(57)【要約】【課題】フィルタ特性を改善できる圧電共振子およびそれを用いた電子機器を提供する。【解決手段】基板の開口部上にダイヤフラム部７を形成する。ダイヤフラム部７上に、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極３および下部電極４を対向させて挟む振動部５を設ける。振動部５の形状は、仮想の正多角形の各辺を弦とする円弧でそれぞれ結ばれたものであり、上記円弧の曲率半径は、仮想の正多角形の中心と頂点との距離の長さを越えるように設定されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部または凹部を有する基板と、
開口部上または凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む振動部とを備え、
振動部の形状は、仮想の正多角形の各辺を弦とする円弧でそれぞれ結ばれたものであり、
上記円弧の曲率半径は、仮想の正多角形の中心と頂点との距離の長さを越えるように設定されていることを特徴とする、圧電共振子。
【請求項２】
上記正多角形は、さらに正奇数角形であることを特徴とする、請求項１記載の圧電共振子。
【請求項３】
円弧の曲率半径は、さらに、１つの頂点から、該１つの頂点の対辺の各頂点までの距離の長さ以下に設定されていることを特徴とする、請求項１または２記載の圧電共振子。
【請求項４】
振動部の形状は、厚み方向視で、ルーローの（２ｎ＋１）角形（ｎは１以上の整数）であることを特徴とする、請求項１記載の圧電共振子。
【請求項５】
開口部または凹部における振動部に面する開口端の形状は、振動部と略一致していることを特徴とする、請求項１ないし４の何れか１項に記載の圧電共振子。
【請求項６】
開口端の形状は、振動部の形状と相似形となるように設定されていることを特徴とする、請求項１ないし５の何れか１項に記載の圧電共振子。
【請求項７】
開口端の形状は、円形であることを特徴とする、請求項１ないし４の何れか１項に記載の圧電共振子。
【請求項８】
開口端の形状は、振動部の外縁を囲むように形成されていることを特徴とする、請求項１ないし７の何れか１項に記載の圧電共振子。
【請求項９】
請求項１ないし８の何れか１項に記載の圧電共振子から構成されていることを特徴とする、圧電フィルタ。
【請求項１０】
請求項１ないし８の何れか１項に記載の圧電共振子および請求項９記載の圧電フィルタの少なくとも一方を有することを特徴とする、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、経時的な安定性に優れた、圧電共振子、圧電フィルタおよびそれを有する電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話等の小型の通信装置には、多くのフィルタが用いられており、使用帯域の高周波化に伴い、圧電基板の厚み縦振動を利用した圧電共振子を用いた圧電フィルタを用いることが考えられている。
【０００３】
上記圧電共振子の共振周波数は、圧電基板の厚さに反比例することから、超高周波領域では圧電基板を極めて薄く加工する必要がある。しかし、圧電基板自体の厚さを薄くするのは、その機械的強度や取り扱い上の制限等から、基本モードでは数１００ＭＨｚが実用上の高周波限界とされてきた。
【０００４】
このような限界を解決するために、従来から、圧電薄膜共振子が、フィルタや共振器として提案されている。上記の圧電薄膜共振子は、Ｓｉ基板を部分的に、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等によりエッチングして開口部または凹部を形成することにより、Ｓｉ基板の一部に数μｍ以下の厚さの薄膜支持部を形成し、その上に一対の励振用電極として下部電極、上部電極を有するＺｎＯやＡｌＮからなる圧電薄膜を設けたものである。
【０００５】
このような圧電薄膜共振子では、薄膜支持部はエッチングを用いて薄くすることができ、圧電薄膜もスパッタリング等によって薄く形成することができるので、数１００ＭＨｚ〜数１０００ＭＨｚまで高周波特性を伸ばすことができる可能性がある。
【０００６】
このような圧電共振子においては、図１１に示すように、開口部または凹部を振動部の形状（例えば四角形）に合わせるように、開口部または凹部を形成するためのエッチング窓５１の形状を設定しても、実際に形成される上記開口部または凹部５２は、角がとれ丸みをおびた形状となる。これは、新鮮な（基板であるＳｉと反応していない）エッチングガスが隅々にまで行き渡らないことが原因と考えられる。よって、上記開口部または凹部５２は、ＲＩＥ等のエッチングにより形成されるとき、矩形などの角張った形状に加工することは困難なものとなっている。
【０００７】
一方、薄膜支持部（ダイヤフラム部）の形状が、円、もしくはそれに近い形状であれば、エッチング後に上記形状に合わせて仕上げられる上記開口部または凹部の形状も、それに合わせた形状に容易に保つことができる。
【０００８】
しかしながら、図１２に示すように、上記開口部または凹部５２の開口端の形状が円形で、上部電極および下部電極により規定される振動部５３の形状が、三角形や四角形であれば、上記開口部または凹部５２の開口端と、振動部５３の端部までの距離が長い部分が多くなり、上記両者間は熱容量が小さな薄膜支持部にのみでつながっているため、放熱性に劣り、振動部の温度上昇が大きくなって動作安定性が悪くなるという問題を生じている。
【０００９】
そこで、ダイヤフラム部となる上記開口部または凹部５２の円形状に合わせて、上記振動部の形状も円形に設定することも考えられた。ところが、このようなエネルギー閉じ込め型の圧電共振子および圧電共振子を用いてなる圧電フィルタでは、インハーモニックモードと呼ばれる他の振動モードが存在する。
【００１０】
これらのインハーモニックは、厚み振動の基本モードの周波数帯域付近に出現する場合があり、スプリアスとして特性を悪化させる要因となっている。特に、振動部の形状を円形に設定すると、対称性が良くなり、圧電共振子にインハーモニックモードによる大きなスプリアスを発生させるという不都合を生じる。電極を円形にすることの不都合については、特許文献２の段落番号（００２５）にも記載されている。
【００１１】
このようなスプリアスの発生を抑制するためには、振動部の対称性を崩す、つまり互いに平行な対辺をなくすことが有効であることが下記のように種々知られている。
【００１２】
特許文献１では、図１３（ａ）に示すように、対向する一対の電極６１の形状を、２対の対辺を有し、少なくとも一方の対の対辺が非平行に形成され各辺が直線状である圧電共振子が開示されている。
【００１３】
特許文献２においては、図１３（ｂ）に示すように、対向する一対の電極７１の形状を、如何なる二辺も互いに平行とならないよう不規則な多角形とした圧電共振子が開示されている。
【００１４】
特許文献３では、図１３（ｃ）に示すように、対向する一対の電極８１のうち、少なくとも一つの電極または一つの電極の形成された前記圧電層８２の外郭（の全辺が曲線形状であり、その内部の仮想多角形８３が不規則な形状である圧電共振子が開示されている。さらに、特許文献３においては、図１３（ｄ）および図１３（ｅ）に示すように、対向する一対の電極８１のうち、少なくとも一つの電極または一つの電極の形成された前記圧電層８２の外郭の全辺が曲線形状である、他の各例も開示されている。
【００１５】
【特許文献１】
日本国特許第３１３６１４１号公報（登録日：２０００年１２月１日、特開２０００−３１５５２号公報（公開日：２０００年１月２８日））
【００１６】
【特許文献２】
特開２０００−３３２５６８号公報（公開日：２０００年１１月３０日）
【００１７】
【特許文献３】
特開２００３−１７９７４号公報（公開日：２００３年１月１７日）
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１および特許文献２で開示されている圧電共振子は、電極の形状において角張った形状であるが、この形状に対応した開口部または凹部をＲＩＥなどの方法で形成することは困難である。
【００１９】
その結果、上記圧電共振子においては、振動部の形状と開口部または凹部に大きなズレが生じ、振動部と開口部または凹部の開口端とが互いに離れた部分が形成されることになる。
【００２０】
圧電共振子では、振動部を形成するダイヤフラムは薄膜状であって熱容量が小さいので、発生した熱が放熱されにくい上に、特に振動部と開口部の開口端部との距離が離れているほど熱が基板を介して外部に逃げにくくなり、熱の多くは振動部に蓄積されて、振動部の温度上昇を招来する。振動部の温度上昇は、振動部の破壊などの影響を及ぼす恐れがあり、経時的な動作安定性が劣化するという問題を招く。
【００２１】
また、特許文献３においても同様に、特許文献３に記載の複雑な形状に対応した開口端を備えた開口部または凹部のＲＩＥなどの方法で精度良く形成することは困難であるから、上記開口端の形状は、振動部に対してより大きくなるように設定され、特許文献１および特許文献２と同様の問題が発生する。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明の圧電共振子は、以上の課題を解決するために、開口部または凹部を有する基板と、開口部上または凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む振動部とを備え、振動部の形状は、仮想の正多角形の各辺を弦とする円弧でそれぞれ結ばれたものであり、上記円弧の曲率半径は、仮想の正多角形の中心と頂点との距離の長さを越えるように設定されていることを特徴としている。
【００２３】
上記圧電共振子においては、上記正多角形は、さらに正奇数角形であることが望ましい。上記圧電共振子では、円弧の曲率半径は、さらに、１つの頂点から、該１つの頂点の対辺の各頂点までの距離の長さ以下に設定されていることが好ましい。
【００２４】
上記構成によれば、振動部を、仮想の正多角形における各頂点からの対辺を弦とする円弧でそれぞれ結んだ形状とし、上記円弧の曲率半径を、仮想の正多角形の中心と頂点との距離の長さを越えるように設定したので、円形と相違して対称性を劣化させ、かつ、互いに平行な対辺をなくした形状にできる。このことから、上記構成は、圧電共振子のＱを高くでき、かつスプリアス振動も抑制できるので、この圧電共振子を用いて構成されるフィルタの特性も向上できる。
【００２５】
上記圧電共振子においては、振動部の形状は、厚み方向視で、ルーローの（２ｎ＋１）角形（ｎは１以上の整数）であることが望ましい。
【００２６】
さらに、上記構成では、振動部の形状を、厚み方向視で、ルーローの（２ｎ＋１）角形（ｎは１以上の整数）に設定したので、製造プロセスにおいて、上部電極と下部電極の一方の形成位置が所定の場所から多少ずれてしまった場合でも、上記振動部が定幅図形であるから、振動部の形状をルーローの（２ｎ＋１）角形（ｎは１以上の整数）に限りなく近い形状にすることができる。また、振動部の形状を崩すことなく、上部電極および下部電極を取り出すことができる。
【００２７】
上記圧電共振子では、開口部または凹部における振動部に面する開口端の形状は、振動部と略一致していることが好ましい。
【００２８】
上記圧電共振子においては、開口端の形状は、振動部の形状と相似形となるように設定されていることが望ましい。
【００２９】
上記圧電共振子では、開口端の形状は円形であってもよい。上記圧電共振子においては、開口端の形状は振動部の外縁を囲むように形成されていてもよい。
【００３０】
上記構成によれば、開口部または凹部における開口端と、振動部の端部との距離を小さくできるから、振動部の温度上昇を軽減でき、放熱性を向上できて、耐電力性を改善できる。また、開口端の形状を円形とすると、エッチングによる開口部または凹部の形成を容易化できる。
【００３１】
本発明の圧電フィルタは、前記の課題を解決するために、上記の何れかに記載の圧電共振子から構成されていることを特徴としている。本発明の電子機器は、前記の課題を解決するために、上記の何れかに記載の圧電共振子および上記圧電フィルタの少なくとも一方を有することを特徴としている。上記構成によれば、圧電共振子のＱを高くでき、かつスプリアス振動も抑制できるので、この圧電共振子を用いて構成される圧電フィルタや電子機器における、フィルタ特性も向上できるから、そのように優れたフィルタ特性によって、例えば通信特性を改善できる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の各形態について図１ないし図１０に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００３３】
（実施の第一形態）
本発明の実施の第一形態に係る圧電共振子は、図２に示すように、空洞部（開口部）１ａを有するＳｉ基板１と、空洞部１ａ上に形成されている、１層以上の圧電薄膜２の上下面を一対の上部電極３および下部電極４を互いに対向させて挟む構造を有する振動部５とを有している。上記圧電共振子には、Ｓｉ基板１と圧電薄膜２または下部電極４との間に絶縁薄膜６が薄膜支持部として形成されている。よって、絶縁薄膜６における、空洞部１ａに面した部分がダイヤフラム部７を形成すると共に振動部５の一部を形成することになる。
【００３４】
本実施の形態では、Ｓｉ基板１に複数の空洞部１ａをそれぞれ設け、各空洞部１ａに対応するように、上部電極３を分割して設けることにより、図３に示すように、圧電共振子１０を複数、例えばＬ型のラダーを２段に組み合わせた圧電フィルタを効率よく形成できる。
【００３５】
次に、上記圧電共振子の製造方法における各作製（工程）プロセスについて説明する。まず、Ｓｉ基板１の一表面の全面上に、例えば熱酸化、電子ビーム蒸着、スパッタリング法等の成膜法により、ＳｉＯ２からなる絶縁薄膜６を形成する。続いて、Ｓｉ基板１の他の表面側から、Ｓｉ基板１に対して、ＳＦ６等を用いたＲＩＥなどの手段によりＳｉ基板１の一部を除去し、前記の空洞部１ａを絶縁薄膜６に達してＳｉ基板１をその厚さ方向に貫通するように形成する。このとき、絶縁薄膜６は完全に残るので、表面が平滑なダイヤフラム部７を形成できる。
【００３６】
次に、絶縁薄膜６における、空洞部１ａに面する表面とは反対面上に、下部電極４、ＺｎＯまたはＡｌＮを主成分とする圧電薄膜２、上部電極３をこの順番にて順次それぞれ形成する。励振用電極として作用する下部電極４、上部電極３はアルミニウム等からなり、リフトオフ蒸着法、エッチング法等により形成される。圧電薄膜２はスパッタリング、ＣＶＤ等の成膜法で形成される。
【００３７】
そして、本実施の形態においては、図１に示すように、振動部５およびダイヤフラム部７の形状が、絶縁薄膜６や振動部５の厚さ方向視にて、ルーローの三角形となるように、図２に示す空洞部１ａの形成が制御されている。なお、図１においては、厚さ方向視での、振動部５およびダイヤフラム部７の形状が分かりやすいように、Ｓｉ基板１および圧電薄膜２の記載を省略している、また、図４は、このような圧電共振子を、図３に示す、Ｌ型ラダーを２段にて構成するときの具体例である。
【００３８】
さらに、下部電極４および上部電極３は、それらが圧電薄膜２を挟んで互いに対向して、振動部５を形成する部分の形状が、ダイヤフラム部７の外縁（開口端）と略一致しており、好ましくは、ダイヤフラム部７の外縁の形状は、振動部５より若干大きな相似形となっており、かつ、ダイヤフラム部７の外縁は、振動部５の外縁を外側から近接して囲むように形成されている。よって、ダイヤフラム部７の外縁は、振動部５の外縁と略平行となることが望ましい。
【００３９】
本実施の形態では、振動部５およびダイヤフラム部７の形状に、ルーローの三角形を用いたことから、得られた圧電共振子のＱが高く、インハーモニックによるスプリアス振動も少なくできるので、フィルタ特性を向上できる。かつ、ルーローの三角形に沿った空洞部１ａは、角部がないことから、ＲＩＥ加工により確実に形成できる。よって、振動部５の外縁部と、ダイヤフラム部７の端部との間の距離を最小に保つことができ、耐熱性（耐電力性）やダイヤフラム部７の強度を向上できる。
【００４０】
さらに、本実施の形態においては、前述したように、振動部５の形状をダイヤフラム部７に応じて設定したから、振動部５の外縁部と、ダイヤフラム部７との間の距離を最小に保つことができ、耐熱性（耐電力性）やダイヤフラム部７の強度を改善できる。
【００４１】
次に、ルーローの三角形について説明する。ルーローの三角形は、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、「正三角形の各頂点から対辺を弦とする弧を描いた図形」と定義される。ルーロー（Ｒｅｕｌｅａｕｘ）の多角形という表現は、岩波数学辞典第３版のｐ２４３、ｐ８９４に記載されているように、一般化された用語である。
【００４２】
ルーローの三角形は、図５（ｃ）に示すように、上記三角形を互いに平行に挟む板の間隔、つまり上記三角形の幅が上記三角形の何れの位置でも一定という特性を備えていて、例えば図５（ｄ）に示すように、正方形に内接させたルーローの三角形は、その正方形内部にて回転できるものとなっている。
【００４３】
以下に、本実施の形態に記載の本発明と、従来である特許文献１ないし３に記載の発明との相違点について説明する。まず、特許文献１ないし３に記載のように、ダイヤフラム部を角張った形状に形成しようとすると、エッチング加工時にエッチングガスが角張った隅々にまで行き渡りにくく、反応が阻害されるため、上記ダイヤフラム部は、丸みを帯びた形状になる。もし、ダイヤフラム部の形状が、円形ならば周囲が一様にエッチングされるため、変形は起こりにくく、ＲＩＥによるエッチング加工には、円形はベストな形状である。
【００４４】
しかし、円形のダイヤフラム部に対応して振動部の形状を円形にするとスプリアスが発生してしまうという問題がある。
【００４５】
そこで、本実施の形態では、振動部５の形状をルーローの多角形に設定することで、円に近い形状だがスプリアスの発生が抑制された形状となっている。本発明の振動部５は、特許文献１および２に記載の形状に対しては、角張っていない形状となっており、また、特許文献３に記載の形状に対しては、円形ではないが、より円形に近い（等幅図形）ものであるといえる。
【００４６】
（実施の第二形態）
本実施の形態では、図６に示すように、上記実施の第一形態に記載のダイヤフラム部７に代えて、よりＲＩＥ加工が容易な、円形に形成されたダイヤフラム部７ａを設け、その上、上記実施の第一形態に記載の、正三角形の各頂点から対辺を弦とする円弧を描いた図形と定義されるルーローの三角形の円弧の曲率半径以上の振動部５ｂを形成している。
【００４７】
これにより、本実施の形態は、加工性を向上しながら、ダイヤフラム部７ａの端部と、上記振動部５ｂの端部とを互いにさらに近づけて放熱性を改善できるものである。
【００４８】
上記振動部５ｂの曲率半径は、仮想の正三角形５ａの中心と頂点との距離の長さを越えるように設定されている。これにより、振動部５ｂの曲率半径が、仮想の正三角形５ａの中心と頂点との距離の長さと等しい、つまり振動部５ｂが円形５ｃとなることによる、前述した、良好な対称性を有する振動部の形状に起因する不都合を回避できる。
【００４９】
上記振動部５ｂの曲率半径は、さらに、仮想の正三角形５ａの頂点から対辺の各頂点までの距離の長さ以下に設定されている。これによって、振動部５ｂの曲率半径を、ルーローの三角形における円弧の曲率半径以上に設定できて、ダイヤフラム部７ａの端部と、上記振動部５ｂの端部とを互いに近づけて放熱性を改善することを確実化できる。
【００５０】
（実施の第三形態）
本実施の形態では、上記実施の第一形態に記載のダイヤフラム部７に代えて、よりＲＩＥ加工が容易な、円形に形成されたダイヤフラム部７ａを設け、その上、上記実施の第一形態に記載の、ルーローの三角形の形状に形成した振動部５に代えて、図７および図８に示すように、ルーローの五角形の形状に形成した振動部１５を、上部電極１３および下部電極１４によって形成している。図８では、図１と同様に、Ｓｉ基板１および圧電薄膜２の記載を省略している。
【００５１】
上記振動部１５は、図７に示すように、仮想の正五角形の各頂点から対辺を弦とする弧を描いた図形として、ルーローの三角形と同様に形成できる。図８に示すように、本実施の形態では、ルーローの五角形の形状を振動部１５に用いることで、ダイヤフラム部７ａの端部と、上記振動部１５の端部とをより近づけて放熱性を改善することをより一層確実化できる。
【００５２】
また、本実施の一変形例としては、図９および図１０に示すように、ルーローの七角形の形状に形成した振動部２５を上部電極２３および下部電極２４によって形成している。このような振動部２５により、ダイヤフラム部７ａの端部と、上記振動部２５の端部とをより近づけて放熱性を改善することをより一層確実化できる。
【００５３】
このように本発明では、振動部５の形状は、仮想の正多角形の各辺を弦とする円弧でそれぞれ結ばれたものであり、上記円弧の曲率半径が仮想の正多角形の中心と頂点との距離の長さを越えるように設定されていればよいことがわかる。より好ましくは、上記正多角形は、さらに正奇数角形であればよく、さらに望ましくは、円弧の曲率半径は、さらに、１つの頂点から、該１つの頂点の対辺の各頂点までの距離の長さ以下に設定されていることである。最も好ましくは、振動部５の形状は、厚み方向視で、ルーローの（２ｎ＋１）角形（ｎは１以上の整数）であればよいことがわかる。
【００５４】
本発明の圧電共振子は、電子機器のフィルタとして好適な物である。上記電子機器としては、デュプレクサや、それを備えた携帯電話等の小型通信機を挙げることができる。
【００５５】
本発明の圧電共振子を有する小型通信機では、圧電共振子のＱを高くでき、かつスプリアス振動も抑制できるので、この圧電共振子を用いて構成されるフィルタの特性も向上できるから、そのように優れた特性を備えたフィルタによって、例えば通信特性を改善できる。
【００５６】
【発明の効果】
本発明の圧電共振子は、以上のように、基板の開口部上または凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する振動部とを備え、振動部の形状は、仮想の正多角形の各辺を弦とする円弧でそれぞれ結ばれたものであり、上記円弧の曲率半径は、仮想の正多角形の中心と頂点との距離の長さを越えるように設定されている構成である。
【００５７】
それゆえ、上記構成は、振動部を、仮想の正多角形の各辺を弦とする円弧でそれぞれ結んだ形状とし、上記円弧の曲率半径を、仮想の正多角形の中心と頂点との距離の長さを越えるように設定したので、円形と相違して対称性を劣化させ、かつ、互いに平行な対辺をなくした形状にできる。
【００５８】
このことから、上記構成は、圧電共振子のＱを高くでき、かつスプリアス振動も抑制できるので、この圧電共振子を用いて構成されるフィルタの特性も向上できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の第一形態に係る圧電共振子の、要部平面図である。
【図２】上記圧電共振子の要部断面図である。
【図３】上記圧電共振子をＬ型ラダー２段にて構成した圧電フィルタのブロック図である。
【図４】上記圧電フィルタの要部平面図である。
【図５】上記圧電共振子における、ルーローの三角形に形成された振動部の形状または特性を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は一工程図、（ｃ）は定幅図形を示す一例であり、（ｄ）は定幅図形を示す他の例である。
【図６】本発明の実施の第二形態に係る圧電共振子の、要部平面図である。
【図７】本発明の実施の第三形態に係る圧電共振子における、ルーローの五角形に形成された振動部の要部平面図である。
【図８】上記圧電共振子の要部平面図である。
【図９】上記圧電共振子の一変形例を示し、（ａ）はルーローの七角形を示し、（ｂ）はルーローの七角形を導くための正七角形を示す。
【図１０】上記一変形例の圧電共振子の要部平面図である。
【図１１】Ｓｉ基板に空洞部を形成するとき、設定された形状と実際に形成される形状との相違を示す平面図である。
【図１２】圧電共振子において、円形のダイヤフラム部と、四角形の振動部を形成したときの平面図である。
【図１３】従来の圧電共振子の要部平面図であって、（ａ）は特許文献１に記載のものであり、（ｂ）は特許文献２に記載のものであり、（ｃ）ないし（ｅ）は特許文献３に記載のものである。
【符号の説明】
１    Ｓｉ基板（基板）
１ａ  空洞部（開口部）
２    圧電薄膜
３    上部電極
４    下部電極
５    振動部
６    絶縁薄膜
７    ダイヤフラム部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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