(57)【要約】  【課題】  光学素子を搭載する光学ベンチにおいて、形成される導電性材料層の組成を安定化させ、光学素子の実装効率を高めると共に、他品種対応に好適なマスクレスのパターン形成を可能とする。  【解決手段】  Ｓｉ基板１１と、このＳｉ基板１１上に形成される配線１３と、Ｓｉ基板１１上の配線１３に接続されて形成され、光学素子をダイボンディング等により接合するためのＡｕ−Ｓｎ膜１４と、Ａｕ−Ｓｎ膜１４の周りに形成され、このＡｕ−Ｓｎ膜１４は、金錫(Ａｕ-Ｓｎ)の合金粒子を含むペーストを用いたドット状の印刷により形成される。  【選択図】  図１
2005158872.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成される配線と、
前記基板上の前記配線に接続されて形成され、光学素子を接合するための導電性材料層とを備え、
前記導電性材料層は、金錫(Ａｕ-Ｓｎ)の合金粒子を含むペーストを用いたドット状の印刷により形成されることを特徴とする光学ベンチ。
【請求項２】
前記導電性材料層は、前記合金粒子のサイズが平均粒径にして３μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の光学ベンチ。
【請求項３】
基板上に配線が形成されると共に、当該配線上に導電性材料層を有する光学ベンチと、
前記光学ベンチにおける前記導電性材料層を介して接合される光学素子とを含み、
前記光学ベンチに設けられる前記導電性材料層は、金錫(Ａｕ-Ｓｎ)の合金粒子を含むペーストを用いた印刷により形成され、当該印刷はドット状に行われることを特徴とする光学モジュール。
【請求項４】
前記光学ベンチに設けられる前記導電性材料層は、前記合金粒子のサイズが平均粒径にして３μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項３記載の光学モジュール。
【請求項５】
前記光学素子は、レーザダイオードであることを特徴とする請求項３記載の光学モジュール。
【請求項６】
光学素子が接合される光学ベンチの製造方法であって、
基板上に配線を形成する配線工程と、
前記配線工程により配線が形成された基板上に、金錫(Ａｕ-Ｓｎ)の合金粒子を含むペーストをドット状に印刷する印刷工程と、
前記印刷工程によりドット状に印刷された前記ペーストを加熱溶融してＡｕ-Ｓｎ膜を形成する加熱溶融工程と
を含む光学ベンチの製造方法。
【請求項７】
前記印刷工程は、前記ペーストをディスペンサ方式によってドット状に印刷することを特徴とする請求項６記載の光学ベンチの製造方法。
【請求項８】
前記印刷工程は、１つのパッドエリア内にて場所によって異なる径のドットを印刷することを特徴とする請求項６記載の光学ベンチの製造方法。
【請求項９】
前記加熱溶融工程は、ドット状に印刷された複数の前記ペーストが加熱溶融して濡れ広がることにより、パッドエリアに近似したパターンからなるＡｕ-Ｓｎ膜を形成させることを特徴とする請求項６記載の光学ベンチの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば光学素子を搭載するための光学ベンチ、およびその製造方法等に係り、より詳しくは、導電性材料層を有する光学ベンチ、およびその製造方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光通信技術の進展に伴い、例えばネットワークに用いられる種々の部品、デバイス、およびそれらを用いた光学モジュールのニーズが高まっており、活発な研究開発が行われている。特に、光ファイバ、レンズ、レーザダイオード等の部品を適宜組み合わせたモジュールは、その基本コンポーネントとして多用されている。
【０００３】
このような光学モジュールの従来技術として、例えば、Ｓｉ基板上に溝を設け、その溝に球状のレンズを位置決めして固定し、また、Ｓｉ基板上に所定の配線が形成される光学モジュールがある(例えば、特許文献１参照)。このような光学モジュールとしては幾つかの形態が存在するが、中でも、３次元加工技術であるマイクロマシニング(ＭＥＭＳ)によりＳｉウェハに対して溝を形成し、これにファイバやレンズを埋め込み固定する方法が量産性に優れた方法として注目されている。このＭＥＭＳにより形成された光学モジュール用の基板は、シリコンオプティカルベンチ(ベンチ、光学ベンチ)と呼ばれ、一つのキーデバイスとなっている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１６２５４２号公報(第３〜４頁、図１０)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
これらの光学モジュールに用いられる光学デバイスは、例えば光増幅や合分波等に使用され、用途に応じて種々の形態があるが、一般には光信号発生源としてのレーザダイオード(ＬＤ)などの光源を備えて形成されることが多い。例えばレーザダイオードの光学ベンチへの搭載は、耐熱性および接続の信頼性の観点から、一般的に金錫(Ａｕ-Ｓｎ)を用いて行われる。このＡｕ-Ｓｎからなる接続用パッドの形成は、従来、蒸着またはスパッタなどの薄膜堆積によって行われている。
【０００６】
しかしながら、かかる接続用パッドの生成では、数μｍの厚膜を形成する必要があり、工程に極めて時間がかかると共に、パッドパターンを形成するためにフォトリソグラフィのプロセスが必要となり、製造価格および時間の増大を招いていた。また、上記特許文献１のように、蒸着等によりＡｕ-Ｓｎ膜を形成する場合には、通常、ＡｕおよびＳｎの原料ペレット等を別々に用意し、二元薄膜形成により成膜することが必要となることから、組成が完全には均一になり難く、そのために微妙な溶融温度のばらつきや溶融金属の流動の不均一を招いてしまい、レーザダイオード等の光学デバイスの実装に支障を来たすことがあった。
【０００７】
また、最近は、高周波回路部品等において粒子状のＡｕ-Ｓｎ材料を用いてペーストを作製し、これを用いて印刷によってパターン形成する方法も一部で検討されている。これらの印刷によれば、工程費用および時間が著しく軽減され、有用な方法であるが、上述のような光学デバイスに適用する場合には難点があった。すなわち、レーザダイオード等の実装においては、レンズ、ファイバその他と低損失で光結合する必要があるため、極めて高精度のアライメントが必要になる。このため、光軸方向をｙ方向とした場合のｚ方向、すなわち高さ方向も精密に位置合わせする必要があるが、従来のＡｕ-Ｓｎの印刷では厚さ、すなわち高さを一定に保つことが困難であった。これは、Ａｕ-Ｓｎペーストを印刷後、通常はリフローにより溶融させて表面を平滑化させるが、このときの濡れ広がり具合が微妙な条件の違いによってばらつくことに起因し、印刷条件を一定にしてかつリフロー装置の設定条件を一定にした場合でも、リフロー後の印刷高さを一定に保つことが困難であった。このために、レーザダイオードのボンディングパッド等を印刷で形成することができなかった。
【０００８】
これらの状況に鑑み、本発明者らは、印刷エリアを規定することにより、上述の問題を解決することを先に提案している(特願２００３−３５６０６１)。かかる提案技術は非常に有用であるが、多品種少量等でパターン形状が頻繁に変化する用途に際して、更に改良を加える余地がある。即ち、多品種少量等でパターン形状が頻繁に変化する場合であっても、量産効率を十分に上げるために、その都度印刷マスクを交換することなく簡単にパターンを変化し得る方法が望まれていた。
【０００９】
本発明は、以上のような技術的課題を解決するためになされたものであって、その目的とするところは、光学ベンチ上に、光学部品搭載のための導電性材料層を印刷により形成する際、量産性を向上させることにある。
また他の目的は、例えば、金錫(Ａｕ-Ｓｎ)からなる導電性材料層の印刷に際し、マスク交換に伴う他品種対応の煩雑さを解消することにある。
更に他の目的は、光学素子を搭載する光学ベンチにおいて、形成される導電性材料層の組成を安定化させ、光学素子の実装効率を高めると共に、実装の信頼性を向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
かかる目的のもと、本発明が適用される光学ベンチは、基板と、この基板上に形成される配線と、基板上の配線に接続されて形成され、光学素子を接合するための導電性材料層とを備え、この導電性材料層は、金錫(Ａｕ-Ｓｎ)の合金粒子を含むペーストを用いたドット状の印刷により形成されることを特徴としている。
ここで、この導電性材料層は、合金粒子のサイズが平均粒径にして３μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴としている。
【００１１】
一方、本発明が適用される光学モジュールは、基板上に配線が形成されると共に、この配線上に導電性材料層を有する光学ベンチと、この光学ベンチにおける導電性材料層を介して接合される光学素子とを含み、この光学ベンチに設けられる導電性材料層は、金錫(Ａｕ-Ｓｎ)の合金粒子を含むペーストを用いた印刷により形成され、この印刷はドット状に行われることを特徴としている。
ここで、この光学素子はレーザダイオードであることを特徴とすることができる。
【００１２】
更に他の観点から把えると、本発明は、光学素子が接合される光学ベンチの製造方法であって、基板上に配線を形成する配線工程と、この配線工程により配線が形成された基板上に、金錫(Ａｕ-Ｓｎ)の合金粒子を含むペーストをドット状に印刷する印刷工程と、この印刷工程によりドット状に印刷されたペーストを加熱溶融してＡｕ-Ｓｎ膜を形成する加熱溶融工程とを含む。
【００１３】
ここで、この印刷工程は、ペーストをディスペンサ方式によってドット状に印刷することを特徴とすることができる。また、この印刷工程は、１つのパッドエリア内にて場所によって異なる径のドットを印刷することを特徴としている。更に、加熱溶融工程は、ドット状に印刷された複数のペーストが加熱溶融して濡れ広がることにより、パッドエリアに近似したパターンからなるＡｕ-Ｓｎ膜を形成させることを特徴としている。ここで、このパッドエリアは、レーザダイオード等の光学素子をダイボンディングするためにＡｕ-Ｓｎ膜が形成されるダイボンディング領域である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、光学素子を搭載する光学ベンチにおいて、例えば、金錫(Ａｕ-Ｓｎ)からなる導電性材料層のパッド形成をドット状の印刷で行うことで、パッドの組成を安定させることが可能となり、実装信頼性を高め、生産性を向上させることができる。
また、他品種対応に好適なマスクレスのパターン形成を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
[実施の形態１]
図１(ａ),(ｂ)は、本実施の形態が適用される光学ベンチの構成を示した図である。図１(ａ)は光学ベンチの上面図であり、図１(ｂ)は光学ベンチの側面図である。本実施の形態が適用される光学ベンチ(シリコンオプティカルベンチ)１０は、シリコンウェハであるＳｉ基板１１に、例えばレンズ等の光学部品を位置決めした状態で搭載するための深溝である溝１２が形成される。また、Ｓｉ基板１１上には、メッキによって形成され、所定の形状からなる配線１３を有している。更に、本実施の形態が適用される光学ベンチ１０では、例えば、光学素子(光学部品、光学デバイス)であるレーザダイオード(ＬＤ)をダイボンディングするための導電性材料層として、金錫膜(Ａｕ-Ｓｎ膜)１４が形成されている。
【００１６】
図２は、光学ベンチ１０に形成された配線１３の断面構造を示した図である。本実施の形態が適用される光学ベンチ１０の配線１３は、酸化膜付きのＳｉ基板１１上に設けられ接着層となるニッケル/チタン膜(Ｎｉ/Ｔｉ膜)２１、Ｎｉ/Ｔｉ膜２１上に形成され無電解メッキにより堆積される例えばリン濃度１３％の非磁性ニッケルリン膜(Ｎｉ-Ｐ膜)２２、Ｎｉ-Ｐ膜２２上に形成される金膜(Ａｕ膜)２３を備えている。Ｎｉ/Ｔｉ膜２１およびＮｉ-Ｐ膜２２により配線１３の基本パターンが形成され、その上に、無電解メッキによりＡｕ膜２３が形成されて、配線１３が作製される。
【００１７】
図３(ａ),(ｂ)は、配線１３上に形成されるＡｕ-Ｓｎ膜１４を説明するための図である。本実施の形態では、図３(ａ)に示したパッドエリアに対して、図３(ｂ)に示すような、加熱溶融前の大径Ａｕ-Ｓｎ印刷ドット３１と小径Ａｕ-Ｓｎ印刷ドット３２をＳｉ基板１１の配線１３上に印刷した。図３(ｂ)に示す例では、大径Ａｕ-Ｓｎ印刷ドット３１を溶融させて大径ドットパターン４１を形成し、また、小径Ａｕ-Ｓｎ印刷ドット３２を溶融させて小径ドットパターン４２を形成している。このとき、大径ドットパターン４１を中央に形成し、小径ドットパターン４２をコーナー部(四隅)に形成することで、実質的に図３(ａ)に示すようなパッドエリアに相当する領域(近似領域)に、Ａｕ-Ｓｎ膜１４をパターン形成することができる。
【００１８】
形成されるＡｕ-Ｓｎ膜１４は、５００μｍ角のレーザダイオード(ＬＤ)をダイボンディングするためのパッドエリアにおいて、必要なパッドサイズ(Ａｕ-Ｓｎ膜１４のサイズ)を５００μｍ角としている。そのために、加熱溶融後に濡れ広がって生成されるＡｕ-Ｓｎ膜１４の状態を、このパットサイズに近くなるように設計されている。ここでは、図３(ｂ)に示すように、約５００μｍ径の大径ドットパターン４１と約１５０μｍ径の小径ドットパターン４２の組み合わせによりパターン形成を行っており、約５００μｍ径の大径ドットパターン４１の形成には約１５０μｍ径の大径Ａｕ-Ｓｎ印刷ドット３１を形成して加熱溶融し、約１５０μｍ径の小径ドットパターン４２の形成には約５０μｍ径の小径Ａｕ-Ｓｎ印刷ドット３２を形成して加熱溶融している。これらの加熱前後のドット径の関係については、溶融時のペーストの濡れ広がり度合を予め測定して把握しておくことが必要である。即ち、本実施の形態では、加熱溶融時の下地に対する印刷の濡れ広がりの度合を測定し、これを基に印刷ペースト(金属)である金錫(Ａｕ-Ｓｎ)ペーストの量を調整することにより、厚さ(高さ)の均一化を図っている。このように、本実施の形態では、下地材料と表面性状、加熱温度と時間、および印刷金属量が一定であれば、膜厚をほぼ一定に制御することができることを利用している。
【００１９】
また、ドット状印刷の方法には種々のものがあるが、ディスペンサを用いる方法が、精度および作業効率の点で最も適している。ディスペンサの吐出条件およびペースト粘度を適宜調整することにより、幅広い範囲でドットサイズおよび印刷厚さを変化させることができると共に、繰り返し精度の高い安定した塗布を行うことができる。また、位置決め機構を備えた所謂ロボットにディスペンサヘッドを搭載することにより、多点のドット印刷を極めて効率良く行うことができる。
【００２０】
本実施の形態では、ディスペンサとして武蔵エンジニアリング(株)製ＳｕｐｅｒΣＶ７を用いた。大径Ａｕ-Ｓｎ印刷ドット３１の形成には５０μｍ径のニードルを用い、小径Ａｕ-Ｓｎ印刷ドット３２の形成には２０μｍ径のニードルを用いている。また、ドットの位置決めおよびニードルの位置操作は、武蔵エンジニアリング(株)製ロボットＦＡＤ３００を用い、±５μｍ以内の精度で位置決めを行った。
【００２１】
また、このとき用いた金錫(Ａｕ-Ｓｎ)ペーストは、粉末含有量が体積比で５０％、平均粒径が１０μｍのものであった。加熱は、窒素雰囲気中で３８０℃、２分で行った。この加熱によりＡｕ-Ｓｎ印刷膜がメルトし、厚さ５μｍの膜がほぼ５００μｍ角の所定サイズで得られた。尚、この調整においては、金錫(Ａｕ-Ｓｎ)ペーストにおけるＡｕ-Ｓｎ粒子のサイズが小さい程、精度が上がる傾向にあるが、その一方で、表面積が増大するために表面酸化膜の割合が相対的に増加することになり、レーザダイオード(ＬＤ)等の搭載において適正に溶融接合し難くなる問題が生じる。例えば、平均粒径が２.５μｍの金錫(Ａｕ-Ｓｎ)ペーストを用いた場合には、酸化物の量が増えたために溶融が不十分となり、表面平滑性が悪くなると共に、レーザダイオード搭載時の接合が十分に行われなかった。即ち、平均粒径が３μｍより小さくなると、この問題が特に顕著になるため実用的でない。また、平均粒径が２０μｍより大きくなると、前述の調整の精度が極度に悪くなる。例えば、平均粒径２５μｍの金錫(Ａｕ-Ｓｎ)ペーストを用いて、前述と同様の印刷実験を行うと、加熱溶融後の広がり面積にムラが生じ、ダイボンディングエリアが安定して形成できなかった。したがって粒子サイズは３μｍ以上２０μｍ以下が適する。上述のように、金錫(Ａｕ-Ｓｎ)ペーストとして、粉末含有量が体積比で５０％、平均粒子径が１０μｍのものを用いると、このような粉末含有量および粒子サイズの採用によって加熱溶融後における広がり面積のムラが抑制できたことが実験により確認できた。
【００２２】
このように、本実施の形態では、金錫(Ａｕ-Ｓｎ)ペーストの粉末含有量や平均粒径を特定し、更に、リフローにより溶融させて表面を平滑化させた場合を考慮して、印刷の厚さ(高さ)を一定にすべく、印刷条件を設定している。このとき、ドット状の印刷パターンを用いることで、微妙な溶融温度のばらつきや溶融金属の流動の不均一を招くことが防止され、レーザダイオード等の実装に支障を来たすことがなくなった。即ち、本実施の形態によれば、かかる条件にて印刷されたＡｕ-Ｓｎ膜１４を用い、極めて高精度のアライメントが要求されるレーザダイオードを実装することが可能となった。
【００２３】
[実施の形態２]
実施の形態２では、実施の形態１とはドットパターンを変え、定寸のドットパターンを並べて配置している。尚、実施の形態１と同様な構成については同様な符号を用い、ここではその詳細な説明を省略する。
図４は、実施の形態２が適用されるＡｕ-Ｓｎ膜１４の構成を示した図である。実施の形態２では、定寸のＡｕ-Ｓｎ印刷ドット３３を所定のパターンで配列し、これを加熱溶融して、ドットパターン４３を形成しており、実質的にパッドエリアに近似したＡｕ-Ｓｎ膜１４を得ている。この図４に示す定寸のＡｕ-Ｓｎ印刷ドット３３を形成することで、ニードルを変更する必要がなく、作業がより簡素化される。また、ドット径をより微小にすることで、パッドエリアに対してより近似したパターンを形成することが可能となる。
【００２４】
次に、実施の形態１および実施の形態２による光学ベンチ１０の製造方法について説明する。
図５は、これらの実施の形態が適用される光学ベンチ１０の製造工程を説明するための図である。ここでは、まず、ステップ１０１にて準備されたＳｉウェハに、ＴｉスパッタとＮｉスパッタが実行され(ステップ１０２)、接着層となるＮｉ/Ｔｉ膜２１が形成される。このＮｉ/Ｔｉ膜２１の形成工程では、例えば、Ｎｉ膜とＴｉ膜とを０.１μｍずつ、スパッタにより連続成膜している。次に、無電解メッキにより、Ｎｉメッキとして、例えば３μｍ程度の厚さにＮｉ-Ｐ膜２２が形成される(ステップ１０３)。次いで、レジストが塗布されマスクを用いてパターニング(パターン形成)が行われ、例えば、塩酸によりＮｉ-Ｐ膜２２およびＮｉ/Ｔｉ膜２１をエッチングして、配線１３の基本パターンが形成される(ステップ１０４)。その後、レジストは剥離される。
【００２５】
次に、レジストが剥離されたＮｉ-Ｐ膜２２の上に、無電解メッキによりＡｕ膜２３が、例えば０.５μｍ程度、成膜されて(ステップ１０５)、配線１３が作製される。このＡｕ無電解メッキ工程では、パターン上にマスクレスで無電解メッキがなされる。このように、本実施の形態では、これらのメッキ方法として、無電解メッキを使用し、反応速度を低めに設定することにより、残留歪が小さくかつ均一性の高い膜が得られ、応力集中による腐食の加速を実質的に生じ難くしている。また、無電解メッキを用いて膜を積層堆積する場合、一層目のみをエッチングしてパターニングしておくことで、後続の層はその上に同一パターンで堆積していくことができる。その結果、積層膜の場合に比べエッチング作業が行い易くなり、また寸法精度を高めることができ、プロセス効率を向上させることができる。このようにして、配線工程が実行される。
【００２６】
その後、本実施の形態における特徴的な工程として、粉末含有量が体積比５０％で平均粒子径が１０μｍの金錫(Ａｕ-Ｓｎ)ペーストからなるドットパターンがディスペンサを用いて印刷される(ステップ１０６)。印刷(形成)されるドットパターンは、図３に示す大径Ａｕ-Ｓｎ印刷ドット３１や小径Ａｕ-Ｓｎ印刷ドット３２、または図４に示すようなＡｕ-Ｓｎ印刷ドット３３である。この印刷の後、リフロー炉に通して加熱する(ステップ１０７)。この加熱溶融工程であるリフロー工程では、窒素雰囲気中で３８０℃、２分間の加熱が行われる。この加熱により金錫(Ａｕ-Ｓｎ)ペーストは、パッドエリアに略沿うようにして均一にメルトされる。その後、例えば市販のフラックス洗浄液を用いて、加熱後の洗浄が行われる。
【００２７】
洗浄の後、ＫＯＨ等の強アルカリを用いて、３次元加工技術であるマイクロマシニング(ＭＥＭＳ)による深溝の形成が行われる。即ち、レジスト塗布とパターニングが実行され、次いで、フッ酸エッチング工程にて、溝１２が形成されるパターンに合わせて、Ｓｉ基板１１上に当初から形成されている酸化膜(ＳｉＯ２)がフッ酸を用いて除去される(ステップ１０８)。その後、レジストが除去された後、強アルカリであるＫＯＨを用いた異方性エッチングが行われ、レンズ搭載用の深溝である溝１２が形成される(ステップ１０９)。このように、配線１３の加工は溝１２の加工前、即ち、Ｓｉ基板１１のウェハ表面に酸化膜の付いた状態で行われることから、従来、必要であった高温の酸化処理が不要であり、工程時間を著しく短縮することが可能となった。
尚、印刷エリアのエッジ部のパターンをより正確に出す必要がある場合は、レーザトリミング等により端部を揃えることも可能である。
【００２８】
次に、実施の形態１および実施の形態２のようにして製造された光学ベンチ１０を用いた光学モジュールについて説明する。
図６(ａ),(ｂ)は、本実施の形態が適用される光学モジュールの一例を示した図である。図６(ａ),(ｂ)に示す光学モジュール５０は、光学ベンチ１０における溝１２内に、光学部品として、例えば石英製結合レンズであるレンズ５１が搭載されている。また、光学ベンチ１０の配線１３の一部に形成されたＡｕ-Ｓｎ膜１４の上に、光学駆動部品として、光学素子であるレーザダイオード５２が実装されている。図６(ａ),(ｂ)に示す光学モジュール５０の実装例では、Ａｕ-Ｓｎ膜１４にてレーザダイオード５２が所定位置に接合(ダイボンディング)された後、レンズ５１が位置決めされる。その後、レンズ５１は、接着剤等を用いてＳｉ基板１１に固定される。本実施の形態では、上述した作業工程によって光学ベンチ１０が作製されることから、配線１３の精度が±３μｍ以内程度と高く、その結果として、光学モジュール５０における組み立て整合性を向上させることが可能となる。尚、光学モジュール５０に搭載される他の光学部品/駆動部品としては、ファイバ、ミラー、フィルタ、スイッチ等がある。
【００２９】
以上、詳述したように、本実施の形態(実施の形態１および実施の形態２)では、レーザダイオード等の光学デバイス(光学素子)の実装に際し、粒子状のＡｕ-Ｓｎ材料を用いてペーストを作製し、これを印刷にて形成することで、光学ベンチ１０を形成している。これによって、従来の多層薄膜方式で形成されていたパッドと異なり、組成が極めて安定していることから、繰り返し毎のバラツキを実質的に生じさせず、非常に安定した状態にて、レーザダイオード等の光学デバイスを実装することができる。このとき、Ａｕ-Ｓｎ膜１４の形成に際して、Ａｕ-Ｓｎパッド形成をドット状印刷で行うようにしたために、パッドの組成が安定して実装信頼性が高まると共に、生産性を向上させることが可能となり、更に、多品種対応に好適なマスクレスパターンを簡易に形成することが可能となる。
【００３０】
また、本実施の形態において、ロボットへのデータ入力操作だけでドットパターンの変更が可能であり、パターン形状をマスクで形成する場合のマスク変更に要する手間に比べて、パターンの変更が極めて容易となる。すなわち、マスク交換に伴う他品種対応の煩雑さという問題を解消し、Ａｕ-Ｓｎパッドの組成を安定した状態で形成させることが可能となり、量産性を更に向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明の活用例としては、光学素子を搭載する光学ベンチ、光学ベンチに光学素子が搭載された光学モジュール、およびこれらの製造への活用が考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】(ａ),(ｂ)は、本実施の形態が適用される光学ベンチの構成を示した図である。
【図２】光学ベンチに配線が形成された断面構造を示した図である。
【図３】(ａ),(ｂ)は、配線上に形成されるＡｕ-Ｓｎ膜を説明するための図である。
【図４】本実施の形態２が適用されるＡｕ-Ｓｎ膜の構成を示した図である。
【図５】光学ベンチの製造工程を説明するための図である。
【図６】(ａ),(ｂ)は、本実施の形態が適用される光学モジュールの一例を示した図である。
【符号の説明】
【００３３】
１０…光学ベンチ(シリコンオプティカルベンチ)、１１…Ｓｉ基板、１２…溝、１３…配線、１４…金錫膜(Ａｕ-Ｓｎ膜)、２１…ニッケル/チタン膜(Ｎｉ/Ｔｉ膜)、２２…ニッケルリン膜(Ｎｉ-Ｐ膜)、２３…金膜(Ａｕ膜)、３１…大径Ａｕ-Ｓｎ印刷ドット、３２…小径Ａｕ-Ｓｎ印刷ドット、３３…Ａｕ-Ｓｎ印刷ドット、４１…大径ドットパターン、４２…小径ドットパターン、４３…ドットパターン、５０…光学モジュール、５１…レンズ、５２…レーザダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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