(57)【要約】【課題】  指紋のように微細でかつ所定の面積を有する形状を検出する場合に、製造コストの削減，高い分解能，及びＳ／Ｎ比の大きい検出信号が得られる容量検出型センサを提供する。【解決手段】  本発明の容量検出型センサは、基板上に行配線と列配線をマトリクス状に配設された容量検出型センサであり、前記行配線と列配線との交差部において、該行配線から延在された駆動電極と、該駆動電極と対をなし、駆動電極に隣接して列配線から延在された検出電極と、層間絶縁膜を介して前記駆動電極及び検出電極上部に配設されたフローティング電極とを有し、被検出物と前記フローティング電極との距離に応じて変化する、前記駆動電極から前記検出電極に流れる変位電流を検出することを特徴とする。【選択図】    図１
2005156291.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に行配線と列配線をマトリクス状に配設された容量検出型センサであり、
前記行配線と列配線との交差部において、該列配線から延在された駆動電極と、
該駆動電極と対をなし、駆動電極に隣接して行配線から延在された検出電極と、
層間絶縁膜を介して前記駆動電極及び検出電極上部に配設されたフローティング電極と
を有し、
被検出物と前記フローティング電極との距離に応じて変化する、前記駆動電極から前記検出電極に流れる変位電流を検出することを特徴とする容量検出型センサ。
【請求項２】
前記駆動電極及び検出電極各々が、列配線または行配線との接続部を除き、前記フローティング電極により覆われていることを特徴とする請求項１記載の容量検出型センサ。
【請求項３】
前記フローティング電極上部に絶縁膜が設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の容量センサ。
【請求項４】
前記絶縁膜の所定の部分に、前記フローティング電極の一部を露出させる開口部が設けられていることを特徴とする請求項３記載の容量検出型センサ。
【請求項５】
前記絶縁膜を貫通するとともに、前記フローティング電極と電気的に導通する突起部が該フローティング電極に設けられていることを特徴とする請求項３記載の容量検出型センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被測定物の微細な凹凸などを測定するためのセンサ、および、タッチパッド等に用いて好適な容量検出型センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
検出面に押し付けられた被測定物の表面の微細な凹凸を検出するセンサとしては、アレイ状に配置した電極と被検出物との静電容量の変化を測定するものとして例えば特許文献１が知られている。
また、指等の接触位置を静電容量の変化から測定するタッチパッドとしては、行配線と列配線を絶縁体を介して交差させ、交差部の静電容量が被検出物により変化するものとして例えば特許文献２が知られている。
【特許文献１】特開２０００−２１３９０８号公報
【特許文献２】特表平０９−５１１０８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、特許文献１に記載される技術では検出電極を選択するためのトランジスタが必要になる。例えば、指紋のように微細な形状を検出する場合、１００μｍ以下のピッチで、かつ検出範囲全体に連続して、検出電極・スイッチング用トランジスタを配設する必要があり、半導体基板にこれらを集積化することが必須となる。したがって、広い面積の検出器を構成しようとした場合、工程数の増加及び歩留まりの低下によりコストが上昇してしまうという問題があった。
【０００４】
また、特許文献２の技術では、検出感度をある程度確保するためには検出容量をある程度確保して、配線交差部の容量を大きくする必要がある。
この容量を大きくする際に、構造的に、交差部を形成する行配線及び列配線の配線幅を大きくすることが必要であり、行配線及び列配線各々の配線ピッチを小さくできない。その結果、ある程度の感度を得る場合には微細構造の検出（検出対象に対する高い分解能の検出）ができないという問題があった。
さらに、特許文献２の技術では、上述したように、交差部の容量を大きくできないため、容量変化量を十分なレベルで得ることができず、検出信号のレベルが不十分なＳ／Ｎ比しか有さないという欠点があった。
【０００５】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、指紋のように微細でかつ所定の面積を有する形状を検出する場合に、製造コストの削減，高い分解能，及びＳ／Ｎ比の大きい検出信号が得られる容量検出型センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の容量検出型センサは、基板上に行配線と列配線をマトリクス状に配設された容量検出型センサであり、前記行配線と列配線との交差部において、該列配線から延在された駆動電極と、該駆動電極と対をなし、駆動電極に隣接して行配線から延在された検出電極と、層間絶縁膜を介して前記駆動電極及び検出電極上部に配設されたフローティング電極とを有し、被検出物と前記フローティング電極との距離に応じて変化する、前記駆動電極から前記検出電極に流れる変位電流を検出する。
【０００７】
本発明の容量検出型センサは、上記構成により、半導体基板等を用いてトランジスタを構成するときに用いる高価な材料を使う必要が無く、かつ簡易な製造工程で作成できるため、材料及び製造工程を含む製造コストの低減を実現する。
また、本発明の容量検出型センサは、検出の分解能を上げるため、列配線及び行配線の各配線のピッチを詰め、ドットピッチを小さくした場合でも、フローティング電極と駆動電極及び検出電極とが平面視により重なるように構成され、容量結合されているため、被検出物が上記フローティング電極に近づくことによる、駆動電極から検出電極に対し、フローティング電極を介して流れる変位電流の変化を測定することで、各ドット（交差部）の容量変化を大きく検出することができ、検出信号の信号レベルのＳ／Ｎ比を向上させることを可能とする。
さらに、本発明の容量検出型センサは、該検出物がフローティング電極近傍にない場合、フローティング電極上部への漏れ電界は極めて小さいため、光学式のセンサと異なり、センサの上部に付着する誘電性物質の影響を受けにくく、指紋センサ等へ応用した場合、残留指紋等の影響を受けにくい。
【０００８】
本発明の容量検出型センサは、前記駆動電極及び検出電極各々が、列配線または行配線との接続部を除き、前記フローティング電極により覆われているため、このフローティング電極と、駆動電極及び検出電極との結合容量が大きくなり、被検出物のフローティング電極との距離により変位電流の変化を大きく得ることができる。
【０００９】
本発明の容量検出型センサは、前記フローティング電極上部に絶縁膜が設けられているため、このフローティング電極を保護することができる。
【００１０】
本発明の容量検出型センサは、前記絶縁膜の所定の部分に、前記フローティング電極の一部を露出させる開口部が設けられているため、被検出物とフローティング電極との接触の有無により、駆動電極から検出電極に流れる変位電流が大幅に変化するため、ドットピッチを小さくした場合でも、被検出物が上記フローティング電極に近づくことによる、駆動電極から検出電極に対し、フローティング電極を介して流れる変位電流の変化を測定することで、各ドット（交差部）の容量変化を大きく検出することができ、検出信号の信号レベルのＳ／Ｎ比を向上させることを可能とする。
【００１１】
本発明の容量検出型センサは、前記絶縁膜を貫通するとともに、前記フローティング電極と電気的に導通する突起部が該フローティング電極に設けられているため、直接に被検出物がフローティング電極に接触しないため、このフローティング電極を保護しつつ、被検出物と電気的に接触させることができる。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように、集積回路の製造に比較して簡易な方法でセンサを形成できるため、製造コストを低減させ、かつ、駆動電圧及び検出電圧とフローティング電極とを結合させているため、駆動電圧と検出電圧との間の変位電流が、被検出物によるフローティング電極の変化に対応して、大きく変化することとなり、検出信号の信号レベルのＳ／Ｎ比を向上させることを可能とするという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の容量検出型センサは、基板上に行配線と列配線とをマトリクス状に配設されたものであり、行配線と列配線との交差部において、この列配線から延在された駆動電極と、この駆動電極と対をなし、駆動電極に隣接して行配線から延在された検出電極と、層間絶縁膜を介して前記駆動電極及び検出電極上部に配設されたフローティング電極とを有し、被検出物とフローティング電極との距離に応じて変化する、駆動電極から検出電極に流れる変位電流を検出する。
ここで、駆動電極及び検出電極とが上記フローティング電極と重なるように形成され、すなわち、容量結合されており、駆動電極から検出電極に対して、このフローティング電極を介して変位電流が流れる構成となっている。
【実施例１】
【００１４】
以下、本発明の第１の実施形態による容量検出型センサを図面を参照して説明する。図１は同実施形態による容量検出型センサの一構成例を示すブロック図であり、図２は本発明の容量検出型センサの要部拡大平面図であり、図３は図２における線分Ａ−Ａにおける線視断面図である。
本実施形態における容量検出型センサにおいて、指紋センサをして適応されるもので、ガラス基板１上には、第１の導電膜により形成された第１方向Ｘ平行として多数配列された行配線１３と、この行配線１３から延在された検出電極３と、この検出電極３の対の駆動電極２とが形成されている。
行配線１３，検出電極３及び駆動電極２上には、層間絶縁膜４を介して、第２の導電膜により、フローティング電極５と、第１方向Ｘと交わる第２方向Ｙ平行として多数配列された列配線１２とが形成されている。
【００１５】
ここで、検出電極３及び駆動電極２とフローティング電極５との構成において、平面視により、駆動電極２と検出電極３とを、フローティング電極５が完全に覆うように重ねられた構成となっている。
駆動電極２各々は、一方の端部において、コンタクト１４を介して、列配線１２と電気的に接続されている。すなわち、駆動電極２は列配線１２から延在された形状を有している。
パッシベーション膜６は、フローティング電極５及び列配線１２上に、これら第２の導電膜が湿気に弱い金属等を用いた場合、外部の環境（湿気など）から保護するために設けられている。このフローティング電極５の部分が、被検出物の検出部分（以下、ピクセルとする）となっている。
【００１６】
行配線１３は、例えば指紋検出を想定した場合、５００dpi以上の位置分解能及び１０mm角程度の検出エリアが必要とされるため、第１の導電膜である０．１μｍ厚のＩＴＯ膜から構成され、厚さ０．７ｍｍのガラス製の基板１上に３０〜１００μｍピッチ、例えば５０μｍピッチで２００本形成される。層間絶縁膜４は、Ｓi3Ｎ4等のＳixＮy（窒化シリコン膜）を積層したものであればよい。それぞれの行配線１３は、静電容量を検出する容量検出回路１１に接続されている。
また、列配線１２は、例えば第２の導電膜である０．１μｍ厚のｌＴＯ膜から構成され、層間絶縁膜４上に３０〜１００μｍピッチ、例えば５０μｍピッチで２００本形成される。それぞれの列配線１２は、列選択回路１０に接続されている。
こうした列選択回路１０は、静電容量の測定時に選択された列配線１２以外を全てグランド側に接続する。
【００１７】
次に、第１の実施形態による容量検出型センサの動作例を図４及び図５を用いて説明する。
上記構造により各ピクセルにおいて各駆動電極２及び検出電極３と、フローティング電極５との間に容量が生じ、全体の等価回路は図１のように表される。このような回路から各容量を測定するために一般に図４のような回路を用いる。すなわち、容量検出回路１１内においてＩ／Ｖ変換回路２０が行配線１３各々に設けられており、容量１００に変位電流を流し、オペアンプ２２と容量２１とから構成されるＩ／Ｖ変換回路２０により、上記変位電流の電流値を電圧値に変換して出力Ｖoとして出力する。この時の出力Ｖoは以下に示す（１）式で表される。
【００１８】
【数１】
2005156291.tif 000003
【００１９】
ここで、測定後、スイッチ２３をオンすることにより、容量２１に蓄積された電荷を放電させ、測定時にスイッチ２３をオフ状態にする。
しかし、本実施形態では測定対象となる容量は、指（被検出物）とフローティング電極５との間の結合容量により変化する。
このため、図４における容量１００は、図５に示す容量２００の等価回路で置き換えられることになる。
この時出力は、以下の（２）式で表される。
【００２０】
【数２】
2005156291.tif 000004
【００２１】
ただし、容量値Ｃaは駆動電極２及びフローティング電極５間の容量１０１の容量値であり、また、検出電極３及びフローティング電極５間の容量１０２の容量値である。ここで、容量１０１及び１０２は等しい容量値となるよう形成されている。容量値Ｃbは駆動電極２及び検出電極３間の寄生容量１０３の容量値である。容量値Ｃxは、フローティング電極５及び被検出物７間の容量１００の容量値である。
【００２２】
図６はセンサ表面及び被検出物７の距離と、センサの出力の関係を示す図である。
理想的なケースでは、被検出物７が十分離れているときは容量値Ｃx＝０であり、出力Ｖoは以下に示す（３）式により表される。
【００２３】
【数３】
2005156291.tif 000005
【００２４】
また、被検出物が十分近づいている場合、または接触している場合、Ｃx＝Ｃ0となり、出力Ｖoは以下の（４）式により表される。
【００２５】
【数４】
2005156291.tif 000006
【００２６】
ここで、被検出物７と、フローティング電極５と、これらの間に介挿されているパッシベーション膜６により、フローティング電極５の平面視の大きさの平行平板容量が形成され、容量値Ｃ0は、パッシベーション膜６の厚さと、フローティング電極５の面積と、材料である誘電体の誘電率とから求まる数値である。
すなわち、Ｉ／Ｖ変換器２０に流れる変位電流による出力電圧Ｖoは、パッシベーション膜６に被検出物７が近づき、ＣxがＣ0に近づくことにより、容量１０２（容量値Ｃa）から出力される変位電流が、容量１０１（容量値Ｃａ）及び容量１００（容量値Ｃx）とにより分流されることで減少することとなる。
【００２７】
例えば、層間絶縁膜４及びパッシベーション膜６の材料としてＳixＮy(窒化シリコン膜；誘電率ε＝７)を用い、膜厚を３００ｎｍとし、図２に示す形状において、フローティング電極５を５０μｍ×５０μｍ，駆動電極２及び検出電極３を５０μｍ×２５μｍとするレイアウトを用いると、各容量値がＣa＝１７０fＦ、Ｃb＝１０fＦ、ＣO＝３４０fＦとなる。
そして、容量値Ｃf＝１pＦ、Ｖ1＝５Ｖとすると、被検出物７がパッシベーション膜６から十分離れているときにＶo(off)＝０.４８Ｖ、被検出物７がパッシベーション膜６に接触しているときにＶo(on)＝０.２６Ｖとなり、被検出物の有無において差電圧△Ｖo＝０.２２Ｖの出力変化を得ることができる。
また、被検出物７が十分離れた様態からセンサ表面（パッシベーション膜６）に接触するまで、出力Ｖ0は図６に示すように単調に変化するため、距離に応じた多諧調レベルで検出結果を出力させることができ、被検出物が指紋であるとするとこの指紋形状を忠実に取り込むことができる。
【００２８】
さらに、図７に示すように、駆動電極２及び検出電極３各々を、列配線１２または行配線１３及び各配線との接続部を除き、フローティング電極５Ａ及び５Ｂにより覆うような構造にすると、駆動電極２及び検出電極３間もフローティング電極５Ｂが設けられることとなり、駆動電極２及び検出電極３間の電界を遮蔽することとなり、容量値Ｃb＝０とし、かつ容量値Ｃaを約２倍にすることができる。
このとき、本実施形態における容量検出型センサにおいて、ガラス基板１上には、第２の導電膜により形成されたフローティング電極５Ａと、層間絶縁膜４Ａを介して第１の導電膜により、第１方向Ｘ平行として多数配列された行配線１３及びこの行配線１３から延在された検出電極３とこの検出電極３の対の駆動電極２とが形成されている。
行配線１３，検出電極３及び駆動電極２上には、層間絶縁膜４Ｂを介して、第２の導電膜により、フローティング電極５Ｂと、第１方向Ｘと交わる第２方向Ｙ平行として多数配列された列配線１２とが形成されている。
【００２９】
ここで、フローティング電極５Ａとフローティング電極５Ｂとは、コンタクトにより電気的に接続されており、すでに述べたように、列配線１２及び行配線１３との接続部を除いて、検出電極３及び駆動電極２を完全に覆う構成となっている。
駆動電極２各々は、一方の端部において、コンタクト１４を介して、列配線１２と電気的に接続されている。
パッシベーション膜６は、フローティング電極５及び列配線１２上に、これら第２の導電膜が湿気に弱い金属等を用いた場合、外部の環境（湿気など）から保護するために設けられている。このフローティング電極５Ｂの部分が、被検出物の検出部分（以下、ピクセルとする）となっている。
【００３０】
これにより、被検出物７がパッシベーション膜６（容量検出型センサの表面）から十分な距離を有して離れているとき出力Ｖo(off）＝０.４３Ｖであり、被検出物７がパッシベーション膜６に接触しているときＶo(on)＝０.１４Ｖとなり、差電圧△Ｖo＝０.２９Ｖと出力変化を大きくすることができる。
また、容量検出型センサの表面における被検出物の有無により、より大きな差電圧を得るためには、パッシベーション膜６の膜厚を薄くしたり、パッシベーション膜６の材料にＴiＯ2（酸化チタン）などの高誘電率材料を用いることも効果的である。
【００３１】
すなわち、第１の実施形態による容量検出型センサ表面に被検出物７（指などの導体）を接触させた場合、指紋の凹部に対応するピクセルにおいては、フローティング電極５と被検出物７とが所定の距離を有し、出力Ｖo（off）の電圧値となり、十分な距離を有して離れているときの初期電圧値とあまり変化がない。
一方、指紋の凸部に対応するピクセルにおいては、フローティング電極５と被検出物７とが接触し、出力Ｖo（in）の電圧値となり、上記Ｖ（off）との間で十分なΔＶoを得ることができる。
【００３２】
本実施形態の静電容量センサは、上述したような構成によって、図４及び図５に示す等価回路に示すように、行配線１３と列配線１２とが交差している交差部に対応した検出部分における静電容量の変化を、変位電流の変化として求め、Ｉ／Ｖ変換回路２０により検出することができる。こうして、パッシベーション膜６の表面に微細な凹凸面が押し付けられた際に発生する、多数の検出部分の静電容量の変化を検出することによって、被検出物７の凹凸面の形状を信号データとして出力することが可能になる。
【００３３】
容量検出回路１１は、上述したような、図５及び６に示すようなＩ／Ｖ変換回路２０が用いられ、測定時には列選択回路１０で選択されている列配線１２以外の列配線は全てグランド側（接地電位）に接続されるとともに、同一の行配線１３上の測定対象外の静電容量は全て寄生容量として測定系に並列に入力されるが、寄生容量の反対側の電極がグランド側に接続されていることにより、キャンセルすることが可能になっている。
こうした構成によって、微細な凹凸面の検出、即ち微小な静電容量の変化を精度良く検出することが可能になる。その結果半導体基板等高価な材料を使うことなく低コスト化を実現でき、またドットピッチを小さくした場合でも、各ドットの初期静電容量、静電容量の変化量を大きくしてセンサの感度を向上することができる。
【実施例２】
【００３４】
本発明の第２の実施形態を図８を用いて説明する。図８は、第２の実施形態による容量検出型センサの断面図である（平面図は図２と同様）。図３に示す第１の実施形態と同一の部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。この図８に示す装置が第１の実施形態と異なる点は、フローティング電極５上のパッシベーション膜６に開口部３０が設けられている点である。
すなわち、第１の実施形態（図３）の構造においてフローティング電極５上部のパッシベーション膜６を取り除き、フローティング電極５の一部を露出させた構造になっている。
【００３５】
センサ部等価回路は図９に示すようにフローティング電極５に対して、被検出物７が接触するか否か、すなわち、フローティング電極５にスイッチＳＷxを設けて、接地電位に接続する構成として等価的に表すことができる。
すなわち、図４における容量１００は、図９に示す容量３００の等価回路で置き換えられることになる。
これにより被検出物７が十分離れているときの出力は（１）式と同様であるが、接触した場合、出力は以下の（５）式として表される。
【００３６】
【数５】
2005156291.tif 000007
【００３７】
そして、第１の実施形態と同様な各絶縁膜の厚さを用い、フローティング電極５，駆動電極２及び検出電極３の電極サイズにしたとき、フローティング電極５と被検出物７との距離が十分離れている場合に出力Ｖo（off）＝０.４８Ｖとなり、フローティング電極５と被検出物７とが電気的に接触している場合に出力Ｖo （on）＝０.０５Ｖとなり、差電圧△Ｖo＝０.４３Ｖの出力変化を得ることができる。
図６に示すセンサ表面（フローティング電極５表面）及び被検出物７の距離と、出力Ｖoとの関係から判るように、第２の実施形態の出力Ｖoは接触及び非接触との状態において、急激に出力Ｖoが変化するため、被検出物７のセンサ表面の有無の検出には有効である。
【００３８】
また、図８に示す構造を用いることにより、例えば、図１０に示すように、絶縁膜有機膜等によりパッシベーション膜３１を厚くし、このパッシベーション膜３１表面に凹凸をつけることもできる。
ここで、フローティング電極５には、披検出物７との電気的な接触を得ることができるように、突起３２が設けられている。
上述した構成により、第１の実施形態の効果に加えて、被検出物７が指の場合、センサ表面（パッシベーション膜３１表面）に凹凸を設けることにより、スベリ感等の感触（フィーリング）を向上させることができ、センサ特性を劣化させずに、この感触の向上を実現することが可能となる。
【００３９】
さらに、図１１に示すように、各ピクセル部（フローティング電極５からなる検出部分）にアース電極５０を形成し（設けて）、被検出物７の表面電位を接地（アース）電位に固定するようにし、よりフローティング電極５と被検出物７との電気的な接触状態と、非接触状態との出力Ｖoの差電圧を大きく、すなわち感度を向上させることができ、これにより、常にフローティング電極５に接触する被検出物７の電位を接地電位とすることができるため、外来電波性ノイズの影響を受けにくくすることが可能となる。
図１１の容量検出型センサの構造を、図１２及び１３を用いて行う。図１２及び１３は、各々図１１の線分Ｂ−Ｂ，Ｃ−Ｃの断面図である。図２と同様な構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
【００４０】
駆動電極２及び検出電極３を形成したと同様に、第１の導電膜により、この駆動電極２及び検出電極３の間に接地配線５１を形成する。そして、層間絶縁膜４にコンタクト５５を形成して、第２の導電膜により接地配線５１に対して電気的に接続されたアース電極５０（接地電位）が設けられる。
アース電極５０上部のパッシベーション膜６が除去され、開口部５４が設けられ、被検出物７にアース電極５０が直接接触して、被検出物７を接地電位にするようにしている。
また、駆動電極２及び検出電極３の上部も各々パッシベーション膜６が除去され、それぞれ開口部５２，開口部５３が設けられており、被検出物７が直接に各電極に電気的に接触できる構成となっている。
【００４１】
また、フローティング電極５，駆動電極２及び検出電極３の各電極の電極材料、基板１の材料は、特に制限されるものでなく、この電極材料として、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）の透明電極、基板１をガラス、プラスチック等の透明基板により形成することも可能である。
すなわち、容量検出型センサ全体を透明にすることができ、図１４に示すように携帯機器の表示面に形成することも可能になる。
例えば、容量検出型センサＳを、指紋センサに適用した例として、図１４に示すように、携帯電話２６の持ち主認証システムなどに適用することができる。
【００４２】
近年は携帯電話２６などで決済などを行うことが考えられているが、携帯電話２６に容量検出型センサＳを形成することによって、容量検出型センサＳに押し付けられた指紋を正確に検出して、予め登録された指紋データと照合することで持ち主を正しく認証することができる。なお、図１４においては、携帯電話２６の液晶等の表示画面２６ａに形成した例を図示している。この場合、列配線１２，行配線１３および駆動電極２，検出電極３，フローティング電極５等を透明電極で形成して容量検出型センサ（指紋センサ）Ｓを光透過型とすることにより、表示画面２６ａ以外の部分に指紋センサＳを配置する必要がなく小型化を図ることができる。
また、図７の構成の容量検出型センサに対しても、図８，１０，１１の構成のように、被検出物７を直接、すなわち電気的にパッシベーション膜５Ｂに接触させる構成を用いることが可能である。
なお、以上説明した各実施形態で、行配線と列配線との交差部において、駆動電極を行配線から延在させ、検出電極を列配線から延在させるとともに、各行配線および各列配線にそれぞれＩ／Ｖ変換回路を有する行選択回路および容量検出回路を接続するように構成してもよいことは言うまでもないことである。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る容量検出型センサの等価回路の構成を示す概念図である。
【図２】本発明に係る容量検出型センサの検出部分の拡大平面図である。
【図３】図２の第１の実施形態における線分Ａ−Ａにおける線視断面図である。
【図４】検出部分の容量と、この容量に流れる変位電流を電圧に変換する、容量検出回路１１内のＩ／Ｖ変換回路２０の構成を示す概念図である。
【図５】検出部分の容量と、この容量に流れる変位電流を電圧に変換する、容量検出回路１１内のＩ／Ｖ変換回路２０の構成を示す概念図である。
【図６】センサ表面及び被検出物間の距離と、検出結果の出力Ｖoとの関係を示すグラフである。
【図７】図２の第１の実施形態の変形例に係る容量検出型センサの検出部部分の線視断面図である。。
【図８】図２の第２の実施形態による容量検出型センサの検出部部分の線視断面図である。
【図９】検出部分の容量と、この容量に流れる変位電流を電圧に変換する、容量検出回路１１内のＩ／Ｖ変換回路２０の構成を示す概念図である。
【図１０】第２の実施形態の変形例による容量検出型センサの検出部部分の線視断面図である。
【図１１】第２の実施形態の変形例に係る容量検出型センサの検出部部分の拡大平面図である。
【図１２】図１１における線分Ｂ−Ｂにおける線視断面図である。
【図１３】図１１における線分Ｃ−Ｃにおける線視断面図である。
【図１４】本発明の容量検出型センサを指紋センサとして用いた携帯電話を示す外観斜視図である。
【符号の説明】
【００４４】
１…基板
２…駆動電極
３…検出電極
４，４Ａ，４Ｂ…層間絶縁膜
５，５Ａ，５Ｂ…フローティング電極
６，３１…パッシベーション膜
７…被検出物
１０…列選択回路
１１…容量検出回路
１２…列配線
１３…行配線
１４，５５…コンタクト
２１…容量（帰還容量）
２２…オペアンプ
２３…スイッチ
２６…携帯電話
２６ａ…表示画面
３０，５２，５３，５４…開口部
５０…アース電極
５１…接地配線
１００，１０１，１０２，１０３，２００，３００…容量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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