(57)【要約】【課題】画素の発光素子の部分的な劣化を抑制することができる表示装置を提供する。【解決手段】表示パネル部３１の背面にマトリクス状に貼り付けられた複数のフィルム型測温抵抗体３２１Ｈ，３２１Ｖにより、発熱箇所情報とその温度情報を検出し、検出温度と常温情報とを比較して温度上昇データを得るパネル内部温度分布情報検出３２と、パネル内部温度分布情報検出部３２で得られた温度上昇データに基づいて入力信号の水平、垂直タイミングとリンクさせることにより１画面中（１フィールド）内の入力信号のどの部分により温度上昇が発生しているかを特定し、ガンマ特性を可変し入力レベルを低下させる情報を出力する高温発生部特定部３３と、高温発生部特定部３３による情報に基づいて、表示パネル部３１に入力させる画像信号（映像信号）のレベルを調整して（下げて）、表示パネル部３１に入力させる画像処理部３４とを有する。【選択図】      図３
2005077824.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像信号レベルに応じた発熱を伴う自発光型の発光素子を有する表示装置であって、
上記発光素子が配置され、入力画像信号レベルに応じて発光素子を駆動する表示パネル部と、
上記発光素子の配置領域の温度情報を取得する温度情報取得手段と、
上記温度情報取得手段により取得された温度情報に基づいて、上記表示パネル部に入力させる画像信号レベルを調整する画像処理部と
を有する表示装置。
【請求項２】
上記表示パネル部には、上記発光素子を含む画素回路がマトリクス状に配列され、
上記温度情報取得手段は、
フィルム型測温抵抗体を表示装置の背面にマトリクス状に配置して構成されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
上記表示パネル部には、上記発光素子およびトランジスタを含む画素回路がマトリクス状に配列され、
上記温度情報取得手段は、
検出ラインと、
上記画素回路の一部と上記検出ラインとの間に接続された温度検出トランジスタと、を含む
請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
上記温度情報取得手段で取得された情報から発熱箇所を特定し、特定した情報により画像信号のレベルを調整させる高温発生部特定部を、有する
請求項１記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electroluminescence ）ディスプレイなどの、入力画像に対して所定の処理を施して表示部に表示させる表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
画像表示装置、たとえば液晶ディスプレイなどでは、多数の画素をマトリクス状に並べ、表示すべき画像情報に応じて画素毎に光強度を制御することによって画像を表示する。
これは有機ＥＬディスプレイなどにおいても同様であるが、有機ＥＬディスプレイは各画素回路に発光素子を有する、いわゆる自発光型のディスプレイであり、液晶ディスプレイに比べて画像の視認性が高い、バックライトが不要、応答速度が速い、等の利点を有する。
また、各発光素子の輝度はそれに流れる電流値によって制御される、すなわち発光素子が電流制御型であるという点で液晶ディスプレイなどとは大きく異なる。
【０００３】
有機ＥＬディスプレイにおいては、液晶ディスプレイと同様、その駆動方式として単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とが可能であるが、前者は構造が単純であるものの、大型かつ高精細のディスプレイの実現が難しいなどの問題がある。そのため、各画素内部の発光素子に流れる電流を、画素内部に設けた能動素子（一般にはＴＦＴ：Thin Film Transistor、薄膜トランジスタ）によって制御する、アクティブマトリクス方式の開発が盛んに行われている。
【０００４】
図１０は、アクティブマトリクス型有機ＥＬディスプレイにおける画素回路の第１の構成例を示す回路図である（たとえば特許文献１、２参照）。
【０００５】
図１０の画素回路１０は、ｐチャネルの薄膜電界効果トランジスタ（以下、ＴＦＴという）１１およびｎチャネルのＴＦＴ１２、キャパシタＣ１１、発光素子である有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）１３を有する。また、図１０において、ＤＴＬはデータ線を、ＷＳＬは走査線をそれぞれ示している。
有機ＥＬ素子は多くの場合整流性があるため、ＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diode)と呼ばれることがあり、図１０その他では発光素子としてダイオードの記号を用いているが、以下の説明においてＯＬＥＤには必ずしも整流性を要求するものではない。
図１０ではＴＦＴ１１のソースが電源電位ＶCCに接続され、発光素子１３のカソード（陰極）は接地電位ＧＮＤに接続されている。図１０の画素回路１０の動作は以下の通りである。
【０００６】
走査線ＷＳＬを選択状態（ここではハイレベル）とし、データ線ＤＴＬに書き込み電位Ｖdataを印加すると、ＴＦＴ１２が導通してキャパシタＣ１１が充電または放電され、ＴＦＴ１１のゲート電位はＶDATAとなる。
【０００７】
走査線を非選択状態（ここではローレベル）とすると、データ線ＤＴＬとＴＦＴ１１とは電気的に切り離されるが、ＴＦＴ１１のゲート電位はキャパシタＣ１１によって安定に保持される。
【０００８】
ＴＦＴ１１および発光素子１３に流れる電流は、ＴＦＴ１１のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じた値となり、発光素子１３はその電流値に応じた輝度で発光し続ける。
上記のように、走査線ＷＳＬを選択してデータ線に与えられた輝度情報を画素内部に伝える操作を、以下「書き込み」と呼ぶ。
上述のように、図４の画素回路１０では、一度ＶDATAの書き込みを行えば、次に書き換えられるまでの間、発光素子１３は一定の輝度で発光を継続する。
【０００９】
図１１は、アクティブマトリクス型有機ＥＬディスプレイにおける画素回路の第２の構成例を示す回路図である。
【００１０】
図１１の画素回路２０は、ｐチャネルＴＦＴ２１，ＴＦＴ２２、ｎチャネルＴＦＴ２３，ＴＦＴ２４、キャパシタＣ２１、発光素子である有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２５を有する。また、図１１において、ＤＴＬはデータ線を、ＷＳＬは走査線を、ＥＳＬは消去線をそれぞれ示している。
この画素回路２０の動作について、図１２に示すタイミングチャートを参照しながら以下に説明する。
【００１１】
まず、状態（期間）＜１＞において、図１２（Ｃ），（Ｄ）に示すように、走査線ＷＳＬに印加する走査信号ＷＳおよび消去線ＥＳＬに印加する消去信号ＥＳがハイレベルに設定される。これにより、ＴＦＴ２４，ＴＦＴ２３がオン状態、ＴＦＴ２２がオフ状態となり、データ線ＤＴＬよりデータＶDATA量に応じた電荷がキャパシタＣ２１に充電される。
【００１２】
状態（期間）＜２＞において、図１２（Ｃ），（Ｄ）に示すように、走査線ＷＳＬへの走査信号ＷＳおよび消去線ＥＳＬへの消去信号ＥＳがローレベルに設定される。これにより、ＴＦＴ２４，ＴＦＴ２３がオフ状態、ＴＦＴ２２がオフ状態となり、キャパシタＣ２１に充電された電荷に応じた電流が、ＴＦＴ２１を通して、ＥＬ発光素子２５に流れる。この電流は、消去線ＥＳＬへの印加信号ＥＳがハイレベルになるまで、維持される。
【００１３】
状態（期間）＜３＞において、図１２（Ｄ）に示すように、消去線ＥＳＬへの消去信号ＥＳがハイレベルに設定される。これにより、ＴＦＴ２３、ＴＦＴ２２がオン状態となるので、キャパシタＣ２１に充電された電荷が、ＴＦＴ２３、ＴＦＴ２２を通じで放電され、ＥＬ発光素子２５の発光はそこでオフされる。
【００１４】
このように、図１１の回路では、各画素は消去線ＥＳＬを１本使用することで、一意的に発光素子２５の発光期間（ＤＵＴＹ）を制御している。
【００１５】
ところで、有機ＥＬディスプレイにおける発光素子は、その発光量と時間に比例して劣化する特性があることは一般にも知られており、発光素子の特性向上が期待されている。
一方、ディスプレイの表示画面は常に一様ではないために画面内における発光素子の劣化も一様ではなく、部分的に発光素子が劣化する要因となっている。
特に時計の表示などにおいては、その部分のみが極端に劣化し輝度の低下が見られることから、一般的に“焼きつき”と呼ばれる。（以下、部分的な画素劣化を“焼きつき”と表記する）
また、複数種の発光素子を用いる場合や、単一の発光素子の場合においても複数の発光波長成分を持つ場合において、それぞれの劣化特性は一致しない場合が多く見られる。
この場合、劣化した画素部分においてはホワイトバランスがずれて色がついたように見える。
また、劣化を加速させる要因として温度の上昇も挙げることができる。
材料の発光効率の上昇により旧来よりは自己発熱は低減されてきたものの、原理的に熱となるエネルギーのロスはゼロにはならないことから、発熱の対策も必要とされている。  
【００１６】
表示素子の発光時間に対する劣化に起因される画面の焼きつきは、表示素子材料の発光寿命時間を改善することによって、画面の焼きつきを抑えることが一番好ましいことであると考えられてきた。
材料の改善以外では、従来、焼きつきを防止するためには、画素の保持容量を積極的に放電するような回路を有している（たとえば、特許文献３参照。）ものを使用して、不要な発光時間を抑えて焼きつきを防止する。
また、スクリーンセーバー等の用い方を工夫し、焼きつきを緩和するような装置も提案されている（たとえば、特許文献４参照。）
【特許文献１】ＵＳＰ５，６８４，３６５
【特許文献２】特開平８−２３４６８３号公報
【特許文献３】特開２００２−１６９５０９号公報
【特許文献４】特開２００２−２０７４７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、表示素子材料の発光寿命時間を改善することによって、自発光型ディスプレイでは表示素子材料の発光寿命がいくら延びたとしても、原理的に焼きつきを完全に無くすことは不可能である。また、表示装置に映し出される映像信号は用途等において、焼きつきが起こりやすい映像信号のみ入力される場合もある。つまり、従来の材料の寿命改善を行っただけでは，焼きつきを防ぐことはできない。
また、材料の寿命が延びない限り画面の焼きつきは改善されず、材料開発のスピード、コスト等その分野の開発に依存することしかできなかった。
【００１８】
特許文献３に記載の画素の保持容量を積極的に放電するような回路や特許文献４に記載の回路によって、実用に耐え得る程、焼きつき、すなわち画素の劣化に伴う発光輝度の劣化を補償し、緩和することができない。
【００１９】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、画素の発光素子の部分的な劣化を抑制することができる表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点は、画像信号レベルに応じた発熱を伴う自発光型の発光素子を有する表示装置であって、上記発光素子が配置され、入力画像信号レベルに応じて発光素子を駆動する表示パネル部と、上記発光素子の配置領域の温度情報を取得する温度情報取得手段と、上記温度情報取得手段により取得された温度情報に基づいて、上記表示パネル部に入力させる画像信号レベルを調整する画像処理部とを有する。
【００２１】
好適には、上記表示パネル部には、上記発光素子を含む画素回路がマトリクス状に配列され、上記温度情報取得手段は、フィルム型測温抵抗体を表示装置の背面にマトリクス状に配置して構成されている。
【００２２】
好適には、上記表示パネル部には、上記発光素子およびトランジスタを含む画素回路がマトリクス状に配列され、上記温度情報取得手段は、検出ラインと、上記画素回路の一部と上記検出ラインとの間に接続された温度検出トランジスタと、を含む。
【００２３】
好適には。上記温度情報取得手段で取得された情報から発熱箇所を特定し、特定した情報により画像信号のレベルを調整させる高温発生部特定部を、有する。
【００２４】
本発明によれば、温度情報取得手段において、発光素子が配置されている表示パネル部の発熱箇所情報とその温度情報が検出される。
そして、たとえば常温情報と比較されて温度上昇データが得られる。この温度上昇データは、高温発生部特定部に出力される。
高温発生部特定部において、温度情報取得手段で得られた温度上昇データに基づいて、たとえば入力信号の水平、垂直タイミングとリンクさせることにより１画面中（１フィールド）内の入力信号のどの部分により温度上昇が発生しているかが特定される。
画像処理部においては、高温発生部特定部による情報に基づいて、表示パネル部に入力させる画像信号（映像信号）のレベルが調整されて（下げられて）、表示パネル部に入力される。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、パネル部の温度上昇を抑制でき、画素の発光素子の部分的な劣化を抑制することができる利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態を、図面に関連付けて詳細に説明する。
【００２７】
図１は、本発明に係る表示装置の一実施形態を示すブロック構成図である。
【００２８】
（第１実施形態）
本表示装置３０は、たとえばアクティブマトリクス型有機ＥＬディスプレイであり、図図１に示すように、表示パネル部３１、パネル内部温度分布情報検出部３２、入力信号の高温発生部特定部３３、および画像処理部３４を有する。
【００２９】
表示パネル部３１は、図２に示すように、画像信号レベルに応じた発熱を伴う自発光型の発光素子である有機ＥＬ発光素子を含む画素回路３００が、ｍ×ｎのマトリクス状に配列されている。そして、走査線ＳＣＮＬ１〜ＳＣＮＬｍを順次選択しながら、データ線ＤＴＬ１〜ＤＲＴＬｎから画像処理部３４でレベルが調整された画像データ（映像信号）が書き込まれる。
なお、図２において、各データ線ＤＴＬ１〜ＤＴＬｎはデータ線駆動回路（ＤＴＬＤＲＶ）３０１により駆動され、各走査線ＳＣＮＬ１〜ＳＣＮＬｍは走査線駆動回路（ＳＣＮＤＲＶ）により駆動される。
また、画素回路３００は、図１０や、図１１の回路、あるいは他の回路等に等により構成される。
【００３０】
パネル内部温度分布情報検出部３２は、表示パネル３１の内部の温度上昇を検出する温度検出部を複数有し、表示画像を問わず表示パネル部３１の内部の温度分布を検出し、検出結果を高温発生部特定部３３に出力する。
パネル内部温度分布情報検出部３２は、図３に示すように、表示パネル部３１の背面にマトリクス状に貼り付けることにより発熱箇所情報とその温度情報を温度を検出する複数のフィルム型測温抵抗体３２１Ｈ，３２１Ｖと、水平方向温度情報検出部端子３２２と、および垂直方向温度情報検出端子３２３と、パネル内部温度分布情報収集部３２４と、常温情報検出部３２５とを有している。
【００３１】
すなわち、本第１の実施形態においては、表示パネル部３１の背面に水平、垂直ともにｎ本のフィルム型白金測温抵抗体３２１をマトリクス状に配置する。
このとき、温度を検出するための測温体は、一般的なサーミスタの特性を持つものであれば白金でなくても構わないが、形状やその電気的特性からも、フィルム型白金測温抵抗体が望ましい。
抵抗体３２１Ｖ，３２１Ｈはそれぞれ電源Ｖｃｃと検出端子３２２、３２３に接続され、検出端子側の接続はパネル内部温度分布情報検出部３２に接続されている。
【００３２】
パネル内部温度分布情報収集部３２４においては、測温抵抗体からの電流データを電圧データに変換しさらに、その電圧データをデジタルデータに変換する。
デジタルデータは簡易的に、１ビットのＯＮ／ＯＦＦ信号でも制御は可能であるが、違和感のない制御を実現するためには、複数ビットのデータとすることが望ましい。
また、常温情報を得るために、表示パネル部３１の内部であり、かつ画素部分以外の箇所にも測熱抵抗体からなる常温情報検出部３２５を配置している。
【００３３】
パネル内部温度分布情報収集部３２４は、変換されたデジタルデータを同様に変換した常温情報検出部３２５による常温情報と比較し、温度上昇データを得、高温発生部特定部３３に出力する。
【００３４】
高温発生部特定部３３は、パネル内部温度分布情報収集部３２４で得られた温度上昇データに基づいて入力信号の水平、垂直タイミングとリンクさせることにより１画面中（１フィールド）内の入力信号のどの部分により温度上昇が発生しているかを特定し、特定した情報を画像処理部３４に出力する。
高温発生部特定部３３は、図８（Ａ），（Ｂ）に示すように、ガンマ特性を可変し入力レベルを低下させる情報を画像処理部３４に出力し、表示パネル部３１に入力させる画像信号（映像信号）のレベルを下げて、ＥＬ発光素子の発光輝度を抑制するように指示する。
このときのガンマ特性可変については、温度データレベルによりガンマテーブルを選択する方法が一般的であるが、さらにパネル面内の温度情報をもとに、１画面をエリア分割してガンマを可変するＩＣを用いることでさらに細かく制御することが可能である。
【００３５】
次に、上記構成による動作を説明する。
【００３６】
パネル内部温度分布情報検出部３２において、表示パネル部３１の背面にマトリクス状に貼り付けられた複数のフィルム型測温抵抗体３２１Ｈ，３２１Ｖにより、発熱箇所情報とその温度情報が検出される。そして、全ての測温抵抗体３２１Ｈ，３２１Ｖの検出データが水平方向温度情報検出部端子３２２および垂直方向温度情報検出端子３２３を介してパネル内部温度分布情報収集部３２４に供給される。
【００３７】
パネル内部温度分布情報収集部３２４においては、測温抵抗体からの電流データを電圧データに変換され、電圧データがデジタルデータに変換される。
パネル内部温度分布情報収集部３２４では、変換されたデジタルデータが同様に変換した常温情報検出部３２５による常温情報と比較されて温度上昇データが得られる。この温度上昇データは、高温発生部特定部３３に出力される。
【００３８】
高温発生部特定部３３において、パネル内部温度分布情報収集部３２４で得られた温度上昇データに基づいて入力信号の水平、垂直タイミングとリンクさせることにより１画面中（１フィールド）内の入力信号のどの部分により温度上昇が発生しているかが特定される。高温発生部特定部３３からは画像処理部３４に対して、ガンマ特性を可変し入力レベルを低下させる情報が供給される。
画像処理部３４においては、高温発生部特定部３３による情報に基づいて、表示パネル部３１に入力させる画像信号（映像信号）のレベルが調整されて（下げられて）、表示パネル部３１に入力される。
表示パネル部３１においては、ｍ×ｎのマトリクス状に配列されている画素回路３００が、走査線ＳＣＮＬ１〜ＳＣＮＬｍを順次選択しながら、データ線ＤＴＬ１〜ＤＲＴＬｎから画像処理部３４でレベルが調整された画像データ（映像信号）が書き込まれる。
【００３９】
以上説明したように、本第１の実施形態によれば、表示パネル部３１の背面にマトリクス状に貼り付けられた複数のフィルム型測温抵抗体３２１Ｈ，３２１Ｖにより、発熱箇所情報とその温度情報を検出し、検出温度と常温情報とを比較して温度上昇データを得るパネル内部温度分布情報検出３２と、パネル内部温度分布情報検出部３２で得られた温度上昇データに基づいて入力信号の水平、垂直タイミングとリンクさせることにより１画面中（１フィールド）内の入力信号のどの部分により温度上昇が発生しているかを特定し、ガンマ特性を可変し入力レベルを低下させる情報を出力する高温発生部特定部３３と、高温発生部特定部３３による情報に基づいて、表示パネル部３１に入力させる画像信号（映像信号）のレベルを調整して（下げて）、表示パネル部３１に入力させる画像処理部３４とを有することから、以下の効果を得ることができる。
【００４０】
すなわち、図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、高温発生部３３の画像処理によりガンマ特性を変化させることで温度上昇を抑制するとともに画素の部分的劣化を抑制することができる。
テレビジョン（ＴＶ）等画面で表示される時計等の固定表示による部分的な画素劣化を抑制することができる。
また、また、パネル温度を検出することによって、入力信号の中に高階調側の固定表示パターンが含まれていることを認識し、フレーム毎のγ補正を行い、γ変換を行う場合を限定することで、画質の違和感を極力抑えた焼きつき防止を実現できる利点がある。
また、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）やテレビジョン（ＴＶ）等の固定画像が多い場合の部分的な画素劣化を抑制することができる。
また、何らかの要因により画素の電源とグランド電位がショートした場合など、局部的な高温による人体への火傷や火災を防止する保護回路として機能させることができる。
【００４１】
（第２実施形態）
本第２の実施形態が上述した第１の実施形態と異なる点は、パネル内部温度情分布報検出部３２Ａの温度検出部を画素回路３００に用いられるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）と同様の温度情報取得用ＴＦＴを各画素回路３００Ａ毎に配置し、温度情報取得用ＴＦＴをたとえばマトリクスの各列毎に配線された温度検出ラインＴＤＴＬによりパネル外部に導出するように構成したことにある。
【００４２】
第１の実施形態のように、表示パネル背面に測温体をマトリクス状に貼り付ける場合は、おのずとその数に限界があり、詳細な場所情報を得ることは難しい。
これに対して、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）により構成することにより最大では画素と同じ数量の検出を行うことが可能である。
また、発熱する発光素子に最も近い部分で  その温度を検出することによって、より精細な検出が可能である。
【００４３】
図５から図８は、第２の実施形態に係るパネル内部温度分布情報検出部３２Ａの温度検出部の具体的な回路例を示す。
図５から図８は、温度検出トランジスタの接続方法が異なる場合の例を示すもので、基本的な動作原理については以下に示す場合と同様である。
【００４４】
図５から図８の画素回路３００Ａ〜３００Ｄは、駆動トランジスタとしてＴＦＴ３１１、スイッチとしてのＴＦＴ３１２、画素容量３１３、およびＥＬ発光素子３１４を有している。
電源電圧ＶCCの供給ラインと接地ＧＮＤとの間にＴＦＴ３１１と発光素子３１４が直列に接続されている。
そして、ＴＦＴ３１１のゲートとデータ線ＤＴＬとにＴＦＴ３１２のソース・ドレインが接続され、ＴＦＴ３１２のゲートが走査線ＳＣＮＬに接続されている。ＴＦＴ３１１のゲートと接地ＧＮＤとの間に容量３１３が接続されている。
そして、図５の画素回路３００Ａでは、電源電圧ＶCCの供給ラインとＴＦＴ３１１の接続点と、検出ラインＴＤＴＬとの間に温度検出トランジスタとしてのＴＦＴ３１５が接続され、ＴＦＴ３１５のゲートが接地ＧＮＤに接続されている。
また、図６の画素回路３００Ｂでは、温度検出トランジスタとしてのＴＦＴ３１５のゲートが接地ＧＮＤではなく検出ラインＴＤＴＬに接続されている。
また、図７の画素回路３００Ｃでは、ＴＦＴ３１５が接地と容量３１３の接続点と検出ラインＴＦＴＬとの間に接続され、ＴＦＴ３１５のゲートが電源電圧ＶCCの供給ラインとＴＦＴ３１１の接続点に接続されている。
また、図８の画素回路３００Ｃでは、温度検出トランジスタとしてのＴＦＴ３１５のゲートがＴＦＴ３１５のゲートが電源電圧ＶCCの供給ラインとＴＦＴ３１１の接続点ではなく、ＴＦＴ３１５が接地と容量３１３の接続点に接続されている。
【００４５】
以下に、図５の画素回路３００Ａの動作について説明する。
通常の画素駆動状態においては、入力画像データと走査ライン選択データによりＴＦＴ３１２がＯＮ状態になり、画素駆動トランジスタであるＴＦＴ３１１によりＥＬ素子３１４が発光する。
ここで、駆動トランジスタとしてのＴＦＴ３１１の電源とＧＮＤ電位に温度特性を持つ温度検出トランジスタであるＴＦＴ３１５を接続する。
温度検出トランジスタであるＴＦＴ３１５は、常温においてはＯＦＦ状態にあるが、温度上昇がおこるとリーク電流ＩＬが増加する。
このリーク電流ＩＬについて走査ライン選択データをトリガーとして取り込むことにより画面内の部分別温度情報を検出することが可能になるとともに、温度上昇を引き起こす入力信号の詳細な箇所を特定することが可能となる。
以降の処理は、第１の実施形態の場合と同様に行われる。
【００４６】
図９は、図８の回路の場合の温度分布検出の処理系の流れを示している。
この処理は、温度検出がＴＦＴで行われる他は、第１の実施形態の場合と同様に行われることから、ここでは詳細な説明は省略する。
【００４７】
本第２の実施形態によれば、上述した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
すなわち、テレビジョン（ＴＶ）等画面で表示される時計等の固定表示による部分的な画素劣化を抑制することができる。
また、γ変換を行う場合を限定することで、画質の違和感を極力抑えた焼きつき防止を実現できる利点がある。
また、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）やテレビジョン（ＴＶ）等の固定画像が多い場合の部分的な画素劣化を抑制することができる。
また、何らかの要因により画素の電源とグランド電位がショートした場合など、局部的な高温による人体への火傷や火災を防止する保護回路として機能させることができる。
そして、本第２の実施形態によれば、温度検出部をＴＦＴ（薄膜トランジスタ）により構成することにより最大では画素と同じ数量の検出を行うことが可能である。
また、発熱する発光素子に最も近い部分で  その温度を検出することによって、より精細な検出が可能であるという利点がある。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
テレビ画面等で表示される時計等の固定表示による部分的画素劣化を抑制することができることから、有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明に係る画像処理装置の一実施形態を示すブロック構成図である。
【図２】本実施形態に係る表示パネル部の構成例を示す図である。
【図３】本第１の実施形態に係るパネル内部温度分布情報検出部の構成例を示す図である。
【図４】本実施形態に係るγ変換処理についての説明図である。
【図５】第２の実施形態に係る温度検出トランジスタを含む画素回路の第１の例を示す図である。
【図６】第２の実施形態に係る温度検出トランジスタを含む画素回路の第２の例を示す図である。
【図７】第２の実施形態に係る温度検出トランジスタを含む画素回路の第３の例を示す図である。
【図８】第２の実施形態に係る温度検出トランジスタを含む画素回路の第４の例を示す図である。
【図９】図８の回路の場合の温度分布検出の処理系の流れを示す図である。
【図１０】アクティブマトリクス型有機ＥＬディスプレイにおける画素回路の第１の構成例を示す回路図である。
【図１１】アクティブマトリクス型有機ＥＬディスプレイにおける画素回路の第２の構成例を示す回路図である。
【図１２】図１１の回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００５０】
３０…表示装置、３１…表示パネル部、３２…パネル内部温度分布情報検出部、３３…入力信号の高温発生部特定部、３４…画像処理部、３００，３００Ａ〜３００Ｄ…画素回路、３１１…駆動トランジスタ用ＴＦＴ，３１２…スイッチ用ＴＦＴ、３１３…画素容量、３１４…ＥＬ発光素子、３１５…温度検出用ＴＦＴ。
【図１】
2005077824.tif 000003
【図２】
2005077824.tif 000004
【図３】
2005077824.tif 000005
【図４】
2005077824.tif 000006
【図５】
2005077824.tif 000007
【図６】
2005077824.tif 000008
【図７】
2005077824.tif 000009
【図８】
2005077824.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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