(57)【要約】【課題】  ノイズを低減させることができる光または放射線検出装置および光または放射線検出制御システムを提供することを目的とする。【解決手段】  パーマロイなどに代表される透磁性物質で形成された磁気シールド５０を備え、磁気の影響を検出装置１０が受けないように、この磁気シールド５０を筐体状に構成して、その筐体内に放射線検出器３０を収納して、放射線検出装置１０を構成する。このように構成することで、磁気的なノイズＭＮ、すなわち磁力線は磁気シールド５０に沿って遮られて、検出装置１０にまで及ばない。その結果、磁気的なノイズを除去することができるとともに、そのノイズの除去によってノイズを低減させることができる。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する半導体層を備え、変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出装置であって、透磁性物質で形成された磁気シールドを備え、磁気の影響を前記検出装置が受けないような箇所に前記磁気シールドを配設することを特徴とする光または放射線検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光または放射線検出装置において、前記半導体層と前記電荷情報を読み出す読み出し基板とからなる放射線検出器を筐体で収納し、その筐体を前記透磁性物質で形成することを特徴とする光または放射線検出装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の光または放射線検出装置において、前記透磁性物質は導電性を有し、この導電性を有した透磁性物質を接地して構成することを特徴とする光または放射線検出装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか記載の光または放射線検出装置において、前記半導体層は、前記放射線の情報を電荷情報に直接的に変換する放射線感応型であって、前記検出装置は、その放射線感応型半導体層を備えた直接変換型の放射線検出装置であることを特徴とする光または放射線検出装置。
【請求項５】
光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する半導体層を備え、変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出装置と、その検出装置の制御を行う制御装置とで構築された光または放射線検出制御システムであって、透磁性物質で形成された磁気シールドを備え、少なくとも検出装置，前記制御装置，検出装置・制御装置間のいずれかの箇所に前記磁気シールドを配設することを特徴とする光または放射線検出制御システム。
【請求項６】
請求項５に記載の光または放射線検出制御システムにおいて、少なくとも前記検出装置側に前記磁気シールドを備えて配設することを特徴とする光または放射線検出制御システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、医療分野、工業分野、さらには原子力分野等に用いられる放射線検出装置および光または放射線検出制御システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線検出装置を例に採って説明する。Ｘ線検出装置はＸ線感応型のＸ線変換層（半導体層）を備えており、Ｘ線の入射によりＸ線変換層は電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことでＸ線を検出する。Ｘ線変換層によりＸ線から変換された電荷は非常に微小で、その電荷を増幅する必要がある。その際にはノイズまで増幅されるのでＳ／Ｎ（信号対ノイズ）比のよい画像を得るためには低ノイズ化が必要となる。そこで、ノイズを低減させるべく、シールド効果の高いポリアミドと銀とを折り合わせた導電性繊維が検出装置に用いられる（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−１１６６３３号公報（第３頁、図２，４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、かかる導電性繊維などに代表される導電性物質を備えてもノイズを除去することができないことが判明した。
【０００４】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、ノイズを低減させることができる光または放射線検出装置および光または放射線検出制御システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
発明者らは、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。
【０００６】
すなわち、ＭＲＩ（核磁気共鳴イメージング）(Magnetic Resonance Imaging)装置に着目してみた。ＭＲＩ装置では、ＭＲＩ装置を制御するコンピュータがＭＲＩ装置にケーブルなどの接続手段によって互いに電気的に接続されている。このＭＲＩ装置とコンピュータとで１つのシステムを構築している。コンピュータ側のＣＲＴ(Cathode Ray Tube)モニタなどには、ＭＲＩ装置からの磁気の影響を受けないよう磁気シールドが特別に施されている。ＣＲＴモニタなどに磁気シールドを施すことで、ＭＲＩ装置がＣＲＴモニタなどからの磁気の影響を受けなくなる。つまり、少なくともＭＲＩ装置，コンピュータ，ＭＲＩ装置・コンピュータ間のいずれかの箇所に磁気シールドを配設することで、ＭＲＩ装置・コンピュータ間からの磁気の影響を互いに受けない。
【０００７】
Ｘ線検出装置などに代表される光または放射線検出装置の場合でも、ＭＲＩ装置と同様に、コンピュータが電気的に接続されており、この光または放射線検出装置とコンピュータとで１つのシステムを構築している。かかる検出装置の近傍にはコンピュータが配設されている。そこで、発明者らは、ＭＲＩ装置と同様に、コンピュータ側（例えばＣＲＴモニタ）からの磁気の影響が検出装置にも及ぼしていると想定するとともに、この磁気的なノイズが除去できていないと想定した。
【０００８】
上述した特許文献１では、導電性繊維は電磁波をシールドするのに有用としているが、実際には、導電性繊維などの導電性物質によって除去することができるのは電気的なノイズのみであることが判明した。つまり、図６（ａ）に示すように、導電性物質１０１を接地しても、電気的なノイズＥＮは導電性物質１０１を介して接地面に逃げるが、図６（ｂ）に示すように、磁気的なノイズＭＮ、すなわち磁力線は導電性物質を透過してしまい検出装置側に入り込むと考えられる。以上のことから、検出装置，コンピュータなどに代表される制御装置，検出装置・制御装置間のいずれかの箇所に磁気シールドを配設すれば、磁気的なノイズを除去することができるという知見を得た。
【０００９】
このような知見に基づくこの発明は、次のような構成をとる。
【００１０】
すなわち、請求項1に記載の発明は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する半導体層を備え、変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出装置であって、透磁性物質で形成された磁気シールドを備え、磁気の影響を前記検出装置が受けないような箇所に前記磁気シールドを配設することを特徴とするものである。
【００１１】
［作用・効果］請求項1に記載の発明によれば、透磁性物質で形成された磁気シールドを備え、磁気の影響を検出装置が受けないような箇所にこの磁気シールドを配設することで、磁気的なノイズ、すなわち磁力線は磁気シールドに沿って遮られて、検出装置にまで及ばない。その結果、磁気的なノイズを除去することができるとともに、そのノイズの除去によってノイズを低減させることができる。
【００１２】
上述した発明において、半導体層と前記電荷情報を読み出す読み出し基板とからなる放射線検出器を筐体で収納し、その筐体を上述した透磁性物質で形成するのが好ましい（請求項２に記載の発明）。磁力線（磁気的なノイズ）ＭＮは、例えば図７に示すように回り込むので、図７に示す磁気シールドＳの壁を設けると、壁の上部あるいは床に設置されていない場合には下部に磁力線ＭＮの回り込みによるノイズが検出装置にまで及ぶ。もちろん、図５に示すように、磁力線ＭＮの回り込みによるノイズが無視できるほど磁気シールドＳの壁の高さを高くして磁気シールドを配設してもよいが、請求項２に記載の発明の場合には、筐体を透磁性物質で形成し、その筐体によって筐体内への磁力線の回り込みを許さない。したがって、その筐体内に収容された検出器への磁力線の回り込み、すなわち磁気的なノイズを許容せずに、磁気シールドを筐体が簡単に実現することができる。
【００１３】
また、上述した発明において、透磁性物質が導電性を有し、この導電性を有した透磁性物質を接地して構成するのが好ましい（請求項３に記載の発明）。このように構成することで、電気的なノイズが接地された透磁性物質を介して逃げる。その結果、磁気的なノイズのみでなく、電気的なノイズをも除去することができるとともに、それらのノイズの除去によってノイズをより一層低減させることができる。
【００１４】
上述した発明は、放射線の情報を光に変換した蛍光体（シンチレータ）と、放射線の情報を電荷情報に間接的に変換する、すなわち変換された光を電荷情報に変換する光感応型半導体層を備えた間接変換型の放射線検出装置にも、放射線の情報を電荷情報に直接的に変換する放射線感応型半導体層を備えた直接変換型の放射線検出装置にも適用することができる（請求項４に記載の発明）。もちろん、光検出装置にも適用することができる。
【００１５】
また、請求項５に記載の発明は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する半導体層を備え、変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出装置と、その検出装置の制御を行う制御装置とで構築された光または放射線検出制御システムであって、透磁性物質で形成された磁気シールドを備え、少なくとも検出装置，前記制御装置，検出装置・制御装置間のいずれかの箇所に前記磁気シールドを配設することを特徴とするものである。
【００１６】
［作用・効果］請求項５に記載の発明によれば、透磁性物質で形成された磁気シールドを備え、少なくとも検出装置，制御装置，検出装置・制御装置間のいずれかの箇所に磁気シールドを配設することで、磁気的なノイズ、すなわち磁力線は磁気シールドに沿って遮られて、検出装置，制御装置の両者に対して磁気的なノイズが及ばない。その結果、磁気的なノイズを除去することができるとともに、そのノイズの除去によってノイズを低減させることができる。
【００１７】
上述した発明の一例は、請求項１に記載の発明（光または放射線検出装置）と同様に、少なくとも検出装置側に磁気シールドを備えて配設すること（請求項６に記載の発明）である。
【発明の効果】
【００１８】
この発明に係る光または放射線検出装置（請求項１に記載の発明）によれば、透磁性物質で形成された磁気シールドを備え、磁気の影響を検出装置が受けないような箇所にこの磁気シールドを配設することで、磁気的なノイズ、すなわち磁力線は磁気シールドに沿って遮られて、検出装置にまで及ばない。一方、この発明に係る光または放射線検出制御システム（請求項５に記載の発明）によれば、少なくとも検出装置，制御装置，検出装置・制御装置間のいずれかの箇所に磁気シールドを配設することで、磁気的なノイズ、すなわち磁力線は磁気シールドに沿って遮られて、検出装置，制御装置の両者に対して磁気的なノイズが及ばない。その結果、磁気的なノイズを除去することができるとともに、そのノイズの除去によってノイズを低減させることができる。
【実施例】
【００１９】
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
【００２０】
図１は、実施例に係る放射線検出装置を有した放射線検出制御システムの概略図であり、図２は、放射線検出装置の概略断面図であり、図３は、図２を等価回路で表した回路図であり、図４は、平面的に表した回路図である。本実施例では直接変換型の放射線検出器を例に採って説明する。
【００２１】
本実施例の放射線検出制御システムは、図１に示すように、放射線検出装置１０とコンピュータ２０とから構成されている。放射線検出装置１０は、図２、図３に示すように、放射線検出器３０とそれを収納した筐体状の磁気シールド５０とで構成されている。コンピュータ２０は、マウスやキーボードやジョイスティックやトラックボールやタッチパネルなどに代表されるポインティングデバイス（入力手段）２１や、ＲＯＭ（Read-only Memory）やＲＡＭ（Random-Access Memory）などに代表される記憶媒体や中央演算処理装置（ＣＰＵ）などを収納した本体２２や、ＣＲＴ(Cathode Ray Tube)モニタ（表示手段）２３などから構成されている。放射線検出装置１０とコンピュータ２０とはケーブルなどの接続手段によって互いに電気的に接続されており、コンピュータ２０がケーブルを介して放射線検出装置１０の制御を行う。コンピュータ２０は、この発明における制御装置に相当する。
【００２２】
放射線検出器３０は、図２、図３に示すように、例えばＸ線などの放射線が入射することによりキャリアが生成される放射線感応型の半導体厚膜３１と、半導体厚膜３１の表面に設けられた電圧印加電極３２と、半導体厚膜３１の放射線入射側とは反対側にある裏面に設けられたキャリア収集電極３３と、キャリア収集電極３３への収集キャリアを溜める電荷蓄積用のコンデンサＣａと、コンデンサＣａに蓄積された電荷を取り出すための通常時ＯＦＦ（遮断）の電荷取り出し用のスイッチ素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒとを備えている。本実施例では、半導体厚膜３１は放射線の入射によりキャリアが生成される放射線感応型の物質で形成されているが、光の入射によりキャリアが生成される光感応型の物質であってもよい。半導体厚膜３１は、この発明における半導体層に相当する。
【００２３】
この他に、放射線検出器３０は、薄膜トランジスタＴｒのソースに接続されているデータ線３４と、薄膜トランジスタＴｒのゲートに接続されているゲート線３５とを備えており、電圧印加電極３２，半導体厚膜３１，キャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，薄膜トランジスタＴｒ，データ線３４，およびゲート線３５が絶縁基板３６上に積層されて構成されている。
【００２４】
図２〜図４に示すように、縦・横式２次元マトリックス状配列で多数個（例えば、1024個×1024個）形成されたキャリア収集電極３３ごとに、上述した各々のコンデンサＣａおよび薄膜トランジスタＴｒがそれぞれ接続されており、それらキャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，および薄膜トランジスタＴｒが各検出素子ＤＵとしてそれぞれ分離形成されている。また、電圧印加電極３２は、全検出素子ＤＵの共通電極として全面にわたって形成されている。また、上述したデータ線３４は、図４に示すように、横（Ｘ）方向に複数本に並列されているとともに、上述したゲート線３５は、図４に示すように、縦（Ｙ）方向に複数本に並列されており、各々のデータ線３４およびゲート線３５は各検出素子ＤＵに接続されている。また、データ線３４は電荷−電圧変換群３７を介してマルチプレクサ３８に接続されており、ゲート線３５はゲートドライバ３９に接続されている。なお、検出素子ＤＵの配列個数は上述の1024個×1024個だけでなく、実施形態に応じて配列個数を変更して使用することができる。したがって、検出素子ＤＵが１個のみの形態であってもよい。
【００２５】
検出素子ＤＵは２次元マトリックス状配列で絶縁基板３６にパターン形成されており、検出素子ＤＵがパターン形成された絶縁基板３６は『アクティブ・マトリクス基板』とも呼ばれている。この検出素子ＤＵがパターン形成された絶縁基板３６は、この発明における読み出し基板に相当する。
【００２６】
なお、電荷−電圧変換群３７，マルチプレクサ３８で、図２に示す増幅回路４０を構築しており、この増幅回路４０が弾性体で形成されたフレキシブル基板４１上に搭載されている。このフレキシブル基板４１は、絶縁基板３６に形成されたデータ線３４と、絶縁基板３４の放射線入射側とは反対側に配設された信号処理基板４２（図２、図４参照）に電気的に接続されている。この信号処理基板４２は、コンピュータ２０にケーブルを介して電気的に接続される（図１参照）。なお、ゲートドライバ３９についても図示を省略するフレキシブル基板上に搭載されている。
【００２７】
これら半導体厚膜３１や絶縁基板３６などで形成された放射線検出器３０を作成する場合には絶縁基板３６の表面に、各種真空蒸着法による薄膜形成技術やフォトリソグラフィ法によるパターン技術を利用して、データ線３４およびゲート線３５を配線し、薄膜トランジスタＴｒ，コンデンサＣａ，キャリア収集電極３３，半導体厚膜３１，電圧印加電極３２などを順に積層形成する。なお、半導体厚膜３１を形成する半導体については、アモルファス型の半導体や多結晶型の半導体などに例示されるように、用途や耐電圧などに応じて適宜選択することができる。また、半導体厚膜３１を形成する物質についても、セレン（Ｓｅ）などに例示されるように、特に限定されない。本実施例の場合には直接変換型の放射線検出器であるのでアモルファスセレンで半導体厚膜３１を形成する。
【００２８】
これら半導体厚膜３１や絶縁基板３６などで形成された放射線検出器３０を収納した磁気シールド５０上には、検出すべき放射線（ここではＸ線）以外の放射線や光を遮蔽する遮蔽板５１を配設している。遮蔽板５１によるＸ線の減衰を最小限に留めるように遮蔽板５１はカーボンや樹脂などの遮蔽率の低い物質で構成されている。
【００２９】
なお、コンピュータ２０（図１参照）のうちＣＲＴモニタ２３（図１参照）から磁力線が発生する。図２に示す磁気的なノイズＭＮは、ほとんど、このＣＲＴモニタ２３からの磁力線によるものである。そこで磁気シールド５０は、強磁性体である鉄ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）合金を１０００℃程度に熱焼成（焼鈍）した物（以下、『パーマロイ』と呼ぶ）などに代表される透磁性物質で形成されている。パーマロイで磁気シールド５０を形成することで、図２に示すように、磁気的なノイズＭＮは磁気シールド５０に沿って遮られて、検出装置１０にまで及ばない。パーマロイは導電性をも有しており、本実施例ではこのパーマロイを接地させる。パーマロイの比透磁率は磁束密度などにも左右されるが、１０4〜数１０6程度である。
【００３０】
なお、パーマロイによってＸ線が減衰する恐れがあるので、磁気シールド５０のうち、筐体の入射面の厚みを他の面よりも薄くするのが好ましい。本実施例では、０．１μｍ程度の厚みのパーマロイを入射面に形成するとともに、それ以外の面に０．３μｍ程度の厚みのパーマロイを形成する。なお、入射面を遮蔽板５１のみで形成すると、磁力線の回り込みにより磁力線が入射面を介して検出装置１０にまで入り込むので、入射面側についてもパーマロイで形成する。
【００３１】
続いて、本実施例システムの作用について説明する。検出装置１０を制御するためのコマンド（命令）をコンピュータ２０のポインティングデバイス２１から入力する、あるいは本体２２に予め記憶された、検出装置１０を制御するためのプログラムを読み出して、検出装置１０を以下のように制御する。
【００３２】
すなわち、電圧印加電極３２に高電圧（例えば数１００Ｖ〜数１０ｋＶ程度）のバイアス電圧ＶAを印加した状態で、検出対象である放射線を入射させる。
【００３３】
放射線の入射によってキャリアが生成されて、そのキャリアが電荷情報として電荷蓄積用のコンデンサＣａに蓄積される。ゲートドライバ３９の信号取り出し用の走査信号によって、ゲート線３５が選択されて、さらに選択されたゲート線３５に接続されている検出素子ＤＵが選択指定される。その指定された検出素子ＤＵのコンデンサＣａに蓄積された電荷が、選択されたゲート線３５の信号によってＯＮ状態に移行した薄膜トランジスタＴｒを経由して、データ線３４に読み出される。
【００３４】
また、各検出素子ＤＵのアドレス（番地）指定は、データ線３４およびゲート線３５の信号取り出し用の走査信号に基づいて行われる。マルチプレクサ３８およびゲートドライバ３９に信号取り出し用の走査信号が送り込まれると、ゲートドライバ３９から縦（Ｙ）方向の走査信号に従って各検出素子ＤＵが選択される。そして、横（Ｘ）方向の走査信号に従ってマルチプレクサ３８が切り換えられることによって、選択された検出素子ＤＵのコンデンサＣａに蓄積された電荷が、データ線３４を介して、電圧−電圧変換群３７およびマルチプレクサ３８を順に経て信号処理基板４２に送り出されるとともに、検出装置１０の外部であるコンピュータ２０に送り出される。
【００３５】
上述の動作によって、例えばＸ線透視撮影装置の透視Ｘ線像の検出に本実施例に係るシステムを用いた場合、データ線３４を介して信号処理基板４２にて電荷情報が画像情報に変換されて、コンピュータ２０でＸ線透視画像として出力される。具体的には、Ｘ線透視画像は、コンピュータ２０のＣＲＴモニタ２３や図示を省略するプリンタなどに出力される。
【００３６】
上述した本実施例装置１０によれば、パーマロイなどに代表される透磁性物質で形成された磁気シールド５０を備え、磁気の影響を検出装置１０が受けないような箇所にこの磁気シールド５０を配設することで、磁気的なノイズＭＮ、すなわち磁力線は磁気シールド５０に沿って遮られて、検出装置１０にまで及ばない。一方、本実施例システムによれば、検出装置１０側に上述した磁気シールド５０を配設することで、検出装置１０，コンピュータ２０の両者に対して磁気的なノイズＭＮが及ばない。その結果、磁気的なノイズを除去することができるとともに、そのノイズの除去によってノイズを低減させることができる。
【００３７】
本実施例では、磁気の影響を検出装置１０が受けないように、放射線検出器３０を筐体状の磁気シールド５０で収納し、その筐体状の磁気シールド５０をパーマロイなどに代表される透磁性物質で形成している。この筐体によって磁気シールド５０内への磁力線の回り込みを許さない。したがって、その磁気シールド５０内に収容された検出器３０への磁力線の回り込み、すなわち磁気的なノイズを許容せずに、磁気シールド５０を筐体が簡単に実現することができる。
【００３８】
本実施例では、パーマロイが導電性を有し、このパーマロイを接地して構成することで、電気的なノイズが接地されたパーマロイを介して逃げる。その結果、磁気的なノイズのみでなく、電気的なノイズをも除去することができるとともに、それらのノイズの除去によってノイズをより一層低減させることができる。
【００３９】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００４０】
（１）上述した実施例では、入射した放射線を半導体厚膜３１（半導体層）によって電荷情報に直接的に変換した直接変換型の放射線検出装置をこの発明は適用したが、入射した放射線をシンチレータによって光に変換し、光感応型の物質で形成された半導体層によってその光を電荷情報に変換する間接変換型の放射線検出器をこの発明は適用してもよい。また、入射した光を光感応型の物質で形成された半導体層によって電荷情報に変換する光検出器をこの発明は適用してもよい。
【００４１】
（２）上述した実施例では、Ｘ線を検出する場合を例に採って説明したが、核医学装置などに用いられるγ線を検出する検出装置をこの発明が適用することもできる。
【００４２】
（３）上述した実施例では、磁気シールド５０を筐体状に構成し、その筐体内に検出器３０を収納して、磁気の影響を検出装置１０が受けないようにしたが、例えば、図５に示すように、磁力線ＭＮの回り込みによるノイズが無視できるほど磁気シールドＳの壁の高さを高くして磁気シールドを配設してもよい。ただ、磁気シールドを簡単に実現することという点、および磁力線の回り込みを許容しないという点において、実施例の構造の方がより好ましい。
【００４３】
（４）上述した実施例では、透磁性物質をパーマロイで構成したが、通常に用いられる透磁性物質であれば、例えばケイ素鋼やマンガン亜鉛（Ｍｎ−Ｚｎ）フェライトや鉄（Ｆｅ）基アモルファスなどのように特に限定されない。また、透磁性は高ければ高いほど磁気シールドとしての効果を発揮することができる。好ましくは、ケイ素鋼などのようにその比透磁率が１０3程度以上、より好ましくは、パーマロイなどのようにその比透磁率が１０4以上の透磁性物質で構成する。
【００４４】
（５）上述した実施例では、パーマロイなどに代表される透磁性物質は導電性を有しており、そのパーマロイを接地して電気的なノイズをも除去したが、電気的なノイズを除去しないのであれば、透磁性物質であっても導電性を有する必要はない。例えばコイルの鉄心は透磁性物質であるが導電性を有さない。かかる鉄心を磁気シールドとして形成してもよい。
【００４５】
（６）上述した実施例では、図１に示すように磁気シールド５０を放射線検出装置１０側のみに備えて配設したが、少なくとも検出装置１０側に磁気シールド５０を配設するのであれば、検出装置１０側のほかに、コンピュータ２０側の例えばＣＲＴモニタ２３に磁気シールドを施してもよいし、検出装置１０・コンピュータ２０間の箇所に、例えば変形例（３）で述べた磁気シールドの壁（図５参照）を配設してもよい。
【００４６】
なお、実施例システム全体でいえば、放射線検出装置１０側に磁気シールド５０を備えて配設しなくてもよく、少なくとも検出装置１０，コンピュータ２０などに代表される制御装置，検出装置１０・制御装置間のいずれかの箇所に磁気シールドを配設すればよい。配設する磁気シールドの数は１個のみでよいし、２個以上でもよいし、すべての箇所にシールドを配設してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】実施例に係る放射線検出装置を有した放射線検出制御システムの概略図である。
【図２】実施例に係る放射線検出装置の概略断面図である。
【図３】図２を等価回路で表した回路図である。
【図４】平面的に表した回路図である。
【図５】変形例に係る放射線検出装置の概略断面図である。
【図６】この発明に基づく知見における各ノイズの説明図であって、（ａ）は電気的なノイズに関する説明図、（ｂ）は磁気的なノイズに関する説明図である。
【図７】磁気シールドの壁を配設した場合における磁気的なノイズに関する説明図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０  …  放射線検出装置
２０  …  コンピュータ
２３  …  ＣＲＴモニタ
３０  …  放射線検出器
３１  …  半導体厚膜
３６  …  絶縁基板
５０  …  磁気シールド
【図１】
2005249658.tif 000003
【図２】
2005249658.tif 000004
【図３】
2005249658.tif 000005
【図４】
2005249658.tif 000006
【図５】
2005249658.tif 000007
【図６】
2005249658.tif 000008
【図７】
2005249658.tif 000009