(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、被メッキ材上にメッキされた導体の厚みだけでなく、導体間のギャップをも正確に、しかも簡便に検知して、メッキ導体の厚みの均一性だけでなく、メッキ導体の形状の均一性も精密に制御することである。【解決手段】  被メッキ材１にメッキを行うメッキ領域２と、被メッキ材１にメッキされた導体の厚み及び導体間のギャップを検知する検知領域３とがあり、被メッキ材１をメッキ領域２と検知領域３とに交互に移動させ、検知領域３では被メッキ材１を複数のブロックに分けて各ブロック毎に検知を行い、メッキ領域２では被メッキ材を前記検知領域３と同じ複数のブロックに分けて各ブロック毎にメッキを行い、且つメッキ領域２では、直前の検知領域３での各ブロックの検知結果を反映して、該検知領域３での各ブロックに対応するメッキ領域２での各ブロックのメッキ条件を決定し、該メッキ条件でメッキを行う。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被メッキ材に導体のメッキを行うメッキ領域と、被メッキ材にメッキされた導体の厚み及び導体間のギャップを検知する検知領域とがあり、前記被メッキ材を前記メッキ領域と前記検知領域とに交互に移動させ、
前記検知領域では被メッキ材を複数のブロックに分けて各ブロック毎に検知を行い、前記メッキ領域では被メッキ材を前記検知領域と同じ複数のブロックに分けて各ブロック毎にメッキを行い、
且つ前記メッキ領域では、直前の検知領域での各ブロックの検知結果を反映して、該検知領域での各ブロックに対応するメッキ領域での各ブロックのメッキ条件を決定し、該メッキ条件でメッキを行うことを特徴とするメッキ方法。
【請求項２】
請求項１のメッキ方法により導体部分を形成する平面コイルの製造方法。
【請求項３】
請求項１のメッキ方法により導体部分を形成するフレキシブル配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１のメッキ方法を実施するメッキ装置であって、前記メッキ領域と前記検知領域とを１つずつ有し、被メッキ材が前記メッキ領域と前記検知領域とを交互に行き交うことを特徴とするメッキ装置。
【請求項５】
請求項１のメッキ方法を実施するメッキ装置であって、前記メッキ領域と前記検知領域とが交互に複数配置されており、被メッキ材が前記メッキ領域と前記検知領域とを順次通過することを特徴とするメッキ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被メッキ材の表面にメッキされる領域とメッキされない領域が区分され、メッキにより被メッキ材の表面上に所望のパターン（導体）を形成しようとするメッキ方法に関し、特にメッキにより形成された被メッキ材上の導体の厚みの均一化だけでなく、導体形状の均一化も行うメッキ方法、および前記メッキ方法により導体部分を形成する製造方法、および前記メッキ方法を実施するメッキ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電気メッキ装置においては、メッキ膜厚を均一化するための工夫が主として実施されてきている。例えば、特許文献１においては、メッキ液中の金属イオンの変化をメッキ電流の変化として検出し、金属イオンの投入制御をメッキ電流の積算値によりフィードフォワード的に実施することでメッキ膜厚の均一化を図っている。
【０００３】
また、特許文献２においては、片面メッキにおいて電極間距離を精度よく測定し、電極間距離を適切に調整することで表裏面のメッキ膜厚の均一化を図っている。また、特許文献３においては、メッキ厚み、ライン速度、メッキ電流、メッキ液温を同時に検出し、その値に応じて各パラメータを修正することによりメッキ厚みの均一制御を実施している。また、特許文献４においては、被メッキ部材と一体または別体に設けたメッキ膜厚測定用メッキ部に被着されるメッキ膜の電気抵抗を、メッキ工程中に測定することにより、メッキ膜厚をリアルタイムで測定しながら制御する方法を実施している。
【０００４】
これらの方法では、所望の導体部分以外の場所に予め感光性樹脂によるマスクパターンを設け、この感光性樹脂により被覆されていない部分にメッキし、感光性樹脂パターン間を埋めるように導体部分を形成している。このように感光性樹脂パターン間を埋めるように導体部分を形成するメッキ方法の場合、該導体のアスペクト比（アスペクト比とは幅に対する高さの比を表す）は感光性樹脂パターンのアスペクト比によりほぼ決定される。例えば低抵抗さらにファインピッチが求められる場合、導体だけでなく感光性樹脂パターンにも高いアスペクト比が求められる。しかしながら、フォトリソグラフィー法等によって感光性樹脂パターンを形成しようとしても開口部となるはずの部分（埋めるように導体を形成する部分）に感光性樹脂が残存したり、感光性樹脂パターン形成後に感光性樹脂パターンそのものが倒れる等の不具合が発生するおそれがある。このため、特に低抵抗さらにファインピッチが求められる場合に、前述した方法を適用するのは難しい。
【０００５】
これらに代わる工法として特許文献５では、メッキを成長させるための開口部のみを感光性樹脂パターンにより設け、該感光性樹脂パターンにより形成した開口部を覆うようにメッキを成長させ、メッキ条件の調節により導体の厚さ（高さ）を制御する方法が提案されている。
【０００６】
【特許文献１】特公平０３−０３３８００号公報
【特許文献２】特公平０１−０２１２３９号公報
【特許文献３】特開昭６３−２４７４００号公報
【特許文献４】特開平０３−２０２４９９号公報
【特許文献５】特許第２９１４６０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献５に記載の導体形成方法を採用しても、上記従来のメッキ制御技術はメッキ膜厚の均一化を実現することのみに注力しているため、例えば平面コイルを製造する場合、メッキ条件の調整により導体の膜厚が均一になるように制御しても、該導体間のギャップが不均一になる可能性があった。この場合、結果として、導体の膜厚が均一であっても、導体間ギャップが不均一であることにより導体の形状が不均一になり、コイルの特性あるいは収率に影響を与える可能性があった。そのため、このように導体の形状がデバイスの特性に大きく影響を与える場合は、メッキ導体の厚みを均一にするだけでなく、メッキ導体間のギャップをも均一にすることによって、メッキ導体の形状の均一性を精密に制御する必要がある。またこのことは、消費電力を抑制するために、低抵抗の配線パターンが要求される有機ＥＬ配線などのデバイスにおいても同様である。
【０００８】
本発明の目的は、被メッキ材上にメッキされた導体の厚みだけでなく、導体間のギャップをも正確に、しかも簡便に検知して、メッキ導体の厚みの均一性だけでなく、メッキ導体の形状の均一性も精密に制御することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以上のような問題に対し、本発明者は、被メッキ材にメッキされた導体の厚み及び導体間のギャップを検知し、この検知結果を反映して次のメッキ条件を決め、以上の検知及びメッキを繰り返し行うことにより、メッキ導体の形状の均一性を精密に制御できることを見出した。更に、被メッキ材にメッキする領域と、メッキされた導体の厚み及び導体間のギャップを検知する領域を別々に設けることにより、検知領域において検知に用いるセンサと被メッキ材の間に、メッキ液など検知に悪影響を与える可能性のあるものが介在せず、センサを被メッキ材の極近傍まで近づけることができ、また、特別な処置をしなくてもセンサがメッキ液により腐食、或いは破壊されることもないので、メッキされた導体の厚み及び導体間のギャップを正確に、しかも簡便に検知できることを見出し、本発明に至った。
【００１０】
すなわち、本発明は、被メッキ材に導体のメッキを行うメッキ領域と、被メッキ材にメッキされた導体の厚み及び導体間のギャップを検知する検知領域とがあり、前記被メッキ材を前記メッキ領域と前記検知領域とに交互に移動させ、前記検知領域では被メッキ材を複数のブロックに分けて各ブロック毎に検知を行い、前記メッキ領域では被メッキ材を前記検知領域と同じ複数のブロックに分けて各ブロック毎にメッキを行い、且つ前記メッキ領域では、直前の検知領域での各ブロックの検知結果を反映して、該検知領域での各ブロックに対応するメッキ領域での各ブロックのメッキ条件を決定し、該メッキ条件でメッキを行うことを特徴とするメッキ方法である。
【００１１】
また、上記メッキ方法により導体部分を形成する平面コイルの製造方法、或いは、上記メッキ方法により導体部分を形成するフレキシブル配線基板の製造方法である。
【００１２】
また、上記メッキ方法を実施するメッキ装置であって、前記メッキ領域と前記検知領域が１つずつ存在し、被メッキ材が前記メッキ領域と前記検知領域を交互に行き交うことを特徴とするメッキ装置である、あるいは、前記メッキ領域と前記検知領域が複数個同数存在し、交互に配置されており、被メッキ材が全てのメッキ領域と検知領域を順次通過することを特徴とするメッキ装置である。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように、本発明によれば、メッキ領域と検知領域を別々に設け、被メッキ材が前記メッキ領域と前記検知領域とを交互に移動する。そして、検知領域においてメッキされた導体の厚みだけでなく、導体間のギャップをも検知するため、導体の形状を正確に、しかも簡便に検出することが可能である。
【００１４】
また、前記検知領域での検知結果に基づいて該検知領域直後のメッキ領域におけるメッキ条件を制御するため、被メッキ材の全面に渡って均一なメッキ導体形状を形成することが可能となり、導体の抵抗分布を均一にすることが可能となる。
【００１５】
更に前記メッキされた導体の厚み及び導体間のギャップの検知、すなわちメッキ導体形状の検出は、前記検知領域において複数に分けられたブロックごとに実施され、検出された結果は、該検知領域直後のメッキ領域において同じように複数に分けられた各ブロックごとに、噴流、電流密度などのメッキ条件として反映されるので、被メッキ材全体にわたって均一なメッキが可能となり、メッキ導体の厚みだけでなく、メッキ導体の形状も均一に且つ精密に制御することが可能である。
【００１６】
よって、例えば、抵抗スペックが定められた平面コイル等を製造する場合の該スペックの歩留まりを飛躍的に向上させることが可能である。また、従来の感光性樹脂パターン間にメッキを施し感光性樹脂パターン間を埋めるように導体を形成する方法と比較して、アスペクト比の高い導体を均一な形状で作成することができる。有機ＥＬ配線等の低抵抗化が必要なデバイスの導体形状を精密に制御することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。なお、以下の説明では、まず図１及び図２を用いて本発明に係るメッキ方法を例示して説明し、次にこのメッキ方法を実施するメッキ装置を例示して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００１８】
｛メッキ方法｝
図１、図２は本発明のメッキ方法の概念を示すものである。本発明に係るメッキ方法は、被メッキ材１に導体のメッキを行うメッキ領域２と、被メッキ材１にメッキされた導体の厚み及び導体間のギャップを検知する検知領域３とがあり、前記被メッキ材１を前記メッキ領域２と前記検知領域３とに交互に移動させて、被メッキ材１に導体のメッキを行う。更に、前記検知領域３において被メッキ材１を複数のブロックに分けて検知を行い、前記メッキ領域２においても被メッキ材１を前記検知領域３と同じ複数のブロックに分けてメッキを行い、且つ前記メッキ領域２では、直前の検知領域での各ブロックの検知結果を反映して、該検知領域での各ブロックに対応するメッキ領域での各ブロックのメッキ条件を決定し、該メッキ条件でメッキを行う。
【００１９】
この被メッキ材１が、前記メッキ領域２と前記検知領域３とを交互に移動する、という概念は、図１では被メッキ材１が単体のメッキ領域２と検知領域３とを往復することによって実現され、図２では被メッキ材１が交互に配置された複数のメッキ領域２ａ，２ｂと検知領域３ａ，３ｂとを一定方向に順次通過することによって実現される。
【００２０】
また本実施形態では、図１（ｂ）に示すように、被メッキ材１上に、メッキを成長させるために開口部を感光性樹脂パターン１ｂにより設け、上述したようにメッキ条件を調整することにより、前記開口部を覆うように形成される導体１ａの形状を制御している。なお、この感光性樹脂パターン１ｂの厚みは、厚い方がメッキ面に水平方向のメッキ成長を抑えられるために役立つが、厚すぎるとファインパターンが得られなくなり、逆に薄すぎるとピンホールを生じやすいので、該感光性樹脂パターンの厚みはこれらを鑑みた範囲に設定することが好ましい。
【００２１】
図１では、メッキ領域２より上方に検知領域３があり、被メッキ材１が上下に動き、メッキ領域２と検知領域３を行き来する。そして検知領域３において被メッキ材１を複数のブロックに分けて検知を行い、メッキ領域２においても被メッキ材１を前記検知領域３と同じ複数のブロックに分けてメッキを行う。更にメッキ領域２では、検知領域３で複数のブロックに分けて検知された結果（メッキされた導体の厚み及び導体間のギャップの測定値）が反映され、該検知領域２での各ブロックに対応するメッキ領域２での各ブロック毎のメッキ条件が決定される。被メッキ材１は複数回、メッキ領域２と検知領域３を行き来し、複数に分けた各ブロック毎のメッキ条件に応じて順次メッキされていく。
【００２２】
図２では、被メッキ材１は、一定方向に移動し、該方向に交互に配置された、メッキ領域２ａ、検知領域３ａ、メッキ領域２ｂ、検知領域３ｂを順次通過する。図２中には２つのメッキ領域と２つの検知領域が交互に配置された状態を表しているが、その後も同様のメッキ領域、検知領域が交互に設置され、被メッキ材１は順次通過していく。なお、この交互に配置されるメッキ領域と検知領域の数は必要に応じて適宜設定されるものである。そして検知領域において被メッキ材１を複数のブロックに分けて検知を行い、メッキ領域においても被メッキ材１を前記検知領域と同じ複数のブロックに分けてメッキを行う。更にメッキ領域では、直前の検知領域で複数のブロックに分けて検知された結果（メッキされた導体の厚み及び導体間のギャップの測定値）が反映され、該検知領域での各ブロックに対応するメッキ領域での各ブロック毎の噴流、電流密度などのメッキ条件が決定される。例えば前記検知結果に応じて決定されるメッキ条件としての電流密度は６０Ａ／ｍ２〜２４００Ａ／ｍ２で設定することが出来る。
【００２３】
被メッキ材１は複数のメッキ領域２ａ，２ｂと検知領域３ａ，３ｂを交互に順次通過し、直前の検知領域での各ブロック毎の検知結果に応じて、該検知領域直後の各メッキ領域において、対応する各ブロック毎のメッキ条件に応じて順次メッキされていく。
【００２４】
なお、最初のメッキ領域（図１では最初のメッキ領域２、図２では最初のメッキ領域２ａ）でのメッキ条件は、検知領域での検知結果を反映させたものではなく、予め設定されたメッキ条件あるいは必要に応じて適宜設定されたメッキ条件であり、例えば、導体形成に必要とされる全電気量の１０％を８００Ａ／ｍ２の電気密度でメッキする条件などが可能で、該最初のメッキ領域では前記メッキ条件に応じて被メッキ材１へのメッキを行う。
【００２５】
図１及び図２に示す検知領域において、メッキされた導体の厚み及び導体間のギャップを検知するのに用いる検知手段としては、例えばレーザーを用いた変位センサなどが一般的である。変位センサとしては株式会社キーエンス製ＬＴ９０１０Ｍ等が挙げられる。なお、変位センサとして株式会社キーエンス製ＬＴ９０１０Ｍを例示しているが、これに限定されるものではなく、その他の変位センサを用いても良い。また検知領域において、メッキされた導体の厚み及び導体間のギャップを検知するものであれば、変位センサに限定されるものではなく、その他の検知手段を用いてもよい。
【００２６】
図１の例では、検知領域３において、被メッキ材１を複数のブロックに細分化して該ブロック毎に検知するように、各ブロックの中心に前記検知手段としての変位センサを設置している。なお、検知領域における変位センサの数および配置は必要に応じて適宜設定されるものである。図１の例の検知領域３では、前記変位センサが検知領域３に移動された被メッキ材に沿って該被メッキ材上を所望の長さスキャンし、被メッキ材上にあるものの高さを測定する構成となっている。この変位センサによる測定の分解能は、被メッキ材のメッキを行った面に平行な方向、垂直な方向ともミクロン単位の測定が可能であり、導体の厚み、導体間のギャップを測定するには充分である。前記変位センサで被メッキ材をスキャンした結果、図１（ｂ）に示すように、被メッキ材１のメッキ面に垂直な方向ｘの測定値の極大点Ａが導体１ａの厚みｈを示しており、垂直な方向ｘの極小点Ｂを示す平行な方向ｙの距離（極小点Ｂ−Ｂ間の距離）が導体１ａ，１ａ間のギャップｗを示している。なおここで言う導体１ａの厚みｈとは、被メッキ材１のメッキ面からの導体１ａの高さから感光性樹脂パターン１ｂの厚みを引いた厚みを指している。また感光性樹脂パターン１ｂの厚みは容易に均一に制御できるので、前記極大点Ａを測定することにより導体１ａの厚みｈを正確に予想することは可能である。
【００２７】
図２の例では、被メッキ材を搬送しつつ、検知領域３内の所定位置に固定された変位センサで前記被メッキ材上にあるものの高さを測定する。すなわち、図２の例では、検知領域３内に被メッキ材が搬送されると同時に複数の変位センサで測定を実施でき、該変位センサをスキャンさせる必要はない。また、検知領域３において、被メッキ材１を複数のブロックに細分化して該ブロック毎に検知するように、変位センサを被メッキ材の進行方向と直交するように、所望の間隔をおいて複数設置している。そして前記複数の変位センサを、所望の時間間隔をおいて導体の厚み及び導体間ギャップを測定するようにしておけば、結果的に被メッキ材をブロック単位に分割して、各ブロック毎のメッキされた導体の厚み及び導体間のギャップを測定することとなる。
【００２８】
上述したように、本発明に係るメッキ方法では、メッキ領域と検知領域を別々に設け、被メッキ材が前記メッキ領域と前記検知領域とを交互に移動する。そして、検知領域においてメッキされた導体の厚みだけでなく、導体間のギャップをも検知するため、導体の形状を正確に、しかも簡便に検出することが可能である。
【００２９】
また、前記検知領域での検知結果に基づいて該検知領域直後のメッキ領域におけるメッキ条件を制御するため、被メッキ材の全面に渡って均一なメッキ導体形状を形成することが可能となり、導体の抵抗分布を均一にすることが可能となる。
【００３０】
更に前記メッキされた導体の厚み及び導体間のギャップの検知、すなわちメッキ導体形状の検出は、前記検知領域において複数に分けられたブロックごとに実施され、検出された結果は、該検知領域直後のメッキ領域において同じように複数に分けられた各ブロックごとに、噴流、電流密度などのメッキ条件として反映されるので、被メッキ材全体にわたって均一なメッキが可能となり、メッキ導体の厚みだけでなく、メッキ導体の形状も均一に且つ精密に制御することが可能である。
【００３１】
上述したメッキ方法により平面コイル或いはフレキシブル配線基板の導体部分を形成することによって、該導体の厚みだけでなく、導体の形状も均一に且つ精密に制御することができるので、抵抗スペックが定められた平面コイル等を製造する場合の該スペックの歩留まりを飛躍的に向上させることが可能である。また、従来の感光性樹脂パターン間にメッキを施し感光性樹脂パターン間を埋めるように導体を形成する方法と比較して、アスペクト比の高い導体を均一な形状で作成することができる。また、フレキシブル配線基板や有機ＥＬ配線等の低抵抗化が必要なデバイスの導体形状を精密に制御することが可能となる。
【００３２】
｛メッキ装置｝
次に、上記メッキ方法を実施するメッキ装置の好適な実施の形態を例示して詳細に説明する。図３は上記メッキ方法により例えば平面コイルなどの導体部分を形成するメッキ装置を例示しており、図４は上記メッキ方法により例えばフレキシブル配線基板などの導体部分を形成するメッキ装置を例示している。
【００３３】
［実施例１］
本実施例では、メッキ領域と検知領域を１つずつ有し、被メッキ部材をメッキ領域と検知領域とに交互に行き来させて、該被メッキ材にメッキを行う（被メッキ材の導体部分を形成する）メッキ装置を例示している。本実施例では、被メッキ材は板状であり、板状の被メッキ材としては感光性樹脂等を用いて平面コイルのパターンがパターニングされた銅基板などが挙げられる。
【００３４】
図３に示すように、被メッキ材１はメッキ領域２と検知領域３とを交互に複数回移動する。被メッキ材１が検知領域３にある時、導体の厚み及び導体間のギャップが検知され、被メッキ材１がメッキ領域２に移動した際、その直前に検知領域３にて検知された結果を反映して、メッキ装置２におけるメッキ条件が決定され、該メッキ条件に応じてメッキ領域２にてメッキが行われる。
【００３５】
検知領域３では検知手段としての複数の変位センサ４が該被メッキ材１を所望の数に分割したブロックの中心に設置されている。この複数の変位センサ４により、複数に分けたブロック毎に、被メッキ材１のメッキされた導体の厚み及び導体間のギャップを検知する。
【００３６】
検知領域３により検知された、メッキされた導体の厚み及び導体間のギャップは、制御装置５に送られ、予め制御装置５に記憶されている制御式により、メッキ領域２でのメッキ条件が決定される。すなわち制御装置５は、直前の検知領域３での各ブロックの検知結果を反映して、該検知領域３での各ブロックに対応するメッキ領域２での各ブロックのメッキ条件を決定する。
【００３７】
メッキ領域２においてコントロールできるメッキ条件は、電流値、及びメッキ液の噴流量である。なお、本来はメッキ領域２において、板状の被メッキ材１の左右両面で電流値、及びメッキ液の噴流量が調整出来るようになっているが、図３では紙面の制約上、被メッキ材の右面に電流値を制御する装置（後述する整流器６）を、左面に噴流量を制御する装置（後述するバルブ開閉制御装置９）を示している。
【００３８】
制御装置５により決められた電流値は整流器６に送られ、電流値が設定される。７は銅アノードであり、該銅アノード７は検知領域３に設置された複数の変位センサ４と同じ複数のブロックに配置されている。
【００３９】
すなわち、検知領域３において複数の変位センサ４が配置されたブロックと、メッキ領域２において複数の銅アノード７が配置されたブロックとは、該検知領域３とメッキ領域２とに交互に移動される被メッキ材に対して、ぞれぞれが対応する位置に配置されている。
【００４０】
また制御装置５により決められたメッキ液１２の噴流量の条件は、噴流バルブ１０の開閉を制御するバルブ開閉制御装置９に伝えられ、噴流バルブ１０の開閉具合が決定される。１１は噴流ポンプであり、メッキ液を吸い上げて噴流バルブ１０に供給する。なお、メッキ領域２における噴流バルブ１０は、被メッキ材１に対して、検知領域３において隣り合う２つ変位センサ４，４間の中間に対応するように配置しているので、該隣り合う２つの変位センサ４，４の検知結果を反映して、該変位センサ４，４間の中間に対応する噴流バルブ１０の条件が決められる。
【００４１】
そして、被メッキ材１がメッキ領域２と検知領域３とを交互に複数回行き来しつつ、検知領域３において複数のブロックに分けてメッキされた導体の厚み、及び導体間のギャップを検知し、この検知結果を前記検知領域３直後のメッキ領域３における各ブロック毎のメッキ条件に反映してメッキを行う。
【００４２】
このように、本メッキ装置によれば、検知領域３においてメッキされた導体の厚みだけでなく、導体間のギャップも検知するため、導体の形状を正確に、しかも簡便に検知できる。
【００４３】
また、前記検知領域３での検知結果に基づいて該検知領域３直後のメッキ領域２におけるメッキ条件を制御するため、被メッキ材の全面に渡って均一なメッキ導体形状を形成することが可能となり、導体の抵抗分布を均一にすることが可能となる。
【００４４】
更に前記メッキされた導体の厚み及び導体間のギャップの検知、すなわちメッキ導体形状の検出は、前記検知領域３において複数に分けられたブロックごとに実施され、検出された結果は、該検知領域３直後のメッキ領域２において同じように複数に分けられた各ブロックごとに、噴流、電流密度などのメッキ条件として反映されるので、被メッキ材全体にわたって均一なメッキが可能となり、メッキ導体の厚みだけでなく、メッキ導体の形状も均一に且つ精密に制御することが可能である。
【００４５】
また、メッキ領域２と検知領域３とを別々に設けることにより、検知領域において検知に用いるセンサと被メッキ材の間に、メッキ液など検知に悪影響を与える可能性のあるものが介在せず、センサを被メッキ材の極近傍まで近づけることができ、また、特別な処置をしなくてもセンサがメッキ液により腐食、或いは破壊されることもない。
【００４６】
［実施例２］
本実施例では、複数のメッキ領域と検知領域が交互に配置され、被メッキ部材を交互に配置された複数のメッキ領域と検知領域とを順次通過させて、被メッキ材にメッキを行う（被メッキ材の導体部分を形成する）メッキ装置を例示している。本実施例では、被メッキ材は帯状のフィルムであり、該フィルムが切れることなく連続してメッキ領域と検知領域を交互に通過する。フィルム状の被メッキ材としては感光性樹脂などにより配線パターンがパターニングされたフレキシブル基板が挙げられる。
【００４７】
図４では、前記フィルム状の被メッキ材が通過する、検知領域及びメッキ領域を１つずつ示しているが、これは実際のメッキ装置の一部であり、実際のメッキ装置全体は、例えば図２の概念図に示すように複数の検知領域、複数のメッキ領域が交互に配置され、該フィルム状の被メッキ材が交互に配置された検知領域とメッキ領域とを順次通過するようになっている。なお、本実施例では、実際のメッキ装置の一部である、検知領域３ａとメッキ領域２ｂを例示して説明するが、交互に複数並べるメッキ領域および検知領域の数は、必要に応じて適宜設定されるものである。
【００４８】
図４に示すように、検知領域３ａでは検知手段としての複数の変位センサ４がフィルム状の被メッキ材が通過する方向と交差する方向に一列に、且つ該フィルム状の被メッキ材を挟むように配置されている。更に前記複数の変位センサ４は前記被メッキ材の進行方向と交差する方向に複数に分割したブロックの中心に設置されている。このように複数の変位センサ４により、複数に分けたブロック毎に、被メッキ材１にメッキされた導体の厚み、及び導体間のギャップを検知する。
【００４９】
検知領域３ａにより検知された、メッキされた導体の厚み及び導体間のギャップは、制御装置５に送られ、予め制御装置５に記憶されている制御式により、検知領域３ａ直後のメッキ領域２ｂでのメッキ条件が決定される。すなわち制御装置５は、直前の検知領域３ａでの各ブロックの検知結果を反映して、該検知領域３ａでの各ブロックに対応するメッキ領域２ｂでの各ブロックのメッキ条件を決定する。なお、各領域２，３において複数のブロックに分けて検知及びメッキが行われる被メッキ材１は、同じ箇所が、直前の検知領域３ａからメッキ領域２ｂに移動する時間だけ遅れて、制御装置５により決められたメッキ条件がメッキ領域２ｂで使われる。
【００５０】
メッキ領域２ｂによりコントロールできるメッキ条件は、電流値、及びメッキ液の噴流量である。なお、本来はメッキ領域２ｂにおいて、フィルム状の被メッキ材１の上下両面で電流値、及びメッキ液の噴流量が調整出来るようになっているが、図４では紙面の制約上、被メッキ材の下面に電流値を制御する装置（後述する整流器６）を、上面に噴流量を制御する装置（後述するバルブ開閉制御装置９）を示している。
【００５１】
制御装置５により決められた電流値は整流器６に送られ、電流値が設定される。７は銅アノードであり、８は被メッキ材と接点を取るために設置された金属製のローラである。銅アノード７は検知領域３ａに設置された変位センサ４と同じ数だけ、被メッキ材１の進行方向と交差する方向に並べられ、且つ同じ複数のブロックに配置されている。
【００５２】
すなわち、検知領域３ａにおいて複数の変位センサ４が配置されたブロックと、メッキ領域２ｂにおいて複数の銅アノード７が配置されたブロックとは、該検知領域３ａとメッキ領域２ｂとを順次通過する被メッキ材に対して、ぞれぞれが対応する位置に配置されている。
【００５３】
また制御装置５により決められたメッキ液１２の噴流量の条件は、噴流バルブ１０の開閉を制御するバルブ開閉制御装置９に伝えられ、噴流バルブ１０の開閉具合が決定される。１１は噴流ポンプであり、メッキ液を吸い上げて噴流バルブ１０に供給する。
【００５４】
そして、メッキ領域２ａ（図２参照）を通過した被メッキ材は、その後、検知領域３ａ、メッキ領域２ｂと順次通過し、更にその下流側に設置された不図示の検知領域、メッキ領域を交互に順次通過する。このように被メッキ材を、交互に配置された複数の検知領域とメッキ領域とを交互に順次通過させ、通過する毎にメッキを積み重ね、メッキされた導体の厚み及び導体間のギャップを検知し、この検知結果を検知領域直後のメッキ領域のメッキ条件に反映させてメッキを行う。
【００５５】
このように、本メッキ装置によっても、前述した実施例１と同様に、各検知領域においてメッキされた導体の厚みだけでなく、導体間のギャップも検知するため、導体の形状を正確に、しかも簡便に検知できる。
【００５６】
また、直前の検知領域３ａでの検知結果に基づいて該検知領域直後のメッキ領域２ｂにおけるメッキ条件を制御するため、被メッキ材の全面に渡って均一なメッキ導体形状を形成することが可能となり、導体の抵抗分布を均一にすることが可能となる。
【００５７】
更に前記メッキされた導体の厚み及び導体間のギャップの検知、すなわちメッキ導体形状の検出は、直前の検知領域３ａにおいて複数に分けられたブロックごとに実施され、検出された結果は、該検知領域３ａ直後のメッキ領域２ｂにおいて同じように複数に分けられた各ブロックごとに、噴流、電流密度などのメッキ条件として反映され、このような検知およびメッキが繰り返し行われるので、被メッキ材全体にわたって均一なメッキが可能となり、メッキ導体の厚みだけでなく、メッキ導体の形状も均一に且つ精密に制御することが可能である。
【００５８】
また、メッキ領域２と検知領域３とを別々に設けることにより、検知領域において検知に用いるセンサと被メッキ材の間に、メッキ液など検知に悪影響を与える可能性のあるものが介在せず、センサを被メッキ材の極近傍まで近づけることができ、また、特別な処置をしなくてもセンサがメッキ液により腐食、或いは破壊されることもない。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明のメッキ方法は、メッキにより被メッキ材全面に渡って均一な形状の導体を形成できるので、平面コイル等の抵抗スペックが定められた導体の形成に有用であると同時に、フレキシブル配線基板や有機ＥＬ配線など低抵抗化が要求されるデバイス配線の形成にも有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の電気メッキ装置の概念の１つを示す図である。
【図２】本発明の電気メッキ装置の概念の１つを示す図である。
【図３】実施例１に記載した電気メッキ装置である。
【図４】実施例２に記載した電気メッキ装置である。
【符号の説明】
【００６１】
ｈ    …導体の厚さ
ｗ    …導体間のギャップ
１    …被メッキ材
１ａ  …導体
１ｂ  …感光性樹脂パターン
２，２ａ，２ｂ …メッキ領域
３，３ａ，３ｂ …検知領域
４    …変位センサ
５    …制御装置
６    …整流器
７    …銅アノード
８    …金属製ローラ
９    …バルブ開閉制御装置
１０  …噴流バルブ
１１  …噴流ポンプ
１２  …メッキ液
【図１】
2005290516.tif 000003
【図２】
2005290516.tif 000004
【図３】
2005290516.tif 000005
【図４】
2005290516.tif 000006