(57)【要約】【課題】  セラミック多層基板の外部電極にめっきを施す電子部品のめっき方法に関し、加工時間やコストの増大を招くことなく、被めっき部分の不純物を効率良くしかもセラミックにダメージを与えずに洗浄でき、被めっき部分にめっき被膜を適度に形成できてめっき不良を防止できる。【解決手段】  電子部品の被めっき部分を脱脂，エッチングした後洗浄する洗浄工程１４と、被めっき部分に触媒を付与する触媒付与工程１５と、電子部品をめっき液に浸漬して無電解めっきを施して被めっき部分にめっき被膜を形成するめっき工程１９とを含む電子部品のめっき方法において、洗浄工程１４にて、触媒付与直後に形成されるめっき被膜のめっき液を使用して被めっき部分を洗浄することを特徴とするものである。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品の被めっき部分を脱脂，エッチングした後洗浄する洗浄工程と、前記被めっき部分に触媒を付与する触媒付与工程と、前記電子部品をめっき液に浸漬して無電解めっきを施して前記被めっき部分にめっき被膜を形成するめっき工程とを含む電子部品のめっき方法において、
前記洗浄工程にて、触媒付与直後に形成される前記めっき被膜のめっき液を使用して前記被めっき部分を洗浄することを特徴とする電子部品のめっき方法。
【請求項２】
前記めっき工程にて使用済みのめっき液を、前記洗浄工程での洗浄に用いることを特徴とする請求項１に記載の電子部品のめっき方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品のめっき方法に関し、より詳しくはセラミック多層基板の外部電極にめっきを施す電子部品のめっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、図２に示すように、セラミック多層基板の外部電極にめっきが施されている。図２において、３０はセラミック素体、３１は外部電極であり、外部電極３１はＣｕ電極３２の表面にＮｉ皮膜３３を形成し、さらにＮｉ皮膜３３の表面にＡｕ皮膜３４を形成してなる。
【０００３】
このように、はんだ付け性やボンディング性等を向上させる観点から、配線パターンの下地電極であるＣｕ電極３２の表面にＡｕ皮膜３４をめっき形成しているが、電極材料であるＣｕがＡｕ皮膜３４中に拡散するのを回避するために、Ｃｕ電極３２とＡｕ皮膜３４との間にＮｉ皮膜３３が介装されている。また、セラミック多層基板の小型化、高密度化に伴い、Ｎｉ皮膜３３が電流分布の影響を受けないように無電解めっきで形成されている。無電解めっきは、めっき液に浸漬された電極とめっき液中の金属との置換反応で外部電極３１上にめっき被膜を成長させて形成する手法であり、セラミック素体３０の表面には形成されない。
【０００４】
図３に、従来のめっき工程図を示す。
【０００５】
セラミック多層基板に対し脱脂工程４１で脱脂処理を行った後、水洗工程４２で水洗処理を施し、次いでエッチング工程４３でエッチング処理を施した後、水洗工程４４で水洗処理を施し、続く触媒付与工程４５で種々の還元剤の酸化反応に対し良好な触媒活性を示す触媒をセラミック多層基板に付与する。その後、水洗工程４６で水洗処理を施して不純物を除去した後、触媒洗浄工程４７にてアルカリ性水溶液で表面処理してＣｕ電極３２以外の部位に付着した触媒を除去し、その後水洗工程４８で水洗処理を施した後、無電解Ｎｉめっき工程４９で無電解Ｎｉめっきを行い、これによりＣｕ電極３２上にのみＮｉ皮膜３３が形成される。その後水洗工程５０で水洗処理を施した後、希酸処理工程５１で被めっき物を希塩酸や希硫酸等に浸漬し、希酸処理を行う。その後水洗工程５２で水洗処理を施した後、置換Ａｕめっき工程５３で被めっき物をめっき液に浸漬して置換型の無電解Ａｕめっきを施し、Ｎｉ皮膜３３上にＡｕ皮膜３４を形成する。その後水洗工程５４で水洗処理を施し、これにより電子部品としてのセラミック多層基板が製造される。
【０００６】
従来のめっき方法では、エッチング工程４３の後、水洗工程４４にて水洗いしていた。しかし、水洗では外部電極３１上の不純物が完全に落ち切らずに残ってしまうことがあった。その結果、当該部分に触媒が付与されず、めっき不良になってしまう。そこで、再度、めっき被膜が形成されていない部分に触媒を付与する工程が必要になり、工程数が増え、加工時間が長くなり、かつコスト高になるという問題があった。
【０００７】
また、再触媒付与を行うことにより、電極以外の不導体部分、特に基板と基板を分離するために形成された溝の内部に触媒が残り易くなり、めっき被膜が異常析出するという問題もあった。
【０００８】
なお、洗浄効果を上げるために、ＨＦ系（フッ素系）の洗浄液を用いて洗浄することが考えられるが、この洗浄液はセラミックに含まれるガラス成分を溶かしてしまうという新たな問題が生じ、セラミックにダメージを与えるために使用できなかった。
【特許文献１】特開２００３−３１３６７２号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、本発明においては、加工時間やコストの増大を招くことなく、被めっき部分の不純物を効率良くしかもセラミックにダメージを与えずに洗浄でき、被めっき部分にめっき被膜を適度に形成できてめっき不良を防止できる電子部品のめっき方法を提供することを解決すべき課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、電子部品の被めっき部分を脱脂，エッチングした後洗浄する洗浄工程と、前記被めっき部分に触媒を付与する触媒付与工程と、前記電子部品をめっき液に浸漬して無電解めっきを施して前記被めっき部分にめっき被膜を形成するめっき工程とを含む電子部品のめっき方法において、前記洗浄工程にて、触媒付与直後に形成される前記めっき被膜のめっき液を使用して前記被めっき部分を洗浄することを特徴とするものである。
【００１１】
前記洗浄工程での洗浄に用いるめっき液は、前記めっき工程にて使用済みのめっき液を用いる。
【００１２】
本発明の電子部品のめっき方法によると、めっき被膜のめっき液を使用して被めっき部分を洗浄するので、めっき液の成分により優れた洗浄効果が発揮され、被めっき部分に付着していた不純物が効率良く取り除かれ、しかも単なるめっき液なのでセラミックにダメージを与えることもない。よって、被めっき部分にめっき被膜が形成されないという不都合がなくなり、めっき不良を防止できる。また、再触媒付与を行う工程が不要であり、めっき被膜の異常析出を抑制でき、加工時間やコストの増大を防止できる。さらに、めっき被膜の使用済みのめっき液を洗浄に使用することで、めっき液を有効利用でき、別途洗浄液を用意するなどのコストがかからず、しかも浴槽を増やす必要がなく、製造ラインを短くできる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の電子部品のめっき方法によると、加工時間やコストの増大を招くことなく、被めっき部分の不純物を効率良くしかもセラミックにダメージを与えずに洗浄でき、被めっき部分にめっき被膜を適度に形成できてめっき不良を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の最良の実施形態を図１に示すめっき工程図に基づいて説明する。
【００１５】
なお、めっきを施す被めっき物である外部電極を備えたセラミック多層基板の構造は、図２に示した例と同様である。また、本実施形態では、外部電極はＣｕからなるものであるが、Ａｇからなるものであってもよい。
【００１６】
まず、脱脂工程１１では、被めっき物から有機物質や無機物質による汚染を除去するため、酸性脱脂液やアルカリ性脱脂液等を使用して被めっき物に脱脂処理を施し、続く水洗工程１２で水洗処理を行う。
【００１７】
次に、エッチング工程１３では、被めっき物を所定のエッチング液に浸漬してＣｕ電極３２の表面に形成されている酸化物をエッチング除去し、まためっき皮膜との密着性を向上させるために表面形状を適度に平滑化あるいは粗化等して表面形状の微調整を行う。
【００１８】
次に、本発明の特徴である洗浄工程となるＮｉめっき液浸漬工程１４では、被めっき物をＮｉめっき液に所定時間浸漬して洗浄する。Ｎｉめっき液はＣｕ電極３２と置換反応を起こすことがなく、普通に洗浄液として使用できる。Ｎｉめっき液は、後述する触媒付与直後に形成されるＮｉめっき被膜のＮｉめっき液を使用し、しかもＮｉめっき工程にて使用済みのめっき液を使用してもよい。なお、Ｎｉめっき液は酸性、中性、アルカリ性のいずれであってもよい。
【００１９】
次に、触媒付与工程１５では、被めっき物を処理液に所定時間浸漬し、被めっき物の表面に触媒を付与する。触媒は、Ｃｕ電極３２とＮｉ皮膜３３とが反応置換しない場合に、Ｃｕ電極３２上に付与するものである。触媒としては、Ｃｕ電極３２とＮｉ皮膜３３との両金属と反応する例えばＰｄが用いられ、Ｃｕ電極３２上に付与される。続く水洗工程１６で水洗処理を行う。
【００２０】
次に、触媒洗浄工程１７では、被めっき物を洗浄液に所定時間浸漬し、Ｃｕ電極３２以外の部位に付着した触媒を除去する。続く水洗工程１８で水洗処理を行う。
【００２１】
次に、無電解Ｎｉめっき工程１９では、触媒Ｐｄとの置換反応により、Ｃｕ電極３２上にのみＮｉ皮膜３３が形成される。続く水洗工程２０で水洗処理を行う。
【００２２】
次に、希酸処理工程２１では、被めっき物を希塩酸や希硫酸等に浸漬し、希酸処理を行う。続く水洗工程２２で水洗処理を行う。
【００２３】
次に、置換Ａｕめっき工程２３では、被めっき物をめっき液に浸漬して置換型の無電解Ａｕめっきを施し、Ｎｉ皮膜３３上にＡｕ皮膜３４を形成する。
【００２４】
続く水洗工程２４で水洗処理を行う。これにより、電子部品としてのセラミック多層基板が製造される。
【００２５】
このように構成された電子部品のめっき方法によると、触媒付与直後に形成されるＮｉめっき被膜３３のめっき液を使用して被めっき部分を洗浄するので、めっき液の成分により優れた洗浄効果が発揮され、被めっき部分に付着していた不純物が効率良く取り除かれる。よって、被めっき部分にめっき被膜が形成されないという不都合がなくなり、めっき不良を防止でき、しかも単なるめっき液なのでセラミック素体３０にダメージを与えることもない。
【００２６】
また、再触媒付与を行う工程が不要であり、Ｃｕ電極３２以外の不導体部分の複雑な凹凸部、特に基板と基板を分離するために形成する溝の内部に触媒が残るのを防止でき、当該部分における電極にめっき被膜が異常析出するのを抑制し、安定して均一にめっき被膜を形成でき、加工時間やコストの増大を防止できる。
【００２７】
さらに、Ｎｉめっき被膜３３の使用済みのめっき液を洗浄に使用することで、めっき液を有効利用でき、別途洗浄液を用意するなどのコストがかからず、しかも浴槽を増やす必要がなく、製造ラインを短くできる。
【産業上の利用可能性】
【００２８】
本発明は、積層セラミックコンデンサ、積層圧電アクチュエータ等の外部電極を有したセラミック多層基板からなる電子部品のめっき方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の実施形態におけるめっき工程図
【図２】電子部品の要部断面図
【図３】従来例におけるめっき工程図
【符号の説明】
【００３０】
３０  セラミック素体
３１  外部電極
３２  Ｃｕ電極
３３  Ｎｉ皮膜
３４  Ａｕ皮膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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