(57)【要約】【課題】抵抗体が内蔵される配線基板において、トリミング前の抵抗値精度の高い抵抗体を配線基板内に内蔵する事が可能であり、抵抗体を含むループ状となる回路でもトリミング可能な抵抗体内蔵配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】複数の絶縁層と配線層を有し、以下の工程を含む抵抗体を内蔵する配線基板の製造方法。（ａ）絶縁層１０表面に抵抗体２０を形成する工程、（ｂ）前記抵抗体上に絶縁性樹脂１０’を積層する工程、（ｃ）前記抵抗体の導通をとるためのビア６０を形成する工程、（ｄ）前記絶縁性樹脂上に配線層２１を形成し、該配線層と前記抵抗体の導通をとる工程、（ｅ）前記配線層の表面粗化処理を行う工程、【選択図】図１
2005158988.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層と配線層を有し、少なくとも抵抗素子を内蔵する配線基板の製造方法において、少なくとも以下の工程を含むことを特徴とする抵抗体内蔵配線基板の製造方法。
（ａ）絶縁層表面に抵抗体を形成する工程、
（ｂ）前記抵抗体上に絶縁性樹脂を積層する工程、
（ｃ）前記抵抗体の導通をとるためのビアを形成する工程、
（ｄ）前記絶縁性樹脂上に配線層を形成し、該配線層と前記抵抗体の導通をとる工程、
（ｅ）前記配線層の表面粗化処理を行う工程、
【請求項２】
前記（ｂ）前記抵抗体上に絶縁性樹脂を積層する工程の前に、
（ｂ０）前記抵抗体の抵抗値を調節する工程、
を含むことを特徴とする請求項１記載の抵抗体内蔵配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記（ａ）絶縁層表面に抵抗体を形成する工程は、
（ａ１）絶縁層表面に少なくとも薄膜抵抗金属層及び薄膜金属層を形成する工程、
（ａ２）該薄膜金属層上にフォトレジストを積層し、パターニング処理を行い、所望の形状となるレジストパターンを該薄膜金属層上に形成する工程、
（ａ３）前記レジストパターンで保護された部位以外の薄膜抵抗金属層及び薄膜金属層を除去する工程、
（ａ４）残留した前記レジストパターンを除去し、再びフォトレジストを積層し、パターニング処理を行い、前記薄膜金属層の一部が露出したレジストパターンを該薄膜金属層上に形成する工程、
（ａ５）前記レジストパターンで保護された部位以外の薄膜金属層のみを除去し、残留した前記レジストパターンを取り除いて抵抗体を形成する工程、
であることを特徴とする請求項１または２記載の抵抗体内蔵配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記薄膜抵抗金属層は、めっきによって形成されている層であることを特徴とする請求項３記載の抵抗体内蔵配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ａ１）における薄膜金属層の形成が、可とう性基材上に積層された薄膜金属層及び薄膜抵抗金属層を前記絶縁層上に転写し、該可とう性基材を取り除く工程、により形成することを特徴とする請求項３記載の抵抗体内蔵配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器の配線基板に係わり、さらに詳しくは抵抗素子が内蔵された配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の抵抗体内蔵配線基板の製造方法について以下に説明する。
【０００３】
従来の抵抗体内蔵配線基板の製造方法としては、図３（ａ）〜（ｆ）に示すように、配線基板の積層工程における途中工程において、絶縁層１０にビア６０を設け（図３（ａ）参照）、無電解めっき法により、抵抗体２０となる薄膜抵抗金属層３０、例えば、ニッケルーリン系薄膜を０．５μｍ程度設け、続いて、配線層２１の一部となる薄膜金属層４０、例えば、銅薄膜を０．５μｍ程度形成する（図３（ｂ）参照）。
【０００４】
次いで、電解めっき法により、厚膜金属層７０、例えば、銅を１５μｍ程度設ける。銅表面にフォトレジストを設け、パターニング処理を行い、所望の配線層２１を形成するためのレジストパターン（図示せず）を形成する。次いで、（Ｄ）にて示す、レジストパターンが形成されていない部分の薄膜抵抗金属層（ニッケルーリン系薄膜）３０、薄膜金属層（銅薄膜）４０、及び厚膜金属層７０を、例えば、塩化第２銅液等にて同時に除去し、次いで、レジストパターンを剥離する（図３（ｃ）参照）。
【０００５】
更に、フォトレジストを設け、パターニング処理を行い、所望の抵抗体２０を得るべくレジストパターン５１を形成する。抵抗体２０となる部分の薄膜金属層（銅薄膜）４０及び厚膜金属層７０を、例えば、銅のみを選択的にエッチングすることが可能なアルカリアンモニア系や過酸化水素硫酸系溶液で、エッチング除去し（図３（ｄ）参照）、レジストパターン５１を剥離することで、抵抗体２０を形成する（図３（ｅ）、（ｆ）参照）といった方法である（特許文献１参照）。尚、図３（ｅ）は、図３（ｆ）のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【０００６】
また、別の製造方法としては、図３（ａ）、（ｂ）及び図４（ａ）〜（ｅ）に示すように、配線基板の積層工程における途中工程において、絶縁層１０にビア６０を設け（図３（ａ）参照）、例えば、スパッタ法により、抵抗体２０となる薄膜抵抗金属層３０、例えば、ニッケルーリン系薄膜を０．１μｍ程度設け、続いて、薄膜金属層（銅薄膜）４０を０．１μｍ程度形成する（図３（ｂ）参照）。
【０００７】
次いで、薄膜金属層（銅薄膜）４０表面にフォトレジストを設け、パターニング処理を行い、レジストパターン（図示せず）を形成し、所望の配線層２１となる形状に薄膜金属層（銅薄膜）４０を露出させる。次いで、電解めっき法により、露出した薄膜金属層（銅薄膜）４０上に、例えば、銅を１５μｍ程度析出させる。次いで、レジストパターンを剥離する（図４（ａ）参照）。
【０００８】
アルカリアンモニア系や過酸化水素硫酸系溶液で薄膜金属層（銅薄膜）４０及び銅表面をソフトエッチング除去し、薄膜抵抗金属層（ニッケルーリン系薄膜）３０を露出させ、配線層２１を形成する（図４（ｂ）参照）。
【０００９】
次いで、薄膜抵抗金属層（ニッケルーリン系薄膜）３０及び配線層２１表面にフォトレジストを設け、パターニング処理を行い、所望の抵抗体２０となるレジストパターン５３を形成する（図４（ｃ）参照）。
【００１０】
次いで、例えば、塩化第２銅液等にて、露出した薄膜抵抗金属層（ニッケルーリン系薄膜）３０及び配線層２１表面を同時にソフトエッチングする。次いで、レジストパターン５３を剥離することで、抵抗体２０を形成する（図４（ｄ）参照）といった方法である（特許文献２参照）。尚、図４（ｄ）は、図４（ｅ）のＣ−Ｃ’線での断面図である。
【００１１】
上記のような抵抗体内蔵配線基板の製造方法では、配線金属である銅と抵抗体となる薄膜金属であるニッケルーリン系薄膜のエッチングレート（エッチングのされ易さ）が異なり、（Ｅ）で示すように、配線の外側にニッケルーリン系薄膜が露出してしまい（図３（ｆ）、図４（ｅ）参照）、配線としての電気的特性を悪くするといった問題があった。
【００１２】
また、絶縁層にビア形成を行った後、ニッケルーリン系薄膜、銅薄膜及び厚付け銅を設け、配線を形成するため、ビア内に銅とは異種金属であるニッケルーリン系薄膜の接続点が残存するため、反射ノイズ等の原因となり、電気的特性を悪くするといった問題があった（図３（ｅ）、図４（ｄ）参照）。また、両者とも配線が形成された後に抵抗体が形成されるため、抵抗体のトリミング時に配線が影響してしまい、正確な抵抗値が得られず、また、抵抗体を含むループ状の回路が存在した場合、トリミングが全く不可能になってしまうといった問題があった。
【００１３】
更に、前者の製造方法では、抵抗体の形状は、膜厚の厚い配線のエッチング状態に大きく依存されるので、抵抗精度が悪く、所望の抵抗値よりも高い値の抵抗体もあり、トリミングでの調整が全く不可能になるといった問題があった（図３（ｆ）参照）。
【００１４】
また、後者の製造方法では、抵抗体を形成する際、配線上部とニッケルーリン系薄膜とに段差のある表面上でパターニング処理を行うので、露光現像不良が発生し、所望する抵抗体形状を得ることが不可能になるといった問題があった（図４（ｃ）、（ｅ）参照）。
【特許文献１】特開２００３−２００５２３号公報
【特許文献２】特開２００１−１５９２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、上記問題点に鑑み考案されたものであり、その課題とするところは、抵抗体が内蔵される配線基板において、トリミング前の抵抗値精度の高い抵抗体を配線基板内に内蔵する事が可能であり、抵抗体を含むループ状となる回路でもトリミング可能な抵抗体内蔵配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、複数の絶縁層と配線層を有し、少なくとも抵抗素子を内蔵する配線基板の製造方法において、少なくとも以下の工程を含むことを特徴とする抵抗体内蔵配線基板の製造方法である。
（ａ）絶縁層表面に抵抗体を形成する工程、
（ｂ）前記抵抗体上に絶縁性樹脂を積層する工程、
（ｃ）前記抵抗体の導通をとるためのビアを形成する工程、
（ｄ）前記絶縁性樹脂上に配線層を形成し、該配線層と前記抵抗体の導通をとる工程、
（ｅ）前記配線層の表面粗化処理を行う工程、
また、本発明は、上記発明による抵抗体内蔵配線基板の製造方法において、前記（ｂ）前記抵抗体上に絶縁性樹脂を積層する工程の前に、（ｂ０）前記抵抗体の抵抗値を調節する工程、を含むことを特徴とする抵抗体内蔵配線基板の製造方法である。
【００１７】
また、本発明は、上記発明による抵抗体内蔵配線基板の製造方法において、前記（ａ）
絶縁層表面に抵抗体を形成する工程は、
（ａ１）絶縁層表面に少なくとも薄膜抵抗金属層及び薄膜金属層を形成する工程、
（ａ２）該薄膜金属層上にフォトレジストを積層し、パターニング処理を行い、所望の形状となるレジストパターンを該薄膜金属層上に形成する工程、
（ａ３）前記レジストパターンで保護された部位以外の薄膜抵抗金属層及び薄膜金属層を除去する工程、
（ａ４）残留した前記レジストパターンを除去し、再びフォトレジストを積層し、パターニング処理を行い、前記薄膜金属層の一部が露出したレジストパターンを該薄膜金属層上に形成する工程、
（ａ５）前記レジストパターンで保護された部位以外の薄膜金属層のみを除去し、残留した前記レジストパターンを取り除いて抵抗体を形成する工程、
であることを特徴とする抵抗体内蔵配線基板の製造方法である。
【００１８】
また、本発明は、上記発明による抵抗体内蔵配線基板の製造方法において、前記工程（ａ１）における薄膜金属層の形成が、可とう性基材上に積層された薄膜金属層及び薄膜抵抗金属層を前記絶縁層上に転写し、該可とう性基材を取り除く工程、により形成することを特徴とする抵抗体内蔵配線基板の製造方法である。
【００１９】
また、本発明は、上記発明による抵抗体内蔵配線基板の製造方法において、前記工程（ａ１）が、（ａ１’）可とう性基材上に積層された薄膜金属層及び薄膜抵抗金属層を前記絶縁層上に転写し、該可とう性基材を取り除く工程、であることを特徴とする抵抗体内蔵配線基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の抵抗体内蔵配線基板の製造方法によると、抵抗体となる薄膜抵抗金属層と配線層の一部となる薄膜金属層を同時にエッチングする際、両薄膜金属のエッチングレートが異なっていても層厚が充分に薄いので、抵抗体となる薄膜抵抗金属層が露出する量は少なく、所望の抵抗体形状（所望の抵抗値）を得ることができる。
【００２１】
また、ビア内に、例えば、銅とは異種金属であるニッケルーリン系薄膜等の接続点がないため、反射ノイズ等が発生することがなく、従来よりも電気的特性が良くなる。また、配線形成前に抵抗体を形成するので、余分な配線がないため、トリミング後、所望とする正確な抵抗値を持った抵抗体が得られる。また更には、抵抗体を含むループ状となる回路でもトリミング可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下本発明を実施するための最良の形態につき説明する。
【００２３】
図１（ａ）〜（ｆ）及び図２（ａ）〜（ｆ）は、本発明の抵抗体内蔵配線基板の製造方法の一実施例を模式的に示す断面図及び平面図である。
【００２４】
配線基板の積層工程における途中工程において、絶縁層１０上に無電解めっき法により、抵抗体２０となる薄膜抵抗金属層３０、例えば、ニッケルーリン系薄膜を０．５μｍ程度設け、続いて、配線層２１の一部となる薄膜金属層４０、例えば、銅薄膜を３μｍ程度形成する（図１（ａ）参照）。
【００２５】
ここで、連続的に薄膜を形成する理由としては、電解銅めっきの密着性向上、後工程におけるニッケルーリン系薄膜の保護等のためであり、またニッケルーリン系薄膜表面を酸化させすぎると銅薄膜との密着性が悪くなるのを防ぐためである。
【００２６】
次いで、薄膜金属層（銅薄膜）４０表面を粗面化した上に、フォトレジストを設け、パターニング処理を行い、所望の抵抗体２０及び電極２２を形状するレジストパターン５２を形成する。次いで、レジストパターン５２以外の部分の抵抗体２０となる薄膜抵抗金属層（ニッケルーリン系薄膜）３０及び薄膜金属層（銅薄膜）４０を、例えば、塩化第２銅溶液を用い、同時にエッチング除去する（図１（ｂ）参照）。
【００２７】
次いで、レジストパターン５２を剥離し、再び、配線基板表面にフォトレジストを設け、パターニング処理を行い、所望の抵抗体２０形状となるようにレジストパターン５４を形成する（図１（ｃ）参照）。
【００２８】
次いで、例えば、銅のみを選択的にエッチングすることが可能なアルカリアンモニア系や過酸化水素硫酸系溶液を用いエッチングを行い、続いてレジストパターン５４を剥離しすることで、抵抗体２０及び電極２２を形成する（図１（ｄ）参照）。尚、図１（ｄ）は、図１（ｅ）のＡ−Ａ’線での断面図である。
【００２９】
次いで、専用のトリミング装置にて抵抗体２０にトリミングを行い、絶縁性樹脂１０’、例えば、膜厚５μｍ程度のエポキシ系樹脂フィルムを配線基板上にラミネートする（図１（ｆ）参照）。
【００３０】
尚、図２（ｅ）、（ｆ）に示すように、例えば、スクリーン印刷法等にて、部分的に絶縁性樹脂１０’を形成しても良い。ここで、図２（ｆ）の場合は後工程である電極２２上のビア６０加工は不要となる。
【００３１】
次いで、絶縁性樹脂１０’の所望位置及び抵抗体２０の電極２２上にビア６０を設ける（図２（ａ）参照）。次いで、もう一度、配線層２１となる薄膜金属層４０、例えば、無電解めっき法により、銅薄膜を０．５μｍ程度形成する。次いで、電解めっき法により、厚膜金属層７０、例えば、銅を厚さ１５μｍ程度設ける（図２（ｂ）参照）。
【００３２】
次いで、銅表面にフォトレジストを設け、パターニング処理を行い、所望の配線層２１となるレジストパターン（図示せず）を形成する。次いで、例えば、塩化第２銅液等を用い、エッチングを行い、レジストパターンを剥離する（図２（ｃ）参照）。次いで、配線層２１表面を粗面化し、配線層２１上に絶縁層を形成し、残された一連の配線基板の製造工程を終了させるといった方法である。
【００３３】
ここで、図１（ａ）において、絶縁層１０表面に抵抗体２０となる薄膜抵抗金属層３０及び配線層２１の一部となる薄膜金属層４０を形成する工程に代わり、キャリヤフィルム８０上に配線層２１の一部となる薄膜金属層４０及び抵抗体２０となる薄膜抵抗金属層３０が形成された部材９０（図２（ｄ）参照）を用い、絶縁層１０上に抵抗体２０となる薄膜抵抗金属層３０及び配線層２１の一部となる薄膜金属層４０を転写させる方法もある。
【００３４】
この場合、直接、絶縁層１０に抵抗体２０となる薄膜抵抗金属層３０の膜表面の粗面状態よりも平滑となり、また、基板外で作製するので、最終的に得られる抵抗体の精度は向上する。また、配線の形成方法は、セミアディティブ工法等でも良く、特に限定されない。
【実施例１】
【００３５】
以下に本発明の実施例を具体的に説明する。
【００３６】
以下、図１（ａ）から図２（ｄ）に従って実施例１により本発明を詳細に説明する。  両面に所定の回路パターンが形成されたガラス不織布にエポキシ樹脂を含浸させた銅張り
樹脂基板（図示せず）を用い、所定のビルドアップ工程における途中工程において絶縁層（エポキシ系樹脂）１０上に専用の処理液（硫酸ニッケル六水和物、次亜リン酸ナトリウム、錯化剤（クエン酸ナトリウム）等から成るめっき液）を用い、無電解めっきを行うことで、ニッケルーリン系薄膜を０．５μｍ程度設け、続いて、銅薄膜を３μｍ程度形成し、銅薄膜表面を粗化した（図１（ａ）参照）。
【００３７】
次いで、銅薄膜表面に厚さ１０μｍのドライフィルムフォトレジストをラミネートし、露光現像を行い、所望の抵抗体２０及び電極２２を形成するレジストパターン５２を形成した。
【００３８】
次に、塩化第２銅溶液を用い、露出している銅薄膜及び銅薄膜の下層にあるニッケルーリン系薄膜を同時にエッチングし（図１（ｂ）参照）、専用の剥離液を用い、レジストパターン５２を剥離した。
【００３９】
次いで、再び、配線基板表面にフォトレジストを設け、パターニング処理を行い、所望の抵抗体２０を形成するようにレジストパターン５４を形成した（図１（ｃ）参照）。
【００４０】
次いで、銅のみを選択的にエッチングすることが可能なアルカリアンモニア系や過酸化水素硫酸系溶液を用い、エッチングを行い、レジストパターン５４を剥離しすることで、抵抗体２０及び電極２２を形成した（図１（ｄ）参照）。
【００４１】
次いで、専用のトリミング装置にて抵抗体２０にトリミングを行い、絶縁性樹脂１０’として、膜厚５μｍ程度のエポキシ系樹脂フィルムを配線基板上にラミネートした（図１（ｆ）参照）。
【００４２】
次に、ＵＶＹＡＧレーザーを用い、絶縁性樹脂１０’の所望位置及び抵抗体２０の電極２２上にビア６０を形成し（図２（ａ）参照）、無電解めっき法にて、銅薄膜を０．５μｍ程度形成し、続いて、電解めっき法にて、銅を１５μｍ程度厚付けした（図２（ｂ）参照）。
【００４３】
次いで、銅表面に厚さ１０μｍのドライフィルムフォトレジストをラミネートし、露光現像を行い、所望の配線層２１となるレジストパターンを形成した。
【００４４】
次いで、塩化第２銅溶液を用い、エッチングを行い、レジストパターンを専用の剥離液で剥離し、配線層２１を形成し、配線層２１表面を粗化した（図１（ｉ）参照）。
【００４５】
次いで、絶縁層として、５０μｍ厚のエポキシ系の半硬化性絶縁樹脂シートを加熱加圧ラミネートし、残された一連の配線基板の製造工程を終了させる事により、本発明の製造方法による抵抗体内蔵配線基板を作製した。尚、本実施例では、抵抗体を形成した配線基板の製造方法を説明したが、インダクタやキャパシタ素子等を一緒に内蔵させることも可能であり、それらの組み合わせを限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の抵抗体内蔵配線基板の製造方法の一実施例を模式的に示す断面図及び平面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の抵抗体内蔵配線基板の製造方法の一実施例を模式的に示す断面図及び平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、従来の抵抗体内蔵配線基板の製造方法の一例を模式的に示す断面図及び平面図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、従来の抵抗体内蔵配線基板の製造方法の他の例を模式的に示す断面図及び平面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０・・・・・絶縁層
１０’・・・・絶縁性樹脂
２０・・・・・抵抗体
２１・・・・・配線層
２１’・・・・既存の配線層
２２・・・・・電極
３０・・・・・抵抗体となる薄膜抵抗金属層（ニッケルーリン系薄膜）
４０・・・・・配線の一部となる薄膜金属層（銅薄膜）
５１、５２、５３、５４・・レジストパターン
６０・・・・・ビア
７０・・・・・厚膜金属層
８０・・・・・キャリヤフィルム
９０・・・・・部材
【図１】
2005158988.tif 000003
【図２】
2005158988.tif 000004
【図３】
2005158988.tif 000005
【図４】
2005158988.tif 000006