(57)【要約】【課題】  近接効果による最適ドーズ量の変動を適切に補正して、線幅制御性を向上させた露光方法を提供する。【解決手段】  マスクバイアス補正がゼロで予定の線幅が実現できると想定される感応基板表面へのドーズ量（基準ドーズ量、基準ドーズレベル）が、予期せぬドーズ量変動に対する線幅変化の指標である裕度が５ｎｍ／μＣ／ｃｍ2以下となる条件に、基準バイアスを設定する。そして、この基準バイアスを基にしてパターンの各要素のマスクバイアス量を計算して、各要素に寸法変化（リシェイプ）を与える補正を行う。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
感応基板上に転写すべきデバイスパターンをレチクル上に形成し、
該レチクルを電子線照明し、
該レチクルを通過した電子線を前記感応基板上に投影して前記パターンを転写する露光方法であって、
予め前記レチクルのパターンの各要素に寸法変化（リシェイプ）を与えておいて近接効果補正を含むマスクバイアス補正を行い、
ここで、マスクバイアス補正がゼロで予定の線幅が実現できると想定される感応基板表面へのドーズ量（基準ドーズ量、基準ドーズレベル）を、予期せぬドーズ量変動に対する補正線幅変化の指標である裕度が５ｎｍ／μＣ／ｃｍ2以下となる条件に設定することを特徴とする電子線投影露光方法。
【請求項２】
転写したいパターンの代表的なパターン密度において、ドーズ量を振った各種の条件で、目標線幅確保のための適正マスクバイアス補正量のシミュレーション又はテスト露光を行い、
前記ドーズ量の変化に対する前記マスクバイアス補正量の変化の少ない条件において露光を行うことを特徴とする請求項１記載の電子線投影露光方法。
【請求項３】
露光のドーズ量を前記基準露光ドーズ量（基準ドーズレベル）よりも高くし、その分マイナスのマスクバイアス補正を行うことを特徴とする請求項１記載の電子線投影露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等のリソグラフィに使用される電子線露光方法に関する。特には、近接効果に影響される線幅制御性を向上させた露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、０．１μｍルール以降の微細パターン形成技術の開発が活発に行われている。その中で、メモリ量産対応も可能なスループットを有する方法として、電子線を用いたＥＢ縮小投影露光法が注目されており、製品化されつつある。
【０００３】
このＥＢ縮小投影露光法の特徴の一つは、加速電圧が１００ｋＶの非常に高加速の電子線を使用することである。このように電子線を高加速化することにより、０．１μｍ以下の非常に微細なレジストパターンを形成できる。というのは、レジストに照射された電子線は、レジストの高分子中で散乱し、軌道が少しずつ広がっていく前方散乱を起こすが、電子線を高加速化すると、この前方散乱径は小さくなるためパターンの微細化に有利となる。
【０００４】
ところで、光学系内で電子線が最も収束する部分、例えば、クロスオーバー部やウェハ上の結像面では、電子相互の反発であるクーロン相互作用が大きく働く。このクーロン相互作用によってビームボケ量が大きくなり、その結果、解像性の劣化を引き起こす。しかし、電子線を高加速化すると、このクーロン相互作用が小さくなってビームボケ量が小さくなり、解像性を向上できる。
【０００５】
しかし、電子線の高加速化に伴って以下のような問題点も発生する。レジストに電子線が入射すると、レジスト中を散乱しながら基板表面に達した電子のほとんどは、そのまま基板中に入り込み、エネルギーがゼロになるまで散乱を繰り返す。その散乱半径は、電子線が高加速化するほど大きくなり、加速電圧が１００ｋＶでは約５０μｍに達すると考えられる。そして、基板に入り込んだ電子の内、ある程度の割合の電子は、散乱を繰り返しながら再び基板表面に戻ってくる。この電子がレジスト中に堆積して、レジスト像を形成してしまう。この基板表面に戻ってきた電子を後方散乱電子という。この後方散乱電子がレジストを感光させ、ドーズ量変動を引き起こす。これを近接効果現象という。高加速電子線を用いたＥＢ投影露光法では、この近接効果による最適ドーズ量の変動に対する補正が重要な課題となる。
【０００６】
近接効果を補正する方法としては、リシェイプ補正方法やゴースト補正方法が有力と考えられている。なお、可変成形露光法などではそのショットサイズが数μｍとかなり小さいことから、ショットごとに露光ドーズ量を最適化するという方法が実用化されているが、露光面積が２５０μｍ角と大きいＥＢ縮小投影露光装置ではこの方法は使えない。
【０００７】
リシェイプ補正方法とは、ウェハ上への像形成が所望の線幅、形状となるように、レチクル上のパターン寸法、形状を補正する方法である。例えば、ラインが同一間隔で１００μｍ角以上にわたって並んでいる、いわゆるＤＲＡＭメモリゲートのようなパターンの場合、周辺のパターンを所定の線幅に転写できる露光条件では、中央のパターンほど線幅が太っていくことになる。この傾向を補正するには、レチクルの中央のパターンの線幅を、露光によって太る分だけ細く（マイナス補正）しておけばよい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、より微細なパターンを形成しようとすると、露光装置はビームボケ量をより小さくするなどの調整を必要とされることとなる。そして、露光装置の各性能の制御性のバランスがとれて、かつ、各性能が十分な裕度を有していることが要求される。これは近接効果補正においても同様であり、レチクルパターンにおいて補正する寸法の裕度が大きいことが望ましい。
【０００９】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、近接効果による最適ドーズ量の変動を適切に補正して、線幅制御性を向上させた露光方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の問題点を解決するため、本発明の電子線投影露光方法は、  感応基板上に転写すべきデバイスパターンをレチクル上に形成し、  該レチクルを電子線照明し、  該レチクルを通過した電子線を前記感応基板上に投影して前記パターンを転写する露光方法であって、  予め前記レチクルのパターンの各要素に寸法変化（リシェイプ）を与えておいて近接効果補正を含むマスクバイアス補正を行い、  ここで、マスクバイアス補正がゼロで予定の線幅が実現できると想定される感応基板表面へのドーズ量（基準ドーズ量、基準ドーズレベル）を、予期せぬドーズ量変動に対する補正線幅変化の指標である裕度が５ｎｍ／μＣ／ｃｍ2以下となる条件に設定することを特徴とする。
【００１１】
露光線幅のドーズ量変動に対する裕度を大きくすることにより、露光装置のパラメータが不用意に変動してドーズ量が変動しても、必要とされるマスクバイアス量の変化量は小さい。したがって、ドーズ量が変動しても、感応基板上でほぼ設計値通りの線幅が得られるマスクバイアス補正を行うことができる。
【００１２】
なお、ここで、裕度を、露光ドーズ量と線幅変化量との関係における、露光ドーズ量の変化度合いに対する線幅変化量（マスクバイアス量）の変化割合と考えると、裕度が大きいとは、この変化割合が小さいことを示す。つまり、露光ドーズ量が大きく変動しても線幅変化量の変化量は少ないことを示す。別言して、裕度を、露光ドーズ量と線幅変化量との関係を示すグラフの曲線の傾きと考えると、裕度が大きいとは、このグラフの傾きが小さいことを示し、傾きの絶対値が５ｎｍ／μＣ／ｃｍ2以下となることを表す。
【００１３】
本発明においては、  転写したいパターンの代表的なパターン密度においてドーズ量を振った各種の条件で目標線幅確保のための適正マスクバイアス補正量のシミュレーション又はテスト露光を行い、前記ドーズ量の変化に対する前記マスクバイアス補正量の変化の少ない条件において露光を行うと良い。
【００１４】
ドーズ量の変化に対するマスクバイアス補正量の変化の少ない条件（ドーズ量変動に対する線幅変化が少ない条件）である裕度が大きい条件を確実に見出すことができる。
本発明においては、  露光のドーズ量を前記基準露光ドーズ量よりも高くし、その分マイナスのマスクバイアス補正を行うことが好ましい。つまり、マスクバイアス補正の基準を孤立パターン寄りにすると良い。露光ドーズ量を基準露光ドーズ量（基準ドーズ露光レベル）よりも高くすると（オーバードーズとすると）、マスクバイアス補正マージンが向上する。
【発明の効果】
【００１５】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、リシェイプ補正方法による近接効果補正を高精度で行うことができる。このため１００ｎｍノードはもとより、６５ｎｍノード以降の半導体デバイス製造技術の中核となるリソグラフィ技術の確立が期待できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照しつつ説明する。
まず、分割転写方式の電子ビーム露光方法の概要を説明する。
図３は、分割転写方式の電子ビーム露光装置の光学系全体における結像関係及び制御系の概要を示す図である。
【００１７】
光学系の最上流に配置されている電子銃１は、下方に向けて電子線を放射する。電子銃１の下方には２段のコンデンサレンズ２、３が備えられており、電子線は、これらのコンデンサレンズ２、３によって収束されブランキング開口７にクロスオーバーＣ．Ｏ．を結像する。
【００１８】
二段目のコンデンサレンズ３の下には、矩形開口４が備えられている。この矩形開口（照明ビーム成形開口）４は、レチクル（マスク）１０の一つのサブフィールド（露光の１単位となるパターン小領域）を照明する照明ビームのみを通過させる。この開口４の像は、レンズ９によってレチクル１０に結像される。
【００１９】
ビーム成形開口４の下方には、ブランキング偏向器５が配置されている。同偏向器５は、必要時に照明ビームを偏向させてブランキング開口７の非開口部に当て、ビームがレチクル１０に当たらないようにする。
【００２０】
ブランキング開口７の下には、照明ビーム偏向器（照明光学系の主偏向器）８が配置されている。この偏向器８は、主に照明ビームを図３の横方向（Ｘ方向）に順次走査して、照明光学系の視野内にあるレチクル１０の各サブフィールドの照明を行う。偏向器８の下方には、照明レンズ９が配置されている。照明レンズ９は、レチクル１０上にビーム成形開口４を結像させる。
【００２１】
レチクル１０は、実際には光軸垂直面内（Ｘ−Ｙ面）に広がっている。レチクル１０上には、全体として一個の半導体デバイスチップをなすパターン（チップパターン）が形成されている。もちろん、複数のレチクルに１個の半導体デバイスチップをなすパターンを分割して配置しても良い。レチクル１０上のパターンは、多数のサブフィールドに分割されている。
【００２２】
レチクル１０は、移動可能なレチクルステージ１１上に載置されており、レチクル１０を光軸垂直方向（ＸＹ方向）に動かすことにより、照明光学系の視野よりも広い範囲に広がるレチクル上の各サブフィールドを照明することができる。
【００２３】
レチクルステージ１１には、レーザ干渉計を用いた位置検出器１２が付設されており、レチクルステージ１１の位置をリアルタイムで正確に把握することができる。
レチクル１０の下方には、投影レンズ１５及び１９並びに投影光学系の主偏向器（像位置調整偏向器）１６が設けられている。レチクル１０の１つのサブフィールドを通過した電子線は、投影レンズ１５、１９、主偏向器１６によって感応基板（ウェハ）２３上の所定の位置に結像される。ウェハ２３上には、適当なレジストが塗布されており、レジストに電子線のドーズが与えられ、レチクル上のパターンが縮小されてウェハ２３上に転写される。
【００２４】
レチクル１０とウェハ２３の間を縮小率比で内分する点にクロスオーバーＣ．Ｏ．が形成され、同クロスオーバー位置にはコントラスト開口１８が設けられている。コントラスト開口１８は、レチクル１０の非パターン部で散乱された電子線がウェハ２３に到達しないよう遮断する。
【００２５】
ウェハ２３は、静電チャック（図示されず）を介して、ＸＹ方向に移動可能なウェハステージ２４上に載置されている。上記レチクルステージ１１とウェハステージ２４とを、互いに逆の方向に同期走査することにより、投影光学系の視野を越えて広がるチップパターン内の各部を順次露光することができる。なお、ウェハステージ２４にも、上述のレチクルステージ１１と同様の位置検出器２５が装備されている。
【００２６】
ウェハ２３の直上には、反射電子検出器２２が配置されている。この反射電子検出器２２は、ウェハ２３の被露光面やステージ上のマークで反射される電子の量を検出する。例えばレチクル１０上のマークパターンを通過したビームでウェハ２３上のマークを走査し、その際のマークからの反射電子を検出することにより、レチクル１０とウェハ２３の相対的位置関係や電子線（ビーム）の性状を知ることができる。
【００２７】
上記各レンズ２、３、９、１５、１９及び各偏向器５、８、１６は、各々のコイル電源制御部２ａ、３ａ、９ａ、１５ａ、１９ａ及び５ａ、８ａ、１６ａを介してコントローラ３１によりコントロールされる。また、レチクルステージ１１及びウェハステージ２４も、ステージ制御部１１ａ、２４ａを介して、コントローラ３１により制御される。ステージ位置検出器１２、２５は、アンプやＡ／Ｄ変換器等を含むインターフェース１２ａ、２５ａを介してコントローラ３１に信号を送る。また、反射電子検出器２２も同様のインターフェース２２ａを介してコントローラ３１に信号を送る。
【００２８】
コントローラ３１は、ステージ位置の制御誤差を把握し、その誤差を主偏向器１６で補正する。これにより、レチクル１０上のサブフィールドの縮小像がウェハ２３上の目標位置に合わせるよう制御できる。そして、ウェハ２３上で各サブフィールド像が繋ぎ合わされて、レチクル１０上のチップパターン全体がウェハ２３上に転写される。
【００２９】
次に、本発明の実施の形態に係るリシェイプ補正方法を説明する。
まず、パターンの配置から、各部分でのバイアス量を算出する。バイアス量とは、近接効果によって生じた後方散乱電子によるバックグラウンドドーズ量のことである。一般に、パターン密度が高いほどバイアス量は多くなる。
【００３０】
次に、算出されたバイアス量から線幅補正量（マスクバイアス量）を計算する。この処理はデータ変換と呼ばれる処理の一部である。この際、基準バイアスとなる部分を決め、この部分に対して各部のマスクバイアス量を決める必要がある。基準バイアスは様々なコンセプトに従って決めることができる。例えば、近接効果のない部分（バイアス量＝ゼロ）を基準と仮定すると、近接効果の影響が大きいほどパターン線幅は太くなるため、近接効果の影響が大きい部分では、レチクル上のパターン寸法を設計値より細くする（マイナスバイアス補正）。また、近接効果が最も大きい部分を基準とすると仮定すると、近接効果が小さい部分ではパターン線幅が細くなり、近接効果がない部分では最も細くなる。そこで、レチクル上のパターン寸法を、近接効果が少ないほど設計値より太くする（プラスバイアス補正）。なお、このとき（プラスバイアス補正）時の最適露光ドーズ量は、マイナスバイアス補正時の最適露光ドーズ量より少なくてよい。
【００３１】
ところで、マスクバイアスを補正する際には、露光性能パラメータの各々について、適切なマージン（裕度）を確保する必要がある。つまり、パラメータが不用意に変動した場合でも、できるだけこの変動がマスクバイアス補正に影響を与えないように、基準バイアスを決める必要がある。ここで、特に考慮すべきパラメータは、露光ドーズ量とビームボケ量である。
【００３２】
次に、露光ドーズ量及びビームボケ量（ビームブラー）とマスクバイアス量の関係について説明する。
図１は、露光ドーズ量とマスクバイアス量の関係を示すグラフであり、図１（Ａ）はパターン密度が約５０％の場合、図１（Ｂ）はパターン密度が約０％の場合である。
【００３３】
各グラフにおいて、横軸は露光ドーズ量（μＣ／ｃｍ2）、縦軸はマスクバイアス量（×１００ｎｍ）を示す。グラフ中の◆はビームブラーが１５ｎｍ、▲はビームブラーが３０ｎｍ、■はビームブラーが５０ｎｍを示す。
【００３４】
以下の説明では、パターン密度が０〜５０％の領域内で混在するパターンについて述べる。
各グラフから分かるように、パターン密度が５０％で近接効果が大きい場合でも、パターン密度が０％で近接効果がない場合でも、マスクバイアス量は露光ドーズ量に大きく依存している。具体的には、露光ドーズ量が多くなるほど、マスクバイアス量はプラスからマイナスとなっている。そして、パターン密度が高いほどバイアス量（マイナスバイアス量）は多くなる傾向を示す。
【００３５】
次に、マスクバイアス量がプラスの場合とマイナスの場合において、各点を結ぶ曲線を比較する。どちらのグラフにおいても、マスクバイアス量がマイナスになるに従って各点を結ぶ曲線の傾きが小さくなる（寝る）傾向を示している。マスクバイアス量がマイナスになる場合とは、この例では、露光ドーズ量を大きくした場合である。
【００３６】
なお、グラフから分かるように、この傾向はパターン密度が０％の場合（図１（Ｂ）のグラフ）の方が大きいといえる。
ここで、各点を結ぶ曲線の傾きが小さくなる（寝る）傾向について説明する。
【００３７】
各点を結ぶ曲線の傾きとは、露光ドーズ量の変化度合いに対するマスクバイアス量の変化の割合を示す。そして、この傾きが小さくなる（寝る）とは、露光ドーズ量が変化しても、マスクバイアス量があまり変化しないことを示す。すなわち、露光ドーズ量が何らかの影響（露光装置のバラツキ、ブランキング時間の精度、近接効果によるＢＧＤ（かぶり）の予測値の狂いなど）で変動しても、ウェハ上レジストパターンの線幅の変化が少ないことを示す。例えば、図１（Ｂ）のグラフから、露光ドーズ量が１５μＣ／ｃｍ2の場合では、マスクバイアス量は約−１０ｎｍであるが、露光ドーズ量が変動して２０μＣ／ｃｍ2に増えたとしても、マスクバイアス量は約−２０ｎｍであり、差は１０ｎｍである。
【００３８】
露光ドーズ量が変動してもマスクバイアス量の変化が少ないことを、「マスクバイアス補正マージン（裕度）が向上する」という。
また、各グラフには、ビームブラーを３段階（１５ｎｍ、３０ｎｍ、５０ｎｍ）に変化させた場合を示したが、いずれのグラフにおいても、ビームブラーによる差はほとんどないといえる。
【００３９】
以上のことから、マスクバイアス補正マージンが向上する条件は、ビームブラーには関係せず、露光ドーズ量が大きい条件であるといえる。
次に、基準バイアスについて説明する。
【００４０】
基準バイアスとは、上述のように、マスクバイアスをゼロとする（バイアスをかけない）パターンの部分を示す。そして、この基準バイアスとされた部分において、ウェハ上で目標の線幅を得るドーズ量を基準ドーズ量（基準ドーズレベル）という。例えば、線幅の設計値が１００ｎｍのＬ／Ｓパターンにおいて、縮小比を１／４とすると、線幅４００ｎｍのレチクル上のパターンがウェハ上でちょうど線幅が１００ｎｍとなるときのドーズ量である。
【００４１】
図のグラフを参照して説明すると、図１（Ａ）のパターン密度が５０％のパターンでは、基準ドーズ量（基準ドーズレベル）は約９μＣ／ｃｍ2である。露光ドーズ量をこの基準ドーズ量（約９μＣ／ｃｍ2）とすると、同一レチクル内のパターン密度が０％では、マスクバイアス量を約＋４０ｎｍにする必要がある。一方、図１（Ｂ）のパターン密度が０％のパターンでは、基準ドーズ量（基準ドーズレベル）は約１４μＣ／ｃｍ2である。露光ドーズ量をこの基準ドーズ量（約１４μＣ／ｃｍ2）とすると、同一レチクル内のパターン密度が５０％では、マスクバイアス量を約−３０ｎｍにする必要がある。
【００４２】
そして、各グラフから分かるように、露光ドーズ量を基準ドーズ量（基準ドーズレベル）より高くした場合（ドーズオーバーとした場合）には、マスクバイアス補正マージンが大きくなっている（各点を結ぶ曲線の傾きが寝る）。
【００４３】
また、図１（Ａ）のグラフに示すように、露光ドーズ量が１１μＣ／ｃｍ2以上の場合では、マスクバイアス補正マージンは比較的大きい（各点を結ぶ曲線の傾きが寝る）が、１０μＣ／ｃｍ2以下の場合では、マスクバイアス補正マージンが低下（各点を結ぶ曲線の傾きが立つ）していることがわかる。
【００４４】
したがって、図１（Ａ）、（Ｂ）のグラフを比べた場合、マスクバイアス補正マージンが高い部分は、図１（Ｂ）のパターン密度が０％のパターンである。しかし、パターンの選択範囲を広げることを考慮すれば、図１（Ａ）のパターン密度が５０％のパターンでも、露光ドーズ量が１１μＣ／ｃｍ2以上の場合では、マスクバイアス補正マージンが比較的大きくなる。
【００４５】
具体的なマージン（裕度）は、図１（Ａ）のパターン密度が５０％の場合の露光ドーズ量が１１μＣ／ｃｍ2以上の場合のグラフの各点を結ぶ線の傾き｛−０．４−（−０．２）｝×１００ｎｍ／（１５−１１）μＣ／ｃｍ2）から、５ｎｍ／μＣ／ｃｍ2以下の条件が好ましい。
【００４６】
以上をまとめてフローチャートで説明する。
図２は、本発明の実施の形態に係るリシェイプ補正方法のフローチャートである。
まず、Ｓ１で、パターン各部のバイアス量を算出する。次に、マスクバイアス量を算出するために基準バイアスを決定する。図の破線で囲まれた部分が、基準バイアスを決定するための作業である。まず、Ｓ２で、代表的なパターン密度のパターンで、シミュレーション又はテスト露光を行って、露光ドーズ量とマスクバイアス量との関係を求める。得られた関係から、Ｓ３で、マスクバイアス補正マージンが５ｎｍ／μＣ／ｃｍ2以下となるパターン部分を選択し、Ｓ４で同部分を基準バイアスと設定する。
【００４７】
そして、Ｓ５において、設定された基準バイアスに対してパターン各部のマスクバイアス量を計算する。計算結果に基づき、Ｓ６で、レチクルパターンを作成する。
なお、以上の例では、０〜５０％の密度のパターンが混在するパターンの場合を説明したが、パターンの密度の範囲がもっと広い場合や狭い場合にも、シミュレーションやテスト露光を行って同様に求めることができる。
【実施例】
【００４８】
１００ｎｍノードの汎用メモリゲートパターンを模して、Ｌ／Ｓアレイの形成を行う場合の例を説明する。このアレイ内のパターン領域は２５０μｍ×２００μｍとし、この領域内に幅が１００ｎｍのライン（Ｌ）とスペース（Ｓ）を配置する。
【００４９】
まず、近接効果補正計算を行い、レチクル上パターンのマスクバイアス補正量を算出する。この際、上記のパターンをデータ変換ソフトに入力してマスクバイアス補正量を算出する。この際、ＥＩＤ関数は二重ガウス関数で近似した。ＥＩＤパラメータは、βｆ＝７ｎｍ、βｂ＝３１μｍ、η＝０．４とした。ここで、βｆは前方散乱電子の拡がり半径、βｂは後方散乱電子の拡がり半径、ηは後方散乱電子強度／前方散乱電子強度を示す。
【００５０】
パターンの密度は０〜５０％である。パターン密度が０％近傍である部分は、パターン領域の最外周部であり、パターン密度が５０％である部分は、パターン領域の４つの辺（最外周部）から２００μｍ以上内側に位置する部分である。そして、基準バイアスをパターン密度が２５％の部分として、マスクバイアス補正がプラス及びマイナスとも均等に補正されるようにした。この結果、パターン密度が５０％の部分では−２０％のマスクバイアス補正を行い、パターン密度が０％の部分では＋２０％のマスクバイアス補正を行う。このデータに基づいてレチクル上のパターン寸法を決定した。
【００５１】
レチクルは、厚さが２μｍのＳｉからなるメンブレンと、このメンブレンを保持するストラットを基本構造として、電子散乱体であるＳｉメンブレンに、上記のパターン寸法に補正されたパターンを開口パターンとして作製する。具体的に説明すると、まず、ＳＯＩウェハの下面に、サブフィールドメンブレン、マイナーストラット及びメインストラットとなる窓枠状パターンをフォトリソグラフィ工程によって形成する。その後、下面のシリコン部分をドライエッチング方法によって、ＳｉＯ2までエッチングした。そして、ＳｉＯ2層をフッ素処理などによって剥離し、メンブレンブランクスを作製した。
【００５２】
その後、メンブレンブランクスの上面にレジストを塗布し、ＥＢ描画装置で、上述のマスクバイアス補正により決定されたパターンを描画する。レチクル上パターンのパターン領域は、１０００μｍ×８００μｍとなる。また、サブフィールドメンブレンの寸法は、１．１３ｍｍ×１．１３ｍｍとなる。レジストパターンを形成した後、ドライエッチングによってシリコンメンブレンブランクスにパターンを転写して、レチクルを完成した。
【００５３】
軸上縮小転写光学系を有するＥＰＬ実験鏡筒を用いて、完成させたレチクルの露光を行った。実験鏡筒の主なスペックは、電子線加速電圧１００ｋＶ、縮小倍率４倍、一括露光エリア０．２５ｍｍ×０．２５ｍｍとした。
【００５４】
露光基板は、３インチ又は４インチのＳｉウェハを使用できる。ます、３インチウェハ上にレジストを厚さ０．３μｍで塗布した後、プリベーク処理を行い、露光装置内に搬送した。レジストは、東京応化工業株式会社製の化学増幅型ネガ型レジストを用いた。
【００５５】
上述のように、本実施例では、パターン密度が２５％の部分を基準バイアスとする。この場合の露光ドーズ量は１１μＣ／ｃｍ2である。
露光装置にて露光後、基板をＰＥＢ及び現像し、ＣＤ−ＳＥＭ機で画像評価した。その結果、露光領域全面で線幅が均一に１００ｎｍのＬ／Ｓパターンが形成されていることが確かめられた。したがって、本発明の補正方法によって高い精度で近接効果を補正できたことがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】露光ドーズ量とマスクバイアス量の関係を示すグラフであり、図１（Ａ）はパターン密度が５０％の場合、図１（Ｂ）はパターン密度が０％の場合である。
【図２】本発明の実施の形態に係るリシェイプ補正方法のフローチャートである。
【図３】分割転写方式の電子ビーム露光装置の光学系全体における結像関係及び制御系の概要を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  電子銃                        ２、３  コンデンサレンズ
４  矩形開口                      ５  ブランキング偏向器
７  ブランキング開口              ８  偏向器
９  レンズ                      １０  レチクル
１１  レチクルステージ            １２  位置検出器
１５、１９  投影レンズ            １６  主偏向器
１８  コントラスト開口            ２２  反射電子検出器
２３  ウェハ                      ２４  ウェハステージ
３１  コントローラ
【図１】
2005033171.tif 000003
【図２】
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【図３】
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