(57)【要約】【課題】本発明は、金属のヨークに抵抗体素子を直付けする構造であっても、ヨークの強度低下を無くし、ヨークへのバイアス磁界の作用を均一化でき、端子の接続状態または他の部品への端子の絶縁状態を良好にすることができるアイソレータの提供を目的とする。【解決手段】本発明は、磁性組立体と磁石部材とこれらを収納する筐体と、入出力用端子と、中心導体の一端側に接続されて筐体の一内面側に設置される抵抗体素子２７とを具備し、前記筐体が金属製の下部ヨーク２２と上部ヨークを具備し、前記抵抗体素子２７が第１端子２７ａと第２端子２７ｂを有する形状とされ、第１端子２７ａが絶縁層３０を介して下部ヨーク内面上に設置され、第２端子側に位置する前記下部ヨーク内面の一部に段部２９が形成され、該段部２９を介して前記第２端子２７ｂが下部ヨークに接続されてなることを特徴とする。【選択図】        図６
2005033365.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体に中心導体が装着されてなる磁性組立体と、磁石部材と、前記磁性組立体と前記磁石部材とを収納する筐体と、入出力用端子と、前記中心導体の一端側に接続されて前記筐体の一内面側に設置される抵抗体素子とを具備してなり、
前記筐体が金属板からなる下部ヨークと上部ヨークとを具備して箱形に構成され、
前記抵抗体素子が一端側に第１端子を他端側に第２端子を有する形状とされ、前記第１端子側に位置する前記下部ヨーク内面の一部に絶縁層が介在され、前記第１端子が前記絶縁層を介して前記下部ヨーク内面上に設置されるとともに、前記第２端子側に位置する前記下部ヨーク内面の一部に前記下部ヨークの一部からなる段部が形成され、該段部を介して前記第２端子が前記下部ヨークに接続されてなることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
前記筐体の少なくとも一辺の寸法が３．５ｍｍ以下とされたことを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記段部が前記下部ヨークの一部に形成した折り曲げ片からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記段部が前記下部ヨークの一部に離間して形成した切欠状のスリット部の間に形成された折り曲げ片からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
前記折り曲げ片の先端側の一部が該折り曲げ片の基端部側に、該折り曲げ片による下部ヨークとの段差分の厚み相当分、折り返されてなることを特徴とする請求項３又は４に記載の非可逆回路素子。
【請求項６】
前記下部ヨークの折り曲げ片を含む部分に樹脂を一体成形して側壁部が形成されるとともに、前記段部の底部側に絶縁樹脂が充填されて、該絶縁樹脂により半田流れ防止機能が付与されてなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の非可逆回路素子を備えたことを特徴とする通信機装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、小型化に対応可能とした非可逆回路素子及び通信機装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
非可逆回路素子の一種である集中定数型のアイソレータは、信号を伝送方向に損失なく通過させ、逆方向への信号の通過を阻止する機能を備えた高周波部品であり、携帯電話等の移動通信装置の送信回路部に使用されている。このようなアイソレータは、例えば、板状磁性体の外周部に中心導体が装着されてなる磁性組立体と、バイアス印加用の永久磁石とが、金属製の箱形の筐体の内部に収納されて構成されている。この筐体は、通常、軟鉄等の強磁性体からなる上部ヨークと下部ヨークとが一体になって構成されている。またこの種のアイソレータには、先の中心導体が通常３本に分岐され、それらの第１の端部側と第２の端部側に容量素子が、第３の端部側に容量素子と抵抗素子が接続されるとともに、これらの中心導体に接続された入力端子と出力端子とが設けられている。
【０００３】
この種のアイソレータの１つの構成例として特許文献１に開示されているように、樹脂からなるケースを入出力端子とアース端子および下部ヨークとともにインサートモールド成型し、樹脂のケース内にコンデンサとチップ抵抗とフェライト板と線路導体と磁石を収納し、上部に上部ヨークを被せてなるアイソレータが知られている。
しかし、樹脂のケースを他の部品と別体で構成すると、アイソレータ全体としての薄型化の障害となり易く、薄型化に限界を生じるおそれがある。
また、従来、特許文献２に開示されているように、アイソレータの下ケースの上に整合用コンデンサを直に設置した構造が知られており、この構造によれば下ケースと整合用コンデンサを含めた部分の厚みを少なくすることが可能な構成であった。
次に、金属製の筐体の下ヨークの上に整合用コンデンサを直付けした構成のアイソレータの一例として特許文献３に開示されている如く、磁性体金属からなる上ヨークと下ヨークとの間に、永久磁石と磁性組立体と３個のコンデンサとチップ抵抗と樹脂ケースとを介在させた構成のアイソレータが知られている。このアイソレータにおいては、コンデンサとチップ抵抗を金属製の下ヨークの上に直置きし、チップ抵抗の接続端子部分の下部に位置する下ヨークに孔を形成し、この孔を樹脂で充填することで中心導体とチップ抵抗との接続部分と、下ケースとの短絡を防止するとともに、中心導体との接続部分に半田接合を採用した場合に、半田ボールの発生によって接続端子部分と金属ケースとが短絡しないようにした構成とされていた。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−２４４０６号公報（図１参照）
【特許文献２】
特開２００１−１９６８１０号公報（図１、図２、図５参照）
【特許文献３】
特開２００１−２８４９１０号公報（図１参照）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、チップ抵抗の端子部分まわりに相当する金属ケースの部分に半田ボール短絡防止用の孔を形成することは、孔あけ加工すること自体、下ヨークの強度低下を引き起こすおそれがある。特にこの種のアイソレータにおいては、その１辺の寸法が５ｍｍ、４ｍｍ、３．５ｍｍと順次小型化されてきているので、５ｍｍ程度の大きさの構成では問題となり難い大きさの孔であっても、３．５ｍｍ程度に小型化されてくると、下ヨークの強度低下が懸念される。
また、先の下ヨークは永久磁石からのバイアス磁界を磁性組立体に作用させるための重要な磁気部品であり、孔あけ加工することでバイアス磁界を均等に作用させるという面から不足を生じるおそれがある。更に、この種のアイソレータにおいては、組み立て後に半田浴を用いたリフロー接続により端子被覆や形成などの後処理がなされるので、後に加熱処理を受けるものであり、前述の孔の部分に充填された樹脂がリフロー時の熱によって再溶融して剥離してしまうおそれがあった。仮に前述の孔の部分の樹脂がリフロー作業中に外れると、リフロー中に孔の内側に溶融半田が浸入し、短絡を引き起こすおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、金属のヨークに抵抗体素子を直付けして端子接続する構造であっても、ヨークの強度低下を無くし、ヨークへのバイアス磁界の作用を均一化できるとともに、端子の接続状態または他の部品への端子の絶縁状態を良好にすることができる構成のアイソレータの提供を目的とする。また、本発明は、先の目的を達成できるとともに、リフロー時の熱を受けても絶縁層が剥離することがなく、抵抗体素子接続部分まわりの半田流れ防止機能も有するアイソレータを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の非可逆回路素子は、磁性体に中心導体が装着されてなる磁性組立体と、磁石部材と、前記磁性組立体と前記磁石部材とを収納する筐体と、入出力用端子と、前記中心導体の一端側に接続されて前記筐体の一内面側に設置される抵抗体素子とを具備してなり、前記筐体が金属板からなる下部ヨークと上部ヨークを具備して箱形に構成され、前記抵抗体素子が一端側に第１端子を他端側に第２端子を有する形状とされ、前記第１端子側に位置する前記下部ヨーク内面の一部に絶縁層が介在され、前記第１端子が前記絶縁層を介して前記下部ヨーク内面上に設置されるとともに、前記第２端子側に位置する前記下部ヨーク内面の一部に前記下部ヨークの一部からなる段部が形成され、該段部を介して前記第２端子が前記下部ヨークに電気的に接続されてなることを特徴とする。
【０００８】
以上の構成により、抵抗体素子の第１端子が絶縁層上に設置されているのに対して第２端子が下部ヨークの段部上に位置して該段部が受部となって第２端子に電気的に接続されるので、下部ヨークに第１端子側の絶縁用の孔をあけることなく第１端子側の絶縁ができる。よって、下部ヨークに従来構造において設けていた孔が不用になるので下部ヨークの強度低下を無くし、バイアス磁界の不均一性を生じないようにできるとともに、リフロー工程などの後工程において熱履歴を経ても絶縁層の剥離も生じ難い。先の絶縁層の厚さは段部の高さに応じて絶縁に必要な厚さ容易に確保できるので、高い絶縁性も確保できる。更に、段部の高さを絶縁層の厚さと同程度とするならば抵抗体素子を下部ヨークの内面に沿って平行に取り付けることができ、抵抗体素子の取り付け状態が安定する。
【０００９】
また、本発明の非可逆回路素子は、先に記載の非可逆回路素子であり、前記筐体の少なくとも一辺の寸法が３．５ｍｍ以下とされたことを特徴とする。
抵抗体素子を下部ヨークの上に直付けする構成とすることで、小型薄型化、軽量化が図れるが、筐体の一辺の寸法が３．５ｍｍ以下の小型のものであっても前述の構成を容易に適用できる。このような小型化されたアイソレータにおいて抵抗体素子の第１端子側に孔をあけて絶縁をとる構成とすると、絶縁用の孔の大きさがアイソレータの下部ヨークの面積に対して無視できないほど大きくなり、下部ヨークの強度低下、バイアス磁界印加の不均一性を助長するおそれが生じるが、抵抗体素子の端子接続を前記段部を用いた構成とすることで、前述のサイズに小型化したアイソレータにおいても問題を生じることなく接続が出来る。
【００１０】
また、本発明の非可逆回路素子は、先に記載の非可逆回路素子であり、前記段部が前記下部ヨークの一部に形成した折り曲げ片からなることを特徴とする。
金属製の下部ヨークを折り曲げ片として段部を形成すると、下部ヨークに孔をあけることなく段部を形成できるので、下部ヨークの強度低下を引き起こすことなく段部形成が可能であり、バイアス磁界の不均一性に与える影響も小さくできる。
【００１１】
本発明の非可逆回路素子は、先に記載の非可逆回路素子であり、前記段部が前記下部ヨークの一部に離間して形成した切欠状のスリット部の間に形成された折り曲げ片からなることを特徴とする。
切欠部の間に設けた折り曲げ片であるならば、段部の形成が板金加工で容易に実現可能となる。また、下部ヨークの周囲に樹脂を注入して下部ヨークの壁部を一体成形する場合に切欠状のスリット部を介して樹脂が容易に流れて突部の周囲側にまで円滑に樹脂が注入される。
【００１２】
本発明の非可逆回路素子は、先に記載の非可逆回路素子であり、前記折り曲げ片の先端側の一部が該折り曲げ片の基端部側に、該折り曲げ片による段部の厚み相当分、折り返されてなることを特徴とする。
折り返し部分は下部ヨークの側面側と底面側に位置するので、この部分を端子として用いることができる。また、折り曲げ片を基端部側に折り曲げておくことで段部の補強ができる。
【００１３】
本発明の非可逆回路素子は、先に記載の非可逆回路素子であり、前記下部ヨークの折り曲げ片を含む部分に樹脂を一体成形して側壁部が形成されるとともに、前記段部の底部側に絶縁樹脂が充填されて、該絶縁樹脂により半田流れ防止機能が付与されてなることを特徴とする。
下部ヨークにおいて対になるスリット状の切欠部の間に位置する段部の底部側に樹脂を充填することで段部の底部側に絶縁樹脂を介在できるので、この絶縁樹脂部分で半田流れを防止でき、半田接続する部分の半田が他の部分に流出しない構成を採用できる。
【００１４】
本発明の通信機装置は、先に記載の非可逆回路素子を備えたものであり、先に記載した非可逆回路素子としての種々の優れた特徴を有する通信機装置を提供できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１に本実施形態のアイソレータの斜視図を示し、図２にアイソレータの分解斜視図を示す。
図１及び図２に示すアイソレータ（非可逆回路素子）１は、磁性組立体１０と板状の永久磁石などの磁石部材１６とが上部ヨーク２１及び下部ヨーク２２からなる箱形の筐体２０に収納されて構成されている。すなわち、下部ヨークの基部２２ａ（筐体の一内面）上に磁性組立体１０及び永久磁石（磁石部材）１６が重ねられて載置され、更にその上に上部ヨーク２１が配置されている。前記筐体２０の一辺の寸法（例えば図１中、ほぼ平面視正方形状の筐体２０においてＬで示す一辺側の寸法）は３．５ｍｍ以下に設定されている。
次に、図２に示すように筐体２０の内部には平板型のコンデンサ（容量素子）２４、２５、２６及び抵抗体素子（チップ抵抗）２７が収納されている。更に前記平板型のコンデンサ２４、２５，２６には、各々整合用コンデンサ素子Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３が内蔵され、抵抗体素子２７には終端抵抗素子Ｒが内蔵されている。
【００１６】
図２に示すように、磁性組立体１０は、扁平六角形状のフェライトからなる板状の磁性体１５と、その下面１５ｂに添わせて設けられた板状磁性体１５とほぼ同形状の金属板からなる共通電極１４と、この共通電極１４から放射状に３方向に延出形成されて板状磁性体１５の上面１５ａ側にまで巻き掛けられた第１、第２、第３中心導体１１、１２、１３とから構成されている。先の共通電極１４は、下部ヨーク２２の基部２２ａに電気的に接続されている。また、各中心導体１１〜１３は、板状磁性体１５に沿って折り曲げられ、板状磁性体１５の上面１５ａ側において互いに所定角度で交差して重ねられている。なお、板状磁性体１５と中心導体１１〜１３は、それぞれ個々に、図示略の絶縁シートにより相互に絶縁されている。また、各中心導体１１〜１３の先端側には、板状磁性体１５の側方に突出するポート部Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が設けられている。これらのうち、前記ポート部Ｐ１、Ｐ２は、図２に示すように、それらの先端がポートＰ３側に向くように平面視略Ｕ字状に延出成形されている。
【００１７】
前記整合用のコンデンサ２４，２５，２６は、ホット側電極がそれぞれポート部Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３に接続され、コールド側電極が下部ヨーク２２に接続されている。また、前記抵抗体素子２７の一方の端部に形成された第１電極２７ａがポート部Ｐ３を介してコンデンサ２６のホット側電極に半田付け等の接続方法で接続され、抵抗体素子２７の他方の端部に形成されたコールド側の第２電極２７ｂがグランド側である下部ヨーク２２の内面に半田付け等の接続方法で接続されている。なお、この抵抗体素子２７の取り付け部分の構成については後に詳述する。
【００１８】
次に、図３にアイソレータ１の内部構造を透過平面図で示し、図４に下部ヨークの基部２２ａと入出力端子３１，３２との位置関係を透過平面図で示し、図５に下部ヨーク２２の正面図を示し、図６に下部ヨーク２２側面図を示す。尚、図３においては中心導体１１〜１３の図示を省略している。
図２及び図３〜図６に示すように下部ヨーク２２は、軟鉄などの強磁性体の金属板にＡｇメッキまたはＡｕメッキがなされてなるもので、基部２２ａと、基部２２ａの両端に立設されて相互に対向する一対の壁部２２ｂ、２２ｂとから構成されている。基部２２ａには、互いに対向する位置に一対の切欠部２２ｃ、２２ｃが設けられている。各切欠部２２ｃ、２２ｃの内部には入出力端子３１，３２が収納されている。
【００１９】
次に、前記下部ヨーク２２において抵抗体素子２７が設置された部分は、以下に説明するように構成されている。まず、抵抗体素子２７の長さの半分程の間隔で細長い切欠状のスリット部２９ａ，２９ａが離間して形成され、これらのスリット部２９ａ、２９ａの間に下部ヨーク２２を構成する金属板部分を上に凸型に折曲させて段部２９が形成され、この段部２９の上に抵抗体素子２７の第２電極２７ｂが半田付けされている。
また、抵抗体素子２７の第１電極２７ａ側には第１電極２７ａとその下側に位置する下部ヨーク２２の内面との間に介在された状態でシート状の絶縁層３０が設けられ、前記段部２９の高さと前記絶縁層３０の厚さとがほぼ同一とされて抵抗体素子２７は下部ヨーク２２の内面にほぼ平行に設置されている。以上の構造により、抵抗体素子２７の第１電極２７ａは下部ヨーク２２に対して確実に絶縁された状態で中心導体１３の第３ポートＰ３に接続されるとともに、第２電極２７ｂは下部ヨーク２２の段部に半田付けにより直付け接続され、抵抗体素子２７は下部ヨーク２２にほぼ平行に配置されている。
【００２０】
前記スリット部２９ａ、２９ａの間に形成されている段部２９は、スリット部２９ａ、２９ａ間に位置する下部ヨーク２２を構成する金属板をその厚さ分程度持ち上げるように折り曲げつつ下部ヨーク２２から一段高められ、更にその先端部側を下部ヨーク２２の裏面側に向けて段部２９の付け根の部分側あたりまで折り返すことで構成されている。従って段部２９の裏面側には折曲部２８が形成されており、この折曲部２８が下部ヨーク２２の裏面側と側面側に露出する後述のアース端子の一方とされている。なお、この折曲部２８は段部２９を構成する金属板に横向きの変形外力等が作用した場合にスリット２９ａの対向端側に当接して折曲部２８の折れ曲がり等を防止する補強材の役目も奏する。
【００２１】
一方、図１〜図７に示すように下部ヨーク２２の両側部側には、インサート成型によって樹脂製のケース部３３，３３が形成されている（図２、図４及び図５と図６においてはこれらケース部３３の図示を省略している）。図１〜図７に示すように、ケース部３３，３３の構成樹脂の一部が切欠部２２ｃ、２２ｃ内にまで充填されており、入出力端子３１、３２はこれら樹脂製のケース部３３，３３を介して下部ヨーク２２に対して絶縁状態で装着されている。また、樹脂製のケース部３３，３３は筐体２０の側壁面の一部３３ｄをなしている。すなわち図１に示すように、樹脂製のケース部３３に上部ヨークの側壁部２１ａが面一に重ね合わされ、樹脂製のケース部３３の一面３３ｄと側壁部２１ａとによって筐体２０の側壁面２０ａが形成されている。
【００２２】
切欠部２２ｃ、２２ｃは、図４に示すように、下部ヨークの基部２２ａを区画する一対の側端部２２ａ１、２２ａ２の長手方向（幅方向）ほぼ中央に設けられている。入出力端子３１，３２が各切欠部２２ｃ、２２ｃの内部に収納されており、これにより入出力端子３１，３２が一対の側端部２２ａ１、２２ａ２の長手方向ほぼ中央側に配置されている。図４に示す一点鎖線は下部ヨーク２２の側端部２２ａ１、２２ａ２の長手方向中心を結ぶ線である。
また、切欠部２２ｃ、２２ｃは、図４に示すようにそれらの深さ寸法Ｄよりも長い幅寸法Ｗを有しており、幅Ｗの方向が筐体２０の側壁面２０ａに沿うように形成されている。ここで前述の深さ寸法Ｄよりも幅寸法Ｗが長いことから、基部２２ａのえぐれ量が少なくなっている。ここで３．５ｍｍ角以下の大きさのアイソレータの場合、例えば深さ寸法Ｄは０．２〜０．４５ｍｍの範囲が好ましく、幅寸法Ｗは０．４〜１ｍｍの範囲が好ましい。
【００２３】
図３に示すように、入出力端子３１，３２を側端部２２ａ１、２２ａ２の長手方向ほぼ中央側に配置させることにより、コンデンサ２４、２５、２６と切欠部２２ｃ、２２ｃ及び入出力端子３１，３２とが平面位置的に干渉するおそれが少ない。このため、下部ヨークの基部２２ａに対するコンデンサ２４、２５、２６の実装箇所を側端部２２ａ１、２２ａ２の極近くまで広げることが可能になり、コンデンサ２４、２５、２６を可能な限り大きく形成できる。
【００２４】
また、入出力端子３１、３２は、図１〜図６に示すように、端子本体部３１ａ、３２ａと端子本体部３１ａ、３２ａの一端側が折曲形成されてなる折曲端子部３１ｂ、３２ｂとから構成されている。入出力端子３１，３２は、端子本体部３１ａ、３２ａの長手方向Ｗ１が切欠部２２ｃの幅方向Ｗと平行になるように切欠部２２ｃ内に配置されている。
【００２５】
端子本体部３１ａ、３２ａは、図３に示すように、その端子面の一部３１ｃ、３２ｃが樹脂ケース部３３、３３に設けられた窓部３３ａ、３３ａから露出している。これらの端子面の一部３１ｃ、３２ｃに第１，第２中心導体１１，１２のポート部Ｐ１、Ｐ２が接続されようになっている。このようにして入出力入出力端子３１，３２が第１，第２中心導体１１，１２に接続されている。また図１〜図６に示すように、端子本体部３１ａ、３２ａには切断面３１ｄ、３２ｄ（露出面）が形成されている。これらの切断面３１ｄ、３２ｄは筐体２０の側壁面を構成する樹脂ケース部３３から外部に露出されている。また、切断面３１ｄ、３２ｄを除く端子本体部３１ａ、３２ａの全面にはＡｇ、Ａｕ、ハンダ等の耐蝕メッキ層が形成され、切断面３１ｄ、３２ｄにはメッキ下地の純鉄部分等が露出している。そして切断面３１ｄ、３２ｄには図示略の防錆材料が塗布されて防食層が形成されている。
【００２６】
前記折曲端子部３１ｂ、３２ｂは、下部ヨークの基部２２ａに対して垂直に折り曲げられている。そして、折曲端子部３１ｂ、３２ｂの端子面３１ｅ、３２ｅが筐体２０の側壁面２０ａを構成する樹脂製のケース部３３から露出している。これらの端子面３１ｅ、３２ｅが外部回路に接続されるようになっている。また、折曲端子部３１ｂ、３２ｂの全面にはＡｇ、Ａｕ、ハンダ等の耐蝕メッキが形成されている。
また図４に示すように、端子面３１ｅ、３２ｅは、下部ヨーク基部２２ａの側端部２２ａ１、２２ａ２の長手方向中心位置から、長手方向一方側に変位した位置に配置されている。図４中一点鎖線は、側端部２２ａ１、２２ａ２の長手方向中心を結ぶ線であり、各端子面３１ｅ、３２ｅがこの一点鎖線よりも図４中上側に配置されている。
また、端子本体部３１ａ、３２ａに形成された切断面３１ｄ、３２ｄが、側端部２２ａ１、２２ａ２の長手方向中心から長手方向他方側に変位した位置に配置されている。即ち、切断面３１ｄ、３２ｄが図４の一点鎖線よりも図中下側に配置されている。
更に図４に示すように、入出力端子３１，３２の前記長手方向に沿う長さＷ２が、端子面３１ｅ、３２ｅの長手方向に沿う長さＷ３の２倍以上に設定されている。これにより筐体２０に対する入出力端子３１，３２の接合強度を向上させることができる。
【００２７】
図５に、アイソレータ１の内部側における入出力端子３１、３２と板状の磁性体１５と、磁石部材１６との位置関係を透視正面図で示す。尚、図５では入出力端子３２のみを示し、入出力端子３１は省略している。この入出力端子３１は入出力端子３２と対称の位置にある。図５に示すように、入出力端子３２（３１）は、筐体２０の厚み方向の磁性組立体１０寄りに配置されている。即ち図５に示すように、下部ヨークの基部２２ａ上に磁性組立体１０を構成する板状の磁性体１５と永久磁石１６とが順次積層されており、入出力端子３２（３１）が板状の磁性体１５の上面１５ａよりも基部２２ａ側に配置されている。このようにして入出力端子３１，３２と永久磁石１６とが離間して配置されるため、永久磁石１６のバイアス磁界のほとんど全部が板状磁性体１５に印加され、入出力端子３２（３１）側には印加され難くなる。これにより、板状の磁性体１５に印加されるバイアス磁界が低下したり、板状の磁性体１５における磁界強度の不均一化などの不具合が起きることを防止している。
【００２８】
また、下部ヨークの基部２２ａには２組のアース端子２２ｄ…が設けられている。これらのアース端子２２ｄ…は、入出力端子３１，３２に対して側端部２２ａ１、２２ａ２の長手方向両側に配置されている。また、図５に示すように、一方のアース端子２２ｄ…は基部２２ａに対して垂直に折り曲げられて構成されている。更にアース端子２２ｄ…は、樹脂ケース部３３に埋め込まれており、アース端子２２ｄの端子面２２ｅのみが筐体の側壁面２０ａから露出されている。また、他方のアース端子２２ｄは先に説明した段部２９を構成する金属片が兼用しており、段部２９の側部を構成する折り返し部分により端子面２２ｅが構成され、このアース端子２２ｄ先のアース端子と同様に樹脂ケース部３３に埋め込まれ、樹脂ケース部３３を構成する樹脂は段部２９の裏面側も覆うように充填されている。
【００２９】
以上のように、本実施形態のアイソレータ１においては、一対の側端部２２ａ１、２２ａ２の長手方向ほぼ中央に入出力端子３１，３２を配置することにより、側端部２２ａ１、２２ａ２の長手方向両側にアース端子２２ｄ…を設けるためのスペースを取ることができ、アース端子２２ｄ…と入出力端子３１，３２との位置的な干渉を防止できる。また、端子面３１ｅ、３２ｅを長手方向中央から長手方向一方側に変位した位置に配置させることで、入出力端子３１，３２を筐体２０に装着させる際に必要な後述の支持部を配置するスペースを長手方向他方側に設けることができる。また、各端子面３１ｅ、３２ｅを長手方向一方側に変位した位置に配置させることで、入出両端子３１，３２の取り付け精度を向上できるとともに、回路基板上に実装する際にも回路設計に合わせて柔軟に対応させることができる。
【００３０】
次に本実施形態のアイソレータ１において、抵抗体素子２７の第１端子２７ａが絶縁層３０上に設置されているのに対して第２端子２７ｂが下部ヨーク２２の段部２９上に位置して該段部２９が受部となって第２端子２７ｂに電気的に接続されているので、下部ヨーク２２上に抵抗体素子２７を直付けする構成であっても、下部ヨーク２２に第１端子２７ａ側の絶縁用の孔をあけることなく第１端子２７ａ側の絶縁ができる。よって、下部ヨーク２２に従来構造においては設けられていた孔が不用になるので下部ヨーク２２の強度低下を無くし、バイアス磁界の不均一性を生じないようにできるとともに、リフロー工程などの後工程において熱履歴を経ても絶縁層３０の剥離も生じ難い。また、先の絶縁層３０の厚さは段部２９の高さに応じて絶縁に必要な厚さ確実に確保できるので、高い絶縁性も確保できる。更に、段部２９の高さを絶縁層３０の厚さと同程度とするならば、抵抗体素子２７を下部ヨーク２２の内面に沿って平行に取り付けることができるので、抵抗体素子２７の取り付け位置安定性が向上する。
【００３１】
更に、抵抗体素子２７を下部ヨーク２２の上に直付けする構成とすることで、小型薄型化、軽量化が図れるが、筐体２０の一辺の寸法が３．５ｍｍ以下の小型のものであっても前述の構成を容易に適用できる。このような小型化されたアイソレータ１において抵抗体素子２７の第１端子２７ａ側の下ヨーク２２に仮に孔をあけて絶縁をとる構成とすると、絶縁用の孔の大きさがアイソレータの下部ヨーク２２の面積に対して無視できないほど大きくなり、下部ヨーク２２の強度低下、磁石部材１６から磁性組立体１０に作用するバイアス磁界印加の不均一性を助長するおそれが生じるが、抵抗体素子２７の端子接続を前記段部２９を用いた構成とすることで、前述の３．５ｍｍサイズ以下のように小型化したアイソレータにおいてもこれらの問題を生じることなく接続ができる。
【００３２】
次に、前記金属製の下部ヨーク２２の一部を折り曲げ片として段部２９を形成すると、下部ヨーク２２に孔をあけることなく段部２９を形成できるので、下部ヨーク２２の強度低下を引き起こすことなく段部形成が可能であり、磁石部材１６によるバイアス磁界の不均一性に与える影響も小さくできる。
更に、切欠状のスリット部２９ａ、２９ａの間に設けた折り曲げ片からなる段部２９であるならば、段部２９の形成が板金加工で容易に実現可能となる。また、下部ヨーク２２の周囲に樹脂を注入して下部ヨーク２２の樹脂ケース部３３を一体成形する場合に切欠状のスリット部２９ａ、２９ａを介して樹脂を流入させることで段部２９の周囲側にまで円滑に樹脂を注入できる結果、段部２９の周囲と裏面側にも樹脂を位置させることができる。これにより、抵抗体素子２７の半田接続部分以外の部分に溶融状態の半田が流れようとしてもそれを阻止することができる半田流れ防止機能を付与できる。
【００３３】
また、本実施形態のアイソレータ１においては、側端部２２ａ１、２２ａ２のほぼ中央側に切欠部２２ｃ、２２ｃが各々設けられ、各入出力端子３１，３２が各切欠部２２ｃ、２２ｃ内に配置されるので、基部２２ａの前記長手方向両側に整合用コンデンサ２４、２５、２６の設置スペースを設けることができ、アイソレータ１の設計の自由度を高めることができる。
【００３４】
また、本実施形態のアイソレータ１においては、入出力端子３１，３２及びアース端子２２ｄ…が筐体の側壁面２０ａを構成する樹脂ケース部３３、３３に埋め込まれ、筐体の輪郭を形成する側壁面２０ａから外部側に突出していない。このため、筐体２０の輪郭内に入出力端子３１，３２及びアース端子２２ｄ、３２ｄが配置された状態になっている。これにより、アイソレータ１の回路基板に対する実装面積がアイソレータ１の底面に一致するので、回路基板に対する実装面積を大幅に小さくすることができる。特に、筐体２０の長辺寸法が３．５ｍｍ以下なので、アイソレータ１の実装面積を１２．２５ｍｍ２以下にすることが容易にできる。
【００３５】
また、切欠部２２ｃのえぐれ量が少なくなって下部ヨークの基部２２ａの面積が大きくなるので、バイアス磁界の減衰が少なくなり、このため磁石部材１６を仮に小さくしても磁性組立体１０に十分なバイアス磁界を印加できる。特に、磁石部材１６の厚みを薄くすればアイソレータ１の総高を低くすることができ、アイソレータ１を更に小型化できる。
【００３６】
更に、端子本体部３１ａ、３２ａの長手方向Ｗ１を切欠部２２ｃ、２２ｃの幅方向Ｗと平行にしたので、端子本体部３１ａ、３２ａと樹脂ケース部３３、３３との接触面積を大きくとることができ、切欠部２２ｃのえぐれ量が少なくなっても入出力端子３１，３２を下部ヨーク２２に確実に固定できる。また、折曲端子部３１ｂ、３２ｂの全面に耐蝕メッキの防食層を形成しているので、折曲端子部３１ｂ、３２ｂにハンダが付きやすくなり、アイソレータ１と外部回路とを確実に接続できる。また折曲端子部３１ｂ、３２ｂにおける錆の発生を防止できる。更に、端子本体部３１ａ、３２ａに耐蝕メッキを施し、切断面３１ｄ、３２ｄには防錆材料を塗布しているので、端子本体部３１ａ、３１ａの全体の錆びを防止できる。
【００３７】
次に、図８は上記構成のアイソレータ１を組み込んでなる携帯電話装置（通信機装置）の回路構成の一例を示す。この例の回路構成においては、アンテナ４０にアンテナ共用器（ディプレクサ）４１が接続され、アンテナ共用器４１の出力側にローノイズアンプ（増幅器）４２と段間フィルタ４８と選択回路（混合回路）４３を介して受信回路（ＩＦ回路）４４が接続され、アンテナ共用器４１の入力側に本実施形態のアイソレータ１とパワーアンプ（増幅器）４５と選択回路（混合回路）４６を介して送信回路（ＩＦ回路）４７が接続され、選択回路４３、４６に分配トランス４９を介して局部発振器５０が接続されて構成されている。
【００３８】
先の構成のアイソレータ１は図８に示すような携帯電話装置の回路に組み込まれて使用され、アイソレータ１からアンテナ共振器４１側への信号は低損失で通過させるが、その逆方向の信号は損失を大きくして遮断するように作用する。これにより、増幅器４５側のノイズ等の不要な信号を増幅器４５側に逆入力させないという作用を奏する。
【００３９】
上記の通信機装置によれば、入出力端子３１，３２が筐体２０の一内面（基部２２ａ）を区画する側端部２２ａ１、２２ａ２のほぼ中央に配置されたアイソレータ１を備えており、アイソレータ１を平面視１８０゜回転させるならば、入出力端子３１，３２の位置を容易に入れ替えることができるので、アイソレータ１を回路基板に実装する際に回路設計に合わせて入出力端子３１，３２の位置を柔軟に対応させることができ、設計の柔軟性に優れた通信機装置を構成することができる。また、筐体２０に対する入出力端子３１，３２の接合強度が優れているので、衝撃に強く、信頼性に優れた通信機装置を構成できる。更にアイソレータ１自体を小型にできるので、通信機装置においても小型化を図れる。
【００４０】
また、折曲端子部３１ｂ、３２ｂの全面に導電メッキが形成されたアイソレータ１を備えているので、折曲端子部３１ｂ、３２ｂにハンダが付きやすくなり、アイソレータ１を通信機装置の回路に確実に接続できる。また折曲端子部３１ｂ、３２ｂが錆びるおそれが少なく、錆等が脱落して回路配線を短絡させるおそれがない。このため、アイソレータ１を備えた通信機装置の信頼性を高めることができる。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の非可逆回路素子によれば、抵抗体素子の第１端子を絶縁層上に設置し、第２端子を下部ヨークの段部上に接続するので、下部ヨークに第１端子側の絶縁用の孔をあけることなく第１端子側の絶縁ができる。よって、下部ヨークに従来構造において設けていた孔が不用になるので下部ヨークの強度低下を無くし、バイアス磁界の不均一性を生じないようにできるとともに、リフロー工程などの後工程において熱履歴を経ても絶縁層の剥離も生じ難い構成を提供できる。また、先の絶縁層の厚さは段部の高さに応じて絶縁に必要な厚さ容易に確保できるので、高い絶縁性も確保でき、段部の高さを絶縁層の厚さと同程度とするならば抵抗体素子を下部ヨークの内面に沿って平行に取り付けることができ、抵抗体素子の取り付け状態を安定化できる。
【００４２】
本発明において、抵抗体素子を下部ヨークの上に直付けする構成とすることで、小型薄型化、軽量化を図ることができる。また、筐体の一辺の寸法が３．５ｍｍ以下の小型のアイソレータにおいて、下部ヨークに孔をあけて絶縁をとる構成と比較すると、このような小型化したものにおいては、絶縁用の孔の大きさがアイソレータの下部ヨークの面積に対して無視できないほど大きくなり、下部ヨークの強度低下、バイアス磁界印加の不均一性などを助長するおそれが生じるが、抵抗体素子の端子接続を前記段部を用いた構成とすることで、前述のサイズに小型化したアイソレータにおいても強度低下やバイアスの不均一性の問題を生じることなく接続が出来る効果がある。
【００４３】
次に本発明において、金属製の下部ヨークを折り曲げ片として段部を形成すると、下部ヨークに孔をあけることなく段部を形成できるので、下部ヨークの強度低下を引き起こすことなく段部形成が可能であり、バイアス磁界の不均一性に与える影響も小さくできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の実施形態であるアイソレータの斜視図。
【図２】図２は本発明の実施形態であるアイソレータの分解斜視図。
【図３】図３は本発明の実施形態であるアイソレータの内部構造を示す平面図。
【図４】図４は本発明の実施形態であるアイソレータの透視平面図。
【図５】図５は本発明の実施形態であるアイソレータの下部ヨークを示す正面図。
【図６】図６は本発明の実施形態であるアイソレータの部分拡大斜視図。
【図７】図７は本発明の実施形態であるアイソレータの下部ヨークを示す側面図。
【図８】図８は本発明に係るアイソレータを備えた通信機装置の回路図。
【符号の説明】
１…アイソレータ（非可逆回路素子）、１０…磁性組立体、１１，１２，１３…中心導体、１５…磁性体、１６…磁石部材、２０…筐体、２２…下部ヨーク、２２ａ…基部（一内面）、２２ａ１、２２ａ２…側端部、２２ｃ…切欠部、２７…抵抗体素子、２７ａ…第１端子、２７ｂ…第２端子、２９…段部、２９ａ…スリット部、２８…折曲部、３０…絶縁層、３１，３２…入出力端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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