(57)【要約】 【課題】心線の劣化した絶縁性を簡易に補修できるようにする。【解決手段】数百対に及ぶ心線を含む端子かんの内部に吸湿材を配置する。この吸湿材によって端子かん内部の水蒸気圧が低くなり、心線１ａ，１ｂ間の水膜が薄くなるので、水膜は心線１ａ表面の水膜１０ａと心線１ｂ表面の水膜１０ｂとに分断され、心線間のイオン絶縁性が高く保たれる。吸湿材としては、木材や高分子吸収材を用いることにより、熱酸化に対する心線の絶縁性の寿命を改善するとともに優れた吸排湿特性を得る。【選択図】図１
2005354898.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局センタからのケーブルを接続するための心線を複数含む端子かんの内部に、心線の劣化した絶縁性を補修するために排湿が可能な木材又は高分子吸湿材の少なくとも一方の吸湿材を配置し、心線間での水膜を介したイオン伝導経路の形成を抑制することを特徴とする心線の絶縁劣化補修方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、端子かん内部における心線の劣化した絶縁性を補修する心線の絶縁劣化補修方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基地局センタと家屋や建物等との通信を行う通信設備においては、通常、基地局センタからの通信用のケーブルを接続するための複数の端子かんが例えば電柱の近辺等に配置され、これらの端子かんによりケーブル同士を接続したり、各端子かんから屋外線を家屋や建物等に引くようにした構成となっている。一本のケーブルは数百対の心線を含む構成であり、各端子かんの内部では、この数百対にも及ぶ心線を家屋や建物、あるいは他の端子かんへと分岐させるようになっている。一方、多湿時、特に気温上昇時には、各端子かんの内部に多量の水蒸気が侵入し、心線の表面に結露を生じることがある。
【０００３】
図１３は、多湿時における端子かん内部の一対の心線間の様子を示す断面図である。心線１ａ，１ｂは、それぞれ銅線２ａ，２ｂが心線絶縁体３ａ，３ｂにより覆われて構成される。この心線絶縁体３の材質としては例えばポリエチレンが用いられる。多湿時には同図に示すように心線１ａ，１ｂ間に連続的な水膜１４が形成される場合がある。
【０００４】
このため、同図に示すように心線１の劣化により心線絶縁体３の表面に亀裂等が生じている場合には、心線絶縁体３の絶縁抵抗値が低下し絶縁不良による故障の原因となるおそれがある。
【０００５】
従来、このような心線絶縁体３の亀裂を補修する手法としては、アクリル系樹脂を溶解させたスプレー剤を心線絶縁体３の表面に噴き付けることによって、亀裂に樹脂膜を形成させることが行われていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、端子かんの内部では数百対にも及ぶ心線１が混み合っているため、スプレー剤を亀裂に正確に吹き付けることが難しいという不都合があった。このため、補修の歩留まりが低く、心線の絶縁性を十分に得ることができなかった。
【０００７】
また、亀裂に樹脂膜を形成することにより補修した場合、熱酸化に対する絶縁性の維持期間は約３年程度に過ぎず、今後のメタルケーブルの更改計画の観点からは１０年以上の寿命が要求される。
【０００８】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、心線の劣化した絶縁性を簡易に補修し得る心線の絶縁劣化補修方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の別の目的は、熱酸化に対する心線の絶縁性の寿命を改善し得る心線の絶縁劣化補修方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明に係る心線の絶縁劣化補修方法は、基地局センタからの通信ケーブルを接続するための心線を複数含む端子かんの内部に吸湿材を配置することを特徴とする。
【００１１】
本発明にあっては、端子かんの内部に吸湿材を配置するようにしたことで、端子かん内部の水蒸気圧が低く保たれ心線の表面に形成される水膜厚が薄くなり、心線間のイオン絶縁性を高く保てるようにしている。
【００１２】
ここで、吸湿材として吸排湿可能なものを用いるようにしたことで、優れた吸排湿特性を得ることができる。この吸排湿可能なものとしては、湿木材又は高分子吸湿材の少なくとも一方を用いる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る心線の絶縁劣化補修方法によれば、端子かんの内部に吸湿材を配置するようにしたことで、端子かん内部の水蒸気圧が低く保たれ心線の表面に形成される水膜厚が薄くなるので、心線間のイオン絶縁性を高く保つことができ、もって心線の劣化した絶縁性を簡易に補修することができる。
【００１４】
また、吸湿材として木材又は高分子吸湿材の少なくとも一方を用いるようにしたことで、優れた吸排湿特性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００１６】
［第１の実施の形態］
本実施の形態においては、従来法の懸念であった亀裂を直接補修しないと効果のない歩留まりの悪さを改善すべく、亀裂を直接補修する必要のない手法を用いる。
【００１７】
すなわち、本手法は、心線に亀裂が存在していたとしても、心線間に水膜を介したイオン伝導の経路が存在しないか、あるいはその経路の断面積を小さくすれば絶縁性の低下には至らない点に着目したものである。
【００１８】
その特徴としては、数百対に及ぶ心線を含む端子かんの内部に吸湿材を配置することにより、端子かん内部の水蒸気圧を低く保ち、心線の表面に形成される水膜厚を薄くして心線間のイオン絶縁性を高く保つようにしたことにある。
【００１９】
図１は、端子かん内部に吸湿材を配置したときの一対の心線間の様子を模式的に示す断面図である。心線１ａ，１ｂは、それぞれ銅線２ａ，２ｂが心線絶縁体３ａ，３ｂによりそれぞれ覆われて構成される。同図において、心線絶縁体３ａ，３ｂがそれぞれ間欠的なのは、心線絶縁体３ａ，３ｂに亀裂が生じた状態を示している。同図に示すように、吸湿材（図示せず）によって端子かん内部の水蒸気圧が低くなり心線１ａ，１ｂ間の水膜が薄くなるので、水膜は、心線１ａ表面の水膜１０ａと心線１ｂ表面の水膜１０ｂとに分断される。あるいは、水膜が連続したとしてもイオン伝導路の断面積を極小さくでき、絶縁抵抗値を高くすることができる。なお、図１３と同一物には同一の符号を付すこととし、ここでは説明を省略する。また、同図では、心線１ａ，１ｂ間の水膜の様子だけを示すものとし、心線１ａ，１ｂの外側、つまり心線１ａ，１ｂと別の心線との間については、心線１ａ，１ｂ間と同様のことがいえるので図示を省略する。
【００２０】
吸湿材としては、木材、高分子吸湿材、シリカゲル、モレキュラシーブ（分子ふるい）等のバルク系材料を用いる。このようにバルク系材料を用いることにより、端子かん内部の水蒸気圧を低く保つとともに、熱酸化に対する補修後の心線の絶縁性の寿命を改善する。
【００２１】
次に、本手法の効果を確認すべく行った実験について説明する。まず、１００対の心線（心線径０．４ｍｍ，長さ３０ｍｍ）を親水化させるため９０℃で１００時間熱酸化させる。うち２０対の心線に対して１本当たり５箇所のニッパ傷を設けた。そして、このような１００対の心線に対し、塩分を含む人工海水（３ｍａｓｓ％）を５０回噴霧した後、１００対の心線を束ねて３号端子かんの内部に通常の方法で設置した。
【００２２】
補修方法としては、１）従来技術であるアクリル系樹脂膜を形成する正電社製ＩＲスプレーを１００対の心線に対して３５秒間噴霧して絶縁樹脂膜を形成する方法と、２）本実施の形態による吸湿材として杉板と高分子吸湿材を用いる方法と、をそれぞれ施す。各方法により心線の絶縁性を補修した端子かんを２５℃で結露状態にある槽に設置し、傷を設けた心線の全てについて心線間の電気抵抗値を連続して同時に測定することにより補修の効果を比較した。
【００２３】
図２は、１日間での各心線の電気抵抗値の最小値とその発生の累積確率との関係を示すグラフである。施工時の目安となる６５０ＫΩ以上をクリアする心線について、ＩＲスプレーでは、その累積確率の最小値は同図のＡ点に示すように２０％程度であることから補修の歩留まり率は８０％程度にとどまる。これに対し、杉板では累積確率の最小値はＢ点に示すように５％程度、高分子吸湿材ではＣ点に示すように５％程度であることから、杉板や高分子吸湿材による補修の歩留まり率は９５％程度となっており、高い歩留まり率を示している。また、累積確率５０％のラインにおける電気抵抗値についても、杉板、高分子吸湿材を用いた方がＩＲスプレーを噴霧したときよりも３倍以上の値に改善されている。
【００２４】
図３は、７日間での各心線の電気抵抗値の最小値とその発生の累積確率との関係を示すグラフである。杉板についてＤ点、高分子吸湿材についてＥ点に着目するといずれも補修の歩留まりは８０％以上を依然維持している。
【００２５】
図４は、熱酸化による加速試験を行い、arrenius plot作成の上３０℃相当に外そうしたときの各心線の電気抵抗値の最小値の平均値（以下「平均抵抗値」という）の推移を示すグラフである。ＩＲスプレーでは、約３年で平均抵抗値が６５０ＫΩを下回っており、寿命となっている。これに対し、杉板ならびに高分子吸湿材では、２０年相当経ても平均抵抗値が低下せず、高い絶縁性を維持している。
【００２６】
次に、吸湿材は吸湿特性および排湿特性の双方に優れているものを用いることが望ましいことから、ここではその吸排湿特性について説明する。
【００２７】
図５は、約半日の周期で吸湿・排湿を繰り返させたときの各吸湿材の重量変化特性を示すグラフである。吸湿時には吸湿材を配置した端子かん内部の湿度を１００％とし、排湿時にはその湿度を４０％にした。同図の縦軸は乾燥時の平衡重量を１としたときの重量の比率である。吸湿材としては杉板（厚さ７ｍｍ）、高分子吸湿材（粉状：２次粒子径で約２００μｍ）、シリカゲル、モレキュラシーブを用い、これらの吸排湿特性について比較した。
【００２８】
まず、杉板に注目すると、吸湿が開始されてから約半日で重量比は１．２近くまで上昇し、ここで排湿が開始されると約１日で重量比は１に戻る。その後の約半日ごとの吸排湿の繰返しでは重量比はほぼ１〜１．２の間で推移する。また、高分子吸湿材では、吸湿が開始されてから約１日半で重量比は１．６５近くまで上昇し、排湿が開始されると約半日で１．３５程度まで戻る。その後の約半日ごとの吸排湿の繰り返しでは重量比はほぼ１．３〜１．７の間で推移する。このことから、杉板や高分子吸湿材では、短期間での吸排湿が可能であることが分かる。一方、シリカゲルやモレキュラシーブでは、一旦吸湿するとわずかしか排湿しないことが分かる。
【００２９】
図６は、約５日の周期で吸湿・排湿を繰り返させたときの各吸湿材の重量変化特性を示すグラフである。吸排湿の周期以外の条件は上記と同様とした。吸湿が開始されると、杉板や高分子吸湿材は、徐々に吸湿していき（重量比が上昇していき）約５日（１２０時間）経過してもまだ飽和には達しない。ここで排湿が開始されると徐々に排湿していく（重量比が下降していく）。一方、シリカゲルは、吸湿が開始されてから１５時間程度は吸湿し続けるものの、吸湿速度が低下してすぐに飽和してしまい吸湿力がなくなる。また、排湿が開始されても排湿速度は極めて遅い。モレキュラシーブは吸湿特性が極めて劣っている。このような結果から、木材や高分子吸湿材の方がシリカゲルやモレキュラシーブよりも吸排湿特性に優れていると考えられる。
【００３０】
したがって、本実施の形態によれば、端子かんの内部に吸湿材を配置するようにしたことで、端子かん内部の水蒸気圧が低く保たれ心線の表面に形成される水膜厚が薄くなるので、心線間のイオン絶縁性を高く保つことができ、もって簡易な手法により心線の絶縁性を補修することができる。
【００３１】
これにより、心線間のイオン伝導が阻止され、絶縁不良による故障の発生を大幅に低減することができる。
【００３２】
また、吸湿材としてバルク系材料を用いるようにしたことで、熱酸化に対する心線の絶縁性の寿命を大幅に改善することができる。
【００３３】
さらに、吸湿材として木材や高分子吸湿材を用いるようにしたことで、優れた吸排湿特性を得ることができる。
【００３４】
［第２の実施の形態］
本実施の形態も、上記実施の形態と同様に、心線に亀裂が存在していたとしても、心線間に水膜を介したイオン伝導の経路が存在しないか、あるいはその経路の断面積を小さくすれば絶縁性の低下には至らない点に着目したものである。
【００３５】
その特徴としては、端子かん内部の複数の心線を束ねて水蒸気低透過性のシートで包むことにより、心線を密閉して心線周りの水蒸気圧を低く密閉内の水蒸気量を低く保ち、心線間の水膜厚を薄くしてイオン伝導絶縁性を高く保つようにしたことにある。
【００３６】
図７は、端子かん内部の複数の心線を束ねて水蒸気低透過性のシートで包んだときの多湿時における一対の心線間の様子を示す断面図である。水蒸気透過性シート（図示せず）によって端子かん内部の水蒸気圧が低くなり心線１ａ，１ｂ間の水膜が薄くなるので、水膜は、心線１ａ表面の水膜１１ａと心線１ｂ表面の水膜１１ｂとに分断される。なお、その他、図１と同一物には同一の符号を付すこととし、ここでは説明を省略する。
【００３７】
水蒸気低透過性シートとしては、水蒸気透過性の特に小さい、ポリ塩化ビニルデン樹脂や金属膜、箔等をそれぞれ単独で用いるようにしたシートや、これらを張り合わせて一体化したシートの他、水蒸気透過性が特に劣っていない物質により形成したシートであればよい。
【００３８】
次に、本手法の効果を確認すべく行った実験について説明する。まず、１００対の心線（心線径０．４ｍｍ，長さ３０ｍｍ）を親水化させるため９０℃で１００時間熱酸化させる。うち２０対の心線に対して１本当たり５箇所のニッパ傷を設けた。そして、このような１００対の心線に対し、塩分を含む人工海水（３ｍａｓｓ％）を５０回噴霧した後、１００対の心線を束ねて３号端子かんの内部に通常の方法で設置した。
【００３９】
補修方法としては、１）従来技術であるアクリル系樹脂膜を形成する正電社製ＩＲスプレーを１００対の心線に対して３５秒間噴霧して絶縁樹脂膜を形成する方法と、２）本実施の形態による水蒸気低透過性シートとして厚さ２０μｍのポリ塩化ビニリデンシートを用いて１００対の心線を簡易に包むようにした方法と、をそれぞれ施す。各方法により心線の絶縁性を補修した端子かんを２５℃で結露状態にある槽に設置し、傷を設けた心線の全てについて心線間の電気抵抗値を連続して同時に測定することにより補修の効果を比較した。
【００４０】
図８は、１日間での各心線の電気抵抗値の最小値とその発生の累積確率との関係を示すグラフである。施工時の目安となる６５０ＫΩ以上をクリアする心線について、ＩＲスプレーでは、その累積確率の最小値は同図のＡ点に示すように２０％程度であることから補修の歩留まり率は８０％程度にとどまる。これに対し、ポリ塩化ビニルデンシートにより心線を包むようにした系では累積確率の最小値はＦ点に示すように１０％程度であることから、補修の歩留まり率は９０％程度となっており高い歩留まり率を示している。また、累積確率５０％のラインにおける電気抵抗値についても、ポリ塩化ビニルデンシートで包む方がＩＲスプレーを噴霧したときよりも上回っている。
【００４１】
したがって、本実施の形態によれば、端子かん内部の複数の心線を束ねて水蒸気低透過性シートで包み密閉するようにしたことで、心線周りの水蒸気圧および密閉内の水蒸気量が低く保たれ、心線間の水膜厚が薄くなるので、イオン伝導絶縁性を高く保つことができ、もって簡易な手法により心線の絶縁性を補修することができる。
【００４２】
これにより、心線間のイオン伝導が阻止され、絶縁不良による故障の発生を大幅に低減することができる。
【００４３】
［第３の実施の形態］
本実施の形態も、上記実施の形態と同様に、心線に亀裂が存在していたとしても、心線間に水膜を介したイオン伝導の経路が存在しないか、あるいはその経路の断面積を小さくすれば絶縁性の低下には至らない点に着目したものである。
【００４４】
その特徴としては、心線の表面に水をはじく撥水性を与えることにより、心線表面に付着した水分を非連続な水滴状にし、亀裂の生じた心線間のイオン伝導絶縁性を高く保つようにしたことにある。
【００４５】
図９は、端子かん内部の老化した複数の心線に撥水性を与えたときの多湿時における一対の心線間の様子を示す断面図である。撥水性を与えることによって、心線１ａ，１ｂの表面に付着した水分は小さな水滴状となり連続的にならない。
【００４６】
すなわち、撥水性が亀裂へ直接作用しなくとも、心線間の絶縁性を高く保つことができ、施工の簡易化、経済化を図ることができるものである。なお、図１と同一物には同一の符号を付すこととし、ここでは説明を省略する。
【００４７】
撥水性を与える手法としては、撥水樹脂や液状絶縁油等をスプレー、霧吹き、刷毛塗り等により心線の表面に塗布するようにする。
【００４８】
次に、本手法の効果を確認すべく行った実験について説明する。まず、１００対の心線（心線径０．４ｍｍ，長さ３０ｍｍ）を親水化させるため９０℃で１００時間熱酸化させる。うち２０対の心線に対して１本当たり５箇所のニッパ傷を設けた。そして、このような１００対の心線に対し、塩分を含む人工海水（３ｍａｓｓ％）を５０回噴霧した後、１００対の心線を束ねて３号端子かんの内部に通常の方法で設置した。
【００４９】
補修方法としては、１）従来技術であるアクリル系樹脂膜を形成する正電社製ＩＲスプレーを１００対の心線に対して３５秒間噴霧して絶縁樹脂膜を形成する方法と、２）本実施の形態による撥水スプレー（ＮＴＴアドバンステクノロジ社製ＨＩＲＥＣ １５５０）を１００対の心線に対して５秒、１０秒、２０秒、３５秒間噴霧する方法と、をそれぞれ施す。各方法により心線の絶縁性を補修した端子かんを２５℃で結露状態にある槽に設置し、傷を設けた心線の全てについて心線間の電気抵抗値を連続して同時に測定することにより補修の効果を比較した。
【００５０】
図１０は、１日間での各心線の電気抵抗値の最小値とその発生の累積確率との関係を示すグラフである。ＩＲスプレーおよび撥水スプレーの噴霧時間は３５秒間として。施工時の目安となる６５０ＫΩ以上をクリアする心線について、ＩＲスプレーでは、累積確率の最小値は同図のＡ点に示すように２０％程度であることから補修の歩留まり率は８０％程度にとどまる。これに対し、撥水スプレーでは累積確率の最小値はＧ点に示すように０％であることから補修の歩留まり率は１００％をクリアしており、高い歩留まり率を示している。また、累積確率５０％のラインにおける電気抵抗値についても、撥水スプレーを用いたときの方がＩＲスプレーを用いたときよりも上回っている。
【００５１】
図１１は、撥水スプレーの噴霧時間に対する各心線の電気抵抗値の最小値の平均値（平均抵抗値）の推移を示すグラフである。同図のＨ点に示すように、撥水スプレーを１０秒間だけ噴霧した場合でも、ＩＲスプレーを３５秒間噴霧したときと同程度の平均抵抗値が得られ、１／３以下の塗布量であっても従来と同程度の絶縁性が得られることが認められる。
【００５２】
したがって、本実施の形態によれば、端子かん内部の複数の心線の表面に撥水性を与えるようにしたことで、心線表面に付着した水分が非連続な水滴状になるので、撥水性が亀裂に直接作用しない場合であっても亀裂の生じた心線間のイオン伝導絶縁性を高く保つことができ、もってもって簡易な手法により心線の絶縁性を補修することができる。
【００５３】
これにより、心線間のイオン伝導が阻止され、絶縁不良による故障の発生を大幅に低減することができる。
【００５４】
［第４の実施の形態］
本実施の形態は、心線に亀裂が存在し、しかも結露等で心線間に連続的な水膜が形成された場合であっても、水膜中に電解質が存在しなければ電解質が乖離してイオン伝導が生じることはなく、絶縁性の低下には至らない点に着目したものである。
【００５５】
その特徴としては、心線の表面に付着した電解質を除去する作業を定期的に行うようにしたことにある。電解質を除去する手法としては、ブロアーを用いて水膜を吹き飛ばしたり、水で洗い流すようにする。また、吸引機を用いて吸い込むようにしてもよい。
【００５６】
図１２は、端子かん内部の複数の心線の表面に付着した電解質を除去したときの多湿時における一対の心線間の様子を示す断面図である。同図に示すように水膜１３に電解質が存在しないことから、心線間の絶縁性が高く保たれる。なお、図１と同一物には同一の符号を付すこととし、ここれは説明を省略する。
【００５７】
次に、本手法の効果を確認すべく行った２つの実験について説明する。１）ある端子かんの内部における心線間の電気抵抗値が１ＭΩ以下を示していた。そこで、この端子かんの内部の複数の心線に対してブロアーで２分間吹き付けた。その結果、約３年間、電気抵抗値が１ＭΩ以下になることはなかった。２）ある端子かんの内部における心線間の電気抵抗値が１ＭΩ以下を示していた。そこで、この端子かんの内部の複数の心線を水で２０秒間洗浄し、その直後に３分間ドライヤーで乾燥させた。その結果、約６年間、電気抵抗値が１ＭΩ以下になることはなかった。
【００５８】
したがって、本実施の形態によれば、端子かん内部の複数の心線の表面に付着した電解質を除去するようにしたことで、イオン伝導絶縁性を高く保つことができ、もって簡易な手法により心線の絶縁性を補修することができる。
【００５９】
これにより、心線間のイオン伝導が阻止され、絶縁不良による故障の発生を大幅に低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】第１の実施の形態における端子かん内部に吸湿材を配置したときの多湿時における一対の心線間の様子を示す断面図である。
【図２】第１の実施の形態における１日間での各心線の電気抵抗値の最小値とその発生の累積確率との関係を示すグラフである。
【図３】第１の実施の形態における７日間での各心線の電気抵抗値の最小値とその発生の累積確率との関係を示すグラフである。
【図４】第１の実施の形態における熱酸化による加速試験を行い、arrenius plot作成の上３０℃相当に外そうしたときの各心線の電気抵抗値の最小値の平均値の推移を示すグラフである。
【図５】第１の実施の形態における約半日の周期で水蒸気の吸収・排出を繰り返させたときの各吸湿材の重量変化特性を示すグラフである。
【図６】第１の実施の形態における約５日の周期で水蒸気の吸収・排出を繰り返させたときの各吸湿材の重量変化特性を示すグラフである。
【図７】第２の実施の形態における端子かん内部の複数の心線を束ねて水蒸気低透過性のシートで包んだときの多湿時における一対の心線間の様子を示す断面図である。
【図８】第２の実施の形態における１日間での各心線の電気抵抗値の最小値とその発生の累積確率との関係を示すグラフである。
【図９】第３の実施の形態における端子かん内部の複数の心線に撥水性を与えたときの多湿時における一対の心線間の様子を示す断面図である。
【図１０】第３の実施の形態における１日間での各心線の電気抵抗値の最小値とその発生の累積確率との関係を示すグラフである。
【図１１】第３の実施の形態における撥水スプレーの噴霧時間に対する各心線の電気抵抗値の最小値の平均値の推移を示すグラフである。
【図１２】第４の実施の形態における端子かん内部の複数の心線の表面から電解質を除去したときの多湿時における一対の心線間の様子を示す断面図である。
【図１３】従来における多湿時の端子かん内部の一対の心線間の様子を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１ａ，１ｂ  心線
２ａ，２ｂ  銅線
３ａ，３ｂ  心線絶縁体
８  撥水スプレー
１０ａ，１０ｂ  水膜
１１ａ，１１ｂ  水膜
１２  水滴
１３  水膜
【図１】
2005354898.tif 000003
【図２】
2005354898.tif 000004
【図３】
2005354898.tif 000005
【図４】
2005354898.tif 000006
【図５】
2005354898.tif 000007
【図６】
2005354898.tif 000008
【図７】
2005354898.tif 000009
【図８】
2005354898.tif 000010
【図９】
2005354898.tif 000011
【図１０】
2005354898.tif 000012
【図１１】
2005354898.tif 000013
【図１２】
2005354898.tif 000014
【図１３】
2005354898.tif 000015