(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、装置に付着した炭素系異物の剥離による不測のインピーダンス変化を原因とする自動整合器のマッチング不良が生じてもプラズマの不着火を防止し、長期連続運転を行なっても常に一定品質以上のガスバリア性を有する容器を製造することである。【解決手段】    本発明に係るプラズマＣＶＤ成膜装置は、プラスチック容器の収容空間を有する真空チャンバーと、収容空間に配置された容器の内部空間又は外部空間の少なくともいずれか一方に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、原料ガスをプラズマ化させためのプラズマ発生手段と、原料ガスの排気手段と、を少なくとも有し、容器の内表面又は外表面の少なくともいずれか一方にＣＶＤ膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、収容空間と排気手段とを連通する排気経路に、スパーク発生手段を設けたことを特徴とする。【選択図】図１
2005325395.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチック容器の収容空間を有する真空チャンバーと、前記収容空間に配置された前記プラスチック容器の内部空間又は外部空間の少なくともいずれか一方に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記原料ガスをプラズマ化させための高周波又はマイクロ波を供給するプラズマ発生手段と、前記原料ガスを排気する排気手段と、を少なくとも有し、前記プラスチック容器の内表面又は外表面の少なくともいずれか一方にＣＶＤ膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、
前記収容空間と前記排気手段とを連通する排気経路に、スパーク発生手段を設けたことを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項２】
プラスチック容器の収容空間を有し、真空チャンバーを兼ねる外部電極と、前記収容空間に配置された前記プラスチック容器の内部に口から挿脱自在に配置される内部電極と、前記プラスチック容器の内部空間又は外部空間の少なくともいずれか一方に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記外部電極に高周波を供給する高周波供給手段と、前記原料ガスを排気する排気手段と、を少なくとも有し、前記プラスチック容器の内表面又は外表面の少なくともいずれか一方にＣＶＤ膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、
前記外部電極と前記内部電極のいずれにも電気的に絶縁され、且つ、前記内部電極との間でスパークを発生させるスパーク発生手段を設けたことを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項３】
プラスチック容器の収容空間を有する真空チャンバーと、前記収容空間に配置された前記プラスチック容器の内部に口から挿脱自在に配置されるアース電極と、前記プラスチック容器の内部空間又は外部空間の少なくともいずれか一方に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記原料ガスをプラズマ化させるマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段と、前記原料ガスを排気する排気手段と、を少なくとも有し、前記プラスチック容器の内表面又は外表面の少なくともいずれか一方にＣＶＤ膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、
前記真空チャンバーと前記アース電極のいずれにも電気的に絶縁され、且つ、前記アース電極との間でスパークを発生させるスパーク発生手段を設けたことを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項４】
前記スパーク発生手段は、直流放電発生器若しくは高周波放電発生器であることを特徴とする請求項１、２又は３に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項５】
前記スパーク発生手段と前記排気手段との間の排気経路に通気性を有する導電性部材を配置したことを特徴とする請求項１、２、３又は４に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
【請求項６】
真空チャンバーに設けた収容空間にプラスチック容器を収容し、前記プラスチック容器の内部空間又は外部空間の少なくともいずれか一方に原料ガスを供給し、前記原料ガスを高周波又はマイクロ波によりプラズマ化させて、前記プラスチック容器の内表面又は外表面の少なくともいずれか一方にＣＶＤ膜を成膜するＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法において、
前記原料ガスをプラズマ化させるために高周波又はマイクロ波を供給開始するとほぼ同時に、前記収容空間と前記原料ガスを排気する排気手段とを連通する排気経路においてスパークを発生させることを特徴とするＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法。
【請求項７】
真空チャンバーを兼ねる外部電極に設けた収容空間にプラスチック容器を収容し、前記プラスチック容器の内部に口から内部電極を挿入し、前記プラスチック容器の内部空間又は外部空間の少なくともいずれか一方に原料ガスを供給し、前記外部電極に高周波を供給することにより前記原料ガスをプラズマ化させて、前記プラスチック容器の内表面又は外表面の少なくともいずれか一方にＣＶＤ膜を成膜するＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法において、
前記原料ガスをプラズマ化させるために高周波を供給開始するとほぼ同時に、前記外部電極と前記内部電極のいずれにも電気的に絶縁された端子と前記内部電極との間でスパークを発生させることを特徴とするＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法。
【請求項８】
真空チャンバーに設けた収容空間にプラスチック容器を収容し、前記プラスチック容器の内部に口からアース電極を挿入し、前記プラスチック容器の内部空間又は外部空間の少なくともいずれか一方に原料ガスを供給し、前記原料ガスをマイクロ波によりプラズマ化させて、前記プラスチック容器の内表面又は外表面の少なくともいずれか一方にＣＶＤ膜を成膜するＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法において、
前記原料ガスをプラズマ化させるためにマイクロ波を供給開始するとほぼ同時に、前記真空チャンバーと前記アース電極のいずれにも電気的に絶縁された端子と前記アース電極との間でスパークを発生させることを特徴とするＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法。
【請求項９】
前記ＣＶＤ膜の成膜時間を２秒以内とすることを特徴とする請求項６、７又は８に記載のＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法。
【請求項１０】
前記スパークは、直流放電若しくは高周波放電によるスパークであることを特徴とする請求項６、７、８又は９に記載のＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法。
【請求項１１】
前記スパークをプラズマの着火とほぼ同時に停止させることを特徴とする請求項６、７、８、９又は１０に記載のＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法。
【請求項１２】
前記スパークの発生箇所と前記排気手段との間の排気経路に通気性を有する導電性部材を配置し、プラズマの発生空間の体積を一定として、ＣＶＤ膜をコーティングすることを特徴とする請求項６、７、８、９、１０又は１１に記載のＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、化学気相成長）法により、プラスチック容器の内表面又は外表面の少なくとも一方にＣＶＤ膜、例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜等のガスバリア膜をコーティングするためのプラズマＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガスバリア性等の向上の目的でプラスチック容器の内表面にＤＬＣ膜を蒸着するために、ＣＶＤ法、特にプラズマＣＶＤ法を用いた蒸着装置の発明の開示がある（例えば特許文献１を参照。）。特許文献１記載の装置では、真空チャンバー内にプラスチック容器が配置され、容器内部に原料ガスを流した状態で真空チャンバーの一部を構成する外部電極に高周波が印加される。これにより、容器内部に配置された内部電極と外部電極との間にバイアス電圧が発生すると共に原料ガスがプラズマ化されて、容器の内表面にＣＶＤ膜が形成される。そしてプラズマ化された原料は、真空チャンバーの排気手段によって真空チャンバーの外に排気される。
【０００３】
また、真空チャンバーをターンテーブルに載せて、ターンテーブルが１周するごとに成膜を行なう量産型の成膜装置に関する技術の開示もある（例えば特許文献２を参照）。
【特許文献１】特開平８−５３１１７号公報
【特許文献２】特開２００４−２７２７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のＣＶＤ成膜装置を例とする、プラスチック容器の壁面にＣＶＤ膜の成膜を行なうプラズマＣＶＤ成膜装置では、プラスチック容器の内部で原料ガスがプラズマ化され、成膜が行なわれる。ここで成膜を多く行なうと、内部電極へ絶縁体である炭素系異物が付着し堆積していくこととなる。また、ＣＶＤ膜として消費されずに残った原料ガス若しくはアルゴン等のキャリアガスを含む原料ガスは、成膜チャンバーである真空チャンバーから排気されることとなる。しかし、これらの排気ガスはなおもプラズマ化による残存エネルギーを有しており、成膜チャンバーから真空ポンプに至るまでの排気経路の壁面に炭素系異物を付着させる。
【０００５】
特許文献１の装置では、容器を取り囲んだ外部電極に高周波を印加し、容器の内部に配置した内部電極との間で原料系プラズマを発生させる。ただし、排気経路までプラズマが漏れていることから、外部電極と内部電極のみではインピーダンスが決まらず、実際には外部電極、その他の真空チャンバー部材、排気配管部材及び内部電極との間でインピーダンスが決まると考えられる。したがって、特許文献２を例とする量産型成膜装置では、成膜を重ねるごとに絶縁物である前記炭素系異物が付着していくので、インピーダンスは徐々に増加していく。
【０００６】
特許文献１及び特許文献２に開示された成膜装置では、高周波電源を外部電極に直接に接続せずに、自動整合器を介して接続している。これは自動整合器が、出力供給している電極全体からの反射波が最小になるように、インダクタンスＬ、キャパシタンスＣによってインピーダンスを合わせることができるためである。
【０００７】
炭素系異物は壁に徐々に堆積するので、成膜の前後２回のインピーダンスの変化はかなり小さい。したがって、このような場合、自動整合器は固定整合器とほぼ同じ使われ方となる。一方、インピーダンスの長期的変化については自動整合で対応させる。
【０００８】
ところが、前記炭素系異物が厚くなり、内部応力によって壁から剥離する場合がある。このような剥離が発生するとインピーダンスが急激に変化する。しかし、自動整合器のマッチングスピードは、最速でも０．４秒程度はかかる。一方、特許文献２の装置において製造効率を考慮すると、プラズマ発生時間、すなわち実質の成膜時間は、数秒以下、例えば２秒以下であることが望まれる。したがって、炭素系異物の剥離が発生してインピーダンスの大きな変化が生じた場合には、最悪の場合、プラズマが着火せずに全く成膜がされないか、或いは着火したとしても成膜時間が所定の半分となる。こうなると、ガスバリア性が不十分なボトルが予測できずに発生してしまうこととなる。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、炭素系異物の剥離による不測のインピーダンス変化を原因とする自動整合器のマッチング不良が生じてもプラズマの不着火を防止し、長期連続運転を行なっても常に一定品質以上のガスバリア性を有する容器を製造することが可能なプラズマＣＶＤ成膜装置及びその容器の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、成膜開始と同時にスパークを発生させて、プラズマの着火を補助するか或いはプラズマを強制的に着火することで上記問題が解決できることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明に係るプラズマＣＶＤ成膜装置は、プラスチック容器の収容空間を有する真空チャンバーと、前記収容空間に配置された前記プラスチック容器の内部空間又は外部空間の少なくともいずれか一方に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記原料ガスをプラズマ化させための高周波又はマイクロ波を供給するプラズマ発生手段と、前記原料ガスを排気する排気手段と、を少なくとも有し、前記プラスチック容器の内表面又は外表面の少なくともいずれか一方にＣＶＤ膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、前記収容空間と前記排気手段とを連通する排気経路に、スパーク発生手段を設けたことを特徴とする。排気経路にスパークを発生させることで、プラズマ発生手段によるプラズマ発生を補助するものである。これにより、プラズマを確実に着火させることができる。
【００１１】
本発明に係るプラズマＣＶＤ成膜装置は、プラスチック容器の収容空間を有し、真空チャンバーを兼ねる外部電極と、前記収容空間に配置された前記プラスチック容器の内部に口から挿脱自在に配置される内部電極と、前記プラスチック容器の内部空間又は外部空間の少なくともいずれか一方に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記外部電極に高周波を供給する高周波供給手段と、前記原料ガスを排気する排気手段と、を少なくとも有し、前記プラスチック容器の内表面又は外表面の少なくともいずれか一方にＣＶＤ膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、前記外部電極と前記内部電極のいずれにも電気的に絶縁され、且つ、前記内部電極との間でスパークを発生させるスパーク発生手段を設けたことを特徴とする。電気的に浮かした端子と内部電極との間でスパークを発生させることで、高周波によるプラズマ発生を強制的に行なうものである。これにより、プラズマを確実に着火させることができる。
【００１２】
本発明に係るプラズマＣＶＤ成膜装置は、プラスチック容器の収容空間を有する真空チャンバーと、前記収容空間に配置された前記プラスチック容器の内部に口から挿脱自在に配置されるアース電極と、前記プラスチック容器の内部空間又は外部空間の少なくともいずれか一方に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記原料ガスをプラズマ化させるマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段と、前記原料ガスを排気する排気手段と、を少なくとも有し、前記プラスチック容器の内表面又は外表面の少なくともいずれか一方にＣＶＤ膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、前記真空チャンバーと前記アース電極のいずれにも電気的に絶縁され、且つ、前記アース電極との間でスパークを発生させるスパーク発生手段を設けたことを特徴とする。電気的に浮かした端子とアース電極との間でスパークを発生させることで、マイクロ波によるプラズマ発生を強制的に行なうものである。これにより、プラズマを確実に着火させることができる。
【００１３】
本発明に係るプラズマＣＶＤ成膜装置では、前記スパーク発生手段は、直流放電発生器若しくは高周波放電発生器であることが好ましい。これらの放電発生器はスパークの持続性の点で差があるが、量産型の装置では成膜時間が短いことから、いずれも用いることが可能である。
【００１４】
本発明に係るプラズマＣＶＤ成膜装置では、前記スパーク発生手段と前記排気手段との間の排気経路に通気性を有する導電性部材を配置することが好ましい。排気された原料もプラズマ化されたまま排気経路に流れるため、プラズマ発生空間が一定とならない。そこで、排気経路に通気性を有する導電性部材を配置することで、プラズマ空間を一定として、インピーダンスの一定化をはかる。また、導電性部材よりも排気ポンプ側の排気経路においては、プラズマが遮断されるため、配管にダメージを与えることもない。
【００１５】
本発明に係るＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法は、真空チャンバーに設けた収容空間にプラスチック容器を収容し、前記プラスチック容器の内部空間又は外部空間の少なくともいずれか一方に原料ガスを供給し、前記原料ガスを高周波又はマイクロ波によりプラズマ化させて、前記プラスチック容器の内表面又は外表面の少なくともいずれか一方にＣＶＤ膜を成膜するＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法において、前記原料ガスをプラズマ化させるために高周波又はマイクロ波を供給開始するとほぼ同時に、前記収容空間と前記原料ガスを排気する排気手段とを連通する排気経路においてスパークを発生させることを特徴とする。排気経路にスパークを発生させることで、プラズマ発生手段によるプラズマ発生を補助するものである。これにより、プラズマを確実に着火させることができる。
【００１６】
また、本発明に係るＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法は、真空チャンバーを兼ねる外部電極に設けた収容空間にプラスチック容器を収容し、前記プラスチック容器の内部に口から内部電極を挿入し、前記プラスチック容器の内部空間又は外部空間の少なくともいずれか一方に原料ガスを供給し、前記外部電極に高周波を供給することにより前記原料ガスをプラズマ化させて、前記プラスチック容器の内表面又は外表面の少なくともいずれか一方にＣＶＤ膜を成膜するＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法において、前記原料ガスをプラズマ化させるために高周波を供給開始するとほぼ同時に、前記外部電極と前記内部電極のいずれにも電気的に絶縁された端子と前記内部電極との間でスパークを発生させることを特徴とする。電気的に浮かした端子と内部電極との間でスパークを発生させることで、高周波によるプラズマ発生を強制的に行なうものである。これにより、プラズマを確実に着火させることができる。
【００１７】
また、本発明に係るＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法は、真空チャンバーに設けた収容空間にプラスチック容器を収容し、前記プラスチック容器の内部に口からアース電極を挿入し、前記プラスチック容器の内部空間又は外部空間の少なくともいずれか一方に原料ガスを供給し、前記原料ガスをマイクロ波によりプラズマ化させて、前記プラスチック容器の内表面又は外表面の少なくともいずれか一方にＣＶＤ膜を成膜するＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法において、前記原料ガスをプラズマ化させるためにマイクロ波を供給開始するとほぼ同時に、前記真空チャンバーと前記アース電極のいずれにも電気的に絶縁された端子と前記アース電極との間でスパークを発生させることを特徴とする。電気的に浮かした端子とアース電極との間でスパークを発生させることで、マイクロ波によるプラズマ発生を強制的に行なうものである。これにより、プラズマを確実に着火させることができる。
【００１８】
本発明に係るＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法では、前記ＣＶＤ膜の成膜時間を２秒以内とする場合を含む。量産型装置では、成膜時間を２秒以内とすることが望ましい。このように成膜時間を長くとれず、炭素系異物の剥離が起こった場合のように自動整合器のマッチングができないときでも、プラズマの補助着火又は強制着火を行なうことで、長期運転時においても容器の品質を保つことができる。
【００１９】
本発明に係るＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法では、前記スパークは、直流放電若しくは高周波放電によるスパークであることが好ましい。
【００２０】
本発明に係るＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法では、前記スパークをプラズマの着火とほぼ同時に停止させることが好ましい。自動整合器のマッチングに要する時間内に、プラズマの補助着火又は強制着火を行なう趣旨である。
【００２１】
本発明に係るＣＶＤ膜コーティングプラスチック容器の製造方法では、前記スパークの発生箇所と前記排気手段との間の排気経路に通気性を有する導電性部材を配置し、プラズマの発生空間の体積を一定として、ＣＶＤ膜をコーティングすることが好ましい。プラズマ空間を一定とし、インピーダンスの一定化をはかることができる。また、導電性部材よりも下流側においては、プラズマが遮断されるため、配管にダメージを与えることもない。
【発明の効果】
【００２２】
本発明により、炭素系異物の剥離による不測のインピーダンス変化を原因とする自動整合器のマッチング不良が生じても、プラズマを確実に着火させることができる。これにより長期連続運転を行なっても、常に一定品質以上のガスバリア性を有する容器を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、実施形態を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定して解釈されない。また、各図面において部材が共通する場合には、同一の符号を附した。以下本発明の実施形態を図１〜８に基づいて説明する。
（第1実施形態）
【００２４】
図１は、本発明に係るプラズマＣＶＤ成膜装置の第１形態を示した概念図である。本発明に係るプラズマＣＶＤ成膜装置１００は、プラスチック容器７の収容空間２３を有する真空チャンバー３と、収容空間２３に配置されたプラスチック容器７の内部空間に原料ガスを供給する原料ガス供給手段２２と、原料ガスをプラズマ化させための高周波を供給するプラズマ発生手段１５と、原料ガスを排気する排気手段３７と、を少なくとも有し、プラスチック容器７の内表面にＣＶＤ膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置である。このプラズマＣＶＤ成膜装置１００には、さらに収容空間２３と排気手段３７とを連通する排気経路に、スパーク発生手段３６（トリガーユニット）が設けられている。
【００２５】
真空チャンバー３は、外部電極を兼ねている。外部電極（真空チャンバー）３は、上部外部電極２と下部外部電極１からなり、プラスチック容器７を収容する。上部外部電極２の下部に下部外部電極１の上部がＯリング８を介して着脱自在に取り付けられるよう構成されている。上部外部電極２と下部外部電極１を脱着することでプラスチック容器７を装着することができる。外部電極３の内部には空間が形成されており、この収容空間２３はコーティング対象のプラスチック容器７、例えばポリエチレンテレフタレート樹脂製の容器であるＰＥＴボトルを収容するための収容空間である。外部電極３の収容空間２３は、上部外部電極２と下部外部電極１の間に配置されたＯリング８によって外部から密閉されている。外部電極３の周囲には、シールドカバー１０が設けられている。シールドカバーは上部シールドカバー１０ａと下部シールドカバー１０ｂとに分割可能となっており、その分割箇所は、上部外部電極２と下部外部電極１の分割箇所と対応させて、同じ高さとしている。
【００２６】
外部電極３は絶縁部材４によって、他の部材とは電気的に絶縁している。すなわち、外部電極３とシールドカバー１０との間には絶縁部材４ｂを介在させている。また、外部電極３の上部には絶縁部材４ａが当てられている。絶縁部材４ａには、プラスチック容器７の口部上方となる位置に、口部とほぼ同径の開口部３５が設けられている。
【００２７】
絶縁部材４ａの上部は、基体５に取り付けられている。基体５は、原料供給管を兼ねた内部電極９を支持し、且つ、排気手段３７に接続されており、プラスチック容器７の内部空間を含む収容空間２３が排気される。ここで基体５は、外部電極３とは絶縁部材４によって電気的に絶縁されている。また、基体５には、内部に空間１１とこれに連通する空間１２が設けられていている。空間１１の下部には開口部３４が設けられている。この開口部３４は、絶縁部材４ａに設けられた開口部３５とほぼ同一径で、開口部同士が重なる位置に設けられている。開口部３４と開口部３５によって、空間１１と収容空間２３はつながっている。基体５は、真空チャンバーを兼ねる外部電極３内の収容空間２３を密封する蓋の役割も為している。基体５による密封により、外部電極３が真空チャンバーとなる。また、基体５も接地することが好ましい。また、基体５の空間１１の圧力を測定するために、圧力ゲージ１７が真空バルブ１６を介して基体５に取り付けられている。
【００２８】
内部電極９は、挿脱自在に外部電極３内に配置され且つプラスチック容器７の内部に配置される。すなわち、内部電極９は、空間１１内に配置されるようにその一端が基体５に支持され、一方、基体５の開口部３４及び絶縁部材４ａの開口部３５を通して、外部電極３の収容空間２３内にその他端が差し込まれている。内部電極９の他端はプラスチック容器７の内部に配置される。内部電極９は、その内部が中空からなる管形状を有している。内部電極９は原料ガス供給ノズルを兼用している。すなわち、内部電極９の先端にはガス吹き出し口９ａが設けられている。さらに内部電極９は接地される。内部電極9の側胴にガス吹き出し口を設けても良い。
【００２９】
本実施形態では、国際公開ＷＯ０３／１０４５２３号公報、国際公開ＷＯ０３／０８６８７８号公報又は特開特開２００３−２６８５５０号公報に記載された内部電極クリーニング手段を設けることが好ましい。これにより、内部電極９に付着した炭素系異物を除去し、放電を安定させることができる。
【００３０】
原料ガス供給手段２２は、プラスチック容器７の内部に原料ガス発生源２１から供給される原料ガスを導入する。すなわち、内部電極９の一端には、配管１８の一方側が接続されており、この配管１８の他方側は真空バルブ１９を介してマスフローコントローラー２０の一方側に接続されている。マスフローコントローラー２０の他方側は配管を介して原料ガス発生源２１に接続されている。この原料ガス発生源２１はアセチレンなどの炭化水素ガス等を発生させるものである。
【００３１】
原料ガスとしては、例えば、ＤＬＣ膜を成膜する場合、常温で気体又は液体の脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、含酸素炭化水素類、含窒素炭化水素類などが使用される。特に炭素数が６以上のベンゼン，トルエン，ｏ−キシレン，ｍ−キシレン，ｐ−キシレン，シクロヘキサン等が望ましい。食品等の容器に使用する場合には、衛生上の観点から脂肪族炭化水素類、特にエチレン、プロピレン又はブチレン等のエチレン系炭化水素、又は、アセチレン、アリレン又は１−ブチン等のアセチレン系炭化水素が好ましい。これらの原料は、単独で用いても良いが、２種以上の混合ガスとして使用するようにしても良い。さらにこれらのガスをアルゴンやヘリウムの様な希ガスで希釈して用いる様にしても良い。また、ケイ素含有ＤＬＣ膜を成膜する場合には、Ｓｉ含有炭化水素系ガスを使用する。
【００３２】
本発明でいうＤＬＣ膜とは、ｉカーボン膜又は水素化アモルファスカーボン膜（ａ−Ｃ：Ｈ） と呼ばれる膜のことであり、硬質炭素膜も含まれる。またＤＬＣ膜はアモルファス状の炭素膜であり、ＳＰ３結合も有する。このＤＬＣ膜を成膜する原料ガスとしては炭化水素系ガス、例えばアセチレンガスを用い、Ｓｉ含有ＤＬＣ膜を成膜する原料ガスとしてはＳｉ含有炭化水素系ガスを用いる。このようなＤＬＣ膜をプラスチック容器の内表面に形成することにより、炭酸飲料や発泡飲料等の容器としてワンウェイ、リターナブルに使用可能な容器を得る。
【００３３】
上記ＤＬＣ膜はＣＶＤによって得られるガスバリア薄膜の例示であり、ＣＶＤ膜としてはＳｉＯｘ膜（珪素酸化物膜）、アルミナ膜、ＡｌＮ膜等のガスバリア膜であっても良い。
【００３４】
排気手段３７は、基体５の空間１２とつながっていて、原料ガスの排気を行なうものである。空間１２は、排気経路を構成する配管３０の一方側に接続されており、配管３０の他方側は真空バルブ３１を介して真空ポンプ３２に接続されている。この真空ポンプ３２はさらに排気ダクト３３に接続されている。真空ポンプ３２と排気ダクト３３とから構成される排気手段３７と収容空間２３とを連通する排気経路には、通気性を有する導電性部材２９が配置されている。
【００３５】
導電性部材２９は、プラズマシールドであり、排気経路である配管３０の継ぎ手等の配管部品へのアタックを防止すると共に、プラズマ空間の体積を一定にする役割がある。プラズマ空間の主たるところは、プラスチック容器７の内部空間であるが、排気ガスが依然としてプラズマ化されるので空間１１とそれにつながっている空間１２もプラズマ空間となる。
【００３６】
導電性部材２９として、図２〜図４に図示するように、金網、パンチングメタル又はエキスパンドメタルが例示できる。図２は、排気経路に通気性を有する導電性部材を配置したときの形態例を示す概略図であって、金網を３枚重ねた場合を示す。図３は、排気経路に通気性を有する導電性部材を配置したときの形態例を示す概略図であって、パンチングメタルを２枚重ねた場合を示す。図４は、排気経路に通気性を有する導電性部材を配置したときの形態例を示す概略図であって、エキスパンドメタルを２枚重ねた場合を示す。導電性部材２９が金網、パンチングメタル又はエキスパンドメタルである場合、その重ね枚数は、２〜１０枚が好ましい。１枚であると、排気ガスの有する残存エネルギーを充分に除去しきれない。このとき残存エネルギーを低減するために金網のメッシュを小さくする方法もあるが、圧力損失による排気抵抗が上昇してしまう。一方、１０枚を超えると、排気抵抗が上昇して排気手段３７の能力を大幅に上げる必要がある。さらに、パンチングメタル又はエキスパンドメタルのそれぞれ間隔は接触させずに間隔を空けて配置し、この間隔は少なくとも導電性部材２９の孔径よりも大きくすることが好ましい。導電性部材２９間の間隔を空けることで、排気経路の配管内で排気ガスを攪拌して接触機会を増やす。導電性部材２９が金網、パンチングメタル又はエキスパンドメタルである場合、その特性は丸形、角形、矩形等の孔形状、孔径、開口率、材厚、又は金属線の太さによって決定される。本実施形態の導電性部材２９では、同一の特性を有する金網、パンチングメタル又はエキスパンドメタルを並べて配置しても良いし、異なる特性を有する金網、パンチングメタル又はエキスパンドメタルを並べて配置しても良い。その組み合わせは適宜変更できる。例えば図２に示すように、排気ガスの流れに対して目の大きさｄ１が疎の金網２９ａ、それよりも目の大きさｄ２が密の金網２９ｂ、及び目の大きさｄ１が疎の金網２９ｃと並列に配列し、目の大きさの異なる金網２９を交互に配置してもよい。また図３に示すように、導電性部材２９を孔径φの丸形にパンチングしたパンチングメタル２２ｄと辺ｄ１と辺ｄ２からなる矩形にパンチングしたパンチングメタル２２ｅとを並べて配列した構成しても良い。さらに、図４に示すように、導電性部材２９を長目方向中心間距離ｄ１と短目方向中心間距離ｄ２を有する孔を設けたエキスパンドメタル２９ｆとそれと同一のエキスパンドメタル２９ｇとを並べて配列構成しても良い。なお、導電性部材同士を所定間隔で保持するように導電性部材２９を保持枠に固定して、この保持枠を空間１２に係止しても良い。導電性部材の孔径ｄは、１〜１０ｍｍ、好ましくは１．５〜５ｍｍとする。１ｍｍ未満の孔径とすると排気抵抗の増加をもたらす。一方孔径が１０ｍｍを超えると、排気ガスとの接触機会が減少し、充分に排気ガスの残存エネルギーを除去できない。なお、孔の形状が角形である場合は、短目方向中心間距離を１〜５ｍｍ、長目方向中心間距離を３〜１０ｍｍ、好ましくは短目方向中心間距離を１．５〜３ｍｍ、長目方向中心間距離を３〜５ｍｍとする。なお、エキスパンドメタルにはスタンダードタイプとグレーチングタイプをともに含む���
【００３７】
また導電性部材２９として、図５に図示するように、金属タワシ状の金属リボンを不規則に巻いたものが例示できる。図５は、排気経路に通気性を有する導電性部材を配置したときの別形態を示す概略図であって、金属リボンを不規則に巻いたものを配置した場合を示す。導電性部材２９が金属タワシ状の金属リボンを不規則に巻いたものである場合、その特性は金属リボンの厚さ及び幅、並びに金属リボンの巻き方によって決定される。金属リボンを不規則に巻いたものである導電性部材２９は、排気ガスの流れ方向に対して厚さがあるため、複数配置しても良いが、排気抵抗を上昇させないため１つのみ配置することが好ましい。この場合、導電性部材の平均孔径は、１〜１０ｍｍ、好ましくは１．５〜５ｍｍとする。
【００３８】
さらに導電性部材２９として、図６に図示するように、複数の金属製不規則充填物の集合体、ラシヒスーパーリング（ラシヒ社、登録商標）が例示できる。金属製不規則充填物とは、吸収塔（物理吸収、化学吸収）、放散塔及び蒸留塔で使用される充填物がその代表例であり、配管中に充填しても低圧力損失でガスを通すことができる。図６は、排気経路に通気性を有する導電性部材を配置したときの別形態を示す概略図であって、金属製不規則充填物の集合体を配置した場合を示す。導電性部材２９が不規則に変形した中空チューブ状の金属製不規則充填物である場合、その特性は金属製不規則充填物のチューブ口径、長さ及びチューブ肉厚、並びに金属製不規則充填物の形状によって決定される。この場合、導電性部材の平均孔径、すなわちチューブ口径は、１〜１０ｍｍ、好ましくは１．５〜５ｍｍとする。
【００３９】
また導電性部材２９として、図７に図示するように、柱体状金属でその上底と下底に開口を有する細管４０を複数設けたものが例示できる。図７は、排気経路に通気性を有する導電性部材を配置したときの別形態を示す概略図であって、柱体状金属でその上底と下底に開口を有する細管を複数設けたものを配置した場合を示す。導電性部材２９が柱体状金属でその上底と下底に開口を有する細管２９を複数設けたものである場合、その特性は中体状金属の高さ（上底と下底との距離）、細管２９の開口部の孔径によって決定される。この場合、開口部の孔径は、１〜１０ｍｍ、好ましくは１．５〜５ｍｍとする。
【００４０】
前述した導電性部材の材質は、ステンレス、アルミニウム、チタン、金、銀、銅などが例示できる。また、同一導電性部材において、孔径は同一としても良いが、開口面積率を大きくするために、異なる孔径の孔を組み合わせて設けても良い。導電性部材の開口面積率は、通気抵抗の上昇を抑えるために４０％〜７０％とすることが好ましい。
【００４１】
プラズマ発生手段１５は、高周波発生器若しくはマイクロ波発生器であり、第１実施形態の場合は高周波供給手段である。この高周波供給手段は、高周波を外部電極３に供給して原料ガスをプラズマ化させるものである。プラズマ発生手段１５は、高周波電源１４と、高周波電源１４に接続された自動整合器１３とを備え、高周波電源１４は自動整合器１３を介して外部電極３に接続される。高周波電源１４は、グランド電位との間に高周波電圧を発生させ、これにより内部電極９と外部電極３との間に高周波電圧が印加される。この結果、プラスチック容器７の内部に供給された原料ガスがプラズマ化する。高周波電源の周波数は、１００ｋＨｚ〜１０００ＭＨｚであるが、例えば、工業用周波数である１３．５６ＭＨｚのものを使用する。
【００４２】
真空チャンバー３は、リーク用の配管３８が接続されていて、配管３８は真空バルブ３９を介して、リーク源（大気開放）と連通されている。
【００４３】
スパーク発生手段３６は、空間１２内に配置され、対向関係にあるスパーク発生端子２８と、スパーク発生端子２８へ直流高圧か高周波高圧を送る電源２６とからなる。スパーク発生端子２８と電源２６とを結ぶ導線は、絶縁部材２７ａ、２７ｂにより基体５と電気的に絶縁されている。電源２６は、１〜１０ｋＶ程度の直流高圧電源が好ましく、５０〜１５００Ｗの高周波電源でもよい。スパークは、少なくともプラズマが着火するまでに要する時間の間、発生させることができればよい。スパーク発生端子２８に電圧を印加することで、空間１２内においてスパークが発生する。スパーク発生端子２８の先端同士は例えば２〜５ｍｍ離されている。このスパークは、プラズマの着火を補助する。そして、空間１１の内壁２５や空間１２の内壁２４ａに付着した炭素系異物が剥離した場合のように、インピーダンスに大きな変化が生じても、確実にプラズマを着火させることができる。なお、配管３０の内壁２４ｂは、内壁２４ａと同じく排気経路の内壁であるが、プラズマシールドとなる導電性部材２９の下流側であるため、炭素系異物の付着は阻止される。
【００４４】
本発明に係る容器とは、蓋若しくは栓若しくはシールして使用する容器、またはそれらを使用せず開口状態で使用する容器を含む。開口部の大きさは内容物に応じて決める。プラスチック容器は、剛性を適度に有する所定の肉厚を有するプラスチック容器と剛性を有さないシート材により形成されたプラスチック容器を含む。本発明に係るプラスチック容器の充填物は、炭酸飲料若しくは果汁飲料若しくは清涼飲料等の飲料、並びに医薬品、農薬品、又は吸湿を嫌う乾燥食品等を挙げることができる。
【００４５】
本発明のプラスチック容器を成形する際に使用する樹脂は、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、ポリエチレンテレフタレート系コポリエステル樹脂（ポリエステルのアルコール成分にエチレングリコールの代わりに、シクロヘキサンディメタノールを使用したコポリマーをＰＥＴＧと呼んでいる、イーストマンケミカル製）、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）、シクロオレフィンコポリマー樹脂（ＣＯＣ、環状オレフィン共重合）、アイオノマ樹脂、ポリ−４−メチルペンテン−１樹脂、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリスチレン樹脂、エチレン−ビニルアルコール共重合樹脂、アクリロニトリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスルホン樹脂、又は、４弗化エチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂、を例示することができる。この中で、ＰＥＴが特に好ましい。
（第２実施形態）
【００４６】
本実施形態は、成膜方式において、図１に示した外部電極に高周波を供給するタイプのプラズマＣＶＤ成膜装置に限定されない。外部電極と対向関係となる内部電極の代わりに、原料ガス供給ノズルを兼ねたアース電極をプラスチック容器の内部に配置し、プラスチック容器の内部に供給される原料ガスに直接、マイクロ波（例えば周波数２４５０ＭＨｚ）を照射して原料ガスをプラズマ化するＣＶＤ成膜装置にスパーク発生手段を設けた場合も本発明の範囲である。この成膜装置の場合、プラズマ発生手段はマイクロ波発生器であり、収容空間２３に導波管を介してマイクロ波が導入される。また、自動整合器１３の代わりに、マイクロ波導入のための導波管と対照の位置にマイクロ波整合器を配置する。この成膜装置ではプラスチック容器の内表面にＣＶＤ膜を成膜することができる。
（第３実施形態）
【００４７】
第１実施形態及び第２実施形態の成膜装置は、プラスチック容器の内表面にＣＶＤ膜を成膜するタイプのプラズマＣＶＤ成膜装置であるが、アース電極となる原料ガス供給ノズルをプラスチック容器の外部に配置し、プラスチック容器の外部に供給される原料ガスに直接、マイクロ波を照射して原料ガスをプラズマ化するＣＶＤ成膜装置にスパーク発生手段を設けた場合も本発明の範囲である。この装置はプラスチック容器の外表面にＣＶＤ膜を成膜するタイプのプラズマＣＶＤ成膜装置となる。
【００４８】
第２実施形態及び第３実施形態の成膜装置の形態は例示であり、マイクロ波で原料ガスをプラズマ化する装置であれば、いずれも本発明の範囲内である。マイクロ波によるプラズマを補助着火させることができる。
（第４実施形態）
【００４９】
本実施形態は、プラスチック容器の内部空間のガス及び外部空間のガスのいずれもプラズマ化して、容器の内表面或いは外表面若しくは両面にＣＶＤ膜を形成させる成膜装置、具体的には国際公開ＷＯ０３／０８５１６５号公報記載の成膜装置に、スパーク発生手段を設けた場合も本発明の範囲である。
（第５実施形態）
【００５０】
第１実施形態から第４実施形態の成膜装置は、プラズマの着火を補助するスパーク発生手段を備えたものであるのに対し、第５実施形態以降に示す成膜装置は、プラズマを強制的に着火するスパーク発生手段を備えたものである。図８は、本発明に係るプラズマＣＶＤ成膜装置の第５形態を示した概念図である。本発明に係るプラズマＣＶＤ成膜装置２００は、プラスチック容器７の収容空間２３を有し、真空チャンバーを兼ねる外部電極３と、収容空間２３に配置されたプラスチック容器７の内部に口から挿脱自在に配置される内部電極９と、プラスチック容器７の内部空間に原料ガスを供給する原料ガス供給手段２２と、外部電極３に高周波を供給する高周波供給手段１５と、原料ガスを排気する排気手段３７と、を少なくとも有し、前記プラスチック容器の内表面にＣＶＤ膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置である。このプラズマＣＶＤ成膜装置２００には、さらに外部電極３と内部電極９のいずれにも電気的に絶縁され、且つ、内部電極９との間でスパークを発生させるスパーク発生手段５２（トリガーユニット）が設けられている。
【００５１】
第１実施形態と第５実施形態とはスパーク発生手段が異なり、他の部分は同じ構成であるため、スパーク発生手段５２について説明する。
【００５２】
スパーク発生手段５２は、空間１１内に配置され、スパーク発生端子５１とスパーク発生端子５１に直流高圧か高周波高圧を送る電源５０とからなる。スパーク発生端子５１と電源５０とを結ぶ導線は、絶縁部材５３により基体５と電気的に絶縁されている。電源５０は、第１実施形態における電源２６と同様である。スパーク発生端子５１の先端は、内部電極９の側胴から接触させずに離されている。この離された距離は放電可能な長さであり、例えば、２〜５ｍｍである。スパーク発生端子５１に電圧を印加することで、空間１１内においてスパークが発生する。このスパークにより、プラズマが強制的に着火される。そして、空間１１の内壁２５や空間１２の内壁２４ａに付着した炭素系異物が剥離した場合のように、インピーダンスに大きな変化が生じても、確実にプラズマを着火させることができる。
（第６実施形態）
【００５３】
第５実施形態で示した成膜装置のように、プラズマを強制的に着火させる方式の成膜装置においても、図８に示した、外部電極に高周波を供給するタイプのプラズマＣＶＤ成膜装置に限定されない。すなわち、第２実施形態の成膜装置において、スパーク発生手段５２を設けても良い。この成膜装置ではプラスチック容器の内表面にＣＶＤ膜を成膜することができる。
（第７実施形態）
【００５４】
同様に第３実施形態の成膜装置において、スパーク発生手段５２を設けても良い。この装置はプラスチック容器の外表面にＣＶＤ膜を成膜するタイプのプラズマＣＶＤ成膜装置となる。
【００５５】
第６実施形態及び第７実施形態の成膜装置の形態は例示であり、マイクロ波で原料ガスをプラズマ化する装置であれば、いずれも本発明の範囲内である。マイクロ波によるプラズマをスパークにより強制的に着火させることができる。
（第８実施形態）
【００５６】
第４実施形態の成膜装置と同様に国際公開ＷＯ０３／０８５１６５号公報記載の成膜装置に、スパーク発生手段５２を設けた場合も本発明の範囲である。
【００５７】
本発明は、容器の内表面或いは外表面若しくは両面にＣＶＤ膜を形成させるか、或いは原料をプラズマ化させる方式が高周波又はマイクロ波を使用するかによって、制限を受けない。いずれの実施形態においてもスパーク発生手段と排気手段との間の排気経路に通気性を有する導電性部材を配置することが好ましい。
（補助着火を行なう成膜方法）
【００５８】
次に、図１に示したプラズマＣＶＤ成膜装置１００を用いて容器の内部にＤＬＣ膜を成膜する方法を説明する。ここで第１実施形態から第４実施形態に示した成膜装置はいずれも補助着火を行なうものであり、代表例として第１実施形態の成膜装置を用いた場合で説明する。なお、他の実施形態の成膜装置により高周波の代わりにマイクロ波を供給しても良い。高周波の代わりにマイクロ波を供給しても良い。収容空間２３内は、真空バルブ３９を開いて大気開放されており、外部電極３の下部外部電極１が上部外部電極２から取り外された状態となっている。上部外部電極２の下側から上部外部電極２内の収容空間２３にプラスチック容器７を差し込み、設置する。この際、内部電極９はプラスチック容器７内に挿入された状態になる。次に、下部外部電極１を上部外部電極２の下部に装着し、外部電極３はＯリング８によって密閉される。
【００５９】
次に、プラスチック容器７の内部を原料ガスに置換するとともに所定の成膜圧力に調整する。すなわち、図１に示すように、真空バルブ３９を閉じた後、真空バルブ３１を開き、真空ポンプ３２を作動させる。これにより、プラスチック容器７内を含む真空チャンバー（外部電極）３内、空間１１内及び空間１２内が配管３０を通して排気されて真空となる。このときの真空チャンバー３内の圧力は２．６〜６６Ｐａである。
【００６０】
次に、真空バルブ１９を開き、原料ガス発生源２１においてアセチレンガス等の炭化水素ガスを発生させ、この炭化水素ガスをマスフローコントローラー２０によって流量制御して配管１８に流す。さらにアース電位の内部電極９を通してガス吹き出し口９ａから原料ガスを吹出させる。これにより、炭化水素ガスがプラスチック容器７内に導入される。そして、プラスチック容器７内、空間１１内及び空間１２内は、制御されたガス流量と排気能力のバランスによって、ＤＬＣ成膜に適した圧力（例えば６．６〜６６５Ｐａ程度）に保たれ、安定化させる。
【００６１】
次に外部電極３に高周波出力を供給してプラスチック容器７内で原料ガスをプラズマ化させてプラスチック容器７の内表面にＤＬＣ膜を成膜する。すなわち真空チャンバー３は、プラズマ発生手段１５によりＲＦ出力（例えば１３．５６ＭＨｚ）が供給される。これにより、外部電極３と内部電極９と間でバイアス電圧が生ずると共にプラスチック容器７内の原料ガスがプラズマ化されて炭化水素系プラズマが発生し、ＤＬＣ膜がプラスチック容器７の内表面に成膜される。このとき、自動整合器１３は、出力供給している電極全体からの反射波が最小になるように、インダクタンスＬ、キャパシタンスＣによってインピーダンスを合わせている。
【００６２】
ここで、プラズマ発生手段１５から外部電極３へ高周波を供給開始するとほぼ同時に、スパーク発生手段３６を作動させ、スパーク発生端子２８の先端からスパークを発生させる。直流放電若しくは高周波放電によって発生させたスパークが補助となって、自動整合器１３がマッチングさせることができない場合においても、プラズマを発生させることができる。そして、好ましくはスパークをプラズマの着火後直ぐに停止させる。着火の有無は着火モニタ等の検出手段（不図示）で判断する。
【００６３】
ここで、図１に示すようにプラズマシールドとなる導電性部材２９を配置することで、プラズマの発生空間の体積を一定となり、プラズマの安定化及びインピーダンスの一定化に寄与する。
【００６４】
プラズマ発生手段１５から外部電極３への高周波の供給時間は、量産型装置の場合、２秒以下とすることが望まれる。ＤＬＣ膜の膜厚は５〜４０ｎｍとなるように形成する。
【００６５】
成膜時間の経過後、プラズマ発生手段１５からのＲＦ出力を停止し、プラズマを消滅させてＤＬＣ膜の成膜を終了させる。ほぼ同時に真空バルブ１９を閉じて原料ガスの供給を停止する。
【００６６】
次に、装置内に残存した炭化水素ガスを除くために、真空バルブ３１を開き、真空ポンプ３２によって排気する。その後、真空バルブ３１を閉じ、排気を終了させる。このときの真空チャンバー３内の圧力は６.６〜６６５Ｐａである。この後、真空バルブ３９を開く。これにより、真空チャンバー３が大気開放される。そしてプラスチック容器７を取り出す。
【００６７】
これらの工程を繰り返して、次々と新たなプラスチック容器にＤＬＣ膜を成膜する。
（強制的に着火を行なう成膜方法）
【００６８】
次に、図８に示したプラズマＣＶＤ成膜装置２００を用いて容器の内部にＤＬＣ膜を成膜する方法を説明する。ここで第５実施形態〜第８実施形態に示した成膜装置はいずれも強制的に補助着火を行なうものであり、代表例として第５実施形態の成膜装置を用いた場合で説明する。高周波の代わりにマイクロ波を供給しても良い。成膜工程以外は共通の工程であるため、成膜工程のみを説明する。
【００６９】
プラズマ発生手段１５から外部電極３へ高周波を供給開始するとほぼ同時に、スパーク発生手段５２を作動させ、スパーク発生端子５１の先端から内部電極９に向けてスパークを発生させる。直流放電若しくは高周波放電によって発生させたスパークによって強制的にプラズマを発生させることができる。すなわち、自動整合器１３がマッチングさせることができない場合においても、プラズマを発生させることができる。そして、好ましくはスパークをプラズマの着火後直ぐに停止させる。着火の有無は着火モニタ等の検出手段（不図示）で判断する。
【００７０】
図１の場合と同様に、図２の装置においてもプラズマシールドとなる導電性部材２９を配置することで、プラズマの発生空間の体積を一定となり、プラズマの安定化及びインピーダンスの一定化に寄与する。
【００７１】
図１の装置の場合と同様に、プラズマ発生手段１５から外部電極３への高周波の供給時間は、量産型装置の場合、２秒以下とすることが望まれる。ＤＬＣ膜の膜厚は０．００３〜５μｍとなるように形成する。
【００７２】
以下、図１の装置の場合と同様に、成膜の停止工程、容器の取り出し工程を行なう。これらの工程を繰り返して、次々と新たなプラスチック容器にＤＬＣ膜を成膜する。
【実施例】
【００７３】
図１の成膜装置を用いて、５００ｍｌのＰＥＴボトルに成膜時間２秒で、３０ｎｍのＤＬＣ膜を成膜した。実施例として成膜するときには、スパーク発生手段３６により常にスパークを発生させ、プラズマが着火するとほぼ同時にスパークを消した。また、内部電極９に炭素系異物が付着すると絶縁化されてプラズマが着火しにくくなるので、成膜ごとに炭素系異物を取り除いた。成膜回数を１０００００回行なったところ、プラズマの不着火トラブルは０回であった。
【００７４】
一方、比較例として、スパーク発生手段３６を常に作動させずに成膜を繰り返した。ただし、内部電極９の清掃は実施例と同様に行なった。成膜回数を１０００００回行なったところ、プラズマの不着火トラブルは５回であった。この５回は、空間１１の内壁２５や空間１２の内壁２４ａに堆積した炭素系異物が厚くなったときに剥離して、インピーダンスの大きな変化が生じた場合に対応し、自動整合器１３がマッチングしきれなかったと考えられる。また、不着火トラブル直後のサンプルは、膜厚が平均１０ｎｍであった。これは、プラズマが着火したとしても着火までに時間を要したため、成膜時間が短くなったと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明に係るＣＶＤ成膜装置の第１実施形態を示す概念図である。
【図２】排気経路に通気性を有する導電性部材を配置したときの形態例を示す概略図であって、金網を３枚重ねた場合を示す。
【図３】排気経路に通気性を有する導電性部材を配置したときの形態例を示す概略図であって、パンチングメタルを２枚重ねた場合を示す。
【図４】排気経路に通気性を有する導電性部材を配置したときの形態例を示す概略図であって、エキスパンドメタルを２枚重ねた場合を示す。
【図５】排気経路に通気性を有する導電性部材を配置したときの別形態を示す概略図であって、金属リボンを不規則に巻いたものを配置した場合を示す。
【図６】排気経路に通気性を有する導電性部材を配置したときの別形態を示す概略図であって、金属製不規則充填物の集合体を配置した場合を示す。
【図７】排気経路に通気性を有する導電性部材を配置したときの別形態を示す概略図であって、柱体状金属でその上底と下底に開口を有する細管を複数設けたものを配置した場合を示す。
【図８】本発明に係るＣＶＤ成膜装置の第５実施形態を示す概念図である。
【符号の説明】
【００７６】
１００，２００，ＣＶＤ成膜装置
１，下部外部電極
２，上部外部電極
３，外部電極（真空チャンバー）
４，４ａ，４ｂ，絶縁部材
５，基体
７，プラスチック容器
８，Ｏリング
９，内部電極
９ａ，ガス吹き出し口
１０，シールドカバー
１０ａ，上部シールドカバー
１０ｂ，下部シールドカバー
１１，１２，空間
１３，自動整合器
１４，高周波電源
１５，プラズマ発生手段
１６，１９，３１，３９，真空バルブ
１７，圧力ゲージ
１８，３０，３８，配管
２０，マスフローコントローラー
２１，原料ガス発生源
２２，原料ガス供給手段
２３，収容空間
２４，２４ａ，２４ｂ，２５，内壁
２６，５０，電源
２７，２７ａ，２７ｂ，５３，絶縁部材
２８，５１，スパーク発生端子
２９，通気性を有する導電性部材（プラズマシールド）
３２，真空ポンプ
３３，排気ダクト
３４，３５，開口部
３６，５２，スパーク発生手段
３７，排気手段
４０，細管
【図１】
2005325395.tif 000003
【図２】
2005325395.tif 000004
【図３】
2005325395.tif 000005
【図４】
2005325395.tif 000006
【図５】
2005325395.tif 000007
【図６】
2005325395.tif 000008
【図７】
2005325395.tif 000009
【図８】
2005325395.tif 000010