(57)【要約】      （修正有）【課題】エッチングファクターを向上させたエッチング方法およびそれを用いた回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】被エッチング材としての導電箔１１の表面にエッチングレジスト１０を塗布する工程と、エッチングレジスト１０を、露光マスク１４を用いて選択的に露光させることにより、エッチングレジストを選択的に変質させて、断面の下部が上部よりも大きい残存領域としての非露光領域１０Ａを形成する工程と、溶液を用いて残存領域を除いたエッチングレジスト１０を除去する工程と、残存領域をマスクとして導電箔をエッチングする工程とを有する。【選択図】図２
2005077955.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被エッチング材の表面にエッチングレジストを形成する工程と、
前記エッチングレジストを、露光マスクを用いて選択的に露光させることにより、前記エッチングレジストを選択的に変質させて、断面の下部が上部よりも大きい残存領域を形成する工程と、
溶液を用いて前記残存領域を除いた前記エッチングレジストを除去する工程と、
前記残存領域をマスクとして前記被エッチング材をエッチングする工程と、
を有することを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
前記エッチングレジストはネガ型レジストであり、当該ネガ型レジストの前記残存領域に対応する領域に光線を照射させることで、前記ネガ型レジストを透過して前記被エッチング材の表面にて反射した前記光線により、前記残存領域の断面の下部が、その上部よりも大きくなることを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
【請求項３】
前記エッチングレジストはポジ型レジストであり、当該ポジ型レジストの除去領域に光線を照射させ、前記除去領域の周辺部に照射される前記光線が前記エッチングレジストの途中で減衰することで、前記残存領域の断面の下部が、その上部よりも大きくなることを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
【請求項４】
導電箔を用意する工程と、
前記導電箔の表面にエッチングレジストを形成する工程と、
前記エッチングレジストを、露光マスクを用いて選択的に露光させることにより、前記エッチングレジストを選択的に変質させて、断面の下部が上部よりも大きい残存領域を形成する工程と、
溶液を用いて前記残存領域を除いた前記エッチングレジストを除去する工程と、
前記残存領域をマスクとして前記導電箔をエッチングして導電パターンを形成する工程と、
前記導電パターン上に回路素子を配置する工程と、
前記回路素子が被覆されるように封止樹脂を形成する工程と、
を有することを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項５】
前記エッチングにより、前記導電箔よりも浅い分離溝を前記導電パターン同士の間に形成し、
前記封止樹脂を形成する工程では前記分離溝に前記封止樹脂を充填し、
更に、前記分離溝に充填された前記封止樹脂が露出するまで前記導電箔の裏面を除去する工程を有することを特徴とする請求項４記載の回路装置の製造方法。
【請求項６】
前記エッチングレジストはネガ型レジストであり、当該ネガ型レジストの前記残存領域に対応する領域に光線を照射させることで、前記ネガ型レジストを透過して前記被エッチング材の表面にて反射した前記光線により、前記残存領域の断面の下部が、その上部よりも大きくなることを特徴とする請求項４記載の回路装置の製造方法。
【請求項７】
前記エッチングレジストはポジ型レジストであり、当該ポジ型レジストの除去領域に光線を照射させ、前記除去領域の周辺部に照射される前記光線が前記エッチングレジストの途中で減衰することで、前記残存領域の断面の下部が、その上部よりも大きくなることを特徴とする請求項４記載の回路装置の製造方法。
【請求項８】
前記導電箔は、絶縁層を介して積層された複数層の導電箔を含み、複数層の前記導電パターンが形成されることを特徴とする請求項４記載の回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はエッチング方法およびそれを用いた回路装置の製造方法に関し、特に、エッチングファクターを向上させたエッチング方法およびそれを用いた回路装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１１を参照して、従来のエッチング方法を説明する（特許文献１を参照）。
【０００３】
図１１（Ａ）を参照して、基板１０２の表面には導電箔１０１が平面的に形成されている。そして、導電箔１０１の表面を覆うようにエッチング用のレジスト１００が塗布されている。
【０００４】
図１１（Ｂ）を参照して、露光マスク（図示せず）を介して、レジスト１００を選択的に露光させる。ここでは、レジスト１００はネガ型レジストであり、導電パターンとして残存する予定の領域に対応するレジスト１００に、選択的に光線１０３が照射される。
【０００５】
図１１（Ｃ）を参照して、薬剤を用いて溶融させることにより、先の工程で光線が１０３が照射された箇所以外の領域のレジスト１００を選択的に剥離させる。そして、図１１（Ｄ）を参照して、残存したレジスト１００をマスクとして、エッチングを行う。この結果、導電箔１０１を選択的に除去して導電パターン１０３が形成される。ここでは、エッチングが略等方性で進行するウェットエッチングが採用されるので、導電パターン１０３の断面は、テーパー形状になっている。
【０００６】
図１１（Ｅ）を参照して、エッチングファクターに関して説明する。ここで、導電パターン１０３の側面が最も内側に浸食される箇所と、レジストの上側端部との距離をａ１と仮定する。更に、導電箔１０１が縦方向に浸食される深さ（即ちここでは導電パターン１０３の厚み）を、ｔと仮定する。この条件下では、エッチングファクターＥｆは、〔Ｅｆ＝ｔ／ａ１〕で表現される。即ち、このエッチングファクターの値が大きければ、被エッチング材のサイドエッチ量が小さく、微細加工の可能性が高いことを示している。また、このようなエッチング方法は、プリント基板や回路装置等の製造方法に応用される。
【特許文献１】特開平６−１１８６６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述したエッチング方法では、エッチングファクターの値が小さく成る問題があった。即ち、エッチングによるサイド方向への浸食が大きく、従って、導電パターンの断面が裾広がりの形状に成ってしまう。このことが、導電パターンの微細化を阻害していた。更に、このことが、導電パターンの断面を小さくしてしまい、所望の電流容量を確保出来ない恐れもあった。
【０００８】
本発明は上述した問題点を鑑みて成されたものであり、本発明の主な目的は、エッチングファクターを向上させたエッチング方法およびそれを用いた回路装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のエッチング方法は、被エッチング材の表面にエッチングレジストを形成する工程と、前記エッチングレジストを、露光マスクを用いて選択的に露光させることにより、前記エッチングレジストを選択的に変質させて、断面の下部が上部よりも大きい残存領域を形成する工程と、溶液を用いて前記残存領域を除いた前記エッチングレジストを除去する工程と、前記残存領域をマスクとして前記被エッチング材をエッチングする工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の回路装置の製造方法は、導電箔を用意する工程と、前記導電箔の表面にエッチングレジストを形成する工程と、前記エッチングレジストを、露光マスクを用いて選択的に露光させることにより、前記エッチングレジストを選択的に変質させて、断面の下部が上部よりも大きい残存領域を形成する工程と、溶液を用いて前記残存領域を除いた前記エッチングレジストを除去する工程と、前記残存領域をマスクとして前記導電箔をエッチングして導電パターンを形成する工程と、前記導電パターン上に回路素子を配置する工程と、前記回路素子が被覆されるように封止樹脂を形成する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、裾広がりの断面形状を有すレジストを形成して、このレジストをエッチングマスクとして、非エッチング材のウェットエッチングを行うことにより、エッチングファクターの改善を行うことができる。従って、エッチングにより形成される導電パターンの微細化を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
〈エッチング方法を説明する第1の実施の形態〉
先ず、図１のフローチャートを参照して、本発明のエッチング方法の概要を説明する。
【００１３】
先ず、ステップＳ１では、エッチングされる材料（被エッチング材）の受け入れを行う。ここで受け入れる材料としては、金属から成る導電箔、絶縁層を介して導電箔が積層された積層シート、表面に導電箔が貼り付けられた基板、等が採用される。そして、ステップＳ２では、前処理として、被エッチング材の表面に付着した埃や油脂成分を除去する。
【００１４】
ステップＳ３では、被エッチング材の表面にレジストを形成する。このレジストの形成は、液状のレジストの塗布、またはシート状のレジスト（ＤＦＲ）のラミネートにより行うことができる。ここで使用するレジストは、ネガ型レジスト、または、ポジ型レジストの何れかである。ステップＳ４では、塗布されたレジストの選択的な露光を行う。そしてステップＳ５では、エッチャントを用いて、レジストの選択的なエッチングを行い、その後に、ステップＳ６ではレジストの硬化を行う。ここで、レジストの硬化を行うステップＳ６を省いて本願を構成することも可能である。
【００１５】
ステップＳ７では、エッチング液を用いて、残存したレジストをエッチングマスクとして用いた被エッチング材のエッチングを行う。そして、ステップＳ８では溶液を用いたレジストの剥離を行い、ステップＳ９では被エッチング材の水洗乾燥を行い、エッチングの工程が終了する。ここで、ステップＳ９の工程は、ステップＳ８に取り込んで同時に行うことも可能である。
【００１６】
同図フローチャートの右側に示すものは、上述したステップＳ５で用いる露光マスクの製造工程を示すフローチャートである。ステップＳ１０では、ユーザーの仕様や図面を入手して、電気回路の設計を行う。ステップＳ１１では、ＣＡＤ（Computer Aided Design）等を用いて、電気回路に基づいた導電パターンの設計を行う。ステップＳ１２では、描画装置を用いて導電パターンを描画し、更に、ステップＳ１３では、導電パターンに対応する領域、または、導電パターンを除いて領域が透過するように、露光マスクを形成する。
【００１７】
以上が本発明のエッチング工程の概略である。次に、図２から図４を参照して、エッチングレジストをパターンニングする工程（ステップＳ５〜ステップＳ６）の詳細を説明する。先ず図２および図３を参照して、エッチングレジストを露光させる工程を説明する。
【００１８】
図２を参照して、ネガ型レジストであるレジスト１０の露光を行う方法を説明する。ネガ型レジストとは、元々アルカリ溶液に溶ける材料から成り、光線を照射された部分が不溶性に成る性質を有する。
【００１９】
図２（Ａ）を参照して、基板１２の表面には、被エッチング材としての導電箔１１が形成され、導電箔１１の表面にはレジスト１０が塗布されている。ここでは、ネガ型レジストがレジスト１０として採用される。
【００２０】
図２（Ｂ）を参照して、露光マスク１４を用いて、レジスト１０を選択的に露光させる。具体的には、導電パターンとして残存する領域に対応するレジスト１０を露光させて、他の領域は遮光する。即ち、レジスト１０の露光領域１０Ｂは残存し、非露光領域１０Ａは現像の工程で除去される。非露光領域１０Ａの具体的な除去方法は、先ず、現像液にレジスト１０を浸すことにより、非露光領域１０Ａを膨潤させる。そして、水圧を用いて、膨潤した非露光領域１０Ａを除去する。
【００２１】
露光マスク１４は、基材となるガラスと、このガラスの下面に形成された露光パターン１５とを有する。ここで、基材として樹脂等から成るフィルム状のシートを採用しても良い。即ち、選択的に剥離される領域に対応するように露光パターン１５が形成され、この領域を遮光する。従って、このような構成の露光マスク１４を、レジスト１０の上方に介在させて上方から光線１３を照射することで、導電パターンとなる領域のレジスト１０のみに、選択的に光線１３を照射させることができる。ここで、露光パターン同士が離間する距離をＬ１とする。
【００２２】
図２（Ｃ）は、図２（Ｂ）の拡大図であり、露光領域１０Ｂの具体的な断面形状を示している。レジスト１０の露光領域１０Ｂに照射された光線１３は、その一部分は、レジスト１０を透過して導電箔１１の表面に到達する。そして、光線１３は、導電箔１１の表面により反射される。特に、露光領域１０Ｂの周辺部である領域Ａ１では、周辺部から外側に向かうように、斜め上方に光線１３が反射される。反射した光線１３の成分により、領域Ａ１も露光される。従って、露光領域１０Ｂの断面は、その下部が上部よりも大きい裾広がりの断面を有する。換言すると、露光領域１０Ｂの断面では、下底の長さが上底よりも長い形状に成っている。
【００２３】
領域Ａ１を露光させる具体的な方法としては、レジスト１０を通過する成分を多くするために光線１３の強度を強くする方法がある。この方法により、より多くの光線１３の成分がレジスト１０を透過し、導電箔１１の表面にて反射されて、領域Ａ１を露光させることができる。また、光線１３に対して大きな透過性を有する材料をレジスト１０として採用することにより、同様の効果を奏することができる。
【００２４】
次に、図３を参照して、ポジ型レジストをレジスト１０として採用した場合の、露光方法の詳細を説明する。ここでポジ型レジストとは、もともと現像液に対して溶けない性質を有し、露光した領域が変質して現像液に溶けるようになるものである。
【００２５】
図３（Ａ）を参照して、基板１２の表面に形成された導電箔１１の表面には、ポジ型のレジスト１０が塗布されている。
【００２６】
図３（Ｂ）を参照して、露光マスク１４を用いてレジスト１０の露光を行う。上述した図２（Ｂ）およびその説明では、残存予定のレジスト１０の領域を露光させたが、ここでは、除去される領域のレジスト１０を露光させる。即ち、導電パターンが形成されない領域のレジスト１０を露光して変質させる。従って、露光マスク１４では、形成予定の導電パターンに即した形状の遮光性の露光パターン１５が形成されている。
【００２７】
図３（Ｃ）を参照して、非露光領域１０Ａの詳細を説明する。ここでは、光線１３が照射されない非露光領域１０Ａが、エッチングマスクとして残存する。従って、部分的に除去される領域のレジスト１０（露光領域１０Ｂ）に、光線１３が照射される。露光領域１０Ｂに光線１３が照射されるが、露光領域１０Ｂの周辺部では、光線１３がレジスト１０の下部まで到達しない現象が発生する。即ち、露光領域１０Ｂの周辺部の下方は露光されず、変質しない。従って、非露光領域１０Ａの断面形状は、図２（Ｃ）にて示した露光領域１０Ｂと同様に成る。即ち、非露光領域１０Ａの断面形状は、その下部が上部よりも大きい略矩形の形状となる。
【００２８】
具体的に、領域Ａ１を露光させない方法としては、光線１３の照射量を少なくする方法がある。このことにより、特に露光領域１０Ｂの周辺部では光線１３の照射が少なくなり、領域Ａ１に到達する光線１３の量を少なくすることができる。また、他の方法としては、レジスト１０の遮光性を大きくする方法があり、この方法でも、上述した効果を奏することができる。また、露光時間を短くすることでも上記効果を奏することができる。
【００２９】
上記説明では主に現像条件により、裾引きの断面形状を有するレジストを形成する方法を説明したが、他のエッチング条件を変化させることでも、裾引きの断面形状を有するレジストを形成することができる。この他の方法としては、現像液の濃度を変化させる第1の方法と、現像液の種類を変化させる第２の方法とが考えられる。
【００３０】
現像液の濃度を変化させる第1の方法としては、具体的に、レジスト１０の現像に使用する現像液の濃度を通常よりも濃くする方法である。通常の現像液は、純水に炭酸ナトリウム（NaCO3）を１％の割合で溶かした溶液、または、純水に有機アミンを１％の割合で溶かした溶液である。この濃度を濃くすることにより、レジスト１０の融解または膨潤を急激に行うことができるので、このことが残存するレジスト１０の断面形状を裾広がりの断面形状にすることができる。
【００３１】
現像液の種類を変化させる第２の方法としては、炭酸ナトリウムよりも有機アミン系の溶液を用いる方法である。有機アミン系の水溶液は、炭酸ナトリウムの水溶液よりもアタックが強いので、このことにより、レジスト１０の断面形状を裾広がりの断面形状にすることができる。
【００３２】
図４を参照して、現像工程以降の詳細を説明する。
【００３３】
図４（Ａ）を参照して、現像を行うことにより、レジスト１０のパターンニングを行う。具体的には、図２に示した工程、または、図３に示した工程により露光されたレジスト１０を現像することにより、形成予定の導電パターンに対応した領域のレジスト１０を残存させて、他の領域のレジスト１０を除去する。これは、アルカリ性の溶液に、レジスト１０を浸漬させることで行うことができる。従って、図２（Ｂ）に示すレジスト１０では露光領域１０Ｂが残存し、図３（Ｂ）に示すレジスト１０では非露光領域１０Ａが残存する。
【００３４】
図４（Ｂ）を参照して、次に、残存したレジスト１０をエッチングマスクとして用いて、導電箔１１のエッチングを行うことによりパターン１６を形成する。ここでは、等方性で進行するウェットエッチングにより、パターン１６の形成を行う。従って、各パターン１６は電気的に分離される。
【００３５】
図４（Ｃ）を参照して、上記工程で形成されたパターンの断面形状を説明する。ウェットエッチングにより形成されるパターン１６の側面はテーパー構造と成っている。即ち、上底よりも下底の方が長い矩形形状の断面をパターン１６は有する。ここで、レジスト１０の上部端部と、パターン１６の上部端部との距離をａ２とする。そして、パターン１６の下端から上端までの距離（厚み）をｔとする。そうすると、エッチングファクターＥｆは〔Ｅｆ＝ｔ／ａ２〕で表現される。
【００３６】
ここで、レジスト１０の断面を観察すると、その下部には裾広がりの領域Ａ１が形成されている。即ち図１１（Ｅ）の従来例と比較すると、レジスト１０の下側端部は、裾広がりの領域Ａ１の幅ｄだけ外部に張り出している。従って、レジスト上側端部と、パターン１６上側端部との距離ａ２は、領域Ａ１の幅ｄだけその距離が短くなる。従って、ここでのエッチングファクターＥｆは、ｄの幅に対応した数値の増加が得られる。即ち、等方性のエッチングにより、パターン１６の側部は、従来例と同程度にテーパー形状に成るが、領域Ａ１の張り出しにより、レジスト１０の上側端部と、パターン１０の上側端部との相対的な横方向の距離を、接近させることができる。このことがエッチングファクターの向上に寄与し、従って、微細化を向上させることができる。
【００３７】
更に、通常の微細化の向上は、露光パターン１４の露光マスク１５の微細化を行うことにより行われる。具体的には、レジスト１０がネガ型のものである場合は、露光パターンの幅Ｌ２を狭くすることにより、この微細化は達成される。従って、この方法による微細化の推進は、露光パターン１６の描画装置の改善を行うために多額のコストを要する。上記した本発明の方法は、このような多額のコストを不要にして、微細化を推進することができる。即ち、露光パターン１５の幅を変えずとも、レジスト１０の下部に領域Ａ１を形成することにより、パターン１１６同士の間隔を狭くすることができる。更に、パターン１６の断面積を大きくすることができるので、電流容量を確保することもできる。
〈回路装置の製造方法を説明する第２の実施の形態〉
次に、図５を参照して、上述したエッチングの方法を用いて製造される回路装置を数種紹介する。図５を参照して、本発明に係る回路装置２０の構成を説明する。図５（Ａ）から図５（Ｃ）は各形態の回路装置の断面図である。
【００３８】
図５（Ａ）を参照して、本発明の回路装置２０Ａは、導電パターン２１と、導電パターン２１に半田を介して固着された回路素子２２と、導電パターン２１と外部とを電気的に接続する接続手段としての外部電極２７とを有する構成となっている。
【００３９】
導電パターン２１は、銅等の金属から成り、その裏面を露出させて封止樹脂２８に埋め込まれている。また、各導電パターン２１は分離溝２９により電気的に分離され、その分離溝２９には封止樹脂２８が充填されている。また、導電パターン２１の側面は湾曲状になっており、この形状により導電パターン２１と封止樹脂２８との結合は向上されている。
【００４０】
分離溝２９は、各導電パターン２１を電気的に分離する機能を有する。また、この分離溝は、上述したエッチング方法により形成されるので、その深さ方向の長さに対して、幅を狭くすることが出来る。即ち、導電パターン２１同士の間隔を狭くできる。更に、導電パターン２１の幅を広くしてその断面積を大きくすることができるので、電流容量の増大を図ることができる。
【００４１】
回路素子２２は、ここでは、半導体素子２２Ａおよびチップ素子２２Ｂから成っている。また、ＬＳＩチップ、ベアのトランジスタチップ、ダイオード等の能動素子を回路素子として採用することができる。更にまた、チップ抵抗やチップコンデンサ等の受動素子を回路素子として採用することもできる。具体的な実装構造としては、半導体素子２２Ａは、その裏面が導電パターン２１より成るパッドに固着されている。そして、半導体素子２２Ａの表面の電極と導電パターン２１とは、金属細線２５を介して電気的に接続されている。チップ素子２２Ｂは、その両端の電極が、半田を介して導電パターン２１に固着されている。
【００４２】
封止樹脂２８は、インジェクションモールドにより形成される熱可塑性樹脂、または、トランスファーモールドより形成される熱硬化性樹脂からなる。そして、封止樹脂２８は全体を封止する働きを有すると同時に、全体を機械的に支持する機能も有する。外部電極２７は、導電パターン２１の裏面の所定の箇所に形成されている。
【００４３】
図５（Ｂ）を参照して、同図に示す回路装置２０Ｂの基本的な構成は、上述した回路装置２０Ａと同様であり、相違点は支持基板３１を有している点にある。
【００４４】
支持基板３１としては、放熱性に優れ、機械的強度が良いものが採用される。ここでは、金属基板、プリント基板、フレキシブル基板、複合基板等を採用することができる。また、金属等の導電性の材料から成る基板を採用する場合は、その表面に絶縁層を設けて導電パターン２１との絶縁を行う。
【００４５】
第１の導電パターン２１Ａおよび第２の導電パターン２１Ｂは、支持基板３１の表面および裏面に形成される。そして、支持基板３１を貫通して、第１の導電パターン２１Ａと第２の導電パターン２１Ｂとは電気的に接続されている。また、第２の導電パターン２１Ｂに外部電極２７が形成される。ここでも、第１および第２の導電パターン２１Ａ、２１Ｂは、上述したエッチング方法により形成されるので、パターン間の幅を狭くすることが可能になり、微細化を促進させることができる。
【００４６】
図５（Ｃ）を参照して、回路装置２０Ｃでは、導電パターン２１は多層の配線構造を有する。具体的には、第１の導電パターン２１Ａと、第２の導電パターン２１Ｂとからなる２層の導電パターンが、樹脂から成る絶縁層３２を介して積層されている。ここで、更に３層以上の配線構造が構成されても良い。そして、絶縁層３２を貫通して、第１の導電パターン２１Ａと第２の導電パターン２１Ｂとは電気的に接続されている。ここでも、第１および第２の導電パターン２１Ａ、２１Ｂは、上述したエッチング方法により形成されるので、パターン間の幅を狭くすることが可能になり、微細化を促進させることができる
次に、図６以降を参照して、図５にて説明した構成の回路装置の製造方法を説明する。先ず、図６から図７を参照して、図５（Ａ）に示す構成の回路装置２０Ａの製造方法を説明する。
【００４７】
最初に、図６（Ａ）を参照して、銅等の金属から成る導電箔３０を用意する。そして、図６（Ｂ）に示すように、導電パターンとなる箇所を除いて、エッチングレジストＰＲを形成する。ウエットエッチング等の除去方法により、エッチングレジストＰＲから露出する導電箔３０の表面を除去することにより、分離溝２９を形成する。分離溝２９の形成により、各導電パターン２１は凸状に形成されている。ここで、レジストＰＲは、上述した裾広がりの断面形状を有するので、エッチングファクターを向上させることができる。
【００４８】
図６（Ｃ）を参照して、半田を介して、半導体素子２２Ａおよびチップ素子２２Ｂを、所望の導電パターン２１に固着する。また、半導体素子２２Ａの表面の電極と導電パターン２１とは、金属細線２５を介して電気的に接続される。
【００４９】
次に、図７（Ａ）を参照して、分離溝２９に充填され、回路素子が被覆されるように、封止樹脂２８を形成する。この封止樹脂２８の形成は、熱硬化性樹脂を用いたトランスファーモールド、または、熱可塑性樹脂を用いたインジェクションモールドで行うことができる。
【００５０】
次に、図７（Ｂ）を参照して、導電箔３０を裏面から全面的に除去することにより、分離溝２９に充填された封止樹脂２８を裏面に露出させ、各導電パターン２１を電気的に分離する。そして、レジスト２６の形成、および、外部電極２７の形成を行うことにより、図７（Ｃ）に示すような回路装置２０が完成する。
【００５１】
次に、図８から図１０を参照して、図５（Ｃ）に示す回路装置２０Ｃの製造方法を説明する。先ず、図８（Ａ）を参照して、第１の導電箔３３および第２の導電箔３４が積層された積層シートを用意する。
【００５２】
次に、図８（Ｂ）を参照して、第１の導電箔を選択的に除去することにより、貫通孔３５を形成する。これは、レジスト１０を用いたウェットエッチングにより行うことができる。ここで用いるレジスト１０は、上述したエッチング方法により形成され、裾広がりの断面形状を有する。従って、より微細な貫通孔３５を形成することが可能となり、貫通孔３５が占める面積をより小さくすることができる。従って、他の領域を導電パターンの形成領域として用いることができ、配線の密度を向上させることができる。
【００５３】
続いて、図８（Ｃ）を参照して、貫通孔３５の下方の部分の絶縁層２２を除去することにより、貫通孔３５を第２の導電箔３４の表面まで到達させる。この絶縁層２２の除去は、炭酸ガスレーザーを用いて行うことが出来る。その後に、レジスト１０を剥離させることにより、図８（Ｄ）に示すような断面構造を得る。そして、図９（Ａ）を参照して、銅等の金属から成るメッキ膜を構成することにより、接続部３６を貫通孔３５に形成して、第1の導電箔３３と第２の導電箔３４とを電気的に接続する。
【００５４】
続いて、図９（Ｂ）を参照して、第1の導電箔３３および第２の導電箔３４をエッチングする為に、エッチングレジスト１０を、両導電箔の表面に選択的に形成する。このレジスト１０の形成は、第1の実施の形態にて説明した方法にて形成されるため、裾広がりの断面形状を有する。
【００５５】
続いて、図９（Ｃ）を参照して、ウェットエッチングにより、第1の導電パターン２１Ａおよび第２の導電パターン２１Ｂを形成する。上述したように、レジスト１０は裾広がりの断面形状を有するために、微細化された導電パターンを形成することができる。そして、レジスト１０を除去することにより、図９（Ｄ）に示すような断面形状を得る。
【００５６】
次に、図１０（Ａ）を参照して、半導体素子２２Ａおよびチップ素子２２Ｂを、第１の導電パターン２１Ａに固着する。そして、図１０（Ｂ）を参照して、半導体素子２２Ａおよびチップ素子２２Ｂが被覆されるように封止樹脂２８を形成する。そして、裏面の処理を施すことにより、図５（Ｃ）に示すような回路装置が完成する。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明のエッチング方法を示すフローチャートである。
【図２】本発明のエッチング方法を示す断面図（Ａ）−（Ｃ）である。
【図３】本発明のエッチング方法を示す断面図（Ａ）−（Ｃ）である。
【図４】本発明のエッチング方法を示す断面図（Ａ）−（Ｃ）である。
【図５】本発明の回路装置の製造方法を示す断面図（Ａ）−（Ｃ）である。
【図６】本発明の回路装置の製造方法を示す断面図（Ａ）−（Ｃ）である。
【図７】本発明の回路装置の製造方法を示す断面図（Ａ）−（Ｃ）である。
【図８】本発明の回路装置の製造方法を示す断面図（Ａ）−（Ｄ）である。
【図９】本発明の回路装置の製造方法を示す断面図（Ａ）−（Ｄ）である。
【図１０】本発明の回路装置の製造方法を示す断面図（Ａ）−（Ｂ）である。
【図１１】従来のエッチング方法を示す断面図（Ａ）−（Ｅ）である。
【符号の説明】
【００５８】
１０            レジスト
１０Ａ          非露光領域
１０Ｂ          露光領域
１１            導電箔
１２            基板
１３            光線
１４            露光マスク
１５            露光パターン
１６            導電パターン
【図１】
2005077955.tif 000003
【図２】
2005077955.tif 000004
【図３】
2005077955.tif 000005
【図４】
2005077955.tif 000006
【図５】
2005077955.tif 000007
【図６】
2005077955.tif 000008
【図７】
2005077955.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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