(57)【要約】【課題】  バリア性の高い多層膜を製造する。【解決手段】  湿式の塗布法を用い、被加工物上方に有機膜を成膜する。プラズマビーム発生源と、真空容器内に配置されプラズマビームの入射面を持つハースとを含み、プラズマビーム発生源からのプラズマビームをハースに収容された成膜用の蒸発材料に導いて成膜対象物上に膜を形成するイオンプレーティング法を用い、被加工物上方にＳｉＯＮ膜またはＳｉＯx膜を成膜する。【選択図】      図３
2005034831.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）湿式の塗布法を用い、被加工物上方に有機膜を成膜する工程と、
（ｂ）プラズマビーム発生源と、真空容器内に配置されプラズマビームの入射面を持つハースとを含み、前記プラズマビーム発生源からのプラズマビームを前記ハースに収容された成膜用の蒸発材料に導いて成膜対象物上に膜を形成するイオンプレーティング法を用い、前記被加工物上方にＳｉＯＮ膜またはＳｉＯx膜を成膜する工程と
を有するバリア多層膜の製造方法。
【請求項２】
更に、前記イオンプレーティング法が、前記ハースの近傍に該ハースの中心軸に対して同心的に配置された環状永久磁石により定常磁界を形成し、前記ハースの中心軸に対して同心的に配置された電磁コイルにより調整磁界を前記定常磁界に重畳して前記ハースの近傍の磁場を変化させることによって、前記プラズマビーム発生源からのプラズマビームを前記ハースに収容された成膜用の蒸発材料に導く請求項１に記載のバリア多層膜の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ａ）の後に前記工程（ｂ）が行われる請求項１または２に記載のバリア多層膜の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｂ）の後に前記工程（ａ）が行われる請求項１または２に記載のバリア多層膜の製造方法。
【請求項５】
更に、前記工程（ａ）の後に前記工程（ｂ）が行われる請求項４に記載のバリア多層膜の製造方法。
【請求項６】
前記湿式の塗布法が、スピンコート法である請求項１〜５のいずれか１項に記載のバリア多層膜の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ａ）において、熱硬化処理を行い有機膜を成膜する請求項１〜６のいずれか１項に記載のバリア多層膜の製造方法。
【請求項８】
前記工程（ａ）及び前記工程（ｂ）において、成膜温度がともに８０℃以下である請求項１〜７のいずれか１項に記載のバリア多層膜の製造方法。
【請求項９】
前記工程（ｂ）において、成膜面に入射する粒子の平均エネルギが２０ｅＶ以下である請求項１〜８のいずれか１項に記載のバリア多層膜の製造方法。
【請求項１０】
ＳｉＯＮ膜またはＳｉＯx膜と、有機膜とを少なくとも各１層含むバリア多層膜であって、バリア多層膜の水蒸気透過度は０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙ以下であり、前記ＳｉＯＮ膜またはＳｉＯx膜の平均面粗さ（Ｒａ）は０．２ｎｍ以下であるバリア多層膜。
【請求項１１】
有機ＥＬ素子上に形成される請求項１０に記載のバリア多層膜。
【請求項１２】
更に、ＳｉＯＮ膜またはＳｉＯx膜の最大高低差（Ｐ−Ｖ）は２０ｎｍ以下であり、膜応力は０．１ＧＰａ以下であり、膜密度は２．７０ｇ／ｃｍ3以上であり、膜厚は５０〜２００ｎｍである請求項１０または１１に記載のバリア多層膜。
【請求項１３】
前記有機膜の膜厚が１０００ｎｍ以上である請求項１０〜１２のいずれか１項に記載のバリア多層膜。
【請求項１４】
ＳｉＯＮ膜またはＳｉＯｘ膜である第１の膜及び第３の膜と、有機膜である第２の膜とを含み、
封止対象物上に前記第１の膜が形成され、
前記第１の膜上に前記第２の膜が形成され、
前記第２の膜の端部を覆うように前記第２の膜上に前記第３の膜が形成されている請求項１０〜１３のいずれか１項に記載のバリア多層膜。
【請求項１５】
前記第１及び第３の膜の厚さは、前記第２の膜の厚さよりも薄い請求項１４に記載のバリア多層膜。
【請求項１６】
前記第２の膜が前記第１の膜を覆うように形成されている請求項１４または１５に記載のバリア多層膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水蒸気やガスに対し遮蔽能を有するバリア膜及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳｉＯＮ膜は高い透明性と水蒸気やガスに対するバリア性とを備えるため、たとえばプラスチック用透明バリア膜として用いられている。また、水蒸気に対する高いバリア性が要求されない場合には、ＳｉＯx膜も透明バリア膜として用いられる。ＳｉＯx膜やＳｉＯＮ膜を製造する方法として、たとえば以下の方法が知られている。
【０００３】
Ｓｉをターゲット材、酸素（及び窒素含有ガス）を反応ガスとする反応性ＤＣスパッタ法でＳｉＯx膜やＳｉＯＮ膜を成膜することができる。しかしこの方法で作製された膜は緻密さに欠け、バリア性に劣るという欠点がある。
【０００４】
ＳｉＯ2やＳｉＮをターゲット材とするＲＦ−スパッタ法でＳｉＯx膜やＳｉＯＮ膜を作製することができる。しかしこの方法では成膜速度が遅い。
【０００５】
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法でＳｉＯx膜やＳｉＯＮ膜を成膜することもできるが、この方法によると、低温で成膜した場合、膜を緻密に形成することが困難であり、そのため膜のバリア性が不十分である。
【０００６】
有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子の封止膜（バリア膜）を作製する場合、素子の機能を損なわないために６０〜８０℃程度の低温で成膜する必要がある。したがってたとえば有機ＥＬ素子の封止膜をＣＶＤ法で作製することは適当ではない。
【０００７】
良質なバリア膜を作製するために、圧力勾配型プラズマガンを利用したイオンプレーティング法（ＵＲＴ−ＩＰ法）が提案されている。（たとえば特許文献１参照。）この方法によれば、低温で、高速に、緻密なバリア膜、たとえばＳｉＯx膜やＳｉＯＮ膜を成膜することができる。ＵＲＴ−ＩＰ法及びそれに用いる装置（ＵＲＴ−ＩＰ装置）については、後に詳述する。
【０００８】
ＵＲＴ−ＩＰ法は物理蒸着法であるため、パーティクルの付着した基板や深い段差のある基板上に成膜した場合は、パーティクルや段差の存在する箇所を起点にして膜に微細な欠陥が生じ、膜のバリア性を低下させる場合がある。パーティクルが離脱するとピンホールが形成される。これらの欠陥は、ＵＲＴ−ＩＰ法により膜を厚く形成しても防ぐことは困難である。また、膜を厚く形成した場合、応力の影響で欠陥からクラックが発生することもある。
【０００９】
図５（Ａ）〜（Ｃ）はＵＲＴ−ＩＰ装置を示す概略図である。
【００１０】
図５（Ａ）を参照する。真空容器１１の側壁に設けられた筒状部１２には圧力勾配型のプラズマビーム発生器１３が装着されている。プラズマビーム発生器１３は、陰極１４により一端が閉塞されたガラス管１５を備えている。このガラス管１５内では、ＬａＢ6 による円盤１６、タンタルＴａによるパイプ１７を内蔵したモリブデンＭｏによる円筒１８が陰極１４に固定されている。パイプ１７は、アルゴンＡｒ、ヘリウムＨｅ等の不活性ガスからなる作動ガス１０をプラズマビーム発生器１３内に導入するためのものである。真空容器１１内にはガス導入口８０から、たとえば窒素ガスや酸素ガス等の反応ガスを導入することもできる。
【００１１】
ガラス管１５の陰極１４と反対側の端部と筒状部１２との間には、第１、第２の中間電極１９、２０が同心的に配置されている。第１の中間電極（第１のグリッド）１９内にはプラズマビームを収束するための環状永久磁石２１が内蔵されている。第２の中間電極２０（第２のグリッド）内にもプラズマビームを収束するための電磁石コイル２２が内蔵されている。この電磁石コイル２２は電源２３から給電される。
【００１２】
プラズマビーム発生器１３が装着された筒状部１２の周囲には、プラズマビームを真空容器１１内に導くステアリングコイル２４が設けられている。このステアリングコイル２４はステアリングコイル用の電源２５により励磁される。陰極１４と第１、第２の中間電極１９、２０との間にはそれぞれ、抵抗器２６、２７を介して、可変電圧型の主電源２８が接続されている。
【００１３】
真空容器１１の内部には、主ハース３０の上部に、蒸発粒子が蒸着される基板４１を保持するための基板ホルダ４２が設けられている。主ハース３０、補助ハース３１はハース切り替えスイッチ４６を介して主電源２８の正側に接続されている。補助ハース３１については後述する。主電源２８には、これと並列に抵抗器２９と補助放電電源４７とがスイッチＳ１を介して接続されている。
【００１４】
図５（Ｂ）を参照して、主ハース３０及び補助ハース３１について詳述する。真空容器１１の内側の底部に、主ハース３０とその周囲に配置された環状の補助ハース（補助陽極）３１が設置されている。主ハース３０は、筒状のハース本体３３により構成され、プラズマビーム発生器１３からのプラズマビームが入射する。ハース本体３３の貫通孔にはＳｉＯ2 のような蒸発物質３２を収納している。補助ハース３１は、環状の容器３４により構成されている。容器３４内には環状の永久磁石、特にフェライト磁石３５と同心的に積層されたハースコイル３６が収納されている。主ハース３０及び補助ハース３１はいずれも熱伝導率の良い導電性材料、例えば、銅が使用される。なお、主ハース３０には耐熱材料を用いることもある。主ハース３０に対して補助ハース３１は、絶縁物を介して取り付けられている。また、主ハース３０と補助ハース３１は、抵抗４８を介して接続されている。主ハース３０は、主電源２８の正側に接続されている。従って、主ハース３０は、プラズマビーム発生器１３に対してそのプラズマビームが吸引される陽極を構成している。
【００１５】
補助ハース３１内のハースコイル３６は電磁石を構成し、導線３７により、図５（Ａ）に示されたハースコイル電源３８から給電される。この場合、励磁されたハースコイル３６における中心側の磁界の向きは、フェライト磁石３５により発生する中心側の磁界と同じ向きになるように構成される。ハースコイル電源３８は可変電源であり、電圧を変化させることにより、ハースコイル３６に供給する電流を変化できる。
【００１６】
主ハース３０及び補助ハース３１にはそれぞれ冷却水配管３９、４０により冷却水が流れるように供給されている。なお、補助ハース３１においては冷却水を供給する配管のみを示し、冷却水を排出する配管は図示を省略している。
【００１７】
図５（Ｃ）を参照する。図５（Ｃ）には、ＵＲＴ−ＩＰ法による成膜方法を簡略化して示した。プラズマビーム発生器１３の陰極と主ハース３０との間で生じた放電により、プラズマビームが形成され、（ステアリングコイル２４とフェライト磁石３５によって決定される磁界に案内されて）プラズマ発生器１３から主ハース３０に到達する。主ハース３０には蒸発物質３２、たとえば酸化ケイ素（ＳｉＯ）が収納されている。蒸発物質３２はプラズマビームにより加熱されて蒸発する。この蒸発粒子はプラズマビームによりイオン化（活性化）され、基板４１の表面に付着する。真空容器１１内に、不活性ガスとともに酸素ガスを導入した場合、たとえばＳｉＯ2 膜が形成される。
【００１８】
すなわち、ＵＲＴ−ＩＰ装置は、プラズマビーム発生器１３と、真空容器１１内に配置されプラズマビームの入射面を持つ主ハース３０と補助ハース３１とを含み、補助ハース３１では、主ハース３０の近傍にこの主ハース３０の中心軸に対して同心的に配置されたフェライト磁石により定常磁界を形成し、主ハース３０の中心軸に対して同心的に配置されたハースコイルにより調整磁界を定常磁界に重畳して主ハース３０の近傍の磁場を変化させる。これにより、プラズマビーム発生器１３からのプラズマビームを主ハース３０に収容された成膜用の蒸発物質３２に導いて、蒸発物質３２を活性化（イオン化）させ、反応性イオンプレーティングにより基板４１上に膜を成膜する。
【００１９】
なお、フェライト磁石３５と同心的に積層されたハースコイル３６に供給する電流を変化させることにより、基板４１の表面上の膜厚分布と被膜形成の速度を調整することができる。フェライト磁石３５とハースコイル３６との位置関係は図５（Ａ）に示される関係と上下逆であっても良いし、フェライト磁石３５の磁極の向きも図５（Ａ）に示される向きと逆であっても良い。
【００２０】
【特許文献１】特開２００２−５７１４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
本発明の目的は、バリア性の高い多層膜及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明の一観点によれば、（ａ）湿式の塗布法を用い、被加工物上方に有機膜を成膜する工程と、（ｂ）プラズマビーム発生源と、真空容器内に配置されプラズマビームの入射面を持つハースとを含み、前記プラズマビーム発生源からのプラズマビームを前記ハースに収容された成膜用の蒸発材料に導いて成膜対象物上に膜を形成するイオンプレーティング法を用い、前記被加工物上方にＳｉＯＮ膜またはＳｉＯx膜を成膜する工程とを有するバリア多層膜の製造方法が提供される。
【００２３】
このバリア多層膜の製造方法によれば、水蒸気やガスに対して高いバリア性を有するＳｉＯＮ膜またはＳｉＯx膜と、成膜箇所の欠陥部を矯正することのできる有機膜とを備えるバリア多層膜を製造することができる。
【００２４】
更に、本発明の他の観点によれば、ＳｉＯＮ膜またはＳｉＯx膜と、有機膜とを少なくとも各１層含むバリア多層膜であって、バリア多層膜の水蒸気透過度は０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙ以下であり、前記ＳｉＯＮ膜またはＳｉＯx膜の平均面粗さ（Ｒａ）は０．２ｎｍ以下であるバリア多層膜が提供される。
【００２５】
このバリア多層膜は、水蒸気やガスに対して高いバリア性を有するＳｉＯＮ膜またはガスに対して高い遮蔽能を有するＳｉＯx膜と、成膜箇所の欠陥部を矯正することのできる有機膜とを備えている。そのため、ＳｉＯＮ膜またはＳｉＯx膜のみから構成されるバリア膜よりもバリア性が高い。
【発明の効果】
【００２６】
以上説明したように、本発明によれば、バリア性の高い多層膜及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本願発明者らは、４種類の膜のサンプルを作製し、それらのサンプルについて欠陥密度と水蒸気透過度とを調べた。欠陥密度の測定に用いたサンプルの基板には、ＩＴＯ膜の付いた透明なガラス基板を、水蒸気透過度の測定に用いたサンプルの基板には、プラスチックシート（厚さ０．５ｍｍのポリカーボネイトシート）を用いている。
【００２８】
図１（Ａ）〜（Ｄ）は、それぞれ欠陥密度測定に用いた膜の第１のサンプル６１〜第４のサンプル６４の概略を示す断面図である。
【００２９】
図１（Ａ）を参照する。ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜の付いた透明なガラス基板５１上に、スピンコートにより、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、東京応化製、ＯＥＢＲ−１０００、粘度２００ｃｐ）で形成された厚さ１０００ｎｍの膜を塗布し、塗布後、熱硬化処理を行って塗布膜５２を成膜した。スピンコータの回転速度は１５００ｒｐｍであった。また、熱硬化処理は、１１０℃で９０秒間行った。今回用いた樹脂は、熱硬化温度１１０℃としているが、有機ＥＬ素子に用いる場合は、素子の耐熱温度以下で硬化する樹脂、または光硬化性樹脂を用いる。
【００３０】
次に、塗布膜５２上に厚さ２００ｎｍのＳｉＯＮ膜５３をＵＲＴ−ＩＰ法で成膜し、第１のサンプル６１を得た。ＵＲＴ−ＩＰ法による成膜においては、蒸発物質３２としてＳｉＯを用い、１２０Ａの放電電流を流した。作動ガス１０としてアルゴンガスを使用し、アルゴンガスとともに反応ガスとして窒素ガスを導入した。真空容器１１内の圧力は０．５Ｐａとした。成膜時間は７０秒であった。
【００３１】
図１（Ｂ）を参照する。図１（Ａ）に示した第１のサンプル６１に使用したガラス基板と同一種類のガラス基板５１上に、ＵＲＴ−ＩＰ法で厚さ２００ｎｍのＳｉＯＮ膜５３を成膜し、第２のサンプル６２を得た。ＵＲＴ−ＩＰ法による成膜条件は、第１のサンプル６１作製時と同様であった。
【００３２】
図１（Ｃ）を参照する。図１（Ａ）に示した第１のサンプル６１に使用したガラス基板と同一種類のガラス基板５１上に、ＵＲＴ−ＩＰ法で厚さ１２００ｎｍのＳｉＯＮ膜５３を成膜し、第３のサンプル６３を得た。ＵＲＴ−ＩＰ法による成膜条件は、第１のサンプル６１作製時と同様であった。
【００３３】
図１（Ｄ）を参照する。図１（Ａ）に示した第１のサンプル６１に使用したガラス基板と同一種類のガラス基板５１上に、スピンコートによりＰＭＭＡで形成された厚さ１０００ｎｍの膜を塗布し、熱硬化処理を行って塗布膜５２を形成し、第４のサンプル６４を得た。塗布膜５２の材料、スピンコータの回転速度、熱硬化処理の条件は第１のサンプル６１作製時と同様であった。
【００３４】
図２は、第１のサンプル６１〜第４のサンプル６４について、欠陥密度と水蒸気透過度とを示した表である。欠陥密度は単位「個／ｍｍ2」で表し、水蒸気透過度は単位「ｇ／ｍ2・ｄａｙ」で示した。欠陥の例としてピンホール等を考えることができる。
【００３５】
水蒸気透過度の測定は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９Ａ法で行った。また、欠陥密度の評価は銅メッキ法で行った。銅メッキ法とは、ＩＴＯ膜の付いたガラス基板５１上に塗布膜５２またはＳｉＯＮ膜５３を成膜した各サンプルを、硫酸銅の銅メッキ液に浸し、ＩＴＯ膜を電極として利用し、各サンプルに銅メッキを行い、欠陥箇所を調べる方法である。膜が良好に形成されている部分には銅はメッキされないが、膜に欠陥がある部分には銅がメッキされるため、微小な膜の欠陥を可視化して調べることができる。
【００３６】
ＵＲＴ−ＩＰ法でＳｉＯＮ膜５３を形成している第１のサンプル６１〜第３のサンプル６３の水蒸気透過度は、ＳｉＯＮ膜を形成していない第４のサンプル６４のそれに比べ、低いことがわかる。
【００３７】
また、ＵＲＴ−ＩＰ法で厚さ２００ｎｍのＳｉＯＮ膜５３が形成されている第２のサンプル６２において、欠陥密度が最も大きいことがわかる。ＳｉＯＮ膜５３の膜厚を第２のサンプル６２の６倍（１２００ｎｍ）とした第３のサンプル６３においては、第２のサンプル６２と比較すると欠陥密度は減少している。しかしその値は、スピンコートにより形成された厚さ１０００ｎｍの塗布膜５２（ＰＭＭＡ膜）を有する第４のサンプル６４のそれの３倍である。それらに比べ、ガラス基板５１上に塗布膜５２とＳｉＯＮ膜５３との２種類の膜が形成されている第１のサンプル６１は、欠陥密度が小さい（欠陥が認められなかった）。
【００３８】
ＵＲＴ−ＩＰ法によれば、水蒸気透過度の小さい膜を形成することができる。しかし、パーティクルが付着していたり、深い段差のある基板に成膜した場合は、膜に欠陥を生じさせることがある。欠陥密度は膜厚を厚くすることで改善されるが、改善の程度は大きくはない。
【００３９】
一方、スピンコートで塗布し、熱硬化させた塗布膜５２は、それ自身のバリア性は低い（水蒸気透過度が大きい）が、基板のパーティクルや段差がついている部分を、カバレージすることができると考えられる。
【００４０】
第１のサンプル６１の水蒸気透過度及び欠陥密度がともに小さいのは、第１のサンプル６１がこれら２種類の膜を備えているからだと考えられる。
【００４１】
樹脂膜をスピンコートで塗布し、熱硬化させるスピンコートによる湿式の塗布法で第１のサンプル６１を作製したが、ディプコート法、スプレー法、ロールコート法、インクジェット法などの他の湿式法で塗布膜５２を形成することも可能である。原料となる有機溶液を成膜面に塗布後、熱や紫外線により硬化させ、塗布膜５２を形成する。ディプコート法、スプレー法、ロールコート法、インクジェット法などの湿式法で作製した塗布膜５２を用いても、基板のパーティクルや段差がついている部分をカバレージすることができ、水蒸気透過度及び欠陥密度の小さいバリア多層膜を形成することができる。ここでは硬化温度１１０℃の樹脂を使用したが、硬化温度が８０℃以下の熱硬化性樹脂や紫外線硬化などの光硬化樹脂を選択してもカバレージ性のよい塗布膜層を作ることは可能である。
【００４２】
また、第１のサンプル６１においては、アルゴンガスとともに窒素ガスを導入し、ＵＲＴ−ＩＰ法によりＳｉＯＮ膜５３を形成したが、たとえばアルゴンガス等の作動ガス１０とともに酸素を導入し、ＳｉＯx膜を形成しても、欠陥密度の小さいバリア多層膜を形成することができる。高い水蒸気の遮蔽度が要求されない場合には、ＳｉＯＮ膜のかわりにＳｉＯx膜を用いることもでき、ＳｉＯx膜を用いると、可視光透過率が良好となる。
【００４３】
ＵＲＴ−ＩＰ法により形成されたＳｉＯＮ膜またはＳｉＯx膜と、湿式法により形成された塗布膜との組み合わせを有する多層膜は、膜の欠陥の低減された、バリア性の高い多層膜であるということができるであろう。
【００４４】
図３（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例によるバリア多層膜の製造方法を示す概略的な断面図である。実施例によるバリア多層膜は、たとえば有機ＥＬ素子の陰極電極５０上に形成される。
【００４５】
図３（Ａ）を参照する。図示した有機ＥＬ素子は、たとえば平板なガラス基板で形成される光透過性基板９０、たとえばＩＴＯ等の透明導電材で形成される陽極電極９１、陽極電極９１からのホールの注入効率を高めるホール注入層９２、陽極電極９１から供給されるホールの輸送性を向上させるホール輸送層９３、電流が通じることで発光が行われる発光層９４、陰極電極５０から供給される電子の輸送性を向上させる電子輸送層９５、陰極電極５０からの電子の注入効率を高める電子注入層９６、たとえばＩＴＯで形成される陰極電極５０がこの順に積層されてなる。２つの電極間に５層が挟まれている５層型の有機ＥＬ素子である。
【００４６】
有機ＥＬ素子は、少なくとも発光層９４、陽極電極９１及び陰極電極５０を含んで構成される。両電極間に、たとえば高分子系材料で形成された発光層９４のみを挟んだ単層型の有機ＥＬ素子も製作されている。また、両電極間に、たとえば電子輸送性を兼ねた発光材料で形成した発光層９４と、ホール輸送層９３とを挟んだ２層型の有機ＥＬ素子もある。３層型の有機ＥＬ素子の場合、ホール輸送層９１、発光層９４及び電子輸送層９５が陽極電極９１側からこの順に積層されて、両電極に挟まれる構造を有する。更に、ホール注入層９２が、ホール輸送層９１と陽極電極９１との間に加入された４層型の有機ＥＬ素子もある。
【００４７】
有機ＥＬ素子の陰極電極５０上にはパーティクル５５が付着している場合もありうるし、深い段差が形成されている場合もありうる。図にはパーティクル５５が付着している場合を示した。陰極電極５０上に、湿式法、たとえばスピンコート法により、たとえば厚さ１０００ｎｍの有機膜（塗布膜５２ａ）を形成する。塗布膜５２ａは、液相の有機材料、たとえばＰＭＭＡをスピンコータで陰極電極５０に塗布後、熱硬化処理を行うことによって成膜する。良好なカバレージを得るためには、塗布膜５２ａの膜厚は、１０００ｎｍ以上であることが好ましい。
【００４８】
塗布膜５２ａの材料、スピンコータの回転速度の条件は、たとえば第１のサンプル６１の塗布膜５２作製時と同様とする。熱硬化条件は、素子の耐熱温度以下で硬化する樹脂を用いる。
【００４９】
熱硬化性の樹脂を塗布するのでなく、光硬化性、たとえば紫外線硬化性の樹脂を塗布し、紫外光を照射することによって塗布膜５２ａを形成してもよい。
【００５０】
また、スピンコートによる湿式法のかわりに、ディプコート法、スプレー法等、他の湿式法を用いてもよい。
【００５１】
図３（Ｂ）を参照する。塗布膜５２ａ上にＵＲＴ−ＩＰ法により、水蒸気やガスに対して高いバリア性を有する膜、たとえば厚さ２００ｎｍのＳｉＯＮ膜５３ａを形成する。バリア膜を形成する対象にもよるが、ＳｉＯＮ膜５３ａの膜厚は５０〜２００ｎｍが好ましい。有機ＥＬ素子の封止膜（バリア膜）として用いる場合は、１００〜２００ｎｍが好ましい。
【００５２】
ＵＲＴ−ＩＰ法によるＳｉＯＮ膜５３ａの成膜においては、蒸発物質３２としてＳｉＯを用い、１２０Ａの放電電流を流した。作動ガス１０としてアルゴンガスを使用し、アルゴンガスとともに反応ガスとして窒素ガスを導入した。導入量はアルゴンガスが５０ｓｃｃｍ、窒素ガスが４００ｓｃｃｍであった。更に、酸素ガスを加えてもよい。真空容器１１内の圧力は５ｍＴｏｒｒとした。成膜時の有機ＥＬ素子の温度は、最高６５℃まで上昇した。また、プラズマビームで活性化された蒸発粒子の陰極電極５０（塗布膜５２ａ）への入射エネルギは約１０ｅＶであった。
【００５３】
上記成膜条件で作製したＳｉＯＮ膜５３ａの膜質を測定した。平坦性を表す指標である平均面粗さ（Ｒａ）は０．１５ｎｍ、最大高低差（Ｐ−Ｖ）は１５ｎｍ、また、膜応力は０．１ＧＰａ以下、膜密度は２．８０ｇ／ｃｍ3、水蒸気透過度は０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙ以下であった。
【００５４】
塗布膜５２ａ及びその上に形成されたＳｉＯＮ膜５３ａの組を第１のバリア多層膜７１と呼ぶ。
【００５５】
第１のバリア多層膜７１は、パーティクルや段差に対してカバレージ性の高い塗布膜５２ａと、水蒸気やガスに対するバリア性の高いＳｉＯＮ膜５３ａとを備える。このため、ピンホール等の欠陥が少なく、水蒸気やガスに対して高いバリア性を有する。
【００５６】
第１のバリア多層膜７１を有機ＥＬ素子の封止膜（バリア膜）として用いる場合、ＳｉＯＮ膜５３ａに要求される成膜条件及び膜質は以下の通り、すなわち、成膜面に入射する粒子のエネルギが２０ｅＶ以下、成膜温度８０℃以下、平均面粗さ（Ｒａ）が０．２ｎｍ以下、最大高低差（Ｐ−Ｖ）が２０ｎｍ以下、膜応力が０．１ＧＰａ以下、膜密度が２．７０ｇ／ｃｍ3以上、水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙ以下、膜厚が１００〜２００ｎｍである。
【００５７】
第１のバリア多層膜７１のＳｉＯＮ膜５３ａは、上記条件を満たしている。このため、第１のバリア多層膜７１は、有機ＥＬ素子の封止膜（バリア膜）として利用することができる。
【００５８】
実施例においては、水蒸気やガスに対して高いバリア性を有する膜として、ＵＲＴ−ＩＰ法で作製したＳｉＯＮ膜を用いたが、水蒸気に対する高い遮蔽能が要求されない場合には、ＵＲＴ−ＩＰ法で作製したＳｉＯx膜を用いることもできる。ＵＲＴ−ＩＰ法において、蒸発物質３２としてＳｉＯを使用し、アルゴンガスと酸素ガスとを真空容器１１内に導入すればよい。
【００５９】
また、塗布膜５２ａを成膜した後ＳｉＯＮ膜５３ａまたはＳｉＯx膜を成膜するのではなく、成膜の順序を逆にしてもよい。更に、ＳｉＯＮ膜／塗布膜／ＳｉＯＮ膜と多層化することが効果的である。第１層が塗布膜の場合は側面からのガスの侵入を防止しにくい場合があるが、イオンプレーティング法によるＳｉＯＮ膜、ＳｉＯx膜は、電極膜、ガラス基板、樹脂等との密着性に優れているため、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＯx膜を第１層にすると改善が期待できる。後述するが、ＳｉＯＮ膜またはＳｉＯx膜上に塗布膜を成膜することによっても高いバリア性を有する多層膜を形成することができる。一般に被加工物上方に湿式法で有機膜を成膜する工程と、同じ被加工物上方にＵＲＴ−ＩＰ法でＳｉＯＮ膜またはＳｉＯx膜を成膜する工程とを含む製造方法によって、バリア性の高い多層膜を製造することができるであろう。
【００６０】
図４（Ａ）〜（Ｃ）は、バリア多層膜の変形例を示す概略的な断面図である。多層膜が有機ＥＬ素子の陰極電極５０上に形成される場合を示した。なお、有機ＥＬ素子の構造は陰極電極５０を除いて省略してある。
【００６１】
図４（Ａ）は、陰極電極５０上に形成された第２のバリア多層膜７２を示す概略的な断面図である。第２のバリア多層膜７２は、図３（Ｂ）に示した第１のバリア多層膜７１のＳｉＯＮ膜５３ａ上に、更に、塗布膜５２ｂ及びＳｉＯＮ膜５３ｂがこの順に形成された４層からなる多層膜である。ＳｉＯＮ膜５３ｂは、ＵＲＴ−ＩＰ法で成膜される。塗布膜５２ｂ及びＳｉＯＮ膜５３ｂの成膜条件は、それぞれ第１のバリア多層膜７１の塗布膜５２ａ及びＳｉＯＮ膜５３ａの成膜条件と同様である。
【００６２】
塗布膜とＳｉＯＮ膜との対を複数組（図４（Ａ）に示す例では２組）にすることで、第１のバリア多層膜７１よりもバリア性を向上させることができる。
【００６３】
図４（Ｂ）は、陰極電極５０上に形成された第３のバリア多層膜７３を示す概略的な断面図である。陰極電極５０上に、ＳｉＯＮ膜５３ｃ及び塗布膜５２ｃがこの順に成膜されている。ＳｉＯＮ膜５３ｃは、ＵＲＴ−ＩＰ法で成膜される。第１のバリア多層膜７１とは両膜の積層順序が異なっている。ＳｉＯＮ膜５３ｃ及び塗布膜５２ｃの成膜条件は、それぞれ第１のバリア多層膜７１のＳｉＯＮ膜５３ａ及び塗布膜５２ａの成膜条件と同様である。
【００６４】
陰極電極５０上にＵＲＴ−ＩＰ法でＳｉＯＮ膜５３ｃを成膜した場合、陰極電極５０にパーティクルが付着していたり、大きな段差があった場合には、ＳｉＯＮ膜５３ｃでそれらを完全に覆うことは難しい。そこでＳｉＯＮ膜５３ｃ上につき回り性のよい塗布膜５２ｃを形成する。図２の第４のサンプル６４で示したように、塗布膜５２ｃには欠陥が少ない。また、塗布膜５２ｃには、ＳｉＯＮ膜５３ｃにクラックやピンホールが形成されている場合、それらを塞ぐ効果もある。第３のバリア多層膜７３も欠陥が少なく、水蒸気やガスに対して高いバリア性を有する。
【００６５】
図４（Ｃ）は、陰極電極５０上に形成された第４のバリア多層膜７４を示す概略的な断面図である。第４のバリア多層膜７４は、第３のバリア多層膜７３の塗布膜５２ｃ上に、更にＵＲＴ−ＩＰ法によって、ＳｉＯＮ膜５３ｄを成膜した構造を有する。ＳｉＯＮ膜５３ｄの成膜条件は、第１のバリア多層膜７１のＳｉＯＮ膜５３ａの成膜条件と同様である。
【００６６】
ＳｉＯＮ膜５３ｄを一層加えることにより、第３のバリア多層膜７３よりも水蒸気やガスに対するバリア性を向上させることができる。
【００６７】
図４（Ａ）〜（Ｃ）にはバリア多層膜の変形例を３つ示したが、ＵＲＴ−ＩＰ法により形成されたＳｉＯＮ膜またはＳｉＯx膜と、有機膜、たとえば湿式法により形成されたＰＭＭＡ塗布膜等の樹脂膜とを、少なくとも各１層含む多層膜は、膜の欠陥の低減された、バリア性の高い多層膜であるということができるであろう。
【００６８】
ＵＲＴ−ＩＰ法によれば、成膜面に入射する粒子の平均エネルギが２０ｅＶ以下、成膜温度が８０℃以下の成膜条件で、平均面粗さ（Ｒａ）が０．２ｎｍ以下、最大高低差（Ｐ−Ｖ）が２０ｎｍ以下、膜応力が０．１ＧＰａ以下、膜密度が２．７０ｇ／ｃｍ3以上、水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙ以下、膜厚が５０〜２００ｎｍのＳｉＯＮ膜またはＳｉＯx膜を作製することができる。
【００６９】
なお、実施例によるバリア多層膜を有機ＥＬ素子の封止膜（バリア膜）として使用する場合、ＳｉＯＮ膜またはＳｉＯx膜と組み合わせてバリア多層膜を形成する有機膜の材料としては、光、たとえば紫外線硬化樹脂や、硬化温度（成膜温度）が８０℃以下の樹脂を使用することができる。溶媒を用いない材料を用いることもできるし、キシレン、トルエン等の有機溶媒材料を用いることもできる。アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ノボラック系樹脂、シリコン系樹脂を好ましく用いることができるであろう。
【００７０】
有機膜は、バリア多層膜を形成しようとする面において、有機ＥＬ素子が有する段差、または素子に付着しているパーティクルの径以上の膜厚を備えていることが望ましい。また、有機膜は素子の段差や素子に付着しているパーティクルをカバレージし、平坦化するように形成する。たとえば素子に１μｍの段差があった場合、有機膜を形成することで、０．２μｍまで平坦化する。
【００７１】
図６（Ａ）〜（Ｅ）は、バリア多層膜について新たに水蒸気透過率を試験したテストプロセスを説明するための図である。
【００７２】
図２に示したバリア多層膜の水蒸気透過率は、ＪＩＳ  ｋ  ７１２９Ａ法により測定した。しかし、水蒸気透過率がＪＩＳ  ｋ  ７１２９Ａ法の測定限界以下であったため、ＪＩＳに規定されている方法ではないが、Ｃａ法によりバリア多層膜の水蒸気透過度の推定を行った。
【００７３】
図６（Ａ）を参照する。透明なガラス基板５７上に、Ｃａ膜５６を真空蒸着により成膜した。Ｃａ膜５６は、局部的に、たとえばガラス基板５７の法線方向から見たとき、１辺が４ｍｍの正方形状に成膜される。厚さはたとえば２００ｎｍである。
【００７４】
図６（Ｂ）を参照する。ガラス基板５７及びＣａ膜５６上に、厚さ２００ｎｍのＳｉＯＮ膜５３ｅをＵＲＴ−ＩＰ法で成膜した。使用した蒸発物質、作動（導入）ガス、放電電流、成膜圧力、成膜時間は、図１（Ａ）を参照して説明した第１のサンプル６１におけるＳｉＯＮ膜５３の形成時と同様であった。また、成膜温度は７０℃以下で行った。
【００７５】
図６（Ｃ）を参照する。ＳｉＯＮ膜５３ｅ上に、厚さ４μｍの塗布膜５２ｄを成膜する。塗布膜５２ｄは、アクリル樹脂（大日本インキ株式会社製、ダイキュアークリアＳＤ−２２００）をスピンコートにより塗布後、紫外線を照射して硬化し形成した。スピンコータの回転速度は２０００ｒｐｍであった。また、紫外線の照射はメタルハライドランプにより１０秒間行った。
【００７６】
図６（Ｄ）を参照する。塗布膜５２ｄ上にＳｉＯＮ膜５３ｆを形成し、ＳｉＯＮ膜５３ｅ、塗布膜５２ｄと合わせて第５のバリア多層膜７５を得た。ＳｉＯＮ膜５３ｆの厚さ及び成膜条件は、ＳｉＯＮ膜５３ｅのそれらと同様であった。
【００７７】
なお、ＳｉＯＮ膜５３ｅ、５３ｆは、塗布膜５２ｄよりも薄く形成される。
【００７８】
図６（Ｅ）を参照する。図６（Ａ）〜（Ｄ）の工程によって作製されたサンプルを、温度６０℃、湿度９０％の環境に１６８時間保管し、Ｃａ膜５６の変色状態を観察した。
【００７９】
水蒸気がＣａ膜５６に到達すると、
Ｃａ＋２Ｈ２Ｏ→Ｃａ（ＯＨ）２＋Ｈ２・・（１）
の化学反応式で表される化学反応が起こり、ＣａにかわってＣａ（ＯＨ）２が生成される。Ｃａ（ＯＨ）２は透明性を有する物質である。このため、Ｃａ膜５６の透明部分５６ａと不透明部分の面積を比較することで水蒸気透過率を推定することができる。
【００８０】
推定は、水蒸気は多層膜を厚さ方向に透過するとの仮定のもとに、以下の式（２）によった。
【００８１】
（水蒸気透過率）＝ｘ・ｔ・ρ・３６／４０／Ｔ・・（２）
ここで、ｘはＣａ膜５６の透明部分５６ａの全体に対する面積比、ｔはＣａ膜５６の厚さ、ρはＣａ膜５６のＣａ密度、Ｔは試験時間である。なお、３６とは２Ｈ２Ｏの分子量であり、４０とはＣａの原子量である。ｘ・ｔは透明化した部分の体積比、ｘ・ｔ・ρは同質量比を示し、ｘ・ｔ・ρ・３６／４０は透明化した部分に対応する単位面積当たりの侵入水分量を示す。
【００８２】
図７（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ、上記サンプルを上記環境に保管前及び１６８時間保管後のＣａ膜５６の変色状態を示す顕微鏡写真のスケッチである。透明部分５６ａに斜線を付して区別した。それ以外の部分は不透明な領域である。
【００８３】
図７（Ａ）を参照する。Ｃａ膜５６に不透明領域は存在しない。
【００８４】
図７（Ｂ）を参照する。斜線を付した領域が、Ｃａ（ＯＨ）２が形成された透明部分５６ａである。透明化した部分の面積比は０．０２３％であった。（画像処理を行い求めた。）
式（２）を用い、水蒸気透過率を計算した。計算はρ＝１．５４８／ｃｍ３として行った。その結果、温度６０℃、湿度９０％の条件での水蒸気透過率は、９×１０−６ｇ／ｍ２・ｄａｙと算出された。
【００８５】
塗布膜５２ｄと、それを挟むようにその両面に形成されたＳｉＯＮ膜５３ｅ、５３ｆから成る第５のバリア多層膜７５は、３層と比較的少ない層数で形成されているにもかかわらず、極めて高いバリア性が実現されていることがわかる。
【００８６】
以下、ＳｉＯＮ膜、塗布膜、ＳｉＯＮ膜とこの順に３層、またはそれ以上の層が積層されたバリア多層膜について記述する。
【００８７】
図８（Ａ）及び（Ｂ）は、たとえば図６を参照して記した方法により作製した第５のバリア多層膜７５の機能及び効果を説明するための断面図である。
【００８８】
図８（Ａ）を参照する。ＳｉＯＮ膜５３ｅは、高いバリア性を有しているが、たとえばガラス基板５７上にパーティクル５５が存在している場合や、ガラス基板５７に存在する段差の部分においては、膜に欠陥を生じることがあり、その欠陥箇所からたとえば水蒸気等が流入する場合がある。
【００８９】
塗布膜５２ｄは、この欠陥を防ぐ平滑層の役割をも担う。塗布膜５２ｄは、流動性をもつ状態で塗布できるので、下地の段差を埋め込むことができる。このため、塗布膜５２ｄは、ＳｉＯＮ膜５３ｅ、５３ｆに比べ厚い膜厚に形成される。塗布膜５２ｄを設けることにより平滑な表面を形成し、その上のＳｉＯＮ膜５３ｆの欠陥を少なくすることができる。ＳｉＯＮ膜、塗布膜、ＳｉＯＮ膜の３層構造を備えるバリア多層膜のバリア性が高いのはＳｉＯＮ膜５３ｆの欠陥が少ないためだと考えられる。
【００９０】
図８（Ｂ）を参照する。塗布膜５２ｄを形成した場合であっても、その上のＳｉＯＮ膜５３ｆには、なお多少の欠陥、たとえばピンホール５８が生じる場合がある。これはたとえば塗布膜５２ｄの製造工程中または後においても、パーティクルが付着することがあるためである。
【００９１】
しかし、塗布膜５２ｄの上層であるＳｉＯＮ膜５３ｆに生じる欠陥箇所の位置は、下層であるＳｉＯＮ膜５３ｅにおけるそれらとは一般的に異なる。したがって複数層のＳｉＯＮ膜を形成することにより、１つの層の欠陥を他の層により覆い、バリア性を向上することができる。
【００９２】
塗布膜５２ｄが形成されない場合、または十分な厚さに形成されない場合、その上下のＳｉＯＮ膜５３ｅ、５３ｆの欠陥は近接範囲に形成されやすい。塗布膜５２ｄは上下のＳｉＯＮ膜５３ｅ、５３ｆの欠陥箇所を異ならせる役割をも果たす。
【００９３】
たとえば有機ＥＬ素子の封止等においては、端部の処理が問題となることが多い。有機ＥＬ素子を塗布膜とＳｉＯＮ膜の２層からなるバリア多層膜で封止する場合、端部の処理を完全に行わないと端部からの水分の流入を防ぐのは困難である。しかし有機ＥＬ素子上に、ＳｉＯＮ膜、塗布膜、ＳｉＯＮ膜からなるバリア多層膜を形成する場合、素子上に直接形成されるＳｉＯＮ膜の寄与により、端部の影響を小さくすることができる。
【００９４】
図９（Ａ）〜（Ｄ）は、基板６０上に形成された有機ＥＬ素子５９を第５のバリア多層膜７５で封止する場合における第５のバリア多層膜７５の形成態様を示す図である。前述のように第５のバリア多層膜７５は、ＳｉＯＮ膜５３ｅ、塗布膜５２ｄ、ＳｉＯＮ膜５３ｆをこの順に下から備えるバリア多層膜である。
【００９５】
図９（Ａ）を参照する。図９（Ａ）に示す形成態様においては、塗布膜５２ｄの端面が剥き出しの状態になっている。この図に示す形成態様においては、第５のバリア多層膜７５の端面から見た場合、ＳｉＯＮ膜５３ｅ及び塗布膜５２ｄの２層による封止と同様になる。したがって高いバリア性を確保することができない。
【００９６】
図９（Ｂ）を参照する。図９（Ｂ）に示す形成態様においては、有機ＥＬ素子５９の露出部分を覆うようにＳｉＯＮ膜５３ｅが形成され、ＳｉＯＮ膜５３ｅ上（の一部）に塗布膜５２ｄが形成される。塗布膜５２ｄの周縁部は初めから塗布しないか、一旦全面に塗布後、エッチング等により除去される。ＳｉＯＮ膜５３ｆは、塗布膜５２ｄの端部を覆うように、塗布膜５２ｄ上に形成される。
【００９７】
この形成態様においては、第５のバリア多層膜７５の端面から見た場合であっても、２層のＳｉＯＮ膜５３ｅ、５３ｆ及び塗布膜５２ｄの３層による封止となる。このため高いバリア性を備える。
【００９８】
図９（Ｃ）を参照する。図９（Ｃ）に示す形成態様においては、有機ＥＬ素子の露出部分を覆うようにＳｉＯＮ膜５３ｅが形成される。たとえばマスクを用いた堆積により、基板６０の周縁部にはＳｉＯＮ膜は形成しない。ＳｉＯＮ膜５３ｅ上に、図９（Ｂ）を参照して行った説明と同様にして塗布膜５２ｄが形成される。塗布膜５２はＳｉＯＮ膜５３ｅを覆うように形成されている。ＳｉＯＮ膜５３ｆは、塗布膜５２ｄの端部を覆うように塗布膜５２ｄ上に形成される。
【００９９】
図９（Ｃ）に示す形成態様も、図９（Ｂ）に示した形成態様と同様の理由により、高いバリア性を備える。
【０１００】
図９（Ｄ）を参照する。図９（Ｄ）に示す形成態様は、図９（Ｂ）に示すそれの変形例である。塗布膜５２ｄの膜厚が特に厚い場合、塗布膜５２ｄの端部はなだらかな形状（徐々に厚みを減じる形状）になっていることが好ましい。塗布膜５２ｄ上へのＳｉＯＮ膜５３ｆの成膜が容易であり、また形成されるＳｉＯＮ膜５３ｆの折れ曲がり部における不具合が低減されるためである。
【０１０１】
端部の成膜処理においては成膜部の塗り分けが必要である。ＳｉＯＮ膜５３ｅ、５３ｆについては、たとえばマスクを介して成膜することで成膜部分を規定することが可能である。また、塗布膜５２ｄについては、マスクを用いたスピンコート法やスプレーコート法で塗り分けることができる。なお、スクリーン印刷やインクジェット法などの印刷法で塗布膜５２ｄを形成することもできる。
【０１０２】
なお、ＳｉＯＮ膜の代わりにＳｉＯｘ膜を形成してもよい。
【０１０３】
実施例においては、有機ＥＬ素子の封止膜（バリア膜）に用いる多層バリア膜を考えたが、多層バリア膜は、プラスチック液晶やプラスチックＥＬ等の水蒸気／ガスバリア膜、包装材のバリア膜等に応用することができるであろう。
【０１０４】
以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、それぞれ膜の第１のサンプル６１〜第４のサンプル６４の概略を示す断面図である。
【図２】第１のサンプル６１〜第４のサンプル６４について、欠陥密度と水蒸気透過度とを示した表である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例によるバリア多層膜の製造方法を示す概略的な断面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は、バリア多層膜の変形例を示す概略的な断面図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）はＵＲＴ−ＩＰ装置を示す概略図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｅ）は、バリア多層膜について新たに水蒸気透過率を試験したテストプロセスを説明するための図である。
【図７】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ、上記サンプルを上記環境に保管前及び１６８時間保管後のＣａ膜５６の変色状態を示す顕微鏡写真のスケッチである。
【図８】（Ａ）及び（Ｂ）は、第５のバリア多層膜７５の機能及び効果を説明するための断面図である。
【図９】（Ａ）〜（Ｄ）は、基板６０上に形成された有機ＥＬ素子５９を第５のバリア多層膜７５で封止する場合における第５のバリア多層膜７５の形成態様を示す図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１０  作動ガス
１１  真空容器
１２  筒状部
１３  プラズマビーム発生器
１４  陰極
１５  ガラス管
１６  円盤
１７  パイプ
１８  円筒
１９  第１の中間電極
２０  第２の中間電極
２１  環状永久磁石
２２  電磁石コイル
２３  電源
２４  ステアリングコイル
２５  電源
２６、２７、２９  抵抗器
２８  主電源
３０  主ハース
３１  補助ハース
３２  蒸発物質
３３  ハース本体
３３ａ  凹部
３４  容器
３５  フェライト磁石
３６  ハースコイル
３７  導線
３８  ハースコイル電源
３９、４０  冷却水配管
４１  基板
４２  基板ホルダ
４３  ヒータ
４４  ヒータ電源
４５  バイアス電源
４６  ハース切り替えスイッチ
４７  補助放電電源
４８  抵抗
５０  陰極電極
５１  ガラス基板
５２、５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄ  塗布膜
５３、５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５３ｄ、５３ｅ、５３ｆ  ＳｉＯＮ膜
５５  パーティクル
５６  Ｃａ膜
５６ａ  透明部分
５７  ガラス基板
５８  ピンホール
５９  有機ＥＬ素子
６０  基板
６１  第１のサンプル
６２  第２のサンプル
６３  第３のサンプル
６４  第４のサンプル
７１  第１のバリア多層膜
７２  第２のバリア多層膜
７３  第３のバリア多層膜
７４  第４のバリア多層膜
７５  第５のバリア多層膜
８０  ガス導入口
９０  光透過性基板
９１  陽極電極
９２  ホール注入層
９３  ホール輸送層
９４  発光層
９５  電子輸送層
９６  電子注入層
Ｓ１  スイッチ
【図１】
2005034831.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005034831.tif 000009
【図８】
2005034831.tif 000010
【図９】
2005034831.tif 000011