(57)【要約】【課題】   少数の第１導電体１７及び少数の第２導電体２３によってエンジン回転部品３の穴５周辺部の全域に亘ってクラックが生じたことを適切に検出する。【解決手段】エンジン回転部品３に第１絶縁薄膜１５が穴５周辺部を覆うように直接形成され、第１絶縁薄膜１５の表面に塗布した第１レジスト１９にフォトリソグラフィ法により転写された第１導電体パターンに基づいて、第１絶縁薄膜１５の表面に第１導電体１７が蒸着法により直接形成され、第１絶縁薄膜１５の表面に第２絶縁薄膜２１が第１導電体１７の一部又は全部を覆うように直接形成され、第２絶縁薄膜２１の表面に塗布した第２レジスト２５にフォトリソグラフィ法により転写された第２導電体パターンに基づいて、第２絶縁薄膜２１の表面に第２導電体２３が蒸着法により直接形成されたこと。【選択図】    図１
2005062038.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機械部品の被検出部にクラックが生じたことを検出するクラック検出構造であって、
前記機械部品に前記被検出部を覆うように直接形成された絶縁薄膜と、
前記絶縁薄膜の表面に塗布したレジストにフォトリソグラフィ法により転写された導電体パターンに基づいて、前記絶縁薄膜の表面に蒸着法により直接形成された導電体と、
を具備してなることを特徴とするクラック検出構造。
【請求項２】
前記絶縁薄膜は、セラミック系の絶縁材料により構成されていることを特徴とする請求項１に記載のクラック検出構造。
【請求項３】
機械部品の被検出部にクラックが生じたことを検出するクラック検出構造であって、
前記機械部品に前記被検出部を覆うように直接形成された第１絶縁薄膜と、
前記第１絶縁薄膜の表面に塗布した第１レジストにフォトリソグラフィ法により転写された第１導電体パターンに基づいて、前記第１絶縁薄膜の表面に蒸着法により直接形成された第１導電体と、
前記第１絶縁薄膜の表面に前記第１導電体の一部又は全部を覆うように直接形成された第２絶縁薄膜と、
前記第２絶縁薄膜の表面に塗布した第２レジストにフォトリソグラフィ法により転写された第２導電体パターンに基づいて、前記第２絶縁薄膜の表面に蒸着法により直接形成された第２導電体と、
を具備してなることを特徴とするクラック検出構造。
【請求項４】
前記第１絶縁薄膜及び前記第２絶縁薄膜は、セラミック系の絶縁材料によりそれぞれ構成されていることを特徴とする請求項３に記載のクラック検出構造。
【請求項５】
請求項１に記載のクラック検出構造の製造方法であって、
前記機械部品に前記被検出部を覆うように絶縁薄膜を直接形成する絶縁薄膜形成工程と、
前記絶縁薄膜形成工程が終了した後に、前記絶縁薄膜の表面にレジストを塗布し、導電体パターンを有したマスクを用いて、前記マスクからの露光によって前記レジストに前記導電体パターンを転写するパターン転写工程と、
前記パターン転写工程が終了した後に、前記絶縁薄膜の表面に蒸着法により導電体を前記導電体パターンに基づいて直接形成する導電体形成工程と、
前記導電体形成工程が終了した後に、前記機械部品の前記被検出部から前記レジストを除去するレジスト除去工程と、
を具備してなることを特徴とするクラック検出構造の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁薄膜形成工程は、セラミック系の絶縁材料により構成された絶縁薄膜を、前記機械部品に蒸着法により前記被検出部を覆うように直接形成する工程であることを特徴とする請求項５に記載のクラック検出構造の製造方法。
【請求項７】
請求項３に記載のクラック検出構造の製造方法であって、
前記機械部品に前記被検出部を覆うように第１絶縁薄膜を直接形成する第１絶縁薄膜形成工程と、
前記第１絶縁薄膜形成工程が終了した後に、前記第１絶縁薄膜の表面に第１レジストを塗布し、第１導電体パターンを有した第１マスクを用いて、前記第１マスクからの露光によって前記第１レジストに前記第１導電体パターンを転写する第１パターン転写工程と、
前記第１パターン転写工程が終了した後に、前記第１絶縁薄膜の表面に蒸着法により第１導電体を前記第１導電体パターンに基づいて直接形成する第１導電体形成工程と、
前記第１導電体形成工程が終了した後に、前記機械部品の前記被検出部から前記第１レジストを除去する第１レジスト除去工程と、
前記第１レジスト除去工程が終了した後に、前記第１絶縁薄膜の表面に前記第１導電体の一部又は全部を覆うように第２絶縁薄膜を直接形成する第２絶縁薄膜形成工程と、
前記第２絶縁薄膜形成工程が終了した後に、前記第２絶縁薄膜の表面に第２レジストを塗布し、第２導電体パターンを有した第２マスクを用いて、前記第２マスクからの露光によって前記第２レジストに前記第２導電体パターンを転写する第２パターン転写工程と、
前記第２パターン転写工程が終了した後に、前記第２絶縁薄膜の表面に蒸着法により第２導電体を前記第２導電体パターンに基づいて直接形成する第２導電体形成工程と、
前記第２導電体を形成工程が終了した後に、前記第１絶縁薄膜から前記第２レジストを除去する第２レジスト除去工程と、
を具備してなることを特徴とするクラック検出構造の製造方法。
【請求項８】
前記第１絶縁薄膜形成工程は、セラミック系の絶縁材料により構成された第１絶縁薄膜を、前記機械部品に蒸着法により前記被検出部を覆うように直接形成する工程であって、
前記第２絶縁薄膜形成工程は、セラミック系の絶縁材料により構成された第２絶縁薄膜を、前記第１絶縁薄膜の表面に蒸着法により前記第１導電体の一部又は全部を覆うように直接形成する工程であることを特徴とする請求項７に記載のクラック検出構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、機械部品の被検出部（例えばエンジン回転部品の穴周辺部等）にクラックが生じたことを検出するクラック検出構造、及びこのクラック検出構造の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガスタービンエンジンの分野にあっては、前記ガスタービンエンジンにおけるロータディスク等のエンジン回転部品（エンジン回転部品を模擬した模擬エンジン回転部品を含む）長期間回転さて前記エンジン回転部品の耐久性を調べる耐久試験がよく行われる。また、前記エンジン回転部品の耐久試験の途中に、前記エンジン回転部品の穴周辺部（例えばボア周辺部、ボルト穴周辺部）には、クラックが生じることが多い。そのため、図４（ａ）（ｂ）に示すように、複数のクラックセンサ１を用い、エンジン回転部品３の耐久試験を行う前に、複数のクラックセンサ１をエンジン回転部品３の穴５周辺部にエポキシ系７の接着剤によって接着している。ここで、各クラックセンサ１は、それぞれ、シート状のセンサ本体９と、このセンサ本体９の表面に並列に設けられた複数の導電体１１とを具備している。
【０００３】
従って、エンジン回転部品３の耐久試験の途中に、エンジン回転部品３の穴５周辺部に生じたクラックがいずれかのクラックセンサ１における導電体１１の裏側にまで進行すると、いずれかのクラックセンサ１における導電体１１（少なくとも１つ導電体１１）が切断され、いずれかのクラックセンサ１における複数の導電体１１の抵抗値が変化する。そのため、エンジン回転部品３の耐久試験の途中に、いずれかのクラックセンサ１における複数の導電体１１の抵抗値の変化を電気的に検出することにより、エンジン回転部品３の穴５周辺部にクラックが生じたことを検出することができるものである。
【０００４】
なお、本発明に関連する先行技術として特許文献１に示すものがある。
【特許文献１】特開平７−６３７３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、エンジン回転部品３の穴５周辺部（機械部品の被検出部の一例）の全域に亘ってクラックが生じたことを適切に検出するためにクラックセンサ１の個数を増やす必要がある一方、クラックセンサ１の個数を増やすと、検出コストが高くなるという問題がある。特に、エンジン回転部品３等のような回転体（回転する機械部品）にクラックセンサ１が接着された場合には、クラックセンサ１の個数の増加に伴い、トランスミッタの個数も増えて、前記検出コストはより高くなるという問題がある。
【０００６】
また、クラックセンサ１自身の製品としての機能を確保するためにセンサ本体９はある程度の厚みを有してあって、クラックセンサ１の検出感度は十分に高いものではない。そのため、クラックの開口部が極めて小さいような場合には、クラックがいずれかのクラックセンサ１における導電体１１の裏側にまで進行しても、いずれのクラックセンサ１における複数の導電体１１の抵抗値が変化することがなく、クラックが生じたことを検出することができないという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明にあっては、機械部品の被検出部にクラックが生じたことを検出するクラック検出構造であって、
前記機械部品に前記被検出部を覆うように直接形成された絶縁薄膜と、
前記絶縁薄膜の表面に塗布したレジストにフォトリソグラフィ法により転写された導電体パターンに基づいて、前記絶縁薄膜の表面に蒸着法により直接形成された導電体と、
を具備してなることを特徴とする。
【０００８】
ここで、前記機械部品には、ガスタービンエンジンにおけるエンジン回転部品等の回転する機械部品の他に、回転しない機械部品も含まれる。
【０００９】
また、蒸着法には、スパッタリング法、真空蒸着法等の物理蒸着法、及びプラズマＣＶＤ，光ＣＶＤ，熱ＣＶＤ等の化学蒸着法が含まれる。
【００１０】
請求項１に記載の発明特定事項によると、前記機械部品の前記被検出部に生じたクラックが前記導電体の裏側にまで進行すると、前記導電体が切断されて、前記導電体の抵抗値が変化する。そのため、前記導電体の抵抗値の変化を電気的に検出することにより、前記機械部品の前記被検出部にクラックが生じたことを検出することができるものである。
【００１１】
前述の作用の他に、前記絶縁薄膜の表面に塗布したレジストにフォトリソグラフィ法により転写された導電体パターンに基づいて、前記絶縁薄膜の表面に前記導電体が蒸着法により直接形成されるため、前記導電体の形状・大きさを前記機械部品の被検出部の形状・大きさに応じて設定することができる。
【００１２】
また、前記機械部品に前記絶縁薄膜が前記被検出部を覆うように直接形成されてあって、前記絶縁薄膜の表面に前記導電体が蒸着法により直接形成されてあるため、前記クラック検出構造からセンサ本体９（図４（ｂ）参照）に相当する構成要素を省略して、前記クラック検出構造の検出感度を十分に高めることができる。
【００１３】
請求項２に記載の発明にあっては、請求項１に記載の発明特定事項の他に、前記絶縁薄膜は、セラミック系の絶縁材料により構成されていることを特徴とする。
【００１４】
請求項２に記載の発明特定事項によると、請求項１に記載の発明特定事項による作用の他に、前記絶縁薄膜はセラミック系の絶縁材料により構成されたているため、前記絶縁薄膜の耐熱性を向上させることができる。
【００１５】
請求項３に記載の発明にあっては、機械部品の被検出部にクラックが生じたことを検出するクラック検出構造であって、
前記機械部品に前記被検出部を覆うように直接形成された第１絶縁薄膜と、
前記第１絶縁薄膜の表面に塗布した第１レジストにフォトリソグラフィ法により転写された第１導電体パターンに基づいて、前記第１絶縁薄膜の表面に蒸着法により直接形成された第１導電体と、
前記第１絶縁薄膜の表面に前記第１導電体の一部又は全部を覆うように直接形成された第２絶縁薄膜と、
前記第２絶縁薄膜の表面に塗布した第２レジストにフォトリソグラフィ法により転写された第２導電体パターンに基づいて、前記第２絶縁薄膜の表面に蒸着法により直接形成された第２導電体と、
を具備してなることを特徴とする。
【００１６】
ここで、前記機械部品には、ガスタービンエンジンにおけるエンジン回転部品等の回転する機械部品の他に、回転しない機械部品も含まれる。また、蒸着法には、スパッタリング法、真空蒸着法等の物理蒸着法、及びプラズマＣＶＤ，光ＣＶＤ，熱ＣＶＤ等の化学蒸着法が含まれる。
【００１７】
請求項３に記載の発明特定事項によると、前記機械部品の前記被検出部に生じたクラックが前記第１導電体（又は前記第２導電体）の裏側にまで進行すると、前記第１導電体（又は前記第２導電体）が切断されて、前記第１導電体の抵抗値（又は前記第２導電体の抵抗値）が変化する。そのため、前記第１導電体の抵抗値の変化（又は前記第２導電体の抵抗値の変化）を電気的に検出することにより、前記機械部品の前記被検出部にクラックが生じたことを検出することができるものである。
【００１８】
前述の作用の他に、前記第１絶縁薄膜の表面に塗布した第１レジストにフォトリソグラフィ法により転写された第１導電体パターンに基づいて、前記第１絶縁薄膜の表面に前記第１導電体が蒸着法により直接形成されると共に、前記第２絶縁薄膜の表面に塗布した第２レジストにフォトリソグラフィ法により転写された第２導電体パターンに基づいて、前記第２絶縁薄膜の表面に前記第２導電体が蒸着法により直接形成されるため、前記第１導電体の形状・大きさ及び第２導電体の形状・大きさを前記機械部品の被検出部の形状・大きさに応じて設定することができる。
【００１９】
また、前記機械部品に前記第１絶縁薄膜が前記被検出部を覆うように直接形成されてあって、前記第１絶縁薄膜の表面に前記第１導電体が蒸着法により直接形成されてあるため、前記クラック検出構造からセンサ本体９（図４（ｂ）参照）に相当する構成要素を省略して、前記クラック検出構造の検出感度を十分に高めることができる。
【００２０】
更に、前記第１絶縁薄膜の表面に前記第２絶縁薄膜が前記第１導電体の一部又は全部を覆うように直接形成されてあって、前記第２絶縁薄膜の表面に前記第２導電体が蒸着法により直接形成されているため、前記クラック検出構造の表側からみると前記第１導電体と前記２導電体に重なり合うようにすることができる。
【００２１】
請求項４に記載の発明にあっては、請求項３に記載の発明特定事項の他に、前記第１絶縁薄膜及び前記第２絶縁薄膜は、セラミック系の絶縁材料によりそれぞれ構成されていることを特徴とする。
【００２２】
請求項４に記載の発明特定事項によると、請求項３に記載の発明特定事項による作用の他に、前記第１絶縁薄膜及び前記第２絶縁薄膜はセラミック系の絶縁材料によりそれぞれ構成されているため、前記第１絶縁薄膜の耐熱性及び前記第２絶縁薄膜の耐熱性をそれぞれ向上させることができる。
【００２３】
請求項５に記載の発明にあっては、請求項１に記載のクラック検出構造の製造方法であって、
前記機械部品に絶縁薄膜を前記被検出部を覆うように直接形成する絶縁薄膜形成工程と、
前記絶縁薄膜形成工程が終了した後に、前記絶縁薄膜の表面にレジストを塗布し、導電体パターンを有したマスクを用いて、前記マスクからの露光によって前記レジストに前記導電体パターンを転写するパターン転写工程と、
前記パターン転写工程が終了した後に、前記絶縁薄膜の表面に蒸着法により導電体を前記導電体パターンに基づいて直接形成する導電体形成工程と、
前記導電体形成工程が終了した後に、前記機械部品の前記被検出部から前記レジストを除去するレジスト除去工程と、
を具備してなることを特徴とする。
【００２４】
請求項５に記載の発明特定事項によると、請求項１に記載の発明特定事項による作用と同様の作用を奏する。
【００２５】
請求項６に記載の発明にあっては、請求項５に記載の発明特定事項の他に、前記絶縁薄膜形成工程は、セラミック系の絶縁材料により構成された絶縁薄膜を、前記機械部品に蒸着法により前記被検出部を覆うように直接形成する工程であることを特徴とする。
【００２６】
請求項６に記載の発明特定事項によると、請求項５に記載の発明特定事項による作用の他に、前記絶縁薄膜はセラミック系の絶縁材料により構成されたているため、前記絶縁薄膜の耐熱性を向上させることができる。
【００２７】
請求項７に記載の発明にあっては、請求項３に記載のクラック検出構造の製造方法であって、
前記機械部品に第１絶縁薄膜を前記被検出部を覆うように直接形成する第１絶縁薄膜形成工程と、
前記第１絶縁薄膜形成工程が終了した後に、前記第１絶縁薄膜の表面に第１レジストを塗布し、第１導電体パターンを有した第１マスクを用いて、前記第１マスクからの露光によって前記第１レジストに前記第１導電体パターンを転写する第１パターン転写工程と、
前記第１パターン転写工程が終了した後に、前記第１絶縁薄膜の表面に蒸着法により第１導電体を前記第１導電体パターンに基づいて直接形成する第１導電体形成工程と、
前記第１導電体形成工程が終了した後に、前記機械部品の前記被検出部から前記第１レジストを除去する第１レジスト除去工程と、
前記第１レジスト除去工程が終了した後に、前記第１絶縁薄膜の表面に第２絶縁薄膜を前記第１導電体の一部又は全部を覆うように直接形成する第２絶縁薄膜形成工程と、
前記第２絶縁薄膜形成工程が終了した後に、前記第２絶縁薄膜の表面に第２レジストを塗布し、第２導電体パターンを有した第２マスクを用いて、前記第２マスクからの露光によって前記第２レジストに前記第２導電体パターンを転写する第２パターン転写工程と、
前記第２パターン転写工程が終了した後に、前記第２絶縁薄膜の表面に蒸着法により第２導電体を前記第２導電体パターンに基づいて直接形成する第２導電体形成工程と、
前記第２導電体を形成工程が終了した後に、前記第１絶縁薄膜から前記第２レジストを除去する第２レジスト除去工程と、
を具備してなることを特徴とする。
【００２８】
請求項７に記載の発明特定事項によると、請求項３に記載の発明特定事項による作用と同様の作用を奏する。
【００２９】
請求項８に記載の発明にあっては、請求項７に記載の発明特定事項の他に、前記第１絶縁薄膜形成工程は、セラミック系の絶縁材料により構成された第１絶縁薄膜を、前記機械部品に蒸着法により前記被検出部を覆うように直接形成する工程であって、
前記第２絶縁薄膜形成工程は、セラミック系の絶縁材料により構成された第２絶縁薄膜を、前記第１絶縁薄膜の表面に蒸着法により前記第１導電体の一部又は全部を覆うように直接形成する工程であることを特徴とする。
【００３０】
請求項８に記載の発明特定事項によると、請求項７に記載の発明特定事項による作用の他に、前記第１絶縁薄膜及び前記第２絶縁薄膜はセラミック系の絶縁材料によりそれぞれ構成されているため、前記第１絶縁薄膜の耐熱性及び前記第２絶縁薄膜の耐熱性をそれぞれ向上させることができる。
【発明の効果】
【００３１】
請求項１、請求項２、請求項５、請求項６のうちのいずれかの請求項に記載の発明によれば、前記導電体の形状・大きさを前記機械部品の被検出部の形状・大きさに応じて設定することができるため、少数の前記導電体（少数の前記クラック検出構造）によって前記機械部品の前記被検出部の全域に亘ってクラックが生じたことを適切に検出することができ、検出コストの大幅な低下を図ることができる。
【００３２】
また、前記クラック検出構造からセンサ本体に相当する構成要素を省略して、前記クラック検出構造の検出感度を十分に高めることができるため、クラックの開口部が極めて小さい場合であっても、前記機械部品の前記被検出部に生じたクラックが前記導電体の裏側にまで進行すると、前記導電体の抵抗値が変化して、クラックが生じたことを確実に検出することができる。
【００３３】
請求項２又は請求項４に記載の発明によれば、前述の効果を奏する他に、前記絶縁薄膜の耐熱性を向上させることができるため、前記クラック検出構造を高温環境下において使用することができ、前記クラック検出構造を種々の分野で有効利用することができる。
【００３４】
請求項３、請求項４、請求項７、請求項８のうちのいずれかの請求項に記載の発明によれば、前記第１導電体の形状・大きさ及び第２導電体の形状・大きさを前記機械部品の被検出部の形状・大きさに応じて設定することができるため、少数の前記第１導電体及び少数の前記第２導電体（少数の前記クラック検出構造）によって前記機械部品の前記被検出部の全域に亘ってクラックが生じたことを適切に検出することができ、検出コストの大幅な低下を図ることができる。
【００３５】
また、前記クラック検出構造からセンサ本体に相当する構成要素を省略して、前記クラック検出構造の検出感度を十分に高めることができるため、クラックの開口部が極めて小さい場合であっても、前記機械部品の前記被検出部に生じたクラックが前記第１導電体の裏側又は前記第２導電体の裏側にまで進行すると、前記第１導電体の抵抗値又は前記第２導電体の抵抗値が変化して、クラックが生じたことを確実に検出することができる。
【００３６】
更に、前記クラック検出構造の表側からみると前記第１導電体と前記２導電体に重なり合うようにすることができるため、例えば、前記第１導電体と前記第２導電体を合わせた導電体、換言すれば前記クラック検出構造の感知部分をループ状にすることができ、前記クラック検出構造の検出範囲を拡大することができる。
【００３７】
請求項４又は請求項８に記載の発明によれば、前述の効果を奏する他に、前記第１絶縁薄膜の耐熱性及び前記第２絶縁薄膜の耐熱性をそれぞれ向上させることができるため、前記クラック検出構造を高温環境下において使用することができ、前記クラック検出構造を種々の分野で有効利用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
本発明の最良の形態について図１から図３を参照して説明する。
【００３９】
図１（ａ）は、本発明の最良の形態に係わるクラック検出構造を示す図であって、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＩ−Ｉ線に沿った図であって、図２及び図３は、本発明の最良の形態に係わるクラック検出構造の製造方法を説明する図である。
【００４０】
図１に示すように、本発明の最良の形態に係わるクラック検出構造１３は、ガスタービンエンジンにおけるエンジン回転部品３（エンジン回転部品３を模擬した模擬エンジン回転部品を含む）を長期間回転させてエンジン回転部品３の耐久性を調べる耐久試験に用いられるものであって、エンジン回転部品３の耐久試験の途中に、エンジン回転部品３の穴５周辺部（ボア周辺部、ボルト穴周辺部等）にクラックが生じたことを検出するものである。そして、このクラック検出構造１３の具体的な構成は次のようになる。
【００４１】
即ち、エンジン回転部品３には、第１絶縁薄膜１５が穴５周辺部を覆うように直接形成されており、この第１絶縁薄膜１５は、ポリイミドから構成されている。そして、第１絶縁薄膜１５の表面には、Ｃ字形状の第１導電体１７がスパッタリング法により第１導電パターンに基づいて直接形成されており、この第１導電体パターンは、第１絶縁薄膜１５の表面に塗布した第１レジスト１９（図２（ｂ）（ｃ）参照）にフォトリソグラフィ法により転写されたパターンである。なお、第１導電体１７の両端部は、耐久試験装置における回転軸（図示省略）に装着したトランスミッタ（図示省略）に電気的に接続されている。
【００４２】
また、第１絶縁薄膜１５の表面には、第２絶縁薄膜２１が第１導電体１７の全部（一部でもよい）を覆うように直接形成されており、この第２絶縁薄膜２１は、ポリイミドから構成されている。そして、第２絶縁薄膜２１の表面には、逆Ｃ字形状の第２導電体２３がスパッタリング法により第２導電体パターンに基づいて直接形成されており、この第２導電体パターンは、第２絶縁薄膜２１の表面に塗布した第２レジスト２５（図３（ｂ）（ｃ）参照）にフォトリソグラフィ法により転写されたパターンである。なお、第２導電体２３の両端部は、前記トランスミッタに電気的に接続されている。
【００４３】
ここで、第１絶縁薄膜１５及び第２絶縁薄膜２１がポリイミドによりそれぞれ構成される代わりに、セラミックス系の絶縁材料により構成されるようにしても差し支えない。
【００４４】
次に、本発明の最良の形態に係わるクラック検出構造の製造方法について図２及び図３を参照して説明する。
【００４５】
エンジン回転部品３に穴５周辺部を覆うように第１絶縁薄膜１５を直接形成する（図２（ａ）参照、（第１薄膜形成工程））。具体的には、エンジン回転部品３に穴５周辺部を覆うようにポリイミドを刷毛塗りして、ポリイミドを硬化させる。なお、第１絶縁薄膜１５がセラミックス系の絶縁材料により構成される場合にあっては、エンジン回転部品３にスパッタリング法により穴５周辺部を覆うように直接形成する。
【００４６】
前記第１絶縁薄膜形成工程が終了した後に、第１絶縁薄膜１５の表面に第１レジスト１９を塗布し（図２（ｂ）参照）、第１導電体パターンを有した第１マスク２７を用いて、第１マスク２７からの露光によって第１レジスト１９に前記第１導電体パターンを転写する（図２（ｃ）参照、（第１パターン転写工程））。そして、第１絶縁薄膜１５の表面にスパッタリング法により第１導電体１７を前記第１導電体パターンに基づいて直接形成する（図２（ｄ）参照、（第１導電体形成工程））。更に、エンジン回転部品３の穴５周辺部から第１レジスト２３を除去する（図２（ｅ）参照、（第１レジスト除去工程））。
【００４７】
前記第１レジスト除去工程が終了した後に、第１絶縁薄膜１５の表面に第２絶縁薄膜２１を第１導電体１７の全部を覆うように直接形成する（図３（ａ）参照、（第２絶縁薄膜形成工程））。具体的には、第１絶縁薄膜１５に第１導電体１７の全部を覆うようにポリイミドを刷毛塗りして、ポリイミドを硬化させる。なお、第２絶縁薄膜２１がセラミックス系の絶縁材料により構成される場合にあっては、第１絶縁薄膜１５の表面にスパッタリング法により第２絶縁薄膜２１を第１導電体１７の全部を覆うように直接形成する。
【００４８】
前記第２絶縁薄膜形成工程が終了した後に、第２絶縁薄膜２１の表面に第２レジスト２５を塗布し（図３（ｂ）参照）、第２導電体パターンを有した第２マスク２９を用いて、第２マスク２９からの露光によって第２レジスト２５に前記第２導電体パターンを転写する（図３（ｃ）参照、（第２パターン転写工程））。そして、第２絶縁薄膜２１の表面にスパッタリング法により第２導電体２３を前記第２導電体パターンに基づいて直接形成する（図３（ｄ）参照、（第２導電体形成工程））。更に、第１絶縁薄膜１５から第２レジスト２５を除去する（図３（ｃ）参照、（第２レジスト除去工程））。
【００４９】
次に、本発明の最良の形態の作用について説明する。
【００５０】
エンジン回転部品３の耐久試験の途中に、エンジン回転部品３の穴５周辺部に生じたクラックが第１導電体１７（又は第２導電体２３）の裏側にまで進行すると、第１導電体１７（又は第２導電体２３）が切断されて、第１導電体１７の抵抗値（又は第２導電体２３の抵抗値）が変化する。そのため、第１導電体１７の抵抗値の変化（又は第２導電体２３の抵抗値の変化）を電気的に検出することにより、エンジン回転部品３の穴５周辺部にクラックが生じたことを検出することができるものである。
【００５１】
前述の作用の他に、第１絶縁薄膜１５の表面に塗布した第１レジスト１９にフォトリソグラフィ法により転写された前記第１導電体パターンに基づいて、第１絶縁薄膜１５の表面に第１導電体１７がスパッタリング法により直接形成されると共に、第２絶縁薄膜２１の表面に塗布した第２レジスト２５にフォトリソグラフィ法により転写された前記第２導電体パターンに基づいて、第２絶縁薄膜２１の表面に第２導電体２３がスパッタリング法により直接形成されるため、第１導電体１７の形状・大きさ及び第２導電体２３の形状・大きさをエンジン回転部品３の穴５周辺部の形状・大きさに応じて設定することができる。
【００５２】
また、エンジン回転部品３に第１絶縁薄膜１５が穴５周辺部を覆うように直接形成されてあって、第１絶縁薄膜１５の表面に第１導電体１７がスパッタリング法により直接形成されてあるため、クラック検出構造１３からセンサ本体９（図４（ｂ）参照）に相当する構成要素を省略して、クラック検出構造１３の検出感度を十分に高めることができる。
【００５３】
更に、第１絶縁薄膜１５の表面に第２絶縁薄膜２１が第１導電体１７の全部を覆うように直接形成されてあって、第２絶縁薄膜２１の表面に第２導電体２３がスパッタリング法により直接形成されているため、クラック検出構造１３の表側からみると第１導電体１７と第２導電体２３に重なり合うようにすることができる。
【００５４】
また、第１絶縁薄膜１５及び第２絶縁薄膜２１はセラミック系の絶縁材料によりそれぞれ構成された場合にあっては、第１絶縁薄膜１５の耐熱性及び第２絶縁薄膜２１の耐熱性をそれぞれ向上させることができる。
【００５５】
以上の如き、本発明の最良の形態によれば、第１導電体１７の形状・大きさ及び第２導電体２３の形状・大きさをエンジン回転部品３の穴５周辺部の形状・大きさに応じて設定することができるため、少数の第１導電体１７及び少数の第２導電体２３（少数のクラック検出構造１３）によってエンジン回転部品３の穴５周辺部の全域に亘ってクラックが生じたことを適切に検出することができ、検出コストの大幅な低下を図ることができる。
【００５６】
また、クラック検出構造１３からセンサ本体９に相当する構成要素を省略して、クラック検出構造１３の検出感度を十分に高めることができるため、クラックの開口部が極めて小さい場合であっても、エンジン回転部品３の穴５周辺部に生じたクラックが第１導電体１７の裏側又は第２導電体２３の裏側にまで進行すると、第１導電体１７の抵抗値又は第２導電体２３の抵抗値が変化して、クラックが生じたことを確実に検出することができる。
【００５７】
更に、クラック検出構造１３の表側からみると第１導電体１７と第２導電体２３に重なり合うようにすることができるため、例えば、第１導電体１７と第２導電体２３を合わせた導電体、換言すればクラック検出構造１３の感知部分をループ状にすることができ、クラック検出構造１３の検出範囲を拡大することができる。
【００５８】
また、第１絶縁薄膜１５及び第２絶縁薄膜２１はセラミック系の絶縁材料によりそれぞれ構成された場合にあっては、第１絶縁薄膜１５の耐熱性及び第２絶縁薄膜２１の耐熱性をそれぞれ向上させるため、クラック検出構造１３を高温環境下において使用することができ、クラック検出構造１３を種々の分野で有効利用することができる。
【００５９】
なお、本発明は、前述の発明の最良の形態の説明に限るものではなく、例えば、スパッタリング法の代えて他の蒸着法（真空蒸着法等の他の物理蒸着法、及びプラズマＣＶＤ，光ＣＶＤ，熱ＣＶＤ等の化学蒸着法）により第１導電体１７及び第２導電体２３を直接形成する等、適宜の変更を行うことにより、その他種々の態様で実施可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】図１（ａ）は、本発明の最良の形態に係わるクラック検出構造を示す図であって、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＩ−Ｉ線に沿った図である。
【図２】本発明の最良の形態に係わるクラック検出構造の製造方法を説明する図である。
【図３】本発明の最良の形態に係わるクラック検出構造の製造方法を説明する図である。
【図４】図４（ａ）は、一般的なクラックセンサよる検出態様を説明する図であって、図４（ｂ）は、図４（ａ）におけるＩＩ−ＩＩ線に沿った図である。
【符号の説明】
【００６１】
３          エンジン回転部品
５          穴
１３          クラック検出構造
１５          第１絶縁薄膜
１７          第１導電体
１９          第１レジスト
２１          第２絶縁薄膜
２３          第２導電体
２５          第２レジスト
２７          第１マスク
２９          第２マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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