(57)【要約】【課題】基板表面やキャップ内面に絶縁層を形成せずに、金属キャップと基板表面の電極との絶縁性を確保できる安価な電子部品を提供する。【解決手段】基板１と、基板の表面から側面を介して裏面へ回り込むように形成された入力電極３と出力電極４と、基板１の表面に搭載され、入力電極３と出力電極４とに電気的に接続された回路素子６と、開口部が平坦で、回路素子６を覆うように絶縁性接着剤９によって基板の表面に接着され、回路素子６の周囲を封止する金属キャップ８とからなる。基板１の表面の外周部であって、入力電極３と出力電極４とが引き出された辺に、内側部から外側部にかけて下方へ傾斜する傾斜部２を連続的に設け、傾斜部２上に金属キャップ８の開口部を隙間をもって配置し、この隙間に絶縁性接着剤９を充填する。【選択図】                図１
2005033450.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
上記基板の表面から側面を介して裏面へ回り込むように形成された入力電極と出力電極と、
上記基板の表面に搭載され、上記入力電極と出力電極とに電気的に接続された回路素子と、
開口部が平坦で、上記回路素子を覆うように絶縁性接着剤によって基板の表面に接着され、回路素子の周囲を封止する金属キャップとからなる電子部品において、
上記金属キャップの開口部と対向する基板の表面のうち、上記入力電極と出力電極が設けられた部分を他の部分に比べて低く形成したことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
上記基板の表面の外周部であって、上記入力電極と出力電極とが引き出された辺に、内側部から外側部にかけて下方へ傾斜する傾斜部を連続的に設け、
上記傾斜部上に上記金属キャップの開口部が隙間をもって配置され、
上記隙間に上記絶縁性接着剤が充填されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
上記傾斜部はバレル研磨によって形成されたものであることを特徴とする請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
上記傾斜部はべベル加工によって形成されたものであることを特徴とする請求項２に記載の電子部品。
【請求項５】
上記基板の表面の入力電極および出力電極を設けた部分に凹部を設け、
上記金属キャップの開口部を上記凹部上に配置したことを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項６】
上記基板の表面の上記入力電極および出力電極以外の部分に凸部を設け、
上記金属キャップの開口部を上記凸部上に配置したことを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項７】
上記凸部は基板の平坦な表面に形成されたアース電極であり、
上記入力電極および出力電極は、上記アース電極より厚みが薄いことを特徴とする請求項６に記載の電子部品。
【請求項８】
基板をバレル研磨することにより、基板の周縁部に面取り部を形成する工程と、
上記基板に表面から上記面取り部を介して裏面へ回り込むように入力電極と出力電極とを形成する工程と、
上記基板の表面に、上記入力電極と出力電極とに電気的に接続するよう回路素子を搭載する工程と、
開口部が平坦な金属キャップを上記回路素子を覆うように絶縁性接着剤によって基板の表面に接着する工程であって、上記入力電極および出力電極が形成された面取り部上に上記キャップの開口部の一部を配置する工程と、を含む電子部品の製造方法。
【請求項９】
マザー基板の表面に縦横にＶ溝をベベル加工する工程であって、一方のＶ溝のテーパ角を他方のＶ溝のテーパ角より大きくなるように加工する工程と、
上記マザー基板の表面に、上記テーパ角の大きなＶ溝を横断するように電極パターンを形成する工程と、
上記マザー基板を縦横のＶ溝に沿ってブレークすることにより、基板に分割する工程と、
上記基板の側縁のうち、テーパ角の大きなＶ溝に沿ってブレークされた側縁に、上記電極パターンと導通する側面電極を形成することにより、入力電極および出力電極を形成する工程と、
上記基板の表面に、上記入力電極と出力電極とに電気的に接続するよう回路素子を搭載する工程と、
開口部が平坦な金属キャップを上記回路素子を覆うように絶縁性接着剤によって基板の表面に接着する工程であって、テーパ角の大きなＶ溝に沿ってブレークすることにより形成された傾斜部上に上記キャップの開口部の一部を配置する工程と、を含む電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品、特に表面実装型の電子部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】特開平６−１３２７６２号公報
【特許文献２】特開平８−３０７１９３号公報
従来、金属キャップで回路素子を覆う構造の表面実装型電子部品が知られている。
金属キャップは、セラミックキャップに比べて寸法精度がよく、小型化が容易で、かつ安価に製造できること、樹脂キャップに比べて機械的強度に優れ、薄肉にできることなどの理由から、表面実装型電子部品に広く用いられている。しかしながら、基板の表面には回路素子と接続された入力電極や出力電極が形成されており、これら電極と金属キャップとが接触すると、電気的に短絡してしまう。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このような電極と金属キャップとの短絡防止のため、特許文献１に示すように金属キャップの内面に絶縁層を設ける方法や、特許文献２のように基板表面のキャップ接着部に絶縁層を形成する方法が提案されている。
しかし、基板の表面やキャップの内面に絶縁層を形成する場合、絶縁材料の塗布、硬化工程が必要であり、多大の工数を要し、コスト上昇を招いていた。
また、絶縁層の形成工程において、絶縁材料に埃、塵等の不純物が混入することがあり、回路間の絶縁性が低下し、電子部品の信頼性を損なうといった問題が発生していた。
【０００４】
そこで、本発明の目的は、基板表面やキャップ内面に絶縁層を形成せずに、金属キャップと基板表面の電極との絶縁性を確保できる安価な電子部品およびその製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に係る発明は、基板と、上記基板の表面から側面を介して裏面へ回り込むように形成された入力電極と出力電極と、上記基板の表面に搭載され、上記入力電極と出力電極とに電気的に接続された回路素子と、開口部が平坦で、上記回路素子を覆うように絶縁性接着剤によって基板の表面に接着され、回路素子の周囲を封止する金属キャップとからなる電子部品において、上記金属キャップの開口部と対向する基板の表面のうち、上記入力電極と出力電極が設けられた部分を他の部分に比べて低く形成したことを特徴とする電子部品を提供する。
【０００６】
また、請求項８に係る発明は、基板をバレル研磨することにより、基板の周縁部に面取り部を形成する工程と、上記基板に表面から上記面取り部を介して裏面へ回り込むように入力電極と出力電極とを形成する工程と、上記基板の表面に、上記入力電極と出力電極とに電気的に接続するよう回路素子を搭載する工程と、開口部が平坦な金属キャップを上記回路素子を覆うように絶縁性接着剤によって基板の表面に接着する工程であって、上記入力電極および出力電極が形成された面取り部上に上記キャップの開口部の一部を配置する工程と、を含む電子部品の製造方法を提供する。
【０００７】
請求項９に係る発明は、マザー基板の表面に縦横にＶ溝をベベル加工する工程であって、一方のＶ溝のテーパ角を他方のＶ溝のテーパ角より大きくなるように加工する工程と、上記マザー基板の表面に、上記テーパ角の大きなＶ溝を横断するように電極パターンを形成する工程と、上記マザー基板を縦横のＶ溝に沿ってブレークすることにより、基板に分割する工程と、上記基板の側縁のうち、テーパ角の大きなＶ溝に沿ってブレークされた側縁に、上記電極パターンと導通する側面電極を形成することにより、入力電極および出力電極を形成する工程と、上記基板の表面に、上記入力電極と出力電極とに電気的に接続するよう回路素子を搭載する工程と、開口部が平坦な金属キャップを上記回路素子を覆うように絶縁性接着剤によって基板の表面に接着する工程であって、テーパ角の大きなＶ溝に沿ってブレークすることにより形成された傾斜部上に上記キャップの開口部の一部を配置する工程と、を含む電子部品の製造方法を提供する。
【０００８】
請求項１に係る発明では、金属キャップの開口部と対向する基板の表面のうち、入力電極と出力電極が設けられた部分を他の部分に比べて低く形成してある。そのため、キャップ開口部と基板表面の入，出力電極以外の部分とを接触させ、キャップ開口部と入，出力電極とを非接触にすることができ、基板表面やキャップの内面に絶縁層を形成しなくても、基板の入，出力電極とキャップとの電気的な短絡を防止でき、工程の簡略化、信頼性の向上につながる。
【０００９】
請求項２のように、基板の表面の外周部であって、入力電極と出力電極とが引き出された辺に、内側部から外側部にかけて下方へ傾斜する傾斜部を連続的に設け、上記傾斜部上に上記金属キャップの開口部が隙間をもって配置され、上記隙間に上記絶縁性接着剤が充填されている構造とするのがよい。
入力電極と出力電極とが引き出された部分だけを部分的に凹ませる方法もあるが、加工が難しく、凹部と入，出力電極とが位置ずれすると、キャップと入，出力電極との短絡を防止できない。
そこで、入力電極と出力電極とが引き出された辺に傾斜部を連続的に設けると、入，出力電極の引出し位置が多少ずれても、入，出力電極が常に傾斜部上に位置しているので、キャップと誤って接触することがない。また、基板の辺に連続的に傾斜部を形成すればよいので、加工が簡単である。
【００１０】
請求項３および８のように、傾斜部をバレル研磨によって形成してもよい。
基板に対してバレル研磨を実施すると、基板の外周部に面取りが加工される。この面取り部は基板の辺に沿って連続的に形成され、内側部から外側部にかけて下方へ傾斜した傾斜部となる。この面取り部上にキャップ開口部を配置するとともに、面取り部から入，出力電極を引き出すことで、キャップ開口部と電極との短絡を防止できる。面取り部は曲面状に形成されるので、入，出力電極を表面から側面を経て裏面に回り込ませる場合に、エッジでの電極の断線を防止できる利点がある。
【００１１】
請求項４および９のように、傾斜部をべベル加工によって形成してもよい。
ブレークタイプの基板の場合、ベベル加工によってマザー基板に縦横にＶ溝を加工し、このＶ溝に沿ってマザー基板をブレークすることで、個々の基板に分離することができる。上記Ｖ溝のうち、入，出力電極を引き出す側縁部に沿うＶ溝のテーパ面を、ブレーク後にキャップ開口部を配置できる傾斜部として利用することができる。この場合も、マザー基板の段階で傾斜部を加工できるので、生産性が高い。
なお、ベベル加工は必ずしもブレーク用のＶ溝加工に限るものではなく、Ｖ溝の加工後、Ｖ溝にそってダイザーなどでカットしてもよい。
【００１２】
請求項５のように、基板の表面の入力電極および出力電極を設けた部分に凹部を設け、金属キャップの開口部を凹部上に配置してもよい。
例えば、基板の表面にベベル加工によって溝を連続的に形成し、この溝を横断するように入，出力電極を形成し、溝上に金属キャップの開口部を配置すれば、金属キャップと入，出力電極との接触を防止できる。
なお、溝以外にも部分的に凹部を形成することも可能である。
【００１３】
請求項６のように、基板の表面の入力電極および出力電極以外の部分に凸部を設け、金属キャップの開口部を上記凸部上に配置してもよい。
例えば、基板の表面に一体に凸部を設け、この凸部上に金属キャップの開口部を接着すれば、金属キャップの開口部と入，出力電極との間には隙間ができるので、キャップ開口部と入，出力電極との短絡を防止できる。
【００１４】
凸部を基板に設ける場合に、請求項７のように、凸部を基板の平坦な表面に形成されたアース電極とし、入力電極および出力電極は、アース電極より厚みが薄い電極としてもよい。
基板上に入，出力電極以外にアース電極を設けることがある。請求項７では、基板に設けるアース電極を厚い電極とし、入力電極および出力電極を薄い電極とすることで、厚みの差によってキャップ開口部と入，出力電極との短絡を防止できる。また、アース電極を金属キャップと導通させることで、シールド効果を発揮できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
−第１実施例−
図１，図２は本発明にかかる電子部品の第１実施例を示す。
基板１は、アルミナセラミックスのような長方形状のセラミック基板、または積層セラミックコンデンサよりなり、その基板１の周縁部全周に面取り部（傾斜部）２が形成されている。面取り部２は図２に示すように、内側部から外側部にかけて下方へ傾斜している。具体的には、φ０．５ｍｍの玉石を用いて６０分バレル研磨を施し、面取り加工したものである。この例の基板１の寸法は、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．５ｍｍで、面取り部２の幅は０．２ｍｍ、高低差は０．２ｍｍである。
基板１の両端部近傍には、入力電極３と出力電極４とが表面から両側面を経て裏面へ回り込むように鉢巻き状に形成され、中央部には側面から裏面にかけてアース電極５が形成されている。そのため、入力電極３と出力電極４は基板１の面取り部２を経由して裏面側へ回り込んでいる。電極３〜５は、例えばＡｇペースト塗布、焼結後、Ｎｉ−Ｃｒ、Ａｕの順番にメッキを施したものである。
【００１６】
基板１の入力電極３と出力電極４には、圧電素子６が導電ペースト７によって接続固定されている。具体的には、電極３，４に対して圧電素子６を導電ペースト７を介して搭載し、１５０℃のオーブンで３０分加熱し、導電ペースト７を硬化させ、圧電素子６の電極と入力電極３と出力電極４とを電気的に接続する。ここで用いた圧電素子６は、入力用電極６ａと出力用電極６ｂとを持つ公知の厚みすべり振動モードの圧電セラミック共振子である。
【００１７】
基板１上には、圧電素子６を覆うように、金属キャップ８が絶縁性接着剤９によって接着され、キャップ８の内部が封止されている。キャップ８の開口部は平坦面に形成され、この開口部に接着剤９が例えば転写法によって塗布される。キャップ８の長辺側の２辺の開口部が入力電極３および出力電極４が引き出された基板１長辺の面取り部２上に位置し、短辺側の２辺の開口部が基板１の支持面１ａ（図１に斜線で示す）上に接着される。支持面１ａは面取り部２より内側に位置し、かつ入，出力電極３，４より外側に位置している。支持面１ａにキャップ８の開口部を押し付けた後、１５０℃のオーブンで３０分加熱することにより、その間に介在する余剰の接着剤９は粘度が低下して面取り部２側へ流れ込み、面取り部２とキャップ開口部との間に充填され、硬化される。上記接着剤９には例えばエポキシ系接着剤が使用される。
【００１８】
図１に示すように、キャップ８の開口部は基板１の支持面１ａにほぼ接触しており、開口部は面取り部２より上方に位置しているので、図２に示すように、基板１の入力電極３および出力電極４とキャップ８の開口部との間には隙間δが発生する。この隙間δは接着剤９によって埋められるので、キャップ８の開口部と電極３，４と絶縁距離が確保されるとともに、封止性を損なうこともない。よって、特別に絶縁層を形成しなくても、回路間の絶縁性が簡単に確保できる。
基板１として、積層セラミックコンデンサを使用した場合、面取り部２の加工は積層セラミックコンデンサを製作する過程で実施するバレル研磨工程で兼ねることができるので、面取り部２の加工工程を新たに設ける必要が無く、安価に実現することができる。
【００１９】
上記実施例では、入力電極３および出力電極４を、基板１の長辺の両側に引き出した例を示したが、片側のみに引き出しても問題はない。また、電極３，４の引出し位置を基板１の長辺ではなく、短辺としてもよい。
上記実施例では、アース電極５とキャップ８とは導通していないが、導電性接着剤を用いてアース電極５とキャップ８とを接続してもよい。この場合には、シールド機能を有する電子部品を得ることができる。
【００２０】
−第２実施例−
図３〜図５は本発明にかかる電子部品の第２実施例を示す。図において、第１実施例と同一部品には同一符号を付して重複説明を省略する。
図５は基板１のマザー基板１０を示し、このマザー基板１０には複数のＶ溝１１が平行に一定ピッチ間隔で形成され、マザー基板１０の表面には上記Ｖ溝１１を横断するように複数の電極パターン１２が形成されている。Ｖ溝１１は例えば、ダイシングソーでべベル加工を施すことで形成される。また、電極パターン１２は、Ｖ溝加工後のマザー基板１０の表面に、例えばスパッタリング技術を用いてＮｉ−Ｃｒ、Ａｕの順番に形成したものである。なお、マザー基板１０の裏面にも、電極パターン１２と対向する電極パターン（図示せず）が形成されている。
【００２１】
上記のように電極パターン１２を形成したマザー基板１０を、Ｖ溝１１および点線部１３に沿ってダイシングソーによって切断し、基板１を得る。つまり、基板１の平行な２辺はＶ溝１１の底に沿って切断され、直交する２辺はＶ溝１１と直交方向に切断される。個々の基板１に分割した後、側面電極３ａ，４ａを形成して電極パターン１２と裏面の電極パターンとの電気的接続をとり、入，出力電極３，４とする。
【００２２】
基板１に圧電素子６およびキャップ８を搭載する方法は、第１実施例と同様である。
金属キャップ８を絶縁性接着剤９によって基板１上に接着する際、キャップ８の開口部の長辺側の２辺は基板１上の支持面１ａ（図３参照）に密着固定されるので、キャップ８は基板１に安定して固定される。キャップ８の開口部の短辺側の２辺は、ベベル加工された傾斜部２の上に位置するので、キャップ８と入，出力電極３，４との間には隙間δが形成され、この隙間δに絶縁性接着剤９が充填される。そのため、格別な絶縁層を形成しなくても、キャップ８と入，出力電極３，４との短絡を防止できる。
また、ベベル加工した個所（Ｖ溝）でマザー基板１０を切断するため、電子部品の小型化に有利である。
【００２３】
この実施例では、基板１の短辺側の２辺にベベル加工による傾斜部２を形成し、この傾斜部２に入，出力電極３，４を引き出したが、基板１の長辺側の２辺に傾斜部２を形成してもよい。この場合には、長辺側の２辺から入，出力電極３，４が引き出される。
【００２４】
−第３実施例−
図６は第３実施例におけるマザー基板１０を示す。この実施例は、第２実施例の一部を変更したものである。
第２実施例では、マザー基板１０に一方向のＶ溝１１を形成したが、この実施例ではＶ溝１１ａ，１１ｂを縦横に形成し、これらＶ溝１１ａ，１１ｂにそってマザー基板１０をブレークすることで基板１を製作する。この場合には、傾斜部２となるＶ溝１１ａのテーパ角θ１  を他方のＶ溝１１ｂのテーパ角θ２  より大きくしておくことで、傾斜部２の傾きが緩やかになり、キャップ８の位置ずれに対する許容度が大きくなる。テーパ角θ１  としては、６０°〜１２０°程度がよい。この実施例は、Ｖ溝１１ａをブレーク溝と傾斜部とに利用できるので、傾斜部を加工するための工程を省略でき、製造工程をさらに簡素化できる。
なお、テーパ角θ１  の大きなＶ溝１１ａを基板１の短辺と平行にし、テーパ角θ２  の小さなＶ溝１１ｂを基板１の長辺と平行にしたものに限らず、Ｖ溝１１ａとＶ溝１１ｂの方向は入，出力電極３，４の引出し方向に応じて決定すればよい。つまり、テーパ角θ１  の大きなＶ溝１１ａが入，出力電極３，４が引出される側縁と一致するように設定すればよい。
基板１の大きさに余裕がある場合には、縦横のブレーク溝１１ａ，１１ｂのテーパ角を同じとしてもよい。
【００２５】
−第４実施例−
図７，図８は、第２実施例の基板切断部分をべベル加工部分より外側の位置にした例を示す。
基板１の表面であって、側縁より内側に、ベベル加工によってＶ溝１４を形成し、このＶ溝１４を横断するように入力電極３および出力電極４を形成するとともに、Ｖ溝１４上にキャップ８の開口部を配置し、接着剤９によって封止したものである。
この場合も、基板１の電極３，４とキャップ８の開口部とが接触せず、特別に絶縁層を形成しなくても回路間の絶縁性が簡単に確保できる。
この実施例では、ベベル加工したＶ溝１４の外側で基板１を切断するため、任意の基板寸法にすることができる。また、キャップ８の開口部を、基板１の周縁部に配置させる必要がないため、絶縁性接着剤９のフィレットを大きくすることができ、封止の信頼性を向上させることができる。
なお、溝形状はＶ溝に限らない。
【００２６】
−第５実施例−
図９，図１０は基板１としてプリント基板を用いた実施例である。基板１の表面には、短辺に沿った両端部近傍に入力電極３および出力電極４が形成され、長辺に沿った両側縁部近傍にアース電極５が形成されている。入力電極３および出力電極４はアース電極５に比べて膜厚が小さな電極で形成されている。例えば、入力電極３および出力電極４はＣｕ箔の上にＮｉ，Ａｕメッキを形成した膜厚１５μｍの電極であり、アース電極５はＣｕ箔の上にＮｉ，Ａｕメッキを形成した膜厚３０μｍの電極である。電極３，４には導電ペースト７を介して、圧電素子６が接続固定されている。圧電素子６を覆うように、金属キャップ８が絶縁性接着剤９によって基板１に接着される。キャップ８の開口部は平坦であり、基板１上の電極３，４，５が設けられた部分に接着される。
なお、入，出力電極３，４とアース電極５との膜厚差は、０．０１〜０．２ｍｍ程度がよい。膜厚差が小さいと、キャップ８の開口部に存在する微小な突起のために入，出力電極３，４と短絡する恐れがあり、膜厚差が大き過ぎると、接着剤９を十分に充填できないからである。
【００２７】
上記のように、入力電極３および出力電極４に比べてアース電極５の方が膜厚が大きいので、図１０に示すように、キャップ８の開口部はアース電極５とほぼ接触状態となるが、入力電極３および出力電極４に対しては３０μｍ以上の隙間δが形成され、この隙間δに絶縁性接着剤９が充填される。このように入力電極３および出力電極４とキャップ８とが接触しないので、特別に絶縁層を形成しなくても回路間の絶縁性を確保できる。
この実施例では、導電性のキャップ８とアース電極５がほぼ接触（オーミックコンタクト）しているので、キャップ８とアース電極５とを電気的に接続でき、この電子部品を搭載する実装基板のアース電極と基板１のアース電極５とを電気的に接続すれば、キャップ８全体が電磁シールド機能を果たすことになる。
【００２８】
−第６実施例−
図１１は、セラミック基板１の表面の一部に凸部１５を設け、キャップ８の開口部を上記凸部１５に接着したものである。入力電極３および出力電極４は凸部１５以外の部位に設けてある。ここでは、基板１の長辺に沿って一対の凸部１５が形成され、入力電極３および出力電極４は基板１の短辺に沿って両端部に鉢巻き状に形成されている。上記入力電極３および出力電極４に対して、圧電素子６が導電性接着剤（図示せず）によって接続固定されている。
上記基板１は、図１２に示すように、グリーシート状態で厚みを一部厚くして凸部１５を形成し、焼成することでマザー基板１０を形成し、マザー基板１０を点線部１６で切断した後、電極３，４を形成して製作する。
この場合も、凸部１５のために、電極３，４とキャップ８の開口部とが接触することがない。よって、特別に絶縁層を形成しなくても回路間の絶縁性が簡単に確保できる。凸部１５の高さは、０．０１〜０．２ｍｍ程度あればよい。
この実施例では、グリーシート状態で厚み増加させて凸部１５を形成して焼成すれば良く、通常のセラミック基板の製作工程で簡単に実施できる。
【００２９】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、請求項１に係る発明によれば、金属キャップの開口部と対向する基板の表面のうち、入力電極と出力電極が設けられた部分を他の部分に比べて低く形成したので、キャップ開口部と基板表面の入，出力電極以外の部分とを接触させ、キャップ開口部と入，出力電極とを非接触にでき、基板の入，出力電極とキャップとの電気的な短絡を防止できる。
また、基板の表面やキャップの内面に絶縁層を新たに形成する必要がなくなり、工程の簡略化、信頼性の向上につながる。
【００３０】
請求項８に係る発明によれば、基板の外周部にバレル研磨によって面取りを加工するので、生産性が高く、かつ面取り部は基板の辺に沿って連続的に形成されるので、この面取り部上にキャップ開口部を配置するとともに、面取り部から入，出力電極を引き出すことで、キャップと電極との短絡を防止できる。また、面取り部は曲面状に形成されるので、入，出力電極を表面から側面を経て裏面に回り込ませる場合に、エッジでの電極の断線を防止できる。
【００３１】
請求項９に係る発明によれば、ベベル加工によってマザー基板に加工された縦横のＶ溝に沿ってマザー基板をブレークすることで、個々の基板に分離するので、傾斜部とブレーク溝とを同時に加工でき、生産性が高い。しかも、縦横のＶ溝のうち、入，出力電極を引き出す側縁部に沿うＶ溝のテーパ角を、他方のＶ溝のテーパ角より大きくしてあるので、傾斜部の傾斜が緩やかであり、キャップの位置ずれに対する許容度が大きくなるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる電子部品の第１実施例の分解斜視図である。
【図２】図１に示す電子部品の一部の拡大断面図である。
【図３】本発明にかかる電子部品の第２実施例の分解斜視図である。
【図４】図３に示す電子部品の一部の拡大断面図である。
【図５】図３に示す電子部品の基板を製造するためのマザー基板の斜視図である。
【図６】本発明にかかる電子部品の第３実施例における基板を製造するためのマザー基板の斜視図である。
【図７】本発明にかかる電子部品の第４実施例の分解斜視図である。
【図８】図７に示す電子部品の一部の拡大断面図である。
【図９】本発明にかかる電子部品の第５実施例の分解斜視図である。
【図１０】図９に示す電子部品の側面図である。
【図１１】本発明にかかる電子部品の第６実施例の分解斜視図である。
【図１２】図１１に示す電子部品の基板を製造するためのマザー基板の斜視図である。
【符号の説明】
１            基板
２            面取り部（傾斜部）
３            入力電極
４            出力電極
５            アース電極
６            圧電素子
８            金属キャップ
９            絶縁性接着剤
【図１】
2005033450.tif 000003
【図２】
2005033450.tif 000004
【図３】
2005033450.tif 000005
【図４】
2005033450.tif 000006
【図５】
2005033450.tif 000007
【図６】
2005033450.tif 000008
【図７】
2005033450.tif 000009
【図８】
2005033450.tif 000010
【図９】
2005033450.tif 000011
【図１０】
2005033450.tif 000012
【図１１】
2005033450.tif 000013
【図１２】
2005033450.tif 000014