(57)【要約】【課題】  振動子の振動方向を適切に調整する。【解決手段】  上部電極を、振動子１１を振動させる電圧を印加する振動子１１の長手方向に形成された駆動電極６ａと、駆動電極６ａを挟む形で、駆動電極６ａと接触することなく平行に振動子１１の長手方向に形成された第１の検出電極６ｂ及び第２の検出電極６ｃとからなるように形成し、下部電極４ａ、駆動電極間６ａに電圧を印加して振動子１１を縦共振周波数で振動させた際に、第１の検出電極６ｂ、第２の検出電極６ｃでそれぞれ検出される検出信号に差がある場合、第１の検出電極６ｂ、第２の検出電極６ｃでそれぞれ検出される検出信号に応じて、振動子１１の所望の位置にレーザ光を照射して研削することで実現する。【選択図】  図４０
2005249728.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極、圧電薄膜、上部電極を有する片持ち梁形状の振動子を備え、上記圧電薄膜の圧電効果を利用して角速度を検出する振動型ジャイロセンサ素子の製造方法において、
一方主面及び他方主面の面方位が｛１００｝である単結晶シリコン基板の一方主面上に、｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成された第１の開口部を有する第１の保護膜パターンを形成し、上記第１の開口部に対して上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングを行い、
上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングされた上記一方主面に対向する上記他方主面上の上記振動子となる領域に、上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極を順に積層して形成し、
上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極が形成された上記他方主面上に、上記｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成され、上記振動子を上記片持ち梁形状とする空隙を型取った第２の開口部を有する第２の保護膜パターンを形成し、上記第２の開口部に対して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を行うことで、上記振動子を形成し、
上記上部電極を、上記振動子を振動させる電圧を印加する上記振動子の長手方向に形成された駆動電極と、上記駆動電極を挟む形で、上記駆動電極と接触することなく平行に上記振動子の長手方向に形成された第１の検出電極及び第２の検出電極とからなるように形成し、上記下部電極、上記駆動電極間に電圧を印加して上記振動子を縦共振周波数で振動させた際に、
上記第１の検出電極、上記第２の検出電極でそれぞれ検出される検出信号に差がある場合、上記第１の検出電極、上記第２の検出電極でそれぞれ検出される上記検出信号に応じて、上記振動子の所望の位置にレーザ光を照射して研削すること
を特徴とする振動型ジャイロセンサ素子の製造方法。
但し、“｛  ｝”は、方向が異なる等価な面方位を総称して表すための記号である。
【請求項２】
上記レーザ光を照射して研削する上記振動子の研削位置を、上記振動子を固定する固定端部近傍とすること
を特徴とする請求項１記載の振動型ジャイロセンサ素子の製造方法。
【請求項３】
上記レーザ光を照射して研削する上記振動子の研削位置を、上記反応性イオンエッチングによって形成される上記振動子の側壁面近傍とすること
を特徴とする請求項１記載の振動型ジャイロセンサ素子の製造方法。
【請求項４】
上記レーザ光を照射して研削する上記振動子の研削位置を、上記振動子の固定端部近傍且つ上記反応性イオンエッチングによって形成される上記振動子の側壁面近傍とすること
を特徴とする請求項１記載の振動型ジャイロセンサ素子の製造方法。
【請求項５】
下部電極、圧電薄膜、上部電極を有する片持ち梁形状の振動子を備え、上記圧電薄膜の圧電効果を利用して角速度を検出する振動型ジャイロセンサ素子において、
一方主面及び他方主面の面方位が｛１００｝である単結晶シリコン基板の一方主面上に、｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成された第１の開口部を有する第１の保護膜パターンを形成し、上記第１の開口部に対して上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングを行い、
上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングされた上記一方主面に対向する上記他方主面上の上記振動子となる領域に、上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極を順に積層して形成し、
上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極が形成された上記他方主面上に、上記｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成され、上記振動子を上記片持ち梁形状とする空隙を型取った第２の開口部を有する第２の保護膜パターンを形成し、上記第２の開口部に対して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を行うことで形成された上記振動子を備え、
上記振動子は、上記上部電極として、上記振動子を振動させる電圧を印加する上記振動子の長手方向に形成された駆動電極と、上記駆動電極を挟む形で、上記駆動電極と接触することなく平行に上記振動子の長手方向に形成された第１の検出電極及び第２の検出電極とを有し、
上記下部電極、上記駆動電極間に電圧を印加して当該振動子を縦共振周波数で振動させた際に、上記第１の検出電極、上記第２の検出電極でそれぞれ検出される検出信号に差がある場合、上記第１の検出電極、上記第２の検出電極でそれぞれ検出される上記検出信号に応じて照射されたレーザ光によって研削されていること
を特徴とする振動型ジャイロセンサ素子。
但し、“｛  ｝”は、方向が異なる等価な面方位を総称して表すための記号である。
【請求項６】
上記レーザ光を照射して研削する上記振動子の研削位置を、上記振動子を固定する固定端部近傍とすること
を特徴とする請求項５記載の振動型ジャイロセンサ素子。
【請求項７】
上記レーザ光を照射して研削する上記振動子の研削位置を、上記反応性イオンエッチングによって形成される上記振動子の側壁面近傍とすること
を特徴とする請求項５記載の振動型ジャイロセンサ素子。
【請求項８】
上記レーザ光を照射して研削する上記振動子の研削位置を、上記振動子の固定端部近傍且つ上記反応性イオンエッチングによって形成される上記振動子の側壁面近傍とすること
を特徴とする請求項５記載の振動型ジャイロセンサ素子。
【請求項９】
単結晶シリコン基板上に薄膜形成プロセスにより形成された下部電極、圧電薄膜、上部電極を有する片持ち梁形状の振動子を備え、上記圧電薄膜の圧電効果を利用して角速度を検出する振動型ジャイロセンサ素子の上記振動子の振動方向調整方法であって、
上記上部電極を、上記振動子を振動させる電圧を印加する上記振動子の長手方向に形成された駆動電極と、上記駆動電極を挟む形で、上記駆動電極と接触することなく平行に上記振動子の長手方向に形成された第１の検出電極及び第２の検出電極とからなるように形成し、上記下部電極、上記駆動電極間に電圧を印加して上記振動子を縦共振周波数で振動させた際に、
上記第１の検出電極、上記第２の検出電極でそれぞれ検出される検出信号に差がある場合、上記第１の検出電極、上記第２の検出電極でそれぞれ検出される上記検出信号に応じて、上記振動子の所望の位置にレーザ光を照射して研削すること
を特徴とする振動方向調整方法。
【請求項１０】
上記レーザ光を照射して研削する上記振動子の研削位置を、上記振動子を固定する固定端部近傍とすること
を特徴とする請求項９記載の振動方向調整方法。
【請求項１１】
上記レーザ光を照射して研削する上記振動子の研削位置を、上記振動子の側壁面近傍とすること
を特徴とする請求項９記載の振動方向調整方法。
【請求項１２】
上記レーザ光を照射して研削する上記振動子の研削位置を、上記振動子の固定端部近傍且つ上記振動子の側壁面近傍とすること
を特徴とする請求項９記載の振動方向調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、ビデオカメラの手振れ検知や、バーチャルリアリティ装置における動作検知や、カーナビゲーションシステムにおける方向検知などに用いられる角速度センサに関し、詳しくは、片持ち梁の振動子を有する小型の振動型ジャイロセンサ素子の製造方法、振動型ジャイロセンサ素子及び振動方向調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、民生用の角速度センサとしては、片持ち梁の振動子を所定の共振周波数で振動させておき、角速度の影響によって生じるコリオリ力を圧電素子などで検出することによって角速度を検出する、いわゆる振動型のジャイロセンサ（以下、振動型ジャイロセンサと呼ぶ。）が、広く使用されている。
【０００３】
振動型ジャイロセンサは、単純な機構、短い起動時間、安価で製造可能といった利点を有しており、例えば、ビデオカメラ、バーチャルリアリティ装置、カーナビゲーションシステムなどの電子機器に搭載され、それぞれ手振れ検知、動作検知、方向検知などをする際のセンサとして活用されている。
【０００４】
振動型ジャイロセンサは、搭載される電子機器の小型化、高性能化に伴い、小型化、高性能化が要求されている。例えば、電子機器の多機能化のため、他の用途で用いる各種センサと組み合わせて、振動型ジャイロセンサを一基板上に搭載させ、小型化を図るといった要請がある。
【０００５】
ところが、振動型ジャイロセンサは、圧電材料を機械加工によって切り出し、整形をすることで振動子を作製していたため、上述したような小型化を行うのに加工精度に限界があり、所望の性能を得ることができないといった問題があった。
【０００６】
そこで、振動子を、単結晶シリコン基板上に圧電材料で薄膜を形成することで作製し、小型化した圧電振動角速度計、つまり振動型ジャイロセンサが考案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。
【０００７】
この振動型ジャイロセンサの振動子は、断面形状が直角四辺型である正四角柱とすることが、安定した検出精度で角速度を検出するために要求されている。しかしながら、機械加工によって振動子を作製する場合でも、薄膜形成プロセスにて単結晶シリコン基板を加工して振動子を作製する場合でも、振動子を完全な正四角柱にすることは物理的に非常に困難であるため、非対称な形状の振動子が形成されてしまうといった問題がある。
【０００８】
このような、非対称な形状の振動子に駆動信号を印加して自励振動させた場合、振動子の中心線に沿った振動方向とはならず、中心線から傾いた振動方向をとってしまうことになる。このように、振動方向が傾いていると、角速度を検出するために検出される検出信号の値が不正確となり、正確な角速度を検出することができないといった問題がある。
【０００９】
【特許文献１】特開平８−２６１７６３号公報
【特許文献２】特開平８−３２７３６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで、本発明は、上述したような問題を解決するために案出されたものであり、薄膜形成プロセスを用いて作製した小型の振動型ジャイロセンサ素子の振動子を、角速度を印加しない状態で自励振動させた際の振動方向を適切に調整する振動型ジャイロセンサ素子の製造方法、振動型ジャイロセンサ素子及び振動方向調整方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述の目的を達成するために、本発明に係る振動型ジャイロセンサ素子の製造方法は、下部電極、圧電薄膜、上部電極を有する片持ち梁形状の振動子を備え、上記圧電薄膜の圧電効果を利用して角速度を検出する振動型ジャイロセンサ素子の製造方法において、一方主面及び他方主面の面方位が｛１００｝である単結晶シリコン基板の一方主面上に、｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成された第１の開口部を有する第１の保護膜パターンを形成し、上記第１の開口部に対して上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングを行い、上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングされた上記一方主面に対向する上記他方主面上の上記振動子となる領域に、上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極を順に積層して形成し、上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極が形成された上記他方主面上に、上記｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成され、上記振動子を上記片持ち梁形状とする空隙を型取った第２の開口部を有する第２の保護膜パターンを形成し、上記第２の開口部に対して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を行うことで、上記振動子を形成し、上記上部電極を、上記振動子を振動させる電圧を印加する上記振動子の長手方向に形成された駆動電極と、上記駆動電極を挟む形で、上記駆動電極と接触することなく平行に上記振動子の長手方向に形成された第１の検出電極及び第２の検出電極とからなるように形成し、上記下部電極、上記駆動電極間に電圧を印加して上記振動子を縦共振周波数で振動させた際に、上記第１の検出電極、上記第２の検出電極でそれぞれ検出される検出信号に差がある場合、上記第１の検出電極、上記第２の検出電極でそれぞれ検出される上記検出信号に応じて、上記振動子の所望の位置にレーザ光を照射して研削することを特徴とする。
【００１２】
上述の目的を達成するために、本発明に係る振動型ジャイロセンサ素子は、下部電極、圧電薄膜、上部電極を有する片持ち梁形状の振動子を備え、上記圧電薄膜の圧電効果を利用して角速度を検出する振動型ジャイロセンサ素子において、一方主面及び他方主面の面方位が｛１００｝である単結晶シリコン基板の一方主面上に、｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成された第１の開口部を有する第１の保護膜パターンを形成し、上記第１の開口部に対して上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングを行い、上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングされた上記一方主面に対向する上記他方主面上の上記振動子となる領域に、上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極を順に積層して形成し、上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極が形成された上記他方主面上に、上記｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成され、上記振動子を上記片持ち梁形状とする空隙を型取った第２の開口部を有する第２の保護膜パターンを形成し、上記第２の開口部に対して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を行うことで形成された上記振動子を備え、上記振動子は、上記上部電極として、上記振動子を振動させる電圧を印加する上記振動子の長手方向に形成された駆動電極と、上記駆動電極を挟む形で、上記駆動電極と接触することなく平行に上記振動子の長手方向に形成された第１の検出電極及び第２の検出電極とを有し、上記下部電極、上記駆動電極間に電圧を印加して当該振動子を縦共振周波数で振動させた際に、上記第１の検出電極、上記第２の検出電極でそれぞれ検出される検出信号に差がある場合、上記第１の検出電極、上記第２の検出電極でそれぞれ検出される上記検出信号に応じて照射されたレーザ光によって研削されていることを特徴とする。
【００１３】
上述の目的を達成するために、本発明に係る振動方向調整方法は、単結晶シリコン基板上に薄膜形成プロセスにより形成された下部電極、圧電薄膜、上部電極を有する片持ち梁形状の振動子を備え、上記圧電薄膜の圧電効果を利用して角速度を検出する振動型ジャイロセンサ素子の上記振動子の振動方向調整方法であって、上記上部電極を、上記振動子を振動させる電圧を印加する上記振動子の長手方向に形成された駆動電極と、上記駆動電極を挟む形で、上記駆動電極と接触することなく平行に上記振動子の長手方向に形成された第１の検出電極及び第２の検出電極とからなるように形成し、上記下部電極、上記駆動電極間に電圧を印加して上記振動子を縦共振周波数で振動させた際に、上記第１の検出電極、上記第２の検出電極でそれぞれ検出される検出信号に差がある場合、上記第１の検出電極、上記第２の検出電極でそれぞれ検出される上記検出信号に応じて、上記振動子の所望の位置にレーザ光を照射して研削することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、上部電極を、振動子を振動させる電圧を印加する振動子の長手方向に形成された駆動電極と、駆動電極を挟む形で、駆動電極と接触することなく平行に振動子の長手方向に形成された第１の検出電極及び第２の検出電極とからなるように形成する。そして、下部電極、駆動電極間に電圧を印加して振動子を縦共振周波数で振動させた際に、第１の検出電極、第２の検出電極でそれぞれ検出される検出信号に差がある場合、第１の検出電極、第２の検出電極でそれぞれ検出される検出信号に応じて、振動子の所望の位置にレーザ光を照射して研削することで、振動子の形状を調整する。
【００１５】
このようにしてレーザ光を照射されて研削された振動子は、研削前の振動子の形成不良によって生ずる振動方向の傾きを、振動子の視覚的な形状観察によって対称性を検証し、振動方向の傾きを調整するといった不確実な手法を用いることなく、適切に調整することができる。したがって、このような振動子を備えた振動型ジャイロセンサ素子は、良好な検出特性で角速度を検出することを可能とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明に係る振動型ジャイロセンサ素子の製造方法、振動型ジャイロセンサ素子及び振動方向調整方法を実施するための最良の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明を適用した角速度センサ５０が備える振動型ジャイロセンサ素子１０の外観斜視図であり、図２は、角速度センサ５０の回路構成の一例を示した図である。なお、説明のため、図１に示す振動型ジャイロセンサ素子１０は、一部を透過して示している。
【００１８】
図１に示すように、振動型ジャイロセンサ素子１０は、いわゆる片持ち梁の振動子１１を備えている。振動子１１は、シリコン単結晶基板から切り出される厚みｔ１、長さｔ２、幅ｔ３の素子から振動子１１の周囲に周囲空間１２を設けることで他端が固定された梁として形成される。振動子１１は、長手方向と垂直な方向にｔ７ｂ及びｔ７ｃの空間幅、長手方向にｔ７ａの空間幅が確保される。なお、ｔ７ｂと、ｔ７ｃとは、同じ長さである。
【００１９】
このような振動子１１は、長手方向に対して垂直な平面で切断したときの断面形状が直角四辺形となる四角柱状に形成されている。
【００２０】
振動型ジャイロセンサ素子１０の大きさは、例えば、上述したように素子の厚みをｔ１、素子の長さをｔ２、素子の幅をｔ３とすると、ｔ１＝３００μｍ、ｔ２＝３ｍｍ、ｔ３＝１ｍｍとすることができる。また、この時の振動子１１の大きさは、図３に示すように振動子の厚みをｔ４、振動子の長さをｔ５、振動子の幅をｔ６とすると、例えば、ｔ４＝１００μｍ、ｔ５＝２．５ｍｍ、ｔ６＝１００μｍとすることができる。
【００２１】
図４に、振動型ジャイロセンサ素子１０の平面図を示す。図４に示すように、振動子１１の上部には、基準電極４ａ、圧電体５ａが順に積層され、さらに圧電体５ａ上に駆動電極６ａと、駆動電極６ａを挟む形で一対の検出電極６ｂ，６ｃとが、振動子１１の長手方向に沿って互いに平行に、且つ接触しないように形成されている。駆動電極６ａ，検出電極６ｂ，６ｃ、基準電極４ａには、それぞれ配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄが設けられている。
【００２２】
圧電体５ａは、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）などの圧電セラミックスや、水晶、ＬａＴａＯ３などの圧電単結晶などからなる薄膜である。
【００２３】
このような、振動型ジャイロセンサ素子１０は、図２に示すＩＣ回路４０に接続されることで動作し、角速度に応じて発生するコリオリ力を検出する角速度センサ５０として機能する。
【００２４】
ＩＣ回路４０は、加算回路４１と、増幅回路４２と、移相回路４３と、ＡＧＣ（Automatic Gain Control）４４と、差動増幅回路４５と、同期検波回路４６と、平滑回路４７とを備えている。
【００２５】
振動型ジャイロセンサ素子１０の１対の検出電極６ｂ，６ｃは、それぞれ配線接続端子Ｂ，Ｃを介して、加算回路４１と、差動増幅回路４５に接続される。また、振動型ジャイロセンサ素子１０の駆動電極６ａは、配線接続端子Ａを介して、ＡＧＣ４４の出力端と接続される。
【００２６】
角速度センサ５０では、加算回路４１、増幅回路４２、移相回路４３、ＡＧＣ４４及び振動型ジャイロセンサ素子１０によっていわゆる移相発振回路が構成されており、この移相発振回路によって振動型ジャイロセンサ素子１０の基準電極４ａ、駆動電極６ａ間に電圧が印加され振動子１１を自励振動させる。振動子１１の振動方向は、当該振動子１１の厚み方向となる。
【００２７】
また、角速度センサ５０では、１対の検出電極６ｂ，６ｃが配線接続端子Ｂ，Ｃを介して接続された加算回路４１、差動増幅回路４５の出力端が、同期検波回路４６に接続され、この同期検波回路４６が平滑回路４７に接続されており、これらと、圧電体５ａとで、振動子１１の角速度を検出する検出部として機能する。
【００２８】
すなわち、図２に示す角速度センサ５０では、振動型ジャイロセンサ素子１０の振動子１１を上述した移相発振回路で自励振動させている際に、振動子１１の長手方向に角速度が加えられることで振動方向に垂直な方向に発生するコリオリ力を、圧電体５ａで検出し、検出電極６ｂ，６ｃから互いに逆極性の信号として出力し、差動増幅回路４５に入力する。差動増幅回路４５にて増幅された出力は、同期検波回路４６に入力され、同期検波が行われる。このとき、同期検波回路４６には、同期検波を行うために、加算器４１からの出力が同期信号として供給される。そして、同期検波回路４６からの出力が、平滑回路４７を介して、振動子１１に生じたコリオリ力を検出することにより得られた直流信号である角速度信号として出力される。
【００２９】
以上のように、角速度センサ５０では、圧電体５ａを用いて振動子１１を振動させるとともに、振動子１１に生じるコリオリ力を圧電体５ａによって検出し、この圧電体５ａによって検出されたコリオリ力に基づいて角速度を検出することができる。
【００３０】
＜実施例＞
続いて、実施例として、上述した振動型ジャイロセンサ素子１０を実際に作製し、その製造方法について説明をする。
【００３１】
上述したように、図１に示した振動型ジャイロセンサ素子１０は、単結晶シリコン基板を加工することで形成される。
【００３２】
図５は、振動型ジャイロセンサ素子１０を形成する際に用いる単結晶シリコン基板１の平面図であり、図６は、図５に示す単結晶シリコン基板１をＸＸ線で切断した断面図である。上記単結晶シリコン基板１の一方主面１Ｂ、他方主面１Ａは、熱酸化されて、後述する結晶異方性エッチング時の保護膜とするＳｉＯ２膜が形成されている。
【００３３】
振動型ジャイロセンサ素子１０で使用する単結晶シリコン基板１は、図５に示すように、当該単結晶シリコン基板１の一方主面１Ｂの面方位が｛１００｝、図６に示すように側面１Ｃの面方位が｛１１０｝となるように切り出されている。なお、他方主面１Ａは一方主面１Ｂと平行であるため、他方主面１Ａの面方位も｛１００｝となっている。
【００３４】
但し、“｛  ｝”は、方向が異なる等価な面方位を総称して表すための記号であり、例えば、｛１００｝は、（１００），（０１０），（００１）などを総称しているものとする。
【００３５】
このように結晶面方位を規定して切り出される単結晶シリコン基板１の大きさは、加工プロセスのラインに設けられた装置に応じて任意に設定される。例えば、本実施例では、縦×横が３ｃｍ×３ｃｍ角の単結晶シリコン基板１を用いている。
【００３６】
また、単結晶シリコン基板１の厚みは、作業性や、当該基板の値段により決定されるが、少なくとも振動型ジャイロセンサ素子１０に形成する振動子１１の厚み以上であればよい。例えば、本実施例では、図３を用いて示したように振動子１１の厚みｔ４を１００μｍとしているので、単結晶シリコン基板１の厚みを３倍の３００μｍとしている。
【００３７】
図６に示すように、単結晶シリコン基板１の他方主面１Ａ及び一方主面１Ｂには、熱酸化することでＳｉＯ２膜である熱酸化膜２Ａ，２Ｂを形成する。この熱酸化膜２Ａ，２Ｂは、後述する結晶異方性エッチングを行う際の保護膜として機能する。熱酸化膜２Ａ，２Ｂの厚みは、任意であるが、本実施例では、０．１μｍとしている。また、本実施例で用いる、単結晶シリコン基板１は、伝導型としてＮ型を採用しているが、任意に決めることができる。
【００３８】
なお、以下の説明において、単結晶シリコン基板１において、熱酸化膜２Ａが形成された他方主面１Ａ側を表面とし、熱酸化膜２Ｂが形成された一方主面１Ｂ側を裏面とする。
【００３９】
このような単結晶シリコン基板１を用いて、まず、当該単結晶シリコン基板１の裏面において、結晶異方性エッチングを行う個所に形成されている熱酸化膜２Ｂをフォトエッチングにより除去する。
【００４０】
フォトエッチングは、熱酸化膜２Ｂ上に、上記除去する個所が開口したレジスト膜パターンを形成する工程（フォトリソグラフィー）と、上記パターンを用いて熱酸化膜２Ｂを除去する工程（エッチング）とに大別される。
【００４１】
図７は、単結晶シリコン基板１の熱酸化膜２Ｂ上にレジスト膜パターン３が形成された様子を示した平面図であり、図８は、図７で示す単結晶シリコン基板１をＸＸ線で切断した際の断面図である。
【００４２】
図７に示すように、熱酸化膜２Ｂ上に形成されたレジスト膜パターン３は、｛１１０｝面と垂直な方向の長さをｔ８とし、｛１１０｝面と平行な方向の長さをｔ９とするｔ８×ｔ９のサイズ長方形状をした開口部３ａが所定の間隔を持って規則的に配列されたパターンとなっている。本実施例では、３×５個の開口部３ａが形成されたパターンとしている。開口部３ａの、それぞれが１つの振動型ジャイロセンサ素子１０となる。
【００４３】
このレジスト膜パターン３は、半導体加工プロセスで利用されているフォトリソグラフィーと全く同様にして、熱酸化膜２Ｂ上をマイクロ波で加熱して水分を除去するプレベーキングを行ってから、感光性樹脂であるフォトレジスト膜を塗布し、上記開口部３ａを形成するための上記パターンが形成されたマスクをフォトレジスト膜に露光し、現像をするという工程を経ることで形成される。
【００４４】
開口部３ａの大きさを決めるｔ８、ｔ９は、振動型ジャイロセンサ素子１０の振動子１１の形状と、単結晶シリコン基板１０の厚みｔ１、図１で示した振動子の空間幅ｔ７ａ，ｔ７ｂ，ｔ７ｃによって決定される。なお、ｔ８，ｔ９の具体的な数値については、後で詳細に説明をする。
【００４５】
このようにして、図８に示すように、単結晶シリコン基板１の熱酸化膜２Ｂ上には、レジスト膜パターン３が形成されることになる。
【００４６】
続いて、レジスト膜パターン３によって形成された開口部３ａの熱酸化膜２Ｂをエッチングにより除去する。図９は、レジスト膜パターン３によって形成された開口部３ａの個所の熱酸化膜２Ｂのみが除去された単結晶シリコン基板１の様子を示した平面図であり、図１０は、図９で示す単結晶シリコン基板１をＸＸ線で切断した際の断面図である。
【００４７】
熱酸化膜２Ｂの除去する場合のエッチングは、イオンエッチング等の物理的エッチングでもよいし、湿式エッチングでもよいが、単結晶シリコン基板１の界面の平滑性を考慮すると熱酸化膜２Ｂのみが除去される湿式エッチングが好適である。
【００４８】
本実施例では、湿式エッチングの薬液としてフッ化アンモニウムを用いた。ただし、湿式エッチングの場合、長時間エッチングを行うと開口部分の側面からエッチングが進行する、いわゆるサイドエッチングが大きくなるため、熱酸化膜２Ｂの開口部分３ａのみが除去された時点で終了するようエッチング時間を正確に制御する。
【００４９】
このようにして、レジスト膜パターン３の開口部３ａに位置する熱酸化膜２Ｂは、図１０に示すように除去される。
【００５０】
続いて、上述したエッチングにより、熱酸化膜２Ｂが除去されることで、レジスト膜パターン３の開口部３ａと同じ大きさのｔ８×ｔ９の開口部２Ｂａで｛１００｝面が露出した単結晶シリコン基板１に対して、湿式エッチングを施し、単結晶シリコン基板１の厚みを振動子１１の厚みであるｔ４まで削り取る。
【００５１】
図１１は、単結晶シリコン基板１において、熱酸化膜２Ｂが除去され、｛１００｝面が露出したｔ８×ｔ９の大きさの開口部２Ｂａのみがエッチングされた様子を示した平面図であり、図１２は、図１１で示す単結晶シリコン基板１をＸＸ線で切断した際の断面図である。また、図１３は、図１２に示す領域Ａを拡大して示した図である。
【００５２】
ここで、単結晶シリコン基板１に対して施される湿式エッチングは、結晶方向にエッチング速度が依存する性質を利用した結晶異方性エッチングである。熱酸化膜２Ｂが除去され、｛１００｝面が露出した上記開口部２Ｂａに対して、結晶異方性エッチングをすると、図１３に示すように｛１００｝面に対して約５５度の角度の面方位となる｛１１１｝面が現れ、振動子１１の厚みであるｔ４分を確保するようにエッチングを終了することで、いわゆるダイヤフラム形状となる。
【００５３】
一般に、単結晶シリコンは、その結晶構造から、｛１１１｝面が、｛１００｝面に較べ、非常にエッチングされにくいという結晶方向に対するエッチング速度依存性がある。具体的には、単結晶シリコンの｛１００｝面のエッチング速度は、｛１１１｝面のエッチング速度の２００倍程度となっている。
【００５４】
単結晶シリコンに対して結晶異方性エッチングを施す際に使用可能なエッチング液は、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、ＫＯＨ（水酸化カリウム）、ＥＤＰ（エチレンジアミン-ピロカテコール-水）、ヒトラジンなどである。
【００５５】
本実施例では、エッチング液として熱酸化膜２Ａと、熱酸化膜２Ｂとのエッチングレートの選択比がより大きくなるＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）２０％溶液を使用した。エッチング時には、エッチング液を攪拌しながら温度を８０℃に保ち、６時間かけてダイヤフラムの深さｔ１０が２００μｍ、つまりエッチングすることで残る単結晶シリコン基板１の厚みｔ１１が、振動子１１の厚みｔ４と同じ、１００μｍとなるまでエッチングした。
【００５６】
ここで、結晶異方性エッチングを施すために、図７を用いて説明したレジスト膜パターン３によって形成した開口部３ａのサイズを規定するｔ８、ｔ９の数値について具体的に説明をする。
【００５７】
開口部３ａの幅ｔ９、つまりエッチング後のダイヤフラムの幅は、図１３に示すようにｔ９＝ｔ９ａ＋ｔ９ｂ＋ｔ９ｃとなっている。
【００５８】
ｔ９ｃは、図３で示した振動子１１の幅ｔ６と、図１で示した振動子１１の周辺に形成する周囲空間１２の空間幅ｔ７ｂ、ｔ７ｃを用いて、ｔ９ｃ＝ｔ６＋ｔ７ｂ＋ｔ７ｃと表すことができる。
【００５９】
また、ｔ９ａ，ｔ９ｂは、それぞれ同じ長さであり、図１３に示すように、結晶異方性エッチングを施した際に現れる｛１１１｝面と、単結晶シリコン基板１の裏面である｛１００｝面とが５５度の角度をなしていることから、ダイヤフラムの深さｔ１０を用いてｔ９ａ＝ｔ９ｂ＝ｔ１０×１／ｔａｎ５５°と表すことができる。
【００６０】
したがって、開口部３ａの幅ｔ９は、ｔ９＝｛ｔ１０×１／ｔａｎ５５°｝×２＋（ｔ６＋ｔ７ｂ＋ｔ７ｃ）となる。ここで、ｔ６＝１００μｍ、ｔ７ｂ＝ｔ７ｃ＝２００μｍ、ｔ１０＝２００μｍとすると、ｔ９＝７８０μｍとなる。
【００６１】
上述したような結晶性異方エッチングを行うと、レジスト膜パターン３の開口部３ａにおけるｔ８方向にもｔ９方向と同様に、｛１００｝面と５５度の角度をなす｛１１１｝面が現れる。したがって、開口部の長さｔ８、つまりエッチング後のダイヤフラムの長さは、図３で示した振動子１１の長さｔ５、図１で示した振動子１１の周辺に形成する周囲空間１２の空間幅ｔ７ａを用いて、ｔ８＝｛ｔ１０×１／ｔａｎ５５°｝×２＋（ｔ５＋ｔ７ａ）となる。ここで、ｔ５＝２．５ｍｍ、ｔ７ａ＝２００μｍ、ｔ１０＝２００μｍとすると、ｔ８＝２９８０μｍとなる。
【００６２】
上述までの説明では、単結晶シリコン基板１全体を図示しながら説明をしたが、説明の都合上、以下の説明においては、図１１に領域Ｗとして示すダイヤフラムが形成された単結晶シリコン基板１のみを用いて説明をする。また、以下の説明では、熱酸化膜２Ａ側に対する加工工程となるため、表面である熱酸化膜２Ａ側を上面にした平面図、及びこの平面図を所定の位置で切断した断面図を用いて説明をする。
【００６３】
具体的には、図１１に示す領域Ｗのダイヤフラムが形成された単結晶シリコン基板１を、熱酸化膜２Ａを上面とすると、図１４のような平面図となり、ＸＸ線で切断される断面図は、図１５のようになる。
【００６４】
続いて、熱酸化膜２Ａ上に、図１で示した基準電極４ａ、圧電体５ａ、駆動電極６ａ、検出電極６ｂ，６ｃを形成するために下部電極膜、圧電膜、上部電極膜を成膜する。単結晶シリコン基板１の熱酸化膜２Ａ上に、下部電極膜４、圧電膜５、上部電極膜６を順に成膜すると、その平面図は図１６のようになり、図１６に示すＸＸ線で切断した断面図は図１７に示すようになる。
【００６５】
本実施例では、下部電極膜４、圧電膜５、上部電極膜６を、全て、マグネトロンスパッタ装置を用いて成膜した。
【００６６】
まず、熱酸化膜２Ａ上に、下部電極膜４を成膜する。本実施例では、まず、マグネトロンスパッタ装置の条件を、ガス圧：０．５Ｐａ、ＲＦパワー：１ｋＷとして、熱酸化膜２Ａ上にチタン（Ｔｉ）を膜厚が５０ｎｍとなるように成膜した。続いて、成膜したチタン（Ｔｉ）の上に、装置の条件をガス圧：０．５Ｐａ、ＲＦパワー：０．５ｋＷとして、プラチナ（Ｐｔ）を膜厚が２００ｎｍとなるように成膜した。つまり、チタンと、プラチナとを上記膜厚となるように成膜して下部電極膜４を形成している。
【００６７】
次に、下部電極膜４上に圧電膜５を成膜する。本実施例では、まず、Ｐｂ（１＋ｘ）（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３−ｙ酸化物をターゲットとして用い、マグネトロンスパッタ装置の条件を、常温、ガス圧：０．７Ｐａ、ＲＦパワー：０．５ｋＷとして、下層電極４として成膜されたプラチナ（Ｐｔ）上にチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）の圧電体薄膜を膜厚が１μｍとなるように成膜した。続いて、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を成膜した単結晶シリコン基板１を電気炉に入れ、酸素雰囲気下、７００℃、１０分間という条件で結晶化熱処理を行うことで圧電膜５を形成した。
【００６８】
最後に、圧電膜５上に上部電極膜６を成膜する。本実施例では、マグネトロンスパッタ装置の条件を、ガス圧０．５Ｐａ、ＲＦパワー：０．５ｋＷとして、圧電膜５上にプラチナ（Ｐｔ）を膜圧が２００ｎｍとなるように成膜した。
【００６９】
次に、上部電極膜６を加工して駆動電極６ａ、検出電極６ｂ，６ｃを形成する。図１８は、駆動電極６ａ、検出電極６ｂ，６ｃが形成された単結晶シリコン基板１の様子を示した平面図であり、図１９は、図１８で示す単結晶シリコン基板１をＸＸ線で切断した際の断面図である。
【００７０】
駆動電極６ａは、上述したように振動子１１を駆動するための電圧を印加する電極であり、振動子１１の中心となるように形成される。また、検出電極６ｂ，６ｃは、上述したように振動子１１に発生したコリオリ力を検出するための電極であり、駆動電極６aを挟むように駆動電極６ａと平行に、且つ接触しないように、振動子１１に形成される。
【００７１】
また、図１８に示すように、駆動電極６ａ，検出電極６ｂ，６ｃは、その一方端部が、振動子１１の根元である根元ラインＲと一致するように形成され、各電極の上記一方端部には、それぞれ端子接合部６ａ１，６ｂ１，６ｃ１が形成される。
【００７２】
本実施例では、駆動電極６ａの幅ｔ１３を５０μｍ、検出電極６ｂ，６ｃの幅ｔ１４を１０μｍ、駆動電極６ａ及び検出電極６ｂ，６ｃの長さｔ１２を２ｍｍ、検出電極６ｂ，６ｃの駆動電極６ａとの間隔ｔ１５をそれぞれ５μｍとした。この駆動電極６ａ、検出電極６ｂ，６ｃは、振動子１１上に形成される範囲であれば、任意の大きさに設計することができる。また、本実施例では、端子接合部６ａ１，６ｂ１，６ｃ１のそれぞれの長さｔ１６を５０μｍ、幅ｔ１７を５０μｍとした。
【００７３】
本実施例では、駆動電極６ａ、検出電極６ｂ，６ｃ及び端子接合部６ａ１，６ｂ１，６ｃ１を、フォトリソグラフィー技術を用いて、上部電極膜６上にレジスト膜パターンを形成した後、イオンエッチングにより不要な部分の電極膜６を除去することで形成した。
【００７４】
本発明は、この駆動電極６ａ、検出電極６ｂ，６ｃ及び端子接合部６ａ１，６ｂ１，６ｃ１を形成する際の手法に限定されるものではなく、上述した手法以外にも様々な手法を適用することができる。
【００７５】
次に、圧電膜５を加工して振動子１１上に圧電体５ａを形成する。図２０は、圧電膜５を加工して圧電体５ａが形成された単結晶シリコン基板１の様子を示した平面図であり、図２１は、図２０で示す単結晶シリコン基板１をＸＸ線で切断した際の断面図である。
【００７６】
圧電体５ａは、上部電極膜６を加工して形成した駆動電極６ａ，検出電極６ｂ，６ｃを完全に覆うような形状であればどのような形状であってもかまわない。
【００７７】
本実施例では、圧電体５ａの長さｔ１８を２．２ｍｍ、幅ｔ１９を９０μｍとした。このような大きさの圧電体５aは、その中心が振動子１１の中心と一致し、一方端部が、振動子１１の根元である根元ラインＲと一致させるようにする。
【００７８】
圧電体５aの幅ｔ１８は、振動子１１の幅ｔ４以下の幅である必要がある。また、本実施例では、上述した端子接合部６ａ１，６ｂ１、６ｃ１の下に圧電膜５を、端子接合部６ａ１，６ｂ１、６ｃ１の各外周より５μｍの幅を持たせて残してある。この端子接合部６ａ１，６ｂ１、６ｃ１の下に残される圧電膜５は、振動型ジャイロセンサ素子１０全体の形状サイズにより任意に設定されることになる。
【００７９】
本実施例では、フォトリソグラフィー技術を用いて、圧電体５ａ及び端子接合部６ａ１，６ｂ１、６ｃ１の下に残す圧電膜５の形状のレジスト膜パターンを形成した後、フッ硝酸溶液による湿式エッチングにより不要な部分の圧電膜５を除去することで、圧電体５ａを形成した。
【００８０】
上述したように、本実施例では、圧電体５ａを形成するために圧電膜５の不要部分を除去する手法を湿式エッチングとしているが、本発明にはこれに限定されるものではなく、物理的なエッチングであるイオンエッチングによる除去方法や、化学的な作用と物理的な作用でエッチングする反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）による除去方法などを適用することができる。
【００８１】
次に、下部電極膜４を加工して、振動子１１上に基準電極４ａを形成する。図２２は、下部電極膜４を加工して基準電極４ａが形成された単結晶シリコン基板１の様子を示した平面図であり、図２３は、図２２で示す単結晶シリコン基板１をＸＸ線で切断した際の断面図である。
【００８２】
基準電極４ａは、圧電膜５を加工して形成した圧電体５ａを完全に覆うような形状であればどのような形状であってもかまわない。
【００８３】
本実施例では、基準電極４ａの長さｔ２０を２．３ｍｍとし、幅ｔ２１を９４μｍとした。このような基準電極４aは、その中心が振動子１１の中心と一致し、一方端部を、振動子１１の根元である根元ラインＲと一致させるようにする。
【００８４】
基準電極４ａの幅ｔ２０は、振動子１１の幅ｔ４以下の幅である必要がある。また、本実施例では、上述したように除去しなかった圧電膜５の下の下部電極膜４を、上記圧電膜５の外周より５μｍの幅を持たせて残してある。この幅に関しては振動型ジャイロセンサ素子１０全体の形状サイズにより任意に設定されることになる。
【００８５】
また、基準電極４ａと、外部との電気的接合を図るため、図２２に示すように下部電極膜４によって配線接続端子Ｄが形成されている。上述したように、圧電膜５の下に残された下部電極膜４を介して基準電極４ａと、配線接続端子Ｄとは、電気的に接続されている。
【００８６】
本実施例では、振動型ジャイロセンサ素子１０と、外部との電気的な接続は、ワイヤーボンディングにより行うことを前提としているため、配線接続端子Ｄの実際に配線される端子部をワイヤーボンディング時に必要となる面積分だけ確保する。
【００８７】
本実施例では、配線接続端子Ｄの端子部の長さｔ２２を２００μｍ、幅ｔ２３を１００μｍとした。振動型ジャイロセンサ素子１０の外部との接合に関しては、接合方法も含めて任意であり、採用する接合方法に応じて、配線接続端子Ｄの形状を最適となるように設定する。
【００８８】
本実施例では、フォトリソグラフィー技術を用いて、図２２に示すような形状となるレジスト膜パターンを形成した後、イオンエッチングにより不要な部分の下部電極膜４を除去することで基準電極４ａ、配線接続端子Ｄ、基準電極４ａと配線接続端子Ｄとを電気的に接続する下部電極膜４を形成した。
【００８９】
上述したように、本実施例では、基準電極４ａを形成するために下部電極膜４の不要部分を除去する手法を、物理的なエッチングであるイオンエッチングとしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、化学的なエッチングである湿式エッチングや、化学的な作用と物理的な作用でエッチングする反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）による除去方法を適用することができる。
【００９０】
次に、駆動電極６ａ、検出電極６ｂ，６ｃの一方端部側にそれぞれ形成されている端子接合部６ａ１，６ｂ１、６ｃ１と、配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃとの電気的接合を円滑にするために平坦化レジスト膜７を形成する。
【００９１】
図２４は、平坦化レジスト膜７が形成された単結晶シリコン基板１の様子を示した平面図であり、図２５は、図２４に示す単結晶シリコン基板１をＹＹ線で切断した際の断面図である。
【００９２】
上述した図２２に示すように、配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃと、端子接合部６ａ１，６ｂ１、６ｃ１とをそれぞれ物理的に接合する際には、圧電体５ａを形成する際に残された圧電膜５の端部と、基準電極４ａを形成する際に残された下部電極膜４の端部とをそれぞれ通過しなくてはならない。
【００９３】
本実施例において、圧電体５ａは、圧電膜５を湿式エッチングによってエッチングすることで形成されており、エッチングされた端部は、単結晶シリコン基板１方向へ、逆テーパ形状、あるいは、垂直形状となっている。そのため、平坦化レジスト膜７を形成せずに、端子接合部６ａ１，６ｂ１、６ｃ１と、配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃとをそれぞれ電気的に接続するように配線膜を形成すると、上記端部の段差により電気的接続が断たれてしまう虞がある。
【００９４】
また、基準電極４ａと電気的に接続されている下部電極膜４の端部が露出しているため、平坦化レジスト膜７を形成しないと、駆動電極６ａ，検出電極６ｂ，６ｃと、基準電極４ａとが短絡してしまうことになる。
【００９５】
以上の理由により、図２４に示すように、端子接合部６ａ１，６ｂ１、６ｃ１上に、平坦化レジスト膜７を形成し、上記圧電膜５の端部の段差をなくし、上記下部電極膜４の端部が露出しないようにする。
【００９６】
平坦化レジスト膜７の形状は、上述したように上記圧電膜５の端部の段差をなくし、上記下部電極膜４の端部が露出しない形状であれば任意に設定できる。本実施例では、平坦化レジスト膜７の幅ｔ２４を２００μｍ、長さｔ２５を５０μｍとした。
【００９７】
平坦化レジスト膜７は、フォトリソグラフィー技術により、図２４に示す個所に所望の形状でパターニングしたレジスト膜を、２８０〜３００℃程度の熱処理を加えることで硬化させる。本実施例では、レジスト膜の厚みを２μｍ程度としたが、この厚みに関しては、圧電膜５、下部電極膜４の厚みに応じて変化させ、両者の合計の厚み以上とすることが望ましい。本実施例では、レジスト膜を用いて平坦化レジスト膜７を形成しているが、上記理由を回避することの可能な、非導電性の材料であれば、その形成方法も含めて任意である。
【００９８】
次に、駆動電極６ａ、検出電極６ｂ，６ｃを外部に接続するための配線処理を施す際に用いる配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃを形成する。図２６は、配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃを形成した単結晶シリコン基板１の様子を示す平面図であり、図２７は、図２６に示した単結晶シリコン基板１をＹＹ線で切断した際の断面図である。
【００９９】
図２６に示す配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃは、駆動電極６ａ、検出電極６ｂ，６ｃの端子接合部６ａ１，６ｂ１、６ｃ１とそれぞれ接続されている。本実施例では、振動型ジャイロセンサ素子１０と、外部との電気的な接続は、ワイヤーボンディングにより行うことを前提としているため、配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃの実際に配線される端子部を、上述した配線接続端子Ｄと同様に、ワイヤーボンディング時に必要となる面積分だけ確保する。
【０１００】
各配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃは、平坦化レジスト膜７の上面を通り、端子接合部６ａ１，６ｂ１、６ｃ１とそれぞれ接触するように、熱酸化膜２Ａ上に形成される。配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃと、端子接続部６ａ１，６ｂ１、６ｃ１との接合個所である各電極接合部の形状は、任意であるが電気的な接触抵抗を減少させるために５μｍ四方以上の大きさが望ましい。
【０１０１】
配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃにおいて、実際に配線が接続される端子部は、上述したようにワイヤーボンディング接合を行うのに必要な面積分を確保可能な形状となる。
【０１０２】
本実施例では、配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃ、それぞれの端子部の長さｔ２６を２００μｍ、幅ｔ２７を１００μｍとした。振動型ジャイロセンサ素子１０の外部との接合に関しては、接合方法も含めて任意であり、採用する接合方法に応じて、配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃの形状を最適となるように設定する。
【０１０３】
本実施例では、フォトリソグラフィー技術を用いて、図２６に示すような形状となるレジスト膜パターンを形成した後、配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃをスパッタリングにより形成した。スパッタリングした際に、不要な部分に付着した膜は、レジスト膜パターンを除去する際に、同時に除去する、いわゆるリフトオフの手法にて除去した。
【０１０４】
具体的には、配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃは、付着力を向上させるためのチタン（Ｔｉ）を２０ｎｍだけ堆積させ、電気抵抗が低く、低コストである銅（Ｃｕ）を３００ｎｍ堆積させ、さらに、ワイヤーボンディングとの接合を容易にするため、金（Ａｕ）を３００ｎｍ堆積させることで形成した。なお、この配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃを形成する際に用いる材料及び配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃの形成方法は任意であり、本発明は、上記材料及び形成方法に限定されるものではない。
【０１０５】
続いての工程は、図１で示したように振動型ジャイロセンサ１０に対して周囲空間１２を形成することで片持ち梁の振動子１１を作製する工程である。図２８は、単結晶シリコン基板１に周囲空間１２を形成することで片持ち梁の振動子１１が形成された様子を示した平面図であり、図２９は、図２８で示す単結晶シリコン基板１をＹＹ線で切断した様子を示した断面図であり、図３０は、図２８で示す単結晶シリコン基板１をＸＸ線で切断した様子を示した断面図である。
【０１０６】
図２８に示すように周囲空間１２は、検出電極６ｂ，６ｃが形成されている側の振動子１１の側面から左右の方向にそれぞれｔ７ｂ及びｔ７ｃの幅を有する空間と、振動子１１の長手方向で振動子１１の根元ラインＲと反対の端部側にｔ７ａの幅を有する空間とによって構成された、いわゆる“コ”の字型の形状をした空間となっている。
【０１０７】
本実施例では、ｔ７ｂ、ｔ７ｃを、それぞれ２００μｍとしている。このｔ７ｂ、ｔ７ｃは、周囲空間１２内の気体の状態や、要求される振動子１１の振動の質を示すＱ値などによって決定されることになる。
【０１０８】
本実施例では、まず、フォトリソグラフィー技術を用いて、図２８に示すような“コ”の字型の形状のレジスト膜パターンを熱酸化膜２Ａ上に形成した後、熱酸化膜２Ａをイオンエッチングで除去する。熱酸化膜２Ａを除去するには、湿式エッチングでも可能であるが、サイドエッチングが発生することによる寸法誤差を考慮するとイオンエッチングが好適である。
【０１０９】
続いて、熱酸化膜２Ａが除去された“コ”の字型の単結晶シリコン基板１を、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）にてエッチングして貫通させることで周囲空間１２を形成する。
【０１１０】
本実施例では、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）を備えたエッチング装置を用いて、エッチング工程と、エッチングした個所に側壁保護のための側壁保護膜を成膜する工程とを繰り返すＢｏｓｃｈプロセス（Ｂｏｓｃｈ社）にて、垂直な側壁面を有する振動子１１を形成した。
【０１１１】
このＢｏｓｃｈプロセスを用いることで、ＩＣＰにより高密度なプラズマを生成し、エッチングのためのＳＦ６と、側壁保護のためのＣ４Ｆ８のガスを交互に導入することで、毎分１０μｍ程の速度でエッチングしながら、垂直な側壁面を有する振動子１１を形成することができる。
【０１１２】
以上のプロセスにより、振動型ジャイロセンサ素子１０の形成に関する、圧電素子形成、形状形成、配線形成の主要工程が終了し、例えば、図３１に示すように、単結晶シリコン基板１内に、振動型ジャイロセンサ素子１０が複数個、ここでは、５×３個、形成されることになる。
【０１１３】
１枚の単結晶シリコン基板１内に形成される振動型ジャイロセンサ素子１０の数は、図３１に示すように５×３個に限らず、設計する振動型ジャイロセンサ素子１０の大きさ、及び形成する際のそれぞれのピッチにより決定されることになる。
【０１１４】
次の工程では、このように単結晶シリコン基板１に形成された複数の振動型ジャイロセンサ素子１０を、切断し単一の素子とする。単結晶シリコン基板１から、振動型ジャイロセンサ素子１０を分断する際の手法や、寸法は、特に決められたものではなく、分断後の形状も任意である。
【０１１５】
本実施例においては、図３２に示す素子分断線２０をなぞるように、ダイヤモンドカッターで分断傷を付けた後、手で直接、単結晶シリコン基板１を折り、振動型ジャイロセンサ素子１０を取り出した。なお、単結晶シリコン基板１を分断する手法も任意の手法が適用可能であり、例えば、砥石による研削や単結晶シリコン基板１の面方位を利用して切断する手法などでもよい。
【０１１６】
続いて、図３３に示すように、個々に分断した振動型ジャイロセンサ素子１０を、ＩＣ基板２１に貼り付ける。振動型ジャイロセンサ素子１０と、ＩＣ基板２１との貼り付け手法は任意であるが、本実施例では、嫌気性接着剤を用いて貼り付けた。
【０１１７】
ＩＣ基板２１に、振動型ジャイロセンサ素子１０を貼り付けた後、電気的な接続を行う。ＩＣ基板２１上には、冒頭の図２を用いて説明したＩＣ回路４０が搭載されている。また、ＩＣ基板２１には、図２で示したＡＧＣ４４の端部と接続された基板端子２２ａ、同期検波回路４５に接続された基板端子２２ｂ，２２ｃ、図示しない基準電極と接続された基板端子２２ｄが形成されている。
【０１１８】
本実施例では、振動型ジャイロセンサ素子１０の配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄと、ＩＣ基板２１内の基板端子２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄとをそれぞれワイヤーボンディングによる結線方法を用いて電気的接続を行った。この結線方法に関しても任意であり、半導体で用いられる導電性バンプを形成する手法も利用可能である。
【０１１９】
次に、図３４に示すように、振動型ジャイロセンサ素子１０及びＩＣ基板２１上の回路と、外部との接触をなくすためカバー材３０を取り付け、保護をする。カバー材３０の材料は、任意であるが外部のノイズの影響を考慮してＳＵＳなど、シールド効果のあるものが望ましい。また、カバー材３０は、振動子１１の振動を妨げない形状とする必要がある。このようにして、角速度センサ５０が形成されることになる。
【０１２０】
このように角速度センサ５０を構成する振動型ジャイロセンサ素子１０が備える振動子１１の駆動電極６ａに、電圧を印加して所定の共振周波数で振動させた場合、振動子１１は、振動子１１の厚み方向である縦方向に縦共振周波数で共振すると共に、振動子１１の幅方向である横方向に横共振周波数で共振することになる。
【０１２１】
このような、図３５に示す振動型ジャイロセンサ素子１０は、上述したように、結晶異方性エッチングによって振動子１１の厚みが決定され、反応性イオンエッチングによって、“コ”の字型の周囲空間１２を形成することで振動子１１の側壁が形成される。理想的には、振動子１１は、長手方向に対して垂直な平面で切断したときの断面形状が直角四辺形となる四角柱状に形成されることになる。図３６に、図３５に示すＸＸ線で振動子１１を切断した際の理想的な断面形状を示す。図３６は、振動子１１の断面形状を、矢印Ｅ方向から見た際の図であり、理想的な断面形状となっている場合、中心軸Ｍに対して振動子１１が左右対称に形成されることになる。
【０１２２】
このように、振動子１１は、断面形状が直角四辺形となるのが理想的であるが、実際には、図３５に示すＸＸ線で切断した際の断面形状が、図３７に示すように、振動子１１が中心軸Ｍに対して左右対称に形成されず台形などになってしまうことが多い。
【０１２３】
これは、上述したように、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）を備えたエッチング装置を用いて、エッチング工程と、側壁保護膜成膜工程とを繰り返すＢｏｓｃｈプロセス（Ｂｏｓｃｈ社）を含む反応性イオンエッチングを行った場合、完全に垂直な側壁面を形成することが物理的に不可能であるために生ずる問題である。
【０１２４】
図３６で示すような、理想的な断面形状を有する振動子１１の基準電極４ａ、駆動電極６ａ間に電圧を印加して振動子１１を自励振動させると、振動子１１は、図３８に示すように、振動子１１の厚み方向、つまり圧電体５ａが形成された面に対して垂直方向である矢印Ｖ１方向に上下振動する。
【０１２５】
一方、図３７で示すような、実際に反応性イオンエッチングによって側壁面が形成された振動子１１の基準電極４ａ、駆動電極６ａ間に電圧を印加して振動子１１を自励振動させると、振動子１１は、図３９に示すような、検出電極６ｂ側に傾いた矢印Ｖ２方向に振動すると考えられる。
【０１２６】
図３９に示したように、振動子１１の振動方向が傾いていると、振動型ジャイロセンサ素子１０に角速度を何も加えていない状態でも、検出電極６ｂと、検出電極６ｃとから検出される検出信号に差が出てしまい、実際に角速度を加えた場合に検出される値に信頼性がなくなってしまうといった問題が生じてしまう。具体的には、振動方向が傾いた側、つまり、図３９においては、検出電極６ｂで検出される検出信号が、検出電極６ｃで検出される検出信号よりも大きくなる。
【０１２７】
したがって、上述の製造手法によって、振動型ジャイロセンサ素子１０を形成した場合に、回避することが困難な振動子１１の振動方向の傾きを、断面形状を理想的な直角四辺形とした場合の振動方向に近づけるように調整する必要がある。
【０１２８】
具体的には、振動子１１の断面形状を視覚的に判定して、直角四辺形へと近づくように調整することは、非常に困難であることから、基準電極４ａ、駆動電極６ａ間に電圧を印加して振動子１１を縦共振周波数で自励振動させた際に、検出電極６ｂ，６ｃから検出される検出信号を比較し、比較結果に応じて、振動子１１の所望の個所をレーザ光を照射することによって研削することで振動子１１の形状を変え、振動方向を調整するようにする。
【０１２９】
レーザ光を出射するレーザ装置としては、例えば、Ａｒガスレーザ装置などを用いることができるが、本発明は、レーザ装置の種類に限定されるものではなくレーザ光を出射するレーザ装置であればどのようなものにも適用可能である。
【０１３０】
続いて、図４０に示すフローチャートを用いて、図３５に示す振動型ジャイロセンサ素子１０が備える振動子１１にレーザ光を照射することで研削処理をし、振動方向を調整する工程について説明をする。
【０１３１】
ステップＳ１において、振動型ジャイロセンサ素子１０に駆動信号を入力して振動子１１を駆動させる。具体的には、配線接続端子Ａ，Ｄを介して駆動電極６ａ、基準電極４ａ間に電圧を印加して、振動子１１を縦共振周波数で自励振動させる。
【０１３２】
ステップＳ２において、振動子１１が自励振動することで、検出電極６ｂ，６ｃからそれぞれ検出される検出信号を測定する。説明のため、図３５において、振動子１１の左側に形成された検出電極６ｂから検出される検出信号を検出信号Ｌとし、右側に形成された検出電極６ｃから検出される検出信号を検出信号Ｒとする。
【０１３３】
ステップＳ３において、検出電極６ｂから検出された検出信号Ｌと、検出電極６ｃから検出された検出信号Ｒの値を比較する。検出信号Ｌの方が、検出信号Ｒよりも大きい（検出信号Ｌ＞検出信号Ｒ）場合は、工程をステップＳ４へと進め、それ以外の場合は、工程をステップＳ５へと進める。
【０１３４】
ステップＳ４において、ステップＳ３の比較結果から、検出信号Ｌの方が検出信号Ｒよりも大きいことに応じて、振動子１１の所定の領域にレーザ光を照射して研削処理を行う。
【０１３５】
図４１は、図３５に示すＸＸ線にて振動型ジャイロセンサ素子１０を１８０度回転させた場合の図、つまり振動型ジャイロセンサ素子１０の各種電極膜などが形成された面を表面とした場合の裏面を示した図である。
【０１３６】
振動子１１に対するレーザ光の照射による研削処理は、基本的には、各種電極膜への影響を考慮して、図４１に示した裏面に施すのが望ましい。検出信号Ｌの方が、検出信号Ｒよりも大きい場合には、図３９を用いて説明したように、振動子１１の振動方向が、圧電体５ａが形成された面に対して垂直な方向から、検出電極６ｂ側に傾いていることになる。つまり、振動子１１は、図４１に示した振動子１１の中心軸Ｍに対して、左右非対称の形状であることが推測される。
【０１３７】
振動方向を正しく調整するには、図４１に示す中心軸Ｍに対して右側の加工領域Ｔ１にレーザ光を照射して研削することになる。
【０１３８】
また、図４２に示すように、振動型ジャイロセンサ素子１０の各種電極膜が形成された表面にレーザ光を照射することで振動子１１を研削し、振動方向を調整することも可能である。表面にレーザ光を照射する場合も、裏面へのレーザ光の照射と同様に、検出信号Ｌ、検出信号Ｒの比較結果に応じて、振動子１１の加工領域を選択することになる。このステップＳ４においては、図４２に示す検出電極６ｂが形成された左側の加工領域Ｔ３がレーザ光の照射による研削が行われる領域となる。このとき、振動子１１に形成された各種電極膜への影響が最小となるようにレーザ光の照射を行う。
【０１３９】
このステップＳ４でのレーザ光の照射による振動子１１の研削が実行された後は、工程をステップＳ２へと戻し、上記工程を繰り返す。
【０１４０】
ステップＳ５において、検出電極６ｂから検出された検出信号Ｌと、検出電極６ｃから検出された検出信号Ｒの値を比較する。検出信号Ｒの方が、検出信号Ｌよりも大きい（検出信号Ｌ＜検出信号Ｒ）場合は、工程をステップＳ６へと進め、それ以外の場合は、検出信号Ｌと、検出信号Ｒとに差がなくなる（検出信号Ｌ＝検出信号Ｒ）ため工程を終了する。
【０１４１】
ステップＳ６において、比較結果から、検出信号Ｒの方が検出信号Ｌよりも大きいことに応じて、振動子１１の所定の領域にレーザ光を照射して研削処理を行う。
【０１４２】
検出信号Ｒの方が、検出信号Ｌよりも大きい場合には、ステップＳ４とは逆に、振動子１１の振動方向が、圧電体５ａが形成された面に対して垂直な方向から、検出電極６ｃ側に傾いていることになる。つまり、振動子１１は、図４１に示した振動子１１の中心軸Ｍに対して、左右非対称の形状であることが推測される。
【０１４３】
振動方向を正しく調整するには、図４１に示す中心軸Ｍに対して左側の加工領域Ｔ２にレーザ光を照射して研削することになる。
【０１４４】
また、図４２に示すように、振動型ジャイロセンサ素子１０の各種電極膜が形成された表面にレーザ光を照射することで振動子１１を研削し、振動方向を調整することも可能である。表面にレーザ光を照射する場合も、裏面へのレーザ光の照射と同様に、検出信号Ｌ、検出信号Ｒの比較結果に応じて、振動子１１の加工領域を選択することになる。このステップＳ６においては、図４２に示す検出電極６ｃが形成された右側の加工領域Ｔ４がレーザ光の照射による研削が行われる領域となる。このとき、振動子１１に形成された各種電極膜への影響が最小となるようにレーザ光の照射を行う。
【０１４５】
このステップＳ６でのレーザ光の照射による振動子１１の研削が実行された後は、工程をステップＳ２へと戻し、上記工程を繰り返す。
【０１４６】
ところで、図４０に示すフローチャートのステップＳ４、ステップＳ６において、振動子１１にレーザ光を照射する領域を加工領域Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４としたが、上記領域内でレーザ光を照射する際のレーザ光照射位置は、図４３に示す、振動子１１を当該振動型ジャイロセンサ素子１０に固定している固定端部Ｋ近傍、或いは振動子１１の側壁面１１ｂ又は１１ｃ近傍とする。
【０１４７】
例えば、図４３に示す振動型ジャイロセンサ素子１０で検出された検出信号Ｌが、検出信号Ｒよりも大きく図４０に示すフローチャートにおけるステップＳ４において、加工領域Ｔ１にレーザ光を照射することになった場合を考える。このとき、レーザ光を照射する位置は、固定端部Ｋ近傍、或いは振動子１１の側壁面１１ｃ近傍とする。これは、固定端部Ｋ近傍や、振動子１１の側壁面１１ｂ，１１ｃ近傍にレーザ光を照射した方が、同じレーザパワー、照射時間でレーザ光を上記以外の位置に照射した場合と比較して検出信号Ｌと、検出信号Ｒとの差を、少ないレーザ光照射回数で縮めることができるためである。以下に、レーザ光照射位置の違いによるレーザ光照射回数について説明をする。
【０１４８】
図４４は、図４３に示す振動型ジャイロセンサ素子１０の振動子１１の加工領域Ｔ１内において、固定端部Ｋ近傍から振動子１１の先端に向かって、振動子１１の側壁面１１ｃに沿った位置ＰＹ１，ＰＹ２，ＰＹ３それぞれにレーザ光を複数回照射した場合の検出信号Ｒに対する検出信号Ｌの比を示している。
【０１４９】
図４４に示すように、固定端部Ｋに最も近い位置ＰＹ１のレーザ光照射回数である加工サイクル数は、固定端部Ｋに最も遠い位置ＰＹ３の加工サイクル数と比較して格段に少なく、半分程度の回数で、検出信号Ｌと、検出信号Ｒとの差を縮めていることが分かる。
【０１５０】
図４５は、図４３に示す振動型ジャイロセンサ素子１０の振動子１１の加工領域Ｔ１内において、振動子１１の側壁面１１ｃ近傍から振動子１１の中心に向かって、固定端部Ｋに沿った位置ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３それぞれにレーザ光を複数回照射した場合の検出信号Ｒに対する検出信号Ｌの比を示している。
【０１５１】
図４５に示すように、側壁面１１ｃに最も近い位置ＰＸ１のレーザ光照射回数である加工サイクル数は、側壁面１１ｃに最も遠い位置ＰＸ３の加工サイクル数と比較して格段に少なく、半分程度の回数で、検出信号Ｌと、検出信号Ｒとの差を縮めていることが分かる。
【０１５２】
したがって、レーザ照射する加工領域を加工領域Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４のいずれかに決定した後に、決定した加工領域内において、レーザ光を照射させる位置を固定端部Ｋ近傍或いは振動子１１の側壁面側近傍とすることで、効率よく、検出信号Ｌと、検出信号Ｒとの差を縮めることができる。また、レーザ光を照射する位置を固定端部Ｋ近傍且つ振動子１１の側壁面近傍とすると、検出信号Ｌと検出信号Ｒとの差を最も効率よく縮められるため、加工サイクル数をより少なくすることができる。
【０１５３】
さらに、複数回レーザ光を照射する際に、レーザ光を照射する位置を、加工領域内の同一位置ばかりではなく、例えば、始めに粗調整として固定端部Ｋ近傍或いは振動子１１の側壁面近傍とし、徐々に、微調整として、固定端部Ｋ或いは振動子１１の側壁面から遠ざけるようにすることもできる。
【０１５４】
このようにして、振動型ジャイロセンサ素子１０が備える振動子１１を縦共振周波数で自励振動させた際に検出される検出信号Ｌと、検出信号Ｒとを比較して、差がある場合に振動子１１の形状が左右非対称であり、振動子１１の厚み方向、つまり圧電体５ａが形成された面に対して垂直な方向に自励振動していないと推定することができる。
【０１５５】
そして、この推定結果に基づいて、振動子１１の該当する領域をレーザ光の照射により研削処理することで、振動子１１の厚み方向、つまり圧電体５ａが形成された面に対して垂直な方向に振動方向を調整することができる。
【０１５６】
なお、実施例においては、上述した手法によって形成した振動型ジャイロセンサ素子１０の振動子に対してレーザ光を照射し、研削処理をすることで振動子の振動方向を調整しているが、本発明は、これに限定されるものではなく、単結晶シリコン基板上に薄膜形成プロセスによって形成された下部電極、圧電薄膜、上部電極を有する片持ち梁形状の振動子を備え、圧電薄膜の圧電効果を利用して角速度を検出する振動型ジャイロセンサ素子に対して広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１５７】
【図１】本発明を実施するための最良の形態として示す振動型ジャイロセンサ素子について説明するための斜視図である。
【図２】同振動型ジャイロセンサ素子を備えた角速度センサの構成について説明するための図である。
【図３】同振動型ジャイロセンサ素子が備える振動子について説明するための斜視図である。
【図４】同振動型ジャイロセンサ素子について説明するための平面図である。
【図５】同振動型ジャイロセンサ素子を製造する際に用いる単結晶シリコン基板について説明するための平面図である。
【図６】図５に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。
【図７】単結晶シリコン基板にレジスト膜パターンを形成した様子を示す平面図である。
【図８】図７に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。
【図９】単結晶シリコン基板の熱酸化膜を除去した際の様子を示す平面図である。
【図１０】図９に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。
【図１１】単結晶シリコン基板に結晶異方性エッチングを施した様子を示す平面図である。
【図１２】図１１に示す単結晶シリコン基板ＸＸ線で切断した際の断面図である。
【図１３】図１２に示す領域Ａを拡大して示した断面図である。
【図１４】単結晶シリコン基板の表面側の様子を示した平面図である。
【図１５】図１４に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。
【図１６】下部電極膜、圧電膜、上部電極膜が形成された単結晶シリコン基板の様子を示す平面図である。
【図１７】図１６に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。
【図１８】駆動電極、検出電極が形成された単結晶シリコン基板の様子を示す平面図である。
【図１９】図１８に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。
【図２０】圧電体が形成された単結晶シリコン基板の様子を示す平面図である。
【図２１】図２０に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。
【図２２】基準電極が形成された単結晶シリコン基板の様子を示す平面図である。
【図２３】図２２に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。
【図２４】平坦化レジスト膜が形成された単結晶シリコン基板の様子を示す平面図である。
【図２５】図２４に示す単結晶シリコン基板をＹＹ線で切断した際の断面図である。
【図２６】配線接続端子が形成された単結晶シリコン基板の様子を示す平面図である。
【図２７】図２６に示す単結晶シリコン基板をＹＹ線で切断した際の断面図である。
【図２８】振動子の周辺に反応性イオンエッチングにより周囲空間が形成された単結晶シリコン基板の様子を示す平面図である。
【図２９】図２８に示す単結晶シリコン基板をＹＹ線で切断した際の断面図である。
【図３０】図２８に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。
【図３１】複数の振動型ジャイロセンサ素子が形成された単結晶シリコン基板を示す平面図である。
【図３２】単結晶シリコン基板に形成された複数の振動型ジャイロセンサ素子を切断する際の切断線を示した単結晶シリコン基板の様子を示す平面図である。
【図３３】振動型ジャイロセンサ素子をＩＣ基板上に貼り付けた際の様子を示す平面図である。
【図３４】振動型ジャイロセンサ素子を備える角速度センサにカバー材を取り付けた際の様子を示す平面図である。
【図３５】レーザ照射によって振動子の形状を調整する振動型ジャイロセンサ素子を示した平面図である。
【図３６】理想的な断面形状を有する振動子の縦断面図である
【図３７】左右非対称な断面形状を有する振動子の縦断面図である。
【図３８】図３６に示した振動子を自励振動させた際の振動の様子を示した図である。
【図３９】図３７に示した振動子を自励振動させた際の振動の様子を示した図である。
【図４０】振動子へのレーザ光の照射による研削処理により振動子の振動方向を調整する際の工程を説明するためのフローチャートである。
【図４１】レーザ光を照射する振動子の裏面の加工領域について説明するための図である。
【図４２】レーザ光を照射する振動子の表面の加工領域について説明するための図である。
【図４３】振動子の加工領域において、レーザ光を照射する照射位置について説明するための図である。
【図４４】レーザ光を照射する位置の違いによる加工サイクル数の変化について示した図である。
【図４５】レーザ光を照射する位置の違いによる加工サイクル数の変化について示した図である。
【符号の説明】
【０１５８】
１  単結晶シリコン基板、４ａ  基準電極、５ａ  圧電体、６ａ  駆動電極、６ｂ，６ｃ  検出電極、１０  振動型ジャイロセンサ素子、１１  振動子、１２  周囲空間、Ｒ  根元ライン、Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４  加工領域、
【図１】
2005249728.tif 000003
【図２】
2005249728.tif 000004
【図３】
2005249728.tif 000005
【図４】
2005249728.tif 000006
【図５】
2005249728.tif 000007
【図６】
2005249728.tif 000008
【図７】
2005249728.tif 000009
【図８】
2005249728.tif 000010
【図９】
2005249728.tif 000011
【図１０】
2005249728.tif 000012
【図１１】
2005249728.tif 000013
【図１２】
2005249728.tif 000014
【図１３】
2005249728.tif 000015
【図１４】
2005249728.tif 000016
【図１５】
2005249728.tif 000017
【図１６】
2005249728.tif 000018
【図１７】
2005249728.tif 000019
【図１８】
2005249728.tif 000020
【図１９】
2005249728.tif 000021
【図２０】
2005249728.tif 000022
【図２１】
2005249728.tif 000023
【図２２】
2005249728.tif 000024
【図２３】
2005249728.tif 000025
【図２４】
2005249728.tif 000026
【図２５】
2005249728.tif 000027
【図２６】
2005249728.tif 000028
【図２７】
2005249728.tif 000029
【図２８】
2005249728.tif 000030
【図２９】
2005249728.tif 000031
【図３０】
2005249728.tif 000032
【図３１】
2005249728.tif 000033
【図３２】
2005249728.tif 000034
【図３３】
2005249728.tif 000035
【図３４】
2005249728.tif 000036
【図３５】
2005249728.tif 000037
【図３６】
2005249728.tif 000038
【図３７】
2005249728.tif 000039
【図３８】
2005249728.tif 000040
【図３９】
2005249728.tif 000041
【図４０】
2005249728.tif 000042
【図４１】
2005249728.tif 000043
【図４２】
2005249728.tif 000044
【図４３】
2005249728.tif 000045
【図４４】
2005249728.tif 000046
【図４５】
2005249728.tif 000047