(57)【要約】【課題】  抵抗値を上げることなく、高周波帯域における記録特性に優れた構造を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置を提供する。【解決手段】  薄膜磁気ヘッドは、媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、第１および第２の磁極群に対して絶縁され、その少なくとも一方の回りに螺旋状に巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有している。薄膜コイルは、第１の磁極群と第２の磁極群との間に配置された複数の内導体部を有する第１の導体群と、第２の磁極群の外側に配置された外導体部を有する第２の導体群と、各内導体部と各外導体部とを接続する接続部を有する接続部群とを有し、第１、第２の各導体群が、各内導体部同士および各外導体部同士が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、前記各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、前記第１および第２の磁極群に対して絶縁され、前記第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状に巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記薄膜コイルは、前記第１の磁極群と第２の磁極群との間に配置された複数の内導体部を有する第１の導体群と、前記第２の磁極群の外側に配置された外導体部を有する第２の導体群と、前記各内導体部と前記各外導体部とを接続する接続部を有する接続部群とを有し、
前記各内導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を前記第１の導体群が有し、前記各外導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を前記第２の導体群が有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記各内導体部のいずれか１つが、前記第１の磁極群に絶縁膜を介して接触していることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第１の導体群および第２の導体群は、前記各内導体部および各外導体部の媒体対向面に交差する方向の配置密度が、前記第２の磁極群の外側から該第２の磁極群に向かって増加していることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記各接続部が、第２の磁極群よりも外側において前記媒体対向面に沿って配置されていることを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記各接続部が、前記媒体対向面からの距離が相違する位置に配置されていることを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記各内導体部および各外導体部は、前記第２の磁極群に対応する部分からその外側に向かって、経路幅が漸次広がる可変幅構造を有していることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記第１の磁極群が、前記媒体対向面に向かって突出する突出部を有することを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記各内導体部および各外導体部が、前記突出部に対応した箇所に、前記経路幅が最も狭い最狭部を有することを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記突出部が、前記媒体対向面に向かって突出する曲面を有することを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記各内導体部および各外導体部が、前記突出部の側面形状に対応して湾曲していることを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記各内導体部または各外導体部の間に介在される前記絶縁膜が、複数のアルミナ膜を積層して形成されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記第２の磁極群が、２つの平坦な磁極層を積層して形成されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、前記各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、該第１および第２の磁極群に対して絶縁され、前記第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状に巻回された薄膜コイルとを、基板上に積層して薄膜磁気ヘッドを製造する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記基板上に設けた第１の磁極層上に絶縁膜を介して接触する複数の第１の内導体部および下部接続層と、ヨーク長を決める位置に配置された第２の磁極層とを形成する工程と、
前記第２の磁極層および互いに隣り合う前記各第１の内導体部の間に、分離用絶縁膜で覆われた内溝部を形成する工程と、
前記各内溝部に第２の内導体部を形成し、前記第１および第２の内導体部により第１の導体群を形成する工程と、
前記第２の磁極層上に第３の磁極層を積層して前記第１の磁極群を形成する工程と、
前記記録ギャップ層を設けるようにして、前記第１の磁極群上に前記第２の磁極群を形成する工程と、
前記第２の磁極群に絶縁膜を介して接触する複数の第１の外導体部と、ヨーク長を決める位置に配置された絶縁部を形成する工程と、
前記絶縁部および互いに隣り合う前記各第１の外導体部の間に、分離用絶縁膜で覆われた外溝部を形成する工程と、
前記各外溝部に第２の外導体部を形成し、前記第１および第２の外導体部により第２の導体群を形成する工程と、
前記下部接続層に上部接続層を配置して接続部群を形成し、該接続部群と、前記第１および第２の導体群とによって、前記薄膜コイルを形成する工程とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記第１の内導体部、第２の内導体部、前記第１の外導体部および第２の外導体部をそれぞれめっきにより形成することを特徴とする請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記第２の内導体部および第２の外導体部は、電極膜をスパッタ法により形成し、該電極膜上にめっきによる導電層を形成することによって、形成されていることを特徴とする請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記分離用絶縁膜を複数のアルミナ膜を積層して形成することを特徴とする請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、前記各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、該第１および第２の磁極群に対して絶縁され、前記第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状に巻回された薄膜コイルとを、基板上に積層して薄膜磁気ヘッドを製造する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記基板上に設けた第１の磁極層上に絶縁膜を介して接触する複数の第１の内導体部および下部接続層と、ヨーク長を決める位置に配置された第２の磁極層とを形成する工程と、
前記第２の磁極層および互いに隣り合う前記各第１の内導体部の間に、分離用絶縁膜で覆われた内溝部を形成する工程と、
前記各内溝部に第２の内導体部を形成し、前記第１および第２の内導体部により第１の導体群を形成する工程と、
前記第２の磁極層上に第３の磁極層を積層して前記第１の磁極群を形成する工程と、
前記記録ギャップ層を設けるようにして、前記第１の磁極群上に前記第２の磁極群を形成する工程と、
前記第２の磁極群に絶縁膜を介して接触する複数の第１の外導体部を形成する工程と、
前記各第１の外導体部の表面に前記各外導体部の分離用絶縁膜を形成し、前記各第１の外導体部の間に前記分離用絶縁膜で覆われた外溝部を形成する工程と、
前記外溝部を埋めるようにして、前記薄膜コイルの配置領域に導電層を形成する工程と、
前記導電層により、前記各第１の外導体部に前記分離用絶縁膜を介して接触する第２の外導体部を形成し、前記第１および第２の外導体部により第２の導体群を形成する工程と、
前記下部接続層に上部接続層を配置して接続部群を形成し、該接続部群と、前記第１および第２の導体群とによって、前記薄膜コイルを形成する工程とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記第２の内導体部および第２の外導体部は、電極膜をスパッタ法により形成し、該電極膜上にめっきによる導電層を形成することによって、形成されていることを特徴とする請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記分離用絶縁膜を複数のアルミナ膜を積層して形成することを特徴とする請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２０】
基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルとを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、前記各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、前記第１および第２の磁極群に対して絶縁され、前記第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状に巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記薄膜コイルは、前記第１の磁極群と第２の磁極群との間に配置された複数の内導体部を有する第１の導体群と、前記第２の磁極群の外側に配置された外導体部を有する第２の導体群と、前記各内導体部と前記各外導体部とを接続する接続部を有する接続部群とを有し、
前記各内導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を前記第１の導体群が有し、前記各外導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を前記第２の導体群が有することを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項２１】
薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、前記薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、前記各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、前記第１および第２の磁極群に対して絶縁され、前記第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状に巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記薄膜コイルは、前記第１の磁極群と第２の磁極群との間に配置された複数の内導体部を有する第１の導体群と、前記第２の磁極群の外側に配置された外導体部を有する第２の導体群と、前記各内導体部と前記各外導体部とを接続する接続部を有する接続部群とを有し、
前記各内導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を前記第１の導体群が有し、前記各外導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を前記第２の導体群が有することを特徴とするハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置の面記録密度が著しく向上している。特に最近ではハードディスク装置の面記録密度は、１６０〜２００ギガバイト／プラッタに達し、更にそれを超える勢いである。これに伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドは、書込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドと、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ(Magnetoresistive)素子ともいう）を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００４】
この種の複合型薄膜磁気ヘッドでは、記録ヘッドは、一般に記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリング面、ＡＢＳともいう）、下部磁極層、上部磁極層、記録ギャップ層および薄膜コイルとを有している。下部磁極層および上部磁極層は、媒体対向面の側において互いに対向する磁極部（対向磁極部）を有し、その対向磁極部から離れた位置に配置された連結部によって、互いに磁気的に連結されている。記録ギャップ層は、各対向磁極部の間に形成されている。薄膜コイルは下部磁極層および上部磁極層と絶縁され、少なくとも一部がこれらの間に配置されている。
【０００５】
記録ヘッドの性能、とりわけ記録密度を上げるためには、記録媒体におけるトラック密度の向上が必要である。そのためには、トラック幅、すなわち、２つの対向磁極部の媒体対向面における幅を数ミクロンからサブミクロン寸法まで小さくした狭トラック構造の記録ヘッドを実現しなければならないことから、記録ヘッドは半導体加工技術を利用して製造されていた。
【０００６】
記録ヘッドは、トラック幅を小さくしていくと、２つの対向磁極部の間で高密度の磁束を発生させることが難しくなってくるため、磁極部の材料に高い飽和磁束密度を有する磁性材料を用いることが望まれていた。
その一方、記録密度の向上に伴い記録信号の周波数が高くなってくると、記録ヘッドでは、磁束が変化する速度を向上させること、すなわち、フラックスライズタイムを短縮することが求められる。しかも、高周波帯域において、オーバライト特性や非線形トランジションシフト（Non-linear Transition Shift）等の記録特性の劣化が少ないことが求められる。
【０００７】
高周波帯域における記録特性の向上のためには、記録ヘッドの磁路長を短くすることによって、周波数が高く変化の速い記録信号のすばやい変化に追従し得るようにすることが望ましい。磁路長は、主に、下部磁極層または上部磁極層における媒体対向面から連結部までの長さ（以下「ヨーク長」という）によって決まるので、磁路長の短縮にはヨーク長の短縮が有効である。また、媒体対向面から連結部までの間に薄膜コイルが巻かれる場合、ヨーク長の短縮には、薄膜コイルの巻線のうち、媒体対向面から連結部までの間に配置される部分のピッチ（以下「巻線ピッチ」という）を小さくすることが有効である。
【０００８】
従来の薄膜磁気ヘッドは、大別すると、連結部の周りに巻かれた平面渦巻き状の薄膜コイルを有する薄膜磁気ヘッド（下記特許文献１参照）と、下部磁極層と上部磁極層の少なくとも一方の周りに螺旋状に（ｈｅｌｉｃａｌ）巻回された薄膜コイルを有する薄膜磁気ヘッド（下記特許文献２，３，４参照）とがあった。
【０００９】
前者の薄膜磁気ヘッドは、磁束の多くを連結部の近傍に発生し、そのうち下部磁極層および上部磁極層により対向磁極部に導かれた磁束によって、情報を記録する。しかし、前者の薄膜磁気ヘッドでは、磁束の多くが連結部の周りに発生するため、発生する磁束は数パーセント程度しか記録に用いられてなく、磁束による記録が効率的に行われていなかった。そのため、前者の薄膜磁気ヘッドでは、記録に用いられる磁束を増やすため、薄膜コイルのターン数をできるだけ多くするようにしていた。そのための技術として、従来、例えば、第１のコイルの巻線間に第２のコイルの巻線を配置することによって、巻線ピッチを小さくする技術があった（下記特許文献５参照）。
【００１０】
また、後者の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルが媒体対向面の近くに配置されているため、前者に比較すると、発生する磁束が効率的に記録に用いられる。そのため、後者の薄膜磁気ヘッドは、平面渦巻き状の薄膜コイルを有する前者の薄膜磁気ヘッドよりも薄膜コイルのターン数を少なくすることができ、ヨーク長の短縮に有益であった。
【００１１】
この後者の薄膜磁気ヘッドでも、高周波帯域における記録特性の向上のためには、ヨーク長の短縮が有効であり、そのためには、薄膜コイルの巻線ピッチを可能な限り小さくすることが有効である。また、記録に用いられる磁束を増やすためには、薄膜コイルのターン数を増やすことも有効である。これらをすべて実現させるためには、可能な限り巻線ピッチを小さくすることによって、ヨーク長を短縮し、薄膜コイルのターン数を増やせるようにする必要がある。そのためには薄膜コイルの各ターンの幅（ターン幅）を狭める必要がある。
【特許文献１】米国特許第６０４３９５９号公報
【特許文献２】米国特許第５９９５３４２号公報
【特許文献３】特開２０００−３１１３１１号公報
【特許文献４】米国特許第６４５９５４３Ｂ１号公報
【特許文献５】米国特許第６１９１９１６Ｂ１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、薄膜コイルにおけるターン幅を狭めると、薄膜コイルの抵抗値が上昇し、薄膜コイルから発生する熱も多くなる。薄膜コイルから発生する熱が多くなると、その熱によって磁極部が記録媒体に近づくように突出し、記録媒体に衝突しやすくなってしまう。このことから、従来の薄膜磁気ヘッドは、ターン幅をあまり小さくすることができなかったため、ヨーク長を短縮することもできなかった。
【００１３】
また、従来から、薄膜コイルはフレームめっき法で形成されている。フレームめっき法で用いるフレームは、各ターンの間に配置される壁部分を有している。その壁部分は、形状を維持するため、幅をある程度の大きさにしなければならないから、薄膜コイルをフレームめっき法で形成するときは、隣接するターンの間隔（ターン間隔）を小さくすることが難しくなる。この点、上記特許文献５に記載された技術を適用すると、各ターンの間隔を小さくすることができるが、この薄膜磁気ヘッドは平面渦巻き状の薄膜コイルを有するため、発生する磁束を効率よく記録に用いることができないという欠点がある。
【００１４】
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、抵抗値を上げることなく、高周波帯域における記録特性に優れた構造を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、第１および第２の磁極群に対して絶縁され、第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状に巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、薄膜コイルは、第１の磁極群と第２の磁極群との間に配置された複数の内導体部を有する第１の導体群と、第２の磁極群の外側に配置された外導体部を有する第２の導体群と、各内導体部と各外導体部とを接続する接続部を有する接続部群とを有し、各内導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を第１の導体群が有し、各外導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を第２の導体群が有する薄膜磁気ヘッドを特徴とする。
この薄膜磁気ヘッドは、第１の導体群と、第２の導体群が絶縁接触構造を有しているから、各内導体部および外導体部が、それぞれ隣り合うもの同士の間に絶縁膜のみが介在し、それぞれの間隔がその絶縁膜の厚さに等しくなっている。
【００１６】
上記薄膜磁気ヘッドは、各内導体部のいずれか１つが、第１の磁極群に絶縁膜を介して接触していることが好ましい。この構成を有することにより、薄膜磁気ヘッドは、ヨーク長をより短縮することができる。
【００１７】
また、第１の導体群および第２の導体群は、各内導体部および外導体部の媒体対向面に交差する方向の配置密度が、第２の磁極群の外側からその第２の磁極群に向かって増加しているとよい。
この場合、薄膜磁気ヘッドは、第２の磁極群に近づくにしたがい各内導体部と外導体部がそれぞれ次第に密集し、巻線ピッチが小さくなるようになっている。
【００１８】
さらに、各接続部が、第２の磁極群よりも外側において媒体対向面に沿って配置されていることが好ましい。
これにより、エアベアリング面から各接続部までの距離が短縮されている。
【００１９】
さらにまた、各接続部が、媒体対向面からの距離が相違する位置に配置されているとよい。
この場合、各接続部は、エアベアリング面に沿った方向にずれて配置されている。
【００２０】
さらに、各内導体部および各外導体部は、第２の磁極群に対応する部分からその外側に向かって、経路幅が漸次広がる可変幅構造を有しているとよい。
これにより、各内導体部および各外導体部は、電流の流れを妨げることが少なくなるから、電流の流れがスムーズになる。
【００２１】
この薄膜磁気ヘッドの場合、第１の磁極群が、媒体対向面に向かって突出する突出部を有することが好ましい。
こうすると、各内導体部および各外導体部の経路幅を第１の磁極群に沿って変化させることができる。
【００２２】
また、各内導体部および各外導体部が、突出部に対応した箇所に、経路幅が最も狭い最狭部を有することが好ましい。
これにより、各内導体部および各外導体部は、経路幅が狭くなる範囲が極力少なくなっている。
【００２３】
さらに、突出部が、媒体対向面に向かって突出する曲面を有するとよい。
この場合、各内導体部および各外導体部の側部の形状を突出部に沿って変化させることができる。
【００２４】
そして、各内導体部および各外導体部が、突出部の側面形状に対応して湾曲していることが好ましい。
この場合、各内導体部および各外導体部の経路幅をなだらかに変化させることができる。
【００２５】
さらに、各内導体部または各外導体部の間に介在される絶縁膜が、複数のアルミナ膜を積層して形成されていることが好ましい。
この絶縁膜は緻密な膜になる。
【００２６】
第２の磁極群が、２つの平坦な磁極層を積層して形成されていることが好ましい。
この場合、磁束の飽和が発生しないようにすることができる。
【００２７】
そして、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、その第１および第２の磁極群に対して絶縁され、第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状に巻回された薄膜コイルとを、基板上に積層して薄膜磁気ヘッドを製造する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、以下の（１）〜（９）に示す各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（１）基板上に設けた第１の磁極層上に絶縁膜を介して接触する複数の第１の内導体部および下部接続層と、ヨーク長を決める位置に配置された第２の磁極層とを形成する工程、
（２）第２の磁極層および互いに隣り合う各第１の内導体部の間に、分離用絶縁膜で覆われた内溝部を形成する工程、
（３）各内溝部に第２の内導体部を形成し、第１および第２の内導体部により第１の導体群を形成する工程、
（４）第２の磁極層上に第３の磁極層を積層して第１の磁極群を形成する工程、
（５）記録ギャップ層を設けるようにして、第１の磁極群上に前記第２の磁極群を形成する工程、
（６）第２の磁極群に絶縁膜を介して接触する複数の第１の外導体部と、ヨーク長を決める位置に配置された絶縁部を形成する工程、
（７）絶縁部および互いに隣り合う各第１の外導体部の間に、分離用絶縁膜で覆われた外溝部を形成する工程、
（８）各外溝部に第２の外導体部を形成し、第１および第２の外導体部により第２の導体群を形成する工程、
（９）下部接続層に上部接続層を配置して接続部群を形成し、その接続部群と第１および第２の導体群とによって、薄膜コイルを形成する工程。
これらの各工程を経ることにより、第１の導体群と、第２の導体群がそれぞれ絶縁接触構造を有する薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００２８】
上記製造方法では、第１の内導体部、第２の内導体部、第１の外導体部および第２の外導体部をそれぞれめっきにより形成することが好ましい。
また、第２の内導体部および第２の外導体部は、電極膜をスパッタ法により形成し、その電極膜上にめっきによる導電層を形成することによって、形成されているとよい。
さらに、分離用絶縁膜を複数のアルミナ膜を積層して形成することもできる。
【００２９】
そして、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、その第１および第２の磁極群に対して絶縁され、第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状に巻回された薄膜コイルとを、基板上に積層して薄膜磁気ヘッドを製造する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、以下の（１）〜（１０）に示す各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（１）基板上に設けた第１の磁極層上に絶縁膜を介して接触する複数の第１の内導体部および下部接続層と、ヨーク長を決める位置に配置された第２の磁極層とを形成する工程、
（２）第２の磁極層および互いに隣り合う各第１の内導体部の間に、分離用絶縁膜で覆われた内溝部を形成する工程、
（３）各内溝部に第２の内導体部を形成し、第１および第２の内導体部により第１の導体群を形成する工程、
（４）第２の磁極層上に第３の磁極層を積層して第１の磁極群を形成する工程、
（５）記録ギャップ層を設けるようにして、第１の磁極群上に第２の磁極群を形成する工程、
（６）第２の磁極群に絶縁膜を介して接触する複数の第１の外導体部を形成する工程、
（７）各第１の外導体部の表面に各外導体部の分離用絶縁膜を形成し、各第１の外導体部の間に分離用絶縁膜で覆われた外溝部を形成する工程、
（８）外溝部を埋めるようにして、薄膜コイルの配置領域に導電層を形成する工程、
（９）導電層により、各第１の外導体部に分離用絶縁膜を介して接触する第２の外導体部を形成し、第１および第２の外導体部により第２の導体群を形成する工程、
（１０）下部接続層に上部接続層を配置して接続部群を形成し、その接続部群と、第１および第２の導体群とによって、薄膜コイルを形成する工程。
これらの各工程を経ることによっても、第１の導体群と、第２の導体群がそれぞれ絶縁接触構造を有する薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００３０】
また、この製造方法の場合、第２の内導体部および第２の外導体部は、電極膜をスパッタ法により形成し、その電極膜上にめっきによる導電層を形成することによって、形成されているとよい。
さらに、分離用絶縁膜を複数のアルミナ膜を積層して形成することもできる。
【００３１】
そして、本発明は、基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、基台を固定するジンバルとを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、第１および第２の磁極群に対して絶縁され、第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状に巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、薄膜コイルは、第１の磁極群と第２の磁極群との間に配置された複数の内導体部を有する第１の導体群と、第２の磁極群の外側に配置された外導体部を有する第２の導体群と、各内導体部と各外導体部とを接続する接続部を有する接続部群とを有し、各内導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を第１の導体群が有し、各外導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を第２の導体群が有するヘッドジンバルアセンブリを提供する。
【００３２】
また、本発明は、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、第１および第２の磁極群に対して絶縁され、第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状に巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、薄膜コイルは、第１の磁極群と第２の磁極群との間に配置された複数の内導体部を有する第１の導体群と、第２の磁極群の外側に配置された外導体部を有する第２の導体群と、各内導体部と各外導体部とを接続する接続部を有する接続部群とを有し、各内導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を第１の導体群が有し各外導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を第２の導体群が有するハードディスク装置を提供する。
【発明の効果】
【００３３】
以上詳述したように、本発明によれば、抵抗値を上げることなく、高周波帯域における記録特性に優れた構造を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
【００３５】
第１の実施の形態
（薄膜磁気ヘッドの構造）
まず、図１〜図４を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造について説明する。ここで、図１は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００の主要部を示す分解斜視図である。図２は、薄膜コイル１１０を構成する第１の導体群１１６および接続部群１３０を示す平面図、図３は同じく第２の導体群１２０を示す平面図である。図４（ａ）は図２のIV−IV線断面図であり、（ｂ）は図２のエアベアリング面に平行な断面図である。
【００３６】
第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００は、基板１と、基板１に積層された再生ヘッドおよび記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）とを有し、記録媒体に対向する媒体対向面としてのエアベアリング面３０とを有している。なお、以下では、薄膜磁気ヘッド３００の主要部の構造について説明し、薄膜磁気ヘッドの構造のその他の部分の構造については、後述する製造工程の中で説明する。
【００３７】
再生ヘッドは、エアベアリング面３０の近傍に配置された磁気的信号検出用のＭＲ素子５を有している。また、再生ヘッドはエアベアリング面３０側においてＭＲ素子５を挟んで対向するように配置され、ＭＲ素子５をシールドしている下部シールド層３および上部シールド層８を有し、さらに、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部シールド層８との間に配置された上部シールドギャップ膜７とを有している。
【００３８】
記録ヘッドは、下部磁極層１０、上部磁極層２５、記録ギャップ層２４および薄膜コイル１１０を有し、これらが基板１上に積層された構成を有している。下部磁極層１０および上部磁極層２５は、エアベアリング面３０の側に互いに対向する磁極部（対向磁極部）を有し、後述する連結部３１において互いに磁気的に連結されている。記録ギャップ層２４は、下部磁極層１０の対向磁極部と上部磁極層２５の対向磁極部との間に形成されている。薄膜コイル１１０は、下部磁極層１０および上部磁極層２５に対して絶縁された状態で、上部磁極層２５の回りに螺旋状に巻回されている。本実施の形態における下部磁極層１０と上部磁極層２５は、それぞれ本発明における第１の磁極群と第２の磁極群に対応している。
【００３９】
下部磁極層１０は、図４（ａ），（ｂ）に示すように、第１の磁極部１０ａと、第２の磁極部１０ｂと、第３の磁極部１０ｃとを有し、第４の磁極部１０ｄと、第５の磁極部１０ｅと、第６の磁極部１０ｆおよび第７の磁極部１０ｇを有している。
第１の磁極部１０ａは、薄膜コイル１１０の第１の導体群１１６に対向する位置に配置されている。第２の磁極部１０ｂは、エアベアリング面３０の近傍において、第１の磁極部１０ａよりも上部磁極層２５側に突出するようにして、第１の磁極部１０ａに接続されている。第３の磁極部１０ｃは、後述する第１の導体群１１６、第２の導体群１２０の一部を挟んでエアベアリング面３０から離れた位置において、第１の磁極部１０ａよりも上部磁極層２５側に突出するようにして、第１の磁極部１０ａに接続されている。この第３の磁極部１０ｃは図２に示すように、柱部３２ａと、柱部３２ａからエアベアリング面３０側に向かって突出する突出部３２ｂとを有し、突出部３２ｂは円柱の一部をなす曲面（円柱状曲面）を有している。柱部３２ａは、平面形状が長方形の柱状に形成されている。
【００４０】
第３の磁極部１０ｃ、第５の磁極部１０ｅおよび第７の磁極部１０ｇは上部磁極層２５と下部磁極層１０とを磁気的に連結する連結部３１を構成している（図４（ａ）参照）。また、第６の磁極部１０ｆのうち、記録ギャップ層２４を挟んで後述するトラック幅規定部２５Ａと対向する部分が、本発明における対向磁極部となっている。
【００４１】
また、下部磁極層１０と上部磁極層２５は、図４（ｂ）に示すように、トリム構造を有している。このトリム構造により、狭トラックの書込み時に発生する磁束の広がりによる実効的な記録トラック幅の増加が防止されるようになっている。
上部磁極層２５は、図１に示すように、記録ギャップ層２４に接する第１の磁極部２５ａと、第１の磁極部２５ａの上に配置された第２の磁極部２５ｂとを有している。また、上部磁極層２５は、トラック幅規定部２５Ａと、ヨーク部２５Ｂとを有している。トラック幅規定部２５Ａは、本発明における対向磁極部であって、記録トラック幅を規定する。また、トラック幅規定部２５Ａは、エアベアリング面３０に配置される端部を有し、この端部からヨーク部２５Ｂにつながる腕部を有している。ヨーク部２５Ｂは、一定の幅を有する定幅部と、定幅部からトラック幅規定部２５Ａに近づくにしたがい、漸次幅が狭まる先細部とを有している。
【００４２】
薄膜コイル１１０は、第１の導体群１１６と、第２の導体群１２０と、接続部群１３０とを有し、これらがつながることによって、一連の５ターンループを形成し、上部磁極層２５の回りに螺旋状に巻回されている。
図２および図４（ａ）に示すように、第１の導体群１１６は、下部磁極層１０と上部磁極層２５との間に配置された第１の内導体部１１２，１１４と、第２の内導体部１１１，１１３，１１５とを有している。第１の導体群１１６は、各内導体部１１１〜１１５の互いに隣り合うもの同士が後述する分離用絶縁膜１５を介して接触する絶縁接触構造を有し、第１の磁極部１０ａにおける絶縁膜１１が配置された領域に設けられている。また、内導体部１１１が第２の磁極部１０ｂに分離用絶縁膜１５を介して接触し、内導体部１１５が第３の磁極部１０ｃに分離用絶縁膜１５を介して接触している（図１および図４（ａ）参照）。
【００４３】
各内導体部１１１〜１１５は、それぞれ矩形状端部１１１ａ〜１１５ａと、矩形状端部１１１ｂ〜１１５ｂとを有し、各矩形状端部の間の部分がエアベアリング面３０に沿った方向（図２のＹ方向）に長いつなぎ部１１１ｃ〜１１５ｃとなっている。そして、第１の導体群１１６は、各つなぎ部１１１ｃ〜１１５ｃにおいて、エアベアリング面３０に交差する方向（交差方向、図２および図３におけるＸ方向）の配置密度が変化する密度変化構造を有している。つまり、内導体部１１１〜１１５は、エアベアリング面３０から突出部３２ｂまでの最短ライン５０の長さと等しい幅Ｗの領域に配置されている個数（配置数）が、上部磁極層２５の外側から上部磁極層２５に向かい１本から５本まで順次増加している。これにより、第１の導体群１１６は、上部磁極層２５に近づくにしたがい内導体部１１１〜１１５が次第に密集し、巻線ピッチが小さくなるようになっている。
【００４４】
また、内導体部１１１〜１１５は、上部磁極層２５に対応する部分からその外側に向かって、それぞれの電流に交差する方向の幅（経路幅）が漸次広がる可変幅構造を有し、第３の磁極部１０ｃの突出部３２ｂに対応した箇所に、その経路幅が最も狭い最狭部を有している。
【００４５】
分離用絶縁膜１５は、厚さが第１の導体群１１６の底部と下部磁極層１０との間の最短距離以下に形成されている。つまり、図４（ａ）に示すように、第１の導体群１１６と下部磁極層１０との間の最短距離は、内導体部１１２，１１４の底部と下部磁極層１０との間に介在している絶縁膜１１の厚さと等しく、分離用絶縁膜１５の厚さが絶縁膜１１の厚さ以下になっている。
【００４６】
次に、図３に示すように、第２の導体群１２０は、いずれも上部磁極層２５の外側の第１の導体群１１６とは異なる平面上に配置された第１の外導体部１２２，１２４と、第２の外導体部１２１，１２３，１２５とを有している。また、第２の導体群１２０は、各外導体部１２１〜１２５の互いに隣り合うもの同士が分離用絶縁膜３４を介して接触する絶縁接触構造を有している。そして、外導体部１２１が後述する絶縁部３３に分離用絶縁膜３４を介して接触し、外導体部１２５が絶縁部３３に分離用絶縁膜３４を介して接触している（図４（ａ）参照）。
【００４７】
外導体部１２１〜１２５はそれぞれ矩形状端部１２１ａ〜１２５ａと、矩形状端部１２１ｂ〜１２５ｂとを有し、各矩形状端部の間の部分がエアベアリング面３０に沿った方向に長いつなぎ部１２１ｃ〜１２５ｃとなっている。第２の導体群１２０は、第１の導体群１１６と同様に、外導体部１２１〜１２５のつなぎ部１２１ｃ〜１２５ｃにおいて、エアベアリング面３０に交差する方向の配置密度が変化する密度変化構造を有している。
【００４８】
また、外導体部１２１〜１２５も、上部磁極層２５に対応する部分からその外側に向かって、それぞれの経路幅が漸次広がる可変幅構造を有し、第３の磁極部１０ｃの突出部３２ｂに対応した箇所に、その経路幅が最も狭い最狭部を有している。
【００４９】
接続部群１３０は、複数の接続部１３１〜１４０を有している。接続部１３１〜１４０は、各内導体部１１１〜１１５と各外導体部１２１〜１２５とを接続するために設けられたもので、上部磁極層２５よりも外側において、エアベアリング面３０に沿って配置され、次のようにして設けられている。すなわち、接続部１３１，１３３，１３５，１３７，１３９は、それぞれ、外導体部１２１〜１２５の矩形状端部１２１ｂ〜１２５ｂと、内導体部１１１〜１１５の矩形状端部１１１ａ〜１１５ａとを接続するように設けられている。また、接続部１３２，１３４，１３６，１３８は、それぞれ、外導体部１２２〜１２５の矩形状端部１２２ａ〜１２５ａと、内導体部１１１〜１１４の矩形状端部１１１ｂ〜１１４ｂとを接続するように設けられている。さらに、接続部１４０は、リード層１２６と内導体部１１５の矩形状端部１１５ｂとを接続するように設けられている。
【００５０】
そして、薄膜コイル１１０は、外導体部１２１から接続部１３１を介して内導体部１１１へとつながり、さらに、内導体部１１１から接続部１３２を介して外導体部１２２へとつながり、これによって、１ターンのループを形成している。以下同様にして４ターンのループが形成されることによって、薄膜コイル１１０が全体で一連の螺旋状ループを形成している。その後、薄膜コイル１１０はリード層１２６から図示しない外部の電極パッドに接続されている（外導体部１２１にも図示しない電極パッドが接続されている）。
【００５１】
以上のように、薄膜磁気ヘッド３００では、薄膜コイル１１０が上部磁極層２５の回りに螺旋状に巻回されているため、薄膜コイル１１０によって発生する磁束を効率よく、記録に用いることができる。したがって、薄膜磁気ヘッド３００によれば、平面渦巻き状の薄膜コイルを有する薄膜磁気ヘッドに比べて、薄膜コイルのターン数を少なくすることができるため、ヨーク長を短縮することができる。しかも、薄膜磁気ヘッド３００は、平面渦巻き状の薄膜コイルを有する薄膜磁気ヘッドに比べて、薄膜コイル１１０の配置されている領域を小さくすることができるから、小型化が可能である。
【００５２】
また、薄膜コイル１１０は、第１の導体群１１６を構成する各内導体部１１１〜１１５と、第２の導体群１２０を構成する外導体部１２１〜１２５とが絶縁膜（それぞれ、分離用絶縁膜１５，３４）を介して接触する絶縁接触構造を有している。そのため、各内導体部１１１〜１１５と外導体部１２１〜１２５は、それぞれ互いに隣り合うもの同士の間に絶縁膜のみが介在し、それぞれの間隔がその絶縁膜（分離用絶縁膜１５，３４）の厚さに等しくなっている。よって、各内導体部１１１〜１１５は、隣り合うもの同士の間の隙間がほとんどなく密集して高密に配置され、外導体部１２１〜１２５も隣り合うもの同士の間の隙間がほとんどなく密集して高密に配置されている。したがって、各内導体部、外導体部の経路幅をあまり狭めなくても、ヨーク長を短縮することができる。また、各内導体部、外導体部の経路幅をあまり狭めなくてもよいので、電流の流れを妨げることが少なく、したがって、抵抗値の上昇が抑制されている。
【００５３】
そして、第３の磁極部１０ｃが上部磁極層２５と下部磁極層１０とを磁気的に連結する連結部３１の一部を構成しているから、第３の磁極部１０ｃ（の突出部３２ｂ）とエアベアリング面３０との間の最短距離、すなわち、最短ライン５０の長さがヨーク長になる。したがって、第１の導体群１１６と、第２の導体群１２０が上述の高密配置を有していることによって、薄膜磁気ヘッド３００では、ヨーク長がより短縮されている。
【００５４】
しかも、第１の導体部群１１６の両側に位置する内導体部１１１、１１５が分離用絶縁膜１５のみを介して第３の磁極部１０ｃ、第２の磁極部１０ｂに接触しており、このことがヨーク長の一層の短縮化に寄与している。
そして、薄膜コイル１１０は、第１の導体群１１６と第２の導体群１２０とが密度変化構造を有している。そのため、幅Ｗを狭めてヨーク長を短縮しても、最短ライン５０上に巻線が確保され、薄膜コイル１１０のターン数が確保されるようになっている。したがって、薄膜磁気ヘッド３００は、ターン数を確保しながらヨーク長を短縮することが可能である。これにより、高周波帯域における記録特性に優れた薄膜磁気ヘッドが実現される。しかも、薄膜コイル１１０における密度変化構造を有する部分、すなわち、各つなぎ部１１１ｃ〜１１５ｃ，１２１ｃ〜１２５ｃがエアベアリング面３０のごく近傍に配置されるので、薄膜コイル１１０から発生する磁束が効率的に記録に用いられる。
【００５５】
また、内導体部１１１〜１１５と外導体部１２１〜１２５とを接続する各接続部が、上部磁極層２５よりも外側において、エアベアリング面３０に沿って配置されている。そのため、エアベアリング面３０から各接続部までの距離が短縮されている。したがって、薄膜磁気ヘッド３００の全体の大きさが小さくなり、薄膜磁気ヘッド３００の小型化が可能である。
【００５６】
そして、内導体部１１１〜１１５と外導体部１２１〜１２５は、上述のような可変幅構造を有しているから、電流の流れを妨げることが少なく、抵抗値の上昇を抑制することができる。したがって、薄膜磁気ヘッド３００は、薄膜コイル１１０による熱の発生を効果的に抑制することができる。また、第３の磁極部１０ｃが突出部３２ｂを有しているから、その突出部３２ｂに対応して各内導体部１１１から１１５および各外導体部１２１〜１２５の幅が変化している。そして、各内導体部１１１〜１１５および各外導体部１２１〜１２５は、突出部３２ｂに対応した箇所に最狭部を有しているから、経路幅が狭くなる範囲が極力小さくなっている。よって、より一層電流が流れやすくなり、抵抗値の上昇が抑制されるようになっている。
【００５７】
そして、詳しくは後述するが、分離用絶縁膜１５はＣＶＤ法によって形成される複数の薄いアルミナ膜が積層されてなっているから、緻密な膜である。そのため、最短ライン５０上に配置される第２の磁極部１０ｂから、第１の導体群１１６および第３の磁極部１０ｃまでのそれぞれについて、相互の間隔を極めて小さくしながら確実に絶縁することができる。
【００５８】
後述するように、第２の磁極部１０ｂ、第４の磁極部１０ｄ、第６の磁極部１０ｆおよび上部磁極層２５の材料として、高飽和磁束密度材料を用いることができるが、そうすると、磁路の途中で磁束の飽和を防止することができる。その結果、薄膜コイル１１０で発生した起磁力を効率よく記録に用いることができる。
ところで、例えば上述した特許文献１に記載されているように、上部磁極層が幅の小さな磁極部分層と、その上面に接続された幅の大きなヨーク部分層とを含む薄膜磁気ヘッドでは、特に記録トラック幅が小さくなったときに以下のような問題が生じる。すなわち、まず、この種の薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層とヨーク部分層との接続部分で磁路の断面積が急激に減少するため、この部分で磁束の飽和が生じ、ヨーク部分層から磁極部分層へ磁束が十分に伝達されないおそれがある。そのため、この薄膜磁気ヘッドではオーバライト特性が劣化するおそれがある。
【００５９】
また、上部磁極層が磁極部分層とヨーク部分層とを含む上記薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク部分層から記録媒体に向けて磁束が漏れ、幅の大きなヨーク部分層によって、記録媒体に対して、データを記録すべき領域以外の領域にデータを書き込んでしまう、いわゆるサイドライトや、データを消去すべきでない領域のデータを消去してしまう、いわゆるサイドイレーズが発生するおそれがある。いずれの場合にも、実効トラック幅が所望のトラック幅よりも大きくなってしまう。また、磁極部分層とヨーク部分層との位置関係は、フォトリゾグラフィにおけるアライメントによって決定されるため、所望の位置関係からずれるときもある。そうなると、サイドライトやサイドイレーズが顕著に発生してしまう。
【００６０】
これに対し、上述した薄膜磁気ヘッド３００では、トラック幅を規定する上部磁極層２５は平坦な層になっているので、磁極部分層とヨーク部分層との接続部分における磁束の飽和は発生しない。したがって、本実施の形態によれば、オーバライト特性の劣化や、上述のようなサイドライトやサイドイレーズが発生することはない。
【００６１】
また、薄膜磁気ヘッド３００は、平坦な下地の上に平坦な上部磁極層２５を形成しているから、上部磁極層２５のトラック幅規定部を微細にかつ精度よく形成することができる。これにより、例えば従来は薄膜磁気ヘッドを量産するときには困難とされた０．２μｍ以下のトラック幅を実現することが可能になる。
【００６２】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
次に、上述の図１〜図４とともに、図５〜図２２を参照して、上述の構造を有する第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。
ここで、図５（ａ）〜図２２（ａ）は、図２のIV−IV線に対応する各製造工程における断面を示している。図５（ｂ）〜図２２（ｂ）は、対向磁極部のエアベアリング面３０に平行な断面を示している。
【００６３】
本実施の形態に係る製造方法では、まず、図５（ａ），（ｂ）に示すように、例えばアルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）よりなる絶縁層２を約２〜５μｍの厚さで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料（例えばパーマロイ）よりなる再生ヘッド用の下部シールド層３を約２〜３μｍの厚さで堆積する。下部シールド層３は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき法によって絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層を、例えば約３〜４μｍの厚さで形成し、その絶縁膜を下部シールド層３が露出するまで、例えば化学機械研摩（以下「ＣＭＰ」という）により研摩して、表面の平坦化処理を行う。
【００６４】
次に、下部シールド層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４を例えば、約２０〜４０ｎｍの厚さで形成する。そして、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５を数十ｎｍの厚みで形成する。このＭＲ素子５は、例えばスパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチングすることによって形成する。また、ＭＲ素子５はエアベアリング面３０が形成される位置の近傍に配置する。なお、ＭＲ素子５には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。次に、図示しないが、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される一対の電極層を数十ｎｍの厚さで形成する。さらに、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶縁膜としての上部シールドギャップ膜７を例えば約２０〜４０ｎｍの厚さで形成し、ＭＲ素子５を下部シールドギャップ膜４と上部シールドギャップ膜７の中に埋設する（なお、図示の都合上、下部シールドギャップ膜４と上部シールドギャップ膜７の境界の表示を省略している）。下部シールドギャップ膜４と上部シールドギャップ膜７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、下部シールドギャップ膜４と上部シールドギャップ膜７は、スパッタ法により形成してもよいし、化学的気相成長法（以下「ＣＶＤ法」という）により形成してもよい。
【００６５】
次に、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用の上部シールド層８を約１．０〜１．５μｍの厚さで選択的に形成する。そして、ここまでの工程で得られた積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層９を例えば０．３μｍの厚さで形成する。さらに、絶縁層９の上に、本発明における第１の磁極層として、下部磁極層１０を構成する第１の磁極部１０ａを例えば０．６μｍの厚さで形成する。
【００６６】
この場合、第１の磁極部１０ａは、高飽和磁束密度材料であるＦｅＡｌＮ，ＦｅＮ，ＦｅＣｏ，ＣｏＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等を材料に用い、スパッタ法で形成する。なお、第１の磁極部１０ａは、材料としてＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％、Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％、Ｆｅ：５５重量％）等を材料に用い、めっき法によって形成してもよい。ここでは、一例として、飽和磁束密度が２．４ＴのＣｏＦｅＮを用いて、スパッタ法で形成する場合を想定している。
【００６７】
次に、第１の磁極部１０ａの上に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１１を例えば０．２μｍの厚さで形成する。続いて、その絶縁膜１１を選択的にエッチングして、第２の磁極部１０ｂと第３の磁極部１０ｃを形成すべき位置において、絶縁膜１１に開口部を設ける。
そして、図示しないが、第１の磁極部１０ａおよび絶縁膜１１を覆うように、例えばスパッタ法により、導電性材料よりなる電極膜を約５０〜８０ｎｍの厚さで形成する。この電極膜はめっきの際の電極およびシード層として機能する。
【００６８】
さらに、図示しないが、電極膜の上にフォトリゾグラフィによって、フレームを形成する。このフレームは、薄膜コイル１１０を構成する第１の内導体部１１２，１１４をフレームめっき法によって設けるために形成する。
次に、図６（ａ），（ｂ）に示すように、電極膜を用いて電気めっきを行い、例えばＣｕ（銅）よりなるめっき層を形成する。このめっき層およびその下の図示しない電極膜が第１の内導体部１１２，１１４を構成する。第１の内導体部１１２，１１４の厚さは例えば３．０〜３．５μｍである。なお、このめっき層を形成するときに、各矩形状端部（図では、矩形状端部１１４ｂを表示）も形成されている。次に、フレームを除去した後、電極膜について、第１の内導体部１１２，１１４（それぞれの矩形状端部を含む）の下に存在する部分を残し、その他の部分を例えばイオンビームエッチングにより除去する。
【００６９】
そして、図示しないが、フォトリゾグラフィによって、第１の磁極部１０ａおよび絶縁膜１１の上にフレームを形成する。このフレームは第２の磁極部１０ｂおよび第３の磁極部１０ｃをフレームめっき法によって設けるために形成する。
続いて、図７（ａ），（ｂ）に示すように、電気めっきを行い、第１の磁極部１０ａの上に、本発明における第２の磁極層として、ヨーク長を決める位置に配置された第３の磁極部１０ｃとともに、第２の磁極部１０ｂをそれぞれ磁性材料を用いて、例えば３．３〜３．８μｍの厚さで形成する。第２の磁極部１０ｂおよび第３の磁極部１０ｃの材料としては、例えば高飽和磁束密度材料が用いられる。例えば、飽和磁束密度が２．１ＴのＣｏＮｉＦｅや、飽和磁束密度が２．３ＴのＦｅＣｏｘを用いることができる。本実施の形態では、第２の磁極部１０ｂおよび第３の磁極部１０ｃを電気めっきによって形成する際に、特別な電極膜を設けることなく、パターニングされていない第１の磁極部１０ａをめっき用の電極およびシード層として用いる。
【００７０】
さらに、図８（ａ），（ｂ）に示すように、第１の内導体部１１２，１１４、第２の磁極部１０ｂおよび第３の磁極部１０ｃを覆うようにフォトレジスト１２を形成する。次に、フォトレジスト１２をマスクにして、例えばイオンビームエッチングにより、第１の磁極部１０ａを選択的にエッチングして、第１の磁極部１０ａのパターニングを行う。
【００７１】
そして、フォトレジスト１２を除去した後、図９（ａ），（ｂ）に示すように第２の内導体部１１１，１１３，１１５を設けるべき位置に、第１の内導体部１１２，１１４の保護用フォトレジスト１３を配置する。保護用フォトレジスト１３は、少なくとも第２の磁極部１０ｂと内導体部１１２との間、内導体部１１２と内導体部１１４の間および内導体部１１４と第３の磁極部１０ｃとの間に充填されるように形成する。さらに、形成された積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層１４を４〜６μｍの厚みで形成する。続いて、保護用フォトレジスト１３が露出するまで、例えばＣＭＰによって絶縁層１４を研摩する。
【００７２】
そして、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、フォトレジスト１３を除去した後、例えばＣＶＤ法によって、積層体の上面全体を覆うように、各内導体部を分離するための、例えばアルミナよりなる分離用絶縁膜１５を形成する。これにより、第２の磁極部１０ｂと内導体部１１２との間、内導体部１１２と内導体部１１４の間および内導体部１１４と第３の磁極部１０ｃとの間に、それぞれ分離用絶縁膜１５で覆われた内溝部が複数形成される。なお、分離用絶縁膜１５の厚さは絶縁膜１１の厚さ以下である。よって、分離用絶縁膜１５の厚さは０．２μｍ以下とするのが好ましく、特に０．０８〜０．１５μｍの範囲内に設定するのが好ましい。この分離用絶縁膜１５は例えば減圧下で１００℃以上の温度下で、薄膜形成に用いられる材料としてのＨ２Ｏ、Ｎ２，Ｎ２ＯまたはＨ２Ｏ２と、薄膜形成に用いられる材料としてのＡｌ（ＣＨ３）３またはＡｌＣｌ３が交互に断続的に噴射されることにより、ＣＶＤ法によって形成される膜でもよい。この形成方法によると複数の薄いアルミナ膜が積層されることにより、所望の厚さを有する分離用絶縁膜１５が得られ、各内導体部を互いの間隔を狭めつつ確実に絶縁することができる。
【００７３】
なお、保護用フォトレジスト１３，絶縁層１４および分離用絶縁膜１５の形成順序は次のように変更してもよい。すなわち、第１の磁極部１０ａをパターニングし、フォトレジスト１２を除去した後に、積層体の上面全体を覆うように分離用絶縁膜１５を形成する。続いて、保護用フォトレジスト１３、絶縁層１４を順に形成し、保護用フォトレジスト１３が露出するまで絶縁層１４を研摩した後に保護用フォトレジスト１３を除去する。こうすると、絶縁層１４を研摩する前に分離用絶縁膜１５が形成されているので、第１の内導体部１１２，１１４を分離用絶縁膜１５により補強した状態で絶縁層１４の研摩が行われる。そのため、絶縁層１４を研摩する際に第１の内導体部１１２，１１４が損傷を受けたり、倒壊したりすることを防止することができる。
【００７４】
次に、図１１（ａ），（ｂ）に示すように、上述の分離用絶縁膜１５で覆われた各内溝部に、第２の内導体部１１１，１１３，１１５を以下の手順で形成する。
まず、積層体の上面全体を覆うようにして、電極膜１６を構成するＣｕよりなる第１の導電膜をスパッタ法により、例えば３０〜５０ｎｍの厚さで形成する。そして、第１の導電膜の上に同じく電極膜１６を構成するＣｕよりなる第２の導電膜をＣＶＤ法により、例えば５０〜８０ｎｍの厚さで形成する。第２の導電膜は、各内溝部、すなわち、第２の磁極部１０ｂと内導体部１１２との間、内導体部１１２と内導体部１１４との間および内導体部１１４と第３の磁極部１０ｃとの間の各内溝部全体を埋めることを目的とするのではなく、ＣＶＤ法のステップカバレージの良さを生かして内溝部を覆うことを目的として形成されている。この第１の導電膜と第２の導電膜とが電極膜１６を構成する。電極膜１６が後に行われるめっきにおける電極およびシード層として機能する。
【００７５】
そして、電極膜１６上にめっき法により、例えばＣｕよりなる導電層１７を例えば４〜５μｍの厚さで形成する。電極膜１６および導電層１７は、第２の内導体部１１１，１１３，１１５を設けるために形成する。このように、本実施の形態では、ＣＶＤ法によって、Ｃｕよりなる第２の導電膜を形成し、その第２の導電膜上に、めっき法により、Ｃｕよりなる導電層１７を形成している。このようにすると、各内溝部、すなわち、第２の磁極部１０ｂと第１の内導体部１１２との間、第１の内導体部１１２と第１の内導体部１１４の間および第１の内導体部１１４と第３の磁極部１０ｃとの間に、確実に導電層１７が埋め込まれる。
【００７６】
次に、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、例えばＣＭＰにより、第２の磁極部１０ｂ、第３の磁極部１０ｃおよび第１の内導体部１１２，１１４が露出するまで導電層１７を研摩する。この研摩により、各内溝部、すなわち第２の磁極部１０ｂと第１の内導体部１１２との間、第１の内導体部１１２と第１の内導体部１１４の間および第１の内導体部１１４と第３の磁極部１０ｃとの間に残った導電層１７および電極膜１６によって、第２の内導体部１１１，１１３，１１５が形成される。このとき得られる第２の内導体部１１１，１１３，１１５と、前述の第１の内導体部１１２，１１４とによって、第１の導体群１１６が形成される。こうして得られる第２の内導体部１１１，１１３，１１５は、各内溝部に埋め込まれて形成されているので、第１の内導体部１１２，１１４に隣り合うように配置されている。しかも、第２の内導体部１１１，１１３，１１５は隣り合う第１の内導体部１１２，１１４との間に分離用絶縁膜１５のみが介在している。したがって、第１の内導体部１１２，１１４と、第２の内導体部１１１，１１３，１１５とは互いに絶縁接触構造を形成している。
【００７７】
そして、図１３（ａ），（ｂ）に示すように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁膜１９を例えば０．２μｍの厚さで形成し、その絶縁膜１９のうち、第２の磁極部１０ｂに対応する部分、第３の磁極部１０ｃに対応する部分、内導体部１１１〜１１５の各矩形状端部に対応する部分を選択的にエッチングする。
【００７８】
次に、エッチングにより露出した第２の磁極部１０ｂとの第３の磁極部１０ｃ上に、例えばフレームめっき法により、本発明における第２の磁極層を構成する第４の磁極部１０ｄと第５の磁極部１０ｅを形成し、内導体部１１１〜１１５の各矩形状端部の上に、本発明における下部接続層を構成する第１の接続部層をそれぞれ形成する。なお、図１３（ａ）には、各第１の接続部層のうち、内導体部１１４の矩形状端部１１４ｂの上に形成された接続部層１８ａを示している。第４の磁極部１０ｄ、第５の磁極部１０ｅおよび第１の接続部層の材料としては、高飽和磁束密度材料、例えば、飽和磁束密度が２．１ＴのＣｏＮｉＦｅや、飽和磁束密度が２．３ＴのＦｅＣｏｘを用いることができる。
【００７９】
次に、積層体の上面全体を覆うように、例えば、アルミナよりなる絶縁層２０を２〜３μｍの厚さで形成する。そして、例えばＣＭＰにより、第４の磁極部１０ｄ、第５の磁極部１０ｅおよび第１の接続部層が露出するまで、絶縁層２０を研摩する。
さらに、図１４（ａ），（ｂ）に示すように、積層体の上面全体を覆うように、スパッタ法によって、磁性層２１を０．７〜１．０μｍの厚さで形成する。磁性層２１の材料としては、例えば高飽和磁束密度材料が用いられる。例えば、飽和磁束密度が２．４ＴのＣｏＦｅＮを用いることができる。
【００８０】
そして、磁性層２１の上において、第４の磁極部１０ｄに対応する部分と第５の磁極部１０ｅに対応する部分にそれぞれエッチングマスク２２ａ，２２ｂを形成し、複数の第１の接続部層に対応する部分にもエッチングマスクを形成する。なお、図１４（ａ）には、複数の第１の接続部層に対応する複数のエッチングマスクのうち、接続部層１８ａに対応するエッチングマスク２２ｃを示している。エッチングマスクの材料としては、例えば金属材料を用いることができる。エッチングマスクは、めっき法、特にフレームめっき法によって形成してもよい。また、エッチングマスクの材料は、磁性層２１を構成する材料とは異なる磁性材料を用いてもよい。この磁性材料は、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅを用いることができる。エッチングマスクの厚さは例えば１〜２μｍ程度である。
【００８１】
次いで、図１５（ａ），（ｂ）に示すように、上記各エッチングマスクを用いて、イオンビームエッチングまたはＣｌ２等のハロゲン系ガスを用いた反応性イオンエッチング（以下「ＲＩＥ」という）を行い、磁性層２１のエッチングを行う。すると、エッチングマスクの下に残された磁性層２１によって、本発明における第３の磁極層を構成する第６の磁極部１０ｆおよび第７の磁極部１０ｇと、複数の第２の接続部層が形成される。こうして得られる第６の磁極部１０ｆおよび第７の磁極部１０ｇと、上述の第１の磁極部１０ａ、第２の磁極部１０ｂ、第３の磁極部１０ｃ、第４の磁極部１０ｄおよび第５の磁極部１０ｅとによって、本発明における第１の磁極群が形成される。
【００８２】
第２の接続部層は、本発明における下部接続層を構成するもので、第１の接続部層の上に配置されている。なお、図１５（ａ）では、各第２の接続部層のうち、第１の接続部層１８ａの上に配置された第２の接続部層１８ｂが示されている。
さらに、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層２３を２〜３μｍの厚さで形成し、その絶縁層２３を例えばＣＭＰにより研摩する。この研摩により、エッチングマスク２２ａ，２２ｂ，２２ｃ（他の第１の接続部層に対応する複数のエッチングマスクを含む）が除去されるとともに、第６の磁極部１０ｆ、第７の磁極部１０ｇ、第２の接続部層および絶縁層２３の表面が平坦化され、絶縁層２３は第６の磁極部１０ｆ、第７の磁極部１０ｇ、第２の接続部層の存在しない箇所に配置される。また、この研摩は第６の磁極部１０ｆの厚さが０．５〜０．７μｍになるように行う。
【００８３】
ここで、第６の磁極部１０ｆのエアベアリング面３０から離れた内側の端部により、記録ヘッドのスロートハイトが与えられる。スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を介して対向する部分、すなわち対向磁極部の、エアベアリング面３０側の端部から反対側（内側）端部までの距離（長さ）ｈを意味している。
【００８４】
次いで、積層体の上面全体を覆うように、記録ギャップ層２４を形成するための被膜を形成する。この被膜の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ，ＮｉＣｕ，Ｔａ，Ｗ，Ｃｒ，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ２Ｏ３等の非磁性金属材料でもよい。ここでは、Ｒｕを用いる場合を想定している。そして、被膜のうち、第７の磁極部１０ｇと、複数の第２の接続部層の上に配置されている部分を選択的にエッチングすることによって、記録ギャップ層２４を設ける。
【００８５】
さらに、積層体の上面全体を覆うように、例えばスパッタ法により、第１の磁極部２５ａを形成するための磁性材料からなる磁性層４１を形成する。この磁性層４１の材料としては、例えば高飽和磁束密度材料が用いられる。この磁性層４１には、例えば、飽和磁束密度が２．４ＴのＣｏＦｅＮを用いることができる。
次に、積層体の上面全体を覆うようにフォトレジスト４２を塗布した上で、パターニングを行い、フォトレジスト４２を所定の領域にのみ残す。その残されたフォトレジスト４２をマスクにしてエッチングを行い、フォトレジスト４２に被覆されていない部分の磁性層４１、記録ギャップ層２４、第６の磁極部１０ｆ、および絶縁層２３をエッチングする。このエッチングにより残された磁性層４１により、後に第１の磁極部２５ａが形成される。
【００８６】
さらに、図１６（ａ），（ｂ）に示すように、積層体の上面全体を覆うように、アルミナよりなる絶縁膜４３を形成する。
そして、図１７（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁膜４３とともに、フォトレジスト４２を除去するリフトオフを行い、続いて表面をＣＭＰにより適宜研摩する。
【００８７】
さらに、図１８（ａ），（ｂ）に示すように、積層体の上面全体を覆うように、例えばスパッタ法により、第１の磁極部２５ａを形成するための磁性材料よりなる磁性層４４を形成する。この磁性層４４は、高飽和磁束密度材料で形成するのがよく、例えば飽和磁束密度が２．４ＴのＣｏＦｅＮを用いるとよい。続いて、その磁性層４４の上に例えばフレームめっき法により、第２の磁極部２５ｂを形成する。第２の磁極部２５ｂも高飽和磁束密度材料で形成するのがよく、例えば飽和磁束密度が２．３ＴのＣｏＮｉＦｅを用いるのがよい。また、この第２の磁極部２５ｂは、第６の磁極部１０ｆに対応する位置から第７の磁極部１０ｇに対応する位置にかけて配置されている。
【００８８】
次に、第２の磁極部２５ｂをエッチングマスクに用いて、イオンビームエッチングまたは２００〜２５０℃の温度でのＣｌ２等のハロゲン系のガスを用いたＲＩＥにより、磁性層４４のエッチングを行う。すると、第２の磁極部２５ｂに被覆されていて、エッチング後に残った磁性層４４により、第１の磁極部２５ａが形成される。このようにして、第２の磁極部２５ｂと第１の磁極部２５ａとにより、下部磁極層１０の上に上部磁極層２５が形成される。
【００８９】
続いて、図示しないが、トラック幅規定部２５Ａ（図１参照）の周辺で開口するフォトレジストのマスクを形成し、そのフォトレジストのマスクと上部磁極層２５とをマスクにして、例えばイオンビームエッチングまたはＲＩＥにより、トラック幅規定部２５Ａの周辺部における記録ギャップ層２４と第６の磁極部１０ｆの一部をエッチングする。この工程により、図１８（ｂ）に示すようなトリム構造が得られる。
【００９０】
次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁膜２６を０．２〜０．５μｍの厚さで形成する。続いて、絶縁膜２６のうち、複数の第２の接続部層の上に存在する部分を選択的にエッチングし、さらに、フレームめっき法により、第２の接続部層の上に、本発明における上部接続層として、第３の接続部層を例えば１〜２．５μｍの厚さで形成する。第２の接続部層の上に、第３の接続部層を配置することによって、接続部群１３０が形成される。ここで、第３の接続部層の材料としては、例えばＣｕを用いることができる。図１８（ａ）には、複数の第３の接続部層のうち、第２の接続部層１８ｂの上に配置された第３の接続部層１８ｃを示している。
【００９１】
そして、図１９（ａ），（ｂ）に示すように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁膜２７を２〜３μｍの厚さで形成する。次に、例えばＣＭＰにより、複数の第３の接続部層（図１９（ａ）では第３の接続部層１８ｃ）が露出するまで絶縁膜２７を研摩する。なお、第１〜第３の接続部層１８ａ，１８ｂ，１８ｃは、内導体部と外導体部とを接続する各接続部を構成する。図１９（ａ）では、内導体部１１４と後に形成される外導体部１２５とを接続する接続部１３８が示されている。
【００９２】
続いて、第２の磁極群に絶縁膜２６，２７を介して第１の外導体部１２２，１２４を形成するため、フォトリゾグラフィにより、フレームを形成し、次いで、電極膜を用いて電気めっきを行い、例えばＣｕよりなるめっき層を形成する。このめっき層およびその下の図示しない電極膜が第１の外導体部１２２，１２４を構成する。なお、このめっき層を形成するときに、各矩形状端部（図では矩形状端部１２４ｂ）も形成されている。そして、フレームを除去した後、電極膜について、第１の外導体部１２２，１２４（それぞれの矩形状端部を含む）の下に存在する部分を残し、その他の部分を例えばイオンビームエッチングにより除去する。
【００９３】
次に、図２０（ａ），（ｂ）に示すように、第１の外導体部１２２，１２４を覆うようにフォトレジスト３２を形成し、そのフォトレジスト３２をマスクして、ヨーク長を決める位置に配置すべき例えばアルミナよりなる絶縁部３３を、積層体の上面全体を覆うように形成する。続いて、例えばＣＭＰにより、絶縁部３３を研摩する。なお、図２０（ａ）では、矩形状端部１２４ｂが絶縁部３３により被覆されているが、絶縁部３３を研摩する際に、矩形状端部１２４ｂが露出するようにしてもよい。
【００９４】
そして、図２１（ａ），（ｂ）に示すように、フォトレジスト３２を除去した後、例えばＣＶＤ法によって、積層体の上面全体を覆うように、各外導体部を分離するための、例えばアルミナよりなる分離用絶縁膜３４を形成する。これにより、絶縁部３３と外導体部１２２との間、外導体部１２２と外導体部１２４の間および外導体部１２４と絶縁部３３との間に、それぞれ分離用絶縁膜３４によって覆われた外溝部が複数形成される。
【００９５】
さらに続いて、上述の分離用絶縁膜３４で覆われた各外溝部に第２の外導体部１２１，１２３，１２５を以下の手順で形成する。
まず、積層体の上面全体を覆うようにして、電極膜３６を構成するＣｕよりなる第３の導電膜をスパッタ法により形成する。そして、第３の導電膜の上に同じく電極膜３６を構成するＣｕよりなる第４の導電膜をＣＶＤ法により形成する。第４の導電膜は、各外溝部、すなわち、絶縁部３３と外導体部１２２との間、外導体部１２２と外導体部１２４との間および外導体部１２４と絶縁部３３との間の各外溝部全体を埋めることを目的とするのではなく、ＣＶＤ法のステップカバレージの良さを生かして外溝部を覆うことを目的として形成されている。これらの第３の導電膜と第４の導電膜とが電極膜３６を構成する。電極膜３６がめっきの際の電極およびシード層として機能する。
【００９６】
次に、電極膜３６の上にめっき法により、例えばＣｕよりなる導電層３７を形成する。電極膜３６および導電層３７は、第２の外導体部１２１，１２３，１２５を設けるために形成する。このように、本実施形態では、内導体部のみならず外導体部についても、ＣＶＤ法によって、Ｃｕよりなる第４の導電膜を形成し、その第４の導電膜上に、めっき法により、Ｃｕよりなる導電層３７を形成している。したがって、各外溝部、すなわち絶縁部３３と外導体部１２２との間、外導体部１２２と外導体部１２４の間および外導体部１２４と絶縁部３３との間に、確実に導電層３７が埋め込まれる。なお、導電層３７を埋め込む際に、第２の外導体部１２１〜１２５と同じ材料、同じ手順により、リード層１２６も形成されている。
【００９７】
次に、図２２（ａ），（ｂ）に示すように、例えばＣＭＰにより、分離用絶縁膜３４および外導体部１２２，１２４が露出するまで導電層３７を研摩する。この研摩により、絶縁部３３と外導体部１２２との間、外導体部１２２と外導体部１２４の間および外導体部１２４と絶縁部３３との間に残った導電層３７および電極膜３６によって、第２の外導体部１２１，１２３，１２５が形成される。このとき得られる第２の外導体部１２１，１２３，１２５と、前述の第１の外導体部１２２，１２４とによって、第２の導体群１２０が形成される。こうして得られる第２の外導体部１２１，１２３，１２５は、各外溝部に埋め込まれて形成されているので、第１の外導体部１２２，１２４に隣り合うように配置されている。しかも、第２の外導体部１２１，１２３，１２５は隣り合う第２の外導体部１２２，１２４との間に分離用絶縁膜３４のみが介在している。したがって、第１の外導体部１２２，１２４と、第２の外導体部１２１，１２３，１２５とは互いに絶縁接触構造を形成している。
【００９８】
そして、図４（ａ），（ｂ）に示すように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなるオーバコート層２９を２０〜４０μｍの厚さで形成してその表面を平坦化する。続いて、図示しない電極パッドを形成する。最後に、上記各層を含むスライダの研摩加工を行ってエアベアリング面３０を形成する。以上の工程により、第１の導体群１１６、第２の導体群１２０および接続部層群１３０とによって、薄膜コイル１１０が形成され、薄膜磁気ヘッド３００が得られる。
【００９９】
こうして得られる薄膜磁気ヘッド３００は、上述の構成を有するから、抵抗値を上げることなく、高周波帯域における記録特性が良好になっている。また、上述の製造工程では、各第１の内導体部および第１の外導体部の間に分離用絶縁膜で覆われた溝部を複数設け、その各溝部にそれぞれ第２の内導体部および第２の外導体部を設けて薄膜コイル１１０を得ている。この製造方法により得られる薄膜コイル１１０は、先に形成される第１の内導体部および第１の外導体部が後に形成される第２の内導体部および第２外導体部のフレームとして機能するため、各導体部の間隔が製造過程で設けられるフレームの幅に影響されることはない。よって、先に形成すべき各導体部をフレームめっきで形成しても、絶縁接触構造により、各導体部の間隔を極力狭めることができる。
以下、上述した薄膜磁気ヘッド３００の構造における第１〜第４の変形例について説明する。
【０１００】
（第１の変形例）
第１の変形例における薄膜磁気ヘッド３００は、薄膜コイルの構成が相違し、他は共通であるから、以下の説明はその相違点について行い、共通点ついての説明は省略ないし簡略化する。ここで、図２３は第１の変形例における薄膜コイルのうち、第１の導体群１１６および各接続部を示す平面図、図２４は同じく第２の導体群１２０を示す平面図である。
【０１０１】
図２３および図２４に示すように、第１の変形例における薄膜コイルは、第１の導体群１１６、第２の導体群１２０および接続部群１３０を有しているが、上述の薄膜コイル１１０とは異なり一連の３ターンループを形成している。すなわち、第１の導体群１１６が複数の内導体部１１１，１１４および１１５を有し、第２の導体群１２０が複数の外導体部１２１，１２４および１２５を有し、接続部群１３０が複数の接続部１３１，１３７，１３９，１３２，１３８，１４０を有しており、これらによって、薄膜コイルが全体で３ターンの螺旋状ループを形成している。その他の点は上述の薄膜コイル１１０と同じであるから、詳しい説明を省略する。この薄膜コイルも、上述の薄膜コイル１１０と同様に、第１の導体群１１６と、第２の導体群１２０がそれぞれ絶縁接触構造を有しているから、各導体部が隙間無く密集し、高密に配置されている。したがって、第１の変形例における薄膜コイルを有する薄膜磁気ヘッド３００も、ヨーク長をより短縮することができる。
【０１０２】
（第２の変形例）
第２の変形例における薄膜磁気ヘッド３００も、上述の薄膜コイル１１０と比較して薄膜コイルの構成が相違し、他は共通であるから、以下の説明はその相違点について行い、共通点ついての説明は省略ないし簡略化する。ここで、図２５は、第２の変形例における薄膜コイルのうち、第１の導体群１１６および各接続部を示す平面図、図２６は同じく第２の導体群１２０を示す平面図である。
【０１０３】
図２５および図２６に示すように、第２の変形例における薄膜コイルは第１の導体群１１６、第２の導体群１２０および接続部群１３０を有しているが、接続部群１３０の構成が相違している。第２の変形例における接続部群１３０も、複数の接続部１３１〜１４０を有しているが、各接続部１３１〜１４０は、隣り合うもの同士で、エアベアリング面３０からの距離が相違する位置に配置されている。すなわち、接続部１３１，１３３，１３５，１３７，１３９と、１３２，１３４，１３６，１３８，１４０の順にそれぞれエアベアリング面３０からの距離が拡大している。また、交差方向の間隔が上述の薄膜コイル１１０と比較して狭められている。
【０１０４】
各接続部１３１〜１４０をこのような位置に配置することにより、各接続部１３１〜１４０は、エアベアリング面３０に沿った方向と交差方向の双方の方向にずれている。このようにして、第２の変形例における薄膜コイルは、各接続部の周囲に、絶縁層２０，２３，絶縁膜２７の配置される領域を広く確保できるようにしている。なお、その他の構成は、上述した薄膜コイル１１０と同じであるから、詳しい説明を省略する。
【０１０５】
上述した薄膜コイル１１０では、各接続部１３１〜１４０が、エアベアリング面３０からの距離が等しい位置に配置されているため、それぞれが互いに邪魔をし合い、絶縁層２０，２３，絶縁膜２７の配置される領域を広く確保し難しくなっている。したがって、隣り合う各接続部の間に絶縁層２０，２３，絶縁膜２７が十分に入り込み難く、空隙が生じるおそれがある。そうすると、その空隙に第２の導体群１２０の形成に用いられるめっき液等が入り込んで各外導体部の絶縁性が悪化し、薄膜磁気ヘッドの信頼性が低下するおそれがある。これに対し、第２の変形例における薄膜コイルは、各接続部の回りに絶縁層２０，２３，絶縁膜２７の配置される領域が広く確保されているため、隣り合う各接続部の間に絶縁層２０，２３，絶縁膜２７が十分に入り込み、空隙を生じるおそれが排除されている。
【０１０６】
（第３の変形例）
第３の変形例における薄膜磁気ヘッド３００も薄膜コイルの構成が相違し、他は共通であるから、以下の説明はその相違点について行う。ここで、図２７は、第３の変形例における薄膜コイルのうち、第１の導体群１１６および各接続部を示す平面図、図２８は同じく第２の導体群１２０を示す平面図である。
【０１０７】
図２７および図２８に示すように、第３の変形例における薄膜コイルは、第２の変形例における薄膜コイルと比較して、内導体部１１２〜１１５と、外導体部１２１〜１２５の構成が相違し、他は同じ構成を有している。
内導体部１１２〜１１５は、内導体部１１２のエアベアリング面３０側の側部を除いて、それぞれの側部が湾曲している。各側部は、第３の磁極部１０ｃにおける突出部３２ｂの側面形状に対応するように湾曲し、すなわち円柱の側面形状に沿った曲面形状を有している（図２７および図２８では円弧状の曲線）。
【０１０８】
また、本変形例における外導体部１２１は、側部の形状が第２の変形例における外導体部１２１と相違し、外導体部１２２〜１２５は、外導体部１２２のエアベアリング面３０側の側部を除いて、それぞれの側部が、内導体部１１２〜１１５と同じように湾曲している。このように、内導体部１１２〜１１５、外導体部１２２〜１２５の側部が突出部３２ｂの側面形状に対応するように湾曲していると、内導体部１１２〜１１５、外導体部１２２〜１２５の経路幅がなだらかに変化する。そのため、内導体部１１２〜１１５、外導体部１２２〜１２５における電流の流れがスムーズになり、抵抗値の上昇を抑制することができる。また、第２の変形例における薄膜コイルと比較して内導体部１１２〜１１５と外導体部１２２〜１２５を形成するためのフォトリゾグラフィが容易になり、これらをより微細な形状にすることができる。
【０１０９】
（第４の変形例）
第４の変形例における薄膜磁気ヘッド３００も薄膜コイルの構成が相違し、他は共通であるから、以下の説明はその相違点について行う。ここで、図２９は、第４の変形例における薄膜コイルのうち、第１の導体群１１６および各接続部を示す平面図、図３０は同じく第２の導体群１２０を示す平面図である。
【０１１０】
図２９および図３０に示すように、第４の変形例における薄膜コイルは第１の導体群１１６、第２の導体群１２０および接続部群１３０とを有しているが、第３の変形例における薄膜コイルと異なり一連の３ターンループを形成している。すなわち、第１の導体群１１６が複数の内導体部１１１，１１４および１１５を有して、第２の導体群１２０が複数の外導体部１２１，１２４および１２５を有し、接続部群１３０が複数の接続部１３１，１３７，１３９，１３２，１３８，１４０を有しており、これらによって、薄膜コイルが全体で３ターンの螺旋状ループを形成している。その他の点は第３の変形例における薄膜コイルと同じであるから、詳しい説明を省略する。この薄膜コイルも、上述の各薄膜コイルと同様に、第１の導体群１１６と、第２の導体群１２０が絶縁接触構造を有しているから、各導体部が隙間なく密集し、高密に配置されている。したがって、この薄膜コイルを有する薄膜磁気ヘッド３００もヨーク長をより短縮することができる。
【０１１１】
第２の実施の形態
次に、図３１〜図３７を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。
【０１１２】
（薄膜磁気ヘッドの構造）
本実施の形態にかかる薄膜磁気ヘッドは、第２の導体群１２０の構造が相違するほかは、第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００と同じ構造を有している。本実施の形態にかかる第２の導体群１２０は、図３７（ａ）に示すように、第１の実施の形態に係る第２の導体群１２０と比較すると、第１の外導体部１２１，１２３，１２５と第２の外導体部１２２，１２４との間に介在される分離用絶縁膜６５が第１の外導体部１２１，１２５と、絶縁部６８との間に設けられていない点で相違し、他は同じ構成を有している。したがって、本実施の形態にかかる薄膜磁気ヘッドも、第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００と同じ作用効果を奏する。
【０１１３】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
本実施の形態における製造方法では、図８（ａ），（ｂ）に示すように、フォトレジスト１２をマスクにして、第１の磁極部１０ａのパターニングを行うまでの工程は、上述した第１の実施の形態に係る製造方法と同様である。本実施の形態において相違するのはこれ以降の工程である。以下では、上述した第１の実施の形態に係る製造方法と相違する点を中心に行い、共通点については説明を省略ないし簡略化する。
【０１１４】
そして、図８（ａ），（ｂ）に示した工程に続いて、図３１（ａ），（ｂ）に示すように、例えばＣＶＤ法により、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる分離用絶縁膜６１を形成する。これにより、第２の磁極部１０ｂと内導体部１１２との間、内導体部１１２と内導体部１１４の間および内導体部１１４と第３の磁極部１０ｃとの間に、分離用絶縁膜６１で覆われた内溝部が複数形成される。なお、分離用絶縁膜６１の厚さは絶縁膜１１の厚さ以下である。よって、分離用絶縁膜６１の厚さは０．２μｍ以下とするのが好ましく、特に０．０８〜０．１５μｍの範囲内に設定するのが好ましい。分離用絶縁膜６１は上述の分離用絶縁膜１５と同様の方法により形成される。
【０１１５】
次に、積層体の上面全体を覆うように、スパッタ法により、電極膜６２を以下の手順で形成する。まず、Ｃｕよりなる第１の導電膜をスパッタ法により、例えば３０〜５０ｎｍの厚さで形成する。さらに、第１の導電膜の上にＣｕよりなる第２の導電膜をＣＶＤ法により、例えば５０〜８０ｎｍの厚さで形成する。第２の導電膜は各内溝部、すなわち、第２の磁極部１０ｂと内導体部１１２との間、内導体部１１２と内導体部１１４との間および内導体部１１４と第３の磁極部１０ｃとの間の各内溝部全体を埋めることを目的とするのではなく、ＣＶＤ法のステップカバレージの良さを生かして内溝部を覆うことを目的として形成されている。この第１の導電膜と第２の導電膜とによって電極膜６２が形成される。電極膜６２は、後に行われるめっきにおける電極およびシード層として機能する。
【０１１６】
そして、電極膜６２上に、めっき法により、例えばＣｕよりなる導電層６３を例えば４〜５μｍの厚さで形成する。導電層６３は、第２の内導体部１１１，１１３，１１５を設けるためのものであり、第２の内導体部１１１，１１３，１１５を配置すべき領域に形成する。
【０１１７】
次に、図３２（ａ），（ｂ）に示すように、導電層６３をマスクにして、電極膜６２のうちの、導電層６３の下に存在する部分以外の部分を除去する。この電極膜６２の除去は、例えばイオンビームの進行方向が第１の磁極部１０ａの上面に垂直な方向に対してなす角度が４５°〜７５°の範囲内となるイオンビームエッチングによって行ってもよい。あるいは、段差を有する面の上に形成された電極膜６２を完全に除去することができるように、電極膜６２の除去は、希塩酸や希硫酸、または希硝酸を用いたウェットエッチング、あるいは硫酸銅液を用いた電解エッチングによって行ってもよい。
【０１１８】
そして、積層体の上面全体を覆うようにして、例えば、アルミナよりなる絶縁膜６４を例えば４〜６μｍの厚さで形成する。さらに、図３３（ａ），（ｂ）に示すように、例えばＣＭＰにより、第２の磁極部１０ｂ、第３の磁極部１０ｃおよび第１の内導体部１１２，１１４が露出するまで絶縁膜６４を研摩する。この研摩により、第２の磁極部１０ｂと第１の内導体部１１２との間、第１の内導体部１１２と第１の内導体部１１４の間および第１の内導体部１１４と第３の磁極部１０ｃとの間に、導電層６３および電極膜６２が埋め込まれるようにして、第２の内導体部１１１，１１３，１１５が形成される。このとき得られる第２の内導体部１１１，１１３，１１５と、既に形成されている第１の内導体部１１２，１１４とによって、第１の導体群１１６が形成される。こうして得られる第２の内導体部１１１，１１３，１１５は、各内溝部に埋め込まれているので、第１の内導体部１１２，１１４に隣り合うように配置されている。しかも、第２の内導体部１１１，１１３，１１５は隣り合う第１の内導体部１１２，１１４との間に分離用絶縁膜６１のみが介在しているから、第１の内導体部１１２，１１４と第２の内導体部１１１，１１３，１１５とは、互いに絶縁接触構造を形成している。これまでの工程で、上述の製造方法と同様の状態（図１２（ａ），（ｂ）参照）が得られる。そして、これ以降、図１９（ａ），（ｂ）に示すように、第１の外導体部１２２，１２４を形成するまでの工程は、上述した第１の実施形態に係る製造方法と同様である。
【０１１９】
続いて、図３４（ａ），（ｂ）に示すように、例えばＣＶＤ法により、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる分離用絶縁膜６５を形成する。これにより、外導体部１２２と外導体部１２４の間に、分離用絶縁膜６５により覆われた外溝部が形成される。
次に、積層体の上面全体を覆うようにして以下の手順により、電極膜６６を形成する。まず、スパッタ法により、Ｃｕよりなる第３の導電膜を例えば３０〜５０ｎｍの厚さで形成する。さらに、第３の導電膜の上にＣｕよりなる第４の導電膜をＣＶＤ法により、例えば５０〜８０ｎｍの厚さで形成する。この第３の導電膜と第４の導電膜とによって電極膜６６が形成される。電極膜６６が後に行われるめっきにおける電極およびシード層として機能する。
【０１２０】
そして、電極膜６６上に、めっき法により、例えばＣｕよりなる導電層６７を例えば４〜５μｍの厚さで形成する。導電層６７は、第２の外導体部１２１，１２３，１２５を設けるためのものであり、第２の外導体部１２１，１２３，１２５を配置すべき領域に形成する。
次に、図３５（ａ），（ｂ）に示すように、導電層６７をマスクにして、電極膜６６のうちの、導電層６７の下に存在する部分以外の部分を除去する。この電極膜６６の除去は、上述の電極膜６２の除去と同様の方法で行えばよい。
【０１２１】
さらに、積層体の上面全体を覆うようにして、例えば、アルミナよりなる絶縁部６８を形成し、続いて、図３６（ａ），（ｂ）に示すように、例えばＣＭＰにより、第１の外導体部１２２，１２４が露出するまで絶縁部６８を研摩する。この研摩により、導電層６７と、外導体部１２２または外導体部１２４との間に残った電極膜６６によって、第２の外導体部１２１，１２３，１２５が形成される。このとき得られる第２の外導体部１２１，１２３，１２５と、既に形成されている第１の外導体部１２２，１２４とによって、第２の導体群１２０が形成される。こうして得られる第２の外導体部１２１，１２３，１２５は、第１の外導体部１２２，１２４に隣り合うように配置されている。しかも、第２の外導体部１２１，１２３，１２５は隣り合う第１の外導体部１２２，１２４との間に分離用絶縁膜６５のみが介在しているから、第１の外導体部１２２，１２４と第２の外導体部１２１，１２３，１２５とは互いに絶縁接触構造を形成している。
【０１２２】
そして、図３７（ａ），（ｂ）に示すように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなるオーバコート層６９を形成してその表面を平坦化する。続いて、図示しない電極パッドを形成する。最後に、上記各層を含むスライダの研摩加工を行ってエアベアリング面３０を形成する。以上の工程により、第１の導体群１１６、第２の導体群１２０および接続部層群１３０とによって薄膜コイル１１０が形成され、薄膜磁気ヘッド３００が得られる。
【０１２３】
（その他の変形例）
本発明は、上記の各実施の形態に限定されるものではなく、適宜変更することが可能である。例えば、薄膜コイル１１０は５ターンまたは３ターンに設定したが、薄膜コイルのターン数はこれら以外にも適宜選択可能である。
また、少なくとも第１の導体群までを製造した半製品（薄膜磁気ヘッド用基礎構造物）を用いて、所望のターン数の薄膜コイルを製造することもできる。その場合は、各接続部の形状と外導体部の数の両方を変更することによって、薄膜コイルのターン数を選択するようにしてもよい。
【０１２４】
さらに、本発明は、誘導型電磁変換素子のみを有する記録専用のヘッドにも適用することができ、誘導型電磁変換素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
一方、上述した各実施の形態では、薄膜磁気ヘッドを上部磁極層と下部磁極層とを有する長手記録ヘッドを例にとって説明したが、本発明は長手記録ヘッドには限られない。本発明は、主磁極層と補助磁極層とを備える垂直記録ヘッドについても適用がある。
【０１２５】
（ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態）
次に、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態について説明する。
図３８は、上述の薄膜磁気ヘッド３００を備えたハードディスク装置２０１を示す斜視図である。ハードディスク装置２０１は、高速回転するハードディスク（記録媒体）２０２と、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Head  Gimbals  Assembly）２１５とを有している。ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１５を作動させて、ハードディスク２０２の記録面に、磁気情報の記録および再生を行う装置である。ハードディスク２０２は、複数枚（図では３枚）のディスクを有している。各ディスクは、それぞれの記録面が薄膜磁気ヘッド３００に対向している。ＨＧＡ２１５は、薄膜磁気ヘッド３００が形成された基台を有するヘッドスライダ２１１を搭載したジンバル２１２と、ジンバル２１２を支えるサスペンションアーム２１３とがディスクの各記録面に配置され、支軸２１４の回りに図示しない例えばボイスコイルモータによって回転可能になっている。そして、ＨＧＡ２１５を回転させると、ヘッドスライダ２１１がハードディスク２０２の半径方向、すなわち、トラックラインを横切る方向に移動する。
【０１２６】
このようなＨＧＡ２１５およびハードディスク装置２０１はいずれも薄膜磁気ヘッド３００を有するから、高周波帯域における記録特性が優れている。なお、ＨＧＡ２１５およびハードディスク装置２０１が、第１の実施形態における各変形例に係る薄膜磁気ヘッドまたは第２の実施形態に係る薄膜磁気ヘッドを有するときも、同様に高周波帯域における記録特性が優れている。
【０１２７】
以上の説明に基づき、本発明の種々の態様や変形例を実施可能であることは明らかである。したがって、特許請求の範囲と均等の範囲において、上記最良の形態以外でも本発明を実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの主要部を示す分解斜視図である。
【図２】薄膜コイルを構成する第１の導体群および接続部群を示す平面図である。
【図３】薄膜コイルを構成する第２の導体群を示す平面図である。
【図４】（ａ）は図２のIV−IV線断面図であり、（ｂ）は図２のエアベアリング面に平行な断面図である。
【図５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドを製造する過程の一工程を示す断面図で、（ａ）は図４（ａ）同様の断面図、（ｂ）はエアベアリング面に平行な断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図５（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図６（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図７（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図８（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図９（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図１０（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１２】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図１１（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１３】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図１２（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１４】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図１３（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１５】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図１４（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１６】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図１５（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１７】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図１６（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１８】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図１７（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１９】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図１８（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図２０】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図１９（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図２１】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図２０（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図２２】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図２１（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図２３】第１の変形例における薄膜磁気ヘッドを構成する第１の導体群および接続部群を示す平面図である。
【図２４】同じく第２の導体群を示す平面図である。
【図２５】第２の変形例における薄膜磁気ヘッドを構成する第１の導体群および接続部群を示す平面図である。
【図２６】同じく、第２の導体群を示す平面図である。
【図２７】第３の変形例における薄膜磁気ヘッドを構成する第１の導体群および接続部群を示す平面図である。
【図２８】同じく第２の導体群を示す平面図である。
【図２９】第４の変形例における薄膜磁気ヘッドを構成する第１の導体群および接続部群を示す平面図である。
【図３０】同じく第２の導体群を示す平面図である。
【図３１】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ第２の実施の形態における薄膜磁気ヘッドを製造する過程の一工程を示す断面図で、（ａ）は図４（ａ）同様の断面図、（ｂ）はエアベアリング面に平行な断面図である。
【図３２】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図３１（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図３３】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図３２（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図３４】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図３３（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図３５】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図３４（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図３６】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図３５（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図３７】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図３６（ａ）、（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図３８】本発明に係る薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１２９】
１…基板、１０…下部磁極層
１０ａ〜１０ｇ…第１〜第７の磁極部
１５，３４，６１，６５…分離用絶縁膜
２４…記録ギャップ部、２５…上部磁極層
２５ａ，２５ｂ…第１，２の磁極部
２５Ａ…トラック幅規定部、２５Ｂ…ヨーク部
３０…エアベアリング面、３１…連結部
３２ａ…柱部、３２ｂ…突出部
５０…最短ライン、１１０…薄膜コイル
１１１，１１３，１１５…第２の外導体部
１１２，１１４…第１の内導体部
１１６…第１の導体群、１２０…第２の導体群
１２１，１２３，１２５…第２の外導体部
１２２，１２４…第２の外導体部、１３０…接続部群
１３１〜１４０…接続部、２０１…ハードディスク装置
２０２…ハードディスク（記録媒体）、
２１５…ヘッドジンバルアセンブリ
３００…薄膜磁気ヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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