(57)【要約】【課題】  成膜レートを向上させつつ、形成膜中に窒素を含まないようにし、或いはレジストの架橋反応に影響を与えない程度に窒素含有量を抑制することができる低誘電率絶縁膜の成膜方法を提供するものである。【解決手段】  シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物又はＣＨ3基を有するシリコン含有有機化合物のうち何れか一のシリコンソースと、アルコキシル基（ＯＲ：Ｏは酸素、ＲはＣＨ3又はＣ2Ｈ5）を有する酸素含有有機化合物からなる酸化剤とを含む第１の成膜ガスを生成する工程と、第１の成膜ガスに電力を印加してプラズマを生成し、反応させて基板上に低誘電率絶縁膜を形成する工程とを有する。【選択図】  図２                                                              
2005033189.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物又はＣＨ3基を有するシリコン含有有機化合物のうち何れか一のシリコンソースと、アルコキシル基（ＯＲ：Ｏは酸素、ＲはＣＨ3又はＣ2Ｈ5）を有する酸素含有有機化合物からなる酸化剤とを含む第１の成膜ガスを生成する工程と、
前記第１の成膜ガスに電力を印加してプラズマを生成し、反応させて基板上に低誘電率絶縁膜を形成する工程と
を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記第１の成膜ガスは、前記シリコンソース及び酸化剤の他に、Ｈ2Ｏを含むことを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
前記第１の成膜ガスに、希釈ガスとしてＨｅ、Ａｒ又はＨ2のうち少なくとも何れか一を添加することを特徴とする請求項１又は２の何れか一に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物として２種類以上のシロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物を用い、前記２種類以上のシロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物のうち、少なくとも１種は直鎖状のSi-O-Si結合を有し、少なくとも１種は環状のSi-O-Si結合を有することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物は、
ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ：(CH3)3Si-O-Si(CH3)3）、或いは、
オクタメチルトリシロキサン（ＯＭＴＳ）
【化１】
2005033189.tif 000009
の直鎖状のSi-O-Si結合を有するもの、又は
オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、
【化２】
2005033189.tif 000010
或いは、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）
【化３】
2005033189.tif 000011
の環状のSi-O-Si結合を有するもの
のうち少なくとも何れか一を用いることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記ＣＨ3基を有するシリコン含有有機化合物ガスは、モノメチルシラン（SiH3(CH3)）、ジメチルシラン（SiH2(CH3)2）、トリメチルシラン（SiH(CH3)3）、或いはテトラメチルシラン（Si(CH3)4）のうち何れか一のメチルシランであることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記酸化剤は、シリコンの周りに３個以下のアルコキシル基が結合したものであることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一に記載の成膜方法。
【請求項８】
前記酸化剤は、テトラメトキシシラン、トリメトキシシラン、ジメトキシシラン、メトキシシラン、モノメチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、テトラエトキシシラン、トリエトキシシラン、ジエトキシシラン、エトキシシラン、モノエチルトリエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン又はトリエチルエトキシシランのうち何れか一であることを特徴とする請求項７記載の成膜方法。
【請求項９】
前記第１の成膜ガスに、ＣxＨyＦz又はＣxＨyＢz（ｘ，ｙは０（但し、ｘ＝ｙ＝０を除く。）又は正の整数、ｚは正の整数）を添加することを特徴とする請求項１乃至８の何れか一に記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記ＣxＨyＦzは、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8又はＣＨＦ3であることを特徴とする請求項９記載の成膜方法。
【請求項１１】
前記ＣxＨyＢzは、Ｂ2Ｈ6であることを特徴とする請求項９記載の成膜方法。
【請求項１２】
前記低誘電率絶縁膜を形成する工程の後、該低誘電率絶縁膜をＨｅ、Ａｒ、Ｈ2又は重水素のうち少なくとも何れか一のプラズマに曝すことを特徴とする請求項１乃至１１の何れか一に記載の成膜方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２の何れか一に記載の成膜方法により低誘電率絶縁膜を形成する工程の前又は後の少なくとも何れか一に、シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物又はＣＨ3基を有するシリコン含有有機化合物のうち何れか一のシリコンソースと、アルコキシル基（ＯＲ：Ｏは酸素、ＲはＣＨ3又はＣ2Ｈ5）を有する酸素含有有機化合物からなる酸化剤と、Ｈ2、Ｎ2Ｏ又はＯ2のうち少なくとも何れか一とを含む第２の成膜ガスを生成する工程と、
前記第２の成膜ガスに電力を印加してプラズマを生成し、反応させて基板上にバリア絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記基板に銅膜を主とする配線又は電極が形成されていることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３又は１４の何れか一に記載の半導体装置の製造方法により作成されたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置、より詳しくは、化学気相成長法を用いた低誘電率絶縁膜の成膜方法、銅配線を被覆するバリア絶縁膜及び低誘電率絶縁膜で構成される低誘電率層間絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路装置の高集積度化、高密度化とともに、データ転送速度の高速化が要求されている。このため、ＲＣディレイタイムの小さい低誘電率を有する絶縁膜（以下、低誘電率絶縁膜と称する。）が用いられている。
【０００３】
また、これらの低誘電率絶縁膜の成膜方法では、従来、シリコン含有化合物の他に、酸化剤としてＮ2Ｏ、Ｏ2、Ｈ2Ｏガスが用いられている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、酸化剤としてＮ2Ｏ、Ｏ2、Ｈ2Ｏガスのうち、Ｏ2ガスを用いた成膜では形成膜中にＯＨを含み、比誘電率（ｋ）を３．０以下に低くし難い。
【０００５】
Ｈ2Ｏは酸化速度が遅いため、比較的多くの流量が必要であり、しかもデポジションレートが２００ｎｍ／ｍｉｎ台に下がる。
【０００６】
また、Ｎ2Ｏは酸化のコントロールが容易であるが、形成膜中に窒素（Ｎ）が含まれ、下記理由で化学増幅型レジストの余分な架橋反応を引き起こす虞がある。
【０００７】
即ち、窒素を含む成膜ガスにより成膜された低誘電率絶縁膜に対してデュアルダマシン法によりビアホールや配線溝を形成する際に、０．１３μｍ以下の線幅を露光するＫｒＦやＡｒＦ用の化学増幅レジストを使用した場合、設計どおりのパターンを形成できないという問題があった。種々の調査によれば、この現象は、低誘電率絶縁膜中の窒素が放出されて、レジストの架橋反応を過剰に引き起すことが原因となっていると推定されている。特に、低誘電率絶縁膜の成膜ガスの酸化剤としてＮ2Ｏを用いると、この現象が起きる傾向がある。
【０００８】
本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、成膜レートを向上させつつ、形成膜中に窒素を含まないようにし、或いはレジストの架橋反応に影響を与えない程度に窒素含有量を抑制することができる低誘電率絶縁膜の成膜方法、その低誘電率絶縁膜やより低い誘電率を有するバリア絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、請求項１記載の発明は、成膜方法に係り、シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物又はＣＨ3基を有するシリコン含有有機化合物のうち何れか一のシリコンソースと、アルコキシル基（ＯＲ：Ｏは酸素、ＲはＣＨ3又はＣ2Ｈ5）を有する酸素含有有機化合物からなる酸化剤とを含む第１の成膜ガスを生成する工程と、前記第１の成膜ガスに電力を印加してプラズマを生成し、反応させて基板上に低誘電率絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とし、
請求項２記載の発明は、請求項１記載の成膜方法に係り、前記第１の成膜ガスは、前記シリコンソース及び酸化剤の他に、Ｈ2Ｏを含むことを特徴とし、
請求項３記載の発明は、請求項１又は２の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記第１の成膜ガスに、希釈ガスとしてＨｅ、Ａｒ又はＨ2のうち少なくとも何れか一を添加することを特徴とし、
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物として２種類以上のシロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物を用い、前記２種類以上のシロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物のうち、少なくとも１種は直鎖状のSi-O-Si結合を有し、少なくとも１種は環状のSi-O-Si結合を有することを特徴とし、
請求項５記載の発明は、請求項１乃至４の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物は、
ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ：(CH3)3Si-O-Si(CH3)3）、或いは、
オクタメチルトリシロキサン（ＯＭＴＳ）
【００１０】
【化４】
2005033189.tif 000003
【００１１】
の直鎖状のSi-O-Si結合を有するもの、又は
オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、
【００１２】
【化５】
2005033189.tif 000004
【００１３】
或いは、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）
【００１４】
【化６】
2005033189.tif 000005
【００１５】
の環状のSi-O-Si結合を有するもの
のうち少なくとも何れか一を用いることを特徴とし、
請求項６記載の発明は、請求項１乃至４の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記ＣＨ3基を有するシリコン含有有機化合物ガスは、モノメチルシラン（SiH3(CH3)）、ジメチルシラン（SiH2(CH3)2）、トリメチルシラン（SiH(CH3)3）、或いはテトラメチルシラン（Si(CH3)4）のうち何れか一のメチルシランであることを特徴とし、
請求項７記載の発明は、請求項１乃至６の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記酸化剤は、シリコンの周りに３個以下のアルコキシル基が結合したものであることを特徴とし、
請求項８記載の発明は、請求項７記載の成膜方法に係り、前記酸化剤は、テトラメトキシシラン、トリメトキシシラン、ジメトキシシラン、メトキシシラン、モノメチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、テトラエトキシシラン、トリエトキシシラン、ジエトキシシラン、エトキシシラン、モノエチルトリエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン又はトリエチルエトキシシランのうち何れか一であることを特徴とし、
請求項９記載の発明は、請求項１乃至８の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記第１の成膜ガスに、ＣxＨyＦz又はＣxＨyＢz（ｘ，ｙは０（但し、ｘ＝ｙ＝０を除く。）又は正の整数、ｚは正の整数）を添加することを特徴とし、
請求項１０記載の発明は、請求項９記載の成膜方法に係り、前記ＣxＨyＦzは、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8又はＣＨＦ3であることを特徴とし、
請求項１１記載の発明は、請求項９記載の成膜方法に係り、前記ＣxＨyＢzは、Ｂ2Ｈ6であることを特徴とし、
請求項１２記載の発明は、請求項１乃至１１の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記低誘電率絶縁膜を形成する工程の後、該低誘電率絶縁膜をＨｅ、Ａｒ、Ｈ2又は重水素のうち少なくとも何れか一のプラズマに曝すことを特徴とし、
請求項１３記載の発明は、半導体装置の製造方法に係り、請求項１乃至１２の何れか一に記載の成膜方法により低誘電率絶縁膜を形成する工程の前又は後の少なくとも何れか一に、シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物又はＣＨ3基を有するシリコン含有有機化合物のうち何れか一のシリコンソースと、アルコキシル基（ＯＲ：Ｏは酸素、ＲはＣＨ3又はＣ2Ｈ5）を有する酸素含有有機化合物からなる酸化剤と、Ｈ2、Ｎ2Ｏ又はＯ2のうち少なくとも何れか一とを含む第２の成膜ガスを生成する工程と、
前記第２の成膜ガスに電力を印加してプラズマを生成し、反応させて基板上にバリア絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とし、
請求項１４記載の発明は、請求項１３記載の半導体装置の製造方法に係り、前記基板に銅膜を主とする配線又は電極が形成されていることを特徴とし、
請求項１５記載の発明は、半導体装置に係り、請求項１３又は１４の何れか一に記載の半導体装置の製造方法により作成されたことを特徴としている。
【００１６】
以下に、上記本発明の構成に基づく作用について説明する。
【００１７】
本発明によれば、酸化剤として、アルコキシル基（ＯＲ：Ｏは酸素、ＲはＣＨ3又はＣ2Ｈ5）を有する酸素含有有機化合物からなる酸化剤を用いているため、形成膜中には窒素が含まれない。この場合、酸化剤として窒素を含まないＯ2などを用いずに、アルコキシル基（ＯＲ：Ｏは酸素、ＲはＣＨ3又はＣ2Ｈ5）を有する酸素含有有機化合物を用いるのは、デポレートを高め、かつ形成膜中にカーボンや水素を多く取り込み、より低い比誘電率を有する低誘電率絶縁膜又はバリア絶縁膜を形成することができるためである。特に、より低い比誘電率、例えば低誘電率絶縁膜で２．５以下、バリア絶縁膜で４以下を得るため、アルコキシル基を有する酸素含有有機化合物として、シリコンの周りに３個以下のメトキシ基又はエトキシ基が結合したものを含む酸素含有有機化合物を用いると有効である。
【００１８】
また、酸化剤として、さらにＨ2Ｏを添加することで、形成膜の膜質を向上させることができる。
【００１９】
いずれも、形成膜中に結合が弱いと考えられるＣ−ＨやＯ−Ｈなどが多く含まれるため、比誘電率が２．６乃至２．７とＳＯＤ膜（Spin On Dielectrics）と比べてまだ高い。従って、成膜後に、形成膜に対してプラズマ処理を行って、Ｃ−ＨやＯ−Ｈなどを排出する。
【００２０】
プラズマ処理においては、処理ガスを生成してガス圧力を調整し、その処理ガスに電力を印加してプラズマを生成する。その処理ガスのプラズマを昇温した低誘電率絶縁膜に接触させる。調査によれば、Ｈｅ、Ａｒ、その他の希ガス、Ｈ2又は重水素のうち少なくとも何れか一を含む処理ガスに電力を印加して生成したプラズマを用いることで、形成膜の比誘電率をより低減させることができる。
【００２１】
これにより、低誘電率絶縁膜において、２．４乃至２．５と低い比誘電率で、耐湿性に優れた特性を維持しつつ、窒素を含まないようにし、或いはレジストの架橋反応に影響を与えない程度に窒素含有量を抑制することができる。
【００２２】
さらに、成膜ガスの構成ガスとして、シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物を用いるのは、その化合物中に既にＳｉ−Ｏ−Ｓｉを含んでいるため、形成膜中にＳｉ−Ｏ結合がそのまま取り込まれ、それによって、酸素の余分な反応を抑えることができるからであり、また、形成膜を安定させることができるからである。
【００２３】
また、成膜ガスの構成ガスとして、ＣＨ3基を有するシリコン含有有機化合物を用いるのは、形成膜中にＣＨ3基が多く含まれるとＳｉがＣＨ3基で終端され、空孔が形成されて誘電率を低くできるためである。
【００２４】
また、低誘電率絶縁膜の成膜ガスにＣxＨyＦz又はＣxＨyＢz（ｘ，ｙは０（但し、ｘ＝ｙ＝０を除く。）又は正の整数、ｚは正の整数）を添加して成膜することで、低誘電率絶縁膜とバリア絶縁膜とを積層した構造においてバリア絶縁膜を選択的にエッチングする際に、バリア絶縁膜のエッチャントに対して低誘電率絶縁膜のエッチング耐性を確保することができる。特に、ＣxＨyＦz又はＣxＨyＢzを用いることで、エッチング耐性を確保するとともに、形成膜中にＦやＢを含ませてより低誘電率化を図ることができる。
【００２５】
また、低誘電率絶縁膜とともに用いるバリア絶縁膜においては、低誘電率絶縁膜の場合と同様に、シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物又はＣＨ3基を有するシリコン含有有機化合物のうち何れか一と、酸化剤としてアルコキシル基（ＯＲ：Ｏは酸素、ＲはＣＨ3又はＣ2Ｈ5）を有する酸素含有有機化合物とを含み、さらにＨ2、Ｎ2Ｏ又はＯ2のうち少なくとも何れか一を添加して生成した第２の成膜ガスを用いている。即ち、低誘電率絶縁膜の第１の成膜ガスにさらにＨ2、Ｎ2Ｏ又はＯ2のうち少なくとも何れか一を添加することで、低誘電率絶縁膜と比べて、比誘電率は多少高くなるが、Ｃｕの拡散を阻止する機能を高めた、さらに膜質の良い膜を形成することができる。しかも、バリア絶縁膜中に窒素を含まないようにすることが可能である。
【発明の効果】
【００２６】
以上のように、本発明によれば、酸化剤として、アルコキシル基（ＯＲ：Ｏは酸素、ＲはＣＨ3又はＣ2Ｈ5）を有する酸素含有有機化合物からなる酸化剤を用いているため、形成膜中には窒素が含まれない。これにより、デポレートを高め、かつ形成膜中にカーボンや水素を多く取り込み、より低い比誘電率を有する低誘電率絶縁膜又はバリア絶縁膜を形成することができる。
【００２７】
特に、アルコキシル基を有する酸素含有有機化合物として、シリコンの周りに３個以下のメトキシ基又はエトキシ基が結合したものを含む酸素含有有機化合物を用いることにより、より低い比誘電率、例えば低誘電率絶縁膜で２．５以下、バリア絶縁膜で４以下を得ることができる。
【００２８】
また、酸化剤として、さらにＨ2Ｏを添加することで、形成膜の膜質を向上させることができる。
【００２９】
何れの場合も、形成膜中に結合が弱いと考えられるＣ−ＨやＯ−Ｈなどが多く含まれるため、比誘電率が２．６乃至２．７とＳＯＤ膜（Spin On Dielectrics）と比べてまだ高い。従って、成膜後に、形成膜に対してプラズマ処理を行って、Ｃ−ＨやＯ−Ｈなどを排出する。プラズマ処理においては、例えば、Ｈｅ、Ａｒ、Ｈ2又は重水素のうち少なくとも何れか一を含む処理ガスを生成し、その処理ガスに電力を印加してプラズマを生成する。その処理ガスのプラズマを昇温した低誘電率絶縁膜に接触させることにより、形成膜の比誘電率をより低減させることができる。
【００３０】
これにより、低誘電率絶縁膜において、２．４乃至２．５と低い比誘電率で、耐湿性に優れた特性を維持しつつ、窒素を含まないようにし、或いはレジストの架橋反応に影響を与えない程度に窒素含有量を抑制することができる。
【００３１】
さらに、成膜ガスの構成ガスとして、シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物を用いる場合、化合物中に既にＳｉ−Ｏ−Ｓｉを含んでいるので、形成膜中にＳｉ−Ｏ結合がそのまま取り込まれるため、酸素の余分な反応を抑えることができ、また、形成膜を安定させることができる。
【００３２】
また、成膜ガスの構成ガスとして、ＣＨ3基を有するシリコン含有有機化合物を用いる場合、形成膜中にＣＨ3基が多く含まれるとＳｉがＣＨ3基で終端され、空孔が形成されて誘電率を低くできる。
【００３３】
また、低誘電率絶縁膜の成膜ガスにＣxＨyＦz又はＣxＨyＢz（ｘ，ｙは０（但し、ｘ＝ｙ＝０を除く。）又は正の整数、ｚは正の整数）を添加して成膜することで、低誘電率絶縁膜とバリア絶縁膜とを積層した構造においてバリア絶縁膜を選択的にエッチングする際に、バリア絶縁膜のエッチャントに対して低誘電率絶縁膜のエッチング耐性を確保することができる。特に、ＣxＨyＦz又はＣxＨyＢzを用いることで、エッチング耐性を確保するとともに、形成膜中にＦやＢを含ませてより低誘電率化を図ることができる。
【００３４】
また、低誘電率絶縁膜とともに用いるバリア絶縁膜においても、低誘電率絶縁膜の場合と同様に、シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物又はＣＨ3基を有するシリコン含有有機化合物のうち何れか一と、酸化剤としてアルコキシル基（ＯＲ：Ｏは酸素、ＲはＣＨ3又はＣ2Ｈ5）を有する酸素含有有機化合物とを含み、さらにＨ2、Ｎ2Ｏ又はＯ2のうち少なくとも何れか一を添加した第２の成膜ガスを用いている。即ち、低誘電率絶縁膜の第１の成膜ガスにさらにＨ2、Ｎ2Ｏ又はＯ2のうち少なくとも何れか一を添加することで、低誘電率絶縁膜と比べて、比誘電率は多少高くなるが、Ｃｕの拡散を阻止する機能を高めた、さらに膜質の良い膜を形成することができる。しかも、バリア絶縁膜中に窒素を含まないようにすることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
（本発明の実施の形態である成膜方法に用いるプラズマＣＶＤ／処理装置の説明）
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法に用いられる平行平板型のプラズマＣＶＤ／処理装置１０１の構成を示す側面図である。
【００３６】
このプラズマＣＶＤ／処理装置１０１は、プラズマガスにより基板２１上にバリア絶縁膜や低誘電率絶縁膜を形成する場所であり、形成膜をプラズマ処理する場所でもある成膜／処理部１０１Ａと、成膜ガス及び処理ガスを構成する複数のガスの供給源を有する成膜ガス／処理ガス供給部１０１Ｂとから構成されている。
【００３７】
成膜／処理部１０１Ａは、図１に示すように、減圧可能なチャンバ１を備え、チャンバ１は排気配管４を通して排気装置６と接続されている。排気配管４の途中にはチャンバ１と排気装置６の間の導通／非導通を制御する開閉バルブ５が設けられている。チャンバ１にはチャンバ１内の圧力を監視する不図示の真空計などの圧力計測手段が設けられている。
【００３８】
チャンバ１内には対向する一対の上部電極２と下部電極３とが備えられ、上部電極２に周波数１３．５６ＭＨｚの高い周波数の電力を供給する第１の高周波電力供給電源（ＲＦ電源）７が接続され、下部電極３に周波数３８０ｋＨｚの低い周波数の電力を供給する第２の高周波電力供給電源８が接続されている。これらの高周波電力供給電源７、８のうち少なくとも第１の高周波電力供給電源７から上部電極２に高い周波数の電力（ＰHF）を供給し、又は第２の高周波電力供給電源８から下部電極３に低い周波数の電力（ＰLF）を供給して、成膜ガス等をプラズマ化する。上部電極２、下部電極３及び電源７、８が成膜ガス等をプラズマ化するプラズマ生成手段を構成する。
【００３９】
なお、下部電極３には、周波数３８０ｋＨｚのみならず、周波数１００ｋＨｚ以上、１ＭＨｚ未満の低い周波数の電力を印加することができるし、また、下部電極３に対向する上部電極２には、周波数１３．５６ＭＨｚのみならず、周波数１ＭＨｚ以上の高い周波数の電力を印加してもよい。さらに、図１では上部電極２に第１の高周波電力供給電源が接続され、下部電極３に第２の高周波電力供給電源が接続されているが、第１の高周波電力供給電源７は上部電極２に限らず、上部電極２又は下部電極３の何れか一に接続され、かつ第２の高周波電力供給電源８は下部電極３に限らず、他の電極に接続されていれば、この発明の目的を達成することができる。
【００４０】
上部電極２は成膜ガス等の分散具を兼ねている。上部電極２には複数の貫通孔が形成され、下部電極３との対向面における貫通孔の開口部が成膜ガス等の放出口（導入口）となる。この成膜ガス等の放出口は成膜ガス／処理ガス供給部１０１Ｂと配管９ａで接続されている。また、場合により、上部電極２には図示しないヒータが備えられることもある。成膜中に上部電極２を温度凡そ１００℃程度に加熱しておくことにより、成膜ガス等の反応生成物からなるパーティクルが上部電極２に付着するのを防止するためである。
【００４１】
下部電極３は基板２１の保持台を兼ね、また、保持台上の基板２１を加熱するヒータ１２を備えている。
【００４２】
成膜ガス／処理ガス供給部１０１Ｂには、成膜ガスの供給源として、シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物又はCH3基を有するシリコン含有有機化合物の供給源と、Ｈ2Ｏの供給源と、希釈ガスとしてのＨｅ、Ａｒ又はＨ2の供給源と、CxHyFz又はCxHyBzの供給源と、バリア絶縁膜の成膜時に用いるＨ2、Ｎ2Ｏ又はＯ2の供給源とを備えている。また、プラズマ処理ガスの供給源として、Ｈｅ、Ａｒ、その他の希ガス、Ｈ2又は重水素の供給源と、パージガスとしての窒素（Ｎ2）の供給源とが設けられている。
【００４３】
これらのガスは適宜分岐配管９ｂ乃至９ｉ及びこれらすべての分岐配管９ｂ乃至９ｉが接続された配管９ａを通して成膜／処理部１０１Ａのチャンバ１内に供給される。分岐配管９ｂ乃至９ｉの途中に流量調整手段１１ａ乃至１１ｈや、分岐配管９ｂ乃至９ｉの導通／非導通を制御する開閉手段１０ｂ乃至１０ｑが設置され、配管９ａの途中に配管９ａの閉鎖／導通を行う開閉手段１０ａが設置されている。
【００４４】
以上のような成膜／処理装置１０１によれば、成膜ガスの供給源として、シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物又はCH3基を有するシリコン含有有機化合物の供給源と、酸化剤としてのアルコキシル基を有する酸素含有有機化合物の供給源と、Ｈ2Ｏの供給源と、希釈ガスとしてのＨｅ、Ａｒ又はＨ2の供給源と、CxHyFz又はCxHyBzの供給源と、バリア絶縁膜の成膜時に用いるＨ2、Ｎ2Ｏ又はＯ2の供給源とを備えている。また、プラズマ処理ガスの供給源として、Ｈｅ、Ａｒ、その他の希ガス、Ｈ2又は重水素の供給源と、パージガスとしての窒素（Ｎ2）の供給源を備えている。さらに成膜ガス及び処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段２、３、７、８を備えている。
【００４５】
これにより、低誘電率を有するシリコン酸化からなる低誘電率絶縁膜（Low-k膜）の成膜と、以下に説明する低誘電率絶縁膜の成膜後のプラズマ処理と、Ｃｕの拡散を防止するバリア機能を有するシリコン酸化膜又はシリコン酸化窒化膜からなるＣｕバリア絶縁膜の成膜とを、同一のチャンバ内で連続して行うことができる。
（本発明の実施の形態である半導体装置の製造方法の説明）
次に、この発明の実施の形態である半導体装置の製造方法に用いられる低誘電率絶縁膜とＣｕバリア絶縁膜の成膜方法について説明する。
【００４６】
低誘電率絶縁膜とＣｕバリア絶縁膜とでは、成膜条件のほかに、膜形成の全体の工程が異なる。即ち、耐湿性に優れ、かつ低誘電率を有し、窒素を含まない、或いは窒素を微量に含む低誘電率絶縁膜（Low-k膜）の作成には、成膜工程と、成膜後の形成膜の処理工程（プラズマ処理）が必要となる。また、銅の拡散防止機能に優れ、窒素を含まない、或いは窒素を微量に含むＣｕバリア絶縁膜の作成では、基本的に成膜工程だけでよく、成膜後の形成膜の処理工程は必須ではない。
【００４７】
まず、成膜条件のうち、低誘電率絶縁膜、及びＣｕバリア絶縁膜の成膜ガスを構成する、特に有効なガスの組み合わせについて、図２を参照して説明する。
【００４８】
この図２は、低誘電率絶縁膜（Low-k膜）、及びＣｕバリア絶縁膜を形成するための成膜ガスを構成する各ガスの組み合わせについて示す表である。以下に、図２の形成膜の表示に従って具体的に成膜ガスの特に有効な構成を列挙する。
【００４９】
（ｉ）低誘電率絶縁膜を形成する成膜ガスの構成ガス
（１）シリコン含有有機化合物／酸化剤
ここで、シリコン含有有機化合物は２種以上のシロキサンで構成される場合も有り、その場合、直鎖状シロキサン及び環状シロキサンをそれぞれ１以上含む。以下、同じ。
【００５０】
（２）シリコン含有有機化合物／酸化剤／Ｈ2Ｏ
（３）シリコン含有有機化合物／酸化剤／Ｈ2Ｏ／希釈ガス
（４）シリコン含有有機化合物／酸化剤／Ｈ2Ｏ／希釈ガス／CxHyFz又はCxHyBz
（５）シリコン含有有機化合物／酸化剤／Ｈ2Ｏ／CxHyFz又はCxHyBz
（６）シリコン含有有機化合物／酸化剤／希釈ガス
（７）シリコン含有有機化合物／酸化剤／希釈ガス／CxHyFz又はCxHyBz
（８）シリコン含有有機化合物／酸化剤／CxHyFz又はCxHyBz
（ii）Ｃｕバリア絶縁膜を形成する成膜ガスの構成ガス
（９）シリコン含有有機化合物／酸化剤／Ｈ2，Ｎ2Ｏ，Ｏ2
（１０）シリコン含有有機化合物／酸化剤／Ｈ2Ｏ／Ｈ2，Ｎ2Ｏ，Ｎ2Ｏ，
（１１）シリコン含有有機化合物／酸化剤／Ｈ2Ｏ／希釈ガス／Ｈ2，Ｎ2Ｏ，Ｏ2
（１２）シリコン含有有機化合物／酸化剤／Ｈ2Ｏ／希釈ガス／CxHyFz又はCxHyBz／Ｈ2，Ｎ2Ｏ，Ｏ2
（１３）シリコン含有有機化合物／酸化剤／Ｈ2Ｏ／CxHyFz又はCxHyBz／Ｈ2，Ｎ2Ｏ，Ｏ2
（１４）シリコン含有有機化合物／酸化剤／希釈ガス／Ｈ2，Ｎ2Ｏ，Ｏ2
（１５）シリコン含有有機化合物／酸化剤／希釈ガス／CxHyFz又はCxHyBz／Ｈ2，Ｎ2Ｏ，Ｏ2
（１６）シリコン含有有機化合物／酸化剤／CxHyFz又はCxHyBz／Ｈ2，Ｎ2Ｏ，Ｏ2
次に、上記のシリコン含有有機化合物、酸化剤、希釈ガス、ＣxＨyＦz又はＣxＨyＢzについて説明する。
【００５１】
代表例として以下に示すものを用いることができる。
【００５２】
（ｉ）シリコン含有有機化合物
（Ａ）シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物
（ａ）直鎖状のSi-O-Si結合を有するもの
ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ：(CH3)3Si-O-Si(CH3)3）
オクタメチルトリシロキサン（ＯＭＴＳ）
【００５３】
【化７】
2005033189.tif 000006
【００５４】
（ｂ）環状のSi-O-Si結合を有するもの
オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）
【００５５】
【化８】
2005033189.tif 000007
【００５６】
テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）
【００５７】
【化９】
2005033189.tif 000008
【００５８】
（Ｂ）ＣＨ3基を有するシリコン含有有機化合物
モノメチルシラン（SiH3(CH3)）
ジメチルシラン（SiH2(CH3)2）
トリメチルシラン（SiH(CH3)3）
テトラメチルシラン（Si(CH3)4）
（ii）酸化剤
（Ａ）メトキシ基を有する酸素含有有機化合物
メトキシシラン（SiH3(OCH3)）、ジメトキシシラン（SiH2(OCH3)2）、トリメトキシシラン（ＴＭＳ:SiH(OCH3)3）、テトラメトキシシラン（Si(OCH3)4）、トリメチルメトキシシラン（Si(CH3)3(OCH3)）、ジメチルジメトキシシラン（Si(CH3)2(OCH3)2）、モノメチルトリメトキシシラン（Si(CH3)(OCH3)3）
（Ｂ）エトキシ基を有する酸素含有有機化合物
エトキシシラン（SiH3(OC2H5)）、ジエトキシシラン（SiH2(OC2H5)2）、トリエトキシシラン（SiH(OC2H5)3）、テトラエトキシシラン（TEOS:Si(OC2H5)4）、トリエチルエトキシシラン（Si(C2H5)3(OC2H5)）、ジエチルジエトキシシラン（Si(C2H5)2(OC2H5)2）、モノエチルトリエトキシシラン（Si(C2H5)(OC2H5)3）
（iii）希釈ガス
Ｈｅ，Ａｒ，Ｈ2
（iv）ＣxＨyＦz又はＣxＨyＢz
（ａ）ＣxＨyＦz
Ｃ3Ｆ8
Ｃ4Ｆ8
ＣＨＦ3
（ｂ）ＣxＨyＢz
Ｂ2Ｈ6
次に、上記以外の成膜条件、及び膜形成の全体の工程を説明するとともに、上記を含む成膜条件及び膜形成の全体の工程を採用した理由又は効果とを説明する。
【００５９】
低誘電率絶縁膜の形成においては、形成膜中に窒素が含まれないようにするため、酸化剤として、アルコキシル基（ＯＲ：Ｏは酸素、ＲはＣＨ3又はＣ2Ｈ5）を有する酸素含有有機化合物からなる酸化剤を用いている。この場合、酸化剤として窒素を含まないＯ2などを用いずに、アルコキシル基を有する酸素含有有機化合物を用いるのは、デポレートを高め、かつ形成膜中にカーボンや水素を多く取り込み、より低い比誘電率を有する低誘電率絶縁膜又はバリア絶縁膜を形成することができるためである。特に、より低い比誘電率、例えば低誘電率絶縁膜で２．５以下、バリア絶縁膜で４以下を得るため、アルコキシル基を有する酸素含有有機化合物として、シリコンの周りに３個以下のメトキシ基又はエトキシ基が結合したものを含む酸素含有有機化合物を用いると有効である。
【００６０】
また、酸化剤として、Ｈ2Ｏを添加することで、形成膜の膜質を向上させることができる。
【００６１】
何れの場合も、形成膜中に結合が弱いと考えられるＣ−Ｈなどが多く含まれるため、比誘電率が２．６乃至２．７と、ＳＯＤ膜（Spin On Dielectrics）と比べてまだ高い。
【００６２】
従って、成膜後に、形成膜に対してプラズマ処理を行なって、Ｃ−Ｈなどを排出し、比誘電率を更に低減させる。
【００６３】
さらにプラズマ処理においては、例えば、Ｈｅ、Ａｒ、その他の希ガス、Ｈ2又は重水素のうち少なくとも何れか一を含むガスを準備し、ガス圧力を１Torr以下、好ましくは0.5Torr以下に調整して、処理ガスを生成する。そして、その処理ガスに電力を印加してプラズマ化する。その処理ガスのプラズマに、低誘電率絶縁膜を温度３７５℃以上、好ましくは４００乃至４５０℃の範囲に昇温して接触させる。調査によれば、Ｈｅ、Ａｒ、Ｈ2又は重水素のうち少なくとも何れか一を含み、ガス圧力を１Torr以下に調整した処理ガスに電力、好ましくは周波数１ＭＨｚ以上の電力を印加して生成したプラズマを用いることで、形成膜の比誘電率をより低減させることができる。この場合、低誘電率絶縁膜を温度３７５℃以上に昇温しているのは、プラズマによっては排出し切れない形成膜中の水分その他等を十分に排出するためである。
【００６４】
これにより、低誘電率絶縁膜において、２．４乃至２．５と低い比誘電率で、耐湿性に優れた特性を維持しつつ、窒素を含まないようにし、或いはレジストの架橋反応に影響を与えない程度に窒素含有量を抑制することができる。
【００６５】
さらに、成膜ガスの構成ガスとして、シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物を用いている。その理由は、化合物中に既にＳｉ−Ｏ−Ｓｉを含んでいるので、形成膜中にＳｉ−Ｏ結合がそのまま取り込まれるため、酸素の余分な反応を抑えることができるからであり、また、形成膜を安定させることができるからである。
【００６６】
また、低誘電率絶縁膜の成膜ガスに、ＣxＨyＦz又はＣxＨyＢz（ｘ，ｙは０（但し、ｘ＝ｙ＝０を除く。）又は正の整数、ｚは正の整数）を添加してもよい。これにより、低誘電率絶縁膜とＣｕバリア絶縁膜とを積層した構造においてＣｕバリア絶縁膜を選択的にエッチングする際に、Ｃｕバリア絶縁膜のエッチャントに対して低誘電率絶縁膜のエッチング耐性を確保することができる。特に、ＣxＨyＦz又はＣxＨyＢzを用いることで、エッチング耐性を確保するとともに、形成膜中にＦ又はＢを含ませて、より低誘電率化を図ることができる。
【００６７】
また、低誘電率絶縁膜とともに用いるＣｕバリア絶縁膜においては、低誘電率絶縁膜の第１の成膜ガスにさらにＨ2、Ｎ2Ｏ又はＯ2のうち少なくとも何れか一を添加する。この場合、ガス圧力に関しては、印加する電力のプラズマ化周波数が１ＭＨｚ未満の場合、１．０Torr未満と低くし、プラズマ化周波数が１ＭＨｚ以上で周波数１ＭＨｚ未満のバイアス電力を印加している場合、１．０Torr以上と高くする。また、成膜中の基板温度を２００乃至４００℃とする。以上の成膜条件により、比誘電率は多少高くなるが、Ｃｕの拡散を阻止する機能を高めた、さらに膜質の良い膜を形成することができる。しかも、Ｃｕバリア絶縁膜中に窒素を含まないようにすることが可能である。
【００６８】
また、Ｃｕバリア絶縁膜の成膜ガスに、ＣxＨyＦz又はＣxＨyＢz（ｘ，ｙは０（但し、ｘ＝ｙ＝０を除く。）又は正の整数、ｚは正の整数）を添加してもよい。これにより、Ｃｕバリア絶縁膜と低誘電率絶縁膜とを積層した構造において低誘電率絶縁膜を選択的にエッチングする際に、低誘電率絶縁膜のエッチャントに対してＣｕバリア絶縁膜のエッチング耐性を確保することができる。
【００６９】
なお、低誘電率絶縁膜を形成した後に、引き続き、その上にＣｕバリア絶縁膜を形成する場合、大気に曝さないで引き続き、Ｃｕバリア絶縁膜の成膜を行うことが好ましい。低誘電率絶縁膜が大気中の水分を吸収して比誘電率が高くなるのを防止するためである。
【００７０】
次に、成膜条件の実施例について以下に説明する。
【００７１】
（１）第１実施例
第１実施例の絶縁膜は低誘電率絶縁膜の一例である。酸化剤としてトリメトキシシランを用いる。
【００７２】
（成膜条件Ｉ）
（ｉ）成膜ガス条件
ＨＭＤＳＯガス流量：１００ sccm
トリメトキシシラン：５０ sccm
ガス圧力：１．７Torr
（ii）プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)ＰHF：３００Ｗ
低周波電力(380KHz)ＰLF：０Ｗ
（電極の大きさは３４５ｍｍφ、以下同じ。）
（iii）基板加熱温度：３７５℃
（iv）成膜されたシリコン酸化膜
膜厚：７００ｎｍ
比誘電率：２．５
（２）第２実施例
第２実施例の絶縁膜は低誘電率絶縁膜の他の一例である。成膜条件Ｉに対してＨ2Ｏを加えている。
【００７３】
（成膜条件II）
（ｉ）成膜ガス条件
ＨＭＤＳＯガス流量：１００ sccm
トリメトキシシラン：５０ sccm
Ｈ2Ｏガス流量：４００ sccm
ガス圧力：１．７Torr
（ii）プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)ＰHF：３００Ｗ
低周波電力(380KHz)ＰLF：０Ｗ
（iii）基板加熱温度：３７５℃
（iv）成膜されたシリコン酸化膜
膜厚：７００ｎｍ
比誘電率：２．５
（３）第３実施例
第３実施例の絶縁膜はバリア絶縁膜の一例である。成膜条件Ｉに対してＨ2、Ｎ2Ｏ又はＯ2のうち少なくとも何れか一を加えている。
【００７４】
（成膜条件III）
（ｉ）成膜ガス条件
ＨＭＤＳＯガス流量：１００ sccm
トリメトキシシラン：５０ sccm
Ｎ2Ｏガス流量：４００ sccm
ＣＨＦ3流量：適量
ガス圧力：１．０Torr
（ii）プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)ＰHF：３００Ｗ
低周波電力(380KHz)ＰLF：０Ｗ
（iii）基板加熱温度：３７５℃
（iv）成膜されたシリコン酸化膜
膜厚：１００ｎｍ
比誘電率：４．０
（４）第４実施例
第４実施例の絶縁膜は低誘電率絶縁膜の一例である。シリコン含有化合物ガスとしてＯＭＣＴＳを用い、酸化剤としてモノメチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＳ）を用いた。さらに、Ｈ2Ｏを加えている。
【００７５】
（成膜条件IV）
（ｉ）成膜ガス条件
ＯＭＣＴＳ流量：１００ sccm
ＭＴＭＳ流量：５０ sccm
Ｈ2Ｏガス流量：４００ sccm
Ｈｅ流量：１００  sccm
ガス圧力（パラメータ）：１．３，１．４，１．５，１．６，１．７，１．８  Torr
（ii）プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)ＰHF：５６２Ｗ
低周波電力(380KHz)ＰLF：０Ｗ
（iii）基板加熱温度：３５０℃
（iv）成膜されたシリコン酸化膜
膜厚：７００ｎｍ
比誘電率：約２．６
次に、第１乃至第４の実施例のうち、第４の実施例で作製された低誘電率絶縁膜に関し、その成膜速度、比誘電率及び屈折率、リーク電流及び絶縁破壊電界強度の調査結果について説明する。
【００７６】
（Ａ）成膜速度
図６は、成膜速度の圧力依存性について調査した結果を示すグラフである。縦軸は線形目盛で表した成膜速度（ｎｍ／ｍｉｎ）を示し、横軸は線形目盛で表したガス圧力（Torr）を示す。
【００７７】
図６によれば、成膜速度はガス圧力にほぼ比例して速くなる。ガス圧力１．３Torrのとき約２２０ｎｍ／ｍｉｎであり、ガス圧力1.8Ｔｏｒｒのとき約４２０ｎｍ／ｍｉｎであった。半導体装置の製造に適用可能なレベルであった。
【００７８】
なお、Ｈ2Ｏを加えることにより、加えない場合に比べて成膜の制御を容易にすることができた。また、ＯＭＣＴＳ＋ＭＴＭＳだけでは、反応が激しく、形成膜が白濁しやすいが、Ｈ2Ｏを加えることにより、形成膜の白濁を防止することができた。
【００７９】
（Ｂ）比誘電率及び屈折率
図７は、比誘電率及び屈折率の圧力依存性について調査した結果を示すグラフである。左の縦軸は線形目盛で表した比誘電率を示し、右の縦軸は線形目盛で表した屈折率を示し、横軸は線形目盛で表したガス圧力（Torr）を示す。
【００８０】
図７によれば、比誘電率及び屈折率はガス圧力の変化に対してあまり変化しない。比誘電率は２．６前後が得られた。なお、屈折率は１．４弱であった。
【００８１】
（Ｃ）リーク電流及び絶縁破壊電界強度
調査用絶縁膜はシリコン基板上に形成された。成膜後に調査用絶縁膜上に水銀プローブを当て、シリコン基板と水銀プローブの間に測定用電圧を印加して、リーク電流及び絶縁破壊電界強度を測定した。
【００８２】
図８は、リーク電流の電界強度依存性について調査した結果を示すグラフである。縦軸は対数目盛で表したリーク電流密度（Ａ／ｃｍ2）を示し、横軸は線形目盛で表した電界強度（ＭＶ／ｃｍ）を示す。リーク電流密度が急増しているのは絶縁破壊が起こっていることを示しており、そのときの電界強度が絶縁破壊電界強度（ＭＶ／ｃｍ）となる。横軸の数字の前の負の符号は電圧の印加方向を示す。また、各特性曲線に付随する数字はガス圧力（Torr）を表す。
【００８３】
図８によれば、リーク電流密度は各試料とも、−１ＭＶ／ｃｍで、１０-10乃至１０-9Ａ／ｃｍ2の範囲にあった。また、絶縁破壊電界強度は４．４乃至５．８ＭＶ／ｃｍの範囲にあった。リーク電流及び絶縁破壊電界強度ともに、半導体装置に適用しても十分なレベルであった。
（第２の実施の形態）
次に、図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）、（ｂ）、及び図５（ａ）、（ｂ）を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する。
【００８４】
図５（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。この半導体装置は、同図に示すように、基板６１上に下部配線埋込絶縁膜６２が形成されている。下部配線埋込絶縁膜６２は、膜厚約５００ｎｍのSiO2 膜からなる低誘電率を有する主たる絶縁膜（低誘電率絶縁膜）６２ａと、膜厚約５０ｎｍのSiO2 膜からなる第１の上部保護層（Ｃｕバリア絶縁膜）６３ａとが積層されてなる。下部配線埋込絶縁膜６２を貫通する下部配線溝６４に銅拡散阻止膜であるＴａＮ膜６５ａと銅膜６５ｂとからなる下部配線６５が埋め込まれている。基板６１は半導体基板や他の導電層でもよいし、絶縁性基板でもよい。
【００８５】
これらの上にビアホール６８が形成された配線層間絶縁膜６６と上部配線溝６９が形成された上部配線埋込絶縁膜６７が形成されている。
【００８６】
配線層間絶縁膜６６は膜厚約５０ｎｍのSiO2 膜からなる第２の下部保護層（Ｃｕバリア絶縁膜）６６ａと、膜厚約５００ｎｍのSiO2 膜からなる低誘電率を有する主たる絶縁膜（低誘電率絶縁膜）６６ｂと、膜厚約５０ｎｍのSiO2 膜からなる第２の上部保護層（Ｃｕバリア絶縁膜）６６ｃとから構成されている。
【００８７】
上部配線埋込絶縁膜６７は、膜厚約５００ｎｍのSiO2 膜からなる低誘電率を有する主たる絶縁膜（低誘電率絶縁膜）６７ａと、膜厚約５０ｎｍのSiO2 膜からなる第３の上部保護層（Ｃｕバリア絶縁膜）６７ｂとから構成されている。
【００８８】
上部配線溝６９はビアホール６８よりも大きい開口面積を有し、ビアホール６８と接続するように形成されている。ビアホール６８と上部配線溝６９内には、よく知られたデュアルダマシン法により銅拡散阻止膜であるＴａＮ膜７０ａと銅膜７０ｂとからなる接続導体７０と同じく銅拡散阻止膜であるＴａＮ膜７０ａと銅膜７０ｂとからなる上部配線７１が一体的に埋め込まれている。そして、最上部全面はこの発明に係るSiO2 膜からなる最上部保護層（Ｃｕバリア絶縁膜）７２によって被覆されている。
【００８９】
以上の低誘電率絶縁膜及びＣｕバリア絶縁膜はすべて本発明に係る絶縁膜である。
【００９０】
次に、図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）、（ｂ）、及び図５（ａ）、（ｂ）を参照して本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図１の成膜装置を用いるものとする。
【００９１】
まず、図３（ａ）に示すように、成膜装置のチャンバ１内に基板６１を搬入し、基板６１上に、低誘電率を有する膜厚約５００ｎｍのSiO2膜６２を形成する。SiO2膜６２は下部配線埋込絶縁膜の主たる絶縁膜となる。成膜ガス条件は、シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物、例えばＨＭＤＳＯガス流量を１００ sccm、トリメトキシシラン流量を５０ sccmとし、そのガス圧力を１．７Torrとする。成膜ガスのプラズマ化条件は、周波数３８０ｋＨｚの低周波電力（ＰLF）を印加せず、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力（ＰHF）を３００Ｗ印加する。また、基板温度を３７５℃とする。この成膜条件は、膜厚を除き、第１の実施の形態の第１実施例の成膜条件Ｉに相当する。さらに、成膜後、第３実施例の形成膜に対するプラズマ処理を同じチャンバ１内で行う。
【００９２】
引き続き、大気に曝さないで、同じチャンバ１内で、プラズマＣＶＤ法により、膜厚約５０ｎｍのSiO2膜（Ｃｕバリア絶縁膜）６３を形成する。成膜条件は、膜厚を除き、第１の実施の形態の第３実施例の成膜条件IIIに相当する。成膜されたSiO2膜６３は、周波数１ＭＨｚで測定した比誘電率が凡そ４．０であり、電界強度４ＭＶ／ｃｍのときリーク電流が１０-6Ａ／ｃｍ2であった。
【００９３】
次いで、チャンバ１内から基板６１を外部に取り出し、SiO2膜６３上に化学増幅レジストなどからなるレジスト膜を形成する。次いで、フォトリソグラフィ法により配線溝を形成すべき領域にレジスト膜の開口部を形成し、図３（ｂ）に示すように、マスク７３ａを形成する。このとき、SiO2膜６３は窒素を含まないので、レジスト膜７３ａの架橋反応は窒素による過剰な架橋反応が抑制されて露光範囲により決まる領域だけに生じるため、寸法精度の良いマスク７３ａを形成することができる。次いで、図３（ｂ）に示すように、マスク７３ａに基づいてSiO2膜６３及び６２をエッチングして配線溝６４を形成する。SiO2膜６３ａは保護層となる。
【００９４】
次に、図３（ｃ）に示すように、配線溝６４の内面に銅拡散阻止膜としてＴａＮ膜６５ａを形成する。続いて、図示しない銅シード層を形成した後、銅膜６５ｂを埋め込んで、ＴａＮ膜及びＴａ膜６５ａと、銅膜６５ｂとからなる下部配線６５を形成する。
【００９５】
次いで、成膜前に、銅膜６５ｂ表面の前処理を行い、表面酸化膜を除去した。
【００９６】
その処理方法は、平行平板型プラズマ励起ＣＶＤ装置を用い、ＮＨ3を流量５００sccmで導入してガス圧力を１Torrに調整し、周波数１３．５６ＭＨｚの電力を印加してＮＨ3をプラズマ化し、基板６１を３７５℃に加熱した状態で銅膜６５ｂをそのプラズマに接触させる。
【００９７】
次に、成膜装置のチャンバ１内に基板６１を搬入し、図４（ａ）に示すように、下部配線６５を被覆するSiO2 膜からなる保護層（Ｃｕバリア絶縁膜）６６ａを形成する。保護層６６ａに関し、その成膜条件は、膜厚を除き、第１の実施の形態の第３実施例の成膜条件IIIに相当する。
【００９８】
その後、この保護層６６ａ上に、配線層間絶縁膜６６の主たる絶縁膜となる、膜厚約５００ｎｍのSiO2 膜からなる絶縁膜（低誘電率絶縁膜）６６ｂ、及び膜厚約５０ｎｍのSiO2 膜からなる保護層（Ｃｕバリア絶縁膜）６６ｃを、同じチャンバ１内で連続形成し、接続導体を埋め込むための配線層間絶縁膜６６を形成する。
【００９９】
主たる絶縁膜６６ｂに関し、下部配線埋込絶縁膜６２の成膜条件、及び成膜後の膜の処理条件と同じとする。また、保護層６６ｃに関し、保護層６６ａの成膜条件と同じとする。
【０１００】
続いて、同じようにして保護層６６ｃ上に配線埋込絶縁膜の主たる絶縁膜となる、SiO2 膜からなる絶縁膜（低誘電率絶縁膜）６７ａ、及びSiO2 膜からなる保護層（Ｃｕバリア絶縁膜）６７ｂを同じチャンバ１内で連続形成し、上部配線を埋め込む配線埋込絶縁膜６７を形成する。主たる絶縁膜６７ａに関し、下部配線埋込絶縁膜６２の成膜条件、及び成膜後の膜の処理条件と同じとする。保護層６７ｂに関し、保護層６６ａの成膜条件と同じとする。
【０１０１】
次に、成膜装置のチャンバ１内から基板６１を外部に取り出し、図４（ｂ）乃至図５（ｂ）に示すように、良く知られたデュアルダマシン法により、接続導体７０と上部配線７１を形成する。以下に、デュアルダマシン法を詳細に説明する。
【０１０２】
即ち、保護層６７ｂ上にレジスト膜を形成した後、フォトリソグラフィー法によりビアホールを形成すべき領域にレジスト膜の開口部を形成し、図４（ｂ）に示すように、マスク７３ｂを形成する。このとき、保護層６７ｂは窒素を含まないので、レジスト膜７３ｂの架橋反応は窒素による過剰な架橋反応が抑制されて露光範囲により決まる領域だけに生じるため、寸法精度の良いマスク７３ｂを形成することができる。
【０１０３】
次いで、レジスト膜７３ｂの開口部を通して保護層６７ｂ及び絶縁膜６７ａ、保護層６６ｃ及び絶縁膜６６ｂをエッチングし、貫通させる。これにより、配線層間絶縁膜６６のうち保護層６６ｃ及び主たる絶縁膜６６ｂに開口部６８が形成される。
【０１０４】
次に、保護層６７ｂ上に別のレジスト膜を形成し、配線溝を形成すべき領域に開口部を形成し、図５（ａ）に示すように、マスク７３ｃを形成する。このとき、保護層６７ｂ、絶縁膜６７ａ、保護層６６ｃ、絶縁膜６６ｂ及び保護層６６ａは窒素を含まないので、レジスト膜７３ｃの架橋反応は窒素による過剰な架橋反応が抑制されて露光範囲により決まる領域だけに生じるため、寸法精度の良いマスク７３ｃを形成することができる。
【０１０５】
次いで、このマスク７３ｃの開口部は最初の開口部の開口面積よりも大きく、かつ最初の開口部を含むように形成される。次いで、マスク７３ｃの開口部を通して保護層６７ｂ及び絶縁膜６７ａをエッチングし、貫通させる。このとき、下地の保護層６６ｃはＣＨＦ3ガスを含む成膜ガスにより成膜されているので、主たる絶縁膜６７ａのエッチングガスに対してエッチング耐性を有し、このため、保護層６６ｃでエッチングが停止される。これにより、配線埋込絶縁膜６７に配線溝６９が形成される。その後、保護層６６ａをエッチングして、配線層間絶縁膜６６を貫通するビアホール６８を形成する。これにより、ビアホール６８底部に下部配線６５が露出し、ビアホール６８を通して下部配線６５と配線溝６９とが繋がる。
【０１０６】
次に、図５（ｂ）に示すように、ＴａＮ膜及びＴａ膜７０ａをビアホール６８と配線溝６９の内面に形成した後、図示しない銅シード層を形成し、更にその上に銅膜７０ｂを埋め込んで、接続導体７０と上部配線７１を形成する。以上が所謂デュアルダマシン法である。
【０１０７】
次に、成膜前に、銅膜６５ｂ表面の前処理条件と同じ条件で、銅膜７０ｂ表面の前処理を行い、表面酸化膜を除去した。次いで、保護層６３又は６６ａと同じ成膜方法により、全面にSiO2 膜からなる保護層７２を形成する。以上により、銅膜を主とする多層配線を有する半導体装置が完成する。
【０１０８】
以上のように、この第２の実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、主たる絶縁膜６２ａ、６６ｂ、６７ａは、第１の実施の形態の第１実施例の成膜条件Ｉで成膜し、成膜後にプラズマ処理を行っている。従って、主たる絶縁膜６２ａ、６６ｂ、６７ａは２．５以下の低誘電率を有し、かつ耐湿性が高くなっている。
【０１０９】
また、保護層６３ａ、６６ａ、６６ｃ、６７ｂ、７２は第１の実施の形態の第３実施例の成膜条件IIIで形成されているため、Ｃｕに対して高い拡散阻止能力を有する。また、保護層６３ａ、６６ａ、６６ｃ、６７ｂ、７２は、ＣＨＦ3を含む成膜ガスにより形成されているため、フッ素を含み、これによって、より一層、低誘電率化を図ることができる。
【０１１０】
しかも、表面に露出する絶縁膜６６ｂ、６７ａや保護層６６ａ、６６ｃ、６７ｂが窒素を含まないので、フォトリソグラフィ法により下部配線溝６４、ビアホール６８、及び上部配線溝６９を形成する際に、寸法精度の良いマスク７３ｃを形成することができる。
【０１１１】
さらに、配線層間絶縁膜６６及び配線埋込絶縁膜６７を下から順に開口面積が大きくなるように貫通させて、ビアホール６８とビアホール６８と繋がった配線溝６９とを交互に形成している。即ち、保護層６６ｃは主たる絶縁膜６７ａを選択的にエッチングする際にエッチングされる絶縁膜６７ａの下地となる。
【０１１２】
この発明が適用される保護層６６ｃはＣＨＦ3を含む成膜ガスにより形成されているため、主たる絶縁膜６７ａのエッチャントに対してエッチングストッパとして有効に機能するとともに、下層の絶縁膜６６ｂの過剰エッチングに対するマスクとして有効に機能する。
【０１１３】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する。
【０１１４】
図５（ｂ）の半導体装置と類似の構造を、第３の実施の形態に係る半導体装置に適用することができる。
【０１１５】
この場合、主たる絶縁膜６２ａ、６６ｂ、６７ａが本実施形態の低誘電率絶縁膜に対応し、保護層６３ａ、６６ａ、６６ｃ、６７ｂ、７２が本実施形態のバリア絶縁膜に対応する。
【０１１６】
また、図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）、（ｂ）、及び図５（ａ）、（ｂ）の半導体装置の製造方法と類似の方法を、第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法に適用することができる。
【０１１７】
この場合、主たる絶縁膜６２ａ、６６ｂ、６７ａに対応する低誘電率絶縁膜は第１の実施の形態の第２実施例の成膜条件（II）で成膜する。
【０１１８】
主たる絶縁膜６２ａ、６６ｂ、６７ａに対して、成膜後に成膜したときと同じチャンバ内にてＨｅ、Ａｒ、Ｈ2又は重水素のうち少なくとも何れか一のガスを用いてプラズマ処理を行う。
【０１１９】
また、保護層６３ａ、６６ａ、６６ｃ、６７ｂ、７２に対応するバリア絶縁膜は第１の実施の形態の第３実施例の成膜条件（III）で形成する。
【０１２０】
以上のような本発明の第３の実施の形態によれば、上記成膜条件で低誘電率絶縁膜成膜し、成膜後にプラズマ処理を行うため、低誘電率絶縁膜は２．４前後の低誘電率を有し、かつ耐湿性が高くなっている。また、バリア絶縁膜は第１の実施の形態の第３実施例の成膜条件IIIで形成されているため、Ｃｕに対して高い拡散阻止能力を有し、かつ、より一層、低誘電率化を図ることができる。
【０１２１】
以上、実施の形態によりこの発明を詳細に説明したが、この発明の範囲は上記実施の形態に具体的に示した例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の上記実施の形態の変更はこの発明の範囲に含まれる。
【０１２２】
例えば、第２の実施の形態では、主たる絶縁膜（低誘電率絶縁膜）６２ａ、６６ｂ、６７ａの成膜条件を、第１の実施の形態における第１実施例に記載の条件としているが、適宜変更して適用することができる。また、第３の実施の形態における、主たる絶縁膜（低誘電率絶縁膜）６２ａ、６６ｂ、６７ａの成膜条件も、適宜変更して適用することができる。
【０１２３】
また、保護層（Ｃｕバリア絶縁膜）６３ａ、６６ａ、６６ｃ、６７ｂ、７２の成膜条件を、第１の実施の形態における第３実施例に記載の成膜条件IIIとしているが、適宜変更して適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】本発明の第１の実施の形態である半導体装置の製造方法に用いられるプラズマＣＶＤ装置の構成を示す側面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態である半導体装置の製造方法に用いられる低誘電率絶縁膜、及びＣｕバリア絶縁膜の成膜ガスに関し、特に有効なガスの組み合わせについて示す表である。
【図３】（ａ）乃至（ｃ）は、本発明の第２及び第３の実施の形態の半導体装置及びその製造方法について示す断面図（その１）である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２及び第３の実施の形態の半導体装置及びその製造方法について示す断面図（その２）である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２及び第３の実施の形態の半導体装置及びその製造方法について示す断面図（その３）である。
【図６】本発明の第１の実施の形態である半導体装置の製造方法により作製された低誘電率絶縁膜の成膜速度の圧力依存性について調査した結果を示すグラフである。
【図７】本発明の第１の実施の形態である半導体装置の製造方法により作製された低誘電率絶縁膜の比誘電率及び屈折率の圧力依存性について調査した結果を示すグラフである。
【図８】本発明の第１の実施の形態である半導体装置の製造方法により作製された低誘電率絶縁膜のリーク電流及び絶縁破壊電界強度について調査した結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１２５】
１  チャンバ
２  上部電極
３  下部電極
４  排気配管
５  バルブ
６  排気装置
７  第１の高周波電力供給電源
８  第２の高周波電力供給電源
９ａ  配管
９ｂ〜９ｈ  分岐配管
１０ａ〜１０ｏ  開閉手段
１１ａ〜１１ｇ  流量調整手段
１２  ヒータ
２１  基板
６１  下地基板
６２  下部配線埋込絶縁膜
６２ａ、６６ｂ、６７ａ  主たる絶縁膜（低誘電率絶縁膜）
６３ａ、６６ａ、６６ｃ、６７ｂ  保護層（バリア絶縁膜）
６４  下部配線溝
６５  下部配線
６５ｂ、７０ｂ  銅膜
６６  配線層間絶縁膜
６７  上部配線埋込絶縁膜
６８  開口部
６９  上部配線溝
７３ａ、７３ｂ、７３ｃ  マスク
１０１  成膜装置
１０１Ａ  成膜部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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