(57)【要約】【課題】端子間ピッチの狭い半導体装置においても、端子間のショートを防止しながら確実に半導体装置と基板との電気的接続を実現する半導体装置の実装方法を提供する。【解決手段】複数の第１の電極を備える半導体装置を第２の電極を備えた基板に前記第１の電極と第２の電極とを導通させて実装する半導体装置の実装方法であって、前記第１の電極上にバンプを形成する工程と、前記バンプ上に導電性粒子を散布して前記導電性粒子を前記バンプの表面に埋め込む工程と、前記バンプ間に散布された導電性粒子を除去する工程と、前記基板における前記半導体装置の実装位置に接着材を配置する工程と、前記半導体装置のバンプと前記接着材とを対向させた状態で前記半導体装置と基板とを位置合わせして加熱・圧接し、前記半導体装置を前記基板に接着する工程と、を有する。【選択図】        図５
2005108992.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の電極を備える半導体装置を第２の電極を備えた基板に前記第１の電極と第２の電極とを導通させて実装する半導体装置の実装方法であって、
前記第１の電極上にバンプを形成する工程と、
前記バンプ上に導電性粒子を散布して前記導電性粒子を前記バンプの表面に埋め込む工程と、
前記バンプ間に散布された導電性粒子を除去する工程と、
前記基板における前記半導体装置の実装位置に接着材を配置する工程と、
前記半導体装置のバンプと前記接着材とを対向させた状態で前記半導体装置と基板とを位置合わせして加熱・圧接し、前記半導体装置を前記基板に接着する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項２】
前記バンプを金（Ａｕ）により構成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項３】
前記接着材が導電性粒子を含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項４】
前記バンプ上の導電性粒子を押圧して前記バンプ内に押し込む工程を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項５】
複数の第１の電極を備える半導体装置を第２の電極を備えた電気光学装置用基板に前記第１の電極と第２の電極とを導通させて実装する電気光学装置の製造方法であって、
前記第１の電極上にバンプを形成する工程と、
前記バンプ上に導電性粒子を散布して前記導電性粒子を前記バンプの表面に埋め込む工程と、
前記バンプ間に散布された導電性粒子を除去する工程と、
前記電気光学装置用基板における前記半導体装置の実装位置に接着材を配置する工程と、
前記半導体装置のバンプと前記接着材とを対向させた状態で前記半導体装置と電気光学装置用基板とを位置合わせして加熱・圧接し、前記半導体装置を前記電気光学装置用基板に接着する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記バンプを金（Ａｕ）により構成することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記接着材が導電性粒子を含有することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記バンプ上の導電性粒子を押圧して前記バンプ内に押し込む工程を有することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
複数の第１の電極を備える半導体装置と第２の電極を備えた電気光学装置用基板とを備え、
前記第１の電極上に設けられたバンプと前記第２の電極とが接着材により接着されるとともに、前記バンプ上にのみ埋め込まれた導電性粒子を介して前記第１の電極と前記第２の電極とが導通した状態で前記半導体装置が電気光学装置用基板に実装されてなること
を特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
前記バンプが金（Ａｕ）より構成されることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記接着材が導電性粒子を含有することを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
請求項９〜請求項１１のいずれか一項に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置を基板側の電極と導通接続するための実装方法に関する。また、これを用いた電気光学装置の製造方法及び電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置を基板に実装する方法として、図１０に示すようにＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）１０７を間に挟んで半導体装置１０２の半導体装置側端子（電極端子）１０３を基板１０１の基板側端子（電極端子）１０６へ軽く押しつけて仮装着し、さらに熱圧着処理、すなわち加熱下で加圧するという方法が知られている。半導体装置側端子１０３は、Ａｌ（アルミニウム）等によって形成されたパッド１０４の上にＡｕ（金）等によって形成されたバンプ１０５を付着することによって形成されるのが一般的である。
【０００３】
ＡＣＦ１０７は、一対の端子間を異方性を持たせて電気的に一括接続するとともに、２つの部材間を機械的に接続するために用いられる導電性のある高分子フィルムであって、例えば紫外線硬化性、熱可塑性または熱硬化性の樹脂フィルム１０８の中に多数の導電粒子１０９を分散させることによって形成される。このＡＣＦ１０７を挟んで基板１０１と半導体装置１０２とを加熱しながらまたは紫外線照射しながら圧着することにより、図１１に示すように半導体装置側端子１０３と基板側端子１０６との間において電気的接続を実現する。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１５６１０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、近年の産業界の要求は電子製品を小型化する方向にあり、これを実現するためは半導体装置の導電接続の対象である端子の間隔、すなわちピッチを狭くする必要がある。しかしながら、従来の実装方法において、単に端子の間隔すなわちピッチを狭くした場合には、隣り合う端子間に存在する導電粒子によって当該一対の端子がショートして接続信頼性が低下するという問題がある。
【０００６】
そこで、隣り合う端子間をショートさせない方法として導電粒子の表面に接着剤層が形成され、この接着剤層により導電粒子を電極端子表面に接着させて電極端子の表面にのみ導電粒子を載置する方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。しかしながら、この方法では導電粒子はその表面の接着材層のみで電極端子表面に接着されるため、接着力が弱く、実装工程中に電極端子表面から剥がれ落ち、十分な導通面積が得られない可能性があるという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、端子間ピッチの狭い半導体装置においても、端子間のショートを防止しながら確実に半導体装置と基板との電気的接続を実現する半導体装置の実装方法を提供することを目的とする。また、これを用いた電気光学装置の製造方法及び電気光学装置、電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、複数の第１の電極を備える半導体装置を第２の電極を備えた基板に第１の電極と第２の電極とを導通させて実装する半導体装置の実装方法であって、第１の電極上にバンプを形成する工程と、バンプ上に導電性粒子を散布して導電性粒子を前記バンプの表面に埋め込む工程と、バンプ間に散布された導電性粒子を除去する工程と、基板における半導体装置の実装位置に接着材を配置する工程と、半導体装置のバンプと接着材とを対向させた状態で半導体装置と基板とを位置合わせして加熱・圧接し、半導体装置を前記基板に接着する工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
以上のような本発明にかかる半導体装置の実装方法によれば、バンプ上に導電性粒子を散布して埋め込んだ後、バンプ間に散布された導電性粒子を除去する。これにより半導体装置の第１の電極のバンプ表面にのみ導電性粒子が確実に配置され、該第１の電極同士の間には導電性粒子が配置されない。また、導電性粒子はバンプに埋め込まれるため、半導体装置の実装工程中にバンプから剥がれ落ちることがなく、十分な導通面積を確保することができる。
【００１０】
そしてこの状態で半導体装置を前記基板に接着する。これにより、半導体装置の第１および第２の電極間のピッチが狭くなった場合においても、隣り合う一対の電極が導電性粒子によってショートすること、すなわち横導通が生じることを防止することができる。したがって本発明によれば、端子間のショートが防止された信頼性の高い半導体装置の実装方法を提供することができる。なお、本発明においては、上記の第２の電極には、基板に配され第１の電極が接続される配線を含むものである。
【００１１】
また、本発明の好ましい態様によれば、バンプを金（Ａｕ）により構成することが好ましい。軟らかい材料である金によりバンプを構成することにより、確実に導電性粒子をバンプ表面に埋め込むことができ、バンプ表面に確実に導電性粒子を配置することができる。
【００１２】
また、本発明の好ましい態様によれば、接着材が導電性粒子を含有することができる。バンプ上に導電性粒子を散布して埋め込んだ状態で導電性粒子を含有させた接着材により半導体装置を基板に接着することで、第１の電極と第２の電極とを電気的に接続する導電性粒子の量を多く確保することができる。したがって、より確実に第１の電極と第２の電極とを電気的に接続して半導体装置を基板に実装することができる。ただし、この場合には、接着材に含有させた導電性粒子により電極間のショートが生じない範囲で接着材に導電性粒子を含有させることが重要である。
【００１３】
また、本発明の好ましい態様によれば、バンプ上の導電性粒子を押圧して前記バンプ内に押し込む工程を有することが好ましい。金（Ａｕ）などの軟らかいバンプ上に導電性粒子を散布することにより導電性粒子はバンプ表面に埋め込まれるが、上記の工程を実施することにより、バンプ表面における埋没状態が浅い導電性粒子や単にバンプ表面に載置された導電性粒子がある場合には、これらの導電性粒子を確実にバンプ表面に埋め込むことができる。したがって、より確実にバンプ表面に導電性粒子を配置することができ、十分な導通面積を確保して、より確実に第１の電極と第２の電極とを電気的に接続して半導体装置を基板に実装することができる。
【００１４】
また、上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、複数の第１の電極を備える半導体装置を第２の電極を備えた電気光学装置用基板に第１の電極と第２の電極とを導通させて実装する電気光学装置の製造方法であって、第１の電極上にバンプを形成する工程と、バンプ上に導電性粒子を散布して導電性粒子をバンプの表面に埋め込む工程と、バンプ間に散布された導電性粒子を除去する工程と、電気光学装置用基板における半導体装置の実装位置に接着材を配置する工程と、半導体装置のバンプと接着材とを対向させた状態で半導体装置と電気光学装置用基板とを位置合わせして加熱・圧接し、半導体装置を電気光学装置用基板に接着する工程と、を有することを特徴とする。
【００１５】
以上のような本発明にかかる電気光学装置の製造方法によれば、バンプ上に導電性粒子を散布して埋め込んだ後、バンプ間に散布された導電性粒子を除去する。これにより半導体装置の第１の電極のバンプ表面にのみ導電性粒子が確実に配置され、該第１の電極同士の間には導電性粒子が配置されない。また、導電性粒子はバンプに埋め込まれるため、半導体装置の実装工程中にバンプから剥がれ落ちることがなく、十分な導通面積を確保することができる。
【００１６】
そしてこの状態で半導体装置を前記電気光学装置用基板に接着する。これにより、半導体装置の第１および第２の電極間のピッチが狭くなった場合においても、隣り合う一対の電極が導電性粒子によってショートすること、すなわち横導通が生じることを防止することができる。したがって本発明によれば、端子間のショートが防止された信頼性の高い電気光学装置の製造方法を提供することができる。なお、本発明においては、上記の第２の電極には、電気光学装置用基板に配され第１の電極が接続される配線を含むものである。
【００１７】
また、この電気光学装置の製造方法における好ましい態様によれば、バンプを金（Ａｕ）により構成することが好ましい。軟らかい材料である金によりバンプを構成することにより、確実に導電性粒子をバンプ表面に埋め込むことができ、バンプ表面に確実に導電性粒子を配置することができる。
【００１８】
また、この電気光学装置の製造方法における好ましい態様によれば、接着材が導電性粒子を含有することができる。バンプ上に導電性粒子を散布して埋め込んだ状態で導電性粒子を含有させた接着材により半導体装置を電気光学装置用基板に接着することで、第１の電極と第２の電極とを電気的に接続する導電性粒子の量を多く確保することができる。したがって、より確実に第１の電極と第２の電極とを電気的に接続して半導体装置を電気光学装置用基板に実装することができる。ただし、この場合には、接着材に含有させた導電性粒子により電極間のショートが生じない範囲で接着材に導電性粒子を含有させることが重要である。
【００１９】
また、この電気光学装置の製造方法における好ましい態様によれば、バンプ上の導電性粒子を押圧して前記バンプ内に押し込む工程を有することが好ましい。金（Ａｕ）などの軟らかいバンプ上に導電性粒子を散布することにより導電性粒子はバンプ表面に埋め込まれるが、上記の工程を実施することにより、バンプ表面における埋没状態が浅い導電性粒子や単にバンプ表面に載置された導電性粒子がある場合には、これらの導電性粒子を確実にバンプ表面に埋め込むことができる。したがって、より確実にバンプ表面に導電性粒子を配置することができ、十分な導通面積を確保して、より確実に第１の電極と第２の電極とを電気的に接続して半導体装置を電気光学装置用基板に実装することができる。
【００２０】
また、上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、複数の第１の電極を備える半導体装置と第２の電極を備えた電気光学装置用基板とを備え、第１の電極上に設けられたバンプと第２の電極とが接着材により接着されるとともに、バンプ上にのみ埋め込まれた導電性粒子を介して第１の電極と第２の電極とが導通した状態で半導体装置が電気光学装置用基板に実装されてなることを特徴とする。
【００２１】
以上のように構成された本発明にかかる電気光学装置においては、第１の電極上に設けられたバンプ表面にのみ導電性粒子が配置され、該導電性粒子によって第１の電極と第２の電極とが導通している。これにより、半導体装置の第１および第２の電極間のピッチが狭い場合においても、隣り合う一対の電極が導電性粒子によってショートすること、すなわち横導通が生じることを防止されている。したがって本発明によれば、端子間のショートが防止された信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
【００２２】
また、本発明の好ましい態様によれば、バンプを金（Ａｕ）により構成することが好ましい。軟らかい材料である金によりバンプを構成することにより確実に導電性粒子がバンプ表面に埋め込まれる。これによりバンプ表面に確実に導電性粒子が配置され、第１の電極と第２の電極とがより確実に電気的に接続された信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
【００２３】
また、本発明の好ましい態様によれば、接着材が導電性粒子を含有することができる。導電性粒子を含有させた接着材により半導体装置を電気光学装置用基板に接着することで、第１の電極と第２の電極とを電気的に接続する導電性粒子の量を多く確保することができる。したがって、第１の電極と第２の電極とがより確実に電気的に接続された信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。ただし、この場合には、接着材に含有させた導電性粒子により電極間のショートが生じない範囲で接着材に導電性粒子を含有させることが重要である。
【００２４】
また、本発明によれば、上述の電気光学装置を有する電子機器を提供する。これにより、簡略な構成を有し、より高品質な電子機器を安価に実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に、本発明に係る半導体装置の実装方法、電気光学装置及びその製造方法、電子機器の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【実施例１】
【００２６】
図１は本発明にかかる電気光学装置の一例である液晶表示装置１を分解した様子を模式的に示す斜視図である。図２は図１の液晶表示装置１を駆動するためのドライバＩＣ（半導体装置）が液晶パネルに実装された状態を示す液晶表示装置１の縦断面図である。本実施例においては、液晶表示装置１は液晶パネル１０及びバックライトユニット１５を含んで構成されている。
【００２７】
図１および図２に示すように、単純マトリクス型の液晶パネル１０では、一対のガラス、石英あるいはプラスチックなどで形成された略矩形状の第１の透明基板５と第２の透明基板２とが、シール材６を挟んで所定の間隙を隔てて接着固定されている。第１の透明基板５は第１の面５ａ及び第２の面５ｂを有し、第２の透明基板２は第１の面２ａ及び第２の面２ｂを有しており、第１の透明基板５と第２の透明基板２とは、それぞれの第２の面５ｂ及び２ｂが対向するように配置されている。シール材６には、液晶を注入する際の液晶注入口６ａとしての途切れ部分が形成され、この液晶注入口６ａは液晶注入後に紫外線硬化樹脂からなる図示しない封止材で封止されている。第１の透明基板５と第２の透明基板２との間のうち、シール材６により区画形成された液晶封入領域内（シール材６により囲われた内側の領域）には液晶２５が封入されている。
【００２８】
また、第１の透明基板５の第１の面５ａには、該第１の面５ａに当接して矩形状の第１偏光板１６が配置される。一方、第２の透明基板２の第１の面２ａには、該第１の面２ａに当接して矩形状の第２偏光板７が配置されている。さらに、第１の透明基板５と偏光板１６の間、および第２の透明基板２と偏光板７との間には、液晶層において生じた着色を解消するための光学部材としての位相差板を必要に応じて介在させる。
【００２９】
第１偏光板１６における第１の透明基板５と隣り合う面と反対側の面には、第１偏光板１６と隣り合うようにバックライトユニット１５が配置されている。液晶パネル１０とバックライトユニット１５とは、バックライトユニット１５と第１偏光板１６とが両面接着性の遮光膜としての遮光テープ２０により接着固定されることにより固定されている。このバックライトユニット１５は、液晶表示装置が完成した際に実際に表示に関与する領域である有効表示領域３０に対応した導光板８、及びこの導光板８の端部に配置された光源としてのＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）９を含んで構成される。
【００３０】
第１の透明基板５及び第２の透明基板２には、互いに直交する方向に駆動用の導電パターン３、４が透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜などによってストライプ状に形成されている。これらの導電パターンには、各画素の液晶を駆動するための駆動信号が印加される。また、第１の透明基板５及び第２の透明基板２の第２の面５ｂ、２ｂには、導電パターン３及び導電パターン４を覆うように、図示しない配向膜が形成されており、表示モードとしてはＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型などの各種の液晶モードを用いることができる。
【００３１】
画像表示を行う際の画素は、導電パターン３、４の交差部分に対応する液晶によって構成される。図１および図２に示した本実施例にかかる液晶表示装置１は単純マトリクス型液晶表示装置であるので、導電パターン３、４の一方が走査信号が印加される走査電極、他方がオン電圧やオフ電圧の画像信号が印加される信号電極として機能する。
【００３２】
液晶表示装置１において第１の透明基板５は第２の透明基板２よりも大きく形成され、図２に示すように第１の透明基板５はその一辺において第２の透明基板２の一辺から張り出した形態とされている。そして、第１の透明基板５はこの張り出した部分の第２の面５ｂに半導体装置（以下、ＩＣ）実装領域４０を有している。このＩＣ実装領域４０は、第１の透明基板５の張り出し部分４５に形成されている。ＩＣ実装領域４０は、導電パターン３、４に駆動信号を出力する半導体装置としてのドライバＩＣ１２を実装するための領域である。
【００３３】
ドライバＩＣ１２は接着材である両面接着シート３２で第１の透明基板５に接着されることにより固定されている。そしてドライバＩＣ１２は、第１電極端子（出力電極）１３ａと第２電極端子（入力電極）１３ｂを有しており、ドライバＩＣ１２の第１電極端子１３ａは、基板側の電極を兼ねた導電パターン３の第１配線部分３ａと導電性粒子３１を介して電気的に接続されている。また、ドライバＩＣ１２の第２電極端子１３ｂは、第１の透明基板５上に基板側の電極を兼ねた導電パターン３の第２配線部分３ｂと導電性粒子３１を介して電気的に接続されている。更に、第２配線部分３ｂには導電性粒子３１を介して図示しないフレキシブル配線基板が電気的に接続されており、フレキシブル配線基板からドライバＩＣ１２に対して各種の信号や電源が供給される。なお、第１電極端子（出力電極）１３ａおよび第２電極端子（入力電極）１３ｂは、それぞれドライバＩＣ１２の長手方向に複数個、所定の間隔をおいて配置されている。
【００３４】
第１電極端子（出力電極）１３ａと第２電極端子（入力電極）１３ｂとは、ドライバＩＣ１２に設けられた電極パッド（図示せず）上に金（Ａｕ）によってバンプ５０を形成することにより構成されている。そして、バンプ５０の表面に埋め込まれた導電性粒子３１を介してそれぞれ導電パターン３の第１配線部分３ａおよび導電パターン３の第２配線部分３ｂと導通している。ここで、導電性粒子３１はバンプ５０の表面にのみ配置されており、隣り合うバンプ間には導電性粒子が配置されていない構成とされている。これにより、ドライバＩＣ１２の第１電極端子１３ａ同士の電極端子間ピッチが狭い場合においても、隣り合う一対の第１電極端子１３ａが導電性粒子３１によってショートすること、すなわち横導通が生じることが防止されている。また同様に、ドライバＩＣ１２の第２電極端子１３ｂ同士の電極端子間ピッチが狭い場合においても、隣り合う一対の第２電極端子１３ｂが導電性粒子３１によってショートすること、すなわち横導通が生じることが防止されている。したがって、このドライバＩＣ１２は、電極端子間のピッチが狭い場合においても、隣り合う一対の電極端子が導電性粒子３１によってショートすることが防止されてＩＣ実装領域４０に実装されている。
【００３５】
次に、上述したドライバＩＣ１２の実装方法について説明する。上記のように隣り合う一対の電極端子が導電性粒子３１によってショートすることを防止しながらドライバＩＣ１２をＩＣ実装領域４０に実装するには、まずドライバＩＣ１２において電極パッド上にバンプ５０を形成して複数の第１電極端子１３ａを構成し、また電極パッド上にバンプ５０を形成して複数の第２電極端子１３ｂを構成する。
【００３６】
ここで、バンプ５０は例えば金（Ａｕ）などの軟らかい材料により構成することが好ましい。このように軟らかい材料である金によりバンプを構成することにより、後述するように導電性粒子３１を散布した際に該導電性粒子をバンプ表面に確実に埋め込むことができ、バンプ表面に確実に導電性粒子を配置することができる。
【００３７】
次に図３に示すように第１電極端子１３ａおよび第２電極端子１３ｂのバンプ５０上に導電性粒子３１を散布して該導電性粒子３１をバンプ５０の表面に埋め込む。バンプ５０は金（Ａｕ）等の軟らかい材料により構成されているため、バンプ５０を散布することにより導電性粒子３１はバンプ５０の表面に適当な深さで埋め込まれる。
【００３８】
導電性粒子３１は、例えば、図４の断面構成図に示すように、弾性を備えた絶縁性の樹脂ボール３１ａの表面にＮｉ（ニッケル）層３１ｂを被膜形成し、そのＮｉ層３１ｂの上にさらに樹脂層３１ｃを被膜形成することによって作製することができる。Ｎｉ層３１ｂは例えばメッキによって形成できる。導電性粒子３１は、芯材として樹脂ボール３１ａを用いて構成されているため全体としても弾性を有している。そして、所定の圧力が加えられると樹脂層３１ｃが壊れてＮｉ（ニッケル）層３１ｂが露出して導通材料として機能する。このような導電性粒子３１の粒径は特に限定されるものではなくバンプの表面積等の諸条件により適宜変更可能であるが、例えば直径４μｍ程度のものを用いることができる。
【００３９】
そして、図５に示すように導電性粒子３１を散布した後に隣り合うバンプ間のバンプ間領域５２に散布された不要な導電性粒子３１を除去する。本発明においては、バンプ５０の表面にのみ導電性粒子３１を配置するため、バンプ間領域５２に散布された不要な導電性粒子３１は除去する。このバンプ間領域５２の導電性粒子３１を除去する方法は特に限定されず、バンプ５０の表面に導電性粒子３１を残した状態でバンプ間領域５２の導電性粒子３１のみを除去できれば良く、例えばブローにより除去することができる。
【００４０】
次いで、図６および図７に示すように第１の透明基板５の第２の面５ｂに設けられたＩＣ実装領域４０に両面接着シート３２を配置する。この両面接着シート３２としては、例えば紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂フィルムなどを用いることができる。なお、図６はこの工程の液晶表示装置１を表側、すなわち第２の透明基板２側から見た平面図であり、図７は同断面図である。
【００４１】
次に図８に示すようにドライバＩＣ１２とＩＣ実装領域４０との位置合わせを行う。ドライバＩＣ１２とＩＣ実装領域４０との位置合わせは、ドライバＩＣ１２の第１電極端子１３ａとＩＣ実装領域４０に設けられた導電パターン３の第１配線部分３ａとが対応し、また、ドライバＩＣ１２の第２電極端子１３ｂとＩＣ実装領域４０に設けられた導電パターン３の第２配線部分３ｂとが対応するように行う。そして、位置合わせの後にドライバＩＣ１２をＩＣ実装領域４０上に載置する。
【００４２】
そして、ＩＣ実装領域４０とドライバＩＣ１２とを加熱しながらまたは紫外線照射しながらＩＣ実装領域４０とドライバＩＣ１２とを圧接してドライバＩＣ１２を第１の透明基板５のＩＣ実装領域４０に接着する。このとき、導電性粒子３１の樹脂層３１ｃはバンプ５０に埋まった状態でＩＣ実装領域４０にドライバＩＣ１２が圧接した際に導電性粒子３１が弾性変形し、樹脂層３１ｃが壊れてＮｉ（ニッケル）層３１ｂが露出し、該Ｎｉ（ニッケル）層３１ｂによって導通が実現される。すなわち、第１電極端子１３ａと導電パターン３の第１配線部分３ａとが導通接続され、また、第２電極端子１３ｂと導電パターン３の第２配線部分３ｂとが導通接続される。
【００４３】
ここで、導電性粒子３１はバンプ５０の表面にのみ配置されているため、導電性粒子３１により隣り合う一対の端子がショートすること、すなわち横導通が生じることがない。これにより、第１電極端子１３ａ間のピッチが狭くなった場合においても隣り合う一対の第１電極端子１３ａが導電性粒子３１によりショートすることを防止してドライバＩＣ１２を実装することができる。同様に第２電極端子１３ｂ間のピッチが狭くなった場合においても隣り合う一対の第２電極端子１３ｂが導電性粒子３１によりショートすることを防止してドライバＩＣ１２を実装することができる。したがって上述したドライバＩＣ１２の実装方法によれば、電極端子間のショートが防止された信頼性の高い半導体装置の実装が可能である。
【００４４】
また、上記の方法においては導電性粒子３１はバンプ５０に埋め込まれるため、ドライバＩＣ１２の実装工程中に導電性粒子３１がバンプ５０から剥がれ落ちることがなく、十分な導通面積を確保することができる。そして、上記の方法においては、バンプ５０上に導電性粒子３１を散布した後にバンプ間の不要な導電性粒子３１を除去する工程を含んでいるため、導電性粒子３１の散布量を必要なだけ多くしてバンプ５０の表面に必要十分な量の導電性粒子３１を配置することが可能である。これにより、バンプ５０の表面において十分な導通面積を確保することができ、確実にドライバＩＣ１２と第１の透明基板５とを導通させることができる。
【００４５】
また、本発明においては、上記の両面接着シート３２に導電性粒子を含有させることもできる。バンプ５０上に導電性粒子３１を散布して埋め込んだ状態で導電性粒子３１を含有させた両面接着シート３２によりドライバＩＣ１２を第１の透明基板５に接着することで、第１電極端子１３ａと第１配線部分３ａ、および第２電極端子１３ｂと第２配線部分３ｂとを電気的に接続する導電性粒子３１の量を多く確保することができる。これにより、より確実にドライバＩＣ１２と第１の透明基板５とを電気的に接続してドライバＩＣ１２を第１の透明基板５に実装することができる。ただし、この場合には、両面接着シート３２に含有させた導電性粒子により電極間のショートが生じない範囲で両面接着シート３２に導電性粒子を含有させることが重要である。
【実施例２】
【００４６】
実施例２では、上述したドライバＩＣ１２の実装方法の変形例について説明する。まず実施例１と同様に例えば金（Ａｕ）などの軟らかい材料によりドライバＩＣ１２の電極パッド上にバンプ５０を形成して複数の第１電極端子１３ａを構成し、また電極パッド上にバンプ５０を形成して複数の第２電極端子１３ｂを構成する。
【００４７】
次に図３に示すように第１電極端子１３ａおよび第２電極端子１３ｂのバンプ５０上に導電性粒子３１を散布して該導電性粒子３１をバンプ５０の表面に埋め込む。
【００４８】
そして、導電性粒子３１を散布した後にバンプ５０上の導電性粒子３１を押圧してバンプ５０内に押し込む工程を実施する。金（Ａｕ）などの軟らかいバンプ５０上に導電性粒子３１を散布することにより導電性粒子３１はバンプ５０表面に埋め込まれるが、上記の工程を実施することにより、バンプ５０の表面における埋没状態が浅い導電性粒子３１や単にバンプ表面に載置された状態となっている導電性粒子３１を確実にバンプ５０表面に埋め込むことができる。したがって、この工程を実施することにより確実にバンプ５０表面に導電性粒子３１を配置することができる。
【００４９】
そして、図５に示すように導電性粒子３１を散布した後に隣り合うバンプ間のバンプ間領域５２間に散布された不要な導電性粒子３１を除去する。本発明においては、バンプ５０の表面にのみ導電性粒子３１を配置するため、バンプ間領域５２に散布された不要な導電性粒子３１は除去する。このバンプ間領域５２の導電性粒子３１を除去する方法は特に限定されず、バンプ５０の表面に導電性粒子３１を残した状態でバンプ間領域５２の導電性粒子３１のみを除去できれば良く、例えばブローにより除去することができる。
【００５０】
次いで、図６および図７に示すように第１の透明基板５の第２の面５ｂに設けられたＩＣ実装領域４０に両面接着シート３２を配置する。この両面接着シート３２としては、例えば紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂フィルムなどを用いることができる。そして、図８に示すようにドライバＩＣ１２とＩＣ実装領域４０との位置合わせを行う。ドライバＩＣ１２とＩＣ実装領域４０との位置合わせは、ドライバＩＣ１２の第１電極端子１３ａとＩＣ実装領域４０に設けられた導電パターン３の第１配線部分３ａとが対応し、また、ドライバＩＣ１２の第２電極端子１３ｂとＩＣ実装領域４０に設けられた導電パターン３の第２配線部分３ｂとが対応するように行う。そして、位置合わせの後にドライバＩＣ１２をＩＣ実装領域４０上に載置する。
【００５１】
そして、ＩＣ実装領域４０とドライバＩＣ１２とを加熱しながらまたは紫外線照射しながらＩＣ実装領域４０とドライバＩＣ１２とを圧接してドライバＩＣ１２を第１の透明基板５のＩＣ実装領域４０に接着する。このとき、導電性粒子３１の樹脂層３１ｃはバンプ５０に埋まった状態でＩＣ実装領域４０にドライバＩＣ１２が圧接した際に導電性粒子３１が弾性変形し、樹脂層３１ｃが壊れてＮｉ（ニッケル）層３１ｂが露出し、該Ｎｉ（ニッケル）層３１ｂによって導通が実現される。すなわち、第１電極端子１３ａと導電パターン３の第１配線部分３ａとが導通接続され、また、第２電極端子１３ｂと導電パターン３の第２配線部分３ｂとが導通接続される。
【００５２】
ここで、導電性粒子３１はバンプ５０の表面にのみ配置されているため、導電性粒子３１により隣り合う一対の端子がショートすること、すなわち横導通が生じることがない。これにより、第１電極端子１３ａ間のピッチが狭くなった場合においても隣り合う一対の第１電極端子１３ａが導電性粒子３１によりショートすることを防止してドライバＩＣ１２を実装することができる。同様に第２電極端子１３ｂ間のピッチが狭くなった場合においても隣り合う一対の第２電極端子１３ｂが導電性粒子３１によりショートすることを防止してドライバＩＣ１２を実装することができる。したがって上述したドライバＩＣ１２の実装方法によれば、電極端子間のショートが防止された信頼性の高い半導体装置の実装が可能である。
【００５３】
また、上記の方法では導電性粒子３１を散布した後にバンプ５０上の導電性粒子３１を押圧してバンプ５０内に押し込む工程を実施するため、バンプ５０の表面における埋没状態が浅い導電性粒子３１や単にバンプ表面に載置された状態となっている導電性粒子３１を確実にバンプ５０表面に埋め込むことができ、より確実にバンプ５０表面に導電性粒子３１を配置して十分な導通面積を確保することができる。したがって、より確実に第１電極端子１３ａと導電パターン３の第１配線部分３ａ、および第２電極端子１３ｂと導電パターン３の第２配線部分３ｂとを導通接続されてドライバＩＣ１２を実装することができる。
【００５４】
なお、上記の説明においては、半導体装置としての液晶駆動用ＩＣを液晶装置の基板に実装する場合を例に説明したが、本発明はこの組み合わせに限定されるものではなく、電極パッド上にバンプが形成された第１の電極端子を複数備える半導体装置を第２の電極端子を備えた基板に、第１の電極端子と第２の電極端子とを導通させて実装する場合であれば広く適用することができる。
【実施例３】
【００５５】
図９−１、図９−２及び図９−３は、それぞれ、本発明にかかる電気光学装置を搭載する電子機器の例である。図９−１は、携帯電話の例を示す斜視図である。６０は携帯電話本体を示し、そのうち６１は本発明にかかる電気光学装置を適用した液晶表示部である。図９−２は腕時計型電子機器の例を示す斜視図である。７０は時計本体を示し、７１が本発明にかかる電気光学装置を適用した液晶表示部である。また、図９−３はワープロ、パソコン等の携帯型情報処理装置の例を示す斜視図である。図中８０は情報処理装置を示し、８２はキーボード等の入力部、８４は情報処理装置本体、８６は本発明にかかる電気光学装置を適用した液晶表示部である。
【００５６】
これらの電子機器に本発明にかかる電気光学装置を使用すれば、簡略な構成を有し、高品質な電子機器を安価に実現することができる。なお、電子機器は、電気光学装置を搭載可能であれば、これらに限らない。
【００５７】
また、上記各実施例に示す電気光学装置はいずれも液晶パネルを有する液晶表示装置であるが、この液晶パネルの代わりに、無機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置などの各種電気光学装置用基板を有するものも用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
以上のように、本発明に係る半導体装置の実装方法は、半導体装置を用いた電子機器の製造に有用であり、特に小型化が要求される携帯電話等の携帯電子機器の製造に適している。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】液晶表示装置の分解斜視図である。
【図２】液晶表示装置の要部断面図である。
【図３】ドライバＩＣの実装工程を示す断面図である。
【図４】導電性粒子の断面図である。
【図５】ドライバＩＣの実装工程を示す断面図である。
【図６】ドライバＩＣの実装工程を示す平面図である。
【図７】ドライバＩＣの実装工程を示す断面図である。
【図８】ドライバＩＣの実装工程を示す断面図である。
【図９−１】携帯電話の例を示す斜視図である。
【図９−２】腕時計型電子機器の例を示す斜視図である。
【図９−３】携帯型情報処理装置の例を示す斜視図である。
【図１０】従来の半導体装置の実装工程を示す断面図である。
【図１１】従来の半導体装置の実装工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  液晶表示装置、２  第２の透明基板、２ａ  第１の面、２ｂ  第２の面、３  導電パターン、４  導電パターン、５  第１の透明基板、５ａ  第１の面、５ｂ  第２の面、６  シール材、６ａ  液晶注入口、７  第２偏光板、８  導光板、９  ＬＥＤ、１０  液晶パネル、１２  ドライバＩＣ、１５  バックライトユニット、１６  第１偏光板、２０  遮光テープ、２５  液晶、３１  導電性粒子、３２  両面接着シート、４０  ＩＣ実装領域、５０  バンプ、５２  バンプ間領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９−１】
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【図９−２】
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【図９−３】
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【図１０】
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【図１１】
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