(57)【要約】【課題】  超解像処理を扱う人材の育成に要する時間及びコストを削減できる情報提供サーバを提供する。【解決手段】  顧客端末と情報を交換する情報提供システムに用いる情報提供サーバ１１０ａであって、リソグラフィ技術における超解像技術を適用する超解像処理を含む超解像マスクデータ処理に関する蓄積情報を格納する蓄積情報記憶装置３ａと、顧客端末から取得した、超解像処理を適用するマスクを用いて半導体装置を製造するための顧客条件を格納する顧客条件記憶装置２ａと、顧客条件に応じて、蓄積情報記憶装置３ａに格納された蓄積情報を読み出して、マスクの作製に必要な情報であって顧客端末に提供する提供用情報を作成する作成手段１２ａを備える。【選択図】      図２
2005108091.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顧客端末と情報を交換する情報提供システムに用いる情報提供サーバであって、
リソグラフィ技術における超解像技術を適用する超解像処理を含む超解像マスクデータ処理に関する蓄積情報を格納する蓄積情報記憶装置と、
前記顧客端末から取得した、前記超解像処理を適用するマスクを用いて半導体装置を製造するための顧客条件を格納する顧客条件記憶装置と、
前記顧客条件に応じて、前記蓄積情報記憶装置に格納された前記蓄積情報を読み出して、前記マスクの作製に必要な情報であって前記顧客端末に提供する提供用情報を作成する作成手段
とを備えることを特徴とする情報提供サーバ。
【請求項２】
前記蓄積情報は、
前記超解像処理に関する超解像処理情報と、
前記超解像処理を行うツールに関するツール情報と、
前記マスクを作製するマスクメーカに関するマスクメーカ情報と、
前記超解像処理を行う処理装置に関する処理装置情報
とを含むことを特徴とする請求項１に記載の情報提供サーバ。
【請求項３】
前記顧客条件は、少なくとも、
前記半導体装置の設計に関する設計情報と、
前記半導体装置の製造プロセスに関する半導体製造プロセス情報と、
前記半導体装置に形成されるパターンにおいて形成が困難なクリティカル領域に関するクリティカル領域情報と、
前記超解像処理に用いる前記超解像技術を指定する使用希望超解像技術情報と、
前記超解像処理の一部の処理内容を指定する使用希望部分処理フロー
とのいずれかを含むことを特徴とする請求項２に記載の情報提供サーバ。
【請求項４】
前記作成手段は、前記提供用情報として、前記マスクの作製に必要なテストマスクのテストマスクデータの作成に用いる前記超解像処理の手順に関する超解像処理フローを作成することを特徴とする請求項３に記載の情報提供サーバ。
【請求項５】
前記作成手段は、前記テストマスクの仕様、前記テストマスクの価格、前記テストマスクの作製に要する処理時間、前記テストマスクの精度の少なくともいずれかを含む超解像処理見積を前記提供用情報として更に作成することを特徴とする請求項４に記載の情報提供サーバ。
【請求項６】
前記蓄積情報は、前記マスクの作製に必要なテストマスクの設計に関するテストマスク設計情報を含むことを特徴とする請求項１に記載の情報提供サーバ。
【請求項７】
前記顧客条件は、少なくとも、
前記半導体装置の設計に関する設計情報と、
前記半導体装置の製造プロセスに関する半導体製造プロセス情報と、
前記半導体装置に形成されるパターンにおいて形成が困難なクリティカル領域に関するクリティカル領域情報と、
前記超解像処理に用いる前記超解像技術を指定する使用希望超解像技術情報と、
とのいずれかを含むことを特徴とする請求項６に記載の情報提供サーバ。
【請求項８】
前記作成手段は、前記提供用情報として前記テストマスクのテストマスクデータを作成することを特徴とする請求項７に記載の情報提供サーバ。
【請求項９】
前記顧客条件は、
前記半導体装置の製造プロセスに関する半導体製造プロセス情報と、
前記マスクの作製に必要な超解像モデルを作成するためのテストパターンのレイアウト、座標、及び寸法をそれぞれ測定した測定レイアウト、測定座標、及び測定寸法
とを含むことを特徴とする請求項６に記載の情報提供サーバ。
【請求項１０】
前記超解像モデルを作成する代わりに前記蓄積情報記憶装置に格納された既存モデルを流用可能か否かを判定するモデル判定手段を更に備えることを特徴とする請求項９に記載の情報提供サーバ。
【請求項１１】
前記作成手段は、前記超解像モデルを前記提供用情報として作成することを特徴とする請求項９又は１０に記載の情報提供サーバ。
【請求項１２】
前記蓄積情報は、
前記マスクの作製に必要な超解像モデルと、
前記超解像モデル毎に適用されるマスク処理ルール
とを含むことを特徴とする請求項１に記載の情報提供サーバ。
【請求項１３】
前記顧客条件は、少なくとも、
前記マスクの設計データと、
前記設計データに対して用いる前記超解像処理に関するデータ処理内容と、
前記超解像モデルに対応する使用希望超解像モデルＩＤ
とのいずれかを含むことを特徴とする請求項１２に記載の情報提供サーバ。
【請求項１４】
前記作成手段は、前記蓄積情報記憶装置に格納された前記使用希望超解像モデルＩＤに対応する前記超解像モデル及び対応する前記マスク処理ルールを読み出して、前記マスクの前記超解像処理を適用したマスクデータを前記提供用情報として作成することを特徴とする請求項１３に記載の情報提供サーバ。
【請求項１５】
前記設計データに対して不都合なデータ構造及び形状の有無を検証する設計データ検証手段を更に備えることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の情報提供サーバ。
【請求項１６】
前記マスクデータに対して不都合なデータ構造及び形状の有無を検証するマスクデータ検証手段を更に備えることを特徴とする請求項１４又は１５に記載の情報提供サーバ。
【請求項１７】
顧客端末から、リソグラフィ技術における超解像処理を含む超解像マスクデータ処理を適用するマスクを用いて半導体装置を製造するための顧客条件を取得する手順と、
前記顧客条件に応じて、蓄積情報記憶装置に格納された前記超解像処理に関する蓄積情報を読み出して、前記マスクの作製に必要な情報であって前記顧客端末に提供する提供用情報を作成する手順と、
前記提供用情報を前記顧客端末に提供する手順
とを含むことを特徴とする情報提供方法。
【請求項１８】
コンピュータに、
顧客端末から、リソグラフィ技術における超解像処理を含む超解像マスクデータ処理を適用するマスクを用いて半導体装置を製造するための顧客条件を取得手段により取得する手順と、
前記顧客条件を顧客条件記憶装置に格納する手順と、
前記顧客条件に応じて、蓄積情報記憶装置に格納された前記超解像処理に関する蓄積情報を読み出して、前記マスクの作製に必要な情報であって前記顧客端末に提供する提供用情報を作成手段により作成する手順と、
前記提供用情報を提供用情報記憶装置に格納する手順と、
前記提供用情報を前記顧客端末に提供する手順
とを実行させることを特徴とする情報提供プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置製造用のマスクを作製するためのマスクデータ処理に関し、特に、超解像処理を含むマスクデータ処理を行うための情報提供サーバ、情報提供方法及び情報提供プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、マスクの取引において、価格とスペック、納期等の情報を基にネットワークを介してマスクの取引を行う手法が提案されている。例えば、価格とスペック、納期等の情報をやり取りし、許容欠陥を有するマスクを廃棄しない等、ターンアラウンドタイム（ＴＡＴ）及び歩留まり向上に有用な手法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００２−２８８４４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、半導体装置製造に用いられるリソグラフィ技術において、年々ウエハ上に作り込むデバイスの集積度が上がり、デザインルールが小さくなってきた。これに伴い、設計パターンがウエハ上に所望の形状、寸法通りに転写されない光近接効果（ＯＰＥ）が大きな問題となっている。ＯＰＥとは、本来は露光時の光学的効果を指すが、現在では、一般的にウェハプロセス全体を通して生ずる効果を指す。所望のデバイス性能を達成するためには、ウエハ上で設計パターンの所望の寸法及び形状を優れた精度で実現する必要がある。
【０００４】
このため、プロセス変換差分を予めマスク上で補正する光近接効果補正（ＯＰＣ）や、ウエハ上に解像しない微小な補助パターン（アシストバー）をマスクに配置することにより主に孤立パターンのプロセスマージンを向上させたりラインエンドショートニングを改善させたりするアシストバー配置、及びマスクパターンを通過する光の位相を交互に１８０度ずつずらすことで結像光学系における光強度プロファイルを急峻にし解像性を向上させるレベンソン型位相シフトマスク（ＰＳＭ）技術等の超解像技術（Resolution Enhancement Technology, ＲＥＴ）を適用する処理（以下において「超解像処理」という。）が知られている。この超解像処理を含むマスクデータ処理（以下において、「超解像マスクデータ処理」という。）工程においては、従来のように価格、スペック、及び納期等の項目に加えて、上記した超解像処理に関する情報を縦横無尽に駆使して処理を行う必要がある。
【０００５】
超解像マスクデータ処理工程においては、ツール（ソフトウェア）を用いてデータを処理を行うのが一般的であり、各半導体メーカやマスクメーカはこのようなツールを購入もしくは開発して使用している。超解像処理を行うツールは複雑な物理モデルや処理ルールに基づいて超解像処理を行うものである。このため、処理内容を提案・企画する者（企画者）は、デバイス特性やデザインルール、ツール動作特性、リソグラフィに関する物理モデルや処理内容、及び前後のデータ処理フローを深く理解している必要がある。また、超解像処理を行う操作技術者（操作技術者）はツール動作特性、リソグラフィに関する物理モデルや処理内容、及び前後のデータ処理フローの理解に加え、操作やパラメータの設定に習熟していることが必要である。したがって、高度な知識を有する企画者や操作技術者等の超解像処理を扱う人材を育成するためには、多大な時間及びコストを要する。
【０００６】
上記問題点を鑑み、本発明は、超解像処理を扱う人材の育成に要する時間及びコストを削減できる情報提供サーバ、情報提供方法及び情報提供プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の第１の特徴は、顧客端末と情報を交換する情報提供システムに用いる情報提供サーバであって、（イ）リソグラフィ技術における超解像技術を適用する超解像処理を含む超解像マスクデータ処理に関する蓄積情報を格納する蓄積情報記憶装置と、（ロ）顧客端末から取得した、超解像処理を適用するマスクを用いて半導体装置を製造するための顧客条件を格納する顧客条件記憶装置と、（ハ）顧客条件に応じて、蓄積情報記憶装置に格納された蓄積情報を読み出して、マスクの作製に必要な情報であって顧客端末に提供する提供用情報を作成する作成手段備える情報提供サーバであることを要旨とする。
【０００８】
本発明の第２の特徴は、（イ）顧客端末から、リソグラフィ技術における超解像処理を含む超解像マスクデータ処理を適用するマスクを用いて半導体装置を製造するための顧客条件を取得する手順と、（ロ）顧客条件に応じて、蓄積情報記憶装置に格納された超解像処理に関する蓄積情報を読み出して、マスクの作製に必要な情報であって顧客端末に提供する提供用情報を作成する手順と、（ハ）提供用情報を顧客端末に提供する手順とを含む情報提供方法であることを要旨とする。
【０００９】
本発明の第３の特徴は、コンピュータに、（イ）顧客端末から、リソグラフィ技術における超解像処理を含む超解像マスクデータ処理を適用するマスクを用いて半導体装置を製造するための顧客条件を取得手段により取得する手順と、（ロ）顧客条件を顧客条件記憶装置に格納する手順と、（ハ）顧客条件に応じて、蓄積情報記憶装置に格納された超解像処理に関する蓄積情報を読み出して、マスクの作製に必要な情報であって顧客端末に提供する提供用情報を作成手段により作成する手順と、（ニ）提供用情報を提供用情報記憶装置に格納する手順と、（ホ）提供用情報を顧客端末に提供する手順とを実行させる情報提供プログラムであることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、超解像処理を扱う人材の育成に要する時間及びコストを削減できる情報提供サーバ、情報提供方法及び情報提供プログラムを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。図面の記載において同一或いは類似部分には同一或いは類似な符号を付している。ただし、図面は模式的なものである。
【００１２】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係る情報提供システムは、図１に示すように、情報提供サーバ１１０ａと顧客端末１３０との間で情報を交換するシステムである。情報提供サーバ１１０ａは、通信ネットワーク１２０を介して顧客端末１３０に接続されている。顧客端末１３０は、半導体装置メーカ等の顧客側に設置された端末である。
【００１３】
図１に示した情報提供サーバ１１０ａは、図２に示すように、中央処理装置（ＣＰＵ）１ａ、顧客条件記憶装置２ａ、蓄積情報記憶装置３ａ、提供用情報記憶装置４ａ、通信制御装置５、入力装置６、出力装置７、主記憶装置８、補助記憶装置９、及びプログラム記憶装置１０を備える。蓄積情報記憶装置３ａは、超解像処理情報記憶部３１、マスクメーカ情報記憶部３２、ツール情報記憶部３３、及び装置情報記憶部３４を備える。
【００１４】
超解像処理情報記憶部３１は、図３に示すように、例えばＯＰＣ情報、ＰＳＭ情報、及びアシストバー情報等の、超解像処理に関する超解像処理情報を格納する。ＯＰＣ情報としては、例えば光源特性、照明条件、階層処理特性、セリフ発生条件、エッジ分割条件、データ量の増加、及び検証方法の情報等がある。ＰＳＭ情報としては、例えば最適発生仕様、位相シフタデザインルール、位相矛盾箇所対策、デザインルールチェック（ＤＲＣ）違反箇所対策、及び検証方法等の情報がある。アシストバー情報としては、例えば最適発生条件、弱点箇所対策、及び検証方法等の情報がある。
【００１５】
図２に示したマスクメーカ情報記憶部３２は、図４に示すように、例えば半導体装置製造用のマスクを作製するマスクメーカに関するマスクメーカ情報を格納する。マスクメーカ情報としては、例えば、マスクメーカ（Ａ社、Ｂ社、Ｃ社）に対するＯＰＣ、ＰＳＭ及びアシストバー等の超解像マスクプロセス能力、平均納期、価格（料金）、歩留まり、事故や不具合情報、並びに顧客との関係等の情報がある。
【００１６】
ツール情報記憶部３３は、図５に示すように、ＯＰＣ、ＰＳＭ及びアシストバー等の超解像処理を行うための各種ツールに関するツール情報を格納する。ツール情報は、例えば、ツールＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，・・・・・それぞれに対する、使用許諾契約情報、ライセンス所有情報、価格、性能、バグ情報、及び他社使用情報等を含む。
【００１７】
装置情報記憶部３４は、図６に示すように、超解像処理を行う処理装置（ハードウェア）に関する処理装置情報を格納する。処理装置情報は、例えば、処理装置（Ｘ社装置Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３及びＹ社装置Ｙ１，Ｙ２）それぞれに対する、メンテナンス情報、ＣＰＵ数、処理速度、及び処理製品予定等の情報を含む。
【００１８】
図２に示したＣＰＵ１ａは、取得手段１１、超解像処理フロー作成手段（作成手段）１２ａ、及び提供手段１３を備える。取得手段１１は、図１に示した顧客端末１３０から伝達される、超解像処理を適用するマスクを用いて半導体装置を製造するための顧客条件を取得する。顧客条件としては、例えば、設計情報、半導体製造プロセス情報、クリティカル領域情報、使用希望超解像技術情報、及び使用希望処理部分フロー等がある。設計情報とは、例えばデザインルール及びレイヤー構成等の、顧客が製造する半導体装置に関する情報である。使用希望超解像技術情報とは、例えばＯＰＣ、ＰＳＭ、アシストバー等の、顧客の使用したい超解像技術を指定する情報である。クリティカル領域情報とは、例えばメモリセル等の、ウェハ上に描画されるパターンのうち形成が困難と予想される領域（クリティカル領域）に関する情報である。使用希望処理部分フローとは、例えば部分的な特定の配置に対する処理ルール等の、顧客が使用したい処理部分フローを指定する情報である。
【００１９】
超解像処理フロー作成手段１２ａは、取得手段１１により取得された顧客条件に応じて、蓄積情報記憶装置３ａの超解像処理情報記憶部３１、マスクメーカ情報記憶部３２、ツール情報記憶部３３、及び装置情報記憶部３４にそれぞれ格納された超解像処理情報、マスクメーカ情報、ツール情報、及び装置情報等の蓄積情報を読み出して、例えば図７に示すような超解像処理フローを提供用情報として作成する。超解像処理フローは、超解像モデルの作成に用いるテストマスクのテストデータを作成する手順を示す。超解像モデルとは、ＯＰＣモデル等の、超解像処理を適用したマスクデータの作成に必要な、超解像処理を適用したマスクのシミュレーションモデルである。
【００２０】
超解像処理フロー作成手段１２ａは、具体的には、使用希望超解像処理技術等を考慮して、クリティカル領域を含むパターンを適切に形成可能な超解像処理を選択する。更に、選択された超解像処理を用いて、且つ使用希望処理部分フロー等を考慮して、例えばアシストバー発生（Ｓ１１０）、ＯＰＣ（Ｓ１２０）、後処理（Ｓ１３０）、出力データ検証（Ｓ１４０）、検図（Ｓ１５０）、データ転送及びマスク作製（Ｓ１６０）等の一連の手順が決定される。更に、マスクメーカ情報等に基づいて、ステップＳ１６０のマスク作製を依頼するマスクメーカ（Ｃ社）が選択される。更に、各ステップＳ１１０〜Ｓ１５０の手順において使用するツールＡ、ツールＢ、ツールＣ、ツールＣ、及びツールＤがそれぞれ選択される。更に、超解像処理情報に基づいて、例えばステップＳ１３０の後処理（Ｓ１３０）における「ルール違反箇所にパッチを当てる」、及び「微小図形消去」等の、超解像処理における対策や条件等が選択される。また、処理装置情報に基づいて、ステップＳ１１０のアシストバー配置及びステップＳ１２０のＯＰＣ等の超解像処理を行う処理装置（例えばＸ社装置）がそれぞれ選択される。また、設計情報に基づいて演算式、デザインルール、及びスペック等が判断される。製造プロセス情報に基づいて、データグリッド、処理手順、及びスペック等が判断される。
【００２１】
なお、図７に示した超解像処理フロー及び超解像フローの作成手順は一例であり、蓄積情報記憶装置３ａに格納された蓄積情報を種々な方法で利用して種々な超解像フローを作成できる。
【００２２】
他の一例として図９に示した超解像処理フローでは、ステップＳ１１０ａでツールＥを用いて位相シフトパターン（位相シフタ）配置、ステップＳ１２０ａでツールＦを用いてＯＰＣ、及びステップＳ１３０ａの後処理でルール違反箇所を反転する対策等が図７に示した超解像処理のステップＳ１１０〜Ｓ１３０と異なる。
【００２３】
図２に示した超解像処理フロー作成手段１２ａは更に、図７に示した超解像処理フローに対応して図８に示すような超解像処理見積を作成する。図８に示した超解像処理見積には、図７に示した超解像処理フローの手順を行うのに必要な処理時間（２６〜５４時間）、テストマスクの作製に要する価格（○○円）、及びクリティカル領域等に対する超解像処理の精度（Ａ領域は±○○ｎｍ、Ｂ領域は±△△ｎｍ等）、及びテストマスク仕様、及びデータ量（図示省略）等が記述される。他の一例として図１０に示した超解像処理見積は、処理時間（７２〜１０８時間）、価格、精度等が図８に示した超解像処理見積と異なる。
【００２４】
図２に示した提供手段１３は、超解像処理フロー作成手段１２ａにより作成される図７及び図９に示した超解像処理フロー、並びに図８及び図１０に示した超解像処理見積等の提供用情報を、図１に示した通信ネットワーク１２０を介して顧客端末１３０に提供する。なお、図２に示したＣＰＵ１ａは、顧客条件記憶装置２ａ、蓄積情報記憶装置３ａ、提供用情報記憶装置４ａ、入力装置６、出力装置７、主記憶装置８、補助記憶装置９、及びプログラム記憶装置１０の入出力の制御、及びＣＰＵ１ａ内の演算の制御を行う制御手段（図示省略）を備える。
【００２５】
図２に示した顧客条件記憶装置２ａは、取得手段１１により取得された設計情報、半導体製造プロセス情報、クリティカル領域情報、使用希望超解像技術情報、及び使用希望処理部分フロー等の顧客条件を格納する。また、提供用情報記憶装置４ａは、超解像処理フロー作成手段１２ａにより作成された図７及び図９に示した超解像処理フロー、並びに図８及び図１０に示した超解像処理見積等の提供用情報を格納する。
【００２６】
図２に示した通信制御装置５は、情報提供サーバ１１０ａと図１に示した顧客端末１３０等との通信ネットワーク１２０を介した情報の交換を制御する。入力装置６としては、例えばキーボード、マウス、ライトペンや音声入力装置等が使用可能である。出力装置７としては、液晶ディスプレイ及びＣＲＴディスプレイ等を用いることができる。主記憶装置８としては、例えば半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスクや磁気テープ等が採用可能である。
【００２７】
プログラム記憶装置１０は、ＣＰＵ１ａにおける演算を実行するための情報提供プログラムを格納する記録媒体である。情報提供プログラムは、情報提供サーバ１１０ａ等のコンピュータに、顧客端末１３０から顧客条件を取得手段１１により取得する手順、顧客条件を顧客条件記憶装置２ａに格納する手順、顧客条件に応じて、蓄積情報記憶装置３ａに格納された超解像処理に関する蓄積情報を読み出して、超解像処理が適用されたマスクの作製に必要な提供用情報を超解像処理フロー作成手段１２ａにより作成する手順、提供用情報を提供用情報記憶装置４ａに格納する手順、及び提供用情報を顧客端末１３０に提供手段１３により提供する手順等を実行させる。
【００２８】
以下、図１１のフローチャートを参照して、本発明の第１の実施の形態に係る情報提供方法を説明する。
【００２９】
（イ）ステップＳ１１において、図１に示した顧客側の顧客端末１３０から、設計情報、半導体製造プロセス情報、クリティカル領域情報、使用希望超解像技術情報、及び使用希望処理部分フロー等の顧客条件が情報提供サーバ１１０ａに伝達される。顧客条件は、図２に示した取得手段１１により取得され顧客条件記憶装置２ａに格納される。
【００３０】
（ロ）ステップＳ１２において、顧客条件記憶装置２ａに格納された顧客条件に基づいて、図３に示した超解像処理情報記憶部３１、マスクメーカ情報記憶部３２、ツール情報記憶部３３、及び装置情報記憶部３４にそれぞれ格納された超解像技術情報、マスクメーカ情報、ツール情報、及び処理装置情報等を読み出して、超解像処理フロー作成手段１２ａにより、例えば図７及び図８に示した超解像処理フロー及び超解像処理見積を作成する。ここで、図９及び図１０にそれぞれ示した超解像処理フロー及び超解像処理見積を更に作成する等、顧客条件記憶装置２ａに格納された顧客条件を満たす複数の超解像処理フロー及び複数の超解像処理見積を作成しても良い。作成された超解像処理フロー及び超解像処理見積は、図２に示した提供用情報記憶装置４ａに格納される。
【００３１】
（ハ）ステップＳ１３において、提供用情報記憶装置４ａに格納された超解像処理フロー及び超解像処理見積が、提供手段１３により図１に示した顧客端末１３０に提供される。ステップＳ１２で複数の超解像処理フロー及び超解像処理見積が作成された場合には、ステップＳ１３において、作成された複数の超解像処理フロー及び超解像処理見積を顧客端末１３０に提供し、顧客に選択させても良い。
【００３２】
以上説明したように、図１及び図２に示した情報提供サーバ１１０ａによれば、顧客条件に基づいて、蓄積情報記憶装置３ａに格納された蓄積情報を読み出して、超解像処理フロー及び超解像処理見積等の提供用情報を迅速に作成できる。したがって、企画者や操作技術者は複雑な超解像処理の内容理解が不要となるので、超解像処理を扱う人材の育成に要する時間及びコストを削減できる。
【００３３】
また、顧客端末１３０を有する顧客側も、顧客端末１３０を用いて顧客条件を情報提供サーバ１１０ａに伝達するだけで、短期間で超解像処理フロー、超解像処理見積やテストマスクデータを得ることができる。
【００３４】
なお、顧客条件記憶装置２ａは、取得手段１１により取得された、設計情報、半導体製造プロセス情報、クリティカル領域情報、使用希望超解像技術情報、及び使用希望処理部分フロー等の顧客条件が格納される度に更新され、顧客条件が随時蓄積される。したがって、設計情報、半導体製造プロセス情報、クリティカル領域情報、使用希望超解像技術情報、及び使用希望処理部分フロー等の顧客条件のうち一部を変更した場合、顧客条件の変更した一部だけが取得手段１１により取得されれば、顧客条件記憶装置２ａに既に蓄積されていた顧客条件と変更された顧客条件の一部とを用いて超解像処理フロー及び超解像処理見積を作成することができる。
【００３５】
なお、顧客端末１３０からテストマスクデータ作成の要求が取得手段１１により取得された場合、超解像処理フロー作成手段１２ａは、作成した超解像フローに基づいてテストマスクデータを更に作成しても良い。作成されたテストマスクデータは、提供手段１３により顧客端末１３０に提供される。
【００３６】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る情報提供システムは、図１２に示すように、情報提供サーバ１１０ａ、顧客端末１３０、及び工場端末１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃの間で情報を交換するシステムである。情報提供サーバ１１０ｂは、通信ネットワーク１２０を介して顧客端末１３０及び工場端末１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃにそれぞれ接続されている。工場端末１４０ａ〜１４０ｃはそれぞれ、半導体装置製造用のマスクを作製するマスクメーカ（Ａ社，Ｂ社，Ｃ社）側に設置された端末である。図１２に示した情報提供サーバ１１０ｂは、図１３に示すように、ＣＰＵ１ｂ、顧客条件記憶装置２ｂ、蓄積情報記憶装置３ｂ、提供用情報記憶装置４ｂ、通信制御装置５、入力装置６、出力装置７、主記憶装置８、補助記憶装置９、及びプログラム記憶装置１０を備える。
【００３７】
蓄積情報記憶装置３ｂは、マスクを作製するためのテストを行うテストマスクの設計に関するテストマスク設計情報を格納するテストマスク設計情報記憶部３６を備える。テストマスク設計情報記憶部３６は、図１４に示すように、例えばＯＰＣモデル作成用、及びアシストバー評価用のテストマスク設計情報を格納する。ＯＰＣモデル作成用のテストマスク設計情報としては、ラインアンドスペース群発生、粗密矩形、Ｔ字形配置、Ｌ字形配置、及びＴ字型突き当て配置等の情報がある。また、アシストバー評価用のテストマスク設計情報としては、アシストバー距離、アシストバー幅、アシストバー長さ、アシストバー密集時挙動、及び本体パターンＯＰＣ制約評価等の情報がある。
【００３８】
図１３に示したＣＰＵ１ｂは、取得手段１１、テストマスクデータ作成手段（作成手段）１２ｂ、提供手段１３、工場依頼手段１４、及び顧客依頼手段１５を備える。取得手段１１は、図１２に示した顧客端末１３０から伝達される、例えば設計情報、半導体製造プロセス情報、クリティカル領域情報、及び使用希望超解像技術情報等の顧客条件を取得する。
【００３９】
テストマスクデータ作成手段１２ｂは、蓄積情報記憶装置３ｂに格納された蓄積情報を読み出して、取得手段１１により取得された顧客条件に応じてテストマスクデータを提供用情報として作成する。具体的には、設計情報、半導体製造プロセス情報、クリティカル領域情報、及び使用希望超解像技術情報等に基づいて、テストマスクにおける基本パラメータが設定される。更に、テストマスク設計情報記憶部３６に格納されたテストマスク設計情報等を読み出して、例えばＯＰＣモデル作成用のラインアンドスペース群をライン幅及びスペース幅を〇ｎｍ〜△ｎｍの範囲で配置し、アシストバー評価用のアシストバーを本体パターンから縦〇ｎｍ〜△ｎｍの距離に配置する等、超解像モデルの作成、超解像モデルの検証、又はこれら双方に必要なパターンを配置してテストマスクのレイアウトが設計される。更に、設計されたテストマスクのレイアウトに基づいて、テストマスクデータが作成される。
【００４０】
提供手段１３は、テストマスクデータ作成手段１２ｂにより作成されるテストマスクデータを図１２に示した顧客端末１３０に提供する。図１３に示した工場依頼手段１４は、テストマスクデータ作成手段１２ｂにより作成されたテストマスクデータを、例えば図１２に示したマスクメーカ（Ｃ社）側の工場端末１４０ｃに伝達するとともにテストマスク作製を依頼する。
【００４１】
図１３に示した顧客条件記憶装置２ｂは、取得手段１１により取得された設計情報、半導体製造プロセス情報、クリティカル領域情報、及び使用希望超解像技術情報等の顧客条件を格納する。提供用情報記憶装置４ｂは、テストマスクデータ作成手段１２ｂにより作成されたテストマスクデータを格納する。図１２及び図１３に示した情報提供サーバ１１０ｂの他の構成は、図１及び図２に示した情報提供サーバ１１０ａと実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。
【００４２】
以下において、本発明の第２の実施の形態に係る情報提供方法を図１５のフローチャートを参照して説明する。
【００４３】
（イ）ステップＳ２１において、図１２に示した顧客端末１３０から、設計情報、半導体製造プロセス情報、及び使用希望超解像技術情報等の顧客条件が情報提供サーバ１１０ｂに伝達される。顧客条件は、図１３に示した取得手段１１により取得され顧客条件記憶装置２ｂに格納される。
【００４４】
（ロ）ステップＳ２２において、テストマスクデータ作成手段１２ｂは、顧客条件記憶装置２ｂに格納された使用希望超解像技術情報等の顧客条件に基づいて、図２及び図３に示したテストマスク設計情報記憶部３６に格納されたテストマスク設計情報を読み出して、テストマスクにおける基本パラメータを設定し、テストマスクのレイアウトを設計する。更に、設計されたテストマスクのレイアウトに基づいて、テストマスクデータが作成される。作成されたテストマスクデータは、提供用情報記憶装置４ｂに格納される。
【００４５】
（ハ）ステップＳ２２において、提供用情報記憶装置４ｂに格納されたテストマスクデータを提供手段１３により顧客端末１３０に提供する。
【００４６】
（ニ）ステップＳ２３において、図１２に示した顧客端末１３０からのテストマスク作製の依頼が取得手段１１により取得された場合、工場依頼手段１４は、例えば図１２に示したマスクメーカ（Ｃ社）側の工場端末１４０ｃにテストマスクデータを伝達するとともに、テストマスク作製を依頼する。
【００４７】
（ホ）ステップＳ２４において、テストマスク作製の依頼を受けたマスクメーカ（Ｃ社）側において、テストマスクデータに基づいて、超解像モデルを作成するためのテストマスクが作製され、顧客に納品される。
【００４８】
以上説明したように、第２の実施の形態に係る情報提供サーバ１１０ｂによれば、顧客条件に基づいて、蓄積情報記憶装置３ｂに格納された蓄積情報を読み出して、テストマスクデータを迅速に作成できる。また、マスクメーカ（Ｃ社）側でも工場端末１４０ｃに伝達されたテストマスクデータに基づいてテストマスクを作製すれば良いので、顧客に迅速に納品することができる。企画者や操作技術者が複雑な超解像処理の内容理解をする必要がないので、超解像処理を扱う人材の育成に要する時間及びコストを削減できる。
【００４９】
なお、蓄積情報記憶装置３６に、図７及び図９に示した超解像処理フローを格納しておき、テストマスクデータ作成手段１２ｂにより超解像処理フローに対して最適化したテストマスクデータを設計しても良い。
【００５０】
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態に係る情報提供サーバ１１０ｃは、図１に示した情報提供サーバ１１０ａと同様に、通信ネットワーク１２０を介して顧客端末１３０に接続されている。情報提供サーバ１１０ｃは、図１６に示すように、ＣＰＵ１ｃ、顧客条件記憶装置２ｃ、蓄積情報記憶装置３ｃ、提供用情報記憶装置４ｃ、通信制御装置５、入力装置６、出力装置７、主記憶装置８、補助記憶装置９、及びプログラム記憶装置１０を備える。蓄積情報記憶装置３ｃは、テストマスク設計情報記憶部３６、超解像モデル記憶部３７、及びマスク処理ルール記憶部３８を備える。超解像モデル記憶部３７は、超解像モデルを、対応する超解像モデルの製品名や製品番号（超解像モデルＩＤ）とともにを格納する。マスク処理ルール記憶部３８は、超解像モデルを作成する際のマスク処理ルールをそれぞれ格納する。
【００５１】
ＣＰＵ１ｃは、取得手段１１、超解像モデル作成手段（作成手段）１２ｃ、提供手段１３、工場依頼手段１４、顧客依頼手段１５、モデル調整手段１６、及びモデル判定手段１７を備える。取得手段１１は、図１に示した顧客端末１３０から伝達される半導体製造プロセス情報、測定レイアウト、測定座標、測定寸法情報、及び製品のサンプルデータ等の顧客条件を取得する。
【００５２】
超解像モデル作成手段１２ｃは、蓄積情報記憶装置３ｃに格納された蓄積情報を読み出して、取得手段１１により取得された顧客条件に応じて提供用情報を作成する。具体的には、取得手段１１により取得された半導体製造プロセス情報、測定レイアウト、測定座標、及び測定寸法情報等をもとに、テストマスクデータを作成する。更に、作成したテストマスクデータに基づいて、顧客の半導体製造プロセスに合わせた超解像モデルが作成され、超解像モデルＩＤが付される。ここで、超解像マスクデータ処理を行うために適切なツールが選択して、選択されたツール指定のフォーマットで超解像モデルが作成されることが望ましい。作成される超解像モデルとしては、モデルベース補正向け、ルールベース補正向け、又はそれらの双方を含む形態がある。また、超解像モデル作成手段１２ｃは更に、作成した超解像モデルを用いて、取得手段１１により取得されたサンプルデータに対してマスクデータ処理を行い、サンプルデータ処理結果を作成する。
【００５３】
提供手段１３は、超解像モデル作成手段１２ｃにより作成される超解像モデル、超解像モデルＩＤ、超解像モデルの一部（超解像モデルパーツ）、及びサンプルデータ処理結果等の提供用情報を図１に示した顧客端末１３０に提供する。図１６に示した顧客依頼手段１５は、超解像モデル作成手段１２ｃにより作成された超解像モデルを図１に示した顧客端末１３０に伝達するとともに、超解像モデルの検図を依頼する。
【００５４】
図１６に示したモデル判定手段１７は、図３に示した超解像モデル記憶部３７に格納された既存の超解像モデル（既存モデル）を参照して、顧客条件の条件に見合った既存モデルがあり全部又は一部を流用可能であるか、或いは既存モデルを流用できず超解像モデル全体を作成すべきかを判定する。特に顧客側のレジスト現像工程、エッチング工程等の半導体プロセスの変更等に伴い、超解像モデルの再作成を求められた場合には、既存モデルの全体又は一部を流用可能な場合があり、流用が可能であれば超解像モデル全体を再作成するよりも人的・時間的コストを大幅に削減できる。
【００５５】
モデル調整手段１６は、取得手段１１により取得された製品のサンプルデータに基づいて、超解像モデル作成手段１２ｃにより作成される超解像モデルがサンプルデータに対して適切か検証し、調整する。更に、製品のサンプルデータに対して超解像処理を含むマスクデータ処理が行われる。
【００５６】
図２に示した顧客条件記憶装置２ｃは、取得手段１１により取得される半導体製造プロセス情報、測定レイアウト、測定座標、測定寸法情報、サンプルデータ等の顧客条件を格納する。提供用情報記憶装置４ｃは、超解像モデル作成手段１２ｃにより作成される超解像モデル、超解像モデルＩＤ、及びサンプルデータ処理結果等の提供用情報を格納する。図１６に示した情報提供サーバ１１０ｃの他の構成は、図１及び図２に示した情報提供サーバ１１０ａの構成と実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。
【００５７】
以下において、本発明の第３の実施の形態に係る情報提供方法を図１７のフローチャートを参照して説明する。
【００５８】
（イ）ステップＳ３１において、顧客は、予め入手したテストマスクを半導体製造プロセスを用いて転写し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等を用いて転写されたパターン寸法を測定する。テストマスクの寸法測定としては、超解像テストマスクとして作製した専用マスクを用いて測定しても良いし、既存のマスクを用いて適切なレイアウトを有する箇所を抽出し、抽出された箇所を測定しても良い。測定の際のプロセス情報、測定レイアウト、測定座標、及び測定寸法情報等の顧客条件が、図１に示した顧客端末１３０から伝達され、図１６に示した取得手段１１により取得される。取得された顧客条件は、顧客条件記憶装置２ｃに格納される。
【００５９】
（ロ）ステップＳ３２において、超解像モデルを作成するに先だって、モデル判定手段１７により、超解像モデル記憶部３７に格納された既存モデルを参照して、顧客条件記憶装置２ｃに格納された既存モデルの全体又は一部を流用可能か否かを判定する。
【００６０】
（ハ）ステップＳ３２において、既存の超解像モデル全体及び一部のいずれも流用が不可能と判断された場合、ステップＳ３３において、超解像モデル作成手段１２ｃは、顧客条件記憶装置２ｃに格納された半導体製造プロセス情報、測定レイアウト、測定座標、及び測定寸法情報等をもとに、テストマスクデータを設計し、テストマスクデータに基づいて、顧客の半導体製造プロセスに合わせた超解像モデルを作成する。作成された超解像モデルは、提供用情報記憶装置４ｃ及び超解像モデル記憶部３７に格納される。
【００６１】
（ニ）一方、ステップＳ３２において、既モデルの全体又は一部が流用可能と判断された場合、ステップＳ３４においてそれぞれ、既存モデル全体を流用するか、既存モデルの一部を流用し残りの一部を作成することで、超解像モデルを作成し、超解像モデルＩＤが付される。作成された超解像モデルは、超解像モデルＩＤとともに超解像モデル記憶部３７及び提供用情報記憶装置４ｃにそれぞれ格納される。また、超解像モデルや半導体製造プロセス情報等からマスクデータ処理ルールを得て、マスク処理ルール記憶部３８に格納する。
【００６２】
（ホ）ステップＳ３５において、顧客側では製品設計が進められ、製品のサンプルデータが作成される。作成されたサンプルデータは顧客条件として、図１に示した顧客端末１３０から図１６に示した取得手段１１により取得され、顧客条件記憶装置２ｃに格納される。  
（ヘ）ステップＳ３６において、モデル調整手段１６は、顧客条件記憶装置２ｃに格納されたサンプルデータ等に基づいて、超解像モデル記憶部３７に格納された超解像モデルに対して例えばパターンエッジ分割長、補正中心点位置、プロセスシミュレーションのパラメータ等を調整して、超解像モデルの挙動の調整を行い、シミュレーション等を行うことにより検証する。調整及び検証された超解像モデル及び対応する超解像モデルＩＤは、超解像モデル記憶部３７及び提供用情報記憶部４ｃにそれぞれ格納される。また、超解像モデルを用いてサンプルデータにマスクデータ処理を行い、サンプルデータ処理結果を、提供用情報格納部４ｃに格納する。
【００６３】
（ト）ステップＳ３７において、提供手段１３により、超解像モデルＩＤ、及び超解像モデルを用いたサンプルデータ処理結果を顧客端末１３０に伝達し、顧客に対して超解像モデルのサイン・オフを依頼する。超解像モデルＩＤは、情報提供サーバ１１０ｃと顧客端末１３０との間で予め設定されている場合に使用可能である。また、超解像モデルＩＤの他に、テキストファイル、バイナリファイル、パラメータファイル等の形態を取る超解像モデル自体を伝達しても良い。このとき、超解像モデル全部を供給しても良く、必要に応じて超解像モデルを部品化し超解像モデルの一部（超解像モデルパーツ）を選択的に納品しても良い。
【００６４】
以上説明したように、第３の実施の形態に係る情報提供サーバ１１０ｃによれば、顧客条件に基づいて、蓄積情報記憶装置３ｃに格納された蓄積情報を読み出して、超解像モデルを迅速に作成できる。したがって、企画者や操作技術者は複雑な超解像モデルの内容理解や煩雑な超解像モデルの調整・検証に長期間を費やすことが不要となるので、超解像処理を扱う人材の育成に要する時間及びコストを削減できる。
【００６５】
また、顧客側の半導体プロセスの変更等に伴い、超解像モデルの再作成を求められた場合にも、既存モデルの全体又は一部を流用可能することで超解像モデル全体を再作成するよりも人的・時間的コストを大幅に削減できる。顧客側においても、超解像モデルの再作成を要求した際には超解像モデルの一部の作成や既存モデルを流用できれば、超解像モデル作成の料金を節約できる。
【００６６】
なお、ステップＳ３１において、顧客端末１３０から顧客情報としてテストマスクデータが伝達された場合には、超解像モデル作成手段１２ｃはそのテストマスクデータに基づいて超解像モデルを作成しても良い。
【００６７】
（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態に係る情報提供サーバ１１０ｄは、図１２に示した情報提供サーバ１１０ｂと同様に、通信ネットワーク１２０を介して顧客端末１３０及び工場端末１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃにそれぞれ接続されている。情報提供サーバ１１０ｄは、図１８に示すように、ＣＰＵ１ｄ、顧客条件記憶装置２ｄ、蓄積情報記憶装置３ｄ、提供用情報記憶装置４ｄ、通信制御装置５、入力装置６、出力装置７、主記憶装置８、補助記憶装置９、及びプログラム記憶装置１０を備える。蓄積情報記憶装置３ｄは、超解像モデル及び対応する超解像モデルＩＤを格納する超解像モデル記憶部３７、及びマスク処理ルールを格納するマスク処理ルール記憶部３８を備える。
【００６８】
ＣＰＵ１ｄは、取得手段１１、マスクデータ作成手段（作成手段）１２ｄ、提供手段１３、工場依頼手段１４、顧客依頼手段１５、設計データ検証手段１８、及びマスクデータ検証手段１９を備える。取得手段１１は、顧客端末１３０から伝達される、超解像処理前の設計レイアウトデータである設計データ、超解像処理を含むマスクデータ処理内容であるデータ処理内容、及び使用希望の超解像モデルのＩＤ（使用希望超解像モデルＩＤ）等の顧客条件を取得する。
【００６９】
マスクデータ作成手段１２ｄは、蓄積情報記憶装置３ｄに格納された蓄積情報を読み出して、取得手段１１により取得された顧客条件に応じて提供用情報を作成する。具体的には、蓄積情報記憶装置３ｄに格納された蓄積情報を読み出して、取得手段１１により取得された顧客条件に応じて、マスク描画用、マスク検査用、或いは検図用等の種々の形式（フォーマット）を含む超解像処理を適用したマスクデータが作成される。
【００７０】
提供手段１３は、マスクデータ作成手段１２ｄにより作成されるマスクデータを図１２に示した顧客端末１３０に提供する。図１８に示した工場依頼手段１４は、マスクデータ作成手段１２ｄにより作成されるマスクデータを図１２に示した工場端末１４０ａに伝達するとともに、マスク作製を依頼する。
【００７１】
図１８に示した設計データ検証手段１８は、取得手段１１により取得された設計データに対して、不都合なデータ構造・形状の有無を検証する。マスクデータ検証手段１９は、取得手段１１により取得されたマスクデータに対して、不都合なデータ構造及び形状の有無を検証する。不都合なデータ構造及び形状が有る場合、マスクデータ検証手段１９は更に、マスクデータの不都合なデータ構造及び形状が致命的なものか、或いは擬似的なものか検証する。
【００７２】
顧客依頼手段１５は、設計データ検証手段１８により検証した結果、不都合なデータ構造がある場合には、顧客端末１３０にそのデータ構造を通知し、設計データの修正、処理内容の修正、或いは超解像モデルＩＤの変更を依頼する。また、顧客依頼手段１５は更に、マスクデータ検証手段１９により検証した結果マスクデータに不都合なデータ構造があり、更にそのデータ構造が致命的な場合には、顧客端末１３０にそのデータ構造を通知し、設計データの修正、処理内容の修正、或いは超解像モデルＩＤの変更を依頼する。
【００７３】
図１８に示した顧客条件記憶装置２ｄは、図１３に示すように、取得手段１１により取得された、設計データ、データ処理内容、及び使用希望超解像モデルＩＤ等の顧客条件を格納する。図２に示した提供用情報記憶装置４ｄは、マスクデータを格納する。
【００７４】
以下において、本発明の第４の実施の形態に係る情報提供方法を図１９のフローチャートを参照して説明する。
【００７５】
（イ）ステップＳ４１において、顧客が設計データをテープアウトし、図１２に示した顧客端末１３０から設計データ、データ処理内容、及び使用希望超解像モデルＩＤ等の顧客条件が伝達され、図１８に示した取得手段１１により取得され顧客条件記憶装置２ｄに格納される。
【００７６】
（ロ）ステップＳ４２において、顧客条件記憶装置２ｄに格納された設計データに対して、設計データ検証手段１８により、超解像マスクデータ処理に不都合を生じるデータ構造及び形状の有無を検証する。検証した結果、不都合を生じるデータ構造及び形状が有れば、ステップＳ４３へ進み、不都合を生じるデータ構造及び形状を顧客端末１３０に伝達し、設計データの修正、処理内容の修正、或いは超解像モデルＩＤの変更を依頼する。そして、ステップＳ４１に戻り、顧客側において変更された設計データが顧客端末１３０から伝達され、取得手段１１により取得される。一方、設計データ検証手段１８による検証結果、設計データに不都合を生じるデータ構造及び形状が無ければ、ステップＳ４４に進む。
【００７７】
（ハ）ステップＳ４４において、超解像モデル記憶部３７及びマスク処理ルール記憶部３８にそれぞれ格納された超解像モデルＩＤ及びマスクデータ処理ルールを取得し、処理内容や処理性能を考慮して使用するツールが選択される。そして、選択されたツールを用いて超解像マスクデータ処理が行われ、マスク描画用、マスク検査用、或いは検図用等の種々の形式を含む超解像処理を適用したマスクデータが作成される。作成されたマスクデータは、提供用情報記憶装置４ｄに格納される。
【００７８】
（ニ）ステップＳ４５において、提供用情報記憶装置４ｄに格納されたマスク検査用のマスクデータに対して、マスクデータ検証手段１９により、マスク描画、検査、デバイス性能等に不都合を生じるデータ構造及び形状の有無を検証する。検証した結果、マスクデータに不都合が無い場合、ステップＳ４７に進む。
【００７９】
（ホ）一方、ステップＳ４５における検証の結果、マスクデータに不都合がある場合には、ステップＳ４６において、マスクデータ検証手段１９により、その不都合の程度が致命的なものか、擬似的なものかを更に検証する。不都合の程度が致命的なものであれば、図１２に示した顧客端末１３０に伝達する。一方、不都合の程度が擬似的であれば、ステップＳ４７に進む。
【００８０】
（ヘ）ステップＳ４７において、工場依頼手段１４は、提供用情報記憶装置４ｄに格納された、検図用のマスクデータを図１２に示した顧客端末１３０に伝達し、検図を依頼する。顧客側でマスクデータが検図され、問題があれば、ステップＳ４３において設計データの修正、処理内容の修正、又は超解像モデルＩＤの変更等が行われ、ステップＳ４１の手順から再処理とする。一方、マスクデータに問題が無ければ、顧客はマスクデータをサイン・オフする。
【００８１】
（ト）ステップＳ４８において、顧客からマスクが発注され、顧客端末１３０からマスク作製の依頼が取得手段１１により取得された場合、工場依頼手段１４は、提供用情報記憶装置４ｄに格納された描画用のマスクデータを、例えばマスクメーカ（Ｃ社）側の工場端末１４０ｃに伝達するとともに、超解像マスク作製を依頼する。
【００８２】
（チ）ステップＳ４９において、マスクメーカにおいて、工場依頼手段１４から伝達されたマスクデータに基づいて、超解像マスクが作製され、顧客に納品される。
【００８３】
以上説明したように、第４の実施の形態に係る情報提供サーバ１１０ｄによれば、顧客条件に基づいて、蓄積情報記憶装置３ｄに格納された蓄積情報を読み出して、マスクデータを迅速に作成できる。更に、マスクの再販や、デザインルールとプロセスが同等である一連の設計に関して超解像マスクデータ処理を請け負うことができるため、コストを節約でき、且つ超解像マスクデータ処理を行うツールの稼働率をあげ償却を進めることができる。
【００８４】
また、同等の超解像処理を行う複数のツールを比較すると、ツールごとに、具備する機能が異なるうえ、出力データのデータ構造やデータサイズ、データの階層構造、含まれる微小図形等が異なり、後続の処理に影響を及ぼす。このため、処理を行うためのツールについて複数の候補がある場合、ツールを評価し、特性に関するノウ・ハウの蓄積し、適切な選択を行うことが重要である。これら一連の評価・選択を行う技術者についても、物理モデルや処理内容、前後のデータ処理フローについて高度な知識が求められる。情報提供サーバ１１０ｄによれば、データ処理内容を考慮して適切なツールを選択してマスクデータの作成を行うので、高度な知識を有する技術者の育成に多大な時間及びコストが不要となる。
【００８５】
（その他の実施の形態）
本発明は、実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００８６】
例えば、本発明のその他の実施の形態に係る情報提供サーバ１１０ｘは、図２０に示すように、ＣＰＵ１ｘ、蓄積情報記憶装置３ｘ、顧客条件記憶装置２ｘ、及び提供用情報記憶装置４ｘを備える。ＣＰＵ１ｘは、取得手段１１、超解像処理フロー作成手段１２ａ、テストマスクデータ作成手段１２ｂ、超解像モデル作成手段１２ｃ、及びマスクデータ作成手段１２ｄ、提供手段１３、工場依頼手段１４、顧客依頼手段１５、モデル調整手段１６、モデル判定手段１７、設計データ検証手段１８、及びマスクデータ検証手段１９を備える。
【００８７】
蓄積情報記憶装置３ｘは、超解像処理情報記憶部３１、マスクメーカ情報記憶部３２、ツール情報記憶部３３、装置情報記憶部３４、及び処理部分フロー記憶部３５、テストマスク設計情報記憶部３６、超解像モデル記憶部３７、及びマスク処理ルール記憶部３７を備える。顧客条件記憶装置２ｘは、取得手段１１により取得される顧客条件を格納する。また、提供用情報記憶装置４ｘは、超解像処理フロー作成手段１２ａ、テストマスクデータ作成手段１２ｂ、超解像モデル作成手段１２ｃ、及びマスクデータ作成手段１２ｄにより作成される超解像処理フロー、テストマスクデータ、超解像モデル、及びマスクデータ等の提供用情報を格納する。
【００８８】
即ち、図２０に示した情報提供サーバ１１０ｘは、第１〜第４の実施の形態に係る情報提供サーバ１１０ａ〜１１０ｄの機能を併せ持つ。したがって、図１１、図１５、図１７及び図１９にそれぞれ示したステップＳ１１〜Ｓ１３、Ｓ２１〜Ｓ２５、Ｓ３１〜Ｓ３７、Ｓ４１〜Ｓ４９の手順を一連したフローとみなして処理することができる。
【００８９】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論であり、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る情報提供サーバのブロック図（その１）である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る情報提供サーバのブロック図（その２）である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る超解像処理情報記憶部のブロック図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るマスクメーカ情報記憶部のブロック図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係るツール情報記憶部のブロック図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る装置情報記憶部のブロック図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る超解像処理フローのデータ構造の一例を示す概略図（その１）である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る超解像処理見積のデータ構造の一例を示す概略図（その１）である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る超解像処理フローのデータ構造の一例を示す概略図（その２）である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る超解像処理見積のデータ構造の一例を示す概略図（その２）である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る情報提供方法のフローチャートである。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る情報提供サーバのブロック図（その１）である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態に係る情報提供サーバのブロック図（その２）である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態に係るテストマスク設計情報記憶部のブロック図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態に係る情報提供方法のフローチャートである。
【図１６】本発明の第３の実施の形態に係る情報提供サーバのブロック図である。
【図１７】本発明の第３の実施の形態に係る情報提供方法のフローチャートである。
【図１８】本発明の第４の実施の形態に係る情報提供サーバのブロック図である。
【図１９】本発明の第４の実施の形態に係る情報提供方法のフローチャートである。
【図２０】本発明のその他の実施の形態に係る情報提供サーバのブロック図である。
【符号の説明】
【００９１】
１ａ〜１ｄ，１ｘ…ＣＰＵ
２ａ〜２ｄ，２ｘ…顧客条件記憶装置
３ａ〜３ｄ，３ｘ…蓄積情報記憶装置
４ａ〜４ｄ，４ｘ…提供用情報記憶装置
５…通信制御装置
６…入力装置
７…出力装置
８…主記憶装置
９…補助記憶装置
１０…プログラム記憶装置
１１…取得手段
１２ａ…超解像処理フロー作成手段（作成手段）
１２ｂ…テストマスクデータ作成手段（作成手段）
１２ｃ…超解像モデル作成手段（作成手段）
１２ｄ…マスクデータ作成手段（作成手段）
１３…提供手段
１４…工場依頼手段
１５…顧客依頼手段
１６…モデル調整手段
１７…モデル判定手段
１８…設計データ検証手段
１９…マスクデータ検証手段
３１…超解像処理情報記憶部
３２…マスクメーカ情報記憶部
３３…ツール情報記憶部
３４…装置情報記憶部
３５…処理部分フロー記憶部
３６…テストマスク設計情報記憶部
３７…マスク処理ルール記憶部
３７…超解像モデル記憶部
３８…マスク処理ルール記憶部
１１０ａ〜１１０ｄ，１１０ｘ…情報提供サーバ
１２０…通信ネットワーク
１３０…顧客端末
１４０ａ〜１４０ｃ…工場端末
【図１】
2005108091.tif 000003
【図２】
2005108091.tif 000004
【図３】
2005108091.tif 000005
【図４】
2005108091.tif 000006
【図５】
2005108091.tif 000007
【図６】
2005108091.tif 000008
【図７】
2005108091.tif 000009
【図８】
2005108091.tif 000010
【図９】
2005108091.tif 000011
【図１０】
2005108091.tif 000012
【図１１】
2005108091.tif 000013
【図１２】
2005108091.tif 000014
【図１３】
2005108091.tif 000015
【図１４】
2005108091.tif 000016
【図１５】
2005108091.tif 000017
【図１６】
2005108091.tif 000018
【図１７】
2005108091.tif 000019
【図１８】
2005108091.tif 000020
【図１９】
2005108091.tif 000021
【図２０】
2005108091.tif 000022