(57)【要約】【課題】  プラズマの熱の影響を抑制できる薄膜形成装置及び薄膜形成方法と、熱劣化が抑制された発光層を備える電気光学装置及びその製造方法と、当該電気光学装置を備える電子機器を提供する。【解決手段】  成膜室内で、膜材料を収納する蒸発源にプラズマを照射して前記膜材料を蒸発させることにより、前記蒸発源に対向させた基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記成膜室は、基板上に薄膜を形成する成膜領域と、基板を待機させる待機領域と、当該成膜領域と待機領域との間に設けられたプラズマ遮蔽手段と、当該成膜領域と当該待機領域とを連通させる連通部と、を具備していることを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室内で、膜材料を収納する蒸発源にプラズマを照射して前記膜材料を蒸発させることにより、前記蒸発源に対向させた基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記成膜室は、基板上に薄膜を形成する成膜領域と、基板を待機させる待機領域と、当該成膜領域と待機領域との間に設けられたプラズマ遮蔽手段と、当該成膜領域と当該待機領域とを連通させる連通部と、を具備していることを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
前記連通部は、前記プラズマ遮蔽手段に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。
【請求項３】
前記プラズマ遮蔽手段を冷却する冷却機構が設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の薄膜形成装置。
【請求項４】
前記基板と前記蒸着源とを相対移動させる相対移動機構を備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。
【請求項５】
前記相対移動機構は、一点状に配置された蒸着源と、前記基板とを、当該基板面と平行な２軸方向に相対移動させることを特徴とする請求項４に記載の薄膜形成装置。
【請求項６】
前記相対移動機構は、一配列方向に配列された複数点状の前記蒸着源と、前記基板とを、前記配列方向とは異なる１軸方向に相対移動させることを特徴とする請求項４に記載の薄膜形成装置。
【請求項７】
前記成膜領域と前記待機領域との間で基板を搬送する搬送機構を備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。
【請求項８】
前記待機領域には、複数の前記基板を待機させる待機機構が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。
【請求項９】
前記成膜領域には、前記基板を保持する基板保持機構が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の薄膜形成装置を用いることにより、基板に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項１１】
基板上に発光機能層を備えた電気光学装置の製造方法であって、
請求項１０に記載の薄膜形成方法を用いることにより、前記発光機能層の上方に薄膜を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記発光機能層の上方に形成する薄膜は、透明導電膜であることを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記発光機能層の上方に形成する薄膜は、当該発光機能層を保護する保護膜であることを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の電気光学装置の製造方法を用いることにより製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜形成装置、薄膜形成方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、小型化、薄型化及び低消費電力化の観点から、自発光素子を画素に対応させて備えた電気光学装置が注目されている。この種の電気光学装置には、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という）を画素に対応させて備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、有機ＥＬディスプレイという）がある。有機ＥＬディスプレイは、高輝度で自発光であること、応答性が高速であること等の理由で特に注目されており、その開発が盛んに行われている。この有機ＥＬ素子は、基板の上層に形成された画素電極と光透過性を有する材料で構成された共通電極との間に有機材料で構成された発光層を備えた構造をしている。
【０００３】
ところで、有機ＥＬディスプレイの製造方法においては、各画素に対する共通電極を形成する方法の一つに、イオンプレーティング法が知られている。当該イオンプレーティング法は、共通電極を構成する導電性の膜材料をターゲットとし、このターゲットにプラズマを照射してターゲット材料を蒸発させ、有機材料で構成された発光層上にターゲット材料を付着させて共通電極を形成する方法である。（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−２８２２２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、このようなイオンプレーティング装置においては、成膜を始める前に、照射するプラズマや、処理室内の圧力、ターゲット材料の蒸発を安定させるための安定化の工程が必要となる。しかし、この安定化の工程において処理室中に拡散したプラズマの熱によって基板が加熱されてしまい、当該基板に形成された発光層がダメージを受けてしまうという問題があった。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、プラズマの熱の影響を抑制できる薄膜形成装置及び薄膜形成方法と、熱劣化が抑制された発光層を備える電気光学装置及びその製造方法と、当該電気光学装置を備える電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者は、イオンプレーティング装置の安定化工程におけるプラズマの熱によって、待機中の基板の発光層がダメージを受けて劣化してしまい、作製した電気光学装置の表示品位がそれに伴って低下してしまうことを見出した。
また、このような発光層へのダメージを抑制する方法として、成膜対象の基板と、成膜後の基板及び成膜前の基板とを隔離して、当該成膜前や成膜後の基板への加熱を抑制する方法がある。しかし、イオンプレーティング装置による成膜は、処理室内の圧力、プラズマの分布等に非常に敏感であり、安定化工程後にゲートバルブの開閉を行って基板を搬送した場合、安定した膜質を得ることが困難となる。また、１枚処理を行う毎に基板の待機室からの搬送及び安定化工程を行った場合、生産効率が大きく低下してしまう。
そこで、本発明者は、上記に基づいて以下の手段を有する本発明を想到した。
【０００６】
即ち、本発明の薄膜形成装置は、成膜室内で、膜材料を収納する蒸発源にプラズマを照射して前記膜材料を蒸発させることにより、前記蒸発源に対向させた基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記成膜室は、基板上に薄膜を形成する成膜領域と、基板を待機させる待機領域と、当該成膜領域と待機領域との間に設けられたプラズマ遮蔽手段と、当該成膜領域と当該待機領域とを連通させる連通部と、を具備していることを特徴としている。
このように、本発明の薄膜形成装置は、通常真空加熱蒸着では成膜できない高い融点を有する材料を下地の材料を劣化させることなく成膜することができる。
また、プラズマ遮蔽手段が設けられることによって、成膜領域と待機領域との間においてプラズマが遮蔽（トラップ）されるので、待機領域側にプラズマが侵入することがない。従って、待機領域側の基板がプラズマに曝されることがないので、プラズマの熱による基板へのダメージを抑制することができる。
また、成膜領域と待機領域は連通しているので、これらの領域は全て常に同圧力となる。従って、成膜領域と待機領域との各々を圧力調整する必要がなく、成膜領域と待機領域との間における基板搬送を容易に行うことができる。従って、生産効率を低下させることなく、薄膜を形成することができる。
【０００７】
ここで、基板上に熱劣化が生じやすい各種機能素子、例えば、発光機能層等が予め形成されている場合について説明する。このような基板は、薄膜を形成する前に待機領域において待機され、成膜領域と同じ圧力下で保持されている。そして、上記のように、プラズマ遮蔽手段が成膜領域と待機領域の間に設けられていることから、待機領域内の基板に対するプラズマの熱のダメージを抑制することができる。従って、各種機能素子や発光機能層の熱劣化を抑制することができ、当該各種機能素子の特性や発光機能層の発光特性を向上させることができる。
【０００８】
また、前記薄膜形成装置は、前記連通部は前記プラズマ遮蔽手段に設けられていることを特徴としている。ここで、連通部は複数設けられていることが好ましい。
このようにプラズマ遮蔽手段に複数の連通部が設けられていることで、基板の搬送に伴いプラズマ遮蔽手段が移動した場合でも、処理室内の気体の流れやプラズマの分布等に影響を与えることがない。このため、安定化工程を行うこと無く基板の搬送を行うことが可能で、連続的に安定した膜質で成膜を行うことができる。
【０００９】
また、前記薄膜形成装置は、前記プラズマ遮蔽手段を冷却する冷却機構が設けられていることを特徴としている。
このようにすれば、プラズマ遮蔽手段が冷却されるので、プラズマの熱を当該冷却機構によって吸熱することができる。ここで、冷却機構を設けていない場合には、プラズマ遮蔽手段を伝熱して待機領域内の基板が加熱されてしまう恐れがある。そこで、本発明のように、冷却機構を備えることで、当該伝熱を防止することができ、待機領域内の基板への加熱を抑制することができる。
【００１０】
また、前記薄膜形成装置は、前記基板と前記蒸着源とを相対移動させる相対移動機構を備えることを特徴としている。
このようにすれば、先に記載した薄膜形成装置の効果が得られると共に、均一な膜厚で薄膜を形成することができる。
【００１１】
また、前記薄膜形成装置は、前記相対移動機構は、一点状に配置された蒸着源と、前記基板とを、当該基板面と平行な２軸方向に相対移動させることを特徴としている。
ここで、蒸着源と基板とを固定して成膜を施すと、当該蒸着源の中心部に対向する基板面の膜厚が大きくなり、また、当該中心部から離れた基板面の膜厚が放射状に薄くなってしまう。これに対して、本発明においては、２軸方向に相対移動させるので、厚膜部分と薄膜部分が相殺し、より均一な膜厚で薄膜を形成することができる。
なお、本発明における「２軸方向に相対移動させる」とは、基板面内において、２軸直線的に移動させることを限定するのではない。相対移動方向を２次元でベクトル分析した際のＸ軸方向とＹ軸方向の成分を有する方向で相対移動させることを意味する。換言すれば、基板の鉛直方向を除く軸方向において、相対移動させることを意味している。従って、「２軸方向に相対移動させる」とは、円弧を描くように相対移動させた場合の意味も含む。
【００１２】
また、前記薄膜形成装置は、前記相対移動機構は、一配列方向に配列された複数点状の前記蒸着源と、前記基板とを、前記配列方向とは異なる１軸方向に相対移動させることを特徴としている。
ここで、複数点状の蒸着源の配列方向に対して、相対移動方向は、略垂直であることが好ましい。
このようにすれば、一方向のみに相対移動させることによって、厚膜部分と薄膜部分が相殺し、基板全面で均一な膜厚で薄膜を形成することができる。また、基板を２軸方向に相対移動させる必要がないので基板の搬送機構が簡単になる。さらに、一方向の移動で基板の成膜が終了するため、成膜時間が短くて済み高い生産性を得ることができる。
【００１３】
また、前記薄膜形成装置は、前記成膜領域と前記待機領域との間で基板を搬送する搬送機構を備えることを特徴としている。
このようにすれば、先に記載した薄膜形成装置の効果が得られると共に、成膜領域と待機領域との間で基板を搬送することができる。
【００１４】
また、前記薄膜形成装置は、前記待機領域には複数の前記基板を待機させる待機機構が設けられていることを特徴としている。
このようにすれば、先に記載した薄膜形成装置の効果が得られると共に、複数の基板を安定化工程を行うこと無く連続的に成膜できるため、高い生産性を得ることができる。
また、上記のように成膜領域と待機領域との間にはプラズマ遮蔽手段が設けられ、プラズマが遮蔽されているので、当該待機領域に複数の基板を長時間待機させていたとしても、熱履歴による基板へのダメージを抑制することができる。
また、成膜前の複数基板や、成膜後の複数基板が待機領域内に待機されるので、換言すれば、バッチ毎に複数基板が待機されるので、成膜前の基板と、成膜後の基板の入れ替えを効率的に行うことができる。これによって、薄膜形成の生産性を向上させることができる。
【００１５】
また、前記薄膜形成装置は、前記成膜領域には、前記基板を保持する基板保持機構が設けられていることを特徴としている。
このようにすれば、先に記載した薄膜形成装置の効果が得られると共に、成膜領域において、基板を保持することができる。
【００１６】
また、本発明の薄膜形成方法は、先に記載の薄膜形成装置を用いることにより、基板に薄膜を形成することを特徴としている。
このようにすれば、先に記載の薄膜形成装置と同様の効果が得られる。即ち、通常真空加熱蒸着では成膜できない高い融点を有する材料を、下地の材料を劣化させること無く成膜することができる。また、プラズマの熱による待機中の基板へのダメージを抑制することができる。また、成膜領域と待機領域との間における基板搬送を容易に行うことができる。従って、生産効率を低下させることなく、薄膜を形成することができる。
【００１７】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に発光機能層を備えた電気光学装置の製造方法であって、先に記載の薄膜形成方法を用いることにより、前記発光機能層の上方に薄膜を形成することを特徴としている。
ここで、発光機能層は、熱により劣化しやすいが、上記のように待機領域内に基板を待機することにより、発光機能層へのプラズマによる熱のダメージを抑制することができる。従って、発光機能層の劣化が抑制され、発光特性を向上させることができる。また、成膜領域と待機領域との間における基板搬送を容易に行うことができるので、生産効率を低下させることなく、良好な特性の電気光学装置を製造することができる。
【００１８】
また、前記電気光学装置の製造方法により発光機能層の上方に形成される薄膜は透明導電膜や、発光機能層を保護する保護膜であることが好ましい。
本発明の薄膜形成装置を用いて透明導電膜や保護膜を形成することにより、発光機能層への熱のダメージを与えること無く、良好な特性の電気光学装置を提供することができる。
また、透明導電膜、保護膜として用いられる窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素等の高融点の材料は、真空加熱蒸着で成膜することが難しいが、プラズマを利用することによって蒸発させ、成膜することができる。通常この様な材料の成膜に用いられるスパッタ法と比較して、下地を劣化させずに成膜をすることができる。従って、発光機能層へのダメージを低減し、良好な特性の電気光学装置を製造することができる。
【００１９】
また、本発明の電気光学装置は、先に記載した製造方法を用いることにより製造されたことを特徴としている。
このようにすれば、先に記載の電気光学装置の製造方法の効果により良好な特性の電気光学装置が得られる。
【００２０】
また、本発明の電子機器は、先に記載した電気光学装置を具備することを特徴としている。このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコン等の情報処理装置等を例示することができる。また、大型の表示画面を有するテレビや、大型モニタ等を例示することができる。このように電子機器の表示部に、本発明の電気光学装置を採用することによって、優れた表示特性備える電子機器を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。
なお、以下に参照する図面は、各部材や各層を認識可能とするために、適宜縮尺を異ならせている。
【００２２】
（薄膜形成装置、薄膜形成方法）
まず、図１〜図３を参照し、薄膜形成装置について説明する。
図１は、薄膜形成装置を概略説明するための側断面図である。図２は、プラズマ遮蔽板を示す斜視図である。図３は、薄膜形成装置を上面から見た概略図である。
本実施形態の薄膜形成装置は、プラズマを利用することにより、蒸着源の膜材料を基板に蒸着させて薄膜を形成するイオンプレーティング装置である。
【００２３】
図１に示すように、薄膜形成装置２０は、気密性の真空容器２１を備えることによって、成膜室ＦＲを規定している。
成膜室ＦＲは、基板ＳＰに成膜を施すための成膜領域ＦＲ１と、薄膜が形成されていない未処理基板が待機する待機領域ＦＲ２と、薄膜が形成された処理後基板が待機する待機領域ＦＲ３と、各領域間に設けられたプラズマ遮蔽板（プラズマ遮蔽手段）５１ａ、５１ｂが設けられている。
【００２４】
プラズマ遮蔽板５１ａ、５１ｂは、成膜領域ＦＲ１内において生成されるプラズマが待機領域ＦＲ２、待機領域ＦＲ３に侵入するのを抑制するようになっている。
また、図２に示すようにプラズマ遮蔽板５１ａ、５１ｂは、複数の連通孔（連通部）５２を備えており両面が連通している。従って、このような連通孔５２がプラズマ遮蔽板５１ａ、５１ｂに設けられることで、成膜領域ＦＲ１と待機領域ＦＲ２、成膜領域ＦＲ１と待機領域ＦＲ３は、それぞれ連通することとなる。
また、プラズマ遮蔽板５１ａ、５１ｂには、冷却機構５３と、駆動機構５４とが設けられている。冷却機構５３は、プラズマ遮蔽板５１ａ、５１ｂの内部に設けられた流路内に水等の冷媒を循環させるものである。これにより、プラズマによるプラズマ遮蔽板５１ａ、５１ｂ自体の発熱を吸熱されることとなる。また、駆動機構５４は、基板ＳＰを搬送する際に、プラズマ遮蔽板５１ａ、５１ｂを開閉するようになっている。これにより、成膜領域ＦＲ１と待機領域ＦＲ２、ＦＲ３との間において、容易に基板ＳＰが搬送されるようになっている。
【００２５】
また、待機領域ＦＲ２、ＦＲ３の各々には、搬送機構５０ａ、５０ｂと、複数の基板ＳＰを保持するカセット（待機機構）５５と、が設けられている。これにより、搬送機構５０ａ、５０ｂは、各領域ＦＲ１、ＦＲ２、ＦＲ３の各間に基板ＳＰを搬送するようになっている。また、カセット５５は、複数の基板ＳＰを一括的に待機させるものであり、従って基板ＳＰに薄膜が形成されている間、即ち、プラズマが生成されている間も、未処理基板や処理後基板がここで待機するようになっている。
【００２６】
次に、成膜領域ＦＲ１を中心的に説明する。
真空容器２１は、その一側壁Ｍ１にガイド管２２を介してプラズマビーム発生器ＰＧが取り付けられている。このプラズマビーム発生器ＰＧはプラズマビームＰＢを発生させるものであって、例えば、公知の圧力勾配型プラズマ銃である。
【００２７】
プラズマビーム発生器ＰＧは、第１の中間電極２３及び第２の中間電極２４が互いに同心的になるようにガイド管２２に連結して配置されている。第１の中間電極２３には永久磁石２３ａが内蔵されている。一方、第２の中間電極２４にはコイル２４ａが内蔵されている。
【００２８】
また、プラズマビーム発生器ＰＧには、第１の中間電極２３と第２の中間電極２４とで規定される通路に繋がる絶縁管（例えば、ガラス管）２５が備えられている。絶縁管２５内には、例えばモリブデン（Ｍｏ）で構成された第１のパイプ２６が配置されている。第１のパイプ２６内には、例えばタンタル（Ｔａ）で構成された第２のパイプ２７が配置されている。絶縁管２５と、第１及び第２のパイプ２６，２７との一端には、導体板部２９が取り付けられている。導体板部２９には、キャリアガス導入口３０が形成され、そのキャリアガス導入口３０を介してキャリアガスＣＧが第２のパイプ２７内を通過し導入される。キャリアガスＣＧは、本実施形態においては、アルゴン（Ａｒ）ガスである。
【００２９】
また、前記導体板部２９には、第１の可変電源ＶＶ１のマイナス端が接続されている。可変電源ＶＶ１のプラス端は、抵抗器Ｒｏを介して第２の中間電極２４に接続されている。そして、抵抗器Ｒｏの抵抗値を所定の大きさに設定し、第１の可変電源ＶＶ１の電圧値を調整することで、第２の中間電極２４にて発生する磁場の大きさを制御し、プラズマビームＰＢを収束することができるようになっている。
【００３０】
また、ガイド管２２の外側には、ステアリングコイルＳＣが配設されている。ステアリングコイルＳＣは、第２の可変電源ＶＶ２を介して第２の中間電極２４に電気的に接続されている。その可変電源ＶＶ２の電圧レベルを調整することによりステアリングコイルＳＣにて発生する磁場の大きさを所望の大きさにすることで、プラズマビームＰＢを所望の方向にガイドすることができるようになっている。
【００３１】
真空容器２１の底面Ｍ２には、その外周に環状の補助陽極３２が配置されたハース（陽極）３１が配置されている。ハース３１には膜材料Ｗが収納されており、当該ハース３１は、本発明の蒸着源として機能するものである。また、図３（ａ）に示すように、ハース３１は、成膜領域ＦＲ１内に複数設けられている。この場合、ハース３１は、成膜中の基板ＳＰの走査方向に対して略垂直方向に、複数点状に配列されていることが好ましい。このようにすることにより、基板ＳＰを一方向に走査するだけで、均一な膜厚で薄膜を形成することが可能となる。このような複数のハース３１を用いて薄膜を形成する際には、サセプタＣＳによって基板が符号Ａ１に示す方向に走査させることにより、成膜が行われるようになっている。
【００３２】
ここで、サセプタＣＳとは、ハース３１が配置されている側と対向する側に配置されたものであり、本発明の基板保持機構や相対移動機構として機能するものである。即ち、サセプタＣＳは、被成膜処理物体である基板ＳＰを保持すると共に、ハース３１に対して相対的に基板ＳＰを走査させるものである。また、サセプタＣＳは、搬送機構５０ａ、５０ｂに取り付けられて、搬送機構として共用されていてもよく、この場合、搬送機構５０ａ、５０ｂによって、基板ＳＰが符号Ａ１に示すように成膜領域ＦＲ１を通り抜ける様に搬送・走査される。
【００３３】
なお、本実施形態においては、ハース３１の配置は、図３（ａ）に示すように複数点状に配列されているが、図３（ｂ）に示すように、一点状に配置してもよい。この場合、サセプタＣＳは、符号Ａ２に示すようにＸ方向とＹ方向とに基板ＳＰを相対移動させるようになっている。
【００３４】
また、膜材料Ｗは、ハース３１に対向する基板ＳＰに対して成膜される材料である。当該膜材料Ｗとしては、各種材料が採用される。本実施形態においては、膜材料Ｗとして透明導電膜として知られているインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）が収納されている。また、この膜材料Ｗとしてのインジウム−スズ酸化物は、例えば多結晶バルク形態若しくは粉状の形態を成している。なお、他の膜材料としては、酸化錫、酸化亜鉛、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（登録商標））、ＩＣＯ、ＩＧＯ等の透明導電膜として知られる高融点材料が採用される。また、このような金属以外にも、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等のシリコン化合物が採用される。
【００３５】
また、補助陽極３２は、前記第１の可変電源ＶＶ１に接続され、可変電源ＶＶ１の電圧値を調整することで、ハース３１と導体板部２９との間の電位差を制御することができるようになっている。
【００３６】
また、真空容器２１には、その成膜室ＦＲ内へ各種ガスを導入するための複数（本実施形態においては２つ）のガス導入管が設けられている。本実施形態においては、前記ハース３１の周辺にある前記側壁Ｍ１に第１のガス導入管３３ａが、また、サセプタＣＳの周辺の上面Ｍ５に第２のガス導入管３３ｂが、それぞれ設けられている。
【００３７】
第１のガス導入管３３ａには、図示しないマスフローコントローラーが設けられ、そのマスフローコントローラーによって成膜室ＦＲ内へ導入されるガスの導入量が制御されるようになっている。第１のガス導入管３３ａには、膜材料Ｗとの反応性を有するガスを含む反応性ガスＲＧが導入される。反応性ガスＲＧは、薄膜形成装置２０では、酸素ガスである。
【００３８】
一方、第２のガス導入管３３ｂには、図示しないマスフローコントローラーが設けられ、そのマスフローコントローラーによって成膜室ＦＲ内へ導入されるガスの導入量が制御されるようになっている。また、第２のガス導入管３３ｂには、成膜室ＦＲ内の圧力を、プラズマが発生する最適な圧力に調整する調整用ガスＫＧが導入するためのガスを導入させる導入管であって、図示しないマスフローコントローラーによってその導入量が制御されるようになっている。調整用ガスＫＧは、本実施形態では、窒素ガス（Ｎ２）ガスである。
【００３９】
また、真空容器２１の他の一側壁Ｍ４には、排気パイプ３４が設けられている。排気パイプ３４の排気経路上には、圧力コントロールバルブＰＶ、ゲートバルブＧＶ及び真空ポンプＰが、それぞれ成膜室ＦＲ側から圧力コントロールバルブＰＶ→ゲートバルブＧＶ→真空ポンプＰの順に設けられている。本実施形態の真空ポンプＰは、例えばターボ分子ポンプといったオイルフリーの真空ポンプである。尚、ゲートバルブＧＶは、成膜時においては、全開の状態を保持するように予め設定されている。
【００４０】
また、前記一側壁Ｍ４には、成膜室ＦＲ内の真空度を測定する真空計ＶＭが取り付けられている。真空計ＶＭは、成膜室ＦＲの外部に設けられた圧力コントローラＡＰＣに電気的に接続され、その時々の成膜室ＦＲ内の真空度を測定する。そして、真空計ＶＭは、その測定された真空度に関する情報を有した信号Ｓｖを圧力コントローラＡＰＣへ出力する。
【００４１】
圧力コントローラＡＰＣは、圧力コントロールバルブＰＶに電気的に接続され、真空計ＶＭから出力された信号Ｓｖに基づいて圧力コントロールバルブＰＶの開度を制御するバルブ開度制御信号Ｓｋを生成する。本実施形態のバルブ開度制御信号Ｓｋは、成膜室ＦＲ内の圧力を、例えばプラズマビームＰＢが安定して発生可能な圧力（１×１０−２Ｐａ）になるように圧力コントロールバルブＰＶを制御する信号である。
【００４２】
このように構成された薄膜形成装置２０は、プラズマビーム発生器ＰＧによって発生したプラズマビームＰＢを第２の中間電極２４、ステアリングコイルＳＣ及び補助陽極３２の磁場によってハース３１に導き、膜材料Ｗに照射させ膜材料Ｗを蒸発させる。そして、その蒸発した膜材料Ｗの蒸発物をサセプタＣＳに取り付けられた被成膜処理物体としての素子基板ＳＰに付着させて成膜させることが可能である。
【００４３】
そして、薄膜形成装置２０は、成膜室ＦＲ内の雰囲気の排気速度（排気系のコンダクタンス）を前記圧力コントローラＡＰＣからのバルブ開度制御信号Ｓｋによって圧力コントロールバルブＰＶによって制御することで、成膜室ＦＲ内の圧力（全圧）を前記した１×１０−２Ｐａに保持するように制御できる。そして、成膜室ＦＲ内の圧力（全圧）とは独立して反応性ガスＲＧとしての酸素ガスの導入量を制御することが可能となる。
【００４４】
このように構成された薄膜形成装置２０と、当該薄膜形成装置２０を用いた薄膜形成方法においては、プラズマを利用することによってイオン化した膜材料Ｗを基板ＳＰに成膜できるので、加熱蒸着と比較して下地との密着力が強い薄膜を形成することができる。
また、プラズマ遮蔽板５１ａ、５１ｂが設けられることによって、成膜領域ＦＲ１と待機領域ＦＲ２、ＦＲ３との間においてプラズマＰＢが遮蔽（トラップ）されるので、待機領域ＦＲ２、ＦＲ３側にプラズマＰＢが侵入することがない。従って、待機領域ＦＲ２、ＦＲ３側の基板ＳＰ、即ち、未処理基板や処理後基板がプラズマＰＢに曝されることがないので、プラズマＰＢの熱による基板ＳＰへのダメージを抑制することができる。
【００４５】
また、成膜領域ＦＲ１と待機領域ＦＲ２、ＦＲ３は連通しているので、これらの領域は全て常に同圧力となる。従って、成膜領域ＦＲ１と待機領域ＦＲ２、ＦＲ３との各々を圧力調整する必要がなく、成膜領域ＦＲ１と待機領域ＦＲ２、ＦＲ３との間における基板搬送を容易に行うことができる。従って、生産効率を低下させることなく、薄膜を形成することができる。
【００４６】
また、プラズマ遮蔽板には、連通孔５２が設けられているので、気体の流れ方に対する動作出力への影響が少なくなる。また、プラズマ遮蔽板５１ａ、５１ｂに連通孔５２が設けられていない場合には、当該プラズマ遮蔽板５１ａ、５１ｂに当ったプラズマＰＢが成膜領域ＦＲ１側に返ることで、プラズマＰＢが不安定になり、均一に成膜を行うことができないが、複数の連通孔５２が設けられていることで、プラズマの安定化を図ることができ、均一に成膜を行うことができる。
【００４７】
また、プラズマ遮蔽板５１ａ、５１ｂを冷却する冷却機構５３が設けられているので、プラズマ遮蔽板５１ａ、５１ｂにおけるプラズマＰＢの熱を冷却機構５３によって吸熱することができる。ここで、冷却機構５３を設けていない場合には、プラズマ遮蔽板５１ａ、５１ｂを伝熱して待機領域ＦＲ２、ＦＲ３内の基板が加熱されてしまう恐れがある。従って、冷却機構５３を備えることで、当該伝熱を防止することができ、待機領域ＦＲ２、ＦＲ３内の基板ＳＰへの加熱を抑制することができる。
【００４８】
また、サセプタＣＳを備えることにより、基板ＳＰを保持することができると共に、基板ＳＰとハース３１とを相対移動させることができる。これにより、基板ＳＰとハース３１とを相対移動させながら薄膜を形成することができる。
ここで、ハース３１が、一配列方向に複数点状に配列されている場合には、サセプタＣＳが一方向（符号Ａ１）に基板ＳＰを走査させながら成膜することで、厚膜部分と薄膜部分が相殺し、均一な膜厚で薄膜を形成することができる。また、一方向のみに走査させればよいので、移動量を最小にすることができる。
また、ハース３１が、一点状に配置されている場合には、サセプタＣＳがＸ方向とＹ方向の２軸方向（符号Ａ２）に基板ＳＰを走査させながら成膜することで、厚膜部分と薄膜部分が相殺し、均一な膜厚で薄膜を形成することができる。具体的には、ハース３１と基板ＳＰとを固定して成膜を施すと、ハース３１の中心部に対向する基板面の膜厚が大きくなり、また、当該中心部から離れた基板面の膜厚が放射状に薄くなってしまうが。２軸方向に走査させるので、厚膜部分と薄膜部分が相殺し、均一な膜厚で薄膜を形成することができる。
【００４９】
また、待機領域ＦＲ２、ＦＲ３の各々には、搬送機構５０ａ、５０ｂが設けられているので、成膜領域ＦＲ１と待機領域ＦＲ２、ＦＲ３との間で基板ＳＰを搬送することができる。また、待機領域ＦＲ２、ＦＲ３には複数の未処理基板や処理後基板を待機させるカセット５５が設けられているので、複数の基板を待機領域内に待機させることができる。
また、上記のように成膜領域ＦＲ１と待機領域ＦＲ２、ＦＲ３との間にはプラズマ遮蔽板５１ａ、５１ｂが設けられ、プラズマＰＢが遮蔽されているので、当該待機領域ＦＲ２、ＦＲ３に複数の基板ＳＰを長時間待機させていたとしても、熱履歴による基板へのダメージを抑制することができる。
また、未処理の複数基板や、処理後の複数基板が、待機領域内に待機されるので、換言すれば、バッチ毎に複数基板ＳＰが待機されるので、未処理基板と、処理後基板の入れ替えを効率的に行うことができる。これによって、薄膜形成の生産性を向上させることができる。
【００５０】
（電気光学装置、電気光学装置の製造方法）
次に、図４〜図７を参照し、上記の薄膜形成装置及び薄膜形成方法を利用して、電気光学装置の製造方法と、当該電気光学装置について説明する。
なお、本実施形態においては、電気光学装置として有機ＥＬディスプレイを例示して説明する。また、図４は本発明の有機ＥＬディスプレイの上面図である。図５は、ディスプレイ部ＤＳの図４中ａ−ａ線での断面図である。図６及び図７は、素子基板ＳＰの断面図である。
【００５１】
図４に示すように、有機ＥＬディスプレイ１は、ディスプレイ部ＤＳと、該ディスプレイ部ＤＳの下側（図４中反Ｙ矢印方向側）に接続されたフレキシブル回路基板ＦＣとから構成されている。ディスプレイ部ＤＳは、その略中央に表示領域Ｒを、また、表示領域Ｒを囲む表示領域Ｒ以外の領域に非表示領域Ｑをそれぞれ備えている。
【００５２】
表示領域Ｒには、隔壁Ｂによって画素形成領域２が升目状に区画形成されている。各画素形成領域２には、１個の赤、緑または青色の光を射出する有機発光材料で構成された有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂが設けられている。そして、Ｘ矢印方向に隣接して並んだ各色用有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂで１組の画素３を形成している。
【００５３】
非表示領域Ｑには、表示領域Ｒを挟むようにして一対の走査線駆動回路４が形成されている。各走査線駆動回路４は、図示しない走査線を介して一行の各色用有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ群毎に接続されている。そして、各走査線駆動回路４は、ｎ行ある各色用有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ群を１行毎に順次選択する走査信号を出力する回路である。また、非表示領域Ｑ上であって、表示領域Ｒの上側（図４中Ｙ矢印方向側）には検査回路５が形成されている。
【００５４】
一方、フレキシブル回路基板ＦＣ上にはデータ線駆動回路６と制御回路７とが形成されている。データ線駆動回路６は、図示しないデータ線を介して１列の各色用有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ毎に接続されており、前記走査線駆動回路４によって選択された行の各色用有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに対応するデータ信号を出力する。
【００５５】
制御回路７は、走査線駆動回路４、検査回路５及びデータ線駆動回路６と図示しない制御線を介して接続されており、各回路を制御するための制御信号を生成する。
前記制御回路７から出力される制御信号によって、前記走査信号のタイミングに応じたデータ信号がデータ線駆動回路６から出力され、赤、緑及び青色用有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂは、データ信号に応じた輝度で各色の光を出射し、その結果、表示領域Ｒ上に所望の画像が表示される。
【００５６】
図５は、ディスプレイ部ＤＳの図４中ａ−ａ線での断面図である。ディスプレイ部ＤＳは、ガラスや高分子フィルムで構成された基板Ｓを備えている。基板Ｓ上には、回路形成層Ｓｂが形成されている。回路形成層Ｓｂには、薄膜トランジスタＴＦＴといった各種回路素子が形成されている。この薄膜トランジスタＴＦＴは、前記データ線駆動回路６（図４参照）からのデータ信号に応じた駆動電流を制御するためのトランジスタである。また、回路形成層Ｓｂには、前記走査線駆動回路４や検査回路５を構成する回路素子の一部または全部が形成されている。
【００５７】
回路形成層Ｓｂ上の略中央には前記表示領域Ｒが形成されている。表示領域Ｒ内の回路形成層Ｓｂ上には、それぞれが略矩形状を成した複数個の画素電極１０が配置されている。各画素電極１０は、光反射性を有する導電性材料で構成されている。画素電極１０を構成する導電性材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）などの単体材料や、マグネシウム（Ｍｇ）−アルミニウム（Ａｌ）（Ｍｇ：Ａｌ＝１０：１）合金が好適である。また、酸化リチウムＬｉ２Ｏ／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化マグネシウム（Ｍｇ）／アルミニウム（Ａｌ）といった積層膜であってもよい。
【００５８】
各画素電極１０は、回路形成層Ｓｂに形成されたコンタクトホールＨを介して対応する薄膜トランジスタＴＦＴのドレインまたはソースに電気的に接続されている。画素電極１０には、薄膜トランジスタＴＦＴから供給される前記駆動電流の電流密度に応じたキャリア（電子）が供給される。
【００５９】
また、前記表示領域Ｒ内の回路形成層Ｓｂ上には、図５中Ｚ矢印方向にその断面形状が略台形状である前記隔壁Ｂが配置されている。
隔壁Ｂは、アクリルやポリイミドといった有機物絶縁材料で構成されている。そして、この隔壁Ｂによって、図５中、その断面が凹状を成した画素形成領域２が複数個区画形成される。画素形成領域２内の各画素電極１０上には、本実施形態においては、電子注入層１１が形成されている。各電子注入層１１上には赤、緑または青色用発光層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが形成されている。
【００６０】
電子注入層１１は、有機材料で構成されている。電子注入層１１は、対応する画素電極１０から供給されるキャリア（電子）を赤、緑及び青色用発光層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂへ効率良く注入させるための層である。
【００６１】
赤、緑及び青色用発光層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、それぞれ有機材料で構成されており、本発明の発光機能層である。詳しくは、赤、緑及び青色用発光層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の有機物発光材料で構成されている。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン（ＰＤＡＦ）、ポリフルイオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）、ポリアルキルチオフェン（ＰＡＴ）や、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適である。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いてもよい。
【００６２】
各赤、緑及び青色用発光層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ上には、本実施形態においては、正孔注入層１３が形成されている。正孔注入層１３上には、画素電極１０に対向する対向電極としての陽極（透明導電膜）１４が形成されている。
【００６３】
正孔注入層１３は、有機材料で構成されている。正孔注入層１３は、陽極１４から供給されるキャリア（正孔）を赤、緑及び青色用発光層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂへ効率良く注入させるための層である。
【００６４】
陽極１４は、隔壁Ｂ上を渡って非表示領域Ｑの回路形成層Ｓｂ上に至るまで形成されている。陽極１４は、透明導電材料で構成されている。透明導電材料としては、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、ガリウム−酸化亜鉛(ＧＺＯ)、インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）、インジウム−セリウム酸化物（ＩＣＯ）、酸化錫（ネサ）、酸化亜鉛等を用いることができる。本実施形態の陽極１４は、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）で構成されている。
【００６５】
このようにして、画素電極１０と、陽極１４と、その各画素電極１０及び陽極１４間に挟持されてなる電子注入層１１、赤色用発光層１２Ｒ及び正孔注入層１３で前記赤色用有機ＥＬ素子３Ｒが構成される。また、画素電極１０と、陽極１４と、その各画素電極１０及び陽極１４間に挟持されてなる電子注入層１１、緑色用発光層１２Ｇ及び正孔注入層１３で前記緑色用有機ＥＬ素子３Ｇが構成される。同様に、画素電極１０と、陽極１４と、その各画素電極１０及び陽極１４間に挟持されてなる電子注入層１１、青色用発光層１２Ｂ及び正孔注入層１３とで前記青色用有機ＥＬ素子３Ｂが構成される。
【００６６】
陽極１４の全面上には、パッシベーション膜（保護膜）Ｐｏが形成されている。パッシベーション膜Ｐｏは、光透過性を有する絶縁材料よりなる材料で構成されており、本実施形態においては、酸化窒化珪素で構成されている。パッシベーション膜Ｐｏにより、外界からの水分や酸素が各色用有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを構成する有機材料で構成された各層（電子注入層１１、発光層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ及び正孔注入層１３）を劣化させるのを抑制している。また、パッシベーション膜を形成する前に、有機膜を設けても良い。有機膜の平坦化作用により、形成されるパッシベーション膜の欠陥を低減し、より水分や酸素による劣化を抑えることができる。また、複数の有機膜とパッシベーション膜を交互に積層する構造としても良い。
【００６７】
パッシベーション膜Ｐｏの上層には、乾燥した空間Ｆを介して、光透過性を有する絶縁材料よりなる封止部材ＦＢが形成されている。封止部材ＦＢは、パッシベーション膜Ｐｏ全面を覆うように、その前記回路形成層Ｓｂの外周縁部を接着部として接着されている。
【００６８】
このような構成を有したディスプレイ部ＤＳは、その各赤、緑及び青色用発光層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂに、電子注入層１１から画素電極１０に供給されたキャリア（電子）と、正孔注入層１３からのキャリア（正孔）とがそれぞれ注入され、再結合する。これにより、各赤色用発光層１２Ｒから赤色の光が、各緑色用発光層１２Ｇから緑色の光が、青色用発光層１２Ｂから青色の光が、それぞれキャリア（電子）の密度に応じた輝度で、即ち、前記駆動電流の電流密度に応じた輝度で発する。そして、その各赤、緑または青色の光は、図５中Ｚ矢印方向に沿って陽極１４→パッシベーション膜Ｐｏ→空間Ｆ→封止部材ＦＢの順に各部材を透過して外部へ出射する。また、このとき、各発光層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから基板Ｓ側（図５中反Ｚ矢印方向側）へ発せられた各色の光は、画素電極１０によって封止部材ＦＢ側（図５中Ｚ矢印方向側）へ反射され、封止部材ＦＢから外部へ出射する。即ち、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１は、基板Ｓ側に対向する封止部材ＦＢ側に所望の画像が表示される、所謂トップエミッションタイプのディスプレイを構成している。
【００６９】
そして、この有機ＥＬディスプレイ１の陽極１４及びパッシベーション膜Ｐｏは、上記の薄膜形成装置２０によって形成されたものである。従って、基板ＳＰ上に予め形成されている発光層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、プラズマＰＢによる熱の影響が抑制された層膜となっている。従って、膜質が良好であるとともに、発光特性が優れたものとなる。また、パッシベーション膜Ｐｏにおいても、上記の薄膜形成装置２０によって形成されたのであるので、欠陥密度が低く、応力の小さい良好な膜質を有するパッシベーション膜となる。従って、表示領域Ｒ上に優れた表示品位の画像を表示することが可能な有機ＥＬディスプレイである。
【００７０】
次に、上記の薄膜形成装置２０を用いて、基板Ｓの上層に陽極１４及びパッシベーション膜Ｐｏを形成する方法についてそれぞれ説明する。
まず、基板Ｓの上層に、公知の方法を用いて回路形成層Ｓｂ、画素電極１０、電子注入層１１、赤、緑及び青色用発光層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ、正孔注入層１３及び隔壁Ｂを有する素子基板ＳＰを形成する。
【００７１】
次に、図１に示すように、素子基板ＳＰを待機領域ＦＲ２内のカセット５５に配置する。ここで、待機領域ＦＲ２は、未処理基板が待機する領域であり、薄膜形成装置２０においては、全ての未処理基板がバッチ毎に配置される。
【００７２】
次に、搬送機構５０ａが待機領域ＦＲ２から素子基板を１枚取り出し、サセプタＣＳに取り付ける。素子基板ＳＰのサセプタＣＳへの取り付けは、隔壁Ｂ側（図６（ａ）中Ｚ矢印方向側）を薄膜形成装置２０の底面Ｍ２側に向けて行う。これにより、素子基板ＳＰ上の赤、緑及び青色用発光層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂはハース３１に正対するように配置される。ここで、プラズマ遮蔽板５１ａ、５１ｂは、成膜領域ＦＲ１と待機領域ＦＲ２の間、成膜領域ＦＲ１とＦＲ３の間に各々配置される。
【００７３】
次に、図１に示すように、真空容器２１を密閉し、続けて、ゲートバルブＧＶ及び圧力コントロールバルブＰＶをともに全開の状態にして真空ポンプＰを駆動する。すると、成膜室ＦＲ内の雰囲気が排気パイプ３４を介して成膜室ＦＲ外へ排出され、成膜室ＦＲ内を減圧する。そして、一旦、成膜室ＦＲ内を、１×１０−２Ｐａ以下の高真空状態にしてから、第２のガス導入管３３ｂから調整用ガスＫＧとしての窒素ガス（Ｎ２）を成膜室ＦＲ内に導入する。
【００７４】
すると、真空計ＶＭによって成膜室ＦＲ内の圧力が測定され、圧力コントローラＡＰＣから成膜室ＦＲ内の圧力が、１×１０−２Ｐａになるように圧力コントロールバルブＰＶの開度を制御するバルブ開度制御信号Ｓｋが出力される。
【００７５】
これにより、成膜室ＦＲ内の圧力が１×１０−２Ｐａになる。この状態で、キャリアガス導入口３０からアルゴンガス（Ａｒ）を第２のパイプ２７を介してプラズマビーム発生器ＰＧに供給する。すると、第２のパイプ２７から導入されたアルゴン（Ａｒ）ガスによって、第１の中間電極２３と第１のパイプ２６との間で放電が始まり、アルゴンプラズマが発生する。
【００７６】
これと同時に、第１及び第２の可変電源ＶＶ１，ＶＶ２から所定レベルの電圧を供給し、コイル２４ａ及びステアリングコイルＳＣにそれぞれ電流を供給し、第２の中間電極２４及びステアリングコイルＳＣに磁場を発生させる。これにより、アルゴンプラズマをビーム状のプラズマビームＰＢに形成する。そして、そのプラズマビームＰＢを第２の中間電極２４、ステアリングコイルＳＣ及び補助陽極３２の磁場によってガイドし、ハース３１にプラズマビームＰＢを照射する。すると、ハース３１に収納された膜材料Ｗがジュール加熱されて蒸発し、膜材料Ｗを構成するインジウム−スズ酸化物で構成された蒸発物が発生する。このように、プラズマビームＰＢによって膜材料を蒸発させるため、インジウム−スズ酸化物といった融点の高い材料で構成された蒸発物を生成することが可能である。
【００７７】
膜材料の蒸発等により、処理室内の圧力やプラズマの分布が変化するため、素子基板ＳＰに成膜を行う前に、一定時間この状態膜材料を蒸発させる状態を保持する安定化工程を行う必要がある。この様な工程を設けることにより、照射するプラズマや、処理室内の圧力、膜材料の蒸発が安定し、安定した膜質で成膜を行うことができる様になる。
このような安定化工程及び膜材料Ｗが素子基板ＳＰに成膜されている間は、プラズマＰＢが成膜領域ＦＲ１内に生成されるが、プラズマ遮蔽板５１ａ、５１ｂが設けられていることから、待機領域ＦＲ２、３内にプラズマＰＢが侵入することがない。従って、待機領域ＦＲ２、３内の素子基板ＳＰは、プラズマＰＢに曝されることがないので、発光層１２に対する熱の影響を抑制することができる。
そして、図６（ｂ）に示すように、前記サセプタＣＳに取り付けられた素子基板ＳＰ上の各赤、緑及び青色用発光層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ、隔壁Ｂ及び回路形成層Ｓｂ上に、酸素が補充された状態のインジウム−スズ酸化物の蒸発物が付着され、陽極１４が形成される。
【００７８】
このように陽極１４が成膜されている間は、待機領域ＦＲ２、ＦＲ３へのプラズマＰＢの侵入が抑制されることから、従来のイオンプレーティング法により成膜されるものとは異なり、発光層１２の熱劣化やダメージを防止し、発光特性を向上させることができる。
【００７９】
次に、搬送機構５０ｂは、サセプタＣＳから素子基板ＳＰを取り出し、待機領域ＦＲ３に搬送する。待機領域ＦＲ３には、陽極１４が成膜された複数の基板ＳＰがカセット５５によって保持される。このように、当該待機領域ＦＲ３には、陽極１４が形成された複数の素子基板ＳＰが成膜中においても保持されるが、上記のようにプラズマ遮蔽板５１ｂが設けられているので、当該待機領域ＦＲ３内の素子基板ＳＰもプラズマＰＢの熱の影響を受けることがない。従って、発光層１２の熱劣化やダメージを防止し、発光特性を向上させることができる。
【００８０】
また、成膜領域ＦＲ１、待機領域ＦＲ２、ＦＲ３は、プラズマ遮蔽板５１ａ、５１ｂに設けられた連通孔５２によって連通していることから、基板の搬送に伴いプラズマ遮蔽板が開閉しても、成膜領域ＦＲ１内の気体の流れやプラズマの分布に影響を与えることがない。このため、基板ＳＰを入れ替える際に圧力調整や安定化工程を行う必要がなく、複数の基板ＳＰを連続的に成膜することも可能であり、高い生産性を得ることができる。
【００８１】
続いて、図１に示した薄膜形成装置２０と同様の構成を成した別の薄膜形成装置に陽極１４が形成された素子基板ＳＰを前記と同様にそのサセプタに取り付ける。この薄膜形成装置のハースに収納された膜材料としては、多結晶バルク形態若しくは粉状の形態を成した酸化窒化珪素である。そして、上記と同様に薄膜形成を行うことにより、陽極１４上にパッシベーション膜Ｐｏが形成される。
この場合においても、上記のようにプラズマ遮蔽板５１ａ、５１ｂによって、プラズマＰＢの熱の基板ＳＰへの影響が抑制されるので、同様の効果が得られる。
【００８２】
その後、公知の方法により、乾燥した空間Ｆを介して封止部材ＦＢをパッシベーション膜Ｐｏ全面に対して覆うように回路形成層Ｓｂに接着し封止する。
このようにして、有機ＥＬディスプレイ１を製造することができた。
【００８３】
上記実施形態では、膜材料として、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）であったが、そうではなく、インジウム−スズであってもよい。この場合、反応性ガスとしては、酸素ガスである。このような場合においても、上記実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００８４】
上記実施形態では、パッシベーション膜Ｐｏの膜材料として酸化窒化珪素を用いたが、そうではなく、他の膜材料を用いてパッシベーション膜Ｐｏを形成するようにしてもよい。例えば、膜材料としては、酸化珪素若しくは窒化珪素或いはそれらの混合物であってもよい。
【００８５】
上記実施形態では、電気光学装置として、有機ＥＬディスプレイ１に適応させたが、そうではなく、要は、所定の膜に対してその上層に導電性膜が形成されている構造を成すものであればどんな電気光学装置に対しても適用することができる。
【００８６】
（電子機器）
次に、上記の有機ＥＬディスプレイ１を備えた電子機器の適用について図８を参照して説明する。
図８は、テレビの一例を示した斜視図である。図８において、符号１０００はテレビ本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬディスプレイ１を用いた表示部を示している。
当該電子機器は、上記実施の形態の有機ＥＬディスプレイを備えているので、発光特性が向上した表示部を備えた電子機器となる。
【００８７】
なお、電子機器としては、上記のテレビやディスクトップ型コンピュータに限られることなく、種々の電子機器に適用することができる。例えば、ノート型コンピュータ、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の薄膜形成装置を概略説明するための側断面図。
【図２】本発明の薄膜形成装置におけるプラズマ遮蔽板を示す斜視図。
【図３】本発明の薄膜形成装置を上面から見た概略図。
【図４】本発明の有機ＥＬディスプレイの上面図。
【図５】ディスプレイ部ＤＳの図４中ａ−ａ線での断面図。
【図６】素子基板ＳＰの断面図。
【図７】素子基板ＳＰの断面図。
【図８】本発明の電子機器の一例として示したテレビ。
【符号の説明】
【００８９】
１  有機ＥＬディスプレイ（電気光学装置）、１４  陽極（透明導電膜）、２０  薄膜形成装置、３１  ハース（蒸着源）、５０ａ、５０ｂ  搬送機構、５１ａ、５１ｂ  プラズマ遮蔽板（プラズマ遮蔽手段）、５２  連通孔（連通部）、５３  冷却機構、５５  カセット（待機機構）、１０００  テレビ（電子機器）、ＦＲ  成膜室、Ｗ  膜材料、ＰＢ  プラズマビーム（プラズマ）、ＳＰ  素子基板（基板）、Ｐ  基板、ＦＲ１  成膜領域、ＦＲ２、ＦＲ３  待機領域、ＣＳ  サセプタ（相対移動機構、基板保持機構）、Ｐｏ  パッシベーション膜（保護膜）
【図１】
2005330509.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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