(57)【要約】【課題】  界面活性剤中の金属含量を、好ましくは高性能半導体材料に使用可能となるｐｐｂレベルにまで低減すること。更には、上記の金属含有量を低減させる為の、界面活性剤中の金属化合物除去装置を提供すること。【解決手段】  イオン交換樹脂、機能性フィルターおよび特定の材質の構成部材を組み合わせて使用し、界面活性剤と接触させる。更には、イオン交換樹脂充填カラム、機能性フィルターユニットとを特定の材質の構成部材で連結した装置で界面活性剤中の金属化合物を除去する。【効果】好ましくは５ｐｐｂ未満のレベルまで、界面活性剤中の金属含有量を低減することができた。【特許請求の範囲】
【請求項１】
非イオン性界面活性剤を、イオン交換樹脂、機能性フィルターとに任意の順に接触させ、非イオン性界面活性剤から金属化合物を除去する方法。
【請求項２】
非イオン性界面活性剤に含まれる金属含有率を５ppb未満にすることを特徴とする請求項１記載の除去方法。
【請求項３】
除去する金属化合物が、Na、K、Ca、Ni、Cu、Zn、Ａｌ、Ｆｅ元素の少なくとも一種の金属を含む化合物であることを特徴とする請求項１記載の除去方法。
【請求項４】
イオン交換樹脂と、機能性フィルターと、フッ素含有樹脂、パーフルオロゴム、パーフルオロエラストマーから選ばれる１種以上の材料で形成された構成部材とからなる非イオン系界面活性剤からの金属化合物除去装置。
【請求項５】
イオン交換樹脂と機能性フィルターとを任意の順で、直列に接続することを特徴とする請求項４記載の除去装置。
【請求項６】
請求項１記載の方法で金属化合物を除去した非イオン性界面活性剤。
【請求項７】
請求項６記載の非イオン性界面活性剤を含む半導体装置製造用研磨材。
【請求項８】
請求項６記載の非イオン性界面活性剤を含む半導体装置製造用洗浄剤。
【請求項９】
請求項６記載の非イオン性界面活性剤を含む半導体装置用絶縁膜製造用材料
【請求項１０】
請求項６記載の非イオン性界面活性剤を含む半導体装置製造用粘着材。
【請求項１１】
請求項１０記載の粘着剤を含む粘着層を有するフィルム。
【請求項１２】
請求項１０記載の粘着剤を含む粘着層を有するテープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属化合物の除去方法および金属化合物の除去装置に関する。また、半導体装置用の研磨材、洗浄剤、絶縁膜材料、粘着剤、フィルム、およびテープに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体製造装置の開発では、加工パターンの微細化、及び、新材料導入による高性能化（大容量／高速化）が検討されている。微細化が進むに連れ、僅かに残存した金属でもリーク電流、絶縁破壊等の欠陥原因となることため、絶縁体部分に残存する金属含量をより少なくすることが望まれている。また、電流効率をより向上させて省エネルギー性能、回路の耐久性等を高めるためにも、半導体基板上の残留金属値はますます低い値が求められている。
【０００３】
上記の要求性能を達成する方法としては、加工パターンを形成後に金属の除去する方法と、加工に用いる材料自体の金属含有率を低減しておく方法がある。前者は加工パターンが微細化される程、金属の除去は難しくなるとされている。具体的な金属残存量としては、金属種によって異なるものの概ね1-10atom/cm2以下レベルにしなければならないと言われており（例えば、SEMICON JAPAN ２００１ 3rd surface contamination control seminar等に記載がある。） 上記の方法のみでは、これを達成することは困難とする向きが多い。このため各種半導体材料製造用の原料自体の金属含有率を低減させることが求められている。
【０００４】
半導体材料製造用の原料の一つに、界面活性剤があり、半導体製造用洗浄剤、半導体製造用研磨材、半導体製造用テープ用粘着材、半導体装置用絶縁膜等に使用されている。この界面活性剤としては、分子構造に金属を含まないことから、好んで、非イオン性界面活性剤が使用されてきた。しかし、非イオン性界面活性剤ですら、未精製品は、製造工程由来の金属イオン等の金属化合物を含んでおり、そのまま原料として使用すると、上記の金属残留値レベルを達成することはできず、基板表面上に残存した金属化合物を除去するために、多量の洗浄液及び超純水を使用し、長時間の洗浄工程が欠かせない問題があった。
【０００５】
このために、非イオン性界面活性剤中から金属除去する方法として、非金属系有機塩基水溶液と混合し、液相分離する方法や（特開平１１−２５６１８５号公報：特許文献１）、ピロリン酸二水素二ナトリウムと水を添加し、金属分を塩析させる方法や（特開平８−２３１７０７号公報：特許文献２）、酸水溶液によって洗浄する方法（特開２００１−４８９７７号公報：特許文献３）が報告されている。しかし、これらの方法では、金属化合物の含有率を低減するには限界があった。また、これらの方法は、液相分離、塩析によるバッチ方式の方法であるため、除去する速度、スケールアップなどに問題があることが予想される。    
【特許文献１】特開平１１−２５６１８５号公報
【特許文献２】特開平８−２３１７０７号公報
【特許文献３】特開２００１−４８９７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って本発明の課題は、半導体材料分野を含む電子材料分野で使用するため、非イオン性界面活性剤中の金属化合物を半導体の微細加工に対応できる低レベルまで除去する方法を提供することにある。また、上記の方法を簡便且つ効率的に実施できる装置を提供することにある。さらに、当該金属化合物を除去した非イオン性界面活性剤の用途を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記の課題を解決するために検討した結果、イオン交換樹脂、機能性フィルターを組み合わせて使用することで、非イオン性界面活性剤から金属化合物を極めて低レベルにまで除去できることを見出した。更に、フッ素含有樹脂、パーフルオロゴムからなる部材をも組み合わせることで、金属化合物を効率的に除去できる装置を実現可能であることも見出した。更に、金属化合物を除去した非イオン性界面活性剤が、半導体材料を製造する様々な部材に使用可能であることも見出した。すなわち本発明は、
（１）  非イオン性界面活性剤を、イオン交換樹脂、機能性フィルターとを任意の順に接触させ、非イオン性界面活性剤から金属化合物を除去する方法であり、
（２）  好ましくは、非イオン性界面活性剤に含まれる金属含有率を５ppb未満にすることを特徴とする金属化合物の除去方法であり、
（３）  好ましくは、除去する金属化合物が、Na、K、Ca、Ni、Cu、Zn、Ａｌ、Ｆｅ元素の少なくとも一種の金属を含む化合物であることを特徴とする除去方法であり、
（４）  イオン交換樹脂と、機能性フィルターと、フッ素含有樹脂、パーフルオロゴム、パーフルオロエラストマーから選ばれる１種以上の材料で形成された構成部材とからなる非イオン系界面活性剤からの金属化合物除去装置であり、
（５）  好ましくは、イオン交換樹脂と機能性フィルターとを任意の順で、直列に接続することを特徴とする金属化合物除去装置であり、
（６）  上記のの方法で金属化合物を除去した非イオン性界面活性剤であり、
（７）  上記の非イオン性界面活性剤を含む半導体装置製造用研磨材であり、
（７）  上記の非イオン性界面活性剤を含む半導体装置製造用洗浄剤であり、
（８）  上記の非イオン性界面活性剤を含む半導体装置用絶縁膜材料であり、
（９）  上記の非イオン性界面活性剤を含む半導体装置製造用粘着材であり、
（１０）  上記の粘着剤を含む粘着層を有するフィルムであり、
（１１）  上記の粘着剤を含む粘着層を有するテープである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の金属化合物の除去方法は、非イオン性界面活性剤から金属化合物を従来に比して著しく低いレベルにまで低減することが可能である。このため、微細加工が必要とされる半導体材料の製造などに適用が可能であると考えられる。このため、本発明の工業的意義は大きい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の非イオン性界面活性剤から金属化合物を除去する方法は、イオン交換樹脂および機能性フィルターを組み合わせて使用することにその特徴がある。まず、使用する材料、物質に関して説明する。尚、本発明において、金属化合物と言う語は、金属イオンの意味を含むことがある。
【００１０】
本発明で言う非イオン性界面活性剤とは、公知の非イオン性界面活性剤を制限無く用いることが出来る。具体的な例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、単一鎖長ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン２級アルコールエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンステロールエーテル、ポリオキシエチレンラノリン誘導体、アルキルフェノールホルマリン縮合物の酸化エチレン誘導体、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシブチレンブロックポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル等のエーテル型、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンヒマシ油、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル等のエステルエーテル型（ソルビトール骨格は、鎖状、環状の何れでも良い）、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、エチレングリコール脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル等のエステル型等が挙げられる。これらの中でもポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマーが好ましい。
【００１１】
本発明で使用するイオン交換樹脂は、陽イオン交換能を持つ樹脂であり、樹脂表面に陽イオン交換可能な−SO3H基、−COOH基等の官能基を持つ樹脂である。
【００１２】
このイオン交換樹脂を使用することにより、界面活性剤中に存在するＮａ、Ｋ、Ｃａ、Fe、Ｃｕ、Ａｌ等の金属イオンが、下記の化学式１のように、樹脂表面の官能基のＨとイオン交換することにより、除去可能となる。
【００１３】
【数１】
2005213200.tif 000002
【００１４】
使用方法は、特に限定されるものではないが、例えばイオン交換樹脂を好ましくは溶媒にてスラリー状にした後、カラムに充填し、当該カラムに界面活性剤溶液を通液させるカラム法と、界面活性剤溶液とイオン交換樹脂を混合し、任意の時間、静置後、ろ過してイオン交換樹脂を取り除くデカンテーション法がある。上記の中でも特にカラム法が好ましい。
【００１５】
使用するイオン交換樹脂の使用量は、除去する金属イオン量とイオン交換樹脂のイオン交換容量との兼ね合いで決定されるものであり、上記のイオン交換樹脂の交換容量が、除去すべき金属イオン量の１０倍を超えるように設定することが好ましい。
【００１６】
使用する溶媒は、界面活性剤が溶解する液であれば、特に限定されないが、具体的には、水、メタノール、エタノール、プロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド系、n-メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等の環状系、エチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコール類が挙げられる。また、精製に使用する目的から、溶媒中の金属化合物の含有率は、１０ｐｐｂ以下、さらに好ましくは、１ｐｐｂ以下のものが好ましい。尚、上記の様な金属含有率の溶媒を購入して用いても良く、汎用銘柄等の製品を蒸留、イオン交換樹脂、吸着剤等により処理することにより、金属含量を上記の範囲にして用いても良い。
【００１７】
機能性フィルターとは、通常のフィルターの物理的なろ過能に加え、イオン交換能、疎水吸着能、ゼーター電位的吸着能、脱水機能から選ばれる少なくとも一つの機能を付加したフィルターである。上記の機能性フィルターには、界面活性剤溶液を通液することにより、金属イオンだけでなく、イオン交換樹脂では除去しにくい高分子と複合体になったミセル状金属化合物、又は、疎水性の金属化合物が除去できる。
【００１８】
本発明に用いられる機能性フィルターとして具体的にはセルロースからなるフィルター、イオン交換樹脂を含むフィルター、イミド、エポキシ、尿素等の樹脂を含むフィルター、ケイソウ土、アルミナ、マグネシア、セリア等の無機物を含む材質のフィルター、具体的な製品としては、ゼータープラスシリーズ、エレクトロポアシリーズ（キュノ社製）等が挙げられる。
【００１９】
上記のイオン交換樹脂や機能性フィルターを使用する際に使用する構成部材、例えば、イオン交換樹脂を保持したり充填する容器やカラム、機能性フィルターを保持する部材、イオン交換樹脂や機能性フィルターと接触した後に、界面活性剤を導くためのラインの材料などは、、フッ素含有樹脂、パーフルオロゴム、パーフルオロエラストマーであることが望ましい。
【００２０】
フッ素含有樹脂とは、ポリテトラフルオロエチレン（PTFE）、テトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（PFA）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（FEP）、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体（ETFE）、ポリクロロトリフルオロエチレン（PCTFE）、ポリビニリデンフルオライド（PVDF）、ポリビニルフルオライド（PVF）、ポリテトラフルオロエチレン（PTFE）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（PFA）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（FEP）、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体（ETFP）、ポリクロロトリフルオロエチレン（PCTFE）、クロロトリフルオロエチレン共重合体（ECTFE）、ポリビニリデンフルオライド（PVDF）、ポリビニルフルオライド（PVF）等が挙げられる。
【００２１】
パーフルオロゴムとしては、四フッ化エチレン（TFE）に、パーフルオロメチルビニルエーテル（PMVE）を共重合させたポリ四フッ化エチレン−ポリパーフルオロメチルビニルエーテル共重合体等の公知の物を用いることが出来る。
【００２２】
上記の構成部材とはカラムやフィルターホルダーの本体、各器具に使用される配管等を指す。これらの構成部材の全部もしくは少なくとも一種は、上記に挙げたフッ素含有樹脂からなることが好ましい。また、その各器具の蓋、底部分や接続ジョイント、コックに含まれるＯ−リング等の所謂パッキング部材の少なくとも一種は、パーフルオロゴム、パーフルオロエラストマーからなる。これらの構成部材全てが、フッ素含有樹脂、パーフルオロゴム、パーフルオロエラストマーから選ばれる材料で構成されていることが好ましい。更に、上記のパッキング部材は、パーフルオロゴム、パーフルオロエラストマーから選ばれる材料で構成されていることが特に好ましい。これら以外の部材のみでは、界面活性剤の金属化合物含有率がppbレベルまで低減できない場合がある。特に標記装置の出口と直近のイオン交換樹脂もしくは機能性フィルターとの間の構成部材は、上記のフッ素含有樹脂やパーフルオロゴムのみからなることが好ましい。このような構成部材の例としてはカラムの底部、カラム底部に接続されたジョイント、フィルターホルダーの受け口、出口に接続された配管及びコック及びジョイントである。上記出口より流出する液の受け容器も、上記の材料で構成されていることが好ましい。
【００２３】
本発明の金属化合物除去装置はイオン交換樹脂と機能性フィルターと、フッ素含有樹脂および／またはパーフルオロゴム製の構成部材とからなる。合成吸着剤、イオン交換樹脂、機能性フィルターは不連続で使用してもよい。また、これらを組み合わせて連結し、一連の装置として使用するのが好ましい。この場合、操作が簡略化でき、連続運転も可能で、極めて金属化合物含有率の少ない界面活性剤を大量生産するのに有利である。また、外部雰囲気等の外的要因による金属化合物の混入の影響も受け難い利点がある。
【００２４】
本発明の金属化合物除去装置は、イオン交換樹脂を用いたユニットと機能性フィルターを用いたユニットとを直列に接続した構成であることが好ましい。このような構成にすることによって金属化合物除去の効率を飛躍的に高めることが出来る。また、装置の入り口側に材質は、特に限定されないが、セルロース、ナイロン、PTFE等のろ過精度０．２〜２０μｍのボールフィルター、若しくは、メンブランフィルターユニットを配置した構成とすることがより好ましい。
【００２５】
本発明の金属化合物除去装置の具体的な構成例を図１に示した。すなわち、送液ボトル１に界面活性剤溶液が保存されており貫通型ジョイント３で封されている。チューブ４によりパルス式ポンプ５、送液ボトル１中のボールフィルター２、圧力計６、３方バルブ７、第１カラム本体８、カラム目皿９とメンブランフィルター１０とカラム内O-リング１１とからなるフィルターユニット、フィルターホルダー１２と第１機能性フィルター１３と第２機能性フィルター１４とからなる機能性フィルターユニット、３方バルブ７、第２カラム本体１６、上記のフィルターユニット、上記の機能性フィルターユニット、２方バルブ１５がこの順に直列に接続され、受けボトル１６に導かれる構造になっている。受けボトル１６も貫通型ジョイント３で封されており、チューブ４は、２方バルブ１５と受けボトル１６とをジョイント３とを通して接続している。
【００２６】
本発明の金属化合物の除去装置のイオン交換樹脂ユニットと機能性フィルターユニットは、複数のユニットを組み合わせて構成しても良い。ユニット数が多くなると、流速が遅くなったり、高速化を図ると内圧が高くなったりすることがあるので、好ましい範囲としてはいずれも下限値が１ユニット、好ましくは２ユニットであり、上限値が６ユニット、好ましくは４ユニット、更に好ましくは２ユニットである。
【００２７】
本発明の金属化合物の除去装置に用いられるポンプや圧力計などは、基本的に公知のものを採用できるが、界面活性剤溶液が通過する部分は、上記のフッ素含有樹脂、パーフルオロゴム、パーフルオロエラストマーで形成されていることが好ましい。
【００２８】
本発明の金属化合物の除去方法や金属化合物除去装置を用いると、驚くべきことに金属化合物含有率の極めて少ない界面活性剤を得ることが出来る。金属化合物含有率の好ましい範囲は５ｐｐｂ未満、より好ましくは１ｐｐｂ未満である。
【００２９】
上記の方法にて金属除去した非イオン性界面活性剤は、金属化合物の含有率が従来よりも著しく低減されているので、半導体装置関連の材料として好適に用いることが出来る。具体的には半導体装置用絶縁膜製造用材料、半導体装置製造用の研磨材、半導体装置製造用の洗浄材、半導体装置製造用の粘着剤、上記の粘着剤を用いたフィルムやテープなどに用いられる。
【００３０】
上記の半導体装置製造用の研磨材は、具体的には、砥粒、水、上記の界面活性剤の他、酸化剤、又は、還元剤、及び、研磨促進剤又は防食剤等のその他添加剤とからなる。上記の研磨材は、界面活性剤の働きにより研磨中も砥粒の凝集が起こり難く、砥粒の粒度分布を常にシャープに出来るため、研磨速度、研磨面の均一性が向上する。また、研磨後の裏面も含めた基板表面に残存する金属量も大幅に減少する。よって、研磨後の基板表面の洗浄時間が、大幅に短縮できる。上記研磨材中の界面活性剤含有率は、非イオン性界面活性剤の種類によって異なり、特に限定されるものではないが、研磨材中、１〜１,０００ｐｐｍの範囲が好ましい。
【００３１】
本発明の半導体装置基板洗浄用の洗浄材は、具体的には上記界面活性剤と、各金属含量がpptレベルの主成分が水と酸からなるもの、或いは、主成分が水と塩基性物質とキレート剤からなるもの、或いは、主成分をエタノール、イソプロピルアルコール等の水溶性有機溶媒とするものとからなる。本発明の洗浄剤は、金属化合物の含有量が極めて少ないため金属汚染が殆ど無いだけでなく、金属化合物、有機物と金属との複合体等の基板表面からの除去効果が向上し、基板に残存する金属含量を大幅に減少できる。上記洗浄剤中の界面活性剤の含有率は、非イオン性界面活性剤の種類によって異なり、特に限定されるものではないが、洗浄剤中１〜１,０００ｐｐｍの範囲が好ましい。
【００３２】
本発明の半導体装置用絶縁膜製造用材料は、具体的には上記の非イオン性界面活性剤を含む半導体装置用絶縁膜材料となる塗布液、より具体的にはシリカ前駆体と溶媒と上記の界面活性剤とを含む塗布液や、熱硬化性樹脂と上記の界面活性材とを含む塗布液等が挙げられる。上記の絶縁膜製造用材料で得られる絶縁膜は、金属含有率の少ない膜が製造でき、半導体製品の高性能化や歩留まり向上が可能となる。上記の塗布液は、例えば半導体基板上に、塗布後、焼成することにより、溶媒は蒸発し、重合、又は、縮合することにより、硬化し、絶縁膜を形成する。この膜の材料である塗布液中に、界面活性剤のような熱分解性の高分子を添加すると、焼成により、硬化反応とともに、塗布液中に分散した高分子の熱分解が進行して揮散するため、多孔質膜を形成する事が出来る。多孔質の膜は、誘電率ｋ値が１の空気を膜内に含んでいるため、誘電率が低く、半導体部品などの絶縁膜として利用した場合に、線幅の狭い回路などでも誘導電流の少ない優れた絶縁膜となる。しかし、この界面活性剤中に含まれる金属は、焼成によって熱分解することはなく、膜内に残存するため、リーク電流の発生や絶縁破壊を引き起こすことがあった。本発明の半導体装置用絶縁膜製造用材料は、塗布液中に含まれる金属化合物量が極めて少ないため、誘電率が低く、且つ、リーク電流の発生や絶縁破壊が従来に比べて起こりにくい膜の形成に好適である。
【００３３】
その他にも上記の方法にて金属除去した界面活性剤は、半導体装置製造工程において用いられる粘着フィルムや粘着テープの粘着材の材料として利用することが出来る。上記の粘着材として具体的には、乳化重合により合成される粘着性有機高分子と本発明の界面活性剤とからなるものが挙げられる。また上記の粘着テープや粘着フィルムは、上記の粘着材を用いた粘着層を有するテープやフィルムであり、半導体材料の基板の反りや表面汚染や破損等の防止用に使用される。上記の粘着テープや粘着フィルムは、粘着材自体の金属含量が極めて少ないので、剥離後の基板表面に残存する金属含量が少なくなり、後工程である洗浄工程の時間短縮、合理化が可能となる。
【実施例】
【００３４】
（実施例１）
１、界面活性剤溶液の調製方法
ポリプロピレン製２L容器に、非イオン性界面活性剤  PLUORIONIC  P123  （BASF社製  MSDS記載MW  5,750）１４０ｇと、エタノール１４００ｇ（和光純薬社製、SCエタノール）とを加え、超音波処理を３０分し、非イオン性界面活性剤を完全に溶解させて界面活性剤溶液を得た。
【００３５】
２，装置の組み立て手順、及び、洗浄方法
装置は、メンブランフィルター、機能性フィルターを除く、下記の各部位を、超純水（抵抗値１８Ω・ｃｍ以上）の流水にて十分に洗浄した。そして、メンブランフィルターは、カラム低部に、機能性フィルター(キュノ社製、材質：セルロース)は、専用フィルターホルダーに取り付け、図１に示したような装置を組み立てた。組み立て後、流量２０ｍｌ／ｍｉｎにて、超純水２００ｍｌ、１０ｗｔ％硝酸溶液１００ｍｌ、超純水５００ｍｌ、エタノール５００ｍｌ（和光純薬社製、SCエタノール）の順に、通液した。
送液ボトル ： PFA製、容量２リットル
ボールフィルター ： PFA製、ボール直径φ１５mm、厚さ＃10μｍ
貫通型ジョイント ： PFA製、直径φ６mm用   
チューブ ： PFA、直径φ６mm
パルス式ポンプ ： 液接触部分PTFE製（株式会社タクミナ製、ＪＰＸ-３１型）
圧力計 ： 液接触部分ＰＴＦＥ製（測定限界 ： ０．１MＰa）
３方バルブ ： PTFE製、φ６ｍｍ用  
第１カラム本体 ： PTFE製、内径φ35×230mm
第２カラム本体 ： PTFE製、内径φ35×230mm
カラム目皿 ： PTFE製、直径φ47ｍｍ
メンブランフィルター ： PTFE製、直径φ47mm、ろ過精度＃3.0μｍ、東洋濾紙社製
カラム内O-リング ：  パーフルオロゴム製、直径φ35mm
フィルターホルダー ： PTFE製、直径φ47ｍｍ用
機能性フィルター１ ： セルロース製、直径φ47mm、ろ過精度＃0.6μm、
キュノ社製  商品名ゼータープラス  ２０GN
機能性フィルター２ ： ６、６ナイロン製、直径φ47ｍｍ、ろ過精度＃0.2μｍ、
キュノ社製  商品名エレクトロポア
２方バルブ ： PFA製、直径φ６ｍｍ用
受けボトル ： PFA製、容量２リットル
【００３６】
３，陽イオン交換樹脂の洗浄、充填方法
５００ｍｌの陽イオン交換樹脂（三菱化学社製、ＳＫ１ＢＨ）を、３００ｍｌのエタノールに加え、攪拌し、スラリー状にした。しばらく静置し、イオン交換樹脂が沈降したら、上澄みを除去し、再び、この捨てた上澄みとほぼ等量のエタノールを加え、攪拌、静置、上澄み除去、エタノール追加の順の洗浄操作を、上澄みが透明になるまで繰り返した。
上澄みが透明になったことを確認後、エアーを混入させないように、上記イオン交換樹脂のスラリーを、第１カラム、第２カラムそれぞれの上部ジョイントを外して投入し、カラムのほぼ先端まで充填した。
その後、第１カラム、第２カラムそれぞれにジョイントを装着し、エタノールを、５０ｍｌ／ｍｉｎにて通液しながら、カラム上部の３方コックから、装置内のエアー抜きを行った。エアー抜き後、更に、１０ｍｌ／ｍｉｎにてエタノール５００ｍｌを通液した。
【００３７】
４，被精製品通液方法
送液ボトル（テトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体 (ＰＦＡ) 製）に、１項にて調整した界面活性剤溶液を移し、流速１０ml／ｍｉｎにて、送液する。
上記の界面活性剤溶液の送液開始１６分後から、受けボトル（ＰＦＡ製）を取り付け、回収を開始する。この受けボトルに回収された液を、金属除去された精製液とする。尚、それ以前の液は、別容器で回収し、廃棄する。
そして、全ての被精製液の送液が完了した点で、送液ボトルに１５０ｍｌ以上のエタノール（和光純薬社製、SCエタノール）を加え、１５分間、送液を続ける。エタノールの送液開始から１５分後、精製液の回収を終了する。
【００３８】
５，精製後界面活性剤分析法
精製後の界面活性剤溶液は、ICP−MSにより、微量金属分析を実施した。この微量金属分析結果を、界面活性剤濃度から、界面活性剤あたりの金属含量に換算した。尚、界面活性剤濃度は、恒量値に達するまで、６ＨＰａ、５５℃にて、減圧濃縮を行い、濃縮操作前後の重量から算出した。結果を表１に示した。
【００３９】
（実施例２）
実施例１と同様の操作を行った精製液を、減圧濃縮装置を使用し、８０ＨＰａ、温浴温度５５℃、循環冷却水温度５℃にて、１５分間、濃縮した。結果を表１に示した。
【００４０】
（実施例３）
図１の接続順番において、１２、１３、１４で示されるの機能性フィルターユニットを、第１カラム下部から、第２カラムの下部に付け替えた以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示した。
【００４１】
（比較例１）
１２、１３、１４で示される機能性フィルターユニットを取り除き、第１カラムと第２カラムとを接続した装置を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示した。
【００４２】
（比較例２）
第１カラム、第２カラムを取り除き、すなわち機能性フィルターのみで金属化合物を除去する装置とした以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示した。
【００４３】
【表１】
2005213200.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】図１は本発明の金属化合物除去装置の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  送液ボトル
２  ボールフィルター
３  貫通型ジョイント 
４  チューブ
５  パルス式ポンプ                  
６  圧力計
７  ３方バルブ
８  第１カラム本体
９  カラム目皿
１０  メンブランフィルター
１１  カラム内Ｏリング
１２  フィルターホルダー
１３  第１機能性フィルター
１４  第２機能性フィルター
１５  ２方バルブ
１６  受けボトル
１７  第２カラム本体
【図１】
2005213200.tif 000004