(57)【要約】    【課題】高い感度を有し、しかも圧力の測定を大きく乱すことのない小型化された真空計を提供する。    【解決手段】本発明は容器１０内に残留する気体性物質の残留圧力を、より具体的には真空ポンプの運転後に、測定するための電離真空計に関する。この真空計は電子を放出する陰極１７、陰極によって放出された電子を加速するグリッド１３および気体のイオンまたは正に電離した分子を捕捉するプレート１５とを備えており、前記プレートは前記グリッドの外側に配設されている。検流計によってプレート電流を測定することにより、容器内部の残留圧力の値を求めることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器（１０）内の気体性物質の残留圧力を測定するための電離真空計であって、
電子を放出する陰極（１７）と、
前記陰極によって放出された電子を加速するグリッド（１３；１１３；１１３’）と、
前記グリッド（１３；１１３；１１３’）の外側に配設され、前記気体のイオンおよび／または正に電離した分子を捕捉するためのプレート（１５）と、
プレート電流を測定し、それから前記容器内部の残留圧力の値を導くための検流計（３３）とを含む電離真空計。
【請求項２】
前記加速グリッド（１３）が実質的に平面状のグリッドである、請求項１記載の真空計。
【請求項３】
前記加速グリッド（１１３；１１３’）が大略的に平行六面体の形状を有し、前記陰極（１７）とほぼ平行でかつ対向する面（１１３ａ）を有する、請求項１記載の真空計。
【請求項４】
前記加速グリッドがイオンおよび／または電離した分子を前記プレート（１５）に向かって導出するための開口（１１４）を有する、請求項３記載の真空計。
【請求項５】
前記加速グリッド（１３；１１３；１１３’）が前記陰極によって実質的に平行な方向（Ｆ）に放出された電子によって横切られる、請求項１記載の真空計。
【請求項６】
前記加速グリッド（１３；１１３；１１３’）が前記陰極（１７）によって放出された電子の大多数によってただ１度だけ横切られる、請求項１記載の真空計。
【請求項７】
前記プレート（１５）が前記方向（Ｆ）に実質的に平行な平面内に配設されている、請求項５記載の真空計。
【請求項８】
前記陰極（１７）と前記加速グリッド（１３；１１３；１１３’）との間の距離が、前記陰極（１７）と前記プレート（１５）との間の距離よりも大幅に小さい、請求項７記載の真空計。
【請求項９】
前記陰極（１７）と前記加速グリッド（１３；１１３；１１３’）との間の距離が好適には２０μｍ〜５０μｍの範囲であり、前記陰極（１７）と前記プレート（１５）との間の距離が好適には５５０μｍよりも小さい、請求項８記載の真空計。
【請求項１０】
前記加速グリッド（１３；１１３；１１３’）と前記プレート（１５）との間で電子が移動する経路を長くするための、電界および／または磁界を発生する手段を更に含む、請求項１記載の真空計。
【請求項１１】
前記発生手段が前記加速グリッド（１３；１１３；１１３’）によって加速されて前記プレート（１５）に向けられた電子を通すための通路を形成する１対の永久磁石または電磁石（２５）を備えている、請求項１０記載の真空計。
【請求項１２】
前記プレート（１５）に向かってイオンおよび／または分子を流すための導出手段（１９）を更に含む、請求項１記載の真空計。
【請求項１３】
イオンおよび／または電離した分子を所定の方向に曲げるための電界および／または磁界を発生する手段を更に含む、請求項１記載の真空計。
【請求項１４】
前記発生手段が、イオンおよび／または電離した分子を前記プレート（１５）に向ける通路をその間に形成する１対のカーブしたプレート（４７；５１）を更に含む、請求項１３記載の真空計。
【請求項１５】
前記通路を通って移動する前記イオンおよび／または電離した分子がその中で０°から１８０°の間で曲げられる、請求項１４記載の真空計。
【請求項１６】
前記通路を通って移動する前記イオンおよび／または電離した分子が約９０°に曲げられ、前記プレート（１５）が前記陰極（１７）と実質的に平行である、請求項１５記載の真空計。
【請求項１７】
前記通路を通って移動する前記イオンおよび／または電離した分子が約１８０°に曲げられ、前記プレート（１５）が前記陰極（１７）と実質的に垂直である、請求項１５記載の真空計。
【請求項１８】
前記発生手段が１対のプレート（４７；５１）、コンデンサ（４５；４９）を備えており、前記対の第一の極板が接地されており第二の極板が適切にバイアスされている、請求項１４記載の真空計。
【請求項１９】
前記発生手段が１対の永久磁石または電磁石を備えている、請求項１４記載の真空計。
【請求項２０】
前記陰極（１７）が１組のマイクロチップ（３）を備えている、請求項１記載の真空計。
【請求項２１】
前記マイクロチップ（３）が対応する開口（７）を有する導出グリッド（５）の下方で基板（１）上に配置されており、前記マイクロチップは前記導出グリッド（５）および前記加速グリッド（１３；１１３；１１３’）に向けられている、請求項２０記載の真空計。
【請求項２２】
前記導出グリッド（５）が第一の電源（２９）に接続されており、それによって前記マイクロチップ（３）よりも高い電位に保たれ、前記加速グリッド（１３；１１３；１１３’）は第二の電源（３１）に接続されており、それによって前記導出グリッド（５）よりも高い電位に保たれる、請求項２１記載の真空計。
【請求項２３】
前記マイクロチップ（３）が接地されている、請求項２２記載の真空計。
【請求項２４】
前記プレート（１５）が接地されている、請求項２３記載の真空計。
【請求項２５】
前記容器（１０）の壁が接地されている、請求項２４記載の真空計。
【請求項２６】
前記発生手段（１９）が、電源（２７）に接続された静電レンズを備えており、前記電源は前記静電レンズをゼロではなくまた前記加速グリッド（１３；１１３；１１３’）の電位よりも低い電位に保つ、請求項１２記載の真空計。
【請求項２７】
前記プレート（１５）がプレート電流を測定するための前記検流計（３３）に接続されている、請求項１記載の真空計。
【請求項２８】
前記検流計（３３）によって生成された信号を処理する処理手段（３５）を更に含み、前記処理手段が前記容器（１０）内部の気体圧力を表す信号を発生する、請求項２７記載の真空計。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電離真空計に関する。
より具体的には、本発明は容器中に残留する気体性物質の残留圧力を測定するための電離真空計に関し、例えば真空ポンプの運転後に、電子を放出する陰極、陰極から放出された電子を加速するグリッドおよび気体のイオンまたは正に電離した分子を捕捉するプレートを備えた真空計を使用して、容器内部の残留圧力の値を検流計によるプレート電流の測定によって求めるものである。
【背景技術】
【０００２】
熱電子放出真空計（熱陰極真空計とも呼ばれる）および電界放出（または冷陰極）真空計の２種類の真空計が知られている。
熱電子放出真空計では、電子源は１つまたはそれ以上の、例えばタングステンで作られたフィラメントからなり、白熱させられる。熱陰極真空計の典型的な例はバヤード・アルパート真空計である。この種類の真空計はワイヤ形状のイオン収集プレートと、前記プレートを取り囲む円筒形のグリッドと、グリッドの外側に配設された電子放出用の白熱タングステンフィラメントを備えている。フィラメントによって放出されてグリッドによって加速された電子は残留気体を電離し、イオンおよび／または正に電離した分子は、電子源およびグリッドよりも低い電位に維持されたプレートによって捕捉される。
【０００３】
開示された設計では、電子はグリッドを数回通過し、その出入りの運動の間に残留気体を電離し、最後にグリッドと衝突してそれに吸収される。
単純なワイヤとされたプレートを含むこの設計により、約１０-9Ｐａという低い圧力が測定できる。プレートワイヤの表面積が低減されているので、グリッドと衝突する電子によって発生するＸ線によるプレートからの光電効果（電子放出）のためにバックグラウンド電流が最小限に抑えられる。
【０００４】
かかる真空計が、例えば下記特許文献１「電離真空計」に開示されている。
この種の真空計の主な欠点は、電子放出陰極の性質に関連するものである。実際、加熱されたフィラメントは等方性を有する電子源であるが、一方真空計の感度にとっては電子ビームの指向性が本質的な要素である。
開示された設計では、陰極フィラメントの長さに沿って温度が変化するにつれて電子放出の方向の分布が変化し、フィラメント温度は典型的には約２０００℃まで達するので、真空計の感度は一定ではない。
【０００５】
しかも熱電子効果による電子の放出という現象は大きな電力消費、長い応答時間、そしてまた不純物の放出による無視できない環境の汚染を伴う。
バヤード・アルパート真空計の性能を向上するために、より新しい技術を利用して電子放出陰極を製作することが提案されている。
下記特許文献２「冷マイクロポイント陰極を使用する電離真空計」には、上で述べた欠点を解消するために、加熱されるフィラメントの代わりにマイクロチップ冷陰極を使用する真空計が開示されている。
【０００６】
マイクロチップ陰極は、１組の非常に小さな先端を有するエミッタを備えており、このエミッタは、それに対応する開口を有する導出グリッドの下方に配設されている。マイクロチップは金属（モリブデン、ニオブ）またはシリコンーポリシリコンで作られ、同じ材料またはシリコンもしくはガラス製の支持台の上に載置されている。マイクロチップと導出グリッドとの間に電位差が与えられると、電子放出を起こすのに十分な強度の電界が発生する。このマイクロチップ陰極は極めて指向性の強い電子源であり、低消費電力と非常に短い応答時間を有する。
【０００７】
図１に、上で開示されたマイクロチップを示す。例えばニオブまたはモリブデンで出来た平面基板１の上に、高さが約１μｍの同じ金属製のチップ３が成長させられている。導出グリッド５は基板１の上方にそれと平行して配設されており、各チップ３に対応する開口７を有する。前記開口７の直径は典型的には約１μｍである。前記グリッド５は絶縁層９によって前記基板１およびチップ３から離して保持されており、絶縁層９はチップ３からの電子を導出グリッド５内の対応する開口７を通って放出できるように、各チップ３に対応する空洞１１を有する。
【０００８】
通常、マイクロチップは整列されて作製され、隣接するマイクロチップ同士の間隔が数μｍとして、１０6〜１０8個／ｃｍ2程度のマイクロチップの密度が実現できる。
しかし下記特許文献２が教示するところは、電離真空計に特有の問題への部分的な回答に過ぎない。
具体的には、通常のバヤード・アルパート真空計の形状を再現する上記の真空計は、多くの用途において扱いにくく使用が困難である。しかも前記真空計は、対象とする高真空度を考慮すると、それ自体が圧力測定に無視できないひずみを有している。
【０００９】
これは主に次のような事実による。すなわち、マイクロチップ陰極が指向性の高い電子源であったとしても、円筒形のグリッドを出入りする電子の運動のために、真空計の寸法を小さくすることは出来ない。
【特許文献１】米国特許第２，６０５，４３１号明細書
【特許文献２】米国特許第５，２７８，５１０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の主な目的は、高い感度を有し、しかも圧力の測定を大きく乱すことのない小型化された真空計を提供することにより、上記の欠点を克服することである。
本発明の別の目的は、高い指向性、低消費電力および短い応答時間を有する冷電子源を備えた電離真空計を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記およびその他の目的は、添付の特許請求の範囲で述べられる真空計によって達成される。
集電プレートが、電子を加速するグリッド形状の陽極の外側に位置する本発明による構成は、大幅な小型化が可能になるという利点がある。
更に実質的に平面状のグリッド形状の陽極を使用することにより、陽極から所定の方向に、すなわち前記陽極が存在する平面に実質的に垂直に出る電子ビームが得られる。
【００１２】
次に電子の進行方向が、残留気体の原子または分子との衝突およびプレートとの相互作用による変調を受ける。しかし電子は陽極とプレートとの間の空間を移動し続け、問題となるような数の電子がグリッド形状の陽極を再度通過することはない。
磁界および／または電界を導入することによって電子の運動の特性に作用することが、真空計の性能を向上することが出来る点で有利である。
【００１３】
磁界の導入により、前記電子に螺旋運動をさせることができ、それにより、与えられた直線移動距離にわたって残留気体の原子または分子との衝突回数を増加できる。
イオンビームを曲げることのできる手段、例えば成形された極板を有するコンデンサまたは１対の永久磁石を導入することにより、イオンまたは電離した分子をそれらが発生した領域から取り出し、集電プレートに移動させることができる。
【００１４】
放出陰極は、好適にはマイクロチップ技術を利用して製造される。そのため平面形状のグリッド陽極および冷電子放出陰極のために、本発明による真空計の全体の寸法は数百μｍに制限できる。
本発明による真空計のいくつかの好適な実施形態を、非限定的な例として、以下添付の図面を参照してより詳しく説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図２を参照して、本発明の真空計の第一の実施形態を示す。チャンバー１０は、その残留圧力を測定すべき気体性の物質を含む体積を取り囲んでいる。この真空計は電子を放出できる陰極１７と、陰極１７によって放出された電子を加速することのできるグリッド形の陽極１３と、前記気体性の物質の原子または分子との電子の衝突で発生した気体のイオンを集めることを目的とするプレートすなわち集電電極１５を備えている。
【００１６】
陽極１３は、ほぼ平面状のグリッドとして作られており、陰極１７と対向してそれから短い距離だけ離して配設されている。これにより陰極１７によって放出された電子は加速され、陽極１３の平面にほぼ垂直である選択された初期の方向（矢印Ｆで示す）に沿ったビームとなる。プレート１５は、グリッド形の陽極１３と位置合わせされ、またそれとほぼ平行の平面プレートとして製作されている。
【００１７】
図２に示す第一の実施形態によれば、陰極１７、グリッド１３およびプレート１５が平板として製作される。しかし、かかる部材は、例えば凹形状または凸形状などの異なる形状とすることもできる。更にプレート１５はまた、小さな棒またはワイヤとして製作することもできる。ただし電子源の方に向けられたプレートの表面積を増加することにより前記プレートの感度が向上するので、平板の形状が好ましい。図示した実施形態によれば、陰極１７はマイクロチップ技術を利用して製作される。上で述べたようにマイクロチップ陰極は、１組の非常に小さいチップ３を備えており、このチップ３は対応する開口７を有する導出グリッド５の下方で導電性基板１の上に配設されている。グリッド５とマイクロチップ３との間に適切な電位差を与えることにより、電子放出を生じるのに十分な強度を有する電界が発生する。
【００１８】
放出された電子は、グリッド形状の陽極１３の穴２３を通ってプレート１５に向かい陽極に垂直な方向に加速される。この目的のために、グリッド形状の陽極１３には、導出グリッド５の電位Ｖ5よりも高い電位Ｖ13のバイアスがかけられ、陽極を通過する電子が、チャンバー１０内の残留気体を電離するのに都合の良いエネルギー範囲である１００ｅＶ〜１５０ｅＶの範囲の運動エネルギーを持って陽極から出るようになされる。
【００１９】
基板１、導出グリッド５および陽極１３を異なる電位に保つために、本発明の真空計は直列に接続された２つの直流電源２９、３１を含む。第一の電源２９は導出グリッド５を、接地されているチップ３の電位よりも高い電位Ｖ5に保ち、それにより電子放出に必要な電界を発生している。第二の電源３１はグリッド形状の陽極１３を、導出グリッド５の電位Ｖ5よりも高い電位Ｖ13に保ち、電子を好適には１００ｅＶ〜１５０ｅＶの範囲のエネルギーに加速する。
【００２０】
グリッド形状の陽極１３とプレート１５との間の経路に沿って、電子は残留気体の原子または分子と衝突してそれらを電離する。プレート１５の近傍に到達すると、プレートは接地されているので電子はプレートによって反発される。電子は、やはり接地されているチャンバー１０の壁によっても反発され、再度グリッド形状の陽極１３の方に向けられるが、残留気体の原子または分子との衝突を更に行った後、最後にグリッド形状の陽極１３によって吸収される。
【００２１】
残留ガスのイオンは反対にプレート１５によって捕捉されるが、プレートはそれを流れるイオン流を測定するために検流計３３に接続されている。検流計が発生したアナログ信号を処理するための適切な手段３５により、陰極１７からなる電子源の電流の大きさが分かれば、チャンバー１０内の残留気体の圧力をイオン流の値から求めることができる。
より正確な測定を行うためには、グリッド１３も第二の検流計に接続して、吸収された電子によるグリッド電流を測定すればよい。
【００２２】
したがって残留圧力ｐxは次式で求めることができる。
ｐx＝ｃ・ｉp／ｉg
ここで
ｃは装置と気体の性質とによる定数、
ｉpはプレート電流の大きさ、
ｉgはグリッド電流の大きさである。
【００２３】
プレートの形状を利用することにより、グリッド（これはバヤード・アルパート真空計では反対にプレートを取り囲んでいる）からの距離がより大きな位置に集電プレートを配設し、それにより、グリッド上で発生したＸ線により生じたプレートの光電効果によるバックグラウンド電流を制限することができる。その結果、本発明による真空計では、バヤード・アルパート真空計のようにプレートを細くしてワイヤにする必要がなく、その表面積を大きくして測定感度を向上するという利点が得られる。
【００２４】
更にグリッド形状の陽極１３を平面形状とすることにより、マイクロチップ電子放出陰極の使用と相まって、大幅に小型化した真空計が得られる。
陰極１７とグリッド形状の陽極１３は、数十μｍ程度（例えば２０μｍ〜５０μｍ）互いに離して置き、グリッド形状の陽極１３とプレート１５との間の間隔は所望の感度に応じて、例えば１００μｍ〜５００μｍの範囲にすればよい。明らかに、グリッド形状の陽極１３とプレート１５との間の間隔が大きいほど、チャンバー１０内に含まれる残留気体が電離する確率が高くなる。
【００２５】
真空計の寸法を更に小さくするために、図２に示す実施形態では、接地された円板または平面板で形成された２つの磁石２５（例えば電磁石または永久磁石）がグリッド形状の陽極１３とプレート１５との間に、グリッド形状の陽極１３およびプレート１５に垂直な平面内で、従って電子ビームの初期的な方向と平行に配置されている。
磁石２５によって生じる磁界は電子の運動に影響を与え、螺旋形の経路を取らせる。従って、各電子が移動する単位直線距離当たりに残留気体の原子または分子と衝突する回数が増加する。言い換えると、同じ形状でも前記気体の電離の程度、従って真空計の感度が向上する。別の構成では、やはり上記の磁石を備えることにより、残留気体の電離の程度と真空計の感度とを変えないまま、グリッド形状の陽極１３とプレート１５との間隔（従って本発明による真空計の全体の寸法）を小さくすることができる。
【００２６】
ここで図３を参照して、ここでは参照符号１１３で示すグリッド形状の陽極の形状が前に述べた例と異なる第二の実施形態を示す。
陽極１１３は概略平行六面体の篭であり、陰極１７と平行でそれから短い距離離れて位置する面１１３ａを有する。そのため陰極１７から放出された電子は陽極１１３の面１１３ａを通って加速され、面１１３ａにほぼ垂直な選択された初期的な方向（矢印Ｆで示す）に沿って移動する。
【００２７】
集電プレート１５は、グリッド１１３の開放されたベース部１１４に対応して、面１１３ａと対向して配設されている。
平行六面体のグリッド１１３を使用することにより、真空計の感度を向上することができる。実際、プレート１５とチャンバー１０との壁の両方が接地されているので、イオンはプレート１５よりも壁に引きつけられ、イオン分散効果が生じる。プレート１５に対応する開口部１１４以外は閉じている平行六面体のグリッド１１３を使うことにより、イオンが拡散するのを回避して、その結果真空計の感度を向上することができる。
【００２８】
ここで図４を参照して、集電プレート１５の配置が前に述べた例と異なる、本発明による真空計の第三の実施形態を示す。
これまでに述べた実施形態では、プレート１５は陰極に対向して配設されており、陰極自体にほぼ平行で電子ビームの選択された方向Ｆに垂直な平面内に配設されていた。
図４の実施形態では、プレート１５は陰極１７の平面にほぼ垂直な平面内に配設されており、従って電子ビームの選択された初期的な方向Ｆに平行な平面内に位置する。そのためプレート１５に向かって引きつけられたイオンと電離された分子とは、電子ビームの方向とほぼ垂直な方向に移動してプレートに向かう。
【００２９】
その結果、電子源（陰極１７）と集電プレート１５との間の相互作用は制限される。より具体的には、グリッド１１３’によって放出されたＸ線によるプレート１５上での光電効果は大幅に制限され、それにより本発明の真空計の感度は更に向上する。
この実施形態では、グリッド形状の陽極１１３’は集電プレート１５に対応する側面の開口１１４’を備えている。
【００３０】
プレート１５に向かってイオンを流しやすくするために、開口１１４’に対応して導出装置１９を備えてもよい。導出装置は例えば静電レンズを備え、電源２７に接続されており、導出装置をプレート１５（これは接地されている）の電位とグリッド１１３’の電位との中間の電位とすることができる。
この実施形態では、電子を螺旋形の経路に沿って移動させる磁界を発生するために、１対の磁石２５を備えていてもよい。この場合、磁石２５は陰極１７とプレート１５との両方に垂直な平面内に有利に配置することができる。
【００３１】
グリッド上で発生させられたＸ線によって生じたプレートの光電効果によるバックグラウンド電流を制限するために、またそれによって本発明による真空計の感度を向上するために、集電プレート１５のグリッド形状の陽極１１３’からの距離をより大きくすることが有利であろう。この目的のために、荷電粒子のビームを曲げることのできる磁石、コンデンサの極板、静電レンズ、高周波装置などの手段を利用できる。
【００３２】
図５はコンデンサ４５を備えた本発明の第四の実施形態を示すが、コンデンサ４５の極板４７はそれらの間にイオンまたは電離した分子を流し、それによりその進行方向を約９０°曲げるように、適切なバイアスと形状とが決められる。
より具体的には、極板４７の一方は接地され、他方は所望の回転半径を有するイオンの経路が得られるように、適切な電位にすることができる。
【００３３】
陽極１１３’によって加速された電子は、残留気体の原子や分子と衝突してそれらを電離する。イオンまたは電離した分子は、導出装置１９によってコンデンサ４５の極板４７の間の空間に流し込まれ、前記極板４７の間に規定された通路からの出口に配設されたプレート１５に向かって９０°曲げられる。
同様に、図６に示す本発明による真空計の第五の実施形態では、導出装置１９と集電プレート１５との間に配置され、イオンまたは電離した分子の向きを約１８０°曲げるような適切なバイアスと形状とを与えられた極板５１を有するコンデンサ４９を備えることができる。
【００３４】
陽極１１３’によって加速された電子の衝突により発生したイオンまたは電離した分子は、コンデンサ４９の極板５１の間に流され、極板５１の間に規定された通路からの出口に配設されたプレート１５に向かって１８０°曲げられる。
最後の２つの実施形態によれば、グリッド１１３’上で発生するＸ線による光電効果が大幅に低減されるように、集電プレート１５が電子ビームおよび電子源から隔離されることが有利である。
【００３５】
上で述べた第四および第五の実施形態では、イオンを曲げるためにコンデンサの代わりに１対の成形した磁石を使用することができる。その場合、前記磁石の間の電位Ｖmは、イオンの経路に対して望まれる回転半径に応じて、次式で選ばれる。
ｍ／ｑ＝ｒ2Ｂ2／２（Ｖ113'− Ｖm）
ここで、
ｍとｑはそれぞれ曲げられるイオンの質量および電荷、
ｒは所望の回転半径、
Ｂは前記磁石によって発生させられた磁界の強度、そして
Ｖ113'はグリッド１１３’の電位である。
【００３６】
上で説明した真空計を使用することが大きな利点をもたらすことが、当業者であれば理解されるであろう。先ず、極めて小さな寸法の真空計を製作できるということが、本発明による真空計をあらゆる応用分野に適したものとする。しかもその低減した寸法のために、本発明による真空計は圧力を測定したい環境を乱すことが無く、そのため測定がより信頼でき正確となる。更に、バヤード・アルパート真空計と同様の原理に従って動作しながら、本発明の真空計はより広い作動圧力範囲を有し、そのため１０-10Ｐａ〜１０-11Ｐａのオーダーの非常に高い真空度の測定に有利に使用できる。
【００３７】
上の説明は非限定的な例として示したものに過ぎず、特許請求の範囲で示される本発明の範囲から逸脱することなく変形や変更が可能であることも明白である。
特に、マイクロチップを有する冷陰極を使用して電子を放出することが有利であるが、本発明の範囲から逸脱することなく、いかなる電子源（従来の白熱ワイヤを含む。）を使用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】前に述べた従来技術による電子放出陰極のマイクロチップの模式的な斜視図である。
【図２】本発明の実施形態による真空計の模式図である。
【図３】本発明の実施形態による真空計の模式図である。
【図４】本発明の実施形態による真空計の模式図である。
【図５】本発明の実施形態による真空計の模式図である。
【図６】本発明の実施形態による真空計の模式図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【外国語明細書】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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