(57)【要約】【課題】  エッチング時にほとんど残渣が発生しない透明導電膜、及びその製造方法を提供する。【解決手段】  少なくとも、酸化インジウムと、酸化タングステンと、を含む透明導電膜をスパッタリング法によって成膜する透明導電膜の製造方法において、水素又は水を含むスパッタガス雰囲気中でスパッタリングを行い、前記透明導電膜を成膜するスパッタリングステップ、を含むことを特徴とする酸化インジウムと、酸化タングステンと、を含む透明導電膜、及びその製造方法である。このような雰囲気中で、成膜された透明導電膜は、エッチング時にほとんど残渣が発生しない。【選択図】 図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、酸化インジウムと、酸化タングステンと、を含む透明導電膜をスパッタリング法によって成膜する透明導電膜の製造方法において、
水素又は水を含むスパッタガス雰囲気中でスパッタリングを行い、前記透明導電膜を成膜するスパッタリングステップ、
を含むことを特徴とする、酸化インジウムと酸化タングステンとを含む透明導電膜の製造方法。
【請求項２】
前記スパッタリングステップにおいて、前記スパッタガス中の前記水素、又は、前記水の濃度が、１ｖｏｌ％〜１５ｖｏｌ％であることを特徴とする請求項１に記載の、酸化インジウムと酸化タングステンとを含む透明導電膜の製造方法。
【請求項３】
前記スパッタリングステップにおいて、前記透明導電膜の成膜温度を１００℃〜２００℃にすることを特徴とする請求項１又は２に記載の、酸化インジウムと酸化タングステンとを含む透明導電膜の製造方法。
【請求項４】
前記スパッタリングステップにおいて成膜した前記透明導電膜をエッチングするエッチングステップと、
エッチングした前記透明導電膜を２００℃超で加熱し、前記透明導電膜を結晶化させる加熱ステップと、
を含み、
前記スパッタリングステップにおける前記スパッタガス中の前記水素、又は、前記水の濃度が、１ｖｏｌ％〜１０ｖｏｌ％であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の、酸化インジウムと酸化タングステンとを含む透明導電膜の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の酸化インジウムと、酸化タングステンと、を含む透明導電膜の製造方法により製造されることを特徴とする少なくとも、酸化インジウムと酸化タングステンとを含む透明導電膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶駆動用の電極基板、ＥＬ用の電極基板に関し、特に、これらの電極基板に用いられる透明電極に含まれる透明導電膜に関する。また、本発明は、この透明導電膜を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、透明導電膜用スパッタリングターゲットとして、Ｓｎをドーピングした材料が検討されている。特に、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）は広く用いられている。  
しかしながら、ＩＴＯの場合には、その比抵抗を下げるために、結晶化させる必要がある。そのため、高温で成膜するか、又は、成膜後に所定の加熱処理を実行する必要があった。
【０００３】
また、結晶化したＩＴＯ膜のエッチング加工時には、強酸である王水（硝酸・塩酸の混合液）がエッチング液として用いられているが、強酸を使用することによる不具合の発生が、問題になる場合がある。すなわち、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）などを構成要素として使用する液晶表示装置では、ゲート線、ソース・ドレイン線（又は電極）として金属細線を使用することがある。この場合には、ＩＴＯ膜のエッチング加工時に、王水によりこれら配線材料が断線したり、線細りが発生するという問題が生じる場合があった。
【０００４】
そこで、成膜時に、スパッタガス中に水素や水を存在させることにより、非晶質ＩＴＯを成膜し、成膜された非晶質ＩＴＯを弱酸でエッチングする方法が提案されている。しかしながら、ＩＴＯ自身は結晶性であるため、弱酸でエッチングを行った場合には、エッチング残渣を発生してしまうことが問題となる場合があった。また、成膜時に、スパッタガス中に水素又は水を散在させると、ＩＴＯスパッタリングターゲット上に、ノジュールと呼ばれる突起が発生し、異常放電の原因にもなる恐れもあった。
【０００５】
一方、一般的に透明導電膜に添加されるＳｎ以外の添加金属として、Ｗを添加するスパッタリングターゲットや導電材料、透明導電膜に関する特許の一例として、次のような特許文献が開示されている。  
例えば、下記特許文献１には、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１つを添加することにより得られたＩＴＯ透明導電膜であって、可視光域における透過率の低下が少なく、且つ低抵抗のＩＴＯ透明導電膜が開示されている。
【０００６】
また、下記特許文献２には、インジウムと、モリブデンと、酸素と、からなる透明導電膜作成用焼結体であって、上記モリブデンが、上記インジウムに対して原子比で０．００３〜０．２０の割合で存在し、焼結体の相対密度が９０％以上である透明導電膜作成用焼結体ターゲットが開示されている。この透明導電膜作成用焼結体ターゲットを用いて作成した透明導電性薄膜は、赤外波長領域での透過率の低下が少なく、且つ低抵抗となる。
【０００７】
また、下記特許文献３には、酸化インジウムと、酸化スズと、酸化タングステンと、を含有し、スズ／インジウム原子数比が０．０３０〜０．１４０であり、タングステン／インジウム原子数比が０．１０〜０．１１０であり、且つスズとタングステンが酸化インジウム中に実質的に均一に分散している低抵抗の透明導電性薄膜が開示されている。
【０００８】
また、下記特許文献４には、酸化インジウムと、Ｗと、Ｇｅと、を含有し、Ｗ／Ｉｎの原子数比が０．００３〜０．０４７であり、且つ、Ｇｅ／Ｉｎの原子数比が０．００１〜０．１９０である透明導電性薄膜が開示されている。この透明導電性薄膜は、可視光領域の透過率がＩＴＯと同様に高く、比抵抗が低く、且つ、非晶質で表面平滑性に優れている。
【０００９】
さらに、これらの開示された特許文献１〜４の中には、ノジュールの発生しないターゲットが得られることや、ＩＴＯと同等の抵抗値を有する透明導電膜が得られること、が示されている特許文献もある。
【００１０】
【特許文献１】特開平７−２７８７９１号公報
【特許文献２】特開２００２−２５６４２３号公報
【特許文献３】特開２００２−２７５６２３号公報
【特許文献４】特開２００４−６２２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、これらの開示された特許文献１〜４には、未だエッチング時に発生する残渣の問題を解消する例は示されていない。  
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、エッチング時にほとんど残渣が発生しない透明導電膜を提供することを目的とする。また、本発明の他の目的は、このような透明導電膜の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（１）そこで、上記課題を解決するために、本発明は、少なくとも、酸化インジウムと、酸化タングステンと、を含む透明導電膜をスパッタリング法によって成膜する透明導電膜の製造方法において、水素又は水を含むスパッタガス雰囲気中でスパッタリングを行い、前記透明導電膜を成膜するスパッタリングステップ、を含むことを特徴とする、酸化インジウムと酸化タングステンとを含む透明導電膜の製造方法である。
【００１３】
水素又は水を含むスパッタガス雰囲気中でスパッタリングを行うことにより、エッチング加工性の高い透明導電膜を成膜できる。すなわち、このような条件下で成膜することにより、エッチング時に、エッチング残渣がほとんど発生しない透明導電膜を製造できる。なお、本発明の透明導電膜は、酸化インジウム及び酸化タングステンの他に、第三成分を含むことも好ましい。ここで、第３成分とは、上記酸化インジウムを第１成分とし、上記酸化タングステンを第２成分とした場合におけるその他の成分のことである。
【００１４】
（２）また、本発明は、上記（１）に記載のスパッタリングステップにおいて、前記スパッタガス中の前記水素、又は、前記水の濃度が、１ｖｏｌ％〜１５ｖｏｌ％であることを特徴とする上記（１）に記載の、酸化インジウムと酸化タングステンとを含む透明導電膜の製造方法である。
【００１５】
スパッタガス中の水素又は水の量は、１ｖｏｌ％〜１５ｖｏｌ％であり、好ましくは１ｖｏｌ％〜１０ｖｏｌ％であり、より好ましくは２ｖｏｌ％〜８ｖｏｌ％である。水素又は水の量が１ｖｏｌ％未満では、透明導電膜のエッチング残渣の低下という効果がほとんど現れず、水素又は水の量が１５ｖｏｌ％超では、透明導電膜の比抵抗が高くなるからである。
【００１６】
（３）また、本発明は、上記（１）又は（２）に記載のスパッタリングステップにおいて、前記透明導電膜の成膜温度を１００℃〜２００℃にすることを特徴とする上記（１）又は（２）に記載の、酸化インジウムと酸化タングステンとを含む透明導電膜の製造方法である。
【００１７】
成膜時の基板温度は、１００℃〜２００℃であり、好ましくは１００℃〜１８０℃であり、より好ましくは１２０℃〜１８０℃である。基板温度が１００℃未満では、成膜された透明導電膜の下地に対する密着性が低下し、剥離してしまう。また、基板温度が２００℃以上では、透明導電膜が結晶化したり、エッチング時に残渣を大量に発生してしまう。
【００１８】
また、上記（１）〜（３）において、透明導電膜中の酸化インジウム及び酸化タングステンの組成比率は、酸化インジウムが、好ましくは８０ｗｔ％〜９９ｗｔ％であり、より好ましくは８５ｗｔ％〜９９ｗｔ％であり、さらに好ましくは８０ｗｔ％〜９８ｗｔ％である。一方、酸化タングステンは、好ましくは１ｗｔ％〜２０ｗｔ％であり、より好ましくは１ｗｔ％〜１５ｗｔ％であり、さらに好ましくは２ｗｔ％〜１０ｗｔ％である。
【００１９】
酸化タングステンが１ｗｔ％未満では、透明導電膜の低抵抗化などの効果がほとんど現れず、酸化タングステンが２０ｗｔ超％では、透明導電膜を２００℃以上に加熱しても結晶化しなくなる場合がある。
【００２０】
（４）また、本発明は、前記スパッタリングステップにおいて成膜した前記透明導電膜をエッチングするエッチングステップと、エッチングした前記透明導電膜を２００℃超で加熱し、前記透明導電膜を結晶化させる加熱ステップと、を含み、前記スパッタリングステップにおける前記スパッタガス中の前記水素、又は、前記水の濃度が、１ｖｏｌ％〜１０ｖｏｌ％であることを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載の、酸化インジウムと酸化タングステンとを含む透明導電膜の製造方法である。
【００２１】
エッチング加工性の高い非晶質の透明導電膜をエッチングした後、この透明導電膜を加熱して結晶化するので、エッチング時に、エッチング残渣を発生することなく、低抵抗の透明導電膜を製造することができる。  
エッチングした透明導電膜を２００℃超に加熱すると、透明導電膜が結晶化し、比抵抗が低下する。加熱温度は、好ましくは２００℃〜２８０℃であり、より好ましくは２２０℃〜２５０℃である。加熱温度が２００℃未満では、結晶化が進行せず、透明導電膜の比抵抗が下がらなくなる場合があり、加熱温度が２８０℃超では、下地が変形する場合がある。
【００２２】
（５）また、本発明は、上記（１）〜（４）のいずれかに記載の酸化インジウムと、酸化タングステンと、を含む透明導電膜の製造方法により製造されることを特徴とする少なくとも、酸化インジウムと酸化タングステンとを含む透明導電膜である。  
スパッタリング時に、水素又は水を含むスパッタガス中で成膜した透明導電膜は、エッチング時に、エッチング残渣がほとんど発生しない。なお、本発明の透明導電膜は、酸化インジウム及び酸化タングステンの他に、第三成分を含むことも好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
上記の通り、本発明の酸化インジウムと、酸化タングステンと、を含む透明導電膜の製造方法によれば、弱酸（有機酸など）によるエッチング時に、ほとんど残渣を発生しない透明導電膜を製造することができる。また、エッチング時にほとんど残渣を発生することなく、低抵抗の透明導電膜を製造することも可能となる。  
また、本発明の酸化インジウムと、酸化タングステンと、を含む透明導電膜は、弱酸（有機酸など）によるエッチング時に、ほとんど残渣を発生しない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の好適な実施の形態について、具体的に説明する。
【実施例１】
【００２５】
焼結体ターゲット１の製造
平均粒径が１μｍ以下のＩｎ２Ｏ３粉末、及び平均粒径が１μｍ以下のＷＯ３粉末を、［タングステン］／［インジウム］の原子数比の値が、０．０３となるように調合した。ここで、［タングステン］は、上記全粉末中のタングステン原子の数を表し、［インジウム］は、上記全粉末中のインジウム原子の数を表す。
【００２６】
調合した粉末を樹脂製ポットに入れ、さらに純水を加えて、硬質ＺｒＯ２ボールミルを用いた湿式ボールミル混合を行った。この時、混合時間は２０時間とした。この混合の結果、得られた混合スラリーを取り出し、濾過、乾燥および造粒を行い、造粒物を得た。得られた造粒物を、２９４ＭＰａ（３ｔ／ｃｍ２）の圧力をかけて冷間静水圧プレスで成形し、成形体を得た。
【００２７】
次に、この成形体を以下の通り焼結した。焼結炉内に上記成形体を載置し、この焼結炉内の容積０．１ｍ３当たり、５Ｌ／ｍｉｎの割合で、酸素を導入した。この雰囲気中で、上記成形体を１４５０℃で８時間焼結した。この時、焼結炉内の温度を、１０００℃までは１℃／ｍｉｎで昇温し、１０００℃〜１４５０℃間は２℃／ｍｉｎで昇温した。  
その後、酸素導入を止め、上記焼結炉内の温度を、１４５０℃から１３００℃へ５℃／ｍｉｎで降温した。そして、この焼結炉内の容積０．１ｍ３当たり、１０Ｌ／ｍｉｎの割合でアルゴンガスを導入し、この雰囲気中で、上記成形体を１３００℃で３時間保持した後、放冷した。これにより、バルク抵抗が０．９５ｍΩｃｍであり、密度が６．６ｇ／ｃｃ以上であって、タングステンを含有したＩｎ２Ｏ３焼結体１を得た。
【００２８】
このタングステンを含有したＩｎ２Ｏ３焼結体１のスパッタ面をカップ砥石で磨き、直径１００ｍｍ、厚み５ｍｍに加工し、インジウム系合金を用いてバッキングプレートを貼り合わせて、焼結体夕一ゲット１を作成した。この焼結体ターゲット１中では、夕ングステンが分散していることが好ましく、特に、酸化インジウムのインジウムサイトに、タングステンの−部が置換固溶していることが好ましい。
【００２９】
透明導電膜の製造
得られたスパッタリング用の焼結体ターゲット１をＤＣマグネトロンスパッタリング装置の内部に設置した後、スパッタガスとして、酸素１ｖｏｌ％、及び水素８ｖｏｌ％を含むアルゴンガスを導入した。この雰囲気中で、上記ＤＣマグネトロンスパッタリング装置内部のガラス基板を１５０℃とし、厚さ７０ｎｍの透明導電膜をこのガラス基板上に成膜した。このガラス基板の温度（１５０℃）は、特許請求の範囲に記載の成膜温度の一例に相当する。また、上記スパッタガス雰囲気中で、透明導電膜を成膜する動作は、特許請求の範囲に記載のスパッタリングステップの一例に相当する。
【００３０】
このようにしてガラス基板に形成された透明導電膜（図１には、「加熱前透明導電膜」と記載する）について、波長５５０ｎｍにおける光透過率を測定したところ、その光透過率は８８％であった。また、その比抵抗は、５６０μΩｃｍであった。また、このガラス基板上の透明導電膜について、Ｘ線回折を測定した結果、ピークは観測されず非晶質であることが判明した。
【００３１】
さらに、このガラス基板上の透明導電膜を、２３０℃で３０分間加熱処理した後、このガラス基板上の透明導電膜（図１には、「加熱後透明導電膜」と記載する）について、Ｘ線回折を測定した。この結果には、インジウムに由来するピークのみが観察され、透明導電膜が結晶化していることが確認できた。また、この加熱後の透明導電膜の比抵抗は、３８０μΩｃｍであり、波長５５０ｎｍにおける光透過率は９１％であった。なお、図１には、この透明導電膜の光透過率、比抵抗が示されている。
【００３２】
上記ＤＣマグネトロンスパッタリング装置に、上記と同様にガラス基板を設置し、その厚さが８０ｎｍとなるように、透明導電膜を成膜した。このようにしてガラス基板上に形成した透明導電膜に、フォトエッチング法によりパターニングを施し、透明電極を形成した。この時、エッチング液として、蓚酸（３．４ｗｔ％）水溶液を使用した揚合、燐酸・酢酸・硝酸の混酸を使用した場合、及び硝酸セリウムアンモニウム塩を含む水溶液を使用した場合、のいずれにおいても、残渣は見られなかった。図１には、この時のエッチング残渣の様子が示されている。なお、上記パターニングの動作は、特許請求の範囲に記載のエッチングステップの一例に相当する。
【００３３】
上記パターニングにより、ガラス基板に形成された透明電極を、２３０℃で３０分間加熱処理した後、このガラス基板上に、その膜厚が３００ｎｍとなるように、Ａｌ薄膜を成膜した。上記透明導電膜の加熱処理の動作は、特許請求の範囲に記載の加熱ステップの一例に相当する。
【００３４】
このＡｌ薄膜を、パターンの異なるフォトマスクを用いてパターニングを行った後、エッチング液として燐酸・酢酸・硝酸の混酸を用いて、フォトエッチングを行い、Ａｌ電極を形成した。このガラス基板上の透明電極部分を電子顕微鏡で観察した結果、透明電極部分は、ダメージは受けていないことが判明した。また、Ａｌ電極についても、ピンホールや、線細り、断線等は観察されなかった。
【実施例２】
【００３５】
焼結体ターゲット２の製造
平均粒径が１μｍ以下のＩｎ２Ｏ３粉末、及び平均粒径が１μｍ以下のＷＯ３粉末を、［タングステン］／［インジウム］の原子数比の値が、０．０７となるように調合した。ここで、［タングステン］は、上記全粉末中のタングステン原子の数を表し、［インジウム］は、上記全粉末中のインジウム原子の数を表す。
【００３６】
調合した粉末を樹脂製ポットに入れ、さらに純水を加えて、硬質ＺｒＯ２ボールミルを用いた湿式ボールミル混合を行った。この時、混合時間は２０時間とした。この混合の結果、得られた混合スラリーを取り出し、濾過、乾燥および造粒を行い、造粒物を得た。得られた造粒物を、２９４ＭＰａ（３ｔ／ｃｍ２）の圧力をかけて冷間静水圧プレスで成形し、成形体を得た。
【００３７】
次に、この成形体を以下の通り焼結した。焼結炉内に上記成形体を載置し、この焼結炉内の容積０．１ｍ３当たり、５Ｌ／ｍｉｎの割合で、酸素を導入した。この雰囲気中で、上記成形体を１４５０℃で８時間焼結した。この時、焼結炉内の温度を、１０００℃までは１℃／ｍｉｎで昇温し、１０００℃〜１４５０℃間は２℃／ｍｉｎで昇温した。  
その後、酸素導入を止め、上記焼結炉内の温度を、１４５０℃から１３００℃へ５℃／ｍｉｎで降温した。そして、この焼結炉内の容積０．１ｍ３当たり、１０Ｌ／ｍｉｎの割合でアルゴンガスを導入し、この雰囲気中で、上記成形体を１３００℃で３時間保持した後、放冷した。これにより、バルク抵抗が０．９５ｍΩｃｍであり、密度が６．６ｇ／ｃｃ以上であって、タングステンを含有したＩｎ２Ｏ３焼結体２を得た。
【００３８】
このタングステンを含有したＩｎ２Ｏ３焼結体２のスパッタ面をカップ砥石で磨き、直径１００ｍｍ、厚み５ｍｍに加工し、インジウム系合金を用いてバッキングプレートを貼り合わせて、焼結体夕一ゲット２を作成した。この焼結体ターゲット２中では、夕ングステンが分散していることが好ましく、特に、酸化インジウムのインジウムサイトに、タングステンの−部が置換固溶していることが好ましい。
【００３９】
透明導電膜の製造
得られたスパッタリング用の焼結体ターゲット２をＤＣマグネトロンスパッタリング装置の内部に設置した後、スパッタガスとして、酸素１ｖｏｌ％、及び水素８ｖｏｌ％を含むアルゴンガスを導入した。この雰囲気中で、上記ＤＣマグネトロンスパッタリング装置内部のガラス基板を１５０℃とし、厚さ７０ｎｍの透明導電膜をこのガラス基板上に成膜した。このガラス基板の温度（１５０℃）は、特許請求の範囲に記載の成膜温度の一例に相当する。また、上記スパッタガス雰囲気中で、透明導電膜を成膜する動作は、特許請求の範囲に記載のスパッタリングステップの一例に相当する。
【００４０】
このようにしてガラス基板に形成された透明導電膜（図１には、「加熱前透明導電膜」と記載する）について、波長５５０ｎｍにおける光透過率を測定したところ、その光透過率は８８％であった。また、その比抵抗は、６４０μΩｃｍであった。また、このガラス基板上の透明導電膜について、Ｘ線回折を測定した結果、ピークは観測されず非晶質であることが判明した。
【００４１】
さらに、このガラス基板上の透明導電膜を、２５０℃で３０分間加熱処理した後、このガラス基板上の透明導電膜（図１には、「加熱後透明導電膜」と記載する）について、Ｘ線回折を測定した。この結果には、インジウムに由来するピークのみが観察され、透明導電膜が結晶化していることが確認できた。また、この加熱後の透明導電膜の比抵抗は、４２０μΩｃｍであり、波長５５０ｎｍにおける光透過率は９１％であった。なお、図１には、この透明導電膜の光透過率、比抵抗が示されている。
【００４２】
上記ＤＣマグネトロンスパッタリング装置に、上記と同様にガラス基板を設置し、その厚さが８０ｎｍとなるように、透明導電膜を成膜した。このようにしてガラス基板上に形成した透明導電膜に、フォトエッチング法によりパターニングを施し、透明電極を形成した。この時、エッチング液として、蓚酸（３．４ｗｔ％）水溶液を使用した揚合、燐酸・酢酸・硝酸の混酸を使用した場合、及び硝酸セリウムアンモニウム塩を含む水溶液を使用した場合、のいずれにおいても、残渣は見られなかった。図１には、この時のエッチング残渣の様子が示されている。なお、上記パターニングの動作は、特許請求の範囲に記載のエッチングステップの一例に相当する。
【００４３】
上記パターニングにより、ガラス基板に形成された透明電極を、２５０℃で３０分間加熱処理した後、このガラス基板上に、その膜厚が３００ｎｍとなるように、Ａｌ薄膜を成膜した。上記透明導電膜の加熱処理の動作は、特許請求の範囲に記載の加熱ステップの一例に相当する。
【００４４】
このＡｌ薄膜を、パターンの異なるフォトマスクを用いてパターニングを行った後、エッチング液として燐酸・酢酸・硝酸の混酸を用いて、フォトエッチングを行い、Ａｌ電極を形成した。このガラス基板上の透明電極部分を電子顕微鏡で観察した結果、透明電極部分は、ダメージは受けていないことが判明した。また、Ａｌ電極についても、ピンホールや、線細り、断線等は観察されなかった。
【実施例３】
【００４５】
上記実施例１及び２においては、水素を含むスパッタガス雰囲気中で、透明導電膜を成膜する例について示したが、本実施例の透明導電膜の製造方法では、スパッタガスが上記水素の代わりに、水を含むことも好ましい。すなわち、本実施例の透明導電膜の製造方法においては、例えば、スパッタガスとして、酸素及び水を含むアルゴンガスを用いて、透明導電膜を成膜することも好ましい。なお、この時、スパッタガス中の水の濃度は、１ｖｏｌ％〜１５ｖｏｌ％であることが好ましく、１ｖｏｌ％〜１０ｖｏｌ％であることがより好ましく、２ｖｏｌ％〜８ｖｏｌ％であることがさらに好ましい。  
このような雰囲気中で、成膜された透明導電膜の場合にも、本実施例３の透明導電膜は、上記実施例１及び２の透明導電膜と同様の作用効果を奏する。
なお、上記実施例１及び２では、酸化インジウムと、酸化タングステンと、を含むスパッタリングターゲットを用いて、透明導電膜を成膜しているが、本発明の透明導電膜は、これに限定されず、酸化インジウム及び酸化タングステンの他に、第３の成分を含むスパッタリングターゲットを用いて、透明導電膜を製造することも好ましい。
【００４６】
『比較例１』
透明導電膜の製造
上記実施例１で作成したスパッタリング用の焼結体ターゲット１をＤＣマグネトロンスパッタリング装置の内部に設置した後、スパッタガスとして、酸素１ｖｏｌ％を含むアルゴンガスを導入した。この雰囲気中で、上記ＤＣマグネトロンスパッタリング装置内部のガラス基板を１５０℃とし、厚さ７０ｎｍの透明導電膜をこのガラス基板上に成膜した。
【００４７】
このようにしてガラス基板上に形成された透明導電膜（図１には、「加熱前透明導電膜」と記載する）について、波長５５０ｎｍにおける光透過率を測定したところ、その光透過率は９０％であった。また、その比抵抗は、４２５μΩｃｍであった。また、このガラス基板上の透明導電膜について、Ｘ線回折を測定した結果、ピークは観察されず非晶質であることが判明した。
【００４８】
さらに、このガラス基板上の透明導電膜を、２３０℃３０分間加熱処理した後、このガラス基板上の透明導電膜（図１には、「加熱後透明導電膜」と記載する）についてＸ線回折を測定した。この結果には、インジウムに由来するピークのみが観察され、透明導電膜が結晶化していることが確認できた。また、この加熱後の透明導電膜の比抵抗は、３２０μΩｃｍであり、波長５５０ｎｍにおける光透過率は９１％であった。なお、図１には、この透明導電膜の光透過率、比抵抗が示されている。
【００４９】
上記ＤＣマグネトロンスパッタリング装置に、上記と同様のガラス基板を設置し、その厚さが８０ｎｍとなるように、透明導電膜を成膜した。このようにしてガラス基板上に形成された透明導電膜に、フォトエッチング法によりパターニングを施し、透明電極を形成した。この時、エッチング液として、蓚酸（３．４ｗｔ％）水溶液を使用した場合、燐酸・酢酸・硝酸の混酸を使用した場合、硝酸セリウムアンモニウム塩を含む水溶液を使用した場合、のいずれにおいても、大量の残渣が発生していた。すなわち、水素及び水のいずれも含まないスパッタリングガス雰囲気中で成膜した透明導電膜の場合には、エッチング時に、上記いずれのエッチング液を使用した場合にも、大量の残渣が発生していた。なお、図１には、この時のエッチング残渣の様子が示されている。
【００５０】
上記パターニングにより、ガラス基板に形成された透明電極を、２３０℃で３０分間加熱処理した後、このガラス基板上に、その膜厚が３００ｎｍとなるように、Ａｌ薄膜を成膜した。  
このＡｌ薄膜を、パターンの異なるフォトマスクを用いてパターニングを行った後、エッチング液として燐酸・酢酸・硝酸の混酸を用いて、フォトエッチングを行い、Ａｌ電極を形成した。このガラス基板上の透明電極部分を電子顕微鏡で観察した結果、透明電極部分にはダメージは受けていないことが判明した。しかし、Ａｌ電極にはピンホールや、線細り、等が観察された。
【００５１】
『比較例２』
透明導電膜の製造
上記実施例２で作成したスパッタリング用の焼結体ターゲット２をＤＣマグネトロンスパッタリング装置の内部に設置した後、スパッタガスとして、酸素１ｖｏｌ％を含むアルゴンガスを導入した。この雰囲気中で、上記ＤＣマグネトロンスパッタリング装置内部のガラス基板を１５０℃とし、厚さ７０ｎｍの透明導電膜をこのガラス基板上に成膜した。
【００５２】
このようにしてガラス基板上に形成された透明導電膜（図１には、「加熱前透明導電膜」と記載する）について、波長５５０ｎｍにおける光透過率を測定したところ、その光透過率は９０％であった。また、その比抵抗は、５６８μΩｃｍであった。また、このガラス基板上の透明導電膜について、Ｘ線回折を測定した結果、ピークは観察されず非晶質であることが判明した。
【００５３】
さらに、このガラス基板上の透明導電膜を、２３０℃３０分間加熱処理した後、このガラス基板上の透明導電膜（図１には、「加熱後透明導電膜」と記載する）についてＸ線回折を測定した。この結果には、インジウムに由来するピークのみが観察され、透明導電膜が結晶化していることが確認できた。また、この加熱後の透明導電膜の比抵抗は、３６０μΩｃｍであり、波長５５０ｎｍにおける光透過率は９１％であった。なお、図１には、この透明導電膜の光透過率、比抵抗が示されている。
【００５４】
上記ＤＣマグネトロンスパッタリング装置に、上記と同様のガラス基板を設置し、その厚さが８０ｎｍとなるように、透明導電膜を成膜した。このようにしてガラス基板上に形成された透明導電膜に、フォトエッチング法によりパターニングを施し、透明電極を形成した。この時、エッチング液として、蓚酸（３．４ｗｔ％）水溶液を使用した場合、燐酸・酢酸・硝酸の混酸を使用した場合、硝酸セリウムアンモニウム塩を含む水溶液を使用した場合、のいずれにおいても、大量の残渣が発生していた。すなわち、水素及び水のいずれも含まないスパッタリングガス雰囲気中で成膜した透明導電膜の場合には、エッチング時に、上記いずれのエッチング液を使用した場合にも、大量の残渣が発生していた。なお、図１には、この時のエッチング残渣の様子が示されている。
【００５５】
上記パターニングにより、ガラス基板に形成された透明電極を、２５０℃で３０分間加熱処理した後、このガラス基板上に、その膜厚が３００ｎｍとなるように、Ａｌ薄膜を成膜した。  
このＡｌ薄膜を、パターンの異なるフォトマスクを用いてパターニングを行った後、エッチング液として、燐酸・酢酸・硝酸の混酸を用いて、フォトエッチングを行い、Ａｌ電極を形成した。このガラス基板上の透明電極部分を電子顕微鏡で観察した結果、透明電極部分にはダメージは受けていないことが判明した。しかし、Ａｌ電極については、ピンホールや、線細り、等が観察された。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】透明導電膜の性質の一例を表す図である。
【図１】
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