(57)【要約】【課題】  ハーフ露光した場合において現像後のレジストの残膜の均一性を向上させることが可能な基板処理方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】  第１、第２の露光エネルギーＥ１、Ｅ２（Ｅ２＝０．５Ｅ１〜０．７Ｅ１）で露光反応する第１、第２のレジストＳ１、Ｓ２がこの順に塗布された基板Ｇを得ることができる。このため、ハーフ露光によりハーフ露光領域Ｆにおいて、第１のレジスト層Ｒ１を露光反応させずに第２のレジスト層Ｒ２の領域Ｊ、Ｋを露光反応させて、第１、第２のレジスト層Ｒ１、Ｒ２の露光反応を分離することができる。従って、現像後のレジストの残膜の均一性を向上させることができる。【選択図】  図８
2005108904.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１の露光エネルギーで露光反応する第１のレジストを基板に塗布する工程と、
（ｂ）前記第１の露光エネルギーより小さい第２の露光エネルギーで露光反応する第２のレジストを前記第１のレジストの表面側から塗布する工程と、
（ｃ）塗布された前記第１及び第２のレジストをそれぞれ前記第１及び第２の露光エネルギーで露光するためのマスクを用いてハーフ露光する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理方法であって、
（ｄ）前記工程（ａ）の後前記工程（ｂ）の前に、前記第１のレジストを乾燥させる工程
を更に具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理方法であって、
前記工程（ａ）では、前記基板を回転させながら塗布する
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
請求項１に記載の基板処理方法であって、
前記工程（ａ）または工程（ｂ）では、それぞれ前記第１または第２のレジストを塗布するための第１または第２のノズルを前記基板に沿って移動させながら塗布する
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
請求項１に記載の基板処理方法であって、
前記工程（ａ）および工程（ｂ）では、それぞれ前記第１、第２のレジストを塗布するための第１、第２のノズルを前記基板に沿って移動させながら塗布する
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
請求項１に記載の基板処理方法であって、
（ｅ）前記工程（ａ）の後前記工程（ｂ）の前に、前記第１のレジストの表面に有機溶媒を塗布する工程
を更に具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】
請求項１に記載の基板処理方法であって、
前記第２の露光エネルギーは、前記第１の露光エネルギーの５０％乃至７０％である
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
（ａ）第１の露光エネルギーで露光反応する第１のレジストを基板に塗布する工程と、
（ｂ）前記基板に塗布された第１のレジストの表面を平坦化する工程と、
（ｃ）前記第１の露光エネルギーより小さい第２の露光エネルギーで露光反応する第２のレジストを前記平坦化された第１のレジストの表面側から塗布する工程と、
（ｄ）塗布された前記第１及び第２のレジストをそれぞれ前記第１及び第２の露光エネルギーで露光するためのマスクを用いてハーフ露光する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
基板を保持する保持部と、
第１の露光エネルギーで露光反応する第１のレジストを前記保持部に保持された基板に塗布するための第１のノズルと、
前記第１の露光エネルギーより小さい第２の露光エネルギーで露光反応する第２のレジストを前記第１のレジストの表面側から塗布するための第２のノズルと、
前記第１及び第２のノズルのうち少なくとも第２のノズルを前記保持部により保持された基板に沿って移動させる駆動部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶表示デバイス等に使用されるガラス基板や半導体基板を処理する基板処理方法及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）の製造工程において、ＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
【０００３】
上記露光する手法として、いわゆるハーフ（トーン）露光がある。ハーフ露光では、１枚で光の透過率が異なる部分を有するハーフトーンマスク等が用いられる。ハーフトーンマスクには、光の透過率に差を設けるために、同一形状・同一面積の半遮光部分が複数設けられており、半遮光される深さ・幅が各部位で同一になることが望まれている。
【０００４】
ハーフトーンマスクを介して露光（ハーフ露光）することで、レジスト膜上に、例えば通常の場合よりも露光量の少ない部分、つまり露光されるレジストの深さが部分的に浅い箇所を意図的に形成することが可能となる。すなわち、完全に露光される部分、露光が浅い部分、及び、露光されない部分という具合に露光の深さに差をつけることができる。これにより、１枚のハーフトーンマスクで異なるレジスト膜厚を形成することが可能となる。
【０００５】
したがって、ハーフ露光では使用する露光マスクの枚数を減らすことができ、マスク交換工程の分だけ処理時間を短縮することができる（例えば、特許文献１参照。）。  
【特許文献１】特開平０９−０８０７４０号公報（段落[０００２]、[０００３]等）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ハーフ露光する場合には、場所によっては半遮光される深さや幅が異なってしまい、現像後のレジストの残膜が不均一になるという問題がある。
【０００７】
上記事情に鑑み、本発明は、ハーフ露光した場合において現像後のレジストの残膜の均一性を向上させることが可能な基板処理方法及び基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明に係る基板処理方法は、（ａ）第１の露光エネルギーで露光反応する第１のレジストを基板に塗布する工程と、（ｂ）前記第１の露光エネルギーより小さい第２の露光エネルギーで露光反応する第２のレジストを前記第１のレジストの表面側から塗布する工程と、（ｃ）塗布された前記第１及び第２のレジストをそれぞれ前記第１及び第２の露光エネルギーで露光するためのマスクを用いてハーフ露光する工程とを具備する。
【０００９】
ここで、ハーフ露光とは、例えば光の透過率に差を設けたハーフトーンマスク等を用い、通常の露光の場合よりも露光エネルギーの少ない部分、つまり露光されるレジストの深さが部分的に浅い部分を意図的に形成する露光方法をいう（以下同じ）。
【００１０】
本発明では、異なる第１、第２の露光エネルギーで露光反応する第１、第２のレジストがこの順に基板に塗布される。このため、ハーフ露光により、例えば、第１のレジストを露光反応させずに第２のレジストを露光反応させて第１、第２のレジストの露光反応を分離することができる。従って、ハーフ露光後のレジストの残膜の均一性を向上させることができる。
【００１１】
本発明の一の形態によれば、（ｄ）前記工程（ａ）の後前記工程（ｂ）の前に、前記第１のレジストを乾燥させる工程を更に具備することを特徴とする。これにより、第１のレジストの表面が乾燥した状態で第２のレジストを塗布することができるので、第１のレジストと第２のレジストとが混ざり合うことを抑制することができる。従って、ハーフ露光後のレジストの残膜の均一性を更に向上させることができる。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記工程（ａ）では、前記基板を回転させながら塗布することを特徴とする。これにより、基板に塗布された第１のレジストの表面を平坦にすることができる。また、基板に塗布された第１のレジストの乾燥を早めることができる。
【００１３】
本発明の一の形態によれば、前記工程（ａ）または工程（ｂ）では、それぞれ前記第１または第２のレジストを塗布するための第１または第２のノズルを前記基板に沿って移動させながら塗布することを特徴とする。これにより、第２のレジストの塗布時に、例えば第１のレジストの上に第２のレジストを載せるように塗布することができるので、第１のレジストと第２のレジストとが混ざり合うことを防止することができる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記工程（ａ）および工程（ｂ）では、それぞれ前記第１、第２のレジストを塗布するための第１、第２のノズルを前記基板に沿って移動させながら塗布することを特徴とする。これにより、第２のレジストの塗布時に、例えば第１のレジストの上に第２のレジストを載せるように塗布することができるので、第１のレジストと第２のレジストとが混ざり合うことを防止することができる。また、工程（ａ）、工程（ｂ）ともに基板に沿って移動させるので、例えば、基板を回転させる機構が不要なので、低コスト化を図ることができる。
【００１５】
本発明の一の形態によれば、（ｅ）前記工程（ａ）の後前記工程（ｂ）の前に、前記第１のレジストの表面に有機溶媒を塗布する工程を更に具備することを特徴とする。これにより、第１のレジストの表面に塗布された有機溶媒の層により、第１のレジストと第２のレジストとが混ざり合うことを防止することができる。
【００１６】
本発明の一の形態によれば、前記第２の露光エネルギーは、前記第１の露光エネルギーの５０％乃至７０％であることを特徴とする。このとき、光の透過率が５０％〜７０％の部分を有するハーフトーンマスクが用いられる。これにより、第２の露光エネルギーが第１の露光エネルギーの５０％未満のときに、この５０％未満の小さいエネルギーにより第２のレジストが誤反応してしまうことを防止し、７０％を超えるときに第１の露光エネルギーと第２の露光エネルギーの値が近くなり第１のレジストと第２のレジストの露光反応の分離が困難になることを防止することができる。
【００１７】
本発明に係る他の基板処理方法は、（ａ）第１の露光エネルギーで露光反応する第１のレジストを基板に塗布する工程と、（ｂ）前記基板に塗布された第１のレジストの表面を平坦化する工程と、（ｃ）前記第１の露光エネルギーより小さい第２の露光エネルギーで露光反応する第２のレジストを前記平坦化された第１のレジストの表面側から塗布する工程と、（ｄ）塗布された前記第１及び第２のレジストをそれぞれ前記第１及び第２の露光エネルギーで露光するためのマスクを用いてハーフ露光する工程とを具備する。
【００１８】
本発明では、例えば、基板を回転させたり、基板に塗布された第１のレジストの表面に超音波を照射することで、第１のレジストの表面が平坦化される。平坦化された第１のレジストの表面に、第２のレジストが塗布される。従って、例えば、現像後に露出する第１のレジストの表面を平坦にすることができる。
【００１９】
本発明に係る基板処理装置は、基板を保持する保持部と、第１の露光エネルギーで露光反応する第１のレジストを前記保持部に保持された基板に塗布するための第１のノズルと、前記第１の露光エネルギーより小さい第２の露光エネルギーで露光反応する第２のレジストを前記第１のレジストの表面側から塗布するための第２のノズルと、前記第１及び第２のノズルのうち少なくとも第２のノズルを前記保持部により保持された基板に沿って移動させる駆動部とを具備する。
【００２０】
このような構成によれば、異なる第１、第２の露光エネルギーで露光反応する第１、第２のレジストをこの順に基板に塗布することができる。このため、例えば、光の透過率が異なる部分を有するハーフトーンマスクを介して露光するハーフ露光により、例えば、第１のレジストを露光反応させずに第２のレジストを露光反応させて、第１、第２のレジストの露光反応を分離することができる。従って、ハーフ露光後のレジストの残膜の均一性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、第１、第２のレジストの露光反応を分離してハーフ露光後のレジストの残膜の均一性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（第１実施形態）  
以下、本発明の第１の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。
【００２３】
レジスト塗布現像処理装置１００は、複数のＬＣＤ基板Ｇ（以下、基板Ｇと略称する。）を収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３とを備えており、処理ステーション２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイスステーション３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布現像処理装置１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。
【００２４】
カセットステーション１は、カセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、このカセットステーション１において外部に対するカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇの搬入出が行われる。
【００２５】
処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びる基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ、Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、第１の熱的処理ユニットセクション２６、レジスト処理ユニット２３および第２の熱的処理ユニットセクション２７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション２７、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５および第３の熱的処理ユニットセクション２８が配列されている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けられる。
【００２６】
スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１は、その中で基板Ｇが従来のように回転されることなく、略水平に搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を行うようになっている。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４も、その中で基板Ｇが回転されることなく、略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理を行うようになっている。なお、これらスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５への基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。
【００２７】
レジスト処理ユニット２３は、図２のその内部の平面図に示すように、カップ４６内の基板Ｇにレジストを塗布するための後述するレジスト塗布機構２３Ａなどを有するレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａ、基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧容器で減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂ、およびステージに載置された基板Ｇの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッドにより基板Ｇの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃがその順に配置されており、ガイドレール４８にガイドされて移動する一対のサブアーム４７により基板Ｇがこれらの間を略水平に搬送される。レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａ、減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂ及びレジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃのＹ方向両端部には、Ｘ方向に渡ってガイドレール４８が固定されている。レジスト処理ユニット２３は、相対向する短辺に基板Ｇの搬入口５７および搬出口５８が設けられており、ガイドレール４８はこれら搬入口５７および搬出口５８から外側に延びてサブアーム４７により基板Ｇの受け渡しが可能となっている。
【００２８】
図３の側面図に示すように、第１の熱的処理ユニットセクション２６は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。
【００２９】
熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１、基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２，６３、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４の４段積層されて構成されている。熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６５、基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６６，６７、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８の４段積層されて構成されている。第１の搬送装置３３は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６１を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からの基板Ｇの受け取り、熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、およびパスユニット（ＰＡＳＳ）６５を介してレジスト処理ユニット２３への基板Ｇの受け渡しを行う。
【００３０】
第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレール９１に沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。そして、昇降部材９２の昇降はモーター９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモーター９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモーター９７によって行われる。第１の搬送装置３３はこのように上下動、前後動、旋回動可能に設けられているので、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００３１】
第２の熱的処理ユニットセクション２７及び第３の熱的処理ユニットセクション２８については、図示を省略し、第１の熱的処理ユニットセクション２６と異なる箇所を中心に説明する。
【００３２】
第２の熱的処理ユニットセクション２７は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４、３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４、３５の間に第１の搬送装置３３と同じ構成の第２の搬送装置３６が設けられている。
【００３３】
熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）、基板Ｇに対してプリベーク処理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の４段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）、基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）、基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の４段積層されて構成されている。第２の搬送装置３６は、パスユニット（ＰＡＳＳ）を介してのレジスト処理ユニット２３からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４への基板Ｇの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション３の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対する基板Ｇの受け渡しおよび受け取りを行う。
【００３４】
第３の熱的処理ユニットセクション２８は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７、３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７、３８の間に第１の搬送装置３３と同じ構成の第３の搬送装置３９が設けられている。
【００３５】
熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）、基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の４段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、下から順にポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）、基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）、基板Ｇに対してポストベーク処理を行う２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の４段積層されて構成されている。第３の搬送装置３９は、パスユニット（ＰＡＳＳ）を介してのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、パス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してのカセットステーション１への基板Ｇの受け渡しを行う。
【００３６】
なお、上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１およびエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２への基板Ｇの搬入は、カセットステーション１の搬送装置１１によって行われる。また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の基板Ｇは上述したように例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Ｇが第１の搬送装置３３により搬送される。また、レジスト処理ユニット２３への基板Ｇの搬入は、第１の搬送装置３３により基板Ｇがパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に受け渡された後、一対のサブアーム４７により搬入口５７から行われる。レジスト処理ユニット２３では、サブアーム４７により基板Ｇが搬出口５８を通って熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）まで搬送され、そこで突出されたピン（図示せず）上に基板Ｇが搬出される。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４への基板Ｇの搬入は、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）において図示しないピンを突出させて基板を上昇させた状態から下降させることにより、パスユニット（ＰＡＳＳ）まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより行われる。ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の基板Ｇは例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Ｇが第３の搬送装置３９により搬送される。さらに全ての処理が終了した後の基板Ｇは、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に搬送されてカセットステーションの搬送装置１１により搬出される。
【００３７】
処理ステーション２では、以上のように２列の搬送ラインＡ，Ｂを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ，Ｂの間には、空間部４０が設けられている。そして、この空間部４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。このシャトル４１は基板Ｇを保持可能に構成されており、搬送ラインＡ，Ｂとの間で基板Ｇが受け渡し可能となっている。
【００３８】
インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間で基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４２と、バッファーカセットを配置するバッファーステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステーション２と露光装置４との間で基板Ｇの搬入出が行われる。
【００３９】
このように構成されたレジスト塗布現像処理装置１００においては、まず、カセットステーション１に配置されたカセットＣ内の基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、搬送装置１１により、基板ＧがエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２の下に配置されたスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。このスクラブ洗浄では、基板Ｇが従来のように回転されることなく略水平に搬送されつつ、洗浄処理および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプのスクラバ洗浄処理ユニットを２台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。スクラブ洗浄処理後、基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出される。
【００４０】
パスユニット（ＰＡＳＳ）６１に配置された基板Ｇは、図示しないピンが突出されることにより持ち上げられ、第１の熱的処理ユニットセクション２６に搬送されて以下の一連の処理が行われる。すなわち、まず最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２，６３のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６６，６７のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４、および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）され、その後、上記クーリングユニット（ＣＯＬ）６６，６７のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。この際に搬送処理は全て第１の搬送装置３３によって行われる。なお、アドヒージョン処理を行わない場合もあり、その場合には、基板Ｇは、脱水ベークおよび冷却の後、直ちにパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。
【００４１】
その後、パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に配置された基板Ｇがレジスト処理ユニット２３のサブアームによりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。そして、基板Ｇはまずその中のレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａに搬送され、そこで基板Ｇに対するレジスト液のスピン塗布が実施され、次いでサブアーム４７により減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥され、さらにサブアーム４７により周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されて基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、基板Ｇはサブアーム４７によりレジスト処理ユニット２３から搬出される。このように、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａの後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂを設けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗布した基板Ｇをプリベーク処理した後や現像処理後のポストベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形状が基板Ｇに転写されることがあるが、このように減圧乾燥装置（ＶＤ）により加熱せずに減圧乾燥を行うことにより、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して乾燥する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させることができ、基板上に転写が生じることを有効に防止することができるからである。
【００４２】
このようにして塗布処理が終了し、サブアーム４７によりレジスト処理ユニット２３から搬出された基板Ｇは、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。パスユニット（ＰＡＳＳ）に配置された基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）に搬送される。
【００４３】
その後、基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこで基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファーカセットに基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。
【００４４】
露光終了後、基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置され、そこから再び処理ステーション２に搬入される。すなわち、基板Ｇは第２の搬送装置３６により、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）に搬送される。そして、パスユニット（ＰＡＳＳ）においてピンを突出させて基板Ｇを上昇させた状態から下降させることにより、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４からパスユニット（ＰＡＳＳ）まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより基板Ｇが現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、現像処理が施される。この現像処理では、基板Ｇが従来のように回転されることなく、例えばコロ搬送により略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプの現像処理ユニットを３台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。
【００４５】
現像処理終了後、基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内の搬送機構、例えばコロ搬送により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）に搬出される。
【００４６】
このパスユニット（ＰＡＳＳ）に配置された基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。
【００４７】
図２に示すように、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａは、レジストの塗布処理時に基板Ｇを収容するカップ４６と、基板Ｇにレジストを塗布するためのレジスト塗布機構２３Ａと、レジスト塗布機構２３ＡをＸ方向に移動させるための第１の駆動部２３Ｂと、レジストを乾燥させるための乾燥機構２３Ｃを有している。
【００４８】
レジスト塗布機構２３Ａは、レジストと塗布するための長尺状のレジストノズル１２と、レジストノズル１２のＹ方向の両端部を保持する保持部材１４と、レジストノズル１２、保持部材１４を収容するためのノズル収容体１３とを有している。レジスト塗布機構２３Ａは、ガイドレール４８上にＹ方向に掛け渡されている。
【００４９】
レジストノズル１２は、両端部が保持部材１４により保持された長尺状の第１、第２のレジストノズル１２ａ、１２ｂとを有している。第１、第２のレジストノズル１２ａ、１２ｂは、互いに隣接して長手方向をＹ方向にして配置されている。第１、第２のレジストノズル１２ａ、１２ｂには、図示を省略した吐出孔またはスリットが形成されている。第１、第２のレジストノズル１２ａ、１２ｂは、それぞれ図示しないポンプなどを介してそれぞれ第１、第２のレジストタンクに接続され、それぞれポンプ等によってレジストが供給されるように構成されている。
【００５０】
一方の保持部材１４は、レジストノズル１２をガイドレール４８に沿ってＸ方向に移動させるための第１の駆動部２３Ｂに接続されている。第１の駆動部２３Ｂは、図２では模式的にブロック化して示している。実際には、第１の駆動部２３Ｂは、図示しないが保持部材１４に接続された無端ベルトと、無端ベルトが巻き掛けられた一対のプーリと、一方のプーリの回転軸に固定されたモーター等を有している。モーターの駆動によりレジストノズル１２がＸ方向に移動可能とされている。モーターは、モーターの駆動を制御するための制御部Ｓに接続されている。
【００５１】
乾燥機構２３Ｃは、レジストを乾燥させるためのエアを案内する長尺状の乾燥用ノズル１７ａと、乾燥用ノズル１７ａの両端部を保持する保持部材１８と、乾燥用ノズル１７ａ、保持部材１８を収容するためのノズル収容体４９とを有している。乾燥機構２３Ｃは、ガイドレール４８上にＹ方向に掛け渡されている。乾燥用ノズル１７ａには、図示を省略した吐出孔またはスリットが形成されている。乾燥用ノズル１７ａは、図示を省略した連通管を介してブロワファンが接続されている。なお、乾燥用ノズル１７ａを用いる代わりに、ヒータを用いるようにしてもよい。これにより、レジストを乾燥又は加熱することができる。
【００５２】
一方の保持部材１８は、乾燥用ノズル１７ａをガイドレール４８に沿ってＸ方向に移動させるための第２の駆動部１９に接続されている。第２の駆動部１９は、上記駆動部２３Ｂと同様に、模式的にブロック化して示している。これも同様に保持部材１８に接続された無端ベルトと、無端ベルトが巻き掛けられた一対のプーリと、一方のプーリの回転軸に固定されたモーターを有している。モーターの駆動により乾燥用ノズル１７ａがＸ方向に移動可能とされている。モーターは、モーターの駆動を制御するための制御部Ｓに接続されている。
【００５３】
図４はレジスト塗布機構２３Ａの側面図である。図４に示すように、第１、第２のレジストノズル１２ａ、１２ｂの下部は、略Ｖ字状の形状を有している。第１、第２のレジストノズル１２ａ、１２ｂの下端部は、例えばガイドレール４８より下方に突出している。これにより、例えば、第１、第２のレジストノズル１２ａ、１２ｂのメンテナンスが容易となる。
【００５４】
図５は乾燥機構２３Ｃの側面図である。図５に示すように、乾燥用ノズル１７ａの略Ｖ字状の下端部は、例えばガイドレール４８より下方に突出している。これにより、例えば、乾燥用ノズル１７ａのメンテナンスが容易となる。
【００５５】
図６に示すように、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａのカップ４６内には、レジスト塗布時に基板Ｇを収容するための回転カップ５１が収容されている。回転カップ５１内には、基板Ｇを真空引きで保持するためのチャックプレート５２が設けられている。カップ４６の下方には、レジスト塗布処理時に基板Ｇを回転させるための回転機構２３Ｄが配置されている。
【００５６】
回転機構２３Ｄは、チャックプレート５２に上端が固定された柱状の回転軸部材１６８を有している。回転軸部材１６８はその下部に設けられたエアシリンダ１７０により上下に昇降可能に設けられている。回転軸部材１６８はバキュームシール部１６９を介して図示しない真空ポンプに接続されている。これによりチャックプレート５２の表面で基板Ｇを真空チャックすることができるように構成されている。エアシリンダ１７０の駆動の制御は制御部Ｔにより行われている。
【００５７】
回転軸部材１６８は例えばボールスプライン等の軸受１７１を介してスピンドル体１６４に取り付けられている。スピンドル体１６４の上部には、回転カップ５１の下部に固定された中空の回転筒体１６７が取り付けられている。スピンドル体１６４は内側に設けられた筒部材１６４ｃと、外側の上部に設けられた上部プーリー１６４ａと、外側の下部に設けられた下部プーリー１６４ｂとからなっている。例えば筒部材１６４ｃはスピンドル体１６４の内部空間に配置された固定カラー１７３に複数のベアリング１７２を介して取り付けられている。上部プーリー１６４ａはタイミングベルト１６５ｂを介してモータ１６５により回転駆動する駆動プーリー１６５ａに接続されている。同様に、下部プーリー１６４ｂはタイミングベルト１６６ｂを介してモータ１６６により回転駆動する駆動プーリー１６６ａに接続されている。モータ１６５、１６６の回転は制御部Ｔにより制御される。モータ１６５、１６６が同期して同じ回転速度で同じ方向に回転することにより、スピンドル体１６４、回転筒体１６７、回転カップ５１、軸受１７１、回転軸部材１６８及びチャックプレート５２が一体的に回転させられる。
【００５８】
図７は、露光時に照射される照射光の露光エネルギーＥ（ｍＪ／ｃｍ２）と、現像後のレジストの膜厚ｔ（Å）との関係を示すグラフである。基板Ｇに塗布されるレジストには、それぞれ上述した第１、第２のレジストタンクに蓄えられた第１、第２のレジストＳ１、Ｓ２が用いられる。第１のレジストＳ１は、露光エネルギーＥが第１の露光エネルギーＥ１（例えば、全露光時の露光エネルギー）以上のときに露光反応する。これに対して、第２のレジストＳ２は、第１の露光エネルギーＥ１より小さい第２の露光エネルギーＥ２（露光エネルギーＥ１の大きさを１．０とするときに０．５Ｅ１〜０．７Ｅ１）以上のときに露光反応する。露光反応した第１、第２のレジストＳ１、Ｓ２は現像により溶解する。従って、例えば、露光エネルギーＥが０．７Ｅ１のときには、第１のレジストＳ１は露光反応を起こさず（現像後、膜厚ｔは変わらない）、第２のレジストＳ２は露光反応を起こす（現像後、膜厚ｔは０になる）ことになる。
【００５９】
次に、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）及び露光装置４の動作について図面を参照しながら説明する。
【００６０】
まず、図８（ａ）に示すように、例えば図示を省略したポンプ等を駆動し、チャックプレート５２上に基板Ｇを吸着する。続いて、図示を省略したポンプを駆動し、第１のレジストタンク中のレジストを第１のレジストノズル１２ａから吐出する。この間、第１の駆動部２３Ｂのモーターを駆動し第１のレジストノズル１２ａを基板Ｇに沿ってにＸ方向に移動させる。このときの移動速度は、塗布された第１のレジストＳ１の膜厚が均一となるように制御部Ｓにより制御させている（以下同様）。これにより、基板Ｇ上に第１のレジストＳ１が塗布される。
【００６１】
次いで、図８（ｂ）に示すように、図６に示すモータ１６５及び１６６を駆動し、チャックプレート５２を回転させる。これにより、基板Ｇ上の第１のレジストＳ１が基板Ｇ上に略均一に分散、乾燥される。
【００６２】
続いて、図８（ｃ）に示すように、第２の駆動部１９のモータを駆動させて乾燥用ノズル１７ａをＸ方向に移動させる。この間、乾燥用ノズル１７ａに図示を省略した連通管を介して接続されたブロワファンを作動させる。これにより、第１のレジストＳ１の表面Ｓａにエアを送り第１のレジストＳ１を乾燥させて第１のレジスト層Ｒ１を形成する。
【００６３】
続いて、図８（ｄ）に示すように、図示を省略したポンプを駆動し第２のレジストタンク中のレジストを第２のレジストノズル１２ｂから吐出する。この間、第１の駆動部２３Ｂを駆動し第２のレジストノズル１２ｂを基板Ｇに沿ってＸ方向に移動させる。これにより、乾燥した第１のレジスト層Ｒ１の表面上に第２のレジストＳ２が塗布される。続く工程の減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂにおいて第２のレジストＳ２の表面が乾燥されて第２のレジスト層Ｒ２（図８（ｅ）参照）が形成される。
【００６４】
続いて、図８（ｅ）に示すように、露光装置４においてハーフ露光マスクＭを介してレジスト塗布済みの基板Ｇを露光（紫外線ＵＶを照射）する。ハーフ露光マスクＭには、露光量を調節するために開口Ｍａが形成されている。すなわち、ハーフ露光マスクＭは、例えば、第１の露光エネルギーＥ１を遮断する部分と、全透過する部分と、第２の露光エネルギーＥ２（第１の露光エネルギーＥ１の５０％から７０％）を透過する部分を有している（以下、第２の露光エネルギーＥ２が照射されるレジスト塗布済み基板Ｇの領域を、ハーフ露光領域Ｆという。）。このため、ハーフ露光マスクＭを用いた露光（以下、ハーフ露光、という。）時には、第１、第２のレジスト層Ｒ１、Ｒ２の領域Ｈ、第２のレジスト層Ｒ２の領域Ｊ、Ｋにおいて露光反応が起こる。これにより、図８（ｆ）に示すように、現像後に領域Ｈ、Ｊ及びＫが溶解し、平坦な表面ＲＬが露出する。
【００６５】
本実施形態によれば、第１、第２の露光エネルギーＥ１、Ｅ２（Ｅ２＝０．５Ｅ１〜０．７Ｅ１）で露光反応する第１、第２のレジストＳ１、Ｓ２がこの順に塗布された基板Ｇを得ることができる。このため、ハーフ露光によりハーフ露光領域Ｆにおいて、第１のレジスト層Ｒ１を露光反応させずに第２のレジスト層Ｒ２の領域Ｊ、Ｋを露光反応させて、第１、第２のレジスト層Ｒ１、Ｒ２の露光反応をはっきりと分離することができる。従って、現像後のレジストの残膜の均一性を向上させることができる。
【００６６】
従って、例えば従来のように、エッチング後に形成される複数の電極間の距離が不均一になり、スイッチング時間が場所によって異なるようになり、液晶による画像の表示時において色ムラなどが生ずることを防止することができる。
【００６７】
本実施形態によれば、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａは、乾燥用ノズル１７ａを有しており、第１のレジストＳ１塗布後、第２のレジストＳ２の塗布前に、第１のレジストＳ１を乾燥させる。これにより、乾燥した第１のレジストＳ１上に第２のレジストＳ２を塗布することができるので、第１のレジスト層Ｒ１と第２のレジストＳ２とが混ざり合うことを抑制することができる。従って、現像後のレジストの残膜の例えば膜厚の均一性を更に向上させることができる。
【００６８】
本実施形態によれば、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａは、チャックプレート５２を回転させるモータ１６５、１６６を有している。これにより、基板Ｇに塗布された第１のレジストＳ１をモータ５５の回転により分散させてすぐに乾燥させることができる。また、基板Ｇに塗布された第１のレジストＳ１の表面を平坦にすることができる。従って、例えば、第２のレジストＳ２を平坦な第１のレジスト層Ｒ１の表面上に塗布することができるので、第１のレジスト層Ｒ１と第２のレジストＳ２とが混合することを抑制することができる。
【００６９】
本実施形態によれば、第２の露光エネルギーＥ２は、第１の露光エネルギーＥ１の５０％以上７０％以下に設定されている。これにより、第２の露光エネルギーＥ２が第１の露光エネルギーＥ１の５０％未満のときに生じ易い第２のレジストＳ２の誤反応を防止し、７０％を超えるときに第１の露光エネルギーＥ１と第２の露光エネルギーＥ２の値が近くなり第１のレジスト層Ｒ１と第２のレジスト層Ｒ２の露光反応の分離が困難になることを防止することができる。
【００７０】
（第２実施形態）  
以下、第２の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、本実施形態において第１実施形態と同じ構成部材には同じ符号を付し、その説明を省略し異なる箇所を中心に説明する。
【００７１】
図９に示すように、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）は、乾燥機構２３Ｃに代えて有機溶媒を塗布、乾燥するための塗布乾燥機構２３Ｅを有している。塗布乾燥ノズル２３Ｅは、乾燥用ノズル１７ａと、有機溶媒を塗布するための塗布用ノズル１７ｂと、乾燥用ノズル１７ａ及び塗布用ノズル１７ｂの両端部を保持する保持部材１８Ｂと、乾燥用ノズル１７ａ、塗布用ノズル１７ｂ及び保持部材１８Ｂを収容するためのノズル収容体４９Ｂとを有している。塗布乾燥機構２３Ｅは、ガイドレール４８上にＹ方向に掛け渡されている。塗布用ノズル１７ｂは、乾燥用ノズル１７ａに隣接して、長手方向をＹ方向にして配置されている。保持部材１８Ｂはガイドレール４８上にＸ方向に移動可能に載置されている。有機溶媒には、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等が用いられている。
【００７２】
一方の保持部材１８Ｂは、乾燥用ノズル１７ａ及び塗布用ノズル１７ｂをガイドレール４８に沿ってＸ方向に移動させるための第３の駆動部１９Ｂに接続されている。第３の駆動部１９Ｂは、図示しないが、保持部材１８Ｂに接続された無端ベルトと、無端ベルトが巻き掛けられた一対のプーリと、一方のプーリの回転軸に固定されたモーターを有している。モーターの駆動により乾燥用ノズル１７ａ及び塗布用ノズル１７ｂがＸ方向に移動可能とされている。このモータは、モーターの駆動を制御するための制御部Ｓに接続されている。塗布用ノズル１７ｂは、図示を省略したポンプを介してポリビニルアルコールを貯蔵するＰＶＡタンクに接続されている。
【００７３】
図１０は塗布乾燥機構２３Ｅの側面図である。図１０に示すように、乾燥用ノズル１７ａ及び塗布用ノズル１７ｂの略Ｖ字状の下端部は、例えばガイドレール４８より下方に突出している。これにより、例えば、乾燥用ノズル１７ａ及び塗布用ノズル１７ｂのメンテナンスが容易となる。
【００７４】
図１１（ａ）に示すように、本実施形態では、第１の駆動部２３Ｂを駆動させ、第１のレジストノズル１２ａを基板Ｇに沿ってＸ方向に移動させて、基板Ｇ上に第１のレジストＳ１を塗布する。
【００７５】
次いで、図１１（ｂ）に示すように、第３の駆動部１９Ｂのモーターを駆動させ乾燥用ノズル１７ａを同様にＸ方向に移動させて、第１のレジストＳ１の表面を乾燥させ第１のレジスト層Ｒ１を形成する。
【００７６】
続いて、図１１（ｃ）に示すように、第３の駆動部１９Ｂのモーターを駆動させ乾燥用ノズル１７ａ及び塗布用ノズル１７ｂを基板Ｇに沿ってＸ方向に移動させる。このとき、上述したＰＶＡタンクに接続されたポンプを駆動させ、ＰＶＡタンクから塗布用ノズル１７ｂにポリビニルアルコールを供給する。また、このとき、乾燥用ノズル１７ａからエアを送るための図示を省略したブロワファンを作動させる。これにより、第１のレジスト層Ｒ１の表面に、ポリビニルアルコールＰＶＡを塗布しながら乾燥させ透明なポリビニルアルコール層ＲＰを形成する。
【００７７】
次いで、図１１（ｄ）に示すように、第１の駆動部２３Ｂのモーターを駆動させ第２のレジストノズル１２ｂをＸ方向に移動させ、ポリビニルアルコール層ＲＰの表面に第２のレジストＳ２を塗布する。以下の工程についてはほぼ同じなので省略する。
【００７８】
本実施形態によれば、第１、第２の露光エネルギーＥ１、Ｅ２（Ｅ２＝０．５Ｅ１〜０．７Ｅ１）で露光反応する第１、第２のレジストＳ１、Ｓ２がこの順に塗布された基板Ｇを得ることができる。このため、ハーフ露光によりハーフ露光領域Ｆにおいて、第１、第２のレジスト層Ｒ１、Ｒ２の露光反応を分離することができる。従って、現像後のレジストの残膜の例えば膜厚の均一性を向上させることができる。
【００７９】
本実施形態によれば、第１のレジスト層Ｒ１を形成した後、第２のレジスト層Ｒ２を形成する前に、ポリビニルアルコール層ＲＰを形成する。このため、ポリビニルアルコール層ＲＰにより第１のレジスト層Ｒ１と第２のレジストＳ２とが混ざり合うことを抑制することができる。
【００８０】
本実施形態によれば、第１、第２のレジストＳ１、Ｓ２を塗布するときに、Ｘ方向にレジストノズル１２を移動させる。従って、レジストを塗布するために基板を回転させる必要がないので、例えば、回転機構２３Ｄをなくしてレジスト塗布処理装置（ＣＴ）の低コスト化を図ることができる。
【００８１】
本実施形態によれば、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）は、乾燥用ノズル１７ａを有している。これにより、第１のレジストＳ１の表面を乾燥させることができる。従って、乾燥した第１のレジスト層Ｒ１の表面に第２のレジストＳ２を塗布することができる。従って、第１のレジスト層Ｒ１と第２のレジストＳ２とが混ざり合うことを抑制することができる。
【００８２】
本発明は以上説明した実施形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００８３】
第１実施形態では、基板Ｇ上に塗布された第１のレジストＳ１を乾燥させるために、乾燥用ノズル１７ａによりエアを送る例を示した。しかしながら、例えば、図示を省略したヒータをガイドレール４８に沿って移動させながら乾燥するようにしてもよい。また、例えば、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）内を図示を省略したポンプにより減圧し、減圧下で乾燥用ノズル１７ａにより乾燥するようにしてもよい。このようにすれば、効果的にレジストの乾燥処理を施すことができる。
【００８４】
第２実施形態では、第１のレジスト層Ｒ１の表面にポリビニルアルコール層ＲＰを形成する例を示した。しかしながら、ポリビニルアルコール層ＲＰを形成する代わりに、例えば第１のレジスト層Ｒ１の表面にＨＭＤＳガスを噴霧し疎水処理を施すようにしてもよい。このようにしても、第１のレジスト層Ｒ１と第２のレジストＳ２とが混ざり合うことを抑制することができる。このようなＨＭＤＳガスの噴霧処理は、例えば図３に示すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４で行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明に係る第１実施形態のレジスト塗布現像処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】第１実施形態のレジスト塗布現像処理装置のレジスト処理ユニットの平面図である。
【図３】第１実施形態のレジスト塗布現像処理装置の第１の搬送装置の正面図である。
【図４】第１実施形態のレジスト塗布処理装置のレジスト塗布機構の側面図である。
【図５】第１実施形態のレジスト塗布処理装置の乾燥機構の側面図である。
【図６】第１実施形態のレジスト塗布処理装置の回転機構の断面図である。
【図７】レジストに照射する照射光の露光エネルギーと現像後のレジストの膜厚との関係を示すグラフである。
【図８】第１実施形態のレジスト塗布処理手順を模式的に示す断面図である。
【図９】本発明に係る第２実施形態のレジスト塗布処理装置の塗布乾燥ノズルの平面図ある。
【図１０】本発明に係る第２実施形態のレジスト塗布処理装置の塗布乾燥ノズルの側面図ある。
【図１１】第２実施形態のレジスト塗布処理手順を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００８６】
Ｇ…ＬＣＤ基板
Ｅ１…第１の露光エネルギー
Ｅ２…第２の露光エネルギー
Ｓ１…第１のレジスト
Ｓ２…第２のレジスト
ＣＴ…レジスト塗布処理装置
１２…レジストノズル
１２ａ…第１のレジストノズル
１２ｂ…第２のレジストノズル
１７ａ…乾燥用ノズル
１７ｂ…塗布用ノズル
２３Ａ…レジスト塗布機構
２３Ｂ…第１の駆動部
２３Ｃ…乾燥機構
２３Ｄ…回転機構
２３Ｅ…塗布乾燥機構
５２…チャックプレート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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