(57)【要約】【課題】    排気ガス還流装置内へのデポジットの堆積を抑制する排気ガス還流装置を提供する。【解決手段】    バルブハウジング１のガス連通路内のガス導入通路２と弁座９０ａ，９０ｂとで囲まれる位置にガス導入室３ａが形成される。このガス導入室３ａは、その中心軸３ｂとガス導入通路２の出口部２ｂ付近でのガス状流体の最大速度ベクトル２０の延長線２０ａとが所定の距離を離して交差する関係に設定されているので、ガス導入室３ａ内に渦流を発生させることが可能となり、排気ガス還流装置内へのデポジットの堆積が防止できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１側面に、ガス状流体が導入されるガス導入通路と、前記第１側面または第２側面に、前記ガス状流体が排出されるガス導出通路と、前記ガス導入通路と前記ガス導出通路との間を結ぶガス連通路とを備えたバルブハウジングと、
（ｂ）このガス連通路内に設けられる弁座と、
（ｃ）この弁座に対して離間または着座することにより、前記ガス連通路の開度を変更する弁体と、
（ｄ）この弁体を動作させるために一体的に設けられ、前記バルブハウジングに支持される弁シャフトと、
（ｅ）前記バルブハウジングに支持され、前記弁シャフトを軸方向に駆動する駆動手段とを備え、
前記ガス連通路には、前記ガス導入通路と前記弁座との間にガス導入室が形成され、このガス導入室は、その中心軸と前記ガス導入通路の出口部付近での前記ガス状流体の流れの主流部とが、所定の距離を離して交差する関係に設定されていることを特徴とする流量制御弁。
【請求項２】
前記ガス状流体の流れの前記主流部とは、前記ガス導入通路の出口部付近で発生する前記ガス状流体の速度分布の最大速度ベクトルの延長線を意味することを特徴とする請求項１に記載の流量制御弁。
【請求項３】
前記ガス導入通路の中心軸と前記ガス導入室の中心軸とが所定の距離を離して交差していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の流量制御弁。
【請求項４】
前記ガス導入通路の中心軸が前記バルブハウジングの第１側面に対して傾いていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の流量制御弁。
【請求項５】
前記ガス導入通路の出口付近に突起を設けたことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の流量制御弁。
【請求項６】
前記ガス導入通路に接続される配管の中心軸と前記ガス導入通路の中心軸とが所定の角度を有して交わっていることを特徴とする請求項１または請求項５に記載の流量制御弁。
【請求項７】
（ａ）底面にガス状流体が導入されるガス導入通路と、側面にガス状流体が排出されるガス導出通路と、前記ガス導入通路と前記ガス導出通路との間を結ぶガス連通路とを備えたバルブハウジングと、
（ｂ）このガス連通路内に設けられる弁座と、
（ｃ）この弁座に対して離間または着座することにより、前記ガス連通路の開度を変更する弁体と、
（ｄ）この弁体を動作させるために一体的に設けられ、前記バルブハウジングに支持される弁シャフトと、
（ｅ）前記バルブハウジングに支持され、前記弁シャフトを軸方向に駆動する駆動手段とを備え、
前記ガス導入通路および／または前記弁座よりも上流側に位置する前記ガス連通路の内壁に螺旋状の整流板が形成されるか、またはその内壁に螺旋溝が形成されたことを特徴とする流量制御弁。
【請求項８】
請求項１または請求項７に記載の流量制御弁を内燃機関の排気ガスを吸気系に導く通路の途中に配置したことを特徴とする排気ガス還流装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガス状流体の流量を制御する流量制御弁に関し、例えば内燃機関の排気系から排気ガスの一部を吸気系へ還流させる流量制御弁および排気ガス還流装置（いわゆるＥＧＲ装置）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、排気系から排気ガスの一部を吸気系へ還流させるための排気ガス還流配管の途中に、排気ガス還流装置を設け、この排気ガス還流装置の開度を制御して還流量を調整するものが知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
通常、内燃機関（特にディーゼルエンジン）から排出される排気ガスには、カーボン成分などの粘着性物質（デポジット）が含まれている。このデポジットは、排気ガス温度が低下すると（特に、約１１０℃以下）、排気ガス還流装置の内壁や弁座などへ堆積し易くなる。その結果、還流装置の開度を目標開度に制御したとしても、還流量が目標値に達成しなかったり、デポジットで閉弁性が低下して閉弁時のガス漏れが増加するなどして、内燃機関の出力、燃費、ドライバビリティ、エミッションに悪影響を及ぼしてしまう。
【０００４】
そこで、このような不具合を解消するために、排気ガス還流装置への排気ガス温度が上述したデポジットが堆積し易い温度以下となったとき、排気ガス還流装置の弁開度を開弁側に補正し、この装置に導入される排気ガス温度を上昇させることで、デポジットの堆積防止を図ったものがある（例えば、特許文献２）。
【特許文献１】特開平９−１９６２０１号公報
【特許文献２】特開平８−６６１１５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の従来技術は、上記排気ガスの温度に応じた性質を利用したものであり、排気ガスの温度が前記温度よりも低くならないように、弁開度を増加させることで排気ガス温度を上昇させ、デポジットの堆積を防止するものである。
【０００６】
ところが、排気ガス還流装置を備えたディーゼルエンジンでは、エンジンから排出されるガスに含まれる環境汚染物質（ＮＯｘなど）を可能な限り抑えようと大量の排気ガスを吸気管へ還流するために、冷却装置（ＥＧＲクーラー）にて冷却した排気ガスを吸気管へ還流している。
【０００７】
従って、上述の従来技術の排気ガス還流装置を前記ＥＧＲクーラーを備えたディーゼルエンジンに採用したとしても、この排気ガス還流装置に導入される排気ガスは、既にＥＧＲクーラーにて冷却されて温度が下げられているので、弁開度を増加させても排気ガスの温度上昇は望めず、排気ガス還流装置内にデポジットが堆積してしまう。また、ＥＧＲクーラーのないエンジンでも、排気ガスが低温であるときは、同様に、デポジットが排気ガス還流装置内に堆積してしまう。
【０００８】
本発明者は、排気ガス還流装置にデポジットが堆積する他の原因を検討したところ、図１０に示す一般的な排気ガス還流装置のようにガス導入通路の中心軸がガス導入室の中心軸に交わる構成となっていると、排気ガス還流装置内の排気ガスに澱みが生じ、この部分に多くのデポジットが堆積していることを見出した。
【０００９】
また、排気ガス還流装置以外の分野でも、流量制御弁を通過するガス状流体中に前記デポジットと同様な性質を持った異物が存在する場合は、上述の排気ガス還流装置で起こった現象が生じる恐れがある。
【００１０】
本発明はこのような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、ガス状流体中に存在する異物の流量制御弁への堆積を抑制することであり、例えば、排気ガス還流装置へのデポジットの堆積を抑制する流量制御弁および排気ガス還流装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１の流量制御弁は、第１側面に、ガス状流体が導入されるガス導入通路と、前記第１側面または第２側面に、前記ガス状流体が排出されるガス導出通路と、前記ガス導入通路と前記ガス導出通路との間を結ぶガス連通路とを備えたバルブハウジングと、このガス連通路内に設けられる弁座と、この弁座に対して離間または着座することにより、前記ガス連通路の開度を変更する弁体と、この弁体を動作させるために一体的に設けられ、前記バルブハウジングに支持される弁シャフトと、前記バルブハウジングに支持され、前記弁シャフトを軸方向に駆動する駆動手段とを備え、前記ガス連通路には、前記ガス導入通路と前記弁座との間にガス導入室が形成され、このガス導入室は、その中心軸と前記ガス導入通路の出口部付近での前記ガス状流体の流れの主流部とが、所定の距離を離して交差する関係に設定されていることを特徴としたものである。
【００１２】
このように、請求項１に記載の流量制御弁では、ガス導入通路の出口付近でのガス状流体の流れの主流部とガス導入室の中心軸とが所定の距離を離して交差しているので、流量制御弁のガス導入室に導入されるガス状流体に対し、意図的に渦流を発生させることが可能となり、流量制御弁内に澱みが無くなる。その結果、ガス状流体中に存在する異物は、ガス導入室内に堆積することなくガス導出通路に排出されることとなる。
【００１３】
本発明の請求項２では、前記ガス状流体の流れの前記主流部は、前記ガス導入通路の出口部付近で発生する前記ガス状流体の速度分布の最大速度ベクトルの延長線を意味している。この渦流の発生は、最大速度ベクトルから真直ぐ延ばした線がガス導入室の中心軸と所定の距離を離して交差していることに起因している。
【００１４】
本発明の請求項３の流量制御弁は、前記ガス導入通路の中心軸と前記ガス導入室の中心軸とが所定の距離を離して交差していることを特徴としたものである。このように、請求項３に記載の流量制御弁では、ガス導入通路の中心軸とガス導入室の中心軸とをずらすことで、前記主流部もしくは、前記最大速度ベクトルの延長線をガス導入室の中心軸から所定の距離を離して交差させることができ、ガス導入室で渦流を発生させることが可能となる。
【００１５】
本発明の請求項４の流量制御弁は、前記ガス導入通路の中心軸が前記バルブハウジングの第１側面に対して傾いていることを特徴としたものである。このように、請求項４に記載の流量制御弁では、ガス導入通路に傾きを与えることにより、より効果的に渦流を発生させることが可能となる。
【００１６】
本発明の請求項５の流量制御弁は、前記ガス導入通路の出口付近に突起を設けたことを特徴としている。このことにより、ガス導入室に入る直前のガス状流体の流れ方向が変わるので、従来の形態と同様、ガス導入通路の中心軸がガス導入室の中心軸と交わっていても、ガス導入室に導入される排気ガスの流れの向きが突起部によって変更され、ガス導入室で渦流を発生させることが可能となる。
【００１７】
本発明の請求項６の流量制御弁は、前記ガス導入通路に接続される配管の中心軸と前記ガス導入通路の中心軸とが所定の角度を有して交わっていることを特徴としたものである。このことにより、ガス導入通路に導入されたガス状流体の速度分布に偏りができ、最大速度ベクトルの延長線がガス導入室の中心軸からずれ、渦流を発生させることが可能となる。
【００１８】
本発明の請求項７の流量制御弁は、底面にガス状流体が導入されるガス導入通路と、側面にガス状流体が排出されるガス導出通路と、前記ガス導入通路と前記ガス導出通路との間を結ぶガス連通路とを備えたバルブハウジングと、このガス連通路内に設けられる弁座と、この弁座に対して離間または着座することにより、前記ガス連通路の開度を変更する弁体と、この弁体を動作させるために一体的に設けられ、前記バルブハウジングに支持される弁シャフトと、前記バルブハウジングに支持され、前記弁シャフトを軸方向に駆動する駆動手段とを備え、前記ガス導入通路および／または前記弁座よりも上流側に位置する前記ガス連通路の内側に、螺旋状の整流板が形成されるか、またはその内壁に、螺旋溝が形成されたことを特徴としたものである。
【００１９】
このようにガス導入通路および／または前記弁座よりも上流側に位置する前記ガス連通路の内側に渦流を起こす整流板や螺旋溝を設けることで、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載されているような、ガス導入室の横側から入ってくる形式の流量制御弁でないものでも、すなわち、ガス導入室の中心軸と同一方向から導入される形式の流量制御弁であっても渦流を発生させることが可能となり、効果的にガス状流体中に存在する異物の堆積を防止することができる。
【００２０】
本発明の請求項８では、請求項１または請求項７に記載の流量制御弁を内燃機関の排気ガスを吸気系に導く通路の途中に配置したことを特徴としている。このように、本発明の流量制御弁を排気ガス還流装置として利用することによって、ガス状流体中に存在する異物、すなわち排気ガス中に含まれるデポジットの堆積を防止することが可能となる。
【００２１】
また、この構成は、内燃機関の暖機完了前の温度が低い状態の排気ガスを導入するときや、ＥＧＲクーラーによって冷却されて温度が低くなった排気ガスを導入するときに特に有効となるものである。そしてさらに、ＥＧＲクーラーによって背圧が低下した状態の排気ガスにおいても、強制的に渦流が発生されるので、この構成は有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の流量制御弁が排気ガス還流装置に適用された例について説明する。しかしながら、本発明の流量制御弁の適用対象は、排気ガス還流装置に制限されるものではなく、他の分野での流量制御弁として採用することも可能である。
【００２３】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態を図１および図２に基づいて説明する。図１は、第１実施形態の排気ガス還流装置用流量制御弁の縦断面図である。この排気ガス還流装置用流量制御弁は、内燃機関（例えばディーゼルエンジン）の排気管から分岐した配管（図示せず）と吸気管へ接続される配管（図示せず）との間に配置され、排気ガスの一部を吸気管へ還流する量を制御する弁であり、バルブハウジング１、弁座９０ａ，９０ｂ、弁体１００ａ，１００ｂ、弁シャフト１１０、および駆動手段１５０から構成されている。
【００２４】
バルブハウジング１は例えばアルミや鋳鉄にて形成され、その側壁１ａ（第１側面）には、図示しない内燃機関の排気管から分岐した配管が接続され、排気ガスが導入されるガス導入通路２が形成される。そのガス導入通路２の内部には、後述するガス導出通路４ａ，４ｂに通ずるガス連通路３が形成されている。そのガス連通路３の内部には、２つの弁座９０ａ，９０ｂが組付けられている。これらの弁座９０ａ，９０ｂとガス導入通路２の出口部２ｂとで囲まれるガス連通路３がガス導入室３ａとなっている。
【００２５】
さらに、ガス導入通路２が形成されている側壁１ａの反対側の側壁１ｂ（第２側面）には、バルブハウジング１へ導入された排気ガスが両弁座９０ａ，９０ｂを介して図示しない内燃機関の吸気管へに接続される配管へ通ずる２つのガス導出通路４ａ，４ｂが形成されている。
【００２６】
バルブハウジング１の上方には、弁体１００ａ，１００ｂを取付けた弁シャフト１１０をバルブハウジング１の上方向に付勢するためのスプリング６０を収容する凹部１ｃと、この凹部１ｃと上側のガス導出通路４ａとを貫通する軸受１２０を取付けるための貫通穴１ｄとが形成されている。この凹部１ｃのさらに上方には、弁シャフト１１０をその軸方向に駆動するための駆動手段１５０であるソレノイドが設けられている。なお、この駆動手段１５０は例えば、サーボモータ、ステッピングモータ、ＤＣモータ、負圧力などが考えられ、弁シャフトの軸方向に駆動できるものであれば良い。
【００２７】
弁シャフト１１０は、バルブハウジング１に形成される凹部１ｃと軸受１２０を貫通するように配置され、その中間部および下端部には、ガス連通路３内に組付けられる２つの弁座９０ａ，９０ｂに対応する弁体１００ａ，１００ｂが取付けられている。弁シャフト１１０の上端部には、スプリング６０の上向きの付勢力を受けるための上部プレート７０が取付けられている。スプリング６０は、その上部プレート７０とバルブハウジング１の凹部１ｃに固定された下部プレート８０との間に配置されている。
【００２８】
弁シャフト１１０の軸受１２０で支持される部分とその中間部に配置される弁体１００との間と、軸受１２０の下端部付近とには、排気ガスの駆動手段１５０への侵入を防止するためのカバー１３０ａ，１３０ｂが対向するように取付けられている。さらに下部プレート８０には、排気ガスの駆動手段１５０への侵入を防止するシール１４０が設けられている。
【００２９】
次にガス導入通路２とガス導入室３ａとの位置関係、およびガス導入通路２の形状を図２に基づいて説明する。図２は、図１中のＩ−Ｉ方向から見たバルブハウジング１の横断面図である。ガス導入室３ａは、バルブハウジング１のほぼ中央に断面円形に形成されている。ガス導入通路２は、バルブハウジング１の図面左側の側壁１ａに形成され、ガス導入室３ａに通じている。
【００３０】
このガス導入通路２は、バルブハウジング１の側壁１ａに形成される入口部２ａとガス導入室３ａに形成される出口部２ｂとを備えている。図面下側のガス導入通路２内の壁面は側壁１ａに対して垂直に形成され、図面上側の壁面は入口部２ａから出口部２ｂに向かうにしたがって図面下側の壁面に近づくように形成されている。すなわち、ガス導入通路２は入口部２ａから出口部２ｂに向かって窄まっている。
【００３１】
ガス導入通路２内の向かい合う壁面（上記した図面上側と下側の壁面）の中点を結んだ通路の中心軸２ｃは、側壁１ａに対して垂直ではなく、所定の角度をもって傾いている（図面右下方向を向いている）。そして、この横断面図上では、この中心軸２ｃは、ガス導入室３ａの中心軸３ｂから離れている。このような構成とすることにより、ガス導入室３ａ内にガス導入室３ａの中心軸３ｂを中心とした排気ガスの渦流を意図的に発生させることが可能となる。渦流の発生原理とその効果については、後ほど詳しく述べることとする。
【００３２】
次に第１実施形態の動作を従来の形態と比較して説明する。図１１は従来の形態の排気ガスの流れを、ＣＡＥ（Computer  Aided  Engineering）で解析した結果を示す図である。図１０は従来の形態のバルブハウジング１の横断面図と排気ガスの流れを示す図である。図４は第１実施形態の排気ガスの流れを、ＣＡＥで解析した結果を示す図である。図３は図１中のＩ−Ｉ方向から見た第１実施形態の横断面図と排気ガスの流れを示す図である。
【００３３】
まずは、図１０、図１１に基づいて従来の形態を説明する。図１１（ａ）は従来の形態において、ガス導入通路２６からガス導入室３６ａに導入される排気ガスの流れをＣＡＥで解析した結果であり、（ｂ）はガス導入室３６ａの弁体、弁座付近の流れをＣＡＥで解析した結果である。図１１（ａ）に示すように図面下側にあるガス導入通路２６からガス導入室３６ａの中心軸３６ｂへ向かって排気ガスが導入されている。図１１（ｂ）には、ガス導入室３６ａ内の弁体、弁座付近の排気ガスの流れが示してあり、その中心軸３６ｂの周りには、澱みが発生していることが分かる。本発明者は、この澱みが、弁体，弁座へのデポジットの堆積の原因であることを見出した。
【００３４】
次に、従来の形態における上述の澱みの発生原因を図１０に基づいて説明する。図１０に示すように従来の形態では、ガス導入通路２６の出口部２６ｂ付近に、ガス導入通路２６の中心軸２６ｃに沿った排気ガスの流れの主流部を対称軸とした速度分布が発生する。この流れの主流部とは、速度分布中の最大速度ベクトル２０４の延長線２０４ａを意味し、以下、従来の形態および本実施形態における説明では、流れの主流部を最大速度ベクトルの延長線として説明する。
【００３５】
この速度分布の最大速度ベクトル２０４の延長線２０４ａ、およびガス導入通路２６の中心軸２６ｃは、ガス導入室３６ａの中心軸３６ｂと交わっている。この延長線２０４ａとガス導入室３６ａの中心軸３６ｂとが交わっていると、ガス導入室３６ａでは、図１１で示すＣＡＥの結果のように、排気ガスに澱みが発生してしまい、弁体，弁座にデポジットが堆積してしまっていた。
【００３６】
上述の澱みの発生原因を踏まえ、第１実施形態では、図３に示すようにガス導入通路２の中心軸２ｃをガス導入室３ａの中心軸３ｂとが交わらないように設定し、ガス導入通路２の出口部２ｂ付近における排気ガスの最大速度ベクトル２０の延長線２０ａがガス導入室３ａの中心軸３ｂと交わらないようにした。
【００３７】
このような構成とすることで、ガス導入室３ａに導入される排気ガスは、ガス導入室３ａの中心軸３ｂに向かって流れずに、その壁面に沿って流れる。その結果、排気ガスは、その中心軸３ｂを中心とした渦流となり、ガス導入室３ａ側の弁体１００ａ，１００ｂ、弁座９０ａ，９０ｂ付近に発生していた澱みが無くなる。こうして、排気ガス中に含まれているデポジットはこの渦流と共にガス導出通路４ａ，４ｂへ排出され、デポジットの弁体１００ａ，１００ｂ、弁座９０ａ，９０ｂへの堆積が防止される。
【００３８】
図４（ａ）は第１実施形態において、ガス導入室３ａに導入される排気ガスの流れをＣＡＥで解析した結果であり、（ｂ）はガス導入室３ａの弁体１００ａ，１００ｂ、弁座９０ａ，９０ｂ付近の流れをＣＡＥで解析した結果である。図４（ａ）では、図面の下側からガス導入室３ａに導入された排気ガスは、ガス導入室３ａの中心軸３ｂを左回り（半時計回り）に旋回しており、図４（ｂ）では、図１１（ｂ）で見られた排気ガスの澱みが解消されている。この解析結果から、ガス導入室３ａにその中心軸３ｂを中心とした渦流を起こすことで、ガス導入室３ａ内の澱みの発生を抑制していることが分かる。
【００３９】
この構成によると、内燃機関の暖機完了前の温度が低い状態の排気ガスや、ＥＧＲクーラーによって冷却されて温度が低くなった排気ガスを排気ガス還流装置に導入する場合、デポジットが堆積し難い温度まで上げる必要が無くなるので、簡単な構成で排気ガス還流装置へのデポジットの堆積を防止することができる。そしてさらに、ＥＧＲクーラーによって背圧が低下し流速が遅くなった排気ガスにおいても、強制的に渦流が発生されるので、この構成は有効である。
【００４０】
（変形例１）
第１実施形態では、ガス導入通路２が出口部２ｂに向かって窄まっていたのに対し、図５に示す変形例１では、バルブハウジング１の側壁１ａに形成されるガス導入通路２１は、その側壁１ａに対して垂直に形成されている。ガス導入通路２１の中心軸２１ｃは、第１実施形態と同様、ガス導入通路出口部２１ｂ付近の最大速度ベクトル２０１の延長線２０１ａとガス導入室３１ａの中心軸３１ｂとが離れているので、ガス導入通路２１をこのように形成しても、その中心軸３１ｂを中心とした渦流を発生させることが可能となる。
【００４１】
（変形例２）
図６に示す変形例２でも第１実施形態と同様、ガス導入通路２２をバルブハウジング１の側壁１ａに対して傾けて設けているが、この変形例２では、ガス導入通路２２の傾斜を第１実施形態のガス導入通路２よりも大きくしている。このような構成とすることで、第１実施形態よりも強い渦流をガス導入室３２ａ内に発生させることが期待できる。
【００４２】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態を図７に基づいて説明する。図７は、第２実施形態の排気ガス還流装置用流量制御弁のガス導入通路２３とガス導入室３３ａ部分を示す横断面図である。従来の形態と同様、バルブハウジング１の側壁１ａには、ガス導入通路２３がその側壁１ａに対して垂直、かつその中心軸２３ｃがガス導入室３３ａの中心軸３３ｂと交わるように設定されている。ガス導入通路２３の出口部２３ｂ付近には、排気ガスのガス導入室３３ａへの流れの向きを変更する突起部３０が形成されている。
【００４３】
このようにガス導入通路２３に突起部３０を設けるだけで、従来の形態と同様に、ガス導入通路２３の中心軸２３ｃがガス導入室３３ａの中心軸３３ｂと交わっていても、ガス導入室３３ａに導入される排気ガスの流れの向きを突起部３０によって変更し、ガス導入室３３ａ内に渦流を発生させることが可能となる。
【００４４】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態を図８に基づいて説明する。図８は、第３実施形態の排気ガス還流装置用流量制御弁のガス導入通路２４、ガス導入室３４ａおよびガス導入通路２４に接続される配管４０を示す横断面図である。バルブハウジング１の側壁１ａには、ガス導入通路２４がその側壁１ａに対して垂直、かつガス導入通路２４の中心軸２４ｃがガス導入室３４ａの中心軸３４ｂと交わるように形成されている。
【００４５】
排気ガスをガス導入室３４ａに導入する配管４０は、図に示すように配管４０の中心軸４０ａとガス導入通路２４の中心軸２４ｃとが所定の角度θをもって交わるようにガス導入通路２４に接続されている。このように配管４０をガス導入通路２４に接続することにより、ガス導入通路２４の出口部２４ｂ付近では、図に示すような速度分布が発生し、最大速度ベクトル２０３の延長線２０３ａがガス導入室３４ａの中心軸３４ｂから離れ、ガス導入室３４ａ内に渦流を発生させることが可能となる。
【００４６】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態を図９に基づいて説明する。図９（ａ）はガス導入通路２５およびガス連通路３５に導入される排気ガスに渦流を発生させるための整流板５０を備えたバルブハウジング１１の縦断面図であり、（ｂ）はガス導入通路２５およびガス連通路３５に導入される排気ガスに渦流を発生させるための螺旋溝５１を備えたバルブハウジング１１の縦断面図である。
【００４７】
図９（ａ）、図９（ｂ）に示すバルブハウジング１１には、その底面１１ａにガス導入通路２５が形成され、そのガス導入通路２５の内部に、ガス導出通路４１に通ずるガス連通路３５が形成される。ガス導出通路４１は、側壁１１ｂに形成される。そのガス連通路３５には、弁座９１が組付けられている。そして、この弁座９１の上流側のガス連通路３５およびガス導入通路２５には、後述する排気ガスに渦流を発生させる手段が備えられている。
【００４８】
なお、バルブハウジング１１に組み付けられるその他の構成部品については、第１実施形態で説明しているため、ここでは詳細な説明は省略する。
【００４９】
図９（ａ）に示すように、弁座９１の上流側のガス連通路３５およびガス導入通路２５の内壁には、螺旋状の整流板５０が組付けられている。図９（ｂ）に示すように、弁座９１の上流側のガス連通路３５およびガス導入通路２５の内壁には、螺旋溝５１が形成されている。
【００５０】
このようにガス導入通路２５および／または前記弁座９１よりも上流側に位置する前記ガス連通路３５の内壁に渦流を起こす整流板５０や螺旋溝５１を設けることで、第１実施形態から第３実施形態までに示した形式の流量制御弁でないものでも、すなわちバルブハウジング１１の底面１１ａ側から導入される形式の流量制御弁であっても渦流を発生させることが可能となり、効果的にデポジットの堆積を防止することができる。
【００５１】
なお、第１実施形態から第３実施形態で説明した流量制御弁は、１つの弁シャフトに対して２つの弁体を備えた形式のものだが、勿論、１つの弁シャフトに対して１つの弁体を備えた形式のものであっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】第１実施形態の排気ガス還流装置用流量制御弁の縦断面図である。
【図２】図１中のＩ−Ｉ方向から見たバルブハウジングの横断面図である。
【図３】図１中のＩ−Ｉ方向から見た第１実施形態の横断面図と排気ガスの流れを示す図である。
【図４】図４（ａ）は第１実施形態において、ガス導入室３ａに導入される排気ガスの流れをＣＡＥで解析した結果であり、（ｂ）はガス導入室３ａの弁体，弁座付近の流れをＣＡＥで解析した結果である。
【図５】第１実施形態の変形例１を示すバルブハウジングの横断面図である。
【図６】第１実施形態の変形例２を示すバルブハウジングの横断面図である。
【図７】第２実施形態の排気ガス還流装置用流量制御弁のバルブハウジングの横断面図である。
【図８】第３実施形態の排気ガス還流装置用流量制御弁のバルブハウジングの横断面図である。
【図９】（ａ）は第４実施形態の排気ガス還流装置用流量制御弁のバルブハウジングの縦断面図であり、（ｂ）は第４実施形態の変形例を示す排気ガス還流装置用流量制御弁のバルブハウジングの縦断面図である。
【図１０】従来の形態のバルブハウジングの横断面図と排気ガスの流れを示す図である。
【図１１】図１１（ａ）は従来の形態において、ガス導入通路２６からガス導入室３６ａに導入される排気ガスの流れをＣＡＥで解析した結果であり、（ｂ）はガス導入室３６ａの弁体、弁座付近の流れをＣＡＥで解析した結果である。
【符号の説明】
【００５３】
１  バルブハウジング、１ａ  側壁（第１側面）、１ｂ  側壁１aの反対側の側壁（第２側面）、２  ガス導入通路、２ａ  ガス導入通路の入口部、２ｂ  ガス導入通路の出口部、２ｃ  ガス導入通路の中心軸、３  ガス連通路、３ａ  ガス連通路内のガス導入室、３ｂ  ガス導入室の中心軸、３１ａ  ガス連通路内のガス導入室、３１ｂ  ガス導入室の中心軸、４ａ，４ｂ  ガス導出通路、６０  スプリング、９０ａ，９０ｂ  弁座、１００ａ，１００ｂ  弁体、１１０  弁シャフト、１５０  駆動手段、２０  最大速度ベクトル、２０ａ  最大速度ベクトルの延長線、３０  突起部、４０  配管、４０ａ  配管の中心軸、５０  整流板、５１  螺旋溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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