(57)【要約】      （修正有）【課題】 製造工程の簡略化。【解決手段】半導体基板の上面に犠牲層110を積層するステップ(a)、犠牲層の所定領域を取り除くステップ(b)、犠牲層の上面に金属膜を蒸着し、パターニングを行って下部電極層120を形成するステップ(c)、下部電極層の上面に圧電物質を蒸着しパターニングを行って圧電層130を形成するステップ(d)、圧電層の上面に金属膜を蒸着しパターニングを行って上部電極層140を形成するステップ(e)、を含む。上部および下部電極用の金属膜の蒸着時に所定の上方向の応力が発するように蒸着圧力および蒸着パワーのうち少なくともいずれか１つを調整する。支持体を必要としないのでこれを製造するための工程が簡単になる。【選択図】   図４Ｅ
2005033774.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上面に第１層を積層するステップと、
前記第１層の所定領域を取り除くステップと、
前記所定の領域が取り除かれた前記第１層の上面に第１金属膜を蒸着し、前記第１層の形状に基づいた第１金属膜によるパターニングを行って下部電極層を形成するステップと、
前記下部電極層の上面に圧電物質を蒸着し、前記下部電極層の形状に基づいた圧電物質に対するパターニングを行って圧電層を形成するステップと、
前記圧電層の上面に第２金属膜を蒸着し、前記圧電層の形状に基づいた第２金属膜に対するパターニングを行って上部電極層を形成するステップと、を含み、
前記下部電極用の第１金属膜と前記上部電極用の第２金属膜の蒸着時に所定の上方向の応力が発生するように、蒸着圧力および蒸着パワーのうち少なくともいずれか１つを調整することを特徴とする、薄膜バルク音響共振器の製造方法。
【請求項２】
前記第１層において、前記第１層が取り除かれた第１領域および前記圧電層が積層される第２領域との間にある第３領域をパターニングし、所定のしわを形成するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜バルク音響共振器の製造方法。
【請求項３】
前記所定のしわの断面形状は、櫛の歯状および/または連続する半球状であることを特徴とする、請求項２に記載の薄膜バルク音響共振器の製造方法。
【請求項４】
前記上部電極層の前記圧電層に対応する部位に所定の第１曲げ防止凹溝を形成するステップと、
前記第１曲げ防止凹溝の形成に先立ち、前記下部電極層をパターニングして第２曲げ防止凹溝を形成するステップと、
をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜バルク音響共振器の製造方法。
【請求項５】
前記下部電極層の形成後に前記第１層を取り除くステップを更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜バルク音響共振器の製造方法。
【請求項６】
半導体基板と、
第１領域は前記半導体基板の信号ラインと電気的に接触し、第２領域は前記半導体基板から所定の高さで離隔するように形成された下部電極層と、
前記下部電極層の第２領域の上面に前記下部電極層の形状に基づいて形成された圧電層と、
前記圧電層の上面に前記圧電層の形状に基づいて形成された上部電極層と、を含むことを特徴とする薄膜バルク音響共振器。
【請求項７】
前記下部電極層において、前記第１領域と前記圧電層が積層される第２領域との間にある第３領域には、所定のしわが形成されていることを特徴とする、請求項６に記載の薄膜バルク音響共振器。
【請求項８】
前記所定のしわの断面形状は、櫛の歯状および/または連続する半球状であることを特徴とする請求項７に記載の薄膜バルク音響共振器。
【請求項９】
前記上部電極層の前記圧電層に対応する部位に所定の第１曲げ防止凹溝が形成されていることを特徴とする、請求項６に記載の薄膜バルク音響共振器。
【請求項１０】
前記下部電極層の前記圧電層に対応する部位に、所定の第２曲げ防止凹溝が形成されていることを特徴とする、請求項６に記載の薄膜バルク音響共振器。
【請求項１１】
前記下部電極層は片持ち梁状であることを特徴とする請求項６に記載の薄膜バルク音響共振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、音響共振器の製造方法およびそれによる共振器に関し、特に、金属膜の内部応力を用いた薄膜バルク音響共振器（Film  Bulk  Acoustic  Resonator：ＦＢＡＲ）製造方法および共振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、無線移動通信技術の発展は目覚しい。かかる移動通信技術は限られた周波数帯域において効率よく情報を伝達できる様々な高周波（Radio  Frequency：ＲＦ）部品が求められる。特に、ＲＦ部品のなかでフィルタは、移動通信技術に使用される主な部品の１つであり、数切れない空間波の中でユーザが必要とする信号を選択したり伝送しようとする信号をフィルタリングすることにより高品質の通信を可能にする。
【０００３】
現在、無線通信用のＲＦフィルタとして代表的に使用されているのが、誘電体フィルタと表面弾性波（Surface  Acoustic  Wave：ＳＡＷ）フィルタである。誘電体フィルタは、高い誘電率、抵挿入損失、高温度における安定性、内振動および内衝撃から強いという利点を有している。しかし、誘電体フィルタは、最近の技術動向である小型化およびＭＭＩＣ（Monolithic  Microwave  IC）化においてその限界を有している。
【０００４】
ＳＡＷフィルタは、誘電体フィルタに比べて小型ながら信号処理が容易で且つ回路が単純であり、半導体工程を用いることにより大量生産ができる利点をもつ。また、ＳＡＷフィルタは、誘電体フィルタに比べて通過帯域内のサイドリジェクション（Side  Rejection）が高いので高品位の情報のやり取りができる。しかし、ＳＡＷフィルタ工程は紫外線（ＵＶ）を用いて露光する工程が含まれているのでＩＤＴ（Inter  Digital  Transducer）船幅が０．５mｍ程度が限界であるという短所を有する。従って、ＳＡＷフィルタを用いて超高周波（５ＤＨｚ以上）帯域をカバーすることは難しく、根本的にＳＡＷフィルターをＭＭＩＣ化することができない問題点を抱えている。
【０００５】
前述のような問題点を克服するために既存の半導体（Ｓｉ、ＧａＡｓ）基板に別の能動素子と共に集積されて周波数制御回路を完全にＭＭＩＣ化できるＦＢＡＲフィルタが提案されている。
【０００６】
ＦＢＡＲは薄膜素子として、低価格でありながら高品質（High Q）係数の特性を有しているため種々の周波数帯域（９００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚ）の無線通信機器、軍用レーダーなどにも使用可能である。さらに、誘電体フィルタおよびＬＣフィルタより数百分の１サイズに小型化することができ、ＳＡＷフィルタよりも挿入損失が少ないという特性を有している。よって、ＦＢＡＲは安定的で且つ高品質係数を要求するＭＭＩＣに適用され得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＦＢＡＲフィルタは半導体基板であるシリコン（Ｓｉ）やガリウム砒素（ＧａＡｓ）に圧電誘電体物質である酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）をＲＦスパッタリング方法で直接蒸着し、圧電特性による共振を誘発する。かかるＦＢＡＲは、両極との間に圧電膜を蒸着してバルク音響波（Bulk  Acoustic  Wave）を誘発させ共振を発生する。
【０００８】
図１ないし図３は従来のＦＢＡＲ構造を示した図である。
【０００９】
図１は、従来のメンブレン型（Bulk  micro  machining型）ＦＢＡＲの構造を示した図であって、メンブレン型ＦＢＡＲは半導体基板１１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）１２を蒸着し、半導体基板１１の反対面を異方性エッチング（Isotropic  Etching）し、形成された空洞部（Cavity）１６を介してメンブレン層１２を形成する。そして、シリコン酸化膜１２の上部に下部電極層１３を形成し、該下部電極層１３の上部へ圧電物質１４をＲＦをマグネトロンスパッタリング（Magnetron  Sputtering）方法で蒸着して圧電層１４を形成する。その後圧電層１４の上部に上部電極層１５を形成する。部材番号の１７は共振構造物を示す。
【００１０】
上記のようなメンブレン型ＦＢＡＲは、空洞部１６により半導体基板１１の誘電損失が少なくなり、かつ電力損失も減らし得る。しかし、メンブレン型ＦＢＡＲは半導体基板の方向性によって素子が占めている面積が大きく、後続パッケージング工程時、構造的に安定性が落ちるので破損による収率低下の問題を抱えている。従って、最近にはメンブレン型ＦＢＡＲ問題点を克服するために素子の製造工程を単純化したエアギャップ（Air  Gap）型ＦＢＡＲとブラッグ反射（Bragg  Reflector）型ＦＢＡＲが登場している。
【００１１】
図２はブラッグ反射型ＦＢＡＲの構造を示した図である。ブラッグ反射型ＦＢＡＲは、所定の部材２２、２３、２４からなる音響反射器２８を半導体基板２１上に積層し、該音響反射器２８上に共振構造物２９を積層するという構造で製造されている。かかるブラッグ反射型ＦＢＡＲは、半導体基板２１上に音響インピーダンス（Acoustic  Impedance）差が大きい物質を順次に蒸着、ブラッグ反射を誘発させて音波エネルギーが上/下部電極２５、２７との間で共振されるようにする。部材番号２６は圧電層を示す。
【００１２】
このことからブラッグ反射型ＦＢＡＲは、その構造が堅固であり、製造時間が節約されると共に、外部からの衝撃に強いという長点をもつ。しかしながら、ブラッグ反射型ＦＢＡＲは、全反射がなされるための層間の厚さ調節が容易ではなく、反射層２８形成にかかる製造コストが上昇してしまう。
【００１３】
図３は、エアギャップ型ＦＢＡＲの構造を示した図である。エアギャップ型ＦＢＡＲはマイクロマシニング技術を利用、半導体基板３１の表面に犠牲層を介してエアギャップ３６を形成することで、メンブレン層３２を形成する。部材番号３２は酸化シリコン膜、３３は下部電極層、３４は圧電層、３５は上部電極層、そして３６は共振構造物を示す。
【００１４】
エアギャップ型ＦＢＡＲは、図１のメンブレン層の形成のための基板反対面のエッチングを行う時、所要される長い工程時間と有害ガスによる危険性を抑えることができ、半導体基板の誘電体損失を減らすことができる。しかし、エアギャップ型ＦＢＡＲは、犠牲層のエッチング時に構造物が長時間露出されて後続の工程で簡単に破損されるので、収率を落としてしまう原因となり製造工程が複雑となる問題点がある。
【００１５】
すなわち、圧電層から生じる圧電効果により電気的信号を音響波状の機械的信号に共振部が変換するとき、共振部が基板と接すると音響波が基板に吸収されて共振効率が低下する。これを防ぐため、単純かつ安価な製造工程で共振部と基板とが離隔している構造の薄膜バルク音響共振器を製造したいというニーズがある。しかし、製造工程での収率を向上させる薄膜バルク音響共振器の製造方法およびそれにかかる共振器は未だ提供されていない。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前述の技術的課題を解決するために、本発明は、上/下部電極層を蒸着する際に外力を加えることにより上方応力を発生させ、別除の支持体なしに上/下部電極層および圧電層が半導体基板から離隔され得る薄膜バルク音響共振器の製造方法およびそれにかかる共振器を提供する。また本発明は、下部電極層の所定の領域にしわを形成して小さい外力による上方応力からにも圧電共振構造物が所定の高さ以上に半導体基板から離隔される薄膜バルク音響共振器の製造方法及びそれに係る共振器を提供する。
【００１７】
具体的には、発明１は、下記のステップを含む薄膜バルク音響共振器の製造方法を提供する。この方法では、下部電極用の第１金属膜と前記上部電極用の第２金属膜の蒸着時に所定の上方向応力が発生するように、蒸着圧力および蒸着パワーのうち少なくともいずれか１つを調整する。
・半導体基板の上面に第１層を積層するステップ、
・前記第１層の所定領域を取り除くステップ、
・前記所定の領域が取り除かれた第１層の上面に第１金属膜を蒸着し、前記第１層の形状に基づいた第１金属膜によるパターニングを行って前記下部電極層を形成するステップ、
・前記下部電極層の上面に圧電物質を蒸着し、前記下部電極層の形状に基づいた圧電物質に対するパターニングを行って圧電層を形成するステップ、
・前記圧電層の上面に第２金属膜を蒸着し、前記圧電層の形状に基づいた第２金属膜に対するパターニングを行って上部電極層を形成するステップ。
【００１８】
下部電極層及び上部電極層の蒸着時に外力を加え、それに応じて上方向の応力を下部電極層及び上部電極層に発生させることで、上部電極層及び/または下部電極層と圧電層とを半導体基板から十分に離隔することができる。従って、共振部が電気的信号を機械的信号に変換するとき、共振部が基板と接して音響波が基板に吸収されて共振効率が低下することを防止することができる。しかも、圧電層を基板から離隔させるための支持体が要らないため、製造工程が簡単になる利点をもつ。さらに、製造工程が簡単であると共に、既存のＦＢＡＲのように圧電層の付近が空気層に取り囲まれるという利点をもつ。加えて下部基板のエッチング工程がないのでＣＭＯＳ工程と並行できる。
【００１９】
発明２は、発明１において、前記第１層において、前記第１層が取り除かれた第１領域および前記圧電層が積層される第２領域との間にある第３領域をパターニングし、所定のしわを形成するステップをさらに含む薄膜バルク音響共振器の製造方法を提供する。下部電極層の所定の領域にしわを形成することにより、小さい外力により小さい応力を発生させ、圧電共振構造物を所定の高さ以上に離隔させることができる。
【００２０】
発明３は、発明２において、所定のしわの断面形状が櫛の歯状および/または連続する半球状である薄膜バルク音響共振器の製造方法を提供する。櫛の歯状や半球状のしわは、形成しやすく好ましい。
【００２１】
発明４は、発明１において、
・前記上部電極層の前記圧電層に対応する部位に所定の第１曲げ防止凹溝を形成するステップと、
・前記第１曲げ防止凹溝の形成に先立ち、前記下部電極層をパターニングして第２曲げ防止凹溝を形成するステップと、
をさらに含む薄膜バルク音響共振器の製造方法を提供する。
【００２２】
第１及び第２曲げ防止凹溝を形成することにより、上部及び下部電極層と圧電層とで形成される圧電共振構造物が形成される部分が応力で曲がるのを防止することができる。
【００２３】
発明５は、発明１において、前記下部電極層の形成後に前記第１層を取り除くステップを更に含む薄膜バルク音響共振器の製造方法を提供する。第１層は犠牲層であるため、適当な段階で除去することにより、片持ち梁状の下部電極層を形成することができる。
【００２４】
本発明６は、下記の構成要素を有する薄膜バルク音響共振器を提供する。
・半導体基板、
・第１領域は前記半導体基板の信号ラインと電気的に接触し、第２領域は前記半導体基板と所定の高さで離隔するように形成された下部電極層、
・前記下部電極層の第２領域の上面に前記下部電極層の形状に基づいて形成された圧電層、
・前記圧電層の上面に前記圧電層の形状に基づいて形成された上部電極層。
【００２５】
発明７は、発明６において、前記下部電極層において、前記第１領域と前記圧電層が積層される第２領域との間にある第３領域には、所定のしわが形成されている薄膜バルク音響共振器を提供する。しわにより小さい応力を発生させ、圧電共振構造物を所定の高さ以上に離隔させることができる。
【００２６】
発明８は、発明７において、前記所定のしわの断面形状が櫛の歯状および/または連続する半球状である薄膜バルク音響共振器を提供する。櫛の歯状や半球状のしわは、形成しやすく好ましい。
【００２７】
発明９は、発明６において、前記上部電極層の前記圧電層に対応する部位に所定の第１曲げ防止凹溝が形成されている薄膜バルク音響共振器を提供する。また発明１０は、発明６において、前記下部電極層の前記圧電層に対応する部位に、所定の第２曲げ防止凹溝が形成されている薄膜バルク音響共振器を提供する。第１及び第２曲げ防止凹溝を形成することにより、上部及び下部電極層と圧電層とで形成される圧電共振構造物が形成される部分が応力で曲がるのを防止することができる。
【００２８】
発明１１は、発明６において、前記下部電極層は片持ち梁状である薄膜バルク音響共振器を提供する。
【発明の効果】
【００２９】
本発明を用いれば、単純かつ安価な製造工程で圧電共振構造物と半導体基板とを離すことができ、収率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
図４Ａないし図４Ｆは、本発明の一実施形態に係るＦＢＡＲの製造工程を順次に示した図である。
【００３１】
説明の便宜のために、下記の工程に基づいて上/下部電極層１２０、１４０、圧電層１３０が備えられ形成された構造物を圧電共振構造物１５０と称し、圧電共振構造物１５０を横軸にして３つの領域、すなわち、伝導領域Ａ、共振領域Ｃ、および支持領域Ｂに分けて詳説する。伝導領域Ａは、圧電共振構造物１５０を半導体基板１００の信号ライン（図示せず）と電気的に接触させる領域である。共振領域Ｃには、上/下部電極層１２０、１４０および圧電層１３０が積層される。そして共振領域Ｃには上/下部電極層１２０、１４０に電気的信号が印加される場合、上/下部電極層１２０、１４０との間の圧電層１３０にて圧電現象を発生させることにより一定の周波数帯域で共振現象が発生される。そして、支持領域Ｂは、伝導領域Ａおよび共振領域Ｃとを連結し、共振領域Ｃが半導体基板１００から所定の距離離隔されるように支持する領域である。
【００３２】
まず、図４Ａの工程では、半導体基板１００の上面に犠牲層１１０を蒸着する。半導体基板１００には通常にシリコンウェハーが用いられるが、その他にガラス基板、シリカ（Fused  silica）、石英（Quartz）、セラミック、高抵抗シリコン基板（ＨＲＳ）が用いられる。犠牲層１１０の厚さは後述されるエアギャップの厚さと深く関連される。
【００３３】
図４Ｂの工程では、半導体基板１００に蒸着された犠牲層１１０の伝導領域Ａをフォトリソグラフィー（photolithography）工程により取り除く。かかる過程は半導体基板１００の信号ライン（図示せず）と後述する下部電極層１２０との電気的な接触のために行われる。同様に、フォトリソグラフィー工程を介して支持領域Ｂに所定のしわ（wrinkle）を形成する。所定のしわは様々なタイプで形成されるが、図面に示されたように連続された半球状の形態が好ましい。本明細書では、パターニング過程としてフォトリソグラフィー工程を例に挙げたが、それに限らない。
【００３４】
図４Ｃの工程では、下部電極層１２０を形成するために下部電極用の金属膜を犠牲層１１０の全領域（Ａ、ＢおよびＣ領域）にわたって蒸着させ、犠牲層１１０の形状に応じてパターニングする。そして下部電極用の金属膜の蒸着時に蒸着圧力および蒸着パワーなどのような外力が所定の大きさに増加されるように調整する。蒸着圧力および蒸着パワーの外力が増加するように調整する理由は、下部電極用の金属膜において外力に反発して上方向に応力（stress）を発生させるためである。下部電極用の金属膜の伝導領域Ａは、図４Ｂの工程を介して半導体基板１００の信号ライン（図示せず）と直接接触して電気的に接続される。下部電極用の金属膜に用いられる物質としては、金属のような通常の導電物質が用いられるが、好ましくは、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、およびモリブデン（Ｍｏ）のうちいずれか１つから選択できる。蒸着方法としては、ＲＦマグネトロンスパッタリング（ＲＦ  Magnetron  sputtering）方法およびエバポレーション（evaporation）方法がある。
【００３５】
一方、図４Ｄの工程では、下部電極１２０上面の共振領域Ｃに圧電物質を蒸着させてパターニングを行い圧電層１３０を形成する。圧電層１３０では、電気的な信号が印加されれば、これを音響波形態の機械的なエネルギーに変換させる圧電現象が生じる、通常、圧電層１３０を形成する圧電物質としては窒化アルミニウム（ＡｌＮ）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）が使用されるが、それに限らない。また前記圧電層１３０の蒸着方法としてＲＦマグネトロンスパッタリング方法を用いることが好ましい。
【００３６】
次に、図４Ｅの工程では、上部電極１４０を形成するために圧電層１３０上部に上部電極用の金属膜を蒸着してパターニングを行う。上部電極層１４０に蒸着される金属膜の種類および金属膜の蒸着方法は、前述の下部電極層１２０に蒸着される金属膜の種類と蒸着方法と同一であるが必ずしもそれに限らない。また、下部電極層を形成する時も同様に、上部電極用の金属膜の蒸着時にも蒸着圧力および蒸着パワーのような外力が所定の大きさ増加するように調整する。
【００３７】
最後に図４Ｆに示したように、犠牲層１１０をエッチングして除去し、半導体１００と圧電共振構造物１５０との間にエアギャップを形成させ、下部電極層１２０を片持ち梁状に形成する。よって圧電層１３０からの音響波が半導体基板１００による影響を受けない。犠牲層１１０のエッチングは、湿式エッチング方法または乾式エッチング方式が採用され得る。
【００３８】
以上のような工程を介して図４Ｆに示された圧電共振構造物１５０が形成される。伝導領域Ａにおける圧電共振構造物１５０は、半導体基板１００の信号ライン（図示せず）と電気的に接触する。また所定の外力に反発することで生じた上方向の応力は支持領域Ｂ、共振領域Ｃを上方向に曲げ、これによって圧電共振構造物１５０の共振領域Ｃは半導体基板１００から所定の距離隔てられる。
【００３９】
図５は、本発明に係る製造工程により形成されたＦＢＡＲに対する他の実施形態を示した図である。特に、図５におけるＦＢＡＲが図４Ａないし図４Ｆにより形成されたＦＢＡＲと相違しているところは支持領域Ｂのしわ形態が櫛の歯状を有している点である。
【００４０】
図４Ｆおよび図５のような所定のしわを形成する理由は次の通りである。本発明によれば、上/下部電極層２２０、２４０および圧電層２３０が備えられた圧電共振構造物２５０が半導体基板２００から所定の距離離隔を保つためには、上/下部電極層２２０、２４０の蒸着時に蒸着圧力および蒸着パワーを増加させる。これは蒸着圧力および蒸着パワーは応力と関係しているからである。上部及び下部電極層２２０、２４０の蒸着時に蒸着圧力および蒸着パワーを調整した場合、上部及び下部電極層２２０，２４０に生じる応力により、圧電共振構造物２５０の性能が低下する恐れがある。したがって、薄膜の内部応力が小さくとも共振領域Ｃが半導体基板２００から所定の距離隔てられる必要があり、所定の距離離隔させる方法の中では支持領域Ｂに所定のしわを形成する方法がある。これによれば、小さい蒸着圧力および蒸着パワーによっても共振領域Ｃが半導体基板２００から離隔される高さを増加させることができる。
【００４１】
図６は、本発明に係るＦＢＡＲの平面図であり、図７Ａ、図７Ｂおよび図７Ｃはそれぞれ図６に示されたＳ領域の断面図であって、曲げ防止凹溝に関した実施形態を例示している。
【００４２】
図６は、図４Ｃの工程で、つまり、下部電極層３２０についてパターニングを行う過程の中、共振領域Ｃにて所定の曲げ防止凹溝３６０の形成過程を加えて行う場合の平面図である。図４Ｃの過程において下部電極層３２０に圧電層３３０に対応する部位に所定の曲げ防止凹溝３６０が形成された場合、図４Ｄおよび図４Ｅの工程では上部電極層３４０および圧電層３３０がそれぞれ圧電層３３０および下部電極層３２０に基づいてパターニングされるので、結果的には上部電極層３４０の上面には下部電極層３２０の曲げ防止凹溝と同一な形状の曲げ防止凹溝が備えられる。
【００４３】
ここで所定の曲げ防止凹溝を形成する理由は、図４Ｃに示された過程で上部電極用の金属膜および下部電極用の金属膜に蒸着圧力および蒸着パワーが増加されように調整した場合、支持領域Ｂだけでなく共振領域Ｃまで上方向応力によって上方向に曲がる。この場合、共振領域Ｃ自体の上方向曲げは、圧電共振構造物の性能を低下させることに繋がるので、これを抑えるために曲げ防止凹溝を形成するのである。
【００４４】
曲げ防止凹溝の断面は、図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃに示すようにそれぞれ四角タイプ、逆三角タイプ、円タイプと多様にターニングされ得る。但し、本発明は例示された断面形態に限らない。部材番号３００ａ、３００ｂ、３００ｃは半導体基板、３２０ａ、３２０ｂ、３２０ｃは下部電極層、３３０ａ、３３０ｂ、３３０ｃは圧電層、３４０ａ、３４０ｂ、３４０ｃは上部電極層、そして３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃは曲げ防止凹溝をそれぞれ示す。
【００４５】
以上では、本発明の好適な実施形態について図示かつ説明したが、本発明は、上述した特定の実施例に限定されるものではなく、請求の範囲で請求する本発明の要旨を逸脱することなく当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば誰でも種々の変形実施が可能であることはもとより、そのような変更は、請求の範囲記載の範囲内にあることが自明である。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、共振器において圧電層を基板から離隔させるために求められる支持体が要らないため、その工程が割合に簡単になる利点をもつ。さらに、製造工程が簡単であると共に、既存のＦＢＡＲのように圧電層の付近が空気層に取り囲まれるという利点をもつ。それから下部基板のエッチング工程がないのでＣＭＯＳ工程と並行できる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】従来のメンブレン型ＦＢＡＲの断面図である。
【図２】従来のブラッグ反射型ＦＢＡＲの断面図である。
【図３】従来のエアギャップＦＢＡＲの断面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態に係るＦＢＡＲの製造工程を示した図（犠牲層の蒸着）。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態に係るＦＢＡＲの製造工程を示した図（犠牲層のしわの形成）。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態に係るＦＢＡＲの製造工程を示した図（下部電極層の形成）。
【図４Ｄ】本発明の一実施形態に係るＦＢＡＲの製造工程を示した図（圧電層の形成）。
【図４Ｅ】本発明の一実施形態に係るＦＢＡＲの製造工程を示した図（上部電極層の形成）。
【図４Ｆ】本発明の一実施形態に係るＦＢＡＲの製造工程を示した図（犠牲層の除去）。
【図５】本発明の他の実施形態に係るＦＢＡＲの断面図である。
【図６】本発明に係るＦＢＡＲの平面図である。
【図７Ａ】図６に示されたＳ領域を部分拡大した曲げ防止凹溝の断面図（四角タイプ）。
【図７Ｂ】図６に示されたＳ領域を部分拡大した曲げ防止凹溝の断面図（逆三角タイプ）。
【図７Ｃ】図６に示されたＳ領域を部分拡大した曲げ防止凹溝の断面図（円タイプ）。
【符号の説明】
【００４８】
１００      半導体基板
１１０      犠牲層
１２０      下部電極層
１３０      圧電層
１４０      上部電極層
１５０      圧電共振構造物
Ａ      伝導領域
Ｂ      支持領域
Ｃ      共振領域
３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃ    曲げ防止凹溝
【図１】
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【図２】
2005033774.tif 000004
【図３】
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【図４Ａ】
2005033774.tif 000006
【図４Ｂ】
2005033774.tif 000007
【図４Ｃ】
2005033774.tif 000008
【図４Ｄ】
2005033774.tif 000009
【図４Ｅ】
2005033774.tif 000010
【図４Ｆ】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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