(57)【要約】    【課題】高感度を有し、圧力測定に影響する程の騒乱を与えることのない小型の真空計を提供する。    【解決手段】特に真空ポンプの動作後に容器10内に残留するガス状物質の残圧を測定する為の電離真空計は、ナノチューブ技術を利用して作られた電子放出陰極31と、陰極により放出された電子を加速する為のグリッド13と、ガスのイオンおよび／または正の電離分子を集めるプレート15とを備えている。検流計によりプレート電流を測定することにより、容器内の残圧値を得ることが可能となる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器(10)内のガス状物質の残圧を測定する為の電離真空計であって、
複数のナノチューブにより形成された電子放出陰極(31)と、
前記陰極により放出された電子を加速する為のグリッド(13; 33; 133; 133')と、
前記ガス状物質の正の電離分子を集める為の集電プレート(15; 35)と、
前記容器内の残圧値を決定する為のプレート電流を測定する為に前記プレートに接続された検流計とを備えた、電離真空計。
【請求項２】
前記陰極(31)は、ナノチューブフィルム(29)と、このナノチューブフィルムに対向して設けられた抽出グリッド(30)とを含む、請求項１記載の真空計。
【請求項３】
前記陰極(31)は、複数の一重のカーボンナノチューブを含む、請求項１記載の真空計。
【請求項４】
前記ナノチューブは、それぞれ、黒鉛層を円筒状に巻き、その両端を２つの半球状のキャップで閉じた管状カーボン体を有し、前記カーボン体は六角形炭素構造(3a)で形成されており、前記キャップは炭素原子の六角構造(3a)と五角構造(3b)とで形成されている、請求項３記載の真空計。
【請求項５】
前記ナノチューブは、その直径が0.8nm〜10nmの範囲であり、その長さが104nm〜105nmの範囲である、請求項４記載の真空計。
【請求項６】
前記ナノチューブは互いの内部に配置されて同心構成を成し、多重ナノチューブを形成する、請求項５記載の真空計。
【請求項７】
前記ナノチューブは、互いに平行かつ隣接して配置され、規則的な配列束を成す、請求項５記載の真空計。
【請求項８】
前記抽出グリッド(30)に接続され、前記抽出グリッド(30)を前記ナノチューブフィルム(29)の電位よりも高い電位に維持する為の第１電源(17)と、
前記加速グリッド(13; 33; 133; 133')に接続され、前記加速グリッドを前記抽出グリッド(30) の電位よりも高い電位に維持する為の第２電源(31)とを更に備えた、請求項２記載の真空計。
【請求項９】
前記フィルム(29)および／または前記プレート(35)が、接地されている、請求項８記載の真空計。
【請求項１０】
前記容器(10)の壁面が、接地されている、請求項８記載の真空計。
【請求項１１】
前記プレート(35)は、前記加速グリッド(33; 133; 133')の外側に配置されている、請求項１記載の真空計。
【請求項１２】
前記加速グリッド(33)は、実質的に平板状のグリッドである、請求項１１記載の真空計。
【請求項１３】
前記加速グリッド (133; 133')は、実質的に平行六面体の形状と、前記陰極(31)と実質的に平行で、それに対向する面(133a; 133a')と、前記プレート(35)に向かうイオンおよび／または電離分子を抽出する為の開口部(132; 132')とを含む、請求項１１記載の真空計。
【請求項１４】
前記陰極(31)により放出される電子は、前記加速グリッド(33; 133; 133')を方向(F)と実質的に平行な方向に横断する、請求項１記載の真空計。
【請求項１５】
前記陰極(31)により放出される電子の大部分は、一度だけ前記加速グリッド(33; 133; 133')を横断する、請求項１記載の真空計。
【請求項１６】
前記プレート(35)は、電子が前記加速グリッド(33; 133; 133')を横断する方向に実質的に垂直な面にある、請求項１４記載の真空計。
【請求項１７】
前記プレート(35)は、電子が前記加速グリッド(33; 133; 133')を横断する方向に実質的に平行な面にあり、前記陰極(31)と前記加速グリッド(33; 133; 133')との間隔が、前記陰極(31)と前記プレート(35)との間隔よりも実質的に狭い、請求項１４記載の真空計。
【請求項１８】
前記陰極(31)と前記加速グリッド(33; 133; 133')との間隔が、好ましくは20μm〜50μmの範囲であり、前記陰極(31)と前記プレート(35)との間隔が好ましくは550μm未満である、請求項１７記載の真空計。
【請求項１９】
前記加速グリッド(33)と前記プレート(35)との間の前記電子の移動距離を増すように指向された電界および／または磁界を生成する為の手段を更に備え、前記生成手段は一対の永久磁石または電磁石(25)を含む、請求項１記載の真空計。
【請求項２０】
イオンおよび／または分子を前記プレート(35)の方へ導く為の抽出装置(37)を更に備えた、請求項１記載の真空計。
【請求項２１】
イオンおよび／または電離分子を所定の方向へ偏向させるように指向された電界および／または磁界を生成する為の手段を更に備え、前記手段は一対の湾曲プレート(47; 51)を含み、この湾曲プレートの間には、電子ビームにより生成され前記プレート(35)の方へ向かうイオンおよび／または電離分子の経路が形成される、請求項１記載の真空計。
【請求項２２】
イオンおよび／または電離分子は前記湾曲プレート(47; 51)間に形成された経路を移動する際に0°〜180°の範囲で偏向される、請求項２１記載の真空計。
【請求項２３】
イオンおよび／または電離分子は約90°偏向され、前記プレート(35)は前記陰極(31)に実質的に平行である、請求項２２記載の真空計。
【請求項２４】
イオンおよび／または電離分子は約180°偏向され、前記プレート(35)は前記陰極(31)に実質的に垂直である、請求項２２記載の真空計。
【請求項２５】
前記電界および／または磁界を生成する為の手段は、一対のプレート(47; 51)およびコンデンサ(45; 49)を含み、前記一対のプレートの第１プレートが接地され、前記一対のプレートの第２プレートに適当なバイアスが印加される、請求項２１記載の真空計。
【請求項２６】
前記抽出装置(37)は、電源(16)に接続され、前記加速グリッド(13; 33; 133; 133')の電位より低い、ゼロ電位以外の電位に維持された静電レンズを含む、請求項２０記載の真空計。
【請求項２７】
前記検流計(21)により生成された信号を処理して前記容器(10)内のガス圧を表す信号を生成する手段(23)を更に備えた、請求項１記載の真空計。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電離真空計に関する。
より具体的には、本発明は、例えば真空ポンプの動作後に容器内に残留するガス状物質の残圧を測定する為の電離真空計であって、電子放出陰極と、陰極により放出された電子を加速するグリッドと、当該ガス状物質の正の電離分子を集める集電プレートとを具備するタイプの真空計であり、検流計によるプレート電流の測定により容器内の残圧値の測定を可能とするものに関する。
【背景技術】
【０００２】
真空計としては、熱電子放出型真空計（熱陰極真空計とも呼ばれる）と、電界放出型真空計（冷陰極真空計とも呼ばれる）の２種類が知られている。
熱電子放出型真空計においては、例えばタングステン等のフィラメント（一または複数）を白熱状態にしたものを電子源としている。熱陰極真空計の典型的な例として、ベヤード・アルパート真空計がある。この種の真空計は、ワイヤ状のイオンコレクトプレートと、コレクトプレートを取り囲む円筒状のグリッドと、グリッドの外側に配され電子を放出する白熱タングステンフィラメントとを備えている。フィラメントにより放出されグリッドにより加速された電子により、残留ガスが電離され、イオンおよび／または正の電離分子がコレクトプレートにより集められる。コレクトプレートは、電子源およびグリッドよりも低い電位に維持される。
【０００３】
この開示された設計においては、電子は数回グリッドを通過する。そしてグリッドへの出入りの運動の際に、電子は残留ガスを電離するが、やがてグリッドに衝突して吸収される。
単純なワイヤとして設計された集電プレートは、約10-9Paもの低気圧の測定を可能とする。実際、プレートのワイヤ面が小さい為に、電子がグリッドに衝突して生じるＸ線が集電プレートに起す光電効果（電子放出）によるバックグラウンド電流は、最小限に抑えられる。
【０００４】
この真空計の例が、例えば下記特許文献１「電離真空計」に開示されている。この種の真空計の主な欠点は、電子放出陰極の性質に関連する。実際には、高温フィラメントは等方性電子源であるので、この電子源においては、電子ビームの指向性が、真空計の感度の重要なパラメターとなる。
真空計の感度は、一定ではない。というのは、放出陰極フィラメントに沿う温度変化に伴って、電子放出分布の方向が変化するからである。このフィラメントは通常、約2000℃の最高温度まで上昇する。
【０００５】
更に、熱電子効果による電子放出現象は、消費電力が大きい、応答時間が長い、不純物の放出による周辺環境の汚染が深刻であるなどの問題を伴う。
【特許文献１】米国特許第２，６０５，４３１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の主目的は、高感度を有し、圧力測定に影響する程の騒乱を与えることのない小型の真空計を提供することにより、上記の問題を解消することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記およびその他の目的は、添付された特許請求の範囲に記載された真空計により達成される。
本発明の真空計は、ナノチューブ技術を利用して電子放出陰極を作成することに利点がある。
このような解決策によると、電子放出は、熱電子効果ではなくて電界効果により行われる。つまり、強電界を有するナノチューブフィルムを応用し、ナノチューブフィルムのフロー線をその両端部に集中させて、電子放出を起こすのである。
【０００８】
ナノチューブ陰極は所謂「冷」電子源であり、ごく僅かしか電力を必要とせず、しかも高い指向性を有する。
本発明の好適な実施形態によると、このような陰極を使用することにより、従来のベヤード・アルパート真空計の円筒状構造のみならず、別の構造の使用も可能となり、電離真空計の小型化が可能となる。
【０００９】
特に、本発明の幾つかの実施形態によると、電子は、グリッドとプレートの間の空間を移動し続け、幾分かの電子がグリッドを再通過することはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
非限定例として挙げるが、本発明による真空計の好適な実施形態について、添付の図面を参照しつつ、以下詳細に説明する。
図１において、参照符号1は、一重のカーボンナノチューブを表す。
カーボンナノチューブは、黒鉛、ダイアモンド、フラーレン等を含む、結晶炭素の可能な形態の１つである。
【００１１】
一般に、一重のカーボンナノチューブ1は、黒鉛層を円筒状に巻いたものの両端を半球状のキャップ1bで閉じたカーボンチューブとみなすことができる。このナノチューブ本体は、六角形炭素構造3aのみにより構成されており、両端のキャップは一般に、炭素原子の六角形炭素構造3aと五角形炭素構造3bとにより構成されている。
ナノチューブの直径は一般に、0.8nm〜10nmの範囲にあり、通常は2nm未満である。ナノチューブの長さは一般に、104nm〜105nmの範囲にあるので、ナノチューブは一次元構造とみなすことができる。
【００１２】
多数のナノチューブを集合して薄膜状にすると、最適の電界放出能、つまり、そのフロー線がナノチューブの両端部1bに集中した強力な電界の働きによる電子放出能を呈する。
好適な電界放出能を得るには、薄膜におけるナノチューブを規則的に配列する必要がある。
図２Ａおよび２Ｂは、ナノチューブの組立ての典型的な２つの様式を示す。
【００１３】
図２Ａにおいて、複数のナノチューブ5,5',5"は、互いに入れ子式に嵌り合うように配置され、同心状の所謂多重ナノチューブを構成する。
一方図２Ｂにおいては、複数のナノチューブ7,7',7"は、互いに平行かつ隣接して配置され、規則的な配列束を構成する。
上記のどちらの構成を使用しても、最適の電子放出特性を有するナノチューブフィルムが得られる。
【００１４】
図３に、本発明による真空計を示す。この電離真空計は、所謂ベヤード・アルパート型で、基板27上にナノチューブフィルム29を配置して構成されており、電子を放出することのできる陰極31を使用している。
真空計は、真空チャンバ10内に収容されており、電子放出用のナノチューブ陰極31と、陰極により放出された電子を加速することのできる円筒グリッド状陽極13と、陽極13の中央に配され、ガスイオンや正の電離分子を集めるワイヤ状プレート即ち集電電極15とを備えている。
【００１５】
図２Ａか２Ｂのどちらかの構成に従って基板27上に配されたナノチューブフィルム29により構成される陰極31は、低温で指向性の高い電界放出型電子源である。抽出グリッド30は、フィルム29から少し離れた所にそれに対向して設けられており、電源17に接続されている。電源は抽出グリッドを、接地された基板27の電位よりも高い電位V30に維持する。基板27と抽出グリッド30との間の電位差により電界が生じる。この電界の中にナノチューブフィルム29が置かれることになり、したがってナノチューブによる電界効果電子放出が行われる。
【００１６】
陰極31により放出された電子は、グリッド状陽極13によって加速される。陽極13は第2電源19に接続されており、電位V13>V30に維持される。こうして加速された電子はグリッド13を通過し、集電電極15へと移動するが、集電電極15は接地されているので、電子ははじかれて再びグリッド状陽極13を通過する。このようなグリッド13に対して出入りする運動は、電子がグリッド自体に吸収されるまで続く。このような運動を行っている間に、電子は、真空チャンバ10内に残留するガス状物質の分子や原子を電離し、電離した分子や原子は、集電プレート15に吸引される。上記プレート15に発生したイオン電流は、検流計21により測定することができる。陰極31の電子源の電流の強ささえ分かれば、適当な信号処理手段23により、イオン電流値からチャンバ10内の残留ガス圧を得ることができる。
【００１７】
ナノチューブ陰極を用いれば、電離真空計の使用に固有の多くの問題を解消することができるのは明らかである。ナノチューブは非常に指向性の高い電子源であるのに対し、従来の高温フィラメントは略等方性電子源である。しかも、フィラメントを白熱させるのに必要な電力よりもはるかに少ない電力で、ナノチューブによる電界放出を引起すに十分な電位差を陰極に与えることができる。
【００１８】
図４に、本発明の第２の実施形態による真空計を示す。チャンバ10内には残留ガスが密封されており、その圧力が測定対象となる。この真空計は主として、電子を放出することができ、基板27上にナノチューブフィルム29を配置することにより形成され、抽出グリッド30が設けられた陰極31と、陰極31により放出された電子を加速することができるグリッド状陽極33と、電子がガス原子や分子と衝突することで発生するイオンを集めるプレートつまり集電電極35とを備えている。
【００１９】
この実施形態では、陽極33は略平板状のグリッドとして構成され、陰極から少し離れた場所に陰極に対向して配置されている。つまり、陰極31により放出された電子は、優先初期方向を向いたビームに収束される（矢印F）。この初期方向は、グリッド状陽極33の面に対して略垂直である。
したがって、プレート35を平板状に形成し、グリッド33と略平行に位置決めすることが有利である。
【００２０】
なお、この実施形態においては、陰極31とプレート35とは平板状に構成されているが、これらの部材は、例えば凹状や凸状など、他の形状とすることも可能である。更に、プレート35は、小さな棒状やワイヤ状とすることも可能である。しかし、より大きな面を電子源に向けることで集電プレートの感度が増すので、平板状のプレートとするのが好適である。
【００２１】
電界効果により陰極31から放出された電子は直ちに加速され、グリッド33を垂直に貫通する穴34を通過して、プレート35に向かう。この為に、上述の実施形態と同様に、グリッド33は、陰極31の抽出グリッド30の電位V30よりも高い電位V33になるよう適当にバイアスがかけられ、グリッド33を通過する電子が、好ましくは100eV〜150eVの範囲の運動エネルギーを持ってグリッドから出るようになっている。この運動エネルギーの範囲は、チャンバ10内の残留ガスの電離化に最適なエネルギーの範囲である。
【００２２】
陰極31の抽出グリッド30と陽極33とを異なる電位に維持する為に、直列に接続された２つの直流電源17,19が設けられている。
抽出グリッド30は電源17に接続されており、ナノチューブフィルム29の接地された基板27の電位よりも高い電位V30に維持される。
陰極31により放出された電子は、グリッド状陽極33によって加速される。陽極33は、第２電源19に接続されており、電位V33>V30に維持される。
【００２３】
上記グリッド33と上記プレート35の間を移動する際に、電子は残留ガスの原子や分子と衝突して、これらを電離する。プレート35に接近すると、集電プレートは接地されているので、電子はプレートによってはじき返される。電子はまた、これも接地されているチャンバ10の壁面によってもはじき返され、再びグリッド33の方へと向かう。そして、更に残留ガスの原子や分子との衝突を経た後、やがてはチャンバの壁面に吸収される。
【００２４】
一方、残留ガスのイオンは、プレート35に集められるが、このプレートは、吸収したイオン電流を測定する為の検流計21に接続されている。陰極31内の電子源の電流の強ささえ分かれば、検流計21により生成されるアナログ信号を処理する適当な手段23により、イオン電流値からチャンバ10内の残留ガス圧を得ることができる。
より精密な測定を行う為に、グリッド33も第２検流計（図示せず）に接続し、このグリッドが吸収した電子によるグリッド電流を測定することも可能である。
【００２５】
残留圧pxは、以下の関係式により求められる：
px= c・ip/ig,
式中、cは、装置やガスの性質に固有の定数を表し、
ipはプレート電流の強さを表し、
igはグリッド電流の強さを表す。
【００２６】
なお、平板構造を採用することにより、集電プレートをグリッド（ベヤード・アルパート真空計では、グリッド状陽極は上記プレートを取り囲んでいる。）からより遠い場所に配置することが可能となる。これにより、グリッドで発生するＸ線により生じるプレートの光電効果によるバックグラウンド電流を制限することができる。その結果、本発明による真空計においては、プレートをワイヤのように細くする（ベヤード・アルパート真空計のように）必要はなく、それどころかプレート面を有利に大きくして測定感度を向上させることができる。
【００２７】
その上、ナノチューブ放出陰極31と共に、平板構造の陽極33を採用することにより、本発明の真空計を更に小型化することが可能となる。
陰極31とグリッド33とは、数十ミクロン（例えば20μm〜50μm）離すことができ、グリッド33とプレート35とは、要求される感度に応じて、例えば100μm〜500μmの範囲で離すことができる。当然ながら、グリッド33とプレート35との間隔が大きければ大きいほど、チャンバ10内の残留ガスの電離化の確率が高くなる。
【００２８】
本発明による真空計を更に小型化する為に、図4に示す実施形態においては、接地された円板状または板状の2つの磁石25（例えば、電磁石や永久磁石）が、グリッド33とプレート35との間の、両電極33, 35に垂直な面、つまり電子ビームの初期方向と平行な面に配置される。
これらの磁石25による磁界は電子の動きに影響を与え、電子は螺旋状に移動する。つまり、単位直線移動距離あたりの、残留ガスの原子や分子と衝突する電子の数が増える。言い換えると、同じ構造において、ガスの電離化の度合いが増し、したがって本発明による真空計の感度が向上する。即ち、残留ガスの電離化の度合いや真空計の感度が同じなら、グリッド33とプレート35との間隔（したがって、本発明の真空計全体の寸法）を狭くすることができる。
【００２９】
図５に、本発明による真空計の第３の実施形態を示す。この真空計は、グリッド状陽極の形状が上述した実施形態と異なる。グリッド状陽極を参照番号133で表す。
陽極133は、略平行六面体のケージとして形成されており、陰極31に平行で、陰極31に近接する面133aを有する。つまり、陰極31により放出された電子は加速され、優先初期方向（矢印Fで示す）に沿って陽極133の面133aを通過する。初期方向は、上記面133aに対して実質的に垂直である。
【００３０】
集電プレート35は、グリッド133の開口ベース132に対応して、面133aの反対側に配置されている。
なお、平行六面体のグリッド状陽極133を採用することにより、真空計の感度を向上させることができる。プレート35とチャンバ10の壁面との両方が接地されているので、実際には、プレート35よりも壁面の方にイオンが引きつけられることにより、イオン分散効果が生じる。だが、プレート35に対応する開口部132以外は閉じられた平行六面体のグリッド133を使用することにより、イオンの分散を防止して、真空計の感度を高めることが可能となる。
【００３１】
図６に、本発明の第４の実施形態による真空計を示す。この真空計は、集電プレート35の構成が上述した実施形態と異なる。
上述した実施形態においては、プレート35は、陰極と対向配置され、陰極自体と実質的に平行かつ電子ビームの優先方向Fと垂直な面に配置されている。
これに対し、図６に示す本発明の実施形態による真空計においては、プレートは、陰極31面に実質的に垂直な面に配置されており、したがって、電子ビームの優先初期方向Fと平行な面に配置されている。つまり、プレート35の方に引きつけられるイオンおよび電離分子は、電子ビームの方向と実質的に垂直な方向に沿ってプレートに向かって移動する。
【００３２】
このようにして、電子源（陰極31）と集電プレート35との間の相互作用が制限される。特に、グリッド133'により放出されるＸ線によるプレート35の光電効果が有意に制限され、これにより、本発明の真空計の感度が更に向上する。
この実施形態においては、グリッド状陽極133'には、適当に集電プレート35に対応させて側方開口部132'が設けられている。
【００３３】
抽出装置37を開口部132'と対応して設けることで、プレート35に向けてのイオンチャネリングを容易にすることができる。抽出装置は例えば、静電レンズにより構成され、これを電源16に接続して、抽出装置の電位がプレート35（接地されている）とグリッド133'との電位の中間になるようにする。
この実施形態には、電子の螺旋移動を起こす磁界を生じる為に、一対の磁石25を設けることができる。板状磁石25を、陰極31とプレート35との両方に対して垂直な面に配置すると有利である。
【００３４】
グリッドに発生するＸ線によるプレートの光電効果によるバックグラウンド電流を制限して、本発明の真空計の感度を上げる為には、集電プレート35をグリッド状陽極133'からより遠く離すのが有利であろう。この目的の為に、例えば磁石や、コンデンサープレートや、静電レンズや、高周波装置等の、帯電粒子から成るビームを偏向させることのできる手段が用いられる。
【００３５】
図７に、本発明の第５の実施形態を示す。この実施形態にはコンデンサ45が設けられており、そのプレート47は適当にバイアスをかけられ、それらの間にイオンや電離分子を導いて、イオンや電離分子の進行方向を約90°偏向するようになっている。
特に、一方のプレート47を接地し、他方のプレートに適当な電位を与えて、所望の曲率半径を有するイオン経路を得ることができる。
【００３６】
陽極133'によって加速された電子は、残留ガスの原子や分子と衝突して、それらを電離する。イオンや電離分子は、コンデンサ45のプレート47間の空間へと導かれ、両プレート47間の経路の出口に配置されたプレート35に向かって約90°偏向される。
図８に示される本発明の第６の実施形態による真空計においても同様に、コンデンサ49が設けられる。このコンデンサ49は、抽出装置37と集電プレート35との間に配置され、イオンや電離分子の向きを約180°偏向するような形状を持つプレート51を有する。
陽極133'によって加速された電子の衝突により生成されるイオンや電離分子は、コンデンサ49のプレート51間に導かれ、プレート51間の経路の出口に配置されたプレート35に向かって約180°偏向される。
【００３７】
後の２つの実施形態によると、集電プレート35は電子ビームと電子源から隔離されるので、グリッド133'に発生するＸ線による光電効果が大幅に低減され、有利である。
上述した後の２つの実施形態においては、イオン偏向の為のコンデンサの代わりに、一対の成形された磁石を使用することも可能である。その場合、これらの磁石間の電位Vmは、イオン経路に求められる曲率半径に応じて選択する。この電位は、以下の関係式に基づいて求められる：
m/q= r2B2/2(V133'- Vm)
式中、mおよびqは、それぞれ偏向されるイオンの質量および電荷であり、
rは、所望の曲率半径であり、
Bは、上記磁石が発生させる磁界の強度であり、
V133'は、グリッド133'の電位である。
当業者は、本発明の真空計の使用により重要な利点が得られることを直ちに理解するであろう。第1の利点として、真空計を大幅に小型化できることから、真空計は如何なる分野にも適用可能となる。更に、小型化のおかげで、真空計は圧力測定を行う環境を乱すことがないので、測定の信頼性および精度が更に向上する。
【００３８】
以上の記述は、非限定例による説明に過ぎず、本発明の特許請求の範囲を逸脱しない限りにおいてその他の変更や修正が可能であることも明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】ナノチューブの概略斜視図である。
【図２Ａ】電子放出用ナノチューブフィルム作成用ナノチューブの組立てを説明する概略図である。
【図２Ｂ】電子放出用ナノチューブフィルム作成用ナノチューブの組立てを説明する別の概略図である。
【図３】本発明の実施形態を示す概略図である。
【図４】本発明の別の実施形態を示す概略図である。
【図５】本発明の別の実施形態を示す概略図である。
【図６】本発明の別の実施形態を示す概略図である。
【図７】本発明の別の実施形態を示す概略図である。
【図８】本発明の別の実施形態を示す概略図である。
【図１】
2005062176.tif 000003
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
2005062176.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【外国語明細書】
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【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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