(57)【要約】【課題】  インジェクタの電磁コイルに開弁用大電流を流すためのコンデンサのＥＳＲ温度特性に起因した噴射量のばらつきを抑制可能なインジェクタ駆動装置を提供する。【解決手段】  電源電圧ＶＢよりも高い電圧で充電されるコンデンサ５とインジェクタの電磁コイル１７とを結ぶ電流経路に直列に設けられたトランジスタＴ２を、電磁コイル１７への通電開始時にオンさせて、コンデンサ５から該トランジスタＴ２を介し電磁コイル１７へ放電させることにより、インジェクタを開弁状態へと移行させるインジェクタ駆動装置３１では、コンデンサ５の放電電圧の傾きに応じた一定の微分電圧Ｖｄが微分回路３３から出力され、トランジスタＴ６がトランジスタＴ２のゲート・ソース間に接続された抵抗４７に上記微分電圧Ｖｄに応じた電流Ｉｇを流すことで、トランジスタＴ２のオン抵抗が、コンデンサ５の放電電圧の傾きが急なほど小さくなるように構成されている。【選択図】  図１
2005330934.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源電圧を昇圧してコンデンサを充電する充電手段と、
前記昇圧された電圧が発生する前記コンデンサの出力端子とインジェクタの電磁コイルとを結ぶ電流経路に設けられ、オンすることで該電流経路を連通する放電用スイッチング素子とを備え、
前記電磁コイルに通電すべき通電期間の開始時に、前記放電用スイッチング素子をオンして、前記コンデンサから該放電用スイッチング素子を介し前記電磁コイルへ電流を放電させることにより、前記インジェクタを開弁状態へと移行させるインジェクタ駆動装置において、
前記放電用スイッチング素子がオンされて前記コンデンサが放電する際の、該コンデンサの前記出力端子の電圧である放電電圧の傾きを検出する放電傾き検出手段と、
前記放電用スイッチング素子のオン時の抵抗を、前記放電傾き検出手段により検出された前記放電電圧の傾きに応じて、該傾きが急なほど小さくなるように制御するオン抵抗制御手段と、
を備えていることを特徴とするインジェクタ駆動装置。
【請求項２】
請求項１に記載のインジェクタ駆動装置において、
前記放電傾き検出手段は、前記放電電圧の傾きに応じた電圧を出力する微分回路であり、
前記オン抵抗制御手段は、前記放電用スイッチング素子のオン時の抵抗を、前記微分回路の出力電圧に応じて、該出力電圧が前記放電電圧の傾きが急なことを示す電圧であるほど小さくなるように制御すること、
を特徴とするインジェクタ駆動装置。
【請求項３】
請求項２に記載のインジェクタ駆動装置において、
前記微分回路は、能動素子を含むアナログのアクティブ微分回路であること、
を特徴とするインジェクタ駆動装置。
【請求項４】
請求項２に記載のインジェクタ駆動装置において、
前記微分回路は、受動素子のみからなるアナログのパッシブ微分回路であること、
を特徴とするインジェクタ駆動装置。
【請求項５】
請求項２に記載のインジェクタ駆動装置において、
前記微分回路は、ＣＰＵ、ＡＤコンバータ、及びＤＡコンバータを有したディジタル回路からなること、
を特徴とするインジェクタ駆動装置。
【請求項６】
請求項５に記載のインジェクタ駆動装置において、
前記ＣＰＵは、
前記放電用スイッチング素子がオンされると、前記放電電圧を前記ＡＤコンバータにより時間差をおいて複数回読み取ると共に、その各読み取り値から前記放電電圧の微分値を算出する微分値算出処理を実行し、
該微分値算出処理で算出した微分値に比例した電圧を、前記ＤＡコンバータに前記出力電圧として出力させること、
を特徴とするインジェクタ駆動装置。
【請求項７】
請求項６に記載のインジェクタ駆動装置において、
前記ＣＰＵは、
少なくとも前記放電用スイッチング素子がオンされている間、前記放電用スイッチング素子が前回オンされたときに前記微分値算出処理で算出した微分値に比例した電圧を、前記ＤＡコンバータに前記出力電圧として出力させること、
を特徴とするインジェクタ駆動装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７の何れか１項に記載のインジェクタ駆動装置において、
前記コンデンサは、アルミ電解コンデンサであること、
を特徴とするインジェクタ駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インジェクタ（電磁式燃料噴射弁）を駆動する装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば自動車用ディーゼルエンジンへの燃料噴射を制御するためにインジェクタを開閉駆動するインジェクタ駆動装置では、バッテリ電圧（詳しくは、バッテリのプラス端子の電圧）よりも高い昇圧電圧をコンデンサに発生させる昇圧回路を備え、インジェクタの電磁コイルに通電すべき通電期間の開始時に、上記コンデンサから電磁コイルへ昇圧電圧による大電流が流れるようにして、インジェクタを速やかに開弁させ、その後、通電期間が終了するまでは、定電流回路から電磁コイルへ開弁保持用の一定電流（いわゆるホールド電流）を流して、インジェクタの開弁状態を保持するようにしている。つまり、インジェクタの開弁応答性を向上させるために、電源電圧としてのバッテリ電圧を昇圧してコンデンサに蓄積し、そのコンデンサの放電に伴う大電流によってインジェクタを高速駆動できるようにしている（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００３】
ここで、このようなインジェクタ駆動装置の具体的な構成例について、図７を用い説明する。
図７に示すように、このインジェクタ駆動装置１０１は、制御ＩＣ１と、トランジスタＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４と、トロイダルコイル３と、コンデンサ５と、ダイオード７，９，１１と、抵抗１３，１５とを備えている。尚、この例において、トランジスタＴ１，Ｔ４はＮチャネルＭＯＳＦＥＴであり、トランジスタＴ２，Ｔ３はＰチャネルＭＯＳＦＥＴである。
【０００４】
そして、インジェクタの電磁コイル１７の一端が、当該装置１０１の外部に配設された配線１９を介して、２つのダイオード９，１１のカソードに接続されており、ダイオード９のアノードは、トランジスタＴ３のドレインに接続されている。そして更に、トランジスタＴ３のソースは、電源電圧としてのバッテリ電圧ＶＢ（通常、約１２Ｖ）に接続されている。また、ダイオード１１のアノードは、基準電位としてのグランド電位（＝０Ｖ）に接続されている。
【０００５】
一方、電磁コイル１７の他端は、当該装置１０１の外部に配設された配線２１を介して、トランジスタＴ４のドレインに接続されており、そのトランジスタＴ４のソースは、電流検出用の抵抗１５を介してグランド電位に接続されている。そして、トランジスタＴ４は、制御ＩＣ１から出力される駆動信号がアクティブレベル（この例ではハイレベル）の時にオンするようになっている。
【０００６】
また、トロイダルコイル３の一端が、バッテリ電圧ＶＢに接続されており、そのトロイダルコイル３の他端は、トランジスタＴ１のドレインとダイオード７のアノードとに共通接続されている。そして、トランジスタＴ１のソースが、抵抗１３を介してグランド電位に接続されており、そのトランジスタＴ１のソースとダイオード７のカソードとの間に、コンデンサ５が接続されている。このため、トランジスタＴ１を繰り返しオン／オフさせると、コンデンサ５が、そのトランジスタＴ１のオフ時毎に、トロイダルコイル３に生じる逆起電力で充電され、コンデンサ５のダイオード７側の端子（以下、出力端子という）にバッテリ電圧ＶＢよりも高い昇圧電圧が発生することとなる。また、コンデンサ５からトランジスタＴ１のドレイン側への電流の逆流は、ダイオード７によって阻止される。
【０００７】
そして更に、コンデンサ５の出力端子は、トランジスタＴ２のソースに接続されており、そのトランジスタＴ２のドレインが上記ダイオード９，１１のカソード及び配線１９に接続されている。
【０００８】
尚、この装置１０１では、トロイダルコイル３、トランジスタＴ１、ダイオード７及び抵抗１３によって、昇圧回路が構成されている。
また、ここでは、インジェクタの電磁コイル１７とトランジスタＴ４とを、１組のみ図示しているが、通常、インジェクタはエンジンの気筒毎に存在し、トランジスタＴ４はその各気筒のインジェクタ毎に設けられる。そして、このトランジスタＴ４がオンされることで、そのトランジスタＴ４に対応する気筒のインジェクタの電磁コイル１７への通電が許可されるため、トランジスタＴ４は「気筒スイッチ」と呼ばれる。また、トランジスタＴ２は、コンデンサ５の出力端子と電磁コイル１７とを結ぶ電流経路を接続／遮断するためのスイッチング素子であり、コンデンサ５から電磁コイル１７へ放電する際にオンされるため、「放電スイッチ」と呼ばれる。一方、トランジスタＴ３は、インジェクタを開弁状態に保持するための一定電流を電磁コイル１７に流すための定電流回路を構成するものであり、その一定電流を流すためにデューティ制御される。また、ダイオード１１は、トランジスタＴ３のオン／オフに伴い発生する電磁コイル１７のフライバックエネルギーを消弧するために設けられており、ダイオード９は、トランジスタＴ２側や電磁コイル１７側からトランジスタＴ３のドレイン側へ電流が逆流するのを防止するために設けられている。
【０００９】
このようなインジェクタ駆動装置１０１において、制御ＩＣ１は、電磁コイル１７に放電しない非放電期間中は、トランジスタＴ２をオフさせており、また、その非放電期間中に、トランジスタＴ１を繰り返しオン／オフさせて、バッテリ電圧ＶＢを昇圧しコンデンサ５を充電する。尚、このとき、制御ＩＣ１は、コンデンサ５と抵抗１３との接続点の電圧により、抵抗１３に流れる電流（即ち、コンデンサ５への充電電流）を監視して、その電流が一定値となるようにトランジスタＴ１のオン／オフのデューティ比を制御すると共に、コンデンサ５の出力端子の電圧（以下、チャージ電圧という）Ｖｃが予め定められた目標値になったことを、図示しない電圧モニタ用回路を介して検知すると、トランジスタＴ１のスイッチング動作を停止させて、コンデンサ５の充電を止める。
【００１０】
そして、制御ＩＣ１は、図８に示すように、電磁コイル１７に通電すべき通電期間の間、トランジスタＴ４をオンさせると共に、その通電期間の開始時から、電磁コイル１７に流れる電流（以下、インジェクタ駆動電流という）ＩＪが規定値ｉｐに達したことを検知するまでの間、トランジスタＴ２をオンさせる。
【００１１】
つまり、トランジスタＴ４とトランジスタＴ２とがオンされると、「コンデンサ５→トランジスタＴ２→電磁コイル１７→トランジスタＴ４→抵抗１５→グランド電位」の経路で、電磁コイル１７にコンデンサ５からの放電電流Ｉｄｃがインジェクタ駆動電流ＩＪとして流れることとなり、そのインジェクタ駆動電流ＩＪ（＝Ｉｄｃ）が、インジェクタを確実に開弁させることが可能な規定値ｉｐに達したら、もはやコンデンサ５を放電させる必要がないためトランジスタＴ２をオフさせるのである。尚、インジェクタ駆動電流ＩＪが規定値ｉｐに達したか否かは、抵抗１５に生じる電圧（詳しくは、トランジスタＴ４のソースと抵抗１５との接続点の電圧）をモニタして判断している。
【００１２】
そして、制御ＩＣ１は、インジェクタ駆動電流ＩＪが規定値ｉｐに達してトランジスタＴ２をオフさせると、今度は、通電期間の開始時からみて一定時間後のタイミングまで、電磁コイル１７に開弁保持用の第１定電流ｉｈ１が流れるようにトランジスタＴ３をデューティ制御し、更に、そのタイミングが到来すると、その時点から通電期間が終了するまで、電磁コイル１７に開弁保持用の第２定電流ｉｈ２（＜ｉｈ１）が流れるようにトランジスタＴ３をデューティ制御する。つまり、この例では、開弁保持用の定電流を第１定電流ｉｈ１からそれよりも小さい第２定電流ｉｈ２へと２段階に切り替える、２段定電流駆動方式を採用している。
【００１３】
一方、コンデンサは、その特性の一つとしてＥＳＲ（等価直列抵抗）を有しており、そのＥＳＲには低温時ほど大きくなる温度特性がある。
このため、上記のようなインジェクタ駆動装置１０１においては、コンデンサ５のＥＳＲの温度特性（以下、ＥＳＲ温特という）により、図８の実線（＝高温時）と点線（＝低温時）とでそれぞれ示すように、高温時と低温時とでは、コンデンサ５が放電する際におけるチャージ電圧Ｖｃの低下と放電電流Ｉｄｃの立ち上がりとの急峻さが異なってしまい、その結果、通電期間の長さが同じでも、インジェクタのトータルの開弁時間が変わって噴射量にばらつきが生じてしまう。
【００１４】
即ち、高温時と比べて低温時には、コンデンサ５のＥＳＲが増大するため、コンデンサ５が放電する際のチャージ電圧Ｖｃの低下が急になると共に、放電電流Ｉｄｃの立ち上がりが緩くなる。そして、放電電流Ｉｄｃの立ち上がりが緩くなると、インジェクタの開弁が遅れるため、通電期間の長さが同じでも、インジェクタのトータルの開弁時間が短くなり、燃料噴射量が減少することとなる。
【００１５】
また逆に、低温時と比べて高温時には、コンデンサ５のＥＳＲが減少するため、コンデンサ５が放電する際のチャージ電圧Ｖｃの低下が緩くなると共に、放電電流Ｉｄｃの立ち上がりが急になる。そして、放電電流Ｉｄｃの立ち上がりが急になると、インジェクタの開弁が早まるため、通電期間の長さが同じでも、インジェクタのトータルの開弁時間が長くなり、燃料噴射量が増加することとなる。
【００１６】
そこで、このようなコンデンサ５のＥＳＲ温特による燃料噴射量ばらつきを回避するために、従来より、コンデンサ５としては、一般にＥＳＲの温度による変化が小さいフィルムコンデンサが使われてきた。
【特許文献１】特開２０００−１１０６４０号公報
【特許文献２】特開２００３−２７８５８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
ところで、近年、エンジンに対する燃料噴射制御の分野では、環境問題に起因するエミッション低減や騒音低減などの目的で、１気筒あたりの燃料噴射を３回以上に分けて行う多段噴射が主流となっているが、特に、この多段噴射では、必要なタイミングでより微少量まで燃料を噴射できることが要求される。このため、１回噴射あたりの噴射量精度が非常に重要になってきている。
【００１８】
そして、多段噴射では、図７のコンデンサ５にチャージ電圧Ｖｃが目標値となるまで充電した１回充電分の電荷を、その多段噴射の各回で使用することとなるため、コンデンサ５としては、容量の大きいものが必要となる。
【００１９】
しかし、フイルムコンデンサでは、ＥＳＲの温度変化が小さく噴射量精度の面では有利であるものの、多段噴射に対応できる大容量を実現しようとすると、サイズが非常に大きくなり、車両搭載に適したサイズに装置を設計することが困難になってしまう。
【００２０】
そこで、図７のコンデンサ５として、大容量で小型なアルミ電解コンデンサを使用することが考えられるが、アルミ電解コンデンサは、ＥＳＲの温度変化が大きいため、要求される噴射量精度を実現することが困難になってしまう。よって、実際にコンデンサ５としてアルミ電解コンデンサを用いることはできなかった。
【００２１】
本発明は、こうした問題に鑑みなされたものであり、インジェクタの電磁コイルに開弁用大電流を流すためのコンデンサのＥＳＲ温特に起因した噴射量のばらつきを抑制可能なインジェクタ駆動装置の提供を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的を達成するためになされた請求項１のインジェクタ駆動装置は、電源電圧を昇圧してコンデンサを充電する充電手段と、その昇圧された電圧が発生するコンデンサの出力端子とインジェクタの電磁コイルとを結ぶ電流経路に設けられ、オンすることで該電流経路を連通する放電用スイッチング素子とを備えている。そして、このインジェクタ駆動装置では、電磁コイルに通電すべき通電期間の開始時に、放電用スイッチング素子をオンして、コンデンサから放電用スイッチング素子を介し電磁コイルへ電流を放電させることにより、インジェクタを開弁状態へと移行させる。
【００２３】
ここで特に、請求項１のインジェクタ駆動装置では、放電用スイッチング素子がオンされてコンデンサが放電する際の、該コンデンサの出力端子の電圧である放電電圧の傾きを、放電傾き検出手段が検出する。そして、オン抵抗制御手段が、放電用スイッチング素子のオン時の抵抗を、放電傾き検出手段により検出された放電電圧の傾きに応じて、該傾きが急なほど小さくなるように制御する。
【００２４】
つまり、この種のインジェクタ駆動装置では、図８に示したように、温度が低下してコンデンサのＥＳＲが大きくなるほど、コンデンサの放電電圧の傾き（低下の傾き）が急になって、コンデンサから電磁コイルへの放電電流の傾き（上昇の傾き）が緩くなってしまうため、請求項１のインジェクタ駆動装置では、コンデンサの放電電圧の傾きが急なほど（即ち、コンデンサのＥＳＲが大きい場合ほど）、放電用スイッチング素子のオン時の抵抗を小さくすることで、コンデンサのＥＳＲと放電用スイッチング素子のオン時の抵抗との合計が、温度によらず、ほぼ一定となるようにしている。
【００２５】
このため、請求項１のインジェクタ駆動装置によれば、コンデンサのＥＳＲが温度で変化しても、コンデンサから電磁コイルへ放電される放電電流の立ち上がりをほぼ一定にすることができ、その結果、通電期間の開始タイミングからインジェクタが開弁するまでの時間（いわゆる開弁応答性）をほぼ一定にすることができる。よって、コンデンサのＥＳＲ温特に起因した噴射量のばらつきを抑制することができる。
【００２６】
そして、このことから、コンデンサとして、ＥＳＲの温度変化が比較的大きいものの大容量で小型なアルミ電解コンデンサを用いても、高い噴射量精度を実現することができ、延いては、小型で噴射量精度の高い装置を実現することができる。また特に、多段噴射を行う場合に有効である。
【００２７】
ところで、放電傾き検出手段としては、コンデンサの放電電圧の傾きに応じた電圧を出力する微分回路を用いることができる。そして、この場合、オン抵抗制御手段は、放電用スイッチング素子のオン時の抵抗を、その微分回路の出力電圧に応じて、該出力電圧が前記放電電圧の傾きが急なことを示す電圧であるほど小さくなるように制御する構成であれば良い。
【００２８】
また、微分回路としては、例えば、能動素子を含むアナログのアクティブ微分回路と、受動素子のみからなるアナログのパッシブ微分回路との、何れかを用いることができる。
特に、アクティブ微分回路を用いれば、コンデンサの放電が開始されてから、該微分回路の出力電圧がコンデンサの放電電圧の傾きに対応した値（換言すれば、温度に対応した値）に到達するまでの遅れ時間ｔｄ及び該遅れ時間ｔｄのばらつきが比較的小さいため、パッシブ微分回路を用いた場合よりも、噴射量ばらつきを一層低減することができる。
【００２９】
また逆に、パッシブ微分回路を用いれば、上記遅れ時間ｔｄ及び該遅れ時間ｔｄのばらつきが比較的大きく、その遅れ時間ｔｄのばらつきの分、噴射量ばらつきが残る可能性があるものの、回路を低コストな素子で構成することができるため、その面においては有利である。
【００３０】
一方、放電傾き検出手段としての微分回路は、アナログの回路に限らず、ＣＰＵ、ＡＤコンバータ、及びＤＡコンバータを有したディジタル回路によって構成しても良い。
そして、この手法によれば、アナログ微分回路を設ける必要がなく、特に、当該インジェクタ駆動装置が、例えばエンジン制御などの車両に関する制御を行うためにＣＰＵ、ＡＤコンバータ、及びＤＡコンバータを備えた電子制御装置と一体化される場合に、そのＣＰＵ、ＡＤコンバータ、及びＤＡコンバータに微分回路としての役割も担わせるように構成することで、追加部品を大幅に減少させることができる。
【００３１】
尚、微分回路を、ＣＰＵ、ＡＤコンバータ、及びＤＡコンバータを有したディジタル回路で構成する場合、具体的には、以下のようにすれば良い。
即ち、ＣＰＵは、放電用スイッチング素子がオンされると、コンデンサの放電電圧をＡＤコンバータにより時間差をおいて複数回読み取ると共に、その各読み取り値から放電電圧の微分値を算出する微分値算出処理を実行する。そして、ＣＰＵは、その微分値算出処理で算出した微分値に比例した電圧を、ＤＡコンバータに出力電圧として出力させれば良い。
【００３２】
また特に、この場合、ＣＰＵは、少なくとも放電用スイッチング素子がオンされている間、放電用スイッチング素子が前回オンされたときに上記微分値算出処理で算出した微分値に比例した電圧を、ＤＡコンバータに出力電圧として出力させるように構成すれば、アナログ微分回路を用いた場合に生じる上記遅れ時間ｔｄを無くすことができる。尚、この場合、電磁コイルへの通電時（今回の噴射時）において、ＤＡコンバータから出力される電圧は、前回の通電時（前回の噴射時）の温度に応じた電圧となり、今回の噴射時には前回噴射時の温度が反映されることとなるが、エンジンの始動時を含む全ての運転領域において、温度が変化する時間よりも噴射間隔の方が十分に短いため、全く問題はなく、コンデンサのＥＳＲ温特に起因した噴射量のばらつきを十分に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下に、本発明が適用された実施形態のインジェクタ駆動装置について説明する。尚、以下の説明及び該説明で用いる各図において、図７及び図８に示したものと同様の構成要素、電圧及び電流については、同一の符号を用いるため、詳細な説明は省略する。
【００３４】
まず図１は、第１実施形態のインジェクタ駆動装置３１の構成を表す構成図であり、図２は、そのインジェクタ駆動装置３１の作用を表すタイムチャートである。
図１に示すように、第１実施形態のインジェクタ駆動装置３１は、図７に示した従来のインジェクタ駆動装置１０１と比較すると、下記（１−１）〜（１−３）の点が異なっている。
【００３５】
（１−１）コンデンサ５が放電する際のチャージ電圧Ｖｃの傾き（即ち、低下方向の傾きであり、コンデンサ５の放電電圧の傾き）を検出するために、微分回路３３が設けられている。
【００３６】
この微分回路３３は、能動素子であるオペアンプ３５を備えた周知のアクティブ微分回路であり、詳しくは、オペアンプ３５と、オペアンプ３５の反転入力端子に一端が接続されたコンデンサ３７と、オペアンプ３５の出力端子と反転入力端子との間に接続された抵抗３９と、オペアンプ３５の非反転入力端子に一定の基準電圧Ｖｒを印加する定電圧源４１とを備えている。
【００３７】
そして、本インジェクタ駆動装置３１では、コンデンサ５のチャージ電圧Ｖｃを分圧するために、コンデンサ５の出力端子（コンデンサ５のダイオード７側の端子）とグランド電位との間に２つの抵抗４３，４５が直列に接続されており、その抵抗４３，４５同士の接続点に、上記コンデンサ３７のオペアンプ３５側とは反対側の端子が接続されている。
【００３８】
このため、微分回路３３は、抵抗４３，４５同士の接続点に生じるチャージ電圧Ｖｃの分圧電圧Ｖｓを入力電圧とし、その電圧Ｖｓを微分した微分電圧Ｖｄを、オペアンプ３５の出力端子から出力する。そして、その微分電圧Ｖｄは、図２に示すように、チャージ電圧Ｖｃの傾きに応じた定電圧であって、そのチャージ電圧Ｖｃの低下方向の傾きが急なほど、基準電圧Ｖｒからの上昇分が大きい電圧となる。尚、図２におけるｔｄは、微分回路３３の動作遅れ時間であって、詳しくは、微分電圧Ｖｄが入力電圧の傾きに応じた電圧に安定するまでの遅れ時間である。
【００３９】
（１−２）トランジスタＴ２のゲートとソース間に抵抗４７が接続されていると共に、トランジスタＴ２のゲートに抵抗４９の一端が接続されている。
更に、放電スイッチとしてのトランジスタＴ２をオンさせるために、３つのトランジスタ（本実施形態ではＮチャネルＭＯＳＦＥＴ）Ｔ５，Ｔ６，Ｔ７が設けられている。
【００４０】
そして、上記抵抗４９の他端にトランジスタＴ５のドレインが接続されており、そのトランジスタＴ５のソースは、互いのソースがグランド電位に接続された２つのトランジスタＴ６，Ｔ７のドレインに接続されている。
【００４１】
ここで、トランジスタＴ５とトランジスタＴ７は、制御ＩＣ１から各自のゲートに供給される駆動信号によって、完全なオン状態（飽和領域でのオン状態）とオフ状態とに切り替えられるが、トランジスタＴ６は、微分回路３３からの微分電圧Ｖｄがゲートに供給されて、その微分電圧Ｖｄに応じた一定電流を自己のドレイン・ソース間に流す定電流回路として機能する。尚、トランジスタＴ６には、微分電圧Ｖｄが大きいほど、大きな定電流が流れる。
【００４２】
そして、制御ＩＣ１によりトランジスタＴ５がオンされ且つトランジスタＴ７がオフされている場合には、トランジスタＴ２のゲート・ソース間に接続された抵抗４７に、トランジスタＴ５とトランジスタＴ６を介して、微分回路３３からの微分電圧Ｖｄに応じた一定電流Ｉｇが流れ、トランジスタＴ２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが、チャージ電圧Ｖｃによらず、微分電圧Ｖｄに応じた値（抵抗４７の抵抗値をＲ４７とすると、Ｖｇｓ＝Ｒ４７×Ｉｇ）となり、その結果、トランジスタＴ２は、微分電圧Ｖｄに応じたオン抵抗を有しつつ能動領域でオンするようになっている。この場合、トランジスタＴ２のオン抵抗は、微分電圧Ｖｄが大きいほど小さくなる。
【００４３】
尚、制御ＩＣ１によりトランジスタＴ５とトランジスタＴ７とが両方共にオンされたならば、トランジスタＴ７によってトランジスタＴ６のパス経路が形成されるため、トランジスタＴ２は、微分電圧Ｖｄに拘わらず飽和領域でオンする。
【００４４】
また、図７では図示を省略したが、従来のインジェクタ駆動装置１０１においても、抵抗４７，４９及びトランジスタＴ５は設けられており、そのトランジスタＴ５のソースがグランド電位に常時接続されている。そして、従来装置１０１における制御ＩＣ１は、トランジスタＴ５をオン／オフさせることで、トランジスタＴ２をオン／オフさせる。つまり、本第１実施形態では、従来装置１０１と比較すると、トランジスタＴ２をオンさせるために、トランジスタＴ６，Ｔ７を追加している。
【００４５】
（１−３）コンデンサ５は、アルミ電解コンデンサである。
次に、本インジェクタ駆動装置３１の動作について説明する。尚、ここでは、従来のインジェクタ駆動装置１０１と異なる点を中心に説明する。
【００４６】
図２に示すように、本インジェクタ駆動装置３１においても、制御ＩＣ１は、インジェクタの電磁コイル１７に通電すべき通電期間の間、気筒スイッチとしてのトランジスタＴ４をオンさせる。
【００４７】
そして、制御ＩＣ１は、その通電期間の開始時から、電磁コイル１７に流れる電流（インジェクタ駆動電流）ＩＪが規定値ｉｐに達したことを検知するまでの間、放電スイッチとしてのトランジスタＴ２をオンさせために、トランジスタＴ５をオンさせるが、このようにトランジスタＴ５をオンさせた時点（即ち、通電期間の開始時）から、ある微少な所定時間だけ、トランジスタＴ７をオンさせる。
【００４８】
すると、まず、トランジスタＴ７がオンされている上記所定時間の間は、トランジスタＴ２が完全にオン（飽和領域でオン）し、これにより、「コンデンサ５→トランジスタＴ２→電磁コイル１７→トランジスタＴ４→抵抗１５→グランド電位」の放電経路が形成されて、電磁コイル１７にコンデンサ５からの放電電流Ｉｄｃがインジェクタ駆動電流ＩＪとして流れ始める。
【００４９】
また、トランジスタＴ４，Ｔ５，Ｔ７のオンタイミングから微分回路３３の動作遅れ時間ｔｄが経過した時点で、その微分回路３３から出力される微分電圧Ｖｄが、コンデンサ５の放電に伴うチャージ電圧Ｖｃの傾きに応じた一定値に到達する。
【００５０】
そして、制御ＩＣ１がトランジスタＴ７をオフさせると、トランジスタＴ５がオンで且つトランジスタＴ７がオフの状態となり、前述したように、トランジスタＴ２は、微分回路３３からの微分電圧Ｖｄに応じたオン抵抗を有した状態でオンすることとなる。
【００５１】
その後、制御ＩＣ１は、電磁コイル１７に流れるインジェクタ駆動電流ＩＪが規定値ｉｐに達すると、トランジスタＴ５をオフさせる。すると、トランジスタＴ２がオフすることとなる。
【００５２】
そして、その後は、従来のインジェクタ駆動装置１０１と同様に、制御ＩＣ１は、通電期間の開始時からみて一定時間後のタイミングまで、電磁コイル１７に開弁保持用の第１定電流ｉｈ１が流れるようにトランジスタＴ３をデューティ制御し、更に、そのタイミングが到来すると、その時点から通電期間が終了するまで、電磁コイル１７に開弁保持用の第２定電流ｉｈ２（＜ｉｈ１）が流れるようにトランジスタＴ３をデューティ制御する。
【００５３】
このような本第１実施形態のインジェクタ駆動装置３１においては、図２の実線（＝高温時）と点線（＝低温時）とでそれぞれ示すように、温度の違いによってコンデンサ５のＥＳＲが変化すると（低温ほど高抵抗）、コンデンサ５が放電する際のチャージ電圧Ｖｃの低下速度が変化するが（低温ほど急峻）、微分回路３３からは、その放電時チャージ電圧Ｖｃの傾きに応じた定電圧（急峻ほど高電圧）が微分電圧Ｖｄとして出力される。
【００５４】
そして、トランジスタＴ６が、その微分電圧Ｖｄに応じた定電流Ｉｇ（高電圧ほど高電流）を抵抗４７に流すこととなり、その結果、トランジスタＴ２のゲート・ソース間には、その定電流Ｉｇに応じた電圧Ｖｇｓ（高電流ほど高電圧）が発生する。
【００５５】
ここで、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに対応するトランジスタＴ２の能動領域でのオン抵抗は、ＭＯＳＦＥＴの電気特性として自明であるが、高電圧ほど低抵抗である。よって、トランジスタＴ２のオン抵抗は、低温時ほど小さくなる。
【００５６】
つまり、本実施形態のインジェクタ駆動装置３１では、温度の低下に応じて、正にリニア変化するコンデンサ５のＥＳＲに対し、トランジスタＴ２のオン抵抗を負にリニア変化させている。例えば、低温時にコンデンサ５のＥＳＲが増大すると、チャージ電圧Ｖｃの低下が急峻となって、微分回路３３からの微分電圧Ｖｄが増加し、これによりトランジスタＴ６に流れる定電流Ｉｇが増加して、トランジスタＴ２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが増加し、その結果、トランジスタＴ２のオン抵抗が低下する。そして、このような動作により、コンデンサ５から電磁コイル１７への放電経路上の抵抗の合計が、温度によらずほぼ一定となるようにしている。
【００５７】
このため、コンデンサ５のＥＳＲが温度で変化しても、図２に示すように、コンデンサ５から電磁コイル１７へ放電される放電電流Ｉｄｃの立ち上がり速度をほぼ一定にすることができ、その結果、通電期間の開始タイミングからインジェクタが開弁するまでの時間（開弁応答性）を、温度によらずほぼ一定にすることができる。
【００５８】
よって、コンデンサ５として、小型且つ大容量であるがＥＳＲの温度変化が比較的大きいアルミ電解コンデンサを用いているにも拘わらず、そのコンデンサ５のＥＳＲ温特に起因した燃料噴射量のばらつきを抑制することができ、高い噴射量精度を実現することができる。
【００５９】
尚、微分回路３３と、トランジスタＴ２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓを発生させる回路（主に抵抗４７，４９及びトランジスタＴ６）との特性は、コンデンサ５のＥＳＲとトランジスタＴ２のオン抵抗との合計が温度によらず常に一定となる（以下、このことを補完関係という）ように設定するのがベストであるが、コンデンサ５のＥＳＲとトランジスタＴ２のオン抵抗とが完全に補完関係となる設定ができなくても、コンデンサ５のＥＳＲ温特に起因した噴射量ばらつきを低減させることができるのは言うまでもない。
【００６０】
また、図２では、トランジスタＴ７をオンさせる時間が、微分回路３３の動作遅れ時間ｔｄと全く同じであるように表しているが、トランジスタＴ７は、通電期間の開始時にトランジスタＴ２をオンさせるトリガの役割を果たしているだけであるため、そのトランジスタＴ７のオン時間は、微分回路３３の動作遅れ時間ｔｄと必ずしも同じである必要はない。つまり、トランジスタＴ７のオン時間は、設計上予想される微分回路３３の動作遅れ時間ｔｄとほぼ同じ程度に設定しておけば良く、厳密には、その遅れ時間ｔｄより多少短くても長くても構わない。
【００６１】
一方、本第１実施形態では、トロイダルコイル３、トランジスタＴ１、ダイオード７及び抵抗１３からなる昇圧回路が、充電手段に相当し、放電スイッチであるトランジスタＴ２が、放電用スイッチング素子に相当している。そして、微分回路３３が、放電傾き検出手段に相当し、抵抗４７，４９及びトランジスタＴ６が、オン抵抗制御手段に相当している。
【００６２】
次に、第２実施形態について説明する。
図３に示すように、第２実施形態のインジェクタ駆動装置５１は、第１実施形態のインジェクタ駆動装置３１と比較すると、下記（２−１）及び（２−２）の点が異なっている。
【００６３】
（２−１）微分回路３３の代わりに、受動素子のみからなるパッシブ微分回路５３を用いている。
即ち、この微分回路５３は、電源電圧Ｖｈに一端が接続された抵抗５５と、その抵抗５５の他端に一端が接続されたコンデンサ５７とからなり、コンデンサ５７の他端が、抵抗４３，４５同士の接続点に接続されている。そして、電源電圧Ｖｈは、抵抗４３，４５同士の接続点に生じるチャージ電圧Ｖｃの分圧電圧Ｖｓよりも高い電圧であり、本実施形態では、例えばバッテリ電圧ＶＢを用いている。
【００６４】
このため、微分回路５３は、チャージ電圧Ｖｃの分圧電圧Ｖｓを入力電圧とし、その電圧Ｖｓを微分した微分電圧Ｖｄを、抵抗５５とコンデンサ５７との接続点から出力する。そして、その微分電圧Ｖｄは、チャージ電圧Ｖｃの傾きに応じた定電圧であって、そのチャージ電圧Ｖｃの低下方向の傾きが急なほど、電源電圧Ｖｈからの下降分が大きい電圧となる。
【００６５】
（２−２）微分回路５３が出力する微分電圧Ｖｄは、第１実施形態の微分電圧Ｖｄとは逆の変化特性（即ち、チャージ電圧Ｖｃの低下方向の傾きが急なほど低くなる特性）であるため、その微分回路５３が出力する微分電圧Ｖｄの変化特性を逆にした定電圧をトランジスタＴ６のゲートに供給するために、トランジスタ（本実施形態ではＰチャネルＭＯＳＦＥＴ）Ｔ８と抵抗５９とが設けられている。
【００６６】
即ち、トランジスタＴ８のソースが電源電圧Ｖｈに接続されていると共に、該トランジスタＴ８のゲートが微分回路５３を成す抵抗５５とコンデンサ５７との接続点に接続されている。更に、そのトランジスタＴ８のドレインが、トランジスタＴ６のゲートに接続されていると共に、抵抗５９を介してグランド電位に接続されている。
【００６７】
そして、トランジスタＴ８は、微分回路５３が出力する微分電圧Ｖｄに応じて能動領域でオンする（詳しくは、微分電圧Ｖｄが低いほどオン抵抗が小さい状態でオンする）ようになっており、該トランジスタＴ８のドレインの電圧（つまり、トランジスタＴ６のゲート電圧）は、第１実施形態の微分回路３３から出力される微分電圧Ｖｄと同様に、チャージ電圧Ｖｃの傾きに応じた定電圧であって、そのチャージ電圧Ｖｃの低下方向の傾きが急なほど、高い電圧となる。
【００６８】
つまり、本第２実施形態では、トランジスタＴ８のドレイン電圧が、コンデンサ５のＥＳＲの変化に対して、第１実施形態の微分電圧Ｖｄと同様に変化し、このため、第１実施形態と全く同様に、トランジスタＴ２のオン抵抗は、温度が低下するほど小さくなる。
【００６９】
そして、本第２実施形態においても、微分回路５３と、トランジスタＴ２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓを発生させる回路（主に抵抗４７，４９，５９及びトランジスタＴ６，Ｔ８）との特性を、コンデンサ５のＥＳＲとトランジスタＴ２のオン抵抗との合計が温度によらず常にほぼ一定となるように設定している。
【００７０】
このため、本第２実施形態のインジェクタ駆動装置５１によっても、第１実施形態のインジェクタ駆動装置３１と同様に、コンデンサ５としてアルミ電解コンデンサを用いているにも拘わらず、そのコンデンサ５のＥＳＲ温特に起因した燃料噴射量のばらつきを抑制することができる。尚、本第２実施形態では、抵抗４７，４９，５９及びトランジスタＴ６，Ｔ８が、オン抵抗制御手段に相当している。
【００７１】
一方、本第２実施形態で用いたパッシブ微分回路５３は、第１実施形態で用いたアクティブ微分回路３３と比較すると、動作遅れ時間ｔｄ及び該遅れ時間ｔｄのばらつきが大きいため、電磁コイル１７のインダクタンス等で決まるコンデンサ５の放電期間における該遅れ時間ｔｄのばらつきの割合が大きくなって、噴射量ばらつきが比較的大きく残る可能性はある。しかし、少なくともコンデンサ５のＥＳＲ温特に起因した噴射量ばらつきは除外することができる。そして、アクティブ微分回路３３よりも低コストで済むため、その点においては有利である。
【００７２】
逆に言えば、第１実施形態のアクティブ微分回路３３を用いれば、パッシブ微分回路５３を用いた場合よりも高コストにはなるが、動作遅れ時間ｔｄ及び該遅れ時間ｔｄのばらつきが比較的小さいため、噴射量ばらつきを一層確実に低減することができる。
【００７３】
次に、第３実施形態について説明する。
図４に示すように、第３実施形態のインジェクタ駆動装置６１は、第１実施形態のインジェクタ駆動装置３１と比較すると、下記（３−１）及び（３−２）の点が異なっている。
【００７４】
（３−１）微分回路３３の代わりに、ＣＰＵ６３、ＡＤコンバータ６５、及びＤＡコンバータ６７を有したディジタル回路としてのマイコン６９を用いている。そして、そのマイコン６９のＡＤコンバータ６５にチャージ電圧Ｖｃの分圧電圧Ｖｓが入力されると共に、ＤＡコンバータ６７の出力端子がトランジスタＴ６のゲートに接続されており、ＣＰＵ６３が、後述する図５の微分処理を実行することで、ＤＡコンバータ６７からトランジスタＴ６のゲートへ、チャージ電圧Ｖｃ（分圧電圧Ｖｓ）の傾きに応じた微分電圧Ｖｄを出力させるようになっている。
【００７５】
（３−２）トランジスタＴ７が削除されている。つまり、前述した第１及び第２実施形態では、アナログ微分回路３３，５３の出力によってトランジスタＴ６を能動領域でオンさせており、電磁コイル１７への通電期間の開始時において、そのトランジスタＴ６だけでは、抵抗４７にトランジスタＴ２をオンさせることが可能な電流を流せない可能性があるため、トランジスタＴ６と並列にトランジスタＴ７を設けて、そのトランジスタＴ７を通電期間の開始時に所定時間だけオンさせることにより、トランジスタＴ２を確実にオンさせるようにした。これに対して、本第３実施形態のインジェクタ駆動装置６１では、マイコン６９のＤＡコンバータ６７からトランジスタＴ６のゲートへ、該トランジスタＴ６をオンさせるための電圧を供給するようにしているため、トランジスタＴ７を設けなくても、通電期間の開始時において、抵抗４７にトランジスタＴ２をオンさせることが可能な電流を流すことができるからである。
【００７６】
次に、マイコン６９のＣＰＵ６３が実行する微分処理について、図５を用いて説明する。尚、図５の微分処理は、車両のイグニッションスイッチ（図示省略）がオンされて、ＣＰＵ６３が起動すると開始される。
【００７７】
図５に示すように、ＣＰＵ６３が微分処理の実行を開始すると、まずＳ１１０にて、ＤＡコンバータ６７の出力値であるＤＡ出力値（即ち、ＤＡコンバータ６７からトランジスタＴ６のゲートに出力する微分電圧Ｖｄの値）を、本装置６１の内部温度（以下、ＥＣＵ温度という）に応じた初期値に設定する。
【００７８】
具体的に説明すると、マイコン６９の図示しないメモリには、ＥＣＵ温度毎のＤＡ出力値の初期値が予め記憶されており、このＳ１１０では、実際のＥＣＵ温度を検出（又は推定）し、その実際のＥＣＵ温度に対応する初期値を上記メモリから読み出して、ＤＡ出力値として設定する。また、ＥＣＵ温度は、本装置６１内に温度センサが設けられているならば、その温度センサの出力信号から検出すれば良く、そのような温度センサが設けられていないのであれば、例えば、エンジンの吸気温センサによって検出される吸気温度をＥＣＵ温度として代用することができる。エンジンの作動初期において、吸気温度はＥＣＵ温度とほぼ同じであると見なすことができるからである。
【００７９】
次に、Ｓ１２０にて、気筒スイッチとしてのトランジスタＴ４がオフ状態からオンされるまで待つ。尚、トランジスタＴ４がオンされたことは、例えば、制御ＩＣ１からトランジスタＴ４へ出力される駆動信号をモニタすることで検知できる。また例えば、マイコン６９と制御ＩＣ１とが一体化されたものである場合、Ｓ１２０では、トランジスタＴ４への駆動信号をアクティブレベルにするタイミングまで待つこととなる。
【００８０】
そして、トランジスタＴ４がオンされると（Ｓ１２０：ＹＥＳ）、Ｓ１３０に進んで、チャージ電圧Ｖｃの分圧電圧ＶｓをＡＤコンバータ６５にＡＤ変換させ、そのＡＤ変換値（以下、ＡＤ値という）を、Ｖｓ１として記憶する。
【００８１】
その後、Ｓ１４０にて、予め定められた一定時間ｔｗだけ待ち、続くＳ１５０にて、再び、チャージ電圧Ｖｃの分圧電圧ＶｓをＡＤコンバータ６５にＡＤ変換させ、そのＡＤ値を、Ｖｓ２として記憶する。
【００８２】
そして、続くＳ１６０にて、分圧電圧Ｖｓの微分値「ｄＶｓ／ｄｔ」を、下記の式１により算出する。
ｄＶｓ／ｄｔ＝（Ｖｓ１−Ｖｓ２）／ｔｗ  …式１
そして更に、続くＳ１７０にて、上記Ｓ１６０で算出した微分値「ｄＶｓ／ｄｔ」に、予め定められた係数αを乗じた値（＝α×ｄＶｓ／ｄｔ）を、ＤＡコンバータ６７に出力させる微分電圧Ｖｄの値であるＶｄ値として算出する。尚、係数αは、本装置６１が使用される温度範囲において、トランジスタＴ２のオン抵抗とコンデンサ５のＥＳＲとが補完関係になる微分電圧Ｖｄを生成できるような正の値に設定されている。
【００８３】
次に、Ｓ１８０にて、気筒スイッチとしてのトランジスタＴ４がオン状態からオフされるまで待つ。尚、トランジスタＴ４がオフされたことは、上記Ｓ１２０の説明で述べた手法と同様の手法で検知することができる。
【００８４】
そして、トランジスタＴ４がオフされると（Ｓ１８０：ＹＥＳ）、上記Ｓ１７０で今回算出したＶｄ値をＤＡ出力値として設定し、上記Ｓ１２０へ戻る。このため、トランジスタＴ４が今回オフされてから、次にトランジスタＴ４がオンからオフされるまでの間、ＤＡコンバータ６７からトランジスタＴ６のゲートへ、今回算出したＶｄ値の電圧が微分電圧Ｖｄとして出力されることとなる。
【００８５】
つまり、本第３実施形態では、電磁コイル１７への通電を行う燃料噴射時毎に、チャージ電圧Ｖｃの分圧電圧Ｖｓの傾きから微分電圧Ｖｄの値（Ｖｄ値）を算出し、その算出した微分電圧Ｖｄを、次の燃料噴射時に反映するようにしている。
【００８６】
具体的には、本第３実施形態のインジェクタ駆動装置６１においても、図６に示すように、電磁コイル１７に通電すべき通電期間の開始時に、トランジスタＴ４とトランジスタＴ５がオンされるが、この時点で、ＤＡコンバータ６７からは、前回の噴射時に図５のＳ１７０で算出されたＶｄ値の電圧が微分電圧Ｖｄとして出力されており、その微分電圧ＶｄによってトランジスタＴ６が能動領域でオンしているため、トランジスタＴ５のオンと同時にトランジスタＴ２がオンして、コンデンサ５の放電が開始されることとなる。
【００８７】
そして、ＣＰＵ６３は、図６において「Ｖｓ１」と「Ｖｓ２」との各符号を付したタイミングであって、コンデンサ５の放電開始時と、その時点から一定時間ｔｗが経過した時との２つのタイミングにて、チャージ電圧Ｖｃの分圧電圧ＶｓをＡＤコンバータ６５により読み取り（Ｓ１３０〜Ｓ１５０）、その読み取った２つのＡＤ値から分圧電圧Ｖｓの微分値を算出している（Ｓ１６０）。
【００８８】
そして更に、ＣＰＵ６３は、トランジスタＴ４がオン状態からオフされたタイミングで、ＤＡコンバータ６７からトランジスタＴ６への微分電圧（ＤＡ出力値）Ｖｄを、今回算出した微分値に係数αを乗じた電圧に更新するようにしている。
【００８９】
よって、次回にトランジスタＴ５がオンされてトランジスタＴ２がオンする際には、前回噴射時に図５のＳ１７０で算出されたＶｄ値の電圧が、ＤＡコンバータ６７からトランジスタＴ６のゲートへ出力され、トランジスタＴ２は、前回噴射時の温度に応じたオン抵抗でオンすることとなる。
【００９０】
尚、その他の動作については、第１実施形態のインジェクタ駆動装置３１と同じなので説明は省略する。また、本第３実施形態では、図５のＳ１３０〜Ｓ１６０が、微分値算出処理に相当している。
【００９１】
以上のような第３実施形態のインジェクタ駆動装置６１によれば、トランジスタＴ２がオンされる時には、そのトランジスタＴ２が前回オンされたときに算出された微分値に比例した電圧が、ＤＡコンバータ６７からトランジスタＴ６のゲートへ出力されているため、アナログの微分回路３３，５３を用いた場合に生じる前述の遅れ時間ｔｄを無くすことができ、その遅れ時間ｔｄのばらつきに起因する噴射量ばらつきを皆無にすることができる。
【００９２】
尚、この場合、電磁コイル１７への通電時（今回の噴射時）において、ＤＡコンバータ６７から出力される微分電圧Ｖｄは、前回の通電時（前回の噴射時）の温度に応じた電圧となり、今回の噴射時には前回噴射時の温度が反映されることとなるが、エンジンの始動時を含む全ての運転領域において、温度が変化する時間よりも噴射間隔の方が十分に短いため、全く問題はなく、コンデンサ５のＥＳＲ温特に起因した噴射量のばらつきを十分に抑制することができる。
【００９３】
そして更に、本第３実施形態のインジェクタ駆動装置６１によれば、アナログ微分回路を設ける必要がなく、特に、ＣＰＵ、ＡＤコンバータ、及びＤＡコンバータを微分以外の他の用途で既に備えている装置構成の場合には、図４のマイコン６９をわざわざ追加して設ける必要がないため、追加部品を大幅に減少させることができる。
【００９４】
一方、上記第３実施形態において、ＡＤコンバータ６５と、ＤＡコンバータ６７は、ＣＰＵ６３と一体化されていなくても良い。
また、上記第３実施形態では、ＤＡ出力値の更新を、トランジスタＴ４のオフタイミングで行うようにしたが、例えば、トランジスタＴ５のオフタイミングで行うようにしても良く、この場合には、図５のＳ１８０にて、トランジスタＴ５がオフされるまで待つように変形すれば良い。また例えば、ＤＡ出力値の更新は、トランジスタＴ４，Ｔ５のオンタイミングで行うようにしても良く、この場合には、図５のＳ１８０及びＳ１９０を削除すると共に、図５におけるＳ１３０の直前にて、前回のＳ１７０で算出したＶｄ値をＤＡ出力値として設定するように構成すれば良い。何れにしても、少なくともトランジスタＴ２がオンされている間、トランジスタＴ２が前回オンされたときに図５のＳ１７０で算出したＶｄ値の電圧が、ＤＡコンバータ６７から出力されるようにすれば良い。
【００９５】
ところで、前述した各実施形態について、コスト面と、微分回路の動作遅れ時間ばらつきに起因する噴射量ばらつきの面との、それぞれに着目した優位性を比較すると、下記のようになる。尚、下記の「＞」は、右側よりも左側の方が優れていることを示している。
【００９６】
即ち、まずコスト面では、もし、ＣＰＵ、ＡＤコンバータ、及びＤＡコンバータが既に微分以外の他の用途で装置内に存在するのであれば、「第３実施形態＞第２実施形態＞第１実施形態」となり、ＣＰＵ、ＡＤコンバータ、及びＤＡコンバータが既に存在しないのであれば、「第２実施形態＞第１実施形態＞第３実施形態」となる。
【００９７】
また、微分回路の動作遅れ時間ばらつきに起因する噴射量ばらつきの面では、「第３実施形態＞第１実施形態＞第２実施形態」となる。
つまり、回路コストと噴射量ばらつき低減ニーズの大きさ（少なくともコンデンサ５のＥＳＲ温特要因の噴射量ばらつきだけ低減できればよいか、微分回路の動作遅れ時間ばらつき要因の噴射量ばらつきまで低減したいか）との兼ね合いで、何れかの実施形態を選択すれば良い。
【００９８】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施し得ることは勿論である。
【００９９】
例えば、上記各実施形態では、トロイダルコイル３によって昇圧電圧を発生させる昇圧回路を用いたが、昇圧回路としては、トランスを用いたものを搭載するようにしても良い。
【０１００】
また、前述したトランジスタＴ１〜Ｔ８のそれぞれとしては、ＭＯＳＦＥＴに限らず、他のタイプのトランジスタ（例えばバイポーラトランジスタ）を用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】第１実施形態のインジェクタ駆動装置の構成を表す構成図である。
【図２】第１実施形態のインジェクタ駆動装置の作用を表すタイムチャートである。
【図３】第２実施形態のインジェクタ駆動装置の構成を表す構成図である。
【図４】第３実施形態のインジェクタ駆動装置の構成を表す構成図である。
【図５】第３実施形態のインジェクタ駆動装置におけるＣＰＵが実行する処理を表すフローチャートである。
【図６】第３実施形態のインジェクタ駆動装置の作用を表すタイムチャートである。
【図７】従来のインジェクタ駆動装置の構成を表す構成図である。
【図８】従来のインジェクタ駆動装置の動作及び問題を表すタイムチャートである。
【符号の説明】
【０１０２】
１…制御ＩＣ、３…トロイダルコイル、５，３７，５７…コンデンサ、７，９，１１…ダイオード、１３，１５，３９，４３，４５，４７，４９，５５，５９…抵抗、１７…インジェクタの電磁コイル、１９，２１…配線、３１，５１，６１…インジェクタ駆動装置、３３…アクティブ微分回路、３５…オペアンプ、４１…定電圧源、５３…パッシブ微分回路、６３…ＣＰＵ、６５…ＡＤコンバータ、６７…ＤＡコンバータ、６９…マイコン、Ｔ１〜Ｔ８…トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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