(57)【要約】      （修正有）【課題】レバー部に影響を与えずに、先端部が尖鋭化され、高アスペクト比で高分解能測定が可能な探針部を有するＳＰＭ用カンチレバー及びその製造方法を提供する。【解決手段】支持部１と、該支持部より伸びたレバー部２と、該レバー部の自由端側に形成された探針部３とからなり、前記探針部は、前記レバー部との接合部５において１段目の角度変化部が形成され、更に該探針部の中間部６において２段目の角度変化部が形成されていて、探針部の先端部４までの途中において前記支持部側に曲がった形状をなすようにしてＳＰＭ用カンチレバーを構成する。【選択図】図１                                                                                
2005156202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化シリコンからなるレバー部及び探針部を有し、該探針部は略三角形状板体で構成されている走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーにおいて、前記探針部は、該略三角形状板体がレバー部との接辺部を含んで少なくとも２つ以上の角度変化部を有することを特徴とする走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー。
【請求項２】
前記略三角形状板体の探針部は、先端部を挟む２辺が内側に湾曲していることを特徴とする請求項１に係る走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー。
【請求項３】
請求項１又は２に係る走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーの製造方法において、探針部の先端部の尖鋭化並びに探針部の角度変化部を形成する低温熱酸化工程を少なくとも含むことを特徴とする走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーの製造方法。
【請求項４】
前記探針部と前記レバー部とを同時にパターニングし及び形成する工程を含むことを特徴とする請求項３に係る走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーの製造方法。
【請求項５】
前記探針部と前記レバー部とを別々にパターニングし及び形成する工程を含むことを特徴とする請求項３に係る走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ： Atomic Force Microscope）などの走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ： Scanning Probe Microscope）に用いるカンチレバー及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＡＦＭなどのＳＰＭにおいては、特に液体中で生体分子を高速で測定描画する用途で、共振周波数が高く且つバネ定数が小さいカンチレバーが求められている。このようなカンチレバーの一例として、特許第２９８４０９４号公報に示されているようなカンチレバーがある。この公報開示のカンチレバーを図13に基づいて説明する。図13に示すように、このカンチレバーにおいては、探針部102 は支持部103 から伸びるレバー部101 の自由端に、ある角度をもって形成され、その形状は三角平板形状であって、いわゆるバーズビーク（鳥のくちばし）形状のカンチレバーである。そして、このバーズビーク形状のカンチレバーは、探針部102 がレバー部面より飛び出した構造となっている。
【０００３】
上記バーズビーク形状を有する探針部は、ピラミッド状の塊の探針部（バルク探針部）と比べて、平板状で軽量であり、短く薄いカンチレバーとして共振周波数を高く且つバネ定数を小さくする場合に、有利な形状である。また、カンチレバーの最先端に探針部が位置する構造であることから、光学顕微鏡と組み合わさったＡＦＭでは、試料の測定部位と探針部とを光学顕微鏡で観察しながら、ＡＦＭ測定を行う試料部位に短時間で探針部を位置合わせし、測定が開始できるという利点がある。
【特許文献１】特許第２９８４０９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、高分解能でＡＦＭ測定を行うには、探針部先端が尖っていることが必要であり、また極微細な溝などを観察する場合には、探針部が細く且つ長いことが必要である。しかしながら、従来のバーズビーク形状の探針部を有するカンチレバーには、次のような課題がある。まず、バーズビーク形状の探針部の形成にあたっては、シリコンの面方位を利用して作製している。つまり、レバー部の面（１００）と55度程度の傾きを有する（１１１）面を利用して、（１１１）面上に平板形状の探針部を作製している。更に、従来のバーズビーク型探針部の製造方法では、バッチファブリケーションにて曲率半径を50nm以下に作製することは難しかった。しかも、探針部の先端部のアスペクト比を高くするのは難しい。このようなカンチレバーをＡＦＭ装置に搭載する場合には、一般に支持部面を10度程度傾けて搭載する。このように搭載するときは、図14に示すように、深く狭い凹部111 を有する試料110 の測定にあたっては、探針部102 が試料面を的確に捉えることができず、また曲率半径からも高分解能の測定ができない。したがって、高分解能の測定のためには、高アスペクト比の探針部の先端部を可能な限り曲率半径の小さい、しかもレバー部の面に対しても、なるべく垂直な探針部が好ましい。
【０００５】
また、一般的に探針部の先端部がレバー部の面に対して垂直になるように、シリコンのドライエッチングを用いて作製する方法も考えられるが、この場合は垂直加工面が荒れてしまい、微小で鋭角な探針部の形成が困難である。更に、垂直面へのレジスト膜の塗布や露光が難しく、曲率半径の小さな尖った先端を有するパターン形成が行えないという課題が残る。
【０００６】
更に、微小なカンチレバー探針部の先端部の長さ数μｍの領域を、シリコン（１１１）面から機械的に曲げる方法もあるが、曲げること自体が難しいと共に、方向性の制御ができなかったり破損等により、歩留まりよく曲げることはできない。しかも機械的な曲げでは、１本、１本の加工によりコスト高になってしまう。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みなされたもので、レバー部には何ら影響を与えずに、先端部が尖鋭化され、高アスペクト比で高分解能測定が可能な探針部を有するカンチレバーを提供することを目的とする。また探針部の先端部をバッチファブリケーションにより尖鋭化が可能で、低コストのＳＰＭ用カンチレバーの製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
請求項毎の目的を述べると、請求項１に係る発明は、先端が尖鋭化され、高アスペクト比で高分解能測定が可能な探針部を有するＳＰＭ用カンチレバーを提供することを目的とする。請求項２に係る発明は、先端が尖鋭化され、高アスペクト比で高分解能測定が可能であると共に質量を軽減し、強度のある探針部を有するＳＰＭ用カンチレバーを提供することを目的とする。請求項３に係る発明は、探針部の先端部の最適な製造方法を含むＳＰＭ用カンチレバーの製造方法を提供することを目的とする。請求項４及び５に係る発明は、ＳＰＭ用カンチレバーの最適な製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、窒化シリコンからなるレバー部及び探針部を有し、該探針部は略三角形状板体で構成されている走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーにおいて、前記探針部は、該略三角形状板体がレバー部との接辺部を含んで少なくとも２つ以上の角度変化部を有することを特徴とするものである。
【００１０】
このような構成とすることにより、先端部が尖鋭化され、高アスプクト比で高分解能測定が可能な探針部を有するＳＰＭ用カンチレバーが実現可能となる。
【００１１】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーにおいて、前記略三角形状板体の探針部は、先端部を挟む２辺が内側に湾曲していることを特徴とするものである。
【００１２】
このような構成とすることにより、共振周波数の低下を招かないと共に強度を維持したまま、先端部が尖鋭化され、高アスペクト比で高分解能測定が可能な探針部を有するＳＰＭ用カンチレバーが実現可能となる。
【００１３】
請求項３に係る発明は、請求項１又は２に係る走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーの製造方法において、探針部の先端部の尖鋭化並びに探針部の角度変化部を形成する低温熱酸化工程を少なくとも含むことを特徴とするものである。
【００１４】
このような製造方法とすることにより、探針部の先端部の尖鋭化並びに探針部の角度変化部の形成を低温熱酸化工程で容易に行うことができる。
【００１５】
請求項４に係る発明は、請求項３に係る走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーの製造方法において、前記探針部と前記レバー部とを同時にパターニングし及び形成する工程を含むことを特徴とするものである。
【００１６】
このような製造方法とすることにより、探針部とレバー部の位置ずれを起こさずに、探針部の先端部を尖らせることができ、また工程が短縮でき低コスト化が可能となる。
【００１７】
請求項５に係る発明は、請求項３に係る走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーの製造方法において、前記探針部と前記レバー部とを別々にパターニングし及び形成する工程を含むことを特徴とするものである。
【００１８】
このような製造方法とすることにより、レバー部の反りを防止でき、微小なレバー部上にレーザーを照射する場合でも、反射光を十分受光部に正常に戻すことが可能なＳＰＭ用カンチレバーを容易に製造することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、探針部の先端部は略平板方向から２つ以上の角度変化部によりレバー部の固定端方向に曲がった構成とすることができるので、試料面と向き合う探針部の先端部方向がほぼ垂直になり、分解能の高い測定が可能となる。シリコン窒化膜でありながら尖鋭度が要求される探針部の先端部を、より効率的に尖鋭化することが可能なカンチレバーの製造方法を提供し、非常に薄く軟らかなレバー部の自由端に高アスペクト比を有する尖鋭化した探針部を容易に作製できる。また、探針部の尖鋭化に用いる局所酸化処理の影響をレバー部に与えない製造方法を用いることにより、レバー部面の反りを回避し、レーザー反射光を受光面に効率的に返すことが可能なＳＰＭ用カンチレバーを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
次に、発明を実施するための最良の形態について説明する。
【実施例】
【００２１】
まず、本発明に係るＳＰＭ用カンチレバーの実施例１について説明する。実施例１に係るＳＰＭ用カンチレバーのレバー部と探針部の全体の構造の斜視図を図１に示す。また、図２の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に図１に示すＳＰＭ用カンチレバーのＡ〜Ｃの方向から見た探針部の形状を示す。図２の（Ａ）は、上方向Ａから見た図を示し、図２の（Ｂ）は横方向Ｂから見た図を示し、図２の（Ｃ）は正面方向Ｃから見た図を示している。
【００２２】
図１において、支持部１より伸びたレバー部２の自由端側に探針部３が形成されている。ここで探針部３は、レバー部２の自由端側に形成された略三角形状の板から構成され、探針部３の先端部４はレバー部２の自由端に位置している。また、探針部３はレバー部２との接合部５において１段目の角度変化部を形成しており、探針部３の中間部６において更に２段目の角度変化部を形成した形状となっている。更に、探針部３の先端部４は、その頂角が約10度程度になるように尖った形状となっている。すなわち、探針部３は先端部４までの途中において、支持部１側に更に曲がった形状となっている。
【００２３】
次に、図１に示した実施例１に係るＳＰＭ用カンチレバーの製造方法の実施例を、図３の（Ａ）〜（Ｈ）に示す製造工程図に基づいて説明する。まず、図３の（Ａ）に示すような通常の〈０１１〉方向にオリエンテーションフラット（Orientation Flat）を有する（１００）面のシリコン基板11上に、探針部形成用の段差を形成するためのマスク12を形成する。ここで、マスク材としては窒化シリコン膜、酸化シリコン膜などが適している。
【００２４】
次に、ＫＯＨ（水酸化カリウム），ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）などのアルカリ水溶液で湿式異方性エッチングを行い、図３の（Ｂ）に示すような段差13をシリコン基板11の表面に形成する。
【００２５】
次に、マスク12を除去した後、図３の（Ｃ）に示すように、窒化シリコン膜14を低圧化学気相成長法（Low Pressure Chemical Vapor Deposition：ＬＰ−ＣＶＤ）により堆積させる。マスク12の除去には、マスク12として酸化シリコン膜を用いた場合にはフッ酸溶液が適しており、窒化シリコン膜を用いた場合には熱リン酸等が適している。窒化シリコン膜14は、通常の窒化シリコン膜（Ｓi3Ｎ4 ）よりもシリコン含有量が多い窒化シリコン膜であり、堆積時のジクロルシランとアンモニアの流量の割合を、ジクロルシランの割合を通常より多くすることにより達成できる。ここでは、共振周波数が１ＭＨz ，バネ定数 0.1Ｎ／ｍの機械特性を有するカンチレバーを作製するため、厚さ 0.1μｍの窒化シリコン膜を堆積する。
【００２６】
次に、図３の（Ｄ）に示すように、窒化シリコン膜14に対して探針部15とレバー部16のパターニングを行う。探針部15のパターニングにあたっては、堆積した窒化シリコン膜14を２枚のマスクを用いてフォトリソグラフィにより、マスク交点が探針部の先端部の頂角となるように位置合わせを行い、頂角が10度程度になるような三角形のパターニングを段差13の斜面上で行う。このときの態様を図４の（Ａ），（Ｂ）に示す。まず、図４の（Ａ）に示すように、１枚目のマスクパターン21を用いて探針部とレバー部の片側の辺を形成する。次に、図４の（Ｂ）に示すように２枚目のマスクパターン22を用いて、２枚のマスクパターン21，22の重なり部分で形成される探針部の先端部の頂角αが、約10度程度になるようにパターニングを行う。続いて、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）などで窒化シリコン膜14をエッチングし、探針部15とレバー部16を形成する。また、探針部15の先端部は、可能な範囲で小さな曲率半径を有していればよい。例えば、 100nm程度の曲率半径であれば、その後の工程で十分小さな曲率半径を得ることが可能である。
【００２７】
次に、探針部15の尖鋭化のための酸化処理を行う。この工程については、図５の（Ａ）〜（Ｄ）を参照しながら詳細に説明する。まず図５の（Ａ）に示すように、窒化シリコン膜14のパターニングによる探針部15とレバー部16の形成終了後、水蒸気雰囲気で低温熱酸化を行う。ここで、低温熱酸化は 950℃で約 500分程度が好ましい。この低温熱酸化により、シリコン基板11と窒化シリコン膜からなる探針部15との界面については、探針部15の先端部15ａの方が酸素が供給され易いため、酸化し易くなる。そのため、シリコン基板面上の窒化シリコン膜からなる探針部15の先端部15ａがより酸化され、頂部の窒化シリコン膜厚が薄くなり、探針部15の先端部15ａを細く尖った形状とすることができる。これと同時に、シリコン基板11と窒化シリコン膜からなる探針部15との界面に形成される局所酸化部23による応力により、探針部15の先端部15ａは中腹からレバー部16の固定端方向に押し曲げられる。この態様を図５の（Ｂ）に示す。
【００２８】
次に、フッ酸などにより局所酸化部23を除去すると、図５の（Ｃ）に示すような形状となる。すなわち、探針部15の先端部15ａが尖鋭化されると共に、探針部15の中腹からレバー部16の固定端側に曲がった形状となる。これで、探針部15の先端部15ａの形成は終了するが、図５の（Ｃ）に示す状態で再度低温熱酸化を行えば、局所酸化部23の起こる位置が探針部15の根元部へシフトすることにより、図５の（Ｄ）に示すように、更に探針部15の先端部15ａを曲げることができる。ここでは、探針部15はＡ及びＢの位置で曲がった形状となる。なお、図５の（Ｃ），（Ｄ）において、13ａはシリコン基板11のもとの段差面を示している。この後、フッ酸系の溶液で局所酸化部23をエッチングして除去し、更に低温熱酸化を行えば、更に探針部15を曲げることが可能となる。なお、熱酸化温度と酸化時間は尖鋭化する三角形状探針部15の先端部15ａの形状や膜厚により決まり、熱酸化温度は 900℃以上1050℃以下、酸化時間は10分間以上が好ましく、この場合には尖鋭化及び局所酸化部の形成効果が同時に且つ顕著に現れる。
【００２９】
上記低温熱酸化処理の後、図３の（Ｅ）に示すように、酸化した窒化シリコン膜からなる探針部及びレバー部上にアルカリエッチング液に十分耐えうる表面保護膜17を形成する。次に、図３の（Ｆ）に示すように、シリコン基板11の裏面に支持部を形成するためのマスクパターン18を形成する。図３の（Ｇ）に示すように、例えばＫＯＨに代表されるアルカリ系のエッチング液を用いて、シリコン基板11に対して異方性エッチングを探針部15の形成側とは反対側から行い、カンチレバーを保持する支持部19を形成する。その後、探針部及びレバー部を構成している窒化シリコン膜上及びその他のシリコン基板上の表面保護膜をフッ酸溶液により除去すると、最初に行ったフォトリソグラフィによる窒化シリコン膜のパターニングのみでは 100nm程度であった探針部15の先端部の曲率半径が20nm以下にまで尖ることになる。最後に、図３の（Ｈ）に示すように、探針部15が形成されている方向とは反対側のレバー面に反射膜20を形成する。反射膜20は、例えば金を蒸着により形成する。以上の工程により、図１に示した構成のＳＰＭ用カンチレバー10が得られる。
【００３０】
上記のように構成されたＳＰＭ用カンチレバーによれば、先端部が尖鋭化され、高アスペクト比を有する探針部が実現可能となり、更にレバー部の固定端方向に先端部が曲がり、試料面とほぼ垂直に対向できるようになるため、図６に示すような深い凹凸を有する試料110 においても高分解能な測定が可能となる。また、探針部の質量も軽減され、共振周波数の低下を防ぐこともできる。
【００３１】
しかも、一連のプロセスは、複数個のカンチレバーが一括して作製される、いわゆるバッチファブリケーションによるカンチレバー製造方法が可能であるため、特に探針部とレバー部を位置ずれを発生させずに作製でき、低コスト化を実現できる。
【００３２】
なお、本実施例に係る製造方法では、窒化シリコン膜のエッチングにはＲＩＥを用いたが、これには限定されず、熱リン酸等のウェットエッチングを用いてもよい。また、本実施例ではＫＯＨに代表されるアルカリ系のエッチング液を用いて、異方性エッチングを探針部形成側とは反対側から行い、カンチレバーを保持する支持部を形成したが、これに限らず、Ｄeep-ＲＩＥなど他のドライエッチャーを用いて支持部を形成してもよく、更にはドライエッチングとウェットエッチングを組み合わせた加工方法を用いてもよいことは言うまでもない。また、本実施例では、探針部とレバー部のパターニングに２枚のマスクを用いたが、１枚のマスクを用いてパターニングを行ってもよいことは勿論である。
【００３３】
更に、本実施例に係る製造方法は、尖鋭化処理に行う局所酸化に特徴があり、基本的に探針部が窒化シリコンで作製されていれば、他の形態のカンチレバーの作製にも適用可能である。例えば、探針部が窒化シリコン、レバー部が単結晶シリコンからなるカンチレバーであっても、単結晶シリコン部分に保護用のマスクを被せ、窒化シリコン製の探針部のみを尖鋭化することが可能である。このようなカンチレバーに適用した場合には、単結晶シリコンからなる厚いレバー部を実現しやすく、バネ定数が大きく共振周波数の高いことが求められるカンチレバーが実現可能となる。
【００３４】
次に、本発明の実施例２について説明する。本実施例に係るＳＰＭ用カンチレバーのレバー部と探針部の構成を図７に示す。また、図８の（Ａ）〜（Ｃ）は、図７に示したＳＰＭ用カンチレバーのＡ〜Ｃの方向からみた形状を示す。図８の（Ａ）は上方向Ａから見た図を示し、図８の（Ｂ）は横方向Ｂから見た図を示し、図８の（Ｃ）は正面方向Ｃから見た図を示している。図７において、支持部より伸びたレバー部31の自由端側に探針部32が形成されている。ここで探針部32は、レバー部31の自由端側に位置し、探針部32の先端部33はレバー部31に対してほぼ垂直方向を向いている。また、探針部32の先端部33を挟む２辺32ａ，32ｂが内側に湾曲し、探針部32の先端部33の頂角は約10度程度の尖った形状となっている。更に、探針部32の長さは図１に示した実施例１に係るカンチレバーに比べて短くなっている。そして、探針部32はレバー部31と接する接合部34で１段目の角度変化部を形成し、更に中間部35で２段目の角度変化部を形成して、曲がった形状となっている。
【００３５】
次に、本実施例２に係るＳＰＭ用カンチレバーの製造工程の例を図９の（Ａ）〜（Ｃ）に基づいて説明する。シリコン基板41に段差42を形成した後、所定の窒化シリコン膜43を形成する工程（図３の（Ｃ）に対応）までは、実施例１と同様である。次に、図９の（Ａ）に示すように、堆積した窒化シリコン膜43に対してフォトリソグラフィによりマスク頂角が10度程度になるような内側に湾曲した２辺を持つ三角形状のレジストパターニングを行い、探針部44のみを形成する。ここで、探針部44の周囲には、窒化シリコン膜43をエッチング除去してシリコン基板41が露出される領域45を形成する。図９の（Ｂ）に図９の（Ａ）のＸ−Ｘ′線に沿った断面を示す。シリコン基板41の露出領域45の幅は２〜５μｍ程度が好ましい。
【００３６】
この探針部44のパターニングには、図10の（Ａ）に示すようなマスクを用いて行う。ここでのマスクパターンは、探針部パターン51の周囲にシリコン面を露出させるパターン52を有することが特徴である。このとき、探針部44の先端部は可能な範囲で小さな曲率半径を有していればよい。例えば、100nm 程度の曲率半径であれば、その後の工程で十分小さな曲率半径を得ることが可能である。
【００３７】
次に、探針部44の先端部の尖鋭化酸化処理を行う。この探針部44の先端部の尖鋭化酸化処理は実施例１と全く同様であり、探針部44の先端部を細く尖った形状にすると共に、探針部44の中腹から任意に曲げることが可能となる。
【００３８】
次に、図９の（Ｃ）に示すように、レバー部の形成領域の窒化シリコン膜43に対してのみのパターニングを行い、レバー部46を形成する。このときのマスクパターンを図10の（Ｂ）に示す。図10の（Ｂ）において、53はレバー部のパターン、54はすでに形成された探針部44を保護するパターンである。ここで、注意する点は、尖鋭化された探針部44が再度パターニングされないように、探針部保護パターン54を実際の探針部44より大きくすることである。以下実施例１と同様な工程により、カンチレバーが完成する。
【００３９】
本実施例２に係る製造方法では、探針部とレバー部のパターニング及び形成を別工程としたが、これは次のような理由による。図11及び図11のＹ−Ｙ′線に沿った断面を示す図12に示すように、探針部61とレバー部62を同時に形成した後に、探針部61の先端部の尖鋭化のための低温熱酸化処理を行うと、レバー部62のエッジ部分62ａが局所酸化されて局所酸化部63が形成され、レバー部62のエッジ部分62ａが反ってしまう。本実施例２では、このレバー部の反りを防止するために、先に述べたように、探針部とレバー部のパターニング及び形成を別工程とし、まず探針部のパターニングと形成を行ってから先端部の尖鋭化を行い、その後レバー部のパターニングと形成を行うものである。このようにすれば、レバー部形成後に低温熱酸化工程はなく、レバー部が反ることはなくなる。
【００４０】
上記のように構成されたＳＰＭ用カンチレバーによれば、実施例１に係るカンチレバーと同様に、先端部が尖鋭化され、高アスペクト比を有する探針部が実現可能となり、更にレバー部の固定端方向に先端部が曲がり、試料面とほぼ垂直に対向できるようになるため、高分解能な測定が可能となる。また、探針部の質量も軽減され、共振周波数の低下を防ぐこともできる。
【００４１】
しかも、一連のプロセスは、複数個のカンチレバーが一括して作製される、いわゆるバッチファブリケーションによるカンチレバー製造方法が可能であるため、特に探針部とレバー部を位置ずれを発生させずに作製でき、低コスト化を実現できる。
【００４２】
更に、レバー部を探針部形成時の低温熱酸化工程後に形成しているため、レバー部に低温熱酸化工程時の局所酸化も発生せず、レバー部の反りも解消できてレバー部面は常にフラットな形状となる。そのため、微小なカンチレバーのＡＦＭ測定においては、レーザー光が受光面に正確に戻ってくることになり、正確な測定が可能となる。更に、探針部の先端部は鋭角であるが、探針部の長さはそれほど長くないため、レバー部の振動が探針部に伝わることにより発生するノイズも低減できる。
【００４３】
なお、本実施例では、探針部のパターニングを１枚のマスクを用いて行ったが、実施例１と同様に２枚のマスクを用いてパターニングを行ってもよいことは勿論である。
【００４４】
また、本実施例で説明したような、探針部とレバー部を別工程で形成する製造方法を実施例１に係るカンチレバーの製造方法に適用できることは言うまでもない。つまり、２枚のマスクを用いて探針部のみを形成した後、探針部の尖鋭化酸化処理を行い、その後レバー部を形成してもよい。更に、本実施例では、略三角形状の探針部の両側辺が内側に湾曲した形状を用いたが、実施例１のように略三角形状マスクを用いて、その交点を探針部の先端部の頂角とする方法を用いても実施可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明に係るＳＰＭ用カンチレバーの実施例１の構成を示す全体斜視図である。
【図２】図１に示した実施例１に係るＳＰＭ用カンチレバーのＡ，Ｂ，Ｃの各方向から見た概略図である。
【図３】図１に示した実施例１に係るＳＰＭ用カンチレバーの製造方法を説明するための製造工程図である。
【図４】窒化シリコン膜に対する２枚のマスクによる探針部のパターニングを示す説明図である。
【図５】図３に示した製造工程中の探針部の先端部の尖鋭化酸化処理工程を示す説明図である。
【図６】図１に示した実施例１に係るＳＰＭ用カンチレバーを用いた凹凸試料面の測定態様を示す説明図である。
【図７】本発明に係るＳＰＭ用カンチレバーの実施例２の構成を示す一部省略斜視図である。
【図８】図７に示した実施例２に係るＳＰＭ用カンチレバーのＡ，Ｂ，Ｃの各方向から見た概略図である。
【図９】図７に示した実施例２に係るＳＰＭ用カンチレバーの製造方法を説明するための製造工程図である。
【図１０】図９に示した製造工程中の探針部及びレバー部を形成するためのマスクパターンを示す図である。
【図１１】探針部とレバー部とを同時に形成した後に探針部の先端部の尖鋭化のための低温熱酸化処理を行った場合の態様を示す図である。
【図１２】図11のＹ−Ｙ′線に沿った断面を示す図である。
【図１３】従来のＳＰＭ用カンチレバーの構成例を示す斜視図である。
【図１４】図13に示した従来のＳＰＭ用カンチレバーによる凹凸試料面の測定態様を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  支持部
２  レバー部
３  探針部
４  探針部の先端部
５  レバー部と探針部の接合部
６  探針部の中間部
10  カンチレバー
11  シリコン基板
12  段差形成マスク
13  段差
13ａ  シリコン基板のもとの段差面
14  窒化シリコン膜
15  探針部
15ａ  探針部の先端部
16  レバー部
17  表面保護膜
18  支持部形成マスクパターン
19  支持部
20  反射膜
21  １枚目マスクパターン
22  ２枚目マスクパターン
23  局所酸化部
31  レバー部
32  探針部
32ａ，32ｂ  先端部を挟む２辺
33  先端部
34  接合部
35  中間部
41  シリコン基板
42  段差
43  窒化シリコン膜
44  探針部
45  シリコン基板露出領域
46  レバー部
51  探針部パターン
52  シリコン面露出用パターン
53  レバー部パターン
54  探針部保護パターン
61  探針部
62  レバー部
62ａ  レバー部エッジ部分
63  局所酸化部
110   試料
【図１】
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【図２】
2005156202.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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