(57)【要約】      （修正有）【課題】輻射冷却の応答性を高め、冷却位置の切り換えを可能とする露光装置を提供する。【解決手段】基板を露光するための露光装置において、基板を輻射冷却するための冷却手段１０６と冷却手段の輻射量を変更するための変更手段１０４とを有する。輻射板の温度制御は温度センサ１０９で測定された温度を不図示の制御機構でフィードバックすることによって行う。ペルチェ素子１０５の裏面には、温度調整機構として、冷媒体を流すための配管１２０が通っている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を露光するための露光装置において、
前記基板を輻射冷却するための冷却手段と、
該冷却手段の輻射量を変更するための変更手段とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記冷却手段は、輻射板を有し、
前記変更手段は、前記輻射板と前記基板との間に配置されるシャッタを有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記シャッタは、前記輻射板よりも輻射率が低いことを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
前記シャッタの温度を調整するための温度調整手段を更に有することを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項５】
前記冷却手段は、輻射板を有し、
前記変更手段は、前記輻射板の温度を調整する温度調整部を有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項６】
前記変更手段は、前記基板上の露光された領域を冷却する部分の輻射量よりも、前記基板上の露光されていない領域を冷却する部分の輻射量のほうが、小さくなるように前記冷却手段の輻射量を変更することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項７】
前記基板を保持し、露光光に対して該基板を走査するステージを更に有し、
前記冷却手段は、前記基板上の露光領域の走査方向前後に配置されていることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項８】
基板を露光する露光装置において、
露光光を前記基板に導くための光学系と、
前記基板を輻射冷却するための冷却手段とを有し、
前記冷却手段の、前記基板上の露光された領域を冷却する部分の輻射量よりも、前記基板上の露光されていない領域を冷却する部分の輻射量のほうが、小さいことを特徴とする露光装置。
【請求項９】
基板を露光光で走査することにより露光する露光装置において、
前記露光光を前記基板に導く光学系と、
前記基板を輻射冷却するための冷却手段とを有し、
前記冷却手段の、前記基板上の露光領域よりも走査方向側の領域を冷却する部分の輻射量よりも、その反対側の領域を冷却する部分の輻射量のほうが、小さいことを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
基板を露光する露光装置において、
前記基板を輻射冷却するための輻射板と、
前記輻射板と前記基板との間に配置され、前記基板の露光されていない領域が前記輻射板により冷却されるのを防ぐためのシャッタとを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
基板を露光する露光装置において、
露光光を前記基板に導く光学系と、
前記光学系の光学素子を輻射冷却するための冷却手段と、
前記冷却手段の輻射量を変更するための変更手段とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
前記冷却手段は、輻射板を有し、
前記変更手段は、前記輻射板と前記光学素子との間に配置されるシャッタを有することを特徴とする請求項１１記載の露光装置。
【請求項１３】
前記シャッタは、前記輻射板よりも輻射率が低いことを特徴とする請求項１２記載の露光装置。
【請求項１４】
前記シャッタの温度を調整するための温度調整手段を更に有することを特徴とする請求項１２記載の露光装置。
【請求項１５】
前記冷却手段は、輻射板を有し、
前記変更手段は、前記輻射板の温度を調整する温度調整部を有することを特徴とする請求項１２記載の露光装置。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか一項記載の露光装置で基板を露光する工程と、
該露光された基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、基板を露光するための露光装置及びその露光装置を用いたデバイス製造方法に関するものであり、特に、露光光として紫外線領域若しくはＸ線領域の光又は電子線を用いた露光装置及びその露光装置を用いた半導体デバイスや液晶デバイス等のデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
露光装置は露光の際に露光光がウエハに照射され、照射エネルギーによりウエハは熱膨張する。通常は、ウエハはウエハチャックによって拘束されているため、ウエハとウエハチャックのずれは、あまり起こらない。
【０００３】
しかし、ウエハの膨張によるせん断力が、そのチャックの拘束力を上回るとウエハがウエハチャックからずれてしまう。ずれを防ぐためにはウエハを冷却することによりウエハの膨張を抑える必要がある。
【０００４】
従来、露光装置は光源としてｉ線ランプ（波長：３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長：１９３ｎｍ）が使われており、これらの波長の光源では気体で減衰することがなく気体中での露光が可能であった。
【０００５】
従って、気体中の露光ではウエハとチャックの間にガスを入れることにより、ウエハに加えられたエネルギーは、ウエハとチャックの間のガスを通してチャックに伝えられ、最終的にチャックを保持している基板を冷媒で冷却することにより熱を回収することが可能であった。また、ウエハ表面からの気体による伝熱での冷却が可能であった（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平０９−３０６８３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年の半導体集積回路の微細化が進むにつれて、露光装置の露光光の波長が短くなり、今後、波長５〜２０ｎｍの極紫外線（ＥＵＶ）を露光光として使用することが想定されている。
【０００７】
しかし、このＥＵＶは気体中でエネルギーの減衰が大きく、真空環境下でしか使用できない。真空中ではウエハ表面からの気体の伝熱による冷却ができなくなる。このように、真空環境下では温調に関しては難しくなる。
【０００８】
また、電子線も気体中でエネルギーの減衰が大きいため、露光光として電子線を用いた場合にも、同様の困難性が発生する。
【０００９】
従来の真空中での冷却方法は冷却媒体を通し固体中の熱伝導を利用して冷却を行う方法、及び、輻射板を直接温度制御することによって温度制御対象物の温度を輻射により制御することがほとんどである。
【００１０】
輻射熱伝達は２つの物体の温度差が小さいと、その２物体間に発生する熱流束は非常に小さい。効率よく熱を奪うには、熱流束を大きくするためにウエハと輻射板の温度差を大きくしなければならないので、輻射板の温度をかなり低温にまで下げる必要がある。ところがペルチェ素子等で輻射板を直接制御するような温度制御手段では、輻射板の温度を急に変化させることは難しい。露光熱のように熱荷重がＯＮ、ＯＦＦである場合、制御が温度制御対象物の温度変化に追いつかなくなる。
【００１１】
また、レチクルとウエハとを露光光で走査することにより、そのレチクルパターンをウエハに露光する所謂走査型露光装置においては、一般に、露光位置は固定されていて、ステージがその露光位置に対して移動しながら露光が行われる。つまり、ステージの移動に伴い、露光されて温度が上昇したウエハ上の領域が移動をする。したがって、冷却位置を固定してしまうと、ステージの移動方向が変わったときに温度上昇していない箇所を冷却してしまい、冷却によりウエハに歪が生じる。
【００１２】
そのため、応答性の高い輻射冷却方法、及び、冷却位置の切り換え方法の確立が課題となっていた。
【００１３】
そこで、本発明は、輻射冷却の応答性を高め、冷却位置の切り換えを可能とする露光装置を提供することを例示的な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の一つの側面としての露光装置は、基板を露光するための露光装置において、前記基板を輻射冷却するための冷却手段と該冷却手段の輻射量を変更するための変更手段とを有することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の他の一つの側面としての露光装置は、基板を露光する露光装置において、露光光を前記基板に導くための光学系と前記基板を輻射冷却するための冷却手段を有し、当該冷却手段の、前記基板上の露光された領域を冷却する部分の輻射量よりも、前記基板上の露光されていない領域を冷却する部分の輻射量のほうが、小さいことを特徴とする。
【００１６】
更に、本発明の他の一つの側面としての露光装置は、基板を露光光で走査することにより露光する露光装置において、前記露光光を前記基板に導く光学系と前記基板を輻射冷却するための冷却手段とを有し、当該冷却手段の、前記基板上の露光領域よりも走査方向側の領域を冷却する部分の輻射量よりも、その反対側の領域を冷却する部分の輻射量のほうが、小さいことを特徴とする。
【００１７】
更に、本発明の他の一つの側面としての露光装置は、基板を露光する露光装置において、前記基板を輻射冷却するための輻射板と、前記輻射板と前記基板との間に配置され、前記基板の露光されていない領域が前記輻射板により冷却されるのを防ぐためのシャッタとを有することを特徴とする。
【００１８】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付の図面を参照して説明される好ましい実施例等によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１９】
従来よりも、性能の良い露光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、本発明の実施の形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１は本発明の第一の実施形態の露光装置の一例を示す概略構成図である。チャンバ１は露光雰囲気を大気と分離するためのもので、不図示のポンプによって真空とされる。不図示の光源からの露光光Ｌは、不図示の照明光学系によりレチクル（マスク）２へと導かれる。ここで、本実施例では、光源としてＥＵＶ光源を使用している。ＥＵＶ光源としては、放電励起プラズマ型ＥＵＶ光源（ディスチャージ・プロデュースド・プラズマ光源）やレーザ励起型プラズマＥＵＶ光源等を用いると良い。照明光学系は、ミラーや反射型インテグレータで構成されるものであり、例えば、特開２００３−０４５７７４号公報に記載の照明光学系を用いることができる。
【００２２】
反射型レチクル２で反射された露光光Ｌは、投影光学系のミラー４を介して基板としてのウエハ１０２上に導かれ、レチクル２に形成されたのパターンがウエハ１０２に投影される。投影光学系としては、例えば、６枚の非球面の多層膜ミラーを有するものを使用すれば良い。
【００２３】
本実施例の露光装置は所謂走査型露光装置であり、露光光Ｌでレチクル２とウエハ１０２を走査することにより、レチクル２のパターンをウエハ１０２に転写するものである。
【００２４】
図２は図１で示した露光装置のウエハステージの概略構成図である。露光光Ｌの照射によるウエハ上の局所的熱荷重を輻射冷却するために輻射板１０６を用いる。輻射板はペルチェ素子１０５によって温度制御され、それらを支持材１０３及び１０８で保持している。これらのペルチェ素子１０５，輻射板１０６，支持材１０３，１０８で、冷却機構を構成している。
【００２５】
輻射板１０６とウエハ１０２の間に、輻射板１０６の輻射量を変更するための機構である輻射シャッタ１０４を配置する。輻射シャッタ１０４は、低輻射率材料で作られているか、あるいは、その表面を低輻射材で覆われている。輻射シャッタ１０４は、輻射板１０６の輻射を遮断し、輻射板１０６の輻射の影響がウエハ１０２に及ばないようにしている。輻射シャッタ１０４ａ、輻射シャッタ１０４ｂは駆動機構１０７によりそれぞれ独立にスライド可能な構造となっており、２つある輻射板１０６はそれぞれ独立にＯＮ・ＯＦＦ可能な構造となっている。
【００２６】
図３は図１で示した露光装置の冷却機構部分の図である。輻射板の温度制御は温度センサ１０９で測定された温度を不図示の制御機構でフィードバックすることによって行う。ペルチェ素子１０５の裏面には、温度調整機構として、冷媒体を流すための配管１２０が通っている。
【００２７】
輻射シャッタ１０４は輻射板１０６およびウエハ１０２に照射された露光光Ｌの影響を受け、輻射シャッタ１０４自体が温度変化すれば、輻射シャッタ１０４からの輻射がウエハに影響をあたえてしまう。そのため輻射シャッタ１０４を一定温度に保つための冷媒を流すために配管１２１を温度調整部として輻射シャッタ１０４に設けており、輻射シャッタ１０４の温度の調整を行っている。
【００２８】
図４ａ、図４ｂ、図４ｃは走査方向前後での冷却位置の切り換え方法の一実施例を示している。露光領域よりもステージ３の移動方向Ａ側の輻射シャッタ１０４（図４ａでは輻射シャッタ１０４ａ）を開けることにより、露光された箇所が輻射板１０６ａと対向する位置に移動し、ウエハ１０２を露光後すぐに露光された箇所だけを冷却することができる。ステージ３の移動方向Ａが逆向き（図４ｂ）になった時は輻射シャッタ１０４ａを閉じ、輻射シャッタ１０４ｂを開くことにより露光された箇所が輻射板１０６ｂと対向する位置に移動し、ウエハ１０２を露光後すぐに露光された箇所だけを冷却することができる。また、露光光Ｌが照射されていないときは図４ｃに示すように輻射シャッタ１０４ａ、１０４ｂを閉じ、輻射板１０６ａ、１０６ｂの輻射の影響を遮断してしまう。露光順序はあらかじめ決められているので、露光装置にあらかじめ入力されたデータに基づいてこれらの図４ａ、図４ｂ、図４ｃの操作を行えばウエハに加えられた照射エネルギーを露光後すぐに取り除くとことが可能である。
【００２９】
以上、本実施例によれば、輻射板と基板の間に輻射シャッタをスライドさせ輻射板の影響が対向する基板に伝わらない状態にし、迅速に温度制御ＯＦＦ状態を作ることができる。
【００３０】
逆に、輻射板と基板の間にある輻射シャッタをスライドさせ輻射板による輻射をさえぎらない状態にすることにより、温度制御をＯＦＦからＯＮに切り換えることができる。これにより、応答性の高い輻射冷却のＯＮ・ＯＦＦを行うことができる。
【００３１】
また、本実施例によれば、ウエハの冷却の際に、ウエハ上の未露光領域を冷却しないようにしたので、ウエハの未露光領域が過度に冷やされることにより生じるウエハの収縮を低減することができ、ウエハの局所的な歪を低減することができる。
【実施例２】
【００３２】
図５は本発明の第二の実施例の露光装置における、ミラー冷却の冷却機構を表す図である。本実施例の露光装置の冷却機構以外の部分については、実施例１と同様の構成であるので、ここでは説明を省略する。なお、図において、実施例１と同様の部材を表す部材には、同じ番号を付している。
【００３３】
ミラー４を冷却するために、ミラー４の裏面と対向するように輻射板４０６ａを配置する。ミラー４の裏面と輻射板の間に輻射シャッタ４０４ａを配置する。輻射シャッタ４０４ａは低輻射率材料で作られる、あるいは、表面を低輻射材で覆われており、輻射板４０６ａの輻射を遮断し輻射板４０６ａの輻射の影響がミラー４に及ばないようにしている。また、輻射シャッタ４０４ａ自体が温度変化すれば、輻射シャッタ４０４ａからの輻射がミラー４に影響をあたえてしまう。そのため輻射シャッタ４０４ａを一定温度に保つための冷媒を流すために配管４２１ａを輻射シャッタ４０４ａに設けている。輻射板の温度制御は温度センサ４０９で測定された温度をフィードバックすることによって行う。ペルチェ素子４０５ａの裏面には冷媒を流すための配管４２０が通っている。温度センサ４０９で輻射板の温度を測定し、ペルチェ素子４０５ａによって輻射板の温度の調整を行う。ミラー４に露光光があたっているときは輻射シャッタ４０４ａを開き輻射冷却をＯＮにする。ミラー４に露光光があたっていないときは輻射シャッタ４０４ａを閉じ輻射冷却をＯＦＦとする。これにより応答性の高い輻射冷却方法を実現できる。
【実施例３】
【００３４】
図６は第三の実施例の露光装置に係わるウエハステージ周辺部分の概略構成図である。本実施例の露光装置のステージ周辺部分以外の部分については、実施例１と同様の構成であるので、ここでは説明を省略する。なお、図において、実施例１と同様の部材を表す部材には、同じ番号を付している。
【００３５】
輻射板に温調用配管１３０を通し、その中を低温、周囲環境と同程度の温度、この２種類の媒体を切り換えて流すことにより、輻射のＯＮ、ＯＦＦを行う。
【００３６】
図７は第三の実施例の冷却機構部分に関する図である。冷媒、周囲環境と同程度の温度の媒体を切り換えるのを、冷媒切り換え弁１３３により行う。これにより応答性の高い輻射冷却が可能となる。１３６，１３７は流体の回収用配管であり、１３４は冷媒供給用配管、１３５は周囲環境と同程度の温度の媒体供給用配管である。
【００３７】
図８は第三の実施例を用いたときの走査方向前後での冷却位置の切り換え方法の実施例を示している。ステージ３の移動方向Ａ側にある輻射板１０６ａを低温にするために、温調用配管１３０ａに冷媒、輻射板１０６ｂをＯＦＦにするために温調用配管１３０ｂに周囲環境と同程度の温度の媒体を流すことにより、露光された箇所が低温となった輻射板１０６ａと対向する位置に移動し、ウエハ１０２を露光後すぐに露光された箇所だけを冷却することができる。ステージ３の移動方向Ａが逆向きになったときは、温調用配管１３０ａに周囲環境と同程度の温度の媒体、温調用配管１３０ｂに冷媒を流すことにより、冷却位置の切り換えを行う。露光停止時は輻射板１０６ａ、１０６ｂに周囲環境と同程度の温度の媒体を流すことにより輻射冷却停止を実現できる。
【００３８】
以上、本実施例によれば、輻射冷却を行うときは輻射板に基板の状態に応じた温度の冷媒を流し、基板を温度制御することが出来る。また、輻射冷却ＯＦＦの時は輻射板に周囲環境と同程度の温度の媒体を流し輻射板と基板間で熱流束が発生しない状態にする。これらの動作を冷媒切り換え弁により行うことにより応答性の高い温度制御を行うことができる。
【００３９】
また、本実施例によれば、ウエハ冷却の際に、ウエハ上の未露光領域をあまり冷却しないようにしたので、ウエハの未露光領域が過度に冷やされることにより生じるウエハの収縮を低減することができ、ウエハの局所的な歪を低減することができる。
【実施例４】
【００４０】
図９は第四の実施例の露光装置にかかわる冷却機構部分の概略構成図である。本実施例の露光装置の冷却機構以外の部分については、実施例１と同様の構成であるので、ここでは説明を省略する。なお、図において、実施例１と同様の部材を表す部材には、同じ番号を付している。
【００４１】
保持部材１０３で保持された輻射板１０６ａは、配管１３０中に冷媒を常時流しておき、輻射板の温度調整はヒーター１４０の加熱量を調整することにより行う。
【００４２】
そして、輻射冷却をしない場合には、輻射板をヒーターで加熱し、輻射板の温度を周囲環境と同程度の温度まで上昇させる。逆に、輻射冷却を行う場合には、輻射板をヒーターで加熱し、量を減少させることにより輻射板の温度を下げる。
【００４３】
本実施例においても、上述の実施例と同様にして走査方向前後にヒーターで温度調整した輻射板を配置することで、走査型露光装置のウエハ冷却において、ウエハに照射される局所的な熱荷重を取り除くことが可能となり、効果的な冷却が可能となる。
【００４４】
本実施例によれば、輻射ＯＦＦはヒーターで輻射板を周囲環境と同程度の温度にし、ヒーターの加熱を制御することにより輻射板の温度を基板の状態にあわせて制御することができ、応答性の高い輻射冷却が可能となる。
【００４５】
以上の実施例においては、露光装置として走査型（ステップ・アンド・スキャン方式）のものを用いたが、本発明はそれには限られず、基板上の各ショットを一括で露光する所謂ステップ・アンド・リピート方式の露光装置にも適用可能である。
【００４６】
また、以上の実施例の露光装置においては、露光光としてＥＵＶを用いたが、電子線を用いてももちろん良い。電子線による露光の場合、光による露光の場合よりも、基板の露光に時間がかかるため、基板の未露光領域を冷却することにより生じる基板の局所的な歪が大きい。従って、露光装置に本発明を適用することによる効果はより大きい。
【実施例５】
【００４７】
図１０、図１１は第五の実施例に係わる冷却機構部分の概略構成図である。輻射板１０６はペルチェ素子１０５で温度制御されている。ペルチェ素子１０５の裏面は不図示の冷媒を流すことにより放熱を行っている。本実施例では、輻射板１０６はウエハ１０２の表側の全面と対向しており、ウエハ全面を冷却している。矢印Ｂはステップ時のウエハステージの移動方向をあらわしており、矢印Ａはスキャン時のウエハステージの移動方向を表している。輻射板１０６がウエハ１０２以外に対して与える熱的影響を抑えるためにシャッタ１０４が輻射板とウエハの間にあり輻射を遮蔽している。ウエハステージの移動と同期して不図示の輻射板駆動装置によりシャッタ１０４は移動する。矢印Ｂ’はシャッタの移動方向を示している。ウエハステージとシャッタが同期して動くことで、輻射板が冷却する領域を、ステップ方向に関してはほぼウエハのみに限定することができる。
【００４８】
また、スキャン方向に関しても、同様の機構を用い、ウエハステージにスキャンと同期させて輻射板を動かすことにより、輻射板が冷却する領域を、スキャン方向に関してはほぼウエハのみに限定することができる。
【実施例６】
【００４９】
図１２、図１３は第六の実施例に係わる冷却機構部分の概略構成図である。第六の実施例では、ウエハステージ３がほぼ一方向にステップする場合に関するものである。つまり、ウエハが端から逆の端までほぼ一方向に露光をするために、ウエハの温度上昇が全体的に上昇するのではなく、片側の温度が上昇する場合に関するものである。このウエハを全面冷却した場合、露光光の未照射領域まで冷却することになり、未照射領域の温度が低下してしまう。このため、ウエハ面全体としては、温度分布が大きくなってしまう。そこで、本実施例では、露光光の未照射領域部分に関しては、冷却が行われないようにシャッタ１０４で遮蔽している。露光光の未照射領域側に関しては、シャッタ１０４が露光光の照射領域付近まで閉じた状態で静止しており、露光光の照射済領域側に関しては、シャッタ１０４はウエハの端まで開いた状態でウエハステージ３に同期して動く。こうすることにより、ステップ方向に関しては、冷却領域を露光光の照射済領域のみに限定することができ、ウエハ面の温度分布を減少させることができる。
【００５０】
また、スキャン方向に関してもステージがほぼ一方向にスキャンする場合、同様の機構を用い、ウエハステージにスキャンと同期させて輻射板を動かすことにより、輻射板が冷却する領域を、スキャン方向に関してほぼ露光光の照射済領域側のみに限定することができる。
【実施例７】
【００５１】
図１４は第七に実施例に係わる冷却機構部分の概略構成図であり、第六に実施例において、露光光の未照射領域側の冷却機構をなくしたものであり、スキャン方向、ステップ方向が常に一方向の場合、実施例五の冷却機構とほぼ同じ効果が得られる。
【実施例８】
【００５２】
次に、上述の露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。
【００５３】
図１５は半導体装置（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造フローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体装置の回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハとを用いて、リソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４よって作成されたウエハを用いてチップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作成された半導体装置の動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体装置が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００５４】
図１６は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２ではウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジスト（感材）を塗布する。ステップ１６（露光）では上述の露光装置によってマスクの回路パタ−ンの像でウエハを露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらステップを繰り返し行うことによりウエハ上に回路パタ−ンが形成される。
【００５５】
本実施例の製造方法を用いれば、従来は難しかった高集積度のデバイスを製造することが可能になる。
【００５６】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明に係わる露光装置の概略構成図である。
【図２】本発明に係わる第一の実施例のウエハステージに関する概略構成図である。
【図３】本発明に係わる第一の実施例の冷却機構部分に関する図である。
【図４】本発明に係わる第一の実施例の輻射冷却位置切り換えを示した図である。
【図５】本発明に係わる第二の実施例の冷却機構部分に関する図である。
【図６】本発明に係わる第三の実施例のウエハステージに関する概略構成図である。
【図７】本発明に係わる第三の実施例の冷却機構部分に関する図である。
【図８】本発明に係わる第三の実施例の輻射冷却位置切り換えを示した図である。
【図９】本発明に係わる第四の実施例の冷却機構部分に関する概略構成図である。
【図１０】本発明に係わる第五の実施例の冷却機構の概略構成図である。
【図１１】本発明に係わる第五の実施例の冷却機構の概略構成図である。
【図１２】本発明に係わる第六の実施例の冷却機構の概略構成図である。
【図１３】本発明に係わる第六の実施例の冷却機構の概略構成図である。
【図１４】本発明に係わる第七の実施例の冷却機構の概略構成図である。
【図１５】デバイスの製造フローを示す図である。
【図１６】図１５のウエハプロセスを示す図である。
【符号の説明】
【００５８】
１  本体チャンバ
２  レチクル
３  ウエハステージ
４  ミラー
Ｌ  露光光
１０１  静電チャック
１０２  ウエハ
１０３  輻射板保持部材
１０４ａ  輻射シャッタ
１０４ｂ  輻射シャッタ
１０５ａ  ペルチェ素子
１０５ｂ  ペルチェ素子
１０６ａ  輻射板
１０６ｂ  輻射板
１０７  輻射板駆動装置
１０８  冷却装置支持部材
１０９  温度計測手段
１２０  冷媒用配管
１２１ａ  冷媒用配管
１２１ｂ  冷媒用配管
１３０  輻射板温調用配管
１３３  冷媒切り換え弁
１３４  冷媒用配管
１３５  冷媒用配管
１３６  冷媒排出用配管
１３７  冷媒排出用配管
１４０  輻射板制御用ヒーター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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