(57)【要約】【課題】  輝度や感度が高く、粒状性、鮮鋭性が十分な放射線画像変換パネルの製造方法と、それにより造られた放射線画像変換パネルを提供する。【解決手段】  蒸発源容器からの蒸発源蒸気流を用いて基板の堆積面に輝尽性蛍光体を気相堆積させて輝尽性蛍光体層を形成する工程を含む放射線画像変換パネルの製造方法において、開口部以外が断熱板により覆われた蒸発源容器より蒸発源を蒸発させ、堆積膜を形成することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸発源容器からの蒸発源蒸気流を用いて基板の堆積面に輝尽性蛍光体を気相堆積させて輝尽性蛍光体層を形成する工程を含む放射線画像変換パネルの製造方法において、
開口部以外が断熱板により覆われた蒸発源容器より蒸発源を蒸発させ、堆積膜を形成することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
前記断熱板の熱伝導係数が２．１ｋＪ／ｍ・ｈｒ・℃以下であることを特徴とする請求項１記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項３】
蒸発源容器からの蒸気流を用いて基板の堆積面に輝尽性蛍光体を気相堆積させて輝尽性蛍光体層を形成する工程を含む放射線画像変換パネルの製造方法において、
内部に邪魔板を有する蒸発源容器を用いて蒸発源を蒸発させ、堆積膜を形成することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項記載の放射線画像変換パネルの製造方法により製造された、輝尽性蛍光体が柱状結晶を有することを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項５】
柱状結晶が主成分として下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする請求項４記載の放射線画像変換パネル。
一般式（１）  ＣｓＸ：Ａ
（式中、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、Ｔｂ、またはＣｓを表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＸ線等の放射線画像を輝尽性蛍光体に蓄積記憶させた後、輝尽性蛍光体を励起光で走査することによる輝尽発光を利用して、画像情報を得るのに用いられる放射線画像変換パネルに関し、特に、基板上に気相堆積法によって形成された輝尽性蛍光体を有する放射線画像変換パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、放射線画像を得るためにハロゲン化銀を使用した、いわゆる銀塩放射線写真法が利用されてきたが、近年、銀塩を使用しないで放射線を画像化する方法が開発されている。
【０００３】
即ち、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収せしめ、しかる後この蛍光体をある種のエネルギーで励起して蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法が開発されている。例えば特許文献１及び特開昭５５−１２１４４号公報等に開示されている様に、基板上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用するものである。
【０００４】
この画像形成方法は、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を照射して被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて、輝尽性蛍光体層に潜像（蓄積像）を形成する。この輝尽性蛍光体層を輝尽励起光（レーザ光が用いられる）で走査することによって潜像に蓄積された放射線エネルギーを放射させて光に変換し、この光の強弱を読みとって画像を得る。この画像はＣＲＴ等各種のディスプレイ上に再生してもよいし、またハードコピーとして再生してもよい。
【０００５】
この放射線画像変換パネル製造には、基板上に結着樹脂と蛍光体粒子分散液を塗布して乾燥した分散タイプの蛍光体層を用いるものと、基板上に気相堆積法によって形成された蒸着タイプの蛍光体層を用いるものとがある。
【０００６】
何れにしてもパネルに要求される特性は、放射線への感度と画像の粒状性及び鮮鋭性である。従って、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層には、放射線吸収率及び光変換率が高いこと、画像の粒状性がよく、鮮鋭性が高いことが要求される。
【０００７】
通常、放射線感度を高くするには輝尽性蛍光体層の膜厚を厚くする必要があるが、余り厚くなりすぎると、輝尽性蛍光体粒子間での輝尽発光の散乱のため発光が外部に出てこなくなる現象があり限界がある。
【０００８】
また、鮮鋭性については、輝尽性蛍光体層を薄層化するほど向上するが、薄すぎると感度の減少が大きくなる。粒状性についても画像の粒状性は放射線量子数の局部的ゆらぎ（量子モトル）或いは放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ（構造モトル）等によって決定される。このため輝尽性蛍光体層の層厚が薄くなると輝尽性蛍光体層に吸収される放射線量子数が減少してモトルが増加したり、構造的乱れが顕在化して構造モトルが増加したりして画質の低下を生ずる。従って画像の粒状性を向上させるためには輝尽性蛍光体層の層厚が厚い必要がある。
【０００９】
この点で蒸着タイプの蛍光体層は、分散タイプの蛍光体層に比較すると、蛍光体の含有率が高くほぼ１００％であるから、同一の蛍光体を用いた場合、同じ層厚では感度が優れ、放射線吸収率が高いことで相対的に量子モトルが減少し、粒状性も優れるパネルを得ることができる。従って、感度を同じにすれば層厚を薄くできて、層厚内での放射線や励起光の拡散が減少し鮮鋭性の優れたパネルを得ることができる。しかし、それでも感度の優れたパネルを得ることは容易であっても、粒状性と鮮鋭性も共に優れたパネルを得ることは容易でなかった。
【００１０】
この他にも、様々な要因から放射線画像変換方法の画質及び感度は影響を受けるため、感度や画質に関する複数の因子を調整して、特性を改善した様々な気相堆積方法が検討されてきた。
【００１１】
また、その製造方法について述べれば、厚膜の蛍光体層を比較的短時間で形成しようとする場合、蒸発源容器は大きくなる傾向にあり、サイクルタイムの観点からその開口も大きくなる傾向にある。蒸発源容器開口が大きくなると、開口部より溶融蒸発源が冷却されるため、溶融蒸発源が接触面を有する蒸発源容器端部に比べて開口部の蒸発源温度が低くなるという課題があった。この様な蒸発源容器内温度分布が生じると、特に高沸点成分の賦活剤の導入濃度が不均一になり、感度が低下してしまうという課題があった。
【００１２】
また、厚膜堆積を行おうとすると、蒸発源の蒸気圧によって基板に向かう蒸気流の中に存在する微粒子状の蒸発源成分の飛散物が増加する傾向が顕著になってくる。その飛散物は再生画像において画像欠陥につながるものであり、その改良方法が求められている。例えば、下記特許文献２に示されるように蒸発源の含水量を０．５質量％以下にすることが好ましい。しかしながら、画像欠陥の対応策としてはなお十分でなく、更なる改善が求められていた。
【特許文献１】米国特許第３，８５９，５２７号明細書
【特許文献２】特開２００３−４３１９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上記状況から、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成して放射線画像変換パネルを製造するに際して、輝度や感度が高く、粒状性、鮮鋭性が十分な放射線画像変換パネルが求められていた。
【００１４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、輝度や感度が高く、粒状性、鮮鋭性が十分な放射線画像変換パネルの製造方法と、それにより造られた放射線画像変換パネルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、蒸発源容器内の溶融状態の蒸発源の温度分布を小さく抑えてやることにより、蒸気流の指向性が整流化されるため、賦活剤の面内濃度分布が改善され、特に鮮鋭性が改善されることを見出した。また、蒸発源容器内に邪魔板を設置することにより、基板への直接的な蒸気流の到達を防止し、堆積基板に向かう蒸気流の中に存在する微粒子状の蒸発源成分飛散物の発生を抑えられることがわかり、本発明に至った。
【００１６】
即ち、本発明の目的は下記構成のいずれかを採ることにより達成される。
（請求項１）
蒸発源容器からの蒸発源蒸気流を用いて基板の堆積面に輝尽性蛍光体を気相堆積させて輝尽性蛍光体層を形成する工程を含む放射線画像変換パネルの製造方法において、
開口部以外が断熱板により覆われた蒸発源容器より蒸発源を蒸発させ、堆積膜を形成することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
（請求項２）
前記断熱板の熱伝導係数が２．１ｋＪ／ｍ・ｈｒ・℃以下であることを特徴とする請求項１記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
（請求項３）
蒸発源容器からの蒸気流を用いて基板の堆積面に輝尽性蛍光体を気相堆積させて輝尽性蛍光体層を形成する工程を含む放射線画像変換パネルの製造方法において、
内部に邪魔板を有する蒸発源容器を用いて蒸発源を蒸発させ、堆積膜を形成することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
（請求項４）
請求項１〜３のいずれか１項記載の放射線画像変換パネルの製造方法により製造された、輝尽性蛍光体が柱状結晶を有することを特徴とする放射線画像変換パネル。
（請求項５）
柱状結晶が主成分として下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする請求項４記載の放射線画像変換パネル。
【００１７】
一般式（１）  ＣｓＸ：Ａ
（式中、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、Ｔｂ、またはＣｓを表す。）
【発明の効果】
【００１８】
本発明により、輝度や感度が高く、粒状性、鮮鋭性が十分な放射線画像変換パネルの製造方法と、それにより造られた放射線画像変換パネルを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
輝尽性蛍光体を基板に気相堆積させる方法としては（真空）蒸着法、スパッタ法及びＣＶＤ法等がある。
【００２０】
蒸着法は基板を蒸着装置内に設置したのち、装置内を排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空とし、次いで、輝尽性蛍光体の少なくとも１つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法などの方法で加熱蒸発させて支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚みに堆積させる。
【００２１】
この結果、バインダを含有しない輝尽性蛍光体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。また蒸着法においては、輝尽性蛍光体蒸発源を複数の抵抗加熱器或いはエレクトロンビームを用いて蒸着し、基板上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。更に蒸着法においては、蒸着時に必要に応じて基板を冷却或いは加熱してもよい。また、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。
【００２２】
スパッタ法は前記蒸着法と同様に基板をスパッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスを装置内に導入して１．３３３×１０-1Ｐａ程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さ堆積させる。このスパッタリング工程では蒸着法と同様に複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、それぞれを用いて同時或いは順次、前記ターゲットをスパッタリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
【００２３】
また、スパッタリング法では、複数の輝尽性蛍光体蒸発源をターゲットとして用い、これを同時或いは順次スパッタリングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、必要に応じてＯ2、Ｈ2等のガスを導入して反応性スパッタリングを行ってもよい。更に、スパッタリング法においては、スパッタリング時必要に応じて基板を冷却或いは加熱してもよい。また、スパッタリング終了後に輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。
【００２４】
ＣＶＤ法は目的とする輝尽性蛍光体、或いは輝尽性蛍光体蒸発源が含有する有機金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解することにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層を得るものであり、いずれも輝尽性蛍光体層を支持体の法線方向に対して特定の傾きをもって独立した細長い柱状結晶に気相成長させることが可能である。
【００２５】
これらの方法により形成した輝尽性蛍光体層の層厚は目的とする放射線像変換パネルの放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、１０〜１０００μｍの範囲から選ばれるのが好ましく、２０〜８００μｍから選ばれるのがより好ましい。
【００２６】
本発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体としては、例えば特開昭５９−７５２００号公報等に記載されているＢａＦＸ：Ｅｕ2+系（Ｘ：Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）蛍光体、特開昭６１−７２０８７号等に記載されているようなアルカリハライド蛍光体、特開昭６１−７３７８６号、同６１−７３７８７号等の各公報に記載のように、共賦活剤としてＴｌ+およびＣｅ3+、Ｓｍ3+、Ｅｕ3+、Ｙ3+、Ａｇ+、Ｍｇ2+、Ｐｂ2+、Ｉｎ3+の金属を含有するアルカリハライド蛍光体などが挙げられる。
【００２７】
特に、アルカリハライド蛍光体は、蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成させやすく好ましい。
【００２８】
好ましい蛍光体として、下記のものが挙げられる。
【００２９】
一般式（１）  ＣｓＸ：Ａ
（式中、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、Ｔｂ、またはＣｓを表す。）
また、アルカリハライド蛍光体の中でもＲｂＢｒ及びＣｓＢｒ系蛍光体が高輝度、高画質である点で好ましく、中でもＣｓＢｒ系蛍光体が特に好ましい。
【００３０】
本発明に係る輝尽性蛍光体層は、保護層を有していても良い。保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成する手順を採ってもよい。
【００３１】
保護層の材料としては酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3などの無機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は一般的には０．１〜２０００μｍ程度が好ましい。
【００３２】
また、透光性がよくシート状に形成できるものを用いることができる。例えば石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラスや、ＰＥＴ、ＯＰＰ、ポリ塩化ビニルなどの有機高分子があげられる。
【００３３】
本発明に係る放射線画像変換パネルに用いられる基板としては各種のガラス、高分子材料、金属等が用いられるが、例えば石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラス、又、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート或いは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。
【００３４】
これら基板の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面としてもよい。また、本発明においては、基板と輝尽性蛍光体層の接着性を向上させるために、必要に応じて基板の表面に予め接着層を設けてもよい。
【００３５】
これら基板の厚みは用いる基板の材質等によって異なるが、一般的には８０〜２０００μｍであり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは８０〜１０００μｍである。
【００３６】
本発明の放射線画像変換パネルに用いられる断熱板は、蒸発源容器からの輻射熱を抑制し蒸発源容器の保温効果を有するものであれば特に制限はなく、ステンレス、セラミックス、ガラスなどが挙げられるが、保温効果、加工性の観点から石英ガラスが好ましい。
【００３７】
本発明に係る蒸発源容器は材料に特に制限はなく、代表的なものとしては白金、タンタル、モリブテンなどが挙げられ、蒸発源容器内の邪魔板は、蒸発源容器と一体構造となっており、蒸発源と同等の材質から形成されている。
【００３８】
邪魔板は蒸発源容器からの基板への飛散物をカットする機能を有していれば、大きさ、形状には制限はない。ただし、蒸発速度の観点から大きさは小さい方が好ましく、形状も蒸気流の蒸発源容器内における合流の観点から、液面形状に対して類似形状であることが好ましい。
【００３９】
図１は気相堆積法によって基板上に形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの一例を示す断面図である。１１は基板、１２が輝尽性蛍光体層、１３が保護層を示している。
【００４０】
図２に、本発明の放射線画像変換パネルを用いた放射線像変換方法を概略的に示す。
【００４１】
図２において、２１は放射線発生装置、２２は被写体、２３は本発明に係わる放射線画像変換パネル、２４は（レーザ等の）輝尽励起光源、２５は該変換パネルにより放射された輝尽蛍光を検出する光電変換装置、２６は２５で検出された信号を画像として再生する装置、２７は再生された画像を表示する装置、２８は輝尽励起光と輝尽蛍光とを分離し、輝尽蛍光のみを透過させるフィルタである。尚、２５以降は２３からの光情報を何らかの形で画像として再生できるものであればよく、上記に限定されるものではない。
【００４２】
図２に示されるように、放射線発生装置２１からの放射線（Ｒ）は被写体２２を通して変換パネル２３に入射する（ＲＩ）。この入射した放射線は放射線画像変換パネル２３の輝尽層に吸収され、そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成される。
【００４３】
次にこの蓄積像を輝尽励起光源２４からの輝尽励起光で励起して輝尽発光として放出せしめる。
【００４４】
放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギー量に比例するので、この光信号を例えば光電子倍増管等の光電変換装置２５で光電変換し、画像再生装置２６によって画像として再生し画像表示装置２７によって表示することにより、被写体の放射線透過像を観察することができる。
【００４５】
図３は本発明の製造方法の実施に用いられる蒸発装置の例を示す構成概要図である。図３において、成膜室３１１は、不図示の前段排気手段によりメインバルブ３１２を介して一旦ある値以下の真空にされ、またさらに不図示の後段排気手段によりリークバルブ３１３を介して真空度が設定値以下に維持される。この成膜室には、必要に応じてガス導入バルブ３１４を介してＮ2、Ａｒ、Ｎｅ、Ｈｅといった不活性ガスが雰囲気ガスとして導入される。
【００４６】
成膜室には上部に基板配置手段３１５が設けられており、基板３１０が配置可能となっている。基板は複数枚配置しても、配置手段のいかなる位置に配置してもよく、基板配置手段は固定である必要は無く回転を行わせてもよい。
【００４７】
また、基材配置手段より下部に蒸発源容器３１６が設けられており、蒸発源容器に蒸発源３１７である輝尽性蛍光体を所定量仕込む。この図では蒸発源容器内の蒸発源加熱手段はいわゆる抵抗加熱方式であり、図示しない電流供給部により蒸発源容器へ電流が供給され加熱される。さらに蒸発源容器内には蒸発源温度を測定するための手段３１８、３１９が設けられている。この蒸発源温度測定手段は一般的には熱電対が使用されるが、この限りではなく、温度センサーであれば良い。３１８および３１９は蒸発源容器の側部および中央部が測定できるように配置されている。
【００４８】
図４に構成概要図を示すが、好ましくは蒸発源容器３１６は、邪魔板４１が開口４２を覆う様に設置されている。また、断熱板５１は蒸発源容器４０の開口部以外を覆うように設置されている。
【００４９】
図３に示す装置により、基板上へ所望量の輝尽性蛍光体層が堆積される。その後、保護層などを付設して放射線画像変換パネルとなる。
【実施例】
【００５０】
以下、さらに具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５１】
〈放射線画像変換パネル１の作製方法〉
（輝尽性蛍光体プレート１の形成）
図３記載の構造を有する製造装置に、厚さ１ｍｍ×長さ２００ｍｍ×２００ｍｍで、表面が平滑なガラス基板からなり、１×１０-2Ｐａの雰囲気圧力下で２００℃の温度に加熱された基板を水平な姿勢で配置し、水平面内においてその中央における法線方向を中心にして自転できるように配置した。この基板の堆積面の下方側において蒸発源輝尽性蛍光体材料ＣｓＢｒ：０．０１Ｅｕを仕込んだ蒸発源容器を配置した。
【００５２】
基板と蒸発源容器の距離はＸ方向２００ｍｍ、Ｙ方向５００ｍｍであり、３００μｍの輝尽性蛍光体層を形成した。なお、蛍光体の賦活は賦活剤を蒸発源に均一混合して、同時に蒸発させることにより行った。上記作製した蛍光体プレートを用い、下記のようにして各放射線画像変換パネルを作製した。
【００５３】
（保護層の形成）
上記で作製した輝尽性蛍光体プレート１を用いて放射線画像変換パネル１を作製した。輝尽性蛍光体層を有するカーボン基板の側縁部にスペーサを介して、輝尽性蛍光体層と保護層として用いるガラスとの間に、低屈折率層としての空気層が１００μｍの厚みになるように、ガラス製の保護層（膜厚２００μｍのホウ珪酸ガラス層）を設けた。
【００５４】
尚、スペーサとしてはガラスセラミックス製で、基板及び保護層の間に輝尽性蛍光体層及び低屈折率層（空気層）が所定の厚みとなるように厚みを調整したものを用い、輝尽性蛍光体層の塗設された基板とガラス製の保護層の側縁部は、エポキシ系接着剤を用いて接着し、放射線画像変換パネル１を作製した。
【００５５】
パネルの特性は以下の方法で評価した。
【００５６】
〔放射線像変換パネルの評価〕
〈鮮鋭性評価〉
放射線画像変換パネルの鮮鋭性は、変調伝達関数（ＭＴＦ）を求めて評価した。ＭＴＦは、放射線画像変換パネルにＣＴＦチャートを貼付した後、放射線画像変換パネルに８０ｋＶｐのＸ線を１０ｍＲ（被写体までの距離：１．５ｍ）照射した後、１００μｍの直径の半導体レーザ（６８０ｎｍ：パネル上でのパワー４０ｍＷ）を用いてＣＴＦチャート像を走査読み取りして求めた。表の値は、１．０ｌｐ／ｍｍのＭＴＦ値を足し合わせた値で示す。
【００５７】
〈画像欠陥評価〉
評価用検査機器：Ｒｅｇｉｕｓ３３０（コニカ社製）
評価条件：８０ｋＶｐ、７０ｍＡの条件下でＸ線管球と放射線画像変換パネル間距離を２ｍにしてＸ線撮影。
【００５８】
評価方法：前記撮影条件にてＸ線撮影後画像情報を読み取りβ画像信号を得る
このβ画像信号を２０００×２０００画素毎に分割して画素毎の信号値を得る。得られた画像信号の中で隣り合う信号値差が５０ｓｔｅｐ以上差がある画素を検出した個数を欠陥数とした。信号差が大きい程、欠陥数が多くなり画像診断に影響をする。
【００５９】
〈粒状性評価〉
放射線画像変換パネル試料の粒状性評価は、放射線画像の形成を下記に記載のＸ線照射条件にて行い、次いで、放射線画像の読取に励起光として６８０ｎｍの半導体レーザ光を用いて行った。読取の後、フィルム出力したＸ線のベタ露光画像を目視評価し、５段階ランク評価した。
【００６０】
Ｘ線照射条件：８０ｋＶｐ、２００ｍＡ、０．１ｓｅｃ
フィルム出力条件：γ（階調）＝３．０出力
５：粒状がほとんどわからず極めて良好
４：若干の粒状が認められるものの良好
３：粒状が認められる
２：粒状感がある
１：粒状がはっきり目立つ
実験１
蒸発源容器に表１に記載の断熱材を取り付けて実施した。
比較例１
蒸発源容器の断熱板なし。
実施例１
蒸発源容器に厚さ４ｍｍのステンレス製断熱板を取り付けて実施した。
実施例２
蒸発源容器に厚さ４ｍｍの石英ガラス製断熱板を取り付けて実施した。
【００６１】
堆積時の蒸発源容器内の蒸発源溶融液の温度分布と鮮鋭性の評価結果を示す。
【００６２】
【表１】
2005156398.tif 000003
【００６３】
表１から明らかなように、比較例１の断熱材なしの放射線画像変換パネルと比べ本発明の蒸発源容器を断熱材により囲った放射線画像変換パネル（実施例１および２）は、蒸発源内の温度分布が改善された結果、課題となっていた蒸発源容器内の溶融蒸発源の温度差により生じる蒸気流の指向性の乱れが改善され、賦活剤であるＥｕの面内分布が改善された結果、鮮鋭性（ＭＴＦ特性）が向上した。
【００６４】
実験２
蒸発源容器に邪魔板のあり（実施例３）、なし（比較例２）で各種性能を比較した。
比較例２
蒸発源容器の内部に邪魔板なし。
実施例３
蒸発源容器に溶解液面面積の１／２の大きさを有する邪魔板を取り付けた。
【００６５】
画像欠陥の評価結果を以下に示す。
【００６６】
【表２】
2005156398.tif 000004
【００６７】
表２より、邪魔板のありなしは、特に画像欠陥特性に明らかに影響を与え、粒状性改善にも効果があることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】気相堆積法によって基板上に形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの一例を示す断面図。
【図２】放射線画像変換パネルを用いた放射線画像変換方法を概略的に示す図。
【図３】蒸発装置の例を示す構成概要図。
【図４】蒸発源容器の構成概要図。
【符号の説明】
【００６９】
１１、３１０  基板
１２  輝尽性蛍光体層
１３  保護層
２１  放射線発生装置
２２  被写体
２３  放射線画像変換パネル
２４  輝尽励起光源
２５  光電変換装置
２６  画像再生装置
２７  再生された画像を表示する装置
２８  輝尽蛍光のみを透過させるフィルタ
３１１  成膜室
３１２  メインバルブ
３１３  リークバルブ
３１４  ガス導入バルブ
３１５  基板配置手段
３１６  蒸発源容器
３１７  蒸発源
３１８、３１９  蒸発源温度を測定するための手段
３２２  遮蔽板
【図１】
2005156398.tif 000005
【図２】
2005156398.tif 000006
【図３】
2005156398.tif 000007
【図４】
2005156398.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月14日(2004.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2005156398.tif 000009