには、ステンレス鋼及びステンレス樹脂積層体が使用されている。近年、ハードディスクの高記録密度化、小型化への要求が顕著であり、かかる観点より、ハードディスク用サスペンションに対し、より一層の高精度加工が求められている。ハードディスク用サスペンションを高精度に加工する方法として、例えば、ステンレス樹脂積層体を用い、サスペンションの一部品となるロードビームを製造する方法が開示されている（特許文献１参照）。当該発明を用いれば、ステンレス樹脂積層体の樹脂層をステンレスのエッチングストップ層として用いるため、従来の部分エッチング法、ハーフエッチング法と呼ばれるステンレスの一部を薄膜加工する方法に比べ、エッチング加工の厚み精度をステンレス箔自体の厚み精度と同じにすることができ、ロードビームの高精度加工が可能となる。
【０００４】
しかし、当該発明において、ステンレス樹脂積層体のステンレス箔の酸化皮膜厚み及び組成に関しては、関心がはらわれておらず、ステンレス箔によっては、ステンレス箔のエッチング加工の前処理としてエッチングレジストとステンレスの密着強度を確保するために必須である、例えば塩酸処理のようなハロゲンアニオンを含む水溶液による処理を行なった際に、ステンレス箔の表面に孔食が発生する。塩酸処理により孔食が発生すると、エッチングレジストとステンレス箔との間に空間が発生し、その後のエッチング加工が精度よく行なうことが出来ないという問題点があった。
【特許文献１】特開２００１―４３６４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、前記の問題点に鑑み、ステンレス樹脂積層体において、ステンレス箔のエッチング加工を行なう際、エッチングレジストとステンレス箔の密着強度を確保するために必須となっている塩酸処理に代表されるハロゲンアニオンを含む水溶液中におけるステンレス箔の孔食を防ぎ、ステンレスの高精度加工が可能となるステンレス樹脂積層体及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは鋭意検討の結果、ステンレスと樹脂が接合されたステンレス樹脂積層体において、樹脂と接していないステンレスの表面に存在する酸化皮膜厚みとその成分を規定することにより、塩酸処理に代表されるハロゲンアニオンを含む水溶液中におけるステンレスの孔食を抑制できることを見出し、ステンレス樹脂積層体を高精度に加工できることを見出した。
【０００７】
すなわち、本発明は以下に関するものである。
（１）ステンレスと絶縁層となる樹脂が接合されたステンレス樹脂積層体において、樹脂と接していないステンレスの表面に存在する酸化皮膜厚みが100Å〜150Åであり、且つ酸化皮膜の成分としてクロムを25〜40％含むことを特徴とするステンレス樹脂積層体。
（２）絶縁層となる樹脂が、熱可塑性ポリイミドである（１）記載のステンレス樹脂積層体。
（３）ステンレスと絶縁層となる樹脂が接合されたステンレス樹脂積層体の製造方法において、ステンレスとして表面に存在する酸化皮膜厚みが、30Å〜70Åであり、且つ酸化皮膜の成分としてクロムを40％〜60％含むものを選択して用いることを特徴とするステンレス樹脂積層体の製造方法。
（４）（１）又は（２）記載のステンレス樹脂積層体から製造されるハードディスクドライブ用サスペンション。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のステンレス樹脂金属積層体を用いることにより、ステンレスとエッチングレジストとの密着力を向上させるために必須な塩酸処理工程におけるステンレスの孔食を防ぐことができる。よってステンレスの微細加工が可能なステンレス樹脂金属積層体を提供することができ、ハードディスクドライブサスペンションとして好適に使用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のステンレス樹脂積層体において、塩酸処理における孔食を発生させないためには、ステンレスの樹脂と接していない表面の酸化皮膜の厚みを規定することが重要である。ステンレスの酸化皮膜厚みと酸化皮膜の組成はAES（オージェ電子分光法）により測定する。
【００１０】
ＡＥＳとは、オージェ電子分光法のことであり、電子線を照射する際に発生するオージェ電子を測定して、固体表面に存在する元素の種類と量を測定できるものである。本発明において酸化皮膜の厚みとは、AESにてステンレスの最表面の元素Oの量を測定し、ついで、深さ方向のAES分析を行ない、検出される元素Oの量が、最表面の元素Oの量の半分になる厚さのことをいう。すなわち、まず、ステンレス箔をそのままの状態でAESを測定し、元素Oの元素比率を算出する。ここで元素比率とは、AESにて検出される全元素量の合計を100％とし、元素Oの検出量を検出される全元素量で割った値のことである。次いで、ステンレス箔をアルゴンイオンのスパッタリングによりをエッチングし、深さ方向の元素分析を行なう。その際、ステンレスの最表面に存在する元素Oの元素比率に対し、元素比率が半分になった時、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で金属の表面酸化膜の厚さを測定し、エッチング前の酸化皮膜の厚みからの差のことをいう。
【００１１】
また、酸化皮膜の組成は、ステンレス箔をそのままの状態でAES測定を行なった際に測定される元素比率のことをいう。
【００１２】
本発明のステンレス樹脂積層体において、樹脂に接してないステンレスの酸化皮膜の前記AESにより測定される厚みが、100〜150Åであることが、塩酸処理に代表されるハロゲンアニオンを含む水溶液による処理における孔食を防ぐために必要である。より好ましくは120〜150Åである。
【００１３】
孔食は、一般的にステンレスの酸化皮膜の厚みおよび塩酸処理温度と塩酸処理濃度に依存し発生することを本出願人は見出した。ステンレスの酸化皮膜が厚い場合、酸化皮膜は塩酸による腐食速度が、ステンレス内部のステンレス鋼の腐食速度に比べ、著しく遅いため、塩酸による腐食はステンレス内部のステンレス鋼まで進行しないため、孔食は発生しない。また、酸化皮膜が薄い場合も、塩酸による酸化皮膜の除去が容易なため、孔食の発生頻度は、酸化皮膜が薄くなると共に低下する。一方、ステンレスの酸化皮膜厚みが中間の場合は、酸化皮膜の腐食速度は著しく遅いものの、酸化皮膜に局部的に薄くなっている部分や酸化皮膜内部に不純物が存在することにより酸化皮膜が局部的に消失している部分（以下、酸化皮膜の欠陥と記す）が存在すると、かかる酸化皮膜の欠陥からステンレス内部のステンレス鋼に腐食が進行し、孔食が発生しやすくなることを本出願人は見出した。
【００１４】
即ち、孔食を防ぐためには、ステンレスの酸化皮膜は50Åより薄いか、100Åより厚いほうが好ましい。しかし、ステンレスの酸化皮膜は、ステンレスの大気中での腐食を防止するために必須であり、また、ステンレス樹脂積層体の加工工程において加えられる熱によるステンレスの酸化、変色を防止するためには、50Åより厚いことが必要である。よって、ステンレスの酸化皮膜の厚みとしては、100Åより厚いことが必要であり、100〜150Åであることが重要である。150Åより厚くなると塩酸処理の際に酸化皮膜の腐食がほとんど起こらず、塩酸処理の本来の目的であるステンレスとエッチングレジストとの密着力の向上が図れなくなり、好ましくない。
【００１５】
また、ステンレスの酸化皮膜の厚さのみならず、組成も孔食の発生を抑えるためには重要である。ステンレスの酸化皮膜は一般的に鉄、クロム、ニッケル、シリコン元素を多く含む。酸化皮膜の深さ方向の元素組成は、ステンレスの最表面から、鉄、クロムの順に最も多く含まれる元素が変わる。孔食を防ぐためには、酸化皮膜が100〜150Åの範囲にあり、更にかかる酸化皮膜の最表面にはクロムが25〜40％含まれることが好ましい。より好ましくはクロム成分が30〜40％である。
【００１６】
ステンレスの酸化皮膜厚み及び組成は、ステンレスの製造工程条件及びステンレス金属積層体のラミネート工程条件により制御が可能である。ステンレスの製造工程条件においては、圧延後に行なうステンレスの残留応力を低減するためのテンションアニールと呼ばれる工程条件にステンレスの酸化皮膜は最も影響を受ける。ここでテンションアニールとはステンレスに一定の引っ張り応力をかけながら、高温下の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気中で一定時間の放置を行う処理のことをいう。テンションアニール処理の温度と時間を調整することによりステンレスの酸化皮膜厚みと組成を制御することが可能である。酸化皮膜の厚みは、テンションアニールにおける高温ガス雰囲気にて酸化・還元反応により増減する。
【００１７】
酸化皮膜の厚みを厚くするには低温・長時間の処理を施すのが好ましい。酸化皮膜の厚みを30〜70Åにし、酸化皮膜の成分としてクロムを40-60％含むものの好ましいテンションアニール処理の条件としては、温度１０００℃〜１２００℃、時間１０分〜２０分である。
【００１８】
ステンレス金属積層体のラミネート工程条件においては、ラミネート温度によりステンレスの酸化皮膜厚み及び組成が変化する。本発明において、ステンレスとの積層において好ましくは熱可塑性ポリイミドを使用するので、ラミネート温度は250℃以上の高温が必要となる可能性が高い。しかし、ラミネート温度を350℃以上にするとステンレスの酸化皮膜が厚くなったり、ステンレスの表面が変色する等の不具合が生じてしまう。よって、ラミネート温度は250〜350℃が好ましい。かかる条件にてステンレス金属積層体の酸化皮膜厚みは、100〜150Åとなり、酸化皮膜中のクロムの組成率は25-40％とすることができる。
【００１９】
本発明のステンレス樹脂積層体に用いる樹脂層としては、該積層体はハードディスク用サスペンションとして使用されるため、磁気ヘッド及び磁気ディスクを汚染しない樹脂であることが必要である。具体的には、高温下でのアウトガスの発生が無く、イオン性の不純物を含まない樹脂を用いることが必要である。このような樹脂としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミドが挙げられる。高温下でのアウトガスの発生が最も少ないことから、ポリイミドがより好ましい。
【００２０】
本発明のステンレス樹脂積層体の樹脂層のステンレスに接する樹脂層としては、熱可塑性ポリイミドが好ましく使用できる。熱可塑性ポリイミドを用いることによりステンレスとの密着性を向上させることができ、接着力の強化が図られるからである。
【００２１】
使用する熱可塑性ポリイミドとしては、ジアミンと酸二無水物とを反応させて得られるものが用いられる。ジアミンと酸二無水物は任意のものを使用することができる。ジアミンとしては、１,３-ビス(３−アミノフェノキシ)ベンゼン、４,４’−ビス(３−アミノフェノキシ)ビフェニル及び、３,３’−ジアミノベンゾフェノン、１，３−ビス(３−(３−アミノフェノキシ)フェノキシ)ベンゼンから選ばれた少なくとも一種のジアミンを用いることが好ましいが、熱可塑性ポリイミドの特性を損なわない範囲内で（通常は５０モル％未満の範囲で）任意のジアミンを添加することもできる。
【００２２】
任意のジアミンとしては、例えば、ｍ−フェニレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−アミノベンジルアミン、ｐ−アミノベンジルアミン、ビス（３−アミノフェニル）スルフィド、（３−アミノフェニル）（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（３−アミノフェニル）スルホキシド、（３−アミノフェニル）（４−アミノフェニル）スルホキシド、ビス（３−アミノフェニル）スルホン、（３−アミノフェニル）（４−アミノフェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェニル）スルホン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、ビス［４−（４−アミノフェニキシ）フェニル］メタン、１，１−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、２，２−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、
【００２３】
１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホキシド、ビス［４−（アミノフェノキシ）フェニル］スルホキシド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、１，４−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、４，４’−ビス［３−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ベンゾフェノン、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ジフェニルスルホン、ビス［４−｛４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ｝フェニル］スルホン、１，４−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス（３−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（２−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（２−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（２−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（２−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（２−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（２−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、
【００２４】
１，２−ビス（３−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（３−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（３−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（４−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（２−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（２−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（２−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）−２−メチルベンゼン、１，３−ビス（３−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）−４−メチルベンゼン、１，３−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）−２−エチルベンゼン、１，３−ビス（３−（２−アミノフェノキシ）フェノキシ）−５−sec−ブチルベンゼン、１，３−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）−２，５−ジメチルベンゼン、１，３−ビス（４−（２−アミノ−６−メチルフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（２−（２−アミノ−６−エチルフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（２−（３−アミノフェノキシ）−４−メチルフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（２−（４−アミノフェノキシ）−４−tert−ブチルフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）−２，５−ジ−tert−ブチルベンゼン、１，４−ビス（３−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）−２，３−ジメチルベンゼン、１，４−ビス（３−（２−アミノ−３−プロピルフェノキシ）フェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（３−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）−４−メチルベンゼン、１，２−ビス（３−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）−３−n−ブチルベンゼン、１，２−ビス（３−（２−アミノ−３−プロピルフェノキシ）フェノキシ）ベンゼンビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（１０−アミノデカメチレン）テトラメチルジシロキサン、ビス（３−アミノフェノキシメチル）テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。これらは単独あるいは２種以上混合して、用いることができる。
【００２５】
使用するテトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物、p-フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル無水物）、３，３’，４，４’−エチレングリコールジベンゾエートテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン−３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物から選ばれた少なくとも一種のテトラカルボン酸二無水物を用いることが好ましいが、熱可塑性ポリイミドの特性を損なわない範囲内（通常は、これらのテトラカルボン酸二無水物に対して５０モル％未満）で任意の酸二無水物を添加することができる。
【００２６】
任意の酸二無水物としては、３−フルオロピロメリット酸二無水物、３，６−ジフルオロピロメリット酸二無水物、３，６−ビス（トリフルオロメチル）ピロメリット酸二無水物、１，２，３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’’，４，４’’−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’’’ ，４，４’’’−クァテルフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’’’’ ，４，４’’’’−キンクフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、メチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１−エチニリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、２，２−プロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，２−エチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，３−トリメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，４−テトラメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，５−ペンタメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−へキサフルオロプロパン二無水物、ジフルオロメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１，２，２−テトラフルオロ−１，２−エチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロ−１，３−トリメチレン−４、４’−ジフタル酸二無水物、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロ−１，４−テトラメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロ−１，５−ペンタメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、チオ−４，４’−ジフタル酸二無水物、スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルシロキサン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ベンゼン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，３−ビス〔２−（３，４−ジカルボキシフェニル）−２−プロピル〕ベンゼン二無水物、１，４−ビス〔２−（３，４−ジカルボキシフェニル）−２−プロピル〕ベンゼン二無水物、
【００２７】
ビス〔３−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕メタン二無水物、ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕メタン二無水物、２，２−ビス〔３−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕プロパン二無水物、２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕プロパン二無水物、２，２−ビス〔３−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジメチルシラン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン−１，２，４，５−テトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビシクロヘキシルテトラカルボン酸二無水物、カルボニル−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、メチレン−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、１，２−エチレン−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、１，１−エチニリデン−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、
【００２８】
２，２−プロピリデン−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−プロピリデン−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、オキシ−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、チオ−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、スルホニル−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、２，２’−ジフルオロ−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、５，５’−ジフルオロ−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、６，６’−ジフルオロ−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２、２’、５、５’、６、６’−ヘキサフルオロ−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、５，５’−ビス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、６，６’−ビス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，５，５’−テトラキス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、５，５’，６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，５，５’、６，６’−ヘキサキス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’−ジフルオロオキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’−ジフルオロオキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ジフルオロオキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，５’，６，６’−ヘキサフルオロオキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’−ビス（トリフルオロメチル）オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’−ビス（トリフルオロメチル）オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ビス（トリフルオロメチル）オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，５’−テトラキス（トリフルオロメチル）オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’，６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，５’，６，６’−ヘキサキス（トリフルオロメチル）オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、
【００２９】
３，３’−ジフルオロスルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’−ジフルオロスルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ジフルオロスルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，５’，６，６’−ヘキサフルオロスルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’−ビス（トリフルオロメチル）スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’−ビス（トリフルオロメチル）スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ビス（トリフルオロメチル）スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，５’−テトラキス（トリフルオロメチル）スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’，６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，５’，６，６’−ヘキサキス（トリフルオロメチル）スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’−ジフルオロ−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’−ジフルオロ−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ジフルオロ−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，５’，６，６’−ヘキサフルオロ−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’−ビス（トリフルオロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’−ビス（トリフルオロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ジフルオロ−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，５’−テトラキス（トリフルオロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’，６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，５’，６，６’−ヘキサキス（トリフルオロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、９−フェニル−９−（トリフルオロメチル）キサンテン−２，３，６，７−テトラカルボン酸二無水物、９，９−ビス（トリフルオロメチル）キサンテン−２，３，６，７−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ〔２，２，２〕オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、９，９−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシ）フェニル〕フルオレン二無水物、９，９−ビス〔４−（２，３−ジカルボキシ）フェニル〕フルオレン二無水物等が挙げられる。これらは単独あるいは２種以上混合して、使用することができる。
【００３０】
本発明に用いる樹脂層は、単一層であっても、多層であっても良い。単一層の場合、樹脂層の熱膨張係数をステンレスの熱膨張係数と同等のものを用いることが好ましい。ステンレス樹脂積層体の反りを防止できるからである。しかし、熱可塑性ポリイミドは、一般的に熱膨張係数がステンレスに比べ大きいため、この場合には、熱膨張係数がステンレス箔よりも小さいポリイミドを熱可塑性ポリイミドのステンレス箔に接していない面に接合し、多層構造とすることにより、ポリイミド層とステンレス箔の熱膨張係数を合わせることが好ましい。
【００３１】
熱可塑性ポリイミドに接合する、ポリイミドとしては、熱膨張係数が本発明に用いるステンレス箔よりも小さければよく、化学構造に制限は無い。ポリイミドはワニス状態のもの、フィルム状態のもの形態を問わず使用することができる。また、市販のポリイミドフィルムを用いることもでき、宇部興産株式会社製ユーピレックスS（登録商標）、鐘淵化学株式会社製アピカルHP（登録商標）等が、熱膨張係数が小さいことから好ましく用いることができる。
【００３２】
本発明に用いるステンレス箔としては、従来からハードディスクドライブ用サスペンションに用いられているステンレス３０４Ｈ（SUS304H）が好ましい。また、ステンレス箔の熱収縮率を小さくするためにSUS304Hにテンションアニール処理を施すことが、ステンレス樹脂積層体の寸法安定性を向上する観点から、好ましく用いることができる。テンションアニール処理の好ましい例としては、温度１０００〜１２００℃、時間１０分〜２０分である。
【００３３】
ステンレス箔の厚みは、好ましくは１０μm〜１０５μm、より好ましくは１８μｍ〜６３．５μｍである。ハードディスク用サスペンションとしては、ステンレスの剛性がバネ特性を確保するために重要であり、上記範囲内のものが、剛性が不足せず、また剛性は十分あるものの、剛性が高すぎるためにバネとしての役割を果たさなくなる等の問題がなく好ましい。
【００３４】
本発明のステンレス樹脂積層体は、原料として用いるステンレスに酸化皮膜厚みが30〜70Åであるものを用いることにより好適に製造することができる。絶縁層となる樹脂として熱可塑性ポリイミドを用いる場合は、250℃以上の高温での接合が必須となり、ステンレスの酸化皮膜が接合の過程において厚くなることが避けられない。したがって、原料として用いるステンレスの酸化皮膜厚みは70Åより薄いことが必要である。また、絶縁層となる樹脂との接合の際に酸化による変色を避けるという観点より、30Åより厚いことが好ましい。故に、原料として用いるステンレスは30〜70Åであることが必要であり、より好ましくは、40〜60Åである。尚、上記酸化皮膜の厚みの測定は、前述のＡＥＳにより測定できる。
【００３５】
原料として用いるステンレスの酸化皮膜の厚みのみならず組成についても、絶縁層となる樹脂とステンレスの接合後の酸化皮膜厚みを制御するために、考慮する必要がある。ステンレスの酸化皮膜中のクロムは、酸化皮膜中に存在する他の金属に比べ、印加される熱に対して影響を受けにくく安定に存在できるので、酸化皮膜中にクロムが４０％より多く含むことが好ましい。接合後の酸化皮膜厚みの制御が容易になるからである。しかし、６０％以上になると酸化皮膜が安定になりすぎるため、後工程で必要になる酸洗処理において、酸化皮膜がほとんど溶解しなくなる等の不具合が生じてしまうため、６０％より少ないことが好ましい。したがって原料として用いるステンレスの酸化皮膜の組成としては、クロムを40〜60％含むことが好ましい。より好ましくは50〜60％である。
【００３６】
本発明のステンレス樹脂積層体は、絶縁層となる樹脂とステンレス箔とを加熱圧着することにより製造することができる。用いるステンレス箔は、予め酸化皮膜の厚みと組成を、前述したAES（オージェ電子分光法）により測定しておく。酸化皮膜厚みが30〜70Åで、且つクロムが40〜60％含むもののみを選択して用いる。これにより、ステンレスと絶縁層となる樹脂との熱圧着後の樹脂と接しない側のステンレスの酸化皮膜厚みと組成の制御が容易になる。
【００３７】
次いで、絶縁層となる樹脂とステンレス箔とを加熱圧着する方法について述べる。加熱圧着する方法について制限はないが、例えば、代表的方法として、加熱プレス法及び／又は熱ラミネート法が挙げられる。加熱プレス法としては、例えば、ポリイミド系樹脂と金属箔をプレス機の所定のサイズに切りだし、重ね合わせを行ない加熱プレスにより加熱圧着することにより製造できる。加熱温度としては、150〜600℃の温度範囲が望ましい。加圧力としては、制限は無いが、好ましくは0.1〜500kg/cm２で製造できる。加圧時間としては、特に制限はない。
【００３８】
熱ラミネート方法としては、特に制限は無いが、ロールとロール間に挟み込み、張り合わせを行なう方法が好ましい。ロールは金属ロール、ゴムロール等が利用できる。材質に制限はないが、金属ロールとしては、鋼材やステンレス材料が使用される。表面にクロムメッキ等が処理されたロールを使用することが好ましい。ゴムロールとしては、金属ロールの表面に耐熱性のあるシリコンゴム、フッ素系のゴムを使用することが好ましい。ラミネート温度としては、100〜300℃の温度範囲が好ましい。加熱方式は、伝導加熱方式の他、遠赤外等の輻射加熱方式、誘導加熱方式等も利用できる。
【００３９】
熱ラミネート後、加熱アニールすることも好ましい。加熱装置として、通常の加熱炉、オートクレーブ等が利用できる。加熱雰囲気として、空気、イナートガス（窒素、アルゴン）等が利用できる。加熱方法としては、フィルムを連続的に加熱する方法またはフィルムをコアに巻いた状態で加熱炉に放置する方法のどちらの方法も好ましい。加熱方式としては、伝導加熱方式、輻射加熱方式、及び、これらの併用方式等が好ましい。加熱温度は、200〜600℃の温度範囲が好ましい。加熱時間は、0.05〜5000分の時間範囲が好ましい。
【００４０】
また、本発明のステンレス樹脂積層体は、絶縁層となる樹脂が熱可塑性ポリイミドの場合、熱可塑性ポリイミドの前駆体ワニスをステンレス箔に塗布した後、乾燥することにより製造することができる。ステンレス箔上に熱可塑性ポリイミドの溶液、または、該熱可塑性ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液（以下、これらを総称してワニスという）を直接塗布・乾燥することにより製造することが出来る。ワニスは、前記の特定のジアミンとテトラカルボン酸二無水物を溶媒中で重合して得られた溶液である。
【００４１】
金属箔上に直接塗布する方法としては、ダイコーター、コンマコーター、ロールコーター、グラビアコーター、カーテンコーター、スプレーコーター等の公知の方法が採用できる。塗布する厚み、ワニスの粘度等に応じて適宜利用できる。
【００４２】
塗布したワニスを乾燥・キュアする方法は、通常の加熱乾燥炉が利用できる。乾燥炉の雰囲気としては、空気、イナートガス（窒素、アルゴン）等が利用できる。乾燥の温度としては、溶媒の沸点により適宜選択するが、60〜600℃の温度範囲が好適に利用される。乾燥の時間は、厚み、濃度、溶媒の種類により適宜選択するが0.05〜500分程度で行なうのが望ましい。
【００４３】
本発明によれば、耐孔食性に優れるステンレス樹脂積層体が得られる。そのため、本発明のステンレス樹脂積層体は、特にハードディスク用サスペンションとして好適に使用される。
【００４４】
ハードディスク用サスペンションの作成方法としては、一般的に以下の方法により行なうことができる。まず、本発明のステンレス樹脂積層体のステンレス表面を１．５Nの塩酸水溶液にて２０℃の液温にて１２０秒間浸漬し、ステンレス表面の異物を除去するとともに、ステンレス表面をあらし感光性樹脂とステンレス箔の密着強度を上げる処理を行なう。次いで、ステンレス表面に感光性樹脂を塗布または、張合せにより形成する。そこに、所望のパターンの像が描かれたマスクを密着させ、感光性樹脂が感度を持つ波長の電磁波を照射する。所定の現像液にて未露光部を溶出させ、所望の回路の像をステンレス上に形成する。その状態のものを塩化第二鉄等のステンレス箔を溶解することができる溶液に浸漬または、溶液を基板上に噴霧することにより露出しているステンレス箔を溶解させた後に、所定の剥離液で感光性樹脂を剥離し、回路とする。
【００４５】
次いで、該ステンレス表面に形成した回路上に同様にして所望のパターン像が描かれたマスクを密着させウェットエッチングプロセスまたはプラズマエッチングプロセスにて樹脂層をパターニングする。
【００４６】
パターニングを行なった後、レーザー溶接等により、ロードビームと呼ばれるステンレス加工品と接合することにより、サスペンションが作成できる。
【００４７】
実施例
以下、実施例及び比較例に基づき、本発明を更に具体的に説明する。なお、実施例における各種特性の評価は以下の方法による。
（１）表面酸化皮膜厚み測定方法
ＡＥＳ（オージェ電子分光法）はVG社、MICROLAB310Fの装置を用い、加速電圧5.00KV、電流９．０１×10-7A、圧力2.1×10-6Paにて、まず、ステンレスの最表面の元素Oの量を測定し、最表面の元素Oの元素比率を算出した。ついで、ステンレスを最表面から所定の時間アルゴンイオンによりスパッタリングを行ない、深さ方向のAES分析を行なった。検出される元素Oの量が、最表面の元素Oの量の半分になる厚さにて、アルゴンイオンスパッタリングを止め、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）でステンレスの表面酸化膜の厚さを測定した。また、イオンスパッタリングを施していないステンレスの表面酸化膜の厚さをTEMにて同様に測定し、イオンスパッタリング前の表面酸化膜の厚さとイオンスパッタリング後の表面酸化膜の厚さの差を、表面酸化膜の厚さとした。
（２）孔食観察方法
ステンレス樹脂積層体を50mm×50mmの正方形に切りだし、20℃の1.5NのHCl溶液中に１２０秒間浸漬し、その後、イオン交換水にてHCｌ溶液を十分に洗い流し、80℃に設定したオーブンにてステンレス樹脂積層体表面に残っているイオン交換水を乾燥し、孔食観察用サンプルとした。このサンプルのステンレス表面を10倍の光学顕微鏡にて観察し、孔食の有無を確認する。さらに孔食が有った場合、光学顕微鏡の倍率を500倍まで拡大し、孔食の大きさを測定する。この場合、直線にて測定することができる孔食の最大径の長さを孔食の大きさとする。
【００４８】
合成例１
<熱可塑性ポリイミド前駆体の合成>
ジアミン成分として１，３−ビス（３−（３−アミノフェノキシ）フェノキシ）ベンゼンを２０モルとテトラカルボン酸二無水物成分として３，３’，４，４’―ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を19.4モル秤量し、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド溶媒中で混合した。混合温度及び時間は、23℃、8時間であった。また、混合時の固形分濃度は17重量％で実施した。得られたポリアミック酸ワニスの粘度は25℃において410cpsであり塗工に適したものであった。
【００４９】
合成例２
<熱可塑性ポリイミド前駆体の合成>
ジアミン成分として１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼンを20モルとテトラカルボン酸成分として３，３’，４，４’―ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を19.4モル秤量し、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド溶媒中で混合した。混合温度及び時間は、23℃、8時間であった。また、混合時の固形分濃度は17重量 %で実施した。得られたポリアミック酸ワニスの粘度は25℃において400cpsであり塗工に適したものであった。
【実施例１】
【００５０】
<両面接着シートの製造>
非熱可塑性ポリイミド層として、市販のポリイミドフィルム（鐘淵化学工業株式会社製、商品名：アピカル（登録商標）５０HP、厚み:５０μm）の両面に合成例１のポリアミック酸ワニスを塗布・乾燥し、両面接着シートを作製した。合成例１の熱可塑性ポリアミック酸ワニスの塗布には、リバースロールコーターを使用し、塗布・乾燥後のポリイミド層の厚みは５６μmであった。尚、乾燥条件は100℃、150℃、200℃、250℃、300℃で各5分間段階的に熱処理を行なった。
<ステンレスの表面酸化皮膜厚み及び表面酸化皮膜組成の測定>
原料として用いるステンレス箔を前述したＡＥＳにより、表面酸化皮膜厚み・組成を測定した。厚みは３５．２Åであり、クロムの含有量は４３．８％であった（30.5μm、63．5μmともに同じ酸化皮膜厚みである）。
【００５１】
<熱プレスの実施>
ステンレス箔として、新日鐵社製、商品名:ＳＵＳ３０４Ｈ−ＴＡ、厚み:３０．５μm及び、新日鐵社製、商品名:ＳＵＳ３０４Ｈ−ＴＡ、厚み:６３．５μmを使用した。両面接着シートに厚み30.5μmのSUSと厚み63.5μmのSUSを各々重ね合わせたものをクッション材（金陽社製、商品名：キンヨーボードＦ２００）ではさみ、加熱プレス機で２７０℃、７０ｋｇ／ｃｍ２の条件下で、６０分間加熱圧着して、ＳＵＳ３０４Ｈ−ＴＡ３０．５μm厚／熱可塑性ポリイミド／非熱可塑性ポリイミド／熱可塑性ポリイミド／SUS３０４H-TA63.5μm厚の５層からなるステンレス樹脂積層体を作成した。
【００５２】
<ステンレス樹脂積層体の評価>
得られたステンレス樹脂積層体を用いて、ステンレスの酸化皮膜の厚み測定と孔食観察を前述の方法により実施した。結果を表1に示す。孔食の発生はあるものの、大きさが小さくハードディスク用サスペンションとして適したものであった。
【実施例２】
【００５３】
＜両面接着シートの製造＞
非熱可塑性ポリイミド層として鐘淵化学工業株式会社製：アピカル（登録商標）50NPI（厚み50μm）を用い、熱可塑性ポリイミド層として合成例２のポリアミック酸ワニスを用いた以外、実施例１の両面接着シートと同様な方法にて両面接着シートを作成した。
<ステンレスの表面酸化皮膜厚み及び表面酸化皮膜組成の測定>
原料として用いるステンレス箔を前述したＡＥＳにより、表面酸化皮膜厚み・組成を測定した。厚みは46.3Åであり、クロムの含有量は52.8％であった。
＜熱プレスの実施＞
加熱プレスの温度を３００℃とした以外は、実施例１と同様な方法にて、ステンレス樹脂積層体を作成した。
<ステンレス樹脂積層体の評価>
得られたステンレス樹脂積層体を用いて、ステンレスの酸化皮膜の厚み測定と孔食観察を前述の方法により実施した。結果を表1に示す。孔食の発生は無くハードディスク用サスペンションとして適したものであった。
【００５４】
比較例１
<ステンレスの表面酸化皮膜厚み及び表面酸化皮膜組成の測定>
原料として用いるステンレス箔を前述したＡＥＳにより、表面酸化皮膜厚み・組成を測定した。厚みは25.3Åであり、クロムの含有量は35.8％であった。
＜ステンレス樹脂積層体の製造＞
実施例１と同様な方法にてステンレス樹脂積層体を作成した。
<ステンレス樹脂積層体の評価>
得られたステンレス樹脂積層体を用いて、ステンレスの酸化皮膜の厚み測定と孔食観察を前述の方法により実施した。結果を表1に示す。孔食の発生はあり、孔食の大きさは３０μｍ以上のものがありハードディスク用サスペンションとして適したものではなかった。
【００５５】
比較例２
<ステンレスの表面酸化皮膜厚み及び表面酸化皮膜組成の測定>
原料として用いるステンレス箔を前述したＡＥＳにより、表面酸化皮膜厚み・組成を測定した。厚みは18.3Åであり、クロムの含有量は28.1％であった。
＜ステンレス樹脂積層体の製造＞
熱可塑性ポリイミド層として合成例２のポリアミック酸ワニスを用い、加熱プレスの温度を３００℃にした以外、実施例１と同様な方法にてステンレス樹脂積層体を作成した。
<ステンレス樹脂積層体の評価>
得られたステンレス樹脂積層体を用いて、ステンレスの酸化皮膜の厚み測定と孔食観察を前述の方法により実施した。結果を表１に示す。孔食の発生があり、孔食の大きさは３０μm以上のものがあり、ハードディスク用サスペンションとして適したものではなかった。
【００５６】
比較例３
<ステンレスの表面酸化皮膜厚み及び表面酸化皮膜組成の測定>
原料として用いるステンレス箔を前述したＡＥＳにより、表面酸化皮膜厚み・組成を測定した。厚みは80.2Åであり、クロムの含有量は63.1％であった。
＜ステンレス樹脂積層体の製造＞
熱可塑性ポリイミド層として合成例２のポリアミック酸ワニスを用い、加熱プレスの温度を３００℃にした以外、実施例１と同様な方法にてステンレス樹脂積層体を作成した。
<ステンレス樹脂積層体の評価>
得られたステンレス樹脂積層体を用いて、ステンレスの酸化皮膜の厚み測定と孔食観察を前述の方法により実施した。結果を表１に示す。孔食の発生はないものの、ステンレスが黄色に変色しており、ハードディスク用サスペンションとして適したものではなかった。
【００５７】
【表１】
2005119161.tif 000002
【産業上の利用可能性】
【００５８】
ハードディスク用サスペンション等に広く使用されている、ステンレス樹脂積層体及びその製造方法に関するものである。
【００５９】
詳しくは、エッチング加工の前処理に使用される塩酸処理において、耐孔食性に優れるステンレス樹脂積層体を提供可能としたものである。