(57)【要約】【課題】  半導体素子の極微細領域の歪および応力の空間分布を高精度に測定できる。【解決手段】  走査型顕微鏡のプローブチップ４を用いて半導体素子の応力を評価する評価領域３を走査し、半導体素子の評価領域３における表面あるいは断面の平行結晶面間の距離８，１０及び直交結晶面間の角度１１を測定する工程と、測定した平行結晶面間の距離８，１０及び直交結晶面間の角度１１と応力がない状態の平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度から歪を算出する工程と、歪から応力を算出する工程とを含み、半導体素子の評価領域における歪及び応力の空間分布を求める。歪及び応力の空間分布から原子レベルすなわち０．１ｎｍ程度の空間分解能を持つ応力評価が可能であり、加工寸法０．１μｍ以下の微細な素子の応力評価を実現できる。また、垂直応力の絶対値だけでなく垂直応力の方向や、せん断応力の絶対値および方向をも評価することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査型顕微鏡のプローブチップを用いて半導体素子の応力を評価する評価領域を走査し、前記半導体素子の評価領域における表面あるいは断面の平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度を測定する工程と、
前記測定した平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度と応力がない状態の前記平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度から歪を算出する工程とを含み、
前記半導体素子の評価領域における前記歪の空間分布を算出することを特徴とする歪測定方法。
【請求項２】
前記走査型顕微鏡は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）である請求項１記載の歪測定方法。
【請求項３】
前記走査型顕微鏡は走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）である請求項１記載の歪測定方法。
【請求項４】
算出した前記歪の空間分布をグラフ表示する工程を含む請求項１記載の歪測定方法。
【請求項５】
走査型顕微鏡のプローブチップを用いて半導体素子の応力を評価する評価領域を走査し、前記半導体素子の評価領域における表面あるいは断面の平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度を測定する工程と、
前記測定した平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度と応力がない状態の前記平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度から歪を算出する工程と、
前記歪から応力を算出する工程とを含み、
前記半導体素子の評価領域における前記歪及び前記応力の空間分布を求めることを特徴とする歪及び応力測定方法。
【請求項６】
前記走査型顕微鏡は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）である請求項５記載の歪及び応力測定方法。
【請求項７】
前記走査型顕微鏡は走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）である請求項５記載の歪及び応力測定方法。
【請求項８】
算出した前記歪及び前記応力の空間分布をグラフ表示する工程を含む請求項５記載の歪及び応力測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、歪測定方法と歪及び応力測定方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置の高密度化、高集積化、微細化の進行に伴い、それを構成する素子寸法の微細化は著しい。この素子寸法の微細化に伴い、素子分離領域の応力が素子特性に与える影響が大きな問題となっている。特に近年素子分離にShallow Trench Isolation(ＳＴＩ)を用いるようになり、ＳＴＩ工程により導入される応力が問題となっている。この応力は素子部に結晶欠陥を形成してＰＮ接合リークを生じさせる等、初期特性を悪化させる。また素子の信頼性、例えばＭＯＳトランジスタの経時絶縁破壊(ＴＤＤＢ)、ホットキャリア、ＮＢＴＩを悪化させる可能性もある。このためこの微細な素子表面あるいは内部の応力を評価し、特性および信頼性の観点からプロセス条件を最適化する必要がある。このようにプロセス条件を最適化するために、応力を評価する技術として特許文献１のようなものがある。
【０００３】
ここでは、微細な素子表面あるいは内部の応力評価方法の説明をする。
【０００４】
図５は従来の応力評価方法であるラマン散乱法を用いたレーザーラマン分光光度計の説明図である。図５において２１はレーザ、２２は試料、２３は集光系、２４は分光器、２５は検出系、２６は記録系である。物質に特定の波長の光を当てると、その波長と全く同一の強い光と、波長が異なる非常に弱い光が散乱される。前者をレーリー散乱光、後者をラマン散乱光と呼ぶ。これらの散乱光を各波長ごとのラマン散乱スペクトルに分け、その強度をモニターする装置がラマン分光光度計である。
【０００５】
ラマン散乱スペクトルの測定法はレーザ２１を絞って試料２２に照射し、散乱された光を集光系２３により集光し、分光器２４により分光する。レーザ２１には通常、全出力２〜４ＷのＡｒ+レーザを使う。波長は４８８ｎｍ、５１４.５ｎｍをよく用いる。ラマン光の波長依存性を調べたり、深さ方向の情報を得たいときは、Ｈｅ−Ｎｅレーザ(６３２.８ｎｍ)、Ｋｒ+レーザ(６４７.１ｎｍ，５３０.９ｎｍ)などを使うこともある。分光器２４は通常ダブルモノクロメータを使用する。検出系２５には通常光電子増倍管を使う。検出系２５により検出されたデータは記録系２６により処理され記録及び表示される。
【０００６】
微細な領域を対象としない通常の測定でのレーザスポットは約５０〜２００μｍである。一方レーザービームは顕微鏡を使うと容易に１μｍφまで絞ることが可能である。このように１μｍ程度の微小部のラマン散乱測定を可能にしたのが顕微ラマンシステムである。顕微ラマンシステムは微小部の１点を測定するシステムであるが、２次元で多くの点でラマンスペクトルを測定し、そのスペクトルをコンピュータ処理して局所の面分析を行うこともできる。これは顕微ラマンマッピングシステムと呼ばれている。
【０００７】
顕微ラマンによる応力評価は、ラマンピークのシフトからストレス量を算出することにより行う。ストレスフリーのＳｉは５２０.５ｃｍ-1にピークを持つ。結晶格子に圧縮応力が働くと格子定数が小さくなり、結合力が大きくなる。それに伴って格子振動のエネルギーは大きくなり、ピークは高波数側へシフトする。張力が働いている場合は、この逆で低波数へシフトする。その変化量はシフト１ｃｍ-1あたり２.５×１０9ｄｙｎｅ/ｃｍ2(Ｓｉ結晶の場合、異方的で２次元的な応力の場合)である。通常はレファレンスとしてストレスフリーのＳｉを測定し、そのピーク位置との差を求めて計算する。
【特許文献１】特開平０６−３４７３４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし上記従来の応力評価方法には以下の問題点があった。
【０００９】
まず微小な評価領域の評価に必要な空間分解能が顕微ラマンにおいては１μｍ程度である。この空間分解能は近年の加工寸法０.１μｍ以下の微細な素子の応力評価には全く不十分であるという問題点がある。
【００１０】
次に得られる応力の情報が圧縮応力等の垂直応力の絶対値のみであり、垂直応力の方向や、せん断応力の絶対値および方向の情報は得られないという問題点がある。
【００１１】
これら２つの問題点により、半導体プロセス条件と応力の関係、及び応力と特性あるいは信頼性不良の関係を解析することが困難であった。
【００１２】
したがって、この発明の目的は、上記の先行技術の問題を解決し、加工寸法０.１μｍ以下の微細な素子の応力評価を実現するとともに、垂直応力の絶対値だけでなく垂直応力の方向や、せん断応力の絶対値および方向をも評価することで、半導体素子の極微細領域の歪および応力の空間分布を高精度に測定できる歪測定方法と歪及び応力測定方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、この発明の請求項１記載の歪測定方法は、走査型顕微鏡のプローブチップを用いて半導体素子の応力を評価する評価領域を走査し、前記半導体素子の評価領域における表面あるいは断面の平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度を測定する工程と、前記測定した平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度と応力がない状態の前記平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度から歪を算出する工程とを含み、前記半導体素子の評価領域における前記歪の空間分布を算出する。
【００１４】
請求項２記載の歪測定方法は、請求項１記載の歪測定方法において、前記走査型顕微鏡は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）である。
【００１５】
請求項３記載の歪測定方法は、請求項１記載の歪測定方法において、前記走査型顕微鏡は走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）である。
【００１６】
請求項４記載の歪測定方法は、請求項１記載の歪測定方法において、算出した前記歪の空間分布をグラフ表示する工程を含む。
【００１７】
請求項５記載の歪及び応力測定方法は、走査型顕微鏡のプローブチップを用いて半導体素子の応力を評価する評価領域を走査し、前記半導体素子の評価領域における表面あるいは断面の平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度を測定する工程と、前記測定した平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度と応力がない状態の前記平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度から歪を算出する工程と、前記歪から応力を算出する工程とを含み、前記半導体素子の評価領域における前記歪及び前記応力の空間分布を求める。
【００１８】
請求項６記載の歪及び応力測定方法は、請求項５記載の歪及び応力測定方法において、前記走査型顕微鏡は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）である。
【００１９】
請求項７記載の歪及び応力測定方法は、請求項５記載の歪及び応力測定方法において、前記走査型顕微鏡は走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）である。
【００２０】
請求項８記載の歪及び応力測定方法は、請求項５記載の歪及び応力測定方法において、
算出した前記歪及び前記応力の空間分布をグラフ表示する工程を含む。
【発明の効果】
【００２１】
この発明の請求項１記載の歪測定方法によれば、走査型顕微鏡のプローブチップを用いて半導体素子の応力を評価する評価領域を走査し、半導体素子の評価領域における表面あるいは断面の平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度を測定する工程と、その測定結果より歪を算出する工程とを含み、半導体素子の評価領域における歪の空間分布を算出するので、歪の空間分布から原子レベルすなわち０．１ｎｍ程度の空間分解能を持つ応力評価が可能であり、加工寸法０．１μｍ以下の微細な素子の応力評価を実現できる。また、平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度を測定し、これらの値から、評価領域における横歪、縦歪、せん断歪を計算することにより、垂直応力の絶対値だけでなく垂直応力の方向や、せん断応力の絶対値および方向をも評価することができる。
【００２２】
請求項２では、走査型顕微鏡は原子間力顕微鏡であるので、半導体素子の表面あるいは断面の平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度を微小な評価領域に対して測定することができる。
【００２３】
請求項３では、走査型顕微鏡は走査型トンネル顕微鏡であるので、半導体素子の表面あるいは断面の平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度を微小な評価領域に対して測定することができる。
【００２４】
請求項４では、算出した歪の空間分布をグラフ表示する工程を含むので、歪から応力を評価して特性および信頼性の観点からプロセス条件を最適化することができる。
【００２５】
この発明の請求項５記載の歪及び応力測定方法によれば、走査型顕微鏡のプローブチップを用いて半導体素子の応力を評価する評価領域を走査し、半導体素子の評価領域における表面あるいは断面の平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度を測定する工程と、その測定結果より歪を算出する工程と、歪から応力を算出する工程とを含み、半導体素子の評価領域における歪及び応力の空間分布を求めるので、歪及び応力の空間分布から原子レベルすなわち０．１ｎｍ程度の空間分解能を持つ応力評価が可能であり、加工寸法０．１μｍ以下の微細な素子の応力評価を実現できる。また、平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度を測定し、これらの値から、評価領域における横歪、縦歪、せん断歪を計算することにより、垂直応力の絶対値だけでなく垂直応力の方向や、せん断応力の絶対値および方向をも評価することができる。その結果、半導体プロセス条件と応力の関係、及び応力と特性あるいは信頼性不良の関係の解析を実現することができる。
【００２６】
請求項６では、走査型顕微鏡は原子間力顕微鏡であるので、半導体素子の表面あるいは断面の平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度を微小な評価領域に対して測定することができる。
【００２７】
請求項７では、走査型顕微鏡は走査型トンネル顕微鏡であるので、半導体素子の表面あるいは断面の平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度を微小な評価領域に対して測定することができる。
【００２８】
請求項８では、算出した歪及び応力の空間分布をグラフ表示する工程を含むので、応力を評価して特性および信頼性の観点からプロセス条件を最適化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
この発明の実施の形態を図１〜図４に基づいて説明する。図１は本発明の実施形態の応力評価方法を示す説明図であり、微細な素子表面あるいは内部の各点の歪を求める方法を示す。
【００３０】
図１において、１はＳｉ等の半導体基板、２はＳＴＩ、3は応力評価領域、４は走査型顕微鏡のプローブチップ、５は評価領域の形状データ、６は表面原子、７は横方向平行結晶面、８は横方向平行結晶面間の距離、９は縦方向平行結晶面、１０は縦方向平行結晶面間の距離、１１は直交結晶面間の角度である。
【００３１】
図１に示すように、走査型顕微鏡のプローブチップ４を用いて半導体素子の応力を評価する評価領域３を走査し、半導体素子の評価領域３における表面あるいは断面の平行結晶面間の距離８，１０及び直交結晶面間の角度１１を測定する工程と、測定した平行結晶面間の距離８，１０及び直交結晶面間の角度１１と応力がない状態の平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度から歪を算出する工程と、歪から応力を算出する工程とを含み、半導体素子の評価領域３における歪及び応力の空間分布を求める。
【００３２】
この実施形態ではＳＴＩ断面での応力評価の例を示している。Ｓｉ等の半導体基板１上に形成されたＳＴＩ２に対し、Focused Ion Beam(ＦＩＢ)等の手法を用いて断面を露出させる。この断面上の応力評価領域３をＡＦＭあるいはＳＴＭ等の走査型顕微鏡のプローブチップ４で走査し、評価領域３の表面形状を観測、データ処理し、形状データ５を得る。形状データ５の凹凸から表面原子６の位置を求め、さらに表面原子６の位置配列より横方向平行結晶面７およびその間の距離８、縦方向平行結晶面９およびその間の距離１０、直交結晶面間の角度１１を求める。
【００３３】
横方向平行結晶面間の距離８、縦方向平行結晶面間の距離１０、直交結晶面間の角度１１はＳＴＩにより生じる応力によりストレスフリーの場合におけるそれぞれの値ｄｘ,ｄｙ,θｘｙとは異なり、それぞれ歪εｘ,εｙ,γｘｙが加わった値ｄｘ＋εｘ、
ｄｙ＋εｙ、γｘｙ＋θｘｙになっている。レファレンスとしてストレスフリーの半導体基板１の測定をし、ｄｘ,ｄｙ,θｘｙを求めると、評価領域３における各値ｄｘ＋εｘ、ｄｙ＋εｙ、γｘｙ＋θｘｙからｄｘ,ｄｙ,θｘｙとの差をとることにより歪εｘ,εｙ,γｘｙが求まる。
【００３４】
図２は本発明の実施形態の応力評価方法における原子間力顕微鏡(ＡＦＭ)を用いて微細な素子の各点の歪および応力を求める方法の手順を示すフロー図である。
【００３５】
ステップＳ1aにおいては、ＡＦＭを用いて半導体素子の表面あるいは断面微小箇所の平行結晶面間の距離８，１０および直交結晶面間の角度１１を測定する。応力評価領域３をＡＦＭのプローブチップ４で走査し、評価領域３の表面形状を観測、データ処理し、形状データ５を得る。形状データ５の凹凸から表面原子６の位置を求め、さらに表面原子６の位置配列より横方向平行結晶面７およびその間の距離８、縦方向平行結晶面９およびその間の距離１０、直交結晶面間の角度１１を求める。
【００３６】
ステップＳ1bにおいては実測された平行結晶面間の距離８，１０および直交結晶面間の角度１１と各基準値との差より横歪εｘ,縦歪εｙ,せん断歪みγｘｙを計算する。横方向平行結晶面間の距離８、縦方向平行結晶面間の距離１０、直交結晶面間の角度１１は応力によりストレスフリーの場合におけるそれぞれの値ｄｘ,ｄｙ,θｘｙとは異なり、それぞれ歪εｘ,εｙ,γｘｙが加わった値ｄｘ＋εｘ、ｄｙ＋εｙ、γｘｙ＋θｘｙになっている。レファレンスとしてストレスフリーの半導体基板１の測定をし、ｄｘ,ｄｙ,θｘｙを求めると、評価領域３における各値ｄｘ＋εｘ、ｄｙ＋εｙ、γｘｙ＋θｘｙからｄｘ,ｄｙ,θｘｙとの差をとることにより歪εｘ,εｙ,γｘｙが求まる。
【００３７】
ステップＳ1cにおいては材料のヤング率Ｅ、せん断弾性係数Ｇ、ポアソン比νとして横垂直応力成分σｘ,縦垂直応力成分σｙ,せん断応力成分τｘｙを平面状態における応力−歪関係を下記の式を用いて計算する。
【００３８】
σｘ＝Ｅ(εｘ＋νεｙ)/(１−ν2)
σｙ＝Ｅ(εｙ＋νεｘ)/(１−ν2)
τｘｙ＝Ｇγｘｙ
ステップＳ1dにおいては各微小箇所に対しステップＳ1a,Ｓ1b,Ｓ1cの測定および計算を行い、微細な半導体素子の歪および応力の空間分布を求める。  図３は本発明の実施形態の応力評価方法における走査型トンネル顕微鏡(ＳＴＭ)を用いて微細な素子の各点の歪および応力を求める方法の手順を示すフロー図である。
【００３９】
ステップＳ2aにおいては、ＳＴＭを用いて半導体素子の表面あるいは断面微小箇所の平行結晶面間の距離８，１０および直交結晶面間の角度１１を測定する。応力評価領域３をＳＴＭのプローブチップ４で走査し、評価領域３の表面形状を観測、データ処理し、形状データ５を得る。形状データ５の凹凸から表面原子６の位置を求め、さらに表面原子６の位置配列より横方向平行結晶面７およびその間の距離８、縦方向平行結晶面９およびその間の距離１０、直交結晶面間の角度１１を求める。
【００４０】
ステップＳ2bにおいては実測された平行結晶面間の距離８，１０および直交結晶面間の角度１１と各基準値との差より横歪εｘ,縦歪εｙ,せん断歪みγｘｙを計算する。横方向平行結晶面間の距離８、縦方向平行結晶面間の距離１０、直交結晶面間の角度１１は応力によりストレスフリーの場合におけるそれぞれの値ｄｘ,ｄｙ,θｘｙとは異なり、それぞれ歪εｘ,εｙ,γｘｙが加わった値ｄｘ＋εｘ、ｄｙ＋εｙ、γｘｙ＋θｘｙになっている。レファレンスとしてストレスフリーの半導体基板１の測定をし、ｄｘ,ｄｙ,θｘｙを求めると、評価領域３における各値ｄｘ＋εｘ、ｄｙ＋εｙ、γｘｙ＋θｘｙからｄｘ,ｄｙ,θｘｙとの差をとることにより歪εｘ,εｙ,γｘｙが求まる。
【００４１】
ステップＳ2cにおいては材料のヤング率Ｅ,せん断弾性係数Ｇ,ポアソン比νとして横垂直応力成分σｘ,縦垂直応力成分σｙ,せん断応力成分τｘｙを平面状態における応力−歪関係を下記の式を用いて計算する。
【００４２】
σｘ＝Ｅ(εｘ＋νεｙ)/(１−ν2)
σｙ＝Ｅ(εｙ＋νεｘ)/(１−ν2)
τｘｙ＝Ｇγｘｙ
ステップＳ2dにおいては各微小箇所に対しステップＳ2a,Ｓ2b,Ｓ2cの測定および計算を行い、微細な半導体素子の歪および応力の空間分布を求める。
【００４３】
上記図１、２、３において説明した方法により得られた半導体素子の２次元の歪および応力の空間分布をグラフ表示し、応力を評価して特性および信頼性の観点からプロセス条件を最適化する。
【００４４】
図４は本発明の実施形態の応力評価方法における２次元の応力の空間分布をグラフ表示結果の説明図である。
【００４５】
図４において、１はＳｉ等の半導体基板、２はＳＴＩ、１２は横垂直応力成分σｘと縦垂直応力成分σｙの和σｘ＋σｙの等応力線である。本実施形態における微細な素子の各点の歪を求める方法としては図２のステップＳ1aに示すＡＦＭを用いる方法および図３のステップＳ2aに示すＳＴＭを使用する方法のいずれもほぼ同等の結果を与える。本実施形態においてはＳＴＩ２の上部端および底部端に応力和σｘ＋σｙの極大点が現れている。この例ではＳＴＩ２の上部端に最大の応力が観測されその値は９.０×１０8ｄｙｎｅ/ｃｍ2であった。
【００４６】
本発明の応力評価方法は半導体素子を構成するＳｉ等の半導体基板だけでなく、単結晶あるいは多結晶を構成するポリシリコン、金属、合金、その他の化合物にも適用可能である。多結晶に対し応力評価を行う場合には多結晶中のグレインに対し本発明の応力評価方法が適用される。また結晶によっては直交結晶面間の角度のかわりに斜方向平行結晶面間の距離あるいは斜行結晶面間の角度を用いることができる。この場合はその斜方向に垂直な歪および斜め方向に平行なせん断歪が求まる。これらをもとに座標の変換を行うことにより、通常の座標や任意の座標における歪や応力を求めることができる。
【００４７】
本発明の応力評価方法における微細な素子の各点の歪を求める方法はＡＦＭやＳＴＭ等の走査型顕微鏡に歪、応力の値や空間分布を計算する機能、半導体素子の２次元の歪および応力の空間分布をグラフ表示する機能の一部あるいは全部を兼ね備えた半導体評価装置を作製し、これによって実行する。しかし既存のＡＦＭあるいはＳＴＭを用いて、評価領域の表面形状を観測、データ処理し、形状データを得た後に、別のシステム上で形状データから歪、応力の値や空間分布を計算する機能、半導体素子の２次元の歪および応力の空間分布をグラフ表示する機能の一部あるいは全部をコンピュータにより自動的に実行することも可能である。ただし本発明の方法を自動的に実行することが不可能な場合は手作業により実行することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明に係る歪測定方法と歪及び応力測定方法は、原子レベルすなわち０．１ｎｍ程度の空間分解能を持つ応力評価が可能であり、加工寸法０．１μｍ以下の微細な素子の応力評価を実現できる等の効果を有し、半導体集積回路装置の高密度化、高集積化、微細化の進行に伴い、素子分離領域の応力を評価する技術として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施形態の応力評価方法における微細な素子の各点の歪を求める方法の説明図である。
【図２】本発明の実施形態の応力評価方法における原子間力顕微鏡を用いて微細な素子の各点の歪および応力を求める方法の手順を示すフロー図である。
【図３】本発明の実施形態の応力評価方法における走査型トンネル顕微鏡(ＳＴＭ)を用いて微細な素子の各点の歪および応力を求める方法の手順を示すフロー図である。
【図４】本発明の実施形態の応力評価方法における２次元の応力の空間分布をグラフ表示結果の説明図である。
【図５】従来の応力評価方法であるラマン散乱法を用いたレーザーラマン分光光度計の説明図である。
【符号の説明】
【００５０】
１  Ｓｉ等の半導体基板
２  ＳＴＩ
３  応力評価領域
４  走査型顕微鏡のプローブチップ
５  評価領域の形状データ
６  表面原子
７  横方向平行結晶面
８  横方向平行結晶面間の距離
９  縦方向平行結晶面
１０  縦方向平行結晶面間の距離
１１  直交結晶面間の角度
１２  等応力線
【図１】
2005156478.tif 000003
【図２】
2005156478.tif 000004
【図３】
2005156478.tif 000005
【図４】
2005156478.tif 000006
【図５】
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