(57)【要約】【解決手段】  エポキシ樹脂（Ａ）、酸無水物系硬化剤（Ｂ）、及び硬化促進剤（Ｃ）を必須成分として含有するエポキシ樹脂組成物であって、上記成分（Ｃ）として式（１）のテトラアルキルホスホニウムカルボン酸塩好ましくはテトラ−ｎ−ブチルホスホニウムアセテートを含む、速硬化性の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを硬化してなる光半導体封止加工品。【化１】2005325178.tif 000010［式（１）中、Ｒ1は炭素数２〜４のアルキル基であり、Ｒ2は炭素数１〜４のアルキル基を示す。］【効果】  このエポキシ樹脂組成物は、速硬化性を有し、無色透明性の樹脂硬化物を与える。また、硬化促進剤としてハロゲン化物も含まず、回路などを構成する金属の腐食やリークなどの恐れもなく、透明性と微細加工性を要求される電子材料用の光半導体封止用途に好適である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂（Ａ）、酸無水物系硬化剤（Ｂ）、及び硬化促進剤（Ｃ）を必須成分として含有するエポキシ樹脂組成物であって、
上記硬化促進剤（Ｃ）として次式（１）で示されるテトラアルキルホスホニウムカルボン酸塩を含むことを特徴とする、速硬化性の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化１】
2005325178.tif 000009
［式（１）中、Ｒ1は炭素数２〜４のアルキル基であり、Ｒ2は炭素数１〜４のアルキル基を示す。］
【請求項２】
前記硬化促進剤(Ｃ)が、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムアセテートであることを特徴とする、請求項１に記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
前記エポキシ樹脂（Ａ）がビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂および脂環式エポキシ樹脂のうちから選択される１種または２種以上の混合物である、請求項１〜２の何れかに記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
前記硬化剤（Ｂ）がヒドロフタル酸無水物である請求項１〜３の何れかに記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
前記硬化剤（Ｂ）が４−メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、テトラヒドロフタル酸無水物およびナジック酸無水物のうちから選択される１種または２種以上の混合物である、請求項１〜４の何れかに記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
前記エポキシ樹脂（Ａ）は、組成物中の成分（Ａ）と（Ｂ）と（Ｃ）との合計１００重量％中に、２４〜７０重量％の割合で配合され、硬化剤（Ｂ）は２４〜７０重量％の範囲の割合で配合され、しかも硬化剤（Ｂ）がエポキシ樹脂（Ａ）の１化学当量に対して０．５〜１．６当量の割合で配合されており、さらに硬化促進剤（Ｃ）が１〜６重量％の範囲の割合で配合されていることを特徴とする、請求項１〜５の何れか一つに記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
前記エポキシ樹脂（Ａ）は組成物中の成分（Ａ）と（Ｂ）と（Ｃ）との合計１００重量％中に、４０〜５５重量％の割合で配合され、硬化剤（Ｂ）は４０〜５５重量％の範囲の割合で配合され、しかも硬化剤（Ｂ）がエポキシ樹脂（Ａ）の１化学当量に対して０．５〜１．６当量の割合で配合されており、さらに硬化促進剤（Ｃ）が１．５〜５重量％の範囲の割合で配合されていることを特徴とする、請求項１〜６の何れか一つに記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項８】
前記請求項１〜７の何れかに記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を硬化してなる硬化体を有する光半導体封止加工品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無色透明性の樹脂硬化物を与え得る速硬化性エポキシ樹脂組成物に関する。さらに詳しくは、本発明は、光半導体装置、特に発光半導体素子または受光半導体素子を被覆して封止するのに好適に使用できる光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその硬化体を有する光半導体封止加工品に関する。
【背景技術】
【０００２】
光半導体素子には、ＬＥＤ（発光ダイオード）、フォトトランジスタ、フォトダイオード、フォトカプラー、ＣＣＤ（電荷結合素子）、ＥＰＲＯＭ（イレーザブルプログラマブルリードオンリーメモリー）、フォトセンサーとして知られる受光素子や発光素子等がある。例えばＬＥＤとしては高輝度タイプの赤、橙および緑の半導体素子が知られる。
【０００３】
近年、各種表示光源や数字表示等に光半導体装置が広く用いられている。
特に、発光素子としてのＬＥＤ（発光ダイオード）は高輝度化が進み、広告、ニュースの伝達等の屋外表示パネル、信号機などに広く使用され、また液晶ディスプレイのバックライトにも使用されている。さらに、最近では、白色発光ダイオードを照明に使用する開発もさかんに行なわれている。
【０００４】
これらの光半導体素子の封止材には様々なエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤の組み合わせからなる透明性に優れたエポキシ樹脂組成物が使用されている。
このエポキシ樹脂組成物には、硬化物が無色透明であることは勿論、生産性の向上の観点から速硬化性であること、そして近年の半導体の微細加工に対応し、パッケージ内の回路の短絡を防ぐためにＡｇ線等の金属を腐食しないこと、等様々な条件が要求されている。
【０００５】
上記の問題の解決策として、特許文献１には、エポキシ樹脂、フタル酸無水物系の硬化剤および硬化促進剤の組み合わせにおいて透明性に優れたエポキシ樹脂組成物を得るために、硬化促進剤として式（Ａ）：
【０００６】
【化２】
2005325178.tif 000002
【０００７】
で表されるテトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートを用いることが記されている。
しかしながらテトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートはフタル酸無水物系の硬化剤との相溶性が悪く、得られるエポキシ樹脂組成物は、速硬化性に劣る、という問題がある。
【０００８】
さらに、特許文献２には、高温時に黄変のない耐熱性の良い樹脂硬化物を与えることのできるエポキシ樹脂組成物において、硬化促進剤としてテトラフェニルホスホニウムブロ
マイドなどの臭素系有機ホスフォニウム塩や臭素系有機アンモニウム塩、（あるいは３級窒素を有する芳香族有機塩基の酸塩）を用いることが記されている。しかし硬化促進剤としてテトラフェニルホスホニウムブロマイドなどの臭素系有機ホスフォニウム塩や臭素系有機アンモニウム塩を用いる場合、速硬化性および無色透明性には、優れているものの、一般にブロマイド等のハライドは金属の腐食の原因となることが知られており、回路の短絡（ショート）の可能性の問題は解決し切れていない。なお、硬化促進剤として３級窒素を有する芳香族有機塩基の酸塩を用いた場合もエポキシ樹脂構造に残存する加水分解性クロライドを引抜く性質が強いため、同様にショートの原因になり得るという問題点がある。
【０００９】
このような状況下、本発明者らは、先に特許文献３に記しているように、硬化性エポキシ樹脂（Ａ）および酸無水物系硬化剤（Ｂ）と共に、硬化促進剤（Ｃ）としてトリフェニルベンジルホスホニウム・テトラフェニルボレートを用いることを提案した。
【００１０】
しかし、この硬化促進剤を使用することにより、硬化物の色調は強い光照射を受けても透明で無色〜淡いレモン色で良好となり、非ハロゲン化に関しては実現できたが、速硬化性に劣る、という問題があった。
【００１１】
そこで鋭意研究を重ねた結果、エポキシ樹脂、硬化剤及び硬化促進剤を必須成分として含み、上記硬化促進剤として特定の式で示されるテトラアルキルホスホニウムカルボン酸塩を含むエポキシ樹脂組成物は、硬化すると短時間にゲル化して無色透明であり、光半導体封止用として用いるに好適な硬化物（成形体）が得られることなどを見出して本発明を完成するに至った。
【００１２】
なお、特許文献４、特許文献５、特許文献６に記載されているように古くからテトラアルキルホスホニウムカルボン酸塩がエポキシ樹脂の硬化促進剤として有効であることが知られている。
【００１３】
例えば、特許文献４には、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂などのグリシジルエーテルエポキシ樹脂（Ａ）と、酸無水物（Ｂ）と、潜在的触媒作用（室温ではエポキシ樹脂の貯蔵安定性を高め、例えば、１００℃以上の温度ではそのゲル化を促進する作用）を有する四級有機ホスホニウム塩（Ｃ）とからなる樹脂組成物が開示され、四級有機ホスホニウム塩（Ｃ）としては、式：
【００１４】
【化３】
2005325178.tif 000003
【００１５】
（式中、Ｒ1〜Ｒ4：アリール基、Ｃ１〜２１のアルキル基など。Ｘ：ハロゲン、酢酸基など。）で表され、具体的には塩化テトラブチルブチルホスホニウム、テトラアルキルホスホニウムカルボン酸塩の1種である酢酸テトラブチルホスホニウム等が挙げられ、このよ
うな硬化促進剤が含まれた注型用エポキシ樹脂組成物は電気装置のカプセル封じに有効であることなどが記載されている。
【００１６】
しかし、これまでのテトラアルキルホスホニウムカルボン酸塩を硬化促進剤として使用する技術においては、無色透明な硬化物が得られることに関しての記述は一切なく、特に、光半導体封止用として使用することなどは、全く意図されていなかった。
【特許文献１】特開平４−２０９６２４号公報
【特許文献２】特開平１０−２９２０９１号公報
【特許文献３】特開２００２−３４８３５８号公報
【特許文献４】特開昭４８−０４７９９４号公報
【特許文献５】特開昭５８−１１９６５４号公報
【特許文献６】特開平１１−３１０６２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は上記のような従来技術に伴う問題点を解決しようとするものであって、硬化物が無色透明であることはもちろん、速硬化性であり、また非ハロゲン系の硬化促進剤を使用する新しい光半導体封止用のエポキシ樹脂組成物及びその硬化体を有する光半導体封止加工品を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
このような状況に鑑み、本発明者らは上記の目的を達成しようと鋭意研究を進めてきた。その結果、封止材として常用されるエポキシ樹脂に対して硬化剤と硬化促進剤とを組み合わせたもののうちでも、硬化剤として酸無水物系の硬化剤を選択しかつ硬化促進剤として特定の式で示される非ハロゲン系のテトラアルキルホスホニウムカルボン酸塩を使用したエポキシ樹脂組成物は速硬化性であり、無色透明な硬化物が得られることを、本発明者らは見出した。また、テトラアルキルホスホニウムカルボン酸塩のうちでも、特にテトラ−ｎ−ブチルホスホニウムアセテートは、酸無水物への溶解性に優れ、取扱易いことも見出した。これらの知見に基づいて、本発明は完成されたのである。
【００１９】
従って、本発明に係る速硬化性の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物（単に、組成物、エポキシ樹脂組成物等ともいう。）は、エポキシ樹脂（Ａ）、酸無水物系硬化剤（Ｂ）、及び硬化促進剤（Ｃ）を必須成分として含有するエポキシ樹脂組成物であって、
上記硬化促進剤（Ｃ）として次式（１）で示されるテトラアルキルホスホニウムカルボン酸塩を含むことを特徴としている。
【００２０】
【化４】
2005325178.tif 000004
【００２１】
［式（１）中、Ｒ1は炭素数２〜４のアルキル基であり、Ｒ2は炭素数１〜４のアルキル基を示す。］
本発明の好ましい態様では、前記式（１）で示される硬化促進剤(Ｃ)が、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムアセテートであることが望ましい。
【００２２】
本発明の好ましい態様では、前記エポキシ樹脂（Ａ）がビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂および脂環式エポキシ樹脂のうちから選択される１種または２種以上の混合物であることが望ましい。
【００２３】
本発明の好ましい態様では、前記硬化剤（Ｂ）がヒドロフタル酸無水物であることが望ましく、さらには、４−メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、テトラヒドロフタル酸無水物およびナジック酸無水物のうちから選択される１種または２種以上の混合物であることが望ましい。
【００２４】
本発明の好ましい態様では、前記エポキシ樹脂（Ａ）は、上記組成物中の成分（Ａ）と（Ｂ）と（Ｃ）との合計１００重量％中に、通常２４〜７０重量％、好ましくは４０〜５５重量％の割合で配合され、硬化剤（Ｂ）は通常２４〜７０重量％、好ましくは４０〜５５重量％の範囲の割合で配合され、しかも硬化剤（Ｂ）がエポキシ樹脂（Ａ）の１化学当量に対して通常０．５〜１．６当量、好ましくは０．６〜１．４当量の割合で配合されており、さらに硬化促進剤（Ｃ）が通常１〜６重量％、好ましくは１．５〜５重量％の範囲の割合で配合されていることが望ましい。
【００２５】
本発明に係る光半導体封止加工品は、上記の何れかに記載のエポキシ樹脂組成物を硬化してなる硬化体（硬化部位）を有する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、硬化される組成物は速硬化性であり、また得られる硬化物は実質上無色透明であり、また組成物に含まれる硬化促進剤としては非ハロゲン系のものを使用しており、硬化物による回路のショート、リークなどのトラブルが生じ難いような新規の光半導体用封止のエポキシ樹脂組成物及びその硬化体を有する光半導体封止加工品が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明に係る光半導体封止用エポキシ樹脂組成物（エポキシ樹脂組成物）及びこれを硬化してなる硬化体を有する光半導体封止加工品などについて具体的に説明する。
［エポキシ樹脂組成物］
本発明に係る速硬化性の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）、酸無水物系硬化剤（Ｂ）、及び硬化促進剤（Ｃ）を必須成分として含有しており、上記硬化促進剤（Ｃ）として次式（１）で示されるテトラアルキルホスホニウムカルボン酸塩を含んでいる。
【００２８】
この硬化促進剤（Ｃ）には、テトラアルキルホスホニウムカルボン酸塩（１）は、任意量で含まれ得るが、速硬化性、硬化物の透明性や色調などの点から、好ましくは５０〜１００重量％、さらに好ましくは８０〜１００重量％、特に好ましくは１００重量％（全量）の量で含まれている。
【００２９】
【化５】
2005325178.tif 000005
【００３０】
［式（１）中、Ｒ1は炭素数２〜４のアルキル基であり、Ｒ2は炭素数１〜４のアルキル基を示す。］
以下、先ず、各成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）について説明する。
エポキシ樹脂（Ａ）
エポキシ樹脂（Ａ）としては、特に限定されず、以下に詳述するような広く周知のものを適宜使用できるが、好ましくはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂が用いられる。本発明ではこれらエポキシ樹脂は、何れか１種単独で用いてもよく、または２種以上混合するなど、適宜組合わせて用いてもよい。
【００３１】
詳説すれば、本発明では、例えばエポキシ当量が２０００以下のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂および／またはビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、Ｎ，Ｎ−ジグリシジル−ｏ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアニリン、フェニルグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、脂環式エポキシ樹脂である３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３´，４´エポキシシクロヘキサンカルボキシレート：
【００３２】
【化６】
2005325178.tif 000006
【００３３】
］等のエポキシ樹脂が挙げられる。
これらのエポキシ樹脂（Ａ）のうちでは、好ましくはエポキシ当量が２０００以下のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂および／またはビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、Ｎ，Ｎ−ジグリシジル−ｏ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアニリン、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３´，４´エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ヘキサヒドロ無水フタル酸ジグリシジルエステル、水添ビスフェノールＡ型ジグリシジルエーテル、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化クレジルグリシジルエーテル、ε−カプロラクトン変性のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ε−カプロラクトン変性の３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３´，４´エポキシシクロヘキサンカルボキシレートが用いられる。
【００３４】
エポキシ樹脂（Ａ）として、更に好ましくはエポキシ当量が２５０以下のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び／又はビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３´，４´エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、水添ビスフェノールＡ型ジグリシジルエーテル、ε−カプロラクトン変性の３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３´，４´エポキシシクロヘキサンカルボキシレートが用いられる。これらは１種又は２種以上組合わせて用いることができる。
エポキシ樹脂用酸無水物系硬化剤（Ｂ）
酸無水物系硬化剤（Ｂ）（単に、硬化剤、硬化剤（Ｂ）ともいう。）としては、特に限定されず、以下に詳述するような広く周知のものをエポキシ樹脂（Ａ）用の硬化剤として適宜使用できるが、好ましくはヒドロフタル酸無水物が用いられ、さらに好ましくは４−メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、テトラヒドロフタル酸無水物、ナジック酸無水物が用いられる。これら硬化剤は、１種または２種以上混合するなどの方法で組合わせて用いてもよい。
【００３５】
詳説すれば、本発明で使用可能な硬化剤（Ｂ）としては、例えば、テトラヒドロフタル酸無水物、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロフタル酸無水物、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ナジック酸無水物、メチルナジック酸無水物、ヘット酸無水物、ハイミック酸無水物、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸−無水マレイン酸付加物、クロレンド酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸等の脂環式カルボン酸無水物；
ドデセニル無水コハク酸、ポリアゼライン酸無水物、ポリドデカン酸無水物等の脂肪族カルボン酸の無水物；
フタル酸無水物、トリメリット酸無水物、ピロメリット酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコール無水トリメリット酸、ビフェニルテトラカルボン酸無水物等の芳香族カルボン酸無水物が挙げられる。
【００３６】
本発明では、これら硬化剤（Ｂ）のうちでも上記したように、好ましくはヒドロフタル酸無水物が用いられ、さらに好ましくは４−メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、テトラヒドロフタル酸無水物、ナジック酸無水物が用いられる。
【００３７】
これら硬化剤は、１種または２種以上混合するなどの方法で組合わせて用いてもよい。硬化促進剤（Ｃ）
硬化促進剤（Ｃ）として配合される式（１）で示すテトラアルキルホスホニウムカルボン酸塩（化合物（１）ともいう。）は、公知物質である。
【００３８】
【化７】
2005325178.tif 000007
【００３９】
式（１）中、Ｒ1は炭素数２〜４のアルキル基であり、具体的には、エチル、ｎ−，ｉ
−プロピル、ｎ−，ｉ−，ｔ−ブチルが挙げられ、ブチル基が好ましい。また、Ｒ2は炭
素数１〜４のアルキル基を示し、上記Ｒ1の他に、メチル基が挙げられ、メチル基が好ま
しい。
【００４０】
このようなテトラアルキルホスホニウムカルボン酸塩（１）として、具体的には、テトラブチルホスホニウムアセテート（テトラブチルホスホニウム酢酸塩）、テトラエチルホスホニウムアセテート、テトラブチルホスホニウムプロピオネート、テトラエチルプロピオネートなどが挙げられ、中でも、テトラブチルホスホニウムアセテートが硬化性および硬化物の透明性の点で好ましい。
【００４１】
これら硬化促進剤は、1種または２種以上組合わせて用いてもよい。
このテトラアルキルホスホニウムカルボン酸塩（１）は、特許文献７（特開昭６３−１９０８９３号公報）などに記載されている方法により合成でき、例えば、対応するテトラアルキルホスホニウムヒドロキシドとカルボン酸とを反応させるなどの方法により容易に合成することができる。
【００４２】
本発明に係る光半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、前記エポキシ樹脂（Ａ）は、上記組成物中の成分（Ａ）と（Ｂ）と（Ｃ）との合計１００重量％中に、通常２４〜７０重量％、好ましくは４０〜５５重量％の割合で配合され、硬化剤（Ｂ）特にテトラアルキルホスホニウムカルボン酸塩（１）は通常２４〜７０重量％、好ましくは４０〜５５重量％の範囲の割合で配合され、しかも硬化剤（Ｂ）がエポキシ樹脂（Ａ）の１化学当量に対して通常０．５〜１．６当量、好ましくは０．６〜１．４当量の割合で配合されており、さらに硬化促進剤（Ｃ）が通常１〜６重量％、好ましくは１．５〜５重量％の範囲の割合で配合されていることが望ましい。
【００４３】
なお、本発明においては上記（Ａ）、（Ｂ）、(Ｃ)以外の「その他の成分」を含まないことが硬化速度、硬化物の透明性などの点から望ましい。
上記組成物中の成分（Ａ）および成分（Ｂ）の混合比率が上記範囲から外れると、硬化性が悪化する傾向がある。
【００４４】
また成分（Ｃ）としての硬化促進剤の配合量が上記範囲より少ないと、硬化条件下で該組成物は十分に高い速硬化性を示すことができず、上記範囲より多いと、黄変着色を防止できなくなる傾向がある。
その他の成分（Ｄ）
さらに、本発明に係るエポキシ樹脂組成物には、所望により、酸化防止剤、紫外線吸収剤、離型剤などの少なくとも一つを含有していてもよい。
これらの「その他の成分」（追加成分）は、得られる樹脂硬化物の透明性に実質的に影響を与えない範囲の量、例えば、（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ）の合計１００重量部に対して合計で１０重量部以下の量で配合できる。
【００４５】
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、例えば２，６−ジブチル−ｐ−クレゾール；アミン系酸化防止剤、例えばＮ，Ｎ´−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミンなどが挙げられる。
【００４６】
紫外線吸収剤としては、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、例えば２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。
離型剤としては、炭化水素系滑剤、例えばポリエチレンワックス、あるいは高級脂肪酸系滑剤、例えばラウリン酸等が挙げられる。
【００４７】
［エポキシ樹脂組成物の調製］
本発明に係る上記エポキシ樹脂組成物を調製するには、まず上記所定量の硬化剤（Ｂ）と上記所定量の硬化促進剤（Ｃ）とを温度５０〜８０℃の加熱下に攪拌・混合し、得られ
た（（均質な）混合物に対して上記所定量のエポキシ樹脂（Ａ）を加えて真空ニーダー中で温度５０〜８０℃にて均一に攪拌、混合することにより行なうのが望ましい。
【００４８】
なお、これら成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の各成分の添加は１度にまた複数回に分けて少しずつ添加してもよい。
なお、必要により、上記「その他の成分」、例えば、酸化防止剤、紫外線吸収剤、離型剤などを配合する場合には、成分（Ｂ）と（ｃ）との混合時、あるいはその後であって成分（Ａ）の添加前、あるいは成分（Ａ）の添加時あるいはその後など任意の時期に添加し混合することができ、例えば、成分（Ａ）の添加後に添加される。
【００４９】
［硬化体（光半導体封止加工品）］
本発明に係る速硬化性のエポキシ樹脂組成物を成形型内に入れて、例えば７０〜２００℃の温度に加熱すると、含まれている硬化剤（Ｂ）および硬化促進剤（Ｃ）の作用により速やかに、例えば１５分間〜３時間でエポキシ樹脂（Ａ）を硬化させることができ、これによって所望形状の実質上無色透明な樹脂硬化物である成形品を製造できる。
【００５０】
また、半導体装置、特に光半導体装置が容器、枠等の内部にセットされている半成形品または成形枠内に、本発明の速硬化性エポキシ樹脂組成物（光半導体封止用エポキシ樹脂組成物）を流し込み、該樹脂組成物で半導体装置の周囲を包被させ、その後に該エポキシ樹脂組成物を前記と同様の条件下に加熱、硬化させると、上記と同様の生成された硬化体である透明なエポキシ樹脂硬化物にて半導体装置が封止された（光）半導体封止加工品を製造できる。
【００５１】
［実施例］
次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【実施例１】
【００５２】
硬化剤（Ｂ）として４−メチルヘキサヒドロフタル酸無水物（東京化成株式会社製）４．３ｇを、また硬化促進剤（Ｃ１）としてテトラ−ｎ−ブチルホスホニウムアセテート０．４ｇを秤取り、これらを混合してから昇温し５０〜８０℃で２０分間の加熱攪拌によって硬化剤中に硬化促進剤との均質な混合物を得、これを室温（２０℃）に冷却し、その後にこの混合物に対してエポキシ樹脂（Ａ）として、液状のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名「エピコート８２８ＥＬ」、ジャパンエポキシレジン社製）５．０ｇを加え、５０〜８０℃で１時間攪拌することにより本発明の速硬化性エポキシ樹脂組成物９．７ｇを得た。
【実施例２】
【００５３】
実施例１において、硬化促進剤（Ｃ１）に代えてテトラ−ｎ−ブチルホスホニウムプロピオネート（Ｃ２）を用いた以外は実施例１と同様にして所要な３成分（（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ２））を混合し、これによって速硬化性エポキシ樹脂組成物を調製した。
【００５４】
［比較例１］
実施例１において硬化促進剤（Ｃ）として用いたテトラ−ｎ−ブチルホスホニウムアセテート（Ｃ１）に代えて、特許文献１に記載のテトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート（Ｃ−α）を用いた以外は、実施例１と同様にして所要の３成分（（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ−α））を混和することによりエポキシ樹脂組成物を調製した。
【００５５】
なお、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート（Ｃ−α）の酸無水物（Ｂ）に対する溶解性が低いため、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート
（Ｃ−α）は、エポキシ樹脂組成物中に均一に溶解できなかった。
【００５６】
［比較例２］
実施例１において硬化促進剤として用いたテトラ−ｎ−ブチルホスホニウムアセテート（Ｃ１）に代えて、特許文献２に記載のテトラフェニルホスホニウムブロマイド（Ｃ−β）を用いた以外は、実施例１と同様にして所要の３成分（（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ−β））を混和することによりエポキシ樹脂組成物を調製した。
【００５７】
［比較例３］
実施例１において硬化促進剤として用いたテトラ−ｎ−ブチルホスホニウムアセテート（Ｃ１）に代えて、特許文献３に記載のトリフェニルベンジルホスホニウム・テトラフェニルボレート（Ｃ−γ）を用いた以外は、実施例１と同様にして所要の３成分（（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ−γ））を混和することによりエポキシ樹脂組成物を調製した。
【００５８】
（試験例１）＜エポキシ樹脂組成物の硬化性試験＞
上記の実施例１〜２および比較例１〜３で得られたエポキシ樹脂組成物のゲル化試験を「ＪＩＳ  Ｋ  ５０５９」に準じ１６０℃で熱板法により測定した。ゲル化試験器としては、日新科学社製「ＧＴ−Ｄ」を使用した。
【００５９】
（試験例２）＜硬化物の色調試験＞
上記の実施例１〜２および比較例１〜３で得られたエポキシ樹脂組成物を円筒形の成形型に流し込み、１２０℃で１時間硬化した。この硬化処理の後、それぞれの得られた樹脂硬化物を成形型からはずした硬化物の色調をハーゼン単位色数に準じて判定した。
【００６０】
ハーゼン単位色数は、「ＪＩＳ  Ｋ００７１−１」による化学製品の色試験法であり、例えば下記の基準値によって規格の色サンプルと化学製品の色調との対比により色を判定できる。
【００６１】
判定基準は以下の通り。
ハーゼン単位色数「０」・・・・・参考色数「透明性で且つ無色〜ほとんど無色」、
ハーゼン単位色数「１５０」・・・・・参考色数「淡いレモン色」、
ハーゼン単位色数「３００」・・・・・参考色数「レモン色」。
【００６２】
これら試験で得られた結果を表１に示す。
【００６３】
【表１】
2005325178.tif 000008
【００６４】
この表１に示す結果から、比較例１および比較例３のエポキシ樹脂組成物は硬化性が劣るが、本発明の実施例１および実施例２に示すエポキシ樹脂組成物では、比較例２の組成物と同様に優れた硬化性と硬化物の無色透明性が達成されていることがわかる。また、比較例２の組成物とは異なり、ハロゲン化物も含まれないため、回路などを構成する金属の腐食やリークなどの心配もない。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
以上、詳述したことから明らかなように、本発明のエポキシ樹脂組成物は、速硬化性を有するものであり、無色透明性の樹脂硬化物を与える。
また、硬化促進剤としてハロゲン化物も含まないため、回路などを構成する金属の腐食やリークなどが発生する恐れもない。これらのことから、透明性と微細加工を要求される電子材料用の光半導体封止用途に好適である。