(57)【要約】【課題】本発明の目的は、容易かつ安価に所定パターンの金属膜を形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された金属膜、この金属膜を備える電子部品および電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の成膜方法は、基材５の上面に、金属膜８を形成する膜形成領域９と、膜形成領域９より撥液性が高い金属膜８を形成しない非膜形成領域９’とを形成する工程と、基材５の上面側に、金属膜８を形成するための金属７を、その最大厚さが、金属７の結晶サイズよりも小さくなるように供給する工程と、供給された金属７を溶融させ、該溶融状態の金属７を膜形成領域９と非膜形成領域９’との撥液性の違いを利用して、膜形成領域９に集めることにより、金属膜８を得る工程とを有する成膜方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、所定のパターンの金属膜を形成する成膜方法であって、
前記基材の前記金属膜を形成する膜形成面に、前記金属膜を形成する膜形成領域と、該膜形成領域より撥液性が高く、前記金属膜を形成しない非膜形成領域とを形成する第１の工程と、
前記基材の前記膜形成面側に、前記金属膜を形成するための金属を、その最大厚さが、該金属の結晶サイズよりも小さくなるように供給する第２の工程と、
供給された前記金属を溶融させ、該溶融状態の金属を前記膜形成領域と前記非膜形成領域との撥液性の違いを利用して、前記膜形成領域に集めることにより、前記金属膜を得る第３の工程とを有することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記第２の工程において、供給された前記金属の最大厚さをＸ［ｎｍ］とし、前記結晶サイズをＹ［ｎｍ］としたとき、Ｘ／Ｙ≦０．８なる関係を満足する請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記金属は、Ａｌ、Ｉｎ、Ｚｎ、ＳｎおよびＣｕよりなる群から選択される少なくとも１種を主成分とするものである請求項１または２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記第２の工程において、前記金属は、気相成膜法を用いて供給される請求項１ないし３のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項５】
前記気相成膜法は、スパッタリング法、真空蒸着法およびイオンプレーティング法のうちの少なくとも１種である請求項４に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記第３の工程において、前記金属の溶融は、加熱、電磁波の照射および粒子線の照射のうちの少なくとも１種により行われる請求項１ないし５のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項７】
前記第１の工程において、前記非膜形成領域は、前記基材の前記膜形成面に、フッ素系有機材料および／またはフッ素系無機材料を主材料とする撥液膜を形成することにより得られる請求項１ないし６のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項８】
前記フッ素系有機材料は、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体およびパーフルオロエチレン−プロペン共重合体のうちの少なくとも１種を主成分とするものである請求項７に記載の成膜方法。
【請求項９】
前記フッ素系無機材料は、フッ化チタン酸カリウム、ケイフッ化カリウムおよびフッ化ジルコン酸カリウムのうちの少なくとも１種を主成分とするものである請求項７に記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記第１の工程において、前記非膜形成領域に対する純水の接触角をＡ［°］とし、前記膜形成領域に対する純水の接触角をＢ［°］としたとき、Ａ−Ｂ≧１５［°］なる関係を満足する請求項１ないし９のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の成膜方法により成膜されたことを特徴とする金属膜。
【請求項１２】
請求項１１に記載の金属膜を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電子部品を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜方法、金属膜、電子部品および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、所定パターンの金属膜の形成には、樹脂を主成分とするマスクを用いたエッチング法が、広く利用されている（例えば、特許文献１参照。）。
具体的には、Ｉ：基材上に膜形成用の材料で構成される層を形成する。II：前記層上にレジスト材料を塗布する。III：レジスト材料を露光・現像し、前記層の不要部分に対応して開口部を有するレジスト層を得る。IV：レジスト層をマスクに用いて、エッチング法により、開口部内に露出した前記層を除去する。Ｖ：マスクを除去する。これにより、所定パターンに形成された金属膜を得る。
ところが、このような方法では、レジスト層の形成に時間と手間とを要する。その結果、金属膜形成までに長時間を要したり、コストが高くなる等の問題が生じる。
【０００３】
【特許文献１】特開平５−３３８１８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、容易かつ安価に所定パターンの金属膜を形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された金属膜、この金属膜を備える電子部品および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的は、下記の本発明により達成させる。
本発明の成膜方法は、基材上に、所定のパターンの金属膜を形成する成膜方法であって、
前記基材の前記金属膜を形成する膜形成面に、前記金属膜を形成する膜形成領域と、該膜形成領域より撥液性が高く、前記金属膜を形成しない非膜形成領域とを形成する第１の工程と、
前記基材の前記膜形成面側に、前記金属膜を形成するための金属を、その最大厚さが、該金属の結晶サイズよりも小さくなるように供給する第２の工程と、
供給された前記金属を溶融させ、該溶融状態の金属を前記膜形成領域と前記非膜形成領域との撥液性の違いを利用して、前記膜形成領域に集めることにより、前記金属膜を得る第３の工程とを有することを特徴とする。
これにより、容易かつ安価に、高い成膜精度で金属膜を形成することができる。
【０００６】
本発明の成膜方法では、前記第２の工程において、供給された前記金属の最大厚さをＸ［ｎｍ］とし、前記結晶サイズをＹ［ｎｍ］としたとき、Ｘ／Ｙ≦０．８なる関係を満足することが好ましい。
これにより、供給された金属の融点をより確実に低下させること、すなわち、より顕著な融点降下が生じる。
【０００７】
本発明の成膜方法では、前記金属は、Ａｌ、Ｉｎ、Ｚｎ、ＳｎおよびＣｕよりなる群から選択される少なくとも１種を主成分とするものであることが好ましい。
これらの金属は、この金属の結晶サイズより小さくなるように膜形成面側に供給したときに、特に、前記融点降下が顕著なものである。
本発明の成膜方法では、前記第２の工程において、前記金属は、気相成膜法を用いて供給されることが好ましい。
気相成膜法によれば、基材の膜形成面側に、目的とする厚さとなるように、精度よく金属を供給することができる。
【０００８】
本発明の成膜方法では、前記気相成膜法は、スパッタリング法、真空蒸着法およびイオンプレーティング法のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
スパッタリング法によれば、基材の膜形成面側への前記金属の供給量を、より正確に制御できることから、目的とする厚さとなるように、より精度よく金属を供給することができる。
【０００９】
また、真空蒸着法およびイオンプレーティング法によれば、第１の工程において、フッ素系材料を用いて撥液膜を形成した場合には、該撥液膜にダメージを与えることなく、前記膜形成面側に金属を供給することができる。これにより、第３の工程において、膜形成領域と非膜形成領域との撥液性の違いを利用して、より確実に膜形成領域に金属膜を形成することができる。
【００１０】
本発明の成膜方法では、前記第３の工程において、前記金属の溶融は、加熱、電磁波の照射および粒子線の照射のうちの少なくとも１種により行われることが好ましい。
これらの方法によれば、基材のほぼ全面にエネルギーを均一に付与することができ、供給された金属をほぼ同時に溶融させることができる。その結果、得られる金属膜に厚さのばらつきが生じるのを防止することができる。
【００１１】
本発明の成膜方法では、前記第１の工程において、前記非膜形成領域は、前記基材の前記膜形成面に、フッ素系有機材料および／またはフッ素系無機材料を主材料とする撥液膜を形成することにより得られることが好ましい。
これにより、容易かつ確実に非膜形成領域の撥液性を、膜形成領域の撥液性よりも高いものとすることができる。
【００１２】
本発明の成膜方法では、前記フッ素系有機材料は、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体およびパーフルオロエチレン−プロペン共重合体のうちの少なくとも１種を主成分とするものであることが好ましい。
これにより、特に高い撥液性と高い耐熱性とを有する撥液膜を形成することができる。
【００１３】
本発明の成膜方法では、前記フッ素系無機材料は、フッ化チタン酸カリウム、ケイフッ化カリウムおよびフッ化ジルコン酸カリウムのうちの少なくとも１種を主成分とするものであることが好ましい。
これにより、特に高い撥液性と高い耐熱性とを有する撥液膜を形成することができる。
本発明の成膜方法では、前記第１の工程において、前記非膜形成領域に対する純水の接触角をＡ［°］とし、前記膜形成領域に対する純水の接触角をＢ［°］としたとき、Ａ−Ｂ≧１５［°］なる関係を満足することが好ましい。
これにより、第３の工程において、供給された金属が、より高い選択性をもって膜形成領域に集まるようになるので、より高い成膜精度で金属膜を形成することができる。
【００１４】
本発明の金属膜は、本発明の成膜方法により成膜されたことを特徴とする。
これにより、成膜精度（信頼性）の高い金属膜が得られる。
本発明の電子部品は、本発明の金属膜を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子部品が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子部品を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の成膜方法、金属膜、電子部品および電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
＜成膜方法＞
まず、本発明の成膜方法の好適な実施形態について説明する。
図１は、それぞれ本発明の成膜方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００１６】
本発明の成膜方法は、基材５上に所定パターンの金属膜８を形成する方法であり、図１に示すように、基材５の上面（金属膜８を形成する膜形成面）に、金属膜８を形成する膜形成領域９と、膜形成領域９より撥液性が高い金属膜８を形成しない非膜形成領域９’とを形成する膜形成領域形成工程と、基材５の上面側に、金属膜８を形成するための金属７を、その最大厚さが、金属７の結晶サイズよりも小さくなるように供給する金属供給工程と、供給された金属７を溶融させ、該溶融状態の金属を膜形成領域９と非膜形成領域９’との撥液性の違いを利用して、膜形成領域９に集めることにより、金属膜８を得る金属膜形成工程とを有する。以下、各工程について順次説明する。
ここで、結晶サイズとは、バルク状の金属（溶融状態の金属を徐冷（自然に冷却）して得られたもの）中で形成される結晶粒の平均値（平均粒径）のことをいう。
【００１７】
［１］膜形成領域形成工程
まず、基材５を用意する（図１（ａ）参照）。
この基材５の構成材料は、金属７が溶融する温度より高い融点を有するものであれば特に限定されず、例えば、石英ガラス、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等の各種絶縁材料（誘電体）や、シリコン（例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコン等）、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ等の導電性材料で構成されたものが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１８】
次に、基材５の上面に、金属膜８を形成する膜形成領域９と、膜形成領域９より撥液性が高い金属膜８を形成しない非膜形成領域９’とを形成する。
この膜形成領域９と非膜形成領域９’とを形成する方法としては、非膜形成領域９’の撥液性が膜形成領域９の撥液性より高くなるような方法であれば、いかなるものであってもよく、特に限定されないが、基材５の上面の非膜形成領域９’を形成する位置に、フッ素系有機材料および／またはフッ素系無機材料（以下、これらを総称して「フッ素系材料」という。）を主材料とする撥液膜６を形成する方法を用いるのが好ましい。
【００１９】
具体的には、基材５の上面の非膜形成領域９’を形成する領域に、フッ素系材料を供給して、撥液膜６を形成する（図１（ｂ）参照）。
このフッ素系材料で構成される撥液膜６を形成する方法を用いることにより、容易かつ確実に非膜形成領域９’の撥液性を、基材５の上面のフッ素系材料を供給しない膜形成領域９の撥液性よりも高いものとすることができる。さらに、かかる方法によれば、撥液膜６の膜厚の制御を容易に行えるという利点もある。
【００２０】
撥液膜６を形成する方法としては、例えば、ディップコート法、スピンコート法、スリットコート法、キャップコート法、ディスペンサー法、スプレーコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法およびインクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることができるが、これらの中でも、インクジェット印刷法を用いるのが好ましい。インクジェット印刷法によれば、基材５上に直接マスク（例えば、レジスト層等）を形成することを要せず、高い精度で撥液膜６を形成することができる。
【００２１】
また、フッ素系材料は、高い撥液性と高い耐熱性とを有するものが好適である。
このようなフッ素系有機材料の具体例としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、パーフルオロエチレン−プロペン共重合体（ＦＥＰ）およびエチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）等が挙げられ、これらの中でも、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体およびパーフルオロエチレン−プロペン共重合体のうちの少なくとも１種を主成分として用いるのが好ましい。
【００２２】
一方、フッ素系無機材料の具体例としては、例えば、フッ化チタン酸カリウム、ケイフッ化カリウム、フッ化ジルコン酸カリウムおよびケイフッ酸等が挙げられ、これらの中でも、フッ化チタン酸カリウム、ケイフッ化カリウムおよびフッ化ジルコン酸カリウムのうちの少なくとも１種を主成分として用いるのが好ましい。
これらのフッ素系材料を用いることにより、特に高い撥液性と高い耐熱性とを有する撥液膜６を形成することができる。このため、後述する金属膜形成工程において、高い温度条件下においても撥液膜６の変質・劣化を防止して、撥液性が損なわれることを防止することができる。その結果、膜形成領域９と非膜形成領域９’との撥液性の差が維持（保持）され、金属膜８をより確実に形成することができる。
【００２３】
この膜形成領域９と非膜形成領域９’との撥液性の程度の違いは、各種の指標により表すことができるが、例えば、接触角を用いて好適に表すことができる。具体的には、非膜形成領域９’に対する純水の接触角をＡ［°］とし、膜形成領域９に対する純水の接触角をＢ［°］としたとき、Ａ−Ｂ≧１５［°］なる関係を満足するのが好ましく、Ａ−Ｂ≧３０［°］なる関係を満足するのがより好ましく、Ａ−Ｂ≧５０［°］なる関係を満足するのが特に好ましい。膜形成領域９と非膜形成領域９’とが、前記関係を満足することにより、後述する金属膜形成工程において、基材５の上面側に供給された金属７が、より高い選択性をもって基材５の膜形成領域９に集まり、より高い成膜精度で金属膜８を形成することができる。
【００２４】
なお、本実施形態では、基材５の上面の非膜形成領域９’に、膜形成領域９の撥液性より高い材料（フッ素系材料）で構成される撥液膜を形成する場合について説明したが、これに限定されず、例えば、基材５の上面のほぼ全体に撥液膜を形成し、膜形成領域９に活性エネルギー線を照射すること等により、膜形成領域９の撥液性を低下させる処理を施すことにより、非膜形成領域９’の撥液性を膜形成領域９の撥液性より高くするようにしてもよい。また、基材５の種類によっては、フッ素を含有する官能基を有するカップリング剤を用いて、非膜形成領域９’を形成してもよい。
【００２５】
［２］金属供給工程
次に、基材５の上面側に（本実施形態では、膜形成領域９および非膜形成領域９’のほぼ全てを覆うように）、金属膜８を形成するための金属７を、その最大厚さが、金属７の結晶サイズよりも小さくなるように供給する。
これにより、金属７は、結晶化しない状態（非結晶の状態）で固化する。その結果、この金属７の融点は、結晶状態の金属７の融点よりも低いものとなる（融点降下する）。このため、後述する金属膜形成工程において、金属７を比較的低温で溶融させることができる。
【００２６】
この金属７としては、例えば、Ａｌ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｏ、ＣｓおよびＲｂ等の金属、これらを含む合金等を用いることができるが、これらの中でも、Ａｌ、Ｉｎ、Ｚｎ、ＳｎおよびＣｕよりなる群から選択される少なくとも１種を主成分として構成するのが好ましい。これらのものは、前述したような融点降下がより顕著に生じるものである。また、導電性に優れるため、各種電子部品の配線等に、好適に適用することができる。
【００２７】
この金属７の供給方法としては、特に限定されないが、気相成膜法を用いるのが好ましい。これにより、基材５の上面側に、目的とする厚さとなるように、精度よく金属７を供給することができる。
また、気相成膜法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、およびレーザーアブレーション法等の物理的気相成膜法、および、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法およびレーザーＣＶＤ法等の化学的気相成膜法を用いることができるが、これらの中でも、スパッタリング法、真空蒸着法およびイオンプレーティング法のうちの少なくとも１種を用いるのがより好ましい。
【００２８】
スパッタリング法によれば、基材５の上面側への金属７の供給量を、より正確に制御できることから、目的とする厚さとなるように、より精度よく金属７を供給することができる。これにより、より精度の高い厚さで基材５の上面側に金属７を供給することができ、前記結晶軸の最大長さよりも金属７の最大厚さが小さくなるようにすることができる。
真空蒸着法およびイオンプレーティング法によれば、前記膜形成領域形成工程において、フッ素系材料を用いて撥液膜６を形成する場合には、この撥液膜６にダメージを与えることなく、基材５の上面に金属７を供給することができる。これにより、後述する金属膜形成工程において、膜形成領域９と非膜形成領域９’との撥液性の違いを利用して、より確実に膜形成領域９に金属膜８を形成することができる。
なお、以下では、金属７を供給する方法として、スパッタリング法および真空蒸着法を用いる場合を代表して説明する。
【００２９】
［２ａ］スパッタリング法による金属供給工程
この金属７の供給方法としてスパッタリング法を用いる場合には、チャンバー内に膜形成領域９と非膜形成領域９’とが形成された基材５と、金属７を構成する金属材料とをそれぞれ設置（セット）した状態で、この金属材料にイオンビームを照射する。これにより、金属材料の表面にイオンビームが衝突し、金属材料の粒子（スパッタ粒子）が叩き出され、基材５の上面側に被着することにより金属７が供給される（図１（ｃ）参照）。
【００３０】
イオンビームの加速電圧は、５０Ｖ以上であるのが好ましく、５０〜７００Ｖ程度であるのがより好ましい。
イオンビーム電流は、５０〜５００ｍＡ程度であるのが好ましく、１００〜２００ｍＡ程度であるのが好ましい。
イオンビームを照射する雰囲気（チャンバー内）の圧力は、できるだけ低くするのがよく、特に限定されないが、１×１０−５〜１×１０−１Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−４〜１×１０−２Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
イオンビームの照射時間は、１×１０−４〜１ｓｅｃ程度であるのが好ましく、１×１０−４〜１×１０−１ｓｅｃ程度であるのがより好ましい。
また、イオンビームを構成するイオンは、各種希ガスのイオンを用いることができるが、Ａｒ＋、Ｋｒ＋およびＸｅ＋のうちの少なくとも１種を主とするものが好ましい。
【００３１】
［２ｂ］真空蒸着法による金属供給工程
この金属７の供給方法として真空蒸着法を用いる場合には、チャンバー内に膜形成領域９と非膜形成領域９’とが形成された基材５と、金属７を構成する金属材料とをそれぞれ設置（セット）した状態で、この金属材料を加熱する。これにより、金属材料が蒸発（気化）して、基材５の上面側に被着（蒸着）することにより金属７が供給される（図１（ｃ）参照）。
【００３２】
イオンビームを照射する雰囲気（チャンバー内）の圧力は、できるだけ低くするのがよく、特に限定されないが、１×１０−５〜１×１０−１Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−４〜１×１０−２Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
金属材料を加熱する加熱手段は、特に限定されず、例えば、抵抗加熱、電子ビーム加熱等を用いることができる。
【００３３】
この供給された金属７の最大厚さは、金属７の結晶サイズよりも薄ければいかなる厚さのものであっても良いが、金属７の最大厚さをＸ［ｎｍ］とし、前記結晶サイズをＹ［ｎｍ］としたとき、Ｘ／Ｙ≦０．８なる関係を満足するのが好ましく、Ｘ／Ｙ≦０．５なる関係を満足するのがより好ましく、Ｘ／Ｙ≦０．１なる関係を満足するのが更に好ましい。このような関係を満足することにより、供給された金属７の融点をより確実に低下させること、すなわち、より顕著な融点降下が生じる。これにより、後述する金属膜形成工程において、金属７を溶融させる温度を低くすることができることから、基材５および撥液膜６の変質・劣化を好適に防止することができる。その結果、膜形成領域９と非膜形成領域９’との撥液性の差が維持（保持）され、基材５の膜形成領域９に金属膜８をより確実に形成することができる。
【００３４】
［３］金属膜形成工程
次に、供給された金属７を溶融させ、該溶融状態の金属７を膜形成領域９と非膜形成領域９’との撥液性の違いを利用して、膜形成領域９に集める。これにより、金属膜８を得る。
具体的には、金属７に対してエネルギーを付与して溶融させる。この溶融状態の金属７は、膜形成領域９と非膜形成領域９’との撥液性の違いにより、撥液性の高い非膜形成領域９’から撥液性が低い膜形成領域９に集まる（凝集する）（図１（ｄ）参照）。この金属７の凝集により、金属膜８が形成される（図１（ｅ）参照）。
【００３５】
なお、このとき、金属膜８が固化に至らない場合には、必要に応じて、これを固化させる処理を施すようにしてもよい。
金属７を溶融させる方法（溶融方法）としては、いかなるものであっても良いが、特に、加熱、電磁波の照射および粒子線の照射のうちの少なくとも１種により行われるのが好ましい。これらの方法によれば、基材５のほぼ全面にエネルギーを均一に付与することができ、金属７をほぼ同時に溶融させることができる。その結果、金属膜８に厚さのばらつきが生じるのを防止することができる。
【００３６】
Ｉ：加熱により金属７を溶融する場合
金属７を加熱する方法としては、各種の方法を用いることができるが、例えば、電熱ヒーターを用いて加熱することができる。
金属７を加熱する時間は、０．１〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１５分程度であるのがより好ましい。
【００３７】
この際の加熱雰囲気は、還元性雰囲気、不活性雰囲気、真空または減圧状態下等の非酸化性雰囲気であるのが好ましい。
前記加熱雰囲気の温度は、０〜１００℃程度であるのが好ましく、２０〜５０℃程度であるのがより好ましい。
加熱する時間、加熱雰囲気および加熱雰囲気の温度を、それぞれ、前記範囲とすることにより、より確実に膜形成領域９に金属膜８を形成することができる。
【００３８】
II：電磁波の照射により金属７を溶融する場合
照射する電磁波としては、例えば、マイクロ波、赤外線、可視光線、紫外線、Ｘ線等が挙げられる。
例えば、電磁波としてマイクロ波を用いる場合、照射するマイクロ波の周波数は、３×１０８〜１×１０１１Ｈｚ程度であるのが好ましく、１×１０９〜１×１０１０Ｈｚ程度程度であるのがより好ましい。
【００３９】
前記マイクロ波の照射強度は、１０〜１０００Ｗ程度であるのが好ましく、１００〜５００Ｗ程度であるのがより好ましい。
前記マイクロ波の照射時間は、０．１〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１５分程度であるのがより好ましい。
この際の加熱雰囲気は、還元性雰囲気、不活性雰囲気、真空または減圧状態下等の非酸化性雰囲気であるのが好ましい。
【００４０】
次に、前記照射雰囲気の温度は、０〜１００℃程度であるのが好ましく、２０〜５０℃程度であるのがより好ましい。
マイクロ波の周波数、照射強度、照射時間、照射雰囲気および照射雰囲気の温度を、それぞれ、前記範囲とすることにより、より確実に膜形成領域９に金属膜８を形成することができる。
【００４１】
III：粒子線の照射により金属７を溶融する場合
照射する粒子線としては、例えば、電子線、イオンビーム、中性子線およびα線等が挙げられる。
例えば、粒子線としてイオンビームを用いる場合、照射するイオンビームの加速電圧は、１〜１５０ｋＶ程度であるのが好ましく、１０〜５０ｋＶ程度であるのがより好ましい。
【００４２】
前記イオンビームのビーム電流は、０．０１〜５０ｎＡ程度であるのが好ましく、０．０１〜２０ｎＡ程度であるのがより好ましい。
前記イオンビームの照射時間は、０．００１〜５０ｓｅｃ程度であるのが好ましく、０．００１〜５０ｓｅｃ程度であるのがより好ましい。
この際の加熱雰囲気は、還元性雰囲気、不活性雰囲気、真空または減圧状態下等の非酸化性雰囲気であるのが好ましい。
【００４３】
次に、前記照射雰囲気の温度は、０〜１００℃であるのが好ましく、２０〜５０℃であるのがより好ましい。
イオンビームの加速電圧、ビーム電流、照射時間、照射雰囲気および照射雰囲気の温度を、それぞれ、前記範囲とすることにより、より確実に膜形成領域９に金属膜８を形成することができる。
以上のような工程を経て、金属膜８が得られる。
【００４４】
本発明によれば、基材上に直接マスク（例えば、レジスト層等）を形成することを要せず、高い成膜精度で金属膜８を形成することができる。
また、本発明によれば、レジスト層を用いないことから、レジスト層を形成するための複雑な工程や、不要となったレジスト層を除去する工程を省略することができる。
このようなことから、本発明によれば、より容易かつ安価に高い成膜精度で金属膜８を得ることができる。
また、本発明によれば、膜形成領域９に選択的に金属膜８を形成できるので、すなわち、不要な領域への金属膜８の形成が防止されるので、金属材料の使用量の削減を図ることもできる。
【００４５】
＜電子部品＞
このような金属膜８は、例えば、スイッチング素子（薄膜トランジスタ）、配線基板、半導体部品、表示パネル、発光素子等の各種電子部品に適用することができる。
以下では、本発明の電子部品を薄膜トランジスタ（特に、有機薄膜トランジスタ）に適用した場合を代表に説明する。
【００４６】
図２（ａ）は、本発明の電子部品を適用した薄膜トランジスタの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下では、図２中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
図２（ａ）に示す薄膜トランジスタ１００は、基板２０（基材５）上に設けられており、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、有機半導体層（有機層）５０と、ゲート絶縁層６０と、ゲート電極７０とが、この順で基板２０側から積層されて構成されている。
【００４７】
具体的には、薄膜トランジスタ１００は、基板２０上に、ソース電極３０およびドレイン電極４０が分離して設けられ、これら電極３０、４０を覆うように有機半導体層５０が設けられている。さらに有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられ、さらにこの上に、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０の間の領域に重なるようにゲート電極７０が設けられている。
【００４８】
この薄膜トランジスタ１００では、有機半導体層５０のうち、ソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域が、キャリアが移動するチャネル領域５１０となっている。以下、このチャネル領域５１０において、キャリアの移動方向の長さ、すなわちソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離をチャネル長Ｌ、チャネル長Ｌ方向と直交する方向の長さをチャネル幅Ｗと言う。
このような薄膜トランジスタ１００は、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、ゲート絶縁層６０を介してゲート電極７０よりも基板２０側に設けられた構成の薄膜トランジスタ、すなわち、トップゲート構造の薄膜トランジスタである。
【００４９】
以下、薄膜トランジスタ１００を構成する各部について、順次説明する。
基板２０は、薄膜トランジスタ１００を構成する各層（各部）を支持するものである。基板２０には、例えば、ガラス基板、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、石英基板、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。薄膜トランジスタ１００に可撓性を付与する場合には、基板２０には、樹脂基板が選択される。
【００５０】
この基板２０上には、下地層が設けられていてもよい。下地層としては、例えば、基板２０表面からのイオンの拡散を防止する目的、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、基板２０との密着性（接合性）を向上させる目的等により設けられる。
下地層の構成材料としては、特に限定されないが、基板２０にガラス基板を用いる場合には、酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（ＳｉＮ）等が好適に用いられる。
【００５１】
基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、チャネル長Ｌ方向に沿って、所定距離離間して並設されている。
これらのソース電極３０およびドレイン電極４０に、本発明の金属膜８を適用することができる。
ソース電極３０およびドレイン電極４０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、それぞれ、３０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。本発明の成膜方法によれば、このように薄い膜厚の電極を寸法精度よく形成することができる。
【００５２】
ソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離（離間距離）、すなわち、チャネル長Ｌは、２〜３０μｍ程度であるのが好ましく、５〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。チャネル長Ｌを前記下限値より小さくすると、得られた薄膜トランジスタ１００同士でチャネル長に誤差が生じ、特性（トランジスタ特性）がばらつくおそれがある。一方、チャネル長Ｌを前記上限値より大きくすると、しきい電圧の絶対値が大きくなるとともに、ドレイン電流の値が小さくなり、薄膜トランジスタ１００の特性が不十分となるおそれがある。
【００５３】
チャネル幅Ｗは、０．１〜５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。チャネル幅Ｗを前記下限値より小さくすると、ドレイン電流の値が小さくなり、薄膜トランジスタ１００の特性が不十分となるおそれがある。一方、チャネル幅Ｗを前記上限値より大きくすると、薄膜トランジスタ１００が大型化してしまうとともに、寄生容量の増大や、ゲート絶縁層６０を介したゲート電極７０へのリーク電流の増大を招くおそれがある。
【００５４】
また、基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように、有機半導体層５０が設けられている。
有機半導体層５０は、有機半導体材料（半導体的な電気伝導を示す有機材料）を主材料として構成されている。
この有機半導体層５０は、少なくともチャネル領域５１０においてチャネル長Ｌ方向とほぼ平行となるように配向しているのが好ましい。これにより、チャネル領域５１におけるキャリア移動度が高いものとなり、その結果、薄膜トランジスタ１００は、その作動速度がより速いものとなる。
【００５５】
有機半導体材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）を主とするものを用いるのが好ましい。共役系高分子材料は、その特有な電子雲の広がりにより、キャリアの移動能が特に高い。
【００５６】
高分子の有機半導体材料は、簡易な方法で成膜することができるとともに、比較的容易に配向させることができる。また、このうち、空気中で酸化され難く、安定であること等の理由から、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）としては、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリアリールアミンまたはこれらの誘導体のうちの少なくとも１種を主成分とするものを用いるのが特に好ましい。
【００５７】
また、高分子の有機半導体材料を主材料として構成される有機半導体層５０は、薄型化・軽量化が可能であり、可撓性にも優れるため、フレキシブルディスプレイのスイッチング素子等として用いられる薄膜トランジスタへの適用に適している。
有機半導体層５０の厚さ（平均）は、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
【００５８】
なお、有機半導体層５０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように設けられる構成のものに限定されず、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域（チャネル領域５１０）に設けられていればよい。
有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられている。
このゲート絶縁層６０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０に対してゲート電極７０を絶縁するものである。
【００５９】
ゲート絶縁層６０は、主として有機材料（特に有機高分子材料）で構成されているのが好ましい。有機高分子材料を主材料とするゲート絶縁層６０は、その形成が容易であるとともに、有機半導体層５０との密着性の向上を図ることもできる。
このような有機高分子材料としては、例えば、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリビニルフェノールあるいはノボラック樹脂のようなフェノール系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなどのオレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６０】
ゲート絶縁層６０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層６０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極３０およびドレイン電極４０とゲート電極７０とを確実に絶縁しつつ、薄膜トランジスタ１００が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。
【００６１】
なお、ゲート絶縁層６０は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。
また、ゲート絶縁層６０の構成材料には、例えば、ＳｉＯ２等の無機絶縁材料を用いることもできる。ポリシリケート、ポリシロキサン、ポリシラザンのような溶液を塗布して、塗布膜を酸素、または水蒸気の存在下で加熱することによって、溶液材料からＳｉＯ２を得ることができる。また、金属アルコキシド溶液を塗布した後、これを酸素雰囲気で加熱することによって無機絶縁材料を得る（ゾルゲル法として知られる）ことができる。
【００６２】
ゲート絶縁層６０上には、ゲート電極７０が設けられている。
ゲート電極７０の構成材料としては、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の金属材料、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２等の導電性酸化物、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の導電性高分子材料等が挙げられ、通常塩化鉄、ヨウ素、無機酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸などの高分子でドープされ導電性を付与された状態で用いられる。さらに、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６３】
ゲート電極７０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜５０００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
以上のような薄膜トランジスタ１００は、ゲート電極７０に印加する電圧を変化させることにより、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に流れる電流量が制御される。
【００６４】
すなわち、ゲート電極７０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加しても、有機半導体層５０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。一方、ゲート電極７０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層５０のゲート絶縁層６０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル領域５１０にキャリアの流路が形成される。この状態でソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加すると、チャネル領域５１０を通って電流が流れる。
【００６５】
＜電子機器＞
本発明の電子部品は、各種電子機器に用いることができる。
図３は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
【００６６】
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、本体部１１０４と表示ユニット１１０６とを接続するための可撓性配線基板等として内蔵されている。
図４は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【００６７】
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、データを保存するための半導体部品（各種メモリ）、回路基板等として内蔵されている。
図５は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
【００６８】
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
【００６９】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【００７０】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００７１】
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、ＣＣＤの撮像信号を保存するための半導体部品（各種メモリ）、回路基板１３０８等として内蔵されている。
なお、本発明の電子機器は、図３のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図４の携帯電話機、図５のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
以上、本発明の成膜方法、金属膜、電子部品および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例】
【００７２】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
（実施例１）
＜１＞  まず、石英ガラス基板（基材）を用意し、純水を用いて洗浄した。
次に、この石英ガラス基板上に、インクジェット印刷法により、ＰＴＦＥを含むインク（塗布液）を、金属膜を形成する以外の領域（非膜形成領域）に塗布した後、８０℃×３０分間で乾燥して撥液膜を形成した。その後、純水およびエタノールで、順次洗浄した。
【００７３】
なお、インクは、前記ＰＴＦＥを、メチルエチルケトンとトルエンとの混合溶媒に溶解して調製した。
これにより、撥液膜が形成された非膜形成領域と、石英ガラス基板の表面が露出する膜形成領域とを区画形成した。
なお、膜形成領域の平面形状は、アルファベットの大文字「Ｅ」とし、各部の幅が約６０μｍなるように形成した。
また、非膜形成領域（撥液膜）に対する純水の接触角Ａ［°］と、膜形成領域（石英ガラス基板表面）に対する純水の接触角Ｂ［°］との関係Ａ−Ｂは、４０［°］であった。
【００７４】
＜２＞  次に、チャンバー内に、撥液膜が形成された石英ガラス基板と、Ａｌ（金属膜材料）で構成されたターゲットとをそれぞれ設置（セット）して、スパッタリング法により、この石英ガラス基板上にＡｌを、その最大厚さが１００ｎｍとなるように供給した。その後、水およびエタノールで、順次洗浄した。
また、供給されたＡｌの最大厚さＸ［ｎｍ］と、Ａｌの結晶サイズＹ［ｎｍ］との関係Ｘ／Ｙは、０．０１であった。
なお、スパッタリング法の条件は、Ａｒを放電し、チャンバー内の圧力を１×１０−２Ｔｏｒｒとし、放電時間を１ｍｉｎとした。
【００７５】
＜３＞  次に、この石英ガラス基板上に供給されたＡｌを、電熱ヒーターを用いて加熱温度３５０℃で加熱した。なお、雰囲気圧力を７６０Ｔｏｒｒとし、加熱時間を１ｍｉｎとした。また、雰囲気をＮ２雰囲気とした。
これにより、膜形成領域にＡｌが集まって固化（硬化）し、膜形成領域の形状「Ｅ」にほぼ対応した形状のＡｌ膜（平均厚さ：約１５０ｎｍ、各部の幅：約６０μｍ）を得た。
【００７６】
（実施例２）
次に示すように変更した以外は、前記実施例１と同様にして金属膜を形成した。
金属膜材料としてＩｎを用いた。
前記工程＜２＞において、Ｉｎの最大厚さが１００ｎｍとなるように真空蒸着法を用いて石英ガラス基板上に供給した。
【００７７】
前記工程＜３＞において、加熱温度を１００℃とし、雰囲気圧力を７６０Ｔｏｒｒとし、加熱時間を１ｍｉｎとした。また、雰囲気をＮ２雰囲気とした。
なお、供給されたＩｎの最大厚さＸ［ｎｍ］と、Ｉｎの結晶サイズＹ［ｎｍ］との関係Ｘ／Ｙは、０．０２であった。
これにより、膜形成領域の形状「Ｅ」にほぼ対応した形状のＩｎ膜（平均厚さ：約１５０ｎｍ、各部の幅：約６０μｍ）を得た。
【００７８】
（実施例３）
ＰＴＦＥに代えてケイフッ化カリウムを用いて撥液膜を形成した以外は、前記実施例１と同様にして金属膜を形成した。
なお、供給されたＡｌの最大厚さＸ［ｎｍ］と、Ａｌの結晶サイズＹ［ｎｍ］との関係Ｘ／Ｙは、０．０１であった。
これにより、膜形成領域の形状「Ｅ」にほぼ対応した形状のＡｌ膜（平均厚さ：約１５０ｎｍ、各部の幅：約６０μｍ）を得た。
【００７９】
なお、いずれの実施例においても、非膜形成領域には、金属膜形成が認められなかった。
また、ＰＴＦＥおよびケイフッ化カリウムに代えて、ＰＦＡ、ＥＴＦＥ、ＦＥＰ、フッ化チタン酸カリウムおよびフッ化ジルコン酸カリウムを、または、これらのうちの任意の２種以上を用いて、撥液膜を形成し、前記実施例１および２と同様にして、金属膜（Ａｌ膜およびＩｎ膜）を形成したが、いずれも前記実施例１および２と同様の結果であった。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の成膜方法の好適な実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の電子部品を適用した薄膜トランジスタの実施形態を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。
【図３】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図４】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８１】
５……基材  ６……撥液膜  ７……金属  ８……金属膜  ９……膜形成領域  ９’……非膜形成領域  １００‥‥薄膜トランジスタ  ２０‥‥基板  ３０‥‥ソース電極  ４０‥‥ドレイン電極  ５０‥‥有機半導体層  ５１０‥‥チャネル領域  ６０‥‥ゲート絶縁層  ７０‥‥ゲート電極  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥回路基板  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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