(57)【要約】      （修正有）【課題】  反射板の反射効率を向上させた小型のマイクロ波移相器を提供する。【解決手段】  マイクロストリップ線路６、６が２本平行に配置され、両マイクロストリップ線路６、６上に各々くし型反射板７、７が設けられ、一方のマイクロストリップ線路６が９０度ハイブリッド回路５に設けられた第１のポート１２に接続され、他方のマイクロストリップ線路６が９０度ハイブリッド回路５に設けられた第２のポート１３に接続されてマイクロ波移相回路１０が構成され、９０度ハイブリッド回路５は、高周波信号の信号源に接続される入力端子１１及び高周波信号の負荷先に接続される出力端子１４を備え、第１のポート１２から出力される高周波信号の位相と上記第２のポート１３から出力される高周波信号の位相とが互いに９０度異なるマイクロ波移相器１である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号が入力されるマイクロストリップ線路と、該マイクロストリップ線路上にその長手方向に沿ってスライド自在に設けられるくし型反射板とを備え、該くし型反射板は、上記マイクロストリップ線路長手方向に直交する細長い基部と、その細長い基部から上記マイクロストリップ線路に沿ってそれぞれ同じ長さ、同方向に突き出た複数の突き出し部分とからなることを特徴とするマイクロ波移相器。
【請求項２】
上記くし型反射板は、細長い基部に上記突き出し部分が偶数本設けられて形成される請求項１記載のマイクロ波移相器。
【請求項３】
上記くし型反射板は、細長い基部に上記突き出し部分が奇数本設けられ、かつ上記突き出し部分のうち中央に位置する突き出し部分がマイクロストリップ線路上に沿って設けられる請求項１記載のマイクロ波移相器。
【請求項４】
上記くし型反射板の上記突き出し部分は、上記高周波信号の１／４波長の長さに形成される請求項１〜３いずれか記載のマイクロ波移相器。
【請求項５】
上記くし型反射板は、金属板若しくはプリント基板上に設けられた金属箔により形成され、かつ上記マイクロストリップ線路と絶縁されて形成される請求項１〜４いずれか記載のマイクロ波移相器。
【請求項６】
上記くし型反射板は、上記マイクロストリップ線路上の長手方向にスライド自在に複数設けられ、かつ互いに上記高周波信号の１／４波長の距離をおいて設けられる請求項１〜５いずれか記載のマイクロ波移相器。
【請求項７】
上記マイクロストリップ線路が２本平行に配置され、上記両マイクロストリップ線路上に各々上記くし型反射板がスライド自在に設けられ、一方のマイクロストリップ線路が９０度ハイブリッド回路に設けられた第１のポートに接続され、他方の上記マイクロストリップ線路が上記９０度ハイブリッド回路に設けられた第２のポートに接続されて、マイクロ波移相回路が構成され、上記９０度ハイブリッド回路は、高周波信号の信号源に接続される入力端子及び高周波信号の負荷先に接続される出力端子を備え、上記第１のポートから出力される高周波信号の位相と上記第２のポートから出力される高周波信号の位相とが互いに９０度異なる請求項１〜６いずれか記載のマイクロ波移相器。
【請求項８】
複数の上記くし型反射板は、上記第１のポートから上記くし型反射板までの距離と、上記第２のポートから他の上記くし型反射板までの距離とが等しく、かつ互いに同方向に同距離スライドするように設けられる請求項１〜７いずれか記載のマイクロ波移相器。
【請求項９】
上記マイクロ波移相回路を複数設け、上記高周波信号を分配するための分配器の分配器出力端子に、それぞれ上記マイクロ波移相回路の上記入力端子が接続される請求項１〜８記載のマイクロ波移相器。
【請求項１０】
上記マイクロ波移相回路の上記出力端子は、他の上記マイクロ波移相回路の上記入力端子に接続される請求項２〜９記載のマイクロ波移相器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、移相器に係り、特に機械式反射型のマイクロ波移相器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フェーズドアレイアンテナのビーム制御や、位相変調などに使われる移相器において、機械式反射型移相器がよく使用される。図９に示すように、この機械式反射型移相器は、マイクロストリップ線路８６上に線路のインピーダンスが急激に変化するように１／４波長の長さの反射板８８を配置してこの反射板８８によって高周波信号を反射させ、この反射板８８をマイクロストリップ線路８６に沿って長手方向に移動させることによってマイクロストリップ線路８６を伝送する高周波信号の位相を変化させる移相方式をとっている。
【０００３】
特に移相量（高周波信号の位相の変化量）が４５度以上の場合には、小型化するために高周波信号を分割・合成すると共に高周波信号の位相をシフトするハイブリッド回路を組合せ、または反射効率を上げるために反射板８８をマイクロストリップ線路８６長手方向に１／４波長間隔で複数段配置する。反射板８８によるインピーダンスの変化が大きければ大きい程高周波信号の反射電力が大きくなり、高周波信号の反射効率を向上させることができる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１０２８０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述の機械式反射型移相器において、反射効率を向上させるためにはインピーダンスの差を大きく取るべく、反射板８８の幅をマイクロストリップ線路８６の幅に比べて広くしたり、反射板８８をマイクロストリップ線路８６に複数設けて多段型にすると有利である。
【０００６】
しかしながら、反射板８８の形状が大きくなったり、また使用周波数の１／４波長の長さの反射板８８を１／４波長間隔で配置していくため、機械式反射型移相器の形状が大きくなるという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、反射板の反射効率を向上させた小型のマイクロ波移相器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、第１の発明は、高周波信号が入力されるマイクロストリップ線路と、該マイクロストリップ線路上にその長手方向に沿ってスライド自在に設けられるくし型反射板とを備え、該くし型反射板は、上記マイクロストリップ線路長手方向に直交する細長い基部と、その細長い基部から上記マイクロストリップ線路に沿ってそれぞれ同じ長さ、同方向に突き出た複数の突き出し部分とからなるマイクロ波移相器である。
【０００９】
第２の発明は、上記くし型反射板は、細長い基部に上記突き出し部分が偶数本設けられて形成されるものである。
【００１０】
第３の発明は、上記くし型反射板は、細長い基部に上記突き出し部分が奇数本設けられ、かつ上記突き出し部分のうち中央に位置する突き出し部分がマイクロストリップ線路上に沿って設けられるものである。
【００１１】
第４の発明は、上記くし型反射板の上記突き出し部分は、上記高周波信号の１／４波長の長さに形成されるものである。
【００１２】
第５の発明は、上記くし型反射板は、金属板若しくはプリント基板上に設けられた金属箔により形成され、かつ上記マイクロストリップ線路と絶縁されて形成されるものである。
【００１３】
第６の発明は、上記くし型反射板は、上記マイクロストリップ線路上の長手方向にスライド自在に複数設けられ、かつ互いに上記高周波信号の１／４波長の距離をおいて設けられるものである。
【００１４】
第７の発明は、上記マイクロストリップ線路が２本平行に配置され、上記両マイクロストリップ線路上に各々上記くし型反射板がスライド自在に設けられ、一方のマイクロストリップ線路が９０度ハイブリッド回路に設けられた第１のポートに接続され、他方の上記マイクロストリップ線路が上記９０度ハイブリッド回路に設けられた第２のポートに接続されてマイクロ波移相回路が構成され、上記９０度ハイブリッド回路は、高周波信号の信号源に接続される入力端子及び高周波信号の負荷先に接続される出力端子を備え、上記第１のポートから出力される高周波信号の位相と上記第２のポートから出力される高周波信号の位相とが互いに９０度異なるものである。
【００１５】
第８の発明は、複数の上記くし型反射板は、上記第１のポートから上記くし型反射板までの距離と、上記第２のポートから他の上記くし型反射板までの距離とが等しく、かつ互いに同方向に同距離スライドするように設けられるものである。
【００１６】
第９の発明は、上記マイクロ波移相回路を複数設け、上記高周波信号を分配するための分配器の分配器出力端子に、それぞれ上記マイクロ波移相回路の上記入力端子が接続されるものである。
【００１７】
第１０の発明は、上記マイクロ波移相回路の上記出力端子は、他の上記マイクロ波移相回路の上記入力端子に接続されるものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、反射板の反射効率を向上させた小型のマイクロ波移相器を得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の好適な一実施形態を添付図面にしたがって説明する。
【００２０】
図１は、本実施の形態を示すマイクロ波移相器の構成図である。
【００２１】
図示したようにマイクロ波移相器１は、マイクロストリップ線路６、６が２本平行に配置され、両マイクロストリップ線路６、６上に各々くし型反射板７、７がスライド自在に設けられ、一方のマイクロストリップ線路６が９０度ハイブリッド回路５に設けられた第１のポート１２に接続され、他方のマイクロストリップ線路６が上記９０度ハイブリッド回路５に設けられた第２のポート１３に接続されてマイクロ波移相回路１０が構成され、９０度ハイブリッド回路５は、図示しない高周波信号の信号源に接続される入力端子１１及び図示しない高周波信号の負荷先に接続される出力端子１４を備え、第１のポート１２から出力される高周波信号の位相と第２のポート１３から出力される高周波信号の位相とが互いに９０度異なる機械式反射型の移相器である。
【００２２】
マイクロストリップ線路６、６は、プリント基板上に高周波信号を伝送するための線路として設けられている。マイクロストリップ線路６、６の形成は、銅などの導電体物質で細長い矩形状になされ、このマイクロストリップ線路６、６のインピーダンスは、マイクロストリップ線路６、６の幅及びプリント基板の有する誘電率等によって決まる。
【００２３】
くし型反射板７は、金属板若しくは別のプリント基板上に設けられた金属箔により形成される。上記マイクロストリップ線路と電気的（直流的）に絶縁されるくし型反射板７の形状は、細長い基部７ｋの一端から基部７ｋに対して直角に延びた細長い板状の突き出し部分７ａと、基部７ｋの他端から突き出し部分７ａに平行して突き出し部分７ａと同じ側に延びている細長い板状の突き出し部分７ｂと、基部の中央部から突き出し部分７ａ、７ｂに平行して同じ方向に延びている細長い板状の突き出し部分７ｃとからなり、基部７ｋと突き出し部分７ａ〜７ｃとが一体的に形成されており、例えて言えばくし型状をなしている。
【００２４】
くし型反射板７、７は、第１のポート１２からくし型反射板７までの距離と、第２のポート１３から他のくし型反射板７までの距離とが等しくスライド自在に設けられるとよく、マイクロストリップ線路６、６上を線路に沿って同方向に同距離だけスライドする。このくし型反射板７、７は、マイクロストリップ線路６、６上にマイクロストリップ線路６、６とは直流的に絶縁されて設けられている。
【００２５】
ここで、第１のポート１２からくし型反射板７までの距離という場合のくし型反射板７の位置は、基部７ｋがマイクロストリップ線路６と交差した部分（交差した部分の面積が広い場合は、例えば基部７ｋの中央部分とする）を指し、第２のポート１３からくし型反射板７までの距離という場合のくし型反射板７の位置は、基部７ｋがマイクロストリップ線路６と交差した部分（交差した部分の面積が広い場合は、例えば基部７ｋの中央部分とする）を指す。
【００２６】
なお、くし型反射板７、７をマイクロストリップ線路６、６上を線路に沿ってスライドさせるには、これらのマイクロストリップ線路６、６の周囲（図示しないマイクロ波移相器１のケースなどに設ける場合でも同様である）にくし型反射板７、７を円滑に移動させることができるようにレール、ガイドなどの機構的部材をマイクロストリップ線路６、６などに電気的影響を与えないように設けるとよく、このレール、ガイドに沿ってくし型反射板７、７を移動させるとよい。
【００２７】
突き出し部分７ａ〜７ｃは、長手方向の長さが使用する高周波信号の波長（周波数の逆数）の１／４になるように形成されており、突き出し部分７ａと突き出し部分７ｂとの長さをトータルすると使用周波数の波長のほぼ１／２に相当する。
【００２８】
次に、マイクロ波移相器１の作用について図１、図２により説明する。
【００２９】
入力端子１１から或る周波数の高周波信号を入力すると、この高周波信号は９０度ハイブリッド回路５の内部で２分割される。同時に２分割された信号の位相が互いに９０度ずれて（これを位相のシフトとも言う）、分割・シフトされた高周波信号は各々第１のポート１２、第２のポート１３に出力される。例えば、第１のポート１２から位相０度、レベル−３ｄＢの高周波信号が出力されたときに、第２のポート１３には位相９０度、レベル−３ｄＢの高周波信号が出力される。
【００３０】
第１のポート１２、第２のポート１３に出力された各々の高周波信号は、マイクロストリップ線路６、６を伝送し、くし型反射板７、７の置かれている位置まで達すると、くし型反射板７、７で反射してマイクロストリップ線路６、６を逆送し、第１のポート１２、第２のポート１３に入力される。この第１のポート１２、第２のポート１３に入力される高周波信号は、互いに位相が９０度異なったままでくし型反射板７、７で反射されかつ第１のポート１２からくし型反射板７までの距離と、第２のポート１３からくし型反射板７までの距離とが等しいため、この９０度の位相の相違はそのまま保持されて、反射した高周波信号は第１のポート１２、第２のポート１３に入力されることになる。
【００３１】
従って、第１のポート１２、第２のポート１３に入力された各々の高周波信号は、９０度ハイブリッド回路５により合成されて入力端子１１、出力端子１４に出力される際に、互いの高周波信号の位相が更に９０度シフトする。この位相のシフトにより、入力端子１１では互いに同じレベルの高周波信号が逆位相で合成され出力される。高周波信号が互いに逆位相で合成されることは、重ね合わせの理から明らかなように合成された高周波信号は打ち消されてあたかも出力が無いように見えることを意味する。
【００３２】
これに対して、出力端子１４に出力される際には、出力端子１４では互いに同じレベルの高周波信号が同位相で合成されて出力される。高周波信号が同位相で合成されることは、重ね合わせの理から明らかなように合成された高周波信号は位相はそのままで、第１のポート１２、第２のポート１３から各々入力されたレベル−３ｄＢの高周波信号の２倍のレベル（すなわち０ｄＢ）となることを意味する。
【００３３】
この結果、入力端子１１から入力された高周波信号は、９０度ハイブリッド回路５を通り、各くし型反射板７、７で反射して再度９０度ハイブリッド回路５を通り出力端子１４に出力される。
【００３４】
次に、入力された高周波信号のくし型反射板７による移相の作用について説明する。
【００３５】
上述したように、入力端子１１から入力された高周波信号は、分割され第１のポート１２、第２のポート１３に出力されて、マイクロストリップ線路６、６を伝送されて、くし型反射板７、７まで到達する。
【００３６】
このとき、図２に示すようにくし型反射板７では、くし状の中央の突き出し部分７ｃがマイクロストリップ線路６と電気的（高周波的）に結合して、くし型反射板７の両端のくし状の突き出し部分７ａ、７ｂ及び基部７ｋに電流が流れ込む。このくし型反射板７に電流が流れる部分を、図中くし型反射板７に斜線で示す。
【００３７】
くし状の突き出し部分７ａ、７ｂが、それぞれ使用周波数のほぼ１／４波長に当たる長さになっており、既に説明したように両突き出し部分７ａ、７ｂの長さを足すと使用する高周波信号のほぼ１／２波長に相当する。このため、両突き出し部分７ａ、７ｂに使用周波数の１／２波長分の電流が分布し、高周波電流がこの両突き出し部分７ａ、７ｂにおいて１／２波長の両端間で共振する。この共振現象は、各素子が１／４波長の長さを有する一対の素子から成る１／２波長ダイポールアンテナの共振現象と同様であり、両突き出し部分７ａ、７ｂの電流の分布は、１／２波長ダイポールアンテナの共振の電流分布と全く同様となる。
【００３８】
このくし型反射板７の電流分布は、図中電流分布９で示されるようになる。この電流分布９のグラフは、図中では３つに分かれているが、これは突き出し部分７ａ、７ｂと基部７ｋが直角に形成されているためで、電流分布は突き出し部分７ａの先端から始まり、基部７ｋを通り、突き出し部分７ａの先端まで連続した分布となっている。
【００３９】
基部７ｋのグラフは、基部７ｋの中央を距離０とし、突き出し部分７ａ、７ｂの先端に向かって距離が離れるものとする。また電流は、くし型反射板７から離れるほどその距離における電流が大きいことを示す。従って、基部７ｋでは、縦軸が距離を示し基部７ｋの中央から図中上に向かって距離ｄ１まで、下に向かって距離ｄ２まで取られ、横軸が電流を示す。
【００４０】
突き出し部分７ａのグラフは、図中横軸左に向かって距離を示し、距離ｄ１から突き出し部分７ａの先端までの距離を取り、縦軸が電流を示しくし型反射板７から軸が上方に離れるほど電流値が大であることを示す。突き出し部分７ｂのグラフは、図中横軸左に向かって距離を示し、距離ｄ２から突き出し部分７ｂの先端までの距離を取り、縦軸が電流を示しくし型反射板７から軸が下方に離れるほど電流値が大であることを示す。
【００４１】
この電流分布９により、このくし型反射板７においては、共振時に両端突き出し部分７ａ、７ｂの先端で電流分布が最小となり、基部７ｋ（これは、両端突き出し部分７ａ、ｂの根元に当たる）で電流分布が最大となる。
【００４２】
図示しないが、共振時このくし型反射板７の電界強度分布は、両端突き出し部分７ａ、７ｂの先端で最大となり、基部７ｋのほぼ中央で最小となる。
【００４３】
この基部７ｋでの電流が最大となり、電界強度が最小となることから、この共振のほぼ中央に当たる基部７ｋのインピーダンスは、極度に低くなる。従って、このインピーダンスの低下のため、基部７ｋに交差している部分のマイクロストリップ線路６のインピーダンスも同時に低くなる。このため、このくし型反射板７がマイクロストリップ線路６と電気的（高周波的）に結合した位置でインピーダンスの不整合が生じる。このインピーダンスの不整合のため、マイクロストリップ線路６を通過する高周波信号はくし型反射板７がある位置の基部７ｋと交差する付近で反射する。
【００４４】
このマイクロストリップ線路６のインピーダンスの低下が特に著しく、くし型反射板７と結合した位置でマイクロストリップ線路６があたかもショートスタブの端となるような最適の状態の場合には、この端（基部７ｋと交差する部分）で高周波信号が全反射する。
【００４５】
このように高周波信号がマイクロストリップ線路６、６を伝送し、くし型反射板７、７に達し反射して再度マイクロストリップ線路６、６を伝送することにより、入力端子１１に入力した高周波信号の位相に対して出力端子１４における高周波信号の位相が変化するとき、この変化量を移相の量として表す。
【００４６】
このように、くし型反射板７、７をマイクロストリップ線路６、６に沿って同じ方向に同じ距離だけスライドして移動させることで、出力端子１４から出力される高周波信号の位相を入力端子１１から入力される高周波信号の位相に対して変化させることができるという効果が得られる。
【００４７】
このくし型反射板７、７を用いた場合のマイクロストリップ線路６、６のインピーダンスの変化は、従来の反射板に比してそのインピーダンスの変化が著しく、マイクロストリップ線路６、６上での反射効率を向上させることに寄与する。この反射効率の向上は即ち、マイクロ波移相器１の反射効率を向上させることを意味し、マイクロ波移相器１を通る高周波信号の損失を低減させることに他ならない。
【００４８】
このようなくし型反射板は、突き出し部分の本数によらないし、この突き出し部分の本数が奇数でも偶数でもよいし、マイクロストリップ線路との結合部となる反射板の突き出し部分は太さや長さ、向きによらない。
【００４９】
マイクロ波移相器に使用するくし型反射板の一例を、図３に示す。例えば、図に示すようにくし型反射板１７の突き出し部分１７ａ、１７ｂの本数は２本で、しかもマイクロストリップ線路６との結合部分１７ｃがマイクロストリップ線路６を横切るだけでもよい。
【００５０】
また、図１で示すくし型反射板７、７では、突き出し部分７ａ〜７ｃが第１のポート１２及び第２のポート１３の方に向いているが、このくし型反射板７、７が共に逆に向いていてもよい。図４に示すようにくし型反射板２７は、図１〜図３のくし型反射板７、１７とは逆向きにマイクロストリップ線路６上に設けてあるが、突き出し部分２７ａ、２７ｂの共振は図２の場合と同様に生じて、突き出し部分２７ａ〜２７ｃの電流分布も同様となり、マイクロストリップ線路６上において同様の高周波信号の反射の効果が得られる。
【００５１】
さらには、図１で示すくし型反射板７、７は、第１のポート１２からくし型反射板７までの距離と、第２のポート１３から他のくし型反射板７までの距離とが等しければ、一方のくし型反射板７と他方のくし型反射板７が互いに逆に向いていてもよい。例えば、一方のくし型反射板７の突き出し部分７ａ〜７ｃが第１のポート１２の方に向いており、他方のくし型反射板７の突き出し部分７ａ〜７ｃが第２のポート１３とは逆の方に向いている場合でも、図１と同様の効果が得られる。
【００５２】
図２に示すくし型反射板７の突き出し部分７ｃの幅は、マイクロストリップ線路６の幅に比べて狭くなっているが、逆に広くともよい。例えば、図４に示すくし型反射板２７の突き出し部２７ｃの幅は、マイクロストリップ線路６の幅に比べて広くなっているが、この場合でもマイクロストリップ線路６とくし型反射板２７の結合による共振、電流の流れ、電流分布は同様である。
【００５３】
また、図５に示すようにくし型反射板３７の突き出し部分３７ａ〜３７ｄの本数が４本若しくはそれ以上でもよい。
【００５４】
このくし型反射板３７は、突き出し部分３７ａと突き出し部分３７ｂとで使用する高周波信号のほぼ１／２波長に相当する長さとなり、図１、２に示したくし型反射板７と同様に両突き出し部分３７ａ、３７ｂの両端間で１／２波長共振する。同様に、突き出し部分３７ｃと突き出し部分３７ｄとで使用する高周波信号のほぼ１／２波長に相当する長さとなり、図１に示したくし型反射板７と同様に両突き出し部分３７ｃ、３７ｄの両端間で１／２波長の共振をする。
【００５５】
このようにくし型反射板３７は、共振する突き出し部分が２本あるくし型反射板７、１７が重なって、各々のくし型反射板が互いに同相で１／２波長共振していることに相当する作用を生じる。
【００５６】
このように共振が生じるため、くし型反射板３７はくし型反射板７、１７に比べるとＱファクタの高い共振を生じさせることができるので、くし型反射板３７を用いることにより反射する高周波電力が増し、マイクロ波移相器の反射効率が向上する。
【００５７】
さらに、図６に示すようにくし型反射板２７、２７（くし型反射板７、１７、３７などでもよい）をマイクロストリップ線路６上の長手方向に複数箇所配して、くし型反射板２７、２７の配置を多段にしてもよい。
【００５８】
図示したようにこのくし型反射板２７、２７は、マイクロストリップ線路６上に複数箇所設けられ、使用する高周波信号の周波数の波長の１／４だけ距離をおいて設けられることにより、くし型反射板２７が１つの場合に比べて、各くし型反射板２７、２７で高周波信号を反射するのでくし型反射板２７、２７により反射する高周波電力が増し、マイクロ波移相器の反射効率が向上する。
【００５９】
これらのくし型反射板７、１７、２７、３７は金属板で形成してもよいし、マイクロストリップ線路６が形成された上述のプリント基板とは別のプリント基板上に金属箔などにより形成したものでもよい。また、くし型反射板７、１７、２７、３７の形状は、くし型状に限定されるものではなく、上記のような１／２波長の共振が生じてマイクロストリップ線路上で高周波信号の反射が生じるような構造であればよい。
【００６０】
次に、これまで説明したマイクロ波移相回路１０を複数個用いた応用例を図７に示す。
【００６１】
図示したようにマイクロ波移相器２は、分配器入力端子１５ｉ及び複数の分配器出力端子１５ｏが設けられ、入力される上記高周波信号を分配する分配器１５と、複数のマイクロ波移相回路１０ａ、１０ｂとを備え、分配器出力端子１５ｏにマイクロ波移相回路１０ａ、１０ｂの各入力端子１１が接続されるものである。
【００６２】
分配器１５は、高周波信号を分配器入力端子１５ｉに入力し、入力した高周波信号を、同位相、同振幅に２分配して分配器出力端子１５ｏから出力する１×２分配器である。
【００６３】
マイクロ波移相回路１０ａ、１０ｂは、上述したマイクロ波回路１０と同様の構成、動作となっているので説明は省略する。
【００６４】
このマイクロ波移相器２においては、分配器入力端子１５ｉから入力された高周波信号は分配器１５にて２分配され、分配された高周波信号は分配器出力端子１５ｏ、１５ｏから各々出力され、各マイクロ波移相回路１０ａ、１０ｂの入力端子１１、１１に入力される。入力端子１１、１１に入力された高周波信号は９０度ハイブリッド回路５を介してマイクロストリップ線路６、６、６、６に伝送され、くし型反射板７、７、７、７に到達する。
【００６５】
必要に応じてくし型反射板７、７をマイクロストリップ線路６、６に沿ってスライドさせて、くし型反射板７の位置を設定することにより、伝送された高周波信号がこのくし型反射板７、７の位置で反射する。反射した高周波信号は再び９０度ハイブリッド回路５に入力され、９０度ハイブリッド回路５を通り、出力端子１４、１４に出力信号１、２として出力される。
【００６６】
この出力された出力信号１、２は、マイクロ波移相回路１０ａに設けられているくし型反射板７、７と、マイクロ波移相回路１０ｂに設けられているくし型反射板７、７とを各々独立にスライドして移動させることにより、出力信号１の位相と出力信号２の位相とは独立して変化させることができるという優れた効果を発揮する。
【００６７】
また、このマイクロ波移相回路１０ａ、１０ｂのくし型反射板７、７、７、７を同じ方向（この方向とは、くし型反射板７、７が第１のポート及び第２のポートに近づく方向か若しくは離れる方向であることを意味する）に同じ距離だけスライドして移動させることで、位相変化（すなわち、移相）の同じ出力信号１、出力信号２を同時に出力させることも可能である。
【００６８】
次に、これまで説明したマイクロ波移相回路１０を複数個用いた他の応用例を図８に示す。
【００６９】
図示したようにマイクロ波移相器３は、図７に示したマイクロ波移相器２のマイクロ波移相回路１０ａ、１０ｂの出力端子１４の出力線路が各々２分配され、かつ分配された出力線路の一方に他のマイクロ波移相回路１０ｃ、１０ｄを接続することによりマイクロ波移相回路１０ａ、１０ｃが直列接続され、またマイクロ波移相回路１０ｂ、１０ｄが直列接続され多段化したものである。
【００７０】
このマイクロ波移相器３の接続構成により、マイクロ波移相回路１０ａから出力された高周波信号は２分配され、分配された一方は出力され、分配されたもう一方の高周波信号は、マイクロ波移相回路１０ｃ、１０ｄに入力される。
【００７１】
マイクロ波移相回路１０ｃ、１０ｄに入力された高周波信号は、同様にマイクロ波移相回路１０ｃ、１０ｄにより更に位相を変化され、各出力端子１４に出力され、それぞれ２分配される。これらの分配された出力をアレイアンテナ等の多素子アンテナに給電することにより、アンテナの位相を制御できるマイクロ波移相器となる。
【００７２】
このようにして入力された高周波信号の位相を変化させ出力させるマイクロ波移相器３は、マイクロ波移相器１、２に比較して広い範囲で高周波信号の位相を変化させることができる優れた効果を発揮する。
【００７３】
例えば、マイクロ波移相器１、２で、最大βだけ位相を変化させることができるとすると、マイクロ波移相器３では、最大２βだけ位相を変化させることができる。
【００７４】
また、マイクロ波移相器３は、複数の高周波信号を出力し、その各々の出力の位相を独立若しくは従属させて変化させることができる。
【００７５】
例えば、マイクロ波移相回路１０ａの位相を固定しておき、この位相が固定された高周波信号が入力されたマイクロ波移相器１０ｃは位相を変化させることにより、マイクロ波移相器１０ａから出力される高周波信号とマイクロ波移相器１０ｃから出力される高周波信号とは、元は同じ高周波信号でありながら独立して位相を変化させ出力させることができる。
【００７６】
別の例では、マイクロ波移相回路１０ａの位相を変化させ、この位相を変化させた高周波信号が入力されたマイクロ波移相器１０ｃでもさらに位相を変化させることにより、マイクロ波移相器１０ｃから出力される高周波信号は、マイクロ波移相器１０ａから出力される高周波信号に従属した形で位相を変化させることができる。
【００７７】
なお、マイクロ波移相器２、３では分配器１５による２分配について説明したが２分配に限定されるものではないし、分配しなくてもよい。また、マイクロ波移相器３では、マイクロ波移相器の段数をマイクロ波移相回路１０ａ、１０ｃの２段直列構成（また、マイクロ波移相回路１０ｂ、１０ｄも同様の２段直列構成）で説明したが、段数も２段に限定されるものではなく、必要に応じて更に段数を増した直列構成とすることにより、変化させることのできる位相の範囲を拡げるとよい。
【００７８】
以上説明したような実施の形態により、反射板の反射効率を向上させた小型のマイクロ波移相器を得られる。
【００７９】
また、入力高周波信号に対して、複数の高周波信号を出力でき、出力された各々の高周波信号は位相変化の独立した信号として得られる。
【００８０】
さらには、マイクロ波移相回路を直列接続して多段化することにより、広範囲な位相の変化を実現できる優れた効果を発揮する。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明は、移相器のみならず、マイクロストリップ線路等を伝送する高周波信号をマイクロストリップ線路の長手方向の任意の位置で反射させて、反射した高周波信号を出力する高周波信号回路に広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本実施の形態であるマイクロ波移相器を示す構成図である。
【図２】共振時のくし型反射板の電流の分布を示す電流分布図である。
【図３】マイクロ波移相器に使用するくし型反射板の一例を示す外観図である。
【図４】マイクロ波移相器に使用するくし型反射板の一例を示す外観図である。
【図５】マイクロ波移相器に使用するくし型反射板の一例を示す外観図である。
【図６】マイクロ波移相器に使用するくし型反射板の一例を示す外観図である。
【図７】本発明のマイクロ波移相器の応用例を示す構成図である。
【図８】本発明のマイクロ波移相器の他の応用例を示す構成図である。
【図９】従来技術の機械式反射型移相器を示す構成図である。
【符号の説明】
【００８３】
１  マイクロ波移相器
５  ９０度ハイブリッド回路
６  マイクロストリップ線路
７  くし型反射板
７ａ〜７ｃ  突き出し部分
７ｋ  基部
９  電流分布
１０  マイクロ波移相回路
１１  入力端子
１２  第１のポート
１３  第２のポート
１４  出力端子
１５  分配器
１５ｉ  分配器入力端子
１５ｏ  分配器出力端子
１７  くし型反射板
２７  くし型反射板
３７  くし型反射板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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