(57)【要約】【課題】  繰返し記録特性にすぐれた相変化型光記録媒体を提供する。【解決手段】  間隔が０．６μｍ以下である同心円状または螺旋状の溝を有する基板上に、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層を少なくとも有し、記録層材料がアモルファスと結晶の相変化をすることにより両者の光学特性差を利用して繰り返し記録が行なうことができ、未記録状態の青色領域の波長における反射率が８％以上２５％以下となるように調節されている相変化記録媒体であって、第１誘電体層はＺｎＳとＳｉＯ２の混合物であり、かつその混合物におけるＺｎＳの構成モル比が４０％以上５０％未満であることを特徴とする光情報記録媒体。【選択図】      なし 【特許請求の範囲】
【請求項１】
間隔が０．６μｍ以下である同心円状または螺旋状の溝を有する基板上に、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層を少なくとも有し、記録層材料がアモルファスと結晶の相変化をすることにより両者の光学特性差を利用して繰り返し記録が行なうことができ、未記録状態の青色領域の波長における反射率が８％以上２５％以下となるように調節されている相変化記録媒体であって、第１誘電体層はＺｎＳとＳｉＯ２の混合物であり、かつその混合物におけるＺｎＳの構成モル比が４０％以上５０％未満であることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
間隔が０．６μｍ以下である同心円状または螺旋状の溝を有する基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層を少なくとも有し、青色領域の波長における変調度が５０％以上となるように調節され、記録層材料がアモルファスと結晶の相変化をすることにより両者の光学特性差を利用して繰り返し記録を行なえる相変化記録媒体であって、第１誘電体層はＺｎＳとＳｉＯ２の混合物であり、かつその混合物におけるＺｎＳの構成モル比が４０％以上５０％未満であることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項３】
記録層がＳｂ及びＴｅを主成分とし、１０原子％以下のＧｅを含有することを特徴とする請求項１又は２記載の光情報記録媒体。
【請求項４】
記録層がＳｂ及びＴｅを主成分とし、１０原子％以下のＧｅと、Ｉｎ、Ｇａ、Ｍｎ、Ｓｎから選ばれた少なくとも１種類とを含有することを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の光情報記録媒体に、記録ビーム走査方向長さが０．２６μｍ未満のアモルファスを形成することを特徴とする記録方法。
【請求項６】
アモルファスの長さを３段階以上に制御して記録を行うことを特徴とする請求項５記載の記録方法。
【請求項７】
レーザー光照射パルス幅が５ナノ秒以下であることを特徴とする請求項５又は６記載の記録方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光情報記録媒体及びこれへの記録方法に関し、詳しくは、照射されるレーザーによって記録層に結晶−非結晶の相変化を生じさせることにより、情報を高速かつ高密度に記録、再生、消去することができる相変化型の光情報記録媒体、及び記録方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザビーム照射による情報の記録、再生および消去が可能な光情報記録媒体として、結晶状態と非晶質（アモルファス）状態の可逆的相変化を利用した相変化型光情報記録媒体が知られている。現在、５インチのディスクに４．７ＧＢの容量を記録するＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷが実用化されている。
【０００３】
現在実用化されている相変化記録媒体は、ポリカーボネイト基板（以下ＰＣ基板）上に、下部誘電体層（下部保護層）、相変化記録層、上部誘電体層（上部保護層）、反射層の順に積層した構造である。反射層にＡｇまたはＡｇ合金を用いる場合は、上部誘電体層を２層にする場合もある。誘電体材料として実用化されているのはＺｎＳとＳＯ２の混合物であり、その混合比率はモル比でＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８：２程度が一般的である。記録材料としては、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅを主成分として不純物を添加した物と、Ｓｂ−Ｔｅを主成分として不純物を添加した物が実用化されている。
【０００４】
下部誘電体材料は、ＺｎＳを主成分とし、機械特性及び熱特性を調整するためにＳｉＯ２を添加している。特公平６−９０８０８号公報（特許文献１）では記録感度やオーバーライト特性から、ＺｎＳに混合させるＳｉＯ２の最適値は１０〜３０モル％であるとしている。一方、下部誘電体のＺｎＳ含有量は記録メディアの保存信頼性とも密接な関係があり、特許第２７８８３９５号公報（特許文献２）では記録層との密着性の観点から下部保護層のＺｎＳ比が７５モル％を超えることが必要であるとしている。また、誘電体に求められる熱特性を改善する場合は、誘電体層を多層化する方法や、誘電体層の組成比率を厚さ方向で変動させる技術が公知となっており、例えば、特許第３０９０１１８号公報（特許文献３）では、ランドとグルーブの両方に記録を行うことから、ランドとグルーブ間の記録感度差を減少させるために下部誘電体層を２層構成とし、記録層と接する誘電体の熱伝導率を１Ｗ／（ｍ．ｋ）より大きくしている。
また、記録密度を向上するための技術として、反射率を多段階に制御して記録を行う多値記録技術が公知であり、特開２００１−８４５９１号公報（特許文献４）では、多値記録を行う相変化記録メディアにおいて、記録時の高湿による変形を避けるため、誘電体材料としてＺｎＳを単独または混合物として５０〜９０モル％含む材料が適当であるとしている。
【０００５】
このような従来技術による、誘電体層の主成分としてのＺｎＳおよびその比率は、記録レーザーパワーを有効に利用するためになされた発明である。例えば前記の特公平６−９０８０８号公報では、波長８３０ｎｍにおいて記録媒体盤面でのパワーが７ｍＷ程度を想定しており、この場合、ＺｎＳのモル比を７０〜９０％とする必要があるとしている。この場合、ＺｎＳ組成調整で記録感度を上げることがオーバーライト特性向上にもつながるとして上記のＺｎＳモル比を設定している。
【０００６】
しかし、記録密度向上のために、記録レーザービームの記録媒体上におけるスポットサイズが縮小し、その結果として、記録レーザービームの記録媒体上でのエネルギー密度が上昇した場合は記録感度を向上させることはオーバーライト特性に対してマイナス要素となる。
【０００７】
例えば、レーザーの波長４０５ｎｍ、レンズ口径（以下、ＮＡという）０．６５であるピックアップヘッドにより記録媒体盤面でのピークパワーが９ｍＷで記録を行う場合、従来技術で最も好ましいＺｎＳ比とされ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ±ＲＷメディアの第一誘電体材料として実用化されているＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８：２の第一誘電体層を用いた場合、第一誘電体層の膜厚が１４０ｎｍの場合でオーバーライト回数１３０回、膜厚が５０ｎｍの場合ではオーバーライト回数僅か４０回で、初回記録に対するジッターが１％上昇する。
【０００８】
このように、ＤＶＤ以上の記録密度、例えば、レーザーの波長４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６５であるピックアップヘッドにより記録媒体盤面でのピークパワーが９ｍＷで記録を行うような場合には従来技術では、繰り返し記録特性が不充分である。特に、第１誘電体層の膜厚が薄い場合は、繰り返し記録メディアとして実用に耐えない。
【０００９】
熱特性等を調節するために、誘電体層を多層化する事や、誘電体層の組成比率を厚さ方向で変動させることは可能である。しかしこの場合、均一組成の単層構造である場合に比して制御因子が増えることで大量生産が困難となり、また、製造設備や歩留まりを考えると製造コストが著しく増大する手法であり、望ましくない。
【００１０】
【特許文献１】特公平６−９０８０８号公報
【特許文献２】特許第２７８８３９５号公報
【特許文献３】特許第３０９０１１８号公報
【特許文献４】特開２００１−８４５９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の課題は、高密度記録、例えば波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．６５（記録ビーム強度１／ｅ２で定義されるビーム径が約０．５３μｍ）のピックアップヘッドにより記録媒体盤面でのピークパワーが９ｍＷで記録を行うような場合にも繰り返し記録特性が良好な光記録媒体、及び、この光記録媒体を用いる記録方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題は下記（１）〜（７）によって達成される。
【００１３】
（１）間隔が０．６μｍ以下（好ましくは０．３〜０．５μｍ）ある同心円状または螺旋状の溝を有する基板上に、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層を少なくとも有し、記録層材料がアモルファスと結晶の相変化をすることにより両者の光学特性差を利用して繰り返し記録が行なうことができ、未記録状態の青色領域の波長における反射率が８％以上２５％以下となるように調節されている相変化記録媒体であって、第１誘電体層はＺｎＳとＳｉＯ２の混合物であり、かつその混合物におけるＺｎＳの構成モル比が４０％以上５０％未満であることを特徴とする光情報記録媒体。
【００１４】
（２）間隔が０．６μｍ以下（好ましくは０．３〜０．５μｍ）である同心円状または螺旋状の溝を有する基板上に、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層を少なくとも有し、青色領域の波長における変調度が５０％以上となるように調節され、記録層材料がアモルファスと結晶の相変化をすることにより両者の光学特性差を利用して繰り返し記録を行なえる相変化記録媒体であって、第１誘電体層はＺｎＳとＳｉＯ２の混合物であり、かつその混合物におけるＺｎＳの構成モル比が４０％以上５０％未満であることを特徴とする光情報記録媒体。
【００１５】
（３）記録層がＳｂ及びＴｅを主成分とし、１０原子％以下のＧｅを含有することを特徴とする前記（１）又は（２）記載の光情報記録媒体。
【００１６】
（４）記録層がＳｂ及びＴｅを主成分とし、１０原子％以下のＧｅと、Ｉｎ、Ｇａ、Ｍｎ、Ｓｎから選ばれた少なくとも１種類とを含有することを特徴とする前記（１）（２）又は（３）記載の光情報記録媒体。
【００１７】
（５）前記（１）〜（４）のいずれかに記載の光情報記録媒体に、記録ビーム走査方向長さが０．２６μｍ未満のアモルファスを形成することを特徴とする記録方法。
【００１８】
（６）アモルファスの長さを３段階以上に制御して記録を行うことを特徴とする前記（５）記載の記録方法。
【００１９】
（７）レーザー光照射パルス幅が５ナノ秒以下であることを特徴とする前記（５）又は（６）記載の記録方法。
【発明の効果】
【００２０】
請求項１に係る発明では、間隔が０．６μｍ以下である同心円状または螺旋状の溝を有する基板上に第１誘電体層（下部誘電体層）、記録層、第２誘電体層（上部誘電体層）、反射層を少なくとも有し、記録層材料がアモルファスと結晶の相変化をすることにより両者の光学特性差を利用して繰り返し記録を行うことができ、未記録状態の青色領域の波長における反射率が８％以上２５％以下となるように調節されている相変化記録媒体であって、第１誘電体層がＺｎＳとＳｉＯ２の混合物であり、この混合物におけるＺｎＳの構成モル比が４０％以上５０％未満であることから、その熱特性及びまたは光学特性が青色波長記録に対して最適となり、記録レーザーのパワー密度が高い場合においても良好な繰り返し記録特性を有する。
【００２１】
請求項２に係る発明では、間隔が０．６μｍ以下である同心円状または螺旋状の溝を有する基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層を少なくとも有し、青色領域の波長における変調度が５０％以上となるように調節され、記録層材料がアモルファスと結晶の相変化をすることにより両者の光学特性差を利用して繰り返し記録を行うことができる相変化記録媒体であって、第１誘電体層がＺｎＳとＳｉＯ２の混合物であり、この混合物におけるＺｎＳの構成モル比が４０％以上５０％未満であることから、その熱特性及びまたは光学特性が青色波長記録に対して最適となり、記録レーザーのパワー密度が高い場合においても良好な繰り返し記録特性を有する。
【００２２】
請求項３に係る発明では、記録層の主成分がＳｂとＴｅであり、１０原子％以下のＧｅを含有することから、特に、保存信頼性に優れ、微少アモルファスの形成に有利であり記録の高密度化を可能にすることができる。
【００２３】
請求項４に係る発明では、記録層の主成分がＳｂとＴｅであり、１０原子％以下のＧｅと、Ｉｎ、Ｇａ、Ｍｎ、Ｓｎから選ばれた少なくとも１種類を含有することから、特に、保存信頼性に優れ、微少アモルファスの形成に有利であり、更に記録速度の高速化への対応を可能とすることができる。
【００２４】
請求項５に係る発明では、請求項１乃至請求項４に記載の光情報記録媒体に、記録ビーム走査方向長さが０．２６μｍ未満のアモルファスを形成することから、従来のＤＶＤと比して、少なくとも１．５倍以上の記録容量が可能となる記録が行なえる。
【００２５】
請求項６に係る発明では、請求項５記載の記録方法において、アモルファスの長さを３段階以上に制御して記録を行うことから、多値記録が可能であり、更に記録容量を増加することが出来る。
【００２６】
請求項７に係る発明では、請求項１乃至請求項４に記載の光情報記録媒体に、レーザー光をパルス状に照射してアモルファスを形成する記録方法において、レーザー光照射パルス幅が５ナノ秒以下とすることにより、微少アモルファスを形成することが出来、記録密度を増加することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下本発明をさらに詳細に説明する。
本発明に関わる相変化型光情報記録媒体は、間隔が０．６μｍ以下である同心円または螺旋状の溝を有する基板上に基板上に少なくとも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層を有し、該記録層の結晶状態と非晶質状態の変化を利用して、情報の記録・再生・消去を行ない、且つ未記録状態の青色領域の波長における反射率が８％以上２５％以下となるように調節された相変化記録媒体であって、第１誘電体層がＺｎＳとＳｉＯ２の混合物であり、この混合物のＺｎＳの構成モル比が４０％以上５０％未満であることを特徴とする。
【００２８】
この相変化記録媒体において、未記録状態の青色領域の波長（例えば波長４０５ｎｍ）における反射率を８〜２２％に調節するには、第１誘電体層の材料及び膜厚により行なうのが有利である。
【００２９】
反射率の計測は、例えば、４０５ｎｍ波長のレーザーダイオードを搭載したピックアップヘッドを有するパルステック製ＤＤＵ１０００を用いて、ガラス基板上に形成した反射率が既知であるＡｇディスクの反射電圧値と、未記録状態の相変化記録媒体の反射電圧を比較する事により計測する事ができる。
【００３０】
また、本発明は、間隔が０．６μｍ以下である同心円状または螺旋状の溝を有する基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層を少なくとも有し、記録層材料がアモルファスと結晶の相変化をすることにより両者の光学特性差を利用して繰り返し記録を行ない、且つ青色領域の波長における変調度が５０％以上となるように調節された相変化記録媒体であって、第１誘電体層がＺｎＳとＳｉＯ２の混合物であり、この混合物のＺｎＳの構成モル比が４０％以上５０％未満であることを特徴とする。
【００３１】
ここで、変調度とは結晶状態とアモルファス状態の反射率の差を、結晶状態もしくはアモルファス状態のいずれか大きい方の反射率の値で除した値を言う。
【００３２】
本発明における基板は、０．６μｍ以下の間隔の溝を有する。アドレス情報などのために溝を蛇行させるたり、途切れさせても良い。
【００３３】
本発明の相変化型光情報記録媒体は、ＳｂとＴｅを主成分とする記録層にＧｅを含むことを特徴とする。Ｇｅは、記録層がアモルファスから結晶へ固相転移する際の活性化エネルギーを高めるため、アモルファスマークの保存信頼性を高くする効果や、再生時にアモルファスが結晶化する事に対する耐性を向上させる効果がある。記録層中のＧｅの好ましい濃度は、２〜１０原子％、より好ましくは３〜６原子％である。
【００３４】
また、本発明における記録層は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｓ、Ｏ、Ｓｅ、Ｐｂから選んだ多数種を含んでも良い、特に、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｍｎは添加する事で記録速度の高速化への対応が有利となる場合が多い、各元素の好ましい濃度は、１〜１０原子％、より好ましくは１〜３原子％である。
【００３５】
本発明の記録層の主成分としてのＳｂ、Ｔｅは、たとえば、ＳｂおよびＴｅが準安定Ｓｂ３Ｔｅ相を維持し、かつ記録層の記録材料が記録操作によりアモルファス相−結晶相に相変換可能な程度の量比を保持することを意味する。副成分元素の総量は、準安定Ｓｂ３Ｔｅ相の出現を妨げないように、１０原子％未満であることが望ましい。
【００３６】
また、記録層に添加される不純物としては、結晶化速度や記録特性、保存特性を調整する目的で、周期律表第Ｉ属及至VII属に属する元素、例えば、Ａｇ、Ｂ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｈ、Ｈｇ、Ｉｒ、Ｉｎ、Ｋ、Ｌａ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｏ、Ｐ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｐｏ、Ｐｒ、Ｐｔ、Ｐｕ、Ｒｂ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｓｒ、Ｔｈ、Ｔｉ、Ｔｌ、Ｕ、ＣｌおよびＢｒ等の元素を含むことができる。
【００３７】
記録層は、結晶化促進するために、結晶化促進層を有しても良い、結晶化促進層の材料としては、Ｂｉ単体及びＢｉ化合物、Ｓｂ単体及びＳｂ化合物、ＴｉＳｉｘやＷＳｉｘ等の金属シリサイドやＳｉＣ等の炭化物等がある。
【００３８】
本発明において、第１誘電体層の材料はＺｎＳ・ＳｉＯ混合物（ＺｎＯ：４０％〜５０％未満）からなるが、必要に応じて、２０モル％未満の、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ、ＴａＳ４等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物を添加することができる。これらの材料の添加により、光学特性等を微調整しても良い。
【００３９】
第２誘電体層の材料としては、ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ、ＴａＳ４等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物が挙げられる。
第２誘電体層は、熱特性調節のために、多層構造としても良い。
【００４０】
第１誘電体層の膜厚は、３０〜２００ｎｍの範囲が好ましい。膜厚が３０ｎｍ未満であると、耐環境性保護機能の低下、耐熱性低下、畜熱効果の低下となり好ましくない。２００ｎｍより厚くなると、スパッタ法等による成膜工程において、膜温度の上昇により膜剥離やクラックが生じたり、メディアの記録感度の低下をもたらすので好ましくない。
第２誘電体層の膜厚は１０〜５０ｎｍが好ましい。膜厚が１０ｎｍ未満であると、耐熱性が低下し好ましくない。逆に、５０ｎｍを越えると、記録感度の低下、温度上昇による膜剥離、変形、放熱性の低下により、繰り返しオーバーライト特性が悪くなる。材料的には第１誘電体層と同様の材料を用いることができる。
【００４１】
反射層としては、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｂ等の金属を主とした材料の単体または合金を用いることができる。この反射層は、熱を効率的に放散させることが重要であり、膜厚は５０〜１８０ｎｍが好ましい。膜厚が厚すぎると、放熱効率が大きすぎて感度が悪くなり、薄すぎると感度は良好であるが、繰り返しオーバーライト特性が悪くなる。特性としては、熱伝導率が高く、高融点で第２誘電体層材料との密着性がよいことなどが要求される。
【００４２】
本発明における記録方法は、上記記録媒体に、ビーム走査方向に０．２６μｍ未満のアモルファスを形成することを特徴とする。また、ビーム走査方向に０．２６μｍ未満の長さで３段階以上に制御してアモルファスを形成することを特徴とする。これにより、多値情報を記録して高密度記録を実現することができる。
【００４３】
本発明の記録方法に用いる記録レーザの変調方法の一例を図１に模式的に示す。本発明による多値記録方法では、記録マークを記録する領域が互いに等しい面積に分割されている（以降、この分割された領域をセルと記す）。セル１０の物理的な大きさは、記録時の線速とセル周波数によって決まり、セル周波数はセル周期１１の逆数であり、基準クロックの整数倍をとる。例えば、セル周波数を４０ｎｓとすれば、セル周波数は２５ＭＨｚであり、記録線速＝６．５ｍ／ｓの時のセル長は０．２６μｍとなる。
【００４４】
記録レーザの変調は、記録パルス１２、ボトムパルス１３、消去パルス１４の各パワーと、それぞれの立ち上がり時間１５、１６および１７を設定して行われる。このようなレーザ変調により、多値記録マーク１８が形成される。
【００４５】
１９は、再生用レーザビームを模式的に現したものである。レーザビームのスポット径とは、レーザの収束直径のことであり、波長λのレーザ光と開口数ＮＡの焦点レンズを用いた場合、φＤ＝０．８２×λ／ＮＡと見積もられる。これはレーザ光の強度が、１／ｅ２となる直径であり、λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６５の場合、φＤ＝０．５１μｍである。
【００４６】
多値情報は、多値記録マーク１８がセルに対して占有する割合として記録され、再生用レーザビーム１９が、記録媒体との相対運動によってグルーブに沿って走査されたときに、ＲＦ信号の反射率変動として読み出される。すなわち、セル１０内がすべて結晶部２０の場合と、最大の記録マークを形成した場合との反射率差を信号のダイナミックレンジとして、３〜８の多段階に反射率レベルが得られるよう記録マークの大きさを制御し、これを多値情報に対応させるものである。
【００４７】
本発明による記録方法では、図１における｛（時間１６）−（時間１５）｝すなわち、レーザー光照射パルス幅が５ナノ秒以下である事が特徴である。レーザー光照射パルスを５ナノ秒以下にする事により、０．２６μｍのセル内に７段階以上に長さを制御したアモルファスを形成する事が可能である事を確認している。最小のアモルファス長さは０．０５μｍ未満である。このような記録により、ＣＤサイズのディスクに２２ＧＢ相当の記録が可能となる。
【００４８】
上記の記録のように、高密度記録を行うためにレーザー光照射時間を５ナノ秒以下とすると、レーザー光の記録媒体盤面上でのパワーを９ｍＷ以上にする事が必要となる。このような高密度記録ではＤＶＤ相当密度の記録を行う場合に比べて、短時間に投入されるエネルギー密度が大きく増大する事になり、繰り返し記録を行うためには前記誘電体を用いた記録メディアに記録することが必要である。
【実施例】
【００４９】
次に、本発明による相変化型光情報記録媒体の実施例および比較例を示す。
【００５０】
（実施例１、２及び比較例１〜７）
実施例１、２および比較例１〜７では、０．６ｍｍ厚で、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板（０．４６μｍピッチで溝幅０．２μｍの縲施状の溝を有する、以下、ＰＣ基板という）を用意し、下記層構成を有する図１構造の情報基板を作製し、これに０．６ｍｍ厚のカバー基板を貼り合わせて、全体が１．２ｍｍ厚の光記録媒体とした。
【００５１】
（１）第１誘電体層：ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（この混合物に占めるＺｎＳモル比１０％〜８０％）、未記録反射率１５％となるように調節、
（２）記録層：Ｇｅ５Ｓｂ７５Ｔｅ２０、（膜厚）１４ｎｍ
（３）第２誘電体層：ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（ｍｏｌ比７９．５：２０．５）、膜厚１４ｎｍ
（４）反射放熱層：Ａｇ、膜厚１４０ｎｍ
【００５２】
上記材料及び膜厚構成にて、第１誘電体層の膜厚は、未記録状態の波長４０５ｎｍでの反射率が１５％となるように調節した。
このように調節した記録メディアに波長が４０５ｎｍの半導体レーザーとＮＡ０．６５のピックアップを用い、記録パワー＝１０ｍＷ、記録線速＝６．０ｍ／ｓで記録を行うと変調度は約６０％となる。
【００５３】
これらに、波長が４０５ｎｍの半導体レーザーとＮＡ０．６５のピックアップを用い、記録パワー＝１０ｍＷ、記録線速＝６．０ｍ／ｓ、チャンネルクロック周波数Ｔ＝７４．３ＭＨｚで、ＥＦＭ変調された３Ｔ〜１４Ｔの信号を繰り返し記録し、ジッターが初回記録に対して１％上昇するまでの回数を調べた。
【００５４】
ここで、ジッターとは、記録マークとスペースの境界の読み出し時間のズレの標準偏差を、読み出しクロック１周期時間Ｔで除した値（単位％）であり、例えば、記録型ＤＶＤの規格では通常９％以下である。
【００５５】
比較例１〜７及び実施例１、２における主な条件、結果を以下の表に記する。
【表１】
2005108338.tif 000002
【００５６】
第１誘電体層ＺｎＳ・ＳｉＯ２におけるＺｎＳモル比が１０％〜３０％の比較例５、比較例６、比較例７では、波長４０５ｎｍでの屈折率が１．８以下であり、図２に示す光学シミュレーション（反射率：１５％）結果から、結晶とアモルファスの光学特性差が減少する領域であり、製造時のバラツキにより記録不適合となる可能性が高い。
【００５７】
図３に、記録回数とジッターの関係を示す。ジッターが初回記録に対して１％増加する回数は比較例４の２６０回に対して実施例１、実施例２では１０００回記録においても初回記録に対して約０．３％の増加である。このように、実施例では、繰り返し記録可能回数が比較例の４倍以上とする事が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の記録方法に用いる記録レーザーの変調方法を説明するための図である。
【図２】第１誘電体層の反射率により、記録層の結晶とアモルファスの光学特性に差が生じることを示す図である。
【図３】記録回数とジックーとの関係を示す図である。
【符号の説明】
【００５９】
１０  セル
１１  セル周期
１２  記録パルス
１３  ボトムパルス
１４  消去パルス
１５、１６、１７  立ち上がり時間
１８  多値記録マーク
１９  再生用ビーム
２０  結晶部
【図１】
2005108338.tif 000003
【図２】
2005108338.tif 000004
【図３】
2005108338.tif 000005