(57)【要約】【課題】本発明は、従来透明タッチパネルに要求されていた筆記耐久性を向上させ、透明タッチパネル端部領域での筆記耐久性（端押し耐久性）を向上させた透明タッチパネルを提供することを目的としたものである。【解決手段】硬さの異なり、厚さが特定の範囲にある２種類の硬化樹脂層を透明有機高分子基板と透明導電膜層の間に積層させる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明有機高分子基板の少なくとも一方の面上に硬さの異なる硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２が順次積層され、該硬化樹脂層−２上に透明導電層が積層された透明導電性積層体であって、該硬化樹脂層−１の膜厚ｄ１と該硬化樹脂層−２の膜厚ｄ２が０．２≦ｄ２／ｄ１≦３．０の関係にあり、かつ膜厚が１μｍ≦ｄ１≦１０μｍ、１μｍ≦ｄ２≦１０μｍであり、押し込み硬さ試験機（ナノインデンテーションテスター・設定押し込み深さ：０．５μｍ）で測定したとき、ＤＨ２＞ＤＨ０＞ＤＨ１かつＤＨ２＞ＤＨ３＞ＤＨ１の関係を満たし、更にＤＨ３が９．８×１０７Ｐａ≦ＤＨ３≦３．９×１０８Ｐａ（１０ｋｇｆ／ｍｍ２≦ＤＨ３≦４０ｋｇｆ／ｍｍ２）の範囲にあることを特徴とする透明導電性積層体。（ただし、透明有機高分子基板の硬さをＤＨ０、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層−１を形成して測定したときの硬さをＤＨ１、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層−２を形成して測定したときの硬さをＤＨ２、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層−１、硬化樹脂層−２が順次積層されたときの硬さをＤＨ３とする）
【請求項２】
該硬化樹脂層−２と透明導電層の間に、透明導電層と接して、かつ膜厚が透明導電層より薄く、更に膜厚が０．５ｎｍ以上１０．０ｎｍ未満である金属化合物層を有する、請求項１記載の透明導電性積層体。
【請求項３】
該硬化樹脂層−１を透明有機高分子基板上に単独で形成した場合の硬さＤＨ１が９．８×１０６Ｐａ≦ＤＨ１≦１．５×１０８Ｐａ（１ｋｇｆ／ｍｍ２≦ＤＨ１≦１５ｋｇｆ／ｍｍ２）、また該硬化樹脂層−２を透明有機高分子基板上に単独で形成した場合の硬さＤＨ２が２．５×１０８Ｐａ≦ＤＨ２≦４．９×１０８Ｐａ（２５ｋｇｆ／ｍｍ２≦ＤＨ２≦５０ｋｇｆ／ｍｍ２）である、請求項１または２記載の透明導電性積層体。
【請求項４】
硬化樹脂層−１が（Ａ）ウレタンアクリレートをモノマーとする硬化樹脂及び（Ｂ）合成ゴムからなる群から選ばれる少なくとも１種を１０重量％以上含有する、請求項１〜３のいずれかに記載の透明導電性積層体。
【請求項５】
硬化樹脂層−２と透明導電層の間に屈折率が１．２０〜１．５５で且つ膜厚が０．０５〜０．５μｍの硬化樹脂層−３を有する、請求項１〜４のいずれかに記載の透明導電性積層体。
【請求項６】
該硬化樹脂層−３は、平均１次粒子径が該硬化樹脂層−３の膜厚の１．１倍以上でかつ平均１次粒子径が１．２μｍ以下の大きさの微粒子Ｂを含有し、該微粒子Ｂの含有量は硬化樹脂層−３を形成する硬化樹脂成分の０．５重量％以下である、請求項１〜５のいずれかに記載の透明導電性積層体。
【請求項７】
硬化樹脂層‐２と透明導電層の間に少なくとも１層の低屈折率層と少なくとも１層の高屈折率層からなる光学干渉層を有し、かつ低屈折率層が金属化合物層または透明導電層と接する、請求項１〜４のいずれかに記載の透明導電性積層体。
【請求項８】
該高屈折率層と該低屈折率層の少なくとも一方に、平均１次粒子径が光学干渉層の膜厚の１．１倍以上でかつ平均１次粒子径が１．２μｍ以下の微粒子Ｂを含有し、かつ該微粒子Ｂの含有量は該微粒子Ｂを含有する高屈折率層及び／又は低屈折率層を形成する硬化樹脂成分の０．５重量％以下である、請求項１、２、３、４または７に記載の透明導電性積層体。
【請求項９】
透明導電層が酸化インジウムを主成分とした結晶質の膜であり、かつ透明導電層の膜厚が５〜５０ｎｍである、請求項１〜８のいずれかに記載の透明導電性積層体。
【請求項１０】
少なくとも片面に透明導電層が設けられた２枚の透明電極基板が互いの透明導電層同士が向き合うように配置されて構成された透明タッチパネルにおいて、少なくとも一方の透明電極基板として請求項１〜９のいずれかに記載の透明導電性積層体を用いたことを特徴とする透明タッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明有機高分子基板上に透明導電層を有する透明導電性積層体及び該透明導電性積層体を用いた透明タッチパネルに関する。さらに詳しくは、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層−１、硬化樹脂層−２、透明導電層が順次に積層された、透明タッチパネル用として好適な透明導電性積層体及び該透明導電性積層体を用いた透明タッチパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報表示端末と情報入力用の透明タッチパネルを搭載した携帯型情報端末が広く普及し始めた。透明タッチパネルとして多く用いられる抵抗膜方式の透明タッチパネルは、透明導電層が形成された２枚の透明電極基板がおよそ１０μｍ〜１００μｍの間隔で相対させて構成されており、外力を加える部分のみで互いの透明導電層表面同士が接触してスイッチとして動作するものであり、例えば表示画面上のメニュー選択、図形・文字入力等を行うことができる。
【０００３】
液晶表示体などで狭額縁化が進み、これと同様に透明タッチパネルにも狭額縁化が進んできた。この狭額縁化に伴い従来透明タッチパネルに要求されていた筆記耐久性以外に、透明タッチパネル端部での筆記耐久性（端押し耐久性）が要求される傾向が強くなった。
【０００４】
透明タッチパネルに要求される筆記耐久性を改善するために、特許文献１、特許文献２、特許文献３では、２枚の透明フィルム基材を硬さ（またはヤング率）を規定した粘着剤または透明樹脂層を介して積層した透明導電性積層体が提案されている。いずれの方法でも筆記耐久性を改善することは知られているが２枚の透明フィルム基材を粘着剤または透明樹脂層を介して積層させるため生産工程が複雑となり生産効率が悪く、更に１０インチを超える大型透明タッチパネルを作製すると２枚の透明フィルム基材を積層した構成のため剛性が弱く透明導電性積層体が撓む問題がある。
【０００５】
また特許文献４では透明導電層下に硬さ（ダイナミック硬度が０．００５〜２）を規定したクッション層を設けることも提案されているが、上記硬さの範囲では結晶質の透明導電層を得るための加熱処理時に、該クッション層は透明導電層の結晶化に伴う体積変化を支持することが出来ず、透明導電性積層体のヘーズが上昇し、透明導電性積層体に白化または干渉模様が観察されるようになる問題がある。
【０００６】
また透明プラスチックフィルム基材上に、硬化型樹脂を主たる構成成分とする硬化物層、及び透明導電層を順次積層した透明導電性フィルムにおいて透明導電層面の硬度を０．４〜０．８ＧＰａと規定している特許文献５では、特に硬化型樹脂成分の指定はなく透明導電層面の硬度を規定するだけでは、端押し耐久性試験後に硬化物層にクラックが発生し透明タッチパネルの電気特性が劣化してしまう問題がある。更に特許文献６では高分子フィルム／応力緩和層／透明導電層を順次積層させ、応力緩和層の膜厚が１０〜５０μｍでビッカーズ硬さが３８〜２４０Ｎ／ｍｍ２としているが、外部からの応力を緩和する応力緩和層の硬度によっては、透明導電層の結晶化に伴う体積変化を支持することが出来ず透明導電層面に細かいしわが入り干渉模様が観察されるようになり、透明導電性フィルムのヘーズが上昇する問題もある。更に特許文献７のようにプラスチック基材層と導電層との間に硬化皮膜層を有するプラスチック積層体において、導電膜の硬度を１ＧＰａ以上とした場合、端押し耐久性試験時に硬化皮膜層にクラックが入り透明タッチパネルの電気特性（リニアリティー）が劣化する問題がある。
【０００７】
【特許文献１】特開平２−６６８０９号公報
【特許文献２】特開平２−１２９８０８号公報
【特許文献３】特開平８−１９２４９２号公報
【特許文献４】特開平１１−３４２０６号公報
【特許文献５】特開２００２−１６３９３２号公報
【特許文献６】特開２００４−１５８２５３号公報
【特許文献７】特開平１１−２８６０６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、従来透明タッチパネルに要求されていた筆記耐久性、特に透明タッチパネル端部領域での筆記耐久性（端押し耐久性）を向上させた透明タッチパネルを得るための透明導電性積層体を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前述のように透明有機高分子基板と透明導電層の間に柔らかい層例えば、硬さが１．５×１０８Ｐａ（１５ｋｇｆ／ｍｍ２）未満の層を導入した場合、該柔らかい層は透明導電層の結晶化に伴う体積変化を支持することが出来ず透明導電性積層体のヘーズが上昇し、透明導電性積層体に白化または干渉模様が観察されるようになる。一方、硬い層（（例えば、硬さが３．９×１０８Ｐａ（４０ｋｇｆ／ｍｍ２）を超える層）を導入した場合、端押し耐久性試験時に透明有機高分子基板と透明導電層間の硬い層にクラックが生じ透明タッチパネルの電気特性を確保することが出来なくなる。
【００１０】
そこで本発明者らは、透明タッチパネルに要求される筆記耐久性もさることながら、端押し耐久性も向上させる方法として、硬さの異なる２種類の硬化樹脂層を透明有機高分子基板と透明導電層の間に積層させることにより、透明タッチパネルに要求される筆記耐久性とともに端押し耐久性も向上することを見出した。
【００１１】
更に透明有機高分子基板と透明導電層の間に積層させる２種類の硬化樹脂層の硬さと膜厚を制御することにより、透明導電層の結晶化に伴う体積変化を支持でき透明導電性積層体のヘーズ変化はなく、かつ端押し耐久性試験時に硬化樹脂層にクラックが入ることなく透明タッチパネの電気特性を確保できるという知見も得た。
【００１２】
本発明により透明タッチパネルに要求される筆記耐久性だけでなく、端押し耐久性についても高信頼性を確保できる透明導電性積層体及び透明タッチパネルを提供することが可能となった。
【００１３】
すなわち本発明は、以下の通りである。
第１の発明は、透明有機高分子基板の少なくとも一方の面上に硬さの異なる硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２が順次積層され、該硬化樹脂層−２上に透明導電層が積層された透明導電性積層体であって、該硬化樹脂層−１の膜厚ｄ１と該硬化樹脂層−２の膜厚ｄ２が０．２≦ｄ２／ｄ１≦３．０の関係にあり、かつ膜厚が１μｍ≦ｄ１≦１０μｍ、１μｍ≦ｄ２≦１０μｍであり、押し込み硬さ試験機（ナノインデンテーションテスター・設定押し込み深さ：０．５μｍ）で測定したとき、ＤＨ２＞ＤＨ０＞ＤＨ１かつＤＨ２＞ＤＨ３＞ＤＨ１の関係を満たし、更にＤＨ３が９．８×１０７Ｐａ≦ＤＨ３≦３．９×１０８Ｐａ（１０ｋｇｆ／ｍｍ２≦ＤＨ３≦４０ｋｇｆ／ｍｍ２）の範囲にあることを特徴とする透明導電性積層体（ただし、透明有機高分子基板の硬さをＤＨ０、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層−１を形成して測定したときの硬さをＤＨ１、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層−２を形成して測定したときの硬さをＤＨ２、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層−１、硬化樹脂層−２が順次積層されたときの硬さをＤＨ３とする）である。
【００１４】
第２の発明は、該硬化樹脂層−２と透明導電層の間に、透明導電層と接して、かつ膜厚が透明導電層より薄く、更に膜厚が０．５ｎｍ以上１００ｎｍ未満である金属化合物層を有することを特徴とする第１の発明の透明導電性積層体である。
【００１５】
第３の発明は、硬さＤＨ１が９．８×１０６Ｐａ≦ＤＨ１≦１．５×１０８Ｐａ（１ｋｇｆ／ｍｍ２≦ＤＨ１≦１５ｋｇｆ／ｍｍ２）、かつ硬さＤＨ２が２．５×１０８Ｐａ≦ＤＨ２≦４．９×１０８Ｐａ（２５ｋｇｆ／ｍｍ２≦ＤＨ２≦５０ｋｇｆ／ｍｍ２）であることを特徴とする第１または第２の発明の透明導電性積層体である。
【００１６】
第４の発明は、硬化樹脂層−１が（Ａ）ウレタンアクリレートをモノマーとする硬化樹脂及び（Ｂ）合成ゴムからなる群から選ばれる少なくとも１種を１０重量％以上含有する、第１〜３のいずれか記載の発明の透明導電性積層体である。
【００１７】
第５の発明は、硬化樹脂層−２と透明導電層の間に屈折率が１．２０〜１．５５で尚且つ膜厚が０．０５〜０．５μｍの硬化樹脂層−３を有する、第１〜４のいずれか記載の発明の透明導電性積層体である。
【００１８】
第６の発明は、該硬化樹脂層−３に平均１次粒子径が硬化樹脂層−３の膜厚の１．１倍以上でかつ平均１次粒子径が１．２μｍ以下の微粒子Ｂを含有し、該微粒子Ｂの含有量は該微粒子Ｂを含有する硬化樹脂層−３を形成する硬化樹脂成分の０．５重量％以下とする、第１〜５のいずれか記載の発明の透明導電性積層体である。
【００１９】
第７の発明は、硬化樹脂層‐２と透明導電層の間に少なくとも１層の低屈折率層と少なくとも１層の高屈折率層からなる光学干渉層を有し、低屈折率層が金属化合物層または透明導電層と接する、第１〜４のいずれか記載の発明の透明導電性積層体である。
【００２０】
第８の発明は、該光学干渉層を形成する該高屈折率層と該低屈折率層の少なくとも一方に平均１次粒子径が光学干渉層の膜厚の１．１倍以上でかつ平均１次粒子径が１．２μｍ以下の微粒子Ｂを含有し、該微粒子Ｂの含有量は該微粒子Ｂを含有する高屈折率層及び／又は低屈折率層を形成する硬化樹脂成分の０．５重量％以下とする、第１、２、３、４または７に記載の発明の透明導電性積層体である。
【００２１】
第９の発明は、透明導電層が酸化インジウムを主成分とした結晶質の膜であり、透明導電層の膜厚が５〜５０ｎｍである、第１〜８のいずれかに記載の発明の透明導電性積層体である。
【００２２】
第１０の発明は、少なくとも片面に透明導電層が設けられた２枚の透明電極基板が互いの透明導電層同士が向き合うように配置されて構成された透明タッチパネルにおいて、少なくとも一方の透明電極基板として第１〜９のいずれかに記載の発明の透明導電性積層体を用いたことを特徴とする透明タッチパネルである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、従来透明タッチパネルに要求されていた筆記耐久性を向上させ、透明タッチパネル端部領域での筆記耐久性（端押し耐久性）を向上させた透明タッチパネルを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を詳細に説明する。
積層構成とコート層硬さ
本発明は硬さの異なる硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２を透明高分子基板上に順次積層させている。硬さの異なる少なくとも２つの硬化樹脂層を透明高分子基板上に積層することにより、各硬化樹脂層の特性、つまりは硬化樹脂層−１の柔軟性や低弾性、硬化樹脂層−２の強靭性や高弾性の両方を反映させることが可能となり、近年透明タッチパネルに要求されている筆記耐久性と端押し耐久性を向上することが可能となった。
【００２５】
透明高分子基板上に硬さＤＨ１が９．８×１０６Ｐａ≦ＤＨ１≦１．５×１０８Ｐａ（１ｋｇｆ／ｍｍ２≦ＤＨ１≦１５ｋｇｆ／ｍｍ２）の硬化樹脂層−１だけを積層し、その上に透明導電層を形成した場合、外部から力による透明導電層へのダメージを緩和するだけであれば硬化樹脂層−１を設けるだけで十分である。しかし硬化樹脂層−１の硬さが低いため硬化樹脂層−１が透明導電層を支持することが出来ず、透明導電層形成時、または透明導電層を熱処理により結晶化させた後に透明導電層が細かいしわ状になる。これによりヘーズが発生し、透明導電性積層体に白化または干渉模様が観察されるようになるため透明導電性積層体として適当ではない。またこのような透明導電性積層体で透明タッチパネルを作成し筆記耐久性試験を行った場合、固定電極に設けられているドットスペーサーが透明導電積層体の透明導電層にめりこみ透明導電層を破壊し、透明タッチパネルの電気特性（リニアリティー）が劣化するため適当ではない。
【００２６】
また透明高分子基板上に硬さＤＨ２が２．５×１０８Ｐａ≦ＤＨ２≦４．９×１０８Ｐａ（２５ｋｇｆ／ｍｍ２≦ＤＨ２≦５０ｋｇｆ／ｍｍ２）の硬化樹脂層−２だけを積層し、その上に透明導電層を形成した場合、硬化樹脂層−２の硬さが大きいため前記記載のような透明導電層形成時や透明導電層を熱処理により結晶化させた後にヘーズが発生するような問題はないが、硬化樹脂層−２を使用した透明タッチパネルは端押し耐久性試験時に硬化樹脂層−２にクラックが発生し透明タッチパネルの電気特性（リニアリティ−）を確保することが難しい。
【００２７】
本発明の硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２を透明高分子基板上に順次所定の膜厚の範囲で積層させた時の硬さＤＨ３が９．８×１０７Ｐａ≦ＤＨ３≦３．９×１０８Ｐａ（１０ｋｇｆ／ｍｍ２≦ＤＨ３≦４０ｋｇｆ／ｍｍ２）が好ましく、更に好ましくは１．５×１０８Ｐａ≦ＤＨ３≦３．４×１０８Ｐａ（１５ｋｇｆ／ｍｍ２≦ＤＨ３≦３５ｋｇｆ／ｍｍ２）である。前記記載のＤＨ３の範囲で硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２を透明高分子基板上に順次積層した時に硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２の各層の特性が充分に反映され、透明導電性積層体及び透明タッチパネルに必要とされる諸特性を充分に満足することが可能となる。
【００２８】
硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２が所定の膜厚の範囲で硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２を透明高分子基板上に積層させた場合のＤＨ３が９．８×１０７Ｐａ（１０ｋｇｆ／ｍｍ２）未満の場合では、透明導電層形成時や透明導電層を熱処理により結晶化させた後に硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２の積層体が透明導電層を指示することが出来ず、透明導電層が細かいしわ状模様になる。これによりヘーズが発生するため透明導電性積層体として適当ではない。
【００２９】
また一方硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２が所定の膜厚の範囲で硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２を透明高分子基板上に積層させた場合のＤＨ３が３．９×１０８Ｐａ（４０ｋｇｆ／ｍｍ２）を超える場合では、これを透明導電性積層体として使用した透明タッチパネルの端押し耐久性は、クラックの発生により透明タッチパネルの電気特性（リニアリティー）を確保することができない。
【００３０】
膜厚の関係
本発明では硬さの異なる硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２を透明高分子基板上に順次積層させる時の硬化樹脂層−１の膜厚ｄ１と硬化樹脂層−２の膜厚ｄ２が０．２≦ｄ２／ｄ１≦３が好ましく、更に好ましくは０．２５≦ｄ２／ｄ１≦２であり、尚且つ各層の膜厚が１μｍ≦ｄ１≦１０μｍ、１μｍ≦ｄ２≦１０μｍである。ｄ２／ｄ１＜０．２の関係で硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２を透明有機高分子基板上に積層させた場合、硬化樹脂層−２の膜厚が硬化樹脂層−１の膜厚より極端に薄くなるため、硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２を積層後の硬さが小さくなり透明導電層形成時や透明導電層を熱処理により結晶化させた後に硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２の積層体が透明導電層を支持することが出来ず、透明導電層が細かいしわ状模様になる。これによりヘーズが発生するため透明導電性積層体として適当ではない。
【００３１】
また一方、ｄ２／ｄ１＞３の関係で硬化樹脂層−１と硬化樹脂層―２を透明有機高分子基板上に積層させた場合、硬化樹脂層−２の膜厚が硬化樹脂層−１の膜厚より極端に厚くなるため、硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２の積層効果が現れず、積層後の硬さは硬化樹脂層−２の硬さと同様になる。この透明導電性積層体を使用した透明タッチパネルの端押し耐久性は、硬化樹脂層−２のみを透明有機高分子基板に積層して作製した透明タッチパネルと同様に、硬化樹脂層−２にクラックが発生し透明タッチパネルの電気特性（リニアリティー）を確保することができない。
ｄ１及びｄ２が１μｍ未満では硬化樹脂層の硬化性の問題から好ましくなく、１０μｍを超える膜厚でも特性上大きな問題はないが加工が難しくなるため適当ではない。
【００３２】
硬さの関係
本発明では透明有機高分子基板の硬さＤＨ０、硬化樹脂層−１単独での硬さＤＨ１、硬化樹脂層−２単独の硬さＤＨ２、透明有機高分子基板上に硬化樹脂層−１、硬化樹脂層−２が順次積層された時の硬さＤＨ３のそれぞれが、ＤＨ２＞ＤＨ０＞ＤＨ１、ＤＨ２＞ＤＨ３＞ＤＨ１の関係にある。透明有機高分子基板の押し込み硬さ試験機（ナノインデンテーションテスター・設定押し込み深さ：０．５μｍ）による硬さＤＨ０の例として、厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製ＯＦＷ）は２．８×１０８Ｐａ（２８ｋｇｆ／ｍｍ２）、１００μｍのポリカーボネートフィルム（帝人化成（株）製ピュアエース）は１．７×１０８Ｐａ（１７ｋｇｆ／ｍｍ２）等がある。硬化樹脂層−１の硬さが透明有機高分子基板より大きい（ＤＨ０＜ＤＨ１）場合は、硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２を積層して得られた透明導電性積層体を使用して作製した透明タッチパネルの端押し耐久性後の電気特性（リニアリティ−）を確保するのが難しい。また硬化樹脂層−２の硬さが透明有機高分子基板より小さい（ＤＨ０＞ＤＨ２）場合は、硬化樹脂層−２が透明導電層を支持することが出来ず、透明導電層形成時、または透明導電層を熱処理により結晶化させた後に、透明導電層が細かいしわ状になる。これによりヘーズが発生するため透明導電性積層体として適当とは言えない。
【００３３】
硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２を前記の膜厚設定（０．２≦ｄ２／ｄ１≦３、１μｍ≦ｄ１≦１０μｍ、１μｍ≦ｄ２≦１０μｍ）で積層した場合、ＤＨ２＞ＤＨ３＞ＤＨ１の関係になる。前記記載の膜厚設定外にあって、硬化樹脂層−１の膜厚を薄く硬化樹脂層−２の膜厚を厚く積層した場合、硬さの関係はＤＨ２≒ＤＨ３となる。また一方、硬化樹脂層−１の膜厚を厚く硬化樹脂層−２の膜厚を薄く積層した場合、硬さの関係はＤＨ３≒ＤＨ１になる。これらの場合前記記載の硬化樹脂層−１または硬化樹脂層−２を単独で透明有機高分子基板上に形成した時に近い状態となり、透明導電性積層体または透明タッチパネルの特性を確保することが困難となる。
【００３４】
本明細書中に記載の硬化樹脂層−１の硬さＤＨ１及び硬化樹脂層−２の硬さＤＨ２は、透明有機高分子基板（厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製ＯＦＷ））上に硬化樹脂層−１または硬化樹脂層―２を厚さ５μｍで形成後、硬化樹脂層面を押し込み硬さ試験機（ナノインデンテーションテスター・設定押し込み深さ：０．５μｍ）で測定した時の値である。
【００３５】
硬化樹脂層−１の説明
本発明に用いられる硬化樹脂層−１は、形成された硬化樹脂層−１が規定の硬さを得るために（Ａ）モノマー成分としてウレタンアクリレートを用いて硬化反応してなる硬化樹脂及び（Ｂ）合成ゴムのうち少なくとも一方を含有する。（Ａ）かかるウレタンアクリレートを用いた硬化樹脂または（Ｂ）合成ゴムは、少なくともその一方を硬化樹脂層−１中に１０重量％以上含有することが好ましく、２０重量％以上含有することがより好ましい。（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ単独または、これらを複数組合せて硬化樹脂層−１を形成しても構わない。（Ａ）、（Ｂ）が１０重量％未満の含有量では、規定の硬さを得ることが困難である。
【００３６】
有機透明高分子基板（厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製ＯＦＷ））上に５μｍの硬化樹脂層−１を単独で形成し押し込み硬さ試験機（ナノインデンテーションテスター・設定押し込み深さ：０．５μｍ）で測定した時の硬さが９．８×１０６Ｐａ≦ＤＨ１≦１．５×１０８Ｐａ（１ｋｇｆ／ｍｍ２≦ＤＨ１≦１５ｋｇｆ／ｍｍ２）が好ましく、更に好ましくは９．８×１０６Ｐａ≦ＤＨ１≦９．８×１０７Ｐａ（１ｋｇｆ／ｍｍ２≦ＤＨ１≦１０ｋｇｆ／ｍｍ２）である。硬化樹脂層−１の硬さＤＨ１が９．８×１０６Ｐａ（１ｋｇｆ／ｍｍ２）未満の場合、硬化樹脂層が軟らかいため硬化樹脂層−２の積層が困難である。反対に硬化樹脂層−１の硬さＤＨ１が１．５×１０８Ｐａ（１５ｋｇｆ／ｍｍ２）を超える場合、硬化樹脂層−２の硬さＤＨ２との差が小さくなりこのような透明導電性積層体を使用した透明タッチパネルでは電気特性（特に端押し耐久性）を確保することが困難となる。
硬化樹脂層−１の膜厚は１μｍ≦ｄ１≦１０μｍが好ましく、更に好ましくは３μｍ≦ｄ１≦１０μｍである。
【００３７】
モノマーとして用いるウレタンアクリレートは、ジオールなどのポリオールを、ジイソシアネートなどの多官能性イソシアネートと反応させ、次にヒドロキシ官能性アクリレートで末端を封止されたものである。ポリオールとしては、ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール、炭化水素ポリオール等が挙げられる。これらのポリオールのコポリマーを使用しても良いし、これらのポリオールを単独または複数を組合せて使用しても良い。ポリオールの数平均分子量は、約２００〜１００００が好ましく、更に好ましくは５００〜５０００である。ポリオールの数平均分子量が２００未満の場合、形成された硬化樹脂層の塑性変形硬さが大きくなり、所定の硬化樹脂層を得ることが困難になり、更に透明タッチパネルに必要な電気特性を確保することが困難となる。更にポリオールの数平均分子量が１００００を超える場合、形成された硬化樹脂層の塑性変形硬さが極端に小さくなり加工が困難になる。更には透明導電層を支持できなくなる問題が生じる可能性もある。
【００３８】
合成ゴムとしては、例えば、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、ブチルゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロプレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴム、スチレンブタジエンゴム、クロロスルフォン化ゴム、塩素化ポリエチレン、ニトリルゴム、水素添加アクリロニトリルブタジエンゴム、多硫化ゴム、アクリル酸エステル共重合体、各種合成ラテックス等が挙げられる。これらの合成ゴムのブロックコポリマーを使用しても良いし、これらを単独または複数を組合せて使用しても良い。
上記ウレタンアクリレートと合成ゴム以外の硬化樹脂成分として電離放射線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂等が挙げられる。
【００３９】
電離放射線硬化型樹脂を与えるモノマーとしては、例えばポリオールアクリレート、ポリエステルアクリレート、上記以外のウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、変性スチレンアクリレート、メラミンアクリレート、シリコン含有アクリレート等の単官能及び多官能アクリレートを挙げることができる。
【００４０】
具体的なモノマーとしては、例えばトリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキサイド変性トリアクリレート、トリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、イソシアヌル酸エチレンオキサイド変性トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、トリプロピレングリコールトリアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、エポキシ変性アクリレート、ウレタン変性アクリレート、エポキシ変性アクリレート等の多官能モノマーが挙げられる。これらを単独で用いても、数種類を混合して用いてよく、また場合によっては、各種アルコキシシランの加水分解物を適量添加してもよい。なお、電離放射線によって樹脂層の重合を行う場合には公知の光重合開始剤が適量添加される。また必要に応じ光増感剤を適量添加してもよい。
【００４１】
光重合開始剤としては、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ベンゾイン、ベンゾイルベンゾエート、チオキサンソン類等が挙げられ、光増感剤としては、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン等が挙げられる。
【００４２】
熱硬化型樹脂としては、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のシラン化合物をモノマーとしたオルガノシラン系の熱硬化型樹脂やエーテル化メチロールメラミン等をモノマーとしたメラミン系熱硬化型樹脂、イソシアネート系熱硬化型樹脂、フェノール系熱硬化型樹脂、エポキシ硬化型樹脂等が挙げられる。これら硬化樹脂を単独又は複数組合せて使用することも可能である。また必要に応じ熱可塑性樹脂を混合することも可能である。なお、熱によって樹脂層の架橋を行う場合には公知の反応促進剤、硬化剤が適量添加される。
【００４３】
反応促進剤としては、例えばトリエチレンジアミン、ジブチル錫ジラウレート、ベンジルメチルアミン、ピリジン等が挙げられる。硬化剤としては、例えばメチルヘキサヒドロ無水フタル酸、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジエチルジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン等が挙げられる。
【００４４】
希釈溶剤としては、水、アルコール系、炭化水素系の溶剤、例えば、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、ヘキサン、シクロヘキサン、リグロイン等が好ましい。合成ゴムを使用する場合は、キシレン、トルエン、ケトン類、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等を使用するのが好ましい。この他に、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、酢酸イソブチル等の極性溶媒も使用可能である。これらのものは単独あるいは２種類以上の混合溶剤として用いることが出来る。
【００４５】
硬化樹脂層−１の形成方法としては、ドクターナイフ、バーコーター、グラビアロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター、スピンコータ−等の公知の塗工機械を用いる方法、スプレー法、浸漬法等が挙げられる。実際の塗工法としては、前記のモノマー化合物等を各種有機溶剤に溶解して、濃度や粘度を調節した塗工液を用いて、透明有機高分子基板上に塗工後、放射線照射や加熱処理等により層を硬化させる方法が挙げられる。
【００４６】
また硬化樹脂層−１の表面を粗面化させる場合や硬さを調整する等ために、平均1次粒子径が０．００１μｍ以上５μｍ以下の微粒子を単独で、または平均１次粒子径の異なる２種類以上の微粒子を組み合わせ、硬化樹脂層-１に含有させることも可能である。
【００４７】
硬化樹脂層−２の説明
本発明に用いられる硬化樹脂層−２としては、電離放射線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂等が挙げられる。
電離放射線硬化型樹脂としては、前記硬化樹脂層−１と同じものを用いることができる。ただし、硬化樹脂層−２は硬化樹脂層−１よりも高い硬さをもつことが重要である。すなわち、硬化樹脂層−２の硬さは次のように定義される。
【００４８】
有機透明高分子基板（厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製  ＯＦＷ））上に厚さ５μｍの硬化樹脂層−２を単独で形成し押し込み硬さ試験機（ナノインデンテーションテスター・設定押し込み深さ：０．５μｍ）で測定した時の硬さが２．５×１０８Ｐａ≦ＤＨ２≦４．９×１０８Ｐａ（２５ｋｇｆ／ｍｍ２≦ＤＨ２≦５０ｋｇｆ／ｍｍ２）が好ましく、更に好ましくは３．５×１０８Ｐａ≦ＤＨ２≦４．９×１０８Ｐａ（３５ｋｇｆ／ｍｍ２≦ＤＨ２≦５０ｋｇｆ／ｍｍ２）である。硬化樹脂層−２の硬さＤＨ２が４．９×１０８Ｐａ（５０ｋｇｆ／ｍｍ２）以上の硬化樹脂層でも、特性上大きな問題はないが硬化樹脂層−１と硬化樹脂層−２を透明高分子基板上に積層させた場合のＤＨ３が３．９×１０８Ｐａ（４０ｋｇｆ／ｍｍ２）超える可能性があり、このような透明導電性積層体を使用した透明タッチパネルでは電気特性（特に端押し耐久性）を確保することが困難となる。反対に硬化樹脂層−２の硬さＤＨ２が２．５×１０８Ｐａ（２５ｋｇｆ／ｍｍ２）未満の硬化樹脂層では、硬化樹脂層−１の硬さＤＨ１との差が小さくなり、このような透明導電性積層体を使用した透明タッチパネルでは電気特性（特に端押し耐久性）を確保することが困難となる。
硬化樹脂層−２の膜厚は１μｍ≦ｄ２≦１０μｍが好ましく、更に好ましくは２．５μｍ≦ｄ２≦８μｍである。
【００４９】
可動電極基板表面、固定電極基板表面がいずれも平坦である場合、透明タッチパネルを作製した時、可動電極基板表面からの反射光と固定電極基板表面からの反射光の干渉によるニュートンリングが観察されることがある。この反射光を光学的に散乱させることによりニュートンリングを防止するために硬化樹脂層−１もしくは硬化樹脂層−２の表面を粗面化してもよい。硬化樹脂層−１もしくは硬化樹脂層−２の表面を粗面化する手法としては、１次粒子径が０．００１μｍ以上５μｍ以下の微粒子を単独で、または１次粒子径の異なる２種類以上の微粒子を組み合わせ、硬化樹脂層−１もしくは硬化樹脂層−２に含有させる。前記手法により粗面化された好ましい粗面化範囲は硬化樹脂層−２のＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４で定義される十点平均粗さ（Ｒｚ）が、１００．０ｎｍ以上４００．０ｎｍ以下であり、かつ算術平均粗さ（Ｒａ）が、１０．０ｎｍ以上５０．０ｎｍ以下で、更にかつＪＩＳ  Ｂ７３６１で定義されるヘーズが５％以下である。
【００５０】
透明有機高分子基板
本発明に用いられる透明有機高分子基板は、透明性に優れる熱可塑性または熱硬化性の有機高分子化合物をフィルムとしたものを用いることができる。かかる有機高分子化合物としては、耐熱性に優れた透明な有機高分子であれば特に限定しない。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−２、６−ナフタレート、ポリジアリルフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、アクリル樹脂、セルロースアセテート樹脂、非晶性ポリオレフィン等が挙げられる。もちろんこれらはホモポリマー、コポリマーとして、あるいは単独またはブレンドとしても使用し得る。これらの透明有機高分子基板は一般的な溶融押出し法もしくは溶液流延法等により好適に成形されるが、必要に応じて成形した透明有機高分子フィルムに一軸延伸もしくはニ軸延伸を実施して、機械的強度を高めたり、光学的機能を高めたりすることも好ましく行われる。
【００５１】
本発明の透明導電積層体を透明タッチパネルの可動電極基板として用いる場合には、透明タッチパネルをスイッチとして動作させるための可撓性と平坦性を保つ為の強度の点から、基板形状としての厚みは７５〜４００μｍのフィルム状のものが好ましい。固定電極基板として用いる場合は平坦性を保つ為の強度の点から厚さ０．４〜４．０ｍｍのシート状のものが好ましいが、厚さ５０〜４００μｍのフィルム状のものを他のシートと貼り合わせ、全体の厚さを０．４〜４．０ｍｍになるような構成にして用いても良い。あるいは、厚さ５０〜４００μｍのフィルム状のものをディスプレイ表面に貼付けた構成で用いることも可能である。
【００５２】
本発明の透明導電積層体を透明タッチパネルの可動電極基板として用いた場合には、固定電極基板には前記有機高分子フィルム基板、ガラス基板あるいはこれらの積層体基板上に透明導電層を形成したものを用いても良い。透明タッチパネルの強度、重量の点から、単層又は積層体よりなる固定電極基板の厚さは０．４〜４．０ｍｍが好ましい。
【００５３】
また、最近では透明タッチパネルの入力側（使用者側）の面に偏光板または、（偏光板＋位相差フィルム）を積層した構成の新しいタイプの透明タッチパネルが開発されてきている。この構成の利点は主として前記偏光板または、（偏光板＋位相差フィルム）の光学作用によって、透明タッチパネル内部における外来光の反射率を半分以下に低減し、透明タッチパネルを設置した状態でのディスプレイのコントラストを向上させることにある。
【００５４】
このようなタイプの透明タッチパネルでは、偏光が透明導電積層体を通過することから、透明有機高分子フィルムとして光学等方性に優れた特性を有するものを用いる事が好ましく、具体的には基板の遅相軸方向の屈折率をｎｘ、進相軸方向の屈折率をｎｙ、基板の厚みをｄ（ｎｍ）とした場合にＲｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（ｎｍ）で表される面内リターデーション値Ｒｅが少なくとも３０ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、ここで基板の面内リターデーション値は分光エリプソメータ（日本分光株式会社製  Ｍ−１５０）を用いて測定した波長５９０ｎｍでの値で代表している。
【００５５】
この様に例示した透明導電性積層体を偏光が通過するタイプの透明タッチパネルの用途においては、透明電極基板の面内リターデーション値が非常に重要であるが、これに加えて透明電極基板の三次元屈折率特性、すなわち基板の膜厚方向の屈折率をｎｚとした時にＫ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄで表されるＫ値が−２５０〜＋１５０ｎｍであることが好ましく、−２００〜＋１００ｎｍの範囲にあることが透明タッチパネルの優れた視野角特性を得る上でより好ましい。
【００５６】
これらの光学等方性に優れた特性を示す透明有機高分子基板としては、例えば、ポリカーボネート、非晶性ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、シクロオレフィンポリマーおよびこれらの変性物もしくは別種材料との共重合物等をフィルム状に成形した成型基板、エポキシ系樹脂等の熱硬化型樹脂の成形基板、アクリル樹脂等の紫外線硬化型樹脂をフィルムやシート状に成形した成形基板等が例示される。成形性や製造コスト、熱的安定性等の観点から、ポリカーボネート、非晶性ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、シクロオレフィンポリマーおよびこれらの変性物もしくは別種材料との共重合物等の成型基板が最も好ましく挙げられる。
【００５７】
より具体的には、ポリカーボネートとしては例えば、ビスフェノールＡ、１，１−ジ（４−フェノール）シクロヘキシリデン、３，３，５−トリメチル−１，１−ジ（４−フェノール）シクロヘキシリデン、フルオレン−９，９−ジ（４−フェノール）、フルオレン−９，９−ジ（３−メチル−４−フェノール）等からなる群から選ばれる少なくとも一つの成分をモノマー単位とする重合体や共重合体またはこれらの混合物であり、平均分子量がおよそ１５０００〜１０００００の範囲のポリカーボネート（商品としては、例えば帝人化成株式会社製「パンライト」やバイエル社製「Ａｐｅｃ  ＨＴ」等が例示される）の成型基板が好ましく用いられる。
【００５８】
また非晶性ポリアリレートとしては、商品として鐘淵化学工業株式会社製「エルメック」、ユニチカ株式会社製「Ｕポリマー」、イソノバ社製「イサリル」等の成型基板が例示される。
【００５９】
シクロオレフィンポリマーとしては、商品として日本ゼオン株式会社製「ゼオノア」やＪＳＲ株式会社製「アートン」等の成型基板が例示される。
これらの高分子化合物を用いた成形基板の製造方法としては、溶融押出法や溶液流延法、射出成型法等の方法が例示されるが、優れた光学等方性を得る観点からは、特に溶液流延法を用いて成形を行うことが好ましい。
【００６０】
硬化樹脂層−３
本発明においては、硬化樹脂層−２と後述の透明導電層の間に、全光線透過率等の光学特性を改良するために、硬化樹脂層−３を設けてもよい。本発明に用いられる硬化樹脂層−３としては、電離放射線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂等が挙げられる。
【００６１】
電離放射線硬化性樹脂としては、ポリオールアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、変性スチレンアクリレート、メラミンアクリレート、シリコン含有アクリレート等の単官能及び多官能アクリレート系電離放射性線硬化型樹脂等がある。
【００６２】
熱硬化型樹脂としては、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のオルガノシラン系の熱硬化型樹脂（アルコキシシラン）やエーテル化メチロールメラミン等のメラミン系熱硬化型樹脂やイソシアネート系熱硬化型樹脂、フェノール系熱硬化型樹脂、エポキシ系硬化型樹脂等が挙げられる。これら硬化樹脂を単独又は複数組合せて使用することも可能である。また必要に応じ熱可塑性樹脂を混合することも可能である。なお、熱によって樹脂層の架橋を行う場合には公知の反応促進剤、硬化剤が適量添加される。反応促進剤としては、例えばトリエチレンジアミン、ジブチル錫ジラウレート、ベンジルメチルアミン、ピリジン等が挙げられる。硬化剤としては、例えばメチルヘキサヒドロ無水フタル酸、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン等が挙げられる。
【００６３】
上記アルコキシシランはこれを加水分解ならびに縮合重合することにより硬化樹脂層を形成する。かかるアルコキシシランとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３、４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ―アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ―アミノプロピルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン等が例示される。
【００６４】
これらのアルコキシシランは、層の機械的強度や密着性及び耐溶剤性等の観点から二種類以上を混合して用いることが好ましく、特に耐溶剤性の観点から、アルコキシシランの全組成中に重量比率０．５〜４０％の範囲で、分子内にアミノ基を有するアルコキシシランが含有されていることが好ましい。
【００６５】
アルコキシシランは、モノマーで用いてもあらかじめ加水分解と脱水縮合を行って適度にオリゴマー化して用いても良いが、通常、適当な有機溶剤に溶解、希釈した塗工液を基板上に塗工する。基板上に形成された塗工層は、空気中の水分等により加水分解が進行し、続いて、脱水縮合により架橋が進行する。
【００６６】
一般に、架橋の促進には適当な加熱処理が必要であり、塗工工程において１００℃以上の温度で数分間以上の熱処理を施すことが好ましい。また場合によっては、前記熱処理と並行して、紫外線等の活性光線を塗工層に照射することにより、架橋度をより高めることが出来る。
【００６７】
希釈溶剤としては、アルコール系、炭化水素系の溶剤、例えば、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、ヘキサン、シクロヘキサン、リグロイン等が好ましい。この他に、キシレン、トルエン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、酢酸イソブチル等の極性溶媒も使用可能である。これらのものは単独あるいは２種類以上の混合溶剤として用いることが出来る。
【００６８】
硬化樹脂層−３の形成方法としては、前記硬化樹脂層−１と同様の方法を用いることができる。
硬化樹脂層−３の屈折率を調整するために、平均１次粒子径が１００ｎｍ以下の金属酸化物または金属フッ化物からなる超微粒子Ｃまたはフッ素系樹脂を単独で、もしくは複数組合せて、硬化樹脂層−３中に配合しても良い。硬化樹脂層−３の屈折率は、硬化樹脂層−２の屈折率より小さく、且つ屈折率が１．２０〜１．５５であることが好ましく、更に好ましくは１．２０〜１．４５である。硬化樹脂層−３の膜厚は０．０５〜０．５μｍであることが好ましく、更に好ましくは０．０５〜０．３μｍである。
【００６９】
該超微粒子Ｃの平均１次粒子径は１００ｎｍ以下が好ましく、更に好ましくは５０ｎｍ以下である。該超微粒子Ｃの１次粒子径を１００ｎｍ以下に制御することにより、硬化樹脂層−３が白化することなく良好な光学特性を得ることができる。
【００７０】
該超微粒子Ｃとしては、例えばＢｉ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、（Ｉｎ２Ｏ３・ＳｎＯ２）、ＨｆＯ２、Ｌａ２Ｏ３、ＭｇＦ２、Ｓｂ２Ｏ５、（Ｓｂ２Ｏ５・ＳｎＯ２）、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物または金属フッ化物の超微粒子が例示され、好ましくはＭｇＦ２、ＳｉＯ２等の屈折率が１．５５以下の金属酸化物または金属フッ化物の超微粒子である。
【００７１】
該超微粒子Ｃの含有量は、熱硬化型樹脂または／及び電離放射線硬化型樹脂１００重量部に対して１０〜４００重量部、好ましく３０〜４００重量部、更に好ましくは５０〜３００重量部である。超微粒子Ｃの含有量が４００重量部を超えると、膜強度や密着性が不充分となる場合があり、一方超微粒子の含有量が１０重量部未満では所定の屈折率が得られなくなる場合がある。
【００７２】
フッ素系樹脂としては、例えばフッ化ビニリデン、ヘキサフルオロプロピレン、テトラフルオロエチレン、フルオロエチレン、トリフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、１，２−ジクロロ−１，２−ジフルオロエチレン、２−ブロモ−３，３，３−トリフルオロエチレン、３−ブロモ−３，３−ジフルオロプロピレン、３，３，３−トリフルオロプロピレン、１，１，２−トリクロロ−３，３，３−トリフルオロプロピレン、α−トリフルオロメタクリル酸等のフッ素原子を有するモノマー成分を５〜７０重量％を含有されたものが例示される。
【００７３】
フッ素系樹脂の含有量は、熱硬化型樹脂または／及び電離放射線硬化型樹脂１００重量部に対して５０〜３００重量部、好ましくは１００〜３００重量部、更に好ましくは１５０〜２５０重量部である。フッ素系樹脂の含有量が３００重量部を超えると、膜強度や密着性が不充分となる場合あり、一方フッ素系樹脂の含有量が５０重量部未満では所定の屈折率が得られなくなる場合がある。
【００７４】
光学干渉層
本発明においては、硬化樹脂層−２と後述の透明導電層との間に、屈折率を制御し透明性を高めるために、光学干渉層を設けることができる。
本発明で用いられる光学干渉層は、少なくとも一層の高屈折率層と少なくとも一層の低屈折率層より構成される。高屈折率層と低屈折率層の組み合わせ単位を二つ以上とすることも出来る。光学干渉層が一層の高屈折率層と一層の低屈折率層から構成される場合、光学干渉層の膜厚は３０ｎｍ〜３００ｎｍが好ましく、更に好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００７５】
本発明の光学干渉層を構成する高屈折率層は、金属アルコキシドを加水分解ならびに縮合重合して形成された層、または少なくとも１種類以上の金属アルコキシドを加水分解ならびに縮合重合してなる成分と前記硬化樹脂層−３に記載の平均１次粒子径が１００ｎｍ以下の金属酸化物または金属フッ化物の超微粒子Ｃとからなる層である。
【００７６】
本発明に用いる金属アルコキシドとして、例えば、チタニウムアルコキシド、ジルコニウムアルコキシド、アルコキシシラン等を挙げることが出来る。
チタニウムアルコキシドとしては、例えばチタニウムテトライソプロポキシド、テトラ−ｎ−プロピルオルトチタネート、チタニウムテトラ−ｎ−ブトキシド、テトラキス（２−エチルヘキシルオキシ）チタネート等が例示される。
ジルコニウムアルコキシドとしては、例えばジルコニウムテトライソプロポキシド、ジルコニウムテトラ−ｎ−ブトキシド等が例示される。
アルコキシシランとしては、前記硬化樹脂層−３に記載したものが例示される。
【００７７】
該高屈折率層中には、前記硬化樹脂層−３に記載の金属酸化物または金属フッ化物からなる、平均１次粒子径が１００ｎｍ以下の超微粒子Ｃを単独または２種類以上適当量添加することができる。該超微粒子Ｃを添加することにより該高屈折率層の屈折率を調整することが可能である。
【００７８】
該高屈折率層中に該超微粒子Ｃを添加する場合、超微粒子Ｃと金属アルコキシドの重量比率は、０：１００〜６６．６：３３．３であることが好ましく、更に好ましくは０：１００〜６０：４０である。超微粒子Ｃと金属アルコキシドの重量比率が６６．６：３３．３を超える場合は光学干渉層に必要な強度や密着性が不足することがあり、好ましくない。
【００７９】
該高屈折率層の厚さとしては、好ましくは１５〜２５０ｎｍ、より好ましくは３０〜１５０ｎｍである。
また該高屈折率層の屈折率は、後述する低屈折率層及び硬化樹脂層−２の屈折率より大きく、その差が０．２以上であることが好ましい。
【００８０】
本発明の光学干渉層を構成する低屈折率層として、前記硬化樹脂層−３に記載の電離放射線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂からなる層、及びこれらの層に前記硬化樹脂層−３に記載の金属酸化物または金属フッ化物からなる、平均１次粒子径が１００ｎｍ以下の超微粒子Ｃを単独または２種類以上適当量添加したものを用いることができる。該低屈折率層の厚さとしては、好ましくは１５〜２５０ｎｍ、より好ましくは３０〜１５０ｎｍである。
【００８１】
微粒子Ｂ
前記硬化樹脂層−３、或いは前記光学干渉層を構成する高屈折率層及び低屈折率層の少なくとも一方に、微粒子Ｂを含有してもよい。該硬化樹脂層−３の場合は、平均１次粒子径がそれの膜厚の１．１倍以上でかつ平均１次粒子径が１．２μｍ以下の微粒子Ｂを、該光学干渉層の場合は、平均１次粒子径が光学干渉層の総膜厚の１．１倍以上でなおかつ平均１次粒子径が１．２μｍ以下の微粒子Ｂを用いる。これにより、透明導電層表面が粗面化され、固定電極基板の透明導電層表面と可動電極基板の透明導電層表面との引っ付き現象による誤作動を抑制することが可能となった。更に添加する微粒子Ｂの平均１次粒子径を制御することにより、液晶から出たＲＧＢ三原色光の散乱によるギラツキを生じない範囲で透明導電層表面を粗面化することができる。
【００８２】
また、該微粒子Ｂの添加量を、微粒子Ｂが添加された層を構成する硬化樹脂成分の０．０１〜０．５重量％の範囲にすることにより、可動電極基板の透明導電層表面と固定電極基板の透明導電層表面との引っ付き現象による透明タッチパネルの誤作動抑制効果を損なわずに白濁の無い良好な光学干渉層を形成することができる。該微粒子Ｂを、硬化樹脂層−３、または光学干渉層を構成する高屈折率層と低屈折率層の少なくとも一方に過剰に添加した場合、添加した微粒子Ｂが脱落しやすくなることや、光学干渉層または硬化樹脂層−３と硬化樹脂層−２との密着性が低下しタッチパネルに要求される筆記耐久性を損なうことがある。
上記微粒子Ｂとしては、例えばシリカ微粒子、架橋アクリル微粒子、架橋ポリスチレン微粒子等が挙げられる。
【００８３】
該硬化樹脂層−３の場合は、該微粒子Ｂの平均１次粒子径がそれの膜厚の１．１倍以上でかつ平均１次粒子径が１．２μｍ以下であり、該光学干渉層の場合は、該微粒子Ｂの平均１次粒子径が光学干渉層の総膜厚の１．１倍以上でなおかつ平均１次粒子径が１．２μｍ以下である。該微粒子Ｂの平均１次粒子径が該硬化樹脂層−３の膜厚または光学干渉層の総膜厚の１．１倍未満である場合、透明導電層表面を粗面化することは困難である。一方、該微粒子Ｂの平均１次粒子径が１．２μｍを超える場合、この様な微粒子を添加した透明導電性積層体を用いた透明タッチパネルを高精細カラー液晶画面上に設置し、透明タッチパネルを介して液晶画面を観察した時に、液晶画面はぎらついて見え、表示品位が低下してしまう。更に該微粒子Ｂの平均１次粒子径が１．２μｍを超える場合、該微粒子Ｂを添加している該硬化樹脂層−３の膜厚または光学干渉層の総膜厚より平均１次粒子径が極端に大きくなる為、添加した微粒子が脱落しやすく、透明タッチパネルに要求される筆記耐久性などの信頼性を確保することが困難となる。
【００８４】
該硬化樹脂層−３、或いは該光学干渉層を構成する高屈折率層と低屈折率層の少なくとも一方に微粒子Ｂを含有させる場合、硬化樹脂層−２に実質的に微粒子を含有しないことが好ましい。
【００８５】
＜金属化合物層＞
本発明において、硬化樹脂層−２と透明導電層の間に透明導電層と接して金属化合物層を設けることが可能である。該金属化合物層の膜厚は、透明導電層の膜厚より薄く、０．５ｎｍ以上１０．０ｎｍ未満であり、好ましくは１．０ｎｍ以上７．０ｎｍ未満、更に好ましくは１．０ｎｍ以上５．０ｎｍ未満である。硬化樹脂層−２、膜厚が制御された金属化合物層、透明導電層を順次積層することにより密着性が大幅に改善され、近年透明タッチパネルに要求される筆記耐久性及び端押し耐久性が向上する。金属化合物層の膜厚が１０．０ｎｍ以上では、金属化合物層が連続体としての機械物性を示し始めることにより、透明タッチパネルに要求される端押し耐久性の向上は望めない。一方、０．５ｎｍ未満の膜厚では膜厚の制御が困難なことに加え、硬化樹脂層−２及び透明導電層との密着性を十分発現させることが困難になり、端押し耐久性の向上は困難になる。
【００８６】
金属化合物層としては、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫等の金属酸化物の層が挙げられる。
これらの金属化合物層は、公知の手法にて形成することが可能であり、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、パルスレーザーデポジション法、これらを複合した物理的形成法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、以下、ＰＶＤ）等を用いることができるが、大面積に対して均一な膜厚の金属化合物層を形成するという工業生産性に着目すると、ＤＣマグネトロンスパッタリング法が望ましい。なお、上記物理的形成法（ＰＶＤ）のほかに、Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ(以下、ＣＶＤ)、ゾルゲル法などの化学的形成法を用いることもできるが、膜厚制御の観点からはやはりスパタリング法が望ましい。
【００８７】
スパッタリングに用いるターゲットは金属ターゲットを用いることが望ましく、反応性スパッタ法を用いることが広く採用されている。これは、金属化合物層として用いる元素の酸化物、窒化物、酸窒化物が絶縁体であることが多く、ＤＣマグネトロンスパッタリング法が適応できないことが多いからである。また、近年では、２つのカソードを同時に放電させ、ターゲットへの絶縁体の形成を抑制するような電源が開発されており、擬似的なＲＦマグネトロンスパッタリング法を適応できるようになってきている。
【００８８】
本願発明では、金属ターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法により上記金属化合物層を製膜する場合は、該金属化合物層を製膜する真空槽中の圧力（背圧）を一旦１．３×１０−４Ｐａ以下とし、次いで不活性ガス及び酸素を導入する製造方法にて形成することができる。金属化合物層を製膜する真空槽中の圧力を一旦１．３×１０−４Ｐａ以下にすることが、真空槽中に残留し、且つ金属化合物層の形成過程に影響を与えることが懸念される分子種の影響を低減できるので望ましい。より望ましくは、５×１０−５Ｐａ以下、さらに望ましくは２×１０−５Ｐａ以下である。
【００８９】
次いで導入される不活性ガスとしては、例えばＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅを用いることができ、原子量の大きな不活性ガスほど形成される膜へのダメージが少なく表面平坦性が向上すると言われている。しかし、コスト面を考えるとＡｒが望ましい。この不活性ガスには膜中に取り込まれる酸素濃度を調整するために、分圧に換算して１．３×１０−３〜７×１０−２Ｐａ台の酸素を添加しても構わない。さらに、酸素の他にＯ３、Ｎ２、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ、ＮＨ３等を目的に応じて用いることができる。
【００９０】
また、本願発明では、金属化合物層を製膜する真空槽中の水の分圧を１．３×１０−４Ｐａ以下とし、次いで不活性ガス及び酸素を導入する製造方法にて形成することができる。水の分圧は、より望ましくは、４×１０−５Ｐａ以下、さらに望ましくは２×１０−５Ｐａ以下に制御できる。膜中に水素を取り込ませることで金属化合物層内部の応力を緩和するために、水を意図的に１．３×１０−４〜３×１０−２Ｐａの範囲で導入しても構わない。この調整は、一旦真空を形成した後に、バリアブルリークバルブやマスフローコントローラーを用いて水を導入することで行っても良い。また、真空槽の背圧を制御することによっても実施することができる。
【００９１】
本願発明における水分圧を決定するときには、差動排気型のインプロセスモニターを用いても良い。またはダイナミックレンジが広く、０．１Ｐａ台の圧力下においても計測が可能な四重極質量分析計を用いても良い。また、一般的に、１．３×１０−５Ｐａ程度の真空度においては、その圧力を形成しているのは水である。よって、真空計によって計測された値をそのまま水分圧と考えても構わない。
【００９２】
本願発明においては、基板として高分子フィルムを用いるため、基板温度を当該高分子フィルムの軟化点温度より上昇させることはまずできない。よって、金属化合物層を形成するためには、高分子フィルムの温度は室温以下程度から軟化点温度以下とする必要がある。代表的な高分子フィルムであるポリエチレンテレフタレートの場合、特別な処理を行わないときは基板温度を８０℃以下の温度に保ったまま金属化合物層を形成することが望ましい。より望ましくは５０℃以下の基板温度にて、さらに望ましくは２０℃以下である。また、耐熱高分子の上であっても、高分子フィルムからのアウトガスの制御という観点より８０℃以下、より望ましくは５０℃以下、さらに望ましくは２０℃以下に設定した基板温度で形成することが望ましい。
【００９３】
＜透明導電層＞
本発明においては、硬化樹脂層−２または前記硬化樹脂層−３または光学干渉層または金属化合物層に接して透明導電層が設けられる。上記硬化樹脂層−２に接して透明導電層を設けることにより、透明導電性積層体の筆記耐久性等の機械特性が向上する。ここで透明導電層としては、酸化錫を２〜２０重量％含むＩＴＯ膜やアンチモンまたはフッ素等をドープした酸化錫膜がある。透明導電層の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法あるいは塗工法、印刷法、ＣＶＤ法があるが、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法が好ましい。ＰＶＤ法またはＣＶＤ法の場合、透明導電層の厚さは、透明性と導電性の点から５〜５０ｎｍが好ましく、更に好ましくは１０〜３０ｎｍである。透明導電層の膜厚が１０ｎｍ未満では抵抗値の経時安定性に劣る傾向が有り，また３０ｎｍを超えると透明導電性積層体の透過率が低下するため好ましくない。透明タッチパネルの消費電力の低減と回路処理上の必要等から、膜厚１０〜３０ｎｍにおいて表面抵抗値が１００〜２０００Ω／□（Ω／ｓｑ）、より好ましくは１４０〜２０００Ω／□（Ω／ｓｑ）の範囲を示す透明導電層を用いることが好ましい。更に、透明導電層として主として結晶質（実質的に結晶相１００％）のインジウム酸化物よりなる膜がより好ましい。特に結晶粒径が３０００ｎｍ以下の主として結晶質のインジウム酸化物からなる層が好ましく用いられる。結晶粒径が３０００ｎｍを超えると筆記耐久性が悪くなるため好ましくない。ここで結晶粒径とは、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）下で観察される多角形状または長円状の結晶粒の各領域における対角線または直径の中で最大のものと定義する。
【００９４】
＜ハードコート層＞
本発明の透明導電性積層体を可動電極基板として用いた場合は、透明タッチパネルの作動時に外力が加わる面、すなわち透明導電層とは反対側の透明有機高分子基板面には、ハードコート層を設けることが好ましい。ハードコート層を形成するための材料としては、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のオルガノシラン系の熱硬化型樹脂やエーテル化メチロールメラミン等のメラミン系熱硬化型樹脂、ポリオールアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート等の多官能アクリレート系紫外線硬化型樹脂等があり、必要に応じて、ＳｉＯ２やＭｇＦ２等の超微粒子等を混合したものを用いることができる。ハードコート層の厚さは、可撓性、耐摩擦性の点から２〜５μｍが好ましい。
【００９５】
ハードコート層は塗工法により形成することが出来る。実際の塗工法としては、前記の化合物を各種有機溶剤に溶解して、濃度や粘度を調節した塗工液を用いて、透明有機高分子基板上に塗工後、放射線照射や加熱処理等により層を硬化させる。塗工方式としては例えば、マイクログラビヤコート法、マイヤーバーコート法、ダイレクトグラビヤコート法、リバースロールコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、コンマコート法、ダイコート法、ナイフコート法、スピンコート法等の各種塗工方法が用いられる。
【００９６】
なお、ハードコート層は透明有機高分子基板上に直接、もしくは適当なアンカー層を介して積層される。こうしたアンカー層としては例えば、該ハードコート層と透明有機高分子基板との密着性を向上させる機能を有する層や、Ｋ値が負の値となる三次元屈折率特性を有する層等の各種の位相補償層、水分や空気の透過を防止する機能もしくは水分や空気を吸収する機能を有する層、紫外線や赤外線を吸収する機能を有する層、基板の帯電性を低下させる機能を有する層等が好ましく挙げられる。
【実施例】
【００９７】
以下、本発明の具体例を挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。以下の実施例において、押し込み硬さ試験機による塑性変形硬さ測定方法、リニアリティー測定方法、筆記耐久性試験方法、端押し耐久性試験方法は次の通りである。
【００９８】
＜押し込み硬さ試験機による塑性変形硬さの測定方法＞
以下の測定装置と測定条件を用いて塑性変形硬さの測定を実施した。
測定装置：ナノインデンテーションテスター  ＥＮＴ−１１００ａ（エリオニクス社製）
測定面：硬化樹脂層面を測定する。
測定条件
押し込み深さ設定試験  設定深さ  ０．５μｍ
２５０ステップに分割
試験荷重保持時間  １秒
使用圧子  三角錐  （稜間隔  １１５°）
各試料につき５点連続自動測定
塑性変形硬さ算出方法
荷重−変位グラフから下記式を使用して５点連続測定の塑性変形硬さの平均値を算出する。除荷の際の、曲線の最大変位における接線を求め、その傾きから塑性変形量を分離してビッカーズ硬さに相当する硬さを求めたもの。圧子形状により実際のビッカーズ値は若干値は変わる。
【００９９】
【数１】
2005104141.tif 000002
Ｐｍａｘ：荷重
ｈｍａｘ：除荷の際の、曲線の最大変位
【０１００】
＜金属化合物層の膜厚測定方法＞
金属化合物層を形成後、蛍光Ｘ線分析装置ＲＩＸ１０００（株式会社リガク製）を使用して金属化合物層の膜厚を測定した。
【０１０１】
＜リニアリティー測定方法＞
可動電極基板上又は固定電極基板上の平行電極間に直流電圧５Ｖを印加する。平行電極と垂直の方向に５ｍｍ間隔で電圧を測定する。測定開始位置Ａの電圧をＥＡ、測定終了位置Ｂの電圧をＥＢ、Ａからの距離Ｘにおける電圧実測値ＥＸ、理論値をＥＴ、リニアリティーをＬとすると、
ＥＴ  ＝  （ＥＢ−ＥＡ）  ×  Ｘ／  （Ｂ−Ａ）  ＋  ＥＡ
Ｌ（％）  ＝  （｜ＥＴ−ＥＸ｜）  ／  （ＥＢ−ＥＡ）  ×  １００
【０１０２】
＜端押し耐久性試験方法＞
作製した透明タッチパネルの可動電極基板の周囲の絶縁層から約２ｍｍの位置を絶縁層と平行して先端が０．８Ｒのポリアセタール製のペンを用いて４５０ｇ荷重で直線往復１０万回筆記を行う（端押し耐久性試験）。端押し耐久性試験前後の透明タッチパネルのリニアリティーを測定する。端押し耐久性試験前後のリニアリティー変化量が１．５％以上となるものをＮＧとした。
【０１０３】
＜筆記耐久性試験方法＞
作製した透明タッチパネルの可動電極基板の中央部を対角線方向に先端が０．８Ｒのポリアセタール製のペンを用いて４５０ｇ荷重で直線往復１０万回筆記を行う（筆記耐久性試験）。筆記耐久性試験前後の透明タッチパネルのリニアリティーを測定する。筆記耐久性前後の透明タッチパネルのリニアリティー変化量が１．５％以上となるものをＮＧとした。
【０１０４】
［実施例１］
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製  ＯＦＷ、押し込み硬さ試験機による硬さ２．８×１０８Ｐａ（２８ｋｇｆ／ｍｍ２））の片面に紫外線硬化型多官能アクリレート樹脂塗料を用いて厚さ４μｍのハードコート層１を形成した。
【０１０５】
ウレタンアクリレート  アロニックス  Ｍ１２００（東亞合成社製）１００重量部とイルガキュア１８４（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）３重量部をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）へ溶解し塗工液Ａを作製した。塗工液Ａをハードコート層１と反対面に硬化後の膜厚が６．０μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射し硬化させ硬化樹脂層−１（ａ）を形成した。
硬化樹脂層−１（ａ）の硬さを測定用のサンプル（硬化後の膜厚：５μｍ）を同様の手法により作製し、硬さ測定を行った。測定した結果を表１に示す。
【０１０６】
４官能アクリレート  アロニックス  Ｍ４００（東亞合成社製）１００重量部とイルガキュア１８４（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）３重量部をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）へ溶解し塗工液Ｂを作製した。塗工液Ｂを硬化樹脂層−１（ａ）上に硬化後の膜厚が４．０μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層−２（ａ）を形成した。硬化樹脂層−１（ａ）と硬化樹脂層−２（ａ）積層後の硬さ測定を行った。測定した結果を表１に示す。
硬化樹脂層−２（ａ）の硬さを測定用のサンプル（硬化後の膜厚：５μｍ）を同様の手法により作製し、硬さ測定を行った。測定した結果を表１に示す。
【０１０７】
次にγ−グリシドキシプロピルトリメトキシラン（信越化学工業社製  「ＫＢＭ４０３」）とメチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製  「ＫＢＭ１３」）を１：１のモル比で混合し、酢酸水溶液（ｐＨ＝３．０）により公知の方法で前記アルコキシシランの加水分解を行った。こうして得たアルコキシシランの加水分解物に対して、固形分の重量比率２０：１の割合でＮ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメトキシシラン（信越化学工業社製  「ＫＢＭ６０３」）を添加し、更にイソプロピルアルコールとｎ−ブタノールの混合溶液で希釈を行い、アルコキシシラン塗工液Ｃを作製した。
【０１０８】
前記硬化樹脂層−２（ａ）上にアルコキシシラン塗工液Ｃをバーコート法によりコーティングを行い１３０℃２分間の焼成後、膜厚６５ｎｍの硬化樹脂層−３（ａ）を作製した。さらにこの硬化樹脂層−３（ａ）上に、酸化インジウムと酸化錫が重量比９５：５の組成で充填密度９８％の酸化インジウム−酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成されたＩＴＯ層の膜厚は約２０ｎｍ、製膜後の表面抵抗値は約３５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。作製した可動電極基板を１５０℃９０分の熱処理を行い、ＩＴＯ膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、ＩＴＯが結晶化した後の表面抵抗値は約２８０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。
【０１０９】
他方、厚さ１．１ｍｍのガラス板の両面にＳｉＯ２ディップコートを行った後、スパッタリング法により、同様な方法で厚さ１８ｎｍのＩＴＯ膜を形成した。次にＩＴＯ膜上に高さ７μｍ、直径７０μｍ、ピッチ１．５ｍｍのドットスペーサを形成することにより、固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板用いて図１の透明タッチパネルを作製した。作製した透明タッチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行った。試験前後のリニアリティーを表１に示す。
【０１１０】
［実施例２］
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製  ＯＦＷ、押し込み硬さ試験機による硬さ２．８×１０８Ｐａ（２８ｋｇｆ／ｍｍ２））の片面に紫外線硬化型多官能アクリレート樹脂塗料を用いて厚さ４μｍのハードコート層１を形成した。
【０１１１】
実施例１の塗工液Ａをハードコート層１と反対面に硬化後の膜厚が５．０μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層−１（ｂ）を形成した。
実施例１の塗工液Ｂを硬化樹脂層−１（ｂ）上に硬化後の膜厚が５．５μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層−２（ｂ）を形成した。
硬化樹脂層−１（ｂ）と硬化樹脂層−２（ｂ）積層後の硬さ測定を行った。測定した結果を表１に示す。
【０１１２】
テトラブトキシチタネート（日本曹達社製「Ｂ−４」）をリグロイン（和光純薬工業社製の等級が特級品）とブタノール（和光純薬工業社製の等級が特級品）の混合溶媒で希釈した塗工液Ｄを作製した。
塗工液Ｄ中に平均１次粒子径が０．５μｍのシリカ微粒子をテトラブトキシチタネートの１００重量部に対して０．３重量部となるように混合し塗工液Ｅを作製した。
実施例１で用いたアルコキシシラン塗工液Ｃを塗工液Ｅと塗工液Ｃの固形分同士の混合比が７０：３０になるように混合し塗工液Ｆを作製した。塗工液Ｆに１次粒子径が２０ｎｍのＴｉＯ２超微粒子をＴｉＯ２超微粒子と金属アルコキシドの重量比率が３０：７０となるように混合した塗工液Ｇを作製した。上記硬化樹脂層−２（ｂ）面上に、塗工液Ｇをバーコート法でコーティングを行い１３０℃２分間の焼成後、膜厚が５５ｎｍの高屈折率層を形成した。
【０１１３】
前記高屈折率層上にアルコキシシラン塗工液Ｃをバーコート法によりコーティングを行い１３０℃２分間の焼成後、膜厚６５ｎｍの低屈折率層を形成し、高屈折率層と低屈折率層よりなる光学干渉層を作製した。さらにこの光学干渉層上に、酸化インジウムと酸化錫が重量比９５：５の組成で充填密度９８％の酸化インジウム−酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成されたＩＴＯ層の膜厚は約２０ｎｍ、製膜後の表面抵抗値は約３５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。作製した可動電極基板を１５０℃９０分の熱処理を行い、ＩＴＯ膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、ＩＴＯが結晶化した後の表面抵抗値は約２８０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。
【０１１４】
実施例１と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板用いて図２の透明タッチパネルを作製した。作製した透明タッチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行った。試験前後のリニアリティーを表１に示す。
【０１１５】
［実施例３］
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製  ＯＦＷ、押し込み硬さ試験機による硬さ２．８×１０８Ｐａ（２８ｋｇｆ／ｍｍ２））の片面に紫外線硬化型多官能アクリレート樹脂塗料を用いて厚さ４μｍのハードコート層１を形成した。
【０１１６】
アクリロニトリルブタジエンゴム  Ｎｉｐｏｌ１０５２Ｊ（日本ゼオン社製）を７５重量部、４官能アクリレート  アロニックス  Ｍ４００（東亞合成社製）を２５重量部、イルガキュア１８４（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）３重量部をトルエンとメチルイソブチルケトンの混合比が１：１の溶剤に溶解し塗工液Ｈを作製した。塗工液Ｈをハードコート層１と反対面に硬化後の膜厚が５．５μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層−１（ｃ）を形成した。
硬化樹脂層−１（ｃ）の硬さを測定用のサンプル（硬化後の膜厚：５μｍ）を同様の手法により作製し、硬さ測定を行った。測定した結果を表１に示す。
【０１１７】
実施例１で使用した塗工液Ｂを硬化樹脂層−１（ｃ）上に硬化後の膜厚が４．５μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層−２（ｃ）を形成した。硬化樹脂層−１（ｃ）と硬化樹脂層−２（ｃ）積層後の硬さ測定を行った。測定した結果を表１に示す。
【０１１８】
前記硬化樹脂層−２（ｃ）上に実施例１で使用した塗工液Ｃをバーコート法によりコーティングを行い１３０℃２分間の焼成後、膜厚６５ｎｍの硬化樹脂層−３（ｃ）を作製した。さらにこの硬化樹脂層−３（ｃ）上に、酸化インジウムと酸化錫が重量比９５：５の組成で充填密度９８％の酸化インジウム−酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成されたＩＴＯ層の膜厚は約２０ｎｍ、製膜後の表面抵抗値は約３５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。作製した可動電極基板を１５０℃９０分の熱処理を行い、ＩＴＯ膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、ＩＴＯが結晶化した後の表面抵抗値は約２８０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。
【０１１９】
実施例１と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板用いて図１の透明タッチパネルを作製した。作製した透明タッチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行った。試験前後のリニアリティーを表１に示す。
【０１２０】
［実施例４］
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製  ＯＦＷ、押し込み硬さ試験機による硬さ２．８×１０８Ｐａ（２８ｋｇｆ／ｍｍ２））の片面に紫外線硬化型多官能アクリレート樹脂塗料を用いて厚さ４μｍのハードコート層１を形成した。
【０１２１】
合成ラテックスＬＸ８５７Ｘ２（日本ゼオン社製）をハードコート層１の反対面に塗工後１００℃２分間乾燥し、膜厚が６．０μｍの硬化樹脂層−１（ｄ）を形成した。硬化樹脂層−１（ｄ）の硬さを測定用のサンプル（乾燥後の膜厚：５μｍ）を同様の手法により作製し、硬さ測定を行った。測定した結果を表１に示す。
【０１２２】
実施例１で使用した塗工液Ｂを硬化樹脂層−１（ｄ）上に硬化後の膜厚が４．５μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層−２（ｄ）を形成した。硬化樹脂層−１（ｄ）と硬化樹脂層−２（ｄ）積層後の硬さ測定を行った。測定した結果を表１に示す。
【０１２３】
実施例２と同様にして光学干渉層を形成した後、光学干渉層の低屈折率層上にＳｉターゲットを用いてスパッタリング法によりＳｉＯｘ層を形成した。形成されたＳｉＯｘ層の膜厚は約２．０ｎｍであった。次いでＳｉＯｘ層上に、酸化インジウムと酸化錫が重量比９７：３の組成で充填密度９８％の酸化インジウム−酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成されたＩＴＯ層の膜厚は約２０ｎｍ、製膜後の表面抵抗値は約５５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。作製した可動電極基板を１５０℃６０分熱処理行い、ＩＴＯ膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、ＩＴＯが結晶化した後の表面抵抗値は約４５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。
【０１２４】
実施例１と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板用いて図４の透明タッチパネルを作製した。作製した透明タッチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行った。試験前後のリニアリティーを表１に示す。
【０１２５】
［比較例１］
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製  ＯＦＷ、押し込み硬さ試験による硬さ２．８×１０８Ｐａ（２８ｋｇｆ／ｍｍ２））の片面に紫外線硬化型多官能アクリレート樹脂塗料を用いて厚さ４μｍのハードコート層１を形成した。
実施例１で作製した塗工液Ａをハードコート層１と反対面に硬化後の膜厚が５．０μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層−１（ｅ）を形成した。
【０１２６】
前記硬化樹脂層−１（ｅ）上に実施例１で作製した塗工液Ｃをバーコート法によりコーティングを行い１３０℃２分間の焼成後、膜厚６５ｎｍの硬化樹脂層−３（ｅ）を作製した。さらにこの硬化樹脂層−３（ｅ）上に、酸化インジウムと酸化錫が重量比９５：５の組成で充填密度９８％の酸化インジウム−酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成されたＩＴＯ層の膜厚は約２０ｎｍ、製膜後の表面抵抗値は約３５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。作製した可動電極基板を１５０℃９０分の熱処理を行ったが、ＩＴＯ層に細かいしわが入り可動電極基板のヘーズが上昇（白化）してしまった。
【０１２７】
［比較例２］
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製  ＯＦＷ、押し込み硬さ試験による硬さ２．８×１０８Ｐａ（２８ｋｇｆ／ｍｍ２））の片面に紫外線硬化型多官能アクリレート樹脂塗料を用いて厚さ４μｍのハードコート層１を形成した。
実施例１で作製した塗工液Ｂをハードコート層１と反対面に硬化後の膜厚が５．０μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層−２（ｆ）を形成した。
【０１２８】
前記硬化樹脂層−２（ｆ）上に実施例１で作製した塗工液Ｃをバーコート法によりコーティングを行い１３０℃２分間の焼成後、膜厚６５ｎｍの硬化樹脂層−３（ｆ）を作製した。さらにこの硬化樹脂層−３（ｆ）上に、酸化インジウムと酸化錫が重量比９５：５の組成で充填密度９８％の酸化インジウム−酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成されたＩＴＯ層の膜厚は約２０ｎｍ、製膜後の表面抵抗値は約３５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。作製した可動電極基板を１５０℃９０分の熱処理を行い、ＩＴＯ膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、ＩＴＯが結晶化した後の表面抵抗値は約２８０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。
【０１２９】
実施例１と同様に固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板用いて図３の透明タッチパネルを作製した。作製した透明タッチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行った。試験前後のリニアリティーを表１に示す。
【０１３０】
［比較例３］
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製  ＯＦＷ、押し込み硬さ試験による硬さ２．８×１０８Ｐａ（２８ｋｇｆ／ｍｍ２））の片面に紫外線硬化型多官能アクリレート樹脂塗料を用いて厚さ４μｍのハードコート層１を形成した。
【０１３１】
多官能アクリレート  ＮＫオリゴ  Ｕ１５ＨＡ（新中村化学社製）１００重量部と単官能アクリレート  アロニックス  ＴＯ−１４２９（東亞合成社製）１００重量部とイルガキュア１８４（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）１０重量部をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）へ溶解し塗工液Ｉを作製した。塗工液Ｉをハードコート層１と反対面に硬化後の膜厚が４．０μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層−２（ｇ）を形成した。作製した硬化樹脂層−２（ｇ）のヤング率と塑性変形硬さを測定した結果を表１に示す。
【０１３２】
前記硬化樹脂層−２（ｇ）上に実施例１で作製した塗工液Ｃをバーコート法によりコーティングを行い１３０℃２分間の焼成後、膜厚６５ｎｍの硬化樹脂層−３（ｇ）を作製した。さらにこの硬化樹脂層−３（ｇ）上に、酸化インジウムと酸化錫が重量比９５：５の組成で充填密度９８％の酸化インジウム−酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成されたＩＴＯ層の膜厚は約２０ｎｍ、製膜後の表面抵抗値は約３５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。作製した可動電極基板を１５０℃９０分の熱処理を行い、ＩＴＯ膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、ＩＴＯが結晶化した後の表面抵抗値は約２８０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。
【０１３３】
実施例１と同様に固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板用いて図３の透明タッチパネルを作製した。作製した透明タッチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行い、試験前後のリニアリティーを表１に示す。
【０１３４】
［比較例４］
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製  ＯＦＷ、押し込み硬さ試験による硬さ２．８×１０８Ｐａ（２８ｋｇｆ／ｍｍ２））の片面に紫外線硬化型多官能アクリレート樹脂塗料を用いて厚さ４μｍのハードコート層１を形成した。
【０１３５】
実施例１の塗工液Ａをハードコート層１と反対面に硬化後の膜厚が６．５μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層−１（ｈ）を形成した。
実施例１の塗工液Ｂを硬化樹脂層−１（ｈ）上に硬化後の膜厚が１．０μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層−２（ｈ）を形成した。硬化樹脂層−１（ｈ）と硬化樹脂層−２（ｈ）積層後の硬さ測定を行った。測定した結果を表１に示す。
【０１３６】
前記硬化樹脂層−１（ｈ）上に実施例１で作製した塗工液Ｃをバーコート法によりコーティングを行い１３０℃２分間の焼成後、膜厚６５ｎｍの硬化樹脂層−３（ｈ）を作製した。さらにこの硬化樹脂層−３（ｈ）上に、酸化インジウムと酸化錫が重量比９５：５の組成で充填密度９８％の酸化インジウム−酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成されたＩＴＯ層の膜厚は約２０ｎｍ、製膜後の表面抵抗値は約３５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。作製した可動電極基板を１５０℃９０分の熱処理を行ったが、ＩＴＯ層に細かいしわが入り可動電極基板のヘーズが上昇（白化）してしまった。
【０１３７】
［比較例５］
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製  ＯＦＷ、押し込み硬さ試験による硬さ２．８×１０８Ｐａ（２８ｋｇｆ／ｍｍ２））の片面に紫外線硬化型多官能アクリレート樹脂塗料を用いて厚さ４μｍのハードコート層１を形成した。
実施例１の塗工液Ａをハードコート層１と反対面に硬化後の膜厚が１．５μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層−１（ｉ）を形成した。
【０１３８】
実施例１の塗工液Ｂを硬化樹脂層−１（ｉ）上に硬化後の膜厚が６．０μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層−２（ｉ）を形成した。硬化樹脂層−１（ｉ）と硬化樹脂層−２（ｉ）積層後の硬さ測定を行った。測定した結果を表１に示す。
【０１３９】
前記硬化樹脂層−２（ｉ）上に実施例１で作製した塗工液Ｃをバーコート法によりコーティングを行い１３０℃２分間の焼成後、膜厚６５ｎｍの硬化樹脂層−３（ｉ）を作製した。さらにこの硬化樹脂層−３（ｉ）上に、酸化インジウムと酸化錫が重量比９５：５の組成で充填密度９８％の酸化インジウム−酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成されたＩＴＯ層の膜厚は約２０ｎｍ、製膜後の表面抵抗値は約３５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。作製した可動電極基板を１５０℃９０分の熱処理を行い、ＩＴＯ膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、ＩＴＯが結晶化した後の表面抵抗値は約２８０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。
【０１４０】
実施例１と同様に固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板用いて図１の透明タッチパネルを作製した。作製した透明タッチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行った。試験前後のリニアリティーを表１に示す。
【０１４１】
【表１】
2005104141.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【０１４２】
【図１】実施例１、３、比較例５で作製した透明タッチパネルの構成を表した模式図である。
【図２】実施例２で作製した透明タッチパネルの構成を表した模式図である。
【図３】比較例２、３で作製した透明タッチパネルの構成を表した模式図である。
【図４】実施例４で作製した透明タッチパネルの構成を表した模式図である。
【符号の説明】
【０１４３】
１  ハードコート層
２  ポリエチレンテレフタレートフィルム
３  硬化樹脂層−１
４  硬化樹脂層−２
５  硬化樹脂層−３
６  高屈折率層
７  低屈折率層
８  透明導電層
９  ガラス基板
１０  金属化合物層
【図１】
2005104141.tif 000004
【図２】
2005104141.tif 000005
【図３】
2005104141.tif 000006
【図４】
2005104141.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月15日(2004.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
可動電極基板表面、固定電極基板表面がいずれも平坦である場合、透明タッチパネルを作製した時、可動電極基板表面からの反射光と固定電極基板表面からの反射光の干渉によるニュートンリングが観察されることがある。この反射光を光学的に散乱させることによりニュートンリングを防止するために硬化樹脂層−１もしくは硬化樹脂層−２の表面を粗面化してもよい。硬化樹脂層−１もしくは硬化樹脂層−２の表面を粗面化する手法としては、１次粒子径が０．００１μｍ以上５μｍ以下の微粒子を単独で、または１次粒子径の異なる２種類以上の微粒子を組み合わせ、硬化樹脂層−１もしくは硬化樹脂層−２に含有させる。前記手法により粗面化された好ましい粗面化範囲は硬化樹脂層−２のＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４で定義される十点平均粗さ（Ｒｚ）が、１００．０ｎｍ以上４００．０ｎｍ以下であり、かつ算術平均粗さ（Ｒａ）が、１０．０ｎｍ以上５００ｎｍ以下で、更にかつＪＩＳ  Ｂ７３６１で定義されるヘーズが５％以下である。