(57)【要約】【課題】  硬化性、熱放散性及び他の諸特性を劣化させることなく、耐湿性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を提供すること。【解決手段】  エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、特定結晶構造を特定比率以上有する球状アルミナ（Ｄ）を含むエポキシ樹脂組成物を用いることにより、耐湿性を向上させる効果が得られるものである。更に球状アルミナ、球状シリカの粒度分布を調整することにより無機充填材の高充填化が可能になるため、耐半田性を向上させる効果も得られるものである。【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、球状アルミナ（Ｄ）を含むエポキシ樹脂組成物であって、上記球状アルミナ（Ｄ）が、粒度分布の極大点を２つ以上有し、各々の極大点を構成する粒子群がα構造の球状アルミナを３０重量％以上含有するもののみからなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
上記球状アルミナ（Ｄ）が、３〜５０μｍに２つ以上の極大点をもつものである請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
上記球状アルミナ（Ｄ）が、更に、α構造の球状アルミナの含有率が３０重量％未満であり、粒度分布の極大点を構成し得る粒子群を上記球状アルミナ（Ｄ）全体の５重量％を下回る割合で含有する請求項１又は２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、球状アルミナ（Ｄ）を含むエポキシ樹脂組成物であって、上記球状アルミナ（Ｄ）が平均粒径の異なる単分散の球状アルミナを２種類以上混合することにより得られるものであり、上記単分散の球状アルミナの各々がα構造の球状アルミナを３０重量％以上含有するもののみからなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
上記球状アルミナ（Ｄ）が、いずれも平均粒径が３〜５０μｍで、かつ互いに平均粒径が異なる単分散の球状アルミナを２つ以上混合することにより得られるものである請求項４記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
上記球状アルミナ（Ｄ）が、更に、α構造の球状アルミナの含有率が３０重量％未満である単分散の球状アルミナを上記球状アルミナ（Ｄ）全体の５重量％を下回る割合で含有する請求項４又は５記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
上記樹脂組成物が、更に、０．４〜２．０μｍに１つ以上の極大点をもつ球状シリカを有する請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化、高速化に伴い、その発熱量が増大傾向にある。そのため封止用エポキシ樹脂組成物に対しても高熱放散性の要求が高まっており、それを構成する無機充填材においても様々な検討が進められている。これまで高熱伝導性の無機充填材としては窒化アルミニウム、窒化ケイ素及びアルミナが主として使用されているが、いずれもエポキシ樹脂組成物としての要求特性を満足させるレベルには至っていない。窒化アルミニウム、窒化ケイ素は、アルミナよりも高い熱伝導率を有するが、エポキシ樹脂組成物の流動性が極端に低下する、成形時の金型磨耗が著しいなどの問題が懸念され、本格的に普及するまでには至っていない。これに対し、アルミナは熱伝導率こそ窒化アルミニウム、窒化ケイ素に比べて劣るものの、球状化して用いることにより流動性と金型磨耗性の観点からは比較的良好である。流動性を向上させるために粒度分布や粒子形状に着目した方法が提案されており、０．４〜０．７μｍ、１２〜１８μｍ、３０〜３８μｍに粒度分布の極大ピークをもたせる方法（たとえば、特許文献１参照。）、平均粒径１〜４０μｍ、平均球形度０．８５以上の球状アルミナであり、粒子径２μｍ以下の微粉の構成割合が１０〜３５％で、その微粉の平均球形度が０．９０以上である球状アルミナで構成させる方法（たとえば、特許文献２参照。）などがある。
【０００３】
更に近年の新たな動きとして、環境対応のため半導体装置を実装する際に従来よりも融点の高い無鉛半田の使用が高まってきている。この半田の適用により実装温度を従来に比べ約２０℃高くする必要があり、実装後の半導体装置の耐熱性が現状に比べ著しく低下する問題が生じており、向上の必要性が加速的に強くなってきている。これを解決し得る半導体装置の低応力化、低吸水化を達成するためには、更なる無機充填材の高充填化が必要となっている。
【０００４】
またアルミナを充填材として用いた場合に耐湿性を向上させるための手法も提案されており、純度が９９．５％以上でＮａ2Ｏの含有率が０．０３％以下であり、かつ１００℃の水で抽出した時のナトリウムイオンが含有量５ｐｐｍ以下、Ｃｌイオン含有量が１ｐｐｍ以下であるアルミナを使用する方法（たとえば、特許文献３参照。）、アルミナを必須成分とするエポキシ樹脂組成物硬化体の抽出水中のナトリウムイオン含有量が５０ｐｐｍ以下、塩素イオン含有量が３０ｐｐｍ以下、フッ素イオン含有量が２０ｐｐｍ以下であり、かつ抽出水の電気伝導度を１００μＳ／ｃｍ以下とする方法（たとえば、特許文献４参照。）などがあるが、いずれも不純物成分量を抑制する手法であり、アルミナの結晶構造自体に着目したものは見当たらない。そのため、耐湿性において十分な性能が得られていないのが実状である。
【０００５】
【特許文献１】特開平７−２７８４１５号公報（第２〜９頁）
【特許文献２】特開２００１−２２６１１７号公報（第２〜７頁）
【特許文献３】特開平１−１９０７４８号公報（第１〜２０頁）
【特許文献４】特開２０００−２６５０３８号公報（第２〜８頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、従来の背景技術の問題点を解決するためになされたものであり、その目的とするところは硬化性、熱放散性及び他の諸特性を劣化させることなく、耐湿性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、
［１］  エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、球状アルミナ（Ｄ）を含むエポキシ樹脂組成物であって、上記球状アルミナ（Ｄ）が、粒度分布の極大点を２つ以上有し、各々の極大点を構成する粒子群がα構造の球状アルミナを３０重量％以上含有するもののみからなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［２］  上記球状アルミナ（Ｄ）が、３〜５０μｍに２つ以上の極大点をもつものである第［１］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［３］  上記球状アルミナ（Ｄ）が、更に、α構造の球状アルミナの含有率が３０重量％未満であり、粒度分布の極大点を構成し得る粒子群を上記球状アルミナ（Ｄ）全体の５重量％を下回る割合で含有する第［１］又は［２］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［４］  エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、球状アルミナ（Ｄ）を含むエポキシ樹脂組成物であって、上記球状アルミナ（Ｄ）が平均粒径の異なる単分散の球状アルミナを２種類以上混合することにより得られるものであり、上記単分散の球状アルミナの各々がα構造の球状アルミナを３０重量％以上含有するもののみからなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［５］  上記球状アルミナ（Ｄ）が、いずれも平均粒径が３〜５０μｍで、かつ互いに平均粒径が異なる単分散の球状アルミナを２つ以上混合することにより得られるものである第［４］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［６］  上記球状アルミナ（Ｄ）が、更に、α構造の球状アルミナの含有率が３０重量％未満である単分散の球状アルミナを上記球状アルミナ（Ｄ）全体の５重量％を下回る割合で含有する第［４］又は［５］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［７］  上記樹脂組成物が、更に、０．４〜２．０μｍに１つ以上の極大点をもつ球状シリカを有する第［１］ないし［６］項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［８］  請求項第［１］ないし［７］項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に従うと、従来の技術では得られなかった耐湿性能を得ることが出来、なおかつアルミナを高充填することにより優れた、熱放散性、耐半田性を付与することが出来るので、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置として好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促進剤、特定結晶構造を特定比率以上有する球状アルミナを含むエポキシ樹脂組成物を用いることにより、耐湿性を向上させる効果が得られるものである。更に球状アルミナ、球状シリカの粒度分布を調整することにより無機充填材の高充填化が可能になるため、耐半田性を向上させる効果も得られるものである。
以下、本発明について詳細に説明する。
【００１０】
本発明に用いるエポキシ樹脂（Ａ）としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造は特に限定するものではないが、例えばビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロベンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂などが挙げられる。またこれらは単独でも混合して用いてもよい。なお無機充填材を高充填化するという観点では、常温で固形、かつ成形時の溶融粘度が非常に低い結晶性エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００１１】
本発明に用いるフェノール樹脂（Ｂ）としては、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシクロベンタジエン変性フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂などが挙げられる。またこれらは単独でも混合して用いてもよい。なお無機充填材を高充填化するという観点では、エポキシ樹脂と同様に低粘度のものが好ましい。
本発明に用いる全エポキシ樹脂のエポキシ基数と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基数の当量比としては、好ましくは０．５〜２であり、特に０．７〜１．５がより好ましい。上記範囲を外れると、耐湿性、硬化性などが低下する恐れがあるので好ましくない。
【００１２】
本発明に用いる硬化促進剤（Ｃ）としては、エポキシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させるものであればよく、一般に封止材料に使用するものを用いることができる。例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のジアザビシクロアルケン及びその誘導体、トリブチルアミン、ベンジルジメチルアミン等のアミン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイックアシッドボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイルオキシボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフチルオキシボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
【００１３】
本発明においては、高熱伝導性を付与する目的で、充填材として球状アルミナ（Ｄ）を用いる。本発明で用いる球状アルミナは、粒度分布の極大点を２つ以上有し、各々の極大点を構成する粒子群（正規分布もしくはそれに類似し、１つの極大点を有する粒子群を意味する。）がα構造の球状アルミナを３０重量％以上含有するもののみからなることが必須である。球状アルミナの粒度分布の極大点が１つの場合は、充分な流動性が得られず、充填不良や金線変形等の不具合を発生する可能性がある。粒度分布の極大点を構成する粒子群の各々がα構造の球状アルミナを３０重量％以上含有する球状アルミナ（Ｄ）を用いると、半導体素子のアルミ配線を腐食させ難く、耐湿性を低下させない効果が得られる。また、本願発明においては、上記の効果を損なわない範囲であれば、更に、α構造の球状アルミナの含有率が３０重量％未満であり、粒度分布の極大点を構成し得る粒子群を上記球状アルミナ（Ｄ）全体の５重量％を下回る割合で含有することもできる。
【００１４】
粒度分布の極大点を２つ以上有する球状アルミナの製法については、特に限定するものではないが、例えば、平均粒径の異なる単分散の球状アルミナを２種類以上混合する方法等が挙げられる。単分散の球状アルミナの各々がα構造の球状アルミナを３０重量％以上含有する球状アルミナ（Ｄ）を用いると、半導体素子のアルミ配線を腐食させ難く、耐湿性を低下させない効果が得られる。また、本願発明においては、上記の効果を損なわない範囲であれば、更に、α構造の球状アルミナの含有率が３０重量％未満である単分散の球状アルミナを上記球状アルミナ（Ｄ）全体の５重量％を下回る割合で含有することもできる。
【００１５】
ここでの球状アルミナのα構造の含有率は、ＪＩＳ  Ｋ０１３１−１９９６Ｘ線回折分析通則に準じ、試料を、乳鉢を用いて手動粉砕（粒子がほぐれる程度）した後、試料ホルダーに充填し、（株）リガク製のＸ線回折装置ＲＩＮＴ−２５００Ｖ等を用いて測定することができる。なお標準物質としては、国際標準化機構標準物質委員会（ＩＳＯ／ＲＥＭＣＯ）で認知されている国際標準物質データベース（ＣＯＭＡＲ）に登録されているα型三酸化二アルミニウム等を用いることができる。ここでのα構造の含有率は、試料のα構造に由来する回折Ｘ線強度のピークと積分幅の積をその強度として、標準物質を用いて作成した検量線から求めた値である。
【００１６】
また、本発明に用いる球状アルミナ（Ｄ）の粒度分布は特に規定しないが、３〜５０μｍに２つ以上の極大点を有することが好ましい。上記のような球状アルミナ（Ｄ）を製造する方法は、特に限定するものではないが、例えば、いずれも平均粒径が３〜５０μｍで、かつ互いに平均粒径が異なる単分散の球状アルミナを２つ以上混合する方法等が挙げられる。極大点が下限値を下回ると、α構造の含有率が小さくなり易い傾向があり、なおかつ流動性を損なう場合がある。また極大点が上限値を上回ると、狭い充填領域が存在する小型半導体装置において未充填を引き起こす、及び金線間隔の狭い半導体装置において流動を阻害し、金線変形を引き起こす懸念が生じる。
【００１７】
なお、本発明では、充填材として球状アルミナを単独で用いる必要はなく、例えば、溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ、結晶シリカ、タルク、チタンホワイト、窒化珪素等と併用してもよい。中でも、０．４〜２．０μｍに１つ以上の極大点をもつ球状シリカを用いると、流動性向上、バリ低減においてより好ましい。極大点が下限値を下回ると流動性を損なう場合があり、上限値を上回ると流動性が低下、なおかつバリが悪化する場合がある。本発明に用いる球状アルミナの含有量は、全エポキシ樹脂組成物中に８０〜９０重量％が好ましく、下限値未満だと目的とする熱伝導性が得られず、上限値を超えると流動性が損なわれるおそれがあり好ましくない。また、全無機充填材の含有量は、全エポキシ樹脂組成物中に８０〜９３重量％が好ましく、下限値未満だと良好な熱放散性、耐半田性が得られず、上限値を超えると流動性が損なわれるおそれがあり好ましくない。
【００１８】
ここでの球状アルミナ及び球状シリカ等の無機充填材の粒度分布は、ＪＩＳ  Ｍ８１００粉塊混合物−サンプリング方法通則に準じて無機充填材を採取し、ＪＩＳ  Ｒ  １６２２−１９９５  ファインセラミック原料粒子径分布測定のための試料調整通則に準じて、無機充填材を測定用試料として調整し、ＪＩＳ  Ｒ  １６２９−１９９７ファインセラミック原料のレーザー回折・散乱法による粒子径分布測定方法に準じて（株）島津製作所製のレーザー回折式粒度分布測定装置ＳＡＬＤ−７０００（レーザー波長：４０５ｎｍ）等を用いて、溶媒に水を用い無機充填材の屈折率が所定の条件（例えば、球状アルミナの場合：実数部１．８０、虚数部１．００、球状シリカの場合：実数部１．４５、虚数部０．００）のもと測定することができる。
また球状アルミナ及び球状シリカ等の無機充填材の比表面積は、ＪＩＳ  Ｒ  １６２６−１９９６  ファインセラミックス粉体の気体吸着ＢＥＴ法による比表面積の測定方法に準じて、窒素を吸着質として用い、ＢＥＴ１点法等によって測定することができる。
【００１９】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分の他、必要に応じて、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等のシランカップリング剤や、チタネートカップリング剤、アルミニウムカップリング剤、アルミニウム／ジルコニウムカップリング剤等のカップリング剤、カルナバワックス等の天然ワックス、ポリエチレンワックス等の合成ワックス、ステアリン酸やステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸及びその金属塩類若しくはパラフィン等の離型剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤、臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、フォスファゼン等の難燃剤、酸化ビスマス水和物等の無機イオン交換体、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力化成分、酸化防止剤等の各種添加剤が適宜配合可能である。
【００２０】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分、及びその他の添加剤等を、ミキサー等を用いて常温混合し、ロール、ニーダー、押出機等の混練機で加熱混練、冷却後粉砕して得られる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。その他の半導体装置の製造方法は、公知の方法を用いることができる。
【実施例】
【００２１】
以下に、実施例を挙げて本発明を説明するが、これらの実施例に限定されるものではない。配合割合は重量部とする。
実施例１
ビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、ＹＸ４０００Ｋ、融点１０５℃、エポキシ当量１８５）                                  ５．２３重量部
フェノールノボラック樹脂（軟化点８０℃、水酸基当量１０５）    １．９６重量部
ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、軟化点６５℃、水酸基当量２０３）                    １．９６重量部
トリフェニルホスフィン                                        ０．１５重量部
球状アルミナＡ（平均粒径１８．２μｍ、比表面積０．９ｍ2／ｇ、極大点粒径１９μｍ、α構造含有率４０重量％）                                  ５６．８０重量部
球状アルミナＢ（平均粒径１０．８μｍ、比表面積１．５ｍ2／ｇ、極大点粒径１１μｍ、α構造含有率３３重量％）                                  ２５．００重量部
溶融球状シリカＡ（平均粒径１．６μｍ、比表面積４．４ｍ2／ｇ、極大点粒径１．６μｍ）                                                          ４．００重量部
溶融球状シリカＢ（平均粒径０．６μｍ、比表面積６．４ｍ2／ｇ、極大点粒径０．６μｍ）                                                          ４．００重量部
イオン交換体  ＢｉＯ（ＯＨ）0.74（ＮＯ3）0.15（ＨＳｉＯ3）0.11（平均粒径１．５μｍ）                                                      ０．２０重量部
γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン                      ０．２０重量部
カルナバワックス                                              ０．２０重量部
カーボンブラック                                              ０．３０重量部
をミキサーで混合した後、表面温度が９０℃と４５℃の２本ロールを用いて混練して、冷却後粉砕してエポキシ樹脂組成物とした。得られたエポキシ樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果を表１に示す。
【００２２】
評価方法
スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用い、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間２分で測定した。単位はｃｍ。
【００２３】
金線変形率：トランスファー成形機を用い、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間２分で３５２ピンＢＧＡ（基板は厚さ０．５６ｍｍのビスマレイミド・トリアジン樹脂／ガラスクロス基板、半導体装置のサイズは３０ｍｍ×３０ｍｍ、厚さ１．１７ｍｍ、半導体素子のサイズ１０ｍｍ×１０ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍ、半導体素子と回路基板のボンディングパッドを２５μｍ径の金線でボンディングしている。）を成形し、１７５℃、２時間で後硬化してサンプルを得た。得られた半導体装置を軟Ｘ線透視装置で観察し、金線の変形率を（流れ量）／（金線長）の比率で表した。単位は％。
【００２４】
バリ長さ：金線変形率の評価で作製した３５２ピンＢＧＡパッケージの約３０μｍ厚のベント部から漏れる樹脂バリの長さを測定した。単位はｍｍ。
【００２５】
耐半田性：金線変形率の評価と同様の方法で得られた半導体装置各１０個を、６０℃、相対湿度６０％の環境下で１２０時間、又は８５℃、相対湿度６０％の環境下で１６８時間処理した後、ピーク温度２６０℃のＩＲリフロー処理（２５５℃以上が１０秒）を行った。処理後の内部の剥離及びクラックの有無を超音波探傷機で観察し、不良半導体装置の個数を数えた。不良半導体装置の個数がｎ個であるとき、ｎ／１０と表示した。
【００２６】
耐湿性：トランスファー成形機を用い、金型温度１７５℃、注入圧９．８ＭＰａ、硬化時間２分で１６ｐＳＯＰ（モールドサイズ１１ｍｍ×７ｍｍ、厚さ１．９５ｍｍ、半導体素子サイズ３．５ｍｍ×３．０ｍｍ、厚さ０．４８ｍｍ、半導体素子のボンディングパッドと４２アロイフレームを２５μｍ径の金線で１２箇所ボンディングしている。半導体素子はアルミ配線幅１０μｍ、配線間距離１０μｍ、アルミ蒸着厚み１μｍ。）を成形し、１７５℃、２時間で後硬化してサンプルを得た。得られた半導体装置５個を室温に冷却後、１４０℃、相対湿度８５％の環境下で２０Ｖ印加（ボンディングした１２箇所のうち６箇所を陽極、６箇所を陰極）、５００Ｈｒ処理してからパッケージを取り出し、各々の端子にテスターを当てて回路の抵抗値を測定した。抵抗値が初期値の２００％を超えたものを不良とし、不良箇所がｎ箇所であるときｎ／１５と表示した（陽極：１パッケージ当たり３箇所×５個、陰極：１パッケージ当たり３箇所×５個）。
【００２７】
実施例２〜８、比較例１〜５
表１、表２の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得、同様に評価した。これらの評価結果を表１、表２に示す。
実施例１以外で用いたアルミナを以下に示す。
アルミナＣ（平均粒径５５．０μｍ、比表面積０．１ｍ2／ｇ、極大点粒径５５μｍ、α構造含有率９５重量％）
アルミナＤ（平均粒径３８．０μｍ、比表面積０．１ｍ2／ｇ、極大点粒径３８μｍ、α構造含有率９５重量％）
アルミナＥ（平均粒径３３．０μｍ、比表面積０．３ｍ2／ｇ、極大点粒径３３μｍ、α構造含有率９５重量％）
アルミナＦ（平均粒径３．０μｍ、比表面積０．８ｍ2／ｇ、極大点粒径３μｍ、α構造含有率３０重量％）
アルミナＧ（平均粒径０．６μｍ、比表面積８．１ｍ2／ｇ、極大点粒径０．６μｍ、α構造含有率１重量％）
【００２８】
【表１】
2005290076.tif 000002
【００２９】
【表２】
2005290076.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、従来の技術では得られなかった耐湿性能を得ることが出来、なおかつアルミナを高充填することにより優れた、熱放散性、耐半田性を付与することが出来るので、表面実装用の樹脂封止型半導体装置、とりわけ無鉛半田対応用として好適に用いることができる。