(57)【要約】【課題】  表示特性の向上を図ることが出来るプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】  行電極対（Ｘ，Ｙ）を構成する行電極Ｘ，Ｙの放電セルＣに対向する突出電極Ｘｂ，Ｙｂが、行電極対（Ｘ，Ｙ）の対になっている行電極Ｘ，Ｙ間で行われる放電によって放電セルＣ内に放電ピーク電流が流れる時の放電空間Ｓのインダクタンスの０．０５〜１．０倍の抵抗値を備えている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を介して対向する位置に配置された一対の基板の間に、複数の行電極対と、この行電極対に対して交差する方向に延びて行電極対との交差部分の放電空間に単位発光領域を形成する複数の列電極とが設けられているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記行電極対を構成する行電極の単位発光領域に対向する部分の一部が、行電極対の対になっている行電極間で行われる放電によって単位発光領域内に放電ピーク電流が流れる時の放電空間のインダクタンスの０．０５〜１．０倍の抵抗値を備えていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記行電極の単位発光領域に対向する部分の一部が、１ｋΩ／□〜５ＭΩ／□の抵抗値を備えている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記行電極の単位発光領域に対向する部分の一部の抵抗値が５００ｋΩ／□である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記行電極対を構成するそれぞれの行電極が、行方向に延びる電極本体部とこの電極本体部から対になっている他の行電極の方向に突出して互いに放電ギャップを介して対向される突出電極部とを備えており、この突出電極部が、単位発光領域内に放電ピーク電流が流れる時の放電空間のインダクタンスの０．０５〜１．０倍の抵抗値を備えている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記行電極の突出電極部が、１ｋΩ／□〜５ＭΩ／□の抵抗値を備えている請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記行電極の突出電極部の抵抗値が５００ｋΩ／□である請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記抵抗値が、突出電極部の厚さによって設定されている請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記抵抗値が、突出電極部が形成されるときの酸素分量によって設定されている請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記抵抗値が、突出電極部が高抵抗導電材料によって形成されることによって設定されている請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記突出電極部が、単位発光領域毎に電極本体部から対になっている他の行電極の方向に突出している請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記行電極対を構成するそれぞれの行電極が、行方向に延びる電極本体部とこの電極本体部から対になっている他の行電極の方向に突出して互いに放電ギャップを介して対向される突出電極部とを備えており、電極本体部が多層に形成されていて、この電極本体部を形成する一部の層が単位発光領域内に放電ピーク電流が流れる時の放電空間のインダクタンスの０．０５〜１．０倍の抵抗値を備えている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記電極本体部を形成する一部の層が、１ｋΩ／□〜５ＭΩ／□の抵抗値を備えている請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記電極本体部を形成する一部の層の抵抗値が５００ｋΩ／□である請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記抵抗値が、電極本体部を形成する一部の層中の導電材料の含有量を減らすことによって設定されている請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記含有量が減らされる導電材料が銀である請求項１４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記抵抗値が、電極本体部を形成する一部の層の厚さによって設定されている請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記電極本体部を形成する一部の層が、黒色導電層である請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記行電極対を構成する行電極の少なくとも一方の電極本体部が、隣接する他の行電極対の行電極と共有されている請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１９】
前記行電極対を構成する行電極のそれぞれの電極本体部が、隣接する他の行電極対の行電極と共有されている請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネルの構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）は、放電ガスが封入されている放電空間を挟んで互いに対向される二枚のガラス基板のうち、一方のガラス基板に行方向に延びる行電極対が列方向に並設され、他方のガラス基板に列方向に延びる列電極が行方向に並設されていて、放電空間の行電極対と列電極がそれぞれ交差する部分に、マトリックス状に単位発光領域（放電セル）が形成されているものである。
【０００３】
そして、このＰＤＰは、行電極対の一方の行電極と列電極との間で選択的に行われるアドレス放電によって行電極対を被覆している誘電体層に壁電荷が形成された放電セル（発光セル）内において、行電極対を構成する一対の行電極間で維持放電が発生されて、各放電セル内に形成されている赤，緑，青に色分けされた蛍光体層が発光することにより、パネル面に画像が形成さる。
【０００４】
このような従来のＡＣ型ＰＤＰにおいては、画像形成時に行電極対の行電極間で維持放電が発生される際に、その放電電流が非常に短時間に集中して流れるので、放電電流のピーク値が大きくなって大電流が流れることによって、表示特性が劣化するなどの問題が生じている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この発明は、上記のような従来のＰＤＰが有している問題点を解決することをその解決課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明（請求項１に記載の発明）は、上記課題を解決するために、放電空間を介して対向する位置に配置された一対の基板の間に、複数の行電極対と、この行電極対に対して交差する方向に延びて行電極対との交差部分の放電空間に単位発光領域を形成する複数の列電極とが設けられているプラズマディスプレイパネルにおいて、前記行電極対を構成する行電極の単位発光領域に対向する部分の一部が、行電極対の対になっている行電極間で行われる放電によって単位発光領域内に放電ピーク電流が流れる時の放電空間のインダクタンスの０．０５〜１．０倍の抵抗値を備えていることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
この発明の実施形態におけるＰＤＰは、列電極との交差部分の放電空間内に単位発光領域を形成する行電極対の各行電極の単位発光領域に対向する部分の一部が、行電極対の対になっている行電極間で行われる放電によって単位発光領域内に放電ピーク電流が流れる時の放電空間のインダクタンスの０．０５〜１．０倍の抵抗値を備えていることによって、単位発光領域内において発生される放電の放電ピーク電流が低減される。
【０００８】
これによって、電流波形のひずみの発生や発光効率の低下等が抑制されて、ＰＤＰの表示特性が向上される。
【０００９】
なお、この実施形態におけるＰＤＰは、行電極対を構成する行電極が、行方向に延びる電極本体部から突出電極部が単位発光領域毎に対になっている他の行電極に向かって島状に突出しているタイプのものの他、突出電極部が行方向にストライプ状に形成されているタイプのものについても適用が可能である。
【実施例１】
【００１０】
図１ないし５は、この発明の実施形態における第１の実施例を示しており、図１は、この実施例における面放電方式交流型ＰＤＰのセル構造を模式的に示す正面図であり、図２は図１のＶ１−Ｖ１線における断面図、図３は図１のＶ２−Ｖ２線における断面図、図４は図１のＷ１−Ｗ１線における断面図、図５は図１のＷ２−Ｗ２線における断面図である。
【００１１】
この図１ないし５において、表示面である前面ガラス基板１０の背面側に、複数の行電極対（Ｘ，Ｙ）が、前面ガラス基板１０の行方向（図１の左右方向）に延びるように平行に配列されている。
【００１２】
行電極Ｘは、前面ガラス基板１０の行方向に延びる金属膜からなるバス電極Ｘａと，Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなりバス電極Ｘａに沿って等間隔に配列されて基端部がこのバス電極Ｘａに接続された多数の突出電極Ｘｂとによって構成されている。
【００１３】
そして、バス電極Ｘａは、それぞれ表示面側の黒色導電層Ｘａ１と背面側の主導電層Ｘａ２の二層構造に形成されている。
【００１４】
行電極Ｙも同様に、前面ガラス基板１０の行方向に延びる金属膜からなるバス電極Ｙａと，Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなりバス電極Ｙａに沿って等間隔に配列されて基端部がこのバス電極Ｙａに接続された多数の突出電極Ｙｂとによって構成されている。
【００１５】
そして、バス電極Ｙａは、それぞれ表示面側の黒色導電層Ｙａ１と背面側の主導電層Ｙａ２の二層構造に形成されている。
【００１６】
この行電極ＸとＹは、前面ガラス基板１０の列方向（図１の上下方向）に交互に配列されており、バス電極ＸａとＹａに沿って並列されたそれぞれの突出電極ＸｂとＹｂが互いに対となる相手の行電極側に延びて、突出電極ＸｂとＹｂの幅広部の頂辺がそれぞれ所要の幅の放電ギャップｇを介して互いに対向されている。
【００１７】
前面ガラス基板１０の背面には、さらに、誘電体層１１が行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆するように形成されている。
【００１８】
そして、この誘電体層１１の背面には、列方向において隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに背中合わせに位置するバス電極ＸａとＹａにそれぞれ対向する位置および背中合わせに位置するバス電極Ｘｂとバス電極Ｙｂの間の領域に対向する位置に、誘電体層１１の背面側に突出する嵩上げ誘電体層１１Ａが、バス電極Ｘａ，Ｙａと平行に延びるように形成されている。
【００１９】
そして、この誘電体層１１と嵩上げ誘電体層１１Ａの背面側には、ＭｇＯからなる保護層１２が形成されている。
【００２０】
一方、前面ガラス基板１０と所要の間隔を開けて平行に配置された背面ガラス基板１３の前面ガラス基板１０と対向する表示側の面上には、列電極Ｄが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対になっている突出電極ＸｂおよびＹｂに対向する位置において行電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向（列方向）に延びるように、互いに所定の間隔を開けて平行に配列されている。
【００２１】
この背面ガラス基板１３の表示側の面上には、さらに、列電極Ｄを被覆する列電極保護層（誘電体層）１４が形成され、この列電極保護層１４上に、隔壁１５が形成されている。
【００２２】
隔壁１５は、嵩上げ誘電体層１１Ａに対向する位置において行方向に延びる横壁１５Ａと、互いに平行に配列された各列電極Ｄの間の位置において列方向に延びる縦壁１５Ｂとによって略格子状に形成されている。
【００２３】
そして、この略格子状の隔壁１５によって、前面ガラス基板１０と背面ガラス基板１３の間に形成される放電空間Ｓが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）において互いに対になっている突出電極ＸｂとＹｂに対向する部分毎に形成される方形の放電セル（単位発光領域）Ｃをそれぞれ区画している。
【００２４】
この隔壁１５には、その前面ガラス基板１０に対向する表示側の部分に黒色層（光吸収層）１５ａが形成されている。
【００２５】
隔壁１５の縦壁１５Ｂの表示側の面は保護層１２に当接されておらず（図３，４参照）、その間に隙間ｒが形成されているが、横壁１５Ａの表示側の面が保護層１２の嵩上げ誘電体層１１Ａを被覆している部分に当接されていて（図２および３，５参照）、列方向において隣接する放電セルＣ間がそれぞれ閉じられている。
【００２６】
各放電セルＣ内には、隔壁１５の横壁１５Ａおよび縦壁１５Ｂの側面と列電極保護層１４の表面に、これらの五つの面を覆うように蛍光体層１６が形成されている。
【００２７】
そして、この蛍光体層１６は、各放電セルＣ毎に三原色である赤，緑，青に色分けされて、この三原色が行方向に順に並ぶように配置される。
【００２８】
放電空間Ｓ内には、Ｘｅガスを含む放電ガスが封入されている。
【００２９】
上記ＰＤＰは、行電極対（Ｘ，Ｙ）がそれぞれマトリクス表示画面の一表示ライン（行）Ｌを構成している。
【００３０】
このＰＤＰにおける画像表示は、リセット放電の後、各放電セルＣにおいて行電極対（Ｘ，Ｙ）の一方の行電極と列電極Ｄとの間で選択的に放電（アドレス放電）が行われ、全表示ラインＬに発光セル（誘電体層１１に壁電荷が形成された放電セルＣ）と非発光セル（誘電体層１１に壁電荷が形成されていない放電セルＣ）とが、表示する画像に対応してパネル上に分布される。
【００３１】
このアドレス放電の後、全表示ラインＬにおいて一斉に、行電極対（Ｘ，Ｙ）の行電極ＸとＹに対して交互に放電維持パルスが印加され、これによって、この放電維持パルスが印加される毎に各発光セルにおいて放電（維持放電）が発生される。
【００３２】
そして、この発光セルにおける維持放電によって放電ガス中のＸｅガスから紫外線が発生され、この紫外線によって赤，緑，青に色分けされた各蛍光体層１６がそれぞれ励起されて発光することにより、表示する画像が形成される。
【００３３】
ここで、上記ＰＤＰは、行電極ＸとＹのそれぞれの突出電極ＸｂとＹｂの抵抗値が、以下のような態様で設定されている。
【００３４】
すなわち、行電極ＸとＹに放電維持パルスが印加されて突出電極ＸｂとＹｂの間で維持放電が発生される際に、放電セルＣ内に放電ピーク電流が流れる時の放電空間Ｓのインダクタンス（抵抗）の０．０５〜１．０倍となるように、行電極ＸとＹのそれぞれの突出電極ＸｂとＹｂの抵抗値が設定されている。
【００３５】
例えば、２００Ｖの放電維持パルスが行電極ＸとＹに印加された際の放電セルＣ内に流れる放電ピーク電流値は約１００〜２００μＡであり、このときの放電空間Ｓのインダクタンスは１〜２ＭΩであるので、突出電極ＸｂとＹｂの抵抗値は、それぞれ１０ＫΩ／□〜５ＭΩ／□に設定され、好ましくは５００ＫΩ／□に設定される。
【００３６】
なお、突出電極Ｘｂ，Ｙｂの抵抗値が大き過ぎる場合には、維持放電が生じ難くなるために、その抵抗値の上限は、放電ピーク電流が流れるときの放電空間Ｓのインダクタンスに対応して、そのインダクタンスの値程度に制限される。
【００３７】
この突出電極Ｘｂ，Ｙｂの抵抗値を上記のように高抵抗値化する方法としては、（１）突出電極Ｘｂ，Ｙｂを構成する透明導電膜の膜厚を薄くする，（２）突出電極Ｘｂ，Ｙｂの形成時に透明導電材料中の酸素分量を増加させる，（３）突出電極Ｘｂ，Ｙｂを形成する材料として高抵抗透明電極ペーストを使用する等がある。
【００３８】
このように、上記ＰＤＰは、維持放電を発生させる行電極Ｘ，Ｙのそれぞれの突出電極Ｘｂ，Ｙｂが高抵抗値化されることによって、維持放電が発生される際の放電ピーク電流が低減される。
【００３９】
そして、この放電ピーク電流の低減によって、電流波形のひずみの発生や発光効率の低下等が抑制され、これによって、ＰＤＰの表示特性が向上される。
【００４０】
さらに、上記ＰＤＰによれば、突出電極Ｘｂ，Ｙｂが高抵抗値化されることによって、放電ピーク電流の低減が放電セルＣごとに行われるので、行電極自体を高抵抗化する場合の電圧降下によるストリーキングなどの問題が発生するのを防止することができる。
【００４１】
さらに、上記ＰＤＰによれば、放電ピーク電流の低減によって、パネルの発熱（電流の二乗に比例）や回路への耐熱負荷の低減を図ることが出来る。
【００４２】
図１０は、高抵抗（８００ＫΩ／□）の突出電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂによる放電ピーク電流と、従来の低抵抗（１３Ω／□）の突出電極による放電ピーク電流とを比較したグラフである。
【００４３】
この図１０から、高抵抗値化された突出電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂによる放電ピーク電流が、従来の低抵抗の突出電極による放電ピーク電流の約５５パーセントに低減されていることが分かる。
【実施例２】
【００４４】
この発明の実施形態における第２の実施例は、図１ないし５と同様の構成のＰＤＰにおいて、行電極Ｘ，Ｙのバス電極Ｘａ，Ｙａをそれぞれ構成する黒色導電層Ｘａ１，Ｙａ１が高抵抗値化され、その抵抗値が、維持放電が発生される際に放電セルＣ内に放電ピーク電流が流れる時の放電空間Ｓのインダクタンス（抵抗）の０．０５〜１．０倍となるように設定されている。
【００４５】
例えば、２００Ｖの放電維持パルスが行電極ＸとＹに印加された際の放電セルＣ内に流れる放電ピーク電流値は約１００〜２００μＡであり、このときの放電空間Ｓのインダクタンスは１〜２ＭΩであるので、黒色導電層Ｘａ１，Ｙａ１の抵抗値は、それぞれ放電セルＣ毎に１０ＫΩ／□〜５ＭΩ／□に設定され、好ましくは５００ＫΩ／□に設定される。
【００４６】
なお、黒色導電層Ｘａ１，Ｙａ１の抵抗値が大き過ぎる場合には、維持放電が生じ難くなるために、その抵抗値の上限は、放電ピーク電流が流れるときの放電空間Ｓのインダクタンスに対応して、そのインダクタンスの値程度に制限される。
【００４７】
この黒色導電層Ｘａ１，Ｙａ１の抵抗値を上記のように高抵抗値化する方法としては、（１）黒色導電層Ｘａ１，Ｙａ１に含まれる導電材料（例えば、銀）の含有量を減少させる，（２）黒色導電層Ｘａ１，Ｙａ１の膜厚を大きくする等がある。
【００４８】
このように、上記ＰＤＰは、維持放電を発生させる行電極Ｘ，Ｙのバス電極Ｘａ，Ｙａのそれぞれの黒色導電層Ｘａ１，Ｙａ１が高抵抗値化されることによって、維持放電が発生される際の放電ピーク電流が低減される。
【００４９】
そして、この放電ピーク電流の低減によって、電流波形のひずみの発生や発光効率の低下等が抑制され、これによって、ＰＤＰの表示特性が向上される。
【００５０】
さらに、上記ＰＤＰによれば、放電ピーク電流の低減によって、パネルの発熱（電流の二乗に比例）や回路への耐熱負荷の低減を図ることが出来る。
【実施例３】
【００５１】
図６および７は、この発明の実施形態における第３の実施例を示しており、図６は、この実施例における面放電方式交流型ＰＤＰのセル構造を模式的に示す正面図であり、図７は、図６のＶ３−Ｖ３線における断面図である。
【００５２】
この実施例におけるＰＤＰは、前述した実施例１のＰＤＰの行電極対（Ｘ，Ｙ）の行電極ＸとＹが列方向において交互に位置するように配置されていたのに対し、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の行電極Ｘ１が、隣接する他の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の行電極Ｘ１と一本のバス電極Ｘ１ａを共有しているとともに、隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の行電極Ｙ１のバス電極Ｙ１ａが互いに背中合わせに配置された構成になっている。
【００５３】
そして、突出電極Ｘ１ｂは、隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）間で共有しているバス電極Ｘ１ａから列方向の両側に延びて、対になっている行電極Ｙ１の突出電極Ｙ１ｂと対向されている。
【００５４】
さらに、このバス電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａは、それぞれ、表示面側の黒色導電層Ｘ１ａ１，Ｙ１ａ１と背面側の主導電層Ｘ１ａ２，Ｙ１ａ２の二層構造に形成されている。
【００５５】
上記ＰＤＰにおいて、行電極Ｘ１，Ｙ１のそれぞれの突出電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂの抵抗値が、以下のような態様で設定されている。
【００５６】
すなわち、行電極Ｘ１とＹ１に放電維持パルスが印加されて突出電極Ｘ１ｂとＹ１ｂの間で維持放電が発生される際に、略格子形状の隔壁２５によって放電空間Ｓ１が区画された放電セルＣ１内に放電ピーク電流が流れる時の放電空間Ｓ１のインダクタンス（抵抗）の０．０５〜１．０倍となるように、行電極Ｘ１とＹ１のそれぞれの突出電極Ｘ１ｂとＹ１ｂの抵抗値が設定されている。
【００５７】
例えば、２００Ｖの放電維持パルスが行電極Ｘ１とＹ１に印加された際の放電セルＣ１内に流れる放電ピーク電流値は約１００〜２００μＡであり、このときの放電空間Ｓ１のインダクタンスは１〜２ＭΩであるので、突出電極Ｘ１ｂとＹ１ｂの抵抗値は、それぞれ１０ＫΩ／□〜５ＭΩ／□に設定され、好ましくは５００ＫΩ／□に設定される。
【００５８】
なお、突出電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂの抵抗値が大き過ぎる場合には、維持放電が生じ難くなるために、その抵抗値の上限は、放電ピーク電流が流れるときの放電空間Ｓ１のインダクタンスに対応して、そのインダクタンスの値程度に制限される。
【００５９】
この突出電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂの抵抗値を上記のように高抵抗値化する方法としては、（１）突出電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂを構成する透明導電膜の膜厚を薄くする，（２）突出電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂの形成時に透明導電材料中の酸素分量を増加させる，（３）突出電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂを形成する材料として高抵抗透明電極ペーストを使用する等がある。
【００６０】
このように、上記ＰＤＰは、維持放電を発生させる行電極Ｘ１，Ｙ１のそれぞれの突出電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂが高抵抗値化されることによって、維持放電が発生される際の放電ピーク電流が低減される。
【００６１】
そして、この放電ピーク電流の低減によって、電流波形のひずみの発生や発光効率の低下等が抑制され、これによって、ＰＤＰの表示特性が向上される。
【００６２】
さらに、上記ＰＤＰによれば、突出電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂが高抵抗値化されることによって、放電ピーク電流の低減が放電セルＣ１ごとに行われるので、行電極自体を高抵抗化する場合の電圧降下によるストリーキングなどの問題が発生するのを防止することができる。
【００６３】
さらに、上記ＰＤＰによれば、放電ピーク電流の低減によって、パネルの発熱（電流の二乗に比例）や回路への耐熱負荷の低減を図ることが出来る。
【実施例４】
【００６４】
この発明の実施形態における第４の実施例は、図６および７と同様の構成のＰＤＰにおいて、行電極Ｘ１，Ｙ１のバス電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａをそれぞれ構成する黒色導電層Ｘ１ａ１，Ｙ１ａ１が高抵抗値化され、その抵抗値が、維持放電が発生される際に、放電セルＣ１内に放電ピーク電流が流れる時の放電空間Ｓ１のインダクタンス（抵抗）の０．０５〜１．０倍となるように設定されている。
【００６５】
例えば、２００Ｖの放電維持パルスが行電極Ｘ１とＹ１に印加された際の放電セルＣ１内に流れる放電ピーク電流値は約１００〜２００μＡであり、このときの放電空間Ｓ１のインダクタンスは１〜２ＭΩであるので、黒色導電層Ｘ１ａ１，Ｙ１ａ１の抵抗値は、それぞれ放電セルＣ１毎に１０ＫΩ／□〜５ＭΩ／□に設定され、好ましくは５００ＫΩ／□に設定される。
【００６６】
なお、黒色導電層Ｘ１ａ１，Ｙ１ａ１の抵抗値が大き過ぎる場合には、維持放電が生じ難くなるために、その抵抗値の上限は、放電ピーク電流が流れるときの放電空間Ｓ１のインダクタンスに対応して、そのインダクタンスの値程度に制限される。
【００６７】
この黒色導電層Ｘ１ａ１，Ｙ１ａ１の抵抗値を上記のように高抵抗値化する方法としては、（１）黒色導電層Ｘ１ａ１，Ｙ１ａ１に含まれる導電材料（例えば、銀）の含有量を減少させる，（２）黒色導電層Ｘ１ａ１，Ｙ１ａ１の膜厚を大きくする等がある。
【００６８】
このように、上記ＰＤＰは、維持放電を発生させる行電極Ｘ１，Ｙ１のバス電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａのそれぞれの黒色導電層Ｘ１ａ１，Ｙ１ａ１の抵抗値が設定されることによって、維持放電が発生される際の放電ピーク電流が低減される。
【００６９】
そして、この放電ピーク電流の低減によって、電流波形のひずみの発生や発光効率の低下等が抑制され、これによって、ＰＤＰの表示特性が向上される。
【００７０】
さらに、上記ＰＤＰによれば、放電ピーク電流の低減によって、パネルの発熱（電流の二乗に比例）や回路への耐熱負荷の低減を図ることが出来る。
【実施例５】
【００７１】
図８および９は、この発明の実施形態における第５の実施例を示しており、図８は、この実施例における面放電方式交流型ＰＤＰのセル構造を模式的に示す正面図であり、図９は、図８のＶ４−Ｖ４線における断面図である。
【００７２】
この実施例におけるＰＤＰは、前述した実施例３のＰＤＰの行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の行電極Ｘ１のみが隣接する他の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の行電極Ｘ１と一本のバス電極Ｘ１ａを共有していたのに対し、行電極Ｘ２とＹ２がともに、隣接する他の行電極対（Ｘ２，Ｙ２）の行電極Ｘ２，Ｙ２とそれぞれ一本のバス電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａを共有する構成になっている。
【００７３】
そして、突出電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂが、それぞれ、隣接する行電極対（Ｘ２，Ｙ２）間で共有しているバス電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａから列方向の両側に延びて、対になっている行電極Ｘ２またはＹ２の突出電極Ｘ２ｂまたはＹ２ｂと対向されている。
【００７４】
さらに、バス電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａは、それぞれ、表示面側の黒色導電層Ｘ２ａ１，Ｙ２ａ１と背面側の主導電層Ｘ２ａ２，Ｙ２ａ２の二層構造に形成されている。
【００７５】
上記ＰＤＰにおいて、行電極Ｘ２，Ｙ２のそれぞれの突出電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂの抵抗値が、以下のような態様で設定されている。
【００７６】
すなわち、行電極Ｘ２とＹ２に放電維持パルスが印加されて突出電極Ｘ２ｂとＹ２ｂの間で維持放電が発生される際に、略格子形状の隔壁３５によって放電空間Ｓ２が区画された放電セルＣ２内に放電ピーク電流が流れる時の放電空間Ｓ２のインダクタンス（抵抗）の０．０５〜１．０倍となるように、行電極Ｘ２とＹ２のそれぞれの突出電極Ｘ２ｂとＹ２ｂの抵抗値が設定されている。
【００７７】
例えば、２００Ｖの放電維持パルスが行電極Ｘ２とＹ２に印加された際の放電セルＣ２内に流れる放電ピーク電流値は約１００〜２００μＡであり、このときの放電空間Ｓ２のインダクタンスは１〜２ＭΩであるので、突出電極Ｘ２ｂとＹ２ｂの抵抗値は、それぞれ１０ＫΩ／□〜５ＭΩ／□に設定され、好ましくは５００ＫΩ／□に設定される。
【００７８】
なお、突出電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂの抵抗値が大き過ぎる場合には、維持放電が生じ難くなるために、その抵抗値の上限は、放電ピーク電流が流れるときの放電空間Ｓ２のインダクタンスに対応して、そのインダクタンスの値程度に制限される。
【００７９】
この突出電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂの抵抗値を上記のように高抵抗値化する方法としては、（１）突出電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂを構成する透明導電膜の膜厚を薄くする，（２）突出電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂの形成時に透明導電材料中の酸素分量を増加させる，（３）突出電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂを形成する材料として高抵抗透明電極ペーストを使用する等がある。
【００８０】
このように、上記ＰＤＰは、維持放電を発生させる行電極Ｘ２，Ｙ２のそれぞれの突出電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂが高抵抗値化されることによって、維持放電が発生される際の放電ピーク電流が低減される。
【００８１】
そして、この放電ピーク電流の低減によって、電流波形のひずみの発生や発光効率の低下等が抑制され、これによって、ＰＤＰの表示特性が向上される。
【００８２】
さらに、上記ＰＤＰによれば、突出電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂが高抵抗値化されることによって、放電ピーク電流の低減が放電セルＣ２ごとに行われるので、行電極自体を高抵抗化する場合の電圧降下によるストリーキングなどの問題が発生するのを防止することができる。
【００８３】
さらに、上記ＰＤＰによれば、放電ピーク電流の低減によって、パネルの発熱（電流の二乗に比例）や回路への耐熱負荷の低減を図ることが出来る。
【実施例６】
【００８４】
この発明の実施形態における第６の実施例は、図８および９と同様の構成のＰＤＰにおいて、行電極Ｘ２，Ｙ２のバス電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａをそれぞれ構成する黒色導電層Ｘ２ａ１，Ｙ２ａ１が高抵抗値化され、その抵抗値が、維持放電が発生される際に、放電セルＣ２内に放電ピーク電流が流れる時の放電空間Ｓ２のインダクタンス（抵抗）の０．０５〜１．０倍となるように設定されている。
【００８５】
例えば、２００Ｖの放電維持パルスが行電極Ｘ２とＹ２に印加された際の放電セルＣ１内に流れる放電ピーク電流値は約１００〜２００μＡであり、このときの放電空間Ｓ２のインダクタンスは１〜２ＭΩであるので、黒色導電層Ｘ２ａ１，Ｙ２ａ１の抵抗値は、それぞれ放電セルＣ２毎に１０ＫΩ／□〜５ＭΩ／□に設定され、好ましくは５００ＫΩ／□に設定される。
【００８６】
なお、黒色導電層Ｘ２ａ１，Ｙ２ａ１の抵抗値が大き過ぎる場合には、維持放電が生じ難くなるために、その抵抗値の上限は、放電ピーク電流が流れるときの放電空間Ｓ２のインダクタンスに対応して、そのインダクタンスの値程度に制限される。
【００８７】
この黒色導電層Ｘ２ａ１，Ｙ２ａ１の抵抗値を上記のように高抵抗値化する方法としては、（１）黒色導電層Ｘ２ａ１，Ｙ２ａ１に含まれる導電材料（例えば、銀）の含有量を減少させる，（２）黒色導電層Ｘ２ａ１，Ｙ２ａ１の膜厚を大きくする等がある。
【００８８】
このように、上記ＰＤＰは、維持放電を発生させる行電極Ｘ２，Ｙ２のバス電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａのそれぞれの黒色導電層Ｘ２ａ１，Ｙ２ａ１が高抵抗値化されることによって、維持放電が発生される際の放電ピーク電流が低減される。
【００８９】
そして、この放電ピーク電流の低減によって、電流波形のひずみの発生や発光効率の低下等が抑制され、これによって、ＰＤＰの表示特性が向上される。
【００９０】
さらに、上記ＰＤＰによれば、放電ピーク電流の低減によって、パネルの発熱（電流の二乗に比例）や回路への耐熱負荷の低減を図ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】この発明の実施形態の実施例１および２を示す正面図である。
【図２】図１のＶ１−Ｖ１線における断面図である。
【図３】図１のＶ２−Ｖ２線における断面図である。
【図４】図１のＷ１−Ｗ１線における断面図である。
【図５】図１のＷ２−Ｗ２線における断面図である。
【図６】この発明の実施形態の実施例３および４を示す正面図である。
【図７】図６のＶ３−Ｖ３線における断面図である。
【図８】この発明の実施形態の実施例５および６を示す正面図である。
【図９】図８のＶ４−Ｖ４線における断面図である。
【図１０】高抵抗値化された突出電極による放電ピーク電流と従来の低抵抗の突出電極による放電ピーク電流とを比較したグラフである。
【符号の説明】
【００９２】
１０                            …前面ガラス基板（基板）
１３                            …背面ガラス基板（基板）
Ｃ，Ｃ１，Ｃ２                  …放電セル（単位発光領域）
Ｓ，Ｓ１，Ｓ２                  …放電空間
Ｘ，Ｙ，Ｘ１，Ｙ１，Ｘ２，Ｙ２  …行電極
Ｘａ，Ｙａ，Ｘ１ａ，Ｙ１ａ, Ｘ２ａ，Ｙ２ａ
…バス電極（電極本体部）
Ｘｂ，Ｙｂ，Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂ，Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂ
…突出電極（突出電極部）
Ｘａ１，Ｙａ１，Ｘ１ａ１，Ｙ１ａ１, Ｘ２ａ１，Ｙ２ａ１
…黒色導電層
Ｄ                              …列電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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