(57)【要約】【課題】  精密に周波数を調整することを可能とする弾性表面波素子の周波数調整方法と、弾性表面波素子の製造方法を提供すること。【解決手段】  圧電基板３９の表面、または、基板上に設けた圧電薄膜の表面に櫛歯型電極３２，３８が形成され、この櫛歯型電極を覆う絶縁膜４１を設けた弾性表面波素子の周波数調整方法であって、前記絶縁膜の膜厚を減少させるべき領域に対して、周囲への熱的影響を抑制し得る短パルスレーザを照射する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の表面、または基板上に設けた圧電薄膜の表面に櫛歯型電極が形成され、この櫛歯型電極を覆う絶縁膜を設けた弾性表面波素子の周波数調整方法であって、
前記絶縁膜の膜厚を減少させるべき領域に対して、周囲への熱的影響を抑制し得る短パルスレーザを照射することにより、前記絶縁膜の一部を蒸散させる
ことを特徴とする弾性表面波素子の周波数調整方法。
【請求項２】
圧電基板の表面、または基板上に設けた圧電薄膜の表面に櫛歯型電極を形成する電極形成工程と、
前記櫛歯型電極を覆うように前記圧電基板または圧電薄膜の上に前記櫛歯型電極を覆うように絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜形成工程より後段において、前記絶縁膜の膜厚を減少させるべき領域に対して、周囲への熱的影響を抑制し得る短パルスレーザを照射することにより、前記絶縁膜の一部を蒸散させる、周波数調整工程と
を含むことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
【請求項３】
前記短パルスレーザのパルス幅が、１ナノ秒以下であることを特徴とする請求項２に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項４】
前記短パルスレーザのパワーが、熱量換算で０．０１ｍＪ（ミリジュール）以上、０．１Ｊ（ジュール）以下であることを特徴とする請求項２または３のいずれかに記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜形成工程の後で、この絶縁膜の特定領域を除去して、端子部を露出させて形成し、個々の弾性表面波素子の大きさにカットした後で、前記周波数調整工程を実行することを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項６】
前記周波数調整工程において、前記櫛歯型電極の個々の電極が延びる方向に対して、直交する方向に沿って、前記絶縁膜を溝状に除去することを特徴とする請求項２ないし５のいずれかに記載の弾性表面波素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気信号と弾性表面波との間の変換を行う櫛歯型電極を有する弾性表面波素子の製造方法とその周波数調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やテレビ受像機等の電子部品や通信部品において、共振子や帯域フィルタ等として弾性表面波装置（以下、「ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）装置」という）が使用されている。
【０００３】
図８は、従来の弾性表面波素子１を示す概略断面図であり、その周波数調整の様子を示している。
図において、弾性表面波素子１は、水晶などの圧電材料で形成した基板４の一面に、櫛歯型電極である櫛形電極（ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ））５，５や必要な反射器（図示せず）を形成したものである。ここで、ＩＤＴ５は、基板４の表面に、アルミニウム等の導体金属により形成されている（特許文献１参照）。
【０００４】
ＩＤＴ５は、櫛歯状とされた複数の電極指が所定のピッチで並設されて長手方向の各端部が交互に短絡されるように形成されている。即ち、一対の櫛形状の電極の各櫛歯部分が、所定距離隔てて互い違いに入り込むように形成されている。
このＩＤＴ５は、電気的に接続されている外部端子を介して電気信号と弾性表面波（ＳＡＷ）との間の変換を行う機能を有する。
【０００５】
ＩＤＴ５を覆うようにして、基板４の表面には、絶縁膜３が形成されている。絶縁膜３はＩＤＴ５を保護するとともに、隣り合う電極同士が互いに短絡しないように形成されるもので、ＳｉＯ２やＺｎＯなどの無機材料、あるいはポリイミドやシリコーンなどの有機材料により形成されている。
【０００６】
このような弾性表面波素子１においては、電気信号が、弾性表面波素子１のＩＤＴ５の図示しない端子部から入力されると、圧電効果により弾性表面波に変換される。この弾性表面波は、ＩＤＴ５の電極指の長手方向に対して直交方向（図８の水平方向）に伝搬され、ＩＤＴ５に戻され、共振周波数付近の周波数（動作周波数）の電気信号に変換されてＩＤＴ５の図示しない他の端子部を介して出力されるようになっている。
【０００７】
ここで、弾性表面波素子１の上記した絶縁膜３は、その厚みを調整することにより弾性表面波素子１の周波数を調整することができるので、例えば、レーザ装置６を用いて、レーザ光７を絶縁膜３に照射することにより膜厚を減じて、周波数調整をするようにされている。
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−１６３６５５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上述した従来の方法では、使用するレーザの種類に特に言及がなく、絶縁膜の一部を除去する程度のパワーを想定すると、通常の加工用レーザを用いていると考えられ、炭酸ガスレーザなどの長パルスレーザが使用されるものと考えられる。
ところが、このような長パルスレーザを使用して熱による加工を行うと、膜厚を減少させるべき領域の周辺に熱的影響を与えることが避けられない。すなわち、加工対象領域の形状が不安定であるために、このような長パルスレーザによる加工はねらった領域の材料を精密に除去できないことから、高精度な周波数調整を行うことができない欠点がある。
【００１０】
本発明の目的は、上記課題を解消して、精密に周波数を調整することを可能とする弾性表面波素子の周波数調整方法と、弾性表面波素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述の目的は、第１の発明にあっては、圧電基板の表面、または基板上に設けた圧電薄膜の表面に櫛歯型電極が形成され、この櫛歯型電極を覆う絶縁膜を設けた弾性表面波素子の周波数調整方法であって、前記絶縁膜の膜厚を減少させるべき領域に対して、周囲への熱的影響を抑制し得る短パルスレーザを照射することにより、前記絶縁膜の一部を蒸散させる弾性表面波素子の周波数調整方法により、達成される。
第１の発明の構成によれば、前記絶縁膜の厚みを減じるために、その膜厚を減少させるべき領域に対して、周囲への熱的影響を抑制し得る短パルスレーザを照射するようにしている。これにより、絶縁膜の所定領域が精密に加工されて、周波数調整のための膜厚調整が精度良く行われるので、周波数をきわめて精密に調整することができる。
【００１２】
また、上述の目的は、第２の発明にあっては、圧電基板の表面、または基板上に設けた圧電薄膜の表面に櫛歯型電極を形成する電極形成工程と、前記櫛歯型電極を覆うように前記圧電基板または圧電薄膜の上に前記櫛歯型電極を覆うように絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜形成工程より後段において、前記絶縁膜の膜厚を減少させるべき領域に対して、周囲への熱的影響を抑制し得る短パルスレーザを照射することにより、前記絶縁膜の一部を蒸散させる、周波数調整工程とを含む弾性表面波素子の製造方法により、達成される。
第２の発明の構成によれば、前記絶縁膜の厚みを減じるために、その膜厚を減少させるべき領域に対して、周囲への熱的影響を抑制し得る短パルスレーザを照射するようにしている。これにより、絶縁膜の所定領域が精密に加工されて、周波数調整のための膜厚調整が精度良く行われるので、周波数をきわめて精密に調整することができる。したがって、周波数をきわめて精密に合わせ込んだ弾性表面波素子を製造することができる。
【００１３】
第３の発明は、第２の発明の構成において、前記短パルスレーザのパルス幅が、１ナノ秒以下であることを特徴とする。
第３の発明の構成によれば、前記周波数調整工程において、前記短パルスレーザのパルス幅を、１ナノ秒以下とすることにより、周辺領域への熱的影響を好適に抑制することができる。前記短パルスレーザのパルス幅が、１ナノ秒よりも大きいと、周辺領域への熱的影響が十分に抑制できない。また、前記短パルスレーザのパルス幅の下限値には限界がなく、より短波長とすることで、周辺への熱的影響はさらに抑制できる。
【００１４】
第４の発明は、第２または第３の発明のいずれかの構成において、前記短パルスレーザのパワーが、熱量換算で０．０１ｍＪ（ミリジュール）以上、０．１Ｊ（ジュール）以下であることを特徴とする。
第４の発明の構成によれば、前記短パルスレーザのパワーが、熱量換算で０．０１ｍＪ（ミリジュール）よりも小さいと材料の除去が適切にできない。前記短パルスレーザのパワーが、０．１Ｊ（ジュール）を超えると、絶縁膜よりも下層の材料に悪影響を与えるおそれがある。
【００１５】
第５の発明は、第２ないし第４の発明のいずれかの構成において、前記絶縁膜形成工程の後で、この絶縁膜の特定領域を除去して、端子部を露出させて形成し、個々の弾性表面波素子の大きさにカットした後で、前記周波数調整工程を実行することを特徴とする。
第５の発明の構成によれば、比較的大きな圧電基板もしくは基板を利用して、同時に複数の弾性表面波素子を製造する場合に、個々の弾性表面波素子を形成した後で、個別に周波数の合わせ込みを行うことができる。
【００１６】
第６の発明は、第２ないし第５の発明のいずれかの構成において、前記周波数調整工程において、前記櫛歯型電極の個々の電極が延びる方向に対して、直交する方向に沿って、前記絶縁膜を溝状に除去することを特徴とする。
第６の発明の構成によれば、前記短パルスレーザを照射すべき領域を、特に前記溝状の領域に限定することで、前記絶縁膜中を伝搬する弾性表面波が、前記絶縁膜表面において、反射現象を生じることにより、特性劣化を生じることが有効に防止できるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は、本発明の弾性表面波素子の実施形態を示す概略平面図、図２は図１のＡ−Ａ線概略断面図である。
これらの図において、弾性表面波素子３１は、基板３９とこの圧電基板の能動面に形成した二対の櫛歯型電極３２，３８を備えている。
図２（ａ）に示す基板３９は、圧電材料として、例えば、水晶、リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ3 ）、リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ3 ）、タンタル酸リチウム、ニオブ酸カリウム、ダイヤモンド等の単結晶基板を使用することができる。
あるいは、図２（ｂ）に示すように、圧電基板ではなく、シリコン（Ｓｉ）基板３３の一面に、圧電薄膜３４として、ＺｎＯなどを成膜した基板等の多層膜基板３９−１等を使用することができる。
【００１８】
櫛歯型電極３２と櫛歯型電極３８は同じ構造であるから、櫛歯型電極３２についてだけ説明すると、この櫛歯型電極３２は、基板３９（基板３９−１の場合も同じ）の表面に、アルミニウムやチタン等の導体金属を蒸着あるいはスパッタリング等により薄膜状に形成した上で、後述するように、例えば、フォトリソグラフィ等により、櫛歯状、あるいは、すだれ状となるように形成されている。後述する製造工程では、アルミニウムの導電層を形成するようにしている。
【００１９】
具体的には、櫛歯型電極３２は、それぞれ複数の電極指３５が所定のピッチで並設されて長手方向の各端部がバスバー３６で短絡するように形成されている。即ち、２つの櫛形状の櫛歯型電極３２，３２の各櫛歯部分が、所定距離隔てて互い違いに入り込むように形成されている。この櫛歯型電極は、電気的に接続されている外部端子（後述）を介して電気信号と弾性表面波（ＳＡＷ）との間の変換を行う機能を有する。
図１に示すように、櫛歯型電極３２，３２のバスバー３６，３６はその導電パターンが基板の角隅の方向に引き回されて、電極端子３７，３７と接続されている。
【００２０】
さらに、図２に示すように、基板３９の表面側（能動面側）には、各櫛歯型電極３２（電極指３５やバスバー３６などの導電パターン全体）を覆うように、絶縁膜４１が形成されている。絶縁膜４１は、例えば、一酸化シリコン（ＳｉＯ）や二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン、酸化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ストロンチウム、酸化亜鉛、酸化タングステン、酸化クロム、タンタル酸カリウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸カリウム、ポリイミド、リンガラス、パリレンなどで形成することができる。
この絶縁膜４１を形成することにより、櫛歯型電極３２，３８が保護されるとともに、各電極指などの隣接する導電パターンが短絡を防止することができる。
【００２１】
このような構成において、電気信号が、例えば、図１において、一対の櫛歯型電極３２，３２側の電極端子３７，３７に入力されると、圧電効果により弾性表面波に変換される。この弾性表面波は、矢印Ｔ方向、すなわち、櫛歯型電極の電極指の長手方向に対して直交方向に伝搬され、他方の対の櫛歯型電極３８，３８に入力される。このとき、基板３９の材質、電極の厚みや電極の幅等で決定される伝搬速度と、櫛歯型電極の電極指の電極周期ｄ0 に等しい波長を持つ弾性表面波が、最も強く励振される。この弾性表面波は、共振周波数付近の周波数（動作周波数）の電気信号に変換されて櫛歯型電極３８，３８から外部端子３７，３７を介して出力されるようになっている。
【００２２】
弾性表面波素子３１は以上のように構成されており、次に、その製造方法の実施形態を説明する。
（弾性表面波素子の製造方法の実施形態）
図４は、弾性表面波素子３１の製造方法に関する実施形態について、製造工程の概略を順次示した工程図である。これらの工程図は図１のＡ−Ａ線に沿った概略断面を基本とし、理解の便宜のため、各櫛歯型電極３２，３８の各電極指３５と、その両側に位置する電極端子３７，３７の部分を含むように図示されている。
【００２３】
（電極形成工程）
この実施形態では、図２（ａ）の構造のものを製造する方法について説明する。
図４（ａ）において、所定の圧電材料で形成された材料基板である圧電ウエハ（製品単位の基板３９が切断される前の材料で、複数の基板３９を切り出せる大きさのものであり、製品単位の大きさの範囲だけ図示したもの）５１について、先ず、マグネトロンスパッタ法もしくは蒸着により、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金を圧電ウエハ５１の全面に成膜する。成膜の膜厚は、例えば、２００ｎｍ（ナノメートル）とする。
次いで、図４（ｂ）に示すように、櫛歯型電極３２，３８の各電極指やバスバーとなる部分および電極端子３７，３７となる部分にレジストパターン５３を形成する。
続いて、図４（ｃ）、図４（ｄ）に段階的に示すように、露光・現像することによって、フォトリソグラフィの手法を用いて、レジストによりマスキングされていない箇所をエッチングプロセスにより除去し、櫛歯型電極３２、３８を構成する電極指３５や、電極端子３７を作るためのアルミパターンを形成する。パターンの線幅、およびスペースはともに５μｍである。
【００２４】
（絶縁膜形成工程）
次に、図５（ｅ）に示すように、上記レジストパターンを除去した後で、圧電ウエハ５１の能動面となる側に、各電極指などを覆うようにして、絶縁膜５４を設ける。
具体的には、この実施形態では、ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いて、酸化シリコンによる絶縁膜５４を、例えば、膜厚１０００ｎｍにて成膜する。
続いて、図５（ｆ）に示すように、絶縁膜５４に関して、例えば、リアクティブイオンエッティング法（以下、「ＲＩＥ法」という）により、エッチングガスとして四フッ化炭素ガスを用いて、電極端子３７を形成すべき箇所だけ、エッチングにより除去する。
【００２５】
次に、図５（ｇ）に示すように、マグネトロンスパッタ法もしくは蒸着により、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金５５を、５００ｎｍの膜厚で成膜する。
さらに、図５（ｈ）に示すように、このアルミ層５５を、電極端子３７を形成すべき箇所だけ残すようにして、ＲＩＥ法により除去する。このようにして、図１のように電極端子３７を絶縁膜から露出させる。
続いて、図示しないネットワークアナライザを電極端子３７に接続して、駆動電圧を印加し、周波数を測定し、さらに、圧電ウエハ５１を製品単位の図２（ａ）で示す基板３９の大きさに切断する。
【００２６】
（周波数調整工程）
次いで、弾性表面波素子の製造工程の最後に、個々の素子の周波数を合わせる周波数調整を行う。周波数調整は、レーザ光により、絶縁膜の一部を除去することにより行われる。具体的には、例えば、図３に示すような装置を用いて、図１の符号７１で示すように、各櫛歯型電極３２，３８を構成する電極指３５の延びる方向に対して、直交する方向に、直線状の溝を形成するように絶縁膜を除去することが好ましい。この場合、絶縁膜の除去による溝７１は、矢印Ｔに沿った方向に複数本平行に形成される。
このように、絶縁膜を除去する箇所について、特に溝７１状の領域に限定することで、絶縁膜中を伝搬する弾性表面波が、絶縁膜表面において、反射現象を生じることにより、特性劣化を生じることが有効に防止できるという利点がある。
【００２７】
本実施形態に使用されるレーザ光は、その光ビームの照射領域の周囲の領域への熱的影響を極力低減できること、図１の溝７１に示される微細な領域へ熱エネルギーを精度良く、効率的に集束させることができること等がもとめられる。このため、例えば、出力の高いＹＡＧレーザの光ビームをビーム分割して用いたりしてもよく、あるいはＹＡＧレーザの高調波等を工夫して使用してもよい。
【００２８】
また、このような目的にパルスレーザを適合させるためには、使用されるレーザ光は、短波長もしくは超短波長のパルスを有し、ピークエネルギーが高いと好ましい。このような目的に適合する限り、あるいはこのような目的に適合するように加工等される限り、使用するレーザの種類は限定されない。このような目的に特に適しているのは、フェムト（１／１０００兆）秒（ｆｓ）パルスレーザである。
加工装置６０は、このようなフェムト秒パルスレーザ光を生成するもので、二種類のレーザ光生成手段Ｙ，ＴＳと、これらの生成するレーザ光の同期増幅手段６４と、レーザ光を集束させるための集束手段６５とを備えている。
【００２９】
加工装置６０のレーザ光生成手段ＴＳはチタン・サファイヤレーザもしくはチタン・サファイヤレーザと他のレーザ生成手段とを組み合わせたものである。チタン・サファイヤレーザは、きわめて広い発光スペクトルで発光することから、フェムト秒パルスレーザを生成する際に広く使用されている。レーザ光生成手段Ｙは例えばＹＡＧレーザである。
同期増幅手段６４は、レーザパルスの伸長手段６１と、レーザパルスの増幅手段６２と、レーザパルスの圧縮手段６３とを備えている。集束手段６５は光集束手段であり、対物レンズや光集束機能を持つホログラム素子等が利用され、矢印方向に可動されることでレーザ光を所定範囲に集束させることができるようになっている。
【００３０】
加工装置６０のレーザ光生成手段ＴＳからのレーザパルスＳＬはレーザパルスの伸長手段６１に入射される。レーザパルスの伸長手段６１は、所定の光学素子、例えば、グレーティング（回折格子）を対構成にして形成されており、レーザパルスＳＬを周波数チャープすることで伸長して、パルス幅を広げる。パルス幅が広くなったレーザパルスＳＬ−１は、レーザパルスの増幅手段６２に入射する。レーザパルスの増幅手段６２には、レーザ光生成手段ＹからのレーザパルスＹＬが入射されるようになっており、これを利用してモードロック（同期）を行い、ピークパワーを増幅し、増幅したレーザパルスＡＬをレーザパルスの圧縮手段６３に入射させる。レーザパルスの圧縮手段６３は、例えば、グレーティングを対構成にして形成されており、高いピークパワーを維持した状態で、レーザパルスＡＬのパルス幅を圧縮して、超短波長のレーザパルスＣＬとして、集束手段である対物レンズ６５に入射させる。
対物レンズ６５により集束作用を受けたレーザ光ＬＢ−Ｆは、弾性表面波素子３１の絶縁膜４１について、例えば、図１に示す溝７１と対応した領域に精密に照射される。
【００３１】
以上説明したように、本実施形態によれば、弾性表面波素子３１の絶縁膜４１の厚みを減じるために、その膜厚を減少させるべき領域に対して、周囲への熱的影響を抑制し得る短パルスレーザを照射するようにしている。これにより、絶縁膜４１の所定領域が精密に加工されて、周波数調整のための膜厚調整が精度良く行われるので、周波数をきわめて精密に調整することができる。したがって、周波数を精密に合わせ込んだ弾性表面波素子を製造することができる。
【００３２】
ここで、レーザ光ＬＢ−Ｆのパルス幅を、１ナノ秒以下とすることにより、周辺領域への熱的影響を好適に抑制することができる。レーザ光ＬＢ−Ｆのパルス幅が、１ナノ秒よりも大きいと、周辺領域への熱的影響が十分に抑制できない。また、このパルス幅の下限値には限界がなく、より短波長とすることで、周辺への熱的影響はさらに抑制できる。
図６および図７は、それぞれ加工するレーザ光の波長を１ｍｓｅｃ（ミリ秒）とした場合（図６）と、１５０ｆｓｅｃ（フェムト秒）とした場合（図７）について、調整される周波数のばらつきを示すグラフで、縦軸に周波数変化、横軸に図１の溝７１の溝深さをとったものである。
これらの図から明らかなように、加工するレーザ光の波長を１ｍｓｅｃとした場合においては、光ビームが照射される領域の周辺に形状変化が生じていて、そのため図６に示すように、同一条件で加工しても周波数のばらつきが大きい。
これに対して加工するレーザ光の波長を１５０ｆｓｅｃとした場合には、光ビームが照射される領域の周辺に熱的影響が及ばないことから、溝深さと周波数の調整幅が対応し、加工ごとにばらつくことがない。
【００３３】
さらに、この実施形態では、レーザ光ＬＢ−Ｆのパワーが、熱量換算で０．０１ｍＪ（ミリジュール）以上、０．１Ｊ（ジュール）以下に設定される。レーザ光ＬＢ−Ｆのパワーが、熱量換算で０．０１ｍＪ（ミリジュール）よりも小さいと絶縁膜４１を構成する材料の除去が適切にできない。また、レーザ光ＬＢ−Ｆのパワーが、０．１Ｊ（ジュール）を超えると、絶縁膜４１よりも下層の材料に悪影響を与えるおそれがある。
【００３４】
以上説明したように、本実施形態によれば、弾性表面波素子３１の絶縁膜４１の厚みを減じるために、その膜厚を減少させるべき領域に対して、周囲への熱的影響を抑制し得る短パルスレーザを照射するようにしている。これにより、絶縁膜４１の所定領域が精密に加工されて、周波数調整のための膜厚調整が精度良く行われるので、周波数をきわめて精密に調整することができる。したがって、周波数を精密に合わせ込んだ弾性表面波素子を製造することができる。
【００３５】
本発明は上述の実施形態に限定されない。実施形態の各構成はこれらを適宜省略したり、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
また、上述の実施形態では、２対の櫛歯型電極を伴う弾性表面波素子について説明したが、櫛歯型電極は一対のものでもよく、また、反射器を伴う構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の弾性表面波素子の実施形態を示す概略平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線概略断面図。
【図３】周波数調整に用いる加工装置の概略構成図。
【図４】図１の弾性表面波素子の製造方法の実施形態を示す工程図。
【図５】図１の弾性表面波素子の製造方法の実施形態を示す工程図。
【図６】加工するレーザ光の波長を１ｍｓｅｃ（ミリ秒）とした場合について、調整される周波数のばらつきを示すグラフ。
【図７】加工するレーザ光の波長を１５０ｆｓｅｃ（フェムト秒）とした場合について、調整される周波数のばらつきを示すグラフ。
【図８】従来の弾性表面波素子の周波数調整の一例を示す説明図。
【符号の説明】
【００３７】
３１・・・弾性表面波素子、３２，３８・・・櫛歯型電極、３７・・・電極端子、４１・・・絶縁膜、７１・・・溝。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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