(57)【要約】【課題】ポリイミド樹脂フィルムに無電解ニッケルめっきを施す場合において、その表面に対する活性化処理を不要にし、さらに無電解ニッケルめっき層とその表面に形成される銅めっき層との接着信頼性を高めることができるフレキシブルプリント基板の製法およびそれに用いられる回路用基材を提供する。【解決手段】ポリイミド樹脂フィルム１の表面に無電解ニッケルめっきを施し、その無電解ニッケルめっき層２の表面の湿潤を保持した状態で、その無電解ニッケルめっき層２の表面に電解銅めっきまたは無電解銅めっきを施すことにより厚み０．１〜１．０μｍの薄い銅めっき層３を形成することにより回路用基材Ａを作製する。その後、上記薄い銅めっき層３の表面に回路形成用の厚い電解銅めっき層４を形成する。【選択図】図３
2005060772.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイミド樹脂フィルムの表面に無電解ニッケルめっきを施し、その無電解ニッケルめっき層の表面に回路形成用の電解銅めっきを施す工程を備えたフレキシブルプリント基板の製法において、上記ポリイミド樹脂フィルムの表面に無電解ニッケルめっきを施した後、その無電解ニッケルめっき層の表面の湿潤を保持した状態で、上記無電解ニッケルめっき層の表面に電解銅めっきを施すことにより厚み０．１〜１．０μｍの薄い銅めっき層を形成し、その後、この薄い銅めっき層の表面に回路形成用の電解銅めっきを施すことを特徴とするフレキシブルプリント基板の製法。
【請求項２】
上記薄い銅めっき層を形成するための電解銅めっきが、ｐＨ７．０〜１０．０の範囲の電解銅めっき浴を用いて行われる請求項１記載のフレキシブルプリント基板の製法。
【請求項３】
上記薄い銅めっき層を形成した後、回路形成用の電解銅めっきに先立って、８０〜１００℃の範囲内で熱処理する請求項１または２記載のフレキシブルプリント基板の製法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のフレキシブルプリント基板の製法に用いられる回路用基材であって、ポリイミド樹脂フィルムと、このポリイミド樹脂フィルムの表面に形成されたニッケルめっき層と、このニッケルめっき層の表面に形成された厚み０．１〜１．０μｍの薄い銅めっき層とを備えていることを特徴とする回路用基材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブルプリント基板の製法およびそれに用いられる回路用基材に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来は、フレキシブルプリント基板は、ポリイミド樹脂フィルムの表面に接着剤を介して回路形成用の銅箔を積層した３層基材のものが用いられていた。しかしながら、近年、電子工業の進歩に伴い、高温に耐えるものに対する需要が高まってきているのに対し、上記３層基材のものは、接着剤の耐熱性が低い。そこで、接着剤の使用を取り止め、ポリイミド樹脂フィルムに無電解めっきを施すことにより導電化した後、回路形成用の電解銅めっきを施したものが用いられている。そして、その無電解めっきとしては、ポリイミド（ポリイミド樹脂フィルム）との接着性や回路を形成する銅（電解銅めっき）の熱による拡散移動に対するバリア性の観点から無電解ニッケルめっきが採用されている。
【０００３】
しかしながら、ニッケル（無電解ニッケルめっき）は、空気中で、比較的短期間に強固な酸化皮膜を表面に形成する。このような、上記無電解ニッケルめっき層の表面に酸化皮膜が形成された状態で、上記電解銅めっきを施すと、酸化皮膜が無電解ニッケルめっき層と電解銅めっき層との接着力を弱め、無電解ニッケルめっき層と電解銅めっき層とが剥離し易くなる。このため、無電解ニッケルめっきを施す場合には、通常、電解銅めっきに先立って、上記酸化皮膜を除去する活性化処理が行われる。この活性化処理としては、例えば、１０％の塩酸による処理（特許文献１参照）、次亜塩素酸イオン，亜塩素酸イオン，過塩素酸イオンのうちの少なくとも１種を含む溶液による洗浄（特許文献２参照）、過マンガン酸塩，次亜塩素酸塩，ペルオキソ硫酸塩のうちのいずれか１種を含む水溶液による表面処理（特許文献３参照）等が提案されている。そして、その活性化処理後、例えば、サブトラクティブ工法によりフレキシブルプリント基板が作製される場合には、図１１に示すように、まず、無電解ニッケルめっき層２の表面全体に、回路形成用の厚い電解銅めっき層４が形成され、ついで、回路が形成される。なお、図１１において、１はポリイミド樹脂フィルムである。
【特許文献１】特開昭６２−１１５８９４号公報（第３頁左下欄第７行目）
【特許文献２】特開平５−３２７２０７号公報（請求項１）
【特許文献３】特開平６−２００３９６号公報（請求項１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このように、ポリイミド樹脂フィルム１に無電解ニッケルめっきを施す場合には、通常、その後の回路形成のための電解銅めっきに先立って、前記酸化皮膜を除去する活性化処理工程が必要となる。しかしながら、この活性化処理工程は、腐食性の高い酸を使用するため、作業性や廃液処理において難点がある。
【０００５】
また、無電解ニッケルめっきの表面の酸化皮膜が強固であったり一様でなかったりする状態では、上記活性化処理では酸化皮膜が充分に除去されないことがあり、無電解ニッケルめっき層２と電解銅めっき層４との剥離を完全に防止できないことがある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、ポリイミド樹脂フィルムに無電解ニッケルめっきを施す場合において、その表面に対する活性化処理を不要にし、さらに無電解ニッケルめっき層とその表面に形成される銅めっき層との接着信頼性を高めることができるフレキシブルプリント基板の製法およびそれに用いられる回路用基材の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明は、ポリイミド樹脂フィルムの表面に無電解ニッケルめっきを施し、その無電解ニッケルめっき層の表面に回路形成用の電解銅めっきを施す工程を備えたフレキシブルプリント基板の製法において、上記ポリイミド樹脂フィルムの表面に無電解ニッケルめっきを施した後、その無電解ニッケルめっき層の表面の湿潤を保持した状態で、上記無電解ニッケルめっき層の表面に電解銅めっきを施すことにより厚み０．１〜１．０μｍの薄い銅めっき層を形成し、その後、この薄い銅めっき層の表面に回路形成用の電解銅めっきを施すフレキシブルプリント基板の製法を第１の要旨とし、その製法に用いられ、ポリイミド樹脂フィルムと、このポリイミド樹脂フィルムの表面に形成されたニッケルめっき層と、このニッケルめっき層の表面に形成された厚み０．１〜１．０μｍの薄い銅めっき層とを備えている回路用基材を第２の要旨とする。
【０００８】
すなわち、本発明のフレキシブルプリント基板の製法では、ポリイミド樹脂フィルムの表面に無電解ニッケルめっきを施した後、その無電解ニッケルめっき層の表面の湿潤を保持した状態で、上記無電解ニッケルめっき層の表面に薄い銅めっき層を形成するための電解銅めっきを施すため、無電解ニッケルめっき層の表面に上記薄い銅めっき層が形成されるまで、その無電解ニッケルめっき層の表面は、殆ど空気に触れることがなく、その表面に、殆ど酸化皮膜が形成されない。このため、その酸化皮膜を除去する活性化処理が不要になる。また、上記酸化皮膜が殆ど形成されないことから、上記薄い銅めっき層は、無電解ニッケルめっき層と強固に接着し、実用上剥離することがない。さらに、上記薄い銅めっき層とその表面に形成される回路形成用の厚い銅めっき層とは、強固に接着し、実用上剥離することがない。したがって、上記無電解ニッケルめっき層と薄い銅めっき層との接着信頼性も、薄い銅めっき層と回路形成用の厚い銅めっき層との接着信頼性も、高いものとなる。また、上記薄い銅めっき層は、厚みが０．１〜１．０μｍであるため、その薄い銅めっきの完了後の乾燥工程等において、ポリイミド樹脂フィルム内に含まれた水分が蒸発し易くなっている。さらに、その薄い銅めっき層の形成により、通電性も向上するため、後の回路形成用の厚い銅めっき層の形成が容易になるとともに短時間化できる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のフレキシブルプリント基板の製法によれば、ポリイミド樹脂フィルムの表面に無電解ニッケルめっきを施した後、その無電解ニッケルめっき層の表面の湿潤を保持した状態で、上記無電解ニッケルめっき層の表面に薄い銅めっき層を形成するための電解銅めっきを施すため、無電解ニッケルめっき層の表面に酸化皮膜が殆ど形成されないようにすることができる。このため、その酸化皮膜を除去する活性化処理を不要にすることができ、フレキシブルプリント基板の製造工程を簡略化することができる。また、上記酸化皮膜が殆ど形成されないことから、上記無電解ニッケルめっき層と薄い銅めっき層とを、実用上剥離することがないように、強固に接着することができる。さらに、上記薄い銅めっき層とその表面に形成される回路形成用の厚い銅めっき層とも、実用上剥離することがないように、強固に接着することができる。したがって、上記無電解ニッケルめっき層と薄い銅めっき層との接着信頼性も、薄い銅めっき層と回路形成用の厚い銅めっき層との接着信頼性も、高いものとすることができる。また、上記銅めっき層の厚みを０．１〜１．０μｍの範囲で薄くすることにより、ポリイミド樹脂フィルム内に含まれた水分を蒸発させ易くすることができる。そして、その薄い銅めっき層の形成により、通電性も向上するため、後の回路形成用の厚い銅めっき層の形成が容易になるとともに短時間化できる。
【００１０】
特に、上記薄い銅めっき層を形成するための電解銅めっきが、ｐＨ７．０〜１０．０の範囲の電解銅めっき浴を用いて行われる場合には、ポリイミド樹脂フィルムと無電解ニッケルめっき層との間の熱負荷後の剥離強度をより高めることができる。
【００１１】
また、上記薄い銅めっき層を形成した後、回路形成用の電解銅めっきに先立って、８０〜１００℃の範囲内で熱処理する場合には、ポリイミド樹脂フィルム内に含まれた水分を短時間で蒸発させることができる。さらに、上記熱処理により、ポリイミド樹脂フィルムと無電解ニッケルめっき層との界面をより安定化させることができるとともに、無電解ニッケルめっき層および薄い銅めっき層をもより安定化させ、両めっき層間の接着力をより強固にすることができる。
【００１２】
また、本発明の回路用基材によれば、ポリイミド樹脂フィルムと、このポリイミド樹脂フィルムの表面に形成されたニッケルめっき層と、このニッケルめっき層の表面に形成された厚み０．１〜１．０μｍの薄い銅めっき層とを備えているため、フレキシブルプリント基板の製法において、本発明の回路用基材を用いれば、回路形成用の厚い電解銅めっきに先立つ活性化処理を不要にすることができ、フレキシブルプリント基板の製造工程を簡略化することができる。さらに、上記薄い銅めっき層の表面に、回路形成用の厚い銅めっき層を強固に接着させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
つぎに、本発明を図面にもとづいて詳しく説明する。
【００１４】
図１〜図６は、本発明のフレキシブルプリント基板の製法の一実施の形態を示している。このフレキシブルプリント基板の製法は、ポリイミド樹脂フィルム１の表面に無電解ニッケルめっきを施し、その無電解ニッケルめっき層２の表面に回路形成用の電解銅めっきを施す工程を備えたフレキシブルプリント基板の製法において、無電解ニッケルめっき層２の表面に酸化皮膜が形成されるのを防止することにより、酸化皮膜を除去する活性化処理を不要にし、回路形成用の厚い銅めっき層４の接着信頼性を高める製法である。以下、この製法を説明する。
【００１５】
まず、ポリイミド樹脂フィルム１の表面を表面処理する。この表面処理は、通常、アルカリ金属水酸化物を用いて行われ、そのアルカリ金属水酸化物としては、特に限定されるものではなく、水酸化ナトリウム，水酸化カリウム等があげられる。また、上記表面処理に先立って、ポリイミド樹脂フィルム１の表面をプラズマ処理または短波長紫外線処理してもよい。このようにプラズマ処理等すると、アルカリ金属水酸化物による表面処理が効率的かつ均一に行われ、その表面処理を軽度（低いアルカリ濃度，低い処理温度，短い処理時間）にすることができる。これにより、アルカリに弱いポリイミド樹脂フィルム１に対する影響を少なくすることができる。
【００１６】
ついで、そのポリイミド樹脂フィルム１の表面に金属触媒を付与した後、還元剤を用いて還元処理する。上記金属触媒としては、特に限定されるものではなく、通常用いられるパラジウム，白金があげられる。また、上記還元剤としては、特に限定されるものではなく、次亜リン酸ナトリウム，水素化ホウ素ナトリウム，ジメチルアミンボラン等があげられる。
【００１７】
つぎに、図１に示すように、そのポリイミド樹脂フィルム１の表面に無電解ニッケルめっきを施す。この無電解ニッケルめっきは、例えばアルカリニッケル液を用いて行われ、形成される無電解ニッケルめっき層２の厚みは、通常０．０５〜０．３μｍ程度の範囲になるように設定される。無電解ニッケルめっき層２の厚みが０．０５μｍよりも薄いと熱負荷後の接着力低下が大きくなり、０．３μｍよりも厚いと、生産性が低下するとともに、後で詳しく説明するように、ポリイミド樹脂フィルム１内に含まれた水分の蒸発が困難となる。
【００１８】
そして、上記無電解ニッケルめっきを終えると、アルカリニッケル液から取り出し、形成された無電解ニッケルめっき層２の表面がアルカリニッケル液で湿潤した状態のまま水洗する。そして、その水洗を終えると、上記無電解ニッケルめっき層２の表面が水で湿潤した状態のまま、電解銅めっき浴に浸ける。そして、図２に示すように、電解銅めっきを施し、厚み０．１〜１．０μｍの薄い銅めっき層３を形成する。その薄い銅めっき層３の厚みが０．１μｍよりも薄いと無電解ニッケルめっき層２が銅によって均一に被覆されず、１．０μｍよりも厚いとポリイミド樹脂フィルム１内に含まれた水分の蒸発が困難となり、ポリイミド樹脂フィルム１と無電解ニッケルめっき層２との接着性が低下する。このように、無電解ニッケルめっき層２が形成された後は、その表面は、湿潤を保持したまま薄い銅めっき層３が形成されるため、無電解ニッケルめっき層２の表面には、酸化皮膜が形成されない。
【００１９】
上記電解銅めっき浴としては、特に限定されないが、無電解ニッケルめっき層２が形成された直後に薄い銅めっき層３を形成する場合に、ポリイミド樹脂フィルム１と無電解ニッケルめっき層２との間の熱負荷後の剥離強度（耐熱接着強度）がより高くなる観点から、ｐＨ７．０〜１０．０の範囲の電解銅めっき浴であることが好ましい。このｐＨ７．０〜１０．０の範囲の電解銅めっき浴としては、ピロリン酸銅浴，シアン化銅浴，硫酸銅ＥＤＴＡ錯体浴等があげられる。ｐＨが７．０を下回る酸性領域のめっき浴（硫酸銅浴，ホウフッ化銅浴等）では、無電解ニッケルめっき層２が析出直後で不安定なため溶解し易く、ｐＨが１０．０を上回る領域のめっき浴（無電解銅めっき浴等）では、無電解ニッケルめっき層２界面近傍のポリイミド樹脂フィルム１からのポリイミドが溶解し易く、いずれの場合もより高い耐熱接着強度が得られなくなる傾向にあるからである。
【００２０】
つぎに、上記電解銅めっき浴から取り出し、乾燥させる。この乾燥により、ポリイミド樹脂フィルム１内に含まれた水分を蒸発させる。この蒸発が可能となる理由は、ポリイミド樹脂フィルム１表面の無電解ニッケルめっき層２および薄い銅めっき層３の厚みが薄く、各めっき層では多数の微細孔が貫通した状態になっているから、ポリイミド樹脂フィルム１内に含まれた水分は、無電解ニッケルめっき層２の微細孔および薄い銅めっき層３の微細孔を通り外部に放散されるのである。また、上記蒸発を短時間で完了させるために、上記乾燥の際に、熱処理してもよい。この熱処理は、８０〜１００℃の範囲内で行われることが好ましい。熱処理の温度が８０℃を下回ると、熱処理の効率が悪化する傾向にあり、１００℃を上回ると、薄い銅めっき層３の酸化が大きく進行するからである。この８０〜１００℃の熱処理により、薄い銅めっき層３の表面には、酸化皮膜が形成されるが、その酸化皮膜は、強固なものではなく、次工程の回路形成用の電解銅めっき浴中で簡単に除去される。また、熱処理の時間は、特に限定されないが、通常、１〜３時間程度である。そして、上記熱処理により、ポリイミド樹脂フィルム１と無電解ニッケルめっき層２との界面をより安定化させることができるとともに、無電解ニッケルめっき層２および薄い銅めっき層３をもより安定化させ、両めっき層間の接着力をより強固にすることができる。
【００２１】
このようにして、図２に示すような、ポリイミド樹脂フィルム１と、無電解ニッケルめっき層２と、薄い銅めっき層３とからなる回路用基材Ａが作製される。
【００２２】
そして、この回路用基材Ａが用いられ、フレキシブルプリント基板が作製される。例えば、サブトラクティブ工法によりフレキシブルプリント基板が作製される場合には、まず、図３に示すように、上記回路用基材Ａの薄い銅めっき層３の表面全体に、回路形成用の厚い（厚み５〜２０μｍ程度）電解銅めっきを施す。ついで、図４に示すように、その厚い銅めっき層４の表面において、レジスト５を用いて回路のパターニングを行った後、図５に示すように、レジスト５で覆われていない部分の厚い銅めっき層４，薄い銅めっき層３および無電解ニッケルめっき層２をエッチングにより削除する。そして、図６に示すように、レジスト５を除去し、回路を現す。このようにして、上記回路用基材Ａを用い、フレキシブルプリント基板を作製することができる。
【００２３】
他の方法として、セミアディティブ工法による場合には、まず、図７に示すように、上記回路用基材Ａの薄い銅めっき層３の表面において、レジスト５を用いて回路のパターニングを行った後、図８に示すように、レジスト５で覆われていない部分に回路形成用の厚い電解銅めっきを施し、厚い銅めっき層４を形成する。ついで、図９に示すように、レジスト５を除去した後、図１０に示すように、レジスト５で覆われていた部分の薄い銅めっき層３および無電解ニッケルめっき層２をソフトエッチングにより削除し、回路を現す。このようにしても、上記回路用基材Ａを用い、フレキシブルプリント基板を作製することができる。
【００２４】
このようなフレキシブルプリント基板の製法によれば、上記回路用基材Ａの作製の際に、無電解ニッケルめっき層２の表面に酸化皮膜が形成されないため、酸化皮膜を除去する活性化処理が不要になる。このため、無電解ニッケルめっき工程と銅めっき工程との連続性が容易となる。その結果、生産性が向上し、生産コストを低減することができる。さらに、無電解ニッケルめっき層２の表面の薄い銅めっき層３は、乾燥させても、その表面に強固な酸化皮膜が形成されなく、また、厚みが薄い（０．１〜１．０μｍ）ため、その乾燥において、ポリイミド樹脂フィルム１内に含まれた水分を蒸発させ易い。
【００２５】
そして、回路形成用の電解銅めっきを施す際には、無電解ニッケルめっき層２の表面に薄い銅めっき層３が形成されているため、通電性もよく、その表面に回路形成用の厚い銅めっき層４を形成し易い。しかも、ニッケルは電気抵抗が大きいため、無電解ニッケルめっき層２のみでは電流密度が高められず、生産性は高くないが、その表面に薄い銅めっき層３が形成されていると、その銅は電気抵抗が低いため、電流密度を高めることができ、短時間で厚い銅めっき層４を形成することができるようになる。このため、生産性が向上し、生産コストを低減することができる。また、無電解ニッケルめっき層２と薄い銅めっき層３とは強固に接着しており、厚い銅めっき層４を形成する際には、薄い銅めっき層３の表面の酸化皮膜は、その電解銅めっき浴中で除去される。このため、厚い銅めっき層４を形成した後でも、無電解ニッケルめっき層２と薄い銅めっき層３との間の剥離および薄い銅めっき層３と厚い銅めっき層４との間の剥離は発生せず、安定した回路形成が可能となる。
【００２６】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
【実施例】
【００２７】
〔実施例１〕
下記に示すようにして、回路用基材を作製し、その回路用基材に回路形成用の厚い電解銅めっきを施すことにより、銅めっき基板を得た。
【００２８】
〔表面処理〕
まず、２０ｃｍ×２０ｃｍのポリイミド樹脂フィルム（東レ・デュポン社製、カプトン１００ＥＮ）を、２００ｇ／リットルの水酸化ナトリウム水溶液を用いて２５℃で５分間表面処理した。
【００２９】
〔触媒付与および還元処理〕
つづいて、ＯＰＣ−５０インデューサー（奥野製薬工業社製）にて４０℃で５分間処理することにより、触媒付与を行った後、ＯＰＣ−１５０クリスター（奥野製薬工業社製）にて２５℃で５分間処理することにより、還元処理を行った。
【００３０】
〔無電解ニッケルめっきおよび薄い銅めっき〕
つづいて、アルカリニッケル液（奥野製薬工業社製、ＴＭＰ−化学ニッケル）にて４０℃で５分間無電解ニッケルめっきを行い、厚み０．２μｍの無電解ニッケルめっき層を形成した。つづいて、その無電解ニッケルめっき層の表面がアルカリニッケル液で湿潤した状態のまま水洗し、その後、その表面が水で湿潤した状態のまま、ｐＨ８．８のピロリン酸銅浴（組成は、ピロリン酸銅：９４ｇ／リットル，ピロリン酸カリウム：３４０ｇ／リットル，２８％アンモニア水：３ｍリットル／リットル）に浸ける。そして、電流密度１Ａ／ｄｍ2 で電解銅めっき（５５℃×２分間）を行い、厚み０．２μｍの薄い銅めっき層を形成した。
【００３１】
〔熱処理〕
つづいて、乾燥オーブンにて１００℃で２時間熱処理を行った。このようにして、回路用基材を作製した。
【００３２】
〔回路形成用の厚い電解銅めっき〕
つづいて、その回路用基材に対して、活性化処理を行うことなく、硫酸銅めっき浴にて電流密度２Ａ／ｄｍ2 で５０分間電解銅めっきを行い、上記薄い銅めっき層の表面に厚み２０μｍの回路形成用の厚い銅めっき層を形成した。
【００３３】
〔実施例２〕
上記実施例１と同様にして薄い銅めっき層を形成した後は、熱処理を行わずに、常温（２５℃）にて１日放置した。そして、その後、上記実施例１と同様にして、硫酸銅めっき浴にて回路形成用の厚い銅めっき層を形成した。それ以外は、上記実施例１と同様にした。
【００３４】
〔実施例３〕
上記実施例１の薄い銅めっき層の形成において、ピロリン酸銅浴に代えて、ｐＨ１．０の硫酸銅めっき浴を用い、電流密度１Ａ／ｄｍ2 で電解銅めっき（２５℃×２分間）を行った。そして、厚み０．２μｍの薄い銅めっき層を形成した。それ以外は、上記実施例１と同様にした。
【００３５】
〔実施例４〕
上記実施例１の薄い銅めっき層の形成において、ピロリン酸銅浴をｐＨ６．０に調製し、電流密度１Ａ／ｄｍ2 で電解銅めっき（５５℃×２分間）を行った。そして、厚み０．２μｍの薄い銅めっき層を形成した。それ以外は、上記実施例１と同様にした。
【００３６】
〔実施例５〕
上記実施例１の薄い銅めっき層の形成において、ピロリン酸銅浴をｐＨ７．０に調製し、電流密度１Ａ／ｄｍ2 で電解銅めっき（５５℃×２分間）を行った。そして、厚み０．２μｍの薄い銅めっき層を形成した。それ以外は、上記実施例１と同様にした。
【００３７】
〔実施例６〕
上記実施例１の薄い銅めっき層の形成において、ピロリン酸銅浴をｐＨ１０．０に調製し、電流密度１Ａ／ｄｍ2 で電解銅めっき（５５℃×２分間）を行った。そして、厚み０．２μｍの薄い銅めっき層を形成した。それ以外は、上記実施例１と同様にした。
【００３８】
〔実施例７〕
上記実施例１の薄い銅めっき層の形成において、ピロリン酸銅浴を用いた電解銅めっきに代えて、ｐＨ１２．５のホルムアルデヒド浴（無電解銅めっき浴）を用い、無電解銅めっき（４０℃×６分間）を行った。そして、厚み０．１μｍの薄い銅めっき層を形成した。それ以外は、上記実施例１と同様にした。
【００３９】
〔比較例１〕
上記実施例１の無電解ニッケルめっき後に熱処理を行い、その後、活性化処理を行うことなく、上記実施例１と同様のピロリン酸銅浴にて薄い銅めっき層を形成し、水洗後、上記実施例１と同様にして、硫酸銅めっき浴にて回路形成用の厚い銅めっき層を形成した。それ以外は、上記実施例１と同様にした。
【００４０】
〔比較例２〕
上記実施例１の無電解ニッケルめっき後に熱処理を行い、その後、活性化処理および薄い銅めっき層の形成を行うことなく、上記実施例１と同様にして、硫酸銅めっき浴にて回路形成用の厚い銅めっき層を形成した。それ以外は、上記実施例１と同様にした。
【００４１】
〔比較例３〕
上記実施例１の無電解ニッケルめっき後に熱処理を行い、その後、１０％の塩酸にて２５℃で１分間活性化処理を行い、その後、硫酸銅めっき浴にて回路形成用の厚い銅めっき層を形成した。それ以外は、上記実施例１と同様にした。
【００４２】
このようにして得られた実施例１〜７および比較例１〜３の各銅めっき基板から１ｃｍ幅の帯状に切り取ったものに対して、引張試験機（オリエンテック社製）を用い、１８０°ピール強度測定を初期と熱負荷後とで行った。ここで、初期とは、熱負荷をかける前の状態であり、熱負荷後とは、熱負荷（１５０℃×３日間）をかけた後の状態である。そして、これらの結果を下記の表１に表記した。
【００４３】
【表１】
2005060772.tif 000003
【００４４】
上記表１の結果より、実施例１〜７の銅めっき基板では、比較例１〜３と比較すると、剥離がポリイミド樹脂フィルムと無電解ニッケルめっき層との間で１００％発生していることから、接着信頼性が高いことがわかる。また、その剥離についても、実施例１〜７の銅めっき基板では、活性化処理を施さなくても、活性化処理を施した比較例３と同等もしくはそれ以上の剥離強度を得ることができることがわかる。ここで、比較例３では、剥離が無電解ニッケルめっき層と銅めっき層との間でも発生していることから、活性化処理を施しても無電解ニッケルめっき層の表面の酸化皮膜が充分に除去されていないことがわかる。また、実施例１と実施例２とを比較すると、薄い銅めっき層を形成した後に熱処理をした実施例１の方が剥離強度が大きいことから、その熱処理が接着力をより強固にしていることがわかる。さらに、実施例１，２，５，６と実施例３，４，７とを比較すると、薄い銅めっき層を形成するための電解銅めっき浴のｐＨが７．０〜１０．０の範囲であれば、熱負荷後の剥離強度をより大きくすることができることがわかる。また、比較例１，２では、剥離面が無電解ニッケルめっき層と銅めっき層との間となることから、無電解ニッケルめっき層の表面に酸化皮膜が形成され、それが除去されていないことがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明のフレキシブルプリント基板の製法の一実施の形態における回路用基材の製法を示す説明図である。
【図２】上記回路用基材の製法を示す説明図である。
【図３】上記回路用基材を用いたサブトラクティブ工法によるフレキシブルプリント基板の製法を示す説明図である。
【図４】上記サブトラクティブ工法を示す説明図である。
【図５】上記サブトラクティブ工法を示す説明図である。
【図６】上記サブトラクティブ工法を示す説明図である。
【図７】上記回路用基材を用いたセミアディティブ工法によるフレキシブルプリント基板の製法を示す説明図である。
【図８】上記セミアディティブ工法を示す説明図である。
【図９】上記セミアディティブ工法を示す説明図である。
【図１０】上記セミアディティブ工法を示す説明図である。
【図１１】従来のフレキシブルプリント基板の製法を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４６】
Ａ  回路用基材
１  ポリイミド樹脂フィルム
２  無電解ニッケルめっき層
３  薄い銅めっき層
４  厚い銅めっき層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005060772.tif 000010
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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