(57)【要約】【課題】複数の設計パターンを有する回路設計パターンの評価において、ＬＳＩに対して所望の微細化を図りながら近接効果補正を確実且つ簡単に行なえるようにする。【解決手段】ゲート配線の設計パターン１１Ａ、及びゲート配線の設計パターン１１Ａと重なる接続孔の設計パターン１２Ａのそれぞれに対応する各転写パターンの形状、つまりゲート配線のパターン１１Ｄ及び接続孔のパターン１２Ｄを予測した後、接続孔のパターン１２Ｄが形成される可能性のある領域の範囲（アライメントマージン）を含むように拡大し、その後、ゲート配線のパターンと接続孔のパターン図形の重なり領域があるかを検査することにより転写パターン同士の位置関係を評価する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線の設計パターン及び接続孔の設計パターンのそれぞれがリソグラフィ技術によって転写されてなる前記配線の転写パターン及び前記接続孔の転写パターンのそれぞれの形状を予測する工程と、
前記接続孔の転写パターンの形状を等方的に拡大する工程と、
前記配線の転写パターンの形状と、前記接続孔の転写パターンの形状が拡大された形状とが重なる領域の有無を検査する工程とを備えていることを特徴とするフォトマスクパターン検証および補正方法。
【請求項２】
接続孔の転写パターンの形状を等方的に拡大する工程は、接続孔の転写パターンの形状を、前記配線の転写パターンと前記接続孔の転写パターンとの間のアライメントマージン以下の範囲で拡大する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクパターン検証および補正方法。
【請求項３】
前記第１の転写パターンの形状と前記第２の転写パターンの形状との重なる部分の領域の面積の非対称性を検出することにより、前記第１の転写パターンと前記第２の転写パターンとの位置関係を評価する工程とを備えていることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクパターン検証および補正方法。
【請求項４】
前記第１の転写パターンの形状と前記第２の転写パターンの形状との重なる部分の領域の面積を露光領域全面にて積算し、前記積算面積を最小化するように前記接続孔の設計パターン位置を変更することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクパターン検証および補正方法。
【請求項５】
第１の転写パターン及び第２の転写パターンのそれぞれの形状を露光装置のレンズ収差を取り入れて予測することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクパターン検証および補正方法。
【請求項６】
配線の設計パターン及び前記接続孔の設計パターンのそれぞれがリソグラフィ技術によって転写されてなる前記配線の転写パターン及び前記接続孔の転写パターンのそれぞれの形状を予測する工程と、前記配線の転写パターンと前記接続孔の転写パターン間の位置関係を判定する規格を設定する工程と
前記配線の転写パターンと前記接続孔の位置関係を検査する工程と、
前記配線と前記接続孔の転写パターンの位置関係の規格を超えている箇所を抽出することを特徴とするフォトマスクパターン検証および補正方法。
【請求項７】
配線の設計パターン及び前記接続孔の設計パターンのそれぞれがリソグラフィ技術によって転写されてなる前記配線の転写パターン及び前記接続孔の転写パターンのそれぞれの形状を予測する工程と、配線の設計パターンの転写パターン及び前記接続孔の転写パターンのＮＯＲ処理後の図形の最少寸法を算出する工程と前記配線と接続孔のＮＯＲ処理後の最少寸法を判定する規格を設定する工程と前記ＮＯＲ処理後図形の最少寸法で配線と前記接続孔の転写パターンの位置関係の規格を超えている箇所を抽出することを特徴とする請求項６に記載のフォトマスクパターン検証および補正方法。
【請求項８】
配線の設計パターン及び前記配線の設計パターン内に配置された重ね合わせ精度パターンと前記接続孔の設計パターンおよび前記接続孔の設計パターン内に配置された重ね合わせ精度測定パターンのそれぞれがリソグラフィ技術によって転写されてなる前記配線の転写パターンおよび前記接続孔の転写パターンのそれぞれの形状を予測する工程と、前記配線の設計パターンと接続孔の転写パターンと位置ずれを評価する工程と、前記配線の設計パターン内に配置した重ね合わせ精度測定パターンと前記接続孔の設計パターン内に配置した重ね合わせ精度測定パターンとの位置ずれを評価する工程と、前記各々の位置ずれ量を算出し、前記位置ずれ量にしたがって前記配線の設計パターンと前記接続孔の重ね合わせ精度結果を補正することを特徴とするフォトマスクパターン検証および補正方法。
【請求項９】
第１の転写パターン及び第２の転写パターンのそれぞれの形状を露光装置のレンズ収差を取り入れて予測することを特徴とする請求項７に記載のフォトマスクパターン検証および補正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、互いに重なり合う複数の設計パターンを有する回路設計パターンの検証および補正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体を用いた大規模集積回路装置（以下、ＬＳＩと称する）の寸法の微細化に伴って、ＬＳＩ製造工程の１つであるリソグラフィ工程においては、光近接効果の影響により、レチクル上にマスクパターンとして設けられる設計パターンの寸法（つまり設計寸法）と、該設計パターンがレジスト等の被露光材料上に転写されてなる転写パターンの寸法（つまり加工寸法）との間の誤差が無視できなくなってきている。それに対して、設計寸法と加工寸法との間の誤差を低減するために、マスクパターンに微小な変形を加える技術である近接効果補正（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：ＯＰＣ）が用いられる。
【０００３】
通常、リソグラフィ又はドライエッチング等の加工プロセスは、配線、ゲート又は接続孔等のパターンレーヤ毎に加工条件が異なる。このため、ＯＰＣにおいてはパターンレーヤ毎に前述の誤差に関するデータを取得して、マスクパターンに加える変形つまりＯＰＣ仕様を設定する。図６は、リソグラフィ用露光装置であり、２１は照明光源、２２はフライアイレンズ、２３は可変照明絞り、２４はコンデンサーレンズ、２５はレチクル、２６は縮小投影レンズ、３は半導体ウエハ、２７はウエハステージである。
【０００４】
近接効果測定パターンは、線幅に対するスペース間隔を変化させたパターンから形成されており、設計寸法からの線幅のずれ量を補正するためのＯＰＣ仕様を作成する。そして、このＯＰＣ仕様が適切に設定されているかどうかを検証するために、最近はリソグラフィ形状シミュレーションを用いた回路設計パターンの評価が行なわれている。近年の微細化の進展に伴って、接続孔と配線とのセパレーションが縮小されており、これらが互いに適切な位置に形成されない場合には、回路の短絡の不具合が生じて大きな問題となる。とりわけ、露光波長以下の微細な回路を転写する場合、投影レンズのコマ収差の影響により設計パターンにより位置ずれが発生し、接続孔と配線とが互いに適切な位置に形成されていない場合が発生する。
【０００５】
例えば、図７（ａ）に示すように、配線の設計パターン１１Ａ間に接続孔の設計パターン１２Ａが配置されてなる回路設計パターンにおいて、各設計パターンと対応する転写パターン同士の位置関係を考慮に入れてＯＰＣ仕様の作成及び検証を行なうためには、図７（ｂ）に示すように、配線の設計パターン１１Ａと対応する転写パターンのシミュレーション像１１Ｃの検出ポイント３１、３２と設計パターン１２Ａのパターン中心３０との距離Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、及び図７（ｃ）に示す接続孔の設計パターン１２Ａと対応する転写パターンのシミュレーション像１２Ｃのパターン中心３０と検出ポイント３３、３４との間の距離Ｌ２ａ、Ｌ２ｂのそれぞれを測定して、距離Ｌ２ａと距離Ｌ２ｂとの差に基づいて転写パターン同士の位置関係を評価する必要がある。また投影レンズのコマ収差の影響によりショット内でパターン同士間の最少セパレーション量の検出位置が異なるため、測定位置により配線間と接続孔の位置ずれがばらつき、検査場所差によりアライメント位置ずれ量がばらつき、位置ずれ量を定量化することが困難であるという問題がある。
【０００６】
また、従来、重ね合わせ精度測定パターンは製品内の回路パターンと異なっており、投影レンズのコマ収差のパターン差への影響が異なるために重ね合わせ精度測定結果と実回路パターンの位置がずれている場合がある。従来このような問題に対して、実製品パターンでの重ね合わせずれに対する歩留り結果から重ね合わせ精度測定値に対して補正を行うようにしていた。
【０００７】
このような従来技術として特許文献１がある。
【特許文献１】特開２００３−４３６６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の回路設計パターンの評価方法、つまり、設計パターンと、該設計パターンと対応する転写パターン（シミュレーション像）との間のずれを検出する方法は、互いに重なり合う転写パターン同士の位置関係を検出するための検出ポイントを適切に設定することが難しく、また、該検出ポイントの数も膨大になるので、実際のＬＳＩ開発に適用することは困難である。
【０００９】
配線パターンレーヤと接続孔パターンレーヤとの間でアライメントずれが生じた場合、つまり、配線パターンレーヤ及び接続孔パターンレーヤの相対的な形成位置がずれた場合、配線転写パターン及び接続孔転写パターンのように、各転写パターンが重なり各転写パターン間に短絡が発生するという課題がある。そこで本発明は、前記に鑑み、互いに重なり合う複数の設計パターンを有する回路設計パターンの評価において、ＬＳＩに対して所望の微細化を図りながら近接効果補正を確実且つ簡単に行なえるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するために、本発明に係る第１の回路設計パターンの評価方法は、  配線の設計パターン及び接続孔の設計パターンのそれぞれがリソグラフィ技術によって転写されてなる配線の転写パターン及び前記接続孔の転写パターンのそれぞれの形状を予測する工程と、接続孔の転写パターンの形状を等方的に拡大する工程と、配線の転写パターンの形状と、前記接続孔の転写パターンの形状が拡大された形状とが重なる領域の有無を検査することにより回路設計パターンを評価する。
【００１１】
特に第１の転写パターン及び第２の転写パターンのそれぞれの形状を露光装置のレンズ収差を取り入れて予測する。
【００１２】
また配線の設計パターン及び接続孔の設計パターンのそれぞれがリソグラフィ技術によって転写されてなる配線の転写パターン及び接続孔の転写パターンのそれぞれの形状を予測する工程と、配線の転写パターンと接続孔の転写パターン間の位置関係を判定する規格を設定する工程と配線の転写パターンと接続孔の位置関係を検査する工程と、配線と前記接続孔の転写パターンの位置関係の規格を超えている箇所を抽出する。さらに  配線の設計パターン及び配線の設計パターン内に配置された重ね合わせ精度パターンと接続孔の設計パターンおよび接続孔の設計パターン内に配置された重ね合わせ精度測定パターンのそれぞれがリソグラフィ技術によって転写されてなる配線の転写パターンおよび前記接続孔の転写パターンのそれぞれの形状を予測する工程と、配線の設計パターンと接続孔の転写パターンと位置ずれを評価する工程と、配線の設計パターン内に配置した重ね合わせ精度測定パターンと接続孔の設計パターン内に配置した重ね合わせ精度測定パターンとの位置ずれを評価する工程と、各々の位置ずれ量を算出し、位置ずれ量にしたがって配線の設計パターンと接続孔の重ね合わせ精度結果を補正する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、互いに重なり合う複数の設計パターンを有する回路設計パターンの評価において、ＬＳＩに対して所望の微細化を図りながら近接効果補正を確実且つ簡単に行なうことができる。また、実用上問題となる位置関係にある転写パターンのみを抽出できると共に該位置関係の人間による評価も極めて容易に行なえるので、設計パターン又はＯＰＣ仕様の不具合を効率よく検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る回路設計パターンの評価方法について、ゲート配線とゲート配線と分離した基板との接続孔を有する回路の設計パターンを例として、図面を参照しながら説明する。
【００１５】
図１は、第１の実施形態に係る回路設計パターンの評価方法の各工程を示す図である。図２は、第１の実施形態に係る回路設計パターンの評価方法を適用したパターンを示す図である。
【００１６】
まず、図１（ａ）に示すように、ゲート配線の設計パターン１１Ａを作成すると共に、ゲート配線の設計パターン１１Ａとアライメントずれが発生してもパターン間で短絡しないようにデザインルールに従って接続孔の設計パターン１２Ａを作成する。
【００１７】
次に、図１（ｂ）に示すように、ゲート配線マスクパターン１１Ｂ及び接続孔マスクパターン１２Ｂは、図１（ａ）に示したゲート配線の設計パターン１１Ａ及び接続孔の設計パターン１２Ａに対して、ＯＰＣ仕様に基づいて変形したものである。
【００１８】
次に、ゲート配線のマスクパターン１１Ｂ及び接続孔のマスクパターン１２Ｂに対して露光条件を設定してリソグラフィ形状シミュレーションを行ない、それによって、図１（ｃ）に示すように、ゲート配線の設計パターン１１Ａと対応する転写パターンのゲート配線のシミュレーション像１１Ｃ、及び接続孔の設計パターン１２Ａと対応する転写パターンの接続孔のシミュレーション像１２Ｃを作成する。尚、リソグラフィ形状のシミュレーションにおいては、ゲート配線作成プロセス及び接続孔作成プロセスのそれぞれのプロセス条件を用いている。
【００１９】
ここで、通常、シミュレーション像１１Ｃ及び１２Ｃは、転写パターンのアウトラインのみを示すシミュレーションデータであるので、シミュレーション像１１Ｃ及び１２Ｃを、コンピュータ上で図形演算可能なゲート配線図形及び接続孔図形に変換する。そして、図２（ａ）に示すように、図１（ｃ）に示した接続孔のシミュレーション像１２Ｃをアライメントずれと寸法ばらつきが発生した場合（アライメントマージン）における接続孔が形成される可能性のある領域の範囲を含むように拡大したものを接続孔のパターン１２Ｄとする。同様に、図２（ｂ）に示すように、図１（ｃ）に示したゲート配線のシミュレーション像１１Ｃについてもゲート配線が形成される可能性のある領域の範囲を含むように拡大したものをゲート配線のパターン１１Ｄとする。そして、ゲート配線のパターン１１Ｄと接続孔のパターン１２Ｄとが重なる部分をチェックする。重なる部分があるということは、接続孔の重ね合わせずれや寸法ばらつきが発生した場合、ゲート配線と接続孔が接触することを示している。この場合は、重ならないようにＯＰＣによりパターン変更を行う。
【００２０】
尚、図２（ａ）は、ゲート配線作成プロセス及び接続孔作成プロセスの各々において最適なプロセス条件が実現されている。また、ゲート配線マスクパターン１１Ｂ及び接続孔マスクパターン１２Ｂに対してＯＰＣが適切に行なわれている。その結果、ゲート配線の転写パターンの上に接続孔の転写パターンが良好に形成されている。これに対して、ゲート配線のマスクパターン１１Ｂ及び接続孔のマスクパターン１２Ｂに対してＯＰＣが適切に行なわれていない場合等には、例えば図２（ｂ）に示すゲート配線のパターン（つまり配線転写パターン形状）１１Ｄ及び接続孔のパターン（つまり接続孔転写パターン形状）１２Ｄのように、セパレーション量が少なくなって、接続孔とゲート配線との間において短絡する。
【００２１】
また、同様に図２（ｃ）に示すゲート配線のシミュレーション像（つまり配線転写パターン形状）１１Ｃ及び接続孔のパターン（つまり接続孔転写パターン形状）１２Ｅの場合も、セパレーション量が少なくなり重ね合わせずれなどにより接続孔とゲート配線との間において短絡する。
【００２２】
またレンズ収差がある場合には、配線パターン転写位置が片方向にシフトする。その場合には接続孔とゲート配線のパターンとの重なりが左右非対称になるので、左右の接続孔に対して両側の面積を比較することによりレンズ収差をいれた場合におけるＯＰＣの最適化を行う。
【００２３】
従って、ゲート配線の転写パターンと接続孔の転写パターンとの重なり面積があるかどうかを判定して、回路設計パターンが不良であるかどうかを検証できる。これにより、マスクパターンに施されるＯＰＣ仕様、又はＯＰＣ処理アルゴリズム等が適切であるかどうかを評価でき、例えばＯＰＣ仕様が不適切である場合にはＯＰＣ仕様の見直しを行なう。
【００２４】
本発明のようにショット内全域でのゲート配線の転写パターンと接続孔の転写パターンとの重なり面積を評価することにより、露光領域全面で、ゲート配線と接続孔との間のアライメントマージンを確保することが可能となり、ゲート配線と接続孔との間の短絡の発生を無くすことができる。
【００２５】
以上に説明したように、第１の実施形態によると、ゲート配線の設計パターン１１Ａ、及びゲート配線の設計パターン１１Ａと重なる接続孔の設計パターン１２Ａのそれぞれと対応する各転写パターンの形状（つまりゲート配線のパターン１１Ｄ及び接続孔のパターン１２Ｄ）を予測した後、接続孔のパターンを拡大した後、ゲート配線のパターン１１Ｄと拡大後の接続孔のパターン１２Ｄとが重なる部分が存在するかをチェックして転写パターン同士の位置関係を評価する。このため、従来のように設計パターンとそれに対応する転写パターンとの間の１次元的なずれを検出して転写パターン同士の位置関係を評価する場合と比べて、検出ポイント等の設定項目数が格段に低減するので、転写パターン同士の位置関係を評価するために要する計算時間が短くなると共に人間が判断しなければならない項目数も減少する。従って、互いに重なり合う複数の設計パターンを有する回路設計パターンの評価において、ＬＳＩに対して所望の微細化を図りながら近接効果補正を確実且つ簡単に行なうことができる。また、実用上問題となる位置関係にある転写パターンのみを抽出できると共に該位置関係の人間による評価も極めて容易に行なえるので、設計パターン又はＯＰＣ仕様等の不具合を効率よく検出することができる。
【００２６】
また、第１の実施形態において、ゲート配線のマスクパターン１１Ｂ及び接続孔のマスクパターン１２Ｂに対して露光条件を設定してリソグラフィ形状シミュレーションを行ない、それによって、図１（ｃ）に示すように、ゲート配線の設計パターン１１Ａと対応する転写パターンのシミュレーション像１１Ｃ、及び接続孔の設計パターン１２Ａと対応する転写パターンのシミュレーション像１２Ｃを作成したが、ゲート配線のマスクパターン１１Ｂ及び接続孔のマスクパターン１２Ｂに投影レンズの収差をいれてリソグラフィ形状シミュレーションを行う。そして接続孔の転写パターンをアライメントマージン分一律拡大し露光領域内全面にわたってゲート配線のパターンと接続孔のパターンの重なる領域があるかチェックする。また露光領域内全面に渡ってゲート配線と接続孔の重なる領域を積算する。そして積算された重なる領域を最少化するように、設計パターンまたは、ＯＰＣ仕様を変更する。
【００２７】
また、第１の実施形態によると、投影レンズに生ずるコマ収差などの影響による転写パターンの位置ずれも考慮して、ゲート配線のパターン形状と接続孔のパターン形状の設計パターンおよびＯＰＣ仕様の最適化を行うことができる。その結果、拡散完了後、プローブ検査を行うことなく露光領域全面でのアライメントずれを考慮した該位置関係の評価を高精度且つ短時間で行なえるので、アライメントマージンを十分に確保しながら近接効果補正を効率的に行なうことができる。すなわち、接続孔転写パターン形状の拡大形状を作成するだけで、アライメントずれの影響を考慮した回路設計パターンの検証を高精度且つ短時間で行なうことができる。
【００２８】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る回路設計パターンの評価方法について、配線上に配置された接続孔を有する回路の設計パターンを例として、図面を参照しながら説明する。
【００２９】
図３は、第２の実施形態に係る回路設計パターンの評価方法の各工程を示している。
【００３０】
まず、図１（ｂ）に示すように、ゲート配線のマスクパターン１１Ｂ及び接続孔のマスクパターン１２Ｂに対して露光条件を設定してリソグラフィ形状シミュレーションを行ない、それによって、図３（ａ）に示すように、図１（ａ）に示したゲート配線の設計パターン１１Ａと対応する転写パターンのシミュレーション像１１Ｃ、及び、図１（ａ）に示した接続孔の設計パターン１２Ａと対応する転写パターンのシミュレーション像１２Ｃを作成する。シミュレーション像１１Ｃ及び１２Ｃを、コンピュータ上で図形演算可能なゲート配線のパターン１１Ｄ及び接続孔のパターン１２Ｄに変換する。そして、パターン１１Ｄとパターン１２Ｄとの間隔が、あらかじめ決定された規格値を超えているかをショット内全面でデザインルールチェックする。もし規格を超えている場合は、規格を超えないようにＯＰＣを修正を行う。
【００３１】
これまでは、設計図形同士に対するデザインルールチェックを行っていたため、転写パターン間の位置関係についてはチェックされていなかった。そのため、製品を拡散したときにＯＰＣが適切でないためマスク間距離がせまくなって短絡するという問題があった。転写パターンに対して設計図形間のデザインルールチェックを行うことにより転写パターン間の位置ずれを検出できる。
【００３２】
本発明では、リソグラフィ技術によって転写されてなるゲート配線の転写パターン及び接続孔の転写パターンのそれぞれの形状を予測し、ゲート配線パターン間と接続孔間との距離を検出したが、図３（ｂ）のように配線の設計パターンの転写パターン及び接続孔の転写パターンのＮＯＲ処理後の図形を算出し、ＮＯＲ処理後の最少寸法を判定する規格を設定する。そしてＮＯＲ処理後図形の最少寸法で配線と接続孔の転写パターンの位置関係の規格を超えている箇所を抽出することにより配線と接続孔間でアライメントマージンが不足している箇所を抽出することができる。
【００３３】
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態に係る回路設計パターンの評価方法について、配線上に配置された接続孔を有する回路の設計パターンを例として、図面を参照しながら説明する。
【００３４】
図４及び図５は、第３の実施形態に係る回路設計パターンの評価方法の各工程を示している。
【００３５】
図４（ａ）に示す、ゲート配線の設計パターン１１Ａ及び接続孔の設計パターン１２Ａと、図４（ｂ）に示すゲート配線の重ね合わせ精度パターン１４Ａ及び接続孔の重ね合わせ精度パターン１５Ａとが設計マスクパターン内に形成されている。これらのパターンに対して露光条件を設定してリソグラフィ形状シミュレーションを行なう。
【００３６】
それによって、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、図４（ａ）に示したゲート配線の設計パターン１１Ａと対応する転写パターンのシミュレーション像１１Ｃ、図４（ａ）に示した接続孔の設計パターン１２Ａと対応する転写パターンのシミュレーション像１２Ｃ、図４（ｂ）に示したゲート配線の重ね合わせ精度パターン１４Ａに対応する転写パターンのシミュレーション像１４Ｂ、図４（ｂ）に示した接続孔の重ね合わせ精度パターン１４Ｂに対応する転写パターンのシミュレーション像１５Ｂを、コンピュータ上で図形演算可能な図形に変換する。そして、ゲート配線のシミュレーション像１１Ｃと接続孔のシミュレーション像１２Ｃとの位置ずれ量を評価するとともに、シミュレーション像１４Ｂ及び１５Ｂからゲート配線の設計パターンと接続孔の設計パターン間の重ね合わせずれを算出する。そして各々の位置ずれ量の差分を算出し、ゲート配線の転写パターンと接続孔の重ね合わせ精度測定パターンの測定結果を、シミュレーションにより算出した位置ずれ量の差にしたがって補正する。
【００３７】
第１のゲート配線の転写パターン及び第２の接続孔の転写パターンのそれぞれの形状を露光装置のレンズ収差を取り入れてシミュレーションを行い予測することにより、従来の重ね合わせ精度測定結果と転写パターンの位置ずれを非破壊で検出することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明のフォトマスクパターン検証および補正方法は、互いに重なり合う複数の設計パターンを有する回路設計パターンの評価方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係る回路設計パターンの評価方法の各工程を示す図
【図２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係る回路設計パターンの評価方法を適用したパターンを示す図
【図３】（ａ）〜（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係る回路設計パターンの評価方法の各工程を示す図
【図４】（ａ）〜（ｂ）は本発明の第３の実施形態に係る回路設計パターンの評価方法の各工程を示す図
【図５】（ａ）〜（ｂ）は本発明の第３の実施形態に係る回路設計パターンの評価方法の各工程を示す図
【図６】リソグラフィ用露光装置の構成図
【図７】従来の配線および接続孔転写パターンの評価方法の工程を示す図
【符号の説明】
【００４０】
３  半導体ウエハ
１１Ａ  設計パターン
１１Ｂ  マスクパターン
１１Ｃ  シミュレーション像
１１Ｄ  パターン
１２Ａ  設計パターン
１２Ｂ  マスクパターン
１２Ｃ  シミュレーション像
１２Ｄ  パターン
１２Ｅ  パターン
１４Ａ  重ね合わせ精度測定パターン
１４Ｂ  シミュレーション像
１５Ａ  重ね合わせ精度測定パターン
１５Ｂ  シミュレーション像
２１  照明光源
２２  フライアイレンズ
２３  可変照明絞り
２４  コンデンサーレンズ
２５  レチクル
２６  縮小投影レンズ
２７  ウエハステージ
３０  パターン中心
３１  検出ポイント
３２  検出ポイント
３３  検出ポイント
３４  検出ポイント
【図１】
2005062601.tif 000003
【図２】
2005062601.tif 000004
【図３】
2005062601.tif 000005
【図４】
2005062601.tif 000006
【図５】
2005062601.tif 000007
【図６】
2005062601.tif 000008
【図７】
2005062601.tif 000009