(57)【要約】 【課題】  所望の性状を有する塗布膜を形成するための条件設定を容易に行うことができ、生産性を高めることができる塗布膜形成装置および塗布膜形成方法を提供する。【解決手段】  略帯状にレジスト液を吐出するレジストノズル５２を基板Ｇ上でスキャンさせてレジスト液膜を形成するレジスト塗布装置１１は、所望の性状のレジスト液膜を基板Ｇに形成するため処理レシピを作成するレシピ作成装置３０を有する。レシピ作成装置３０に塗布処理パラメータが入力されると、データ部３７を構成する相関データに基づいてその他の塗布処理パラメータが計算され、これ基づいてレジストノズル５２からの塗布液吐出、レジストノズル５２のスキャンおよび昇降動作が制御される。形成されたレジスト膜の膜厚と目標膜厚との間に差がある場合には、レシピ作成装置３０は塗布処理パラメータを補正する。【選択図】  図４
2005329306.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略水平姿勢に支持された基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
塗布液を略帯状に吐出する塗布液吐出口を備えた長尺状の塗布液ノズルと、
前記塗布液ノズルに塗布液を供給する塗布液供給機構と、
前記塗布液ノズルを昇降させるノズル昇降機構と、
前記基板と前記塗布液ノズルとを相対的に移動させる移動機構と、
所望の性状を有する塗布膜を前記基板に形成するために、前記塗布液ノズルからの塗布液の吐出および前記塗布液ノズルの動作ならびに前記塗布液ノズルと基板の相対移動を制御する塗布処理パラメータを有する処理レシピを作成するレシピ作成装置と、
前記処理レシピにしたがって前記塗布液供給機構，前記ノズル昇降機構，前記移動機構の駆動制御を行う制御装置と、
を具備し、
前記レシピ作成装置は、
所定の塗布処理パラメータを入力する入力手段と、
前記入力手段に入力された塗布処理パラメータに基づいて塗布膜形成に必要なその他の塗布処理パラメータを算出し、前記入力手段に入力された塗布処理パラメータと前記その他の塗布処理パラメータから構成される処理レシピを作成する演算手段と、
前記処理レシピを前記制御装置へ出力する出力手段と、
を具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
【請求項２】
前記演算手段は、
前記処理レシピを構成する塗布処理パラメータどうしの、実験的に予め求められた相関データを有するデータ部と、
前記入力手段に入力された塗布処理パラメータと前記相関データに基づいて前記その他の塗布処理パラメータを算出するパラメータ算出プログラムと、
前記パラメータ算出プログラムを実行する中央演算装置と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の塗布膜形成装置。  
【請求項３】
前記入力手段に入力可能な塗布処理パラメータに、塗布液粘度と、塗布液の固形分濃度と、前記基板と前記塗布液ノズルの相対移動速度と、塗布膜の目標膜厚と、塗布膜の面積と、が含まれることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の塗布膜形成装置。
【請求項４】
前記その他の塗布処理パラメータとして、少なくとも、前記塗布液ノズルからの塗布液の吐出流量と、前記基板の表面と前記塗布液ノズルとの間隔と、が含まれることを特徴とする請求項３に記載の塗布膜形成装置。
【請求項５】
前記演算手段は、前記入力手段に入力された塗布膜の目標膜厚と実際に形成された塗布膜の膜厚との間に差がある場合に、この差が無くなるように前記相関データに基づいて前記処理レシピを構成する所定の塗布処理パラメータを補正するパラメータ補正プログラムをさらに有することを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の塗布膜形成装置。
【請求項６】
前記処理レシピを構成する塗布処理パラメータおよび前記処理レシピにしたがって前記基板に形成された塗布膜の厚さが前記相関データに追加されることを特徴とする請求項５に記載の塗布膜形成装置。
【請求項７】
略水平姿勢に支持された基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
塗布液を略帯状に吐出する塗布液吐出口を備えた長尺状の塗布液ノズルと、
前記塗布液ノズルに塗布液を供給する塗布液供給機構と、
前記塗布液ノズルを昇降させるノズル昇降機構と、
前記基板と前記塗布液ノズルとを相対的に移動させる移動機構と、
所望の性状を有する塗布膜を前記基板に形成するために、前記塗布液ノズルからの塗布液の吐出および前記塗布液ノズルの動作ならびに前記塗布液ノズルと基板の相対移動を制御する塗布処理パラメータを有する処理レシピを作成するレシピ作成装置と、
前記レシピ作成装置によって作成された処理レシピにしたがって前記塗布液供給機構，前記ノズル昇降機構，前記移動機構の駆動制御を行う制御装置と、
を具備し、
前記レシピ作成装置は、
実験的に予め求められた、塗布膜形成に必要な塗布処理パラメータから構成される複数の処理レシピが記憶された記憶装置と、
所定の塗布処理パラメータを入力する入力手段と、
前記塗布処理パラメータを前記複数の処理レシピと照合し、前記塗布処理パラメータと同一または同等の塗布処理パラメータを有する１の処理レシピを前記複数の処理レシピの中から選択して読み出す読出手段と、
前記１の処理レシピを構成する塗布処理パラメータを補正する演算手段と、
前記演算手段により求められた処理レシピを前記制御装置へ出力する出力手段と、
を具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
【請求項８】
前記入力手段に入力可能な塗布処理パラメータに、塗布液粘度と、塗布液の固形分濃度と、前記基板と前記塗布液ノズルの相対移動速度と、塗布膜の目標膜厚と、塗布膜の面積と、が含まれることを特徴とする請求項７に記載の塗布膜形成装置。
【請求項９】
前記読出手段によって読み出された処理レシピを構成する塗布処理パラメータには、前記入力手段に入力可能な塗布処理パラメータに加えて、前記塗布液ノズルからの塗布液の吐出流量と、前記基板の表面と前記塗布液ノズルとの間隔と、が含まれることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の塗布膜形成装置。
【請求項１０】
前記演算手段は、
前記処理レシピを構成する塗布処理パラメータどうしの、実験的に予め求められた相関データを有するデータ部と、
前記入力手段に入力された塗布処理パラメータと前記読出手段によって読み出された１の処理レシピを構成する塗布処理パラメータとの間に差がある場合に、前記１の処理レシピを構成する所定の塗布処理パラメータを前記相関データに基づいて補正する第１パラメータ補正プログラムと、
前記第１パラメータ補正プログラムを実行する中央演算装置と、
を有することを特徴とする請求項８または請求項９に記載の塗布膜形成装置。  
【請求項１１】
前記演算手段は、前記入力手段に入力された塗布膜の目標膜厚と実際に形成された塗布膜の膜厚との間に差がある場合に、この差がなくなるように前記処理レシピを構成する所定の塗布処理パラメータを補正する第２パラメータ補正プログラムを有し、
前記第２パラメータ補正プログラムは前記中央演算装置によって実行されることを特徴とする請求項１０に記載の塗布膜形成装置。
【請求項１２】
前記演算手段によって求められた処理レシピおよび前記処理レシピに基づいて実際に形成された塗布膜の膜厚は、前記記憶装置に記憶され、その後は前記読出手段による処理レシピの選択対象として利用されることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の塗布膜形成装置。
【請求項１３】
基板と略帯状に塗布液を吐出する塗布液ノズルとを相対的に移動させることによって前記基板上に塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、
所望の塗布膜を形成するために、塗布液ノズルからの塗布液の吐出および塗布液ノズルの動作ならびに塗布液ノズルと基板の相対移動を制御する塗布処理パラメータを有する処理レシピをレシピ作成装置により作成する工程と、
前記処理レシピに基づいて前記塗布液ノズルから基板上に塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と、
を有し、
前記処理レシピ作成工程は、
前記レシピ作成装置に所定の塗布処理パラメータを入力する工程と、
前記レシピ作成装置が、入力された塗布処理パラメータと前記処理レシピを構成する塗布処理パラメータどうしの予め実験的に求められた相関データとに基づいて、塗布膜形成に必要なその他の塗布処理パラメータを算出し、前記入力手段に入力された塗布処理パラメータと前記その他の塗布処理パラメータから構成される処理レシピを自動作成する工程と、
を有することを特徴とする塗布膜形成方法。
【請求項１４】
基板と略帯状に塗布液を吐出する塗布液ノズルとを相対的に移動させることによって前記基板上に塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、
所望の塗布膜を形成するために、塗布液ノズルからの塗布液の吐出および塗布液ノズルの動作ならびに塗布液ノズルと基板の相対移動を制御する塗布処理パラメータを有する処理レシピをレシピ作成装置により作成する工程と、
前記処理レシピに基づいて前記塗布液ノズルから基板上に塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と、
を有し、
前記レシピ作成装置による処理レシピ作成工程は、
所定の塗布処理パラメータを入力する工程と、
予め実験的に求められた処理レシピの中から入力された塗布処理パラメータと同一または近似する塗布処理パラメータを有する処理レシピを読み出す工程と、
を有することを特徴とする塗布膜形成方法。
【請求項１５】
前記処理レシピ作成工程は、前記処理レシピを構成する塗布処理パラメータどうしの予め実験的に求められた相関データとに基づいて、読み出された処理レシピを構成する所定の塗布処理パラメータを補正する工程をさらに有することを特徴とする請求項１４に記載の塗布膜形成方法。
【請求項１６】
前記処理レシピ作成工程は、塗布処理パラメータとして、塗布液の固形分濃度と、基板と塗布液ノズルの相対移動速度と、塗布膜の目標膜厚と、塗布膜の面積と、を前記レシピ作成装置に入力することを特徴とする請求項１３から請求項１５のいずれか１項に記載の塗布膜形成方法。
【請求項１７】
前記処理レシピ作成工程は、前記塗布膜の目標膜厚と所定の処理レシピに基づいて実際に形成された塗布膜の測定膜厚との間に差がある場合に、この差がなくなるように、前記所定の処理レシピを構成する所定の塗布処理パラメータを補正する工程をさらに有することを特徴とする請求項１６に記載の塗布膜形成方法。
【請求項１８】
前記所定の塗布処理パラメータの補正は、塗布液ノズルからの塗布液吐出流量および／または基板と塗布液ノズルの相対移動速度を補正することにより行われることを特徴とする請求項１７に記載の塗布膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）に用いられるガラス基板等の基板に所定の塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置および塗布膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造工程においては、フォトリソグラフィー技術を用いて、ガラス基板に所定の回路パターンを形成している。すなわち、ガラス基板にレジスト液を供給してレジスト液膜を形成し、これを熱処理乾燥した後に、逐次、露光処理、現像処理を行っている。
【０００３】
ここで、ガラス基板にレジスト液を供給してレジスト液膜を形成する装置としては、ガラス基板を水平に真空吸着する載置台と、この載置台に保持されたガラス基板にレジスト液を供給するレジスト供給ノズルと、レジスト供給ノズルをガラス基板上で水平方向にスキャンさせるノズル移動機構と、を有するレジスト膜形成装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
このようなレジスト膜形成装置を用いてガラス基板に所望の厚さのレジスト膜を形成する場合には、使用するレジスト液の粘度やレジスト液の固形分濃度、レジスト供給ノズルのスキャン速度やレジスト液の吐出流量等の塗布処理条件を適切に設定する必要がある。従来より、レジスト膜形成プロセスにおいては、レジスト膜の目標厚みを変更したり、レジスト液の種類を変更する場合等には、塗布膜形成装置のオペレータがその経験に基づいて、レジスト液の吐出流量等の塗布処理パラメータ条件を変更している。
【０００５】
しかしながら、このような塗布処理パラメータの設定変更は、オペレータの経験による技量に依存するところが大きい。この場合、熟練したオペレータであればこのような設定変更を比較的容易に行うことができるが、経験の浅いオペレータでは最適な条件を設定するまでに試行錯誤が必要となり、生産性の低下を招くおそれがある。また、オペレータによって変更する塗布処理パラメータは必ずしも同じではないために、最適な処理条件を統一することが困難となる。さらに、過去に行われた複数の塗布処理条件から所定の性状を有する塗布膜を形成するのに適した１の処理条件を容易に選択することができ、選択された処理条件をさらに容易に補正することができれば、生産性を向上させることができると考えられる。
【特許文献１】特開平１０−１５６２５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、所望の性状を有する塗布膜を形成するための条件設定を容易に行うことができ、生産性を高めることができる塗布膜形成装置および塗布膜形成方法を提供することを目的とする。また、本発明は、最適な処理条件を統一することができる塗布膜形成装置および塗布膜形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の観点によれば、略水平姿勢に支持された基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
塗布液を略帯状に吐出する塗布液吐出口を備えた長尺状の塗布液ノズルと、
前記塗布液ノズルに塗布液を供給する塗布液供給機構と、
前記塗布液ノズルを昇降させるノズル昇降機構と、
前記基板と前記塗布液ノズルとを相対的に移動させる移動機構と、
所望の性状を有する塗布膜を前記基板に形成するために、前記塗布液ノズルからの塗布液の吐出および前記塗布液ノズルの動作ならびに前記塗布液ノズルと基板の相対移動を制御する塗布処理パラメータを有する処理レシピを作成するレシピ作成装置と、
前記処理レシピにしたがって前記塗布液供給機構，前記ノズル昇降機構，前記移動機構の駆動制御を行う制御装置と、
を具備し、
前記レシピ作成装置は、
所定の塗布処理パラメータを入力する入力手段と、
前記入力手段に入力された塗布処理パラメータに基づいて塗布膜形成に必要なその他の塗布処理パラメータを算出し、前記入力手段に入力された塗布処理パラメータと前記その他の塗布処理パラメータから構成される処理レシピを作成する演算手段と、
前記処理レシピを前記制御装置へ出力する出力手段と、
を具備することを特徴とする塗布膜形成装置、が提供される。
【０００８】
本発明の第２の観点によれば、略水平姿勢に支持された基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
塗布液を略帯状に吐出する塗布液吐出口を備えた長尺状の塗布液ノズルと、
前記塗布液ノズルに塗布液を供給する塗布液供給機構と、
前記塗布液ノズルを昇降させるノズル昇降機構と、
前記基板と前記塗布液ノズルとを相対的に移動させる移動機構と、
所望の性状を有する塗布膜を前記基板に形成するために、前記塗布液ノズルからの塗布液の吐出および前記塗布液ノズルの動作ならびに前記塗布液ノズルと基板の相対移動を制御する塗布処理パラメータを有する処理レシピを作成するレシピ作成装置と、
前記レシピ作成装置によって作成された処理レシピにしたがって前記塗布液供給機構，前記ノズル昇降機構，前記移動機構の駆動制御を行う制御装置と、
を具備し、
前記レシピ作成装置は、
実験的に予め求められた、塗布膜形成に必要な塗布処理パラメータから構成される複数の処理レシピが記憶された記憶装置と、
所定の塗布処理パラメータを入力する入力手段と、
前記塗布処理パラメータを前記複数の処理レシピと照合し、前記塗布処理パラメータと同一または同等の塗布処理パラメータを有する１の処理レシピを前記複数の処理レシピの中から選択して読み出す読出手段と、
前記１の処理レシピを構成する塗布処理パラメータを補正する演算手段と、
前記演算手段により求められた処理レシピを前記制御装置へ出力する出力手段と、
を具備することを特徴とする塗布膜形成装置、が提供される。
【０００９】
これらの塗布膜形成装置では、レシピ作成装置の演算手段が、所定の処理レシピにしたがって基板に形成された塗布膜の厚さを実際に測定した結果と塗布膜の目標膜厚との間に差がある場合に、この差がなくなるように塗布処理パラメータを補正するパラメータ補正プログラムを有していることが好ましい。
【００１０】
本発明の第３の観点によれば、基板と略帯状に塗布液を吐出する塗布液ノズルとを相対的に移動させることによって前記基板上に塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、
所望の塗布膜を形成するために、塗布液ノズルからの塗布液の吐出および塗布液ノズルの動作ならびに塗布液ノズルと基板の相対移動を制御する塗布処理パラメータを有する処理レシピをレシピ作成装置により作成する工程と、
前記処理レシピに基づいて前記塗布液ノズルから基板上に塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と、
を有し、
前記処理レシピ作成工程は、
前記レシピ作成装置に所定の塗布処理パラメータを入力する工程と、
前記レシピ作成装置が、入力された塗布処理パラメータと前記処理レシピを構成する塗布処理パラメータどうしの予め実験的に求められた相関データとに基づいて、塗布膜形成に必要なその他の塗布処理パラメータを算出し、前記入力手段に入力された塗布処理パラメータと前記その他の塗布処理パラメータから構成される処理レシピを自動作成する工程と、
を有することを特徴とする塗布膜形成方法、が提供される。
【００１１】
本発明の第４の観点によれば、基板と略帯状に塗布液を吐出する塗布液ノズルとを相対的に移動させることによって前記基板上に塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、
所望の塗布膜を形成するために、塗布液ノズルからの塗布液の吐出および塗布液ノズルの動作ならびに塗布液ノズルと基板の相対移動を制御する塗布処理パラメータを有する処理レシピをレシピ作成装置により作成する工程と、
前記処理レシピに基づいて前記塗布液ノズルから基板上に塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と、
を有し、
前記レシピ作成装置による処理レシピ作成工程は、
所定の塗布処理パラメータを入力する工程と、
予め実験的に求められた処理レシピの中から入力された塗布処理パラメータと同一または近似する塗布処理パラメータを有する処理レシピを読み出す工程と、
を有することを特徴とする塗布膜形成方法、が提供される。
【００１２】
このような塗布膜形成方法においても、実際に形成された塗布膜の測定膜厚に基づいて、その塗布膜の形成に用いられた処理レシピを構成する所定の塗布処理パラメータを補正する工程をさらに有することが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、所望の性状を有する塗布膜を形成するための条件設定を、オペレータの経験に依存することなく、容易に行うことができる。また、統一的な処理条件を定めることができる。これにより生産性を高めることができ、しかも塗布膜が形成された基板を用いて製造された製品の品質を高く一定に保つことができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、本発明をＬＣＤ用のガラス基板（以下「ＬＣＤ基板」という）の表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成システムに適用した場合について説明することとする。
【００１５】
図１にレジスト膜形成システム１の概略構成図を示す。このレジスト膜形成システム１は、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を塗布してレジスト液膜を形成する塗布処理ユニット２と、レジスト液膜が形成されたＬＣＤ基板Ｇを熱処理（プリベーク処理）する熱処理ユニット３と、熱処理により形成されたレジスト膜の膜厚を測定する膜厚測定ユニット４と、を備えている。
【００１６】
図２に塗布処理ユニット２の概略構造を示す平面図を示す。また、図３に塗布処理ユニット２を構成するレジスト塗布装置（ＣＴ）１１の概略構造を示す正面図（図２におけるＸ方向から見た図であり、一部を断面で示す）を示す。さらに、図４にレジスト塗布装置（ＣＴ）１１の概略の制御ブロック図を示す。
【００１７】
塗布処理ユニット２は、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を塗布してレジスト液膜を形成するレジスト塗布装置（ＣＴ）１１と、ＬＣＤ基板Ｇに形成されたレジスト液膜を減圧雰囲気に保持することにより乾燥させる減圧乾燥装置（ＶＤ）１２と、レジスト塗布装置（ＣＴ）１１から減圧乾燥装置（ＶＤ）１２へＬＣＤ基板Ｇを搬送する基板搬送アーム１３と、を有している。
【００１８】
レジスト塗布装置（ＣＴ）１１は、ＬＣＤ基板Ｇを略水平姿勢に載置する載置台５１と、載置台５１に載置されたＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を塗布するレジストノズル５２と、レジストノズル５２へのレジスト液供給およびレジストノズル５２からのレジスト液の吐出制御を行うレジスト液供給機構５３と、レジストノズル５２を昇降させるノズル昇降機構５４と、レジストノズル５２とノズル昇降機構５４とを一体的にＸ方向でスライドさせるノズルスライド機構５５と、レジストノズル５２の洗浄処理等を行うノズル洗浄ユニット５６と、レジスト塗布装置（ＣＴ）１１全体の制御を司る塗布処理制御装置５７と、レジスト塗布装置（ＣＴ）１１において所望の性状を有するレジスト液膜をＬＣＤ基板Ｇに形成するため処理レシピを作成し、塗布処理制御装置５７に送信するレシピ作成装置３０と、を備えている。
【００１９】
載置台５１の表面には図示しない吸引孔が所定箇所に複数設けられており、ＬＣＤ基板Ｇを減圧吸着することができるようになっている。また、載置台５１を鉛直方向に貫通するように所定位置に昇降装置（図示せず）により昇降自在な昇降ピン６１が設けられている。これらの昇降ピン６１は、外部から載置台５１へＬＣＤ基板Ｇを搬入する際およびレジスト液膜が形成されたＬＣＤ基板Ｇを載置台５１から搬出する際に、ＬＣＤ基板Ｇを昇降させる。
【００２０】
図５にレジストノズル５２の概略構造を示す斜視図を示す。レジストノズル５２は一方向に長い長尺状の箱体５２ａに、レジスト液を略帯状に吐出するスリット状のレジスト吐出口５２ｂが設けられた構造を有している。レジストノズル５２のＹ方向端にはそれぞれ保持部材６２が取り付けられており、各保持部材６２はノズル昇降機構５４に支持されている。このレジストノズル５２は、箱体５２ａの長手方向をＹ方向に一致させた状態で、図２および図３に示されるように、実質的に水平姿勢に保持されている。
【００２１】
図６にレジスト液供給機構５３の概略構成を示す。レジスト液供給機構５３は、レジスト液を貯留するタンク７１と、タンク７１からレジスト液をレジストノズル５２へ送るポンプ７２と、ポンプ７２からレジストノズル５２へのレジスト液の流量を制御する流量制御装置（マスフロー）７３と、レジスト吐出口５２ｂからのレジスト液の吐出タイミングを制御する開閉バルブ７４を備えている。
【００２２】
ノズル昇降機構５４は、図４に示されるように、保持部材６２を昇降させる（これによりレジストノズル５２を昇降させる）モータ部およびこのモータ部の駆動による保持部材６２の昇降移動量を測定するエンコーダ部と、を備えている。同じ構造のノズル昇降機構５４が載置台５１を挟んで２台配置されており、これらを同期して駆動することにより、レジストノズル５２を略水平姿勢に保持したまま昇降させることができる。
【００２３】
ノズル昇降機構５４のエンコーダ部による測定値とレジストノズル５２のレジスト吐出口５２ｂの高さ位置とは予めリンクされており、保持部材６２の移動量を測定することによって、載置台５１に載置されたＬＣＤ基板Ｇの表面とレジストノズル５２のレジスト吐出口５２ｂとの間隔の調整を行うことができるようになっている。ノズル昇降機構５４としては、レジストノズル５２の昇降動作の精度を確保することができる範囲で、電磁リニアモータやボールネジ、ベルト駆動装置等から、適宜選択して用いることができる。
【００２４】
ノズルスライド機構５５は、Ｘ方向に延在するガイド６５ａ・６５ｂと、ガイド６５ａ・６５ｂにそれぞれ移動自在に嵌め合わされたスライドステージ６６ａ・６６ｂと、リニアモータ６７ａ・６７ｂとを備えており、２台のノズル昇降機構５４はそれぞれスライドステージ６６ａ・６６ｂに取り付けられている。
【００２５】
リニアモータ６７ａは、Ｘ方向に延在するマグネットレール８１ａと、スライドステージ６６ａに取り付けられ、マグネットレール８１ａに挿入配置されたコイル８２ａと、Ｘ方向に延在するリニアスケール８３と、リニアスケール８３を読み取るヘッド８４と、コイル８２ａに所定の駆動信号を送るモータ制御装置８５と、を備えている。また、リニアモータ６７ｂは、Ｘ方向に延在するマグネットレール８１ｂと、スライドステージ６６ｂに取り付けられ、マグネットレール８１ｂに挿入配置されたコイル８２ｂとを備えている。
【００２６】
公知の通り、マグネットレール８１ａ・８１ｂはＸ方向にＳ極とＮ極とが所定間隔で交互に設けられた構造を有し、コイル８２ａ・８２ｂに所定の電流を流すことによって発生する磁場とこのマグネットレール８１ａ・８１ｂの磁場との間の吸引力と反発力によって、コイル８２ａ・８２ｂおよびスライドステージ６６ａ・６６ｂが一体的にＸ方向で移動する。
【００２７】
モータ制御装置８５は、ヘッド８４の読み取り値とレジストノズル５２を目的位置へ移動させるために塗布処理制御装置５７から送られた指示値とを比較演算し、駆動信号を同時にコイル８２ａ・８２ｂに送る。これによりスライドステージ６６ａ・６６ｂをＹ方向に並んだ状態でＸ方向に移動させることができる。ＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を塗布する際には、レジストノズル５２を高い精度で移動させることが好ましいために、リニアスケール８３としては高分解能のガラススケールが好適に用いられる。
【００２８】
ノズル洗浄ユニット５６は、載置台５１を挟んで減圧乾燥装置（ＶＤ）１２とは反対側に設けられている。ノズル洗浄ユニット５６は、ＬＣＤ基板Ｇの載置台５１への搬入時等にレジストノズル５２を待避させる場でもある。ノズル洗浄ユニット５６の詳細な構造の図示は省略するが、ノズル洗浄ユニット５６は、ＬＣＤ基板Ｇへのレジスト液供給前に予備的にレジストノズル５２からレジスト液を吐出させる、所謂、ダミーディスペンスを行うためのダミーディスペンス部と、レジストノズル５２のレジスト吐出口５２ｂが乾燥しないようにレジスト吐出口５２ｂを溶剤（例えば、シンナー）の蒸気雰囲気で保持するためのノズルバスと、レジストノズル５２のレジスト吐出口５２ｂ近傍に付着したレジストを除去するためのノズル洗浄機構と、を備えている。
【００２９】
レシピ作成装置３０は、図４に示されるように、所定の塗布処理パラメータを入力する入力手段３１と、入力手段３１に入力された塗布処理パラメータに基づいて処理レシピを作成する演算手段３２と、演算手段３２によって求められた処理レシピを塗布処理制御装置５７へ出力する出力手段３３と、を備えている。ここで、塗布処理パラメータとは、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト液膜を形成するために必要とされる、レジストノズル５２からのレジスト液の吐出制御やレジストノズル５２のスキャンおよび昇降等の制御に用いられるパラメータを指し、処理レシピはこのような塗布処理パラメータの集合体である。
【００３０】
入力手段３１は、例えば、入力する塗布処理パラメータを表示するディスプレイ部３１ａと、塗布処理パラメータの種類を選択してその値を入力するためのキーボード３１ｂと、を備えている。入力手段３１は塗布処理パラメータを再入力することができる機能を備えており、演算手段３２はこの再入力された塗布処理パラメータに基づいて処理レシピを構成する塗布処理パラメータを再計算し、新たな処理レシピを作成する。また、入力手段３１は、演算手段３２により作成された処理レシピ（最初に作成された処理レシピであってもよく、再入力された塗布処理パラメータに基づいて作成された新たな処理レシピであってもよい）を確定させる指示を入力することができる機能を備えている。出力手段３３はこの指示により確定された処理レシピを塗布処理制御装置５７へ出力する。
【００３１】
入力手段３１に入力可能な塗布処理パラメータとしては、レジスト液の粘度と、レジスト液の固形分濃度と、レジストノズル５２のＸ方向におけるスキャン速度（以下「スキャン速度」という）と、レジスト膜の目標膜厚と、レジスト膜の面積と、が挙げられる。なお、レジスト膜の面積に代えて、レジスト液の吐出開始位置と吐出終了位置を入力するようにしてもよい。
【００３２】
演算手段３２は、処理レシピを構成する塗布処理パラメータどうしの実験的に予め求められた相関データを有するデータ部３７と、入力手段３１に入力された塗布処理パラメータとデータ部３７を構成する相関データとに基づいてレジスト液膜の形成に必要なその他の塗布処理パラメータを算出するためのパラメータ算出プログラム３４と、目標膜厚と膜厚測定ユニット４において測定された実際に形成されたレジスト膜厚との差に基づいて塗布処理パラメータを補正するパラメータ補正プログラム３５と、プログラム計算を行う中央演算装置（ＣＰＵ）３６とを有している。
【００３３】
この演算手段３２により算出されるその他の塗布処理パラメータとしては、レジストノズル５２のレジスト液の吐出流量（以下「吐出流量」という）と、ＬＣＤ基板Ｇの表面とレジストノズル５２との間隔と、レジスト液の吐出開始時におけるレジスト液吐出量（以下「初期吐出量」といい、後に詳細に説明する）と、が挙げられる。このＬＣＤ基板Ｇの表面とレジストノズル５２との間隔には、レジストノズル５２のレジスト吐出口５２ｂからレジスト液の吐出を開始する際のＬＣＤ基板Ｇの表面とレジストノズル５２との間隔（以下「着液ギャップ」という）と、レジスト吐出口５２ｂからのレジスト液の吐出を開始した後にレジスト液を吐出させながらＬＣＤ基板Ｇ上をスキャンさせる際のＬＣＤ基板Ｇの表面とレジストノズル５２との間隔（以下「塗布ギャップ」という）の２種類がある。
【００３４】
例えば、レジスト液の固形分濃度は既知であるので、所望するレジスト膜の膜厚からレジスト液をＬＣＤ基板Ｇに塗布した直後のレジスト液膜の厚さを求めることができ、求められたレジスト液膜の厚さと所望するレジスト膜の全面積からＬＣＤ基板Ｇ上に吐出すべきレジスト液の全量を求めることができる。また、レジストノズル５２のＸ方向スキャン速度を定めると、レジスト液の吐出開始位置と吐出終了位置の間の距離が既知であるので、レジスト液の吐出時間が定まる。これにより吐出流量を求めることができる。なお、一般的なマスフロー７３では流量検出値がレジスト液の粘度に依存して変化する。このため、マスフロー７３の検出値をレジスト液の粘度で補正することにより、レジストノズル５２からの吐出流量を所望の値に一定にすることができる。
【００３５】
しかしながら、着液ギャップや塗布ギャップ、初期吐出量はこのような単純計算によって求められるものではなく、実験データから求めることが実効的である。また、発明者らは、上述した単純な計算結果の通りでは、実際には膜厚の均一なレジスト液膜を形成することは困難であり、着液ギャップや塗布ギャップの設定によって、吐出流量やスキャン速度を変更する必要のあること実験的に確認している。
【００３６】
例えば、図７に各種塗布処理パラメータ間の相関関係の一例を示す説明図を示す。図７（ａ）の左図は、目標膜厚が一定の場合における、吐出流量と初期吐出量との関係を示す説明図であり、図７（ａ）の右図はこの初期吐出量の説明図である。
【００３７】
レジスト液の吐出開始と同時にレジスト液の吐出圧力が一定となる状態が理想的であるが、実際には線Ａに示されるように、レジスト液の吐出を開始すると吐出圧力が上昇し、その後に吐出圧力が一定となって吐出流量が安定する。しかし、実際には線Ｂに示されるように、吐出圧力が目的値に到達する直前では圧力上昇が緩やかとなる。このため、線Ａのパターンと線Ｂのパターンとでは、吐出されるレジスト液量に差が生じることとなる。
【００３８】
そこで、この差が補われるように、線Ｃで示されるように、吐出開始時の吐出圧力を目標値よりも高く設定し、その後に目標値とする。この線Ｃと線Ａとの差分が初期吐出量に相当し、このような初期吐出量を適切に設定することにより、結果的に線Ａによる吐出パターンを実現することができる。図７（ａ）から、吐出流量が多い場合に初期吐出量もまた多くなる傾向にあることがわかるので、吐出流量に応じて、初期吐出量を補正する必要があることがわかる。
【００３９】
図７（ｂ）は目標膜厚が一定の場合におけるスキャン速度と塗布ギャップおよび着液ギャップとの関係を示す説明図である。スキャン速度を速くすると、塗布ギャップおよび着液ギャップを狭くしなければならない傾向が現れていることから、設定されたスキャン速度に応じて塗布ギャップおよび着液ギャップを補正しなければならないことがわかる。
【００４０】
また、図７（ｃ）は、レジストノズル５２からの吐出流量が一定の場合における、目標膜厚と着液ギャップおよび塗布ギャップとの関係を示す説明図である。目標膜厚を変えても着液ギャップを変える必要はないが、目標膜厚が厚くなると塗布ギャップを広く設定しなければいけないことがわかる。
【００４１】
このような理由により、パラメータ算出プログラム３４は、データ部３７を構成する相関データを利用してその他の塗布処理パラメータを算出し、また、ある塗布処理パラメータを変更した場合には、密接に関連する別の塗布処理パラメータを再計算する。
【００４２】
パラメータ補正プログラム３５は、膜厚測定ユニット４において実際に測定されたレジスト膜厚（以下「測定膜厚」という）と、目標膜厚との差が小さくなるように、所定の塗布処理パラメータ、例えば、吐出流量やスキャン速度、塗布ギャップ等を、データ部３７を構成する相関データに基づいて補正する。例えば、測定膜厚が目標膜厚よりも薄い場合には、吐出流量を増やし、または塗布ギャップを拡げ、またはスキャン速度を遅くする等の補正を行う。補正を行うパラメータは、自動選択されるようにしてもよいし、入力手段３１から任意に選択できるようにしてもよい。
【００４３】
演算手段３２では、処理レシピを構成する塗布処理パラメータおよび処理レシピにしたがってＬＣＤ基板Ｇに実際に形成されたレジスト膜の膜厚がデータ部３７の相関データに追加される構成とすることが好ましい。これにより、パラメータ算出プログラム３４およびパラメータ補正プログラム３５による塗布処理パラメータの設定精度を高めることができる。
【００４４】
塗布処理制御装置５７は、レシピ作成装置３０により作成された処理レシピにしたがって、レジスト液供給機構５３、ノズル昇降機構５４、ノズルスライド機構５５の動作を制御する。また、塗布処理制御装置５７は、載置台５１へのＬＣＤ基板Ｇの吸着保持やリフトピン６１の昇降動作、ノズル洗浄ユニット５６に設けられた各種機構の駆動制御をも行う。
【００４５】
減圧乾燥装置（ＶＤ）１２は、ＬＣＤ基板Ｇを載置するための載置台６８と、載置台６８および載置台６８に載置されたＬＣＤ基板Ｇを収容するチャンバ６９とを備えている。減圧乾燥装置（ＶＤ）１２に設けられた載置台６８の表面には、ＬＣＤ基板Ｇを支持するプロキシミティピン（図示せず）が所定位置に設けられている。チャンバは固定された下部容器と昇降自在な上部蓋体からなる上下２分割構造を有している。
【００４６】
基板搬送アーム１３は、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向（鉛直方向）に移動自在であり、ＬＣＤ基板Ｇの裏面のＹ方向端面近傍でＬＣＤ基板Ｇを吸着保持する。基板搬送アーム１３は、レジスト塗布装置（ＣＴ）１１の載置台５１上で昇降ピン６１からＬＣＤ基板Ｇを受け取って、減圧乾燥装置（ＶＤ）１２の載置台６８へ保持したＬＣＤ基板Ｇを載置する。
【００４７】
熱処理ユニット３は、その詳細な構造は図示しないが、レジスト液膜が形成されたＬＣＤ基板Ｇを載置し、ＬＣＤ基板Ｇを加熱するホットプレートを備えている。また、膜厚測定ユニット４は、ＬＣＤ基板Ｇを載置するステージと、ＬＣＤ基板Ｇに形成されているレジスト膜の厚さを計測する膜厚測定センサと、を備えており、この膜厚測定センサによる測定膜厚はレシピ作成装置３０に送られて、例えば、ディスプレイ部３１ａに表示されるようになっている。
【００４８】
次に、レジスト膜形成システム１によるレジスト膜形成工程について説明する。図８に入力手段３１のディスプレイ部３１ａに表示されるレシピ作成画面の一例を示す。また、図９にレシピ作成装置３０におけるレシピ作成フローを示す。ここで、ディスプレイ部３１ａは項目をタッチ式入力で選択可能であり、所定の項目を選択した状態でキーボード３１ｂ（図８に図示せず）から所定の数値を入力することができるようになっているものとする。
【００４９】
図８に示すレシピ作成画面で、レジスト膜形成システム１のオペレータが、使用するレジスト液の固形分濃度、レジスト液の粘度、スキャン速度、レジスト液の吐出開始位置、レジスト液の吐出終了位置、レジスト膜の目標膜厚をそれぞれ入力し、「レシピ作成」ボタンを押す。これにより、レシピ作成装置３０が自動的に処理レシピを作成し、その結果がディスプレイ部３１ａに表示される。具体的には、レシピ作成画面に吐出流量、着液ギャップ、塗布ギャップ、初期吐出量が表示される。
【００５０】
なお、固形分濃度と粘度が同じであってもレジスト種が異なると形成されるレジスト液膜の性状に差が生ずる場合に対応するために、レシピ作成画面で「レジスト種」を入力することができるようになっている。この場合には、パラメータ算出プログラム３４およびパラメータ補正プログラム３５を、入力されたレジスト種に関する相関データをデータ部３７から選択し、これに基づいて吐出流量等の塗布処理パラメータを算出する構成とすればよい。
【００５１】
こうして、作成された塗布処理パラメータからなる処理レシピにしたがってレジスト膜形成処理を開始する場合には「確定」ボタンを押し、一方、塗布処理パラメータを変更する場合には、変更する塗布処理パラメータを選択して値を再入力した後、「レシピ作成」ボタンを押して処理レシピを変更する。こうして処理レシピを確定させる。
【００５２】
処理レシピが確定すると、ＬＣＤ基板Ｇへのレジスト膜形成処理が開始される。最初に、レジストノズル５２をノズル洗浄ユニット５６のノズルバスに待機させておく。載置台５１の上方に、例えば、Ｙ方向からＬＣＤ基板Ｇを保持した搬送アームが進入し、続いて昇降ピン６１が上昇してＬＣＤ基板Ｇを支持する。そして、この搬送アームを退出させた後に昇降ピン６１を降下させて、ＬＣＤ基板Ｇを載置台５１上に載置し、吸引孔を通じた吸気によりＬＣＤ基板Ｇを載置台５１上に吸引固定する。
【００５３】
次いで、ノズル洗浄ユニット５６においてレジストノズル５２のダミーディスペンスを行った後に、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を塗布するために、レジストノズル５２を載置台５１の減圧乾燥装置（ＶＤ）１２側の吐出開始位置へと移動させ、レジストノズル５２を着液ギャップの高さ位置に配置する。そして、設定された初期吐出量および吐出流量でレジスト液の吐出を開始し、その後にレジストノズル５２の高さを塗布ギャップの高さ位置へ移動させて、レジストノズル５２のスキャンを設定されたスキャン速度で開始する。レジストノズル５２の吐出終了位置への到達に合わせて、レジストノズル５２からのレジスト液の吐出を終了する。こうして、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト液膜が形成される。
【００５４】
続いて、レジストノズル５２をノズル洗浄ユニット５６へ移動させて、そこでノズル洗浄を行い、再びノズルバスに待機させる。レジスト液膜が形成されたＬＣＤ基板Ｇは、昇降ピン６１によって所定の高さに持ち上げられた後に基板搬送アーム１３に保持され、減圧乾燥装置（ＶＤ）１２の載置台６８に載置され、チャンバ６９に収容される。
【００５５】
次いで、チャンバ６９内を減圧雰囲気に保持することより、レジスト液膜に含まれる揮発成分の一部を蒸発させる。このような減圧乾燥処理が終了したＬＣＤ基板Ｇは、例えば図示しない搬送アームによって減圧乾燥装置（ＶＤ）１２から熱処理ユニット３へ搬送され、そこでＬＣＤ基板Ｇの加熱処理が行われて、減圧乾燥処理後の膜に残っている溶剤成分が蒸発除去される。これによりＬＣＤ基板Ｇにレジスト膜が形成される。
【００５６】
レジスト膜が形成されたＬＣＤ基板Ｇは、図示しない搬送アームによって熱処理ユニット３から膜厚測定ユニット４へと搬送されて、そこで実際に形成されたレジスト膜の膜厚が測定され、その測定膜厚はレシピ作成装置３０のディスプレイ部３１ａに表示される。この測定膜厚と目標膜厚とに差が生じており、この差が許容範囲から外れている場合には、オペレータが「スキャン速度補正」ボタンを押すことにより、目標膜厚に近付くように、パラメータ補正プログラム３５によりスキャン速度が補正される。またはオペレータが「吐出流量補正」ボタンを押すことにより、目標膜厚に近付くように、パラメータ補正プログラム３５により吐出流量が補正される。
【００５７】
なお、これらの塗布処理パラメータを補正することによって最適化することが必要となるその他の塗布処理パラメータ（例えば、塗布ギャップ等）も同時に補正される。また、スキャン速度補正ボタンを押すか、吐出流量補正ボタンを押すかは、スキャン速度または吐出流量のどちらを優先するかでオペレータが判断して決定する。例えば、スキャン速度を補正すれば、主に塗布処理時間が変化するし、吐出流量を補正すれば主に使用液量が変化する。
【００５８】
こうして補正された塗布処理パラメータを確定させて、上述の手順にしたがって次のＬＣＤ基板Ｇへのレジスト膜形成と膜厚測定を行い、測定膜厚と目標膜厚との差が許容範囲に収まるまで、同様の操作を繰り返す。こうして、処理レシピが確定したら、例えば、複数のＬＣＤ基板Ｇに対してレジスト膜形成処理を連続的に行う。
【００５９】
このようなレジスト膜形成システム１を用いたレジスト膜形成方法によれば、レシピ作成装置３０が処理レシピを自動作成するため、オペレータの技量の個人差によることなく処理レシピを短時間で作成することができる。また、処理レシピの統一を図ることができる。これによって形成されるレジスト膜の性状も安定する。さらに、従来はオペレータが経験に基づいて、または塗布処理パラメータの変更を試行錯誤的に行うことにより、最適な処理レシピを作成していたために、処理レシピを確定させるまでに長い時間を要していたが、それを短時間で行うことができるようになるため、生産性を高めることができる。
【００６０】
次に、レシピ作成装置の別の実施形態について説明する。図１０にレシピ作成装置３０′の概略構成を示す説明図を示す。レシピ作成装置３０′は、所定の塗布処理パラメータを入力する入力手段４１と、実験的に予め求められた複数の処理レシピが記憶された記憶装置４２と、入力手段４１に入力された塗布処理パラメータを記憶装置４２に記憶された複数の処理レシピと照合し、入力手段４１に入力された塗布処理パラメータに基づいて記憶装置４２に記憶された処理レシピの中から１の処理レシピを読み出す読出手段４３と、読出手段４３によって読み出された１の処理レシピを構成する塗布処理パラメータを補正する演算手段４４と、演算手段４４によって求められた処理レシピを塗布処理制御装置５７へ出力する出力手段４５と、を備えている。
【００６１】
入力手段４１の構成は先に説明した入力手段３１と同じであり、所定の塗布処理パラメータを入力、再入力することができるようになっている。演算手段４４は、処理レシピを構成する塗布処理パラメータどうしの実験的に予め求められた相関データを有するデータ部４９と、読出手段４３によって読み出された１の処理レシピを構成する所定の塗布処理パラメータをデータ部４９を構成する相関データに基づいて補正するための第１パラメータ補正プログラム４６と、膜厚測定ユニット４において測定されたレジスト膜の膜厚と目標膜厚との間に差がある場合に、そのレジスト膜の形成に用いられた処理レシピを構成する所定の塗布処理パラメータをデータ部４９を構成する相関データに基づいて補正する第２パラメータ補正プログラム４７と、中央演算装置（ＣＰＵ）４８と、を有している。
【００６２】
データ部４９は、先に説明したレシピ作成装置３０の演算手段３２が具備するデータ部３７と同じである。第１パラメータ補正プログラム４６は、読出手段４３により読み出された処理レシピに含まれる塗布処理パラメータの一部が、入力手段４１に入力された塗布処理パラメータと異なる場合に、各塗布処理パラメータを補正する。第２パラメータ補正プログラム４７は、レシピ作成装置３０の演算手段３２が具備するパラメータ補正プログラム３５と同じである。
【００６３】
記憶装置４２は、所謂、処理レシピのライブラリ（データベース）である。記憶装置４２には演算手段４４によって求められた新たな処理レシピを記憶することができるようになっており、こうして新たに記憶された処理レシピは、その後に読出手段４３による処理レシピの選択対象として利用されるようになっている。こうして新たに記憶される処理レシピには、当然に、その処理レシピでレジスト膜を形成した際に実際に膜厚測定ユニット４により測定されたレジスト膜厚も記憶される。このようにして処理レシピを追記してライブラリを充実させることにより、新たなレジスト液種やレジスト膜性状への対応が容易となる。
【００６４】
図１１に入力手段４１のディスプレイ部のレシピ作成画面の一例を示す。また、図１２にレシピ作成装置３０′によるレシピ作成手順を示すフローチャートを示す。最初にレシピ作成画面で、使用するレジスト液の固形分濃度、レジスト液の粘度、スキャン速度、レジスト液の吐出開始位置、レジスト液の吐出終了位置、レジスト膜の目標膜厚をそれぞれ入力する。
【００６５】
続いて「ライブラリ検索」ボタンを押すと、読出手段４３が、記憶装置４２に記憶された複数の処理レシピの中から入力手段４１に入力された塗布処理パラメータと同一の塗布処理パラメータを有する処理レシピ（以下「同一処理レシピ」という）を読み出そうとして、ライブラリ検索を行う。このとき、当然に目標膜厚が考慮される。
【００６６】
その結果、同一処理レシピが存在すればその同一処理レシピを、一方、このような処理レシピが存在しない場合には入力された塗布処理パラメータと同等の塗布処理パラメータを有する処理レシピ（以下「近似処理レシピ」という）読み出され、入力手段４１のディスプレイ部に表示される。このとき、レシピ作成画面には、吐出流量、着液ギャップ、塗布ギャップ、初期吐出量も表示される。
【００６７】
なお、近似処理レシピに複数の候補が挙げられる場合には、読出手段４３は、塗布処理マージンが広い（つまり、塗布処理条件がずれた場合にも、そのずれによって目標とするレジスト膜の性状が大きく変化することがない）１の処理レシピを選択する。
【００６８】
選択された処理レシピでレジスト膜形成処理を開始する場合には「確定」ボタンを押す。一方、図１１のレシピ作成画面でスキャン速度または吐出流量の一方または両方を補正することができるようになっているので、読出手段４３によって近似処理レシピが読み出された場合において、例えば入力手段４１に入力した目標膜厚と近似処理レシピを構成する膜厚とが異なる場合に、スキャン速度等の補正を行うことができるようになっている。この補正は第１パラメータ補正プログラム４６により行われ、密接に関連する他の塗布処理パラメータも同時に補正される。
【００６９】
処理レシピが確定すると、ＬＣＤ基板Ｇへのレジスト膜形成処理が開始される。具体的な処理手順は先に説明しているので、ここでの説明は割愛する。そして、膜厚測定ユニット４において実際に形成されたレジスト膜の測定膜厚が、レシピ作成装置３０′のディスプレイに表示される。この測定膜厚と目標膜厚とに許容される差が生じていない場合には、用いられた処理レシピに測定膜厚が付加されて新たな処理レシピとして記憶装置４２に記憶される。また、継続して別のＬＣＤ基板Ｇに対してレジスト膜の形成処理が行われる。
【００７０】
一方、測定膜厚と目標膜厚とに差が生じており、この差が許容範囲から外れている場合でも、ディスプレイ上の「レシピ保存」ボタンを押すことにより、その処理レシピと測定膜厚とがセットになって記憶装置４２に記憶され、その後のライブラリ検索の対象として利用される。
【００７１】
測定膜厚と目標膜厚とに差が生じており、この差が許容範囲から外れている場合には、先に説明したレシピ作成装置３０と同様に、レシピ作成装置３０′でも、スキャン速度および／または吐出流量を補正し（関連する塗布処理パラメータもまた同時に補正される）、新たな処理レシピを作成する。この新たな処理レシピにて別のＬＣＤ基板Ｇへのレジスト膜形成と膜厚評価を行い、以降、測定膜厚と目標膜厚とに差が許容範囲に収まるまで同様の操作を行う。
【００７２】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、上記説明においては、レジスト液の吐出流量を入力された塗布処理パラメータから求めた場合について説明したが、これは、一般的に、タクトを考えてレジストノズル５２のスキャン速度を予め所望の値に定めることが一般的であることによるものである。したがって、これに限らず、レシピ作成装置においては、所望の吐出流量を入力することによってスキャン速度を定めてもよい。
【００７３】
また、上記説明においては、固定されたＬＣＤ基板Ｇ上でレジストノズル５２をスキャンさせる構成を例に説明したが、レジストノズル５２を固定し、載置台５１をスキャンさせる構成としてもよい。また、表面から空気または窒素ガス等を吹き出させるエアーステージを用い、ＬＣＤ基板Ｇをこのエアーステージ上で滑るように移動させながら、固定されたレジストノズル５２からレジスト液をＬＣＤ基板Ｇに供給してレジスト液膜をしてもよい。
【００７４】
さらに上記説明においては、レジスト液膜としてレジスト膜を取り上げたが、レジスト液膜はこれに限定されるものではなく、反射防止膜や感光性を有さない絶縁膜等であってもよい。また、塗布膜を形成する対象はＬＣＤ基板に限定されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明は、ＬＣＤガラス基板等の大型基板にレジスト膜等を形成するレジスト膜形成装置、レジスト膜形成方法に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】レジスト膜形成システムの概略構成を示す説明図。
【図２】塗布処理ユニットの概略構造を示す平面図。
【図３】レジスト塗布装置の概略構造を示す正面図。
【図４】レジスト塗布装置の制御ブロック図。
【図５】レジストノズルの概略構造を示す斜視図。
【図６】レジスト液供給機構の概略構成を示す説明図。
【図７】塗布処理パラメータの相関関係を示す説明図。
【図８】レシピ作成装置の入力手段に表示されるレシピ作成画面の一例を示す説明図。
【図９】レシピ作成装置におけるレシピ作成フローを示す説明図。
【図１０】別のレシピ作成装置の概略構成を示す説明図。
【図１１】別のレシピ作成装置の入力手段に表示されるレシピ作成画面の一例を示す説明図。
【図１２】別のレシピ作成装置におけるレシピ作成フローを示す説明図。
【符号の説明】
【００７７】
１；レジスト膜形成システム
２；塗布処理ユニット
４；膜厚測定ユニット
１１；レジスト塗布装置（ＣＴ）
１２；減圧乾燥装置（ＶＤ）
３０・３０′；レシピ作成装置
３１・４１；入力手段
３２・４４；演算手段
３３・４５；出力手段
３４；パラメータ算出プログラム
３５；パラメータ補正プログラム
３６・４８；中央演算装置（ＣＰＵ）
３７・４９；データ部
４６；第１パラメータ補正プログラム
４７；第２パラメータ補正プログラム
４２；記憶装置
４３；読出手段
５２；レジストノズル
５３；レジスト液供給機構
５４；ノズル昇降機構
５５；ノズルスライド機構
５６；ノズル洗浄ユニット
５７；塗布処理制御装置
Ｇ；ＬＣＤ基板
【図１】
2005329306.tif 000003
【図２】
2005329306.tif 000004
【図３】
2005329306.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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