(57)【要約】【課題】  投光素子の多重投光等の動作異常を確実に検知することが可能な多光軸光電センサを提供する。【解決手段】  正常投光時では、投光動作を行なう投光素子Ｔの数は１つであるから、この投光素子Ｔに流れる電流ＩＴの値は定電流回路２１からの出力電流Ｉｔｐに等しいから電流検出抵抗２２に流れる電流はＩｔｐとなり、この電流検出抵抗２２に生ずる電圧はＶ＝（Ｉｔｐ×ＲＳ）＋Ｖｆ（ＤＡ）とされる。基準レベルはＶｏ＝（Ｉｔｐ×ＲＳ／２）＋Ｖｆ（ＤＡ）＋βとされているから、分担電圧Ｖは基準レベルＶｏよりも「Ｉｔｐ×ＲＳ／２＋β」だけ高くなっているから、正常と判断される。一方、多重投光時では、電流検出抵抗２２の分担電圧はＶｍ＝（Ｉｔｐ×ＲＳ／ｍ）＋Ｖｆ（ＤＡ）となり、この分担電圧Ｖｍは基準レベルＶｏよりも「β」下回るから多重投光であると判断される。【選択図】  図２
2005318294.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一列状に配置される複数の投光素子と、
前記複数の投光素子と対をなして配置される複数の受光素子と、
前記複数の投光素子へ駆動電流を供給する定電流回路と、
前記複数の投光素子に対して定電流回路からの駆動電流の供給を順次許容することによりこれら投光素子を順次投光動作させる駆動手段と、
投光動作を行なう投光素子と対をなす受光素子からの受光信号出力を有効化する有効化手段と、
前記有効化手段により出力された受光信号のレベルに基づいて、当該受光信号を出力した受光素子における入光状態を判断する判断手段と、
前記複数の投光素子においてそれぞれに流れる電流の電流値を検出する電流検出手段と、
前記各電流検出手段において検出された電流値のうち１つでも、その電流値が０より大きく、且つ、所定レベル以下であるときに前記投光素子の動作異常を検出する異常検出手段とを備えたことを特徴とする多光軸光電センサ。
【請求項２】
前記電流検出手段は、
一方の接続端子が前記投光素子に接続されるとともに、他方の接続端子がグランドライン側に接続される電流検出抵抗と、
アノードがそれぞれ共通接続されるとともに、カソードが前記投光素子と前記電流検出抵抗との間に接続される逆流阻止ダイオードと、
前記電源ラインと前記逆流阻止ダイオードのアノードとの間に接続される負荷抵抗と、
前記電流検出抵抗の分担電圧を検出する電圧検出手段とから構成されていることを特徴とする請求項１記載の多光軸光電センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多重投光検出機能を有する多光軸光電センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の多光軸光電センサは、例えば一列に配列された複数の投光素子を備えた投光器と、それら複数の投光素子と対をなす複数の受光素子を備えた受光器とを検出エリアを挟んで対向して配置した構成をなす。このうち投光器内において、複数の投光素子は選択回路を介して電源回路に選択的に接続されるよう構成され、各投光素子を順番に電源回路に接続することで１個ずつ順次点灯させるよう動作する。一方、受光器は、各投光素子の点灯タイミングに同期してそれらと対をなす各受光素子からの受光信号を順次有効化させて、その受光信号レベルに基づいて検出エリア内の物体による遮光状態を検出する動作を行う。
【０００３】
ここで、投光器の投光素子を１個ずつ点灯させる構成としたのは、対をなす投光素子及び受光素子で形成される各光軸間の相互干渉防止のためである。より詳しくは、投光素子から出射される光は、それと対をなす受光素子のみに入射するとは限らず、隣接した他の受光素子にも入射する場合がある。従って、複数の投光素子を同時に点灯させる構成とすると、各受光素子は対をなす投光素子との間に物体があるにもかかわらず対をなさない他の投光素子からの光を受けてしまい誤検出を招くことになる。そこで、このような相互干渉を防止すべく投光素子を１個ずつ点灯させる構成が採られているのである。
【０００４】
ところが、上述の構成において、例えば各投光素子及び選択回路間を接続する電源供給用の各接続線間の短絡などにより投光素子が１個ずつ点灯せず、同時に複数の投光素子が点灯（以下、「多重投光」という。）するといった不具合が生じ、これにより上記と同様に相互干渉を招くことがある。
【０００５】
そこで、この問題を解決すべく本出願人は、特許文献１に開示された登録実用新案を考案した。これは、各投光素子に共通接続されて、各投光タイミングに電源回路から投光素子に供給される負荷電流を測定する電流測定手段と、その測定電流値が１個の投光素子の点灯に要する負荷電流値（以下、「基準電流値」という。）を上回ったときに投光素子の動作異常であることを外部に報知する状態検知手段とを備えたものである。このような構成であれば、上述の多重投光時には電流測定手段による測定電流値が前記基準電流値を上回ることになり、もって状態検知手段の報知動作により多重投光を知ることができる。
【特許文献１】実用新案登録第２５１５１２５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、多光軸光電センサにおいて、最近ではより広い検出エリアで使用できるよう非常に光軸数が多いものが存在する。例えば１２０光軸のものでは、一端側に設けられた電流測定手段から他端側に設けられた投光素子までの距離は約２４０センチにも及ぶ。また、装置の小型化の要求に応えるべく電子部品等を搭載する基板の搭載面積も狭小化の傾向にある一方で、センサの多機能化によってその基板に搭載すべき部品点数が増加する傾向にある。こうしたことから、電子部品を過密状態で搭載した基板上に形成される接続線は極細なものにならざるを得ない。
【０００７】
このように極細の接続線で電流測定手段と、２４０センチも離れた投光素子とを接続する場合、その接続線における線抵抗が大きくなることは避けられない。従って、電流測定手段から遠く離れた投光素子への負荷電流値は、電流測定手段に近接した投光素子への負荷電流値に比べて大きく下回ることが考えられる。
【０００８】
ところが、上述した従来の多光軸光電センサにおいて、状態検知手段における前記基準電流値は、点灯される各投光素子と電流測定手段との距離にかかわらず一定の値に設定されていた。従って、例えば電流測定手段に近接した投光素子の点灯時の負荷電流に対応して基準電流値が設定されている場合、電流測定手段から遠く離れた複数の投光素子が多重投光状態になっても電流測定手段にて測定される電流値は、基準電流値以下のレベルに留まり、状態検知手段が報知動作を行わないという問題があり得た。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、投光素子の多重投光等の動作異常を確実に検知することが可能な多光軸光電センサを提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するための手段として、請求項１の発明は、一列状に配置される複数の投光素子と、前記複数の投光素子と対をなして配置される複数の受光素子と、前記複数の投光素子へ駆動電流を供給する定電流回路と、前記複数の投光素子に対して定電流回路からの駆動電流の供給を順次許容することによりこれら投光素子を順次投光動作させる駆動手段と、投光動作を行なう投光素子と対をなす受光素子からの受光信号出力を有効化する有効化手段と、前記有効化手段により出力された受光信号のレベルに基づいて、当該受光信号を出力した受光素子における入光状態を判断する判断手段と、前記複数の投光素子においてそれぞれに流れる電流の電流値を検出する電流検出手段と、前記各電流検出手段において検出された電流値のうち１つでも、その電流値が０より大きく、且つ、所定レベル以下であるときに前記投光素子の動作異常を検出する異常検出手段とを備えたところに特徴を有する。
【００１１】
請求項２の発明は、請求項１に記載のものにおいて、前記電流検出手段は、一方の接続端子が前記投光素子に接続されるとともに、他方の接続端子がグランドライン側に接続される電流検出抵抗と、アノードがそれぞれ共通接続されるとともに、カソードが前記投光素子と前記電流検出抵抗との間に接続される逆流阻止ダイオードと、前記電源ラインと前記逆流阻止ダイオードのアノードとの間に接続される負荷抵抗と、前記電流検出抵抗の分担電圧を検出する電圧検出手段とから構成されているところに特徴を有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、各投光素子に流れる電流をそれぞれに設けられた電流検出手段にて検出する。そして、異常検出手段はこれら各電流検出手段によって検出された電流値のうち１つでも、その電流値が０より大きく、且つ、所定レベル以下であるときに投光素子の動作異常を検出する構成とした。ここで「所定レベル」は、例えば正常に投光動作が行なわれる正常投光時に投光素子に流れる電流の値と２重投光時に投光素子に流れる電流の値との間のレベルに設定する。
【００１３】
正常投光時（単一投光時）には、その投光素子に供給される電流の値は定電流回路の出力電流の値「Ｉｔｐ」に等しい。一方、複数の投光素子が同時に投光動作を行なう多重投光時には、各投光素子へ供給される電流は減少する。
多重投光時の各投光素子に供給される電流の値ＩＴは下記の（式１）により決定される。
ＩＴ＝Ｉｔｐ／ｍ          （式１）
（Ｉｔｐ：定電流回路から出力される電流の値  ｍ：投光動作を行なっている投光素子の数）
即ち、多重投光が行なわれているときには、投光素子に供給される電流の値が「Ｉｃ／ｍ」となり、「電流検出手段で検出された電流値が０より大きく、且つ、所定レベル以下」という条件を満たすから動作異常が検出される。
このようにすれば、投光素子における回路上の位置に関係なく各投光素子への駆動電流を均一化することができるから、異常検出手段にて設定する所定レベルを一定のレベルに設定したとしても、正確に動作異常を検出することができる。
【００１４】
また、投光素子の劣化等により、投光素子に流れる電流が所定の電流よりも少なくなることがあり得る。このような場合には、上記所定レベルを下回ることとなるから、投光素子の動作異常をも検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１又は図２によって説明する。
本発明に係る多光軸光電センサは、Ｎ個の投光素子Ｔ（例えばＬＥＤ）が一列に配列された投光器１０と、それらのＮ個の投光素子Ｔのそれぞれと対をなすＮ個の受光素子Ｊ（例えばフォトダイオード）が配列された受光器３０とを所定の検出エリアを挟んで対向配置された構成をなす。電気的構成は従来のものと同様であり、図１にその全体概略図が示してある。なお、同図では、Ｎ個の投光素子Ｔ及び受光素子Ｊのうち図面最下端の投光素子Ｔ1 及び受光素子Ｊ1 、その上の投光素子Ｔ2 及び受光素子Ｊ2 、Ｎ−１番目の投光素子ＴN-1 及び受光素子ＪN-1 と、Ｎ番目の投光素子ＴN 及び受光素子ＪN のみ示してあり、３〜Ｎ−２番目の投光素子Ｔ及び受光素子Ｊとそれらに対応する構成（スイッチング素子１１、逆流阻止ダイオード２５）は省略してある。また、以下の説明で使用される文字Ｋは、上記の投光素子及び受光素子の任意の順位（１〜Ｎ）を示したものである。
【００１６】
まず、投光器１０において、各投光素子Ｔに投光電流（駆動電流）を供給するための定電流回路２１は電源ラインＶｃｃ１に接続されている。各投光素子Ｔにはこれに流れる投光電流を検出する電流検出抵抗２２及び当該投光素子への投光電流の供給制御を行なうスイッチング素子１１が設けられており、３者が直列接続されている。詳しくは、各投光素子Ｔのカソードに電流検出抵抗２２の一方の接続端子が接続されており、他方の接続端子にスイッチング素子１１を構成するＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴ（以下、ＦＥＴ１１という）のドレイン端子が接続されている。
【００１７】
また、各投光素子Ｔのアノードは共通線１２を介して定電流回路２１に接続されており、ＦＥＴ１１のソース端子がそれぞれ共通線１３を介してグランドラインＧＮＤに接続されているとともに、ゲート端子がシフトレジスタ１４の出力端子にそれぞれ接続されている。
【００１８】
シフトレジスタ１４は、入力端子が投光側ＣＰＵ１５に接続されているとともに、複数の出力端子がＮ個のＦＥＴ１１のゲート端子にそれぞれ接続されている。当該シフトレジスタ１４は投光側ＣＰＵ１５からのスタートパルスＳを受けると投光素子Ｔの配列方向（例えば１番目の投光素子Ｔ1 からＮ番目の投光素子ＴN に向う方向）に沿って１つずつ順番にオン信号を与えて順次に投光素子Ｔを駆動させる。
【００１９】
電源ラインＶｃｃ２（Ｖｃｃ１＞Ｖｃｃ２）と共通線２３との間には負荷抵抗２４が接続されており、この共通線２３と各投光素子Ｔ及び電流検出抵抗２２の接続点との間には逆流阻止ダイオード２５がそれぞれ接続されている。これら逆流阻止ダイオードの接続状態は、詳しくはアノードがそれぞれ共通接続されるとともに、カソードが投光素子Ｔと前記電流検出抵抗２２との間に接続された状態とされている。これら逆流阻止ダイオード２５は多重投光時に投光電流同士がまじりあうことを防止する機能を有している。換言すれば、電源ラインＶｃｃ１からの電流が電源ラインＶｃｃ２に逆流することを防止する機能を有している。そして、これら逆流阻止ダイオード２５及び共通線２３とでダイオードＯＲ回路が形成されている。
【００２０】
電圧検出手段２６は、その入力端子が負荷抵抗２４と共通線２３との接続点に接続されており、投光素子Ｔの投光タイミングに同期して電流検出抵抗２２の分担電圧をＡ/Ｄ変換し、これを投光側ＣＰＵ１５に送信するようになっている。
また、負荷抵抗２４の抵抗値ＲＬと電流検出抵抗２２の抵抗値ＲＳとは、それらの比がＲＬ＞＞ＲＳとなるようにそれぞれ設定されている。これは、電流検出抵抗２２の分担電圧を検出する際に、共通線２３の抵抗成分の影響を抑止するためである。
【００２１】
投光側ＣＰＵ１５はシフトレジスタ１４にスタートパルスＳを与えると共に、受光器３０側に同期信号Ｄを与える。また、投光側ＣＰＵ１５は、ディジタル値化された電流検出抵抗２２の分担電圧を受けるようになっており、この分担電圧 に基づいて後述する動作異常検出を行ない、この検出結果に基づいて異常出力回路２７への信号送信を制御する。
【００２２】
次に、受光器３０において、各受光素子Ｊは受光アンプ３１及びスイッチ素子３２を介してコンパレータ３３に共通接続されている。各スイッチ素子３２の制御端子は、受光側ＣＰＵ３４からのスタートパルスＳに基づいて動作するシフトレジスタ３５の出力側に接続されている。受光側ＣＰＵ３４は、上記の投光側ＣＰＵ１８から同期信号Ｄを受けると、シフトレジスタ３５にスタートパルスＳを与え、シフトレジスタ３５の起動により投光器１０側と同様の所定時間Ｔａ間隔毎で、かつ同様の配列方向に沿って順にスイッチ素子３２に駆動信号を与えて順次に各受光素子Ｊからの受光信号を有効化させる。このような構成により同一光軸同士の投光素子Ｔ及び受光素子Ｊが順に投受光動作を行うことになり、もって各光軸間の相互干渉を防止することができる。
【００２３】
そして、各受光素子Ｊからの受光信号が順次コンパレータ３３に与えられ、コンパレータ３３において例えば予め設定された閾値と比較され、例えば受光信号が閾値より大きいときに出力信号を受光側ＣＰＵ３４に与える。ここで、検出エリア内に物体が存在し、投光素子Ｔからの光が遮光されると受光素子Ｊからの受光信号レベルが閾値レベル以下に低下し出力信号を受光側ＣＰＵ３４に与えなくなる。受光側ＣＰＵ３４ではこの出力信号のレベル変化を前記所定時間Ｔａ毎に読み込み、前記出力信号を受けていないときには遮光状態として出力回路３６に所定の検出信号を出力する。
【００２４】
本実施形態の構成は以上であり、続いてその動作について説明する。
「正常投光時（単一投光時）」
投光側ＣＰＵ１５からシフトレジスタ１４へスタートパルスＳが出力されると、このシフトレジスタ１４は最下端のＦＥＴ１１から上側のＦＥＴ１１へ順次オン信号を送信する。すると、最下端の投光素子Ｔ１から最上端の投光素子ＴＮにかけて順次投光動作が行なわれる。
このとき、投光動作を行なう投光素子Ｔの数は１つであるから、この投光素子Ｔに流れる電流ＩＴの値は定電流回路２１からの出力電流Ｉｔｐに等しい。従って、電流検出抵抗２２に流れる電流はＩｔｐとなり、この電流検出抵抗２２に生ずる電圧、即ち、分担電圧がダイオードＯＲ回路から出力される。
出力される分担電圧Ｖは下記（式２）のようになる。
Ｖ＝（Ｉｔｐ×ＲＳ）＋Ｖｆ（ＤＡ）        （式２）
Ｖｆ（ＤＡ）：ダイオード２５の動作電圧
【００２５】
投光側ＣＰＵ１５はこの分担電圧Ｖをディジタル値として受け取り、当該投光側ＣＰＵ１５側で予め記憶されている基準レベルと比較する。この基準レベルＶｏは下記（式３）によって表すことができる。
Ｖｏ＝（Ｉｔｐ×ＲＳ）＋Ｖｆ（ＤＡ）−α      （式３）
α：補正係数
この補正係数は、所定の値であって、例えば、基準レベルＶｏが単一投光の場合の分担電圧と２重投光の場合の分担電圧の中間の値となるように設定すればよい。
【００２６】
本実施形態では、補正係数αを「Ｉｔｐ×ＲＳ／２＋β」とする。この補正係数αのうち「Ｉｔｐ×ＲＳ／２」は単一投光時の分担電圧と２重投光時の分担電圧との差であり、「＋β」（「Ｉｔｐ×ＲＳ／２」＞＞「β」）は単一投光と２重投光とを確実に区別するためのマージンである。
基準レベルＶｏは単一投光時の分担電圧から補正係数αを減じた値とする。従って、本実施形態における基準レベルＶｏは下記（式４）のようになる。
Ｖｏ＝（Ｉｔｐ×ＲＳ／２）＋Ｖｆ（ＤＡ）＋β      （式４）
【００２７】
そうすると、上記のように単一投光時の場合には、分担電圧Ｖは基準レベルＶｏよりも「Ｉｔｐ×ＲＳ／２＋β」だけ高くなっているから、正常と判断される（図２参照）。
尚、上記投光動作に伴って、対となる受光素子Ｊからの信号がコンパレータ３３に出力され、コンパレータからの出力を受けた受光側ＣＰＵ３４は各光軸の入光状態ないし遮光状態を検出する。
【００２８】
「多重投光時」
何らかの原因により、例えば、２つ以上の投光素子Ｔが同時に投光動作を行なった場合には、それらの投光素子Ｔに接続されている電流検出抵抗２２に電流が流れる。このときに各投光素子Ｔ（電流検出抵抗２２）に流れる電流ＩＴは、
ＩＴ＝Ｉｔｐ／ｍ          （式１）
となり、ダイオードＯＲ回路により、電流検出抵抗２２に生ずる電圧が出力される。この場合の電流検出抵抗２２の分担電圧Ｖｍは下記（式５）のように表される。
Ｖｍ＝（ＩＴ×ＲＳ）＋Ｖｆ（ＤＡ）
＝（Ｉｔｐ×ＲＳ／ｍ）＋Ｖｆ（ＤＡ）      （式５）
ｍ：投光動作を行なっている投光素子Ｔの数
【００２９】
例えば、２つの投光素子が同時に投光動作を行なった場合には、
Ｖｍ＝（Ｉｔｐ×ＲＳ／２）＋Ｖｆ（ＤＡ）
となり、分担電圧Ｖｍは基準レベルＶｏよりも「β」だけ下回る（図２参照）。即ち、「電流検出手段で検出された電流値が０より大きく、且つ、所定レベル以下」という条件を満たすこととなる。
これにより、投光側ＣＰＵ１５は多重投光であると判断して、異常出力回路２７を作動させるために駆動信号を送信する。
【００３０】
本実施形態では、定電流回路２１から投光素子Ｔに駆動電流を供給し、投光動作を行なう投光素子Ｔに流れる電流を電流検出抵抗２２にて検出する。そして、電流検出抵抗２２の分担電圧と基準レベルとを比較し、分担電圧が基準レベルを下回ったときには動作異常を検出する構成とした。
正常投光時（単一投光時）には、その投光素子に供給される電流の値は定電流回路の出力電流の値「Ｉｔｐ」に等しい。一方、複数の投光素子が同時に投光動作を行なう多重投光時には、各投光素子へ供給される電流は減少する。この多重投光時に投光素子に供給される電流の電流値ＩＴは下記の（式１）により決定される。
ＩＴ＝Ｉｔｐ／ｍ          （式１）
（Ｉｔｐ：定電流回路から出力される電流の値  ｍ：投光動作を行なっている投光素子の数）
即ち、多重投光が行なわれているときには、本来投光動作すべき投光素子に供給される電流の値が「Ｉｔｐ／ｍ」となり、これによって、各電流検出抵抗２２の分担電圧が設定された基準レベルを下回ることにより動作異常を検出することができる。
このようにすれば、投光素子Ｔにおける回路上の位置に関係なく各投光素子Ｔへの駆動電流を均一化することができるから、基準レベルを一のレベルに設定したとしても、正確に動作異常を検出することができる。
【００３１】
また、本実施形態では、負荷抵抗２４の抵抗値ＲＬと電流検出抵抗２２の抵抗値ＲＳとは、それらの比がＲＬ＞＞ＲＳとなるようにそれぞれ設定している。これによって、電流検出抵抗２２の分担電圧を検出する際に、共通線２２の抵抗成分の影響を効果的に抑止することができる。
【００３２】
また、投光素子Ｔの劣化等により、投光素子Ｔに流れる電流ＩＴが所定の電流よりも少なくなることがあり得る。このような場合には、上記基準レベルＶｏを適宜変更することにより、投光素子Ｔの動作異常をも検出することができる。
【００３３】
＜実施形態２＞
実施形態２について図３を参照して説明する。尚、上記実施形態１と同一の部分に関しては同一の符号を付して重複する説明を省略する。
本実施形態の多光軸光電センサは各投光素子Ｔの投光動作を個別に検出することができるようになっている。
その構成は図３に示すように、投光素子Ｔ毎にそれぞれコンパレータ４１が設けられており、その非反転入力端子が投光素子Ｔと電流検出抵抗２２との接続点に接続され、反転入力端子が基準電圧源４２に接続されている。この基準電圧源４２の電圧値は上記実施形態１にて記載した基準レベルＶｍと同一の電圧値とされている。
また、コンパレータ４１の出力端子はそれぞれインターフェイス（図示せず）を介して投光側ＣＰＵ１５に接続されている。
【００３４】
これらコンパレータ４１からは、ハイレベル又はロウレベルの電圧信号が出力されるようになっており、投光素子Ｔに定電流回路２１からの出力電流Ｉｔｐが流れて投光動作を行なっているとき又は非投光動作時にはハイレベル信号が出力される一方、多重投光により投光素子Ｔに流れる電流の値が「Ｉｔｐ／２」以下とされているとき又は投光素子Ｔの異常により投光電流が減少してその電流値が「Ｉｔｐ／２」以下とされたとき（「電流検出手段で検出された電流値が０より大きく、且つ、所定レベル以下」とされたとき）には、ロウレベル信号が出力される。
【００３５】
また、投光側ＣＰＵ１５は各コンパレータからの信号出力を受け、それらの信号をディジタル値に変換し、そのディジタル値に基づいて多重投光あるいは投光素子の動作異常を検出する。
【００３６】
以下、検出動作について説明する。
正常投光時（単一投光時）には、各投光素子Ｔに順次定電流回路２１からの電流が供給される。即ち、投光素子Ｔに定電流回路２１からの出力電流Ｉｔｐが流れて投光動作を行なうこととなり、その他の投光素子Ｔは投光動作を行なっていないから、すべてのコンパレータ４１について上述した「投光素子Ｔに定電流回路２１からの出力電流Ｉｔｐが流れて投光動作を行なっているとき又は非投光動作時」の条件が満たされる。これによって、すべてのコンパレータ４１からはハイレベル信号が出力されることとなり、投光側ＣＰＵ１５では投光動作は正常であると判断する。
【００３７】
一方、多重投光時においては、同時に２つ以上の投光素子Ｔが投光動作を行なうため、投光動作を行なっているこれらの投光素子Ｔに流れる電流は「Ｉｔｐ／ｍ」（「電流検出手段で検出された電流値が０より大きく、且つ、所定レベル以下」）となる。このため、投光動作を行なっている投光素子Ｔに設けられたコンパレータ４１からはロウレベル信号が出力される。また、投光動作を行なっていない投光素子Ｔに設けられたコンパレータ４１からはハイレベル信号が出力される。
投光側ＣＰＵ１５では、２つ以上のコンパレータ４１からロウレベル信号を受けることになり、これをもって多重投光であると判断し、異常出力回路２７に駆動信号を送信する。
【００３８】
また、投光素子Ｔの異常により投光動作時の電流が極端に少ない場合には、コンパレータ４１からロウレベル信号が出力されるから、投光側ＣＰＵ１５では投光素子Ｔの異常と判断して異常出力回路２７に駆動信号を出力する。
【００３９】
本実施形態では、多重投光及び投光素子Ｔの異常を区別して判断することができるから、一層正確な動作異常検出を行なうことができる。しかも、両者の異常において、その異常を来す投光素子Ｔを特定することができるから、その後のメンテナンス等の整備作業の作業性向上を図ることができる。
【００４０】
＜実施形態３＞
実施形態３について図４を参照して説明する。本実施形態では、コンパレータ４１が１つ設けられており、その非反転入力端子に共通線２３が接続されているとともに、反転入力端子に基準電圧源４２（電圧値「Ｖｍ」）が接続され、出力端子が投光側ＣＰＵ１５に接続されているところが、実施形態１の構成と相違している。
これによれば、正常動作時（単一投光時）においては、コンパレータ４１からハイレベル信号が出力されて、投光側ＣＰＵ１５にて正常であると判断され、他方、多重投光の場合にはロウレベル信号が出力されて投光側ＣＰＵ１５にて動作異常であると判断される。
また、単一投光時であっても、投光動作を行なっている投光素子Ｔに異常があって投光電流が極端に少ない場合には、コンパレータ４１からロウレベル信号が出力されるから投光側ＣＰＵ１５にて動作異常であると判断される。
上記構成としても、実施形態１と同様に多重投光、投光素子の異常を検出することができる。
【００４１】
＜他の実施形態＞
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
（１）上記実施形態では、スイッチング素子１１としてＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴを用いた構成を示したが、これに限らずバイポーラトランジスタを用いた構成としても良く、ＮＰＮ型・ＰＮＰ型のどちらでも用いることができる。また、ユニポーラトランジスタを用いる場合には、ＭＯＳＦＥＴのほかに接合型ＦＥＴを用いることができ、Ｎチャネル型・Ｐチャネル型のどちらを用いても良い。
【００４２】
（２）また、上記実施形態では、電源ラインＶｃｃ１側に定電流回路２１を配した構成を示したが、グランドラインＧＮＤ側に配した構成としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】実施形態１に係る多光軸光電センサの電気的構成を示した概略図
【図２】正常投光時の電圧レベル、多重投光時の電圧レベル及び基準レベルとの関係を示した模式図
【図３】実施形態２に係る多光軸光電センサの電気的構成を示した概略図
【図４】実施形態３に係る多光軸光電センサの電気的構成を示した概略図
【符号の説明】
【００４４】
１１…スイッチング素子
１２，１３，２３…共通線
１４…シフトレジスタ
１５…投光側ＣＰＵ
２１…定電流回路
２２…電流検出抵抗
２４…負荷抵抗
２５…逆流阻止ダイオード
２６…電圧検出手段
Ｊ（1,2．．．N-1,N)…受光素子
Ｔ（1,2．．．N-1,N)…投光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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