(57)【要約】【課題】  高精度なパターン形成が可能なレーザ加工の利点を生かしつつ、レーザ加工により誘電体ブロックや電極が受けるダメージの問題や、半田付け性低下の問題を解消し、低コストで高性能な誘電体電子部品を製造する。【解決手段】  レーザ加工工程で誘電体ブロック１の電極パターン形成予定領域にレーザビームを照射して電極パターン形成予定領域を所定厚み分除去し、続く表面修正工程で、レーザビームの照射によって変質した誘電体部分の除去または修復を行う。その後、電極膜形成工程で誘電体ブロック表面に電極膜１０をメッキし、面出し工程で誘電体ブロック表面の所定厚み分の除去によって電極パターン形成予定領域以外の突出部を除去して電極膜１０をパターンニングする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体ブロックの電極パターン形成予定領域にレーザビームを照射して誘電体ブロックの前記電極パターン形成予定領域を所定厚み分除去するレーザ加工工程と、
前記レーザビームの照射によって変質した誘電体部分を除去または修復する表面修正工程と、
前記誘電体ブロックの表面に電極膜をメッキして、誘電体ブロックの表面の全面に電極膜を形成する電極膜形成工程と、
前記誘電体ブロックの表面を所定厚み分削除して、前記電極パターン形成予定領域以外の突出部を研削する面出し工程と、
を含む誘電体電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記表面修正工程は、前記誘電体ブロックを還元雰囲気中で熱処理するものである請求項１に記載の誘電体電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は誘電体ブロックに電極を設けた誘電体電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えばほぼ直方体形状の誘電体ブロックの内外に所定パターンの電極を形成して構成した誘電体フィルタが高周波電子機器に用いられている。このような誘電体電子部品を製造する方法として、誘電体ブロックに形成した電極膜の不要な部分をレーザビームを用いて除去する製造方法が特許文献１に示されている。
【０００３】
この特許文献１に示されている製造方法を適用した誘電体フィルタの製造工程を図３に示す。
【０００４】
図３の（Ａ）〜（Ｄ）は各工程における誘電体フィルタの構成を示す斜視図である。まず（Ａ）のように貫通孔２ａ〜２ｃを有する誘電体ブロック１を成型し、次に（Ｂ）のように、その内外の全面に電極膜１０を形成する。その後、（Ｃ）のように電極膜１０を分離して、入出力電極１５ａ，１５ｂ、結合用電極１３ａ〜１３ｃなどを形成するためにレーザビームを照射し、電極膜１０とともに誘電体ブロック１の誘電体部分を除去する。その後、（Ｄ）に示すように、誘電体セラミック部分にレーザビームの照射によって生じたダメージを修復するために誘電体ブロック１全体を加熱する。
【特許文献１】特表２００３−５０２８９３公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、特許文献１に示されている製造方法では、レーザビームで不要な電極を取り除くと、電極や誘電体セラミックスが還元されたり半導体化されたりして、必要な電極や誘電体部分にもダメージを与えてしまう。その結果、無負荷Ｑ（Ｑｏ）が悪化する。
【０００６】
そのため、上記ダメージを修復するための熱処理工程（図３の（Ｄ）に示した加熱処理工程）やレーザビームの照射部分を機械的に削除する工程を実施するためのコストがかかる。また、レーザ加工を行うと、それによって飛散した電極物質や誘電体セラミックス物質がレーザビームの照射部分の周囲に付着するため、半田付け性が劣化する。この問題を解消するためには、上記飛散による付着物質を機械的に取り除く工程がさらに必要となり、そのための費用も発生するという問題が生じる。
【０００７】
そこで、この発明の目的は、上述の問題を解消して高精度なパターン形成が可能となるレーザ加工の利点を生かしつつ低コストで高性能な誘電体電子部品を製造することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の誘電体電子部品の製造方法は、誘電体ブロックの電極パターン形成予定領域にレーザビームを照射して誘電体ブロックの前記電極パターン形成予定領域を所定厚み分除去するレーザ加工工程と、前記レーザビームの照射によって変質した誘電体部分を除去または修復する表面修正工程と、前記誘電体ブロックの表面に電極膜をメッキして、誘電体ブロックの表面の全面に電極膜を形成する電極膜形成工程と、前記誘電体ブロックの表面を所定厚み分削除して、前記電極パターン形成予定領域以外の突出部を研削する面出し工程とを含んでいることを特徴としている。
【０００９】
（２）また、この発明の誘電体電子部品の製造方法は、前記表面修正工程で、前記誘電体ブロックを還元雰囲気中で熱処理することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
（１）レーザ加工を行うのは誘電体部分に対してであり、電極膜に対しては行わないので、電極に対するダメージがなく、ダメージを受けた誘電体部分に対する表面修正工程も容易となる。また電極膜への電極物質や誘電体物質の付着がなく、半田付け性が劣化せず、半田付け性を回復するための工程も不要となる。さらに、電極物質の飛散による誘電体部分への電極物質の再付着がないので、そのことによる特性劣化も生じない。その結果、低コストで高性能な誘電体電子部品が得られる。
【００１１】
（２）前記表面修正工程を誘電体ブロックの還元雰囲気中での熱処理により行うので、バッチ処理化でき、その処理が容易となって低コスト化が図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
この発明の実施形態に係る誘電体フィルタの製造方法について図１・図２を基に説明する。
図１は誘電体フィルタの製造方法を、その工程順に示した各工程での斜視図である。また、図２は上記誘電体フィルタの製造工程を表すフローチャートである。
【００１３】
まず、（Ａ）の成型工程で、金型を用いて誘電体セラミックスを成型し、その後焼成する。これにより、全体にほぼ直方体形状を成して、その内部に３つの貫通孔２ａ〜２ｃを有する誘電体ブロック１を得る。
【００１４】
次に、（Ｂ）のレーザ加工工程で、後に電極形成領域となる領域（図中ドットパターンまたは黒色で塗りつぶした部分）に対してレーザビームを走査して、誘電体ブロック表面の誘電体セラミック部分を一定量（例えば５〜１０μｍ）だけ除去（アブレーション）する。
【００１５】
（Ｂ）において、５ａ，５ｃは入出力電極形成領域、３ａ，３ｂ，３ｃは貫通孔２ａ，２ｂ，２ｃの一方の開口面に設ける結合用電極形成領域である。また、４は結合調整用電極形成領域４である。
【００１６】
次に、（Ｃ）の表面修正工程で、誘電体ブロック全体を、７００℃の微量のＯ2（酸素）を含むＮ2（窒素）雰囲気中で３０分の熱処理を行う。これにより、（Ｂ）のレーザ加工工程でのレーザビームの照射で還元された誘電体ブロック表面を再酸化することによって、ダメージを受けた（還元された）部分の修復を行う。
【００１７】
次に、（Ｄ）に示す電極膜形成工程で、誘電体ブロック内外の全面に銅めっきを施し、全面に厚さ３μｍの電極膜１０を形成する。
【００１８】
その後、（Ｅ）の面出し工程で、誘電体ブロックの外面のうち四面Ｓ１〜Ｓ４について、研磨機により平面研磨することによって面出し加工を行う。この時の表面突出部の切削量は５μｍ程度である。これにより、誘電体ブロックの四面Ｓ１〜Ｓ４に突出していた部分が電極膜１０とともに除去されて、入出力電極１５ａ，１５ｂ、結合用電極１３ａ〜１３ｃおよび結合調整用電極１４がパターンとして現れ、残りの部分は外導体１６となる。これにより、貫通孔内面の内導体１２ａ〜１２ｃは誘電体の外面Ｓ１に対向する面で外導体１６に導通することになる。また、外面Ｓ４に対向する面には全面に外導体１６が形成されることになる。
【００１９】
なお、以上に示した例では、誘電体ブロックの内外面に銅めっきを施したが、その他に銀（Ａｇ）をめっきしてもよい。また、単一の金属をめっきするのではなく、異なった複数の金属材料が層を成すようにめっきしてもよい。また、めっき方法としては湿式、乾式のいずれであってもよい。
【００２０】
図１に示した例では、内導体を形成する貫通孔の一方の開口面に結合用電極を備えたタイプの誘電体フィルタについて例を挙げたが、例えば貫通孔の内部に内導体の開放部を設けて、貫通孔の開口面の全面に外導体を形成するようにしたタイプの誘電体フィルタにも同様に適用できる。また、内導体を形成する貫通孔の一方の開口面を内導体の開放面、他方の開口面を短絡面とするタイプにも同様に適用できる。
【００２１】
また、図１に示した例では単一の誘電体ブロックに３つの共振器を備えた単一の誘電体フィルタを例に挙げたが、単一の誘電体ブロックに複数組の誘電体フィルタを構成して、３つまたはそれ以上の入出力電極を形成した誘電体デュプレクサなどの複合誘電体フィルタにも同様に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施形態に係る誘電体フィルタの製造工程の各工程に於ける状態を示す斜視図
【図２】同誘電体フィルタの製造方法の手順を示すフローチャート
【図３】従来の誘電体フィルタの製造工程の各工程に於ける状態を示す斜視図
【符号の説明】
【００２３】
１−誘電体ブロック
２−貫通孔
３−結合用電極形成領域
１３−結合用電極
４−結合調整用電極形成領域
１４−結合調整用電極
５−入出力電極形成領域
１５−入出力電極
６−外導体形成領域
１６−外導体
１０−電極膜
１２−内導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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