(57)【要約】【課題】  本発明では、露光装置のレンズ系の透過率を向上させ良好な光学系の光量を得ることを目的とする。【解決手段】  そこで、本発明では、フッ化物の結晶製造の精製工程及び成長工程及びアニール工程の内の一つ以上の工程で用いる気体スカベンジャとして不活性ガスとフッ素あるいはフッ化炭素の混合気体を用いる構成とした。【選択図】  図１
2005330123.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ化カルシウム単結晶の製造工程中、高純度ＣａＦ２合成粉末原料を溶融固化する精製工程、高純度精製原料を用いた単結晶成長工程、及び単結晶内の歪を除去するアニール工程において、フッ化カルシウムの酸化防止するためのスカベンジャとして、フッ素あるいはフッ化炭素と不活性ガスの混合ガスを用いたことを特徴としたフッ化カルシウム単結晶製造方法及びフッ化カルシウム単結晶。
【請求項２】
フッ素系ガスがフッ素、フッ化炭素ガスであり、不活性ガスがアルゴンであることを特徴とした請求項１．のＣａＦ２単結晶製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィー用の露光装置に用いられるＣａＦ２結晶に係わる。
【背景技術】
【０００２】
エキシマレーザーは、紫外域で発振する唯一の高出力レーザーとして注目されており、電子産業や化学産業やエネルギー産業において応用が期待されている。
【０００３】
エキシマレーザー光を発生する装置はエキシマレーザー発振装置として知られている。マニホルド内に充填されたＡｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，ＫｒＦ，ＡｒＦ，Ｆ２等のレーザーガスを電子ビーム照射や放電等により励起状態にする。すると、励起された原子は基底状態の原子と結合して励起状態でのみ存在する分子を生成する。この分子がエキシマと呼ばれるものである。エキシマは不安定な為、直ちに紫外光を放出して基底状態に落ちる。これをボンドフリー遷移というが、この遷移よってえられた紫外光を一対のミラーで構成される光共振器内で増倍してレーザー光として取り出すものがエキシマレーザー発振装置である。
【０００４】
エキシマレーザー光の中でもＡｒＦレーザーやＦ２レーザーはそれぞれ波長が１９３ｎｍ、１５７ｎｍといった真空紫外域とよばれる波長域の光であり、光学系にはこうした波長域の光の透過率が高いものを用いなければならない。
【０００５】
ＣａＦ２結晶はこのような目的に最適な光学材料である。
【０００６】
一方、フォトリソグラフィー用露光装置に用いられる光学系レンズ材料としては、屈折率の均質性が良く、複屈折率が小さく、研磨精度を上げられることが必要になる。
【０００７】
特許文献１では、フッ化カルシウム結晶の透過率が高く、安全性の有利な固体スカベンジャを用いたフッ化カルシウム結晶製造方法に関する提案がある。
【０００８】
特許文献２では、固体スカベンジャ（フッ素化剤）を用いた蛍石単結晶の熱処理装置および熱処理方法の提案がある。
【特許文献１】特開平９−２２７２９３号公報
【特許文献２】特開平１１−２４０８００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来のＣａＦ２結晶は通常の可視光の光学系の物品としては満足できる性能を示すものの、真空紫外波長域の露光機に使用されるレンズ材料としてのＣａＦ２結晶は高い内部透過率を要求されており、更に、エキシマレーザーのように短波長で高出力の光を長期間繰り返し照射するとその光学特性が劣化することがあること、結像性能を左右する屈折率の均質性、複屈折率が大きいことなどの問題がある。
【００１０】
特に、エキシマレーザーのうちでも、波長の短いＦ２エキシマレーザーを用いるフォトリソグラフィー用露光機に用いられる光学部品の場合は、レンズ材であるＣａＦ２結晶に要求される光学性能は、非常に厳しい。
【００１１】
レンズ材であるＣａＦ２結晶に要求される光学性能は上記のように、内部透過率、レーザー耐久、屈折率均質性、複屈折率である。
【００１２】
更に、レンズとするための研磨加工において面精度が得られる結晶材料であること。
【００１３】
本発明者らは、その原因を探究するうちに結晶の内部透過率の低下は、結晶の酸化と酸化防止に用いられたスカベンジャの残留が大きく影響していることを発見し、内部透過率を低下させないためにスカベンジャの作用のさせ方非常に重要であることに気がついた。
【００１４】
本発明は、上述した技術的課題に鑑みなされたものであり、短波長で高透過率を要求される光学系に利用するような光学材料ＣａＦ２結晶を提供することを主たる目的とする。
【００１５】
本発明の別の目的は、エキシマレーザー用の光学部品、とりわけフォトリソグラフィー用の露光装置のエキシマレーザー用の光学部品に好適なＣａＦ２結晶を提供することにある。
【００１６】
本発明の更に別の目的は、信頼性の高い光学物品となりうるＣａＦ２結晶を提供
することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明のＣａＦ２結晶製造方法は、高純度ＣａＦ２粉末原料をメルト固化する精製工程、単結晶を育成する結晶成長工程、結晶内の歪を除去するアニール工程において、フッ素系ガススカベンジャと不活性ガスの混合ガスを対象のフッ化カルシウムに供給してフッ化カルシウム単結晶の光学特性を良好にすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、フッ化物の結晶製造の精製工程及び成長工程及びアニール工程の内の一つ以上の工程で用いる気体スカベンジャとして不活性ガスとフッ素あるいはフッ化炭素の混合気体を用いることにより、結晶中に残留するスカベンジャ構成元素からなる不純物を無くし、真空紫外波長領域の内部透過率、及びレーザー耐久性を向上させた。
【００１９】
このことにより、目的の露光機のレンズ系の透過率を向上させ良好な光学系の光量を得ることが可能になった。
【００２０】
短波長で高出力の光を長期間繰り返し照射した場合であっても、透過率特性が劣化し難いＣａＦ２結晶を提供することができる。
【００２１】
以上のことから、エキシマレーザー用の光学部品、とりわけフォトリソグラフィー用の露光装置のエキシマレーザー用の光学部品に好適なＣａＦ２結晶を提供することができ、結像性能の良好な信頼性の高い光学物品となりうるＣａＦ２結晶を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明者らはＣａＦ２結晶製造時のスカベンジャ添加条件を変えて数多くのＣａＦ２結晶を製造し、結晶の光学特性（分光透過率、γ線耐久）の測定を行った。
【００２３】
分光透過率は、１２０ｎｍから３００ｎｍの真空紫外波長領域が測定できる分光器およびγ線照射後のカラーセンター発生の評価をするための紫外可視測定用の分光器を用いた。
【００２４】
ガンマ線耐久はレーザー耐久よりも簡便であり、しかも大きい結晶全体のカラーセンター発生の有無を知ることができる。
【００２５】
また、結晶中のスカベンジャ構成元素の残留、微量酸化の傾向が判断できる。照射条件として、照射強度１×１０Ｅ６  Ｒのγ線を１時間照射して総量１×１０Ｅ６  Ｒとした。
【００２６】
これらの評価により内部透過率の良い結晶は不純物特にスカベンジャ構成元素の残留、及び結晶の酸化劣化が少ないことを見出した。
【００２７】
また、アニール工程での酸化防止、炉内材料による結晶の汚染はスカベンジャの反応プロセスを最適化することが重要であることを見い出した。
【００２８】
希土類等の特に透過率、レーザー耐久性に悪い元素は原料中に極極微量しか含有されていないことが原料として重要であることは言うまでもなく、原料選別の結果、上記評価結果が得られた。
【００２９】
以下、図面を参照して本発明の好適な製造工程について、説明する。
【００３０】
まず、原料として高純度ＣａＦ２合成原料を用意する。
【００３１】
そして、フッ化カルシウム原料とスカベンジャーとを混合する。このとき、フッ化カルシウムとスカベンジャーとを容器にいれてこの容器を回転させて混合するとよい。スカベンジャーとしては、フッ化亜鉛、フッ化ビスマス、フッ化ナトリウム、フッ化リチウム等、成長させるフッ化物より酸素と結合し易いものが望ましい。
【００３２】
合成フッ化物原料中に混じっている酸化物素と反応して、気化し易い酸化物となる物質が選択される。とりわけフッ化亜鉛が望ましいものである。
【００３３】
例えば、フッ化亜鉛スカベンジャーは、水分の存在により生成した酸化カルシウムをフッ化カルシウムに変える作用、およびフッ化カルシウム原料中の酸化カルシウムをフッ化カルシウムに変える作用として、重要である。
【００３４】
ＣａＦ＋Ｈ２Ｏ→ＣａＯ＋２ＨＦ
ＣａＯ＋ＺｎＦ２→ＣａＦ２＋ＺｎＯ↑
特開平９−２２７２９３においては、固体スカベンジャーの添加により酸化カルシウムをフッ化カルシウムに変えるが、亜鉛金属が結晶中に残留すると、Ｆ２エキシマレーザーを用いたフォトリソグラフィー用露光機の用いられるレンズの要求性能を満たすことはできない。
【００３５】
このため、スカベンジャの添加方法及び添加量の最適化、スカベンジャ添加量を最少にする精製、成長、アニールプロセスを開発する必要がある。
【００３６】
特開平１１−２４０８００は蛍石単結晶のアニール装置およびアニール方法として、スカベンジャ（フッ素化剤）をアニール対象の結晶を配置したカーボン容器と分離したカーボン容器に収納し、大気圧力下でアニールする工程を提案している。
【００３７】
以下、添付図面を参照して、本発明のＣａＦ２結晶及び光学素子の製造方法について説明する。
【００３８】
図１に、本発明のＣａＦ２を使用した光学素子の製造方法のフローチャートを示す。まず、原料として高純度ＣａＦ２の合成原料を用意して、ＣａＦ２原料とスカベンジャーとを混合する。高純度ＣａＦ２の合成原料は炭酸カルシウムをフッ酸で処理することによって製造する。本発明はＣａＦ２原石をフッ酸で処理して不純物（例えば、ＳｉＯ２）を除去する方法を排除するものではないが、高純度ＣａＦ２は原石と違って粉末であり、嵩密度が（約１０乃至約２０μと）非常に小さいので好ましい。なお、ＣａＦ２原料とスカベンジャーとを混合する時は混合用容器内にＣａＦ２原料とスカベンジャを入れ、回転して均一な混合を確保することが好ましい。
【００３９】
スカベンジャーとしては、弗化亜鉛、弗化カドミウム、弗化マンガン、弗化ビスマス、弗化ナトリウム、弗化リチウム等、成長させる弗化物より酸素と結合し易く、かつ分解、蒸発しやすいものが望ましい。弗化物原料中に混じっている酸化物と反応して気化し易い酸化物となる物質が選択される。とりわけ弗化亜鉛が望ましいものである。ここで、スカベンジャーの添加量を制御することが重要である。
【００４０】
本実施形態における精製工程でのスカベンジャーの添加量は、０．００５重量％以上０．５重量％以下であり、より好ましくは、０．０５重量％である。添加量が多いとスカベンジャーの残留分による屈折率均質性の低下、内部透過率及びレーザー耐久性の低下をもたらす。換言すれば、かかる添加量はスカベンジャーの残留分が少ないのでＣａＦ２結晶に含まれる不純物及び結晶欠陥（特に、転位密度）を少なくして高品位のＣａＦ２結晶の提供をもたらす。
【００４１】
結晶成長工程でのスカベンジャ添加は本発明のフッ素系ガスと不活性ガスの混合ガスを用いることにより、成長結晶中に固体スカベンジャの場合に見られるスカベンジャ構成元素である金属元素の残留を無くすことができる。
【００４２】
図２において、１０２は精製炉１００のチャンバーであり、ドライポンプ１５０、メカニカルブースタポンプ１６０、ターボ分子ポンプ１７０、除害系１８０からなる真空排気系に接続されている。なお、１５０乃至１７０の排気ポンプはこれらの種類に限定されない。また、除害系（トラップ）には、排気ガスを冷却して排気ガス中の有害成分を析出して除去する冷却トラップ、及び、排気ガスを熱分解する高温トラップのいずれも適用することができる。
【００４３】
チャンバー１０２は断熱材１０８によって断熱され、坩堝１０４及びヒーター１０６を収納している。坩堝１０４は、例えば、炭素製で略円筒形を有し、坩堝支持機構１４０によって回転自在に支持されている。必要があれば、坩堝支持機構１４０は坩堝１０４を降下させることができるように構成される。坩堝支持機構１４０による回転は坩堝１０４の温度を均一にするために行われる。チャンバー１０２は温度調節用の冷却管１３０にも接続されている。ヒーター１０６及び冷却管１３０によってチャンバー１０２内の温度を制御することができる。熱電対１１０は、例えば、白金からなり、坩堝１０４の外壁近傍より坩堝１０４の温度を測定する。
【００４４】
その後、ヒーター１０６に通電して坩堝１０４内の混合物１２０を加熱し、脱水およびその他の吸着物除去を行う。精製炉１００を真空排気系により真空に排気し、１×１０−３Ｐａ以上の真空度にする。
【００４５】
次いで、スカベンジ反応の温度領域である３５０℃から１１００℃を経て、ＣａＦ２原料を完全に溶融する。
【００４６】
溶融後、残留有害元素を除去するために溶融状態で数時間から数十時間保持する。
【００４７】
この間、フッ化カルシウムに添加した固体スカベンジャは結晶内に残留すると光学特性にとって有害であるため、メルト中に完全に蒸発除去する。
【００４８】
続いて、坩堝１０４を降下させて溶融したＣａＦ２の原料を徐冷して結晶成長させる。ＣａＦ２結晶の格子配列を整える必要はないので坩堝の降下速度は遅い必要はない。なお、本発明は坩堝１０４を降下させない場合を含むが坩堝１０４を降下させることによって不純物の除去の効果は向上する。
【００４９】
本工程は、後述する単結晶成長工程ほどの温度管理は必要としないため、得られる結晶は多結晶でも粒界が存在するものでもよい。こうして得られた結晶のうち上部、即ち、経時的に最後に結晶化した部分を除去する。この部分は不純物が集まりやすい（即ち、偏析）部分であるため、ここを除去することによって特性に悪影響を与える不純物を除去する。再び、この結晶を坩堝１０４に入れて溶融、結晶化、上部除去の一連の工程を行う。なお、必要があれば、チャンバー１０２には不活性ガスが導入されてもよい。
【００５０】
単結晶成長工程は、ＣａＦ２の単結晶を成長させて結晶の質を向上させる（即ち、格子配列を整える）工程である。成長方法は結晶の大きさや使用目的に応じて適当な方法を選択する。精製した結晶２２０は図３に示す結晶成長炉２００のチャンバー２０２に収納された坩堝２０４内に入れる。
【００５１】
図３において、２０２は結晶成長炉２００のチャンバーであり、ドライポンプ２５０、メカニカルブースタポンプ２６０、ターボ分子ポンプ２７０、除害系２８０からなる真空排気系に接続されている。チャンバー２０２は断熱材２０８によって断熱されており、坩堝２０４及びヒーター２０６を収納している。坩堝２０４は、例えば、炭素製で略円筒形を有して密閉性が高く、坩堝支持／引き下げ機構２４０によって回転及び上下移動自在に支持されている。坩堝支持／引き下げ機構２４０による回転は坩堝２０４の温度を均一にするために行われる。本実施形態においては図５の真空ベーク炉内の坩堝３１０と坩堝２０４とは同一物としているが、別部材で（即ち、坩堝３０４内の混合物を坩堝２０４に移し変えて）もよい。チャンバー２０２は温度調節用の冷却管２３０にも接続されている。ヒーター２０６及び冷却管２３０によって所望の温度勾配を図３に示す上下方向に形成することができる。熱電対２１０は、坩堝２０４の外壁近傍より坩堝２０４の温度を測定する。
【００５２】
その後、ヒーター２０６に通電して坩堝２０４内のＣａＦ２の２次原料（結晶）２２０を約１４２０℃程度まで加熱し、ＣａＦ２結晶を完全に溶融する。その後、徐々に坩堝２０４を１ｍｍ／ｈの速度で降下させて（所定の温度勾配を通過させ、）溶融したＣａＦ２結晶を徐冷して単結晶を成長させる。
【００５３】
続いて、結晶成長した弗化物単結晶を図４に示すアニール炉４００で熱処理する（アニール工程）。アニール工程は、成長したＣａＦ２単結晶を熱処理し、結晶の割れを引き起こす歪みを除去する工程である。成長した単結晶４２０は図４に示すアニール炉４００のチャンバー４０２に収納された坩堝４０４内に入れる。
【００５４】
図４において、４０２はアニール炉４００のチャンバーであり、ドライポンプ４５０、メカニカルブースタポンプ４６０、ターボ分子ポンプ４７０、除害系４８０からなる真空排気系に接続されている。チャンバー４０２は断熱材４０８によって断熱されており、坩堝４０４及びヒーター４０６を収納している。坩堝４０４は、例えば、炭素製で略円筒形を有して多段式に構成され、坩堝支持部材４４０によって支持されている。チャンバー４０２は温度調節用の冷却管４３０にも接続されている。ヒーター４０６及び冷却管４３０によってチャンバー４０２の温度を制御することができる。熱電対４１０は、例えば、白金からなり、坩堝４０４の外壁近傍より坩堝４０４の温度を測定する。
【００５５】
アニール工程では、坩堝４０４を約９００℃乃至約１０００℃に均熱的に加熱して、固体のままＣａＦ２結晶の歪を除去する。加熱時間は約２０時間以上、より好ましくは、約２０乃至約３０時間である。アニール工程では、アニールを経ることによって結晶の転位が減る。その後、歪がなくなった状態を維持しながらＣａＦ２結晶の温度を室温に戻す。
【００５６】
その後は、必要とされる光学物品の形状（凸レンズ、凹レンズ、円盤状、板状等）に成形加工する（成形加工工程）。
【００５７】
研磨加工時にＣａＦ２結晶内の転位密度が小さいことにより部分的な面精度の低下は非常に小さく許容値以下で高精度の加工が可能である。
【００５８】
こうして得られたレンズを各種組み合わせれば、エキシマレーザー、特にＡｒＦエキシマレーザーに適した照明光学系を構成できる（光学系組に立て工程）。
【００５９】
そして、エキシマレーザー光源と、フッ化カルシウムからなるレンズを有する光学系と、基板を移動させ得るステージとを組み合わせて、フォトリソグラフィー用の露光装置を構成できる。
【実施例１】
【００６０】
市販の高純度フッ化カルシウム粉末原料の必要量とスカベンジャであるＺｎＦ２をフッ化カルシウムに対して０．０５重量％添加して、両者を混合均一分散させた後、炭素ルツボに充填した。
【００６１】
次いで、精製炉に移し１４２０℃に加熱溶融する。
【００６２】
溶融時間は、固体スカベンジャ構成元素のうち、有害な元素を除去するために、適当な時間、例えば３０時間とする。
【００６３】
有害不要元素を除去した後徐冷し、原料を固化した。
【００６４】
このフッ化カルシウムブロック表層の有害不要部分を除去して結晶成長前の２次原料とする。
【００６５】
なお、スカベンジャーとしてＺｎＦ２を０．００５重量％ルツボに入れる。
【００６６】
炉内を真空排気して、ルツボを加熱し、真空度６×１０−４Ｔｏｒｒ、温度は１４２０℃に昇温し、ルツボ内フッ化カルシウムを溶解、脱ガスするため真空度を２×１０−６Ｔｏｒｒ、温度を１４２０℃として２０時間保った。
【００６７】
次にルツボを１ｍｍ／ｈの速度で降下させ良質のＣａＦ２単結晶を成長させた。
【００６８】
この時の引下げ速度は、結晶成長速度に対応することが望ましいので、製作する結晶の大きさ、形状により考慮する必要があることは言うまでもない。
【００６９】
一般には、結晶の大きさが大きくなれば、引下げ速度を遅くする必要がある。
【００７０】
次に、アニール炉のるつぼに成長させたフッ化カルシウム単結晶を入れ、炉内を排気して、３００℃で２４時間程度保持し、炉内の水分を除去した。
【００７１】
炉内の真空度が５×１０−４Ｐａ以下になったら、［図５］に示すスカベンジャ供給システムからテフロン（登録商標）粉末の加熱により発生したフッ化炭素ガスとアルゴンガスの混合ガスを１０ｃｃ／ｍｉｎ．の流量で供給しながら、ルツボの温度を室温から９００℃に速度１００℃／ｈで上昇させた後５０時間９００℃に保持した。フッ化炭素とアルゴンガスの混合ガス供給は９００℃昇温後２０時間後に停止した。
【００７２】
９００℃保持５０時間後、５℃／ｈの速度で低下させ、室温まで冷却した。
【００７３】
この時の、冷却速度は結晶の大きさが大きくなればそれに従い、冷却速度も遅くする必要がある。
【００７４】
つまり、遅くしないと、複屈折率を極微小にすることが困難になる。
【実施例２】
【００７５】
市販の高純度フッ化カルシウム粉末原料の必要量とスカベンジャであるＺｎＦ２をフッ化カルシウムに対して０．０５重量％添加して、両者を混合均一分散させた後、炭素ルツボに充填した。
【００７６】
次いで、真空乾燥炉において１５０℃、２４時間の脱ガスを行い、精製炉に移し１４２０℃に加熱溶融する。
【００７７】
溶融時間は、固体スカベンジャ構成元素のうち、有害な元素を除去するために、適当な時間、例えば３０時間とする。
【００７８】
有害不要元素を除去した後徐冷し、原料を固化した。
【００７９】
このフッ化カルシウムブロック表層の有害不要部分を除去して結晶成長前の２次原料とする。
【００８０】
この精製した２次原料を結晶成長用ルツボに充填し、成長炉炉内にセットし、炉内を真空排気して、３００℃で２４時間ルツボを加熱し、真空度５×１０−４Ｐａに排気した後、図５に示すスカベンジャ供給システムからテフロン（登録商標）粉末の加熱により発生したフッ化炭素ガスとアルゴンガスの混合ガスを１０ｃｃ／ｍｉｎ．の流量で供給しながら、ルツボの温度１４２０℃迄昇温速度１００℃／ｈで上昇させた後５０時間保持した。
【００８１】
フッ化炭素とアルゴンガスの混合ガスは１４２０℃昇温後２０時間で停止した。
【００８２】
次にルツボを１ｍｍ／ｈの速度で降下させ良質のＣａＦ２単結晶を成長させた。
【００８３】
この時の引下げ速度は、結晶成長速度に対応することが望ましいので、製作する結晶の大きさ、形状により考慮する必要があることは言うまでもない。
【００８４】
一般には、結晶の大きさが大きくなれば、引下げ速度を遅くする必要がある。
【００８５】
次に、アニール炉のるつぼに成長させたフッ化カルシウム単結晶を入れ、炉内を排気して、３００℃で２４時間程度保持し、炉内の水分を除去した。
【００８６】
炉内の真空度が５×１０−４Ｐａ以下になったら、図５に示すスカベンジャ供給システムからテフロン（登録商標）粉末の加熱により発生したフッ化炭素ガスとアルゴンガスの混合ガスを１０ｃｃ／ｍｉｎ．の流量で供給しながら、ルツボの温度を室温から９００℃に速度１００℃／ｈで上昇させた後５０時間９００℃に保持した。フッ化炭素とアルゴンガスの混合ガス供給は９００℃昇温後２０時間後に停止した。
【００８７】
９００℃保持５０時間後、５℃／ｈの速度で低下させ、室温まで冷却した。
【００８８】
この時の、冷却速度は結晶の大きさが大きくなればそれに従い、冷却速度も遅くする必要がある。
【００８９】
つまり、遅くしないと、複屈折率を極微小にすることが困難になる。
【００９０】
【表１】
2005330123.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明のＣａＦ２結晶の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】図１に示す製造方法の精製工程に使用される精製装置の概略断面図である。
【図３】図１に示す製造方法の単結晶成長工程に使用される結晶成長炉の概略断面図である。
【図４】図１に示す製造方法のアニール工程に使用されるアニール炉の概略断面図である。
【図５】図１に示す製造方法のアニール工程に使用されるスカベンジャ供給システムの概略断面図である。
【符号の説明】
【００９２】
１００  精製炉
２００  結晶成長炉
３００  アニール炉
４００  スカベンジャ供給システム
【図１】
2005330123.tif 000004
【図２】
2005330123.tif 000005
【図３】
2005330123.tif 000006
【図４】
2005330123.tif 000007
【図５】
2005330123.tif 000008