(57)【要約】【課題】ウエーハの表面に保護テープを貼着し裏面を研磨パッドによって乾式研磨する際にウエーハの外周のウエーハと保護テープとの間に研磨くずが付着しないようにすることができる、ウエーハの研磨方法を提供する。【解決手段】研磨装置のチャックテーブルに保持されるウエーハの被保持面（１０）に保護テープ（Ｐ）を貼着する際、ウエーハ（Ｗ）の外周から保護テープ（Ｐ）の外周がはみ出すように貼着し、チャックテーブルに保護テープ側を載置してウエーハの面を乾式研磨する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの面を柔軟部材に砥粒を混入した研磨パッドで乾式研磨する研磨手段とを具備する研磨装置を用いて、ウエーハを研磨する方法であって、
該チャックテーブルに保持されるウエーハの被保持面に保護テープを貼着する際、ウエーハの外周から保護テープの外周がはみ出すように貼着し、
チャックテーブルに保護テープ側を載置してウエーハの面を該研磨手段で乾式研磨する、ことを特徴とするウエーハの研磨方法。
【請求項２】
保護テープはウエーハの外周から０．５ｍｍ〜１．０ｍｍはみ出している、請求項１記載のウエーハの研磨方法。
【請求項３】
該研磨パッドを構成する柔軟部材はフエルトである、請求項１又は２記載のウエーハの研磨方法。
【請求項４】
ウエーハはシリコンウエーハの表面に複数のチップが形成されている半導体ウエーハであり、その裏面が研磨される、請求項１から３までのいずれかに記載のウエーハの研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハの研磨方法、さらに詳しくは、半導体ウエーハのように半導体チップが形成されたウエーハの表面に保護テープを貼着して裏面を研磨する、ウエーハの研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップが表面に複数形成された半導体ウエーハは、裏面が研削されて所定の厚さに形成され、その後ウエーハは個々の半導体チップ毎に分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。この半導体ウエーハの裏面を研削する研削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持されたウエーハに研削水を供給しながら研削を遂行する研削砥石を含む研削手段とを備え、半導体ウエーハの裏面を効率よく研削することができる。
【０００３】
しかしながら、研削砥石によってウエーハの裏面を研削すると研削した面にソーマークが形成されるとともに内部に細かなクラックが形成されチップの抗折強度を著しく低下させるという問題がある。
【０００４】
そこで、本出願人によって、柔軟部材に砥粒を混入して適宜のボンド剤で固めて研磨パッドを構成し、この研磨パッドによって乾式でウエーハの研削面を研磨してソーマーク及びクラックを除去しチップの抗折強度を向上させる研磨装置が開発され実用に供されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−７１７１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、図３（ａ）に示すようにウエーハＷの表面に保護テープＰを貼着し、ウエーハの裏面を研磨すると、部分拡大図である図３（ｂ）に示すようにウエーハＷの外周に形成されている円弧状の面取り部Ｍと保護テープＰとの間にパウダー状の研磨くずが入り込み、ウエーハＷの外周を持ち上げてウエーハを破損させるという問題がある。
【０００７】
また、図３（ｃ）に示すように、裏面の研磨されたウエーハＷは、表裏を反転させてダイシングテープＴに貼替えられ、このダイシングテープＴを介してダイシングフレームＦに支持された状態でダイシングされて個々の半導体チップ毎に分割されるが、ダイシングテープＴに貼替える際にウエーハＷの外周に付着した研磨くずがダイシングテープＴとウエーハＷの間に挟まりダイシングの際にチップを損傷させるという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたもので、その技術的課題は、ウエーハの表面に保護テープを貼着し裏面を研磨パッドによって乾式研磨する際にウエーハの外周のウエーハと保護テープとの間に研磨くずが付着しないようにすることができる、ウエーハの研磨方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、鋭意検討及び実験を重ねた結果、ウエーハの外周の円弧状の面取り部と保護テープとの関係に起因してその間に研磨くずが集積しやすいことに着目し、この関係を改善することにより従来の問題を有効に除くことができることを確認した。
【００１０】
すなわち、本発明によれば、上記技術的課題を解決するウエーハの研磨方法として、
ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの面を柔軟部材に砥粒を混入した研磨パッドで乾式研磨する研磨手段とを具備する研磨装置を用いて、ウエーハを研磨する方法であって、
該チャックテーブルに保持されるウエーハの被保持面に保護テープを貼着する際、ウエーハの外周から保護テープの外周がはみ出すように貼着し、
チャックテーブルに保護テープ側を載置してウエーハの面を該研磨手段で乾式研磨する、ことを特徴とするウエーハの研磨方法が提供される。
【００１１】
好適実施形態においては、該保護テープはウエーハの外周から０．５ｍｍ〜１．０ｍｍはみ出している。また、該研磨パッドを構成する柔軟部材はフエルトである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によるウエーハの研磨方法によれば、保護テープをウエーハにウエーハの外周から僅かに保護テープの外周がはみ出すように貼着し、ウエーハに貼着された保護テープ側をチャックテーブルに保持し、ウエーハを乾式で研磨するようにしたので、ウエーハの外周に形成された円弧状の面取り部が、オーバハングした保護テープによって覆われて面取り部と保護テープとの間に隙間が形成されず、ウエーハの外周にパウダー状の研磨くずが付着することがなく、研磨中にウエーハが破損することがないとともに、ダイシングテープとウエーハとの間に研磨くずが挟まることがなく、ダイシングにおいてチップを損傷させることもない。
【００１３】
また、ウエーハの外周に研磨くずが付着しない理由としては、上記の理由の他にオーバハングした保護テープが適度にバタつき「はたき」のように研磨くずを払い落とす作用が働くことが推測される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に従って構成されたウエーハの研磨方法について、半導体ウエーハの研磨における好適実施形態を図示している添付図面を参照して、さらに詳細に説明する。
【００１５】
図１（ａ）を参照して先ず、半導体ウエーハの研磨に用いられる全体を番号２で示す研磨装置について説明する。研磨装置２は、ウエーハを吸着保持するチャックテーブル４と、チャックテーブル４に保持されたウエーハの面を研磨パッド６によって乾式研磨する研磨手段８とを具備している。
【００１６】
チャックテーブル４は、上面にウエーハを載置する載置面を有し、回転駆動を自在に、そして研磨パッド６に対して往復動を自在に備えられている。載置面は多孔質セラミックのような適宜の多孔性材料によって形成され、吸引手段に接続されている。
【００１７】
研磨手段８は、円板形状の研磨パッド６を鉛直に延び回転駆動される回転軸８ａの下端に備えている。図１（ｂ）に示す研磨パッド６の拡大図を参照して説明すると、研磨パッド６は、回転軸８ａに取り付けるための取り付けねじ孔６ａを有してアルミニウムのごとき適宜の材料によって形成された支持板６ｂと、支持板６ｂに接合された砥粒の混入された柔軟部材６ｃとを備えている（研磨パッド６については後にさらに説明する）。
【００１８】
次にウエーハの研磨方法について説明する。このウエーハの研磨方法は、（１）チャックテーブルに保持されるウエーハの被保持面に保護テープを貼着する際、ウエーハの外周から保護テープの外周がはみ出すように貼着し、（２）保護テープ側をチャックテーブルに載置してウエーハの面を研磨手段で乾式研磨することにより遂行される。
【００１９】
なお、半導体ウエーハは、シリコンウエーハの「表面」に複数の半導体チップが形成されているもので、その「裏面」が研磨される。
【００２０】
上述のウエーハの研磨方法について、主として図２を参照して手順を追って詳細に説明する。
【００２１】
（１）ウエーハに保護テープ貼着：
図２（ａ）に示すように、ウエーハＷの、チャックテーブル４（図１）に保持される複数の半導体チップの形成された保持面１０に保護テープＰを貼着する。この際、ウエーハＷと保護テープＰの外周部の拡大図である図２（ｂ）に示すように、保護テープＰはウエーハＷの外周から０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ外方にはみ出すように貼着する。
【００２２】
この保護テープＰは、ポリエステルのような適宜の合成樹脂フィルムあるいはシートなどの片面に、紫外線硬化型粘着剤あるいは加熱硬化型粘着剤などを塗布して形成されているものである。
【００２３】
（２）研磨：
保護テープＰの貼着されたウエーハＷを、図１に示す研磨装置２によって、その「表面」である保護テープＰが貼着された被保持面１０側をチャックテーブル４の載置面に載置して「裏面」を研磨手段８によって乾式研磨する。
【００２４】
ウエーハＷを乾式研磨する研磨パッド６の柔軟部材６ｃ（図１）としては、フエルトに砥粒を含浸させボンド剤により固めて形成したフエルト砥石を用いるのが好都合である。フエルトとしては、羊毛、ポリエステル、ナイロンのごとき合成繊維、綿、麻ごとき天然繊維などを用いることができる。また砥粒としては、０．０１μｍから１００μｍの粒径を有する、シリカ、ダイヤモンドなどを用い、フエルトに含浸させて、例えばフェノール樹脂系接着剤によってフエルトの中に結合する。
【００２５】
（３）作用：
上述のウエーハの研磨方法によれば、図２（ａ）（ｂ）に示すようにウエーハＷに保護テープＰをウエーハＷの外周から０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ外方にはみ出すように貼着することにより、図２（ｃ）に示すようにウエーハＷの外周に形成された円弧状の面取り部Ｍが、オーバハングした保護テープＰによって二点鎖線で示すごとく覆われて面取り部Ｍと保護テープＰとの間に隙間が形成されない。したがって、ウエーハＷの外周にパウダー状の研磨くずが付着するのが防止され、研磨くずがウエーハの外周を持ち上げてウエーハを破損させる従来の問題を除くことができる。また、研磨くずの集積を防止できるので、後の工程においてウエーハＷから半導体チップをダイシングする際に研磨くずによってチップが損傷する問題も除くことができる。
【００２６】
このはみ出し量であるオーバハングが、０．５ｍｍよりも少ないと面取り部Ｍを適切に保護テープＰによって覆うことができなくなり、また１．０ｍｍよりも大きいと保護テープＰの外周部が研磨装置の研磨パッドに接触し、不都合である。
【００２７】
さらに、オーバハングした保護テープＰが図２（ｃ）に矢印で示すように二点鎖線と実線との間を適度にバタつき「はたき」のように研磨くずを払い落とす作用が働くことも推測される。
【００２８】
以上、本発明に係るウエーハの研磨方法について、半導体ウエーハを例に説明したが、ウエーハとしては半導体ウエーハに限定されるものではなく、他のウエーハの研磨にも適用できることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】（ａ）本発明に係るウエーハの研磨方法に用いられる半導体ウエーハの研磨装置の斜視図、及び（ｂ）研磨手段に備えられる研磨パッドの表裏拡大図。
【図２】本発明に係るウエーハの研磨方法の、（ａ）（ｂ）ウエーハと保護テープの貼着、及び（ｃ）作用についての説明図。
【図３】ウエーハの研磨における従来の問題の説明図。
【符号の説明】
【００３０】
２：研磨装置
４：チャックテーブル
６：研磨パッド
８：研磨手段
Ｗ：ウエーハ
Ｍ：面取り部
Ｐ：保護テープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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