(57)【要約】【課題】多くの電力損失を発生することなく、確実に過電流の発生を検出することのできるモータ制御装置を提供する。【解決手段】直流電源ＶＢとグランドとの間に配置され、電流の導通、停止を切り替えるＨブリッジ回路１と、Ｈブリッジ回路１が有する各ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１）〜（Ｔ４）に導通、停止の制御信号を出力するゲート制御回路２と、直流電源ＶＢとグランドとの間に配置され、グランド側から直流電源ＶＢ側へ流れる電流を阻止するＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）と、このＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）との間で熱伝導率の高い部位に配置され、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）と略同一の温度となるダイオードＤ１と、を備え、ダイオードＤ１のアノードに生じる電圧を検出し、この検出した電圧に基づいて、Ｈブリッジ回路１を構成する各ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１）〜（Ｔ４）の導通、停止の制御信号を出力することを特徴とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源とグランドとの間に配置されたモータのオン、オフ動作を制御するモータ制御装置において、
前記直流電源とグランドとの間に配置され、電流の導通、停止を切り替える半導体で構成されたスイッチ手段と、
前記スイッチ手段に導通、停止の制御信号を出力する制御手段と、
前記直流電源とグランドとの間に配置され、グランド側から直流電源側へ流れる電流を阻止する逆接続防止用半導体素子と、
前記逆接続防止用半導体素子との間で熱伝導率の高い部位に配置され、該逆接続防止用半導体素子と略同一の温度となる温度検知用半導体素子と、
前記温度検知用半導体素子に生じる電圧を検出する電圧検出手段と、を備え、
前記制御手段は、前記電圧検出手段により検出される電圧に基づいて、前記スイッチ手段の導通、停止の制御信号を出力することを特徴とするモータ制御装置。
【請求項２】
前記スイッチ手段は、４つの半導体素子からなるＨブリッジ回路で構成され、該Ｈブリッジ回路を構成する４つの半導体素子のうちの２つと、前記逆接続防止用半導体素子、及び前記温度検知用半導体素子が、同一の半導体基体上に形成されることを特徴とする請求項１に記載のモータ制御装置。
【請求項３】
前記逆接続防止用半導体素子のオン抵抗が、前記同一半導体基体上に形成されるＨブリッジ回路を構成する２つの半導体素子のオン抵抗以上となるように設定することを特徴とする請求項２に記載のモータ制御装置。
【請求項４】
前記逆接続防止用半導体素子の導通時のチャネル温度が、前記同一半導体基体上に形成されるＨブリッジ回路を構成する２つの半導体素子の導通時のチャネル温度よりも高くなるように構成することを特徴とする請求項２に記載のモータ制御装置。
【請求項５】
前記電圧検出手段は、前記温度検知用半導体素子に生じる電圧の時間に対する変化率を求め、前記制御手段は、求めた変化率の積算値が所定の変化率しきい値を超えた際に、前記モータへの通電を停止させるべく制御することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のモータ制御装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記電圧検出手段により検出される電圧値が所定の電圧しきい値を超えた際に、前記モータへの通電を停止させるべく制御することを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のモータ制御装置。
【請求項７】
前記逆接続防止用半導体素子と、前記スイッチ手段との間の電圧を監視し、前記制御手段は、この電圧が所定のレベルを超えた際に前記モータへの通電を停止させることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載のモータ制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、直流モータの駆動を制御する制御装置に係り、特に過電流発生時或いは温度上昇時に適切に電流を遮断して回路を保護する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
車両に搭載されるパワーウインド、バックミラー駆動用モータ等の直流モータは、車両に搭載されるバッテリより電源電圧が供給されて駆動する。このようなモータ制御装置の従来例として、例えば、特開平１０−２１７７６３号公報（特許文献１）に記載されたものが知られている。
【０００３】
該特許文献１では、モータに対して直列に接続したシャント抵抗を用いて、過電流の発生を検出している。また、車両に搭載されるバッテリは、誤って極性を逆にして接続する場合があり、このような場合に回路の損傷を防ぐため、逆接続防止用のダイオード、或いはＭＯＳ−ＦＥＴを設けている。
【特許文献１】特開平１０−２１７７６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、この特許文献１に開示された従来例は、過電流を検出するために、シャント抵抗を挿入するので、過電流が発生しない通常の状況においてもこのシャント抵抗に電流が流れることによる電力消費が発生し、電力損失を招くことになる。また、シャント抵抗が発熱するので、発熱対策が必要となり、回路規模が大規模化するという問題が発生する。
【０００５】
本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、多くの電力損失を発生することなく、確実に過電流の発生を検出することのできるモータ制御装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本願請求項１の発明は、直流電源とグランドとの間に配置されたモータのオン、オフ動作を制御するモータ制御装置において、前記直流電源とグランドとの間に配置され、電流の導通、停止を切り替える半導体で構成されたスイッチ手段と、前記スイッチ手段に導通、停止の制御信号を出力する制御手段と、前記直流電源とグランドとの間に配置され、グランド側から直流電源側へ流れる電流を阻止する逆接続防止用半導体素子と、前記逆接続防止用半導体素子との間で熱伝導率の高い部位に配置され、該逆接続防止用半導体素子と略同一の温度となる温度検知用半導体素子と、前記温度検知用半導体素子に生じる電圧を検出する電圧検出手段と、を備え、前記制御手段は、前記電圧検出手段により検出される電圧に基づいて、前記スイッチ手段の導通、停止の制御信号を出力することを特徴とする。
【０００７】
請求項２の発明は、前記スイッチ手段は、４つの半導体素子からなるＨブリッジ回路で構成され、該Ｈブリッジ回路を構成する４つの半導体素子のうちの２つと、前記逆接続防止用半導体素子、及び前記温度検知用半導体素子が、同一の半導体基体上に形成されることを特徴とする。
【０００８】
請求項３の発明は、前記逆接続防止用半導体素子のオン抵抗が、前記同一半導体基体上に形成されるＨブリッジ回路を構成する２つの半導体素子のオン抵抗以上となるように設定することを特徴とする。
【０００９】
請求項４の発明は、前記逆接続防止用半導体素子の導通時のチャネル温度が、前記同一半導体基体上に形成されるＨブリッジ回路を構成する２つの半導体素子の導通時のチャネル温度よりも高くなるように構成することを特徴とする。
【００１０】
請求項５の発明は、前記電圧検出手段は、前記温度検知用半導体素子に生じる電圧の時間に対する変化率を求め、前記制御手段は、求めた変化率の積算値が所定の変化率しきい値を超えた際に、前記モータへの通電を停止させるべく制御することを特徴とする。
【００１１】
請求項６の発明は、前記制御手段は、前記電圧検出手段により検出される電圧値が所定の電圧しきい値を超えた際に、前記モータへの通電を停止させるべく制御することを特徴とする。
【００１２】
請求項７の発明は、前記逆接続防止用半導体素子と、前記スイッチ手段との間の電圧を監視し、前記制御手段は、この電圧が所定のレベルを超えた際に前記モータへの通電を停止させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本願請求項１の発明によれば、逆接続防止用半導体素子と略同一の温度となる温度検知用半導体素子を設け、この温度検知用半導体素子に電流を流し、発生する電圧に基づいて、逆接続防止用半導体素子の温度異常、ひいてはモータに流れる過電流の発生を検出することができるので、電力損失を招くことなく、高精度に回路を過電流から保護することができる。
【００１４】
請求項２の発明によれば、逆接続防止用半導体素子、温度検知用半導体素子、及びＨブリッジ回路を構成する２つの半導体素子が同一の基板上に設けられるので、回路構成をコンパクトにすることができ、省スペース化を図ることができる。
【００１５】
請求項３の発明によれば、逆接続防止用半導体素子のオン抵抗が、同一半導体基体上に設けられる２つの半導体素子のオン抵抗以上となるように設定されるので、過電流発生時には、先に逆接続防止用半導体素子の温度が上昇して回路を遮断することができ、回路全体を過電流から保護することができる。
【００１６】
請求項４の発明によれば、逆接続防止用半導体素子の導通時のチャネル温度が、同一半導体基体上に設けられる２つの半導体素子の導通時のチャネル温度よりも高くなるように設定されるので、過電流発生時には、先に逆接続防止用半導体素子の温度が上昇して回路を遮断することができ、回路全体を過電流から保護することができる。
【００１７】
請求項５の発明によれば、温度検知用半導体素子に生じる電圧の変化率の積算値に基づいて、過電流の発生を検出するので、ショート時等の急激な電流変化により過電流が発生した場合に、確実に回路を遮断して保護することができる。
【００１８】
請求項６の発明によれば、温度検知用半導体素子に生じる電圧が所定の電圧しきい値を超えた際に回路を遮断するので、周囲温度が上昇し逆接続防止用半導体素子が破壊される可能性がある場合に、電流を遮断して半導体素子を確実に保護することができる。
【００１９】
請求項７の発明によれば、前記逆接続防止用半導体素子と、スイッチ手段との間の電圧が所定のレベルを超えた際に、モータへの通電を停止させるので、ショート発生時にいち早く回路を遮断して、モータ及び半導体素子を保護することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係るモータ制御装置の構成を示す回路図である。同図に示すように、このモータ制御装置は、モータＭ１と直流電源ＶＢとの間に配置され、４つのＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１）〜（Ｔ４）からなるＨブリッジ回路（スイッチ手段）１と、各ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１）〜（Ｔ４）のゲートに制御信号を出力することにより、各ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１）〜（Ｔ４）の動作を制御するゲート制御回路（制御手段）２と、Ｈブリッジ回路１と直流電源ＶＢとの間に配置された逆接続防止用のＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５；逆接続防止用半導体素子）を備えている。
【００２１】
また、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）と同一の基板上には、該ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）と絶縁され、且つ熱抵抗が小さい状態でダイオードＤ１（温度検知用半導体素子）が設けられている。
【００２２】
更に、ダイオードＤ１に定電流を流す定電流源３と、ダイオードＤ１のアノードに生じる電圧を取り出し、この電圧を増幅する増幅器（電圧検出手段）４と、該増幅器４の出力電圧を微分して、この電圧の変化率を求める微分器５と、微分器５の出力信号を積算する積算器６と、しきい値（変化率しきい値）を設定してこのしきい値データを出力するしきい値発生部７と、積算器６での積算結果としきい値発生部７より出力されるしきい値のデータとを比較する比較器８とを備えている。比較器８は比較結果のデータを過負荷異常信号として、ゲート制御回路２に出力する。
【００２３】
しきい値発生部７に設定するしきい値は、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）が熱破壊を起こさない温度に対応する値に設定される。
【００２４】
他方、増幅器４の出力信号は、比較器９にも供給され、且つ該比較器９には、しきい値発生部１０より出力されるしきい値（電圧しきい値）が与えられるので、その比較が行われ、比較結果のデータが過熱異常信号としてゲート制御回路２に出力される。
【００２５】
逆接続防止用のＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）は、寄生ダイオードが順方向、即ち、直流電源ＶＢ側からグランド側に向く方向に配置されている。従って、車両に搭載するバッテリの電極を誤って反対に取り付けた場合には、逆方向に流れる電流を阻止し、回路を保護することができる。
【００２６】
Ｈブリッジ回路１を構成する４つのＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１）〜（Ｔ４）のゲートはそれぞれゲート制御回路２に接続されており、ゲート制御回路２は、各ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１）〜（Ｔ４）を選択的にオン、オフさせることにより、モータＭ１に順方向電流或いは逆方向電流を流すように制御する。即ち、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１），（Ｔ４）をオンとし、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ２），（Ｔ３）をオフとすることにより、モータＭ１に順方向電流を流すことができ、該モータＭ１を正転させることができる。これにより、例えば、モータＭ１でパワーウインドを昇降させる場合には、パワーウインドを上昇させることができる。
【００２７】
また、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１），（Ｔ４）をオフとし、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ２），（Ｔ３）をオンとすることにより、モータＭ１に逆方向電流を流すことができ、該モータＭ１を反転させることができる。これにより、パワーウインドを下降させることができる。
【００２８】
また、本実施形態では、逆接続防止用のＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）とダイオードＤ１、及びＨブリッジ回路１を構成する２つのＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１），（Ｔ２）は同一の半導体基体上に設けられた半導体装置として構成されている。
【００２９】
図２は、この半導体装置の構成を示す断面図であり、図示のように、この半導体装置は、メタル配線２１の上にＮ+型シリコン基板２２が形成され、この上にＮ-型のエピタキシャル層２８が形成されており、更にこの上に各ＭＯＳ−ＦＥＴ毎のＰ-型拡散領域２６が形成されている。
【００３０】
また、Ｐ-型拡散領域２６には、Ｎ+型，Ｐ+型の拡散層２７が形成され、その上側には、絶縁膜２３、及びメタル配線２４が設けられている。このメタル配線２４が、各ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１），（Ｔ２），（Ｔ５）のソース電極Ｓ１，Ｓ２，Ｓ５となっている。更に、絶縁膜２３の内部には、Ｎ+型多結晶シリコン２５が設けられ、ゲート電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ５となっている。
【００３１】
更に、逆接続防止用のＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）の絶縁膜２３内には、ダイオードＤ１のアノード、カソードが設けられている。つまり、ダイオードＤ１は、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）を構成する素子と電気的に絶縁されている。
【００３２】
そして、上記のように構成された半導体装置は、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）のオン抵抗が、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１），（Ｔ２）のオン抵抗以上となるように構成されており、雰囲気に対する各熱抵抗が同程度以上となるようにすることで、動作時の各ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１），（Ｔ２），（Ｔ５）の温度は同一か、或いはＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）が若干高くなるようにする。
【００３３】
次に、上記のように構成された本実施形態に係るモータ制御装置の動作について説明する。図１に示すモータＭ１が停止状態のときには、ゲート制御回路２に正転入力信号、及び逆転入力信号のいずれも入力されず、各ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１）〜（Ｔ５）のゲートには、駆動信号が供給されず、全てのＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１）〜（Ｔ５）はオフ状態となる。従って、直流電源ＶＢよりモータＭ１に電流が流れない。
【００３４】
また、ゲート制御回路２に正転入力信号が与えられた場合には、ゲート制御回路２の制御により、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５），（Ｔ１），（Ｔ４）の各ゲートに駆動信号を出力する。これにより、これらの各ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５），（Ｔ１），（Ｔ４）がオン状態となり、ＶＢ、Ｔ５，Ｔ１，Ｍ１，Ｔ４，グランドの順に電流が流れ、モータＭ１は正転、即ち順方向に回転する。
【００３５】
このときの、図２に示した半導体装置における電流の流れを示すと、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）のソースＳ５から流れ込む電流は、拡散層２７、Ｎ-型エピタキシャル層２８、及び共通のドレイン領域となるＮ+型シリコン基板２２を介して、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１）の拡散層２７、及びソースＳ１へと流れる。
【００３６】
また、ゲート制御回路２に反転入力信号が与えられた場合には、ゲート制御回路２の制御により、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５），（Ｔ２），（Ｔ３）の各ゲートに駆動信号が出力され、これらの各ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５），（Ｔ２），（Ｔ３）がオン状態となる。これにより、ＶＢ，Ｔ２，Ｍ１，Ｔ３，グランドの順に電流が流れ、モータＭ１は反転、即ち逆方向に回転する。
【００３７】
更に、正転、反転のいずれの場合においても、逆接続防止用のＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）がオン状態であるので、該ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）はオン状態となり、流れる電流値に応じた熱が発生する。
【００３８】
ここで、モータＭ１がロックした場合やブラシがショートしたときのように過電流が発生した場合には、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）に流れる電流値が増大し、これに伴って該ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）の温度が上昇する。そして、図２に示したように、ダイオードＤ１はＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）の内部に設けられているので、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）の温度上昇に伴い、該ダイオードＤ１の温度が上昇する。また、ダイオードＤ１には定電流源３より一定の電流が供給されているので、ダイオードＤ１のアノード電圧が低下する。
【００３９】
このアノード電圧は、増幅器４により増幅された後、微分器５で微分され、積算器６にて積算された後、比較器８に供給される。従って、比較器８には、ダイオードＤ１のアノード電圧の変化率に応じた信号が供給されることになり、しきい値発生部７より出力される所定のしきい値と比較される。
【００４０】
ダイオードＤ１のアノード電圧の変化率累積値がしきい値よりも大きい場合には、過負荷異常信号がゲート制御回路２に供給され、ゲート制御回路２の制御により、各ＭＯＳ−ＦＥＴをオフとする。これにより、モータＭ１への通電が停止され、回路を保護することができる。
【００４１】
つまり、短絡事故のように、短時間で大量の電流がモータＭ１に流れるような場合には、この電流の急激な変化を検出して即時に回路を遮断することができる。遮断状態からの復帰は、電源再投入でのラッチ解除やヒステリシスコンパレータを用いることにより、温度が正常に戻った際に自動復帰する方法を採ることができる。
【００４２】
また、ダイオードＤ１の温度が徐々に上昇し、アノード電圧が低下し、増幅器４の出力信号がしきい値発生部１０より出力されるしきい値よりも下回った場合には、過熱異常信号がゲート制御回路２に出力される。これにより、ゲート制御回路２は、各ＭＯＳ−ＦＥＴの駆動信号を停止させ、モータＭ１の通電を停止させる。その結果、急激な電流変化でない場合でも、モータＭ１に流れる電流値が異常に増大した場合には、通電を停止させることにより、回路を保護することができる。
【００４３】
このようにして、本実施形態に係るモータ制御装置では、Ｈブリッジ回路１を構成する各ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１）〜（Ｔ４）のオン、オフを切り替えることにより、モータＭ１へ流す電流の方向を変更することができるので、該モータＭ１の正転、反転を切り替えることができる。また、モータＭ１の正転時、及び反転時の双方において、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１）に電流が流れ、この温度変化に基づいて、過電流の発生を検出するので、従来のようにシャント抵抗を用いる場合と比較して、消費電力の損失を抑えることができる。
【００４４】
また、車両に搭載するバッテリの極性を誤って反対に接続した場合には、図１に示したグランド側にプラスの電圧が印加され、電源ＶＢ側がグランドとなるが、このとき、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）が有する寄生ダイオードの向きが逆方向となっているので、電流は流れることはなく、回路の損傷を防止することができる。
【００４５】
更に、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）のチャネル温度が、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１），（Ｔ２）のチャネル温度と同等か、或いは若干高くなるように設定しているので、ダイオードＤ１によりＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）の温度を監視することにより、他のＭＯＳ−ＦＥＴをも保護することができる。
【００４６】
換言すれば、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）には、正転時、反転時の双方において電流が流れるので、このＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）の近傍に設けられたダイオードＤ１の温度を監視することにより、正転時、反転時の双方における負荷状態を監視することができ、更に、Ｈブリッジ回路１の過熱保護を行うこともできる。
【００４７】
また、ダイオードＤ１は、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）から電気的に絶縁されているので、負荷ラインより発生するノイズが制御回路に伝達されるという問題を回避することができる。
【００４８】
なお、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１），（Ｔ２），（Ｔ５）を構成する半導体装置の例として、図２に示す構成のものを例に挙げたが、例えばＵ溝構造、Ｖ溝構造を有するものを用いても良い。
【００４９】
また、ダイオードＤ１は、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）のＮ-型エピタキシャル層２８中に拡散法で形成しても良いし、別の基板上に形成したダイオードＤ１をＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）の上に接着する構成としても良い。
【００５０】
図２では、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１），（Ｔ２），（Ｔ５）を一つの基板上に集積化させているが、別々の基板に形成したものを一つの金属板上に寄せ集めるようにしても良い。このようなＭＯＳ−ＦＥＴの構造を採用することにより、３つのＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１），（Ｔ２），（Ｔ５）をそれぞれ別個に設ける場合と比較して、小型化することができる。
【００５１】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図３は、第２の実施形態に係るモータ制御装置の構成を示す回路図である。同図に示すように、このモータ制御装置は、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５）とＨブリッジ回路１との接続点に生じる電圧と、しきい値発生部１２より出力されるしきい値とを比較する比較部１１を備えており、この比較部１１の出力信号がショート以上信号としてゲート制御回路２に供給される構成を有している。その他の構成は、図１に示した回路と同様である。
【００５２】
そして、このような構成によれば、上述した第１の実施形態に示した効果に加え、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ１）のソースとモータＭ１とを接続するラインが略抵抗０Ωでグランドにショートした場合において、過電流の発生を検出し、いち早くモータＭ１への通電を停止させることができる。
【００５３】
以上、本発明のモータ制御装置を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置き換えることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
車両に搭載されるモータの過電流を検出する上で極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るモータ制御装置の構成を示す回路図である。
【図２】ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｔ５），（Ｔ１），（Ｔ２）を構成する半導体装置の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係るモータ制御装置の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  Ｈブリッジ回路（スイッチ手段）
２  ゲート制御回路（制御手段）
３  定電流源
４  増幅器（電圧検出手段）
５  微分器
６  積算器
７  しきい値発生部
８  比較器
９  比較器
１０  しきい値発生部
１１  比較器
１２  しきい値発生部
２１  メタル配線
２２  シリコン基板
２３  絶縁膜
２４  メタル配線
２５  Ｎ+型多結晶シリコン
２６  Ｐ-型拡散領域
２７  拡散層
２８  エピタキシャル層
ＶＢ  直流電源
Ｍ１  モータ
Ｔ１〜Ｔ４  ＭＯＳ−ＦＥＴ
Ｔ５  ＭＯＳ−ＦＥＴ（逆接続防止用半導体素子）
Ｄ１  ダイオード（温度検知用半導体素子）
【図１】
2005318759.tif 000003
【図２】
2005318759.tif 000004
【図３】
2005318759.tif 000005