(57)【要約】【課題】  生産性良く、良好な形状のバンクを形成できるバンクの形成方法を提供する。【解決手段】  昇華性材料を含む昇華層２が設けられた基材１に対して光を照射し、昇華性材料を昇華することで、基材１上にこの基材１の所定領域を区画するバンクＢを形成する。  【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
昇華性材料を含む昇華層が設けられた基材に対して光を照射し、前記昇華性材料を昇華させることで、前記基材上に該基材の所定領域を区画するバンクを形成することを特徴とするバンクの形成方法。
【請求項２】
前記昇華性材料は昇華性色素を含むことを特徴とする請求項１記載のバンクの形成方法。
【請求項３】
前記基材上に、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む光熱変換層が設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載のバンクの形成方法。
【請求項４】
前記光熱変換層は、前記基材と前記昇華層との間に設けられていることを特徴とする請求項３記載のバンクの形成方法。
【請求項５】
前記基材に、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料が混在されていることを特徴とする請求項１又は２記載のバンクの形成方法。
【請求項６】
前記昇華層に、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料が混在されていることを特徴とする請求項１又は２記載のバンクの形成方法。
【請求項７】
前記昇華層に、液体に対する親和性を調整する調整材料が混在されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載のバンクの形成方法。
【請求項８】
前記液体に対する親和性がそれぞれ異なる複数の昇華層が積層されていることを特徴とする請求項７記載のバンクの形成方法。
【請求項９】
前記基材上に、第１の昇華層と該第１の昇華層より撥液性を有する第２の昇華層とがこの順に積層されていることを特徴とする請求項８記載のバンクの形成方法。
【請求項１０】
前記光を照射した後、液体に対する親和性を調整する表面処理を行うことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項記載のバンクの形成方法。
【請求項１１】
前記基材の前記昇華層が設けられた一方の面側から前記光を照射することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項記載のバンクの形成方法。
【請求項１２】
前記基材の前記昇華層が設けられていない他方の面側から前記光を照射することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項記載のバンクの形成方法。
【請求項１３】
所定のパターンを有するマスクを介して、光を前記基材に照射することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項記載のバンクの形成方法。
【請求項１４】
前記光に対して前記基材を相対移動させながら、照射を行うことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項記載のバンクの形成方法。
【請求項１５】
前記基材より分離した材料を吸引除去することを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項記載のバンクの形成方法。
【請求項１６】
請求項１〜請求項１５のいずれか一項記載の形成方法により形成されたバンク間に配線パターン形成用材料を含む液滴を配置させて前記基材上に配線パターンを形成することを特徴とする配線パターンの形成方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の形成方法により形成された配線パターンを有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１８】
請求項１７記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材上の所定領域を区画するバンクの形成方法、及びそのバンクを使った配線パターンの形成方法、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体集積回路等の微細な配線パターンを有するデバイスの製造方法としてフォトリソグラフィ法が多用されているが、液滴吐出法（インクジェット法）を用いたデバイスの製造方法が注目されている。液滴吐出法を用いて微細な配線パターンを形成する場合、パターン線幅の精度を出すため、基材上に仕切部材であるバンクを設け、そのバンク間に機能液の液滴を配置する方法が提案されている。また、下記特許文献１には、バンク（ブラックマトリックス）の間隙に液滴吐出法を用いて特定の表面張力を有する機能液を配置する技術が開示されており、そのバンク（ブラックマトリクス）はフォトリソグラフィ法により形成されている。また、下記特許文献２には、転写層が設けられたドナーシートと基板とを密着させ、ドナーシートにレーザ光を照射することで転写層の一部を基板に転写し、その転写された転写層をバンクとして用いる技術が開示されている。
【特許文献１】特開平６−３４７６３７号公報
【特許文献２】特開２００１−１３０１４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、上記従来技術には以下に述べる問題が存在する。上記特許文献１に開示されているように、フォトリソグラフィ法によりバンクを形成する場合、現像処理をはじめとする多くのプロセス処理が必要であり生産性が低い。また、上記特許文献２に開示されているように、ドナーシートより基板にバンクを転写する場合、転写状態が悪いと基板上に形成されたバンクの形状が劣化する。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、生産性良く、良好な形状のバンクを形成できるバンクの形成方法を提供することを目的とする。更に、そのバンクを使って配線パターンを形成する配線パターンの形成方法、その配線パターンを有する電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明のバンクの形成方法は、昇華性材料を含む昇華層が設けられた基材に対して光を照射し、前記昇華性材料を昇華させることで、前記基材上に該基材の所定領域を区画するバンクを形成することを特徴とする。ここで、前記昇華性材料は昇華性色素を含む。本発明によれば、昇華層を有する基材に光を照射することにより、その照射した光に基づく熱によって昇華性材料を昇華して基材上から除去することができるので、形成しようとするバンクパターンに応じた領域に対して光を照射することにより、その照射領域の昇華性材料を除去して所望のパターンを有するバンクを基材上に形成することができる。そして、本発明では、光照射領域に該当する部分の昇華性材料を除去することでバンクを形成する構成であって、従来のような転写工程を行わずにバンクを形成できるため、転写むら等に起因するバンク形状の劣化を防止できる。
【０００６】
本発明のバンクの形成方法において、前記基材上に、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む光熱変換層が設けられていることを特徴とする。これにより、照射した光の光エネルギーを効率良く熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーを昇華層の昇華性材料に供与し、昇華性材料を昇華して基材上より除去できる。特に、前記光熱変換層を、前記基材と前記昇華層との間に設けて昇華層を外部に対して開放状態（露出状態）としておくことにより、昇華性材料を外部に円滑に放出（昇華）できる。また、本発明のバンクの形成方法において、前記基材に光熱変換材料を混在させる構成を採用することも可能であり、前記昇華層に光熱変換材料を混在させる構成を採用することも可能である。このような構成であっても、照射した光の光エネルギーを熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーを昇華性材料に供与することができる。
【０００７】
本発明のバンクの形成方法において、前記昇華層に、液体に対する親和性を調整する調整材料が混在されていることを特徴とする。これにより、バンクを形成後、そのバンクに対して機能液を配置する場合において、配置する機能液の位置や濡れ拡がり具合を制御することができる。この場合において、前記液体に対する親和性がそれぞれ異なる複数の昇華層が積層されている構成を採用することができる。これにより、配置する機能液の位置や濡れ拡がり具合を更に所望状態に制御可能となる。特に、前記基材上に、第１の昇華層と該第１の昇華層より撥液性を有する第２の昇華層とがこの順に積層されている構成を採用することにより、例えば形成後のバンク間に機能液を配置する場合、バンク間の底部近傍において機能液を良好に濡れ拡がらせることができ、また、バンクの上面を含む上部近傍に機能液が配置された場合でも、上部の撥液領域によりその上部近傍の機能液をバンク間の底部に流れ落とすようにして配置することができる。また、バンクを形成する昇華層に予め調整材料を混在させておく構成の他に、前記光を照射した後、液体に対する親和性を調整する表面処理を行うようにしてもよい。こうすることによっても、機能液をバンク間に良好に配置することができる。
【０００８】
本発明のバンクの形成方法において、前記基材の前記昇華層が設けられた一方の面側から前記光を照射する構成を採用することもできるし、前記基材の前記昇華層が設けられていない他方の面側から前記光を照射する構成を採用することもできる。一方の面側から光を照射する場合、基材を介さないで昇華層あるいは光熱変換層に光を照射することができるので、例えば基材を介したことに起因する光の回折や散乱による光照射位置のぶれ等の発生を無くし、所望の位置に光を照射して所望の形状を有するバンクを形成することができる。また、他方の面側から光を照射する場合、基材と昇華層との間に光熱変換層を設けておくことにより、光を基材を介して光熱変換層に対して直接的に照射することができ、光エネルギーを熱エネルギーに効率良く変換し、その熱エネルギーを昇華層に供与することができる。この場合、熱エネルギーを供与された昇華層の昇華性材料は外部に円滑に放出（昇華）される。
【０００９】
本発明のバンクの形成方法において、前記光はレーザ光であり、前記光熱変換材料に応じた波長を有する光を照射することを特徴とする。これにより、光熱変換材料に照射した光エネルギーを効率良く熱エネルギーに変換できる。
【００１０】
本発明のバンクの形成方法において、所定のパターンを有するマスクを介して、光を前記基材に照射する構成を採用することができる。これにより、照射する光の光束径以下の微細なバンクパターンを形成することができる。一方、前記光に対して前記基材を相対移動させながら、照射を行う構成を採用することもできる。つまり、照射する光（レーザ光）と基材とを相対移動してバンクパターンを描画するようにしてもよく、この構成によればマスクを製造する工程を省略できる。
【００１１】
本発明のバンクの形成方法において、前記基材より分離した材料を吸引除去することを特徴とする。本発明によれば、昇華した昇華性材料をはじめとする基材より分離した材料を吸引することでその材料を除去でき、分離（昇華）した材料が基材に再び付着するといった不都合の発生を防止することができる。
【００１２】
本発明の配線パターンの形成方法は、上記記載のバンクの形成方法により形成されたバンク間に配線パターン形成用材料を含む液滴を配置させて前記基材上に配線パターンを形成することを特徴とする。本発明によれば、液滴吐出法に基づいて、消費する材料の無駄を抑えつつ、微細な配線パターンを良好に形成することができる。
【００１３】
本発明の電気光学装置は、上記記載の配線パターンの形成方法により形成された配線パターンを有することを特徴とする。また、本発明の電子機器は、上記記載の電気光学装置を有することを特徴とする。本発明によれば、液滴吐出法に基づいて形成された微細な配線パターンを有し、所望の性能を発揮できる電気光学装置及びそれを有する電気機器を提供することができる。なお、電気光学装置としては、液晶表示装置、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置、及びプラズマ表示装置等が挙げられる。
【００１４】
バンクは、基材上の所定領域を区画する仕切部材であって、配線パターン等のパターン線幅の精度を出すのためのバンク、液晶表示装置のカラーフィルタに設けられ、隣り合う画素どうしを隔離するバンク（ブラックマトリクス）、及び有機ＥＬ表示装置に設けられ、隣り合う画素どうしを隔離するバンク等を含む。
【００１５】
上述した液滴吐出法は、吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置を使って実現され、該液滴吐出装置はインクジェットヘッドを備えたインクジェット装置を含む。インクジェット装置のインクジェットヘッドは、インクジェット法により機能液を含む液状体材料の液滴を定量的に吐出可能であり、例えば１ドットあたり１〜３００ナノグラムの液状体材料を定量的に断続して滴下可能な装置である。なお、液滴吐出装置としてはディスペンサー装置であってもよい。
【００１６】
液状体材料とは、液滴吐出装置の吐出ヘッドの吐出ノズルから吐出可能（滴下可能）な粘度を備えた媒体をいう。水性であると油性であると問わない。吐出ノズル等から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。また、液状体材料に含まれる材料は融点以上に加熱されて溶解されたものでも、溶媒中に微粒子として攪拌されたものでもよく、溶媒の他に染料や顔料その他の機能性材料を添加したものであってもよい。
【００１７】
また、上記機能液とは機能性材料を含む液状体材料であって、基材上に配置されることにより所定の機能を発揮するものである。機能性材料としては、カラーフィルタを含む液晶表示装置を形成するための液晶表示装置形成用材料、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を形成するための有機ＥＬ表示装置形成用材料、プラズマ表示装置を形成するためのプラズマ表示装置形成用材料、及び電力を流通する配線パターンを形成するための金属を含む配線パターン形成用材料などが挙げられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
＜バンクの形成方法＞
以下、本発明のバンクの形成方法について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明のバンクの形成方法に用いられるバンク形成装置の一実施形態を示す概略構成図である。図１において、バンク形成装置１０は、所定の波長を有するレーザ光束を射出するレーザ光源１１と、処理対象である基材１を支持するステージ１２とを備えている。基材１の上面には昇華性材料を含む昇華層２が設けられている。レーザ光源１１及び基材１を支持するステージ１２はチャンバ１４内に配置されている。チャンバ１４には、このチャンバ１４内のガスを吸引可能な吸引装置１３が接続されている。本実施形態では、レーザ光源１１として近赤外半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）が使用される。
【００１９】
ここで、以下の説明において、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸及びＹ軸のそれぞれに直交する方向（鉛直方向）をＺ軸方向とする。
【００２０】
ステージ１２は、基材１を支持した状態でＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能に設けられており、基材１はステージ１２の移動により光源１１から射出された光束に対して移動可能となっている。また、ステージ１２はＺ軸方向にも移動可能となっている。ここで、光源１１とステージ１２に支持された基材１との間には不図示の光学系が配置されている。基材１を支持したステージ１２はＺ軸方向に移動することにより、前記光学系の焦点に対する基材１の位置を調整可能となっている。そして、光源１１より射出された光束は、ステージ１２に支持されている基材１（昇華層２）を照射するようになっている。
【００２１】
基材１としては、例えばガラス基板や透明性高分子等を用いることができる。透明性高分子としては、ポリエチレンテレフタレートのようなポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリサルホン等が挙げられる。透明性高分子により基材１を形成した場合、その厚さは１０〜５００μｍであることが好ましい。こうすることにより、例えば、基材１を帯状に形成してロール状に巻くことができ、回転ドラム等に保持させつつ搬送（移動）することもできる。
【００２２】
なお、ここでは基材１をＸＹ方向に並進移動するステージ１２に支持させているが、基材１を回転ドラムに保持させる場合、回転ドラムは、水平並進方向（走査方向、Ｘ方向）、回転方向（Ｙ方向）、及び鉛直方向（Ｚ軸方向）に移動可能である。
【００２３】
昇華層２は、バインダ樹脂に溶解又は分散された昇華性色素を含んでいる。なおバインダが無い構成も可能である。昇華性材料としては公知の昇華性材料（昇華性色素）を使用することが可能であり、例えば特開平６−９９６６７号公報に開示されている分散染料、塩基性染料、油溶性染料、特開２００１−５１４１０６号公報に開示されている材料を使用可能である。更に、イエロー（Ｙ）昇華性材料として、ピリドンアゾ系、ジシアノスチリル系、キノフタロン系、マゼンダ（Ｍ）昇華性材料として、アントラキノン系、トリシアノスチリル系、ベンゼンアゾ系、シアン（Ｃ）昇華性材料として、アントラキノン系、インドフェノール系、インドナフトール系などが挙げられる。また、昇華層２は一層で形成されてもよいし、二層以上の複数層で形成されてもよい。
【００２４】
昇華層２にバインダ樹脂を使用する場合、公知のバインダ樹脂を使用することができ、例えば、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアクリル系樹脂（例えばポリメチルメタクリレート、ポリアクリルアミド、ポリスチレン−２−アクリロニトリル）、ポリビニルピロリドンを始めとするビニル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂（例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体）、ポリカーボネート系樹脂、ポリスチレン、ポリフェニレンオキサイド、セルロース系樹脂（例えばメチルセルロース、エチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、セルロースアセテート水素フタレート、酢酸セルロース、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートブチレート、セルローストリアセテート）、ポリビニルアルコール系樹脂（例えばポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールなどの部分ケン化ポリビニルアルコール）、石油系樹脂、ロジン誘導体、クマロン−インデン樹脂、テルペン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（例えばポリエチレン、ポリプロピレン）などが使用可能である。
【００２５】
上記色素およびバインダ樹脂を溶解または分散するための有機溶媒としては、一価アルコールを含むものが用いられる。例えば、ｎ−ブチルアルコール（ｂ．ｐ．１１７．４℃）、イソブチルアルコール（ｂ．ｐ．１０８．１℃）、ｓｅｃ−ブチルアルコール（ｂ．ｐ．１００℃）、ｎ−アミルアルコール（ｂ．ｐ．１３８℃）、イソアミルアルコール（ｂ．ｐ．１３２℃）、ヘキシルアルコール（ｂ．ｐ．１５５．７℃）などである。また、上記のアルコール類と他の有機溶媒を混合して用いてもよい。混合して用いる有機溶媒としては、公知の溶剤が使用でき、具体的には、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、トルエン、キシレン等の芳香族類、ジクロルメタン、トリクロロエタン等のハロゲン類、酢酸エチル、酪酸プロピル等のエステル類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等、およびこれらの混合物が挙げられる。
【００２６】
昇華層２は、一般的なフィルムコーティング方法、例えば、押出コーティング方法、スピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、リバースロールコーティング方法、ロッドコーティング方法、マイクログラビアコーティング方法などにより、基材１上に形成することができる。これらの昇華層２のコーティング方法においては、基材１の表面に帯電した静電気を除電して昇華層形成用機能液を均一に基材１に形成するのが好ましく、各方法に用いられる装置には除電装置が取り付けてあるのが好ましい。
【００２７】
次に、図２を参照しながらバンクの形成手順について説明する。図２（ａ）に示すように、基材１の昇華層２が設けられた上面側から、所定の光束径を有するレーザ光束が照射される。レーザ光束が照射されることにより、その照射位置に対応する基材１及び基材１上の昇華層２が加熱される。照射したレーザ光束に基づいて発生した熱により昇華層２の昇華性材料が昇華し、図２（ｂ）に示すように、照射位置に対応する昇華性材料（昇華層２）が基材１より除去される。これにより、バンクＢ、Ｂが形成され、バンクＢ、Ｂ間の溝部３において基材１が露出される。
【００２８】
このとき、照射するレーザ光束に対してステージ１２をＸＹ平面に沿って移動することにより、そのステージ１２の移動軌跡に応じた溝部３が描画される。こうして、基材１の所定領域を区画するバンクパターンが基材１上に形成される。
【００２９】
光の照射により昇華した昇華性材料や、昇華性材料とともに基材１から分離した材料はチャンバ１４内を浮遊するが、吸引装置１３を駆動してチャンバ１４内のガスを吸引することにより、その基材１から分離した材料を回収することができる。したがって、基材１から分離した材料が基材１や溝部３あるいはバンクＢに再び付着してしまう不都合の発生が防止される。
【００３０】
以上説明したように、昇華層２を有する基材１に光を照射することにより、その照射した光に基づく熱によって昇華性材料を昇華して基材１上から除去することができるので、形成しようとするバンクパターンに応じた領域に対して光を照射することにより、その照射領域の昇華性材料を除去して所望のパターンを有するバンクＢを基材１上に形成することができる。そして、光照射領域に該当する部分の昇華性材料を除去することでバンクＢを形成するため、従来のような転写工程を行わずにバンクＢを形成できるため、転写むら等に起因するバンク形状の劣化を防止できる。
【００３１】
なお本実施形態では、基材１を支持したステージ１２を移動することでバンクＢ（溝部３）を基材１上に描画しているが、もちろん、基材１を停止した状態で照射する光束を移動するようにしてもよいし、基材１と光束との双方を移動するようにしてもよい。また、基材１を移動する場合、ステージ１２でＸＹ平面内を移動する構成の他に、上述したように回転ドラムに保持させた状態で移動する構成も可能である。
【００３２】
なお、本実施形態では、バンクを形成するための材料層（昇華層）は昇華性材料を含む構成であり、光照射に基づいて発生する熱エネルギーにより昇華性材料を除去するが、バンクを形成するための材料層としては昇華性材料を含まない構成であってもよく、レーザ光を照射してアブレーション可能な材料であれば任意の材料を用いることができる。
【００３３】
なお、本実施形態では、照射した光に基づいて発生する熱エネルギーにより昇華性材料を除去してバンクを形成する構成であるが、基材に対して例えばサーマルヘッド等を用いて熱エネルギーを供与し、その熱エネルギーで昇華性材料を除去することもできる。
【００３４】
バンクパターンを形成する際、図３に示すように、形成しようとするバンクパターンに応じたパターンを有するマスク１５に対して光束を照射し、マスク１５を介した光を基材１（昇華層２）に照射するようにしてもよい。図３に示す例において、マスク１５は、マスク１５を透過した光を通過するための開口部１６Ａを有するマスク支持部１６に支持されている。光源１１から射出された光束は、光学系１７により均一な照度分布を有する照明光に変換された後、マスク１５を照明する。マスク１５を通過した光は、ステージ１２に支持されている基材１（昇華層２）を照射し、その照射された光に基づいて発生する熱により昇華性材料が昇華され、バンクパターンが形成される。マスク１５を用いることにより、レーザ光源１１から射出された光束の径より微細なバンクパターンを形成することができる。一方、図１を参照して説明したように、光束と基材１とを相対移動しつつバンクＢ（溝部３）を描画することによりマスク１５を製造する手間が省ける。
【００３５】
なお、図３に示す例では、マスク１５と基材１（昇華層２）とを離した状態で、基材１（昇華層２）に対して光を照射しているが、マスク１５と基材１（昇華層２）とを密着させた状態でマスク１５に光を照射し、そのマスク１５を介した光を基材１（昇華層２）に照射するようにしてもよい。
【００３６】
図４に示すように、基材１の昇華層２が設けられていない裏面側から、基材１に対して光束を照射するようにしてもよい。この場合、基材１は光束を透過可能な透明材料により形成されている。こうすることによっても、昇華層２の昇華性材料は照射された光により加熱されるので、照射位置に対応した位置の昇華性材料（昇華層２）を除去してバンクＢを形成することができる。なお、基材１の裏面側から基材１を介して昇華層２に光を照射する構成の場合、光は基材１を通過するときに散乱（回折）する可能性があるため、その散乱状態を予め計測しておき、昇華層２の所望位置に光が照射されるように、前記計測結果に基づいて照射条件を調整しつつ基材１の裏面側から光を照射することが好ましい。また、基材１の表面側及び裏面側の双方から光を照射しても構わない。
【００３７】
図５（ａ）に示すように、基材１と昇華層２との間に、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む光熱変換層４を設けることができる。こうすることにより、照射したレーザ光束の光エネルギーを効率良く熱エネルギーに変換し、図５（ｂ）に示すように、その光熱変換層４と隣接する昇華層２の昇華性材料を良好に昇華することができる。なお、光熱変換層４を、基材１の昇華層２が設けられていない裏面側に設けるようにすることもできる。
【００３８】
光熱変換層４を構成する光熱変換材料としては公知のものを使用することができ、レーザ光を効率よく熱に変換できる材料であれば特に限定されないが、例えば、アルミニウム、その酸化物及び／又はその硫化物よりなる金属層や、カーボンブラック、黒鉛又は赤外線吸収色素等が添加された高分子よりなる有機層等が挙げられる。赤外線吸収色素としては、アントラキノン系、ジチオールニッケル錯体系、シアニン系、アゾコバルト錯体系、ジインモニウム系、スクワリリウム系、フタロシアニン系、ナフタロシアニン系等が挙げられる。また、エポキシ樹脂等の合成樹脂をバインダとし、そのバインダ樹脂に前記光熱変換材料を溶解又は分散して基材１上に設けるようにしてもよい。また、バインダに溶解又は分散せずに、前記光熱変換材料を基材１上に設けることももちろん可能である。
【００３９】
光熱変換層４として前記金属層を用いる場合には、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、又はスパッタリングを利用して基材１上に形成することができる。光熱変換層４として前記有機層を用いる場合には、一般的なフィルムコーティング方法、例えば、押出コーティング方法、スピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、リバースロールコーティング方法、ロッドコーティング方法、マイクログラビアコーティング方法、ナイフコーティング方法などにより基材１上に形成することができる。
【００４０】
ここで、図５（ａ）に示したように、光熱変換層４を基材１と昇華層２との間に設けた場合、基材１の裏面側から光を照射することが好ましい。こうすることにより、照射した光を直接的に光熱変換層４に照射できるため、照射した光の光エネルギーを熱エネルギーに円滑に変換でき、その熱エネルギーで昇華層２の昇華性材料を昇華することができる。一方、基材１の表面側から光を照射することによっても、その照射した光エネルギーを光熱変換層４において熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーで昇華層２の昇華性材料を昇華することができる。また、光熱変換層４を基材１と昇華層２との間に設けて昇華層２を外部に対して開放状態（露出状態）としておくことにより、昇華性材料は外部に円滑に放出（昇華）される。
【００４１】
光熱変換層４を設けた場合、光熱変換材料に応じた波長を有する光を照射することが好ましい。つまり、使用する光熱変換材料に応じて良好に吸収する光の波長帯域は異なるため、光変換材料に応じた波長を有する光を照射することにより、光エネルギーを熱エネルギーに効率良く変換できる。換言すれば、照射する光に応じて使用する光熱変換材料を選択する。本実施形態では、レーザ光源として近赤外半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）を使用しているため、光熱変換材料としては、赤外線〜可視光線領域の光を吸収する性質を有している材料を用いることが好ましい。
【００４２】
なお、図５を参照して説明した実施形態では、光熱変換材料は、基材１及び昇華層２とは独立した層（光熱変換層４）に設けられているが、基材１に光熱変換材料を混在させる構成も可能であり、昇華層２に光熱変換材料を混在させる構成も可能である。このような構成であっても、照射したレーザ光の光エネルギーを熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーを昇華性材料に供与することができる。光熱変換材料を昇華層２に混在させる構成の場合、光を照射することで昇華性材料とともに光熱変換材料も基材１から分離（除去）されるため、その後のプロセス処理に対して光熱変換材料が与える影響を抑制できるとともに、デバイス設計の自由度を向上することもできる。特に、基材１を有機ＥＬ表示装置をはじめとする表示装置に使用する場合、残存した光熱変換層４が表示色に影響を与える不都合が生じる可能性があるが、昇華層２に光熱変換材料を混在させ、昇華性材料とともに光熱変換材料を除去することにより、上記不都合を回避することができる。
【００４３】
一方、図５に示した実施形態のように、光熱変換材料を含む光熱変換層４と昇華層２とを別々に設けた場合、光を照射後も基材１上に光熱変換層４が残存する場合があるが、例えば光熱変換層４が残存するバンクＢ、Ｂ間の溝部３に、熱処理又は光処理により導電性を発現する材料を含む機能液を配置し、基材１の裏面側から光熱変換層４に光を照射することで、光熱変換層４から発生する熱により前記材料に導電性を発現させることができる。ここで、熱処理又は光処理により導電性を発現する材料としては、後述する有機銀化合物などが挙げられる。
【００４４】
光熱変換材料を昇華層２に混在させた構成の場合、基材１の昇華層２が設けられた表面側から光を照射したほうが、直接的に光熱変換材料に光エネルギーを供与できるため好ましい。また、表面側から光を照射したほうが、裏面側から光を照射する場合に比べて、基材１を通過することにより生じる光の散乱（回折）といった不都合が生じない。
【００４５】
ところで、昇華層２に、液体に対する親和性を調整する調整材料を混在させておくことができる。例えば、昇華層形成用機能液に、液体に対する親和性を調整する調整材料を予め混在させておき、その後、その機能液を基材１上に塗布することで、前記調整材料が混在された昇華層２を基材１上に形成することができる。
【００４６】
調整材料としては、撥液性を有する材料、例えば含フッ素化合物あるいはシリコン化合物が挙げられる。こうすることにより、昇華層２からなるバンクＢに撥液性を付与することができる。そして、バンクＢに撥液性を付与することにより、例えば液滴吐出法に基づいてバンクＢ、Ｂ間の溝部３に対して機能液を配置する場合において、バンクＢの上面を含む上部近傍に機能液が配置された場合でも、その撥液性により機能液をバンクＢ、Ｂ間の溝部３の底部に流れ落とすようにして配置することができ、機能液を所望状態に配置することができる。
【００４７】
含フッ素化合物としては、例えば分子内にフッ素原子を含有するモノマー、オリゴマー又はポリマーや、フッ素含有の界面活性剤等が挙げられる。なお、このような含フッ素化合物は、昇華層２に含まれるバインダ樹脂に相溶するかもしくは分散するものが好ましい。また、シリコン化合物としては、例えば有機ポリシロキサンを主成分とする樹脂、ゴム、界面活性剤、カップリング剤等が挙げられる。これら含フッ素化合物及びシリコン化合物の双方を昇華層２に混在させてもよいし、いずれか一方を混在させてもよい。
【００４８】
図６（ａ）に示すように、液体（機能液）に対する親和性がそれぞれ異なる複数の昇華層２Ａ、２Ｂを積層することができる。これにより、配置する機能液の位置や濡れ拡がり具合を更に所望状態に制御可能となる。特に、基材１上に、昇華層２Ａとその昇華層２Ａより撥液性を有する昇華層２Ｂとをこの順に積層することにより、例えば形成後のバンクＢ、Ｂ間に機能液を配置する場合、図６（ｂ）に示すように、バンクＢ、Ｂ間の溝部３の底部５近傍において機能液を良好に濡れ拡がらせることができ、また、バンクＢ、Ｂの上面６を含む上部近傍に機能液が配置された場合でも、上部の撥液領域によりその上部近傍の機能液をバンクＢ、Ｂ間の溝部３の底部５に流れ落とすようにして配置することができる。
【００４９】
なお、昇華層２Ａ、２Ｂの撥液性を異ならせるためには、例えば各昇華層２Ａ、２Ｂのそれぞれに混在させる前記調整材料（含フッ素化合物又はシリコン化合物）の量を異ならせるか、あるいは、昇華層２Ａに親液性を有する調整材料を混在させればよい。
【００５０】
なお、図６に示す例では、昇華層２Ａは基材１上に直接設けられているが、もちろん、この昇華層２Ａと基材１との間に光熱変換層４を設けてもよい。また、図６には、２つの昇華層２Ａ、２Ｂを積層した例が示されているが、もちろん３層以上の任意の複数の昇華層を積層することもできる。
【００５１】
なお、基材１と昇華層２との間に、光を照射されることによりあるいは加熱されることによりガスを発生するガス発生材料を含むガス発生層を設けてもよい。ガス発生材料は、光を吸収したり光エネルギーから変換された熱エネルギーを吸収すると、分解反応を起こして窒素ガスや水素ガスなどを放出するものであって、発生したガスにより昇華層２を除去するエネルギーを提供する役割を有する。このようなガス発生材料としては、四窒酸ペンタエリトリトール(pentaerythritol tetranitrate ：ＰＥＴＮ）及びトリニトロトルエン(trinitrotoluene：ＴＮＴ）よりなる群から選択された少なくとも一つの物質等が挙げられる。
【００５２】
また、光熱変換層４を設けた場合、光熱変換層４と昇華層２との間に、光熱変換層４の光熱変換作用を均一化するための中間層を設けることができる。このような中間層形成材料としては、上記要件を満たすことのできる樹脂材料を挙げることができる。このような中間層は、所定の組成を有する樹脂組成物を例えばスピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、ダイコーティング法等の公知のコーティング方法に基づいて光熱変換層４の表面に塗布し、乾燥させることによって形成可能である。レーザ光束が照射されると、光熱変換層４の作用により、光エネルギーが熱エネルギーに変換され、さらにこの熱エネルギーが中間層の作用により均一化される。したがって、光照射領域に該当する部分の昇華層２には均一な熱エネルギーが供与される。
【００５３】
＜実施例＞
基材１としてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製シートを用い、そのＰＥＴ製シート上に光熱変換層４を設け、その光熱変換層４上に昇華層２を設けた。そして、そのシートを回転ドラムに保持させ、回転ドラムを１３０ｒｐｍで回転しつつ、シートに対して出力１１Ｗの近赤外半導体レーザ装置より波長８３０ｎｍのレーザ光を照射した。すると、昇華層２の昇華性色素が消失した。そして、その光照射領域に対応する領域の昇華性材料が除去されたかどうかを、テトラデカンに対する接触角を測定することで確認した。光照射前の昇華層２のテトラデカンに対する接触角は４９度であったが、光照射後の昇華性色素消失領域の接触角は７度であり、このことから、レーザ光照射によって昇華層２の一部が除去されたことを確認できた。
【００５４】
＜配線パターンの形成方法＞
以下、上記説明した方法により形成されたバンクＢ、Ｂを使って基材１上に配線パターンを形成する方法について説明する。図７は、形成されたバンクＢを使って基材１上に配線パターンを形成する方法を示す模式図である。本実施形態では、配線パターン形成用材料を基材１上に配置するために、配線パターン形成用材料を含む機能液の液滴を吐出する液滴吐出法（インクジェット法）を用いる。バンクＢは、基材１上に予め設定された配線パターン形成領域を区画するように設けられている。液滴吐出法では、吐出ヘッド２０と基材１とを対向させた状態で、バンクＢ、Ｂ間の溝部３に対して配線パターン形成用材料を含む機能液の液滴が吐出ヘッド２０より吐出される。
【００５５】
ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気熱変換方式、静電吸引方式、電気機械変換方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液体材料の一滴の量は例えば１〜３００ナノグラムである。本実施形態では、電気機械変換方式（ピエゾ方式）を用いる。
【００５６】
図８はピエゾ方式による機能液（液状体材料）の吐出原理を説明するための図である。図８において、吐出ヘッド２０は、機能液（配線パターン形成用材料を含む液状体材料）を収容する液体室２１と、その液体室２１に隣接して設置されたピエゾ素子２２とを備えている。液体室２１には、機能液を収容する材料タンクを含む供給系２３を介して機能液が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、吐出ノズル２５から機能液が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることによりピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることによりピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００５７】
以下、配線パターンを形成する手順について説明する。上記説明した方法によりバンクＢ、Ｂを形成した後、まず、バンクＢ、Ｂ間の溝部３の底部５（基材１の露出部）の残渣を除去する残渣処理を行うことが好ましい。残渣処理としては、溝部３の底部５に対して例えば紫外線（ＵＶ）等の光を照射することにより、光励起により、底部５に残存する特に有機系の残渣を良好に除去することができる。また、光熱変換層４が有機系の材料により構成されている場合、底部５（光熱変換層４）に対して紫外線等の光を照射することにより、底部５の光熱変換層４を除去することができる。なお、残渣処理としては、所定の処理ガスとして例えば酸素（Ｏ２）を含む処理ガスを用いたＯ２プラズマ処理によっても残渣を除去することができる。また、紫外線照射処理やＯ２プラズマ処理は底部５（基材１の露出部）に対して親液性を付与する親液化処理としての役割も有し、底部５（基材１の露出部）に親液性を付与することで後述するように機能液の液滴を溝部３に配置したとき、その機能液を底部５に良好に濡れ拡がらせることができる。
【００５８】
続いて、バンクＢに対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ４プラズマ処理法）を採用することができる。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。更に、機能液に対する撥液性を付与可能なものであれば、フッ素系以外の処理ガスを用いてもよい。また、撥液化処理としては、ＦＡＳ（フルオロアルキルシラン）で処理する方法（自己組織化膜法、化学気相蒸着法等）や、共役メッキ法、あるいは金チオールで撥液化する方法など、公知の様々な方法を採用することができる。バンクＢに撥液性を付与することにより、吐出ヘッド２０より吐出された液滴の一部がバンクＢの上面６に乗っても、バンク表面が撥液性となっていることによりバンクＢからはじかれ、バンクＢ、Ｂ間の溝部３に流れ落ちるようになる。したがって、吐出された機能液は基材１上のバンクＢ、Ｂ間に良好に配置される。
【００５９】
なお、バンクＢ、Ｂに対する撥液化処理により、先に親液化処理したバンク間の底部５（基材１の露出部）に対し多少は影響があるものの、特に基材１がガラス等からなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基材１はその親液性を実質上損なわれない。また、上述したように、バンクＢ（昇華層２）に予め撥液性を有する調整材料を混在させておくことにより、この撥液化処理工程を省略することが可能である。
【００６０】
次に、吐出ヘッド２０を用いて、基材１上のバンクＢ、Ｂ間に配線パターン形成用材料を含む機能液の液滴を配置する材料配置工程が行われる。ここでは、配線パターン形成用材料を構成する導電性材料として有機銀化合物を用い、溶媒（分散媒）としてジエチレングリコールジエチルエーテルを用い、その有機銀化合物を含む機能液を吐出する。材料配置工程では、図７に示したように、吐出ヘッド２０から配線パターン形成用材料を含む機能液を液滴にして吐出する。吐出された液滴は、基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間の溝部３に配置される。このとき、液滴が吐出される配線パターン形成領域はバンクＢにより区画されているので、液滴が所定位置以外に拡がることを阻止できる。また、バンクＢ、Ｂには撥液性が付与されているため、吐出された液滴の一部がバンクＢ上に乗ってもバンク間の溝部３に流れ落ちるようになる。更に、基材１が露出している溝部３の底部５は親液性を付与されているため、吐出された液滴が底部５にてより拡がり易くなり、これにより機能液は所定位置内で均一に配置される。
【００６１】
なお、機能液としては、導電性微粒子を分散媒に分散した分散液を用いることも可能である。導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、パラジウム、及びニッケルのうちの少なくともいずれか１つを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００６２】
材料配置工程（液滴吐出工程）の後、焼成工程が行われる。導電性材料を含む機能液に対して焼成処理を行うことにより導電性が得られる。特に有機銀化合物の場合、焼成処理を行ってその有機分を除去し銀粒子を残留させることで導電性が発現される。そのため、材料配置工程後の基材１に対して、焼成処理として熱処理及び光処理のうちの少なくとも一方が施される。熱処理・光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。熱処理・光処理の処理温度は、溶媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や有機銀化合物、酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。たとえば、有機銀化合物の有機分を除去するためには、約２００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。以上の工程により吐出工程後の導電性材料（有機銀化合物）は、銀粒子の残留により、導電性を有する配線パターンに変換される。
【００６３】
なお、材料配置工程の後、中間乾燥工程（あるいは焼成工程）を行い、これら材料配置工程と中間乾燥工程（焼成工程）とを交互に複数回繰り返すことにより、配線パターン形成用材料をバンクＢ、Ｂ間で積層することができる。
【００６４】
なお、焼成工程の後、基材１上に存在するバンクＢを除去（アッシング）することができる。例えば、バンクＢ（昇華層２）にレーザ光を照射したり、所定の溶剤により洗浄することでバンクＢを基材１から除去することができる。また、アッシング処理としては、プラズマアッシングやオゾンアッシング等を採用することもできる。
【００６５】
＜プラズマ表示装置＞
次に、本発明の配線パターンの形成方法により形成された配線パターンを有する電気光学装置の一例として、プラズマディスプレイ（プラズマ表示装置）について図９を参照しながら説明する。図９は、アドレス電極５１１とバス電極５１２ａとが製造されたプラズマディスプレイ５００を示す分解斜視図である。このプラズマディスプレイ５００は、互いに対向して配置されたガラス基板５０１とガラス基板５０２と、これらの間に形成された放電表示部５１０とから概略構成されている。
【００６６】
放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されてなり、複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になって１画素を構成するように配置されている。前記（ガラス）基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、それらアドレス電極５１１と基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成され、さらに誘電体層５１９上においてアドレス電極５１１、５１１間に位置して各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。なお、隔壁５１５においてはその長手方向の所定位置においてアドレス電極５１１と直交する方向にも所定の間隔で仕切られており（図示略）、基本的にはアドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔壁により仕切られる長方形状の領域が形成され、これら長方形状の領域に対応するように放電室５１６が形成され、これら長方形状の領域が３つ対になって１画素が構成される。また、隔壁５１５で区画される長方形状の領域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。
【００６７】
次に、前記ガラス基板５０２側には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数のＩＴＯからなる透明表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成されるとともに、高抵抗のＩＴＯを補うために金属からなるバス電極５１２ａが形成されている。また、これらを覆って誘電体層５１３が形成され、さらにＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。そして、前記基板５０１とガラス基板５０２の基板２が、前記アドレス電極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされ、基板５０１と隔壁５１５とガラス基板５０２側に形成されている保護膜５１４とで囲まれる空間部分を排気して希ガスを封入することで放電室５１６が形成されている。なお、ガラス基板５０２側に形成される表示電極５１２は各放電室５１６に対して２本ずつ配置されるように形成されている。 前記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続され、各電極に通電することで必要な位置の放電表示部５１０において蛍光体５１７を励起発光させて、カラー表示ができるようになっている。
【００６８】
そして、本例では、特に前記アドレス電極５１１とバス電極５１２ａとが、本発明に係る配線パターンの形成方法により形成される。すなわち、これらアドレス電極５１１やバス電極５１２ａについては、特にそのパターニングに有利なことから、金属コロイド材料（例えば金コロイドや銀コロイド）や導電性微粒子（例えば金属微粒子）を分散させてなる機能液を吐出し、乾燥・焼成することによって形成している。また、蛍光体５１７についても、蛍光体材料を溶媒に溶解させあるいは分散媒に分散させた機能液を吐出ヘッド２０より吐出し、乾燥・焼成することによって形成可能である。
【００６９】
＜カラーフィルタ＞
次に、本発明に係るバンクを使って液晶表示装置のカラーフィルタを製造する手順について、図１０を参照しながら説明する。まず、図１０（ａ）に示すように透明の基板（基材）Ｐの一方の面に対し、ブラックマトリックス（バンク）５２を形成する。このブラックマトリックス５２は、カラーフィルタ形成領域を区画するものであり、本発明に係るバンクの形成方法によって形成される。ブラックマトリクス（バンク）を形成するに際し、昇華性材料に黒色材料を使用するとともに、昇華性材料に光硬化性樹脂を混在させておくことで、光照射工程によりブラックマトリクスを硬化することができる。
【００７０】
次に、図１０（ｂ）に示すように、前記吐出ヘッド２０からカラーフィルタ用の機能液の液滴５４を吐出し、これをフィルタエレメント５３に着弾させる。吐出する機能液５４の量については、加熱工程（乾燥・焼成工程）における機能液の体積減少を考慮した十分な量とする。
【００７１】
このようにして基板Ｐ上のすべてのフィルタエレメント５３に液滴５４を充填した後、ヒータを用いて基板Ｐが所定の温度（例えば７０℃程度）となるように加熱処理する。この加熱処理により、機能液の溶媒が蒸発して機能液の体積が減少する。この体積減少の激しい場合には、カラーフィルタとして十分な膜の厚みが得られるまで、液滴吐出工程と加熱工程とを繰り返す。この処理により、機能液に含まれる溶媒が蒸発して、最終的に機能液に含まれる固形分（機能性材料）のみが残留して膜化し、図１０（ｃ）に示すようにカラーフィルタ５５となる。
【００７２】
次いで、基板Ｐを平坦化し、且つカラーフィルタ５５を保護するため、図１０（ｄ）に示すようにカラーフィルタ５５やブラックマトリックス５２を覆って基板Ｐ上に保護膜５６を形成する。この保護膜５６の形成にあたっては、スピンコート法、ロールコート法、リッピング法等の方法を採用することもできるが、カラーフィルタ５５の場合と同様に、前記吐出装置を用いて行うこともできる。次いで、図１０（ｅ）に示すようにこの保護膜５６の全面に、スパッタ法や真空蒸着法等によって透明導電膜５７を形成する。その後、透明導電膜５７をパターニングし、図１０（ｆ）に示すように画素電極５８を前記フィルタエレメント５３に対応させてパターニングする。なお、液晶表示パネルの駆動にＴＦＴ（Thin Film Transistor）を用いる場合には、このパターニングは不用となる。このようなカラーフィルタの製造において、前記吐出ヘッド２０を用いているので、カラーフィルタ材料を支障なく連続的に吐出することができ、したがって良好なカラーフィルタを形成することができるとともに、生産性を向上することができる。
【００７３】
＜有機ＥＬ表示装置＞
次に、本発明に係るバンクを使って有機ＥＬ表示装置を製造する手順について、図１１を参照しながら説明する。図１１は、前記吐出ヘッド２０により一部の構成要素が製造された有機ＥＬ表示装置の側断面図であり、まずこの有機ＥＬ表示装置の概略構成を説明する。なお、ここで形成される有機ＥＬ表示装置は、本発明における電気光学装置の一実施形態となるものである。図１１に示すようにこの有機ＥＬ装置３０１は、基板（基材）３１１、回路素子部３２１、画素電極３３１、バンク部３４１、発光素子３５１、陰極３６１（対向電極）、および封止基板３７１から構成された有機ＥＬ素子３０２に、フレキシブル基板（図示略）の配線および駆動ＩＣ（図示略）を接続したものである。回路素子部３２１は基板３１１上に形成され、複数の画素電極３３１が回路素子部３２１上に整列している。そして、各画素電極３３１間にはバンク部３４１が格子状に形成されており、バンク部３４１により生じた凹部開口３４４に、発光素子３５１が形成されている。陰極３６１は、バンク部３４１および発光素子３５１の上部全面に形成され、陰極３６１の上には封止用基板３７１が積層されている。
【００７４】
バンク部３４１は、第１バンク３４２と、その上に積層される第２バンク３４３とから構成されている。そして、このバンク部３４１を形成する際に、本発明に係るバンクの形成方法が用いられる。
【００７５】
有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ表示装置３０１の製造プロセスは、バンク部３４１を形成するバンク部形成工程と、発光素子３５１を適切に形成するためのプラズマ処理工程と、発光素子３５１を形成する発光素子形成工程と、陰極３６１を形成する対向電極形成工程と、封止用基板３７１を陰極３６１上に積層して封止する封止工程とを備えている。
【００７６】
発光素子形成工程は、凹部開口３４４、すなわち画素電極３３１上に正孔注入層３５２および発光層３５３を形成することにより発光素子３５１を形成するもので、正孔注入層形成工程と発光層形成工程とを具備している。そして、正孔注入層形成工程は、正孔注入層３５２を形成するための第１機能液を各画素電極３３１上に吐出する第１吐出工程と、吐出された第１機能液を乾燥させて正孔注入層３５２を形成する第１乾燥工程とを有し、発光層形成工程は、発光層３５３を形成するための第２機能液を正孔注入層３５２の上に吐出する第２吐出工程と、吐出された第２機能液を乾燥させて発光層３５３を形成する第２乾燥工程とを有している。
【００７７】
この発光素子形成工程において、正孔注入層形成工程における第１吐出工程と、発光層形成工程における第２吐出工程とで前記吐出ヘッド２０を用いている。
【００７８】
＜電子機器＞
以下、上記電気光学装置（液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置、プラズマ表示装置等）を備えた電子機器の適用例について説明する。図１２（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１２（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の電気光学装置を用いた表示部を示している。図１２（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１２（ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の電気光学装置を用いた表示部を示している。図１２（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１２（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の電気光学装置を用いた表示部を示している。図１２（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施の形態の電気光学装置を備えているので、表示品位に優れ、明るい画面の表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【００７９】
なお、上述した例に加えて、他の例として、液晶テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、電子ペーパー、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。本発明の電気光学装置は、こうした電子機器の表示部としても適用できる。
【００８０】
＜マイクロレンズ＞
図１３は、本発明に係るバンクを使ってマイクロレンズを形成する工程の一例を示す図である。
図１３（ａ）に示すように、基材８１０上に、本発明に係るバンクの形成方法に基づいてバンク８１１が形成される。そして、そのバンク８１１、８１１間の溝部に対してレンズ材料を含む機能液８１２が吐出ヘッド２０より吐出される。レンズ材料としては、透明且つ高屈折率の材料であることが好ましく、例えば、光硬化性や熱硬化性の樹脂、無機材料などが用いられる。本例では、硬化処理の低温化を図ること等を目的として、光硬化性の樹脂を用いる。なお、機能液８１２を吐出する工程の前に、バンク８１１に対して上述した撥液化処理を行うことが好ましい。次いで、図１３（ｂ）に示すように、基材８１０上に配置されたレンズ材料８１２を硬化させる。硬化処理としては、レンズ材料に対して所定波長の光を照射することにより行う。なお、レンズ材料として熱硬化性の樹脂を用いた場合、レンズ材料を所定の温度に加熱することにより硬化処理を行う。硬化処理により、バンク８１１によって区画された領域に凸状の曲面レンズ８１３が形成される。
【００８１】
図１４に示すように、バンク８１１によって区画された領域に形成された曲面レンズ８１３の上に、カラーフィルタ形成用材料としての、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色材８１４、８１５、８１６を配置することができる。バンク８１１によって区画された領域には、上述した凸状の曲面レンズ８１３が既に形成されていることから、色材８１４、８１５、８１６の配置により、バンク８１１内において、曲面レンズ８１３の上に色材８１４、８１５、８１６が積層される。色材８１４、８１５、８１６を配置する場合にも液滴吐出法を用いることができる。図１４において、このカラーフィルタでは、基材８１０側から入射した光は凸状の曲面レンズ８１３、及び色材８１４、８１５、８１６を通過した後に取り出される。このとき光は、曲面レンズ８１３を通過することにより集光されるとともに、各色材８１４、８１５、８１６を通過することにより、所定の波長帯域の光となる。また、曲面レンズ８１３の集光により、取り出される光の輝度の向上が図られる。なお、本実施形態では、バンク内に凸レンズを形成しているが、レンズの形状はこれに限定されない。
【００８２】
＜ＤＮＡチップ＞
図１５は、本発明に係るバンクを使って、検査機としてのＤＮＡチップを形成する実施形態を説明するための図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）及び（ｃ）はＡ−Ａ断面図である。なお、ＤＮＡチップに関する技術は、例えば、特開平１０−１６８３８６号公報、特開２０００−２３２８８３号公報などに記載されている。
図１５（ａ）及び（ｂ）において、本例のＤＮＡチップは、基材９００上に、図１３を参照して説明した曲面レンズ９０１が設けられ、このレンズ９０１上に反応剤９０２が定着された構成からなる。また、レンズ９０１及び反応剤９０２は、本発明に係る形成方法により形成されたバンク９０３によって区画された領域に重ねて配置されている。ＤＮＡチップ用の反応剤としては、例えばＤＮＡ断片が用いられる。あらかじめ遺伝子配列の判明している数十から数百種類のＤＮＡ断片を溶液中に含ませ、対応するバンク９０３に固定する。さらに、本例のＤＮＡチップは、図１５（ｃ）に示すように、基材９００の裏側から光が入射し、レンズ９０１及び反応剤９０２を通過して取り出されるようになっている。本例のＤＮＡチップの使用にあたっては、液状の遺伝子サンプル９０５を作成し、それをチップ上に配置する。サンプルに適合する遺伝子がある場合は、捕捉反応により反応剤９０２に反応し塩基配列が特定され、合成された蛍光染料により蛍光を発する。基体９００の裏側から入射した光はレンズ９０１によって集光され、取り出される光の輝度が上がり、視認性が向上する。
【００８３】
図１６（ａ）〜（ｅ）は、上記ＤＮＡチップの製造過程を模式的に示す図である。なお、簡略化のために、図１６（ａ）〜（ｅ）では、図１５（ｂ）に示した断面のみを部分的に拡大して示している。まず、図１６（ａ）に示すように、基材９００上に、反応剤が配置される領域を区画するバンク９０３が、本発明に係るバンクの形成方法に基づいて形成される。そして、図１６（ｂ）に示すように、そのバンク９０３の表面に対して撥液化処理が行われる。次に、図１６（ｃ）に示すように、吐出ヘッド２０により、バンク９０３によって区画された領域にレンズ材料９０４が配置される。次に、図１６（ｄ）に示すように、レンズ材料９０４が配置された基材９００に対して光が照射され、レンズ材料９０４を硬化することにより、バンク９０３内に凸状の曲面レンズ９０１が形成される。次に、図１６（ｅ）に示すように、バンク９０３によって区画された領域に吐出ヘッド２０より反応剤９０２が配置され、その反応材９０２がレンズ９０１上に定着されることにより、ＤＮＡチップが製造される。
【００８４】
上述したＤＮＡチップの製造方法では、機能材料としての反応剤９０２と、レンズ材料９０４とをともに、バンク９０３によって区画された領域に配置することから、レンズ材料９０４と反応剤９０２とがバンク９０３内で確実に積層される。また、材料の配置にあたって液滴吐出法を用いることから、レンズ材料あるいは反応剤の使用に無駄が少なく、しかもバンク９０３内に所望の量の材料が的確に配置される。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明のバンクの形成方法に使うバンク形成装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】本発明のバンクの形成方法の一実施形態を示す模式図である。
【図３】本発明のバンクの形成方法に使うバンク形成装置の他の実施形態を示す概略構成図である。
【図４】本発明のバンクの形成方法の他の実施形態を示す模式図である。
【図５】本発明のバンクの形成方法の他の実施形態を示す模式図である。
【図６】本発明のバンクの形成方法の他の実施形態を示す模式図である。
【図７】本発明の配線パターンの形成方法の一実施形態を示す模式図である。
【図８】本発明の配線パターンの形成方法に使う吐出ヘッドを示す概略構成図である。
【図９】本発明の配線パターンの形成方法により形成された配線パターンを有する電気光学装置の一例を示すプラズマディスプレイの分解斜視図である。
【図１０】本発明のバンクの形成方法により形成されたバンクを使って製造される電気光学装置の一例を示す図であって、液晶表示装置のカラーフィルタの製造工程の一例を示す図である。
【図１１】本発明のバンクの形成方法により形成されたバンクを使って製造される電気光学装置の一例を示す図であって、有機ＥＬ表示装置を示す側断面図である。
【図１２】本発明の電気光学装置を有する電子機器の一例を示す図である。
【図１３】本発明に係るバンクを使ってマイクロレンズを形成する手順を示す模式図である。
【図１４】マイクロレンズを含むカラーフィルタの一実施形態を示す図である。
【図１５】本発明に係るバンクを使って形成されたＤＮＡチップの一実施形態を示す模式図である。
【図１６】本発明に係るバンクを使ってＤＮＡチップを形成する手順を示す模式図である。
【符号の説明】
【００８６】
１…基材、２…昇華層、３…溝部、４…光熱変換層、５…底部、１１…光源、１３…吸引装置、１５…マスク、２０…吐出ヘッド、Ｂ…バンク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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