(57)【要約】【課題】  スケールの光学格子が狭ピッチ化しても、低接合容量の受光部を実現できる光電式エンコーダを提供する。【解決手段】  受光部７は、ｐ−型の半導体基板２１と、この基板の表面２３に測定軸Ｘ方向に沿って間隔を設けて形成された複数のｎ＋型の半導体領域２５と、を備える。半導体基板２１と半導体領域２５の接合部がフォトダイオード（ＰＤ）２７となる。ＰＤ２７毎に第２光学格子３５が設けられている。第２光学格子３５の測定軸Ｘ方向の寸法ｘ１がｎ＋型の半導体領域２５の測定軸Ｘ方向の寸法ｘ２よりも大きくされている。【選択図】  図１
2005208015.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源から照射された光により測定軸に沿った光の明暗パターンを生成する第１光学格子を含むスケールと、
第１導電型の第１半導体領域及びこの領域の表面に形成された第２導電型の第２半導体領域により構成される受光素子を複数含み、前記第１光学格子による同じ位相の明暗パターンを検出する前記受光素子が周期的に位置するように異なる位相の明暗パターンを検出する前記受光素子を前記測定軸方向に沿って配列して構成されると共に前記光源と一緒に前記スケールに対して相対移動可能な受光部と、  
両端が透光部となるように前記透光部と遮光部を前記第１光学格子による明暗パターンの周期に対応させて前記測定軸に沿って交互に並べて構成されると共に前記測定軸方向の寸法が前記第２半導体領域の前記測定軸方向の寸法よりも大きくなるように前記受光素子毎に設けられた第２光学格子と、を備える    
ことを特徴とする光電式エンコーダ。
【請求項２】
一つの前記受光素子の前記第２半導体領域は非分割である、
ことを特徴とする請求項１に記載の光電式エンコーダ。
【請求項３】
一つの前記受光素子の前記第２半導体領域は二分割されており、これらが前記第２光学格子の両端の前記透光部と対向するように形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の光電式エンコーダ。
【請求項４】
一つの前記受光素子の前記第２半導体領域は複数に分割されており、これらが前記測定軸の方向に沿って間隔を設けて形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の光電式エンコーダ。
【請求項５】
一つの前記受光素子の前記第２半導体領域は複数に分割されており、前記測定軸と直交する方向に沿って間隔を設けて形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の光電式エンコーダ。
【請求項６】
隣り合う前記受光素子の前記第２半導体領域の間に位置するように前記第１半導体領域に形成されると共に前記第１半導体領域よりも不純物濃度が高い第１導電型の第３半導体領域を備える、
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光電式エンコーダ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、精密測定に使用される光電式エンコーダに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から直線変位や角度変位などの精密な測定に光電式エンコーダ（以下、「エンコーダ」という場合もある。）が利用されている。エンコーダは三次元測定機や画像測定機などに搭載される。エンコーダは、光源と、光学格子を含むスケールと、複数の受光素子を含むと共に光源と一緒にスケールに対して相対移動可能に配置され各受光素子が互いに位相の異なるインデックス格子を受光面に有する受光部と、を備えている。
【０００３】
光電式エンコーダの動作を簡単に説明する。スケールを光源および受光部に対して相対移動させながら光源からの光をスケールの光学格子を介してインデックス格子に照射する。これにより位相の異なる複数（例えば四つ）の正弦波状の光の明暗パターンが生成される。この正弦波状の光の明暗パターンが光信号となる。これらの位相の異なる光の明暗パターンを、各位相に対応する受光素子で受光し、光電変換されて発生した電気信号を利用して直線などの変位量が測定される。
【０００４】
位相の異なる四つの光の明暗パターンとは、Ａ相（０度）の明暗パターン、Ａ相より９０度だけ位相がずれたＢ相（９０度）の明暗パターン、Ａ相より１８０度だけ位相がずれたＡＡ相（１８０度）の明暗パターンおよびＡ相より２７０度だけ位相がずれたＢＢ相（２７０度）の明暗パターンのことである。Ａ相およびＢ相の明暗パターンを利用するのは、先に検出されるのがＡ相かＢ相かによって、受光部の相対移動の方向を判断するためである。また、Ａ相やＢ相以外にこれらを反転させた、ＡＡ相やＢＢ相を利用するのは、Ａ相やＢ相の明暗パターン（光信号）に含まれる直流成分の除去、並びに、光信号の信頼性及び高速追従性の確保のためである。
【０００５】
位相の異なる複数の明暗パターンに対応した数の受光素子があれば、原理的に測定が可能である。したがって、位相の異なる四つの明暗パターンの場合、受光素子が四つあればよい。この第１のタイプのエンコーダは、例えば特許文献１に開示されている。
【０００６】
ところで、光源の光強度分布やスケール面の汚れ等が原因で、光量にバラツキが生じることがある。上記タイプによれば、各位相の明暗パターンはそれぞれ一箇所で検出されるので、光量のバラツキの影響を受けやすい。例えば、Ａ相用の受光素子の配置場所が他の受光素子の配置場所に比べて照射される光の強度が弱い場合、Ａ相の出力が弱くなるため、測定精度が低下する。
【０００７】
そこで、各位相用の受光素子を複数に分けて、同じ位相用の受光素子が周期的に配列されるように、受光素子をエンコーダの測定軸方向に沿ってアレイ状に並べた受光部を備える第２のタイプのエンコーダがある（例えば特許文献２）。このタイプでは、受光素子がＡ相用、Ｂ相用、ＡＡ相用、ＢＢ相用、Ａ相用、Ｂ相用・・・に並べられている。各受光素子にインデックス格子の機能を兼用させている。このタイプによれば、各位相の明暗パターンが検出される場所が広い範囲に分散されるため、光量のバラツキの影響を小さくでき、（以下、これを「平均化効果」という。）したがって、測定精度が向上する。
【０００８】
測定精度の向上には、平均化効果を高めることが重要である。しかし、単に平均化効果を高めようとすると、エンコーダの応答速度が低下する。これについて、詳しく説明する。
【０００９】
受光素子はｎ型半導体領域とｐ型半導体領域を接合したものである。この接合の容量が大きくなるとエンコーダが高速応答できなくなる。したがって、接合容量の増加はエンコーダの性能に悪影響を与える。受光素子の接合容量は、受光面の面積や受光面の周囲（エッジ）の長さと相関関係にある。つまり、面積や周囲の長さが大きくなると接合容量が増加し、面積や周囲の長さが小さくなると接合容量が減少するのである。
【００１０】
上記第２のタイプでは、受光面の面積の合計が第１のタイプのそれと同じでも、第１のタイプよりも受光素子の数が多くなるので、受光面の周囲の長さの合計が大きくなる。したがって、第２のタイプは第１のタイプよりも受光部の接合容量が大きくなるため、エンコーダの応答速度が下がる。
【００１１】
以上のように、従来の技術では、平均化効果を高めようとすると、受光部の接合容量が増え、逆に接合容量を低下させようとすると平均化効果が小さくなるのである。
【特許文献１】国際公開第０１／３１２９２号のパンフレット（明細書第５頁第１９行〜第６頁第７行、Fig.5）
【特許文献２】特開平７−１５１５６５号公報（段落［００１４］、図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
さて、第２のタイプの場合、より精密な測定のためにスケールの光学格子が狭ピッチ化すると、これに対応して受光素子も狭ピッチ化しなければならない。このため受光素子の数が増えるため、従来と同じ受光面積を得ようとした場合には、受光面の周囲の長さが増加し、受光部の接合容量が増大する。よって、スケールの光学格子が狭ピッチ化すると、エンコーダの応答速度の低下の問題が生じる。
【００１３】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、スケールの光学格子が狭ピッチ化しても、低接合容量の受光部を実現できる光電式エンコーダを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る光電式エンコーダは、光源と、前記光源から照射された光により測定軸に沿った光の明暗パターンを生成する第１光学格子を含むスケールと、第１導電型の第１半導体領域及びこの領域の表面に形成された第２導電型の第２半導体領域により構成される受光素子を複数含み、前記第１光学格子による同じ位相の明暗パターンを検出する前記受光素子が周期的に位置するように異なる位相の明暗パターンを検出する前記受光素子を前記測定軸方向に沿って配列して構成されると共に前記光源と一緒に前記スケールに対して相対移動可能な受光部と、両端が透光部となるように前記透光部と遮光部を前記第１光学格子による明暗パターンの周期に対応させて前記測定軸に沿って交互に並べて構成されると共に前記測定軸方向の寸法が前記第２半導体領域の前記測定軸方向の寸法よりも大きくなるように前記受光素子毎に設けられた第２光学格子と、を備えることを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る光電式エンコーダによれば、受光素子毎に第２光学格子を設けており、第２光学格子の測定軸方向の寸法を、受光素子の構成要素である第２半導体領域の測定軸方向の寸法よりも大きくしている。つまり、第２半導体領域の測定軸方向の寸法を第２光学格子の測定軸方向の寸法より小さくしているため、各受光素子の受光面の面積を小さくできる。
【００１６】
本発明に係る光電式エンコーダにおいて、一つの前記受光素子の前記第２半導体領域は非分割である、ようにすることができる。これによれば、各受光素子の受光面の周囲の長さを短くできるので、受光部の低接合容量化を実現できる。
【００１７】
本発明に係る光電式エンコーダにおいて、一つの前記受光素子の前記第２半導体領域は二分割されており、これらが前記第２光学格子の両端の前記透光部と対向するように形成されている、ようにすることができる。これによれば、隣り合う受光素子におけるクロストークを抑制できる。
【００１８】
本発明に係る光電式エンコーダは以下のようにすることもできる。（１）一つの前記受光素子の前記第２半導体領域は複数に分割されており、これらが前記測定軸の方向に沿って間隔を設けて形成されている。（２）一つの前記受光素子の前記第２半導体領域は複数に分割されており、前記測定軸と直交する方向に沿って間隔を設けて形成されている。
【００１９】
本発明に係る光電式エンコーダにおいて、隣り合う前記受光素子の前記第２半導体領域の間に位置するように前記第１半導体領域に形成されると共に前記第１半導体領域よりも不純物濃度が高い第１導電型の第３半導体領域を備える、ようにすることができる。これによれば、隣り合う受光素子におけるクロストークを抑制できる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る光電式エンコーダによれば、各受光素子の受光面の面積を小さくできるため、スケールの光学格子が狭ピッチ化しても、低接合容量の受光部を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して、本発明に係る光電式エンコーダの第１〜第５実施形態を説明する。なお、第２〜第５実施形態を説明する図において、既に説明した実施形態の符号で示すものと同一のものについては、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００２２】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る光電式エンコーダ１の概略構成を示す図である。この実施形態は受光部の構造を主な特徴としているが、この理解の前提として光電式エンコーダ１について説明する。まず、エンコーダ１の構成から説明する。エンコーダ１は、発光ダイオード（ＬＥＤ）３と、ダイオード３からの光を変調するスケール５と、スケール５で変調された光を受光する受光部７とにより構成される。
【００２３】
発光ダイオード３は光源の一例であり、ダイオード３からの光Ｌがスケール５に照射される。スケール５はガラスなどの透明材料から構成される長尺状の透明基板９を含み、図１にはその一部が表れている。透明基板９の発光ダイオード３側に向く面と反対側の面上に第１光学格子１１が形成されている。第１光学格子１１は複数の遮光部１３が所定のピッチを設けてリニヤ状に、かつ各遮光部１３が図面の奥行き方向に延びるように、配置されたものである。遮光部１３は金属（例えばクロム）などから構成される。
【００２４】
受光部７は、スケール５とギャップを設けて配置されている。受光部７は半導体チップであり、回路基板１５に搭載されている。受光部７には、図示しない複数のフォトダイオード（以下、「フォトダイオード」をＰＤという場合がある。）が形成されている。これらのＰＤの受光面が第１光学格子１１側を向いている。ＰＤは受光素子の一例である。受光素子として、ＰＤの替わりにフォトトランジスタを用いることもできる。回路基板１５には、演算用のＩＣチップ１７が搭載されており、受光部７の複数のＰＤで検出された正弦波状の光の明暗パターン（光信号）を基にして、ＩＣチップ１７で変位量の演算が実行される。
【００２５】
受光部７等を搭載した回路基板１５は、発光ダイオード３と共にホルダ１９に取り付けられており、ホルダ１９は、スケール５の長手方向である測定軸Ｘ方向に移動可能にされている。つまり、光電式エンコーダ１は、固定されたスケール５に対して、ホルダ１９を移動させることにより、変位量を測定する。なお、発光ダイオード３と受光部７を固定し、スケール５を移動させて変位量を測定するタイプにも、本発明を適用することができる。したがって、本発明のスケールは、受光部および光源に対して、相対移動可能に配置されている。
【００２６】
次に、光電式エンコーダ１の測定動作について、簡単に説明する。発光ダイオード３から光Ｌをスケール５の第１光学格子１１に照射すると、第１光学格子１１により測定軸Ｘに沿った光の明暗パターンが生じる。そして、ホルダ１９を測定軸Ｘに沿って移動させることにより生じる明暗パターンの変化（正弦波状の光信号）を、受光部７に形成された各フォトダイオード（ＰＤ）で検出する。詳細には、Ａ相（０度）の明暗パターン、Ａ相より９０度だけ位相がずれたＢ相（９０度）の明暗パターン、Ａ相より１８０度だけ位相がずれたＡＡ相（１８０度）の明暗パターンおよびＡ相より２７０度だけ位相がずれたＢＢ相（２７０度）の明暗パターンが、それぞれに対応するＰＤで検出する。    
【００２７】
各位相の明暗パターンにより発生した電気信号がＩＣチップ１７に送られる。ＩＣチップ１７では、Ａ相およびＢ相に所定の処理（直流成分の除去等）をした後に、処理されたＡ相およびＢ相を基にして変位量が演算される。この結果を図示しない表示部に出力する。以上が光電式エンコーダ１の動作である。
【００２８】
さて、第１実施形態の主な特徴は受光部７であり、これについて詳細に説明する。まず、受光部７の構造について図２及び図３を用いて説明する。図２は受光部７の一部分の断面図であり、図３は受光部７の一部分の平面図である。受光部７は、ｐ−型の半導体基板２１（第１導電型の第１半導体領域の一例）を備える。半導体基板２１としてはシリコン基板が例示される。半導体基板２１の表面２３に所定のピッチでｎ＋型の半導体領域２５（第２導電型の第２半導体領域の一例）が形成されている。半導体領域２５は不純物領域ということもできる。半導体領域２５は、測定軸Ｘと直交する方向が長手方向となる。
【００２９】
ｐ−型の半導体基板２１とｎ＋型の半導体領域２５との接合部がフォトダイオード（ＰＤ）２７となる。一つのＰＤ２７の半導体領域２５は非分割である。半導体基板２１の表面２３のうち、半導体領域２５が形成されている領域がＰＤ２７の受光面（明暗パターンの入射面）２８となる。
【００３０】
Ａ相の明暗パターンを検出するＰＤ２７、Ｂ相の明暗パターンを検出するＰＤ２７、ＡＡ相の明暗パターンを検出するＰＤ２７、ＢＢ相の明暗パターンを検出するＰＤ２７を一つのセットとしている。複数のセットが測定軸Ｘ方向に沿って配列されている。したがって、同じ位相の明暗パターンを検出するＰＤ２７が周期的に配置される。    
【００３１】
半導体基板２１の表面２３は、半導体領域２５を覆うようにシリコン酸化膜のような絶縁膜２９で覆われている。絶縁膜２９上には、複数の遮光部３１が間隔を設けて形成されている。遮光部３１は光を透過しない性質を有すればよく、したがって、その材料は金属（例えば、クロム、アルミニウム）や樹脂が挙げられる。
【００３２】
隣り合う遮光部３１の間が透光部３３となる。第２光学格子（インデックス格子）３５は、両端（両側）が透光部３３となるように透光部３３と遮光部３１を測定軸Ｘに沿って交互に並べて構成される。第２光学格子３５の透光部３３のピッチは、第１光学格子１１（図１）の透光部１４のピッチと等しくされている。これにより、第２光学格子３５が第１光学格子１１による明暗パターンの周期に対応するようにしている。第２光学格子３５は、ＰＤ２７毎に設けられている。第２光学格子３５の測定軸Ｘ方向の寸法ｘ１は、半導体領域２５の測定軸Ｘ方向の寸法ｘ２よりも大きくされている。
【００３３】
第２光学格子３５を覆うように、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜のような保護膜（図示せず）が半導体基板２１上に形成されている。半導体基板２１の裏面３７の全面には各ＰＤ２７の共通電極（例えばＡｕ電極）３９が形成されている。エンコーダ１の使用時、共通電極３９には負電圧が印加されかつｎ＋型の半導体領域２５には正電圧が印加される。
【００３４】
ここで、第１実施形態が第２光学格子３５を設けている理由を説明する。「発明が解決しようとする課題」の欄で説明したように、より精密な測定のために第１光学格子１１を狭ピッチ化すると、これに対応してＰＤ２７も狭ピッチ化する必要があるため、受光部７の接合容量が増大する。
【００３５】
そこで、ＰＤ２７の測定軸Ｘ方向の寸法ｘ２を大きくしてＰＤ２７の数を減らすことにより、接合容量の増大を抑制している。ＰＤ２７の寸法ｘ２が大きくなるため、第２光学格子３５を配置している。このように第１実施形態では、アレイ状に配列されたＰＤ２７と第２光学格子３５との併用により、第１光学格子１１の狭ピッチ化に対応すると共に受光部７の低接合容量化を図っている。
【００３６】
第１実施形態に係る光電式エンコーダ１の主な効果を比較例と比較して説明する。図４は比較例に係る受光部７の一部分の断面図であり、図２と対応する。図４が図２と異なるのは、半導体領域２５の寸法ｘ２である。比較例では、第２光学格子３５を通過した光の明暗パターンを確実に受光できるようにするために、半導体領域２５の寸法ｘ２を第２光学格子３５の寸法ｘ１よりも大きくしている。
【００３７】
しかし、受光面２８の近傍に入射した光により発生する電子は、高い確率で半導体領域２５に流れる。図５は、この様子を示す第１実施形態の受光部７の一部分を拡大した断面図である。光Ｌが透光部３３を通り、受光面２８の近傍から半導体基板２１に入射することにより、電子と正孔の対が半導体基板２１中に発生している。電子は半導体基板２１中を減衰しながら拡散してｎ＋型の半導体領域２５に流れている。実験によれば、半導体領域２５から４００μｍだけ離れた箇所で発生した電子も半導体領域２５に流れ込むことが確認されている。
【００３８】
一方、第２光学格子３５の遮光部３１のピッチは例えば８〜１０μｍである。したがって、図２に示すように半導体領域２５の寸法ｘ２が第２光学格子３５の寸法ｘ１より小さくても、第２光学格子３５の透光部３３を通って半導体基板２１に入射した光により発生する電子は、この第２光学格子３５に対応するＰＤ２７の半導体領域２５に流すことが可能となる。つまり、半導体領域２５の寸法ｘ２を第２光学格子３５の寸法ｘ１より小さくしても、ＰＤ２７として十分に機能させることができる。
【００３９】
以上説明したように、第１実施形態によれば、ｎ＋型の半導体領域２５の寸法ｘ２を第２光学格子３５の寸法ｘ１より小さくしている（逆に言うと寸法ｘ１を寸法ｘ２より大きくしている）ため、半導体領域２５の測定軸Ｘ方向の寸法を小さくできる。これにより、各ＰＤ２７の受光面２８の面積を小さくできるので、スケール５の第１光学格子１１が狭ピッチ化しても、受光部７の接合容量を小さくできる。
【００４０】
また、第１実施形態では、各ＰＤ２７のｎ＋型の半導体領域２５は非分割にされている。このため、各ＰＤ２７の受光面２８の周囲の長さを短くできるので、この点からも受光部７の接合容量を小さくできる。
【００４１】
［第２実施形態］
第２実施形態については、第１実施形態との相違を中心に説明する。図６は、第２実施形態に係る光電式エンコーダに備えられる受光部７の一部分の断面図であり、図２と対応する。第２実施形態の受光部７は、ｐ−型の半導体基板２１よりもｐ型の不純物濃度が高いｐ＋型の半導体領域（第１導電型の第３半導体領域の一例）４１を備える。この領域４１は不純物領域ともいい、隣り合うＰＤ２７のｎ＋型の半導体領域２５の間に位置するように半導体基板２１に形成されている。ｐ＋型の半導体領域４１は共通電極３９と同じ電位にされている。
【００４２】
半導体領域４１による効果について図７を用いて説明する。図７は、図６の一部分を拡大した断面図であり、図５と対応する。第１実施形態で説明したように、ＰＤ２７-１の受光面２８の近傍に入射した光により発生する電子は、高い確率でＰＤ２７-１の半導体領域２５に流れる。しかし、ＰＤ２７-２の半導体領域２５に流れる場合もある。この場合はクロストークとなり、測定精度の低下の原因となる。
【００４３】
第２実施形態では、隣り合うＰＤ２７-１，２７-２のｎ＋型の半導体領域２５の間にｐ＋型の半導体領域４１が配置されているので、クロストークの原因となる電子を領域４１に流れこむようにすることができる。したがって、クロストークを抑制することができる。
【００４４】
［第３実施形態］
図８は、第３実施形態に係る光電式エンコーダに備えられる受光部７の一部分の断面図であり、図２と対応する。第３実施形態は、第１実施形態と異なり、一つのＰＤ２７のｎ＋型の半導体領域２５を分割領域２５ａ，２５ｂに二分割している。分割領域２５ａ，２５ｂは、第２光学格子３５の両端の透光部３３と対向するように、半導体基板２１に形成されている。
【００４５】
図９は、図８の一部分を拡大した断面図であり、図５と対応する。第２光学格子３５の中央部の透光部３３を通り、半導体基板２１に入射することにより、電子と正孔の対が発生している。電子の発生場所の両側に半導体領域２５があるので、電子が隣のＰＤ２７の半導体領域２５に流れるのを防止することが可能となる。したがって、第３実施形態によれば、クロストークを抑制できる。
【００４６】
前述の通り、接合容量はフォトダイオードの面積とそのパターンエッジ長が大きいと増加する。従って、分割領域２５ａによる接合容量と分割領域２５ｂによる接合容量とを合計した値が、測定軸Ｘ方向の寸法が第２光学格子３５の寸法ｘ１と等しいフォトダイオードの接合容量より小さくなるように、寸法ｘ２ａ，ｘ２ｂを設定すれば、受光部７の低接合容量化を図ることができる。ここで、寸法ｘ２ａは分割領域２５ａの測定軸Ｘ方向の寸法であり、寸法ｘ２ｂは分割領域２５ｂの測定軸Ｘ方向の寸法である。
【００４７】
［第４実施形態］
第４実施形態に係る光電式エンコーダについては、第１実施形態の相違を中心に説明する。図１０は、第４実施形態に係る光電式エンコーダに備えられる受光部７の一部分の平面図であり、第１実施形態の図３と対応する。第４実施形態では、一つのＰＤのｎ＋型の半導体領域２５は、分割領域２５ａ，２５ｂに二分割されており、分割領域２５ａ，２５ｂが測定軸Ｘと直交する方向に沿って間隔を設けて形成されている。
【００４８】
第４実施形態によれば、第１実施形態で説明したように、各ＰＤの受光面の面積を小さくできるため、受光部７の低接合容量化を図ることできる。
【００４９】
また、分割領域２５ａと分割領域２５ｂの間隔Ｇは、測定軸Ｘ方向の寸法ｘ２よりも大きいので、各ＰＤの受光面の周囲の長さを小さくできる。この点からも受光部７の接合容量を小さくできる。
【００５０】
［第５実施形態］
図１１は、第５実施形態に係る光電式エンコーダの受光部に形成された一つのＰＤの断面図である。これまでの実施形態では、ｎ＋型の半導体領域２５が非分割又は二分割の場合であったが、半導体領域２５が三分割以上であってもよい。第５実施形態は、半導体領域２５が分割領域２５ａ，２５ｂ，２５ｃに三分割された場合である。このような構造であっても第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】第１実施形態に係る光電式エンコーダの概略構成を示す図である。
【図２】図１の受光部の一部分の断面図である。
【図３】図１の受光部の一部分の平面図である。
【図４】比較例に係る受光部の一部分の断面図である。
【図５】図２の受光部の一部分を拡大した断面図である。
【図６】第２実施形態に係る光電式エンコーダに備えられる受光部の一部分の断面図である。
【図７】図６の一部分を拡大した断面図である。
【図８】第３実施形態に係る光電式エンコーダに備えられる受光部の一部分の断面図である。
【図９】図８の一部分を拡大した断面図である。
【図１０】第４実施形態に係る光電式エンコーダに備えられる受光部の一部分の平面図である。
【図１１】第５実施形態に係る光電式エンコーダの一つのＰＤの断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１・・・光電式エンコーダ、３・・・発光ダイオード、５・・・スケール、７・・・受光部、９・・・透明基板、１１・・・第１光学格子、１３・・・遮光部、１４・・・透光部、１５・・・回路基板、１７・・・ＩＣチップ、１９・・・ホルダ、２１・・・ｐ−型の半導体基板（第１半導体領域の一例）、２３・・・半導体基板の表面、２５・・・ｎ＋型の半導体領域（第２半導体領域の一例）、２５ａ，２５ｂ，２５ｃ・・・分割領域、２７，２７−１，２７−２・・・フォトダイオード（ＰＤ）、２８・・・受光面、２９・・・絶縁膜、３１・・・遮光部、３３・・・透光部、３５・・・第２光学格子、３７・・・半導体基板の裏面、３９・・・共通電極、４１・・・ｐ＋型の半導体領域（第３半導体領域の一例）、ｘ１・・・第２光学格子３５の測定軸Ｘ方向の寸法、ｘ２・・・半導体領域２５の測定軸Ｘ方向の寸法、ｘ２ａ・・・分割領域２５ａの測定軸Ｘ方向の寸法、ｘ２ｂ・・・分割領域２５ｂの測定軸Ｘ方向の寸法、Ｇ・・・分割領域２５ａと分割領域２５ｂの間隔
【図１】
2005208015.tif 000003
【図２】
2005208015.tif 000004
【図３】
2005208015.tif 000005
【図４】
2005208015.tif 000006
【図５】
2005208015.tif 000007
【図７】
2005208015.tif 000008
【図６】
2005208015.tif 000009
【図８】
2005208015.tif 000010
【図９】
2005208015.tif 000011
【図１１】
2005208015.tif 000012
【図１０】
2005208015.tif 000013