(57)【要約】【課題】  光半導体素子への電気信号の供給にワイヤーを必要とせず、かつ、機器への組み込みの容易な光結合器及びこの光結合器の製造方法を提供すること。【解決手段】  光結合器モジュール１５は、光結合器１と、光半導体素子である面発光レーザ１０とを有する。光結合器１は、表面３から裏面４へ貫通する貫通孔１４を有する基板２と、基板裏面４に形成された第１及び第２電極６，７と、基板側面５に形成された第３及び第４電極８、９とを備える。貫通孔１４は、貫通孔に対し光学素子である光ファイバー３０の中心軸を位置決めするために基板表面３に設けられた位置決め部であるテーパー状に形成された穴部１３を有する。第１及び第２電極６，７は、貫通孔１４に発光部１１が対向する面発光レーザ１０の一対の電極１８，１９にそれぞれ接続され、第３及び第４電極８、９が、第１及び第２電極６，７にそれぞれ接続される。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学素子と光半導体素子とを光結合させる光結合器であって、表面から裏面へ貫通する貫通孔を有する基板と、基板裏面に形成された第１及び第２電極と、基板側面に形成され第１および第２電極にそれぞれ接続された第３及び第４電極とを備え、基板は表面に光学素子を位置決めするための位置決め部を有し、第１及び第２電極は、光半導体素子が基板裏面から貫通孔を介して光学素子と光結合するとき、光半導体素子の電極に対向するように配置された光結合器。
【請求項２】
基板が、シリコン結晶基板である請求項１記載の光結合器。
【請求項３】
位置決め部が、基板表面から裏面に向かってテーパー状に形成され貫通孔に同軸に連通する穴部である請求項１又は２に記載の光結合器。
【請求項４】
光学素子が、光ファイバーであり、その先端が位置決め部に位置決めされるとき、中心軸が、基板裏面に対して実質的に垂直である請求項１から４のいずれか１つに記載の光結合器。
【請求項５】
光学素子と光半導体素子とを光結合させる光結合器であって、表面から裏面へ貫通する貫通孔を有する基板と、裏面に形成された第１及び第２電極とを備え、基板は表面に光学素子を位置決めするための位置決め部を有し、第１及び第２電極は、光半導体素子が基板裏面から貫通孔を介して光学素子と光結合するとき光半導体素子の電極に対向するように配置された光結合器。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１つに記載の光結合器と、基板裏面に設置され一対の電極を有する光半導体素子とを備え、光半導体素子の一対の電極が、光結合器の第１及び第２電極にそれぞれ接合されてなる光結合器モジュール。
【請求項７】
請求項１記載の光結合器を製造する方法であって、基板の表面に一対の垂直状凹部を形成し、前記垂直状凹部に導電体を充填することにより一対の導電体領域を形成し、表面にテーパー状穴部を形成し、裏面からテーパー状穴部に同芯に連通する貫通孔を形成し、所定の領域の基板裏面を除去することより前記導電体領域の面を露出させ、前記所定の領域に前記導電体領域に接続する導電膜を形成し、導電膜のパターニングにより第１及び第２電極を形成し、一対の導電体領域を通る線に沿って基板及び前記導電体領域を切断することにより基板側面及び第３及び第４電極を形成する工程を含む光結合器の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の光結合器の電極を製造する方法であって、基板の表面と裏面との間を導電体が貫通する一対の導電体領域を形成し、前記導電体領域に接続される導電膜を形成し、導電膜のパターニングにより第１及び第２電極を形成し、一対の導電体領域を通る線に沿って基板及び前記導電体領域を切断することにより基板側面及び第３及び第４電極を形成する工程を含む電極の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光信号伝送システムに関し、特に、光半導体素子と光学素子を光学的に結合させる光結合器および光結合器モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
光信号伝送システムは光を情報伝達の手段として用いるため、高速の信号でも波形に乱れが生じない、周辺の回路と干渉しない、電磁放射がないなどの特徴を有する。これらの特徴を生かして近年は長距離通信だけでなく、機器内の高速信号伝送にも応用されるようになってきた。
光信号の伝送路としては光ファイバーや平板状の基板に形成された光導波路が用いられるが、現在は光ファイバーが圧倒的に安価であり、また、非常に多種の光ファイバーが商品化されている。このため、半導体レーザや光検出器を、光ファイバーとできるだけ平易な手段で光学的に接続する光結合器が光信号伝送システムには必要である。
【０００３】
従来の光結合器としては、図１１に示すものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。光結合器１００は、ガラス体１０１にテーパー状の貫通孔１０２を設けるとともに、貫通孔１０２の内面にアルミニウム膜（反射膜）１０３を蒸着して形成している。光結合器１００に構築された貫通孔１０２の内径の小さい方にはレーザダイオード（光源）１０４が配置されており、内径の大きい方にはシングルモード光ファイバー１０５が挿入配置される。光ファイバー１０５の先端部１０６はテーパー状に整形されており、端面１０７は球面加工されている。そして、レーザダイオード１０４から放射された光はテーパー状の貫通孔１０２の内面で反射されて光ファイバーを伝播するモードに変換され、光ファイバー１０５内に取り込まれて伝播する。
【０００４】
また、光源である半導体レーザへの電気信号の供給は、ワイヤーボンディングによる方法が知られている（例えば、特許文献２参照。）。
また、従来の光結合器を製造する技術としてはガラス基板を加工する方法や（例えば、特許文献３参照。）、シリコン基板を加工する方法が知られている（例えば、特許文献４参照。）。
【特許文献１】特開平１−５５５０８号公報  （第３頁、第１図）
【特許文献２】特開平５−３１３０４５号公報  （第２頁、第１図）
【特許文献３】特開平１−５５５０８号公報  （第４頁）
【特許文献４】特開平１０−１１１４２６号公報  （第２，３頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、光結合器をプリント基板等に簡単に実装する方法やそのための構造については十分な配慮がなされず、機器内に実際に組み込む上で障害となっていた。また、半導体レーザを光ファイバーに対して高い精度で固定する手段や、半導体レーザに電気信号を供給する具体的手段が知られていない。
また、ＬＳＩや抵抗などははんだリフローにより一括して配線基板に実装されるのが一般的であり、ワイヤーボンディングによる半導体レーザと配線基板との接続は工程が増大するため、組立効率が悪い。また、ワイヤーボンディングされる電極は通常、発光部が形成された面にあるので、光ファイバーと半導体レーザの間にワイヤーが配置される。このため、半導体レーザに光ファイバーを光結合する際にワイヤーが切断される可能性がある他、光ファイバーと半導体レーザの距離が長くなり光結合効率が低下する懸念も生じる。
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、半導体レーザへの電気信号の供給にワイヤーを必要とせず、かつ、機器への組み込みの容易な光結合器及びその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、光学素子と光半導体素子とを光結合させる光結合器であって、表面から裏面へ貫通する貫通孔を有する基板と、基板裏面に形成された第１及び第２電極と、基板側面に形成され第１および第２電極にそれぞれ接続された第３及び第４電極とを備え、基板は表面に光学素子を位置決めするための位置決め部を有し、第１及び第２電極は、光半導体素子が基板裏面から貫通孔を介して光学素子と光結合するとき、光半導体素子の電極に対向するように配置された光結合器を提供するものである。
【０００７】
また、この発明は、前記光結合器を製造する方法であって、基板の表面に一対の垂直状凹部を形成し、前記垂直状凹部に導電体を充填することにより一対の導電体領域を形成し、表面にテーパー状穴部を形成し、裏面からテーパー状穴部に同芯に連通する貫通孔を形成し、所定の領域の基板裏面を除去することより前記導電体領域の面を露出させ、前記所定の領域に前記導電体領域に接続する導電膜を形成し、導電膜のパターニングにより第１及び第２電極を形成し、一対の導電体領域を通る線に沿って基板及び前記導電体領域を切断することにより基板側面及び第３及び第４電極を形成する工程を含む光結合器の製造方法を提供するものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明の光結合器によれば、半導体素子への電気信号の供給にワイヤーを必要とせず、かつ、機器への組み込みの容易な光結合器が提供される。
この発明による光結合器ではワイヤーボンディングが不要であるので、ファイバーを接続する際にワイヤーが切断されたり、ファイバーと面発光レーザの距離が長くなり光結合効率が低下したりする懸念がない。また、ワイヤーによるセルフインダクタンスを回避し得るため、高速動作を可能にする。
また、この発明による光結合器は、基板側面に第３および第４電極を備えるので、光結合器を他のＬＳＩ等と同様に、はんだリフロー法でプリント配線基板に実装可能であり、機器への組み込みが容易になる。
また、この発明の製造方法によれば、複数の基板に対して基板裏面とその側面に連続した導電体を一括して形成することにより、第１、第２，第３、第４電極を容易に形成するができるので非常に生産性が良く、安価に光結合器を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の光結合器は、表面から裏面へ貫通する貫通孔を有する基板と、基板裏面に形成された第１及び第２電極と、基板側面に形成された第３及び第４電極とを備える。基板は、貫通孔に対し光学素子の中心軸を位置決めするために基板表面に設けられた位置決め部を有する。第１及び第２電極は、貫通孔に光授受部が対向する光半導体素子の一対の電極にそれぞれ接続されるように形成され、第３及び第４電極は、第１及び第２電極とそれぞれ接続される。
【００１０】
基板は、貫通孔、位置決め部、電極を形成できるものであればよく、シリコン単結晶基板、ガラス基板等を用いることができるが、種々の異方性エッチング技術が確立されているシリコン単結晶基板が好ましい。
貫通孔の大きさは、光半導体素子と光学素子とを光学的に結合でき、位置決め部を形成できる大きさであればよいが、光半導体素子の光授受部よりも大きく、光学素子の直径よりも小さくすることが好ましい。また、その形成方法は、機械的手段を用いてもよいが、精度よく形成するためにフォトリソグラフィー及びエッチング技術を用いることが好ましい。エッチング方法は、ウェットエッチング又はRIE法等のドライエッチングのいずれでもよい。
【００１１】
位置決め部は、貫通孔に対し光学素子の中心軸を位置決めできるものであればよく、表面か裏面に向かってテーパー状に形成され貫通孔に連通する穴部であることが好ましい。
これによって、光学素子が容易に位置決めされるため組み立ての効率が向上する。また、位置決め部は、貫通孔の全体にテーパー状穴部として形成されてもよく、一部に形成されてもよい。貫通孔の裏面側の強度を大きくするためには、貫通孔の一部に形成されることが好ましい。テーパー状に形成された穴部により、光学素子の中心軸は、貫通孔の所定の位置に機械的に案内される。テーパー状に形成された穴部は、断面が円形又は多角形で、その斜面は平面であっても、曲面であってもよい。
【００１２】
また、テーパー状穴部は、貫通孔の基板表面側に垂直状凹部を形成し、垂直状凹部の底部のみをテーパー状に形成してもよい。この場合、光学素子の固定が容易になる。さらに、所望の形状に加工された光学素子の先端部に適合した形状としてもよい。貫通孔を形成した後に、テーパー状穴部を形成してもよいし、テーパー状穴部を形成した後に、貫通孔を形成してもよい。例えば、表面にテーパー状穴部を形成した後に、裏面から中心を合わせて貫通孔を形成することができる。テーパー状穴部の形成方法は、機械的手段を用いてもよいが、精度よく形成するためにフォトリソグラフィー及びエッチング技術を用いることが好ましい。
【００１３】
エッチング方法は、ウェットエッチング又はRIE法等のドライエッチングのいずれでもよい。例えば、ウェットエッチングでは、結晶面のエッチングレートの違いによりテーパー状穴部を形成することができる。また、ドライエッチングでは、エッチングと公知の方法を用いた側壁保護膜形成を繰り返してテーパー状穴部を形成してもよい。側壁保護膜には、例えば、高分子膜が用いられる。また、テーパー状穴部の内壁面に、アルミニウム膜等の反射膜を形成してもよい。反射膜は、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタ法等により形成される。この場合、例えば、面発光レーザー等の光半導体素子から放射された光が反射膜で反射されて光ファイバー等の光学素子を伝播するモードに変換され、光学素子内に取り込まれて伝播する。光学素子の位置決め部への固定には、接着剤を用いることができる。
【００１４】
光学素子は、光ファイバー、レンズ、又はこれらの組み合わせを含み、これには、特に光ファイバーが好適に用いられる。また、貫通孔に対して位置決めが必要な他の種類の光学素子も含まれる。
位置決め部により定まる光学素子の中心軸は、基板裏面に対して実質的に垂直であることが好ましい。この場合、光半導体素子の光軸と、光学素子の光軸とが実質的に一致するため、光結合の効率が良い。
【００１５】
第１及び第２電極の大きさおよび形状は、貫通孔に光半導体素子の光授受部が対向するように光半導体素子の一対の電極に接合（はんだ付け）されるものであればよい。第１および第２電極の材質は、プリント基板等からの電気信号を光半導体素子に供給できるものであればよく、銅、アルミニウム等の導電体を用いることができる。その形成方法は、導電膜を形成し、フォトリソグラフィー及びエッチングを行うことにより形成することができる。導電膜の形成方法は、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタ法など用いることができる。エッチング方法は、ウェットエッチング又はRIE法等のドライエッチングのいずれでもよい。また、所望の領域に凹部を形成し、導電体を充填することにより電極を形成してもよく、リフトオフ法を用いてもよい。また、別に形成された電極を基板に固着させてもよい。
【００１６】
光半導体素子には、面発光レーザ、端面発光レーザ、発光ダイオードのような発光素子や、フォトダイオード、フォトトランジスタのような光検出器等が含まれるが、とくに、面発光レーザが好適に用いられる。光半導体素子は、ワイヤーを用いずに、基板裏面に形成された第１及び第２電極に接続されるため、片側の面に一対の電極及び光授受部を有するものが用いられる。一対の電極の大きさ、形状は、一対の電極がそれぞれ基板の第１及び第２電極にはんだ付けされるものであればよいが、光半導体素子の一対の電極の電極パッドと基板の第１及び第２電極の電極パッドがそれぞれ対応する寸法に設計されていることが好ましい。この場合、はんだリフロー法により光半導体素子をプリント基板等にはんだ付けすると、溶融したはんだの表面張力によりセルフアライメント効果が発現し、光授受部と貫通孔の中心が一致する。これにより光半導体素子と貫通孔との高精度位置合わせが自動的に実現できる。
【００１７】
本発明による光結合器ではワイヤーボンディングが不要であるので、光学素子を取り付ける際にワイヤーが切断されたり、光学素子と光半導体素子の距離が長くなり光結合効率が低下したりする懸念がない。また、ワイヤーによるセルフインダクタンスを回避し得るため、高速動作を可能にする。はんだ付けにより、光結合器とそれに接続された光半導体素子とを備える光結合器モジュールが得られる。
【００１８】
第３及び第４電極は、第１及び第２電極と同じ材質であっても、異なる材質であってもよい。また、同時に形成されてもよく、別々に形成されてもよい。その形成方法は、導電膜を形成し、フォトリソグラフィー及びエッチングを行うことにより形成してもよいが、基板の表面と裏面との間を導電体が貫通する一対の導電体領域を形成し、前記導電体領域に接続される導電膜を形成し、導電膜のパターニングにより第１及び第２電極を形成し、一対の導電体領域を通る線に沿って基板及び前記導電体領域を切断することにより基板側面及び第３及び第４電極を形成する工程が好ましい。この方法によれば、複数の基板に対して基板裏面とその側面に連続した導電体を一括して形成することができるので非常に生産性が良く、安価に光結合器を提供できる。また、基板の所望の領域に凹部を形成し、導電体を充填することにより電極を形成してもよく、リフトオフ法を用いてもよい。また、別に形成された電極を基板に固着させてもよい。
【００１９】
本発明の光結合器は、第３及び第４電極を介して、はんだリフロー法によって、プリント基板等に取り付けることができる。従って、他のＬＳＩ等と同様に、はんだリフロー法でプリント基板に実装可能であるため、機器への組み込みが容易である。第３及び第４電極の大きさ、形状および位置は、取り付けを容易にするために、プリント基板上のランドに適合したものであることが好ましい。
基板側面と基板裏面の角度は、所望の角度とすることができる。これにより、光結合器を所望の角度でプリント基板等に取り付けることができる。
【００２０】
基板裏面が、基板側面に対して実質的に垂直であることが好ましい。この場合、複数の基板に対して基板裏面とその垂直な側面に連続した導電体を一括して形成することができるので非常に生産性が良く、安価に光結合器を提供できる。さらに、位置決め部による定まる光学素子の中心軸が、基板裏面に対して実質的に垂直である場合には、光ファイバーなどの光学素子をその光軸（中心軸）をプリント基板表面に平行に取り付けることができ組立性がよい。
【００２１】
本発明の光結合器は、側面に第３及び第４電極を設けない態様での実施も可能である。つまり、この発明の光結合器は、表面から裏面へ貫通する貫通孔を有する基板と、裏面に形成された第１及び第２電極とを備え、貫通孔が、貫通孔に対し光学素子の中心軸を位置決めするために基板表面に設けられた位置決め部を有し、第１及び第２電極が、貫通孔に光半導体素子の光授受部が対向するように光半導体素子の一対の電極に接続される光結合器であってもよい。この場合であっても、光結合器と光半導体との接続にワイヤーを必要としない光結合器が提供される。また、第１及び第２電極を所定の形状に加工することにより、第１及び第２電極を介してプリント基板等に組み込むこともできる。
【００２２】
この発明によれば、基板の表面に一対の垂直状凹部を形成し、前記垂直状凹部に導電体を充填することにより一対の導電体領域を形成し、表面にテーパー状穴部を形成し、裏面からテーパー状穴部に同芯に連通する貫通孔を形成し、所定の領域の基板裏面を除去することより前記導電体領域の面を露出させ、前記所定の領域に前記導電体領域に接続する導電膜を形成し、導電膜のパターニングにより第１及び第２電極を形成し、一対の導電体領域を通る線に沿って基板及び前記導電体領域を切断することにより基板側面及び第３及び第４電極を形成する工程を含む光結合器の製造方法が提供される。
【００２３】
さらに、この発明によれば、基板の表面と裏面との間を導電体が貫通する一対の導電体領域を形成し、前記導電体領域に接続される導電膜を形成し、導電膜のパターニングにより第１及び第２電極を形成し、一対の導電体領域を通る線に沿って基板及び前記導電体領域を切断することにより基板側面及び第３及び第４電極を形成する工程を含む電極の製造方法が提供される。
【実施例】
【００２４】
以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳述する。これによってこの発明が限定されるものではない。
光結合器
図１〜図４は、それぞれこの発明による光結合器の正面図、側面図、背面図および底面図である。
これらの図に示すように、光結合器１は、表面３から裏面４へ貫通する貫通孔１４を有する基板２と、基板裏面４に形成された第１および第２電極６、７と、基板側面５に形成された第３および第４電極８、９とを備える。基板２は、貫通孔１４に連通するように表面３から裏面４の方向に形成されたテーパ状の穴部１３を有し、穴部１３は光学素子（例えば、光ファイバー）の中心軸を位置決めする位置決め部として働く。
また、第１および第２電極６、７は、第３および第４電極８、９にそれぞれ接続されると共に、ハンダ付け用の電極パッド６ａ、７ａを有する。
【００２５】
光結合器モジュール
図５はこの実施例において光結合器１に装着される面発光レーザを示す正面図である。面発光レーザ１０は、中央に発光部１１を備え、発光部１１の近傍に駆動用電圧を印加するための電極１８、１９を備える。
また、電極１８、１９はそれぞれはんだ付け用の電極パッド１８ａ、１９ａを有する。そして、基板２の電極パッド６ａ、７ａ（図３）と面発光レーザの電極パッド１８ａ、１９ａ（図５）はそれぞれ互いに対向する寸法に設計されている。図６、図７はそれぞれ光結合器モジュールを示す側面図と背面図である。これらの図に示すように、はんだリフロー法によりはんだ１２によって面発光レーザ１０の電極パッド１８ａ、１９ａが光結合器１の電極パッド７ａ、６ａにそれぞれにはんだ付けされる。そのとき、溶融したはんだ１２の表面張力によりセルフアライメント効果が発現し、発光部１１と貫通孔１４の中心が一致する。その状態で、面発光レーザ１０は光結合器１に固着され、光結合器モジュール１５が完成する。
【００２６】
光結合器モジュールの実装
図８は光結合モジュール１５をプリント基板２０に実装した状態を示す要部断面斜視図である。
同図に示すように、光結合器モジュール１５は、光結合器１の基板側面５の第３及び第４電極８、９を介して、プリント基板２０上の導電体２１にはんだリフロー法によりはんだ２２によって接合され、プリント基板２０へ実装される。
したがって、面発光レーザ１０の光結合器１への取り付けのみならず、光結合器モジュール１５のプリント基板への取り付けもＬＳＩや抵抗などの電子デバイスと同様のリフロー工程で実行することができる。
【００２７】
また、図８のようにプリント基板２０に実装された光結合器モジュール１５からは、面発光レーザ１０の光が、プリント基板２０の表面に実質的に平行に放射される。従って、光ファイバー３０をプリント基板２０の表面に平行に固定することが可能となり、光ファイバー３０の組立性が向上する。
この場合、図８に示すように、貫通孔１４に連通しテーパ状に形成された穴部１３に光ファイバー３０が挿入される。光ファイバー３０はクラッド３１とコア３２とからなり、断面は通常は円形である。従って、テーパー状に形成された穴部１３に挿入されると、光ファイバー３０のコア３２が貫通孔１４に対向するように機械的に案内され位置決めされる。
なお、光ファイバー３０は穴部１３に接着剤により固定される。
【００２８】
光結合器の製造方法
次に、実施例に係る光結合器１と光結合器モジュール１５の製造方法を図９と図１０の工程図を用いて説明する。
まず、複数の光結合器を形成するために図９（ａ）に示すように、基板４０の表面にレジスト４１を塗布し、フォトリソグラフィーによりマトリックス状に複数の開口４２を形成する。基板４０には種々の異方性エッチング技術が確立されているシリコン単結晶基板を用いる。
【００２９】
次に、図９（ｂ）に示すように、異方性ドライエッチングの一種であるＲＩＥ（Reactive  Ion  Etching：反応性イオンエッチング）により、開口４２の部分をエッチングして各光結合器ついて一対の垂直状凹部４３を形成する。次に、その凹部４３に導電体を充填し、各光結合器について一対の導電体領域４４を形成し、レジスト４１を除去する（図９（ｃ））。導電体の充填は、例えば導電性樹脂ペーストをスキージ法によって充填した後に焼成する、若しくは金属を真空蒸着するなどの方法によって行う。
【００３０】
導電体領域４４を形成した後、図９（ｄ）に示すように、再度フォトレジスト４５を塗布しフォトリソグラフィーにより開口４６を形成する。開口４６を介して基板４０にウェットエッチングを施し、結晶面のエッチングレートの違いによりテーパ状穴部４７を形成する（図９（ｅ））。
なお、図９（ａ）〜図９（ｄ）と図１０（ｈ）〜図１０（ｊ）は、導電体領域４４を通る断面図であり、図９（ｅ）と図１０（ｆ）、（ｇ）は、テーパ状穴部４７を通る断面図である。
【００３１】
レジスト４５を除去した後、図１０（ｆ）に示すように、基板の裏面にフォトレジスト４８を塗布しフォトリソグラフィーにより、テーパ状穴部４７を貫通させるための開口４９と、導電体４４を露出させるための開口５０を形成する。開口４９、５０をＲＩＥの手法でエッチングし、垂直の貫通孔４９ａを形成すると同時に、導電体領域４４の４４ａを露出させる（図１０（ｇ））。
フォトリソグラフィーの際には、基板４０を両面から観察するよう２台の顕微鏡を有する両面マスクアライナーを使用し、テーパ状穴部４７に対する開口４９、及び５０の位置を±１μｍの精度で合わせる。
エッチングされた領域に、導電体領域４４に接続されるアルミニウム膜による導電膜をスパッタ法などの手法により形成し、パターニングにより第１及び第２電極５２を形成する（図１０（ｈ））。
【００３２】
一対の導電体領域４４の中央部を通る（紙面に直角の）線に沿って基板４０及び導電体領域４４を切断することにより第３及び第４電極５３を形成し、本発明の光結合器を得る（図１０（ｉ））。なお、基板４０及び導電体領域４４は、基板裏面に実質的に垂直に切断することもできるし、所望の角度で切断することもできる。また、切断面は、平面であっても、曲面であってもよい。
さらに面発光レーザ６０をはんだ６１により第１及び第電極５２にはんだ付けし、本発明に係る光結合器モジュールを得る（図１０（ｊ））。このようにして、複数の光結合器モジュールを同時に製造することができる。
【００３３】
なお、各製造工程は、この順に限定されない。例えば、導電体領域４４を形成する工程、テーパ状穴部４７を形成する工程、垂直の貫通孔４９ａを形成する工程、導電膜を形成する工程、パターニングにより第１及び第２電極５２を形成する工程、基板４０及び導電体領域４４を切断する工程は、順序を互いに入れ替えることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明による光結合器の正面図である。
【図２】本発明による光結合器側面図である。
【図３】本発明による光結合器の背面図である。
【図４】本発明による光結合器の底面図である。
【図５】本発明に係る面発光レーザの正面図である。
【図６】本発明による光結合器モジュールの側面図である。
【図７】本発明による光結合器モジュールの背面図である。
【図８】本発明による光結合器モジュールの実装状態を示す要部断面斜視図である。
【図９】本発明のよる光結合器の製造方法を示す工程図である。
【図１０】本発明による光結合器の製造方法を示す工程図である。
【図１１】従来の光結合器の構成説明図である。
【符号の説明】
【００３５】
１  光結合器
２  基板
３  基板表面
４  基板裏面
５  基板側面
６，７  １及び第２電極
６ａ，７ａ  第１及び第２電極の電極パッド
８，９  第３及び第４電極
１０  面発光レーザ
１１  発光部
１２  はんだ
１３  テーパー状に形成された凹部
１４  貫通孔
１５  光結合器モジュール
１８，１９  面発光レーザの一対の電極
１８ａ，１９ａ  面発光レーザの一対の電極パッド
２０  プリント基板
２１  プリント基板上の導電体
２２  はんだ
３０  光ファイバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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