(57)【要約】【課題】  性能の悪化を招来することなく周波数調整が可能で、信頼性が高い圧電デバイスの製造方法と、このような製造方法に適した弾性表面波チップを提供すること。【解決手段】  パッケージ４０に対して、接着剤４６を用いて圧電素子を固定するようにした圧電デバイスの製造方法であって、前記圧電素子３１を前記パッケージに固定した後で、前記圧電素子に対してプラズマＰを照射して周波数を調整する工程を含んでおり、前記周波数調整工程において、前記圧電素子の周囲にマスクを配置することにより、前記圧電素子の外縁を超えた領域を、前記プラズマに対して遮蔽する。【選択図】  図７
2005354507.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージに対して、接着剤を用いて圧電素子を固定するようにした圧電デバイスの製造方法であって、
前記圧電素子を前記パッケージに固定した後で、前記圧電素子に対してプラズマを照射して周波数を調整する工程を含んでおり、
前記周波数調整工程において、前記圧電素子の周囲にマスクを配置することにより、前記圧電素子の外縁を超えた領域を、前記プラズマに対して遮蔽するようにした
ことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記圧電素子が、圧電基板の能動面に櫛歯型電極を形成した弾性表面波チップであり、この弾性表面波チップの櫛歯型電極の外側であって、前記固定に際して接着剤が配置される領域に対応した領域に、遮蔽用のパターンを配置したことを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記遮蔽用のパターンが導電パターンであり、この導電パターンが前記櫛歯型電極と一体に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項４】
パッケージに対して、接着剤を用いて圧電素子を固定するようにした圧電デバイスの製造方法であって、
前記圧電素子を前記パッケージに固定した後で、前記圧電素子に対してプラズマを照射して周波数を調整する工程を含んでおり、
前記圧電素子の固定を行う工程において、前記接着剤を前記圧電素子の外縁から露出しないように配置する
ことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記パッケージの内側底面に、前記圧電素子の外縁から露出しない範囲で、凹部を形成して、前記接着剤を前記凹部に収容することを特徴とする請求項４に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記パッケージの内側底面に、前記圧電素子の外縁から露出しない範囲で、突条を形成して、前記接着剤を前記突条の内側に収容することを特徴とする請求項４に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項７】
圧電基板の能動面に櫛歯型電極を形成した圧電素子であって、
前記圧電基板の前記櫛歯型電極の外側にプラズマ遮蔽用のパターンを形成したことを特徴とする弾性表面波チップ。
【請求項８】
前記遮蔽用のパターンが導電パターンであり、この導電パターンが、前記基板の弾性表面波の伝搬方向と交叉する方向に関して前記櫛歯型電極と隣接して配置されていることを特徴とする請求項７に記載の弾性表面波チップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気信号と弾性表面波との間の変換を行う櫛歯型電極を有する弾性表面波装置とその製造方法の改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やテレビ受像機等の電子部品や通信部品において、圧電デバイスが多く使用されており、例えば、共振子や帯域フィルタ等として圧電基板を利用した圧電デバイスのひとつである弾性表面波装置（以下、「ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）デバイスという」）が使用されている。
【０００３】
このＳＡＷデバイスは、箱状のパッケージの内側に、圧電素子としての弾性表面波チップを収容し、必要な配線の接続を行った後で、パッケージ内部に、例えば、窒素を封入して蓋体で気密に封止した構成である。
この場合、弾性表面波チップは、パッケージに対して、シリコン樹脂などの接着剤を用いて固定する手法が多く採用されている（特許文献１参照）。
【０００４】
図１０は、このような固定方法で製造されるＳＡＷデバイスの構成を簡単に図示したものであり、ＳＡＷデバイスの概略平面図である。
図において、ＳＡＷデバイス１の弾性表面波チップ３は、水晶などの圧電材料で形成した基板４の一面に、櫛歯型電極（ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ））５，５が形成されている。ここで、ＩＤＴ５は、基板４の表面に、アルミニウム等の導体金属により形成されている。
【０００５】
ＩＤＴ５は、櫛歯状とされた複数の電極指が所定のピッチで並設されて長手方向の各端部が交互に短絡されるように形成されている。即ち、２つの櫛形状の電極の各櫛歯部分が、その先端側を向かい合わせて、所定距離隔てて互い違いに入り込むように形成されている。
このＩＤＴ５は、電気的に接続されている電極端子を介して電気信号と弾性表面波（ＳＡＷ）との間の変換を行う機能を有する。
【０００６】
このような構成でなる弾性表面波チップ３のＩＤＴ５が形成されている面と反対の他の面の中央付近は、例えば接着剤６により、パッケージ２の内側底面に対して固着されている。
パッケージ２の開口周辺には、上向き段部７が形成されており、パッケージ２の底面に形成された電極端子と接続された電極部が設けられている。
【０００７】
これに対して、弾性表面波チップ３の能動面には、ＩＤＴ５と接続された端子部が設けられており、この端子部とパッケージ２側の上記電極部とは、図示しないボンディングワイヤによりワイヤボンディングされている。この状態で図示しない蓋体によりパッケージ２を気密に封止している。
したがって、パッケージ２の底面の電極端子を実装基板（図示せず）などに実装することにより、電気信号が、弾性表面波チップ３の一方のＩＤＴ５に入力されると、圧電効果により弾性表面波に変換される。この弾性表面波は、基板４の表面をＩＤＴ５の電極指の長手方向に対して直交方向（図１０のＸ方向）に伝搬され、共振周波数付近の周波数（動作周波数）の電気信号に変換されて他方のＩＤＴ５から端子部を介して出力される。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−１６４７６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上述したＳＡＷデバイスの製造工程では、蓋体による封止前に個々に周波数調整が行われる。
図１１は、このような周波数調整の様子を簡単に示す説明図であり、パッケージ２に対して、蓋体を固定する前に上方からプラズマＰを照射し、弾性表面波チップ３の基板表面をドライエッチングすることにより、周波数を調整するものである。
【００１０】
ここで、図１０に示したように、弾性表面波チップ３がパッケージ２に固定される際に、接着剤６が弾性表面波チップ３の外縁を超えて露出していると、図１１に示すように、周波数調整の際に、プラズマＰが、基板表面だけでなく、符号Ｐ１で示すように、接着剤６にも当たってしまう。
これにより、照射されたプラズマＰ１の影響で、接着剤６からガスが発生し、その成分が弾性表面波チップ３の基板４に付着して、性能を悪化させる。
【００１１】
また、このようにして、接着剤６が一度プラズマに晒されると、蓋体で封止した後においても、ＳＡＷデバイスが高温下におかれると、硬化した接着剤６からガスが生成されやすくなり、その成分が基板４に付着する弊害がある。
図１２と図１３は、弾性表面波チップを搭載したＳＡＷデバイスについて周波数調整を実施し、完成後の経過時間に対応して、その周波数を測定した結果である。図１２は１００ないし５００ｐｐｍの調整量で周波数調整をした場合、図１３は１５００ないし２０００ｐｐｍの調整量で周波数調整をした場合をそれぞれ示している。いずれも周波数調整を実施し完成後５００時間程度で、周波数が大きくシフトしていることがわかる。
【００１２】
本発明の目的は、上記課題を解消して、性能の悪化を招来することなく周波数調整が可能で、信頼性が高い圧電デバイスの製造方法と、このような製造方法に適した弾性表面波チップを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述の目的は、第１の発明にあっては、パッケージに対して、接着剤を用いて圧電素子を固定するようにした圧電デバイスの製造方法であって、前記圧電素子を前記パッケージに固定した後で、前記圧電素子に対してプラズマを照射して周波数を調整する工程を含んでおり、前記周波数調整工程において、前記圧電素子の周囲にマスクを配置することにより、前記圧電素子の外縁を超えた領域を、前記プラズマに対して遮蔽するようにした圧電デバイスの製造方法により、達成される。
第１の発明の構成によれば、前記周波数調整工程において、前記圧電素子の外縁を超えた領域を、前記マスクにより遮蔽するようにしているので、圧電素子を固定している前記接着剤が前記圧電素子の外縁を超えてはみ出している場合においても、この接着剤のはみ出し部分は、前記マスクに隠されるので、プラズマに晒されることがない。
かくして、性能の悪化を招来することなく周波数調整が可能で、信頼性が高い圧電デバイスの製造方法を提供することができる。
【００１４】
第２の発明は、第１の発明の構成において、前記圧電素子が、圧電基板の能動面に櫛歯型電極を形成した弾性表面波チップであり、この弾性表面波チップの櫛歯型電極の外側であって、前記固定に際して接着剤が配置される領域に対応した領域に、遮蔽用のパターンを配置したことを特徴とする。
第２の発明の構成によれば、前記遮蔽用のパターンが、前記プラズマの光成分を遮蔽することができ、この光成分が前記接着剤に照射されることを有効に防止することができる。
【００１５】
第３の発明は、第２の発明の構成において、前記遮蔽用のパターンが導電パターンであり、この導電パターンが前記櫛歯型電極と一体に形成されていることを特徴とする。
第３の発明の構成によれば、前記遮蔽用のパターンが導電パターンを利用するものであって、前記櫛歯型電極と一体のものとすることで、製造工程において、この遮蔽用のパターンと櫛歯型電極とを同時に形成することができる。
【００１６】
上述の目的は、第４の発明にあっては、パッケージに対して、接着剤を用いて圧電素子を固定するようにした圧電デバイスの製造方法であって、前記圧電素子を前記パッケージに固定した後で、前記圧電素子に対してプラズマを照射して周波数を調整する工程を含んでおり、前記圧電素子の固定を行う工程において、前記接着剤を前記圧電素子の外縁から露出しないように配置するようにした圧電デバイスの製造方法により、達成される。
第４の発明の構成によれば、前記圧電素子を固定するための接着剤が前記圧電素子の外縁から露出しないことにより、前記周波数調整工程において、前記プラズマが前記圧電素子自体により遮蔽される。このため、接着剤は、プラズマに晒されることがない。
かくして、性能の悪化を招来することなく周波数調整が可能で、信頼性が高い圧電デバイスの製造方法を提供することができる。
【００１７】
第５の発明は、第４の発明の構成において、前記パッケージの内側底面に、前記圧電素子の外縁から露出しない範囲で、凹部を形成して、前記接着剤を前記凹部に収容することを特徴とする。
第５の発明の構成によれば、前記パッケージの内側底面に、前記圧電素子の外縁から露出しない範囲で、凹部を形成することで、この凹部に前記接着剤を収容することができ、接着剤が圧電素子の外縁を超えてはみ出すことを有効に防止できる。
【００１８】
第６の発明は、第４の発明の構成において、前記パッケージの内側底面に、前記圧電素子の外縁から露出しない範囲で、突条を形成して、前記接着剤を前記突条の内側に収容することを特徴とする。
第６の発明の構成によれば、前記パッケージの内側底面に、前記圧電素子の外縁から露出しない範囲で、突条を形成することで、この突条の内側に前記接着剤を収容することができ、接着剤が圧電素子の外縁を超えてはみ出すことを有効に防止できる。
【００１９】
また、上述の目的は、第７の発明にあっては、圧電基板の能動面に櫛歯型電極を形成した圧電素子であって、前記圧電基板の前記櫛歯型電極の外側にプラズマ遮蔽用のパターンを形成した弾性表面波チップにより、達成される。
第７の発明の構成によれば、前記圧電基板の前記櫛歯型電極の外側にプラズマ遮蔽用のパターンが予め形成されている。このため、この弾性表面波チップをパッケージに対して接着剤により固定した場合に、その後で、プラズマを利用した周波数調整工程を実行しても、プラズマの特に光成分が前記遮蔽用パターンにより、弾性表面波チップを透過することがなく、その下の接着剤に照射されることが有効に防止できる。
【００２０】
第８の発明は、第７の発明の構成において、前記遮蔽用のパターンが導電パターンであり、この導電パターンが、前記基板の弾性表面波の伝搬方向と交叉する方向に関して前記櫛歯型電極と隣接して配置されていることを特徴とする。
第８の発明の構成によれば、遮蔽用のパターンが導電パターンであり、この導電パターンが、前記基板の弾性表面波の伝搬方向と交叉する方向に関して前記櫛歯型電極と隣接して配置されている構成とすることにより、櫛歯型電極と一体に形成することができ、しかも、特に接着剤が配置される領域に対応しやすい位置とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１は、本発明の圧電デバイスの実施形態としてのＳＡＷデバイスを示す概略平面図で、図２はＡ−Ａ線概略断面図である。
これらの図を参照しながら、第１の実施形態に係るＳＡＷデバイス３０の詳しい構成について説明する。
ＳＡＷデバイス３０は、パッケージ４０内に収容された弾性表面波チップ３１を備えている。弾性表面波チップ３１は、図２に示されているように、圧電基板３２と、櫛歯型電極であるＩＤＴ３３，３３及び反射器３４，３４を備えている。
圧電基板３２は、圧電材料として、例えば、水晶，リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ3 ），リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ3 ）等の単結晶基板やＳｉ基板へＺｎＯ成膜した基板等の多層膜基板等を使用することができる。
【００２２】
ＩＤＴ３３及び反射器３４は、圧電基板３２の表面に、アルミニウムやチタン等の導体金属を蒸着あるいはスパッタリング等により薄膜状に形成した上で、後述するように、フォトリソグラフィ等により、すだれ状もしくは櫛歯状となるように形成されている。後述する製造工程では、アルミニウムの導電層を形成するようにしている。
具体的には、ＩＤＴ３３，３３は、それぞれ複数の電極指３３ａが所定のピッチで並設されて長手方向の各端部が短絡するように形成されている。即ち、２つの櫛形状のＩＤＴ３３，３３の各櫛歯部分が、所定距離隔てて対向され、互い違いに入り込むように形成されている。このＩＤＴ３３は、電気的に接続されている各電極端子３３ｂ，３３ｂ（後述）を介して電気信号と弾性表面波（ＳＡＷ）との間の変換を行う機能を有する。
【００２３】
ＩＤＴ３３の両側には、それぞれ所定のギャップを隔てて、反射器３４，３４が設けられている。反射器３４は、複数の導体ストリップ３４ａが、ＩＤＴ３３と同じように、所定のピッチで並設されて長手方向の各両端部が短絡されるように形成されている。
そして、例えば、同一構成の２つの反射器３４，３４は、その導体ストリップ３４ａがＩＤＴ３３の電極指３３ａと平行になるように、かつＩＤＴ３３を弾性表面波の伝搬方向、即ち矢印Ｔで示すＩＤＴ３３の電極指３３ａの長手方向に直交する方向に所定距離隔てて挟み込むように形成されている。この反射器３４，３４は、ＩＤＴ３３から伝搬してくる弾性表面波を反射して、弾性表面波のエネルギーを内部に閉じこめる機能を有する。
【００２４】
パッケージ４０は、例えば、絶縁性の圧電材料で形成された矩形の箱体であり、内部空間Ｓを有している。この内部空間Ｓが弾性表面波チップ３１を収容するための収容空間であり、パッケージ４０の内側底面４４には、接着剤４６が塗布され、その上に弾性表面波チップ３１を載せて、接着剤４６を硬化させることにより、弾性表面波チップ３１が固定されている。パッケージ４０の上端には、ロウ材を介して、蓋体４５が接合されて気密に封止されている。
パッケージ４０の開口付近には、上向きの段部４２が形成され、その上には電極部４３が形成されている。この電極部４３は、例えば、図示しない導電スルーホールなどにより、パッケージ４０の底面に露出させて形成した図示しない実装電極と接続されている。
そして、弾性表面波チップ３１の各電極端子３３ｂ，３３ｂは、図示しないボンディングワイヤなどにより、パッケージ４０の段部４２に形成した電極部４３と電気的に接続されている。
【００２５】
このような構成において、電気信号が、上記電極端子を介してＩＤＴ３３に入力されると、圧電効果により弾性表面波に変換される。この弾性表面波は、矢印Ｔ方向、すなわち、ＩＤＴ３３の電極指３３ａの長手方向に対して直交方向に伝搬され、ＩＤＴ３３の両側から反射器３４，３４に放射される。このとき、圧電基板３２の材質、電極の厚みや電極の幅等で決定される伝搬速度とＩＤＴ３３の電極指３３ａの電極周期ｄ0 に等しい波長を持つ弾性表面波が、最も強く励振される。この弾性表面波は、反射器３４，３４により多段反射されてＩＤＴ３３に戻され、共振周波数付近の周波数（動作周波数）の電気信号に変換されてＩＤＴ３３から電極端子３３ｂ，３３ｂを介して出力される。
【００２６】
（ＳＡＷデバイスの製造方法）
次に、ＳＡＷデバイス３０の製造方法の実施形態を説明する。
図３は、ＳＡＷデバイス３０の製造方法に関する実施形態を簡単に示す工程図である。先ず、前工程として、図１および図２で説明したパッケージ４０、弾性表面波チップ３１、蓋体４５を個々に製造する。
パッケージ４０は、例えば、絶縁材料として、酸化アルミニウム質のセラミックグリーンシートを成形して形成される複数の基板を積層した後、焼結して形成する。また、図２に示すように、パッケージ４０は、焼結前の成形時に内側に所定の孔を形成することで、積層した場合に内側に所定の内部空間Ｓを形成する。
【００２７】
弾性表面波チップ３１の製造に際しては、例えば、ウエハ状に形成した上述の圧電材料を用いる。すなわち、先ず、スパッタリングまたは蒸着により、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金を圧電ウエハの全面に成膜する。
次いで、ＩＤＴ３３，３３、反射器３４，３４などに対応したレジストパターンを形成し、露光・現像することによって、フォトリソグラフィの手法を用いて、マスキングされていない箇所をエッチングプロセスにより除去し、ＩＤＴ３３，３３、反射器３４，３４などを形成する。
次に、上記圧電ウエハを切断して個々の圧電基板３２の大きさに切断することで、弾性表面波チップ３１を形成することができる。
蓋体４５は、板厚の薄い丈夫な金属板、例えば、コバールの板などを所定の大きさ、形状に加工することにより、形成される。
【００２８】
パッケージ４０、弾性表面波チップ３１、蓋体４５の製造が終わったら、後工程に入る。
先ず、弾性表面波チップ３１をパッケージ４０に対して実装する（ＳＴ１）。
図２に示すように、パッケージ４０の内側底面に接着剤４６を塗布する。この接着剤４６としては、例えば、低弾性のシリコーン系接着剤、好ましくは、樹脂材料にフィラーを含有させた接着剤が適している。樹脂材料に含有されるフィラーが接合後における弾性変形を調整して、樹脂材料だけの場合よりも低弾性となるようにすることができるからである。なお、この場合のフィラーは導電性でも非導電性でもよい。
特に重要なのは、接着剤４６が、弾性表面波チップ３１の外縁を超えてはみ出さない領域に塗布することである。
この接着剤４６の上に弾性表面波チップ３１を載置して、接着剤４６を硬化することにより、弾性表面波チップ３１が、パッケージ４０に対して固定される。次に、ＩＤＴ３３，３３の各電極端子３３ｂ，３３ｂと、パッケージ４０側の電極部４３，４３とをワイヤボンディング（図示せず）により接続する。
【００２９】
次に、蓋体４５による封止前に周波数調整を行う（ＳＴ２）。
弾性表面波チップ３１を接合したパッケージ４０を図示しないチャンバー内に収容し、所定の真空度でエッチングガスを供給して、エッチングプラズマを生成して、圧電基板３２の能動面もしくはＩＤＴ３３をドライエッチングすることにより必要な周波数調整を行う。つまり、真空チャンバー（図示せず）には、例えば、フレオンガスボンベと酸素ガスボンベとが接続され、さらに、真空チャンバーには、排気管が設けられ、所定の真空度に真空引きされるようになっている。
真空チャンバー内が、所定の真空度に真空排気され、フレオンガスと、酸素ガスが送られ、その混合ガスが所定の気圧になるまで充填された状態にて、直流電圧が印加されると、プラズマが発生する。そして、イオン化された粒子を含む混合ガスは、ワークである弾性表面波チップ３１の圧電基板（水晶）３２の能動面に当たる。この衝撃により、能動面の水晶が物理的に削り取られて飛散し、エッチングが進行する。
【００３０】
ここで、接着剤４６は、弾性表面波チップ３１の外縁を超えない範囲で塗布されている（図２参照）。このため、照射されるプラズマＰ２は、接着剤４６に当たることがないようにされる。すなわち、プラズマＰ２は弾性表面波チップ３１自体に遮られて、接着剤４６は直接プラズマＰ２に晒されない。このため、プラズマを利用した周波数調整を原因とするガスの生成が有効に防止される。
続いて、例えば窒素雰囲気内で、ロウ材を介して、蓋体４５を接合して蓋封止する（ＳＴ３）。次いで、最後に、必要な検査を行い（ＳＴ４）、図１に示すようにＳＡＷデバイス３０を完成することができる。
【００３１】
かくして、上記製造方法によれば、圧電素子である弾性表面波チップ３１を固定するための接着剤４６が弾性表面波チップ３１の外縁から露出しないことにより、周波数調整工程において、プラズマＰ２が弾性表面波チップ３１自体により遮蔽される。このため、接着剤は、プラズマに晒されることがない。
かくして、性能の悪化を招来することなく周波数調整が可能で、信頼性が高いＳＡＷデバイス３０の製造方法を提供することができる。
【００３２】
図４は、パッケージ４０の変形例を示している。
図４において、図１および図２と同じ符号を付した箇所は共通する構成であるから、重複する説明は省略し、相異点のみを説明する。
パッケージ４０の内側底面４４には、突条５１が形成されている。突条５１は好ましくは切れ目無く、弾性表面波チップ３１の外縁に適合する位置に形成されている。このような突条５１は、突部でも突起部でもよく、パッケージ４０の内側底面４４に、弾性表面波チップ３１の外縁に沿って低い壁を形成するものであればなんでもよい。また、その材料はパッケージ４０の材料と同じものとすることで、上述のパッケージ４０の製造工程において容易に形成することができる。
【００３３】
これにより、弾性表面波チップ３１の接合固定に際して、接着剤４６をパッケージ４０に塗布する際に、このように突条５１の内側に塗布することによって、突条５１により接着剤４６の流れだしを防止することができる。これにより、接着剤４６が弾性表面波チップ３１の外縁をはみ出すことが、より確実に防止され、それ以外の作用効果については、上述の実施形態の作用効果と同じである。
また、図示しないが、突条５１を巡らせた位置に沿って、内側に凹部（図示せず）を形成するようにしてもよい。この場合にも凹部に接着剤４６を収容するように塗布することで、同様の作用効果を発揮できる。そして、このような凹部と上記突条５１をあわせて設けるようにすると、接着剤４６の流れだしを一層確実に防止することができる。
【００３４】
図５と図６は、弾性表面波チップ３１を搭載した第１の実施形態のＳＡＷデバイス３０について周波数調整を実施し、完成後の経過時間に対応して、その周波数を測定した結果である。図５は１００ないし５００ｐｐｍの調整量で周波数調整をした場合、図６は１５００ないし２０００ｐｐｍの調整量で周波数調整をした場合をそれぞれ示している。いずれの場合も周波数調整を実施し、完成後１００時間程度で、周波数が僅かに変動するが、大きくシフトすることがないことが確認された。
【００３５】
図７は、第２の実施形態を示す図である。
図において、第１の実施形態と同一の構成には、共通する符号を付して重複する説明は省略する。
図７においては、周波数調整工程において、マスク５３を使用している。マスク５３は、弾性表面波チップ３１の少なくとも外縁を露出させないようにし、好ましくはＩＤＴ３３の領域のみをプラズマＰ３に対して露出するようにされている。
これにより、弾性表面波チップ３１を固定している接着剤４６が図示されているように、弾性表面波チップ３１の外縁を超えてはみ出している場合においても、この接着剤４６のはみ出し部分は、マスク５３に隠されるので、プラズマＰ４に晒されることがない。
したがって、この実施形態においても、性能の悪化を招来することなく周波数調整が可能で、信頼性が高い弾性表面波チップの製造方法を提供することができる。
【００３６】
図８は、第２の実施形態の変形例を示す図である。
図において、第２の実施形態と同一の構成には、共通する符号を付して重複する説明は省略する。
この例では、マスク５３−１がパッケージ４０を構成する積層基板の最も上段に位置するものと兼用されている。上述のパッケージ４０の形成工程において、一番上の段（あるいは途中の段）の積層基板を成形する際に、図示のように弾性表面波チップ３１の少なくとも外縁を露出させないようにし、好ましくはＩＤＴ３３の領域のみをプラズマＰ３に対して露出するようにすることで、周波数調整工程において、弾性表面波チップと別体のマスクを用意する必要がなくなる。
その他の作用効果は第１の実施形態と同じである。
【００３７】
図９は、主として、第１の実施形態に利用することができる弾性表面波チップ３１−１を搭載したＳＡＷデバイス３０−２を示す概略平面図である。
図において、ＳＡＷデバイス３０−２の圧電基板３２の能動面には、ＩＤＴ３３や反射器３４とは別に、プラズマ遮蔽用パターン５５，５５が形成されている。この例では、プラズマ遮蔽用パターンは、ＩＤＴ３３と同じ導電パターンにより、一体に形成されている。
【００３８】
すなわち、プラズマ遮蔽用パターン５５，５５は、圧電基板３２の弾性表面波の伝搬方向Ｔと直交する方向に関してＩＤＴ３３，３３と隣接して位置しており、具体的には、ＩＤＴ３３の各電極指３３ａを接続するバスバーとして、ＩＤＴ３３の電極端子３３ｂと一体に形成されている。
したがって、この弾性表面波チップ３１−１においては、弾性表面波チップ３１−１を、上述した工程に従って、パッケージ４０に対して接着剤により固定した場合に、その後で、プラズマを利用した周波数調整工程を実行しても、プラズマの特に光成分が遮蔽用パターン５５により遮られて、弾性表面波チップ３１−１を透過することがなく、その下の接着剤に照射されることが有効に防止できる。これにより、プラズマの光成分のみが照射されることによる接着剤の劣化もしくは性質変化が防止でき、これを原因とするガス成分の生成も防止できる。したがって、図１のような接着剤４６の配置に加えて、この弾性表面波チップ３１−１を利用すれば、より完全に有害なガスの生成を防止することができる。
【００３９】
特に、図９の場合には、プラズマ遮蔽用パターン５５，５５は、圧電基板３２の弾性表面波の伝搬方向Ｔと直交する方向に関してＩＤＴ３３，３３と隣接して位置しているので、圧電基板３２の長手方向の中央付近に塗布される接着剤が、その位置に対応して、プラズマ遮蔽用パターン５５，５５により適切に保護される。また、プラズマ遮蔽用パターン５５，５５は、ＩＤＴ３３，３３と一体であるから、製造工程において同時に形成できる利点がある。
【００４０】
本発明は上述の実施形態に限定されない。実施形態の各構成はこれらを適宜省略したり、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
また、上述の実施形態では、反射器を伴う構成としたが、反射器はなくてもよいし、より多数の組のＩＤＴを使用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の圧電デバイスの一例としてのＳＡＷデバイスの第１の実施形態を示す概略平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線概略断面図。
【図３】図１のＳＡＷデバイスの製造方法の実施形態につき工程順に示すフローチャート。
【図４】図１のＳＡＷデバイスの変形例を示す図。
【図５】実施形態のＳＡＷデバイスについて周波数調整後の経過時間に対応して、その周波数を測定したグラフ。
【図６】実施形態のＳＡＷデバイスについて周波数調整後の経過時間に対応して、その周波数を測定したグラフ。
【図７】本発明の第２の実施形態を示す図。
【図８】本発明の第２の実施形態の変形例を示す図。
【図９】図１のＳＡＷデバイスの変形例を示す概略平面図。
【図１０】従来のＳＡＷデバイスの概略平面図。
【図１１】図１０のＳＡＷデバイスの周波数調整を示す図。
【図１２】従来のＳＡＷデバイスについて周波数調整後の経過時間に対応して、その周波数を測定したグラフ。
【図１３】従来のＳＡＷデバイスについて周波数調整後の経過時間に対応して、その周波数を測定したグラフ。
【符号の説明】
【００４２】
３０・・・ＳＡＷデバイス、３１・・・弾性表面波チップ、３２・・・圧電基板、３３・・・ＩＤＴ、３４・・・反射器、４０・・・パッケージ、４３・・・電極部、４６・・・接着剤。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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