(57)【要約】【課題】回路基板とＸ線光導電膜の付着が安定で、Ｘ線光導電膜の特性の劣化が少なく、Ｘ線−電荷変換効率が高く、安定にＸ線検出画像が得られるＸ線平面状検知器およびその製造方法を提供する。【解決手段】この発明のＸ線平面検出器は、外部から入射したＸ線を信号電荷に変換するＸ線光導電膜２と回路基板の画素電極５との間に、Ｘ線光導電層を形成する物質と結晶整合性が高く、かつ反応性の少ない金属酸化物もしくは金属窒化物により形成された中間層１０を有する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面基板上に画素電極とスイッチング素子が一次元もしくは二次元的に複数設けられている回路基板と、この回路基板に接触され、入射放射線をその強度に対応する大きさの電荷に変換する放射線−電荷変換媒体の粒子を含む放射線光導電層と、この放射線光導電層に所定のバイアス電圧を印加可能なバイアス電極とを具備する放射線検出器において、
前記放射線光導電層と前記画素電極との間および前記バイアス電極と前記放射線光導電層との間に、前記放射線光導電層を形成する物質と結晶整合性が高く、かつ反応性の少ない金属酸化物もしくは金属窒化物による中間層が設けられていることを特徴とした放射線検出器。
【請求項２】
前記放射線光導電層と前記画素電極間の前記中間層からなる前記画素を単位として区分する隔壁が設けられていることを特徴とする請求項１記載の放射線検出器。
【請求項３】
前記中間層は、前記放射線光導電層の結晶格子間隔と概ね等しいか近似可能なあるいは√３または整数倍で概ね等しいか近似可能な結晶格子間隔を有する材質からなることを特徴とする請求項１または２記載の放射線検出器。
【請求項４】
前記中間層は、前記放射線光導電層が沃化鉛を主成分とするとき、酸化クロム、窒化アルミ、窒化珪素あるいは窒化ゲルマニウムのいずれか１つを主成分とすることを特徴とする請求項３記載の放射線検出器。
【請求項５】
前記中間層は、前記放射線光導電層が沃化水銀を主成分とするとき、一酸化コバルト、一酸化マンガン、一酸化鉄あるいは一酸化二銅のいずれか１つを主成分とすることを特徴とする請求項３記載の放射線検出器。
【請求項６】
前記中間層は、前記放射線光導電層が沃化ビスマスを主成分とするとき、窒化インジウムあるいは窒化珪素のいずれかを主成分とすることを特徴とする請求項３記載の放射線検出器。
【請求項７】
前記隔壁は、前記中間層を物理的もしくは化学的エッチングにより、あるいはダイシングに部分的に除去して形成されることを特徴とする請求項２ないし６のいずれかに記載の放射線検出器。
【請求項８】
平面基板上に画素電極とスイッチング素子が一次元もしくは二次元的に複数配列して回路基板を形成する工程と、回路基板上の少なくとも画素電極上に外部から入射した放射線を電気信号に変換する金属沃化物もしくは金属ハロゲン化物を主成分とする放射線光導電層を形成する工程と、放射線光導電層上にバイアス電極を形成する工程と、を具備する放射線検出器の製造方法において、
放射線光導電層と画素電極との間およびバイアス電極と放射線光導電層との間に、放射線光導電層の材質との間の結晶整合性が高く、かつ反応性の少ない金属酸化物もしくは金属窒化物による中間層が生成される工程をさらに有することを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【請求項９】
前記中間層を物理的もしくは化学的エッチングにより、あるいはダイシングに部分的に除去して隔壁が形成される工程を含むことを特徴とする請求項８記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項１０】
中間層は、放射線光導電層の結晶格子間隔と概ね等しいか近似可能なあるいは√３または整数倍で概ね等しいか近似可能な結晶格子間隔を有する材質からなることを特徴とする請求項８または９記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項１１】
平面基板上に画素電極とスイッチング素子が一次元もしくは二次元的に複数設けられている回路基板と、
この回路基板に接触され、入射放射線をその強度に対応する大きさの電荷に変換する放射線−電荷変換媒体の粒子を含む放射線光導電層と、
この放射線光導電層に所定のバイアス電圧を印加可能なバイアス電極と、
前記放射線光導電層と前記画素電極との間に、前記放射線光導電層を形成する物質と結晶整合性が高く、かつ反応性の少ない金属酸化物もしくは金属窒化物により形成された第１の中間層と、
前記バイアス電極と前記放射線光導電層との間に、前記放射線光導電層を形成する物質と結晶整合性が高く、かつ反応性の少ない金属酸化物もしくは金属窒化物により形成された第２の中間層と、
前記放射線光導電層と前記画素電極との間の前記第１の中間層により定義される前記画素を単位として区分する隔壁と、
を有することを特徴とする放射線検出器。
【請求項１２】
前記中間層は、前記放射線光導電層の結晶格子間隔と概ね等しいか近似可能なあるいは√３または整数倍で概ね等しいか近似可能な結晶格子間隔を有する材質からなることを特徴とする請求項１０記載の放射線検出器。
【請求項１３】
前記隔壁は、前記第１の中間層を物理的もしくは化学的エッチングにより、あるいはダイシングに部分的に除去して形成されることを特徴とする請求項１１または１２記載の放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放射線で撮影された放射線画像を検出する放射線検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
放射線検出器として、例えば複数のＸ線検出素子を２次元的に配置した平面状検出器が注目されている。平面状検出器は、Ｘ線で撮影したＸ線画像またはリアルタイムのＸ線画像をデジタル信号として出力可能である。なお、平面状検出器は、固体検出器であるため、画質性能の向上や安定性の面でも期待されている。
【０００３】
平面状検出器は、比較的大きな線量で静止画像を収集する一般撮影用や胸部撮影用のものがすでに開発され、商品化もされている。
【０００４】
近い将来、例えば透視線量を用い、毎秒３０画面以上のＸ線動画の検出が可能で、循環器や消化器等の分野に応用した製品の商品化も予測されている。このようなＸ線動画の検出には、Ｓ／Ｎの改善や、微小信号のリアルタイム処理技術等の開発が求められている。
【０００５】
平面状検出器は、大きく分けると直接方式および間接方式の２つがある。
【０００６】
直接方式は、ａ−Ｓｅ等のＸ線光導電材料を用いてＸ線を信号電荷に直接変換し、変換した信号電荷を電荷蓄積用キャパシタに蓄積する方式である。
【０００７】
これに対し、間接方式は、シンチレータ材料を用いてＸ線を可視光に変換し、変換した可視光をａ−ＳｉフォトダイオードやＣＣＤで信号電荷に変換し、その信号電荷を電荷蓄積用キャパシタに蓄積する方式である。
【０００８】
直接方式において、検出面に２次元に配列された画素毎に、画素部、電荷蓄積部、ＴＦＴおよびツェナダイオードを設け、ツェナダイオードによりＴＦＴの入力側に入力される電圧が、ＴＦＴを破壊する電圧未満の所定の電圧になった時点で電荷蓄積部に電荷を出力することにより、ＴＦＴ（読み出しスイッチ）の破壊を防止する検出器が既に提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１０−１０２３７号公報（要約書、図１、段落［００３８］〜［００４８］）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
直接方式の平面状検知器においては、放射線光導電層の特性、すなわち入射した放射線の強度に対する出力信号の強度（入射放射線を信号電荷として出力可能な変換効率）が重要となる。このことから、放射線−信号電荷変換効率を向上させる目的で、放射線光導電層には、例えばＰｂＩ２（沃化鉛）やＨｇＩ２（沃化水銀）等の金属沃化物または金属ハロゲン化合物系の光導電材料が用いられる。
【００１１】
しかし、沃素等のハロゲン元素は、反応性が高いため、放射線光導電層と接触する画素電極中の陽性元素（例えばＡｌやＩｎ等の金属電極材料やＩＴＯのＩｎやＳｎ）と反応して、画素電極が腐食する問題や画素電極と放射線光導電材料の界面状態の変化により、暗電流特性や光導電特性が変化する問題が生じる。
【００１２】
また、画素電極に利用される材料（例えばＡｌやＩｎ等の金属電極材料やＩＴＯ）と金属沃化物や金属ハロゲン化合物系の光導電材料（例えばＰｂＩ２やＨｇＩ２等）では、結晶格子間隔が大きく異なるため、界面で格子不整合が発生し、界面の付着強度が得られにくい等の問題がある。
【００１３】
この発明の目的は、放射線−電荷変換効率が高く、安定に動作可能なＸ線平面状検出器を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、平面基板上に画素電極とスイッチング素子が一次元もしくは二次元的に複数設けられている回路基板と、この回路基板に接触され、入射放射線をその強度に対応する大きさの電荷に変換する放射線−電荷変換媒体の粒子を含む放射線光導電層と、この放射線光導電層に所定のバイアス電圧を印加可能なバイアス電極とを具備する放射線検出器において、前記放射線光導電層と前記画素電極との間および前記バイアス電極と前記放射線光導電層との間に、前記放射線光導電層を形成する物質と結晶整合性が高く、かつ反応性の少ない金属酸化物もしくは金属窒化物による中間層が設けられていることを特徴とした放射線検出器である。
【００１５】
また本発明は、平面基板上に画素電極とスイッチング素子が一次元もしくは二次元的に複数配列して回路基板を形成する工程と、回路基板上の少なくとも画素電極上に外部から入射した放射線を電気信号に変換する金属沃化物もしくは金属ハロゲン化物を主成分とする放射線光導電層を形成する工程と、放射線光導電層上にバイアス電極を形成する工程と、を具備する放射線検出器の製造方法において、放射線光導電層と画素電極との間およびバイアス電極と放射線光導電層との間に、放射線光導電層の材質との間の結晶整合性が高く、かつ反応性の少ない金属酸化物もしくは金属窒化物による中間層が生成される工程をさらに有することを特徴とする放射線検出器の製造方法である。
【００１６】
さらに本発明は、平面基板上に画素電極とスイッチング素子が一次元もしくは二次元的に複数設けられている回路基板と、この回路基板に接触され、入射放射線をその強度に対応する大きさの電荷に変換する放射線−電荷変換媒体の粒子を含む放射線光導電層と、この放射線光導電層に所定のバイアス電圧を印加可能なバイアス電極と、前記放射線光導電層と前記画素電極との間に、前記放射線光導電層を形成する物質と結晶整合性が高く、かつ反応性の少ない金属酸化物もしくは金属窒化物により形成された第１の中間層と、前記バイアス電極と前記放射線光導電層との間に、前記放射線光導電層を形成する物質と結晶整合性が高く、かつ反応性の少ない金属酸化物もしくは金属窒化物により形成された第２の中間層と、前記放射線光導電層と前記画素電極との間の前記第１の中間層により定義される前記画素を単位として区分する隔壁と、を有することを特徴とする放射線検出器である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の実施形態の一例を詳細に説明する。
【００１８】
なお、本発明においてはＸ線，γ線，その他各種放射線の場合に適用可能であるが、以下の一実施の形態においては、放射線の中の代表的なＸ線の場合を例にとり説明する。したがって、実施の形態の「Ｘ線」を「放射線」に置き換えることにより、本発明が対象とする他の放射線にも適用可能である。
【００１９】
図１に示すように、直接方式のＸ線平面状検出器１０１は、アクティブマトリクス基板１上に、入力された放射線（この例ではＸ線）の強度に対応する大きさの信号電荷を生起可能なＸ線−信号電荷変換層であるＸ線光導電層２を有する。なお、図１は、図２を用いて後段に説明するように、ｍ行×ｎ列のマトリクス状に複数の信号電荷検出部と信号取出し素子とが設けられているアクティブマトリクス基板１およびＸ線光導電層２を、２画素分を切り出した断面を、拡大して示している。
【００２０】
図１に示される通り、Ｘ線光導電層２上には、Ｘ線光導電層２にバイアス電圧を印加することのできるバイアス電極３が設けられている。なお、Ｘ線光導電層２とバイアス電極３との間には、Ｘ線光導電層２に用いられる材質との間の結晶整合性が高く、かつ反応性の少ない金属酸化物もしくは金属窒化物からなる中間層１０が所定の厚さに設けられている。
【００２１】
マトリクス基板１は、例えばガラスで構成される支持基板４上であって、Ｘ線光導電層２との間に、Ｘ線光導電層２により生起された信号電荷をｍ行×ｎ列に区分された領域毎に独立に取り込む画素電極５、画素電極５により取り込まれた信号電荷が蓄積される電荷蓄積用キャパシタ６、および電荷蓄積用キャパシタ６に蓄積された信号電荷を所定のタイミングで転送するためのスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）７を有する。なお、電荷蓄積用キャパシタ６およびＴＦＴ７のそれぞれにより定義されるｍ×ｎ個の単位画素とＸ線光導電層２とは、例えばＳｉＯ２（酸化珪素）等で形成される絶縁層８により絶縁されている。
【００２２】
個々の画素電極５、電荷蓄積用キャパシタ６およびＴＦＴ７は、各画素を区分する隔壁９により、区分されている。また、個々の画素電極５のＸ線光導電層２と接する側には、Ｘ線光導電層２とバイアス電極３との間に設けられた中間層１０と同様の材質からなる中間層１０が設けられている。隔壁９は、Ｘ線光導電層２と画素電極５との間の中間層１０を物理的もしくは化学的エッチングあるいはダイシング等により部分的に除去して形成される。また、中間層１０は、真空蒸着法もしくはスパッタリング等により形成される。
【００２３】
個々の画素電極５は、例えばスルーホール１１により、絶縁層８により絶縁されているＴＦＴ７のドレイン電極１２と接続されている。なお、ドレイン電極１２には、電荷蓄積用キャパシタ６の一方の電極となる透明電極１３が接続されている。
【００２４】
中間層１０は、画素電極５およびその周辺領域を単位として隔壁９により区分されることから、画素電極５と接する領域（画素電極領域と示す）と画素電極５と接しない周辺領域（画素電極以外の領域と示す）では、中間層１０の膜厚は、
画素電極領域  ＜  画素電極以外の領域
となる。
【００２５】
このことから、画素電極領域と画素電極以外の領域の単位面積当りの抵抗値についても、
画素電極領域  ＜  画素電極以外の領域
となる。
【００２６】
また、中間層１０を形成する物質が金属酸化物もしくは金属窒化物であることから、画素電極領域相互間（画素電極間ギャップ）の絶縁抵抗は、
画素電極領域  ＜  画素電極間ギャップ
となる。
【００２７】
このため、画素電極５には、選択的に導電性が与えられる。また、画素電極５以外の領域の中間層１０は、アクティブマトリクス基板１の絶縁および保護を兼ねる。
【００２８】
なお、中間層１０を各画素電極単位に領域を分離する隔壁９は、構造上、隣接画素による影響を軽減させられる可能性が高く、中間層１０を各画素電極単位に領域を分離する隔壁構造とすると、従来（隔壁構造ではない場合）に比べて各画素電極部に電界集中が発生するため、隣接画素で生起された光導電電荷が回り込むことにより生じるクロスト−クを抑える効果が発生する可能性が高く、解像度特性も改善される可能性も高くなる。
【００２９】
中間層１０に利用可能な材質は、Ｘ線光導電層２に用いられる材質との間に、好適な組み合わせを有する。例えば、Ｘ線光導電層２がＰｂＩ２（沃化鉛）により形成される場合には、中間層１０は、ＰｂＩ２との結晶整合性が高く、反応性の少ない金属酸化物もしくは金属窒化物として、例えば酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）等が利用可能である。
【００３０】
Ｃｒ２Ｏ３は、結晶構造がＰｂＩ２と同じ六方晶で、結晶格子間隔もＰｂＩ２の結晶格子間隔（４５．６ｎｍ）に近似可能な４９．５ｎｍであるから、結晶整合性が高い。なお、Ｃｒ２Ｏ３は、化学的に安定であるから、ＰｂＩ２との反応性も低いことが認められる。
【００３１】
また、Ｃｒ２Ｏ３は、バンドギャップが５ｅＶ程度であり、酸化アルミ（Ａｌ２Ｏ３）が９ｅＶ程度である絶縁体に比べて低く、体積抵抗率も１００ｋΩｃｍ〜１００ＭΩｃｍ程度である。このため、中間層１０を隔壁９により区分した場合には、画素電極部の導電性が選択的に得られると考えられる。すなわち、中間層１０を各画素電極単位に領域を分離する隔壁構造としても中間層１０を形成する物質が金属酸化物もしくは金属窒化物である事から、画素電極領域相互間（画素電極間ギャップ）の絶縁抵抗が、
画素電極領域  ＜＜  画素電極間ギャップ
となるため、隣接画素で生起された光導電電荷の回り込み等の影響が生じず、画素電極部の導電性が選択的に得られる事となる。
【００３２】
例えば、画素電極５のサイズを１００μｍ×１００μｍ、画素電極５のピッチを１２５μｍ、画素電極５相互間の間隔（画素電極５間ギャップ）を２５μｍ、画素電極領域に対応される（重なる）中間層１０の膜厚を１０ｎｍ、画素電極以外の領域の中間層１０の膜厚を１μｍ、中間層１０の体積抵抗率を１０ＭΩｃｍ、中間層１０の比誘電率を１２とすると、画素電極領域に対応される中間層１０の抵抗値が１００ｋΩで、画素電極５間ギャップの抵抗値が２５ＧΩとなり、画素電極部の導電性が選択的に得られることとなる。すなわち、前記隔壁の説明と同様に、画素電極領域相互間（画素電極間ギャップ）の絶縁抵抗が、
画素電極領域  ＜＜  画素電極間ギャップ
となるため、隣接画素で生起された光導電電荷の回り込み等の影響が生じず、画素電極部の導電性が選択的に得られる事となる。
【００３３】
また、上述した大きさおよび厚さの中間層１０の容量成分は１０６．２ｐＦとなるため、画素電極領域に対応される中間層１０の時定数ＣＲは１０．６２μｓとなる。
【００３４】
この時定数ＣＲは、毎秒３０フレームの動画用途における読み出しレートである３３ｍｓｅｃに対して十分小さいため、動画用途においても対応可能である。
【００３５】
なお、Ｘ線光導電膜２に利用可能なＰｂＩ２やＨｇＩ２あるいはＢｉＩ３は、単結晶の状態では良好なＸ線−光導電電荷変換性能が得られるものの、結晶状態が悪いとその変換効率が低下する。このため、中間層１０に利用される材質の結晶格子間隔のずれを、所定の範囲内に抑えることが好ましい。
【００３６】
中間層１０に利用可能な金属酸化物もしくは金属窒化物としては、Ｘ線光導電層２に用いられる金属沃化物もしくは金属ハロゲン化合物の材料が、例えばＰｂＩ２である場合には、上述したＣｒ２Ｏ３（酸化クロム）に加えて、＊ＡｌＮ（窒化アルミ）、＊β−Ｓｉ３Ｎ４（窒化珪素）あるいは＊β−Ｇｅ３Ｎ４（窒化ゲルマニウム）等が利用可能である。なお、「＊」を付加した材質は、結晶格子間隔のｎ倍時｛界面において格子不整合の発生しない整数倍（結晶構造が六方晶の場合は、√３の整数倍も含む）｝に、Ｘ線光導電層２物質との結晶整合性が高い材質である。すなわち、中間層１０に、Ｓｉ３Ｎ４を用いる場合、Ｓｉ３Ｎ４の格子間隔は７７．５ｎｍであり、ＰｂＩ２の結晶格子間隔の√３倍に近似可能な格子間隔を有する。
【００３７】
また、中間層１０に利用可能な金属酸化物もしくは金属窒化物としては、Ｘ線光導電層２に用いられる金属沃化物もしくは金属ハロゲン化合物の材料が、例えばＨｇＩ２（沃化水銀）である場合には、ＣｏＯ（一酸化コバルト）、ＭｎＯ（一酸化マンガン）、ＦｅＯ（一酸化鉄）あるいはＣｕ２Ｏ（一酸化二銅）等が利用可能である。
【００３８】
さらに、中間層１０に利用可能な金属酸化物もしくは金属窒化物としては、Ｘ線光導電層２に用いられる金属沃化物もしくは金属ハロゲン化合物の材料が、ＢｉＩ３（沃化ビスマス：結晶格子間隔７５．１ｎｍ）である場合には、＊ＩｎＮ（窒化インジウム：結晶格子間隔３５．４ｎｍ、２倍でＢｉＩ３の結晶格子間隔に近似可能な格子間隔となる）あるいは上述のＳｉ３Ｎ４等が利用可能である。「＊」を付加した材質は、結晶格子間隔のｎ倍時｛界面において格子不整合の発生しない整数倍（結晶構造が六方晶の場合は、√３の整数倍も含む）｝に、Ｘ線光導電層２物質との結晶整合性が高い材質である。
【００３９】
なお、図１に示したＸ線平面状検出器１０１は、例えば平面基板（支持基板）４上に画素電極５とスイッチング素子（ＴＦＴ）７を一次元もしくは二次元的に複数配列して回路基板（マトリクス基板）１を形成する工程と、回路基板１上の少なくとも画素電極５上に外部から入射したＸ線を電気信号に変換する金属沃化物もしくは金属ハロゲン化物を主成分とするＸ線光導電層２を形成する工程と、Ｘ線光導電層上にバイアス電極３を形成する工程と、Ｘ線光導電層２と画素電極５との間およびバイアス電極３とＸ線光導電層２との間に、Ｘ線光導電層２の材質との間の結晶整合性が高く、かつ反応性の少ない金属酸化物もしくは金属窒化物による中間層１０が生成される工程と、により容易に形成可能である。
【００４０】
図１に示した直接方式のＸ線平面状検出器のバイアス電極３に所定のバイアス電圧Ｖｂが印加された状態で入射Ｘ線Ｒが照射されると、Ｘ線光導電層２で生起された電荷１４は、バイアス電極３に印加されているバイアス電圧Ｖｂにより方向づけられる電界により、アクティブマトリクス基板１上の任意の画素電極５に移動され、ＴＦＴ７のドレイン電極１２を経由して、電荷蓄積用キャパシタ６に蓄積される。なお、電荷１４は、図１においては、電子ｅとホール（正孔）ｈとが、それぞれバイアス電極３と画素電極５に向かう状態として説明されている。
【００４１】
電荷蓄積用キャパシタ６に蓄積された電荷１４は、図２を用いて以下に説明する信号読み出し部により、所定のタイミングで、図示しない信号（画像）処理部に出力される。
【００４２】
図２は、図１に説明した個々の画素から信号電荷を読み出すための信号取出し部を概略的に説明する等価回路である。
【００４３】
ｍ×ｎ個の格子状に配列された各ＴＦＴ７のゲート電極１５は、図示しない走査線制御回路と接続されているｍ本の制御電極１６と個々に接続されている。また、ＴＦＴ７のドレイン電極１２は、図示しない読み出し制御回路と接続されているｎ本の読み出し電極１７と個々に接続されている。
【００４４】
従って、制御電極１６により任意の１行分のゲート電極１５にオン信号が入力されて個々のＴＦＴがオンされるまでの間、各画素に設けられている画素電極５を介してキャパシタ６に蓄積された電荷１４は、ＴＦＴ７がオンされることで、読み出し電極１７に出力される。
【００４５】
以上説明したように、この発明によれば、Ｘ線光導電層に金属沃化物もしくは金属ハロゲン化合物系の高感度光導電材料を用いた直接方式のＸ線平面画像検知器において、画素電極の腐食やＸ線光導電層と画素電極もしくはＸ線光導電層とバイアス電極層の界面の付着強度の低下等による特性劣化のないＸ線平面状検出器が得られる。
【００４６】
従って、Ｘ線−電荷変換効率が高く、安定に動作可能なＸ線平面状検出器が得られる。
【００４７】
なお、この発明は、上記各実施の形態に限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々な変形・変更が可能である。また、各実施の形態は、可能な限り適宜組み合わせて実施されてもよく、その場合、組み合わせによる効果が得られる。
【００４８】
また、上述した実施の形態においては縦横の複数の画素が配列されたＸ線検出器について説明したが、縦横の画素の比率が異なる（例えば、一方の画素が１個の場合等）一見すると線状に構成されたＸ線検出器にも適用可能である。
【００４９】
【発明の効果】
本発明によれば、Ｘ線光導電膜によるＸ線−光導電電荷変換の特性が安定化されるので、Ｘ線−電荷変換効率が高く、安定に動作可能なＸ線平面状検出器が得られる。また、個々の画素によりＸ線が電荷に変換される効率が高められることは、実質的な感度の向上にあたることから、検査対象物（検体）に照射しなければならない放射線量（Ｘ線量）を低減でき、特に検体が人体である場合には、被爆量を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態が適用可能なＸ線検出器の一例を説明する概略図。
【図２】図１に示したＸ線検出器におけるアクティブマトリクス基板の一例を説明する概略図画素単位部分を説明する概略図。
【符号の説明】
１…アクティブマトリクス基板、２…Ｘ線光導電層、３…バイアス電極、４…支持基板、５…画素電極、６…電荷蓄積用キャパシタ、７…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、８…絶縁層、９…隔壁、１０…中間層、１１…スルーホール、１２…ドレイン電極、１３…透明電極、１４…電荷（光導電電荷）、１５…ゲート電極、１６…制御電極、１７…読み出し電極、Ｒ…入射Ｘ線、ｅ…電子、ｈ…ホール（正孔）、１０１…Ｘ線平面状検出器。
【図１】
2005033002.tif 000003
【図２】
2005033002.tif 000004