(57)【要約】【課題】成膜して得られた光磁気記録媒体膜のＴｂ組成が測定位置によりばらつくことの少ない光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】Ｔｂ：４０〜６０質量％、Ｃｏ：１〜３０質量％を含有し、残部がＦｅからなる組成を有し、ＦｅおよびＣｏの成分をＴとすると、Ｔ１７Ｔｂ２型金属間化合物相およびＴ２３Ｔｂ６型金属間化合物相の合計：８．５〜３５面積％、Ｔ２Ｔｂ型金属間化合物相：４〜３５面積％、Ｔ３Ｔｂ型金属間化合物相：残部からなる組織を有する。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｔｂ：４０〜６０質量％、Ｃｏ：１〜３０質量％を含有し、残部がＦｅからなる組成を有し、
ＦｅおよびＣｏの成分をＴとすると、
Ｔ１７Ｔｂ２型金属間化合物相およびＴ２３Ｔｂ６型金属間化合物相の合計：８．５〜３５面積％、
Ｔ２Ｔｂ型金属間化合物相：４〜３５面積％、
Ｔ３Ｔｂ型金属間化合物相：残部からなる組織を有することを特徴とする光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｔｂ：４０〜６０質量％、Ｃｏ：１〜３０質量％、Ｃｒ：０．１〜５質量％を含有し、残部がＦｅからなる組成を有し、
Ｆｅ、ＣｏおよびＣｒの成分をＴ´とすると、
Ｔ´１７Ｔｂ２型金属間化合物相およびＴ´２３Ｔｂ６型金属間化合物相の合計：８．５〜３５面積％、
Ｔ´２Ｔｂ型金属間化合物相：４〜３５面積％、
Ｔ´３Ｔｂ型金属間化合物相：残部からなる組織を有することを特徴とする光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項３】
目標の光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの組成に対してＴｂの少ない原料粉末およびＴｂの多い原料粉末を作製し、この二種類の原料粉末を目標の光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの組成となるように不活性ガス雰囲気中で混合し、真空雰囲気中でホットプレスすることを特徴とする光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、成膜して得られた光磁気記録媒体膜のＴｂ組成が測定位置によりばらつくことの少ない光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法に関するものである
【０００２】
【従来の技術】
従来から知られている希土類元素を主成分として含有する光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの一例として、Ｔｂ：２２〜３０質量％を含有し、残部が実質的にＴ（Ｔは遷移金属元素であり、Ｆｅ、Ｃｏ、ＣｒおよびＮｉの少なくとも１種を必ず含む）からなる成分組成を有し、実質的に均質な焼結組織からなり、透磁率が３以下であり、Ｆｅ３Ｔｂ型結晶相が結晶全体の８８％以上占める光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
これら組成を有するターゲットは、片面を銅のバッキングプレートに接着し、この接着したターゲットをスパッタ装置に設置し、プラズマを発生させつつスパッタリングを行い、ガラスまたは樹脂からなる基板の表面に光磁気記録媒体膜を形成する。
この従来の光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットは、原料として、Ｔｂ、Ｆｅ、ＣｏおよびＣｒを調合し、これら原料を溶解・鋳造して所定の成分組成を有する合金インゴットを作製し、この合金インゴットを粉砕して合金粉末を作製し、得られた合金粉末をホットプレスすることにより製造する。このときホットプレスは、量産が可能なように、円筒状のカーボンモールドの中に合金粉末と板状のカーボンスペーサを交互に充填し、重ねてホットプレスすることにより複数枚のターゲットを同時に作製する。
【０００４】
【特許文献１】
特許第３０９８２０４号明細書
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記従来の光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット使用して得られた光磁気記録媒体膜はＴｂ組成が場所によって大きくばらつき、そのために従来の光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを使用して作製した光磁気デスクは面内で場所によって磁気特性が大きく変化し、良好な光磁気デスクが得られないという問題点があった。
また、前記円筒状のカーボンモールドの中に光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット製造用合金粉末と板状のカーボンスペーサを交互に充填し、重ねてホットプレスすることにより複数枚のターゲットを同時に作製すると、得られるターゲットに割れが発生することが多く、製造歩留が低下するという問題点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者は、Ｔｂ組成のばらつきが一層少ない光磁気記録媒体膜を得ることのできるスパッタリングターゲットを製造すべく研究を行なったところ、予め、目標の組成よりもＴｂの少ない原料粉末および目標の組成よりもＴｂの多い原料粉末を作製し、この二種類の原料粉末をＴｂ：４０〜６０質量％、Ｃｏ：１〜３０質量％を含有し、残部がＦｅからなる組成を有するように配合し、不活性ガス雰囲気で混合して混合粉末を作製し、この混合粉末を真空雰囲気中でホットプレスすると、得られたターゲットに割れが発生することが極めて少なく、また、このようにして得られたターゲットに含まれるＦｅおよびＣｏの成分をＴと記すと、
Ｔ１７Ｔｂ２型金属間化合物相およびＴ２３Ｔｂ６型金属間化合物相の合計：８．５〜３５面積％、
Ｔ２Ｔｂ型金属間化合物相：４〜３５面積％、
Ｔ３Ｔｂ型金属間化合物相：残部からなる組織を有するターゲットが得られ、このターゲットを用いてスッパッタすることにより得られた光磁気記録媒体膜のＴｂ組成の測定位置によるばらつきが極めて少なくなる、という研究結果が得られたのである。
【０００７】
この発明は、かかる知見に基づいてなされたものであって、
Ｔｂ：４０〜６０質量％、Ｃｏ：１〜３０質量％を含有し、残部がＦｅからなる組成を有し、
ＦｅおよびＣｏの成分をＴとすると、
Ｔ１７Ｔｂ２型金属間化合物相およびＴ２３Ｔｂ６型金属間化合物相の合計：８．５〜３５面積％、
Ｔ２Ｔｂ型金属間化合物相：４〜３５面積％、
Ｔ３Ｔｂ型金属間化合物相：残部からなる組織を有する光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
【０００８】
前記組織において、Ｔ１７Ｔｂ２型金属間化合物相およびＴ２３Ｔｂ６型金属間化合物相の合計を８．５〜３５面積％としたのは、Ｔ１７Ｔｂ２型金属間化合物相およびＴ２３Ｔｂ６型金属間化合物相の合計が８．５面積％未満では膜の面内組成バラツキを小さくする効果が十分でないので好ましくなく、一方、３５面積％を越えるとターゲットの透磁率が増大するので好ましくない理由によるものである。Ｔ１７Ｔｂ２型金属間化合物相およびＴ２３Ｔｂ６型金属間化合物相は組織としてほぼ同じ作用を奏するので分ける必要がない。また、Ｔ２Ｔｂ型金属間化合物相を４〜３５面積％にしたのは、Ｔ２Ｔｂ型金属間化合物相が４面積％未満ではホットプレスの多数枚押しをした時に割れが発生しやすくなるので好ましくなく、一方、３５面積％を越えると、ターゲットの透磁率が増大するので好ましくない理由によるものである。
【０００９】
かかる組織は、予め作製した目標の組成よりもＴｂの少ない原料粉末および目標の組成よりもＴｂの多い二種類の原料粉末をＴｂ：４０〜６０質量％、Ｃｏ：１〜３０質量％を含有し、残部がＦｅからなる組成を有するように配合し、不活性ガス雰囲気で混合し、真空雰囲気中でホットプレスすることにより得られる。
【００１０】
この発明の光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの成分組成は、Ｔｂ：４０〜６０質量％、Ｃｏ：１〜３０質量％を含有し、残部がＦｅからなる成分組成を有する。この成分組成はすでに知られているものであり、その限定理由についての説明は省略する。
【００１１】
さらに、本発明者は、Ｔｂ組成のばらつきが一層少ない光磁気記録媒体膜を得ることのできるスパッタリングターゲットを製造すべく研究を行なったところ、予め、目標の組成よりもＴｂの少ない原料粉末および目標の組成よりもＴｂの多い原料粉末を作製し、この二種類の原料粉末をＴｂ：４０〜６０質量％、Ｃｏ：１〜３０質量％を含有し、さらにＣｒ：０．１〜５質量％を含有し、残部がＦｅからなる組成を有するように配合し、不活性ガス雰囲気で混合して混合粉末を作製し、この混合粉末を真空雰囲気中でホットプレスすると、得られたターゲットに割れが発生することが極めて少なく、また、このようにして得られたターゲットに含まれるＦｅ、ＣｏおよびＣｒの成分をＴ´と記すと、
Ｔ´１７Ｔｂ２型金属間化合物相およびＴ´２３Ｔｂ６型金属間化合物相の合計：８．５〜３５面積％、
Ｔ´２Ｔｂ型金属間化合物相：４〜３５面積％、
Ｔ´３Ｔｂ型金属間化合物相：残部からなる組織を有するターゲットが得られ、このターゲットを用いてスッパッタすることにより得られた光磁気記録媒体膜のＴｂ組成の測定位置によるばらつきが極めて少なくなる、という研究結果が得られたのである。
【００１２】
この発明は、かかる知見に基づいてなされたものであって、
Ｔｂ：４０〜６０質量％、Ｃｏ：１〜３０質量％を含有し、さらにＣｒ：０．１〜５質量％を含有し、残部がＦｅからなる組成を有し、
Ｆｅ、ＣｏおよびＣｒの成分をＴ´とすると、
Ｔ´１７Ｔｂ２型金属間化合物相およびＴ´２３Ｔｂ６型金属間化合物相の合計：８．５〜３５面積％、
Ｔ´２Ｔｂ型金属間化合物相：４〜３５面積％、
Ｔ´３Ｔｂ型金属間化合物相：残部からなる組織を有する光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
【００１３】
前記組織において、Ｔ´１７Ｔｂ２型金属間化合物相およびＴ´２３Ｔｂ６型金属間化合物相の合計を８．５〜３５面積％としたのは、Ｔ´１７Ｔｂ２型金属間化合物相およびＴ´２３Ｔｂ６型金属間化合物相の合計が８．５面積％未満では膜の面内組成バラツキを小さくする効果が十分でないので好ましくなく、一方、３５面積％を越えるとターゲットの透磁率が増大するので好ましくない理由によるものである。Ｔ´１７Ｔｂ２型金属間化合物相およびＴ´２３Ｔｂ６型金属間化合物相は組織としてほぼ同じ作用を奏するので分ける必要がない。また、Ｔ´２Ｔｂ型金属間化合物相を４〜３５面積％にしたのは、Ｔ´２Ｔｂ型金属間化合物相が４面積％未満ではホットプレスの多数枚押しをした時に割れが発生しやすくなるので好ましくなく、一方、３５面積％を越えると、ターゲットの透磁率が増大するので好ましくない理由によるものである。
【００１４】
かかる組織は、予め作製した目標の組成よりもＴｂの少ない原料粉末および目標の組成よりもＴｂの多い二種類の原料粉末をＴｂ：４０〜６０質量％、Ｃｏ：１〜３０質量％、Ｃｒ：０．１〜５質量％、残部がＦｅからなる組成を有するように配合し、不活性ガス雰囲気で混合し、真空雰囲気中でホットプレスすることにより得られる。しかし、このＴｂ：４０〜６０質量％、Ｃｏ：１〜３０質量％、Ｃｒ：０．１〜５質量％、残部がＦｅからなる成分組成はすでに知られているものであるから、その限定理由についての説明は省略する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
実施例１
１×１０−２Ｐａ以下の真空中にて高周波誘導溶解炉で溶解し鋳造することにより、質量％で、Ｔｂ：４１．３％、Ｆｅ：４７．２％、Ｃｏ：１１．５％からなる成分組成を有するインゴットを作製し、このインゴットをハンマーミルによりＡｒ雰囲気中で粉砕し、得られた粉砕粉末を窒素ガス雰囲気中のグローブボックス中にて目開きが２５０μｍのふるいを使用し、振動ふるい器により分級することにより合金粉末Ａを作製した。
【００１６】
さらに、１×１０−２Ｐａ以下の真空中にて高周波誘導溶解炉で溶解し鋳造することにより、質量％で、Ｔｂ：５３．５％、Ｆｅ：３６．３％、Ｃｏ：１０．２％からなる成分組成を有するインゴットを作製し、このインゴットをハンマーミルによりＡｒ雰囲気中で粉砕し、得られた粉砕粉末を窒素ガス雰囲気中のグローブボックス中にて目開きが２５０μｍのふるいを使用し、振動ふるい器により分級することにより合金粉末Ｂを作製した。
【００１７】
得られた合金粉末Ａ：７９１ｇ、合金粉末Ｂ：７０９ｇを秤量し、窒素ガスとともに揺動回転型の混合容器に充填し、３０分間混合することによりＴｂ：４７．１％、Ｆｅ：４２．０％、Ｃｏ：１０．９％からなる成分組成を有する混合粉末を作製した。得られた混合粉末と内径が１３０ｍｍの寸法を有する黒鉛型に黒鉛製スペーサー（直径：１３０ｍｍ、厚さ：６ｍｍの黒鉛製円盤）とを交互に４層に積層して充填し、この充填した黒鉛型をホットプレス装置にセットし、１×１０−３Ｐａ以下の真空中、温度：１０５０℃、圧力：２０ＭＰａにてホットプレスすることにより焼結した。その後、焼結体を取り出して目視により観察した結果、４枚の焼結体に割れや欠けは発生しておらず、健全な焼結体が得られていた。
【００１８】
４枚の焼結体の内の一枚を組織観察のために約１０ｍｍの大きさに切り出し、これを樹脂に埋め込み、研磨を行った。研磨の最終仕上げは１μｍのダイヤモンド研磨剤を用いた。ＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザー）による二次電子像および反射電子像の観察と各部の定量分析から焼結体はＴ１７Ｔｂ２型金属間化合物相、Ｔ２３Ｔｂ６型金属間化合物相、Ｔ２Ｔｂ型金属間化合物相、およびＴ３Ｔｂ型金属間化合物相とで構成されていることがわかった。ＥＰＭＡは日本電子株式会社製ＪＸＡ−８６００を用い、加速電圧：１５ｋＶ、電流：１０−１０Ａ、ワーキングディスタンス：１１を使用した。
反射電子像を画像データーとしてパソコンに取り込み、通常の画像処理ソフトにより各濃淡レベルおいて二値化を行い、各相の面積比を求めたところ、Ｔ１７Ｔｂ２型金属間化合物相およびＴ２３Ｔｂ６型金属間化合物相の合計が２３面積％、Ｔ２Ｔｂ型金属間化合物相が２４面積％、残りがＴ３Ｔｂ型金属間化合物相で構成されていることがわかった。
【００１９】
さらに、前記焼結体を直径：１２７ｍｍ、厚さ：１２ｍｍの寸法に機械加工し、銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、ターゲットを作製した。このバッキングプレートを直流マグネトロンスパッタリング装置に設置し、
真空排気：５×１０−５Ｐａ以下、
Ａｒガス圧：０．６７Ｐａ、
基板：直径：６４ｍｍのポリカーボネ−ト、
基板とターゲットの間の距離：４０ｍｍ、
スパッタ電力：１．５ｋＷ、
の条件で膜厚：１μｍになるまで成膜を行い、得られた膜をＥＰＭＡにより膜の中心から１５ｍｍ、２３ｍｍ、３１ｍｍの位置におけるＴｂ含有量（Ｔｂ／（Ｔｂ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）×１００）を測定し、その結果を表１に示すことによりＴｂの膜における分布を評価した。
【００２０】
従来例１
１×１０−２Ｐａ以下の真空中にて高周波誘導溶解炉で溶解し鋳造することによりインゴットを作製し、このインゴットを実施例１と同様にしてハンマーミルによりＡｒ雰囲気中で粉砕し、得られた粉砕粉末を窒素ガス雰囲気中のグローブボックス中にて目開きが２５０μｍのふるいを使用し、振動ふるい器により分級することにより実施例１における混合粉末と同じ成分組成を有するＴｂ：４７．１％、Ｆｅ：４２．０％、Ｃｏ：１０．９％からなる合金粉末を作製した。
【００２１】
得られた合金粉末を実施例で用意した内径が１３０ｍｍの寸法を有する黒鉛型に黒鉛製スペーサー（直径：１３０ｍｍ、厚さ：６ｍｍの黒鉛製円盤）を交互に４層に積層して充填し、この充填した黒鉛型をホットプレス装置にセットし、実施例と同じ１×１０−３Ｐａ以下の真空中、温度：１０５０℃、圧力：２０ＭＰａにてホットプレスすることにより焼結した。その後、焼結体を取り出して目視により観察した結果、４枚の焼結体の内の２枚に割れが発生していた。
【００２２】
４枚の焼結体の内の割れが発生していない一枚を約１０ｍｍの大きさに切り出し、樹脂に埋め込み、１μｍのダイヤモンド研磨材を用いて最終仕上げ研磨を行った。この研磨した試料を実施例と同様にしてＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザー）による二次電子像および反射電子像の観察と各部の定量分析を行った結果、焼結体はＴ１７Ｔｂ２型金属間化合物相、Ｔ２３Ｔｂ６型金属間化合物相、Ｔ２Ｔｂ型金属間化合物相、およびＴ３Ｔｂ型金属間化合物相とで構成されていることがわかった（ただし、ＴはＦｅおよびＣｏ成分、以下同じ）。
得られたＥＰＭＡによる反射電子像を画像データーとしてパソコンに取り込み、通常の画像処理ソフトにより各濃淡レベルおいて二値化を行い、各相の面積比を求めたところ、Ｔ１７Ｔｂ２型金属間化合物相およびＴ２３Ｔｂ６型金属間化合物相の合計が６面積％、Ｔ２Ｔｂ型金属間化合物相が２面積％、残りがＴ３Ｔｂ型金属間化合物相で構成されていることがわかった。
【００２３】
さらに、前記焼結体を直径：１２７ｍｍ、厚さ：１２ｍｍの寸法に機械加工し、銅製のバッキングプレートにはんだ付けしてターゲットを作製し、このターゲットを直流マグネトロンスパッタリング装置に設置し、実施例１と同じ条件の、
真空排気：５×１０−５Ｐａ以下、
Ａｒガス圧：０．６７Ｐａ、
基板：直径：６４ｍｍのポリカーボネ−ト、
基板とターゲットの間の距離：４０ｍｍ、
スパッタ電力：１．５ｋＷ、
の条件で膜厚：１μｍになるまで成膜を行い、得られた膜をＥＰＭＡにより膜の中心から１５ｍｍ、２３ｍｍ、３１ｍｍの位置におけるＴｂ含有量（Ｔｂ／（Ｔｂ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）×１００）を測定し、その結果を表１に示すことによりＴｂの膜における分布を評価した。
【００２４】
【表１】
2005060745.tif 000002
【００２５】
実施例１、従来例１および表１に示される結果から、実施例１で得られた組織を有するターゲットと従来例１で得られた組織を有するターゲットは成分組成が同じであっても組織が相違し、実施例１で得られた組織を有するターゲットを用いて得られた膜は中心から１５ｍｍ離れた位置におけるＴｂ含有量と中心から３１ｍｍ離れた位置におけるＴｂ含有量とは０．３％の差しかないのに比べて、従来例１で得られた組織を有するターゲットを用いて得られた膜は中心から１５ｍｍ離れた位置におけるＴｂ含有量と中心から３１ｍｍ離れた位置におけるＴｂ含有量とは２．６％の大差があり、実施例１で得られた組織を有するターゲットは従来例１で得られた組織を有するターゲットに比べてＴｂの濃度のバラツキが極めて少ない膜を提供することができることが分かる。
【００２６】
実施例２
１×１０−２Ｐａ以下の真空中にて高周波誘導溶解炉で溶解し鋳造することにより、質量％で、Ｔｂ：４１．５％、Ｆｅ：５２．５％、Ｃｏ：４．６％、Ｃｒ：１．４％からなる成分組成を有するインゴットを作製し、このインゴットをハンマーミルによりＡｒ雰囲気中で粉砕し、得られた粉砕粉末を窒素ガス雰囲気中のグローブボックス中にて目開きが２５０μｍのふるいを使用し、振動ふるい器により分級することにより合金粉末Ａ´を作製した。
【００２７】
さらに、１×１０−２Ｐａ以下の真空中にて高周波誘導溶解炉で溶解し鋳造することにより、質量％で、Ｔｂ：４９．９％、Ｆｅ：４４．５％、Ｃｏ：４．３％、Ｃｒ：１．３％からなる成分組成を有するインゴットを作製し、このインゴットをハンマーミルによりＡｒ雰囲気中で粉砕し、得られた粉砕粉末を窒素ガス雰囲気中のグローブボックス中にて目開きが２５０μｍのふるいを使用し、振動ふるい器により分級することにより合金粉末Ｂ´を作製した。
【００２８】
得られた合金粉末Ａ´：８４７ｇ、合金粉末Ｂ´：６５３ｇを秤量し、窒素ガスとともに揺動回転型の混合容器に充填し、３０分間混合することによりＴｂ：４５．１％、Ｆｅ：４９．０％、Ｃｏ：４．４％、Ｃｒ：１．３％からなる成分組成を有する混合粉末を作製した。得られた混合粉末と内径が１３０ｍｍの寸法を有する黒鉛型に黒鉛製スペーサー（直径：１３０ｍｍ、厚さ：６ｍｍの黒鉛製円盤）とを交互に４層に積層して充填し、この充填した黒鉛型をホットプレス装置にセットし、１×１０−３Ｐａ以下の真空中、温度：１０５０℃、圧力：２０ＭＰａにてホットプレスすることにより焼結した。その後、焼結体を取り出して目視により観察した結果、４枚の焼結体に割れや欠けは発生しておらず、健全な焼結体が得られていた。
【００２９】
４枚の焼結体の内の一枚を組織観察のために約１０ｍｍの大きさに切り出し、これを樹脂に埋め込み、研磨を行った。研磨の最終仕上げは１μｍのダイヤモンド研磨剤を用いた。ＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザー）による二次電子像および反射電子像の観察と各部の定量分析から焼結体はＴ´１７Ｔｂ２型金属間化合物相、Ｔ´２３Ｔｂ６型金属間化合物相、Ｔ´２Ｔｂ型金属間化合物相、およびＴ´３Ｔｂ型金属間化合物相とで構成されていることがわかった（ただし、Ｔ´はＦｅ、ＣｏおよびＣｒ成分、以下同じ）。
ＥＰＭＡは日本電子株式会社製ＪＸＡ−８６００を用い、加速電圧：１５ｋＶ、電流：１０−１０Ａ、ワーキングディスタンス：１１を使用したＥＰＭＡによる反射電子像を図１に示す。
反射電子像を画像データーとしてパソコンに取り込み、通常の画像処理ソフトにより各濃淡レベルおいて二値化を行い、各相の面積比を求めたところ、Ｔ´１７Ｔｂ２型金属間化合物相およびＴ´２３Ｔｂ６型金属間化合物相の合計が２０面積％、Ｔ´２Ｔｂ型金属間化合物相が８面積％、残りがＴ´３Ｔｂ型金属間化合物相で構成されていることがわかった。
【００３０】
さらに、前記焼結体を直径：１２７ｍｍ、厚さ：１２ｍｍの寸法に機械加工し、銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、ターゲットを作製した。このバッキングプレートを直流マグネトロンスパッタリング装置に設置し、
真空排気：５×１０−５Ｐａ以下、
Ａｒガス圧：０．６７Ｐａ、
基板：直径：６４ｍｍのポリカーボネ−ト、
基板とターゲットの間の距離：４０ｍｍ、
スパッタ電力：１．５ｋＷ、
の条件で膜厚：１μｍになるまで成膜を行い、得られた膜をＥＰＭＡにより膜の中心から１５ｍｍ、２３ｍｍ、３１ｍｍの位置におけるＴｂ含有量（Ｔｂ／（Ｔｂ＋Ｆｅ＋Ｃｏ＋Ｃｒ）×１００）を測定し、その結果を表１に示すことによりＴｂの膜における分布を評価した。
【００３１】
従来例２
１×１０−２Ｐａ以下の真空中にて高周波誘導溶解炉で溶解し鋳造することによりインゴットを作製し、このインゴットを実施例２と同様にしてハンマーミルによりＡｒ雰囲気中で粉砕し、得られた粉砕粉末を窒素ガス雰囲気中のグローブボックス中にて目開きが２５０μｍのふるいを使用し、振動ふるい器により分級することにより実施例における混合粉末と同じ成分組成を有するＴｂ：４５．１％、Ｆｅ：４９．０％、Ｃｏ：４．４％、Ｃｒ：１．３％からなる合金粉末を作製した。
【００３２】
得られた合金粉末を実施例で用意した内径が１３０ｍｍの寸法を有する黒鉛型に黒鉛製スペーサー（直径：１３０ｍｍ、厚さ：６ｍｍの黒鉛製円盤）を交互に４層に積層して充填し、この充填した黒鉛型をホットプレス装置にセットし、実施例２と同じ１×１０−３Ｐａ以下の真空中、温度：１０５０℃、圧力：２０ＭＰａにてホットプレスすることにより焼結した。その後、焼結体を取り出して目視により観察した結果、４枚の焼結体の内の２枚に割れが発生していた。
【００３３】
４枚の焼結体の内の割れが発生していない一枚を約１０ｍｍの大きさに切り出し、樹脂に埋め込み、１μｍのダイヤモンド研磨材を用いて最終仕上げ研磨を行った。この研磨した試料を実施例と同様にしてＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザー）による二次電子像および反射電子像の観察と各部の定量分析を行った結果、焼結体はＴ´１７Ｔｂ２型金属間化合物相、Ｔ´２３Ｔｂ６型金属間化合物相、Ｔ´２Ｔｂ型金属間化合物相、およびＴ´３Ｔｂ型金属間化合物相とで構成されていることがわかった。得られたＥＰＭＡによる反射電子像を図２に示す。
反射電子像を画像データーとしてパソコンに取り込み、通常の画像処理ソフトにより各濃淡レベルおいて二値化を行い、各相の面積比を求めたところ、Ｔ´１７Ｔｂ２型金属間化合物相およびＴ´２３Ｔｂ６型金属間化合物相の合計が７面積％、Ｔ´２Ｔｂ型金属間化合物相が２面積％、残りがＴ´３Ｔｂ型金属間化合物相で構成されていることがわかった。
【００３４】
さらに、前記焼結体を直径：１２７ｍｍ、厚さ：１２ｍｍの寸法に機械加工し、銅製のバッキングプレートにはんだ付けしてターゲットを作製し、このターゲットを直流マグネトロンスパッタリング装置に設置し、実施例２と同じ条件の、
真空排気：５×１０−５Ｐａ以下、
Ａｒガス圧：０．６７Ｐａ、
基板：直径：６４ｍｍのポリカーボネ−ト、
基板とターゲットの間の距離：４０ｍｍ、
スパッタ電力：１．５ｋＷ、
の条件で膜厚：１μｍになるまで成膜を行い、得られた膜をＥＰＭＡにより膜の中心から１５ｍｍ、２３ｍｍ、３１ｍｍの位置におけるＴｂ含有量（Ｔｂ／（Ｔｂ＋Ｆｅ＋Ｃｏ＋Ｃｒ）×１００）を測定し、その結果を表２に示すことによりＴｂの膜における分布を評価した。
【００３５】
【表２】
2005060745.tif 000003
【００３６】
実施例２、従来例２および表２に示される結果から、実施例２で得られた組織を有するターゲットと従来例２で得られた組織を有するターゲットは成分組成が同じであっても組織が相違し、実施例２で得られた組織を有するターゲットを用いて得られた膜は中心から１５ｍｍ離れた位置におけるＴｂ含有量と中心から３１ｍｍ離れた位置におけるＴｂ含有量とは０．２％の差しかないのに比べて、従来例２で得られた組織を有するターゲットを用いて得られた膜は中心から１５ｍｍ離れた位置におけるＴｂ含有量と中心から３１ｍｍ離れた位置におけるＴｂ含有量とは２．４％の大差があり、実施例２で得られた組織を有するターゲットは従来例２で得られた組織を有するターゲットに比べてＴｂの濃度のバラツキが極めて少ない膜を提供することができることが分かる。
【００３７】
【発明の効果】
したがって、この発明の光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットはＴｂの濃度分布が一層均一な光磁気記録媒体膜を提供することができ、光磁気産業の発展に大いに貢献し得るものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの組織写真である。
【図２】従来の光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの組織写真である。
【図１】
2005060745.tif 000004
【図２】
2005060745.tif 000005