(57)【要約】【課題】  発熱領域で発生する熱の影響を抑制しつつ、電源投入後の設定温度までの立ち上がり時間を短縮でき、また温度検知の精度を向上させ、温度追従性を高めることができるはんだ取扱い器具用セラミックヒータを提供する。【解決手段】  セラミック本体４ｄと、感温領域４ａがセラミック本体４ｄの先端付近に位置するような第１パターンＰｔ１でセラミック本体４ｄに埋設される感温抵抗体４ａ’と、発熱領域４ｂが感温領域４ａよりも基端側に位置するような第２パターンＰｔ２でセラミック本体４ｄ中に埋設される発熱抵抗体４ｂ’とを備え、第１パターンＰｔ１の最先端部が、第２パターンＰｔ２の最先端部よりもセラミック本体４ｄの先端側に位置するとともに、感温領域４ａと発熱領域４ｂとの間の領域間隙間Ｌ２が所定の微小値となるように構成する。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高熱伝導性材料からなるこて先チップを有するはんだ取扱い器具に用いられ、上記こて先チップを高熱伝達率状態で加熱するセラミックヒータであって、
略棒状のセラミック本体と、
感温領域が上記セラミック本体の先端付近に位置するような第１パターンで該セラミック本体中に埋設される感温抵抗体と、
発熱領域が上記感温領域よりも基端側に位置するような第２パターンで上記セラミック本体中に埋設される発熱抵抗体とを備え、
上記第１パターンの最先端部が、上記第２パターンの最先端部よりも上記セラミック本体の先端側に位置するとともに、上記感温領域と上記発熱領域との間の領域間隙間が所定の微小値となるように構成されていることを特徴とするはんだ取扱い器具用セラミックヒータ。
【請求項２】
上記領域間隙間は、上記発熱領域から上記感温領域への伝熱量が所定量を超えない範囲における最小値であることを特徴とする請求項１記載のはんだ取扱い器具用セラミックヒータ。
【請求項３】
上記セラミック本体の軸に垂直な方向の断面積がφ３ｍｍ相当の断面積ないしφ８ｍｍ相当の断面積であるものにおいて、上記領域間隙間が０．５ｍｍないし２ｍｍであることを特徴とする請求項１または２記載のはんだ取扱い器具用セラミックヒータ。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載のはんだ取扱い器具用セラミックヒータと、
高熱伝導性材料からなり、上記セラミックヒータによって所定の温度に加熱されるこて先チップとを備え、
上記こて先チップは、上記セラミックヒータの少なくとも上記感温領域および上記発熱領域の周囲を覆うように構成されていることを特徴とするはんだ取扱い器具。
【請求項５】
請求項１乃至３の何れか１項に記載のはんだ取扱い器具用セラミックヒータと、
高熱伝導性材料からなり、上記セラミックヒータによって加熱されるスリーブと、
高熱伝導性材料からなり、上記セラミックヒータによって上記スリーブを介して所定の温度に加熱されるこて先チップとを備え、
上記スリーブは、上記セラミックヒータの少なくとも上記発熱領域の周囲を覆うように構成され、
上記こて先チップは、上記スリーブの先端側に接して設けられ、その接触面において上記スリーブとの熱の授受を行うように構成されていることを特徴とするはんだ取扱い器具。
【請求項６】
上記スリーブの主要な材質は、銀もしくは銅であることを特徴とする請求項５記載のはんだ取扱い器具。
【請求項７】
上記こて先チップの主要な材質は、銀もしくは銅であることを特徴とする請求項４乃至６の何れか１項に記載のはんだ取扱い器具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック本体に加熱のための発熱抵抗体と温度検知のための感温抵抗体とを埋設したセラミックヒータに関し、特にはんだこて等のはんだ取扱い器具に用いられるものに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の一般的なはんだ取扱い器具のこて先付近の構造は、例えば図１２に示すようになっている。図１２（ａ）は従来の電気はんだごて９０（代表的なはんだ取扱い器具）の部分正面図であり、図１２（ｂ）はその分解斜視図である。電気はんだごて９０の先端には、保護パイプ９６に格納されたこて先チップ９３が設けられている。保護パイプ９６はナット９２によってケーシング９１のニップル９７に固定されている。こて先チップ９３の、保護パイプ９６に覆われた円柱状の胴部の内側には凹部９３ｄが形成されている。その凹部９３ｄに、ケーシング９１から突出したセラミックヒータ９４が、ステンレス等からなるインサートパイプ９５を介して嵌合するように組み立てられている。
【０００３】
図１３は従来のセラミックヒータ９４の構成を示す図であり、（ａ）はセラミックヒータ９４の回路構成を示し、（ｂ）はこて先側コネクタ９９と一体に形成されたセラミックヒータ９４の外観斜視図である。
【０００４】
セラミックヒータ９４は、平坦なセラミックグリーンシート９４ｃ上に、タングステン等の感温抵抗体９４ａ’や発熱抵抗体９４ｂ’を図１３（ａ）に示すようなパターンでプリントしたものを、ベースとなるアルミナや窒化珪素などの円柱状のセラミック棒９４ｄに巻きつけ、焼結一体化して製造されるものである。
【０００５】
従来の一般的な感温抵抗体９４ａ’や発熱抵抗体９４ｂ’のパターンとしては、これらがセラミックグリーンシート９４ｃ内で２重のループを形成するように配されている。内側のループを形成する感温抵抗体９４ａ’は、先端付近で櫛歯状に折り曲げられ、密に配設された感温領域９４ａを形成している。外側のループを形成する発熱抵抗体９４ｂ’は、感温領域９４ａよりも基端側で櫛歯状に折り曲げられ、密に配設された発熱領域９４ｂを形成している。発熱抵抗体９４ｂ’は外側のループを形成しているので、そのループの一部が感温領域９４ａよりも先端側を通っている。このようなパターンにする理由は、完成後のセラミックヒータ９４の発熱領域９４ｂの円周方向の偏りを最小限にするためであり、はんだ取扱い器具用のセラミックヒータとしてはこのパターンが最適であると考えられていた。
【０００６】
感温抵抗体９４ａ’や発熱抵抗体９４ｂ’を埋設する方法としては、セラミックグリーンシート９４ｃに上記パターンをプリントした後、このセラミックグリーンシート９４ｃをセラミック棒９４ｄに巻きつけ、焼結一体化する。そして感温抵抗体９４ａ’及び発熱抵抗体９４ｂ’の上記ループの各終端から、それぞれ感温用リード線９８ａ及び発熱用リード線９８ｂが導出され、これらに先側コネクタ９９が取り付けられる。
【０００７】
このようにして製造されたセラミックヒータ９４は、図１３（ｂ）に示すように、感温領域９４ａが先端から先端隙間Ｌ８だけ基端寄りに形成される。更に感温領域９４ａと発熱領域９４ｂとの間には領域間隙間Ｌ９が設けられる。例えば、ヒータ径Ｄ９＝φ４ｍｍの場合、先端隙間Ｌ８＝３ｍｍ程度、領域間隙間Ｌ９＝５ｍｍ程度とされる。
【０００８】
感温領域９４ａは、こて先チップ９３の温度を検知するためのセンサであって、こて先チップ９３の先端に近いほど（先端隙間Ｌ８が小さいほど）温度検知の精度を高めることができる。また発熱領域９４ｂは、こて先チップ９３を加熱するものであって、こて先チップ９３の先端に近いほど（先端隙間Ｌ８及び領域間隙間Ｌ９が小さいほど）電源投入後の設定温度までの立ち上がり時間を短縮でき、またヒータ電流に対するこて先チップ９３の温度追従性を高め、オーバーシュートを抑制することができる。
【０００９】
ところが一方、感温領域９４ａによる検知温度が発熱領域９４ｂで発生する熱に影響を受けないようにするため、領域間隙間Ｌ９は大きい方が望ましいと考えられていた。結局、実際には例えばＬ９＝５ｍｍ程度とされていた。
【００１０】
また発熱領域９４ｂで発生する熱の影響をより抑制するため、領域間隙間Ｌ９の部分に通孔を設けることも提案されている（たとえば特許文献１参照）。
【特許文献１】特公昭６１−４３８２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述のように、はんだ取扱い器具用のセラミックヒータにおいて、先端隙間Ｌ８及び領域間隙間Ｌ９が小さいほど望ましい。しかし従来の構造では、感温領域９４ａよりも先端側に発熱抵抗体９４ｂ’のループの一部を通すようにしているため、先端隙間Ｌ８をあまり小さくすることができなかった。また、発熱領域９４ｂで発生する熱の影響を避けるため、領域間隙間Ｌ９を長めに設定したり、この部分に通孔を設けたりする必要があって、領域間隙間Ｌ９を小さくすることにも限界があった。
【００１２】
本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであって、発熱領域９４ｂで発生する熱の影響を抑制しつつ、先端隙間Ｌ８及び領域間隙間Ｌ９を短縮することによって、電源投入後の設定温度までの立ち上がり時間を短縮でき、また温度検知の精度を向上させ、ヒータ電流に対するこて先チップ９３の温度追従性を高めることができるはんだ取扱い器具用セラミックヒータを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１の発明は、高熱伝導性材料からなるこて先チップを有するはんだ取扱い器具に用いられ、上記こて先チップを高熱伝達率状態で加熱するセラミックヒータであって、略棒状のセラミック本体と、感温領域が上記セラミック本体の先端付近に位置するような第１パターンで該セラミック本体中に埋設される感温抵抗体と、発熱領域が上記感温領域よりも基端側に位置するような第２パターンで上記セラミック本体中に埋設される発熱抵抗体とを備え、上記第１パターンの最先端部が、上記第２パターンの最先端部よりも上記セラミック本体の先端側に位置するとともに、上記感温領域と上記発熱領域との間の領域間隙間が所定の微小値となるように構成されていることを特徴とする。
【００１４】
上記領域間隙間は、上記発熱領域から上記感温領域への伝熱量が所定量を超えない範囲における最小値である（請求項２）ことが望ましく、より具体的には、上記セラミック本体の軸に垂直な方向の断面積がφ３ｍｍ相当の断面積ないしφ８ｍｍ相当の断面積であるものにおいて、上記領域間隙間が０．５ｍｍないし２ｍｍとするのが好適である（請求項３）。ここでφ３ｍｍ（或いはφ８ｍｍ）相当の断面積とは、断面が円であるときはその直径が３ｍｍ（或いは８ｍｍ）であり、断面が円でないときはその断面積が直径３ｍｍ（或いは８ｍｍ）の円と等しいことをいう。
【００１５】
請求項４の発明は、請求項１乃至３の何れか１項に記載のはんだ取扱い器具用セラミックヒータと、高熱伝導性材料からなり、上記セラミックヒータによって所定の温度に加熱されるこて先チップとを備え、上記こて先チップは、上記セラミックヒータの少なくとも上記感温領域および上記発熱領域の周囲を覆うように構成されていることを特徴とするはんだ取扱い器具である。
【００１６】
請求項５の発明は、請求項１乃至３の何れか１項に記載のはんだ取扱い器具用セラミックヒータと、高熱伝導性材料からなり、上記セラミックヒータによって加熱されるスリーブと、高熱伝導性材料からなり、上記セラミックヒータによって上記スリーブを介して所定の温度に加熱されるこて先チップとを備え、上記スリーブは、上記セラミックヒータの少なくとも上記発熱領域の周囲を覆うように構成され、上記こて先チップは、上記スリーブの先端側に接して設けられ、その接触面において上記スリーブとの熱の授受を行うように構成されていることを特徴とするはんだ取扱い器具である。
【００１７】
このスリーブや上記こて先チップの主要な材質として、銀もしくは銅が好適である（請求項６及び７）。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１の発明によると、第１パターンの感温領域をセラミックヒータ９４の最先端部に設けることができるので、感温領域をよりこて先チップに近い先端側に寄せることができ、こて先チップの温度検知精度を高めることができる。また、第２パターンの発熱領域を、感温領域に近設させているので、結果的に発熱領域も先端側に寄せることができ、電源投入後の設定温度までの立ち上がり時間を短縮し、またヒータ電流に対するこて先チップの温度追従性を高めることができる。
【００１９】
本願の発明者は、はんだ取扱い器具用セラミックヒータにおける感温抵抗体及び発熱抵抗体のパターン（以下両者をまとめと抵抗体パターンともいう）について鋭意研究を行い、従来最適と考えられていた抵抗体パターンが、条件によっては必ずしも最適とは言えず、本願発明のような構成にすることによってよりはんだ取扱い器具として好適な特性が得られることを見出した。
【００２０】
すなわち抵抗体パターンは、セラミックヒータによって加熱されるこて先チップとの関係も考慮に入れて設定すべきであり、従来の一般的なはんだ取扱い器具に見られるように、セラミックヒータとこて先チップとの間にエアギャップが存在したり、図１２（ｂ）に示すようなインサートパイプ９５が介在したりして比較的熱伝達率が低いときには、発熱領域の円周方向の偏り防止と発熱領域から感温領域への熱伝達防止とに重点を置いた従来の抵抗体パターンであっても良い。しかしセラミックヒータとこて先チップとの間の熱伝達率をより高めた構造を採る場合には、感温領域および発熱領域をよりこて先チップの先端側に近づけた抵抗体パターンとした方がはんだ取扱い器具としてより好適な特性を得ることができる。これは、感温領域および発熱領域をこて先チップの先端側に近づけることによって得られる利点（温度検知の精度向上、発熱領域からこて先チップ先端までの伝熱特性の向上など）が、上記の不利な点を補って余りあるものとなるからである。
【００２１】
従って、請求項１記載のはんだ取扱い器具用セラミックヒータにおいて、上記領域間隙間は、上記発熱領域から上記感温領域への伝熱量が所定量を超えない範囲における最小値とするのが望ましい。具体的には、例えばセラミック本体の軸に垂直な方向の断面積がφ３ｍｍ相当の断面積ないしφ８ｍｍ相当の断面積であるものにおいて、領域間隙間が０．５ｍｍないし２ｍｍ（例えば１ｍｍ）とするのが好適である。
【００２２】
請求項４の発明によると、請求項１乃至３の何れか１項に記載のはんだ取扱い器具用セラミックヒータを備えるとともに、このセラミックヒータの周囲をこて先チップで覆うことによって熱伝達率が高められるので、電源投入後の設定温度までの立ち上がり時間が短く、こて先チップの温度追従性が良く、さらにオーバーシュートの抑制されたはんだ取扱い器具（はんだごて等）を得る事ができる。なおセラミックヒータとこて先チップとの熱伝達率をより高めるために、両者の密着度を可及的に高くすることが好ましい。
【００２３】
さらに請求項５の発明によると、セラミックヒータと接触スリーブとこて先チップとを別部材としているので、交換部品であるこて先チップを小型化し、ランニングコストを低減することができる。
【００２４】
請求項６または７の発明によると、上記スリーブやこて先チップの主要な材質を、熱伝導率や熱伝達率の高い銀もしくは銅とすることにより、上記はんだ取扱い器具用セラミックヒータを用いることによる効果を一層高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の最良の実施形態について図面を参照しつつ説明する。図１は本発明の第１実施形態である電気はんだごて１０（はんだ取扱い器具）の正面図であり、（ａ）はこて先側部材２０が本体側部材２５に保持された状態、（ｂ）はこて先側部材２０を本体側部材２５から取外した状態を示す。また図２は、図１（ａ）の部分断面図である。
【００２６】
図１及び図２を参照して電気はんだごて１０の構造を説明する。電気はんだごて１０の基本的な構成は、本体側部材２５の先端（図１で左側）に、挿脱自在のこて先側部材２０を挿着してなる。こて先側部材２０の先端には、主に銅（他に銅合金、銀、或いは銀合金など熱伝導性の高い物質でも良い）からなり、はんだに直接接触してはんだ付けを行うこて先チップ３が設けられている。こて先チップ３の基端側は保護パイプ６に嵌挿され、先端側は保護パイプ６から露出してはんだ付けに適した形状に成形されている。
【００２７】
こて先チップ３の内部には凹部が設けられて有底円筒状になっている。この凹部には、セラミックヒータ４が密着状態で挿着されている。セラミックヒータ４は、先端付近に感温領域４ａが設けられるとともに、それより基端側に発熱領域４ｂが設けられている。これらの配線はリード線８（感温用リード線８ａ及び発熱用リード線８ｂ）によって外部に導出され、こて先側コネクタ９に接続されている。また保護パイプ６の基端側は、金属製で略円筒状のホルダ７に嵌挿され、保持されている。図１（ｂ）及び図２に示すように、こて先チップ３、セラミックヒータ４、保護パイプ６、ホルダ７、リード線８及びこて先側コネクタ９は一体に構成されている。
【００２８】
本体側部材２５は、主にケーシング１、固定ナット２及びこれらに挟持されるＯリング１２からなる。ケーシング１は樹脂等からなる概ね円管状の部材であり、その周囲には、操作者が電気はんだごて１０を握って取り扱うための握り部１ａが設けられている。ケーシング１の内部にはこて先側コネクタ９と接合される本体側コネクタ１５が設けられ、電気コード１ｂが接続されている。電気コード１ｂはケーシング１の外部に導出され、図外のコントローラ（こて先温度を設定値に保つように制御された電力をセラミックヒータ４に供給する制御装置）に接続されている。
【００２９】
固定ナット２はケーシング１の先端外周部に螺着されているナット状部材である。固定ナット２を回転させることにより、固定ナット２はケーシング１に対して可動範囲内で自由に軸方向の移動ができるようになっている。
【００３０】
固定ナット２の内径側段差部とケーシング１の先端面とで挟持されるようにＯリング１２が設けられている。Ｏリング１２は、ゴム等の弾性体からなり、こて先側部材２０の挿着状態でホルダ７が嵌挿される位置に設けられている。また固定ナット２の、めねじ形成部より後端側には、固定ナット２がケーシング１から完全に離脱することを防止する皿ねじ５が設けられている。
【００３１】
図３はセラミックヒータ４の構成を示す図であり、（ａ）は、セラミックヒータ４の回路構成を示し、（ｂ）はセラミックヒータ４の外観斜視図である。
【００３２】
セラミックヒータ４は、主に円柱状のセラミック本体（アルミナや窒化珪素などのセラミック棒４ｄにセラミックグリーンシート４ｃを巻き付け、焼成したもの）と、その内部に埋設される感温抵抗体４ａ’及び発熱抵抗体４ｂ’と、これらの各抵抗体に接続される感温用リード線８ａ及び発熱用リード線８ｂとからなる。
【００３３】
タングステン等からなる感温抵抗体４ａ’及び発熱抵抗体４ｂ’は、予めセラミックグリーンシート４ｃに図３（ａ）に示すようなパターンでプリントしておくことによって埋設される。以下感温抵抗体４ａ’のパターンを第１パターンＰｔ１、発熱抵抗体４ｂ’のパターンを第２パターンＰｔ２と称する。
【００３４】
第１パターンＰｔ１（感温抵抗体４ａ’）と第２パターンＰｔ２（発熱抵抗体４ｂ’）とは、セラミックグリーンシート４ｃ上で２重ループを形成するように敷設されている。外側のループを形成する第１パターンＰｔ１は、先端付近で櫛歯状に折り曲げられ、密に敷設された感温領域４ａを形成している。内側のループを形成する発熱抵抗体４ｂ’は、感温領域４ａよりも基端側で櫛歯状に折り曲げられ、密に敷設された発熱領域９４ｂを形成している。第１パターンＰｔ１は第２パターンＰｔ２よりも外側のループなので、第１パターンＰｔ１の最先端部（感温領域４ａ）が、第２パターンＰｔ２の最先端部（発熱領域４ｂ）よりもセラミックグリーンシート４ｃの先端側に位置する。
【００３５】
セラミック本体の外径（ヒータ径Ｄ１）はＤ１＝φ４ｍｍ、セラミック棒４ｄの先端部と感温領域４ａの先端部との隙間（先端隙間Ｌ１）はＬ１＝１．５ｍｍ、感温領域４ａと発熱領域４ｂとの隙間（領域間隙間Ｌ２）はＬ２＝１ｍｍとなっている。先端隙間Ｌ１及び領域間隙間Ｌ２は従来構造よりも小さな値となっており、特に領域間隙間Ｌ２は、従来の同型のものが領域間隙間Ｌ９＝５ｍｍ（図１３（ｂ）参照）程度であるのに対し、その１／５という微小隙間になっている。
【００３６】
図４は、こて先チップ３周辺の詳細構造を示す図であり、（ａ）は部分断面図、（ｂ）は（ａ）のIII−III断面図（図を簡略化するため、セラミックヒータ４の内部構造は省略している）、（ｃ）は（ａ）のｐ部及びｑ部付近の拡大図である。図４を参照してこて先チップ３周辺の詳細構造について説明する。
【００３７】
こて先チップ３の内部には凹部３ｄが設けられて有底円筒状になっており、セラミックヒータ４の先端側が密着状態で挿着されている。凹部３ｄの深さは、セラミックヒータ４の先端から、発熱領域４ｂまでの長さ相当以上である。つまりセラミックヒータ４の感温領域４ａや発熱領域４ｂは、周囲をこて先チップ３に覆われた状態となっている。こて先チップ３の有底円筒部の底面側（先端側）の外径は比較的大径となっている（大径部３ａ）。大径部３ａの範囲は、セラミックヒータ４が挿着された状態で感温領域４ａに略相当する部分であり、かつ保護パイプ６に嵌挿された状態で、保護パイプ６の先端部分に相当する部分である。大径部３ａよりも基端側の有底円筒部は、大径部３ａよりも僅かに径の小さな小径部３ｂとなっている。
【００３８】
凹部３ｄを形成する部分（主に大径部３ａ及び小径部３ｂ）には、その開口部から底面付近にかけて、凹部３ｄの軸心を含む平面（図４（ａ）において、凹部３ｄの軸心を通り、紙面に垂直な平面）で軸心に垂直な断面（図４（ｂ）に示す断面）を分割するような切れ込み３ｃが設けられている。切れ込み３ｃは大径部３ａよりも更に深く入っており、保護パイプ６に嵌挿された状態で、その先端側が露出して切れ込み露出部３ｅとなっている。
【００３９】
切れ込み３ｃによって、こて先チップ３の大径部３ａ及び小径部３ｂは、切れ込み３ｃの両側に拡がり易くなっている。従って、セラミックヒータ４が挿着されたとき、その外周を規制するものがないとき（まだ保護パイプ６に嵌挿されていない状態）は、セラミックヒータ４の外周面と大径部３ａ及び小径部３ｂの内周面とは接してはいるものの、その密着度は低く、僅かながらエアギャップが存在している。
【００４０】
保護パイプ６の自由時の内径は、大径部３ａよりも僅かに小さく、小径部３ｂよりも僅かに大きい。従って、こて先チップ３を保護パイプ６に嵌挿すると、大径部３ａでは圧入となり、小径部３ｂでは保護パイプ６との間に僅かな隙間が生じる。保護パイプ６の、こて先チップ３の基端付近に相当する位置（図４（ａ）及び（ｃ）のｑ部）に、軸方向に延びる段差となる絞り部６ａが形成されている。図４（ｂ）に示すように、絞り部６ａは、切れ込み部３ｃが設けられている方向と直角の位置に、小径部３ｂを挟み込むようにして形成されている。絞り部６ａでは、小径部３ｂの外周面と保護パイプ６の内面とが隙間なく当接している。なお絞り部６ａに代えて、保護パイプ６の外周面に沿って線状の縮径部（最小内径部で小径部３ｂに当接する）を設けても良い。
【００４１】
このように絞り部６ａが設けられているので、こて先チップ３が保護パイプ６に嵌挿された状態では、大径部３ａの外周面と、小径部３ｂの絞り部６ａに当接する部分とが保護パイプ６によって強く規制される。このため、セラミックヒータ４とこて先チップ３との密着度も、これらに相当する箇所（第１強接点ｈ及び第２強接点ｊ）で高くなっている。このように、セラミックヒータ４がこて先チップ３に挿着される部分のほぼ両端部で強く密着させられるため、全体の密着度も高くなっている。
【００４２】
次に、上記構造の電気はんだごて１０の作用について説明する。まずはんだ付けを行うにあたり、操作者は、作業に最適なこて先形状を有するこて先側部材２０を選択し、本体側部材２５に挿着する。その際、固定ナット２を緩めてホルダ７をケーシング１の先端部に挿入する。
【００４３】
ホルダ７を挿入したら、次に固定ナット２を締め込んでＯリング１２を変形させ、ホルダ７を周囲から押付けることによって固定する。こうしてこて先側部材２０を本体側部材２５に挿着後、操作者は図外のコントローラの電源を投入し、要求されるこて先の温度設定を行う。コントローラからは設定温度に応じた電力がセラミックヒータ４の発熱抵抗体４ｂ’に供給され、発熱領域４ｂで発熱する。
【００４４】
発熱領域４ｂで発生した熱は、こて先チップ３に伝達されるが、セラミックヒータ４とこて先チップ３の大径部３ａ及び小径部３ｂとが良好に密着しているので熱伝達率が高められており、速やか且つ低損失で伝達される。
【００４５】
発熱領域４ｂから伝達された熱は銅製のこて先チップ３内で効率良く伝導され、こて先チップ３の先端部に達する。こて先チップ３の先端部の温度は、セラミックヒータ４の感温領域４ａで検知され、図外のコントローラに信号伝達される。感温領域４ａ付近は、第１強接点ｈとなっているので、特に密着度が高く、より高精度の温度検知が可能となっている。従って、はんだ付けによってこて先チップ３の先端から一時的に熱が奪われても、それを速やか且つ正確に感温領域４ａで検知することができ、それを補う熱を発熱領域４ｂからこて先チップ３の先端に、高速且つ低損失で伝達することができる。
【００４６】
なお、電気はんだごて１０の使用時には、高温のためにこて先チップ３及びセラミックヒータ４が熱によって僅かに熱変形する。こて先チップ３とセラミックヒータ４とは材質が異なるので、熱膨張率も異なる。こて先チップ３とセラミックヒータ４とが、完全に密着状態で固定されていると、その膨張差によってセラミックヒータ４が損傷を受ける虞があるが、当実施形態の構造では、その損傷を効果的に防止している。即ち、こて先チップ３の径方向の変形（膨張）は、切れ込み３ｃの幅が増減することによって吸収され、セラミックヒータ４に対して大きな圧縮力や引張り力が作用することを防止している。また軸方向の変形については、強接点が第１強接点ｈと第２強接点ｊという最小限度に抑えられているため、密着しつつも相互の軸方向ずれが起こり易くなっており、大きな圧縮力や引張り力が作用しないようになっている。
【００４７】
こて先チップ３の先端が損耗し、交換する必要が生じたときには、電源を切り、固定ナット２を緩めてこて先側部材２０を引き抜き、新たなこて先側部材２０を挿入して交換する。
【００４８】
図５は、当実施形態の熱現象を電気回路に模して表現した熱等価回路モデル図である。熱源を電流源に、温度を電位に、伝熱量を電流に、伝熱路の熱抵抗を電気抵抗に、熱容量を静電容量に代えて表現している。図に付されている各記号は次のとおりである（ヒータとは発熱領域４ｂ、センサとは感温領域４ａを指す）。
【００４９】
Ｐｈ：ヒータの発熱量
ＴH：ヒータ部（特定点５１）の温度
Ｔｅ：こて先チップのヒータ部（特定点５２）の温度
Ｔｄ：こて先チップのセンサ部（特定点５３）の温度
Ｔｓ：センサ部（特定点５４）の温度
Ｔｔ：こて先チップの先端部（特定点５５）の温度
Ｔａ：環境温度
Ｒｅ，Ｉｅ：特定点５１−５２間の熱抵抗，伝熱量
Ｒｂ，Ｉｂ：特定点５２−５３間の熱抵抗，伝熱量
Ｒｄ，Ｉｄ：特定点５３−５４間の熱抵抗，伝熱量
Ｒｔ，Ｉｔ：特定点５３−５５間の熱抵抗，伝熱量
Ｒｃ：特定点５１−５４間の熱抵抗
Ｒａ：特定点５３と外気との間の熱抵抗
ＲL：熱負荷の熱抵抗成分
Ｃｂ：こて先チップの胴部の熱容量
Ｃａ：こて先チップの先端部の熱容量
ＣL：熱負荷の熱容量成分
ＳＷ：スイッチ（こて先チップと熱負荷とのＯＮ−ＯＦＦ）
【００５０】
このモデルにおいて、主な熱の流れは、特定点５１→特定点５２→特定点５３→特定点５５となる。また特定点５３→特定点５４にも若干の熱流がある。特定点５１→特定点５４の熱流は殆どない。これは熱抵抗Ｒｃが他の熱抵抗Ｒｂ等に比べて格段に大きいからである。それは材質の熱伝導率の違いに起因する。こて先チップ３の材質である銅の熱伝導率が３９０Ｗ／ｍ・Ｋであるのに対し、セラミックヒータ４の本体の材質（例えばアルミナの場合）の熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋであり、約１／２０となっている。
【００５１】
このモデルから、次の（式１）〜（式５）を基礎式とすることができる。
Ｔｔ＝Ｔｄ−Ｉｔ・Ｒｔ                          ・・・（式１）
Ｔｓ＝Ｔｄ−Ｉｄ・Ｒｄ                          ・・・（式２）
Ｔｄ＝ＴH−Ｉｅ・Ｒｅ−Ｉｂ・Ｒｂ              ・・・（式３）
Ｉｂ（定常時）＝Ｉｅ                            ・・・（式４）
Ｉｂ（過渡期）＝Ｉｅ−Ｃｂ・（ｄＴｅ／ｄｔ）    ・・・（式５）
【００５２】
（式１），（式２）より次の（式６）が導かれる。
Ｔｔ＝Ｔｓ＋Ｉｄ・Ｒｄ−Ｉｔ・Ｒｔ            ・・・（式６）
（式６）から明らかなように、熱抵抗Ｒｄや熱抵抗Ｒｔが小さいほどＴｔ＝Ｔｓに近づく。すなわちこて先チップの先端部温度Ｔｔとセンサ部温度Ｔｓとの差が小さく、検知精度を高めることができる。当実施形態では、セラミックヒータ４をこて先チップ３の凹部に直接密着させることにより特定点５３−５４間の熱抵抗Ｒｄを低減させ、先端隙間Ｌ１を短縮することにより特定点５３−５５間の熱抵抗Ｒｔを低減させて検知精度を向上させている。
【００５３】
また（式１），（式３）から明らかなように、熱抵抗Ｒｅや熱抵抗Ｒｂが小さいほどＴｔ＝ＴHに近づく。すなわちこて先チップの先端部温度Ｔｔとヒータ温度ＴHの差が小さくなる。従って、Ｔｔの変動に対するＴHの変動幅を小さくすることができるので温度追従性を高めることができる。当実施形態では、セラミックヒータ４をこて先チップ３の凹部に直接密着させることにより特定点５１−５２間の熱抵抗Ｒｅを低減させ、領域間隙間Ｌ２を短縮することにより特定点５２−５３間の熱抵抗Ｒｂを低減させて温度追従性を向上させている。
【００５４】
（式２）〜（式５）より次の（式７）が導かれる。
Ｔｓ（定常時）＝Ｔｓ（過渡期）＋Ｒｂ・Ｃｂ・（ｄＴｅ／ｄｔ）・・（式７）
（式７）から明らかなように、熱抵抗Ｒｂや熱容量Ｃｂが小さいほどＴｓ（定常時）＝Ｔｓ（過渡期）に近づく。すなわち定常時と過渡期とのセンサ温度差が小さくなるので、定常時と過渡期との境界における温度追従性が向上する。例えば電源投入時等におけるオーバーシュート（行き過ぎ）が抑制される。当実施形態では、領域間隙間Ｌ２を短縮することにより特定点５２−５３間の熱抵抗Ｒｂを低減させている。また、先端隙間Ｌ１および領域間隙間Ｌ２を短縮しているので、感温領域４ａおよび発熱領域４ｂを覆うこて先チップ３の凹部の深さを浅くすることができる。すなわちこて先チップ３の全長を短縮することができ、こて先チップの胴部の熱容量Ｃｂを低減させることができる。このように熱抵抗Ｒｂと熱容量Ｃｂとを低減させることにより電源投入時等におけるオーバーシュートを抑制している。
【００５５】
図６は、図５に示すモデルを用いたケーススタディであり、先端隙間Ｌ１および領域間隙間Ｌ２を変化させた場合の、電源投入時のこて先温度の立ち上がり特性を示す図である。（ａ）は先端隙間Ｌ１＝３ｍｍ、領域間隙間Ｌ２＝５ｍｍの場合であり、図１２，図１３に示す従来構造に相当する。（ｂ）は先端隙間Ｌ１＝１．５ｍｍ、領域間隙間Ｌ２＝１ｍｍの場合であり、当実施形態の構造に相当する。（ｃ）は先端隙間Ｌ１＝１．５ｍｍ、領域間隙間Ｌ２＝０ｍｍの場合であり、当実施形態の構造に対し更に領域間隙間Ｌ２を短縮したものである。（ｄ）は先端隙間Ｌ１、領域間隙間Ｌ２の位置を示す図である。なお、こて先チップ３は、発熱領域４ｂの後端までセラミックヒータ４を覆うようにサイズ調整している。つまり（ａ）に対して（ｂ）や（ｃ）では、先端隙間Ｌ１および領域間隙間Ｌ２の短縮しろに応じてこて先チップ３の全長を短縮している。
【００５６】
従来構造に相当する（ａ）の特性では、こて先温度が上昇期から定常状態に移行する間にオーバーシュートが発生している。これに対し当実施形態の構造に相当する（ｂ）の特性では立ち上がり時の温度上昇が速やかであるとともに、オーバーシュートが抑制されている。これは、先端隙間Ｌ１および領域間隙間Ｌ２を短縮して熱抵抗Ｒｂや熱抵抗Ｒｔを低減させるとともにセラミックヒータ４をこて先チップ３の凹部に直接密着させることにより熱抵抗Ｒｅや熱抵抗Ｒｄを低減させ、さらにこて先チップ３の全長を短縮することにより熱容量Ｃｂを低減させたことによって温度追従性が向上した効果である。
【００５７】
但し、領域間隙間Ｌ２をあまり短縮しすぎると弊害が生じてくる。それを示すのが図６（ｃ）の特性であり、温度の上昇速度が大幅に減少している。これは領域間隙間Ｌ２を短縮しすぎたために、熱抵抗Ｒｃが小さくなりすぎ、本来抑制されなければならない発熱領域４ｂから感温領域４ａへの熱流量が増大してしまったためである。従って、領域間隙間Ｌ２の短縮は、このような現象を生じない程度にとどめておく必要がある。
【００５８】
図７は、図５に示すモデルを用いたケーススタディであり、特定点５１〜５５の温度勾配を示す図である。（ａ）〜（ｃ）の各条件は、図６における（ａ）〜（ｃ）の各条件に対応している。これらの各特性において、特定点５４のセンサ温度Ｔｓが設定温度Ｔｘとなるように制御されているものとする（Ｔｓ＝Ｔｘとなる）。
【００５９】
従来構造に相当する（ａ）の特性ではＴｄ＝Ｔｓ（＝Ｔｘ）となるように制御される。各熱抵抗Ｒｅ，Ｒｂ，Ｒｄ，Ｒｔが比較的大きいので温度勾配が大きくなっている。これに対し当実施形態の構造に相当する（ｂ）の特性では上記各熱抵抗Ｒｅ，Ｒｂ，Ｒｄ，Ｒｔを低減し、温度勾配を低減させている。従ってセンサ温度Ｔｓの検知精度を向上させることができ、またこて先温度Ｔｔの変化に対して速やかにヒータ温度ＴHを変化させ、また速やかにこて先温度Ｔｔを復帰させる温度追従性を高めることができる。
【００６０】
但し領域間隙間Ｌ２を短縮しすぎると、図７（ｃ）のような温度勾配となって好ましくない。この特性では、熱抵抗Ｒｃが小さくなったためにセンサ温度Ｔｓがヒータ温度ＴHの影響を受けている（図では最も大きな影響を受けた状態としてわかり易くするためＴｓ＝ＴHとなっている状態を示す）。このようになるとセンサ温度Ｔｓとこて先温度との差が大きく、検知精度が悪化する上、温度追従性も低下する。
【００６１】
図８は、こて先温度の立ち上がり時間やセンサ温度（以下こて先温度の立ち上がり時間等という）に対するこて先の温度低下と、領域間隙間Ｌ２との関係を示すグラフである。この図に示すように領域間隙間Ｌ２＝１ｍｍ程度の時にこて先温度の立ち上がり時間等が極小値となって最も望ましい状態となる。領域間隙間Ｌ２が１ｍｍよりも大きくなるに従い、熱抵抗Ｒｂや熱容量Ｃｂが大きくなるのでこて先温度の立ち上がり時間等が増大して行く。また領域間隙間Ｌ２が１ｍｍよりも小さくなるに従い、熱抵抗Ｒｃが急激に低減し、センサ温度Ｔｓがヒータ温度ＴHの影響を大きく受けるようになるので、こて先温度の立ち上がり時間等が急激に増大して行く。
【００６２】
図９は、電気はんだごて１０の温度特性を従来構造の電気はんだごて９０（図１２参照）の温度特性と比較した説明図であり、（ａ）は電気はんだごて１０の温度特性を、（ｂ）は従来構造の電気はんだごて９０の温度特性を示す。それぞれ、横軸に時間（ｓ）、縦軸にこて先温度（℃）を示す。
【００６３】
設定温度はともに３５０℃で、コントローラは同じものを使用した。これらの温度特性で、温度が激しく上下している区間では連続はんだ付けに相当する動作（以下連続はんだ付けという）を行っている。連続はんだ付けは１０ｍｍ角カット面の銅フェノール基板上の鉛入りはんだ盛り部に、こて先を３秒間隔で当接させて行った。
【００６４】
図９（ｂ）を参照して、従来構造では電源投入からこて先温度が設定温度まで上昇する立ち上がり時間ｔ９１が、ｔ９１＝１８ｓであった。オーバーシュートＴｖ９１は、Ｔｖ９１＝１２℃であった。連続はんだ付け区間では、温度降下Ｔｐ９１（１回毎の温度復帰が遅れることにより発生する）が、Ｔｐ９１＝１７．７℃であった。そして、連続はんだ付け後、再び設定温度に復帰するときのオーバーシュートＴｖ９２は、Ｔｖ９２＝７．５℃であった。
【００６５】
これに対して当実施形態の電気はんだごて１０によると、図９（ａ）を参照して、それぞれ立ち上がり時間ｔ１＝１６ｓ（ｔ９１に対し約１１％短縮）、オーバーシュートＴｖ１＝２℃（Ｔｖ９１に対し約８３％低減）、温度降下Ｔｐ１＝１３℃（Ｔｐ９１に対し約２７％低減）、復帰時のオーバーシュートＴｖ２＝２℃（Ｔｖ９２に対し約７３％低減）であった。すなわち従来構造に対し、何れの特性に対しても顕著な改善効果を得ることができた。
【００６６】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図１０は本発明の第２実施形態に係る電気はんだごて６０の構成を示す断面図である。また、図１１は図１０に示す電気はんだごて６０の先端付近の分解断面図である。これらの図に示すように、この電気はんだごて６０と第１実施形態の電気はんだごて１０との最大の相違点は、電気はんだごて１０におけるこて先チップ３の機能が、電気はんだごて６０ではスリーブ５３とこて先チップ５４とに分割されている点である。
【００６７】
電気はんだごて６０の本体は、ケーシング５１の先端にセラミックヒータ５２を備え、このセラミックヒータ５２の先端には高熱伝導性材料からなるスリーブ５３が、セラミックヒーター５２の周囲を覆い、かつこのセラミックヒータ５２に密着するように設けられている。
【００６８】
また、電気はんだごて６０は、スリーブ５３の先端面に設けられた環状の伝熱面５３ａに当接することによりスリーブ５３から熱を授受するとともにセラミックヒータ５２の先端に対して交換可能に嵌合するこて先チップ５４と、ケーシング５１の内部にこて先チップ５４の温度を制御する温度制御装置５５とを備えている。
【００６９】
ケーシング５１は、樹脂等からなる概ね円管状の部材であり、その周囲には、操作者が電気はんだごて６０を握って取り扱うための、合成ゴムなどからなる握り部５１ａが設けられている。
【００７０】
セラミックヒータ５２は第１実施形態のセラミックヒータ４と同一構造のため、詳細説明を省略するが、先端付近に感温領域５２ｂを備え、それより基端側寄りに発熱領域５２ａを備えている。
【００７１】
スリーブ５３は、セラミックヒータ５２の周囲を覆い、かつこのセラミックヒータ５２に密着して、セラミックヒータ５２の発熱領域５２ａで発生した熱をこて先チップ５４に効率良く、時間遅れなく伝達するためのものであり、主要な材質が、銀もしくは銅の高熱伝導性材料で構成されている。また、このスリーブ５３の外周は、ケーシング５１から延設された金属製管状の保持管５１ｃに挿入されることにより、スリーブ５３とセラミックヒータ５２とがケーシング５１に取り付けられる構成になっている。
【００７２】
こて先チップ５４は、セラミックヒータ５２とスリーブ５３とから伝達された熱を、先端５４ａに接触する図略のはんだに伝達してこのはんだを加熱融解するためのものであり、このこて先チップ５４は、基端側中央に凹部５４ｂと、この凹部５４ｂの周りに受熱面５４ｃを備えている。また、凹部５４ｂに感温領域５２ｂを収容し、受熱面５４ｃをスリーブ５３の先端面に設けられた環状の伝熱面５３ａに当接することができる形状に形成されている。
【００７３】
そして、このこて先チップ５４は、主に銅等の高熱伝導材料で構成されており、こて先チップ５４の表面は、はんだによるエロージョンを防止するために鉄メッキが施され、また、はんだあがりを防止するためにクローム等のメッキが施されている。こて先チップ５４は、基端側の周縁に設けられた係止部５４ｄが、セラミックヒータ５２の周囲に配置される金属製管状の係止管５６の縮径した端部５６ａに係止されることにより、スリーブ５３の先端面に設けられた環状の伝熱面５３ａに当接させるようになっている。
【００７４】
係止管５６の他端５６ｂは、拡管され、金属製の締結リング５７の内壁に縮径して設けられた規制部５７ａにより規制され、こて先チップ５４をスリーブ５３の先端面から分離しないように構成されている。なお、この締結リング５７は、規制部５７ａよりもケーシング５１側の内壁に、ねじ部５７ｂが設けられており、このねじ部５７ｂをケーシング１の先端側に設けられたねじ部５１ｂに螺合させて締結リング５７をケーシング５１側に変位させて、こて先チップ５４をセラミックヒータ５２に一体に締結するようになっている。
【００７５】
温度制御装置５５は、感温領域５２ｂによる温度測定値と、こて先チップ５４に対する温度設定値との差に基づいて発熱領域５２ａへの通電量を変更してこて先チップ５４の温度を制御するものである。温度制御装置５５は、ケーシング５１の中で、感温領域５２ｂおよび発熱領域５２ａとに接続されるとともに、電気コード５１ｄを介して図外の電源に接続されている。
【００７６】
次に図１１を参照して、こて先チップ５４の交換方法について説明する。電気はんだごて６０を使用するうえで、こて先チップ５４の先端５４ａが損耗して新しいものに交換する必要が生じた場合は、まず締結リング５７を電気はんだごて６０の中心軸周りに回転させることにより、締結リング５７のねじ部５７ｂとケーシング５１の先端側に設けられたねじ部５１ｂとを緩めて、締結リング５７をケーシング５１側と反対の方向に変位させ、電気はんだごて６０本体から取り外す。
【００７７】
そして係止管５６をケーシング５１と反対の方向に変位させ、係止管５６の基端側から抜き取るようにして、こて先チップ５４とスリーブ５３とを露出させる。そして、損耗したこて先チップ５４をセラミックヒータ５２の先端５２ｃから取り外すとともに、新しいものをセラミックヒータ５２の先端５２ｃに嵌合してこて先チップ５４を交換する。
【００７８】
電気はんだごて６０の温度制御に関しては、第１実施形態の電気はんだごて１０に準じて考えることができる。この場合、図５に示すモデルで検討を行うには、各熱抵抗Ｒｅ，Ｒｂ，Ｒｄ，Ｒａや熱容量Ｃｂとして、スリーブ５３の値を用いれば良い。また熱抵抗Ｒｔには、スリーブ５３からこて先チップ５４に熱が伝達される際の熱抵抗を含むようにすれば良い。
【００７９】
電気はんだごて６０は、第１実施形態の電気はんだごて１０に比べ、熱抵抗Ｒｄや熱抵抗Ｒｔが若干大きくなるものの、交換部品であるこて先チップ５４を小型化することができ、ランニングコストの低減を図ることができるという利点がある。
【００８０】
以上第１，第２実施形態について説明したが、本発明はこれらに限定するものではなく、特許請求の範囲で適宜変形して良い。例えばセラミックヒータの先端隙間Ｌ１，領域間隙間Ｌ２は、必ずしも上記値である必要はなく、用途や大きさに応じて適宜設定して良い。特に領域間隙間Ｌ２は、図８に示す特性を鑑みて、発熱領域４ｂから感温領域４ａへの伝熱量が大きくなり過ぎない範囲で可及的に小さくすることが望ましい。
【００８１】
はんだ取扱い器具としては、電気はんだごてに限定するものではない。例えば溶融したはんだを吸取るはんだ吸取り手段を備え、はんだ付け済みのはんだを溶融させつつ吸取り、部品を除去するためのはんだ吸取りごてや、２本のこて先をピンセットのようにして部品を挟持しつつはんだ付けしたり取除いたりするための電子部品着脱装置（ツィーザ）等であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】第１実施形態に係るはんだ取扱い器具（電気はんだごて）の正面図であり、（ａ）はこて先側部材が本体側部材に保持された状態、（ｂ）はこて先側部材を本体側部材から取外した状態を示す。
【図２】図１（ａ）の部分断面図である。
【図３】図１に示す電気はんだごてのセラミックヒータの構成を示す図であり、（ａ）はセラミックヒータ４の回路構成を示し、（ｂ）はこて先側コネクタ９と一体に形成されたセラミックヒータ４の外観斜視図である。
【図４】図１に示す電気はんだごてのこて先チップ周辺の詳細構造を示す図であり、（ａ）は部分断面図、（ｂ）は（ａ）のIII−III断面図、（ｃ）は（ａ）のｐ部及びｑ部付近の拡大図である。
【図５】図１に示す電気はんだごての熱等価回路モデル図である。
【図６】図５に示すモデルを用いた温度立ち上がり特性のケーススタディであり、（ａ）は従来構造のもの、（ｂ）は当実施形態の構造のもの、（ｃ）は当実施形態の構造に対し更に領域間隙間Ｌ２を短縮したもの、（ｄ）は先端隙間Ｌ１、領域間隙間Ｌ２の位置を示したものである。
【図７】図５に示すモデルを用いた温度勾配のケーススタディであり、（ａ）は従来構造のもの、（ｂ）は当実施形態の構造のもの、（ｃ）は当実施形態の構造に対し更に領域間隙間Ｌ２を短縮したものである。
【図８】こて先温度の立ち上がり時間やセンサ温度に対するこて先の温度低下と、領域間隙間Ｌ２との関係を示すグラフである。
【図９】図１に示す電気はんだごての温度特性を従来の電気はんだごての温度特性と比較する説明図であり、（ａ）は第１実施形態の温度特性を、（ｂ）は従来構造のものの温度特性を示す。
【図１０】第２実施形態に係る電気はんだごての正面断面図である。
【図１１】図１０に示す電気はんだごての部分分解断面図である。
【図１２】従来のはんだ取扱い器具の構造を示し、（ａ）は部分正面図であり、（ｂ）はその分解斜視図である。
【図１３】従来のはんだ取扱い器具用セラミックヒータの構成を示す図であり、（ａ）はセラミックヒータの回路構成を示し、（ｂ）はこて先側コネクタと一体に形成されたセラミックヒータ９４の外観斜視図である。
【符号の説明】
【００８３】
３    こて先チップ
４    セラミックヒータ
４ａ    感温領域
４ａ’    感温抵抗体
４ｂ    発熱領域
４ｂ’    発熱抵抗体
４ｃ    セラミックグリーンシート（セラミック本体）
４ｄ    セラミック棒（セラミック本体）
１０    電気はんだごて（はんだ取扱い器具）
５２    セラミックヒータ
５２ａ    発熱領域
５２ｂ    感温領域
５３    スリーブ
５４    こて先チップ
６０    電気はんだごて（はんだ取扱い器具）
Ｌ２    領域間隙間
Ｐｔ１    第１パターン
Ｐｔ２    第２パターン
【図１】
2005329416.tif 000003
【図２】
2005329416.tif 000004
【図３】
2005329416.tif 000005
【図４】
2005329416.tif 000006
【図５】
2005329416.tif 000007
【図６】
2005329416.tif 000008
【図７】
2005329416.tif 000009
【図８】
2005329416.tif 000010
【図９】
2005329416.tif 000011
【図１０】
2005329416.tif 000012
【図１１】
2005329416.tif 000013
【図１２】
2005329416.tif 000014
【図１３】
2005329416.tif 000015