(57)【要約】【課題】  リード電極と接続配線とを十分なボンディング強度で確実に接続できて信頼性を向上することができる液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供する。【解決手段】  液体を噴射するノズル開口２１に連通する圧力発生室１２が形成される流路形成基板１０と、流路形成基板１０の一方面側に振動板を介して設けられて圧力発生室１２内に圧力変化を生じさせる圧電素子３００と、圧電素子３００から流路形成基板１０上に引き出されるリード電極９０とを具備する液体噴射ヘッドにおいて、リード電極９０の、少なくとも圧電素子３００を駆動させる駆動ＩＣ１２０に一端が接続されたボンディングワイヤからなる接続配線１３０の他端が接続される接続領域９０ａは、凹部幅が０．７μｍ以下であり且つ凹部深さが１０ｎｍ以上である凹部の占める割合が１０％以下である。【選択図】      図２
2005153154.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室が形成される流路形成基板と、該流路形成基板の一方面側に振動板を介して設けられて前記圧力発生室内に圧力変化を生じさせる圧電素子と、該圧電素子から前記流路形成基板上に引き出されるリード電極とを具備する液体噴射ヘッドにおいて、
前記リード電極の、少なくとも前記圧電素子を駆動させる駆動ＩＣに一端が接続されたボンディングワイヤからなる接続配線の他端が接続される接続領域は、凹部幅が０．７μｍ以下であり且つ凹部深さが１０ｎｍ以上である凹部の占める割合が１０％以下であることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項２】
請求項１において、前記リード電極は、前記流路形成基板上に形成された密着性金属からなる密着層と当該密着層上に形成された金属層とを少なくとも有し、前記密着層の粒子が凸半球形状であり且つ平均粒子径が０．１μｍ以下であることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項３】
請求項２において、前記密着性金属がＮｉＣｒであることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかの液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴を吐出する液体噴射ヘッド及び液体噴射装置に関し、特に、インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室に供給されたインクを圧電素子によって加圧することにより、ノズル開口からインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッド及びインクジェット式記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズル開口からインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッドには、圧電素子の軸方向に伸長、収縮する縦振動モードの圧電アクチュエータを使用したものと、たわみ振動モードの圧電アクチュエータを使用したものの２種類が実用化されている。そして、たわみ振動モードのアクチュエータを使用したものとしては、例えば、振動板の表面全体に亙って成膜技術により均一な圧電材料層を形成し、この圧電材料層をリソグラフィ法により圧力発生室に対応する形状に切り分けて各圧力発生室毎に独立するように圧電素子を形成したものが知られている。
【０００３】
このようなインクジェット式記録ヘッドは、圧電素子を駆動するための駆動ＩＣ（半導体集積回路）等が必要である。この駆動ＩＣは、圧力発生室が形成された流路形成基板に接合される基板、例えば、リザーバ形成基板上に搭載され、各圧電素子から引き出されたリード電極と駆動ＩＣとをボンディングワイヤからなる接続配線によってワイヤボンディング接続する構造が採用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、このようなリード電極と接続配線とのボンディング強度を向上させるために、リード電極の表面粗さを所定値以下としたものが知られている（例えば、特許文献２及び３参照）。さらに、ボンディング時の加熱温度は、通常１５０〜２００℃程度である（例えば、特許文献４参照）。しかしながら、このような加熱温度でヘッドのワイヤボンディングを行うと、ヘッドが熱によって破壊される蓋然性が非常に高いという問題がある。また、ヘッドが破壊されない加熱温度、例えば、約７０℃以下と比較的低い加熱温度でワイヤボンディングを行うと、リード電極と接続配線とのボンディング強度（ワイヤプル強度）が低下する傾向がある。また、このように低い加熱温度でワイヤボンディングを行う場合には、リード電極の表面粗さを所定値以下と小さくしたとしても、リード電極と接続配線とを十分なボンディング強度で接続できないという問題がある。なお、このような問題は、インクを吐出するインクジェット式記録ヘッドだけでなく、勿論、インク以外の液体を噴射する他の液体噴射ヘッドにおいても、同様に存在する。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１６０３６６号公報（第６頁、第１−２図）
【特許文献２】特開平１０−２４２２０３号公報（特許請求の範囲）
【特許文献３】特開平１１−３５０１６６号公報（特許請求の範囲）
【特許文献４】特開２０００−１２５９７号公報（従来の技術）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑み、リード電極と接続配線とを十分なボンディング強度で確実に接続できて信頼性を向上することができる液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室が形成される流路形成基板と、該流路形成基板の一方面側に振動板を介して設けられて前記圧力発生室内に圧力変化を生じさせる圧電素子と、該圧電素子から前記流路形成基板上に引き出されるリード電極とを具備する液体噴射ヘッドにおいて、前記リード電極の、少なくとも前記圧電素子を駆動させる駆動ＩＣに一端が接続されたボンディングワイヤからなる接続配線の他端が接続される接続領域は、凹部幅が０．７μｍ以下であり且つ凹部深さが１０ｎｍ以上である凹部の占める割合が１０％以下であることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる第１の態様では、所定の凹部の占める割合を１０％以下と低くすることにより、リード電極と接続配線とが十分なボンディング強度で確実に接続される。
【０００８】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記リード電極は、前記流路形成基板上に形成された密着性金属からなる密着層と当該密着層上に形成された金属層とを少なくとも有し、前記密着層の粒子が凸半球形状であり且つ平均粒子径が０．１μｍ以下であることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる第２の態様では、密着層上に形成される金属層の結晶が略均一に成長するため、所定の凹部の占める割合が低くなる。
【０００９】
本発明の第３の態様は、第２の態様において、前記密着性金属がＮｉＣｒであることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる第３の態様では、ＮｉＣｒからなる密着層上に形成される金属層の結晶が略均一に成長するため、所定の凹部の占める割合が低くなる。
【００１０】
本発明の第４の態様は、第１〜３の何れかの態様の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。
かかる第４の態様では、信頼性を向上した液体噴射装置が比較的容易に実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図であり、図２は、実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの平面図及びそのＡ−Ａ’断面図である。図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる、厚さ１〜２μｍの弾性膜５０が設けられている。
【００１２】
この流路形成基板１０には、その他方面側から異方性エッチングすることにより形成され、隔壁１１によって区画された複数の圧力発生室１２が並設されている。また、圧力発生室１２の長手方向外側には、各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００の一部を構成する連通部１３が形成され、この連通部１３は各圧力発生室１２の長手方向一端部とそれぞれインク供給路１４を介して連通されている。
【００１３】
ここで、異方性エッチングは、シリコン単結晶基板のエッチングレートの違いを利用して行われる。例えば、本実施形態では、シリコン単結晶基板をＫＯＨ等のアルカリ溶液に浸漬すると、徐々に侵食されて（１１０）面に垂直な第１の（１１１）面と、この第１の（１１１）面と約７０度の角度をなし且つ上記（１１０）面と約３５度の角度をなす第２の（１１１）面とが出現し、（１１０）面のエッチングレートと比較して（１１１）面のエッチングレートが約１／１８０であるという性質を利用して行われる。かかる異方性エッチングにより、二つの第１の（１１１）面と斜めの二つの第２の（１１１）面とで形成される平行四辺形状の深さ加工を基本として精密加工を行うことができ、圧力発生室１２を高密度に配列することができる。
【００１４】
本実施形態では、各圧力発生室１２の長辺を第１の（１１１）面で、短辺を第２の（１１１）面で形成している。この圧力発生室１２は、流路形成基板１０をほぼ貫通して弾性膜５０に達するまでエッチングすることにより形成されている。ここで、弾性膜５０は、シリコン単結晶基板をエッチングするアルカリ溶液に侵される量がきわめて小さい。また各圧力発生室１２の一端に連通する各インク供給路１４は、圧力発生室１２の幅よりも狭い幅で形成されており、圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。
【００１５】
このような流路形成基板１０の厚さは、圧力発生室１２の配列密度に合わせて最適な厚さを選択すればよく、圧力発生室１２の配列密度が、例えば、１インチ当たり１８０個（１８０ｄｐｉ）程度であれば、流路形成基板１０の厚さは、２２０μｍ程度であればよいが、例えば、２００ｄｐｉ以上と比較的高密度に配列する場合には、流路形成基板１０の厚さは１００μｍ以下と比較的薄くするのが好ましい。これは、隣接する圧力発生室１２間の隔壁１１の剛性を保ちつつ、配列密度を高くできるからである。
【００１６】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が接着剤や熱溶着フィルム等を介して固着されている。なお、ノズルプレート２０は、厚さが例えば、０．０１〜１ｍｍで、線膨張係数が３００℃以下で、例えば２．５〜４．５［×１０-6／℃］であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又は不錆鋼などからなる。ノズルプレート２０は、一方の面で流路形成基板１０の一面を全面的に覆い、シリコン単結晶基板を衝撃や外力から保護する補強板の役目も果たす。また、ノズルプレート２０は、流路形成基板１０と熱膨張係数が略同一の材料で形成するようにしてもよい。この場合には、流路形成基板１０とノズルプレート２０との熱による変形が略同一となるため、熱硬化性の接着剤等を用いて容易に接合することができる。
ここで、インク滴吐出圧力をインクに与える圧力発生室１２の大きさと、インク滴を吐出するノズル開口２１の大きさとは、吐出するインク滴の量、吐出スピード、吐出周波数に応じて最適化される。例えば、１インチ当たり３６０個のインク滴を記録する場合、ノズル開口２１は数十μｍの直径で精度よく形成する必要がある。
【００１７】
一方、このような流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように、厚さが例えば約１．０μｍの弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、厚さが例えば、約０．４μｍの絶縁体膜５５が形成されている。さらに、この絶縁体膜５５上には、厚さが例えば、約０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約１．０μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とが積層形成されて、圧電素子３００を構成している。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、下電極膜６０は圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、各圧力発生室毎に圧電体能動部が形成されていることになる。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせて圧電アクチュエータと称する。なお、上述した例では、弾性膜５０、絶縁体膜５５及び下電極膜６０が振動板として作用する。
このような圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上には、圧電素子３００に対向する領域にその運動を阻害しない程度の空間を確保可能な圧電素子保持部３１を有する保護基板３０が接着剤３５によって接着されている。これにより、圧電素子３００は、圧電素子保持部３１内に形成されているため、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。
【００１８】
また、このような保護基板３０には、リザーバ１００の少なくとも一部を構成するリザーバ部３２が設けられている。このリザーバ部３２は、本実施形態では、保護基板３０を厚さ方向に貫通して圧力発生室１２の幅方向に亘って形成されており、弾性膜５０に設けられた連通孔を介して流路形成基板１０の連通部１３と連通され、各圧力発生室１２の列毎の共通のインク室となるリザーバ１００をそれぞれ構成している。なお、このような保護基板３０としては、例えば、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙げられるが、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることがより好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。また、このような保護基板３０の圧電素子保持部３１とリザーバ部３２との間の領域には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられている。
【００１９】
そして、このような保護基板３０の貫通孔３３内には、各圧電素子３００から引き出されたリード電極９０がそれぞれ露出されている。このリード電極９０は、各圧電素子３００の個別電極である各上電極膜８０から引き出され、密着性金属、例えば、ニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）からなり一端がインク供給路１４に対向する領域まで延設される密着層９１と、この密着層９１上に、例えば、金（Ａｕ）からなる金属層９２とを有する。
【００２０】
一方、保護基板３０の表面、すなわち、圧電素子保持部３１側とは反対側の面上には、圧電素子３００を駆動するための駆動ＩＣ１２０（半導体集積回路）が実装されている。そして、各圧電素子３００と駆動ＩＣ１２０とは、各圧電素子３００から貫通孔３３内に引き出されたリード電極９０とボンディングワイヤからなり貫通孔３３内に延設される接続配線１３０とによって電気的に接続されている。例えば、本実施形態では、熱と超音波とを併用しながら接合を行う、いわゆる熱併用超音波接合により金（Ａｕ）からなる接続配線１３０とリード電極９０とを電気的に接続した。このようなワイヤボンディングでの加熱温度は、例えば、約１５０〜２００℃とするのが一般的であるが、熱によるヘッドの破壊を防止するためには、好ましくは約１００℃以下、さらに好ましくは、約７０℃以下の加熱温度とするのがよい。
【００２１】
ここで、上述したように、リード電極９０は、保護基板３０の貫通孔３３内に引き出されて露出されており、この貫通孔３３内に露出された部分が、駆動ＩＣ１２０に一端が接続された接続配線１３０の他端がワイヤボンディングによって接続される接続領域９０ａとなっている。また、このリード電極９０の表面には、断面形状で凹凸となる部分が存在しており、本発明では、リード電極９０の少なくとも接続領域９０ａは、凹部幅が０．７μｍ以下であり且つ凹部深さが１０ｎｍ以上である凹部の占める割合が１０％以下となっている。
【００２２】
ここで、「凹部幅」と「凹部深さ」とは、本実施形態では、リード電極９０の表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）によって解析し、図３に示すようなリード電極９０の表面形状（凹凸）を示すＡＦＭデータと仮想表面とから求めたものである。ここで言う「仮想表面」とは、ＡＦＭデータの凸ピーク（凸部の頂点）から所定のピーク点を選び、それらピーク点をつなぐことで表された表面のことであり、接続配線１３０が少なくとも完全に密着するリード電極９０の表面を表している。なお、ピーク点を選ぶ際には、ＡＦＭデータから隣り合うピーク間隔が約０．２μｍ以下で且つピーク高低差が約１０ｎｍ以下の範囲内にあればそのピーク点は除外する。また、最初に選ぶピーク点は、任意に選択してもよいが、ここではＡＦＭデータの凸ピークの中で最も高いピーク点とした。そして、「凹部幅ｗ」とは、仮想表面と実際のＡＦＭデータとで囲まれた部分を示す仮想凹部２００の開口側の幅のことである。一方、「凹部深さｄ」とは、仮想凹部２００の最も深い底部と、そこからｚ軸方向に延ばした線と仮想表面との交点との長さのことである。
【００２３】
本発明は、実際のリード電極９０の表面に存在する凹凸のうちの凹部がボンディング性に影響を及ぼす要因の１つであることが分かり、ボンディング強度を高めるためには、リード電極９０の表面において、凹部幅が狭く且つ凹部深さの深い凹部の占める割合を低くするのが有効であるという知見に基づきなされたものである。具体的には、ボンディング性に対して実際に大きな影響を与える凹部を上述の仮想凹部２００とし、少なくともリード電極９０の接続配線１３０との接続領域９０ａにおいて、凹部幅ｗが０．７μｍ以下で且つ凹部深さｄが１０ｎｍ以上である仮想凹部２００の占める割合を１０％以下とした。これにより、リード電極９０（金属層９２）と接続配線１３０とを十分なボンディング強度で接続することができる。
【００２４】
また、ボンディング強度をさらに高めるには、接続配線１３０が接続される金属層９２の下地である密着層９１の粒子が凸半球形状で且つ平均粒子径が約０．１μｍ以下であることが好ましい。特に、このような密着層９１の粒子の分布が略均一となっているのが好ましい。密着層９１上に形成される金属層９２の結晶が略均一に成長し、上述した凹部幅ｗが０．７μｍ以下で且つ凹部深さｄが１０ｎｍ以上の仮想凹部２００の占める割合を低くすることができるからである。このような密着層９１を形成する密着性金属としては、例えば、ニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）等が挙げられ、本実施形態では、このＮｉＣｒによって密着層９１を形成している。
【００２５】
なお、保護基板３０のリザーバ部３２に対応する領域には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３２の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００２６】
以上説明した本実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、図示しないインク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動ＩＣ１２０からの駆動信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に駆動電圧を印加し、弾性膜５０、絶縁体膜５５、下電極膜６０及び圧電体層７０を変位させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。
【００２７】
（試験例）
ここで、下記の試験品１〜３のリード電極の表面の断面形状をＡＦＭにより測定し、この測定により得られたＡＦＭデータから凹部幅ｗ及び凹部深さｄを求め、凹部幅ｗが０．７μｍ以下で且つ凹部深さｄが１０ｎｍ以上の仮想凹部の占める割合が１０％以下の条件を満たしているものと、その条件を満たしていないものとでボンディング強度を比較する試験を行った。
【００２８】
（試験品１）
シリコン単結晶基板の一方面上に厚さ約１．０μｍの二酸化シリコン層を形成した後、この上に厚さ約０．１μｍのニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）からなる密着層を形成し、この密着層上に厚さ約１．０μｍの金（Ａｕ）からなる金属層をスパッタリングによって形成したものを試験品１のリード電極とした。なお、ここでは、スパッタ条件として基板加熱温度を約２５０℃とした。
【００２９】
（試験品２）
密着層の材料にチタンタングステン合金（ＴｉＷ）を用い、スパッタ条件の基板加熱温度を約３７℃とした以外は、試験品１と同様にして形成したものを試験品２のリード電極とした。
【００３０】
（試験品３）
密着層の材料にチタンタングステン合金（ＴｉＷ）を用いた以外は、試験品１と同様にして形成したものを試験品３のリード電極とした。
【００３１】
まず、上記の試験品１〜３の各リード電極の表面をＡＦＭによって約１０μｍの長さで走査（スキャン）することにより断面形状を測定した。このＡＦＭデータから上述した方法で凹部幅ｗと凹部深さｄとを求めた結果を図４に示す。なお、図４は、凹部幅ｗと凹部深さｄの関係を示すグラフである。また、これら試験品１〜３の各リード電極について、図４に示すような凹部幅ｗが０．７μｍ以下で且つ凹部深さｄが１０ｎｍ以上である範囲Ａの仮想凹部の占める割合を求めた。さらに、試験品１〜３の各リード電極の表面粗さＲａについても求めた。その結果を下記表１に示す。
【００３２】
【表１】
2005153154.tif 000003
【００３３】
図４及び表１に示すように、試験品１は、凹部幅ｗが０．７μｍ以下で且つ凹部深さｄが１０ｎｍ以上の仮想凹部は殆ど存在せず、範囲Ａの仮想凹部の占める割合が７％であった。これに対し、試験品２及び３は、凹部幅ｗが０．７μｍ以下で且つ凹部深さｄが１０ｎｍ以上の仮想凹部が数多く存在し、範囲Ａの仮想凹部が占める割合が４０％以上、特に試験品２については、６７％であった。
【００３４】
次に、これら試験品１〜３の各リード電極に対して、ボンディング時の加熱温度を約６５℃とし、荷重を約１５ｇとした熱併用超音波接合によって金（Ａｕ）からなる接続配線をワイヤボンディングし、リード電極と接続配線とのボンディング強度の測定を行った。なお、このボンディング強度の測定は、接続配線にフックをかけて鉛直方向上方に引っ張り、破断した時の荷重値を測定するセミスタンダード（ＳＥＭＩＳＴＡＮＤＡＲＤ  Ｇ７３−０９９７）に準じて行った。その結果を上記の表１に示す。
【００３５】
表１に示すように、リード電極の接続領域における範囲Ａの仮想凹部の占める割合が１０％以下である試験品１は、範囲Ａの仮想凹部の占める割合が１０％よりも大きい試験例２及び３と比べて、リード電極と接続配線とのボンディング強度が大きかった。一方、試験品１は、試験品２及び３と比べて、表面粗さＲａが小さかった。また、試験品３の表面粗さＲａについては、試験品２の表面粗さＲａの２倍以上であったが、ボンディング強度については、試験品２よりも試験品３の方が大きかった。これに対し、試験品１〜３を範囲Ａの仮想凹部の占める割合で比べると、範囲Ａの仮想凹部の占める割合が小さくなるにつれてボンディング強度が大きくなることが分かった。このような結果から、加熱温度が約６５℃と比較的低い温度条件でワイヤボンディングする場合においては、リード電極の表面粗さＲａだけでなく、範囲Ａの仮想凹部の占める割合についてもボンディング強度に大きく影響することが分かった。
【００３６】
（他の実施形態）
以上、本発明の実施形態について説明したが、勿論、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、上述の実施形態では、上電極膜８０の面上から引き出されたリード電極９０と接続配線１３０とを電気的に接続した場合について説明したが、これに限定されず、下電極膜から保護基板の貫通孔内にリード電極を引き出し、そのリード電極と接続配線とを電気的に接続する場合に本発明を適用するようにしてもよい。また、上述の実施形態では、成膜及びリソグラフィプロセスを応用して製造される薄膜型のインクジェット式記録ヘッドを例にしたが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、グリーンシートを貼付する等の方法により形成される厚膜型のインクジェット式記録ヘッドにも本発明を採用することができる。
【００３７】
さらに、このようなインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図５は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。図５に示すように、インクジェット式記録ヘッドを有する記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、インク供給手段を構成するカートリッジ２Ａ及び２Ｂが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３は、装置本体４に取り付けられたキャリッジ軸５に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。そして、駆動モータ６の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト７を介してキャリッジ３に伝達されることで、記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３はキャリッジ軸５に沿って移動される。一方、装置本体４にはキャリッジ軸５に沿ってプラテン８が設けられており、図示しない給紙ローラなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートＳがプラテン８上に搬送されるようになっている。
【００３８】
また、上述した実施形態においては、本発明の液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを説明したが、液体噴射ヘッドの基本的構成は上述したものに限定されるものではない。本発明は、広く液体噴射ヘッドの全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射するものにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図である。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】仮想表面、凹部幅及び凹部深さを示す模式図である。
【図４】各リード電極の幅と深さとの関係を示すグラフである。
【図５】一実施形態に係る記録装置の概略図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  １３  連通部、  １４  インク供給路、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  保護基板、  ３１  圧電素子保持部、  ３２  リザーバ部、  ３５  接着剤、  ４０  コンプライアンス基板、  ５０  弾性膜、  ６０  下電極膜、  ７０  圧電体層、  ８０  上電極膜、  ９０  リード電極、  ９１  密着層、  ９２  金属層、  １００  リザーバ、  １２０  駆動ＩＣ、  １３０  接続配線、  ２００  仮想凹部、  ３００  圧電素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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