(57)【要約】【課題】  窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法の提供。【解決手段】  成長基板を提供し、窒化ガリウム系半導体エピタキシャル層を成長基板の上に形成し、該窒化ガリウム系半導体エピタキシャル層はｎ型窒化ガリウム系コンタクト層、発光層及びｐ型窒化ガリウム系コンタクト層、デジタル透過層を順に堆積してなるものとする。続いて、ドライエッチングでデジタル透過層、ｐ型窒化ガリウム系コンタクト層をエッチングし、並びに発光層で止め、発光層にあってｎ型金属形成領域を形成する。続いて、第１オームコンタクト電極をデジタル透過層の上に形成してｐ型オームコンタクトとなし、第２オームコンタクト電極を発光層の上に形成してｎ型オームコンタクトとなし、最後に第１オームコンタクト電極と第２オームコンタクト電極の上にボンディングパッドを形成する。【選択図】        図１５
2005197560.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を提供し、
窒化ガリウム系半導体エピタキシャル層を該基板の上に形成し、該窒化ガリウム系半導体エピタキシャル層は、ｎ型窒化ガリウム系コンタクト層、発光層及びｐ型窒化ガリウム系コンタクト層を順に堆積して形成し、そのうち該発光層を光波を発射する光源となし、  デジタル透過層を該ｐ型窒化ガリウム系コンタクト層の上に形成し、そのうち、該デジタル透過層は、ｐ型オームコンタクトの機能を具備し且つ該発光層の発射する光波に対する良好な光透過率を具備するものとし、
ステップドライエッチングで該デジタル透過層、該ｐ型窒化ガリウム系コンタクト層、該発光層を順にエッチングし、並びに該発光層内でエッチングを止めて、ｎ型金属形成領域を形成し、
該デジタル透過層の上に第１オームコンタクト電極を形成してｐ型オームコンタクト層となし、
該ｎ型金属形成領域の上に第２オームコンタクト電極を形成してｎ型オームコンタクト層となし、
ボンディングパッドを該第１オームコンタクト電極と該第２オームコンタクト電極の上に形成し、
保護層でｐｎ接合の上を被覆し、
以上の工程を具えた窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、デジタル透過層の形成方法を、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、気相エピタキシー（ＶＰＥ）、液相エピタキシー（ＬＰＥ）のいずれかとすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、デジタル透過層を、厚さが１０Å〜９０Åの範囲で漸増する、及び、９０Å〜１０Åの範囲で漸減する二種類の材料を堆積して形成し、この二種類の材料はＡｌx Ｉｎy Ｇａ(1-x-y) Ｎz Ｐ(1-z) 及びＡｌp Ｉｎq Ｇａ(1-p-q) Ｎr Ｐ(1-r) であり、そのうち、０＜〔ｘ，ｙ，ｚ，ｐ，ｑ，ｒ〕＜１で、その導電性はｐ型、ｎ型或いはＩ型とすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、発光層の発射する光波の波長範囲が３８０ｎｍ〜５６０ｎｍの時、デジタル透過層の該波長範囲の光波に対する透過率が８０％より大きいことを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、第１オームコンタクト電極の材料をインジウム・スズ酸化物とすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、第１オームコンタクト電極の厚さを１０００Å〜４０００Åとすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、第１オームコンタクト電極と不導電の基板との間の距離を、第２オームコンタクト電極と不導電の基板との間の距離より大きくすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、第２オームコンタクト電極に使用する材料を、チタン、アルミニウム、金、ニッケル、インジウム、錫、亜鉛、クロム、銅、タングステン、白金、パラジウム及びその合金或いはインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウム、酸化スズ、アルミニウム・亜鉛酸化物とすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
【請求項９】
請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、ボンディングパッドの材料を、チタン、アルミニウム、金、クロム、ニッケル、パラジウムの組合せとすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、ドライエッチングで形成するｎ型金属形成領域の深さを１０００Å〜３０００Åとすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、保護層を絶縁性とすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
【請求項１２】
請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、保護層を酸化アルミニウム、酸化けい素、窒化けい素、ポリイミド、パリレン（ｐａｒｙｌｅｎｅ）或いはベンゾシクロブテン（Ｂｅｎｚｏｓｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ；ＢＣＢ）のいずれかで形成することを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
【請求項１３】
請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、ステップドライエッチングをシングルステップドライエッチングとし、該シングルステップドライエッチングにおいて、
デジタル透過層、ｐ型窒化ガリウム系層、発光層を順にエッチングし、
エッチングを該発光層内で止め、
ｎ型金属形成領域を該発光層内に形成する工程を具えたことを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
【請求項１４】
請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、ステップドライエッチングをツーステップドライエッチングとし、該ツーステップドライエッチングにおいて、
デジタル透過層、ｐ型窒化ガリウム系層、発光層を順にエッチングし、
エッチングを該発光層内で止め、
該発光層と該ｎ型窒化ガリウム系層を順にエッチングし、溝をｎ型金属形成領域に形成し、
該溝のエッチングをｎ型窒化ガリウム系層において止め、該溝をｐｎ接合を隔離するのに用いることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、ステップドライエッチングで形成する溝の幅を０．２ｍｍとすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種の発光ダイオードの構造及びその製造方法に係り、特に、窒化ガリウム系発光ダイオード或いはその他のバンドギャップが広い材料の発光ダイオードオームコンタクトの構造及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１に示されるように、従来の窒化ガリウム系発光ダイオードの構造は、成長基板１、該成長基板１の上に形成されたバッファ層２、該バッファ層２の上に形成されたｎ型窒化ガリウム系層３、該ｎ型窒化ガリウム系層３の上に形成された発光層４、及び発光層４の上に形成されたｐ型窒化ガリウム系層５を具えている。この装置の製造方法は、以下のようである。
１．図２のように、ＩＣＰ−ＲＩＥ（誘導結合プラズマ式反応性イオンエッチング）ドライエッチング技術を利用し、下向きにｐ型窒化ガリウム系層５、発光層４をエッチングしてｎ型窒化ガリウム系層３に至り、深さ約１μｍのｎ型金属形成領域６を形成する。
２．図３のように、ｐ型窒化ガリウム系層５の上に透明で導電性を有する第１オームコンタクト電極７を形成する。
３．図４のように、ｎ型金属形成領域６の上に第２オームコンタクト電極８を形成する。
４．図５のように、第１オームコンタクト電極７と第２オームコンタクト電極８の上にボンディングパッド９を形成し、以上で周知の窒化ガリウム系発光ダイオードを完成する。
【０００３】
上述の周知の窒化ガリウム系発光ダイオード及びそのオームコンタクトの製造方法は、透明で導電性を有する第１オームコンタクト電極７にニッケル／金を採用しているため、それ自身の可視光に対する透過性が低く、このため装置の発光効率不良を形成した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の主要な目的は、デジタル透過層とインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）層を具えた窒化ガリウム系発光ダイオードのオームコンタクトの構造及びその製造方法を提供し、伝統的な窒化ガリウム系発光ダイオードのコンタクト抵抗の問題を減らすことにある。本発明はＩＴＯ層を利用してデジタル透過層の上に低抵抗で透明で導電性を具えたオームコンタクト層を形成する。ＩＴＯの可視光に対する透過性は良好で（＞９０％）、このため大幅に発光効率を高めることができる。並びにｎ型金属形成領域を発光層上に設け、操作電圧を下げる。このほか、ｐ／ｎ型金属形成領域間の距離が僅かに約０．２μｍの構造を、フリップチップ型式でパッケージすることによっても、発光効率を高めることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１の発明は、基板を提供し、
窒化ガリウム系半導体エピタキシャル層を該基板の上に形成し、該窒化ガリウム系半導体エピタキシャル層は、ｎ型窒化ガリウム系コンタクト層、発光層及びｐ型窒化ガリウム系コンタクト層を順に堆積して形成し、そのうち該発光層を光波を発射する光源となし、  デジタル透過層を該ｐ型窒化ガリウム系コンタクト層の上に形成し、そのうち、該デジタル透過層は、ｐ型オームコンタクトの機能を具備し且つ該発光層の発射する光波に対する良好な光透過率を具備するものとし、
ステップドライエッチングで該デジタル透過層、該ｐ型窒化ガリウム系コンタクト層、該発光層を順にエッチングし、並びに該発光層内でエッチングを止めて、ｎ型金属形成領域を形成し、
該デジタル透過層の上に第１オームコンタクト電極を形成してｐ型オームコンタクト層となし、
該ｎ型金属形成領域の上に第２オームコンタクト電極を形成してｎ型オームコンタクト層となし、
ボンディングパッドを該第１オームコンタクト電極と該第２オームコンタクト電極の上に形成し、
保護層でｐｎ接合の上を被覆し、
以上の工程を具えた窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法としている。
請求項２の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、デジタル透過層の形成方法を、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、気相エピタキシー（ＶＰＥ）、液相エピタキシー（ＬＰＥ）のいずれかとすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法としている。
請求項３の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、デジタル透過層を、厚さが１０Å〜９０Åの範囲で漸増する、及び、９０Å〜１０Åの範囲で漸減する二種類の材料を堆積して形成し、この二種類の材料はＡｌx Ｉｎy Ｇａ(1-x-y) Ｎz Ｐ(1-z) 及びＡｌp Ｉｎq Ｇａ(1-p-q) Ｎr Ｐ(1-r) であり、そのうち、０＜〔ｘ，ｙ，ｚ，ｐ，ｑ，ｒ〕＜１で、その導電性はｐ型、ｎ型或いはＩ型とすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法としている。
請求項４の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、発光層の発射する光波の波長範囲が３８０ｎｍ〜５６０ｎｍの時、デジタル透過層の該波長範囲の光波に対する透過率が８０％より大きいことを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法としている。
請求項５の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、第１オームコンタクト電極の材料をインジウム・スズ酸化物とすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法としている。
請求項６の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、第１オームコンタクト電極の厚さを１０００Å〜４０００Åとすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法としている。
請求項７の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、第１オームコンタクト電極と不導電の基板との間の距離を、第２オームコンタクト電極と不導電の基板との間の距離より大きくすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法としている。
請求項８の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、第２オームコンタクト電極に使用する材料を、チタン、アルミニウム、金、ニッケル、インジウム、錫、亜鉛、クロム、銅、タングステン、白金、パラジウム及びその合金或いはインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウム、酸化スズ、アルミニウム・亜鉛酸化物とすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法としている。
請求項９の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、ボンディングパッドの材料を、チタン、アルミニウム、金、クロム、ニッケル、パラジウムの組合せとすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法としている。
請求項１０の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、ドライエッチングで形成するｎ型金属形成領域の深さを１０００Å〜３０００Åとすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法としている。
請求項１１の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、保護層を絶縁性とすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法としている。
請求項１２の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、保護層を酸化アルミニウム、酸化けい素、窒化けい素、ポリイミド、パリレン（ｐａｒｙｌｅｎｅ）或いはベンゾシクロブテン（Ｂｅｎｚｏｓｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ；ＢＣＢ）のいずれかで形成することを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法としている。
請求項１３の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、ステップドライエッチングをシングルステップドライエッチングとし、該シングルステップドライエッチングにおいて、
デジタル透過層、ｐ型窒化ガリウム系層、発光層を順にエッチングし、
エッチングを該発光層内で止め、
ｎ型金属形成領域を該発光層内に形成する工程を具えたことを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法としている。
請求項１４の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、ステップドライエッチングをツーステップドライエッチングとし、該ツーステップドライエッチングにおいて、
デジタル透過層、ｐ型窒化ガリウム系層、発光層を順にエッチングし、
エッチングを該発光層内で止め、
該発光層と該ｎ型窒化ガリウム系層を順にエッチングし、溝をｎ型金属形成領域に形成し、
該溝のエッチングをｎ型窒化ガリウム系層において止め、該溝をｐｎ接合を隔離するのに用いることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法としている。
請求項１５の発明は、請求項１４記載の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法において、ステップドライエッチングで形成する溝の幅を０．２ｍｍとすることを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法としている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明はＩＴＯ層を利用してデジタル透過層の上に低抵抗で透明で導電性を具えたオームコンタクト層を形成する。ＩＴＯの可視光に対する透過性は良好で（＞９０％）、このため大幅に発光効率を高めることができる。並びにｎ型金属形成領域を発光層上に設け、操作電圧を下げる。このほか、ｐ／ｎ型金属形成領域間の距離が僅かに約０．２μｍの構造を、フリップチップ型式でパッケージすることによっても、発光効率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法によると、成長基板を提供し、窒化ガリウム系半導体エピタキシャル層を成長基板の上に形成し、該窒化ガリウム系半導体エピタキシャル層はｎ型窒化ガリウム系コンタクト層、発光層及びｐ型窒化ガリウム系コンタクト層、デジタル透過層を順に堆積してなるものとする。続いて、ドライエッチングでデジタル透過層、ｐ型窒化ガリウム系コンタクト層をエッチングし、並びに発光層で止め、発光層にあってｎ型金属形成領域を形成する。続いて、第１オームコンタクト電極をデジタル透過層の上に形成してｐ型オームコンタクトとなし、第２オームコンタクト電極を発光層の上に形成してｎ型オームコンタクトとなし、最後に第１オームコンタクト電極と第２オームコンタクト電極の上にボンディングパッドを形成する。
【実施例１】
【０００８】
図６に示されるように、先ず、基板１０を提供し、並びに有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、液相エピタキシー（ＬＰＥ）でこの基板１０の上にバッファ層２０を形成する。本発明の好ましい形成方法は、ＭＯＣＶＤであり、さらに上述したものと同じ方法で、バッファ層２０の上に順にｎ型窒化ガリウム系層３０、発光層４０、ｐ型窒化ガリウム系層５０、デジタル透過層１００を形成する。そのうち、デジタル透過層１００の横断面は図７のようである。図４中、デジタル透過層１００は、二種類の厚さが漸増（１０Å〜９０Å）／漸減（９０Å〜１０Å）する材料Ａｌx Ｉｎy Ｇａ(1-x-y) Ｎz Ｐ(1-z) ／Ａｌp Ｉｎq Ｇａ(1-p-q) Ｎr Ｐ(1-r) が堆積されてなり、そのうち、０＜〔ｘ，ｙ，ｚ，ｐ，ｑ，ｒ〕＜１である。該発光層４０の発射する光波の波長範囲が３８０ｎｍ〜５６０ｎｍの時、該デジタル透過層１００の該波長範囲の光波に対する透過率は８０％より大きい。
【０００９】
続いて、ステップエッチング中のシングルステップエッチングで、デジタル透過層１００、ｐ型窒化ガリウム系層５０、発光層４０を順にエッチングし並びに発光層４０で止め、ｎ型金属形成領域６０を形成する。本発明中、好ましいドライエッチング工程は、ＩＣＰ−ＲＩＥ（誘導結合プラズマ式反応性イオンエッチング）であり、図８に示される構造を形成する。
【００１０】
その後、図９に示されるように、電子銃気相蒸着法、スパッタ式気相蒸着法或いは熱抵抗式気相蒸着法を利用し、デジタル透過層１００の上にＩＴＯ層１１０を形成する。そのうち好ましい方法はスパッタ式気相蒸着法である。気相蒸着法によりデジタル透過層１００の上に形成するＩＴＯ層１１０の厚さの範囲は１００Å〜２００００Åであるが、そのうち、１０００Å〜４０００Åとするのが好ましい。
【００１１】
上述のようにデジタル透過層１００の上に形成したＩＴＯ層１１０はｐ型オームコンタクトされ且つ高い透光性を有し、即ち第１オームコンタクト電極とされ、大幅に装置の発光効率を増すことができる。その後、上述の各種の方法のいずれかで、ｎ型金属形成領域６０にｎ型オームコンタクト層、即ち第２オームコンタクト電極８０を形成する。ＩＣＰ−ＲＩＥ（誘導結合プラズマ式反応性イオンエッチング）で発光層領域までエッチングされることで、一方で欠陥が発生し、この欠陥が自由キャリアを吸収し、このために等価の表面濃度が低くなる。さらに表面の空乏領域の影響により、ｐ／ｎの間の領域中にＩｎＧａＮチャネルがあっても、そのなかにキャリアの存在がない。また一方で、このｎ型金属形成領域６０の上にＴｉ／Ａｌ等の材料をめっきすると、ＩｎＧａＮｇａＴｉ／Ａｌとオームコンタクトを形成し得て、且つそのコンタクト抵抗がｎ型窒化ガリウムとＴｉ／Ａｌのコンタクト抵抗より更に低く、更に欠陥の幇助があり、このため相当に低いオームコンタクトを形成できる。また、ドライエッチング深さは従来の窒化ガリウム系発光ダイオードより浅いため、側方向抵抗が小さく、これにより操作電圧を下げることができる。
【００１２】
本発明中の第２オームコンタクト電極８０を形成する好ましい方法は電子銃気相蒸着法であり、第２オームコンタクト電極８０に使用する材料は、チタン、アルミニウム、金、ニッケル、インジウム、錫、亜鉛、クロム、銅、タングステン、白金、パラジウム及びその合金或いはインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウム、酸化スズ、アルミニウム・亜鉛酸化物である。こうして図１０の構造を形成する。
【００１３】
最後に、上述の各種の方法のいずれかを利用し、ＩＴＯ層１１０と第２オームコンタクト電極８０の上にボンディングパッド９０を形成する。本発明では、電子銃気相蒸着法を使用するのが好ましく、ボンディングパッド９０に使用する材料は、チタン、アルミニウム、金、クロム、ニッケル、白金、或いはその組合せとされうる。こうして図１１に示される構造を形成する。
【００１４】
図１６はドライエッチング法で形成した本発明中の発光層４０上のｎ型金属形成領域６０の透過式電子走査画像（ＴＥＭ）である。
【００１５】
図１７は周知の窒化ガリウム系発光ダイオードと本発明の窒化ガリウム系発光ダイオードの電流−電圧特性曲線図である。図示されるように、周知のものも本発明のものも直径２”ウエハーに製作し、１００％試験を行なったところ、前者の２０ｍＡにおける順方向電圧平均値は３．１７で、歩留りは９７．９５％、後者の２０ｍＡにおける順方向電圧平均値は３．１２で、歩留りは９８．１７％、前者の−５Ｖにおけるリーク電流が１μＡより小さい歩留りは８７．６８％、後者の−５Ｖにおけるリーク電流が１μＡより小さい歩留りは９２．８１％であり、これにより本発明の発光ダイオードの特性は従来の窒化ガリウム系発光ダイオードの特性よりも優れていることが示された。
【実施例２】
【００１６】
図１２に示されるように、先ず、基板１０を提供し、並びに有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、液相エピタキシー（ＬＰＥ）でこの基板１０の上にバッファ層２０を形成する。本発明の好ましい形成方法は、ＭＯＣＶＤであり、さらに上述したものと同じ方法で、バッファ層２０の上に順にｎ型窒化ガリウム系層３０、発光層４０、ｐ型窒化ガリウム系層５０、デジタル透過層１００を形成する。
【００１７】
続いて、ステップエッチングのツーステップエッチングで下向きにエッチングする。第１ステップではデジタル透過層１００、ｐ型窒化ガリウム系層５０、発光層４０をエッチングして発光層４０で止め、ｎ型金属形成領域６０を形成し、第２ステップで下向きに一部のｎ型金属形成領域６０、発光層４０、ｎ型窒化ガリウム系層３０をエッチングし、溝６１を形成する。本発明中、好ましいドライエッチング法は、ＩＣＰ−ＲＩＥ（誘導結合プラズマ式反応性イオンエッチング）である。その後、電子銃気相蒸着法、スパッタ式気相蒸着法或いは熱抵抗式気相蒸着法を利用し、デジタル透過層１００の上にＩＴＯ層１１０、即ち第１オームコンタクト電極を形成する。本発明中、好ましい方法は、スパッタ式気相蒸着法である。このＩＴＯ層１１０の厚さの範囲は１００Å〜２００００Åであるが、そのうち、１０００Å〜４０００Åとするのが好ましい。
【００１８】
その後、上述の各種の方法のいずれかで、ｎ型金属形成領域６０にｎ型オームコンタクト層、即ち第２オームコンタクト電極８０を形成する。本発明の好ましい第２オームコンタクト電極８０形成方法は電子銃気相蒸着法であり、第２オームコンタクト電極８０に使用する材料は、チタン、アルミニウム、金、ニッケル、インジウム、錫、亜鉛、クロム、銅、タングステン、白金、パラジウム及びその合金或いはインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウム、酸化スズ、アルミニウム・亜鉛酸化物である。こうして図１４の構造を形成する。
【００１９】
最後に、上述の各種の方法のいずれかを利用し、ＩＴＯ層１１０と第２オームコンタクト電極８０の上に同時にボンディングパッド９０を形成する。本発明では、ボンディングパッド９０の形成に電子銃気相蒸着法を使用するのが好ましく、ボンディングパッド９０に使用する材料は、チタン、アルミニウム、金、クロム、ニッケル、白金、或いはその組合せとされうる。こうして図１５に示される構造を形成する。
以上の実施例は本発明の実施範囲を限定するものではなく、本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】周知の窒化ガリウム系発光ダイオードの構造表示図である。
【図２】図１の構造の製造方法表示図である。
【図３】図１の構造の製造方法表示図である。
【図４】図１の構造の製造方法表示図である。
【図５】図１の構造の製造方法表示図である。
【図６】本発明の実施例表示図である。
【図７】本発明のデジタル透過層の横断面図である。
【図８】本発明の実施例１の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法表示図である。
【図９】本発明の実施例１の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法表示図である。
【図１０】本発明の実施例１の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法表示図である。
【図１１】本発明の実施例１の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法表示図である。
【図１２】本発明の実施例２の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法表示図である。
【図１３】本発明の実施例２の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法表示図である。
【図１４】本発明の実施例２の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法表示図である。
【図１５】本発明の実施例２の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法表示図である。
【図１６】ドライエッチング法で形成した本発明中の発光層４０上のｎ型金属形成領域６０の透過式電子走査画像（ＴＥＭ）である。
【図１７】周知の窒化ガリウム系発光ダイオードと本発明の窒化ガリウム系発光ダイオードの電流−電圧特性曲線図である。
【符号の説明】
【００２１】
１  基板
２  バッファ層
３  ｎ型窒化ガリウム系層
４  発光層
５  ｐ型窒化ガリウム系層
６  ｎ型金属形成領域
７  第１オームコンタクト電極
８  第２オームコンタクト電極
９  ボンディングパッド
１０  基板
２０  バッファ層
３０  ｎ型窒化ガリウム系層
４０  発光層
５０  ｐ型窒化ガリウム系層
６０  ｎ型金属形成領域
８０  第２オームコンタクト電極
１１０  ＩＴＯ層
１００  デジタル透過層
６１  溝
９０  ボンディングパッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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