(57)【要約】【課題】  Ｂステージ状態では可とう性や流動性が大きく、また、硬化後は線膨張係数が小さいという特徴を有し、半導体素子表面の保護特性に優れた封止用フィルムを提供する【解決手段】  軟化点が−４０℃〜３０℃の熱硬化性成分、硬化前は熱硬化性成分と溶解しており硬化後に島状に相分離する分子量１０万以上の高分子量成分、及び無機フィラーを含む封止用フィルムであって、無機フィラーが全体の６０〜８０体積％であり、かつ前記熱硬化性成分１００重量部に対し、前記高分子量成分が５〜３０重量部含有されていることを特徴とする封止用フィルム。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟化点が−４０℃〜３０℃の熱硬化性成分、硬化前は熱硬化性成分と溶解しており硬化後に島状に相分離する分子量１０万以上の高分子量成分、及び無機フィラーを含む封止用フィルムであって、無機フィラーが全体の６０〜８０体積％であり、かつ前記熱硬化性成分１００重量部に対し、前記高分子量成分が５〜３０重量部含有されていることを特徴とする封止用フィルム。
【請求項２】
熱硬化性成分が、エポキシ樹脂及び硬化剤を含む熱硬化性成分である請求項１に記載の封止用フィルム。
【請求項３】
着色剤が、０．１以上、１０重量％以下含有されている請求項１または２に記載の封止用フィルム。
【請求項４】
封止用フィルムのＢステージ状態での溶融粘度が、１００℃以上、２００℃以下の範囲で、１０Ｐａ・ｓ以上、１００００Ｐａ・ｓ以下であり、少なくとも一方の面のタック強度が２５℃以上、１２０℃以下の範囲で５０ｇｆ以上であり、かつ、硬化後の線膨張係数が１以上、２０ｐｐｍ／℃以下である請求項１〜３いずれかに記載の封止用フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、保護機能と充てん性を有し、半導体装置、特に、突起状電極を有する半導体チップの保護及び充てんに用いられる封止用フィルムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子機器の小型化・軽量化が進められており、これに伴い基板への高密度実装が要求され、電子機器に搭載する半導体パッケージの小型化、薄型化、軽量化が進められている。従来より、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ  Ｏｎ  Ｃｈｉｐ）やＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）等と呼ばれるパッケージがあり、ＬＯＣやＱＦＰ等のパッケージよりも、さらに小型化・軽量化したＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）やμＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）等のパッケージの開発が行われている。最近では、半導体素子の回路面が半導体配線基板側に向けられている、いわゆるフェイスダウン型パッケージであるフリップチップ、ウエハレベルＣＳＰなどが開発されている。
【０００３】
上述したパッケージでは、固形のエポキシ樹脂封止材をトランスファー成形法により成形することで封止パッケージを得ていたが、パッケージが薄型あるいは、大型の場合の成形は、難しかった。また、無機フィラーの含有量が増大すると、一般にトランスフアー成形時の溶融粘度が高くなり、成形物のボイドの残存，キヤビテイ充填不良，ワイヤフローおよびステージシフトの増大等と成形物の品質が低下するなどの問題が発生する。
【０００４】
また近年、フリップチップやウエハレベルＣＳＰなどで、突起状電極を有するものがあり、その突起部の保護及び突起間の充てんのため、封止材を使用することがあったが、固形のエポキシ樹脂封止材による成形は難しかった。そのため、エポキシ樹脂、無機フィラーを主体としたフィルム状の封止用シートが提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。
【特許文献１】特開平５−２８３４５６号公報
【特許文献２】特開平５−１９０６９７号公報
【特許文献３】特開平８−７３６２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
フィルム状の封止用シートは、パッケージやウエハが大きくなった場合に、そりが大きくなるなどの課題があり、より線膨張係数が小さい封止用フィルムが望まれていた。通常、線膨張係数を低減するためには、樹脂よりも線膨張係数の小さいシリカなどの無機フィラーを多量に充てんすることが行われているが、この方法では、フィルムの可とう性を低下させ、かつ、溶融粘度を増大させ、流動性も低下させるという問題があった。
【０００６】
これまで、可とう性が高く、流動性が大きく、また溶融粘度と線膨張係数が小さい封止用フィルムは得られていなかった。本発明は、上述した問題を解決するためになされたものであり、Ｂステージ状態では可とう性や流動性が大きく、また、硬化後は線膨張係数が小さいという特徴を有し、半導体素子表面の保護特性に優れた封止用フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
軟化点が−４０℃〜３０℃の熱硬化性成分と無機フィラー及び硬化後に島状に相分離する高分子量成分を用いることにより、硬化前の状態での取扱い性が良く、硬化後の線膨張係数が小さいフィルムが得られることを見出した。さらに、上記目的を達成するために、本発明は，次のように構成される。
（１）軟化点が−４０℃〜３０℃の熱硬化性成分、硬化前は熱硬化性成分と溶解しており硬化後に島状に相分離する分子量１０万以上の高分子量成分、及び無機フィラーを含む封止用フィルムであって、無機フィラーが全体の６０〜８０体積％であり、かつ前記熱硬化性成分１００重量部に対し、前記高分子量成分が５〜３０重量部含有されていることを特徴とする封止用フィルム。
（２）熱硬化性成分が、エポキシ樹脂及び硬化剤を含む熱硬化性成分である（１）に記載の封止用フィルム。
（３）着色剤が０．１以上、１０重量％以下含有されている（１）または（２）に記載の封止用フィルム。
（４）封止用フィルムのＢステージ状態での溶融粘度が、１００℃以上、２００℃以下の範囲で、１０Ｐａ・ｓ以上、１００００Ｐａ・ｓ以下であり、少なくとも一方の面のタック強度が２５℃以上、１２０℃以下の範囲で５０ｇｆ以上であり、かつ、硬化後の線膨張係数が１以上、２０ｐｐｍ／℃以下である（１）〜（３）いずれかに記載の封止用フィルム。
【発明の効果】
【０００８】
本発明により硬化前には適度にタックがあり、取扱い性が良く、硬化後の線膨張係数が小さく、半導体素子表面の保護特性に優れた封止用フィルムを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の封止用フィルムは、硬化前は熱硬化性成分と溶解しており硬化後に島状に相分離する分子量１０万以上の高分子量成分を含有している。本発明の封止用フィルムは、シート状での取扱い性向上のため、硬化前であるＢステージ状態では、熱硬化性成分と溶解している高分子量成分を含有している。また、高分子量成分は、硬化後には、線膨張係数を低減するために、島状に相分離する。
【００１０】
硬化前は熱硬化性成分と溶解しており、硬化後に島状に相分離する高分子量成分としては、具体的には溶解性パラメータの値が熱硬化性成分と１以上離れているものが挙げられる。１未満であると硬化後も相分離せず、結果として弾性率の低下、線膨張係数の増加などが起こるため好ましくない。溶解性パラメーターとは、一般にＳＰ（ソルビリティ・パラメーター）とも呼ばれるものであって、樹脂の親水性又は疎水性の度合いを示す尺度であり、樹脂間の相溶性を判断する上で重要な尺度となるものである。溶解性パラメータは、Ｐｏｌｙｍ．Ｅｎｇ．Ｓｃｉ．，Ｖｏｌ．１４の１４７〜１５４頁に記載されているＦｅｄｏｒｓの方法に準じて計算される値［単位：（ＭＪ／ｍ3）1/2］などがある。
【００１１】
本発明に使用できる高分子量成分としては、硬化前は熱硬化性成分と溶解しており、硬化後に島状に相分離するものであり、かつ、分子量が１０万以上であれば特に制限はない。
【００１２】
本発明において、使用される高分子量成分の重量平均分子量は、１０万以上であり、特に３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。重量平均分子量が１０万以上あると、シート状またはフィルム状としたときの強度、可とう性、およびタック性が適当であり、また、フロー性が適当のため配線の回路充填性が確保できる。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
【００１３】
このような高分子量成分としてはポリイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ブタジエンゴム、アクリルゴム、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等、及びそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００１４】
その中でも、高分子量成分であるアクリルゴム（ポリマー）などのガラス転移温度（以下「Ｔｇ」という）は、−５０℃以上、１０℃以下であるものが好ましい。Ｔｇが−５０℃以上あると、Ｂステージ状態での封止用フィルムの粘接着剤層のタック性が適当であり、取扱い性に問題を生じないからである。またモノマーを用い、アクリルゴム（ポリマー）などの高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、たとえば、パール重合、溶液重合などの方法を使用することができる。
【００１５】
また、高分子量成分の量は、熱硬化性成分１００重量部に対して、５〜３０重量部である。５重量部未満であると、硬化前のフィルムの強度が低く、またフィルムの伸びが小さくなり、取扱い性が低下する点で好ましくない。また、３０重量部を超えると高分子量成分が島状に相分離せず、連続相になり、流動性が低下するため、好ましくない。
【００１６】
封止用フィルムの線膨張係数低減と機械的強度の向上、レーザーマーキング性の向上を目的に、本発明の封止用フィルムは、無機フィラーを６０〜８０体積％含有している。無機フィラーとしては、室温（２５℃）での線膨張係数が１０ｐｐｍ以下であることが好ましい。例えば、使用できる無機フィラーとしては、結晶性シリカ、非晶性シリカ、酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等が挙げられる。また、無機フィラーの含有量は６０〜８０体積％とすることが必要であり、６５〜７５体積％とすることが好ましい。無機フィラーの含有量が６０体積％未満になると、線膨張係数が増大するため好ましくなく、無機フィラーの含有量が８０体積％を超すと、封止用フィルムがもろくなり成形性が低下し、シリコンウエハとの接着強度の低下等の問題が発生する。
【００１７】
本発明の封止用フィルムに用いられる樹脂組成物の熱硬化性成分としては、軟化点が−４０℃〜３０℃であれば、特に制限はない。使用できる熱硬化性成分としては、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂及びその硬化剤等が挙げられるが、耐熱性が高い点で、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。
【００１８】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：エピコート８０７，８１５，８２５，８２７，８２８，８３４，１００１，１００４，１００７，１００９、ダウケミカル社製、商品名：ＤＥＲ−３３０，３０１，３６１、東都化成株式会社製、商品名：ＹＤ８１２５，ＹＤＦ８１７０などが挙げられる。
【００１９】
フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：エピコート１５２，１５４、日本化薬株式会社製、商品名：ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製、商品名：ＤＥＮ−４３８などが、また、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製、商品名：ＥＯＣＮ−１０２Ｓ，１０３Ｓ，１０４Ｓ，１０１２，１０２５，１０２７、東都化成株式会社製、商品名：ＹＤＣＮ７０１，７０２，７０３，７０４などが挙げられる。
【００２０】
多官能エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：Ｅｐｏｎ  １０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：アラルダイト０１６３、ナガセ化成株式会社製、商品名：デナコールＥＸ−６１１，６１４，６１４Ｂ，６２２，５１２，５２１，４２１，４１１，３２１などが挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：エピコート６０４、東都化成株式会社製、商品名：ＹＨ−４３４、三菱ガス化学株式会社製、商品名：ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学工業株式会社製、商品名：ＥＬＭ−１２０などが挙げられる。
【００２１】
複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：アラルダイトＰＴ８１０等の、ＵＣＣ社製、商品名：ＥＲＬ４２３４，４２９９，４２２１，４２０６などが挙げられる。
【００２２】
これらエポキシ樹脂は、単独または２種類以上を組み合わせても、使用することができる。エポキシ樹脂を２種類以上組合せて使用した場合、軟化点が３０℃超のエポキシ樹脂を含んでいても、これらの混合物である熱硬化性成分の軟化点が−４０℃以上、３０℃未満であれば使用することができる。
【００２３】
また、熱硬化性成分に含まれるエポキシ樹脂の硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。たとえば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ，ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂などが挙げられる。
【００２４】
特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。好ましいフェノール樹脂系硬化剤としては、たとえば、大日本インキ化学工業株式会社製、商品名：フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０などが挙げられる。
【００２５】
また、本発明の封止用フィルムは、上記の熱硬化性成分と高分子量成分の他に、硬化促進剤、触媒、添加剤、カップリング剤等を含有していてもよい。また、封止用フィルムは、波長３００〜１１００ｎｍの領域の透過率が１０％以下であることが好ましく、そのためには微細な相分離構造を有し、不透明であることが好ましい。したがって封止用フィルムは、着色剤を含むことが好ましく、着色剤としては、例えば、カーボンブラック、黒鉛、チタンカーボン、二酸化マンガン、フタロシアニン系等の顔料及び染料を用いることができる。封止用フィルムに含有する着色剤の含有量は、０．１〜１０重量％が好ましく、より好ましくは０．５〜２．０重量％である。着色剤の含有量が０．１重量％未満になると、フィルムに色が付かずレーザーマーキング部の視認性が悪くなり、逆に、着色剤の含有量が１０重量％を超すと、イオン性不純物の増加、フィルム延性の低下または半導体素子との接着強度の低下等の問題が発生してしまう。
【００２６】
また、レーザーマーキングに使用されるレーザーは、ＹＡＧレーザーであることが多いため、着色剤としてＹＡＧレーザーにより揮発し易いカーボンブラックを使用することが好ましい。
【００２７】
本発明の封止用フィルムは、基材層に、前記熱硬化性成分、前記高分子量成分、前記着色剤及び前記無機フィラーを含む樹脂ワニスを塗工乾燥して作成することが好ましく、これに用いられる基材層としては、特に制限されることなく従来公知のものを使用することができる。なお、樹脂ワニスは、シクロヘキサノンなどの溶剤を加えて攪拌混合し、得ることができる。
【００２８】
例えば、用いられる基材層としては、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。また、必要に応じて基材層の表面に、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理、離型処理等の表面処理を行っても良い。
【００２９】
基材層が粘着性を有していてもよく、また、基材層の片面に粘着剤層を設けても良い。また粘着剤層は、低分子量成分（テルペン化合物等の粘着付与剤）とＴｇを調整した高分子量成分を含む適度なタック強度を有する樹脂ワニスを塗布乾燥することで形成可能である。
【００３０】
封止用フィルムの厚みは、特に制限はないが、樹脂層、基材層ともに５〜１０００μｍが好ましい。５μｍより薄いと応力緩和効果が乏しくなる傾向があり、１０００μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えられない。
【００３１】
また、封止用フィルムに対し、保護フィルムを用いることが好ましく、保護フィルムとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。また、必要に応じてプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理、離型処理等の表面処理を行っても良い。なお前記基材層を保護フィルムとして、使用してもかまわないし、封止用フィルムの片面すなわち基材層の反対側に保護フィルムを設置してもかまわない。
【００３２】
なお本発明の封止フィルムは、Ｂステージ状態での溶融粘度が、１００℃以上、２００℃以下の範囲で、１０Ｐａ・ｓ以上、１００００Ｐａ・ｓ以下であることが、フリップチップやウエハレベルＣＳＰなどの突起状電極の突起部の保護及び突起間の充てんのため好ましく、かつ、硬化後の線膨張係数が１以上、２０ｐｐｍ以下であることが、パッケージやウエハに使用した場合でも封止フィルムのそりが小さくなる点で好ましい。なお、溶融粘度は、平行平板プラストメータ法により測定した。溶融粘度が１００００Ｐａ・ｓを超すと、ボイドの残存やキヤビテイ充填不良等が発生し，接続信頼性が低下する。また溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ未満では、流動性が大きすぎ、成型品の封止樹脂の厚みにバラツキが発生し、接続信頼性が低下するなど好ましくない。
【００３３】
また、本発明の封止用フィルムは、表裏いずれか、または両方の直径５．１ｍｍプローブ測定による２５〜１２０℃におけるタック強度が５０ｇｆ以上であることがウエハなどへのラミネートが容易にできる点で好ましい。８０ｇｆであることがより好ましく、１００ｇｆ以上であることがさらに好ましい。
【００３４】
封止用フィルムの使用方法としては、従来の固形状または液状封止材が使用されていた用途と同様の方法が考えられる。例えば、半導体チップや部品を実装した基板上に基材層（基材フィルム）つきの封止用フィルムを熱板プレスやラミネータなどを使用して積層した後、加熱硬化した後、基材層（基材フィルム）をはく離するか、基材層（基材フィルム）をはく離した後、加熱硬化するなどの方法を取る。この際、半導体チップ周辺に空隙が残らないように積層することが可能である。しかし、高周波用途のフリップチップ実装の場合などは、半導体チップや部品の下部に、あえて空隙が残るように積層することも可能である。図１に示したのは、本発明の封止用フィルムを用いて、前記の方法により作製した半導体装置の断面である。
【００３５】
半導体チップや部品を実装した基板２枚を実装した面が向かい合うように封止用フィルムを挟んで熱板プレスやラミネータなどを使用して積層、加熱硬化するなどの方法を取ってもよい。図２に示したのは、本発明の封止用フィルムを用いて、前記の方法により作製した半導体装置の断面である。
【００３６】
また、図３に示すように半導体チップの回路を形成していない面に、封止用フィルムを積層することも可能である。
【００３７】
また、図４に示すようにバンプを形成した半導体チップに基材層（基材フィルム）つきの封止用フィルムを熱板プレスを使用して積層した後、基材層（基材フィルム）をはく離し、温度１４０〜１７０℃で、１〜５時間加熱硬化するなどの方法を取り、必要に応じて表面研磨などの工程をとることができる。この場合、凹凸を充填するために温度、圧力、時間を適切に設定することが必要であり、例えば、１００μｍの凹凸を１３０μｍの本発明の封止用フィルムで充填するためには、温度１００〜１５０℃、圧力０．４〜１ＭＰａ、１〜１０ｓが好ましく、４〜６ｓがより好ましい。なお、封止用フィルムをラミネータなどを使用して積層してもよく、加熱硬化した後、基材層（基材フィルム）をはく離しても良い。
【００３８】
以下、本発明の封止用フィルムについて、実施例により、具体的に説明するが、本発明は，これに限定されるものではない。
【実施例１】
【００３９】
熱硬化性成分（エポキシ樹脂）としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１７５、東都化成株式会社製のＹＤ−８１７０を使用）６０重量部、熱硬化性成分（硬化剤）としてビスフェノールＡノボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製のＬＦ−２８８２を使用）３５重量部、無機フィラーとしてシリカフィラー（株式会社龍森製のＴＳＳ−６を使用）５００重量部、着色剤としてカーボンブラック２重量部、高分子量成分として、エポキシ基含有アクリルゴム（分子量７０万、帝国化学産業株式会社製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３）１０重量部、硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．５重量部からなる成分に溶剤としてシクロヘキサノンを１７００重量部加えて攪拌混合し、樹脂ワニスを得た。
【００４０】
得られた樹脂ワニスを基材層である離型剤付きのベースフィルム（帝人株式会社製ピューレックスＡ３１）上に塗工し、９０℃、１０分、１２０℃、２０分乾燥して、厚み１３０μｍの封止用フィルムを得た。この場合の無機フィラーの体積分率は６９％であった。なお、硬化物の断面をＳＥＭで観察し、海島構造を調査し、島成分がゴム相であることを確認した。
【００４１】
（比較例１）
フィラーの量を２５０重量部にした他は、実施例１と同様に封止用フィルムを作製した。この場合の無機フィラーの体積分率は５４％であった。
【００４２】
（比較例２）
熱硬化性成分（エポキシ樹脂）としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１７５、東都化成株式会社製のＹＤ−８１７０を使用）５０重量部、熱硬化性成分（硬化剤）としてビスフェノールＡノボラック樹脂（大日本インキ製のＬＦ−２８８２を使用）２５重量部、エポキシ基含有アクリルゴム（分子量７０万、帝国化学産業株式会社製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３）３０重量にした他は、実施例１と同様に封止用フィルムを作製した。なお、硬化物の断面をＳＥＭで観察し、海島構造を調査した結果、ゴム相は島状に分離せず連続相になっていることを確認した。
【００４３】
（半導体装置の作製）
バンプを形成した半導体チップに、実施例１、比較例１及び比較例２で作製した基材層（基材フィルム）つきの封止用フィルムを、温度１３０℃、圧力０．７ＭＰａ、５ｓの条件で熱板プレスを使用して積層した後、基材層（基材フィルム）をはく離した後、１７０℃、１時間加熱硬化し、半導体装置を作製した。
【００４４】
この封止用フィルムのＢステージ状態、Ｃステージ状態での各種特性及び前記半導体装置の特性を測定した。測定にあたっては、下記の方法を用いた。評価結果を表１に示した。
（測定方法）
（１）弾性率（貯蔵弾性率）
１７０℃、１時間加熱硬化した封止用フィルムの貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定した（サンプルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、膜厚８０μｍ、昇温速度５℃／ｍｉｎ、引張りモード、１０Ｈｚ、自動静荷重）。
（２）タック強度
Ｂステージ状態の封止用フィルムのタック強度を、レスカ株式会社製タッキング試験機を用いて、ＪＩＳＺ０２３７−１９９１に記載の方法（プローブ直径５．１ｍｍ、引き剥がし速度１０ｍｍ／ｓ、接触荷重１００ｇｆ／ｃｍ２、接触時間１ｓ）により、８０℃で測定した。
（３）対チップピール強度（接着特性）
１２０℃のホットプレート上で、封止用フィルムにチップ（５ｍｍ角）及び金めっき基板（銅箔付フレキ基板電解金めっき（Ｎｉ：５μｍ、Ａｕ：０．３μｍ））を積層し、１３０℃、３０ｍｉｎ＋１７０℃、１ｈキュアした。この試料のついて２６０℃でのピール強度を測定した。
（４）線膨張係数
線膨張係数は、１７０℃１時間加熱硬化した封止用フィルムについて、熱機械分析装置を用いて、毎分５℃の昇温速度で試料の伸びを測定し、２５℃から１５０℃の伸びから、平均線膨張係数を求めた。
（５）はんだ耐熱性
作製した半導体装置を８５℃、湿度８５％で４８時間処理した後、２６５℃のはんだ漕に１分間フロートし、ふくれ、剥離の有無を調べた。
（６）溶融粘度
封止用フィルムの溶融粘度は、下記の平行平板プラストメータ法により測定、算出した値を用いた。すなわち、接着シートを８枚ラミネートし、厚さ約４００μｍのフィルムを作製する。これを直径１１.３ｍｍの円形に打ち抜いたものを試料とし、１６０℃において、荷重２.５ｋｇｆで５秒間加圧し、加圧前後の試料の厚みから、式１を用いて溶融粘度を算出した。
【００４５】
【数１】
2005060584.tif 000003
（式中、Ｚ０は荷重を加える前の接着シートの厚さ、Ｚは荷重を加えた後の接着シートの厚さ、Ｖは接着シートの体積、Ｆは加えた荷重、tは荷重を加えた時間を表す。）
【００４６】
【表１】
2005060584.tif 000004
【００４７】
表１に示したように、無機フィラーの体積分率が５４％である比較例１の線膨張係数は、半導体チップの線膨張係数（４ｐｐｍ）との差が大きい。そのため、そりが生じやすく、チップと基板（半導体装置）のふくれ剥離が発生するなど、はんだ耐熱性が低下した。また、熱硬化性成分に対して高分子量成分が過剰な比較例２（エポキシ樹脂１００重量部に対して高分子量成分４０重量部）の線膨張係数は大きく、チップと基板（半導体装置）のふくれ剥離が発生するなど、半導体装置のはんだ耐熱性など信頼性が低下した。それに対し、実施例１の線膨張係数は小さく、また半導体装置の信頼性も良好であった。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の封止用フィルムを用いた半導体装置の断面図。
【図２】本発明の封止用フィルムを用いた半導体装置の断面図。
【図３】本発明の封止用フィルムを半導体チップに貼付けた後の断面図。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の基材層（基材フィルム）つきの封止フィルムを用いた半導体装置の製造工程の断面図。
【符号の説明】
【００４９】
１…部品
２…配線基板
３…封止用フィルム
４…ダイボンド材
５…半導体チップ
６…ワイヤ
７…接続バンプ
８…空隙
９…はんだボール
１０…バンプ付半導体チップ
１１…基材層（基材フィルム）
１２…熱板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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