(57)【要約】【課題】  十分な抗磁力Ｈｃを確保することができ、さらなる高密度記録を実現することができる磁気記録媒体を提供する。【解決手段】  磁性層１２は斜方蒸着により形成されたものであり、複数のカラム１２０を有している。カラム１２０は磁性層１２の積層方向ｙに対して傾斜しており、磁性粒子１２１よりなる中心部１２２と、非磁性粒子１２３よりなる分離部１２４とを有している。カラム１２０の傾斜方向ｉと非磁性支持体１１とのなす角度θ（°）は、磁性層１２の厚みをδ（ｎｍ）とすると、ｓｉｎθ≦δ／８０の範囲内となっている。磁性層１２の厚みδは４０ｎｍ以下である。これにより、磁性層１２の厚みδが薄くても、磁性粒子１２１の傾斜方向における繋がりを１０個程度は確保することができ、十分な抗磁力Ｈｃを得ることができる。ＡＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッドに対して用いることができる。【選択図】        図３
2005108275.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体に、複数のカラムを有する磁性層が設けられた磁気記録媒体であって、
前記磁性層の厚みδ（ｎｍ）が４０ｎｍ以下であり、前記カラムの傾斜方向と前記非磁性支持体とのなす角度θ（°）がｓｉｎθ≦δ／８０であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記カラムは、磁性粒子よりなる中心部と、この中心部を囲み隣接するカラムの中心部を互いに分離するように配設された非磁性粒子よりなる分離部とを有することを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
【請求項３】
異方性磁気抵抗効果あるいは巨大磁気抵抗効果を利用したヘッドに対して用いられることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非磁性支持体にカラム構造を有する磁性層を設けた磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばビデオテープレコーダー（ＶＴＲ）の分野においては、高画質化を図るために、高密度記録化が一層強く要求されている。これに対応する磁気記録媒体としては、非磁性支持体の上に、強磁性材料をめっきあるいは真空薄膜形成手段によって直接被着させて磁性層を形成した、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案されている。
【０００３】
この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、塗布型の磁気記録媒体に比較して、抗磁力、残留磁化、および角型比などに優れ、短波長での電磁変換特性にも優れている。また、強磁性材料を直接被着させるので、磁性層の厚みを極めて薄くすることができ、記録減磁あるいは再生時の厚み損失が著しく小さくなり、良好な電磁変換特性が得られる。さらに、磁性層中に非磁性の結合剤や添加剤を混入する必要がないので、磁性材料の充填密度が高まり、磁束密度を高くすることができる。
【０００４】
中でも、真空蒸着法により強磁性材料を非磁性支持体に対して斜めに入射させて磁性層を形成したものは、より高い電磁変換特性および大きな出力を得ることができるので好ましい。例えば、このような真空蒸着法により磁性層を形成した磁気テープ（蒸着テープ）は、特性が安定しており、かつ生産効率も高いので、ハイバンド８ｍｍ用テープ、民生用デジタルビデオ用テープ、あるいはコンピューターデータ記録用テープ（例えばＡＩＴ（Advanced Intelligent Tape ）あるいはＭａｍｍｏｔｈ）として、すでに実用化されている。
【０００５】
このような磁気テープでは、斜方蒸着により形成されるカラムの構造により特性が変化する。よって、これまでも、より高い特性を得るための構造について種々の報告がされている（例えば、特許文献１および特許文献２参照。）。
【０００６】
また一方で、近年、高記録密度化の要求はますます高まっており、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ（Anisotropic Magnetoresistive）効果）を利用したＡＭＲヘッド、あるいは巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ（Giant Magnetoresistive）効果）を利用したＧＭＲヘッドに対応した磁気記録媒体が求められている。これらに対応する磁気記録媒体では、磁性層の厚みが薄くなる傾向にある。高記録密度領域において十分な信号対雑音比（Carrier to Noise Ratio；ＣＮＲ）を確保するためには、磁性層の厚みを４０ｎｍ以下とすることが好ましく、現在、ＡＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッドに対応する磁気記録媒体では２０ｎｍ〜４０ｎｍが主流である。
【特許文献１】特開２００３−５１１１１号公報
【特許文献２】特開平７−１８２６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、斜方蒸着による磁気テープでは、磁性層の厚みが４０ｎｍ以下に薄くなると、カラム内の磁性粒子の集合形態が変化し、抗磁力Ｈｃが低下して、安定に記録を保持することが難しくなるという問題があった。例えば、記録波長０．３μｍの信号をＡＭＲヘッドにより再生し、十分なエラーレートを確保できるＣＮＲ５５ｄＢを実現するには、１２０ｋＡ／ｍ以上の抗磁力Ｈｃが必要となる。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、十分な抗磁力Ｈｃを確保することにより、さらなる高密度記録を実現することができる磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による磁気記録媒体は、非磁性支持体に、複数のカラムを有する磁性層が設けられたものであって、磁性層の厚みδ（ｎｍ）が４０ｎｍ以下であり、カラムの傾斜方向と非磁性支持体とのなす角度θ（°）がｓｉｎθ≦δ／８０のものである。
【００１０】
本発明による磁気記録媒体では、カラムの傾斜方向と非磁性支持体とのなす角度θを制御することにより、カラムの長さが制御される。カラムの長さは抗磁力Ｈｃに関係しており、カラムの長さが制御されることにより、磁性層の厚みδを４０ｎｍ以下としても、高い抗磁力Ｈｃが得られる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の磁気記録媒体によれば、カラムの傾斜方向と非磁性支持体とのなす角度θが上述した範囲内となるようにしたので、カラムの長さを適切に調整することができる。よって、磁性層の厚みδが４０ｎｍ以下であっても、高い抗磁力Ｈｃを得ることができ、ＡＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッドに対して用いても優れた出力特性を得ることができる。従って、より高記録密度化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１は、本発明の一実施の形態に係る磁気記録媒体である磁気テープ１０の断面構造を表すものである。磁気テープ１０は、例えば、ＡＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッドを用いた記録再生システムに対して用いるのに適したものであり、非磁性支持体１１の上に、磁性層１２，保護層１３およびトップコート層１４が非磁性支持体１１の側からこの順に積層されている。
【００１４】
非磁性支持体１１は、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類、あるいはポリカーボネートなどに代表される高分子材料により構成されている。
【００１５】
磁性層１２は、磁性材料を含んでいる。磁性層１２を構成する磁性材料としては、例えば、鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ）あるいはニッケル（Ｎｉ）などの強磁性単体金属、またはコバルト−ニッケル系合金，鉄−コバルト系合金，鉄−ニッケル系合金，コバルト−白金（Ｐｔ）系合金，コバルト−ニッケル−白金系合金、，鉄−コバルト−ニッケル系合金，鉄−ニッケル−ホウ素（Ｂ）系合金，鉄−コバルト−ホウ素系合金，鉄−コバルト−ニッケル−ホウ素系合金等あるいはコバルト−クロム（Ｃｒ）系合金などの強磁性合金が挙げられる。
【００１６】
磁性層１２の厚みδは、４０ｎｍ以下であり、２０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であれば好ましい。抗磁力Ｈｃを確保しつつ、高記録密度化を図ることができるからである。また、磁性層１２の残留磁化量Ｍｒと厚みδとの積Ｍｒδは、ＡＭＲヘッドに対して用いる場合には、５ｍＡ〜３０ｍＡの範囲内であることが好ましく、ＧＭＲヘッドに対して用いる場合には、２ｍＡ〜２０ｍＡの範囲内であることが好ましい。それぞれのヘッドにおいて、前記のＭｒδの範囲で最も再生波形の対象性が良いからである。
【００１７】
また、磁性層１２は、斜方蒸着により形成されたものであり、図２に示したように、複数のカラム１２０を有している。カラム１２０は、複数の粒子が柱状に集合したものであり、磁性層１２の積層方向ｙに対して傾斜している。
【００１８】
カラム１２０は、例えば図３に示したように、磁性粒子１２１よりなる中心部１２２と、非磁性粒子１２３よりなる分離部１２４とを有していることが好ましい。図３は、カラム１２０の傾斜方向ｉと磁性層１２の積層方向ｙとを含む断面の構成を表している。なお、カラム１２０の断面構造は、例えばミクロトーム法により断面試料を作製し、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope；ＴＥＭ）により観察される。このようなカラム構造は、例えば、斜方蒸着の際に酸素ガスを導入することにより形成される。カラム１２０がこのような構造を有するようにすれば、磁性粒子１２１を微細化することができ、媒体ノイズを低減することができるので好ましい。
【００１９】
磁性粒子１２１は、例えば上述した磁性材料よりなる。磁性粒子１２１の平均粒径は、例えば１０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であればより好ましい。磁性粒子１２１は小さい方が媒体ノイズを低くすることができるので好ましいが、あまり微細化すると、超常磁性を示すようになり、残留磁化がなくなってしまうからである。磁性粒子１２１が超常磁性を示す粒径は、磁気異方性を用いて理論的に計算することが可能である。例えば、コバルト粒子の場合には、粒径がほぼ２．６ｎｍ以下になると、超常磁性を示すようになり、磁気記録を行うことができなくなる。
【００２０】
磁性粒子１２１は、また、各磁性粒子１２１における磁化容易軸ｍのばらつきが２０°以内となるように結晶配向されていることが好ましい。磁化容易軸ｍのばらつきが２０°よりも大きくなると、抗磁力Ｈｃが低下してしまうからである。なお、磁化容易軸ｍの方向とカラム１２０の傾斜方向ｉとはほぼ同一になると考えられている。
【００２１】
非磁性粒子１２３は、中心部１２２を囲み、隣接するカラム１２０の中心部１２２を互いに分離するように配設されている。非磁性粒子１２３は、例えば磁性粒子１２１を構成する磁性材料の酸化物よりなる。
【００２２】
カラム１２０は、磁性層１２の厚みδが厚い場合には非磁性支持体１１の側に突出した湾曲形状となることが多いが、本実施の形態のように厚みδが４０ｎｍ以下の場合には、ほぼ直線状の形状を有している。カラム１２０の傾斜方向ｉと、非磁性支持体１１の磁性層１２が形成されている面とのなす角度θは、数１に示す範囲内となっている。これにより、カラム１２０の傾斜方向における長さが制御され、磁性層１２の厚みδが４０ｎｍ以下と薄くても、磁性粒子１２１の傾斜方向における繋がりを１０個程度は確保することができるようになっている。カラム１２０の長さ、すなわち磁性粒子１２１の繋がり個数は抗磁力Ｈｃと関係があり、磁性粒子１２１の繋がりが１０個程度はないと十分な抗磁力Ｈｃが得られないからである。
【００２３】
（数１）
ｓｉｎθ≦δ／８０
数１において、δは磁性層１２の厚み、厚みδの単位はｎｍであり、角度θの単位は°である。
【００２４】
なお、磁性層１２は、単層構造でもよいが、２層以上の積層構造とされていてもよい。この場合、磁性層１２を構成する各層において、それぞれカラム１２０の傾斜方向と、非磁性支持体１１の磁性層１２が形成されている面とのなす角度θが、数１に示した範囲内であることが好ましい。
【００２５】
保護層１３は、グラファイト，ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ；Diamond-Like Carbon ）あるいはダイヤモンドなどを含む炭素材料、または二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）などにより構成され、膜強度の面からは炭素材料により構成されることが好ましい。
【００２６】
トップコート層１４は、例えば潤滑剤により構成されている。潤滑剤としては、例えば、パーフルオロロカーボン系材料、あるいはコハク酸を主骨格とするモノエステル系材料などの有機材料が挙げられる。
【００２７】
この磁気テープ１０は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００２８】
まず、非磁性支持体１１の上に、例えば磁性層１２を斜方蒸着により形成する。図４は、磁性層１２の成膜に用いられる連続巻取式斜方蒸着装置の一例を表すものである。この蒸着装置２０は、真空ポンプ２１Ａが設けられた成膜室２１の内部に矢印方向に回転可能なドラム２２を有しており、供給リール２３に巻かれた非磁性支持体１１をドラム２２を介して巻き取りリール２４に巻き取るようになっている。ドラム２２には図示しない冷却機構が設けられており、例えば−２０℃程度に冷却されている。成膜室２１の内部には、また、蒸着源２５Ａを収納した坩堝２５が配置されており、成膜室２１に設けられた電子銃２６から電子ビーム２６Ａを照射して、ドラム２２に巻かれている非磁性支持体１１の上に蒸着膜を形成するようになっている。蒸着源２５Ａには、磁性層１２を構成する上述した磁性材料を用いる。また、ドラム２２の近傍には、坩堝２５から非磁性支持体１１に入射する成分を規制するマスク２７が設けられている。坩堝２５から非磁性支持体１１に入射する成分は、坩堝２５の中心とマスク２７の先端とを結ぶ直線と、この直線がドラム２２の表面と交わる位置とドラム２２の中心とを結ぶ直線とがなす角度α、および、坩堝２５の中心を通るドラム２２の接線と、この接線がドラム２２と接する位置とドラム２２の中心とを結ぶ直線とがなす角度、すなわち９０°で定義され、入射角成分はα°−９０°と表される。マスク２７の先端および坩堝２５の中心を通るドラム２２の接線の近傍には酸素導入管２８が設置されている。
【００２９】
蒸着時の成膜室２１の雰囲気は、例えば、１×１０-1Ｐａ〜１×１０-3Ｐａ程度とする。また、非磁性支持体１１を巻き取るテープライン速度、入射角成分α°−９０°、およびトータル酸素導入量などを調整することにより、磁性層１２のカラム１２０の傾斜方向ｉと非磁性支持体１１とのなす角度θなどの各種物性を制御する。例えば、テープライン速度は５０ｍ／ｍｉｎ〜２５０ｍ／ｍｉｎの範囲内とすることが好ましく、入射角成分の角度αは３０°〜８０°の範囲内とすることが好ましく、トータル酸素導入量は、０．３５ｓｌｍ〜１．０ｓｌｍの範囲内とすることが好ましい。
【００３０】
次いで、磁性層１２の上に、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ；Chemical Vapor Deposition ）法あるいは物理蒸着（ＰＶＤ；physical vapor deposition ）法により保護層１３を形成し、保護層１３の上にトップコート層１４を形成する。これにより、図１に示した磁気テープ１０が完成する。
【００３１】
このように本実施の形態によれば、磁性層１２の厚みδ（ｎｍ）を４０ｎｍ以下、カラム１２０の傾斜方向ｉと非磁性支持体１１とのなす角度θ（°）をｓｉｎθ≦δ／８０とするようにしたので、カラム１２０の長さを適切に調整することができる。よって、磁性層１２の厚みδが４０ｎｍ以下であっても、高い抗磁力Ｈｃを得ることができ、ＡＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッドに対して用いても優れた出力特性を得ることができる。従って、より高記録密度化を図ることができる。
【００３２】
特に、カラム１２０が、磁性粒子１２１よりなる中心部１２２と、隣接するカラム１２０の中心部１２２を互いに分離するように配設された非磁性粒子１２３よりなる分離部１２４とを有するようにすれば、磁性粒子１２１を微細化することができ、媒体ノイズを低減することができる。
【実施例】
【００３３】
更に、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００３４】
（実施例１）
図１に示した磁気テープ１０を次のようにして作製した。まず、高分子フィルムよりなる非磁性支持体１１の上に、図４に示したような蒸着装置２０を用い、斜方蒸着法により酸素を導入したコバルトよりなる磁性層１２を形成した。蒸着時の雰囲気は７×１０-2Ｐａ、テープライン速度は８０ｍ／ｍｉｎ、入射角成分は６５°−９０°とした。酸素ガスは蒸着雰囲気中に２箇所から導入し、トータル酸素導入量は０．５０ｓｌｍとした。磁性層１２の厚みδは４０ｎｍとした。次いで、磁性層１２の上に、ＣＶＤ法により保護層１３を形成し、その上にトップコート層１４を形成した。これにより実施例１の磁気テープ１０を得た。
【００３５】
得られた磁気テープ１０について、ミクロトーム法により断面試料を作製し、ＴＥＭにより観察した。得られた高分解能像から、磁性層１２は、図３に示したように、磁性粒子１２１よりなる中心部１２２と、非磁性粒子１２３よりなる分離部１２４とを有するカラム構造を有していることが分かった。また、カラム１２０の傾斜方向ｉと非磁性支持体１１とのなす角度θは２５°であり、ｓｉｎθは０．４２であった。すなわち、磁性層１２の厚みδは４０ｎｍ、δ／８０＝０．５であるので、ｓｉｎθ≦δ／８０であった。また、磁性粒子１２１の粒径は、５ｎｍ〜１０ｎｍの間に分布していた。
【００３６】
（実施例２）
テープライン速度を１００ｍ／ｍｉｎ、入射角成分を６０°−９０°、トータル酸素導入量を０．６５ｓｌｍとしたことを除き、実施例１と同様にして磁気テープ１０を作製した。実施例２についても実施例１と同様にして断面構造を調べたところ、磁性層１２は実施例１と同様に図３に示したようなカラム構造を有しており、カラム１２０の傾斜方向ｉと非磁性支持体１１とのなす角度θは３０°、ｓｉｎθは０．５であった。すなわち、磁性層１２の厚みδは４０ｎｍ、δ／８０＝０．５であるので、ｓｉｎθ≦δ／８０であった。また、磁性粒子１２１の粒径は、５ｎｍ〜１０ｎｍの間に分布していた。
【００３７】
（実施例３）
テープライン速度を１３０ｍ／ｍｉｎ、入射角成分を７２°−９０°、トータル酸素導入量を０．４０ｓｌｍ、磁性層１２の厚みδを３０ｎｍとしたことを除き、実施例１と同様にして磁気テープ１０を作製した。実施例３についても実施例１と同様にして断面構造を調べたところ、磁性層１２は実施例１と同様に図３に示したようなカラム構造を有しており、カラム１２０の傾斜方向ｉと非磁性支持体１１とのなす角度θは１８°、ｓｉｎθは０．３１であった。すなわち、磁性層１２の厚みδは３０ｎｍ、δ／８０＝０．３７５であるので、ｓｉｎθ≦δ／８０であった。また、磁性粒子１２１の粒径は、５ｎｍ〜１０ｎｍの間に分布していた。
【００３８】
（実施例４）
テープライン速度を１４０ｍ／ｍｉｎ、入射角成分を６８°−９０°、トータル酸素導入量を０．４８ｓｌｍ、磁性層１２の厚みδを３０ｎｍとしたことを除き、実施例１と同様にして磁気テープ１０を作製した。実施例４についても実施例１と同様にして断面構造を調べたところ、磁性層１２は実施例１と同様に図３に示したようなカラム構造を有しており、カラム１２０の傾斜方向ｉと非磁性支持体１１とのなす角度θは２２°、ｓｉｎθは０．３７５であった。すなわち、磁性層１２の厚みδは３０ｎｍ、δ／８０＝０．３７５であるので、ｓｉｎθ≦δ／８０であった。また、磁性粒子１２１の粒径は、５ｎｍ〜１０ｎｍの間に分布していた。
【００３９】
（実施例５）
テープライン速度を１８０ｍ／ｍｉｎ、入射角成分を７８°−９０°、トータル酸素導入量を０．３５ｓｌｍ、磁性層１２の厚みδを２０ｎｍとしたことを除き、実施例１と同様にして磁気テープ１０を作製した。実施例５についても実施例１と同様にして断面構造を調べたところ、磁性層１２は実施例１と同様に図３に示したようなカラム構造を有しており、カラム１２０の傾斜方向ｉと非磁性支持体１１とのなす角度θは１２°、ｓｉｎθは０．２１であった。すなわち、磁性層１２の厚みδは２０ｎｍ、δ／８０＝０．２５であるので、ｓｉｎθ≦δ／８０であった。また、磁性粒子１２１の粒径は、５ｎｍ〜１０ｎｍの間に分布していた。
【００４０】
（実施例６）
テープライン速度を２００ｍ／ｍｉｎ、入射角成分を７６°−９０°、トータル酸素導入量を０．４０ｓｌｍ、磁性層１２の厚みδを２０ｎｍとしたことを除き、実施例１と同様にして磁気テープ１０を作製した。実施例６についても実施例１と同様にして断面構造を調べたところ、磁性層１２は実施例１と同様に図３に示したようなカラム構造を有しており、カラム１２０の傾斜方向ｉと非磁性支持体１１とのなす角度θは１４．５°、ｓｉｎθは０．２５であった。すなわち、磁性層１２の厚みδは２０ｎｍ、δ／８０＝０．２５であるので、ｓｉｎθ≦δ／８０であった。また、磁性粒子１２１の粒径は、５ｎｍ〜１０ｎｍの間に分布していた。
【００４１】
（比較例１）
テープライン速度を１２０ｍ／ｍｉｎ、入射角成分を５５°−９０°、トータル酸素導入量を０．７２ｓｌｍとしたことを除き、実施例１と同様にして磁気テープを作製した。比較例１についても実施例１と同様にして断面構造を調べたところ、磁性層は実施例１と同様のカラム構造を有しており、カラムの傾斜方向ｉと非磁性支持体とのなす角度θは３５°、ｓｉｎθは０．５７であった。すなわち、磁性層の厚みδは４０ｎｍ、δ／８０＝０．５であるので、ｓｉｎθ＞δ／８０であった。また、磁性粒子の粒径は、５ｎｍ〜１０ｎｍの間に分布していた。
【００４２】
（比較例２）
テープライン速度を１５０ｍ／ｍｉｎ、入射角成分を６６°−９０°、トータル酸素導入量を０．４１ｓｌｍ、磁性層の厚みδを３０ｎｍとしたことを除き、実施例１と同様にして磁気テープを作製した。比較例２についても実施例１と同様にして断面構造を調べたところ、磁性層は実施例１と同様のカラム構造を有しており、カラムの傾斜方向ｉと非磁性支持体とのなす角度θは２４°、ｓｉｎθは０．４１であった。すなわち、磁性層の厚みδは３０ｎｍ、δ／８０＝０．３７５であるので、ｓｉｎθ＞δ／８０であった。また、磁性粒子の粒径は、５ｎｍ〜１０ｎｍの間に分布していた。
【００４３】
（比較例３）
テープライン速度を２２０ｍ／ｍｉｎ、入射角成分を７３°−９０°、トータル酸素導入量を０．２９ｓｌｍ、磁性層の厚みδを２０ｎｍとしたことを除き、実施例１と同様にして磁気テープを作製した。比較例２についても実施例１と同様にして断面構造を調べたところ、磁性層は実施例１と同様のカラム構造を有しており、カラムの傾斜方向ｉと非磁性支持体とのなす角度θは１７°、ｓｉｎθは０．２９であった。すなわち、磁性層の厚みδは２０ｎｍ、δ／８０＝０．２５であるので、ｓｉｎθ＞δ／８０であった。また、磁性粒子の粒径は、５ｎｍ〜１０ｎｍの間に分布していた。
【００４４】
（評価）
作製した実施例１〜６および比較例１〜３の磁気テープ１０について、磁気特性および電磁変換特性を調べた。磁気特性としては、飽和磁束密度Ｂｓ、残留磁化Ｍｒと磁性層１２の厚みδとの積Ｍｒｔ、および抗磁力Ｈｃを測定した。電磁変換特性としては、記録波長を０．３μｍ（キャリア周波数２４ＭＨｚ）としてＡＭＲヘッドで再生した場合のＣＮＲを測定した。ＣＮＲの測定におけるノイズレベルは、記録波長０．３μｍ（キャリア周波数２４ＭＨｚ）を記録した場合のスペクトラムにおける２２ＭＨｚのノイズレベルと２４ＭＨｚのノイズレベルとの平均値とした。得られた結果を表１に示す。なお、表１に示したＣＮＲの値は、比較例１を基準値として零とした場合の相対値で表してある。
【００４５】
【表１】
2005108275.tif 000003
【００４６】
表１に示したように、カラム１２０の傾斜角度ｉと非磁性支持体１１とのなす角度θがｓｉｎθ≦δ／８０の範囲内であった実施例１〜６によれば、抗磁力Ｈｃについて１２０ｋＡ／ｍ以上の十分な大きさを得られた。これに対して、ｓｉｎθ＞δ／８０であった比較例１〜３では、抗磁力Ｈｃが１２０ｋＡ未満と不十分であった。また、実施例１〜６によれば、比較例１〜３に比べてＣＮＲを大きくすることができた。
【００４７】
すなわち、カラム１２０の傾斜角度ｉと非磁性支持体１１とのなす角度θをｓｉｎθ≦δ／８０の範囲内とすれば、磁性層１２の厚みδを４０ｎｍ以下としても、十分な抗磁力Ｈｃを得ることができ、ＣＮＲを向上させることができることが分かった。
【００４８】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態および実施例では、磁気テープ１０の積層構造について一例を挙げて説明したが、全ての層を備えていなくてもよく、他の層を更に備えていてもよい。例えば、非磁性支持体１１と磁性層１２との間に他の層を有していてもよい。
【００４９】
また、上記実施の形態および実施例では、磁気テープ１０を構成する各層の材料および成膜方法などについて具体的に例を挙げて説明したが、他の材料により構成してもよく、他の成膜方法により形成してもよい。
【００５０】
更に、上記実施の形態および実施例では、ＡＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッドに対して用いる場合について説明したが、他のヘッドに対して用いてもよい。
【００５１】
加えて、上記実施の形態および実施例では、磁気記録媒体として磁気テープ１０を例に挙げて説明したが、磁気ディスクなどの他の磁気記録媒体についても本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施の形態に係る磁気記録媒体の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した磁気記録媒体の磁性層の構成を表す部分斜視図である。
【図３】図２に示した磁性層の構成を表す部分断面図である。
【図４】図１に示した磁気記録媒体を製造する際に用いる蒸着装置の構成を表す断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０…磁気テープ（磁気記録媒体）、１１…非磁性支持体、１２…磁性層、１３…保護層、１４…トップコート層、２０…蒸着装置、２１…成膜室、２１Ａ…真空ポンプ、２２…ドラム、２３…供給リール、２４…巻き取りリール、２５…坩堝、２５Ａ…蒸着源、２６…電子銃、２７…マスク、２８…酸素導入管、１２０…カラム、１２１…磁性粒子、１２２…中心部、１２３…非磁性粒子、１２４…分離部。
【図１】
2005108275.tif 000004
【図２】
2005108275.tif 000005
【図３】
2005108275.tif 000006
【図４】
2005108275.tif 000007