(57)【要約】【課題】  ＥＳＬの増加を抑制しつつ、さらなる多端子化が図られた固体電解コンデンサを提供する。【解決手段】  本発明に係る固体電解コンデンサは、上面１４ａに形成された隣り合う第１の端子対３４ａ，３４ａと、下面１４ｂに形成された第１の端子対３４ａ，３４ａに対応する第２の端子対３４ｂ，３４ｂとが、厚さ方向に貫設されたビアホール３４によって接続された基板１４と、基板１４の上面１４ａ上に並設された固体電解コンデンサ素子１２Ｃ，１２Ｄとを備え、固体電解コンデンサ素子１２Ｄの陽極は、第１の端子対の一方の端子に接続され、第２の固体電解コンデンサ素子１２Ｃの陰極は、第１の端子対の他方の端子に接続されている。そのため、固体電解コンデンサ１０においてはＥＳＬの増加の抑制及びさらなる多端子化が図られている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方面に形成された隣り合う第１の端子対と、他方面に形成された前記第１の端子対に対応する第２の端子対とが、厚さ方向に貫設された導通路によって接続された基板と、
前記基板の前記一方面上に並設された第１及び第２の固体電解コンデンサ素子とを備え、
前記第１の固体電解コンデンサ素子の陽極は、前記第１の端子対の一方の端子に接続され、前記第２の前記固体電解コンデンサ素子の陰極は、前記第１の端子対の他方の端子に接続されている、固体電解コンデンサ。
【請求項２】
前記基板の前記一方面には、さらに隣り合う第２の端子対が形成されており、
前記第１の固体電解コンデンサ素子の陰極は、前記第２の端子対の一方の端子に接続され、前記第２の固体電解コンデンサ素子の陽極は、前記第２の端子対の他方の端子に接続されている、請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】
前記第１の端子対は、前記第１及び第２の固体電解コンデンサ素子の間に位置している、請求項１又は２に記載の固体電解コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体電解コンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、固体電解コンデンサを構成するコンデンサ素子の陽極には、絶縁性酸化皮膜形成能力を有するアルミニウム、チタン、ニオブ、ジルコニウム、タンタルなどの金属、いわゆる弁金属が用いられる。そして、この弁金属の表面を陽極酸化して、絶縁性酸化皮膜を形成した後に、実質的に陰極として機能する電解質層を形成し、さらに、グラファイトや銀などの導電層を陰極として設けたものをコンデンサ素子としている。このコンデンサ素子の一部は、表面に陰極が形成された長方形薄片状の蓄電部と、蓄電部の長辺の側面から外方に突出する、陽極として機能する薄片状の複数対の電極部とで構成されている。このような形状のコンデンサ素子は、例えば、下記特許文献１に開示されている。なお、この文献に係るコンデンサ素子は、積層型セラミックコンデンサに適用するためのコンデンサ素子である。
【０００３】
【特許文献１】米国特許第５８８０９２５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発明者らは、上述したような固体電解コンデンサに関する研究を重ね、コンデンサ素子の陽極及び陰極を複数に分岐して引き出す（多端子する）ことにより低ＥＳＬ化が可能であるとの知見を得た。そしてさらに、固体電解コンデンサの基板上に、このような形状を有するコンデンサ素子を複数並設することで、さらなる多端子化を図ることができると予測し、固体電解コンデンサのＥＳＬを有意に低減する技術について研究を重ねた。しかしながら、プリント配線基板上の制限あるコンデンサ載置領域において、コンデンサの端子数の増加を図った場合には、端子同士が互いに近接することとなり、それに伴って充放電時にコンデンサ内を流れる電流の経路も密に近接する。このように近接する電流経路内に同方向の電流が流れた場合には、その電流に起因して発生する磁界が互いに増長しあい、ＥＳＬを増加してしまうおそれがある。それにより、多端子化によって実現されるＥＳＬの低減という長所が損なわれてしまい、この固体電解コンデンサが適用される回路の高周波対応が困難になってしまうという問題があった。
【０００５】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、ＥＳＬの増加を抑制しつつ、さらなる多端子化が図られた固体電解コンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る固体電解コンデンサは、一方面に形成された隣り合う第１の端子対と、他方面に形成された第１の端子対に対応する第２の端子対とが、厚さ方向に貫設された導通路によって接続された基板と、基板の一方面上に並設された第１及び第２の固体電解コンデンサ素子とを備え、第１の固体電解コンデンサ素子の陽極は、第１の端子対の一方の端子に接続され、第２の固体電解コンデンサ素子の陰極は、第１の端子対の他方の端子に接続されていることを特徴とする。
【０００７】
この固体電解コンデンサは、基板の他方面側をプリント配線基板に対向させた状態で、プリント配線基板上に載置され、当該基板上に配置された所定電極と基板の第２の端子対とが接続される。この第２の端子対は、基板の厚さ方向に貫設された導通路によって、基板の一方面上に形成された第１の端子対と接続されている。この第１の端子対の一方の端子には、基板の一方面上にある第１の固体電解コンデンサ素子の陽極に接続されており、第１の端子対の他方の端子には、基板の一方面上にある第２の固体電解コンデンサ素子の陰極に接続されている。従って、固体電解コンデンサのコンデンサ素子が充放電する際、この第１の端子対に接続された、厚さ方向に延びる一対の平行な導通路には、互いに逆向きの電流が流れる。それにより、この導通路を流れる電流に起因して発生する磁界が相殺されるため、固体電解コンデンサにおけるＥＳＬの低減が図られ、高周波領域でのインピーダンス特性を大幅に改善できる。
【０００８】
また、基板の一方面には、さらに隣り合う第２の端子対が形成されており、第１の固体電解コンデンサ素子の陰極は、第２の端子対の一方の端子に接続され、第２の固体電解コンデンサ素子の陽極は、第２の端子対の他方の端子に接続されていることが好ましい。この場合、第１の固体電解コンデンサ素子の陽極及び第２の固体電解コンデンサ素子の陰極に接続された第１の端子対だけでなく、第１の固体電解コンデンサ素子の陰極及び第２の固体電解コンデンサ素子の陽極に接続された第２の端子対でも、その対応する導通路において互いに逆向きの電流が流れるため、固体電解コンデンサにおけるＥＳＬのさらなる低減が図られる。そのため、高周波領域でのインピーダンス特性の向上を維持しつつ、さらなる多端子化を図ることが可能である。
【０００９】
また、第１の端子対は、第１及び第２の固体電解コンデンサ素子の間に位置していることが好ましい。この場合、隣り合う第１及び第２の固体電解コンデンサ素子同士を近づけると共に、第１の端子対の離間距離を狭めることで、コンデンサ素子が搭載される基板の面積を容易に縮小することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ＥＳＬの増加を抑制しつつ、さらなる多端子化が図られた固体電解コンデンサが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して本発明に係る固体電解コンデンサの好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、同一又は同等の要素については同一の符号を付し、説明が重複する場合にはその説明を省略する。
【００１２】
図１は、本発明の実施形態に係る固体電解コンデンサを示した概略斜視図である。図１に示すように、固体電解コンデンサ１０は、４つの固体電解コンデンサ素子１２（１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ）と、これらの固体電解コンデンサ素子１２が上面１４ａに載置される四角形薄片状の基板１４と、４つのコンデンサ素子１２及び基板１４をモールドするエポキシ樹脂製の樹脂モールド１６とを備えている。４つの固体電解コンデンサ素子（以下、単に「コンデンサ素子」と称す。）１２は、基板上面１４ａの、マトリクス状に配置された４つの素子載置領域１３（１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ）にそれぞれ載置されている。この固体電解コンデンサ１０は、充放電時における電流の経路が多数に分岐される多端子型のコンデンサであり、基板１４の下面１４ｂ側からプリント配線基板１７上に実装される。
【００１３】
各コンデンサ素子１２は、表面１２ａが粗面化（拡面化）され且つ化成処理が施された、陽極として機能する箔状のアルミニウム基体上の一部領域（後述する陰極形成領域）に、陰極が形成されたものである。この陰極は、導電性高分子化合物を含む固体高分子電解質層、グラファイトペースト層及び銀ペースト層により構成されている。
【００１４】
図２を参照しつつ、コンデンサ素子１２の表面構造をより具体的に説明する。図２は、図１に示した各コンデンサ素子１２の要部を示す模式断面図である。図２に示すように、エッチングによって粗面化されたアルミニウム基体１８（厚さ１００μｍ）は、化成処理、すなわち陽極酸化によって、その表面１８ａに酸化アルミニウム皮膜２０が成膜されている。そして、アルミニウム基体１８の、粗面化により形成された凹部には、固体高分子電解質層２１が含浸されている。なお、固体高分子電解質層２１は、アルミニウム基体１８の凹部にモノマーの状態で含浸され、その後、化学酸化重合又は電解酸化重合の処理が施されて形成される。この固体高分子電解質層２１上には、グラファイトペースト層２２及び銀ペースト層２３が、スクリーン印刷法、浸漬法（ディップ法）及びスプレー塗布法のいずれかの方法によって順次形成されている。従って、陰極（固体高分子電解質層、グラファイトペースト層及び銀ペースト層）は、アルミニウム基体１９上に成膜された絶縁性の酸化アルミニウム皮膜によって、陽極であるアルミニウム基体１９との絶縁が図られている。
【００１５】
図１及び図３に示すとおり、各コンデンサ素子１２は、長方形薄片状の蓄電部１２ａと、蓄電部１２ａの長辺の側面から外方に突出する、薄片状の偶数対（例えば、２対）の陽極電極部１２ｂとで構成されている。なお、図３は、図１の固体電解コンデンサの要部を示した分解斜視図である。以下、説明の便宜上、各コンデンサ素子１２の蓄電部１２ａの長辺方向をＸ方向、各コンデンサ素子１２の蓄電部１２ａの短辺方向をＹ方向、Ｘ方向及びＹ方向に直交する方向をＺ方向として説明する。
【００１６】
図１及び図３においては、蓄電部１２ａの両面及びＸ方向の端面には、その略全域に亘って陰極形成領域２８が形成されており、この陰極形成領域２８に上述した固体高分子電解質層２１、グラファイトペースト層２２及び銀ペースト層２３が順次積層されている。陽極電極部１２ｂは、蓄電部１２ａの各長辺の側面に１対ずつ形成されており、いずれの陽極電極部１２ｂもＹ方向に延在している。蓄電部１２ａの表面領域のうち、陽極電極部１２ｂが設けられた側の縁領域１２ｃには、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂からなる絶縁性樹脂層２７が設けられている。この絶縁性樹脂層２７により、蓄電部１２ａに設けられている陰極形成領域２８と陽極電極部１２ｂとの絶縁がより確実に図られている。
【００１７】
４つの陽極電極部１２ｂの位置は、蓄電部１２ａの重心点Ｇを中心として点対称の位置関係を有している。なお重心点Ｇは、蓄電部１２ａにおいて対角線が交差した蓄電部１２ａ表面上の一点として定義される。陽極電極部１２ｂをこのような位置関係にすることで、コンデンサ素子１２の極性配置が表裏反転及び１８０度回転しても同じになるので、基板１４に搭載する際の極性の誤接続を防止することもできる。
【００１８】
上述した形状のコンデンサ素子１２はそれぞれ、粗面化された表面に酸化アルミニウム皮膜が成膜されたアルミニウム箔を打ち抜いて成形されるが、この成形後に化成液に浸漬することで、その端面に酸化アルミニウム皮膜が形成される。化成液は、例えば、濃度３％のアジピン酸アンモニウム水溶液等が好ましい。
【００１９】
ここで、コンデンサ素子１２に施す各種処理について、図４を参照しつつ説明する。図４は、コンデンサ素子１２に陽極酸化処理を施している状態を示した図である。まず始めに、コンデンサ素子１２の蓄電部１２ａの表面領域のうち、陽極電極部１２ｂが設けられた側の縁領域１２ｃに絶縁樹脂層２７を形成する。このように所定領域１２ｃに絶縁樹脂層２７を形成することで、後段において形成される陰極と陽極との絶縁が確実に図られる。そして、コンデンサ素子１２の一端部側の陽極電極部１２ｂを、熱硬化型レジスト２４によってマスクする。次に、ステンレスビーカ２５中に収容されたアジピン酸アンモニウム水溶液よりなる化成溶液２６中に、他端側の陽極電極部１２ｂを支持してコンデンサ素子１２を浸漬する。
【００２０】
そして、支持された陽極電極部１２ｂをプラス、ステンレスビーカ２５をマイナスにして電圧を印加する。このときの電圧は、所望する酸化アルミニウム皮膜の膜厚に応じて適宜決定することができ、１０ｎｍ〜１μｍの膜厚を有する酸化アルミニウム皮膜２０を形成する場合には、通常、数ボルト〜２０ボルト程度である。電圧印加により陽極酸化が開始されると、化成溶液２６が、表面が粗面化されたコンデンサ素子１２の表面を毛細管現象によって上昇する。したがって、端面を含む表面が粗面化されているコンデンサ素子１２の全表面に酸化アルミニウム皮膜２０が形成される。こうして作製されたコンデンサ素子１２には、上述した陰極形成領域２８に公知の方法で陰極が形成される。最後に、レジスト２４を除去することでコンデンサ素子１２が完成する。
【００２１】
次に、基板１４上にコンデンサ素子１２が載置された状態について、図３及び図５を参照しつつ説明する。図５は、図１に示した固体電解コンデンサのＶ−Ｖ線断面図である。基板１４は、その上面１４ａに銅製のリード配線３０が印刷され、下面１４ｂに銅製のランド電極３２が印刷されたＦＲ４材（エポキシ樹脂材）製のプリント基板であり、銅製のリード配線３０とランド電極３２とを電気的に接続するビアホール（導通路）３４が形成されている。このビアホール３４は、基板１４の厚さ方向（図のＺ方向）に貫通する貫通孔３６の内側面に銅メッキ３８が施されたものである。また、ビアホール３４は、方形状の素子載置領域１３の対向する縁部１３ａ，１３ｂに沿って、各縁部１３ａ，１３ｂに４つずつ等間隔で並んでいる。なお、一方の縁部１３ａ側の各ビアホール３４は、他方の縁部１３ｂ側のビアホール３４とそれぞれ対をなしており、対となる２つのビアホール３４はＹ方向に並んでいる。ビアホール３４は、ドリル加工により基板１４に貫通孔３６を形成した後、この貫通孔３６の内側面に無電解銅メッキ３８をメッキ処理することにより形成される。
【００２２】
また、基板下面１４ｂにおいて、各コンデンサ素子１２に対応する８つのビアホール３４の端部（第２の端子）３４ｂが露出する部分の周辺には、方形状のランド電極３２が８つ形成されており、各ランド電極３２はそれぞれ対応するビアホール３４の端部３４ｂと電気的に接続されている。なお、ランド電極３２は陽極ランド電極３２Ａと陰極ランド電極３２Ｂで構成されており、Ｙ方向に並ぶビアホール３４の対に接続されるランド電極３２の対は、その一方が陽極ランド電極３２Ａ、他方が陰極ランド電極３２Ｂとなっている。また、基板上面１４ａの基板載置領域の縁部１３ａ，１３ｂに沿ってＸ方向に並ぶ４つのビアホール３４に接続される４つのランド電極３２は、陽極ランド電極３２Ａと陰極ランド電極３２Ｂとが交互する配置となっている。以下、説明の便宜上、陰極ランド電極３２Ｂに接続されたビアホール３４を陰極ビアホールと称し、陽極ランド電極３２Ａに接続されたビアホール３４を陽極ビアホールと称する。
【００２３】
また、基板上面１４ａにおいて、ビアホール３４の端部（第１の端子）３４ａが露出する部分の周辺には、リード配線３０が形成されている。このリード配線３０は、陽極リード配線３０Ａ及び陰極リード配線３０Ｂとで構成されており、これらのリード配線３０Ａ，３０Ｂは対応するビアホール３４の端部３４ａと電気的に接続されている。陰極リード配線３０Ｂは、４つの陰極ビアホール３４の端部周辺及び素子載置領域１３の中央部を含むように一体的に形成されている。一方、陽極リード配線３０Ａは、４つの陽極ビアホール３４の周辺それぞれに形成されており、ランド電極３２同様、方形状となっている。なお、１つの陰極リード配線３０Ｂ及び４つの陽極リード配線３０Ａとは、互いに電気的に隔離されている。
【００２４】
次に、基板１４上に各コンデンサ素子１２を搭載して、固体電解コンデンサ１０を作製する方法について、図１及び図３を参照しつつ説明する。
【００２５】
基板上面１４ａの各素子載置領域１３にコンデンサ素子１２を搭載する際、コンデンサ素子１２の陽極電極部１２ｂはそれぞれ、対応する位置に配置された基板１４上の陽極リード配線３０Ａと電気的に接続される。この電気的接続は抵抗溶接又はＹＡＧレーザスポット等の金属溶接手段によっておこなわれ、それにより、陽極電極部１２ｂのアルミニウム基体１８（図２参照）と陽極リード配線３０Ａとが電気的に接続される。従って、アルミニウム基体１８と基板下面１４ｂに形成された４つの陽極ランド電極３２Ａとが、４本の陽極ビアホール３４を介して電気的に接続される。
【００２６】
また、基板上面１４ａの各素子載置領域１３にコンデンサ素子１２を搭載する際、コンデンサ素子１２の陰極形成領域２８に形成された最上層の銀ペースト層２３（図２参照）は、導電性接着剤（図示せず）によって陰極リード配線３０Ｂと電気的に接続される。従って、陰極形成領域２８に形成された陰極（すなわち、固体高分子電解質層２１、グラファイトペースト層２２及び銀ペースト層２３）と、基板下面１４ｂに形成された４つの陰極ランド電極３２Ｂとが、４本の陰極ビアホール３４を介して電気的に接続される。そして、基板１４上にコンデンサ素子１２が上述の方法により搭載された後に、インジェクションモールド又はトランスモールドによって樹脂モールド１６が形成される。
【００２７】
以上で詳細に説明したように、各コンデンサ素子１２の陽極（アルミニウム基体１８）及び陰極（固体高分子電解質層２１、グラファイトペースト層２２及び銀ペースト層２３）は、リード配線３０及びビアホール３４を介して、基板下面１４ｂのランド電極３２と接続されている。そして、図６に示すように、基板載置領域１３の縁部１３ａ，１３ｂに沿ってＸ方向に並ぶ４つのビアホール３４の組は、陽極ビアホール３４及び陰極ビアホール３４が交互して配置されている。なお、図６は、図１に示した固体電解コンデンサ１０のＶＩ−ＶＩ線断面図である。図６において、矢印Ａは、コンデンサ素子１２が充電状態であるときの電流の流れ、矢印Ｂはコンデンサ素子１２が放電状態であるときの電流の流れを示している。この図６から明らかなように、コンデンサ素子１２が動作する場合、すなわちコンデンサ素子１２が充放電する場合、隣り合う陽極ビアホール３４と陰極ビアホール３４とにはそれぞれ逆向きの電流が流れる。つまり、コンデンサ素子１２が動作する際には、陽極ビアホール３４を流れる電流に起因する磁界と、陰極ビアホール３４を流れる電流に起因する磁界とが発生し、これらの磁界同士が互いの磁界を弱め合う。それにより、コンデンサ素子１２の動作時においては、隣り合う両ビアホール３４を流れる電流に起因するＥＳＬが低減される。
【００２８】
ここで、各素子載置領域１３には、上述のような状態でコンデンサ素子１２が搭載されており、この素子載置領域１３は、Ｘ方向に２列、Ｙ方向に２列の４つが基板上面１４ａに密に配置されている。すなわち、素子載置領域１３が隣り合う部分では、一方の素子載置領域１３の縁に並ぶ４つのビアホール３４と、他方の素子載置領域１３の縁に並ぶ４つのビアホール３４とがＹ軸方向において近接している。そして、Ｙ軸に沿って近接する、一方の素子載置領域１３の一つのビアホール３４と他方の素子載置領域１３の一つのビアホール３４との組は、互いに極性が異なっており、一方が陽極ビアホール３４で他方が陰極ビアホール３４となっている。このように、４つのコンデンサ素子１２が配置された場合、コンデンサ素子１２を１つだけ有する固体電解コンデンサに比べて、より多くのビアホール３４を設けることができるため、有意に端子数を増加すること（多端子化）ができる。
【００２９】
この状態について、図５を参照しつつ説明する。図５では、コンデンサ素子１２Ｃとコンデンサ素子１２Ｄとが示されており、これらの素子が基板１４を介してプリント配線基板１７上の電極（図示せず）に接続されている。この図から明らかなように、コンデンサ素子１２Ｃのコンデンサ素子１２Ｄ側の陰極ビアホール３４Ａと、コンデンサ素子１２Ｄのコンデンサ素子１２Ｃ側の陽極ビアホール３４Ｂとは、Ｚ軸方向に沿って平行に延在している。また、これらのビアホール３４Ａ，３４Ｂのそれぞれの端部３４ａも、ビアホール３４Ａ，３４Ｂと同様に近接しており、これらの端部（第１の端子）３４ａにより第１の端子対が構成されている。
【００３０】
このような状態で２つのコンデンサ素子１２Ｃ，１２Ｄが動作する場合、すなわち両コンデンサ素子１２Ｃ，１２Ｄが充放電される場合、陽極ビアホール３４Ａ及び陰極ビアホール３４Ｂには図中の矢印Ａ（充電時）及び矢印Ｂ（放電時）に示すようにそれぞれ逆向きの電流が流れる。そのため、両方のコンデンサ素子１２Ｃ，１２Ｄが動作する際には、陽極ビアホール３４Ａを流れる電流に起因する磁界と、陰極ビアホール３４Ｂを流れる電流に起因する磁界とが発生し、これらの磁界同士が互いの磁界を弱め合う。すなわち、両ビアホール３４Ａ，３４Ｂが並ぶことで、発生磁界の相殺が生じるため、固体電解コンデンサ１０の低ＥＳＬ化が実現する。なお、素子載置領域１３の各ビアホール３４と、その素子載置領域１３に隣接する素子載置領域１３の各ビアホール３４との、Ｙ軸方向に並ぶいずれの組み合わせについても、以上と同様の理由によりＥＳＬの低減が実現されている。すなわち、上述した第１の端子対の隣に位置する、充放電時における電流の向きが第１の端子対の場合とは逆である端子の対（第２の端子対）でも、上述と同様の理由により、固体電解コンデンサ１０の低ＥＳＬ化に寄与する。なお、隣り合うコンデンサ素子１２Ｃ，１２Ｄ同士を近づけると共に、第１の端子対３４ａ，３４ａの離間距離を狭めることで、コンデンサ素子１２が搭載される基板１４の面積を容易に縮小することができる。それに伴い、固体電解コンデンサ１０の搭載に要するプリント配線基板１７の搭載領域の面積も縮小することができる。
【００３１】
以上で説明したように、第１の端子であるビアホール３４の端部３４ａと第２の端子であるビアホール３４の端部３４ｂとは、基板１４の厚さ方向に貫設されたビアホール３４によって接続されている。そして、例えば、隣接する２つのコンデンサ素子１２Ｃ，１２Ｄに関しては、コンデンサ素子１２Ｃの陽極ビアホール３４Ａとコンデンサ素子１２Ｄの陰極ビアホール３４Ｂとが並んで配置されている。そのため、この固体電解コンデンサ１０の充放電の際には、一対の平行なビアホール３４Ａ，３４Ｂには互いに逆向きの電流が流れる。それにより、ビアホール３４Ａ，３４Ｂを流れる電流に起因して発生する磁界が相殺されるため、この固体電解コンデンサ１０におけるＥＳＬの低減が図られている。従って、固体電解コンデンサ１０の高周波対応が図られると共に、電流容量の増加、発熱量の抑制が図られる。また、固体電解コンデンサ１０を、電源の一次側や二次側の比較的大きな電流が流れる回路へ適用することが可能となる。
【００３２】
また、上述した一対のビアホール３４Ａ，３４Ｂと同様に、一方が陽極ビアホールで他方が陰極ビアホールであるビアホールの対は、隣り合う素子載置領域１３Ｃ，１３Ｄには４対ある。そして、固体電解コンデンサ１０全体においては、ビアホール対３４Ａ，３４Ｂと同様の関係にあるビアホール対は８対となっている。これら各々のビアホール対３４，３４はいずれもは、上述した一対のビアホール３４Ａ，３４Ｂと同様に、やはり充放電時に互いに逆方向の電流が流れる。そのため、固体電解コンデンサ１０においては、有意に低ＥＳＬ化が図られている。また、上述したように、各コンデンサ素子１２の蓄電部１２ａの長辺に沿ってＸ方向に並ぶ４つのビアホール３４の組は、陽極ビアホール３４と陰極ビアホール３４とが交互する配置となっている。そのため、４対のビアホール対には、コンデンサ素子１２の陽極及び陰極の両方が接続されており、充放電時において効果的に固体電解コンデンサ１０のＥＳＬが低減される。
【００３３】
さらに固体電解コンデンサ１０は、一面１４ｂ内に多数の端子が設置されているため、ＣＰＵ等の半導体の直下に配置して該半導体と電気的に接続することにより、導通経路を大幅に短縮することができるため、デカップリング効果が改善される。
【実施例】
【００３４】
実施態様にかかる固体電解コンデンサを、以下のようにして、作製した。
【００３５】
（コンデンサ素子の作製）
まず、粗面化処理が施され、酸化アルミニウム皮膜が形成されている厚さ１００μｍで、１５０μＦ／ｃｍ２の静電容量が得られるアルミニウム箔シートから、アルミニウム陽極電極体を、図３に示したコンデンサ素子１２と同様の形状で打ち抜き加工により作製した。この電極体の面積は０．６ｃｍ2である。
【００３６】
そしてこの電極体の表面のうち、陰極形成領域となる領域だけを残して、それ以外の領域の粗面化構造を押圧処理により破壊した。そして、所定領域（図３の符号１２ｃ参照）にシリコン樹脂をスクリーン印刷で塗布してコーティングした。その後、陽極電極部（図３の符号１２ｂ参照）のうち、片側の陽極電極部にのみ、紫外線硬化型レジストを塗布してコーティングした。
【００３７】
このようにして得られた電極体を、酸化アルミニウム皮膜が形成され、粗面化処理が施されているアルミニウム箔が完全に浸漬されるように、３重量％の濃度で、６．０のｐＨに調整されたアジピン酸アンモニウム水溶液中にセットした。この際、レジストによってコーティングされた陽極電極部は水溶液中に浸され、またコーティングされていない側の陽極電極部の一部も、アジピン酸アンモニウム水溶液中に浸された。
【００３８】
次いで、電極体のレジスト処理されておらず、粗面化構造が破壊された陽極電極部側を陽極とし、上記水溶液中に浸漬されている電極体を、化成電流密度が５０〜１００ｍＡ／ｃｍ2、化成電圧が１２Ｖの条件下で酸化させ、電極体の切断部端面に酸化アルミニウム皮膜を形成した。
【００３９】
その後、電極体を上記水溶液から引き上げ、粗面化処理が施されているアルミニウム箔の表面（陰極形成領域）上に、化学酸化重合によって、ポリピロールからなる固体高分子電解質層を形成した。より具体的に説明すると、ポリピロールからなる固体高分子電解質層は、粗面化処理が施され、酸化アルミニウム皮膜が形成されたアルミニウム箔部分のみに含浸するように、精製した０．１ｍｏｌ／ｌのピロールモノマー、０．１ｍｏｌ／ｌのアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム及び０．０５ｍｏｌ／ｌの硫酸鉄（ＩＩＩ）を含むエタノール水混合溶液セル中にセットし、３０分間にわたって攪拌して化学酸化重合を進行させ、同じ操作を３回にわたって繰り返すことにより生成した。その結果、最大厚さが約１０μｍの固体高分子電解質層が形成された。
【００４０】
さらに、こうして得られた固体高分子電解質層の表面にカーボンペーストを塗布し、さらに、カーボンペーストの表面に銀ペーストを塗布して、陰極電極を形成した。カーボンペースト及び銀ペーストからなるペースト層を形成した後、上述したレジスト層を有機溶媒で溶解してレジストを除去し、粗面化処理が施されていない陽極電極部を露出させた。以上の処理によって、コンデンサ素子を作製した。なお、このようなコンデンサ素子を、同様の製造方法を用いて４つ用意した。
【００４１】
（基板の作製）
一方、厚さ３６μｍのＣｕ配線パターンとランド電極が各面に形成され、厚さ０．２ｍｍで、１２．０ｍｍ×９．０ｍｍのサイズを有するガラスクロス含有耐熱性エポキシ樹脂基板（図１の基板１４に相当）を以下のようにして準備した。以下、説明の便宜上、このガラスクロス含有耐熱性エポキシ樹脂基板を「ＦＲ４基板」と称す。
【００４２】
表裏面に厚さ３６μｍの銅箔が積層されたＦＲ４基板を、１１０ｍｍ×９０ｍｍの寸法に加工した。そして、ＦＲ４基板の一方面の銅箔上に配線パターンに対応するレジストを形成した。この配線パターンは、リード配線パターン（図３のリード配線３０参照）であり、１２．０ｍｍ×９．０ｍｍの所定領域（素子群搭載領域）内に上述したコンデンサ素子が４つ収容されるようなパターンである。なお、ＦＲ４基板上に、素子群搭載領域を２５個設け、そのそれぞれに上記配線パターンを形成した。また、ＦＲ４基板の他方面には、上記リード配線パターンと位置ずれしないように、ランド電極パターン（図３のランド電極３２参照）に対応するレジスト膜を形成した。その後、公知の方法を用いて銅箔を化学的にエッチングし、所定の配線パターンを形成した。
【００４３】
続いて、ＦＲ４基板の一方面のリード配線パターンと、他方面のランド電極パターンとを、所定位置に配した３２本のビアホール（０．２ｍｍ径、図３の符号３４参照）を用いて電気的に接続した。すなわち、ビアホールによって、ＦＲ４基板の一方面の１６個の陽極リード配線（図３の陽極リード配線３０Ａ参照）と、他方面の１６個の陽極ランド電極（図３の陽極ランド電極３２Ａ参照）とを接続した。また、ビアホールによって、ＦＲ４基板の一方面の４個の陰極リード配線（図３の陰極リード配線３０Ｂ参照）と、他方面の１６個の陰極ランド電極（図３の陰極ランド電極３２Ｂ参照）とを接続した。なお適宜、ビアホール内壁部分及び銅箔パターン部分に無電解メッキによってニッケルメッキ（３μｍ）及び金メッキ（厚さ０．０８μｍ）を施し、リード配線パターンとランド電極パターンとのより確実な導通を図った。
【００４４】
（コンデンサ素子の基板上への実装）
上述した配線パターンが形成された各素子群搭載領域に、４つのコンデンサ素子を搭載した。その際、各コンデンサ素子の４つの各陽極電極部と、素子群搭載領域の各陽極リード配線とが重なり合うようにした。また、対面する各コンデンサ素子の陰極形成領域と陰極リード配線とを銀系のエポキシ導電性接着剤で接着し、コンデンサ素子と陰極リード配線とを電気的に接続した。なお、各コンデンサ素子の各陽極電極部の端部と、対応する陽極リード配線とをＮＥＣ製ＹＡＧレーザスポット溶接機で溶接し、各コンデンサ素子の各陽極電極部と陽極リード配線とを電気的に接続した。
【００４５】
（外装、加工及び評価）
その後、ＦＲ４基板上のコンデンサ素子を封止するために、樹脂厚みが１．０ｍｍであるエポキシ樹脂モールド（図１の符号１６参照）を真空印刷方法により形成した。そして、エポキシ樹脂モールドを上にし、１２．０ｍｍ×９．０ｍｍの寸法で切断して、チップ化した。これを洗浄した後、図１に示したようなディスクリートタイプの固体電解コンデンサ＃１を得た。その後、既知の方法にて、固体電解コンデンサに一定の電圧を印加して、エージング処理を行い、漏れ電流を十分に低減させた。
【００４６】
こうして得られた固体電解コンデンサ＃１について、その電気的特性を評価した。具体的には、固体電解コンデンサ＃１を所定の評価用基板に半田固定し、アジレントテクノロジー社製インピーダンスアナライザー４１９４Ａ、ネットワークアナライザー８７５３Ｄを用いて、静電容量およびＳ21特性を測定した。また、得られたＳ21特性に基づいて等価回路シミュレーションをおこない、静電容量、ＥＳＲ値及びＥＳＬ値を求めた。その結果を下記表１に示す。この表１は、固体電解コンデンサ＃１に内蔵されている４つの各電解コンデンサ素子（＃１−Ａ、＃１−Ｂ、＃１−Ｃ、＃１−Ｄ）の特性を示した表である。
【表１】
2005108872.tif 000003
【００４７】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、基板上に配置されるコンデンサ素子の数の数は、４つに限定されず、２つや３つ、５つ以上であってもよい。また、コンデンサ素子の形状は、適宜多端子型の種々の素子形状に変更することができる。さらに、コンデンサ素子の基体は、アルミニウムに限定されず、その他の弁金属基体を利用してもよい。
【００４８】
また、上述した態様では、ビアホールの両端部が第１の端子及び第２の端子であり、これらの端子がビアホールと一体であるとしたが、ビアホールと第１の端子及び第２の端子とが別体である態様であってもよい。さらに、導通路は、ビアホールに限定されず、内部に金属導体が充填されている中実のビアであってもよい。
【００４９】
また、上述したコンデンサ素子においては、蓄電部の対向する２端部からそれぞれ２組の電極（陽極及び電極）が引き出される構造を有しているが、例えば、四角形状のコンデンサ素子の４端部からそれぞれ１組以上の電極が引き出される構造や、コンデンサ素子の少なくとも一端部から１組以上の電極が引き出される構造であってもよい。コンデンサ素子がこのような構造を有する場合、互いに隣り合う電極リードを流れる電流に起因する磁場が相殺されるため、固体電解コンデンサの低ＥＳＬ化が図られる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態に係る固体電解コンデンサの概略斜視図である。
【図２】図１に示した各コンデンサ素子の要部を示す模式断面図である。
【図３】図１の固体電解コンデンサの要部を示した分解斜視図である。
【図４】コンデンサ素子に陽極酸化処理を施している状態を示す図である。
【図５】図１に示した固体電解コンデンサのＶ−Ｖ線断面図である。
【図６】図１に示した固体電解コンデンサのＶＩ−ＶＩ線断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０…固体電解コンデンサ、１２…コンデンサ素子、１４…基板、３４…ビアホール、３４ａ…第１の端子、３４ｂ…第２の端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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