(57)【要約】【課題】  基板をステージ上面との間の摩擦力に打ち勝つて移動させるために、位置決め装置の押し当て機構が大形化せざるを得ず、しかも、基板を押圧してステージ上を摺動させると、基板裏面の傷つきの原因となり易いため、適正な位置決めを行い難い傾向にある。更に、大形矩形の基板にあつては、ステージとの摩擦力が基板自身の剛性より大きくなるため、基板の押圧に伴い、基板に撓みを生じステージ上を滑動し難くなり、基板の位置決めが事実上不可能になる。【解決手段】  ステージ１上に搬送してきた基板２の下面側にステージ１の通気口３３，３３ａ，３３ｂからプロセス雰囲気に応じた気体を噴き出し、基板２に浮上力を作用させると共に、押し当て機構１９によつて基板２を押圧移動させ、基板２を固定ガイド１４に接触させて位置決めする。【選択図】        図１
2005197548.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロボットのハンドによつて搬送する矩形平板状の基板（２）を、ステージ（１）上に突出する位置決め用の固定ガイド（１４）に当接させて載置し、該ステージ（１）を移動させながら、該基板（２）にプロセス処理を与える基板の位置決め方法であつて、
ステージ（１）上に搬送してきた基板（２）の下面側にステージ（１）の通気口（３３，３３ａ，３３ｂ）からプロセス雰囲気に応じた気体を噴き出し、基板（２）に浮上力を作用させると共に、押し当て機構（１９）によつて基板（２）を押圧移動させ、基板（２）を固定ガイド（１４）に接触させて位置決めすることを特徴とする基板の位置決め方法。
【請求項２】
ロボットのハンドによつて搬送する矩形平板状の基板（２）を、ステージ（１）上に突出する位置決め用の固定ガイド（１４）に当接させて載置し、該ステージ（１）を移動させながら、該基板（２）にプロセス処理を与える基板の位置決め装置であつて、
ステージ（１）上面に形成され、ステージ（１）上に位置する基板（２）の下面側にプロセス雰囲気に応じた気体を噴き出す通気口（３３，３３ａ，３３ｂ）と、
通気口（３３，３３ａ，３３ｂ）に接続する切換弁（２３）と、
切換弁（２３）の切換えにより、通気口（３３，３３ａ，３３ｂ）に選択的に接続する真空源（３０）と、
切換弁（２３）の切換えにより、通気口（３３，３３ａ，３３ｂ）に選択的に接続する気体供給源（３１）とを有し、
通気口（３３，３３ａ，３３ｂ）から気体を噴き出し、ステージ（１）上の基板（２）に浮上力を作用させる状態で、基板（２）を押し当て機構（１９）によつて押圧して固定ガイド（１４）に接触させて位置決めすると共に、切換弁（２３）を切換えて通気口（３３，３３ａ，３３ｂ）を真空源（３０）に接続し、基板（２）をステージ（１）上に吸着固定し、基板（２）に処理を与えることを特徴とする基板の位置決め装置。
【請求項３】
前記気体供給源（３１）と切換弁（２３）との間に調整装置（２４）が介在され、該調整装置（２４）が、基板（２）に浮上力を作用させるための単位時間当たりの流量と、基板（２）の吸着固定を解除させるための単位時間当たりの流量との２種類の流量を設定することを特徴とする請求項２の基板の位置決め装置。
【請求項４】
前記基板（２）に浮上力を作用させる単位時間当たりの流量の方が、基板（２）の吸着固定を解除させる単位時間当たりの流量よりも少ないことを特徴とする請求項３の基板の位置決め装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の位置決め方法及びその装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の基板の処理装置として、例えば液晶パネルを製造するためのガラス基板の処理装置が知られている（例えば特許文献１）。この種の基板の処理装置では、図８に示すように、未処理の液晶基板を回転駆動ステージ１０５を備えたロードロック室１００に搬入し、回転駆動ステージ１０５によつて液晶基板を処理する方向に合わせて回転すると共に、プロセス室１０４のプロセス雰囲気に合わせてロードロック室１００内を真空雰囲気にコントロールした後、雰囲気コントロールされた搬送室１０２内に配備された搬送ロボット１０３にて液晶基板を真空雰囲気のプロセス室１０４内のプロセスステージ１０１に搬入し、レーザ照射口１０６からのレーザ光を基板へ照射させてプロセス処理を行う。各室１００，１０２，１０４の液晶基板の出入口には、基板の搬入搬出時に開くゲート１２２〜１２４が配設されている。
【０００３】
なお、ロードロック室１００の手前には、未処理の基板及び処理済みの基板を収容するカセット１０７及び基板搬送ロボット１０８を備えるカセットステーション１１０が配置されている。カセット１０７は、長方形をなす未処理の基板及び処理済みの基板を縦横方向の内のいずれかの方向として収容している。従つて、この基板の処理装置は、プロセス室１０４を真空雰囲気として処理を行うものであり、プロセス室１０４を空気、窒素等の気体雰囲気として処理を行うものではないと共に、回転駆動ステージ１０５によつて液晶基板を処理する方向に合わせて回転するものではあるが、プロセス室１０４を空気雰囲気として処理を行うものであつても、少なくともプロセス室１０４及びカセットステーション１１０の主構成は共通している。
【０００４】
液晶基板をカセット１０７とロードロック室１００との間で搬送する基板搬送ロボット１０８及び、液晶基板をロードロック室１００とプロセスステージ１０１との間で搬送する搬送ロボット１０３は、いずれも２枚の基板を同時に搬送可能な２つのハンドを備える。基板搬送ロボット１０８の各ハンドは、カセット１０７とロードロック室１００の回転駆動ステージ１０５との間で、カセット１０７に収容された方向のままで基板の受渡しを行う。真空雰囲気に配備される搬送ロボット１０３の各ハンドは、基板を縦横両方向として載置可能である。
【０００５】
プロセス室１０４内のプロセスステージ１０１には、長短辺つまり縦横を有して長方形をなす基板を長短両方向に送り可能とするＸ，Ｙ駆動機構が組み込まれている。
【０００６】
しかして、カセット１０７の基板を基板搬送ロボット１０８によつてロードロック室１００の回転駆動ステージ１０５に載置し、基板を縦横のいずれかの方向とした後、搬送ロボット１０３によつて受け取り、プロセスステージ１０１に載置し、Ｘ，Ｙ駆動機構によつて液晶基板に送りを与えながら、処理を与える。ここで、基板の載置方向ひいては基板に施すプロセス処理の方向をカセット１０７内の基板投入方向を基準として９０°異なる方向に変更する必要性は、基板上に形成させる半導体等の種類や用途によつて生ずる。
【０００７】
プロセスステージ１０１上で処理の終了した基板は、搬送ロボット１０３によつて受け取り、回転駆動ステージ１０５に載置し、基板を縦横のいずれかの方向とした後、基板搬送ロボット１０８によつてカセット１０７に戻す。かくして、基板に対する処理が次々に行われる。
【０００８】
このような液晶基板に対しては精緻な処理を与える必要があるため、プロセスステージ１０１には、基板を位置決めして載置する位置決め装置を付属している。この種の基板の位置決め装置は、搬送ロボット１０３のハンドに載せて搬送する矩形平板状の基板を、位置決め用の固定ガイドを設けたプロセスステージ１０１上の該ガイドによつて区画される載置面に位置決めして載置するためのものであり、従来の基板の位置決め装置として、基準面押付け方式が一般に知られている。
【０００９】
基準面押付け方式は、図７に示すように搬送ロボット１０３のハンド１０３ａに載せて搬送してきた基板２を、プロセスステージ１０１上面から突出作動させたプッシャピン１１６の上に支持して水平に受け取り、その後、プッシャピン１１６に没入作動を与え、ステージ１０１上の角部に固設させた位置決め用の固定ガイド１１４によつて区画される載置面１１０に基板２を載置する。基板２をプッシャピン１１６を用いてステージ１０１上の載置面１１０に載置した後、駆動装置１１８を含む押し当て機構によつて移動可能なガイド１１５を移動させ、基板２を押圧し、ステージ１０１上の固定された固定ガイド１１４の内側面によつて形成される基準面に押し付ける。
【特許文献１】特開２００２−１６４４０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ステージ１０１と基板２との摩擦抵抗を低減させるために、ステージ１０１の基板接触面を研磨し、或いは接触面積が小さい線状接触若しくは点状接触にしている。しかして、サイズが大きい基板を取り扱う場合には、ステージ１０１の上に広く接する基板２をステージ１０１上面との間の摩擦力に打ち勝つて移動させるために、位置決め装置の押し当て機構が大形化せざるを得ない。特に、押し当て機構の駆動装置１１８が大形化する。しかも、基板２を押圧してステージ１０１上を摺動させると、基板２裏面の傷つきの原因となり易いため、極めて短い長さの移動のみが許容され、適正な位置決めを行い難い傾向にある。
【００１１】
更に、大形矩形の基板２にあつては、ステージ１０１との摩擦力が基板自身の剛性より大きくなるため、基板２の押圧に伴い、基板に撓みを生じステージ１０１上を滑動し難くなり、基板２の位置決めが事実上不可能になる。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上記のような従来の基板の位置決め装置における技術的課題を解決するためになされたもので、ステージの大きな重量増加を伴うことなく、構造簡素にして、容易かつ簡単に基板を所定位置に位置決めすることができる基板の位置決め方法及びその装置の提供を目的としている。本発明の構成は、次の通りである。
請求項１の発明は、ロボットのハンドによつて搬送する矩形平板状の基板２を、ステージ１上に突出する位置決め用の固定ガイド１４に当接させて載置し、該ステージ１を移動させながら、該基板２にプロセス処理を与える基板の位置決め方法であつて、
ステージ１上に搬送してきた基板２の下面側にステージ１の通気口３３，３３ａ，３３ｂからプロセス雰囲気に応じた気体を噴き出し、基板２に浮上力を作用させると共に、押し当て機構１９によつて基板２を押圧移動させ、基板２を固定ガイド１４に接触させて位置決めすることを特徴とする基板の位置決め方法である。
請求項２の発明は、ロボットのハンドによつて搬送する矩形平板状の基板２を、ステージ１上に突出する位置決め用の固定ガイド１４に当接させて載置し、該ステージ１を移動させながら、該基板２にプロセス処理を与える基板の位置決め装置であつて、
ステージ１上面に形成され、ステージ１上に位置する基板２の下面側にプロセス雰囲気に応じた気体を噴き出す通気口３３，３３ａ，３３ｂと、通気口３３，３３ａ，３３ｂに接続する切換弁２３と、切換弁２３の切換えにより、通気口３３，３３ａ，３３ｂに選択的に接続する真空源３０と、切換弁２３の切換えにより、通気口３３，３３ａ，３３ｂに選択的に接続する気体供給源３１とを有し、
通気口３３，３３ａ，３３ｂから気体を噴き出し、ステージ１上の基板２に浮上力を作用させる状態で、基板２を押し当て機構１９によつて押圧して固定ガイド１４に接触させて位置決めすると共に、切換弁２３を切換えて通気口３３，３３ａ，３３ｂを真空源３０に接続し、基板２をステージ１上に吸着固定し、基板２に処理を与えることを特徴とする基板の位置決め装置である。
請求項３の発明は、前記気体供給源３１と切換弁２３との間に調整装置２４が介在され、該調整装置２４が、基板２に浮上力を作用させるための単位時間当たりの流量と、基板２の吸着固定を解除させるための単位時間当たりの流量との２種類の流量を設定することを特徴とする請求項２の基板の位置決め装置である。
請求項４の発明は、前記基板２に浮上力を作用させる単位時間当たりの流量の方が、基板２の吸着固定を解除させる単位時間当たりの流量よりも少ないことを特徴とする請求項３の基板の位置決め装置である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る基板の位置決め方法及びその装置によれば、次の効果を奏することができる。
請求項１によれば、ステージ上に基板を載置するとき、基板の下面側にステージの通気口からプロセス雰囲気に応じた気体を噴き出し、基板に浮上力を作用させると共に、押し当て機構によつて基板を押圧移動させ、基板を位置決め用の固定ガイドに接触させて位置決めするため、押し当て機構による比較的小さな力で基板を押圧移動させて固定ガイドに当接させて位置決めすることができる。これにより、基板の所定位置への位置決めが可能になると共に、ステージに備える押し当て機構の小形化ひいてはステージの軽量化が可能になり、Ｘ−Ｙ方向の送り駆動の負荷を低減させることになる。
【００１４】
その結果、所定位置に位置決めされた基板及びステージにＸ−Ｙ方向の精緻な送り移動を与えながら基板にプロセス処理を施し、高精度な処理を与えることが可能になる。加えて、ステージ上の移動に際する基板裏面の摩擦に伴う傷つきを抑制することができ、高品質の処理済み基板を得ることができる。
【００１５】
請求項２によれば、更に、切換弁を切換えて通気口を真空源に接続し、基板をステージ上に吸着固定して基板に処理を与えるため、ステージ上に高度に平坦をなすように載置された基板に処理がなされることになる。その結果、基板に対する処理を高精度になすことが可能になる。
【００１６】
請求項３によれば、気体供給源からの気体が、基板に浮上力を作用させるための単位時間当たりの流量と、基板の吸着固定を解除させるための単位時間当たりの流量との２種類の流量としてステージの通気口から噴き出される。従つて、適正流量の気体を通気口から噴き出して処理済みの基板のステージへの吸着固定を良好に解除させることが可能であり、処理済みの基板の剥離に伴う損傷を防止して基板を搬送させることにより、高品質の処理済み基板を得ることができる。
【００１７】
請求項４によれば、基板に浮上力を作用させる単位時間当たりの流量の方が、基板の吸着固定を解除させる単位時間当たりの流量よりも少ないため、基板をステージ上で位置決めする動作と、処理済みの基板のステージに対する剥離動作とが、それぞれ適正になされる。その結果、基板に過度の浮上力又は剥離力を作用させることに伴う変形、摩擦等の不具合を抑制させて、高品質の処理済み基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１，図２は、本発明に係る基板の位置決め装置の１実施の形態を示す。図中において符号１は矩形をなすプロセスステージを示し、ステージ１の１つの上面角部には、Ｌ字状の位置決め用の固定ガイド１４が固設され、固定ガイド１４によつて区画される載置面１０にガラス製の基板２を位置決めして載置する。固定ガイド１４は、直交する基準面１４ａ，１４ｂを内側面として有している。基準面１４ａ，１４ｂは、矩形をなす基板２の直交２辺を当接支持するものでよい。
【００１９】
ステージ１の固定ガイド１４と対角線上に位置する１つの上面角部には、移動可能な可動ガイド１５及び駆動装置１８を含む押し当て機構１９を備える。駆動装置１８は、可動ガイド１５を対角線上で移動させる機能を有し、シリンダ、ボールねじ及びモータ等からなる直線往復駆動機構によつて構成できる。
【００２０】
ステージ１に備える押し当て機構１９は、駆動装置１８によつて可動ガイド１５を対角線上で移動させ、ステージ１上の基板２を押圧し、固定ガイド１４に押し付ける機能を有する。基板２は、比較的大形矩形のものであり、例えば厚さ：０．５ｍｍ、縦×横：１３００ｍｍ×１１００ｍｍ、重量：３０００ｇである。
【００２１】
また、ステージ１には、複数のプッシャピン１６が設けられている。プッシャピン１６は、矩形の基板２の少なくとも各頂点及び中央部付近を支持するように進退自在に配設されている。
【００２２】
更に、ステージ１には、複数の通気孔２０が形成されている。各通気孔２０の上端部は、ステージ１の上面に開口する通気口３３を形成している。この各通気孔２０の下端には、図１に示すようにステージ流路２１、可撓性を有する流路２２、切換弁２３が順次に接続され、切換弁２３の（ａ）位置及び（ｂ）位置の切換えにより、真空源３０又は気体供給源３１に選択的に切換え接続が可能である。切換弁２３は、ばねに付勢される常態で、（ｂ）位置を採る。各通気孔２０に連通するステージ流路２１は、ステージ１と一体をなすベース部材１ａに形成してある。なお、ステージ１上面には、高い平面精度を与えてある。
【００２３】
真空源３０は、真空ポンプによつて構成でき、気体供給源３１は空気を送気するポンプ又は窒素等の気体を貯留するボンベによつて構成することができる。ここで、ステージ１を配置するプロセス室は、そのプロセス処理時に空気、窒素等の気体で満たされており、気体供給源３１は、そのプロセス雰囲気に応じた気体を供給する。
【００２４】
気体供給源３１は、気体の供給量を２種類に調整する調整装置２４を介して切換弁２３に接続されている。調整装置２４は、単位時間当たりの気体の供給量を調整する機能を有する。このため、調整装置２４は、並列配置した２つの流量調節弁２５，２６と、各流量調節弁２５，２６の流路４０，４１を開閉する第１，第２の開閉弁２７，２８とを有している。各開閉弁２７，２８は、電磁弁によつて構成され、流路４０，４１の一方を開放する機能と、流路４０，４１の両方を遮断する機能とを有している。
【００２５】
一方の流量調節弁２５は、ステージ１上の基板２に浮上力を作用させる単位時間当たりの設定流量を有し、また、他方の流量調節弁２６は、ステージ１上の基板２の吸着固定を解除させる単位時間当たりの設定流量を有する。気体供給源３１からの気体に所定の圧力及び流量を与えることにより、基板２に適正な浮上力及び剥離力を与えることが可能である。
【００２６】
次に、作用について説明する。
ロボットのハンド（図示せず）によつて搬送してきた基板２を突出させたプッシャピン１６に受け取り、プッシャピン１６及び基板２を下降させてステージ１上の載置面１０に基板２を載置する。その後、図２に示すように、押し当て機構１９の駆動装置１８によつて可動ガイド１５を対角線方向に移動させ、基板２を押圧し、ステージ１上の固定ガイド１４によつて形成される基準面１４ａ，１４ｂに押し付ける。
【００２７】
この基板２を押圧するとき、第１の開閉弁２７を開くと共に切換弁２３に（ｂ）位置を採らせる。これにより、気体供給源３１からの気体が、一方の流量調節弁２５によつて流量調節されながら第１の開閉弁２７、切換弁２３、流路２２、ステージ流路２１を経て、各通気孔２０の上端部が形成するステージ１上面の通気口３３から噴出し、基板２に浮上力を作用させる。
【００２８】
この状態で、押し当て機構１９によつて可動ガイド１５を移動させ、基板２を押圧し、ステージ１上の固定ガイド１４によつて形成される基準面１４ａ，１４ｂに基板２を押し付ける。基板２は、常時、全ての通気口３３を覆うように載置される。
【００２９】
基板２は、各通気口３３からの気体の噴出によつて浮き上がり傾向にあつてステージ１との間の摩擦抵抗が零ないしは低減された状態にあるから、小形の駆動装置１８の作動によつて容易に可動ガイド１５を移動させながら、基板２を固定ガイド１４の基準面１４ａ，１４ｂに押し付けることができる。基板２に与える浮上力は、基板２裏面に摩擦に起因する傷をつける恐れが解消する程度でよい。
【００３０】
基板２を基準面１４ａ，１４ｂに押し付けたなら、第１の開閉弁２７を閉じる。これにより、基板２は自重で微小高さだけ自然降下し、位置決めが完了する。
【００３１】
続いて、各通気孔２０を真空源３０に連通させ、基板２をステージ１上面に吸着・固定させる。基板２は、ステージ１上面に、面接触する。このとき、切換弁２３に図１に示すように（ａ）位置を採らせる。
【００３２】
基板２をステージ１上面に吸着・固定させたなら、基板２に対してレーザ光を照射するアニーリング処理を開始する。この処理は、基板２を載せたステージ１に、Ｘ，Ｙ駆動機構（図示せず）によつて長短辺両方向つまりＸ−Ｙ方向の送りを与えながら行う。必要に応じ、両開閉弁２７，２８を閉じた状態で切換弁２３に（ｂ）位置を採らせる状態を維持し、各通気孔２０と真空源３０との連通を遮断し、処理室内の圧力変動を防止する。基板２に対するプロセス処理は、上述したように気体供給源３１の気体と同一種類の気体からなるプロセス雰囲気下で行われる。ステージ１の送り移動に際し、流路２２が撓み変形する。
【００３３】
このように、基板２を基準面１４ａ，１４ｂに押し付けて所定位置に位置決めし、かつ、基板２を高い平面精度を与えたステージ１上面に吸着・固定させて高さを一定にした状態でプロセス処理を行うため、基板２に対する精緻なプロセス処理が可能になる。
【００３４】
基板２に対してレーザ光を照射させるプロセス処理が終了したなら、押し当て機構１９によつて可動ガイド１５を復帰移動させ、基板２の押圧、ひいてはステージ１上の固定ガイド１４によつて形成される基準面１４ａ，１４ｂへの押し付けを解除すると共に、基板２のステージ１上面への密着を解除させる。このとき、第２の開閉弁２８を開くと共に切換弁２３に（ｂ）位置を採らせる。
【００３５】
これにより、気体供給源３１からの気体が、他方の流量調節弁２６によつて流量調節されながら第２の開閉弁２８、切換弁２３、流路２２、ステージ流路２１及び各通気孔２０を経て、各通気孔２０の通気口３３からステージ１の上面側に噴出し、基板２に剥離力を作用させる。第２の開閉弁２８は、所定時間開いて適当な剥離力を作用させた後に、適宜に閉じる。
【００３６】
基板２のステージ１上面への固定状態が解除されたなら、プッシャピン１６に突出作動を与え、ステージ１上方に基板２を上昇させ、次いで、ステージ１と基板２との間の隙間にロボットのハンドを挿入し、基板２を受け取つて搬送させる。ステージ１上には、同様に次の基板２を載置し、処理を行う。
【００３７】
図３，図４は、ステージ１上面に形成する通気口３３の他の構造例を示す。この通気口３３ａは、複数の同心状の矩形溝によつて形成され、通気孔２０の上端が各通気口３３ａに接続している。なお、押し当て機構１９及びプッシャピン１６は、図示を省略してある。また、ベース部材１ａは省略し、各通気孔２０に連通するステージ流路２１は、ステージ１に形成してある。
【００３８】
この通気口３３ａを備えるステージ１によつても、図１に示す切換弁２３の切換えにより、通気口３３ａを気体供給源３１に選択的に接続させ、また、通気口３３ａを真空源３０に選択的に接続させることができるので、ステージ１上の基板２に浮上力又は剥離力を作用させ、また、吸着固定させる作用に関し、上記１実施の形態と実質的に同様の作用を得ることができる。基板２は、常時、全ての通気口３３ａを覆うように載置される。
【００３９】
図５，図６は、ステージ１上面に形成する通気口３３の更に他の構造例を示す。この通気口３３ｂは、ステージ１の外周縁部に形成した矩形凸部３４ａと複数の円柱状凸部３４ｂとで区画される凹部によつて形成され、通気口３３ｂに通気孔２０の上端が接続している。基板２は、矩形凸部３４ａを覆うように載置される。なお、押し当て機構１９及びベース部材１ａは、図示を省略してある。
【００４０】
この通気口３３ｂを備えるステージ１によつても、図１に示す切換弁２３の切換えにより、気体溜まりとなる通気口３３ｂを気体供給源３１に選択的に接続させ、また、通気口３３ｂを真空源３０に選択的に接続させることができるので、ステージ１上の基板２に浮上力を作用させ、また、吸着固定させる作用に関し、上記１実施の形態と実質的に同様の作用を得ることができる。加えて、矩形凸部３４ａの上面及び円柱状凸部３４ｂの上面が形成するステージ１上面に、高い平面精度を与えることが容易である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の１実施の形態に係る基板の位置決め装置を一部省略した断面で示す概略図。
【図２】同じくステージを一部省略して示す平面図。
【図３】同じく他の構造例に係るステージを一部省略して示す断面図。
【図４】同じく他の構造例に係るステージを一部省略して示す平面図。
【図５】同じく更に他の構造例に係るステージを一部省略して示す断面図。
【図６】同じく更に他の構造例に係るステージを一部省略して示す平面図。
【図７】従来の基板の位置決め装置を示す斜視図。
【図８】同じく従来の基板の処理装置を示す概略図。
【符号の説明】
【００４２】
１：ステージ
２：基板
４：固定ガイド
１９：押し当て機構
２３：切換弁
２４：調整装置
２５，２６：流量調節弁
２７：第１の開閉弁
２８：第２の開閉弁
３０：真空源
３１：気体供給源
３３、３３ａ，３３ｂ：通気口
【図１】
2005197548.tif 000003
【図２】
2005197548.tif 000004
【図３】
2005197548.tif 000005
【図４】
2005197548.tif 000006
【図５】
2005197548.tif 000007
【図６】
2005197548.tif 000008
【図７】
2005197548.tif 000009
【図８】
2005197548.tif 000010