(57)【要約】    【課題】  プレーナ型アクチュエータにおけるトーションバーで回動可能に軸支した可動板を、低い共振周波数で駆動できるようにする。    【解決手段】  固定部２の溝２ａに、剛性が低く接着効果の高いポリイミド９を充填し、可動板４を軸支するトーションバー３，３端部をポリイミド９に埋め込むことにより、固定部２とトーションバー３，３を剛性が低く接着効果の高いポリイミド９を介して連結する構成とすることにより、可動板４を低い共振周波数で駆動できるようにした。【選択図】  図１
2005081533.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部にトーションバーで回動可能に軸支した可動部と、該可動部を駆動する駆動手段とを備えたプレーナ型アクチュエータにおいて、
前記トーションバーより剛性の低い材料を介して、前記支持部と前記トーションバーを連結する構成としたことを特徴とするプレーナ型アクチュエータ。
【請求項２】
前記駆動手段は、前記可動部に設けた駆動コイルと、前記可動部のトーションバー軸と平行な互いの対辺部の駆動コイル部分に静磁界を作用する静磁界発生手段とを備え、前記駆動コイルに電流を流すことにより発生する電磁力により前記可動部を駆動する構成である請求項１に記載のプレーナ型アクチュエータ。
【請求項３】
前記可動部が、前記支持部を外側支持部として外側トーションバーで回動可能に軸支した枠状の外側可動部と、該枠状の外側可動部を内側支持部として前記外側トーションバーと軸方向が直交する内側トーションバーで回動可能に軸支した内側可動部とからなり、前記内外の支持部とトーションバーの少なくとも一方の連結を、前記トーションバーより剛性の低い材料を介して行う構成とした請求項１に記載のプレーナ型アクチュエータ。
【請求項４】
前記駆動手段は、前記外側及び内側可動部にそれぞれ設けた駆動コイルと、前記外側及び内側可動部の各トーションバー軸とそれぞれ平行な互いの対辺部の各駆動コイル部分に静磁界を作用する静磁界発生手段とを備え、前記各駆動コイルに電流を流すことにより発生する電磁力により前記内外の可動部をそれぞれ駆動する構成である請求項３に記載のプレーナ型アクチュエータ。
【請求項５】
前記駆動手段は、前記可動部側に設けた静磁界発生手段と、前記トーションバーの軸方向と平行な可動部の対辺部近傍の前記固定部側に設けた駆動コイルとを備え、該駆動コイルに電流を流すことにより発生する電磁力により前記可動部を駆動する構成である請求項１に記載のプレーナ型アクチュエータ。
【請求項６】
前記支持部に形成した溝内に充填した前記トーションバーより剛性の低い材料内に、材料上面と前記トーションバーの支持部側端部上面が略面一となるように、前記トーションバーの支持部側端部を埋め込む構成である請求項１〜５のいずれか１つに記載のプレーナ型アクチュエータ。
【請求項７】
前記支持部上面と前記トーションバーの支持部側端部上面を、前記トーションバーより剛性の低い材料で連結する構成である請求項１〜５のいずれか１つに記載のプレーナ型アクチュエータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プレーナ型アクチュエータに関し、特に、半導体製造技術を応用したマイクロマシニング技術で製造するプレーナ型アクチュエータに関する。
【背景技術】
【０００２】
この種のプレーナ型アクチュエータは、支持部、可動部、及び、可動部を支持部に軸支するトーションバーを半導体基板で一体に形成し、電磁力や静電力を利用して可動部を揺動或いは回動させる構成であり、１対のトーションバー回りに可動部を駆動する１次元走査型と、互いに直交する内側と外側の２対のトーションバー回りに内外の可動部をそれぞれ駆動する２次元走査型がある。そして、可動部に光ビームを走査するためのミラーを設けることにより、レーザ光等の光ビームの偏向走査等に利用できる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、レーザ光等の光ビームを２次元走査してレーザレーダ等の物体検知や絵や文字等の画像表示を行うには、ラスタ走査で行うのが一般的であり、この場合、水平走査と垂直走査の周波数比は大きい方がよいが、特許文献１に記載のプレーナ型アクチュエータは、互いに直交する内側と外側のトーションバーが同一の材料（例えばシリコン材料）で形成されているため、水平走査と垂直走査の周波数比を大きくすることができない。
また、光ビーム走査において光ビームを所定の振れ角位置で停止させることが要求されるが、トーションバーがシリコン等の比較的剛性の高い材料であるため、所定の停止位置で止めるのに大きな力を必要とする。
【０００４】
そこで、互いに直交する内側トーションバーと外側トーションバーを異なる材料で形成することにより、内側可動部と外側可動部の共振周波数比を大きくして、水平走査と垂直走査の周波数比を大きくすることを可能としたものが提案されている。この場合、剛性の低い材料で形成したトーションバー側では、小さい力で可動部の停止が可能になるため、剛性の低いトーションバーで軸支した可動部を所定の停止位置で止めることも容易にできるようになる（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特許第２７２２３１４号公報
【特許文献２】特開２００２−３０７３９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２のように、一方のトーションバーを剛性の高い材料で形成し、他方のトーションバーを剛性の低い材料で形成する構成では、剛性の低い材料で形成したトーションバーが、捩れ振動以外の振動や衝撃に対して弱くなり、また、疲労し易くなる等の問題がある。
本発明は上記問題点に着目してなされたもので、トーションバーの強度を低下させることなく、光の偏向走査等に利用する場合にラスタ走査や可動部を容易に所定位置で停止させることを可能としたプレーナ型アクチュエータを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このため、請求項１の発明は、支持部にトーションバーで回動可能に軸支した可動部と、該可動部を駆動する駆動手段とを備えたプレーナ型アクチュエータにおいて、前記トーションバーより剛性の低い材料を介して、前記支持部と前記トーションバーを連結する構成とした。
かかる構成では、支持部とトーションバーが、トーションバーより剛性の低い材料を介して連結されるので、トーションバーに剛性の比較的高い材料（例えばシリコン単結晶）を使用してトーションバーの強度を確保しつつ、可動部を低速で回動させることができるようになる。
【０００７】
前記駆動手段は、請求項２のように、前記可動部に設けた駆動コイルと、前記可動部のトーションバー軸と平行な互いの対辺部の駆動コイル部分に静磁界を作用する静磁界発生手段とを備え、前記駆動コイルに電流を流すことにより発生する電磁力により前記可動部を駆動する構成とするとよい。
【０００８】
請求項３の発明では、前記可動部が、前記支持部を外側支持部として外側トーションバーで回動可能に軸支した枠状の外側可動部と、該枠状の外側可動部を内側支持部として前記外側トーションバーと軸方向が直交する内側トーションバーで回動可能に軸支した内側可動部とからなり、前記内外の支持部とトーションバーの少なくとも一方の連結を、前記トーションバーより剛性の低い材料を介して行う構成とした。この場合、駆動手段は、請求項４のように、前記外側及び内側可動部にそれぞれ設けた駆動コイルと、前記外側及び内側可動部の各トーションバー軸とそれぞれ平行な互いの対辺部の各駆動コイル部分に静磁界を作用する静磁界発生手段とを備え、前記各駆動コイルに電流を流すことにより発生する電磁力により前記内外の可動部をそれぞれ駆動する構成とするとよい。
かかる構成では、内外の支持部とトーションバーの一方の連結を、トーションバーより剛性の低い材料を介して行う構成とすることにより、トーションバーの強度を確保しつつ、ラスタ走査が可能となる。
【０００９】
請求項１の発明において、前記駆動手段は、請求項５のように、前記可動部側に設けた静磁界発生手段と、前記トーションバーの軸方向と平行な可動部の対辺部近傍の前記固定部側に設けた駆動コイルとを備え、該駆動コイルに電流を流すことにより発生する電磁力により前記可動部を駆動する構成としてもよい。
【００１０】
請求項６は、前記支持部に形成した溝内に充填した前記トーションバーより剛性の低い材料内に、材料上面と前記トーションバーの支持部側端部上面が略面一となるように、前記トーションバーの支持部側端部を埋め込む構成とした。また、請求項７のように、前記支持部上面と前記トーションバーの支持部側端部上面を、前記トーションバーより剛性の低い材料で連結する構成としてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のプレーナ型アクチュエータによれば、ラスタ走査可能な２次元走査用のプレーナ型アクチュエータを製造する場合でも、トーションバーに比較的剛性の高い材料を使用して水平走査と垂直走査の周波数比を大きくすることが可能となり、捩れ振動以外の振動や衝撃に対するトーションバーの強度低下を防止できると共に、疲労強度の低下も防止できる。また、小さい力で可動部を停止させることが可能となるので、可動板を容易に所定位置で停止させることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明に係るプレーナ型アクチュエータの第１実施形態の要部平面図を示し、図２は、図１の１点鎖線Ａ−Ｏ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
図において、本実施形態のプレーナ型アクチュエータ１は、固定部２に一対のトーションバー３，３で揺動可能に平板状の可動部としての可動板４を軸支する。前記固定部２とトーションバー３，３及び可動板４は、シリコン基板で一体に形成される。可動板４の表面側には、通電により磁界を発生する駆動コイル５（図１では点線で模式的に１本線で示す）を有し、駆動コイル５は固定部２に形成した一対の電極端子６Ａ，６Ｂにトーションバー３，３部分を通って電気的に接続する。可動板４の裏面側には図２に示すようにアルミニウムや金等の薄膜からなる反射ミラー７を有する。トーションバー３，３の軸方向とそれぞれ平行な可動板４の対辺の駆動コイル部分に静磁界を作用させる静磁界発生手段として例えば永久磁石８Ａ，８Ｂを、反対磁極が対面するように固定部２の外側に配置する。そして、本実施形態のアクチュエータ１では、固定部２に溝２ａを設け、この溝２ａに、シリコン単結晶からなるトーションバー３，３より剛性が低く接着効果の高い材料、例えばポリイミド９を充填し、このポリイミド９を介して固定部２とトーションバー３，３を連結する。この場合、図２に示すように、可動板４の回動動作を妨げないよう溝２ａとトーションバー３，３端部との間に間隙ａを設けるようにする。固定部２とトーションバー３，３を連結する連結材料としては、ポリイミドに限らず、トーションバー材料より剛性が低く、接着効果の高い材料であればよいが、有機材料が好ましい。尚、図２では、後述する製造工程において残存する酸化膜（ＳｉＯ2）は図示を省略してある。
ここで、固定部２が可動部を支持する支持部に相当し、駆動コイル５と永久磁石８Ａ，８Ｂで可動部の駆動手段を構成する。
【００１３】
本実施形態のアクチュエータ１は、駆動コイル５に電流を流すことにより発生する磁界と、永久磁石８Ａ，８Ｂの作る静磁界との相互作用により、可動板４両端に互いに反対方向の電磁力を作用し、可動板４がトーションバー３，３を回動軸として回動する。駆動コイル５に交流電流を供給すれば、可動板４は揺動する。反射ミラー７に光ビームを照射すれば、可動板４の動作に従って光ビームを走査できる。
【００１４】
かかる第１実施形態のアクチュエータ１によれば、可動板４を低い共振周波数で駆動でき、小さい力で可動板４を停止することが可能であるので、可動板４を所定位置に停止させることが容易となり、所定の振れ角で可動板４を精度よく停止できるようになる。しかも、トーションバー３，３の強度を確保でき、トーションバー３，３の耐久性を向上でき、延いては、アクチュエータ１の耐久性を向上できる。
【００１５】
次に、上記第１実施形態のプレーナ型アクチュエータの製造工程を、図３及び図４の概略図を参照しながら説明する。尚、図３及び図４は、図１のＡ−Ｏ−Ｂに沿った断面を示す。
ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板１０１の上下面を熱酸化して厚さ１μｍの酸化膜（ＳｉＯ2）１０２を形成する。尚、ＳＯＩ基板１０１の厚さは、例えば活性層１０１ａが１００μｍ、埋め込み酸化膜１０１ｂが１μｍ、支持基板１０１ｃが４００μｍとする（ａ工程）。尚、ＳＯＩ基板でなく、通常のシリコン基板でもよい。
【００１６】
次に、ポリイミド９を充填する溝形成部以外をポジ型レジストでマスクし、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置等によるドライエッチングやフッ酸系のウエットエッチングにより酸化膜１０２をエッチングして除去する。そして、レジストと酸化膜１０２をマスクとして、ＲＩＥ装置やアルカリ性溶液（例えば水酸化カリウム）を用いて活性層１０１ａを１００μｍ（トーションバー３の厚さに相当する）エッチングした後、レジストを除去する。その際に、埋め込み酸化膜１０１ｂがエッチストップ層となる。これにより溝２ａが形成される（工程ｂ）。
【００１７】
次に、感光性ポリイミドをスピンコート等で基板表面の酸化膜１０２に塗布し、溝部２ａをマスクした後、除去する。これにより、工程ｂで形成した溝部２ａにポリイミド９が充填される。尚、充填したポリイミド９が基板表面より凸となってしまう場合は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等で平坦処理してもよい（工程ｃ）。
次に、ＳＯＩ基板１０１表面側の酸化膜１０２上にスパッタリングによりアルミニウム薄膜を例えば２μｍの厚さで形成し、駆動コイル、電極端子、コンタクト部にそれぞれ相当する配線部分を、ポジ型レジストでマスクし、アルミニウム薄膜をエッチングした後、ポジ型レジストを除去する。これにより、１層目の駆動コイル、電極端子（図示せず）及びコンタクト部１０４ａが形成される（工程ｄ）。
【００１８】
次に、感光性ポリイミドを例えば２μｍの厚さで塗布し、１層目の配線部分（電極端子及びコンタクト部に相当する部分を除く）をマスクした後、ポリイミドを除去する。これにより、電極端子及びコンタクト部に相当する部分を除いて１層目の配線部分がポリイミドの絶縁層１０３で覆われる（工程ｅ）。
次に、工程ｄと同様に、基板１０１表面側にスパッタリングによりアルミニウム薄膜を例えば２μｍの厚さで形成し、駆動コイル、電極端子及びコンタクト部にそれぞれ相当する部分を、ポジ型レジストでマスクし、アルミニウム薄膜をエッチングした後、ポジ型レジストを除去する。これにより、２層目の駆動コイルが形成される。また、コンタクト部１０４ａと接続する２層目のコンタクト部１０４ｂが形成され、このコンタクト部１０４ａ，１０４ｂで１層目と２層目の駆動コイルが電気的に接続され駆動コイル５が形成される。また、固定部２上の電極端子６Ａ，６Ｂの厚さが厚くなる（工程ｆ）。
【００１９】
次に、感光性ポリイミドを例えば２μｍの厚さで塗布し、２層目の駆動コイル、コンタクト部１０４ｂに相当する部分をマスクした後、ポリイミドを除去する。これにより、駆動コイル５及びコンタクト部１０４が厚さ２μｍのポリイミドの絶縁層１０５で覆われる（工程ｇ）。
次に、工程ｂと同様に、ポジ型レジストで、基板１０１表面側の固定部２、トーションバー３，３、可動板４に相当する部分をマスクし、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置等によるドライエッチングやフッ酸系のウエットエッチングにより酸化膜１０２をエッチングして除去する。そして、レジストと酸化膜をマスクとして、ＲＩＥ装置やアルカリ性溶液（例えば水酸化カリウム）を用いて活性層１０１ａを１００μｍ（トーションバー３の厚さに相当する）エッチングした後、レジストを除去する。その際に、埋め込み酸化膜１０１ｂがエッチストップ層となる（工程ｈ）。
【００２０】
次に、ポジ型レジストで、基板１０１裏面側の固定部に相当する部分をマスクし、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置等によるドライエッチングやフッ酸系のウエットエッチングにより裏面側の酸化膜１０２をエッチングして除去する。そして、レジストと酸化膜をマスクとして、ＲＩＥ装置やアルカリ性溶液（例えば水酸化カリウム）を用いて支持基板１０１ｃを４００μｍエッチングした後、レジストを除去する。その際に、埋め込み酸化膜１０１ｂがエッチストップ層となる（工程ｉ）。
次に、支持基板１０１ｃの酸化膜１０２と埋め込み酸化膜１０１ｂをエッチングにより除去する。これにより、基板１０１の表裏面が貫通し、固定部２、トーションバー３，３及び可動板４が形成される。その後、可動板４裏面にアルミニウムや金等の薄膜からなる反射ミラー７を形成する（工程ｊ）。
【００２１】
尚、固定部２とトーションバー３，３の連結構造は、図１のように、両側面と端面の３つの面で連結する構造に限るものではなく、図５（Ａ）〜（Ｃ）に示すような連結構造としてもよい。図５（Ａ）はトーションバー３の両側面をポリイミド９を介して固定部２に連結する構造であり、図５（Ｂ）はトーションバー３の全周囲をポリイミド９を介して固定部２に連結する構造であり、図５（Ｃ）はトーションバー３の上下面をポリイミド９を介して固定部２に連結する構造である。
【００２２】
次に、本発明のプレーナ型アクチュエータの第２実施形態を説明する。尚、第１実施形態と同一部分には同一符号を付してある。
図６は、第２実施形態の要部平面図を示し、図７は、図６の２点鎖線Ａ−Ｏ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
図において、本実施形態のプレーナ型アクチュエータ１０は、第１実施形態と連結構造が異なる。本実施形態では、図６に示すように、固定部２上面に、固定部２からはみ出させてトーションバーより剛性の低い材料である例えばポリイミド９を設け、ポリイミド９部分に、図７のようにトーションバー３，３端部上面を接合することにより、固定部２とトーションバー３，３をポリイミド９を介して連結する構成とした。
【００２３】
次に、上記第２実施形態のプレーナ型アクチュエータの製造工程を、図８及び図９の概略図を参照しながら説明する。尚、図８及び図９は、図６の１点鎖線で示すＡ−Ｏ−Ｂ線に沿った断面を示す。
シリコン基板２０１の上下面を熱酸化して厚さ１μｍの酸化膜（ＳｉＯ2）２０２を形成する。尚、シリコン基板２０１の厚さは、例えば４００μｍとする（工程ａ）。尚、ＳＯＩ基板でもよい。
【００２４】
次に、感光性ポリイミドをスピンコート等で基板表面の酸化膜２０２に塗布し、固定部２上面に形成するポリイミド９（図６及び図７参照）に相当する部分をマスクした後、除去する。これにより、固定部２とトーションバー３，３を連結するポリイミド９が形成される（工程ｂ）。尚、ポリイミド９は、シート状のポリイミドを貼り付けて形成してもよい。
その後の工程ｃ〜ｆまでは、駆動コイル５、電極端子６Ａ，６Ｂ及びコンタクト部を形成する工程であり、図３及び図４で説明した第１実施形態の工程ｄ〜ｇと同じであるので説明を省略する。尚、図中、２０３ａは１層目のコンタクト部、２０３ｂは１層目のコンタクト部、２０４は１層目の配線部分を覆うポリイミドの絶縁層、２０５は２層目の配線部分を覆うポリイミドの絶縁層を、それぞれ示す。
【００２５】
次に、ポジ型レジストで、基板２０１裏面側の固定部２、トーションバー３，３、可動板４に相当する部分をマスクし、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置等によるドライエッチングやフッ酸系のウエットエッチングにより酸化膜２０２をエッチングして除去する。そして、レジストと酸化膜をマスクとして、ＲＩＥ装置やアルカリ性溶液（例えば水酸化カリウム）を用いてシリコン基板２０１裏面側を１００μｍ（トーションバー３の厚さに相当する）エッチングした後、レジストを除去する（工程ｇ）。
【００２６】
次に、ポジ型レジストで、基板２０１裏面側の固定部に相当する部分をマスクし、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置等によるドライエッチングやフッ酸系のウエットエッチングにより裏面側の酸化膜２０２をエッチングして除去する。そして、レジストと酸化膜をマスクとして、ＲＩＥ装置やアルカリ性溶液（例えば水酸化カリウム）を用いて基板２０１裏面側を酸化膜２０２に達するまで（約３００μｍ）エッチングした後、レジストを除去する（工程ｈ）。
【００２７】
次に、シリコン基板２０１の表裏両面の酸化膜２０２をエッチングにより除去する。これにより、基板２０１の表裏面が貫通し、固定部２、トーションバー３，３及び可動板４が形成される。その後、可動板４裏面にアルミニウムや金等の薄膜からなる反射ミラー７を形成する（工程ｉ）。
【００２８】
以上は１次元タイプのプレーナ型アクチュエータを示したが、図１０〜図１３に２次元タイプのプレーナ型アクチュエータの例を示す。
図１０〜図１３に示す２次元タイプのプレーナ型アクチュエータ２０〜５０の基本構成について説明する。
２次元タイプのプレーナ型アクチュエータ２０〜５０は、シリコン基板の固定部２１を外側支持部として外側トーションバー２２で枠状の外側可動板２３を揺動可能に軸支し、外側可動板２３を内側支持部として外側トーションバー２２と軸方向が直交する内側トーションバー２４で揺動可能に内側可動板２５を軸支し、内側可動板２５の裏面側に、アルミニウムや金等の薄膜からなる反射ミラー（図示せず）を形成する構成である。尚、図示省略するが、外側及び内側可動板２３、２５には、通電により磁界を発生する外側駆動コイルが設けられ、各トーションバー２２，２４部分を介して固定部に形成した各電極端子に電気的に接続するようになっている。また、外側及び内側トーションバー２２，２４の軸方向とそれぞれ平行な各可動板２３，２５の対辺の駆動コイル部分に静磁界を作用する静磁界発生手段として例えば永久磁石を配置してある。
【００２９】
そして、図１０及び図１１は、図１に示した第１実施形態の連結構造を用いた２次元タイプのプレーナ型アクチュエータの例を示し、図１０のプレーナ型アクチュエータ２０は、固定部２１と外側トーションバー２２をポリイミド９で連結する構成であり、図１１のプレーナ型アクチュエータ３０は、外側可動板２３と内側トーションバー２４をポリイミド９で連結する構成である。
【００３０】
また、図１２及び図１３は、図６に示した第２実施形態の連結構造を用いた２次元タイプのプレーナ型アクチュエータの例を示し、図１２のプレーナ型アクチュエータ４０は、固定部２１と外側トーションバー２２をポリイミド９で連結する構成であり、図１３のプレーナ型アクチュエータ５０は、外側可動板２３と内側トーションバー２４をポリイミド９で連結する構成である。
【００３１】
かかる２次元タイプのプレーナ型アクチュエータによれば、ポリイミド９を介して支持部とトーションバーが連結される可動板側を、低い共振周波数で駆動し、支持部にトーションバーが直接連結される可動板側を高い共振周波数で駆動することが可能となり、内外の可動板の共振周波数比を大きくできる。従って、このプレーナ型アクチュエータによる光ビームのラスタ走査が容易に可能となる。
尚、図１０〜図１３では、内外の支持部とトーションバーのいずれか一方を、ポリイミド９を介して連結する構成を示したが、内外の支持部とトーションバーの両方をポリイミド９を介して連結する構成としてもよい。
【００３２】
上述の各実施形態では、可動板側に駆動コイルを配置する構成のものを示したが、図１４に示すプレーナ型アクチュエータ６０のように、可動板４の表面に薄膜磁石６１を形成するタイプでもよい。この場合、図示しないが、可動板４のトーションバー軸に平行な互いの対辺部近傍に駆動コイルを配置し、駆動コイルに電流を流すことにより発生する磁界と薄膜磁石６１の静磁界の相互作用により電磁力を可動板４に作用させる。駆動コイルは固定部２や固定部２の外側等に配置すればよい。図１４では１次元タイプを示したが２次元タイプでもよいことは言うまでもない。
【００３３】
尚、上記各実施形態では、いずれも電磁駆動方式のプレーナ型アクチュエータの例を示したが、静電駆動方式、圧電駆動方式、熱駆動方式のプレーナ型アクチュエータにも適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明のプレーナ型アクチュエータの第１実施形態を示す要部平面図
【図２】図１のＡ−Ｏ−Ｂ線に沿った断面図
【図３】第１実施形態の製造工程の説明図
【図４】図３に続く製造工程の説明図
【図５】固定部とトーションバーの連結構造の別の例を示す図
【図６】本発明のプレーナ型アクチュエータの第２実施形態を示す要部平面図
【図７】図６のＡ−Ｏ−Ｂ線に沿った断面図
【図８】第２実施形態の製造工程の説明図
【図９】図８に続く製造工程の説明図
【図１０】第１実施形態の連結構造を用いた２次元タイプのプレーナ型アクチュエータの例を示す要部平面図
【図１１】第１実施形態の連結構造を用いた２次元タイプのプレーナ型アクチュエータの別の例を示す要部平面図
【図１２】第２実施形態の連結構造を用いた２次元タイプのプレーナ型アクチュエータの例を示す要部平面図
【図１３】第２実施形態の連結構造を用いた２次元タイプのプレーナ型アクチュエータの別の例を示す要部平面図
【図１４】第１実施形態の連結構造を用いた１次元薄膜磁石タイプのプレーナ型アクチュエータの例を示す要部平面図
【符号の説明】
【００３５】
１、１０，２０，３０，４０，５０，６０    プレーナ型アクチュエータ
２，２１    固定部
３    トーションバー
４    可動板
５    駆動コイル
８Ａ，８Ｂ    永久磁石
９    ポリイミド
２２    外側トーションバー
２３    外側可動板
２４    内側トーションバー
２５    内側可動板
６１    薄膜磁石
【図１】
2005081533.tif 000003
【図２】
2005081533.tif 000004
【図３】
2005081533.tif 000005
【図４】
2005081533.tif 000006
【図５】
2005081533.tif 000007
【図６】
2005081533.tif 000008
【図７】
2005081533.tif 000009
【図８】
2005081533.tif 000010
【図９】
2005081533.tif 000011
【図１０】
2005081533.tif 000012
【図１１】
2005081533.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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