(57)【要約】【課題】  少なくとも二つの発光領域毎に分割された複数の個別ブロックを有する発光素子アレイにおいて、個別配線と共通配線とが多層配線とならない発光素子アレイを提供すること。【解決手段】  前記個別ブロックが半導体基板１１上に該半導体基板とは絶縁された状態でｐ型半導体層１２及びｎ型半導体層１３が順次エピタキシャル成長されて両者の界面に活性層１４が形成された半導体層を有し、前記個別ブロック毎の二つの発光領域１６が素子分離領域１７により形成され、前記個別ブロック毎に一つのｐ側共通電極１８が前記半導体層の表面から前記ｐ型半導体層１２に達するｐ型拡散導通領域により形成されていると共に前記二つの発光領域のｎ型半導体層に１：１で接続されている二つの個別配線２９、３１を形成する。  この個別ブロック毎の二つの個別配線をそれぞれ別のブロックに設けられたｎ１側電極パッド３０及びｎ２側電極パッド３３に電気的に接続する。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
二つの発光領域毎に分割された複数の個別ブロックを有する発光素子アレイにおいて、前記個別ブロックが半導体基板上に該半導体基板とは絶縁された状態でｐ型半導体層及びｎ型半導体層が順次エピタキシャル成長されて両者の界面に活性層が形成された半導体層を有し、前記個別ブロック毎の二つの発光領域が素子分離領域により形成され、前記個別ブロック毎に一つのｐ側共通電極が前記半導体層の表面から前記ｐ型半導体層に達するｐ型拡散導通領域により形成されていると共に前記二つの発光領域のｎ型半導体層に１：１で接続されている二つの個別配線が形成されていることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項２】
更に前記個別ブロックとは電気的に絶縁された少なくとも１つの別のブロックを有し、該別のブロックには二つのｎ側共通電極がそれぞれ電気的に絶縁されて形成され、前記ｎ側共通電極の一方には前記ぞれぞれの個別ブロックの一方の個別配線が接続され、前記ｎ側共通電極の他方には前記それぞれの個別ブロックの他方の個別配線が接続されていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子アレイ。
【請求項３】
前記別のブロックの二つのｎ側共通電極は、それぞれ前記別のブロックの半導体層を利用した第１のｎ側共通配線と、該半導体層の表面に絶縁膜を介して金属配線により形成された第２のｎ側共通配線とからなることを特徴とする請求項２に記載の発光素子アレイ。
【請求項４】
前記別のブロックは少なくとも半導体基板上に該半導体基板とは電気的に絶縁された状態でｐ型半導体層及びｎ型半導体層が順次エピタキシャル成長された半導体層を有し、前記第１のｎ側共通配線は該半導体層の表面から前記ｐ型半導体層に達するｐ型拡散配線領域及び該ｐ型半導体層により形成されていることを特徴とする請求項３に記載の発光素子アレイ。
【請求項５】
前記ｐ側共通電極、前記第１のｎ側共通配線及び前記第２のｎ側共通電極のそれぞれの表面には、直接或いは絶縁膜を介して外部接続のための電極パッドが形成されていることを特徴とする請求項４に記載の発光素子アレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子アレイに関し、特に電子写真方式を用いたノンインパクトプリンタにおける光プリントヘッド用の共通電極を複数個有する発光素子アレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（light emitting diode：ＬＥＤ）からなる発光素子は、発光が鮮やかであり、駆動電圧が低く周辺回路が容易になるなどの理由により、従来より表示デバイスとしてのみでなく、電子写真方式を採用した光プリンタ等の光源等への応用を目的として、発光ダイオードアレイ（以下、「発光素子アレイ」という。）を用いた光プリントヘッドの研究が盛んに行われている。
【０００３】
自己発光型の発光素子アレイを光源とした光プリンタは、画像信号に応じて発光素子アレイの各ドットを発光させ、分布屈折率レンズなどの等倍結像素子により、感光体ドラム上に露光して静電潜像を形成し、現像装置でトナーを選択的に付着させたあと、普通紙などに付着したトナーを転写させることにより印字を行うものである。
【０００４】
この発光素子アレイを用いた光プリントヘッドは、
（１）可動部がなく、かつ構成部品も少ないことから、小型化が可能となる、
（２）発光素子アレイチップを複数個接続することにより、長尺化が容易である、
等の特長を有している。
【０００５】
このような発光素子アレイは従来から種々の構成のものが開発されているが、ここで参考のために下記特許文献１に開示されている発光素子アレイの構成を図４及び図５を用いて説明する。なお、図４は発光素子アレイ５０の絶縁層を取り除いた要部平面図であり、図５は図４のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【０００６】
図４において、発光素子アレイ５０は、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓ等からなる化合物半導体５１から形成されており、その表面には１列又は千鳥状に整列した複数の発光領域５７が選択的拡散によって形成されている。化合物半導体５１の表面には順次Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等からなる絶縁膜５２、５３及び５４が設けられており、これら絶縁膜５２、５３及び５４は、発光領域の選択拡散膜や化合物半導体表面の保護膜、ピンホール対策膜や配線補強下地膜、光取出し・輝度調整膜等の目的で複数層設けられている。絶縁膜５２及び５３の上には発光領域５７にオーミック接触の取られたＡｌ、Ｃｒ等からなる個別電極層５５が設けられ、それぞれの発光領域に接続する電極、ボンディング用の電極、これらを接続する配線用の電極となる。また、化合物半導体５１の裏面にはＡｕ等からなる共通電極５６が設けられている。
【０００７】
このような発光素子アレイ５０は、それぞれの発光領域５７に個別に電極層５５が設けられていることから、より高密度にかつより多数の発光領域５７を形成しようとすると、それに応じてそれぞれの発光領域５７に接続する電極、ボンディング用の電極パッド、これらを接続する配線用の電極等の数及び専有する総面積も大きくなるので、物理的にあまり高密度にできないという問題点が存在する。
【０００８】
そこで、上述のような従来例の発光素子アレイの問題点を解決するために、複数個の発光素子ごとの個別電極を共有し、電極配線及び電極パッドの数及びそれらの占有する総面積を減らした発光素子アレイが開発された。
【０００９】
そこで、以下において本発明の理解のために下記特許文献２に開示されている発光素子アレイについて図６及び図７を用いて説明する。なお、図６は発光素子アレイの概略を示す平面図であり、図７は、図６に示す発光素子アレイの素子分離領域周辺の部分平面図（図６（ａ））及び部分断面図（図６（ｂ））である。
【００１０】
この発光素子アレイ６０は、図７（ｂ）に示すように、例えばＧａＡｓからなり半絶縁性の基板として機能する高抵抗基板６１と、例えばＡｌＧａＡｓからなり高抵抗基板６１上にエピタキシャルに形成されたｎ型の半導体層６２とを、備えている。発光素子アレイ６０において、ｎ型の半導体層６２は、４−１＝３個の素子分離領域６３の形成により、４個のブロック６４に分割されている（図６参照）。ここで、素子分離領域６３は、高抵抗基板６１に達する深さのｐ型不純物の拡散領域であり、隣接するブロック６４間のそれぞれに形成されており、素子分離領域６３がその周囲のｎ型の半導体層６２と形成するｐｎ接合により、ｎ型の半導体層６２のブロック６４への分離が実現されている。
【００１１】
更に、図６に示すように、発光素子アレイ６０の各ブロック６４のそれぞれには、４個の発光領域６５が発光素子アレイ６０全体に渡り略等間隔で１次元的に列をなすように形成されており、発光素子アレイ６０全体では４×４＝１６個の発光領域６５が形成されている。
【００１２】
図７（ｂ）に示すように、発光領域６５は、ｎ型の半導体層６２に選択拡散により形成されたｐ型不純物の拡散領域であり、高抵抗基板６１に達しない深さ、即ち素子分離領域６３の拡散深さよりも小さい拡散深さで形成されており、この発光領域６５と発光領域６５の周囲のｎ型の半導体層６２との境界が発光現象を生じるｐｎ接合となっている。
【００１３】
ｎ型の半導体層６２において、各発光領域６５上には、それぞれ１個のｐ側コンタクト電極６６が形成されており、各ブロック６４の発光領域６５以外の領域上には、１個のｎ側コンタクト電極６７が形成されている。
【００１４】
この発光素子アレイ６０には、上記ｐ側コンタクト電極６６とｎ側コンタクト電極６７とを介して発光領域６５に電流を供給するための多層配線７０が形成されている。かかる多層配線７０は、第１層間絶縁膜８０上に形成された個別配線７１、ｐ側電極パッド７４、及びｎ側コンタクト電極６７の露出部分であるｎ側電極パッド７５と、第２層間絶縁膜８５上に形成される共通配線７３とから構成されている。かかる多層配線７０は、いわゆるマトリクス配線構造の一種であり、個別配線７１と共通配線７３との網目状構造を有する。
【００１５】
多層配線７０において、第１層間絶縁膜８０は、ブロック６４のｎ型の半導体層６２上に設けられ、発光領域６５及びｐ側コンタクト電極６６を露出させる第１発光開口部８１及びｎ側コンタクト電極６７（ｎ側電極パッド７５）を露出させる第１開口部８２とが形成されており、また、個別配線７１は、第１発光開口部８１に露出するｐ側コンタクト電極６６と１対１で接続されている。ｐ側電極パッド７４は、各ブロック６４に１つずつ設けられ、そのブロック６４の１個の個別配線７１と接続されている。
【００１６】
また、多層配線７０において、第２層間絶縁膜８５は、個別配線７１を被覆するように第１層間絶縁膜８０上に設けられ、第１層間絶縁膜８０の第１発光開口部８１を露出させる第２発光開口部８６及び第１層間絶縁膜８０の第１開口部８２と連通しｎ側電極パッド７５（ｎ側コンタクト電極６７）を露出させる第２開口部８７とが形成されおり、更に、ｐ側電極パッド７４を露出させる第１ビアホール８８及び個別配線７１の一部を露出させる第２ビアホール８９も形成されている。
【００１７】
この多層配線７０において、共通配線７３は、素子分離領域６３を介して全ブロック６４にまたがり形成されおり、各ブロック６４において第２ビアホール８９を介してｐ側電極パッド７４と一体的に形成された個別配線７１に接続されている。
【００１８】
このｎ側のワイヤボンディングパッドであるｎ側電極パッド７５も、各ブロック６４それぞれに１つずつ形成され、第１開口部８２を介して半導体層６２と接続されるｎ側コンタクト電極６７の露出部分として形成されている。
【００１９】
以上のように構成された発光素子アレイ６０では、ｐ側電極パッド７４とｎ側電極パッド７５とに電流を印加することにより、所定の発光領域６５のｐｎ接合を発光させることができるが、ここで、発光を起こす発光領域６５は、電流を印加するｐ側電極パッド７４とｎ側電極パッド７５との組み合わせで選択されて点灯させられる。
【００２０】
このように、上述の従来例の発光素子アレイは、それぞれの発光領域に接続される電極、電極パッド、これらを個別配線や共通配線の数及びそれらの専有する総面積を小さくすることができるので、発光領域を高密度にかつより多数配置することができるという優れた効果を奏するものである。
【特許文献１】実公平０７−０３６７５４号公報
【特許文献２】特開２００１−０７３８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
しかしながら、上述の従来例の発光素子アレイは、個別配線と共通配線を多層配線としているため、配線間で短絡が生じやすく、発光素子アレイ製造の際の歩留が低下する可能性があった。また、共通配線はこの発光素子アレイの発光領域を全点灯させるだけの電流が流れるため、その巾や厚さはその電流値により設計され、発光素子アレイの寸法に影響する。更には、ワイヤーボンドにおいて電極下の絶縁膜破壊により、電極直下の半導体層とショートし、不灯や複数点灯などの不具合が発生する場合があった。
【００２２】
そこで、本発明者は、個別配線と共通配線が多層配線とならないような発光素子アレイの構成について種々検討を重ねた結果、二つの発光領域毎に分割された複数の個別ブロックを有する発光素子アレイにおいて、ｐ型キャリアであるＺｎは容易に拡散できるため、半導体基板上に絶縁されて設けられる半導体層を基板側がｐ型半導体層、表面側がｎ型半導体層からなるものとし、半導体層の表面から設けたｐ型拡散導通層を下層のｐ型半導体層に電気的に接触させてこの部分を配線電極の一つとして使用すると、他方の電極配線を半導体層の表面に絶縁膜を介して形成した単層金属配線となし得るため、個別配線と共通配線とが多層配線とならないようにすることができることを見出し、本発明を完成するに至ったのである。
【００２３】
すなわち、本発明は、少なくとも二つの発光領域毎に分割された複数の個別ブロックを有する発光素子アレイにおいて、個別配線と共通配線とが多層配線とならない発光素子アレイを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明の上記目的は以下の構成により達成し得る。すなわち、本発明の第１の態様によれば、二つの発光領域毎に分割された複数の個別ブロックを有する発光素子アレイにおいて、前記個別ブロックが半導体基板上に該半導体基板とは絶縁された状態でｐ型半導体層及びｎ型半導体層が順次エピタキシャル成長されて両者の界面に活性層が形成された半導体層を有し、前記個別ブロック毎の二つの発光領域が素子分離領域により形成され、それぞれの個別ブロック毎に一つのｐ側共通電極が前記半導体層の表面から前記ｐ型半導体層に達するｐ型拡散導通領域により形成されていると共に前記二つの発光領域のｎ型半導体層に１：１で接続されている二つの個別配線が形成されている発光素子アレイが提供される。
【００２５】
係る態様の発光素子アレイは、個別ブロック毎に形成されたｐ側共通電極は、ｐ型拡散導通層を経て下層のｐ型半導体層と連通しており、しかもこのｐ型半導体層は二つの発光領域に電気的に接続されているために、このｐ型半導体層全体を配線として使用することができるので配線抵抗も低く押さえることができ、かなり大きな電流を流すことができる。更にｐ型半導体層は、ｐ側共通電極部分以外は半導体層の表面に露出していないので、発光領域のｎ型半導体層に接続される個別配線とは多層配線関係になることがなく、この個別配線を設ける際の自由度が増す。
【００２６】
係る態様の発光素子アレイにおいては、更に前記個別ブロックとは電気的に絶縁された少なくとも１つの別のブロックを有し、該別のブロックには二つのｎ側共通電極がそれぞれ電気的に絶縁されて形成され、前記ｎ側共通電極の一方には前記ぞれぞれの個別ブロックの一方の個別配線が接続され、前記ｎ側共通電極の他方には前記それぞれの個別ブロックの他方の個別配線が接続されているものとすることができる。
【００２７】
このような構成の発光素子アレイは、前記別のブロックに形成された一方のｎ側共通電極に前記個別ブロック毎の一方の個別配線が接続され、同様に他方のｎ側共通電極に前記個別ブロック毎の他方の個別配線が接続されており、しかも前記個別ブロックとこの別のブロックは電気的に絶縁されているので、個別配線が共通配線と多層配線関係になることはなく、配線間の短絡なく、発光素子アレイ製造の際の歩留が向上する。加えてｎ側共通電極の数を少なくとも一つに減らすことができ、このｎ側共通電極とｐ側共通電極との組合せにより任意に発光させる発光領域を選択することができるので、発光領域以外の部分の専有面積を小さくすることができる。
【００２８】
更に、係る態様の発光素子アレイにおいては、前記別のブロックの二つのｎ側共通電極は、それぞれ前記別のブロックの半導体層を利用した第１のｎ側共通配線と、該半導体層の表面に絶縁膜を介して金属配線により形成された第２のｎ側共通配線とからなるものとすることができる。
【００２９】
このような構成の発光素子アレイであれば、第１のｎ側共通配線が半導体層内に形成され、第２のｎ側共通配線が半導体層の表面に絶縁層を介して金属配線により形成されているので、両配線共に配線幅を最大限広く形成できるために配線抵抗も低く押さえることができ、かなりの電流を流すことができるようになり、前記別のブロックが一つであっても多くの発光領域を接続して発光させることができるようになる。
【００３０】
また、係る態様の発光素子アレイにおいては、前記別のブロックは少なくとも半導体基板上に該半導体基板とは電気的に絶縁された状態でｐ型半導体層及びｎ型半導体層が順次エピタキシャル成長された半導体層を有し、前記第１の共通配線は該半導体層の表面から前記ｐ型半導体層に達するｐ型拡散配線領域及び該ｐ型半導体層により形成されていることが好ましい。このような構成であれば、個別ブロックの半導体層の形成と同時に別のブロックの半導体層を形成することができるので、製造工程が簡略化される。
【００３１】
更に、係る態様発光素子アレイは、前記ｐ側共通電極、前記第１のｎ側共通配線及び前記第２のｎ側共通電極のそれぞれの表面には、直接或いは絶縁膜を介して外部接続のための電極パッドが形成されていることが好ましい。このような構成であれば、ｐ側共通電極パッドの下部はｐ型拡散導通領域であり、第１のｎ側共通電極パッドの下部はｐ型拡散配線領域であり、更に第２のｎ側共通電極パッドの下部はｎ型半導体層であるから、それぞれの電極パッドに対するワイヤボンドの際に絶縁層の絶縁破壊が生じても短絡関係にはならないので、ワイヤーボンドにおいて電極下の絶縁膜破壊が起きてもショートが生じ難くなり、光プリントヘッドの組立歩留りが向上する。
【発明の効果】
【００３２】
以上述べたように、本発明によれば、従来例の発光素子アレイのような個別配線と共通配線が多層配線とならないため、配線間の短絡の恐れはなくなり、発光素子アレイの製造の歩留が向上し、また、ワイヤーボンドにおいて電極下の絶縁膜破壊が起きても短絡が生じないため、プリントヘッド組立の歩留も向上するという優れた効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の具体例を図面を用いて説明する。
【００３４】
図１〜図３は、本発明に従う発光素子アレイの製造工程を順を追って説明するための図であり、図１（ａ）〜図３（ａ）はそれぞれ平面図、図１（ｂ）〜図３（ｂ）はそれぞれ図１（ａ）〜図３（ａ）のＡ−Ａ線に沿った一発光素子部分の断面図、図１（ｃ）〜図３（ｃ）はそれぞれ図１（ａ）〜図３（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った一発光素子部分の断面図である。
【００３５】
この発光素子アレイ１０は、図３（ａ）の平面図に示されているように、発光素子部が２個一組の個別ブロックを形成し、このブロックが４個一組で個別グループを形成しており、ここでは２グループ直列に配置したものを例に取り説明する。
【００３６】
この発光素子アレイは、次のような工程により作製される。先ず、図１（ｂ）の一発光素子部分の断面図から明らかなように、例えばＧａＡｓ化合物半導体からなる半導体基板１１上に順次ｐ型ＡｌＧａＡｓ化合物半導体からなるｐ型半導体層１２及びｎ型ＡｌＧａＡｓ化合物半導体からなるｎ型半導体層１３をエピタキシャル成長させ、両層の界面に活性層となるｐｎ接合層１４を形成させ、ｎ型半導体層１３の表面に更にｎ型ＧａＡｓ化合物半導体層１５をエピタキシャル成長させる。これらエピタキシャル成長層の総膜厚は例えば５μｍとする。
【００３７】
この場合、ＧａＡｓ半導体基板１１とｐ型半導体層１２とは電気的に絶縁されている。この電気的絶縁のための手段としては、
（１）ＧａＡｓ半導体基板１１として高抵抗ＧａＡｓ半導体基板又はｎ型ＧａＡｓ半導体基板を使用、或いは、
（２）ＧａＡｓ半導体基板１１とｐ型半導体層１２との間に絶縁層又はｎ型半導体層を配置、
する等により適宜実施し得る。
【００３８】
次いで、ｎ型ＧａＡｓ化合物半導体層１５の表面に拡散マスクを成膜し、フォトリソグラフィー法及びエッチング法により拡散分離部と拡散導通部を開口し、図１に示したパターンとなるように、Ｚｎをｐ型半導体層１２に達するまで約３μｍの厚さに拡散ないしはイオン打ち込みして、発光領域１６の周囲にｐ型の素子分離領域１７を形成し、また、ｐ型の拡散導通領域によりｐ側共通電極１８を、また、ｐ型の拡散配線領域によりｎ１側共通電極配線１９及びｎ１側共通電極２０をそれぞれ形成する。
【００３９】
そうすると、ｐ側共通電極１８とｐ型半導体層１２とは電気的に導通状態となり、また、ｎ１側共通電極配線１９及びｎ１側共通電極２０もｐ型半導体層１２と電気的に導通状態となる。
【００４０】
この場合、発光領域１６は一列に整列、ないしは複数列に互い違いに整列した状態で形成し、ｐ側共通電極１８は二つのの発光領域に対して一つずつ形成し、また、ｎ１側共通電極配線１９及びｎ１側共通電極２０は少なくとも１つ、好ましくは二つの発光領域に対して一つずつ設ける。図１には二つの発光領域に対して一つずつｎ１側共通電極配線１９及びｎ１側共通電極２０を設けた例が示されている。
【００４１】
次いで、図２（ａ）に符号２１が示されている部分を半導体基板１１に至るまでメサエッチングして、発光領域が２個一組の個別ブロック２２1、２２2、・・・２２8を形成し、また、この個別ブロックが４個一組の個別グループ２３1及び２３2を形成するように、更には別のブロック２４1及び２４2を形成するようにメサ分離する。そうすると、個別ブロック２２1、２２2、・・・２２8、個別グループ２３1、２３2及び別のブロック２４1、２４2はそれぞれ互いに電気的に絶縁された状態となり、結果としてｐ側共通電極１８もｎ１側共通電極配線１９及びｎ１側共通電極２０とは電気的に絶縁された状態となる。
【００４２】
なお、ここではｎ１側共通電極配線１９及びｎ１側共通電極２０が設けられている別のブロック２４1、２４2は、互いに電気的に絶縁された状態で二つ設けたが、両者を一体に設けてもよく、或いは一つだけ設けるようにしてもよい。また、個別グループ２３1、２３2は４個一組の個別ブロックで形成したが、これに限らずより多くても或いは少なくてもよい。
【００４３】
次いで、表面全体に絶縁膜２５を設けた後、発光領域１６の二つのコンタクト部２６、ｎ１側個別配線２９のコンタクト部２７、ｐ側共通電極１８のコンタクト部、第１のｎ側共通電極２０のコンタクト部を被覆している絶縁膜２５をエッチングにより除去して開口し、図３（ａ）に示すようにリフトオフ法によりｐ側共通電極パッド２８、ｎ１側個別配線２９、ｎ１側共通電極パッド３０、ｎ２側個別配線３１、ｎ２側共通配線３２、ｎ２側共通電極パッド３３を形成する。
【００４４】
これらの配線ないしは電極パッドは下地の半導体とオーミック接続可能なものであれば公知のものを適宜使用し得る。例えば、ｎ側の電極材料としては、Ｔｉ２００Å／Ａｕ５０Å／Ｎｉ／Ｇｅ／Ａｕ１．２μｍを順次積層し、また、ｐ側の電極材料としてはＴｉ２００Å／Ａｕ１．２μｍを順次積層する。なお、ｎ側電極及び配線は、ｎ１側個別配線２９、ｎ２側個別配線３１、ｎ２側共通配線３２、ｎ１側共通電極パッド３０、ｎ２側共通電極パッド３３を一度に形成する方法と、発光領域１６のコンタクト部２６とオーミックさせる個別電極のみｎ側の電極材料で形成し、そのほかの部分を共通ｐ側電極パッド２８と同時に形成してもかまわない。
【００４５】
次に、それぞれの電極と半導体とをオーミック接触させるために、シンター処理（熱処理）を行い、必要に応じて半導体基板１１の裏側を研磨することにより、図３に示されたような発光素子アレイ１０が完成される。
【００４６】
このようにして得られた発光素子アレイ１０によれば、個別ブロック２２1、２２2、・・・２２8毎に形成されたｐ側共通電極１８は、ｐ型拡散導通層により下層のｐ型半導体層１２と連通しており、しかもこのｐ型半導体層１２は個別ブロック毎に二つの発光領域１６に電気的に接続されているために、このｐ型半導体層全体を配線として使用することができるので、配線抵抗も低く押さえることができ、かなり大きな電流を流すことができる。更にｐ型半導体層１２はｐ側共通電極１８の部分以外は表面に露出していないので、発光領域１６のｎ型半導体層に接続される個別配線２９及び３１はｐ型半導体層１２と多層配線関係になることがないから、従来例のような個別配線と共通配線が多層配線となることによる配線間の短絡の恐れは全く生じない。
【００４７】
更に、ｐ側共通電極パッド２８の下部はｐ型拡散導通領域であり、ｎ１側共通電極パッド３０の下部はｐ型拡散配線領域であり、更にｎ２側共通電極パッド３３の下部はｎ型半導体層であるから、それぞれの電極パッドに対するワイヤボンドの際に絶縁層の絶縁破壊が生じても短絡関係にはならない。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
なお、この実施例では発光領域１６を一列に直線上になるように配置したものを示したが、より高密度の発光素子アレイとするために発光領域１６を互い違いに配置することも可能である。また、この実施例では絶縁基板１１としてＧａＡｓ半導体基板を用いた例を示したが、Ｓｉ基板も使用することができる。更に、発光素子としてＡｌＧａＡｓ系化合物半導体を使用した実施例を説明したが、これに限らず周知のＧａＰ系、ＡｌＧａＩｎＰ系、ＧａＡｓＰ系化合物半導体等の場合にも適用可能であることは当業者にとり自明であろう。LEDプリントヘッド用の光源に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の発光素子アレイ製造工程における素子分離領域、ｐ型拡散導通領域及びｐ型拡散配線領域を形成した際の状態を説明する図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図２】本発明の発光素子アレイ製造工程におけるメサ分離部を形成した際の状態を説明する図であり、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図３】本発明の完成した発光素子アレイを説明する図であり、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図、図３（ｃ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図４】図４は、従来の発光素子アレイの絶縁層を取り去った状態の要部平面図である。
【図５】図５は、図４のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図６】図６は、別の従来例の発光素子アレイの概略を示す平面図である。
【図７】図７は、図６に示す発光素子アレイの素子分離領域周辺の部分平面図（図６（ａ））及び部分断面図（図６（ｂ））である。
【符号の説明】
【００５０】
１０    発光素子アレイ
１１    半導体基板
１２    ｐ型半導体層
１３    ｎ型半導体層
１４    活性層
１６    発光領域
１７    素子分離領域
１８    ｐ側共通電極
１９    ｎ１側共通電極配線
２０    ｎ１側共通電極
２２1、２２2、・・・２２8    個別ブロック
２３1、２３2    個別グループ
２４1、２４2    別のブロック
２６、２７    コンタクト部
２８    ｐ側電極パッド
２９    ｎ１側個別配線
３０    ｎ１側電極パッド
３１    ｎ２側個別配線
３２    ｎ２側共通配線
３３    ｎ２側電極パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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