(57)【要約】【課題】  半導体基板の主面の微小電子機械機構を気密封止して電子装置を製造する際の生産性、電気応答性、電磁ノイズ特性に優れた電子部品封止用基板、および電子装置の製造方法を提供すること。【解決手段】  一方主面から他方主面等に導出された配線導体２が形成された絶縁基板１と、その一方主面に形成された、配線導体２と接続された接続パッド３と、絶縁基板１の一方主面に接続パッド３を囲むように接合された枠部材４と、接続パッド３上に形成された枠部材４と同じ高さの接続端子５と、絶縁基板１中に絶縁層１３を介して互いに対向配置された一対の容量形成用電極１２とから成り、半導体基板７の主面に微小電子機械機構８およびこれに接続された電極９が形成された電子部品１０が、電極９を接続端子５に接合し、半導体基板７の主面を枠部材４の主面に接合されることによって、枠部材４の内側に微小電子機械機構８を気密封止する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方主面から他方主面または側面に導出された配線導体が形成された絶縁基板と、該絶縁基板の前記一方主面に形成された、前記配線導体と電気的に接続された接続パッドと、前記絶縁基板の前記一方主面に前記接続パッドを取り囲むようにして接合された枠部材と、前記接続パッド上に形成された、前記枠部材と同じ高さの接続端子と、前記絶縁基板中に絶縁層を介して互いに対向配置された一対の容量形成用電極とから成り、半導体基板の主面に微小電子機械機構およびこれに電気的に接続された電極が形成されて成る電子部品が、前記電極が前記接続端子に接合され、前記半導体基板の前記主面が前記枠部材の主面に接合されることによって、前記枠部材の内側に前記電子部品の前記微小電子機械機構が気密封止されることを特徴とする電子部品封止用基板。
【請求項２】
前記絶縁層は、誘電率が前記絶縁基板よりも高いことを特徴とする請求項１記載の電子部品封止用基板。
【請求項３】
前記容量形成用電極は、一方が接地電位とされて前記配線導体に接続されていることを特徴とする請求項２記載の電子部品封止用基板。
【請求項４】
前記接続パッドおよび前記接続端子が内側に形成された前記枠部材が多数個縦横に配列形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品封止用基板。
【請求項５】
半導体基板の主面に、微小電子機械機構およびこれに電気的に接続された電極が形成されて成る電子部品領域を多数個縦横に配列形成した電子部品を準備する工程と、一方主面から他方主面または側面に導出された配線導体が形成されるとともに内部に絶縁層を介して互いに対向配置された容量形成用電極が設けられた絶縁基板と、該絶縁基板の前記一方主面に形成された、前記配線導体と電気的に接続された接続パッドと、前記絶縁基板の前記一方主面に前記接続パッドを取り囲むようにして接合された枠部材と、前記接続パッド上に形成された、前記枠部材と同じ高さの接続端子とから成る電子部品封止領域を多数個前記電子部品の前記電子部品領域に対応させて配列形成した電子部品封止用基板を準備する工程と、前記電子部品における前記電極を前記接続端子に接合するとともに、前記微小電子機械機構の周囲の前記半導体基板の前記主面を前記枠部材の主面に接合して、前記微小電子機械機構を前記枠部材の内側に気密封止する工程と、互いに接合された前記電子部品および前記電子部品封止用基板を前記電子部品封止領域毎に分割して、前記電子部品封止領域に前記電子部品領域が接合されて成る個々の電子装置を得る工程とを具備することを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板の主面に、微小電子機械機構およびこれに電気的に接続された電極が形成されて成る電子部品領域を形成して成る電子部品を封止するための電子部品封止用基板、およびそれを用いて電子部品の微小電子機械機構を封止することにより形成される電子装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、シリコンウェーハ等の半導体基板の主面に、半導体集積回路素子等の微細配線を形成する加工技術を応用して、極めて微小な電子機械機構、いわゆるＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）を形成した電子部品が注目され、実用化に向けて開発が進められている。
【０００３】
このような微小電子機械機構としては、加速度計、圧力センサ、アクチュエータ等のセンサや、微細な鏡面体を可動式に形成したマイクロミラーデバイス、光デバイス、あるいはマイクロポンプ等を組み込んだマイクロ化学システム等、非常に広い分野にわたるものが試作、開発されている。
【０００４】
そのような微小電子機械機構を形成した電子部品を用いて電子装置を構成するための従来の電子部品封止用基板およびそれを用いて成る電子装置の一例を図５に断面図で示す。図５に示す例では、微小電子機械機構２２が形成された半導体基板２１の主面には、微小電子機械機構２２に電力を供給したり、微小電子機械機構２２から外部の電気回路に電気信号を送り出したりするための電極２３が微小電子機械機構２２と電気的に接続されて形成されており、これら半導体基板２１、微小電子機械機構２２および電極２３により、１つの電子部品２４が構成される。
【０００５】
なお、この電子部品２４は、通常、後述するように半導体基板２１の主面に多数個が縦横に配列形成された多数個取りの形態で形成した後、個々の半導体基板２１に切断することにより製作されるので、この切断の際に切削粉等の異物が微小電子機械機構２２に付着して作動の妨げになることを防止するために、ガラス板２５等で覆われて保護されている。
【０００６】
そして、電子部品２４を、電子部品収納用の凹部Ａを有するパッケージ３１の凹部Ａ内に収納するとともに、電子部品２４の電極２３をパッケージ３１の電極パッド３２にボンディングワイヤ３３等の導電性接続材を介して接続した後、パッケージ３１の凹部Ａを蓋体３４で覆って電子部品２４を凹部Ａ内に気密封止することにより、電子装置として完成する。この場合、電子部品２４は、微小電子機械機構２２の動作を妨げないようにするため、中空状態で気密封止する必要がある。
【０００７】
この電子装置について、予めパッケージ３１の電極パッド３２から外表面に導出するようにして形成しておいた配線導体３５の導出部分を外部電気回路に接続することにより、気密封止された微小電子機械機構２２が、電極２３、ボンディングワイヤ３３、電極パッド３２および配線導体３５を介して外部の電気回路と電気的に接続される。
【０００８】
また、電子部品２４は、通常、広面積の半導体基板の主面に多数個を縦横に配列形成させることにより製作されており、この場合の電子装置の製造方法は、従来、以下のようなものであった。すなわち、（１）半導体基板の主面に、微小電子機械機構２２およびこれに電気的に接続された電極２３が形成されて成る電子部品領域を多数個、縦横に配列形成した電子部品を準備する工程と、（２）各電子部品の微小電子機械機構２２を、その周囲が中空状態となるようにして、ガラス板２５等で覆って封止する工程と、（３）半導体基板にダイシング加工等の切断加工を施して、個々の電子部品２４に分割する工程と、（４）個々の電子部品２４を、電子部品収納用パッケージ３１内に気密封止する工程と、により製作される。
【０００９】
このような従来の製造方法においては、半導体基板の主面に配列形成された多数の電子部品領域の１個ずつをガラス板２５等で封止して保護しておく必要があること、また、一旦ガラス板２５で封止した電子部品を、個片の電子部品２４に分割した後、改めてパッケージ３１内に気密封止するとともに、その電極２３をパッケージ３１の電極パッド３２等に接続して外部接続させる必要があること等のため、生産性が悪く、実用化が難しいという問題があった。
【００１０】
この問題に対し、半導体基板の主面に配列形成された多数個の微小電子機械機構２２を一括して覆い、封止するような基板が提案されている。封止用の基板としては、半導体基板を材料とするものや導電性の金属板等を材料にするもの等が知られている。
【００１１】
半導体基板を材料とする場合は、例えば、主面に多数個の電子部品領域が配列形成された第１の半導体基板とは別に、電子部品領域の配列に対応させて多数の凹部を配列形成した封止用の第２の半導体基板を準備し、第１の半導体基板の主面上に第２の半導体基板を、第２の半導体基板の凹部が第１の半導体基板の電子部品領域を覆うようにして接合し、第２の半導体基板の内側に第１の半導体基板の電子部品領域（特に微小電子機械機構）を封止するようにした技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１２】
また、導電性を有する金属板等の基板を材料とする場合、導電性を有するカバー用の基板にパターン溝を形成するとともに、このパターン溝をガラスやセラミック材料で充填して平坦化させた後、その上にボンディングパターン（電極パッド等）を形成し、このボンディングパターンに電子部品の電極を接続するとともに導電性のカバー用基板を半導体基板の主面に接合し、その後、電子部品領域をセラミックやガラス等で封着するとともに、ボンディングパターンを外部に導出するための外部配線用電極パターンを形成するようにした技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００１−１４４１１７号公報
【特許文献２】特開２００２−４３４６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、このような従来の封止用基板を用いて半導体基板の主面の電子部品領域を封止する場合は、多数個の電子部品領域を一括して封止することはできるものの、例えば、半導体基板を材料とした封止用基板の場合、半導体基板の内部に３次元状の配線導体を形成することができないため、封止用の（第２の）半導体基板の、電子部品領域が配列形成された（第１の）半導体基板に接合される主面から対向する他方主面にかけて配線導体を導出することができず、電子部品の電極は、第１の半導体基板の主面に形成された電極の一部を封止部の外側に延出させるとともに、この延出部をボンディングワイヤを介して電子部品収納用パッケージの電極パッドや外部の電気回路に接続する必要があり、実装工程（電子部品領域の封止から電子装置として完成させて外部電気回路に接続するまでの工程）が長く、また、個々の電子装置のサイズが大きくなってしまうという問題が残る。また、電子装置を組み込んだ電子システムの小型化に有利な、表面実装ができないという問題もある。
【００１４】
また、導電性の金属板等を材料とした封止用基板の場合、金属板に電極パッド等の導体パターンを形成することができるように、一旦ガラスやセラミックスで金属板の表面に形成したパターン溝等を埋めて絶縁部を形成したり、その絶縁部の表面に、実装工程の途中で導体部を形成したりする必要があるため、この場合も電子部品の実装工程を短くすることが困難であるという問題がある。
【００１５】
また、微小電子機械機構（ＭＥＭＳ）を形成した電子部品においては、近年、微小電子機械機構の高精度駆動が行われることから、外部からの直流電圧やバックグラウンドの電圧のドリフトや静電気などによって、微小電子機械機構の外部から侵入するこれらの低周波ノイズの影響を受けやすく、配線導体を伝わり外部より伝播してきたこれら低周波ノイズにより電気特性の変化や微小電子機械機構領域の破壊などが起こるとともに、配線導体を伝播する信号に含まれる低周波ノイズが電子部品の外部に放出され易いものとなっているという問題点がある。
【００１６】
さらに近年、微小電子機械機構の応答精度の上昇、長時間駆動などのことが行われることから、微小電子機械機構の消費電力の向上、電力応答性の向上が求められてきている。また、消費電力が不足することから、微小電子機械機構の応答時間の増加による駆動応答性能の減少や、電気特性の変化や微小電子機械機構領域の破壊などが起こるものとなっている問題点があり、さらにこの問題点を解決するために、大容量のチップコンデンサを微小電子機械機構の近傍に実装する手法が取られており、実装面積が大きくなるという問題点もあった。
【００１７】
本発明は、上記従来の技術における諸問題に鑑みて完成されたものであり、その目的は、半導体基板の主面に形成された微小電子機械機構を容易かつ確実に封止することができるとともに、微小電子機械機構と接続された半導体基板の主面に形成されている電極を容易かつ確実に外部接続させることができるものとすることにある。
【００１８】
さらに、その目的は微小電子機械機構を表面実装が可能な形態で外部接続させることができるものとすることにある。
【００１９】
またさらに、その目的は、微小電子機械機構が、外部からの直流電圧、バックグラウンドの電圧ドリフト、静電気、外部からの侵入する低周波ノイズなどにより破壊されるなどの影響を受けにくくするとともに、低周波ノイズが外部に放出されるのをふせぐことができるものとすることにある。
【００２０】
また、消費電力が不足することから、微小電子機械機構の応答時間の増加による駆動応答性能の減少や、電気特性の変化や微小電子機械機構領域の破壊などが起こるのを防止するとともに、実装面積の小さな電子部品封止用基板を提供することにある。
【００２１】
また本発明の他の目的は、このような微小電子機械機構および電極から成る電子部品領域が半導体基板の主面に多数個縦横に配列形成されていたとしても、これらを容易かつ確実に封止することが可能な封止用基板を提供するとともに、この封止用基板を用いて、微小電子機械機構が封止されて成る多数個の電子装置を、例えば表面実装が可能な形態で一括して形成することが可能な電子装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明の電子部品封止用基板は、一方主面から他方主面または側面に導出された配線導体が形成された絶縁基板と、該絶縁基板の前記一方主面に形成された、前記配線導体と電気的に接続された接続パッドと、前記絶縁基板の前記一方主面に、前記接続パッドを取り囲むようにして接合された枠部材と、前記接続パッド上に形成された、前記枠部材と同じ高さの接続端子と、前記絶縁基板中に絶縁層を介して互いに対向配置された一対の容量形成用電極とから成り、半導体基板の主面に微小電子機械機構およびこれに電気的に接続された電極が形成されて成る電子部品が、前記電極を前記接続端子に接合し、前記半導体基板の前記主面を前記枠部材の主面に接合されることによって、前記枠部材の内側に前記電子部品の前記微小電子機械機構を気密封止することを特徴とするものである。
【００２３】
また本発明の電子部品封止用基板は、好ましくは、前記絶縁層は、誘電率が前記絶縁基板よりも高いことを特徴とするものである。
【００２４】
また本発明の電子部品封止用基板は、好ましくは、前記容量形成用電極は、一方が接地電位とされて前記配線導体に接続されていることを特徴とするものである。
【００２５】
また本発明の電子部品封止用基板は、上記構成において好ましくは、前記接続パッドおよび前記接続端子が内側に形成された前記枠部材が多数個縦横に配列形成されていることを特徴とするものである。
【００２６】
また本発明の電子装置の製造方法は、半導体基板の主面に、微小電子機械機構およびこれに電気的に接続された電極が形成されて成る電子部品領域を多数個、縦横に配列形成した電子部品を準備する工程と、一方主面から他方主面または側面に導出された配線導体が形成された絶縁基板と、この絶縁基板の前記一方主面に形成された、前記配線導体と電気的に接続された接続パッドと、前記絶縁基板の前記一方主面に前記接続パッドを取り囲むようにして接合された枠部材と、前記接続パッド上に形成された、前記枠部材と同じ高さの接続端子とから成る電子部品封止領域を多数個、前記電子部品の電子部品領域に対応させて配列形成した電子部品封止用基板を準備する工程と、前記電子部品を、前記電極を前記接続端子に接合するとともに、前記微小電子機械機構の周囲の前記半導体基板の前記主面を前記枠部材の主面に接合して、前記微小電子機械機構を前記枠部材の内側に気密封止する工程と、互いに接合された前記電子部品および前記電子部品封止用基板を前記電子部品封止領域毎に分割して、前記電子部品封止領域に前記電子部品領域が接合されて成る個々の電子装置を得る工程とを具備することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の電子部品封止用基板によれば、一方主面から他方主面または側面に導出された配線導体が形成された絶縁基板と、絶縁基板の一方主面に形成された、配線導体と電気的に接続された接続パッドと、絶縁基板の一方主面に、接続パッドを取り囲むようにして接合された枠部材と、接続パッド上に形成された、枠部材と同じ高さの接続端子と、絶縁基板中に絶縁層を介して互いに対向配置された一対の容量形成用電極とから成り、半導体基板の主面に微小電子機械機構およびこれに電気的に接続された電極が形成されて成る電子部品を、電極を接続端子に接合し、半導体基板の主面を枠部材の主面に接合させることによって、枠部材の内側に電子部品の微小電子機械機構を気密封止するようにしたことから、枠部材の主面を半導体基板の主面に接合させるだけで、電子部品の微小電子機械機構を、枠部材と絶縁基板とにより容易かつ確実に封止することができる。
【００２８】
また、枠部材の主面の高さが、接続パッド上に形成された接続端子の高さと同じであるので、枠部材の主面を半導体基板の主面に接合するときに、半導体基板の主面に形成されている電極を接続端子に容易かつ確実に接続することができる。また、接続端子から接続パッドおよび配線導体を介して、電子部品の電極を外部に導出することもできる。
【００２９】
また、絶縁基板中には容量形成用電極および絶縁層から成るコンデンサが内蔵されているので、コンデンサは低周波信号に対し高いインピーダンスを有するものとなり、微小電子機械機構の駆動中に外部より低周波ノイズが伝播してきても、低周波ノイズはコンデンサによって選択的にカットされ微小電子機械機構に対する悪影響を大幅に低減することができる。
【００３０】
また、好ましくは、コンデンサを形成する絶縁層が誘電率が絶縁基板よりも高いことによって、大容量のコンデンサを絶縁基板中に形成することができ、従来微小電子機械機構の電子部品封止用基板の外部に実装されていた大容量コンデンサを実装する必要が無くなり、実装面積を小さくすることができる。
【００３１】
また、好ましくは、容量形成用電極は、一方が接地電位とされて配線導体に接続されていることにより、駆動中の微小電子機械機構の消費電力が突然大きくなってもコンデンサに蓄積されていた電力によって即座に電力供給が行われるため、微小電子機械機構の消費電力が不足することによる駆動応答性能の劣化や、電気特性の変化や微小電子機械機構領域の破壊などが起こりにくくなる。
【００３２】
また、本発明の電子部品封止用基板は、例えばセラミック多層配線基板等の絶縁基板を用いて形成したものとすることにより、配線導体を接続パッドや枠部材が形成接合されている一方主面から他方主面や側面にかけて基板の内部や表面に自由に形成して導出させることができ、この導出された端部に外部接続用の金属バンプを取着させること等により、容易に表面実装することが可能な電子装置として作製することができる。
【００３３】
また本発明の電子部品封止用基板は、好ましくは、接続パッドおよび接続端子が内側に形成された枠部材を多数個縦横に配列形成した場合、半導体基板の主面に多数の電子部品領域が縦横に配列形成されていたとしても、これらを一括して外部接続が可能として封止することができる。
【００３４】
本発明の電子装置の製造方法によれば、上記各工程を具備することから、縦横に配列形成された多数個の電子部品領域について、それぞれの電極の外部接続のための接続と微小電子機械機構の封止とを同時に行なうことができるため、互いに接合された電子部品および電子部品封止用基板から成る電子装置を、容易かつ確実に多数個製造することができる。
【００３５】
また、互いに接合された電子部品および電子部品封止用基板を電子部品封止領域毎に分割することにより、電子部品封止領域に電子部品領域が接合されて成る個々の電子装置を多数個同時に製造することができる。また、この分割の際、電子部品領域の微小電子機械機構は封止用基板により封止されているので、ダイシング加工等による分割で発生するシリコン等の半導体基板の切削粉が微小電子機械機構に付着することはなく、分割後の電子装置において微小電子機械機構を確実に作動させることができる。
【００３６】
また、分割して得られた電子装置は、絶縁基板の他方主面や側面に配線導体が導出されているので、この導出された端部に金属バンプ等の端子を取着するだけで、表面実装等により外部伝記回路基板に実装することができるものとなり、実装の工程を非常に短く、かつ容易なものとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
本発明の電子部品封止用基板およびそれを用いた電子装置の製造方法について以下に詳細に説明する。
【００３８】
図１は本発明の電子部品封止用基板の実施の形態の一例を示す断面図である。図１において、１は絶縁基板、２は配線導体、３は接続パッド、４は枠部材、５は接続端子である。これら絶縁基板１、配線導体２、接続パッド３、枠部材４および接続端子５により電子部品封止用基板６が形成される。
【００３９】
この電子部品封止用基板６を用いて、半導体基板７の主面（図１の例では下面）に、微小電子機械機構８と電極９とを互いに電気的に接続して形成して成る電子部品１０を封止することにより、微小電子機械機構８が外部接続可能な状態で封止されて成る電子装置が形成される。
【００４０】
本発明における微小電子機械機構（以下、ＭＥＭＳともいう）８は、例えば電気スイッチ、インダクタ、キャパシタ、共振器、アンテナ、マイクロリレー、光スイッチ、ハードディスク用磁気ヘッド、マイク、バイオセンサー、ＤＮＡチップ、マイクロリアクタ、プリントヘッド、加速度センサ、圧力センサなどの各種センサ、ディスプレイデバイスなどの機能を有する電子装置であり、半導体微細加工技術を基本とした、いわゆるマイクロマシニングで作製される部品であり、１素子あたり１０μｍ〜数１００μｍ程度の寸法を有する。
【００４１】
絶縁基板１は、微小電子機械機構８を封止するための蓋体として機能するとともに、配線導体２、接続パッド３、枠部材４および接続端子５を形成するための基体として機能する。この絶縁基板１は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等のセラミックス材料や、ポリイミド、ガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂材料、セラミックスやガラス等の無機粉末をエポキシ樹脂等の有機樹脂で結合して成る複合材等により形成される。絶縁基板１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウムとガラス粉末等の原料粉末をシート上に成形して成るグリーンシートを積層し、焼成することにより形成される。
【００４２】
なお、絶縁基板１は、酸化アルミニウム質焼結体から成るものに限らず、用途や気密封止する電子部品１０の特性等に応じて適したものを選択することが好ましい。例えば、絶縁基板１は、後述するように枠部材４を介して半導体基板７と機械的に接合されるので、半導体基板７との接合の信頼性、つまり微小電子機械機構８の封止の気密性を高くするためには、ムライト質焼結体や、例えばガラス成分の種類や添加量を調整することにより熱膨張係数を半導体基板７に近似させるようにした酸化アルミニウム−ホウ珪酸ガラス系等のガラスセラミックス焼結体等のような、半導体基板７との熱膨張係数の差が小さい材料で形成することが好ましい。
【００４３】
また、絶縁基板１は、配線導体２により伝送される電気信号の遅延を防止するような場合には、ポリイミド、ガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂材料、セラミックスやガラス等の無機粉末をエポキシ樹脂等の有機樹脂で結合して成る複合材、または、酸化アルミニウム−ホウ珪酸ガラス系や酸化リチウム系等のガラスセラミックス焼結体等のような比誘電率の小さい材料で形成することが好ましい。
【００４４】
また、絶縁基板１は、封止する微小電子機械機構８の発熱量が大きく、この熱の外部への放散性を良好とするような場合には、窒化アルミニウム質焼結体等のような熱伝導率の大きな材料で形成することが好ましい。
【００４５】
また、絶縁基板１の一方主面に、電子部品１０の微小電子機械機構８を内側に収めるような凹部１ａを形成しておいてもよい。凹部１ａ内に微小電子機械機構８の一部を収めるようにしておくと、微小電子機械機構８を取り囲むための枠部材４の高さを低く抑えることができ、電子装置の低背化に有利なものとなる。
【００４６】
絶縁基板１の一方主面（微小電子機械機構８を封止する側）からは、他方主面または側面に配線導体２が導出されている。
【００４７】
また、この絶縁基板１の一方主面側の枠部材４の内側の部位には、配線導体２と接続された接続パッド３が形成されている。
【００４８】
これらの配線導体２および接続パッド３は、接続パッド３上に形成される接続端子５を介して電子部品１０の電極９と電気的に接続され、これを絶縁基板１の他方主面や側面に導出する機能を有する。
【００４９】
これらの配線導体２および接続パッド３は、銅、銀、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料により形成される。この形成の手段としては、メタライズ層、めっき層、蒸着等の金属を薄膜層として被着させる手段を用いることができる。例えば、タングステンのメタライズ層から成る場合であれば、タングステンのペーストを絶縁基板１となるグリーンシートに印刷してこれをグリーンシートとともに焼成することにより形成される。
【００５０】
接続端子５は、錫−銀系、錫−銀−銅系等の半田、金−錫ろう等の低融点ろう材、銀−ゲルマニウム系等の高融点ろう材、導電性有機樹脂、あるいはシーム溶接、電子ビーム溶接等の溶接法による接合を可能とするような金属材料等により形成されている。
【００５１】
この接続端子５を電子部品１０の電極９に接合することにより、電子部品１０の電極９が、接続端子５、接続パッド３および配線導体２を介して、絶縁基板１の他方主面または側面に導出される。そして、この導出された端部を外部の電気回路に錫−鉛半田等を介して接合することにより、電子部品１０の電極９が外部の電気回路と電気的に接続される。
【００５２】
また、絶縁基板１の一方主面には、接続パッド３を取り囲むようにして枠部材４が接合されている。
【００５３】
枠部材４は、電子部品１０の微小電子機械機構８をその内側に気密封止するための側壁として機能する。
【００５４】
この枠部材４の主面（図１の例では上面）を電子部品１０の主面（図１の例では下面）に接合させることにより、枠部材４の内側に微小電子機械機構８が気密封止される。なお、この場合、半導体基板７が底板となり、絶縁基板１が蓋体となる。
【００５５】
枠部材４は、鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の鉄−ニッケル系合金、無酸素銅、アルミニウム、ステンレス鋼、銅−タングステン合金、銅−モリブデン合金等の金属材料や、酸化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等の無機系材料、あるいはＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂系材料等により形成される。
【００５６】
また、枠部材４の主面を電子部品１０の半導体基板７の主面に接合する方法としては、錫−銀系等の半田，金−錫ろう等の低融点ろう材，銀−ゲルマニウム系等の高融点ろう材，導電性有機樹脂等の接合材を介して接合する方法、あるいはシーム溶接、電子ビーム溶接等の溶接法を用いることができる。
【００５７】
そして、半導体基板７の主面に微小電子機械機構８およびこれに電気的に接続された電極９が形成されて成る電子部品１０について、電極９を接続端子５に接合し、半導体基板７の主面を枠部材４の主面に接合させることによって、枠部材４の内側に電子部品１０の微小電子機械機構８が気密封止された電子装置が形成される。
【００５８】
そして、絶縁基板１中には容量形成用電極１２が内蔵されている。容量形成用電極１２および絶縁層１３によるコンデンサ（キャパシタ成分）は、低周波信号に対し高いインピーダンスを有するものとなり、ＭＥＭＳ８の駆動中に外部より低周波ノイズが伝播してきても、低周波ノイズはコンデンサによって選択的にカットされＭＥＭＳ８に対する悪影響を低減することができる。
【００５９】
この容量形成用電極１２は配線導体２および接続パッド３と同様に作製される。一対の容量形成用電極１２としての導体パターンは、たとえば四角型、丸型などの同じ形状のものが上下に重なっているものとなっている。また、容量形成用電極１２および絶縁層１３によって形成されるコンデンサのキャパシタンスは０．５〜５０ｐＦ程度がよい。０．５ｐＦよりも小さくなると、ノイズがカットされなくなる、作製の際に公差の影響をうけるなどの点で不利になる。５０ｐＦよりも大きくなると、小型化が困難になるとともに作製の際の難易度が上がるなどの観点から不利になる。
【００６０】
そして、絶縁層１３は上下面が容量形成用電極１２に挟まれて絶縁基板１の内部に配置されている。この絶縁層１３は、絶縁基板１と同じ材料からなっていてもよい。
【００６１】
この電子装置のうち配線導体２の導出部分を、半田ボール等の外部端子１１を介して外部の電気回路に接続することにより、微小電子機械機構８が外部電気回路と電気的に接続される。
【００６２】
なお、図１に示すように、枠部材４が接合される絶縁基板１の主面に、接続パッド３と同様の材料により導体層３ａを形成しておき、この導体層３ａから絶縁基板１の他方主面にかけて配線導体２の一部を導出させるようにしてもよい。この導体層３ａから導出された配線導体２の導出部分は、上述の外部端子１１等を介して外部電気回路の接地用端子等に接続することができる。この場合、接続端子５と電極９との接合、および枠部材４の主面と半導体基板７の主面との接合を一つの工程で確実かつ容易に行なうことを可能とするために、接続端子５の高さと枠部材４の高さとは同じ高さとしておく必要がある。
【００６３】
図２に本発明の実施の形態の他の例を示す。絶縁層１３は、誘電体粉末と焼結助剤と有機樹脂バインダと有機溶剤とからなる誘電体層用ペーストを印刷形成して、絶縁基板１と同時焼成することにより作製される。誘電体粉末としては、例えば、ＢａＴｉＯ３の他に、ＳｒＴｉＯ３，ＭｇＴｉＯ３，ＢａＺｒＯ３のようなペロブスカイト構造を有するもの等が挙げられる。
【００６４】
焼結助剤としては、例えばＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系，ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系，ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す）ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（但し、Ｍ３はＬｉ，ＮａまたはＫを示す），ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（但し、Ｍ３は上記と同じである），Ｐｂ系ガラス，Ｂｉ系ガラス等のガラス、またはＣｕＯ等の金属酸化物が挙げられる。
【００６５】
絶縁層用ペーストに用いられる有機樹脂バインダおよび有機溶剤としては、絶縁基板１となるセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）との同時焼成が可能であれば特に制限されるものではなく、例えばグリーンシートに配合される有機樹脂バインダ，有機溶剤と同様のものが使用可能である。
【００６６】
この場合、容量形成用電極１２は、ＣｕまたはＡｇの粉末を８５〜９９.５質量部、チタン酸バリウム結晶を析出する結晶化ガラスを０.５〜１５質量部含むとともに、有機樹脂バインダおよび有機溶剤を含んで成る電極ペーストを印刷形成して、グリーンシートと同時焼成することにより作製される。
【００６７】
チタン酸バリウム結晶を析出する結晶化ガラスの組成比は、焼成時に誘電体層１と電極層２との界面はがれを生じない、ＣｕまたはＡｇの粉末に対して最小の比率であることが好ましい。結晶化ガラスのガラス組成比がＣｕまたはＡｇの粉末に対して１５質量部を超える場合、焼成時に容量形成用電極１２のガラス成分が絶縁層１３へ多く流入して、絶縁層１３の特性を劣化させやすい傾向がある。他方、結晶化ガラスのガラス組成比が０.５質量部未満の場合、結晶化ガラスが少ないため、ＢａＴｉＯ３との濡れ性の良い部分が少なくなることにより、焼成時に絶縁層１３と容量形成用電極１２との界面はがれが生じやすい傾向がある。
【００６８】
ＣｕまたはＡｇの粉末は、絶縁基板１用の電極として用いる場合には、同時焼成時の絶縁基板１の成分と絶縁層１３の成分との相互拡散を抑えるために、直径５μｍ以下の粒径の細かいものであることが好ましい。
【００６９】
結晶化ガラスは、その結晶化の際にＢａＯとＴｉＯ２が結合してＢａＴｉＯ３結晶を析出するものである。主相としてＢａＴｉＯ３結晶を析出するため、結晶化ガラスが焼成時の拡散により絶縁層１３の内部に流入しても絶縁層１３の特性を劣化させることがない。また、結晶化ガラスの容量形成用電極１２への添加により絶縁層１３と容量形成用電極１２との濡れ性が向上し、焼成時の界面はがれの発生を防ぐことが可能となる。
【００７０】
本発明の結晶化ガラスは、そのガラス組成比が、ＢａＯを５５.１〜５９.７質量％、ＴｉＯ２を２４.０〜２６.０質量％、ＳｉＯ２を７.７〜１１.３質量％、Ａｌ２Ｏ３を６.６〜９.７質量％、ＳｒＯを０.７質量％以下、Ｎａ２Ｏを０.５質量％以下、ＣａＯを０.４質量％以下含むものであり、各成分の合計が１００質量％となるように調整する。ＴｉＯ２，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＳｒＯ，Ｎａ２Ｏ，ＣａＯは、ガラス化のための網目形成酸化物、中間酸化物、網目修飾酸化物であるため、ガラス化するための最小の比率であることが好ましい。ＢａＯが５９.７質量％を超え、ＴｉＯ２が２６.０質量％を超え、ＳｉＯ２が７.７質量％を超え、Ａｌ２Ｏ３が６.６質量％未満の場合、この組成物をガラス化させることが困難となりやすい。また、ＢａＯが５５.１質量％未満、ＴｉＯ２を２４.０質量％未満、ＳｉＯ２が１１.３質量％未満、Ａｌ２Ｏ３が９.７質量％を超え、ＳｒＯが０.７質量％を超え、Ｎａ２Ｏが０.５質量％を超え、ＣａＯが０.４質量％を超える場合、ＢａＯ，ＴｉＯ２以外の成分の絶縁基板１内部への流入量が多くなり、絶縁基板１の特性を劣化させやすい傾向がある。
【００７１】
また、誘電率の高い結晶を析出させるガラスとして、ＢａＴｉＯ３を析出するものの他に、ＮａＮｂ２Ｏ５を析出するものもあるが、電極ペースト中に含まれるガラスは、絶縁基板１の結晶相と同じ結晶相を析出するものが好ましい。すなわち、絶縁層１３の主成分がＢａＴｉＯ３ならばＢａＴｉＯ３を析出する結晶化ガラスを、絶縁層１３の主成分がＮａＮｂ２Ｏ５ならばＮａＮｂ２Ｏ５を析出する結晶化ガラスを電極ペースト用の添加物として使用することが好ましい。
【００７２】
また、絶縁基板１中のコンデンサによって蓄積された電力は、微小電子機械機構８の電力が突然必要になったときに速やかに消費されるので、駆動中の微小電子機械機構８への悪影響を低減することができる。
【００７３】
一対の容量形成用電極１２としての導体パターンは、たとえば四角型、丸型などの同じ形状のものが上下に重なっているものとなっている。また、容量形成用電極１２および絶縁層１３によるコンデンサのキャパシタンスは５０ｐＦ〜１０ｎＦ程度がよい。５０ｐＦよりも小さくなると、蓄積される電力が小さくなり、作製の際に公差の影響をうけるなどの点で不利になる。１０ｎＦよりも大きくなると、小型化が困難になるとともに作製の際の難易度が上がるなどの点で不利になる。
【００７４】
そして、絶縁層１３の比誘電率は５０〜５０００程度が好ましく、比誘電率５０以下ではキャパシタ成分が大きくならず、比誘電率５０００以上では絶縁基板１との同時焼成が困難なものとなる。
【００７５】
また、容量形成用電極１２の一方が接地されていることが好ましく、この場合容量形成用電極１２の一方が絶縁基板１外部の接地電極に電気的に接続されている。この場合、駆動中の微小電子機械機構８の消費電力が突然大きくなってもコンデンサに蓄積されていた電力によって即座に電力供給が行われるため、微小電子機械機構８の消費電力が不足することによる駆動応答性能の劣化や、電気特性の変化や微小電子機械機構領域の破壊などが起こりにくくなる。
【００７６】
また、本発明の電子部品封止用基板６は、図３に実施の形態の他の例を断面図で示すように、接続パッド３および枠部材４を広面積の母基板の一方主面に縦横に配列形成した、いわゆる多数個取りの形態としておくことが好ましい。なお、図３において、図１および図２と同じ部位には同じ符号を付してある。
【００７７】
このような多数個取りの形態としておくと、半導体基板７の主面に微小電子機械機構８およびこれに電気的に接続された電極９が多数個配列形成された多数個取りの形態で製作される電子部品１０を、多数個同時に気密封止することができ、生産性を優れたものとすることができる。
【００７８】
また、半導体基板７の主面に、微小電子機械機構８およびこれに電気的に接続された電極９が多数個配列形成された、多数個取りの形態で製作される電子部品１０を一括して封止しておくと、半導体基板７（および電子部品封止用基板６）にダイシング加工等の切断加工を施して、個々の電子部品１０（電子装置）に分割する際に、切断に伴って発生する切削粉等が微小電子機械機構８に付着してその作動を妨害する、という不具合の発生を効果的に防止することができる。
【００７９】
次に、このような電子部品封止用基板６を用いた電子装置の製造方法について、図４（ａ）〜（ｅ）に基づいて説明する。図４は本発明の電子装置の製造方法の実施の形態の一例をそれぞれ工程順に示した断面図であり、図４において図１〜図３と同じ部位には同じ符号を付してある。
【００８０】
まず、図４（ａ）に示すように、半導体基板７の主面に、微小電子機械機構８およびこれに電気的に接続された電極９が形成されて成る電子部品領域１０ａを多数個、縦横に配列形成した多数個取りの電子部品１０ｂを準備する。
【００８１】
半導体基板７は、例えば単結晶や多結晶等のシリコン基板から成る。
【００８２】
このシリコン基板の表面に酸化シリコン層を形成するとともに、フォトリソグラフィ等の微細配線加工技術を応用して、微小な振動体等の微小電子機械機構８および円形状パターン等の導体から成る電極９が形成された電子部品領域１０ａを多数個配列形成することにより多数個取りの電子部品１０ｂが形成される。なお、この例においては、微小電子機械機構８と電極９とは、それぞれ半導体基板７の主面に形成された微細配線（図示せず）を介して電気的に接続されている。
【００８３】
次に、図４（ｂ）に示すように、一方主面から他方主面または側面に導出された配線導体２が形成された絶縁基板１と、この絶縁基板１の一方主面に形成された、配線導体２と電気的に接続された接続パッド３と、絶縁基板１の一方主面に接続パッド３を取り囲むようにして接合された枠部材４と、接続パッド３上に形成された、枠部材４と同じ高さの接続端子５とから成る電子部品封止領域６ａを多数個、電子部品の電子部品領域１０ａに対応させて配列形成した多数個取りの電子部品封止用基板６ｂを準備する。
【００８４】
一方主面から他方主面または側面に導出された配線導体２が形成された絶縁基板１は、例えば、絶縁基板１が酸化アルミニウム質焼結体から成り、配線導体２がタングステンのメタライズ層から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化カルシウム等の原料粉末を、有機樹脂、バインダとともに混練してスラリーを得て、このスラリーをドクターブレード法やリップコータ法等によりシート状に成形して複数のグリーンシートを形成し、このグリーンシートの表面に、および必要に応じてグリーンシートに予め形成しておいた貫通孔内に、タングステンのメタライズペーストを印刷塗布、充填し、その後、これらのグリーンシートを積層して焼成することにより形成することができる。
【００８５】
なお、これらのグリーンシートのうち、一部のものに打ち抜き加工を施して四角形状等の開口部を形成しておき、これを一方主面側の最表層に配置し、または最表層から内部に向かって数層積層するようにして、焼成後の絶縁基板１の一方主面に、電子部品領域１０ａの配列に対応する凹部１ａが配列形成されるようにしておいてもよい。このように凹部１ａを形成しておくと、この凹部１ａの内側に微小電子機械機構８を収めることができるので、微小電子機械機構８を取り囲むための枠部材４の高さを低く抑えることができ、電子装置の低背化に有利なものとなる。
【００８６】
また、接続パッド３は、通常、配線導体２と同様の材料から成り、例えば、タングステンのペーストを絶縁基板１となるグリーンシートのうち最表面に、配線導体２となる印刷されたタングステンペーストと接続されるようにして、かつ多数個が縦横に配列形成されるようにして、スクリーン印刷法等により印刷しておくことにより形成される。
【００８７】
また、枠部材４は、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金から成る場合であれば、鉄−ニッケル−コバルト合金の金属板に圧延加工や金型による打ち抜き加工またはエッチング加工を行ない、枠状に成形することにより製作される。
【００８８】
枠部材４と絶縁基板１との接合は、錫−銀系等の半田，金−錫ろう等の低融点ろう材や銀−ゲルマニウム系等の高融点ろう材，導電性有機樹脂等の接合材を介して接合する方法、あるいはシーム溶接、電子ビーム溶接等の溶接法により行なうことができる。
【００８９】
この枠部材４と同じ高さとなるようにして、接続端子５が接続パッド３上に形成される。接続端子５は、例えば、錫−銀系等の半田から成る場合であれば、この半田のボールを接続パッド３上に位置決めして加熱、溶融、接合させることにより形成される。
【００９０】
接続端子５の高さを枠部材４の高さと同じとする方法としては、例えば、接続端子５となる錫−銀半田を溶融させて接続パッド３上に取着形成する際に、その上面を枠部材４と同じ高さとなるようにしてセラミックス製の治具等で押さえておく等の方法を用いることができる。
【００９１】
なお、容量形成用電極１２と絶縁層１３は、図１もしくは図２と同じように形成される。
【００９２】
次に、図４（ｃ）に示すように、電子部品１０ｂを電子部品封止用基板６ｂに対し各電子部品領域１０ａと各電子部品封止領域６ａとを対応させて重ね合わせ、電極７を接続端子５に接合するとともに、微小電子機械機構８の周囲の半導体基板７の主面を枠部材４の主面に接合して、微小電子機械機構８を枠部材４の内側に気密封止する。
【００９３】
ここで、電極７と接続端子５との接合は、例えば、接続端子５が錫−銀系半田から成る場合であれば、電極７上に接続端子５を位置合わせして載せ、これらを約２５０℃〜３００℃程度の温度のリフロー炉中で熱処理すること等により行なわれる。
【００９４】
また、微小電子機械機構８の周囲の半導体基板７の主面と枠部材４の主面との接合は、例えば、この接合面に、接続端子５と同様の錫−銀系の半田を挟んでおき、上述の電極７と接続端子５との接合と同時にリフロー炉中で熱処理することにより行なうことができる。
【００９５】
この場合、接続端子５の高さを枠部材４の高さと同じとしていることから、電極７と接続端子５との接合と、枠部材４の主面と半導体基板７の主面との接合を容易かつ確実に、同時に行なうことができる。
【００９６】
このように、本発明の電子装置の製造方法によれば、電子部品領域１０ａの電極７の外部導出のための接合と、微小電子機械機構８の気密封止のための接合とを同時に行なうことができるため、数時間程度を要する半田（ろう）付け等の接合の工程を、従来の製造方法に比べて、確実に少なくとも１工程減らすことができるので、電子装置の生産性を非常に高めることができる。
【００９７】
そして、図４（ｄ）に示すように、互いに接合された多数個取りの形態の電子部品１０ｂおよび電子部品封止用基板６ｂを電子部品封止領域６ａ毎に分割して、電子部品封止領域６ａが分割された電子部品封止用基板６に電子部品領域１０ａが分割された電子部品１０が接合されて成る個々の電子装置を得る。
【００９８】
互いに接合された、それぞれ多数個取りの形態の電子部品１０ｂおよび電子部品封止用基板６ｂの接合体の切断は、この接合体に対して、ダイシング加工等の切断加工を施すことにより行なうことができる。
【００９９】
本発明の電子装置の製造方法においては、このダイシング加工等の切断加工の際に、各微小電子機械機構８は枠部材４の内側でこの枠部材４と半導体基板７と絶縁基板１とにより気密封止されているので、半導体基板７や絶縁基板１等の切断に伴って発生するシリコンやセラミックス等の切削粉等が微小電子機械機構８に付着することはなく、完成した電子装置において、微小電子機械機構８を確実に正常に作動させることができる。
【０１００】
このように、本発明の電子装置の製造方法によれば、従来のように、半導体基板７の主面に多数個を縦横に配列形成した電子部品領域１０ａを切断する際に、その微小電子機械機構８をガラス板等で覆って保護するような工程を別途追加する必要はなく、この、保護のためだけという工程を確実に削除することができるので、電子装置の生産性を非常に高いものとすることができる。
【０１０１】
また、このようにして製造された電子装置は、すでに気密封止されているとともに、その電極が配線導体２を介して外部に導出された状態であるので、これを別途パッケージ内に実装するような工程を追加する必要はなく、配線導体２の導出された部分を外部の電気回路に半田ボール等の外部端子１１を介して接続するだけで、外部電気回路基板に実装して使用することができる。
【０１０２】
また、この場合、配線導体２は、絶縁基体１の他方主面または側面に導出されているので、外部電気回路に表面実装の形態で接続することができ、高密度に実装することや、外部電気回路の基板を効果的に小型化することができる。
【０１０３】
なお、本発明は上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内であれば、種々の変形は可能である。
【０１０４】
例えば、上述の実施の形態の例では一つの電子装置内に一つの微小電子機械機構を気密封止したが、一つの電子装置内に複数の微小電子機械機構を気密封止してもよい。
【０１０５】
また、図１に示した例では、配線導体２は絶縁基板１の他方主面側に導出しているが、これを、側面に導出したり、側面および他方主面の両方に導出したりしてもよい。また、この導出された部分の外部電気回路への電気的な接続は、外部端子として半田ボールを介して行なうものに限らず、リード端子や導電性接着剤等を介して行なってもよい。
【０１０６】
また、容量形成用電極１２は電力の蓄積、ノイズカット、インピーダンス調整のみに用いられるものではなく、その他の用途に用いられてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の電子部品封止用基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の電子部品封止用基板の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図３】本発明の電子部品封止用基板の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の電子装置の製造方法の実施の形態の一例をそれぞれ工程順に示した断面図である。
【図５】従来の電子部品封止用基板およびそれを用いて成る電子装置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１：絶縁基板
２：配線導体
３：接続パッド
４：枠部材
５：接続端子
６：電子部品封止用基板
６ａ：電子部品封止領域
６ｂ：電子部品封止用基板
７：半導体基板
８：微小電子機械機構
９：電極
１０：電子部品
１０ａ：電子部品領域
１０ｂ：電子部品
１２：容量形成用電極
１３：絶縁層
【図１】
2005153067.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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