(57)【要約】【課題】  薄膜磁気ヘッドの集積工程中にスロートハイトを管理して、ばらつきを抑える。【解決手段】  薄膜磁気ヘッドの製造方法は、ＭＲ素子を形成する工程と、第１ヨーク部分層を形成する工程と、第１ヨーク部分層の一部に、スロートハイトＴＨを規定する非磁性層８ｃを形成する工程と、第１ヨーク部分層および非磁性層の上面に、第１の磁極層を構成する第１磁極部分層と、記録ギャップ層と、記録媒体にデータを記録する第２の磁極層を構成する第２磁極部分層とを形成する工程とを有する。非磁性層８ｃの媒体対向面ＡＢＳ側の端部である非磁性層端部の位置ＴＨ０は、ＭＲ素子の媒体対向面ＡＢＳの反対側の端部であるＭＲ素子端部ＭＲＨ０の位置と、ＭＲ素子端部から非磁性層端部までの距離である端部距離Ｚとによって設定する。【選択図】  図４Ｂ
2005108297.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面に、記録媒体に記録されたデータを読み取るＭＲ素子と、記録ギャップ層を介して第１の磁極層と第２の磁極層とを対向させた、記録媒体にデータを記録する誘導型電磁変換素子とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
基板上に前記ＭＲ素子を形成する工程と、
前記第１の磁極層を構成する第１ヨーク部分層を形成する工程と、
前記第１ヨーク部分層の一部に、スロートハイトを規定する非磁性層を、該非磁性層の前記媒体対向面側の端部である非磁性層端部の位置を、前記ＭＲ素子の前記媒体対向面の反対側の端部であるＭＲ素子端部の位置と、該ＭＲ素子端部から前記非磁性層端部までの距離である端部距離とによって設定して、形成する非磁性層形成工程と、
前記第１ヨーク部分層および前記非磁性層の上面に、前記第１の磁極層を構成する第１磁極部分層と、前記記録ギャップ層と、前記第２の磁極層を構成する第２磁極部分層とを形成する工程と、
前記ＭＲ素子と、前記第１磁極部分層と、前記記録ギャップ層と、前記第２磁極部分層とが形成された基板を切断・研磨して、前記媒体対向面を形成する工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記非磁性層形成工程は、前記非磁性層を形成する領域に第１の開口を有し、かつ該第１の開口の前記媒体対向面側に仕切部を介して第２の開口を有するフレームを形成する工程と、該第１の開口の内側を切り欠き、該領域の上面に第１の凹部を形成する工程と、該第１の凹部に非磁性層を形成する工程とを有し、
前記端部距離は、前記仕切部の前記媒体対向面と垂直な方向における幅の略半分とする、請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第２の開口の内側をさらに切り欠き、第２の凹部を形成する工程と、該第２の凹部にダミー層を形成する工程とをさらに有する、請求項２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
記録媒体に対向する媒体対向面に、記録媒体に記録されたデータを読み取るＭＲ素子と、記録ギャップ層を介して第１の磁極層と第２の磁極層とを対向させた、記録媒体にデータを記録する誘導型電磁変換素子とを有する薄膜磁気ヘッドの製造に用いる、少なくとも１つの薄膜磁気変換素子が設けられたウエハであって、
基板上に形成された前記ＭＲ素子と、
前記第１の磁極層を構成する前記第１ヨーク部分層と、
前記第１ヨーク部分層の一部に形成された、スロートハイトを規定する非磁性層であって、該非磁性層の前記媒体対向面側の端部と、前記ＭＲ素子の前記媒体対向面の反対側の端部とが所定距離離れている非磁性層と、
該非磁性層の前記媒体対向面側に、前記所定距離の略２倍の距離離れて形成されたダミー層と、
前記第１ヨーク部分層および前記非磁性層の上面に形成された、前記第１の磁極層を構成する第１磁極部分層と、前記記録ギャップ層と、前記第２の磁極層を構成する第２磁極部分層とを有するウエハ。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によって製造された薄膜磁気ヘッドを含み、前記記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを弾性的に支持するサスペンションとを有するヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項６】
請求項５に記載のヘッドジンバルアセンブリと、
前記ヘッドジンバルアセンブリが取り付けられたアームとを有するヘッドアームアセンブリ。
【請求項７】
複数のアームを備えたキャリッジと
前記キャリッジの各アームにそれぞれ取り付けられた、請求項５に記載のヘッドジンバルアセンブリとを有するヘッドスタックアセンブリ。
【請求項８】
請求項１から３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によって製造された薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを支持するとともに前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置とを有するハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ならびに薄膜磁気ヘッドを含むヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリ、ヘッドスタックアセンブリ、およびハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置の面記録密度は飛躍的な増大を続けており、近年では１０ギガビット／平方インチが実用範囲に入っている。薄膜磁気ヘッドとしては、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magneto-resistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００３】
図１９は、従来の薄膜磁気ヘッドの主要部の一構成例を示す断面図である。図中左側は、薄膜磁気ヘッドが記録媒体に対向する面である媒体対向面ＡＢＳである。薄膜磁気ヘッドは、下方から順に、基板（図示せず）、絶縁層（図示せず）、下部シールド層３、下部シールドギャップ膜４、上部シールドギャップ膜７、第１ヨーク部分層８ｂ、絶縁層１１が積層されている。下部シールドギャップ膜４と上部シールドギャップ膜７との間の媒体対向面ＡＢＳ側には、記録媒体からの情報を読み取るＭＲ素子５が設けられている。また、絶縁層１１および第１ヨーク部分層８ｂの上部には、薄膜コイル１２、接続部１２ａ、絶縁層１３が平面的に配置され、媒体対向面ＡＢＳ側端部には、第１磁極部分層８ａ、記録ギャップ層９、第２磁極部分層１０ａが積層されている。これらの上面には第２ヨーク部分層１０ｂおよびリード層１６が配置され、最上部がオーバーコート層（図示せず）で被覆されている。また、第１磁極部分層８ａと第１ヨーク部分層８ｂとは、下部磁極層８を形成し、第２磁極部分層１０ａと第２ヨーク部分層１０ｂとは、上部磁極層１０を形成している。
【０００４】
このような記録・再生機能を兼用する複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、面記録密度の増加のために、再生、記録の両面における性能向上が必須である。再生機能の性能向上策としては、ＭＲ素子５として、異方性磁気抵抗効果を用いたＡＭＲ(Anisotropic magneto Resistive)素子から、巨大磁気抵抗効果を用いたＧＭＲ(Giant magneto Resistive)素子への移行が図られている。また、記録機能の性能向上策としては、特に下部磁極層８、上部磁極層１０、および記録ギャップ層９の小型化が重要である。
【０００５】
小型化に伴う大きな問題は製作精度のばらつきである。特に媒体対向面ＡＢＳから、２つの磁極層の間隔が開き始める位置までの長さ（高さ）はスロートハイトＴＨと呼ばれ、記録ヘッドの性能上極めて重要な寸法である。すなわち、スロートハイトＴＨが長すぎると、媒体対向面ＡＢＳにおいて磁極に十分なもれ磁束を発生させることができない。また、短すぎると、第１磁極部分層８ａと第１ヨーク部分層８ｂの接触面積、および第２磁極部分層１０ａと第２ヨーク部分層１０ｂとの接触面積が小さくなり、同様に十分な磁束を発生させることができない。したがって、スロートハイトＴＨが所定の寸法誤差範囲で製作されるよう、製作精度のばらつきを抑えることが必要である。
【０００６】
薄膜磁気ヘッドを製造する際は、まずウエハ上に、図１９に示す複数の層が、下方から上方へと順次形成される。このときウエハ上には、薄膜磁気ヘッドとなる薄膜磁気変換素子が格子状に配列されている。次に、ウエハは適宜の大きさに切断分割され、薄膜磁気変換素子集合体が形成される。次に薄膜磁気変換素子集合体のスライダ加工後媒体対向面ＡＢＳとなる面が研磨される。研磨は、所定のＭＲハイト（以下、ＭＲＨということもある。）が得られるまで行われる。ここで、ＭＲＨとは、ＭＲ素子５の媒体対向面ＡＢＳ側端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。研磨量は、媒体対向面ＡＢＳ側に埋め込まれた加工量検出素子（図示せず）の電気抵抗をモニタして間接的に管理されている。すなわち、薄膜磁気変換素子集合体のスライダ加工後媒体対向面ＡＢＳとなる面の研磨が進行するにつれて加工量検出素子の研磨量が増え、断面積が減少するが、この断面積の減少を加工量検出素子の電気抵抗の変化として検出して、一定の電気抵抗に達したときに研磨を終了する。そして研磨の終了した薄膜磁気変換素子集合体は切断され、個々のスライダに加工される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−１２６２２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来技術においては、ＭＲＨは、薄膜磁気変換素子集合体の加工量検出素子の電気抵抗の変化をモニタすることによって、間接的に管理されていた。一方、スロートハイトＴＨは集積工程、加工工程中には管理されず、加工後に薄膜磁気ヘッドを適宜サンプリングして、あるいは検査用にＭＲ素子や書込み磁極の幅を広げた特定のサンプルを切断して、測定されていた。このため、スロートハイトＴＨは集積工程中や加工工程中には管理されず、寸法がばらついていても把握できず、無駄な後工程を強いられ、歩留まりの悪化など生産効率の低下を招いていた。また、ＭＲＨ自体のばらつき（すなわち、研磨量自体のばらつき）も、スロートハイトＴＨのばらつきを一層大きなものとしていた。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑み、薄膜磁気ヘッドの集積工程中にスロートハイトを管理して、ばらつきを抑え、信頼性や生産効率の向上が図れる薄膜磁気ヘッドの製造方法、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ならびに薄膜磁気ヘッドを含むヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリ、ヘッドスタックアセンブリ、およびハードディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記録媒体に対向する媒体対向面に、記録媒体に記録されたデータを読み取るＭＲ素子と、記録ギャップ層を介して第１の磁極層と第２の磁極層とを対向させた、記録媒体にデータを記録する誘導型電磁変換素子とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、基板上にＭＲ素子を形成する工程と、第１の磁極層を構成する第１ヨーク部分層を形成する工程と、第１ヨーク部分層の一部に、スロートハイトを規定する非磁性層を、非磁性層の媒体対向面側の端部である非磁性層端部の位置を、ＭＲ素子の媒体対向面の反対側の端部であるＭＲ素子端部の位置と、ＭＲ素子端部から非磁性層端部までの距離である端部距離とによって設定して、形成する非磁性層形成工程と、第１ヨーク部分層および非磁性層の上面に、第１の磁極層を構成する第１磁極部分層と、記録ギャップ層と、第２の磁極層を構成する第２磁極部分層とを形成する工程と、ＭＲ素子と、第１磁極部分層と、記録ギャップ層と、第２磁極部分層とが形成された基板を切断・研磨して、媒体対向面を形成する工程とを有している。
【００１１】
本製造方法によって製造される薄膜磁気ヘッドにあっては、記録性能上重要な寸法であるスロートハイトは、媒体対向面と非磁性層端部との間の距離、すなわちＭＲ素子の高さと端部距離との和で与えられる。このような構成の薄膜磁気ヘッドのスロートハイトを管理する一つの適切な方法は、ＭＲ素子の高さの管理と、ＭＲ素子端部位置の検出管理と、ＭＲ素子端部位置を基準とした端部距離の管理とを精度よく行うことである。このうち、ＭＲ素子の高さは、従来技術と同様に、例えば媒体対向面に埋め込まれた加工量検出素子の研磨量を電気抵抗の変化として検出する従来の方法によって精度よく管理することができる。また、ＭＲ素子端部位置は、従来技術と同様に、例えばウエハ上に設けられたアライメントマークを参照することによって精度よく検出することができる。また、端部距離はＭＲ素子端部を基準位置とした方法によって、高い精度で管理することができる。このようにして、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、スロートハイトを管理するための各要素を各々精度よく管理することが可能となり、薄膜磁気ヘッドの品質向上につながるとともに、歩留まりを向上させ生産効率を高めることができる。
【００１２】
また、非磁性層形成工程は、非磁性層を形成する領域に第１の開口を有し、かつ第１の開口の媒体対向面側に仕切部を介して第２の開口を有するフレームを形成する工程と、第１の開口の内側を切り欠き、領域の上面に第１の凹部を形成する工程と、第１の凹部に非磁性層を形成する工程とを有し、端部距離は、仕切部の媒体対向面と垂直な方向における幅の略半分とするよう構成することができる。第１の開口に形成される凹部の媒体対向面側の端部位置は、仕切部の端部位置と略一致するため、仕切部の幅を基準として用いることによって端部距離を制御することが可能となる。すなわち、このようにして所定形状のフレームを形成、管理することによって、所要のスロートハイトを実現することが可能となる。
【００１３】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、第２の開口の内側をさらに切り欠き、第２の凹部を形成する工程と、第２の凹部にダミー層を形成する工程とをさらに有するように構成することができる。
【００１４】
本発明のウエハは、記録媒体に対向する媒体対向面に、記録媒体に記録されたデータを読み取るＭＲ素子と、記録ギャップ層を介して第１の磁極層と第２の磁極層とを対向させた、記録媒体にデータを記録する誘導型電磁変換素子とを有する薄膜磁気ヘッドの製造に用いる、少なくとも１つの薄膜磁気変換素子が設けられたウエハである。そして、基板上に形成されたＭＲ素子と、第１の磁極層を構成する第１ヨーク部分層と、第１ヨーク部分層の一部に形成された、スロートハイトを規定する非磁性層であって、非磁性層の媒体対向面側の端部と、ＭＲ素子の媒体対向面の反対側の端部とが所定距離離れている非磁性層と、非磁性層の媒体対向面側に、所定距離の略２倍の距離離れて形成されたダミー層と、第１ヨーク部分層および非磁性層の上面に形成された、第１の磁極層を構成する第１磁極部分層と、記録ギャップ層と、第２の磁極層を構成する第２磁極部分層とを有するものである。
【００１５】
本発明のヘッドジンバルアセンブリは、本発明の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、スライダを弾性的に支持するサスペンションとを備えたものである。
【００１６】
本発明のヘッドアームアセンブリは、本発明のヘッドジンバルアセンブリと、ヘッドジンバルアセンブリが取り付けられたアームとを備えたものである。
【００１７】
本発明のヘッドスタックアセンブリは、複数のアームを備えたキャリッジとキャリッジの各アームにそれぞれ取り付けられた、本発明のヘッドジンバルアセンブリとを備えたものである。
【００１８】
本発明のハードディスク装置は、本発明の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置されるスライダと、スライダを支持すると共に記録媒体に対して位置決めする位置決め装置とを備えたものである。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように、本発明によれば、記録性能上重要な寸法であるスロートハイトが媒体対向面と非磁性層端部との間の距離、すなわちＭＲ素子の高さと端部距離との和で与えられるような薄膜磁気ヘッドの構造とあいまって、ＭＲ素子の高さを精度よく管理し、ＭＲ素子端部位置を精度よく検出し、かつ、ＭＲ素子端部位置を基準とした端部距離を精度よく管理することによって、精度の高いスロートハイトが実現される。特に、端部距離の管理にあっては、フレームの幅を基準として用いることによって精度の高い管理が可能となり、また、集積工程中の管理も可能となる。
【００２０】
この結果、薄膜磁気ヘッドの品質向上につながるとともに、歩留まりを向上させ生産効率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に記録されたデータを読み取るＭＲ素子と、記録ギャップ層を介して第１の磁極層と第２の磁極層とを対向させた、記録媒体にデータを記録する誘導型電磁変換素子とを有する薄膜磁気ヘッドである。はじめに、図１および図２を参照して、本発明の一実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。図１は本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの主要部の構成を示す断面図である。図中左側の媒体対向面（エアベアリング面）ＡＢＳは、図面と垂直な面に広がる記録媒体表面と薄膜磁気ヘッドとがわずかな距離を介して対向する面である。図２は、図１に示す薄膜磁気ヘッドの、媒体対向面ＡＢＳ側の部分拡大断面図である。
【００２２】
本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドは、下方から順に、基板１、絶縁層２、下部シールド層３、下部シールドギャップ膜４、上部シールドギャップ膜７、第１ヨーク部分層８ｂ、絶縁層１１が積層され、第１ヨーク部分層８ｂの一部は非磁性層８ｃに置換されている。また、絶縁層１１と非磁性層８ｃの上部には、薄膜コイル１２、接続部１２ａ、絶縁体１３、絶縁層１４が平面的に配置され、媒体対向面ＡＢＳ側端部には、第１磁極部分層８ａ、記録ギャップ層９、第２磁極部分層１０ａが積層されている。これらの上面には第２ヨーク部分層１０ｂおよびリード層１６が配置され、最上部がオーバーコート層１７で被覆されている。第１磁極部分層８ａと第１ヨーク部分層８ｂは、第１の磁極層である下部磁極層８を構成する。また、第２磁極部分層１０ａと第２ヨーク部分層１０ｂは、第２の磁極層である上部磁極層１０を構成する。以下、これらの要素ごとに詳細に説明する。
【００２３】
基板１は、アルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等のセラミック材料が用いられる。基板１の上に形成される絶縁層２はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料よりなる。絶縁層２の上には磁性材料よりなる下部シールド層３と、下部シールドギャップ膜４とが順次積層されている。下部シールド層３の材料としては、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）が用いられる。下部シールドギャップ膜４の材料としては、例えばアルミナが用いられる。
【００２４】
下部シールドギャップ膜４上の媒体対向面ＡＢＳ側端部には、図２に示すように、再生用のＭＲ素子５が形成されている。ＭＲ素子５の一端部は、媒体対向面ＡＢＳに対向している。ＭＲ素子５は、下部シールド層３と後述する第１ヨーク部分層８ｂとによってシールドされている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。また、ＭＲ素子５には、図示しない一対のリード層が接続されている。
【００２５】
下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上には、上部シールドギャップ膜７と、磁性材料よりなる第１ヨーク部分層８ｂとが順次積層形成されている。上部シールドギャップ膜７の材料としては、例えばアルミナが用いられる。第１ヨーク部分層８ｂの材料としては、例えば、パーマロイやＣｏＮｉＦｅ等の成膜可能な磁性材料が用いられる。なお、図１では、下部シールドギャップ膜４および上部シールドギャップ膜７を一体的に表わし、ＭＲ素子５の図示を省略している。第１ヨーク部分層８ｂは、記録ヘッドの下部磁極層８としての機能と、再生ヘッド（ＭＲ素子５）の上部シールド層としての機能を兼ねている。したがって、これらの機能を分離するよう構成することも可能であり、例えば、第１ヨーク部分層８ｂの代わりに、上部シールド層とヨーク部分層とを分離設置し、これらの間を非磁性材料よりなる分離層で仕切る構造としてもよい。
【００２６】
第１ヨーク部分層８ｂの上面の一部は、掘り込まれ、その部分が非磁性層８ｃによって置換されている。非磁性層８ｃの材料としては、例えばアルミナが用いられる。非磁性層８ｃの上面は第１ヨーク部分層８ｂに合わせて平坦化されており、全体として一つの平坦面が形成されている。非磁性層８ｃは、底面に対して上面が広がった台形状断面の形状をなしている。非磁性層８ｃの媒体対向面ＡＢＳ側の先端は、第１磁極部分層８ａの下方にまで延びており、かつ媒体対向面ＡＢＳには達していない。この結果、第１ヨーク部分層８ｂは、第１磁極部分層８ａと対向する領域において、媒体対向面ＡＢＳ側に、相対的に厚さの厚い拡張部を有し、媒体対向面ＡＢＳから離れた部分に、相対的に厚さの薄い縮小部を各々有し、第１磁極部分層８ａは、拡張部で第１ヨーク部分層８ｂと連結され、縮小部では非磁性層８ｃによって分離されていることになる。
【００２７】
第１ヨーク部分層８ｂおよび非磁性層８ｃの上部には、媒体対向面ＡＢＳと対向する位置において、磁性材料よりなる第１磁極部分層８ａと、非磁性材料よりなる記録ギャップ層９と、磁性材料よりなる第２磁極部分層１０ａとが順次積層形成されている（以下、これら３つをまとめて集合体ということもある。）。第１磁極部分層８ａ、記録ギャップ層９および第２磁極部分層１０ａの、基板１の上面に平行な断面の形状は同じである。第１磁極部分層８ａおよび第２磁極部分層１０ａの材料としては、例えば、パーマロイやＣｏＮｉＦｅ等のめっき法によって成膜可能な磁性材料が用いられる。また、第１磁極部分層８ａおよび第２磁極部分層１０ａの材料としては、特に、高飽和磁束密度材料を用いることが好ましい。記録ギャップ層９の材料としては、例えば、ＮｉＰ等のめっき法によって成膜可能な非磁性金属材料が用いられる。
【００２８】
第１ヨーク部分層８ｂ上の媒体対向面ＡＢＳから離れた位置には、絶縁層１１が積層されている。絶縁層１１上には薄膜コイル１２が形成され、後述するコンタクトホール１１ａ（図１参照）の周囲に巻回されている。薄膜コイル１２の一部は、後述するリード層１６に接続される接続部１２ａを形成している。絶縁層１１には、薄膜コイル１２の中心部分において、第１ヨーク部分層８ｂと第２ヨーク部分層１０ｂとを連結するコンタクトホール１１ａが形成されている。絶縁層１１の材料としては、例えばアルミナが用いられる。薄膜コイル１２の材料としては、銅等の導電性材料が用いられる。
【００２９】
薄膜コイル１２の巻線間および薄膜コイル１２の内周側の端部および外周側の端部に接する空間部は絶縁層１３が充填され、集合体および絶縁層１３の周囲には絶縁層１４が形成され、さらに絶縁層１５が薄膜コイル１２の上面を覆っている。これによって、集合体は薄膜コイル１２に対して絶縁される。絶縁層１３の材料としては、例えばレジストが用いられる。絶縁層１４，１５の材料としては、例えばアルミナが用いられる。
【００３０】
更に、第２磁極部分層１０ａおよび絶縁層１５の上部には、磁性材料よりなる第２ヨーク部分層１０ｂが形成されている。
【００３１】
第２ヨーク部分層１０ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部は、第２磁極部分層１０ａの上面に接しているが、媒体対向面ＡＢＳからは離れた位置に配置されている。また、第２ヨーク部分層１０ｂは、コンタクトホール１１ａによって第１ヨーク部分層８ｂと連結されている。この結果、上部磁極層１０と下部磁極層８は、全体としてＵ字型の導体を形成し、その周囲を薄膜コイル１２が巻回することによって、一つの電磁石が形成されていることになる。第２ヨーク部分層１０ｂの材料としては、例えば、パーマロイやＣｏＮｉＦｅ等の成膜可能な磁性材料が用いられる。
【００３２】
薄膜コイル１２の接続部１２ａにはリード層１６が接続されている。リード層１６は導電性材料によって形成されている。リード層１６の材料は、第２ヨーク部分層１０ｂの材料と同じでもよい。
【００３３】
最後に、第２ヨーク部分層１０ｂ、絶縁層１４および絶縁層１５を覆うように、絶縁材料よりなるオーバーコート層１７が形成されている。オーバーコート層１７の材料としては、例えばアルミナが用いられる。
【００３４】
次に、以下の説明において用いる寸法等をまとめて説明しておく。まずスロートハイトＴＨは、媒体対向面ＡＢＳと、非磁性層８ｃの媒体対向面ＡＢＳ側先端部（すなわち、非磁性層端部）との距離である。背景技術においては、２つの磁極層の間隔が開き始める位置までの長さ（高さ）として説明したが、本実施形態では非磁性層８ｃを設けたことによって、機能的にスロートハイトＴＨが短縮しているため、上記のとおりの定義としている。ＭＲハイトＭＲＨは、背景技術での説明と同様、ＭＲ素子５の媒体対向面ＡＢＳ側端部から反対側の端部（すなわち、ＭＲ素子端部）までの長さ（高さ）をいう（以下、単にＭＲＨと表すこともある。）。ＴＨ０は、非磁性層８ｃの媒体対向面ＡＢＳ側先端部（非磁性層端部）位置であり、スロートハイトＴＨの基準位置を示すものである。ＭＲＨ０は、ＭＲ素子５の媒体対向面ＡＢＳ側端部と反対側の端部（ＭＲ素子端部）の位置であり、ＭＲ素子５の基準位置を示すものである。
【００３５】
次に、図３から図１１を参照して、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。以下、１つの薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明するが、本実施形態では、実際には１枚のウェハ（基板）を用いて複数の薄膜磁気ヘッドが同時に製造される。
【００３６】
本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、図３に示したように、基板１の上に、例えばスパッタリング法によって絶縁層２を形成する。次に、絶縁層２の上に、例えばスパッタリング法またはめっき法によって下部シールド層３を形成する。
【００３７】
次に、下部シールド層３の上に、例えばスパッタリング法によって下部シールドギャップ膜４を形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、例えばスパッタリング法によってＭＲ素子５（図２参照。）を形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、例えばスパッタリング法によって、ＭＲ素子５に電気的に接続される一対のリード層（図示せず）を形成する。次に、下部シールドギャップ膜４、ＭＲ素子５およびリード層の上に、例えばスパッタリング法によって、上部シールドギャップ膜７を形成する。なお、上記の再生ヘッドを構成する各層は、パターン化されたレジスト層を用いた一般的なエッチング方法やリフトオフ法やこれらを併用した方法によってパターニングされる。
【００３８】
次に、上部シールドギャップ膜７の上に、例えばスパッタリング法またはめっき法によって第１ヨーク部分層８ｂを形成する。
【００３９】
次に、第１ヨーク部分層８ｂの一部を非磁性層８ｃとダミー層８ｇに置換する。図４はその完成状態を示している。また、図４Ａは非磁性層とダミー層を形成する方法を示す。以下図４Ａを用いて、非磁性層８ｃとダミー層８ｇの形成方法を説明する。
【００４０】
まず、図４Ａ（ａ）のように、第１ヨーク部分層８ｂが形成されている状態でＭＲＨ０の位置を検出する。この時点ではＭＲ素子５はすでに形成されているが、その上に上部シールドギャップ膜７や第１ヨーク部分層８ｂが積層されているため、ＭＲＨ０の位置を直接検出することはできない。しかし、例えば、形成工程でウエハ上にＭＲ素子５の位置を示すアライメントマーク（図示せず）を設けることによって、間接的に検出することができる。
【００４１】
次に、図４Ａ（ｂ）のように、フォトレジスト層８ｄを形成する。図４Ｂは、フォトレジスト層８ｄの平面図を示す。フォトレジスト層８ｄは、非磁性層８ｃおよび後述するダミー層８ｇの形状に合わせた開口を有するフレームであり、中央部に非磁性層８ｃとなる部分とダミー層８ｇになる部分とを区画する仕切部８ｄ'を有している。また、仕切部８ｄ'は、仕切部８ｄ'の幅Ｘの中心がＭＲＨ０の位置と一致するように形成される。なお、図４Ｂには非磁性層８ｃ、ダミー層８ｇ、第１磁極部分層８ａ、記録ギャップ層９、第２磁極部分層１０ａも示しているが、図４（ｂ）の段階ではこれらはまだ形成されていない。
【００４２】
次に、図４Ａ（ｃ）のように、イオンミリング法によって第１ヨーク部分層８ｂに台形断面状の凹部８ｅおよび８ｅ'を形成する。ここで、凹部８ｅおよび８ｅ'は、後工程においてそれぞれ非磁性層８ｃおよびダミー層８ｇが形成される開口部である。仕切部８ｄ'はＭＲＨ０の位置を中心に対称形に形成されているので、ＭＲＨ０と凹部８ｅのＭＲＨ０側端部との距離Ｚ、ＭＲＨ０と凹部８ｅ'のＭＲＨ０側端部との距離Ｙは、ほぼ同一となる。また、仕切部８ｄ'の幅Ｘは、距離Ｙと距離Ｚの合計に等しい。以上より、距離Ｚは幅Ｘのほぼ１／２となる。
【００４３】
次に、図４Ａ（ｄ）のように、アルミナを凹部８ｅおよび８ｅ'の上に積層し、アルミナ層８ｆおよび８ｆ'を形成する。このとき、アルミナ層８ｆおよび８ｆ'は周囲の第１ヨーク部分層８ｂより多少盛り上がる程度に余裕を持たせて積層する。なお、このとき、フォトレジスト層８ｄの上部および周囲にも同様にアルミナ層８ｆ”が形成される。
【００４４】
次に、図４Ａ（ｅ）のように、リフトオフ法によって、フォトレジスト層８ｄを、周囲に堆積したアルミナ層８ｆ”とともに除去する。
【００４５】
最後に、図４Ａ（ｆ）のように、化学機械研磨（ＣＭＰ）によってアルミナ層８ｆおよび８ｆ'を研磨し、周囲の第１ヨーク部分層８ｂと一体の平坦面を持つ非磁性層８ｃおよびダミー層８ｇを形成する。
【００４６】
ここで、本実施形態において、どのようにしてスロートハイトＴＨが管理されるかを説明する。スロートハイトＴＨは図４Ｂを参照すると、スロートハイトＴＨ＝ＭＲＨ＋距離Ｚである。距離ＺはＭＲＨ０とＴＨ０との間の距離であり端部距離ともいう。すなわち、スロートハイトＴＨを管理するためには、ＭＲＨおよび距離Ｚを管理すればよいことが分かる。
【００４７】
まず、ＭＲＨ、すなわち媒体対向面ＡＢＳとＭＲＨ０との距離は、媒体対向面ＡＢＳの研磨量を制御することで管理される。具体的には、媒体対向面ＡＢＳ側に加工検出素子（図示せず）をあらかじめ埋め込んでおき、モニタ用電極（図示せず）を接続しておく。そして、媒体対向面ＡＢＳが研磨されると、加工検出素子も一緒に研磨され、断面積が減少する。この研磨量に応じた断面積の減少を電気抵抗の変化として、モニタ用電極から取り出し、この出力信号に応じて媒体対向面ＡＢＳに対する押圧力を部分的に調整しつつ、所定の電気抵抗になるまで研磨を行う。
【００４８】
次に、距離Ｚは、上述のように仕切部８ｄ'の幅Ｘのほぼ１／２であることから、幅Ｘを制御することで管理することが可能となる。また、距離Ｚを管理する前提として、ＭＲＨ０の位置の同定（位置決め）を行うことが必要であるが、上述のように、アライメントマークを検出することによって管理可能である。
【００４９】
したがって、以上の３つの管理項目のうち、ＭＲＨの管理は媒体対向面ＡＢＳの研磨時に行われるので、図４Ａ（ｂ）の段階では、
（ｉ）仕切部８ｄ'の中心軸がＭＲＨ０にほぼ一致していること（アライメントマーク
によって確認。）
（ii）仕切部８ｄ'の幅Ｘが所定の距離Ｚのほぼ２倍となっていること
を確認することで足りる。
【００５０】
このように、本実施形態においては、従来の技術のように集積工程が終了するまでスロートハイトＴＨの確認を待つ必要はなく、また、従来ＭＲＨの調整に合わせて間接的に管理されていたスロートハイトＴＨを、集積工程中でより直接的に管理することが可能となる。そしてこの段階で所定の幅Ｘが得られていない場合や、仕切部８ｄ'の中心がＭＲＨ０から大きくずれてしまったような場合はその後の工程を中止することができ、また、所定の幅Ｘが得られるよう、リワークによってフォトレジスト層８ｄを調整することも可能である。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態は、フォトレジスト層８ｄ、特に仕切部８ｄ'を所定の位置に所定の幅で形成することによって、ＭＲＨ０の位置を基準とした所定の位置に非磁性層８ｃの端部の位置を設定し、これによってスロートハイトＴＨを設定しようとするものである。すなわち、図４Ａ（ｃ）から図４Ａ（ｆ）の過程においては、凹部８ｅ'、アルミナ層８ｆ'およびダミー層８ｇの形成は必ずしも必要ではなく、最低限凹部８ｅ、アルミナ層８ｆおよび非磁性層８ｃが形成されていればよい。ただし、ダミー層８ｇの形成まで行われれば、非磁性層８ｃとダミー層８ｇとの距離は仕切部８ｄ'の幅Ｘと一致しているので、例えば図４Ａ（ｆ）の段階において非磁性層８ｃとダミー層８ｇとの距離を測定する等、スロートハイトＴＨの管理に役立てることも可能である。なお、ダミー層８ｇの形状に特に制約はなく、非磁性層８ｃと対称形でもよく、また、図４Ｂに示した形状に限定されることもない。以上が図４に係る説明である。
【００５２】
次に、図５に示すように、第１ヨーク部分層８ｂおよび非磁性層８ｃの上に、例えばスパッタリング法によって、めっき用の電極膜（図示せず）を形成する。なお、非磁性層８ｃとダミー層８ｇとが形成された後の工程においては、媒体対向面ＡＢＳよりもダミー層８ｇ側の部分は薄膜磁気ヘッドの形成には無関係となるので、図５から図１１においては、媒体対向面ＡＢＳより非磁性層８ｃ側のみを示している。次に、上記電極膜の上にフォトレジスト層を形成して、フォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングして、フレーム２１を形成する。フレーム２１は、第１磁極部分層８ａ、記録ギャップ層９および第２磁極部分層１０ａを形成すべき位置に開口部を有している。
【００５３】
次に、フレーム２１を用い、フレームめっき法によって、第１磁極部分層８ａ、記録ギャップ層９および第２磁極部分層１０ａを連続的に形成する。第１磁極部分層８ａおよび第２磁極部分層１０ａの材料は、いずれも、めっき法によって成膜可能な磁性材料とする。また、記録ギャップ層９の材料は、めっき法によって成膜可能な非磁性金属材料とする。
【００５４】
次に、フレーム２１を除去し、めっき用の電極膜のうち、第１磁極部分層８ａの下に存在する部分以外の部分をエッチングによって除去する。
【００５５】
次に、図６に示したように、ここまでの工程によって得られた積層体の上面全体の上に、例えばスパッタリング法によって絶縁層１１を形成する。絶縁層１１は、第１磁極部分層８ａ、記録ギャップ層９および第２磁極部分層１０ａの集合体の側壁部にも形成される。
【００５６】
次に、図７に示したように、絶縁層１１の上に、例えばフレームめっき法によって薄膜コイル１２を形成する。このとき同時に、第１ヨーク部分層８ｂと第２ヨーク部分層１０ｂとが連結される位置において、絶縁層１１の上にダミー層２２を形成する。
【００５７】
次に、図８に示したように、薄膜コイル１２を覆うように絶縁層１３を形成する。次に、積層体全体を覆うように、絶縁層１４を形成する。このときの絶縁層１４の厚さは、薄膜コイル１２の厚さ以上とする。
【００５８】
次に、図９に示したように、例えば化学機械研磨によって、薄膜コイル１２およびダミー層２２が露出するまで、絶縁層１４を研磨する。
【００５９】
次に、図１０に示したように、積層体の上面全体の上に絶縁層１５を形成する。次に、絶縁層１５のうち、第２磁極部分層１０ａ、ダミー層２２および薄膜コイル１２の接続部１２ａの上の部分を選択的にエッチングする。更に、選択的なエッチングによって、ダミー層２２と、ダミー層２２の下の絶縁層１１を除去する。
【００６０】
次に、図１１に示したように、例えばフレームめっき法によって、第２ヨーク部分層１０ｂとリード層１６とを形成する。最後に、積層体全体を覆うように、例えばスパッタリング法によってオーバーコート層１７を形成する。そして、これらの形成工程の終了したウエハを適宜切断して、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドの媒体対向面ＡＢＳを研磨加工によって形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。この状態は図１および図２に示したとおりである。
【００６１】
本実施形態では、第１磁極部分層８ａ、記録ギャップ層９、および第２磁極部分層１０ａの、基板１の上面に平行な断面の形状は同じである。また、第１磁極部分層８ａ、記録ギャップ層９、および第２磁極部分層１０ａは、第１ヨーク部分層８ｂおよび非磁性層８ｃの平坦面上に、同一のフレーム２１を用いてめっき法によって順に形成される。このように、本実施形態では、フォトリソグラフィによって磁極幅を制御でき、かつ磁極幅を制御するフレーム２１は平坦な面の上に形成される。したがって、本実施形態によれば、例えば０．３μｍ以下のような微小なトラック幅を規定する磁極部分を精度よく形成することができ、また、１枚のウェハを用いて製造される複数の薄膜磁気ヘッドにおける磁極幅のばらつきを抑制することができる。
【００６２】
以上説明したように、本実施形態によれば、スロートハイトのばらつきを減らし、精度よく形成することができ、信頼性を向上させることができる。また、集積過程の途中段階での寸法検査が可能となり、不良品については後続工程を中止するなど、生産効率の向上も可能となる。
【００６３】
本実施形態による薄膜磁気ヘッドの製造方法の、従来技術と比べた効果を図１２Ａ、図１２Ｂに示す。図１２ＡはスロートハイトＴＨの目標値（管理値）と、従来技術により製作した薄膜磁気ヘッド（従来例）のスロートハイトＴＨの測定結果の一例である。図１２ＢはスロートハイトＴＨの目標値（管理値）と、本実施形態により製作した薄膜磁気ヘッド（実施例）のスロートハイトＴＨの測定結果の一例である。いずれも複数回の測定を行い、その結果を表にまとめ、グラフ化している。従来例、実施例とも、各グラフの縦軸（測定結果）は、製作された薄膜磁気ヘッドを切断して、スロートハイトＴＨを実測した結果を示している。また、図１２Ａのグラフの横軸は従来例におけるスロートハイトＴＨの目標値（管理値）であり、具体的には図１９に示すスロートハイトＴＨとＭＲＨとの差である管理用スロートハイトＴＨ'を用いている。管理用スロートハイトＴＨ'は、ＭＲ素子５を形成する際に埋め込まれたダミーマーカー（図示せず）によって測定された。図１２Ｂのグラフの横軸は実施例におけるスロートハイトＴＨの目標値（管理値）を示し、具体的には前述したとおり、仕切層８ｄ'の幅Ｘの測定値の１／２である。
【００６４】
従来例においては、図１２Ａに示すように、管理用スロートハイトＴＨ'と実際のスロートハイトＴＨは、大きくばらついており、管理用スロートハイトＴＨ'を精度よく管理しても、スロートハイトＴＨの精度を高めるには限界のあることがわかる。これに対して、実施例においては、図１２Ｂに示すように、幅Ｘの１／２と実際のスロートハイトＴＨは非常に高い相関性を示している。すなわち、本発明によって集積工程において幅Ｘを管理することによってスロートハイトＴＨを高い精度でモニタリングすることが可能となり、スロートハイトＴＨを精度よく形成できることが確認できた。
【００６５】
なお、以上の説明は第１ヨーク部分層８ｂの一部が非磁性層８ｃに置換されている形態を前提に説明したが、非磁性層８ｃは、第１ヨーク部分層８ｂの上部に積層された形態であってもよい。図１３はこのように構成された薄膜磁気ヘッドの部分拡大断面図を示す。第１ヨーク部分層８ｂ'が形成された後、本実施形態では非磁性層８ｃ'が第１ヨーク部分層８ｂ'に掘り込まれて形成されずに、第１ヨーク部分層８ｂ'の上に形成されている点が異なる。そして第１ヨーク部分層８ｂ'に対して段差を有する状態で、第１磁極部分層８ａ'、記録ギャップ層９'、第２磁極部分層１０ａ'、絶縁層１１等が積層されている。この場合の非磁性層８ｃ'はフォトレジスト層とすることができる。すなわち、所定のマスクをＭＲＨ０の位置に対してマスク合わせし、露光、現像、レジスト除去を行えばよい。具体的には、図４Ａ（ｂ）の段階で仕切部８ｄ'の幅Ｘを確認した後、凹部を形成することなくただちに非磁性層８ｃを積層すればよい。このように所定位置にフォトレジストが形成されたことを確認することによって、スロートハイトＴＨの管理が可能となる。
【００６６】
次に、本実施形態に係る製造方法によって製造される薄膜磁気ヘッドのウエハについて説明する。図１４はウエハの概念的な平面図である。ウエハ１００は複数の薄膜磁気変換素子集合体１０１に区画される。薄膜磁気変換素子集合体１０１は、薄膜磁気変換素子およびダミー層８ｇを含み、媒体対向面ＡＢＳを研磨加工する際の作業単位となる。薄膜磁気変換素子集合体１０１間および薄膜磁気変換素子１０２間には切断のための切り代（図示せず）が設けられている。薄膜磁気変換素子１０２を製造するには、まずウエハ１００を切断して複数の薄膜磁気変換素子集合体１０１に分割する。次に、薄膜磁気変換素子集合体１０１を所定の治具で固定して、媒体対向面ＡＢＳを研磨する。研磨する際には、各薄膜磁気変換素子１０２の媒体対向面ＡＢＳ面側にあらかじめ埋め込まれた加工検出素子（図示せず）の研磨量に応じた電気抵抗を、加工検出素子に接続されたモニタ用電極（図示せず）から取り出し、この出力信号に応じて薄膜磁気変換素子集合体１０１に対する押圧力を部分的に調整しつつ、所定の電気抵抗になるまで研磨を行う。なお、以上の加工工程において、ダミー層８ｇは除去される。
【００６７】
次に、本実施形態に係るヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置について説明する。まず、図１５を参照して、ヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダ２１０について説明する。ハードディスク装置において、スライダ２１０は、回転駆動される円盤状の記録媒体であるハードディスクに対向するように配置される。スライダ２１０は、主に図１５における基板１およびオーバーコート層１７からなる基体２１１を備えている。基体２１１は、ほぼ六面体形状をなしている。基体２１１の六面のうちの一面は、ハードディスクに対向するようになっている。この一面には、媒体対向面となるエアベアリング面２０が形成されている。ハードディスクが図１５におけるｚ方向に回転すると、ハードディスクとスライダ２１０との間を通過する空気流によって、スライダ２１０に、図１５におけるｙ方向の下方に揚力が生じる。スライダ２１０は、この揚力によってハードディスクの表面から浮上するようになっている。なお、図１５におけるｘ方向は、ハードディスクのトラック横断方向である。スライダ２１０の空気流出側の端部（図１５における左下の端部）の近傍には、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッド１００が形成されている。
【００６８】
次に、図１６を参照して、本実施形態に係るヘッドジンバルアセンブリ２２０について説明する。ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、スライダ２１０と、スライダ２１０を弾性的に支持するサスペンション２２１とを備えている。サスペンション２２１は、例えばステンレス鋼によって形成された板ばね状のロードビーム２２２と、ロードビーム２２２の一端部に設けられると共にスライダ２１０が接合され、スライダ２１０に適度な自由度を与えるフレクシャ２２３と、ロードビーム２２２の他端部に設けられたベースプレート２２４とを有している。ベースプレート２２４は、スライダ２１０をハードディスク２６２のトラック横断方向ｘに移動させるためのアクチュエータのアーム２３０に取り付けられるようになっている。アクチュエータは、アーム２３０と、アーム２３０を駆動するボイスコイルモータとを有している。フレクシャ２２３において、スライダ２１０が取り付けられる部分には、スライダ２１０の姿勢を一定に保つためのジンバル部が設けられている。
【００６９】
ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、アクチュエータのアーム２３０に取り付けられる。１つのアーム２３０にヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものはヘッドアームアセンブリと呼ばれる。また、複数のアームを有するキャリッジの各アームにヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものはヘッドスタックアセンブリと呼ばれる。
【００７０】
図１６は、ヘッドアームアセンブリの一例を示している。このヘッドアームアセンブリでは、アーム２３０の一端部にヘッドジンバルアセンブリ２２０が取り付けられている。アーム２３０の他端部には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２３１が取り付けられている。アーム２３０の中間部には、アーム２３０を回動自在に支持するための軸２３４に取り付けられる軸受け部２３３が設けられている。
【００７１】
次に、図１７および図１８を参照して、ヘッドスタックアセンブリの一例と本実施形態に係るハードディスク装置について説明する。図１７はハードディスク装置の要部を示す説明図、図１８はハードディスク装置の平面図である。ヘッドスタックアセンブリ２５０は、複数のアーム２５２を有するキャリッジ２５１を有している。複数のアーム２５２には、複数のヘッドジンバルアセンブリ２２０が、互いに間隔を開けて垂直方向に並ぶように取り付けられている。キャリッジ２５１においてアーム２５２の反対側には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２５３が取り付けられている。ヘッドスタックアセンブリ２５０は、ハードディスク装置に組み込まれる。ハードディスク装置は、スピンドルモータ２６１に取り付けられた複数枚のハードディスク２６２を有している。ハードディスク２６２毎に、ハードディスク２６２を挟んで対向するように２つのスライダ２１０が配置される。また、ボイスコイルモータは、ヘッドスタックアセンブリ２５０のコイル２５３を挟んで対向する位置に配置された永久磁石２６３を有している。
【００７２】
スライダ２１０を除くヘッドスタックアセンブリ２５０およびアクチュエータは、本発明における位置決め装置に対応し、スライダ２１０を支持すると共にハードディスク２６２に対して位置決めする。
【００７３】
本実施形態に係るハードディスク装置では、アクチュエータによって、スライダ２１０をハードディスク２６２のトラック横断方向に移動させて、スライダ２１０をハードディスク２６２に対して位置決めする。スライダ２１０に含まれる薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッドによって、ハードディスク２６２に情報を記録し、再生ヘッドによって、ハードディスク２６２に記録されている情報を再生する。
【００７４】
本実施形態に係るヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置は、前述の本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドと同様の効果を奏する。
【００７５】
なお、本発明は上記実施形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明において薄膜コイル１２は複数の層で構成されていてもよい。また、第２ヨーク部分層１０ｂは、媒体対向面ＡＢＳ側の端部から薄膜コイル１２の上に配置される部分にかけて湾曲していてもよい。また、第２ヨーク部分層１０ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部は、媒体対向面ＡＢＳに露出していてもよい。
【００７６】
また、本実施形態では、基板側に読み取り用のＭＲ素子を形成し、その上に、書き込み用の誘導型電磁変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の一実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの主要部の概略断面図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの主要部を示す拡大部分断面図である。
【図３】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程図である。
【図４】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程図である。
【図４Ａ】図１に示した薄膜磁気ヘッドの絶縁層の製造工程図である。
【図４Ｂ】図１に示した薄膜磁気ヘッドの絶縁層の製造工程図である。
【図５】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程図である。
【図６】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程図である。
【図７】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程図である。
【図８】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程図である。
【図９】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程図である。
【図１０】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程図である。
【図１１】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程図である。
【図１２Ａ】従来例におけるスロートハイトの製作目標値と製作精度の関係を示す図である。
【図１２Ｂ】実施例におけるスロートハイトの製作目標値と製作精度の関係を示す図である。
【図１３】本発明の他の実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの主要部の概略断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係るウエハの平面図である。
【図１５】本発明の一実施形態に係るヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダを示す斜視図である。
【図１６】本発明の一実施形態に係るヘッドジンバルアセンブリを含むヘッドアームアセンブリを示す斜視図である。
【図１７】本発明の一実施形態に係るハードディスク装置の要部を示す説明図である。
【図１８】本発明の一実施形態に係るハードディスク装置の平面図である。
【図１９】従来技術の薄膜磁気ヘッドの主要部の概略断面図である。
【符号の説明】
【００７８】
１  基板
２  絶縁層
３  下部シールド層
４  下部シールドギャップ膜
５  ＭＲ素子
７  上部シールドギャップ膜
８  下部磁極層
８ａ，８ａ'  第１磁極部分層
８ｂ、８ｂ'  第１ヨーク部分層
８ｃ、８ｃ'  非磁性層
８ｄ  フォトレジスト層
８ｄ'  仕切部
８ｅ、８ｅ'  凹部
８ｆ、８ｆ'  アルミナ層
８ｇ  ダミー層
９、９'  記録ギャップ層
１０  上部磁極層
１０ａ、１０ａ'  第２磁極部分層
１０ｂ  第２ヨーク部分層
１１  絶縁層
１１ａ  コンタクトホール
１２  薄膜コイル
１２ａ  接続部
１３  絶縁層
１４  絶縁層
１５  絶縁層
１６  リード層
１７  オーバーコート層
ＡＢＳ  媒体対向面
ＭＲＨ  ＭＲハイト
ＴＨ  スロートハイト
【図１】
2005108297.tif 000003
【図２】
2005108297.tif 000004
【図３】
2005108297.tif 000005
【図４】
2005108297.tif 000006
【図４Ａ】
2005108297.tif 000007
【図４Ｂ】
2005108297.tif 000008
【図５】
2005108297.tif 000009
【図６】
2005108297.tif 000010
【図７】
2005108297.tif 000011
【図８】
2005108297.tif 000012
【図９】
2005108297.tif 000013
【図１０】
2005108297.tif 000014
【図１１】
2005108297.tif 000015
【図１２Ａ】
2005108297.tif 000016
【図１２Ｂ】
2005108297.tif 000017
【図１３】
2005108297.tif 000018
【図１４】
2005108297.tif 000019
【図１５】
2005108297.tif 000020
【図１６】
2005108297.tif 000021
【図１７】
2005108297.tif 000022
【図１８】
2005108297.tif 000023
【図１９】
2005108297.tif 000024