(57)【要約】【課題】  銀を含む材料からなる半透過反射層と基板との接着性を高め、表示品位に優れた半透過反射基板及びその製造方法、これを用いた電気光学装置及び電子機器を提供する。【解決手段】  半透過反射基板２０は、第１基板２１上に、透過部３１ａと反射部３１ｂとを有する半透過反射層３０と、パネルシール内引出し配線１２７とを備える。反射部３１ｂに対応する半透過反射層３０と引出し配線１２７は、それぞれ、ＴｉＯ２またはＴａ２Ｏ５から選ばれた少なくとも一種類の材料からなる下地層２９と、該下地層２９上に配置された第１Ａｇ合金層３０ａ、１２７ａと、第１Ａｇ合金層３０ｂ、１２７ｂ上それぞれに配置された第２Ａｇ合金層３０ｂ、１２７ｂとの積層構造を有する。【選択図】  図２
2005062699.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、透過部と反射部とを有する半透過反射層と、配線とが設けられた半透過反射基板であって、
前記半透過反射層の反射部と前記配線は、
ＩＴＯ、ＴｉＯ２またはＴａ２Ｏ５から選ばれた少なくとも一種類の材料からなる下地層と、該下地層上に配置されたＡｇを含む金属層と、の積層構造を有することを特徴とする半透過反射基板。
【請求項２】
前記半透過反射層に平面的に重なる着色層が更に設けられていることを特徴とする請求項１記載の半透過反射基板。
【請求項３】
基板上に、ＩＴＯ、ＴｉＯ２またはＴａ２Ｏ５から選ばれた少なくとも一種類の材料からなる下地層を形成する工程と、
前記下地層上にＡｇを含む金属層を形成する工程と
前記金属層を所定の形状にパターニングし、半透過反射層および配線を形成する工程と
を有することを特徴とする半透過反射基板の製造方法。
【請求項４】
前記下地層を所定の形状にパターニングする工程をさらに有することを特徴とする請求項３に記載の半透過反射基板の製造方法。
【請求項５】
前記下地層形成工程と、前記金属層形成工程を連続して行うことを特徴とする請求項３または請求項４記載の半透過反射基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項２いずれか一項に記載の半透過反射基板、または請求項３から請求項５いずれか一項に記載の半透過反射基板の製造方法により製造された半透過反射基板を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
透過部と反射部とを有する半透過反射層、該半透過反射層と平面的に重なるように配置された第１電極、及び引出し配線が設けられた半透過反射基板と、
前記半透過反射基板に対向し、前記引出し配線と電気的に接続する第２電極が設けられた対向基板と、
を具備した電気光学装置であって、
前記半透過反射層の反射部と前記引出し配線は、ＩＴＯ，ＴｉＯ２またはＴａ２Ｏ５から選ばれた少なくとも一種類の材料からなる下地層と、該下地層上に配置されたＡｇを含む金属層とを有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
透過部と反射部とを有する半透過反射層、該半透過反射層と平面的に重なるように配置された第１電極、及び引出し配線が設けられた半透過反射基板と、
前記半透過反射基板に対向し、前記引出し配線と電気的に接続する第２電極が設けられた対向基板と、
を具備した電気光学装置であって、
前記半透過反射層の反射部と前記引出し配線は、無機絶縁膜からなる下地層と、該下地層上に配置されたＡｇを含む金属層とを有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
前記半透過反射基板上には、ＩＴＯ，ＴｉＯ２またはＴａ２Ｏ５から選ばれた少なくとも一種類の材料からなる下地層と、該下地層上に配置されたＡｇを含む金属層とからなる入力端子部が配置されていることを特徴とする請求項８記載の電気光学装置。
【請求項１０】
基板上に、ＩＴＯ，ＴｉＯ２またはＴａ２Ｏ５から選ばれた少なくとも一種類の材料からなる下地層と、該下地層上に形成されたＡｇを含む金属層とからなる配線または端子を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項６から請求項１０のいずれか一項に記載の電気光学装置と、該電気光学装置を制御する制御手段とを有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射特性及び透過特性を有する半透過反射層が備えられた半透過反射基板及びその製造方法、電気光学装置並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一例として、周囲環境に応じて透過型表示と反射型表示とを切り替えて実現することが可能な反射半透過型の液晶装置がある。この種の液晶装置は、一対の基板間に液晶層が挟持された構造を有し、一方の基板上には、画素毎に、外光を反射するための反射部と、反射膜の開口などにより形成された透過部とが構成された半透過反射層が設けられている。また、一対の基板それぞれの液晶層と接する面には液晶を配向するための配向膜が設けられている。このような液晶装置においては、照明手段を点灯したときには照明光が半透過反射層の透過部を通して透過型表示が実現され、照明手段を消灯したときには外光が半透過反射層の反射部によって反射されて反射型表示が実現される。
【０００３】
上記の半透過反射層材料としては従来アルミニウムが一般的であったが、より高い反射特性を有する銀を用いることが提案されている（特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１１−５２３６６号公報（段落［０００４］〜［０００６］、図１）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、銀は、ガラスやプラスチックといった基板に対する密着力が低く、基板上に銀薄膜を形成した場合、基板から剥がれやすいという欠点がある。特に、配向膜を形成する際に行われるラビング処理により、銀薄膜が剥離したり、その形成位置がずれたりするといった問題が生じやすかった。このため、多くの半透過反射基板が不良品となっていた。例えば、半透過反射層がラビング処理などにより剥離し、表示特性において設計値とのずれを生じたり、剥離した反射層部の膜が透過部となる開口部や他の画素に再付着してしまい、表示特性を損ねてしまっていた。また、例えば半透過反射層と同層で引出し配線を基板上に設ける場合、引出し配線が剥がれたり、ずれてしまうことにより、基板上に形成された液晶を駆動する際に用いられる電極への信号供給が正しく行われず、表示特性を損ねてしまっていた。本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、銀を含む材料からなる半透過反射層の基板に対する接着性を高め、表示品位に優れた半透過反射基板及びその製造方法、これを用いた電気光学装置及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために本発明の半透過反射基板は、基板上に、透過部と反射部とを有する半透過反射層と、配線とが設けられた半透過反射基板であって、前記半透過反射層の反射部と前記配線は、ＩＴＯ、ＴｉＯ２またはＴａ２Ｏ５から選ばれた少なくとも一種類の材料からなる下地層と、該下地層上に配置されたＡｇを含む金属層と、の積層構造を有することを特徴とする。
【０００６】
本発明のこのような構成によれば、下地層を設けることにより基板と金属層との密着性を高めることができ、半透過反射層及び配線の耐剥離性が向上する。これにより配線不良といった問題のない信頼性の高い半透過反射基板を得ることができる。
また、前記半透過反射層に平面的に重なる着色層が更に設けられていることを特徴とする。
【０００７】
このように、着色層を設けてカラーフィルタ機能を有する半透過反射層を得ることができる。例えばフォトリソグラフィ法を用いた着色層の製造工程では高温処理工程及び薬液処理工程があるが、下地層を設けることにより、これらの処理においても半透過反射層及び配線の剥離といった問題がない。
【０００８】
本発明の半透過反射基板の製造方法は、基板上に、ＩＴＯ、ＴｉＯ２またはＴａ２Ｏ５から選ばれた少なくとも一種類の材料からなる下地層を形成する工程と、前記下地層上にＡｇを含む金属層を形成する工程と、前記金属層を所定の形状にパターニングし、半透過反射層および配線を形成する工程とを有することを特徴とする。
【０００９】
本発明のこのような構成によれば、下地層を設けることにより基板と金属層との密着性を高めることができ、半透過反射層の耐剥離性が向上する。これによりパターニング時のウエットエッチング工程においても半透過反射層が剥離することなく、信頼性の高い半透過反射基板を得ることができる。
【００１０】
前記下地層を所定の形状にパターニングする工程をさらに有することを特徴とする請求項３に記載の半透過反射基板の製造方法。
【００１１】
このように、下地層を所定の形状にパターンニングするように形成してもよい。
【００１２】
また、前記下地層形成工程と、前記金属層形成工程を連続して行うことを特徴とする。
【００１３】
このように、下地膜形成工程と金属層形成工程を連続して行う、言い換えれば下地膜形成後から金属層形成前までの間を真空下もしくは無酸素下におくことにより、積層界面の清浄度を保つことができる。
【００１４】
本発明の電気光学装置は、上述に記載の半透過反射基板、または上述に記載の半透過反射基板の製造方法により製造された半透過反射基板を具備することを特徴とする。
【００１５】
本発明のこのような構成によれば、半透過反射基板上の所望の位置に確実に半透過反射層または配線が形成されるので、表示不良や配線接続不良がない高品質の電気光学装置を得ることができる。
【００１６】
本発明の他の電気光学装置は、透過部と反射部とを有する半透過反射層、該半透過反射層と平面的に重なるように配置された第１電極、及び引出し配線が設けられた半透過反射基板と、前記半透過反射基板に対向し、前記引出し配線と電気的に接続する第２電極が設けられた対向基板と、を具備した電気光学装置であって、前記半透過反射層の反射部と前記引出し配線は、ＩＴＯ、ＴｉＯ２またはＴａ２Ｏ５から選ばれた少なくとも一種類の材料からなる下地層と、該下地層上に配置されたＡｇを含む金属層と、の積層構造を有することを特徴とする。
【００１７】
本発明のこのような構成によれば、半透過反射基板上の所望の位置に確実に半透過反射層及び引出し配線が形成されるので、表示不良や配線接続不良がない高品質の電気光学装置を得ることができる。
【００１８】
本発明の他の電気光学装置は、透過部と反射部とを有する半透過反射層、該半透過反射層と平面的に重なるように配置された第１電極、及び引出し配線が設けられた半透過反射基板と、前記半透過反射基板に対向し、前記引出し配線と電気的に接続する第２電極が設けられた対向基板と、を具備した電気光学装置であって、前記半透過反射層の反射部と前記引出し配線は、無機絶縁膜からなる下地層と、該下地層上に配置されたＡｇを含む金属層とを有することを特徴とする。
【００１９】
このような構成によれば、下地層として無機絶縁膜を用いることで、例えばＡｇ合金で形成した配線間でのリークやショートを防ぐことができる。
【００２０】
また、前記半透過反射基板上には、前記半透過反射基板上には、ＩＴＯ，ＴｉＯ２またはＴａ２Ｏ５から選ばれた少なくとも一種類の材料からなる下地層と、該下地層上に配置されたＡｇを含む金属層とからなる入力端子部が配置されていることを特徴とする。
このような構成によれば、入力端子部が剥離することがないので、外部配線基板と入力端子部との接続不良のない電気光学装置を得ることができる。
【００２１】
本発明の他の電気光学装置は、基板上に、ＩＴＯ，ＴｉＯ２またはＴａ２Ｏ５から選ばれた少なくとも一種類の材料からなる下地層と、該下地層上に形成されたＡｇを含む金属層とからなる配線または端子を有することを特徴とする。
【００２２】
このように、端子を半透過反射層と同じ積層構造で形成することができ、下地層を設けることにより入力端子部の剥離といった問題がない
【００２３】
本発明の電子機器は、上述に記載の電気光学装置と、該電気光学装置を制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【００２４】
電子機器としては、携帯電話、携帯型情報端末、電子腕時計などが挙げられ、明るい反射表示画面を有する電子機器を得ることができる。
【発明の効果】
【００２５】
以上のように、本発明によれば、銀を含む材料からなる半透過反射層の基板に対する接着性を高め、表示品位に優れた半透過反射基板及びその製造方法、これを用いた電気光学装置及び電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
次に、添付図面を参照して本発明に係る半透過反射基板及びその製造方法、これを用いた電気光学装置及び電子機器の実施例について詳細に説明する。本実施例では、電気光学装置として液晶装置を構成する場合を例にとり以下に説明する。
【００２７】
<半透過反射基板及び電気光学装置>
【００２８】
図１は、本発明に係る実施例の液晶装置１００の外観を示す概略斜視図であり、図２は、図１のＢ−Ｂ´の切断線に沿った液晶装置１００の概略断面図である。尚、図１においては、バックライト４０の図示を省略している。図３は、液晶装置１００を構成する半透過反射基板上に設けられた半透過反射層の部分平面図である。図４は、液晶装置１００を構成する半透過反射基板上に設けられた半透過反射層、引出し配線及び入力端子部の形成領域を示す模式的な平面図である。尚、ここでは図面を見やすくするために半透過反射層に設けられた開口の数は実際よりも少なく図示している。図５は、半透過反射層と着色層との位置関係を示す半透過反射基板の部分平面図である。
【００２９】
液晶装置１００は、いわゆる反射半透過方式のパッシブマトリクス型構造を有する。図１及び図２に示すように、液晶装置１００は、液晶パネル６０と、この液晶パネル６０に隣接して設けられたバックライト４０を備えている。液晶パネル６０は、ガラス板や合成樹脂板等からなる透明な第１基板２１を基体とする半透過反射基板２０と、これに対向する同様の第２基板１を基体とする対向基板１０とを有する。半透過反射基板２０と対向基板１０とはシール材５３を介して貼り合わせられ、両基板とシール材５３とにより囲まれた空間内には注入口５３ａから注入された液晶５５が挟持されている。注入口５３ａは封止材５６にて封止されている。また、半透過反射基板２０及び対向基板１０を挟み込むように一対の偏光板５１及び５２が配置されている。
【００３０】
第１基板２１の内面（第２基板１に対向する表面）上には複数の第１電極としての第１透明電極２７が並列してストライプ状に構成され、第２基板１の内面上には複数の第２電極としての第２透明電極２が並列してストライプ状に構成されている。また、上記第１透明電極２７は配線６１に導電接続され、上記第２透明電極２は配線７０に導電接続されている。第１透明電極２７と第２透明電極２とは相互に直交し、その交差領域はマトリクス状に配列された多数の画素１００Ｐを構成し、これらの画素配列が表示領域Ａを構成している。尚、本実施例においては、実際に表示する領域を画素と称する。本実施例において、第１透明電極２７と第２透明電極２とが交差する領域は、平面的にその周縁部が後述する遮光層２４と重なりあうため、実際に表示に寄与する画素１００Ｐは格子状に形成された遮光層２４により区画された領域となっている。
【００３１】
第１基板２１は第２基板１の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部２１Ｔを有している。この基板張出部２１Ｔ及びこの張出部２１Ｔが位置する辺に直交する辺には、引出し配線１２７が設けられている。引出し配線１２７は、配線７０とシール材５３の一部で構成される上下導通部５３ｂを介して導電接続されている。更に、基板張出部２１Ｔ上には、独立して形成された外部接続端子である複数の配線パターンからなる入力端子部２５８が形成されている。また、基板張出部２１Ｔ上には、配線６１、引出し配線１２７及び入力端子部２５８に対して導電接続されるように、液晶駆動回路等を内蔵した半導体ＩＣチップ５７が実装されている。また、基板張出部２１Ｔの端部には、上記入力端子部２５８に導電接続されるように、フレキシブル配線基板５９が実装されている。第１透明電極２７には、半導体ＩＣチップ５７から、配線６１を介して駆動信号が入力される。一方、第２透明電極２には、半導体ＩＣチップ５７から、引出し配線１２７、上下導通部５３ｂ、配線７０を介して駆動信号が入力される。
【００３２】
バックライト４０は、ＬＥＤ（発光ダイオード）等で構成される光源４３と、アクリル樹脂等の透明素材で構成される導光板４４と、導光板４４の背後に配置された反射板４２とを備えている。導光板４４の前面側には拡散板４１が配置され、さらにその前面側には、集光板４５および４６が配置されている。集光板４５，４６はバックライト４０の照明光の指向性を高めるためのものである。
【００３３】
次に、図２〜図５を用いて、半透過反射基板２０の構造を詳細に説明する。  
【００３４】
図２及び図４に示すように、第１基板２１上には、半透過反射層３０、パネルシール内引出し配線１２７、パネルシール外の引出し配線１２８及び入力端子部２５８が設けられている。半透過反射層３０、パネルシール内引出し配線１２７は同様の積層構造を有している。すなわち、半透過反射層３０は、下地層としてのＴｉＯ２層２９、Ａｇを含む金属層としてのＡｇ（銀）−Ｎｄ（ネオジム）−Ｃｕ（銅）合金からなる第１Ａｇ（銀）合金層３０ａ、Ａｇ（銀）−Ｐｄ（パラジウム）合金からなる第２Ａｇ（銀）合金層３０ｂの３層が順に積層された構成となっている。パネルシール内引出し配線１２７は、下地層としてのＴｉＯ２層２９、Ａｇを含む金属層としてのＡｇ（銀）−Ｎｄ（ネオジム）−Ｃｕ（銅）合金からなる第１Ａｇ（銀）合金層１２７ａ、Ａｇ（銀）−Ｐｄ（パラジウム）合金からなる第２Ａｇ（銀）合金層１２７ｂの３層が順に積層された構成となっている。
【００３５】
ＴｉＯ２膜２９は第１Ａｇ合金層３０ａ及び１２７ａと第１基板２１との密着性を高めるための下地層として機能する。ここで、第１基板２１上に直接Ａｇ合金層を形成した場合、半透過反射基板製造工程中にラビング処理など物理的な力が加わると、Ａｇ合金が剥離しやすいという問題があった。これに対し、本実施例においては、下地層としてＴｉＯ２膜２９を設けることによりＡｇ合金層の耐剥離性を向上させた。尚、ここでは、下地層としてＴｉＯ２膜を形成したが、他にＴａ２Ｏ５膜などの無機絶縁膜を形成しても良く、同様に高い密着性を得ることができる。また、本実施形態においては、半透過反射層と同じ積層構造の引出し配線を形成しているので、下地層としては無機絶縁膜を用いるのが好ましい。Ａｇ合金で形成した配線間でのリークやショートを防ぐことができるからである。但し、下地膜としてＩＴＯ膜のように容易に加工ができる材料であれば、Ａｇ合金配線間の膜をパターン加工で除去することで、配線間のリークやショートを防ぐことができ、工程は増えるが同様の効果を得ることができる。また、半透過反射層と同じ積層構造の配線を形成しない場合には、下地層として導電体であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜やＴａ２Ｏ５膜などの無機絶縁膜、半絶縁膜であるＺｎＯ膜やＳｎＯ膜を用いてもよく、同様に高い密着性を得ることができる。
【００３６】
第１Ａｇ合金層３０ａとしては、Ａｇを主成分とし、Ｎｄ（ネオジム），Ｃｕ（銅）のうち少なくとも一種類以上の元素が添加された耐熱性の合金層を用いることができる。第２Ａｇ合金層３０ｂとしては、Ａｇを主成分とし、Ｃｕ（銅），Ｒｕ（ルテニウム），Ｐｄ（パラジウム），Ａｕ（金），Ｐｔ（白金）のうち少なくとも一種類以上の元素が添加された耐薬品性の合金層を用いることができる。
【００３７】
このように、第１Ａｇ合金層３０ａとして上述のような部材を用いることにより、耐熱性の高い半透過反射層３０を得ることができる。すなわち純Ａｇを用いた場合では、後述する着色層形成工程中の高温加熱処理である焼成工程で粒子の凝集による膜の断裂といった問題が起きていたが、上述のような合金を用いることにより膜の断裂といった問題がない耐熱性の高い半透過反射層３０を得ることができる。ここで、第１Ａｇ合金層３０ａの膜厚を、第１Ａｇ合金層３０ａと第２Ａｇ合金層３０ｂの総厚、すなわち半透過反射層３０の膜厚の５０％以上、更に好ましくは７０％以上とすることにより、半透過反射層３０全体での耐熱性を十分に保持することができる。尚、本実施例においては、第１Ａｇ合金層３０ａの膜厚を１８０ｎｍ、第２Ａｇ合金層３０ｂの膜厚を２０ｎｍとしている。
【００３８】
また、第２Ａｇ合金層３０ｂとして上述のような部材を用いることにより、後述する着色層形成工程中の現像処理工程時のアルカリ現像液などの浸漬によって半透過反射層３０の表面が受けるダメージを、純Ａｇを用いた場合と比較して少なくすることができる。これにより、半透過反射層３０表面の反射率の低下を防止することができる。この際、第２Ａｇ合金層３０ｂのＡｇ含有率を９９ｗｔ％以上とすることが望ましく、これにより４００ｎｍ近傍の短波長域反射率をＡｌ同等（絶対反射率で約９１％）もしくはそれ以上とすることができ、全可視領域での反射率も純Ａｇレベルに近づけることができる。また、第２Ａｇ合金層３０ｂのＡｇ以外の元素の含有率を前述内容を踏まえ、アルカリ現像液などの薬品に対する耐性が必要レベルで得られる含有量に抑えることが望ましい。
【００３９】
図２〜図５に示すように、半透過反射層３０は開口部３０ｃを有している。半透過反射層３０は、画素１００Ｐ毎に、開口部３０ｃに対応する透過部３１ａと、２層の合金層が配置された実質的に光を反射する反射部３１ｂとを有している。図４に示すように、半透過反射層３０は、表示領域Ａ内に配置され、パネルシール内引出し配線１２７は、表示領域Ａ外に配置される。
【００４０】
図２に示すように、半透過反射層３０の上には、格子状に設けられた遮光層２４と、この遮光層２４によって区切られた領域を埋めるように着色層２５が配置され、その上を透明樹脂等からなる表面保護層（オーバーコート層）２６が被覆している。図５に示すように、Ｒ、Ｇ，Ｂの帯状の着色層２５がストライプ状に配列されている。図２に示すように表面保護層２６の上には、膜厚５ｎｍのＳｉＯ２膜、膜厚１６０ｎｍのＩＴＯ等の透明導電体からなる第１透明電極２７、ポリイミド樹脂等からなるラビング処理が施された配向膜２８が順に配置されている。第１透明電極２７は、着色層２５の配列と平行に着色層２５に対応してストライプ状に構成されている。
【００４１】
本実施例においては、図５に示すように、複数の画素１００Ｐにそれぞれ着色層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂが形成されている。そして、Ｒ（赤）の画素に設けられた着色層２５Ｒには開口部２５ａＲが、Ｇ（緑）の画素に設けられた着色層２５Ｇには開口部２５ａＧが、Ｂ（青）の画素に設けられた着色層２５Ｂには開口部２５ａＢが設けられている。上記構成により、着色層２５に対して平面的に重なる半透過反射層３０の反射部３１ｂの一部は着色層２５に覆われず、露出した状態となっている。
【００４２】
一方、上記半透過反射基板２０と対向する対向基板１０は、ガラス等からなる第２基板１上に、ＩＴＯ等の透明導電体からなる第２透明電極２、ポリイミド樹脂等からなるラビング処理が施された配向膜４を順次積層させたものである。
【００４３】
図２に示すように、以上のような液晶装置１００において、反射型表示では、対向基板１０側から半透過反射層３０に向かって入射した外光の一部１５５が着色層２５を通過した後に半透過反射層３０の反射部３１ｂにて反射され、その反射光１５６は再び対向基板１０を通過して、液晶装置１００外部へ出射される。また、外光の他の一部は、開口部２５ａを通過して反射部３１ｂにて反射され、その反射光は再び対向基板１０を通過して液晶装置１００外部へ出射する。このように、着色層２５を通過する外光は往復で着色層２５を２回通過して着色光として出射され、開口部３０ａを通過する外光は全く着色層２５を通過することなく無着色の光として出射する。このように、反射型表示では、着色光と無着色光により表示が行われ、無着色の光により反射型表示の明度を向上させることができる。
【００４４】
一方、透過型表示では、着色層２５は半透過反射層３０の透過部３１ａを全て覆っているので、半透過反射基板２０の背後に配置されたバックライト４０から照明光を照射した場合には、当該照明光は透過部３１ａを通過して着色層２５を通過し、対向基板１０を通過して液晶装置１００外部へ出射することにより表示が行われる。
【００４５】
以上のように、本実施例においては、Ａｇ合金層３０ａ及び１２７ａと、第１基板２１との間に下地層２９を設けているので、Ａｇ合金層の基板に対する密着性を高めることができる。従って、半透過反射層、引出し配線及び入力端子部を、剥がれたりずれたりすることなく所望の位置に配置することができる。これにより、不良半透過反射基板の発生を防止することができる。
【００４６】
半透過反射層３０においては、その開口部３０ａが各画素毎に確実に位置することになるので、表示特性を損ねることがない。
【００４７】
また、パネルシール内引出し配線１２７においては、第２電極２との電気的接続位置やＩＣチップ５７との電気的接続位置がずれることがなく、確実にパネルシール内引出し配線１２７と第２電極２、パネルシール内引出し配線１２７とＩＣチップ５７とをそれぞれ電気的に接続することができ、配線接続不良の発生を防止することができる。
【００４８】
<半透過反射基板の製造方法>
【００４９】
次に、上述の半透過反射基板２０の製造方法について、図９に基づいて図６から図８を用いて説明する。
【００５０】
図６は半透過反射基板２０の製造工程図（その１）、図７はこれに続く半透過反射基板２０の製造工程図（その２）、図８は更にこれに続く半透過反射基板２０の製造工程図（その３）である。図６〜図８は図２の断面図に対応する。図９は、図６〜図８に対応する半透過反射基板２０の製造フローチャートである。
【００５１】
図６（ａ）に示すように、第１基板２１上に下地層としてのＴｉＯ２膜２９´をスパッタなどにより成膜する。その後、図６（ｂ）に示すように、第１基板２１を１００℃以上、例えばここでは１２０℃に加熱し、この状態で１８０ｎｍの膜厚のＡｇ−Ｎｄ−Ｃｕ合金からなる第１Ａｇ合金膜３０ａ´及び２０ｎｍの膜厚のＡｇ−Ｐｄ合金からなる第２Ａｇ合金膜３０ｂ´をスパッタ法により成膜する。これらＴｉＯ２膜２９´、第１Ａｇ合金膜３０ａ´、及び第２Ａｇ合金膜３０ｂ´の成膜は連続的に行われる。ここで、連続的というのは、ＴｉＯ２膜２９´成膜後から第２Ａｇ合金膜３０ｂ´が成膜されるまでの間、第１基板２１を真空下もしくは無酸素下に置くということである。例えば、いずれの膜も真空装置内で成膜されるわけであるが、両膜を連続的に同一真空装置内で成膜するか、あるいは、異なる真空装置でそれぞれ成膜し、異なる真空装置間の基板の搬送系を無酸素下、例えば窒素ガス下におけばよい。これにより第１Ａｇ合金膜３０ａ´の酸化を防止することができる。また、本実施形態においては、ＴｉＯ２膜２９´上にＡｇ合金成膜を成膜する際、１００℃以上１５０℃以下の基板温度で成膜している。このように基板を加熱した状態でＡｇ合金を成膜することにより、後工程の下地膜及びＡｇ合金膜のパターニングに用いるウエットエッチング工程に対しても十分耐えうる下地膜２９´と第１Ａｇ合金膜３０ａ´との密着性を確保することができる。尚、１００℃よりも低い温度であると、密着性を十分に確保できず、１５０℃よりも高い温度であると第２Ａｇ合金膜３０ｂ´の表面反射率の低下を招く。
【００５２】
次に、ＴｉＯ２膜２９´、第１Ａｇ合金膜３０ａ´及び第２Ａｇ合金膜３０ｂ´を含む第１基板２１上にレジスト材をスピンコート法により塗布する。その後、このレジスト材をフォトリソグラフィ法を用いて所定の形状にパターニングして、図６（ｃ）に示す第２Ａｇ合金膜３０ｂ´上にレジストパターン２００を形成する。このレジストパターン２００は、半透過反射層３０の開口３０ｃに相当する部分に開口を有する。
【００５３】
次に、このレジストパターン２００をマスクとして、第１Ａｇ合金膜３０ａ´及び第２Ａｇ合金膜３０ｂ´を一括して燐酸と硝酸を主成分とする混酸エッチング液によりウエットエッチングする。その後、有機系剥離液によりレジストパターン２００を除去する。これにより、図６（ｄ）に示すＴｉＯ２層２９、第１Ａｇ合金層３０ａ及び第２Ａｇ合金層３０ｂの積層構造を有する半透過反射層３０、及び、ＴｉＯ２層２９、第１Ａｇ合金層１２７ａ及び第２Ａｇ合金層１２７ｂの積層構造を有するパネルシール内引出し配線１２７が形成される。半透過反射層３０は画素１００Ｐ毎に開口３０ｃを有する。この開口３０ｃに相当する箇所が液晶装置に組み込んだ際に透過表示時に用いられる透過部として機能し、各画素１００Ｐにおいて透過部以外は反射表示時に用いられる反射部として機能する。このように、半透過反射層３０の形成と同時に引出し配線１２７を形成できるため、半透過反射層３０の形成工程とは別に引出し配線及び入力端子部の形成工程を設ける必要がなく、製造効率が良い。
【００５４】
次に、図６（ｅ）に示すように、半透過反射層３０、引出し配線１２７を含む第１基板２１上全面に、スピンコート法によりアクリル系樹脂のネガレジスト材に黒色顔料が分散された黒色樹脂材料を塗布し、黒色樹脂材料膜２４´を成膜する。その後、黒色樹脂材料膜２４´を１００℃で３分間、焼成して仮硬化させた後、マスク２０１を用いて黒色樹脂材料膜２４´を露光し、アルカリ現像液により現像する。その後、２３０℃で３０分間、焼成して本硬化させることにより図６（ｆ）に示すように膜厚１．２μｍの遮光層２４を形成する。この際、Ａｇ−Ｐｄ合金層からなる半透過反射層３０の表面は、アルカリ現像液によるダメージが少なく、その反射特性が損なわれることはない。また、高温加熱の焼成処理を施しても半透過反射層３０は膜の断裂は生じなかった。
【００５５】
次に、図６（ｇ）に示すように、半透過反射層３０、パネルシール内引出し配線１２７及び遮光層２４を含む第１基板２１上全面に、スピンコート法によりアクリル系樹脂のネガレジスト材に赤色顔料が分散された赤色樹脂材料を塗布し、赤色樹脂材料膜２５Ｒ´を形成する。その後、赤色樹脂材料膜２５Ｒ´を１００℃で３分間、焼成して仮硬化させた後、マスク２０２を用いて赤色樹脂材料膜２５Ｒ´を露光し、アルカリ現像液により現像する。その後、２３０℃で３０分間、焼成して本硬化させることにより、図７（ａ）に示すように膜厚１．２μｍの赤色着色層２５Ｒを形成する。この際、Ａｇ−Ｐｄ合金層からなる半透過反射層３０の表面は、アルカリ現像液によるダメージが少なく、その反射特性が損なわれることはない。また、高温加熱の焼成処理を施しても半透過反射層３０は膜の断裂は生じなかった。
【００５６】
次に、図７（ｂ）に示すように、半透過反射層３０、引出し配線１２７、入力端子部２５８、遮光層２４及び赤色着色層２５Ｒを含む第１基板２１上全面に、スピンコート法によりアクリル系樹脂のネガレジスト材に緑色顔料が分散された緑色樹脂材料と塗布し、緑色樹脂材料膜２５Ｇ´を形成する。その後、緑色樹脂材料膜２５Ｇ´を１００℃で３分間、焼成して仮硬化させた後、マスク２０３を用いて緑色樹脂材料膜２５Ｇ´を露光し、アルカリ現像液により現像する。その後、２３０℃で３０分間、焼成して本硬化させることにより、図７（ｃ）に示すように膜厚１．２μｍの緑色着色層２５Ｇを形成する。この際、Ａｇ−Ｐｄ合金層からなる半透過反射層３０の表面は、アルカリ現像液によるダメージが少なく、その反射特性が損なわれることはない。また、高温加熱の焼成処理を施しても半透過反射層３０は膜の断裂は生じなかった。
【００５７】
次に、図７（ｄ）に示すように、半透過反射層３０、引出し配線１２７、入力端子部２５８、遮光層２４、赤色着色層２５Ｒ及び緑色着色層２５Ｇを含む第１基板２１上全面に、スピンコート法によりアクリル系樹脂のネガレジスト材に青色顔料が分散された青色樹脂材料を塗布し、青色樹脂材料膜２５Ｂ´を塗布する。その後、青色樹脂材料膜２５Ｂ´を１００℃で３分間、焼成して仮硬化させた後、マスク２０４を用いて青色樹脂材料膜２５Ｂ´を露光し、アルカリ現像液により現像する。その後、２３０℃で３０分間、焼成して本硬化させることにより、図８（ａ）に示すように膜厚１．２μｍの青色着色層２５Ｂを形成する。この際、Ａｇ−Ｐｄ合金層からなる半透過反射層３０の表面は、アルカリ現像液によるダメージが少なく、その反射特性が損なわれることはない。また、高温加熱の焼成処理を施しても半透過反射層３０は膜の断裂は生じなかった。
【００５８】
次に、図８（ｂ）に示すように、着色層２５を覆うように、膜厚２．６μｍのネガレジスト系透明樹脂膜からなる表面保護層２６を塗布する。
【００５９】
その後、図８（ｃ）に示すように、オーバーコート層２６上に膜厚５ｎｍのＳｉＯ２膜３６、膜厚１６０ｎｍのＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜２７´をスパッタ法により連続的に成膜する。次に、所定の形状のレジストパターンをＩＴＯ膜２７´上に形成し、このレジストパターンをマスクとしてＩＴＯ膜２７´をエッチングし、レジストパターンを除去して、図８（ｄ）に示すストライプ形状の第１透明電極２７を得る。
次に、第１透明電極２７を含む第１基板２１上全面にポリイミドからなる配向膜材料を塗布し、これをラビング処理して配向膜２８を形成し、半透過反射基板２０が完成する。本実施例においては、第１Ａｇ合金層３０ａ及び１２７ａと第１基板２１との間に下地層としてＴｉＯ２膜２９を形成しているので、第１Ａｇ合金層３０ａ及び１２７ａと第１基板２１との密着性がよい。従って、ラビング処理のように物理的な力が基板に加わっても半透過反射層３０、引出し配線１２７及び入力端子部が剥離したりずれたりすることがなく、信頼性の高い半透過反射基板２０を得ることができる。
【００６０】
尚、ここでは、図６（ｂ）〜（ｄ）に示すように、２層の合金膜を成膜した後、これを一括してパターニングして半透過反射層を形成しているが、例えばマスクスパッタを用いて半透過反射層を形成しても良い。すなわち、図１０（ａ）に示すように、第１基板２１上にＴｉＯ２層２９を形成した後、図１０（ｂ）に示すように、半透過反射層３０の反射部及び引出し配線に対応する領域に開口を有するマスク２０５を用いて、Ａｇ−Ｎｄ−Ｃｕ合金からなる第１Ａｇ合金層３０ａ及びＡｇ−Ｐｄ合金からなる第２Ａｇ合金層３０ｂをスパッタにより連続的に成膜してもよい。この場合、上述の図６（ｃ）及び（ｄ）に示すようなレジストパターンの形成やレジストパターンをマスクとしたエッチング及びレジストパターンの除去といった工程が不要となる。
【００６１】
<電子機器>
【００６２】
次に、図１１及び図１２を参照して、本発明に係る電子機器の実施例について説明する。この実施例では、上記電気光学装置の液晶パネル６０を電子機器の表示手段として用いる場合の実施例について説明する。
【００６３】
図１１は、本実施例の電子機器における液晶パネル６０に対する制御系（表示制御系）の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、表示情報出力源５１１と、表示情報処理回路５１２と、電源回路５１３と、タイミングジェネレータ５１４とを含む表示制御回路５１０を有する。
【００６４】
また、上記と同様の液晶パネル６０には、上記表示領域Ａを駆動する駆動回路６０Ｂ（上記図示例では液晶パネルに直接実装された半導体ＩＣチップで構成される液晶駆動回路）を有する。
【００６５】
表示情報出力源５１１は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ５１４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路５１２に供給するように構成されている。
【００６６】
表示情報処理回路５１２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路６０Ｂへ供給する。駆動回路６０Ｂは、走査線駆動回路、信号線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路５１３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【００６７】
図１２は、本発明に係る電子機器の一実施例である携帯電話を示す。この携帯電話６００は、操作部６０１と、表示部６０２とを有する。操作部６０１の前面には複数の操作ボタンが配列され、送話部の内部にマイクが内蔵されている。また、表示部６０２の受話部の内部にはスピーカが配置されている。
【００６８】
上記の表示部６０２においては、ケース体の内部に回路基板６１０が配置され、この回路基板６１０に対して上述の液晶パネル６０が実装されている。ケース体内に設置された液晶パネル６０は、表示窓６０Ａを通して表示面を視認することができるように構成されている。
【００６９】
尚、本発明に係る液晶装置を適用可能な他の電子機器としては、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置，ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
【００７０】
尚、本発明に係る電気光学装置は、単純マトリクス型の液晶装置だけではなく、アクティブマトリクス型の液晶装置にも同様に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明に係る液晶装置の実施例の全体構成を示す概略斜視図である。
【図２】図１の線Ｂ−Ｂ´で切断した断面構造を模式的に示す縦断面図である。
【図３】同実施例の半透過反射層の平面形状を示す平面図である。
【図４】半透過反射層及び引出し配線の位置を示す半透過反射基板の平面図である。
【図５】半透過反射基板の着色層の形成位置を示す概略平面図である。
【図６】半透過反射基板の製造工程図（その１）である。
【図７】半透過反射基板の製造工程図（その２）である。
【図８】半透過反射基板の製造工程図（その３）である。
【図９】半透過反射基板の製造フローチャート図である。
【図１０】他の例の半透過反射基板の製造工程の一部を示す図である。
【図１１】本発明に係る電子機器の構成を示す構成ブロック図である。
【図１２】電子機器の実施例である携帯電話の外観を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
【００７２】
１・・・第２基板、２・・・第２透明電極、２０・・・半透過反射基板、２１・・・第１基板、２５・・・着色層、２７・・・第１透明電極、２８・・・配向膜、２９・・・ＴｉＯ２膜、３０・・・半透過反射層、３０ａ、１２７ａ・・・第１合金層、３０ａ´・・・第１合金膜、３０ｂ、１２７ｂ・・・第２合金層、３０ｂ´・・・第２合金膜、３０ｃ・・・開口部、３１ａ・・・透過部、３１ｂ・・・反射部、３６・・・ＳｉＯ２膜、６０Ｂ・・・駆動回路、１００・・・液晶装置、１２７・・・パネルシール内引出し配線、１２８・・・パネルシール外引出し配線１２８、６００・・・携帯電話機
【図１】
2005062699.tif 000003
【図２】
2005062699.tif 000004
【図３】
2005062699.tif 000005
【図４】
2005062699.tif 000006
【図５】
2005062699.tif 000007
【図６】
2005062699.tif 000008
【図７】
2005062699.tif 000009
【図８】
2005062699.tif 000010
【図９】
2005062699.tif 000011
【図１０】
2005062699.tif 000012
【図１１】
2005062699.tif 000013
【図１２】
2005062699.tif 000014