(57)【要約】      （修正有）【課題】コンデンサに蓄えられた電荷による放電パルスを発生せしめて、該被加工物体の表面を加工する際に、該放電パルスによる加工エネルギを抑えることで、もって加工面粗さを改善することができるようにする。【解決手段】一点鎖線で囲まれた放電エネルギ吸収回路７に設けた、トランジスタＴ１による電流バイパス回路によって、被加工物体１、及び放電電極５の間に放電パルスとして流れる放電電流を減らすように、該放電パルスのエネルギとなる、コンデンサＣに蓄えられた電荷による電流を分流する。加工エネルギを小さくすることができ、加工面粗さは向上することになる。【選択図】図２
2005153078.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物体、及び、該被加工物体に対して間隙を保って配置した放電電極の間に、コンデンサに蓄えられた電荷による放電パルスを発生せしめて、該被加工物体の表面を加工する放電加工機の放電パルス電源装置において、
前記被加工物体と前記放電電極との間に電流バイパス回路を設け、放電発生時には該電流パイパス回路を通して、前記電荷による電流を分流せしめる放電エネルギ吸収回路を備えたことを特徴とする放電パルス電源回路。
【請求項２】
請求項１において、前記放電エネルギ吸収回路が、前記放電発生を検出する回路部と、該検出時にオン状態になり、これにより前記電流バイパス回路に前記電荷の電流を分流し、該分流の電流を前記電流パイパス回路に流すためのスイッチング手段を有していることを特徴とする放電パルス電源回路。
【請求項３】
請求項２において、前記放電発生検出回路部が、前記被加工物体又は前記放電電極の近傍における、前記放電電流が流れる経路で、前記放電発生に伴った電流変化を検出することで、該放電発生を検出するものであることを特徴とする放電パルス電源回路。
【請求項４】
請求項２又は３において、前記放電発生検出回路部に、前記放電パルスの発生時に放電電流が流れる経路に、該放電電流に対して順方向となるように挿入されるダイオードが用いられ、
前記スイッチング手段に、該ダイオードのアノード及びカソード間の電圧がゼロの時にオフ状態になるスイッチング素子が用いられていることを特徴とする放電パルス電源回路。
【請求項５】
請求項４において、前記スイッチング素子が、前記ダイオードのアノードにベースが接続され、該ダイオードのカソードにエミッタが接続され、該ダイオードのアノード及びカソード間の電圧がゼロの時に、前記電流バイパス回路に挿入されたコレクタ及びエミッタ間がオフ状態になるＮＰＮ型バイポーラトランジスタであることを特徴とする放電パルス電源回路。
【請求項６】
請求項４において、前記スイッチング素子が、前記ダイオードのアノードにエミッタが接続され、該ダイオードのカソードにベースが接続され、該ダイオードのアノード及びカソード間の電圧がゼロの時に、前記電流バイパス回路に挿入されたコレクタ及びエミッタ間がオフ状態になるＰＮＰ型バイポーラトランジスタであることを特徴とする放電パルス電源回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサに蓄えられた電荷による放電パルスを発生せしめて、該被加工物体の表面を加工する際に、該放電パルスによる加工エネルギを抑えることで、もって加工面粗さを改善することができる放電パルス電源回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
放電加工において、加工面は一般的には梨地状になる。仕上げ加工では、放電エネルギを非常に弱く設定することで、梨地状の加工面の粗さを改善するものの十分ではない。又、金型の一部分を放電加工する場合は、磨き工程に相当の時間を費やす。少しでも磨き工程時間を短縮するために、放電加工の仕上げ条件が模索されている。
【０００３】
トランジスタ方式の放電パルス電源回路では、放電電流が大きく、このため放電エネルギを弱く設定することが難しい。例えば、放電電圧６０Ｖ、放電電流０．５Ａ、放電パルス幅０．０４マイクロ秒といった設定が最弱である。しかしながら、この設定でも、梨地状のやや良い表面が得られる程度であり、文字を写して読むことはできる程度であるが、光学的反射面には程遠い粗さの加工面である。
【０００４】
トランジスタ方式の放電パルス電源回路に関する技術が、特許文献１、特許文献２に開示されている。特許文献１は、電極消耗低減を図るというものである。特許文献２は、高デューティー比で均一な微細放電加工を図るというものである。
【０００５】
これに対して、ＲＣ放電回路方式では、上述のトランジスタ方式より放電エネルギが弱い設定が可能である。具体的には、放電電圧８０Ｖ、Ｃ値（キャパシタンス）１０ｐＦ又はなし、といった設定である。しかしながら、このような設定でも、まだ十分とはいえず、よくて半鏡面といった粗さの加工面である。なお、上記の「Ｃ値がなし」の設定は、被加工物体や、該被加工物体に対する放電電極に係る浮遊容量のみという設定である。
【０００６】
例えば図１は、従来のＲＣ放電回路方式の放電パルス電源回路を示す回路図である。
【０００７】
この図においては、仕上げ加工などに使用される放電パルス電源回路が示される。
【０００８】
この図において、抵抗Ｒを通してコンデンサＣに電荷が蓄えられる。電荷が蓄えられるにつれてコンデンサＣの電圧が高くなり、例えば数マイクロ秒程度の時間が経つと、該コンデンサＣの電圧が印加されている、被加工物体１及び放電電極５の間において、放電が発生することになる。又、加工を為し得る放電のエネルギは、コンデンサＣに蓄えられる電荷によるものである。
【０００９】
このようなＲＣ放電回路方式の放電パルス電源回路に関する技術が、特許文献３に開示されている。この特許文献３は、放電電極の破損を防止すると共に、加工時間の短縮を図り、又微小領域の加工を可能にするというものである。
【００１０】
なお、特許文献４においては、操作面、コスト面で改善しながら、鏡面加工行う技術が開示されている。しかしながら、この特許文献４は、トランジスタ方式の放電パルス電源回路や、ＲＣ放電回路方式の放電パルス電源回路とは異なる、交流高周波の放電パルス電源回路に関するものである。
【００１１】
【特許文献１】特開平９−１２３０２４号公報
【特許文献２】特開２００３−７１６３５号公報
【特許文献３】特開平１１−２２６８１６号公報
【特許文献４】特開平７−９２５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ここで、前述の図１において、コンデンサＣの容量が大であれば、加工速度は速くなるが、加工面は粗くなる。仕上げ加工では、加工速度は遅くてもよいものの、加工面の面粗さがよいことが求められる。
【００１３】
このため、仕上げ加工では、コンデンサＣの容量は小さくされるが、被加工物体１及び放電電極５の間、又これらに至るリード線などの浮遊容量Ｃ’が存在するため、放電加工のエネルギになる電荷を蓄える容量を小さくすることには限界がある。このため、加工エネルギを小さくすることに限界があり、この分加工面の面粗さを改善することができない。一般的には、被加工物体１及び放電電極５の間において、浮遊容量Ｃ’は２０ｐＦにもなる。このため、コンデンサＣの容量は１０ｐＦ程度が下限である。
【００１４】
なお、この図において、又以降に説明する各図において、太線で図示される配線は、リード線を示すものとする。このリード線は、被加工物体１や放電電極５に、放電加工の電圧を印加し、又、放電発生時には、該放電パルスに伴った放電電流を流すためのものである。
【００１５】
本発明は、前記従来の問題点を解決するべくなされたもので、コンデンサに蓄えられた電荷による放電パルスを発生せしめて、該被加工物体の表面を加工する際に、該放電パルスによる加工エネルギを抑えることで、もって加工面粗さを改善することができる放電パルス電源回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、被加工物体、及び、該被加工物体に対して間隙を保って配置した放電電極の間に、コンデンサに蓄えられた電荷による放電パルスを発生せしめて、該被加工物体の表面を加工する放電加工機の放電パルス電源装置において、前記被加工物体と前記放電電極との間に電流バイパス回路を設け、放電発生時には該電流パイパス回路を通して、前記電荷による電流を分流せしめる放電エネルギ吸収回路を備えたことにより、前記課題を解決したものである。
【００１７】
又、前記放電パルス電源回路において、前記放電エネルギ吸収回路が、前記放電発生を検出する回路部と、該検出時にオン状態になり、これにより前記電流バイパス回路に前記電荷の電流を分流し、該分流の電流を前記電流パイパス回路に流すためのスイッチング手段を有していることにより、前記課題を解決したものである。前記スイッチング手段は、放電パルスが発生していない時にはオフ状態とすることで、前記コンデンサへの充電を妨げることがない。
【００１８】
更に、前記放電パルス電源回路において、前記放電発生検出回路部が、前記被加工物体又は前記放電電極の近傍における、前記放電電流が流れる経路で、前記放電発生に伴った電流変化を検出することで、該放電発生を検出するものであることにより、該検知を速やかに行うことができる。該放電発生を速やかに検知することで、前記スイッチング手段を速やかにオン状態にすることができる。
【００１９】
又、前記放電パルス電源回路において、前記放電発生検出回路部に、前記放電パルスの発生時に放電電流が流れる経路に、該放電電流に対して順方向となるように挿入されるダイオードが用いられ、前記スイッチング手段に、該ダイオードのアノード及びカソード間の電圧がゼロの時にオフ状態になるスイッチング素子が用いられていることにより、比較的単純な構成で本願発明を実現することができる。
【００２０】
更に、前記放電パルス電源回路において、前記スイッチング素子が、前記ダイオードのアノードにベースが接続され、該ダイオードのカソードにエミッタが接続され、該ダイオードのアノード及びカソード間の電圧がゼロの時に、前記電流バイパス回路に挿入されたコレクタ及びエミッタ間がオフ状態になるＮＰＮ型バイポーラトランジスタであることにより、比較的単純な構成で本願発明を実現することができる。
【００２１】
又、前記放電パルス電源回路において、前記スイッチング素子が、前記ダイオードのアノードにエミッタが接続され、該ダイオードのカソードにベースが接続され、該ダイオードのアノード及びカソード間の電圧がゼロの時に、前記電流バイパス回路に挿入されたコレクタ及びエミッタ間がオフ状態になるＰＮＰ型バイポーラトランジスタであることにより、比較的単純な構成で本願発明を実現することができる。
【００２２】
以下、本発明の作用について、簡単に説明する。
【００２３】
本発明は、放電エネルギ吸収回路に設けた電流バイパス回路によって、被加工物体、及び放電電極の間に放電パルスとして流れる放電電流を減らすように、該放電パルスのエネルギとなる、コンデンサＣに蓄えられた電荷による電流を分流する。これによって、加工エネルギを小さくすることができ、放電電流による加工除去量は小さくなり、よって加工面粗さは向上することになる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の放電パルス電源回路によれば、コンデンサに蓄えられた電荷による放電パルスを発生せしめて、該被加工物体の表面を加工する際に、該放電パルスによる加工エネルギを抑えることで、もって加工面粗さを改善することができる放電パルス電源回路を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図を用いて本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２６】
図２は、本発明が適用された第１実施形態の放電パルス電源回路を示す回路図である。
【００２７】
本実施形態では、被加工物体１が陽極側であり、放電電極５が陰極側である。又、放電エネルギ吸収回路の主要部は、一点鎖線７で示す放電エネルギ吸収回路である。該放電エネルギ吸収回路７は、本実施形態においては、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＴ１、及びダイオードＤにより構成されている。
【００２８】
なお、本発明の電流バイパス回路は、本発明のスイッチング手段に相当するトランジスタＴ１の、コレクタ及びエミッタによりオン・オフされる、コンデンサＣや浮遊容量Ｃ’に蓄えられた電荷による電流を分流し、流す回路になっている。又、ダイオードＤは、本発明の放電発生検出回路部に相当し、放電発生に伴った電流変化による、そのアノード及びカソード間の電圧変化を検出することで、該放電発生を検出するためのものである。
【００２９】
放電電極５及びリード線の間に、ダイオードＤが、アノード及びカソード間に順方向で放電時に電流が流れるように挿入されている。トランジスタＴ１のコレクタは、被加工物体１に接続されている。該トランジスタＴ１のエミッタは、ダイオードＤのカソードに接続されている。又、該トランジスタＴ１のベースは、放電電極５及びダイオードＤのアノードに接続されている。
【００３０】
なお、本実施形態や後述する実施形態の各図において、前述のように、太線で図示される配線は、リード線を示すものとする。又、このようにリード線として図示される以外の配線についても、被加工物体１の近傍や、放電電極５の近傍など、必要に応じて適宜、リード線とするようにしてもよい。
【００３１】
コンデンサＣには、抵抗Ｒを通して、直流電源Ｅから電流が流れ込み、これによって電荷が蓄えられる。該電荷によって、被加工物体１、及び該被加工物体１に対して間隙を保って配置した放電電極５の間に、放電加工のための電圧が印加され、該電圧によって放電パルスが発生させられ、被加工物体１の加工がなされる。該直流電源Ｅは、例えば８０ボルトであり、端子Ｅ＋及び端子０Ｖから入力される。
【００３２】
なお、被加工物体１及び放電電極５の間の浮遊容量や、これら被加工物体１及び放電電極５に至るリード線の浮遊容量によって、図示されるような浮遊容量Ｃ’が存在することになる。
【００３３】
本実施形態の作用について説明すると、まず、コンデンサＣや、浮遊容量Ｃ’には電荷が蓄えられておらず、被加工物体１及び放電電極５の間の電圧もゼロの状態である。又、放電が発生していない状態である。
【００３４】
放電が発生していない状態では、ダイオードＤには電流が流れず、従って、ダイオードＤのアノード及びカソード間の電圧はゼロである。又、これにより、トランジスタＴ１のエミッタに対するベースの電圧（以下ベース電圧と呼ぶ）はゼロとなり、従って、該トランジスタＴ１のコレクタ及びエミッタの間は、オフ状態となる。
【００３５】
コンデンサＣや、浮遊容量Ｃ’に、直流電源Ｅからの電流で電荷が蓄えられていくと、漸次、被加工物体１及び放電電極５の間の電圧が上昇する。そうして、これら被加工物体１及び放電電極５の間において、放電が発生することになる。
【００３６】
放電が発生すると、これによってダイオードＤのアノード及びカソード間に順方向の電流が流れ、これらアノード及びカソード間には、順方向電圧Ｖｆが生じる（放電発生の検知）。該順方向電圧Ｖｆは、トランジスタＴ１のベース電圧として印加されるので、トランジスタＴ１のコレクタ及びエミッタの間はオン状態になり、従って、放電発生の検知時には、電流バイパス回路である、コレクタ及びエミッタの間に電流が流れる。
【００３７】
このように電流バイパス回路に電流が流れると、コンデンサＣや浮遊容量Ｃ’や直流電源Ｅから流れる電流は、分流されることになり、被加工物体１及び放電電極５の間の放電電流が減少される。これによって、放電電流による加工除去量は小さくなり、よって加工面粗さは向上することになる。
【００３８】
図３は、本発明が適用された第２実施形態の放電パルス電源回路を示す回路図である。
【００３９】
本実施形態では、被加工物体１が陰極側であり、放電電極５が陽極側であり、いわゆる逆放電と呼ばれる加工方法となるようになっている。放電エネルギ吸収回路の主要部や、電流バイパス回路は、第１実施形態と同様に形成されている。つまり、被加工物体１及びリード線の間に、ダイオードＤが、アノード及びカソード間に順方向で放電時に電流が流れるように挿入されている。本発明のスイッチング手段に相当するトランジスタＴ１のコレクタは、放電電極５に接続され、該トランジスタＴ１のエミッタは、ダイオードＤのカソードに接続されている。又、該トランジスタＴ１のベースは、被加工物体１及びダイオードＤのアノードに接続されている。
【００４０】
このような第２実施形態の作用は、前述した第１実施形態の作用と同様である。放電発生に伴って、トランジスタＴ１のコレクタ及びエミッタの間がオン状態になり、電流バイパス回路であるコレクタ及びエミッタに、コンデンサＣや浮遊容量Ｃ’や直流電源Ｅから流れる電流が分流されることになり、放電電流が減少されて加工除去量は小さくなり、よって加工面粗さは向上することになる。
【００４１】
図４は、本発明が適用された第３実施形態の放電パルス電源回路を示す回路図である。
【００４２】
本実施形態では、被加工物体１が陽極側であり、放電電極５が陰極側である。放電エネルギ吸収回路の主要部や、電流バイパス回路は、第１実施形態と同様に形成されている。但し、図５に示すように、ダイオードＤが、該ダイオードＤと同様に動作するトランジスタＴ２によって構成されている。アノードが、コレクタ及びベースになり、カソードがエミッタになる。
【００４３】
つまり、放電電極５及びリード線の間に、トランジスタＴ２が、放電時にオン状態になって電流が流れるように、放電電極５にコレクタ及びベースが接続され、リード線にエミッタが接続されるように挿入されている。本発明のスイッチング手段に相当するトランジスタＴ１のコレクタは、被加工物体１に接続され、該トランジスタＴ１のエミッタは、トランジスタＴ２のエミッタ（ダイオードＤのカソードに相当）に接続されている。又、該トランジスタＴ１のベースは、放電電極５に、又トランジスタＴ２のコレクタ及びベース（ダイオードＤのアノードに相当）に接続されている。
【００４４】
このような第３実施形態の作用は、前述した第１実施形態や第２実施形態の作用と同様である。放電発生に伴って、トランジスタＴ１のコレクタ及びエミッタの間がオン状態になり、電流バイパス回路であるコレクタ及びエミッタに、コンデンサＣや浮遊容量Ｃ’や直流電源Ｅから流れる電流が分流されることになり、放電電流が減少されて加工除去量は小さくなり、よって加工面粗さは向上することになる。
【００４５】
更に、本実施形態においては、前述の第１実施形態や第２実施形態のダイオードＤを、これと同様に動作するトランジスタＴ２に置き換えることによって、分流電流を大きくしたり、小さくしたり変更することが可能になるという特徴を得ることができる。即ち、トランジスタＴ１及びＴ２が、電流増幅率ｈｆｅやエミッタ・サイズが同じものであれば、被加工物体１及び放電電極５の放電時に、これら被加工物体１及び放電電極５側に流れる電流と、トランジスタＴ１のコレクタ及びエミッタに流れる電流（分流電流であり電流バイパス回路に流れる電流）とは等しくなる。
【００４６】
ここで、コンデンサＣや浮遊容量Ｃ’や直流電源Ｅから流れる電流を、電流Ｉ０とする。分流電流として、電流バイパス回路に流れる電流を、電流Ｉ１とする。被加工物体１及び放電電極５側に流れる電流を、電流Ｉ２とする。すると、次式が成り立つ。
【００４７】
Ｉ０＝Ｉ１＋Ｉ２          ……（１）
【００４８】
又、トランジスタＴ１の電流増幅率及びエミッタ・サイズを、それぞれ、ｈｆｅ１、Ｓ１とする。トランジスタＴ２の電流増幅率及びエミッタ・サイズを、それぞれ、ｈｆｅ２、Ｓ２とする。すると、次式が成り立つ。
【００４９】
Ｓ１×ｈｆｅ１×Ｉ１＝Ｓ２×ｈｆｅ２×Ｉ２          （２）
【００５０】
従って、（１）式、（２）式より、電流分配比を求めることができる。又、次式のように、トランジスタＴ１やＴ２の電流増幅率やエミッタ・サイズを調整することで、被加工物体１及び放電電極５側に流れる電流Ｉ２を加減することができる。
【００５１】
Ｉ２＝（（Ｓ１×ｈｆｅ１）／（Ｓ１×ｈｆｅ１＋Ｓ２×ｈｆｅ２））×Ｉ０
……（３）
【００５２】
次に、図６は、本発明が適用された第４実施形態の放電パルス電源回路を示す回路図である。
【００５３】
本実施形態では、被加工物体１が陽極側であり、放電電極５が陰極側である。又、放電エネルギ吸収回路の主要部は、一点鎖線で示すように、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＴ１及びダイオードＤにより構成されている。電流バイパス回路は、トランジスタＴ１のエミッタ及びコレクタにより形成される。
【００５４】
リード線及び被加工物体１の間に、ダイオードＤが、アノード及びカソード間に順方向で放電時に電流が流れるように挿入されている。本発明のスイッチング手段に相当するトランジスタＴ１のエミッタは、ダイオードＤのアノードに接続され、該トランジスタＴ１のコレクタは放電電極５に接続されている。又、該トランジスタＴ１のベースは、被加工物体１５及びダイオードＤのカソードに接続されている。
【００５５】
このような第４実施形態の作用は、前述した第１実施形態〜第３実施形態の作用と同様である。放電発生に伴って、トランジスタＴ１のコレクタ及びエミッタの間がオン状態になり、電流バイパス回路であるコレクタ及びエミッタに、コンデンサＣや浮遊容量Ｃ’や直流電源Ｅから流れる電流が分流されることになり、放電電流が減少されて加工除去量は小さくなり、よって加工面粗さは向上することになる。
【００５６】
図７は、本発明が適用された第５実施形態の放電パルス電源回路を示す回路図である。
【００５７】
本実施形態では、被加工物体１が陰極側であり、放電電極５が陽極側であり、いわゆる逆放電と呼ばれる加工方法となるようになっている。放電エネルギ吸収回路の主要部や、電流バイパス回路は、第４実施形態と同様に形成されている。つまり、リード線及び放電電極５の間に、ダイオードＤが、アノード及びカソード間に順方向で放電時に電流が流れるように挿入されている。本発明のスイッチング手段に相当するトランジスタＴ１のエミッタは、ダイオードＤのアノードに接続され、該トランジスタＴ１のコレクタは、被加工物体１に接続されている。又、該トランジスタＴ１のベースは、放電電極５及びダイオードＤのカソードに接続されている。
【００５８】
このような第５実施形態の作用は、前述した第１実施形態〜第４実施形態の作用と同様である。放電発生に伴って、トランジスタＴ１のコレクタ及びエミッタの間がオン状態になり、電流バイパス回路であるコレクタ及びエミッタに、コンデンサＣや浮遊容量Ｃ’や直流電源Ｅから流れる電流が分流されることになり、放電電流が減少されて加工除去量は小さくなり、よって加工面粗さは向上することになる。
【００５９】
次に、図８は、本発明が適用された第６実施形態の放電パルス電源回路を示す回路図である。
【００６０】
本実施形態では、被加工物体１が陽極側であり、放電電極５が陰極側である。放電エネルギ吸収回路の主要部や、電流バイパス回路は、第４実施形態と同様に形成されている。但し、図９に示すように、ダイオードＤが、該ダイオードＤと同様に動作するトランジスタＴ２によって構成されている。カソードが、コレクタ及びベースになり、アノードがエミッタになる。
【００６１】
つまり、リード線及び被加工物体１の間に、トランジスタＴ２が、放電時にオン状態になって電流が流れるように、被加工物体１にコレクタ及びベースが接続され、リード線にエミッタが接続されるように挿入されている。本発明のスイッチング手段に相当するトランジスタＴ１のエミッタは、トランジスタＴ２のエミッタ（ダイオードＤのアノードに相当）に接続され、該トランジスタＴ１のコレクタは、放電電極５に接続されている。又、該トランジスタＴ１のベースは、被加工物体１に、又トランジスタＴ２のコレクタ及びベース（ダイオードＤのカソードに相当）に接続されている。
【００６２】
このような第６実施形態の作用は、前述した第１実施形態〜第５実施形態の作用と同様である。放電発生に伴って、トランジスタＴ１のコレクタ及びエミッタの間がオン状態になり、電流バイパス回路であるコレクタ及びエミッタに、コンデンサＣや浮遊容量Ｃ’や直流電源Ｅから流れる電流が分流されることになり、放電電流が減少されて加工除去量は小さくなり、よって加工面粗さは向上することになる。
【００６３】
又、本第６実施形態においては、第４実施形態や第５実施形態のダイオードＤを、これと同様に動作するトランジスタＴ２とすることによって、前述の第３実施形態のような特徴を得ることができるようになっている。即ち、トランジスタＴ１やＴ２の電流増幅率やエミッタ・サイズを調整することで、分流電流を大きくしたり、小さくしたり変更することが可能になり、これによって、被加工物体１及び放電電極５側に流れる電流Ｉ２を加減することができる。
【００６４】
以上に説明したとおり、これら実施形態においては、本願発明を効果的に適用することができる。
【００６５】
なお、以上に説明した実施形態において、ダイオードＤ１やトランジスタＴ２は、放電電極５の近傍の回路部分や、被加工物体１の近傍の回路部分に設ける。例えば、ダイオードＤ１やトランジスタＴ２を、リード線よりも被加工物体１や放電電極５側に設ける。このようにすることで、被加工物体１及び放電電極５の間における放電発生から速やかに、該放電発生を検知することができ、これによってトランジスタＴ１を速やかにオン状態にすることができる。
【００６６】
つまり、本実施形態のダイオードＤ１やトランジスタＴ２を含め、本発明の放電発生検出回路部は、浮遊容量Ｃ’の分布や、リード線その他のインダクタンスの分布を配慮すると、被加工物１や放電電極５に近いほうが、放電発生から速やかに、該放電発生を検知することができる。放電発生検出回路部及び放電発生箇所の間における、浮遊容量Ｃ’やインダクタンスは少ない方が、該検知が速やかになる。
【００６７】
又、トランジスタＴ１のコレクタ及びエミッタをスイッチング手段とする電流バイパス回路は、放電電極５の近傍の回路部分や、被加工物体１の近傍の回路部分に設ける。例えば、該電流パイパス回路を、リード線よりも被加工物体１や放電電極５側に設ける。このようにすることで、電流バイパス回路による前述の分流を効果的に行うことができる。
【００６８】
つまり、本発明の電流バイパス回路、又そのスイッチング手段は、コンデンサＣや浮遊容量Ｃ’の分布の分布に応じ、又、リード線その他のインダクタンスの分布に応じ、通常、コンデンサＣが小の場合は、被加工物１や放電電極５に近いほうが、放電発生検出から速やかに、コンデンサＣや浮遊容量Ｃ’に蓄えられた電荷による電流を分流し、放電することができる。速やかに放電するという観点では、該スイッチング手段は、コンデンサＣや浮遊容量Ｃ’に近いほうがよく、又、該スイッチング手段と、コンデンサＣや浮遊容量Ｃ’との間には、インダクタンスが少ない方がよい。浮遊容量Ｃ’は、被加工物１及び放電電極５によるものが多い場合が多い。
【００６９】
以上説明した実施形態では、本発明のスイッチング手段にバイポーラトランジスタを用いている。しかしながら、本発明はこのようなものに限定されるものではない。例えば、ＭＯＳ（Metal  Oxide  Semiconductor）トランジスタなどを用いるようにしてもよい。
【００７０】
又、本発明の放電エネルギ吸収回路は、放電パルス電源回路とは独立して提供可能であるが、加工時には何らかの放電パルス電源回路に接続して利用される。このようなものも、本願発明が適用されていることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】従来のＲＣ放電回路方式の放電パルス電源回路を示す回路図
【図２】本発明が適用された第１実施形態の放電パルス電源回路を示す回路図
【図３】本発明が適用された第２実施形態の放電パルス電源回路を示す回路図
【図４】本発明が適用された第３実施形態の放電パルス電源回路を示す回路図
【図５】上記第３実施形態のトランジスタＴ２に関する回路図
【図６】本発明が適用された第４実施形態の放電パルス電源回路を示す回路図
【図７】本発明が適用された第５実施形態の放電パルス電源回路を示す回路図
【図８】本発明が適用された第６実施形態の放電パルス電源回路を示す回路図
【図９】上記第６実施形態のトランジスタＴ２に関する回路図
【符号の説明】
【００７２】
１…被加工物体
５…放電電極
７…放電エネルギ吸収回路
Ｒ…抵抗
Ｃ…コンデンサ
Ｃ’…浮遊容量
Ｔ１、Ｔ２…トランジスタ
Ｄ…ダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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