(57)【要約】      （修正有）【課題】光照射後の光樹脂硬化残膜を発生させない、小型のインプリント装置を提供する。【解決手段】光透過性の人工石英、サファイア、ポリカーボネートなどの基板用い、その基板に凹凸形状のパターンを形成してなる光硬化型インプリント金型１において、光硬化反応を制御するための樹脂膜、無機質膜などを基板上の凹凸パターンに形成したことを特徴とする、光硬化反応制御型インプリント金型１およびこれを用いたインプリント加工プロセス。【選択図】        図２
2005354017.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性の人工石英、サファイア、ポリカーボネートなどの基板用い、その基板に凹凸形状のパターンを形成してなる光硬化型インプリント金型において、光硬化反応を制御するための樹脂膜、無機質膜などを基板上に形成したことを特徴とする、光硬化反応制御型インプリント金型およびそれを用いたインプリント加工方法ならびにインプリント加工製品。
【請求項２】
請求項１において、光硬化反応を制御するための樹脂膜、無機質膜などは、光硬化反応の照射光を遮断できる反射、吸収膜などの機能性膜であることを特徴とする、請求項１記載の光硬化反応制御型インプリント金型およびそれを用いたインプリント加工方法ならびにインプリント加工製品。
【請求項３】
請求項１において、インプリント加工製品は、半導体チップ、半導体装置、電子装置などを搭載するプリント基板、ＤＮＡ解析などに用いるマイクロ生化学チップ、化学反応の解析などに用いるマイクロ化学チップなどである、請求項１記載の光硬化反応制御型インプリント金型を用いて製造したインプリント加工製品。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明はナノ、ミクロンレベルの微細な凹凸パターン形状を有する金型を被印刷部材に押圧し、被印刷部材に凹凸パターン形状を転写印刷するインプリント加工用金型、それを用いたインプリント加工法、ならびインプリント金型と加工法を用いたインプリント加工製品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】    ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＯＭなどの光ディスクは、現在フォトリソグラフィー法で作成した金属製の樹脂成型用金型による、ドットパターンの樹脂成型法によって作られている。この光ディスクには映像、音楽などのデータがドットパターンとして記録されており、これをレーザー光で読みとり再生される。
またＭＯなどの光磁気ディスクでは、同じく金属金型によるドットパターンの形成後に、磁性体薄膜が記録薄膜として形成されている。ＭＯではこの記録薄膜のデータをレーザー光で読み出しできるほか、消去、書き込みなども可能で、繰り返し記録（消去、書きこみ）が可能な記録媒体として市販されている。最近、これらの記録媒体は小型軽量化、携帯性、保管性、管理性、大容量化などの高い市場要求から、年々記録密度の向上が求められている。光インプリント法と呼ばれる方法では、パターン形成用樹脂に光硬化型の感光性の樹脂を用いる方法である。またパターン形成用の金型には、主に光を透過できる人工石英やサファイアなどの基板を用い、この基板にＥＢ法（電子ビーム法）で微細なパターンを形成し、ドライエッチングして凹凸を形成した金型が用いられる。インプリントでは金型の材質は金属でない場合でも、慣例的に金型と呼んでいる。ＥＢ法では１００ナノメーター以下のドットパターンの形成が容易であり、これを金型として用いることにより、高密度記録媒体の形成が可能になる。また記録媒体用樹脂に光硬化型を用いることによって、熱可塑性樹脂を用いる場合と比較して、低温でのドットパターンの形成が可能になり、熱によるパターンの歪みなどに配慮することなく、高密度な記録が可能な特徴がある。【０００３】  従来のＣＤ−ＲＯＭ，ＭＯなどの場合、通常のドットパターンの形状は、幅０．４μｍ、深さ０．４μｍ、長さ０．９〜３．３μｍである。これに対して、光インプリント法では、この１／１０サイズのドットパターンの形成が可能であり、１０倍の記録密度が達成できる。この光インプリント技術の開発によって、近い将来１００ＧＢの記録媒体の製造が可能になると期待されている。
この光インプリント技術は、１９９５年Ｃｈｏｕによって始めて紹介された。この分野の学術論文はまだ数少ないが、例えば、砥粒学会誌、第４６巻、第６号、ｐ２８２、（２００２）にナノインプリントの技術の現状として紹介されている。このなかで、金型にはＥＢでパターンを形成しドライエッチングで凹凸を形したサファイアを用い、上部から紫外線を照射して樹脂を硬化させる。このサファイア金型は、論文の中ではモールドと称している。また光インプリントリソグラフィ装置として、印刷装置の図面が掲載されている。この紹介論文の金型保持部を図１に断面図で示す。これによればサファイア製のインプリント金型１が上にあり、下には基板（被印刷部材）２がステージ４上に配置されていて、ステージ４はステージ上昇矢印６の方向に上昇して、サファイア製の金型１に押圧される。【０００４】  この従来のインプリント金型を用いた微細印刷加工技術を図２にを用いて更に詳細に説明する。従来技術ではまず図２（ａ）のように、人工石英、サファイアなどの光透過性の基板（被印刷部材）２を用い、その表面に凹凸の形状を加工したインプリント金型１を用意する。このインプリント金型１の凹凸パターンの形状加工は、先に示したように、例えばレジスト塗布〜ＥＢ加工後のドライエッチングや、ケミカルウェットエッチングなどによって行なう。次にインプリント金型１を光硬化型感光性樹脂７を塗布した基板（被印刷部材）２に対して位置合わせし、大気中や減圧下または真空中で機械的な圧力を加えながら押し当てる。光硬化型感光性樹脂７は未硬化の段階では加圧流動性を有するので、基板（被印刷部材）２上には加圧によりインプリント金型１の凹凸の形状にそったレプリカレジストパターンが形成される。減圧下や真空中で行なう方法では、感光性樹脂、金型、および金型と基板間の内臓ガス体を排出できるので、より微細なインプリント加工に適している。
次に紫外線を照射してからインプリント金型１を基板（被印刷部材）２から剥離すると、光硬化反応の終了した光硬化樹脂パターン８が形成される。このときインプリント金型１で排除しきれなかった、光硬化樹脂残膜９も同時に形成される。この光硬化樹脂残膜９は同様に紫外線照射されるので、光硬化反応が終了している。次にこの光硬化樹脂残膜９を除去するために、例えばドライケミカルエッチングやプラズマアッシングなどをおこなうと、最終的なレプリカレジストパターン（ｄ）が完成する。そしてさらにこのレプリカレジストパターンを用いて、基板（被印刷部材）２の微細エッチング加工をおこなうと、基板（被印刷部材）２にはインプリント金型１の逆パターンであるエッチングパターン１０が形成される。基板（被印刷部材）２の微細エッチング加工は、通常ドライエッチングやウエットケミカルエッチングなどの工法によって行なわれる。
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  従来技術で述べたように、感光性樹脂は金型の押圧によって加圧流動し、凹凸のレプリカレジストパターンが形成されるが、同時に光硬化樹脂残膜も形成される。このため通常、光硬化樹脂残膜の厚さを薄くする手段として、印刷時の押圧を大きくするなどの対策がとられる。しかし押圧を高めると、インプリント金型に大きな力が加わり、インプリント金型の破損の原因になるばかりでなく、インプリント装置のインプリント金型取り付け構造部が大きくなり、装置全体が大型化するなどの欠点がある。また特に光インプリントにおいてはインプリント金型の上部は光照射のために解放する必要があるので、インプリント金型の保持は金型周囲を支える治具を用いて行なわれる。この治具に大きな力を加えると、インプリント金型の撓み変形が発生するので、押圧を高めることにも限界がある。
さらに光硬化樹脂残膜を除去するためのドライエッチングにおいては、光硬化樹脂残膜を完全に除去しようとすると、光硬化樹脂残膜以外のレプリカレジストパターンまでエッチングし、損傷させる危険があるので、特に５０〜１００ｎｍの微細ドットパターンでは問題になっている。
【０００６】  したがって、発明が解決しようとする課題は、
１）  光照射後の光硬化樹脂残膜を無くすこと。
２）  インプリント装置を小型化すること。
３）  より微細なパターン形成を可能にすること。
４）  インプリント工程を短縮し、工程の削減により最終的なインプリント技術を応用した加工製品のコストを低減すること。
である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】  光透過性の人工石英、サファイア、ポリカーボネートなどの基板用い、その基板に凹凸形状のパターンを形成してなる光硬化型インプリント金型において、光硬化反応を遮断できる光硬化反応制御膜を設ける。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】  課題を解決するための手段のひとつを図３により説明する。図３（ａ）に示すように、インプリント金型１の凸部表面に光硬化反応制御高分子膜１１を設ける。この光硬化反応制御高分子膜１１は、光硬化反応に用いる光源の波長の光に対しての遮断膜、または吸収膜などの機能性高分子膜からなっている。この光硬化反応制御高分子膜の付与は例えば、金型のドライエッチング加工に用いるレジスト膜が紫外線を透過しない材料であれば、このレジスト膜を剥離せずに、そのまま光硬化反応制御高分子膜として用いることによっても可能である。この光硬化反応制御高分子膜を有するインプリント金型を、光硬化型感光性樹脂７を塗布した基板（被印刷部材）２に位置合わせして、加圧しながら押し当てると（図３（ｂ））、光硬化反応制御高分子膜直下の光硬化型感光性樹脂７は光硬化反応が進まない。したがって、未硬化のままで残った残膜は水や溶剤に可溶なので、金型剥離直後の簡単な洗浄により光硬化樹脂パターン８が現れる（図３（ｃ））。この光硬化樹脂パターン８をレジストとして、各種ドライエッチングやウエットケミカルエッチング法によって基板をエッチングすると、エッチングパターン１０が完成する（図３（ｄ））。【００９】  もう一つの手段を図４で説明する。図４ではインプリント金型１にポリマー金型１ｂを用いる。ポリマー金型１ｂには光硬化反応制御高分子膜１１が形成されている。この光硬化反応制御高分子膜１１は、例えばフォトマスクを用い感光性樹脂の露光、現像によるにより作成することができる。また非感光性樹脂の場合には、エキシマレーザ、炭酸ガスレーザなどでパターンを形成しても良い。光硬化反応制御高分子膜の厚さは、金型用ベース基板１ａ上に最初に塗布する感光性樹脂や非感光性樹脂の厚さによって選定できる。この場合の感光性樹脂や非感光性樹脂には、光硬化型感光性樹脂の露光に用いる光源の光を遮断できる特性を持った樹脂を選定する。金型用ベース基板１ａには、例えば紫外線を透過する人工石英やサファイア、またはポリカーボネートなどの板を用いる。
このポリマー金型１ｂを図３同様に、光硬化型感光性樹脂を塗布した基板（被印刷部材）２に位置合わせして、加圧しながら押し当てると（図４（ｂ））、光硬化反応制御高分子膜直下の感光性樹脂は光硬化反応が進まない。したがって、未硬化のままで残った残膜は水や溶剤に可溶なので、金型剥離直後の簡単な洗浄により光硬化樹脂パターン８が現れる（図４（ｃ））。この光硬化樹脂パターンをレジストとして、各種ドライエッチングやウエットケミカルエッチング法によって基板をエッチングすると、エッチングパターン１０が完成する（図４（ｄ））。【００１０】  また別の手段を図５で説明する。この例では光硬化反応制御膜として、光硬化反応制御無機質膜１２を用いた無機質膜金型１ｃによる方法である。光硬化反応制御無機質膜１２は例えば、フォトリソグラフィー用メタルマスクなどに用いるクロム蒸着膜や、ニッケルなどの無電解めっき膜、または酸化クロムなどのセラミック膜でも構わない。この光硬化反応制御無機質膜１２は、蒸着後やめっき後のフォトリソグラフィで形成できる。また銅などの電気めっきで形成する場合には、まず金型用ベース基板１ａに銅などの蒸着薄膜を全面に形成する。その後この蒸着薄膜の上部に電気めっきレジストパターンを形成し、必要とする厚さの電気銅めっきを施す。そして最後に電気めっきレジストと電気めっきレジスト直下の銅の蒸着薄膜を剥離する方法によって光硬化反応制御無機質膜を形成できる。この光硬化反応制御無機質膜は紫外線などの照射で膜特性が劣化しない特徴がある。
この光硬化反応制御無機質膜を有するインプリント金型を用いることによって、光硬化樹脂残膜の無い感光性樹脂パターンを形成でき、前述同様、基板（被印刷部材）の各種ドライエッチングやウエットケミカルエッチングを行なうことができる【００１１】  さらに微細なパターン形成用としてＥＢ加工法などで製造したマスター金型を用いて、ポリマーサブ金型を用いる方法がある。この方法は図２で示したと同じ方式で、基板（被印刷部材）２に紫外線を透過する人工石英やサファイアなどを用いる。この上に紫外線を遮断できる感光性樹脂膜を形成して、インプリント金型１をマスター金型として紫外線を照射すると、マスター金型に対するサブマスター版（レプリカ版）が完成する（図１（ｄ））。この方式では図１に示すように光硬化樹脂残膜が形成されるので、光硬化樹脂パターン８を損傷しないように配慮しながら、凹部の光硬化樹脂残膜９をドライエッチング等で除去する。この方式ではＥＢ加工によってマスター金型を作成するので、５０ｎｍ〜１μｍの非常に微細なパターンを形成できる特徴がある。この光硬化反応制御膜を有するインプリント金型を用いることによって、光硬化樹脂残膜の無い感光性樹脂パターンを形成でき、前述同様、基板（被印刷部材）の各種ドライエッチングやウエットケミカルエッチングを行なうことができる。
【実施例】
【実施例１】
【００１２】  実施例１を図３を用いて説明する。図３（ａ）に示すように、インプリント金型１の凸部表面に光硬化反応制御高分子膜１１を設ける。金型用ベース基板１には人工石英またはサファイアなどを用いる。光硬化反応制御高分子膜１１は、光硬化反応に用いる光源の波長の光に対しての遮断膜、または吸収膜などの機能性高分子膜からなっている。実施例１では、金型のエッチング加工に用いるエッチングレジスト膜を紫外線を遮断、または吸収できる材料とし、このレジスト膜を剥離せずにそのまま制御膜として用いる。紫外線を遮断できる機能性材料としては、例えば酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化チタンなどがある。これらの材料のナノ粒子（粒子径５０〜１００ｎｍφ）をエッチングレジスト膜に分散配合する。これらナノ粒子を分散させる感光性樹脂には例えば、高感度のネガ型遠紫外感光性樹脂（ＤｅｅｐＵＶ／波長２５０〜３００ｎｍ）である、ポリグリシジルメタクリレートのメチルマレイン酸付与物やクロルメチル化ポリスチレン、またはポジ型のポリメチルイソプロペニルケトンやポリメチルメタクリレートなどを用いる。この光遮断ナノ粒子を分散させた感光性樹脂を、インプリント金型１の材料である人工石英、サファイアなどの上に塗布してから、露光、現像によりエッチングレジスト膜となる感光性樹脂パターンを形成する。その後人工石英、サファイアを例えばフッ酸水溶液でウエットケミカルエッチングすると、紫外線を遮断できる光硬化反応制御高分子膜を有するインプリント金型１が完成する。【００１３】  この光硬化反応制御高分子膜を有するインプリント金型１を、パターン形成用の光硬化型感光性樹脂７を塗布した基板（被印刷部材）２に位置合わせして、加圧しながら押し当てる（図３（ｂ））。パターン形成用の感光性樹脂には、ウエットケミカルエッチングに耐性のある解像力２〜４μｍのネガ型の２，６−（４’−アジドベンザル）メチルシクロヘキサノン（露光波長３６５ｎｍ）などを用いることができる。光硬化反応制御高分子膜を有するインプリント金型は、光硬化反応制御高分子膜直下の感光性樹脂７は光硬化反応が進まない。したがって、未硬化のままで残った残膜は有機溶剤や水系溶剤に可溶なので、金型剥離直後の簡単な溶剤洗浄により光硬化樹脂パターン８が現れる（図３（ｃ））。この光硬化樹脂パターンをレジストとして基板（被印刷部材）２をウエットケミカルエッチングでエッチングすると、エッチングパターン１０が完成する（図３（ｄ））。【００１４】  この場合の基板（非印刷部材）２としては、例えば、銅箔（５〜２０μｍ厚さ）を配線導体として用いる半導体装置実装用のプリント基板があげられる。プリント基板のなかでも特にモジュール基板では、半導体素子（ベアチップ）をモジュール基板上に直接に搭載するために、配線幅５〜１０μｍの微細な配線導体が必要になっている。銅箔のエッチングには、塩化第二銅や塩化第二鉄の水溶液が通常用いられる。エッチング終了後、光硬化樹脂パターン８を剥離するとモジュール基板が完成する。
また他の応用例では、ガラス基板を用いた、マイクロ化学チップやＤＮＡ解析用のマイクロ生化学チップがある。これらのマイクロチップでは、微量の検体を短時間で解析ができるように、流路が数１０μｍのマイクロ流路のチップが必要になっている。このマイクロチップの場合も光硬化反応制御型インプリント金型を用いることにより、光硬化樹脂残膜の無い感光性樹脂パターンをガラス基板上に形成でき、ＣＦ４を用いたドライケミカルエッチングやフッ酸水溶液を用いたウエットケミカルエッチングにより微細な溝をガラス基板に形成することができる。
【実施例２】
【００１５】  実施例２を図４により説明する。実施例２はインプリント金型１にポリマー金型１ｂを用いるものである。ポリマー金型１ｂには光硬化反応制御高分子膜１１を光遮断機能を有する感光性樹脂を用いて形成する。光遮断機能を有する感光性樹脂には、実施例１で述べた酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化チタンなどのナノ粒子を分散配合した、ネガ型感光性レジストのポリグリシジルメタクリレートのメチルマレイン酸付与物やクロルメチル化ポリスチレン、またはポジ型のポリメチルイソプロペニルケトンやポリメチルメタクリレートなどを用いる。この感光性樹脂を石英またはサファイアまたはポリカーボネートなどの金型用ベース基板１ａ上に塗布してから、フォトマスクを用い感光性樹脂の露光、現像によるによりポリマー金型１ｂを作る。またこのポリマー金型では非感光性樹脂を用いることもできる。この場合には、エキシマレーザ、炭酸ガスレーザなどによって光硬化反応制御高分子膜１１を形成する。非感光性樹脂では、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化チタンのナノ粒子を分散配合しても良いが、それ自身が紫外線を吸収して紫外線遮断機能を有する、ベンゾフェノン系樹脂や、マロン酸エステル系樹脂を用いることもできる。【００１６】  光硬化反応制御高分子膜１１の厚さは、金型用ベース基板１ａ上に最初に塗布する感光性樹脂や非感光性樹脂の厚さによって決まる。ポリマー金型１ｂを光硬化型感光性樹脂を塗布した基板（被印刷部材）２に位置合わせして、加圧しながら押し当てると（図４（ｂ））、光硬化反応制御高分子膜直下の感光性樹脂は光硬化反応が進まない。したがって、未硬化のままで残った残膜は水系溶剤や有機溶剤に可溶なので、金型剥離直後の簡単な洗浄により光硬化樹脂パターン８が現れる（図４（ｃ））。この光硬化樹脂パターン８をエッチングレジスト膜として、基板（非印刷部材）２を各種ドライエッチングやウエットケミカルエッチングによりエッチングし、最後に光硬化樹脂パターン８を剥離すると、エッチングパターン１０が完成する（図４（ｄ））。
このポリマー金型の応用としては、実施例１と同様にモジュール基板やマイクロ化学チップ，マイクロ生化学チップが挙げられる。
【実施例３】
【００１７】  実施例３を図５により説明する。実施例３では光硬化反応制御膜として、金型用ベース基板１ａ上の光硬化反応制御無機質膜１２（以下簡単に無機質膜と記述する）を用いる。無機質膜としては例えば、フォトリソグラフィーに用いるメタルマスクのクロム蒸着膜や、ニッケルなどの無電解めっき膜、または酸化クロムなどのセラミック膜を用いる。金型用ベース基板１ａには、人工石英やサファイアなどを用い、その上にこれら光硬化反応制御無機質膜１２を形成する。この無機質膜のパターンは、ベース基板上への全面蒸着後、または全面無電解めっき後の通常のフォトリソグラフィ法で形成することができる。また銅やニッケル、またはクロムなどの電気めっきで形成する場合には、まず金型用ベース基板１ａに銅、ニッケル、クロムなどの蒸着薄膜を全面に形成する。その後この蒸着薄膜の上部に感光性樹脂の露光現像によるめっきレジストパターンをフォトマスクを用いて形成する。次に必要とする厚さの電気めっきを施す。そして最後にめっきレジストパターンと電気めっきレジスト直下の銅の蒸着薄膜を剥離して光硬化反応制御無機質膜１２を形成すると無機質膜金型１ｃが完成する。この光硬化反応制御無機質膜を有するインプリント金型を用いることによって、光硬化樹脂残膜の無い感光性樹脂パターンを形成でき、前述同様、基板（被印刷部材）２の各種ドライエッチングやウエットケミカルエッチングを行なうことができる
このポリマー金型の応用には、実施例１、２と同様にモジュール基板やマイクロ化学チップ，マイクロ生化学チップがある。
【実施例４】
【００１８】  実施例４を図２により説明する。実施例４では、さらに微細なパターン形成用として、ＥＢ加工法などで製造したマスター金型を用いて作成した、ポリマー金型による方法である。この方法は図２のように、基板（被印刷部材）２に紫外線透過性の人工石英やサファイアなどを用いる。この基板２の上に実施例２、３のように紫外線を遮断できる光硬化型感光性樹脂膜を形成し、インプリント金型１をマスター金型として用い紫外線を照射すると、マスター金型に対するサブマスター版（レプリカ版）ができる（図１（ｄ））。この方式では図１に示すように光硬化樹脂残膜９が形成される。この光硬化樹脂残膜９をＣＦ４などによるドライケミカルエッチング等によって、感光性樹脂パターン８が所定の厚さ以下に膜減りしないよう、ガス圧や時間に配慮しながら除去する。ただし、実施例１（図３）のように、マスター金型に光硬化反応制御膜がある場合には、光硬化樹脂残膜の除去の必要はなくなる。
この方式ではＥＢ加工によってマスター金型を作成するので、５０ｎｍ〜１μｍの非常に微細なパターンを形成できる。このようにして作成した光硬化反応制御高分子膜を有するポリマー金型を用いることによって、基板（被印刷部材）２の上に光硬化樹脂残膜の無い光硬化樹脂パターン８を形成でき、基板（被印刷部材）２をドライエッチングやウエットケミカルエッチングによってエッチングすることができる。
この方式の応用としては大容量ＭＯなどの光磁気ディスクがある。大容量ＭＯでは将来１００ＧＢの記録媒体が必要になると期待されている。このためには３インチのディスクで５０ｎｍのドットパターンが必要となるが、このドットパターンを有するＭＯの量産における安価な製造は、高価なＥＢ加工装置を用いたＥＢ直接描画では不可能であり、従来技術で記述したように、本発明における光硬化反応制御型インプリント金型が必要になる。
【発明の効果】
本発明の効果は、発明が解決しようとする課題で掲げた光インプリント金型の技術課題である
１）  光照射後の樹脂残膜を無くすこと。
２）  インプリント装置を小型化すること。
３）  より微細なパターン形成を可能にすること。
４）  インプリント工程を短縮し、工程の削減により最終的なインプリント応用加工製品のコストを低減すること。
を解決できるばかりでなく、
５）  サブマスター版の使用により、ＥＢ加工による高価なマスター版を数多く使用する必要がなくなり、ＭＯなどの大容量メディアディスクを安価に作れること。
などの多くの効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】インプリント装置
【図２】従来技術のインプリント用金型
【図３】本発明のインプリント金型
【図４】本発明のインプリント金型
【図５】本発明のインプリント金型
【符号の説明】
１  インプリント金型、１ａ  金型用ベース基板、１ｂ  ポリマー金型、１ｃ  無機質膜金型、２  基板（被印刷部材）、３  サファイア（紫外線照射板）、４  ステージ、５  光ファイバー、６  ステージ上昇矢印、７  光硬化型感光性樹脂、８  光硬化樹脂パターン、９  光硬化樹脂残膜、１０  エッチングパターン、１１  光硬化反応制御高分子膜、１２  光硬化反応制御無機質膜
【図１】
2005354017.tif 000003
【図２】
2005354017.tif 000004
【図３】
2005354017.tif 000005
【図４】
2005354017.tif 000006
【図５】
2005354017.tif 000007