(57)【要約】【課題】２層以上の金属層を有する金属積層体に付着した有機物を、各金属層の腐食を抑制しつつ、効率よく分解・除去することができる有機物除去方法を提供すること。【解決手段】本発明の有機物除去方法は、第１金属層２１と、この第１金属層２１に接触し、第１金属層２１を構成する金属よりイオン化傾向が小さい金属で構成された第２金属層２２とを有する金属積層体２に付着した有機物３を分解・除去するものである。この有機物除去方法では、有機物３に、有機物３を分解する分解剤を含む液体を接触させることにより分解・除去する際に、第１金属層２１を選択的に加熱することにより、第１金属層２１に分解剤を含む液体が付着するのを防止して、第１金属層２１の腐食を防止する。【選択図】図１
2005193210.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１金属層と、該第１金属層に接触し、前記第１金属層を構成する金属よりイオン化傾向が小さい金属で構成された第２金属層とを有する金属積層体に付着した有機物を分解・除去する有機物除去方法であって、
前記有機物に、該有機物を分解する分解剤を含む液体を接触させることにより分解・除去する際に、
前記第１金属層を選択的に加熱することにより、前記第１金属層に前記分解剤を含む液体が付着するのを防止することを特徴とする有機物除去方法。
【請求項２】
前記第１金属層は、前記第２金属層より電気抵抗が大きいものであり、高周波誘導加熱により選択的に加熱される請求項１に記載の有機物除去方法。
【請求項３】
前記第１金属層の抵抗率をＡ［Ω・ｃｍ］とし、前記第２金属層の抵抗率をＢ［Ω・ｃｍ］としたとき、Ａ／Ｂが１．５以上なる関係を満足する請求項２に記載の有機物除去方法。
【請求項４】
前記加熱を行う際の高周波の出力は、１０〜１５００Ｈｚである請求項２または３に記載の有機物除去方法。
【請求項５】
前記第１金属層は、主としてＣｒで構成され、前記第２金属層は、主としてＡｕで構成されている請求項２ないし４のいずれかに記載の有機物除去方法。
【請求項６】
前記第１金属層は、前記第２金属層より光の反射率が低いものであり、特定波長の光の照射により選択的に加熱される請求項１に記載の有機物除去方法。
【請求項７】
前記第１金属層の光の反射率をＣ［％］とし、前記第２金属層の光の反射率をＤ［％］としたとき、Ｃ／Ｄが０．９以下なる関係を満足する請求項６に記載の有機物除去方法。
【請求項８】
前記照射する光の強度は、１〜５０Ｗである請求項６または７に記載の有機物除去方法。
【請求項９】
前記第１金属層の加熱温度は、９０〜２００℃である請求項１ないし８のいずれかに記載の有機物除去方法。
【請求項１０】
大気圧以上の雰囲気圧で行われる請求項１ないし９のいずれかに記載の有機物除去方法。
【請求項１１】
前記分解剤を含む液体は、オゾンガスと、水、酸溶液、アルカリ溶液および有機溶媒のうちの少なくとも１種とを、前記金属積層体に供給することにより生成したものである請求項１ないし１０のいずれかに記載の有機物除去方法。
【請求項１２】
前記水、前記酸溶液、前記アルカリ溶液および前記有機溶媒は、それぞれ、ガス状、ミスト状および液状のうちの少なくとも１つの状態で、前記金属積層体に供給される請求項１１に記載の有機物除去方法。
【請求項１３】
前記分解剤を含む液体は、酸溶液またはアルカリ溶液である請求項１ないし１０のいずれかに記載の有機物除去方法。
【請求項１４】
前記酸溶液および前記アルカリ溶液は、それぞれ、ガス状、ミスト状および液状のうちの少なくとも１つの状態で、前記金属積層体に供給される請求項１３に記載の有機物除去方法。
【請求項１５】
前記金属積層体は、基材上に設けられており、前記第１金属層は、前記第２金属層より前記基材側に位置している請求項１ないし１３のいずれかに記載の有機物除去方法。
【請求項１６】
平面視において、前記第１金属層は、前記第２金属層から露出している請求項１５に記載の有機物除去方法。
【請求項１７】
前記有機物は、前記第２金属層をパターニングする際に用いたレジスト層である請求項１５または１６に記載の有機物除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機物除去方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体、実装基板などに配線などの所定パターンの膜を形成する際に、フォトレジストや電子線レジスト等の各種有機膜が用いられている。
そして、配線等を形成した後には、これらの有機膜は不要となり、不要になった有機膜をそれらの基板から除去・洗浄することが必要となる。
このような有機膜を除去する方法としては、オゾンガスおよび水蒸気を用いた剥離方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
ところが、かかる方法を、Ｃｒ等のイオン化傾向の大きい金属層と、Ａｕ等のイオン化傾向の小さい金属層が積層された金属積層体に付着した有機膜の除去に適用した場合、これらの金属層間に水分が付着すること等により生じる局部電池作用（電池効果）により、イオン化傾向の大きい金属層から構成金属が溶出し、その腐食が促進されてしまうという問題がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１１０７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、２層以上の金属層を有する金属積層体に付着した有機物を、各金属層の腐食を抑制しつつ、効率よく分解・除去することができる有機物除去方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の有機物除去方法は、第１金属層と、該第１金属層に接触し、前記第１金属層を構成する金属よりイオン化傾向が小さい金属で構成された第２金属層とを有する金属積層体に付着した有機物を分解・除去する有機物除去方法であって、
前記有機物に、該有機物を分解する分解剤を含む液体を接触させることにより分解・除去する際に、
前記第１金属層を選択的に加熱することにより、前記第１金属層に前記分解剤を含む液体が付着するのを防止することを特徴とする。
これにより、金属積層体に付着する有機物を、各金属層の腐食を抑制しつつ、効率よく分解・除去することができる。
【０００７】
本発明の有機物除去方法では、前記第１金属層は、前記第２金属層より電気抵抗が大きいものであり、高周波誘導加熱により選択的に加熱されることが好ましい。
かかる加熱方法によれば、より容易かつ確実に、第１金属層を選択的に加熱することができる。
本発明の有機物除去方法では、前記第１金属層の抵抗率をＡ［Ω・ｃｍ］とし、前記第２金属層の抵抗率をＢ［Ω・ｃｍ］としたとき、Ａ／Ｂが１．５以上なる関係を満足することが好ましい。
これにより、第１金属層をより高い選択性をもって加熱することができる。
【０００８】
本発明の有機物除去方法では、前記加熱を行う際の高周波の出力は、１０〜１５００Ｈｚであることが好ましい。
これにより、第１金属層を十分に加熱することができる。
本発明の有機物除去方法では、前記第１金属層は、主としてＣｒで構成され、前記第２金属層は、主としてＡｕで構成されていることが好ましい。
本発明により処理された金属積層体を、各種電子デバイスの配線構造等に採用することにより、電子デバイスの信頼性の向上を図ることができる。
【０００９】
本発明の有機物除去方法では、前記第１金属層は、前記第２金属層より光の反射率が低いものであり、特定波長の光の照射により選択的に加熱されることが好ましい。
かかる加熱方法によれば、より容易かつ確実に、第１金属層を選択的に加熱することができる。
本発明の有機物除去方法では、前記第１金属層の光の反射率をＣ［％］とし、前記第２金属層の光の反射率をＤ［％］としたとき、Ｃ／Ｄが０．９以下なる関係を満足することが好ましい。
これにより、第１金属層をより高い選択性をもって加熱することができる。
【００１０】
本発明の有機物除去方法では、前記照射する光の強度は、１〜５０Ｗであることが好ましい。
これにより、第１金属層を十分に加熱することができる。
本発明の有機物除去方法では、前記第１金属層の加熱温度は、９０〜２００℃であることが好ましい。
これにより、有機物をより効率よく分解することができる。
本発明の有機物除去方法では、大気圧以上の雰囲気圧で行われることが好ましい。
これにより、有機物をより効率よく分解することができる。
【００１１】
本発明の有機物除去方法では、前記分解剤を含む液体は、オゾンガスと、水、酸溶液、アルカリ溶液および有機溶媒のうちの少なくとも１種とを、前記金属積層体に供給することにより生成したものであることが好ましい。
本発明の有機物除去方法では、前記水、前記酸溶液、前記アルカリ溶液および前記有機溶媒は、それぞれ、ガス状、ミスト状および液状のうちの少なくとも１つの状態で、前記金属積層体に供給されることが好ましい。
【００１２】
本発明の有機物除去方法では、前記分解剤を含む液体は、酸溶液またはアルカリ溶液であることが好ましい。
本発明の有機物除去方法では、前記酸溶液および前記アルカリ溶液は、それぞれ、ガス状、ミスト状および液状のうちの少なくとも１つの状態で、前記金属積層体に供給されることが好ましい。
本発明の有機物除去方法では、前記金属積層体は、基材上に設けられており、前記第１金属層は、前記第２金属層より前記基材側に位置していることが好ましい。
これにより、金属積層体に付着する有機物を、各金属層の腐食を抑制しつつ、より効率よく分解・除去することができる。
【００１３】
本発明の有機物除去方法では、平面視において、前記第１金属層は、前記第２金属層から露出していることが好ましい。
かかる構成の金属積層体においても、確実に第１金属層の腐食を防止することができる。
本発明の有機物除去方法では、前記有機物は、前記第２金属層をパターニングする際に用いたレジスト層であることが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の有機物除去方法の好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の有機物除去方法により有機物の除去処理が施される金属積層体を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
図１に示すように、金属積層体２は、基材（基板）１上に所定のパターンで形成されている。本実施形態では、金属積層体２は、第１金属層２１と、第１の金属層２１に接触するようにして積層された第２金属層２２とで構成されている。
【００１５】
基材１としては、特に限定されず、例えばガラス基板や、半導体装置等に用いられるウェハ、水晶振動子等に用いられる水晶基板等が挙げられる。
第１金属層２１および第２金属層２２のパターンは、それぞれ、特に限定されず、金属積層体２の用途に応じて適宜選択される。また、第１金属層２１は、図１に示すように、平面視において、その一部が第２金属層２２から露出していてもよく、第２金属層２２から露出していなくてもよい。
第２金属層２２は、第１金属層２１を構成する金属よりイオン化傾向が小さい金属で構成されている。
【００１６】
本発明の有機物除去方法は、このような金属積層体２に付着した有機物３に、この有機物３を分解する分解剤を含む液体を接触させ、これにより、有機物３を分解・除去するものである。
ここで、有機物３としては、特に限定されず、金属積層体２をパターニングする際に用いたレジスト層や、金属積層体２を形成（成膜）する際に、不純物として付着する有機物等が挙げられる。
例えば、レジスト層は、光硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等の各種樹脂材料を主材料として構成される。
【００１７】
本実施形態では、有機物３として、第２金属層２２をパターニングする際に用いたレジスト層、すなわち、第２金属層２２の上面に形成されたレジスト層を分解・除去する場合を一例に説明する。
分解剤としては、有機物３を効率よく分解し得るものであればよく、いかなるであってもよいが、オゾンを主成分とするもの、酸性物質または塩基性物質を主成分とするものが好適に使用される。
【００１８】
このような分解剤を含み、有機物３に接触させる液体は、例えば、液状やミスト状として、金属積層体２に供給するようにしてもよいし、ガス状として金属積層体２に供給して、有機物３表面で液状とさせてもよい。
前者とすることにより、有機物３の分解処理をより簡便に行うことができる。
後者とすること、すなわち、有機物３表面において、分解剤を含む液体を生成させることにより、分解剤を含む液体中における分解剤の濃度をより高濃度とすることができる。これにより、有機物３の分解をより効率よく行うことができる。
【００１９】
分解剤として、オゾンを主成分とするもの（オゾンガス）を用いる場合、オゾンを含む液体は、オゾンガスと、水、酸性物質の溶液（酸溶液）、塩基性物質の溶液（アルカリ溶液）および有機溶媒のうちの少なくとも１種とを、金属積層体２に供給することにより、容易に得る（生成させる）ことができる。
酸性物質、塩基性物質および有機溶媒としては、それぞれ、有機物３の種類等によって適宜選択するようにすればよいが、常温で気体または比較的沸点の低い物質（易揮発性物質）が好ましい。
【００２０】
すなわち、酸溶液としては、フッ化水素（ＨＦ）、塩化水素（ＨＣｌ）、臭化水素（ＨＢｒ）、ヨウ化水素（ＨＩ）等のハロゲン化水素、硝酸、酢酸、蟻酸のうちの少なくとも１種を溶解した溶液（水溶液、有機溶媒溶液）が好適である。
また、アルカリ溶液としては、アンモニアを溶解した溶液（水溶液、有機溶媒溶液）が好適である。
また、有機溶媒としては、アセトン、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、エタノールのうちの少なくとも１種を主成分とするものが好適である。
【００２１】
水およびこれらの酸性物質、塩基性物質および有機溶媒は、いずれも、オゾンの有機物３の分解を補助する機能を有しており、オゾンと併用することにより、有機物３をより確実かつ短時間で分解することができる。
例えば、オゾンガスと水蒸気（ガス状の水）とを金属積層体２に供給する場合、これらの量比は、体積比で１：１〜１：１０程度であるのが好ましく、１：１〜１：５程度であるのがより好ましい。また、これらは、金属積層体２に対して、個別に供給するようにしてもよいし、混合ガスとして供給するようにしてもよい。
【００２２】
また、分解剤として、酸性物質または塩基性物質を主成分とするものを用いる場合も、有機物３の種類等によって適宜選択するようにすればよいが、常温で気体または比較的沸点の低い物質（易揮発性物質）が好ましい。
このような酸性物質としては、フッ化水素、塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素等のハロゲン化水素、硝酸、酢酸および蟻酸のうちの少なくとも１種を主成分とするものが好適に使用され、塩基性物質としては、アンモニアを主成分とするものが好適に使用される。これらのものは、有機物３の分解に優れている。
【００２３】
本発明の有機物除去方法では、このような分解剤を含む液体を有機物３に接触させる際に、第１金属層２１を選択的に加熱する点に特徴を有している。
ここで、第１金属層２１を選択的に加熱するとは、第２金属層２２よりも第１金属層２１の方が高温となるように加熱することを意味し、第２金属層２２には、熱が加わらない方が好ましいが、熱が加わってもよい。
【００２４】
前述したように、第１金属層２１は、イオン化傾向が比較的高い金属で構成され、分解剤により腐食され易いが、第１金属層２１を選択的に加熱しておくことにより、第１金属層２１に分解剤を含む液体が付着するのを防止することができる。また、例え、分解剤を含む液体が一旦付着したとしても、分解剤自体や液性成分等が速やかに揮発する。これにより、第１金属層２１の腐食を防止することができる。
【００２５】
また、第１金属層２１と第２金属層２２との境界部への、分解剤を含む液体、水分等の付着が防止されることから、第１金属層２１と第２金属層２２との間に局部電池作用が生じることも防止され、その結果、局部電池作用による卑金属（第１金属層２１を構成する金属）の溶出も抑えられる。かかる点からも、第１金属層２１の腐食が効果的に防止される。
一方、第２金属層２２は、イオン化傾向が比較的小さい金属で構成されるので、分解剤を含む液体が付着しても溶出し難く、腐食し難い。
【００２６】
また、本実施形態では、有機物３は、第２金属層２２を介して第１金属層２１と接触するため、温度上昇がより確実に抑制される。このため、有機物３には、分解剤を含む液体が効率よく付着することにより、有機物３は、より確実に分解される。
特に、図１に示すような構成の金属積層体２、すなわち、平面視で、第１金属層２１が第２金属層２２から露出したものである場合、第１金属層２１と第２金属層２２との境界部には、段差が形成されており、この段差部には、前述した分解剤を含む液体や水分等が付着し易くなる傾向を示すが、本発明によれば、かかる構成の金属積層体２においても、効果的に分解剤を含む液体の付着を防止することができるため、第１金属層２１の腐食を防止することができる。
【００２７】
第１金属層２１の加熱温度（到達温度）は、９０〜２００℃程度であるのが好ましく、１２０〜１７０℃程度であるのがより好ましい。第１金属層２１の加熱温度が低過ぎると、分解剤を含む液体が第１金属層２１に付着するのを十分に抑制することができず、その結果、第１金属層２１の腐食を防止するのが困難となるおそれがある。一方、第１金属層２１の加熱温度が高過ぎると、金属積層体２全体が高温となり過ぎ、分解剤自体や液性成分の揮発等により、その有機物３への接触する量や分解剤の濃度等が極端に低下して、有機物３の分解を効率よく行えないおそれがある。
【００２８】
また、有機物３を分解処理する際の雰囲気圧は、常圧であってもよいが、大気圧以上であるのが好ましく、１０〜２００ｋＰａ程度であるのがより好ましく、２０〜１５０ｋＰａ程度であるのがさらに好ましい。これにより、有機物３表面に分解剤を含む液体がより確実に付着する。また、有機物３に接触する分解剤を含む液体中の分解剤の濃度を、より高いものとすることができる。その結果、有機物３をより効率よく分解することができる。
【００２９】
さて、第１金属層２１を選択的に加熱する方法（選択加熱方法）としては、各種の方法を用いることができるが、高周波誘導加熱、特定波長の光を照射による加熱が好適に用いられる。かかる加熱方法によれば、より容易かつ確実に、第１金属層２１を選択的に加熱することができる。
高周波誘導加熱とは、電磁誘導によって渦電流を発生させて、金属層を加熱する方法であり、電気抵抗の高い金属層が選択的に加熱される。
したがって、この高周波誘導加熱は、選択的に加熱すべき第１金属層２１が、第２金属層２２よりも電気抵抗が高い場合に適用される。
【００３０】
ここで、第１金属層２１の抵抗率をＡ［Ω・ｃｍ］とし、第２金属層２２の抵抗率をＢ［Ω・ｃｍ］としたとき、Ａ／Ｂが１．５以上なる関係を満足するのが好ましく、２以上なる関係を満足するのがより好ましく、２．５以上なる関係を満足するのがさらに好ましい。これにより、第１金属層２１を、より高い選択性をもって加熱することができる。
かかる条件を満足する第１金属層２１と第２金属層２２との好適な組み合わせの一例を、以下に示す。なお、（  ）内の数値は、各金属の電気抵抗（×１０−１６［Ω・ｃｍ］）である。
【００３１】
Ｉ：第２金属層２２の構成材料がＡｕ（２．３５）の場合
第１金属層２１の構成材料は、例えば、Ｆｅ（９．７１）、Ｍｇ（４．４５）、Ｃｒ（１２．９）、Ｚｎ（５．９６１）、Ｎｉ（６．８４）、Ｐｂ（２０．６４８）、Ｓｎ（１１）、Ｌｉ（８.５５）、ＳＵＳ（７３）等が挙げられる。
II：第２金属層２２の構成材料がＣｕ（１．６７３０）の場合
第１金属層２１の構成材料は、例えば、Ｆｅ（９．７１）、Ｍｇ（４．４５）、Ｃｒ（１２．９）、Ｚｎ（５．９６１）、Ｎｉ（６．８４）、Ｐｂ（２０．７４８）、Ｓｎ（１１）、Ｌｉ（８.５５）、ＳＵＳ（７３）等が挙げられる。
III：第２金属層２２の構成材料がＦｅ（９．７１）の場合
第１金属層２１の構成材料は、例えば、Ｃｒ（１２．９）、Ｚｎ（５．９６１）等が挙げられる。
【００３２】
特に、第１金属層２１が主としてＣｒで構成され、第２金属層２２が主としてＡｕで構成される金属積層体２は、各種電子デバイスの配線構造等に広く採用されるものであり、従来の方法で、有機物３を除去しようとした場合、第１金属層２１であるＣｒ層の腐食が問題となっていたが、本発明によれば、Ｃｒ層の腐食を防止しつつ、有機物３の分解・除去を確実に行うことができる。
【００３３】
この高周波誘導加熱を用いる場合、高周波出力は、１０〜１５００Ｈｚ程度であるのが好ましく、２０〜５００Ｈｚ程度であるのがより好ましい。高周波出力が低過ぎると、第１金属層２１の構成材料等によっては、その加熱が不十分となり、その結果、第１の金属層２１の腐食を防止するのが困難となるおそれがある。一方、高周波出力が高過ぎると、第１金属層２１の加熱に要するエネルギーが過大になり、実用性に欠ける。
【００３４】
一方、特定波長の光の照射による加熱とは、例えば、フラッシュランプ、レーザー光源等から照射される光を吸収させることによって熱を発生させて、金属層を加熱する方法であり、光の吸収率が高い金属層、すなわち、光の反射率の低い金属層が選択的に加熱される。
したがって、この特定波長の光の照射による加熱は、選択的に加熱すべき第１金属層２１が、第２金属層２２よりも光の反射率が低い場合に適用される。
【００３５】
ここで、第１金属層２１の光の反射率をＣ［％］とし、第２金属層２２の光の反射率をＤ［％］としたとき、Ｃ／Ｄが０．９以下なる関係を満足するのが好ましく、０．７以下なる関係を満足するのがより好ましく、０．５以下なる関係を満足するのがさらに好ましい。これにより、第１金属層２１を、より高い選択性をもって加熱することができる。
かかる条件を満足する第１金属層２１と第２金属層２２との好適な組み合わせの一例を、以下に示す。なお、（  ）内の数値は、各金属の反射率である。
【００３６】
Ａ：照射光の波長が１２００ｎｍの場合
Ａ−１：第２金属層２２の構成材料がＡｕ（９９．０９％）である場合
第１金属層２１の構成材料は、例えば、Ｓｎ（３６．７７％）等が挙げられる。
Ｂ：照射光の波長が２０００ｎｍの場合
Ｂ−１：第２金属層２２の構成材料がＡｕ（９８．８８％）である場合
第１金属層２１の構成材料は、例えば、Ｆｅ（７６．１３％）等が挙げられる。
Ｂ−２：第２金属層２２の構成材料がＷ（８６．２７％）である場合
第１金属層２１の構成材料は、例えば、Ｆｅ（７６．１３％）等が挙げられる。
Ｂ−３：第２金属層２２の構成材料がＦｅ（７６．１３％）である場合
第１金属層２１の構成材料は、例えば、Ｓｎ（３６．７７％）等が挙げられる。
【００３７】
この特定波長の光の照射による加熱を用いる場合、照射する光の強度は、１〜５０Ｗ程度であるのが好ましく、５〜２０Ｗ程度であるのがより好ましい。照射する光の強度が弱過ぎると、第１の金属層２１の構成材料等によっては、その加熱が不十分となり、その結果、第１の金属層の腐食を防止するのが困難になるおそれがある。一方、照射する光の強度が強過ぎると、第１の金属層２１加熱に要するエネルギーが過大になり、実用性に欠ける。
【００３８】
以上、本発明の有機物除去方法の好適な実施形態について説明したが、本発明の有機物除去方法は、これに限定されるものではない。
例えば、金属積層体は、第２金属層が第１金属層より基材側にある構成のものであってもよく、また、２層構成のものに限らず、３層以上の金属層で構成されたものであってもよい。
また、本発明の有機物除去方法は、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。
【実施例】
【００３９】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
まず、図１に示すような被処理部材Ａ〜Ｅを用意した。
＜被処理部材Ａ＞
ガラス基板（基材）上に、Ｃｒ層（第１金属層）およびＡｕ層（第２金属層）が順次積層された金属積層体が形成され、この金属積層体上にレジスト層（有機物）が形成された被処理部材である。
【００４０】
＜被処理部材Ｂ＞
ガラス基板（基材）上に、Ｎｉ層（第１金属層）およびＣｕ層（第２金属層）が順次積層された金属積層体が形成され、この金属積層体上にレジスト層（有機物）が形成された被処理部材である。
＜被処理部材Ｃ＞
ガラス基板（基材）上に、Ａｕ層（第１金属層）およびＣｒ層（第２金属層）が順次積層された金属積層体が形成され、この金属積層体上にレジスト層（有機物）が形成された被処理部材である。
【００４１】
＜被処理部材Ｄ＞
ガラス基板（基材）上に、Ｓｎ層（第１金属層）およびＡｕ層（第２金属層）が順次積層された金属積層体が形成され、この金属積層体上にレジスト層（有機物）が形成された被処理部材である。
＜被処理部材Ｅ＞
ガラス基板（基材）上に、Ｆｅ層（第１金属層）およびＷ層（第２金属層）が順次積層された金属積層体が形成され、この金属積層体上にレジスト層（有機物）が形成された被処理部材である。
【００４２】
なお、被処理部材Ａ〜Ｅにおいて、いずれも、第１金属層の平均厚さは、約９０ｎｍ、第２金属層の平均厚さは、約５０ｎｍとし、レジスト層は、電子線硬化性樹脂（ポジ型のレジスト材料）を用いて形成し、平均厚さは、約４００ｎｍとした。
また、第１金属層と第２金属層との境界部の段差の高さは、第２金属層の平均厚さに相当し、約５０ｎｍである。
【００４３】
１．有機物の除去
以下の各実施例および各比較例では、それぞれ、１０個の被処理部材に対してレジスト層の除去を行った。
（実施例１）
１０個の被処理部材Ａをチャンバ内にセットし、高周波誘導加熱により、第１金属層を選択的に加熱しつつ、チャンバ内（被処理部材）に、オゾンガスと水蒸気との混合ガスを供給して、レジスト層の除去を行った。
なお、この処理における各条件は、以下に示す通りである。
高周波の出力                ：１５０Ｈｚ
第１金属層の加熱温度        ：１３０℃
オゾンガスと水蒸気との配合比：１：２（体積比）
チャンバ内の圧力            ：５０ｋＰａ
処理時間                    ：１５分
次に、各被処理部材Ａを、チャンバ内から取り出し、それぞれ、純水で洗浄して後、Ｎ２ブローにより乾燥した。
【００４４】
（実施例２）
オゾンガスと水蒸気との混合ガスに代わり、オゾンガスと塩酸をミスト状として用いた以外は、前記実施例１と同様にして、被処理部材Ａからレジスト層の除去を行った。
なお、塩酸中の塩化水素濃度は、２５ｗｔ％とした。
（実施例３）
オゾンガスと水蒸気との混合ガスに代わり、オゾンガスと塩酸およびフッ酸の混合液をミスト状として用いた以外は、前記実施例１と同様にして、被処理部材Ａからレジスト層の除去を行った。
なお、混合液中の塩化水素濃度は、１５ｗｔ％、フッ化水素濃度は、１ｗｔ％とした。
【００４５】
（実施例４）
オゾンガスと水蒸気との混合ガスに代わり、オゾンガスとアンモニア水をミスト状として用いた以外は、前記実施例１と同様にして、被処理部材Ａからレジスト層の除去を行った。
なお、アンモニア水中のアンモニア濃度は、３５ｗｔ％とした。
【００４６】
（実施例５）
オゾンガスと水蒸気との混合ガスに代わり、オゾンガスとアセトンを液状として用いた以外は、前記実施例１と同様にして、被処理部材Ａからレジスト層の除去を行った。
（実施例６）
オゾンガスと水蒸気との混合ガスに代わり、オゾンガスとエタノール水溶液を液状として用いた以外は、前記実施例１と同様にして、被処理部材Ａからレジスト層の除去を行った。
なお、エタノール水溶液中のエタノール濃度は、３０ｗｔ％とした。
【００４７】
（実施例７）
オゾンガスと水蒸気との混合ガスに代わり、塩酸をガス状として用いた以外は、前記実施例１と同様にして、被処理部材Ａからレジスト層の除去を行った。
なお、塩酸中の塩化水素濃度は、２５ｗｔ％とした。
（実施例８）
オゾンガスと水蒸気との混合ガスに代わり、塩酸をミスト状として用いた以外は、前記実施例１と同様にして、被処理部材Ａからレジスト層の除去を行った。
なお、塩酸中の塩化水素濃度は、２５ｗｔ％とした。
【００４８】
（実施例９）
オゾンガスと水蒸気との混合ガスに代わり、水酸化カリウム水溶液を液状として用いた以外は、前記実施例１と同様にして、被処理部材Ａからレジスト層の除去を行った。
なお、水酸化カリウム水溶液中の水酸化カリウム濃度は、３０ｗｔ％とした。
（実施例１０）
被処理部材Ａに代わり、被処理部材Ｂを用いた以外は、前記実施例１と同様にして、被処理部材Ｂからレジスト層の除去を行った。
【００４９】
（実施例１１）
被処理部材Ａに代わり、被処理部材Ｃを用いた以外は、前記実施例１と同様にして、被処理部材Ｃからレジスト層の除去を行った。
（実施例１２）
被処理部材Ａに代わり、被処理部材Ｄを用い、高周波誘導加熱に代わり、１２００ｎｍの波長の光による加熱を行った以外は、前記実施例１と同様にして、被処理部材Ｄからレジスト層の除去を行った。
なお、照射する光の強度は、１０Ｗとした。
【００５０】
（実施例１３）
被処理部材Ａに代わり、被処理部材Ｅを用い、高周波誘導加熱に代わり、２０００ｎｍの波長の光による加熱を行った以外は、前記実施例１と同様にして、被処理部材Ｅからレジスト層の除去を行った。
なお、照射する光の強度は、１０Ｗとした。
【００５１】
（比較例１）
第１金属層の選択的な加熱を省略した以外は、前記実施例１と同様にして、被処理部材Ａからレジスト層の除去を行った。
（比較例２）
第１金属層の選択的な加熱を省略した以外は、前記実施例１２と同様にして、被処理部材Ｄからレジスト層の除去を行った。
【００５２】
２．評価
各実施例および各比較例において処理が行われた各被処理部材について、それぞれ、第１金属層と第２金属層との境界部の段差の高さ（寸法）、および、第１金属層の第２金属層から露出している露出部分の平均厚さを段差計により測定した。
そして、これらの測定結果を、それぞれ、以下の４段階の基準に従って評価した。
【００５３】
＜段差の高さ＞
◎：レジスト層除去処理後において、処理前の１．０５倍未満
○：レジスト層除去処理後において、処理前の１．０５倍以上、１．１倍未満
△：レジスト層除去処理後において、処理前の１．１倍以上、１．２倍未満
×：レジスト層除去処理後において、処理前の１．２倍以上
＜露出部分の平均厚さ＞
◎：レジスト層除去処理後において、処理前の０．９５倍以上
○：レジスト層除去処理後において、処理前の０．９倍以上、０．９５倍未満
△：レジスト層除去処理後において、処理前の０．８倍以上、０．９倍未満
×：レジスト層除去処理後において、処理前の０．８倍未満
この結果を、表１に示す。
【００５４】
【表１】
2005193210.tif 000003
【００５５】
表１に示すように、各実施例で処理が行われた被処理部材は、いずれも、境界部の段差の高さ、および、露出部分の平均厚さが、レジスト層除去処理前とほぼ等しいものであった。このことから、各実施例で処理が行われた被処理部材は、第１金属層の腐食が抑えられていることが明らかとなった。
これに対して、各比較例で処理が行われた被処理部材は、特に境界部の段差の高さが極端に大きくなり、第１金属層の腐食が生じていることが明らかとなった。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の有機物除去方法により有機物の除去処理が施される金属積層体を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１……基材  ２……金属積層体  ２１……第１金属層  ２２……第２金属層  ３……有機物
【図１】
2005193210.tif 000004