(57)【要約】    【課題】  表示画像に発光むらが発生しないプラズマディスプレイパネルの透明電極形成方法及び形成装置を提供する。    【解決手段】  透明導電性膜が形成された透明ガラス基板７をステージ上に載置し、１セル分の電極パターンに対応し、放電ギャップ部１１に対応する部分が中央部に設けられた孔が形成されているマスク５を介して、透明ガラス基板７上に形成された透明導電性膜にレーザ光を照射する。これにより、レーザ光が照射された部分の透明導電性膜が除去され、透明基板上に１セル分の電極パターンが形成される。次に、ステージを移動させ同様の方法で１セル分の電極パターンを形成する。このとき、隣り合う電極パターンが切れてしまわないように、その端部を重ね合わせる。この工程を複数回繰り返して透明ガラス基板７上に透明電極１０を形成する。【選択図】    図２
2005108668.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明導電膜が形成されたパネルに向けてレーザ光を照射し、このレーザ光を前記透明導電膜に導く光学系に、前記透明導電膜に照射されるレーザ光の形状を規定するマスクを介在させ、前記マスクには、透明電極における１画素又は複数画素に対応する部分の形状の孔を形成しておき、前記レーザ光を前記透明導電膜に前記孔の形状で照射することにより透明導電膜における照射部分を前記孔の形状に局部的に除去し、前記パネルと前記マスクとを相対的に移動させることにより、前記透明導電膜における除去された部分をつなぎあわせて所定形状の透明電極を形成するプラズマディスプレイパネルの透明電極形成方法であって、前記マスクの孔形状は、前記プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所が前記レーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置ではない位置に設けられているものであることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの透明電極形成方法。
【請求項２】
前記プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所は、プラズマディスプレイパネルの透明電極間の放電ギャップの部分であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの透明電極形成方法。
【請求項３】
前記マスクの孔形状は、前記レーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置が、前記プラズマディスプレイパネルの隔壁上に位置するように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマディスプレイパネルの透明電極形成方法。
【請求項４】
レーザ発振器から発振したレーザ光を、拡張器により径を拡大し、整形密度均質化器により強度を均一化した後、前記パネルに向けて照射することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネルの透明電極形成方法。
【請求項５】
プラズマディスプレイパネルの透明電極の形成装置において、レーザ光を透明導電膜が形成されたパネルに向けて照射するレーザ光照射装置と、このレーザ光照射装置及び前記パネルの少なくとも一方を相対的に移動させる駆動装置と、前記レーザ光照射装置からのレーザ光を前記パネル上の前記透明導電膜に導く光学系と、前記光学系に介在し前記透明導電膜に照射されるレーザ光の形状を規定するマスクと、を有し、前記マスクには、透明電極における１画素又は複数画素に対応する部分の形状の孔が形成されていて、前記レーザ光が前記透明導電膜に前記孔の形状で照射されて透明導電膜における照射部分が前記孔の形状に局部的に除去され、前記駆動手段により前記パネルと前記照射装置とを相対的に移動させることにより、前記透明導電膜における除去された部分をつなぎあわせて所定形状の透明電極を形成するものであり、前記マスクの孔形状は、前記プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所が前記レーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置ではない位置に設けられているものであることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの透明電極形成装置。
【請求項６】
前記プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所は、プラズマディスプレイパネルの透明電極間の放電ギャップの部分であることを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイパネルの透明電極形成装置。
【請求項７】
前記マスクの孔形状は、前記レーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置が、前記プラズマディスプレイパネルの隔壁上に位置するように形成されていることを特徴とする請求項５又は６に記載のプラズマディスプレイパネルの透明電極形成装置。
【請求項８】
前記レーザ照射装置は、レーザ発振器と、前記レーザ発振器から発振したレーザ光の径を拡大する拡張器と、前記レーザ光を均一化する整形密度均質化器と、を有することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネルの透明電極形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイパネルの透明基板上に透明電極を形成する方法及びそれに使用される透明電極形成装置に関し、特に、レーザ加工によりプラズマディスプレイパネルの透明電極を形成する透明電極形成方法及び透明電極形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図９はＡＣ面放電型カラープラズマディスプレイのパネル構造を示す分解斜視図である。図９に示すように、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）１００の背面基板は、透明ガラス基板１０２上に、一方向に延び相互に平行な複数のデータ電極１０３が形成されており、このデータ電極１０３を覆うように白色誘電体層１０４が形成されている。この白色誘電体層１０４上には、井桁上の隔壁１０５が形成されており、この隔壁１０５によりセルがマトリクス状に区画される。そして、このセルの内側には、蛍光体層（ＲＧＢ）１０６が形成されている。
【０００３】
一方、ＰＤＰ１００の前面基板は、透明ガラス基板１０１上に、データ電極１０３と直交する方向に延び相互に平行な複数の透明電極１０７が形成されており、この透明電極１０７が走査電極及び放電維持電極となる。そして、透明電極１０７に重なるようにバス電極１０８が形成されており、透明電極１０７に直交するようにブラックストライプ１１０が形成されている。更に、これらを覆うように透明誘電体層１０９が形成されており、この誘電体層１０９の上には、透明保護膜１１１等が形成されている。このような前面基板と背面基板とが、透明ガラス基板１０１及び１０２が外側になるように重ね合わされて、接合されている。
【０００４】
このようなＰＤＰを製造する工程において、透明基板上に透明電極を形成する方法としては、一般にリフトオフ法が利用されている。リフトオフ法により透明電極を形成する場合、先ず、透明基板上に感光性レジストを塗布し、所定の電極パターンが形成されたマスクを使用して露光及び現像を行って、パターン形成部を除去する。次に、レジストを除去した部分に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）又は酸化錫（ＳｎＯ２）等を成膜し、その後レジストを除去することにより、透明基板上にＩＴＯ又はＳｎＯ２からなる透明電極が形成される。
【０００５】
近時、レーザにより薄膜を直接パターニングする方法が開発されている（例えば、非特許文献１及び２参照。）。このレーザ加工方法は、極めて高い精度で微細なパターンを形成することができるため、リフトオフ法に代わるパターン形成方法として注目されている。ＰＤＰの製造においても、レーザ加工装置を使用して透明基板上に透明電極を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１及２参照。）。
【０００６】
レーザ加工装置により透明電極を形成する場合、先ず、蒸着法又はスパッタ法等により透明基板上にＩＴＯ又はＳｎＯ２からなる透明導電膜を形成しておく。次に、所定の電極パターンの一部が形成されているマスクを透明導電膜の上方に配置し、このマスクの上方から透明導電膜に向かってレーザ光を照射する。前述のマスクは電極パターン以外の部分が孔になっており、この孔の部分に照射されたレーザ光のみマスクを通過して透明導電膜に照射される。これにより、レーザ光が照射された部分の透明導電膜が除去され、透明基板上にマスクパターンと同様の電極パターンの一部が形成される。次に、透明基板を移動させて、直前のレーザ光照射領域に隣接するパターンが形成されていない部分に、同様の方法で電極パターンの一部を形成する。この工程を複数回繰り返すことにより、照射領域をつなぎ合わせて透明基板上に所定の電極パターンを形成する。
【０００７】
このようなレーザ加工によるパターン形成方法は、リフトオフ法によるパターン形成方法に比べて、精度が高く、微細な加工が可能である。例えば、リフトオフ法では５０μｍ程度のパターンが限界とされているが、レーザ加工法では２０μｍ程度まで加工が可能であり、その精度も±１μｍ以下である。また、使用するマスクも作製が容易で且つ安価であるため、加工の自由度が大きい。このようなレーザ加工法をＰＤＰの透明電極形成工程に適用すると、レジストパターン形成工程が不要になるため、プロセスを簡略化できると共に製造場所も縮小することができる。また、レーザ加工法では、溶剤を使用しないため、廃液処理等も不要になる。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−３２３０２７号公報  （第３−５頁、第１−４図）
【特許文献２】特開２００１−７９６７５号公報  （第５−７頁、第１−５図）
【非特許文献１】Phil Rumsby、他３名，「Excimer laser patterning of thick and thin films for high density packaging」，The International Society for Optical Engineering，１９９７年６月，第３１８４巻，ｐ．１７６−１８５
【非特許文献２】Nadeem H. RAZVI、他６名，「Direct Manufacture Bio-Particle Electro-manipulator Devices using Excimer Laser Mask Projection Techniques」，Int. J. Japan Soc. Prec. Eng.，１９９９年６月，第３３巻，第２号，ｐ．１００−１０４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、前述の従来の技術には以下に示す問題点がある。上述したように、レーザ加工法により透明電極を形成する場合、従来のリフトオフ法のように、電極パターン全体を一括露光するのではなく、電極パターンを分割し、複数回に分けてパターニングしている。このため、セル内において対向して配置される電極間の距離等のプラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所が不均一になりやすいという問題点がある。
【００１０】
セル内において対向して配置される電極間の距離が不均一であると、画像に発光むらが発生しやすいため、特許文献１に記載のＰＤＰにおける透明電極の加工方法においては、先ず、所定の間隔をあけてレーザ加工（予備加工）を行い、これにより形成されたレーザ加工ライン（透明電極）間の距離を測定して、そのばらつきを計算する。そして、各電極間の距離が均一になるように、再度レーザ加工（本加工）を行って、電極間の距離のばらつきが少ない透明電極を形成している。しかしながら、この方法は、複雑な計算が必要であり、１つのパターンを形成するために、予備加工及び本加工で合計２回レーザ光を照射しなくてはならないため、製造コスト及び製造時間が増加する。
【００１１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、表示画像に発光むらが発生しないプラズマディスプレイパネルの透明電極形成方法及び形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願第１発明に係るプラズマディスプレイパネルの透明電極形成方法は、透明導電膜が形成されたパネルに向けてレーザ光を照射し、このレーザ光を前記透明導電膜に導く光学系に、前記透明導電膜に照射されるレーザ光の形状を規定するマスクを介在させ、前記マスクには、透明電極における１画素又は複数画素に対応する部分の形状の孔を形成しておき、前記レーザ光を前記透明導電膜に前記孔の形状で照射することにより透明導電膜における照射部分を前記孔の形状に局部的に除去し、前記パネルと前記マスクとを相対的に移動させることにより、前記透明導電膜における除去された部分をつなぎあわせて所定形状の透明電極を形成するプラズマディスプレイパネルの透明電極形成方法であって、前記マスクの孔形状は、前記プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所が前記レーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置ではない位置に設けられているものであることを特徴とする。
【００１３】
本発明者等は、上記問題点を解決するために鋭意実験検討を行った結果、レーザ加工法により透明電極を形成する場合、電極パターンを複数回に分けて形成するため、隣り合うパターン同士が切れてしまわないように、各パターンのつなぎ目部分が僅かに重なるように加工しており、その際に、透明基板が設置されているステージの位置精度に誤差があったり、マスク固定部にずれが生じたりすると、この継ぎ目部分の位置がずれてしまい、プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所の形状等が不均一になり、これが発光むらの原因になっていることを見出した。
【００１４】
そこで、本発明においては、プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所に相当する部分が、レーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置ではない位置に設けられているマスクを使用して、透明電極を形成する。これにより、パターンのつなぎ目が電気的特性に影響を与えない部分に設けられるため、パターンに位置ずれが生じても、放電開始電圧等のセルの発光に関係する電気的特性は変化しない。その結果、各セルにおける電気的特性が均一になり、発光むらがないプラズマディスプレイパネルを製造することができる。
【００１５】
前記プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所は、例えば、プラズマディスプレイパネルの透明電極間の放電ギャップの部分である。本発明者等は、ＰＤＰの透明電極における放電ギャップ長が不均一であると、各セルの放電開始電圧が不均一になり、表示画像に発光むらが発生することを見出した。具体的には、放電ギャップ長が２μｍ程度変化すると、放電開始電圧が５０Ｖ程度変化する。このため、例えば、放電ギャップ長が短いセルは低い電圧で放電してしまい、発光させたくないときに発光してしまうことがある。一方、放電ギャップ長が長いセルは高い電圧をかけないと放電せず、所定の電圧を印加しても発光しないことがある。このような放電ギャップ長が短いセル又は放電ギャップ長が長いセルが、縦方向又は横方向に１列に並んでいると、その部分が全て発光してしまったり、全て発光しなかったりするため、画像に筋ができてしまう。そこで、本発明の透明電極の製造方法においては、マスクを、放電ギャップに相当する部分が前記レーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置ではない位置に設けられた孔形状にする。これにより、放電ギャップ長を均一化することができるため、各セルにおける放電開始電圧が一定になり、発光むらがないプラズマディスプレイパネルが得られる。
【００１６】
前記マスクの孔形状は、前記マスクの周縁部の孔形状のつなぎ目の部分が、前記プラズマディスプレイパネルの隔壁上に位置するように形成されていることが好ましい。これにより、位置ずれによりつなぎ目分部分にずれが生じても、このずれた部分は表示とは関係のない隔壁上に位置するため、画像には影響しない。
【００１７】
また、レーザ発振器から発振したレーザ光を、拡張器により径を拡大し、整形密度均質化器により強度を均一化した後、前記パネルに向けて照射してもよい。これにより、強度が均一なレーザ光を透明導電膜に照射することができるため、透明電極を精度よく且つ効率的に形成することができる。
【００１８】
本願第２発明に係るプラズマディスプレイパネルの透明電極形成装置は、プラズマディスプレイパネルの透明電極の形成装置において、レーザ光を透明導電膜が形成されたパネルに向けて照射するレーザ光照射装置と、このレーザ光照射装置及び前記パネルの少なくとも一方を相対的に移動させる駆動装置と、前記レーザ光照射装置からのレーザ光を前記パネル上の前記透明導電膜に導く光学系と、前記光学系に介在し前記透明導電膜に照射されるレーザ光の形状を規定するマスクと、を有し、前記マスクには、透明電極における１画素又は複数画素に対応する部分の形状の孔が形成されていて、前記レーザ光が前記透明導電膜に前記孔の形状で照射されて透明導電膜における照射部分が前記孔の形状に局部的に除去され、前記駆動手段により前記パネルと前記照射装置とを相対的に移動させることにより、前記透明導電膜における除去された部分をつなぎあわせて所定形状の透明電極を形成するものであり、前記マスクの孔形状は、前記プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所が前記レーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置ではない位置に設けられているものであることを特徴とする。
【００１９】
本発明においては、光学系に介在し前記透明導電膜に照射されるレーザ光の形状を規定するマスクを、プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所がレーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置ではない位置に設けられている孔形状にしている。これにより、レーザ光を照射して除去された部分のつなぎ目が電気的特性に影響を与えない部分に設けられるため、レーザ光照射装置及び前記パネル移動時又はマスク取り付け時に位置ずれが生じても、パターンのずれは電気的特性に影響を与えない部分に発生する。その結果、セル内の電気的特性を一定にすることができるため、発光むらがないプラズマディスプレイパネルを製造することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所がレーザ光の各照射パターンのつなぎあわせ部に相当する位置ではない位置に設けられている孔形状のマスクを使用して透明導電膜をパターニングすることにより、ショット毎のつなぎ目が電気的特性に影響を与えない部分に設けられるため、セル内の電気的特性が均一な透明電極を形成することができ、画像に発光むらがないプラズマディスプレイパネルを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態に係るＰＤＰの透明電極形成方法について説明する。図１は本実施形態において使用する透明電極形成装置の構成を示す模式図である。図１に示すように、本実施形態において使用される透明電極形成装置は、レーザ光８を透明ガラス基板７に向けて照射するレーザ光照射装置と、ガラス基板７を相対的に移動される駆動装置と、レーザ光照射装置から出射されたレーザ光８を透明ガラス基板に導く光学系と、この光学系に介在して透明ガラス基板７に照射されるレーザ光８の形状を規定するマスク５とが設けられている。
【００２２】
本実施形態におけるレーザ光照射装置は、ＹＡＧレーザ等のレーザ発振器１にレーザ光８を拡大するビーム拡張器２が取り付けられており、このビーム拡張器２の下方には、ビーム拡張器２から出射したレーザ光８の強度を均一化するビーム整形密度均質化ユニット３が配置されている。そして、ビーム整形密度均質化ユニット３と透明導電膜が形成されている透明ガラス基板７との間には、レーザ光８を透明ガラス基板に導く光学系である結像レンズ４及び対物レンズ６が配置されており、この結像レンズ４と対物レンズ６との間に、マスク５が配置されている。また、本実施形態の透明電極形成装置には、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に移動するステージを備える駆動装置（図示せず）が設けられており、透明ガラス基板７は、この駆動装置のステージ上に載置されている。
【００２３】
図２は本実施形態の電極形成装置で使用されるマスクの孔形状を示す平面図であり、図３は本実施形態において形成される透明電極のパターンを示す平面図である。図３に示すように、本実施形態において形成される透明電極１０は、Ｘ方向に延びる基幹部１０ａと、この基幹部１０ａから垂直方向に延出する延出部１０ｂとからなり、基幹部１０ａが相互に平行で隣り合う２本の透明電極１０が、延出部１０ｂ同士が対向するように配置されている。そして、背面基板に上に形成された隔壁１３は、この１対の透明電極１０とこれらに隣接する他の透明電極との間、及びＸ方向に隣接する延出部１０ｂの間に配置される。即ち、隔壁１３により区画される１つのセル内においては、相互に平行でＸ方向に延びる１対の基幹部１０ａと、この基幹部１０ａの中心部からセルの中心部に向かって垂直に延出する１対の延出部１０ｂとが設けられている。延出部１０ｂは対向するように配置され、それらの間には一定の間隔が設けられており、この対向する延出部１０ｂ間が放電ギャップ１１となる。
【００２４】
また、図２に示すように、本実施形態におけるマスク５には、１セル分の透明電極パターンに対応する形状の孔が形成されている。この孔の形状は、その中央部に、透明電極１０の放電ギャップ１１に対応する部分が形成されたものである。具体的には、マスク５の中央部分にＨ字型の孔９ａが形成されており、この孔９ａの上下にはＸ方向に延びる孔９ｂ及び９ｃが形成されている。Ｈ字型の孔９ａのＸ方向に延びる部分における孔９ｂ及び９ｃ側の縁９ｄは、透明電極１０における延出部１０ａの縁を規定する。即ち、対向する縁９ｄの間が放電ギャップ１１に対応する部分９ｅである。また、Ｈ字型の孔９ａのＹ方向に延びる部分における孔９ｂ及び９ｃ側の縁９ｆは、透明電極パターン１０の基幹部１０ａの縁部を規定し、この部分のＹ方向に延びる外側の縁９ｇは隣接するパターンと重ね合わされる部分を規定する。更に、Ｘ方向に延びる孔９ｂ及び９ｃは、隣接する透明電極１０を分離する領域を規定する。このように、マスク５の孔形状は、透明電極１０間の基幹部１０ａに対応する部分が縁部になっている。そして、このマスク５を使用してレーザ光を照射する際は、このマスク縁部に対応するレーザ照射部で、透明導電性膜上の隣り合う電極パターン同士をつなぎ合わせるようになっている。
【００２５】
次に、本実施形態の透明電極形成装置の動作、即ち、ＰＤＰ用透明電極の形成方法について説明する。先ず、透明導電膜が形成された透明ガラス基板５を駆動装置のステージ上に載置する。そして、レーザ発振器１から取り出したレーザ光８を、ビーム拡張器２にて拡大し、更にビーム整形均質化ユニット３でレーザ光８の強度を均一化する。均一化されたレーザ光８をある一定のパルスにて、結像レンズ４を介して図２に示す孔が形成されたマスク５に照射する。マスク５は１セル分の透明電極のパターンに対応する形状の孔９ａ、９ｂ、９ｃが形成されており、レーザ光８はマスク５の孔９ａ、９ｂ、９ｃを通過し、対物レンズ６を介して透明ガラス基板７上に形成された透明導電膜に照射される。これにより、レーザ光が照射された部分の透明導電膜が除去され、透明ガラス基板７上に１セル分の電極パターンが形成される。なお、この透明電極１０における放電ギャップ長Ｌは、例えば、７０μｍである
【００２６】
次に、透明ガラス基板７が載置されているステージを、Ｘ軸方向に１セル分だけ移動させ、同様の方法で従前のレーザ光照射領域（電極パターンが形成された領域）に隣接する領域に、次の電極パターンを形成する。このとき、電極パターンが切れてしまわないように、先に形成したパターンの端部と僅かに重なるようにしてつなぎ合わせる。この工程を複数回繰り返して１列目の電極パターンを形成した後、ステージをＹ軸方向に移動させて、２列目の電極パターンを形成し、以下、同様に３列目以降の電極パターンを形成することにより、透明ガラス基板７上に透明電極１０を形成する。
【００２７】
図３に示すように、図２に示すマスク５を使用して形成された透明電極１０は、１セル内に配置される放電ギャップ１１が１ショットで形成されており、ショット毎のつなぎ目部分１３は基幹部１０ａに設けられている。これにより、例えば、透明ガラス基板７が載置されているステージの位置精度の誤差又はマスク５の固定部にずれにより、つなぎ目部分１３にずれが生じても、延出部１０ａの形状及び対向する１対の延出部１０ａの間隔、即ち、放電ギャップ１１の長さＬ及び形状は変化せず、常に一定になる。また、図３（ｂ）に示すように、つなぎ目部分１３は、背面基板に形成された隔壁１２と重ね合わされる部分に設けられているため、多少のずれが発生していても画像表示には影響しない。
【００２８】
次に、本実施形態の比較例について説明する。図４比較例１のマスクの孔形状を示す平面図であり、図５（ａ）及び（ｂ）はそれにより形成された透明電極を示す平面図である。また、図６は比較例２のマスクの孔形状を示す平面図であり、図７及び図８はそれにより形成された透明電極を示す平面図である。例えば、図４に示すように、比較例１のマスク２５には、中心部に対向する１対の透明電極２０の内側の縁を規定する十字型の孔２９ａが形成され、この孔２９ａの上下は、隣接する透明電極２０を分離する領域を規定する孔２９ｂ及び２９ｃが形成されている。マスク２５における十字型の孔２９ａは、放電ギャップ部２１に対応する部分２９ｄが端部に設けられているため、このマスク２５を使用して、前述の実施形態と同様の方法で透明電極２０を形成すると、図５（ａ）に示すように、隣り合う電極パターン同士が延出部２０ｂ、即ち、放電ギャップ２１でつなぎ合わせられることになる。このため、つなぎ目部分２３にずれが生じると、その部分の放電ギャップの長さＬ２は、ずれがない放電ギャップの長さＬ１よりも短くなる。このように、放電ギャップ部２１に対応する部分２９ｄが孔の端部に設けられているマスク２５では、透明電極２０内における放電ギャップの長さ及び放電ギャップ２１の形状が不均一になりやすい。放電ギャップ長が設計値よりも短いセルは、所定の放電電圧以下でも発光してしまうため、例えば、図５（ｂ）に示すように、放電ギャップの長さが短いセルがＹ方向に並んで形成されると、この部分は発光させたくないセルまで発光してしまい、画像中に筋が発生する。
【００２９】
また、図６に示すように、比較例２のマスク３５には、Ｘ方向に延び、中心部に隣接する透明電極３０を分離する領域を規定する孔３９ａが形成されており、この孔３９の上下には、透明電極３０の基幹部３０ａ及び延出部３０ｂの縁を規定する⊥状の孔３９ｂ及び３９ｃが形成されている。この孔３９ｂ及び３９ｃにおいては、放電ギャップ部３１に対応する部分３９ｄが端部に設けられている。このマスク３５を使用して、前述の実施形態と同様の方法で透明電極３０を形成すると、前述の比較例１のマスク２５と同様に、放電ギャップ部３１でつなぎ合わされるため、放電ギャップ長が短くなりやすい。仮に、図７に示すように、Ｘ軸方向のつなぎ目部分３３ａにずれが生じなかった場合でも、透明ガラス基板７（ステージ）をＹ軸方向に移動させる際の誤差により、放電ギャップ部３１のＹ軸方向の継ぎ目部分３３ｂにおいて重ね合わされる面積が変化し、ずれがない場合の放電ギャップ長Ｌ１よりも、放電ギャップ長が短くなったり（放電ギャップ長Ｌ３）、長くなったり（放電ギャップ長Ｌ４）することがある。このように、放電ギャップ部３１に対応する部分３９ｄが端部に設けられている孔形状のマスク３５では、透明電極３０内における放電ギャップ長が不均一になりやすい。放電ギャップ長が短いセルは、放電開始電圧が低く、所定の放電電圧以下でも発光してしまうため、例えば、図８に示すように、放電ギャップ長が短いセルがＸ方向に並んで形成されると、この部分は発光させたくないセルまで発光してしまい、画像中に筋が発生する。
【００３０】
一方、本実施形態のマスク５は、孔の中央部に放電ギャップ部１１に対応する部分を形成しているため、ショット毎のつなぎ目部分１３は、放電ギャップ以外の部分に設けられる。このため、位置ずれが発生しても、放電ギャップ１１の長さＬ及び形状は変化しない。また、本実施形態のマスク５の孔形状は、つなぎ目部分１３を隔壁１２と重なる部分に設けているため、このつなぎ目部分１３にずれが発生しても、画像表示には影響がない。その結果、各セルの放電開始電圧が均一で、表示画像に発光むらがないＰＤＰを製造することができる。
【００３１】
また、本実施形態の透明電極形成方法は、従来利用されてきたリフトオフ法より精度が高く、工程が少ないレーザ加工により透明電極を形成するため、より微細な加工が可能になると共に、製造時間の短縮及び製造コストの低減を実現することができる。
【００３２】
更に、本実施形態の透明電極形成方法は、１回のレーザ照射で所定の放電ギャップ長Ｌを得ることができるため、前述の特許文献１に記載の加工方法のように、１セル分の電極パターンを形成するために、複数回レーザ照射したり、放電ギャップ長を測定したりする必要がない。
【００３３】
なお、本発明は上記実施形態に限定されないことは勿論である。上記実施形態は、プラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所として、プラズマディスプレイパネルの透明電極間の放電ギャップを例にとって説明したものであるが、例えば、このプラズマディスプレイパネルの電気的特性に影響を与える箇所としては、そのほかに、電極の幅等があり、本発明は、放電開始電圧等の電気的特性に影響を与える箇所がレーザ光照射パターンのつなぎ目にこないようにすることを要旨とするものである。
【００３４】
また、本実施形態においては、マスク５に１セル分の電極パターンに対応する孔が形成されている場合について述べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、放電ギャップ部１１に対応する部分（孔）が周縁部以外の部分に設けられていればよく、例えば、複数セル分の電極パターンに対応する孔が形成されていてもよい。
【００３５】
更に、本実施形態においては、透明ガラス基板７を移動させる場合について述べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、レーザ光照射装置又は透明ガラス基板の少なくとも一方を相対的に移動させればよく、例えば、透明ガラス基板７を固定して、レーザ光照射装置を移動させてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施形態の透明電極形成装置の構成を示す模式図である。
【図２】本発明の実施形態の透明電極形成装置で使用されるマスクの孔形状示す平面図である。
【図３】本実施形態において形成される透明電極のパターンを示す平面図である。
【図４】比較例１のマスクの孔形状を示す平面図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は図４に示すマスクにより形成された透明電極を示す平面図である。
【図６】比較例２のマスクの孔形状を示す平面図である。
【図７】図６に示すマスクにより形成された透明電極を示す平面図である。
【図８】図６に示すマスクにより形成された透明電極を示す平面図である。
【図９】ＡＣ面放電型カラープラズマディスプレイのパネル構造を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【００３７】
１；レーザ発振器
２；ビーム拡張器
３；ビーム整形密度均質化ユニット
４；結像レンズ
５、２５、３５；マスク
６；対物レンズ
７、１０１、１０２；透明ガラス基板
８；レーザ光
９、９ａ、９ｂ、９ｃ、２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、３９ａ、３９ｂ、３９ｃ；孔
９ｄ、９ｆ、９ｇ；縁
９ｅ、２９ｄ、３９ｄ；放電ギャップに対応する部分
１０、２０、３０、１０７；透明電極
１０ａ、２０ａ、３０ａ；基幹部
１０ｂ、２０ｂ、３０ｂ；延出部
１１、２１、３１；放電ギャップ
１２、１０５；隔壁
１３、２３、３３；つなぎ目部分
１００；プラズマディスプレイパネル
１０３；データ電極
１０４；白色誘電体層
１０６ａ；蛍光体層（Ｒ）
１０６ｂ；蛍光体層（Ｇ）
１０６ｃ；蛍光体層（Ｂ）
１０８；バス電極
１０９；透明誘電体層
１１０；ブラックストライプ
１１１；透明保護膜
Ｌ、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４：放電ギャップ長
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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