(57)【要約】【課題】複雑な屈折率分布構造を有するガラス微粒子堆積体、ガラス体をＭＣＶＤ法やＶＡＤ法で精度向上して製造できる方法。【解決手段】ガラス微粒子堆積体を製造するにあたり、目的とする部位の所定の屈折率を形成するための組成調整された混合ガラス原料液を予め容器内に準備しておき、前記混合ガラス原料液を該容器から気化器に液送し、気化器内で瞬時に気化することにより組成調整された混合ガラス原料ガスを生成し、これを用いてＭＣＶＤ法、ＯＶＤ法、ＶＡＤ法等によりガラス微粒子堆積体、さらにはガラス体を製造する方法。混合ガラス原料液を切り換えることで、複雑な屈折率分布構造を実現することができる。【選択図】            図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス微粒子堆積体を製造するにあたり、所定の屈折率部分を形成するための複数のガラス原料液からなる組成調整された混合ガラス原料液を予め容器内に準備しておき、前記混合ガラス原料液を前記容器から気化器に送り、該気化器内で瞬時に前記混合ガラス原料液を気化してガラス原料ガスとし、前記ガラス原料ガスを酸化または加水分解してガラス微粒子とし、前記ガラス微粒子を基盤上に堆積させることを特徴とするガラス微粒子堆積体の製造方法。
【請求項２】
ガラス微粒子堆積体を製造するにあたり、所定の屈折率部分を形成するための複数のガラス原料液からなる組成調整された混合ガラス原料液を予め容器内に準備しておき、前記混合ガラス原料液を前記容器から気化器に送り、該気化器内で瞬時に前記混合ガラス原料液を気化してガラス原料ガスとし、前記ガラス原料ガスを酸化または加水分解してガラス微粒子とし、前記ガラス微粒子を基盤上に堆積させるとほぼ同時に透明化することを特徴とするガラスの製造方法。
【請求項３】
径方向に屈折率差を有するガラス微粒子堆積体を製造するにあたり、所定の屈折率部分を形成するための１以上のガラス原料成分からなる組成調整された混合ガラス原料液を予め個別に複数容器内に準備しておき、ガラス微粒子堆積体の堆積部分に対応する混合ガラス原料液を順次切り換えて気化器に送り、該気化器内で瞬時に前記混合ガラス原料液を気化してガラス原料ガスとし、前記ガラス原料ガスを酸化または加水分解してガラス微粒子とし、前記ガラス微粒子を基盤上に堆積させることを特徴とするガラス微粒子堆積体の製造方法。
【請求項４】
径方向に屈折率差を有するガラス微粒子堆積体を製造するにあたり、所定の屈折率部分を形成するための１以上のガラス原料成分からなる組成調整された混合ガラス原料液を予め個別に複数容器内に準備しておき、ガラス微粒子堆積体の堆積部分に対応する混合ガラス原料液を順次切り換えて気化器に送り、該気化器内で瞬時に前記混合ガラス原料液を気化してガラス原料ガスとし、前記ガラス原料ガスを酸化または加水分解してガラス微粒子とし、前記ガラス微粒子を基盤上に堆積させるとほぼ同時に透明化することを特徴とするガラスの製造方法。
【請求項５】
請求項１又は３に記載の方法で製造されたガラス微粒子堆積体を透明化することを特徴とするガラスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガラス微粒子堆積体の製造方法及びガラスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ガラス微粒子堆積体又はガラス体を製造する方法としてＭＣＶＤ法、ＰＣＶＤ法、ＶＡＤ法、ＯＶＤ法等が知られており、これらの方法でガラス原料ガス或いはその他のガスの流量を変化させながら製造する場合、各ガスをマスフローコントローラ（ＭＦＣ）等のガス流量制御装置により精密に流量制御して反応系に供給し、ここでＳｉＣｌ４  等のガラス原料ガスを気相で酸化反応又は火炎加水分解反応させることにより生成するガラス微粒子を堆積させる（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
図９は従来のＭＣＶＤ法の一例を模式的に示す図であり、図９においてＳｉＣｌ４  ，ＧｅＣｌ４  等のガラス原料ガス，Ｏ２  （反応用ガス）、キャリアガス、その他添加ガス（Ｈｅ等）をそれぞれＭＦＣ１〜４により流量制御してガラス管５内に供給しつつ、ガラス管５に対して相対的に移動可能な熱源（バーナ）６によりガラス管５の外部から加熱すると、原料ガスの酸化反応によりガラス微粒子が生成されてガラス管５内壁に堆積し、ガラス微粒子堆積体７を形成し、続いてガラス化されガラス層８を形成する。
なお、図９においてＳｉＣｌ４  はヒータ９により加熱して蒸発させるベーキング方式で供給されており、この方式では１００％原料ガスが供給され、原料ガス流量が比較的安定している。しかし、ＭＦＣ１の二次側（基盤側、ガラス管５側）は常圧であるため、一次側であるタンク１０内をそれ以上の蒸気圧とするにはタンク１０を高温に保つ必要があり、高価な耐熱性部品を使用せねばならない。
一方、図９においてＧｅＣｌ４  は比較的低温に保たれたタンク１１内にキャリアガスを吹き込むバブリング方式で供給しており、この方式ではタンク１１に耐熱性は要求されないが、ＭＦＣ２による制御ではキャリアガスとＧｅＣｌ４  ガスの混合比を、温度や圧力の影響から一定値に安定に保つことは確実ではない。
【０００４】
また、複数のガラス原料液をそれぞれ液体のまま流量制御しつつ供給し、これを混合した後、噴霧または気化して反応系に送る方法もある（例えば特許文献２参照）。
さらにまた、ガラス原料液を一定温度の容器に吐出して瞬時に気化させる方法が提案されている（例えば特許文献３参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平７−１０５８６号公報
【特許文献２】
米国特許第４，２３０，７４４号明細書
【特許文献３】
特開平３−５４１３０号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
光ファイバのプロファイルにとって各部の正確な屈折率分布を得ることは非常に重要であり、前記ＭＦＣによる流量制御の場合、原料の混合比によりガラス微粒子堆積体（ガラス体）の屈折率が決定されるが、従来のＭＦＣでの混合ではその混合比精度に限界があった。
さらに、複数のガラス原料液を混合してバブリング方式やベーキング方式により気化すると、供給温度での分圧により一定比に精溜されてしまう問題がある。液送してオンラインで混合する方式も、ＭＦＣによる混合精度については上述のとおりである。
このような現状に鑑み、本発明はガラス微粒子堆積体又はガラスの各部分で必要とされる屈折率を実現できるガラス微粒子堆積体の製造方法及びガラスの製造方法を課題とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は以下の（１）〜（５）により上記課題を解決するものである。
（１）  ガラス微粒子堆積体を製造するにあたり、所定の屈折率部分を形成するための複数のガラス原料液からなる組成調整された混合ガラス原料液を予め容器内に準備しておき、前記混合ガラス原料液を前記容器から気化器に送り、該気化器内で瞬時に前記混合ガラス原料液を気化してガラス原料ガスとし、前記ガラス原料ガスを酸化または加水分解してガラス微粒子とし、前記ガラス微粒子を基盤上に堆積させることを特徴とするガラス微粒子堆積体の製造方法。
（２）  ガラス微粒子堆積体を製造するにあたり、所定の屈折率部分を形成するための複数のガラス原料液からなる組成調整された混合ガラス原料液を予め容器内に準備しておき、前記混合ガラス原料液を前記容器から気化器に送り、該気化器内で瞬時に前記混合ガラス原料液を気化してガラス原料ガスとし、前記ガラス原料ガスを酸化または加水分解してガラス微粒子とし、前記ガラス微粒子を基盤上に堆積させるとほぼ同時に透明化することを特徴とするガラスの製造方法。
（３）  径方向に屈折率差を有するガラス微粒子堆積体を製造するにあたり、所定の屈折率部分を形成するための１以上のガラス原料成分からなる組成調整された混合ガラス原料液を予め個別に複数容器内に準備しておき、ガラス微粒子堆積体の堆積部分に対応する混合ガラス原料液を順次切り換えて気化器に送り、該気化器内で瞬時に前記混合ガラス原料液を気化してガラス原料ガスとするか、各混合ガラス原料液に対応して設けた気化器に当該混合ガラス原料液を送り、該気化記内で瞬時に前記混合ガラス原料液を気化してガラス原料ガスとし、この気化器は堆積部分に対応して順次切り換えて、次いで前記ガラス原料ガスを酸化または加水分解してガラス微粒子とし、前記ガラス微粒子を基盤上に堆積させることを特徴とするガラス微粒子堆積体の製造方法。
（４）  径方向に屈折率差を有するガラス微粒子堆積体を製造するにあたり、所定の屈折率部分を形成するための１以上のガラス原料成分からなる組成調整された混合ガラス原料液を予め個別に複数容器内に準備しておき、ガラス微粒子堆積体の堆積部分に対応する混合ガラス原料液を順次切り換えて気化器に送するか、各混合ガラス原料液に対応して設けた気化器に当該混合ガラス原料液を送り、該気化記内で瞬時に前記混合ガラス原料液を気化してガラス原料ガスとし、この気化器は堆積部分に対応して順次切り換えて、次いで前記ガラス原料ガスを酸化または加水分解してガラス微粒子とし、前記ガラス微粒子を基盤上に堆積させるとほぼ同時に透明化することを特徴とするガラスの製造方法。
（５）  前記（１）又は（３）に記載の方法で製造されたガラス微粒子堆積体を透明化することを特徴とするガラスの製造方法。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明は、ガラス原料ガス又はガラス原料液体を流量制御しつつオンラインで混合したものを反応系に供給する従来方法に替えて、２以上のガラス原料液を用いて目的とする部分の屈折率に対応する組成比率になるよう精密に調整した混合ガラス原料液を予め容器内に準備しておき、この混合ガラス原料液を液送して、そのまま気化器に導入し（一種のバッチ方式）、該気化器内で混合ガラス原料液を一瞬に気化することにより、組成比精度の高いガラス原料ガスを得て、これを反応系に送り基盤に堆積させることにより非常に高い屈折率精度のガラス微粒子堆積体またはガラス体を得ることができる。
【０００９】
また、堆積するガラス微粒子堆積体の目的とする屈折率に対応するように混合ガラス原料液を複数個、個別に用意しておき、堆積部位に対応する混合ガラス原料液を切り換えて液送することにより、複雑な屈折率構造を正確に実現することができる。ここでは、前記混合ガラス原料液が、単一な組成のガラス原料液、例えばＳｉＣｌ４  のみからなるガラス原料液であってもよい。ただし、少なくとも一つの前記複数ガラス原料液からなる混合ガラス原料液が含まれている。
このように原料を供給することにより、例えば、図７及び図８に示すような複雑な屈折率分布のガラス微粒子堆積体またはガラス体をＭＣＶＤ法により、屈折率精度高く製造できる。図７及び８において横軸は径方向長さ、縦軸は比屈折率差を示す。
【００１０】
以下、本発明を図面を参照して説明する。図１及び図２は本発明の実施の形態を模式的に示すものであり、図９と共通する符号は図９と同じ部分を意味する。図１において、まず、形成しようとするガラス微粒子堆積体またはガラス体の部位に対応する屈折率分布を実現するように組成比を精密に調製した混合ガラス原料液Ａ，Ｂ，Ｃをタンク１２，１３及び１４に個別に収容しておく。混合ガラス原料液とタンクの数は屈折率プロファイルに応じて増減する。
タンク１２，１３及び１４には混合ガラス原料液を液用ＭＦＣ２０を経由して気化器２２に導入するためのライン１５，１６，１７が配設されており、また液送のための加圧ガスを導入するためのライン１８が配管されている。１９はバルブである。
【００１１】
ここで、ＭＦＣ２０とは、１台以上のＭＦＣを表し、図１のように１台で種々の混合ガラス原料液に対応して切り換えてもよいし、また図２に示すように混合ガラス原料液の種類に応じた複数台のＭＦＣ２０ａ〜２０ｃを切り換えて使用してもよい。
１台のＭＦＣ２０を切り換えて使用する場合には、混合ガラス原料液毎の濃度とＣＦ値（Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ  Ｆａｃｔｏｒ：変換係数）の関係を予め実験的に求めておく。このようにする理由は、ＭＦＣに流す液の組成比によって、ＭＦＣのＣＦ値が異なり、実際の流量がＭＦＣの制御値どおりとはならなくなるためである。
【００１２】
ガラス微粒子の堆積を開始するには、液用ＭＦＣ２０（図２の場合はＭＦＣ２０ａ）で流量制御された混合ガラス原料液Ａをライン２１を経て気化器２２に導入する。本発明において用いる、混合ガラス液を一瞬で気化する手段としては例えば前記した特許文献３に提案されるような気化器を挙げることができる。
図５は本発明で用いる気化器の一例を模式的に示す図であり、ヒータ２６により加熱されている気化器２２内に滴下された混合ガラス原料液は瞬時に蒸発し過熱蒸気となって、排気ライン２５から反応系へと排出されてゆく。
【００１３】
好ましくはライン２３からキャリアガスを気化器２２に導入する。キャリアガス２２についてはガス用のＭＦＣ３により流量を制御することが望ましい。キャリアガスを用いることにより、生成した混合ガラス原料ガスを素早く基盤（例えばガラス管５）へ送ることができ、混合ガラス原料液は次々と気化可能となり、さらに流量を安定させる効果も得られる。ライン２１の先端はニードルにして、ガラス原料液を滴下可能とする。なお、気化器内では混合ガラス原料液は一瞬のうちに滴下された全量が気化するので、分留することはない。
このキャリアガスとしては、後の工程で反応用ガスとして作用できるＯ２  でもよいし、不活性ガス、例えばＡｒ等でもよい。
【００１４】
ライン２５から気化器２２で気化した混合ガラス原料ガス及びキャリアーガスを、ライン２４からはＯ２  （反応用ガス）を、基盤としてのガラス管５内に導入し、前記ガラス管５を回転させながら、熱源６（バーナ）により外部から加熱することによりガラス管６内壁にガラス微粒子堆積体７が形成される。ガラス層とする場合にはほぼ同時に加熱透明化してガラス微粒子堆積体７をガラス層８とする。また、別工程で透明化してもよい。
図１にはＭＣＶＤ法を示しているが、気化器で気化された原料ガスをガラス微粒子合成用バーナに導入して、基盤としての出発ガラスロッドをターゲットとして、軸方向にガラス微粒子堆積体を合成してゆくこともできる。また得られたガラス微粒子堆積体を後工程で高温加熱透明化することによりガラス体を得ることができる。
【００１５】
本発明により、図７及び図８に示すような断面方向に複雑な階段状の屈折率プロファイルを有するガラス微粒子堆積体または透明ガラス体を製造するには、図１において混合ガラス原料液Ａで製造すべき部分が必要な厚さ（径）まで形成された後、バルブ１９を閉じ、ライン１６のバルブ１９を開にして混合ガラス原料液Ｂを液送し対応する屈折率の部分を形成し、形成が終了したら、同様に混合ガラス原料液Ｃに切り換えて液送する。単にＳｉＯ２  のみからなる部分を形成する場合には、タンク内に例えばＳｉＣｌ４  のみ（単一液）を用意すればよい。本発明ではこのような単一液を含めて混合ガラス原料液と称する。
図２のように混合原料液毎にＭＦＣを設けた場合は、対応するＭＦＣを切り換えて対応する混合原料液を気化器２２に液送してゆけばよい。
【００１６】
本発明に用いるガラス原料液としては、例えばＳｉＣｌ４  、ＧｅＣｌ４  ，ＰＯＣｌ３  、ＳｉＣｌ３  Ｆ等を挙げることができる。
反応用ガスとしてはＯ２  を挙げることができる。
加圧用のガスとしては、例えばＯ２  等、またキャリアガスとしてはＯ２  、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ２  等を用いることができる。
また、反応系（ガラス管内等）に導入される他のガスとして、例えばＳｉＦ４  、Ｈｅ等が挙げられる。
熱源６としては、例えばプラズマトーチ、酸水素バーナ、抵抗加熱方式又は誘導加熱方式の電気炉等の公知手段を用いることができる。
【００１７】
図６は、ＭＣＶＤ法によりガラス管（外径４２ｍｍ、管厚さ３ｍｍ）内表面に、ガラス管表面温度２１５０℃、堆積速度１ｇ／ｍｉｎの条件でガラス層を合成する際の、ＧｅＣｌ４  とＳｉＣｌ４  を含有する混合液のＧｅＣｌ４  ／ＳｉＣｌ４  組成比（ｍｏｌ％比）と、得られるＧｅＯ２  −ＳｉＯ２  ガラス（ＧｅＯ２  以外のドーパントは実質的にないが、微量のＣｌは含有されている）の純ＳｉＯ２  ガラスに対する比屈折率差（△％）との関係を示すグラフである。このような関係を予め実験的に求めておき、所望の比屈折率となるように混合ガラス原料液の組成を決める。
本発明において、混合ガラス原料液を精度高く調製するために、金属滴定やクロマトグラフィーにより組成を測定しつつ調合することが好ましい。このような手段を採用することにより、従来のＭＦＣで混合するより正確に、０．０２％程度の精度の混合比に調製することが可能となる。
【００１８】
図３は本発明の他の実施の形態としてＯＶＤ法によるガラス微粒子堆積の一例を模式的に示す図である。図３において図１，図２及び図９と共通する符号は同じ部分を意味する。気化器２２で気化された混合ガラス原料ガスはキャリアーガスと共にライン２５を経てガラス微粒子合成用バーナ２９に供給され、ここでライン２６（２７，２８）から供給されるＨ２  等燃焼性ガス、Ｏ２  等の支燃性ガス、Ａｒ等の不活性ガス等とバーナ先端より噴出され、バーナ先端に形成される火炎中で加水分解反応または酸化反応することによりガラス微粒子を生成する。該ガラス微粒子を基盤（ガラスロッド）３０をターゲットとして堆積させることによりガラス微粒子堆積体７を形成する。
得られたガラスロッド／ガラス微粒子堆積体を、その後高温加熱により透明化してガラス体を得ることができる。
図１の例と同様に混合ガラス原料液を堆積部位に応じて切り換えることにより、図７及び図８に示すような複雑な段階状の屈折率分布を形成することができる。
図示は省略したが、図３のＯＶＤ法において、混合ガラス原料液に対応した複数台のＭＦＣを図２の場合と同様に設け、ＭＦＣを順次切り換える手法も当然本発明の範囲に含まれる。
【００１９】
図４は本発明のさらに他の実施の形態としてＶＡＤ法によるガラス微粒子堆積の一例を模式的に示す図である。本例では各混合ガラス原料液、ＭＦＣに対応して気化器２２ａ〜２２ｃを設けていて、この気化器２２ａ〜２２ｃにより一瞬のうちに気化された各ガラス原料ガスをガラス微粒子合成用バーナ２９ａ〜２９ｃに供給し、基盤としての出発ガラスロッド３１の端部からガラス微粒子堆積体７を軸方向に堆積してゆく。図が煩雑になるのを避けてガラス微粒子合成用バーナへの燃料ガス、支燃性ガスのラインは略記している。
【００２０】
図１や図２のように一台の気化器を用い、混合ガラス原料液の種類を切り変えながら合成する場合、切り換えの際に気化器内に例えばライン２３からキャリアガスのみを導入して、洗浄することが好ましい実施の形態として挙げられる。
【００２１】
【実施例】
本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるところはない。
〔実施例〕
図７の屈折率分布図において、中心コア部のクラッド部に対する比屈折率差△ａが＋０．５０％、外径（直径）２ａが８．６μｍ、第一ディプレスト部のクラッド部に対する比屈折率差△ｂが−０．３０％、外径（直径）２ｂが１３．４μｍ、リング部のクラッド部に対する比屈折率差△ｃが＋０．２７％、外径（直径）２ｃが２２．４μｍ、第二ディフレスト分のクラッド部に対する比屈折率差△ｄが−０．１５％、外径（直径）２ｄが３４．５μｍ、光ファイバ外径（クラッド部の直径）が１２５μｍ、であるような光ファイバ及びそのための光ファイバ用母材を本発明により作製する。
図２の構成において、基盤（出発パイプ）として、Ｃｌが０．２重量％だけ含まれ、外径（直径）３４ｍｍφ、内径２８ｍｍφ（パイプ厚み３ｍｍ）のものを使用する。この出発パイプはディプレスト部の一部となる。
【００２２】
１）第二ディプレスト部となるガラス層を、出発パイプに内付けする。
ガラス原料液はＳｉＣｌ４  １００％溶液とする。ＳｉＣｌ４  の流量は６０１ｓｃｃｍ（０℃、１気圧での流量が６０１ｃｃ／ｍｉｎ）、キャリアガスはＯ２  が１０００ｓｃｃｍ、他のガスとしてＯ２  、Ｈｅ、ＳｉＦ４  を同時に出発パイプ内に導入する。ここでＳｉＦ４  はＦを添加して純ＳｉＯ２  に対して比屈折率差（△）を下げるための反応性のガスであり、△が−０．１５％となるだけの流量を添加する。また、プラズマトーチを用いてパイプ外表面を２１５０℃となるように制御しながら加熱し、パイプの長手方向にプラズマトーチを移動させ、ガラス層を堆積する。
【００２３】
２）リング部となるガラス層を、前記１）で得られたガラスパイプに内付けする。
ガラス原料液は８．６ｍｏｌ％  ＧｅＣｌ４  含有ＳｉＣｌ４  溶液とし、流量は６２３ｓｃｃｍ、キャリアガスはＯ２  を１０００ｓｃｃｍ、他のガスとしてＯ２  、Ｈｅを同時にガラスパイプ内に導入する。プラズマトーチを用いてパイプ外表面を２１５０℃となるように制御しながら加熱し、パイプの長手方向にプラズマトーチを移動させ、所望の量だけガラス層を堆積する。
【００２４】
３）第一ディプレスト部となるガラス層、前記２）で得られたパイプ内に内付けする。
ガラス原料液はＳｉＣｌ４  １００％溶液とする。ＳｉＣｌ４  の流量は６０１ｓｃｃｍ、キャリアガスはＯ２  が１０００ｓｃｃｍ、他のガスとしてＯ２  、Ｈｅ、ＳｉＦ４  を同時に出発パイプ内に導入する。ここでＳｉＦ４  はＦを添加して純ＳｉＯ２  に対して比屈折率差（△）を下げるための反応性のガスであり、△が−０．３０％となるだけの流量を添加する。また、プラズマトーチを用いてパイプ外表面を２１５０℃となるように制御しながら加熱し、パイプの長手方向にプラズマトーチを移動させ、ガラス層を堆積する。
【００２５】
４）中心コア部となるガラス層、前記３）で得たガラスパイプに内付けする。
ガラス原料液は１６．３２ｍｏｌ％ＧｅＣｌ４  含有ＳｉＣｌ４  溶液とし、流量は６４０ｓｃｃｍ、キャリアガスはＯ２  を１０００ｓｃｃｍ、他のガスとしてＯ２  、Ｈｅを同時にガラスパイプ内に導入する。プラズマトーチを用いてパイプ外表面を２１５０℃となるように制御しながら加熱し、パイプの長手方向にプラズマトーチを移動させ、ガラス層を堆積する。
【００２６】
５）前記４）で得られるパイプを公知のコラプス法により端部から順次加熱して中実化し、所望のプロファイルを有するガラスロッドを得る。
以上の方法で得られるガラスロッド１０本について、屈折率分布を測定すると、これらの母材の屈折率分布が非常に安定していることがわかる。すなわち、中心コア部のクラッド部に対する比屈折率差は０．４９０〜０．５００％と安定している。
一方、公知の方法のように、ＳｉＣｌ４  、ＧｅＣｌ４  をそれぞれ独立した流量制御手段を用いて供給した場合、中心コア部のクラッド部に対する比屈折率差は０．４５０〜０．５５０％とバラツキが大きい（比較例）。
【００２７】
６）Ｃｌが０．２重量％だけ含まれるガラスパイプを準備し、前記５）で得られるガラスロッドを前記ガラスパイプ内に挿入し、公知のロッドインコラプス法により端部から順次加熱し、前記ガラスパイプと前記ガラスロッドを一体化し、所望のプロファイルを有する光ファイバプリフォームを得る。
【００２８】
前記光ファイバプリフォームの外径（直径）２ｅは６０ｍｍφ、プリフォームの外径（クラッドとなる部分の外径）と第二ディプレスト部となる部分の外径の比２ｅ／２ｄは３．６２、リング部となる部分の外径と第一ディプレスト部となる部分の外径の比２ｄ／２ｃは１．５４、リング部となる部分の外径と第一ディプレスト部となる部分の外径の比２ｃ／２ｂは１．６７、中心コア部となる部分き外径とリング部となる部分の外径の比２ｂ／２ａは１．５６である。
なお、光ファイバプリフォームにおける２ａ，２ｂ，…，２ｅの各比と光ファイバにおける２ａ，２ｂ，…，２ｅの各比とは等しい。
【００２９】
本実施例ではロッドインコラプス法でクラッド部の外径を増加するが、公知のＯＶＤ法、ＶＡＤ法などによってもよい。
【００３０】
７）前記６）で得られる光ファイバプリフォームを公知技術に従い線引きする。得られる光ファイバは、波長１５５０ｎｍにおける伝送特性が下記の通りであり、分散スロープが小さい分散シフトファイバとして良好な特性を有する。
伝送損失：０．１９ｄＢ／ｋｍ
分散：＋８．０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ
分散スロープ：＋０．０１８ｐｓ／ｎｍ２  ／ｋｍ
Ａｅｆｆ：４３μｍ２  
ＰＭＤ：０．０２ｐｓ／ｋｍ１／２  
ケーブルカットオフ波長：１３００ｎｍ
【００３１】
この光ファイバの長手方向における特性は極めて安定しており、例えばケーブルカットオフ波長はファイバ長５０ｋｍ当たり、１２８０〜１３２０ｎｍの範囲内にある。
一方、ＳｉＣｌ４  、ＧｅＣｌ４  をそれぞれ独立した流量制御手段を用いたＭＣＶＤ中に供給する場合（比較例）ケーブルカットオフ波長は５０ｋｍ当たり１２３０〜１３７０ｎｍとバラツキが大きい。
【００３２】
本発明は上記実施例の製法に限定されるものではなく、例えば第二リング部、第三ディプレスト部、第三リング部、第四ディプレスト部・・・と更に複雑な構造を有する光ファイバプリフォームを得ることもできる。
【００３３】
【発明の効果】
本発明によれば、正確な屈折率分布を有するガラス微粒子堆積体、ガラス体を製造することができる。特に、ＦＤＤ（分散フラットファイバ）のように、段階的なステップ状のプロファイルを持つようなファイバをＭＣＶＤ法やＯＶＤ法により製造するのに非常に大きな効果を得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態を模式的に示した概略説明図である。
【図２】本発明の他の実施形態を模式的に示した概略説明図である。
【図３】本発明の更に他の実施形態を模式的に示した概略説明図である。
【図４】本発明の更に他の実施形態を模式的に示した概略説明図である。
【図５】本発明に用いる気化器を模式的に示した概略説明図である。
【図６】混合液中のＧｅＣｌ４  ／ＳｉＣｌ４  （ｍｏｌ％）と比屈折率差（％）の関係を示すグラフである。
【図７】本発明の実施例で作製する光ファイバ母材及び光ファイバの屈折率分布図である。
【図８】本発明により製造できる複雑な構造の光ファイバ母材及び光ファイバの屈折率分布を例示する図である。
【図９】従来法の概略説明図である。
【符号の説明】
１〜４  ＭＦＣ、              ５  ガラス管（基盤）、    ６  熱源、
７  ガラス微粒子堆積体、      ８  ガラス層、            ９  ヒータ
１０〜１４  タンク、          １５〜１８  ライン、
１９  バルブ、
２０及び２０ａ〜２０ｃ  液用ＭＦＣ、
２１及び２１ａ〜２１ｃ  ライン、
２２及び２２ａ〜２２ｃ  気化器、
２３〜２８  ライン、
２９ａ〜２９ｃ  ガラス微粒子合成用バーナ、
３０  ガラスロッド（基盤）、
３１  出発ガラスロッド（基盤）、
Ａ  混合ガラス原料液Ａ、
Ｂ  混合ガラス原料液Ｂ、
Ｃ  混合ガラス原料液Ｃ。
【図１】
2005060118.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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