(57)【要約】    【課題】  選択比を目的の値に調節するのを容易にする。    【解決手段】  ドライエッチングでの発光強度と処理条件と選択比の対応表を予め作成しておく。ドライエッチングを開始すると、プラズマ発光の発光強度を検出し、エッチングプログラムに設定された目的とする選択比と比較し、設定された選択比に該当するプラズマ発光強度でない場合は、対応表のデータに基づいてドライエッチング処理条件を調節し、プラズマ発光の発光強度が目的とする選択比に該当するプラズマ発光強度となるようにする。【選択図】      図２
2005033096.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドライエッチング処理条件と選択比とドライエッチング処理時に発生する光の発光強度との関係を予め求めておき、製品を製作するドライエッチング処理工程では、
発生する光の発光強度を検出する工程と、
前記関係を基にして目的とする選択比に該当する発光強度になるようにドライエッチング処理条件を調節する工程と
を備えているドライエッチング方法。
【請求項２】
前記発光強度の検出は特定の波長で行なう請求項1に記載のドライエッチング方法。
【請求項３】
調節するドライエッチング処理条件は、ガス種、ガス流量、ガス流量比、反応圧力及びバイアス電力の１又は２以上の組合せである請求項1又は２に記載のドライエッチング方法。
【請求項４】
ドライエッチング処理条件を調節する前記工程は、ドライエッチング開始から終了に至るまで連続して又は断続的に行なう請求項1から３のいずれかに記載のドライエッチング方法。
【請求項５】
ドライエッチング処理条件と選択比とドライエッチング処理時に発生する光の発光強度との関係をデータとして保持している関係データ保持部（２）と、
ドライエッチング処理工程での時間に対する目的とする選択比をエッチングプログラムとして保持しているプログラム保持部（４）と、
ドライエッチング処理工程において発生する光の発光強度を取りこみ、前記関係データ保持部（２）に保持されているデータに基づいて、前記プログラム保持部（４）に保持されているエッチングプログラムの選択比になるようにドライエッチング装置のドライエッチング処理条件を制御するドライエッチング処理条件調節制御部（６）とを備えたドライエッチング制御装置。
【請求項６】
前記プログラム保持部（４）は選択比に代えて該当する発光強度をエッチングプログラムとして保持しており、
前記ドライエッチング処理条件調節制御部（６）は取り込んだ発光強度が前記エッチングプログラムの発光強度になるようにドライエッチング処理条件を制御するものである請求項５に記載のドライエッチング制御装置。
【請求項７】
前記関係データ保持部（２）に保持され、前記ドライエッチング処理条件調節制御部（６）で制御されるドライエッチング処理条件は、ガス種、ガス流量、ガス流量比、反応圧力及びバイアス電力の１又は２以上の組合せである請求項５又は６に記載のドライエッチング制御装置。
【請求項８】
減圧下で被エッチング物をドライエッチングする反応室（１３）と、
前記反応室（１３）で発生する光の発光強度を検出する光検出装置（１４，１５）と、
前記光検出装置（１４，１５）からの発光強度信号を取りこみ、ドライエッチング処理条件を制御する請求項５から７のいずれかに記載のドライエッチング制御装置（２，４，６）とを備えたドライエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パタ−ン、液晶用パタ−ンもしくは表示素子パタ−ン等の微細加工、偏光素子もしくは偏光板等の光学素子の製作、又は反射型液晶のように反射を利用する素子等の製作などに使用されるドライエッチング方法と装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
微細加工や光学素子の製作におけるドライエッチングでは、基板又はその上に形成した金属層や絶縁物層を被エッチング物としてその上にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクにして被エッチング物にレジストパターンを転写する。ドライエッチングの進行に伴ない、基板がエッチングされていくと同時にレジストもエッチングされて減少していく。
【０００３】
ドライエッチングはレジストパターンの平面形状を転写するだけでなく、光学素子のように基板に立体的な形状を転写することもある。いずれの場合も、レジストがエッチングにより減少していく速度と、被エッチング物がエッチングされて加工されていく速度との比、すなわち選択比の設定及び制御が加工上の重要な要素になる。
【０００４】
選択比はドライエッチング処理条件により異なることはよく知られており、従来は、選択比を設定して目的とする被エッチング物形状を得るために、図１０に示されるように以下の（１）から（４）の工程でドライエッチングを行なっている。
【０００５】
（１）エッチング開始前に、目的とする形状から選択比を設定する。
（２）その目的とする選択比になるように、エッチング処理条件を設定する。エッチング処理条件としては、例えばガス種（例えばＦ系、Ｃｌ系）、ガス流量（例えば０〜２００ｓｃｃｍ）、混合ガス流量比、反応圧力（例えば１〜５ｍＴｏｒｒ）、バイアス電力（例えば５０〜１２００ｗ）などがある。
（３）設定されたエッチング処理条件に基づいて加工（エッチング）する。
【０００６】
（４）加工終了後、被エッチング物の形状を評価する。
目的とする選択比になっていなかった場合は、その評価結果を工程（２）にフィ−ドバックしてエッチング処理条件を修正し、新たな被エッチング物で加工をして再度評価する。このように、目的とする選択比が得られるまで、工程（２）から（４）を繰り返す。
【０００７】
一方、ドライエッチング処理時に反応室のプラズマから発生する光を監視してエッチングの終点を検出することが行なわれている。そのプラズマの発光強度変化量の１次微分値や２次微分値をもとにして、変曲点で終点の判定を行なうのが一般的である（特許文献１，２参照。）。
また、反射分光法（光干渉）を用いて薄膜もしくは薄膜積層体の膜厚と被エッチング物の反射量と比較した相対的反射量で終点検出又は残留厚みの検出を行なっているものもある（特許文献３参照。）。
【特許文献１】特許第３２５７８２９号公報
【特許文献２】特開平６−２９５８８３号公報
【特許文献３】特開平５−２５９１２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
最近は微細加工でさらに高精度が要求される。選択比はエッチング処理条件により設定するが、目的とする選択比（設定値）と処理後の選択比（実行値）との差が大きい。そして、従来はエッチング途中で選択比をモニタする手段がないために仕様を満足させるのが容易でない。仕様を満足させようとすると、エッチング結果をフィードバックしながら、エッチング処理情報を増やしていくので、仕様を満足するまでに時間がかかる、フィードバック精度が粗い、歩留りが悪い、基板間ばらつきが大きい、基板間ばらつきを修正できないというような問題がある。
本発明は選択比を目的の値に調節するのが容易なドライエッチング方法と、そのための装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明では、従来一般的に使用されているエッチング処理の終点を検出する『終点検出方法』を利用して、エッチング処理中のプラズマ光の発光強度変化を監視しながら、その発光強度に基づいて、リアルタイムで目的とする選択比にするためにドライエッチングの処理条件を調節する。
【００１０】
すなわち、本発明のドライエッチング方法は、ドライエッチング処理条件と選択比とドライエッチング処理時に発生する光の発光強度との関係を予め求めておき、製品を製作するドライエッチング処理工程では、発生する光の発光強度を検出する工程と、前記関係を基にして目的とする選択比に該当する発光強度になるようにドライエッチング処理条件を調節する工程とを備えている。
【００１１】
選択比とは、基板又は基板上に形成した金属膜や絶縁膜などの被エッチング物上にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクにして被エッチング物をエッチングするときの、そのレジストの膜厚が減少していくエッチング速度（レジストエッチレート）に対する被エッチング物のエッチング速度（基板エッチレート呼ぶ。）の比率（基板エッチレート／レジストエッチレート）である。
【００１２】
本発明はドライエッチング中の選択比と発生する光の発光強度との間に対応関係があること、及びその対応関係を利用してドライエッチング中の選択比を制御するようにした点に特徴がある。一方、上に紹介した特許文献３には、プラズマ放射光強度の変化から所定の残留層厚みになった時点を検出して、その時点でエッチング条件を切り換えて選択比を切り換えることが記載されているが、プラズマ放射光強度は残留層厚みとのみ関連付けられており、選択比とは関連付けられてはいない。それは、特許文献３でのプラズマ放射光強度は残留層厚みによる光干渉に基づく反射光強度であるので、残留層厚みを反映しているが、選択比とは直接の関連がないことからも明らかである。
【００１３】
本発明で、監視のために検出する発光強度は、分光されたプラズマ発光のうちの予め設定した特定の波長で行なう。その波長としては、ドライエッチング時に発生する反応生成物から発生する発光を分光し、そのスペクトル中の強度の強い波長を選択すればよく、その場合には高感度な検出を行なうことができる。そのような波長としては、例えば反応性生物がＳｉＦの場合は７７７ｎｍ、反応性生物がＳｉＣｌの場合は２８７ｎｍ、反応性生物がＣＦの場合は２４０ｎｍ、反応性生物がＣＣｌの場合は４６０ｎｍが適当である。
【００１４】
調節するドライエッチング処理条件は選択比に影響を与えるものであり、ガス種、ガス流量、ガス流量比、反応圧力又はバイアス電力などを挙げることができる。これらの条件は１だけを調節してもよく、又は２以上の組合せで調節してもよい。
【００１５】
一般的なドライエッチング処理条件としては、ガス種はＦ（フッ素）系又はＣｌ（塩素）系の反応ガス、ガス流量は０（０は含まない）〜２００ｓｃｃｍ、混合ガスの場合は流量比、反応圧力は１〜５ｍＴｏｒｒ、バイアス電力は５０〜１２００ｗであり、目的の選択比に該当する発光強度になるように、それらの条件を調節する。
【００１６】
例えば、シリコン基板上にフォトレジストパターンを形成し、それをマスクとしてエッチングガスＣｌ2でエッチングする場合、反応生成物としてＳｉＣｌが発生し、波長２８７ｎｍで監視すると、選択比が１.０のときのプラズマ光の発光強度を２０００とすると、選択比１.２のときの発光強度は２３００となるので、目的とする選択比が１.２ならば発光強度が２３００になるように、エッチング処理中の発光強度を監視しながらエッチング処理条件を調節する。
ドライエッチング処理条件を調節する工程は、ドライエッチング開始から終了に至るまで連続して行なってもよく、又は所定の時間間隔で断続的に行なってもよい。
【００１７】
このドライエッチング方法を実現する本発明のドライエッチング制御装置は、図１に示されるように、ドライエッチング処理条件と選択比とドライエッチング処理時に発生する光の発光強度との関係をデータとして保持している関係データ保持部２と、ドライエッチング処理工程での時間に対する目的とする選択比をエッチングプログラムとして保持しているプログラム保持部４と、ドライエッチング処理工程において発生する光の発光強度を取りこみ、関係データ保持部２に保持されているデータに基づいて、プログラム保持部４に保持されているエッチングプログラムの選択比になるようにドライエッチング装置のドライエッチング処理条件を制御するドライエッチング処理条件調節制御部６とを備えている。
【００１８】
プログラム保持部４は選択比に代えて該当する発光強度をエッチングプログラムとして保持することもできる。その場合、ドライエッチング処理条件調節制御部６は取り込んだ発光強度がエッチングプログラムの発光強度になるようにドライエッチング処理条件を制御するものとなる。
【００１９】
本発明のドライエッチング装置は、減圧下で被エッチング物をドライエッチングする反応室１３と、反応室１３で発生する光の発光強度を検出する光検出装置１４，１５と、光検出装置１４，１５からの発光強度信号を取りこみ、ドライエッチング処理条件を制御するドライエッチング制御装置とを備えたものであり、そのドライエッチング制御装置として本発明のドライエッチング制御装置２，４，６とを備えている。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のドライエッチング方法では、ドライエッチング処理中のプラズマ発光の発光強度から選択比を監視できるようにしたので、ドライエッチング処理条件を調節するだけで、ドライエッチング処理の途中で選択比を制御することができるようになり、ドライエッチング方法により目的とする形状を製作するのが容易になる。
【００２１】
本発明のドライエッチング制御装置は、ドライエッチング処理条件と選択比とドライエッチング処理時に発生する光の発光強度との関係をデータとして保持しておき、ドライエッチング処理工程では発生する光の発光強度を取りこみ、ドライエッチング処理条件調節制御部で前記データに基づいてエッチングプログラムの選択比になるようにドライエッチング処理条件を自動的に制御するので、ドライエッチング処理条件の制御が容易になる。
本発明のドライエッチング装置は、ドライエッチング制御装置を備えているので、目的とする形状を製作するのが一層容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
ドライエッチング方法の実施の形態を図２に示す。
（１）実行しようとするドライエッチング方法について、監視をする波長を設定し、その波長における発光強度とドライエッチング処理条件と選択比の対応表を予め作成しておく。その対応表のデータは関係データ保持部２（図１参照。）に保持させておく。
【００２３】
（２）ドライエッチング処理工程での時間経過に伴なう選択比を設定しておく。選択比は時間に対して一定にする場合、何段階かにわたって変化させる場合など、目的とする製品の形状によって最適なプログラムを作成する。これをエッチングプログラムとしてプログラム保持部４（図１参照。）に保持させておく。
【００２４】
（３）ドライエッチングを開始すると、その設定波長でプラズマ発光の発光強度を検出し、エッチングプログラムに設定された目的とする選択比になるように、関係データ保持部２に保持されている対応表のデータに基づいてドライエッチング処理条件を自動的に調節（プログラム制御）する。
【００２５】
例えば一例を挙げると、石英基板上にフォトレジストにより幅と間隔がともに２μｍのラインアンドスペースの矩形パターンを構成し、ガス種をＣＦ4等のＦ系ガスでドライエッチングした場合、選択比が１.０のときの反応生成物ＳｉＦのプラズマ発光の波長７７８ｎｍでの発光強度を１０００カウントとすると、選択比が１.１では発光強度が２０００カウント、選択比が１.５では発光強度が６０００カウントになった。そこで、その波長での発光強度変化を見ながら、目的の選択比になるようにドライエッチング処理条件（例えば選択比：１.０はバイアス３００ｗ、選択比：１.１はバイアス３２０ｗ、選択比：１.５はバイアス４００ｗ）を変更する。このように従来用いられている終点検出装置を利用してドライエッチング処理時に発生するプラズマ発光の発光強度より、処理条件を変えることで選択比を制御し、目的とする形状を製作する。
【００２６】
図３はドライエッチング装置１９を概略的に示したものである。
反応室１３内のバイアス電極を兼ねる載置台１２上に被エッチング物である基板１１を載置する。その基板１１上には写真製版によってレジストパターンが形成されており、ドライエッチングによってそのレジストパターンを基板に転写するものである。反応室１３内に反応ガスを導入し、内部を減圧にして高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、基板をエッチングする。
【００２７】
反応室１３内のプラズマ発光による発光強度を検出するために、反応室１３にはプラズマ発光を受光するプラズマ検出器１４が設けられている。プラズマ検出器１４は種々のものがある。例えばプラズマ発光を所定の波長領域にわたってスペクトルとして受光するものでは、プラズマ検出器１４は分光器と、その分光器により分光された波長領域の光を検出するフォトダイオードアレイとを備えている。また例えば、特定の波長のみを受光するものでは、プラズマ検出器１４は目的とす波長に透過域をもつフィルタと、そのフィルタを透過した光を光を検出するフォトダイオードとを備えている。さらに他の機能をもったプラズマ検出器１４であってもよい。１５はプラズマモニタであり、プラズマ検出器１４が受光したプラズマ発光を表示するとともに、予め設定した波長での発光強度を出力する。プラズマ検出器１４が分光器を備えて多波長を検出できるものである場合には、プラズマモニタはプラズマ発光をスペクトルとして表示することができ、検出された波長領域の任意の波長を選択することができる。
【００２８】
１８は制御盤であり、本発明におけるドライエッチング制御装置に該当し、図１における関係データ保持部２、プログラム保持部４及びドライエッチング処理条件調節制御部６を備えている。制御盤１８は、プラズマモニタ１５から出力されるプラズマ発光強度信号が目的とする選択比に対応したプラズマ発光強度信号になるように、反応室１３につながる調節機構８（図１参照。）を介して、ドライエッチング処理条件を自動的に調節する。ドライエッチング処理条件としてはガス種、ガス流量、ガス流量比、反応圧力及びバイアス電力が設定されており、予め設定されたプログラムに従ってそのうちの１又は２以上を変更してプラズマ発光強度が目的とする選択比に対応したものとなるようにする。
【実施例１】
【００２９】
次に本発明の実施例をさらに詳細に説明する。
最初の実施例として、反応圧力を調節することにより選択比を制御する方法を説明する。
被エッチング物の基板として、図４に示されるように、石英基板２１上にフォトレジスト（東京応化製、型番：ＴＨＭＲｉｐ２２５０−１３）を塗布し、通常のフォトレジスト工程にて、レジストパターン２を形成したものを使用する。
【００３０】
基板２１上のレジストパターン２２の寸法は、膜厚が３μｍ、パターンは幅及び間隔がともに１.５μｍのラインアンドスペースである。レジスト硬化条件は、プリベ−クが１３０℃×４５秒、ポストベ−クが１３０℃×１８０秒で、いずれもホットプレ−トを使用した。
【００３１】
この基板を（ＣＨＦ3＋ＣＦ4）の混合ガスでエッチングすると、プラズマ発光スペクトルから反応生成物ＣＦが確認できる。プラズマ発光のうち、波長２５６ｎｍでの発光強度を監視すると、発光強度、ガス圧力及び選択比の間には、図５に示される関係が得られる。
この基板２１をエッチング後の高さが６μｍになるように選択比２でドライエッチングしようとする。
【００３２】
いま、初期条件のドライエッチング条件として、ガス種を（ＣＨＦ3＋ＣＦ4）の混合ガス、ガス流量をＣＨＦ3：２０ｓｃｃｍ＋ＣＦ4：３０ｓｃｃｍ、流量比をＣＨＦ3：ＣＦ4＝２：３、反応圧力を３ｍＴｏｒｒ、バイアス電力を３００Ｗとした。このとき、波長２５６ｎｍでの発光強度を監視すると、４０００カウントとなり、図５から選択比は１.５となっていることが分かる。
【００３３】
そこで、ここでは、選択比２が必要なので、波長２５６ｎｍでの発光強度が６０００カウントになるように、処理条件の反応圧力を３ｍＴｏｒｒから１.５ｍＴｏｒｒに変更し、プラズマモニタにより表示される発光強度が６０００カウントになることを確認する。レジストが無くなり、エッチングが終了すると、プラズマモニタにより表示される発光強度に変曲点が現われ、高さ６μｍの形状が転写終了している。
【実施例２】
【００３４】
実施例１では、ドライエッチング条件のガス種、ガス流量、流量比、反応圧力及びバイアス電力のうち、反応圧力を変えて選択比制御を行なったが、他の条件を変えることで選択比制御を行なう実施例を説明する。
【００３５】
図４の基板を（ＣＨＦ3＋ＣＦ4＋Ａｒ）の混合ガスでエッチングすると、プラズマ発光スペクトルから反応生成物ＳｉＦが確認できる。プラズマ発光のうち、波長＝７７７ｎｍでの発光強度を監視すると、発光強度、ガス種及び選択比の間には、図６に示される関係が得られる。
図４の基板でエッチング後の高さが４.５μｍになるように選択比１.５でドライエッチングしようとする。
【００３６】
いま、初期条件のドライエッチング条件として、ガス種を（ＣＨＦ3＋ＣＦ4＋Ａｒ）の混合ガス、ガス流量をＣＨＦ3：２０ｓｃｃｍ＋ＣＦ4：３０ｓｃｃｍ＋Ａｒ：１０ｓｃｃｍ、流量比をＣＨＦ3：ＣＦ4：Ａｒ＝２：３：１、反応圧力を１.５ｍＴｏｒｒ、バイアス電力を３００Ｗとした。このとき、波長＝７７７ｎｍでの発光強度は１０００カウントとなり、図６から選択比が２.０となっていることが分かる。
【００３７】
そこで、選択比１.５が必要なので、波長７７７ｎｍでの発光強度が３０００カウントになるように処理条件のガス種を（ＣＨＦ3＋ＣＦ4＋Ａｒ）から（ＣＨＦ3＋ＣＦ4）に変更し、モニタの発光強度が３０００カウントになることを確認する。レジストが無くなり、エッチングが終了すると、モニタの発光強度に変曲点が現われ、高さ４.５μｍの形状が転写終了している。
【実施例３】
【００３８】
上記同様にエッチング処理条件のガス種、ガス流量、流量比、反応圧力及びバイアス電力において、発光強度の監視から反応生成物の発光強度を確認し、現在の選択比を把握する。次に、目的とする選択比になるように、いずれかの条件を変更する。
【００３９】
実施例３として、ガス流量を変更する場合を取りあげる。ドライエッチング条件として、ガス種を（ＣＨＦ3＋ＣＦ4＋Ａｒ）の混合ガス、ガス流量をＣＨＦ3：２０ｓｃｃｍ＋ＣＦ4：３０ｓｃｃｍ＋Ａｒ：５ｓｃｃｍ、流量比をＣＨＦ3：ＣＦ4：Ａｒ＝４：６：１、反応圧力を３ｍＴｏｒｒ、バイアス電力を３００Ｗとした。このとき、波長＝２５６ｎｍでの発光強度は３０００カウントとなり、図７より選択比は１.０となっていることが分かる。ガス流量はＣＨＦ3：２０ｓｃｃｍ＋ＣＦ4：３０ｓｃｃｍに固定し、必要な選択比になるようにＡｒ流量を変化させる。Ａｒ流量を変化させたときの波長２５６ｎｍでの発光強度、Ａｒ流量及び選択比の間の関係を図７に示す。
【実施例４】
【００４０】
実施例４として、流量比を変更する場合を取りあげる。ドライエッチング条件として、ガス種を（ＣＨＦ3＋ＣＦ4＋Ａｒ）の混合ガス、ガス流量を合計５０ｓｃｃｍで固定し、反応圧力を３ｍＴｏｒｒ、バイアス電力を３００Ｗとした。ＣＨＦ3：ＣＦ4：Ａｒの流量比を変化させたときの波長２５６ｎｍでの発光強度、流量比及び選択比の間の関係を図８に示す。
【実施例５】
【００４１】
実施例５として、バイアス電力を変更する場合を取りあげる。ドライエッチング条件として、ガス種を（ＣＨＦ3＋ＣＦ4＋Ａｒ）の混合ガス、ガス流量をＣＨＦ3：２０ｓｃｃｍ＋ＣＦ4：３０ｓｃｃｍ＋Ａｒ：１０ｓｃｃｍ、流量比をＣＨＦ3：ＣＦ4：Ａｒ＝２：３：１、反応圧力を３ｍＴｏｒｒとし、バイアス電力を変化させたときの波長７７７ｎｍでの発光強度、バイアス電力及び選択比の間の関係を図９に示す。
【００４２】
実施例では１つの条件を変化させて選択比を制御しているが、２以上の条件を同時に変化させてもよい。
実施例１〜５ではエッチング条件の変更は手動で行なう場合を例示しているが、本発明のドライエッチング制御装置を利用してエッチング条件の変更を自動的に行なわせるようにするようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明のドライエッチング方法及び装置は、微細加工に関する分野（半導体パタ−ン、液晶用パタ−ン、表示素子パタ−ン等）、光学素子に関する分野（偏光素子、偏光板等）、反射光学素子に関する分野（反射型液晶、反射を利用する素子等）などにおいて利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明のドライエッチング装置を概略的に示すブロック図である。
【図２】本発明のドライエッチング方法の一実施例を示すフローチャート図である。
【図３】本発明のドライエッチング装置の一実施例を概略的に示すブロック図である。
【図４】被エッチング物である基板の一例を示す断面図である。
【図５】プラズマ発光強度、ガス圧力及び選択比の関係を示すグラフとデータである。
【図６】プラズマ発光強度、ガス種及び選択比の関係を示すグラフとデータである。
【図７】プラズマ発光強度、ガス流量及び選択比の関係を示すグラフとデータである。
【図８】プラズマ発光強度、ガス流量比及び選択比の関係を示すグラフとデータである。
【図９】プラズマ発光強度、バイアス電力及び選択比の関係を示すグラフとデータである。
【図１０】従来のドライエッチング方法を示すフローチャート図である。
【符号の説明】
【００４５】
２      関係データ保持部
４      プログラム保持部
６      ドライエッチング処理条件調節制御部
８      調節機構
１１      被エッチング物である基板
１３      反応室
１４      検出器
１５      プラズマモニタ
１８      制御盤
【図１】
2005033096.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2005033096.tif 000007
【図６】
2005033096.tif 000008
【図７】
2005033096.tif 000009
【図８】
2005033096.tif 000010
【図９】
2005033096.tif 000011
【図１０】
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