(57)【要約】【課題】鉛直に配置され左右縁部及び下縁部で支持されて使用される放射線画像変換パネルが振動を受けることにより再生画像に発生する横線状のノイズを抑える。【解決手段】支持体１１に輝尽性蛍光体層１２が設けられてなるとともに、前記輝尽性蛍光体層１２を励起光で走査して画像を読み取る読取装置に前記支持体１１の左右側部で支持される放射線画像変換パネルである。支持体の横方向の剛性値は縦方向の剛性値よりも大きく、その横方向の剛性値は３〜２００ｋｇｆ・ｍｍ2、縦方向の剛性値は１〜１５０ｋｇｆ・ｍｍ2である。支持体１１の横方向の剛性値を縦方向の剛性値よりも大きくすることで、輝尽性蛍光体層１２に励起光を照射するとともに輝尽発光を検出する際に、放射線画像変換パネルを左右側部で支持する読取装置が振動を受けても、再生画像が振動の影響を受けにくく、横線状のノイズを抑えることができる。【選択図】図１
2005156171.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体に輝尽性蛍光体層が設けられてなるとともに、前記輝尽性蛍光体層を励起光で走査して画像を読み取る読取装置に前記支持体の左右側部で支持される放射線画像変換パネルにおいて、前記支持体の横方向の剛性値は縦方向の剛性値よりも大きく、その剛性値は３〜２００ｋｇｆ・ｍｍ2、縦方向の剛性値は１〜１５０ｋｇｆ・ｍｍ2であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項２】
前記支持体には耐熱性炭素繊維強化樹脂板が用いられていることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項３】
前記支持体には耐熱性樹脂層が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項４】
前記輝尽性蛍光体層は下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
ＣｓＸ：ｅＡ  ・・・（１）
〔ここで、ＸはＣｌ、ＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｓｍ、Ｉｎ、Ｔｌ、ＧａまたはＣｅを表し、ｅは１×１０-7＜ｅ＜１×１０-2の範囲の数値を表す。〕
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、銀塩を使用しないで放射線画像を得る方法として、支持体上に輝尽性蛍光体層を設けた放射線画像変換パネルが開発されている。
【０００３】
放射線画像変換パネルは、輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を照射することで、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積させることができる。その後、輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波（励起光）で時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを輝尽発光として放出させる。この光の強弱による信号を、例えば、光電変換して電気信号を得て、この信号をハロゲン化銀写真感光材料などの記録材料、ＣＲＴなどの表示装置上に可視像として再生することができる。
【０００４】
放射線画像変換パネルを使用した放射線画像変換方式の優劣は、該パネルの輝尽性発光輝度およびパネルの発光均一性に大きく左右され、特に、これらの特性は用いる輝尽性蛍光体の特性により大きく支配されていることが知られている。
【０００５】
最近では、ＣｓＢｒなどのハロゲン化アルカリを母体にＥｕを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線パネルが提案され、特にＥｕを賦活剤とすることで従来不可能であったＸ線変換効率の向上が可能になり、医療用のＸ線画像診断機器等にも多く用いられている。
【０００６】
医療用のＸ線画像診断機器等では、放射線画像変換パネルを鉛直または水平に配置するとともに縁部分を支持し、一方の面からＸ線を照射し、他方の面に励起光を照射して輝尽発光を読み取る方式を取る場合が多い。このような装置では自重により放射線画像変換パネルが歪んだり、水平性が低下したりする場合がある。
【０００７】
放射線画像変換パネルの歪みや水平性低下を防ぐために、弾性率が１×１０5ｋｇｆ／ｃｍ2以上の第１の剛性層に輝尽性蛍光体層を積層し、輝尽性蛍光体層に充填材層を積層し、充填材層に第２の剛性層を積層し、剛性を増した放射線画像変換パネルもある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３０３６９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
再生画像の読み取りは通常、輝尽性蛍光体を励起光レーザーで横方向に走査しながら輝尽発光を検出することで行う。この画像の読み取り時に装置に振動が加わると、放射線画像変換パネルが振動して再生画像に横線状のノイズが生じるという不具合があった。
【０００９】
放射線画像変換パネルの剛性を全体的に増して振動に強くすることも考えられる。しかし、医療用のＸ線画像診断機器等では放射線画像変換パネルを鉛直に配置するため、放射線画像変換パネルの左右縁部及び下縁部で支持し、上部から放射線画像変換パネルを挿入可能とするものが多い。このような読み取り装置では、放射線画像変換パネルの縦横両方向の剛性をともに高めても効率よく放射線画像変換パネルの振動を防ぐことができなかった。
【００１０】
本発明の課題は、鉛直に配置され左右縁部及び下縁部で支持されて使用される放射線画像変換パネルが振動を受けることにより再生画像に発生する横線状のノイズを抑えることである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
以上の課題を解決するため、本発明の請求項１に記載の発明は、支持体に輝尽性蛍光体層が設けられてなるとともに、前記輝尽性蛍光体層を励起光で走査して画像を読み取る読取装置に前記支持体の左右側部で支持される放射線画像変換パネルにおいて、前記支持体１１の横方向の剛性値は縦方向の剛性値よりも大きく、その横方向の剛性値は３〜２００ｋｇｆ・ｍｍ2、縦方向の剛性値は１〜１５０ｋｇｆ・ｍｍ2であることを特徴とする。
【００１２】
請求項１に記載の発明によれば、支持体１１の横方向の剛性値を縦方向の剛性値よりも大きくし、その横方向の剛性値を３〜２００ｋｇｆ・ｍｍ2、縦方向の剛性値は１〜１５０ｋｇｆ・ｍｍ2とすることで、輝尽性蛍光体層に励起光を照射するとともに輝尽発光を検出する際に読取装置が振動を受けても、得られる画像が振動の影響を受けにくく、横線状のノイズを抑えることができる。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記支持体には耐熱性炭素繊維強化樹脂板が用いられていることを特徴とする。
【００１４】
請求項２に記載の発明によれば、支持体に耐熱性炭素繊維強化樹脂板を用いることで、輝尽性蛍光体層を設ける際の熱に耐えうる支持体とするとともに、剛性値を任意の値に定めることができる。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記支持体には耐熱性樹脂層が設けられていることを特徴とする。
【００１６】
請求項３に記載の発明によれば、支持体に耐熱性樹脂層を設けることで、支持体の表面性を改善するとともに、支持体を輝尽性蛍光体層を設ける際の熱から保護することができる。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽性蛍光体層は下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体からなることを特徴とする。
ＣｓＸ：ｅＡ  ・・・（１）
〔ここで、ＸはＣｌ、ＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｓｍ、Ｉｎ、Ｔｌ、ＧａまたはＣｅを表し、ｅは１×１０-7＜ｅ＜１×１０-2の範囲の数値を表す。〕
【００１８】
請求項４に記載の発明によれば、一般式（１）で示される輝尽性蛍光体で輝尽性蛍光体層を形成することで、より輝度の高い放射線画像変換パネルとすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１に記載の発明によれば、読取装置に左右側部で支持される支持体の横方向の剛性値を縦方向の剛性値よりも大きくし、その横方向の剛性値を３〜２００ｋｇｆ・ｍｍ2、縦方向の剛性値を１〜１５０ｋｇｆ・ｍｍ2とすることで、輝尽性蛍光体層に励起光を照射するとともに輝尽発光を検出する際に読取装置が振動を受けても、得られる画像が振動の影響を受けにくく、横線状のノイズを抑えることができる。
【００２０】
請求項２に記載の発明によれば、支持体に耐熱性炭素繊維強化樹脂板を用いることで、輝尽性蛍光体層を設ける際の熱に耐えうる支持体とするとともに、剛性値を任意の値に定めることができる。
【００２１】
請求項３に記載の発明によれば、支持体に耐熱性樹脂層を設けることで、支持体の表面性を改善するとともに、支持体を輝尽性蛍光体層を設ける際の熱から保護することができる。
【００２２】
請求項４に記載の発明によれば、一般式（１）で示される輝尽性蛍光体で輝尽性蛍光体層を形成することで、より輝度の高い放射線画像変換パネルとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、本発明の実施の形態例について詳細に述べる。本発明の実施の形態例の放射線像変換パネルは、図１に示すように、基板１１ａの少なくとも一方の面に耐熱性樹脂層１１ｂの塗設された支持体１１と、支持体１１の耐熱性樹脂層１１ｂ側の面に形成された輝尽性蛍光体層１２と、輝尽性蛍光体層１２を被覆して保護する保護層２０とからなる。
【００２４】
本発明の放射線画像変換パネルでは、基板１１ａとして横方向の剛性値が縦方向の剛性値よりも大きいものを用いることが好ましい。基板１１ａの横方向の剛性値は３〜２００ｋｇｆ・ｍｍ2、縦方向の剛性値は１〜１５０ｋｇｆ・ｍｍ2であることが好ましい。
【００２５】
基板１１ａとしては、例えば炭素繊維を樹脂に含浸させた炭素繊維強化樹脂板（プリプレグ）を用いることができる。プリプレグとしては、炭素繊維が一方向に引き揃えられた形態の一方向プリプレグと、炭素繊維を平織又は綾織等に織った形態の織物プリプレグとがある。織物プリプレグは表面に凹凸があるため、基板１１ａの表面を平坦にするには一方向プリプレグを適用することが好ましい。一方向プリプレグを用いて基板１１ａを形成するには、縦方向、横方向に交互に一方向プリプレグを重ね合わせて圧着するなどして一体化させればよい。
【００２６】
基板１１ａの横方向の剛性値を縦方向の剛性値よりも大きくするには、例えば一方向プリプレグを重ね合わせて一体化させる際に、横方向のプリプレグの割合を縦方向のプリプレグよりも多くする等の方法がある。
【００２７】
基板１１ａとしては、上記剛性値の条件を満たすものであれば、この他にも、例えば、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス、結晶化ガラスなどの板ガラス、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、エポキシフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ビスマレイイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、シロキサンフィルム、アクリルフィルム、ポリウレタンフィルム等の熱硬化性プラスチックフィルム、ナイロン１２、ナイロン６、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルイミドなどの熱可塑性樹脂からなるシートや、これらを貼り合わせたもの、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シートあるいは親水性微粒子の被覆層を有する金属シート等を用いることができる。
【００２８】
これら基板１１ａの厚みは用いる材質等によって異なるが、一般的には８０μｍ〜５０００μｍであり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは２５０μｍ〜４０００μｍである。
【００２９】
基板１１ａの少なくとも輝尽性蛍光体層１２を形成する面には、耐熱性樹脂層１１ｂを設けることが好ましい。耐熱性樹脂層１１ｂを設けることで、基板１１ａの表面を平滑にすることができ、輝尽性蛍光体層１２を平滑に形成することができる。なお耐熱性樹脂層１１ｂは基板の両面に設けてもよい。耐熱性樹脂層１１ｂを両面に設けることで、加熱したときに基板１１ａと耐熱性樹脂層１１ｂとの熱膨張率の差によって支持体１１がひずむことを防止することができる。
【００３０】
耐熱性樹脂は、Ｔｇが１８０℃以上であることが好ましく、ポリイミド、ポリアミドイミド、フッ素樹脂、アクリル樹脂、シロキサン等のうち少なくとも１つを用いることができる。このうち、ポリイミド、ポリアミドイミド、フッ素樹脂の熱膨張係数は、後述する輝尽性蛍光体層１２の熱膨張係数と近いため、輝尽性蛍光体層１２のひび割れが発生する恐れがなく好ましい。
【００３１】
基板１１ａ上に耐熱性樹脂層１１ｂを設ける方法としては、樹脂製のシートを貼り合わせる方法や、樹脂を基板１１ａ上に塗布することで設ける方法があるが、後者が好ましい。これは塗布により耐熱性樹脂層１１ｂを設けることにより、基板１１ａ表面の凹凸を覆い、輝尽性蛍光体層１２の形成面を平坦にすることができるからである。
【００３２】
耐熱性樹脂の塗布方法としては、スピンコーター、バーコーターを用いる方法や、スプレー塗布による方法等があるが、スプレー塗布が好ましい。スプレー塗布としては、基板１１ａを固定し、スプレーガンを一定スピードで動かす方法、基板１１ａを一定スピードで動かし、一個または複数の固定スプレーノズルで行う方法、いずれでもよいが、基板１１ａサイズが３５０ｍｍ四方以上の大きなものになる場合は、基板１１ａを一定スピードで動かし、複数の固定スプレーノズルで行う方法が好ましい。
【００３３】
耐熱性樹脂層１１ｂの乾燥膜厚としては１０〜１５０μｍが好ましく、特に２０〜１００μｍが好ましい。薄すぎると基板１１ａの凹凸が表面で顕著にわかり、厚すぎると重ね塗りになるために膜厚分布が悪くなる。
【００３４】
以上のようにして基板１１ａに耐熱性樹脂層１１ｂを設けたら、その耐熱性樹脂層１１ｂの基板１１ａと反対側の面に、輝尽性蛍光体層１２を設ける。
【００３５】
本発明に好ましく用いられる輝尽性蛍光体としては、下記一般式で表されるものを使用することができる。
【００３６】
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’2・ｂＭ3Ｘ’’3：ｅＡ
ここで、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、特にＫ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることが好ましい。
【００３７】
Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、特に、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａから選ばれる少なくとも一種の二価金属であることが好ましい。
【００３８】
Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、特に、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であることが好ましい。
【００３９】
Ｘ、Ｘ’及びＸ’’はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、特にＸはＢｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることが好ましい。
【００４０】
ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属であり、特にＥｕ、Ｃｓ、Ｓｍ、Ｔｌ及びＮａからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属であることが好ましい。
【００４１】
ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を示し、特にｂは０≦ｂ≦１０-2 の範囲の数値を示すことが好ましい。
【００４２】
特に、上記輝尽性蛍光体層１２は下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を有することが好ましい。
【００４３】
ＣｓＸ：ｅＡ  ・・・（１）
【００４４】
ここで、ＸはＣｌ、ＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｓｍ、Ｉｎ、Ｔｌ、ＧａまたはＣｅを表し、ｅは１×１０-7＜ｅ＜１×１０-2の範囲の数値を示す。
【００４５】
上記の輝尽性蛍光体は、例えば下記（ａ）〜（ｄ）の蛍光体原料を用いて以下に述べる製造方法により製造される。
【００４６】
（ａ）ＬｉＦ、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩ、ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣＳＢｒ及びＣｓＩからなる群から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物。
【００４７】
（ｂ）ＢｅＦ2、ＢｅＣｌ2、ＢｅＢｒ2、ＢｅＩ2、ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｇＩ2、ＣａＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＢｒ2、ＣａＩ2、ＳｒＦ2、ＳｒＣｌ2、ＳｒＢｒ2、ＳｒＩ2、ＢａＦ2、ＢａＣｌ2、ＢａＢｒ2、ＢａＩ2、ＺｎＦ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、ＣｄＦ2、ＣｄＣｌ2、ＣｄＢｒ2、ＣｄＩ2、ＣｕＦ2、ＣｕＣｌ2、ＣｕＢｒ2、ＣｕＩ2、ＮｉＦ2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＢｒ2及びＮｉＩ2からなる群から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物。
【００４８】
（ｃ）ＳcＦ3、ＳｃＣｌ3、ＳｃＢｒ3、ＳｃＩ3、ＹＦ3、ＹＣｌ3、ＹＢｒ3、ＹＩ3、ＬａＦ3、ＬａＣｌ3、ＬａＢｒ3、ＬａＩ3、ＣｅＦ3、ＣｅＣｌ3、ＣｅＢｒ3、ＣｅＩ3、ＰｒＦ3、ＰｒＣｌ3、ＰｒＢｒ3、ＰｒＩ3、ＮｄＦ3、ＮｄＣｌ3、ＮｄＢｒ3、ＮｄＩ3、ＰｍＦ3、ＰｍＣｌ3、ＰｍＢｒ3、ＰｍＩ3、ＳｍＦ3、ＳｍＣｌ3、ＳｍＢｒ3、ＳｍＩ3、ＥｕＦ3、ＥｕＣｌ3、ＥｕＢｒ3、ＥｕＩ3、ＧｄＦ3、ＧｄＣｌ3、ＧｄＢｒ3、ＧｄＩ3、ＴｂＦ3、ＴｂＣｌ3、ＴｂＢｒ3、ＴｂＩ3、ＤｙＦ3、ＤｙＣｌ3、ＤｙＢｒ3、ＤｙＩ3、ＨｏＦ3、ＨｏＣｌ3、ＨｏＢｒ3、ＨｏＩ3、ＥｒＦ3、ＥｒＣｌ3、ＥｒＢｒ3、ＥｒＩ3、ＴｍＦ3、ＴｍＣｌ3、ＴｍＢｒ3、ＴｍＩ3、ＹｂＦ3、ＹｂＣｌ3、ＹｂＢｒ3、ＹｂＩ3、ＬｕＦ3、ＬｕＣｌ3、ＬｕＢｒ3、ＬｕＩ3、ＡｌＦ3、ＡｌＣｌ3、ＡｌＢｒ3、ＡｌＩ3、ＧａＦ3、ＧａＣｌ3、ＧａＢｒ3、ＧａＩ3、ＩｎＦ3、ＩｎＣｌ3、ＩｎＢｒ3及びＩｎＩ3からなる群から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物。
【００４９】
（ｄ）Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも一種もしくは２種以上の金属。
【００５０】
上記（ａ）〜（ｄ）の蛍光体原料を秤量し、純水にて混合する。この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いることで充分に混合することができる。
【００５１】
次に、得られた混合液のｐＨ値Ｃを0＜Ｃ＜7に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。
【００５２】
次に、得られた原料混合物を石英ルツボあるいはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉内で焼成を行う。焼成温度は５００〜１０００℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、０．５〜６時間が好ましい。
【００５３】
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。
【００５４】
なお、上記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、同じ焼成条件で再焼成を行なえば輝尽性蛍光体の発光輝度を更に高めることができ、また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の輝尽性蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気、中性雰囲気あるいは弱酸化性雰囲気のままで冷却してもよい。
【００５５】
また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気あるいは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた輝尽性蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。
【００５６】
輝尽性蛍光体層１２は、上記の輝尽性蛍光体を蒸発源として基板１１ａの一方の面へ気相堆積させることにより形成される。気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、その他を用いることができる。
【００５７】
蒸着法では、まず、基板１１ａを蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とする。次いで、輝尽性蛍光体を蒸発源として蒸着装置内の蒸発装置に設置し、抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて、基板１１ａ表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。
【００５８】
この結果、結着材を含有しない輝尽性蛍光体層１２が形成される。上記の蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層１２を形成することも可能である。
【００５９】
また、上記の蒸着工程では複数の抵抗加熱機あるいはエレクトロンビームを用いて複数の輝尽性蛍光体原料を蒸発源として共蒸着し、基板１１ａ上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層１２を形成することも可能である。
【００６０】
上記の気相堆積法による輝尽性蛍光体層１２の作成にあたり、輝尽性蛍光体層１２が形成される支持体１１の温度は、５０℃〜４００℃に設定することが好ましく、蛍光体の特性上は１００℃〜２５０℃が好ましく、基板１１ａに樹脂を用いる場合には樹脂の耐熱性を考慮して５０℃〜１５０℃、さらに好ましくは５０℃〜１００℃がよい。
【００６１】
図２は、支持体１１上に輝尽性蛍光体層１２が蒸着により形成される様子を示す図である。支持体ホルダ１５に固定された支持体１１の耐熱性樹脂層１１ｂ側の面の法線方向（Ｒ）に対する輝尽性蛍光体の蒸気流１６の入射角度をθ2（例えば図では６０°）とし、形成される柱状結晶１３の基板１１ａ面の法線方向（Ｒ）に対する角度をθ1（例えば図では３０°）とすると、経験的にはθ1はθ2の約半分となり、この角度で柱状結晶１３が形成される。
【００６２】
輝尽性蛍光体の柱状結晶１３の成長角は０°〜７０°がよく、好ましくは０°〜５５°である。
【００６３】
これらの場合において、支持体１１と蒸発源との最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて概ね１０ｃｍ〜８０ｃｍに設置するのが好ましい。
【００６４】
柱状結晶１３からなる輝尽性蛍光体層１２において鮮鋭度（ＭＴＦ）をよくするためには、柱状結晶１３の大きさは１μｍ〜５０μｍ程度がよく、更に好ましくは、１μｍ〜３０μｍである。即ち、柱状結晶１３が１μｍより細い場合は、柱状結晶１３により輝尽励起光が散乱される為にＭＴＦが低下するし、柱状結晶１３が５０μｍ以上の場合も輝尽励起光の指向性が低下し、ＭＴＦは低下する。
【００６５】
なお、柱状結晶１３の大きさは、柱状結晶１３を支持体１１と平行な面から観察したときの各柱状結晶１３の断面積の円換算した直径の平均値であり、少なくとも１００個以上の柱状結晶１３を視野中に含む顕微鏡写真から計算する。
【００６６】
また、各柱状結晶１３間の間隙の大きさは３０μｍ以下がよく、更に好ましくは５μｍ以下がよい。間隙が３０μｍを越える場合は蛍光体層中の蛍光体の充填率が低くなり、輝度が低下してしまう。
【００６７】
柱状結晶１３の太さは基板１１ａ温度、真空度、蒸気流入射角度等によって影響を受け、これらを制御することによって所望の太さの柱状結晶１３を作製することが可能である。
【００６８】
スパッタリング法では、蒸着法と同様、支持体１１をスパッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して１．３３３×１０-1Ｐａ程度のガス圧とする。次に、輝尽性蛍光体をターゲットとして、斜めにスパッタリングすることにより、支持体１１上に輝尽性蛍光体層１２を所望の厚さに斜めに成長させる。
【００６９】
スパッタリング工程では蒸着法と同様に複数回に分けて輝尽性蛍光体層１２を形成することも可能であるし、また複数の輝尽性蛍光体原料をターゲットとして用い、これを同時或いは順次スパッタリングして、支持体１１上で目的とする輝尽性蛍光体層１２を形成する事も可能である。必要に応じてＯ2、Ｈ2等のガスを導入して反応性スパッタリングを行ってもよい。更に、スパッタリング時に必要に応じて被蒸着物を冷却或いは加熱してもよい。また、スパッタリング終了後に輝尽性蛍光体層１２を加熱処理してもよい。
【００７０】
ＣＶＤ法は、目的とする輝尽性蛍光体或いは輝尽性蛍光体原料を含有する有機金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解することにより、支持体１１上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層１２を得るものである。ＣＶＤ法によっても、輝尽性蛍光体を独立した細長い柱状結晶１３に気相成長させて輝尽性蛍光体層１２を得ることが可能である。
【００７１】
これらの方法により形成した輝尽性蛍光体層１２の膜厚は目的とする放射線像変換パネルの放射線に対する輝度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、１０μｍ〜１０００μｍの範囲が好ましく、更に好ましくは、２０μｍ〜８００μｍの範囲である。
【００７２】
なお、気相堆積法における輝尽性蛍光体層１２の成長速度は、０．０５μｍ／ｍｉｎ〜３００μｍ／ｍｉｎであることが好ましい。成長速度が０．０５μｍ／ｍｉｎ未満の場合には放射線画像変換パネルの生産性が悪く好ましくない。また成長速度が３００μｍ／ｍｉｎを超える場合には成長速度のコントロールが難しく好ましくない。
【００７３】
この様にして支持体１１上に形成した輝尽性蛍光体層１２は、結着剤を含有していないので、指向性に優れており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層１２を有する放射線画像変換パネルより層厚を厚くすることができる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層１２中での散乱が減少することで像の鮮鋭性が向上する。
【００７４】
また、柱状結晶１３間の間隙に結着剤等充填物を充填してもよく、輝尽性蛍光体層１２の補強となる。また高光吸収率の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい。これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層１２に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散をほぼ完全に防止できる。
【００７５】
高光反射率の物質とは、輝尽発光（４００〜６００ｎｍ、特に４００〜５００ｎｍ）に対する反射率の高いものをいい、白色顔料、及び紫色から青色領域の色材（青色系色材）を用いることができる。
【００７６】
白色顔料として、ＴｉＯ2（アナターゼ型、ルチル型）、ＭｇＯ、ＰｂＣＯ3・Ｐｂ（ＯＨ）2、ＢａＳＯ4、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ（ＩＩ）ＦＸ（但し、Ｍ（ＩＩ）はＢａ、Ｓｒ及びＣａの中の少なくとも一種であり、ＸはＣｌ、及びＢｒのうちの少なくとも一種である。）、ＣａＣＯ3、ＺｎＯ、Ｓｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｎＯ2、リトポン（ＢａＳＯ４・ＺｎＳ）、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸鉛、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウム、アルミニウム、マグネシウム、銀、インジウムなどが挙げられる。これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネルの輝度を顕著に向上させうる。
【００７７】
また、青色系色材は、有機若しくは無機系色材のいずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファーストブルー３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリルブルーＮ−３ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナショナルアニリン製）、スピリットブルー（保土谷化学製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント製）、キトンブルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカチロンブルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学製）、レイクブルーＡＦＨ（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産業製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋インク製）、ライオノイルブルーＳＬ（東洋インク製）等が用いられる。またカラーインデクスＮｏ．２４４１１、２３１６０、７４１８０、７４２００、２２８００、２３１５４、２３１５５、２４４０１、１４８３０、１５０５０、１５７６０、１５７０７、１７９４１、７４２２０、１３４２５、１３３６１、１３４２０、１１８３６、７４１４０、７４３８０、７４３５０、７４４６０等の有機系金属錯塩色材も挙げられる。無機系色材としては群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ2−ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ系顔料が挙げられる。
【００７８】
高光吸収率の物質としては、例えば、カーボン、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄などが用いられる。
【００７９】
以上のようにして輝尽性蛍光体層１２を形成した後、必要に応じて輝尽性蛍光体層１２の基板１１ａとは反対の側に保護層２０を設ける。保護層２０は、保護装用の塗布液を輝尽性蛍光体層１２の表面に直接塗布して形成してもよいし、またあらかじめ別途形成した保護層２０を輝尽性蛍光体層１２の周縁部で支持体１１に接着してもよい。
【００８０】
保護層２０の材料としては、防湿性樹脂フィルムを好適に用いることができる。防湿性樹脂フィルムとしては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体などを用いることができる。樹脂フィルムは加工が容易で厚みを１００μm以下と薄くしても製造工程中の強度には問題がなく、薄層であるため初期画質の点で好ましい。
【００８１】
また、これらの防湿性樹脂フィルムは、透湿度及び酸素透過性が低い無機物質の層を積層して有していてもよい。このような無機物質としては、ＳｉＯX（ＳｉＯ、ＳｉＯ2）、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ2、ＳｎＯ2，ＳｉＣ、ＳｉＮ等があるが、このうち特にＡｌ2Ｏ3やＳｉＯXは光透過率が高くかつ透湿度及び酸素透過性が低い、すなわちクラックやマイクロポアが少なく緻密な膜を形成することができるので特に好ましい。ＳｉＯX、Ａｌ2Ｏ3は単独で積層しても良いが、両方を共に積層すると透湿度及び酸素透過性をより低くすることができるので、ＳｉＯX、Ａｌ2Ｏ3の両方を積層することがより好ましい。
【００８２】
無機物質の樹脂フィルムへの積層は、ＰＶＤ法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＥ−ＣＶＤ（Plasma enhanced CVD）等の方法が使用できる。積層は、蛍光体層を樹脂フィルムで被覆したのちに行ってもよいし、蛍光体層を被覆する前に行ってもよい。積層厚は０．０１μmから１μm程度であることが好ましい。あるいは、あらかじめ蒸着層が形成された市販の防湿性樹脂フィルムを用いてもよい。このような防湿性樹脂フィルムとしては、例えば、凸版印刷（株）ＧＬ−ＡＥなどがある。
【００８３】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００８４】
基板と耐熱性樹脂層と組み合わせを変えて支持体を作製した。
【実施例１】
【００８５】
厚さ２ｍｍ厚、３００ｍｍ角サイズの炭素繊維強化樹脂板（東邦テナックス製ＣＦＲＰ＃１５５Ｃ含侵樹脂硬化エポキシ樹脂、縦方向の剛性値１ｋｇｆ・ｍｍ2、横方向の剛性値３ｋｇｆ・ｍｍ2）を基板とし、これにポリイミド（宇部興産製アンダーフィル材ＵＭＥＫＯＴＥ）をバーコーターにて塗布し、８０℃で３０分と、１８０℃で３０分との2段階で乾燥した後、１０μ厚のポリイミド膜からなる耐熱性樹脂層を形成した。
【００８６】
これらの支持体を蒸着装置の真空チャンバー中に入れるとともに、ＣｓＢｒ：０．００１Ｅｕからなる輝尽性蛍光体を入れたルツボ（蒸着源）を入れた。比較例４を除き、基板の耐熱性樹脂層が形成されている面を蒸着源に向けた。比較例４では基板のいずれか一方の面を蒸着源に向けた。基板と蒸着源との間にはアルミニウム製のスリットを配置した。基板と蒸着源の距離は６０ｃｍとした。次いで真空チャンバー中にアルゴンガスを導入し、真空度を０．２７Ｐａとした。
【００８７】
輝尽性蛍光体の蒸気はアルミニウム製のスリットを通って基板の法線方向に対して０°の入射角度で入射するようにし、基板と平行な方向に基板を搬送しながら、蒸着を行った。比較例４を除き、基板の耐熱性樹脂層が形成されている面に蒸着を行った。比較例４では基板のいずれか一方の面に蒸着を行った。以上のようにして３００μｍ厚の柱状結晶構造を有する輝尽性蛍光体層を得た。
【００８８】
下記構成で表されるアルミナ蒸着ポリエチレンテレフタレート樹脂層を含む積層保護フィルムＡを作成し、これを防湿性保護フィルムとして用いた。
【００８９】
積層保護フィルムＡ：ＶＭＰＥＴ１２／／／ＶＭＰＥＴ１２／／／ＰＥＴ
【００９０】
積層保護フィルムＡにおいて、ＶＭＰＥＴは、アルミナ蒸着したポリエチレンテレフタレート（市販品：東洋メタライジング社製）を表し、ＰＥＴはポリエチレンテレフタレートを表す。また、上記「／／／」は、ドライラミネーション接着層における２液反応型のウレタン系接着剤層の厚みが３．０μｍであることを表し、各樹脂フィルムの後に表示した数字は、各フィルムの膜厚（μｍ）を表す。
【００９１】
防湿性保護フィルムで輝尽性蛍光体板を包み、減圧しながら、蛍光体面側の蛍光体周縁より外側にある領域で、基板と保護フィルムとをインパルスシーラー等で加熱、融着して封止して、放射線画像変換パネルを作成した。
【実施例２】
【００９２】
実施例１の炭素繊維強化樹脂板を東邦テナックス製ＣＦＲＰ＃１６７Ｂ（含侵樹脂硬化エポキシ樹脂、縦方向の剛性値９ｋｇｆ・ｍｍ2、横方向の剛性値１０ｋｇｆ・ｍｍ2）に変えた以外は実施例１と同様に放射線画像変換パネルを作成した。
【実施例３】
【００９３】
実施例１の炭素繊維強化樹脂板を東邦テナックス製ＣＦＲＰ＃１６７Ｃ（含侵樹脂硬化エポキシ樹脂、縦方向の剛性値１５ｋｇｆ・ｍｍ2、横方向の剛性値８０ｋｇｆ・ｍｍ2）に変えた以外は実施例１と同様に放射線画像変換パネルを作成した。
【実施例４】
【００９４】
実施例１の炭素繊維強化樹脂板を東邦テナックス製ＣＦＲＰ＃１６７Ｄ（含侵樹脂硬化エポキシ樹脂、縦方向の剛性値３ｋｇｆ・ｍｍ2、横方向の剛性値６０ｋｇｆ・ｍｍ2）に変えた以外は実施例１と同様に放射線画像変換パネルを作成した。
【実施例５】
【００９５】
実施例１の炭素繊維強化樹脂板を東邦テナックス製ＣＦＲＰ＃１６７Ｅ（含侵樹脂硬化エポキシ樹脂、縦方向の剛性値１５０ｋｇｆ・ｍｍ2、横方向の剛性値２００ｋｇｆ・ｍｍ2）に変えた以外は実施例１と同様に放射線画像変換パネルを作成した。
【００９６】
＜比較例１＞
実施例１の炭素繊維強化樹脂板を東邦テナックス製ＣＦＲＰ＃１６７Ｅ（含侵樹脂硬化エポキシ樹脂、縦方向の剛性値０．５ｋｇｆ・ｍｍ2、横方向の剛性値２ｋｇｆ・ｍｍ2）に変えた以外は実施例１と同様に放射線画像変換パネルを作成した。
【００９７】
＜比較例２＞
実施例１の炭素繊維強化樹脂板を東邦テナックス製ＣＦＲＰ＃１６７Ｆ（含侵樹脂硬化エポキシ樹脂、縦方向の剛性値２５０ｋｇｆ・ｍｍ2、横方向の剛性値２５０ｋｇｆ・ｍｍ2）に変えた以外は実施例１と同様に放射線画像変換パネルを作成した。
【００９８】
＜輝度評価＞
放射線画像変換パネルより２ｍ離れた点から放射線画像変換パネルに管電圧８０ｋＶｐのＸ線を１０ｍＡｓ照射した。その後、コニカＲｅｇｉｕｓ３５０に放射線画像変換パネルを設置して輝尽発光を読み取った。得られた光電子増倍管からの電気信号を元に評価を行った。下記表１の値は、輝尽性蛍光体面全体の平均値であり、実施例１の輝度を１．００としたときの相対値である。
【００９９】
＜鮮鋭度評価＞
放射線画像変換パネルの基板側に試料にＣＴＦチャートを貼付した後、被写体から１．５ｍ離れた点から８０ｋＶｐのＸ線を１０ｍＡｓ照射した。その後、直径１００μｍ、波長６８０ｎｍの半導体レーザー（放射線画像変換パネル上でのパワー４０ｍＷ）で輝尽性蛍光体層上を走査し、励起された輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を光電子増倍管（浜松ホトニクス製、Ｒ１３０５）で受光して電気信号に変換し、Ａ／Ｄ変換して磁気テープにより記録した。記録した磁気テープをコンピューターで分析して磁気テープに記録されているＸ線像の変調伝達関数を求めた。表の値は空間周波数２．０Ｌｐ／ｍｍでのＭＴＦ値（変調伝達関数、％）を示す。ＭＴＦ値は高いほど鮮鋭度が良好であることを示す。
【０１００】
＜振動特性評価＞
硬式テニスボールにヒモを取り付け、放射線画像変換パネルの基板側にある前面板と硬式テニスボールが接するように読み取り装置の上部から吊り下げた。次いで厚さ５ｃｍのスペーサーを前面板と硬式テニスボールとの間に挟み、硬式テニスボールを固定した。
【０１０１】
放射線画像変換パネルに２ｍ離れた放射線源から管電圧８０ｋＶｐのＸ線を２００ｍＡｓ照射した。その１分後にレーザー読み取りを開始した。そのときにスペーサーを静かに抜き取り、硬式テニスボールを前面板にぶつけることで振動を与えた。
【０１０２】
そのとき発生した横線状のノイズの周囲との信号値ｓｔｅｐ差を解析し、以下のように評価した。横線状のノイズは周りよりも信号値が高くなるため、ｓｔｅｐ差は小さいほうがよい。
○・・・ｓｔｅｐ差０〜２で優
○△・・・ｓｔｅｐ差３〜５で良
×・・・ｓｔｅｐ差１２以上で不良
【０１０３】
以上の評価結果を下記表１に示す。
【表１】
2005156171.tif 000003
【０１０４】
実施例１〜５では、振動により発生する横線状のノイズが少なく、また輝度、鮮鋭度ともに良好であった。比較例１、２では振動特性が悪かった。
【０１０５】
以上の結果から、基板の横方向の剛性値を縦方向の剛性値よりも高くすることで、横線状のノイズの発生を抑えることができ、振動特性の優れた放射線画像変換パネルが得られることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本発明の放射線画像変換パネルの形態例を示す断面図である。
【図２】本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の形成方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１１   支持体
１１ａ 基板
１１ｂ 耐熱性樹脂層
１２   輝尽性蛍光体層
【図１】
2005156171.tif 000004
【図２】
2005156171.tif 000005