(57)【要約】【課題】種結晶の上側及び下側の双方において、高品質な単結晶の作製を阻害する要因を解決する。そのために、種結晶が析出成長する初期の結晶成長方向を集中させ、また、種結晶を単結晶引き上げ装置に固定する際に焼結体を使用するために発生する隙間やクラックを、単結晶を引き上げている途中で補修する。【解決手段】本発明の単結晶引き上げ装置に用いる種結晶は、融液接触面の中央部に、その中央部が最も深いくぼみを有する。また、本発明の単結晶引き上げ装置用種結晶支持用治具は、下端側で前記種結晶を支持する中空パイプ状の支持部材と、支持部材の上端側に取り付けられ、種結晶と同一組成の原料粉末を収容する収容手段とを備え、回転引き上げ手段の回転動作に伴って種結晶と支持部材の接続部に収容手段内の原料粉末を供給する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶引き上げ装置の回転引き上げ手段の回転軸と同軸回転可能に配設されて、るつぼ内で溶融される原料融液に浸漬され、前記回転引き上げ手段によって回転させられながら引き上げられることにより融液接触面から単結晶を成長させる種結晶であって、
前記融液接触面の中央部に、その中央部が最も深いくぼみを有することを特徴とする単結晶引き上げ装置に用いる種結晶。
【請求項２】
前記くぼみは、開口部が円形であることを特徴とする請求項１に記載の単結晶引き上げ装置に用いる種結晶。
【請求項３】
前記くぼみは、中央部が最も深く、少なくとも一対の相対向する対称な傾斜面を有する形状であることを特徴とする請求項１または２に記載の単結晶引き上げ装置に用いる種結晶。
【請求項４】
単結晶引き上げ装置のるつぼ内で溶融される原料融液に浸漬され、回転引き上げ手段によって回転させられながら引き上げられることにより融液接触面から単結晶を成長させる種結晶を支持するための治具であって、
下端側で前記種結晶を支持する中空パイプ状の支持部材と、
前記支持部材の上端側に取り付けられ、前記種結晶と同一組成の原料粉末を収容する収容手段とを備え、
前記回転引き上げ手段の回転動作に伴って前記種結晶と前記支持部材の接続部に前記収容手段内の原料粉末を供給することを特徴とする単結晶引き上げ装置用種結晶支持用治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、粉末原料を利用したチョクラルスキー法による酸化物単結晶製造時に用いる単結晶引き上げ装置に用いる種結晶及び単結晶引き上げ装置用種結晶支持用治具に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図５は、チョクラルスキー法に用いられる一般的な単結晶引き上げ装置の構成を示す図である。
単結晶を回転させるためのモータ１は、引き上げ回転軸水平位置調整ステージ２に設置されている。このモータ１の引き上げ回転軸３には、フォースバー４が接続されており、フォースバー４の先端には、貴金属のワイヤもしくはネジ等によって、直方体もしくは円筒形状の種結晶５が固定されている。引き上げ回転軸３、フォースバー４及び種結晶５は全て同軸状に設けられている。
るつぼ８内には、単結晶を作製するための原料が充填されており、この原料は、高周波誘導コイル７で過熱されることによりるつぼ８内で溶融されている。
なお、高周波誘導コイル７の代わりに一般的なヒータを用いても良い。
【０００３】
原料を融液状態で保持できる温度条件において、引き上げ回転軸３をモータ１で一定速度に回転させながら下方に移動し、引き上げ回転軸と接続され回転しているフォースバー４と種結晶５をるつぼ８内の融液界面に接触させる。具体的には、種結晶５の融液接触面５ａをるつぼ８内の原料融液に接触させる。
この時、ネジやマイクロメータで手動もしくはコンピュータ制御で種結晶支持用治具や引き上げ回転軸の水平方向の位置を調節することにより、フォースバー４の先端に取りつけた種結晶５の回転中心と単結晶原料を溶融しているるつぼ８の中心とを一致させる。
【０００４】
このような中心同士の調整は、高周波誘導コイル７で加熱して、単結晶原料を溶融する前に行うが、加熱中に微調整が必要になるので、原料を溶融した後も調節することがある。
【０００５】
また、図５では省略してあるが、フォースバー４と種結晶５の接続部分には、実際には図６ないし図８に示すような単結晶引き上げ装置用の種結晶支持用治具１００を用いる。この種結晶支持用治具１００は細長い種結晶製の治具であり、金属製のネジを用いて種結晶５を種結晶支持用治具に挟み込んで支持するか、もしくは白金等の高融点の金属の線材を使用し、巻き付けて固定していた。さらに、高融点の単結晶を作製する場合は、セラミックスの焼結体やセメント、クッション材を用いて種結晶製の種結晶支持用治具を単結晶引き上げ装置に固定していた。
【０００６】
また、酸化物単結晶の作製条件は、高温であるので、製品の純度への影響以外に、不純物として融液内に混入したり、融液内に溶け込んだ金属等により融点が低下すると、引き上げている単結晶は途中で作製継続不可能になる。不純物を含む融液と種結晶が反応する場合は、反応生成物が低融点であるために種結晶が溶融する。さらに、金属分が付着すると高周波の電場により局部的な加熱が生じたり、反応生成物がガス状もしくは、ガス状の物質を発生することで、それが付着した種結晶の一部が低融点の物質に変化して溶融するので、種結晶を支持できなくなる。
【０００７】
そこで、図６のように、単結晶原料粉末１０１と同じく純度の高い原料粉末の棒状成形体１０２を作製し、形状を加工した後に、高温下で処理した焼結体を使用することで融点の低下を防止する。棒状成形体は、一般的なセラミックス焼結体の製法で、円柱もしくは直方体の型に原料粉末を詰めプレスするか、ゴム型に原料粉末を詰めた後、冷間静水圧プレスして緻密な圧粉体を作製し、それを切削加工して、単結晶引き上げ装置のフォースバー４もしくは金属製の回転軸取り付け治具に固定するための支持部１０７、単結晶ホルダ１０３、種結晶５を取り付ける縦穴１０６、種結晶支持穴１０３ａ、１０３ｂを作成する。その後、加熱炉で原料粉末の焼結温度で加熱して焼結体を作製した後、室温に冷却して、図７に示すように種結晶５を縦穴１０６に挿入し、種結晶支持穴にピン１０８ａ、１０８ｂを差し込んで支持する。この時、種結晶は図８の形状になるように切削加工して、くぼみをつけてピンで支持固定できるようにしていた（特許文献１、２、３、４及び５参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開平３−１７４３９１号公報
【特許文献２】特開平１１−７９８８２号公報
【特許文献３】特開平９−２４９４８８号公報
【特許文献４】特開平９−２４９４９０号公報
【特許文献５】特開平９−３１５８８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来の単結晶引き上げ装置では、ネジやマイクロメータで種結晶の位置を目視して調節していたため、微調整が困難で熟練を必要とし、また再現性を保つことが困難であった。
種結晶５を原料融液界面に接触させる瞬間までは、種結晶５は熱源に接触していないため原料融液よりも低温である。しかし、種結晶５を原料融液界面に接触させる瞬間に、種結晶５の融液接触面５ａと接触した原料融液の一部が急冷されて固化し、結晶核が発生して結晶成長する。種結晶５の回転中心がるつぼ中心とずれていると回転による撹拌効果が不均一で、温度差が不均一になり、さらに、一度発生した結晶核の再溶融化、溶融した融液の結晶化が不均一になるために、成長した単結晶６やその一部の成長方向が、種結晶の長さ方向と一致せず、単結晶の品質低下や、クラックやボイドの発生原因となっていた。
フォースバーは、長さが１〜２ｍあるので、種結晶の回転中心とるつぼの中心を一致させる調整においては微調整が困難であり、かつ熟練を要する作業であった。
【００１０】
また、従来の単結晶引き上げ装置に用いる種結晶支持用治具では、種結晶は緻密な単結晶とそれより密度の低い焼結体を組み合わせるか、組み合わせて熱処理する。いずれの場合も、単結晶の製造工程でるつぼに近づけて使用するために、再度融点近傍まで加熱されることになる。このため、焼結体である単結晶ホルダの緻密化が進行して隙間が生じたり、クラックが発生し易い。小型の単結晶を引き上げる目的で使用する時には重量が軽く、単結晶を回転させるために必要なトルクも小さくて済むので、クラックが生じても単結晶を支持できる。しかし、直径が２インチ以上の単結晶を作製する場合には、引き上げ回転軸の中心のずれによるねじれ、結晶の成長欠陥等による単結晶の品質低下、クラックの発生等により、場合によっては単結晶の重量を支持しきれずに成長中の単結晶を破損してしまうことがあった。
【００１１】
なお、棒状成形体に十分な強度がある場合は、加熱焼結前に図７のように組立てて、加熱焼結することで、単結晶ホルダと種結晶の接着強度を増大させることができるが、種結晶の回転中心とるつぼの中心を一致させる調整が不十分であると、結局は高品質な単結晶を作製することができなかった。
【００１２】
以上のように、従来のチョクラルスキー法による単結晶の製造においては、種結晶の上側及び下側の双方において、高品質な単結晶の作製を阻害する課題が生じていた。
【００１３】
この発明は上述のような従来の方法を解決するためになされたもので、使用する単結晶の先端部にくぼみを設けることにより、種結晶が析出成長する初期の結晶成長方向を集中させて単結晶を揃え易くし、様々な方向へ結晶核が成長することを防いで、多結晶化することを防止できる種結晶形状を提供するものである。
【００１４】
また、種結晶を単結晶引き上げ装置に固定する際に焼結体を使用するために発生する隙間やクラックを、単結晶を引き上げている途中で補修することで、種結晶及び種結晶から成長した単結晶の回転軸中心を精度良く維持することができ、ひいては、高品質な単結晶の製造を可能にするものである。また、大型の単結晶を引き上げることも可能になる。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の単結晶引き上げ装置に用いる種結晶は、単結晶引き上げ装置の回転引き上げ手段の回転軸と同軸回転可能に配設されて、るつぼ内で溶融される原料融液に浸漬され、前記回転引き上げ手段によって回転させられながら引き上げられることにより融液接触面から単結晶を成長させる種結晶であって、前記融液接触面の中央部に、その中央部が最も深いくぼみを有する。
【００１６】
また、前記くぼみは、開口部が円形である。
【００１７】
また、前記くぼみは、中央部が最も深く、少なくとも一対の相対向する対称な傾斜面を有する形状である。
【００１８】
本発明の単結晶引き上げ装置用種結晶支持用治具は、単結晶引き上げ装置のるつぼ内で溶融される原料融液に浸漬され、回転引き上げ手段によって回転させられながら引き上げられることにより融液接触面から単結晶を成長させる種結晶を支持するための治具であって、下端側で前記種結晶を支持する中空パイプ状の支持部材と、前記支持部材の上端側に取り付けられ、前記種結晶と同一組成の原料粉末を収容する収容手段とを備え、前記回転引き上げ手段の回転動作に伴って前記種結晶と前記支持部材の接続部に前記収容手段内の原料粉末を供給する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の単結晶引き上げ装置に用いる種結晶は、先端部にくぼみを形成した単結晶引き上げ用の種結晶形状を提供するものである。くぼみの位置を種結晶の端面の中心でより深いすり鉢状にすることで、単結晶引き上げ作製初期段階に発生した結晶核が様々な方向に成長しても、種結晶が回転していることで種結晶の底面に均等に結晶核が発生し易いために、種結晶の長さ方向以外の結晶面は、必ず相対する方向から成長する結晶面と衝突して結晶成長を停止する。この結果、結晶核が発生してから結晶の成長方向が種結晶の中央向きに揃い易くなり、効率良く単結晶を成長させることができるようになる。
【００２０】
この発明の単結晶引き上げ装置用種結晶支持用治具は、中空パイプ状のフォースバーの上端部に小型のホッパを配置し、ホッパ内の原料粉末を単結晶引き上げ途中に落下させるので、種結晶ホルダやセメントが焼きしまってできた隙間やクラックの発生した部分へ、ホッパから落下して原料粉末を充填しながら焼結させることができ、常に種結晶と種結晶支持用治具を強固に接続することができる。従って、従来困難であった種結晶の回転中心の位置を微調整することなしに、単結晶引き上げ工程の初期段階に成長する単結晶の中心を種結晶の長さ方向と一致させ、さらに単結晶の引き上げ中に、この状態を維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
実施例
以下、この発明の単結晶引き上げ装置に用いる種結晶及び単結晶引き上げ装置用種結晶支持用治具について説明する。
本発明の単結晶引き上げ装置に用いる種結晶は、単結晶ホルダ４１に保持させる種結晶５０であり、融液接触面５０ａにくぼみ５０Ａを有する。なお、モータ１及び引き上げ回転軸水平位置調整ステージ２は、回転引き上げ手段を構成する。
【００２２】
また、本発明で用いる単結晶引き上げ装置は、単結晶引き上げ装置用種結晶支持用治具を備え、この保持具は中空パイプ状のフォースバー４０及びその下端部に接続される単結晶ホルダ４１を備える。
【００２３】
図３に示すように、単結晶ホルダ４１は金属製で、高融点の酸化物単結晶を作製する場合には、白金やイリジウム等の酸化物単結晶よりも融点の高い貴金属製のものとする。単結晶ホルダ４１は種結晶を保持するため中心部をくりぬいたパイプ状である。
【００２４】
まず、種結晶５０について説明する。
単結晶引き上げ装置のフォースバー４０の先端に取り付ける種結晶５０は、図２に示す形状のものである。
この種結晶５０を用いてるつぼ８内において単結晶原料を高周波誘導コイル７で加熱溶融する前に、引き上げ回転軸水平位置調整ステージ２に付属のマイクロメータで、単結晶回転中心とるつぼ８の中心を一致させておく。
なお、詳細は後述するが、上述のように中心合わせをして原料融液を加熱した後は、原料融液界面に種結晶５０を接触させる直前に中心同士を微調整することさえ不要である。
【００２５】
図２に示すように、種結晶５０には、原料融液界面８ａに接触させる融液接触面５０ａに直径２〜３ｍｍで深さ３〜５ｍｍのすり鉢状のくぼみ５０Ａが形成されている。
くぼみ５０Ａの内部から成長した結晶は、すり鉢状のくぼみ５０Ａの傾斜面から順次均一に成長するので、種結晶５０の長手方向に均一に成長する。
これに対して、くぼみ５０Ａの外（融液接触面）から成長し始めた結晶は、すり鉢状のくぼみ５０Ａ内の傾斜面から成長した結晶とは成長方向が異なるために成長が停止する。従って、最終的に成長を続けるのは、くぼみ５０Ａ内から成長した結晶核に基づく単結晶となる。
【００２６】
ここで、種結晶５０の結晶成長面の端側では、種結晶５０に接触する融液の温度が下がり易いので、結晶成長面に結晶核が発生して結晶が成長し易い部分となる。しかしこの部分に発生した結晶核は、結晶成長面が拡がる方向に（単結晶の成長方向とは垂直な方向で、かつ種結晶の径方向に）成長し易いので、種結晶５０を粘性の高い原料融液に接触させて回転させることにより、回転抵抗を受け、種結晶５０よりも高温な原料融液によってすぐに溶融するか種結晶５０から離脱してしまう。
【００２７】
また、種結晶５０の結晶成長面で核成長した結晶は、様々な方向に成長するが、種結晶５０の径方向外側向きに成長した結晶核は、融液接触面の端部から成長した結晶と同様に融液に溶けてしまう。
これに対して、くぼみ５０Ａ内から種結晶５０の長手方向（単結晶を成長させる方向：鉛直下向きの方向）に成長する結晶は、単結晶を引き上げるための回転時に受ける抵抗が少ないので、成長し続ける。
【００２８】
種結晶５０のくぼみ５０Ａは、中央が最も深いすり鉢状なので、従来の種結晶においてくぼみなしの平坦な融液接触面から結晶成長する場合よりも、くぼみ５０Ａ内からの成長方向は種結晶５０の径方向中央向きになる。そのため従来よりも結晶核が発生してから結晶の成長方向が種結晶５０の中央向きに揃い易くなり、効率良く単結晶を成長させることができるようになる。
【００２９】
図４は、本発明の単結晶引き上げ装置に用いる種結晶で作製したカルシウムオキシボレート単結晶を示す図である。
初期に成長した単結晶の部分（ネッキング部）１０が細くて断面がきれいな円形になり、種結晶５０のくぼみ５０Ａ内から結晶が選択的に成長し、単結晶の品質低下が見られない高品質な単結晶を得ることができる。
【００３０】
なお、以上では種結晶に設けるくぼみが中央部が最も深いすり鉢状である場合について説明したが、このくぼみはすり鉢状に限らず、融液接触面のほぼ中央に形成され、その中央部が最も深い凹部であればよい。
【００３１】
そして、このようなくぼみとしての好適な形状は、「中央部が最も深く、少なくとも一対の相対向する対称な傾斜面を有する形状」である。このような形状であれば、くぼみ内から成長し始めた結晶核が種結晶の径方向中央に向かって成長し易いからである。すなわち、「中央部が深く一対の相対向する対称な傾斜面を有するくぼみ」としては、「中央部が最も深い半円筒状のくぼみ」や「断面が二等辺三角形となり、この二辺を含む面を相対向する対称な傾斜面とするくぼみ」、「中央部が最も深い断面楕円形の凹部」等が挙げられる。この思想の下では、中央部が最も深いすり鉢状のくぼみは、「相対向する微小で対称な傾斜面を無数に有するくぼみ」ということになる。
【００３２】
このように種結晶５０の融液接触面５０ａにくぼみ５０Ａを設けたことにより、種結晶５０の下側における課題を解決することができる。
【００３３】
次に、種結晶５０の上側（支持側）における課題を解決する具体的内容について説明する。
図３は本発明の種結晶支持用治具の構成を示す図である。
先に簡単に説明したように、この種結晶支持用治具では、フォースバー４０は中空のパイプになっており、その下端部には単結晶ホルダ４１が接続される。単結晶ホルダ４１は、第１ホルダ４１Ａ及び第２ホルダ４１Ｂで構成されている。上側に位置するパイプ状の第１ホルダ４１Ａは、フォースバー４０にねじ込んで接続され、第１空洞部４１ａを有する。また、パイプ状の第２ホルダ４１Ｂは、第１ホルダ４１Ａにねじ込んで接続され、第２空洞部４１ｂを有する。
【００３４】
図３に示すように、第１ホルダ４１Ａは、第２ホルダ４１Ｂよりも径が大きいパイプ状であり、これらを接続すると、第１空洞部４１ａ及び第２空洞部４１ｂは密着される。第２空洞部４１ｂには種結晶５０が差し込まれる。
【００３５】
ここで、第１ホルダ４１Ａ及び第２ホルダ４１Ｂからなる単結晶ホルダ４１は、金属製であり、種結晶５０が高融点の酸化物単結晶の場合には、白金やイリジウム等の貴金属製であることが好ましい。なお、単結晶ホルダ４１は、図６における種結晶支持用治具１００に相当するものである。
【００３６】
第２ホルダ４１Ｂの第２空洞部４１ｂの下端から種結晶５０を差し込み、従来と同様にセラミックス製や貴金属製のピン１０８ａ、１０８ｂを使用するか、もしくは第１空洞部４１ａ及び第２空洞部４１ｂに、円柱もしくは直方体の型に原料粉末を詰めてプレスするか、ゴム型に単結晶原料粉末１０１を詰めた後、冷間静水圧プレスして緻密な圧粉体を作製して挿入し、電気炉で加熱して種結晶と焼結することにより種結晶５０を固定する。
なお、フォースバー４０及び単結晶ホルダ４１は、その下端側で種結晶５０を支持する中空パイプ状の支持部材として機能する。
【００３７】
また、図１に示すように、フォースバー４０の上には、種結晶と同一組成の原料粉末収容する収容手段であるホッパ９０を備える。
単結晶を引き上げる工程では、図１に示するつぼ８内で高周波誘導コイル７で原料粉末を加熱して溶融し、所定の温度で安定させた後、引き上げ回転軸３をフォースバー４０とともに回転させながら降下させ、下端部に取り付けた種結晶５０をるつぼ８内の原料融液の液面に接触させる。
【００３８】
その後、ホッパ９０の底に付けたふた（図示せず）を開き、内部に入れておいた原料粉末が、引き上げ回転軸とそれを回転させるモータの振動で数ｍｇずつフォースバー４０の内部を通って、第１空洞部４１ａ及び第２空洞部４１ｂに落下するようにした後、引き上げ回転軸をフォースバー４０とともに回転させながら、０．５〜３ｍｍ／ｈのゆっくりした一定の速度で引き上げる。フォースバー４０が回転していることでホッパ９０から落下する原料粉末は、単結晶ホルダ４１内部に均等に堆積し、第１空洞部４１ａ及び第２空洞部４１ｂ内で内部の温度と種結晶から伝わる熱で溶融し、やがて焼結する。このようにすれば、種結晶５０と単結晶ホルダ４１の結合部分においてクラックが生じても、このクラックを第１空洞部４１ａ及び第２空洞部４１ｂ内で溶融した単結晶原料粉末１０１によって修復することが出来る。
【００３９】
以上のように、本発明の単結晶引き上げ装置に用いる種結晶によれば、種結晶の融液接触面にくぼみを設けるだけで、熟練を必要とする作業を必要とすることなく、高品質の単結晶を作製することができる。この方法は、安価でかつ作業上の安全性も確保できるので効果がある。
【００４０】
単結晶引き上げ工程の初期段階において、るつぼ内で原料を加熱し溶融状態に保った後、種結晶を原料融液界面に接触させて、単結晶を任意の方向に成長させる。この時、種結晶は原料融液よりも低温度であるため、種結晶が平らな端面であった時には任意の方向の結晶核が発生し成長する可能性があり、それを防止する目的で、種結晶を任意の速度で回転させる。
【００４１】
種結晶の端面中央にくぼみを付けることで、種結晶端面で一度に均一に結晶核が発生成長するのではなく、最も良く冷却されるくぼみの中心部、すなわち種結晶中心から優先的に結晶成長する。そのため結晶の中心から結晶の長さ方向に一致した結晶面の成長が促進される。
【００４２】
また、くぼみはすり鉢状であり、くぼみの中心以外から成長した結晶はくぼみの向かい合う面から成長した結晶と成長方向が相対するために衝突して成長を停止するので、種結晶長さ方向以外の結晶面が優先的に成長することがない。
従って、種結晶の融液接触面にくぼみを設けるだけで、熟練を必要とする作業を必要とすることなく、高品質の単結晶を作製することができる。
【００４３】
また、本発明の単結晶引き上げ装置用種結晶支持用治具によれば、種結晶の固定には引き上げる単結晶の原料と同じ粉末原料を用いるので、種結晶を汚染することがなく、繰り返し使用できる。また種結晶を汚染することがないことにより、不純物による融点温度の低下が生じないので、適切なセメント材料の存在しない１５００℃以上の融点の単結晶製造にも使用できる。
【００４４】
また、ホッパから原料粉末をフォースバーに供給落下させるために、特別な動力は必要でなく、引き上げ回転軸を回転するモータによる小さな振動で、少量の原料をフォースバー内に供給するのが適切であるので、どのような単結晶引き上げ装置にも安価で適用することができる。
【００４５】
ここで、フォースバーは、金属製であり作製する単結晶の重量を支えるとともに、原料をるつぼ内で融液状態に保つために加熱している部分（ホットゾーン）から種結晶を通して伝わる熱を放熱して、上部でフォースバーを定速度で回転させているベルトやモータを保護する役割を担っている。
ホットゾーンは通常原料の融点近傍、すなわち酸化物では１０００℃以上の高温にするため雰囲気ガスを導入しているため、装置外部よりも若干圧力が高くなる。
【００４６】
本発明の単結晶引き上げ装置用種結晶支持用治具では、種結晶と種結晶支持用治具あるいはセメントを使用した時は、焼結したセメントとの間に隙間が生じたり、クラックが発生した時にはより高温度の雰囲気ガスが通過して、ホッパから種結晶支持用治具内部に追加された原料粉末がより加熱されやすくなり、周辺の種結晶やセメントと焼結して種結晶を固定する。
これと同じ種結晶と種結晶支持用治具及び周辺部分のセメントとの焼結は、従来の方法でも起こるが、原料粉末が供給される手段がないので、隙間やクラックを拡大することになっていたため、種結晶を強固に固定できなかったものである。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の単結晶引き上げ装置用種結晶支持用治具を適用する単結晶引き上げ装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の単結晶引き上げ装置に用いる種結晶の構成を示す図である。
【図３】本発明の単結晶引き上げ装置用種結晶支持用治具の構成を示す図である。
【図４】本発明の単結晶引き上げ装置に用いる種結晶で作製したカルシウムオキシボレート単結晶を示す図である。
【図５】一般的な単結晶引き上げ装置の構成を示す図である。
【図６】従来の単結晶引き上げ装置用の種結晶支持用治具の構成を示す図である。
【図７】従来の単結晶引き上げ装置用の種結晶支持用治具の構成を示す図である。
【図８】従来の単結晶引き上げ装置用の種結晶支持用治具の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  モータ、２  回転軸水平位置調整ステージ、３  回転軸、６  単結晶、７  高周波誘導コイル、８ａ  原料融液界面、４０  フォースバー、４１  単結晶ホルダ、４１Ａ  第１ホルダ、４１ａ  第１空洞部、４１Ｂ  第２ホルダ、４１ｂ  第２空洞部、５０  種結晶、５０ａ  融液接触面、５０Ａ  くぼみ、９０  ホッパ、１００  種結晶支持用治具、１０１  単結晶原料粉末、１０２  棒状成形体、１０３  単結晶ホルダ、１０３ａ、１０３ｂ  種結晶支持穴、１０６  縦穴、１０７  支持部、１０８ａ、１０８ｂ  ピン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図４】
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