(57)【要約】    【課  題】  脱保護工程を必要とせず、所望の光学活性β−アミノ酸誘導体を光学純度よく、収率よく製造する方法を提供すること。    【解決手段】一般式（１）【化１】2005060340.tif 000031で表されるα，β−不飽和カルボン酸誘導体又はその塩と、アミン又はその酸塩とを不斉触媒の存在下、酸の存在下又は不存在下で反応させる、一般式（２）【化２】2005060340.tif 000032で表される光学活性β−アミノ酸誘導体又はその塩の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2005060340.tif 000021
（式中、Ｒ１及びＲ２は夫々独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ３は水素原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシル基又は置換基を有していてもよい炭化水素基を示し、Ｒ４は置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシル基、−ＮＲａＲｂ（Ｒａ及びＲｂは夫々独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、−ＳＯ２Ａ１（Ａ１は置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換アミノ基を示す。）又は−ＣＯＯＲｃ（Ｒｃは置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）を示す。）又は置換基を有していてもよい複素環基を示す。また、Ｒ１とＲ２又はＲ２とＲ３とが結合して環を形成してもよい。但し、Ｒ１＝Ｒ２のとき、Ｒ３は置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）で表されるα，β−不飽和カルボン酸誘導体と、アミン又はその酸塩とを不斉触媒の存在下、酸の存在下又は不存在下で反応させる、一般式（２）
【化２】
2005060340.tif 000022
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１〜Ｒ４は前記と同じ。Ｑは、上記アミンからその１個の水素原子を除いて形成される基を示す。）で表される光学活性β−アミノ酸誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項２】
アミン又はその酸塩が、一般式（３）
【化３】
2005060340.tif 000023
（式中、Ｒ５及びＲ５５は夫々独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基又は置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基を示し、Ｘは酸を示し、ａは０又は１を示す。）で表される化合物であることを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
光学活性β−アミノ酸誘導体又はその塩が、一般式（４）
【化４】
2005060340.tif 000024
（式中、Ｒ１及びＲ２は夫々独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ３は水素原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシル基又は置換基を有していてもよい炭化水素基を示し、Ｒ４は置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシル基、−ＮＲａＲｂ（Ｒａ及びＲｂは夫々独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、−ＳＯ２Ａ１（Ａ１は置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換アミノ基を示す。）又は−ＣＯＯＲｃ（Ｒｃは置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）を示す。）又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ５及びＲ５５は夫々独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基又は置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基を示し、ｂは０又は１を示し、Ｘは酸を示し、＊は不斉炭素を示す。また、Ｒ１とＲ２又はＲ２とＲ３とが結合して環を形成してもよい。但し、Ｒ１＝Ｒ２のとき、Ｒ３は置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）で表される化合物であることを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項４】
不斉触媒が、一般式（５）
【化５】
2005060340.tif 000025
（式中、Ｌは不斉配位子を示し、Ｚ−は対アニオンを示し、Ａはヒドロキシル基、アミド基、アルコキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる一価のアニオン性配位子を示し、Ｍは遷移金属を示し、ｙは０または２を示し、ｑは２を示し、ｐは２または４を示す。）で表される不斉遷移金属錯体又は一般式（６）
【化６】
2005060340.tif 000026
（式中、Ｌは不斉配位子を示し、Ｚ−は対アニオンを示し、Ｂは水又は中性配位子を示し、Ｍは遷移金属を示し、ｒは１又は２を示し、ｓは０、１、２、４または６を示し、ｃは０、１または２を示す。）で表される不斉遷移金属錯体である請求項１記載の製造方法。
【請求項５】
一般式（１）
【化７】
2005060340.tif 000027
（式中、Ｒ１及びＲ２は夫々独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ３は水素原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシル基又は置換基を有していてもよい炭化水素基を示し、Ｒ４は置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシル基、−ＮＲａＲｂ（Ｒａ及びＲｂは夫々独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、−ＳＯ２Ａ１（Ａ１は置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換アミノ基を示す。）又は−ＣＯＯＲｃ（Ｒｃは置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）を示す。）又は置換基を有していてもよい複素環基を示す。また、Ｒ１とＲ２又はＲ２とＲ３とが結合して環を形成してもよい。但し、Ｒ１＝Ｒ２のとき、Ｒ３は置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）で表されるα，β−不飽和カルボン酸誘導体と一般式（３ｂ）
【化８】
2005060340.tif 000028
（式中、Ｒ６〜Ｒ１０は夫々独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい複素環基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキレンジオキシ基、ヒドロキシル基、ニトロ基又は置換基を有していてもよいアミノ基を示し、Ｘは酸を示し、ａは０又は１を示す。また、Ｒ６とＲ７、Ｒ７とＲ８、Ｒ８とＲ９或いはＲ９とＲ１０とが結合して縮合環を形成してもよい。但し、Ｒ６〜Ｒ１０の少なくとも１つはハロゲン化炭化水素基である。）で表される１級アミン又はその酸塩とを酸の存在下又は不存在下で不斉触媒の存在下で反応させる、一般式（４ａ）
【化９】
2005060340.tif 000029
（式中、ｂは０又は１を示し、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１〜Ｒ４、Ｒ６〜Ｒ１０及びＸは前記と同じ。）で表される光学活性β−アミノ酸誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項６】
一般式（４ｂ）
【化１０】
2005060340.tif 000030
（式中、Ｒ１及びＲ２は夫々独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ３は水素原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシル基又は置換基を有していてもよい炭化水素基を示し、Ｒ６〜Ｒ１０は夫々独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい複素環基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキレンジオキシ基、ヒドロキシル基、ニトロ基又は置換基を有していてもよいアミノ基を示し、Ｘは酸を示し、ｂは０又は１を示す。また、Ｒ１とＲ２又はＲ２とＲ３とが結合して環を形成してもよく、Ｒ６とＲ７、Ｒ７とＲ８、Ｒ８とＲ９或いはＲ９とＲ１０とが結合して縮合環を形成してもよい。但し、Ｒ６〜Ｒ１０の少なくとも１つはハロゲン化炭化水素基である。ＲＤは置換基を有していてもよい複素環基を示す。）で表される化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医薬、農薬等の中間体として有用な光学活性β−アミノ酸誘導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光学活性β−アミノ酸類を合成する方法としては、所望のβ−アミノ酸類のラセミ体を一旦合成し、これを光学活性な分割剤や酵素などを用いて光学分割する方法や、不斉合成による方法等が知られている。
例えば、非特許文献１には、芳香族２級アミンとエノン類とをキラルルイス酸の存在下で反応させて光学活性β−アミノ酸誘導体を製造する方法が報告されている。
しかしながら、原料として２級アミンを用いているため、得られた光学活性β−アミノ酸誘導体は、アミノ基に置換しているアルキル基を脱離させる脱保護工程が必要となる等の問題点を有していた。
一方、非特許文献２には、クロトン酸アルキルエステル類にモルホリンを付加反応させるβ−アミノ酸を製造する方法が報告されている。
しかしながら、得られるβ−アミノ酸類は、ラセミ体であり、光学活性体は得られていないという問題点を有していた。また、３，５−ビス（トリフルオロメチル）アニリンとシアノオレフィン類との反応では、付加反応しないと記載されている。
非特許文献４には、α，β−不飽和カルボン酸誘導体と１級又は２級アミンとをジホスフィン−パラジウム触媒存在下で反応させるβ−アミノ酸誘導体を製造する方法が報告されている。
しかしながら、非特許文献４では、不斉反応は行っておらず、得られるβ−アミノ酸誘導体の光学純度についての記載はない。
非特許文献５には、α，β−不飽和カルボン酸誘導体と１級アミンとをＢＩＮＡＰ−パラジウム触媒存在下で反応させるβ−アミノ酸誘導体を製造する方法が報告されている。
しかしながら、非特許文献５には、得られるβ−アミノ酸誘導体の光学純度についての記載はあるものの、Ｒ体又はＳ体の表記がない。また、求核性の高いメトキシアニリンなどを用いた場合には、低い光学純度の生成物しか得られていない。
また、非特許文献３及び特許文献１には、キラルルイス酸を用いるβ−アミノアミド類を製造する方法が記載されているが、この方法は、実際的には−６０℃という低温で実施されなければならず、作業性が悪く、また、温度を上げると収率は向上するものの、光学純度が悪くなる恐れがあるため、工業的な方法としては、満足できるものではない。しかも、用いるキラルルイス酸は３０ｍｏｌ％以上、触媒量以上で必要であるなどの問題点も有していた。
非特許文献６には、リチウムアミドとα，β−不飽和カルボン酸エステルとを不斉配位子の存在下で反応させる方法が記載されている。しかしながら、非特許文献６に記載の方法では、用いるアミンをリチオ化しなければならず、しかも、目的物を高光学純度のものとするためには、反応を−７８℃で行わなければならず、更に、不斉リガンドを当量以上使用しており、工業的な方法ではないという問題点を有していた。
【非特許文献１】Chem. Commun., 1240 (2001).
【非特許文献２】Chem. Commun., 30 (2003).
【非特許文献３】J. American Chemical Society, 120, 6615(1998).
【非特許文献４】J. Organometallic Chemistry, 665, 250 (2003).
【非特許文献５】Chem. Commun., 1132 (2003).
【非特許文献６】J. American Chemical Society, 125, 2886(2003).
【特許文献１】米国特許第６，０８０，８５７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は上記問題に鑑みなされたものであり、脱保護工程を必要とせず、所望の光学活性β−アミノ酸誘導体を光学純度よく製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは、上記技術分野において、鋭意検討を行った結果、特定のα，β−不飽和カルボン酸誘導体とアミンとを不斉触媒（好ましくは下記する一般式（５）又は（６）の化合物）の存在下に反応させることによって、光学活性β−アミノ酸誘導体が工業的有利に製造でき、特に光学純度よく、高収率で例えば脱保護工程等の煩雑な工程を必要とせず、光学活性βアミノ酸誘導体を製造できることを見出し、さらに、検討を重ねて本発明に到達した。
即ち、本発明は以下の通りである。
【０００５】
１）一般式（１）
【化１】
2005060340.tif 000002
（式中、Ｒ１及びＲ２は夫々独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ３は水素原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシル基又は置換基を有していてもよい炭化水素基を示し、Ｒ４は置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシル基、−ＮＲａＲｂ（Ｒａ及びＲｂは夫々独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、−ＳＯ２Ａ１（Ａ１は置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換アミノ基を示す。）又は−ＣＯＯＲｃ（Ｒｃは置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）を示す。）又は置換基を有していてもよい複素環基を示す。また、Ｒ１とＲ２又はＲ２とＲ３とが結合して環を形成してもよい。但し、Ｒ１＝Ｒ２のとき、Ｒ３は置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）で表されるα，β−不飽和カルボン酸誘導体と、アミン又はその酸塩とを不斉触媒の存在下、酸の存在下又は不存在下で反応させる、一般式（２）
【化２】
2005060340.tif 000003
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１〜Ｒ４は前記と同じ。Ｑは、上記アミンからその１個の水素原子を除いて形成される基を示す。）で表される光学活性β−アミノ酸誘導体又はその塩の製造方法、
２）アミン又はその酸塩が、一般式（３）
【化３】
2005060340.tif 000004
（式中、Ｒ５及びＲ５５は夫々独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基又は置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基を示し、Ｘは酸を示し、ａは０又は１を示す。）で表される化合物であることを特徴とする請求項１記載の製造方法、
３）光学活性β−アミノ酸誘導体又はその塩が、一般式（４）
【化４】
2005060340.tif 000005
（式中、Ｒ１及びＲ２は夫々独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ３は水素原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシル基又は置換基を有していてもよい炭化水素基を示し、Ｒ４は置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシル基、−ＮＲａＲｂ（Ｒａ及びＲｂは夫々独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、−ＳＯ２Ａ１（Ａ１は置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換アミノ基を示す。）又は−ＣＯＯＲｃ（Ｒｃは置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）を示す。）又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ５及びＲ５５は夫々独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基又は置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基を示し、ｂは０又は１を示し、Ｘは酸を示し、＊は不斉炭素を示す。また、Ｒ１とＲ２又はＲ２とＲ３とが結合して環を形成してもよい。但し、Ｒ１＝Ｒ２のとき、Ｒ３は置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）で表される化合物であることを特徴とする上記１）記載の製造方法、
４）不斉触媒が、一般式（５）
【化５】
2005060340.tif 000006
（式中、Ｌは不斉配位子を示し、Ｚ−は対アニオンを示し、Ａはヒドロキシル基、アミド基、アルコキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる一価のアニオン性配位子を示し、Ｍは遷移金属を示し、ｙは０または２を示し、ｑは２を示し、ｐは２または４を示す。）で表される不斉遷移金属錯体又は一般式（６）
【化６】
2005060340.tif 000007
（式中、Ｌは不斉配位子を示し、Ｚ−は対アニオンを示し、Ｂは水又は中性配位子を示し、Ｍは遷移金属を示し、ｒは１又は２を示し、ｓは０、１、２、４または６を示し、ｃは０、１または２を示す。）で表される不斉遷移金属錯体である上記１）記載の製造方法、
５）一般式（１）
【化７】
2005060340.tif 000008
（式中、Ｒ１及びＲ２は夫々独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ３は水素原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシル基又は置換基を有していてもよい炭化水素基を示し、Ｒ４は置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシル基、−ＮＲａＲｂ（Ｒａ及びＲｂは夫々独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、−ＳＯ２Ａ１（Ａ１は置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換アミノ基を示す。）又は−ＣＯＯＲｃ（Ｒｃは置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）を示す。）又は置換基を有していてもよい複素環基を示す。また、Ｒ１とＲ２又はＲ２とＲ３とが結合して環を形成してもよい。但し、Ｒ１＝Ｒ２のとき、Ｒ３は置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）で表されるα，β−不飽和カルボン酸誘導体と一般式（３ｂ）
.
【化８】
2005060340.tif 000009
（式中、Ｒ６〜Ｒ１０は夫々独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい複素環基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキレンジオキシ基、ヒドロキシル基、ニトロ基又は置換基を有していてもよいアミノ基を示し、Ｘは酸を示し、ａは０又は１を示す。また、Ｒ６とＲ７、Ｒ７とＲ８、Ｒ８とＲ９或いはＲ９とＲ１０とが結合して縮合環を形成してもよい。但し、Ｒ６〜Ｒ１０の少なくとも１つはハロゲン化炭化水素基である。）で表される１級アミン又はその酸塩とを酸の存在下又は不存在下で不斉触媒の存在下で反応させる、一般式（４ａ）
【化９】
2005060340.tif 000010
（式中、ｂは０又は１を示し、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１〜Ｒ４、Ｒ６〜Ｒ１０及びＸは前記と同じ。）で表される光学活性β−アミノ酸誘導体又はその塩の製造方法、及び
６）一般式（４ｂ）
【化１０】
2005060340.tif 000011
（式中、Ｒ１及びＲ２は夫々独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｒ３は水素原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、ヒドロキシル基又は置換基を有していてもよい炭化水素基を示し、Ｒ６〜Ｒ１０は夫々独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい複素環基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキレンジオキシ基、ヒドロキシル基、ニトロ基又は置換基を有していてもよいアミノ基を示し、Ｘは酸を示し、ｂは０又は１を示す。また、Ｒ１とＲ２又はＲ２とＲ３とが結合して環を形成し、Ｒ６とＲ７、Ｒ７とＲ８、Ｒ８とＲ９或いはＲ９とＲ１０とが結合して縮合環を形成してもよい。但し、Ｒ６〜Ｒ１０の少なくとも１つはハロゲン化炭化水素基である。ＲＤは置換基を有していてもよい複素環基を示す。）で表される化合物、
に関する。
従って、本発明の目的物は、光学活性なβ−アミノ酸誘導体であるから、光学活性でないβ−アミノ酸誘導体は本発明の直接的な対象ではない。
【０００６】
上記一般式中の各基について説明する。
一般式（１）中の各基から説明を始める。
Ｒ１〜Ｒ３で示される置換基を有していてもよい炭化水素基としては、炭化水素基及び置換炭化水素基が挙げられる。炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。
【０００７】
アルキル基としては、直鎖状でも、分岐状でも或いは環状でもよい、例えば炭素数１〜１５、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、２，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２−メチルペンタン−３−イル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【０００８】
アルケニル基としては、直鎖状でも分岐状でもよい、例えば炭素数２〜１５、好ましくは炭素数２〜１０、より好ましくは炭素数２〜６のアルケニル基が挙げられ、具体的にはエテニル基、プロペニル基、１−ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等が挙げられる。
【０００９】
アルキニル基としては、直鎖状でも分岐状でもよい、例えば炭素数２〜１５、好ましくは炭素数２〜１０、より好ましくは炭素数２〜６のアルキニル基が挙げられ、具体的にはエチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、３−ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基等が挙げられる。
【００１０】
アリール基としては、例えば炭素数６〜１４のアリール基が挙げられ、具体的にはフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基等が挙げられる。
【００１１】
アラルキル基としては、前記アルキル基の少なくとも１個の水素原子が前記アリール基で置換された基が挙げられ、例えば炭素数７〜１２のアラルキル基が好ましく、具体的にはベンジル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルプロピル基、３−ナフチルプロピル基等が挙げられる。
【００１２】
置換炭化水素基（置換されている炭化水素基）については、後述する。
【００１３】
Ｒ１及びＲ２で示される置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基としては、アルコキシカルボニル基、置換アルコキシカルボニル基が挙げられる。アルコキシカルボニル基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい、例えば炭素数２〜１９のアルコキシカルボニル基が挙げられ、具体的にはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、２−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ラウロイルオキシカルボニル基、ステアロイルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００１４】
Ｒ１及びＲ２で示される置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基としては、アリールオキシカルボニル基、置換アリールオキシカルボニル基が挙げられる。アリールオキシカルボニル基としては、例えば炭素数７〜２０のアリールオキシカルボニル基が挙げられ、具体的にはフェノキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００１５】
Ｒ１及びＲ２で示される置換基を有していてもよいアラルキルオキシカルボニル基としては、アラルキルオキシカルボニル基、置換アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。アラルキルオキシカルボニル基としては、例えば炭素数８〜１５のアラルキルオキシカルボニル基が挙げられ、具体的にはベンジルオキシカルボニル基、フェニルエトキシカルボニル基、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００１６】
Ｒ１及びＲ２で示される置換基を有していてもよいアシル基としては、アシル基、置換アシル基が挙げられる。アシル基は、直鎖状でも分岐状でもよい、例えば、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等のカルボン酸由来の炭素数１〜１８のアシル基が挙げられ、具体的にはホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ピバロイル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、ラウロイル基、ステアロイル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００１７】
Ｒ１及びＲ２で示される置換基を有していてもよい複素環基としては、複素環基及び置換複素環基が挙げられる。複素環基としては、脂肪族複素環基及び芳香族複素環基が挙げられる。
【００１８】
脂肪族複素環基としては、例えば、炭素数２〜１４で、異種原子として少なくとも１個、好ましくは１〜３個の例えば窒素原子、酸素原子及び／又は硫黄原子等のヘテロ原子を含んでいる、５〜８員、好ましくは５又は６員の単環の脂肪族複素環基、多環又は縮合環の脂肪族複素環基が挙げられる。脂肪族複素環基の具体例としては、例えば、ピロリジル−２−オン基、ピペリジノ基、ピペラジニル基、モルホリノ基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。
【００１９】
芳香族複素環基としては、例えば、炭素数２〜１５で、異種原子として少なくとも１個、好ましくは１〜３個の窒素原子、酸素原子及び／又は硫黄原子等の異種原子を含んでいる、５〜８員、好ましくは５又は６員の単環式ヘテロアリール基、多環式又は縮合環式のヘテロアリール基が挙げられ、具体的にはフリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、ピリダジル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フタラジル基、キナゾリル基、ナフチリジル基、シンノリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基等が挙げられる。
置換複素環基としては、上記複素環基の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換された複素環基が挙げられる。
【００２０】
Ｒ１〜Ｒ４で示される置換基を有していてもよいアルコキシ基としては、アルコキシ基及び置換アルコキシ基が挙げられる。アルコキシ基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい、例えば炭素数１〜６のアルコキシ基が挙げられ、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、２−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、２−メチルブトキシ基、３−メチルブトキシ基、２，２−ジメチルプロピルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、２−メチルペンチルオキシ基、３−メチルペンチルオキシ基、４−メチルペンチルオキシ基、５−メチルペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。置換アルコキシ基としては、前記アルコキシ基の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されたアルコキシ基が挙げられる。
【００２１】
Ｒ１〜Ｒ４で示される置換基を有していてもよいアリールオキシ基としては、アリールオキシ基及び置換アリールオキシ基が挙げられる。アリールオキシ基としては、例えば炭素数６〜１４のアリールオキシ基が挙げられ、具体的にはフェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基等が挙げられる。置換アリールオキシ基としては、前記アリールオキシ基の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されたアリールオキシ基が挙げられる。
【００２２】
Ｒ１〜Ｒ４で示される置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基としては、アラルキルオキシ基及び置換アラルキルオキシ基が挙げられる。アラルキルオキシ基としては、例えば炭素数７〜１２のアラルキルオキシ基が挙げられ、具体的にはベンジルオキシ基、２−フェニルエトキシ基、１−フェニルプロポキシ基、２−フェニルプロポキシ基、３−フェニルプロポキシ基、１−フェニルブトキシ基、２−フェニルブトキシ基、３−フェニルブトキシ基、４−フェニルブトキシ基、１−フェニルペンチルオキシ基、２−フェニルペンチルオキシ基、３−フェニルペンチルオキシ基、４−フェニルペンチルオキシ基、５−フェニルペンチルオキシ基、１−フェニルヘキシルオキシ基、２−フェニルヘキシルオキシ基、３−フェニルヘキシルオキシ基、４−フェニルヘキシルオキシ基、５−フェニルヘキシルオキシ基、６−フェニルヘキシルオキシ基等が挙げられる。置換アラルキルオキシ基としては、前記アラルキルオキシ基の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換されたアラルキルオキシ基が挙げられる。
【００２３】
Ｒ４で示される−ＮＲａＲｂにおけるＲａ及びＲｂで示される「置換基を有していてもよい炭化水素基」は、上記Ｒ１〜Ｒ３で説明した「置換基を有していてもよい炭化水素基」と同じであり、「置換基を有していてもよいアシル基」はＲ１及びＲ２で説明した「置換基を有していてもよいアシル基」と同じである。−ＮＲａＲｂの具体例としては、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、Ｎ−アセチルアミノ基、Ｎ−ベンゾイルアミノ基等が挙げられる。
【００２４】
Ｒａ及びＲｂで示される、−ＳＯ２Ａ１におけるＡ１で示される「置換基を有していてもよい炭化水素基」も上記Ｒ１〜Ｒ３で説明した「置換基を有していてもよい炭化水素基」と同じである。置換アミノ基は下記に説明されるが、好ましい置換アミノ基は、アミノ基の２個の水素原子が保護基等の置換基で置換されたアミノ基が挙げられる。−ＳＯ２Ａ１の具体例としては、−ＳＯ２ＣＨ３、−ＳＯ２Ｃ６Ｈ５、−ＳＯ２Ｃ６Ｈ４ＣＨ３、−ＳＯ２ＣＦ３、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）２等が挙げられる。
【００２５】
Ｒａ及びＲｂで示される−ＣＯＯＲｃにおけるＲｃで示される「置換基を有していてもよい炭化水素基」も上記Ｒ１〜Ｒ３で説明した「置換基を有していてもよい炭化水素基」と同じである。−ＣＯＯＲｃの具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、２−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ラウロイルオキシカルボニル基、ステアロイルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルエトキシカルボニル基、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基等が挙げられる。
Ｒ４は、Ｒａが−ＣＯＯＲｃ（Ｒｃは前記と同じ。）であり、かつＲｂが水素原子である−ＮＲａＲｂ、即ち、−ＮＨＣＯＯＲｃ（Ｒｃは前記と同じ。）が好ましく、その具体例としては、メチルカルバメート基、エチルカーバメート基等が挙げられる。
【００２６】
置換炭化水素基としては、上記炭化水素基の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換された炭化水素基が挙げられる。炭化水素基以外についても置換基の意味は同じである。
【００２７】
また、本発明における、例えば置換複素環基、置換炭化水素基、置換アシル基等の、置換基で置換された種々の基における置換基としては、炭化水素基、置換炭化水素基、脂肪族複素環基、置換脂肪族複素環基、芳香族複素環基、置換芳香族複素環基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、アリールオキシ基、置換アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、置換アラルキルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アシル基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ハロゲン原子、ハロゲン化炭化水素基、アルキレンジオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、スルホ基、置換シリル基等が挙げられる。
【００２８】
上記置換基の炭化水素基は上記Ｒ１〜Ｒ３で説明した炭化水素基と、脂肪族複素環基、芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基及びアシル基は、上記Ｒ１及びＲ２で説明した各基と、アルコキシ基、アリールオキシ基及びアラルキルオキシ基は、上記Ｒ１〜Ｒ４で説明した各基と同じである。
【００２９】
上記置換基のアシルオキシ基としては、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等のカルボン酸由来の例えば炭素数２〜１８のアシルオキシ基が挙げられ、具体的にはアセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ペンタノイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、ラウロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
上記置換基のアルキルチオ基、アラルキルチオ基及びアリールチオ基における「アルキル」、「アラルキル」及び「アリール」はそれぞれ上記Ｒ１〜Ｒ３で説明した「アルキル基」、「アラルキル基」及び「アリール基」と同じである。
【００３０】
上記置換基のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【００３１】
上記置換基のハロゲン化炭化水素基としては、上記炭化水素基の少なくとも１個の水素原子がハロゲン化（例えばフッ素化、塩素化、臭素化、ヨウ素化等）された基が挙げられる。ハロゲン化炭化水素としては、例えば、ハロゲン化アルキル基等が挙げられる。ハロゲン化アルキル基としては、例えば、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキル基が挙げられ、具体的にはクロロメチル基、ブロモメチル基、２−クロロエチル基、３−ブロモプロピル基、フルオロメチル基、フルオロエチル基、フルオロプロピル基、フルオロブチル基、フルオロペンチル基、フルオロヘキシル基、フルオロヘプチル基、フルオロオクチル基、フルオロノニル基、フルオロデシル基、ジフルオロメチル基、ジフルオロエチル基、フルオロシクロヘキシル基、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、３，３，４，４，４−ペンタフルオロブチル基、ペルフルオロ−ｎ−プロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロ−ｎ−ブチル基、ペルフルオロイソブチル基、ペルフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロイソペンチル基、ペルフルオロ−ｔｅｒｔ−ペンチル基、ペルフルオロ−ｎ−ヘキシル基、ペルフルオロイソヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基、ペルフルオロオクチル基、ペルフルオロノニル基、ペルフルオロデシル基、２−ペルフルオロオクチルエチル基、ペルフルオロシクロプロピル基、ペルフルオロシクロペンチル基、ペルフルオロシクロヘキシル基等が挙げられる。
【００３２】
置換基がアルキレンジオキシ基である場合は、例えば上記アリール基やアラルキル基中の芳香環の隣接した２個の水素原子がアルキレンジオキシ基で置換される。アルキレンジオキシ基としては、例えば炭素数１〜３のアルキレンジオキシ基が挙げられ、具体的にはメチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基、トリメチレンジオキシ基、プロピレンジオキシ基等が挙げられる。
【００３３】
上記置換基の置換アミノ基としては、アミノ基の１個又は２個の水素原子が保護基等の置換基で置換されたアミノ基が挙げられる。保護基としては、アミノ保護基として用いられるものであれば何れも使用可能であり、例えば「PROTECTIVE  GROUPS  IN  ORGANIC  SYNTHESIS  THIRD  EDITION(JOHN  WILEY  &  SONS,  INC.)」にアミノ保護基として記載されているものが挙げられる。アミノ保護基の具体例としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００３４】
上記アミノ保護基のアルキル基、アリール基及びアラルキル基は上記Ｒ１〜Ｒ３で説明した各基と、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基及びアラルキルオキシカルボニル基は、上記Ｒ１及びＲ２で説明した各基と同じである。アルキル基で置換されたアミノ基、即ちアルキル基置換アミノ基の具体例としては、Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノ基、Ｎ−シクロヘキシルアミノ基等のモノ又はジアルキルアミノ基が挙げられる。アリール基で置換されたアミノ基、即ちアリール基置換アミノ基の具体例としては、Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ−ナフチルアミノ基、Ｎ−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ基等のモノ又はジアリールアミノ基が挙げられる。アラルキル基で置換されたアミノ基、即ちアラルキル基置換アミノ基の具体例としては、Ｎ−ベンジルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等のモノ又はジアラルキルアミノ基が挙げられる。アシル基で置換されたアミノ基、即ちアシルアミノ基の具体例としては、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ペンタノイルアミノ基、ヘキサノイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等が挙げられる。アルコキシカルボニル基で置換されたアミノ基、即ちアルコキシカルボニルアミノ基の具体例としては、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｎ−プロポキシカルボニルアミノ基、ｎ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ペンチルオキシカルボニルアミノ基、ヘキシルオキシカルボニルアミノ基等が挙げられる。アリールオキシカルボニル基で置換されたアミノ基、即ちアリールオキシカルボニルアミノ基の具体例としては、アミノ基の１個の水素原子が前記したアリールオキシカルボニル基で置換されたアミノ基が挙げられ、具体的にはフェノキシカルボニルアミノ基、ナフチルオキシカルボニルアミノ基等が挙げられる。アラルキルオキシカルボニル基で置換されたアミノ基、即ちアラルキルオキシカルボニルアミノ基の具体例としては、ベンジルオキシカルボニルアミノ基等が挙げられる。
【００３５】
上記置換基の置換シリル基としては、例えば、シリル基の３個の水素原子が上記Ｒ１〜Ｒ３で説明したアルキル基、アリール基、アラルキル基等の置換基で置換されたトリ置換シリル基が挙げられ、具体的にはトリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
【００３６】
Ｒ１〜Ｒ４で示される置換アルコキシ基としては、上記アルコキシ基の少なくとも１個の水素原子がアルキル基、ハロゲン化炭化水素基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基又は置換アミノ基等の上記置換基で置換されたアルコキシ基が挙げられる。これら置換基は、上記各置換基の説明と同じである。
【００３７】
Ｒ１〜Ｒ４で示される置換アリールオキシ基としては、上記アリールオキシ基の少なくとも１個の水素原子がアルキル基、ハロゲン化炭化水素基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、置換アミノ基等の上記置換基で置換されたアリールオキシ基、上記アリールオキシ基の隣接した２個の水素原子がアルキレンジオキシ基等で置換されたアリールオキシ基が挙げられる。これら置換基は、上記各置換基の説明と同じである。
【００３８】
Ｒ１〜Ｒ４で示される置換アラルキルオキシ基としては、上記アラルキルオキシ基の少なくとも１個の水素原子がアルキル基、ハロゲン化炭化水素基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、置換アミノ基等の上記置換基で置換されたアラルキルオキシ基、上記アラルキルオキシ基中のアリール基の隣接した２個の水素原子がアルキレンジオキシ基等の置換基で置換されたアラルキルオキシ基が挙げられる。これら置換基は、上記各置換基の説明と同じである。
Ｒ１及びＲ２で示される置換アシル基としては、上記アシル基の少なくとも１個の水素原子が上記置換基で置換されたアシル基が挙げられる。
【００３９】
置換基における置換炭化水素基、及びＲ１〜Ｒ３、Ｒａ〜Ｒｃ及びＡ１における置換炭化水素基における置換炭化水素基は、上記Ｒ１〜Ｒ３で説明した炭化水素基の少なくとも１個の水素原子が上記置換基で置換された炭化水素基が挙げられる。
【００４０】
上記Ｒ１〜Ｒ３、Ｒａ〜Ｒｃ、Ａ１及び置換基で示される置換炭化水素基としては、置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基、置換アリール基、置換アラルキル基等が挙げられる。
【００４１】
置換アルキル基としては、上記Ｒ１〜Ｒ３で説明したアルキル基の少なくとも１個の水素原子が上記置換基で置換されたアルキル基が挙げられる。
【００４２】
ハロゲン原子で置換された炭化水素基、即ちハロゲン化炭化水素基としては、上記置換基で説明した「ハロゲン化炭化水素基」と同じである。
【００４３】
置換アリール基としては、上記アリール基の少なくとも１個の水素原子が上記置換基で置換されたアリール基、上記アリール基の隣接した２個の水素原子がアルキレンジオキシ基等の置換基で置換されたアリール基が挙げられる。アルキレンジオキシ基は、上記置換基で説明した「アルキレンジオキシ基」と同じである。アルキル基で置換されたアリール基の具体例としては、トリル基、キシリル基、メシチル基等が挙げられる。
【００４４】
置換アラルキル基としては、上記アラルキル基の少なくとも１個の水素原子が上記置換基で置換されたアラルキル基、上記アラルキル基中のアリール基の隣接した２個の水素原子がアルキレンジオキシ基等の置換基で置換されたアラルキル基が挙げられる。アルキレンジオキシ基は、上記置換基で説明した「アルキレンジオキシ基」と同じである。
【００４５】
Ｒ４で示される置換基を有していてもよい複素環基としては、環を構成する原子の中に窒素原子、酸素原子及び／又は硫黄原子等の異種原子を少なくとも１個含む環基が挙げられ、また、環は単環でも多環でも或いは縮合環でもよく、例えば上記置換基を有していてもよく、好ましくは、下記式で表される基等が挙げられる。
【化１１】
2005060340.tif 000012
上記式中、Ｒは同一又は異なって、水素原子又は炭化水素基を示す。炭化水素基は上記Ｒ１〜Ｒ３で説明した「炭化水素基」と同じである。上記複素環基は上記のＲ以外に上記した置換基を有していてもよい。
Ｒ３は水素原子、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基又は置換基を有していてもよい炭化水素基が好ましい。
【００４６】
Ｒ１とＲ２又はＲ２とＲ３とがそれらが結合している炭素原子と共に結合して形成してもよい環としては、Ｒ１とＲ２とが結合して環を形成する場合には、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環等が挙げられ、Ｒ２とＲ３とが結合して環を形成する場合には、シクロブテン環、シクロペンテン環、シクロヘキセン環、シクロヘプテン環等が挙げられる。
【００４７】
一般式（１）で表されるα，β−不飽和カルボン酸誘導体の具体例としては、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸イソプロピル、メタクリル酸ベンジル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、２−ペンテン酸メチル、２−ペンテン酸エチル、２−ペンテン酸ブチル等のα，β−不飽和カルボン酸エステル類、Ｎ−アセチルメタクリルアミド等のＮ−アシルα，β−不飽和カルボン酸アミド類、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタクリルアミド、２−ペンテン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルペンテン酸アミド等のα，β−不飽和カルボン酸アミド類、Ｎ−メトキシカルボニルメタクリルアミド、Ｎ−エトキシカルボニルメタクリルアミド、Ｎ−ベンジルオキシカルボニルメタクリルアミド、２−ペンテノイルメチルカーバメイト等のα，β−不飽和カルボン酸カーバメイト類、メタクリル酸、クロトン酸、２−ペンテン酸、２−ヘキセン酸等のα，β−不飽和カルボン酸類（これら酸類は、例えばナトリウム、カリウム等のアルカリ金属塩やアンモニウム塩等、塩の形になっているものでもよい。）等が挙げられる。
【００４８】
また、一般式（１）で表されるα，β−不飽和カルボン酸誘導体の具体例としては、例えば２−ペンテノイル−１，３−オキサゾリジン−２−オン及び下記式で示される化合物の中の一つの化合物等が挙げられる。
【化１２】
2005060340.tif 000013
とりわけ、２−ペンテノイルメチルカーバメイト、３−クロトノイル−１，３−オキサゾリジン−２−オン、２−ペンテノイル−１，３−オキサゾリジン−２−オン等が好ましい。
【００４９】
一般式（２）において、Ｑは、アミンからその１個の水素原子を除いて形成される１価の基を示す。Ｑとなり得るアミンはアンモニア又は一般式（３）で表わされる化合物である。一般式（３）で表わされる化合物は１級アミンであっても、２級アミンであってもよい。１級アミンは好ましくは一般式（３ａ）
【化１３】
2005060340.tif 000014
（式中、Ｒ５は置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基又は置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基を示し、Ｘは酸を示し、ａは０又は１を示す。）で表される化合物である。
２級アミンは一般式（３）で表わされる置換基Ｒ５及びＲ５５が水素以外の基であるが、Ｒ５及びＲ５５が同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００５０】
一般式（３）及び一般式（３ａ）において、Ｒ５及びＲ５５で示される「置換基を有していてもよい炭化水素基」としては、上記Ｒ１〜Ｒ３で説明した「炭化水素基」及び「置換炭化水素基」と同じである。また、「置換基を有していてもよいアルコキシ基」、「置換基を有していてもよいアリールオキシ基」及び「置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基」としては、上記Ｒ１〜Ｒ４で説明した「アルコキシ基」、「置換アルコキシ基」、「アリールオキシ基」、「置換アリールオキシ基」、「アラルキルオキシ基」及び「置換アラルキルオキシ基」と同じである。
ここで、Ｒ５及び／又はＲ５５は、本発明の製造方法を上記一般式（３）におけるａ＝０であるアミンを用い、かつ、酸の不存在下で行う場合には、Ｒ５及び／又はＲ５５で示される置換基としては、置換炭化水素基が好ましく、とりわけ、ハロゲン化炭化水素基置換炭化水素基が好ましい。
【００５１】
ハロゲン化炭化水素基置換炭化水素基は、ハロゲン化炭化水素基で置換された炭化水素基を意味するが、これがさらに置換基を有していてもよく、そのような基としては、ハロゲン化炭化水素基置換炭化水素基、置換ハロゲン化炭化水素基置換炭化水素基が挙げられる。ハロゲン化炭化水素基置換炭化水素基における炭化水素基並びにハロゲン化炭化水素基におけるハロゲン原子及び炭化水素基は、上記と同じである。ハロゲン化炭化水素基置換炭化水素基としては、上記炭化水素基の少なくとも１個の水素原子がハロゲン化炭化水素基で置換された炭化水素基が挙げられる。ハロゲン化炭化水素基置換脂肪族炭化水素基の具体例としては、２，２，２−トリフルオロエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、２−ペルフルオロオクチルエチル基等のハロゲン化炭化水素基置換脂肪族炭化水素基、２−トリフルオロメチルフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、２−ペンタフルオロエチルフェニル基、３−ペンタフルオロエチルフェニル基、４−ペンタフルオロエチルフェニル基、ペルフルオロ−ｎ−プロピルフェニル基、ペルフルオロイソプロピルフェニル基、ペルフルオロブチルフェニル基、ペルフルオロペンチルフェニル基、ペルフルオロヘキシルフェニル基、ペルフルオロヘプチルフェニル基、ペルフルオロオクチルフェニル基、ペルフルオロノニルフェニル基、ペルフルオロデシルフェニル基、２−ペルフルオロオクチルエチルフェニル基、ペルフルオロシクロヘキシルフェニル基等のハロゲン化炭化水素基置換芳香族炭化水素基が挙げられる。
【００５２】
置換ハロゲン化炭化水素基置換炭化水素基としては、ハロゲン化炭化水素基置換炭化水素基中の炭化水素基の少なくとも１個の水素原子又はハロゲン原子がハロゲン化炭化水素基以外の置換基で置換されたハロゲン化炭化水素基置換炭化水素基が挙げられる。置換基としては、上記一般式（１）中の各基について説明した置換基と同じである。
Ｒ５及びＲ５５で示される置換基を有していてもよいアルコキシ基としては、アルコキシ基及び置換アルコキシ基が挙げられる。置換基を有していてもよいアリールオキシ基としては、アリールオキシ基及び置換アリールオキシ基が挙げられる。置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基としては、アラルキルオキシ基及び置換アラルキルオキシ基が挙げられる。これら、アルコキシ基、置換アルコキシ基、アリールオキシ基、置換アリールオキシ基、アラルキルオキシ基及び置換アラルキルオキシ基は上記一般式（１）中の各基について説明した基と同じである。
【００５３】
上記したアミンとしては、上記一般式（３）で表される１級アミン及び２級アミンが挙げられる。１級アミンは、上記一般式（３）におけるＲ５５が水素原子である上記一般式（３ａ）で表されるアミンが挙げられる。その具体例としては、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、シクロヘキシルアミン等のアルキルアミン類、Ｏ−ベンジルヒドロキシルアミン、Ｏ−メチルヒドロキシルアミン等のヒドロキシルアミン類、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタフルオロブチルアミン、１Ｈ，１Ｈ−トリデカフルオロヘプチルアミン、１Ｈ，１Ｈ−ペンタデカフルオロオクチルアミン、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタデカフルオロノニルアミン等のハロゲン化アルキル基置換アミン類、アニリン、３，４−ジフルオロアニリン、３，５−ジクロロアニリン、２，３，４−トリクロロアニリン、２，４，５−トリクロロアニリン、３，４，５−トリクロロアニリン、２，４−ジブロモアニリン、２，５−ジブロモアニリン、３，４，５−トリブロモアニリン、４−ヨードアニリン、３−ヨードアニリン、２−ヨードアニリン、２−メトキシアニリン、３−メトキシアニリン、４−メトキシアニリン（アニシジンということもある。）等のアニリン類、および一般式（３ｂ）
【化１４】
2005060340.tif 000015
（式中、Ｒ６〜Ｒ１０は夫々独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい複素環基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキレンジオキシ基、ヒドロキシル基、ニトロ基又は置換基を有していてもよいアミノ基を示し、Ｘは酸を示し、ａは０又は１を示す。また、Ｒ６とＲ７、Ｒ７とＲ８、Ｒ８とＲ９或いはＲ９とＲ１０とが結合して縮合環を形成してもよい。但し、Ｒ６〜Ｒ１０の少なくとも１つはハロゲン化炭化水素基である。）で表される化合物が好ましく挙げられる。
【００５４】
上記Ｒ６〜Ｒ１０で示される置換基を有していてもよい複素環としては、上記Ｒ１及びＲ２で説明した複素環基及び置換複素環が挙げられる。置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基としては、上記Ｒ１〜Ｒ４で説明した「アルコキシ基」、「置換アルコキシ基」、「アラルキルオキシ基」、「置換アラルキルオキシ基」、「アリールオキシ基」及び「置換アリールオキシ基」などが挙げられる。置換基を有していてもよいアミノ基としては、アミノ基又は上記一般式（１）の置換基で説明した置換アミノ基などが挙げられる。
従って、Ｒ６〜Ｒ１０で示される置換基を有していてもよい炭化水素基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい複素環基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキレンジオキシ基及び置換基を有していてもよいアミノ基のそれぞれは、上記一般式（１）について説明した対応する各基と同一である。
【００５５】
Ｒ６とＲ７、Ｒ７とＲ８、Ｒ８とＲ９、Ｒ９とＲ１０が結合して形成してもよい縮合環としては、例えば、インデン、ナフタレン、ベンゾフラン、インダゾール、キノリン、イソキノリン等が挙げられる。
【００５６】
一般式（３ｂ）で表される化合物としては、４−トリフルオロメチルアニリン、３−トリフルオロメチルアニリン、２−トリフルオロメチルアニリン、３，５−ビス（トリフルオロメチル）アニリン、２，５−ビス（トリフルオロメチル）アニリン、３，４，５−トリス（トリフルオロメチル）アニリン、４−ペンタフルオロエチルアニリン、３−ペンタフルオロエチルアニリン、２−ペンタフルオロエチルアニリン、２，４−ジペルフルオロプロピルアニリン、２，３−ジペルフルオロプロピルアニリン、３，５−ジペルフルオロプロピルアニリン、２，３，４−トリペルフルオロブチルアニリン、２，４，５−トリペルフルオロペンチルアニリン、４−ペルフルオロヘキシルアニリン、４−トリクロロメチルアニリン、３−トリクロロメチルアニリン、２−トリクロロメチルアニリン、３，４−ジペンタクロロエチルアニリン、４−トリブロモメチルアニリン、３−トリブロモメチルアニリン、２−トリブロモメチルアニリン等が挙げられる。１級アミンとしては、とりわけアニリン、アニシジン、４−トリフルオロメチルアニリン等が好適である。
【００５７】
２級アミンの具体例としては、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジベンジルアミン、Ｎ−メチルアニリン等が挙げられる。
上記１級アミン及び２級アミンは、酸塩であってもよい。この酸塩における酸は、下記する酸であってもよい。  
【００５８】
一般式（２）、（４）、（４ａ）及び（４ｂ）において、Ｒ１＝Ｒ２のときは、Ｒ１及びＲ２が結合している炭素原子は、不斉炭素とはならない。また、Ｒ３が水素原子のときは、Ｒ３が結合している炭素原子は、不斉炭素とはならない。
【００５９】
本発明の製造方法により得られる上記一般式（２）で表される光学活性β−アミノ酸誘導体は、アミンとして上記一般式（３）で表される化合物を用いれば、得られる光学活性β−アミノ酸誘導体は、上記一般式（４）で表される光学活性β−アミノ酸誘導体である。また、アミンとして上記一般式（３ａ）で表される化合物を用いれば、得られる光学活性β―アミノ酸誘導体は、下記一般式（４−１）
【化１５】
2005060340.tif 000016
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｘ、ｂ及び＊は前記と同じ。）で表される光学活性β−アミノ酸誘導体である。    
【００６０】
本発明の製造方法により得られる一般式（２）で表される光学活性β−アミノ酸誘導体の具体例としては、３−（４−トリフルオロメチルアニリノ）ブチリル−１，３−オキサゾリジン−２−オン、３−（２−トリフルオロメチルアニリノ）ブチリル−１，３−オキサゾリジン−２−オン、３−（４−トリフルオロメチルアニリノ）ブチリル−１，３−オキサゾリジン−２−オン、３−[３−（４−トリフルオロメチル−２−メトキシ−フェニルアミノ）ブチリル]−オキサゾリジノン、〔３−（４−トリフルオロメチル−フェニルアミノ）ペンタノイル〕−カルバミン酸メチルエステル、３−（４−トリフルオロメチルアニリノ）−ペンタン酸メチルカーバメイト、３−（４−トリフルオロメチルアニリノ）ペンテノイル−１，３−オキサゾリジン−２−オン、３−（３−フェニルアミノブチリル）−オキサゾリジン−２−オン、などが挙げられる。
【００６１】
本発明の製造方法により得られる、上記一般式（４ａ）で表される光学活性β−アミノ酸誘導体は、中でも上記一般式（４ａ）中のＲ４が、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよい複素環基、−ＮＲａＲｂにおけるＲａが−ＣＯＯＲｃ（Ｒｃは前記Ｒ４で説明した基と同じ。）であり、かつＲｂが水素原子である基、即ち、−ＮＨＣＯＯＲｃ（Ｒｃは前記Ｒ４で説明した基と同じ。）等が好ましい。
【００６２】
本発明の上記一般式（４ｂ）で表される化合物は、中でも一般式（４ｃ）
【化１６】
2005060340.tif 000017
（式中、Ｒ１〜Ｒ３，Ｒ６〜Ｒ１０、ＲＤ，Ｘ，ｂ及び＊は前記と同じ。）で表される光学活性化合物が好ましい。
【００６３】
一般式（４ｂ）及び（４ｃ）中、ＲＤで示される「置換基を有していてもよい複素環基」とは、上記Ｒ１、Ｒ２及びＲ４で説明した「複素環基及び置換複素環基」と同じである。
上記一般式（３ｂ）及び（４ａ）中のＲ６〜Ｒ１０、及び本発明の上記一般式（４ｂ）及び（４ｃ）中のＲ６〜Ｒ１０の少なくとも１つは、ハロゲン化炭化水素基である。ハロゲン化炭化水素基は、上記Ｒ６〜Ｒ10等で置換基として説明したハロゲン化炭化水素基と同じである。好ましいハロゲン化炭化水素基は、ハロゲン化アルキル基である。
【００６４】
本発明で用いられる不斉触媒としては、例えば下記一般式（５）、
【化１７】
2005060340.tif 000018
（式中、Ｌは不斉配位子を示し、Ｚ−は対アニオンを示し、Ａは好ましくはヒドロキシル基、アミド基、アルコキシ基、ハロゲン原子からなる群より選ばれる一価のアニオン性配位子を示し、Ｍは遷移金属を示し、ｙは０または２を示し、ｑは２を示し、ｐは２または４を示す。）で表される不斉遷移金属錯体もしくは、一般式（６）
【化１８】
2005060340.tif 000019
（式中、Ｌは不斉配位子を示し、Ｚ−は好ましくは対アニオンを示し、Ｂは水又は中性配位子を示し、Ｍは遷移金属を示し、ｒは１又は２を示し、ｓは０、１、２、４または６を示し、ｃは０、１または２を示す。）で表される不斉遷移金属錯体等が好ましい例として挙げられる。
【００６５】
一般式（５）及び（６）中の各基を説明する。
Ａで表される１価のアニオン性配位子としては、上記した好ましい例も含めて、例えば、Ｈ−、ＯＨ−、［ＯＲ’］−、［Ｒ’ＨＮ］−、［Ｒ’２Ｎ］−、Ｈ２Ｎ−、［Ｒ’３ＳｉＯ］−、Ｆ−、Ｂｒ−、Ｃｌ−、Ｉ−、Ｉ３−、ＮＨ２ＣＯ−、ＣＯ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＣＦ３ＣＦ２ＣＯＯ−、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＯＯ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ｐ−ＣＨ３Ｃ６Ｈ４ＳＯ３−、ＣｌＯ４−、ＮＯ３−、ＳＯ４２−、ＣＯ３２−、ＰＯ４３−、ＢＦ４−、Ｂ（Ｃ６Ｈ５）４−、Ｂ［３，５−（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ３］３−、ＰＦ６−、ＳｂＦ６−、ＡｓＦ６−、（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）−等が挙げられる。Ｒ’は下記で説明する。
Ｍで示される遷移金属としては、例えば周期表の８〜１１族の元素が挙げられ、具体的には、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、白金（Ｐｔ）等の遷移金属が挙げられる。これら遷移金属の中でもイリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、白金（Ｐｔ）等が好ましい。
【００６６】
Ｌで示される不斉配位子としては、二座不斉配位子や単座不斉配位子が挙げられ、例えば、光学活性ホスフィン配位子等の光学活性リン系配位子、光学活性ビスオキサゾリン配位子、光学活性ジアミン配位子、光学活性ビスピリジン配位子等の光学活性窒素系配位子等が挙げられ、光学活性二座ホスフィン配位子、光学活性ビスオキサゾリン配位子、光学活性ジアミン配位子、光学活性ビスピリジン配位子等が好ましい。
【００６７】
光学活性リン系配位子としては、ＢＩＮＡＰ：２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、ＢＩＮＡＰ誘導体、その他の光学活性二座ホスフィン配位子等が挙げられる。ＢＩＮＡＰ誘導体としては、ＢＩＮＡＰのナフチル環にアルキル基やアリール基等の置換基を持つＢＩＮＡＰ誘導体、ＢＩＮＡＰのリン原子に結合しているベンゼン環１個につき置換基として同一又は異なるアルキル基（前記と同じ）を１〜５個有するＢＩＮＡＰ誘導体等が挙げられ、具体的にはＴｏｌ−ＢＩＮＡＰ：２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、キシリル−ＢＩＮＡＰ：２，２’−ビス［ビス（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル等が挙げられる。その他の光学活性二座ホスフィン配位子の具体例としては、Ｈ８−ＢＩＮＡＰ：２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−５，６，７，８，５’，６’，７’，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビナフチル、ＢＩＣＨＥＰ：２，２’−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）−６，６−ジメチル−１，１’−ビナフチル、ＢＰＰＦＡ：１−［１’，２−ビス（ジフェニルホスフィノフェロセニル）エチレンジアミン、ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ：２，３−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ＣＹＣＰＨＯＳ：１−シクロヘキシル−１，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）エタン、ＤＥＧＰＨＯＳ：１−置換−３，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ピロリジン、ＤＩＯＰ：２，３−Ｏ−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ−１，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ＤＩＰＡＭＰ：１，２−ビス［（ｏ−メトキシフェニル）フェニルホスフィノ］エタン、Ｄｅｌｐｈｏｓ：（置換−１，２−ビス（ホスホラノ）ベンゼン）、ＮＯＲＰＨＯＳ：５，６−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−２−ノルボルネン、ＰＮＮＰ：Ｎ，Ｎ’−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−Ｎ，Ｎ’−ビス［１−フェニル］エチレンジアミン、ＰＲＯＰＨＯＳ：１，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ＳＫＥＷＰＨＯＳ：２，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ペンタン、ＳＥＧＰＨＯＳ：（（５，６）−（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）（ビスジフェニルホスフィン）、ＤＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ：（（５，６）−（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）（ビス（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィン）、ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ：（（５，６）−（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）（ビス（３，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）−４−メトキシフェニル）ホスフィン）等の光学活性二座ホスフィン配位子が挙げられる。上記置換における置換基は、この技術分野でこの系統の公知配位子としてよく知られた化合物の置換基が便宜に採用され得る。
【００６８】
光学活性ビスオキサゾリン配位子としては、２，２’−ビス［４−ｔｅｒｔ−ブチルオキサゾール−２−イル］−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス［４−イソプロピル］オキサゾール−２−イル］−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス［４−フェニルオキサゾール−２−イル］−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス［４−ベンジルオキサゾール−２−イル］−１，１’−ビナフチル、２，２−ビス［２−（４−フェニル−１，３−オキサゾリニル）］プロパン、ＤＢＦＯＸ：４，６−ジベンゾフランジイル−２，２’−ビス（４−フェニルオキサゾリン）、２，２’−イソプロピリデンビス（４−フェニルオキサゾリン）、２，２’−イソプロピリデンビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルオキサゾリン）等が挙げられる。
【００６９】
光学活性ジアミン配位子としては、ＤＰＥＮ：１，２−ジフェニル−エタン−１，２−ジアミン、ＤＡＩＰＥＮ：３−メチル−１，１−ジフェニル１−ブタン−１，２−ジアミン、Ｎ−（４−ｔ−ブチルベンゼンスルフォニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン等が挙げられる。
【００７０】
光学活性窒素系配位子としては、ＢＤＰＴＺ：１，４−ビス（２，２−ジピリジルメチル）−フタラジン、ＢＰＡＮ：２，７−ビス［２−（２−ピリジルエチル）アミノメチル］−１，８−ナフチリジン、ＴＥＲＰＹ：２，２’：６’，２’’−テルビリジン、Ｎ，Ｎ−ビス［２−（２−ピリジル）エチル］−２−フェニルエチルアミン等の光学活性ビスピリジン配位子等が挙げられる。
【００７１】
Ｚ−で表される対アニオンは、上記した対アニオンのみならず広く一価のアニオン性配位子を含み、例えば、Ｈ−、ＯＨ−、［ＯＲ’］−、［Ｒ’ＨＮ］−、［Ｒ’２Ｎ］−、Ｈ２Ｎ−、［Ｒ’３ＳｉＯ］−、Ｆ−、Ｂｒ−、Ｃｌ−、Ｉ−、Ｉ３−、ＮＨ２ＣＯ−、ＣＯ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＣＦ３ＣＦ２ＣＯＯ−、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＯＯ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ｐ−ＣＨ３Ｃ６Ｈ４ＳＯ３−、ＣｌＯ４−、ＮＯ３−、ＳＯ４２−、ＣＯ３２−、ＰＯ４３−、ＢＦ４−、Ｂ（Ｃ６Ｈ５）４−、Ｂ［３，５−（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ３］３−、ＰＦ６−、ＳｂＦ６−、ＡｓＦ６−、（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）−等が挙げられる。ここでＲ’は、同一又は異なって、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいヘテロアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいヘテロアラルキル基等を示す。ヘテロアルキル基とは、上記Ｒ１及びＲ２で説明した複素環基で置換されたアルキル基である。置換基は、上記一般式（１）で説明した置換基から適宜選択される。シクロアルキルとは、上記Ｒ１〜Ｒ３で説明した環状のアルキル基と同意義である。ヘテロアラルキル基とは、上記Ｒ１〜Ｒ３で説明した複素環基で置換されたアラルキル基である。言うまでもないが、アルキル基、アリール基、アラルキル基は、上記と同一であってよい。
【００７２】
Ｂで表される中性配位子としては、芳香族化合物、オレフィン化合物、中性配位子になり得る化合物（以下、その他の中性配位子という。）等が挙げられる。芳香族化合物としては、ベンゾニトリル、アルキル置換ベンゼン等が挙げられる。アルキル置換ベンゼンとしては、例えば、ｐ−シメン（ｐ−Ｃｙｍｅｎｅ）、ヘキサメチルベンゼン、１，３，５−トリメチルベンゼン（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）等が挙げられる。オレフィン化合物としては、エチレン、１，５−シクロオクタジエン、シクロペンタジエン、ペンタメチルシクロペンタジエン、ノルボルナジエン等が挙げられる。その他の中性配位子としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、アセトニトリル、アセトン、クロロホルム等が挙げられる。
【００７３】
本発明で用いられる上記不斉遷移金属錯体は、後述する各種公知の錯体が含まれる。それら公知の錯体は、遷移金属、不斉配位子、アニオン性配位子から構成される不斉金属錯体やカチオン部である［ＭＬｒＢｓ］と対アニオン（Ｚ−）とから構成される錯体の他に、遷移金属に対して高い配位能を持つものが直接遷移金属に結合した状態の錯体、即ち、例えばアセテート錯体、トリフルオロアセテート錯体、トリフラート錯体、アセチルアセトナト錯体等の錯体をも含む。
【００７４】
上記一般式（５）又は（６）で表される不斉遷移金属錯体としては、例えば下記不斉遷移金属錯体が好ましい。
ＭがＰｄでＬが単座不斉配位子の場合には、ｐ＝４、ｑ＝ｙ＝２、ｒ＝ｃ＝２、ｓ＝０または２であり、また、Ｌが二座不斉配位子の場合には、ｐ＝ｑ＝ｙ＝２、ｒ＝１、ｃ＝２、ｓ＝０または２である。
ＭがＮｉでＬが単座不斉配位子の場合には、ｒ＝ｃ＝２、ｓ＝０、２、４、または６であり、また、Ｌが二座不斉配位子の場合には、ｒ＝１、ｃ＝２、ｓ＝０、４、または６である。
【００７５】
更にまた、Ｌは単座配位子、二座配位子以外であってよく、例えば三座配位子又は六座配位子である場合には、本発明で用いられる不斉遷移金属錯体は、一般式（７）
【化１９】
2005060340.tif 000020
（式中、ｅは２または４、ｐは１、２または４、ｑは１または２、ｆは１〜４の整数、ｙは２〜４の整数であり、Ａ及びＺ−は前記と同じ。）で表される。
ＭがＰｔでＬが単座不斉配位子の場合には、ｐ＝４、ｑ＝ｙ＝２、ｒ＝ｃ＝２、ｓ＝０であり、また、Ｌが二座不斉配位子の場合には、ｒ＝１、ｃ＝２、ｓ＝０、ｐ＝ｑ＝ｙ＝２である。なお、このＭがＰｔであるＰｔ錯体では、ひとつの対アニオンはＰｔに直接結合しており、もうひとつの対アニオンはカウンターアニオンとして存在する錯体も含まれる。このような錯体としては、Ｌが単座不斉配位子の場合には、ｒ＝ｃ＝２、ｓ＝１であり、また、Ｌが二座不斉配位子の場合には、ｃ＝２、ｒ＝ｓ＝１である。また、このＰｔ錯体に限らず後述するＲｈ錯体やＰｄ錯体等の多くの不斉遷移金属錯体では、ひとつの対アニオンは遷移金属に直接結合しており、もうひとつの対アニオンはカウンターアニオンとして存在する錯体も知られており、本発明で用いられる不斉遷移金属錯体に含まれる。
ＭがＩｒ又はＲｈで、Ｌが単座不斉配位子の場合には、ｒ＝２、ｓ＝ｃ＝１、ｐ＝４、ｑ＝２、ｙ＝０であり、また、Ｌが二座不斉配位子の場合には、ｒ＝ｓ＝ｃ＝１、ｐ＝ｑ＝２、ｙ＝０である。
【００７６】
ＭがＲｕのときは、下記（ｉ）〜（ｉｖ）の場合が好ましい。（ｉ）ＡはＣｌ−、Ｂｒ−またはＩ−で、Ｂは芳香族化合物やオレフィン化合物等の中性配位子を示し、Ｚ−はＣｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｉ３−、ＣＦ３ＳＯ３−、ｐ−ＣＨ３Ｃ６Ｈ４ＳＯ３−等を示し、Ｌが単座不斉配位子の場合には、ｓ＝１、ｒ＝２、ｃ＝０または２であり、また、Ｌが二座不斉配位子の場合には、ｃ＝２または０、ｓ＝ｒ＝１である。（ｉｉ）Ｚ−はＢＦ４−、ＣｌＯ４−、ＯＴｆ−、ＰＦ６−、ＳｂＦ６−、ＢＰｈ４−等を示し、Ｌが単座不斉配位子の場合には、ｒ＝ｃ＝２、ｓ＝０であり、また、Ｌが二座不斉配位子の場合には、ｒ＝１、ｓ＝０、ｃ＝２である。（ｉｉｉ）ＺはＨ（水素原子）を示し、Ｌが単座不斉配位子の場合には、ｃ＝２、ｒ＝４であり、また、Ｌが二座不斉配位子の場合には、ｃ＝ｒ＝２である。（ｉｖ）ＺはＨ又はＣＯを示し、Ｌが単座不斉配位子の場合には、ｃ＝ｒ＝２であり、また、Ｌが二座不斉配位子の場合には、ｃ＝２、ｒ＝１である。
【００７７】
ＭがＦｅのときは、下記（ｉ）又は（ｉｉ）の場合が好ましい。（ｉ）Ｂは芳香族化合物やオレフィン化合物等の中性配位子を示し、Ｌが二座不斉配位子の場合には、ｃ＝ｓ＝ｒ＝１であり、また、Ｌが単座不斉配位子の場合には、ｃ＝ｓ＝１、ｒ＝２である。（ｉｉ）Ｌが二座不斉配位子の場合には、ｃ＝３、ｓ＝０あるいは６、ｒ＝１であり、また、Ｌが単座不斉配位子の場合には、ｃ＝３、ｓ＝０あるいは６、ｒ＝２である。
【００７８】
ＭがＣｏのときは、下記（ｉ）又は（ｉｉ）の場合が好ましい。（ｉ）Ｂは芳香族化合物やオレフィン化合物等の中性配位子を示し、Ｌが二座不斉配位子の場合には、ｃ＝０、ｓ＝ｒ＝１であり、また、Ｌが単座不斉配位子の場合には、ｃ＝０、ｓ＝１、ｒ＝２である。（ｉｉ）Ｌが二座不斉配位子の場合には、ｃ＝２、ｓ＝０、ｒ＝１であり、また、Ｌが単座不斉配位子の場合には、ｃ＝ｒ＝２、ｓ＝０である。
【００７９】
ＭがＣｕのときは、下記（ｉ）又は（ｉｉ）の場合が好ましい。（ｉ）Ｃｕが二価で、Ｌが単座不斉配位子の場合には、ｐ＝４、ｑ＝ｙ＝２、ｒ＝ｃ＝２、ｓ＝０または１であり、また、Ｌが二座不斉配位子の場合には、ｐ＝ｑ＝ｙ＝２、ｒ＝１、ｃ＝２、ｓ＝１である。（ｉｉ）Ｃｕが一価で、Ｌが二座不斉配位子の場合には、ｓ＝０、ｒ＝ｃ＝１であり、また、Ｌが単座不斉配位子の場合には、ｓ＝０、ｃ＝１、ｒ＝２である。
【００８０】
ＭがＡｇ又はＡｕのときは、Ｌが二座不斉配位子の場合には、ｒ＝ｃ＝１、ｓ＝０または１であり、また、Ｌが単座不斉配位子の場合には、ｒ＝２、ｃ＝１、ｓ＝０または１である。
なお、ＭがＩｒ又はＲｈのときは、Ｂが１，５−シクロオクタジエン、ノルボルナジエン、ＺはＢＦ４、ＣｌＯ４、ＯＴｆ、ＰＦ６、ＳｂＦ６、ＯＨ、ＢＰｈ４等である錯体が好ましい。
【００８１】
上記一般式（５）又は（６）で表される不斉遷移金属錯体をより具体的に説明する。尚、以下に示す遷移金属錯体の式中で使用されている記号は、Ｌは不斉配位子、ｃｐｄはシクロペンタジエン、ｃｏｄは１，５−シクロオクタジエン、ｎｂｄはノルボルナジエン、ＯＴｆはトリフラート基（ＳＯ２ＣＦ３）、Ｐｈはフェニル基、Ａｃはアセチル基、ａｃａｃはアセチルアセトナト基、ＯＴｓはｐ−トルエンスルホネート基、ｐ−ｃｙｍｅｎｅはパラ１−シメン基、Ｃｐ＊はペンタメチルシクロペンタジエン基をそれぞれ示す。また、具体例としては煩雑さを避けるために不斉配位子として原則的には二座配位子を用いたものを例示するが、本発明で用いられる不斉遷移金属錯体は、これらの例示に限定されるものではない。
【００８２】
ロジウム錯体：
ロジウム錯体は、例えば、日本化学会編「第４版  実験化学講座」、第１８巻、有機金属錯体、３３９−３４４頁、１９９１年（丸善）に記載の方法、あるいはＪ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２００２，５０５２等の文献に記載の方法に従って製造することができる。具体的には、ビス（シクロオクタ−１，５−ジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフロロホウ酸塩と不斉配位子とを反応せしめて合成することができる。ロジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
［Ｒｈ（Ｌ）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（Ｌ）Ｂｒ］２、［Ｒｈ（Ｌ）Ｉ］２、［Ｒｈ（Ｌ）（μ−ＯＨ）］２、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］（ＢＦ４）、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］（ＣｌＯ４）、［Ｒｈ（Ｌ）Ｃｐ＊］２、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ
【００８３】
ルテニウム錯体：
ルテニウム錯体は、例えば、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１９８５，９２２等の文献に記載の方法に従って製造することができる。具体的には、［Ｒｕ（ｃｏｄ）Ｃｌ２］ｎと不斉配位子とをトリエチルアミンの存在下にトルエン溶媒中で加熱還流することで製造できる。また、文献（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１９８９，１２０８）等に記載の方法に従って製造することもできる。具体的には、［Ｒｕ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）Ｉ２］２と不斉配位子とを塩化メチレンとエタノール中で加熱撹拌することにより製造することができる。ルテニウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
Ｒｕ（ＯＡｃ）２（Ｌ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（Ｌ）２ＮＥｔ３、ＲｕＨ２（Ｌ）２、ＲｕＨ（ＣＯ）（Ｌ）、［Ｒｕ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］、［ＲｕＣｌ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ、［ＲｕＣｌ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＢＦ４）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＣｌＯ４）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＰＦ６）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＢＰｈ４）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＯＴｆ）２
【００８４】
イリジウム錯体：
イリジウム錯体は、例えば、Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．，１９９２，４２８，２１３、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９７，１０８５７等の文献に記載の方法に従って製造することができる。具体的には、不斉配位子と［Ｉｒ（ｃｏｄ）（ＣＨ３ＣＮ）２］ＢＦ４とを、テトラヒドロフラン中にて撹拌下に反応させることにより製造することができる。イリジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
［Ｉｒ（Ｌ）Ｃｌ］２、［Ｉｒ（Ｌ）Ｂｒ］２、［Ｉｒ（Ｌ）Ｉ］２、［Ｉｒ（Ｌ）（μ−ＯＨ）］２、［Ｉｒ（Ｌ（Ｃｐ＊）］２、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ
【００８５】
パラジウム錯体：
パラジウム錯体は、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９９，５４５０等の文献に記載の方法に従って製造し、単離したものを用いることができる。パラジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
ＰｄＣｌ２（Ｌ）、［Ｐｄ（Ｌ）］（ＢＦ４）２、［Ｐｄ（Ｌ）］（ＣｌＯ４）２、［Ｐｄ（Ｌ）］（ＰＦ６）２、［Ｐｄ（Ｌ）］（ＢＰｈ４）２、［Ｐｄ（Ｌ）］（ＣｌＯ４）２、［Ｐｄ（Ｌ）］（ＯＴｆ）２、［Ｐｄ（Ｌ）（ａｃａｃ）］（ＯＴｆ）、［Ｐｄ（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）２］（ＢＦ４）２、［Ｐｄ（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）２］（ＣｌＯ４）２、［Ｐｄ（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）２］（ＰＦ６）２、［Ｐｄ（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）２］（ＢＰｈ４）２、［Ｐｄ（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）２］（ＣｌＯ４）２、［Ｐｄ（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）２］（ＯＴｆ）２、［｛Ｐｄ（Ｌ）（μ−ＯＨ）｝２］（ＢＦ４）２、［｛Ｐｄ（Ｌ）（μ−ＯＨ）｝２］（ＣｌＯ４）２、［｛Ｐｄ（Ｌ）（μ−ＯＨ）｝２］（ＰＦ６）２、［｛Ｐｄ（Ｌ）（μ−ＯＨ）｝２］（ＢＰｈ４）２、［｛Ｐｄ（Ｌ）（μ−ＯＨ）｝２］（ＣｌＯ４）２、［｛Ｐｄ（Ｌ）（μ−ＯＨ）｝２］（ＯＴｆ）２
【００８６】
ニッケル錯体：
ニッケル錯体は、例えば、日本化学会編「第４版  実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、３７６頁、１９９１年（丸善）等に記載の方法、あるいはＪ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９１，１１３，９８８７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２００１，１２３，１１１６８−１１１７８、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０００，１２２，１８４−１８５、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９８，１２０，１０５６７−１０５６８、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９９，１２１，１１７５１−１１７５７等の文献に記載の方法に従って製造することができる。具体的には、不斉配位子と塩化ニッケルとを、２−プロパノールとメタノールとの混合溶媒に溶解し、加熱撹拌することにより製造することができる。ニッケル錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
ＮｉＣｌ２（Ｌ）、ＮｉＢｒ２（Ｌ）、ＮｉＩ２（Ｌ）、Ｎｉ（ＯＡｃ）２（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）４、Ｎｉ（Ｃｌ）２（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）６、Ｎｉ（ＯＡｃ）２（Ｌ）、［Ｎｉ（ａｃａｃ）（Ｌ）］（ＯＴｆ）、［Ｎｉ（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）２］（ＣｌＯ４）２、［Ｎｉ２（Ｌ）（ＯＡｃ）２（Ｈ２Ｏ）］（ＣｌＯ４）２、［｛Ｎｉ（Ｌ）（μ−ＯＨ）｝２（Ｈ２Ｏ）］（ＣｌＯ４）２、［Ｎｉ２（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）４］（ＯＴｓ）４、［Ｎｉ２（Ｌ）（μ−ＯＨ）（Ｈ２Ｏ）３］（ＯＴｓ）３、［Ｎｉ２（Ｌ）（μ−ＯＨ）２］（Ｈ２Ｏ）］４（ＯＴｓ）４
【００８７】
白金錯体：
白金錯体は、例えば、日本化学会編「第４版  実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、４１２頁、１９９１年（丸善）等に記載の方法に従って、あるいはＯｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，１９９５，５２８１、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．Ｄａｌｔｏｎ．ｔｒａｎｓ，１９８９，４０３、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９８，１００３２等に記載の文献に記載の方法に従って製造できる。白金錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
ＰｔＣｌ２（Ｌ）、ＰｔＢｒ２（Ｌ）、ＰｔＩ２（Ｌ）、［Ｐｔ（μ−ＯＨ）（Ｌ）］２（ＮＯ３）２、［Ｐｔ（μ−ＯＨ）（Ｌ）］２（ＣｌＯ４）２、Ｐｔ（ＯＨ）２（Ｌ）、［Ｐｔ（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）（ＯＴｆ）］（ＯＴｆ）、［Ｐｔ（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）（ＯＨ）］（ＯＴｆ）、［Ｐｔ（ａｃａｃ）（Ｌ）］（ＯＴｆ）
【００８８】
鉄錯体：
鉄錯体は、例えば、日本化学会編「第４版  実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、２１２頁、１９９１年（丸善）等に記載の方法に従って製造できる。鉄錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
［Ｆｅ（ｃｐｄ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＦｅＣｌ３（Ｌ）］（Ｈ２Ｏ）６、［Ｆｅ（ａｃａｃ）３（Ｌ）］
【００８９】
コバルト錯体：
コバルト錯体は、例えば、日本化学会編「第４版  実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、２９５頁、１９９１年（丸善）等に記載の方法に従って製造できる。コバルト錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
［Ｃｏ（ｃｐｄ）（Ｌ）］、［Ｃｏ（ＯＡｃ）２（Ｌ）］、［Ｃｏ（ａｃａｃ）２（Ｌ）］
【００９０】
金錯体：
金錯体は、例えば、日本化学会編「第４版  実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、４５５頁、１９９１年（丸善）等に記載の方法に従って製造できる。金錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
ＡｕＣｌ（Ｌ）
【００９１】
銀錯体：
銀錯体は、例えば、日本化学会編「第４版  実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、４５０頁、１９９１年（丸善）等に記載の方法に従って製造できる。銀錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
Ａｇ（ｃｐｄ）（Ｌ）（ＯＴｆ）
【００９２】
銅錯体：
銅錯体は、例えば、日本化学会編「第４版  実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、４４０頁、１９９１年（丸善）等に記載の方法に従って、あるいはＩｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９６５，１３８２等の文献に記載の方法に従って製造できる。銅錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
Ｃｕ（ＮＯ３）（Ｌ）、Ｃｕ（ａｃａｃ）（Ｌ）、Ｃｕ（ＯＡｃ）２（Ｌ）（Ｈ２Ｏ）、［Ｃｕ（Ｌ）］（ＯＴｆ）２、［Ｃｕ（μ−ＯＨ）（Ｌ）］２（ＮＯ３）２、［Ｃｕ（μ−ＯＨ）（Ｌ）］２（ＣｌＯ４）２などが挙げられる。
上記の例示において、Ｌは上記と同意義を示し、Ａｃはアセチル基を、Ｐｈはフェニル基を、Ｔｓはトシル基を、Ｔｆはトリフラート基を表す。
【００９３】
これら本発明で用いられる不斉遷移金属錯体は、上記したように公知の方法を用いて製造することができる。とくに、錯体の配位子交換法（即ち弱い中性配位子から光学活性ホスフィン配位子または光学活性窒素配位子へ、あるいはハロゲン配位子を銀塩で処理して所望のアニオン性配位子または、カウンターアニオンを有する錯体を作る）によって合成できる。これらの方法は、従来充分に確立されているから本発明でもそれらに適宜従ってよい。
【００９４】
また、不斉遷移金属錯体触媒の公知の製造方法としてＪ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２１，５４５０（１９９９）の方法やＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，６０，２６４８（１９９５）等に記載の方法などがあり、これらの方法により調製単離した錯体を用いることができる。この際、精製して得られた錯体を本発明における不斉遷移金属錯体として使用してもよいが、とくに精製処理をせずに、不斉遷移金属錯体として使用してもよい。更にまた、錯体を製造する際の原料化合物を反応系内に添加した状態で本発明の製造方法を行ってもよい。
【００９５】
本発明の製造方法において、アミンとしてフリーのアミン（上記一般式（３）において、ａ＝０であるアミン）を用いる場合には、酸の存在下で行うことができる。また、アミンとしてアミンの酸塩（上記一般式（３）において、ａ＝１であるアミン）を用いる場合には、必ずしも酸の存在下で行う必要はなく、必要に応じて酸の存在下で行えばよい。
【００９６】
酸としては、無機酸、有機酸、ルイス酸等が挙げられる。無機酸としては、例えば塩酸、臭化水素酸、硫酸、リン酸、テトラフルオロホウ酸、過塩素酸、過ヨウ素酸等挙げられる。有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、吉草酸、ヘキサン酸、クエン酸、クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、安息香酸、サリチル酸、シュウ酸、コハク酸、マロン酸、フタル酸、酒石酸、リンゴ酸、グリコール酸等のカルボン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等のスルホン酸等が挙げられる。ルイス酸としては、例えば、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム等のハロゲン化アルミニウム、塩化ジエチルアルミニウム、臭化ジエチルアルミニウム、塩化ジイソプロピルアルミニウム等のハロゲン化ジアルキルアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、トリイソプロポキシアルミニウム、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシアルミニウム等のトリアルコキシアルミニウム、四塩化チタン等のハロゲン化チタン、テトライソプロポキシチタニウム等のテトラアルコキシチタニウム、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体等のハロゲン化ホウ素、塩化亜鉛、臭化亜鉛等のハロゲン化亜鉛等が挙げられる。これら酸は、夫々単独で用いても、２種以上適宜組み合わせて用いてもよい。とりわけ、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等が好ましい。
【００９７】
酸の使用量は、アミンに対して通常約０．１〜１０当量、好ましくは約０．５〜３当量の範囲から適宜選択される。
本発明の製造方法において、一般式（３）で表されるアミンの使用量は、一般式（１）で表されるα，β−不飽和カルボン酸誘導体に対して、通常約０．５〜１０当量、好ましくは約１．０〜３当量の範囲から適宜選択される。
不斉触媒の使用量は、化合物（１）に対して、通常約０．０００１〜１．０当量、好ましくは０．００１〜０．１当量の範囲から適宜選択される。
【００９８】
本発明の製造方法は、必要に応じて溶媒の存在下で行ってもよい。溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、ｏ−ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、エチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール、２−エトキシエタノール、ベンジルアルコール等のアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２−プロパンジオール、グリセリン等の多価アルコール類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸メチル等のエステル類、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、アセトニトリル等の含シアノ有機化合物類、Ｎ−メチルピロリドン、水等が挙げられる。これら溶媒は、夫々単独で用いても２種以上適宜組み合わせて用いてもよい。
【００９９】
溶媒の使用量は、化合物（１）に対して、通常約０．５〜１００当量、好ましくは１〜１０当量の範囲から適宜選択される。
【０１００】
本発明の製造方法は、必要に応じて不活性ガス雰囲気下で行うことができる。不活性ガスとしては、窒素ガス、アルゴンガス等が挙げられる。
反応温度は、通常約−７８〜２００℃、好ましくは約０〜１００℃の範囲から適宜選択される。
反応時間は、通常約０．５時間〜１００時間、好ましくは約０．５時間〜２４時間の範囲から適宜選択される。
このようにして得られた光学活性β−アミノ酸誘導体は、例えば加水分解することにより、Ｎ置換β−アミノ酸に導くことができる。
【０１０１】
本発明に使用される原料物質及び目的化合物は、遊離の酸又は塩基であってもよく、酸の場合は塩基との塩であってもよく、塩基の場合は、酸との塩であってもよい。塩を形成する酸としては、例えば塩酸、硫酸、酢酸、クエン酸などの上記Ｘで表される酸が挙げられる。塩を形成する塩基としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、ジメチルアミン、ジエチルアミン、イソプロピルアミンなどの無機又は有機の塩基が挙げられる。
【０１０２】
本発明の製造方法により得られた上記一般式（２）で表される光学活性β−アミノ酸誘導体は、例えばＣＯＲ４やＮＨなど反応性基を分子内に有すから、例えば、医薬、農薬等の合成中間体等として有用である。更にまた、本発明によれば、アミノ基にメトキシフェニル基のような脱保護可能な基を有する１級アミンと反応させても、収率及び光学純度よく光学活性β−アミノ酸誘導体を得ることができ、そして、脱保護してフリーのβ−アミノ酸誘導体に導くことができる。
さらに、本発明の製造方法により得られた光学活性β−アミノ酸誘導体は、フリーのβ−アミノ酸誘導体に導くことができることから、従来アニシジンとの反応において、既知の触媒では、高い光学純度のβ−アミノ酸誘導体を合成することは困難であったのに対し、本発明によれば、アニシジンとの反応においても非常に高い収率及び光学純度で光学活性β−アミノ酸誘導体を得ることができる。
【０１０３】
本発明の製造方法により得られた上記一般式（４）、例えば上記一般式（４ａ）、（４ｃ）で表される光学活性β−アミノ酸誘導体は、例えば、医薬、農薬等の合成中間体等として有用である。
【発明の効果】
【０１０４】
本発明によれば、得られるβ−アミノ酸誘導体は、原料としてアミンを用い、脱保護工程を必要としないため、作業性が向上し、安価で所望のβ−アミノ酸誘導体を製造できる、という効果を奏する。
また、特に、トリフルオロメチル基のようなハロゲ化炭化水素基で置換された、例えば１級アミンを不斉触媒の存在下でα，β−不飽和カルボン酸誘導体と反応させると、光学純度よく所望のβ−アミノ酸誘導体を得るのは従来困難であったが、本発明によれば、このような問題点を解決し、所望のβ−アミノ酸誘導体を光学純度よく得られる、という点にも顕著な効果を奏するものである。
更にまた、本発明によれば、アミノ基にメトキシフェニル基のような脱保護可能な基を有する１級アミンと反応させても、収率及び光学純度よく光学活性β−アミノ酸誘導体を得ることができ、そして、脱保護してフリーのβ−アミノ酸誘導体に導くことができる。
そして更に、本発明の製造方法によれば、不斉触媒の使用量も触媒量でよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１０５】
以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
以下の実施例において、物性等の測定に用いた装置は次の通りである。
（１）核磁気共鳴スペクトル：ＤＲＸ５００（ＢＲＵＫＥＲ  ＪＡＰＡＮ  ＣＯ．ＬＴＤ．）。１Ｈ−ＮＭＲ  （５００．１３ＭＨｚ）、１３Ｃ−ＮＭＲ  （１２５．７６ＭＨｚ）。
（２）ガスクロマトグラフィー（ＧＬＣ）：Ｈｅｗｌｅｔｔ  Ｐａｃｋａｒｄ  ５８９０−ＩＩ
（３）高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）：  島津製作所  ＬＣ１０ＡＴ  ＆  ＳＰＤ１０Ａ
【実施例１】
【０１０６】
窒素気流下において、４−トリフルオロメチルアニリン（１２１ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）と２−ペンテノイルメチルカーバメイト（７９ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）のトルエン（２ｍｌ）溶液にＰｄ（（Ｒ）−ｂｉｎａｐ）（ＯＨ２）２（ＯＴｆ）２（１３．３ｍｇ、０．０１２５ｍｍｏｌ）を加え、５０℃にて５時間撹拌した。反応終了後、反応混合物を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝３：１〜１：１）にて精製を行い、目的の３−（４−トリフルオロメチルアニリノ）−ペンタン酸メチルカーバメイト（１４３ｍｇ、収率４５％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いた液体クロマトグラフィー（カラム：ＯＪ−Ｒ）を用いて測定したところ、５９％ｅｅ（Ｓ体）であった。
【実施例２】
【０１０７】
窒素気流下において、４−トリフルオロメチルアニリン（１２１ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）と２−ペンテノイルメチルカーバメイト（７９ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）のトルエン（２ｍｌ）溶液にＰｄ（（Ｓ）−ｄｍ−ｂｉｎａｐ）（ＯＨ２）２（ＯＴｆ）２（１４．７ｍｇ、０．０１２５ｍｍｏｌ）を加え、５０℃にて５時間撹拌した。反応終了後、反応混合物を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝３：１〜１：１）にて精製を行い、目的の３−（４−トリフルオロメチルアニリノ）−ペンタン酸メチルカーバメイト（１５９ｍｇ、収率５０％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いた液体クロマトグラフィー（カラム：ＯＪ−Ｒ）を用いて測定したところ、６１％ｅｅ（Ｒ体）であった。
【実施例３】
【０１０８】
窒素気流下において、４−トリフルオロメチルアニリン（１９３ｍｇ、１．２ｍｍｏｌ）と３−クロトノイル−１，３−オキサゾリジン−２−オン（１５５ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）のトルエン（３ｍｌ）溶液にＰｄ（（Ｒ）−ｂｉｎａｐ）（ＯＨ２）２（ＯＴｆ）２（２６．６ｍｇ、０．０２５ｍｍｏｌ）を加え、室温にて１６時間撹拌反応させた。反応終了後、飽和塩化アンモニウム水溶液（１０ｍｌ）を加え、酢酸エチル（１０ｍｌ）で抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去したのち、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１：１）で精製し、目的の３−（４−トリフルオロメチルアニリノ）ブチリル−１，３−オキサゾリジン−２−オン（２３８ｍｇ、収率７５％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いた液体クロマトグラフィー（カラム：ＡＤ−Ｈ）を用いて測定したところ、８３％ｅｅであった。
【実施例４】
【０１０９】
窒素気流下において、４−トリフルオロメチルアニリン（１９３ｍｇ、１．２ｍｍｏｌ）と３−クロトノイル−１，３−オキサゾリジン−２−オン（１５５ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）のトルエン（３ｍｌ）溶液にＰｄ（（Ｒ）−Ｓｅｇｐｈｏｓ）（ＯＨ２）２（ＯＴｆ）２（２６．３ｍｇ、０．０２５ｍｍｏｌ）を加え、室温にて１４時間撹拌反応させた。反応終了後、飽和塩化アンモニウム水溶液（１０ｍｌ）を加え、酢酸エチル（１０ｍｌ）で抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去したのち、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１：１）で精製し、目的の３−（４−トリフルオロメチルアニリノ）ブチリル−１，３−オキサゾリジン−２−オン（２３８ｍｇ、収率７５％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いた液体クロマトグラフィー（カラム：ＡＤ−Ｈ）を用いて測定したところ、８４％ｅｅであった。
【実施例５】
【０１１０】
窒素気流下において、４−トリフルオロメチルアニリン（１９３ｍｇ、１．２ｍｍｏｌ）と２−ペンテノイル−１，３−オキサゾリジン−２−オン（１８９ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）のトルエン（３ｍｌ）溶液にＰｄ（（Ｒ）−ｂｉｎａｐ）（ＯＨ２）２（ＯＴｆ）２（２６．６ｍｇ、０．０２５ｍｍｏｌ）を加え、室温にて１６時間撹拌した。反応終了後、飽和塩化アンモニウム水溶液（１０ｍｌ）を加え、酢酸エチル（１０ｍｌ）で抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去したのち、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１：１）で精製し、目的の３−（４−トリフルオロメチルアニリノ）ペンテノイル−１，３−オキサゾリジン−２−オン（１６５ｍｇ、収率５０％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いた液体クロマトグラフィー（カラム：ＯＡ−２０００）を用いて測定したところ、７０％ｅｅであった。
【実施例６】
【０１１１】
窒素気流下において、３−クロトノイル−１，３−オキサゾリジン−２−オン（１５５ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）のトルエン（３ｍｌ）溶液にＰｄ（（Ｒ）−ｂｉｎａｐ）（ＯＨ２）２（ＯＴｆ）２（２６．６ｍｇ、０．０２５ｍｍｏｌ）を加え、０℃に冷却した。アニリン（０．１１ｍｌ、１．２ｍｍｏｌ）を加えたのち、メタンスルホン酸（０．０３９ｍｌ、０．６ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下した。氷浴をはずし、反応混合物を室温にて１５時間撹拌反応させた。反応終了後、溶媒を留去したのち、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１：１）で精製し、目的の３−（３−フェニルアミノブチリル）−オキサゾリジン−２−オン（５８ｍｇ、収率２３％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いた液体クロマトグラフィー（カラム：ＡＤ−Ｈ）を用いて測定したところ、７８％ｅｅであった。
【実施例７】
【０１１２】
窒素気流下において、３−クロトノイル−１，３−オキサゾリジン−２−オン（１５５ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）の酢酸エチル（３ｍｌ）溶液にＰｄ（（Ｒ）−ｂｉｎａｐ）（ＯＨ２）２（ＯＴｆ）２（２６．６ｍｇ、０．０２５ｍｍｏｌ）を加え、０℃に冷却した。アニリン（０．１１ｍｌ、１．２ｍｍｏｌ）を加えたのち、メタンスルホン酸（０．０７８ｍｌ、１．２ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下した。氷浴をはずし、反応混合物を室温にて１８時間撹拌反応させた。反応終了後、溶媒を留去したのち、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１：１）で精製し、目的の３−（３−フェニルアミノブチリル）−オキサゾリジン−２−オン（３７ｍｇ、収率１５％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いた液体クロマトグラフィー（カラム：ＡＤ−Ｈ）を用いて測定したところ、８２％ｅｅであった。
【実施例８】
【０１１３】
アニシジン（５５．４ｍｇ、０．４５ｍｍｏｌ）のトルエン（１．５ｍＬ）溶液を０℃に冷却し、トリフルオロメタンスルホン酸（４０μＬ、０．４５ｍｍｏｌ）を滴下した。１０分撹拌した後、Ｐｄ（（Ｒ）−ｂｉｎａｐ）（ＯＨ２）２（ＯＴｆ）２（８ｍｇ、０．００７５２ｍｍｏｌ）を加え、３−クロトノイル−１，３−オキサゾリジン−２−オン（４７ｍｇ、０．３ｍｍｏｌ）を加えた。氷浴をはずし、室温で２０時間反応させた。飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて反応を停止させ、酢酸エチルで抽出した。有機層を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝４：１）にて精製し、目的の３−[３−（４−メトキシフェニルアミノ）ブチリル]−１，３−オキサゾリジン−２−オンを得た（６６．５ｍｇ、収率９６％）。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いた液体クロマトグラフィー（カラム：ＡＤ−Ｈ）を用いて測定したところ、９４％ｅｅであった。
【実施例９】
【０１１４】
Ｐｄ（（Ｒ）−ｂｉｎａｐ）（ＯＨ２）２（ＯＴｆ）２（２６．６ｍｇ、０．０２５ｍｍｏｌ）のトルエン（３ｍＬ）溶液に３−クロノイル−１，３−オキサゾリジン−２−オン（１５５ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）とアニシジン（１４８ｍｇ、１．２ｍｍｏｌ）を加え、室温にて３時間撹拌した。反応溶液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝４：１）にて精製し、目的の３−[３−（４−メトキシフェニルアミノ）ブチリル]−１，３−オキサゾリジン−２−オンを得た（２２８ｍｇ、収率８２％）。
【実施例１０】
【０１１５】
窒素気流下において、３−クロトノイル−１，３−オキサゾリジン−２−オン（４７ｍｇ、０．３ｍｍｏｌ）とＰｄ（（Ｒ）−ｂｉｎａｐ）（ＯＨ２）２（ＯＴｆ）２（８．０ｍｇ、０．００７５ｍｍｏｌ）のトルエン（１．５ｍＬ）溶液を０℃に冷却し、アニリン（４２ｍｇ、０．４５ｍｍｏｌ）を加えた後、トリフルオロメタンスルホン酸（６３μＬ、０．４５ｍｍｏｌ）を滴下し、反応混合物を室温にて２４時間撹拌した。原料の消失を確認した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて反応を停止させ、酢酸エチルで抽出した。有機層を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１：１）にて精製し、目的の３−（３−フェニルアミノブチリル）−オキサゾリジン−２−オン（６６ｍｇ、収率８９％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いた液体クロマトグラフィー（カラム：ＡＤ−Ｈ）を用いて測定したところ、９４％ｅｅであった。
【実施例１１】
【０１１６】
窒素気流下において、３−クロトノイル−１，３−オキサゾリジン−２−オン（７７６ｍｇ、５．０ｍｍｏｌ）、アニシジン・トリフルオロメタンスルホン酸塩（１．６４ｇ、６．０ｍｍｏｌ）、アニシジン（３．１ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ）とＰｄ（（Ｒ）−ｓｅｇｐｈｏｓ）（ＯＨ２）２（ＯＴｆ）２（２６．３ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（５ｍＬ）溶液を室温で２４時間撹拌した。原料の消失を確認した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて反応を停止させ、酢酸エチルで抽出した。有機層を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１：１）にて精製し、目的の３−[３−（４−メトキシフェニルアミノ）ブチリル]−１，３−オキサゾリジン−２−オン（１．１６ｇ、収率８３％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いた液体クロマトグラフィー（カラム：ＡＤ−Ｈ）を用いて測定したところ、９７％ｅｅであった。上記において、Ｍｅはメチル基を、ＨＯＴｆは、トリフルオロメタンスルホン酸を意味する。以下同じ。
【実施例１２】
【０１１７】
窒素気流下において、３−クロトノイル−１，３−オキサゾリジン−２−オン（５８ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）、アニシジン・トリフルオロメタンスルホン酸塩（２０５ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）と[Ｐｄ（（Ｒ）−ｂｉｎａｐ）（μ−ＯＨ）]２（ＯＴｆ）２（４．６ｍｇ、０．００２５ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（０．５ｍＬ）溶液を室温で１２時間撹拌した。原料の消失を確認した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて反応を停止させ、酢酸エチルで抽出した。有機層を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１：１）にて精製し、目的の３−[３−（４−メトキシフェニルアミノ）ブチリル]−１，３−オキサゾリジン−２−オン（１２８ｍｇ、収率９２％）を得た。この鏡像体過剰率は、光学異性体分離カラムを用いた液体クロマトグラフィー（カラム：ＡＤ−Ｈ）を用いて測定したところ、９８％ｅｅであった。
【産業上の利用可能性】
【０１１８】
本発明の製造方法によって得られる光学活性β−アミノ酸誘導体は、例えば医薬、農薬等の中間体として有用である。