(57)【要約】【課題】  気体の使用量の増加を抑制しつつ基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域（角部）に付着する処理液を除去可能な基板処理装置及び該基板処理装置に用いられるノズルを提供する。【解決手段】  レジスト塗布現像処理装置の乾燥処理装置は、エアナイフノズル７３Ａ（７３Ｂ）が基板Ｇの搬送方向に対して斜めに設けられ、一端部Ｅに切り欠き部７３ｃが設けられている。第２の噴出口７３ｖの第２の幅が第１の噴出口７３ｕの第１の幅より大きくなるように設定されている。このため、第２の噴出口７３ｖから噴出された流量の多いエアを第１の領域Ｈ１に渡って噴出することができる。従って、エアの使用量の増加を抑制しつつ角部Ｊに付着する処理液を押し流すのではなく短時間に拡散して除去することができる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を搬送する搬送機構と、
搬送される前記基板の側端付近以外の領域である第１の領域に向けて第１の流量で気体を噴出可能であり、前記基板の側端付近の領域である第２の領域に向けて第１の流量より多い第２の流量で気体を噴出可能な長尺状のノズルと、
前記ノズルの一端部を前記第２の領域に対向させ、かつ、該一端部を前記基板の搬送方向の最も下流側に配置させるように前記ノズルを前記搬送方向に対して斜めに保持する保持部と、
前記ノズルに気体を供給する供給機構と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記供給機構は、前記ノズルから噴出される気体を、前記搬送される基板の後端付近以外の領域に向けて第３の流量で噴出し、前記後端付近の領域に向けて前記第３の流量より多い第４の流量で噴出するように制御する手段
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記ノズルは、
第１の幅で設けられ気体を噴出するための第１の噴出口と、前記ノズルのほぼ長手方向で前記第１の噴出口と隣接して前記一端部に設けられるとともに、前記第１の幅より広い第２の幅で設けられた第２の噴出口とを前記ノズルの先端に有する噴出部と、
前記第１の噴出口及び前記第２の噴出口に連通して設けられ、前記供給機構から供給される気体を導入して前記噴出部へ流通させる流路と
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記流路は、前記先端に向かうにつれて狭まるように構成されており、
前記第２の噴出口は、前記一端部の前記先端が切り欠かれて設けられたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記第２の幅は、０．２ｍｍ乃至０．５ｍｍであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記第２の幅は０．３ｍｍであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項３記載の基板処理装置であって、
前記噴出部は、前記第１の噴出口と前記第２の噴出口との間に設けられ、該第１から第２の噴出口に向かうにつれ幅が広くなる第３の噴出口を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１記載の基板処理装置であって、
前記ノズルは、前記搬送される基板を挟むように上下に相対して配設されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記流路を流通する気体を加熱する加熱機構
を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
第１の幅で設けられ気体を噴出するための第１の噴出口と、一端部に設けられ長手方向で前記第１の噴出口と隣接して前記第１の幅より広い第２の幅で設けられた第２の噴出口とを有する噴出部と、
前記第１の噴出口及び前記第２の噴出口に連通して設けられ、外部から供給される気体を導入して前記噴出部へ流通させる流路と
を具備することを特徴とするノズル。
【請求項１１】
（ａ）搬送される基板の後端付近以外の領域のうち側端付近の領域である第１の領域に向けて第１の流量で気体を噴出する工程と、
（ｂ）前記基板の後端付近以外の領域のうち前記第１の領域以外の第２の領域に向けて第１の流量より少ない第２の流量で気体を噴出する工程と、
（ｃ）前記基板の後端付近の領域のうち側端付近以外の領域である第３の領域に向けて前記第２の流量より多い第３の流量で気体を噴出する工程と、
（ｄ）後端付近の領域のうち前記第３の領域以外の第４の領域に向けて前記第１の流量より多い第４の流量で気体を噴出する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１２】
前記工程（ａ）の前に、前記基板に疎水性の処理液を塗布する工程
を更に具備することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶デバイスの製造工程において、液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）等に使用されるＬＣＤ基板に対し所定の液処理を行いＬＣＤ基板を乾燥させる基板処理装置及び基板処理装置に用いられるノズルに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＤの製造工程において、ＬＣＤ用のＬＣＤ基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをＬＣＤ基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
【０００３】
これらレジスト塗布、露光及び現像の一連の処理は、従来から、塗布、現像あるいはベーキングや洗浄等の各処理を行う基板処理装置によって行われている。
【０００４】
この基板処理装置における現像処理及び洗浄処理では、例えば、基板をコロ式の搬送ローラによりほぼ水平に搬送させながら、現像液や洗浄液等の処理液を基板に供給して現像処理、洗浄処理を行っている。その後、一端部が搬送方向の最も下流側となるように斜めに配置されたエアナイフノズルから基板に高圧のエアを噴出して基板上の処理液を除去し液切りを行っている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
また、基板の全面にエアを噴出するためのノズルとは別に、基板における搬送方向の後端の一方の角部に集中的にエアを噴出するためのノズルを設けることで、液切りが困難な基板後端の一方の角部において液切りをする技術も知られている（例えば、特許文献２参照。）。  
【特許文献１】特開２００３−７７８８３号公報（段落[００５０]、[００５８]、[００５９]等）。
【特許文献２】特開平９−２４６２２９号公報（段落[００１２]、[００１３]等）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の技術では、処理液の除去が困難な基板の後端付近において、基板の搬送方向に直交する幅方向にほぼ均一にエアを噴出する。このとき、エアナイフノズルの一端部が搬送方向の最も下流側となるように傾けて配置されているため、基板後端の一方の角部に処理液が残り易く、この角部の処理液を充分に除去しきれない場合がある。この角部の処理液を充分に除去するためにエアの使用量を増加させると、コスト高となるとともに、設備に過大な負担を掛けることになる。
【０００７】
また、特許文献２の技術では、基板の全面にエアを噴出するためのノズルとは別に、処理液の残留し易い基板後端の一方の角部にエアを噴出するためのエア噴出ノズルが設けられている。このため、基板処理装置がコスト高となるとともに、エアの使用量が増加するという問題がある。
【０００８】
上記事情に鑑み、本発明は、気体の使用量の増加を抑制しつつ基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域（角部）に付着する処理液を除去可能な基板処理装置及び該基板処理装置に用いられるノズルを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、基板を搬送する搬送機構と、搬送される前記基板の側端付近以外の領域である第１の領域に向けて第１の流量で気体を噴出可能であり、前記基板の側端付近の領域である第２の領域に向けて第１の流量より多い第２の流量で気体を噴出可能な長尺状のノズルと、前記ノズルの一端部を前記第２の領域に対向させ、かつ、該一端部を前記基板の搬送方向の最も下流側に配置させるように前記ノズルを前記搬送方向に対して斜めに保持する保持部と、前記ノズルに気体を供給する供給機構とを具備する。
【００１０】
本発明では、ノズルが基板の搬送方向に対して斜めに設けられている。このため、基板が搬送されると、基板の第２の領域のうち搬送方向の後端付近の領域（角部）に処理液が押し流される。このとき、ノズルによりこの基板の第１の領域より第２の領域に多く気体を噴出することができる。従って、第１の領域での気体の使用量の増加を抑制しつつ、基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域（角部）に付着している処理液を拡散して除去することができる。
【００１１】
本発明の一の形態によれば、前記供給機構は、前記ノズルから噴出される気体を、前記搬送される基板の後端付近以外の領域に向けて第３の流量で噴出し、前記後端付近の領域に向けて前記第３の流量より多い第４の流量で噴出するように制御する手段を有する。これにより、例えば、第３の流量より多い第４の流量の領域を基板の後端の領域に限定することができる。従って、気体の使用量の増加を抑制しつつ基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域（角部）に付着する処理液を除去することができる。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記ノズルは、第１の幅で設けられ気体を噴出するための第１の噴出口と、前記ノズルのほぼ長手方向で前記第１の噴出口と隣接して前記一端部に設けられるとともに、前記第１の幅より広い第２の幅で設けられた第２の噴出口とを前記ノズルの先端に有する噴出部と、前記第１の噴出口及び前記第２の噴出口に連通して設けられ、前記供給機構から供給される気体を導入して前記噴出部へ流通させる流路とを有する。これにより、供給機構から流路に気体を流通させて、この気体を第２の噴出口から基板に向けて噴出することができる。第２の噴出口の第２の幅は、第１の噴出口の第１の幅より広いので、基板の側端付近の領域に多く気体を噴出して後端付近の領域（角部）に付着する処理液を除去することができる。
【００１３】
本発明の一の形態によれば、前記流路は、前記先端に向かうにつれて狭まるように構成されており、前記第２の噴出口は、前記一端部の前記先端が切り欠かれて設けられている。このような構成によれば、切り欠きを設けることにより第２の噴出口の大きさが大きくなる。このため、基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域（角部）に多く気体を噴出して角部に付着する処理液を拡散して除去することができる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記第２の幅は、０．２ｍｍ乃至０．５ｍｍである。このような構成によれば、第２の幅が０．２ｍｍ以上なので、第２の噴出口の大きさを確保して処理液に長時間第２の流量の気体を噴出することができる。また、第２の幅が０．５ｍｍ以下なので、第２の噴出口が大きくなり過ぎて気体の流速を確保することが困難となることを防止することができる。
【００１５】
本発明の一の形態によれば、前記第２の幅は０．３ｍｍである。これにより、基板１枚当たり、例えば、１６００ｌ／ｍｉｎ程度の最小の気体の流量で基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域（角部）に付着する処理液を除去することができる。
【００１６】
本発明の一の形態によれば、前記噴出部は、前記第１の噴出口と前記第２の噴出口との間に設けられ、該第１から第２の噴出口に向かうにつれて幅が広くなる第３の噴出口を有する。これにより、第１の噴出口と第２の噴出口との間において急激な気体の流量変化が生ずることを防止して、第２の噴出口を設けることにより基板上に処理液が残留することを防止することができる。
【００１７】
本発明の一の形態によれば、前記ノズルは、前記搬送される基板を挟むように上下に相対して配設されている。これにより、気体の流量のバランスを安定させて、基板の上下面全域において処理液を除去することができる。
【００１８】
本発明の一の形態によれば、前記流路を流通する気体を加熱する加熱機構を更に具備する。これにより、加熱機構により加熱された気体を処理液に噴出して処理液の乾燥を促進させることができる。
【００１９】
本発明に係るノズルは、第１の幅で設けられ気体を噴出するための第１の噴出口と、一端部に設けられ長手方向で前記第１の噴出口と隣接して前記第１の幅より広い第２の幅で設けられた第２の噴出口とを有する噴出部と、前記第１の噴出口及び前記第２の噴出口に連通して設けられ、外部から供給される気体を導入して前記噴出部へ流通させる流路とを具備する。
【００２０】
本発明では、外部から流路に気体を流通させて、この気体を第１の噴出口及び第２の噴出口から基板に向けて噴出することができる。このとき、第２の噴出口の第２の幅は、第１の噴出口の第１の幅より広いので、基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域（角部）に多く気体を噴出して角部に付着する処理液を除去することができる。
【００２１】
本発明に係る基板処理方法は、（ａ）搬送される基板の後端付近以外の領域のうち側端付近の領域である第１の領域に向けて第１の流量で気体を噴出する工程と、（ｂ）前記基板の後端付近以外の領域のうち前記第１の領域以外の第２の領域に向けて第１の流量より少ない第２の流量で気体を噴出する工程と、（ｃ）前記基板の後端付近の領域のうち側端付近以外の領域である第３の領域に向けて前記第２の流量より多い第３の流量で気体を噴出する工程と、（ｄ）後端付近の領域のうち前記第３の領域以外の第４の領域に向けて前記第１の流量より多い第４の流量で気体を噴出する工程とを具備する。
【００２２】
本発明では、第２の領域に噴出される第２の流量が第１の領域に噴出される第１の流量より少ない。このため、第１、第２の領域において第１の流量で気体を噴出する場合に比べて気体の流量を抑制して処理液を除去することができる。また、第３の領域に噴出される第３の流量が第４の領域に噴出される第４の流量より少なく、第４の流量が第１の流量より多い。このため、第３の領域において気体の流量を抑えつつ第４の領域の後端付近の角部に付着した処理液を拡散して除去することができる。
【００２３】
本発明の一の形態によれば、前記工程（ａ）の前に、前記基板に疎水性の処理液を塗布する工程を更に具備する。これにより、基板に気体を噴出して処理液を拡散する前に、基板上の処理液を乾燥させることができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、気体の使用量が増加することを抑制しつつ基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域（角部）に付着する処理液を拡散して除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の第１の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２６】
図１は本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。
【００２７】
レジスト塗布現像処理装置１００は、複数のＬＣＤ基板Ｇ（以下、基板Ｇと略称する。）を収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３とを備えており、処理ステーション２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイスステーション３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布現像処理装置１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。
【００２８】
カセットステーション１は、カセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、このカセットステーション１において外部に対するカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇの搬入出が行われる。
【００２９】
処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びる基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ、Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けてスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、第１の熱的処理ユニットセクション２６、レジスト処理ユニット２３および第２の熱的処理ユニットセクション２７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション２７、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５および第３の熱的処理ユニットセクション２８が配列されている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けられる。
【００３０】
スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１は、その中で基板Ｇが従来のように回転されることなく、後述するように略水平に搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を行うようになっている。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４も、その中で基板Ｇが回転されることなく、後述するように略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理を行うようになっている。なお、これらスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５への基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。
【００３１】
レジスト処理ユニット２３は、基板Ｇにレジストを塗布するためのレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａ、基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧容器で減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂ、およびステージに載置された基板Ｇの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッドにより基板Ｇの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃがその順に配置されている。レジスト処理ユニット２３は、相対向する短辺に基板Ｇの搬入口および搬出口が設けられている。
【００３２】
第１の熱的処理ユニットセクション２６は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。
【００３３】
熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）、基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）の４段積層されて構成されている（図示を省略する）。熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）、基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）の４段積層されて構成されている。第１の搬送装置３３は、パスユニット（ＰＡＳＳ）を介してのスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からの基板Ｇの受け取り、熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、およびパスユニット（ＰＡＳＳ）を介してレジスト処理ユニット２３への基板Ｇの受け渡しを行う。
【００３４】
第１の搬送装置３３は、上下動、前後動、旋回動可能に設けられているので、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２のいずれのユニットにもアクセス可能である。第２の熱的処理ユニットセクション２７及び第３の熱的処理ユニットセクション２８について同様に構成されている。
【００３５】
このように構成されたレジスト塗布現像処理装置１００においては、まず、カセットステーション１に配置されたカセットＣ内の基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラバ前処理が行われる。次いで、搬送装置１１により、基板ＧがエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２の下に配置されたスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラバ洗浄される。このスクラバ洗浄では、基板Ｇが従来のように回転されることなく略水平に搬送されつつ、洗浄処理および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプのスクラバ洗浄処理ユニットを２台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。スクラバ洗浄処理後、基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）に搬出される。
【００３６】
パスユニット（ＰＡＳＳ）に配置された基板Ｇは、図示しないピンが突出されることにより持ち上げられ、第１の熱的処理ユニットセクション２６に搬送されて以下の一連の処理が行われる。すなわち、まず最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）、および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）され、その後、上記クーリングユニット（ＣＯＬ）のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）に搬送される。この際に搬送処理は全て第１の搬送装置３３によって行われる。なお、アドヒージョン処理を行わない場合もあり、その場合には、基板Ｇは、脱水ベークおよび冷却の後、直ちにパスユニット（ＰＡＳＳ）に搬送される。
【００３７】
その後、パスユニット（ＰＡＳＳ）に配置された基板Ｇがレジスト処理ユニット２３のサブアームによりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。そして、基板Ｇはまずその中のレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａに搬送され、そこで基板Ｇに対するレジスト液のスピン塗布が実施され、次いでサブアームにより減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥され、さらにサブアームにより周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されて基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、基板Ｇはサブアームによりレジスト処理ユニット２３から搬出される。このように、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａの後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂを設けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗布した基板Ｇをプリベーク処理した後や現像処理後のポストベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形状が基板Ｇに転写されることがあるが、このように減圧乾燥装置（ＶＤ）により加熱せずに減圧乾燥を行うことにより、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して乾燥する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させることができ、基板上に転写が生じることを有効に防止することができるからである。
【００３８】
このようにして塗布処理が終了し、サブアームによりレジスト処理ユニット２３から搬出された基板Ｇは、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。パスユニット（ＰＡＳＳ）に配置された基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）に搬送される。
【００３９】
その後、基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこで基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファーカセットに基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。
【００４０】
露光終了後、基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置され、そこから再び処理ステーション２に搬入される。すなわち、基板Ｇは第２の搬送装置３６により、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）に搬送される。そして、パスユニット（ＰＡＳＳ）においてピンを突出させて基板Ｇを上昇させた状態から下降させることにより、後述する現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４からパスユニット（ＰＡＳＳ）まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより基板Ｇが現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、現像処理が施される。この現像処理では、基板Ｇが従来のように回転されることなく、例えばコロ搬送により略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプの現像処理ユニットを３台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。
【００４１】
現像処理終了後、基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内の搬送機構、例えばコロ搬送により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）に搬出される。
【００４２】
このパスユニット（ＰＡＳＳ）に配置された基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。
【００４３】
図２（ａ）はスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１を示す概略側面図である。スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１には、搬送機構を構成するコロ式の搬送ローラ５８が複数設けられている。搬送ローラ５８の両端には、昇降動作により他の処理部との間で基板の受け渡しを行う受け渡しピン５９が配置されており、この両受け渡しピン５９の間には、この基板の搬送上流側（図において左側）から、ロールブラシ洗浄室５６、スプレー洗浄室５７及び乾燥処理装置６０が順に配置されている。ロールブラシ洗浄室５６にはロールブラシ６５が設けられ、スプレー洗浄室５７には、洗浄液を噴出するスプレー式のノズル６６が設けられている。なお、ノズル６６は、基板Ｇの表面側だけでなく、基板Ｇ裏面側にも更に配置するようにしてもかまわない。
【００４４】
このようなスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１においては、先ずロールブラシ洗浄室５６で基板Ｇ上の比較的大きいゴミを除去洗浄した後、スプレー洗浄室５７で微細なゴミを除去洗浄し、乾燥処理装置６０で乾燥処理される。
【００４５】
図２（ｂ）は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４を示す概略側面図である。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４には、スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１と同様に、搬送機構を構成するコロ式の搬送ローラ５８及び受け渡しピン５９が配置されている。この両受け渡しピン５９の間には、搬送上流側（図において左側）から、プリウェット処理室６１、現像処理室６２、リンス処理室６３及び乾燥処理装置６０が順に配置されている。プリウェット処理室６１には、プリウェットノズル６７が、また現像処理室６２には現像液を吐出する現像液ノズル６８がそれぞれ設けられ、またリンス処理室６３にはリンスノズル６９が設けられている。
【００４６】
このような現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４においては、先ず、プリウェット処理室６１で、現像液吐出の際の基板Ｇに対するインパクト軽減のために、基板Ｇをプリウェットし、次に現像処理室６２で現像液が吐出されて現像され、そしてリンス処理室６３で現像液が洗い流され、最後に乾燥処理装置６０で乾燥処理される。
【００４７】
なお、現像処理室６２においては、現像時間を確保するために、搬送ローラ５８を逆回転させ基板Ｇを往復させながら現像処理を行っている。
【００４８】
図３は、乾燥処理装置６０におけるエア供給機構９０を模式的に示すブロック図である。また、図４は、乾燥処理装置６０の平断面図である。図３に示すように、乾燥処理装置６０のチャンバ７１内の空間は、搬送上流側（図３において左側）から仕切り板８３によって仕切られている。チャンバ７１の上流端及び下流端には、それぞれ基板Ｇを搬入及び搬出するための開口部７１ａ及び７１ｂが形成されている。
【００４９】
仕切り板８３の下端切り欠き部８３ａには、搬送される基板Ｇに対しエアを噴出して基板Ｇを乾燥させる長尺状のエアナイフノズル７３Ａ及び７３Ｂが、搬送される基板Ｇを挟みこむように上下に相対して配設されている。
【００５０】
ブロアファン８０、１８０は、それぞれ切換弁１１０、１１１を介してフィルタ部７９、１７９に接続されている。切換弁１１０、１１１には、例えば、電磁式切換弁を用いることができる。フィルタ部７９、１７９には、それぞれ例えば粗いパーティクル用のプレフィルタ８１、１８１と細かいパーティクル用のＵＬＰＡフィルタ８２、１８２が設けられている。このＵＬＰＡフィルタ８２、１８２は、ＨＥＰＡフィルタであってもよい。ブロアファン８０、１８０は、例えばクリーンルーム内又は外部の空気を取り入れている。ブロアファン１８０が基板Ｇに供給可能なエアの流量は、ブロアファン８０が供給可能な流量より大きく設定されている。フィルタ部７９、１７９は、それぞれ２つのフローメータ８５、１８５を介して供給管８６によりエアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂに接続されている。制御部７０は、ＣＰＵ７６、メモリ７７を有しており、切換弁１１０、１１１はこの制御部７０により例えばオンオフ切換、すなわち開閉切換のタイミングが制御されるようになっている。
【００５１】
このように、ブロアファン８０、１８０を設けることで、制御部７０により基板Ｇに噴出するエアの流量を２段階に切り替える制御を行うことができる。また、工場の高圧エアコンプレッサを使用する必要がなくなり、工場用力を削減し省エネルギー化を図ることができる。特に基板Ｇの大型に伴い用力も増大する傾向にあるのでブロアファンを使用する効果は大きい。また、ブロアファンはエアコンプレッサに比べ経済的にも極めて有利である。
【００５２】
チャンバ７１の下流側上部には、開口が形成されここにファンフィルタユニット７２が設置されている。このファンフィルタユニット７２は、例えばクリーンルーム内あるいは外部のエアを清浄にしてチャンバ７１内に取り入れ、この取り入れたエアを、搬送上流側の上下部に設けられた排気口７５ａ及び７５ｂから排気している。排気口７５ａ及び７５ｂは図示しないバキューム装置等に接続されている。これにより、チャンバ７１内の気圧を、下流側から上流側に向かうにつれて低くなるように制御しており、この気圧の制御により液切りによる基板Ｇ上の処理液をも効率良く排出することができる。
【００５３】
エアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂより搬送上流側には、例えば発光部Ｓａ及び受光部Ｓｂを備えた光センサＳ１が配置されている。例えば、基板Ｇによって光センサＳ１の光が遮光されると、その情報が制御部７０に伝えられるようになっている。
【００５４】
光センサＳ１の下流側かつエアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂの上流側には、例えば疎水性の処理液としてのアルコールなどの有機材料を基板Ｇの上下面に吐出するための一対の吐出ノズルＬが配置されている。吐出ノズルＬは、アルコール等を収容する図示を省略した収容タンクにポンプ等を介して接続されている。これにより、例えば、基板Ｇによって光センサＳ１の光が遮光されると、その情報が制御部７０に伝えられ、ポンプを駆動させることにより、吐出ノズルＬからアルコールを吐出することができる。従って、基板Ｇにアルコールを吐出して基板Ｇの上下面の処理液の乾燥を促進させることができる。
【００５５】
エアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂより搬送下流側には、例えば発光部Ｓｃ及び受光部Ｓｄを備えた光センサＳ２が配置されている。更に、光センサＳ２の搬送下流側には、例えば発光部Ｓｅ及び受光部Ｓｆを備えた光センサＳ３が配置されている。基板Ｇによって光センサＳ２、Ｓ３の光が遮断され、または透過率が低下すると、その情報が制御部７０に伝えられ、これに基づき切換弁１１０、１１１が切り替えられ、後述するようにそれぞれエアの流量を切り替えることができるように構成されている。
【００５６】
図４に示すように、エアナイフノズル７３Ａ（７３Ｂ）は、長尺状の形状を有しており、長手方向Ｄの一端部Ｅが基板Ｇの搬送方向（Ｘ方向）の最も下流側に配置されように搬送方向（Ｘ方向）に対して斜めに設けられている。すなわち、エアナイフノズル７３Ａ（７３Ｂ）は、その長手方向Ｄが基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に対して角度θだけ傾斜するように配置されている。角度θは例えば５°〜５０°、より好ましくは１０°〜３０°に設定することができるが、これらに限られるものではない。エアナイフノズル７３Ａ（７３Ｂ）は、例えばその両端部がそれぞれ保持部材２０１により保持されている。基板Ｇが搬送されるときには、一端部Ｅは、基板Ｇの側端付近の領域である第１の領域Ｈ１に対向する。第１の領域Ｈ１のＹ方向の幅は、３０ｍｍ〜１００ｍｍ程度とする。以下、基板Ｇの第１の領域Ｈ１以外の領域を第２の領域Ｈ２という。また、エアナイフノズル７３Ａ（７３Ｂ）は、その長手方向Ｄの両端部が基板Ｇの両端部からはみ出すように配置されている。例えば、基板Ｇの幅（Ｙ方向）の長さが１０００ｍｍのときに、エアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂの長手方向Ｄの長さを１０６０ｍｍに設定することができる。これにより、搬送される基板Ｇの上（下）面の全面に渡ってエアを噴出することができる。なお、角度θは、例えば、１０度に設定することができるが、基板Ｇの搬送速度やエアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂからのエアの流量などに応じて適宜変更するようにしてもよい。
【００５７】
搬送機構を構成する基板Ｇを搬送するための搬送ローラ５８には、例えば、その軸心部材の一端に複数の歯車９５が取り付けられ、これらの歯車９５にそれぞれ噛合する歯車８８が軸部材６４にそれぞれ取り付けられている。この軸部材６４は、モータ９１の駆動により回転するようになっており、モータ９１の駆動により搬送ローラ５８が回転し基板Ｇを搬送するようになっている。
【００５８】
図５は、乾燥処理装置６０のエアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂの斜視図である。図５に示すように、エアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂは、Ｘ方向に搬送される基板Ｇを挟むように上下に相対して配設されている。これにより、エアの流量のバランスを安定させて、基板Ｇの上下面全域において処理液を除去することができる。エアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂは、エアがＺ方向に対して４０°以上傾いて噴出されるように、基板Ｇに対しＺ方向から例えば４０°以上傾けて配設されている。
【００５９】
エアナイフノズル７３Ａの先端７３ｔには、エアを噴出するための第１の噴出口７３ｕ、第２の噴出口７３ｖ、第３の噴出口７３ｗがそれぞれ長手方向Ｄで連続して設けられている。すなわち、第１の噴出口７３ｕと第２の噴出口７３ｖとの間に第３の噴出口７３ｗが設けられている。第２の噴出口７３ｖは、基板Ｇの第１の領域Ｈ１に対向している。第２の噴出口７３ｖ、第３の噴出口７３ｗの長手方向Ｄの長さａ、ｂは、例えばそれぞれ５０ｍｍ、２０ｍｍに設定されている。第３の噴出口７３ｗは、第１の噴出口７３ｕから第２の噴出口７３ｖに向かうにつれて幅が広くなるような形状を有している。これにより、第１の噴出口７３ｕと第２の噴出口７３ｖとの間におけるエアの急激な流量変化を抑制することができる。従って、急激な流量変化により処理液等の処理液が基板Ｇ上に残留することを防止できる。
【００６０】
図６は、エアナイフノズル７３Ａの側断面図である。図６に示すように、ブロアファン８０に接続された供給管８６は、エアナイフノズル７３Ａの長手方向Ｄの略中央に接続されている。エアナイフノズル７３Ａ内には、供給管８６から導入されたエアが流通する流路Ｐが設けられている。なお、供給管８６の本数及び配置位置についてはこれに限定されない。例えば、エアナイフノズル７３Ａの長手方向Ｄに等間隔に複数設けるようにしてもよい。また、供給管８６から導入されたエアの流れを整流する図示を省略した整流板をエアナイフノズル７３Ａ内に設けるようにしてもよい。このようにすることで、例えば、長手方向Ｄにおいてエア噴出量の均一性を確保することができる。
【００６１】
図７は、エアナイフノズル７３Ａの断面図である。図７に示すように、エアナイフノズル７３Ａは、先端７３ｔに向かうにつれて流路Ｐが狭まるように構成されている。第１、第２の幅ｄ１、ｄ２は、それぞれ０．１５ｍｍ、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下に設定されている。従って、ブロアファン８０により第２の噴出口７３ｖから噴出されるエアの流量Ｑ２は、第１の噴出口７３ｕから噴出される流量Ｑ１より多くなる。また、ブロアファン１８０により第２の噴出口７３ｖから噴出される流量Ｑ４は、第１の噴出口７３ｕから噴出される流量Ｑ３より多くなる（図６参照）。ここで、流量とは、エアナイフノズル７３Ａ（７３Ｂ）の第１又は第２の噴出口７３ｕ、７３ｖの単位長さ（ノズルの長手方向の単位長さ）、単位時間当たりのエアの噴出量である。第２の噴出口７３ｖは、第１の噴出口７３ｕより幅が広いので、第２の噴出口７３ｖにおけるエアの流れの抵抗が小さくなり、その結果、流量に違いが生じると考えられる。
【００６２】
次に、本実施形態の乾燥処理装置６０を用いる乾燥手順について図を参照しながら説明する。
【００６３】
図８（ａ）に示すように、図３に示す搬送ローラ５８を回転させチャンバ７１内に基板Ｇを搬送する。次いで、搬送された基板Ｇの先端を光センサＳ１により検知し、吐出ノズルＬからアルコールを基板Ｇの上下面に吐出する。これにより、基板Ｇの上下面に付着する処理液などの乾燥を促進させることができる。
【００６４】
次いで、図８（ｂ）に示すように、例えば、アルコールの吐出後ブロアファン８０を駆動させて、エアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂから基板Ｇの後端付近の領域Ｒ４、Ｒ３以外の領域のうち基板Ｇの側端付近の領域である領域Ｒ１と、領域Ｒ４、Ｒ３以外の領域のうち領域Ｒ１以外の領域Ｒ２とにそれぞれ流量Ｑ１、Ｑ２のエアを噴出する。これにより、領域Ｒ１、Ｒ２では、搬送方向に前端側から後端側に処理液が押し流され除去される。
【００６５】
次いで、搬送される基板Ｇの先端を光センサＳ２により検知し、制御部７０により図３に示す切換弁１１０をオフ、切換弁１１１をオンとし、ブロアファン１８０を駆動する。これにより、所定長さｅの後端付近の領域Ｒ３、Ｒ４にそれぞれ流量Ｑ２、Ｑ１より多い流量Ｑ３、Ｑ４のエアを噴出する。この所定長さｅは、例えば、基板Ｇの搬送速度を３０ｍｍ／ｓとするときに３００ｍｍ以上に設定することができる。すなわち、光センサＳ２の位置は、後端付近の領域Ｒ４内の角部Ｊ付近に確実に流量Ｑ４でエアを噴出することができるように設定されている。従って、領域Ｒ２及び後端付近の領域Ｒ３での流量を抑えつつ基板Ｇの角部Ｊ付近に噴出する流量を増大さることができる。従って、エアの使用量を従来より４０％削減しつつ、これまで除去することが困難であった基板Ｇの角部Ｊの処理液を拡散して除去することができる。このように、エアの使用量の増加を抑制することができるので、ブロアファン８０、１８０などに過大な負荷が掛かることを防止することができる。なお、領域Ｒ１及び後端付近の領域Ｒ４を合わせた領域が第１の領域Ｈ１に相当し、領域Ｒ２及び後端付近の領域Ｒ３を合わせた領域が第２の領域Ｈ２に相当する。
【００６６】
続いて、図８（ｃ）に示すように、基板Ｇの前端を光センサＳ３により検知し、切換弁１１１をオフ、ブロアファン１８０を停止し乾燥処理を終了する。光センサＳ３が基板Ｇの前端を検知したときに、基板Ｇの後端が完全にエアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂを通過するように、光センサＳ３及びノズル７３Ａが配置される位置が予め設定されている。これにより、無駄なエアの使用量を抑制することができる。
【００６７】
本実施形態では、エアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂが基板Ｇの搬送方向に対して斜めに設けられている。このため、基板Ｇが搬送されると基板Ｇの後端付近の領域Ｒ４の角部Ｊに処理液が押し流される。このとき、図９（ａ）に示すように、基板Ｇの角部Ｊに付着する処理液は、小径になっているため接触角θ２が小さくなり付着エネルギーが大きくなっていると考えられる。また、基板Ｇの角部Ｊなどの端部においては、例えば処理液が基板Ｇの側壁Ｇａにまとわりつくことによって付着面積がより大きくなり、その結果、付着エネルギーがより大きくなっていると考えられる。従来のように、エアの噴出口の幅ｄが例えば０．１５ｍｍであるエアナイフノズル７３Ｄを用いる場合には、エアが基板Ｇに噴出される領域の幅ｆ１が小さくなる。
【００６８】
本実施形態では、図９（ｂ）に示すように、エアナイフノズル７３Ａ（７３Ｂ）の第２の噴出口７３ｖの第２の幅ｄ２が、第１の噴出口７３ｕの第１の幅ｄ１より広く設定されている。換言すれば、第１の噴出口７３ｕは第２の噴出口７３ｖより幅が狭く設定されている。このため、第２の噴出口７３ｖから流量Ｑ４（または流量Ｑ１）のエアを従来の幅ｆ１より広い幅ｆ２の領域に渡って噴出することができる。従って、第１の噴出口７３ｕから噴出されるエアの使用量の増加を抑制しつつ短時間に処理液を拡散して除去することができると考えられる。また、図９（ｃ）に示すように、流量Ｑ４のエアを処理液に噴出することで、処理液の表面を更新して処理液の蒸発を促進することができると考えられる。
【００６９】
本実施形態では、第２の噴出口７３ｖの第２の幅ｄ２が０．２ｍｍ以上に設定されている。このため、第２の噴出口７３ｖの大きさを確保して処理液に長時間流量Ｑ４のエアを噴出して処理液を除去することができる。また、第２の噴出口７３ｖの第２の幅ｄ２が０．５ｍｍ以下に設定されている。このため、第２の噴出口７３ｖの第２の幅ｄ２の広さが広過ぎて流速を確保できず処理液を除去するために大量のエアを噴出する必要が生ずることを防止することができる。
【００７０】
本実施形態によれば、エアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂから噴出されるエアの流量を、搬送される基板Ｇの領域Ｒ１、Ｒ２で流量Ｑ１、Ｑ２とし、後端付近の領域Ｒ３、Ｒ４で流量Ｑ３、Ｑ４にする制御を併用した。これにより、例えば、流量の多い領域を基板Ｇの後端付近の領域Ｒ３、Ｒ４に限定することができる。従って、更にエアの使用量をさらに２５％削減することができる。これにより、ブロアファン８０、１８０などに過大な負荷がかかることを防止することができる。
【００７１】
次に、噴出口の幅が異なるエアナイフノズルを用いた乾燥処理装置を利用して基板Ｇの乾燥処理を行った結果を図１０に示す。
【００７２】
図１０に示すように、第２の幅ｄ２が、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下のときには、基板１枚（１ Sheet）を乾燥させるために必要なエアの流量を２２００（ｌ／min・Sheet）以下に抑えることができた。また、第２の幅ｄ２が０．３ｍｍのときは、１６００（ｌ／min・Sheet）と必要なエアの流量（ｌ／min・Sheet）が最小（極小）となることが判明した。
【００７３】
なお、この実験において、縦１２００ｍｍ及び横１０００ｍｍ程度の大きさの基板を用いた。また、エアナイフノズルの流路Ｐ（図６参照）の容積を３．４×１０−３ｍ３程度と設定した。
【００７４】
本発明は以上説明した実施形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００７５】
図１１に示すように、例えば、エアナイフノズル７３Ａ（７３Ｂ）の一端部Ｅの背面に、流路Ｐを流通するエアを加熱するためのヒータ１０１を固定するようにしてもよい。このようにすれば、基板Ｇにより高温のエアを噴出することができる。従って、基板Ｇ上の処理液をより確実に除去することができる。なお、ヒータ１０１をエアナイフノズル７３Ａ（７３Ｂ）の背面に固定する例を示したが、側面に固定するようにしてもほぼ同様の効果を得ることができる。また、一端部Ｅに限定されず、例えば、長手方向Ｄの中央部付近にヒータ１０１を固定するようにしてもよい。
【００７６】
本実施形態では、第２の幅ｄ２が一定の例を示した。しかし、図１２に示すように、例えば、エアナイフノズル７３Ａの第２の噴出口７３ｖ内の上下面に、電源７３Ｔに接続された圧電素子７３ｐを設けるようにしてもよい。このようにすれば、例えば、エアナイフノズルから噴出されるエアの流量を増加させたいときに、圧電素子７３ｐにより圧電素子７３ｐを矢印方向に収縮させることで、噴出口の大きさを大きくして所望の流量にすることができる。
【００７７】
また、図１３及び図１４に示すように、エアナイフノズル１７３Ａ、１７３Ｂの一端部Ｅにおける先端１７３ｔを切り欠くことで、切り欠き部１７３ｃを設けるようにしてもよい。このとき、例えば、第２の噴出口１７３ｖ、第３の噴出口１７３ｗの長手方向Ｄの長さａ、ｂを、それぞれ５０ｍｍ、２０ｍｍに設定することができる。図１５に示すように、エアナイフノズル１７３Ａは、先端１７３ｔに向かうにつれて流路Ｐが狭まるように構成されている。このため、先端１７３ｔからの切り欠きの深さｃを大きくすることで、第２の噴出口７３ｖの第２の幅ｄ２を広くすることができる。このとき、第１の噴出口１７３ｕから第２の噴出口１７３ｖに向かうにつれて第３の噴出口１７３ｗの幅が広くなるように切り欠く。これにより、第２の噴出口１７３ｖから噴出されるエアの流量Ｑ２（Ｑ３）を、第１の噴出口７３ｕから噴出される流量Ｑ１（Ｑ４）より多くすることができる。従って、第１の噴出口１７３ｕと第２の噴出口１７３ｖとの間におけるエアの急激な流量変化を抑制し、処理液等の処理液が基板Ｇ上に残留することを防止できる。
【００７８】
本実施形態では、図８（ｃ）に示すように光センサＳ３が基板Ｇの先端を検出したときに、エアの流量を低下させる例を示した。しかし、これに限定されず、例えば、光センサＳ３を設けずに、基板Ｇの後端を光センサＳ１により検知した後、基板Ｇの後端がエアナイフノズル７３Ａ、７３Ｂを通過する時間の経過後に切換弁１１１をオフとしブロアファン１８０を停止し乾燥処理を終了するようにしてもよい。このようにしても、同様にエアの無駄な使用量を抑制することができる。
【００７９】
本実施形態では、開口面積の異なる第１の噴出口と第２の噴出口とをノズルに設けて、それらの噴出口でそれぞれ噴出される流量を異なるようにした。しかし、ノズル内部の気体の流路を、第１の噴出口に連通する第１の流路と、第２の噴出口に連通する第２の流路とに分離して設けるようにしてもよい。そしてノズルに気体を供給する供給機構が、第１の流路と、第２の流路とに独立して気体を供給すればよい。この場合において、２つの供給機構からそれぞれ異なる流量で第１の流路と第２の流路とに供給することで流量に差を持たせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の一実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置を示し、（ａ）はスクラバ洗浄処理ユニット、（ｂ）は現像処理ユニットの側断面図である。
【図３】実施形態に係るスクラバ洗浄処理ユニット及び現像処理ユニットの乾燥処理装置におけるエア供給機構を模式的に示すブロック図である。
【図４】実施形態に係るスクラバ洗浄処理ユニット及び現像処理ユニットの乾燥処理装置の平断面図である。
【図５】実施形態に係るスクラバ洗浄処理ユニット及び現像処理ユニットの乾燥処理装置のエアナイフノズルの斜視図である。
【図６】実施形態に係る乾燥処理装置のエアナイフノズルを示す側断面図である。
【図７】実施形態に係る乾燥処理装置のエアナイフノズルを示す断面図である。
【図８】実施形態に係る基板の各搬送工程を説明するための平面図である。
【図９】実施形態に係るエアナイフノズルの切り欠き部の作用を説明するための側面図である。
【図１０】実施形態に係るエアナイフノズルの第２の噴出口の第２の幅とエアの流量との関係を示すグラフである。
【図１１】実施形態に係るエアナイフノズルの変形例を示す斜視図ある。
【図１２】実施形態に係るエアナイフノズルの別の変形例を示す斜視図ある。
【図１３】実施形態に係るエアナイフノズルの他の変形例を示す斜視図である。
【図１４】実施形態に係るエアナイフノズルの他の変形例を示す側断面図である。
【図１５】実施形態に係るエアナイフノズルの他の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８１】
Ｄ…長手方向
Ｇ…基板
Ｅ…一端部
Ｈ１…第１の領域
Ｈ２…第２の領域
Ｐ…流路
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４…流量
Ｒ１、Ｒ２…領域
Ｒ３、Ｒ４…後端付近の領域
ｄ１…第１の幅
ｄ２…第２の幅
５８…搬送ローラ
７０…制御系
７３Ａ、７３Ｂ…エアナイフノズル
７３ｕ、７３ｖ、７３ｗ…第１、第２、第３の噴出口
７３ｃ…切り欠き部
９０…エア供給機構
９１…モータ
１０１…ヒータ
２０１…保持部材
【図１】
2005161217.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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