(57)【要約】【課題】  表面の凹凸が小さい絶縁層を形成することができ、絶縁層の表面を研磨する工数が不要になると共に、絶縁層の上に精度高く回路を形成することができる多層回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】  絶縁性基材１又は後記絶縁層７の表面にめっき下地層２を形成する工程、回路部３と非回路部４との境界に沿って電磁波を照射して回路部３と非回路部４との境界のめっき下地層２を除去する工程、回路部３のめっき下地層２と非回路部４に残存するめっき下地層２にそれぞれめっきを施してめっき層５を形成することによって、回路部３にめっき下地層２とめっき層５からなる回路１１を形成する工程、回路部３及び非回路部４のめっき層５の上から絶縁性材料６を付着させて絶縁層７を形成する工程、これらの各工程からなる。【選択図】  図１
2005158973.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材又は後記絶縁層の表面にめっき下地層を形成する工程と、回路部と非回路部との境界に沿って電磁波を照射して回路部と非回路部との境界のめっき下地層を除去する工程と、回路部のめっき下地層と非回路部に残存するめっき下地層にそれぞれめっきを施してめっき層を形成することによって、回路部にめっき下地層とめっき層からなる回路を形成する工程と、回路部及び非回路部のめっき層の上から絶縁性材料を付着させて絶縁層を形成する工程とを有することを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項２】
絶縁層を形成する部分を囲む突起部を絶縁性基材に形成すると共に突起部の頂部で開口する吸引孔を形成し、突起部の内側に液状の絶縁性材料を充填すると共に突起部の高さを超えた絶縁性材料を吸引孔を通して吸引除去することによって、突起部の高さの厚みで絶縁層を形成することを特徴とする請求項１に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項３】
絶縁性基材としてその表面に突起を設けたものを用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項４】
絶縁性材料として液状のものを用い、絶縁性材料を絶縁性基材に付着させた後に絶縁性基材を超音波振動させ、この後に絶縁性材料を硬化させて絶縁層を形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項５】
上記請求項１乃至４のいずれかの方法で製造されたものであることを特徴とする多層回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として立体形状を有する多層回路基板の製造方法及びこの方法で製造された多層回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
多層回路基板を製造するにあたって、絶縁性基材の表面に薄いめっき下地層を形成し、回路部と非回路部との境界に沿って電磁波を照射してこの部分のめっき下地層を除去した後に、回路部のめっき下地層に電気めっきを施してめっき層を形成することによって、めっき下地層とめっき層からなる回路を形成するようにした方法が従来から提供されている（例えば、特許文献１等参照）
図６〜図８はこの方法の一例を示すものであり、まず図６（ａ）のように絶縁性基材１の表面に薄いめっき下地層２を形成し、絶縁性基材１に回路１１を形成する部分である回路部３と回路部３以外の非回路部４との境界に沿ってレーザ等の電磁波Ｌを照射することによって、図６（ｂ）のように回路部３と非回路部４との境界のめっき下地層２を除去する。次に、回路部３のめっき下地層２に通電して電気めっきを施すことによって、図６（ｃ）のように回路部３のめっき下地層２の上にめっき層５を形成する。このとき、非回路部４は回路部３と絶縁されており、非回路部４のめっき下地層２には通電されていないので、非回路部４のめっき下地層２にはめっき層５は形成されない。次にエッチングを行なうことによって、図６（ｄ）のように非回路部４に残存する薄いめっき下地層２を除去する。回路部３のめっき層５もエッチングの作用を受けるが、めっき層５は厚みが厚いので、めっき層５がなくなることはない。このようにして、回路部３にめっき下地層２とめっき層５からなる回路１１を形成することができるものである。
【０００３】
上記のようにして一層目の回路１１を形成することができるものであり、この上に二層目の回路１１を形成するにあたっては、まず図７（ａ）のように液状樹脂などからなる絶縁性材料６をノズル１５から滴下し、スピンコート等して絶縁性材料６を延ばすと共に硬化させることによって、回路部３の回路１１及び非回路部４を覆う絶縁層７を図７（ｂ）のように形成する。このとき、回路部３には厚みの厚い回路１１が存在し、非回路部４には回路１１が存在しないので、回路部３に形成される絶縁層７と非回路部４に形成される絶縁層７の間に高さの差が生じ、図７（ｂ）にみられるように絶縁層７の表面に大きな凹凸が生じることになる。そして、このように絶縁層７に大きな凹凸が生じると、絶縁層７の上に回路１１を精度高く形成することが困難になるという問題や、実装部品を実装する際の実装不良が発生し易くなるという問題が起こることになる。
【０００４】
そこで、絶縁層７を形成した後、図７（ｃ）のように研磨装置１６で絶縁層７の表面を研磨することによって、図７（ｄ）のように絶縁層７の表面を平坦化し、この上に回路１１を形成するようにしている。すなわち、表面を平坦化した絶縁層７に一層目の回路１１の位置においてビアホール１７を加工した後、絶縁層７の上にビアホール１７の内周も含めてめっき下地層２を図８（ａ）のように形成する。そして後は上記と同様に、回路部３と非回路部４との境界に沿ってレーザ等の電磁波Ｌを照射して図８（ｂ）のように回路部３と非回路部４との境界のめっき下地層２を除去し、回路部３のめっき下地層２の上に電気めっきしてめっき層５を形成した後にエッチングして非回路部４のめっき下地層２を除去することによって、図８（ｃ）のように絶縁層７の上に一層目の回路１１とビアホール１７を通して導通接続された二層目の回路１１を形成することができるものである。さらに回路１１を多層に形成する場合には、図８（ｄ）のように二層目の回路１１の上に絶縁層７を形成し、絶縁層７の上に上記と同様にして回路１１を形成することによって行なうことができる。回路１１の上に形成される絶縁層７には図７（ｂ）の場合と同様に凹凸が生じるので、図７（ｃ）と同様な研磨の工程が必要となる。
【特許文献１】特開平７−６６５３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このように、絶縁層７を介して回路１１を形成することによって、多層の回路１１を設けた多層回路基板を形成することができるが、上記のように、回路部３及び非回路部４を覆うように絶縁層７を形成するにあたって、厚い回路１１が存在する回路部３と回路１１が存在しない非回路部４との間で絶縁層７の表面に大きな凹凸が生じるので、絶縁層７の表面を研磨して凹凸を平坦にするための工程が必要となり、工数が増加するという問題があった。特に表面が三次元形状を有する立体回路基板の場合には、研磨を行なうこと自体ができず、この結果、凹凸の大きい絶縁層７に形成する回路１１の精度に問題を有するものであった。
【０００６】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、表面の凹凸が小さい絶縁層を形成することができ、絶縁層の表面を研磨する工数が不要になると共に、絶縁層の上に精度高く回路を形成することができる多層回路基板の製造方法及び多層回路基板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の請求項１に係る多層回路基板の製造方法は、絶縁性基材１又は後記絶縁層７の表面にめっき下地層２を形成する工程と、回路部３と非回路部４との境界に沿って電磁波を照射して回路部３と非回路部４との境界のめっき下地層２を除去する工程と、回路部３のめっき下地層２と非回路部４に残存するめっき下地層２にそれぞれめっきを施してめっき層５を形成することによって、回路部３にめっき下地層２とめっき層５からなる回路１１を形成する工程と、回路部３及び非回路部４のめっき層５の上から絶縁性材料６を付着させて絶縁層７を形成する工程とを有することを特徴とするものである。
【０００８】
この発明によれば、回路部３には所定厚みで回路１１を形成することができると共に、非回路部４には同じ厚みでめっき下地層２とめっき層５からなる層を形成することができ、回路部３に形成される絶縁層７と非回路部４に形成される層の間で高さの差がなくなって、絶縁層７の凹凸を小さくすることができるものであり、絶縁層７の表面を研磨して平坦化する工数が不要になると共に、凹凸の小さい絶縁層７の上に精度高く回路１１を形成することができるものである。
【０００９】
また請求項２の発明は、請求項１において、絶縁層７を形成する部分を囲む突起部８を絶縁性基材１に形成すると共に突起部８の頂部で開口する吸引孔９を形成し、突起部８の内側に液状の絶縁性材料６を充填すると共に突起部８の高さを超えた絶縁性材料６を吸引孔９を通して吸引除去することによって、突起部８の高さの厚みで絶縁層７を形成することを特徴とするものである。
【００１０】
この発明によれば、突起部８の高さと同じ厚みで絶縁層７を形成することができ、厚み精度高く絶縁層７を形成して、回路１１の層間絶縁性能等を高く得ることができるものである。
【００１１】
また請求項３の発明は、請求項１又は２において、絶縁性基材１としてその表面に突起１０を設けたものを用いることを特徴とするものである。
【００１２】
この発明によれば、突起１０の周囲に絶縁層７を形成することができ、突起１０がアンカーの働きをして絶縁層７が層間剥離することを防ぐことができるものである。
【００１３】
また請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、絶縁性材料６として液状のものを用い、絶縁性材料６を絶縁性基材１に塗布した後に絶縁性基材１を超音波振動させ、この後に絶縁性材料６を硬化させて絶縁層７を形成することを特徴とするものである。
【００１４】
この発明によれば、回路部３と非回路部４の間の狭い隙間に絶縁性材料６を確実に浸透させることができ、回路部３の回路１１と非回路部４のめっき下地層２及びめっき層５の間の絶縁性を絶縁層７で確実に確保することができるものである。
【００１５】
また本発明の請求項５に係る多層回路基板は、上記請求項１乃至４のいずれかの方法で製造されたものであることを特徴とするものである。
【００１６】
この発明によれば、精度高く回路１１を形成した多層回路基板を得ることができるものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、回路部３には所定厚みで回路１１を形成することができると共に、非回路部４には同じ厚みでめっき下地層２とめっき層５からなる層を形成することができる。このため、回路部３に形成される絶縁層７と非回路部４に形成される絶縁層７の間で高さの差がなくなって、絶縁層７の凹凸を小さくすることができるものであり、絶縁層７の表面を研磨して平坦化する工数が不要になると共に、凹凸の小さい絶縁層７の上に精度高く回路１１を形成することができるものである。特に研磨を行なうことができない立体回路基板において、本発明の効果は大きいものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００１９】
本発明において絶縁性基材１としては、平板基板など任意のものを用いることができるが、本発明では例えば、表面に凹凸を設けたキャビティを有する金型内に溶融樹脂を射出成形することによって得られる、表面が三次元形状となった立体基板を用いることができる（図１等は、平板基板を示す）。例えば、樹脂としてＰＰＡ（芳香族ポリアミド）を用い、シリンダ温度３００〜３５０℃、金型温度１００〜２００℃、射出速度２〜８０ｃｃ／ｓｅｃの条件で絶縁性基材１を成形することができる。
【００２０】
そしてまず、絶縁性基材１の表面に図１（ａ）のようにめっき下地層２を形成する。めっき下地層２は、例えは銅などの金属のスパッタリングで形成することができるものであり、厚みは０．１〜１μｍ程度が好ましい。めっき下地層２をこのように銅で形成すれば、後述のように回路部３と非回路部４の境界にレーザ等の電磁波照射をする際に、電磁波を照射した部位の近傍が酸化されて非導電性となり、回路部３と非回路部４の間の絶縁性を高めることができるものである。
【００２１】
次に、絶縁性基材１の表面の回路１１を形成する部分である回路部３と、回路１１を形成しない部分である非回路部４との境界の領域にレーザ等の電磁波Ｌを照射し、図１（ｂ）のように回路部３と非回路部４の境界のめっき下地層２を除去する。電磁波としてレーザを用いる場合、めっき下地層２が銅膜であるときには、銅の除去が可能なＳＨＧ−ＹＡＧレーザ（波長５３２ｎｍ）を使用するのが好ましく、レーザ照射条件は例えば、出力３Ｗ、パルス数３ショット、照射時間０．１秒に設定することができる。また、電磁波Ｌの照射は、形成される回路１１のパターンの外形に沿って、つまり回路部３の輪郭に沿って走査させながら行なわれるものであり、非回路部４のうち、回路部３の輪郭の箇所のみのめっき下地層２を除去し、回路部３の輪郭の箇所以外の部分のめっき下地層２は残存させておくものである。回路部３と非回路部４の境界のめっき下地層２を除去する幅は５０〜２００μｍ程度の狭い幅に設定するのが好ましい。
【００２２】
次に、回路部３のめっき下地層２と非回路部４のめっき下地層２にそれぞれ通電しながら絶縁性基板１を銅めっき浴などの電気めっき浴に浸漬等して電気めっきをすることによって、図１（ｃ）のように、回路部３のめっき下地層２の上と、非回路部４のめっき下地層２の上にそれぞれめっき層５を析出させる。めっき層５はそれぞれ１０μｍ程度の厚みで形成するの好ましい。このように回路部３のめっき下地層２の上にめっき層５を設けることによって厚みを有する回路１１を形成することができるものである。また非回路部４にもめっき下地層２とめっき層５からなる金属層２０が存在するが、この金属層２０と回路１１との間には隙間があるので、回路１１は金属層２０と完全に絶縁されている。
【００２３】
このように絶縁性基材１の回路部３において一層目の回路１１を形成することができる。そしてこの上にさらに二層目の回路１１を形成するにあたっては、まず回路部３及び非回路部４の上にポリイミド等の絶縁樹脂からなる液状の絶縁性材料６を図１（ｄ）のようにノズル１５から滴下し、スピンコート等して絶縁性材料６を延ばすと共に硬化させることによって、回路部３の回路１１及び非回路部４の金属層２０を覆う絶縁層７を図１（ｅ）のように形成する。絶縁層７の形成は、ポリイミド等の絶縁性材料６を蒸着により付着させて形成することもできる。絶縁層７は回路部３の回路１１及び非回路部４の金属層２０を完全に覆う厚みで形成されるものであり、少なくとも厚み５μｍは必要である。
【００２４】
ここで、回路部３には厚みの厚い回路１１が存在するが、非回路部４にも回路１１と同じ厚みのめっき下地層２とめっき層５からなる金属層２０が存在するので、回路部３に形成される絶縁層７と非回路部４に形成される絶縁層７の間に高さの差が生じることはなく、図１（ｅ）にみられるように絶縁層７の表面に大きな凹凸が生じることがなくなるものである。回路部３の回路１１と非回路部４の金属層２０の間には底面が絶縁性基材１の表面となる隙間があるが、この隙間は非常に狭いので、絶縁層７の表面に大きな凹凸を生じさせることはない。従って、絶縁層７を形成した後に、表面を研磨して平坦化するような必要はなくなるものである。
【００２５】
上記のように絶縁層７を形成した後、絶縁層７に一層目の回路１１の位置においてレーザ照射等して穴明け加工することによって、一層目の回路１１に達する直径０．２〜０．６ｍｍφ程度のビアホール１７を図２（ａ）のように形成する。次に、絶縁層７の上にビアホール１７の内周面も含めてめっき下地層２を図２（ｂ）のように形成する。めっき下地層２の形成は、上記と同様に銅のスパッタリングで形成することができるものであり、厚みは０．１〜１μｍ程度が好ましい。そしてこの後、二層目の回路１１を形成する回路部３と非回路部４との境界に沿って上記と同様にレーザ等の電磁波Ｌを照射して、図２（ｃ）のように回路部３と非回路部４との境界のめっき下地層２を除去し、さらに上記と同様に電気めっきして、回路部３のめっき下地層２の上と、非回路部４のめっき下地層２の上にそれぞれ厚み１０μｍ程度のめっき層５を形成する。このように回路部３のめっき下地層２の上にめっき層５を設けることによって、図２（ｄ）のように、一層目の回路１１とビアホール１７を通して導通接続された二層目の回路１１を絶縁層７の上に形成することができるものである。非回路部４にもめっき下地層２とめっき層５からなる金属層２０が存在するが、この金属層２０と二層目の回路１１との間には隙間があるので、二層目の回路１１は金属層２０と完全に絶縁されている。
【００２６】
このように二層目の回路１１を絶縁層７の上に形成するにあたって、絶縁層７は上記のように大きな凹凸なく平坦な表面に形成されているので、凹凸の小さい絶縁層７の上に精度高く回路１１を形成することができるものである。そしてさらに図１（ｄ）〜図２（ｄ）の工程を繰り返すことによって、回路１１を三層以上の多層に形成することができるものである。
【００２７】
図３は本発明の他の実施の形態を示すものであり、絶縁性基材１の上面側の表面に枠状の突起部８が一体に突設してあり、この突起部８の上面の外周部に枠状の堰き止め突部２１が突設してある。また突起部８にはその上面と絶縁性基材１の下面とで開口する吸引孔９が穿設してある。そして、この絶縁性基材１の表面上に上記と同様にスパッタリングしてめっき下地層２を形成し、次いで回路部３と非回路部４との境界に沿って上記と同様にレーザ等の電磁波Ｌを照射して、図３（ａ）のように回路部３と非回路部４との境界のめっき下地層２を除去する。さらに上記と同様にして、回路部３のめっき下地層２の上と、非回路部４のめっき下地層２の上にそれぞれ電気めっきを施してめっき層５を形成し、図３（ｂ）のように、回路部３にめっき下地層２とめっき層５からなる一層目の回路１１を形成すると共に非回路部４にめっき下地層２とめっき層５からなる金属層２０を形成する。この後、ノズル１５から液状の絶縁性材料６を突起部８で囲まれる内側に図３（ｂ）のように注入して充填する。絶縁性材料６の充填量は、絶縁性材料６の液面が突起部８の上面を超え、堰き止め突部２１の高さより低くなるように設定するのが好ましい。次に、吸引孔９の下端の開口から真空圧力０．０１ＭＰａ程度の吸引力で吸引すると、突起部８で囲まれる内側に充填された絶縁性材料６のうち突起部８の上面を超える部分が吸引孔９を通して図３（ｃ）の矢印のように排出され、絶縁性材料６の液面は突起部８の上面と等しくなる。そしてこの後に絶縁性材料６を硬化させることによって、絶縁層７を形成することができるものである。
【００２８】
ここで、絶縁性材料６のうち突起部８の上面を超える部分が吸引孔９を通して排出されているので、絶縁層７の厚みは突起部８の高さと等しくなるものであり、絶縁層７を厚み精度高く形成することができるものである。この後、上記と同様にして二層目以降の回路１１を形成することができる。すなわち、絶縁層７に一層目の回路１１の位置において上記と同様にビアホール１７を形成し、絶縁層７の上にビアホール１７の内周面も含めてめっき下地層２を形成した後、二層目の回路１１を形成する回路部３と非回路部４との境界に沿ってレーザ等の電磁波を照射して回路部３と非回路部４との境界のめっき下地層２を除去し、さらに電気めっきを施して回路部３のめっき下地層２の上と、非回路部４のめっき下地層２の上にそれぞれめっき層５を設けることによって、図３（ｄ）のように、回路部３に一層目の回路１１とビアホール１７を通して導通接続された二層目の回路１１を形成することができるものである。
【００２９】
図４の実施の形態は、図３の実施の形態の改良形態であり、上記と同様に吸引孔９を備えた突起部８を有する絶縁性基材１を用いる。そして図３（ａ）（ｂ）（ｃ）と同様にして、めっき下地層２を形成した後、回路部３と非回路部４との境界に沿って電磁波を照射し、回路部３と非回路部４のめっき下地層２にめっき層５を設けて一層目の回路１１及び金属層２０に回路を形成し、さらに突起部８の内側に絶縁性材料６を充填して吸引孔９から吸引した後に、絶縁性材料６を硬化させて絶縁層７を形成し、回路部３の回路１１と非回路部４の金属層２０を絶縁層７で被覆する。そして次いで、図４（ａ）のように絶縁層７に一層目の回路１１の位置において上記と同様に直径０．６ｍｍ程度のビアホール１７を形成する。ビアホール１７は既述と同様にレーザ照射によって形成することができる。この後、絶縁性基材１の上面に全面スパッタリングを行ない、絶縁層７の表面にビアホール１７の内周面も含めてめっき下地層２を形成する。このように絶縁性基材１の上面に全面スパッタリングを行なうと、図４（ｂ）に示すように、突起部８の上面に開口する吸引孔９の上部の内周にもめっき下地層２が形成される。
【００３０】
そして二層目の回路１１を形成する回路部３と非回路部４との境界に沿ってこのめっき下地層２に電磁波を照射した後、回路部３と非回路部４の各めっき下地層２に通電して絶縁性基材１を銅めっき浴などの電気めっき浴に浸漬することによって、回路部３と非回路部４の各めっき下地層２に厚み２０μｍ程度のめっき層５を図４（ｃ）のように設ける。このように電気めっきを行なう際に、ビアホール１７の内周と吸引孔９の上部の内周にもめっき下地層２が付着しているので、ビアホール１７内や吸引孔９の上部内にもめっきが析出してめっき層５で充填される。従って、二層目の回路１１を形成するためのめっきによって、吸引孔９の上部を図４（ｃ）のようにめっき層５で塞ぐことができるものである。三層目の回路１１を形成するためには、二層目の回路１１の上に絶縁性材料６を充填して絶縁層７を形成する必要があるが、吸引孔９はめっき層５で塞がれているので、充填した絶縁性材料６がこの吸引孔９から漏れ出すことを防ぐことができ、二層目以降の絶縁層７の形成に吸引孔９が支障になることがなくなり、多層化が容易になるものである。
【００３１】
図５は本発明の他の実施の形態を示すものであり、絶縁性基材１の表面に突起１０が設けてある。突起１０は絶縁性基材１の表面の全面に亘って多数設けるのが好ましいが、図５には一個の突起１０を設けた部分のみを図示している。そして、まずこの絶縁性基材１の表面に上記と同様にスパッタリングして、図５（ａ）のように、突起１０の上面や側面も含めて全面にめっき下地層２を形成する。次に、一層目の回路１１を形成する回路部３と非回路部４との境界に沿って上記と同様にレーザ等の電磁波を照射して境界のめっき下地層２を除去し、さらに上記と同様にして、回路部３のめっき下地層２の上と、非回路部４のめっき下地層２の上にそれぞれ電気めっきを施してめっき層５を形成し、図５（ｂ）のように、回路部３にめっき下地層２とめっき層５からなる一層目の回路１１を形成すると共に、非回路部４となる突起１０の部分にめっき下地層２とめっき層５からなる金属層２０を形成する。
【００３２】
このように絶縁性基材１の回路部３において一層目の回路１１を形成した後、この上にさらに二層目の回路１１を形成するにあたっては、まず図５（ｃ）のように、突起１０の周囲において回路部３の一層目の回路１１を被覆するように絶縁層７を形成する。絶縁層の７の形成は上記と同様にして行なうことができる。そして一層目の回路１１の位置において絶縁層７に上記と同様にビアホール１７を形成し、さらにビアホール１７の内周を含む全面スパッタリングを行なって図５（ｄ）のようにめっき下地層２を形成する。この後、二層目の回路１１を形成する回路部３と非回路部４との境界に沿って電磁波を照射して境界のめっき下地層２を除去し、さらに回路部３のめっき下地層２と非回路部４のめっき下地層２にそれぞれ電気めっきしてめっき層５を設けることによって、図５（ｅ）のように、回路部３に一層目の回路１１とビアホール１７を通して導通接続された二層目の回路１１を形成することができるものである。三層目以降の回路１１を形成する場合には、突起１０の周囲においてこの回路１１の上に絶縁層７を形成し、後は上記と同様な工程で回路形成をすることによって行なうことができるものである。
【００３３】
上記のように突起１０を設けた絶縁性基材１を用いる場合、図５（ｃ）〜（ｅ）にみられるように、絶縁層７は絶縁性基材１の表面に突出する突起１０の周囲に形成され、突起１０はくさびのように絶縁層７を突き抜けるようになっており、絶縁層７は絶縁性基材１の表面や回路１１等の表面の他に突起１０の外周部にも接着されている。従って、突起１０の外周部が絶縁層７に接着していることによるアンカー作用で、絶縁層７の接着強度が向上し、絶縁層７が層間剥離することを防ぐことができるものである。
【００３４】
ここで、上記の各実施の形態のように、絶縁性基材１に液状の絶縁性材料６を供給し、絶縁性材料６を硬化させて絶縁層７を形成するにあたって、液状の絶縁性材料６を供給した後に絶縁性基材１に超音波振動装置等を用いて超音波振動させるのが好ましい。回路部３の回路１１と非回路部４の金属層２０との間の隙間は狭く形成されており、液状樹脂で形成される絶縁性材料６はこの隙間に浸入し難く、充填不良が発生し易いものであり、このような充填不良があると、回路部３の回路１１と非回路部４の金属層２０の間の絶縁性を絶縁層７で確保できなくなるおそれがある。そこで、液状の絶縁性材料６を供給した後に絶縁性基材１を超音波振動させることによって、液状の絶縁性材料６を回路部３の回路１１と非回路部４の金属層２０の間の狭い隙間に浸透させ、充填不良が発生することを防ぐようにしたものであり、回路部３の回路１１と非回路部４の金属層２０の間の絶縁性を絶縁層７で確実に確保することができるものである。超音波振動は、６０ｋＨｚ程度の周波数で２分間程度行なうのが好ましい。
【００３５】
また、上記の各実施の形態において、非回路部４の金属層２０は回路部３の回路１１とは導通接続されておらず、回路としての機能を有しないいわゆるダミー回路として形成されているが、この金属層２０は絶縁性基材１の全面に配置して設けられているので、金属層２０を高周波シールド層として利用することができる。この場合、非回路部４のめっき下地層２同士を導通接続させることによって、金属層２０の高周波シールド特性を高く得ることができるものである。また、金属層２０を電源回路や接地回路などとして利用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ各工程の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ各工程の断面図である。
【図３】本発明の他の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ各工程の断面図である。
【図４】本発明の他の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ各工程の断面図である。
【図５】本発明の他の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ各工程の断面図である。
【図６】従来例を示すものであり、（ａ），（ｃ），（ｄ）はそれぞれ断面図、（ｂ）は断面図と平面図である。
【図７】従来例を示すものであり、（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ各工程の断面図である。
【図８】従来例を示すものであり、（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ各工程の断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１  絶縁性基材
２  めっき下地層
３  回路部
４  非回路部
５  めっき層
６  絶縁性材料
７  絶縁層
８  突起部
９  吸引孔
１０  突起
１１  回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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