(57)【要約】【課題】ベース基板のＭＥＭＳ素子を取り囲むスペーサに実装されてＭＥＭＳ素子をカバーするリッドガラスの側面にシール部材を形成することにより、外部環境から保護するためにＭＥＭＳ素子を気密封止するＭＥＭＳパッケージおよびその製造方法を提供する。【解決手段】ベース基板上に形成されたＭＥＭＳ素子を取り囲む形状にベース基板上に第１金属層をパターニングし、ＭＥＭＳ素子の上下駆動用自由空間を形成するために、第１金属層に接触した状態でスペーサを実装させ、スペーサに接触する部分に第２金属層が形成されたリッドガラスをスペーサに実装させた後、ＭＥＭＳ素子を気密封止するために、第１金属層、スペーサ、およびリッドガラスの第２金属層の側面にシール部材を形成することにより、ベース基板上に形成されたＭＥＭＳ素子を外部環境から気密封止する。【選択図】図４
2005329532.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳ素子が実装されたベース基板と、
前記ＭＥＭＳ素子を取り囲む形状にベース基板上にパターニングされる第１金属層と、
前記ＭＥＭＳ素子の上下駆動用自由空間を形成するために、前記第１金属層に接触した状態でベース基板に実装されるスペーサと、
前記スペーサに接触する部分に、シール部材を接着させるための第２金属層が形成されており、前記第２金属層を介在してスペーサに積層されるリッドガラスと、
前記ＭＥＭＳ素子を気密封止するため、前記第１金属層、前記スペーサ、および前記リッドガラスの第２金属層の側面に形成されるシール部材とを含んでなることを特徴とするサイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージ。
【請求項２】
前記ベース基板と前記ＭＥＭＳ素子との短絡防止のために、前記ベース基板と前記第１金属層との間に保護層をさらに含んでなることを特徴とする請求項１記載のサイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージ。
【請求項３】
前記リッドガラスは、外部から入射する入射光の透過効率を高めるために、片面または両面にＡＲコーティングが施されていることを特徴とする請求項１記載のサイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージ。
【請求項４】
前記シール部材が半田またはエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１記載のサイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージ。
【請求項５】
ベース基板上にＭＥＭＳ素子を形成する段階と、
前記ＭＥＭＳ素子を取り囲む形状にベース基板上に第１金属層をパターニングする段階と、
前記ＭＥＭＳ素子の上下駆動用自由空間を形成するために、前記第１金属層に接触した状態でスペーサを実装させる段階と、
前記スペーサに接触する部分に第２金属層が形成されたリッドガラスをスペーサに実装させる段階と、
前記ＭＥＭＳ素子を気密封止するために、前記第１金属層、前記スペーサ、および前記リッドガラスの第２金属層の側面にシール部材を形成する段階とを含んでなることを特徴とするサイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージの製造方法。
【請求項６】
前記ベース基板と前記ＭＥＭＳ素子との短絡防止のために、前記ベース基板と前記第１金属層との間に保護層を形成する段階をさらに含んでなることを特徴とする請求項５記載のサイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サイドシール部材を有するＭＥＭＳ(Micro-Electro-Mechanical Systems)パッケージおよびその製造方法に関し、より具体的には、ベース基板上のＭＥＭＳ素子を取り囲むスペーサに実装されてＭＥＭＳ素子をカバーするリッドガラス(lid glass)の側面にシール部材を形成することにより、外部環境から保護するためにＭＥＭＳ素子を気密封止(hermetic sealing)するＭＥＭＳパッケージおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、インターネットやＩＭＴ２０００など広帯域サービスのための大容量通信の必要性が浮き彫りにされ、波長多重化（ＷＤＭ：Wavelength Division Multiplexing）などの光通信方式が急速に標準化されつつあり、これに伴って、波長、データ率(data rate)およびシグナルフォーマット(signal format)に依存しないため「optically transparent」特性を有するといわれるＭＥＭＳ技術が、ポストエレクトロニクス(post-electronics)を主導する革新的なシステム小型化技術として紹介されている。
【０００３】
従来、このようなＭＥＭＳ技術を用いて商用化した製品としては、加速度計、圧力センサ、インクジェットヘッド、ハードディスク用ヘッド、プロジェクションディスプレイ、スキャナーおよびマイクロフルーイディックス(micro fluidics)などがあるが、最近は、光通信技術の発展に伴って更なる高性能が要求される光通信用部品技術についての関心が段々高まっている。
【０００４】
特に、マイクロミラーを製作してＭＥＭＳ方式のアクチュエータで駆動するスイッチング技法を用いた空間型光変調器に対する関心が集中している。この種の光変調器は、データ量が多くて実時間処理が不可能な既存のデジタル情報処理とは異なり、高速性、並列処理および大容量の情報処理が可能であるという利点を持っている。
【０００５】
上述した光変調器を用いて、二進位相フィルタの設計および製作、光論理ゲート、光増幅器、映像処理技法、光デバイス、光変調器などの研究が行われており、この中でも、特に空間光変調器は光メモリ、光ディスプレイ、プリンタ、光インタコネクション、ホログラムおよび表示装置などの分野に用いられている。
【０００６】
しかし、このようなＭＥＭＳ素子の場合、所定の外部環境、具体的には温度、湿度、微細粉塵、振動および衝撃などに敏感に反応し、これにより動作を行わないか或いは動作中にエラーが頻繁に発生するという問題点があった。
【０００７】
かかる問題点を解決するための方案として、特許文献１には「ＭＥＭＳ素子を密封蓋でシールする方法および装置」に関する技術思想が開示されている。
【０００８】
まず、図１を参照して、特許文献１に開示された「ＭＥＭＳ素子を密封蓋でシールしたＭＥＭＳパッケージの構成」の構成を詳細に説明する。
【０００９】
図１は透明蓋でＭＥＭＳ素子を密封シールしたＭＥＭＳパッケージの代表断面図である。図１を参照すると、半導体基板１０４上には金属性の伝導および反射外皮１０２を含む伝導性リボン１００が形成されている。前記リボン１００は基板１０４との間にエアギャップ１０６をあけて半導体基板１０４上に形成されている。
【００１０】
また、基板１０４の表面には絶縁層１１０によって被覆される伝導性電極１０８が形成されており、前記伝導性電極１０８はリボン１００の下でエアギャップ１０６の下部位置に配置される。
【００１１】
ここで、伝導および反射外皮１０２は、機械的能動リボン１００の区域を越えて延長され、ボンディングパッド１１２をその末端に備え、通常の絶縁保護層１１４で保護されている。この際、前記保護層１１４は、ボンディングパッド１１２またはリボン構造１００／１０２を覆わない。
【００１２】
また、制御信号とパワー信号は、通常のワイヤボンディング工程で接続されたワイヤ１１６を用いて外部の半導体デバイスに連結される。
【００１３】
通常の半導体製造技術によれば、デバイスは、半導体基板の表面上に最大限密集して形成されるが、ここでは光学ガラスが半導体デバイス上に直接密封シールされているため、ボンディングパッド１１２は蓋シール領域１１８を提供するためにリボン構造１００／１０２から相当の距離を隔てて形成されており、半田付け可能物質１２０は蓋シール領域１１８上に形成される。
【００１４】
蓋１２２は、良好な密封を行うために良質の光学物質で形成されることが好ましく、望まれない放射(radiation)のフィルタリング、反射度の強化または反射度の減少などを含む様々な目的に用いられる。
【００１５】
ところが、前記蓋１２２は、上述した目的に限定されず、様々な目的のために、光学的に敏感な物質によってコートしてもよい。
【００１６】
上述したように、蓋が蓋シール領域１１８上を覆うに適した大きさで形成される場合、半田付け可能物質１２４を通常の半導体加工技術を用いて蓋の片面の周縁を取り囲むリング状に形成した後、蓋が半導体デバイスに結合できるように、半田１２６を前記半田付け可能物質１２４上に蒸着する。
【００１７】
ここで、割合に合わせて示してはいないが、相互間の干渉を防止するために、蓋１２２とリボン構造１００／１０２は互いに離れて実装される。これにより、上述した構造１００／１０２は上部または下部に自由に移動する。
【００１８】
図２は様々な領域がブロック(block)で表示された本発明のデバイスを例示した平面図であって、ディスプレイエンジンとして用いられるＧＬＶ(Grating Light Valve)のリボン構造は機械的能動領域１４０を備え、前記蓋シール領域１１８は機械的能動領域１４０を取り囲むように位置する。
【００１９】
この際、蓋シール領域１１８は保護され、ＭＥＭＳデバイスで通常備える機械的能動素子は含まない。
【００２０】
また、蓋シール領域１１８は、蓋がＭＥＭＳデバイスの効果的な動作を妨げるおそれがあるので、オフチップ(off chip)インタフェース構造のあるボンディングパッドを含まないが、能動電子素子を含むことは可能である。ところが、蓋シール領域１１８が能動電子素子を含む場合には、蓋の適切な装着のための表面を提供するために、その領域を平坦化する努力が傾けられるべきである。
【００２１】
ボンディング領域１４２は、蓋シール領域１１８を取り囲んでおり、半導体デバイスからオフチップ回路およびシステムへの相互接続のために必要な所定数のボンディングパッドを含む。
【００２２】
次に、図３ａおよび図３ｂを参照して「ＭＥＭＳパッケージを提供するために半導体基板上に密封蓋をシールする方法」について詳細に説明する。
【００２３】
図３ａに示すように、半田付け可能物質１５０を半導体デバイス１５４の蓋シール領域１５２上に形成し、半田付け可能物質１５６を透明な蓋１５８の周縁部に形成した後、前記半田付け可能物質１５６上に半田１６０を形成する。
【００２４】
その後、透明な蓋１５８を半導体デバイス１５４に接触および整列させた後、熱を加えて半田１６０を熔融させる。
【００２５】
この際、熔融した半田１６０′の表面張力は、半田が半導体デバイス１５４上の半田付け可能物質１５０と透明な蓋１５８上の半田付け可能物質１５６との間に残っているようにする。
【００２６】
その後、半田１６０′が全ての半田付け可能な表面を流れて濡らすように十分加熱した後、冷却させて半田１６０′を再凝結させることにより、図３ｂに示すように、透明な蓋１５８が半導体デバイス１５４に密封シールされる。
【００２７】
ところが、このような従来のＭＥＭＳパッケージにおけるＭＥＭＳ素子の密封方法は、基板と蓋との間に半田を挿入した後積層し、所定の温度条件でリフロー(reflow)工程によって半田に熱を加えて基板と蓋を相互接合させるため、作業速度が遅くて生産性が低下するという問題点がった。
【００２８】
その上、基板と蓋との間に介在する半田の位置および塗布量によって不完全な密封が行われる場合でも、半田をさらに加えるなどのリワーク(rework)工程を行うことができないという問題点もあった。
【００２９】
【特許文献１】米国特許第６,３０３,９８６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３０】
本発明は、かかる問題点を解決するためのもので、その目的は、ベース基板のＭＥＭＳ素子を取り囲むスペーサに実装されてＭＥＭＳ素子をカバーするリッドガラスの側面にシール部材を形成することにより、外部環境から保護するためにＭＥＭＳ素子を気密封止するＭＥＭＳパッケージおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
上記目的を達成するために、本発明は、ＭＥＭＳ素子が実装されたベース基板と、前記ＭＥＭＳ素子を取り囲む形状にベース基板上にパターニングされる第１金属層と、前記ＭＥＭＳ素子の上下駆動用自由空間を形成するために、前記第１金属層に接触した状態でベース基板に実装されるスペーサと、前記スペーサに接触する部分に、シール部材を接着させるための第２金属層が形成されており、前記第２金属層を介在してスペーサに積層されるリッドガラスと、前記ＭＥＭＳ素子を気密封止するため、前記第１金属層、前記スペーサ、および前記リッドガラスの第２金属層の側面に形成されるシール部材とを含んでなる、サイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージを提供する。
【００３２】
また、本発明は、ベース基板上にＭＥＭＳ素子を形成する段階と、前記ＭＥＭＳ素子を取り囲む形状にベース基板上に第１金属層をパターニングする段階と、前記ＭＥＭＳ素子の上下駆動用自由空間を形成するために、前記第１金属層に接触した状態でスペーサを実装させる段階と、前記スペーサに接触する部分に第２金属層が形成されたリッドガラスをスペーサに実装させる段階と、前記ＭＥＭＳ素子を気密封止するために、前記第１金属層、前記スペーサ、および前記リッドガラスの第２金属層の側面にシール部材を形成する段階とを含んでなる、サイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００３３】
本発明は、ベース基板に実装されるＭＥＭＳ素子をカバーするリッドガラスの側面にシール部材を形成することにより、温度、湿度、衝撃および振動などの外部環境から保護するためにＭＥＭＳ素子を完全に気密封止することができるという効果を奏する。
【００３４】
また、本発明は、ＭＥＭＳ素子をカバーするリッドガラスの側面に半田付けを施すので、作業が容易であるうえ、リワーク(rework)も可能であるという効果も奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、添付図面を参照して、本発明に係るサイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージおよびその製造方法について詳細に説明する。
【００３６】
まず、図４を参照して、本発明に係るサイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージの構造を詳細に説明する。
【００３７】
本発明に係るサイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージは、ベース基板上に形成されるＭＥＭＳ素子をカバーするリッドガラスの側面にシール部材が形成されているもので、図４に示すように、ＭＥＭＳ素子３００が実装されたベース基板１００、保護層２００、第１金属層４００、スペーサ５００、リッドガラス６００およびシール部材７００を含んで構成される。
【００３８】
ここで、ベース基板１００は、ＭＥＭＳ素子３００が形成された半導体基板自体であり、或いはＭＥＭＳ素子３００がダイボンディングされて実装される媒介体としての役割を行う通常のプリント回路基板であって、所定の電気信号を外部に対して伝達し或いは受信するためのワイヤ８００が連結されるパッド（図示せず）が形成されている。
【００３９】
この際、前記ＭＥＭＳ素子３００は、光メモリ、光ディスプレイ、プリンタ、光インタコネクション、ホログラムおよび表示装置などの分野に用いられる回折型、反射型および透過型などの光変調器、光デバイスまたはディスプレイ装置などを全て含む。
【００４０】
保護層２００は、前記ベース基板１００上に形成される、ＳｉＯ2またはＳｉＮxなどからなる保護層であって、後続の工程からベース基板１００の損傷を防止するうえ、ベース基板１００上に形成されたＭＥＭＳ素子３００との短絡を防止する役割をする。
【００４１】
第１金属層４００は、所定の伝導性金属に対するスパッタリングまたはＭＯＣＶＤなどの工程によって、ＭＥＭＳ素子３００を取り囲む形状にベース基板１００上に形成された保護層２００にパターニングされた構造で積層される。
【００４２】
この際、前記第１金属層４００は、所定のシール部材がベース基板１００に容易に接着できるようにする接着部材としての役割をする。
【００４３】
スペーサ５００は、ＭＥＭＳ素子３００を取り囲む形状にパターニングされた第１金属層４００に一側面が接触した状態でベース基板１００上に実装されており、ベース基板１００に形成されたＭＥＭＳ素子３００が上下方向に駆動し得るようにする自由空間を形成させる役割をする。
【００４４】
また、前記スペーサ５００は、ベース基板１００に形成されるＭＥＭＳ素子３００をカバーするリッドガラス６００を実装させる役割をするが、前記リッドガラス６００に形成された第２金属層６１０を介してリッドガラス６００と整合する。
【００４５】
この際、前記スペーサ５００は、金属、エポキシ樹脂、プラスチックまたはガラスのいずれか一つの材料で構成されている。
【００４６】
リッドガラス(lid glass)６００は、スペーサ５００に積層され、ベース基板１００に形成されたＭＥＭＳ素子３００を湿気または粉塵などの外部環境から保護する役割をするもので、前記スペーサ５００と整合する部分には所定のシール部材７００との接触力を強化させるための第２金属層６１０が形成されている。
【００４７】
ここで、前記リッドガラス６００には、外部から入射する入射光の透過効率を高めるために、片面または両面にＡＲコーティング(anti-reflective coating)を施してもよい。
【００４８】
シール部材７００は、ベース基板１００上に実装されるＭＥＭＳ素子３００を外部環境から保護するために気密封止する役割をするもので、ベース基板１００に形成された第１金属層４００、スペーサ５００、およびスペーサ５００に実装されるリッドガラス６００の第２金属層６１０の側面に形成される。
【００４９】
すなわち、シール部材７００は、半田またはエポキシ樹脂などの密封材からなり、プレフォーム(preform)、レーザ加工またはリフロー(reflow)などの方法によって第１金属層４００、スペーサ、およびリッドガラス６００の第２金属層６１０の側面に接着され、ＭＥＭＳ素子３００を外部環境から保護するために気密封止する。
【００５０】
ここで、プレフォーム工程とは、所定の形状に既に形成された半田を第１金属層４００とリッドガラス６００の第２金属層６１０の保護(passivation)領域の側面に実装させて密封処理を行うことをいう。レーザ加工とは、半田の供給によって、前記第１金属層４００とスペーサ５００上に実装されるリッドガラス６００の第２金属層６１０の保護領域の側面に供給される半田をレーザビームを用いて熔融させて密封処理することをいう。リフローとは固体の半田を上述したように実装した後、高温の温度を加えて熔融させて密封処理することをいう。
【００５１】
この際、前記シール部材７００は、外部環境との遮断のために密封を行うには少なくとも１０-7ｍｇの密封レベルを有することが好ましい。
【００５２】
次に、図５を参照して、本発明に係るサイドシール部を有するＭＥＭＳパッケージの製造方法について詳細に説明する。
【００５３】
まず、所定のＭＥＭＳ素子が形成されるべきベース基板上に保護層２００を形成する（図５ａおよび図５ｂ参照）。
【００５４】
ここで、ベース基板１００は、ＭＥＭＳ素子３００が形成された半導体基板自体であり、或いはＭＥＭＳ素子３００がダイボンディングされて実装される媒介体としての役割をする通常のプリント回路基板である。
【００５５】
ここで、前記ベース基板１００上に形成される保護層２００は、ＳｉＯ2またはＳｉＮxなどからなり、後続の工程からベース基板１００の損傷を防止するうえ、ベース基板１００に形成されるＭＥＭＳ素子３００の短絡を防止する役割をする。
【００５６】
上述したようにベース基板１００上に保護層２００を形成した後、所定のＭＥＭＳ素子３００を形成する（図５ｃ参照）。
【００５７】
ここで、前記ＭＥＭＳ素子３００は、光メモリ、光ディスプレイ、プリンタ、光インタコネクション、ホログラムおよび表示装置などの分野に用いられる回折型、反射型および透過型などの光変調器、光デバイスまたはディスプレイ装置などを全て含む。
【００５８】
この際、前記ＭＥＭＳ素子３００は、ベース基板１００に一体的に形成してもよく、既に形成されたＭＥＭＳ素子３００がベース基板１００上に実装される形で形成してもよい。
【００５９】
上述したように、保護層２００を介してベース基板１００にＭＥＭＳ素子３００を形成した後、ベース基板上１００に、シール部材７００が付着される所定形状の第１金属層４００を形成する（図５ｄ参照）。
【００６０】
すなわち、第１金属層４００は、所定のメタライゼーション工程によって、ベース基板１００に形成されたＭＥＭＳ素子３００を所定の間隔をおいて取り囲む形状に形成され、所定のシール部材７００がベース基板１００に容易に接着できるようにする接着部材としての役割をする。
【００６１】
上述したように、基板１００上に第１金属層４００を形成した後、ベース基板１００上にＭＥＭＳ素子３００の上下駆動用自由空間を形成するためのスペーサ５００を実装させる（図５ｅ参照）。
【００６２】
ここで、スペーサ５００は、ＭＥＭＳ素子３００を取り囲む形状にパターニングされた第１金属層４００に一側面が接触した状態でベース基板１００上に実装されており、ベース基板１００に形成されたＭＥＭＳ素子３００が上下方向に駆動できるようにする自由空間を形成させる役割をする。
【００６３】
この際、スペーサ５００は、ベース基板１００に形成されたＭＥＭＳ素子３００の上下駆動のための十分な自由空間を形成することが可能な高さにするが、メタル、エポキシ、プラスチックおよびガラスのいずれか一つの材質から構成される。
【００６４】
また、前記スペーサ５００は、ベース基板１００に形成されるＭＥＭＳ素子３００をカバーするリッドガラス６００に形成された第２金属層６１０を介して前記リッドガラス６００と整合する。
【００６５】
上述したようにベース基板１００上にスペーサ５００を実装した後、ベース基板１００に形成されたＭＥＭＳ素子３００を外部環境から保護するためのリッドガラス６００をスペーサ５００に実装する（図５ｆ参照）。
【００６６】
ここで、リッドガラス６００は、スペーサ５００に積層され、ベース基板１００に形成されたＭＥＭＳ素子３００を湿気または粉塵などの外部環境から保護する役割をするが、前記スペーサ５００と整合する部分にはシール部材７００との接触力を強化させるための第２金属層６１０が形成されている。
【００６７】
また、リッドガラス６００には、外部から入射する入射光の透過効率を高めるために、片面または両面にＡＲコーティングを施してもよい。
【００６８】
上述したようにスペーサ５００上に第２金属層６１０を介してリッドガラス６００を実装した後、ベース基板に形成されたＭＥＭＳ素子を気密封止するためのサイドシール部材７００を形成する（図５ｇ参照）。
【００６９】
ここで、シール部材７００は、半田またはエポキシ樹脂などの密封材からなり、プレフォーム(perform)、レーザ加工またはリフローなどの方式によって、ベース基板１００に形成された第１金属層４００、スペーサ５００、およびリッドガラス６００の第２金属層６１０の側面に対して重畳的に形成され、これによりベース基板１００に形成されたＭＥＭＳ素子３００を外部環境から保護するために気密封止する。
【００７０】
その後、ベース基板１００に実装されたＭＥＭＳ素子３００からの電気信号を外部装置に伝達するために、前記ＭＥＭＳ素子３００と電気的に連結されたベース基板１００のボンディングパッド（図示せず）にワイヤボンディング工程によってボンディングワイヤ８００を形成することにより、最終的にサイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージを製作する（図５ｈを参照）。
【００７１】
上述した本発明では、好適な実施例を参照して説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者は、特許請求の範囲に記載された本発明の思想および領域から逸脱することなく本発明を様々に修正および変更することができることを理解できよう。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】従来のパッケージ構造を簡略に示した断面図である。
【図２】図１のパッケージ構造を例示した平面図である。
【図３ａ】図１のパッケージ構造に対する蓋の取り付け過程を示した図である。
【図３ｂ】図１のパッケージ構造に対する蓋の取り付け過程を示した図である。
【図４】本発明に係るサイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージの断面図である。
【図５ａ】本発明に係るサイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージの製造工程図である。
【図５ｂ】本発明に係るサイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージの製造工程図である。
【図５ｃ】本発明に係るサイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージの製造工程図である。
【図５ｄ】本発明に係るサイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージの製造工程図である。
【図５ｅ】本発明に係るサイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージの製造工程図である。
【図５ｆ】本発明に係るサイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージの製造工程図である。
【図５ｇ】本発明に係るサイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージの製造工程図である。
【図５ｈ】本発明に係るサイドシール部材を有するＭＥＭＳパッケージの製造工程図である。
【符号の説明】
【００７３】
１００    基板
２００    保護層
３００    ＭＥＭＳ素子
４００    第１金属層
５００    スペーサ
６００    リッドガラス
６１０    第２金属層
７００    シール部材
８００    ボンディングワイヤ
【図１】
2005329532.tif 000003
【図２】
2005329532.tif 000004
【図３ａ】
2005329532.tif 000005
【図３ｂ】
2005329532.tif 000006
【図４】
2005329532.tif 000007
【図５ａ】
2005329532.tif 000008
【図５ｂ】
2005329532.tif 000009
【図５ｃ】
2005329532.tif 000010
【図５ｄ】
2005329532.tif 000011
【図５ｅ】
2005329532.tif 000012
【図５ｆ】
2005329532.tif 000013
【図５ｇ】
2005329532.tif 000014
【図５ｈ】
2005329532.tif 000015