(57)【要約】【課題】  インク流路の形状及び寸法の制御を容易にし，インク流路の均一性を良くすることにより，インクジェットプリントヘッドのインク吐出し性能，及び耐久性を向上できる，インクジェットプリントヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  基板１１０上に，インクを加熱するインク加熱要素を形成する段階と，基板１１０上にネガティブフォトレジストで流路形成層１２０を形成する段階と，ポジティブフォトレジストを復数回用い，流路形成層１２０に取り囲まれた空間内に上面が平坦な犠牲層Ｓを形成する段階と，流路形成層１２０及び犠牲層Ｓ上にネガティブフォトレジストでノズル層１３０を形成する段階と，基板１１０を貫通してインク供給口１５１を形成する段階と，犠牲層Ｓを除去する段階と，を備えることを特徴とする。【選択図】    図５Ｑ
2005104156.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に，インクを加熱するインク加熱要素を形成する段階と，
前記基板上にネガティブフォトレジストパターンを用い，インク流路を成す流路形成層を形成する段階と，
前記流路形成層が形成された前記基板上に，ポジティブフォトレジストパターンを複数回用い，前記流路形成層に取り囲まれた空間内に上面が平坦な犠牲層を形成する段階と，
前記流路形成層及び前記犠牲層上にネガティブフォトレジストパターンを用い，ノズルを成すノズル層を形成する段階と，
前記犠牲層下部の前記基板を貫通してインク供給口を形成する段階と，
前記犠牲層を除去する段階と，
を含むことを特徴とするインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記ポジティブフォトレジストパターンは，フォトリソグラフィ工程により形成されることを特徴とする請求項１に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記基板を貫通してインク供給口を形成する段階において，前記基板の貫通はエッチングによって行われることを特徴とする請求項１または２に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記流路形成層を形成する段階は，
前記基板の全面に第１ネガティブフォトレジスト層を形成する段階と，
前記第１ネガティブフォトレジスト層を前記インク流路のパターンで露光する段階と，
前記第１ネガティブフォトレジスト層の露光されていない部分を除去して，前記ネガティブフォトレジストパターンを形成する段階と，
を含むことを特徴とする請求項１，２または３のいずれかに記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第１ネガティブフォトレジスト層を前記インク流路のパターンで露光する段階は，第１フォトマスクを用いて露光されることを特徴とする請求項４に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記犠牲層の上面の高さは，前記流路形成層の上面と同じ高さになるように形成することを特徴とする請求項１に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記犠牲層の形成段階は，
前記流路形成層が形成された前記基板の全面に第１ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，
前記第１ポジティブフォトレジスト層の一部を前記インク流路のパターンで露光する段階と，
前記第１ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去して，前記ポジティブフォトレジストパターンを形成する段階と，
前記第１ポジティブフォトレジスト層のパターンが形成された前記基板の全面に，第２ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，
前記第２ポジティブフォトレジスト層の一部を前記インク流路のパターンで露光する段階と，
前記第２ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去して，前記ポジティブフォトレジストパターンを形成し，第１ポジティブフォトレジスト層と前記第２ポジティブフォトレジスト層とで構成された犠牲層を形成する段階と，
前記犠牲層の上面の高さが，前記流路形成層の上面と同じ高さになるようにブランク露光する段階と，
前記犠牲層の露光された部分を除去する段階と，
を含むことを特徴とする請求項６に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第１ポジティブフォトレジスト層の一部を前記インク流路のパターンで露光する段階は，第２フォトマスクを用いて露光されることを特徴とする請求項７に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記犠牲層の形成段階は，
前記流路形成層が形成された前記基板の全面に第１ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，
前記第１ポジティブフォトレジスト層の一部を前記インク流路のパターンで露光する段階と，
前記第１ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去して，前記ポジティブフォトレジストパターンを形成する段階と，
前記第１ポジティブフォトレジスト層のパターンが形成された前記基板の全面に，第２ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，
前記第１ポジティブフォトレジスト層と第２ポジティブフォトレジスト層とで構成されたポジティブフォトレジスト層の上面の高さが，前記流路形成層の上面と同じ高さになるようにブランク露光する段階と，
前記ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去する段階と，
前記ポジティブフォトレジスト層の一部を前記インク流路のパターンで露光する段階と，
前記ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去して前記ポジティブフォトレジストパターンを形成し，犠牲層とする段階と，
を含むことを特徴とする請求項６に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記第１ポジティブフォトレジスト層の一部を前記インク流路のパターンで露光する段階は，第２フォトマスクを用いて露光されることを特徴とする請求項９に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記犠牲層の形成段階は，
前記流路形成層が形成された前記基板の全面に第１ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，
前記第１ポジティブフォトレジスト層の一部を前記インク流路のパターンで露光する段階と，
前記第１ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去して，前記ポジティブフォトレジストパターンを形成する段階と，
前記第１ポジティブフォトレジスト層のパターンが形成された前記基板の全面に，第２ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，
前記第２ポジティブフォトレジスト層の一部を前記インク流路のパターンで露光する段階と，
前記第１ポジティブフォトレジスト層と第２ポジティブフォトレジスト層とで構成されたポジティブフォトレジスト層の上面の高さが，前記流路形成層の上面と同じ高さになるようにブランク露光する段階と，
前記ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去して前記ポジティブフォトレジストパターンを形成し，犠牲層とする段階と，
を含むことを特徴とする請求項６に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記第１ポジティブフォトレジスト層の一部を前記インク流路のパターンで露光する段階は，第２フォトマスクを用いて露光されることを特徴とする請求項１１に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記犠牲層の形成段階は，
前記流路形成層が形成された前記基板の全面に第１ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，
前記第１ポジティブフォトレジスト層の一部を前記インク流路のパターンで露光する段階と，
前記第１ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去して，前記ポジティブフォトレジストパターンを形成する段階と，
前記第１ポジティブフォトレジスト層のパターンが形成された前記基板の全面に，第２ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，
前記第１ポジティブフォトレジスト層と第２ポジティブフォトレジスト層とで構成されたポジティブフォトレジスト層の上面の高さが，前記流路形成層の上面と同じ高さになるようにブランク露光する段階と，
前記ポジティブフォトレジスト層の一部を前記インク流路のパターンで露光する段階と，
前記ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去して前記ポジティブフォトレジストパターンを形成し，犠牲層とする段階と，
を含むことを特徴とする請求項６に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記第１ポジティブフォトレジスト層の一部を前記インク流路のパターンで露光する段階は，第２フォトマスクを用いて露光されることを特徴とする請求項１３に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記第１ポジティブフォトレジスト層または前記第２ポジティブフォトレジスト層は，スピンコート法を用いて形成されることを特徴とする請求項７〜１４のいずれかに記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記犠牲層にイミド系ポジティブフォトレジストを用い，前記犠牲層の上面の高さを，前記流路形成層の上面より高く形成することを特徴とする請求項１に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記犠牲層の形成段階は，
前記流路形成層が形成された前記基板の全面に第１イミド系ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，
前記第１イミド系ポジティブフォトレジスト層を前記インク流路のパターンで露光する段階と，
前記第１イミド系ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去して，前記ポジティブフォトレジストパターンを形成する段階と，
前記第１イミド系ポジティブフォトレジスト層のパターンが形成された前記基板の全面に，第２イミド系ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，
前記第２イミド系ポジティブフォトレジスト層の一部を前記インク流路のパターンで露光する段階と，
前記第２イミド系ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去して，前記ポジティブフォトレジストパターンを形成し，犠牲層とする段階と，
を含むことを特徴とする請求項１６に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記第１イミド系ポジティブフォトレジスト層の一部を前記インク流路のパターンで露光する段階は，第２フォトマスクを用いて形成されることを特徴とする請求項１７に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記第１イミド系ポジティブフォトレジスト層または前記第２イミド系ポジティブフォトレジスト層は，スピンコート法を用いて形成されることを特徴とする請求項１７または１８に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項２０】
前記ノズル層の形成段階は，
前記流路形成層及び犠牲層上に第２ネガティブフォトレジスト層を形成する段階と，
前記第２ネガティブフォトレジスト層をノズルパターンで露光する段階と，
前記第２ネガティブフォトレジスト層の露光されていない部分を除去して，前記ネガティブフォトレジストパターンを形成し，ノズルを成すノズル層とする段階と，
を含むことを特徴とする請求項１〜１９のいずれかに記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項２１】
前記第２ネガティブフォトレジスト層を前記ノズルパターンで露光する段階は，第３フォトマスクを用いて露光することを特徴とする請求項２０に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項２２】
前記第２ネガティブフォトレジスト層を露光する段階において，Ｉ−ｌｉｎｅ以下の波長を有する紫外線，電子線またはＸ線を用いることを特徴とする請求項２０または２１に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項２３】
前記インク供給口の形成段階は，
前記基板の背面にフォトレジストを塗布する段階と，
前記フォトレジストを前記インク供給口のパターンにパターニングする段階と，
前記基板の背面をエッチングして前記インク供給口を形成する段階と，
を含むことを特徴とする請求項１〜２２のいずれかに記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項２４】
前記インク供給口は，エッチングマスクを用いてエッチング形成されることを特徴とする請求項２３に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項２５】
前記基板の背面のエッチングは，プラズマを用いる乾式エッチングによって行われることを特徴とする請求項２３または２４に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項２６】
前記基板の背面のエッチングは，ＴＭＡＨやＫＯＨを用いる湿式エッチングによって行われることを特徴とする請求項２３または２４に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，インクジェットプリントヘッドの製造方法に係り，特に感光性フォトレジストを用いるフォトリソグラフィ工程による一体型のインクジェットプリントヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的にインクジェットプリントヘッドは，印刷用インクの微小な液滴を記録用紙上の所望の位置に吐出させて所定色相の画像に印刷する装置である。このようなインクジェットプリントヘッドは，インク液滴の吐出し方式によって大きく２つに分類される。その一つは，熱源を用いてインクにバブルを発生させ，そのバブルの膨張力によってインク液滴を吐出させる熱駆動方式のインクジェットプリントヘッドであり，他の一つは，圧電体を用いてその圧電体の変形によりインクに加えられる圧力によってインク液滴を吐出させる圧電駆動方式のインクジェットプリントヘッドである。
【０００３】
図１に熱駆動方式のインクジェットプリントヘッドの一般的な構造が示されている。図１を参照すれば，インクジェットプリントヘッドは基板１０と，基板１０上に積層された流路形成層２０と，流路形成層２０上に形成されたノズル層３０とから構成される。
【０００４】
基板１０にはインク供給口５１が形成されており，流路形成層２０にはインクが充填されるインクチャンバ５３と，インク供給口５１とインクチャンバ５３とを連結するレストリクタ５２が形成されている。ノズル層３０には，インクチャンバ５３からインクが吐出されるノズル５４が形成されている。そして，基板２０上にはインクチャンバ５３内のインクを加熱するヒータ４１と，ヒータ４１に電流を供給する電極４２が設けられている。
【０００５】
このような構成を有する熱駆動方式のインクジェットプリントヘッドにおけるインク液滴吐出しメカニズムを説明すれば，次の通りである。インクはインク貯蔵庫(図示せず)からインク供給口５１とレストリクタ５２を経て，インクチャンバ５３内に供給される。インクチャンバ５３内に充填されたインクはその内部に設けられた抵抗発熱体からなるヒータ４１によって加熱される。
【０００６】
これにより，インクが沸騰しつつバブルが生成され，生成されたバブルは膨脹してインクチャンバ５３内に充填されたインクに圧力を加える。これによってインクチャンバ５３内のインクがノズル５４を通じて液滴状にインクチャンバ５３の外部に吐出される。
【０００７】
上記のような構成の熱駆動方式のインクジェットプリントヘッドは，フォトリソグラフィ工程を用いて一体に製造でき，その製造工程が図２Ａ〜図２Ｅに示されている。まず，図２Ａを参照すれば，所定厚さの基板１０を準備した後，その基板１０上にインクを加熱するヒータ４１と，ヒータ４１に電流を供給する電極４２とを形成する。
【０００８】
そして，図２Ｂに示されたように，基板１０の全面にネガティブフォトレジストを所定厚さに塗布した後，これをフォトリソグラフィ工程によりインクチャンバ５３とレストリクタ５２を取り囲む形状にパターニングして流路形成層２０を形成する。
【０００９】
次いで，図２Ｃに示されたように，流路形成層２０により取り囲まれた空間内にポジティブフォトレジストを充填して犠牲層Ｓ１を形成する。具体的に，基板１０の全面にポジティブフォトレジストを所定厚さに塗布した後，これをフォトリソグラフィ工程によりパターニングすることで犠牲層Ｓ１を形成する。
【００１０】
この時，ポジティブフォトレジストは一般的にスピンコーティング方式により塗布されるので，遠心力によってその上面が平坦に形成されない。さらに説明すれば，ポジティブフォトレジストは，スピンコーティング時の遠心力により，図２Ｃに一点鎖線で示したように，流路形成層２０に隣接した部位で上側に膨らむ。このように，上面が平坦でないポジティブフォトレジストをパターニングすれば，犠牲層Ｓ１はその縁部が上側に突出した形状を有する。
【００１１】
次に，図２Ｄに示されたように，流路形成層２０と犠牲層Ｓ１上にネガティブフォトレジストを所定厚さに塗布した後，これをフォトリソグラフィ工程によりパターニングしてノズル５４を有するノズル層３０を形成する。
【００１２】
次いで，図２Ｅに示されたように，基板１０の背面を湿式エッチングしてインク供給口５１を形成した後，インク供給口５１を通じて犠牲層Ｓ１を除去すれば，流路形成層２０にレストリクタ５２とインクチャンバ５３とが形成される。
【００１３】
【特許文献１】特開２０００−２５５０７２号公報
【特許文献２】特開２００２−２１９７９７号公報
【特許文献３】米国特許第６４６１７９８号明細書
【特許文献４】米国特許第６４０９９３１号明細書
【特許文献５】米国特許第６３１０６４１号明細書
【特許文献６】米国特許第５９４５２６０号明細書
【特許文献７】米国特許第６１３７５１０号明細書
【特許文献８】米国特許第６１３９７６１号明細書
【特許文献９】大韓民国公開特許第２００３−０３７７７２号明細書
【特許文献１０】大韓民国公開特許第２００２−０４３８２６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
ところが，図２Ｄに示された段階において，犠牲層Ｓ１上にネガティブフォトレジストを塗布してノズル層３０を形成する時，ポジティブフォトレジストからなる犠牲層Ｓ１の突出した縁部がネガティブフォトレジスト内のソルベントと反応して変形されるか溶解される。このような現像が発生すれば，図２Ｅに示されたように，流路形成層２０とノズル層３０との間にキャビティＣが形成される。
【００１５】
図３は，図１に示した従来のインクジェットプリントヘッドの断面をＳＥＭ写真で示した説明図である。図３を見れば，流路形成層２０とノズル層３０との間にキャビティが発生して流路形成層２０とノズル層３０が完全に密着されていないことが分かる。
【００１６】
上記のように，従来のインクジェットプリントヘッドの製造方法によれば，インク流路の形状と寸法の制御が困難であってインク流路の均一性を確保し難く，その結果，プリントヘッドのインク吐出し性能が低下する問題点がある。また，流路形成層２０とノズル層３０とが完全に密着していないため，インクジェットプリントヘッドの耐久性が低下する問題点も発生する。
【００１７】
また，図２Ｄに示した段階において，犠牲層Ｓ１上に塗布されたネガティブフォトレジストは露光，現像，及びベーキング工程を経てパターニングされる。ところが，露光段階では一般的にＩ−ｌｉｎｅ(３５３ｎｍ)，Ｈ−ｌｉｎｅ(４０５ｎｍ)，及びＧ−ｌｉｎｅ(４３６ｎｍ)を含む広域の紫外線が用いられるが，このうち比較的に波長の長いＨ−ｌｉｎｅとＧ−ｌｉｎｅとはその透過深さが深くてノズル層３０をなすネガティブフォトレジストのみならずその下の犠牲層Ｓ１をなすポジティブフォトレジストにも影響を及ぼす。
【００１８】
そして，最も普遍的に用いられるポジティブフォトレジストは，紫外線により照射されると，その内部に含まれている感光剤が光分解されて窒素(Ｎ２)ガスが発生する。このように発生した窒素ガスは，ベーキング工程で膨脹しつつ，ノズル層３０を上げて変形させる問題点を発生させる。
【００１９】
図４Ａは，犠牲層内にバブルが発生した状態を示す平面写真であり，図４Ｂは，バブルが発生した部位の断面写真である。図４Ａと図４Ｂを見れば，犠牲層Ｓ１をなすポジティブフォトレジスト内に窒素ガスが発生されており，この窒素ガスによってノズル層３０が変形されたことが分かる。
【００２０】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，インク流路の形状及び寸法の均一性を良くし，流路形成層とノズル層との密着性を高めることにより，インクジェットプリントヘッドのインク吐出し性能，及び耐久性を向上できる，インクジェットプリントヘッドの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，基板上に，インクを加熱するインク加熱要素を形成する段階と，基板上にネガティブフォトレジストパターンを用い，インク流路を成す流路形成層を形成する段階と，流路形成層が形成された基板上に，ポジティブフォトレジストパターンを複数回用い，流路形成層に取り囲まれた空間内に上面が平坦な犠牲層を形成する段階と，流路形成層及び犠牲層上にネガティブフォトレジストパターンを用い，ノズルを成すノズル層を形成する段階と，犠牲層下部の基板を貫通してインク供給口を形成する段階と，犠牲層を除去する段階と，を含むことを特徴とするインクジェットプリントヘッドの製造方法が提供される。
【００２２】
こうして，犠牲層の上面を平坦に形成することにより，犠牲層を除去時に流路形成層とノズル層との間にキャビティが発生するのを防ぎ，インク流路の形状と寸法との制御が容易になるので，インク流路を均一に形成することができる。
【００２３】
ここで，ポジティブフォトレジストパターンは，フォトリソグラフィ工程により形成することができる。また，インク供給口を形成する段階において，基板の貫通は，基板をエッチングすることによって行うことができる。
【００２４】
また，流路形成層を形成する段階は，基板の全面に第１ネガティブフォトレジスト層を形成する段階と，第１ネガティブフォトレジスト層をインク流路のパターンで露光する段階と，第１ネガティブフォトレジスト層の露光されていない部分を除去して，ネガティブフォトレジストパターンを形成する段階と，を含むことにより形成することができる。
この時，第１ネガティブフォトレジスト層をインク流路のパターンで露光する段階は，第１フォトマスクを用いて露光することができる。
【００２５】
平坦になるように形成される犠牲層の上面の高さは，例えば，流路形成層の上面と同じ高さになるように形成することが好ましい。これにより，ネガティブフォトレジストとの反応によって犠牲層の縁部が変形されたり，溶解されたりする不具合を改善でき，ノズル層が，流路形成層の上面に完全に密着して形成することができる。
【００２６】
犠牲層を流路形成層の上面と同じ高さに形成する場合，犠牲層の形成段階は，流路形成層が形成された前記基板の全面に第１ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，第１ポジティブフォトレジスト層の一部を前記インク流路のパターンで露光する段階と，第１ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去して，ポジティブフォトレジストパターンを形成する段階と，第１ポジティブフォトレジスト層のパターンが形成された基板の全面に，第２ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，第２ポジティブフォトレジスト層の一部をインク流路のパターンで露光する段階と，第２ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去して，ポジティブフォトレジストパターンを形成し，第１ポジティブフォトレジスト層と第２ポジティブフォトレジスト層とで構成された犠牲層を形成する段階と，犠牲層の上面の高さが，流路形成層の上面と同じ高さになるようにブランク露光する段階と，犠牲層の露光された部分を除去する段階と，を含むことにより，形成することができる。
【００２７】
また，他の犠牲層の形成段階は，流路形成層が形成された基板の全面に第１ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，第１ポジティブフォトレジスト層の一部をインク流路のパターンで露光する段階と，第１ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去して，ポジティブフォトレジストパターンを形成する段階と，第１ポジティブフォトレジスト層のパターンが形成された基板の全面に，第２ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，第１ポジティブフォトレジスト層と第２ポジティブフォトレジスト層とで構成されたポジティブフォトレジスト層の上面の高さが，流路形成層の上面と同じ高さになるようにブランク露光する段階と，ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去する段階と，ポジティブフォトレジスト層の一部をインク流路のパターンで露光する段階と，ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去してポジティブフォトレジストパターンを形成し，犠牲層とする段階と，を含むことにより形成できる。上記と異なり，先にブランク露光を行って，露光された部分を除去し，後から，インク流路のパターンで露光して露光された部分の除去を行ってもよい。
【００２８】
また，犠牲層の形成段階は，流路形成層が形成された基板の全面に第１ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，第１ポジティブフォトレジスト層の一部をインク流路のパターンで露光する段階と，第１ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去して，ポジティブフォトレジストパターンを形成する段階と，第１ポジティブフォトレジスト層のパターンが形成された基板の全面に，第２ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，第２ポジティブフォトレジスト層の一部をインク流路のパターンで露光する段階と，第１ポジティブフォトレジスト層と第２ポジティブフォトレジスト層とで構成されたポジティブフォトレジスト層の上面の高さが，流路形成層の上面と同じ高さになるようにブランク露光する段階と，ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去してポジティブフォトレジストパターンを形成し，犠牲層とする段階と，を含むことによって形成してもよい。第２ポジティブフォトレジスト層をインク流路のパターンで露光を行ってから露光された部分を除去せずに，ブランク露光を行い，まとめて露光された部分を除去してもよい。
【００２９】
さらに，犠牲層の形成段階は，流路形成層が形成された基板の全面に第１ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，第１ポジティブフォトレジスト層の一部をインク流路のパターンで露光する段階と，第１ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去して，ポジティブフォトレジストパターンを形成する段階と，第１ポジティブフォトレジスト層のパターンが形成された基板の全面に，第２ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，第１ポジティブフォトレジスト層と第２ポジティブフォトレジスト層とで構成されたポジティブフォトレジスト層の上面の高さが，流路形成層の上面と同じ高さになるようにブランク露光する段階と，ポジティブフォトレジスト層の一部をインク流路のパターンで露光する段階と，ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去してポジティブフォトレジストパターンを形成し，犠牲層とする段階と，を含むことによって形成してもよい。ブランク露光を先に行った後に露光された部分を除去せずに，インク流路のパターンで露光を行い，まとめて露光された部分を除去してもよい。
【００３０】
上記の各々の犠牲層の形成段階において，第１ポジティブフォトレジスト層の一部をインク流路のパターンで露光する段階は，第２フォトマスクを用いて露光されることが好ましい。また，第１ポジティブフォトレジスト層または第２ポジティブフォトレジスト層は，適正な厚さに塗布するためにスピンコート法を用いて形成されることを望ましい。
【００３１】
また，犠牲層にイミド系ポジティブフォトレジストを用い，犠牲層の上面の高さを，流路形成層の上面より高く形成してもよい。
【００３２】
犠牲層を，流路形成層の上面より高く形成する場合，犠牲層の形成段階は，流路形成層が形成された基板の全面に第１イミド系ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，第１イミド系ポジティブフォトレジスト層をインク流路のパターンで露光する段階と，第１イミド系ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去して，ポジティブフォトレジストパターンを形成する段階と，第１イミド系ポジティブフォトレジスト層のパターンが形成された基板の全面に，第２イミド系ポジティブフォトレジスト層を形成する段階と，第２イミド系ポジティブフォトレジスト層の一部をインク流路のパターンで露光する段階と，第２イミド系ポジティブフォトレジスト層の露光された部分を除去して，ポジティブフォトレジストパターンを形成し，犠牲層とする段階と，を含むことにより形成することができる。
【００３３】
第１イミド系ポジティブフォトレジスト層の一部をインク流路のパターンで露光する段階は，第２フォトマスクを用いて形成されることが好ましい。また，第１イミド系ポジティブフォトレジスト層または第２イミド系ポジティブフォトレジスト層は，適正な厚さに塗布するためにスピンコート法を用いて形成されることを望ましい。
【００３４】
また，ノズル層の形成段階は，流路形成層及び犠牲層上に第２ネガティブフォトレジスト層を形成する段階と，第２ネガティブフォトレジスト層をノズルパターンで露光する段階と，第２ネガティブフォトレジスト層の露光されていない部分を除去して，ネガティブフォトレジストパターンを形成し，ノズルを成すノズル層とする段階と，を含むことにより，形成することができる。
【００３５】
ここで，第２ネガティブフォトレジスト層をノズルパターンで露光する段階は，第３フォトマスクを用いて露光することができる。
【００３６】
さらに，第２ネガティブフォトレジスト層を露光する段階において，Ｉ−ｌｉｎｅ以下の波長を有する紫外線，電子線またはＸ線を用いることが望ましい。これにより，ノズル層形成のためのフォトリソグラフィ段階において犠牲層内にガスが発生しないので，ガスによりノズル層が変形されるのを防ぐことができる。
【００３７】
また，インク供給口の形成段階は，基板の背面にフォトレジストを塗布する段階と，フォトレジストをインク供給口のパターンにパターニングする段階と，基板の背面をエッチングしてインク供給口を形成する段階と，を含むことにより，形成することができる。
【００３８】
この時，インク供給口は，エッチングマスクを用いてエッチング形成されることが望ましい。このエッチングは，プラズマを用いる乾式エッチングによって行われてもよいし，ＴＭＡＨ（４メチル水酸化アンモニウム）やＫＯＨ（水酸化カリウム）を用いる湿式エッチングによって行われてもよい。
【発明の効果】
【００３９】
以上詳述したように本発明によれば，犠牲層の上面を平坦に形成することができるので，インク流路の形状及び寸法の制御が容易になって，インク流路の均一性が向上し，インクジェットプリントヘッドのインク吐出し性能が向上する。また，流路形成層とノズル層とが完全に密着されるので，プリントヘッドの耐久性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００４１】
また，ある層が基板や他の層の“上”にあると説明された場合，前記ある層は基板や他の層に直接接触してその上に存在してもよく，又は，その間に第３の層が介在されても良い。また，図面にはシリコンウェーハの一部だけを示したが，本発明に係るインクジェットプリントヘッドは一つのウェーハから数十ないし数百個のチップ状態で製造できる。
【００４２】
（第１の実施の形態）
図５Ａ〜図５Ｒは，第１の実施の形態に係る一体型インクジェットプリントヘッドの製造方法を段階的に示す工程断面図である。まず，図５Ａに示されたように，基板１１０上にインクを加熱する加熱要素であるヒータ１４１と，ヒータ１４１に電流を供給する電極１４２を形成する。ここで，基板１１０としてはシリコンウェーハを使用する。シリコンウェーハは，半導体素子の製造に広く使われるものであって，大量生産に効果的である。
【００４３】
そして，ヒータ１４１は，基板１１０上に，例えばタンタル−窒化物またはタンタル−アルミニウム合金のような抵抗発熱物質をスパッタリングまたは化学気相蒸着法によって蒸着した後，これをパターニングすることにより形成しうる。また，電極１４２は，基板１１０上に，例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金のような導電性が良好な金属物質をスパッタリングによって蒸着した後，これをパターニングすることにより形成することができる。一方，示されていないが，ヒータ１４１と電極１４２上にはシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜からなる保護層が形成される。
【００４４】
次に，図５Ｂに示されたように，ヒータ１４１と電極１４２とが形成されている基板１１０上に第１フォトレジスト層１２１を形成する。第１フォトレジスト層１２１は，後述する段階で，インクチャンバとレストリクタとを取り囲む流路形成層(図５Ｄの１２０)をなすので，インクに対して化学的に安定した性質のネガティブフォトレジストからなる。具体的には，第１ネガティブフォトレジスト層である第１フォトレジスト層１２１は，基板１１０の全面にネガティブフォトレジストを所定厚さに塗布することによって形成される。
【００４５】
この時，ネガティブフォトレジストは，吐出される液滴をインクチャンバに蓄えるために好適なインクチャンバの高さに対応して，適正な厚さに塗布される。そして，ネガティブフォトレジストは，スピンコート法によって基板１１０上に塗布できる。このようなフォトレジストの塗布法は以下においても全て同一に適用されうる。
【００４６】
次いで，図５Ｃに示されたように，ネガティブフォトレジストからなる第１フォトレジスト層１２１をインク流路（インクチャンバとレストリクタ）のパターンが形成された第１フォトマスク１６１を用いて紫外線(ＵＶ)に露光させる。露光段階で，ネガティブフォトレジストからなる第１フォトレジスト層１２１のうちＵＶに露光された部位は硬化されて耐化学性及び高い機械的強度を有する。一方，露光されていない部分は現像液により容易に溶解される性質を有する。
【００４７】
次いで，第１フォトレジスト層１２１を現像すれば，図５Ｄに示されたように，露光されていない部分は除去されて空間を形成し，露光により硬化された部位は残存してネガティブフォトレジストパターンとなり，流路形成層１２０を形成する。
【００４８】
図５Ｅ〜図５Ｉに示した段階は，流路形成層１２０により取り囲まれた空間内にポジティブフォトレジストパターンを複数回用い，犠牲層を形成する段階を示したものである。本実施の形態において，犠牲層は，二回のポジティブフォトレジストの塗布段階及び一回の平坦化段階を通じてその上面が平坦化される。
【００４９】
詳細に説明すれば，図５Ｅに示されたように，流路形成層１２０が形成されている基板１１０の全面にポジティブフォトレジストをスピンコート法によって所定厚さに塗布して，第１ポジティブフォトレジスト層である第１犠牲層１２３を形成する。この時，ポジティブフォトレジストは突出した流路形成層１２０によって上側に膨らむので，第１犠牲層１２３の上面は平坦でなくなる。
【００５０】
そして，図５Ｆに示されたように，第１犠牲層１２３をインク流路（インクチャンバとレストリクタ）のパターンである第２フォトマスク１６２を用いてＵＶに露光させる。露光段階で，ポジティブフォトレジストからなる第１犠牲層１２３のうちＵＶに露光された部位は現像液により容易に溶解される性質に変わる。したがって，第１犠牲層１２３を現像すれば，図５Ｇに示されたように，第１犠牲層１２３のうち露光されていない部位だけ残存し，露光された部位は除去されたポジティブフォトレジストパターンが形成される。
【００５１】
次に，図５Ｈに示されたように，流路形成層１２０と第１犠牲層１２３とが形成されている基板１１０の全面にさらにポジティブフォトレジストをスピンコート法によって所定厚さに塗布して第２ポジティブフォトレジスト層である第２犠牲層１２４を形成する。この時，第２犠牲層１２４は，流路形成層１２０により取り囲まれた空間内に予め充填された第１犠牲層１２３によってその上面を平坦に形成しうる。
【００５２】
次に，図５Ｉに示されたように，第１犠牲層１２３の露光時に使われた第２フォトマスク１６２を用いてインク流路のパターンで第２犠牲層１２４をＵＶに露光させる。次いで，第２犠牲層１２４を現像して第２犠牲層１２４のうち露光された部位を除去してポジティブフォトレジストパターンが形成される。その結果，図５Ｊに示されたように，第１犠牲層１２３と第２犠牲層１２４とから構成され，その上面が平坦な犠牲層Ｓが流路形成層１２０により取り囲まれた空間内に形成される。
【００５３】
次に，図５Ｋに示されたように，犠牲層ＳをＵＶで露光させる。この時の露光段階は，フォトマスクを使用しないブランク露光（全面露光）によりなされうる。そして，露光時間と光の強度を制御して犠牲層Ｓを流路形成層１２０の上面と同じレベルまで露光させる。次いで，現像によって犠牲層Ｓのうち露光された部位を除去すれば，図５Ｌに示されたように，犠牲層Ｓの高さが低くなって流路形成層１２０と同じ高さになる。
【００５４】
以上では，第１犠牲層１２３の塗布，露光，及び現像段階後に，第２犠牲層１２４の塗布，露光，及び現像段階と，ブランク露光及び現像段階を経て犠牲層Ｓを形成する方法が図示され，説明された。しかし，犠牲層Ｓは，上記の順序とは違う順序によっても形成されうる。
【００５５】
例えば，第２犠牲層１２４の塗布後に，第１犠牲層１２３と第２犠牲層１２４とから構成されるポジティブフォトレジスト層にブランク露光段階を先に行うこともできる。次いで，現像により，第１犠牲層１２３と第２犠牲層１２４とから構成されるポジティブフォトレジスト層を流路形成層１２０と同じ高さに残存させる。次に，第２フォトマスク１６２を使用した露光と現像段階の後，流路形成層１２０により取り囲まれた犠牲層Ｓだけ残るようになる。
【００５６】
さらに，犠牲層Ｓは，次のような段階を経て形成してもよい。上記では，第１犠牲層１２３の塗布，露光，及び現像段階の後に，第２犠牲層１２４を塗布してから第２フォトマスク１６２を用いた露光段階とブランク露光段階とを行うとしたが，この場合の二回の露光段階はその順序が変わってもよい。次いで，露光された部位を現像して除去すれば，流路形成層１２０により取り囲まれた犠牲層Ｓだけ残るようになる。
【００５７】
また，上記では，上面が平坦な犠牲層Ｓを形成するために二回のポジティブフォトレジストの塗布段階を行うと説明したが，所望の犠牲層Ｓの厚さによって三回またはそれ以上のポジティブフォトレジストの塗布段階を行い，ポジティブフォトレジストパターンを形成してもよい。この場合，ポジティブフォトレジストの塗布回数によってポジティブフォトレジストの露光及び現像回数も増加する。
【００５８】
次に，上記段階を経て流路形成層１２０と犠牲層Ｓとが形成されている基板１１０上に，図５Ｍに示されたように，第２フォトレジスト層１３１を形成する。第２フォトレジスト層１３１は，後述する段階でノズル層(図５Ｏの１３０)をなすので，流路形成層１２０と同様にインクに対して化学的に安定した性質のネガティブフォトレジストからなる。
【００５９】
具体的に，第２ネガティブフォトレジスト層である第２フォトレジスト層１３１は，基板１１０の全面にネガティブフォトレジストをスピンコート法によって所定厚さに塗布することによって形成される。この時，ネガティブフォトレジストはノズルの長さを十分に確保でき，インクチャンバ内の圧力変化を耐えるに十分な強度を有する厚さに塗布される。
【００６０】
そして，前段階で犠牲層Ｓの上面が流路形成層１２０の上面と同じ高さに平坦に形成されるので，第２フォトレジスト層１３１をなすネガティブフォトレジストと犠牲層Ｓをなすポジティブフォトレジストとの間の反応によって犠牲層Ｓの縁部が変形されたり，溶解されたりする従来の問題点が発生しない。したがって，第２フォトレジスト層１３１は流路形成層１２０の上面に完全に密着して形成しうる。
【００６１】
図７Ａ及び図７Ｂは，上記製造方法によって製造されたインクジェットプリントヘッドの垂直断面写真を示す説明図であって，図７Ａ及び図７Ｂを見れば，流路形成層１２０とノズル層１３０との間にキャビティが発生せず，ノズル層１３０が流路形成層１２０の上面に完全に密着されていることが分かる。
【００６２】
次に，図５Ｎに示されたように，ネガティブフォトレジストからなる第２フォトレジスト層１３１をノズルパターンが形成された第３フォトマスク１６３を用いて露光させる。次いで，第２フォトレジスト層１３１を現像すれば，図５Ｏに示されたように，露光されていない部分が除去されつつ，ノズル１５４が形成され，露光により硬化された部位は残存してノズル層１３０を形成する。露光段階では，Ｉ−ｌｉｎｅ(３５３ｎｍ)以下の波長を有する紫外線や，これより短い波長の電子線またはＸ線を用いることが望ましい。
【００６３】
このように，比較的短い波長の光を用いて露光すれば，光の透過深さが短くなって第２フォトレジスト層１３１下の犠牲層Ｓは露光により影響を受けない。したがって，ポジティブフォトレジストからなる犠牲層Ｓ内に窒素ガスが発生しなくなるので，窒素ガスによりノズル層１３０が変形される従来の問題点が発生しない。
【００６４】
図８Ａ及び図８Ｂは，上記製造方法によって製造されたインクジェットプリントヘッドの平面写真を示す説明図であって，図８Ａ及び図８Ｂを見れば，犠牲層Ｓ内に窒素ガスが全く発生していないことが分かる。
【００６５】
次に，図５Ｐに示されたように，基板１１０の背面にインク供給口(図５Ｑの１５１)を形成するためのエッチングマスク１７１を形成する。エッチングマスク１７１は，基板１１０の背面にポジティブまたはネガティブフォトレジストを塗布した後，これをパターニングすることにより形成しうる。
【００６６】
次いで，図５Ｑに示されたように，エッチングマスク１７１により露出された基板１１０の背面から基板１１０を貫通するようにエッチングしてインク供給口１５１を形成した後，エッチングマスク１７１を除去する。具体的に，基板１１０背面のエッチングはプラズマを用いる乾式エッチングにより行うことができる。また，基板１１０背面のエッチングは，エッチング液としてＴＭＡＨ(Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ  Ａｍｍｏｎｉｕｍ  Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ：４メチル水酸化アンモニウム）またはＫＯＨ（水酸化カリウム）を用いる湿式エッチングによって行われてもよい。
【００６７】
最後に，ソルベントを用いて犠牲層Ｓを除去すれば，図５Ｒに示されたように，犠牲層Ｓが除去された空間に流路形成層１２０により取り囲まれたインクチャンバ１５３とレストリクタ１５２とが形成される。前記のような方法で，図５Ｒに示されたような構造の一体型インクジェットプリントヘッドが完成される。
【００６８】
こうして，犠牲層Ｓの上面が流路形成層１２０の上面と同じ高さに，平坦に形成されるので，流路形成層１２０とノズル層１３０との間にキャビティが発生せず，均一なインク流路を形成することができ，また，ネガティブフォトレジストとポジティブフォトレジストとの間の反応によって犠牲層Ｓの縁部が変形されたり，溶解されたりするのを防ぎ，ノズル層１３０が流路形成層１２０の上面に完全に密着されたインクジェットプリントヘッドを製造することができる。
【００６９】
（第２の実施の形態）
図６Ａ〜図６Ｆを参照して第２の実施の形態に係る一体型インクジェットプリントヘッドの製造方法を段階的に説明する。以下の説明において，前述した第１の実施の形態と同じ部分に対してはその説明を簡略化または省略する。
【００７０】
本実施の形態において，基板２１０上に流路形成層２２０を形成する段階までは，前述した第１実施の形態における図５Ａ〜図５Ｉに示した段階とほぼ同一である。概略的に説明すれば，図６Ａに示されたように，基板２１０を準備した後，基板２１０上にインクを加熱するヒータ２４１と，ヒータ２４１に電流を供給する電極２４２とを形成する。
【００７１】
次に，ヒータ２４１と電極２４２とが形成された基板２１０上にネガティブフォトレジストを所定厚さに塗布した後，これを露光及び現像して流路形成層２２０を形成する。この時，流路形成層２２０は所望のインクチャンバの高さより若干低く形成しうる。そして，流路形成層２２０が形成されている基板２１０の全面にイミド系ポジティブフォトレジストをスピンコート法によって所定厚さに塗布して第１イミド系ポジティブフォトレジスト層である第１犠牲層２２３を形成した後，インク流路のパターンでの露光及び現像によってパターニングする。
【００７２】
次いで，基板２１０の全面にさらにイミド系ポジティブフォトレジストをスピンコート法によって所定厚さに塗布して第２イミド系ポジティブフォトレジスト層である第２犠牲層２２４を形成した後，インク流路のパターンでの露光及び現像によってパターニングする。その結果，図６Ａに示されたように，第１犠牲層２２３と第２犠牲層２２４とから構成され，その上面が平坦な犠牲層Ｓが流路形成層２２０により取り囲まれた空間内に形成される。
【００７３】
第２の実施の形態の犠牲層Ｓの形成段階において，犠牲層Ｓをなすポジティブフォトレジストとしてイミド系ポジティブフォトレジストが使われるので，犠牲層Ｓの高さを流路形成層２２０と同じ高さに低めるためのブランク露光とこれによる現像段階は省略される。イミド系ポジティブフォトレジストは，現像後に約１４０℃の温度でハードベーキング工程を必要とするが，ネガティブフォトレジストに含まれているソルベントにより影響を受けない性質と露光されても窒素ガスを発生させない性質とを有する。これに対しては後述する段階でさらに説明する。
【００７４】
次に，図６Ｂに示されたように，流路形成層２２０と犠牲層Ｓとが形成されている基板２１０上に第２ネガティブフォトレジスト層である第２フォトレジスト層２３１を形成する。第２フォトレジスト層２３１は後述する段階でノズル層(図６Ｄの２３０)をなすので，インクに対して化学的に安定した性質のネガティブフォトレジストからなる。第２フォトレジスト層２３１の具体的な形成方法は第１の実施の形態と同一である。
【００７５】
そして，本実施の形態において犠牲層Ｓが流路形成層２２０より高く突出して形成されても，犠牲層Ｓがイミド系ポジティブフォトレジストからなっているので，前記のように第２フォトレジスト層２３１をなすネガティブフォトレジストに含まれているソルベントにより影響を受けない。したがって，犠牲層Ｓの縁部が変形されるか溶解する従来の問題点が発生しない。
【００７６】
次に，図６Ｃに示されたように，ネガティブフォトレジストからなる第２フォトレジスト層２３１をノズルパターンが形成されたフォトマスク２６３を用いて露光させる。次いで，第２フォトレジスト層２３１を現像すれば，図６Ｄに示されたように，露光されていない部分が除去されつつノズル２５４が形成され，露光により硬化された部位は残存してノズル層２３０を形成する。
【００７７】
本実施の形態において，犠牲層Ｓをなすイミド系ポジティブフォトレジストは前述したように露光されても窒素ガスを発生させない性質を有するので，窒素ガスによりノズル層２３０が変形される従来の問題点が発生しない。したがって，露光段階において，Ｉ−ｌｉｎｅ(３５３ｎｍ)のみならず，Ｈ−ｌｉｎｅ(４０５ｎｍ)及びＧ−ｌｉｎｅ(４３６ｎｍ)を含む広域のＵＶが使われ，またこれより短い波長の電子線またはＸ線も使うことができる。
【００７８】
次に，図６Ｅに示されたように，基板２１０の背面にエッチングマスク２７１を形成した後，エッチングマスク２７１により露出された基板２１０の背面から基板２１０を貫通するように乾式または湿式エッチングしてインク供給口２５１を形成する。エッチングマスク２７１とインク供給口２５１との具体的な形成方法は第１の実施の形態と同一である。
【００７９】
最後に，ソルベントを用いて犠牲層Ｓを除去すれば，図６Ｆに示されたように，犠牲層Ｓが除去された空間に流路形成層２２０により取り囲まれたインクチャンバ２５３とレストリクタ２５２とが形成される。前記のような方法で，図６Ｆ示されたような構造の一体型インクジェットプリントヘッドが完成される。
【００８０】
こうして，犠牲層Ｓにイミド系ポジティブフォトレジストを用いることにより，ネガティブフォトレジストに含まれているソルベントによる影響を受けず，犠牲層Ｓから窒素ガスが発生しないので，ノズル層２３０の変形を防ぐことができる。また，上面を平坦に形成したことにより，第１の実施の形態と同様にインク流路の均一性を向上させることができる。さらに，第１の実施の形態で行う，犠牲層Ｓの高さを流路形成層２２０と同じ高さに低めるためのブランク露光と現像段階は，不要となるので，工程を短縮できる効果がある。
【００８１】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明は，インクジェットプリントヘッドの製造方法に適用可能であり，特に感光性フォトレジストを用いるフォトリソグラフィ工程による一体型インクジェットプリントヘッドの製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】熱駆動方式のインクジェットプリントヘッドの一般的な構造を示す断面図である。
【図２Ａ】従来のインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，基板上にヒータと電極とを形成した後の図である。
【図２Ｂ】従来のインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，流路形成層を形成した後の図である。
【図２Ｃ】従来のインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，犠牲層を形成した後の図である。
【図２Ｄ】従来のインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，ノズル層を形成した後の図である。
【図２Ｅ】従来のインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，インクチャンバとレストリクタトを形成した後の図である。
【図３】従来のインクジェットプリントヘッドの断面をＳＥＭ写真で示した説明図である。
【図４Ａ】従来のインクジェットプリントヘッドの製造方法において，犠牲層にバブルが発生した状態を平面写真で示した説明図である。
【図４Ｂ】従来のインクジェットプリントヘッドの製造方法において，犠牲層にバブルが発生した状態を断面写真で示した説明図である。
【図５Ａ】第１の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，基板上にヒータと電極とを形成した後の図である。
【図５Ｂ】第１の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，基板上に第１フォトレジスト層を形成した後の図である。
【図５Ｃ】第１の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図５Ｂをマスクを用いて露光する際の図である。
【図５Ｄ】第１の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図５Ｃの現像後の図である。
【図５Ｅ】第１の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図５Ｄに第１犠牲層を形成した後の図である。
【図５Ｆ】第１の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図５Ｅをマスクを用いて露光する際の図である。
【図５Ｇ】第１の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図５Ｆの現像後の図である。
【図５Ｈ】第１の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図５Ｆに第２犠牲層を形成した後の図である。
【図５Ｉ】第１の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図５Ｈをマスクを用いて露光する際の図である。
【図５Ｊ】第１の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図５Ｉの現像後の図である。
【図５Ｋ】第１の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図５Ｊを全面露光する際の図である。
【図５Ｌ】第１の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図５Ｋの現像後の図である。
【図５Ｍ】第１の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図５Ｌに第２フォトレジスト層を形成した後の図である。
【図５Ｎ】第１の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図５Ｍをマスクを用いて露光する際の図である。
【図５Ｏ】第１の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図５Ｎの現像後の図である。
【図５Ｐ】第１の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図５Ｏの裏面にインク供給口を形成するためのエッチングマスクを形成した後の図である。
【図５Ｑ】第１の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図５Ｐの裏面にインク供給口を形成するため基板をエッチングした後の図である。
【図５Ｒ】第１の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図５Ｑの犠牲層を除去して，インクチャンバとレストリクタトを形成した後の図である。
【図６Ａ】第２の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，犠牲層を形成した後の図である。
【図６Ｂ】第２の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図６Ａに第２フォトレジスト層を形成した後の図である。
【図６Ｃ】第２の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図６Ｂをマスクを用いて露光する際の図である。
【図６Ｄ】第２の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図６Ｃの現像後の図である。
【図６Ｅ】第２の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図６Ｃの裏面にインク供給口を形成するためのエッチングマスクを形成した後の図である。
【図６Ｆ】第２の実施の形態によるインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明するための工程断面図であり，図６Ｅの犠牲層を除去して，インクチャンバとレストリクタトを形成した後の図である。
【図７Ａ】本実施の形態で製造したインクジェットプリントヘッドを垂直断面写真で示した説明図である。
【図７Ｂ】本実施の形態で製造したインクジェットプリントヘッドを図７Ａの部分拡大写真で示した説明図である。
【図８Ａ】第１の実施の形態で製造したインクジェットプリントヘッドを平面写真で示した説明図である。
【図８Ｂ】第１の実施の形態で製造したインクジェットプリントヘッドを図８Ａの部分拡大写真で示した説明図である。
【符号の説明】
【００８４】
１１０  基板
１２０  流路形成層
１２３  第１犠牲層
１２４  第２犠牲層
１３０  ノズル層
１４１  ヒータ
１４２  電極
１５１  インク供給口
１５４  ノズル
１６２  第２フォトマスク
【図１】
2005104156.tif 000003
【図２Ａ】
2005104156.tif 000004
【図２Ｂ】
2005104156.tif 000005
【図２Ｃ】
2005104156.tif 000006
【図２Ｄ】
2005104156.tif 000007
【図２Ｅ】
2005104156.tif 000008
【図５Ａ】
2005104156.tif 000009
【図５Ｂ】
2005104156.tif 000010
【図５Ｃ】
2005104156.tif 000011
【図５Ｄ】
2005104156.tif 000012
【図５Ｅ】
2005104156.tif 000013
【図５Ｆ】
2005104156.tif 000014
【図５Ｇ】
2005104156.tif 000015
【図５Ｈ】
2005104156.tif 000016
【図５Ｉ】
2005104156.tif 000017
【図５Ｊ】
2005104156.tif 000018
【図５Ｋ】
2005104156.tif 000019
【図５Ｌ】
2005104156.tif 000020
【図５Ｍ】
2005104156.tif 000021
【図５Ｎ】
2005104156.tif 000022
【図５Ｏ】
2005104156.tif 000023
【図５Ｐ】
2005104156.tif 000024
【図５Ｑ】
2005104156.tif 000025
【図５Ｒ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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