(57)【要約】【課題】  金属若しくは金属化合物で駆動部分等が形成されているＭＥＭＳデバイスの犠牲層の除去において、ＭＥＭＳ構造内のＳｉＯ2を使用した犠牲層を、駆動部分等がダメージを受けることなく、構造崩れやプロセスの複雑化もなく、犠牲層を除去できるＭＥＭＳデバイス向け基板表面の処理方法の提供。【解決手段】  金属若しくは金属化合物材料からなる駆動部分等が形成されたＭＥＭＳ構造内のＳｉＯ2犠牲層を除去するＭＥＭＳデバイス向け基板表面の処理方法において、加温させた処理チャンバー内に不活性ガスを供給しながら基板温度を所望の温度に上昇させ、且つ大気中において基板表面に吸着した水を基板表面から脱離させた後、犠牲層のエッチングを、不活性ガスで希釈した濃度が１〜３０ｖｏｌ％の範囲内にある無水弗化水素酸ガスで行う基板表面の処理方法。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に金属若しくは金属化合物材料からなる駆動部分等が形成されているＭＥＭＳ構造内のＳｉＯ2を使用した犠牲層を除去するＭＥＭＳデバイス向け基板表面の処理方法において、加温させた処理チャンバー内に不活性ガスのみを供給しながら基板温度を所望の温度まで上昇させ、且つ、大気中において基板表面に吸着された水を基板表面から脱離させる工程と、該工程の後に、上記犠牲層のエッチングを、不活性ガスで希釈した濃度が１〜３０ｖｏｌ％の範囲内にある無水弗化水素酸ガスで行うエッチング工程とを有することを特徴とするＭＥＭＳデバイス向け基板表面の処理方法。
【請求項２】
エッチング工程後に、更に、基板表面に吸着した無水弗化水素酸及びその反応生成物を脱離する工程を有する請求項１に記載の処理方法。
【請求項３】
基板の加温後、エッチング工程の前に、不活性ガスによって希釈した水蒸気及び無水弗化水素酸で処理して前記ＳｉＯ2表面を活性化させる工程を有する請求項１に記載の処理方法。
【請求項４】
基板温度を４０〜８０℃の範囲内まで上昇させる請求項１〜３のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項５】
基板表面に吸着した無水弗化水素酸及びその反応生成物を脱離する工程において、４０〜８０℃にて不活性ガスのみを供給し、処理チャンバー内に存在している無水弗化水素酸及びその反応生成物を不活性ガスに置換する請求項２〜４のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項６】
基板表面に吸着した無水弗化水素酸及びその反応生成物を脱離する工程において、１５０〜３００℃にて不活性ガス雰囲気中でベーク処理を行って、基板表面に吸着した無水弗化水素酸及びその反応生成物を脱離する請求項２〜５のいずれか１項に記載の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、ＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  Systems）デバイスのように、駆動する素子構造部分や配線（以下、駆動部分等という）を有するデバイスの形成過程において、駆動部分等の内部若しくは下に犠牲層として形成したＳｉＯ2層を、駆動部分等を構成している構造材料の材質を損なうことなく除去する処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳは、情報機器周辺をはじめとし、システムの鍵を握る重要な要素として用いられている。ＭＥＭＳデバイスの形成過程において、駆動部分等を作成する手法の一つとして、シリコン基板上に、ＳＯＧ（スピンオングラス）塗布若しくはＣＶＤ法によって成膜してＳｉＯ2層を形成させ、その上に金属若しくは金属化合物で駆動部分等を形成した後、ＳｉＯ2層のみをケミカルエッチングによって選択的に除去し、駆動部分等の下に空洞部分を形成する方法がある。このときのＳｉＯ2層は、一般的に犠牲層と呼ばれているが、ＭＥＭＳ構造体を形成する過程において、この犠牲層を除去し、駆動部分等の下に空洞を形成する工程は最も困難な工程である。
【０００３】
駆動部分等の下に空洞を形成する方法として、犠牲層酸化膜に、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）膜を用い、エッチャントを無水弗化水素酸とメタノールとの蒸気を含むガスを用いる方法についての提案がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
又、犠牲層をＳｉＯ2とし、エッチャントに弗化水素酸を含む液体エッチング剤を用い、エッチング時の駆動部分等の腐食防止のため、ＴｉＮをカバー膜として使用する方法についての提案がある（例えば、特許文献２参照）。又、犠牲層をＳｉＯ2とし、窒素等の不活性ガス雰囲気中で加熱後、或いは、窒素等の昇温した不活性ガスを吹き付けて、基板表面に吸着している水分量を制御した後、水分の存在下、フッ化水素ガスで乾式処理することについての提案がある（例えば、特許文献３参照）。
【０００５】
又、犠牲層をシリコンとし、エッチャントに弗化キセノンを用いる処理方法についての提案がある（例えば、特許文献４参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１０７３３９号公報
【特許文献２】特開平８−３２１６４５号公報
【特許文献３】特開平６−４５３０４号公報
【特許文献４】特開２００３−１３６４９９公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
これに対して、近年におけるＭＥＭＳデバイスの用途の多様化に伴い、駆動部分等（素子構造部分や配線）の形状はデバイスによって様々なものになっているが、全体的に見ると、ギャップと呼ばれている駆動部分等と基板との間の空洞部分の厚さが薄くなる傾向がある。又、素子構造部分や配線の形成材料の材質も多様化しているため、前記に挙げた従来技術においても、下記のような問題を生じる場合がある。
【０００８】
即ち、前記した特許文献１及び特許文献３に記載の、犠牲層及びエッチャントを特定の材料とした処理方法では、駆動部分等に金属若しくは金属化合物を使用している場合には、これらが変質する恐れがある。又、腐食防止のため、カバー膜をつけるという手法もあるが、構造材料との密着性、その後の除去方法に難がある。
【０００９】
又、前記した特許文献２に記載の処理方法は、湿式処理であるため、エッチング後の乾燥のステップにおいて、ギャップ厚の減少によって空洞内の水が抜ける際の水の表面張力による構造崩れが避けられず、良好な製品が得られない場合がある。
【００１０】
更に、前記した特許文献４に記載の処理方法では、エッチャントに弗化キセノンを用いているため、処理コストが非常に高くなる。又、プロセス面においても、基板や駆動部分等の形成材料にＳｉ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ等の材料を用いた場合は、それらをＳｉＯ2等のカバー膜にて覆った状態でエッチングし、エッチング後、そのカバー膜を除去しなければならないので、プロセスが複雑化する。そして、ギャップ厚が薄くなった場合には、この処理方法では対応できないという課題もある。
【００１１】
従って、本発明の目的は、金属若しくは金属化合物によって駆動部分等が形成されているＭＥＭＳデバイスの犠牲層の除去工程において、駆動部分等を形成している金属若しくは金属化合物がダメージを受けることなく、且つ構造崩れを起こすこともなく、プロセスが複雑化することもなく、ＭＥＭＳ構造内のＳｉＯ2を使用した犠牲層を完全に除去することができるＭＥＭＳデバイス向け基板表面の処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的は、下記の本発明により達成される。即ち、本発明は、［１］基板上に金属若しくは金属化合物材料からなる駆動部分等が形成されているＭＥＭＳ構造内のＳｉＯ2を使用した犠牲層を除去するＭＥＭＳデバイス向け基板表面の処理方法において、加温させた処理チャンバー内に不活性ガスのみを供給しながら基板温度を所望の温度まで上昇させ、且つ、大気中において基板表面に吸着された水を基板表面から脱離させる工程と、該工程の後に、上記犠牲層のエッチングを、不活性ガスで希釈した濃度が１〜３０ｖｏｌ％の範囲内にある無水弗化水素酸ガスで行うエッチング工程を有することを特徴とするＭＥＭＳデバイス向け基板表面の処理方法である。
【００１３】
本発明の好ましい形態は、下記の［２］〜［６］が挙げられる。［２］エッチング工程後に、更に、基板表面に吸着した無水弗化水素酸及びその反応生成物を脱離する工程を有する上記［１］に記載の処理方法。［３］基板の加温後、エッチング工程の前に、不活性ガスによって希釈した水蒸気及び無水弗化水素酸で処理して前記ＳｉＯ2表面を活性化させる工程を有する上記［１］に記載の処理方法。［４］基板温度を４０〜８０℃の範囲内まで上昇させる上記［１］〜［３］のいずれかに記載の処理方法。［５］基板表面に吸着した無水弗化水素酸及びその反応生成物を脱離する工程において、４０〜８０℃にて不活性ガスのみを供給し、処理チャンバー内に存在している無水弗化水素酸及びその反応生成物を不活性ガスに置換する上記［２］〜［４］のいずれかに記載の処理方法。［６］基板表面に吸着した無水弗化水素酸及びその反応生成物を脱離する工程において、１５０〜３００℃にて不活性ガス雰囲気中でベーク処理を行って、基板表面に吸着した無水弗化水素酸及びその反応生成物を脱離する上記［２］〜［５］のいずれかに記載の処理方法。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、金属若しくは金属化合物からなる駆動部分等が形成されているＭＥＭＳデバイスにおいて、これらの金属若しくは金属化合物にダメージを与えることなく、且つ構造崩れを起こさずに、犠牲層の除去を容易に行うことができるＭＥＭＳデバイス向けの優れた基板表面の処理方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、好ましい実施の形態を挙げて本発明を詳細に説明する。本発明にかかる処理方法は、基板上に金属若しくは金属化合物材料からなる駆動部分等が形成されているＭＥＭＳ構造内のＳｉＯ2を使用した犠牲層を除去するＭＥＭＳデバイス向け基板表面の処理方法に関するが、加温させた処理チャンバー内に不活性ガスのみを供給しながら基板温度を所望の温度まで上昇させ、且つ、大気中において基板表面に吸着したＨ2Ｏを、基板表面から脱離させる工程（Ａ）と、この工程（Ａ）の後に、上記犠牲層のエッチングを、不活性ガスで希釈された、濃度が１〜３０ｖｏｌ％の範囲内にある無水弗化水素酸ガスで行うエッチング工程（Ｂ）を有することを特徴とする。
【００１６】
以下に、本発明にかかる処理方法における基本的な考え方を説明する。本発明では、上記工程（Ａ）において、ＳｉＯ2を使用してなる犠牲層をエッチング除去するための反応ガスに、不活性ガスで希釈された無水弗化水素酸ガスを用いる。下記に、無水弗化水素酸ガスによるＳｉＯ2のエッチングにおける反応式、及び、基板上に駆動部分等を形成する金属及び金属化合物の例として、Ａｌ及びＡｌＮが用いられている場合における無水弗化水素酸ガスによる弗化反応の反応式を示した。（２−１）及び（２−２）式に示したように、ＳｉＯ2のエッチングにおいて、Ｈ2ＯによるＳｉＯ2表面の水酸化は反応速度を高くするのに効果的であるため、Ｈ2Ｏを反応ガス自体に添加するのが一般的である。
【００１７】
しかしながら、（３−１）及び（４−１）に示した通り、Ｈ2Ｏは、金属や金属化合物表面にて金属水酸化物を形成してしまう。大抵の金属及び金属化合物は、無水弗化水素酸に対して、ある程度の耐性を持っているが、（３−２）及び（４−２）に示したように、金属水酸化物は、無水弗化水素酸に対する耐性がないため、低濃度の無水弗化水素酸であっても弗素化合物を形成してしまう。
【００１８】
2005212032.tif 000002
【００１９】
そこで、本発明の処理方法では、基板温度を所望の温度まで上昇させる工程（Ａ）を設けることで、反応によって生成されるＨ2Ｏによる構造材料表面のヒドロキシル化を抑制し、且つ、エッチング工程（Ｂ）においても、反応ガスへのＨ2Ｏ添加を一切行わないこととする。その代わりとして、エッチング工程（Ｂ）で、反応ガス中の無水弗化水素酸の濃度を高くしてエッチングすることで、上記（１）式で示した反応の速度を促進させ、その反応過程で発生するＨ2Ｏをその後の反応の触媒として利用する。この結果、駆動部分等を形成している材料である金属若しくは金属化合物にダメージを与えることなく、且つ、駆動部分等の構造崩れを起こさずに、ＳｉＯ2を使用してなる犠牲層のエッチングを容易に行うことができる。
【００２０】
本発明者らの検討によれば、反応ガスとして、不活性ガスで希釈した無水弗化水素酸の濃度が１〜３０ｖｏｌ％の範囲内のもの、より好ましくは、１０〜３０ｖｏｌ％の範囲内のものを使用した場合に、上記の優れた効果が得られる。即ち、反応ガスへのＨ2Ｏ添加を一切行わない場合には、エッチング反応はＴＥＯＳ膜の場合であると、無水弗化水素酸１０ｖｏｌ％以上にて立ち上がる。しかしながら、この高温でのエッチングの場合、反応開始速度が遅いという欠点がある。この際、エッチング前に、不活性ガスで希釈した濃度の薄い無水弗化水素酸と、若干の水蒸気を加えたガスを用いてＳｉＯ2表面を活性化するステップを追加すれば、反応の立ち上がりを早めることができる。一方、無水弗化水素酸の濃度が３０ｖｏｌ％よりも高い条件でエッチングを行うと、駆動部分等の形成材料に、例えば、ＡｌＮを使用した場合等において、材質に変質が観察される。
【００２１】
本発明の好ましい形態としては、エッチング工程（Ｂ）の後に、更に、基板表面に吸着した無水弗化水素酸及びその反応生成物を脱離する工程（Ｃ）を有する上記に記載の処理方法が挙げられる。その場合の好ましい実施形態としては、該工程（Ｃ）において、４０〜８０℃にて不活性ガスのみを供給し、基板表面に吸着されていた無水弗化水素酸及びその反応生成物を不活性ガスに置換する実施形態や、該工程（Ｃ）において、不活性ガス雰囲気中で、１５０〜３００℃にてベーク処理を行って、基板表面に吸着されていた無水弗化水素酸及びその反応生成物を脱離することが挙げられる。
【００２２】
上記したように構成すれば、エッチング工程（Ｂ）において、駆動部分等を形成している金属若しくは金属化合物がダメージを受けることが有効に防止され、且つ駆動部分等が構造崩れを起こすこともない。特に、エッチング工程（Ｂ）の直後に、不活性ガス中にてベーク処理を行って、表面に吸着した無水弗化水素酸成分を完全に脱離させれば、エッチング処理後、ＭＥＭＳデバイス向け基板が大気放置された場合において、反応に用いた無水弗化水素酸と大気中のＨ2Ｏによって駆動部分等がダメージを受けることが有効に防止できる。
【００２３】
又、本発明の好ましい形態は、工程（Ａ）で基板を加温した後、エッチング工程（Ｂ）の前に、不活性ガスによって希釈した水蒸気及び無水弗化水素酸で処理してＳｉＯ2表面を活性化させる工程（Ｄ）を有する処理方法が挙げられる。即ち、基板上に形成されている駆動部分等を構成する金属若しくは金属化合物材料が、処理時間及び濃度を制限することによって、水蒸気を含む無水弗化水素酸による処理に耐え得るものである場合には、工程（Ａ）での基板の加温後、エッチング工程（Ｂ）の前に、水蒸気及び無水弗化水素酸を不活性ガスで希釈したガスにて処理を行って、ＳｉＯ2表面に、水と無水弗化水素酸の吸着層を形成して予め活性化しておけば、エッチング反応の立ち上がりにかかる時間を短縮することが可能になる。
【００２４】
次に、図１を参照しながら、本発明にかかる基板表面の処理方法を実現し得る装置について説明する。図１に装置のフロー図を示した。図１に示した例では、反応ガスに無水弗化水素酸ガス（ＨＦ）を用い、これと共存させる不活性ガスとして窒素ガス（Ｎ2）を用いた。図１における１は、エッチング処理を行うためのエッチングチャンバーである。２は、エッチングチャンバー１に導入される反応ガスである無水弗化水素酸ガスが少なくとも含有された反応ガスの導入ライン、３は、反応ガスの排気ラインである。又、ライン４は、エッチング時にウェーハ裏面にＨＦガスが回り込むのを防ぐための裏面から不活性ガス（例では窒素ガス）を導入するラインである。エッチングチャンバー１に導入される反応ガスＨＦは、ニッケル製等の液体無水弗化水素酸入りボトル５からガスとして配管を通り、ＨＦ用のマスフローコントローラー（ＭＦＣ）６により流量調整されて、Ｎ2用のＭＦＣ７にて流量調整された窒素ガスと共にライン２から供給される。又、チャンバー内排気圧を一定に調整するために、排気のライン３側には、バックプレッシャーコントローラー８が取り付けられている。
【００２５】
図２に、エッチングチャンバー１の構造を説明するための概略断面図を示した。図２中の２１はウェーハを設置、回転させるためのターンテーブルであり、その下には該ターンテーブル２１を回転させるためのモーター２４が配置されている。基板Ｓは、ターンテーブル２１の中心にある真空チャックにより固定され、例えば、最大３，０００ｒｐｍまで回転される。２２は、エッチングチャンバー内に入ってきたガスを均一に基板上に供給するためのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）製の薄い膜である。又、チャンバーの外周には、超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）製の膜２３が取り付けられており、均一に排気が行われるようになっている。チャンバー上部にチャンバーの温調のためにシリコンラバーヒーター２５が取り付けられている。
【００２６】
図２で説明した構造によって、導入ライン２から導入された無水弗化水素酸ガスを窒素ガスで希釈した反応ガスは、基板の上部に配置されたＰＴＦＥ製の膜２２と、反応ガスの排気ライン３への途中に配置されているＵＨＭＷＰＥ製の膜２３によって、導入された反応ガスが均一に基板上に供給される構造となっている。
【００２７】
上記で説明したような構成の装置を用い、下記のように操作することで、駆動部分等が形成されているＭＥＭＳ構造内のＳｉＯ2を使用した犠牲層を、駆動部分等を形成している金属若しくは金属化合物にダメージを与えることなく、犠牲層を良好な状態で除去し、品質に優れるＭＥＭＳデバイスが形成できる。具体的には、先ず、加温させた処理チャンバー内に不活性ガスのみを供給しながら基板温度を所望の温度、例えば４０〜８０℃まで上昇させ、基板表面に大気中にて吸着したＨ2Ｏを脱離させる。次に、Ｈ2Ｏが存在しない状態の、窒素ガスで希釈した濃度が１〜３０ｖｏｌ％の範囲内にある無水弗化水素酸ガスを反応ガスとして導入し、エッチング処理を行う。更に、エッチング処理後に、基板表面に吸着した無水弗化水素酸を脱離することが好ましい。具体的な方法としては、例えば、４０〜８０℃にて不活性ガスのみを供給し、無水弗化水素酸及びその反応生成物を脱離して不活性ガスに置換する方法や、１５０〜３００℃にて不活性ガス雰囲気中でベーク処理を行って、基板表面に吸着した無水弗化水素酸及びその反応生成物を脱離する方法が挙げられる。
【実施例】
【００２８】
次に、実施例及び比較例を挙げて、本発明を更に詳細に説明する。しかし、実施例はあくまで一つの事例であり、本発明は、これらの実施例によって何ら制限されるものではない。
【００２９】
シリコン基板上に、金属若しくは金属化合物材料からなる駆動部分等が形成されている犠牲層除去前のＭＥＭＳデバイスについて、犠牲層の除去処理試験を行った。処理には、本発明の基板表面の処理方法を実施し得る図１に示したような構造の、弗化ビニリデン（ＰＶＤＦ）製の密閉構造の処理チャンバー１を有する無水弗化水素酸ベーパー処理装置（EXCALIBUR（登録商標）ISR:FSI International社製）を用いた。該処理装置の処理チャンバー内の温度はヒーターにより６８℃に保たれている。又、反応ガスに用いる無水弗化水素酸ガスには、純度９９．９％のものを使用した。
【００３０】
＜実施例１＞
本実施例では、６インチのシリコン基板上に、図３に示す形状の構造体を形成したものを使用した。犠牲層のＳｉＯ2は、ＴＥＯＳ−ＣＶＤ法にて０．３μｍ成膜し、構造体部分は、スパッタリング法によって、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉ、ＡｌＮの４種類の金属若しくは金属化合物からなるサンプルを作成した。これらのサンプルについて、上記した無水弗化水素酸ベーパー処理装置にて、犠牲層の除去処理を行った。先ず、エッチングの前に、各サンプルに、９Ｌ／ｍｉｎの窒素のみを５分間供給して４５℃まで基板温度を上昇、安定化させ、且つ、処理前に、大気中で基板表面に吸着した水分を基板表面から脱離させた。次に、窒素にて希釈した２．８、５．６、１１、１６．５、３３、５０ｖｏｌ％の各濃度の無水弗化水素酸を含む反応ガスで、それぞれ、５、１０、２０、３０分間、無水弗化水素酸によるエッチング処理を行った。その後、１分間、３０Ｌ／ｍｉｎの窒素によりチャンバー内及び構造内部を窒素に置換し、その後、犠牲層除去後のサンプル基板をチャンバーから出して、該サンプル基板を、２００℃の定温乾燥機を用いて、１５分間、窒素雰囲気内に放置し、基板表面に吸着している無水弗化水素酸及びその反応生成物を脱離させた。
【００３１】
上記の方法で処理した各サンプルについて、金属顕微鏡によりエッチング特性の観察を行った。図４に、横方向のエッチングレート測定の結果を示した。図４に示した通り、エッチング反応は、反応ガス中の無水弗化水素酸の濃度が１０ｖｏｌ％以上で立ち上がり、エッチレートは３．２μｍまで上昇させることができることが確認された。しかし、構造体の材料がＡｌＮである場合に、無水弗化水素酸の濃度が３０ｖｏｌ％よりも高い条件では、変質が観察された。
【００３２】
そこで、１０〜３０ｖｏｌ％の範囲の各濃度の無水弗化水素酸を含む反応ガスを用いて、処理する時間を変化させて上記と同様の試験を行ったところ、１０〜３０ｖｏｌ％の範囲の各濃度において、３０分間の処理を行えば、全てのサンプルにおいて構造崩れ及び構造材料の変質を生じることなくエッチングが完了していることが確認できた。
【００３３】
＜実施例２＞
実施例１にて行った処理において、基板加温後、エッチング処理する前に、更に、窒素により無水弗化水素酸６ｖｏｌ％、水蒸気１ｖｏｌ％に希釈したガスを１分間供給し、ＳｉＯ2表面を活性化するステップを追加した以外は実施例１と同様にして、実施例１と同様のサンプルについて犠牲層の除去処理試験を行った。そして、実施例１の場合と同様に、犠牲層除去後のサンプル基板について金属顕微鏡により観察を行った。この結果、全てのサンプルにおいて、５分間程度の処理時間の短縮が可能であることがわかった。
【００３４】
＜実施例３＞
本実施例では、６インチのシリコン基板上に、図３に示す形状の構造体を形成したものを使用した。犠牲層のＳｉＯ2は、ＳＯＧ塗布によって０．３μｍ成膜し、構造体部分は、スパッタリング法によってＭｏからなるサンプルを作成した。このサンプルについて、実施例１と同様の手法にて処理を行った。但し、エッチング時に使用する反応ガスとして、無水弗化水素酸の濃度が０．３〜１．７ｖｏｌ％の範囲内のものを使用した。
【００３５】
上記の方法で処理した犠牲層除去後の各サンプル基板について、実施例１と同様にして金属顕微鏡によりエッチング特性の観察を行った。図５に、横方向のエッチングレート測定の結果を示した。図５に示した通り、エッチング反応は、無水弗化水素酸１ｖｏｌ％以上にて立ち上がることが確認された。
【００３６】
上記の結果は、本実施例の方法を用いれば、基板上に形成されている金属からなる構造体部分にダメージを与えることなく犠牲層が除去でき、良好なＭＥＭＳ構造体を形成できることを示している。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
以上に説明したように、本発明によれば、基板上に、金属若しくは金属化合物材料からなる駆動部分等が形成されているＭＥＭＳ構造内のＳｉＯ2を使用した犠牲層を除去する処理方法において、駆動部分等にダメージを与えることなく、且つ、構造崩れを起こさずに犠牲層の除去を行うことができる。従って、本発明の活用例としては、本発明の方法によって処理された良好なＭＥＭＳデバイス向け基板が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の基板表面の処理方法を実現し得る装置のフロー図である。
【図２】エッチングチャンバーの構造を示す図である。
【図３】実施例で使用したサンプルに形成された構造体の形状を示す模式図である。
【図４】実施例１で得られたＣＶＤ−ＳｉＯ2犠牲層におけるエッチング特性を示すグラフである。
【図５】実施例３におけるＳＯＧ−ＳｉＯ2犠牲層におけるエッチング特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３９】
１：エッチングチャンバー
２：反応ガスの導入ライン
３：反応ガスの排気ライン
４：窒素ガスの導入ライン
５：液体無水弗化水素酸ボトル
６、７：マスフローコントローラー（ＭＦＣ）
８：バックプレッシャーコントローラー
２１：ターンテーブル
２２：ＰＴＦＥ製の膜
２３：超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）製の膜
２４：モーター
２５：シリコンラバーヒーター
【図１】
2005212032.tif 000003
【図２】
2005212032.tif 000004
【図３】
2005212032.tif 000005
【図４】
2005212032.tif 000006
【図５】
2005212032.tif 000007