(57)【要約】【課題】高屈折率膜の原料粉末として用いられ、焼結に際しては、焼結体及びカーボン製ダイス型を破損することなく安定した焼結を行うことができるとともに、このターゲット材を用いた成膜に際しては、熱軟化性に優れた膜特性により剥離及び膜割れの防止に有効である合成ケイ素酸化物粒子、及びその効率的な製造方法を提供する。【解決手段】主成分としてケイ素酸化物を含み、かつ副成分としてＩｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｂａ又はＳｒから選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物を含む、真球状の合成ケイ素酸化物粒子を製造する方法であって、加熱した純水中にＳｉＯ２粒子を投入し、その中に副成分を形成し得る金属塩の水溶液を滴下して、加水分解する工程（Ａ）、ＳｉＯ２粒子表面に加水分解生成物を沈着させた後、熟成する工程（Ｂ）、洗浄ろ過し乾燥する工程（Ｃ）、及び仮焼する工程（Ｄ）を含むことを特徴とする合成ケイ素酸化物粒子の製造方法など。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分としてケイ素酸化物を含み、かつ副成分としてＩｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｂａ又はＳｒから選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物を含む、真球状の合成ケイ素酸化物粒子を製造する方法であって、
（１）８０℃以上に加熱した純水中にＳｉＯ２粒子を投入し撹拌しながら、その中に前記副成分を形成し得る金属塩の水溶液を所定速度で滴下して、該金属塩を加水分解する工程（Ａ）、
（２）滴下終了後、撹拌しながら液温を保持してＳｉＯ２粒子表面に加水分解生成物を沈着させた後、撹拌を停止して静止した状態で熟成する工程（Ｂ）、
（３）熟成後、加水分解生成物が沈着されたＳｉＯ２粒子を洗浄ろ過し乾燥する工程（Ｃ）、及び
（４）得られた乾燥物を酸化性雰囲気下８００〜１１００℃の温度で仮焼する工程（Ｄ）、を含むことを特徴とする合成ケイ素酸化物粒子の製造方法。
【請求項２】
工程（Ａ）において、前記金属塩の水溶液中の金属塩の濃度は、５０〜３００ｇ／Ｌに調整されることを特徴とする請求項１に記載の合成ケイ素酸化物粒子の製造方法。
【請求項３】
前記金属がＩｎ又はＺｎであるとき、工程（Ａ）において、アンモニア水及び／又は無機酸アンモニウム塩を添加してｐＨを３〜６に制御することを特徴とする請求項１に記載の合成ケイ素酸化物粒子の製造方法。
【請求項４】
前記金属がＢａ又はＳｒであるとき、工程（Ａ）において、アンモニア水及び／又は無機酸アンモニウム塩を添加してｐＨを７〜１０に制御することを特徴とする請求項１に記載の合成ケイ素酸化物粒子の製造方法。
【請求項５】
工程（Ｂ）において、撹拌しながら保持する時間は、１〜３時間であることを特徴とする請求項１に記載の合成ケイ素酸化物粒子の製造方法。
【請求項６】
工程（Ｂ）において、静止した状態で熟成する時間は、１〜３日間であることを特徴とする請求項１に記載の合成ケイ素酸化物粒子の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法により得られる、主成分としてケイ素酸化物を含み、かつ副成分としてＩｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｂａ又はＳｒから選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物を含む、真球状の合成ケイ素酸化物粒子。
【請求項８】
Ｘ線回折結果によれば、非晶質であるか、又は副成分を含むケイ酸塩であることを特徴とする請求項７に記載の合成ケイ素酸化物粒子。
【請求項９】
前記副成分の含有量が、主成分のケイ素酸化物に対して酸化物換算で４〜３１重量％であることを特徴とする請求項７に記載の合成ケイ素酸化物粒子。
【請求項１０】
平均粒径が３〜３０μｍであることを特徴とする請求項７に記載の合成ケイ素酸化物粒子。
【請求項１１】
Ｎａ、Ｋ、Ｂ、Ｐｂ及びＰの含有濃度が各々１０ｐｐｍ以下であること特徴とする請求項７に記載の合成ケイ素酸化物粒子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、合成ケイ素酸化物粒子とその製造方法に関し、さらに詳しくは、高屈折率膜、例えば、相変化型光記録媒体の誘電体膜の形成に使用される複合焼結ターゲット材の酸化ケイ素相用の原料粉末として用いられる合成ケイ素酸化物粒子、及びその効率的な製造方法に関する。ここで得られる合成ケイ素酸化物粒子は、焼結に際しては、焼結体及びカーボン製ダイス型を破損することなく安定した焼結を行うために貢献するとともに、このターゲット材を用いた成膜に際しては、熱軟化性に優れた膜特性により剥離及び膜割れの防止のために有効である
【背景技術】
【０００２】
従来、高屈折率を有する酸化物膜の光学的な応用としては、単層の熱線反射膜及び反射防止膜等があり、さらに、特定の波長の光が選択的に反射又は透過するように設計される多層の反射防止膜、反射増加膜、干渉膜、偏光膜などの多分野にわたっている。
多層膜の分光特性は、各層の屈折率と膜厚とをパラメータとして光学的設計される。一般的に、高屈折率膜と低屈折率膜とを組み合わせて用いることによって、より優れた光学特性を実現することができる。例えば、高屈折率（ｎ＝２．０以上）膜としては酸化チタン又は酸化ニオブ、低屈折率膜としては酸化ケイ素が主流であり、これらのスパッタリングターゲットを用いて成膜されていた。
【０００３】
また、高屈折率膜の他の応用として、書き換え可能な相変化型光記録媒体の誘電体膜がある。例えば、一般的な相変化型光記録媒体は、プラスチック基板上に第一誘電体膜、記録膜、第二誘電体膜及び金属反射膜をスパッタリング法で順次積層した構造からなる。ここで、光記録媒体の記録と再生は、基板側から照射するレーザ光の熱により記録膜を結晶相と非晶質相の間で相変化させ、その際の反射率の差を読みとることによって行われる。そして読みとりを容易にするため、記録膜における屈折率の相変化に伴う変化率を大きくする必要があり、誘電体膜には高屈折率材が用いられる。
【０００４】
前記誘電体膜用の高屈折率膜としては、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物）膜（例えば、特許文献１参照。）が知られているが、レーザ光照射の際の加熱によってＺｎＳのＳ成分が前記金属反射膜と反応して腐食が起こり、光記録媒体の信頼性が損なわれてしまうという問題がある。
【０００５】
近年、この問題を回避するために、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム又は酸化ケイ素、さらに、これらに炭化物や窒化物を混合したターゲット材が提案されている（例えば、特許文献２又は特許文献３参照。）。
しかしながら、相変化型光記録媒体に用いられる誘電体膜としては、高屈折率の特性だけでは不十分であり、光記録媒体の記録・再生時に生じるレーザ光の熱により、誘電体膜の記録膜からの剥離や、誘電体膜の割れが起きるという問題が指摘されている。この原因は、酸化チタン、酸化ニオブ等の誘電体膜の膜質が硬いこと、及び該誘電体膜と記録膜とに熱膨脹差があることが一因であると考えられている。
【０００６】
このため、前述したように優れた光学特性が得られる、酸化ケイ素を含有する誘電体膜が注目されている。すなわち、酸化ケイ素を誘電体膜中に含有すると、記録加熱された際に酸化ケイ素膜自体が柔軟性を示し、熱膨張により加わる引張り応力に対しても剥離及び膜割れが緩和される効果があるといわれている。
【０００７】
そのため、酸化ケイ素を含有する誘電体膜のスパッタリング用の焼結ターゲット材が開発されているが、最近の相変化型光記録媒体は益々高速度化され、膜の熱応答性もより高いものが要求されている。つまり、膜の柔軟化が瞬時に行なわれるように、膜の熱軟化温度を低下することが望まれている。また、酸化ケイ素を多く含むターゲット材を高密度化するために焼結法として熱間加圧成形を用いると、冷却時にターゲット外周がひび割れてしまうという問題が起る。また、特に、酸化ニオブに酸化ケイ素を加えた系では、カーボン製ダイス型が割れる問題が発生する。これはカーボンに比べて、酸化ニオブ、特に酸化ケイ素の熱膨脹係数が非常に小さいため、焼結後の冷却時に生じるダイス型の収縮を押さえつけ、これにより割れが起こるものと思われる。
【０００８】
ところで、従来、ケイ素酸化物粒子の改質手段として、例えば、紫外線遮蔽能を有し、かつ透明性が高い粒子の表面状態を改良する目的で、５〜４００ｎｍの厚さの酸化チタン層でケイ素酸化物表面を被覆した粒子（例えば、特許文献４参照。）が提案されている。また、導電性を付与させることを目的で、平均粒径  ０．５〜１０μｍの球状ケイ素酸化物粒子表面に酸化インジウム、酸化スズ、酸化アンチモン、酸化亜鉛の１種以上からなる酸化物を被覆形成した粉末（例えば、特許文献５参照。）が提案されている。これらケイ素酸化物粒子は、それぞれの目的とする効果が得られる。しかしながら、これらは単に表面被覆しているのみであるので、誘電体膜用の焼結ターゲット材として使用した場合、得られた高屈折率膜の熱軟化性、密着性等の改善には効果が現われなかった。さらに、膜形成時に酸化物が分離した状態で積層されるため、これを用いて作製した膜を備えた相変化型光記録媒体では、加熱書き込み時に記録膜と反応を起こして劣化する問題が生じた。
【０００９】
最近の相変化記録媒体は、記録再生を速やかに行なうためにより高速化されている。そのため、誘電体膜においても瞬時にかかる熱に鋭敏に反応することが要求される。特に、熱軟化性が記録膜との密着性に関係する誘電体膜中の酸化ケイ素相は、より低温で熱軟化性を示すことが求められる。酸化ケイ素相としてケイ素酸化物、例えば、ＳｉＯ２を用いた場合の問題点として、熱間加圧焼結に際してＳｉＯ２は硬いため変形せず、熱膨張係数が小さいこと、及び相変化型記録媒体の誘電体膜としては熱軟化性が不十分であることが挙げられた。
【００１０】
なお、本明細書中では、酸化物換算は、用いる金属についてそれぞれＮｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＣｅＯ２、ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢａＯ、ＳｒＯの形態であることを意味する。
【００１１】
【特許文献１】特開平１１−２７８９３６号公報（第１頁、第２頁）
【特許文献２】特開２００３−１３２０１号公報（第１頁、第２頁）
【特許文献３】特開２００３−６７９７４号公報（第１〜３頁）
【特許文献４】特開平９−７１４１７号公報（第１頁、第２頁）
【特許文献５】特開平５−１１６９３０号公報（第１頁、第２頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、上記の従来技術の問題点に鑑み、高屈折率膜、例えば、相変化型光記録媒体の誘電体膜の形成に使用される複合焼結ターゲット材の酸化ケイ素相用の原料粉末として用いられ、焼結に際しては、焼結体及びカーボン製ダイス型を破損することなく安定した焼結を行うことができるとともに、このターゲット材を用いた成膜に際しては、熱軟化性に優れた膜特性により剥離及び膜割れの防止に有効である合成ケイ素酸化物粒子、及びその効率的な製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、上記目的を達成するために、上記複合焼結ターゲット材に用いるケイ素酸化物粒子について、鋭意研究を重ねた結果、特定成分から構成される真球状の合成ケイ素酸化物粒子を特定の工程を組合せて製造したところ、これを用いたターゲット材の製造において、熱膨張係数がカーボンに近くなり、焼結体及びカーボン製ダイス型を破損することなく安定した焼結を行うことができ、他方、このターゲット材を用いた成膜に際しては、熱軟化性に優れた膜特性により剥離及び膜割れの防止に有効であることを見出し、本発明を完成した。
【００１４】
すなわち、本発明の第１の発明によれば、主成分としてケイ素酸化物を含み、かつ副成分としてＩｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｂａ又はＳｒから選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物を含む、真球状の合成ケイ素酸化物粒子を製造する方法であって、
（１）８０℃以上に加熱した純水中にＳｉＯ２粒子を投入し撹拌しながら、その中に前記副成分を形成し得る金属塩の水溶液を所定速度で滴下して、該金属塩を加水分解する工程（Ａ）、
（２）滴下終了後、撹拌しながら液温を保持してＳｉＯ２粒子表面に加水分解生成物を沈着させた後、撹拌を停止して静止した状態で熟成する工程（Ｂ）、
（３）熟成後、加水分解生成物が沈着されたＳｉＯ２粒子を洗浄ろ過し乾燥する工程（Ｃ）、及び
（４）得られた乾燥物を酸化性雰囲気下８００〜１１００℃の温度で仮焼する工程（Ｄ）、を含むことを特徴とする合成ケイ素酸化物粒子の製造方法が提供される。
【００１５】
また、本発明の第２の発明によれば、第１の発明において、工程（Ａ）において、前記金属塩の水溶液中の金属塩の濃度は、５０〜３００ｇ／Ｌに調整されることを特徴とする請求項１に記載の合成ケイ素酸化物粒子の製造方法が提供される。
【００１６】
また、本発明の第３の発明によれば、第１の発明において、前記金属がＩｎ又はＺｎであるとき、工程（Ａ）において、アンモニア水及び／又は無機酸アンモニウム塩を添加してｐＨを３〜６に制御することを特徴とする請求項１に記載の合成ケイ素酸化物粒子の製造方法が提供される。
【００１７】
また、本発明の第４の発明によれば、第１の発明において、前記金属がＢａ又はＳｒであるとき、工程（Ａ）において、アンモニア水及び／又は無機酸アンモニウム塩を添加してｐＨを７〜１０に制御することを特徴とする請求項１に記載の合成ケイ素酸化物粒子の製造方法が提供される。
【００１８】
また、本発明の第５の発明によれば、第１の発明において、工程（Ｂ）において、撹拌しながら保持する時間は、１〜３時間であることを特徴とする合成ケイ素酸化物粒子の製造方法が提供される。
【００１９】
また、本発明の第６の発明によれば、第１の発明において、工程（Ｂ）において、静止した状態で熟成する時間は、１〜３日間であることを特徴とする合成ケイ素酸化物粒子の製造方法が提供される。
【００２０】
また、本発明の第７の発明によれば、第１〜６いずれかの発明の製造方法により得られる、主成分としてケイ素酸化物を含み、かつ副成分としてＩｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｂａ又はＳｒから選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物を含む、真球状の合成ケイ素酸化物粒子が提供される。
【００２１】
また、本発明の第８の発明によれば、第７の発明において、Ｘ線回折結果によれば、非晶質であるか、又は副成分を含むケイ酸塩であることを特徴とする合成ケイ素酸化物粒子が提供される。
【００２２】
また、本発明の第９の発明によれば、第７の発明において、前記副成分の含有量が、主成分のケイ素酸化物に対して酸化物換算で４〜３１重量％であることを特徴とする合成ケイ素酸化物粒子合成ケイ素酸化物粒子が提供される。
【００２３】
また、本発明の第１０の発明によれば、第７の発明において、平均粒径が３〜３０μｍであることを特徴とする合成ケイ素酸化物粒子が提供される。
【００２４】
また、本発明の第１１の発明によれば、第７の発明において、Ｎａ、Ｋ、Ｂ、Ｐｂ及びＰの含有濃度が各々１０ｐｐｍ以下であること特徴とする合成ケイ素酸化物粒子が提供される。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の合成ケイ素酸化物粒子は、高屈折率膜、例えば、相変化型光記録媒体の誘電体膜の形成に使用される複合焼結ターゲット材の酸化ケイ素相用の原料粉末として用いられる。前記合成ケイ素酸化物粒子は、焼結に際しては、焼結体及びカーボン製ダイス型を破損することなく安定した焼結を行うために貢献するとともに、成膜に際しては、熱軟化性に優れた膜特性により剥離及び膜割れの防止のために有効である。また、本発明の製造方法は、上記合成ケイ素酸化物粒子を効率的に製造することができる方法である。したがって、その工業的価値は極めて大きい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の合成ケイ素酸化物粒子とその製造方法を詳細に説明する。
１．合成ケイ素酸化物粒子の製造方法
本発明の合成ケイ素酸化物粒子の製造方法は、主成分としてケイ素酸化物を含み、かつ副成分としてＩｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｂａ又はＳｒから選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物を含む、真球状の合成ケイ素酸化物粒子を製造する方法であって、
（１）８０℃以上に加熱した純水中にＳｉＯ２粒子を投入し撹拌しながら、その中に前記副成分を形成し得る金属塩の水溶液を所定速度で滴下して、該金属塩を加水分解する工程（Ａ）、
（２）滴下終了後、撹拌しながら液温を保持してＳｉＯ２粒子表面に加水分解生成物を沈着させた後、撹拌を停止して静止した状態で熟成する工程（Ｂ）、
（３）熟成後、加水分解生成物が沈着されたＳｉＯ２粒子を洗浄ろ過し乾燥する工程（Ｃ）、及び
（４）得られた乾燥物を酸化性雰囲気下８００〜１１００℃の温度で仮焼する工程（Ｄ）、を含むことを特徴とする。
【００２７】
本発明の製造方法において、合成ケイ素酸化物粒子の副成分となるＩｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｂａ又はＳｒから選ばれる少なくとも１種の金属の金属塩を用いるとともに、所定の一連の工程で処理することに重要な意義がある。これによって、合成ケイ素酸化物粒子は、熱軟化性に優れる酸化物を形成する。そして、この合成ケイ素酸化物粒子を用いて、熱膨張係数が高く、焼結体及びカーボン製ダイス型を破損することなく安定して焼結させることができる複合焼結ターゲット材が得られる。
【００２８】
（１）工程（Ａ）
上記工程（Ａ）は、８０℃以上に加熱した純水中にＳｉＯ２粒子を投入し撹拌しながら、その中に前記副成分を形成し得る金属塩の水溶液を所定速度で滴下して、該金属塩を加水分解する工程である。これによって、前記金属塩を加水分解して水酸化物等の加水分解生成物を得る。
【００２９】
工程（Ａ）で用いるＳｉＯ２粒子としては、特に限定されるものではなく、化学量論組成から酸素の欠損したＳｉＯｘを用いることができるが、特に、純度が高く、また取り扱いやすい真球状の合成体からなるＳｉＯ２粒子が好ましい。この中で、特に、その平均粒径が３〜３０μｍのものが好ましい。すなわち、この粒径のものを用いることによって、複合焼結ターゲット材用の原料として好適な平均粒径が３〜３０μｍの合成ケイ素酸化物粒子が得られる。
前記真球状ＳｉＯ２粒子としては、気相反応法か液相反応法で得られたものが主に用いられる。気相反応法は、酸水素混合ガスや炭化水素酸素ガスの燃焼反応により高温の火炎を作り、その中にを四塩化ケイ素入れて気相反応させる方法である。また、液相からの粉末合成は、核生成を短時間で行い生成した核をほぼ同一速度で成長させるコロイド法とアルコキシドと水を反応させ加水分解と重合を同時に進行させて化合物生成を行うアルコキシド法がある。市販品としては、サンスフェアＨ３１、５１、１２１、２０１（洞海化学製）が挙げられる。
【００３０】
工程（Ａ）で用いる金属塩としては、特に限定されるものではなく、例えば、純水を溶媒に用いるため、硝酸塩、塩酸塩、硫酸塩等の水溶性のものが用いられる。
また、これらの金属塩の純度は、特に限定されるものではなく、９９％以上、好ましくは９９．９％以上のものが用いられる。
【００３１】
工程（Ａ）において使用する純水の温度を８０℃以上、好ましくは８０〜１００℃、より好ましくは８０〜９０℃に加熱することが重要である。すなわち、温度が８０℃未満では、加水分解に時間がかかる。
【００３２】
工程（Ａ）で用いる金属塩水溶液の金属塩の濃度は、特に限定されるものではないが、５０〜３００ｇ／Ｌに調整されることが好ましい。すなわち、金属塩の濃度が５０ｇ／Ｌ未満では、任意の沈着量を得るのに時間がかかる。一方、金属塩の濃度が３００ｇ／Ｌを超えると、粒子表面に均一な沈着が得られず、局部的な沈着が生じやすいために、表面からの剥離や組成の不均一による熱軟化性の違いが起こる。
【００３３】
工程（Ａ）において、金属塩の水溶液を所定速度で滴下する。金属塩の水溶液をＳｉＯ２粒子を分散した液に、一度に一括投入することは避けることが必要である。ここで、所定の滴下速度は、反応設備、処理液量、金属塩溶液の濃度等の要因で変わるものであるが、予備的な実験により求めることができる。例えば、ＳｉＯ２粒子の分散液が２Ｌ程度の場合には、所定の滴下速度として、２０〜５０ｍＬ／ｈが選ばれる。すなわち、滴下速度が５０ｍＬ／ｈを超えると、沈着が均一に行なわれず堆積が偏るので、粒子表面から剥離してしまう。一方、２０ｍＬ／ｈ未満では、作製時間が長時間になり作業性に劣る。例えば金属塩の濃度が１００ｇ／Ｌならば、３０ｍＬ／ｈの速度で滴下するのが好ましい。
【００３４】
工程（Ａ）において、上記金属塩の水溶液を滴下する際に、ｐＨ調製剤として、特に限定されるものではないが、アンモニア水及び／又は無機酸アンモニウム塩を用いることができる。無機酸アンモニウム塩としては、特に限定されるものではないが、硫酸アンモニウム又は炭酸アンモニウムが好ましい。これにより、沈着物が分散され均一性が高まる。
このとき、アンモニア水又は無機酸アンモニウム塩の望ましい添加量は、上記化合物の種類によって異なる。例えば、Ｉｎ又はＺｎを含む金属塩の水溶液を滴下する際には、ｐＨを３〜６に制御する。また、Ｂａ又はＳｒを含む金属塩の水溶液を滴下する際に、ｐＨを７〜１０に制御する。これによって、ＳｉＯ２粒子表面上に分散性の良好な沈着物が得られる。ただし、このｐＨ範囲以上になるように、多量に加えると粒子表面に沈着されずに、沈殿が生じるので好ましくない。
【００３５】
（２）工程（Ｂ）
上記工程（Ｂ）は、滴下終了後、撹拌しながら保持してＳｉＯ２粒子表面に加水分解生成物を沈着させた後、撹拌を停止して静止した状態で熟成する工程である。その他の沈着方法としては、有機溶媒中に金属アルコキシドを添加し、加水分解する方法を行うことができるが、金属アルコキシドの価格及び溶媒の処理の面から、コストと環境面で不利となる。
【００３６】
工程（Ｂ）において撹拌しながら保持する時間は、特に限定されるものではないが、１〜３時間が好ましい。すなわち、保持する時間が１時間未満では、分解・沈着が不十分であり、目的の組成物が得られない。一方、保持する時間が３時間を超えると、沈着物が粗大化されるため、沈着物が剥離しやすくなる。
工程（Ｂ）において静止した状態で熟成する時間は、特に限定されるものではないが、１〜３日間が好ましい。すなわち、熟成時間が１日未満では、沈着物は洗浄時に容易に剥離してしまう。一方、熟成時間が３日を超えると、それ以上の効果は得られない。
【００３７】
（３）工程（Ｃ）
上記工程（Ｃ）は、熟成後加水分解生成物が沈着されたＳｉＯ２粒子を洗浄ろ過し乾燥する工程である。
工程（Ｃ）において乾燥条件は、特に限定されるものではないが、特に自然対流下１２０〜１８０℃で３〜６時間の処理が好ましい。
【００３８】
（４）工程（Ｄ）
上記工程（Ｄ）は、得られた乾燥物を酸化性雰囲気下８００〜１１００℃の温度で仮焼する工程である。ここで、沈着物は、酸化物に分解され、かつＳｉＯ２粒子と反応して、Ｘ線回折結果において、非晶質、又は副成分を含むケイ酸塩である状態に焼成される。すなわち、仮焼温度が８００℃未満では、沈着物は合成化されず、酸化物として存在する。一方、１１００℃を超えると、粒子自体に焼結反応が生じ、単分散粒子が得られない。なお、上記条件で得られた合成ケイ素酸化物粒子は、粒子同士の接着がないので、解砕の必要はない。
【００３９】
また、誘電体膜中にＮａ、Ｋ、Ｂ、Ｐｂ及びＰが含まれると、相変化型光記録媒体の記録膜を劣化させるため、原料及び工程での汚染に配慮を要する。上記製造方法では、Ｂ、Ｐｂ及びＰは添加していないので含まれていないが、Ｎａ及びＫは汚染物質として製造工程内から混入することがある。この対策として、原料と純水中の不純物管理を行い不純物濃度を１ｐｐｍ以下とすることができる。また、不純物が混入しやすい仮焼時のトレイも純度は９９．５％以上のものを用いるのが好ましい。
【００４０】
２．合成ケイ素酸化物粒子
合成ケイ素酸化物粒子は、主成分としてケイ素酸化物を含み、かつ副成分としてＩｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｂａ又はＳｒから選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物を含む、真球状の合成ケイ素酸化物粒子である。
【００４１】
本発明の合成ケイ素酸化物粒子は、高屈折率膜、例えば、相変化型光記録媒体の誘電体膜の形成に使用される複合焼結ターゲット材の酸化ケイ素相用の原料粉末として好適に用いられる。これによって、熱膨張係数が高く、焼結体及びカーボン製ダイス型を破損することなく安定して焼結させることができる複合焼結ターゲット材が得られ、成膜に際しては、熱軟化性に優れた膜特性により剥離及び膜割れの防止に有効である。
【００４２】
以下に、本発明の合成ケイ素酸化物粒子が用いられる誘電体膜用の複合焼結ターゲット材の一例を説明する。
前記ターゲット材は、相変化型光記録媒体の誘電体膜の形成に使用されるもので、屈折性に優れた酸化物相（ａ）と熱軟化性に優れた酸化物相（ｂ）からなる複合焼結ターゲット材であって、酸化物相（ａ）はＮｂ、Ｔａ又はＣｅから選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物であり、一方、酸化物相（ｂ）は上記合成ケイ素酸化物粒子よりなる。
【００４３】
前記ターゲット材の組織は、酸化物相（ａ）中に酸化物相（ｂ）が分散した状態が好ましい。しかも、各々の相が適度に分離して反応がない状態が望ましい。これは各々の相の高屈折率や熱軟化性の効力を発揮させるには、それぞれが独立した相を成すことが重要なためである。また、形成された膜においても高屈折率相と熱軟化相に分かれた組織であることが、各々の働きを十分に生かすために必要であり、こうした分離した膜を得るには、ターゲット材においても独立した相である方が効率よく形成しやすい。
【００４４】
酸化物相（ａ）のターゲット中での存在割合は、ターゲットを構成する成分の酸化物換算で、全体に対して７５〜９５重量％であることが好ましく、７７〜９１重量％であることがより好ましい。すなわち、前記存在割合が７５〜９５重量％の範囲を外れるとスパッタリング成膜で得られる膜の光学特性が低下し好ましくない。例えば、前記存在割合が９５重量％を超えると、膜の屈折率は高いものが得られるが、酸化ケイ素が少ないために記録媒体の加熱時に剥離及び割れが生じてしまう。一方、前記存在割合が７５重量％未満では、膜の屈折率が低くなり、光記録媒体用誘電体膜としての特性が満たされず使用できない。したがって、酸化物相（ｂ）用の原料粉末として用いる上記合成ケイ素酸化物粒子の存在割合は、ターゲットを構成する成分の酸化物換算で、全体に対して５〜２５重量％であることが好ましく、９〜２３重量％であることがより好ましい。
【００４５】
前記スパッタリング成膜で得られる膜の屈折率は、Ｎｂ、Ｔａ又はＣｅ酸化物の組成、スパッタリング時に導入する酸素分圧等で制御される。例えば、Ｎｂ酸化物膜の膜厚は５０〜１５０ｎｍが最適とされ、酸素分圧が３×１０―３〜１×１０―２Ｐａで、２．３以上の屈折率が得られる。酸素分圧が３×１０―３Ｐａ未満では膜に吸収が生じて透光性が悪化する。一方、１×１０―２Ｐａを超えると成膜速度が大きく低下するために好ましくない。
【００４６】
ところで、相変化記録媒体に使われる誘電体膜は、短波長側の透光性を必要とするため、比較的多くの酸化ケイ素を含む組成のものが選ばれる。このとき、上記副成分を含まないケイ素酸化物を用いる際には、屈折率２．０以上を確保するために、誘電体膜中のＳｉＯ２濃度を２０重量％以下にすることが不可欠である。これに対して、上記合成ケイ素酸化物粒子を用いれば、誘電体膜中のＳｉＯ２濃度が２０〜２５重量％の範囲においても屈折率が２．０以下にならず誘電体膜として好適に使用することができる。
【００４７】
前記酸化物相（ｂ）の大きさは、特に限定されるものではないが、ターゲット材のＥＰＭＡ線分析で３〜３０μｍの凝集体として検出されることが好ましい。この大きさは、焼結原料として用いる上記合成ケイ素酸化物粒子の粒子径に相当する径であることを意味する。すなわち、合成ケイ素酸化物粒子は、焼結により変形は見られるが、酸化物相（ａ）との反応は起らないからである。
【００４８】
本発明の合成ケイ素酸化物粒子の副成分の存在割合は、特に限定されるものではなく、ケイ素酸化物に対して酸化物換算で４〜３１重量％であることが好ましい。すなわち、前記存在割合が４重量％未満では、熱軟化性の効果が見られない。一方、前記存在割合が３１重量％を超えると、熱膨脹係数や屈折率はより高まるが、上記複合焼結ターゲット材において、高屈折率である酸化物相（ａ）との焼結反応やスパッタリング成膜での膜質に問題が生じる。
【００４９】
上記合成ケイ素酸化物粒子の副成分の中で、熱軟化性の改善に対して、特に、Ｉｎ酸化物とＺｎ酸化物が効果的であり少量の添加でも有効である。Ａｌ酸化物及びＭｇ酸化物は、これら成分の補助成分として顕著に作用する。例えば、Ｉｎ酸化物は単独でも有効であり、Ｚｎ酸化物、Ａｌ酸化物、Ｍｇ酸化物及びＢａ酸化物が補助成分として有効である。また、Ｚｎ酸化物は、Ａｌ酸化物又はＭｇ酸化物を補助成分として同時に含むとき特に有効である。また、Ｂａ酸化物は、Ｚｎ酸化物、Ａｌ酸化物又はＭｇ酸化物を補助成分として同時に含むとき特に有効である。また、Ｓｒ酸化物は、Ａｌ酸化物又はＭｇ酸化物を補助成分として同時に含むとき特に有効である。
【００５０】
したがって、合成ケイ素酸化物粒子の副成分の配合としては、特に限定されるものではないが、以下の（イ）〜（ニ）示す四つの配合のものが特に好ましい。
（イ）ケイ素酸化物に対して４〜１２重量％のＩｎ酸化物と、ケイ素酸化物に対して０〜６重量％のＺｎ、Ａｌ、Ｍｇ又はＢａから選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物からなる配合。
（ロ）ケイ素酸化物に対して４〜１２重量％のＺｎ酸化物と、ケイ素酸化物に対して１〜６重量％のＡｌ又はＭｇの酸化物からなる配合。
（ハ）ケイ素酸化物に対して１７〜２６重量％のＢａ酸化物と、ケイ素酸化物に対して１〜５重量％のＺｎ、Ａｌ又はＭｇから選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物とからなる配合。
（ニ）ケイ素酸化物に対して１７〜２６重量％のＳｒ酸化物と、ケイ素酸化物に対して１〜５重量％のＡｌ又はＭｇの酸化物からなる配合。
【００５１】
上記合成ケイ素酸化物粒子の大きさは、特に限定されるものではないが、平均粒径が３〜３０μｍが好ましい。すなわち、平均粒径が３μｍ未満では、ろ紙の目詰まりやろ紙の目が細かいためにろ過に時間がかかるため、作業性が悪い。一方、平均粒径が３０μｍを超えると、焼結体内の分布が悪くなり、割れ等への効果が薄れる。
【００５２】
上記合成ケイ素酸化物粒子のＮａ、Ｋ、Ｂ、Ｐｂ及びＰの含有濃度は、特に限定されるものではないが、各々１０ｐｐｍ以下が好ましい。すなわち、誘電体膜中にＮａ、Ｋ、Ｂ、Ｐｂ及びＰが含まれると、相変化型光記録媒体の記録膜を劣化させるためである。
【００５３】
上記合成ケイ素酸化物粒子の結晶構造は、加熱時の軟化性を最大限発揮させるため、Ｘ線回折結果において、非晶質、又は副成分を含むケイ酸塩であることが好ましい。すなわち、ターゲット製造における焼結及び相変化型記録媒体の膜記録に際して、酸化物相（ｂ）がケイ素酸化物相と添加物相とに分離された状態では軟化性が充分に発揮されない。Ｘ線回折結果において、非晶質となる場合は、副成分の添加量が比較的少ないときである。この組成範囲は、ケイ素酸化物に対して酸化物換算でおおよそ１２重量％未満である。これは原料として用いているケイ素酸化物粒子が非晶質なため、この影響によるものと思われる。この組成範囲では、差熱分析によりガラス転移点を測定できる。この測定結果より、熱軟化性を判断することができ、ガラス転移点が８００℃以下であれば熱軟化性は向上したといえる。
【００５４】
一方、副成分の添加量が１２重量％を超えると、結晶質となり、Ｘ線回折結果において、微弱なピーク強度が観察される。検出されるピークは、金属塩とケイ素酸化物との反応により生成した副成分を含むケイ酸塩が検出される。この組成範囲では、ガラス転移点は明確には測定されず、後述する粒子の変形度から熱軟化性が判断される。これ以外の結晶形態である場合、例えば、ケイ素酸化物相と副成分酸化物相に分離された状態では、熱軟化性に効果がないばかりでなく、焼結した際に副成分酸化物相と酸化物相（ａ）と反応が生じるので、これから得た膜の特性は劣ってしまう。したがって、副成分が未反応物として残存したり、加熱後に析出することは好ましくない。
【００５５】
上記合成ケイ素酸化物粒子は、真球状粒子であるとともに、その熱軟化性評価は、特に限定されるものではないが、真空中、加熱温度１１００℃、及び面圧３５Ｍｐａによる熱間加圧で得られる焼結体の粒子寸法から求めた変形度が縦／横比０．９以下であることが好ましい。
【００５６】
すなわち、通常、熱的な機械強度の測定は、剛体を試験片として高温下で引張り、もしくは圧縮して行なわれる。しかし、本発明のようなガラス質の粉末を用いて試験片を作製することは困難である。例えば、粉末を溶融し形状を整えれば、試験片は作製可能だが、融解することでの材質の特性変化、加工することによる歪等の問題があるので現実的な方法ではない。また、粉末自体を焼結することも可能だが、焼結体中の粒界の存在やこの加工の問題が生じる。
【００５７】
そのため、上記合成ケイ素酸化物粒子は、真球状であることに着目し、上下の２軸加圧からなる熱間加圧で評価することを試みた。ここで、加圧方向が制約されるために粒子は上下方向のみで変形される。変形した粒子をＳＥＭ等で観察して、粒子の縦横寸法から縦／横比を求めた。加熱温度を変えて、３５ＭＰａで加圧すると、上記合成ケイ素酸化物粒子では９００℃から粒子の変形が認められ、９５０℃以上になると縦／横比が０．９以下になることがわかった。副成分を含有しないケイ素酸化物粒子は１１００℃に達しても変形は観察されない。この評価方法は、ケイ素酸化物と高温中で反応しにくく、ケイ素酸化物が変形しない温度域で焼結及び緻密化が可能である、例えばＮｂやＴｉ酸化物粉末中に埋没させて加圧しても同様な評価は行なえる。
【００５８】
ところで、ケイ素酸化物、例えばＳｉＯ２の熱膨張係数は、温度５００℃で０．６×１０−６／℃程度であることが知られている。このような低膨張係数の材料を熱間加圧成形して焼結体を得ることは非常に難しい。すなわち、熱間加圧に用いられる型は、通常、カーボン質からなる。そのため、その熱膨張係数は密度及び材質によって２〜５×１０−６／℃（温度５００℃）であり、ＳｉＯ２の熱膨張係数と比較すると大きな値を示す。これらを用いて焼結すれば、冷却時において収縮量は型の方が大きいために焼結体は拘束され、焼結体は大きく割れてしまう。特に、直径１５０ｍｍを越えるサイズになるとこの現象が顕著に現われる。この現象はケイ素酸化物以外にもＮｂ２Ｏ５（温度５００℃での熱膨張係数１．２×１０−６／℃）にも見られる。このため冷却時に割れない焼結体を作製するには、焼結体の熱膨張係数をカーボン型より大きいか、またはその差を少なくすることが望ましい。
【００５９】
以上より、上記合成ケイ素酸化物粒子は、主成分であるケイ素酸化物の熱軟化性を改善して、焼結に際して酸化物相（ｂ）を軟化させることで焼結体強度を高めるとともに、ケイ素酸化物単独のときよりも高い熱膨張係数を有するターゲット材を得るため有用である。
【００６０】
以下に上記合成ケイ素酸化物粒子を用いた複合焼結ターゲット材の製造方法の一例について説明する。前記複合焼結ターゲット材の製造方法としては、原料粉末の混合／解砕工程及び熱間加圧成形工程を含む、通常の酸化物粉末の焼結法による焼結ターゲット材の製造方法を用いることができる。
【００６１】
例えば、酸化物相（ａ）用の原料粉末と、酸化物相（ｂ）用の原料粉末として上記合成ケイ素酸化物粒子を、１０−３トル以下の真空下又は５００トル以下の不活性ガス雰囲気下、９５０〜１２００℃の温度に加熱し、１５ＭＰａ以上の圧力を加えて熱間加圧成形することが好ましい。
【００６２】
酸化物相（ａ）に用いる酸化物原料粉末の純度としては、特に限定されるものではなく、好ましくは９９％以上、より好ましくは９９．９％以上である。ニオブ酸化物粉末としては、特に限定されるものではなく、化学量論組成から酸素の欠損したＮｂＯｘを用いることもできるが、Ｎｂ２Ｏ５粉末が取り扱いやすく、かつ安価であるために好ましい。タンタル酸化物粉末としては、特に限定されるものではなく、Ｔａ２Ｏ５粉末を用いることができる。また、セリウム酸化物粉末としては、特に限定されるものではなく、ＣｅＯ２粉末を用いることができる。また、これらの混合物やニオブ酸化物との複合粉末を用いることができる。また、これらの金属アルコキシドを精製した粉末、水酸化物等を熱分解により調製した粉末を用いることもできる。
【００６３】
前記ターゲット材の製造方法において混合／解砕工程は、酸化物相（ａ）用の酸化物原料粉末と合成ケイ素酸化物粒子を混合し、かつ解砕する工程である。
前記混合／解砕工程に用いる装置は、特に限定されるものではないが、Ｖブレンダ、ボールミル、媒体撹拌ミル、振動ミル等を用いることができるが、簡便な乾式ボールミルを用いることが好ましい。この際に、混合／解砕の条件は、特に限定されるものではないが、直径５〜１０ｍｍのＺｒＯ２ボールを用い、回転数１００ｒｐｍ程度で３〜３６時間の解砕を行うことが好ましい。すなわち、解砕時間が短いと混合／解砕が不十分となる。また、ボールの充填率は６０％程度が好ましい。
混合／解砕後の粉末を混合乾燥後、３６ｍｅｓｈ（４２５μｍ）の篩い通しを行い、混合粉末を得る。
【００６４】
前記ターゲット材の製造方法において熱間加圧成形工程は、上記混合粉末を用いて、熱間加圧成形法によって焼結体を得る工程である。例えば、混合粉末をカーボン製又は金属塩で覆われたカーボン製のダイスとパンチ内に充填し、１０−３トル以下に保たれた真空下、または５００トル以下まで不活性ガス導入した還元性雰囲気下で焼結を行う。
【００６５】
この際の加圧力は、特に限定されるものではないが、１５ＭＰａ以上が好ましく、２５〜３５ＭＰａがより好ましい。すなわち、焼結温度が９５０℃の場合、加圧力が１５ＭＰａ未満では、ＳｉＯ２粒子が熱変形しにくく緻密化しない。
【００６６】
この際の焼結温度は、特に限定されるものではないが、９５０〜１２００℃が好ましく、１０００〜１１００℃がより好ましい。すなわち、焼結温度が９５０℃未満では、ＳｉＯ２粒子が熱変形しにくく緻密化しない。一方、焼結温度が１２００℃を超えると、高屈折率相と熱軟化相が反応するため、好ましくない。また、焼結温度までの昇温速度は、特に限定されるものではないが、５〜２０℃／ｍｉｎが好ましい。すなわち、加圧下での焼結であるので、昇温速度は均熱性が低下しない範囲が選ばれる。これにより、焼結体が割れることなく焼結させることができるのでコスト的に有利である。また、焼結保持時間は、特に限定されるものではないが、０．５〜３時間が好ましい。
【実施例】
【００６７】
以下に、本発明の実施例及び比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。なお、実施例及び比較例で用いた金属の分析、合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析、焼結体のＥＰＭＡ線分析、熱軟化性、熱膨張係数、焼結密度、及び抗折強度の評価方法は、以下の通りである。
（１）金属の分析：ＩＣＰ発光分析法で行った。
（２）合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折（ＸＲＤ）：理学電機製Ｒｏｔａｆｌｅｘ  ＲＡＤ−ｒＶＢ装置にて測定し、構成物質の同定を行なった。
（３）合成ケイ素酸化物粒子の差熱分析（ＤＳＣ）：マックサイエンス製ＤＳＣ−３３００装置にて空気中でガラス転移点（Ｔｇ）を測定した。
【００６８】
（４）焼結体のＥＰＭＡ線分析：焼結体の表面を深さ方向に０．５ｍｍＧＣ系砥粒（＃８００）で研削して洗浄後、日本電子製ＥＰＭＡ−２３００装置にてビーム径を１μｍに絞り、場所を変えた３箇所の測定を行い、検出元素分布より前記酸化物相（ｂ）の各元素の凝集部の大きさを求めた。
（５）焼結体の熱軟化性評価：平均粒径２μｍからなるＮｂ２Ｏ５粉末に、粒径３〜３０μｍからなる真球状のＳｉＯ２粒子を２０重量％加えて混合し、上下の２軸加圧からなる熱間加圧でその変形度を評価した。真空中、１１００℃に加熱し３５ＭＰａで加圧しながら１時間保持し、冷却後に得た焼結体の破断面を研磨（＃８００）して変形した粒子を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。観察結果から求めた粒子の縦横寸法から縦／横比を算出した。場所を変えた１０箇所の測定を行った。
（６）焼結体の熱膨張係数の測定：焼結体中央を切断、研磨して直径５ｍｍ長さ１５ｍｍの円柱状試料を作製し、リガク製ＣＮ８２２３Ａ熱機械分析装置にてＡｒ中で５００℃での熱膨張係数を求めた。
【００６９】
（７）焼結体の焼結密度の測定：焼結体中央を切断して東洋精機製高精度比重計で焼結密度を求めた。
（８）焼結体の抗折強度の測定：焼結体の抗折強度の測定法は、ＪＩＳ規格Ｒ１６０１に準じて行われ、得焼結体から幅１０ｍｍ、厚さ５ｍｍ、長さ３０ｍｍの試験片を１０個作製し、３点曲げ強さ試験から抗折強度を測定し、その平均値を求めた。
【００７０】
また、実施例及び比較例で副成分を形成しうる金属塩として、試薬１級の硝酸インジウム、塩化マグネシウム、塩化亜鉛、塩化アルミニウム、塩化バリウム及び硝酸ストロンチウムを用いた。
【００７１】
（実施例１）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
まず、粒径５〜２０μｍ（平均粒径１０μｍ）の真球状ＳｉＯ２粒子（旭ガラス製）４０ｇを、９０℃に沸騰させた純水２Ｌをいれたフラスコ中に投入した。次に、スターラで１時間撹拌した後、超音波洗浄機で５分間洗浄した。次に、液を真空ろ過後、固形物を取り出して、さらに９０℃に沸騰させた純水２Ｌをいれたフラスコ中に投入し、スターラで撹拌してＳｉＯ２粒子の分散液を作製した。一方、硝酸インジウム４ｇを純水４０ｍＬ中に入れて溶解させ、硝酸インジウム溶液（硝酸インジウム濃度１００ｇ／Ｌ）を作製した。
次に、上記沸騰させたＳｉＯ２粒子の分散液に、上記硝酸インジウム溶液を５０ｍＬ／ｈの速度で滴下した。この間、アンモニア水を加えて、分散液中のｐＨを４．８〜５．２に調整した。滴下終了後、液を９０℃に保ちながら、１時間撹拌を続けた。その後、撹拌を停止して静止させたまま、室温で１日間の熟成を行なった。
【００７２】
熟成後、５Ａのろ紙を用いて液を真空ろ過して固形物を取り出し、固形物を純水２Ｌを入れたフラスコ中に投入した。その後、スターラで１時間撹拌した後、再度、液を５Ａのろ紙にて真空ろ過して固形物を取り出す。これを２度繰返した。終了後、固形物を１２０℃で６時間乾燥した。
得られた乾燥物を高純度アルミナ（純度９９．７％）製の坩堝に入れ、大気中、１０００℃で２時間の仮焼を行い合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。前記合成ケイ素酸化物粒子は、さらさらしており、流動性が損なわれていることはなかった。
表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【００７３】
（２）焼結体の作製と評価
次いで、Ｎｂ２Ｏ５粉末（平均粒径２μｍ、純度９９．９％、三井金属製）に、上記合成ケイ素酸化物粒子１０重量％を添加した。これを、直径１０ｍｍのＺｒＯ２ボールを用いてボールミル（回転数１００ｒｐｍ）で６時間の解砕を行って混合粉末を得た。この混合粉末をＢＮ被覆したカーボン製のダイス及びパンチ内に充填し、１０−３トル以下に保たれた真空中で焼結を行った。ここで、焼結条件としては、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、圧力３５ＭＰａ、焼結温度１０００℃、及び焼結時間１時間とした。
【００７４】
以上の方法によって、直径１５０ｍｍ及び厚さ６ｍｍの焼結体を２枚得た。１枚の焼結体中央を切断して焼結密度と、幅１０ｍｍ、厚さ５ｍｍ、長さ３０ｍｍの試験片を１０個作製し、３点曲げ強さ試験から抗折強度を求めた。また、焼結体の表面を研削し、一部をＥＰＭＡ面分析で２相の反応状態を調べた。試料の残部はＳＥＭで変形粒子を観察し熱軟化性を評価した。さらに、焼結体中央を切断し研磨して直径５ｍｍ、高さ１５ｍｍの試料を作製し、熱膨張係数を求めた。焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度の評価結果を表４に示す。
【００７５】
（３）スパッタリング方法と評価
最後に、上記焼結体に加工を施して５インチ径（直径１２８ｍｍ）のスパッタリングターゲットを作製し、ガラス上（ＭＡＴＵＮＡＭＩ製Ｓ−１１１１）にＲＦ３００Ｗ、酸素分圧６×１０―３Ｐａ、及びＡｒを含む全圧０．１４Ｐａの条件で、膜厚１００ｎｍになるよう成膜した。その後、エリプソメータ（溝尻光学製：波長６３３ｎｍ）を用いて、膜の屈折率を測定した。また、分光光度計（島津製作所製ＵＶ−４０００）で、波長２５０〜１０００ｎｍ間の透過率を測定した。さらに、Ｓｉ基板上に記録層（５０ｎｍ）／Ａｇ４Ｉｎ７Ｓｂ６０Ｔｅ２９合金膜／誘電体層（１００ｎｍ）の順に積層後、Ａｒ雰囲気中７００℃で１分間の加熱投入し、冷却後にセロテープ（登録商標）で剥離試験を行なった。記録層と誘電体層との界面での剥離状態を判定した。膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価結果を表５に示す。
【００７６】
（実施例２）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
実施例１と同様に調製したＳｉＯ２粒子の分散液を用いた。一方、硝酸インジウム８ｇを純水５０ｍＬ中に入れて溶解させ、硝酸インジウム溶液（硝酸インジウム濃度１６０ｇ／Ｌ）を作製した。
次に、上記沸騰させたＳｉＯ２粒子の分散液に、上記硝酸インジウム溶液を２５ｍＬ／ｈの速度で滴下した。この間、アンモニア水を加えて、分散液中のｐＨを４．８〜５．２に調整した。滴下終了後、液を９０℃に保ちながら、１時間撹拌を続けた。その後、撹拌を停止して静止させたまま、室温で１日間の熟成を行なった。
【００７７】
熟成後、実施例１と同様に洗浄／ろ過／乾燥／仮焼を行い、合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【００７８】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【００７９】
（実施例３）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
実施例１と同様に調製したＳｉＯ２粒子の分散液を用いた。一方、硝酸インジウム８ｇと塩化亜鉛２ｇを純水５０ｍＬ中に入れて溶解させ、硝酸インジウムと塩化亜鉛を含む溶液（硝酸インジウム濃度１６０ｇ／Ｌ、塩化亜鉛濃度４０ｇ／Ｌ）を作製した。
次に、上記沸騰させたＳｉＯ２粒子の分散液に、上記硝酸インジウム溶液を２５ｍＬ／ｈの速度で滴下した。この間、アンモニア水を加えて、分散液中のｐＨを４．１〜４．４に調整した。滴下終了後、液を９０℃に保ちながら、１時間撹拌を続けた。その後、撹拌を停止して静止させたまま、室温で１日間の熟成を行なった。
【００８０】
熟成後、実施例１と同様に洗浄／ろ過／乾燥／仮焼を行い、合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【００８１】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【００８２】
（実施例４）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
実施例１と同様に調製したＳｉＯ２粒子の分散液を用いた。一方、硝酸インジウム８ｇと塩化アルミニウム２ｇを純水５０ｍＬ中に入れて溶解させ、硝酸インジウムと塩化アルミニウムを含む溶液（硝酸インジウム濃度１６０ｇ／Ｌ、塩化アルミニウム濃度４０ｇ／Ｌ）を作製した。
次に、上記沸騰させたＳｉＯ２粒子の分散液に、上記硝酸インジウム溶液を２５ｍＬ／ｈの速度で滴下した。この間、アンモニア水を加えて、分散液中のｐＨを５．２〜５．６に調整した。滴下終了後、液を９０℃に保ちながら、１時間撹拌を続けた。その後、撹拌を停止して静止させたまま、室温で１日間の熟成を行なった。
【００８３】
熟成後、実施例１と同様に洗浄／ろ過／乾燥／仮焼を行い、合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【００８４】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【００８５】
（実施例５）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
実施例１と同様に調製したＳｉＯ２粒子の分散液を用いた。一方、硝酸インジウム８ｇと塩化マグネシウム２ｇを純水５０ｍＬ中に入れて溶解させ、硝酸インジウムと塩化マグネシウムを含む溶液（硝酸インジウム濃度１６０ｇ／Ｌ、塩化マグネシウム濃度４０ｇ／Ｌ）を作製した。
次に、上記沸騰させたＳｉＯ２粒子の分散液に、上記硝酸インジウム溶液を２５ｍＬ／ｈの速度で滴下した。この間、アンモニア水を加えて、分散液中のｐＨを５．４〜５．８に調整した。滴下終了後、液を９０℃に保ちながら、１時間撹拌を続けた。その後、撹拌を停止して静止させたまま、室温で１日間の熟成を行なった。
【００８６】
熟成後、実施例１と同様に洗浄／ろ過／乾燥／仮焼を行い、合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【００８７】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【００８８】
（実施例６）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
実施例１と同様に調製したＳｉＯ２粒子の分散液を用いた。一方、硝酸インジウム８ｇを純水５０ｍＬ中に入れて溶解させ、硝酸インジウム溶液（硝酸インジウム濃度１６０ｇ／Ｌ）を作製した。
次に、上記沸騰させたＳｉＯ２粒子の分散液に、上記硝酸インジウム溶液を２５ｍＬ／ｈの速度で滴下した。この間、アンモニア水を加えて、分散液中のｐＨを３．８〜４．３に調整した。滴下終了後、液を９０℃に保ちながら、１時間撹拌を続けた。その後、撹拌を停止して静止させたまま、室温で１日間の熟成を行なった。
【００８９】
熟成後、実施例１と同様に洗浄／ろ過／乾燥／仮焼を行い、合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【００９０】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【００９１】
（実施例７）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
実施例１と同様に調製したＳｉＯ２粒子の分散液を用いた。一方、硝酸インジウム８ｇを純水３０ｍＬ中に入れて溶解させ、硝酸インジウム溶液（硝酸インジウム濃度２７０ｇ／Ｌ）を作製した。
次に、上記沸騰させたＳｉＯ２粒子の分散液に、上記硝酸インジウム溶液を３０ｍＬ／ｈの速度で滴下した。この間、アンモニア水と硫酸アンモニウムを加えて、分散液中のｐＨを４．０〜４．５に調整した。滴下終了後、液を９０℃に保ちながら、３時間撹拌を続けた。その後、撹拌を停止して静止させたまま、室温で３日間の熟成を行なった。
【００９２】
熟成後、実施例１と同様に洗浄／ろ過／乾燥／仮焼を行い、合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【００９３】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【００９４】
（実施例８）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
実施例１と同様に調製したＳｉＯ２粒子の分散液を用いた。一方、塩化亜鉛４ｇと塩化マグネシウム１ｇを純水５０ｍＬ中に入れて溶解させ、塩化亜鉛と塩化マグネシウムを含む溶液（塩化亜鉛濃度８０ｇ／Ｌ、塩化マグネシウム濃度２０ｇ／Ｌ）を作製した。
次に、上記沸騰させたＳｉＯ２粒子の分散液に、上記硝酸インジウム溶液を３０ｍＬ／ｈの速度で滴下した。この間、アンモニア水を加えて、分散液中のｐＨを３．１〜３．５に調整した。滴下終了後、液を９０℃に保ちながら、１時間撹拌を続けた。その後、撹拌を停止して静止させたまま、室温で１日間の熟成を行なった。
【００９５】
熟成後、実施例１と同様に洗浄／ろ過／乾燥／仮焼を行い、合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【００９６】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【００９７】
（実施例９）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
実施例１と同様に調製したＳｉＯ２粒子の分散液を用いた。一方、硝酸ストロンチウム１４ｇと塩化マグネシウム２ｇを純水７０ｍＬ中に入れて溶解させ、硝酸インジウムと塩化マグネシウムを含む溶液（硝酸ストロンチウム濃度２００ｇ／Ｌ、塩化マグネシウム濃度３０ｇ／Ｌ）を作製した。
次に、上記沸騰させたＳｉＯ２粒子の分散液に、上記硝酸インジウム溶液を５０ｍＬ／ｈの速度で滴下した。この間、アンモニア水と炭酸アンモニウムを加えて、分散液中のｐＨを９．１〜９．６に調整した。滴下終了後、液を９０℃に保ちながら、１時間撹拌を続けた。その後、撹拌を停止して静止させたまま、室温で１日間の熟成を行なった。
【００９８】
熟成後、実施例１と同様に洗浄／ろ過／乾燥／仮焼を行い、合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【００９９】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【０１００】
（実施例１０）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
実施例１と同様に調製したＳｉＯ２粒子の分散液を用いた。一方、塩化バリウム８ｇと塩化亜鉛２ｇを純水７０ｍＬ中に入れて溶解させ、塩化バリウムと塩化亜鉛を含む溶液（塩化バリウム濃度１１５ｇ／Ｌ、塩化亜鉛濃度３０ｇ／Ｌ）を作製した。
次に、上記沸騰させたＳｉＯ２粒子の分散液に、上記硝酸インジウム溶液を５０ｍＬ／ｈの速度で滴下した。この間、アンモニア水を加えて、分散液中のｐＨを７．３〜７．７に調整した。滴下終了後、液を９０℃に保ちながら、１時間撹拌を続けた。その後、撹拌を停止して静止させたまま、室温で１日間の熟成を行なった。
【０１０１】
熟成後、実施例１と同様に洗浄／ろ過／乾燥／仮焼を行い、合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【０１０２】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【０１０３】
（実施例１１）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
実施例１と同様に調製したＳｉＯ２粒子の分散液を用いた。一方、塩化バリウム１２ｇと塩化マグネシウム２ｇを純水５０ｍＬ中に入れて溶解させ、塩化バリウムと塩化マグネシウムを含む溶液（塩化バリウム濃度２４０ｇ／Ｌ、塩化マグネシウム濃度４０ｇ／Ｌ）を作製した。
次に、上記沸騰させたＳｉＯ２粒子の分散液に、上記硝酸インジウム溶液を２０ｍＬ／ｈの速度で滴下した。この間、アンモニア水と炭酸アンモニウムを加えて、分散液中のｐＨを８．５〜８．９に調整した。滴下終了後、液を９０℃に保ちながら、３時間撹拌を続けた。その後、撹拌を停止して静止させたまま、室温で１日間の熟成を行なった。
【０１０４】
熟成後、実施例１と同様に洗浄／ろ過／乾燥／仮焼を行い、合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【０１０５】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【０１０６】
（比較例１）
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
合成ケイ素酸化物粒子の代わりに、粒径５〜２０μｍ（平均粒径１０μｍ）の真球状ＳｉＯ２粒子（旭ガラス製）４０ｇを高純度アルミナ（純度９９．７％）製の坩堝に入れ、大気中、７００℃で２時間の仮焼を行った。得られた粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に使用した粒子の作製条件、表２にその化学組成、表３にそのＸ線回折及び差熱分析を示す。
【０１０７】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【０１０８】
（比較例２）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
まず、９０℃に沸騰させた純水２Ｌを入れたフラスコ中に、硝酸インジウム２ｇを投入し溶解させた。この液中に、粒径５〜２０μｍ（平均粒径１０μｍ）の真球状ＳｉＯ２粒子（旭ガラス製）４０ｇを投入し、スターラで撹拌して分散させた。その後、液を９０℃に保ちながら０．５時間撹拌を続けた。この間、溶液のｐＨは１．８〜２．１であった。
【０１０９】
その後、撹拌を停止し、液を５Ａのろ紙にて真空ろ過した。得られた固形物を取り出し、純水２Ｌを入れたフラスコ中に投入した後、スターラで１時間撹拌し、再度、液を５Ａのろ紙にて真空ろ過して固形物を取り出した。
次いで、この固形物を１２０℃で６時間乾燥した。得られた乾燥物を高純度アルミナ（純度９９．７％）製の坩堝に入れ、大気中、７００℃で２時間の仮焼を行い合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【０１１０】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【０１１１】
（比較例３）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
まず、９０℃に沸騰させた純水２Ｌを入れたフラスコ中に、硝酸インジウム２ｇを投入し溶解させた。この液中に、粒径５〜２０μｍ（平均粒径１０μｍ）の真球状ＳｉＯ２粒子（旭ガラス製）４０ｇを投入し、スターラで撹拌して分散させた。その後、液を９０℃に保ちながら０．５時間撹拌を続けた。この間、アンモニア水を添加して溶液のｐＨを８．２〜８．５に制御した。
【０１１２】
その後、撹拌を停止し、液を５Ａのろ紙にて真空ろ過した。得られた固形物を取り出し、純水２Ｌを入れたフラスコ中に投入した後、スターラで１時間撹拌し、再度、液を５Ａのろ紙にて真空ろ過して固形物を取り出した。
次いで、この固形物を１２０℃で６時間乾燥した。得られた乾燥物を高純度アルミナ（純度９９．７％）製の坩堝に入れ、大気中、７００℃で２時間の仮焼を行い合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【０１１３】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【０１１４】
（比較例４）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
まず、９０℃に沸騰させた純水２Ｌを入れたフラスコ中に、粒径５〜２０μｍ（平均粒径１０μｍ）の真球状ＳｉＯ２粒子（旭ガラス製）４０ｇを投入し、スターラで撹拌して分散液を得た。一方、硝酸インジウム２ｇを純水６０ｍｌ中にいれて溶解させ、硝酸インジウム溶液（硝酸インジウム濃度３３ｇ／Ｌ）を作製し、この全量を一気に分散液中に投入した。その後、液を９０℃に保ちながら０．５時間撹拌を続けた。この間、アンモニア水を添加して溶液のｐＨを８．２〜８．５に制御した。
【０１１５】
その後、撹拌を停止し、液を５Ａのろ紙にて真空ろ過した。得られた固形物を取り出し、純水２Ｌを入れたフラスコ中に投入した後、スターラで１時間撹拌し、再度、液を５Ａのろ紙にて真空ろ過して固形物を取り出した。
次いで、この固形物を１２０℃で６時間乾燥した。得られた乾燥物を高純度アルミナ（純度９９．７％）製の坩堝に入れ、大気中、７００℃で２時間の仮焼を行い合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【０１１６】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【０１１７】
（比較例５）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
まず、９０℃に沸騰させた純水２Ｌを入れたフラスコ中に、硝酸インジウム２ｇを投入し溶解させた。この液中に、粒径５〜２０μｍ（平均粒径１０μｍ）の真球状ＳｉＯ２粒子（旭ガラス製）４０ｇを投入し、スターラで撹拌して分散させた。その後、液を９０℃に保ちながら６時間撹拌を続けた。この間、溶液のｐＨは１．８〜２．１であった。
【０１１８】
その後、撹拌を停止し、液を５Ａのろ紙にて真空ろ過した。得られた固形物を取り出し、純水２Ｌを入れたフラスコ中に投入した後、スターラで１時間撹拌し、再度、液を５Ａのろ紙にて真空ろ過して固形物を取り出した。
次いで、この固形物を１２０℃で６時間乾燥した。得られた乾燥物を高純度アルミナ（純度９９．７％）製の坩堝に入れ、大気中、７００℃で２時間の仮焼を行い合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【０１１９】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【０１２０】
（比較例６）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
まず、９０℃に沸騰させた純水２Ｌを入れたフラスコ中に、硝酸インジウム１６ｇを投入し溶解させた。この液中に、粒径５〜２０μｍ（平均粒径１０μｍ）の真球状ＳｉＯ２粒子（旭ガラス製）４０ｇを投入し、スターラで撹拌して分散させた。その後、液を９０℃に保ちながら０．５時間撹拌を続けた。この間、アンモニア水を添加して溶液のｐＨを８．２〜８．５に制御した。
【０１２１】
その後、撹拌を停止し、液を５Ａのろ紙にて真空ろ過した。得られた固形物を取り出し、純水２Ｌを入れたフラスコ中に投入した後、スターラで１時間撹拌し、再度、液を５Ａのろ紙にて真空ろ過して固形物を取り出した。
次いで、この固形物を１２０℃で６時間乾燥した。得られた乾燥物を高純度アルミナ（純度９９．７％）製の坩堝に入れ、大気中、７００℃で２時間の仮焼を行い合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【０１２２】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【０１２３】
（比較例７）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
まず、９０℃に沸騰させた純水２Ｌを入れたフラスコ中に、硝酸インジウム１６ｇを投入し溶解させた。この液中に、粒径５〜２０μｍ（平均粒径１０μｍ）の真球状ＳｉＯ２粒子（旭ガラス製）４０ｇを投入し、スターラで撹拌して分散させた。その後、液を９０℃に保ちながら０．５時間撹拌を続けた。この間、苛性ソーダ水溶液を添加して溶液のｐＨを９．２〜９．７に制御した。
【０１２４】
その後、撹拌を停止し、液を５Ａのろ紙にて真空ろ過した。得られた固形物を取り出し、純水２Ｌを入れたフラスコ中に投入した後、スターラで１時間撹拌し、再度、液を５Ａのろ紙にて真空ろ過して固形物を取り出した。
次いで、この固形物を１２０℃で６時間乾燥した。得られた乾燥物を高純度アルミナ（純度９９．７％）製の坩堝に入れ、大気中、７００℃で２時間の仮焼を行い合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【０１２５】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【０１２６】
（比較例８）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
まず、９０℃に沸騰させた純水２Ｌを入れたフラスコ中に、硝酸インジウム１６ｇと塩化亜鉛４ｇを投入し溶解させた。この液中に、粒径５〜２０μｍ（平均粒径１０μｍ）の真球状ＳｉＯ２粒子（旭ガラス製）４０ｇを投入し、スターラで撹拌して分散させた。その後、液を９０℃に保ちながら０．５時間撹拌を続けた。この間、アンモニア水を添加して溶液のｐＨを８．２〜８．５に制御した。
【０１２７】
その後、撹拌を停止し、液を５Ａのろ紙にて真空ろ過した。得られた固形物を取り出し、純水２Ｌを入れたフラスコ中に投入した後、スターラで１時間撹拌し、再度、液を５Ａのろ紙にて真空ろ過して固形物を取り出した。
次いで、この固形物を１２０℃で６時間乾燥した。得られた乾燥物を高純度アルミナ（純度９９．７％）製の坩堝に入れ、大気中、７００℃で２時間の仮焼を行い合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【０１２８】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【０１２９】
（比較例９）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
まず、９０℃に沸騰させた純水２Ｌを入れたフラスコ中に、硝酸インジウム１６ｇと塩化亜鉛４ｇを投入し溶解させた。この液中に、粒径５〜２０μｍ（平均粒径１０μｍ）の真球状ＳｉＯ２粒子（旭ガラス製）４０ｇを投入し、スターラで撹拌して分散させた。その後、液を９０℃に保ちながら０．５時間撹拌を続けた。この間、アンモニア水を添加して溶液のｐＨを８．２〜８．５に制御した。その後、撹拌を停止し、一昼夜熟成させた。
次に、液を５Ａのろ紙にて真空ろ過した。得られた固形物を取り出し、純水２Ｌを入れたフラスコ中に投入した後、スターラで１時間撹拌し、再度、液を５Ａのろ紙にて真空ろ過して固形物を取り出した。
【０１３０】
次いで、この固形物を１２０℃で６時間乾燥した。得られた乾燥物を高純度アルミナ（純度９９．７％）製の坩堝に入れ、大気中、７００℃で２時間の仮焼を行い合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【０１３１】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【０１３２】
（比較例１０）
合成ケイ素酸化物粒子を調製し、それを用いて焼結体を得て、さらにこれをターゲットとしてスパッタリングを行い膜形成評価を行った。
（１）合成ケイ素酸化物粒子の調製と評価
まず、９０℃に沸騰させた純水２Ｌを入れたフラスコ中に、硝酸ストロンチウム１４ｇを投入し溶解させた。この液中に、粒径５〜２０μｍ（平均粒径１０μｍ）の真球状ＳｉＯ２粒子（旭ガラス製）４０ｇを投入し、スターラで撹拌して分散させた。その後、液を９０℃に保ちながら０．５時間撹拌を続けた。この間、アンモニア水を添加して溶液のｐＨを６．３〜６．６に制御した。
その後、撹拌を停止し、液を５Ａのろ紙にて真空ろ過した。得られた固形物を取り出し、純水２Ｌを入れたフラスコ中に投入した後、スターラで１時間撹拌し、再度、液を５Ａのろ紙にて真空ろ過して固形物を取り出した。
【０１３３】
次いで、この固形物を１２０℃で６時間乾燥した。得られた乾燥物を高純度アルミナ（純度９９．７％）製の坩堝に入れ、大気中、７００℃で２時間の仮焼を行い合成ケイ素酸化物粒子を得た。得られた合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、Ｘ線回折及び差熱分析を行った。表１に合成ケイ素酸化物粒子の作製条件、表２に合成ケイ素酸化物粒子の化学組成、表３に合成ケイ素酸化物粒子のＸ線回折及び差熱分析を示す。
【０１３４】
（２）焼結体の作製と評価
実施例１と同様に行い、焼結体の焼結密度、ＥＰＭＡ平均凝集径、変形度、熱膨張係数、及び抗折強度を評価した。結果を表４に示す。
（３）スパッタリング方法と評価
実施例１と同様に行い、得られた膜の屈折率、透過率、及び剥離試験の評価を行った。結果を表５に示す。
【０１３５】
【表１】
2005320216.tif 000002
【０１３６】
【表２】
2005320216.tif 000003
【０１３７】
【表３】
2005320216.tif 000004
【０１３８】
【表４】
2005320216.tif 000005
【０１３９】
【表５】
2005320216.tif 000006
【０１４０】
表１〜５より、実施例１〜１１では、ＳｉＯ２粒子の分散液に、副成分としてＩｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｂａ又はＳｒから選ばれる少なくとも１種の金属の金属塩の水溶液を滴下して加水分解する工程、ＳｉＯ２粒子表面に加水分解生成物を沈着させ、熟成する工程、
洗浄ろ過し乾燥する工程、及び仮焼する工程で、本発明の方法に従って行われたので、
得られた合成ケイ素酸化物粒子はＸ線回折結果において非晶質又は副成分を含むケイ酸塩であること、これを用いた焼結において、２×１０−６／℃以上の熱膨張係数、３〜３０μｍのＥＰＭＡ線分析平均凝集径、縦／横比０．９以下の熱軟化性評価での変形度等の優れた焼結体特性が得られ、焼結体及びカーボン製ダイス型を破損することなく安定した焼結を行うことができること、また膜形成評価では２．０以上の屈折率と光記録媒体用誘電体膜として良好な膜質が得られることが分かる。
【０１４１】
これに対して、比較例１〜１０では、合成ケイ素酸化物粒子の組成、加水分解の方法のいずれかがこれらの条件に合わないので、焼結体特性、屈折率、透過率、剥離試験のいずれかによって満足すべき結果が得られないことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０１４２】
以上より明らかなように、本発明の合成ケイ素酸化物粒子は、高屈折率膜を形成するため用いられるターゲット材分野で利用されるケイ素酸化物として好適である。例えば、相変化型光記録媒体の誘電体膜の形成に使用される屈折性の酸化物相と酸化ケイ素相からなる複合焼結ターゲット材において、特に、熱軟化性に優れた酸化ケイ素相用として、ケイ素酸化物に代わって好適に用いられる。