(57)【要約】【課題】    耐光性を高めつつ、製造コストを削減することができ、かつ、良好なＣ／Ｎ比を有する再生信号を得ることができる光記録媒体を提供することを目的とする。【解決手段】    基板２と、光透過層１３と、基板２および光透過層１３の間に形成された記録層１２を備え、記録層１２が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素の単体と、記録用レーザビームＬを照射することにより、記録層１２に含まれる金属元素の単体と結合して、金属元素との化合物の結晶を生成する元素ＳまたはＯとを、含むことを特徴とする光記録媒体。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、光透過層と、前記基板および前記光透過層の間に形成された記録層を備え、前記記録層が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素Ｍの単体と、記録用レーザビームを照射することにより、前記金属元素Ｍの単体と結合して、前記金属元素Ｍとの化合物の結晶を生成する元素Ｘとを、含むことを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記元素Ｘが、ＳまたはＯであることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記記録層が、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素を、さらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体。
【請求項４】
前記記録層が、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームを用いて、データが記録され、記録されたデータが再生されるように構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、追記型の光記録媒体に関し、さらに詳細には、耐光性を高めつつ、製造コストを削減することができ、かつ、良好なＣ／Ｎ比を有する再生信号を得ることができる光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに体表される光記録媒体が広く利用され、近年においては、より大容量で、かつ、高いデータ転送レートを有する次世代型の光記録媒体の開発が盛んに行われている。
【０００３】
これらの光記録媒体は、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭのように、データの追記や書き換えができないタイプのＲＯＭ型の光記録媒体と、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒのように、データの追記はできるが、データの書き換えができないタイプの追記型の光記録媒体と、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷのように、データの書き換えが可能なタイプの書き換え型の光記録媒体とに大別することができる。
【０００４】
広く知られているように、ＲＯＭ型の光記録媒体においては、製造段階において、基板に形成されるプリピットにより、データが記録されることが一般的であり、書き換え型の光記録媒体においては、たとえば、記録層の材料として、相変化材料が用いられ、その相状態の変化に基づく光学特性の変化を利用して、データが記録されることが一般的である。
【０００５】
また、追記型の光記録媒体においては、記録層の材料として、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、アゾ色素等の有機材料が用いられ、その化学的変化、物理的変化、あるいは、それらの両方に基づく光学特性の変化を利用して、データが記録されることが一般的である。
【０００６】
しかしながら、有機色素は、日光等の照射によって劣化することがあり、記録層の材料として有機色素を用いた場合には、長期間の保存に対する信頼性を高めることは容易ではない。したがって、長期間の保存に対する信頼性を高めるためには、追記型の光記録媒体の記録層に、有機色素以外の材料を用いることが求められる。かかる要請に応えるべく、有機色素以外の材料によって、記録層を構成する例として、特許文献１に記載されているものが知られている。
【０００７】
同特許文献に記載されている追記型の光記録媒体においては、２つの無機材料層を積層して記録層を構成し、レーザビームを照射することによって、２層の無機材料層に主成分として含まれる元素を混合して、この混合過程で、共融結晶化を生じさせるようにしている。このように、２層に積層された無機材料層の材料を混合し、共融結晶化させた場合には、共融結晶化した領域と、それ以外の領域では光学特性が異なることから、これを利用してデータの記録を行うことができる。
【特許文献１】特開昭６２−２０４４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載された追記型の光記録媒体においては、２つの無機材料層を積層し、これら２層の無機材料層の混合を利用して、データを記録するように構成しているため、１つの記録層を構成するのに、２つの層が必要となり、光記録媒体の製造コストが高くなるという問題があった。
【０００９】
また、同特許文献に記載された追記型の光記録媒体においては、２層の無機材料層の混合、共融結晶化より形成された記録マークと、それ以外の領域との光学特性の差が、さほど大きくないため、良好なＣ／Ｎ比を有する再生信号が得られるように、データを記録することが困難であるという問題もあった。
【００１０】
とくに、データの記録密度が高められ、かつ、非常に高いデータ転送レートを実現可能な次世代型の光記録媒体にあっては、データの記録、再生に用いるレーザビームのビームスポット径を非常に小さく絞ることが要求され、記録マークと、記録マーク以外の領域との光学特性との差が十分に大きいことが要求されるため、良好なＣ／Ｎ比を有する再生信号を得ることが、きわめて困難となっていた。
【００１１】
したがって、本発明は、耐光性を高めつつ、製造コストを削減することができ、かつ、良好なＣ／Ｎ比を有する再生信号を得ることができる光記録媒体を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のかかる目的は、基板と、光透過層と、前記基板および前記光透過層の間に形成された記録層を備え、前記記録層が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素Ｍの単体と、記録用レーザビームを照射することにより、前記金属元素Ｍの単体と結合して、前記金属元素Ｍとの化合物の結晶を生成する元素Ｘとを、含むことを特徴とする光記録媒体によって達成される。
【００１３】
本発明によれば、記録層が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素Ｍの単体と、記録用レーザビームを照射することにより、金属元素Ｍの単体と結合して、金属元素Ｍとの化合物の結晶を生成する元素Ｘとを、含み、無機材料で形成された単一の記録膜で構成されているため、耐光性を高めつつ、光記録媒体の製造コストを削減することとが可能となる。
【００１４】
また、本発明においては、金属元素Ｍと元素Ｘを含む記録層は、記録用レーザビームが照射されて、データが記録されるときには、金属元素Ｍと元素Ｘが結合されて、その化合物の結晶が生成されることにより、データが記録されるように構成されている。
【００１５】
こうして、データが記録された場合には、レーザビームに対する記録層の反射率において、金属元素Ｍの単体と元素Ｍの化合物が結晶化された領域と、それ以外の領域との反射率差を大きくすることができ、したがって、本発明によれば、良好なＣ／Ｎ比を有する再生信号を得ることも可能となる。
【００１６】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記元素Ｘが、ＳまたはＯである。
【００１７】
元素Ｘが、ＦやＣｌのような７Ｂ族の元素であるときには、反応性が高すぎるため、記録用のレーザビームを照射せずとも、金属元素Ｍと反応してしまい、また、ＮやＰのような５Ｂ族の元素であるときには、反応性が弱すぎて、金属元素Ｍと反応し難く、記録感度が悪くなるおそれがある。
【００１８】
これに対し、元素Ｘが、ともに６Ｂ族であるＯまたはＳであるときには、反応正が高すぎることもなければ、弱すぎることもなく、所望のように、金属元素Ｍと反応させて結晶化を生じさせることができるので、好ましい。
【００１９】
また、本発明の好ましい実施態様においては、前記記録層が、Ｍｇ、Ａｌ、ＴｉおよびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素を、さらに含んでいる。
【００２０】
本発明において、記録層が、Ｍｇを含むときには、Ｍｇの含有量は、１８．５原子％ないし４２原子％であることが好ましく、２０原子％ないし３７原子％であることが、さらに好ましく、Ａｌを含むときには、Ａｌの含有量は、１１原子％ないし７０原子％であることが好ましく、１８原子％ないし５６原子％であることが、さらに好ましく、また、Ｔｉを含むときには、Ｔｉの含有量は、８原子％ないし３８原子％であることが好ましく、１０原子％ないし３６原子％であることが、さらに好ましい。
【００２１】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記記録層が、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームを用いて、データが記録され、記録されたデータが再生されるように構成されている。
【００２２】
かかる記録層は、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームに対して良好な光学特性を示すため、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームを用いて、データが記録され、記録されたデータが再生されるのが、好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、耐光性を高めつつ、製造コストを削減することができ、かつ、良好なＣ／Ｎ比を有する再生信号を得ることができる光記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
【００２５】
図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の略斜視図であり、図２は、図１のＡで示された部分の略拡大図である。
【００２６】
図１に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、約１２０ｍｍの外径と、１．２ｍｍの厚さを有する円板状に形成されており、図２に示されるように、支持基板１１と、記録層１２と、光透過層１３とを備える。
【００２７】
支持基板１１は、光記録媒体１０に求められる機械的強度を確保するための支持体として、機能する。
【００２８】
支持基板１１を形成するための材料は、光記録媒体１０の支持体として機能することができれば、とくに限定されるものではない。支持基板１１は、たとえば、ガラス、セラミックス、樹脂などによって、形成することができる。これらのうち、成形の容易性の観点から、樹脂が好ましく使用される。このような樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、加工性、表面粗度などの点から、ポリカーボネート樹脂がとくに好ましく、本実施態様においては、支持基板１１は、ポリカーボネート樹脂によって形成されている。本実施態様においては、レーザビームＬは、支持基板１１とは反対側に位置する光入射面１３ａを介して、照射されるから、支持基板１１が、光透過性を有していることは必要でない。
【００２９】
本実施態様においては、支持基板１１は、約１．１ｍｍの厚さを有している。
【００３０】
図２に示されるように、支持基板１１の表面には、交互に、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが形成されている。支持基板１１の表面に形成されたグルーブ１１ａおよび／またはランド１１ｂは、データを記録する場合およびデータを再生する場合において、レーザビームＬのガイドトラックとして、機能する。
【００３１】
グルーブ１１ａの深さは、とくに限定されるものではないが、１０ｎｍないし４０ｎｍに設定することが好ましく、グルーブ１１ａのピッチは、とくに限定されるものではないが、０．２μｍないし０．４μｍに設定することが好ましい。
【００３２】
図２に示されるように、支持基板１１の表面上には、記録層１２が形成されている。
【００３３】
記録層１２は、データを記録する記録層であり、単一の記録膜によって構成されている。
【００３４】
本実施態様において、記録層１２は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素の単体と、ＳまたはＯの元素とを含んでいる。
【００３５】
記録層１２は、８ｎｍないし６０ｎｍの厚さを有していることが好ましく、１０ｎｍないし４５ｎｍの厚さを有していることが、より好ましい。
【００３６】
記録層１２の厚さが８ｎｍ未満のときは、記録層１２に記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が不十分となり、一方、記録層１２の厚さが６０ｎｍを越えるときには、成膜時間が長くなり、生産性が悪化するおそれがあるため、好ましくない。
【００３７】
こうして、本実施態様によれば、記録層１２が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素の単体と、ＳまたはＯの元素とを含み、無機材料で形成された単一の記録膜で構成されているため、長期間の保存に対する信頼性を高めつつ、光記録媒体の製造コストを削減することが可能となる。
【００３８】
光透過層１３は、レーザビームを透過させる層であり、その一方の表面によって、光入射面１３ａが構成されている。
【００３９】
光透過層１３は、１０μｍないし３００μｍの厚さを有するように形成されることが好ましく、５０μｍないし１５０μｍの厚さを有するように形成されることが、より好ましい。
【００４０】
光透過層１３を形成するための材料は、とくに限定されるものではないが、アクリル系やエポキシ系などの紫外線硬化性樹脂を用いることが好ましい。
【００４１】
光透過層１３は、データを記録し、再生する場合に、レーザビームＬが通過するため、十分に高い光透過性を有している必要がある。
【００４２】
以上のような構成を有する光記録媒体１０は、次のようにして、製造される。
【００４３】
まず、スタンパを用いて、表面に、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂを有する支持基板１１が、射出成形によって形成される。
【００４４】
次いで、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが形成されている支持基板１１の表面上に、記録層１２を形成する。ここでは、記録層１２が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素の単体のうち、ＺｎまたはＬａの金属元素の単体を含むように形成される場合を例に挙げて説明する。
【００４５】
支持基板１１の表面上に、ＺｎＳ・ＳｉＯ２またはＬａ・Ｓｉ・Ｏ・Ｎを主成分として含むターゲットと、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素を主成分として含むターゲットを用いて、スパッタリング法により、記録層１２を形成する。
【００４６】
ここに、本明細書においては、ＺｎＳ・ＳｉＯ２は、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を意味し、Ｌａ・Ｓｉ・Ｏ・Ｎにおいても同様に、ＬａとＳｉとＯとＮの混合物を意味する。
【００４７】
こうして、ＺｎＳ・ＳｉＯ２またはＬａ・Ｓｉ・Ｏ・Ｎとを主成分として含むターゲットと、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素を主成分として含むターゲットとを用いて、スパッタリング法により、記録層１２を形成したときには、記録層１２の成膜過程で、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素が、還元剤として作用し、この結果、記録層１２中に、ＺｎまたはＬａの金属元素が、単体の形で存在することになる。
【００４８】
具体的には、たとえば、ターゲットとして、ＺｎＳ・ＳｉＯ２を主成分として含むターゲットと、Ｍｇを主成分として含むターゲットを用いた場合には、Ｍｇが、ＺｎＳ・ＳｉＯ２に含まれるＺｎＳに対する還元剤として作用し、その結果として、記録層１２中に、Ｚｎが均等に分散される。このとき、還元剤として用いられたＭｇは、ＺｎＳから分離、あるいは、ＺｎＳに含まれるＳの一部と結合して、ＭｇＳが形成される。したがって、Ｚｎが、単体の形で、記録層１２に含まれることになる。
【００４９】
本実施態様において、記録層１２が、ＺｎＳ・ＳｉＯ２を主成分として含む場合に、記録層１２のＺｎＳとＳｉＯ２のモル比としては、４０：６０ないし８０：２０とすることが好ましく、６５：３５ないし７５：２５とすることが、さらに好ましい。
【００５０】
ＺｎＳのモル比が４０％以上であるときは、記録層１２のレーザビームに対する反射率と光透過率とを、ともに、向上させることができ、また、ＺｎＳのモル比が８０％以下であるときは、応力によって、記録層１２にクラックが発生することを、確実に、防止することができる。さらに、記録層１２のＺｎＳとＳｉＯ２のモル比を６５：３５ないし７５：２５に設定すれば、記録層１２にクラックが発生することを、より効果的に防止しつつ、記録層１２のレーザビームに対する反射率と光透過率とを、より一層向上させることが可能になる。
【００５１】
また、本実施態様において、記録層１２が、スパッタリングのターゲットとして、Ｌａ・Ｓｉ・Ｏ・Ｎを主成分として含む場合には、Ｌａ・Ｓｉ・Ｏ・Ｎを構成するＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４およびＬａ２Ｏ３において、ＳｉＯ２と、Ｓｉ３Ｎ４およびＬａ２Ｏ３の和とのモル比が１０：９０ないし５０：５０であることが好ましく、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４およびＬａ２Ｏ３のモル比が３０：５０：２０であることがより好ましい。
【００５２】
ＳｉＯ２のモル比が１０％未満である場合には、記録層１２にクラックが入りやすくなり、ＳｉＯ２のモル比が５０％を越える場合には、屈折率の低下により、記録層１２の反射率が低下するからであり、また、Ｓｉ３Ｎ４およびＬａ２Ｏ３の和のモル比が５０％ないし９０％であると、高い屈折率が得られるとともに、クラックの発生を防止することができるからである。これらを考慮すれば、スパッタリングのターゲットとして、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４およびＬａ２Ｏ３のモル比を３０：５０：２０とすることがより好ましい。
【００５３】
また、Ｓｉ３Ｎ４のモル比が３０％以上で、Ｌａ２Ｏ３のモル比が５０％以上の場合には、記録層１２を成膜するときに生じる膜の残留応力を少なくすることができるので、さらに好ましい。
【００５４】
さらに、本実施態様において、記録層１２が、Ｍｇを含むときには、Ｍｇの含有量は、１８．５原子％ないし４２原子％であることが好ましく、２０原子％ないし３７原子％であることが、さらに好ましく、Ａｌを含むときには、Ａｌの含有量は、１１原子％ないし７０原子％であることが好ましく、１８原子％ないし５６原子％であることが、さらに好ましく、また、Ｔｉを含むときには、Ｔｉの含有量は、８原子％ないし３８原子％であることが好ましく、１０原子％ないし３６原子％であることが、さらに好ましい。
【００５５】
さらに、図１に示されるように、記録層１２の表面上に、紫外線硬化性樹脂をスピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜に紫外線を照射することによって、光透過層１３を形成する。
【００５６】
こうして、光記録媒体１０が作製される。
【００５７】
以上のように構成された本実施態様にかかる光記録媒体１０に、次のようにして、データが記録される。
【００５８】
本実施態様において、光記録媒体１０にデータを記録するにあたっては、光透過層１３の光入射面１３ａを介して、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬが照射され、記録層１２に、レーザビームＬのフォーカスが合わせられる。
【００５９】
図３は、光記録媒体１０の記録層１２に、データを記録する際に、レーザビームＬのパワーを制御するレーザパワー制御信号のパルス列パターンを示すダイアグラムである。
【００６０】
図３に示されるように、光記録媒体１０の記録層１２に、データを記録するのに用いるレーザパワー制御信号のパルス列パターンは、記録パワーＰｗに対応するレベル、中間パワーＰｍに対応するレベルおよび基底パワーＰｂに対応するレベルの３つのレベルの間で、レベルが変調されたパルスによって構成されている。記録パワーＰｗ、中間パワーＰｍおよび基底パワーＰｂのパワーは、Ｐｗ＞Ｐｍ≧Ｐｂの関係を満たしており、これに対応して、パルス列パターンの３つのレベルも、決定されている。
【００６１】
記録層１２に、データを記録する場合には、図３に示されるパルス列パターンを有するレーザパワー制御信号に従って、パワーが変調されたレーザビームＬが、光透過層１３を介して、記録層１２に照射される。
【００６２】
こうして記録層１２に、レーザビームＬが照射されると、記録層１２の相状態が変化して、記録層１２に、データが記録される。
【００６３】
すなわち、パワーが記録パワーＰｗに設定されたレーザビームＬが照射されると、記録層１２が加熱され、加熱された記録層１２の領域において、記録層１２に含まれる非晶質状態の単体のＺｎまたはＬａの金属元素が、ＳまたはＯと反応して、結晶状態のＺｎＳまたはＬａ２Ｏ３となり、さらに、結晶状態のＺｎＳまたはＬａ２Ｏ３の周辺に存在する非晶質状態のＺｎＳまたはＬａ２Ｏ３が、結晶状態のＺｎＳまたはＬａ２Ｏ３を核として、結晶成長する。
【００６４】
こうして、結晶状態のＺｎＳまたはＬａ２Ｏ３が生成された領域は、それ以外の領域と、３９０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬに対する反射率が大きく異なるので、これを利用して、データを記録することができる。
【００６５】
したがって、本実施態様によれば、記録層１２に記録されたデータを再生した場合に、良好なＣ／Ｎ比を有する再生信号を得ることが可能となる。
【００６６】
ここに、レーザビームＬの記録パワーＰｗのパワーは、レーザビームＬを照射することによって、記録層に含まれるＺｎまたはＬａの金属元素と、ＳまたはＯの元素とが、確実に、結合し、ＺｎＳまたはＬａ２Ｏ３が結晶が生成されるパワーに設定される。
【００６７】
また、中間パワーＰｍおよび基底パワーＰｂのパワーについては、記録層１２に含まれるＺｎまたはＬａの金属元素と、ＳまたはＯの元素とが、結合することがない低いパワーに設定される。
【００６８】
とくに、基底パワーＰｂのレベルは、記録パワーＰｗのレーザビームＬが照射されて、加熱された領域が、レーザビームＬのレベルが基底パワーＰｂに切り換えられることによって、速やかに冷却されるように、きわめて低いレベルに設定される。
【００６９】
以上のようにして、光記録媒体１０の記録層１２に、データが記録される。
【００７０】
以上のように、本実施態様によれば、記録層１２が、ＺｎまたはＬａの金属元素と、ＳまたはＯの元素とを含み、無機材料で形成された単一の記録膜で構成されているため、長期間の保存に対する信頼性を高めつつ、光記録媒体の製造コストを削減することが可能となる。
【００７１】
さらに、本実施態様においては、ＺｎまたはＬａの金属元素と、ＳまたはＯの元素とが、結合されて、ＺｎＳあるいはＬａ２Ｏ３の結晶が生成されることにより、記録層１２にデータが記録されるように構成されており、こうしてデータが記録された場合には、レーザビームに対する記録層１２の反射率において、ＺｎＳまたはＬａ２Ｏ３の結晶が生成された領域と、それ以外の領域との反射率差を大きくすることができ、したがって、良好なＣ／Ｎ比を有する再生信号を得ることも可能となる。
【００７２】
以下、本発明の効果をより明瞭なものとするため、実施例を掲げる。
【実施例１】
【００７３】
まず、射出成型法により、厚さが１．１ｍｍ、直径が１２０ｍｍで、表面に、グルーブおよびランドが、０．３２μｍのグルーブピッチで形成されたポリカーボネート基板を作製した。
【００７４】
次いで、ポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、ＺｎＳを主成分とするターゲットと、Ｍｇを主成分とするターゲットの両方を用いて、スパッタリング法により、３０ｎｍの厚さを有する記録層を形成した。記録層の形成後に、記録層の組成を測定した結果、Ｚｎ、ＳおよびＭｇの含有量は、それぞれ、３９．１原子％、４７．０原子％および１３．９原子％であった。記録層に含まれるＺｎ、ＳおよびＭｇの含有量は、理学電気工業株式会社製の蛍光Ｘ線装置「ＲＩＸ２０００」（商品名）を用いて、Ｒｈ管、管電圧＝５０ｋＶ、管電流＝５０ｍＡにてＸ線を発生させ、ＦＰ法によって、測定した。
【００７５】
そして、記録層の表面上に、紫外線硬化性アクリル樹脂をスピンコート法により、塗布して、塗膜を形成し、これに、紫外線を照射して、１００μｍの光透過層を形成した。
【００７６】
こうして、光記録ディスクサンプル＃１を作製した。
【００７７】
ＺｎＳターゲットとＭｇターゲットの成膜パワーを変えることにより、記録層に含まれるＺｎ、ＳおよびＭｇの含有量を、それぞれ、３５．８原子％、４４．２原子％および２０．０原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２を作製した。
【００７８】
記録層に含まれるＺｎ、ＳおよびＭｇの含有量を、それぞれ、３２．９原子％、４２．８原子％および２４．３原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃３を作製した。
【００７９】
記録層に含まれるＺｎ、ＳおよびＭｇの含有量を、それぞれ、２８．９原子％、３７．６原子％および３３．５原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃４を作製した。
【００８０】
記録層に含まれるＺｎ、ＳおよびＭｇの含有量を、それぞれ、２９．９原子％、３０．２原子％および３９．９原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃５を作製した。
【００８１】
記録層に含まれるＺｎ、ＳおよびＭｇの含有量を、それぞれ、２５．２原子％、２５．７原子％および４９．１原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃６を作製した。
【００８２】
記録層に含まれるＺｎ、ＳおよびＭｇの含有量を、それぞれ、２０．４原子％、２０．３原子％および５９．３原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃７を作製した。
【００８３】
次いで、光記録ディスクサンプル＃１を、パルステック工業株式会社製の光記録媒体評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、以下の条件で、光記録ディスクサンプル＃１の記録層に、データを記録した。
【００８４】
レーザビームを、光透過層を介して、光記録ディスクサンプル＃１の記録層に、集光し、８Ｔの長さの記録マークを形成して、データを記録した。ここに、記録用レーザビームの記録パワーＰｗは、３ｍＷとした。
【００８５】
次いで、レーザビームの記録パワーＰｗを、３ｍＷないし１２ｍＷの範囲で、３ｍＷから少しずつ、上げていき、順次、記録層にデータを記録した。
【００８６】
変調方式：（１，７）ＲＬＬ
記録線速度：５．３ｍ／秒
チャンネルビット長：０．１２μｍ
チャンネルクロック：６６ＭＨｚ
記録方式：オングルーブ記録
次いで、上述の光記録媒体評価装置を用いて、光記録ディスクサンプル＃１の記録層に、再生パワーに設定されたレーザビームを、照射し、記録層に記録されたデータを再生して、８Ｔの長さを有する記録マークを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比を、測定した。ここに、再生用レーザビームの再生パワーは、０．３ｍＷとした。この際、再生用レーザビームは、記録用レーザビームと同一のレーザのパワーを変えて、使用した。
【００８７】
測定結果は、表１に示されている。ここに、表１には、記録パワーＰｗを３ｍＷないし１２ｍＷの範囲で変化させて記録したデータを再生したときに、最小のＣ／Ｎ比を得られたときの記録パワーＰｗおよびその記録パワーＰｗで記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が示されている。
【００８８】
次いで、同じ光記録媒体評価装置を用いて、光記録ディスクサンプル＃２ないし＃７の記録層に、順次、レーザビームを照射し、光記録ディスクサンプル＃１と同様に、８Ｔの長さの記録マークを形成して、データを記録した。
【００８９】
データを記録するに際しては、レーザビームの記録パワーＰｗを、光記録ディスクサンプル＃１の場合と同様に、３ｍＷないし１２ｍＷの範囲で、３ｍＷから少しずつ、上げていき、順次、記録層にデータを記録した。
【００９０】
次いで、同じ光記録媒体評価装置を用いて、光記録ディスクサンプル＃２ないし＃７の記録層に記録したデータを再生して、８Ｔの長さを有する記録マークを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比を、測定した。
【００９１】
測定結果は、表１に示されている。ここに、表１には、記録パワーＰｗを３ｍＷないし１２ｍＷの範囲で変化させて記録したデータを再生したときに、最小のＣ／Ｎ比を得られたときの記録パワーＰｗおよびその記録パワーＰｗで記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が示されている。
【００９２】
【表１】
2005104110.tif 000003
表１に示されるように、Ｍｇの含有量が２０原子％ないし４０原子％の範囲内である光記録ディスクサンプル＃２ないし＃５においては、記録層に記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が、いずれも、４０ｄＢ以上となり、きわめて高いＣ／Ｎ比の再生信号を得られることが判明した。
【００９３】
Ｍｇの含有量が２０原子％未満である光記録ディスク比較サンプル＃１においては、記録層に記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が、１０．６ｄＢとなり、また、Ｍｇの含有量が４０原子％を越える光記録ディスクサンプル＃６および＃７においては、記録層に記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が、それぞれ、３５．７ｄＢ、３６．６ｄＢとなり、いずれも、３０ｄＢ以上の再生信号を得られることが判明した。
【実施例２】
【００９４】
記録層を形成するに際し、Ｍｇを主成分として含むターゲットに代えて、Ａｌを主成分として含むターゲットを用いた点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃８を作製した。記録層の形成後、記録層の組成を測定した結果、Ｚｎ、ＳおよびＡｌの含有量は、それぞれ、３９．７原子％、５０．３原子％および１０．０原子％であった。
【００９５】
ＺｎＳターゲットとＡｌターゲットの成膜パワーを変えることにより、記録層に含まれるＺｎ、ＳおよびＡｌの含有量を、それぞれ、３５．７原子％、４５．４原子％および１８．９原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃８と同様にして、光記録ディスクサンプル＃９を作製した。
【００９６】
記録層に含まれるＺｎ、ＳおよびＡｌの含有量を、それぞれ、２９．７原子％、３９．０原子％および３１．３原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃８と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１０を作製した。
【００９７】
記録層に含まれるＺｎ、ＳおよびＡｌの含有量を、それぞれ、２５．３原子％、３３．５原子％および４１．２原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃８と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１１を作製した。
【００９８】
記録層に含まれるＺｎ、ＳおよびＡｌの含有量を、それぞれ、２２．０原子％、２２．４原子％および５５．５原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃８と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１２を作製した。
【００９９】
記録層に含まれるＺｎ、ＳおよびＡｌの含有量を、それぞれ、１３．９原子％、１３．７原子％および７２．５原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃８と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１３を作製した。
【０１００】
次いで、実施例１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃８ないし＃１３の記録層に、８Ｔの長さの記録マークを形成して、データを記録した。データを記録するに際しては、レーザビームの記録パワーＰｗを、光記録ディスクサンプル＃１の場合と同様に、３ｍＷないし１２ｍＷの範囲で、３ｍＷから少しずつ、上げていき、順次、記録層にデータを記録した。
【０１０１】
次いで、実施例１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃８ないし＃１３の記録層に記録されたデータを再生して、８Ｔの長さを有する記録マークを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比を、測定した。
【０１０２】
測定結果は、表２に示されている。ここに、表２には、記録パワーＰｗを３ｍＷないし１２ｍＷの範囲で変化させて記録したデータを再生したときに、最小のＣ／Ｎ比を得られたときの記録パワーＰｗおよびその記録パワーＰｗで記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が示されている。
【０１０３】
【表２】
2005104110.tif 000004
表２に示されるように、Ａｌの含有量が１８原子％ないし５６原子％の範囲内である光記録ディスクサンプル＃９ないし＃１２においては、記録層に記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が、いずれも、４０ｄＢ以上となり、きわめて高いＣ／Ｎ比の再生信号を得られることが判明した。
【０１０４】
Ａｌの含有量が１８原子％未満である光記録ディスクサンプル＃８、およびＡｌの含有量が５６原子％を越える光記録ディスクサンプル＃１３においても、記録層に記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が、いずれも、３０ｄＢ以上のＣ／Ｎ比を有する再生信号を得られることが判明した。
【実施例３】
【０１０５】
記録層を形成するに際し、Ｍｇを主成分として含むターゲットに代えて、Ｔｉを主成分として含むターゲットを用いた点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１４を作製した。ここに、記録層の形成後、記録層の組成を測定した結果、Ｚｎ、ＳおよびＴｉの含有量は、それぞれ、４３．６原子％、４８．８原子％および７．６原子％であった。
【０１０６】
ＺｎＳターゲットとＴｉターゲットの成膜パワーを変えることにより、記録層に含まれるＺｎ、ＳおよびＴｉの含有量を、それぞれ、４１．８原子％、４７．９原子％および１０．３原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１４と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１５を作製した。
【０１０７】
記録層に含まれるＺｎ、ＳおよびＴｉの含有量を、それぞれ、３８．３原子％、４６．９原子％および１４．８原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１４と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１６を作製した。
【０１０８】
記録層に含まれるＺｎ、ＳおよびＴｉの含有量を、それぞれ、３５．７原子％、４２．２原子％および２２．１原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１４と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１７を作製した。
【０１０９】
記録層に含まれるＺｎ、ＳおよびＴｉの含有量を、それぞれ、３０．８原子％、３３．８原子％および３５．４原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１４と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１８を作製した。
【０１１０】
記録層に含まれるＺｎ、ＳおよびＴｉの含有量を、それぞれ、２８．２原子％、３２．５原子％および３９．３原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１４と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１９を作製した。
【０１１１】
次いで、実施例１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１４ないし＃１９の記録層に、８Ｔの長さの記録マークを形成して、データを記録した。ここに、データを記録するに際しては、レーザビームの記録パワーＰｗを、光記録ディスクサンプル＃１の場合と同様に、３ｍＷないし１２ｍＷの範囲で、３ｍＷから少しずつ、上げていき、順次、記録層にデータを記録した。
【０１１２】
次いで、実施例１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１４ないし＃１９の記録層に記録されたデータを再生して、８Ｔの長さを有する記録マークを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比を、測定した。
【０１１３】
測定結果は、表３に示されている。ここに、表３には、記録パワーＰｗを３ｍＷないし１２ｍＷの範囲で変化させて記録したデータを再生したときに、最小のＣ／Ｎ比を得られたときの記録パワーＰｗおよびその記録パワーＰｗで記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が示されている。
【０１１４】
【表３】
2005104110.tif 000005
表３に示されるように、Ｔｉの含有量が１０原子％ないし３６原子％の範囲内である光記録ディスクサンプル＃１５ないし＃１８においては、記録層に記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が、いずれも、４０ｄＢ以上となり、きわめて高いＣ／Ｎ比の再生信号を得られることが判明した。
【０１１５】
Ｔｉの含有量が１０原子％未満である光記録ディスク比較サンプル＃１４においては、記録層に記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が、１８．６ｄＢとなり、また、Ｔｉの含有量が３６原子％を越える光記録ディスク比較サンプル＃１９においては、記録層に記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が、３８．２ｄＢとなり、３０ｄＢ以上のＣ／Ｎ比を有する再生信号を得られることが判明した。
【実施例４】
【０１１６】
記録層を形成するに際し、ＺｎＳを主成分として含むターゲットに代えて、モル比が８０：２０であるＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を主成分として含むターゲットを用いた点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２０を作製した。ここに、記録層の形成後、記録層の組成を測定した結果、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＳの含有量は、それぞれ、２１．８原子％、１０．８原子％、１８．３原子％、２１．６原子％および２７．５原子％であった。但し、基板中にＯが含まれているため、Ｏの測定は困難であり、Ｏの含有量は、ＯがＳｉＯ２の状態にあると仮定して、Ｓｉの含有量の２倍の原子％であるとした。以下、Ｏの含有量については、同様である。
【０１１７】
記録層に含まれるＺｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＳの含有量を、それぞれ、２１．５原子％、１０．１原子％、２０．８原子％、２０．１原子％および２７．５原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２０と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２１を作製した。
【０１１８】
記録層に含まれるＺｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＳの含有量を、それぞれ、２２．６原子％、９．３原子％、２５．０原子％、１８．６原子％および２４．５原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２０と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２２を作製した。
【０１１９】
記録層に含まれるＺｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＳの含有量を、それぞれ、１９．１原子％、８．０原子％、３３．９原子％、１６．０原子％および２３．０原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２０と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２３を作製した。
【０１２０】
記録層に含まれるＺｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＳの含有量を、それぞれ、１８．９原子％、７．３原子％、３７．０原子％、１４．５原子％および２２．３原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２０と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２４を作製した。
【０１２１】
記録層に含まれるＺｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＳの含有量を、それぞれ、１６．１原子％、７．１原子％、４２．５原子％、１４．２原子％および２０．１原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２０と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃２５を作製した。
【０１２２】
次いで、実施例１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２０ないし＃２５の記録層に、８Ｔの長さの記録マークを形成して、データを記録した。ここに、データを記録するに際しては、レーザビームの記録パワーＰｗを、光記録ディスクサンプル＃１の場合と同様に、３ｍＷないし１２ｍＷの範囲で、３ｍＷから少しずつ、上げていき、順次、記録層にデータを記録した。
【０１２３】
こうして、各光記録ディスクサンプルの記録層に、記録パワーＰｗのレーザビームを照射した後に、各光記録ディスクサンプルの記録層の状態を、透過電子顕微鏡を用いて、確認したところ、記録パワーＰｗのレーザビームを照射した領域において、ＺｎＳの結晶成長が認められた。
【０１２４】
次いで、実施例１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２０ないし＃２５の記録層に、記録されたデータを再生して、８Ｔの長さを有する記録マークを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比を、測定した。
【０１２５】
測定結果は、表４に示されている。ここに、表４には、記録パワーＰｗを３ｍＷないし１２ｍＷの範囲で変化させて記録したデータを再生したときに、最小のＣ／Ｎ比を得られたときの記録パワーＰｗおよびその記録パワーＰｗで記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が示されている。
【０１２６】
【表４】
2005104110.tif 000006
表４に示されるように、Ｍｇの含有量が２０原子％ないし４０原子％の範囲内である光記録ディスクサンプル＃２１ないし＃２４においては、記録層に記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が、いずれも、４０ｄＢ以上となり、きわめて高いＣ／Ｎ比の再生信号を得られることが判明した。
【０１２７】
Ｍｇの含有量が２０原子％未満である光記録ディスク比較サンプル＃２０、およびＭｇの含有量が４０原子％を越える光記録ディスク比較サンプル＃２５においても、記録層に記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が、それぞれ、３０．０ｄＢ、３７．９ｄＢとなり、３０ｄＢ以上のＣ／Ｎ比を有する再生信号を得られることが判明した。
【実施例５】
【０１２８】
記録層を形成するに際し、ＺｎＳを主成分として含むターゲットに代えて、モル比が５０：５０であるＺｎＳとＳｉＯ２の混合ターゲットを用いた点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２６を作製した。記録層の形成後、記録層の組成を測定した結果、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＳの含有量は、それぞれ、１４．５原子％、１６．６原子％、１７．８原子％、３３．２原子％および１７．９原子％であった。
【０１２９】
ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物ターゲットとＡｌターゲットの成膜パワーを変えることにより、記録層に含まれるＺｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＳの含有量を、それぞれ、１３．１原子％、１５．９原子％、２２．３原子％、３１．８原子％および１６．９原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２６と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２７を作製した。
【０１３０】
記録層に含まれるＺｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＳの含有量を、それぞれ、１２．９原子％、１５．０原子％、２６．１原子％、３０．０原子％および１６．０原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２６と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２８を作製した。
【０１３１】
記録層に含まれるＺｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＳの含有量を、それぞれ、１１．８原子％、１３．２原子％、３２．８原子％、２６．４原子％および１５．８原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２６と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２９を作製した。
【０１３２】
記録層に含まれるＺｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＳの含有量を、それぞれ、９．５原子％、１０．７原子％、４６．２原子％、２１．４原子％および１２．２原子％とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２６と同様にして、光記録ディスクサンプル＃３０を作製した。
【０１３３】
次いで、実施例１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２６ないし＃３０の記録層に、８Ｔの長さの記録マークを形成して、データを記録した。データを記録するに際しては、レーザビームの記録パワーＰｗを、光記録ディスクサンプル＃１の場合と同様に、３ｍＷないし１２ｍＷの範囲で、３ｍＷから少しずつ、上げていき、順次、記録層にデータを記録した。
【０１３４】
次いで、実施例１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２６ないし＃３０の記録層に記録されたデータを再生して、８Ｔの長さを有する記録マークを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比を、測定した。
【０１３５】
測定結果は、表５に示されている。ここに、表５には、記録パワーＰｗを３ｍＷないし１２ｍＷの範囲で変化させて記録したデータを再生したときに、最小のＣ／Ｎ比を得られたときの記録パワーＰｗおよびその記録パワーＰｗで記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が示されている。
【０１３６】
【表５】
2005104110.tif 000007
表５に示されるように、Ｍｇの含有量が２０原子％ないし３５原子％の範囲内である光記録ディスクサンプル＃２７ないし＃２９においては、記録層に記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が、いずれも、４０ｄＢ以上となり、非常に高いＣ／Ｎ比の再生信号を得られることが判明した。
【０１３７】
Ｍｇの含有量が２０原子％未満である光記録ディスク比較サンプル＃２６においては、記録層に記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が、１６．６ｄＢとなり、また、Ｍｇの含有量が３５原子％を越える光記録ディスクサンプル＃３０においても、記録層に記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が、３５．０ｄＢとなり、３０ｄＢ以上のＣ／Ｎ比を有する再生信号を得られることが判明した。
【実施例６】
【０１３８】
記録層を形成するに際し、ＺｎＳを主成分として含むターゲットに代えて、モル比が２０：３０：５０であるＬａ２Ｏ３、ＳｉＯ２およびＳｉ３Ｎ４の混合ターゲットを用いた点、および、記録層の厚さを、１７ｎｍとした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃３１を作製した。記録層の形成後、記録層の組成を測定した結果、Ｌａ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＮの含有量は、それぞれ、６．２原子％、２４．１原子％、２３．１原子％、２４．６原子％および２２．０原子％であった。
【０１３９】
次いで、実施例１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃３１の記録層に、８Ｔの長さの記録マークを形成して、データを記録した。データを記録するに際しては、レーザビームの記録パワーＰｗを、光記録ディスクサンプル＃１の場合と同様に、３ｍＷないし１２ｍＷの範囲で、３ｍＷから少しずつ、上げていき、順次、記録層にデータを記録した。
【０１４０】
次いで、実施例１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃３１の記録層に記録したデータを再生して、８Ｔの長さを有する記録マークを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比を、測定した。
【０１４１】
測定結果は、表６に示されている。ここに、表６には、記録パワーＰｗを３ｍＷないし１２ｍＷの範囲で変化させて記録したデータを再生したときに、最小のＣ／Ｎ比を得られたときの記録パワーＰｗおよびその記録パワーＰｗで記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が示されている。
【０１４２】
【表６】
2005104110.tif 000008
表６に示されるように、光記録ディスクサンプル＃３１においては、記録層に記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が、４０ｄＢ以上となり、きわめて高いＣ／Ｎ比を有する再生信号を得られることが判明した。
【０１４３】
以上の実施例において、オージェ分光分析装置、光学式膜厚測定装置および透過電子顕微鏡を用いて、記録層の状態を確認したところ、記録用のパワーに設定されたレーザビームが照射された記録層の領域で、金属元素Ｍの単体の存在と、金属元素Ｍとの化合物の結晶成長が認められた。
【０１４４】
本実施例においては、以下の分析と判断により、金属元素Ｍの存在が認められた状態を、記録層に金属元素Ｍが含まれるとする。また、以下の分析と判断により、金属元素Ｍと元素Ｘの化合物の結晶成長が認められた状態を、金属元素Ｍの単体と結合して、前記金属元素Ｍとの化合物の結晶を生成する元素Ｘが、記録層に含まれるものとする。
【０１４５】
具体的な手法としては、同一条件で光記録ディスクサンプルを三つ作成し、三つの光記録ディスクサンプルの記録層の一部に、実施例１でデータを記録したのと同じようにして、データを記録した。
【０１４６】
次いで、データが記録された三つの光記録ディスクサンプルのうちの一つにつき、光透過層を、カッターで切り込みを入れて剥がし、記録層を露出させ、露出した記録層の表面に、２０ｎｍの厚さを有する誘電体膜（記録層がＺｎＳを主成分として含む場合は、例えば、Ａｌ２Ｏ３）と、１００ｎｍの厚さを有する金属膜（例えばＡｌ）とを、スパッタリング法により、順次、形成した。金属膜と誘電体膜には、分析に影響しないように記録層に含まれる金属元素Ｍ以外の材料を使用する必要がある。ここに、金属膜を形成したのは、オージェ分光分析装置を用いた測定の際に、光記録ディスクサンプルが帯電するのを防止するためである。次いで、誘電体膜および金属膜を形成した光記録ディスクサンプルの金属膜表面を、局部的にスパッタリングし、記録層の表面の一部が露出するように、約２ｍｍの孔を形成した。
【０１４７】
次いで、データが記録された光記録ディスクサンプルにおいて、記録層のデータが記録された領域と、記録層のデータ未記録の領域につき、オージェ分光分析装置を用いて、エネルギースペクトルを測定した。ここに、エネルギースペクトルの測定に際しては、アルバック・ファイ株式会社製のオージェ分光分析装置「ＳＡＭ６８０」を用い、測定条件を、加速電圧５ｋＶ、Ｔｉｌｔ３０ｄｅｇ、試料電流１０ｎＡ、Ａｒイオンビームスパッタエッチング加速電圧２ｋＶに設定して、測定した。
【０１４８】
こうして、記録層のデータが記録された領域と、記録層のデータ未記録の領域につき、エネルギースペクトルを測定した結果、データが未記録の領域では、金属のエネルギースペクトルと、化合物のエネルギースペクトルが混在していると思われるスペクトルが存在し、一方、データが記録された領域では、化合物のエネルギースペクトルのみが認められた。このスペクトルの変化から、記録層に金属元素Ｍが含まれると判断した。
【０１４９】
次いで、先の三つの光記録ディスクサンプルのうちの他の一つの光記録ディスクサンプルにカッターで切れ込みを入れて、光透過層および記録層を切り離し、切り離した光透過層および記録層を、紫外線硬化樹脂を用いて、光透過層をスライドガラスに接するようにして、スライドガラス上に接着させた。
【０１５０】
こうして形成した光記録ディスクサンプルにおいて、記録層のデータが記録された領域と、記録層のデータ未記録領域につき、光学式膜厚測定装置を用いて、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームに対する光吸収率を測定した。ここに、光吸収率の測定に際しては、ｓｔｅａｇ  ＥＴＡ−ＯＰＴＩＫ株式会社製の光学式膜厚測定装置「ＥＴＡ−ＲＴ」（商品名）を用いた。
【０１５１】
こうして、記録層のデータが記録された領域と、記録層のデータ未記録の領域につき、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームに対する光吸収率を測定した結果、データが未記録の領域では、３４％の光吸収率を有し、一方、データが記録された領域では、２７％の光吸収率を有することが認められた。光吸収率の減少は、金属元素Ｍの自由電子が光を多く吸収し、元素Ｘと化合物を作ることで、金属元素Ｍの自由電子が少なくなり、光の吸収が減ったため、光吸収率が小さくなったと考えられる。オージェ分光分析によるエネルギースペクトルの変化と同様に、このように光吸収率の減少により記録膜に金属元素Ｍの単体が含まれていたと判断した。
【０１５２】
このように、オージェ分光分析装置によるエネルギースペクトルの測定によって、データが未記録の領域において、金属のエネルギースペクトルと、化合物のエネルギースペクトルとが混在し、一方、データが記録された領域において、化合物のエネルギースペクトルのみが確認できたという結果が得られ、また、光学式膜厚測定装置による光吸収率の測定によって、データが記録された領域において、データが未記録の領域に比べて、光吸収率が低下したという結果が得られたため、これらの結果から、記録層に金属元素Ｍの単体の存在と、記録用のレーザビームを照射した記録層の領域では、金属元素Ｍの単体が元素Ｘと結合して、化合物の結晶が生成されたと判断した。
【０１５３】
次いで、データが記録された三つの光記録ディスクサンプルのうちの残りの１つの光記録ディスクサンプルにつき、透過電子顕微鏡装置を用いて、記録マークの電子回折パターンを測定した。このとき透過電子顕微鏡は、日本電子株式会社製の「ＪＥＭ-３０１０」（商品名）を用い、加速電圧は３００ｋＶに設定した。
【０１５４】
ここでは、光記録ディスクサンプルを、ミクロトームを用いて切削し、透過電子顕微鏡用のサンプルを作成した。切断された断面において、記録層の電子回折パターンを測定した結果、データが未記録の領域では、ＺｎＳのブロードな回折リングが認められ、一方、データが記録された領域では、ＺｎＳの回折スポットが認められた。これらの結果から、記録用のレーザビームを照射した記録層の領域では、ＺｎＳの結晶化が生成されたと判断した。
【０１５５】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【０１５６】
たとえば、図１および図２に示される実施態様においては、ＺｎＳ・ＳｉＯ２またはＬａ・Ｓｉ・Ｏ・Ｎを主成分として含むターゲットと、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素を主成分として含むターゲットとを用いて、スパッタリング法により、記録層１２を形成するようにしているが、成膜の結果、記録層１２に、ＺｎまたはＬａの金属元素Ｍと、金属元素Ｍと結合して、金属元素Ｍとの化合物の結晶を生成する性質を有するＳまたはＯの元素とを、単体の形で含ませることができればよく、ＺｎＳを主成分とするターゲットと、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素を主成分として含むターゲットとを用いて、スパッタリング法により、記録層１２を形成することもできる。
【０１５７】
また、図１および図２に示される実施態様にかかる光記録媒体１０においては、光透過層１３を備えているが、光透過層１３に代えて、または、光透過層１３の表面上に、ハードコート組成物を主成分として含むハードコート層を設けてもよいし、さらに、潤滑性や防汚性の機能を付与するために、ハードコート層に潤滑剤を含ませてもよいし、ハードコート層の表面上に、潤滑剤を主成分として含む潤滑層を、別途、設けるようにしてもよい。
【０１５８】
さらに、図１および図２に示される実施態様にかかる光記録媒体１０においては、レーザビームＬは、光透過層１３を介して、記録層１２に照射されるように構成されているが、本発明は、約０．６ｍｍの厚さを有する光透過性基板と、約０．６ｍｍの厚さを有するダミー基板と、光透過性基板とダミー基板との間に、記録層を備えたＤＶＤ型の光記録媒体に適用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１５９】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の略斜視図である。
【図２】図２は、図１のＡで示された部分の略拡大図である。
【図３】図３は、光記録媒体１０にデータを記録する際に、レーザビームＬのパワーを制御するレーザパワー制御信号のパルス列パターンを示すダイアグラムである。
【符号の説明】
【０１６０】
１０  光記録媒体
１１  基板
１１ａ  グルーブ
１１ｂ  ランド
１２  記録層
１３  光透過層
【図１】
2005104110.tif 000009
【図２】
2005104110.tif 000010
【図３】
2005104110.tif 000011