(57)【要約】【課題】  静電ギャップを高精度に、かつ、短時間で形成するとともに、低い駆動電圧で駆動する。【解決手段】  本発明による波長可変光フィルタは、上面に高反射膜２３が形成され、自在に上下動する可動体２１ａを支持する可動部２と、可動体２１ａの下面と静電ギャップＥＧを隔てて対向した駆動電極１２が形成された駆動電極部１と、高反射膜２３と光学ギャップＯＧを隔てて対向した高反射膜３２が形成された光学ギャップ部３とが互いに接合されて構成されている。また、可動部２には、光学ギャップＯＧに対応したスペーサ２１ｂが一体に形成されている。【選択図】      図１
2005062386.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に可動鏡が形成され、自在に上下動する可動体を支持する可動部と、
前記可動体と所定の静電ギャップを隔てて対向した駆動電極が形成された駆動電極部と、
前記可動鏡と所定の光学ギャップを隔てて対向した固定鏡が形成された光学ギャップ部とが互いに接合され、
前記可動部に前記光学ギャップに対応したスペーサが一体に形成されていることを特徴とする波長可変光フィルタ。
【請求項２】
前記駆動電極の前記可動体に対向した領域と、前記可動体の前記駆動電極に対向した領域とのいずれか一方又は両方に絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１記載の波長可変光フィルタ。
【請求項３】
前記可動体の他一方の面に形成される反射防止膜が前記絶縁膜を兼ねることを特徴とする請求項２記載の波長可変光フィルタ。
【請求項４】
前記可動部はシリコンを含み、前記駆動電極部又は前記光学ギャップ部のいずれか一方又は両方はアルカリ金属を含有したガラスからなり、前記可動部と前記駆動電極部又は、前記可動部と前記光学ギャップ部のいずれか一方又は両方は、陽極接合により接合されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の波長可変光フィルタ。
【請求項５】
第１の基板に凹部を形成した後、前記凹部に駆動電極を形成して駆動電極部とする第１の工程と、
第２の基板に固定鏡を形成して光学ギャップ部とする第２の工程と、
導電性を有する活性層、絶縁層及びベース層が順次積層された第３の基板を、前記絶縁層をエッチングストップ層として前記ベース層をエッチングしてスペーサを形成する第３の工程と、
前記第３の工程で製造された構造体と前記駆動電極部とを、前記駆動電極と前記活性層とを対向させて接合した後、前記絶縁層を除去し、前記活性層に可動体を形成した後、前記可動体に可動鏡を形成する第４の工程と、
前記第４の工程で製造された構造体と前記光学ギャップ部とを、前記可動鏡と前記固定鏡とを対向させて接合する第５の工程と
を有することを特徴とする波長可変光フィルタの製造方法。
【請求項６】
前記活性層はシリコンからなり、前記第１の基板又は前記第２の基板のいずれか一方又は両方はアルカリ金属を含有したガラスからなり、前記第４の工程又は前記第５の工程のいずれか一方又は両方では、前記接合を陽極接合により行うことを特徴とする請求項５記載の波長可変光フィルタの製造方法。
【請求項７】
第１の基板に凹部を形成した後、前記凹部に駆動電極を形成して駆動電極部とする第１の工程と、
第２の基板に固定鏡を形成して光学ギャップ部とする第２の工程と、
シリコンの（１００）基板からなる第３の基板を異方性エッチングしてスペーサを形成する第３の工程と、
前記第３の工程で製造された構造体と前記駆動電極部とを、前記駆動電極と前記スペーサで囲まれた領域とを対向させて接合した後、前記スペーサで囲まれた領域に可動体を形成し、前記可動体に可動鏡を形成する第４の工程と、
前記第４の工程で製造された構造体と前記光学ギャップ部とを、前記可動鏡と前記固定鏡とを対向させて接合する第５の工程と
を有することを特徴とする波長可変光フィルタの製造方法。
【請求項８】
前記第１の基板又は前記第２の基板のいずれか一方又は両方はアルカリ金属を含有したガラスからなり、前記第４の工程又は前記第５の工程のいずれか一方又は両方では、前記接合を陽極接合により行うことを特徴とする請求項７記載の波長可変光フィルタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長分割多重化（ＷＤＭ：Wavelegth Division Multiplexing）光通信網等において、光ファイバ中を伝送される異なる波長を有する複数の光の中から所望の波長を有する光を取り出すために光を波長選択的に透過させる波長可変光フィルタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の波長可変光フィルタは、ファブリ・ペロー干渉計の原理を利用したものであり、基板上に形成された固定鏡と、固定鏡との間に静電ギャップを形成した状態で固定鏡に対向配置された可動鏡とを有し、可動鏡に設けられた可動電極と固定鏡に設けられた固定電極との間に駆動電圧を印加して可動鏡を固定鏡に対して変位させることにより静電ギャップの長さを可変としている。この静電ギャップは、マイクロマシーニング技術を使用して、固定鏡と可動鏡との間に予め所定の形状及び大きさの犠牲層を設けた後、この犠牲層をエッチングによりすべて、あるいは一部を除去することによって形成されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１７４７２１公報（［請求項９］，［０００５］，［００１８］，［００３７］，［００４９］〜［００５６］、図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
波長可変光フィルタでは、可動鏡に設けられた可動電極と固定鏡に設けられた固定電極との間に形成される平行板コンデンサに駆動電圧を印加することにより可動鏡と固定鏡との間に静電引力を発生させ、可動鏡を固定鏡に対して変位させている。ここで、面積Ｓ、間隔ｄの２枚の極板が誘電率εの誘電体を隔てて対向して構成される平行板コンデンサに駆動電圧Ｖを印加した場合、２枚の極板に働く静電引力Ｆは、周知の通り、式（１）で表される。
Ｆ＝（１／２）・ε・（Ｖ／ｄ）2・Ｓ  ・・・（１）
【０００５】
上記した従来例では、上記間隔ｄに相当する上記静電ギャップの長さは犠牲層の膜厚だけで決定されるが、製造時の製膜条件を厳密に設定したとしても犠牲層の膜厚にバラツキが生じるおそれがある。このバラツキが生じた場合には、可動電極と駆動電極との間に、ある駆動電圧Ｖを印加しても設計時にその駆動電圧Ｖに対して想定した静電引力Ｆを発生させることができないため、設計通りに可動鏡を変位させることができない。この結果、各波長可変光フィルタごとに、各波長を有する光を取り出すための駆動電圧を調整して設定する必要があるため、使い勝手が悪いという課題があった。さらに、上記犠牲層の膜厚のバラツキが大きい場合には、光ファイバ中を伝送される異なる波長を有する複数の光のうち、短い波長帯域の光又は長い波長帯域の光を取り出すことができない波長可変光フィルタが製造されてしまうおそれがある。
【０００６】
また、上記した従来例では、一旦犠牲層を形成した後、最終的に除去される。この犠牲層は、形成するにも除去するにも時間がかかる。このように製造時間がかかるということは、完成した波長可変光フィルタのコストアップの要因となるとともに、犠牲層を除去する際に他の部分にダメージを与えてしまうおそれがある。そこで、従来では、この犠牲層を短時間で、かつ、完全に除去するために、通常、犠牲層の上面に形成されている可動鏡や可動電極等に、リリースホールと呼ばれ、犠牲層をウエットエッチングするエッチング液を犠牲層の形成領域全体に行き渡らせるための孔が形成される。したがって、このリリースホールが形成された分だけ可動電極の面積が減少するので、上記した式（１）から分かるように、所定の静電引力Ｆを発生させるためには、駆動電圧Ｖを高くする必要があり、その分消費電力が増大する。なお、犠牲層の形成時間を短縮することについては特に工夫がなされていない。
【０００７】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、静電ギャップを高精度に、かつ、短時間で形成することができ、低い駆動電圧で駆動することができる波長可変光フィルタ及びその製造方法を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る波長可変光フィルタでは、一方の面に可動鏡が形成され、自在に上下動する可動体を支持する可動部と、上記可動体と所定の静電ギャップを隔てて対向した駆動電極が形成された駆動電極部と、上記可動鏡と所定の光学ギャップを隔てて対向した固定鏡が形成された光学ギャップ部とが互いに接合され、上記可動部に上記光学ギャップに対応したスペーサが一体に形成されている。
本発明によれば、静電ギャップが高精度に、かつ、短時間で形成されているとともに、可動体にリリースホールが形成されていないので、低い駆動電圧で駆動することができる。
【０００９】
また、本発明に係る波長可変光フィルタでは、上記駆動電極の上記可動体の他方の面に対向した領域と、上記可動体の上記駆動電極に対向した領域とのいずれか一方又は両方に絶縁膜が形成されている。
本発明によれば、使用時に静電引力により可動体が駆動電極に張り付くスティッキング（sticking）と呼ばれる現象を防止することができる。
【００１０】
また、本発明に係る波長可変光フィルタでは、上記可動体の他方の面に形成される反射防止膜が上記絶縁膜を兼ねている。
本発明によれば、少ない製造工程で安価に波長可変光フィルタを構成することができる。
【００１１】
また、本発明に係る波長可変光フィルタでは、上記可動部はシリコンを含み、上記駆動電極部又は上記光学ギャップ部のいずれか一方又は両方はアルカリ金属を含有したガラスからなり、上記可動部と上記駆動電極部又は、上記可動部と上記光学ギャップ部のいずれか一方又は両方は、陽極接合により接合されている。
本発明によれば、極めて高精度で静電ギャップが形成される。したがって、可動体と駆動電極との間に、ある駆動電圧を印加すれば、設計時にその駆動電圧に対して想定した静電引力を発生させることができ、設計通りに可動体を変位させることができる。この結果、各波長可変光フィルタごとに、各波長を有する光を取り出すための駆動電圧を調整して設定する必要がないため、使い勝手が良く、また光ファイバ中を伝送される異なる波長を有するすべての光を取り出すことができる。
【００１２】
また、本発明に係る波長可変光フィルタの製造方法では、第１の基板に凹部を形成した後、上記凹部に駆動電極を形成して駆動電極部とする。また、第２の基板に固定鏡を形成して光学ギャップ部とする。次に、導電性を有する活性層、絶縁層及びベース層が順次積層された第３の基板を、上記絶縁層をエッチングストップ層として上記ベース層をエッチングしてスペーサを形成する。次に、上記第３の工程で製造された構造体と上記駆動電極部とを、上記駆動電極と上記活性層とを対向させて接合した後、上記絶縁層を除去し、上記活性層に可動体を形成した後、上記可動体に可動鏡を形成する。そして、上記第４の工程で製造された構造体と上記光学ギャップ部とを、上記可動鏡と上記固定鏡とを対向させて接合することにより、波長可変光フィルタを製造する。
本発明によれば、犠牲層を形成することなく、駆動電極と可動体とのギャップが形成される。したがって、その分短時間で製造することができ、コストダウンを図ることができる。さらに、その犠牲層を除去するためのリリースホールを可動体等に形成する必要がなく、その分設計通りの面積を有する可動体が得られる。したがって、製造された波長可変光フィルタを低い駆動電圧で駆動することができ、その分消費電力を削減することができる。また、絶縁層がエッチングストップ層として機能しているので、高精度な膜厚を有する可動体を形成することができる。
【００１３】
また、本発明に係る波長可変光フィルタの製造方法では、上記活性層はシリコンからなり、上記第１の基板又は上記第２の基板のいずれか一方又は両方はアルカリ金属を含有したガラスからなり、上記第４の工程又は上記第５の工程のいずれか一方又は両方では、上記接合を陽極接合により行う。
本発明によれば、極めて高精度で静電ギャップが形成される。したがって、可動体と駆動電極との間に、ある駆動電圧を印加すれば、設計時にその駆動電圧に対して想定した静電引力を発生させることができ、設計通りに可動体を変位させることができる。この結果、各波長可変光フィルタごとに、各波長を有する光を取り出すための駆動電圧を調整して設定する必要がないため、使い勝手が良く、また光ファイバ中を伝送される異なる波長を有するすべての光を取り出すことができる。また、可動部との接合面には何らの加工も施しておらず、鏡面状態を保持しているガラスからなる光学ギャップ部とシリコンからなる活性層とを陽極接合しているので、接合界面における平坦度が良好であり、光学ギャップも高精度に形成することができる。このため、波長可変光フィルタを安定的に駆動することができる。
【００１４】
また、本発明に係る波長可変光フィルタの製造方法では、第１の基板に凹部を形成した後、上記凹部に駆動電極を形成して駆動電極部とする。また、第２の基板に固定鏡を形成して光学ギャップ部とする。次に、シリコンの（１００）基板からなる第３の基板を異方性エッチングしてスペーサを形成する。次に、上記第３の工程で製造された構造体と上記駆動電極部とを、上記駆動電極と上記スペーサで囲まれた領域とを対向させて接合した後、上記スペーサで囲まれた領域に可動体を形成し、上記可動体に可動鏡を形成する。そして、上記第４の工程で製造された構造体と上記光学ギャップ部とを、上記可動鏡と上記固定鏡とを対向させて接合することにより、波長可変光フィルタを製造する。
本発明によれば、犠牲層を形成することなく、駆動電極と可動体とのギャップが形成される。したがって、その分短時間で製造することができ、コストダウンを図ることができる。さらに、その犠牲層を除去するためのリリースホールを可動体等に形成する必要がなく、その分設計通りの面積を有する可動体が得られる。したがって、製造された波長可変光フィルタを低い駆動電圧で駆動することができ、その分消費電力を削減することができる。また、高価なＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板を用いないので、安価に構成することができる。また、異方性ウエットエッチングを使用してスペーサを形成しているので、その製造時間が短く、その分、コストダウンを図ることができる。
【００１５】
また、本発明に係る波長可変光フィルタの製造方法では、上記第１の基板又は上記第２の基板のいずれか一方又は両方はアルカリ金属を含有したガラスからなり、上記第４の工程又は上記第５の工程のいずれか一方又は両方では、上記接合を陽極接合により行っている。
本発明によれば、極めて高精度で静電ギャップが形成される。したがって、可動体と駆動電極との間に、ある駆動電圧を印加すれば、設計時にその駆動電圧に対して想定した静電引力を発生させることができ、設計通りに可動体を変位させることができる。この結果、各波長可変光フィルタごとに、各波長を有する光を取り出すための駆動電圧を調整して設定する必要がないため、使い勝手が良く、また光ファイバ中を伝送される異なる波長を有するすべての光を取り出すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１における波長可変光フィルタを示す断面図である。なお、図１は、波長可変光フィルタの中央からややずれた位置における断面図である（図２のＡ−Ａ'参照）。
この実施の形態１の波長可変光フィルタは、駆動電極部１と、可動部２と、光学ギャップ部３とから構成されており、駆動電極部１と可動部２との間にはその長さが約４μｍの静電ギャップＥＧが、可動部２と光学ギャップ部３との間にはその長さが約３０μｍの光学ギャップＯＧがそれぞれ形成されている。駆動電極部１は、断面略コ字状のガラス基板１１の略中央部に形成された凹部１１ａ上に略リング状の駆動電極１２が形成されて構成されている。ガラス基板１１は、例えば、ナトリウム（Ｎａ）やカリウム（Ｋ）等のアルカリ金属を含有したガラスからなる。この種のガラスとしては、例えば、アルカリ金属を含有したホウケイ酸ガラス、具体的には、コーニング社製のパイレックス（登録商標）・ガラスがある。ガラス基板１１を構成するガラスは、駆動電極部１と可動部２とを陽極接合（後述）により接合する場合には、ガラス基板１１を加熱するため、可動部２を構成するシリコンと熱膨張係数がほぼ等しいことが要求されることから、上記パイレックス（登録商標）・ガラスのうち、コーニング＃７７４０（商品名）が好ましい。
【００１７】
駆動電極１２は、例えば、金（Ａｕ）やクロム（Ｃｒ）等の金属、あるいは透明導電性材料からなる。透明導電性材料としては、例えば、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、あるいは錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等がある。また、駆動電極１２の膜厚は、例えば、０．１〜０．２μｍである。なお、駆動電極１２は、図示しないが、ガラス基板１１の外部に設けられた端子に配線を介して接続されている。
【００１８】
可動部２は、可動部基板２１と、反射防止膜２２と、高反射膜２３とから構成されている。可動部基板２１は、例えば、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）からなり、約５０μｍの膜厚を有し、図１及び図２に示すように、可動体２１ａと、スペーサ２１ｂと、絶縁部２１ｃと、４個のヒンジ２１ｄと、支持部２１ｅとが一体に形成されて構成されている。可動体２１ａは、略円盤状であり、可動部基板２１の略中央に形成されている。可動体２１は、その周縁部に形成された４個のヒンジ２１ｂを介して支持部２１ｃに支持され、自在に上下動する。スペーサ２１ｂは、約３０μｍの膜厚を有し、断面略台形状である。絶縁部２１ｃは、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなり、例えば、約４μｍの膜厚を有し、略中央部に略円形の孔が形成されている。４個のヒンジ２１ｄは、可動体２１ａの周縁に、隣接するもの同士が約９０度の角度をなして位置している。
【００１９】
反射防止膜２２は、可動体２１ａの下面のほぼ全域に略円盤状に形成され、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の薄膜と五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜とを交互に積層した多層膜からなる。反射防止膜２２は、図１において駆動電極部１の略中央下方（図１の矢印参照）から入射された光が図中下方に反射されるのを防止するとともに、一旦反射防止膜２２の上方に透過された後高反射膜２３で反射された光が図中上方に再度反射されるのを防止する。高反射膜２３は、可動体２１ａの上面のほぼ全域に略円盤状に形成され、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の薄膜と五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜とを交互に積層した多層膜からなる。高反射膜２３は、図１において駆動電極部１の略中央下方（図１の矢印参照）から入射され、一旦その上方に透過された光を、光学ギャップ部３を構成するガラス基板３１の下面に形成された高反射膜３２との間で複数回にわたって反射させるためのものである。反射防止膜２２及び高反射膜２３は、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の薄膜及び五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜の各膜厚を変更することにより形成される。
【００２０】
光学ギャップ部３は、ガラス基板３１と、高反射膜３２と、反射防止膜３３とから構成されている。ガラス基板３１は、ガラス基板１１と同一の材質のガラスからなり、略直方体状である。高反射膜３２は、ガラス基板３１の略中央下面に略円盤状に形成され、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の薄膜と五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜とを交互に積層した多層膜からなる。高反射膜３２は、図１において可動部２の略中央下方から入射され、一旦その上方に透過された光を、可動部２を構成する高反射膜２３との間で複数回にわたって反射させるためのものである。反射防止膜３３は、ガラス基板３１の略中央上面に略円盤状に形成され、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の薄膜と五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜とを交互に積層した多層膜からなる。反射防止膜３３は、図１において光学ギャップ部３を構成するガラス基板３１を透過した光が図中下方に反射されるのを防止する。高反射膜３２及び反射防止膜３３は、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の薄膜及び五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜の各膜厚を変更することにより形成される。
【００２１】
次に、上記構成の波長可変光フィルタの製造方法について、図３〜図８を参照して説明する。まず、駆動電極部１を製造するために、コーニング＃７７４０のパイレックス（登録商標）・ガラスからなるガラス基板１４（図３（ａ）参照）の上面に、図３（ｂ）に示すように、化学的蒸着（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）装置や物理的蒸着（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition）装置を使用して、金（Ａｕ）やクロム（Ｃｒ）等の金属膜１５を形成する。ＰＶＤ装置としては、例えば、スパッタリング装置、真空蒸着装置、あるいはイオンプレーティング装置等がある。金属膜１５の膜厚は、例えば、０．１μｍとする。具体的には、クロム（Ｃｒ）膜の場合にはその膜厚を０．１μｍとすれば良いが、金（Ａｕ）膜の場合にはガラス基板１４との密着性が良好でないことから、膜厚が例えば０．０３μｍであるクロム（Ｃｒ）膜を形成した後、膜厚が例えば０．０７μｍである金（Ａｕ）膜を形成する。
【００２２】
次に、金属膜１５の上面全面にフォトレジスト（図示略）を塗布し、マスクアライナーで金属膜１５の上面全面に塗布されたフォトレジストを露光した後、現像液で現像するフォトリソグラフィ（photolithography）技術を使用して、ガラス基板１４のうち、後にガラス基板１１の凹部１１ａ（図１参照）となる部分を形成するために、フォトレジストパターン（図示略）を形成する。次に、ウエットエッチング技術を使用して、例えば、塩酸又は硫酸（クロム膜の場合）、あるいは王水又は酸素や水の存在下でシアン化物イオンを含む溶液（金膜の場合）（以下、金属エッチング液と呼ぶ。）により金属膜１５のうち不要な部分を除去した後、図示せぬフォトレジストパターンを除去して、図３（ｃ）に示すエッチングパターン１６を得る。
【００２３】
次に、ウエットエッチング技術を使用して、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）によりガラス基板１４のうち不要な部分を除去して図３（ｄ）に示す凹部１１ａを形成した後、ウエットエッチング技術を使用して、上記した金属エッチング液によりエッチングパターン１６を除去して、図３（ｅ）に示すように、約４μｍの深さを有する凹部１１ａが形成されたガラス基板１１を得る。次に、ＣＶＤ装置やＰＶＤ装置を使用して、ガラス基板１１の上面に、図３（ｆ）に示すように、金（Ａｕ）やクロム（Ｃｒ）等の金属膜１７を形成する。金属膜１７の膜厚は、例えば、０．１〜０．２μｍとする。次に、金属膜１７の上面全面にフォトレジスト（図示略）を塗布した後、上記したフォトリソグラフィ技術を使用して、金属膜１７のうち、後に駆動電極１２となる部分を残すために、フォトレジストパターン（図示略）を形成する。次に、ウエットエッチング技術を使用して、上記した金属エッチング液により金属膜１７のうち不要な部分を除去した後、図示せぬフォトレジストパターンを除去して、図３（ｇ）に示すように、駆動電極１２を得る。以上説明した製造工程により、図１に示す駆動電極部１が製造される。
【００２４】
次に、可動部２を製造するために、図４（ａ）に示すＳＯＩ基板２４を用いる。ＳＯＩ基板２４は、ベース層２５と、絶縁層２６と、活性層２７とから構成されている。ベース層２５は、シリコン（Ｓｉ）からなり、その膜厚は例えば、約１３０μｍである。絶縁層２６は、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなり、その膜厚は例えば、約４μｍである。活性層２７はシリコン（Ｓｉ）からなり、その膜厚は例えば、約１０μｍである。図１に示す約３０μｍの膜厚を有するスペーサ２１ｂを形成するために、図４（ｂ）に示すように、約１３０μｍの膜厚を有するベース層２５を約３０μｍの膜厚を有するベース層２８に薄膜化する。このベース層２５の薄膜化には、半導体製造分野において用いられている周知のウエットエッチング除去法、ドライエッチング除去法、あるいは研磨除去法を用いる。
【００２５】
次に、図４（ｂ）に示すベース層２８の上面全面及び活性層２７の下面全面に、シリコンを酸化性雰囲気中で加熱する熱酸化や、ＴＥＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate）−ＣＶＤ装置を使用して、図４（ｃ）に示すように、エッチングパターン材料としての二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜２９ａ及び２９ｂを形成する。次に、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜２９ａの上面全面にフォトレジスト（図示略）を塗布するとともに、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜２９ｂの下面全面にフォトレジスト３０ｂを塗布した後、上記したフォトリソグラフィ技術を使用して、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜２９ａのうち、後にスペーサ２１ｂとして除去すべきベース層２８の部分に対応した領域を除去するために、図４（ｄ）に示すように、フォトレジストパターン３０ａを形成する。次に、ウエットエッチング技術を使用して、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）により、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜２９ａのうち不要な部分を除去した後、フォトレジストパターン３０ａ及びフォトレジスト３０ｂを除去して、図５（ａ）に示すように、エッチングパターン２９ａ1を得る。
【００２６】
次に、図５（ａ）に示す構造体からシリコン（Ｓｉ）からなるベース層２８の不要な部分を除去することにより、図５（ｂ）に示すように、スペーサ２１ｂを形成する。このスペーサ２１ｂの形成には、ウエットエッチング除去法又はドライエッチング除去法を用いる。いずれの除去法においても絶縁層２６が活性層２７に対するエッチングストップ層の役割を果たすために、活性層２７がダメージを受けず、歩留まりの高い波長可変光フィルタを製造することができる。以下、ウエットエッチング除去法及びドライエッチング除去法について説明する。
（１）ウエットエッチング除去法
図５（ａ）に示す構造体を例えば、１〜４０重量％（好ましくは、１０重量％前後）の濃度の水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液に浸漬することにより、式（２）に示す反応式に基づいてベース層２８を構成するシリコン（Ｓｉ）がエッチングされる。
Ｓｉ＋２ＫＯＨ＋Ｈ2Ｏ→Ｋ2ＳｉＯ3＋２Ｈ2  ・・・（２）
この場合のシリコン（Ｓｉ）のエッチングレートは、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）のエッチングレートよりも非常に大きいので、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる絶縁層２６がシリコン（Ｓｉ）からなる活性層２７に対するエッチングストップ層の役割を果たす。
【００２７】
なお、この場合に用いるエッチング液としては、上記した水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液の他、半導体表面処理剤やフォトリソグラフィ用のポジレジスト用現像液として広く使用されている水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ：Tetramethyl ammonium hydroxide）水溶液、エチレンジアミン−ピロカテコール−ジアジン（ＥＰＤ：Ethylenediamine Pyrocatechol Diazine）水溶液又は、ヒドラジン（Hydrazine）水溶液などがある。このウエットエッチング除去法を用いれば、図５（ａ）に示す構造体の一団を、生産条件等をほぼ等しくして一括して処理するバッチ処理を行うことができるので、生産性を向上させることができる。
【００２８】
（２）ドライエッチング除去法
図５（ａ）に示す構造体をドライエッチング装置のチャンバー内に載置し、真空状態した後、チャンバー内に例えば、圧力３９０Ｐａの二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）を６０秒間導入することにより、式（３）に示す反応式に基づいてベース層２８を構成するシリコン（Ｓｉ）がエッチングされる。
２ＸｅＦ2＋Ｓｉ→２Ｘｅ＋ＳｉＦ4  ・・・（３）
この場合のシリコン（Ｓｉ）のエッチングレートは、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）のエッチングレートよりも非常に大きいので、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる絶縁層２６がシリコン（Ｓｉ）からなる活性層２７に対するエッチングストップ層の役割を果たす。また、この場合のドライエッチングは、プラズマエッチングではないので、絶縁層２６がダメージを受けにくい。なお、上記した二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）を用いたドライエッチングの他、四フッ化炭素（ＣＦ4）や六フッ化硫黄（ＳＦ6）を用いたプラズマエッチングがある。
【００２９】
次に、ウエットエッチング技術を使用して、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）により、図５（ｃ）に示すように、エッチングパターン２９ａ1及び二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜２９ｂを除去する。次に、活性層２７の下面の略中央部に、ＣＶＤ装置やＰＶＤ装置を使用して、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の薄膜と五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜とを交互に、例えば、１０〜２０層程度積層することにより、図５（ｄ）に示す反射防止膜２２を形成する。
【００３０】
次に、図３（ｇ）に示す駆動電極部１と、図５（ｄ）に示す構造体とを、略円盤状の反射防止膜２２が略リング状の駆動電極１２のリング部分に対向するように接合する。この接合には、例えば、陽極接合、接着剤による接合、表面活性化接合、低融点ガラスを用いた接合を用いる。このうち、陽極接合は、以下に示す工程を経て行われる。まず、駆動電極部１の上面に、図５（ｄ）に示す構造体を、反射防止膜２２が駆動電極１２のリング部分に対向するように載置した状態において、図示せぬ直流電源のマイナス端子をガラス基板１１に接続するとともに、上記直流電源のプラス端子を活性層２７に接続する。次に、ガラス基板１１を例えば、数百℃程度に加熱しつつ、ガラス基板１１と活性層２７との間に直流電圧を例えば、数百Ｖ程度印加する。ガラス基板１１を加熱することにより、ガラス基板１１内のアルカリ金属のプラスイオン、例えば、ナトリウムイオン（Ｎａ+）が移動しやすくなる。このアルカリ金属のプラスイオンがガラス基板１１内を移動することにより、相対的に、ガラス基板１１の活性層２７との接合面がマイナスに帯電する一方、活性層２７のガラス基板１１との接合面がプラスに帯電する。この結果、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）とが電子対を共有する共有結合により、図６に示すように、ガラス基板１１と活性層２７とは強固に接合される。
【００３１】
次に、図６に示す構造体について、ウエットエッチング技術を使用して、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）により、図７（ａ）に示すように、絶縁層２６のうち、その上面が露出している部分をすべて除去することにより、絶縁部２１ｃを形成する。次に、活性層２７のうち、その上面が露出している部分にフォトレジスト（図示略）を塗布した後、上記したフォトリソグラフィ技術を使用して、活性層２７のうち、後に可動部基板２１となる部分を残すために、フォトレジストパターン（図示略）を形成する。次に、図７（ａ）に示す構造体に図示せぬフォトレジストパターンが形成されたものをドライエッチング装置のチャンバー内に載置した後、例えば、エッチングガスとして六フッ化硫黄（ＳＦ6）を流量１３０ｓｃｃｍで６秒間、デポジション（堆積）ガスとして八フッ化シクロブタン（Ｃ4Ｆ8）を流量５０ｓｃｃｍで７秒間交互にチャンバー内に導入することにより、活性層２７のうち不要な部分を異方性エッチングで除去する。
【００３２】
ここで、ドライエッチング技術を使用して異方性エッチングを行うのは、以下に示す理由による。まず、ウェットエッチング技術を使用した場合、エッチングが進むに従ってエッチング液が可動部基板２１に形成された孔から下方の駆動電極部１側に侵入し、駆動電極１２を除去してしまうが、ドライエッチング技術を使用した場合はそのような危険性がない。また、等方性エッチングを使用した場合には、活性層２７が等方的にエッチングされ、サイドエッチングが発生する。特に、ヒンジ２１ｄにサイドエッチングが発生した場合には、強度が弱くなり、耐久性が劣化してしまう。これに対し、異方性エッチングを使用した場合には、サイドエッチングが発生せず、エッチング寸法の制御に優れており、ヒンジ２１ｄの側面も垂直に形成されるため、強度が弱くなることはない。
【００３３】
次に、上記異方性エッチング後の構造体について、図示せぬフォトレジストパターンを、例えば、酸素プラズマを使用して除去して、図７（ｂ）に示すように、可動部基板２１を得る。ここで、酸素プラズマを使用して図示せぬフォトレジストパターンを除去するのは、以下に示す理由による。すなわち、剥離液や硫酸その他の酸性の溶液を使用して図示せぬフォトレジストパターンを除去した場合、剥離液や酸性の溶液が可動部基板２１に形成された孔から下方の駆動電極部１側に侵入し、駆動電極１２を除去してしまうが、酸素プラズマを使用した場合はそのような危険性がないからである。
【００３４】
次に、可動部基板２１の上面の略中央部に、ＣＶＤ装置やＰＶＤ装置を使用して、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の薄膜と五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜とを交互に、例えば、１０〜２０層程度積層することにより、図７（ｃ）に示す高反射膜２３を形成する。以上説明した製造工程により、図１に示す可動部２が製造される。
【００３５】
次に、光学ギャップ部３を製造するために、コーニング＃７７４０のパイレックス（登録商標）・ガラスからなるガラス基板３１（図８（ａ）参照）の上面及び略中央下面に、ＣＶＤ装置やＰＶＤ装置を使用して、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の薄膜と五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜とを交互に、例えば、１０〜２０層程度積層することにより、図８（ｂ）に示す高反射膜３２及び反射防止膜３３を形成する。以上説明した製造工程により、図１に示す光学ギャップ部３が製造される。
【００３６】
次に、図７（ｃ）に示す構造体と、図８（ｂ）に示す光学ギャップ部３とを、略円盤状の高反射膜２３が略円盤状の高反射膜３２に対向するように接合する。この接合には、例えば、上記した陽極接合、接着剤による接合、表面活性化接合、低融点ガラスを用いた接合を用いる。この接合の際、内部を真空にしたり（真空封止）、内部を最適圧力として（減圧封止）も良い。以上説明した製造工程により、図１に示す波長可変光フィルタが製造される。
【００３７】
次に、上記構成の波長可変光フィルタの動作について、図１を参照して説明する。駆動電極１２と可動体２１ａとの間には駆動電圧を印加する。この駆動電圧は、例えば、６０Ｈｚの交流正弦波電圧やパルス状の電圧であり、駆動電極１２にはガラス基板１１の外部に設けられた端子及び配線（ともに図示略）を介して印加する一方、可動体２１ａには支持部２１ｅ及びヒンジ２１ｄ（図２参照）を介して印加する。この駆動電圧による電位差のため、駆動電極１２と可動体２１ａとの間に静電引力が発生し、可動体２１ａが駆動電極１２側に変位する、すなわち、静電ギャップＥＧ及び光学ギャップＯＧが変化する。このとき、ヒンジ２１ｄが弾性を有しているため、可動体２１ａは弾性的に変位する。
【００３８】
この波長可変光フィルタに、複数（例えば、６０〜１００個）の赤外の波長を有する光が図１において駆動電極部１の略中央下方（図１の矢印参照）から入射し、ガラス基板１１を透過する。この光は、反射防止膜２２によりほとんど反射されず、かつ、シリコンからなる可動体２１ａを透過して、下方に高反射膜２１が、上方に高反射膜３２がそれぞれ形成された空間（反射空間）に進入する。上記反射空間に進入した光は、高反射膜２３と高反射膜３２との間で反射を繰り返し、最終的に高反射膜３２及びガラス基板３１を透過してこの波長可変光フィルタの上方から出射する。このとき、ガラス基板３１の上面に反射防止膜３３が形成されているため、光がガラス基板３１と空気の界面でほとんど反射されずに出射する。
【００３９】
上記の高反射膜３２（固定鏡）と高反射膜２３（可動鏡）との間で光が反射を繰り返す過程において、高反射膜３２と高反射膜２３との間の距離（光学ギャップＯＧ）に対応する干渉条件を満たさない波長の光は急激に減衰し、この干渉条件を満たした波長の光だけが残って最終的にこの波長可変光フィルタから出射する。これがファブリ・ペロー干渉計の原理であり、この干渉条件を満たした波長の光が透過することとなるため、駆動電圧を変更することにより、可動体２１ａが変位して光学ギャップＯＧが変更されると、透過する光の波長を選択することが可能となる。
【００４０】
このように、この実施の形態１による波長可変光フィルタは、ガラス基板１１を有する駆動電極部１と、シリコン（Ｓｉ）からなる可動部２と、ガラス基板３１を有する光学ギャップ部３とを接合して構成されているので、静電ギャップＥＧが高精度で形成される。特に、陽極接合を用いた場合には、極めて高精度で静電ギャップＥＧが形成される。したがって、可動体２１ａと駆動電極１２との間に、ある駆動電圧を印加すれば、設計時にその駆動電圧に対して想定した静電引力を発生させることができ、設計通りに可動体２１ａを変位させることができる。この結果、各波長可変光フィルタごとに、各波長を有する光を取り出すための駆動電圧を調整して設定する必要がないため、使い勝手が良く、また光ファイバ中を伝送される異なる波長を有するすべての光を取り出すことができる。
【００４１】
また、この実施の形態１による波長可変光フィルタは、製造過程で犠牲層が形成されないため、その分短時間で製造することができ、コストダウンを図ることができる。さらに、その犠牲層を除去するためのリリースホールを可動部基板２１等に形成する必要がないため、その分設計通りの面積を有する可動体２１ａが得られる。したがって、上記した従来例と比べて、低い駆動電圧で駆動することができ、その分消費電力を削減することができる。
【００４２】
また、この実施の形態１による波長可変光フィルタでは、可動部２との接合面には何らの加工も施しておらず、鏡面状態を保持しているガラス基板３１を有する光学ギャップ部３とシリコン（Ｓｉ）からなる可動部２とを接合、特に、陽極接合しているので、接合界面における平坦度が良好であり、光学ギャップＯＧも高精度に形成することができる。このため、波長可変光フィルタを安定的に駆動することができる。さらに、この実施の形態１による波長可変光フィルタでは、透明なガラス基板３１が封止キャップをも兼ねているので、波長可変光フィルタの動作をモニタすることができる。
【００４３】
また、この実施の形態１による波長可変光フィルタでは、ＳＯＩ基板２４から可動部２を形成しているが、その際、絶縁層２６がエッチングストップ層として機能しているので、高精度な膜厚を有する可動体２１ａを形成することができる。また、ＳＯＩ基板２４として、一般に市販されているものを用いた場合には、既にその製造メーカによって活性層２７の表面が鏡面に仕上げられているので、それを利用して高精度な反射防止膜２２及び高反射膜２３を形成することができる。また、この実施の形態１では、スペーサ２１ｂを形成する際に、ベース層２８の表面に二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜からなるエッチングパターン２９ａ1を形成しているが、この二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜がエッチング工程でダメージを受けることはない。したがって、エッチングパターン２９ａ1が除去されたベース層２８の光ギャップ部３との接合界面は、良好な平坦度を保持しており、このことも光学ギャップＯＧの高精度な形成に寄与している。さらに、光学ギャップＯＧの長さについても容易に制御することができる。
【００４４】
実施の形態２．
図９は、本発明の実施の形態２における波長可変光フィルタを示す断面図である。なお、図９は、波長可変光フィルタの中央からややずれた位置における断面図である（図１０のＡ−Ａ'参照）。図９において、図１の各部に対応する部分には同一の符号を付け、その説明を省略する。図９に示す波長可変光フィルタにおいては、図１に示す可動部２に換えて、可動部４１が新たに設けられている。この実施の形態２の波長可変光フィルタでは、駆動電極部１と可動部４１との間にはその長さが約４μｍの静電ギャップＥＧが、可動部４１と光学ギャップ部３との間にはその長さが約３０μｍの光学ギャップＯＧがそれぞれ形成されている。
【００４５】
可動部４１は、可動部基板４２と、反射防止膜２２と、高反射膜２３とから構成されている。可動部基板４２は、シリコンからなり、その表面が（１００）面となっている、いわゆる（１００）基板であって、約５０μｍの膜厚を有し、図９及び図１０に示すように、可動体４２ａと、スペーサ４２ｂと、４個のヒンジ４２ｃと、支持部４２ｄとが一体に形成されて構成されている。可動体４２ａは、略円盤状であり、可動部基板４２の略中央に形成されている。可動体４２ａは、その周縁部に形成された４個のヒンジ４２ｃを介して支持部４２ｄに支持され、自在に上下動する。スペーサ４２ｂは、約３０μｍの膜厚を有し、断面略台形状である。４個のヒンジ４２ｃは、可動体４２の周縁に、隣接するもの同士が約９０度の角度をなして位置している。
【００４６】
次に、上記構成の波長可変光フィルタの製造方法について、図１１を参照して説明する。なお、駆動電極部１及び光学ギャップ部３の製造方法については、上記した実施の形態１における駆動電極部１及び光学ギャップ部３の製造方法と同様であるので、その説明を省略する。可動部４１を製造するために、図１１（ａ）に示すシリコン基板５１を用いる。シリコン基板５１は、（１００）基板からなり、その膜厚は例えば、約５０μｍである。
【００４７】
次に、図１１（ａ）に示すシリコン基板５１の上面全面に、熱酸化やＴＥＯＳ−ＣＶＤ装置を使用して、図１１（ｂ）に示すように、エッチングパターン材料としての二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜５２を形成する。次に、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜５２の上面全面にフォトレジスト（図示略）を塗布した後、上記したフォトリソグラフィ技術を使用して、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜５２のうち、後にスペーサ４２ｂとして除去すべきシリコン基板５１の部分に対応した領域を除去するために、図１１（ｃ）に示すように、フォトレジストパターン５３を形成する。次に、ウエットエッチング技術を使用して、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）により、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜５２のうち不要な部分を除去した後、フォトレジストパターン５３を除去して、図１１（ｄ）に示すように、エッチングパターン５４を得る。
【００４８】
次に、図１１（ｄ）に示す構造体からシリコン（Ｓｉ）からなるシリコン基板５１の不要な部分を除去することにより、図１１（ｅ）に示すように、スペーサ４２ｂを有する可動部構造体５５を形成する。このスペーサ４２ｂの形成には、以下に示す異方性ウエットエッチング除去法を用いる。
・異方性ウエットエッチング除去法
図１１（ｄ）に示す構造体を例えば、１〜４０重量％（好ましくは、１０重量％前後）の濃度の水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液に浸漬することにより、上記式（２）に示す反応式に基づいて、シリコン基板５１がエッチングされる。この場合、シリコン基板５１の（１１１）面のエッチングレートは、他の面のエッチングレートに比べて約２００分の１程度遅いことから、シリコン基板５１には、約５５度の傾斜面を有する（１１１）面が現れ、これがスペーサ４２ｂとなる。このように、低濃度の水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用いることにより、エッチング底面の表面粗さを向上させることができる。
【００４９】
なお、この場合に用いるエッチング液としては、上記した水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液の他、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ：Tetramethyl ammonium hydroxide）水溶液、エチレンジアミン−ピロカテコール−ジアジン（ＥＰＤ：Ethylenediamine Pyrocatechol Diazine）水溶液又は、ヒドラジン（Hydrazine）水溶液などがある。この異方性ウエットエッチング除去法を用いれば、図１１（ｄ）に示す構造体の一団を、生産条件等をほぼ等しくして一括して処理するバッチ処理を行うことができるので、生産性を向上させることができる。
【００５０】
次に、ウエットエッチング技術を使用して、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）により、図１１（ｆ）に示すように、エッチングパターン５４を除去する。次に、可動部構造体５５の下面の略中央部に、ＣＶＤ装置やＰＶＤ装置を使用して、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の薄膜と五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜とを交互に、例えば、１０〜２０層程度積層することにより、図１１（ｇ）に示す反射防止膜２２を形成する。なお、図１１（ｇ）に示す構造体と図３（ｇ）に示す駆動電極部１との接合以降の可動部４１の製造方法については、絶縁層２６から絶縁部２１ｃを形成する工程以外は、上記した実施の形態１における、図５（ｄ）に示す構造体と図３（ｇ）に示す駆動電極部１との接合以降の可動部２の製造方法と同様であるので、その説明を省略する。また、上記構成の波長可変光フィルタの動作についても、上記した実施の形態１における波長可変フィルタの動作と略同様であるので、その説明を省略する。
【００５１】
このように、この実施の形態２による波長可変光フィルタは、高価なＳＯＩ基板を用いないので、上記した実施の形態１による波長可変光フィルタと比べて安価に構成することができる。また、この実施の形態２による波長可変光フィルタは、異方性ウエットエッチング除去法を使用してスペーサ４２ｂを形成しているので、その製造時間が短く、その分、コストダウンを図ることができる。もちろん、上記した実施の形態１で得られる効果も同様に得られる。
【００５２】
以上、この実施の形態を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。例えば、上述の実施の形態１においては、可動部２を製造するのにＳＯＩ基板２４を用いる例を示したが、これに限定されず、ＳＯＳ（Silicon on Sapphire）基板を使用してもよく、またその上面に二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜が形成されたシリコン基板と、他のシリコン基板とを上面同士を重ねて張り合わせたものを使用しても良い。
【００５３】
また、上述の各実施の形態においては、駆動電極部１及び光学ギャップ部３の両方をガラス基板で構成する例を示したが、これに限定されず、駆動電極部１及び光学ギャップ部３は、赤外等の所望の透過波長帯域の光を透過する材料、例えば、シリコン、サファイヤ、ゲルマニウムなどでも良い。また、上述の実施の形態１においては、スペーサ２１ｂを形成する際には異方性ウエットエッチング除去法を用いない例を示したが、これに限定されない。すなわち、ＳＯＩ基板２４を構成するベース層２５を上記した（１００）基板で構成し、スペーサ２１ｂを形成する際には異方性ウエットエッチング除去法を使用しても良い。この場合には、その製造時間が短く、その分、コストダウンを図ることができる。また、上述の実施の形態１においては、ＳＯＩ基板２４のベース層２５からベース層２８を形成する例を示したが、これに限定されず、ベース層２５の膜厚が当初より約３０μｍであるＳＯＩ基板２４を使用してももちろん良い。逆に、上述の実施の形態２において、シリコン基板５１の膜厚が約５０μｍより厚い場合には、ウエットエッチング除去法や研磨によりその膜厚を約５０μｍにした後に、その上面に二酸化シリコン膜５２を形成するようにしても良い。
【００５４】
また、上述の各実施の形態において、駆動電極１２の上面又は、可動体２１ａ及び４２ａの下面であって、少なくとも駆動電極１２に対向した領域のいずれか一方又は両方に、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）又は窒化シリコン（ＳｉＮx）からなる絶縁膜を形成しても良い。このように構成すれば、何らかの原因で可動電極と駆動電極との間に大きな駆動電圧が印加された場合に静電引力により可動体２１ａ又は４２ａが駆動電極１２に張り付くスティッキング（sticking）と呼ばれる現象を防止することができる。これにより、波長可変光フィルタの耐久性を向上させることができる。また、可動体２１ａ及び４２ａの略中央下面に形成される反射防止膜２２を構成する二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜も五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）膜もともに絶縁体である。そこで、反射防止膜２２を可動体２１ａ及び４２ａの下面全面に形成して、上記した絶縁膜として兼用しても良い。この場合、可動体２１ａ及び４２ａの下面の周辺部については、反射防止膜２２として機能するだけの層数を形成する必要はなく、絶縁膜として機能するだけの層数形成すれば良い。このように、反射防止膜２２を絶縁膜として兼用すれば、少ない製造工程でスティッキングを防止することができ、安価に波長可変光フィルタを構成することができる。
【００５５】
また、上述の各実施の形態においては、ヒンジ２１ｄ及び４２ｃは４個である例を示したが、これに限定されず、ヒンジの数は、３個、５個、６個以上でも良い。この場合、隣接するヒンジは、可動体２１ａ及び４２ａの周辺部に等距離となる位置に形成する。また、上述の各実施の形態においては、光学ギャップ部３の下面の大部分の領域に高反射膜３２を、上面の大部分の領域に反射防止膜３３をそれぞれ形成する例を示したが、これに限定されず、高反射膜３２及び反射防止膜３３は、光学ギャップ部３の下面及び上面のうち、高反射膜２３に対向した領域だけに形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施の形態１を示す波長可変光フィルタの断面図。
【図２】同波長可変光フィルタを構成する可動部基板の上面図。
【図３】同波長可変光フィルタの製造工程を示す図。
【図４】同波長可変光フィルタの製造工程を示す図。
【図５】同波長可変光フィルタの製造工程を示す図。
【図６】同波長可変光フィルタの製造工程を示す図。
【図７】同波長可変光フィルタの製造工程を示す図。
【図８】同波長可変光フィルタの製造工程を示す図。
【図９】本発明の実施の形態２を示す波長可変光フィルタの断面図。
【図１０】同波長可変光フィルタを構成する可動部基板の上面図。
【図１１】同波長可変光フィルタの製造工程を示す図。
【符号の説明】
【００５７】
１  駆動電極部、２，４１  可動部、３  光学ギャップ部、１１，１４，３１  ガラス基板、１１ａ  凹部、１２  駆動電極、１５，１７  金属膜、１６，２９ａ1，５４  エッチングパターン、２１，４２  可動部基板、２１ａ，４２ａ  可動体、２１ｂ，４２ｂ  スペーサ、２１ｃ  絶縁部、２１ｄ，４２ｃ  ヒンジ、２１ｅ，４２ｄ  支持部、２２，３３  反射防止膜、２３，３２  高反射膜、２４  ＳＯＩ基板、２５，２８  ベース層、２６  絶縁層、２７  活性層、２９ａ，２９ｂ，５２  二酸化シリコン膜、３０ａ，５３  フォトレジストパターン、３０ｂ  フォトレジスト、５１  シリコン基板、５５  可動部構造体、ＥＧ  静電ギャップ、ＯＧ  光学ギャップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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