(57)【要約】【課題】リバウンドドロップの発生を抑え、高速印字においてもプリンターの機内の汚染を抑止し、且つサテライトドロップによる画質低下を防止し、高画質の印字を実現すること。【解決手段】  液体噴射記録ヘッドを、吐出口３の開口面の法線方向(図中吐出口の法線と表記)に対して、ノズル部６の中心軸（図中ノズルの中心線と表記）と加圧室７の中心軸（図中加圧室の中心線と表記）とを各々傾け、なおかつノズル部６の中心軸と加圧室７の中心軸との傾きの方向を互いに逆方向にした構成とする。【選択図】  図４
2005212133.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を吐出する吐出口と、前記吐出口に連通するノズル部と、前記ノズル部に連通する加圧室と、前記加圧室に対して前記ノズル部と逆方向から連通する液体供給路と、前記液体供給路に連通し液体を供給する共通液室と、該加圧室に対応して備えられ、前記加圧室の熱作用部の液体に熱を作用させることによって前記液体に発泡現象を生じせしめ、前記吐出口から液体を吐出する熱抵抗部とを有する液体吐出記録ヘッドにおいて、
前記吐出口の開口面の法線方向に対して、前記ノズル部の中心軸と前記加圧室の中心軸とが各々傾いており、前記ノズル部の中心軸と前記加圧室の中心軸との傾きの方向が互いに逆方向であることを特徴とする液体噴射記録ヘッド。
【請求項２】
前記吐出口の開口面の法線方向と前記ノズル部の中心軸との角度をθ1、前記吐出口の開口面の法線方向と前記加圧室の中心軸との角度をθ2、前記ノズル部の平均断面積をＳ1、前記加圧室の平均断面積をＳ2とするとき、０＜Ｓｉｎθ1／Ｓ1＜Ｓｉｎθ2／Ｓ2であることを特徴とする、請求項１記載の液体噴射記録ヘッド。
【請求項３】
熱抵抗部が設けられた第１シリコン基板と第２シリコン基板とを積層されて構成され、前記ノズル部と前記加圧室と前記液体供給路と前記共通液室は、前記第２シリコン基板にエッチング処理を施すことで形成されることを特徴とする、請求項１記載の液体噴射記録ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱エネルギーにより液体（インク）を飛翔させて記録媒体に画像を記録するサーマルインクジェット方式の液体噴射記録ヘッドに関し、より詳しくは、液体噴射ノズルの流路の形状に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発熱素子の熱により発生するバブルの圧力でノズルからインク滴を飛翔させ記録媒体に画像を記録するサーマルインクジェット方式のインクジェット記録装置は、他方式に比較して小型化、低価格化、カラー化が容易であり、記録時の騒音、消費電力が少なくランニングコストが低いなどの特徴を有していることから、家庭やオフィスで広く利用されている。その一方で、インクジェット記録方式は、オフィスで広く普及しているゼログラフィー方式に比較して印字速度が遅いという欠点がある。そのため、近年では、より高密度に多数配置したノズルで一括印字での画質を向上させつつ、ヘッドを搭載したキャリッジをより速い速度で移動させて印字している。
【０００３】
ところで、サーマルインクジェット方式では、液滴を吐出する際に、記録用の液滴を吐出した後、リバウンドドロップと呼ばれる微小な液滴が、遅い速度で吐出される。このリバウンドドロップが、高速のキャリッジにより攪拌される気流に乗って舞い上がり、プリンターの機内を汚染したり、記録用紙に飛び散り、印字品質を低下させた。
【０００４】
これに対して、特開平４−２７９３５２号公報、特開平５−６９５４６号公報では、樹脂材料を射出形成で加工したノズルを用いて、加圧室の中心軸がノズルの内壁と公差する流路構造を形成し、リバウンドドロップがノズル外に飛び出すことを防ぐ構造が提案されている。
【０００５】
しかし、樹脂材料を射出形成する方式では、その製造精度や発熱体基板と樹脂材料の熱膨張率の差から、微細なノズルを高密度に形成し、長尺のヘッドに多数のノズルを配置することは困難であった。
【０００６】
これに対して、特開平１１−２２７２０８号公報では、発熱体基板と同一材料のシリコン基板にエッチング工程にて液流路を形成し、高密度かつ発熱体基板とノズル基板の熱膨張率を同じにする製造方法が提案されている。
【特許文献１】特開平４−２７９３５２号公報
【特許文献２】特開平５−６９５４６号公報
【特許文献３】特開平１１−２２７２０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、更なる問題点として、加圧室の中心軸がノズルの内壁と公差するように流路を傾けた構造では、サテライトドロップが曲がって飛翔し、ミスト（リバウンドドロップ）問題は改善できたものの、新たにサテライトドロップによる画質低下が発生するのが現状である。
【０００８】
従って、本発明は、リバウンドドロップの発生を抑え、高速印字においてもプリンターの機内の汚染を抑止し、且つサテライトドロップの飛翔方向の曲がりによる画質低下を防止し、高画質の印字を実現することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために請求項１に記載の発明は、液体を吐出する吐出口と、前記吐出口に連通するノズル部と、前記ノズル部に連通する加圧室と、前記加圧室に対して前記ノズル部と逆方向から連通する液体供給路と、前記液体供給路に連通し液体を供給する共通液室と、該加圧室に対応して備えられ、前記加圧室の熱作用部の液体に熱を作用させることによって前記液体に発泡現象を生じせしめ、前記吐出口から液体を吐出する熱抵抗部とを有する液体吐出記録ヘッドにおいて、
前記吐出口の開口面の法線方向に対して、前記ノズル部の中心軸と前記加圧室の中心軸とが各々傾いており、前記ノズル部の中心軸と前記加圧室の中心軸との傾きの方向が互いに逆方向であることを特徴とする液体噴射記録ヘッドを提供するものである。
【００１０】
上記発明の構成により、吐出口の開口面の法線方向に対して、ノズル部の中心軸及び加圧室の中心軸とを傾かせ、ノズル部及び加圧室で構成される液体流路９内部を傾斜させることで、リバウンドドロップがノズルの側面に衝突することにより、吐出口から吐出されることを防止する。そして、ノズル部の中心軸及び加圧室の中心軸との傾きの方向が互いに逆方向とさせることで、サテライトドロップの吐出方向が補正でき、サテライトドロップの飛翔方向の曲がりによる画質低下を防ぐことが出来る。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、前記吐出口の開口面の法線方向と前記ノズル部の中心軸の角度をθ1、前記吐出口の開口面の法線方向と前記加圧室の中心軸との角度をθ2、前記ノズル部の平均断面積をＳ1、前記加圧室の平均断面積をＳ2とすると、０＜Ｓｉｎθ1／Ｓ1＜Ｓｉｎθ2／Ｓ2であることを特徴とする、請求項１記載の液体噴射記録ヘッドを提供するものである。
【００１２】
上記発明の構成により、加圧室内で吐出口の開口面の法線方向とθ2の角度を持つ方向に運動量を持ったサテライトドロップが、吐出口では、おおむね法線方向に真っ直ぐ吐出され、より効果的にサテライトドロップによる画質低下を防ぐことが出来る。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、熱抵抗部が設けられた第１シリコン基板と第２シリコン基板とを積層されて構成され、前記ノズル部と前記加圧室と前記液体供給路と前記共通液室は、前記第２シリコン基板にエッチング処理を施すことで形成されることを特徴とする、請求項１記載の液体噴射記録ヘッドを提供するものである。
【００１４】
上記発明の構成により、高密度で、なおかつ発熱体基板（第１シリコン基板）とノズル基板（第２シリコン基板）の熱膨張率が同じになる。また、発熱抵抗部の表面と平行な仮想面上において、上記流路形状を容易に実現できる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明により、リバウンドドロップの発生を抑え、高速印字においてもプリンターの機内の汚染を抑止し、且つサテライトドロップの飛翔方向の曲がりによる画質低下を防止し、高画質の印字を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施形態に係る液体噴射記録ヘッドについて説明する。図１は、本発明の実施形態に係る液体噴射記録ヘッドの流路形状を示す平面図である。図２は本発明の実施形態に係る液体噴射記録ヘッドの流路形状を示す斜視図である。
【００１７】
本実施形態に係る液体噴射記録ヘッドの流路形状は、図１に示すように、液体（インク）を吐出する吐出口３に連通する液体流路９と、液体流路９に連通し液体を供給する共通液室５と、から構成されている。液体流路９は、液体を吐出する吐出口３に連通するノズル部６と、ノズル部６に連通する加圧室７と、加圧室７に対してノズル部６と逆方向から連通すると共に共通液室５と連通した液体供給路８と、から構成されている。そして、発熱抵抗体２は加圧室７に対応して設けられている。
【００１８】
本実施形態に係る液体噴射記録ヘッドでは、加圧室７に対応して設けられた発熱抵抗体２により、発熱抵抗体２上（熱作用部）の液体に熱を作用させて液体に発泡現象を生じせしめ、ノズル部６を通じて吐出口３から液体を吐出する。
【００１９】
この際、図３に示すように、主滴１１、サテライトドロップ１２を吐出するために発熱抵抗体２上で気泡が拡張したのちに収縮し、ノズル内に後退したメニスカス面１４からリバウンドドロップ１３が発生してしまうが、液体流路９内部を傾斜させれば（即ち、ノズル部６の中心軸と加圧室７の中心軸とを傾斜されば）、ノズル部６内に後退したメニスカス面１４の法線方向が吐出口３方向とずれ、発生したリバウンドドロップ１３はノズル部６内面に衝突し、外部に吐出されることはない。
【００２０】
ここで、サテライトドロップ１２は、長く伸びた液滴が分離して形成される、主滴の後に続く飛翔速度の遅い液滴である。リバウンドドロップ１３は、主滴１１、サテライトドロップ１２に相当する液滴が吐出された後、数μｓ〜１０数μｓ後にノズルから吐出される微小な液滴である。
【００２１】
しかし、図４（ａ）に示すように、吐出口３の開口面の法線方向とノズル部６の中心軸とが同じ方向である場合（吐出口３の開口面の法線方向とノズル部６の中心軸とのなす角度θ1が０の場合）、Ｘ方向にサテライトドロップ１２がずれて吐出される問題が発生してしまう。主滴１１は、ノズル部６内の流れの影響を余り受けずに吐出されるが、サテライトドロップ１２は、奥の方の液体が出てくるものであるため、液体流路９内部が傾いている影響を受けるためである。
【００２２】
そこで、本実施形態に係る液体噴射記録ヘッドでは、発熱抵抗体２の表面と平行な仮想面上において、吐出口３の開口面の法線方向(図中吐出口の法線と表記)に対して、ノズル部６の中心軸（図中ノズルの中心線と表記）と加圧室７の中心軸（図中加圧室の中心線と表記）とを各々傾け、なおかつノズル部６の中心軸と加圧室７の中心軸との傾きの方向を互いに逆方向にした構成とする。これにより、サテライトドロップ１２が液体流路９内部が傾いている影響を受けた吐出方向のズレを補正する。
【００２３】
このように本実施形態では、液体流路９内部を傾斜させることでリバウンドドロップ１３の外部への吐出を抑制し、高速印字においてもプリンターの機内の汚染を抑止する。そして、液体流路９内部を傾斜させつつ、サテライトドロップ１２の吐出方向を補正して、サテライトドロップ１２が曲がって飛翔することを防止し、サテライトドロップ１２による画質低下を防止し高画質化を図ることができる。また、発熱抵抗体２による気泡の生成方向と液体の吐出方向が近似されるため、液体の吐出安定性が向上する。
【００２４】
ここで、「吐出口の開口面」とは、記録ヘッドにおける吐出口が設けられた面を示す。また、「ノズル部」とは、加圧室から断面積が絞り込まれる位置から吐出口までの流路であり、液体の吐出方向を決定する流路である。そして、「ノズル部の中心軸」とは吐出口の中点とノズル部と加圧室の境界面（加圧室から断面積が絞り込まれる位置）の中点を結んだ線であり、ノズル部内の液体流れの平均的な方向を示す線である。また、「加圧室」とは発熱抵抗体上の流路である。そして、「加熱室の中心軸」とは発熱抵抗体２における液体が流れる方向の両端上の中点を結んだ線である。
【００２５】
一方、加圧室７の中心軸に対して、ノズル部６の中心軸が傾きすぎると、例えば、図４（ｃ）のごとくＸ‘方向にサテライトドロップ１２がずれて吐出されることがある。従って、ノズルの中心線の傾き量は、加圧室の傾き量に対して、関係式：０＜Ｓｉｎθ1／Ｓ1＜Ｓｉｎθ2／Ｓ2の関係を満たすことが好適である。上記関係式としてより好ましくは式：１／３×Ｓｉｎθ2／Ｓ2＜Ｓｉｎθ1／Ｓ1＜２／３×Ｓｉｎθ2／Ｓ2である。
【００２６】
ここで、本明細書において、吐出口３の開口面の法線方向とノズル部６の中心軸との角度をθ1、吐出口３の開口面の法線方向と加圧室７の中心軸との角度をθ2、ノズル部６の平均断面積をＳ1、加圧室の平均断面積をＳ2とする。
【００２７】
上記式の関係を満たすことで、加圧室７内で吐出口の開口面の法線方向とθ2の角度を持つ方向に運動量を持ったサテライトドロップ１２が、吐出口３では、おおむね法線方向に真っ直ぐ吐出され、より効果的にサテライトによる画質低下を防ぐことが出来る。この理由は以下の通りである。
【００２８】
まず、ノズル部６内の液体流速をＶ1、加圧室内の液体流速をＶ2とし、液体を非圧縮性流体と考ると、Ｓ1Ｖ1＝Ｓ2Ｖ2＝Ｃｏｎｓｔ（一定）である。このため、Ｘ方向の成分は、ノズル内の流れに対してはＶ1Ｓｉｎθ1、加圧室内の液体の流れに対しては、Ｖ2Ｓｉｎθ2である。
【００２９】
Ｘ方向に曲がりなくサテライトが飛翔するには、Ｖ1Ｓｉｎθ1＝Ｖ2Ｓｉｎθ2が成り立てばよいが、実際には、加圧室７よりノズル部６の方が、吐出口に近いため、Ｖ1Ｓｉｎθ1＜Ｖ2Ｓｉｎθ2の条件でサテライトが飛翔することとなる。ここで、Ｖ1＝Ｃｏｎｓｔ／Ｓ1、Ｖ2＝Ｃｏｎｓｔ／Ｓ2よりＳｉｎθ1／Ｓ1＜Ｓｉｎθ2／Ｓ2である。さらに、θ1＝０ではサテライトが曲がる現象が生じるため、式：０＜Ｓｉｎθ1／Ｓ1＜Ｓｉｎθ2／Ｓ2となる。このため上記式の関係を満たすことで、サテライトによる画質低下を防ぐことが出来る。
【００３０】
また、さらなる鋭意調査の結果、式：１／３×Ｓｉｎθ2／Ｓ2  ＜Ｓｉｎθ1／Ｓ1＜２／３×Ｓｉｎθ2／Ｓ2を満たせば、なおのこと好ましいことがわかった。
【００３１】
表１、表２、及び表３に、それぞれノズル長さ６を３０μｍ、４０μｍ、５０μｍとした場合にθ1，θ2の水準を変えた実験結果を示す。ノズル部６の平均断面積Ｓ1＝３２３μｍ2、加圧室の平均断面積Ｓ2＝５１３μｍ2である場合の実験例である。この実験結果より、リバウンドドロップの発生と、サテライトによる画質低下防止を両立する範囲は、式：０＜Ｓｉｎθ1／Ｓ1＜Ｓｉｎθ2／Ｓ2であり、さらに好ましくは、式：１／３×Ｓｉｎθ2／Ｓ2＜Ｓｉｎθ1／Ｓ1＜２／３×Ｓｉｎθ2／Ｓ2であった。
【００３２】
【表１】
2005212133.tif 000003
【００３３】
【表２】
2005212133.tif 000004
【００３４】
【表３】
2005212133.tif 000005
【００３５】
なお、表中、各列の左欄はリバウンドドロップ/サテライトの各２つの判定結果であり、右欄の数値は(Ｓｉｎθ1／Ｓ1)／（Ｓｉｎθ2／Ｓ2)の値である。
【００３６】
また、各列左欄におけるリバウンドドロップ/サテライトの判定結果の判定基準は以下の通りである。
―判定基準―
・リバウンドドロップ
○：リバウンドドロップが発生せず、ミストによる汚れが発生しない
△：画像パターン、周波数によってリバウンドドロップが発生する。
×：どのような画像パターン、周波数によってもリバウンドドロップが発生する。
・サテライト
○：サテライトがほとんど発生せず、良好な画質である。
△：画質上目立たないが、よく見るとサテライトが発生している。
×：サテライトが目立ち、画質が悪化した。
【００３７】
次に、本実施形態に係る液体噴射記録ヘッドの製造方法について説明する。図５、図６は、本実施形態に係る液体噴射記録ヘッドのノズル基板の製造方法の一例を示す工程図である。
【００３８】
まず、図５（Ａ）に示すノズル基板となるＳｉ基板３１に対して、図５（Ｂ）において熱酸化法により第１の耐エッチング性マスキング層としてＳｉＯ2膜３２を形成する。図５（Ｃ）において、ＳｉＯ2膜３２におけるノズル部、加圧室及び液体供給路を含む液体流路９となる部分及び共通液室５となる部分をホトリソグラフィー法とドライエッチング法を用いてパターニングする。用いるＳｉ基板３１の結晶方位は＜１００＞面である。
【００３９】
続いて図５（Ｄ）に示すように、減圧ＣＶＤ法により第２の耐エッチング性マスキング層としてＳｉＮ膜３３を形成する。このとき形成するＳｉＮ膜３３の厚さは、例えば３００ｎｍ程度とすることができる。このＳｉＮ膜３３に対して、図５（Ｅ）において、共通液室５及び段差部１０となる部分と、液体流路９中に設ける凹部となる部分をホトリソグラフィー法とドライエッチング法を用いてパターニングする。
【００４０】
続いて図５（Ｆ）に示すように、減圧ＣＶＤ法により耐Ｈ3ＰＯ4エッチング保護膜（第３の耐エッチング性マスキング層）となるＳｉＯ2膜３４を形成する。このとき形成するＳｉＯ2膜３４の厚さは、例えば５００ｎｍ程度とすることができる。このＳｉＯ2膜３４に対して、図５（Ｇ）において、ホトリソグラフィー法とドライエッチング法を用いてパターニングする。このＳｉＯ2膜３４は、ＳｉＮ膜３３を覆う程度に形成する。
【００４１】
続いて図５（Ｈ）に示すように、減圧ＣＶＤ法により第４の耐エッチング性マスキング層となる第２のＳｉＮ膜３５を形成する。このとき形成するＳｉＮ膜３５の厚さは、例えば３００ｎｍ程度とすることができる。このＳｉＮ膜３５に対して、図６（Ａ）において、共通液室５となる領域をホトリソグラフィー法とドライエッチング法を用いてパターニングする。
【００４２】
続いてこのＳｉＮ膜３５をエッチングマスクとしてＳｉ基板３１に対してＫＯＨ水溶液によるエッチングを実施する。このエッチングは、図６（Ｂ）に示すようにＳｉ基板３１を貫通するまで行い、貫通孔は液体供給口４となる。この加工は従来と同様の湿式の異方性エッチングである。上述のように、ＳｉＮ膜３５の寸法を所定量だけ小さく設けているので、ここで形成される共通液室５は、所定量だけ小さく形成される。また、加工された貫通孔は、湿式異方性エッチングの特性から側壁は所定の角度を有した斜面として形成される。ここではＳｉ基板３１の一方の面から加工を行っているので、液体供給口４へ向かって断面積が小さくなる貫通孔が形成される。ここで用いる湿式異方性エッチングは、ＲＩＥに比べて加工速度が速く、Ｓｉ基板３１を貫通させるような加工深さの深い加工には適している。
【００４３】
続いて図６（Ｃ）に示すようにＳｉＮ膜３５を燐酸水溶液により選択的にエッチング除去する。このとき、耐Ｈ3ＰＯ4エッチング保護膜となるＳｉＯ2膜３４があるため、その下のＳｉＮ膜３３は浸食されない。
【００４４】
次に図６（Ｄ）に示すように、ＨＦ溶液でＳｉＯ2膜３４を選択的にエッチング除去する。続いて図６（Ｅ）において、ＳｉＮ膜３３をエッチングマスクとしてＳｉ基板３１に対してＫＯＨ水溶液による湿式異方性エッチングを実施する。この湿式異方性エッチングでは、貫通させずに所望の深さだけの加工を行う。加工深さは例えば２００μｍ程度とすることができる。ただし、仕上がり深さよりは浅く設定しておく。
【００４５】
続いて図６（Ｆ）において、ＳｉＮ膜３３を燐酸溶液により選択的にエッチング除去する。続いて図６（Ｇ）において、ＳｉＯ2膜３２をエッチングマスクとしてＳｉ基板のＲＩＥ加工を実施する。このときの加工深さは、例えば２０μｍ程度とすることができる。このＲＩＥ加工では、上述のようにＳｉの結晶方向に依存せず、マスクされている部分以外を均等に厚さ方向にエッチングすることができる。
【００４６】
ここで、液体流路９の加工精度は、液体の噴射特性に大きく影響する。湿式異方性エッチングでは、平面的に矩形状のパターンについては精度よく加工できるものの、平面的に複雑なパターンでは精度よく加工できない。本発明で用いるＲＩＥは、複雑なパターンであっても精度よく加工でき、所望の噴射特性を有する液体流路９を精度よく形成することができる。また、湿式異方性エッチングのように、平面的な大きさによって加工深さが制限されることはなく、任意の加工深さを得ることができる。逆に、ＲＩＥでは深さ方向には任意の形状に加工できない。そのため、深く形成する部分については前工程において精確に凹部４３を形成しておくことによって、深さ方向についても所定のパターンを精確に形成することができる。このようにして、３次元的な構造を有する液体流路９を形成することが可能となる。
【００４７】
また、このＲＩＥによる加工によって、段差部１０もエッチングされてさらに深い段差となり、共通液室５の部分も容量が増加する。図６（Ｂ）や図６（Ｅ）における加工時に共通液室５を小さく、また段差部１０を浅く形成しておけば、このＲＩＥによって所定の大きさとなる。
【００４８】
最後に図６（Ｈ）において、ＳｉＯ2膜３２をフッ酸溶液により選択的にエッチング除去してノズル基板となるＳｉ基板３１の加工を完了する。図５、図６に示したような製造過程を経て、Ｓｉ基板３１には、多数のノズル基板に対応して、前方絞り４１、後方絞り４２、凹部４３を有する液体流路９となる溝や、共通液室５及び液体供給口４となる貫通孔、液体流路９と共通液室５との接続部となる段差部１０などが形成されている。このように、ＲＩＥ加工によって平面的に複雑な構造の液体流路９であっても形成することができ、また湿式異方性エッチングとＲＩＥ加工を組み合わせることによって深さ方向に凹凸を有する構造であっても形成することができる。
【００４９】
一方、別の工程によって素子基板（熱抵抗基板）が多数形成された別のＳｉ基板が形成される。素子基板には、各液体流路９に対応したエネルギー変換素子と、そのエネルギー変換素子に電気エネルギーを供給するための配線と、必要に応じて駆動回路などが形成されている。エネルギー変換素子として、ここでは発熱抵抗体を用いることとするが、これに限られるものではない。また、これらの保護層として、例えばポリイミド等からなる厚膜層が形成される。厚膜層は、発熱抵抗体上の部分は除去される。なお、発熱抵抗体上には別途保護膜などが形成されている。
【００５０】
そして、ノズル基板と素子基板とを重ね合わせて、個片化することで液体噴射記録ヘッドが得られる。
【００５１】
上述した、製法を使用することで、図１に示す流路形状を精密に作成することができ、かつ、Ｓｉ基板を用いて製造されるため、ヒーター基板と熱膨張の差がなく、多ノズル、長尺の構成を実現することが出来る。また、ノズル基板（シリコン基板）に液体流路９を形成しているため、ヒータ基板（発熱抵抗体２）の表面と平行な仮想面において、図１に示す流路形状の関係を満たすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施形態に係る液体噴射記録ヘッドの流路形状を示す平面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る液体噴射記録ヘッドの流路形状を示す平面図である。
【図３】リバウンドドロップが発生する様子を説明する模式図である。
【図４】サテライトの吐出方向とノズル部の中心線の傾きとの関係を示す模式図である。
【図５】本実施形態に係る液体噴射記録ヘッドのノズル基板の製造方法の一例を示す工程図である
【図６】本実施形態に係る液体噴射記録ヘッドのノズル基板の製造方法の一例を示す工程図である。
【符号の説明】
【００５３】
２     発熱抵抗体
３     吐出口
５     共通液室
６     ノズル部
７     加圧室
８     液体供給路
９     液体流路
１１   主滴
１２   サテライトドロップ
１３   リバウンドドロップ
１４   メニスカス面
【図１】
2005212133.tif 000006
【図２】
2005212133.tif 000007
【図３】
2005212133.tif 000008
【図４】
2005212133.tif 000009
【図５】
2005212133.tif 000010
【図６】
2005212133.tif 000011