(57)【要約】【課題】角型基板の端縁部に形成された不要膜材を確実に除去し、洗浄境界線を任意の位置に直線性を向上して形成できるようにするとともに、洗浄処理時間の短縮を図り、溶剤が膜材に浸透することによる盛り上がり部分の形成を効果的に抑制する。【解決手段】被処理基板Ｍの表面Ｍａの端縁部近傍に、鋭角に形成された下端部５ａが所定の間隙を設けて対向するガイド板５の外側面５ｂを介して溶剤Ｓを供給するとともに、この間に被処理基板Ｍの上方、下方及び側方から被処理基板Ｍの端面Ｍａに向けて気体Ｗを放出し、溶剤Ｓによって溶解された膜材Ｒを吸引ノズル４によって吸引する。溶解された膜材Ｒは溶剤Ｓとともに被処理基板Ｍの端縁部近傍から完全に除去される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平に保持された被処理基板の一辺の全域における表面の端縁部近傍に下端部が対向するガイド板と、前記被処理基板に塗布された膜材を溶解する溶剤を前記ガイド板の外側面を経由して前記端縁部近傍に供給する溶剤供給手段と、前記被処理基板を少なくとも前記ガイド板に対して相対的に水平方向に移動させる移動手段と、前記端縁部近傍に対して前記被処理基板側から気体を放出するガスノズルと、前記一辺側における前記被処理基板の端面に対向する吸引口を備えた吸引ノズルと、を設けたことを特徴とする基板端縁部洗浄処理装置。
【請求項２】
前記ガイド板は、前記下端部に前記端縁部近傍の全域にわたって被処理基板の表面に所定の間隙を設けて対向する略鋭角の先端部を形成したことを特徴とする請求項１に記載の基板端縁部洗浄処理装置。
【請求項３】
前記溶剤供給手段は、前記ガイド板の外側面との間に前記被処理基板の一辺の全域にわたって一定の間隔を設けて配置したことを特徴とする請求項１に記載の基板端縁部洗浄処理装置。
【請求項４】
前記ガスノズルは、放出口を前記被処理基板の矩形端面を囲む４方向に配置したことを特徴とする請求項１に記載の基板端縁部洗浄処理装置。
【請求項５】
前記吸引ノズルは、前記吸引口が前記被処理基板の一辺の全域にわたって対向するとともに、前記被処理基板の矩形端面に沿って上下方向に往復移動することを特徴とする請求項１に記載の基板端縁部洗浄処理装置。
【請求項６】
前記移動手段は、前記吸引ノズルが上下方向に往復移動している間に、前記被処理基板を水平方向に所定の距離において所定の速度で往復移動させることを特徴とする請求項５に記載の基板端縁部洗浄処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、フォトレジスト塗布液やカラーフィルタ用染色剤等の薄膜が表面に形成されたフォトマスク用角型基板又はフラットパネルディスプレイ用角型基板等の被処理基板に対して、端縁部に溶剤を吐出して不要膜剤及び被処理基板に余分に付着した溶剤を除去する基板洗浄処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトマスク用角型基板又はフラットパネルディスプレイ用角型基板等の被処理基板の表面には、フォトレジスト塗布液やカラーフィルタ用染色剤等の薄膜を形成する際に、液状の膜材が塗布される。このとき、被処理基板の端縁部に塗布された薄膜は、表面張力によって隆起した状態で乾燥固化する。これを放置すると、被処理基板に対するその後の処理工程において機械的摩擦等によって被処理基板から剥離して発塵源となる。
【０００３】
また、被処理基板の表面の端縁部に塗布された膜材が、端面を伝わって被処理基板の裏面に回り込み、その後の処理工程において処理装置を汚染したり、さらに乾燥固化して被処理基板の露光時における焦点合せの障害となる。
【０００４】
このように被処理基板の端縁部に塗布された膜材によって歩留りの低下を生じることを防止するため、基板端縁部に塗布された不要膜材を洗浄して除去する基板洗浄処理装置が利用されている。
【０００５】
従来の基板端縁部洗浄処理装置としては、図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、膜材を塗布した被処理基板Ｍの端縁部を、溶剤Ｓを満たした溶剤貯留部４１に水平方向に挿入して所定の時間にわたって溶剤中に浸漬し、不要膜材を溶解して被処理基板Ｍの端縁部から除去するものがある（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平０９−３０８８６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１等に開示されている基板端縁部洗浄処理装置では、溶剤で一旦溶解された薄膜が盛り上がった状態で乾燥固化する問題がある。たとえば、図５（Ｃ）に示すように、溶剤Ｓが洗浄境界線Ｇにおいて薄膜Ｒに浸透し、洗浄境界線Ｇに隣接する部分の薄膜Ｒが溶剤Ｓで一旦溶解されて体積膨張した後に乾燥固化して隆起することにより、盛り上がり部分Ｈが形成される。
【０００７】
このような盛り上がり部分Ｈの高さは、洗浄時間に応じて増大する傾向にあり、たとえば薄膜Ｒの膜厚Ｔに対して２倍以上もになり得るため、その後の製造工程において機械的接触等によって剥離して発塵源となる。そこで、盛り上がり部分Ｈを除去するために、例えば、盛り上がり部分Ｈを露光する等の特別な処理が別途必要となり、生産性が低下する問題がある。
【０００８】
この発明の目的は、被処理基板の端縁部から不要膜材を確実に除去することができ、かつ被処理基板の表面における任意の位置に洗浄境界線を固定でき、溶剤の薄膜への浸透に起因する盛り上がり部分の形成を効果的に防止して、生産性を向上させることができる基板端縁部洗浄処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、この発明の基板端縁部洗浄処理装置は、以下の構成を備えたものである。
【００１０】
水平に保持された被処理基板の一辺の全域における表面の端縁部近傍に下端部が対向するガイド板と、前記被処理基板に塗布された膜材を溶解する溶剤を前記ガイド板の外側面を経由して前記端縁部近傍に供給する溶剤供給手段と、前記被処理基板を少なくとも前記ガイド板に対して相対的に水平方向に移動させる移動手段と、前記端縁部近傍に対して前記被処理基板側から気体を放出するガスノズルと、前記一辺側における前記被処理基板の端面に対向する吸引口を備えた吸引ノズルと、を設けたことを特徴とする。
【００１１】
この構成においては、水平方向に移動する被処理基板の端縁部近傍に対して、ガイド板の外側面を経由して溶剤が供給されるとともに、被処理基板側から気体が放出される。気体の放出方向の下流側には、吸引ノズルの吸引口が対向している。したがって、被処理基板の表面の端縁部近傍及び端面に塗布された膜材は溶剤によって溶解されて溶剤中に溶出し、膜材が溶出した不要の溶剤は吸引ノズルによって被処理基板の端縁部近傍から強制的に除去される。
【００１２】
また、前記ガイド板は、前記下端部に前記端縁部近傍の全域にわたって前記被処理基板の表面に所定の間隙を設けて対向する略鋭角の先端部を形成したことを特徴とする。
【００１３】
この構成においては、ガイド板の先端部と被処理基板の表面との間に直線状の間隙が、被処理基板の一辺の端縁部近傍の全域にわたって形成される。したがって、溶剤供給手段によって供給された溶剤が、ガイド板の先端部と被処理基板の表面との間の間隙における毛細管現象により、被処理基板が水平方向に移動する間に、被処理基板の表面において膜状に保持される。
【００１４】
また、前記溶剤供給手段は、前記ガイド板の外側面との間に前記被処理基板の一辺の全域にわたって一定の間隔を設けて配置したことを特徴とする。
【００１５】
この構成においては、被処理基板の一辺の全域にわたって均一の幅で形成されたガイド板の外側面と溶剤供給手段との間隔を通って溶剤が供給される。したがって、被処理基板の一辺の全域にわたって溶剤が均一に供給され、被処理基板の表面には一辺の全域にわたって空隙なく溶剤が膜状に保持される。
【００１６】
また、前記ガスノズルは、放出口を前記被処理基板の矩形端面を囲む４方向に配置したことを特徴とする。
【００１７】
この構成においては、被処理基板の端縁部近傍に対して矩形の端面を囲む４方向から気体が放出される。したがって、被処理基板の端縁部近傍に供給された溶剤は、気体の圧力によって端面内に向けて移動する。
【００１８】
また、前記吸引ノズルは、前記吸引口が前記被処理基板の端縁部近傍に一辺の全域にわたって対向するとともに、前記被処理基板の矩形端面に沿って上下方向に往復移動することを特徴とする。
【００１９】
この構成においては、被処理基板の端縁部近傍に一辺の全域にわたって対向する吸引ノズルの吸引口が、被処理基板において溶剤が供給される一辺側の矩形端面に沿って上下方向に往復移動する。したがって、溶剤は被処理基板の端縁部近傍に塗布された膜材を溶解した後、溶出した膜材とともに吸引ノズルによって確実に被処理基板の端縁部近傍から除去される。
【００２０】
また、前記移動手段は、前記吸引ノズルが上下方向に往復移動している間に、前記被処理基板を水平方向に所定の距離において所定の速度で往復移動させることを特徴とする。
【００２１】
この構成においては、被処理基板の端縁部近傍に溶剤が供給されている間に、吸引ノズルが端面に沿って上下方向に往復移動するとともに、ガイド板に対して被処理基板が一定距離を一定速度で水平方向に往復移動する。したがって、被処理基板の端縁部近傍に塗布された膜材に効果的に溶剤が供給されるとともに、膜材が溶出した溶剤が被処理基板の端縁部近傍から効率的に除去される。
【発明の効果】
【００２２】
この発明の基板端縁部洗浄処理装置によれば、以下の効果を奏することができる。
【００２３】
被処理基板の表面の端縁部近傍及び端面に塗布された膜材を溶剤によって溶解して溶剤中に溶出させ、膜材が溶出した不要の溶剤を吸引ノズルによって被処理基板の端縁部近傍から強制的に除去することができる。これによって、一旦溶剤によって溶解した膜材が被処理基板の端縁部近傍に残留して乾燥固化することがなく、被処理基板の端縁部近傍に膜材の盛り上がり部分が形成されることを確実に防止できる。
【００２４】
また、溶剤供給手段によって供給された溶剤を、ガイド板の先端部と被処理基板の表面との間の間隙における毛細管現象により、被処理基板が水平方向に移動する間に、被処理基板の表面において膜状に保持することができる。これによって、被処理基板の表面の端縁部近傍において洗浄処理を受けた部分と受けなかった部分との境界である洗浄境界線の直線性を向上することができる。
【００２５】
また、被処理基板の一辺の全域にわたって溶剤を均一に供給し、被処理基板の表面における一辺の全域にわたって空隙なく溶剤を膜状に保持することができる。これによって、被処理基板の表面の端縁部近傍に塗布された膜材をより確実に溶解して除去することができる。
【００２６】
また、被処理基板の端縁部近傍に供給された溶剤を、気体の圧力によって端面内に向けて移動させることができる。これによって、被処理基板において膜材の洗浄を行う必要のない範囲に溶剤が供給されることを防止できる。
【００２７】
また、被処理基板の端縁部近傍に塗布された膜材を溶解した後の溶剤を、溶出した膜材とともに吸引ノズルによって確実に被処理基板の端縁部近傍から除去することができる。これによって、被処理基板の端縁部近傍に対する新たな溶剤の供給が促進され、洗浄処理時間を短縮することができる。
【００２８】
また、被処理基板の端縁部近傍に塗布された膜材に効果的に溶剤を供給することができるとともに、膜材が溶出した溶剤を被処理基板の端縁部近傍から効率的に除去できる。これによって、被処理基板の端縁部近傍に対する新たな溶剤の供給がさらに促進され、洗浄処理時間をより短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
図１は、この発明の実施形態に係る基板端縁部洗浄処理装置の構成を示す断面図である。平面において矩形を呈する角型基板である被処理基板Ｍは、図示しない保持手段によって水平に支持されており、後述するモータＭ１を含む移動機構を介して基板端縁部洗浄処理装置１０に対して矢印Ｘ１，Ｘ２方向に前進及び後退する。被処理基板Ｍは表面Ｍｂに膜材Ｒが塗布された後に（膜材Ｒは被処理基板Ｍの端面Ｍａの一部にも付着している。）、一辺側の端面Ｍａを含む端縁部近傍が基板端縁部洗浄処理装置１０内に挿入される。基板端縁部洗浄処理装置１０は、挿入された被処理基板Ｍの矩形の端面Ｍａを上下左右の４方向から囲むように配置されたノズルブロック１〜３及び６を備えている。
【００３０】
上部ノズルブロック１及び下部ノズルブロック２は、この発明のガスノズルに相当し、それぞれ基板端縁部洗浄処理装置１０に挿入された被処理基板Ｍの端面Ｍａよりも被処理基板Ｍ側に位置している。上部ノズルブロック１は、被処理基板Ｍの表面Ｍｂの上方に、例えば０．５ｍｍ程度の間隔を設けて位置している。下部ノズルブロック２は、被処理基板Ｍの裏面Ｍｃの下方に、例えば０．５ｍｍ程度の間隔を設けて位置している。上部ノズルブロック１及び下部ノズルブロック２は、図示しないエアポンプにエアバルブを介して接続されており、矩形の端面Ｍａを囲む上下左右の４方向の被処理基板Ｍ側から外側に向けて、例えば空気である気体Ｗを放出する。エアバルブは、後述するソレノイドＳＯＬ１によって駆動される。
【００３１】
ノズルブロック３は、この発明の溶剤供給手段に相当し、図示しないポンプにバルブを介して接続されている。ノズルブロック３は、基板端縁部洗浄処理装置１０に挿入された被処理基板Ｍの端面Ｍａよりも外側で、かつ被処理基板Ｍの表面Ｍｂの上方に位置しており、端面Ｍａ及び表面Ｍｂの端縁部近傍に溶剤Ｓを供給する。この溶剤Ｓは、被処理基板Ｍに塗布された膜材Ｒを溶解する。バルブは、後述するソレノイドＳＯＬ２によって駆動される。
【００３２】
ノズルブロック３は、ガイド板５を備えている。ガイド板５は、被処理基板Ｍの表面Ｍｂにおける端面Ｍａ側の一辺の長さ以上の長さを有する板状体である。ガイド板５の下端部５ａは、略鋭角の先端部にされており、被処理基板Ｍの表面Ｍｂにおける端面Ｍａ側の端縁部近傍の全域にわたって例えば０．１ｍｍの所定の間隙を設けて対向する。
【００３３】
ノズルブロック３は、ガイド板５の外側面５ｂに対して長手方向の全域にわたって一定の幅の間隔を設けて配置されている。この間隔を経由して溶剤Ｓが端面Ｍａ及び表面Ｍｂの端縁部近傍に、端面Ｍａの長手方向について均一に供給される。また、ガイド板５の内側面５ｃには、ノズルブロック１が所定の間隔を設けて対向している。この間隔を経由して気体Ｗが、被処理基板Ｍの表面Ｍｂの端縁部近傍に供給される。
【００３４】
基板端縁部洗浄処理装置１０は、さらに、挿入された被処理基板Ｍの端面Ｍａに外側から対向する吸引ノズル４を備えている。吸引ノズル４は、図示しないエアポンプにエアバルブを介して接続されている。エアバルブは後述するソレノイドＳＯＬ３によって駆動される。また、吸引ノズル４は、ノズルブロック３に形成された軸部３ａにおいて軸支されている。吸引ノズル４は、後述するモータＭ２を含む揺動機構を介して被処理基板Ｍの端面Ｍａに対向する吸引口を端面Ｍａに沿って矢印Ｙ１，Ｙ２で示す上下方向に揺動し、膜材Ｒが溶出した溶剤Ｓを気体Ｗとともに吸引する。
【００３５】
図２は、上記基板端縁部洗浄処理装置の動作を制御する制御部のブロック図である。基板端縁部洗浄処理装置１０の制御部２０は、ＲＯＭ２２及びＲＡＭ２３を備えたＣＰＵ２１に、モータドライバ２４、ソレノイドドライバ２５及びセンサ２６〜２８等の入出力機器を接続して構成されている。ＣＰＵ２１は、ＲＯＭ２２に予め書き込まれたプログラムにしたがって各入出力機器を統括して制御する。
【００３６】
モータドライバ２４には、移動機構のモータＭ１及び揺動機構のモータＭ２が接続されている。モータドライバ２４は、ＣＰＵ２１から出力される駆動データに基づいてモータＭ１を駆動し、被処理基板Ｍを基板端縁部洗浄処理装置１０に対して図１に示した矢印Ｘ１又はＸ２方向に前進又は後退させる。また、モータドライバ２４は、ＣＰＵ２１から出力される駆動データに基づいてモータＭ２を駆動し、吸引ノズル４を被処理基板Ｍの端面Ｍａに対して図１に示した矢印Ｙ１及びＹ２方向に揺動させる。
【００３７】
ソレノイドドライバ２５には、エアバルブを駆動するソレノイドＳＯＬ１，ＳＯＬ３及びバルブを駆動するソレノイドＳＯＬ２が接続されている。ソレノイドドライバ２５は、ＣＰＵ２１から出力される駆動データに基づいてソレノイドＳＯＬ１を駆動し、上部ノズルブロック１及び下部ノズルブロック２に気体Ｗを供給する。また、ソレノイドドライバ２５は、ＣＰＵ２１から出力される駆動データに基づいてソレノイドＳＯＬ２を駆動し、ノズルブロック３に溶剤Ｓを供給する。さらに、ソレノイドドライバ２５は、ＣＰＵ２１から出力される駆動データに基づいてソレノイドＳＯＬ３を駆動し、吸引ノズル４によって膜材Ｒが溶出した溶剤Ｓを気体Ｗとともに吸引する。
【００３８】
センサ２６〜２８は、それぞれ突当位置、退避位置及び取出位置において被処理基板Ｍの端面Ｍａを検出し、ＣＰＵ２１に検出信号を出力する。
【００３９】
図３は、上記制御部における基板洗浄処理時の処理手順を示すフローチャートである。また、図４（Ａ）〜（Ｃ）は、上記基板端縁部洗浄処理装置の動作状態を示す図である。なお、図４（Ａ）〜（Ｃ）においては、吸引ノズル４は説明のために図４（Ａ）中に実線で示すように外側の位置に移動させているが、実際には図４（Ａ）中に二点鎖線で示す位置にある。
【００４０】
制御部２０のＣＰＵ２１は、洗浄処理の開始の指示を待機しており（ｓ１）、膜材Ｒが塗布された被処理基板Ｍが図示しない保持部材に保持されて取出位置に位置している状態で洗浄処理の開始が指示されると、ソレノイドドライバ２５にソレノイドＳＯＬ１の駆動データを出力し、上部ノズルブロック１及び下部ノズルブロック２から気体Ｗを放出させる（ｓ２）。
【００４１】
次いで、ＣＰＵ２１は、モータドライバ２４にモータＭ１の駆動データを出力し、被処理基板Ｍの端面Ｍａが基板洗浄処理装置１０内における所定の突当位置に達したことをセンサ２６が検出するまで、図４（Ａ）に示すように矢印Ｘ１方向に前進させる（ｓ３，ｓ４）。なお、被処理基板Ｍの端面Ｍａが突当位置に位置している時に、図１に示すように、ガイド板５の下端面５ａが被処理基板Ｍの上面Ｍｂの端縁部に対向する。
【００４２】
この後、ＣＰＵ２１は、ソレノイドドライバ２５にソレノイドＳＯＬ３の駆動データを出力し、吸引ノズル４による吸引を開始する（ｓ５）。さらに、ＣＰＵ２１は、ソレノイドドライバ２５にソレノイドＳＯＬ２の駆動データを出力してノズルブロック３による溶剤Ｓの供給を開始するとともに（ｓ６）、モータドライバ２４にモータＭ２の駆動データを出力して吸引ノズル４を図４（Ｂ）に示すように矢印Ｙ１及びＹ２方向に揺動させる（ｓ７）。ＣＰＵ２１は、ノズルブロック３による溶剤Ｓの供給、及び、吸引ノズル４による吸引を所定時間継続して実行する（ｓ８）。この間においてＣＰＵ２１は、上部ノズルブロック１及び下部ノズルブロック２からの気体Ｗの放出を継続している。
【００４３】
これによって、図１に示すように、ノズルブロック３とガイド板５の外側面５ｂとの間を経由して被処理基板Ｍの端面Ｍａ及び表面Ｍｂの端縁部に供給された溶剤Ｓが、被処理基板Ｍの端面Ｍａ及び表面Ｍｂの端縁部に塗布された膜材Ｒを溶解した後、気体Ｗによって溶出した膜材Ｒとともに基板洗浄処理装置１０の外側に向けて吹き飛ばされ、吸引ノズル４によって吸引される。
【００４４】
所定時間にわたる溶剤Ｓの供給が終了すると、ＣＰＵ２１は、図４（Ｃ）に示すように、吸引ノズル４を図１中に二点鎖線で示す下方位置に停止させて吸引を継続させながら（ｓ９）、被処理基板Ｍを所定の退避位置まで矢印Ｘ２方向に後退させる（ｓ１０，ｓ１１）。この間においてもＣＰＵ２１は、上部ノズルブロック１及び下部ノズルブロック２からの気体Ｗの放出を継続している。
【００４５】
これによって、被処理基板Ｍの表面Ｍｂ及び裏面Ｍｃに残留している溶剤Ｓが基板洗浄処理装置１０の外側に向けて吹き飛ばされ、吸引ノズル４によって吸引される。
【００４６】
さらに、ＣＰＵ２１は、被処理基板Ｍを図４（Ｂ）に示す突当位置まで矢印Ｘ１方向に前進させた後（ｓ１２，ｓ１３）、例えば３回程度の所定回数吸引ノズル４をＹ１及びＹ２方向に往復揺動させる（ｓ１４）。この間においてもＣＰＵ２１は、上部ノズルブロック１及び下部ノズルブロック２からの気体Ｗの放出を継続している。
【００４７】
これによって、被処理基板Ｍの端面Ｍａに残留している溶剤Ｓが、吸引ノズル４によって完全に吸引される。
【００４８】
最後に、ＣＰＵ２１は、被処理基板Ｍを図４（Ａ）に示す取出位置まで矢印Ｘ２方向に後退させ（ｓ１５，ｓ１６）、上部ノズルブロック１及び下部ノズルブロック２からの気体Ｗの放出を停止するとともに（ｓ１７）、吸引ノズル４による吸引を停止し（ｓ１８）、１枚の被処理基板Ｍに対する洗浄処理を終了する。
【００４９】
なお、上記の処理において、吸引ノズル４の吸引量、及び、上部ノズルブロック１及び下部ノズルブロック２の吐出量は、被処理基板Ｍの表面Ｍｂにおける膜材Ｒによる薄膜の形成状態に悪影響を及ぼすことのないように調整される。
【００５０】
また、ノズルブロック３から供給された溶剤Ｓ、及び、溶剤Ｓによって溶解された膜材Ｒのうち、吸引ノズル４によって吸引されなかったものは、回収ノズルブロック６によって回収される。
【００５１】
以上の処理によって、被処理基板Ｍの端面Ｍａ及び側面を含む端縁部近傍に付着していた不要な膜材Ｒが、溶剤Ｓによって溶解された後に一様に除去される。このため、被処理基板Ｍの表面Ｍｂにおける端縁部近傍には、一旦溶解した膜材Ｒの残留固化による盛り上がり部分が形成されることがなく、膜材Ｒが塗布されている部分と塗布されていない部分との境界である洗浄境界線を端面Ｍａの長手方向に平行な直線状に形成することができる。また、洗浄境界線の位置は、基板洗浄処理装置１０における被処理基板Ｍの突当位置を調整することにより、任意に設定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】この発明の実施形態に係る基板端縁部洗浄処理装置の構成を示す断面図である。
【図２】上記基板端縁部洗浄処理装置の動作を制御する制御部のブロック図である。
【図３】上記制御部における基板洗浄処理時の処理手順を示すフローチャートである。
【図４】上記基板端縁部洗浄処理装置の動作状態を示す図である。
【図５】従来の基板端縁部洗浄処理装置による洗浄処理を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  ガス放出上部ノズルブロック
２  ガス放出下部ノズルブロック
３  ノズルブロック
４  吸引ノズル
５  ガイド板
６  回収ノズルブロック
Ｇ  洗浄境界線
Ｈ  盛り上がり部分
Ｒ  膜材
Ｓ  溶剤
Ｍ  被処理基板
Ｍａ  被処理基板端縁部
【図１】
2005161155.tif 000003
【図２】
2005161155.tif 000004
【図３】
2005161155.tif 000005
【図４】
2005161155.tif 000006
【図５】
2005161155.tif 000007