(57)【要約】【課題】  被加熱物を載置して加熱処理するヒータ部材及びそれを用いた加熱処理装置において、投入電力を低減して省エネルギー化を図り、熱応力による損壊危険を解消し、発熱回路部の配線設計自由度を高めると共に、均熱性能を高め且つ短絡をなくして信頼性を高める。【解決手段】  少なくともヒータ基板２の被加熱物載置面の全表面にわたって、ヒータ基板２よりも輻射率の低い材料からなる低輻射率被膜１０が形成されている。この低輻射率被膜１０をパターニングして、被加熱物載置面においてヒータ基板２の露出比率を変化させる、具体的には被加熱物載置面の中心部から外周縁部に向かって輻射率が小さくなるように輻射率分布を持たせることができる。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒータ基板上に被加熱物を載置して加熱する被加熱物載置用ヒータ部材であって、少なくともヒータ基板の被加熱物載置面の全表面にわたって、該ヒータ基板よりも輻射率の低い材料からなる低輻射率被膜が形成されていることを特徴とする被加熱物載置用ヒータ部材。
【請求項２】
前記低輻射率被膜が、ヒータ基板及びその支持体のほぼ全表面に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の被加熱物載置用ヒータ部材。
【請求項３】
前記低輻射率被膜がパターニングされ、ヒータ基板の被加熱物載置面において下地であるヒータ基板の露出比率が変化していることを特徴とする、請求項１又は２に記載の被加熱物載置用ヒータ部材。
【請求項４】
前記パターニングされた低輻射率被膜により、ヒータ基板の被加熱物載置面の輻射率分布が中心部から外周縁部に向かって小さくなっていることを特徴とする、請求項３に記載の被加熱物載置用ヒータ部材。
【請求項５】
前記低輻射率被膜の被加熱物加熱温度における輻射率が０.５以下であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の被加熱物載置用ヒータ部材。
【請求項６】
前記低輻射率被膜の被加熱物加熱温度における輻射率が０.２以下であることを特徴とする、請求項５に記載の被加熱物載置用ヒータ部材。
【請求項７】
前記低輻射率被膜が、タングステン、ルテニウム、アルミニウム、銅、銀、金、白金、ニッケル、鉛、スズ、これらの珪素添加物又は炭素添加物、これらの合金から選ばれた少なくとも１種からなることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の被加熱物載置用ヒータ部材。
【請求項８】
前記被加熱物が、半導体ウエハ又は液晶パネル用基板のいずれかであることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の被加熱物載置用ヒータ部材。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の被加熱物載置用ヒータ部材を搭載し、ヒータ基板上に被加熱物を載置した状態で加熱して処理することを特徴とする加熱処理装置。
【請求項１０】
前記被加熱物が半導体ウエハ又は液晶パネル用基板のいずれかであることを特徴とする、請求項９に記載の加熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加熱物を載置して加熱する被加熱物載置用ヒータ部材、及びその被加熱物載置用ヒータ部材を用いた加熱処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、被加熱物を搭載して加熱するヒータ部材として、種々のものが提案されている。例えば、半導体ウエハや液晶パネル用基板などを加熱して処理するため、熱伝導率が高く、均熱性が高い窒化アルミニウムや、安価な酸化アルミニウムなどのセラミックスを基材としたヒータ部材がある。これらのヒータ部材は、いずれも被加熱物を効率的に加熱するために、その形状や構造などが各種検討されている。
【０００３】
従来のセラミックス基材を用いたヒータ部材の一具体例として、図１に示すように、半導体ウエハなどの加熱処理装置に用いるヒータ部材がある。このヒータ部材１は、セラミックスの基材４に発熱配線部３を設けたヒータ基板２と、セラミックスなどからなる筒状の支持体５とで構成され、発熱配線部３に電気的に接続された給電配線６、及びヒータ温度モニタ用の熱電対７などを備えている。ヒータ基板２に設ける発熱配線部３は、例えば略螺旋状に成形したタングステンなどの導電性材料から構成されている。
【０００４】
半導体ウエハなどの加熱処理装置は、このヒータ部材１を筐体８内に搭載し、ヒータ基板２の被加熱物載置面に半導体ウエハなどの被加熱物９を載置して、加熱しながら成膜やエッチングなどの様々な処理を施すようになっている。しかし、近年におけるウエハの大口径化及びウエハに形成される半導体チップの微細化などにより、ヒータ部材１による加熱には高い精度が求められ、ヒータ基板２の被加熱物載置面の温度を更に均一にすることが必要とされている。また、省エネルギー化のため、加熱の効率を高めることも求められている。
【０００５】
そのための対策として、例えば特開平７−３０７２５８号公報には、加熱処理すべきウエハを挟むように円板状の温度補償部材を配置することによって、熱処理中のウエハ面内温度を均一にする方法が提案されている。また、特開２００２−３１３８９０号公報には、ウエハなどの被加熱物を載置する面以外の面の少なくとも一部を鏡面とすることにより、ヒータ部材から外部に輻射される熱量を減少して、被加熱物を効率的に加熱する方法が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平７−３０７２５８号公報
【特許文献２】特開２００２−３１３８９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来のセラミックス基材を用いたヒータ部材の場合、一般的に使用されている窒化アルミニウムや酸化アルミニウムなどのセラミックス材料は概して輻射率が高いために、ヒータ部材で発生した熱エネルギーは被加熱物を加熱する以外に、輻射によって相当量が外部に放散されている。そのため、無駄に消費されるエネルギーが多く、省エネルギー化の妨げとなっていた。
【０００８】
また、ヒータ部材の発熱配線部を設計するに際しては、輻射によって被加熱物以外へ放散されるエネルギー量を考慮する必要があり、それだけ余分に発熱させなければならない。そのため通常は発熱配線部に印加する電圧値を上げることとなるが、その一方で、加熱されて高温になるに伴って発熱配線基材の絶縁性は低下する。従って、印加電圧を上げることは短絡事故を誘起する原因となり、ヒータ部材の信頼性を損なう結果となっていた。
【０００９】
また、ヒータ部材に載置した半導体ウエハや液晶パネル用基板などに、例えばタングステン、ルテニウムなどの低輻射率材料を成膜する処理を行った場合、被加熱物が載置されなかった部分のヒータ部材表面には上記低輻射率材料が堆積する一方、被加熱物が載置された部分のヒータ部材表面は無垢のセラミックス材料のままである。従って、成膜後のヒータ部材表面には、セラミックスからなる高輻射率表面（輻射率０.８前後）と、低輻射率材料が堆積した低輻射率表面（輻射率０.１前後）とが存在することとなり、輻射率の極端且つ局所的なバラツキが生じる。その結果、放熱性の高い高輻射率部分の温度に対して放熱性の低い低輻射率部分の温度は高くなり、この温度差がヒータ部材内部に熱膨張差に起因する応力を発生させ、ヒータ部材の損壊事故が発生する危険があった。
【００１０】
更に、ヒータ部材の被加熱物載置面を全面均一な発熱密度で設計した場合、その中央部に較べて外周部の温度が通常低くなる。そのため、被加熱物載置面全面の温度を均一にするためには、外周部の発熱密度を中央部よりも高めにすることが行われている。例えば、発熱配線部を略螺旋状に配線したヒータでは、外周部の配線幅を細めにしたり、配線間隔を狭めたりしている。しかし、配線幅を細くすることは発熱体としての寿命の低下につながり、また配線間隔を狭めることは絶縁性の低下、ひいては短絡の発生につながるため、ヒータ部材の信頼性の点で好ましくない。
【００１１】
また、ヒータ部材には、発熱配線の電極端子部、温度モニタ用の熱電対の配置部、半導体ウエハや液晶パネル用基板などの被加熱物を持ち上げるための突き上げピンが挿通する開口部、ヒータを保持するための支持材の配置部などを設ける必要がある。これら付属部分は、被加熱物載置面における温度均一化の障害となり、更には発熱配線のパターン設計を一層複雑困難なものとし、ヒータ部材の信頼性及び均熱性を低下させる要因となっていた。
【００１２】
本発明は、このような従来の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、第一に、無駄に放散される熱エネルギーを少なくして、所定温度に加熱する際のヒータ部材への投入電力を低減することができ、従来に比べて効率的に被加熱物を加熱することができる被加熱物載置用ヒータ部材、及びこの被加熱物載置用ヒータ部材を用いた加熱処理装置を提供することにある。
【００１３】
また、本発明の目的は、第二に、無駄に放散される熱エネルギーを少なくすることで、ヒータ部材への印加電圧を軽減でき、短絡事故等が発生し難く、これまで以上に信頼性の高い被加熱物載置用ヒータ部材、及びこの被加熱物載置用ヒータ部材を用いた加熱処理装置を提供することである。また第三に、ヒータ部材の熱応力による損壊を抑制することができ、これまで以上に信頼性の高い被加熱物載置用ヒータ部材、及びこの被加熱物載置用ヒータ部材を用いた加熱処理装置を提供することである。
【００１４】
更に、本発明の目的は、第四に、発熱配線部を含めてヒータ部材の設計自由度を広げることができ、その結果これまで以上に信頼性が高く且つ高い均熱性（温度の均一性）を実現した被加熱物載置用ヒータ部材、及びこの被加熱物載置用ヒータ部材を用いた加熱処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明が提供する被加熱物載置用ヒータ部材は、ヒータ基板上に被加熱物を載置して加熱する被加熱物載置用ヒータ部材であって、少なくともヒータ基板の被加熱物載置の全表面にわたって、該ヒータ基板よりも輻射率の低い材料からなる低輻射率被膜が形成されていることを特徴とする。この被加熱物載置用ヒータ部材においては、前記低輻射率被膜がヒータ基板及びその支持体のほぼ全表面に形成されていることが好ましい。
【００１６】
また、上記本発明の被加熱物載置用ヒータ部材において、前記低輻射率被膜をパターニングして、ヒータ基板の被加熱物載置面において下地であるヒータ基板の露出比率を変化させることができる。この被加熱物載置用ヒータ部材では、前記パターニングされた低輻射率被膜により、ヒータ基板の被加熱物載置面の中心部から外周縁部に向かって輻射率が小さくなるように輻射率分布を持たせることができる。
【００１７】
また、上記本発明の被加熱物載置用ヒータ部材においては、前記低輻射率被膜の被加熱物加熱温度における輻射率が０.５以下であることが好ましく、０.２以下であることが更に好ましい。更に、上記本発明の被加熱物載置用ヒータ部材においては、前記低輻射率被膜が、タングステン、ルテニウム、アルミニウム、銅、銀、金、白金、ニッケル、鉛、スズ、これらの珪素添加物又は炭素添加物、これらの合金から選ばれた少なくとも１種からなることが好ましい。
【００１８】
本発明は、また、上記第一ないし第四の目的を達成するため、上記した本発明のいずれかの被加熱物載置用ヒータ部材を搭載し、ヒータ基板上に被加熱物を載置した状態で加熱して処理することを特徴とする加熱処理装置を提供するものである。この加熱処理装置においては、前記被加熱物が半導体ウエハ又は液晶用基板のいずれかである加熱処理装置が特に好ましいものである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、被加熱物載置用ヒータ部材について、被加熱物以外への熱の放散を抑制し、輻射率の局所的なバラツキをなくすことができる。そのため、所定温度に加熱する際のヒータ部材に投入する電力を低減することができ、効率的に被加熱物を加熱することができる。また、被加熱物載置面の温度を一層均一にできると共に、ヒータ部材の熱応力による損壊を抑制することができる。更に、ヒータ部材の設計自由度を広げることができ、発熱配線部における配線幅を細くしたり配線間隔を狭くしたりすることなく被加熱物載置面の高い温度均一性が得られ、同時に高い絶縁耐性と長寿命を達成することができる。
【００２０】
また、本発明によれば、上記した本発明の被加熱物載置用ヒータ部材を用いることによって、被加熱物を均一に且つ効率的に加熱することができ、消費エネルギーが少なく、信頼性の高い加熱処理装置を提供することができる。従って、本発明の加熱処理装置は、半導体ウエハや液晶パネル用基板について、加熱しながら成膜やエッチングなどの各種の処理を行うための装置として好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の被加熱物載置用ヒータ部材を、その一具体例を示した図２により説明する。この被加熱物載置用ヒータ部材１の基本的構成は、図１に示す従来のものと同様であり、セラミックスの基材４に発熱配線部３を設けたヒータ基板２と、セラミックスなどからなる筒状の支持体５とで構成され、その発熱配線部３に電気的に接続された給電配線６、及びヒータ温度をモニタするための熱電対７などを備えている。そして、本発明の被加熱物載置用ヒータ部材は、少なくとも被加熱物９を載置すべきヒータ基板２の少なくとも被加熱物搭載面の全表面にわたって低輻射率被膜１０が形成されている。
【００２２】
低輻射率被膜１０は、図２に示すように、ヒータ基板２と支持体５の全表面に形成することが好ましい。また、低輻射率被膜１０は、少なくともヒータ基板２に形成するが、その場合少なくともヒータ基板２の被加熱物載置面の全表面に形成する必要があり、ヒータ基板２の全表面に形成しても良い。例えば、筒状の支持体５が断熱性を有する材料で主に形成されている場合や、支持体５が筒状ではなく、１本ないし複数本の細い棒状である場合などには、ヒータ基板２と支持体５との間の熱的な相互作用が小さいため、支持体５への低輻射率被膜の形成を省略することが可能である。また、ヒータ基板２の被加熱物載置面や側面に低輻射率被膜１０が形成されていれば、その裏面に低輻射率被膜が全く形成されていくても、従来に比べて熱の無駄な放散を抑える効果を得ることが可能である。
【００２３】
本発明に係わる低輻射率被膜は、ヒータ基板を構成する基材よりも輻射率の低い材料からなることが必要である。一般的には、ヒータ基板を構成する基材は窒化アルミニウムや酸化アルミニウムなどのセラミックスであるから、これらのセラミックスよりも輻射率の低い材料を用いる。低輻射率被膜の具体的な輻射率としては、被加熱物加熱温度において、０.５以下であることが好ましく、０.２以下であることが更に好ましい。
【００２４】
低輻射率被膜を構成する望ましい材料としては、タングステン、ルテニウム、アルミニウム、銅、銀、金、白金、ニッケル、鉛、スズなどがある。また、これらの金属に珪素あるいは炭素が添加されていても良いし、これらの金属の合金であっても良い。上記した各金属の輻射率を、下表１に示す。
【００２５】
【表１】
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【００２６】
低輻射率被膜は、周知の気相法、例えば、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法や、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＭＯ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ）ＣＶＤなどのＣＶＤ法により、容易に形成することができる。また、低輻射率の材料を予め箔状に成形し、この低輻射率材料箔を周知の接合技術により貼り合せることによっても、低輻射率被膜を形成することが可能である。形成する低輻射率被膜の厚さについては、薄い膜であっても表面の輻射率は厚い膜の場合と同等であるから、特に限定されるものではない。しかし、低輻射率被膜が余り薄い場合には、連続した被膜が形成されず、下地の一部が露出するので好ましくないため、低輻射率被膜の厚さは５ｎｍ以上とすることが望ましい。
【００２７】
尚、ヒータ部材を半導体ウエハ等の加熱処理に用いるサセプターとして利用する場合には、ＰＶＤ装置やＣＶＤ装置にヒータ部材を搭載した後、サセプターとして実際に使用を開始するのに先立って、その成膜装置を用いて予め低輻射率被膜を形成することが可能である。この場合、ヒータ部材の形状が例えば図２に示すような形状であると、筒状の支持体５の内表面や外表面及びヒータ基板２の裏面（被加熱物載置面に対して裏側となる面）には、低輻射率被膜１０が形成されないか又は薄く形成されるに過ぎないことがある。しかし、このような場合でも、ヒータ基板２の被加熱物載置面や側面には必要な低輻射率被膜１０が形成されるため、前記したように本発明の効果が得られることは言うまでもない。
【００２８】
本発明に係わるヒータ部材は、少なくともヒータ基板に低輻射率被膜が形成されているので、給電配線に通電して発熱配線部を加熱したとき、ヒータ部材の表面から輻射される熱量を、低輻射率被膜のない従来のヒータ部材に較べて大幅に減少させることができる。実際に、直径３５ｃｍで厚さ２ｃｍの円板状窒化アルミニウムからなるヒータ基板の全表面に、タングステンの低輻射率被膜を形成した本発明のヒータ部材と、同じ基材からなり且つタングステンの被膜を形成していないヒータ基板を用いた従来のヒータ部材について、ヒータ基板を５７０℃に昇温して且つこの温度を維持させたときの消費電力を測定し、その結果をヒータ基板の表面輻射率と共に下記表２に示した。この表２から分るように、本発明のヒータ部材は、従来のヒータ部材に比べて消費電力を１０００Ｗ近く低減させることができた。
【００２９】
【表２】
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【００３０】
また、本発明に係わるヒータ部材は、例えば、全表面に低輻射率被膜を形成したヒータ基板と、同じく全表面に低輻射率被膜を形成した筒状の支持体とを結合した後、図２に示すように、このヒータ部材１に更に給電配線６やヒータ温度モニタ用の熱電対７などを接続し、このヒータ部材１を装置の筐体８内に搭載することによって、ヒータ部材を搭載した加熱処理装置とすることができる。このとき、タングステンなどの金属を材料とした低輻射率被膜は導電性であるため、給電配線６や熱電対７などの部品には絶縁被覆を施したり又は絶縁管に挿入したりするなど、絶縁処理を施すことが必要である。
【００３１】
このように構成される加熱処理装置では、前述のごとくヒータ部材の表面から輻射される熱量を大幅に減少させることができるため、所定温度に加熱する際に投入する電力を低減することができ、これまで以上に省エネルギー化を図ることができる。また、ヒータ部材へ投入する電力を低減できることによって、ヒータ部材に印加する電圧も低減できるため、高温に加熱されたセラミックスの基材の絶縁性が低下しても短絡事故などが発生し難くなり、従来よりも信頼性の高いヒータ部材及び加熱処理装置を提供することができる。
【００３２】
また、本発明の加熱処理装置を用いて、実工程で例えば半導体ウエハや液晶パネル用基板などの被加熱物にタングステン等の低輻射率材料を成膜する処理を行った場合、当然のことながら、ヒータ基板表面の被加熱物が載置されなかった部分には低輻射率材料が堆積する一方、被加熱物が搭載された部分には低輻射率材料が堆積しない。しかし、本発明に係わるヒータ部材の場合、予めヒータ基板の少なくとも被加熱物載置面に低輻射率被膜が形成されているので、上記実工程での成膜後のヒータ基板の被加熱物が搭載された部分の表面にも既に低輻射率被膜が存在している。従って、実工程での成膜を繰り返しても、輻射率のバラツキはほとんど発生しないため、熱応力に起因するヒータ基板の損壊を回避することができ、ヒータ部材及び加熱処理装置の信頼性を更に向上させることができる。
【００３３】
更に、本発明の被加熱物載置用ヒータ部材においては、低輻射率被膜をパターニングして、少なくともヒータ基板の被加熱物載置面において下地であるヒータ基板の露出比率を変化させることができる。このパターニングされた低輻射率被膜によれば、ヒータ基板の被加熱物載置面の中心部から外周縁部に向かって輻射率が小さくなるように、ヒータ基板の被加熱物載置面に輻射率分布を持たせることができる。
【００３４】
従来行われているように、ヒータ基板の被加熱物載置面を全面均一な発熱密度で設計した場合、被加熱物載置面の中央部に較べて外周部の温度が一般的に低くなる。そのため、全面の温度が均一になるように、例えば発熱配線部の外周部の配線幅を細くしたり又は配線間隔を狭めたりするなど、外周部の発熱配線部の発熱密度を中央部よりも高めにするための複雑な設計操作が必要であった。そのうえ、配線幅を細くすると発熱配線部の寿命低下を招き、配線間隔を狭めた場合には短絡発生の原因となっていた。
【００３５】
しかるに、上記のごとく低輻射率被膜をパターニングすることによって、ヒータ基板の被加熱物載置面の中心部から外周縁部に向かって輻射率が小さくなるように、被加熱物載置面における輻射率分布を設定することができる。その結果、本発明のヒータ部材においては、ヒータ基板の発熱配線部における配線幅を細くしたり又は配線間隔を狭めたりすることなく、被加熱物載置面の温度を均一化させることができ、発熱配線部の寿命低下や短絡の発生を防止して、ヒータ部材のより高い信頼性と均熱性を同時に達成することができる。
【００３６】
例えば、図３（ａ）及び図４（ａ）に、パターニングされた低輻射率被膜の具体例を図示する。これらの図において、斜線部が円板状のヒータ基板表面にパターニングされた低輻射率被膜を表し、残りの白色部はパターニングされた低輻射率被膜をとおして露出したヒータ基板（下地）の被加熱物載置面である。このようなパターニングを施すことによって、下地である輻射率の高い材料からなるヒータ基板の露出比率がヒータ基板の中心部では多めとなり、且つ外周縁部に向かうに従って少なくなる。これによりヒータ基板の被加熱物載置面に輻射率分布を持たせることが可能となり、図３（ａ）及び図４（ａ）のＡ−Ａ線に沿った輻射率（輻射率の部分平均：みなし輻射率と言う）は、それぞれ図３（ｂ）及び図４（ｂ）に示すように分布する。即ち、具体的なみなし輻射率は、図３（ｂ）では中心部が０.３３及び外周縁が０.１５となり、図４（ｂ）では中心部が０.３８及び周縁が０.０８である。
【００３７】
また、一般的に半導体ウエハや液晶パネル用基板を載置するために作製されるヒータ部材には、発熱配線部の電極端子部や、温度モニタ用の熱電対の配置部、半導体ウエハや液晶基板を持ち上げるための突き上げピン部、ヒータ基板を保持するための支持材の配置部など、温度均一化の障害となる要因が多数付属している。しかし、これらの部位に対しても、上記と同様に低輻射率被膜のパターニングを施して、望ましい輻射率分布を持たせることによって、更なる温度の均一化を図ることが可能であるうえ、発熱配線部の設計自由度が向上し、ひいては信頼性を高めることができる。
【００３８】
例えば、従来のヒータ部材においては、図５（ａ）に示すように、ヒータ基板２の開口部が無い部分では、基材４内に配置された発熱配線部３は同一幅及び等間隔である。一方、図５（ｂ）に示すように、突き上げピン１１が挿通して昇降するための開口部１２がある部分では、従来は発熱配線部３の配線幅を細くしたり配線間隔を狭くしたりして、ヒータ基板２の均熱性を高めていた。しかし、前述したように、配線幅を細くすることは発熱配線部としての寿命低下につながり、また配線間隔を狭めることは絶縁性の低下につながり、ひいては短絡の発生を招くことになる。
【００３９】
これに対して本発明のヒータ部材では、図６に示すように、パターニングされた低輻射率被膜１０又はパターニングされていない低輻射率被膜をヒータ基板２の表面に設ける場合、突き上げピン１１が挿通する開口部１２の内側面及びその周囲にも低輻射率被膜１０を形成することによって、開口部１２及びその周囲の被覆率を高め、開口部１２からの熱の放散を抑制することができる。その結果、開口部１２の周囲にある発熱配線部３の配線幅を細くしたり、配線間隔を狭めたりする必要がなくなり、発熱配線部３のパターン形状を単純化でき、より均熱性を重視した配線パターン設計が可能となるうえ、ヒータ基板の被加熱物載置面における温度の均一性をより向上させることができる。
【００４０】
実際に、発熱配線部の電極端子部、温度モニタ用の熱電対の配置部、突き上げピン挿通用の開口部、支持材の配置部など、温度均一化の障害となる要因が多数付属しているヒータ部材に対して、その突き上げピン挿通用の開口部に上記のごとく低輻射率被膜を形成して被覆率を高めた本発明のヒータ部材を作製し、同じ開口部に低輻射率被膜を形成していない従来のヒータ部材と均熱性を比較した。即ち、ヒータ基板を５７０℃に昇温して、その被加熱物載置面における温度分布を測定したところ、その均熱性は下記表３に記載したとおりであり、本発明のヒータ部材は均熱性が向上していることが分る。
【００４１】
【表３】
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【００４２】
上記低輻射率被膜のパターニングは、周知のメタルマスクを利用した成膜のほか、全面に成膜を行った後にレジスト膜をパターニングし、ドライエッチング等によって低輻射率被膜をパターニングする周知のフォトリソグラフ法を利用した方法によって容易に形成することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】従来の被加熱物載置用ヒータ部材を用いた加熱処理装置を示す概略断面図である。
【図２】本発明の被加熱物載置用ヒータ部材を用いた加熱処理装置の一具体例を示す概略断面図である。
【図３】本発明の被加熱物載置用ヒータ部材の一具体例であり、（ａ）はパターニングされた低輻射率被膜の概略正面図、及び（ｂ）はその輻射率分布を示す。
【図４】本発明の被加熱物載置用ヒータ部材の他の具体例であり、（ａ）はパターニングされた低輻射率被膜の概略正面図、及び（ｂ）はその輻射率分布を示す。
【図５】従来の被加熱物載置用ヒータ部材を示す概略断面図であり、（ａ）は突き上げピンがない部分、及び（ｂ）は突き上げピンがある部分である。
【図６】本発明の被加熱物載置用ヒータ部材における突き上げピンがある部分を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１      ヒータ部材
２      ヒータ基板
３      発熱配線部
４      基材
５      支持体
６      給電配線
７      熱電対
８      筐体
９      被加熱物
１０      低輻射率被膜
１１      突き上げピン
１２      開口部
【図１】
2005158270.tif 000006
【図２】
2005158270.tif 000007
【図３】
2005158270.tif 000008
【図４】
2005158270.tif 000009
【図５】
2005158270.tif 000010
【図６】
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