(57)【要約】【課題】立体的特性及び電子的特性が容易に変更可能であり、不斉合成、殊に不斉水素化における触媒としてのその遷移金属錯体が高いエナンチオ選択性のみならず高いターンオーバー率をも可能にするリガンド系を開発する。【解決手段】式（Ｉ）の化合物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2005325114.tif 000042
［式中、
・＊２及び＊３はそれぞれＲ立体配置又はＳ立体配置のステレオジェン炭素原子を表すが、置換基は結合する炭素結合に対してシス状に配置されており、
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して：合計で４〜１６個の炭素原子を有するアルキル基、アリールアルキル基又はアリール基又は複素環式基であってよいか、又はＲ１及びＲ２及び／又はＲ３及びＲ４はそれぞれ一緒になってアルキレンである］の化合物。
【請求項２】
請求項１記載の化合物とボランとを含む化合物。
【請求項３】
請求項１又は２記載の化合物の製造法において、
・工程Ａ）において、式（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）
【化２】
2005325114.tif 000043
［式中、＊３は式（Ｉ）のために記載された定義及び有利な範囲を有する］
の化合物を、式（ＩＩＩａ）又は（ＩＩＩｂ）
Ｈａｌ−ＰＲ１Ｒ２（ＩＩＩａ）
Ｈａｌ−ＰＲ３Ｒ４（ＩＩＩｂ）
の化合物と反応させ、式（ＩＶａ）及び（ＩＶｂ）
【化３】
2005325114.tif 000044
の化合物を生成させ、
・工程Ｂ）において、有機溶剤中にあってよい式（ＩＶａ）及び（ＩＶｂ）の化合物を少なくとも６０℃に加熱することにより式（Ｖａ）及び（Ｖｂ）
【化４】
2005325114.tif 000045
の化合物に変換し、
・工程Ｃ）において、式（Ｖａ）及び（Ｖｂ）の化合物をボランと反応させ、引き続き酸化させることにより式（ＶＩａ）及び（ＶＩｂ）
【化５】
2005325114.tif 000046
の化合物に変換し、
・工程Ｄ）において、式（ＶＩａ）及び（ＶＩｂ）の化合物を還元することによって式（ＶＩＩａ）及び（ＶＩＩｂ）
【化６】
2005325114.tif 000047
の化合物に変換し、
・工程Ｅ）において、式（ＶＩＩａ）及び（ＶＩＩｂ）の化合物を式（ＶＩＩＩ）
Ｈａｌ−Ｏ２ＳＲ５（ＶＩＩＩ）
の化合物と反応させることにより式（ＩＸａ）及び（ＩＸｂ）
【化７】
2005325114.tif 000048
の化合物に変換し、
・工程Ｆ）において、式（ＩＸ）の化合物を式（Ｘａ）又は（Ｘｂ）
ＨＰＲ３Ｒ４（Ｘａ）
ＨＰＲ１Ｒ２（Ｘｂ）
の化合物と反応させることにより式（Ｉ）の化合物に変換し、
ここで、式（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）、（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）、（ＩＶａ）、（ＩＶｂ）、（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（ＶＩａ）、（ＶＩｂ）、（ＶＩＩａ）、（ＶＩＩｂ）、（ＩＸａ）、（ＩＸｂ）、（Ｘａ）及び（Ｘｂ）、＊２及び＊３、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ請求項１に記載された通りに定義されており、
式（ＶＩＩＩ）、（ＩＸａ）及び（ＩＸｂ）におけるＲ５はアルキル、フルオロアルキル、アリールアルキル又はアリールであり、
式（ＩＩＩａ）及び（ＩＩＩｂ）及び（ＶＩＩＩ）におけるＨａｌは、それぞれの場合において塩素、臭素又はヨウ素であることを特徴とする、請求項１又は２記載の化合物の製造法。
【請求項４】
請求項３記載の式（ＩＶａ）及び（ＩＶｂ）の化合物。
【請求項５】
請求項３記載の式（Ｖａ）、（Ｖｂ）の化合物。
【請求項６】
請求項３記載の式（ＶＩＩａ）、（ＶＩＩｂ）の化合物及び前記化合物とボランとの錯体。
【請求項７】
請求項３記載の式（ＩＸａ）及び（ＩＸｂ）の化合物。
【請求項８】
請求項１記載の化合物を含む遷移金属錯体。
【請求項９】
請求項８記載の遷移金属錯体を含む触媒。
【請求項１０】
立体異性的に富化された化合物を製造するための請求項９記載の触媒の使用。
【請求項１１】
立体異性的に富化された化合物の製造法において、請求項９記載の触媒を使用することを特徴とする、立体異性的に富化された化合物の製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キラルジホスフィノテルペン及びその遷移金属錯体、キラルジホスフィノテルペン及びその酸化物の製造法に関する。他の観点において、本発明は、不斉合成におけるキラルジホスフィノテルペン又はその遷移金属錯体の使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
鏡像異性的に富化されたキラル化合物は、農薬及び医薬品を製造するための価値の高いな出発物質である。このような鏡像異性的に富化されたキラル化合物を合成するための不斉触媒は、工業的に大きな重要性を獲得してきた。
【０００３】
不斉合成の分野における数多くの刊行物には、二リン化合物の遷移金属錯体は、不斉制御反応における触媒として殊に適当であることが明確に示されている。殊に、二リン化合物の遷移金属錯体は、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｎ及びＣ＝Ｃ結合の不斉水素化、ヒドロシアン化及びヒドロホルミル化における工業プロセスにおいて使用されてきた。
【０００４】
Haltermann, Organometallics, 9, (1), 1990, pp. 273-275には、（２Ｒ，３Ｓ）−２−［（ジフェニルホスフィニル）メチル］−３−ジフェニルホスフィニルビシクロ［３．３．１］ヘプタン及びそれから製造可能なパラジウム錯体が開示されている。不斉合成における使用に関しては何も記載されていない。
【非特許文献１】Haltermann, Organometallics, 9, (1), 1990, pp. 273-275
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、その立体的特性及び電子的特性が容易に変更可能であり、不斉合成、殊に不斉水素化における触媒としてのその遷移金属錯体が高いエナンチオ選択性のみならず高いターンオーバー率をも可能にするリガンド系を開発する必要がある。更に、そのようなリガンド系及び相応する前駆体のための適当な経路を開発することが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
ここで、式（Ｉ）
【０００７】
【化１】
2005325114.tif 000002
［式中、
・＊２及び＊３はそれぞれＲ立体配置又はＳ立体配置のステレオジェン炭素原子を表すが、置換基は結合する炭素結合に対してシス状に配置されており、
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して：合計で４〜１６個の炭素原子を有するアルキル基、アリールアルキル基又はアリール基又は複素環式基であってよいか、又はＲ１及びＲ２及び／又はＲ３及びＲ４はそれぞれ一緒になってアルキレンである］
の化合物が見出された。
【０００８】
本発明の範囲は、上記及び下記の、一般的又は有利な範囲内での、相互の全ての組合せでの、即ち特定の範囲から有利な範囲の間での、全ての基の定義、パラメータ及び説明をも含む。
【０００９】
本発明の明細書において特に記載がない限り、アリールは有利に６〜２４個の骨格炭素原子を有する炭素環式芳香族基であるか、又は５〜２４個の骨格炭素原子を有する複素芳香族基であり、この場合、環１個当たり０個、１個、２個又は３個の骨格炭素原子、しかしながら分子全体で少なくとも１個の骨格炭素原子は、窒素、硫黄又は酸素の群から選択されたヘテロ原子により置換されていてよい。更に、炭素環式芳香族基又は複素芳香族基は、環１個当たり５個までの同じか又は異なる置換基により置換されていてよく、この場合この置換基は、ヒドロキシル、フッ素、ニトロ、シアノ、遊離ホルミル及び保護ホルミル、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、Ｃ５〜Ｃ１４−アリール、Ｃ６〜Ｃ１５−アリールアルキル、−ＰＯ−［（Ｃ１〜Ｃ８）−アルキル］２、−ＰＯ−［（Ｃ５〜Ｃ１４）−アリール］２、−ＰＯ−［（Ｃ１〜Ｃ８）−アルキル）（Ｃ５〜Ｃ１４−アリール）］、トリ（Ｃ１〜Ｃ８−アルキル）シロキシル及び式（ＩＩａ）〜（ＩＩｆ）の基の群から選択される。同様のことがアリールアルキル基のアリール部分にも当てはまる。
【００１０】
例えば、アリールは更に有利にフェニル、ナフチル又はアントラセニルであり、これらはそれぞれ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ５〜Ｃ１４−アリール、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシカルボニル、ハロゲン、ヒドロキシル、ニトロ又はシアノの群からそれぞれ独立して選択された基により一置換、二置換又は三置換されていてもよい。
【００１１】
本発明の明細書において、アルキル、アルキレン及びアルコキシは、特に記載がない限り、有利にそれぞれ独立して、それぞれ直鎖、環式、分枝鎖又は非分枝鎖のアルキル基、アルキレン基及びアルコキシ基であり、これらはそれぞれ更にＣ１〜Ｃ４−アルコキシ基により置換されていてもよい。同様のことがアリールアルキル基のアルキレン部分にも当てはまる。
【００１２】
例えばアルキルは、更に有利に、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、シクロヘキシル及びｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、ｎ−デシル及びｎ−ドデシルであってよい。
【００１３】
例えばアルキレンは、有利に１，３−プロピレン、１，４−ブチレン、１，５−ペンチレン、１，６−ヘキシレン、Ｓ，Ｓ−又はＲ，Ｒ−２，５−ヘキシレン、１，４−シクロヘキシレン、１，２−シクロヘキシレン及び１，８−オクチレンである。
【００１４】
例えばアルコキシは、有利にメトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｎ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ及びシクロヘキシルオキシである。
【００１５】
本発明の明細書において、アリールアルキルは、特に記載がない限り、有利にそれぞれの場合において独立して、上記で定義された通りのアリール基により一置換又は多置換された、更に有利には一置換された直鎖、環式、分枝鎖又は非分枝鎖のアルキル基である。
【００１６】
本発明の明細書において、特に記載がない限り、ハロアルキル及びハロアルキレンは、有利にそれぞれ独立して、直鎖、環式、分枝鎖又は非分枝鎖のアルキル基及びアルキレン基であり、これらはそれぞれ、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素の群から独立して選択されたハロゲン原子により一回、複数回又は完全に置換されていてよい。
【００１７】
例えば、ハロアルキルは、更に有利にトリフルオロメチル、トリクロロメチル、２，２，２−トリフルオロエチル、ペンタフルオロエチル及びノナフルオロブチルであり；Ｃ１〜Ｃ８−フルオロアルキルは更に有利にトリフルオロメチル、２，２，２−トリフルオロエチル、ペンタフルオロエチル及びノナフルオロブチルである。
【００１８】
式（Ｉ）の有利な化合物を以下に定義する。
【００１９】
・式（Ｉ）の化合物は有利に鏡像異性的に富化されている。
【００２０】
・Ｒ１及びＲ２又はＲ３及びＲ４は有利にそれぞれ対で、かつ等しく；アルキル又はアリール又は合計で４〜９個の炭素原子を有する複素環式基であるか、又はそれぞれの場合に一緒になってアルキレンである。
【００２１】
更に有利に、Ｒ１及びＲ２又はＲ３及びＲ４はそれぞれの場合において対で、かつ等しく；Ｃ３〜Ｃ６−アルキル、場合によりモノ−、ジ−、又はトリ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−、−Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル−、−Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ−、−塩素−又は−フッ素置換されたフェニルであるか、又はそれぞれの場合において一緒になってＣ４〜Ｃ６−アルキレンである。基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の４つ全てが同じであるのが極めて殊に有利である。
【００２２】
式（Ｉ）の極めて殊に有利な化合物は、
（２Ｓ，３Ｓ）−３−ジフェニルホスフィニル−２−［（ジフェニルホスフィニル）メチル］−６，６−ジメチルビシクロ−［３．１．１］ヘプタン、（２Ｒ，３Ｒ）−３−ジフェニルホスフィニル−２−［（ジフェニルホスフィニル）メチル］−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプタン、（２Ｒ，３Ｒ）−３−ジフェニルホスフィニル−２−［（ジフェニルホスフィニル）メチル］−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプタン及び（２Ｒ，３Ｒ）−３−ジフェニルホスフィニル−２−［（ジフェニルホスフィニル）メチル］−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプタンである。
【００２３】
更に、本発明は、式（Ｉ）の化合物とボラン、例えばボラン又はボラビシクロノナン（ＢＢＮ−９）との錯体をも含む。
【００２４】
本発明の明細書において、立体異性的に富化された、及び鏡像異性的に富化された、という用語には、立体異性的に純粋な化合物及び鏡像異性的に純粋な化合物、及び、一方の立体異性体又は鏡像異性体が他方の立体異性体又は鏡像異性体よりも大きい相対的割合で、有利に５０％を上回って１００モル％まで、より好ましくは９０〜１００モル％、最も好ましくは９８〜１００モル％の相対的割合で存在する立体異性体化合物又は鏡像異性体化合物の混合物が含まれる。
【００２５】
式（Ｉ）の化合物は、同様に本発明の主題の一部を成す方法により製造することができる。
【００２６】
この方法は、
・工程Ａ）において、式（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）
【００２７】
【化２】
2005325114.tif 000003
［式中、＊３は式（Ｉ）のために記載された定義及び有利な範囲を有する］
の化合物を、式（ＩＩＩａ）又は（ＩＩＩｂ）
Ｈａｌ−ＰＲ１Ｒ２（ＩＩＩａ）
Ｈａｌ−ＰＲ３Ｒ４（ＩＩＩｂ）
の化合物と反応させ、式（ＩＶａ）及び（ＩＶｂ）
【００２８】
【化３】
2005325114.tif 000004
の化合物を生成させ、
・工程Ｂ）において、有機溶剤中にあってよい式（ＩＶａ）及び（ＩＶｂ）の化合物を少なくとも６０℃に加熱することにより式（Ｖａ）及び（Ｖｂ）
【００２９】
【化４】
2005325114.tif 000005
の化合物に変換し、
・工程Ｃ）において、式（Ｖａ）及び（Ｖｂ）の化合物をボランと反応させ、引き続き酸化させることにより式（ＶＩａ）及び（ＶＩｂ）
【００３０】
【化５】
2005325114.tif 000006
の化合物に変換し、
・工程Ｄ）において、式（ＶＩａ）及び（ＶＩｂ）の化合物を還元することによって式（ＶＩＩａ）及び（ＶＩＩｂ）
【００３１】
【化６】
2005325114.tif 000007
の化合物に変換し、
・工程Ｅ）において、式（ＶＩＩａ）及び（ＶＩＩｂ）の化合物を式（ＶＩＩＩ）
Ｈａｌ−Ｏ２ＳＲ５（ＶＩＩＩ）
の化合物と反応させることにより式（ＩＸａ）及び（ＩＸｂ）
【００３２】
【化７】
2005325114.tif 000008
の化合物に変換し、
・工程Ｆ）において、式（ＩＸ）の化合物を式（Ｘａ）又は（Ｘｂ）
ＨＰＲ３Ｒ４（Ｘａ）
ＨＰＲ１Ｒ２（Ｘｂ）
の化合物と反応させることにより式（Ｉ）の化合物に変換することを特徴とする。
【００３３】
式（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）、（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）、（ＩＶａ）、（ＩＶｂ）、（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（ＶＩａ）、（ＶＩｂ）、（ＶＩＩａ）、（ＶＩＩｂ）、（ＩＸａ）、（ＩＸｂ）、（Ｘａ）及び（Ｘｂ）において、＊２及び＊３、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれすでに式（Ｉ）において記載されたのと同じ定義及び有利な範囲を有する。
【００３４】
更に、式（ＶＩＩＩ）、（ＩＸａ）及び（ＩＸｂ）におけるＲ５は、アルキル、フルオロアルキル、アリールアルキル又はアリール、有利にアルキル及びフルオロアルキルである。
【００３５】
式（ＩＩＩａ）及び（ＩＩＩｂ）及び（ＶＩＩＩ）において、Ｈａｌはそれぞれの場合において塩素、臭素又はヨウ素、有利に塩素である。
【００３６】
式（ＩＶａ）、（ＩＶｂ）、（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（ＶＩａ）、（ＶＩｂ）、（ＶＩＩａ）、（ＶＩＩｂ）、（ＩＸａ）及び（ＩＸｂ）の化合物は従来公知ではないため、不可欠な中間体として同様に本発明に含まれる。＊１、＊２及び＊３、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５のための上記の定義及び有利な範囲が同様に適用される。
【００３７】
式（ＶＩＩａ）及び（ＶＩＩｂ）の化合物とボラン、例えばボラン又はボラビシクロノナン（ＢＢＮ−９）との錯体も本発明に含まれる。
【００３８】
本発明は更に、上記の通り、以下の工程を含む方法を提供する：
・Ｆ）又はＡ）
・Ｅ）及びＦ）又はＡ）及びＢ）
・Ｄ）、Ｅ）及びＦ）又はＡ）、Ｂ）及びＣ）
・Ｃ）、Ｄ）、Ｅ）及びＦ）又はＡ）、Ｂ）、Ｃ）及びＤ）
・Ｂ）、Ｃ）、Ｄ）、Ｅ）及びＦ）又はＡ）、Ｂ）、Ｃ）、Ｄ）及びＥ）。
【００３９】
個々の工程の化学的特性は原則的に既に公知であり、本発明による化合物と同様に用いることができる。
【００４０】
式（ＩＩａ）及び（ＩＩｂ）の有利な化合物は、トランス−ピノカルベオール及びミルテノールである。
【００４１】
式（ＩＩＩａ）及び（ＩＩＩｂ）の有利な化合物は、クロロジフェニルホスフィンである。
【００４２】
式（ＩＶａ）及び（ＩＶｂ）の有利な化合物は、Ｏ−ジフェニルホスフィニル−トランス−ピノカルベオール及びＯ−ジフェニルホスフィニルミルテノールである。
【００４３】
式（Ｖａ）及び（Ｖｂ）の有利な化合物は、２−（ジフェニルホスフィノイルメチル）−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプト−２−エン及び（Ｒ）−３−（ジフェニルホスフィノイル）−６，６−ジメチル−２−メチレンビシクロ［３．１．１］ヘプタンである。
【００４４】
式（ＶＩａ）及び（ＶＩｂ）の有利な化合物は、（２Ｓ，３Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノイルメチル）−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプタン−３−オール及び（２Ｒ，３Ｒ）［３−（ジフェニルホスフィノイル）−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプト−２−イル］メタノールである。
【００４５】
式（ＶＩＩａ）及び（ＶＩＩｂ）の有利な化合物は、（２Ｓ，３Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィニルメチル）−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプタン−３−オール及び（２Ｒ，３Ｒ）［３−（ジフェニルホスフィニル）−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプト−２−イル］メタノールである。
【００４６】
式（ＩＸａ）及び（ＩＸｂ）の有利な化合物は、（２Ｓ，３Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィニルメチル）−６，６−ジメチル−３−メタンスルホニルオキシビシクロ−［３．１．１］ヘプタン及び（２Ｒ，３Ｒ）［３−（ジフェニルホスフィニル）−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプト−２−イル］−１−メタンスルホニルオキシメタンである。
【００４７】
式（Ｘａ）及び（Ｘｂ）の有利な化合物は、ジフェニルホスフィンである。
【００４８】
上記の方法で、式（Ｉ）の化合物を効果的な方法で高収率で得ることができる。
【００４９】
本発明は更に、式（Ｉ）の本発明による化合物を含む遷移金属錯体を含む。
【００５０】
遷移金属錯体は、有利にルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金及び銅の錯体であり、有利にルテニウム、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム及び白金の錯体であり、更に有利にルテニウム、ロジウム、イリジウム及びパラジウムの錯体である。
【００５１】
本発明による遷移金属錯体は、殊に触媒として適当である。従って本発明は、本発明による遷移金属錯体を含む触媒をも含む。
【００５２】
使用される触媒は、例えば単離された遷移金属錯体か、又は遷移金属化合物と式（Ｉ）の化合物とを反応させることにより得ることができる遷移金属錯体であってよい。
【００５３】
式（Ｉ）の化合物を含む単離された遷移金属錯体は、好ましくは遷移金属対式（Ｉ）の化合物の割合が１：１である遷移金属錯体である。
【００５４】
式（ＸＩ）
［（Ｉ）Ｌ１２Ｍ］［Ａｎ１］      （ＸＩ）
［式中、
（Ｉ）は式（Ｉ）に記載された定義及びその有利な範囲を有する式（Ｉ）の化合物であり、
Ｍはロジウム又はイリジウムであり、
Ｌ１はそれぞれの場合においてＣ２〜Ｃ１２−アルケン、例えばエチレン又はシクロオクテン、又はニトリル、例えばアセトニトリル、ベンゾニトリル又はベンジルニトリルであるか、又は
Ｌ１２は一緒になって（Ｃ４〜Ｃ１２）ジエン、例えばビシクロ［２．１．１］ヘプタ−２，５−ジエン（ノルボルナジエン）又は１，５−シクロオクタジエンであり、
［Ａｎ１］はアニオン、有利にメタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、ペルクロレート、ヘキサフルオロアンチモネート、テトラ（ビス−３，５−トリフルオロメチルフェニル）ボレート又はテトラフェニルボレートである］
の本発明による化合物は有利である。
【００５５】
有利な遷移金属錯体は、遷移金属化合物と式（Ｉ）の化合物との反応により得ることができる遷移金属錯体である。
【００５６】
適当な遷移金属化合物は、例えば式（ＸＩＩａ）
Ｍ（Ａｎ２）ｑ      （ＸＩＩａ）
［式中、
Ｍはロジウム、イリジウム、ルテニウム、ニッケル、パラジウム、白金又は銅であり、
Ａｎ２はクロリド、ブロミド、アセテート、ニトレート、メタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート又はアセチルアセトネートであり、
ｑはロジウム、イリジウム及びルテニウムのためには３であり、ニッケル、パラジウム及び白金のためには２であり、銅のためには１である］の遷移金属化合物であるか、
又は式（ＸＩＩｂ）
Ｍ（Ａｎ３）ｑＬ１２      （ＸＩＩｂ）
［式中、
Ｍはルテニウム、イリジウム、ルテニウム、ニッケル、パラジウム、白金又は銅であり、
Ａｎ３はクロリド、ブロミド、アセテート、アセチルアセトネート、メタンスルホネート又はトリフルオロメタンスルホネート、テトラフルオロボレート又はヘキサフルオロホスフェート、ペルクロレート、ヘキサフルオロアンチモネート、テトラ（ビス−３，５−トリフルオロメチルフェニル）ボレート又はテトラフェニルボレートであり
ｑはロジウム及びイリジウムのためには１であり、ルテニウム、ニッケル、パラジウム及び白金のためには２であり、銅のためには１であり、
Ｌ１はそれぞれの場合においてＣ２〜Ｃ１２−アルケン、例えばエチレン又はシクロオクテン、又はニトリル、例えばアセトニトリル、ベンゾニトリル又はベンジルニトリルであるか、又は
Ｌ１２は一緒になって（Ｃ４〜Ｃ１２）ジエン、例えばビシクロ［２．１．１］ヘプタ−２，５−ジエン（ノルボルナジエン）又は１，５−シクロオクタジエンである］の遷移金属錯体であるか、
又は式（ＸＩＩｃ）
［ＭＬ２Ａｎ１２］２      （ＸＩＩｃ）
［式中、
Ｍはルテニウムであり、
Ｌ２はアリール基、例えばシメン、メシチル、フェニル又はシクロオクタジエン、ノルボルナジエン又はメチルアリルである］の遷移金属化合物であるか、
又は式（ＸＩＩｄ）
Ｍｅｔ３ｑ［Ｍ（Ａｎ４）４］      （ＸＩＩｄ）
［式中、
Ｍはパラジウム、ニッケル、イリジウム又はロジウムであり、
Ａｎ４はクロリド又はブロミドであり、
Ｍｅはリチウム、ナトリウム、カリウム、アンモニウム又は有機アンモニウムであり、
ｑはロジウム及びイリジウムのためには３であり、ニッケル、パラジウム及び白金のためには２である］の遷移金属化合物であるか、
又は式（ＸＩＩｅ）
［Ｍ（Ｌ３）２］Ａｎ５      （ＸＩＩｅ）
［式中、
Ｍはイリジウム又はロジウムであり、
Ｌ３は（Ｃ４〜Ｃ１２）ジエン、例えばビシクロ［２．１．１］ヘプタ−２，５−ジエン（ノルボルナジエン）又は１，５−シクロオクタジエンであり、
Ａｎ５は非配位アニオン又は弱配位アニオン、例えばメタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、ペルクロレート、ヘキサフルオロアンチモネート、テトラ（ビス−３，５−トリフルオロメチルフェニル）ボレート又はテトラフェニルボレートである］の遷移金属化合物である。
【００５７】
更に、例えばＮｉ（１，５−シクロオクタジエン）２、Ｐｄ２（ジベンジリデンアセトン）３、Ｐｄ［ＰＰｈ３］４、シクロペンタジエニル２Ｒｕ、Ｒｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）２、Ｉｒ（ピリジン）２（１，５−シクロオクタジエン）、Ｃｕ（フェニル）Ｂｒ、Ｃｕ（フェニル）Ｃｌ、Ｃｕ（フェニル）Ｉ、Ｃｕ（ＰＰｈ３）２Ｂｒ、［Ｃｕ（ＣＨ３ＣＮ）４］ＢＦ４及び［Ｃｕ（ＣＨ３ＣＮ）４］ＰＦ６又は多核架橋錯体、例えば［Ｒｈ（１，５−シクロオクタジエン）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（１，５−シクロオクタジエン）Ｂｒ］２、［Ｒｈ（エテン）２Ｃｌ］２又は［Ｒｈ（シクロオクテン）２Ｃｌ］２は遷移金属化合物として適当である。
【００５８】
使用される遷移金属化合物は、好ましくは以下の化合物である：
［Ｒｈ（ｃｏｄ）（ａｃａｃ）］（ここでａｃａｃはアセチルアセトネートである）、［Ｉｒ（エチレン）２（ａｃａｃ）］、［Ｒｈ（エチレン）２（ａｃａｃ）］、［Ｒｈ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（ｃｏｄ）Ｂｒ］２、［Ｒｈ（ｃｏｄ）２］ＣｌＯ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）２］ＢＦ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）２］ＰＦ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）２］ＣｌＯ６、［Ｒｈ（ｃｏｄ）２］ＯＴｆ、［Ｒｈ（ｃｏｄ）２］ＢＡｒ４（Ａｒ＝３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）、［Ｒｈ（ｃｏｄ）２］ＳｂＦ６、ＲｕＣｌ２（ｃｏｄ）、［（シメン）ＲｕＣｌ２］２、［（ベンゼン）ＲｕＣｌ２］２、［（メシチル）ＲｕＣｌ２］２、［（シメン）ＲｕＢｒ２］２、［（シメン）ＲｕＩ２］２、［（シメン）Ｒｕ（ＢＦ４）２］２、［（シメン）Ｒｕ（ＰＦ６）２］２、［（シメン）Ｒｕ（ＢＡｒ４）２］２（Ａｒ＝３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）、［（シメン）Ｒｕ（ＳｂＦ６）２］２、［Ｉｒ（ｃｏｄ）Ｃｌ］２、［Ｉｒ（ｃｏｄ）２］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｃｏｄ）２］ＣｌＯ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）２］ＳｂＦ６、［Ｉｒ（ｃｏｄ）２］ＢＦ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）２］ＯＴｆ、［Ｉｒ（ｃｏｄ）２］ＢＡｒ４（Ａｒ＝３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）、ＲｕＣｌ３、ＮｉＣｌ３、ＲｈＣｌ３、ＰｄＣｌ２、ＰｄＢｒ２、Ｐｄ（ＯＡｃ）２、Ｐｄ２（ジベンジリデンアセトン）３、Ｐｄ（アセチルアセトネート）２、ＣｕＯＴｆ、ＣｕＩ、ＣｕＣｌ、Ｃｕ（ＯＴｆ）２、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、ＣｕＢｒ２、ＣｕＣｌ２、ＣｕＩ２、［Ｒｈ（ｎｂｄ）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（ｎｂｄ）Ｂｒ］２、［Ｒｈ（ｎｂｄ）２］ＣｌＯ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）２］ＢＦ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）２］ＰＦ６、［Ｒｈ（ｎｂｄ）２］ＯＴｆ、［Ｒｈ（ｎｂｄ）２］ＢＡｒ４（Ａｒ＝３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）、［Ｒｈ（ｎｂｄ）２］ＳｂＦ６、ＲｕＣｌ２（ｎｂｄ）、［Ｉｒ（ｎｂｄ）２］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｎｂｄ）２］ＣｌＯ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）２］ＳｂＦ６、［Ｉｒ（ｎｂｄ）２］ＢＦ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）２］ＯＴｆ、［Ｉｒ（ｎｂｄ）２］ＢＡｒ４（Ａｒ＝３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）、Ｉｒ（ピリジン）２（ｎｂｄ）、［Ｒｕ（ＤＭＳＯ）４Ｃｌ２］、［Ｒｕ（ＣＨ３ＣＮ）４Ｃｌ２］、［Ｒｕ（ＰｈＣＮ）４Ｃｌ２］、［Ｒｕ（ｃｏｄ）Ｃｌ２］ｎ、［Ｒｕ（ｃｏｄ）４（メタリル）２］、［Ｒｕ（アセチルアセトネート）３］。
【００５９】
使用される遷移金属化合物の量は、使用される式（Ｉ）の化合物に対して例えば２５〜２００モル％、好ましくは５０〜１５０モル％、極めて殊に好ましくは７５〜１２５モル％、更に好ましくは１００〜１２５モル％であってよい。
【００６０】
本発明による遷移金属錯体を含む触媒は、立体異性的に富化された、好ましくは鏡像異性的に富化された化合物の製造法における使用に殊に適当である。
【００６１】
触媒を、不斉１，４−付加、不斉ヒドロホルミル化、不斉アリル置換、不斉ヒドロシアン化、不斉ヘック反応、不斉ヒドロホウ素化及び不斉水素化、更に好ましくは不斉水素化、不斉１，４−付加、不斉ヒドロホウ素化及び不斉アリル置換のために使用することは好ましい。
【００６２】
好ましい不斉水素化は、例えばプロキラルＣ＝Ｃ結合、例えばプロキラルエナミン、エナミド、オレフィン、エノールエーテルの水素化、Ｃ＝Ｏ結合、例えばプロキラルケトンの水素化、及びＣ＝Ｎ結合、例えばプロキラルイミンの水素化である。殊に好ましい不斉水素化は、プロキラルＣ＝Ｃ結合、例えばプロキラルエナミン及びエナミド、オレフィンの水素化である。
【００６３】
従って本発明は、使用される触媒が式（Ｉ）に定義された意味を有する式（Ｉ）の化合物の遷移金属錯体を含む触媒であることにより特徴付けられる、オレフィン、エナミン、エナミド、イミン又はケトンの接触水素化による、立体異性的に富化された化合物、好ましくは鏡像異性的に富化された化合物の製造法をも含む。
【００６４】
使用される遷移金属化合物又は使用される遷移金属錯体の量は、使用される基体に対して例えば０．００１〜５モル％、好ましくは０．００１〜０．５モル％、極めて殊に好ましくは０．００１〜０．１モル％、更に好ましくは０．００１〜０．００８モル％であってよい。
【００６５】
好ましい実施態様において、不斉水素化、１，４−付加及びヒドロホウ素化は、例えば遷移金属化合物及び式（Ｉ）の化合物から場合により適当な溶剤中で触媒を生成し、基体を添加し、反応混合物を反応温度で反応物と混合するという方法で行われてよい（水素、ボロン酸、ボラン等）。
【００６６】
不斉触媒反応のための適当な溶剤は、例えば塩素化アルカン、例えば塩化メチル、短鎖Ｃ１〜Ｃ６−アルコール、例えばメタノール、イソプロパノール又はエタノール、芳香族炭化水素、例えばトルエン又はベンゼン、ケトン、例えばアセトン又はカルボン酸エステル、例えばエチルアセテートである。
【００６７】
不斉触媒反応は、有利に−２０〜２００℃、好ましくは０〜１００℃、より好ましくは２０〜７０℃の温度で行われる。
【００６８】
本発明による触媒は、医薬品及び農薬中の、立体異性的に富化された活性成分、好ましくは鏡像異性的に富化された活性成分、又は上記の２つのクラスの中間体の製造法において適当である。
【００６９】
本発明の利点は、式（Ｉ）の化合物を効果的に製造することができ、その電子的及び立体的特性を容易に入手可能な反応物から出発して幅広い程度で変化させることができる点にある。更に、本発明によるリガンド及びその遷移金属錯体は、不斉合成において良好な性能を示す。
【実施例】
【００７０】
一般的注釈：
空気敏感性又は湿潤敏感性の化合物を用いた全ての反応を、アルゴン雰囲気下でシュレンク技術を用いて実施した。溶剤を適当な試薬上で乾燥させ、窒素雰囲気下で蒸留した。場合により、溶剤を予めロータリーエバポレータ上で蒸留した。特に記載がない限り、市販の試薬を更なる精製なしに使用した。本発明の明細書中に記載されたシリカゲルはsilica gel 60(Merck 0.04-0.063 mm, 230-400メッシュ)であり、アルミナは酸化アルミニウム（Fluka、ブロックマン(Brockmann)グレードＩＩＩを達成するために水で処理したもの）であり、セライトはkieselguhr（Merck）である。油ポンプ真空は約０．２ミリバールに相当する。反応温度は内部温度に関するものである。
【００７１】
酸化ホスフィンから相応するホスフィン−ボラン錯体への変換のための一般的方法１
アルゴン雰囲気下で、無水トルエン２０ｍｌ、ポリメチルヒドロシロキサン（Aldrich）２ｍｌ及びチタンイソプロポキシド（Acros）１．５ｍｌを乾燥させたシュレンクフラスコ中に導入した。反応混合物の試料をＮＭＲ管に移し、反応をモニタリングした。３１ＰＮＭＲにおいて完全な還元が観察されるまで（酸化物３０〜４０ｐｐｍ、ホスフィン−２０〜０ｐｐｍ）、還元混合物及び管を１０５℃で２〜４時間加熱した。反応混合物を冷却し、ボラン−ジメチルスルフィド錯体（Aldrich）１ｍｌを添加する。数分後、反応混合物を、メタノール５ｍｌを含む２５０ｍｌエルレンマイヤーフラスコに導入する（水素発生）。ガス発生が減少した後、溶液を、４８％ＨＦ２０ｍｌ及び水２０ｍｌを含むNalgene（Ｒ）ボトルに導入し、室温で１２時間撹拌する。（これによりＰＭＨＳの過剰を排除する。さもなければこの過剰を排除することは困難である。）有機相を除去し、水相をトルエン１５ｍｌで抽出する。合液した有機相を飽和炭酸水素ナトリウム溶液及びブラインで洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、溶剤を減圧下で除去する。残留物を少量のジエチルエーテル中に溶解させ、３ｃｍシリカゲル層で濾過し、残留物をジエチルエーテルで洗浄し、溶剤を除去し、残留物を減圧下で乾燥させ、ホスフィン−ボラン錯体を、徐々に固化する粘性の油状物として取得する。典型的な収率範囲は９５〜９９％である。
【００７２】
ホスフィン−ボランアルコールを相応するメシレートに変換し、かつジフェニルホスフィンを用いて求核置換するための一般的方法２
アルゴン雰囲気下で、１００ｍｌ乾燥シュレンク器具に、ホスフィン−ボランアルコール５ｍＭ及び無水ジクロロメタン４０ｍｌを導入した。混合物を−３０℃に冷却し、無水トリエチルアミン２．４ｍｌを添加した。
【００７３】
その後、塩化メタンスルホニル１．２ｍｌをこの温度で強力に撹拌しながら少量ずつ添加した。反応混合物を−３０℃で２時間放置し、この温度で撹拌しながら無水ジエチルエーテル２００ｍｌ中に導入した。５分後、白色の沈殿物を３ｃｍシリカゲル層で濾別した。フィルターケーキをジエチルエーテル１００ｍｌで洗浄し、溶剤を減圧下で除去して残留物を１０ｍｌとした。残りの溶剤を高真空下で除去し、熱応力を妨げた。残りの残留物を高真空下で５時間おき、ＭｓＣｌの痕跡を除去した。そのようにして得られたメシレートを更に精製することなく次の工程において使用した。
【００７４】
１００ｍｌシュレンク器具中に、アルゴン雰囲気下で、無水ＴＨＦ２５ｍｌ中のｔ−ＢｕＯＫ２．００ｇ及びジフェニルホスフィン(Strem)２．３２ｇ（３当量）を添加した。オレンジ色の溶液を−２０℃に冷却し、上記のメシレートをＴＨＦ１０ｍｌ中にゆっくりと導入した。反応混合物を室温へと温度を上昇させ、その後５０℃で１８時間加熱した。室温に冷却した後、ボラン−ジメチルスルフィド錯体（Aldrich）２．５ｍｌを添加した。反応容器の内容物を、メタノール１０ｍｌを含む２５０ｍｌエルレンマイヤーフラスコに注意深く導入した。ガス発生が減少した後、飽和ＮＨ４Ｃｌ溶液５０ｍｌを添加し、有機相を除去し、水相をジクロロメタン各２０ｍｌで２回抽出した。合液した有機相を飽和塩化ナトリウム溶液で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、溶剤を減圧下で除去した。残留物をジクロロメタン−ペンタン（１：１）５ｍｌ中に溶解させ、２５ｍｍ（直径）フィルター上の５ｃｍアルミナ層で濾過した。溶剤の大部分を減圧下で除去し、残留物をジエチルエーテル１５ｍｌで希釈し、０℃で１２時間放置した。形成された固形物を濾別し、減圧下で乾燥させた。
【００７５】
Ｎ，Ｎ’−ビス（３−アミノプロピル）ピペラジンを用いたホスフィン−ボランの脱保護のための一般的方法３
ホスフィン−ボラン（１ｍＭ）をアルゴン雰囲気下で１０ｍｌシュレンク容器中に導入し、無水トルエン２ｍｌ中に溶解させた。Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−アミノプロピル）ピペラジン（Lancaster）１ｍｌをこの溶液に添加した。反応混合物を１０５℃で２時間加熱し、室温に冷却し、ジエチルエーテル１０ｍｌで希釈した。アルゴン雰囲気下で、混合物をジエチルエーテルで湿潤させたシリカゲルで濾過し、（極めて厳密に酸素を排除した）フラスコに導入した。シリカゲルを再度ジエチルエーテル各３０ｍｌで２回洗浄した。溶剤を減圧下で除去した。生成されたホスフィンを白色のフォーム又は固化する高粘性の油状物として取得する。生成物をアルゴン雰囲気下で貯蔵した。
【００７６】
ラネーニッケル上でのホスフィンオキシドの水素化のための一般的方法４
ラネーニッケル（５０％水湿潤、Acros）６．０ｇをメタノール２０ｍｌ単位で３回混合し、かつデカンテーションすることにより洗浄し、メタノール３０ｍｌと混合し、２００ｍｌＶ４Ａオートクレーブ中に移した。ジフェニルホスフィンオキシド８ｍＭを添加し、５０バールとなるまでオートクレーブに水素を充填した。水素化を５０℃で４８時間の期間に亘って実施し、オートクレーブを減圧し、混合物をセライト層で濾過した。残留物をメタノールで洗浄した。濾液の溶剤を減圧下で除去し、生成物がほぼ定量的な収率で無色のフォームとして得られた。
【００７７】
実施例１
（（２Ｓ，３Ｓ）−３−ジフェニルホスフィニル−２−［（ジフェニルホスフィニル）メチル］−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプタンの製造
【００７８】
【化８】
2005325114.tif 000009
【００７９】
１ａ）  （２Ｓ，３Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノイルメチル）−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプタン−３−オール（３）
トランス−ピノカルベオールをOrganic Syntheses, Coll. Vol. VI, p.947に記載された通りに取得した。
【００８０】
４−ジメチルアミノピリジン（Acros）１０．２ｇ（８４ミリモル）を２５０ｍｌシュレンクフラスコ中に導入し、アルゴン雰囲気下に無水トルエン１００ｍｌ中に溶解させた。トランス−ピノカルベオール（１２．７ｇ、８４ミリモル）を添加し、反応混合物を−３０℃に冷却し、ジフェニルクロロホスフィン（Strem、９８％、使用前に減圧下で蒸留したもの）１５．２ｍｌ（８４ミリモル）をこの温度で５分間に亘って少量づつ添加した。反応混合物を室温へと温度を上昇させ、その後８０℃で６時間加熱した。３１ＰＮＭＲにより、完全な転位が認められた（ジフェニルホスフィナイト１２６ｐｐｍ、ジフェニルホスフィンオキシド２９ｐｐｍ）。反応混合物をセライト層で高温濾過し、フィルターケーキをトルエンで洗浄した。濾液を約７０ｍｌに濃縮し、その後ボランジメチルスルフィド錯体（Aldrih）２ｍｌ（１２０ミリモル）を慎重に添加した。反応混合物を５０℃で６時間加熱し、冷却し、内容物を、メタノール７０ｍｌを含む１ｌエルレンマイヤーフラスコ中に慎重に導入した。４時間後、溶液を減圧下で濃縮し、残留物をジクロロメタン８０ｍｌ中に取り出した。
【００８１】
メタ−クロロ過安息香酸（７０〜７５％、Acros）２５ｇをジクロロメタン２００ｍｌ中に溶解させ、溶液を硫酸マグネシウム上で乾燥させ、滴下漏斗及び温度計を備えた５００ｍｌ２ッ口フラスコ中に導入した。フラスコをアセトンとドライアイスとの低温混合物中に懸濁させ、ヒドロホウ素化されたホスフィンオキシドの溶液を、温度が１５℃を上回らないように少量ずつ添加した。添加が終了した際に反応混合物を更に１時間撹拌し、その後濾過した。濾液をＨ２Ｏ２００ｍｌ中のＮａ２Ｓ２Ｏ５８０ｇの溶液と１０分間撹拌し、相を分離し、有機相を２Ｍ  ＮａＯＨ及びブライン各１００ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、溶剤を減圧下で除去した。ロウ状の残留物をジエチルエーテル２００ｍｌ中で２４時間撹拌し、形成された沈殿物を濾別し、ジエチルエーテルで洗浄し、減圧下で乾燥させた。
収量：１８．４ｇ（６２％）
【００８２】
【化９】
2005325114.tif 000010
【００８３】
１ｂ）  （２Ｓ，３Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィニルメチル）−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプタン−３−オール−ボラン錯体（４）
一般的方法２．１により、化合物３を相応するホスフィン−ボラン４に変換した。貯蔵中に結晶化する無色のロウ状の物質、収率：９６％。
【００８４】
【化１０】
2005325114.tif 000011
【００８５】
１ｃ）  （２Ｓ，３Ｓ）−３−ジフェニルホスフィニル−２−［（ジフェニルホスフィニル）メチル］−６，６−ジメチル−ビシクロ［３．１．１］ヘプタン  ビス−ボラン錯体（６）
一般的方法２．２により、化合物４を相応するホスフィン−ボラン６に変換した。溶剤の除去後に得られた残留物を迅速にジエチルエーテル２５ｍｌ中に溶解させた。数分後、生成物の結晶化が開始された。１２時間後、結晶を濾別し、少量のジエチルエーテルで洗浄し、減圧下で乾燥させた。無色の結晶、収率：５５％。
【００８６】
【化１１】
2005325114.tif 000012
【００８７】
１ｄ）  （２Ｓ，３Ｓ）−３−ジフェニルホスフィニル−２−［（ジフェニルホスフィニル）メチル］−６，６−ジメチル−ビシクロ［３．１．１］ヘプタン（７）
一般的方法２．３により、化合物６を相応するホスフィン７に変換した。収率：９５％、貯蔵中にゆっくりと結晶化する、無色の極めて粘性の油状物。
【００８８】
【化１２】
2005325114.tif 000013
【００８９】
【化１３】
2005325114.tif 000014
【００９０】
実施例２
（２Ｒ，３Ｒ）−２−ジフェニルホスフィニル−３−［（ジフェニルホスフィニル）メチル］ビシクロ［３．１．１］ヘプタンの合成
【００９１】
【化１４】
2005325114.tif 000015
【００９２】
１ａ）  （Ｒ）−３−（ジフェニルホスフィノイル）−６，６−ジメチル−２−メチレンビシクロ［３．１．１］ヘプタン（９）
アルゴン雰囲気下で、トルエン１２０ｍｌ中の４−ジメチルアミノピリジン（Acros）７．６０ｇ（６２ミリモル）を２５０ｍｌシュレンクフラスコ中に導入した。（−）−ミルテノール（Dragoco、＞９９％ｅｅ）９．５０ｇ（６２ミリモル）を添加し、溶液を−３０℃に冷却した。この温度でジフェニルクロロホスフィン（Strem、９８％、使用前に真空中で蒸留したもの）１１．２ｍｌ（６２ミリモル）５分間に亘り少量ずつ添加した。反応混合物を室温へと温度を上昇させ、その後１００℃で４８時間加熱した。懸濁液をセライト層で高温濾過し、沈殿物を高温のトルエン５０ｍｌで洗浄した。濾液の溶剤を減圧下で除去し、残留物を濾別し、ジエチルエーテルで洗浄した。白色の粉末２０．８ｇ（９０％）が得られた。
【００９３】
【化１５】
2005325114.tif 000016
【００９４】
【化１６】
2005325114.tif 000017
【００９５】
２ｂ）  （２Ｒ，３Ｒ）［３−（ジフェニルホスフィノイル）−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプト−２−イル］−メタノール（１０）
ホスフィンオキシド（９）８．０ｇ（２０ミリモル）をアルゴン雰囲気下に９−ＢＢＮ（Aldrich）の０．５ＭＴＨＦ溶液５０ｍｌ中に溶解させ、反応混合物を密閉反応容器中で７０℃で１２時間加熱した。
【００９６】
ＭｇＳＯ４上で乾燥させたジクロロメタン２５０ｍｌ中のメタ−クロロ過安息香酸（７０〜７５％、Acros）２５ｇの溶液を５００ｍｌ三ッ口フラスコ中に導入した。フラスコをアセトン−ドライアイス浴中で１５℃に冷却し、ヒドロホウ素化ホスフィンオキシドの溶液を、温度が２０℃を上回らないように添加した。添加が終了した際に反応混合物を１時間撹拌し、その後濾過した。濾液をＨ２Ｏ２００ｍｌ中のＮａ２Ｓ２Ｏ５８０ｇの溶液と１０分間撹拌し、相を分離し、有機相を２ＭＮａＯＨ及びブライン各１００ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、溶剤を真空中で除去した。ロウ状の残留物をジエチルエーテル１００ｍｌと２４時間撹拌することにより抽出し、形成された沈殿物を濾別し、ジエチルエーテルで洗浄し、減圧下で濃縮した。収量：５．６５ｇ（６７％）、白色の粉末。
【００９７】
【化１７】
2005325114.tif 000018
【００９８】
【化１８】
2005325114.tif 000019
【００９９】
２ｃ）  （２Ｒ，３Ｒ）−［３−（ジフェニルホスフィニル）−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプト−２−イル］−メタノール−ボラン錯体（１２）
一般的方法２．１により、化合物１０を相応するホスフィン−ボラン錯体１２に変換した。収率９５％、無色の極めて粘性の油状物。
【０１００】
【化１９】
2005325114.tif 000020
【０１０１】
２ｄ）  （２Ｒ，３Ｒ）−２−ジフェニルホスフィニル−［（ジフェニルホスフィニル）メチル］−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプタン  ビス−ボラン錯体（１４）
一般的方法２．２により、化合物１２を相応するホスフィン−ボラン錯体１４に変換した。溶剤をロータリーエバポレータ上で除去した後、残留物を迅速にジエチルエーテル２５ｍｌ中に溶解させた。数分後、生成物の結晶化が開始された。１２時間後、結晶を濾別し、少量のジエチルエーテルで洗浄し、減圧下で乾燥させた。収率４８％、無色の結晶：
【０１０２】
【化２０】
2005325114.tif 000021
【０１０３】
２ｅ）  （２Ｒ，３Ｒ）−３−ジフェニルホスフィニル−２−［（ジフェニルホスフィニル）メチル］−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプタン（１５）
一般的方法２．３により、化合物１４を相応するホスフィン１５に変換した。加熱時間：２時間。収率９６％、貯蔵の間にゆっくりと固化する無色の極めて粘性の塊状物。
【０１０４】
【化２１】
2005325114.tif 000022
【０１０５】
実施例３
（２Ｓ，３Ｓ）−２−［（ジシクロヘキシルホスフィニル）メチル］−３−ジフェニルホスフィニル−６，６−ジメチル−ビシクロ［３．１．１］ヘプタン
【０１０６】
【化２２】
2005325114.tif 000023
【０１０７】
３ａ）  （２Ｓ，３Ｒ）−［３−（ジシクロヘキシルホスフィノイル）−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプト−２−イル］−メタノール（１７）
一般的方法２．４により、化合物３を付加物１７に変換した。収率：９７％。無色の固形物。
【０１０８】
【化２３】
2005325114.tif 000024
【０１０９】
３ｂ）  （２Ｒ，３Ｒ）［３−（ジシクロヘキシルホスフィニル）−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプト−２−イル］−メタノール−ボラン錯体（１８）
一般的方法２．１により、化合物１７を相応するホスフィン−ボラン錯体１８に変換した。収率：９３％。無色の固形物。
【０１１０】
【化２４】
2005325114.tif 000025
【０１１１】
【化２５】
2005325114.tif 000026
【０１１２】
３ｃ）  （２Ｒ，３Ｒ）−３−ジシクロヘキシルホスフィニル−２−［（ジフェニルホスフィニル）メチル］−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプタン−ビスボラン錯体（２０）
一般的方法２．２により、化合物１８を相応するホスフィン−ボラン２０に変換した。溶剤を除去した後に得られた残留物を迅速にジエチルエーテル２５ｍｌ中に溶解させた。数分後、生成物の結晶化が開始された。１２時間後、結晶を濾別し、少量のジエチルエーテルで洗浄し、減圧下で乾燥させた。収率４４％、無色の結晶。
【０１１３】
【化２６】
2005325114.tif 000027
【０１１４】
３ｄ）  （２Ｒ，３Ｒ）−３−ジフェニルホスフィニル−２−［（ジフェニルホスフィニル）メチル］−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプタン（２１）
一般的方法２．３により、化合物２０を相応するホスフィン２１に変換した。反応時間：１２時間。収率９６％、無色の極めて粘性の油状物。
【０１１５】
【化２７】
2005325114.tif 000028
【０１１６】
実施例４
（２Ｒ，３Ｒ）−３−ジシクロヘキシルホスフィニル−２−［（ジフェニルホスフィニル）メチル］−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプタンの合成
【０１１７】
【化２８】
2005325114.tif 000029
【０１１８】
実施例５
（２Ｒ，３Ｒ）［３−（ジシクロヘキシルホスフィノイル）−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプト−２−イル］メタノール（２２）
一般的方法２．４により、化合物４を付加物２２に変換した。収率９８％、白色フォーム。
【０１１９】
【化２９】
2005325114.tif 000030
【０１２０】
６．２  （２Ｒ，３Ｒ）［３−（ジシクロヘキシル）−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプト−２−イル］メタノール−ボラン錯体（１２）
一般的方法２．１により、化合物２２を相応するホスフィン−ボラン錯体２３に変換した。収率９４％、無色の極めて粘性の油状物。
【０１２１】
【化３０】
2005325114.tif 000031
【０１２２】
５ｃ）  （２Ｒ，３Ｒ）−３−ジシクロヘキシル−２−［（ジフェニルホスフィニル）メチル］−６，６−ジメチル−ビシクロ［３．１．１］ヘプタン−ビスボラン錯体（２５）
一般的方法２．２により、化合物２３を相応するビスホスフィン−ボラン２５に変換した。溶剤の除去後に得られた残留物をジクロロメタン１０ｍｌ中に溶解させた。メタノール５０ｍｌを添加し、ロータリーエバポレータ上で溶液を濃縮して体積を半分にした。懸濁液を０℃で冷却装置中で貯蔵した。１２時間後、形成された結晶を濾別し、少量のジエチルエーテルで洗浄し、減圧下で乾燥させた。収率４８％、無色の結晶。
【０１２３】
【化３１】
2005325114.tif 000032
【０１２４】
５ｄ）  （２Ｒ，３Ｒ）−３−ジフェニルホスフィニル−２−［（ジフェニルホスフィニル）メチル］−６，６−ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプタン（２６）
一般的方法２．３により、化合物２５を相応するホスフィン２６に変換した。反応時間：１２時間。収率９５％、無色の極めて粘性の生成物。
【０１２５】
【化３２】
2005325114.tif 000033
【０１２６】
以下の実施例のために、式（Ｉ）のリガンドを使用し、これを以下のように略記する：
【０１２７】
【化３３】
2005325114.tif 000034
【０１２８】
実施例６〜９
ロジウム触媒を用いた（Ｚ）−α−アセトアミド桂皮酸メチルの不斉水素化
【０１２９】
【表１】
2005325114.tif 000035
【０１３０】
【表２】
2005325114.tif 000036
【０１３１】
実施例１０〜１３
ロジウム触媒を用いたα−アセトアミドアクリル酸メチルの不斉水素化
【０１３２】
【表３】
2005325114.tif 000037
【０１３３】
実施例１４及び１５
ロジウム触媒を用いたイタコン酸ジメチルの不斉水素化
【０１３４】
【表４】
2005325114.tif 000038
【０１３５】
実施例１６
ロジウム触媒を用いたアセトフェノン−フェニルカルボニル−ヒドロラゾンの不斉水素化
【０１３６】
【表５】
2005325114.tif 000039
【０１３７】
実施例１７
ルテニウム触媒を用いた３−フェニル−３−オキソプロパン酸エチルの不斉水素化
【０１３８】
【表６】
2005325114.tif 000040
【０１３９】
実施例１８
パラジウム触媒を用いた１，３−ジフェニルアリルアセテートとマロン酸メチルとの不斉アリル置換
【０１４０】
【表７】
2005325114.tif 000041
【外国語明細書】
2005325114.tif 000049
2005325114.tif 000050
2005325114.tif 000051
2005325114.tif 000052
2005325114.tif 000053
2005325114.tif 000054
2005325114.tif 000055
2005325114.tif 000056
2005325114.tif 000057
2005325114.tif 000058
2005325114.tif 000059
2005325114.tif 000060
2005325114.tif 000061
2005325114.tif 000062
2005325114.tif 000063
2005325114.tif 000064
2005325114.tif 000065
2005325114.tif 000066
2005325114.tif 000067
2005325114.tif 000068
2005325114.tif 000069
2005325114.tif 000070
2005325114.tif 000071
2005325114.tif 000072
2005325114.tif 000073
2005325114.tif 000074
2005325114.tif 000075
2005325114.tif 000076
2005325114.tif 000077
2005325114.tif 000078
2005325114.tif 000079
2005325114.tif 000080
2005325114.tif 000081
2005325114.tif 000082
2005325114.tif 000083
2005325114.tif 000084
2005325114.tif 000085
2005325114.tif 000086
2005325114.tif 000087
2005325114.tif 000088
2005325114.tif 000089
2005325114.tif 000090
2005325114.tif 000091
2005325114.tif 000092
2005325114.tif 000093
2005325114.tif 000094
2005325114.tif 000095
2005325114.tif 000096
2005325114.tif 000097