(57)【要約】【課題】  電気光学装置において、対向電極の電位を固定し且つ複数の画素電極の電位を変化させる駆動方式を採用しつつ、対向電極における共通電位の変動を低減する。【解決手段】  基板上にデータ線、走査線、薄膜トランジスタ、蓄積容量、及び画素電極を設ける。対向基板上に、容量線と共通の共通電位源に電気的に接続されており且つ複数の画素電極に対向する一つの対向電極を備える。第１基板上において、共通電位源から蓄積容量の共通電位側容量電極に至る画素毎の各導電経路を構成する複数の導電層は、該各導電経路内で相互にオーミック接触されている。【選択図】      図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に、複数の画素電極と、走査線と、データ線と、前記走査線及び前記データ線の交差に対応して配置されており前記画素電極をスイッチング制御するスイッチング素子と、画素電位側容量電極及び共通電位側容量電極を有すると共に該画素電位側容量電極が前記画素電極に接続された蓄積容量と、前記共通電位側容量電極に接続された容量線とを備え、
前記第１基板に対し電気光学物質を介して対向配置された第２基板上に、前記容量線と共通の共通電位源に電気的に接続されており且つ前記複数の画素電極に対向する一つの対向電極を備え、
前記第１基板上において、前記共通電位源から前記共通電位側容量電極に至る画素毎の各導電経路を構成する複数の導電層は、該各導電経路内で相互にオーミック接触されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の導電層は、前記各導電経路内として、前記複数の導電層を層間絶縁する層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールの底において、相互にオーミック接触されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記複数の導電層は、相互にオーミック接触されたドープトシリコン層及び導電性金属層を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記ドープトシリコン層は、前記導電性金属層との接触面においてフッ素化されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記複数の導電層は、相互にオーミック接触されたドープトシリコン層及び金属シリサイド層と、相互にオーミック接触された前記金属シリサイド層及び導電性金属層とを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項６】
第１基板上に、複数の画素電極と、走査線と、データ線と、前記走査線及び前記データ線の交差に対応して配置されており前記画素電極をスイッチング制御するスイッチング素子と、画素電位側容量電極及び共通電位側容量電極を有すると共に該画素電位側容量電極が前記画素電極に接続された蓄積容量と、前記共通電位側容量電極に接続された容量線とを備え、
前記第１基板に対し電気光学物質を介して対向配置された第２基板上に、前記容量線と共通の共通電位源に電気的に接続されており且つ前記複数の画素電極に対向する一つの対向電極を備え、
前記第１基板上において、前記共通電位源から前記共通電位側容量電極に至る画素毎の各導電経路を構成する複数の導電層は、該各導電経路内で偶数個所において相互に非オーミック接触されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
前記第１基板上に配線された前記共通電位源に接続された共通電位配線と、
前記共通電位配線と前記対向電極とを電気的に接続する上下導通材と
を更に備え、
前記容量線は、前記共通電位配線に接続されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１基板上において画素毎に、前記薄膜トランジスタの上層側に前記蓄積容量が配置されており、前記蓄積容量の上層側に前記共通電位側容量電極と前記容量線とを中継接続すると共に前記データ線と同一の導電性金属層からなる中継層が配置されており、前記中継層の上層側に前記容量線が配置されており、
前記各導電経路内において、前記中継層と前記画素電位側容量電極とが相互にオーミック接触されていることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
第１基板上に、複数の画素電極と、走査線と、データ線と、前記走査線及び前記データ線の交差に対応して配置されており前記画素電極をスイッチング制御するスイッチング素子と、画素電位側容量電極及び共通電位側容量電極を有すると共に該画素電位側容量電極が前記画素電極に接続された蓄積容量と、前記共通電位側容量電極に接続された容量線とを備え、前記第１基板に対し電気光学物質を介して対向配置された第２基板上に、前記容量線と共通の共通電位源に電気的に接続されており且つ前記複数の画素電極に対向する一つの対向電極を備え、前記第１基板上において、前記共通電位源から前記共通電位側容量電極に至る画素毎の各導電経路を構成する複数の導電層は、該各導電経路内として、前記複数の導電層を層間絶縁する層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールの底において、相互にオーミック接触されている電気光学装置に係る前記第１基板を含んでなる基板を製造する電気光学装置用基板の製造方法であって、
前記第１基板上に、前記蓄積容量を形成する工程と、
前記蓄積容量上に前記層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜に、前記複数の導電層のうち一の導電層からなる前記共通電位側容量電極に至る前記コンタクトホールを、前記底においてオーミック接触されるように形成する工程と、
前記コンタクトホールの上層側に、前記複数の導電層のうち前記一の導電層とオーミック接触される他の導電層を形成する工程と、
前記工程と相前後して又は少なくとも部分的に同時に、前記第１基板上に、前記スイッチング素子、前記走査線、前記データ線、前記容量線及び前記画素電極を形成する工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記コンタクトホールを形成する工程は、前記層間絶縁膜に、ドライエッチング及びウエットエッチングで開孔する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項１２】
前記一の導電層はドープトシリコン層からなり、
前記コンタクトホールを形成する工程は、ドライエッチング及びウエットエッチングによって前記前記ドープトシリコンを前記底においてフッ素化することを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項１３】
前記コンタクトホールを形成する工程は、前記層間絶縁膜に、スカム取り処理を含むドライエッチング処理を施す工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項１４】
前記一の導電層はドープトシリコン層からなり且つ前記他の導電層は導電性金属層からなり、
前記コンタクトホールを形成する工程は、前記層間絶縁膜に、コンタクトホールを開孔する工程と、該開孔されたコンタクトホール内に、金属シリサイド膜を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、例えば素子アレイ基板等の電気光学装置用基板の製造方法、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置は、基板上に、画素電極と、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、画素スイッチング用素子としての薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴと称する）等とを備え、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。更に、このように構成されたＴＦＴアレイ基板上の複数の画素電極に対向する形で、対向基板に設けられた一つの対向電極（或いは共通電極）が配置され、これらの相対向する一対の電極間に、液晶等の電気光学物質が挟持される。そして動作時には、該一対の電極間に電界を印加することで液晶等に対するアクティブマトリクス駆動が行なわれる。ここで、該一対の電極の一方である対向電極側の共通電位を固定し、他方である画素電極の電位を画像信号に応じて変化させる駆動方式がある（例えば、特許文献１から４参照）。
【０００３】
特に特許文献１は、画質の向上等のために、複数種類の共通電位を対向電極に供給可能とする技術を開示している。
【０００４】
他方で、この種の電気光学装置では、高コントラスト化等を目的として、各画素におけるＴＦＴと画素電極との間に蓄積容量が設けられる場合が多い。蓄積容量は、画素電極に直接又は間接的に接続された画素電位側容量電極と、固定電位配線或いは共通電位配線である容量線を介して固定電位源或いは共通電位源に接続された又は該容量線の一部からなる固定電位側容量電極或いは共通電位側容量電極とが、誘電体膜を介して対向配置されて構成される。ここで、上述した対向電極の共通電位を固定し且つ画素電極の電位を変化させる駆動方式を採用する場合には、共通電位源は、ＴＦＴアレイ基板上の蓄積容量の共通電位側容量電極に接続されると共に、対向基板上の対向電極にも接続され、夫々に対して共通電位が供給されることになる。
【０００５】
【特許文献１】特開平９−１３８４２１号公報
【特許文献２】特開平９−１８２００４号公報
【特許文献３】特開平１０−３０１５３６号公報
【特許文献４】特開平１０−１３３２１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、本願発明者の研究したところによると、上述した対向電極の共通電位を固定し且つ画素電極の電位を変化させる駆動方式では、共通電位の通電時に、対向電極と共通電位側容量電極との間で、共通電位配線或いは容量線等を介して電荷移動が起こり、対向電極における共通電位が無視し得ない程度にずれてしまう現象が起こり得る。この現象は、特に共通電位源から共通電位側容量電極に至る導電経路を構成する複数の導電層の相互間における接触が非オーミック接触であると顕在化し易い。この現象が顕在化すると、対向電極における共通電位が固定電位であることを前提としてのアクティブマトリクス駆動に狂いが生じる結果、最終的には画質が劣化してしまうという技術的問題点が生じる。また、仮にこの問題の対策として、特許文献１の技術を採用すると、対向電極に対して複数種類の共通電位を供給するために、電源供給源や駆動装置、更にはＴＦＴ基板上における積層構造や製造工程が、複雑化してしまうという問題点が生じる。
【０００７】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みなされたものであり、相対向する一対の電極の一方である対向電極の共通電位を固定し且つ他方である画素電極の電位を変化させる駆動方式を採用しつつ、対向電極における共通電位の変動を低減し得る電気光学装置、及び、そのような電気光学装置を具備してなる電子機器、並びに、そのような電気光学装置用の基板を比較的容易に製造可能な電気光学装置用基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の電気光学装置は上記課題を解決するため、第１基板上に、複数の画素電極と、走査線と、データ線と、前記走査線及び前記データ線の交差に対応して配置されており前記画素電極をスイッチング制御するスイッチング素子と、画素電位側容量電極及び共通電位側容量電極を有すると共に該画素電位側容量電極が前記画素電極に接続された蓄積容量と、前記共通電位側容量電極に接続された容量線とを備え、前記第１基板に対し電気光学物質を介して対向配置された第２基板上に、前記容量線と共通の共通電位源に電気的に接続されており且つ前記複数の画素電極に対向する一つの対向電極を備え、前記第１基板上において、前記共通電位源から前記共通電位側容量電極に至る画素毎の各導電経路を構成する複数の導電層は、該各導電経路内で相互にオーミック接触されている。
【０００９】
本発明の第１の電気光学装置によれば、その動作時には、例えば画素毎に設けられておりＴＦＴからなるスイッチング素子に対して、画層信号がデータ線を介して供給されると共に走査信号が走査線を介して供給される。これらにより、画素電極に画像信号の電位が選択的に書き込まれ、且つ蓄積容量によって該電位が長時間に亘って保持される。そして、共通電位源によって対向電極が共通電位とされることで、画素電極と対向電極との間には、画素毎に、画像信号に応じた電界が印加される。ここに「共通電位」とは、例えば、電位が一定である固定電位でもよいし、反転駆動などに同期して２値の間、または複数の電位間を周期的に変動するような所定電位でもよい。よって、これら一対の電極間に挟持された、液晶等の電気光学物質を画素毎に駆動することが可能となる。
【００１０】
ここで、蓄積容量を構成する共通電位側容量電極は、容量線を介して共通電位源に電気的に接続されており、対向電極も、例えば両基板間を電気的に接続する上下導通材等を介して同じ共通電位源に接続されている。尚、本発明において「接続された」或いは「接続」とは、直接接続されている場合の他、例えば中継層等の他の導電層、導電膜、導電部などを介して電気的に接続されている場合も含む、即ち直接的な接続及び間接的な接続の両者を含む広い概念である。
【００１１】
そして特に、蓄積容量の共通電位側容量電極にある画素毎の各導電経路を構成する複数の導電層は、該各導電経路内で相互にオーミック接触されている。言い換えれば、導電経路を構成する複数の導電層の相互間の接触面は、オーミック接触面とされている。ここに本発明において「オーミック接触されている」とは、１ｎＡでのケルビン抵抗値Ｒ１と、１００μＡでのケルビン抵抗値Ｒ２とについて、「Ｒ１＝Ｒ２であり且つＲ１＞Ｒ２×１／２である」ことを意味する。言い換えれば、ケルビン抵抗が電流によらずに一定であり、且つケルビン抵抗の偏りが無いことを意味する。
【００１２】
尚、Ｒ１＝Ｒ２とは、文字通り完全に等しい場合の他、オーミック接触された接触面における共通電位源に接続された側の導電層に蓄積される電荷による、導電経路を介しての対向電極電位への悪影響が、当該第１の電気光学装置の動作上で無視できる程度に等しい場合、即ち実質的に等しい場合も含む。
【００１３】
このように本発明の第１の電気光学装置によれば、共通電位源から蓄積容量の共通電位側容量電極に至る導電経路では、非常に電気抵抗の低いオーミック性コンタクトが実現されているので、蓄積容量における保持特性を向上させることができ、特に、共通の共通電位源から対向電極に対して共通電位を通電する際に、該導電経路を介して共通電位側容量電極から余計な電荷が対向電極側に移動する事態を未然防止できる。即ち仮に、蓄積容量の共通電位側容量電極に至る導電経路内に非オーミック接触面が存在すると、そこでの電位障壁によって電荷が該導電経路内における該非オーミック接触面付近に蓄積されるので、共通の共通電位源から対向電極に対して共通電位を通電する際に、該導電経路を介して共通電位側容量電極から余計な電荷が対向電極側に移動してしまいかねないのである。
【００１４】
特に、本発明の如く複数或いは多数の画素電極に対して一つの対向電極が存在する場合には、個々の非オーミック接触面付近に蓄積された電荷が微量であっても、複数或いは多数の非オーミック接触面からの移動後には一つの対向電極に集積されることになる。従って、共通電位源に接続された蓄積容量の数（即ち、共通電位側容量電極の数、或いは画素数）に応じて、その悪影響は増大すると考察される。即ち、複数或いは多数の画素電極に対して一つの対向電極が存在する場合には、個々の非オーミック接触面からの電荷移動の悪影響が対向電極側で集積されることで、顕在化してしまうのである。これに対して、本発明は、複数或いは多数の蓄積容量と一つの対向電極とを同一の共通電位源に接続しても、個々の蓄積容量からの電荷の移動が殆どないため、これらが集積されて悪影響が顕在化することはないのである。
【００１５】
以上のように本発明の第１の電気光学装置によれば、非オーミック接触面からの余計な電荷が移動後に集積されることに起因して対向電極の共通電位にずれ或いは電位変動が生じることを抑えることができる。最終的には、対向電極における電位変動に起因した画質の劣化を低減できる。特に、上述した非オーミック接触面に余計な電荷が蓄積される環境と成り易い、高温通電時や高温高湿通電時においても、共通電位源から対向電極への信頼性の高い共通電位供給が可能となるので、高品質の画像を表示可能となる。
【００１６】
しかも本発明によれば、対向電極用と容量線用とで、共通の共通電位源があれば足り、例えば前述した特許文献１の如く複数種類の共通電位源を用意する必要はない。これにより、共通電位源や駆動装置、更にはＴＦＴ基板上における積層構造や製造工程を、相対的に単純化できるという大きな利益も得られる。
【００１７】
尚、本発明の構成に加えて又は代えて、対向電極の電位極性を定期又は不定期に反転させる駆動方法を採用すれば、仮に上述した複数の導電層が各導電経路内で非オーミック接触であることで接触面に対向電極に溜まった電荷を除去することが可能となる。即ち、オーミック接触にするという構造上の工夫に加えて駆動上の工夫を採用することで、一層確実に、不具合を回避できる。或いは、オーミック接触にするという構造上の工夫に代えて駆動上の工夫を採用することで、不具合を大なり小なり又は同様に回避できる。
【００１８】
本発明の第１の電気光学装置の一態様では、前記複数の導電層は、前記各導電経路内として、前記複数の導電層を層間絶縁する層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールの底において、相互にオーミック接触されている。
【００１９】
この態様によれば、複数の導電層は、コンタクトホールを介して相互に接続されており、特にコンタクトホールの底で相互にオーミック接触されている。即ち、コンタクトホールの底に位置する接触面が、オーミック接触面とされている。従って、当該コンタクトホールの底に位置する接触面で、電位障壁により余計な電荷が蓄積されることは殆どなくなる。よって、このような接触面を有する複数或いは多数の導電経路が一つの対向電極に接続されていても、特に電位変動を起こす原因とは殆どならない。尚、このようにコンタクトホールの底に、オーミック接触面を構築する技術についても、本発明の一部として提供されている。
【００２０】
本発明の第１の電気光学装置の他の態様では、前記複数の導電層は、相互にオーミック接触されたドープトシリコン層及び導電性金属層を含む。
【００２１】
この態様によれば、複数の導電層として、ドープトシリコン層及び導電性金属層が、相互にオーミック接触されている。従って、これらの層の接触面で、電位障壁により余計な電荷が蓄積されることは殆どなくなる。尚、このようにドープトシリコン層及び導電性金属層の接触面に、オーミック接触面を構築する技術についても、本発明の一部として提供されている。
【００２２】
この態様では、前記ドープトシリコン層は、前記導電性金属層との接触面においてフッ素化（或いは、フッ化）されているように構成されてもよい。
【００２３】
このように構成すれば、比較的容易にして、ドープトシリコン層及び導電性金属層との間に、即ち、フッ素化ドープトシリコン層（或いは、フッ化ドープトシリコン層）及び導電性金属層との間に、オーミック接触を構築できる。
【００２４】
本発明の第１の電気光学装置の他の態様では、前記複数の導電層は、相互にオーミック接触されたドープトシリコン層及び金属シリサイド層と、相互にオーミック接触された前記金属シリサイド層及び導電性金属層とを含む。
【００２５】
この態様によれば、複数の導電層として、ドープトシリコン層及び金属シリサイド層が、相互にオーミック接触されている。従って、これらの層の接触面で、電位障壁により余計な電荷が蓄積されることは殆どなくなる。尚、このようにドープトシリコン層及び金属シリサイド層の接触面に、オーミック接触面を構築する技術についても、本発明の一部として提供されている。
【００２６】
本発明の第２の電気光学装置は上記課題を解決するため、第１基板上に、複数の画素電極と、走査線と、データ線と、前記走査線及び前記データ線の交差に対応して配置されており前記画素電極をスイッチング制御するスイッチング素子と、画素電位側容量電極及び共通電位側容量電極を有すると共に該画素電位側容量電極が前記画素電極に接続された蓄積容量と、前記共通電位側容量電極に接続された容量線とを備え、前記第１基板に対し電気光学物質を介して対向配置された第２基板上に、前記容量線と共通の共通電位源に電気的に接続されており且つ前記複数の画素電極に対向する一つの対向電極を備え、前記第１基板上において、前記共通電位源から前記共通電位側容量電極に至る画素毎の各導電経路を構成する複数の導電層は、該各導電経路内で偶数個所において相互に非オーミック接触されている。
【００２７】
本発明の第２の電気光学装置によれば、上述した本発明の第１の電気光学装置とほぼ同様に動作する。
【００２８】
第２の電気光学装置では特に、共通電位源から共通電位側容量電極に至る画素毎の各導電経路を構成する複数の導電層は、該各導電経路内で「偶数個所」において、相互に非オーミック接触されている。言い換えれば、導電経路を構成する複数の導電層の相互間の接触面は、例えば、２個、４個、６個、…など、偶数個だけ存在している。ここに本発明において「非オーミック接触されている」とは、１ｎＡでのケルビン抵抗値Ｒ１と、１００μＡでのケルビン抵抗値Ｒ２とについて、「Ｒ１＝Ｒ２でない、或いはＲ１＞Ｒ２×１／２でない」ことを意味する。言い換えれば、ケルビン抵抗が電流に応じて一定ではない、或いはケルビン抵抗の偏りが存在することを意味する。
【００２９】
このように本発明の第２の電気光学装置によれば、共通電位源から蓄積容量の共通電位側容量電極に至る導電経路では、非オーミック面が偶数個所あるので、共通の共通電位源から対向電極に対して共通電位を通電する際に、該導電経路を介して共通電位側容量電極から余計な電荷が対向電極側に移動する事態を未然防止できる。より詳細には、非オーミック接触面が偶数個所であるので、一つの非オーミック接触面で蓄積された電荷（例えば電子）と、これに隣接する非オーミック接触面で蓄積された電荷（例えば、ホール）とで、少なくとも部分的に相殺することが可能となる。即ち仮に、蓄積容量の共通電位側容量電極に至る導電経路内に非オーミック接触面が、例えば１個、３個、５個、…など、奇数個所だけ存在すると、そこでの電位障壁によって電荷が該導電経路内における該非オーミック接触面付近に蓄積されるので、共通の共通電位源から対向電極に対して共通電位を通電する際に、少なくとも対向電極に近い側の導電経路内に位置する非オーミック接触面の電荷が、他の非オーミック接触面の電荷によって相殺されることは殆どない。よって、該導電経路を介して共通電位側容量電極から余計な電荷が対向電極側に移動してしまいかねないのである。
【００３０】
特に、本発明の如く複数或いは多数の画素電極に対して一つの対向電極が存在する場合には、個々の非オーミック接触面付近に蓄積された電荷が微量であっても、複数或いは多数の非オーミック接触面からの移動後には一つの対向電極に集積されることになる。従って、共通電位源に接続された蓄積容量の数に応じて、その悪影響は増大すると考察される。これに対して、本発明は、複数或いは多数の蓄積容量と一つの対向電極とを同一の共通電位源に接続しても、個々の蓄積容量からの電荷の移動が、偶数個所の非オーミック接触面の間で顕著に相殺されるので、これらが集積されて悪影響が顕在化することはないのである。
【００３１】
以上のように本発明の第２の電気光学装置によれば、非オーミック接触面からの余計な電荷が移動後に集積されることに起因して対向電極の共通電位にずれ或いは電位変動が生じることを抑えることができる。最終的には、対向電極における電位変動に起因した画質の劣化を低減できる。しかも、対向電極用と容量線用とで、共通の共通電位源があれば足り、例えば前述した特許文献１の如く複数種類の共通電位源を用意する必要はない。
【００３２】
本発明の第１又は第２の電気光学装置の他の態様では、前記第１基板上に配線された前記共通電位源に接続された共通電位配線と、前記共通電位配線と前記対向電極とを電気的に接続する上下導通材とを更に備え、前記容量線は、前記共通電位配線に接続されている。
【００３３】
この態様によれば、共通電位配線及び容量線を介して、蓄積容量の共通電位側容量電極を共通電位源からの共通電位に落とすことができると共に、共通電位配線及び上下導通材を介して、蓄積容量の共通電位側容量電極を共通電位源からの共通電位に落とすことができる。特に、共通電位配線を、アルミニウム等の導電性の金属材料から形成すれば、同一の共通電位源からの共通電位の供給を良好に行なえる。
【００３４】
この態様では、前記第１基板上において画素毎に、前記薄膜トランジスタの上層側に前記蓄積容量が配置されており、前記蓄積容量の上層側に前記共通電位側容量電極と前記容量線とを中継接続すると共に前記データ線と同一の導電性金属層からなる中継層が配置されており、前記中継層の上層側に前記容量線が配置されており、前記各導電経路内において、前記中継層と前記画素電位側容量電極とが相互にオーミック接触されているように構成してもよい。
【００３５】
このように構成すれば、基板上の積層構造内において、共通電位側容量電極と容量線との層間距離が長くても、中継層を利用することで良好な電気的接続が可能となる。しかも、当該中継層と画素電位側容量電極とは相互にオーミック接触されているので、中継層の界面における電位障壁で当該界面付近に蓄積される電荷が、共通電位配線を介して対向電極に移動して悪影響を及ぼすことは殆どない。
【００３６】
尚、本発明では、第１基板上には、薄膜トランジスタの下層側に蓄積容量が配置されてもよいし、蓄積容量の下層側に中継層が配置されてもよい。更に、本発明ではより一般に、薄膜トランジスタ、蓄積容量、中継層、走査線、データ線、画素電極等の各構成要素に係る基板上の積層構造中における上下関係については、各種の積層順番が採用可能である。
【００３７】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の第１又は第２の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を具備してなる。
【００３８】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の第１又は第２の電気光学装置を具備してなるので、高画質の表示画可能な、投射型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。その他、本発明の電子機器としては、例えば、電子ペーパ等の電気泳動装置や、電子放出素子を利用した表示装置（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）等を実現することも可能である。
【００３９】
本発明の電気光学装置用基板の製造方法は上記課題を解決するため、第１基板上に、複数の画素電極と、走査線と、データ線と、前記走査線及び前記データ線の交差に対応して配置されており前記画素電極をスイッチング制御するスイッチング素子と、画素電位側容量電極及び共通電位側容量電極を有すると共に該画素電位側容量電極が前記画素電極に接続された蓄積容量と、前記共通電位側容量電極に接続された容量線とを備え、前記第１基板に対し電気光学物質を介して対向配置された第２基板上に、前記容量線と共通の共通電位源に電気的に接続されており且つ前記複数の画素電極に対向する一つの対向電極を備え、前記第１基板上において、前記共通電位源から前記共通電位側容量電極に至る画素毎の各導電経路を構成する複数の導電層は、該各導電経路内として、前記複数の導電層を層間絶縁する層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールの底において、相互にオーミック接触されている電気光学装置に係る前記第１基板を含んでなる基板を製造する電気光学装置用基板の製造方法であって、前記第１基板上に、前記蓄積容量を形成する工程と、前記蓄積容量上に前記層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に、前記複数の導電層のうち一の導電層からなる前記共通電位側容量電極に至る前記コンタクトホールを、前記底においてオーミック接触されるように形成する工程と、前記コンタクトホールの上層側に、前記複数の導電層のうち前記一の導電層とオーミック接触される他の導電層を形成する工程と、前記工程と相前後して又は少なくとも部分的に同時に、前記第１基板上に、前記スイッチング素子、前記走査線、前記データ線、前記容量線及び前記画素電極を形成する工程とを備える。
【００４０】
本発明の製造方法によれば、第１基板上に、蓄積容量が形成され、更に、この蓄積容量上に形成された層間絶縁膜に、一の導電層からなる共通電位側容量電極に至るコンタクトホールが形成される。この際特に、コンタクトホールの底においてオーミック接触されるように、該コンタクトホールは、形成される。その後、コンタクトホールの上層側に、他の導電層が形成される。これらの各工程と相前後して又は少なくとも部分的に同時に、第１基板上には、スイッチング素子、走査線、データ線、容量線及び画素電極が、装置デザインに応じた順番で積層形成される。例えば、蓄積容量の下層側又は上層側に形成されてもよいし、部分的又は完全に同一膜から形成されてもよい。この際、第１基板上に構築される積層構造において概ね下側から順番に形成すればよい。従って、コンタクトホール内にオーミック接触されている導電経路を介して個々の画素電位側容量電極と対向電極とは電気的に接続されている構成が基板上に得られる。このように前述した本発明の第１の電気光学装置と同様の利点を有する電気光学装置用基板を比較的容易に製造できる。
【００４１】
本発明の電気光学装置用基板の製造方法の一態様では、前記コンタクトホールを形成する工程は、前記層間絶縁膜に、ドライエッチング及びウエットエッチングで開孔する工程を含む。
【００４２】
この態様によれば、層間絶縁膜にドライエッチング及びウエットエッチングで開孔することで、底でオーミック接触がとれるコンタクトホールを、比較的容易に形成できる。
【００４３】
この態様では、前記一の導電層はドープトシリコン層からなり、前記コンタクトホールを形成する工程は、ドライエッチング及びウエットエッチングによって前記前記ドープトシリコンを前記底においてフッ素化（或いは、フッ化）するように製造してもよい。
【００４４】
このように製造すれば、コンタクトホールを開孔する際に、層間絶縁膜のコンタクトホール内に露出する一の導電層たるドープトシリコン層を、ドライエッチング及びウエットエッチングによってフッ素化（或いは、フッ化）することで、比較的容易にしてコンタクトホールの底でオーミック接触がとれるようにできる。
【００４５】
本発明の電気光学装置用基板の製造方法の他の態様では、前記コンタクトホールを形成する工程は、前記層間絶縁膜に、スカム取り処理を含むドライエッチング処理を施す工程を含む。
【００４６】
この態様によれば、スカム取りによって、ドライエッチング処理における下地層となる、一の導電層や他の導電層へのダメージを抑制することが可能となる。例えば、ドライエッチング処理による亀裂、断線不良を低減できる。この結果、該ダメージ抑制による一層の低抵抗化を図ることができ、対向電極へ移動し得る下地層の接触面付近に蓄積される余計な電荷を効果的に低減できる。
【００４７】
本発明の電気光学装置用基板の製造方法の他の態様では、前記一の導電層はドープトシリコン層からなり且つ前記他の導電層は導電性金属層からなり、前記コンタクトホールを形成する工程は、前記層間絶縁膜に、コンタクトホールを開孔する工程と、該開孔されたコンタクトホール内に、金属シリサイド膜を形成する工程とを含む。
【００４８】
この態様によれば、コンタクトオホール内で金属シリサイド膜とドープトシリコン層とがオーミック接触している構造を比較的容易に得られる。
【００４９】
本発明のこのような作用及び他の利得は、次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００５１】
＜１：第１実施形態＞
先ず、本発明の電気光学装置に係る第１実施形態について、図１から図８を参照して説明する。
【００５２】
＜１−１：電気光学装置の全体構成＞
まず、本発明の電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ'断面図である。ここでは、一例として、電気光学装置を駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式としている。
【００５３】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００５４】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
【００５５】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００５６】
画素表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００５７】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００５８】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００５９】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００６０】
＜１−２：画像表示領域の構成＞
次に、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域の構成について、図３から図６を参照して説明する。
【００６１】
図３は、本実施形態に係る電気光学装置のうち、画素部の等価回路を表している。図４及び図５は、ＴＦＴアレイ基板上の画素部に係る部分構成を表す平面図である。尚、図４及び図５は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図４）と上層部分（図５）に相当する。図６は、図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。尚、図６においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材の縮尺比率を適宜に変えてある。
【００６２】
＜１−２−１：画素部の原理的構成＞
図３に示したように、画像表示領域１０ａにおいては、複数の走査線１１a及び複数のデータ線６aが相交差して配列しており、その線間に、走査線１１a，データ線６aの各一により選択される画素部が設けられている。各画素部には、ＴＦＴ３０、画素電極９a及び蓄積容量７０が設けられている。ＴＦＴ３０は、データ線６aから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを選択画素に印加するために設けられ、ゲートが走査線１１ａに接続され、ソースがデータ線６ａに接続され、ドレインが画素電極９ａに接続されている。画素電極９ａは、後述の対向電極２１との間で液晶容量を形成し、入力される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを画素部に印加して一定期間保持するようになっている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線４００に接続されている。
【００６３】
この電気光学装置は、例えばＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式を採り、走査線駆動回路１０４（図１参照）から各走査線１１ａに走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを線順次に印加すると共に、それによってＴＦＴ３０がオン状態となる水平方向の選択画素部の列に対し、データ線駆動回路１０１（図１参照）からの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎをデータ線６ａを通じて印加するようになっている。この際、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各データ線６ａに線順次に供給してゆくようにしてもよいし、複数のデータ線６ａ（例えばグループ毎）に同じタイミングで供給するものとしてもよい。これにより、画像信号が選択画素に対応する画素電極９ａに供給される。ＴＦＴアレイ基板１０は、液晶層５０を介して対向基板２０と対向配置されているので（図２参照）、以上のようにして区画配列された画素領域毎に液晶層５０に電界を印加することにより、両基板間の透過光量が画素領域毎に制御され、画像が階調表示される。また、このとき各画素領域に保持された画像信号は、蓄積容量７０によりリークが防止される。
＜１−２−２：画素部の具体的構成＞
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的構成について、図４から図６を参照して説明する。
【００６４】
図４から図６では、上述した画素部の各回路要素が、パターン化され、積層された導電膜としてＴＦＴアレイ基板１０上に構築されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、ガラス基板、石英基板、ＳＯＩ基板、半導体基板等からなり、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０と対向配置されている。また、各回路要素は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含む第２層、蓄積容量７０の共通電位側容量電極を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、容量配線４００等を含む第５層、画素電極９ａ等を含む第６層からなる。また、第１層−第２層間には下地絶縁膜１２、第２層−第３層間には第１層間絶縁膜４１、第３層−第４層間には第２層間絶縁膜４２、第４層−第５層間には第３層間絶縁膜４３、第５層−第６層間には第４層間絶縁膜４４がそれぞれ設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。尚、このうち、第１層から第３層が下層部分として図４に示され、第４層から第６層が上層部分として図５に示されている。
【００６５】
（第１層の構成―走査線等―）
第１層は、走査線１１ａで構成される。走査線１１ａは、図４のＸ方向に沿って延びる本線部と、データ線６ａ或いは容量配線４００が延在する図４のＹ方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。このような走査線１１ａは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。
【００６６】
（第２層の構成―ＴＦＴ等―）
第２層は、ＴＦＴ３０及び中継電極７１９で構成されている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とされ、ゲート電極３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａと半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極３ａは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。また、中継電極７１９は、例えばゲート電極３ａと同一膜として形成される。
【００６７】
ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｃｖを介して走査線１１ａに電気的に接続されている。下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなり、第１層と第２層の層間絶縁機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることで、基板表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすＴＦＴ３０の素子特性の変化を防止する機能を有している。
【００６８】
（第３層の構成―蓄積容量等―）
第３層は、蓄積容量７０で構成されている。蓄積容量７０は、容量電極３００と下部電極７１とが誘電体膜７５を介して対向配置された構成となっている。このうち、本発明に係る「共通電位側容量電極」の一例を構成する、容量電極３００は、容量配線４００に電気的に接続されている。本発明に係る「画素電位側容量電極」の一例を構成する、下部電極７１は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａの夫々に電気的に接続されている。
【００６９】
下部電極７１と高濃度ドレイン領域１ｅとは、第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８３を介して接続されている。また、下部電極７１と画素電極９ａとは、コンタクトホール８８１、８８２、８０４、及び中継電極７１９、第２中継電極６ａ２、第３中継電極４０２により各層を中継し、コンタクトホール８９において電気的に接続されている。
【００７０】
このような容量電極３００には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。これにより、容量電極は、ＴＦＴ３０に上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。また、下部電極７１には、例えば導電性のポリシリコンが用いられる。
【００７１】
誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等からなる。
【００７２】
また、第１層間絶縁膜４１は、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、第１層間絶縁膜４１には、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。
【００７３】
（第４層の構成―データ線等―）
第４層は、データ線６ａで構成されている。データ線６ａは、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの三層膜として形成されている。窒化シリコン層は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。また、第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図５に示したように、夫々が分断されるように形成されている。
【００７４】
このうち、データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。
【００７５】
また、容量配線用中継層６ａ１は、第２層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８０１を介して容量電極３００と電気的に接続され、容量電極３００と容量配線４００との間を中継している。容量配線用中継層６ａ２は、前述したように、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８８２を介して中継電極７１９に電気的に接続されている。このような第２層間絶縁膜４２は、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等によって形成することができる。
【００７６】
（第５層の構成―容量配線等―）
第５層は、容量配線４００及び第３中継電極４０２により構成されている。容量配線４００は、画像表示領域１０ａの周囲にまで延設され、定電位源と電気的に接続されることで、共通電位とされている。この容量配線４００は、図５に示すように、Ｘ方向、Ｙ方向に延在する格子状に形成され、Ｘ方向に延在する部分には、第３中継電極４０２の形成領域を確保するために切り欠きが設けられている。また、容量配線４００は、その下層のデータ線６ａ、走査線１１ａ、ＴＦＴ３０等を覆うように、これら回路要素の構造よりも幅広に形成されている。これにより、各回路要素は遮光され、入射光を反射させて投射画像における画素の輪郭がぼやける等の悪影響が防止されている。
【００７７】
更に、容量配線４００のＸ方向延在部分とＹ方向延在部分とが丁度交差する角部は、略三角形の庇部がわずかに突き出すような形状となっている。この庇部により、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する光の遮蔽を効果的に行うことができる。即ち、半導体層１ａに対して斜め上方から進入する光を、庇部が反射又は吸収することにより、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。
【００７８】
このような容量配線４００は、第３層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８０３を介して、容量配線用中継層６ａ１と電気的に接続されている。
【００７９】
また、第５層には、容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。第３中継電極４０２は、前述のように、コンタクトホール８０４及びコンタクトホール８９を介して、第２中継電極６ａ２−画素電極９ａ間を中継している。尚、これら容量配線４００及び第３中継電極４０２は、例えばアルミニウム、窒化チタンを積層した二層構造となっている。
【００８０】
こうした第５層の下には、全面に第３層間絶縁膜４３が形成されている。第３層層間絶縁膜４３は、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等によって形成することができる。
【００８１】
（第６層の構成―画素電極等―）
第５層の全面には第４層間絶縁膜４４が形成され、更にその上に、第６層として画素電極９ａが形成されている。第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ−第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。このような第４層間絶縁膜４４は、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等によって形成することができる。
【００８２】
画素電極９ａ（図５中、破線９ａ’で輪郭が示されている）は、縦横に区画配列された画素領域の各々に配置され、その境界にデータ線６ａ及び走査線１１ａが格子状に配列するように形成されている（図４及び図５参照）。また、画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなる。尚、該画素電極９ａ上には配向膜１６が形成されている。以上が、ＴＦＴアレイ基板１０側の画素部の構成である。
【００８３】
他方、対向基板２０には、その対向面の全面に対向電極２１が設けられており、更にその上（図６では対向電極２１の下側）に配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、画素電極９ａと同様、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。尚、対向基板２０と対向電極２１の間には、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生等を防止するため、少なくともＴＦＴ３０と正対する領域を覆うように遮光膜２３が設けられている。
【００８４】
以上のように構成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の間には、液晶層５０が設けられている。液晶層５０は、基板１０及び２０の周縁部をシール材により封止して形成した空間に液晶を封入して形成される。液晶層５０は、画素電極９ａと対向電極２１との間に電界が印加されていない状態において、ラビング処理等の配向処理が施された配向膜１６及び配向膜２２によって、所定の配向状態をとるようになっている。
【００８５】
以上に説明した画素部の構成は、図４及び図５に示すように、各画素部に共通である。前述の画像表示領域１０ａ（図１を参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。他方、このような電気光学装置では、画像表示領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。
【００８６】
尚、容量電極３００及び容量配線用中継層６ａ１を構成する両導電層に係る材質や成膜方法、コンタクトホール８０１の開孔方法等については、両導電層の接触面がオーミック接触面となるように選択される。この点について以下に詳述する。
【００８７】
＜１−３：対向電極電位の変動要因＞
上述の如く図１から図６を参照して説明した構成を有する本実施形態の電気光学装置においては特に、その駆動時には、対向電極２１の電位は、外部回路接続端子１０２、これに接続された電源配線、及び上下導通端子１０６（図１及び図２参照）を介して供給される、共通電位源の共通電位（例えば、グランド電位等の所定電位）に固定される。更に、容量電極３００の電位についても、外部回路接続端子１０２、これに接続された電源配線、及び容量線４００を介して供給される、同一の共通電位電源の共通電位に固定される。即ち、本実施形態では、前述した対向電極２１の電位を固定して「固定電位」或いは「共通電位」とし、しかも画素電極９ａの電位を画像信号に応じて変化させる駆動方式が採用される。このように対向電極２１と、本発明に係る「共通電位側容量電極」の一例である容量電極３００とは、共通の共通電位源に接続されており、その結果、これら両者は、電気光学装置の動作中、容量線４００及び電源配線を介して相互に導通状態とされる。
【００８８】
以下、図７から図１０を参照して、このような導通状態にある場合、何らの対策も施さねば、対向電極の電位の変動が起きる要因について検討を加える。図７は、比較例における、対向電極２１の固定電位（共通電位）が変動する様子を図式的に示しており、図８及び図９は夫々、各種条件での信頼性通電試験の結果における対向電極２１の固定電位（共通電位）の変動を示す。図１０は、コンタクトホール８０１の底における接触面における電流―電圧特性及びケルビン抵抗値を示す。
【００８９】
図７に示すように、比較例では、蓄積容量７０の容量電極３００に至る導電経路としてのコンタクトホール８０１の底では、データ線６ａと同一である、例えばＡｌ膜からなる容量配線用中継層６ａ１と、例えばＴｉ等の高融点金属や導電性ポリシリコン膜からなる容量電極３００とが、非オーミック接触されている。即ち、図７に示した比較例では、本実施形態の構成において、コンタクトホール８０１の底に非オーミック接触が存在しているように構成されたものである。言い換えれば、本実施形態は、図７の如き構成において、コンタクトホール８０１の底に、非オーミック接触面ではなく、オーミック接触面が存在しているように構成されたものである。
【００９０】
より具体的には、図７に示した比較例は、コンタクトホール８０１を、ドライエッチングのみで開孔することによって、その底に、非オーミック接触面を構成したものである。このように構成すると、カチオン（＋）性のショットキーバリア層（例えば、リンイオンＰ+を含むポリシリコン層）が、接触面付近に形成される。すると、特に水分の浸入があると、電気光学装置の動作時には、このカチオン（＋）即ち正電荷が、コンタクトホール８０１から、容量配線用中継層６ａ１、容量線４００、電源配線５０１、上下導通端子１０６が接触する銀点、及び上下導通端子１０６を介して、対向電極２１に流れて行くのである。
【００９１】
このように、比較例の電気光学装置の動作時には、コンタクトホール８０１内で正電荷が非オーミック接触面の付近に蓄積される。図７中では、該非オーミック接触面の上側（即ち、容量線４００に近い側）に、正電荷（カチオン）が蓄積される様子を、“＋＋＋”として示している。ここで蓄積される正電荷の量は、個々の容量電極３００或いは個々の画素電極９ａの容量からすれば相対的に小さく、その駆動動作に悪影響を与える程度の量ではないようにも思われる。しかしながら、この場合、多数の画素に係るコンタクトホール８０１付近における正電荷が、容量線４００を介して、同一の電源配線５０１へと集中的に流れ込むことになり、更に、この正電荷のうちの相当量は、電源配線５０１に上下導通材１０６を介して接続された対向電極２１へと、図中“＋→＋→＋→…”と示したように流れ込むことになる。即ち、多数の画素にて蓄積された正電荷が、並列に合算されて、容量線４００、電源配線５０１及び上下導通材１０６を介して対向電極２１に、“＋＋＋…＋”として示したように、数多く集積されることになる。しかも、共通の電源配線５０１から対向電極２１に対して共通電位を通電する際に、このような正電荷は、通電時間に応じて流れ込み、加えて、水分量或いは湿度に応じて流れ込む量が変化するのである。
【００９２】
因みに、画素電極９ａでは、動作中、画像信号に応じて高い周波数で電荷が変動しており、対向電極２１のように電荷を帯び難いと言える。特に、通常そうであるように、ライン反転駆動或いはフィールド反転等の反転駆動を行う場合であれば、一層、画像信号に応じて高い周波数で電荷が変動しており、電荷を帯び難いと言える。
【００９３】
このように、特に本実施形態の如く複数或いは多数の画素電極９ａに対して一つの対向電極２１が存在する場合であって、対向電極２１の共通電位を固定し且つ画素電極９ａの電位を変化させる駆動方式の場合には、個々の非オーミック接触面の付近に蓄積された正電荷が微量であっても、これらが一つの対向電極２１に集積されることになる。従って、蓄積容量７０の数、或いは画素電極９ａの個数に応じて、更に、通電時間及び湿度に応じて、そのような余計な電荷が対向電極２１の電位に及ぼす悪影響は増大すると考察される。
【００９４】
しかも、このような電荷の集積量は、時間的には、例えば数秒といった短時間でなく、例えば数時間〜数百時間といった長時間のオーダで、通電時間に伴って増大する傾向を示す。よって、通常の使用環境における通電時間の短長によって、対向電極２１の共通電位が変動する要因になってしまうと考えられる。
【００９５】
即ち図８に、図７に示した比較例について特性曲線Ｃ１、Ｃ２及びＣ３として例示するように、ノーマリホワイトモードで黒表示を行うとして、温度８０℃であり且つ乾燥条件で信頼性通電試験を行なうと、数百時間の連続表示時において、対向電極２１における固定電位（共通電位）ＬＣＣＯＭの変動が見られる。例えば、最適な固定電位（共通電位）ＬＣＣＯＭは、通電時間１６時間で、０．３４V変動しており、通電時間５００時間で、０．３４V〜０．３８Ｖも変動している。これにより、本来見えなかった、フリッカ、縦スジ、リング斑、画素斑等の表示不具合が大なり小なり発生してしまうのである。尚、図８は、横軸に通電時間を示し、縦軸に対向電極２１における固定電位（共通電位）ＬＣＣＯＭの値を示したものであり、三種類のサンプルＲｅｆ、Ｋ１及びＫ２についての試験結果を夫々、特性曲線Ｃ１、Ｃ２及びＣ３として示している。
【００９６】
更に、図９に、図７に示した比較例について特性曲線Ｃ１１、Ｃ１２及びＣ１３として例示するように、温度５０℃であり且つ湿度９０％という高温高湿条件で、同様の試験を行うと、数百時間の連続表示時において、対向電極２１における固定電位（共通電位）ＬＣＣＯＭの変動が顕著に見られる。例えば、最適な固定電位（共通電位）ＬＣＣＯＭは、通電時間５００時間で、１．０〜１．２Vも変動している。これにより、本来見えなかった、フリッカ、縦スジ、リング斑、画素斑等の表示不具合が顕著に発生してしまうのである。尚、図９は、図８の場合と同じ三種類のサンプルＲｅｆ、Ｋ１及びＫ２についての湿度等の条件を変えての試験結果を夫々、特性曲線Ｃ１１、Ｃ１２及びＣ１３として示している。
【００９７】
図８及び図９から分かるように、特に、コンタクトホール８０１内で発生する電荷によって、対向電極２１の電位は変動し、しかもこのような変動は、通電時間に応じて異なった量だけ起こってしまうのである。そして特に、高温高湿条件では、係る共通電位の通電時間に対する変動は顕著なものとなっており、何らかの対策が望まれると考えられる。
【００９８】
図１０の特性図は、図７に示した比較例について、カチオン（＋）性のショットキーバリア層（例えば、リンイオンＰ+を含むポリシリコン層）が、接触面付近に形成されることを暗に示している。ショットキーバリア層が形成されると、電荷がコンタクトホール８０１内の境界面付近に存在することになり、電流電圧特性が電流＝０に対して非対称となる筈だからである。図１０では、コンタクトホール８０１の底に位置する容量電極３００の上部付近におけるケルビン抵抗値Ｒｃ（Ｒｃ−Ｔｏｐ）が、電流＝０に対して非対称であり、容量電極３００の中央部付近におけるケルビン抵抗値Ｒｃ（Ｒｃ−Ｃｅｎｔｅｒ）が、電流＝０に対して非対称であり、しかも、容量電極３００の上部付近、即ち、接触面付近におけるケルビン抵抗値Ｒｃ−Ｃｅｎｔｅｒの方が、より顕著に非対称となっている。このことから、図７から図９を参照して説明したショットキーバリア層が、コンタクトホール８０１内の容量電極３００の接触面付近に形成されているものと考察される。尚、図１０中では、ケルビン抵抗値Ｒｃ−Ｔｏｐ及びケルビン抵抗値Ｒｃ−Ｃｅｎｔｅｒに対応する電流−電圧曲線が夫々、Ｖ１−Ｔｏｐ及びＶ１−Ｃｅｎｔｅｒとして図示されている。ケルビン抵抗値は、図１０において、電流−電圧曲線の傾きに相当している。
【００９９】
以上図７から図１０を参照して考察したように、コンタクトホール８０１の底における容量電極３００の接触面が、非オーミック接触面であると、対向電極２１の共通電位が変動して画質劣化を招くので、本実施形態では特に、コンタクトホール８０１付近にある画素毎の各導電経路を構成する、即ち、コンタクトホール８０１内の導電性材料層等とコンタクトホール８０１の底にある導電性材料層とは、相互にオーミック接触されている。より具体的には、容量電極３００及び容量配線用中継層６ａ１を構成する両導電層に係る材質や成膜方法、コンタクトホール８０１の開孔方法等については、両導電層の接触面がオーミック接触面となるように選択される。この結果、当該接触面では、１ｎＡでのケルビン抵抗値Ｒ１と、１００μＡでのケルビン抵抗値Ｒ２とについて、「Ｒ１＝Ｒ２であり且つＲ１＞Ｒ２×１／２である」という条件が、当該接触面について満たされている。
【０１００】
このように本実施形態によれば、電源配線５０１から容量電極３００に至る導電経路では、非常に電気抵抗の低いオーミック接触が実現されているので、共通の電源配線５０１から対向電極２１に対して共通電位を通電する際に、コンタクトホール８０１等を介して容量電極３００付近から、カチオン（＋）或いは正電荷が、対向電極２１側に移動する事態を未然防止できる。多数の蓄積容量７０と一つの対向電極２１とを同一の電源配線５０１に接続しても、個々の容量電極３００からの電荷の移動が殆どないため、これらが対向電極２１にて集積されて、図７から図１０に示した如き悪影響が顕在化することはないのである。
【０１０１】
以上のように本発明の第１の電気光学装置によれば、非オーミック接触面からの余計な電荷に起因して対向電極２１の共通電位にずれ或いは電位変動が生じることを抑えることができる。これにより、特に高湿や高温環境で加速する対向電極２１の電位のずれを、低減することが可能となる。更に、仮にこのような対向電極２１の電位のずれが多少発生したとしても、脱水や通電を止めることで迅速に正常な状態に回復させることも可能となる。これらの結果、最終的には、対向電極２１における電位変動に起因した画質の劣化を低減でき、高温通電時や高温高湿通電時においても、高品質の画像を表示可能となる。
【０１０２】
図１１を参照して、第１実施形態について最後に、具体的に、コンタクトホール８０１の底に、オーミック接触面が構築されている構造例及びそのような構造例を製造する方法について説明する。ここに図１１は、右側に、第１実施形態に係るコンタクトホール８０１付近の断面構造例を図式的に示しており、左側に、図７から図１０を参照して説明した比較例におけるコンタクトホール８０１付近の断面構造を比較のために示している。
【０１０３】
図１１の右側に示すように、第１実施形態では、容量電極３００は、リンが高濃度ドープされた導電性のポリシリコン膜からなり、コンタクトホール８０１の底にて、容量電極３００に接触する不図示の容量配線用中継層６ａ１（図６参照）は、例えば、Ａｌ等の導電性金属層からなる。そして、容量電極３００を構成するポリシリコン層は、容量配線用中継層６ａ１との接触面においてフッ素化されている。このように構成すれば、比較的容易にして、ポリシリコン層及び導電性金属層との間に、即ち、フッ素化ドープトポリシリコン層（或いは、フッ化ドープトポリシリコン層）及び導電性金属層との間に、オーミック接触を構築できる。
【０１０４】
このような構造を製造するためには、先ず容量電極３００を、ＣＶＤ、スパッタリング等による成膜工程、エッチング等によるパターニング工程及びドーピング工程によって、リンが高濃度ドープされた導電性のポリシリコンから形成する。その後、容量電極３００上に第２層間絶縁膜４２を形成した後に、第２層間絶縁膜４２に対して、容量電極３００に至るコンタクトホール８０１を、ドライエッチングとウエットエッチングとの組合せにより開孔する。例えば、ＣＦｘ／Ａｒ等のエッチングガスを用いての異方位ドライエッチングにより、第２層間絶縁膜４２を削り、その後、リンを含むポリシリコン層へのダメージ除去（即ち、Ｐ＋部分の除去）を目的として、ＨＦ系のエッチャントによるウエットエッチングによるフッ素イオンで終端化させる。これにより、電流値によらずに抵抗が一定である、即ち、オーミック接触面をコンタクトホール８０１の底に構築できる。
【０１０５】
このように第１実施形態では、コンタクトホール８０１の底にて、オーミック接触面が比較的容易に得られる。加えて、本実施例の如くコンタクトホール８０１の底に露出する容量電極３００を構成する導電性のポリシリコン膜の表面付近をフッ素化すれば、例えば、フッ素化リン（或いは、フッ化リン）をコンタクトホール８０１の底付近に形成すれば、該ポリシリコン膜内におけるリンによるダメージ層を終端させることができ、より一層容易にして良好なるオーミック接触面が得られる。
【０１０６】
その後、コンタクトホール８０１の上層側に、Ａｌ等の導電性金属膜からなる容量配線用中継層６ａ１をスパッタリング等により、コンタクトホール８０１内も含めて形成すれば、コンタクトホール８０１の底に、オーミック接触面が得られることになる。尚、容量配線用中継層６ａ１とは別に、プラグにより、コンタクトホール８０１の底に、オーミック接触面が得られるように構成してもよい。
【０１０７】
これらの各工程と相前後して、ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線３ａ、ＴＦＴ３０、データ線６ａ、画素電極９ａ等が、積層形成される。これらにより、コンタクトホール８０１内にオーミック接触されている導電経路を介して複数の容量電極３００と一つの対向電極２１とが電気的に接続されている構成が、ＴＦＴアレイ基板１０上に得られる。
【０１０８】
これに対して、図１１の左側に比較例として示したように、ドライエッチングのみで、コンタクトホール８０１を開孔すると、ポリシリコン膜中のダメージ層部分が、コンタクトホール８０１の底付近を占めることになるので、非オーミック接触面となってしまい、図７から図１０を参照して説明した如き比較例における問題点が顕在化するのである。
【０１０９】
第１実施形態では、例えば、図１１の左側の比較例の場合のコンタクト抵抗が７００Ω／ＣＴであるのに対して、１００Ω／ＣＴという低いコンタクト抵抗を実現できる。
【０１１０】
以上図１から図１１を参照して詳細に説明したように、第１実施形態に係る電気光学装置によれば、対向電極２１の共通電位を固定し且つ画素電極９ａの電位を変化させる駆動方式を採用しつつ、対向電極２１における共通電位の変動を低減し得、高品位の画像を表示可能となる。
【０１１１】
＜２：第２実施形態＞
次に、本発明の電気光学装置に係る第２実施形態について、図１２を参照して説明する。ここに図１２は、右側に、第２実施形態に係るコンタクトホール８０１付近の断面構造を図式的に示しており、左側に、他の比較例を示している。第２実施形態は、図１２に示したコンタクトホール８０１付近に係る構成及び製造工程が異なるだけで、それ以外の構成及び製造工程については、上述した第１実施形態の場合と同様である。
【０１１２】
図１２の右側に示すように、第２実施形態では、容量電極３００は、例えばタングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の導電性の金属層又は金属シリサイド層、或いはリンが高濃度ドープされた導電性のポリシリコン膜からなり、コンタクトホール８０１の底にて、容量電極３００に接触する不図示の容量配線用中継層６ａ１（図６参照）は、例えば、Ａｌ等の導電性金属層からなる。そして、第２実施形態では特に、コンタクトホール８０１をドライエッチングで開孔する前に、例えばＯ２（酸素）クリーニングによるスカム取りを行なっている。ここに「スカム取り」とは、フォトレジストのパターンニング後に下地面上に残るカス或いはレジストカスである「スカム」を除去することを意味し、一般には、Ｏ２プラズマクリーニングが利用されている。このようにスカム取りを行なった後に、ドライエッチングを行う。
【０１１３】
より具体的には例えば、コンタクトホール８０１を開孔するためのフォトレジストを第２層間絶縁膜４２上に塗布して、露光及び現像によって、コンタクトホール８０１を開孔すべき個所に穴が開いたレジストパターンを作成する。その後、Ｏ２プラズマクリーニングによって、第２層間絶縁膜４２上におけるスカム取りを行う。その後、異方位プラズマドライエッチングを行う。この際、スカムに起因したドライエッチングの不均一化が阻止される。その後、レジストを剥離のために、再び、Ｏ２プラズマクリーニングを行ない、剥離液処理を行う。このように製造すれば、コンタクトホール８０１の底の形状等が、スカムの存在に起因して不均一化する事態を効率的に防止できる。
【０１１４】
従って、第２実施形態によれば、図１２の左側に示すスカム取りを行わない比較例の場合と比較して、コンタクトホ−ル８０１の底における、応力開放や、ドライエッチング時におけるプラズマダメージによる容量電極３００の亀裂或いはクラックや断線不良を低減できている。
【０１１５】
このように第２実施形態の如くに構成及び製造すれば、比較的容易にして、容量電極３００及び容量配線用中継層６ａ１との間に、オーミック接触を構築できる。更に、スカムに起因した容量電極３００へのダメージを抑制することで、コンタクトホール８０１の底に非常に低いコンタクト抵抗を実現できる。特に、装置仕様や装置構造上、ウエットエッチングを使えない又は使うのが困難であるような場合には、第２実施形態の構造及び製造方法を採用することで、ウエットエッチングなしで第１実施形態と同様の効果が得られるので、実用上大変便利である。尚、容量配線用中継層６ａ１とは別に、プラグにより、コンタクトホール８０１の底に、オーミック接触面が得られるように構成してもよい。
【０１１６】
以上説明したように、第２実施形態に係る電気光学装置によれば、対向電極２１の共通電位を固定し且つ画素電極９ａの電位を変化させる駆動方式を採用しつつ、対向電極２１における共通電位の変動を低減し得、高品位の画像を表示可能となる。
【０１１７】
＜３：第３実施形態＞
次に、本発明の電気光学装置に係る第３実施形態について、図１３を参照して説明する。ここに図１３は、右側に、第３実施形態に係るコンタクトホール８０１付近の断面構造を図式的に示しており、左側に、他の比較例を示している。第３実施形態は、図１３に示したコンタクトホール８０１付近に係る構成及び製造工程が異なるだけで、それ以外の構成及び製造工程については、上述した第１実施形態の場合と同様である。
【０１１８】
図１３の右側に示すように、第３実施形態では、容量電極３００は、例えばタングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の導電性の金属層又は金属シリサイド層、或いはリンが高濃度ドープされた導電性のポリシリコン膜からなり、コンタクトホール８０１の底にて、容量電極３００に接触する容量配線用中継層６ａ１（図６参照）は、例えば、係る容量電極３００を構成する材料との相性が悪い（即ち、仕事関数差が大きい）材料からなる。第３実施形態では、このような相性の悪い容量電極３００と容量配線用中継層６ａ１との間には、両者に対して相対的に相性の良い（即ち、仕事関数差が小さい）、例えば、導電性のＴｉＳｉＸシリサイド（チタンＸシリサイド）等の導電性の金属シリサイドを用いて、バリア層８０２ａを形成する。これにより、容量電極３００とバリア層８０２ａとの間の接触面についてはオーミック接触面とし且つバリア層８０２ａと容量配線用中継層６ａ１との間の接触面についてもオーミック接触面とすることが可能となる。
【０１１９】
より具体的には例えば、コンタクトホール８０１を開孔した後に、スパッタリング、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ等によって、バリア層８０２ａを、少なくともコンタクトホール８０１内に金属シリサイドから形成する。その後、スパッタリング、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ等によって、容量配線用中継層６ａ１を形成する。バリア層８０２ａは、容量配線用中継層６ａ１と同一の平面形状にパターニングされることで多層膜構造を有する容量配線用中継層６ａ１の一部とされてもよいし、コンタクトホール８０１の周辺や内部、或いは底のみに形成されてもよい。
【０１２０】
従って、第３実施形態によれば、図１３の左側に示すバリア層８０２ａを形成しない比較例の場合と比較して、コンタクトホ−ル８０１の底でオーミック接触面が得られ、少なくとも容量電極３００と容量配線用中継層６ａ１とについての材料選択の余地を広げつつ、オーミック接触面を実現できる。
【０１２１】
このように第３実施形態の如くに構成及び製造すれば、比較的容易にして、容量電極３００及び容量配線用中継層６ａ１との間に、バリア層を解してオーミック接触を構築できる。特に、装置仕様や装置構造上、ウエットエッチングを使えない又は使うのが困難であるような場合には、第２実施形態の構造及び製造方法を採用することで、ウエットエッチングなしで第１実施形態と同様の効果が得られるので、実用上大変便利である。
【０１２２】
以上説明したように、第３実施形態に係る電気光学装置によれば、対向電極２１の共通電位を固定し且つ画素電極９ａの電位を変化させる駆動方式を採用しつつ、対向電極２１における共通電位の変動を低減し得、高品位の画像を表示可能となる。
【０１２３】
＜４：その他の変形形態＞
上述した各実施形態に係る電気光学装置は、コンタクトホール８０２内でオーミック接触させることで、正電荷が対向電極に蓄積されるのを防止しているが、コンタクトホール８０２内に限らず、容量電極３００から電源配線５０１に至るまでの導電経路における他の又は全ての接触面についても、同様にオーミック接触させてもよい。この際、上述した第１から第３実施形態のうち、接触面の性質に応じて最適のものを選択して適用すれば、比較的容易に、該他の又は全ての接触面についても、同様にオーミック接触させることが可能となる。但し、非オーミック接触面としておいたのでは抵抗が高い、言わば、容量電極３００から電源配線５０１に至るまでの導電経路における抵抗値を主に律則している接触面に対して、実施形態の接触面の構造（図１１から図１３参照）を適用すると効率的である。
【０１２４】
また、図７から図１０の説明では、カチオン（＋）或いは正電荷が対向電極２１に集積される不都合について説明したが、コンタクトホール８０１内の非オーミック接触面から負電荷（−）或いは電子が対向電極２１に向けて移動するような構造に対しても、本実施形態を適用することで、その移動を低減することは可能である。
【０１２５】
更に、その他の変形形態としては、ＴＦＴアレイ基板１０上において、容量電極３００から電源配線５０１に至るまでの導電経路における全ての接触面について、非オーミック接触面としてもよい。この場合には、当該非オーミック接触面は、導電経路上に複数箇所に存在するように構成するとよい。例えば、導電経路を構成する複数の導電層の相互間の接触面は、２個、４個、…など、偶数個だけ存在するように構成する。この際、各接触面では、ケルビン抵抗が電流に応じて一定ではない、或いはケルビン抵抗の偏りが存在している（図８から図１０参照）。しかるに、導電経路上に、非オーミック面が偶数個所あるので、共通電位配線５０１から対向電極２１に対して共通電位を通電する際に、一つの非オーミック接触面で蓄積されたカチオン（＋）或いは正電荷、又は電子（−）或いは負電荷と、これに隣接する非オーミック接触面で蓄積された正電荷又は負電荷との間で、少なくとも部分的な相殺現象を発生させることが可能となるので、対向電極２１に集積される電荷量を低減させることが可能である。言い換えれば、偶数個所における接触面で発生する正電荷又は負電荷が導電経路上に隣接して配置された接触面同士で相殺される極性を有するように、導電経路を構成する複数の導電膜の材質は選択される。以上のように本変形形態によれば、非オーミック接触面からの余計な電荷が移動後に集積されることに起因して対向電極２１の共通電位にずれ或いは電位変動が生じることを抑えることができる。更に、このような変形形態を、上述した各実施懈怠に組み合わせて、例えば、導電経路上における幾つかの非オーミック接触面については、これを偶数個所で一対にして、それらで発生する電荷が相殺するように設けることで、その悪影響を除去しつつ、他の幾つかの接触面については、各実施形態の技術を用いてオーミック接触面とすることも可能である。
【０１２６】
尚、本発明の電気光学装置では、上述した実施形態の場合に限らず、ＴＦＴ、蓄積容量、中継層、走査線、データ線、画素電極等の、ＴＦＴアレイ基板上に形成された各構成要素の上下関係については、各種の積層順番が採用可能である。
【０１２７】
＜３：電子機器＞
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１４は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１２８】
図１４において、第１又は第２実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１２９】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法及び該電気光学装置、並びに、このような電気光学装置を具備してなる電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ'断面図である。
【図３】電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路である。
【図４】データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、下層部分（図６における符号７０（蓄積容量）までの下層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図５】データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、上層部分（図６における符号７０（蓄積容量）を超えて上層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図６】図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ'断面図である。
【図７】比較例における、対向電極の固定電位（共通電位）が変動する様子を図式的に示す概念図である。
【図８】各種条件での信頼性通電試験の結果における対向電極の固定電位（共通電位）の変動を示す一の特性図である。
【図９】各種条件での信頼性通電試験の結果における対向電極の固定電位（共通電位）の変動を示す一の特性図である。
【図１０】コンタクトホールの底における接触面における電流―電圧特性を示す特性図である。
【図１１】第１実施形態に係るコンタクトホール付近の断面構造例を右側に図式的に示しており、比較例におけるそれを左側に並べて示している図式的な部分断面図である。
【図１２】第２実施形態に係るコンタクトホール付近の断面構造例を右側に図式的に示しており、比較例におけるそれを左側に並べて示している図式的な部分断面図である。
【図１３】第３実施形態に係るコンタクトホール付近の断面構造例を右側に図式的に示しており、比較例におけるそれを左側に並べて示している図式的な部分断面図である。
【図１４】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
【０１３１】
１ａ…半導体層、６ａ１…容量配線用中継層、２０２…ゲート絶縁膜、３ａ、２０３ａ…ゲート電極、９ａ…画素電極、６ａ…データ線、１０ａ…画像表示領域、３０…ＴＦＴ、４２…第２層間絶縁膜、３００…容量電極、４００…容量配線、１０１…データ線駆動回路、５０１…電源配線、８０１…コンタクトホール
【図１】
2005249954.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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