(57)【要約】      （修正有）【課題】脆性材料の高品位でかつ高速な割断加工を実現することができる、脆性材料の割断加工システム及びその方法を提供する。【解決手段】被加工基板６０を加工部ユニット５に対して相対的に移動させ、割断線リードユニット１０、予熱ユニット２０、割断ユニット３０及び冷却ユニット４０を被加工基板６０上で割断予定線７１に沿ってこの順番で相対的に移動させる。このとき、割断ユニット３０により被加工基板６０上に線状のレーザビームＬＢ２を照射することで被加工基板６０を所定の温度で局部的に加熱し、次いで、冷却ユニット４０により被加工基板６０上に冷却剤Ｃを吹き付けることで被加工基板６０を局部的に冷却する。被加工基板６０上に照射される線状のレーザビームＬＢ２の照射パターン６６は、割断予定線７１に沿う方向に関して均一な強度分布を有している。【選択図】図１
2005212364.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
脆性材料からなる被加工基板を局部的に加熱し、その熱応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断加工を行う割断加工システムにおいて、
割断予定線に沿う方向に延びる線状の照射パターンを有するレーザビームを前記被加工基板上に照射して当該被加工基板を局部的に加熱する割断ユニットと、
前記割断ユニットに対して前記被加工基板を相対的に移動させ、前記割断ユニットにより前記被加工基板上で局部的に加熱が行われる領域を前記割断予定線に沿って移動させる移動ユニットとを備え、
前記割断ユニットにより前記被加工基板上に照射される前記レーザビームの照射パターンは、前記割断予定線に沿う方向に関して均一な強度分布を有することを特徴とする割断加工システム。
【請求項２】
前記割断ユニットにより前記被加工基板上に照射される前記レーザビームの照射パターンは、前記割断予定線に沿って基準ビームを所定の長さに亘って繰り返し走査することにより生成されることを特徴とする、請求項１に記載の割断加工システム。
【請求項３】
前記割断ユニットにより前記被加工基板上に照射される前記レーザビームの照射パターンのうち前記割断予定線に沿う方向の長さは前記被加工基板の厚さの１０倍を越えることを特徴とする、請求項１又は２に記載の割断加工システム。
【請求項４】
前記割断ユニットにより前記被加工基板上で局部的に加熱が行われる領域を予熱して当該領域の温度を上昇させる予熱ユニットをさらに備えたことを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の割断加工システム。
【請求項５】
前記予熱ユニットは、前記割断予定線に沿う方向に延びる線状の照射パターンであってその強度分布が前記割断予定線に沿う方向に関して均一である照射パターンを有するレーザビームを前記被加工基板上に照射して当該被加工基板を局部的に予熱することを特徴とする、請求項４に記載の割断加工システム。
【請求項６】
前記予熱ユニットにより前記被加工基板上に照射される前記レーザビームは、前記割断予定線に沿って基準ビームを所定の長さに亘って繰り返し走査することにより生成されることを特徴とする、請求項５に記載の割断加工システム。
【請求項７】
前記割断ユニットにより前記被加工基板上で局部的に加熱が行われた領域に冷却剤を吹き付けて当該領域を冷却する冷却ユニットをさらに備えたことを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の割断加工システム。
【請求項８】
脆性材料からなる被加工基板を局部的に加熱し、その熱応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断加工を行う割断加工方法において、
割断対象となる被加工基板を準備する準備工程と、
割断予定線に沿う方向に延びる線状の照射パターンを有するレーザビームを前記被加工基板上に照射して当該被加工基板を局部的に加熱しつつ、当該被加工基板上で局部的に加熱が行われる領域を前記割断予定線に沿って移動させる割断工程とを含み、
前記割断工程において前記被加工基板上に照射される前記レーザビームの照射パターンは、前記割断予定線に沿う方向に関して均一な強度分布を有することを特徴とする割断加工方法。
【請求項９】
前記割断工程において前記被加工基板上に照射される前記レーザビームは、前記割断予定線に沿って基準ビームを所定の長さに亘って繰り返し走査することにより生成されることを特徴とする、請求項８に記載の割断加工方法。
【請求項１０】
前記割断工程において前記被加工基板上に照射される前記レーザビームの照射パターンのうち前記割断予定線に沿う方向の長さは前記被加工基板の厚さの１０倍を越えることを特徴とする、請求項８又は９に記載の割断加工方法。
【請求項１１】
前記割断工程において前記被加工基板上で局部的に加熱が行われる領域を予熱して当該領域の温度を上昇させる予熱工程をさらに含むことを特徴とする、請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の割断加工方法。
【請求項１２】
前記予熱工程において、前記割断予定線に沿う方向に延びる線状の照射パターンであってその強度分布が前記割断予定線に沿う方向に関して均一である照射パターンを有するレーザビームを前記被加工基板上に照射して当該被加工基板を局部的に予熱することを特徴とする、請求項１１に記載の割断加工方法。
【請求項１３】
前記予熱工程において前記被加工基板上に照射される前記レーザビームは、前記割断予定線に沿って基準ビームを所定の長さに亘って繰り返し走査することにより生成されることを特徴とする、請求項１２に記載の割断加工方法。
【請求項１４】
前記割断工程において前記被加工基板上で局部的に加熱が行われた領域に冷却剤を吹き付けて当該領域を冷却する冷却工程をさらに含むことを特徴とする、請求項８乃至１３のいずれか一項に記載の割断加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、脆性材料（硬く脆い材料）からなる被加工基板を局部的に加熱し、その熱応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断加工を行う割断加工システムに係り、とりわけ、脆性材料の高品位でかつ高速な割断加工を実現することができる、脆性材料の割断加工システム及びその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、脆性材料からなる被加工基板に対して割断加工を行う方法として、（ａ）ダイヤモンドなどの硬質材料を用いて被加工基板の表面を引っかくなどの作業を行って、被加工基板の表面に連続的でかつ微細な線状の亀裂や加工溝などを形成した後、その亀裂や加工溝などを拡げるように圧力または衝撃荷重を加えることにより被加工基板を割断する方法、（ｂ）ダイヤモンド砥石などの研削砥石を用いて被加工基板の表面にスクライビング加工を施し、その加工線に沿って被加工基板を割断する方法が知られている。このうち、後者の（ｂ）の方法は、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）などを製造するための製造プロセスにおいてガラス基板などを割断するために一般的に用いられている。
【０００３】
しかしながら、上記（ａ）の方法では、被加工基板の割断面に応力集中の原因となる不規則な微細な亀裂が残存しやすく、割断加工を行った後に端面の研磨などの仕上げ加工が必要になるなどの問題がある。
【０００４】
また、上記（ｂ）の方法では、スクライビング加工を施すために加工しろが必要になるという問題がある。また、硬い脆性材料からなる被加工基板ではスクライビング加工を施すこと自体が難しいという問題もある。さらに、被加工基板の割断面の表面にバリなどの不規則な面が発生しやすく、質の高い加工面を形成するのが困難であるなどの問題もある。
【０００５】
特に、上記（ｂ）の方法を利用して、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションディスプレイなどに用いられるガラス基板を割断する場合には、(1)研削砥石などによってスクライビング加工を施すための刃の寿命が短い、(2)刃を交換する際の再調整に時間がかかり、製造プロセスを停止するための無駄な時間が必要になる、(3)被加工基板の割断面の表面に生じるバリやゴミなどを除去するための洗浄工程や仕上げのための研磨工程などが別途必要になる、(4)近年一般的になりつつある薄厚のガラス基板（例えば、０．１ｍｍ〜０．数ｍｍ程度の厚さの基板）に対しての割断が難しく、スクライビング加工中に破損やチッピングなどを生じるおそれがある、という問題がある。
【０００６】
このような事情の下で、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションディスプレイなどに用いられるガラス基板を割断する方法としては、（ｃ）ＣＯ２レーザ（炭酸ガスレーザ）などのレーザビームを用いて脆性材料からなる被加工基板を局部的に加熱し、その熱応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断する方法が提案されている（特許文献１〜５参照）。
【０００７】
この（ｃ）の方法では、ガラス基板を割断する場合でも、(1)研削砥石などを用いないことから刃の交換などに伴う問題がなく、(2)被加工基板の割断面の表面にバリやゴミなどが生じないことから洗浄工程や研磨工程などを省略することができ、さらに、(3)薄厚のガラス基板を割断する場合でも破損やチッピングなどが生じるおそれがない、という利点がある。
【特許文献１】特表平８−５０９９４７号公報
【特許文献２】特開平１０−３４３６４号公報
【特許文献３】特開平１０−３４３６３号公報
【特許文献４】特開平７−３２３３８５号公報
【特許文献５】特開２００２−１７８１７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記（ｃ）の方法（レーザビームを用いて被加工基板を割断する方法）では、被加工基板に損傷（溶融や変形、変質など）を与えないという条件下でレーザビームの投入可能なエネルギーに制約があり、脆性材料の高品位な割断加工を高速に実現することが困難であった。具体的には例えば、１ｍｍオーダの厚さのガラス基板では、表面割断（Micro Crack Method）（ガラス基板の表面のみを割断する方法）の場合にはその速度を数百ｍｍ／秒以下程度に抑え、全割断（Full Body Crack Method）（ガラス基板の表面から裏面までを貫通した状態で割断する方法）の場合にはその速度は数十ｍｍ／秒以下程度に抑える必要があった。
【０００９】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、脆性材料の高品位でかつ高速な割断加工を実現することができる、脆性材料の割断加工システム及びその方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、第１の解決手段として、脆性材料からなる被加工基板を局部的に加熱し、その熱応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断加工を行う割断加工システムにおいて、割断予定線に沿う方向に延びる線状の照射パターンを有するレーザビームを前記被加工基板上に照射して当該被加工基板を局部的に加熱する割断ユニットと、前記割断ユニットに対して前記被加工基板を相対的に移動させ、前記割断ユニットにより前記被加工基板上で局部的に加熱が行われる領域を前記割断予定線に沿って移動させる移動ユニットとを備え、前記割断ユニットにより前記被加工基板上に照射される前記レーザビームの照射パターンは、前記割断予定線に沿う方向に関して均一な強度分布を有することを特徴とする、脆性材料の割断加工システムを提供する。
【００１１】
なお、上述した第１の解決手段において、前記割断ユニットにより前記被加工基板上に照射される前記レーザビームの照射パターンは、前記割断予定線に沿って基準ビームを所定の長さに亘って繰り返し走査することにより生成されることが好ましい。また、前記割断ユニットにより前記被加工基板上に照射される前記レーザビームの照射パターンのうち前記割断予定線に沿う方向の長さは前記被加工基板の厚さの１０倍を越えることが好ましい。
【００１２】
また、上述した第１の解決手段においては、前記割断ユニットにより前記被加工基板上で局部的に加熱が行われる領域を予熱して当該領域の温度を上昇させる予熱ユニットをさらに備えることが好ましい。ここで、前記予熱ユニットは、前記割断予定線に沿う方向に延びる線状の照射パターンであってその強度分布が前記割断予定線に沿う方向に関して均一である照射パターンを有するレーザビームを前記被加工基板上に照射して当該被加工基板を局部的に予熱することが好ましい。また、前記予熱ユニットにより前記被加工基板上に照射される前記レーザビームは、前記割断予定線に沿って基準ビームを所定の長さに亘って繰り返し走査することにより生成されることが好ましい。
【００１３】
さらに、上述した第１の解決手段においては、前記割断ユニットにより前記被加工基板上で局部的に加熱が行われた領域に冷却剤を吹き付けて当該領域を冷却する冷却ユニットをさらに備えることが好ましい。
【００１４】
本発明は、第２の解決手段として、脆性材料からなる被加工基板を局部的に加熱し、その熱応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断加工を行う割断加工方法において、割断対象となる被加工基板を準備する準備工程と、割断予定線に沿う方向に延びる線状の照射パターンを有するレーザビームを前記被加工基板上に照射して当該被加工基板を局部的に加熱しつつ、当該被加工基板上で局部的に加熱が行われる領域を前記割断予定線に沿って移動させる割断工程とを含み、前記割断工程において前記被加工基板上に照射される前記レーザビームの照射パターンは、前記割断予定線に沿う方向に関して均一な強度分布を有することを特徴とする、脆性材料の割断加工方法を提供する。
【００１５】
なお、上述した第２の解決手段において、前記割断工程において前記被加工基板上に照射される前記レーザビームは、前記割断予定線に沿って基準ビームを所定の長さに亘って繰り返し走査することにより生成されることが好ましい。また、前記割断工程において前記被加工基板上に照射される前記レーザビームの照射パターンのうち前記割断予定線に沿う方向の長さは前記被加工基板の厚さの１０倍を越えることが好ましい。
【００１６】
また、上述した第２の解決手段においては、前記割断工程において前記被加工基板上で局部的に加熱が行われる領域を予熱して当該領域の温度を上昇させる予熱工程をさらに含むことが好ましい。ここで、前記予熱工程において、前記割断予定線に沿う方向に延びる線状の照射パターンであってその強度分布が前記割断予定線に沿う方向に関して均一である照射パターンを有するレーザビームを前記被加工基板上に照射して当該被加工基板を局部的に予熱することが好ましい。また、前記予熱工程において前記被加工基板上に照射される前記レーザビームは、前記割断予定線に沿って基準ビームを所定の長さに亘って繰り返し走査することにより生成されることが好ましい。
【００１７】
さらに、上述した第２の解決手段においては、前記割断工程において前記被加工基板上で局部的に加熱が行われた領域に冷却剤を吹き付けて当該領域を冷却する冷却工程をさらに含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、割断予定線に沿う方向に延びる線状の照射パターンであってその強度分布が割断予定線に沿う方向に関して均一である照射パターンを有するレーザビームを被加工基板上に照射して当該被加工基板を局部的に加熱しつつ、当該被加工基板上で局部的に加熱が行われる領域を割断予定線に沿って移動させるようにしているので、被加工基板に損傷を与えない範囲で被加工基板に照射されるレーザビームのビーム強度を限界まで上げることができる。このため、ビーム強度がガウス分布をとる従来のレーザビームの場合に比べて、被加工基板の亀裂部分に対してより大きな熱応力（引張応力）を加えることができ、脆性材料のより高品位でかつ高速な割断加工を実現することができる。
【００１９】
また、本発明によれば、ビーム強度がガウス分布をとる従来のレーザビームの場合に比べて、被加工基板の亀裂部分に対してより大きな熱応力（引張応力）を加えることができるので、被加工基板として２枚のガラス基板がシール材を介して貼り合わされたような液晶基板が用いられる場合であっても高品位でかつ高速な割断加工を実現することができる。
【００２０】
さらに、本発明によれば、被加工基板に対してレーザビームを照射することにより割断加工を行っているので、被加工基板の割断面の表面にバリやゴミなどが生じず、洗浄工程や仕上げのための研磨工程などを省略することができる。また、薄厚基板を割断する場合でも破損やチッピングなどが生じるおそれがない。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【００２２】
まず、図１により、本発明の一実施の形態に係る割断加工システムの全体構成について説明する。
【００２３】
図１に示すように、割断加工システム１は、脆性材料からなる被加工基板６０を局部的に加熱し、その熱応力によって被加工基板６０に亀裂を生じさせて割断加工を行うものであり、被加工基板６０に対して割断加工を行うための加工部ユニット５と、被加工基板６０を支持するとともに加工部ユニット５に対して被加工基板６０を相対的に移動させる移動ユニット５０とを備えている。なおここでは、割断対象となる被加工基板６０として、２枚のガラス基板（上基板６１及び下基板６２）がシール材（図示せず）を介して貼り合わされた液晶基板を用いるものとする。
【００２４】
このうち、加工部ユニット５は、割断線リードユニット１０、予熱ユニット２０、割断ユニット３０及び冷却ユニット４０を含み、これらの各ユニットが被加工基板６０上で割断予定線７１に沿って相対的に移動するように構成されている。なお、割断線リードユニット１０、予熱ユニット２０、割断ユニット３０及び冷却ユニット４０は、被加工基板６０上での移動方向に関して先頭側から後尾側へ向かってこの順番で一直線状に配置されている。
【００２５】
以下、割断線リードユニット１０、予熱ユニット２０、割断ユニット３０及び冷却ユニット４０の詳細について説明する。
【００２６】
割断線リードユニット１０は、被加工基板６０の表面に圧痕（微細なクラック）を形成するためのものであり、支持部材（図示せず）に固定された固定部１１と、固定部１１に対して上下方向（Ｚ方向）に相対的に移動する可動部１２と、可動部１２の先端部に装着され被加工基板６０の表面に接触する円盤１３とを有している。ここで、円盤１３は、タングステンカーバイトやチタンカーバイト、超硬、タイヤモンドなどの硬質材料で作られた部材からなることが好ましい。また、円盤１３の接触面は３０°〜１５０°程度の山形をなしていることが好ましい。なおここで、円盤１３の被加工基板６０への接触条件としては、可動部１２による下方への押し付け態様によって各種の条件（押し付け力、変位量など）を選択することができる。
【００２７】
予熱ユニット２０は、割断線リードユニット１０により圧痕が形成された被加工基板６０上にレーザビームＬＢ１を照射して被加工基板６０を局部的に予熱するためのものであり、２００Ｗ〜３００Ｗ程度のＣＯ２レーザ（円形状の照射パターンを有する基準ビーム）を出射するレーザ発振器２１と、レーザ発振器２１により出射された基準ビームを反射する反射ミラー２２と、反射ミラー２２により反射された基準ビームを被加工基板６０上で走査するポリゴンミラー２３とを有している。これにより、レーザ発振器２１により出射された基準ビームが反射ミラー２２を経てポリゴンミラー２３で反射され、被加工基板６０上で割断予定線７１に沿って所定の長さＬ１に亘って繰り返し走査されることにより、線状のレーザビームＬＢ１が生成される。なお、図２に示すように、線状のレーザビームＬＢ１は、割断予定線７１に沿う方向に延びる線状の照射パターン６５を有するものであり、その強度分布は後述するように割断予定線７１に沿う方向に関して均一である。
【００２８】
割断ユニット３０は、予熱ユニット２０により局部的に予熱された被加工基板６０上にレーザビームＬＢ２を照射して被加工基板６０を局部的に加熱するためのものであり、数十Ｗ〜百数十Ｗ程度のＣＯ２レーザ（円形状の照射パターンを有する基準ビーム）を出射するレーザ発振器３１と、レーザ発振器３１により出射された基準ビームを反射する反射ミラー３２と、反射ミラー３２により反射された基準ビームを被加工基板６０上で走査するポリゴンミラー３３とを有している。これにより、レーザ発振器３１により出射された基準ビームが反射ミラー３２を経てポリゴンミラー３３で反射され、被加工基板６０上で割断予定線７１に沿って所定の長さＬ２に亘って繰り返し走査されることにより、線状のレーザビームＬＢ２が生成される。なお、図２に示すように、線状のレーザビームＬＢ２は、割断予定線７１に沿う方向に延びる線状の照射パターン６６を有するものであり、その強度分布は後述するように割断予定線７１に沿う方向に関して均一である。
【００２９】
冷却ユニット４０は、割断ユニット３０により局部的に加熱された被加工基板６０に冷却剤Ｃを吹き付けて被加工基板６０を局部的に冷却するためのものであり、水や霧（水と気体との混合物）、窒素などの気体、二酸化炭素粒子などの微粒子固体、アルコールなどの液体、霧状のアルコールなどの冷却剤Ｃを被加工基板６０の表面に噴射する冷却ノズル４１を有している。なお、冷却ノズル４１は、その直径（内径）が数ｍｍ以下であることが好ましい。
【００３０】
以上において、加工部ユニット５に含まれる割断線リードユニット１０、予熱ユニット２０、割断ユニット３０及び冷却ユニット４０はいずれも移動ステージ（図示せず）により被加工基板６０に沿う方向（Ｘ方向及びＹ方向）に移動することができるようになっており、割断線リードユニット１０、予熱ユニット２０、割断ユニット３０及び冷却ユニット４０がいずれも被加工基板６０上で割断予定線７１に沿って適切な間隔で一直線状に配置されるようにアライメント調整を行うことができるようになっている。
【００３１】
一方、移動ユニット５０は、割断線リードユニット１０、予熱ユニット２０、割断ユニット３０及び冷却ユニット４０を含む加工部ユニット５に対して被加工基板６０を相対的に移動させるためのものであり、被加工基板６０を支持するホルダ５１と、ホルダ５１により支持された被加工基板６０を位置決めするための位置決めピン５２と、ホルダ５１を加工部ユニット５に対してＸＹ平面内で相対的に移動させる移動ステージ５３とを有している。なお、ホルダ５１上には、被加工基板６０の裏面のうち割断予定線７１に対応する部分を支持する直線状の支え５４が設けられている。ここで、支え５４は、その断面形状が三角山形、半球状山形、楕円状山形、四角形山形、多角形山形をなしており、テフロン（登録商標）などのフッ素系樹脂や、ＰＥＥＫ（登録商標）などのポリアリルエーテルエーテルケトン系樹脂、アクリル、軟質ガラスなどのように、被加工基板６０を傷つけない程度の硬度の材料で作られた部材からなっていることが好ましい。
【００３２】
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
【００３３】
図１に示す割断加工システム１において、割断対象となる被加工基板６０を移動ユニット５０の移動ステージ５３上に搭載されたホルダ５１上に位置決めする。具体的には、被加工基板６０に付けられたアライメントマーク（図示せず）をＣＣＤ力メラ（図示せず）により撮像し、画像処理装置（図示せず）による撮像結果に基づいて被加工基板６０のアライメントマークがホルダ５１上の所定の場所にくるように両者の相対的な位置関係を変化させる。これにより、被加工基板６０がホルダ５１上の所定の場所に位置決めされる。なお、このようにしてホルダ５１上に位置決めされた被加工基板６０は位置決めピン５２により固定される。
【００３４】
そして、移動ユニット５０の移動ステージ５３によりホルダ５１を移動させ、ホルダ５１上に位置決めされた被加工基板６０の割断予定線７１上に加工部ユニット５を位置付ける。なお、加工部ユニット５に含まれる割断線リードユニット１０、予熱ユニット２０、割断ユニット３０及び冷却ユニット４０は、被加工基板６０の割断予定線７１上に位置付けられたときに当該割断予定線７１に沿って適切な間隔で一直線状に配置されるように予めアライメント調整が行われている。
【００３５】
この状態で、移動ユニット５０の移動ステージ５３により、ホルダ５１上に位置決めされた被加工基板６０を加工部ユニット５に対して相対的に移動させ、加工部ユニット５に含まれる割断線リードユニット１０、予熱ユニット２０、割断ユニット３０及び冷却ユニット４０を被加工基板６０上で割断予定線７１に沿ってこの順番で相対的に移動させる。
【００３６】
これにより、図１及び図２に示すように、まず、割断線リードユニット１０が、被加工基板６０の表面に円盤１３が接触した状態で割断予定線７１に沿って相対的に移動し、被加工基板６０の表面に百分の数μｍ〜数十μｍ程度の深さの圧痕（微細なクラック）を形成する。この圧痕の深さＤは、被加工基板６０の厚さＨとの関係でいうと、Ｄ＝３５μｍ（Ｈ＝０．２ｍｍ）、Ｄ＝４５μｍ（Ｈ＝０．４ｍｍ）、Ｄ＝６５μｍ（Ｈ＝０．７ｍｍ）、Ｄ＝９０μｍ（Ｈ＝１ｍｍ）などの深さを越えないようにする。これは、被加工基板６０はあくまでも割断ユニット３０により照射されるレーザビームＬＢ２によって発生する熱応力によって割断されるのであって、割断線リードユニット１０により形成される圧痕の役割は主として、実割断線である亀裂６８を割断予定線７１に近付けるためのものに過ぎないからである。なお、被加工基板６０はガラスなどの脆性材料からなるので、このようにして形成される圧痕に伴う被加工基板６０の変形量は極めて僅かであり、また、そのような変形は塑性流動（塑性変形）により得られている。このため、被加工基板６０の割断面の表面にバリやゴミ、チッピングなどはほとんど発生せず、また、仮に発生しても製造プロセスに影響を与えるほど大きなサイズとはならない。
【００３７】
次に、このようにして割断線リードユニット１０により圧痕が形成された被加工基板６０上で割断予定線７１に沿って予熱ユニット２０が相対的に移動し、被加工基板６０上の圧痕線を含む線状の領域に線状のレーザビームＬＢ１を照射することにより、被加工基板６０を所定の温度（３０℃〜２００℃程度）で局部的に予熱する。なおこのとき、予熱ユニット２０においては、レーザ発振器２１により出射された基準ビームが反射ミラー２２を経てポリゴンミラー２３で反射され、被加工基板６０上で割断予定線７１に沿って所定の長さＬ１に亘って繰り返し走査されることにより、照射パターン６５を有する線状のレーザビームＬＢ１が生成される。
【００３８】
そして、このようにして予熱ユニット２０により局部的に予熱された被加工基板６０上で割断予定線７１に沿って割断ユニット３０が相対的に移動し、予熱ユニット２０により被加工基板６０上で局部的に予熱が行われた領域よりも幅の狭い線状の領域に線状のレーザビームＬＢ２を照射することにより、被加工基板６０を所定の温度（１００℃〜４００℃程度）で局部的に加熱する。なおこのとき、割断ユニット３０においては、レーザ発振器３１により出射された基準ビームが反射ミラー３２を経てポリゴンミラー３３で反射され、被加工基板６０上で割断予定線７１に沿って所定の長さＬ２に亘って繰り返し走査されることにより、照射パターン６６を有する線状のレーザビームＬＢ２が生成される。
【００３９】
その後、このようにして割断ユニット３０により局部的に加熱された被加工基板６０上で割断予定線７１に沿って冷却ユニット４０が相対的に移動し、割断ユニット３０により被加工基板６０上で局部的に加熱が行われた領域よりも幅の広い円形状の領域に冷却剤Ｃを吹き付けることにより、被加工基板６０を局部的に冷却する。なおこのとき、冷却ユニット４０においては、冷却ノズル４１から噴射された冷却剤Ｃが被加工基板６０の表面に所定の吹付パターン６７で吹き付けられる。
【００４０】
以上のようにして、被加工基板６０上で割断予定線７１に沿って割断線リードユニット１０による圧痕の形成、予熱ユニット２０による予熱、割断ユニット３０による加熱及び冷却ユニット４０による冷却が順次行われると、主として被加工基板６０の加熱により発生した熱応力（引張応力）と被加工基板６０の冷却により発生した引張応力とによって亀裂６８が形成され、かつ、割断線リードユニット１０、予熱ユニット２０、割断ユニット３０及び冷却ユニット４０が被加工基板７０上で割断予定線７１に沿って相対的に移動することに伴って割断予定線７１に沿って亀裂６８が進展する。
【００４１】
具体的には、割断ユニット３０により被加工基板６０を局部的に加熱すると、被加工基板６０の加熱により発生した熱応力（引張応力）によって被加工基板６０に亀裂６８が生じる。そして、この状態で、被加工基板６０上で局部的に加熱が行われる領域６６を割断予定線７１に沿って移動させると、割断ユニット３０による加熱により発生した熱応力が被加工基板６０の亀裂６８の先端部に順次加えられ、この亀裂６８の先端部での応力拡大効果（破壊工学でいう「亀裂先端周りの持つ特異的効果」）によって領域６６の移動に追従する形で亀裂６８が進展する。
【００４２】
このとき、割断ユニット３０により被加工基板６０を局部的に加熱するのに続いて、冷却ユニット４０により、割断ユニット３０により被加工基板６０上で局部的に加熱が行われた領域（照射パターン６６に対応）よりも幅の広い円形状の領域（吹付パターン６７に対応）に冷却剤Ｃを吹き付けると、被加工基板６０の冷却により発生した引張応力が、割断ユニット３０による加熱により発生した引張応力と重ね合わされる。これにより、割断ユニット３０による加熱のみにより発生した引張応力がさらに拡大され、被加工基板６０の亀裂６８の先端部で生じる応力拡大効果がより大きくなって亀裂６８をより高速に進展させることができる。なお、このようにして被加工基板６０の加熱により発生した熱応力（引張応力）と被加工基板６０の冷却により発生した引張応力とによって亀裂６８を進展させる場合には、亀裂６８の先端部は通常、冷却ユニット４０の近傍に位置付けられる。
【００４３】
さらに、この状態で、割断ユニット３０により被加工基板６０を局部的に加熱するのに先行して、割断ユニット３０により被加工基板６０上で局部的に加熱が行われる領域（割断ユニット３０により実際に加熱が行われる領域と同程度の大きさかそれよりも広い領域）（照射パターン６５に対応）を局部的に予熱すると、割断ユニット３０により被加工基板６０上で局部的に加熱が行われる領域の温度を予め上昇させておくことができ、割断ユニット３０により行われる割断のための加熱を効果的に補助することができる。
【００４４】
なお、以上において、予熱ユニット２０により被加工基板６０上に照射される線状のレーザビームＬＢ１は、図２に示すように、割断予定線７１に沿う方向に延びる線状の照射パターン６５を有するものであり、その幅Ｗ１（割断予定線７１に直交する方向の長さ）を十分の数ｍｍ〜十数ｍｍ程度とし、その長さＬ１（割断予定線７１に沿う方向の長さ）を数十ｍｍから被加工基板６０の全長に達する長さ程度とすることが好ましい。
【００４５】
また、割断ユニット３０により被加工基板６０上に照射される線状のレーザビームＬＢ２は、図２に示すように、割断予定線７１に沿う方向に延びる線状の照射パターン６６を有するものであり、その幅Ｗ２（割断予定線７１に直交する方向の長さ）を十分の数ｍｍ〜十数ｍｍ程度とし、その長さＬ２（割断予定線７１に沿う方向の長さ）を数ｍｍ〜百ｍｍ程度とすることが好ましい。
【００４６】
なお、このような線状のレーザビームＬＢ２の照射パターン６６の長さＬ２は被加工基板６０の厚さＨに対して十分に長く、具体的には厚さＨの１０倍を越えることが好ましい。
【００４７】
これは、線状のレーザビームＬＢ２の照射パターン６６の長さＬ２を被加工基板６０の厚さＨに対して十分に長くとるようにすることにより、レーザビームＬＢ２に加えられた熱を被加工基板６０の表面から内部を通って裏面まで十分に伝えることができ、これに伴って熱応力も被加工基板６０の表面だけでなく内部及び裏面まで作用させることができる、ということが、本発明者らによる種々の実験により判明した結果による。
【００４８】
一般に、割断ユニット３０のレーザ発振器３１から出射されたＣＯ２レーザは被加工基板６０の材料であるガラスに極めてよく吸収されるので、ＣＯ２レーザが照射された表面から波長オーダの深さ（約１０μｍ程度）のところで吸収されてしまう。このため、ＣＯ２レーザが被加工基板６０の内部に侵入されることはなく、被加工基板６０の裏面まで熱を伝えるには被加工基板６０の表面で発生した熱が裏面まで伝導するのを待つしかない。しかしながら、被加工基板６０の材料であるガラスは金属などとは異なって熱伝導率が小さく、このため、ガラスの表面で発生した熱を裏面まで伝達するためには一定のパワーのレーザを比較的長い照射時間に亘って照射する必要がある。ここで、大きな熱応力を得ようとしてレーザのパワーを上げても、照射時間が短いと、熱応力はガラスの内部には十分に伝わらず、その表面だけが割断されてしまう。また、レーザのパワーを上げ過ぎると、ガラスの表面は熱により融点を越えて溶融してしまい、「割断」ではなく、「溶断」ないし「切断」になってしまう。なお、「溶断」ないし「切断」は物質の消失を伴う現象であり、物質の消失がない「割断」に比べて、加工面の粗さや表面性状などの点で劣っており、加工を行った後に、バリやゴミなどを除去するための洗浄工程や仕上げのための研磨工程などが必要になる。
【００４９】
ここで、予熱ユニット２０及び割断ユニット３０により被加工基板６０上に照射される線状のレーザビームＬＢ１，ＬＢ２は互いに重なり合わないようにすることが好ましい。これは、レーザビームＬＢ１，ＬＢ２が被加工基板６０上で互いに重なり合うと、その重なり合った部分でエネルギー密度が高くなるからである。すなわち、予熱ユニット２０により照射されるレーザビームＬＢ１のエネルギー密度をＰ１、割断ユニット３０により照射されるレーザビームＬＢ２のエネルギー密度をＰ２とすると、重なり合った部分でのエネルギー密度はＰ１＋Ｐ２になる。ここで、被加工基板６０の表面が融点に達するエネルギー密度をＷとすると、割断の現象が発生する条件としてＷ＞Ｐ１＋Ｐ２が必要であり、もしＷ＜Ｐ１＋Ｐ２であるならば、溶断ないし切断になってしまう。このため、割断の速度を速くするためには、Ｗ＞Ｐ２という条件の下で可能な限りＰ２を大きくすることが好ましく、そのためには互いに重なり合わないようにすることが有利だからである。
【００５０】
また、予熱ユニット２０及び割断ユニット３０により被加工基板６０上に照射される線状のレーザビームＬＢ１，ＬＢ２の照射パターン６５，６６は、割断予定線７１に沿う方向に関して均一な強度分布を有している。これは、レーザビームを空間的に拡げた場合には、その拡げた場所により強度分布のムラが生じるのに対して、被加工基板６０上で基準ビームを割断予定線７１に沿って所定の長さＬ１，Ｌ２に亘って走査することによりレーザビームを生成した場合には、場所による強度分布のムラが少ないことによる。
【００５１】
図３(b)において、基準ビームの照射パターン（ビームスポット）は符号ＳＰで表されており、このビームスポットＳＰがＳ−Ｕ区間で繰り返し走査されることにより線状のレーザビームＬＢ１，ＬＢ２が生成される。
【００５２】
以下、図８（ａ）（ｂ）を用いて具体的に説明する。いま、基準ビームが被加工基板６０上で走査速度Ｖｂで走査され、被加工基板６０が速度Ｖｓで移動しているものとする。なお、基準ビームの走査速度Ｖｂは十分な速さとなるように設計されており、Ｖｂ＝Ｎ・Ｖｓ…(1)、となるものとする（ここで、Ｎは例えば１００〜１０００の定数（設計値）である）。
【００５３】
次に、走査される基準ビームのＳ−Ｕ区間の長さをＬ、基準ビームがその区間を走査する時間をδτとすると、δτ≒Ｌ／Ｖｂ…(2)、となる。さらに、δτ時間ごとの、この繰り返し走査の状態を被加工基板６０を基準にして表すと、図８（ｃ）に示すようなものとなる。図８（ｃ）に示すように、基準ビームの毎回の走査で被加工基板６０がεだけ移動し（基準ビームがεだけ相対的に移動し）、多重照射回数（あるスポットに基準ビームが繰り返しが照射される回数）Ｍで被加工基板６０が照射されることとなる。ここで、基準ビームは時間δτで繰り返し走査されるので、ε＝Ｖｓ・δｔ…(3)となる。ここで、Ｍを求めると、Ｍ＝Ｌ／εであり、上記の(1)〜(3)式を用いれば、Ｍ＝Ｎとなる。すなわち、図８（ｃ）に示すような任意の領域Ｇに基準ビームが照射される回数Ｍは、基準ビームの走査速度Ｖｂの被加工基板６０の速度Ｖｓに対する倍率Ｎと等しくなる。ここで、Ｎは例えば１００〜１０００と十分に大きい定数であるので、基準ビームが照射される回数Ｍも十分に大きい。領域Ｇに対して、一回の基準ビームの照射により与えられるエネルギーをδＥとし、δＥが統計的なゆらぎを持っていて、平均値がＥａｖ、標準偏差がδａｖのガウス分布であるものとすると、Ｎ（＝Ｍ）回の繰り返し走査により与えられる全エネルギーＥは、平均値がＮ・Ｅａｖ、標準偏差が（Ｎ１／２）・δａｖのガウス分布となる。
【００５４】
このことから分かるように、結果的に、線状のレーザビームＬＢ１，ＬＢ２により与えられる全エネルギーＥはＮ倍になるが、統計的なゆらぎはＮ１／２にしかならない。すなわち、全エネルギーＥの平均値に対する統計的なゆらぎはＮ１／２に軽減することができる。なお、このことは、図８（ｃ）に示す領域Ｇだけでなく、基準ビームを走査した全ての領域について成り立つ。
【００５５】
従って、上述したようにして、Ｎを十分に大きくとって基準ビームを繰り返し走査すれば、線状のレーザビームＬＢ１，ＬＢ２のビーム強度の持つ統計的なゆらぎはＮ１／２に軽減することができ、均一でかつ時間的に安定したレーザビームの照射が可能となる。
【００５６】
すなわち、線状のレーザビームＬＢ１，ＬＢ２の照射パターンのＡ−Ａ′断面の強度分布（ビーム強度のプロファイル）は、図３(a)に示すように、矩形状のプロファイルＡ０となり、Ｓ−Ｕ区間で略一定のビーム強度をとる。
【００５７】
これに対し、線状のレーザビームＬＢ１，ＬＢ２と同様に割断予定線７１に沿った所定の長さ（Ｓ−Ｕ区間）をカバーするような楕円ビーム（楕円形状の照射パターンを有するレーザビーム）を想定し（図３(c)参照）、この楕円ビームの照射パターン（ビームスポット）のＢ−Ｂ′断面の強度分布（ビーム強度のプロファイル）をとると、図３(a)に示すように、ガウス分布のプロファイルＢ０となる。これは、レーザ発振器から出射されるレーザビームは一般的にガウス分布の特性を持ち、この特性が被加工基板６０上に照射された場合でも保存されるからである。
【００５８】
ここで、このような楕円ビームのビームスポット内の一点Ｐを考える。この点Ｐに単位時間δτあたりに照射されるビームエネルギーＥｐはビーム強度をＩ０とすると、Ｅｐ＝Ｉ０・δτとなる。ここで、被加工基板６０に単位面積及び単位時間あたりに投入されるエネルギーが大きくなると、被加工基板６０は溶融して損傷し、また溶融しないまでも変形や変質などの損傷を受けることとなる。
【００５９】
今、被加工基板６０に損傷が生じる限界のビーム強度をＬ０とする。
【００６０】
この場合、ビーム強度がガウス分布をとるレーザビームにおいて、プロファイルがＢ０である場合には、Ｉ０＜Ｌ０であるので、投入可能なエネルギーにはまだ余裕がある。従って、点Ｐについてだけ考えるならば、ビーム強度を全体的に強くしてプロファイルＢ１までビーム強度を強くすることが可能である。しかしながら、実際にはプロファイルがＢ１になった場合、ガウス分布の特性からＰ−Ｑ区間ではビーム強度はＩ０＞Ｌ０となり、この領域で被加工基板６０に損傷が与えられてしまうことになる。従って、ビーム強度がガウス分布をとるレーザビームを被加工基板６０に照射する場合には、ガウス分布のピーク値がＬ０に一致するビーム強度が、投入できる最大のビーム強度となる。
【００６１】
これに対し、Ｓ−Ｕ区間でビーム強度が一定であるプロファイルＡ０の場合には、その一定の部分がＬ０と一致する状態まで被加工基板６０に損傷を与えることなくビーム強度を上げることができるので、被加工基板６０の亀裂部分に対してより大きな熱応力（引張応力）を加えることができる。
【００６２】
以上の点につき、図４(a)(b)を用いてさらに詳細に説明する。ここで、図４(a)は被加工基板６０上の一点Ｐをレーザビームが通過した場合の、その点Ｐでの温度の変化（時間変化）を示し、図４(b)は被加工基板６０上の一点Ｐをレーザビームが通過した場合の、その点Ｐでのビーム強度の変化（時間変化）を示している。
【００６３】
図４(a)に示すように、被加工基板６０上をレーザビームが移動し、時間Ｔ１で点Ｐに照射されるものとすると、その時点で温度がθ０からθ１に上昇する。
【００６４】
ここで、レーザビームのビーム強度がガウス分布をとり、そのプロファイルがＢ０である場合（図４(b)参照）には、被加工基板６０の温度は曲線Θｂのように変化し、レーザビームのビーム強度が一定で、そのプロファイルがＡ０である場合（図４(b)参照）には、被加工基板６０の温度は曲線Θａのように変化する。この場合、曲線Θａの最大温度はθ３、曲線Θｂの最大温度はθ２であり、被加工基板６０の融点がθＬであるものとすると、θＬ＞θ３＞θ２の関係になっている。このため、温度変化の曲線がΘａである場合（ビーム強度のプロファイルがＡ０である場合）に得られる引張応力は、温度変化の曲線がΘｂである場合（ビーム強度のプロファイルがＢ０である場合）の引張応力よりも大きくなり、結果的に被加工基板６０の割断速度及び割断品位をより向上させることができる。
【００６５】
このように本実施の形態によれば、割断予定線７１に沿う方向に延びる線状の照射パターン６６であってその強度分布が割断予定線７１に沿う方向に関して均一である照射パターン６６を有するレーザビームＬＢ２を被加工基板６０上に照射して当該被加工基板６０を局部的に加熱しつつ、当該被加工基板６０上で局部的に加熱が行われる領域を割断予定線７１に沿って移動させるようにしているので、被加工基板６０に損傷を与えない範囲で被加工基板６０に照射されるレーザビームＬＢ２のビーム強度を限界まで上げることができる。このため、ビーム強度がガウス分布をとる従来のレーザビームの場合に比べて、被加工基板６０の亀裂部分に対してより大きな熱応力（引張応力）を加えることができ、被加工基板６０のより高品位でかつ高速な割断加工を実現することができる。具体的には例えば、１ｍｍオーダの厚さのガラス基板を例にとると、表面割断の場合にはその速度として数百ｍｍ／秒〜１０００ｍｍ／秒程度の速度を達成し、全割断の場合にはその速度として数百ｍｍ／秒程度以上の速度を達成することができる。
【００６６】
また、本実施の形態によれば、ビーム強度がガウス分布をとる従来のレーザビームの場合に比べて、被加工基板６０の亀裂部分に対してより大きな熱応力（引張応力）を加えることができるので、被加工基板６０として２枚のガラス基板（上基板６１及び下基板６２）がシール材（図示せず）を介して貼り合わされたような液晶基板が用いられる場合であっても高品位でかつ高速な割断加工を実現することができる。一般に、このような液晶基板では、シール材と基板との間の結合により割断加工を行うことが非常に困難であるが、本実施の形態では、被加工基板６０の亀裂部分に対してより大きな熱応力（引張応力）を加えることができるので、単一の基板からなる被加工基板の場合と同様に高品位でかつ高速な割断加工を容易に実現することができる。
【００６７】
さらに、本実施の形態によれば、被加工基板６０に対してレーザビームを照射することにより割断加工を行っているので、割断面の表面にバリやゴミなどが生じず、洗浄工程や仕上げのための研磨工程などを省略することができ、また、薄厚基板（例えば０．４ｍｍ以下）に対しても破損やチッピングなどが生じるおそれがない。特に、薄厚基板の場合には、レーザビームの熱が基板の裏面に伝わるまでの時間が短くなるので、レーザビームのパワーが同じであれば、より高速に割断を行うことができ、一方、レーザビームの移動速度（割断速度）が同じであれば、より小さなパワーのレーザビームにより割断を行うことができ、システムを小型でかつ安価に実現することができる。
【００６８】
なお、上述した実施の形態においては、予熱ユニット２０及び割断ユニット３０において、被加工基板６０上で基準ビームを走査するための光学部品としてポリゴンミラー２３，３３を用いているが、これに限らず、例えば、図５(a)に示すようなガルバノミラー３５を用いたり、図５(b)に示すような円筒型反射鏡３６などを用いるようにしてもよい。なお、このような光学部品としては、透過型、非透過型（反射型）のいずれのものも用いることができる。
【００６９】
また、上述した実施の形態において、冷却ユニット４０には、図６(a)に示すように、冷却ノズル４１を被加工基板６０に沿う方向（例えばＹ方向）に移動させるためのＹステージ４２とともに、冷却ノズル４１を被加工基板６０に垂直な方向（Ｚ方向）に移動させるＺステージ４３を設けるようにするとよい。このようにすると、冷却ノズル４１の先端と被加工基板６０との間の距離（Ｚ方向のギャップ）を適宜調整することが可能となり、被加工基板６０上に吹き付けられる冷却剤Ｃの吹付パターン６７（冷却スポット）を変化させることができる。すなわち、冷却ノズル４１の先端と被加工基板６０との間の距離が小さくなると、図６(b)に示すように、被加工基板６０上に吹き付けられる冷却剤Ｃの吹付パターン６７′が小さくなる。これに対し、冷却ノズル４１の先端と被加工基板６０との間の距離が大きくなると、図６(c)に示すように、被加工基板６０上に吹き付けられる冷却剤Ｃの吹付パターン６７″が大きくなる。このため、このような関係を利用して、割断ユニット３０により被加工基板６０上に照射されるレーザビームＬＢ２のパワーなどに応じて冷却ノズル４１の先端と被加工基板６０との間の距離を適宜調整することにより、割断ユニット３０により行われる加熱の程度及び範囲に応じた最適な程度及び範囲で冷却ユニット４０による冷却を行うことができる。
【００７０】
さらに、上述した実施の形態においては、ホルダ５１上に設けられた支え５４により被加工基板６０を支持するようにしているが、これに限らず、図７に示すように、ホルダ５１上にエアーパッド５５を設け、エアーパッド５５から空気やその他のガス（窒素や酸素などを含む）を噴出させることによって被加工基板６０を浮上させて支持するようにしてもよい。また、被加工基板６０の裏面を吸着保持する吸着パッド５６を設けるようにしてもよい。さらに、エアーパッド５５と吸着パッド５６とを共に設けることにより、被加工基板６０を浮上させることでその面内の拘束力が極めて小さくなる被加工基板６０を吸着パッド５６を用いて効果的に固定することが可能となり、割断加工システム１の稼動に伴う振動や外部の振動などによる被加工基板６０の位置ずれを効果的に防止することができる。なお、エアーパッド５５から噴出されるガスの温度は大気温度である必要はなく、被加工基板６０に損傷を与えない程度の高温（例えば７０℃程度）のガスを用いるようにしてもよい。これにより、エアーパッド５５から噴出されるガスにより被加工基板６０を予熱しておくことが可能となり、被加工基板６０の割断速度及び割断品位をより向上させることができる。
【００７１】
さらに、上述した実施の形態においては、割断線リードユニット１０により割断予定線７１に沿って被加工基板６０の表面に圧痕を形成するようにしているが、外乱の要因などが小さく実割断線である亀裂６８と割断予定線７１との間の誤差が所望の精度以内である場合には、割断線リードユニット１０自体を省略することも可能である。
【００７２】
さらに、上述した実施の形態においては、移動ユニット５０の移動ステージ５３により加工部ユニット５に対して被加工基板６０側（ホルダ５１側）を移動させることにより加工部ユニットと被加工基板６０との相対的な移動を実現するようにしているが、これに限らず、加工部ユニット５側を移動させることにより加工部ユニット５と被加工基板６０との相対的な移動を実現するようにしてもよい。
【００７３】
さらにまた、上述した実施の形態においては、割断対象となる被加工基板６０として、２枚のガラス基板（上基板６１及び下基板６２）がシール材（図示せず）を介して貼り合わされた液晶基板を用いているが、上基板６１及び下基板６２の間に液晶材が注入された状態の液晶基板に対しても同様に高品位でかつ高速な割断加工を行うことができる。具体的には例えば、このような液晶基板のうち液晶を封止するためのシール材の外側の部位（基板の面内方向で液晶端から約１ｍｍ、基板の厚さ方向で基板の厚さ分（約１ｍｍ〜０．５ｍｍ）だけ離れた部位）を割断する。ただし、この場合には、ガラス基板の表面温度がガラス歪点を越えることがなく、かつ、ガラス基板の裏面の液晶接触部分において液晶が損傷を受けて正常な動作をしなくなる温度（約８０℃）にならないように、予熱ユニット２０及び割断ユニット３０により照射されるレーザビームＬＢ１，ＬＢ２のパワーや照射時間、冷却ユニット３０により吹き付けられる冷却剤Ｃの量や温度などのパラメータを設定し、予熱温度や加熱温度、冷却温度などを調整することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の一実施の形態に係る割断加工システムの全体構成を示す図。
【図２】図１に示す割断加工システムで行われる被加工基板の割断加工の様子を説明するための図。
【図３】図１に示す割断加工システムの予熱ユニット及び割断ユニットにより照射されるレーザビームの強度分布を説明するための図。
【図４】図１に示す割断加工システムの予熱ユニット及び割断ユニットにより照射されるレーザビームによる所定点での温度の変化（時間変化）及び所定点でのビーム強度の変化（時間変化）を説明するための図。
【図５】図１に示す割断加工システムの予熱ユニット及び割断ユニットの変形例を示す図。
【図６】図１に示す割断加工システムの冷却ユニットの詳細を説明するための図。
【図７】図１に示す割断加工システムの被加工基板用のホルダの変形例を示す図。
【図８】図３に示すレーザビームのビーム強度の詳細を説明するための図。
【符号の説明】
【００７５】
１  割断加工システム
５  加工部ユニット
１０  割断線リードユニット
１１  固定部
１２  可動部
１３  円盤
２０  予熱ユニット
２１  レーザ発振器
２２  反射ミラー
２３  ポリゴンミラー
３０  割断ユニット
３１  レーザ発振器
３２  反射ミラー
３３  ポリゴンミラー
３５  ガルバノミラー
３６  円筒型反射鏡
４０  冷却ユニット
４１  冷却ノズル
４２  Ｙステージ
４３  Ｚステージ
５０  移動ユニット
５１  ホルダ
５２  位置決めピン
５３  移動ステージ
５４  支え
５５  エアーパッド
５６  吸着パッド
６０  被加工基板
６１  上基板
６２  下基板
６５，６６  レーザビームの照射パターン
６７，６７′，６７″  冷却剤の吹付パターン
６８  亀裂（割断線）
７１  割断予定線
ＬＢ１，ＬＢ２  レーザビーム
Ｃ  冷却剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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