(57)【要約】【課題】  生産性、作業性の良好な板状ターゲットを用いながら、光吸収の少ない金属フッ化物薄膜をスパッタリングにより再現性良く形成すること。【解決手段】板状のスパッタリングターゲット１をスパッタリングして、基板２上に薄膜を形成するスパッタリング装置であって、スパッタリングターゲット１を固定したバッキングプレート３を介してスパッタリングターゲットを冷却するターゲット冷却用流体と、該ターゲット冷却用流体を、８５℃〜３００℃間の温度範囲内における所定温度に保った状態で供給する冷却用流体供給器４とを備えているスパッタリング装置１及び薄膜形成方法を提供する。【選択図】  図１
2005325376.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状のスパッタリングターゲットをスパッタリングして、基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
前記スパッタリングターゲットを冷却するターゲット冷却用流体を、８５℃〜３００℃間の温度範囲内における所定温度に保った状態で上記薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項２】
板状のスパッタリングターゲットをスパッタリングして、基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
上記スパッタリングターゲットが、金属フッ化物であり、
該金属フッ化物をバッキングプレート上に載置した後、金属フッ化物を冷却するターゲット冷却用流体を、８５℃〜３００℃間の温度範囲内における所定温度に保った状態でバッキングプレートに供給し、上記薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項３】
板状のスパッタリングターゲットをスパッタリングして、基板上に薄膜を形成するスパッタリング装置であって、
前記スパッタリングターゲットを固定したバッキングプレートを介してスパッタリングターゲットを冷却するターゲット冷却用流体と、
該ターゲット冷却用流体を、８５℃〜３００℃間の温度範囲内における所定温度に保った状態で供給する冷却用流体供給器とを備えていることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項４】
請求項３記載のスパッタリング装置において、
前記スパッタリングターゲットが、金属フッ化物であることを特徴とするスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリングによる薄膜、特に光学薄膜に用いられる金属フッ化物等の薄
膜形成方法及びスパッタリング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、反射防止膜やハーフミラー、エッジフィルタ等の光学薄膜を作製する場合、手法の容易さや成膜速度等の点から、真空蒸着法が標準的に用いられてきた。
一方、近年になり、真空蒸着法に比較して自動化、省力化、大面積基板への適用性等の点で有利なスパッタリング法によるコーティングの要求が高まってきている。
しかしながら、低屈折率の光学薄膜として代表的なＭｇＦ２等の金属フッ化物膜を形成するために、板状の金属フッ化物をスパッタリングターゲット（以下、ターゲットという）として用い、また、このターゲットを取り付けたバッキングプレートを室温以下の水で冷却してターゲットの温度を制御してスパッタリングした場合には、金属のＭｇ等とＦとに解離してしまい、基板上の膜中ではＦが不足してしまい、可視光の吸収が生じるという不都合があった。このことが、スパッタリング法を光学薄膜に適用する上での大きな障害となっていた。
【０００３】
ここで、上記金属フッ化物膜をスパッタリング法により形成する際に、可視光で光吸収が生じるという課題を解消した一例として、特許文献１記載の方法が知られている。
この特許文献１には、膜原料として顆粒状のＭｇＦ２をスパタッリングターゲットとすることにより、顆粒特有の熱伝導の悪さ及び顆粒表面のエッジ部への電場、磁場の集中を利用して、ターゲット表面の温度を６５０℃〜１１００℃という高温域に保持すると共に、この高温となった表面をガスイオンでスパッタすることにより、膜原料のＭｇとＦとを解離させることなく分子状態のままで基板上に成膜することを可能とし、光吸収のないＭｇＦ２膜が得られることが開示されている。
【０００４】
また、この特許文献１においては、ターゲット表面温度が６５０℃以下では、従来の板状ターゲットを用いた場合と同様に、ターゲット表面からＭｇＦ２がガスイオンにより叩き出される際に、ＭｇとＦとに解離するため光吸収の大きい膜となること、また、１１００℃以上では、ターゲット表面でＭｇＦ２材料の蒸発現象が起きるため、基板上に形成される膜は耐擦傷性の低いものとなることを見出している。
【特許文献１】特開平９−３１６３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記特許文献１記載の発明は、膜原料として顆粒状のＭｇＦ２を使用しているため、次のような不都合があった。
１つは、顆粒の大きさ及び形状にばらつきがあるため、ターゲットの表面の形状を一定に保つことは難しく、その結果、バッチ毎の成膜速度、膜厚分布、膜質（屈折率、光吸収等）等の再現性を確保することが容易ではなかった。
また、膜原料が顆粒であるため、スパッタリングによる顆粒の消耗が早く、顆粒の継ぎ足し、交換といった作業が頻繁に発生するものであった。更に、膜原料が顆粒であるため、ターゲットを上向きにしか配置できないといった大きな制約があった。このことは、成膜方向に制約がない、即ち、スパッタアップだけでなく、サイドスパッタやスパッタダウンの配置が可能という真空蒸着法に対するスパッタリング法の優位性を損なうものであった。
【０００６】
この発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、生産性、作業性の良好な板状ターゲットを用いながら、光吸収の少ない金属フッ化物薄膜をスパッタリングにより再現性良く形成することができる薄膜形成方法及びスパッタリング装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、この発明は以下の手段を提供している。
請求項１に係る発明は、板状のスパッタリングターゲットをスパッタリングして、基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記スパッタリングターゲットを冷却するターゲット冷却用流体を、８５℃〜３００℃間の温度範囲内における所定温度に保った状態で上記薄膜を形成する薄膜形成方法を提供する。
また、請求項３に係る発明は、板状のスパッタリングターゲットをスパッタリングして、基板上に薄膜を形成するスパッタリング装置であって、前記スパッタリングターゲットを固定したバッキングプレートを介してスパッタリングターゲットを冷却するターゲット冷却用流体と、該ターゲット冷却用流体を、８５℃〜３００℃間の温度範囲内における所定温度に保った状態で供給する冷却用流体供給器とを備えているスパッタリング装置を提供する。
【０００８】
この発明に係る薄膜形成方法及びスパッタリング装置においては、ターゲット冷却用流体の温度を８５℃〜３００℃の間に設定するので、スパッタリングターゲット（以下、ターゲットという）の表面と裏面との温度差が小さくなり、ターゲットの表面から該ターゲットとバッキングプレートとの界面に向かう熱伝導を著しく阻害することができる。その結果、ターゲットの表面の温度を、目的とする高温域で容易に制御することができる。
これにより、従来は不可能とされてきた板状のターゲットを用いて、光吸収のない薄膜を容易に成膜することができる。
【０００９】
また、板状のターゲットを用いることができるため、所望の温度に到達したターゲットの表面は、殆ど均一な温度分布となり、従来の顆粒状のターゲットでは得ることのできなかった低吸収の膜とすることができる。即ち、ターゲット面内の温度分布に着目すると、従来の顆粒状のターゲットの場合には、顆粒単位で温度分布が生じていることから、平均値で所望の温度に到達していても、吸収の発生する低温の粒も相当量存在することにより、得られる膜は一定の吸収を示すことになる。そのため、従来の顆粒状のターゲットは、低吸収の膜とすることが困難であった。
更に、ターゲットの表面からターゲットの裏面及びバッキングプレートの表面にかけて、緩やかな温度分布となるため、従来課題であった成膜中にターゲットが割れる可能性を低減させることができる。
【００１０】
上述したように、ターゲット冷却用流体の温度を８５℃〜３００℃の間に設定するので、ターゲットの表面の高温化が容易に可能となり、標準的な板状ターゲットを用いて、従来の顆粒状ターゲットと同様にターゲットの表面を所望の高温状態に制御することができる。よって、従来課題であったバッチ毎の成膜速度、膜厚分布、膜質（屈折率、光吸収等）等の再現性を容易に確保することが可能であると共に、材料交換等の作業をなくすことができる。
また、板状のターゲットを使用するので、ターゲットの配置の制約がなくなり、スパッタアップだけでなく、サイドスパッタやスパッタダウンの配置が可能となる。よって、ターゲットの配置の利便性を向上させることができる。
なお、ターゲット冷却用流体の温度が８５℃未満の場合には、ターゲットの表面からターゲットの裏面及びバッキングプレートの表面にかけての温度分布が緩やかになり難いため、十分な効果を発揮できず、また、ターゲット冷却用流体の温度が３００℃を超えた場合には、ターゲット冷却用流体の流路に耐熱性を持たせるために余分なコストが発生する等の問題がある。  
【００１１】
請求項２に係る発明は、板状のスパッタリングターゲットをスパッタリングして、基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、上記スパッタリングターゲットが、金属フッ化物であり、該金属フッ化物をバッキングプレート上に載置した後、金属フッ化物を冷却するターゲット冷却用流体を、８５℃〜３００℃間の温度範囲内における所定温度に保った状態でバッキングプレートに供給し、上記薄膜を形成する薄膜形成方法を提供する。
また、請求項４に係る発明は、請求項３記載のスパッタリング装置において、前記スパッタリングターゲットが、金属フッ化物であるスパッタリング装置を提供する。
【００１２】
この発明に係る薄膜形成方法及びスパッタリング装置においては、ターゲット冷却用流体の温度を８５℃〜３００℃の間に設定するので、スパッタリングターゲット（以下、ターゲットという）の表面の温度を短時間に、安定して所定の高温に到達させた状態で、膜原料をガスイオン等で叩き出し、金属とフッ素等の結合を切ることなく、基板上に薄膜を形成することができる。従って、これまで不可能とされてきた板状のターゲットを用いて光吸収のない金属フッ化物膜を、従来の顆粒状ターゲットに比べ遥かに再現性良く形成することができる。
また、金属フッ化物としては、ＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＣａＦ２、ＡｌＦ３、Ｎａ３ＡｌＦ６及びＬａＦ３等があるが、低屈折率という点及び機械的強度に優れるという点で、ＭｇＦ２が多用される。
なお、本発明における基板としては、ガラス製やプラスチック製の基板を用いることができる。      
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る薄膜形成方法及びスパッタリング装置によれば、板状のターゲットを用いて、従来の顆粒状ターゲットと同様にターゲットの表面を所望の高温状態に制御することができる。従って、従来課題であったバッチ毎の成膜速度、膜厚分布、膜質（屈折率、光吸収等）等の再現性を容易に確保することが可能であると共に材料交換等の作業をなくすことができる。
また、板状のターゲットを使用するので、ターゲットの配置の制約がなくなり、スパッタアップだけでなく、サイドスパッタやスパッタダウンの配置が可能となり、ターゲットの配置の利便性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係るスパッタリング装置及び薄膜形成方法の第１実施形態について、図１及び図２を参照して説明する。
本実施形態のスパッタリング装置は、図１に示すように、円盤板状（板状）のスパッタリングターゲット（以下、ターゲットという）１をスパッタリングして、基板としてのガラス２上に薄膜を形成するものであって、ターゲット１を固定したバッキングプレート３を介してターゲット１を冷却するターゲット冷却用流体（以下、冷却用流体という）と、該冷却用流体を、８５℃〜３００℃間の温度範囲内における所定温度に保った状態で供給する冷却用流体供給器４とを備えている。
【００１５】
上記ターゲット１は、例えば、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍの円盤板状の金属フッ化物であるＭｇＦ２からなっている。このターゲット１を取り付ける上記バッキングプレート３は、無酸素胴からなり、ろう付けによりターゲット１とボンディング固定されている。これにより、ターゲット電極を構成して使用されるようになっている。
【００１６】
なお、ターゲット１とバッキングプレート３とは、ボンディング固定に限られず、ターゲット１の交換を簡略化する目的やボンディング部の熱的、機械的強度を増す目的で、例えば、バッキングプレート３にターゲット１をネジ止め等の機械的方法にて固定することで、ターゲット電極を構成して使用しても構わない。
いずれのターゲット電極も、直接冷却用流体で冷却されたバッキングプレート３にて、スパッタリング中にターゲット１に発生する熱、即ち、導入されたガスがイオン化し、このイオン化したガスイオンがターゲット１の表面をスパッタリングした際に生ずる熱を、積極的に逃がすことによってターゲット１のバッキングプレート３側の温度を低くし、バッキングプレート３を介してターゲット１の温度を制御するものである。
【００１７】
上記バッキングプレート３は、真空槽５の下部に設けられたマグネトロンカソード６の上に取り付けられている。バッキングプレート３とマグネトロンカソード６との当接面は、両者の外周側で当接し、その内側はリング状の中空構造７となっている。そして、この中空構造７は、流体流路として利用され、該流体流路内に±１℃の精度で温度制御された上記冷却用流体を真空槽５の外部に配置された上記冷却用流体供給器４から供給することで、バッキングプレート３を介してターゲット１の表面を一定の温度に保つことが可能な構成となっている。
ここで、冷却用流体としては水を用い、冷却用流体供給器４の温度設定は、１００±１℃、即ち、８５℃〜３００℃間の温度範囲内における所定温度とした。この時、流路内で水を気化させないために、図示しないブースターポンプを冷却用流体供給器４内に設置して使用している。
【００１８】
上記マグネトロンカソード６は、真空槽５の外部に配置されたマッチングボックス８を介して１３．５６ＭＨｚの高周波電源９と接続されている。
また、ターゲット１の上方には、開閉自在なシャッタ１０が設けられおり、該シャッタ１０を開閉動作させることで、スパッタリングされたベーパー状態のＭｇＦ２の上方への飛散を阻止する状態と、飛散させる開放状態とを切り替えることができるようになっている。
また、真空槽５の上部には、薄膜を形成する上記ガラス２を取り付ける基板ホルダ１１が自転自在（図中に示す矢印方向）に設けられている。また、真空槽５の側面には、該真空槽５内部にスパッタガスとしてＯ２ガスを導入するためのガス導入口１２が設けられている。更に、真空槽５の側面には、ターゲット１の表面温度を図示しない赤外線温度計を用いて測定するための覗き窓１３が設けられている。
【００１９】
このように構成されたスパッタリング装置を用いてガラス２上に薄膜を形成する場合について説明する。
まず、基板ホルダ１１にガラス２を取りつけた後、真空槽５内を１×１０−４Ｐａまで排気する。その後、Ｏ２ガスをガス導入口１２から真空槽５内に、該真空槽５内が５×１０−１Ｐａまで導入する。
次に、高周波電源９から電力をマグネトロンカソード６に供給し、シャッタ１０を閉じた状態でターゲット１のプレスパッタを開始する。この時の投入電力は、４１０Ｗとし、その後も投入電力は４１０Ｗに固定する。そして、ターゲット１の表面に発生するプラズマが安定した後、ターゲット１の表面温度が７００℃を超えた所で安定するのを待って、基板ホルダ１１を自転させると共にシャッタ１０を開放状態にする。これにより、ガラス２上に薄膜が形成される。また、ガラス２上に形成される膜厚が、目標とする物理的膜厚１００ｎｍとなる時間でシャッタ１０を閉じた。
【００２０】
なお、上述した投入電力については、予め次のような検討を行い設定している。
まず、上記プレスパッタ時に、ターゲット１の表面温度が上昇していく変化状態を図２に示す。ここで、ターゲット１の表面温度は、赤外線温度計を用いて真空槽５に設けられた覗き窓１３から測定を行っている。
図２に示す特性線図（実施例１）から判るように、ターゲット１の表面温度は、プレスパッタを開始すると時間と共に上昇し始め、約１０分後に所望の７００℃に到達する。この７００℃となる平衡温度は、マグネトロンカソード６に投入する電力により増減するものである。よって、本実施形態で用いた４１０Ｗは、予め７００℃で平衡となる電力を検討した結果設定したものである。
なお、ＭｇＦ２の場合には、ターゲット１の表面温度が６５０℃以下では、波長４００ｎｍの光吸収が十分に低くはならず、７５０℃以上では温度制御が不安定になるため、ターゲット１の表面温度は７００〜７２０℃を目標としている。
【００２１】
繰り返し１０バッチの成膜を行い得られたガラス２上の膜厚（物理的膜厚）を測定したところ、膜厚ばらつきは、１００±１．８ｎｍとなり良好な再現性を示した。また、この膜の可視域での屈折率は１．３８であり、真空蒸着法で得られるものと同等で十分に低い値となっていた。また、波長４００ｎｍでの光吸収は、０．０６％という従来のＭｇＦ２スパッタ膜では得ることのできない良好な結果となっている。
更に、物理的膜厚が、１００ｎｍとなる成膜時間についても、１０バッチの平均値は２５秒となり、これまでの通常のスパッタ法であるターゲット１を加温しない場合に比べ、１０倍以上の成膜速度となっていることが判った。
【００２２】
これら本実施形態で得られた結果を表１に示す。
【００２３】
【表１】
2005325376.tif 000003
【００２４】
表１中の、７００℃到達時間、光吸収及び成膜時間は、繰り返し１０バッチの平均値で、また、膜厚ばらつきについても繰り返し１０バッチのばらつきで示してある。
なお、真空槽５内に導入するガスとしてＯ２ガスを用いているが、これに限らず、不活性ガス又はＮ２とＯ２との混合ガスでも同様の結果を得ることができる。また、冷却用流体を８５℃とした場合にも、本実施形態と同様の効果が得られている。
【００２５】
上述したように、本実施形態のスパッタリング装置及び薄膜形成方法によれば、冷却用流体の温度を８５℃〜３００℃の間である１００±１℃に設定するので、ターゲット１の表面と裏面との温度差が小さくなり、ターゲット１の表面から該ターゲット１とバッキングプレート３との界面に向かう熱伝導を著しく阻害することができる。その結果、ターゲット１の表面の温度を、目的とする高温域で容易に制御することができる。これにより、従来は不可能とされてきた板状のターゲット１を用いて、光吸収のない薄膜を容易に成膜することができる。
【００２６】
また、板状のターゲット１を用いることができるため、所望の温度（７００℃）に到達したターゲット１の表面は、殆ど均一な温度分布となり、従来の顆粒状のターゲットでは得ることのできなかった低吸収の膜とすることができる。
更に、ターゲット１の表面からターゲット１の裏面及びバッキングプレート３の表面にかけて、緩やかな温度分布となるため、従来課題であった成膜中にターゲットが割れる可能性を低減させることができる。
【００２７】
つまり、ターゲット１の表面の温度を短時間に、安定して所定の高温に到達させた状態で、膜原料をガスイオン等で叩き出し、金属とフッ素等の結合を切ることなく、ガラス２上に薄膜を形成することができる。従って、これまで不可能とされてきた板状のターゲット１を用いて光吸収のない金属フッ化物膜を、従来の顆粒状ターゲットに比べ遥かに再現性良く形成することができる。
【００２８】
なお、本実施形態においては、金属フッ化物としてＭｇＦ２を用いたが、これに限らず、ＬｉＦ、ＣａＦ２、ＡｌＦ３、Ｎａ３ＡｌＦ６及びＬａＦ３等でも構わない。但し、低屈折率という点及び機械的強度に優れるという点で、ＭｇＦ２が多用される。
また、冷却用流体として水を用いたが、冷却オイルや空気等の冷却用流体でも構わない。但し、スッパタリング装置に大きな改造等を施さずに使用できる冷却水が望ましく、この場合の冷却用流体の温度は８５℃〜１５０℃の温度範囲が好ましい。
【００２９】
次に本発明に係るスパッタリング装置及び薄膜形成方法の第２実施形態について説明する。
本実施形態では、冷却用流体としてオイルを用い、冷却用流体供給器４の温度設定を２８０±２℃としている。また、オイルの流れる流路については、パッキンや配管材等を耐熱仕様のものとしている。また、ターゲット１の表面の温度が、所望の７００℃で平衡となる電力を２２０Ｗと設定した。その他の条件は、上述した第１実施形態と同様にして、ガラス２上に物理的膜厚１００ｎｍの薄膜を形成した。
本実施形態によれば、図２（実施例２）及び表１（実施の形態２）に示すように、７００℃に到達するまでの時間は、２．５分と大幅に短縮された。また、得られた膜の特性、膜厚ばらつき及び成膜時間については、第１実施形態とほぼ同様の良好な結果となった。
なお、ターゲット１として、ＭｇＦ２に代えて、ＣａＦ２、ＬａＦ３等の他の金属フッ化物を用いた場合には、所望の温度は７００℃より低くなり、冷却用流体給器４の設定温度や投入電力が異なるが、いずれの物質でも光吸収のない膜を再現性良く形成することができた。
【００３０】
次に、上記第１実施形態及び第２実施形態と比較するための実験結果を以下に示す。
（比較例１）
比較例１として、２０±１℃の水を冷却用流体として用い、投入電力６００Ｗでガラス２上に物理的膜厚１００ｎｍの薄膜を形成し、同様の実験を行った。
但し、この２０±１℃の冷却水では、ターゲット１の表面からターゲット１の裏面及びバッキングプレート３の表面にかけての放熱が大きくなるため、電力を大きくし実験を行ってもターゲット１の表面温度は約６００℃で平衡してしまい、所望の７００℃に到達させることができなかったので、比較例１では６００Ｗで実験を行った。その他の条件は、第１実施形態と同様とした。
【００３１】
実験結果は、図２（比較例１）及び表１（比較例１）に示しているが、ターゲット１の表面温度が十分に上がっていないため、ＭｇＦ２がガスイオンに叩き出される際に、ＭｇとＦとが解離してしまいガラス２上に形成される膜は、波長４００ｎｍでの光吸収が３．１％と実用に値しないレベルのものとなった。
また、１００ｎｍの成膜時間も３７０秒とターゲット１の表面を７００℃にして行う第１実施形態及び第２実施形態の場合と比べ、はるかに長時間を要していた。
【００３２】
（比較例２）
比較例２では、上記第１実施形態、第２実施形態及び比較例１で用いた板状ターゲット１に代えて、図３に示すように、顆粒状ターゲット２０を用いて同様の実験を行った。
この顆粒状ターゲット２０は、粒径１〜５ｍｍのＭｇＦ２顆粒２１を、内径１００ｎｍの石英皿２２に入れたもので、バッキングプレート３の上に載置されている。また、冷却用流体としては、２０±１℃の水を用い、顆粒状ターゲット２０の表面の温度が所望の７００℃で平衡となる電力を４９０Ｗと設定している。その他の条件は、第１実施形態と同様とした。
【００３３】
実験結果は、図２（比較例２）及び表１（比較例２）に示しているが、第１実施形態、第２実施形態及び比較例１で用いた板状ターゲット１に対し、この顆粒状ターゲット２０の場合には、顆粒形状に起因する熱伝導の悪さと石英皿２２に起因する断熱効果により、顆粒状ターゲット２０の表面温度は短時間で上昇し、４分後には７００℃に到達している。しかしながら、この物理的膜厚１００ｎｍの薄膜を形成する間に、覗き窓１３からは顆粒状ターゲット２０の表面の一部が、その周辺部よりも赤熱している様子が観察されている。
【００３４】
特に、特徴的なのは４００ｎｍの光吸収が０．２％となり、第１実施形態及び第２実施形態に比べ幾分大きくなること、また、膜厚ばらつきも±８％と第１実施形態及び第２実施形態に比べ大きくなっていることで、いずれも上記成膜中の顆粒状ターゲット２０の表面の熱的不均一が原因したものと推測される。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に係るスパッタリング装置の概略構成図である。
【図２】本発明に係る第１実施形態、第２実施形態及び比較例１、２におけるプレスパッタ時間とターゲット表面温度との関係を示す図である。
【図３】比較例２における顆粒状ターゲットの断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１    スパッタリングターゲット
２    ガラス（基板）
３    バッキングプレート
４    冷却用流体供給器
５    真空槽
６    マグネトロンカソード
８    マッチングボックス
９    高周波電源
１０    シャッタ
１１    基板ホルダ  
１２    ガス導入口
１３    覗き窓
２０    顆粒状ターゲット  
２１    ＭｇＦ２顆粒
２２    石英皿
【図１】
2005325376.tif 000004
【図２】
2005325376.tif 000005
【図３】
2005325376.tif 000006