(57)【要約】【課題】  狭トラック領域でも幅制御が良好で、且つ書き込み特性を確保しつつ、サイドイレーズの少ない薄膜磁気ヘッドおよび、同一ウエハ内から得られる磁気ヘッドの特性ばらつきが少ない製造方法を提供する。【解決手段】  アルティックの基板１の上にアルミナよりなる絶縁層２が形成され、この絶縁層２の上に下部ヨーク部分層３が形成されている。下部ヨーク部分層３の上に第1の磁極部分層５が形成され、この第1の磁極部分層５の上に非磁性金属の記録ギャップ層６が形成されている。記録ギャップ層６の上に第2の磁極部分層７が形成されている。記録ギャップ層６は幅および膜厚が媒体対向面から所定距離は一定で、ここから一定距離拡大し、さらに所定距離は一定である。【選択図】  図１
2005108293.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに連結された第1および第2の磁極層と、
前記第1の磁極層の磁極部分と前記第2の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
前記第1および第2の磁極層の間に、前記第1および第2の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと、を備え、
前記第1の磁極層の磁極部分、前記ギャップ層、および前記第2の磁極層の磁極部分からなる積層集合体が、前記媒体対向面に配置された一端部と前記媒体対向面から離れた位置に配置された他端部とを有し、積層方向から見た幅は前記一端部側よりも前記他端部側の方が大きく、かつ前記一端部と前記他端部の間に幅が拡大する部分を有し、
前記ギャップ層の厚さは、前記一端部側よりも前記他端部側の方が大きく、前記一端部と前記他端部の間に厚みが拡大する部分を有し、
前記ギャップ層の幅が拡大する部分と膜厚が拡大する部分とが一致している薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記第1の磁極層は、その前記磁極部分を含む第1の磁極部分層と、前記第1の磁極部分層に接続された第1のヨーク部分層とを有し、
前記第2の磁極層は、その前記磁極部分を含む第2の磁極部分層と、前記第2の磁極部分層に接続された第2のヨーク部分層とを有する、請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記ギャップ層は非磁性の金属材料である請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項３に記載の薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
前記第1の磁極層を形成する工程と、
前記第1の磁極層の磁極部分、前記ギャップ層および前記第2の磁極層の磁極部分を形成すべき位置に開口部を有しているフレームを用いて、前記第1の磁極層の上に前記第1の磁極層の磁極部分、前記ギャップ層および前記第2の磁極層の磁極部分を順に形成する工程と、
前記薄膜コイルを形成する工程と、
前記第2の磁極層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第1の磁極層の磁極部分、前記ギャップ層および前記第2の磁極層の磁極部分を形成する工程は、めっき法を用いることを特徴とする請求項４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
請求項３に記載の薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
前記第1の磁極層を形成する工程と、
前記ギャップ層および前記第2の磁極層の磁極部分を形成すべき位置に開口部を有しているフレームを用いて、前記第1の磁極層の上に前記ギャップ層および前記第2の磁極層の磁極部分を順に形成する工程と、
前記ギャップ層および前記第2の磁極層の磁極部分の積層体を含む前記第１の磁極層に対しトリミング加工を実施し、前記ギャップ層の下部に前記第１の磁極層の磁極部分を形成する工程と、
前記薄膜コイルを形成する工程と、
前記第2の磁極層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記ギャップ層および前記第2の磁極層の磁極部分を形成する工程は、めっき法を用いることを特徴とする請求項６に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと、
を備えたことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項９】
請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを支持すると共に前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と、
を備えたことを特徴とするハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、書き込み用の誘導型電磁変換素子と読出し用の磁気抵抗（ＭＲ）素子とを一体的に備え、例えばハードディスク装置など、コンピュータ、ワードプロセッサ等の様々な磁気記録再生装置に使用される薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、基板に対して、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、MR（Magneto-resistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面ＡＢＳ（Air Bearing Surface）と再生ヘッドと記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）と基板を備えている。再生ヘッドと記録ヘッドは基板に積層されている。
【０００４】
記録ヘッドは、図２９及び図３０に示すように、それぞれ媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層１０１および上部磁極層１０２と、下部磁極層１０１の磁極部分（下部ポール部１０４）と上部磁極層１０２の磁極部分（上部ポール部１０５）との間に設けられた記録ギャップ層１０３と、少なくとも一部が下部磁極層１０１および上部磁極層１０２に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイル膜１０７とを備えている。
【０００５】
下部磁極層１０１、記録ギャップ層１０３、薄膜コイル膜１０７および上部磁極層１０２は基板１０６に積層されている。下部磁極層１０１と上部磁極層１０２のうち、下部磁極層１０１の方が基板１０６に近い位置に配置されている。
【０００６】
また、下部ポール部１０４と記録ギャップ層１０３と上部ポール部１０５の積層集合体の形状は、記録トラック幅での磁界強度を向上させるため、図２９（ｂ）に示すように、媒体対向面ＡＢＳに向かうほど幅を狭くすることが一般的である。なお、前記積層集合体の幅が媒体対向面ＡＢＳから一定距離離れて拡大する位置をフレアポイントまたはＦＰと称す。
【０００７】
ところで、高記録密度化のために記録ヘッドに要求されることは、特に、記録トラック幅を規定する磁極幅Wの縮小と、記録特性の向上である。一方、磁極幅Wが小さくなると、記録特性、例えば重ね書きの性能を表わすオーバーライト特性は低下する。従って、磁極幅Wが小さくなるほど、記録特性の一層の向上が必要となる。また、高記録密度化のためには、あるトラックへの情報の書き込み時に隣接トラックの情報が消去される現象であるサイドイレーズを抑制する必要もある。
【０００８】
また、薄膜磁気ヘッドは半導体製造技術を利用して製造される。そのため、１枚のウエハを用いて複数の薄膜磁気ヘッドが同時に製造される。ここで、特に実効記録トラック幅が０．３μm以下のように小さくなってくると、１枚のウエハを用いて製造される複数の薄膜磁気ヘッドにおける磁極幅のばらつきを小さくすることが難しくなってくる。
【０００９】
磁極幅の小さい薄膜磁気ヘッドを製造するための技術としては、特許文献１に示されるように、磁極部分のトリミング技術が知られている。この技術は、上部磁極層の磁極部分をマスクとして、記録ギャップ層と、下部磁極層の磁極部分における記録ギャップ層側の少なくとも一部をエッチングして、上部磁極層の磁極部分、記録ギャップ層および下部磁極層の磁極部分の少なくとも一部の各側壁の位置を揃えるものである。上記エッチングには、ドライエッチングが用いられる。
【００１０】
磁極幅の小さい薄膜磁気ヘッドを製造するための他の技術としては、例えば特許文献２に示されるように、下部磁極層の磁極部分層、記録ギャップ層、および上部磁極層の磁極部分層の各平面形状を一致させる技術が知られている。この技術において、下部磁極層の磁極部分層、記録ギャップ層、および上部磁極層の磁極部分層は、非磁性の金属材料を用い、例えば、同一のフォトレジストフレームを用いてめっき法によって連続的に形成される。
【００１１】
また、薄膜磁気ヘッドの記録特性を上げるには記録ギャップの漏れ磁界の強度を向上させる必要がある。このためには、記録ギャップ層の厚み、すなわち上部ポール部と下部ポール部の間隔を、媒体対向面における記録ギャップに向かって収束させるとよい。特許文献３には、下部磁極層の下地の上に、スロートハイトを規定する絶縁層を形成した後にフォトレジストフレームを形成し、このフォトレジストフレームを用いてめっき法によって、下部磁極層の磁極部分層、記録ギャップ層、および上部磁極層の磁極部分層を形成する技術が記載されている。なお、スロートハイト（ＴＨ）とは、媒体対向面から、２つの磁極層の間隔が開き始める位置までの長さ（高さ）をいう。
【００１２】
同様の技術としては特許文献４および５が提案されている。
【００１３】
特許文献４には、下部磁極層の上に記録ギャップ層を形成し、記録ギャップ層の上に、スロートハイトを規定する絶縁膜を形成した後、この絶縁膜上に、上部ポール部を含む上部磁極層を形成する方法が記載されている。従来技術を示した図２８（ａ）も、これと同様の構成である。
【００１４】
また特許文献５には、下部磁極層の上に記録ギャップ層を形成し、この記録ギャップ層の後方に、記録ギャップ層の同じ高さから膜厚が少しずつ増すように絶縁膜を形成した後、記録ギャップ層および絶縁膜の上に上部磁極層を形成する方法が記載されている。
【特許文献１】特開平11-353616号公報（図９）
【特許文献２】特開平6-28626号公報（図５）
【特許文献３】特開2001-118214号公報（図３）
【特許文献４】特開平11-175932号公報（段落［0017］,［0027］等参照）
【特許文献５】特開2000-331311号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
製造後の薄膜磁気ヘッドにおいて、上述したようなフレアポイント（ＦＰ）とスロートハイト（ＴＨ）の位置が磁気記録媒体への記録時の磁界強度、ひいては磁気特性（記録特性）に影響するパラメータとなる。
【００１６】
したがって、従来の薄膜磁気ヘッドでは、スロートハイトとフレアポイントの両方の位置を設定して、記録ギャップからの磁界強度を制御している。
【００１７】
従来、記録ギャップ層は、下部ポール部の上に無機の絶縁材料であるアルミナで形成するため、記録ギャップ層下部のパターン形状に関らず、一定厚となっている。下部ポール部および記録ギャップ層は、フレアポイントを決定して、フォトレジストプロセスを用いて形成される。
【００１８】
また、従来の製法では、スロートハイトを規定するために、記録ギャップ層の上に、媒体対向面から所定の距離離れた位置から絶縁膜を形成している。
【００１９】
このような従来の製法によると、上記のフレアポイントとスロートハイトの位置にばらつきが生じる問題がある。また、同一ウエハから複数の薄膜磁気ヘッドを得る場合、各ヘッドで上記の２つの位置がばらつくため、同一ウエハから得られる各ヘッド間での磁気特性（記録特性）もばらつく。
【００２０】
そこで本発明の目的は、上記従来技術の実状に鑑み、狭トラック領域でも幅制御が良好で、且つ書き込み特性を確保しつつ、サイドイレーズの少ない構造の薄膜磁気ヘッド（ヘッドスライダ）を製造するにあたって、同一ウエハ内から得られる薄膜磁気ヘッドの特性ばらつきが少ない前記薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記目的を達成するために、本発明の薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに連結された第1および第2の磁極層と、前記第1の磁極層の磁極部分と前記第2の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、前記第1および第2の磁極層の間に、前記第1および第2の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと、を備え、
前記第1の磁極層の磁極部分、前記ギャップ層、および前記第2の磁極層の磁極部分からなる積層集合体が、前記媒体対向面に配置された一端部と前記媒体対向面から離れた位置に配置された他端部とを有し、積層方向から見た幅は前記一端部側よりも前記他端部側の方が大きく、かつ前記一端部と前記他端部の間に幅が拡大する部分を有し、
前記ギャップ層の厚さは、前記一端部側よりも前記他端部側の方が大きく、前記一端部と前記他端部の間に厚みが拡大する部分を有し、
前記ギャップ層の幅が拡大する部分と膜厚が拡大する部分とが一致している薄膜磁気ヘッドである。
【００２２】
上記の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第1の磁極層は、その前記磁極部分を含む第1の磁極部分層と、前記第1の磁極部分層に接続された第1のヨーク部分層とを有し、前記第2の磁極層は、その前記磁極部分を含む第2の磁極部分層と、前記第2の磁極部分層に接続された第2のヨーク部分層とを有することが好ましい。
【００２３】
前記ギャップ層は非磁性の金属材料であることが好ましい。
【００２４】
また、本発明は、上記の薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、前記第1の磁極層を形成する工程と、前記第1の磁極層の磁極部分、前記ギャップ層および前記第2の磁極層の磁極部分を形成すべき位置に開口部を有しているフレームを用いて、前記第1の磁極層の上に前記第1の磁極層の磁極部分、前記ギャップ層および前記第2の磁極層の磁極部分を順に形成する工程と、前記薄膜コイルを形成する工程と、前記第2の磁極層を形成する工程と、を備えた製造方法である。さらに、この製造方法において、前記第1の磁極層の磁極部分、前記ギャップ層および前記第2の磁極層の磁極部分を形成する工程は、めっき法を用いることが好ましい。
【００２５】
また、本発明は、上記の薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、前記第1の磁極層を形成する工程と、前記ギャップ層および前記第2の磁極層の磁極部分を形成すべき位置に開口部を有しているフレームを用いて、前記第1の磁極層の上に前記ギャップ層および前記第2の磁極層の磁極部分を順に形成する工程と、前記ギャップ層および前記第2の磁極層の磁極部分の積層体を含む前記第１の磁極層に対しトリミング加工を実施し、前記ギャップ層の下部に前記第１の磁極層の磁極部分を形成する工程と、前記薄膜コイルを形成する工程と、前記第2の磁極層を形成する工程と、を備えた製造方法である。さらに、この製造方法において、前記ギャップ層および前記第2の磁極層の磁極部分を形成する工程は、めっき法を用いることが好ましい。
【００２６】
また、このような薄膜磁気ヘッドは基板上に作製し、この基板と薄膜磁気ヘッドの最下層との間にMR素子（磁気抵抗効果素子）を配置したものであってもよい。
【００２７】
また、本発明のヘッドジンバルアセンブリは、上記の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと、を備えたものである。
【００２８】
また、本発明のハードディスク装置は、上記の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置されるスライダと、前記スライダを支持すると共に前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と、を備えたものである。
【００２９】
上記のとおりの発明では、平坦な基板上にレジストのフレームを形成し、このフレームに、めっき法によって第1の磁極層の磁極部分、ギャップ層および第2の磁極層の磁極部分を形成すべき位置に開口部を設ける。
【００３０】
このとき、フレーム開口部の形状により、基板上に第1の磁極層の磁極部分を、積層方向から見た幅が一端部側よりも他端部側の方が大きく、かつ一端部と他端部の間に幅が拡大する部分を有する形状となるようにする。そして、この第1の磁極層の磁極部分の上にギャップ層および第2の磁極層の磁極部分を順次積層する。このとき、ギャップ層には非磁性の金属材料を使用する。
【００３１】
また、平坦な第1の磁極層上にレジストのフレームを形成し、このフレームに、めっき法によってギャップ層および第2の磁極層の磁極部分を形成すべき位置に開口部を設ける。
【００３２】
このとき、フレーム開口部の形状を、積層方向から見た幅が一端部側よりも他端部側の方が大きく、かつ一端部と他端部の間に幅が拡大する部分を有する形状となるようにする。そして、このフレーム開口部内の第1の磁極層の上にギャップ層および第2の磁極層の磁極部分を順次積層する。このとき、ギャップ層には非磁性の金属材料を使用する。その後、フレームを除去し、ギャップ層および第２の磁極層の磁極部分からなる積層体と第１の磁極層に対しトリミング加工を実施し、ギャップ層の下部に第１の磁極層の磁極部分を形成する。
【００３３】
上記のようなフレームを用いためっき法によると、高記録密度化における狭トラック領域でも幅制御が良好で、且つ書き込み特性を確保しつつ、サイドイレーズの少ない構造の薄膜磁気ヘッド（ヘッドスライダ）となる。なお、サイドイレーズとは、あるトラックへの情報の書き込み時に隣接トラックの情報が消去される現象をいう。
【００３４】
そして、上記のように製造された薄膜磁気ヘッドでは、第1の磁極層の磁極部分と第2の磁極層の磁極部分との間にギャップ層を挟んでなる積層集合体が、媒体対向面に配置された一端部とこの媒体対向面から離れた位置に配置された他端部とを有し、積層方向から見た幅が前記一端部側よりも前記他端部側の方が大きく、かつ前記一端部と前記他端部の間に幅が拡大する部分を有する。また、前記ギャップ層は、厚みが前記一端部側よりも前記他端部側の方が大きく、前記一端部と前記他端部の間に厚みが拡大する部分を有し、前記ギャップ層の幅が拡大する部分（すなわちフレアポイント）と膜厚が拡大する部分（すなわちスロートハイト）とが一致する形状になる。
【００３５】
なお、特許請求の範囲および明細書でいう「ギャップ層の幅が拡大する部分と膜が拡大する部分とが一致する」の「一致」とは、製造マージンとして、第２の磁極部分の媒体対向面での幅Ｐ２Ｗ程度のばらつきも含む。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、第1の磁極層の磁極部分のパターン幅が広がることでギャップ層の膜厚が厚くなる。従来技術では、無機の絶縁材料（例えばアルミナ）を使用して、フレアポイントを持つギャップ層を形成し、このギャップ層の上面の所定の位置に絶縁膜を形成してスロートハイトを規定した。これに対し、本発明は、第1の磁極層の磁極部分でフレアポイントを決めて、この第1の磁極層の磁極部分の上にめっき法で非磁性の金属膜を使ってギャップ層を形成することで、スロートハイトが決定する。このため、スロートハイトとフレアポイントの位置関係が安易にかつ精度よく設定することができる。
【００３７】
また、このようにスロートハイトとフレアポイントが一致する形状の薄膜磁気ヘッドでは、同一ウエハから複数の薄膜磁気ヘッドを得る場合に個々のヘッドでの磁気特性のばらつきが少なくなる。
【００３８】
さらに、本発明の製造方法で製造された薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリもしくはハードディスク装置によれば、微小なトラック幅を規定する磁極部分を精度よく形成することができると共に、記録特性を向上させることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００４０】
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態による薄膜磁気ヘッドの主要部に示す説明図である。図１において、（ａ）は薄膜磁気ヘッドの主要部の媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。また、（ｂ）は薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の平面形状を示している。
【００４１】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、アルティック（Al2Ｏ3・TiC）等のセラミック材料よりなる基板１と、この基板１の上に形成されたアルミナ（Al2Ｏ3）等の絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に形成された磁性材料よりなる下部ヨーク部分層３とを備えている。この下部ヨーク部分層３の材料としては例えばNｉＦｅが用いられる。
【００４２】
薄膜磁気ヘッドは、更に、下部ヨーク部分層３の上に形成された磁性材料よりなる第1の磁極部分層５と、この第1の磁極部分層５の上に形成された非磁性金属よりなる記録ギャップ層（ライトギャップ）６と、この記録ギャップ層６の上に形成された磁性材料よりなる第2の磁極部分層７とを備えている。第1の磁極部分層５および第2の磁極部分層７の材料としては、例えば、ＮｉＦｅやＣｏＮｉＦｅ等のめっき法によって成膜可能な磁性材料が用いられる。また、第1の磁極部分層５および第2の磁極部分層７の材料としては、特に、高飽和磁束密度材料を用いることが好ましい。第1の磁極部分層５と下部ヨーク部分層３は下部磁極層を構成する。記録ギャップ層６の材料としては、例えば、ＮｉＰ，ＮｉＢ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，ＰｄＮｉ，Ｒｈ，Ｒｕ等の、めっき法によって成膜可能な非磁性金属材料が用いられる。下部ヨーク部分層３の材料としては、例えば、ＮｉＦｅやＣｏＮｉＦｅ等のめっき法によって成膜可能な磁性材料が用いられる。
【００４３】
薄膜磁気ヘッドは、更に、第1の磁極部分層５、記録ギャップ層６および第2の磁極部分層７よりも媒体対向面ＡＢＳから離れた位置において、下部ヨーク部分層３の上に形成された絶縁層８と、この絶縁層８の上に形成された薄膜コイル９とを備えている。絶縁層８には、薄膜コイル９の中心部分において、コンタクトホール８ａが形成されている。絶縁層８の材料としては、例えばAl2Ｏ3が用いられる。薄膜コイル９の材料としては、銅等の導電性材料が用いられる。薄膜コイル９は、コンタクトホール８ａの周囲に巻回されている。なお、図１において、符号１３は、薄膜コイル９のうち、後述するリード層１５に接続される接続部を表している。
【００４４】
薄膜磁気ヘッドは、更に、第2の磁極部分層７と下部ヨーク部分層３とを接続する磁性材料よりなる上部ヨーク部分層１４を備えている。上部ヨーク部分層１４の媒体対向面ＡＢＳ側の端部近傍の部分は、第2の磁極部分層７の上面に接している。下部ヨーク部分層３の媒体対向面ＡＢＳ側の端部は、媒体対向面ＡＢＳから離れた位置に配置されている。また、上部ヨーク部分層１４は、コンタクトホール８ａを通過して、下部ヨーク部分層３に接続されている。第2の磁極部分層７と上部ヨーク部分層１４は上部磁極層を構成する。
【００４５】
薄膜磁気ヘッドは、更に、薄膜コイル９の接続部１３に接続されたリード層１５を備えている。リード層１５は導電性材料によって形成されている。リード層１５の材料は、上部ヨーク部分層１４の材料と同じであってもよい。
【００４６】
また、本実施形態の薄膜磁気ヘッドは基板上に上述した膜構成の記録ヘッドを構成したものであるが、本発明はこれに限られず、この記録ヘッドと基板との間に、MR素子からなる再生ヘッドを配置したものであってもよい。なお、MR素子の一端部は媒体対向面ＡＢＳに配置され、このMR素子には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子、あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。
【００４７】
次に、本発明の特徴である記録ギャップ層６の周囲の構成について説明する。図２は図１に示した記録ギャップ層６の周囲構造を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は縦断面図、（ｃ）は平面図である。
【００４８】
記録ギャップ層６は、図２（ｃ）に示すように媒体対向面ＡＢＳから一定の距離離れたＦＰ（フレアポイント）から一定の距離で、第1の磁極部分層５と同じようにパターン幅が広がる形状となっている。さらに、図２（ｂ）に示すように、ＴＨ０（スロートハイト）から一定の距離において膜厚が変化する。また、膜厚の変化は第1の磁極部分層５のパターン幅の拡大に応じて厚くなる。なお、スロートハイトとは、第1の磁極部分層５と第2の磁極部分層７の間隔が開き始める位置をいう。
【００４９】
また、下記の製造方法によって、記録ギャップ層６はＴＨ（スロートハイト）とＦＰ（フレアポイント）の位置が一致する形状である。ここで「一致」とは、製造マージンとして、第２の磁極部分層５の媒体対向面ＡＢＳにおける幅Ｐ２Ｗ程度のばらつきを含む。
【００５０】
次に、図３ないし図１１を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお、図３ないし図１１は、媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。図１１は、記録ギャップ層６の作製時における様子を示している。以下、１つの薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明するが、本実施の形態では、実際には１枚のウエハ（基板）を用いて複数の薄膜磁気ヘッドが同時に製造される。
【００５１】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、図３に示すように、基板１の上に、例えばスパッタリング法によって絶縁層２を形成する。絶縁層２の上に、例えばスパッタリング法またはめっき法によって下部ヨーク部分層３を形成する。
【００５２】
次に、下部ヨーク部分層３の上に、例えばスパッタリング法によって、めっき用の電極膜４を形成する。
【００５３】
さらに、電極膜４の上にフォトレジスト層を形成し、このフォトリソグラフィによってパターニングして、フレーム（図１１の符号１６）を形成する。このフレームは、第1の磁極部分層５、記録ギャップ層６および第2の磁極部分層７を形成すべき位置に開口部（図１１の符号１６ａ）を有している。
【００５４】
次に、前記フレーム（図１１の符号１６）を用い、フレームめっき法によって、第1の磁極部分層５、記録ギャップ層６および第2の磁極部分層７を連続的に形成する。第1の磁極部分層５および第2の磁極部分層７の材料は、いずれも、めっき法によって成膜可能な磁性材料とする。また、記録ギャップ層６の材料は、めっき法によって成膜可能な非磁性金属材料とする。この時のめっき条件については後述する。
【００５５】
次に、前記フレーム（図１１の符号１６）を除去し、図５に示すように、ここまでの工程によって得られた積層体の上面全体の上に、例えばスパッタリング法によって絶縁層８を形成する。絶縁層８は、第1の磁極部分層５、記録ギャップ層６および第2の磁極部分層７の集合体の側壁部にも形成される。
【００５６】
次に、図６に示すように、絶縁層８の上に、例えばフレームめっき法によって薄膜コイル９を形成する。
【００５７】
次に、図７に示すように、薄膜コイル９を覆うように絶縁層１０を形成し、さらに積層体全体を覆うように絶縁層１０を形成する。このときの絶縁層１０の厚さは薄膜コイル９の厚さ以上とする。次に、図８に示すように、例えば化学機械研磨によって、薄膜コイル９およびダミー層１１が露出するまで絶縁層１０を研磨する。
【００５８】
次に、図９に示すように、積層体の上面全体の上に絶縁層１２を形成する。次に、絶縁層１２のうち、第2の磁極部分層７、ダミー層１１および薄膜コイル９の接続部１３の上の部分を選択的にエッチングする。さらに、選択的なエッチングによって、ダミー層１１と、絶縁層１０のうちのダミー層１１の下の部分を除去する。
【００５９】
さらに、図１０に示すように、例えばフレームめっき法によって、上部ヨーク部分層１４とリード層１５とを形成する。次に、図示しないが、積層体全体を覆うように、例えばスパッタリング法によってオーバーコート層を形成する。最後に、上記各層を含むスライダの機械加工を行って、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面ＡＢＳを形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００６０】
なお、上記薄膜磁気ヘッドは基板上に上述した製法で記録ヘッドを形成したものであるが、本発明はこれに限られず、この記録ヘッドと基板との間に、MR素子からなる再生ヘッドを形成してもよい。
【００６１】
次に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの作用について説明する。薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生する。記録ヘッドにおいて、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。第1の磁極部分層５および第2の磁極部分層７は、薄膜磁気コイルが発生する磁界に対応した磁束を通過させる。そして、媒体対向面ＡＢＳにおいて、第1の磁極部分層５および第2の磁極部分層７より、情報を記録媒体に記録するための磁界が発生される。
【００６２】
また、本実施の形態では、フォトリソグラフィによって磁極幅を制御でき、且つ磁極幅を制御するフレームは平坦な面の上に形成される。従って、本実施の形態によれば、例えば０．３μｍ以下のような微小なトラック幅を規定する磁極部分を精度よく形成することができ、また、１枚のウエハを用いて製造される複数の薄膜磁気ヘッドにおける磁極幅のばらつきを制御することができる。
【００６３】
ここで、記録ギャップ層６のめっき条件の具体例を説明する。
【００６４】
記録ギャップ層６を銅めっきで形成する場合は以下の条件で実施できる。
【００６５】
「めっき条件１」
硫酸銅五水和物    ４０ｇ/L
硫酸              2.9ｇ/L
塩酸              0.12ml/L
光沢剤          0.75ml/L
浴温            ２７℃
電流密度        2.6Ａ/dm2
以上の浴とめっき条件を用いて、図１２におけるWａ＝0.20μｍ、Wｂ＝2.0μｍのパターンに銅めっきを施すと、ｔa＝0.10μｍ、ｔｂ＝0.15μｍの膜厚になった。なお、図１２において、Ｐ１は第1の磁極部分層（下部磁極部分層）、Ｐ２は第2の磁極部分層（上部磁極部分層）を示す。
【００６６】
比較的金属イオン濃度の低いめっき浴を用いて、高い電流密度でめっきを行うと、陰極近傍のイオン濃度が低下し、めっき速度は液循環や撹拌などの拡散律速となる。そのため、幅狭のパターン部分では、幅広のパターン部分に比べてイオン拡散が充分に行われず、めっき速度が低下することが原因として挙げられる。
【００６７】
電流密度を高くすると膜厚差は大きくなるが、それに伴い面焼けなどの不具合が発生しやすくなる。
【００６８】
また、記録ギャップ層６をクロムめっきで形成する場合は以下の条件で実施できる。
【００６９】
「めっき条件２」
クロム酸          ４０ｇ/L
硫酸              2.5ｇ/L
浴温              ５０℃
電流密度          １５Ａ/dm2
以上の浴とめっき条件を用いて、図１２におけるWａ＝0.20μｍ、Wｂ＝2.0μｍのパターンにクロムめっきを施すと、ｔa＝0.10μｍ、ｔb＝0.18μｍの膜厚になった。
【００７０】
幅狭のパターン部分とそれに対して充分に幅広のパターン部分がつながって一つのパターンを形成している場合、電流は幅広のパターン部分に流れやすくなるために、幅狭のパターン部分の電流密度は低くなり、幅広のパターン部分の電流密度は高くなる。
【００７１】
また、このめっき条件において、電流密度を高くすると電流効率が高くなり、めっき速度が増大する。
【００７２】
パターン形成によって、幅狭のパターンと幅広のパターンで電流密度の差を発生させ、且つ、電流密度を高くすると電流効率が高くなるめっき浴を用いたために、幅狭のパターン部分のめっき速度が低く、幅広のパターン部分のめっき速度が速くなって、膜厚差が発生したと考えられる。
【００７３】
このようにして、幅狭のパターン部分と幅広のパターン部分を共存させるような一続きのパターン上では、
(1)拡散によるイオン供給の偏り
(2)電流密度の偏り
の少なくとも一つを含む効果によって、幅狭のパターン部分ではめっき速度が遅くなり、幅広のパターン部分ではめっき速度が速くなり、膜厚差を発生させることが可能である。
【００７４】
さらに、
(1)電流効率の差
(2)水素発生による陰極近傍のｐH差
(3)表面張力（濡れ性）の差
を効果的に利用することで、さらにこの膜厚差を助長させることも可能である。
【００７５】
また、図１３に上記の各めっき条件でのパターン幅に対するめっきレートの違いを示す。この図に示すように、上記の「めっき条件１」に対して「めっき条件２」の方がパターン幅に対するめっきレートが高いことが判る。なお、この図に示すグラフは、開口部が長さ２μｍを超えるような十分に長く、幅ｗで形成されているフォトレジストフレームを用い、開口部の幅ｗを変化させてめっきを実施した時のめっきレートを示している。また、めっきレートは、基板全面にめっきする時の単位時間でのめっき厚を基準とした、該基板よりも面積が小さいパターン上における単位時間のめっき厚の割合をいう。
【００７６】
次に、パターン幅に対する記録ギャップ部の磁場強度を説明する。図１４は本発明と従来技術の記録ギャップ構造の違いによる磁場強度を示すグラフである。この図は図２（ａ）に示した記録ギャップ構造において寸法Ｗａ＝０．２μｍ、Ｔａ＝０．１μｍでの磁場強度を示す。本発明の記録ギャップ層ＷＧは図１２の（ａ）,（ｂ）に示したように、ＡＢＳから一定距離を一定幅Ｗａ、膜厚ｔａで形成し、それ以降は一定幅Ｗｂ（＞Ｗａ）、膜厚ｔｂ（＞ｔａ）で形成する構造である。これに対し、従来技術は記録ギャップ層ＷＧの膜厚が一定（ｔｂ＝ｔａ）である。
【００７７】
本発明の記録ギャップ層の構造によれば、膜厚が一定である従来技術に比べて大きい磁場強度を発生することができる。これは、ＡＢＳに近づくにつれて膜厚が薄くなることで、上部ヨーク部分層１４と下部ヨーク部分層４の両方からＡＢＳの記録ギャップに向かって漏れ磁束が集中する構造となったからである。
【００７８】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態による薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を説明する。ここでは、第１の実施形態と異なる点を主に説明する。
【００７９】
図１５は本発明の第２の実施形態による薄膜磁気ヘッドの主要部に示す説明図である。図１５において、（ａ）は薄膜磁気ヘッドの主要部の媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。また、（ｂ）は薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の平面形状を示している。
【００８０】
本実施形態では、第１の実施形態と異なり、平坦な下部ヨーク部分層３の上に非磁性金属よりなる記録ギャップ層（ライトギャップ）６が形成され、この記録ギャップ層６の上に、磁性材料よりなる第２の磁極部分層７が形成されている。
【００８１】
更に、記録ギャップ層６および第２の磁極部分層７よりも媒体対向面ＡＢＳから離れた位置において、下部ヨーク部分層３の上に形成された絶縁層８と、この絶縁層８の上に形成された薄膜コイル９とを備えている。絶縁層８には、薄膜コイル９の中心部分において、コンタクトホール８ａが形成されている。
【００８２】
薄膜磁気ヘッドは、更に、第２の磁極部分層７と下部ヨーク部分層３とを接続する磁性材料よりなる上部ヨーク部分層１４を備えている。上部ヨーク部分層１４の媒体対向面ＡＢＳ側の端部近傍の部分は、第２の磁極部分層７の上面に接している。下部ヨーク部分層３の媒体対向面ＡＢＳ側の端部は、媒体対向面ＡＢＳから離れた位置に配置されている。また、上部ヨーク部分層１４は、コンタクトホール８ａを通過して、下部ヨーク部分層３に接続されている。第2の磁極部分層７と上部ヨーク部分層１４は上部磁極層を構成する。
【００８３】
薄膜磁気ヘッドは、更に、薄膜コイル９の接続部１３に接続されたリード層１５を備えている。リード層１５は導電性材料によって形成されている。リード層１５の材料は、上部ヨーク部分層１４の材料と同じであってもよい。
【００８４】
また、本実施形態の薄膜磁気ヘッドも基板上に上述した膜構成の記録ヘッドを構成したものであるが、本発明はこれに限られず、この記録ヘッドと基板との間に、MR素子からなる再生ヘッドを配置したものであってもよい。
【００８５】
ここで、本実施形態の記録ギャップ層６の周囲構成について述べる。
【００８６】
第１の実施形態と同様、記録ギャップ層６は、図２（ｃ）に示したように媒体対向面ＡＢＳから一定の距離離れたＦＰ（フレアポイント）から一定の距離で、レジストフレームの開口部のパターン幅が広がる形状となっている。さらに、図２（ｂ）に示したように、ＴＨ０（スロートハイト）から一定の距離において膜厚が変化する。また、膜厚の変化はレジストフレームの開口部のパターン幅の拡大に応じて厚くなる。なお、スロートハイトとは、第1の磁極部分層５と下部ヨーク部分層３の間隔が開き始める位置をいう。
【００８７】
また、下記の製造方法によって、記録ギャップ層６はＴＨ（スロートハイト）とＦＰ（フレアポイント）の位置が一致する形状である。ここで「一致」とは、製造マージンとして、第２の磁極部分層５の媒体対向面ＡＢＳにおける幅Ｐ２Ｗ程度のばらつきを含む。
【００８８】
次に、図１６ないし図２４を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお、図１６ないし図２４は、媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。図２４は、記録ギャップ層６の作製時における様子を示している。以下、１つの薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明するが、本実施の形態では、実際には１枚のウエハ（基板）を用いて複数の薄膜磁気ヘッドが同時に製造される。
【００８９】
まず、図１６に示すように、基板１の上に、例えばスパッタリング法によって絶縁層２を形成する。絶縁層２の上に、例えばスパッタリング法またはめっき法によって下部ヨーク部分層３を形成する。
【００９０】
次に、下部ヨーク部分層３の上に、例えばスパッタリング法によって、めっき用の電極膜４を形成する。
【００９１】
さらに、平坦な電極膜４の上にフォトレジスト層を形成し、このフォトリソグラフィによってパターニングして、フレーム（図２４の符号１６）を形成する。このフレームは、記録ギャップ層６および第２の磁極部分層７を形成すべき位置に開口部（図２４の符号１６ａ）を有している。
【００９２】
次に、前記フレーム（図２４の符号１６）を用い、フレームめっき法によって、記録ギャップ層６および第２の磁極部分層７を連続的に形成する。第２の磁極部分層７の材料は、いずれも、めっき法によって成膜可能な磁性材料とする。また、記録ギャップ層６の材料は、めっき法によって成膜可能な非磁性金属材料とする。
【００９３】
図２５の（ａ）および（ｂ）に記録ギャップ層６および第２の磁極部分層７の積層体に対しミリング加工を実施したときの様子を、媒体対向面から見た図で示す。
【００９４】
次に、前記フレーム（図２４の符号１６）を除去した後、図２５（ａ）に示す記録ギャップ層６および第２の磁極部分層７の積層体に対しミリング加工を実施することにより、図２５（ｂ）に示すように下部ヨーク部分層３と記録ギャップ層６の間に、下部ヨーク部分層３に連続する磁極部分層（不図示）を形成する。
【００９５】
次に、図１８に示すように、ここまでの工程によって得られた積層体の上面全体の上に、例えばスパッタリング法によって絶縁層８を形成する。絶縁層８は、記録ギャップ層６および第２の磁極部分層７の集合体の側壁部にも形成される。
【００９６】
次に、図１９に示すように、絶縁層８の上に、例えばフレームめっき法によって薄膜コイル９を形成する。
【００９７】
次に、図２０に示すように、薄膜コイル９を覆うように絶縁層１０を形成し、さらに積層体全体を覆うように絶縁層１０を形成する。このときの絶縁層１０の厚さは薄膜コイル９の厚さ以上とする。次に、図２１に示すように、例えば化学機械研磨によって、薄膜コイル９およびダミー層１１が露出するまで絶縁層１０を研磨する。
【００９８】
次に、図２２に示すように、積層体の上面全体の上に絶縁層１２を形成する。次に、絶縁層１２のうち、第2の磁極部分層７、ダミー層１１および薄膜コイル９の接続部１３の上の部分を選択的にエッチングする。さらに、選択的なエッチングによって、ダミー層１１と、絶縁層１０のうちのダミー層１１の下の部分を除去する。
【００９９】
さらに、図２３に示すように、例えばフレームめっき法によって、上部ヨーク部分層１４とリード層１５とを形成する。次に、図示しないが、積層体全体を覆うように、例えばスパッタリング法によってオーバーコート層を形成する。最後に、上記各層を含むスライダの機械加工を行って、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面ＡＢＳを形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１００】
なお、上記薄膜磁気ヘッドは基板上に上述した製法で記録ヘッドを形成したものであるが、本発明はこれに限られず、この記録ヘッドと基板との間に、MR素子からなる再生ヘッドを形成してもよい。
【０１０１】
以下、本発明の薄膜磁気ヘッドを適用可能なヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置について説明する。
【０１０２】
図２６を参照すると、ヘッドジンバルアセンブリ３１は、ヘッドスライダ２１と、このヘッドスライダ２１を弾性的に支持するサスペンション３２とを備えている。サスペンション３２は、例えばステンレス鋼によって形成された板ばね状のロードビーム３３、このロードビーム３３の一端部に設けられると共にヘッドスライダ２１が接合され、ヘッドスライダ２１に適度な自由度を与えるフレクシャ３４と、ロードビーム３３の他端部に設けられたベースプレート３５とを有している。ベースプレート３５は、ヘッドスライダ２１をハードディスク４５のトラック横断方向ｘに移動させるためのアクチュエータのアーム３６に取り付けられるようになっている。アクチュエータは、アーム３６と、このアーム３６を駆動するボイスコイルモータとを有している。フレクシャ３４において、ヘッドスライダ２１が取り付けられる部分には、ヘッドスライダ２１の姿勢を一定に保つためのジンバル部が設けられている。
【０１０３】
ヘッドジンバルアセンブリ３１は、アクチュエータのアーム３６に取り付けられる。一つのアーム３６にヘッドジンバルアセンブリ３１を取り付けたものはヘッドアームアセンブリと呼ばれる。また、複数のアームを有するキャリッジの各アームにヘッドジンバルアセンブリ３１を取り付けたものはヘッドスタックアセンブリと呼ばれる。
【０１０４】
図２６は、ヘッドアームアセンブリの一例を示している。このヘッドアームアセンブリでは、アーム３６の一端部にヘッドジンバルアセンブリ３１が取り付けられている。アーム３６の他端部には、ボイスコイルモータの一部となるコイル３７が取り付けられている。アーム３６の中間部には、アーム３６を回転自在に支持するための軸３９に取り付けられる軸受け部３８が設けられている。
【０１０５】
次に、図２７および図２８を参照して、ヘッドスタックアセンブリの一例とハードディスク装置の一例について説明する。図２７はハードディスク装置の要部を示す説明図、図２８はハードディスク装置の平面図である。
【０１０６】
ヘッドスタックアセンブリ４０は、複数のアーム４２を有するキャリッジ４１を備えている。複数のアーム４２には、複数のヘッドジンバルアセンブリ３１が、互いに間隔を開けて垂直方向に並ぶように取り付けられている。キャリッジ４１においてアーム４２とは反対側には、ボイスコイルモータの一部となるコイル４３が取り付けられている。ヘッドスタックアセンブリ４０は、ハードディスク装置に組み込まれる。ハードディスク装置は、スピンドルモータ４４に取り付けられた複数枚のハードディスク４５を有している。ハードディスク４５毎に、ハードディスク４５を挟んで対向するように２つのヘッドスライダ２１が配置される。また、ボイスコイルモータは、ヘッドスタックアセンブリ４０のコイル４３を挟んで対向する位置に配置された永久磁石４６を有している。
【０１０７】
ヘッドスライダ２１を除くヘッドスタックアセンブリ４０およびアクチュエータは、ヘッドスライダ２１を支持すると共にハードディスク４５に対して位置決めする。
【０１０８】
本実施形態のハードディスク装置では、アクチュエータによって、ヘッドスライダ２１をハードディスク４５のトラック横断方向に移動させて、ヘッドスライダ２１をハードディスク４５に対して位置決めする。ヘッドスライダ２１に含まれる薄膜磁気ヘッドは、該薄膜磁気ヘッドに作り込まれた書き込み用素子によって、ハードディスク４５に情報を記録し、前記薄膜磁気ヘッドに作り込まれた読み取り用素子によって、ハードディスク４５に記録されている情報を再生する。
【０１０９】
上述した本発明の薄膜磁気ヘッドを適用したヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置は、環境温度変化および衝撃に対する耐性が優れたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの主要部を示す説明図である。
【図２】本発明の第１の実施形態における第1の磁極部分層、記録ギャップ層および第2の磁極部分層の集合体の平面図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は縦断面図、（ｃ）は平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図４に示した工程を実施するときのめっきフレーム法を説明するための図で、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡＢＳと平行な面での切断面である。
【図１２】本発明の薄膜磁気ヘッドにおける記録ギャップ層形成時のめっき条件を説明するための図であり、特に（ｃ）は本実施形態のめっきの際の電流密度と電流効率の関係を示すグラフである。
【図１３】本発明の薄膜磁気ヘッドにおける記録ギャップ層の、パターン幅とめっきレートの関係を示すグラフである。
【図１４】本発明と従来技術との薄膜磁気ヘッドの記録ギャップ層の構造の違いによる磁場強度を示すグラフである。
【図１５】本発明の第２の実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの主要部を示す説明図である。
【図１６】本発明の第２の実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図１７】図１６に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図１８】図１７に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図１９】図１８に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図２０】図１９に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図２１】図２０に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図２２】図２１に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図２３】図２２に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図２４】図１７に示した工程を実施するときのめっきフレーム法を説明するための図で、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡＢＳと平行な面での切断面である。
【図２５】図１７に示した工程におけるトリミング加工の様子を示す図で、媒体対向面ＡＢSから見た図である。
【図２６】本発明の一実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリを含むヘッドアームアセンブリを示す斜視図である。
【図２７】本発明の一実施の形態に係るハードディスク装置の要部を示す説明図である。
【図２８】本発明の一実施の形態に係るハードディスク装置の平面図である。
【図２９】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す縦断面図である。
【図３０】従来の薄膜磁気ヘッドを媒体対向面から見た平面図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１    基板
２、８、１０、１２    絶縁層
３    下部ヨーク部分層
４    電極膜
５    第1の磁極部分層
６    記録ギャップ層
７    第2の磁極部分層
８ａ    コンタクトホール
９    薄膜コイル
１１    ダミー層
１３    接続部
１４    上部ヨーク部分層
１５    リード層
１６    フレーム
１６ａ    開口部
【図１】
2005108293.tif 000003
【図２】
2005108293.tif 000004
【図３】
2005108293.tif 000005
【図４】
2005108293.tif 000006
【図５】
2005108293.tif 000007
【図６】
2005108293.tif 000008
【図７】
2005108293.tif 000009
【図８】
2005108293.tif 000010
【図９】
2005108293.tif 000011
【図１０】
2005108293.tif 000012
【図１１】
2005108293.tif 000013
【図１２】
2005108293.tif 000014
【図１３】
2005108293.tif 000015
【図１４】
2005108293.tif 000016
【図１５】
2005108293.tif 000017
【図１６】
2005108293.tif 000018
【図１７】
2005108293.tif 000019
【図１８】
2005108293.tif 000020
【図１９】
2005108293.tif 000021
【図２０】
2005108293.tif 000022
【図２１】
2005108293.tif 000023
【図２２】
2005108293.tif 000024
【図２３】
2005108293.tif 000025
【図２４】
2005108293.tif 000026
【図２５】
2005108293.tif 000027
【図２６】
2005108293.tif 000028
【図２７】
2005108293.tif 000029
【図２８】
2005108293.tif 000030
【図２９】
2005108293.tif 000031
【図３０】
2005108293.tif 000032