(57)【要約】【課題】  デュアルギャップタイプの半透過型液晶表示装置において、駆動電圧印加時の透過部上の液晶層と反射部上の液晶層の電圧依存性を揃えることにより、透過表示形態と反射表示形態とで表示の視認性が異なるのを改善し、いずれの表示状態でも良好な表示品質が得られる半透過型液晶表置の提供。【解決手段】  反射部３５上と透過部３０上とで液晶層の厚みが異なるデュアルギャップタイプのアクティブマトリックス方式の半透過型液晶表示装置において、反射部３５及び透過部３０の液晶層側の面に配向膜２９が形成され、反射部３５の液晶層側の面に形成された反射部配向膜２９ｂと透過部３０の液晶層側の面に形成された透過部配向膜２９ｂは液晶層の厚さに応じてプレティルト角が変更された半透過型液晶表示装置。【選択図】  図１
2005062573.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された基板間に液晶が封入され、前記一方の基板の液晶層側の面に共通電極が形成され、さらに該共通電極上に配向膜が形成され、前記他方の基板の液晶層側に複数のスイッチング素子が形成され、これらのスイッチング素子が絶縁膜に覆われ、該絶縁膜上に前記スイッチング素子と電気的に接続された光反射性の画素電極が複数形成される一方、前記画素電極の少なくとも一部に透孔が形成され、該透孔の下に位置する前記絶縁膜に窪部が形成され、該窪部の底部側に少なくとも位置するとともに前記スイッチング素子に電気的に接続された透明電極が、前記基板上に直接位置するように形成され、前記窪部内に前記基板間に存在する液晶が導入され、前記窪部形成部分が前記他方の基板側からの入射光を透過する透過部とされ、前記画素電極の非透孔部が前記一方の基板側からの入射光を反射する反射部とされ、前記透過部上の液晶層厚と前記反射部上の液晶層厚が異なる値とされ、
前記反射部及び透過部の液晶層側の面に配向膜が形成され、前記反射部の液晶層側の面に形成された配向膜と前記透過部の液晶層側の面に形成された配向膜は液晶層の厚さに応じてプレティルト角が変更されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
【請求項２】
対向配置された基板間に液晶が封入され、前記一方の基板の液晶層側の面に複数の透明電極が形成され、これら透明電極の液晶層側の面に配向膜が形成され、前記他方の基板の液晶層側に絶縁膜が形成され、該絶縁膜上に光反射性の電極が複数形成され、前記光反射性の電極の少なくとも一部に透孔が形成され、該透孔の下に位置する前記絶縁膜に窪部が形成され、前記窪部内に前記基板間に存在する液晶が導入され、前記窪部形成部分が前記他方の基板側からの入射光を透過する透過部とされ、前記光透過性の電極の非透孔部が前記一方の基板側からの入射光を反射する反射部とされ、前記透過部上の液晶層厚と前記反射部上の液晶層厚が異なる値とされ、
前記反射部及び透過部の液晶層側の面に配向膜が形成され、前記反射部の液晶層側の面に形成された配向膜と前記透過部の液晶層側の面に形成された配向膜は液晶層の厚さに応じてプレティルト角が変更されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
【請求項３】
前記透過部上の液晶層厚は前記反射部上の液晶層厚より大きい値とされ、前記透過部の液晶層側の面に液晶との相互作用が弱い配向膜が形成され、前記反射部の液晶層側の面に液晶との相互作用が強い配向膜が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項４】
前記透過部上の液晶層厚は前記反射部上の液晶層厚より大きい値とされ、前記透過部の液晶層側の面にプレティルト角が大きい配向膜が形成され、前記反射部の液晶層側の面にプレティルト角が小さい配向膜が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項５】
前記透過部上の液晶層厚は前記反射部上の液晶層厚の２倍の値とされていることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半透過型液晶表示装置を表示部に備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外光反射を利用しての反射表示とバックライトを利用しての透過表示の両方を行うことができる半透過型液晶表示装置に係わり、詳しくは反射部上と透過部上とで液晶層の厚みが異なるデュアルギャップタイプの半透過型液晶表示装置とそれを備えた電子機器に用いて好適な構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示デバイスの分野では、高表示品質の得られるアクティブマトリクス型の表示装置が広く用いられている。この表示装置では、多数の画素電極の一つ一つにスイッチング素子が設けられており、画素電極毎の確実なスイッチングにより大型化、高精細化等の特性を容易に得ることができるようになっている。
【０００３】
近年、消費電力の低減が強く要求されており、画素の領域をできるだけ大きくして表示の明るさを向上することが求められている。このため、アクティブマトリクス基板全面に厚膜の絶縁膜を形成し、この絶縁膜の上に反射型の画素電極を形成したものが実用化されている。このように絶縁膜上に画素電極を上置きする構造のものでは、絶縁膜下層に配された走査線や信号線等と上層に配された画素電極との間で電気的な短絡を生じない構成を採用できるため、これら配線上にオーバーラップさせるように広い面積で画素電極を形成することが可能となる。これにより、薄膜トランジスタ（Thin Film Trangistor ： 以下にＴＦＴと略記する）等のスイッチング素子や走査線，信号線の形成された領域を含めてほとんど全てを表示に寄与する画素領域とすることができ、開口率を高めて明るい表示を得ることができる。
また、反射型の画素電極を用いた液晶表示形態のみでは暗所での使用ができないため、液晶表示装置にバックライトを併設し、反射型液晶表示装置を部分的に透過表示可能な構成とした半透過型の液晶表示装置も広く使用されている。（特許文献１、２参照）
【特許文献１】特願２０００−１７１７９４号公報
【特許文献２】特許第３２３５１０２号公報
【０００４】
図１４は、この種の半透過型の液晶表示装置の一従来例を示す（特許文献１参照）ものであり、この例の液晶表示装置においては、透明の基板１１０上の表示領域に薄膜トランジスタ１１１が多数整列形成され、これらの薄膜トランジスタ１１１が絶縁膜１１２で覆われ、絶縁膜１１２上の各画素形成位置にアルミニウム電極膜からなる光反射性の画素電極１１３が形成され、この画素電極１１３の凹凸面形成部分が反射部とされている。また、これらの画素電極１１３の下側の絶縁膜１１２に凹部１１６が形成されるとともに、これら凹部１１６の底部に下側から順に位置するように透明なゲート絶縁膜１１８と透明なドレイン電極１１９とを延出形成した構成とされ、凹部１１６内のドレイン電極１１９の形成部分を透過部ａとされている。更に、絶縁膜１１２及び画素電極１１３と凹部１１６を覆うように配向膜１２２が形成されている。
一方、先の基板１１０に対する側には基板１２０が設けられ、これらの基板１１０、１２０間には液晶層１０９が挟持されている。基板１２０の液晶層１０９側には透明な対向電極（共通電極）１２１と配向膜１２３が形成されている。
更に、図１４では基板１１０の裏面側に設けられるバックライトについては記載を略している。
【０００５】
図１４に示す構造の半透過型液晶表示装置にあっては、基板間に存在する液晶層１０９に対して光反射性の画素電極１１３とソース電極１１９から電界を印加して液晶の配向制御を行って表示を行うようになっている。詳しくは、薄膜トランジスタ１１１が光反射性の画素電極１１３に通電することで液晶の配向制御を行い、液晶の透過率を制御し、画素電極１１３の凹凸面形成領域は基板１２０側からの入射光を反射して反射表示を行う反射表示領域として作用するようになっている。また、薄膜トランジスタ１１１は画素電極１１３に加えて透明のソース電極１１９にも電圧を印加するが、凹部１１６内のソース電極１１９の形成領域は、バックライトの光を透過させて透過表示を行う透過表示領域として作用するようになっている。即ち、図１８に示すこれらによって先の光反射性の画素電極１１３による反射表示形態と、バックライト及び透明電極１１９を用いた透過表示形態の両方を実現できる半透過型の液晶表示装置が実現される。
【０００６】
また、半透過液晶表示装置では液晶表示装置に対する入射光が反射光となって観察者に到達するまでの間に、反射表示形態では光が２回液晶層を通過するのに比べて透過表示形態では１回のみ液晶層を通過するので、表示形態によっては表示に余計な色が付く、あるいは表示の色味が異なるなどの問題が生じるため、この点に対し図１４に示す構造においては、反射部上では液晶層の厚さｄ１を薄くし、絶縁膜１１２に形成した凹部１１６の部分の深さを利用して透過部ａ上の液晶層の厚さｄ２を増加した構造（反射表示領域と透過表示領域とでセルギャップが異なるデュアルギャップ構造）とし、反射表示形態で光が液晶層を２回通過する際の液晶層の厚さ（光路）と、透過表示形態で光が１回液晶層を通過する際の液晶層の厚さ（光路）を均一化することで両表示形態での光路差に起因する表示の色付きや色味のバラツキを防止するようにしている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら図１４に示す構成の半透過型液晶表示装置では、上記のように透過部ａ上の液晶層（透過表示領域の液晶層ということもある）の厚さｄ２は反射部上の液晶層（反射表示領域の液晶層ということもある）の厚さｄ１の２倍の大きさとされているために両表示領域での液晶層の厚みの差が大きいため、透過表示領域の液晶層や反射表示領域の液晶層では駆動電圧印加時の閾値や飽和電圧等が大きく異なってしまい、同一画素において透過表示形態と反射表示形態とで大幅に見栄えが変わるという問題があった。
また、図１４に示す構成の半透過型液晶表示装置では、両表示領域での液晶層の厚みの差が大きいために、特許文献２に記載されているように半透過型液晶表示装置の上下に設ける偏光板等の光学基板の光学条件を種々設計しても、透過表示領域と反射表示領域の電圧に対する変化を補償することは困難で、即ち、非電圧印加時の光学条件を例え合わせ込んでも、駆動電圧印加時の閾値や飽和電圧等が違いすぎる為、反射表示形態と透過表示形態のときでコントラストが異なってしまう。
なお、半透過型液晶表示装置では透過表示形態と反射表示形態のいずれの場合も基板間に同じ大きさの駆動電圧を印加するのが一般的である。
【０００８】
本発明は、上述の課題に鑑み創案されたもので、反射部上と透過部上とで液晶層の厚みが異なるデュアルギャップタイプ（マルチギャップタイプ）の半透過型液晶表示装置において、駆動電圧印加時の透過部上の液晶層と反射部上の液晶層の電圧依存性を揃えることにより、透過表示形態と反射表示形態とで表示の視認性が異なるのを改善し、いずれの表示状態でも良好な表示品質が得られる半透過型液晶表置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１の発明の半透過型液晶表示装置は、対向配置された基板間に液晶が封入され、上記一方の基板の液晶層側の面に共通電極が形成され、さらに該共通電極上に配向膜が形成され、上記他方の基板の液晶層側に複数のスイッチング素子が形成され、これらのスイッチング素子が絶縁膜に覆われ、該絶縁膜上に上記スイッチング素子と電気的に接続された光反射性の画素電極が複数形成される一方、上記画素電極の少なくとも一部に透孔が形成され、該透孔の下に位置する上記絶縁膜に窪部が形成され、該窪部の底部側に少なくとも位置するとともに上記スイッチング素子に電気的に接続された透明電極が、上記基板上に直接位置するように形成され、上記窪部内に上記基板間に存在する液晶が導入され、上記窪部形成部分が上記他方の基板側からの入射光を透過する透過部とされ、上記画素電極の非透孔部が上記一方の基板側からの入射光を反射する反射部とされ、上記透過部上の液晶層厚と上記反射部上の液晶層厚が異なる値とされ、
上記反射部及び透過部の液晶層側の面に配向膜が形成され、上記反射部の液晶層側の面に形成された配向膜と上記透過部の液晶層側の面に形成された配向膜は液晶層の厚さに応じてプレティルト角が変更されていることを特徴とする。
【００１０】
反射部上と透過部上とで液晶層の厚みが異なるデュアルギャップタイプ（マルチギャップタイプ）のアクティブマトリックス方式の半透過型液晶表示装置において、液晶層の厚さ（セルギャップ）に応じて上記反射部の液晶層側の面に形成する配向膜と上記透過部の液晶層側の面に形成する配向膜のプレティルト角が変更することで、透過表示形態と反射表示形態のいずれの表示状態においても基板間に同じ大きさの駆動電圧を印加した場合、同一画素領域内で透過部上の液晶層（透過表示領域の液晶層）と反射部上の液晶層（反射表示領域の液晶層）の駆動電圧印加時の電圧依存性（光学的閾値、飽和電圧、急峻性等）を略同じに揃えることができ、透過表示形態と反射表示形態とで表示の視認性が異なるのを改善し、いずれの表示状態でも良好な表示品質が得られる。
【００１１】
また、第２の発明の半透過型液晶表示装置は、対向配置された基板間に液晶が封入され、上記一方の基板の液晶層側の面に複数の透明電極が形成され、これら透明電極の液晶層側の面に配向膜が形成され、上記他方の基板の液晶層側に絶縁膜が形成され、該絶縁膜上に光反射性の電極が複数形成され、上記光反射性の電極の少なくとも一部に透孔が形成され、該透孔の下に位置する上記絶縁膜に窪部が形成され、上記窪部内に上記基板間に存在する液晶が導入され、上記窪部形成部分が上記他方の基板側からの入射光を透過する透過部とされ、上記光透過性の電極の非透孔部が上記一方の基板側からの入射光を反射する反射部とされ、上記透過部上の液晶層厚と上記反射部上の液晶層厚が異なる値とされ、
上記反射部及び透過部の液晶層側の面に配向膜が形成され、上記反射部の液晶層側の面に形成された配向膜と上記透過部の液晶層側の面に形成された配向膜は液晶層の厚さに応じてプレティルト角が変更されていることを特徴とする。
【００１２】
単純マトリクス方式の液晶表示装置ではマルチプレクス駆動される為、駆動電圧を印加したときの上記透過部上の液晶層と上記反射部上の液晶層の閾値の差がより鋭敏に表示特性に表れ易いため、単純マトリクス方式の半透過型液晶表示装置においても液晶層の厚さ（セルギャップ）に応じて上記反射部の液晶層側の面に形成する配向膜と上記透過部の液晶層側の面に形成する配向膜のプレティルト角が変更することで、本発明の効果が大きい。
【００１３】
本発明は上記第１又は第２の発明において、上記透過部上の液晶層厚は上記反射部上の液晶層厚より大きい値とされ、上記透過部の液晶層側の面に液晶との相互作用が弱い配向膜が形成され、上記反射部の液晶層側の面に液晶との相互作用が強い配向膜が形成されていることを特徴とする。
このような構成とすることで、セルギャップが異なる上記透過部上の液晶層と反射部上の液晶層の電圧印加時の電気光学的閾値を略同じにすることができる。
【００１４】
本発明は上記第１又は第２の発明において、上記透過部上の液晶層厚は上記反射部上の液晶層厚より大きい値とされ、上記透過部の液晶層側の面にプレティルト角が大きい配向膜が形成され、上記反射部の液晶層側の面にプレティルト角が小さい配向膜が形成されていることを特徴とする。
このような構成とすることで、セルギャップが異なる上記透過部上の液晶層と反射部上の液晶層の電圧印加時の電気光学的閾値を略同じにすることができる。
【００１５】
本発明は上記第１又は第２の発明において、上記透過部上の液晶層厚は上記反射部上の液晶層厚の２倍の値とされていることを特徴とする。
このような構成とすることで、反射表示形態で光が液晶層を２回通過する際の光路と、透過表示形態で光が１回液晶層を通過する際の光路を均一化することで両表示形態での光路差に起因する表示の色付きやコントラスト、色味のバラツキを防止できる。
【００１６】
第３の発明の電子機器は、上記のいずれかの構成の本発明の半透過型液晶表示装置を表示部に備えたことを特徴とする。
かかる構成の電子機器であるならば、透過表示状態での優れた表示と反射表示状態での優れた表示の両方を兼ね備えることができ、外光を利用した反射表示形態の場合とバックライトを点灯した透過表示形態の両方において、いずれも優れた表示状態を得ることができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上、詳述したように本発明によれば、透反射部上と透過部上とで液晶層の厚みが異なるデュアルギャップタイプの半透過型液晶表示装置において、駆動電圧印加時の透過部上の液晶層と反射部上の液晶層の電圧依存性を揃えることにより、透過表示形態と反射表示形態とで表示の視認性が異なるのを改善でき、いずれの表示状態でも良好な表示品質が得られるアクティブマトリクス方式あるいは単純マトリクス方式の半透過型液晶表置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面により本発明の一実施形態としての半透過型液晶表示装置について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせて示してある。
図１乃至図９は本発明に係る半透過型液晶表示装置の第１の実施形態を示すもので、この第１実施形態の半透過型液晶表示装置Ａは、図２に示すように、本体である液晶パネル１と、この液晶パネル１の背面側に配されたバックライト４とを備えて構成されている。
液晶パネル１は、図２に示すように、スイッチング素子が形成された側のアクティブマトリクス基板（他方の基板）２と、それに対向して設けられた対向基板（一方の基板）３と、基板２、３の間に保持されている光変調層としての液晶層５とを備えて構成されている。
【００１９】
アクティブマトリクス基板２は、図１、図３または図４に示すように、ガラスやプラスチック等からなる透明の基板本体６上に、それぞれ行方向（図３、図４のｘ方向）と列方向（図３、図４のｙ方向）に複数の走査線７と信号線８が電気的に絶縁されて形成され、各走査線７、信号線８の交差部の近傍にＴＦＴ（スイッチング素子）１０が形成されている。
上記基板本体６上において、画素電極１１が形成される領域、ＴＦＴ１０が形成される領域、走査線７及び信号８が形成される領域を、それぞれ画素領域、素子領域、配線領域と呼称することができる。
【００２０】
本実施形態のＴＦＴ１０は逆スタガ型の構造を有し、本体となる基板本体６の最下層部から順にゲート電極１３、ゲート絶縁膜１５、ｉ型半導体層１４、ソース電極１７及びドレイン電極１８が形成され、ｉ型半導体層１４の上であってソース電極１７とドレイン電極１８との間にはエッチングストッパ層９が形成されている。
即ち、走査線７の一部が延出されてゲート電極１３が形成され、これを覆ったゲート絶縁膜１５上にゲート電極１３を平面視で跨るようにアイランド状の半導体層１４が形成され、このｉ型半導体層１４の両端側の一方にｎ型半導体層１６を介してソース電極１７、他方にｎ型半導体層１６を介してドレイン電極１８がそれぞれ形成されている。
【００２１】
また、走査線７と信号線８とが囲む矩形状の各領域の中央部側にＩＴＯなどの透明電極材料からなる透明電極１９が、基板本体６上に直接位置するように形成されている。従ってこれらの透明電極１９は先のゲート電極１３と同一面位置に形成されている。これらの透明電極１９はその一端１９ａに乗り上がる形で接続された先のソース電極１７の一端の接続部１７ａに直に接続されるとともに平面視短冊状に形成されている。この透明電極１９は、図３に示すように走査線７と信号線８とが囲む矩形状の領域の縦幅より若干短く、先の矩形状の領域の横幅の数分の１程度の大きさに形成されている。
【００２２】
基板本体６はガラスの他、合成樹脂等の絶縁性透明基板からなる。ゲート電極１３は導電性の金属材料からなり、図３に示すように行方向に配設される走査線７と一体に形成されている。ゲート絶縁膜１５は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や窒化シリコン（ＳｉＮｙ）等のシリコン系の絶縁膜からなり、走査線７及びゲート電極１３を覆うように、かつ、先の透明電極１９を覆わないようにして基板上に形成されている。なおここで、ゲート絶縁膜１５を形成する位置は、少なくとも透明電極１９とソース電極１７の接続部分を除く位置とする必要があるので、この実施形態では透明電極１９上にゲート絶縁膜１５を形成していないが、透明電極１９においてソース電極１７との接続部分のみを除くように透明電極１９上にゲート絶縁層１５を形成しても差し支えない。
半導体層１４は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等からなり、ゲート絶縁膜１５を介してゲート電極１３と対向する領域がチャネル領域として構成される。ソース電１７及びドレイン電極１８は導電材料からなり、半導体層１４上に、チャネル領域を挟むように対向して形成されている。また、ドレイン電極１８は列方向に配設される信号線８から個々に延出されて形成されている。
【００２３】
なお、ｉ型半導体層１４とソース電極１７及びドレイン電極１８との間で良好なオーミック接触を得るために、半導体層１４と各電極１７、１８との間には、リン（Ｐ）等のＶ族元素を高濃度にドープしたｎ型半導体層（オーミックコンタクト層）１６が設けられている。
また、基板本体６上には有機材料からなる絶縁膜２０が積層され、この絶縁膜２０上にＡｌやＡｇ等の高反射率の金属材料からなる光拡散反射性画素電極（光反射性の画素電極）１１が形成されている。
画素電極１１は、先の走査線７と信号線８とが囲む矩形状の領域よりも若干小さくなるような平面視矩形状になるように絶縁膜２０上に形成され、図４に示すように平面視した場合に上下左右に並ぶ画素電極１１どうしが短絡しないように所定の間隔をあけてマトリクス状に配置されている。即ち、これらの画素電極１１は、それらの端辺がそれらの下に位置する走査線７及び信号線８に沿うように配置されており、走査線７と信号線８が区画する領域のほぼ全域を画素領域とするように形成されている。なお、この画素領域が液晶パネル１での表示領域に相当する。
【００２４】
絶縁膜２０は、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ベンゾシクロブテンポリマ（ＢＣＢ）等からなる有機絶縁膜とされており、ＴＦＴ１０の保護機能を強化するようになっている。この絶縁膜２０は基板本体６上に比較的厚く積層され、画素電極１１とＴＦＴ１０及び各種配線との絶縁を確実にし、画素電極１１との間に大きな寄生容量が発生するのを防止するとともに、厚膜の絶縁膜２０によりＴＦＴ１０や各種配線によって形成された基板本体６上の段差構造が平坦化されるようになっている。
【００２５】
次に、絶縁膜２０において先の各ソース電極１７の一端部１７ａに達するようにコンタクトホール２１が形成されるとともに、先の各透明電極１９の上に位置するように窪部２２が形成され、この窪部２２の位置に相当する部分の画素電極１１には窪部２２の開口部２２ａに合致するような平面形状の透孔２３が形成されている。これらの窪部２２は絶縁膜２０をその深さ方向に大部分除去してその底部２２ｂ側に一部分のみを被覆層２０ａとして残すように形成されるとともに、窪部２２の平面形状は先の透明電極１９の平面形状に対応するように透明電極１９よりも若干短い短冊状に形成されている。
各画素領域において、窪部形成部分が基板２側からの入射光（バックライト４から出射された光）を透過する透過部３０とされており、画素電極１１の非透孔部（透孔２３が形成されていない部分）が基板３側からの入射光を反射する反射部３５とされている。
【００２６】
また、先の画素電極１１の１つが、ほぼ１つの画素領域に対応し、透孔２３の面積が透過表示の際の光通過領域に対応するので、先の画素電極１１の面積に占める透孔２３の面積割合を２０〜５０％の範囲、例えば４０％とすることが好ましい。更に、この実施形態では画素電極１１に透孔２３を１つのみ形成したが、画素電極１１に複数の透孔を形成しても良い。その場合に複数の透孔を合わせた総面積を画素電極１１の面積の２０〜５０％の範囲とする。勿論その場合に複数の透孔の形成位置に合わせて各透孔の下にそれぞれ凹部を設けることとなる。
コンタクトホール２１には導電材料からなる導電部２５が形成され、この導通部２５を介して、先の画素電極１１と、絶縁膜２０の下層側に配置されたソース電極１７とが電気的に接続されている。従ってソース電極１７は画素電極１１と透明電極１９の両方に電気的に接続されている。
【００２７】
ところで、絶縁膜２０の表面には画素領域に対応する位置に、転写型を絶縁膜２０の表面に圧着する等して形成された複数の凹部２６が設けられている。この絶縁膜２０の表面に形成された複数の凹部２６は、図５に示すように画素電極１１に所定の表面凹部形状２８を付与し、画素電極１１に形成された複数の凹部２７によって液晶パネルに入射した光は一部散乱され、より広い観察範囲でより明るい表示が得られるような拡散反射機能が付与されている。また、図５に示すように各凹部２７は左右に隣接したものが互いにそれらの開口部側の内面の一部を連続させて隣接するように密接配置されている。
【００２８】
これらの凹部２７の内面は、この実施形態では球面状に形成され、画素電極１１に所定角度（例えば３０°）で入射した光の拡散反射光の輝度分布がその正反射角度を中心として広い範囲で略対称となるようになっている。具体的には、図６に示すように凹部２７の内面の傾斜角θｇは、例えば−１８°〜＋１８°の範囲に設定されている。また、隣接する凹部２７のピッチはランダムとなるように配置されており、凹部２７の配列に起因するモアレの発生を防止できるようになっている。
また、製造の容易性から凹部２７の直径は５μｍ〜１００μｍに設定されている。さらに、凹部２７の深さは０.１μｍ〜３μｍの範囲に形成されている。
なお、図４に示す画素電極１１の平面形状では図面の簡略化のために画素電極１１上の凹部２７を略しているが、画素電極１１は通常の液晶パネルでは縦１００〜２００μｍ程度、横幅３０〜９０μｍ程度の大きさであるので、先の凹部２７の画素電極１１に対する相対的な大きさの一例を図４の１つの画素上に鎖線で示しておく。
【００２９】
ここで、「凹部２７の深さ」とは凹部２７が形成されていない部分の画素電極１１の表面から凹部２７の底部までの距離をいい、「隣接する凹部２７のピッチ」とは平面視したときに円形形状を有する凹部２７の中心間距離をいう。また、「凹部２７の内面の傾斜角」とは、図６に示すように、凹部２７の内面の任意の箇所において０.５μｍ幅の微小な範囲をとったときに、その微小範囲内における斜面の水平面（基板本体６の表面）に対する角度θｇのことである。この角度θｇの正負は、凹部２７が形成されていない部分の画素電極１１の表面に立てた法線に対し、例えば図６における右側の斜面を正、左側の斜面を負と定義する。  そして、上述のように構成された基板本体６上には、更に画素電極１１及び絶縁層２０と窪部２２と凹部２７を覆うようにラビング等の所定の配向処理が施されたポリイミド等からなる下基板側配向膜２９が形成されている。この下基板側配向膜２９は、透過部３０上に形成する部分と、反射部３５上に形成する部分とで異なる配向処理が施されたもので、透過部３０の液晶層側の面に形成された透過部配向膜２９ａと、反射部３５の液晶層側の面に形成された反射部配向膜２９ｂとから構成されている。
【００３０】
一方、対向基板３はカラーフィルタアレイ基板として構成され、ガラスやプラスチック等からなる透光性の基板本体４１の液晶層５側の面に、図１に示すようなカラーフィルタ層４２が形成されている。
これら構成のカラーフィルタ層４２は、図７に例示するように、それぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の波長の光を透過するカラーフィルタ４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂが周期的に配列された構成とされており、各カラーフィルタ４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂは各画素電極１１に対向する位置に設けられている。
また、カラーフィルタ層４２において、カラーフィルタ４２Ｒ、４２Ｇ，４２Ｂが形成されていない領域には、ブラックマトリクス等の遮光層４２Ｓ、４２Ｔが格子状になるように形成されている。
【００３１】
そして、上述のカラーフィルタ層４２の液晶層側には、ＩＴＯ等の透明な対向電極（共通電極）４３と上基板側配向膜４４が形成されている。上基板側配向膜４４は、ラビング等の所定の配向処理が施されたポリイミド等からなるものである。
【００３２】
そして、上述のように構成された基板２、３は、スペーサ（図示略）によって互いに一定に離間された状態で保持されるとともに、図２に示すように基板周辺部に矩形枠状に塗布された熱硬化性のシール材４５によって接着一体化されている。そして、基板２、３及びシール材４５によって密閉された空間に液晶が封入されて光変調層としての液晶層５が形成され、液晶パネル１が構成されている。  なお、図２においては図面の簡略化のために、基板２の液晶側の種々の層と配線並びに基板３の液晶側の種々の層を略して記載し、配向膜２９、４４の位置関係のみを示した。
なお、基板本体４１の外面側には図１に示すように偏光板Ｈ１、位相差板Ｈ２、Ｈ３が必要に応じて設けられる。
【００３３】
本実施形態の半透過型液晶表示装置Ａでは、上記のように絶縁膜２０に凹部画素電極１１に形成した透孔２３の下に位置する絶縁膜２０に窪部２２を形成し、この窪部２２内にも液晶が導入されることにより、透過部３０上の液晶層５（透過表示領域の液晶層と呼ぶこともある。）の厚さｄ３は、反射部３５上の液晶層５（反射表示領域の液晶層と呼ぶこともある。）の厚さｄ４より大きい値とされており、好ましくは透過部３０上の液晶層５の厚さｄ３は、反射部３５上の液晶層５の厚さｄ４の２倍の値とされている。
【００３４】
上記のように透過部３０上の液晶層５の厚さｄ３と、反射部３５上の液晶層５の厚さｄ４は、異なる値であるので、透過部３０上に形成される透過部配向膜２９ａと反射部３５上に形成される反射部配向膜２９ｂは液晶層５の厚さに応じてプレティルト角が変更されている。本実施形態のように透過部３０上の液晶層５の厚さｄ３は反射部３５上の液晶層５の厚さｄ４より大きい値とされている場合、透過部３０上に形成される透過部配向膜２９ａとしては液晶との相互作用が弱い配向膜が形成され、反射部３５上に形成される反射部配向膜２９ｂとしては液晶との相互作用が強い配向膜が形成され、あるいは透過部配向膜２９ａとしてプレティルト角が大きい配向膜が形成され、反射部配向膜２９ｂとしてプレティルト角が小さい配向膜が形成されていてもよい。
最も単純な構成としては、例えば、“主鎖型”の配向膜では、ラビングのかかり具合が強いと液晶プレティルト角が小さくなるものがあり、この様な配向膜を用いると実現できる。
【００３５】
透過部配向膜２９ａと反射部配向膜２９ｂを備えた下基板側配向膜２９の形成方法としては、例えば、ポリイミドや、ポリアミド等の配向膜材料からなる膜にラビング処理して配向膜とし、ついでこの配向膜に選択的に光ビームを照射すると、光ビームが照射された部分の配向力は、ＵＶ光等の光ビームが照射されない部分の配向力と異ならせることができ、光ビームが照射された部分と非照射部とでプレティルト角が異なる配向膜を形成することが可能である。
また、光ビームとしてレーザー光なども利用可能である。即ち、配向膜材料は有機化合物であり、赤外域の光の吸収を有することから、光エネルギーを制御することにより、配向膜材料からなる膜を部分的に変性することができる。
予めラビング処理された配向膜は、ラビング布パイルによる剪断力によりミクロ的にラビング方向に延伸され、ミクロな結晶領域が配向しているので、レーザービームを選択的に照射することにより、このミクロ配向領域が熱運動で部分的に緩和され照射エネルギーの量に応じて配向力が変化する。
本実施形態では、例えば、透過部３０上の配向膜にエネルギーを制御したレーザービームを照射することにより、配向膜の配向規制力（又はプレティルト角）を調整している。そのレーザービームのエネルギーは、セルギャップが実質的に異なっている反射部上の液晶層（反射表示領域の上下の基板間）と透過部上の液晶層（透過表示領域の上下の基板間）とで、電気光学的しきい値等の電圧特性がが略同一になるように制御される必要がある。
【００３６】
図１０は、上下の配向膜共に同様の配向処理が施され、また、下側配向膜において反射部上の部分と透過部上の部分は同じ配向処理が施されたマルチギャップタイプの液晶パネル（試験片１）のセルギャップあるいは液晶層厚ｄに対する電気光学的閾値（Ｖ１０、Ｖ５０）の変化を模式的に示したものである。例えば、ノーマリホワイトモードでは、Ｖ１０は輝度が最高値から１０％低下するときの電圧値、Ｖ５０は輝度が最高値から５０％低下するときの電圧である。
図１０に示す結果からＶ１０、Ｖ５０は、セルギャップが大きくなるにつれて増加する傾向があることがわかる。
【００３７】
図１１は、下側配向膜において反射部上の部分と透過部上の部分は異なる配向処理が施されたマルチギャップタイプの液晶パネル（試験片２）の透過表示領域の液晶層（セルギャップが大きい部分）と反射表示領域の液晶層（セルギャップが小さい部分）のそれぞれにおいてプレティルト角θｐに対する電気光学的閾値（Ｖ１０、Ｖ５０）の変化を模式的に示したものである。
いずれのセルギャップにおいても、あるプレティルト角の範囲内では、プレティルト角がある大きさになるまでは低下する傾向がある。プレティルト角が同じ大きさの場合、電気光学的閾値はセルギャップが大きい程大きくなっている。
従って反射部３５上に設ける反射部配向膜はプレティルト角θrefを小さくなるようように形成すると閾値を上げることができ、透過部３０上に設ける透過部配向膜はプレティルト角θperを大きくなるように設定すると閾値を下げることができ、反射部３５と透過部３０とで電気光学的閾値を略同じ値に設定可能となる。
この閾値の変化と、光学的な条件設定とを併用することにより、反射表示領域と透過表示領域の電気光学的閾値を略同じにでき、反射及び透過モードでの表示視認性を向上できる。この様な効果は、駆動電圧に対する制約条件の多い単純マトリックス型の液晶表示モードでは特に有効である。
なお、上基板側配向膜４４、下基板側配向膜２９に用いられる材料としては、上記のような有機材料に限らず、無機配向膜であってもよく、その場合、下基板側配向膜２９を構成する透過部配向膜２９ａと反射部配向膜２９ｂは、液晶層５の厚さに応じてプレティルト角が変更されるか、あるいは液晶層５の厚さに応じて液晶との相互作用が異なるものが用いられる。
【００３８】
この実施形態のバックライト４は、図２に示すように、液晶パネル１の背面側に設けられ、平板状の透明なアクリル樹脂などからなる透明導光板５２と光源５３と拡散性反射体５５と保持部材５８とから概略構成されている。バックライト４において、光源５３は、導光板５２に光を導入する端面５２ａ側に配設されており、拡散性反射体５５は導光板５２の出射面（上面、一方の面）５２ｂ側と反対側の面（下面、他方の面）に空気層５６を介して設けられている。
導光板５２は、液晶パネル１の背面側に配置されて光源５３から出射された光を液晶パネル１側に照射するものである。図２に示すように光源５３から出射される光は端面５２ａを介して導光板５２の内部に導入され、導光板５２の出射面５２ｂから液晶パネル１側に出射されるようになっている。
また、導光板５２の出射面５２ｂと反対側の面５２ｃには段部を形成することで、光源５３から離れるにしたがって漸次厚みが減少するようにされており、すなわち光源５３に遠い側の方が光源５３に近い側よりも薄くされている。
【００３９】
光源５３は、長尺の冷陰極管５３ａと、この冷陰極管５３ａの周囲に設けられた反射板５３ｂから構成されている。拡散性反射体５５は、例えば先の液晶パネル１において適用されていた絶縁膜２０とその上に形成されていた複数の凹部２７と画素電極１１と同等の拡散反射構造が適用されている。
即ち、基板５９の上に有機膜６０が形成され、該有機膜６０の表面に微小凹部が複数形成され、その上に光反射性を有するＡｌやＡｇなどの金属製の反射膜６１が形成されてこの反射膜６１の表面に複数の微小凹部６１ｄが形成され、先に図５を基に説明した構造と同様に広い角度範囲で明るい拡散反射性能を発揮し得るものである。
このような構成のバックライト４であるならば、光源５３からの光を導光板５２によって液晶パネル１側に導いて液晶パネル１を裏面側から照明できるとともに、光の進行方向により、導光板５２の背面側からの漏れた光を反射膜６１で再度効率よく反射させて導光板５２側に反射し、導光板５２を介して液晶パネル１側に反射できるので、より明るいバックライト４を得ることができる。
【００４０】
以上説明のごとく構成されたバックライト４を備えた液晶パネル１は、明るい屋外や照明が施された明るい室内において使用する場合は、反射表示形態の液晶パネルとしてバックライト４を点灯することなく利用する。ここで液晶パネル１に入射された外光は基板３側の各層を通過して液晶層５を通過し、光拡散反射性の複数の画素電極１１（反射部３５）により反射され、再度液晶層５を通過して基板３側の各層を通過し、観察者の目に到達する。そして、この間に各画素領域毎の画素電極１１に薄膜トランジスタ１０から通電して画素電極１１上の液晶分子の配向制御を行い、各画素領域毎の表示状態を制御して表示を行うことができる。
また、暗い場所において透過表示形態で使用するには、バックライト４の光源５３を点灯し、光源５３から導光板５２の内部に導かれた光を出射面５２ｂから液晶パネル１側に出射する。ここでバックライト４から液晶パネル１側に出射された光は、窪部２２（透過部３０）を透過し、さらにこの窪部２２に対応して設けられている透孔１１ａを介して透過し、液晶層５を通過し、基板３側の各層を透過して観察者に至る。これにより透過表示状態を得ることができる。
【００４１】
先の反射表示状態で使用する場合、液晶パネル１に入射されて反射される外光は２度液晶層５を通過する。ここで画素電極１１が形成されている領域におけるΔｎ・ｄ（リタデーション）の値は２００〜２５０ｎｍの範囲に設定されているので、反射表示状態として好ましい範囲である。また、先の透過表示状態で使用する場合、バックライト４から液晶パネル１に入射されて観察者に至る光は液晶層５を１度のみ通過する。ここで絶縁膜に２０に窪部２２を形成した領域はΔｎ・ｄ（リタデーション）の値を４００〜４５０ｎｍの範囲に設定しているので、反射部と共通の光学条件の設定によって透過表示状態の表示も優れさせることができる。
よって本実施形態の構造を採用するならば、表示状態に応じて色みや色合いの異なる表示状態とはならず、しかも同一画素領域内で透過部３０上の液晶層と反射部３５上の液晶層の駆動電圧印加時の電圧依存性（光学的閾値、飽和電圧、急峻性等）を略同じに揃えることができるので、透過表示形態と反射表示形態とで表示の視認性が異なるのを改善できるという特徴を有する。
【００４２】
次に、本発明に係る半透過型液晶表示装置に適用される光反射性の画素電極に形成する凹部形状の第２の例について、図８〜図９を用いて説明する。
図８はこの例に係る画素電極上の一つの凹部を示す斜視図、図９は該凹部のｙ方向断面図である。
本変形例に係る凹部７０は、先の第１実施形態の液晶パネル１における画素電極１１の凹部２７の内面の球面形状を一部変形したものであり、画素電極１１に所定角度（例えば３０°）で入射した光の拡散反射光の輝度分布がその正反射角度を中心として非対称となるように構成されている。
具体的には、本凹部７０は曲率の小さい第１曲面と曲率の大きい第２曲面とから構成され、第１曲面及び第２曲面はそれぞれ図９に示すＹ方向断面において凹部７０の一方の周辺部Ｓ１から最深点Ｄに至る第１曲線Ａ１と、第１曲線Ａ１になだらかに連続して凹部７０の最深点Ｄから他方の周辺部Ｓ２に至る第２曲線Ｂ１とで示される形状を有している。
【００４３】
この最深点Ｄは凹部７０の中心Ｏからｙ方向側にずれた位置にあり、基板６の水平面に対する第１曲線Ａ１の傾斜角及び第２曲線Ｂ１の傾斜角の絶対値の平均値はそれぞれ１°〜８９°、０.５°〜８８°の各範囲で不規則にばらついて設定され、第１曲線Ａ１の傾斜角の平均値は第２曲線Ｂ１のものに比べて大きくなっている。また、最大傾斜角を示す第１曲線Ａ１の周辺部Ｓ１における傾斜角δａは凹部７０において概ね４°〜３５°の範囲内で不規則にばらついている。これにより、各凹部７０の深さｄは０.２５μｍ〜３μｍの範囲内で不規則にばらついて構成されている。
【００４４】
したがって、光反射性の画素電極に形成する凹部形状を図８〜図９に示した凹部７０にした半透過反射型液晶表示装置においても、第１の実施形態と同様の効果が得られる他、画素電極の凹部を構成する第１曲面と第２曲面とを最深点Ｄに関して非対称に構成し反射光に指向性を持たせているため、特定の観察方向の表示の明るさを更に高めて反射光を有効利用することができる。
【００４５】
図１２は本発明に係る先の実施形態の液晶表示装置を備えた携帯電話機器（電子機器）の一例を示すもので、この例の携帯電話機器Ｋは偏平型のケース体９０の上部正面側中央に形成した窓部９１から液晶表示装置Ａの液晶パネル１の表示面が露出するように液晶パネル１が設けられ、ケース体９０の下部表面側に操作ボタン９２が複数配列形成されている。
この構成の携帯電話機器は、明るい室内や屋外では反射表示形態で使用し、暗い室内や夜間ではバックライトを点灯して透過表示状態で使用することができる。また、先の実施形態の液晶表示装置Ａを備えているので、反射表示状態と透過表示状態で色合いや色味が異なることがなく、しかも透過表示形態と反射表示形態とで表示の視認性が異なるのを改善でき、いずれの表示状態でも表示品質の高い液晶表示が得られる。
【００４６】
図１３は本発明に係る先の実施形態の液晶表示装置を備えた携帯型情報端末機器（電子機器）の一例を示すもので、この例の携帯型情報端末機器Ｊは偏平型のケース体９５、９６が折り畳み自在にヒンジ結合され、一方のケース体９５に形成された窓部９７から液晶表示装置Ａの液晶パネル１の表示面が露出するように設けられ、他方のケース体９６にキーボードスイッチ９８が設けられて構成されてなる。
この構成の携帯型情報端末機器Ｊは、明るい室内や屋外では反射表示形態で使用し、暗い室内や夜間ではバックライトを点灯して透過表示状態で使用できる。また、先の実施形態の液晶表示装置Ａを備えているので、反射表示状態と透過表示状態で色合いや色味が異なることがなく、しかも透過表示形態と反射表示形態とで表示の視認性が異なるのを改善でき、いずれの表示状態でも表示品質の高い液晶表示が得られる。
【００４７】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
例えば、上記のＴＦＴ１０は逆スタガ型の構造に限定されず、正スタガ型のＴＦＴであってもよい。また、スイッチング素子はＴＦＴに限定されず、メタル層間に絶縁層を挟んでなるＭＩＭ（Metal Insulator Metal）構造の薄膜ダイオードであってもよい。このＭＩＭ構造の場合、対向基板側には短冊状の共通電極が複数形成されるので、共通電極は複数設けられる。
また、カラーフィルタ層４２の形成される基板は対向基板３側に限定されず、基板２側にカラーフィルタ層４２を設けてもよい。これに伴って、遮光層４２Ｓは基板２と対向基板３のいずれかに形成されることになる。勿論、カラーフィルタ４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂと遮光層４２Ｓとを別々の基板に設けてもよい。
さらに、上述の実施形態では遮光層４２Ｓをストライプ状に形成しているが、カラーフィルタ４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂの周囲を囲むように格子状に形成しても良い。更にまた、画素電極１１に形成する透孔２３の形状は、長方形状に限らず円形状や楕円状あるいはその他の形状でも差し支えなく、その大きさや個数も特に制限されるものではない。
【００４８】
上記実施形態においてはアクティブマトリクス方式の半透過型液晶表示装置において反射部上と透過部上とで液晶層の厚みが異なるデュアルギャップタイプの場合に本発明を適用した場合について説明したが、単純マトリクス方式の半透過型液晶表示装置において反射部上と透過部上とで液晶層の厚みが異なるデュアルギャップタイプの場合にも適用できる。
この単純マトリクス方式の半透過型液晶表示装置としては、対向配置された基板間に液晶が封入され、上記一方の基板の液晶層側の面に複数の透明電極が形成され、これら透明電極の液晶層側の面に配向膜が形成され、上記他方の基板の液晶層側に絶縁膜が形成され、該絶縁膜上に光反射性の電極が複数形成され、上記光反射性の電極の少なくとも一部に透孔が形成され、該透孔の下に位置する上記絶縁膜に窪部が形成され、上記窪部内に上記基板間に存在する液晶が導入され、上記窪部形成部分が上記他方の基板側からの入射光を透過する透過部とされ、上記光透過性の電極の非透孔部が上記一方の基板側からの入射光を反射する反射部とされ、上記透過部上の液晶層厚と上記反射部上の液晶層厚が異なる値とされ、  上記反射部及び透過部の液晶層側の面に配向膜が形成され、上記反射部の液晶層側の面に形成された配向膜と上記透過部の液晶層側の面に形成された配向膜は液晶層の厚さに応じてプレティルト角が変更された構成とすることができる。
【００４９】
単純マトリクス方式の液晶表示装置では、マルチプレクス駆動される為、駆動電圧を印加したときの透過部上の液晶層と上記反射部上の液晶層の閾値の差がより鋭敏に表示特性に表れ易いため、単純マトリクス方式の半透過型液晶表示装置においても液晶層の厚さ（セルギャップ）に応じて上記反射部の液晶層側の面に形成する配向膜と上記透過部の液晶層側の面に形成する配向膜のプレティルト角が変更することで、本発明の効果が大きい。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
アクティブマトリクス方式又は単純マトリクス方式の半透過型液晶表示装置において反射部上と透過部上とで液晶層の厚みが異なるデュアルギャップタイプに適用でき、また、このようような半透過型液晶表示装置を備えた携帯電話機器や携帯型情報端末機器等の電子機器に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】図１は本発明に係る液晶表示装置に適用される液晶パネルの第１実施形態の要部断面図。
【図２】図２は液晶パネルとバックライトを備えた本発明に係る液晶表示装置の第１実施形態の断面略図。
【図３】図３は同液晶パネルの薄膜トランジスタ部分と透明電極の配置構成の一例を示す平面略図。
【図４】図４は同液晶パネルの画素電極部分を示す平面略図である。
【図５】図５は同液晶パネルの画素電極部分に形成されている窪部の形状を示す斜視図。
【図６】図６は同液晶パネルの画素電極部分に形成されている窪部の断面形状を示す説明図。
【図７】図７は同液晶パネルに備えられるカラーフィルタの一例を示す説明図。
【図８】図８は同液晶パネルの画素電極部分に形成される凹部の第２の形状例を示す斜視図。
【図９】図９は図８に示す凹部の断面形状を示す説明図。
【図１０】図１０は、液晶パネルのセルギャップあるいは液晶層厚に対する電気光学的閾値の変化を模式的に示す図。
【図１１】図１１は、液晶パネルのセルギャップが大きい部分と小さい部分のそれぞれにおいてプレティルト角に対する電気光学的閾値の変化を模式的に示す図。
【図１２】図１２は本発明に係る液晶表示装置を備えた携帯電話装置の一例を示す斜視図。
【図１３】図１３は本発明に係る液晶表示装置を備えた携帯型情報端末機器の他の例を示す斜視図。
【図１４】図１４は従来の半透過型液晶表示装置の例を示す要部断面図。
【符号の説明】
【００５２】
Ａ・・・半透過型液晶表示装置、１・・・液晶パネル、２、３・・・基板、４・・・バックライト、５・・・液晶層、６・・・基板本体、７・・・走査線、８・・・信号線、１０・・・薄膜トランジスタ、１３・・・ゲート電極、１５・・・ゲート絶縁膜、１６・・・半導体層、１７・・・ソース電極、１８・・・ドレイン電極、１９・・・透明電極、２０・・・絶縁膜、２０ａ・・・被覆層、２１・・・コンタクトホール、２２・・・窪部、２２ｂ・・・底部、２３・・・透孔、２５・・・導電部、２６・・・凹部、２７・・・凹部、２９・・・下基板側配向膜、２９ａ・・・透過部配向膜、２９ｂ・・・反射部配向膜、３０・・・透過部、３５・・・反射部、４１・・・対向基板、４２・・・カラーフィルタ、４３・・・共通電極、４４・・・上基板側配向膜、４５・・・シール材（封止剤）、５２・・・導光板、５３・・・光源、ｄ３・・・透過表示領域の液晶層の厚さ、ｄ４・・・反射表示領域の液晶層の厚さ。
【図１】
2005062573.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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