(57)【要約】【課題】耐熱耐湿性に優れ、信頼性の高いフリップチップ方式の半導体装置を、効率よく製造することができる半導体装置の製造方法、及び、該方法により製造された半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子をフリップチップ方式によって実装する半導体装置の製造方法において、回路基板に熱硬化性樹脂を用いて半導体素子を接合したのち、半導体素子の周辺部に光硬化性樹脂を塗布し、光硬化してフィレットを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法、及び、半導体素子がフリップチップ方式により回路基板に実装された半導体装置において、半導体素子がその直下部において熱硬化性樹脂により回路基板に接合され、その周辺部において光硬化性樹脂によりフィレットが形成されてなることを特徴とする半導体装置。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子をフリップチップ方式によって実装する半導体装置の製造方法において、回路基板に熱硬化性樹脂を用いて半導体素子を接合したのち、半導体素子の周辺部に光硬化性樹脂を塗布し、光硬化してフィレットを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体素子がフリップチップ方式により回路基板に実装された半導体装置において、半導体素子がその直下部において熱硬化性樹脂により回路基板に接合され、その周辺部において光硬化性樹脂によりフィレットが形成されてなることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。さらに詳しくは、本発明は、耐熱耐湿性に優れ、信頼性の高いフリップチップ方式の半導体装置を、効率よく製造することができる半導体装置の製造方法、及び、該方法により製造された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩなどの半導体素子を使用したエレクトロニクス製品に対して、民生用、産業用を問わず、常に小型軽量化、高機能化が求められている。このために、半導体素子をボンディングワイヤーによりリードに接続し、エポキシ樹脂やセラミックスなどでモールドした半導体装置に代えて、ベアチップをそのまま実装するフリップチップ方式が主流になりつつある。
図１は、半導体素子がフリップチップ方式により実装された半導体装置の一例の断面図である。回路基板１上の電極２と半導体素子３の電極４とが、半導体素子３上のバンプ５を介して対面している。半導体素子３は、熱硬化性の異方導電性接着剤６により、回路基板１に接合され、対応するバンプ５と電極２とを導通させるとともに、不要な電極間の絶縁を行っている。ここで異方導電性接着剤は、半導体素子の周辺部にはみ出して、フィレット７を形成している。半導体素子３の周辺部に形成されているフィレット７のために、熱硬化した異方導電性接着剤の内部への酸素、水分などの滲入が阻止されて、半導体素子が保護されるとともに、半導体素子と回路基板との接着面積が大きくなり、半導体装置の耐衝撃性などの強度が向上する。
半導体素子を回路基板に接合し、その周辺部にフィレットを形成するためには、半導体素子直下のアンダーフィルと周辺部のフィレットに相当する量の液状の熱硬化性接着剤を回路基板の上に滴下し、半導体素子を位置決めして回路基板上に載置し、半導体素子に荷重をかけ、フィレットを形成する熱硬化性接着剤をはみ出させ、半導体素子を加熱することにより、熱硬化性接着剤を硬化させる。このとき、アンダーフィルの部分には、半導体素子を介して熱が伝わるので、熱硬化性接着剤を１０秒以内に硬化させることができる。しかし、フィレットの部分の熱硬化性接着剤には、直接的な伝熱が起こらないので、硬化に時間がかかり、このために半導体装置の製造の生産性が向上しないという問題があった。
熱によっても、光によっても硬化が可能な熱−光硬化性樹脂が、半導体装置の製造用の樹脂として開発されている。この樹脂は、半導体素子の直下の部分を加熱により熱硬化させたのち、未硬化のフィレット部に光を照射することによって硬化させることが可能である。しかし、現在開発されている樹脂は、反応温度が３００℃まで上昇することや、反応性が高いためにシリンジ内で反応が始まる危険性があるという問題がある。また、触媒が強酸であるために、回路の腐食を引き起こすおそれがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、耐熱耐湿性に優れ、信頼性の高いフリップチップ方式の半導体装置を、効率よく製造することができる半導体装置の製造方法、及び、該方法により製造された半導体装置を提供することを目的としてなされたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、半導体素子を熱硬化性樹脂を用いて回路基板に接合したのち、半導体素子の周辺部に光硬化性樹脂を塗布し、光硬化してフィレットを形成することにより、耐熱耐湿性に優れ、信頼性の高いフリップチップ方式の半導体装置を、短時間で効率的に製造し得ることを見いだし、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、
（１）半導体素子をフリップチップ方式によって実装する半導体装置の製造方法において、回路基板に熱硬化性樹脂を用いて半導体素子を接合したのち、半導体素子の周辺部に光硬化性樹脂を塗布し、光硬化してフィレットを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法、及び、
（２）半導体素子がフリップチップ方式により回路基板に実装された半導体装置において、半導体素子がその直下部において熱硬化性樹脂により回路基板に接合され、その周辺部において光硬化性樹脂によりフィレットが形成されてなることを特徴とする半導体装置、
を提供するものである。
【発明の効果】
【０００５】
本発明方法によれば、耐熱耐湿性に優れ、信頼性の高いフリップチップ方式の半導体装置を、効率よく製造することができる。本発明の半導体装置は、耐熱耐湿性に優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
本発明の半導体装置の製造方法においては、半導体素子をフリップチップ方式によって実装する半導体装置の製造方法において、回路基板に熱硬化性樹脂を用いて半導体素子を接合したのち、半導体素子の周辺部に光硬化性樹脂を塗布し、光硬化してフィレットを形成する。
フリップチップ方式による半導体素子の実装とは、パッケージングされていない裸の半導体素子すなわちベアチップを使用し、半導体素子の機能面上の電極と基板面上の電極とを接続する実装形態である。フリップチップ方式によれば、実装占有面積と実装高さが小さく、機器を小型化、薄型化し得るのみならず、ワイヤボンディング方式に比べて電極端子間の接続長が短くなり、高周波信号の損失を少なくすることができる。
本発明方法において、回路基板に熱硬化性樹脂を用いて半導体素子を接合する方法に特に制限はなく、例えば、異方導電性接着剤（ＡＣＰ）を用いる方法、異方導電性接着フィルム（ＡＣＦ）を用いる方法、非導電性接着剤（ＮＣＰ）を用いる方法、非導電性接着フィルム（ＮＣＦ）を用いる方法、ＥＳＣ（Epoxy Encapsulated Solder Connection）工法、Ｃ４（Controlled Collapse Chip Connection）工法、超音波フリップチップ工法などを挙げることができる。
【０００７】
異方導電性接着剤は、熱硬化性樹脂に導電性粒子を分散させた液状ないしペースト状の接着剤であり、回路基板に異方導電性接着剤を滴下又は塗布し、半導体素子をフリップチップ実装機のヘッドで圧接、加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させ、回路基板と半導体素子との接合、対向電極間の導通及び隣接電極間の絶縁を同時に行う。本発明方法においては、回路基板への異方導電性接着剤の滴下量又は塗布量を、半導体素子の直下部が熱硬化性樹脂により完全に満たされるが、半導体素子の外側へ熱硬化性樹脂がはみ出さない量とすることが好ましい。
異方導電性接着フィルムは、導電性粒子を含有する熱硬化性樹脂からなるフィルムであり、通常はカバーフィルムと剥離フィルムにより両面が覆われている。異方導電性接着フィルムを所定の寸法に切断し、カバーフィルムを除去して回路基板上に載置し、剥離フィルムを剥離して半導体素子を重ね、フリップチップ実装機のヘッドで圧接、加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させ、回路基板と半導体素子との接合、対向電極間の導通及び隣接電極間の絶縁を同時に行う。本発明方法においては、異方導電性接着フィルムと半導体素子の形状と寸法を一致させ、半導体素子の直下部が熱硬化性樹脂により完全に満たされるが、半導体素子の外側へ熱硬化性樹脂がはみ出さない大きさとすることが好ましい。
異方導電性接着剤又は異方導電性接着フィルムに含有させる導電性粒子としては、例えば、ニッケル、銀、金などの金属粒子、これらの金属がメッキされた樹脂粒子、ガラス粒子、セラミック粒子などを挙げることができる。異方導電性接着剤又は異方導電性接着フィルムを構成する熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタンアクリレート樹脂などを挙げることができる。
【０００８】
非導電性接着剤又は非導電性接着フィルムを用いる方法においては、半導体素子と回路基板を非導電性接着剤又は非導電性接着フィルムを介して接着し、これを圧着して対応する各電極（バンプ）間を導通させ、その他の不要な電極間は導通させない状態とする。続いて非導電性接着剤又は非導電性接着フィルムの熱硬化性樹脂を硬化させる。非導電性接着剤又は非導電性接着フィルムを用いる方法においても、半導体素子の直下部が熱硬化性樹脂により完全に満たされるが、半導体素子の外側へ熱硬化性樹脂がはみ出さない状態とすることが好ましい。
ＥＳＣ工法は、回路基板上に熱硬化性樹脂を塗布し、半導体素子の機能面上の電極に形成された金線バンプと、回路基板面上の電極に形成されたはんだプリコートとで金属接合を形成するとともに、熱硬化性樹脂を硬化させる。
Ｃ４工法では、半導体素子の機能面の電極上に形成された高融点はんだバンプと、回路基板面上の電極に形成された共晶はんだバンプとを溶融接合したのち、半導体素子の直下に熱硬化性のアンダーフィル樹脂を充填して硬化させる。
超音波フリップチップ工法では、半導体素子の機能面上の電極に形成された金線バンプと、回路基板面上の金電極を接触させ、加圧しながら基板面に平行な方向に超音波振動を加え、金属を接合したのち、半導体素子の直下に熱硬化性のアンダーフィル樹脂を充填して硬化させる。
ＥＳＣ工法、Ｃ４工法及び超音波フリップチップ工法では、電極間に金属接合が形成されているが、半導体素子の直下には熱硬化性樹脂が充填され、硬化されているので、本発明方法においては、これらの方法においても、回路基板に熱硬化性樹脂を用いて半導体素子が接合されているとする。これらの方法においても、半導体素子の直下部が熱硬化性樹脂により完全に満たされるが、半導体素子の外側へ熱硬化性樹脂がはみ出さない状態とすることが好ましい。
【０００９】
本発明方法においては、回路基板に熱硬化性樹脂を用いて半導体素子を接合したのち、半導体素子の周辺部に光硬化性樹脂を塗布し、光硬化してフィレットを形成する。光硬化性樹脂は、重合性プレポリマー及び光重合開始剤を基本成分とし、必要に応じて、反応性希釈剤、架橋性モノマー、架橋性プレポリマー、他の樹脂などを配合することができる。本発明方法においては、ラジカル重合体性の光硬化性樹脂とカチオン重合性の光硬化性樹脂のいずれをも用いることができる。
ラジカル重合用の光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインエチルエーテル、アセトフェノン、ジメチルアミノアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルケトン、ベンゾフェノン、ｐ−フェニルベンゾフェノン、ジクロロベンゾフェノン、２−メチルアントラキノン、２−アミノアントラキノン、２−エチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタールなどを挙げることができる。ラジカル重合用の重合性プレポリマーとしては、例えば、ウレタン(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、ポリエーテル(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリ(メタ)アクリル酸エステルの側鎖に炭素−炭素二重結合を有する化合物などを挙げることができる。
【００１０】
カチオン重合用の光重合開始剤としては、例えば、芳香族スルホニウムイオン、芳香族オキソスルホニウムイオン、芳香族ジアゾニウムイオン、芳香族ヨードニウムイオンなどのオニウムイオンと、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、ヘキサフルオロアンチモネート、ヘキサフルオロアルセネートなどのアニオンとを組み合わせた化合物を挙げることができ、具体的には、ｐ−メトキシベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートなどを挙げることができる。カチオン重合用の重合性プレポリマーとしては、例えば、ポリエーテルグリシジル、ポリエステルグリシジル、環状脂肪族エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ポリ(メタ)アクリル酸エステルの側鎖にグリシジル基を有する化合物などを挙げることができる。
反応性希釈剤としては、例えば、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、２−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、Ｎ−ヒドロキシエチル(メタ)アクリルアミド、Ｎ−ビニルアセトアミド、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルの核水素化物などを挙げることができる。架橋性モノマーとしては、例えば、１,４−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレートなどを挙げることができる。架橋性プレポリマーとしては、例えば、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ノボラックポリグリシジルエーテルなどを挙げることができる。他の樹脂としては、例えば、ポリウレタン、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂などを挙げることができる。
【００１１】
本発明方法において、半導体素子の周辺部に光硬化性樹脂を塗布する方法に特に制限はなく、例えば、小型の半導体素子の場合は、半導体素子の周辺の一点にディスペンサーなどにより液状の光硬化性樹脂を供給すると、光硬化性樹脂は半導体素子の四辺に行きわたる。また、大型の半導体素子の場合は、ディスペンサーヘッドなどを移動させながら、半導体素子の四辺に液状の光硬化性樹脂を供給することができる。本発明方法においては、半導体素子の直下部が熱硬化性樹脂により完全に満たされて熱硬化し、半導体素子の外側へは熱硬化性樹脂がはみ出さない状態となっているので、半導体素子の周辺部に光硬化性樹脂のみからなるフィレットを形成することができる。
本発明方法において、半導体素子の周辺部に塗布された光硬化性樹脂を光硬化させる方法に特に制限はなく、例えば、スポット光源を用いて塗布された光硬化性樹脂に光を照射することにより、光硬化性樹脂を硬化させることができる。照射する光の波長は、光硬化性樹脂に配合された光重合開始剤の種類に応じて選択することができ、例えば、波長４００〜７００ｎｍの可視光線、波長３００〜４５０ｎｍの紫外線、波長２４０〜４００ｎｍの２５０ｎｍ帯増強紫外線などを挙げることができる。光の照射強度は、１,０００〜６,０００ｍＷ／ｃｍ２であることが好ましく、３,０００〜４,０００ｍＷ／ｃｍ２であることがより好ましい。光の照射強度が１,０００ｍＷ／ｃｍ２未満であると、光硬化性樹脂を短時間で硬化させることが困難になるおそれがある。光の照射強度が６,０００ｍＷ／ｃｍ２以下で光硬化性樹脂は速やかに硬化し、通常は６,０００ｍＷ／ｃｍ２を超える照射強度は必要ではない。
【００１２】
本発明方法によれば、回路基板に半導体素子を接合するための熱硬化性樹脂の熱硬化に要する時間と、半導体素子の周辺部に塗布した光硬化性樹脂の光硬化に要する時間がほぼ同程度である。したがって、半導体装置の製造ラインに、熱硬化性樹脂の塗布ステージ、熱硬化性樹脂の熱硬化ステージ、光硬化性樹脂の塗布ステージ及び光硬化性樹脂の光硬化ステージをこの順序で設け、熱硬化ステージと光硬化ステージを同期させ、製造ラインで半製品を移動させながら半導体装置を製造することができる。光硬化性樹脂の塗布ステージ及び光硬化性樹脂の光硬化ステージはいずれも小型であり、従来の製造ラインに容易に付設することができ、従来の製造ラインの大掛かりな改造をすることなく、本発明方法により半導体装置を製造することができる。
図２及び図３は、本発明の半導体装置の製造方法の一態様の説明図である。図２に示されるように、回路基板１上に熱硬化性樹脂８が塗布され、その上に半導体素子３が、回路基板１上の電極２と半導体素子３の電極４とがバンプ５により導通されるように位置決めして載置される。この状態で、半導体素子がフリップチップ実装機のヘッドにより加圧加熱され、熱硬化性樹脂が硬化して、半導体素子が回路基板に接合される。熱硬化性樹脂の量は、半導体素子の直下部分をちょうど満たして、半導体素子の外側へははみ出さない量とする。次いで、図３に示されるように、半導体素子３の周辺部に光硬化性樹脂９が塗布され、光照射により硬化し、フィレットが形成される。半導体素子の周辺部に形成されるフィレットのために、熱硬化性樹脂への酸素、水分などの浸入が阻止されて、半導体素子が保護されるとともに、半導体素子と回路基板との接着面積が大きくなり、半導体装置の耐衝撃性などの強度が向上する。
【００１３】
本発明の半導体装置は、半導体素子がフリップチップ方式により回路基板に実装された半導体装置において、半導体素子がその直下部において熱硬化性樹脂により回路基板に接合され、その周辺部において光硬化性樹脂によりフィレットが形成されてなる半導体装置である。従来のフリップチップ方式の半導体装置においては、回路基板に半導体素子を接合するための熱硬化性樹脂を多めに用い、半導体素子の直下部分からはみ出した熱硬化性樹脂によりフィレットを形成していた。フリップチップ方式の半導体装置においては、熱硬化性樹脂として異方導電性接着剤又は異方導電性接着フィルムが用いられる場合が多い。熱硬化性樹脂として異方導電性素材を用いることにより、半導体素子と回路基板の接合、対向電極間の導通及び隣接電極間の絶縁を同時に行うことができる。しかし、フィレットを形成する素材は、異方導電性素材である必要はなく、半導体素子と回路基板の接着強度を高めるとともに、半導体装置内部への酸素、水分などの浸入を阻止し、半導体装置の耐熱耐湿性を向上し、信頼性を高めることが重要である。フィレットを形成する樹脂を半導体素子の直下の熱硬化性樹脂と同一の樹脂とすると、フィレットに要求される性能に最適の樹脂を選ぶことは、必ずしも容易ではない。本発明の半導体装置は、半導体素子を回路基板に接合するための熱硬化性樹脂と、フィレットを形成するための光硬化性樹脂をそれぞれ独立に選ぶことができるので、フィレットに本来要求される性能を十分に満たす最適の樹脂を用いてフィレットを形成し、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【実施例】
【００１４】
以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定されるものではない。
実施例１
横１６ｍｍ、縦４５ｍｍ、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに、厚さ１０μｍのウレタン接着剤を介して、厚さ３５μｍの銅箔を貼合した基板を用い、線幅２００μｍで１０回周のコイル回路を作製した。
この回路に、非接触自動識別用ＩＣ［フィリップス社、Ｉ・ｃｏｄｅ、寸法１.５ｍｍ×１.５ｍｍ］を、フリップチップ実装機［九州松下電器(株)、ＦＢ３０Ｔ−Ｍ］を用い、異方導電性ペースト［京セラケミカル(株)、ＴＡＰ０４０２Ｅ］を接合材料として実装を行った。異方導電性ペーストの塗出量は、面積により管理し、０.４ｍｍ２の面積で塗布を行った。異方導電性ぺーストへの加熱温度はチップ下２２０℃、ＩＣチップへの荷重は２Ｎとし、加圧、加熱時間７秒で実装を行った。
実装されたＩＣの側面に、アクリル系ＵＶ硬化型接着剤［Ｎｏｒｌａｎｄ社、ＮＯＡ８８］０.１ｇを滴下した。ＩＣ側面がＵＶ硬化型接着剤によって被覆され、フィレットが形成された。ＵＶスポット光源［浜松ホトニクス(株)、ＬＣ６］を用い、照射時間７秒でＵＶ硬化型接着剤の硬化を行い、トランスポンダ回路を完成した。
作製したトランスポンダ回路２０枚を、Ｉ・ｃｏｄｅ評価キット［フィリップス社、ＳＬＥＶ４００］を用い、トランスポンダ回路としての動作を確認したのち、小型環境試験器［エスペック(株)、ＳＨ−２４１］に、６０℃、９０％ＲＨの加熱加湿条件で１,０００時間投入した。加熱加湿後の回路を室温で２４時間放置したのち、再度トランスポンダ回路としての動作を確認したところ、２０枚中、動作不良となった回路はなかった。
実施例２
ＵＶ硬化型接着剤として、エポキシ系ＵＶ硬化型接着剤［Ｎｏｒｌａｎｄ社、ＮＥＡ１２３Ｌ］を用いてフィレットを形成した以外は、実施例１と同様にして、トランスポンダ回路を作製した。
実施例１と同様にして、トランスポンダ回路２０枚について、回路としての動作を確認したのち、小型環境試験器に６０℃、９０％ＲＨの加熱加湿条件で１,０００時間投入した。加熱加湿後の回路を室温で２４時間放置したのち、再度トランスポンダ回路としての動作を確認したところ、２０枚中、動作不良となった回路はなかった。
【００１５】
比較例１
実施例１と同様にして、ポリエチレンテレフタレートフィルムに、銅箔からなるコイル回路を作製し、非接触自動識別用ＩＣを、フリップチップ実装機を用い、異方導電性ペーストを接合材料として実装を行い、トランスポンダ回路を作製した。
作製したトランポンダ回路２０枚を、ＵＶ硬化型接着剤によるフィレットを形成することなく、回路としての動作を確認したのち、小型環境試験器に６０℃、９０％ＲＨの加熱加湿条件で１,０００時間投入した。加熱加湿後の回路を室温で２４時間放置したのち、再度トランスポンダ回路としての動作を確認したところ、２０枚中、１８枚の回路が動作不良となっていた。
比較例２
ＵＶ硬化型接着剤の代わりに、エポキシ系熱硬化型接着剤［(株)スリーボンド、２２１７Ｈ］０.１ｇを塗布し、２２０℃のオーブンに２５秒投入してフィレットを形成した以外は、実施例１と同様にして、トランスポンダ回路を作製した。回路基板のポリエチレンテレフタレートフィルムが収縮し、回路の平滑性が著しく損なわれた。
実施例１と同様にして、トランスポンダ回路２０枚について、回路としての動作を確認したのち、小型環境試験器に６０℃、９０％ＲＨの加熱加湿条件で１,０００時間投入した。加熱加湿後の回路を室温で２４時間放置したのち、再度トランスポンダ回路としての動作を確認したところ、２０枚中、動作不良となった回路はなかった。
比較例３
ＵＶ硬化型接着剤の代わりに、エポキシ系熱硬化型接着剤［(株)スリーボンド、２２２３］０.１ｇを塗布し、１５０℃のオーブンに２５秒投入してフィレットを形成した以外は、実施例１と同様にして、トランスポンダ回路を作製した。
実施例１と同様にして、トランスポンダ回路２０枚について、回路としての動作を確認したのち、小型環境試験器に６０℃、９０％ＲＨの加熱加湿条件で１,０００時間投入した。加熱加湿後の回路を室温で２４時間放置したのち、再度トランスポンダ回路としての動作を確認したところ、２０枚中、１５枚の回路が動作不良となっていた。
実施例１〜２及び比較例１〜３の結果を、第１表に示す。
【００１６】
【表１】
2005033053.tif 000003
【００１７】
アクリル系ＵＶ硬化型接着剤又はエポキシ系ＵＶ硬化型接着剤を用いてフィレットを形成した実施例１〜２では、７秒のＵＶ照射により接着剤が硬化して、優れた耐熱耐湿性を有するフィレットが形成されている。半導体素子を回路基板に接合する異方導電性ペーストの硬化のための加圧加熱時間も７秒なので、半導体装置の製造ラインにおいて、異方導電性ペーストの塗布、硬化のステージの次に、ＵＶ硬化型接着剤の塗布、硬化のステージを設けることにより、異方導電性ペーストの硬化時間とＵＶ硬化型接着剤の硬化時間を同期させ、半導体装置の生産性を低下することなく、異方導電性ペーストによる半導体素子の接合と、ＵＶ硬化型接着剤によるフィレットの形成を行うことができる。
フィレットを形成していない比較例１の半導体装置は、耐熱耐湿性が不良である。エポキシ系熱硬化型接着剤を用いると、比較例２〜３のように熱硬化に２５秒を要するので、生産性の低下は避けられず、また、２２０℃に加熱した比較例２の半導体装置は耐熱耐湿性は良好であるが、基板が収縮して外観が不良となり、１５０℃に加熱した比較例３の半導体装置は、外観に異常はないが、耐熱耐湿性が不良である。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】半導体装置の一例の断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の一態様の説明図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の一態様の説明図である
【符号の説明】
【００１９】
１  回路基板
２  電極
３  半導体素子
４  電極
５  バンプ
６  異方導電性接着剤
７  フィレット
８  熱硬化性樹脂
９  光硬化性樹脂
【図１】
2005033053.tif 000004
【図２】
2005033053.tif 000005
【図３】
2005033053.tif 000006