(57)【要約】【解決手段】  合成石英ガラス中にアルミニウムを５ｐｐｍ未満含有することを特徴とするアルミニウムドープ石英ガラス。【課題】  本発明によれば、半導体毒として懸念されるアルミニウムの含有量が少なく、かつ天然石英を原料に電気溶融法、酸水素溶融法で作製した石英ガラスと同等もしくはそれ以上の耐熱性を有する合成石英ガラスの製造が可能である。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
合成石英ガラス中にアルミニウムを５ｐｐｍ未満含有することを特徴とするアルミニウムドープ石英ガラス。
【請求項２】
合成石英ガラス中のＣｌ含有量が５ｐｐｍ以下、ＯＨ基含有量が２０ｐｐｍ以下、かつＮａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｕの含有量がそれぞれ０．０１ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の合成石英ガラス。
【請求項３】
ケイ素源原料ガス、水素ガス及び酸素ガスをバーナーから反応域に供給し、この反応域においてケイ素源原料ガスの火炎加水分解反応によりシリカ微粒子を生成させるとともに、上記反応域に配置された回転可能な基材に上記シリカ微粒子を堆積させて多孔質シリカ母材を作製し、同多孔質シリカ母材を加熱ガラス化する合成石英ガラスの製造工程において、その途中でアルミニウムを合成石英ガラス中に５ｐｐｍ未満となる量でドープすることを特徴とする請求項１記載のアルミニウムドープ合成石英ガラスの製造方法。
【請求項４】
ケイ素源原料ガス、水素ガス及び酸素ガスとともにアルミニウム源原料ガスをバーナーから反応域に供給し、この反応域においてケイ素源原料ガス及びアルミニウム源原料ガスの火炎加水分解反応によりシリカ微粒子及びアルミナ微粒子を生成させるとともに、上記反応域に配置された回転可能な基材にアルミニウムを含有したシリカ微粒子を堆積させてアルミニウムを含有した多孔質シリカ母材を作製し、同アルミニウム含有多孔質シリカ母材を加熱ガラス化することを特徴とする請求項３記載のアルミニウムドープ合成石英ガラスの製造方法。
【請求項５】
ケイ素源原料ガス、水素ガス及び酸素ガスをバーナーから反応域に供給し、この反応域においてケイ素源原料ガスの火炎加水分解反応によりシリカ微粒子を生成させるとともに、上記反応域に配置された回転可能な基材に上記シリカ微粒子を堆積させて多孔質シリカ母材を作製し、これをアルミニウム源化合物を溶解させた溶液に含浸させた後、酸素を含む雰囲気中で加熱乾燥させて、多孔質シリカ母材に含浸させたアルミニウム源化合物を酸化アルミニウムに変化させ、得られたアルミニウムを含む多孔質シリカ母材を加熱ガラス化することを特徴とする請求項３記載のアルミニウムドープ合成石英ガラスの製造方法。
【請求項６】
ケイ素源原料ガス、水素ガス及び酸素ガスをバーナーから反応域に供給し、この反応域においてケイ素源原料ガスの火炎加水分解反応によりシリカ微粒子を生成させるとともに、上記反応域に配置された回転可能な基材に上記シリカ微粒子を堆積させて多孔質シリカ母材を作製し、これをアルミニウム源原料ガスの含まれる雰囲気で加熱ガラス化することを特徴とする請求項３記載のアルミニウムドープ合成石英ガラスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルミニウムをドープした合成石英ガラスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程には、酸化、アニール、各種元素の拡散等、高温熱処理のプロセスが含まれている。従来、同プロセスでは天然水晶を原料に電気溶融法又は酸水素溶融法で製造した石英ガラスがシリコンウェーハを支える治具、炉芯管等に使用されている。これは天然石英を原料に電気溶融法、酸水素溶融法で作製した石英ガラスの粘度（ｌｏｇηポアズ）が１，３５０℃でそれぞれ１１．４、１０．９と高粘性を有し、耐熱性に優れているためである。しかし、微量ながら、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃａ等の半導体毒元素を含むため、酸化、アニール等のプロセスにおいてこれら半導体毒元素がシリコンウェーハ等に拡散し、接合リーク電流の増加、酸化膜耐圧不良等の原因となる不具合があった。従って、耐熱性に優れ、かつ半導体毒の影響の少ない合成石英ガラスの開発が熱望されていた。
【０００３】
石英ガラスの耐熱性を向上させる手法としてはアルミニウムをドープすることが知られている。アルミニウムをドープすることによる耐熱性向上の理論は完全には明らかとなっていないが、おそらく石英ガラス中に残留したアルカリ金属、ＯＨ基によって生じたケイ素−酸素の結合ネットワークの切断にアルミニウムが作用し、アルミニウムを介してネットワークの再構築がなされることによるものと思われる。
【０００４】
アルミニウムをドープした石英ガラスの製造方法としてはゾル−ゲル法、ベルヌイ法及びスート法等が知られている。
【０００５】
ゾル−ゲル法によるアルミニウムドープ石英ガラスに関しては、特許文献１：特許第３０４０３１５号公報、特許文献２：特許第３１２８４５１号公報等が公知であり、アルミニウムを均一にドープできる利点があるが、クラック、気泡等が入りやすく、大型のアルミニウムドープ石英ガラスの製造が困難である。
【０００６】
ベルヌイ法によるアルミニウムドープ石英ガラスに関しては、特許文献３：特開平３−１９３６３７号公報が公知であるが、アルミニウムを均質にドープすることが困難であるという難点がある。
【０００７】
一方、スート法はケイ素源原料ガス、水素ガス及び酸素ガスをバーナーから反応域に供給し、この反応域においてケイ素源原料ガスの火炎加水分解反応によりシリカ微粒子を生成させるとともに、上記反応域に配置された回転可能な基材に上記シリカ微粒子を堆積させてシリカ母材を作製し、同多孔質シリカ母材を加熱ガラス化する過程の途中でアルミニウムをドープする合成石英ガラスの製造方法であるが、アルミニウムを均質に、かつＯＨ基濃度の少ない合成石英ガラスが得られる利点がある。
【０００８】
スート法によるアルミニウムドープ石英ガラスに関しては、特許文献４：特許第３１１４９３６号公報、特許文献５：特許第３１２６１８７号公報、特許文献６：特開平５−１３９７７８号公報が公知である。
特許文献４〜６において、アルミニウムのドープ量は５〜４０ｐｐｍに規定され、５ｐｐｍ未満では耐熱性の向上の効果が小さいとされている。
【０００９】
ところで、アルミニウムも半導体毒となる元素であるが、その害は従来、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃａ等に比べて少ないものと考えられていた（柏木他  シリコンウェーハ表面のクリーン化技術２１．１９９５．）。しかし、Ｓｉ／ＳｉＯ2の界面準位を増加させる効果を持つことが報告され（Ｔ．  Ｉｔｏｇａ  ｅｔ  ａｌ．  Ｔｅｃｈ．  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  ＳＳＤＭ  ’９２．  １９９２．）、アルミニウムをドープした合成石英ガラスを半導体製造プロセスに使用した場合の影響が懸念されている。
【００１０】
そのため、アルミニウムの含有量が少なく、かつ天然石英を原料に電気溶融法、酸水素溶融法で作製した石英ガラスと同等もしくはそれ以上の耐熱性を有する合成石英ガラスの開発が熱望されていた。
【特許文献１】特許第３０４０３１５号公報
【特許文献２】特許第３１２８４５１号公報
【特許文献３】特開平３−１９３６３７号公報
【特許文献４】特許第３１１４９３６号公報
【特許文献５】特許第３１２６１８７号公報
【特許文献６】特開平５−１３９７７８号公報
【非特許文献１】柏木他  シリコンウェーハ表面のクリーン化技術２１．１９９５．
【非特許文献２】Ｔ．  Ｉｔｏｇａ  ｅｔ  ａｌ．  Ｔｅｃｈ．  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  ＳＳＤＭ  ’９２．  １９９２．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記要望に応えるためになされたもので、耐熱性に優れ、しかも半導体毒の量が局限されて半導体製造プロセスへの使用に有効なアルミニウムドープ合成石英ガラス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは上記目的を達成するため、アルミニウムのドープ量に関して種々の検討を行った結果、ケイ素源原料ガス、水素ガス及び酸素ガスをバーナーから反応域に供給し、この反応域においてケイ素源原料ガスの火炎加水分解反応によりシリカ微粒子を生成させるとともに、上記反応域に配置された回転可能な基材に上記シリカ微粒子を堆積させて多孔質シリカ母材を作製し、同多孔質シリカ母材を加熱ガラス化する合成石英ガラスの製造工程において、その途中でアルミニウムを合成石英ガラス中に５ｐｐｍ未満となる量でドープすることにより、半導体製造プロセスにおける弊害となるアルミニウム濃度が５ｐｐｍ未満と低濃度で、かつ天然石英を原料に電気溶融法、酸水素溶融法で作製した石英ガラスと同等もしくはそれ以上の耐熱性を有する合成石英ガラスが得られることを知見し、本発明をなすに至ったものである。
【００１３】
即ち、本発明は、下記のアルミニウムドープ合成石英ガラス及びその製造方法を提供する。
請求項１：
合成石英ガラス中にアルミニウムを５ｐｐｍ未満含有することを特徴とするアルミニウムドープ石英ガラス。
請求項２：
合成石英ガラス中のＣｌ含有量が５ｐｐｍ以下、ＯＨ基含有量が２０ｐｐｍ以下、かつＮａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｕの含有量がそれぞれ０．０１ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の合成石英ガラス。
請求項３：
ケイ素源原料ガス、水素ガス及び酸素ガスをバーナーから反応域に供給し、この反応域においてケイ素源原料ガスの火炎加水分解反応によりシリカ微粒子を生成させるとともに、上記反応域に配置された回転可能な基材に上記シリカ微粒子を堆積させて多孔質シリカ母材を作製し、同多孔質シリカ母材を加熱ガラス化する合成石英ガラスの製造工程において、その途中でアルミニウムを合成石英ガラス中に５ｐｐｍ未満となる量でドープすることを特徴とする請求項１記載のアルミニウムドープ合成石英ガラスの製造方法。
請求項４：
ケイ素源原料ガス、水素ガス及び酸素ガスとともにアルミニウム源原料ガスをバーナーから反応域に供給し、この反応域においてケイ素源原料ガス及びアルミニウム源原料ガスの火炎加水分解反応によりシリカ微粒子及びアルミナ微粒子を生成させるとともに、上記反応域に配置された回転可能な基材にアルミニウムを含有したシリカ微粒子を堆積させてアルミニウムを含有した多孔質シリカ母材を作製し、同アルミニウム含有多孔質シリカ母材を加熱ガラス化することを特徴とする請求項３記載のアルミニウムドープ合成石英ガラスの製造方法。
請求項５：
ケイ素源原料ガス、水素ガス及び酸素ガスをバーナーから反応域に供給し、この反応域においてケイ素源原料ガスの火炎加水分解反応によりシリカ微粒子を生成させるとともに、上記反応域に配置された回転可能な基材に上記シリカ微粒子を堆積させて多孔質シリカ母材を作製し、これをアルミニウム源化合物を溶解させた溶液に含浸させた後、酸素を含む雰囲気中で加熱乾燥させて、多孔質シリカ母材に含浸させたアルミニウム源化合物を酸化アルミニウムに変化させ、得られたアルミニウムを含む多孔質シリカ母材を加熱ガラス化することを特徴とする請求項３記載のアルミニウムドープ合成石英ガラスの製造方法。
請求項６：
ケイ素源原料ガス、水素ガス及び酸素ガスをバーナーから反応域に供給し、この反応域においてケイ素源原料ガスの火炎加水分解反応によりシリカ微粒子を生成させるとともに、上記反応域に配置された回転可能な基材に上記シリカ微粒子を堆積させて多孔質シリカ母材を作製し、これをアルミニウム源原料ガスの含まれる雰囲気で加熱ガラス化することを特徴とする請求項３記載のアルミニウムドープ合成石英ガラスの製造方法。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、半導体毒として懸念されるアルミニウムの含有量が少なく、かつ天然石英を原料に電気溶融法、酸水素溶融法で作製した石英ガラスと同等もしくはそれ以上の耐熱性を有する合成石英ガラスの製造が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明は、高温耐熱性に優れたアルミニウム含有合成石英ガラスに係わるものであり、本発明においては、高温耐熱性を向上させるために、アルミニウムをドープさせたものである。これは、石英ガラス中に残留したアルカリ金属、ＯＨ基によって生じたケイ素−酸素の結合ネットワークの切断にアルミニウムを作用させ、アルミニウムを介してネットワークを再構築させることができるためであると思われる。
【００１６】
本発明の合成石英ガラスにおいて、アルミニウムの含有量（ドープ量）は、５ｐｐｍ未満であり、好ましくは４．５ｐｐｍ以下である。その下限は特に制限されないが、アルミニウムドープの効果の有効性の点から１ｐｐｍ以上である。アルミニウムを５ｐｐｍ以上ドープした場合においても合成石英ガラス中のＣｌ含有量が５ｐｐｍ以下、ＯＨ基含有量が２０ｐｐｍ以下、Ｎａ、Ｋ等のアルカリ金属含有量が０．０１ｐｐｍ以下においては合成石英ガラスの高温耐熱性の更なる向上は見られず、また、半導体毒としてのアルミニウムの影響を抑えるため、アルミニウムのドープ量を抑制する必要があるからである。
【００１７】
また、本発明の合成石英ガラスは、Ｃｌ含有量が５ｐｐｍ以下、より好ましくは１ｐｐｍ以下であることが、高温耐熱性の点から好ましい。
また、ＯＨ基含有量は、高温耐熱性の点から２０ｐｐｍ以下、特に１０ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
更に、本発明のアルミニウム含有合成石英ガラス中のＮａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｕの含有量はそれぞれ０．０１ｐｐｍ以下であることが好ましい。これは、半導体毒となり得る元素の半導体製造プロセスでのシリコンウェーハへの拡散を抑制するためである。
【００１９】
本発明における上記アルミニウム含有量が５ｐｐｍ未満のアルミニウムドープ合成石英ガラスの製造方法は、ケイ素源原料ガス、水素ガス及び酸素ガスをバーナーから反応域に供給し、この反応域においてケイ素源原料ガスの火炎加水分解反応によりシリカ微粒子を生成させるとともに、上記反応域に配置された回転可能な基材に上記シリカ微粒子を堆積させてシリカ母材を作製し、同多孔質シリカ母材を加熱ガラス化する過程の途中でアルミニウムを合成石英ガラス中に５ｐｐｍ未満含有されるようにドープするものである。
【００２０】
本発明において、アルミニウムをドープする方法としては、以下の３方法のいずれかが適用される。
【００２１】
第１に、ケイ素源原料ガス、水素ガス及び酸素ガスとともにアルミニウム源原料ガスをバーナーから反応域に供給し、この反応域においてケイ素源原料ガス及びアルミニウム源原料ガスの火炎加水分解反応によりシリカ微粒子及びアルミナ微粒子を生成させるとともに、上記反応域に配置された回転可能な基材にアルミニウムを含有したシリカ微粒子を堆積させてアルミニウムを含有した多孔質シリカ母材を作製し、同アルミニウム含有多孔質シリカ母材を加熱ガラス化してアルミニウムドープ石英ガラスを製造する方法がある。
【００２２】
第２の方法としては、ケイ素源原料ガス、水素ガス及び酸素ガスをバーナーから反応域に供給し、この反応域においてケイ素源原料ガスの火炎加水分解反応によりシリカ微粒子を生成させるとともに、上記反応域に配置された回転可能な基材に上記シリカ微粒子を堆積させて多孔質シリカ母材を作製し、各種アルコール等の溶媒にアルミニウム源化合物を溶解させた溶液に同多孔質シリカ母材を含浸させた後、酸素を含む雰囲気中で加熱乾燥させ、多孔質シリカ母材に含浸させたアルミニウム源化合物を酸化アルミニウムに変化させ、得られたアルミニウムを含む多孔質シリカ母材を加熱ガラス化し、アルミニウムを含有する合成石英ガラスを製造する方法がある。
【００２３】
第３の方法としては、ケイ素源原料ガス、水素ガス及び酸素ガスをバーナーから反応域に供給し、この反応域においてケイ素源原料ガスの火炎加水分解反応によりシリカ微粒子を生成させるとともに、上記反応域に配置された回転可能な基材に上記シリカ微粒子を堆積させて多孔質シリカ母材を作製し、同多孔質シリカ母材をアルミニウム源原料ガスの含まれる雰囲気で加熱ガラス化し、アルミニウムを含有する合成石英ガラスを製造する方法がある。
【００２４】
本発明において、上記の多孔質シリカ母材の作製方法自体は公知の方法であり、半導体リソグラフィーに使用されるフォトマスクなど光学部材用合成石英ガラスや光ファイバーなどの製造方法としてよく知られるＶＡＤ法やＯＶＤ法によって行えばよい。従って、バーナーのガス流量などは通常の条件によって操作し得、ケイ素源原料ガスも公知の有機ケイ素化合物が使用することができる。具体的には、四塩化ケイ素などのクロロシラン、テトラメトキシシランなどのアルコキシシラン等が使用される。
【００２５】
本発明で使用され得るアルミニウム源原料ガス及びアルミニウム源化合物には、塩化アルミニウムなどのハロゲン化物、トリエトキシアルミニウムなどのアルコキシドがある。
【００２６】
アルミニウム源原料ガスを輸送するキャリアーガスには、アルミニウム源原料ガスと反応しないガスであればいかなるものでも使用可能である。具体的にはヘリウム、窒素、アルゴン等の不活性ガス又は酸素が選択し得る。また、アルミニウム源化合物を溶解する溶媒には水、メタノール、エタノール、イソプロパノール等の低級アルコールなど、各種アルコール等が使用され得る。
【００２７】
ガラス化の方法も公知の方法、条件を採用し得、例えば不活性ガス混合雰囲気下又は真空ガラス化炉内で１，２００〜１，７００℃まで加熱し、ガラス化する。
不活性ガスとしては、ヘリウム、アルゴン、窒素などが選択され得る。
【００２８】
なお、上記のアルミニウムをドープする第３の方法においては、不活性ガスとともにアルミニウム源原料ガスを含む雰囲気下で加熱ガラス化する。
ガラス化後は同ガラス化炉内で急冷、徐冷又は放冷にて室温まで冷却される。
【００２９】
本発明の合成石英ガラスは、半導体製造プロセスにおいて好適に用いられる。具体的には、シリコンウェーハ熱処理時のシリコンウェーハを支える治具、炉芯管等に使用される。
【実施例】
【００３０】
以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。また、この実施例に記載されている種々の製造条件は、この発明をその範囲に限定することを意味しない。
【００３１】
［実施例１〜６］
ケイ素源原料としてのテトラエトキシシランを１，０００ｇ／Ｈｒ、Ｏ2ガスを４．０ｍ3／Ｈｒ、及びＨ2ガスを２．８ｍ3／Ｈｒでバーナーから反応域に供給するとともに、同反応域にトリエトキシアルミニウムを２００℃に加熱して気体としたものをＮ2ガスに同伴させて供給し、テトラエトキシシラン及びトリエトキシアルミニウムの火炎加水分解反応により、アルミニウム含有多孔質シリカ母材を製造した。
この際、トリエトキシアルミニウムを同伴させるＮ2ガス量を変化させることでアルミニウムドープ量を変化させた。
上記のアルミニウム含有多孔質シリカ母材を真空ガラス化炉内において１，４５０℃まで昇温し、溶融ガラス化して直径１００ｍｍの合成石英ガラスを得た。
【００３２】
上記条件で製造した合成石英ガラスの中心部分のＣｌ濃度を放射化分析法で測定し、ＯＨ基濃度を赤外分光法で測定した。また、アルミニウム濃度及び金属不純物（Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｕ）濃度をＩＣＰ−ＭＳ分析で測定した。それぞれのアルミニウム濃度は０．７５３、１．４８２、２．１８５、２．８７８、３．５４５、４．１８２ｐｐｍであった。放射化分析法、赤外分光法及びＩＣＰ−ＭＳ分析の結果を表１に示す。
【００３３】
上記条件で製造した合成石英ガラスの中心部分より１００×１０×３ｍｍのテストピースを作製し、ビームベンディング法にて１，３５０℃での粘度を測定した結果、それぞれの粘度（ｌｏｇηポアズ）は１１．１８、１１．３８、１１．６９、１１．９１、１２．０１、１２．０４であった。
アルミニウム濃度と１，３５０℃での粘度の関係を図１に示す。
【００３４】
［比較例１，２］
ケイ素源原料としてのテトラエトキシシランを１，０００ｇ／Ｈｒ、Ｏ2ガスを４．０ｍ3／Ｈｒ、及びＨ2ガスを２．８ｍ3／Ｈｒでバーナーから反応域に供給するとともに、同反応域にトリエトキシアルミニウムを２００℃に加熱して気体としたものをＮ2ガスに同伴させて供給し、テトラエトキシシラン及びトリエトキシアルミニウムの火炎加水分解反応により、アルミニウム含有多孔質シリカ母材を製造した。
この際、トリエトキシアルミニウムを同伴させるＮ2ガス量を変化させることでアルミニウムドープ量を変化させた。
上記のアルミニウム含有多孔質シリカ母材を真空ガラス化炉内において１，４５０℃まで昇温し、溶融ガラス化して直径１００ｍｍの合成石英ガラスを得た。
【００３５】
上記条件で製造した合成石英ガラスの中心部分のＣｌ濃度を放射化分析法で測定し、ＯＨ基濃度を赤外分光法で測定した。また、アルミニウム濃度及び金属不純物（Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｕ）濃度をＩＣＰ−ＭＳ分析で測定した。それぞれのアルミニウム濃度は５．４１８、６．６２８ｐｐｍであった。放射化分析法、赤外分光法及びＩＣＰ−ＭＳ分析の結果を表１に示す。
【００３６】
上記条件で製造した合成石英ガラスの中心部分より１００×１０×３ｍｍのテストピースを作製し、ビームベンディング法にて１，３５０℃での粘度を測定した結果、それぞれの粘度（ｌｏｇηポアズ）は１１．９８、１２．００であった。アルミニウム濃度と粘度の関係を図１に示す。
図１から、合成石英ガラスに含まれるアルミニウム濃度が増加するにつれて粘度も上昇しているが、アルミニウム濃度４ｐｐｍ程度で粘度は飽和し、それ以上アルミニウム濃度を増加させても粘度は上がらないことがわかる。
【００３７】
［比較例３，４］
天然石英を原料に電気溶融法、酸水素溶融法で作製した石英ガラスのＣｌ濃度を放射化分析法で測定し、ＯＨ基濃度を赤外分光法で測定した。また、アルミニウム濃度及び金属不純物（Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｕ）濃度をＩＣＰ−ＭＳ分析で測定した。放射化分析法、赤外分光法及びＩＣＰ−ＭＳ分析の結果を表１に示す。
【００３８】
天然石英を原料に電気溶融法、酸水素溶融法で作製した石英ガラスより１００×１０×３ｍｍのテストピースを作製し、ビームベンディング法にて１，３５０℃での粘度を測定した結果、それぞれの粘度（ｌｏｇηポアズ）は１１．４０、１０．９０であった。
【００３９】
【表１】
2005145792.tif 000002
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施例１〜６及び比較例１，２で作製したアルミニウム合成石英ガラスのアルミニウムドープ量と粘度との関係を示すグラフである。
【図１】
2005145792.tif 000003