(57)【要約】      （修正有）【課題】  ウエハへ噴流を噴射する際に、噴流がウエハの中央部に集中的に圧力を加えることのない半導体製造装置を提供する。【解決手段】  表面に溝２８が設けられたウェハキャリア１２を用意し、ウェハキャリア１２のその表面上にウェハを置く。リフトオフ装置を用いてウェハにＣＯ2ジェットを噴射すると、ウェハの表面に付着した異物を除去することができる。ウェハの裏面側に入り込んだＣＯ2ジェットは、ウェハキャリア１２の溝２８および排出孔を通じて円滑に排出される。これにより、ウェハの変形や割れを防止できる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハキャリアの表面にウェハを配置し、前記ウェハに向けて噴流を噴射する工程を備える半導体装置の製造方法であって、
前記ウェハキャリアは、前記表面に設けられた溝および前記溝に連通し前記ウェハキャリアを貫通する排出孔を有し、
前記ウェハは前記溝を覆うように配置される
半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＯ2リフトオフ装置を用いて半導体ウェハ上に付着した異物を除去する技術が知られている（例えば、特許文献１および２参照）。ＣＯ2リフトオフ装置は、特殊なノズルからドライアイスの粒を高圧で噴出し、その勢いでウェハ表面のクリーニングやリフトオフを行う。
【特許文献１】特開２０００−０５８５４６号公報
【特許文献２】特開２００１−１２６２４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
この発明は、半導体装置の製造においてウェハへ噴流を噴射する工程の改良を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
この発明は、半導体装置の製造方法である。この方法は、ウェハキャリアの表面上にウェハを配置し、そのウェハに向けて噴流を噴射する工程を備えている。ウェハキャリアは、その表面に設けられた溝と、その溝に連通しウェハキャリアを貫通する排出孔とを有している。ウェハはこの溝を覆うように配置される。
【０００５】
噴流はリフトオフ装置を用いて噴射することができる。リフトオフ装置は噴流としてＣＯ2を噴射してもよい。
【発明の効果】
【０００６】
ウェハキャリアに設けられた溝および排出口は一つの流路を形成する。ウェハの裏面側に入り込んだ噴流は、この流路を通って円滑に排出される。このため、噴流がウェハの中央部に集中的に圧力を加えることがない。これにより、ウェハの変形や割れを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【０００８】
図１は、本実施形態におけるウェハ表面のクリーニング工程を説明するための平面図である。複数のウェハ１０は、円板状のウェハキャリア１２上に配置されている。ウェハキャリア１２の直径は約４０ｃｍ、厚さは約１５ｍｍである。各ウェハ１０は３個のウェハ押さえ１４によって固定されている。ウェハ押さえ１４は、厚さ約０．５ｍｍの金属板である。後述するように、ウェハ１０の上方からリフトオフ装置を用いてＣＯ2ジェットを噴射することにより、ウェハ１０の表面に付着した異物が除去される。
【０００９】
図２はウェハキャリア１２の構造を示す平面図であり、図３は図２のIII−III線断面図である。ウェハキャリア１２の表面のうちウェハ１０が配置される部位には座ぐり１６が設けられている。ウェハ１０は座ぐり１６に埋め込まれ、ウェハ押さえ１４によって固定される。ウェハ押さえ１４はネジ１８を用いてウェハキャリア１２に締結されている。
【００１０】
図２に示されるように、座ぐり１６内においてウェハキャリア１２の表面には、複数の溝２２、２４、２６および２８が設けられている。各溝は矩形の断面形状を有しており、その深さは約５ｍｍ、その幅は約３ｍｍである。溝２２および２４は、同心円状に延びている。溝２６および２８は、溝２４の内側で互いに直交する方向に沿って直線的に延びており、溝２２および２４と交差する。溝２２および２４の共通の中心には開口３０が設けられている。溝２６と溝２８とは開口３０において交差する。すなわち、溝２２、２４、２６および２８は、すべて開口３０につながっている。開口３０の直径は約７ｍｍである。
【００１１】
図３に示されるように、開口３０は水平方向に延びる横孔３２に連通している。横孔３２は開口３０からウェハキャリア１２の側面１２ａまで延びている。開口３０と横孔３２はＬ字状の排出孔３３を形成する。この排出孔３３は、ウェハキャリア１２を貫通し、溝２２〜２８と連通している。
【００１２】
以下では、ウェハ１０のクリーニングの手順を説明する。図３に示されるように、ウェハキャリア１２はヒータ４０上に配置される。ウェハ１０のクリーニングの際、ヒータ４０はウェハキャリア１２を約８０℃に加熱する。次いで、リフトオフ装置３４のノズル３６からＣＯ2ジェット３８がウェハ１０に向けて噴射される。このＣＯ2ジェット３８は、ドライアイスの粒を６ＭＰａという高圧で噴出することにより得られる。ノズル３６は、図１に示される経路１５に沿ってウェハキャリア１２の表面全体を走査する。これにより、すべてのウェハ１０の表面から異物が除去される。ノズル３６はウェハキャリア１２の表面から約１０ｍｍの距離に配置される。ノズル３６の径は約５ｍｍであり、走査速度は約３０ｍｍ／ｓｅｃである。
【００１３】
本実施形態は、クリーニングの際にウェハ１０の変形や割れを防止できるという利点を有している。以下では、図３〜図５を参照しながらこの利点を説明する。図４は本実施形態との比較例を示す図であり、図５は比較例の問題点を説明するための図である。
【００１４】
図４に示されるように、比較例では、溝２２〜２８および排出孔３３を有さないウェハキャリア５２上に配置されたウェハ１０にＣＯ2ジェット３８を噴射する。ＣＯ2ジェット３８の噴射は本実施形態と同様に行われる。図５において矢印３９で示されるように、ＣＯ2ジェット３８の一部はウェハ１０の裏面側に入り込む。このＣＯ2ジェット３９はウェハ１０の裏面に沿って流れ、ウェハ１０を押し上げようとする。ウェハ１０の縁部はウェハ押さえ１４によって固定されているので、ウェハ１０の中央部に圧力が集中する。このため、ウェハ１０が変形または割れるおそれがある。
【００１５】
これに対し、図３に示されるように本実施形態では、ウェハ１０の裏面側に入り込んだＣＯ2ジェット３８がウェハキャリア１２の溝２２〜２８を通って開口３０に流れ込む。ＣＯ2ジェット３８はウェハキャリア１２内の排出孔３３を流れ、側面１２ａから排出される。これによりウェハ１０の中央部への圧力集中を防ぎ、ウェハ１０の変形および割れを防止することができる。
【００１６】
以上、本発明をその実施形態に基づいて詳細に説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
【００１７】
上記実施形態は、ＣＯ2ジェットの噴射によりウェハのクリーニングを実行する。しかし、ＣＯ2ジェットの噴射によりリフトオフを実行してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施形態におけるウェハ表面のクリーニング工程を示す図である。
【図２】ウェハキャリアの構造を示す平面図である。
【図３】図２のIII−III線断面図である。
【図４】比較例のクリーニング工程を示す図である。
【図５】比較例の問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
【００１９】
１０…ウェハ、１２…ウェハキャリア、１４…ウェハ押さえ、２２、２４、２６および２８…溝、３０…開口、３２…横孔、３３…排出孔、３４…リフトオフ装置、３６…ノズル、３８および３９…ＣＯ2ジェット。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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