(57)【要約】【課題】本発明の目的は生産効率を向上させると共に高開口率を有する有機エレクトロルミネセンス表示素子及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明の実施例に係る有機エレクトロルミネセンス表示素子はアノード電極、カソード電極及び前記アノード電極と前記カソード電極との間に有機層を有する第１アレイ基板と、前記アノード電極及び前記カソード電極の中のいずれか一つに駆動信号を供給するための少なくとも一つの薄膜トランジスタが形成された第２アレイ基板と、前記第１アレイ基板と第２アレイ基板との間に導電性物質で形成されて前記駆動信号を前記アノード電極及び前記カソード電極の中のいずれか一つに供給する第１スペーサーと、前記第１アレイ基板と前記第２アレイ基板との間に接着性を有する物質で形成されて前記第１アレイ基板及び第２アレイ基板を固定させる第２スペーサーとを具備することを特徴とする。【選択図】図６
2005197203.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード電極、カソード電極及び前記アノード電極と前記カソード電極との間に有機層を有する第１アレイ基板と、前記アノード電極及び前記カソード電極の中のいずれか一つに駆動信号を供給するための少なくとも一つの薄膜トランジスタが形成された第２アレイ基板と、前記第１アレイ基板と第２アレイ基板との間に導電性物質で形成されて前記駆動信号を前記アノード電極及び前記カソード電極の中のいずれか一つに供給する第１スペーサーと、前記第１アレイ基板と第２アレイ基板との間に接着性を有する物質で形成されて前記第１アレイ基板及び前記第２アレイ基板を固定させる第２スペーサーとを、具備することを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子。
【請求項２】
前記第１スペーサーは前記アノード電極に前記駆動信号を供給することを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子。
【請求項３】
前記第２スペーサーは約３〜５μmの高さを有することを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子。
【請求項４】
前記第１アレイ基板と第２アレイ基板を合着させるためのシーリング剤を更に具備することを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子。
【請求項５】
前記第２スペーサーは前記シーリング剤と同一の物質で形成されることを特徴とする請求項４記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子。
【請求項６】
前記第２アレイ基板はゲートラインと、前記ゲートラインと交差するデータラインと、前記データラインと並んで形成された供給ラインと、前記ゲートライン及び前記データラインの交差部に位置する第１薄膜トランジスタと、前記供給ラインと前記第１薄膜トランジスタと接続された第２薄膜トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子。
【請求項７】
前記第２スペーサーは前記ゲートライン、データライン、供給ライン、第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタの中の少なくとも一つとオーバーラップさせるように形成されることを特徴とする請求項６記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子。
【請求項８】
前記第２スペーサーはアノード電極と接触されるように形成されることを特徴とする請求項６記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子。
【請求項９】
前記第１スペーサーは前記第２薄膜トランジスタのドレーン電極と接続されることを特徴とする請求項６記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子。
【請求項１０】
アノード電極とカソード電極との間に有機層を有する第１アレイ基板を設ける段階と、前記アノード電極及び前記カソード電極の中のいずれか一つに駆動信号を供給するための少なくとも一つの薄膜トランジスタが形成された第２アレイ基板を設ける段階と、前記駆動信号を前記アノード電極及び前記カソード電極の中のいずれか一つに供給するため、前記第１アレイ基板と第２アレイ基板との間に導電性物質で第１スペーサーを形成する段階と、前記第１アレイ基板と第２アレイ基板との間に接着性を有する物質で第２スペーサーを形成する段階と、を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第１アレイ基板と第２アレイ基板シーリング剤で合着させる段階を更に含むことを特徴とする請求項１０記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第２スペーサーは前記シーリング剤と同一の物質で形成されることを特徴とする請求項１１記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第２アレイ基板を設ける段階はゲートラインを形成する段階と、前記ゲートラインと交差するデータラインを形成する段階と、前記データラインと並んで供給ラインを形成する段階と、前記ゲートライン及び前記データラインの交差部に第１薄膜トランジスタを形成する段階と、前記供給ラインと前記第１薄膜トランジスタと接続された第２薄膜トランジスタを形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１０記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第２スペーサーは前記ゲートライン、データライン、供給ライン、第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタの中の少なくとも一つとオーバーラップされるように形成されることを特徴とする請求項１３記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法。
【請求項１５】
前記第２スペーサーはアノード電極と接触されるように形成されることを特徴とする請求項１３記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法。
【請求項１６】
アノード電極、カソード電極及び前記アノード電極と前記カソード電極との間に有機層を有する第１アレイ基板と、導電性を通して前記アノード電極及び前記カソード電極の中のいずれか一つに駆動信号を供給するための少なくとも一つの薄膜トランジスタが形成された第２アレイ基板と、前記第１アレイ基板と第２アレイ基板との間に電気的の絶縁物質で形成されて前記第１アレイ基板及び前記第２アレイ基板を固定させるスペーサーと、を具備することを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子。
【請求項１７】
前記第１スペーサーは前記アノード電極に前記駆動信号を供給することを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子。
【請求項１８】
前記第スペーサーは約３〜５μmの高さを有することを特徴とする請求項１６記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子。
【請求項１９】
前記第１アレイ基板と第２アレイ基板を合着させるためのシーリング剤を更に具備することを特徴とする請求項１６記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子。
【請求項２０】
前記第スペーサーは前記シーリング剤と同一の物質で形成されることを特徴とする請求項１８記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子。
【請求項２１】
前記第スペーサーは前記アノード電極と接続されることを特徴とする請求項１６記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネセンス表示素子及びその製造方法に関するもので、特に、生産効率を向上させると共に高開口率を有する有機エレクトロルミネセンス表示素子及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、陰極線管の短所である重さと容積を減らすことができる各種の平板表示装置などが開発されている。このような平板表示装置としては液晶表示装置、電界放出表示装置、プラズマ表示パネル及びエレクトロールミネセンス（以下、”ＥＬ”という）表示装置などがある。このような平板表示素子の表示品質を高めて大画面化を試みる研究が活発に進行されている。
【０００３】
これらの中のＰＤＰは構造と製造工程が単純であるために軽量化されても大画面化にもっとも有利な表示装置として注目を浴びているが、発光効率と輝度が低くて消費電力が大きい短所がある。これに比べて、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が適用されたＬＣＤは半導体工程を利用するために大画面化に難しさはあるが、ノートブックコンピュータの表示素子として主に利用され需要が伸びている。しかし、ＬＣＤは大画面化が難しくてバックライトユニットによって消費電力が大きい短所がある。また、ＬＣＤは偏光フィルタ、フリズムシート、拡散板などの光学素子などにより、光損失が多くて視野角が狭い特徴がある。
【０００４】
これに比べて、ＥＬ表示素子は発光層の材料によって無機ＥＬと有機ＥＬに大別されて自ら発光する自発光素子として応答速度が早くて発光効率、輝度及び視野角が大きい長所がある。
【０００５】
有機ＥＬ表示素子は図１に図示されるようにゲートラインＧＬとデータラインＤＬの交差領域にそれぞれ配列されたサブピクセル５０とを具備する。サブピクセル５０のそれぞれはゲートラインＧＬにゲートパルスが供給される際にデータラインＤＬからのデータ信号を供給受けてそのデータ信号に相応する光を発生するようになる。
【０００６】
このために、サブピクセル５０のそれぞれは基底電圧源ＧＮＤにカソード電極が接続されたＥＬセルＯＥＬと、ゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬと供給電圧源ＶＤＤに接続されてＥＬセルＯＥＬのアノード電極に接続されてＥＬセルＯＥＬを駆動するためのセル駆動部５２とを具備する。セル駆動部５２はスイッチング用の薄膜トランジスタＴ１、駆動用の薄膜トランジスタＴ２及びキャパシターＣとを具備する。
【０００７】
スイッチング用の薄膜トランジスタＴ１はゲートラインＧＬにスキャンパルスが供給されると、ターンオンされてデータラインＤＬに供給されたデータ信号をノードＮに供給する。ノードＮに供給されたデータ信号はキャパシターＣに充電されると共に駆動用の薄膜トランジスタＴ２のゲート端子に供給されるデータ信号に応答して供給電圧源ＶＤＤからＥＬセルＯＥＬに供給される電流量Ｉを制御することでＥＬセルＯＥＬの発行量を調節するようになる。そして、スイッチング用の薄膜トランジスタＴ１がターンオフされてもキャパシターＣでデータ信号が放電されるので駆動用の薄膜トランジスタＴ２は次のフレームのデータ信号が供給されるまで供給電圧源ＶＤＤからの電流ＩをＥＬセルＯＥＬに供給してＥＬセルＯＥＬが発光を維持するようにされる。
【０００８】
図２は図１に図示された有機ＥＬ表示素子のサブピクセルを示す断面図として、赤色、緑色及び青色サブピクセルで構成された一つのピクセル領域を示す図面である。
【０００９】
図２に図示された有機ＥＬ素子はシーリング剤１８によって合着された基板２とパッケージング板１２とを具備する。
【００１０】
基板２の上にはシーリング剤１８により設けられた表示領域中に複数のＥＬセルが形成される。
【００１１】
ＥＬセルそれぞれは相互に交差し絶縁されたアノード電極４とカソード電極６との間に形成される有機層１０とを含む。
【００１２】
アノード電極４は基板２の上に所定の間隔に離隔されて多数個形成される。このようなアノード電極４には駆動用の薄膜トランジスタＴ２を通して正孔を放出させるための第１駆動信号が供給される。
【００１３】
有機層１０はアノード電極４で放出された正孔を発光層１０ｂに輸送するための正孔輸送層１０ａ、正孔と電子の結合により、可視光を発生する発光層１０ｂ及びカソード電極６で放出された電子を発光層１０ｂに輸送するための電子輸送層１０ｃが積層されて形成される。
【００１４】
カソード電極６は有機層１０の上に所定間隔に離隔されてアノード電極４と交差するように多数個形成される。また、カソード電極６には電子を放出させるための第２駆動信号が供給される。
【００１５】
パッケージング板１２は金属材質として酸素及び水分などを吸収するための吸収剤１４で構成される。このパッケージング板１２は有機層１０の発光の際に発生する熱を放出すると共に外力と大気の中の酸素及び水分から有機層１０を保護するようになる。
【００１６】
このような有機ＥＬ表示素子はアノード電極４とカソード電極６に駆動信号が印可されると電子と正孔が放出されて、アノード電極４及びカソード電極６で放出された電子と正孔は有機層１０の内で再結合しながら可視光を発生するようになる。この際、発生された可視光はアノード電極４及び基板２を通して外部に出られるようになり、所定の画像または映像を表示するようになる。
【００１７】
図３は従来の有機ＥＬ表示素子の製造工程を示す図である。
【００１８】
先に、基板の上にゲートライン、データライン及び供給ラインを含む信号ライン、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用のトランジスタを含む薄膜トランジスタアレイを形成する。（Ｓ１１段階）その後、駆動用のトランジスタのドレーン電極と接続されるアノード電極を形成する。（Ｓ１２段階）このアノード電極の上に正孔輸送層、発光層および電子輸送層を含む有機層形成する。（Ｓ１３段階）以後、有機層の上にアノード電極と交差するカソード電極を形成する。（Ｓ１４段階）その後、薄膜トランジスタアレイ、アノード電極、有機層及びカソード電極が形成された基板を保護するために基板とパッケージング板がシーリング剤により合着される。（Ｓ１５段階）
【００１９】
このように、従来の有機ＥＬ表示素子は薄膜トランジスタと有機発光層が形成された基板とパッケージング板を豪着することで完成される。この場合、有機ＥＬ表示素子の生産効率は薄膜トランジスタの生産効率と有機層の生産効率によって決定される。特に、有機ＥＬ表示素子の生産効率は不良率の高い有機層の生産効率によって決定される。例えば、基板の上に形成された薄膜トランジスタが良品であるとしても１０００Å程度の薄膜を使用する有機層の形成の際に異物かその他の異なる要素により、不良が発生するようになると、有機ＥＬ表示素子は不良と判定される。これにより、良品の薄膜トランジスタを製造することに所要された諸般の経費及び原材料費の損失につながり、生産効率が低下される問題点を有している。
【００２０】
また、従来の有機ＥＬ表示素子は有機層で発生された可視光が基板の背面を通して外部に出射される下部発光方式である。この場合、従来の有機ＥＬ表示素子はパッケージング板による安定性及び工程の自由度が高い反面、開口率の制限があって、高解像製品へ適用することが難しい問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
従って、本発明の目的は生産生産効率を向上させると共に高開口率を有する有機エレクトロルミネセンス表示素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
前記目的を達成するために、本発明の有機エレクトロルミネセンス表示素子はアノード電極、カソード電極及び前記アノード電極とカソード電極との間に有機層を有する第１アレイ基板と、前記アノード電極及びカソード電極の中のいずれか一つに駆動信号を供給するための少なくとも一つの薄膜トランジスタが形成された第２アレイ基板と、前記第１アレイ基板と第２アレイ基板との間に導電性物質で形成されて前記駆動信号を前記アノード電極及びカソード電極の中のいずれか一つに供給する第１スペーサーと、前記第１アレイ基板と第２アレイ基板との間に接着性を有する物質で形成されて前記第１アレイ基板及び第２アレイ基板を固定させる第２スペーサーとを具備することを特徴とする。
【００２３】
前記第１スペーサーは前記アノード電極に前記駆動信号を供給することを特徴とする。
【００２４】
前記第２スペーサーは約３〜５μmの高さを有することを特徴とする。
【００２５】
前記有機エレクトロルミネセンス表示素子は前記第１アレイ基板と第２アレイ基板を合着させるためのシーリング剤とを更に具備することを特徴とする。
【００２６】
前記第２スペーサーは前記シーリング剤と同一の物質で形成されることを特徴とする。
【００２７】
前記第２アレイ基板はゲートラインと、前記ゲートラインと交差するデータラインと、前記データラインと並んで形成された供給ラインと、前記ゲートライン及び前記データラインの交差部に位置する第１薄膜トランジスタと、前記供給ラインと前記第１薄膜トランジスタと接続された第２薄膜トランジスタを含むことを特徴とする。
【００２８】
前記第２スペーサーは前記ゲートライン、データライン、供給ライン、第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタの中の少なくとも一つとオーバーラップされるように形成されることを特徴とする。
【００２９】
前記第２スペーサーはアノード電極と接触されるように形成されることを特徴とする。
【００３０】
前記第１スペーサーは前記第２薄膜トランジスタのドレーン電極と接続されることを特徴とする。
【００３１】
前記目的を達成するために、本発明に係る有機エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法はアノード電極とカソード電極との間に有機層を有する第１アレイ基板を設ける段階と、前記アノード電極及び前記カソード電極の中のいずれか一つに駆動信号を供給するための少なくとも一つの薄膜トランジスタが形成された第２アレイ基板を設ける段階と、前記駆動信号を前記アノード電極及び前記カソード電極の中のいずれか一つに供給するため、前記第１アレイ基板と第２アレイ基板との間に導電性物質で第１スペーサーを形成する段階と、前記第１アレイ基板と第２アレイ基板との間に接着性を有する物質で第２スペーサーを形成する段階を含むことを特徴とする。
【００３２】
前記有機エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法は前記第１アレイ基板と第２アレイ基板シーリング剤で合着させる段階とを更に含むことを特徴とする。
【００３３】
前記第２スペーサーは前記シーリング剤と同一の物質で形成されることを特徴とする。
【００３４】
前記第２アレイ基板を設ける段階は、ゲートラインを形成する段階と、前記ゲートラインと交差するデータラインを形成する段階と、前記データラインと並んで供給ラインとを形成する段階と、前記ゲートライン及び前記データラインの交差部に第１薄膜トランジスタを形成する段階と、前記供給ラインと前記第１薄膜トランジスタと接続された第２薄膜トランジスタを形成する段階を含むことを特徴とする。
【００３５】
前記第２スペーサーは前記ゲートライン、データライン、供給ライン、第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタの中の少なくとも一つとオーバーラップされるように形成されることを特徴とする。
【００３６】
前記第２スペーサーはアノード電極と接触されるように形成されることを特徴とする。
【００３７】
前記目的を達成するために、本発明の有機エレクトロルミネセンス表示素子はアノード電極、カソード電極及び前記アノード電極と前記カソード電極との間に有機層を有する第１アレイ基板と、導電性を通して前記アノード電極及びカソード電極の中のいずれか一つに駆動信号を供給するための少なくとも一つの薄膜トランジスタが形成された第２アレイ基板と、前記第１アレイ基板と第２アレイ基板との間に電気的の絶縁物質で形成されて前記第１アレイ基板及び前記第２アレイ基板を固定させるスペーサーとを具備することを特徴とする。
【００３８】
前記第１スペーサーは前記アノード電極に前記駆動信号を供給することを特徴とする。
【００３９】
前記第スペーサーは約３〜５μmの高さを有することを特徴とする。
【００４０】
前記第１アレイ基板と第２アレイ基板を合着させるためのシーリング剤とを更に具備することを特徴とする。
【００４１】
前記第スペーサーは前記シーリング剤と同一の物質で形成されることを特徴とする。
【００４２】
前記第スペーサーは前記アノード電極と接続されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００４３】
上述したように、本発明に係る有機エレクトロルミネセンス素子とその製造方法において、上部基盤の上に形成されたＥＬアレイ基板と下部基板の上に形成された薄膜トランジスタアレイは電導性の第１スペーサーを介して電気的に連結されて、接着性を有する第２スペーサーを通して上部基板と下部基板が固定される。これにより、外部の衝撃による第１スペーサーとアノード電極の接触不良を防ぐことができる。また、本発明に係る有機エレクトロルミネセンス素子は発光層で発光された光が上部基板を通して外部に出射される上部発光型であるので薄膜トランジスタアレイの形状に影響を受けることなく開口率を確保することができる効果がある。有機層を含む有機ＥＬセルを薄膜トランジスタアレイの上部に構成せず、別途で構成するために、有機層を形成する行程中に薄膜トランジスタにおよぼす影響などを考慮しなくてもよく、生産効率が向上する効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、本発明の実施例を添付した図４乃至図７を参照して詳細に説明する。
【実施例】
【００４５】
図４は本発明に係る有機ＥＬ素子を示す平面図であり、図５は本発明に係る有機ＥＬ素子を示す断面図である。
【００４６】
図４及び図５に図示された有機ＥＬ素子は多数のＥＬセルを有する上部アレイ基板２００と、ＥＬセルを駆動するための薄膜トランジスタアレイを有する下部アレイ基板２１０と、ＥＬセルと薄膜トランジスタアレイを接続させるための第１スペーサー１７０と、第１スペーサー１７０の間に形成された第２スペーサー１７２とを具備する。
【００４７】
上部アレイ基板２００は上部基板１１２の上に相互絶縁されるように交差するアノード電極１０４及びカソード電極１０６と、それらの間に形成される隔壁１７４、それらの交差部に位置する有機層１１０とを含む。
【００４８】
カソード電極１０６は上部基板１１２の上に所定の間隔に離隔されて多数個形成される。このようなカソード電極１０６には電子を放出させるための第１駆動信号が供給される。
【００４９】
アノード電極１０４は有機層１１０の上に所定の間隔に離隔されてカソード電極１０６と交差するように多数個形成される。このようなアノード電極１０４には駆動用の薄膜トランジスタＴ２及び第１スペーサー１７０を通して正孔を放出させるための第２駆動信号が供給される。
【００５０】
隔壁１７４は隣接したＥＬセルを区分するように形成されて隣接するＥＬセルの有機層１１０及びカソード電極１０６を分離するようになる。
【００５１】
有機層１１０は正孔を発光層１１０ｂに輸送するための正孔輸送層１１０ａ、正孔と電子の結合により可視光を発生する発光層１１０ｂ及び電子を発光層１１０ｂに輸送する電子輸送層１１０ｃが積層されて形成される。
【００５２】
下部アレイ基板２１０は薄膜トランジスタアレイが形成された表示部、表示部の外郭部に位置するパッド部とを具備する。
【００５３】
パッド部はゲートラインＧＬと接続されたゲートパッド１５２と、データラインＤＬと接続されたデータパッド１５０と、供給ラインＳＬと接続された供給パッド１５４と、カソード電極１０６に接続されたカソードパッド１５６とを具備する。
【００５４】
ここで、カソードパッド１５６はシールライン１１８の内側に位置する導電性ドット１５８を通してカソード電極１０６に駆動信号を供給する。電性ドット１５８は第１スペーサー１７０と同一の金属で形成されるか、別の導電性金属で形成される。
【００５５】
表示部は図６に図示されたようにゲートラインＧＬと供給電圧源に接続された供給ラインＳＬの交差部に形成される駆動用の薄膜トランジスタＴ２と、薄膜トランジスタＴ２と接続されるスイッチング用の薄膜トランジスタＴ１とを具備する。
【００５６】
スイッチング用の薄膜トランジスタＴ１はゲートラインＧＬに含まれたゲート電極１３０と、データラインＤＬと接続されたソース電極１６６と、駆動用の薄膜トランジスタＴ２のゲート電極１６４とコンタクトホール１４９を通して接続されたドレーン電極１０８と、ソース電極１６６とドレーン電極１０８との間に導通チャンネルを形成するためのアクティブ層１６２とを具備する。アクティブ層１６２はそれぞれ第１コンタクトホール及び第２コンタクトホール１１６ａ、１１６ｂを通してソース電極１６６及びドレーン電極１０８と接続される。
【００５７】
駆動用の薄膜トランジスタＴ２はスイッチング用の薄膜トランジスタＴ１のドレーン電極１０８と接続されたゲート電極１６４と、供給ラインＳＬと供給コンタクトホール１３４を通して接続されたソース電極１４２と、第１スペーサー１７０と画素コンタクトホール１３２を通して接続されたドレーン電極１６０と、ソース電極１４２とドレーン電極１６０との間に導通チャンネルを形成するためのアクティブ層１１４とを具備する。アクティブ層１１４はそれぞれ第１スイッチング用のコンタクトホール及び第２スイッチング用のコンタクトホール１２０ａ、１２０ｂを通してソース電極１４２及びドレーン電極１６０と接続される。このような駆動用の薄膜トランジスタＴ２はゲートラインＧＬからのデータ信号に応答して供給ラインＳＬからの供給電圧信号ＶＤＤを選択的にアノード電極１０４に第１スペーサー１７０を通して供給する。
【００５８】
第１スペーサー１７０は図５ａ及び図５ｂに図示されたように保護膜１７８を貫通するピクセルコンタクトホール１３２を通して露出された駆動用の薄膜トランジスタＴ２のドレーン電極１６０とアノード電極１０４を電気的に接続させる役割をする。このような第１スペーサー１７０は抵抗値が低い金属で形成される。
【００５９】
第２スペーサー１７２はＥＬセル毎に形成されて大型化ＥＬ素子の基板に適用の際に基板の曲がりを防止してセルキャップを全領域で均一にする。また、第２スペーサー１７２は第１スペーサー１７０が真空によりアノード電極１０４と駆動用の薄膜トランジスタＴ２のドレーン電極１６０が接続される場合、外部からの衝撃によりアノード電極１０４とそのドレーン電極１６０の分離離脱を防止するようになる。
【００６０】
このような第２スペーサー１７２はシールライン１１８と同一の物質で第１スペーサー１７０を除いた領域、例えば、隔壁１７４、ゲートラインＧＬ，データラインＤＬ、供給ラインＳＬ、スイッチング用の薄膜トランジスタＴ１及び駆動用の薄膜トランジスタＴ２の中の少なくともいずれか一つとオーバーラップされるように形成される。この第２スペーサー１７２は約３〜５μmの高さを有するように形成される。
【００６１】
例えば、図５ａに図示されたように隔壁１７４とオーバーラップされるようにアノード電極１０４と分離されて形成されるか、図５ｂに図示されたところのようにアノード電極１０４と接続されてゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬの交差ににより配置されたピクセル領域とオーバーラップされるように形成される。
【００６２】
このように、本発明に係る有機ＥＬ表示素子は第２スペーサーにより、上部アレイ基板と下部アレイ基板が固定される。これにより、第１スペーサーとアノード電極の連結結合を防止することができて、耐衝撃性及び振動に対する耐性が高くなる。
【００６３】
図７は本発明に係る有機ＥＬ表示素子の製造方法を示す断面図である。
【００６４】
先に、上部基板の上にＥＬアレイが形成されて、下部基板の上には薄膜トランジスタが形成される。（Ｓ２１，Ｓ２２段階）
【００６５】
即ち、上部基板の上にはカソード電極と、カソード電極の上に形成された有機層と、カソード電極及び有機層をピクセル別に区分する隔壁と、カソード電極と交差するアノード電極を含むＥＬアレイが形成される。
【００６６】
下部基板の上にはゲートライン、そのゲートラインと交差するデータライン、データラインと並んで形成された供給ラインと、ゲートライン及びデータラインの交差部に位置するスイッチング用の薄膜トランジスタと、スイッチング用の薄膜トランジスタ及び駆動用の薄膜トランジスタを保護して駆動用の薄膜トランジスタのドレーン電極を露出させるピクセルコンタクトホールを有する不動態化膜を含む薄膜トランジスタアレイが形成される。
【００６７】
その後、ピクセルコンタクトホールを通して露出された駆動用の薄膜トランジスタのドレーン電極とアノード電極を接続させるための第１スペーサーが上部基板及び下部基板の中のいずれか一つの上に形成される。（Ｓ２３段階）
【００６８】
その後、上部基板及び下部基板の中のいずれか一つの基板の上にシーリング剤をインクジェットやスクリーンフリンティング方法でゲートライン、データライン、供給ライン、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ及び隔壁の中の少なくともいずれか一つとオーバーラップされるように第２スペーサーを形成する。（Ｓ２４段階）そして、上部基板と下部基板を合着するためにディスペンサーまたはスクリーンプリンティング方法で表示部の外郭部につれてシールラインを形成する。シールラインを利用して上部基板と下部基板を合着した後、紫外線にシールラインと第２スペーサーを硬化させる。（Ｓ２５段階）
【産業上の利用可能性】
【００６９】
上述したように、本発明の有機エレクトロルミネセンス素子とその製造方法において、上部基盤の上に形成されたＥＬアレイ基板と下部基板の上に形成された薄膜トランジスタアレイは電導性の第１スペーサーを通して電気的に連結されて、接着性を有する第２スペーサーを通して上部基板と下部基板が固定される。これにより、外部の衝撃による第１スペーサーとアノード電極の接触不良を防ぐことができる。また、本発明に係る有機エレクトロルミネセンス素子は発光層で発光された光が上部基板を通して外部に出射される上部発光型であるので薄膜トランジスタアレイの形状に影響を受けることなく開口率を確保することができる効果がある。有機層を含む有機ＥＬセルを薄膜トランジスタアレイの上部に構成することなく、別途で構成するために、有機層を形成する行程の中の薄膜トランジスタにおよぼす影響などを考慮しなくてもいいので生産効率を向上する効果がある。
【００７０】
以上説明した内容を通して当業者であると本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で多様な変更及び修正の可能なことがわかる。従って、本発明の技術的な範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限らず特許請求の範囲により定めなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】従来の有機エレクトロルミネセンス素子を示す回路図である。
【図２】図１に図示された有機エレクトロルミネセンス素子を示す断面図である。
【図３】図２に図示された有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法を示す図である。
【図４】本発明に係る有機エレクトロルミネセンス素子を示す平面図である。
【図５ａ】図４に図示された有機エレクトロルミネセンス素子を示す断面図である。
【図５ｂ】図４に図示された有機エレクトロルミネセンス素子を示す断面図である。
【図６】図４に図示された有機エレクトロルミネセンス素子のサブピクセルを示す平面図である。
【図７】本発明に係る有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法を示す図である。
【符号の説明】
【００７２】
２，１２，１０２，１１２・・・基板
４，１０４・・・アノード電極
６，１０６・・・カソード電極
１０，１１０・・・有機層
１８・・・シーリング剤
１１８・・・シールライン
１５０・・・データパッド
１５２・・・ゲートパッド
１５４・・・供給パッド
１５６・・・カソードパッド
１５８・・・導電性物質
１７０・・・第１スペーサー
１７２・・・第２スペーサー
【図１】
2005197203.tif 000003
【図２】
2005197203.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５ａ】
2005197203.tif 000007
【図５ｂ】
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【図６】
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【図７】
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