(57)【要約】【課題】トランスバーサルＳＡＷフィルタにおいて、ＩＤＴ電極上に異物が付着するのを防止し、且つ、低損失な特性を実現したトランスバーサルＳＡＷフィルタを提供することを目的とする。【解決手段】圧電基板上に、少なくとも２個のＩＤＴ電極を所定の間隙をあけて配置し、且つ、前記ＩＤＴ電極間に直達波を遮蔽するためのシールド電極を配置したトランスバーサル弾性表面波フィルタにおいて、前記ＩＤＴ電極、もしくは前記ＩＤＴ電極とその周辺部のみ絶縁膜を形成し、前記シールド電極上には該絶縁膜を形成しない。【選択図】図１
2005033291.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に少なくとも２個のＩＤＴ電極を所定の間隙をあけて配置し、且つ、入出力端子間の直達波を遮蔽するためのシールド電極を前記ＩＤＴ電極間に配置したトランスバーサル弾性表面波フィルタにおいて、前記ＩＤＴ電極、もしくは前記ＩＤＴ電極とその周辺部にのみ絶縁膜を形成し、前記シールド電極上には該絶縁膜を形成しないことを特徴とするトランスバーサル弾性表面波フィルタ。
【請求項２】
前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部は、等しい幅の電極指を有し、且つ、弾性表面波を反射させない機能を備えた反射間引き電極で構成され、また、前記シールド電極の少なくとも一部は、等しい幅の電極指を有し、且つ、弾性表面波を反射させない機能を備えたグレーティング型シールド電極で構成され、前記反射間引き電極と前記グレーティング側シールド電極において、電極指幅と電極指間間隔の比率を互いに異ならすこと、或いは電極周期を互いに異ならすこと、或いは電極指幅を互いに異ならすことを特徴とする請求項１に記載のトランスバーサル弾性表面波フィルタ。
【請求項３】
前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部は、幅の異なる電極指を有し、且つ、弾性表面波を反射する機能を備えた一方向性電極で構成され、また、前記シールド電極の少なくとも一部は、幅の異なる電極指を有し、且つ、弾性表面波を反射する機能を備えた一方向性グレーティング型シールド電極で構成され、前記一方向性電極と前記一方向性グレーティング型シールド電極において、電極指幅と電極指間間隔の比率を互いに異ならすこと、或いは電極周期を互いに異ならすこと、或いは電極指幅を互いに異ならすことを特徴とする請求項１及び２に記載のトランスバーサル弾性表面波フィルタ。
【請求項４】
前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部は、全て電極指の極性を全て同一とした励振重み付け電極であり、少なくとも該励振重み付け電極上には絶縁膜を形成しないことを特徴とした請求項１乃至３のいずれかに記載のトランスバーサル弾性表面波フィルタ。
【請求項５】
前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部は、前記反射間引き電極及び該反射間引き電極の電極指を全て同極性とした励振間引き電極から形成され、前記反射間引き電極と該反射間引き電極の電極指を全て同極性とした励振間引き電極において、電極指幅と電極指間の比率を互いに異ならす、或いは電極周期を互いに異ならす、或いは電極指幅を互いに異ならすことを特徴とする請求項４に記載のトランスバーサル弾性表面波フィルタ。
【請求項６】
前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部は、前記一方向性電極及び該一方向性電極の電極指を全て同極性とした励振間引き電極から形成され、前記一方向性電極と該一方向性電極の電極指を全て同極性とした励振間引き電極において、電極指幅と電極指間の比率を互いに異ならす、或いは電極周期を互いに異ならす、或いは電極指幅を互いに異ならすことを特徴とする請求項４及び５に記載のトランスバーサル弾性表面波フィルタ。
【請求項７】
前記絶縁膜は、二酸化珪素（ＳｉＯ２）膜からなることを特徴とした請求項１乃至６のいずれかに記載のトランスバーサル弾性表面波フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フィルタ素子上に保護膜を形成したトランスバーサル弾性表面波フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ：以下、ＳＡＷ）フィルタは移動体通信分野で広く利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴があることから特に携帯電話等に多く用いられている。ここ数年の携帯電話の急速な普及、中でも画像等のデータ通信の需要が増したことで、従来のＰＤＣ、ＡＭＰＳ方式等の狭帯域キャリアを用いる通信方式から、高速大容量に適した広帯域キャリアを用いるＣＤＭＡ方式が普及しつつある。
【０００３】
図６はＣＤＭＡ方式のＩＦフィルタに用いられるトランスバーサルＳＡＷフィルタの平面図である。圧電基板３１の主面上にＳＡＷの伝搬方向に沿って２個のＩＤＴ電極３２、３３を所定の間隙を空けて配置すると共に、該ＩＤＴ電極３２、３３の間に入出力端子間の直達波を遮蔽するためのシールド電極３４を配設する。ＩＤＴ電極３２、３３はそれぞれ互いに間挿し合う電極指を有する一対のくし型電極により構成されており、ＩＤＴ電極３２の一方のくし形電極を入力端子ＩＮに接続すると共に、他方のくし形電極を接地する。また、ＩＤＴ電極３３の一方のくし形電極を出力端子ＯＵＴに接続すると共に、他方のくし形電極を接地する。そして、圧電基板３１の長辺方向（ＳＡＷの伝搬方向）の両端部に、不要反射波を抑圧するための吸音材３５、３５を塗布してトランスバーサルＳＡＷフィルタを形成する。
【０００４】
しかしながら、図６に示すようにくし形電極を正、負、正と順番に並べた所謂正規型ＩＤＴ電極の場合、ＳＡＷは伝搬方向に沿って左右に等しく伝搬するためフィルタの挿入損失が大きくなってしまい、また、通過特性が単峰となってしまうのでカットオフ特性の急峻度が悪いという問題があった。
【０００５】
そこで、ＩＤＴ電極の電極指の幅や配置を変えることで前記問題を改善した手法が幾つか試みられている。以下、トランスバーサルＳＡＷフィルタの電極指構造について説明する。図７は、電極指幅の異なる複数の電極指を組み合わせ、ＳＡＷの反射を利用して方向性を付けた単相一方向性電極（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｕｎｉ−Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：ＳＰＵＤＴ）の構造を示しており、電極周期λにおける基本区間４０の平面図及び断面図を示している。前記一方向性電極は、電極周期λに対して３λ／８の電極幅を有する電極指とλ／８の電極幅を有する電極指から構成され、３λ／８電極指とλ／８電極指の位置を図示のように定めることで、ＳＡＷを反射させ励振を一方向性にする機能を備えている。
【０００６】
しかし、前記一方向性電極のみでトランスバーサルＳＡＷフィルタを構成すると、挿入損失は低減するもののＩＤＴ電極の方向性が強すぎるため、フィルタ特性に位相歪みが発生するという問題があった。そこで、ＳＡＷの反射を打ち消して方向性を持たない電極（以下、反射間引き電極と称す）と、前述のＳＡＷを反射させて方向性を持たせた一方向性電極とを組み合わせることにより、ＩＤＴ電極全体として適度な方向性を持たせ、低挿入損失と位相直線性とを同時に実現する設計手法が試みられてきた。図８は前記反射間引き電極の電極周期λにおける基本区間４１の平面図及び断面図を示しており、λ／８の電極幅を有する電極指を図示のように配置した構造である。該反射間引き電極のＳＡＷの伝搬は双方向であり電極内でＳＡＷの反射は起こらない。前記反射間引き電極と前記一方向性電極を組み合わせてＩＤＴ電極を形成することにより、低挿入損失で、且つ、位相直線性に優れたフィルタ特性が得られることが知られている。
【０００７】
また、前記反射間引き電極や前記一方向性電極のように電極に反射の重み付けを施す手法に加えて、ＩＤＴ電極に励振の重み付けを施す手法も考案されている。図９（ａ）は図７に示した一方向性電極に励振の重み付けを施した基本区間４２を示している。励振の重み付けを施すには、図９（ａ）に示すように全ての電極指を同じ極性にして同電位とすれば良い。同様に図９（ｂ）は図８に示した反射間引き電極において、電極指の極性を同一にして励振の重み付けを施した基本区間４３を示している。
【０００８】
前述した反射及び励振の重み付けを入出力ＩＤＴ電極に施したトランスバーサルＳＡＷフィルタを図１０に示す。図中において、α部が一方向性電極、β部が反射間引き電極、γ部が前記一方向性電極に励振の重み付けを施した電極である。このようにトランスバーサルＳＡＷフィルタのＩＤＴ電極に反射及び励振の重み付けを施すことで、低損失でカットオフ特性が急峻なフィルタ特性が得られる。
【０００９】
ところで、トランスバーサルＳＡＷフィルタにおいては、入出力ＩＤＴ電極間に入出力信号の電磁結合を抑制するためにシールド電極を配置する。前記シールド電極の形状は、図６の符号３４あるいは図１０の符号５４に示すような長方形が一般的に用いられているが、長方形だと端面でＳＡＷの反射が発生し、ＩＤＴ電極内に不要波が混入してフィルタ特性にリップルが発生してしまう問題があった。また、前記シールド電極の形状を平行四辺形とすることで、端面を斜めにしＳＡＷの反射による不要波をＩＤＴ電極内部に混入することを阻止し、リップルを低減した構造が試みられてきたが端面反射の影響を完全になくすことはできなかった。
【００１０】
前記問題を解決するために、図１１に示すように電極指幅をλ／８、隣り合う電極指の中心間間隔をλ／４としたグレーティング型シールド電極６４が考案されている。該グレーティング型シールド電極６４の電極本数を偶数にすることで、該シールド電極の内部に生じる反射を打ち消すことができ、不要波に起因するリップルの発生を阻止できることが知られている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
前述したようなトランスバーサルＳＡＷフィルタの製造工程において、ＩＤＴ電極上に金属粉等の微小な異物が付着してしまうと、電極指間がショートし不良品となってしまう問題があった。前記問題の対策として、図１２に示すようにＩＤＴ電極７２、７３及びシールド電極７４の伝搬路全体に絶縁膜７６を塗布して、ＩＤＴ電極上に異物が付着するのを防止する方法がよく用いられている。前記方法は一層の絶縁膜を設けるだけで異物付着を防止することができるので、低コストで製造できる利点がある。
【００１２】
しかしながら、図１２のようにＳＡＷの伝搬路全体に絶縁膜７６を形成すると、ＳＡＷの伝搬損失が増大してしまい、フィルタ特性の挿入損失を大きく劣化させる原因となっていた。本発明は前記問題を解決するためになされたものであって、トランスバーサルＳＡＷフィルタにおいて、ＩＤＴ電極上に異物が付着するのを防止し、且つ、低損失な特性を実現したトランスバーサルＳＡＷフィルタを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタの請求項１記載の発明は、圧電基板上に少なくとも２個のＩＤＴ電極を所定の間隙をあけて配置し、且つ、前記ＩＤＴ電極間に直達波を遮蔽するためのシールド電極を配置したトランスバーサル弾性表面波フィルタにおいて、前記ＩＤＴ電極、もしくは前記ＩＤＴ電極とその周辺部にのみ絶縁膜を形成し、前記シールド電極上には該絶縁膜を形成しないことを特徴とするトランスバーサル弾性表面波フィルタである。
【００１４】
請求項２記載の発明は、前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部は、等しい幅の電極指を有し、且つ、弾性表面波を反射させない機能を備えた反射間引き電極で構成され、また、前記シールド電極の少なくとも一部は、等しい幅の電極指を有し、且つ、弾性表面波を反射させない機能を備えたグレーティング型シールド電極で構成され、前記反射間引き電極と前記グレーティング側シールド電極において、電極指幅と電極指間の比率を互いに異ならす、或いは電極周期を互いに異ならす、或いは電極指幅を互いに異ならすことを特徴とする請求項１に記載のトランスバーサル弾性表面波フィルタである。
【００１５】
請求項３記載の発明は、前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部は、幅の異なる電極指を有し、且つ、弾性表面波を反射する機能を備えた一方向性電極で構成され、また、前記シールド電極の少なくとも一部は、幅の異なる電極指を有し、且つ、弾性表面波を反射する機能を備えた一方向性グレーティング型シールド電極で構成され、前記一方向性電極と前記一方向性グレーティング型シールド電極において、電極指幅と電極指間の比率を互いに異ならす、或いは電極周期を互いに異ならす、或いは電極指幅を互いに異ならすことを特徴とする請求項１及び２に記載のトランスバーサル弾性表面波フィルタである。
【００１６】
請求項４記載の発明は、前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部は、全て電極指の極性を全て同一とした所謂励振重み付け電極であり、少なくとも該励振重み付け電極上には絶縁膜を形成しないことを特徴とした請求項１乃至３のいずれかに記載のトランスバーサル弾性表面波フィルタである。
【００１７】
請求項５記載の発明は、前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部は、前記反射間引き電極及び該反射間引き電極の電極指を全て同極性とした励振間引き電極から形成され、前記反射間引き電極と該反射間引き電極の電極指を全て同極性とした励振間引き電極において、電極指幅と電極指間の比率を互いに異ならす、或いは電極周期を互いに異ならす、或いは電極指幅を互いに異ならすことを特徴とする請求項４に記載のトランスバーサル弾性表面波フィルタである。
【００１８】
請求項６記載の発明は、前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部は、前記一方向性電極及び該一方向性電極の電極指を全て同極性とした励振間引き電極から形成され、前記一方向性電極と該一方向性電極の電極指を全て同極性とした励振間引き電極において、電極指幅と電極指間の比率を互いに異ならす、或いは電極周期を互いに異ならす、或いは電極指幅を互いに異ならすことを特徴とする請求項４及び５に記載のトランスバーサル弾性表面波フィルタである。
【００１９】
請求項７記載の発明は、前記絶縁膜は、二酸化珪素（ＳｉＯ２）膜からなることを特徴とした請求項１乃至６のいずれかに記載のトランスバーサル弾性表面波フィルタである。
［発明の詳細な説明］
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面に図示した実施の形態例に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタの平面図及び断面図である。圧電基板１の主面上にＳＡＷの伝搬方向に沿って２つのＩＤＴ電極２、３を所定の間隙をあけて配置すると共に、該ＩＤＴ電極２、３の間に入出力端子間の直達波を遮蔽する為のシールド電極４を配設する。ＩＤＴ電極２、３はそれぞれ互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対のくし形電極により構成されており、ＩＤＴ電極２の一方のくし形電極を入力端子ＩＮに接続すると共に、他方のくし型電極は接地し、ＩＤＴ電極３の一方のくし形電極を出力端子ＯＵＴに接続すると共に、他方のくし型電極を接地する。そして、圧電基板１のＳＡＷの伝搬方向の両端部に、不要反射波を抑圧するための吸音材５、５を塗布してトランスバーサルＳＡＷフィルタを形成する。なお、シールド電極４は電極指幅λ／８、電極指中心間間隔λ／４としたグレーティング型シールド電極である。本発明の特徴は、フィルタを形成した後、トランスバーサルＳＡＷフィルタのＩＤＴ電極２、３にのみ絶縁膜６、６を形成し、シールド電極４上には絶縁膜を形成しないことである。
【００２１】
図２は、図１に示す本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタを試作し実測したフィルタ特性を示している。同図において、実線が本発明に係るＩＤＴ電極上のみ絶縁膜を形成したトランスバーサルＳＡＷフィルタのフィルタ特性、破線が従来のＳＡＷの伝搬路全体に絶縁膜を形成したトランスバーサルＳＡＷフィルタのフィルタ特性であり、（ａ）は通過特性、（ｂ）は通過帯域近傍の減衰特性を示している。なお、フィルタの設計条件は両者同一であり、圧電基板に水晶基板を用い、ＩＤＴ電極の一波長に相当する電極周期λを９（μｍ）、ＩＤＴ電極の波長換算膜厚を２．９％λ相当、絶縁膜の波長換算膜厚を０．１％λ相当とし、入力側ＩＤＴ電極２の対数を３６対、出力側ＩＤＴ電極３の対数を８０対、入出力ＩＤＴ電極間間距離ｄを２０対相当とし、ＩＤＴ電極２，３及びシールド電極４の電極指幅と電極指間間隔の比率を５０：５０としている。図２（ａ）から分かるように、本発明のＩＤＴ電極上のみ絶縁膜を形成したフィルタ特性と従来のＳＡＷの伝搬路全体に絶縁膜を形成したフィルタ特性を比較すると、本発明のフィルタ特性の方が挿入損失が約０．２ｄＢ程良くなった。しかしながら、図２（ｂ）のＡ部に示すように通過帯域近傍の阻止域の一部において、本発明の方が従来よりわずかに減衰量が劣化してしまうことが判明した。
【００２２】
ここで本願発明者は、ＳＡＷの伝搬路において絶縁膜を形成している部分と形成していない部分が混在しているので、ＳＡＷの伝搬時間の不連続性が生じてしまい、この不連続性が減衰特性を劣化させているのではないかと考えた。即ち、シールド電極上に絶縁膜を形成した時の位相速度をＶ１、電極周期１λ当りの伝搬時間をＴ１とし、シールド電極上に絶縁膜を形成しない時の位相速度をＶ２、電極周期１λ当りの伝搬時間をＴ２とした時、Ｖ１＝Ｖ２即ちＴ１＝Ｔ２となるように電極指設計を行えば、ＩＤＴ電極のみに絶縁膜を形成した場合においても従来と同じ減衰特性を実現できると推測した。
【００２３】
そこで、図１に示すトランスバーサルＳＡＷフィルタのグレーティング型シールド電極４において、該グレーティング型シールド電極４の電極指幅をＬ、電極指間間隔をＳとした時の比率Ｌ：Ｓを従来の５０：５０から僅かに異ならせ、伝搬時間を調整することにより減衰特性の改善を試みた。図３は、ＩＤＴ電極２、３上のみに絶縁膜を形成して、グレーティング型シールド電極４の電極指幅Ｌと電極指間隔Ｓの比率Ｌ：Ｓを５１．５：４８．５としたフィルタ特性を実線で示し、従来のＳＡＷの伝搬路上全面に絶縁膜を形成した時のフィルタ特性を破線で示している。なお、（ａ）は通過特性、（ｂ）は通過帯域近傍の減衰特性である。同図から明らかなように、従来と比較して挿入損失が改善し、且つ、通過帯域近傍の減衰特性に関しても同等な特性が得られた。
【００２４】
以上では、前記グレーティング型シールド電極の電極指幅Ｌと電極指間間隔Ｓの比率Ｌ：Ｓを５０：５０から異ならせることにより伝搬時間を調整したが、該グレーティング型シールド電極のピッチを変化させることにより伝搬時間を調整してもよい。例えば、水晶基板で、ＩＤＴ電極の波長換算膜厚を２．９％λ、絶縁膜の波長換算膜厚を０．１％λとした場合、該グレーティング型シールド電極のピッチを従来より０．１５％程大きくすれば、通過帯域近傍の減衰特性に劣化が生じないことが判明した。
【００２５】
これまで電極指幅をλ／８、電極指中心間間隔をλ／４としたグレーティング型シールド電極について説明してきたが、これのみに限らず他の形状のシールド電極についても同様に本発明を適用できる。以下、他実施例について説明する。図４は、多様な電極幅から構成されたＩＤＴ電極１２、１３及びグレーティング型シールド電極１４で構成したトランスバーサルＳＡＷフィルタを示している。本実施例も前述と同様に、ＩＤＴ電極１２、１３の電極指にのみ絶縁膜１６を形成し、グレーティング型シールド電極１４には絶縁膜を形成していない。また、前記グレーティング型シールド電極１４は、一方向性電極Ａ１と反射間引き電極Ｂ１で形成されている。本実施例においては、該グレーティング型シールド電極１４の反射間引き電極Ｂ１の電極指幅Ｌ１と電極指間間隔Ｓ１の比率Ｌ１：Ｓ１と該ＩＤＴ電極１２、１３内に配置した反射間引き電極Ｂ２の電極指幅Ｌ１’と電極指間間隔Ｓ１’の比率Ｌ１’：Ｓ１’とをわずかに異ならせ、且つ、該グレーティング型シールド電極１４の一方向性電極Ａ１の電極指幅Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３と該ＩＤＴ電極１２、１３内に配置されている一方向性電極Ａ２の電極指幅Ｗ１’、Ｗ２’、Ｗ３’を互いに異ならすことで、従来とほぼ同等な減衰特性を実現できる。
【００２６】
前述の電極周期λを一定としてシールド電極の電極指比率Ｌ：Ｓを調整する方法以外にも、ＩＤＴ電極周期とシールド電極周期を互いに異ならせることにより伝搬時間を調整することができる。図４に示すように電極周期１λ当り４本の電極指からなる反射間引き電極Ｂ１を備えるグレーティング型シールド電極１４においては、グレーティング型シールド電極１４内に配置された反射間引き電極Ｂ１の電極周期をｄ１とし、ＩＤＴ電極１２内の反射間引き電極Ｂ２の電極周期をｄ２とした時、ｄ１＝ｄ２×Ｖ２／Ｖ１となるように電極周期を設定し、更に、グレーティング型シールド電極内の一方向性電極Ａ１の電極周期ｄ３、ＩＤＴ電極内に配置した一方向性電極Ａ２の電極周期をｄ４とした時、ｄ３＝ｄ４×Ｖ２／Ｖ１となるように電極周期を設定すれば伝搬時間をほぼ一致させることができ、従来とほぼ同等な減衰特性を実現できる。
【００２７】
また、絶縁膜による伝搬時間の誤差を補正する他の方法としては、絶縁膜を形成しない時の入出力ＩＤＴ間距離をＳ１、絶縁膜を形成した時の入出力ＩＤＴ間距離をＳ２とした時、Ｓ１＝Ｓ２×Ｖ２／Ｖ１として入出力ＩＤＴ間距離を設定することで伝搬時間をほぼ一致させることが可能である。
【００２８】
ところで、トランスバーサルＳＡＷフィルタにおいては、ＩＤＴ電極に一方向性電極や反射間引き電極を配置して反射の重み付けを行う以外に、励振の重み付けも同時に行うことが多々ある。図５は、一方向性電極と反射間引き電極と励振間引き電極が混在したトランスバーサルＳＡＷフィルタを示しており、斜線枠は絶縁膜２６を形成していることを表している。同図に示すように、励振間引き電極Ｃ１においては絶縁膜２６を形成していない。この理由として、励振間引き電極Ｃ１は全て同極性で構成されており、ＳＡＷの励振は行われないので絶縁膜を形成する必要がないからである。従って、トランスバーサルＳＡＷフィルタのＩＤＴ電極２２、２３内に励振間引き電極が配置されている場合は、同図に示すように該励振間引き電極部Ｃ１及びシールド電極部２４を除くように絶縁膜２６を形成すれば、低挿入損失な特性が実現できる。
【００２９】
前記励振間引き電極をＩＤＴ電極に配置した場合においても同様に絶縁膜による伝搬時間の誤差を補正する必要がある。図５のようにＩＤＴ電極に一方向性電極Ｃ１と該一方向性電極の電極指を全て同極性として励振の重み付けを施した電極Ｃ１’とが混在する場合、ＩＤＴ電極内において絶縁膜の有無による伝搬時間の誤差が生じてしまい減衰特性が劣化してしまう。従って、絶縁膜を施していない励振重み付け電極Ｃ１’の電極指幅Ｗ４’、Ｗ５’、Ｗ６’を一方向性電極Ｃ１の電極指幅Ｗ４、Ｗ５、Ｗ６と異ならせる、或いは、一方向性電極Ｃ１の電極周期ｄ５と励振重み付け電極Ｃ１’の電極周期ｄ６とを互いに異ならすことにより両者の伝搬時間をほぼ一致させ、減衰特性の劣化を防ぐことができる。また図示していないが、ＩＤＴ電極内に反射間引き電極と該反射間引き電極の電極指を全て同極性としたとした励振の重み付けを施した電極とが混在する場合においても同様に、該励振間引き電極の電極幅及び電極周期を調整することで伝搬時間をほぼ一致させ、減衰特性の劣化を防ぐことができる。なお、図５においては、シールド電極４をベタ電極としたが、グレーティング型シールド電極でもよい。この場合においても、絶縁膜の有無による伝搬時間の誤差を補正するために該グレーティング型シールド電極に補正を施すことは言うまでもない。
【００３０】
また、前記絶縁膜は必ずしもＩＤＴ電極上に精度良く形成する必要はなく、ＩＤＴ電極の上下部に設けたバスバーに絶縁膜が形成されても構わない。具体的には、ＩＤＴ電極に対し絶縁膜が±１０μｍ程度ずれたとしても、従来と比較して低損失な特性が得られることが実験により判明している。
【００３１】
【発明の効果】
以上、本発明によれば、トランスバーサルＳＡＷフィルタにおいて、ＳＡＷの励振部分のみに絶縁膜を形成したので、従来のＳＡＷの伝搬路全体に絶縁膜を形成した場合と比較して減衰特性を劣化させずに低損失な特性を実現でき、且つ、高品質なトランスバーサルＳＡＷフィルタを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタの平面図及び断面図を示す。
【図２】本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタの通過特性を（ａ）に、通過帯域近傍の減衰特性を（ｂ）に示す。
【図３】本発明の他実施例に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタの通過特性を（ａ）に、通過帯域近傍の減衰特性を（ｂ）に示す。
【図４】本発明のＩＤＴ電極に一方向性電極及び反射間引き電極を施したトランスバーサルＳＡＷフィルタの平面図を示す。
【図５】本発明のＩＤＴ電極に励振間引き電極を施したトランスバーサルＳＡＷフィルタの平面図を示す。
【図６】従来のトランスバーサルＳＡＷフィルタの平面図を示す。
【図７】一方向性電極の基本区間を示す。
【図８】反射間引き電極の基本区間を示す。
【図９】励振間引き電極の基本区間を示した図であり、（ａ）に一方向性電極の励振間引き電極、（ｂ）に反射間引き電極の励振間引き電極を示す。
【図１０】一方向性電極、反射間引き電極、励振間引き電極をＩＤＴ電極に施したトランスバーサルＳＡＷフィルタの平面図を示す。
【図１１】グレーティング型シールド電極を配置したトランスバーサルＳＡＷフィルタを示す。
【図１２】従来の絶縁膜を形成したトランスバーサルＳＡＷフィルタを示す。
【符号の説明】
１…圧電基板
２、３、１２、１３、２２、２３…ＩＤＴ電極
４、１４、  ２４…シールド電極
５…吸音材
６、１６、２６…絶縁膜
【図１】
2005033291.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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