(57)【要約】【課題】ガスを加熱する手段を蒸着装置とは別途に設けることなく、蒸発させた蒸着物質とともに所望の温度に加熱された高温のガスを被蒸着基板方向に供給することを可能にする。【解決手段】チャンバ１１内に蒸着源１２と被蒸着基板５１とを対向して設けた蒸着装置１であって、蒸着源１２は、蒸着材料を蒸発させるるつぼ１３と、るつぼ１３の外周側に沿って被蒸着基板方向にガス６１を供給するガス流路１４と、ガス流路１４を加熱する加熱源１５とを備えたもので、ガス流路１４は、最下層から最上層方向にガスを流す複数層に構成した層状の流路１４１からなり、各層状の流路１４１に被蒸着基板５１方向にガス流が向かうように開口部１４５が形成されているものである。【選択図】図１
2005330519.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内に蒸着源と被蒸着基板とを対向して設けた蒸着装置であって、
前記蒸着源は、
蒸着材料を蒸発させるるつぼと、
前記るつぼの外周側に沿って前記被蒸着基板方向にガスを供給するガス流路と、
前記ガス流路を加熱する加熱源とを備えたもので、
前記ガス流路は、最下層から最上層方向にガスを流す複数層に構成した層状の流路からなり、前記最上層の流路に前記被蒸着基板方向にガス流が向かう開口部が形成されている
ことを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
前記ガス流路は、前記るつぼの外側周に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の蒸着装置。
【請求項３】
前記ガス流路は前記るつぼの下面側に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記ガス流路は前記るつぼの外側周および前記るつぼの下部に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の蒸着装置。
【請求項５】
前記加熱源は前記ガス流路の外周側および前記ガス流路の下部側の少なくとも一方にもしくは両方に設置されている
ことを特徴とする請求項１記載の蒸着装置。
【請求項６】
前記ガス流路にガスを供給するガス供給部は、前記ガス流路の最下層の複数箇所に接続されている
ことを特徴とする請求項１記載の蒸着装置。
【請求項７】
前記ガス流路を構成する各層の層間には該層間を連通する開口部が形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の蒸着装置。
【請求項８】
前記一つの層に形成される開口部は少なくとも二つからなり、
そのうちの少なくとも一つの開口部は層内にガスを流入させる開口部であり、
少なくとも一つの開口部は上層にガスを流出させる開口部である
ことを特徴とする請求項１記載の蒸着装置。
【請求項９】
前記ガス流路を構成する各層内には、当該層内のガスの流れを確保する開口部が形成された仕切り壁が形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の蒸着装置。
【請求項１０】
チャンバ内に蒸着源と被蒸着基板とを対向して設けた蒸着装置を用いて、前記蒸着源より蒸発させた蒸着材料を前記被蒸着基板に堆積させる蒸着方法であって、
前記蒸着源は、
蒸着材料を蒸発させるるつぼと、
前記るつぼの外周側に沿って前記被蒸着基板方向にガスを供給するガス流路と、
前記ガス流路を加熱する加熱源とを備えたもので、
前記ガス流路は、最下層から最上層方向にガスを流す複数層に構成した層状の流路からなり、前記最上層の流路に前記被蒸着基板方向にガス流が向かう開口部が形成されている
ことを特徴とする蒸着方法。
【請求項１１】
前記ガス流路は、前記るつぼの外側周に形成されている
ことを特徴とする請求項１０記載の蒸着方法。
【請求項１２】
前記ガス流路は前記るつぼの下面側に形成されている
ことを特徴とする請求項１０記載の蒸着方法。
【請求項１３】
前記ガス流路は前記るつぼの外側周および前記るつぼの下部に形成されている
ことを特徴とする請求項１０記載の蒸着方法。
【請求項１４】
前記加熱源は前記ガス流路の外周側および前記ガス流路の下部側の少なくとも一方にもしくは両方に設置されている
ことを特徴とする請求項１０記載の蒸着方法。
【請求項１５】
前記ガス流路にガスを供給するガス供給部は、前記ガス流路の最下層の複数箇所に接続されている
ことを特徴とする請求項１０記載の蒸着方法。
【請求項１６】
前記一つの層に形成される開口部は少なくとも二つからなり、
そのうちの少なくとも一つの開口部は層内にガスを流入させる開口部であり、
少なくとも一つの開口部は上層にガスを流出させる開口部である
ことを特徴とする請求項１０記載の蒸着方法。
【請求項１７】
前記ガス流路を構成する各層内には、当該層内のガスの流れを確保する開口部が形成された仕切り壁が形成されている
ことを特徴とする請求項１０記載の蒸着方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャリアガス専用の加熱機構を蒸着装置とは別途に備えなくても、高温のキャリアガスを蒸着原料の蒸発物質とともに被成膜基板方向に流すことが容易な蒸着装置および蒸着方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ等に用いられる低分子系有機発光素子用の有機膜は真空蒸着法で作製されている。従来から用いられている真空蒸着法は、蒸着原料の利用効率が低い。また、蒸着が行われるチャンバー内壁に蒸着物質が付着しやすく、チャンバー内が汚染されやすいという問題を有していた。そこで、ホットウォール法と呼ばれる蒸着方法が開発されている（例えば、特許文献１参照。）。このホットウォール法を用いることによって、原料の利用効率の向上が可能となる。また、ホットウォール法では、チャンバー内に蒸着物質が堆積されることを最小限に抑えて、チャンバー内の汚染を防ぎ、真空の質を高く保持し、高い純度での蒸着が可能となる。このため、有機薄膜の形成方法に用いられている。しかしながら、従来の真空蒸着法と同様、多成分系薄膜の精密制御は困難である。
【０００３】
また、近年、真空蒸着法とは異なり、ＯＶＰＤと呼ばれる減圧有機気相蒸着法が開発されている（例えば、特許文献２参照。）。このＯＶＰＤ法は、原料ガスをキャリアガスで基板へ運び、基板上でガスが凝縮して膜形成が行なわれる有機膜の形成方法である。この方法を用いると、著しく異なる蒸気圧をもつ有機材料を同時蒸着し、多成分系薄膜の各成分の精密な制御が可能になるものと期待されている。このＯＶＰＤ法による成膜では、有機膜の結晶化さらには結晶粒成長を避けて良好な表面性を有する有機膜を形成するために、高温原料ガスの輸送に伴う基板温度上昇を極力抑制し、膜形成時には室温付近もしくは結晶化温度以下に基板温度を維持しなければならない。しかしながら、ＯＶＰＤ法は大気圧もしくは大気圧に近い減圧下で成膜が行われる。このように大気圧または大気圧に近い減圧下で成長する膜は粗くなり、気相核生成および拡散律速成長過程により、不均一な表面形態を有する膜となるという問題が挙げられる。
【０００４】
そこで、減圧下において、キャリアガスを用いて低分子系有機原料ガスの輸送速度を制御して基板に運び、滑らかな表面性を有する有機薄膜形成を行う成膜技術が提案され、その専用の蒸着容器も提案されている（例えば、特許文献３参照。）。この蒸着装置では、減圧下において、キャリアガスを用いて、基板と対向する位置にある蒸着源から蒸発された低分子系有機原料ガスの輸送速度を制御して基板に運び、滑らかな表面性を有する有機薄膜の形成を行う。このため、蒸着源の周囲から基板方向へ、キャリアガスを流す形状（ガスバリア型と称している）を有する蒸着容器となっている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２?８０９６１号公報
【特許文献２】特表２００１-５２３７６８号公報
【特許文献３】特願２００４-００８８４７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
解決しようとする問題点は、有機原料の沸点、もしくは昇華点以上の高温のキャリアガスを導入するためには、蒸着容器を加熱する構造だけでなく、蒸着容器に入る直前まで、キャリアガスを加熱する構造を備えなければならず、大掛かりな加熱装置を備える必要がある点であり、そのため、蒸着装置自体が大きくなり、装置の設置面積が大きくなり、多くの費用を必要とする点である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の蒸着装置は、チャンバ内に蒸着源と被蒸着基板とを対向して設けた蒸着装置であって、前記蒸着源は、蒸着材料を蒸発させるるつぼと、前記るつぼの外周側に沿って前記被蒸着基板方向にガスを供給するガス流路と、前記ガス流路を加熱する加熱源とを備えたもので、前記ガス流路は、最下層から最上層方向にガスを流す複数層に構成した層状の流路からなり、前記最上層の流路に前記被蒸着基板方向にガス流が向かう開口部が形成されていることを最も主要な特徴とする。
【０００８】
本発明の蒸着方法は、チャンバ内に蒸着源と被蒸着基板とを対向して設けた蒸着装置を用いて、前記蒸着源より蒸発させた蒸着材料を前記被蒸着基板に堆積させる蒸着方法であって、前記蒸着源は、蒸着材料を蒸発させるるつぼと、前記るつぼの外周側に沿って前記被蒸着基板方向にガスを供給するガス流路と、前記ガス流路を加熱する加熱源とを備えたもので、前記ガス流路は、最下層から最上層方向にガスを流す複数層に構成した層状の流路からなり、前記最上層の流路に前記被蒸着基板方向にガス流が向かう開口部が形成されていることを最も主要な特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の蒸着装置は、蒸着装置のるつぼの外周側に沿って被蒸着基板方向にガスを供給するガス流路と、そのガス流路を加熱する加熱源とを備えたため、被蒸着基板に放出される直前でガスが加熱されるので、所望の温度とした高温のガスを被蒸着基板方向に流すことができるという利点がある。また、たとえ加熱されていないガスが流路内に供給されても、ガス流路が複数層に構成した層状の流路からなることから、供給されたガスと流路との接触距離を長くとることができるので、ガスを流路内で十分に加熱することができる。このため、従来の蒸着装置のように蒸着装置の外部にガスを専用に加熱する装置等を設ける必要がないので、従来の加熱装置分だけ装置の設置面積、装置コストを低減することができる。したがって、本発明の蒸着装置では、例えば、従来の有機材料蒸着法に加え、有機ガス蒸着法であるＯＶＰＤ法を融合させた有機膜形成を行う際、ガス（例えばキャリアガス）が加熱されるガス流路と加熱部とを備えていることから、加熱部により温度制御された所望の温度の高温なガス（例えばキャリアガス）を被蒸着基板方向に流すことができるので、膜厚分布が良好で、組成傾斜が可能な有機膜を形成することが可能になる。また、蒸着物質の利用効率、成膜速度の向上も可能となる。さらに、ガス流路から被蒸着基板方向に放出されるガスは、るつぼの側周より放出されるため、るつぼから蒸発された蒸着物質はガス流路から放出されたガスによって取り囲まれるようになる。このため、蒸着が行われるチャンバ内壁への蒸着物質の付着の防止ができ、チャンバ内部の汚染を抑制することで可能になる。よって、清浄度の高い真空状態を保持することが可能になるので、高い純度の蒸着膜を形成することができる。
【００１０】
本発明の蒸着方法は、蒸着装置のるつぼの外周側に沿って被蒸着基板方向にガスを供給するガス流路と、そのガス流路を加熱する加熱源を備えた蒸着装置を用いて蒸着を行うため、被蒸着基板に放出される直前でガスを加熱することができるので、所望の温度とした高温のガスを被蒸着基板方向に流すことができるという利点がある。また、たとえ加熱されていないガスが流路内に供給されても、ガス流路が複数層に構成した層状の流路からなっていることから、供給されたガスと流路との接触距離を長くとれるので、ガスを流路内で十分に加熱することができる。したがって、本発明の蒸着装置では、例えば、従来の有機材料蒸着法に加え、有機ガス蒸着法であるＯＶＰＤ法を融合させた有機膜形成を行う際、ガス（例えばキャリアガス）が加熱されるガス流路と加熱部とを備えている蒸着装置を用いて蒸着を行うことから、加熱部により温度制御された所望の温度の高温なガス（例えばキャリアガス）を被蒸着基板方向に流すことができるので、膜厚分布が良好で、組成傾斜が可能な有機膜を形成することができる。また、蒸着物質の利用効率、成膜速度の向上も可能となる。さらに、ガス流路から被蒸着基板方向に放出されるガスがるつぼの側周より放出されるため、るつぼから蒸発される蒸着物質はガス流路から放出されたガスによって取り囲まれるようになり、これによって、蒸着が行われるチャンバ内壁への蒸着物質の付着を防止され、チャンバ内部の汚染を抑制することが可能になる。したがって、清浄度の高い真空状態を保持することが可能になるので、高い純度の蒸着膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
有機原料の沸点もしくは昇華点以上の高温のキャリアガスを導入するという目的を、蒸着装置のるつぼの外周側に沿って被蒸着基板方向にガスを供給するガス流路と、そのガス流路を加熱する加熱源とを備え、ガス流路を複数層に構成した層状の流路とすることで、蒸着装置の外部にキャリアガスを加熱する専用の加熱装置を設けずに実現した。
【実施例１】
【００１２】
本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第１実施例を、図１によって説明する。図１は、（１）は蒸着装置の概要を示した概略構成断面であり、（２）は蒸着装置の蒸着源を示した概略構成断面であり、（３）は（２）図のＡ部拡大断面図を示すものである。
【００１３】
図１に示すように、チャンバ１１内に蒸着源１２と被蒸着基板５１とを対向して設けた蒸着装置１である。上記蒸着源１２は、蒸着材料７１を蒸発させるるつぼ１３と、るつぼ１３の外周側に沿って上記被蒸着基板５１方向にガス６１（例えばキャリアガス）を供給するガス流路１４と、ガス流路１４を加熱する加熱源１５とを備えたものである。上記ガス流路１４の側周にガス流路１４内の熱が逃げないようにするために断熱壁１６を設けることが好ましい。上記加熱源１５は、図示したように、上記断熱壁１６内に設けてもよい。この場合、加熱源１５のガス流路１４側は熱伝導性に優れた材料で構成することが好ましい。さらに、るつぼ１３の下部側、ガス流路１４の下部側にも加熱源１５１を設けてもよい。なお、上記るつぼ１３の加熱には、るつぼ専用の加熱源（図示せず）が設けられていてもよい。また上記チャンバ１１には、チャンバ１１内の真空度を調節する真空装置（図示せず）が接続されている。
【００１４】
上記ガス流路１４は、最下層から最上層方向にガス６１を流す複数層に構成した層状の流路１４１からなる。すなわち、上記るつぼ１３の外側に設けた内側壁１４２と上記内側壁１４２と所定の間隔を置いて形成された外側壁１４３と、上記内側壁１４２と上記外側壁１４３との間に層状に複数層に形成された層間壁１４４とからなっている。したがって、層間壁１４４間に挟まれた空間が上記層状の流路１４１となる。上記内側壁１４２、外側壁１４３および層間壁１４４は、高温（例えば３００℃〜６００℃程度）での熱伝導性に優れた材料で構成されることが好ましく、例えば耐食性を有するタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）等の高融点金属材料を用いることができ、また銅（Ｃｕ）等の耐食性の低い金属材料が用いられる場合には、ガス６１に触れる表面にガス６１による腐食を防止するために、例えば酸化膜、窒化膜、セラミックスもしくはホーロー等のコーティングを施すことが好ましい。
【００１５】
上記ガス流路１４を構成する各層の層間、すなわち上記層間壁１４４には層状の流路１４１間を連通する開口部が形成されている。例えば、一つの層状の流路１４１−１に対して、下部側の層間壁１４４−１には層状の流路１４１−１内にガス６１を流入させる開口部１４５−１が設けられ、上部側の層間壁１４４−２には上層の流路１４１−２内にガス６１を流出させる開口部１４５−２が設けられている。このように、各層状の流路１４１間を連通する開口部１４５（例えば１４５−１、１４５−２）が形成されていることから、最下層の層状の流路１４１−Ｄに供給されたガス６１は開口部１４５を通じて順次上層の各層状の流路１４１に供給され、最上層の層状の流路１４１−Ｕより被成膜基板５１方向に放出されるようになる。
【００１６】
さらに、各層状の流路１４１内には、例えば、一つの層状の流路１４１（例えば１４１−１）に対して、下部側の層間壁１４４−１および上部側の層間壁１４４−２には、それぞれの壁面に対して交互に、対向する壁面との間に流路を確保した状態で複数のフィン１４６およびフィン１４７が形成されている。このフィン１４６、１４７は、高温（例えば３００℃〜６００℃程度）での熱伝導性に優れた材料で構成されることが好ましく、例えば耐食性を有するタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）等の高融点金属材料を用いることができ、また銅（Ｃｕ）等の耐食性の低い金属材料が用いられる場合には、ガス６１に触れる表面にガス６１による腐食を防止するために、例えば酸化膜、窒化膜、セラミックスもしくはホーロー等のコーティングを施すことが好ましい。このように、それぞれの壁面に対して交互に、対向する壁面との間に流路を確保した状態で複数のフィン１４６、１４７が形成されていることから、各フィン１４６、１４７に対してガス６１が十分に接触できるようになるので、ガス６１の加熱効率を高めることができ、各層状の流路１４１内において、ガス６１をむらなく加熱することが可能になる。
【００１７】
上記各フィン１４６、１４７は、例えば被蒸着基板５１側からるつぼ１３方向に見た場合、環状に形成されていてもよく、また複数の分割された状態で環状に配置されたものでもよい。いずれの場合においても、フィン１４６に対向する層間壁１４４との間にガス６１の流路となるような開口部が確保されていればよい。また、上記フィン１４６の形状は、層状の流路１４１を流れるガス流を妨げる形状でなければよく、例えば図示したように壁面に対して垂直に設けてもよく、もしくはガス流方向に傾斜させて設けてもよい。フィン１４６、１４７を層間壁１４４の壁面に対して垂直に設けることにより、フィン１４６、１４７の表面にガス流が接触する時間を長く取ることが可能になる。またフィン１４６、１４７を層間壁１４４の壁面に対してガス流方向に傾斜させて設けた場合には、フィン１４６、１４７の表面にガス流が接触しかつガス流をより円滑に流すことが可能になる。
【００１８】
また、上記ガス流路１４には、ガス６１を供給するガス供給部１７が最下層の流路１４１−Ｄの複数箇所に接続されている。ここでは、２箇所に接続した事例を示した。このように、ガス供給部１７が最下層の流路１４１−Ｄの複数箇所に接続されていることから、一箇所からガス６１を供給する場合と比較して、最下層の流路１４１−Ｄに均一に供給されるようになる。
【００１９】
本発明の蒸着装置１は、蒸着装置１のるつぼ１３の外周側に沿って被蒸着基板５１方向にガス６１を供給するガス流路１４と、そのガス流路１４を加熱する加熱源１５とを備えたため、被蒸着基板５１に放出される直前でガス６１が加熱されるので、所望の温度とした高温のガス６１を被蒸着基板５１方向に流すことができるという利点がある。また、たとえ加熱されていないガスが流路内に供給されても、ガス流路１４が複数層に構成した層状の流路１４１からなることから、供給されたガスと層状の流路１４１との接触距離を長くとることができるので、ガス６１を流路内で十分に加熱することができる。このため、従来の蒸着装置のように蒸着装置の外部にガスを専用に加熱する装置等を設ける必要がないので、従来の加熱装置分だけ装置の設置面積、装置コストを低減することができる。したがって、本発明の蒸着装置１では、例えば、従来の有機材料蒸着法に加え、有機ガス蒸着法であるＯＶＰＤ法を融合させた有機膜形成を行う際、加熱部１５により温度制御された所望の温度の高温なガス（例えばキャリアガス）６１を被蒸着基板５１方向に流すことができるので、膜厚分布が良好で、組成傾斜が可能な有機膜を形成することが可能になる。また、蒸着材料の利用効率、成膜速度の向上も可能となる。さらに、ガス流路１４から被蒸着基板５１方向に放出されるガス６１は、るつぼ１３の側周より放出されるため、るつぼ１３から蒸発された蒸着物質８１はガス流路１４から放出されたガス６１によって取り囲まれるようになる。このため、蒸着が行われるチャンバ１１内壁への蒸着物質８１の付着の防止ができ、チャンバ１１内部の汚染を抑制することで可能になる。よって、チャンバ１１内部を清浄度の高い真空状態を保持することが可能になるので、被蒸着基板５１に高い純度の蒸着膜を形成することができる。
【００２０】
次に、上記蒸着装置１を用いた蒸着方法について説明する。
【００２１】
前記図１に示すように、チャンバ１１内に被蒸着基板５１を設置し、るつぼ１３内に蒸着材料７１を収納する。そしてチャンバ１１内を真空引きし、所望の真空度に到達させる。そして、るつぼ１３内の蒸着材料７１を加熱して蒸発させ、蒸着物質８１を生成するとともに、ガス供給部１７よりガス（例えばキャリアガス）６１をガス流路１４内に導入し、加熱源１５によってガス流路１４を加熱することで、ガス流路１４内を流れるガス６１を所望の温度に加熱する。このように加熱されたガス６１はガス流路１４の最上層の流路１４１−Ｕから被蒸着基板５１方向に放出される。このとき、所望の温度に加熱されたガス６１は、ガス化された蒸着物質８１とともに、このガス化された蒸着物質８１の側周を取り囲むようにして、被蒸着基板５１方向に放出される。そして、被蒸着基板５１のるつぼ１３側に設置されたシャッター（図示せず）を開放する。これにより、ガス化された蒸着物質８１が被蒸着基板５１の成膜面に付着、堆積し、被蒸着基板５１表面に蒸着膜（図示せず）が形成される。そして、所望の膜厚に成膜が完了した後、上記シャッター（図示せず）を閉じ、蒸着物質８１が被蒸着基板５１方向に向かうのを阻止するとともに、蒸着材料７１の加熱を停止し、ガス６１の供給を停止し、さらに加熱源１５による加熱を停止する。これによって、蒸着物質８１の生成が停止される。その後、チャンバ１１内を一旦真空状態にしてから、チャンバ１１内を例えば不活性ガスで置換した後、チャンバ１１内より蒸着が完了した被蒸着基板５１を不活性ガスで満たした別の容器に移動すればよい。なお、蒸着膜を複数層に形成する場合にはるつぼ１３ごと蒸着材料７１を交換して、上記説明したのと同様なプロセスにより蒸着を行えばよい。
【００２２】
本発明の蒸着方法は、蒸着装置１のるつぼ１３の外周側に沿って被蒸着基板５１方向にガス６１を供給するガス流路１４と、そのガス流路１４を加熱する加熱源１５を備えた蒸着装置１を用いて蒸着を行うため、被蒸着基板５１に放出される直前でガス６１を加熱することができるので、所望の温度とした高温のガス６１を被蒸着基板５１方向に流すことができるという利点がある。また、たとえ加熱されていないガスが流路内に供給されても、ガス流路１４が複数層に構成した層状の流路１４１からなっていることから、供給されたガス６１と層状の流路１４１との接触距離を長くとれるので、ガス６１を流路内で十分に加熱することができる。したがって、本発明の蒸着方法では、例えば、従来の有機材料蒸着法に加え、有機ガス蒸着法であるＯＶＰＤ法を融合させた有機膜形成を行う際、所望の温度に加熱したガス６１および蒸着物質によって成膜が行われるので、膜厚分布が良好で、組成傾斜が可能な有機膜を形成することができる。また、蒸着物質８１の利用効率、成膜速度の向上も可能となる。さらに、ガス流路１４から被蒸着基板５１方向に放出されるガス６１がるつぼ１３の側周より放出されるため、るつぼ１３から蒸発される蒸着物質８１はガス流路１４から放出されたガス６１によって取り囲まれるようになり、これによって、蒸着が行われるチャンバ１１内壁への蒸着物質８１の付着を防止され、チャンバ１１内部の汚染を抑制することが可能になる。したがって、清浄度の高い真空状態を保持することが可能になるので、被蒸着基板５１の成膜面には高い純度の蒸着膜を形成することができる。
【実施例２】
【００２３】
次に、本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第２実施例を、図２によって説明する。図２は、（１）は蒸着装置の蒸着源を示した概略構成断面であり、（２）は（１）図のガス流路１４の部分拡大断面図を示したものであり、（３）は（１）図のガス流路１８の部分拡大断面図を示したものである。
【００２４】
第２実施例の蒸着装置２は、チャンバ内に蒸着源１２と被蒸着基板とを対向して設けたものである。図２に示すように、上記蒸着源１２は、蒸着材料７１を蒸発させるるつぼ１３と、るつぼ１３の底部側から外周側方向にガス６１（例えばキャリアガス）を供給するガス流路１８と、上記ガス流路１８に連通するもので上記るつぼ１３に側周に沿って上記被蒸着基板（図示せず）方向にガス６１（例えばキャリアガス）を供給するガス流路１４と、ガス流路１４およびガス流路１８を加熱する加熱源１５とを備えたものである。上記ガス流路１４、１８の側周にガス流路１４、１８内の熱が逃げないようにするために断熱壁１６を設けることが好ましい。上記加熱源１５は、図示したように、上記断熱壁１６内に設けてもよい。この場合、加熱源１５のガス流路１４側は熱伝導性に優れた材料で構成することが好ましい。さらに、ガス流路１８の下部側にも加熱源１５１を設けてもよい。なお、上記るつぼ１３の加熱には、上記加熱源１５１を兼用してもよく、もしくは、るつぼ専用の加熱源（図示せず）が設けられていてもよい。上記チャンバの構成は実施例１と同様である。
【００２５】
上記ガス流路１８は、最下層から最上層方向にガス６１を流す複数層に構成した層状の流路１８１からなる。すなわち、上記るつぼ１３の下部外側にるつぼ１３の底部の外形よりも大きな外形を有するように形成した外側壁１８２と、層状に複数層に形成された層間壁１８３とからなっている。したがって、外側壁１８２に囲まれかつ層間壁１８３間に挟まれた個々の空間がそれぞれ上記層状の流路１８１となる。上記外側壁１８２および層間壁１８３は、高温（例えば３００℃〜６００℃程度）での熱伝導性に優れた材料で構成されることが好ましく、例えば耐食性を有するタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）等の高融点金属材料を用いることができ、また銅（Ｃｕ）等の耐食性の低い金属材料が用いられる場合には、ガス６１に触れる表面にガス６１による腐食を防止するために、例えば酸化膜、窒化膜、セラミックスもしくはホーロー等のコーティングを施すことが好ましい。
【００２６】
上記ガス流路１８を構成する各層の層間、すなわち上記層間壁１８３には層状の流路１８１間を連通する開口部が形成されている。例えば、一つの層状の流路１８１−１に対して、下部側の層間壁１８３−１には層状の流路１８１−１内にガス６１を流入させる開口部１８４−１が設けられ、上部側の層間壁１８３−２には上層の流路１８１−２内にガス６１を流出させる開口部１８４−２が設けられている。上記開口部１８４−１、１８４−２は、るつぼ１３の下部中央側と外側壁１８２側とに交互に設けられている。このように、各層状の流路１８１間を連通する開口部１８４−１、１８４−２が形成されていることから、最下層の層状の流路１８１−Ｄに供給されたガス６１は開口部１８４−１、１８４−２を通じて順次上層の各層状の流路１８１に供給され、最上層の層状の流路１８１−Ｕよりガス流路１４に供給されるようになる。
【００２７】
また、上記ガス流路１４は、上記ガス流路１８に連通するもので最下層から最上層方向にガス６１を流す複数層に構成した層状の流路１４１からなる。すなわち、上記るつぼ１３の外側に設けた内側壁１４２と上記内側壁１４２と所定の間隔を置いて形成された外側壁１４３と、上記内側壁１４２と上記外側壁１４３との間に層状に複数層に形成された層間壁１４４とからなっている。したがって、層間壁１４４間に挟まれた空間が上記層状の流路１４１となる。上記内側壁１４２、外側壁１４３および層間壁１４４は、高温（例えば３００℃〜６００℃程度）での熱伝導性に優れた材料で構成されることが好ましく、例えば耐食性を有するタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）等の高融点金属材料を用いることができ、また銅（Ｃｕ）等の耐食性の低い金属材料が用いられる場合には、ガス６１に触れる表面にガス６１による腐食を防止するために、例えば酸化膜、窒化膜、セラミックスもしくはホーロー等のコーティングを施すことが好ましい。
【００２８】
上記ガス流路１４を構成する各層の層間、すなわち上記層間壁１４４には層状の流路１４１間を連通する開口部が形成されている。例えば、一つの層状の流路１４１−１に対して、下部側の層間壁１４４−１には層状の流路１４１−１内にガス６１を流入させる開口部１４５−１が設けられ、上部側の層間壁１４４−２には上層の流路１４１−２内にガス６１を流出させる開口部１４５−２が設けられている。このように、各層状の流路１４１間を連通する開口部１４５（例えば１４５−１、１４５−２）が形成されていることから、上記ガス流路１８から最下層の層状の流路１４１−Ｄに供給されたガス６１は開口部１４５を通じて順次上層の各層状の流路１４１に供給され、最上層の層状の流路１４１−Ｕより被成膜基板（図示せず）方向に放出されるようになる。
【００２９】
さらに、各層状の流路１４１内には、例えば、一つの層状の流路１４１（例えば１４１−１）に対して、下部側の層間壁１４４−１および上部側の層間壁１４４−２には、それぞれの壁面に対して交互に、対向する壁面との間に流路を確保した状態で複数のフィン１４６およびフィン１４７が形成されている。同様に、各層状の流路１８１内には、例えば、一つの層状の流路１８１（例えば１８１−１）に対して、下部側の層間壁１８３−１および上部側の層間壁１８３−２には、それぞれの壁面に対して交互に、対向する壁面との間に流路を確保した状態で複数のフィン１８６およびフィン１８７が形成されている。このフィン１４６、１４７、１８６、１８７は、高温（例えば３００℃〜６００℃程度）での熱伝導性に優れた材料で構成されることが好ましく、例えば耐食性を有するタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）等の高融点金属材料を用いることができ、また銅（Ｃｕ）等の耐食性の低い金属材料が用いられる場合には、ガス６１に触れる表面にガス６１による腐食を防止するために、例えば酸化膜、窒化膜、セラミックスもしくはホーロー等のコーティングを施すことが好ましい。このように、それぞれの壁面に対して交互に、対向する壁面との間に流路を確保した状態で複数のフィン１４６、１４７、１８６、１８７が形成されていることから、各フィン１４６、１４７、１８６、１８７に対してガス６１が十分に接触できるようになるので、ガス６１の加熱効率を高めることができ、各層状の流路１４１、１８１内において、ガス６１をむらなく加熱することが可能になる。
【００３０】
上記各フィン１４６、１４７、１８６、１８７は、例えば被蒸着基板５１側からるつぼ１３方向に見た場合、環状に形成されていてもよく、また複数の分割された状態で環状に配置されたものでもよい。また、上記フィン１４６、１４７、１８６、１８７の形状は、ガス流を妨げる形状でなければよく、例えば図示したように壁面に対して垂直に設けてもよく、もしくはガス流方向に傾斜させて設けてもよい。フィン１４６、１４７、１８６、１８７を層間壁の壁面に対して垂直に設けることにより、フィン１４６、１４７、１８６、１８７の表面にガス流が接触する時間を長く取ることが可能になり、ガス６１を十分に加熱することができる。またフィン１４６、１４７、１８６、１８７を層間壁の壁面に対してガス流方向に傾斜させて設けた場合には、フィン１４６、１４７、１８６、１８７の表面にガス流が接触しかつガス流をより円滑に流すことが可能になる。
【００３１】
また、上記ガス流路１８には、ガス６１を供給するガス供給部１７が最下層の流路１８１−Ｄの複数箇所に接続されている。ここでは、２箇所に接続した事例を示した。このように、ガス供給部１７が最下層の流路１８１−Ｄの複数箇所に接続されていることから、一箇所からガス６１を供給する場合と比較して、最下層の流路１８１−Ｄに均一に供給されるようになる。
【００３２】
なお、上記加熱源１５は、上記ガス流路１４、１８の各外側壁１４３、１８２に埋め込まれていてもよい。上記加熱源１５は、例えば電熱線を用いたヒータからなる。このように、加熱源１５がガス流路１４、１８の外側壁１４３、１８２を加熱するように設置されることから、加熱源１５によってガス流路１４、１８は加熱される。
【００３３】
本発明の蒸着装置２は、前記蒸着装置１と同様なる作用および効果を得ることができる。さらに、るつぼ１３の外側周に設けたガス流路１４に連通するもので、ガス流路１４と同様の複数層に構成した層状の流路１８１からなるガス流路１８をるつぼ１３の下部に設けたことから、前記蒸着装置１よりもガス６１を十分に加熱することができる。
【００３４】
上記蒸着装置２を用いた蒸着方法は、ガス６１がガス流路１８に供給され加熱されてからガス流路１４に供給されることの他は、前記蒸着装置１を用いた場合と同様である。したがって、蒸着装置２を用いて蒸着を行った場合も、前記蒸着装置１を用いて蒸着を行った場合と同様の作用効果を得ることができる。さらに蒸着装置２を用いて蒸着を行った場合には、るつぼ１３下部に設置したガス流路１８でもガス６１が加熱されることから、ガス６１は十分に所望の温度に加熱することができるようになる。
【実施例３】
【００３５】
次に、本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第３実施例を、図３によって説明する。図３は、（１）は蒸着装置の蒸着源を示した概略構成断面であり、（２）は（１）図のガス流路１８の部分拡大断面図を示したものである。
【００３６】
第３実施例の蒸着装置３は、チャンバ内に蒸着源１２と被蒸着基板とを対向して設けたものである。図３に示すように、上記蒸着源１２は、蒸着材料７１を蒸発させるるつぼ１３と、るつぼ１３の底部側から外周側方向にガス６１（例えばキャリアガス）を供給するガス流路１８と、ガス流路１８を加熱する加熱源１５とを備えたものである。上記ガス流路１８の側周およびるつぼ１３の外周には、上記ガス流路１８内の熱が逃げないようにするとともに、るつぼ１３の外側周によって被蒸着基板５１方向に供給される加熱されたガス６１の温度が低下するのを防止するための断熱壁１６を、るつぼ１３と所望の間隔を置いて設けることが好ましい。したがって、断熱壁１６とるつぼ１３との間が被蒸着基板（図示せず）方向に供給される加熱されたガス６１の流路となる。上記加熱源１５は、図示したように、上記断熱壁１６内に設けてもよい。この場合、加熱源１５のガス流路１８側は熱伝導性に優れた材料で構成することが好ましい。さらに、ガス流路１８の下部側にも加熱源１５１を設けてもよい。なお、上記るつぼ１３の加熱には、上記加熱源１５１を兼用してもよく、もしくは、るつぼ専用の加熱源（図示せず）が設けられていてもよい。上記チャンバの構成は実施例１と同様である。
【００３７】
上記ガス流路１８は、最下層から最上層方向にガス６１を流す複数層に構成した層状の流路１８１からなる。すなわち、上記るつぼ１３の下部外側にるつぼ１３の底部の外形よりも大きな外形を有するように形成した外側壁１８２と、層状に複数層に形成された層間壁１８３とからなっている。したがって、外側壁１８２に囲まれかつ層間壁１８３間に挟まれた個々の空間がそれぞれ上記層状の流路１８１となる。上記外側壁１８２および層間壁１８３は、高温（例えば３００℃〜６００℃程度）での熱伝導性に優れた材料で構成されることが好ましく、例えば耐食性を有するタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）等の高融点金属材料を用いることができ、また銅（Ｃｕ）等の耐食性の低い金属材料が用いられる場合には、ガス６１に触れる表面にガス６１による腐食を防止するために、例えば酸化膜、窒化膜、セラミックスもしくはホーロー等のコーティングを施すことが好ましい。
【００３８】
上記ガス流路１８を構成する各層の層間、すなわち上記層間壁１８３には層状の流路１８１間を連通する開口部が形成されている。例えば、一つの層状の流路１８１−１に対して、下部層間壁１８３−１には層状の流路１８１−１内にガス６１を流入させる開口部１８４−１が設けられ、上部層間壁１８３−２には上層の流路１８１−２内にガス６１を流出させる開口部１８４−２が設けられている。上記開口部１８４−１、１８４−２は、るつぼ１３の下部中央側と外側壁１８２側とに交互に設けられている。このように、各層状の流路１８１間を連通する開口部１８４（例えば１８４−１、１８５−２）が形成されていることから、最下層の層状の流路１８１−Ｄに供給されたガス６１は開口部１８４を通じて順次上層の各層状の流路１８１に供給され、最上層の層状の流路１８１−Ｕより上記るつぼ１３の外側周に沿って被蒸着基板（図示せず）方向に放出されるようになる。
【００３９】
さらに、各層状の流路１８１内には、例えば、一つの層状の流路１８１（例えば１８１−１）に対して、下部層間壁１８３−１および上部層間壁１８３−２には、それぞれの壁面に対して交互に、対向する壁面との間に流路を確保した状態で複数のフィン１８６およびフィン１８７が形成されている。このフィン１８６、１８７は、高温（例えば３００℃〜６００℃程度）での熱伝導性に優れた材料で構成されることが好ましく、例えば耐食性を有するタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）等の高融点金属材料を用いることができ、また銅（Ｃｕ）等の耐食性の低い金属材料が用いられる場合には、ガス６１に触れる表面にガス６１による腐食を防止するために、例えば酸化膜、窒化膜、セラミックスもしくはホーロー等のコーティングを施すことが好ましい。このように、それぞれの壁面に対して交互に、対向する壁面との間に流路を確保した状態で複数のフィン１８６、１８７が形成されていることから、各フィン１８６、１８７に対してガス６１が十分に接触できるようになるので、ガス６１の加熱効率を高めることができ、各層状の流路１８１内において、ガス６１をむらなく加熱することが可能になる。
【００４０】
上記各フィン１８６、１８７は、例えば被蒸着基板５１側からるつぼ１３方向に見た場合、環状に形成されていてもよく、また複数の分割された状態で環状に配置されたものでもよい。また、上記フィン１８６、１８７の形状は、ガス流を妨げる形状でなければよく、例えば図示したように壁面に対して垂直に設けてもよく、もしくはガス流方向に傾斜させて設けてもよい。フィン１８６、１８７を層間壁の壁面に対して垂直に設けることにより、フィン１８６、１８７の表面にガス流が接触する時間を長く取ることが可能になり、ガス６１を十分に加熱することができる。またフィン１８６、１８７を層間壁の壁面に対してガス流方向に傾斜させて設けた場合には、フィン１８６、１８７の表面にガス流が接触しかつガス流をより円滑に流すことが可能になる。
【００４１】
また、上記ガス流路１８には、ガス６１を供給するガス供給部１７が最下層の流路１８１−Ｄの複数箇所に接続されている。ここでは、２箇所に接続した事例を示した。このように、ガス供給部１７が最下層の流路１８１−Ｄの複数箇所に接続されていることから、一箇所からガス６１を供給する場合と比較して、最下層の流路１８１−Ｄに均一に供給されるようになる。
【００４２】
なお、上記加熱源１５は、上記ガス流路１８の各外側壁１８２に埋め込まれていてもよい。上記加熱源１５は、例えば電熱線を用いたヒータからなる。このように、加熱源１５がガス流路１８の外側壁１８２を加熱するように設置されることから、加熱源１５によってガス流路１８は加熱される。
【００４３】
本発明の蒸着装置３は、前記蒸着装置２のガス流路１４部分の作用および効果を除いたのと同様なる作用および効果を得ることができる。さらに、るつぼ１３の外側周に断熱壁１６を設けたことから、るつぼ１３の下部に設けたガス流路１８によって加熱されたガス６１は、その温度を低下させることなく、るつぼ１３の外側周から被蒸着基板５１方向に放出される。さらに、るつぼ１３の下部側のみにガス流路１８が設けられていることから、装置構成が簡単になるという利点がある。
【００４４】
また、上記蒸着装置３を用いた蒸着方法は、ガス６１がガス流路１８に供給され加熱されてからるつぼ１３のガイド側周を通って被蒸着基板方向に供給されることの他は、前記蒸着装置２を用いた場合と同様である。したがって、上記蒸着装置３を用いて蒸着を行った場合も、前記蒸着装置２を用いて蒸着を行った場合と同様の作用効果を得ることができる。
【実施例４】
【００４５】
次に、本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第４実施例を、図４に示した蒸着装置の蒸着源の概略構成断面によって説明する。この第４実施例は、上記第１〜第３実施例において、加熱源に係わる構成が異なるものであり、その他の構成は上記第１〜第３実施例と同様である。したがって、以下の説明では、上記第１〜第３実施例と異なる加熱源についてのみ説明する。
【００４６】
図４に示すように、上記加熱源１５は、前記実施例１によって説明したような断熱壁内に設けず、ガス流路１４の側周に配置してもよい。この加熱源１５には、ランプ加熱、電熱線による加熱等の加熱方式を採用することができる。なお、本実施例では前記実施例１のように、ガス流路１４の側周に断熱壁は設けないが、加熱源１５の外側に熱反射壁（図示せず）を設けて、加熱源１５からの放熱を効率よくガス流路１４へ導くようにすることが好ましい。加熱源１５、熱反射壁および断熱壁以外の構成は、前記第１実施例の構成と同様である。また、実施例１と同様に、るつぼ１３の下部側、ガス流路１４の下部側に加熱源１５１を設けることも好ましい。さらに、本実施例のように、加熱源１５を断熱壁内に設けず、ガス流路の側周に配置する構成は、前記実施例２の蒸着装置２、前記実施例３の蒸着装置３にも、同様に適用することができる。また本実施例のように、ガス流路１４およびるつぼ１３の下方側に加熱源１５１を設ける構成は、前記実施例２の蒸着装置２、前記実施例３の蒸着装置３にも、同様に適用することができる。なお、加熱源１５１は、るつぼ１３の加熱手段（図示せず）と兼用することもできる。
【００４７】
上記第４実施例も前記第１〜第３実施例と同様なる作用効果を得ることができる。さらに、第４実施例では、加熱源１５が壁内ではなく外部に設けられていることから、加熱源１５のメンテナンスが容易になるという利点もある。またランプ加熱方式を採用することができるようになるという利点もある。
【実施例５】
【００４８】
次に、本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第５実施例を、図５および図６に示した概略構成断面図によって説明する。この第５実施例は、上記第１〜第４実施例におけるガス供給部の取り付け位置に係わる実施例であり、その他の構成は上記第１〜第４実施例と同様である。したがって、以下の説明では、ガス供給部に係わる構成について説明する。なお、ここでは代表して、前記実施例１の構成を一例として説明する。なお、以下の説明中括弧内の数値は実施例２、３の構成における符号である。
【００４９】
図５（１）に示すように、ガス流路１４（１８）の最下層の層状の流路１４１（１８１）の外側の２箇所にガス供給部１７が接続されている。この場合、ガス供給部１７は対向する位置に配設されている。したがって、るつぼ１３の中心Ｏから見て１８０度ずらした位置に配設されることになる。このように、最下層の層状の流路１４１（１８１）の外側にガス供給部１７が接続された場合、最下層の層状の流路１４１（１８１）の上部側（被蒸着基板（図示せず）側）の層間壁のるつぼ１３側に開口部１４５（１８４）が形成され、最下層の層状の流路１４１（１８１）の下部側の層間壁には開口部は形成されない。なお、ガス流路１８では、最下層の層状の流路１８１に形成される開口部はるつぼ１３の中央下方に、円形状に設けられる。
【００５０】
図５（２）に示すように、ガス流路１４（１８）の最下層の層状の流路１４１（１８１）の外側の４箇所にガス供給部１７が接続されている。この場合、ガス供給部１７は周方向に等間隔に配設されている。したがって、るつぼ１３の中心Ｏから見て９０度ずつずらした位置に配設されることになる。このように、最下層の層状の流路１４１（１８１）の外側にガス供給部１７が接続された場合、最下層の層状の流路１４１（１８１）の上部側（被蒸着基板（図示せず）側）の層間壁のるつぼ１３側に開口部１４５（１８４）が形成され、最下層の層状の流路１４１（１８１）の下部側の層間壁には開口部は形成されない。なお、ガス流路１８では、最下層の層状の流路１８１に形成される開口部はるつぼ１３の中央下方に、円形状に設けられる。
【００５１】
また図６（３）に示すように、ガス流路１４（１８）の最下層の層状の流路１４１（１８１）の外側の８箇所にガス供給部１７が接続されている。この場合、ガス供給部１７は周方向に等間隔に配設されている。したがって、るつぼ１３の中心から見て４５度ずつずらした位置に配設されることになる。このように、最下層の層状の流路１４１（１８１）の外側にガス供給部１７が接続された場合、最下層の層状の流路１４１（１８１）の上部側（被蒸着基板（図示せず）側）の層間壁のるつぼ１３側に開口部１４５（１８４）が形成され、最下層の層状の流路１４１（１８１）の下部側の層間壁には開口部は形成されない。なお、ガス流路１８では、最下層の層状の流路１８１に形成される開口部はるつぼ１３の中央下方に、円形状に設けられる。
【００５２】
上記図５および図６による説明では、ガス供給部１７の配設箇所数が２箇所、４箇所、８箇所の場合であったが、上記構成に限定されることはなく、３箇所、５箇所、６箇所、７箇所もしくは９箇所以上であっても差し支えはない。いずれの場合においても、るつぼ１３の中心Ｏから見てガス供給部１７は周方向に等間隔に配設されていることが好ましい。このように等間隔に配置されることによって、層状の流路１４１（１８１）内にガス６１が均一に導入されることになる。また、ガス供給部１７が接続される側と対向する側の上部層間壁１４４−２（１８３−２）に開口部１４５（１８４）が形成されることから、ガス供給部１７から供給されたガス６１は層状の流路１４１（１８１）内で淀むことなく、図示はしていない上層の流路に導かれることになる。
【００５３】
上記第５実施例の構成では、ガス供給部１７が最下層に位置する層状の流路１４１（１８１）の複数箇所に接続されていることから、一箇所からガス６１を供給する場合と比較して、ガス６１は最下層に位置する層状の流路１４１（１８１）に均一に供給されるようになる。
【実施例６】
【００５４】
次に、本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第６実施例を、図７〜図９に示した概略構成断面図によって説明する。この第６実施例は、上記第１〜第５実施例における開口部の形成位置に係わる実施例であり、その他の構成は上記第１〜第５実施例と同様である。したがって、以下の説明では、開口部に係わる構成について説明する。なお、ここでは代表して、前記実施例１、２のガス流路１４の構成を一例として説明する。
【００５５】
図７（１）に示す構成は、ガス６１が供給される最下層の層状の流路を一層目の流路とした場合、偶数層目の層状の流路１４１を示したものである。偶数層目の層状の流路１４１に対して、下部層間壁１４４−１には層状の流路１４１内にガス６１を流入させる開口部１４５−１がるつぼ１３側に設けられ、上部層間壁（図示せず）には上層の流路（図示せず）内にガス６１を流出させる開口部１４５−２がるつぼ１３と対向する側に設けられ、それぞれの開口部１４５−１、１４５−２は環状に形成されている。
【００５６】
図７（２）に示す構成は、ガス６１が供給される最下層の層状の流路１４１を一層目の流路とした場合、１層目を除く奇数層目の層状の流路１４１を示したものである。奇数層目の層状の流路１４１に対して、下部層間壁１４４−１には層状の流路１４１（１８１）内にガス６１を流入させる開口部１４５−１がるつぼ１３と対向する側に設けられ、上部層間壁（図示せず）には上層の流路（図示せず）内にガス６１を流出させる開口部１４５−２がるつぼ１３側に設けられ、それぞれの開口部１４５−１、１４５−２は環状に形成されている。
【００５７】
上記図７によって説明したように、開口部１４５−１と開口部１４５−２と配置することによって、開口部１４５−１から供給されたガス６１は円滑に開口部１４５−２へ流れるため、ガス６１は、層状の流路１４１に確実に接触して加熱されるとともに、ガス６１を上層の流路に円滑に導くことができる。なお、前記実施例２、３によって説明したガス流路１８についても外側壁側に設けられる開口部は上記説明したのと同様に環状に形成することができる。
【００５８】
図８に示す構成は、ガス６１が供給される最下層（１層目）の層状の流路１４１を示したものである。１層目の層状の流路１４１の外側の複数箇所（図面では一例として２箇所）にガス供給部１７が接続されている。この場合、るつぼ１３の中心Ｏから見てガス供給部１７は周方向に等間隔に配設されている。さらに、１層目の層状の流路１４１の上部層間壁（図示せず）には上層の流路（図示せず）内にガス６１を流出させる開口部１４５−２がるつぼ１３側の複数箇所（図面では一例として２箇所）に設けられている。なお、１層目の層状の流路１４１に対して、下部層間壁には開口部は形成されない。上記各ガス供給部１７および各開口部１４５−２は、るつぼ１３の中心Ｏから見て周方向に、等間隔の角度となるように、かつガス供給部１７と開口部１４５−２とが交互となるように配置されている。したがって、ガス供給部１７の接続個数と開口部１４５−２の形成個数は同数となることが好ましい。
【００５９】
上記図８によって説明したように、ガス供給部１７と開口部１４５−２と配置することによって、ガス供給部１７から供給されたガス６１は円滑に開口部１４５−２へ流れるため、ガス６１は、層状の流路１４１に接触している道程（時間）が長くなるので、加熱効率が高めることができるとともに、ガス６１を上層の流路に円滑に導くことができる。
【００６０】
図９（１）に示す構成は、ガス６１が供給される最下層の層状の流路１４１を一層目の流路とした場合、偶数層目の層状の流路１４１を示したものである。偶数層目の層状の流路１４１に対して、下部層間壁１４４−１には層状の流路１４１内にガス６１を流入させる開口部１４５−１がるつぼ１３側の複数箇所（図面では一例として２箇所）に設けられ、上部層間壁（図示せず）には上層の流路（図示せず）内にガス６１を流出させる開口部１４５−２がるつぼ１３と対向する側の複数箇所（図面では一例として２箇所）に設けられ、それぞれの開口部１４５−１、１４５−２は、るつぼ１３の中心Ｏから見て周方向等間隔の角度となるように配置されている。すなわち、るつぼ１３の中心Ｏから見て周方向に、開口部１４５−１の間に開口部１４５−２が配置されるようになっている。
【００６１】
図９（２）に示す構成は、ガス６１が供給される最下層の層状の流路１４１を一層目の流路とした場合、１層目を除く奇数層目の層状の流路１４１を示したものである。奇数層目の層状の流路１４１に対して、下部層間壁１４４−１には層状の流路１４１内にガス６１を流入させる開口部１４５−１がるつぼ１３と対向する側の複数箇所（図面では一例として２箇所）に設けられ、上部層間壁１４４−２には上層の流路（図示せず）内にガス６１を流出させる開口部１４５−２がるつぼ１３側の複数箇所（図面では一例として２箇所）に設けられ、それぞれの開口部１４５−１、１４５−２は、るつぼ１３の中心Ｏから見て周方向等間隔の角度となるように配置されている。すなわち、るつぼ１３の中心Ｏから見て周方向に、開口部１４５−１の間に開口部１４５−２が配置されるようになっている。
【００６２】
上記図９によって説明したように、開口部１４５−１と開口部１４５−２と配置することによって、開口部１４５−１から供給されたガス６１は円滑に開口部１４５−２へ流れるため、ガス６１は、層状の流路１４１に接触している道程（時間）が長くなるので、加熱効率が高めることができるとともに、ガス６１を上層の流路に円滑に導くことができる。なお、前記実施例２、３によって説明したガス流路１８についても、外側壁側に設けられる開口部は上記説明したのと同様に複数箇所に配置することができる。
【実施例７】
【００６３】
次に、本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第７実施例を、図１０〜図１３によって説明する。この第７実施例は、上記第１〜第６実施例における層状の流路に仕切り壁を設けて、かつ仕切り壁にガスの流れを確保した開口部を形成した構成に係わる実施例であり、仕切り壁を除くその他の構成は上記第１〜第６実施例と同様である。したがって、以下の説明では、層状の流路に設けた仕切り壁に係わる構成について説明する。なお、ここでは代表して、前記実施例１、２のガス流路１４の構成を一例として説明する。
【００６４】
図１０は、ガス６１が供給される最下層（１層目）の層状の流路１４１を示したものである。１層目の層状の流路１４１（１４１−１）の外側の複数箇所（図面では一例として２箇所）にガス供給部１７が接続されている。この場合、るつぼ１３の中心Ｏから見てガス供給部１７は周方向に等間隔に配設されている。図面では、ガス供給部１７が二本であるため、対向する位置に配置されている。さらに、１層目の層状の流路１４１−１の上部層間壁１４４−２には上層の流路１４１−２内にガス６１を流出させる開口部１４５−２がるつぼ１３側の複数箇所（図面では一例として２箇所）に設けられている。なお、１層目の層状の流路１４１−１に対して、下部層間壁１４４−１には開口部は形成されない。上記各ガス供給部１７および各開口部１４５−２は、るつぼ１３の中心Ｏから見て周方向に、等間隔の角度となるように、かつガス供給部１７と開口部１４５−２とが交互となるように配置されている。したがって、ガス供給部１７の接続個数と開口部１４５−２の形成個数は同数となることが好ましい。
【００６５】
さらに、１層目の層状の流路１４１内には、当該層内のガスの流れを確保する開口部１９が形成された複数の仕切り壁２０が例えば等間隔に形成されている。そして上記仕切り壁２０は、上記るつぼ１３側の内側壁１４２と上記るつぼ１３側に対向する外側壁１４３（流路内壁側）とに交互に形成されている。上記仕切り壁２０は、高温（例えば３００℃〜６００℃程度）での熱伝導性に優れた材料で構成されることが好ましく、例えば耐食性を有するタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）等の高融点金属材料を用いることができ、また銅（Ｃｕ）等の耐食性の低い金属材料が用いられる場合には、ガス６１に触れる表面にガス６１による腐食を防止するために、例えば酸化膜、窒化膜、セラミックスもしくはホーロー等のコーティングを施すことが好ましい。これによって、ガス供給部１７より第１層目の層状の流路１４１に供給されたガス６１は、各開口部１９を通り各仕切り壁２０を回り込むようにして開口部１４５−２に向かう。その際、仕切り壁２０がるつぼ１３側の内側壁１４２とるつぼ１３側に対向する外側壁１４３（流路内壁側）とに交互に形成されていることから、ガス６１は仕切り壁２０にそってジグザグに流れることになるので、加熱源１５より放射された熱によって加熱された外側壁１４３、層間壁１４４、フィン１４６、１４７および仕切り壁２０を通じてガス６１を加熱することが容易になり、所望の温度に過熱された状態のガス６１を被成膜基板（図示せず）方向に放出できるようになる。
【００６６】
上記ガスの流れを確保する開口部１９が形成された仕切り壁２０は、第２層目より上層の層状の流路１４１についても同様に設置することができる。これらの場合について、以下、図１１および図１２によって説明する。
【００６７】
図１１は、ガス６１が供給される偶数層目の層状の流路１４１（１４１−２）を示したものである。偶数層目の層状の流路１４１−２に対して、下部層間壁１４４−１には層状の流路１４１−２内にガス６１を流入させる開口部１４５−１がるつぼ１３側の複数箇所（図面では一例として２箇所）に設けられ、上部層間壁１４４−２には上層の流路１４１−１内にガス６１を流出させる開口部１４５−２がるつぼ１３と対向する側の複数箇所（図面では一例として２箇所）に設けられ、それぞれの開口部１４５−１、１４５−２は、るつぼ１３の中心Ｏから見て周方向等間隔の角度となるように配置されている。すなわち、るつぼ１３の中心Ｏから見て周方向に、開口部１４５−１の間に開口部１４５−２が配置されるようになっている。
【００６８】
さらに、偶数層目の各層状の流路１４１−２内には、当該層内のガスの流れを確保する開口部１９が形成された複数の仕切り壁２０が形成されている。例えば、上記仕切り壁２０は、上記るつぼ１３側の内側壁１４２と上記るつぼ１３側に対向する外側壁１４３（流路内壁側）とに交互に形成されている。上記仕切り壁２０は、前記第１層目の層状の流路１４１−１内に設けた仕切り壁２０と同様なる材料で形成されることが好ましい。これによって、開口部１４５−１より偶数層目の各層状の流路１４１−２に供給されたガス６１は、各開口部１９を通り各仕切り壁２０を回り込むようにして開口部１４５−２に向かう。その際、仕切り壁２０がるつぼ１３側の内側壁１４２とるつぼ１３側に対向する外側壁１４３（流路内壁側）とに交互に形成されていることから、ガス６１は仕切り壁２０にそってジグザグに流れることになるので、加熱源（図示せず）より放射された熱によって加熱された外側壁１４３、層間壁１４４、フィン１４６、１４７および仕切り壁２０を通じてガス６１を加熱することが容易になり、所望の温度に過熱された状態のガス６１を被成膜基板（図示せず）方向に放出できるようになる。
【００６９】
図１２は、ガス６１が供給される最下層の層状の流路１４１を一層目の流路とした場合、１層目を除く奇数層目の層状の流路１４１（１４１−１）を示したものである。奇数層目の層状の流路１４１−１に対して、下部層間壁１４４−１には層状の流路１４１−１内にガス６１を流入させる開口部１４５−１がるつぼ１３と対向する側の複数箇所（図面では一例として２箇所）に設けられ、上部層間壁１４４−２には上層の流路（図示せず）内にガス６１を流出させる開口部１４５−２がるつぼ１３側の複数箇所（図面では一例として２箇所）に設けられ、それぞれの開口部１４５−１、１４５−２は、るつぼ１３の中心Ｏから見て周方向等間隔の角度となるように配置されている。すなわち、るつぼ１３の中心Ｏから見て周方向に、開口部１４５−１の間に開口部１４５−２が配置されるようになっている。
【００７０】
さらに、奇数層目の各層状の流路１４１−１内には、当該層内のガスの流れを確保する開口部１９が形成された複数の仕切り壁２０が形成されている。例えば、上記仕切り壁２０は、上記るつぼ１３側の内側壁１４２と上記るつぼ１３側に対向する外側壁１４３（流路内壁側）とに交互に形成されている。上記仕切り壁２０は、前記第１層目の層状の流路１４１内に設けた仕切り壁２０と同様なる材料で形成されることが好ましい。これによって、開口部１４５−１より奇数層目の各層状の流路１４１に供給されたガス６１は、各開口部１９を通り各仕切り壁２０を回り込むようにして開口部１４５−２に向かう。その際、仕切り壁２０がるつぼ１３側の内側壁１４２とるつぼ１３側に対向する外側壁１４３（流路内壁側）とに交互に形成されていることから、ガス６１は仕切り壁２０にそってジグザグに流れることになるので、加熱源（図示せず）より放射された熱によって加熱された外側壁１４３、層間壁１４４、フィン１４６、１４７および仕切り壁２０を通じてガス６１を加熱することが容易になり、所望の温度に過熱された状態のガス６１を被成膜基板（図示せず）方向に放出できるようになる。
【００７１】
上記説明したように、開口部１９が、各層間を仕切る仕切り壁２０毎に、るつぼ１３側とるつぼ１３側に対向する流路の外側壁１４３とに交互に形成されていることから、各層間を通るガス６１は各層の全域を流れるようになる。このため、加熱源（図示せず）より各層の壁を通じて各層を流れるガスを加熱することが容易になり、所望の温度に加熱された状態のガスを被成膜基板（図示せず）方向に放出できるようになる。
【００７２】
層状の流路に設ける仕切り壁の別の態様を図１３によって説明する。図１３に示すように、層状の流路１４１には多角形状の仕切り壁２１が形成されている。例えば、上面から見て多数の六角形状（ハニカム形状）に形成された仕切り壁２１を用いることができる。上記仕切り壁２１は、三角形状、四角形状、五角形状、もしくは７角形状以上の多角形状であってもよい。上記仕切り壁２１には、ガス６１（矢印で示す）が流通するように開口部２２が形成されている。上記仕切り壁２１は、高温（例えば３００℃〜６００℃程度）での熱伝導性に優れた材料で構成されることが好ましく、例えば耐食性を有するタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）等の高融点金属材料を用いることができ、また銅（Ｃｕ）等の耐食性の低い金属材料が用いられる場合には、ガス６１に触れる表面にガス６１による腐食を防止するために、例えば酸化膜、窒化膜、セラミックスもしくはホーロー等のコーティングを施すことが好ましい。
【００７３】
上記構成では、開口部１４５−１より層状の流路１４１に流入したガス６１は仕切り壁２１に形成された開口部２２を通って、開口部１４５−２方向に流れる。その際、加熱源（図示せず）によって各層状の流路１４１が加熱されることから、仕切り壁２１も加熱される。したがって、ガス６１は仕切り壁２１からの熱を受けながら、例えば図面矢印方向に流れるため、効率よく加熱される。
【００７４】
上記仕切り壁２０、２１は、前記実施例２、３によって説明したガス流路１８についてもガス流路１４と同様に設置することができる。
【実施例８】
【００７５】
次に、本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第８実施例を、図１４〜図１８によって説明する。この第８実施例は、上記第１〜第７実施例における層状の流路に設ける開口部に係わる実施例であり、開口部を除くその他の構成は上記第１〜第７実施例と同様である。したがって、以下の説明では、層状の流路に設けた開口部に係わる構成について説明する。なお、ここでは代表して、前記実施例１、２で説明したガス流路１４について説明する。
【００７６】
図１４（１）に示すように、最上層の層状の流路の一部を構成する上部側の層間壁１４４−２には被蒸着基板方向にガスを流出させる開口部１４５−２が設けられている。この開口部１４５−２は、るつぼ１３に近い位置、例えば内側壁１４２の外周に沿って、環状に形成されている。
【００７７】
もしくは、図１４（２）に示すように、最上層の層状の流路の一部を構成する上部側の層間壁１４４−２には被蒸着基板方向にガスを流出させる開口部１４５−２が設けられている。この開口部１４５−２は、例えばガス流路の外側壁１４３に近い位置に、環状に形成されている。
【００７８】
もしくは、図１４（３）に示すように、最上層の層状の流路の一部を構成する上部側の層間壁１４４−２には被蒸着基板方向にガスを流出させる開口部１４５−２が設けられている。この開口部１４５−２は、るつぼ１３とガス流路の外側壁１４３との間に、環状に形成されている。
【００７９】
上記いずれの開口部１４５−２は、環状に形成されていることから、所望の温度に加熱された状態のガスによって、るつぼ１３から蒸発された蒸着材料のガスの側周を取り囲むようにして、被成膜基板方向に放出できるようになるので、蒸着材料のガスが開口部１４５−２から放出されたガスの外側へ飛び出してチャンバ（図示せず）の内壁に付着するのを防ぐことができ、蒸着材料の利用効率の向上を可能にするとともに、開口部１４５−２から放出されるガス流量を調整することにより、被成膜基板に成膜される膜厚分布の均一性の向上とともに成膜速度の制御性の向上が可能になる。
【００８０】
上記最上層の層状の流路における上部側の層間壁１４４−２に形成される開口部１４５−２は、複数の孔を環状に配置したものであってもよい。例えば、図１５（１）に示すように、上部側の層間壁１４４−２に複数の孔１４８を環状に配置したものであってもよい。もしくは、図１５（２）に示すように、上部側の層間壁１４４−２に複数の孔１４８を同心円状に配置したものであってもよい。
【００８１】
または、図１６（１）に示すように、複数の孔１４８を同心円状に、かつ、るつぼ１３側より外方に向かうにしたがい孔１４８の口径が小さくなるように配置したものであってもよい。この場合には、最上層の層状の流路内に流入したガスが円滑に被蒸着基板（図示せず）方向に放出されるようにするために、最上層の層状の流路にガスが流入する開口部（図示せず）は、流路を構成する外側壁１４４側に形成されていることが好ましい。または、図１６（２）に示すように、複数の孔１４８を同心円状に、かつ、るつぼ１３側より外方に向かうにしたがい孔１４８の口径が大きくなるように配置したものであってもよい。この場合には、最上層の層状の流路内に流入したガスが円滑に被蒸着基板（図示せず）方向に放出されるようにするために、最上層の層状の流路にガスが流入する開口部（図示せず）は、流路を構成する内側壁１４３側（るつぼ１３側）に形成されていることが好ましい。
【００８２】
上記図１６によって説明したように、少なくとも最上層の層状の流路に形成される上部側の層間壁１４４−２にガスを流出させる複数の孔１４８（開口部）が環状に配置されていることから、所望の温度に加熱された状態のガスによって、るつぼ１３から蒸発された蒸着材料のガスの側周を取り囲むようにして、被成膜基板（図示せず）方向に放出できるようになるので、蒸着材料のガスが複数の孔１４８から放出されたガスの外側へ飛び出してチャンバ（図示せず）の内壁に付着するのを防ぐことができ、蒸着材料の利用効率の向上を可能にするとともに、複数の孔１４８から放出されるガス流量を調整することにより、被成膜基板に成膜される膜厚分布の均一性の向上とともに成膜速度の制御性の向上が可能になる。
【００８３】
また、上記図１４および図１５および図１６によって説明した開口部の構成は、前記実施例３で説明したガス流路１８についても、同様に適用できる。
【００８４】
また、上記図１４および図１５および図１６によって説明した開口部の構成は、ガス流路１４の最上層の層状の流路１４１の他に最上層よりも３〜５層程度下層までの層状の流路１４１についても、同様に適用することができる。
【００８５】
次に、ガス流路１４（１８）における偶数層目の層状の流路１４１に形成される開口部について、図１７および図１８によって説明する。
【００８６】
図１７は、ガス流路１４においてガス６１が供給される偶数層目の層状の流路１４１（１４１−２）を示したものである。偶数層目の層状の流路１４１−２に対して、下部層間壁１４４−１には層状の流路１４１−２内にガス６１を流入させる開口部１４５−１がるつぼ１３側の複数箇所（図面では一例として８箇所）に環状に配置されるように設けられ、上部層間壁１４４−２には上層の流路１４１−１内にガス６１を流出させる開口部１４５−２がるつぼ１３と対向する側の複数箇所（図面では一例として８箇所）に環状に配置されるように設けられ、それぞれの開口部１４５−１、１４５−２は、るつぼ１３の中心Ｏから見て周方向等間隔の角度となるように、かつ環状に配置されている。すなわち、るつぼ１３の中心Ｏから見て周方向に、開口部１４５−１の間に開口部１４５−２が配置されるようになっている。
【００８７】
図１８は、ガス流路１４においてガス６１が供給される最下層の層状の流路１４１を一層目の流路とした場合、奇数層目の層状の流路１４１−１を示したものである。奇数層目の層状の流路１４１−１に対して、下部層間壁１４４−１には層状の流路１４１−１内にガス６１を流入させる開口部１４５−１がるつぼ１３と対向する側の複数箇所（図面では一例として８箇所）に環状に配置されるように設けられ、上部層間壁１４４−２には上層の流路１４１−２内にガス６１を流出させる開口部１４５−２がるつぼ１３側の複数箇所（図面では一例として８箇所）に環状に配置されるように設けられ、それぞれの開口部１４５−１、１４５−２は、るつぼ１３の中心Ｏから見て周方向等間隔の角度となるように配置されている。すなわち、るつぼ１３の中心Ｏから見て周方向に、開口部１４５−１の間に開口部１４５−２が配置されるようになっている。
【００８８】
上記説明したように、層状の流路１４１内にガス６１を流入させる開口部１４５−１が複数設けられているとともに環状に配置されていることから、下層から供給されるガス６１を均一に層内に導くことができるので、ガスをむらなく加熱することが可能になる。また、層状の流路１４１内にガス６１を流出させる開口部１４５−２が複数設けられているとともに環状に配置されていることから、上層へ供給されるガス６１を均一に上層内に導くことができるので、ガスをむらなく加熱することが可能になる。
【実施例９】
【００８９】
上記各第１〜第８実施例で説明した構成では、るつぼ１３の形状が円筒形状のものであったが、例えば、図１９に示すように、るつぼ１３の形状は角筒形状であってもよい。この場合には、ガス流路１４はるつぼ１３の形状に沿った形状となる。また、流路１４に形成されるガスを上層に導く開口部１４５の形状も角型となる。また、ガス６１をガス流路１４に供給するガス供給部１７は、例えばガス流路１４の側壁面に接続される。図面では、各側壁に対してガス供給部１７を接続したが、例えば対向するいずれかの側壁にのみガス供給部１７を接続した構成であってもよく、または、一つの側壁に対して複数のガス供給部１７を接続する構成であってもよい。いずれの構成においても、ガス供給部１７は、最下層の層状の流路１４１に接続されるもので、層状の流路１４１内において供給されたガス６１が均一に分布するような配置を選択することが好ましい。したがって、ガス供給部１７は基本的には点対象となる位置におけるガス流路１４の外側壁１４３に接続されることが望ましい。
【００９０】
本発明の蒸着装置および蒸着方法では、さらに、蒸着源の周りを取り囲むようにガス６１（例えばキャリアガス）の壁を設けることができるので、蒸着材料（例えば有機原料）のガスがキャリアガスから外へ飛び出してチャンバの内壁に付着することを防ぎ、蒸着原料の利用効率の向上を可能にするとともに、キャリアガス流量を調整することにより、膜厚分布の均一性、成膜速度の制御性の向上が可能になるものである。また、キャリアガスに、不活性ガスではなく、有機蒸着物質を含む有機ガスを用いることで、一つの蒸着容器で、共蒸着の効果が得られる。また、このキャリアガス原料を有機気相物質と不活性ガスと交互に切り替えることにより、共蒸着膜と単膜蒸着の連続成膜も可能となる。さらに、ホットウォールを併用することで、さらなる原料の利用効率の向上が図れる。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明の蒸着装置および蒸着方法は、有機エレクトロルミネッセンス装置に用いる有機膜の蒸着の他に金属膜、無機膜等の蒸着という用途にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第１実施例を示した図面であり、（１）は蒸着装置の概要を示した概略構成断面であり、（２）は蒸着装置の蒸着源を示した概略構成断面であり、（３）は（２）図のＡ部拡大断面図である。
【図２】本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第２実施例を示した図面であり、（１）は蒸着装置の蒸着源を示した概略構成断面であり、（２）は（１）図のＢ部拡大断面図を示したものであり、（３）は（１）図のＣ部拡大断面図である。
【図３】本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第３実施例を示した図面であり、（１）は蒸着装置の蒸着源を示した概略構成断面であり、（２）は（１）図のガス流路の拡大断面図である。
【図４】本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第４実施例を示した蒸着装置の蒸着源の概略構成断面である。
【図５】本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第５実施例を示した概略構成断面図である。
【図６】本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第５実施例を示した概略構成断面図である。
【図７】本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第６実施例を示した概略構成断面図であり、開口部の形状、配置について示した図面である。
【図８】本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第６実施例を示した概略構成断面図であり、開口部の形状、配置について示した図面である。
【図９】本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第６実施例を示した概略構成断面図であり、開口部の形状、配置について示した図面である。
【図１０】本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第７実施例を示した概略構成断面図であり、仕切り壁の形状、配置について示した図面である。
【図１１】本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第７実施例を示した概略構成断面図であり、仕切り壁の形状、配置について示した図面である。
【図１２】本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第７実施例を示した概略構成断面図であり、仕切り壁の形状、配置について示した図面である。
【図１３】本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第７実施例を示した概略構成断面図であり、仕切り壁の形状、配置について示した図面である。
【図１４】本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第８実施例を示した概略構成断面図であり、開口部の形状、配置について示した図面である。
【図１５】本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第８実施例を示した概略構成断面図であり、開口部の形状、配置について示した図面である。
【図１６】本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第８実施例を示した概略構成断面図であり、開口部の形状、配置について示した図面である。
【図１７】本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第８実施例を示した概略構成断面図であり、開口部の形状、配置について示した図面である。
【図１８】本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第８実施例を示した概略構成断面図であり、開口部の形状、配置について示した図面である。
【図１９】本発明の蒸着装置および蒸着方法に係る第９実施例を示した概略構成断面図である。
【符号の説明】
【００９３】
１…蒸着装置、１１…チャンバ、１２…蒸着源、１３…るつぼ、１４…ガス流路、１５…加熱源、１４１…層状の流路、１４５…開口部
【図１】
2005330519.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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