(57)【要約】【課題】  高温時の耐熱性に優れ、防錆性およびハンダ広がり性に優れたプリント基板用の表面処理剤を提供する。【解決手段】  超強酸（Ａ）および窒素原子含有塩基性化合物（Ｂ）の塩を含有するプリント基板用表面処理剤；プリント基板の銅回路の表面に、該表面処理剤を塗布または浸漬処理した後、乾燥することを特徴とするプリント基板の表面処理方法；該表面処理剤で表面処理されたプリント基板；該表面処理されたプリント基板上に電子部品をハンダ付けして得られる、電子部品を担持したプリント基板；並びに、超強酸と窒素原子含有塩基性複素環式化合物からなる塩；であり、超強酸（Ａ）がプロトン酸とルイス酸との組み合わせからなる超強酸であることが好ましく、窒素原子含有塩基性化合物（Ｂ）が複素環式化合物であることが好ましい。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
超強酸（Ａ）および窒素原子含有塩基性化合物（Ｂ）の塩を含有するプリント基板用表面処理剤。
【請求項２】
超強酸（Ａ）がプロトン酸とルイス酸との組み合わせからなる超強酸である請求項１記載の表面処理剤。
【請求項３】
窒素原子含有塩基性化合物（Ｂ）が複素環式化合物である請求項１または２記載の表面処理剤。
【請求項４】
複素環式化合物が一般式（１）で示されるアミジン系化合物、イミダゾール系化合物、ベンゾイミダゾール系化合物およびベンゾトリアゾール系化合物からなる群から選ばれる１種以上である請求項１〜３のいずれか記載の表面処理剤。
【化１】
2005330582.tif 000005
[式中、ｍは２〜５の整数であり、Ｒ1は水素原子もしくは炭素数１〜８のアルキル基、Ｒ2は炭素数１〜８のアルキル基であるか、またはＲ1とＲ2が結合して２〜１１個のメチレン基を有する環を形成していてもよく、いずれの環も各メチレン基は炭素数１〜１２のアルキル基および炭素数２〜１２のジアルキルアミノ基から選ばれる１種以上の置換基を有していてもよい。]
【請求項５】
プリント基板の銅回路の表面処理用である請求項１〜４のいずれか記載の表面処理剤。
【請求項６】
さらに稀釈剤および／または他の添加剤を含有してなる請求項１〜４のいずれか記載のプリント基板用表面処理剤。
【請求項７】
プリント基板の銅回路の表面に、請求項１〜６のいずれか記載の表面処理剤を塗布または浸漬処理した後、乾燥することを特徴とするプリント基板の表面処理方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか記載の表面処理剤で表面処理されたプリント基板。
【請求項９】
請求項８記載の表面処理されたプリント基板上に電子部品をハンダ付けして得られる、電子部品を実装したプリント基板。
【請求項１０】
超強酸（Ａ）と窒素原子含有塩基性複素環式化合物からなる塩。
【請求項１１】
窒素原子含有塩基性複素環式化合物が、一般式（１）で示されるアミジン系化合物、イミダゾール系化合物、ベンゾイミダゾール系化合物およびベンゾトリアゾール系化合物からなる群から選ばれる１種以上である請求項１０記載の塩。
【化２】
2005330582.tif 000006
[式中、ｍは２〜５の整数であり、Ｒ1は水素原子もしくは炭素数１〜８のアルキル基、Ｒ2は炭素数１〜８のアルキル基であるか、またはＲ1とＲ2が結合して２〜１１個のメチレン基を有する環を形成していてもよく、いずれの環も各メチレン基は炭素数１〜１２のアルキル基および炭素数２〜１２のジアルキルアミノ基から選ばれる１種以上の置換基を有していてもよい。]
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプリント基板用表面処理剤、および該処理剤に使用される超強酸（Ａ）と窒素原子含有塩基性複素環式化合物からなる塩に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板の表面は、電子部品を接続するため、銅や銅合金のメッキや金属箔を接着するなどの方法で回路が形成されている。この金属回路は、その表面が酸化されてはんだ付け性が低下しやすいため、種々の表面処理方法が行なわれている。
前記表面処理方法としては、作業環境の安全性等の観点から、水性のアルキルイミダゾール表面処理剤で処理する方法が例示されている（例えば、特許文献−１参照）。
【特許文献−１】特開平４−７２０７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、従来のアルキルイミダゾール系表面処理剤は、比較的共晶温度の低い鉛入りはんだには使用できるが、毒性の高い鉛を使用しない鉛フリーハンダは共晶温度が２５０℃以上と高いため、高温でのはんだ付けをする必要がある。
しかし、アルキルイミダゾール系表面処理剤は高温時の耐熱性が不足なため、防錆性およびハンダ広がり性が不足し、特にプリント基板の両面に電子部品を実装する場合、裏面の２度目のはんだ接続には効果を発揮しにくいという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、超強酸（Ａ）および窒素原子含有塩基性化合物（Ｂ）の塩を含有するプリント基板用表面処理剤；プリント基板の銅回路の表面に、該表面処理剤を塗布または浸漬処理した後、乾燥することを特徴とするプリント基板の表面処理方法；該表面処理剤で表面処理されたプリント基板；該表面処理されたプリント基板上に電子部品をハンダ付けして得られる、電子部品を担持したプリント基板；並びに、超強酸と窒素原子含有塩基性複素環式化合物からなる塩；である。
【発明の効果】
【０００５】
本発明のプリント基板表面処理剤は、耐熱性に優れ、かつ、優れた防錆性とはんだ広がり性を付与することができるので、はんだ接続性に優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
本発明における超強酸（Ａ）は、１００％硫酸より強い酸強度を有する酸（「超強酸・超強塩基」田部浩三、野依良治著、講談社サイエンティフィック刊、ｐ１参照）であり、Ｈａｍｍｅｔｔの酸度関数（Ｈ0）が１００％硫酸の−１１．９３未満のものである。超強酸の組成としてはプロトン酸、およびプロトン酸／ルイス酸の組み合わせからなる酸が挙げられる。
プロトン酸の具体例としては、トリフルオロメタンスルホン酸（以下、ＴＦＭＳと略記）（Ｈ0＝−１４．１０）、ペンタフルオロエタンスルホン酸（Ｈ0＝−１４．００）などが挙げられる。
プロトン酸／ルイス酸の組み合わせに用いられるプロトン酸としては、ハロゲン化水素（フッ化水素、塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素など）が挙げられ、ルイス酸としては三フッ化硼素、五フッ化リン、五フッ化アンチモン、五フッ化砒素、五フッ化タウリンなどが挙げられる。プロトン酸／ルイス酸の組み合わせは任意であるが、組み合わせて得られる超強酸の具体例としては、四フッ化硼素酸、六フッ化リン酸、塩化フッ化硼素酸、六フッ化アンチモン酸、六フッ化砒酸、六フッ化タウリンなどが挙げられる。
超強酸のうち、本発明の電子回路保護組成物の耐熱性およびハンダ接着性の観点から、好ましいのは、Ｈａｍｍｅｔｔの酸度関数（Ｈ0）が−１２．００以下のもの、例えばＴＦＭＳ、ペンタフルオロエタンスルホン酸、四フッ化硼素酸、六フッ化リン、塩化フッ化硼素酸、六フッ化アンチモン、六フッ化砒素、および六フッ化タウリンなど、さらに好ましいのは、ＴＦＭＳ、四フッ化硼素酸および六フッ化リン酸、特に好ましいのは四フッ化硼素酸である。
【０００７】
本発明における窒素原子含有塩基性化合物（Ｂ）としては脂肪族アミン（Ｂ１）、脂環式アミン（Ｂ２）、芳香族アミン（Ｂ３）、複素環式化合物（Ｂ４）、及びそれらの４級アンモニウムカチオン（Ｂ５）などが挙げられる。
【０００８】
脂肪族アミン（Ｂ１）としては、炭素数１〜６０の直鎖又は分岐のアルキル基を有する１〜３級のアルキルアミン（具体的にはメチルアミン、オクチルアミンおよびイソデシルアミンなどの１級アルキルアミン、ジメチルアミンおよびメチルステアリルアミンなどの２級アルキルアミン、並びにトリメチルアミンおよびトリオクチルアミンなどの３級アルキルアミン）および炭素数１〜６０の１〜３級のアルカノールアミン（モノエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジメチルエタノールアミン、ジエチルエタノールアミンおよびイソプロピルエタノールアミンなど）が挙げられる。
【０００９】
脂環式アミン（Ｂ２）としては、炭素数５または６の脂環式アルキル基を有する１〜３級のアミン、具体的にはシクロペンチルアミンおよびシクロヘキシルアミンなどの１級アミン、シクロペンチルメチルアミンおよびシクロヘキシルメチルアミンなどの２級アミン、並びにシクロペンチルジメチルアミンおよびシクロヘキシルジメチルアミンなどの３級アミンが挙げられる。
【００１０】
芳香族アミン（Ｂ３）としては、低分子量芳香族アミン（Ｂ３ａ）および高分子量（数平均分子量１，０００〜１，０００，０００）芳香族アミン（Ｂ３ｂ）が挙げられる。
（Ｂ３ａ）としては炭素数６〜６０の１〜３級の芳香環含有アミン、具体的にはアニリンなどの１級アミン、N-メチルアニリンなどの２級アミン、並びにＮ,Ｎ−ジメチルアニリンおよびＮ，N−ジステアリルアニリンなどの３級アミンが挙げられる。
（Ｂ３ｂ）としては、ポリアニリン及びポリジアミノアントラキノン等が挙げられる。
【００１１】
複素環式化合物（Ｂ４）としては以下の化合物が挙げられる。
（Ｂ４ａ）窒素原子数１で炭素−炭素間の２重結合を有しない化合物：
具体的にはピロリジジン、アゼチジンおよびピロリジンなどが挙げられる。
（Ｂ４ｂ）窒素原子数１で炭素−炭素間の２重結合を１個以上有する化合物：
具体的にはピロール、インドリンおよびベンゾキノリンなどが挙げられる。
（Ｂ４ｃ）窒素原子数２で炭素−炭素間の２重結合を有しない化合物：
具体的には、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７（以下、ＤＢＵと略記）、１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］ノネン−５，６−ジブチルアミノ−１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７などの下記一般式（１）で表されるアミジン系化合物、ピラゾリジン、並びにピペラジンなどが挙げられる。
【００１２】
【化３】
2005330582.tif 000002
【００１３】
式中、ｍは２〜５の整数であり、Ｒ1は水素原子もしくは炭素数１〜８のアルキル基、Ｒ2は炭素数１〜８のアルキル基であるか、またはＲ1とＲ2が結合して２〜１１個のメチレン基を有する環を形成していてもよく、いずれの環も各メチレン基は置換基として炭素数１〜１２のアルキル基および炭素数２〜１２のジアルキルアミノ基から選ばれる１種以上の置換基を有していてもよい。
（Ｂ４ｄ）窒素原子数２で炭素−炭素間の２重結合を１個以上有する化合物：
イミダゾール系化合物（具体的にはイミダゾール、２−メチルイミダゾールおよび４−ブチルイミダゾールなど）、ベンゾイミダゾール系化合物（具体的にはベンゾイミダゾール、２−ブチルベンゾイミダゾールおよび４−ステアリルベンゾイミダゾールなど）並びに２，２'−ビピリジルなどが挙げられる。
（Ｂ４ｅ）窒素原子数３以上で炭素−炭素間の２重結合を有しない化合物：
具体的にはトリアゾジリン、ヘキサメチレンテトラミンおよび１，４，８，１１−テトラアザシクロテトラデカン等が挙げられる。
（Ｂ４ｆ）窒素原子数３以上で炭素−炭素間の２重結合を１個以上有する化合物：
ベンゾトリアゾール系化合物［具体的にはベンゾトリアゾール、４ブチルベンゾトリアゾールおよび４（ｐ−クロロフェニル）ベンゾトリアゾールなど］、プリンおよびアデニンなどが挙げられる。
【００１４】
（Ｂ５）上記（Ｂ１）〜（Ｂ４）のうち３級アミノ基を有する化合物の４級アンモニウムカチオン：
具体的にはトリメチルステアリルアンモニウムカチオン、メチルピリジニウムカチオン等が挙げられる。
【００１５】
これらの窒素原子含有塩基性化合物のうち、好ましいのは複素環式化合物（Ｂ４）であり、さらに好ましいのは２個以上の窒素原子を有する複素環式化合物［（Ｂ４ｃ）、（Ｂ４ｄ）、（Ｂ４ｅ）および（Ｂ４ｆ）］であり、特に好ましいのはイミダゾール系化合物、ベンゾイミダゾール系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物および一般式（１）で表されるアミジン化合物であり、とりわけ好ましいのは２−メチルイミダゾール、２−ブチルベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾールおよびＤＢＵである。
【００１６】
本発明における表面処理剤は、予め（Ａ）と（Ｂ）からなる塩を作製しておき、該塩と、さらに必要により希釈剤および／または他の添加剤を混合して表面処理剤を製造する方法（方法−１）、または、（Ａ）と（Ｂ）、さらに必要により希釈剤および／または他の添加剤を同時に混合して（Ａ）と（Ｂ）の塩形成と同時に表面処理剤を製造する方法（方法−２）のいずれでも製造できる。好ましいのは（方法−２）である。
【００１７】
本発明の表面処理剤は、（Ａ）と（Ｂ）の塩以外に、（Ａ）または（Ｂ）を過剰当量使用して過剰になった（Ａ）または（Ｂ）を含んでいてもよい。
本発明の表面処理剤の製造における（Ａ）と（Ｂ）との重量比（Ａ）／（Ｂ）は好ましくは１．５〜０．０５、さらに好ましくは１．１〜０．１である。（Ａ）／（Ｂ）が１．５以下であれば金属の防食性がさらに良好となる傾向にあり、０．０５以上であればはんだの耐熱性がさらに良好となる傾向にある。
【００１８】
本発明の表面処理剤の重量に基づく（Ａ）と（Ｂ）の塩の含有量は、通常０．１〜９５％（以下において、特に限定しない限り％は重量％を表す）、好ましくは０．１〜５０％、さらに好ましくは０．２〜２０％である。
【００１９】
上記の（方法−１）における塩の製造には、中和を均一に進行させる目的と、中和発熱の制御のために必要により希釈剤を使用することができる。希釈剤としては、通常は水が使用できる。
また上記表面処理剤に配合される希釈剤としても通常は水が使用できる。
表面処理剤中の水の含有量は、表面処理剤の重量に基づいて好ましくは５〜９５％、さらに好ましくは３０〜９０％である。
【００２０】
本発明の表面処理剤は、必要により、他の添加剤として、銅及び銅合金との錯体被膜形成助剤（Ｃ）、ＰＨ調整剤（Ｄ）および粘度調整用溶剤（Ｅ）等を含有することができる。
【００２１】
（Ｃ）としては銅化合物（ギ酸銅、塩化第一銅、塩化第二銅、シュウ酸銅、酢酸銅、水酸化銅、酸化銅、酸化第一銅、酸化第二銅、炭酸銅、リン酸銅、硫酸銅、ヨウ化銅、臭化第一銅、臭化第二銅など）、マンガン化合物（ギ酸マンガン、塩化マンガン、シュウ酸マンガン、硫酸マンガンなど）、亜鉛化合物（酢酸亜鉛、酢酸鉛、水素化亜鉛など）、および鉄化合物（塩化第一鉄、塩化第二鉄、酸化第一鉄、酸化第二鉄など）等の金属化合物が挙げられ、これらを１種又は２種以上用いることが出来る。
（Ｃ）の含有量は、表面処理剤の重量に基づいて、通常０〜１０％、好ましくは０．０５〜５％である。
【００２２】
本発明の表面処理剤のｐＨは通常３．５〜７．０、好ましくは４．０〜６．０であり、必要により（Ｄ）を添加してｐＨ調整することができる。ｐＨが４．０〜６．０であればハンダ接続性の点で好ましい。
（Ｄ）のうち塩基性成分としてはアンモニアおよびアルカリ金属水酸化物（水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等）が挙げられる。酸成分としては炭素数１〜３２のカルボン酸（ギ酸、酢酸、プロピオン酸、吉草酸、カプロン酸、ブタン酸、イソブタン酸、イソバレリル酸、、ベンゼンカルボン酸、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル安息香酸、シクロヘキサンカルボン酸、、シクロペンチル酢酸など）、（Ａ）以外の無機酸（塩酸、リン酸、ホウ酸、希硫酸など）が挙げられ、これらを１種又は２種以上用いることができる。またこれら化合物の塩（例えば酢酸アンモニウムなど）をあらかじめ作製しておき添加してもよい。
（Ｄ）の含有量は、表面処理剤の重量に基づいて、（Ｄ）は通常０〜４０％、好ましくは５〜３５％である。
【００２３】
本発明の表面処理剤の２５℃での粘度は通常１〜３００ｍＰ・ｓ、好ましくは１〜５０ｍＰ・ｓであり、必要により（Ｅ）を添加して粘度を調整することができる。粘度が１〜３００ｍＰ・ｓあれば、作業性の観点で好ましい。粘度の測定法はＢ型粘度測定器を使用して測定できる。
【００２４】
（Ｅ）としては有機溶剤が挙げられ、有機溶剤としては、炭素数１〜１８のアルコール（例えば、メタノール、イソプロピルアルコール及びブタノール等）、炭素数３〜１８のケトン（例えば、アセトン、メチルエチルケトン及びイソブチルメチルケトン等）および炭素数３〜３６のカルボン酸アルキルエステル（酢酸エチル、酢酸ブチル及びプロピオン酸メチル等）などの親水性有機溶剤、炭素数４〜３０の脂肪族炭化水素（例えば、ヘキサン、オクタン及びパラフィン油等）、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素（例えば、ベンゼン、トルエン及びキシレン等）、炭素数４〜１８のエーテル（ジエチルエーテル、ジブチルエーテル及びテトラハイドロフラン等）および炭素数１〜１２のハロゲン化炭化水素（例えば、クロロホルム、メチレンジクロライド及びエチレンジクロライド等）などの疎水性有機溶剤及びこれらの混合物が挙げられる。
（Ｅ）のうち好ましいのは親水性有機溶剤である。（Ｅ）の含有量は、表面処理剤の重量に基づいて、（Ｅ）は通常０〜１０％、好ましくは０〜５％である。
【００２５】
（Ｃ）〜（Ｅ）の合計の含有量は、表面処理剤の重量に基づいて、通常０〜６５％、好ましくは５〜４５％である。
【００２６】
本発明の表面処理剤における塩、過剰の（Ａ）、過剰の（Ｂ）、（Ｃ）〜（Ｅ）および水の含有量（重量）比率の好ましい範囲は、塩／過剰の（Ａ）／過剰の（Ｂ）／（Ｃ）／（Ｄ）／（Ｅ）／水 ＝ ０．１〜５／０〜２．５／０〜１０／０．１〜５／０．０５〜０．５／２０〜４０／５０〜７５、特に０．２〜３／０〜２／０〜５／０．２〜３／０．０５〜０．３／２５〜４０／５５〜７０である。
【００２７】
本発明の表面処理方法は、プリント基板の銅回路の表面に、本発明の表面処理剤を塗布または漬漬処理した後、乾燥することを特徴とするプリント基板の表面処理方法である。
使用できるプリント基板は、従来から公知のあらゆるプリント基板であり、例えば、厚膜基板、薄膜基板、片面プリント配線板、両面プリント配線板、メッキスルーホール法又はビルドアップ法を用いた多層プリント回路基板、フレキシブルプリント回路基板、ＬＳＩのパッケージ基板、ＭＣＭ基板等であり、特に予めソルダーレジストなどのはんだ付け不要な部分を被覆したプリント基板が適している。
表面処理剤の塗布は、刷毛塗り、ローラー塗り又は噴霧などの塗布方法が挙げられる。
浸漬はプリント基板を表面処理剤に０〜１００℃で数秒から数十分、好ましくは１０〜５０℃で５秒〜１時間、好ましくは１０秒〜１０分間を浸漬することで行われる。
その後の乾燥工程は３０〜２００℃で、１〜２０分間、乾燥機中で行われる。塗膜の乾燥後の膜厚は、通常０．０１〜１０μｍ、好ましくは０．０１〜５μｍである。
【００２８】
本発明のプリント基板は、上記方法で表面処理されたプリント基板であり、塗膜の乾燥後の膜厚は、通常０．０１〜１０μｍ、好ましくは０．０１〜５μｍである。
【００２９】
本発明の電子部品を実装したプリント基板は、上記の表面処理されたプリント基板に、さらに電子部品をはんだ付けして得られるものであり、電子部品としては集積回路素子、
コンデンサー、抵抗器およびダイオード等が挙げられる。
また、これらの電子部品を実装したプリント基板は、ノートパソコン、携帯電話又はＰＨＳ等の携帯電子機器、デスクトップパソコン又は液晶ディスプレイ等用の高密度実装プリント回路基板に適用することができる。
【００３０】
本発明の他の実施態様における、超強酸（Ａ）と窒素原子含有塩基性複素環式化合物からなる塩は、上記（Ａ）と（Ｂ４）からなる塩である。
これらの塩のうち、（Ｂ４）が、下記一般式（１）で示されるアミジン系化合物、イミダゾール系化合物、ベンゾイミダゾール系化合物およびベンゾトリアゾール系化合物からなる群から選ばれる１種以上である塩、特に（Ａ）とＤＢＵの塩が好ましい。
【００３１】
【化４】
2005330582.tif 000003
【００３２】
式中、ｍは２〜５の整数であり、Ｒ1は水素原子もしくは炭素数１〜８のアルキル基、Ｒ2は炭素数１〜８のアルキル基であるか、またはＲ1とＲ2が結合して２〜１１個のメチレン基を有する環を形成していてもよく、いずれの環も各メチレン基は炭素数１〜１２のアルキル基および炭素数２〜１２のジアルキルアミノ基から選ばれる１種以上の置換基を有していてもよい。
【００３３】
本発明の塩の用途としては、例えば、湿潤剤、浸透剤、起泡剤、消泡剤、乳化剤、分散剤、可溶化剤、洗浄剤、平滑剤、帯電防止剤、潤滑剤、防錆剤、均染剤、染料固着剤、疎水化剤、抗菌剤、殺菌剤、防腐剤、防蟻剤または凝集剤等に使用することができる。
これらのうちで、耐熱性の観点から、好ましい用途は帯電防止剤、防錆剤および抗菌剤であり、さらに金属（例えば、銅等）界面への吸着力が高いことから、特に好ましいのは防錆剤である。防錆剤の対象となる金属としては、鋼鉄、鋳鉄等の鉄、および銅、黄銅、アルミニウム、亜鉛、ハンダ、マグネシウム等の非鉄金属が挙げられる。
【００３４】
＜実施例＞
以下に実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。部はいずれも重量部を表す。
【００３５】
＜プリント基板用表面処理剤の調製＞
実施例１〜３および比較例１
表１に記載の部数の成分を２００ｍｌガラスビーカーに秤取り、ガラス棒で全体が均一透明になるまで攪拌し、表面処理剤１００部を得た。
【００３６】
＜はんだ広がり性および防錆試験＞
実施例１〜３、比較例１のプリント基板用表面処理剤に、銅テストピース（ＪＩＳ，Ｈ，３１００（Ｃ１１００Ｐ）、１．２cm×７．６cm、厚み２．０mm）を４０℃で５分間浸漬し、引き上げた後、ヘヤドライヤーで乾かしたものを試験片とした。
各試験片に長さ４ｍｍ、直径１．０ｍｍのハンダ（太洋電機産業社製  ＳＤ−４８）を置き、バッチ式強制対流リフロー炉 ＬＸＲ−３０５（太洋電機産業社製）に通しハンダの広がった長さを測定した。同時に試験片での錆の発現程度を目視観察した。
本試験を同一の試験片の別の箇所で２回繰り返し行い同様にハンダの広がりと発錆程度を目視観察した。
エアーリフロー条件：温度 ２７０℃
時間 ６０秒
防錆評価基準    ○：錆の発現及び変色なし
△：やや黄色みを帯びた変色
×：変色著しい（赤）
【００３７】
【表１】
2005330582.tif 000004
【００３８】
以下に、超強酸（Ａ）と窒素原子含有塩基性複素環式化合物からなる塩の実施例を挙げる。
実施例４
トリフルオロメタンスルホン酸とＤＢＵとの塩の合成：
１００ｍｌのビーカーに、ＤＢＵを１５．２ｇ（０．１モル）仕込み、周囲を氷で充分に冷却し系内の温度が４０℃を超えないように撹拌しながら、トリフルオロメタンスルホン酸１５．０ｇ（０．１モル）を２時間かけて徐々に投入した。
得られた粘ちょう液状の生成物は、ＩＲ［ＦＴＩＲ−８４００（島津製作所製）を使用］およびＨ1−ＮＭＲから、トリフルオロメタンスルホン酸とＤＢＵの塩であることがわかった。図１にＩＲチャート、図２にＨ1−ＮＭＲチャートを示す。
ＩＲ（ＡＴＲ法）チャートの主な吸収ピークは以下の通りである。
ｃｍー3：３２７７（ｍ）、３１３０（ｍ）、２９３０（ｍ）、１６４７（ｓ）、１５９１（ｍ）、１４４８（ｍ）、１３２５（ｍ）、１２５７（ｓ）、１２４０（ｓ）、１２２１（ｓ）、１２０７（ｓ）、１１４８（ｓ）、１１０５（ｍ）、１０２６（ｓ）、９９７（ｗ）、９８４（ｗ）、７５６（ｗ）、６９０（ｗ）
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、３００ＭＨz）チャートの主な吸収ピークは以下の通りである。
δ：１．５３−１．８５（ｍ、６Ｈ）、２．０１（ｍ、２Ｈ）、２．６３（ｔ、２Ｈ）、３．３２（ｍ、２Ｈ）、３．４４−３．６６（ｍ、４Ｈ）
【００３９】
実施例５
四フッ化硼素酸とＤＢＵとの塩の合成：
１００ｍｌのビーカーに、ＤＢＵを１５．２ｇ（０．１モル）仕込み、周囲を氷で充分に冷却し系内の温度が４０℃を超えないように撹拌しながら、四フッ化硼素酸の４２％水溶液２０．９５ｇ（０．１モル）を２時間かけて徐々に投入した。
得られた液状の生成物を５０℃以下の減圧乾燥機で水分を除去して乾燥し、固形の生成物を得た。ＩＲおよびＨ1−ＮＭＲから、四フッ化硼素酸とＤＢＵの塩であることがわかった。融点は８０〜８２℃であった。図３にＩＲチャート、図４にＨ1−ＮＭＲチャートを示す。
ＩＲ（ＡＴＲ法）チャートの主な吸収ピークは以下の通りである。
ｃｍー3：３３６０（ｍ）、２９３６（ｗ）、１６５１（Ｓ）、１５８５（ｍ）、１４７４（ｗ）、１４５２（ｗ）、１４３７（ｗ）、１３６５（ｗ）、１３２５（ｗ）、１２１１（ｗ）、１１１５（ｓ）、１００７（ｓ）、９１６（ｗ）、８４１（ｗ）、７６６（ｗ）、６６４（ｗ）
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、３００ＭＨz）チャートの主な吸収ピークは以下の通りである。
δ：１．５８−１．８４（ｍ、６Ｈ）、１．９８（ｍ、２Ｈ）、２．６７（ｔ、２Ｈ）、３．３８（ｍ、２Ｈ）、３．４７−３．６４（ｍ、４Ｈ）
なお、比較チャートとして、図５にＤＢＵの1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、３００ＭＨz）チャートを示す。ＤＢＵの1Ｈ−ＮＭＲチャートの主な吸収ピークは以下の通りである。
δ：１．４２−１．６８（ｍ、６Ｈ）、１．７８（ｍ、２Ｈ）、２．３１（ｔ、２Ｈ）、３．０６−３．３０（ｍ、６Ｈ）
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明の表面処理剤でプリント基板を処理することで、高いはんだ広がり性と防錆性を付与することができる。このため、本発明のプリント基板は、電子回路の保護により高度の信頼性が要求されるパソコン、携帯電話、医療機器等の電気機器への適用に極めて有用である。また、本発明の塩は、上記の表面処理剤の他に、湿潤剤、浸透剤、起泡剤、消泡剤、乳化剤、分散剤、可溶化剤、洗浄剤、平滑剤、帯電防止剤、潤滑剤、防錆剤、均染剤、染料固着剤、疎水化剤、抗菌剤、殺菌剤、防腐剤、防蟻剤および凝集剤等に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】トリフルオロメタンスルホン酸とＤＢＵの塩のＩＲチャートである。
【図２】トリフルオロメタンスルホン酸とＤＢＵの塩のＨ1−ＮＭＲチャートである。
【図３】四フッ化硼素酸とＤＢＵの塩のＩＲチャートである。
【図４】四フッ化硼素酸とＤＢＵの塩のＨ1−ＮＭＲチャートである。
【図５】ＤＢＵのＨ1−ＮＭＲチャートである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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