(57)【要約】【課題】  マルチチャンネル型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造において、固定層を一定方向に磁化させるための磁場中熱処理の回数を減らし、固定層及び自由層間の非磁性導電層の寸法バラツキを抑え、さらに製造工程数の削減を図る。【解決手段】  マルチチャンネル型の積層巨大磁気抵抗効果型ヘッドの製造工程において、ヘッド中のスピンバルブ膜２７の固定層３６の磁化の向きを規則化させるための磁場中熱処理を、スピンバルブ膜２７の両端の外側の領域に硬質磁性層４４と電極層２８〔２８Ａ，２８Ｂ〕が配置された状態で行う。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチチャンネル型の積層巨大磁気抵抗効果型ヘッドの製造工程において、
前記ヘッド中のスピンバルブ膜の固定層の磁化の向きを規則化させるための磁場中熱処理を、前記スピンバルブ膜の両端の外側の領域に硬質磁性層と電極層が配置された状態で行う
ことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
巨大磁気抵抗効果型ヘッド素子のユニットを絶縁膜を挟んで複数積層した状態で磁場中熱処理を行う
ことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法、特に、巨大磁気抵抗効果を利用したスピンバルブ型のマルチチャンネル磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録情報の再生ヘッドとして、スピンバルブ型の巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＧＭＲヘッドと略称する）が知られている。図７及び図８はＧＭＲヘッドの概略構成の一例を示す。このＧＭＲヘッド１は、基板２上に形成した下地層３上に外部磁界によって磁化の向きを変える自由層（いわゆるフリー層）４と、非磁性導電層５と、磁化が一定の方向に固定されている固定層（いわゆるピン層）６との積層膜からなるスピンバルブ膜７によるＧＭＲ素子８が形成されてなる。
固定層６は、強磁性膜１２とこれに接する反強磁性膜１１とを有し、反強磁性膜１１と強磁性膜１２とが接する界面に交換結合を発生させ外部磁界に対して動きにくい反強磁性膜１１のスピンを利用して強磁性膜１２の磁化の向きを固定するように構成される。自由層４は強磁性膜により形成される。スピンバルブ膜７の表面には非磁性保護膜９が形成される。スピンバルブ膜７の両端には、自由層４を固定層６の磁化と直交するように弱く磁化させる為の永久磁石１４が配置され、さらに永久磁石１４上に位置してスピンバルブ膜７の両端に接続するように電極層１５が配置され、電極層１５に配線１６が接続される。
【０００３】
このＧＭＲヘッド１では、電極層１５を介してスピンバルブ膜７に電流Ｉｓを流す。図９に示すように、外部磁界（信号磁界）Ｈを受けたときに、固定層６と自由層４との磁化Ｍ2 、Ｍ1 の向きが同じ（並行状態）になれば抵抗Ｒが低くなり、固定層６と自由層４との磁化Ｍ2 、Ｍ1 が逆向き（反並行状態）のときに抵抗Ｒが大きくなる現象を利用し、この抵抗変化を検出して記録媒体に記録された情報を再生する。
【０００４】
上述のＧＭＲヘッド１に用いられるスピンバルブ膜７の固定層６を構成する反強磁性膜１１には、ＰｔＭｎ、ＩｒＭｎなどの反強磁性材料が一般的に使用されている。現在ＧＭＲヘッドの反強磁性材料として主流に用いられているＰｔＭｎは、交換結合磁界が消失する温度まで熱処理を行い、強磁性材料（例えばＣｏＦｅ）からなる強磁性膜１２と交換結合させる必要がある。一般的なＧＭＲヘッドでは、ＰｔＭｎ、ＩｒＭｎなどの反強磁性材料による反強磁性膜１１を外部磁場をかけた状態で例えば２７０℃〜２８０℃の熱処理を施して、強い交換結合相互作用を得ている。
【０００５】
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの先行技術としては、例えば特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００２ー２１６３２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、基板上に複数のＧＭＲヘッド素子を積層させたマルチチャンネル型のＧＭＲヘッドを作製する場合、各チャンネルのスピンバルブ膜を形成するごとに熱処理をすると、各層のスピンバルブ膜に与える熱履歴に差が生じて、結果的にヘッド感度、ヘッド特性のバラツキ、ヘッド動作点に合わせ込みが困難になる、等の問題が生じる。
【０００７】
即ち、上述の反強磁性層１１に対する磁場中熱処理工程は、強磁性膜１２との交換結合を促進する一方、固定層（反強磁性膜１１、強磁性膜１２）６以外の層に熱拡散等の悪影響を与える欠点もある。特に中間層である非磁性導電層５の材料として一般的に使われる銅（Ｃｕ）などは、熱履歴により拡散量が変化し易いため、上記熱処理により非磁性導電層５のＣｕの一部が上下層の固定層６及び自由層４側に拡散し、実効的に効く固定層６と自由層４との間の距離が短くなる（つまり非磁性導電層５の実効的な膜厚が薄くなる）ことで、固定層６と自由層４間に働く交換結合力が強くなる。これにより、ＧＭＲ再生ヘッドの動作点を決定する上で重要なパラメータである、内部磁界Ｈｆ（Ｆｅｒｒｏ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｃｏｕｐｌｉｎｇ  Ｆｉｅｌｄ）も変化する。
【０００８】
これらの理由から、マルチチャンネル型のＧＭＲヘッドを作製する際、反強磁性膜１１を含むスピンバルブ膜７をヘッド素子としてパターニングしない前のいわゆるベタ膜の状態で上記熱処理を行うことは、各層ごとの熱処理工程が必要になるので好ましくない。即ち、各層のスピンバルブ膜７を形成する毎に熱処理を施すと、層によってスピンバルブ膜７に与える熱履歴に差が生じ、結果的にヘッド感度の低下、ヘッド特性のバラツキ、ヘッド動作点の合せ込みが困難になる、等の問題が生じる。例えば３つのＧＭＲヘッド素子を３層に積層したマルチチャンネル型のＧＭＲヘッドを作製する場合、第１層目のＧＭＲヘッド素子のスピンバルブ膜は１回の熱処理を受けるが、２層目のＧＭＲヘッド素子のスピンバルブ膜は２回の熱処理の影響を受け、第３層目のＧＭＲヘッド素子のスピンバルブ膜は３回の熱処理の影響を受けることになり、非磁性導電層５のＣｕの熱拡散で１層、２層及び３層のＧＭＲヘッド素子の各固定層６と自由層４間の距離が変化し、ヘッド動作点が変動してしまう。
【０００９】
動作点を決める要素として自由層６に生じる３つの内部磁界Ｈｉ，Ｈｄ，Ｈｆがある（図１０参照）。Ｈｉ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  ｆｉｅｌｄ）は電流Ｉｓに依存する磁界である。Ｈｄ（Ｄｅｍａｇ．ｆｉｅｌｄ）は固定層６の磁化で作られる磁界である。Ｈｆ（Ｆｅｒｒｏ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｆｉｅｌｄ）は固定層６の磁界に依存する磁界であり、固定層６と自由層４とのカップリングの強さに相当する。
Ｃｕの熱拡散により非磁性導電層５の実効的な膜圧が薄くなるほど固定層６と自由層４とのカップリングが強くなり、自由層４の磁化は固定層６の磁化の方向に向き易くなる。即ち、Ｈｆの変化により動作点が変動する。
【００１０】
また、動作点は一般に図１１に示す抵抗Ｒの磁場依存性の特性波形において、変化の一番激しい線型部分の真ん中、即ち抵抗Ｒが最大値の５０％のところに持ってくる。従って、内部磁化Ｈｆは、図１１において、波形の動作点となる位置と、磁場Ｈ＝０〔Ａ／ｍ〕の縦軸との間に距離に相当する。
マルチチャンネル型のＧＭＲヘッドを製造する場合、各層のヘッド素子の動作点を合わせるためには、この内部磁界Ｈｆ、Ｈｉ，Ｈｄが同じ値であることが望まれる。
【００１１】
本発明は、上述の点に鑑み、スピンバルブ型の磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子を複数積層したマルチチャンネル型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造において、固定層を一定方向に磁化させるための磁場中熱処理の回数を減らし、固定層及び自由層間の非磁性導電層の寸法バラツキを抑え、さらに製造工程数を削減できるようにした磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法は、マルチチャンネル型の積層巨大磁気抵抗効果型ヘッドの製造工程において、ヘッド中のスピンバルブ膜の固定層の磁化の向きを規則化させるための磁場中熱処理を、スピンバルブ膜の両端の外側の領域に硬質磁性層と電極層が配置された状態で行うことを特徴とする。
【００１３】
本発明は、上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法において、巨大磁気抵抗効果型ヘッド素子のユニットを絶縁膜を挟んで複数積層した状態で磁場中熱処理を行うことを特徴とする。
【００１４】
本発明では、スピンバルブ膜を素子形状にパターニングし、スピンバルブ膜の両端に硬質磁性層（いわゆる永久磁石）、電極層を配置してヘッド素子として形成した状態で磁場中熱処理を施しても、固定層における反強磁性膜を一定方向に磁化させることができ、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）特性が得られることを見出した。この結果を基に、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法では、スピンバルブ膜の両端の外側の領域に硬質磁性層と電極層を配置した状態で磁場中熱処理を施すことで、ヘッド素子形成後に磁場中熱処理が可能になり、磁場中熱処理の回数を減らすことができ。そして、ヘッド素子のユニットを絶縁膜を挟んで複数積層した状態で磁場中熱処理することにより、各層のスピンバルブ膜の熱履歴が同じになり、各層のスピンバルブ膜の固定層及び自由層間の非磁性導電層の実効的な膜厚のバラツキが抑えられ、従ってこの膜厚が同じになり、内部磁界Ｈｆを同じにすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法によれば、スピンバルブ型の磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子を複数積層したマルチチャンネル型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、ヘッド素子を形成した後に、一括してスピンバルブ膜に対する磁場中熱処理を行うことができる。これにより、磁場中熱処理の回数を減らすことができる。従って、各層のヘッド素子に用いられるスピンバルブ膜に対する磁場中熱処理は同じ回数、例えば１回で済み、各層のスピンバルブ膜の熱履歴が同じになり、熱履歴差による特性バラツキを抑制することができる。即ち、各層のヘッド素子ごとの内部磁界Ｈｆを合わせることができ、マルチチャンネル型の磁気抵抗効果型ヘッドの動作点設計を容易にする。
各層のヘッド素子の特性バラツキが抑制されるので、ヘッド素子の製造歩留りを向上することができる。各層ごとに磁場中熱処理を行う必要がないので、製造工程数を削減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１７】
図１及び図２は、本発明の基板上に複数のＭＧＲヘッド素子を積層してなるマルチチャンネル型のＧＭＲヘッドの製造方法の一実施の形態を示す。
先ず、図１（分解斜視図）及び図２（断面図）に示すように、基板２２上に絶縁膜２３を介して複数、本例では２つのヘッド素子に対応してパターニングされた２つの下層磁気シールド層２４〔２４Ａ，２４Ｂ〕を形成する。この下層磁気シールド層２４の夫々上に共通の下層ギャップ膜２５を形成し、その上に第１の絶縁膜２６を形成する。
【００１８】
次いで、第１の絶縁膜２６上に夫々２つのパターニングされたスピンバルブ膜２７〔２７Ａ，２７Ｂ〕を形成する。このスピンバルブ膜２７は、図３に示すように、前述と同様に外部磁界によって磁化の向きを変える自由層（いわゆるフリー層）３４と、非磁性導電層３５と、磁化が一定の方向に固定されている固定層（いわゆるピン層）３６との積層膜からなる。固定層３６は、強磁性膜４２とこれに接する反強磁性膜４１とを有し、反強磁性膜４１と強磁性膜４２とが接する界面に交換結合を発生させ外部磁界に対して動きにくい反強磁性膜４１のスピンを利用して強磁性膜４２の磁化の向きを固定するように構成される。自由層３４は強磁性膜により形成される。スピンバルブ膜２７は、これら自由層３４、非磁性導電層３５、反強磁性膜４１及び強磁性膜４２からなる固定層３６を積層した後、素子形状にパターニングして形成される。スピンバルブ膜２７の両端には、自由層３４を固定層３６の磁化と直交するように弱く磁化させる為の永久磁石（いわゆる硬質磁性層）４４が配置され、さらに永久磁石４４上に位置してスピンバルブ膜２７の両端に接続するように電極層２８〔２８Ａ，２８〕が配置される。この両電極層２８〔２８Ａ，２８Ｂ〕に接続して後方に延長するように配線層２９〔２９Ａ，２９Ｂ〕を形成する。これによって、下層のＧＭＲヘッド素子４６〔４６Ａ，４６Ｂ〕を形成する。
【００１９】
次いで、スピンバルブ膜２７及び電極層２８、配線２９を含む表面上に上層ギャップ膜３０を形成し、さらにその上に第２の絶縁膜３１を形成する。第２の絶縁膜３１上に下層磁気シールド層２４〔２４Ａ，２４Ｂ〕に夫々対向して中間磁気シールド３２〔３２Ａ，３２Ｂ〕を形成する。この中間磁気シールド層３２〔３２Ａ，３２Ｂ〕は、下層のヘッド素子の上層磁気シールド層と次に積層する上層のヘッド素子の下層磁気シールド層とを兼用する。
【００２０】
次いで、中間磁気シールド層３２〔３２Ａ，３２Ｂ〕上に同様にして上層のＧＭＲヘッド素子４７〔４７Ａ，４７Ｂ〕を形成する。即ち、下層ギャップ膜２５、第１の絶縁膜２６を形成し、この上に図３で示すパターニングされたスピンバルブ膜２７を形成し、さらに永久磁石４４、電極層２８〔２８Ａ，２８Ｂ〕、配線２９〔２９Ａ，２９Ｂ〕を配置する。そして、上層ギャップ膜３０、第２の絶縁膜３１を形成し、第２の絶縁膜３１上に上層磁気シールド層４９〔４９Ａ，４９〕を形成する。
【００２１】
ここで、１層目のＧＭＲヘッド素子２６〔２６Ａ，２６Ｂ〕と２層目のＧＭＲヘッド素子２７〔２７Ａ，２７Ｂ〕の各配線の導出端子５１、５２は最上層に臨むように形成される。このため、１層目の第２の絶縁膜３１及び上層ギャップ膜３０、第２層目の下層ギャップ膜２５、第１の絶縁膜２６、上層ギャップ膜３０及び第２の絶縁膜３１に夫々開口５５を形成し、この開口５５を介して１層目のＧＭＲヘッド素子２６〔２６Ａ，２６Ｂ〕の配線２９〔２９Ａ，２９Ｂ〕に接続する例えばＣｕ膜からなる接続用端子部５４、５６及びこの端子部５６に接続する外部導出端子５１を形成する。また、２層目の上層ギャップ膜３０及び第２の絶縁膜３１に夫々開口５７形成し、この開口５７を介して２層目のＧＭＲヘッド素子２７〔２７Ａ，２７Ｂ〕の配線２９〔２９Ａ，２９Ｂ〕に接続する例えばＣｕ膜からなる外部導出端子５２を形成する。
【００２２】
自由層３４としては、例えばＮｉＦｅ膜とＣｏＦｅ膜の２層構造膜などの強磁性材料膜で形成することができる。非磁性導電層３５としては、例えばＣｕ膜で形成することができる。固定層３６の反強磁性膜４１としては、例えばＰｔＭｎ膜、ＩｒＭｎ膜などの反強磁性材料膜で形成することができる。固定層３６の強磁性膜４２としては、例えばＣｏＦｅなどの強磁性材料膜で形成することができる。シールド層２４〔２４Ａ，２４Ｂ〕、３２〔３２Ａ，３２Ｂ〕４９〔４９Ａ，４９Ｂ〕としては、例えばパーマロイなどの磁性材料で形成することができる。ギャップ膜２５、３０としては、例えばＡｌ2Ｏ3膜などの絶縁材料膜で形成することができる。絶縁膜２６、３１としては、例えばＡｌ2Ｏ3膜などの絶縁材料膜で形成することができる。電極層２８〔２８Ａ，２８Ｂ〕、配線２９〔２９Ａ，２９Ｂ〕、接続用端子及びパッドとしては、例えばＣｕ膜で形成することができる。
【００２３】
本実施の形態においては、このように２層のＧＭＲヘッド素子４６〔４６Ａ，４６Ｂ〕及び４７〔４７Ａ，４７Ｂ〕を形成した後、一括して各層のＧＭＲヘッド素子４６、４７のスピンバルブ膜２７に対して磁場中熱処理を行い。スピンバルブ膜２７の固定層を構成する反強磁性膜４１を一定方向に磁化させる。
【００２４】
本実施の形態においては、ＧＭＲヘッド素子４６〔４６Ａ，４６Ｂ〕及び４７〔４７Ａ，４７Ｂ〕を積層した状態で一括して磁場中熱処理を行うことで、（ａ）埋め込まれた状態のスピンバルブ型のＧＭＲヘッド素子の固定層３６の交換結合が得られること、（ｂ）ＧＭＲヘッド素子を積層形成する都合で、スピンバルブ膜２７を素子サイズにパターニングした状態でも固定層３６の交換結合が得られること、をそれぞれ確認することができた。
【００２５】
図４は、スピンバルブ型のＧＭＲヘッド素子４６、４７を２段積層した状態で磁場中熱処理したときの各層のＧＭＲヘッド素子４６、４７の抵抗ΔＲの磁場Ｈ依存性を示す特性図であり、１層目のヘッド素子４６〔４６Ａ，４６Ｂ〕のスピンバルブ膜２７の特性波形ａと、２層目のヘッド素子４７〔４７Ａ，４７Ｂ〕のスピンバルブ膜２７の特性波形ｂをそれぞれ示す。波形の動作点は前述したように内部磁化Ｈｉ，Ｈｆ，Ｈｄできまる。測定電流は１層目のヘッド素子４６と２層目のヘッド素子４７共に同じ電流値で測定したので、内部磁化Ｈｉは同等である。１層目及び２層目のスピンバルブ２７の厚みは同じであるので、内部磁化Ｈｄは同等である。図  のＭＲ波形をみると、１層目の波形ａと２層目の波形ｂは共に、同じタイミングで磁場Ｈ＝０〔Ａ／ｍ〕と交叉しており、内部磁界Ｈｆが１層目のスピンバルブ膜、２層目のスピンバルブ膜共に、同じ値であることが認められ、動作点Ｐが一緒であることが認められる。これによって、１層目のヘッド素子４６と２層目のヘッド素子４７の動作点Ｐを合わせることができる。これに対して、図示せざるも各層のスピンバルブ膜を形成するたびに磁場中熱処理を行った場合には、各層のＭＧＲヘッド素子の特性波形は同じにならず、内部磁化Ｈｆが異なるようにシフトされた波形になる。
【００２６】
一方、図５は、従来の製造プロセス通り、スピンバルブ膜をベタ膜の状態で磁場中熱処理を施した後、スピンバルブ膜を素子形状にパターニングした場合のＧＭＲヘッド素子の特性波形を示す。図６は、スピンバルブ膜を素子形状にパターニングし、Ａｌ2Ｏ3膜で埋め込んだ後に磁場中熱処理を行った場合のＧＭＲヘッド素子の特性波形を示す。図５及び図６において、実線は磁界Ｈを増加して行った往きの特性波形、破線は磁界Ｈを減らして行った戻りの特性波形を夫々示す。表１に波形の特性値を示す。
【００２７】
なお、図５及び図６のスピンバルブ膜の構成は両者共に同じであり、次のような膜構成で測定した。基板上に順次、保護膜となるＴａ膜（膜厚５ｎｍ）、ＮｉＦｅ膜（膜厚６ｎｍ）及びＣｏＦｅ（膜厚２ｎｍ）による自由層、Ｃｕ膜（膜厚２．９ｎｍ）による非磁性導電層、ＣｏＦｅ（膜厚４ｎｍ）の強磁性膜とＰｔＭｎ（膜厚３０ｎｍ）の反強磁性膜とからなる固定層、保護膜であるＴａ膜（膜厚５ｎｍ）を積層してスピンバルブ膜を作製した。
【００２８】
【表１】
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【００２９】
図５及び図６の両者の波形を比べると、どちらの波形も無磁場状態から約−２５５００〔Ａ／ｍ〕程度にかけて、固定層と自由層が反並行状態を保持していることが分かる。この結果から、スピンバルブ膜を素子形状にパターニングし、Ａｌ2Ｏ3膜で埋め込んだ状態から磁場中熱処理を行っても、ベタ膜状態から磁場中熱処理した場合と同等の固定層の交換結合が得られることが確認できた。また、表１に示した特性値においても、両者のΔＲ、Ｒ、ＭＲ比（＝ΔＲ／Ｒ×１００）の差は±２％前後であり、同等程度の磁場中熱処理が施されていることが認められる。
ここで、図５，６の縦軸は表１のＲに対応する。表１のＲは、波形において最小抵抗値を示す。ΔＲは抵抗の変化量を示す。従って、最小抵抗値にΔＲを加算すると、波形の最大抵抗値になる。例えば、図５の波形の場合、Ｒ（１９．０９ohm）＋ΔＲ（０．８５０４ohm）＝１９．９４０４ohm（グラフ縦軸左上）となる。
以上の結果より、埋め込まれた状態のスピンバルブ膜を一括して磁場中熱処理することで、固定層の交換結合を得ることができ、従って、層ごとの熱履歴差のないスピンバルブ膜が形成できる。
【００３０】
なお、上例では本発明をＧＭＲヘッド素子を２層に積層したマルチチャンネル型のＧＭＲヘッドに適用したが、３層以上積層したマルチチャンネル型のＧＭＲヘッドの製造にも適用できること勿論である。スピンバルブ膜２７についても、上例では固定層を上層にした所謂トップスピンバルブ膜としたが、固定層を下層にした所謂ボトムスピンバルブ膜を適用できること勿論である。
【００３１】
上述した本実施の形態によれば、各層のスピンバルブ膜を素子形状にパターニングしＧＭＲヘッド素子４６、４７を積層形成した状態で、一括して磁場中熱処理を行って各スピンバルブ膜２７における固定層３４に対して同程度の交換結合を得、また従来と同程度の交換結合を得ることがきる。従って、複数のヘッド素子を積層してなるマルチチャンネル型ＧＭＲ再生ヘッドの作製において、各チャンネルに用いられるスピンバルブ膜２７の磁場中熱処理の回数を減らすことができ、例えば１回の磁場中熱処理で済み、各層のスピンバルブ膜２７の熱履歴差による特性バラツキを抑制することができる。従って、各層のスピンバルブ膜２７の内部磁化Ｈｆをあわせることができ、マルチチャンネル型のＧＭＲヘッドの動作点設計を容易にすることができる。
【００３２】
また、各層のヘッド素子４６、４７の特性バラツキが抑制されるので、ヘッド素子の製造歩留りを向上することができる。さらに、各層ごとに磁場中熱処理工程を行う必要ばないので、製造工程数を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明に係るマルチチャンネル型のＧＭＲヘッドの一実施の形態を示す分解斜視図である。
【図２】図１のマルチチャンネル型のＧＭＲヘッドの断面図である。
【図３】図１のＧＭＲヘッド素子の一例を示す断面図である。
【図４】図１のマルチチャンネル型ＧＭＲヘッドの２層のＧＭＲヘッド素子の特性波形図である。
【図５】本発明と従来のＧＭＲヘッドとを比較するための、従来のＧＭＲヘッドの特性波形図である。
【図６】本発明と従来のＧＭＲヘッドとを比較するための、本発明のＧＭＲヘッドの特性波形図である。
【図７】一般的なＧＭＲヘッドの一例を示す断面図である。
【図８】図７のＧＭＲヘッドの一部破断した斜視図である。
【図９】一般的なＧＭＲヘッドの特性波形図である。
【図１０】ＧＭＲヘッドのスピンバルブ膜における内部磁化Ｈｉ，Ｈｄ、Ｈｆの説明に供する説明図である。
【図１１】内部磁化Ｈｆの説明に供する特性波形図である。
【符号の説明】
【００３４】
２１・・マルチチャンネル型のＧＭＲヘッド、２２・・基板、２３・・絶縁膜、２４〔２４Ａ，２４Ｂ〕・・下層磁気シールド層、２５・・下層ギャップ膜、２６・・絶縁膜、２７・・スピンバルブ膜、２８〔２８Ａ，２８Ｂ〕・・電極層、２９〔２９Ａ，２９Ｂ〕・・配線、３０・・上層ギャップ膜、３１・・絶縁膜、３２〔３２Ａ，３２Ｂ〕・・中間磁気シールド層、４６〔４６Ａ，４６Ｂ〕・・下層ＧＭＲヘッド素子、４７〔４７Ａ，４７Ｂ〕・・上層ＧＭＲヘッド素子、３４・・自由層、３５・・非磁性導電層、３６・・固定層、４１・・反強磁性膜、４２・・強磁性膜、４４・・永久磁石
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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