(57)【要約】【課題】  特に所定のメッキ層をメッキ形成した後、メッキ液を排液する前にスイッチング制御及び出力制御を適切に行うことで、メッキ層の形成終了後に主基板と補助基板間にサージ電流等の大電流が流れるのを防止し、メッキ層の品質を良好に保つことが可能な電気メッキ方法及び電気メッキ装置を提供。【解決手段】  メッキ層を形成後、メッキ液を排液する前に、主基板とアノード間に供給される電流値を微弱電流に落とすかあるいは電流値をゼロに制御する。これにより回路内における電流チャージを低減でき、次に主基板と補助基板間を電気的に接続させるスイッチングの際に、サージ電流等の大電流が前記主基板と補助基板間に流れるのを抑制でき、前記主基板と補助基板間に所定の大きさの微弱電流を供給できる。この結果、前記メッキ液の排液の際に、主基板上にメッキ形成されたメッキ層の溶解を抑制すると共に、前記メッキ層の品質の劣化を抑制することが可能になる。【選択図】図１０
2005213575.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッキ槽と、前記メッキ槽内に設けられたカソードである主基板と、前記主基板と所定距離離して対向させたアノードと、前記主基板の周囲に設けられた補助基板と、を有し、
前記メッキ槽内にメッキ液を充填し、前記主基板とアノード間、及び前記補助基板とアノード間に電流を供給して前記主基板上に所定のメッキ層を形成し、前記メッキ層を形成した後、前記メッキ液を排液する電気メッキ方法において、前記メッキ層を形成した後、以下の工程を用いて前記メッキ液の排液を行うことを特徴とする電気メッキ方法。
（ａ）  前記主基板とアノード間、及び前記補助基板とアノード間の電気的な接続を維持して、前記主基板とアノード間及び前記補助基板とアノード間に、前記メッキ層のメッキ形成時に供給された電流値よりも低い微弱電流を供給するか、あるいは前記主基板及びアノード間、及び前記補助基板とアノード間に供給される電流値をゼロにする工程と、
（ｂ）  前記主基板とアノード間、及び補助基板とアノード間を電気的に切断すると共に、前記主基板と補助基板間を電気的に接続する工程と、
（ｃ）  前記主基板と補助基板間に所定の微弱電流を供給して前記主基板と補助基板間を通電させる工程と、
（ｄ）  前記メッキ液を排液する工程。
【請求項２】
前記（ｃ）工程で供給される微弱電流を直流電流とする請求項１記載の電気メッキ方法。
【請求項３】
前記メッキ層の形成時に少なくとも前記アノードと主基板間に供給される電流をパルス電流とする請求項２記載の電気メッキ方法。
【請求項４】
前記（ｃ）工程で、前記主基板と補助基板間に電流を供給するための電源を、前記主基板とアノード間に電流供給するための電源と同一にし、前記（ａ）工程で前記主基板とアノード間に微弱電流を供給したとき、その微弱電流をそのまま前記（ｃ）工程で、前記主基板と補助基板間に供給する請求項１ないし３のいずれかに記載の電気メッキ方法。
【請求項５】
前記（ｃ）工程で、前記主基板と補助基板間に供給される電流の電源を、前記主基板とアノード間、及び前記補助基板とアノード間に電流供給するための電源と別に設ける請求項１ないし３のいずれかに記載の電気メッキ方法。
【請求項６】
前記所定のメッキ層は、複数のメッキ層を積層した構造であり、少なくとも最上層よりも下側に形成されるメッキ層をメッキ形成した後、上記（ａ）工程ないし前記（ｄ）工程を行う請求項１ないし５のいずれかに記載の電気メッキ方法。
【請求項７】
メッキ槽と、前記メッキ槽内に設けられたカソードである主基板と、前記主基板と所定距離離して対向させたアノードと、前記主基板の周囲に設けられた補助基板と、を有し、
前記メッキ槽内にメッキ液が充填され、前記主基板とアノード間、及び前記補助基板とアノード間に電流が供給されて前記主基板上に所定のメッキ層が形成され、前記メッキ層が形成された後、前記メッキ液が排液される電気メッキ装置において、
少なくとも、前記主基板とアノード間に設けられたメイン電源と、前記補助基板とアノード間に設けられたサブ電源と、前記主基板、アノード及びメイン電源間を接続する第１の回路部に設けられた第１の切替手段と、前記補助基板、アノード及びサブ電源間を接続する第２の回路部に設けられた第２の切替手段と、前記主基板と補助基板間を接続する第３の回路部に設けられた第３の切替手段と、制御手段とを有し、
前記メッキ層の形成時、第１の回路部、及び第２の回路部を前記第１の切替手段及び第２の切替手段を用いて電気的に接続すると共に、第３の回路部を前記第３の切替手段を用いて電気的に切断し、前記アノードと主基板間、及びアノードと補助基板間に電流を供給して前記主基板上に所定の前記メッキ層を形成し、
前記メッキ層の形成後、前記第１の回路部及び第２の回路部の電気的な接続状態と、第３の回路部の電気的な切断状態を維持して、前記制御手段により、前記メイン電源から流される電流値を、前記メッキ形成時の電流値よりも下げるか、あるいは前記電流値をゼロにすると共に、前記サブ電源から流される電流値を、前記メッキ形成時の電流値よりも下げるか、あるいは前記電流値をゼロにして、前記アノードと主基板間及び前記アノードと補助基板間に供給される電流値を微弱電流かあるいはゼロに制御し、
前記制御手段により、前記第１の切替部及び第２の切替部を切り替えて、前記第１の回路部及び第２の回路部を電気的に切断状態にすると共に、前記第３の切替部を切り替えて、前記第３の回路部を電気的に接続状態にし、
前記制御手段により、前記第３の回路部に所定の微弱電流を供給して前記補助基板と主基板間を通電させ、その後、前記メッキ液の排液を行うことを特徴とする電気メッキ装置。
【請求項８】
前記メイン電源は、前記第１の回路部と第３の回路部の共通電源として用いられる請求項７記載の電気メッキ装置。
【請求項９】
前記第３の回路部にはメイン電源及びサブ電源とは別の予備電源が設けられている請求項７記載の電気メッキ装置。
【請求項１０】
前記予備電源は、直流電源である請求項９記載の電気メッキ装置。
【請求項１１】
少なくとも前記メイン電源は、メッキ層の形成終了後、微弱電流を供給する直流電源に制御される請求項７ないし１０のいずれかに記載の電気メッキ装置。
【請求項１２】
少なくとも前記メイン電源は、メッキ層の形成時、パルス電源に制御される請求項７ないし１１のいずれかに記載の電気メッキ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主基板とその周囲に設けられた補助基板とを有し、特に所定のメッキ層をメッキ形成した後、メッキ液を排液する前にスイッチング制御及び出力制御を適切に行うことで、前記メッキ層の形成終了後に前記主基板と補助基板間にサージ電流等の大電流が流れるのを防止し、前記メッキ層の品質を良好に保つことが可能な電気メッキ方法及び電気メッキ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記の特許文献１には、磁気記録装置用磁気ヘッドの薄膜部を形成する際に用いられる電気メッキ装置及びその電気メッキ方法について開示されている。
【０００３】
特許文献１における電気メッキ装置にはこの公報の図１に示すように、陰極２（カソード、主基板）と補助陰極３とが設けられ、陽極１（アノード）と陰極２間、及び陽極１と補助陰極３間には定電流源５，６が接続されている。また前記陰極２と補助陰極３間はスイッチ８を介して繋がれている。
【０００４】
この公報の［００１８］欄や［００１９］欄に記載されているように、前記スイッチ８は、前記陰極２と補助陰極３がメッキ液に接触したらＯＮにし、前記メッキ液の液面１７が上昇し、陽極１と接触したら前記スイッチ８を開放して前記補助陰極３から陰極２に流れる電流を遮断するとされている。
【０００５】
前記スイッチ８をＯＮにして前記陰極２と補助陰極３間に電流を供給するのは、図５に示す下地膜２ｂがメッキ液に溶解されないためであると記載されている。
【０００６】
しかしこの公報には、メッキ層を形成した後、メッキ液を排液するまでの間における、陰極２と補助陰極３間、陽極１と陰極２間、及び陽極１と補助陰極３間の出力制御やスイッチング制御に関し詳しい記述はない。
【特許文献１】特開平１０−１５２７９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記した特許文献１の図１に示すように、陰極２と補助陰極３間にも別電源を設けて、メッキ液の排液時に、前記陰極２と補助陰極３間を通電させておくことは、メッキ層の溶解を抑制する上で有益である。前記メッキ液は排液されるまでにある程度の時間（例えば数秒から数十秒程度）がかかるから、この間、メッキ液に曝されたメッキ層は、前記メッキ層やメッキ液の材質及びｐＨ等にもよるが、溶解しやすい状態にあるため、特許文献１のように、メッキ液の排液の際に、陰極２と補助陰極３を通電させておけば、メッキ層の溶解を緩和できることは理解できる。
【０００８】
しかし、特許文献１の図１に示す構成の場合、スイッチ８を繋げるタイミング等を適切に制御しなければ、前記陰極２と補助陰極３間には大電流（サージ電流等）が流れ、前記メッキ層の品質が劣化することが、下記に記す実験によって証明された。
【０００９】
特許文献１の図１に示す構成では、電源５，６を切り替えて、前記陽極１と陰極２間、及び陽極１と補助陰極３間を電気的に切断すると共に、前記スイッチ８をＯＮにして前記陰極２と補助陰極３間を電気的に接続した瞬間、前記陰極２と補助陰極３間にサージ電流等の大電流が流れやすい。
【００１０】
また図１３は特許文献１の図１とは異なる回路構成を有する電気メッキ装置であるが、特許文献１と同様に、主基板（特許文献１の「陰極２」と同じ）と、補助基板（特許文献１の「補助陰極３」と同じ）間もスイッチ５０を介して接続されている。メッキ層の形成時は、前記主基板とアノード（特許文献１の「陽極１」と同じ）間、及び前記補助基板とアノード間はスイッチ５１，スイッチ５２により電気的に接続された状態であり、一方、前記主基板と補助基板はスイッチ５０により電気的に切断された状態になっている。
【００１１】
なお前記主基板とアノード間に接続されているメイン電源及び、前記補助基板とアノード間に接続されているサブ電源には共にパルス電源を用いることがある。特に薄膜磁気ヘッドのインダクティブヘッド等の磁性層をメッキ形成するとき、レジストで囲まれた狭い空間内に、高い飽和磁束密度を確保するために高いＦｅ量を有するメッキ層をメッキ形成することがあるが、従来のように直流電流を用いた電気メッキ方法では、適切にＦｅ量を大きくできず所定の組成比を有する磁性層をメッキ形成できないといった不具合が生じていた。これに対しパルス電流を用いると、攪拌効果が高まる等の理由により、Ｆｅ量の大きい磁性層をメッキ形成できることがわかっている（例えば特開２００２−２８０２１７号公報を参照されたい）。
【００１２】
上記のようにパルス電流を用いた電気メッキ法では、直流電流を用いた電気メッキ法よりも高い電流値（パルスのピーク時）を、アノードと主基板間に供給するのが一般的である。
【００１３】
そして前記メッキ層のメッキ形成後、メッキ液を排液する前に、まず、前記スイッチ５１，５２を開放して、前記アノードと主基板間、及びアノードと補助基板間を電気的に切断し、一方、前記スイッチ５０をＯＮして、前記主基板と補助基板間を電気的に接続する。そして前記メイン電源を大きなパルス電流値から微弱電流値に出力制御し、微弱電流が前記主基板と補助基板間に流れるようにする。
【００１４】
しかし、上記のスイッチの切替時に、前記主基板と補助基板間にはサージ電流が流れてしまう。また特にパルス電流を用いた電気メッキ法では、前記パルス電流は非常に大きな電流値（ピーク時）を有して流れているため、前記メイン電源の出力制御とスイッチング制御が適切に行われないと、前記スイッチ５０をＯＮにして主基板と補助基板間を電気的に接続した瞬間、大きな積算電流が前記主基板と補助基板間に供給されてしまう。
【００１５】
上記の結果、前記主基板上に形成されたメッキ層の品質は劣化し、例えば前記メッキ層の表面に、前記メッキ層とは異質（組成元素や結晶粒等）なメッキ層が堆積してしまう等の不具合が生じてしまう。
【００１６】
図１４は、図１３に示す電気メッキ装置を使用して複数のメッキ層を積層し、その積層メッキ層の断面状態を写したＳＩＭ（スキャンニング  イオン  マイクロスコープ）写真、図１５は図１４に示すＳＩＭ写真の一部分の部分模式図である。上記した積層メッキ層は、後述する図１１の磁極部３２に該当する部分である。すなわち前記積層メッキ層は、薄膜磁気ヘッドのインダクティブヘッドの磁極部を構成し、下から下部磁極層（ＦｅＮｉ合金）、ギャップ層（ＮｉＰ合金）、上部磁極層（ＦｅＮｉ合金）の積層構造である。
【００１７】
図１４及び図１５に示すように、下部磁極層とギャップ層間には、明らかに結晶粒径が粗大化した異質なメッキ層が形成されていることがわかった。
【００１８】
前記異質なメッキ層は、前記下部磁極層の形成後（下部磁極層の形成時のメイン電源はパルス）、メッキ液の排液時に、前記主基板と補助基板間に大電流が流れたことによって形成されたメッキ層であるものと考えられる。前記異質なメッキ層は前記上部磁極層の表面にも見られ、主基板上から見ると異質なメッキ層は変色して見えることがわかった。
【００１９】
このように前記ギャップ層と下部磁極層間に異質なメッキ層が形成されてしまうと、この異質なメッキ層を後に除去することは不可能であるから、このように異質なメッキ層を有するインダクティブヘッドは製品不良となりやすく、歩留りの低下が問題となった。
【００２０】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に所定のメッキ層をメッキ形成した後、メッキ液を排液する前にスイッチング制御及び出力制御を適切に行うことで、前記メッキ層の形成終了後に前記主基板と補助基板間にサージ電流等の大電流が流れるのを防止し、前記メッキ層の品質を良好に保つことが可能な電気メッキ方法及び電気メッキ装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は、メッキ槽と、前記メッキ槽内に設けられたカソードである主基板と、前記主基板と所定距離離して対向させたアノードと、前記主基板の周囲に設けられた補助基板と、を有し、
前記メッキ槽内にメッキ液を充填し、前記主基板とアノード間、及び前記補助基板とアノード間に電流を供給して前記主基板上に所定のメッキ層を形成し、前記メッキ層を形成した後、前記メッキ液を排液する電気メッキ方法において、前記メッキ層を形成した後、以下の工程を用いて前記メッキ液の排液を行うことを特徴とするものである。
【００２２】
（ａ）  前記主基板とアノード間、及び前記補助基板とアノード間の電気的な接続を維持して、前記主基板とアノード間及び前記補助基板とアノード間に、前記メッキ層のメッキ形成時に供給された電流値よりも低い微弱電流を供給するか、あるいは前記主基板及びアノード間、及び前記補助基板とアノード間に供給される電流値をゼロにする工程と、
（ｂ）  前記主基板とアノード間、及び補助基板とアノード間を電気的に切断すると共に、前記主基板と補助基板間を電気的に接続する工程と、
（ｃ）  前記主基板と補助基板間に所定の微弱電流を供給して前記主基板と補助基板間を通電させる工程と、
（ｄ）  前記メッキ液を排液する工程。
【００２３】
上記のようにまず前記（ｂ）工程のスイッチング制御よりも前に、主基板とアノード間に供給される電流値を微弱電流に落とすかあるいは電流値をゼロに制御する。これにより回路内における電流チャージを低減でき、前記（ｂ）のスイッチングの際に、サージ電流等の大電流が前記主基板と補助基板間に流れるのを抑制でき、前記（ｃ）工程で、前記主基板と補助基板間に所定の大きさの微弱電流を供給できる。この結果、前記メッキ液の排液の際に、主基板上にメッキ形成されたメッキ層の溶解を抑制すると共に、前記メッキ層の品質の劣化を抑制することが可能になる。
【００２４】
また本発明では、前記（ｃ）工程で供給される微弱電流を直流電流とすることが好ましい。これにより前記（ｄ）工程のメッキ液の排液時に、常に前記補助基板と主基板間には微弱電流が流れることになり、前記メッキ層の溶解を適切に抑制することが出来る。
【００２５】
なお本発明では、前記メッキ層の形成時に少なくとも前記アノードと主基板間に供給される電流をパルス電流とすることが好ましい。
【００２６】
本発明では、上記のようにメッキ層の形成時にパルス電流を用いた場合でも、前記（ｂ）工程のスイッチング制御の際に、前記アノードと主基板間に流れていたパルス電流が主基板と補助基板間の回路上に乗って、前記補助基板と主基板間に流れるのを防止できる。よって本発明では従来に比べて効果的に前記メッキ層の品質を良好に保つことが出来る。
【００２７】
また本発明では、前記（ｃ）工程で、前記主基板と補助基板間に電流を供給するための電源を、前記主基板とアノード間に電流供給するための電源と同一にし、前記（ａ）工程で前記主基板とアノード間に微弱電流を供給したとき、その微弱電流をそのまま前記（ｃ）工程で、前記主基板と補助基板間に供給することが好ましい。これにより、前記主基板と補助基板間に微弱電流を供給する前記（ｃ）工程を簡単且つ適切に行うことが出来る。ただし前記（ａ）工程で、前記主基板とアノード間に供給される電流値をゼロにした場合には、前記（ｃ）工程で、再びメイン電源を立ち上げて微弱電流を流す制御が必要となる。
【００２８】
また本発明では、前記（ｃ）工程で、前記主基板と補助基板間に供給される電流の電源を、前記主基板とアノード間、及び前記補助基板とアノード間に電流供給するための電源と別に設けてもよい。
【００２９】
また本発明では、前記所定のメッキ層は、複数のメッキ層を積層した構造であり、少なくとも最上層よりも下側に形成されるメッキ層をメッキ形成した後、上記（ａ）工程ないし前記（ｄ）工程を行うことが好ましい。かかる場合、前記メッキ層の表面に結晶粒や組成比、組成元素等が前記メッキ層とは異なる異質なメッキ層がメッキ形成されるのを抑制でき、前記メッキ層とその上に形成されるメッキ層の界面をきれいな状態に形成することが出来る。
【００３０】
また本発明は、メッキ槽と、前記メッキ槽内に設けられたカソードである主基板と、前記主基板と所定距離離して対向させたアノードと、前記主基板の周囲に設けられた補助基板と、を有し、
前記メッキ槽内にメッキ液が充填され、前記主基板とアノード間、及び前記補助基板とアノード間に電流が供給されて前記主基板上に所定のメッキ層が形成され、前記メッキ層が形成された後、前記メッキ液が排液される電気メッキ装置において、
少なくとも、前記主基板とアノード間に設けられたメイン電源と、前記補助基板とアノード間に設けられたサブ電源と、前記主基板、アノード及びメイン電源間を接続する第１の回路部に設けられた第１の切替手段と、前記補助基板、アノード及びサブ電源間を接続する第２の回路部に設けられた第２の切替手段と、前記主基板と補助基板間を接続する第３の回路部に設けられた第３の切替手段と、制御手段とを有し、
前記メッキ層の形成時、第１の回路部、及び第２の回路部を前記第１の切替手段及び第２の切替手段を用いて電気的に接続すると共に、第３の回路部を前記第３の切替手段を用いて電気的に切断し、前記アノードと主基板間、及びアノードと補助基板間に電流を供給して前記主基板上に所定の前記メッキ層を形成し、
前記メッキ層の形成後、前記第１の回路部及び第２の回路部の電気的な接続状態と、第３の回路部の電気的な切断状態を維持して、前記制御手段により、前記メイン電源から流される電流値を、前記メッキ形成時の電流値よりも下げるか、あるいは前記電流値をゼロにすると共に、前記サブ電源から流される電流値を、前記メッキ形成時の電流値よりも下げるか、あるいは前記電流値をゼロにして、前記アノードと主基板間及び前記アノードと補助基板間に供給される電流値を微弱電流かあるいはゼロに制御し、
前記制御手段により、前記第１の切替部及び第２の切替部を切り替えて、前記第１の回路部及び第２の回路部を電気的に切断状態にすると共に、前記第３の切替部を切り替えて、前記第３の回路部を電気的に接続状態にし、
前記制御手段により、前記第３の回路部に所定の微弱電流を供給して前記補助基板と主基板間を通電させ、その後、前記メッキ液の排液を行うことを特徴とするものである。
【００３１】
本発明では、上記のようにメッキ層を形成した後、メイン電源及びサブ電源の出力制御や、第１，第２及び第３の各切替部の制御を行うことで、第１の回路部と第２の回路部とを電気的に切断状態にし、第３の回路部を電気的に接続状態にしたときに、前記主基板と補助基板間にサージ電流等の大電流が流れるのを抑制でき、前記第３の回路部から前記主基板と補助基板間に供給される微弱電流により前記主基板上に形成されたメッキ層の溶解を抑制でき、この結果、前記メッキ層の品質を良好に保つことが可能になる。
【００３２】
また本発明では、前記メイン電源は、前記第１の回路部と第３の回路部の共通電源として用いられることが好ましい。これにより回路構成を簡単にすることが出来る。
【００３３】
なお、前記第３の回路部にはメイン電源及びサブ電源とは別の予備電源が設けられていてもよい。かかる場合、前記予備電源は直流電源であることが好ましい。前記予備電源を直流電源にすることで、前記メッキ液の排液時に、前記補助基板と主基板間に常に微弱電流が流れる状態となり、効果的に前記メッキ層の溶解を抑制でき、前記メッキ層の品質を良好に保つことが出来る。
【００３４】
また本発明では、少なくとも前記メイン電源は、メッキ層の形成終了後、微弱電流を供給する直流電源に制御されることが好ましい。
【００３５】
また本発明では、少なくとも前記メイン電源は、メッキ層の形成時、パルス電源に制御されることが好ましい。これにより直流電流を用いた電気メッキ法では成し得なかった組成比を有するメッキ層をメッキ形成しやすくなる。また、メッキ層の形成時に前記メイン電源からパルス電流を流しても、後のスイッチング制御の際に、パルス電流が前記第３の回路部上に乗って主基板と補助基板間に流れてしまうといった従来の不具合は生じなく、前記メッキ層の品質を効果的に良好に保つことが出来る。
【発明の効果】
【００３６】
本発明では、メッキ層を形成後、メッキ液を排液する前に、主基板とアノード間に供給される電流値を微弱電流に落とすかあるいは電流値をゼロに制御する。これにより回路内における電流チャージを低減でき、次に主基板と補助基板間を電気的に接続させるスイッチングの際に、サージ電流等の大電流が前記主基板と補助基板間に流れるのを抑制でき、前記主基板と補助基板間に所定の大きさの微弱電流を供給できる。この結果、前記メッキ液の排液の際に、主基板上にメッキ形成されたメッキ層の溶解を抑制すると共に、前記メッキ層の品質の劣化を抑制することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
図１は本発明の電気メッキ装置の部分断面図、図２は主基板及び補助基板を真上から見た平面図、図３ないし図６は本発明における電気メッキ装置の電気系統を説明するための回路構成図であり、回路の時間的な連動関係について説明するための図、図７ないし図９は、図３ないし図６とは異なる本発明における電気メッキ装置の電気系統を説明するための回路構成図であり、回路の時間的な連動関係について説明するための図、図１０はメッキ通電から排液までのフローチャート図、図１１は、所定の部位をメッキ形成して形成された薄膜磁気ヘッド（完成品）の部分正面図、図１２は図１１に示す薄膜磁気ヘッド（完成品）の部分縦断面図である。
【００３８】
図１に示す符号１はメッキ槽であり、前記メッキ槽１内には、アノード２と、カソードである主基板３、及び補助基板４が設けられている。図１に示すように、前記メッキ槽１の底面には、略円形状の穴部１ａが設けられており、前記主基板３は、前記メッキ槽１の底面の下方から前記穴部１ａに当接されて、前記穴部１ａが前記主基板３により塞がれた状態になっている。
【００３９】
前記主基板３は台７上に載置され、前記台７は上下に駆動できるようになっている（図には矢印で示されている）。まだ前記メッキ槽１内にメッキ液５が注入されていない段階で、前記メッキ槽１よりも下方に位置している台７を上方に駆動させて前記主基板３を前記メッキ槽１の底面に設けられた穴１ａに当接させる。
【００４０】
図１に示すように前記アノード２は、前記メッキ槽１内において前記主基板３と高さ方向に所定距離離れた位置で対向している。
【００４１】
図１に示すように、前記メッキ槽１の底面には前記補助基板４が設けられている。図２に示すように前記主基板３は例えば円盤状であり、前記主基板３の周囲に略リング状の補助基板４が設けられている。前記主基板３と前記補助基板４間は、絶縁された状態にあり、前記主基板３と前記補助基板４間が通電しないようにされている。
【００４２】
図１に示すように、前記メッキ槽１内にはメッキ液（電解液）５が充填される。前記アノード２は前記メッキ液５に浸されている。前記メッキ液５は、供給口６から前記メッキ槽１内部に注入されるとともに、排出口６０から排液され、常に新しいメッキ液５が前記メッキ槽１の内部を循環するようになっている。前記メッキ液５の循環は攪拌効果を高めて濃度分極を低減させるために行われる。
【００４３】
なお前記メッキ液５は、前記主基板１上に所定のメッキ層をメッキ形成した後、前記排出口６０から排液され、全てのメッキ液５を排液した後、前記台７を下方に駆動させ、前記台７上に載置された主基板３を取り出す。
【００４４】
図３は、前記主基板３上に所定のメッキ層をメッキ形成する際（図１０におけるステップａ）の回路構成図である。
【００４５】
図３に示すように、前記アノード２には共通配線８が接続され、この共通配線８から分岐した配線９，１０が設けられ、一方の配線９は主基板３に、もう一方の配線１０は補助基板４に接続されている。図３に示すように前記主基板３とアノード２間を繋ぐ第１の回路部１７にはメイン電源１５と第１のスイッチ（第１の切替部）１２が設けられ、前記補助基板４と前記アノード２間を繋ぐ第２の回路部１８には、サブ電源１６と第２のスイッチ（第２の切替部）１３が設けられている。
【００４６】
また図３に示すように配線９，１０間を繋ぐ配線１４を設けて、前記補助基板４と主基板３間に前記メイン電源１５を含む第３の回路部１９が形成されている。前記第３の回路部１９には第３のスイッチ（第３の切替部）２０が設けられている。
【００４７】
図１に示すように前記メッキ液５が前記メッキ槽１内を所定高さ満たしたら、前記主基板３上に所定のメッキ層をメッキ形成する。図３に示すように、前記メッキ形成時は、前記第１のスイッチ１２と第２のスイッチ１３をＯＮの状態にし、一方、第３のスイッチ２０を開放した状態にする。これにより前記第１の回路部１７と第２の回路部１８とが電気的に接続された状態になり、一方、前記第３の回路部１９は電気的に切断された状態になる。
【００４８】
そして前記メイン電源１５及びサブ電源１６からパルス電流を、前記第１の回路部１７及び第２の回路部１８を通して前記アノード２と主基板３間、及び前記アノード２と補助基板４間に供給する。
【００４９】
前記補助基板４は、前記主基板３上に形成されるメッキ層の膜厚の均一化を促進させるべく設けられたものである。前記補助基板４が設けられていないと、前記アノード２から前記主基板３に向けて流れるパルス電流の電流密度が、前記主基板３上の各部位でより不均一になる。特に前記主基板３の中央と端とで前記電流密度の差は非常に大きくなり、この結果、前記主基板３上にメッキ形成されるメッキ層の膜厚がより不均一になりやすい。前記補助基板３を設けないと前記主基板３の中央よりも端にメッキ形成されるメッキ層の膜厚が厚くなることがわかっている。このような電流密度の不均一性を抑制すべく前記主基板３の周囲に別電源に接続された補助基板４を設け、前記補助基板４とアノード２間も通電させることで、出来る限り前記主基板３上の電流密度の均一化が促進されるようにする。前記補助基板４を設けることで、前記主基板３上にメッキ形成されるメッキ層の膜厚を、前記補助基板４を設けない場合に比べてより均一な膜厚に近づけることが出来る。
【００５０】
また本発明では前記メイン電源１５をパルス電源とする。すなわち前記主基板３とアノード２間にパルス電流を流すわけであるが、このようにパルス電流を用いる利点は、特にレジスト等で囲まれた非常に狭い空間内にメッキ層を所定の組成比で効果的にメッキ形成できる点にある。
【００５１】
例えば図１１，図１２に示す薄膜磁気ヘッドを構成する磁性メッキ層を図１に示す電気メッキ装置を用いて形成する。図１１は、前記薄膜磁気ヘッドの一部分の正面図、図１２は前記薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図である。なお図１１及び図１２に示す薄膜磁気ヘッドはメッキ法やスパッタ法等の所定の成膜方法によって形成され、所定の加工が施された後の完成品の構成であり、主基板３上には製造過程中の薄膜磁気ヘッドが多数形成された状態になっている。
【００５２】
図１２に示すように、浮上式ヘッドを構成するセラミック材のスライダ（図１の主基板３を所定形状に切断加工したものである）２１のトレーリング側端面２１ａ上にはＭＲヘッドｈ１と、書込み用のインダクティブヘッドｈ２とが積層されている。
【００５３】
図１２に示すように、スライダ２１のトレーリング側端面２１ａ上にＡｌ２Ｏ３膜２２を介してＮｉＦｅ等からなる磁性材料製の下部シールド層２３が形成され、さらにその上に絶縁材料製の下部ギャップ層２４が形成されている。
【００５４】
下部ギャップ層２４上には記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に向けて、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子あるいはトンネル型磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子などの磁気抵抗効果素子２５が形成され、さらに磁気抵抗効果素子２５及び下部ギャップ層２４上には絶縁材料製の上部ギャップ層２６が形成されている。さらに上部ギャップ層２６の上にＮｉＦｅ等の磁性材料で形成された上部シールド層２７が形成されている。ＭＲヘッドｈ１は、下部シールド層２３から上部シールド層２７までの積層膜で構成されている。
【００５５】
上部シールド層２７上には、Ａｌ２Ｏ３などからなる分離層２８を介して、インダクティブヘッドｈ２の下部コア層３０が積層されている。下部コア層３０は、ＮｉＦｅなどによって形成される。下部コア層３０上には、Ｇｄ決め層３１が形成され、Ｇｄ決め層３１は例えば絶縁材料などで形成される。
【００５６】
また、記録媒体との対向面からＧｄ決め層３１上にかけて、上部コア層よりトラック幅方向寸法が小さい磁極部３２が形成されている。
【００５７】
磁極部３２は下から下部磁極層３３、非磁性のギャップ層３４、及び上部磁極層３５が積層されている。
【００５８】
下部磁極層３３は、下部コア層３０上に直接メッキ形成されている。また下部磁極層３３の上に形成されたギャップ層３４はＮｉＰ等のメッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されている。さらにギャップ層３４の上に形成された上部磁極層３５は、その上に形成される上部コア層３６と磁気的に接続される。
【００５９】
前記磁極部３２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側及びハイト方向後方（図示Ｙ方向）にはＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの無機材料からなる絶縁層３７（絶縁層３７ａ及び絶縁層３７ｂからなる）が形成されている。絶縁層３７の上面は磁極部３２の上面と同一平面とされる。
【００６０】
図１２に示すように、絶縁層３７の内部及び絶縁層３７上に、コイル層３８が２層構造となるようにパターン形成されている。またコイル層３８の上層は有機絶縁材料製の絶縁層３９によって覆われている。
【００６１】
磁極部３２上から絶縁層３９上にかけて上部コア層３６が例えばフレームメッキ法によりパターン形成されている。
【００６２】
上部コア層３６の基端部３６ｂは、下部コア層３０上に形成された、ＮｉＦｅなどの磁性材料製の接続層（バックギャップ層）４０上に直接接続されている。
【００６３】
図１１に示すように、磁極部３２はトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成されている。
【００６４】
本発明では、図１１及び図１２に示す磁極部３２やその他のメッキ層を図１に示す電気メッキ装置を用いてメッキ形成する。
【００６５】
このとき、特に前記磁極層３２のメッキ形成は、メイン電源１５からアノード２と主基板３間にパルス電流を供給しながら行うことが好ましい。
【００６６】
前記下部磁極層３３や上部磁極層３５は例えばＦｅＮｉ合金あるいはＦｅＮｉＣｏ合金等の磁性材料で形成される。特に前記下部磁極層３３や上部磁極層３５には高い飽和磁束密度（例えば２．０Ｔ以上）等の所定の特性が求められる。このような高い飽和磁束密度を得るには前記下部磁極層３３及び上部磁極層３５として構成される磁性層中にＦｅ量が多く含まれることが必要である。
【００６７】
図１１に示すように磁極部３２は非常に細い幅（トラック幅Ｔｗ）の直立形状で形成される。メッキ形成時には前記磁極部３２の形状にレジストをパターン形成し、前記パターン形成内に前記磁極部３２を構成する各層をメッキ形成する。
【００６８】
パルス電流を用いた電気メッキ法を用いると、電流を流さない時間を設けることが出来るため、前記下部磁極層３３及び上部磁極層３５を、少しずつメッキ形成でき、そしてメッキ浴中のＦｅイオンの濃度を増やしても、直流電流を用いた場合に比べメッキ形成時における電流密度の分布の偏りを緩和することが可能になっている。また前記パルス電流を用いることで、磁極部３２形状に形成されたレジストパターンのように非常に狭い空間内をメッキ形成するときでも攪拌効果を高めることができる。この結果、直流電流による電解メッキ法に比べて前記下部磁極層３３及び上部磁極層３５に含まれるＦｅ含有量を従来よりも効果的に増やすことが可能になる。
【００６９】
なおパルス電流は、例えば数秒サイクルでＯＮ／ＯＦＦを繰返し、デューティ比を０．１〜０．５程度にすることが好ましい。
【００７０】
またパルス電流値（ピーク時における）は１Ａ〜５Ａの範囲内であることが好ましい。
なお本発明では、前記メイン電源１５をパルス電源としたとき、前記サブ電源１６もパルス電源とした方が好ましい。
【００７１】
以上のように電源の出力制御やスイッチング制御をして、所定のメッキ層をメッキ形成した後（図１０のステップａ，ｂ）、次に説明する電源の出力制御やスイッチング制御を施して図１に示すメッキ液５の排液を行う。
【００７２】
以下、本発明の特徴的部分について説明する。本発明では前記メッキ層のメッキ形成が終了した後（図１０のステップａ，ｂ）、まず図４に示すように、前記第１のスイッチ１２及び第２のスイッチ１３をＯＮの状態にしておき、一方、第３のスイッチ２０を開放した状態にしたまま、前記メイン電源１５及びサブ電源１６から流れる電流値を、前記メッキ層の形成時における電流値よりも十分に小さい微弱電流に制御するか、あるいは電流値をゼロに制御する（図１０のステップｃ）。
【００７３】
図４に示すように前記電気メッキ装置には制御部６２が設けられ、前記制御部６２から信号Ｓ１，Ｓ２が前記メイン電源１５及びサブ電源１６に伝送され、これにより前記メイン電源１５及びサブ電源１６から流される電流値を微弱にするかあるいはゼロに制御できる。なお前記メイン電源１５及びサブ電源１６にプログラマブル電源を用いれば上記した制御をより簡単に行うことが出来る。
【００７４】
ここで微弱電流値は、数十ｍＡ程度である。具体的には、１０ｍＡ〜１００ｍＡ程度である。
【００７５】
また前記メイン電源１５から前記主基板３とアノード２間に微弱電流を流すときは直流電流であることが好ましい。メッキ層のメッキ形成終了から、次の図５で説明するスイッチング制御、及び主基板３と補助基板４間の通電まで、多少時間がかかるので、その間も前記主基板上に形成されたメッキ層は前記メッキ液５に曝されて若干溶解される可能性があるが、前記メイン電源１５から微弱電流を供給するとともにそれを直流電流にすれば、主基板３と補助基板４間が通電状態になるまで常に微弱電流が流れつづけるので前記メッキ層の溶解を適切に抑制できる。
【００７６】
次に図５では、前記第１のスイッチ１２及び第２のスイッチ１３を開放し、前記第１の回路部１７及び第２の回路部１８を電気的に切断すると共に、前記第３のスイッチ２０をＯＮ状態にして、前記第３の回路部１９を電気的に接続する（図９のステップｄ）。
【００７７】
上記したスイッチング制御を前記制御部６２を用いて行う。前記制御部６２からは、前記信号Ｓ１，Ｓ２をメイン電源１５及びサブ電源１６に伝送した後、所定の時間を置いて前記第１のスイッチ１２及び第２のスイッチ１３に対しスイッチを開放せよとする命令信号Ｓ３，Ｓ４を伝送し、一方、前記第３２のスイッチ２０に対しスイッチをＯＮにせよとする命令信号Ｓ５を伝送する。
【００７８】
なお図６のように制御部６２とは別に検知手段６３を設けておき、前記検知手段６３が前記メイン電源１５及びサブ電源１６の電流値を検知し（検知信号Ｓ８，Ｓ９）、微弱電流かあるいは電流値がゼロになったことを検知したら、前記制御部６２に信号Ｓ７を伝送し、その後、前記制御部６２から各スイッチに対し上記した信号Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５を伝送するようにしても良い。
【００７９】
上記した図５，図６でのスイッチング制御を行うと、第３の回路部１９が電気的に接続されるので、前記主基板３と補助基板４間が通電可能な状態になる。ここで図４の工程で前記メイン電源１５から微弱電流を流している場合には、その電流値をそのまま利用して前記主基板３と補助基板４間に前記微弱電流を供給することが出力制御を簡単に出来て好ましい（図９のステップｅ）。
【００８０】
また前記メイン電源１５から流れる電流値を図４の工程でゼロに制御した（電源を落とした）場合には、上記の図５，図６でのスイッチング制御の後、前記制御部６２から前記メイン電源１５に電源を立ち上げよとする命令信号を伝送すると共に、前記メイン電源１５から所定の大きさの微弱電流が出力されるように制御して、前記主基板３と補助基板４間に微弱電流を供給する（図９のステップｅ）。
【００８１】
前記主基板３と補助基板４間に流れる微弱電流は直流電流であることが好ましい。前記主基板３と補助基板４間に流す微弱電流を直流電流にすることで、次工程で行われるメッキ液５の排液中、常に前記主基板３と補助基板４間に電流が流れるので、前記主基板３上に形成されたメッキ層の溶解を排液中、効果的に抑制できる。
【００８２】
次に前記メッキ液５の排液を行う（図９のステップｆ）。前記メッキ液５の排液には数秒から十数秒程度かかる。この間中、前記主基板３上に形成されたメッキ層はメッキ液に曝されるので、前記メッキ層は溶解しやすい状態になっている。本発明では、前記メッキ液の５の排液時に、前記補助基板４と主基板３間が微弱通電しているため、前記メッキ層の溶解が抑制される。
【００８３】
例えば前記メッキ液のｐＨが３程度である場合、前記主基板３と補助基板４間に３０ｍＡ〜４０ｍＡ程度の微弱電流を流すと前記メッキ層が前記メッキ液５の排液中、ほとんど溶解されずに、良好な品質を適切に維持することが可能である。
【００８４】
本発明は、上記したように、メッキ層のメッキ形成後、メッキ液５の排液前に、図４で説明したように、前記主基板３とアノード２間及び補助基板４とアノード２間を電気的に接続した状態に維持して、前記主基板３とアノード２間及び補助基板４とアノード２間に、前記メッキ層のメッキ形成時に供給されていた電流値よりも十分に小さい微弱電流を供給するかあるいは電流値をゼロに制御し、その後、図５，６で説明したように、前記主基板３とアノード２間、及び補助基板４とアノード２間を電気的に切断すると共に、前記主基板３と補助基板４間を電気的に接続する点に最大の特徴点がある。
【００８５】
図５，６のスイッチング制御前に、メイン電源１５及びサブ電源１６から流れる電流値を微弱状態か前記電流値をゼロに制御するので、各回路上において電流チャージが低減され、図５，６のスイッチングを行っても前記主基板３と補助基板４間にサージ電流等の大電流が流れるのを適切に抑制できる。
【００８６】
しかも本発明では、上記したようにメッキ層のメッキ形成時、メイン電源１５及びサブ電源１６にパルス電源を用いることが好ましいと説明したが、かかる場合、図４の工程を経る事無く、図５，６の工程に移行したとき、スイッチングのタイミングを誤ると、ピーク時の非常に大きいパルス電流が主基板４と補助基板３間の第３の回路部１９上に乗ってしまい、前記補助基板４と主基板３間に非常に大きなパルス電流が流れてしまう可能性があった。しかし本発明では、図４工程で、メイン電源１５及びサブ電源１６から流れる電流値を微弱状態か、あるいは前記電流値をゼロに落とすので、図５，６のスイッチングの時に、前記第３の回路部１９上に大きい電流値のパルス電流が乗ることは無く、よって大きな電流値のパルス電流が前記補助基板４と主基板３間に流れてしまうことを防止できる。
【００８７】
以上のように本発明では、前記主基板３と補助基板４間を通電状態にした時には前記主基板３と補助基板４間には微弱電流しか流れないので前記主基板３上に形成されたメッキ層が大電流の影響を受けて、例えば前記メッキ層上に前記メッキ層とは異なる異質（例えば組成比や組成元素が異なっていたり、結晶粒が異常なほど粗大化するなど）な層が形成されてしまったりすることなく前記メッキ層とその上に形成される層間の界面状態をきれいな状態に維持でき、またメッキ液の排液中、適切に前記メッキ層の溶解をも抑制できるので、前記メッキ層の品質を良好な状態に保つことが可能になっている。
【００８８】
また図３ないし図６で説明した回路構成のように制御部６２を設けることで、メイン電源１５及びサブ電源１６の出力値の制御と、スイッチングの時間的な制御とを簡単且つ適切に行うことが可能である。
【００８９】
特に図３ないし図６で説明した回路構成では、メイン電源１５を第１の回路部１７及び第３の回路部１９の共通電源にしており、前記メイン電源１５から流れる電流値を前記制御部６２で適切に出力制御することで、前記メッキ層をメッキ形成する際の電流供給源にも、メッキ液５の排液の際の前記メッキ層の溶解防止電流源にもなり、回路構成を簡単なものに出来る。
【００９０】
図７ないし図９は、図３ないし図６と異なって、前記主基板３と補助基板４間を接続する第３の回路部１９上に別に予備電源２２を設けた実施形態である。ただし前記第３の回路部１９は、第１の回路部１７及び第２の回路部１８の一部と共通配線となっている。
【００９１】
図７では、前記アノード２と主基板３間を繋ぐ第１の回路部１７上に設けられた第１のスイッチ１２をＯＮ状態にし前記第１の回路部１７を電気的に接続し、前記アノード２と補助基板４間を繋ぐ第２の回路部１８上に設けられた第２のスイッチ１３をＯＮ状態にし前記第２の回路部１８を電気的に接続する。また前記主基板３と補助基板４間を繋ぐ前記第３の回路部１９上に設けられた第３のスイッチ２０を開放し、前記第３の回路部１９を電気的に切断する。
【００９２】
図７の回路構成の状態で、前記メイン電源１５及びサブ電源１６から前記アノード２と主基板３間、及びアノード２と補助基板４間に電流（好ましくはパルス電流）を供給し、前記主基板３上に所定のメッキ層をメッキ形成する。
【００９３】
前記メッキ層を形成した後、前記メッキ槽１内を満たすメッキ液５を排液する前に図８に示すように、各スイッチ１２，１３，２０の状態はそのまま維持して、前記メイン電源１５及びサブ電源１６から流れる電流値をメッキ層をメッキ形成していたときよりも弱い微弱電流にし、あるいは前記電流値をゼロに制御する。微弱電流に出力変換する場合は微弱な直流電流を前記メイン電源１５から流れるようにすることが好ましい。パルス電流であると出力がされない時にメッキ液に曝されているメッキ層の溶解を抑制できないが、前記アノード２と主基板３間に微弱な直流電流を流すと次の図７のスイッチング制御までの間、前記メッキ層の溶解を適切に抑制できる。
【００９４】
なおメッキ層をメッキ形成していたときにメイン電源１５及びサブ電源１６から流されるパルス電流の値は１Ａ〜５Ａ程度であるのに対し、図７工程で、前記メイン電源１５及びサブ電源１６から微弱電流が出力されるように制御したときの前記微弱電流の値は数十ｍＡ程度である。具体的には１０ｍＡ〜１００ｍＡの範囲内であることが好ましい。
【００９５】
上記のようにメイン電源１５及びサブ電源１６の出力変換を行うには制御部６１から電流値を低減あるいはゼロにせよという命令信号Ｓ１，Ｓ２を前記メイン電源１５及びサブ電源１６に伝送し、この信号Ｓ１，Ｓ２を下に、前記メイン電源１５及びサブ電源１６の出力変換を行えば簡単且つ適切に前記出力変換を行うことが出来る。なお前記メイン電源１５及びサブ電源１６はプログラマブル電源であることが適切且つ簡単に出力制御を行うことが出来て好ましい。
【００９６】
次に図９に示すように、第１の回路部１７上及び第２の回路部１８上にある第１のスイッチ１２及び第２のスイッチ１３を開放すると共に、前記第３の回路部１９上にある第３のスイッチ２０をＯＮ状態にするスイッチング制御を行う。このスイッチング制御は制御部６２から各スイッチ１２，１３，２０に伝送される信号Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５に基づいて行う。例えば図８で説明した信号Ｓ１，Ｓ２をメイン電源１５及びサブ電源１６に入力した後、所定の時間経過後に前記信号Ｓ３，Ｓ４及びＳ５が各スイッチ１２，１３，２０に送られるようにするか、あるいは前記メイン電源１５及びサブ電源１６から所定の微弱電流値が出力されたかあるいは前記メイン電源１５及びサブ電源１６からの電流値がゼロになったことを検知する検知手段を設け、この検知手段から前記制御部６１に送られてくる信号を下に、各スイッチ１２，１３，２０に前記信号Ｓ３，Ｓ４及びＳ５を伝送しても良い。信号Ｓ３，Ｓ４は、スイッチ１２，１３を開放せよという命令信号で、信号Ｓ５はスイッチ２０をＯＮ状態にせよという命令信号である。
【００９７】
上記スイッチング制御が終了した後、あるいは終了と同時に、前記制御部６１から前記予備電源２２に信号Ｓ６を伝送し、前記予備電源２２の電源を立ち上げ、前記予備電源２２から所定の微弱電流を前記補助基板４と主基板３間に供給する。前記微弱電流は数十ｍＡ程度である。具体的には１０ｍＡ〜１００ｍＡの範囲内であることが好ましい。
【００９８】
図７ないし図９の回路構成においても、図３ないし図６の回路構成と同様に、メッキ層のメッキ形成後、メッキ液５の排液前に、図８で説明したように、前記主基板３とアノード２間及び前記補助基板４とアノード２間を電気的に接続した状態に維持して、前記主基板３とアノード２間及び前記補助基板４とアノード２間に、前記メッキ層のメッキ形成時に供給されていた電流値よりも低い微弱電流を供給するかあるいは電流値をゼロに制御し、その後、図９で説明したように、前記主基板３とアノード２間、及び補助基板４とアノード２間を電気的に切断すると共に、前記主基板３と補助基板４間を電気的に接続する点に最大の特徴点がある。
【００９９】
図８のスイッチング制御前に、メイン電源１５及びサブ電源１６から流れる電流値を微弱状態か前記電流値をゼロに制御するので、各回路上において電流チャージが低減され、図９のスイッチングを行っても前記主基板３と補助基板４間にサージ電流等の大電流が流れるのを適切に抑制できる。
【０１００】
また本発明では、図８工程で、メイン電源１５及びサブ電源１６から流れる電流値を微弱状態か、あるいは前記電流値をゼロに落とすので、図９のスイッチングの時に、前記第３の回路部１９上に大きい電流値のパルス電流が乗ることは無く、よって従来のように大きな電流値のパルス電流が前記補助基板４と主基板３間に供給されることは無い。
【０１０１】
以上のように本発明では、前記主基板３と補助基板４間を通電状態にした時には前記主基板３と補助基板４間には微弱電流しか流れないので前記主基板３上に形成されたメッキ層が大電流の影響を受けて、例えば前記メッキ層上に前記メッキ層とは異なる異質（例えば組成比や組成元素が異なっていたり、結晶粒が粗大化するなど）な層が形成されてしまったりすることなく前記メッキ層とその上に形成される層間の界面状態をきれいな状態に維持でき、またメッキ液の排液中、適切に前記メッキ層の溶解をも抑制できるので、前記メッキ層の品質を良好な状態に保つことが可能になっている。
【０１０２】
また図７ないし図９で説明した回路構成のように制御部６２を設けることで、メイン電源１５及びサブ電源１６の出力値の制御と、スイッチングの時間的な制御とを簡単且つ適切に行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明の電気メッキ装置の部分断面図、
【図２】主基板及び補助基板を真上から見た平面図、
【図３】図１に示す電気メッキ装置の電気系統を説明するための回路構成図（メッキ通電時）、
【図４】図１に示す電気メッキ装置の電気系統を説明するための回路構成図（微弱出力又は出力停止時）、
【図５】図１に示す電気メッキ装置の電気系統を説明するための回路構成図（スイッチング制御時、及び主基板と補助基板間の微弱通電時）、
【図６】図５とは異なる回路構成であり、図１に示す電気メッキ装置の電気系統を説明するための回路構成図（スイッチング制御時、及び主基板と補助基板間の微弱通電時）、
【図７】図３ないし図６とは異なる回路構成であり、図１に示す電気メッキ装置の電気系統を説明するための回路構成図（メッキ通電時）、
【図８】図３ないし図６とは異なる回路構成であり、図１に示す電気メッキ装置の電気系統を説明するための回路構成図（微弱出力又は出力停止時）、
【図９】図３ないし図６とは異なる回路構成であり、図１に示す電気メッキ装置の電気系統を説明するための回路構成図（スイッチング制御時、及び主基板と補助基板間の微弱通電時）、
【図１０】メッキ通電からメッキ液の排液までの工程を示すフローチャート図、
【図１１】所定の部位をメッキ形成するために、図１に示す電気メッキ装置を用いて形成された薄膜磁気ヘッドの部分正面図（完成品）、
【図１２】図１１に示す薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図（完成品）、
【図１３】従来の電気メッキ装置の回路構成図、
【図１４】従来の電気メッキ装置で形成したインダクティブヘッドの磁極部のＳＩＭ写真、
【図１５】図１４に示す写真の部分模式図、
【符号の説明】
【０１０４】
１  メッキ槽
２  アノード
３  主基板
４  補助基板
５  メッキ液
１２  第１のスイッチ
１３  第２のスイッチ
１５  メイン電源
１６  サブ電源
１７  第１の回路部
１８  第２の回路部
１９  第３の回路部
２０  第３のスイッチ
３２  磁極部
３３  下部磁極層
３４  ギャップ層
３５  上部磁極層
６２  制御部
６３  検知手段
【図１】
2005213575.tif 000003
【図２】
2005213575.tif 000004
【図３】
2005213575.tif 000005
【図４】
2005213575.tif 000006
【図５】
2005213575.tif 000007
【図６】
2005213575.tif 000008
【図７】
2005213575.tif 000009
【図８】
2005213575.tif 000010
【図９】
2005213575.tif 000011
【図１０】
2005213575.tif 000012
【図１１】
2005213575.tif 000013
【図１２】
2005213575.tif 000014
【図１３】
2005213575.tif 000015
【図１５】
2005213575.tif 000016
【図１４】
2005213575.tif 000017