(57)【要約】【課題】溶融製膜したセルロースアシレートフィルムを用いた偏光板を液晶表示装置に組み込んだ際に表示むらが発生する不具合を解消したセルロースアシレートフィルム、及びこの不具合を解消したセルロースアシレートフィルムを溶融成膜することができる溶融流延用セルロースアシレート製剤を提供する。【解決手段】セルロースアシレートと、安息香酸フェニルエステル化合物、なかでも式（１）で表される化合物の少なくとも１種を含有する溶融流延用セルロースアシレート製剤を溶融して流延して製造されたセルロースアシレートフィルム。【化１】2005325258.tif 000021【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルロースアシレートと、安息香酸フェニルエステル化合物の少なくとも１種とを含有することを特徴とする溶融流延用セルロースアシレート製剤。
【請求項２】
安息香酸フェニルエステル化合物が、下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする請求項１記載の溶融流延用セルロースアシレート製剤。
【化１】
2005325258.tif 000019
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ9およびＲ10は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5のうち少なくとも１つは電子供与性基を表す。Ｒ8は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。）
【請求項３】
一般式（１）における電子供与性基がアルコキシ基であることを特徴とする請求項２記載の溶融流延用セルロースアシレート製剤。
【請求項４】
一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（１−Ｄ）で表される化合物であることを特徴とする請求項２または３記載の溶融流延用セルロースアシレート製剤。
【化２】
2005325258.tif 000020
（式中、Ｒ2、Ｒ4およびＲ5は、一般式（１）の場合と同義である。Ｒ21及びＲ22は、それぞれ独立に、炭素数１〜４のアルキル基である。Ｘ1は、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、またはシアノ基を表す。）
【請求項５】
安息香酸フェニルエステル化合物をセルロースアシレートに対し０．１質量％以上１５質量％以下含有していることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の溶融流延用セルロースアシレート製剤。
【請求項６】
セルロースアシレートのアシレート基の置換度が、下記の数式（Ｉ）〜（III）を満たすことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の溶融流延用セルロースアシレート製剤。
数式（Ｉ） ：２．６≦Ｘ＋Ｙ＜３．０
数式（II） ：０≦Ｘ≦１．８
数式（III）：１．０≦Ｙ＜３
（式中、Ｘはアセテート基の置換度を表し、Ｙはプロピオネート基、ブチレート基、プロピオネート基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基の置換度の総和を表す。）
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の溶融流延用セルロースアシレート製剤を溶融して流延することを特徴とするセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載の溶融流延用セルロースアシレート製剤を溶融して流延することで製造されたセルロースアシレートフィルム。
【請求項９】
表面粗さの最大値と最小値の差が、０μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載のセルロースアシレートフィルム。
【請求項１０】
請求項８または９に記載のセルロースアシレートフィルムを、少なくとも一軸方向に１０％以上３００％以下延伸したことを特徴とする延伸セルロースアシレートフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溶融流延用セルロースアシレート製剤、該製剤から溶融流延によって形成されたセルロースアシレートフィルムに関する。本発明のセルロースアシレートフィルムは、光学フィルムとして用いられる。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶画像表示装置に使用されるセルロースアシレートフィルムを製造する際に、ジクロロメタンのような塩素系有機溶剤に溶解し、これを基材上に流延、乾燥して製膜する溶液流延法が主に実施されている。塩素系有機溶剤としてジクロロメタンは、従来からセルロースアシレートの良溶媒として用いられ、製造工程の製膜及び乾燥工程において沸点が低い（沸点約４０℃）ことから乾燥させ易いという利点により好ましく使用されている。近年環境保全の観点で低沸点である塩素系有機溶媒は、密閉設備での取り扱いにより漏れを著しく低減されるようになった。さらに、万が一漏れても外気に出す前にガス吸収塔を設置し有機溶媒を吸着させて処理する方法、排出する前に火力による燃焼あるいは電子線ビームによる塩素系有機溶媒の分解などで、殆ど有機溶媒を排出することはなくなったが、完全な非排出までには更に研究する必要がある。
【０００３】
このような対策として、特許文献１に、有機溶剤を用いない製膜法として、セルロースアシレートを溶融製膜する方法が提案されている。この方法は、溶媒を用いずセルロースエステルを流動性を示す温度まで加熱溶融し、その後流動性のセルロースエステルをエンドレスベルト、ドラム上に押し出し製膜するものである。この技術では、セルロースアシレートとして、エステル基の炭素鎖を長くして融点を下げ溶融製膜しやすくしたものが好ましく用いられており、具体的には、セルロースアセテートから、セルロースプロピオネートやセルロースブチレート等に変えることで溶融製膜が容易となっている。しかし、この公報に記載の方法で溶融製膜したものを用いて偏光板を作成し液晶表示装置に組み込んだところ、スジ状の表示むらが発生し、改良が望まれた。
【特許文献１】特開２０００−３５２６２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、溶融製膜したセルロースアシレートフィルムを用いた偏光板を液晶表示装置に組み込んだ際に表示むらが発生する不具合を解消したセルロースアシレートフィルムを提供することにある。
本発明の他の目的は、上記不具合を解消したセルロースアシレートフィルムを溶融成膜することができる溶融流延用セルロースアシレート製剤を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の上記課題は以下の構成により解決されることが見出された。
１．セルロースアシレートと、安息香酸フェニルエステル化合物の少なくとも１種とを含有することを特徴とする溶融流延用セルロースアシレート製剤。
２．安息香酸フェニルエステル化合物が、下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする上記第１項に記載の溶融流延用セルロースアシレート製剤。
【０００６】
【化１】
2005325258.tif 000002
【０００７】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ9およびＲ10は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5のうち少なくとも１つは電子供与性基を表す。Ｒ8は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。）
【０００８】
３．一般式（１）における電子供与性基がアルコキシ基であることを特徴とする上記第２項記載の溶融流延用セルロースアシレート製剤。
４．一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（１−Ｄ）で表される化合物であることを特徴とする上記第２項または第３項記載の溶融流延用セルロースアシレート製剤。
【０００９】
【化２】
2005325258.tif 000003
【００１０】
（式中、Ｒ2、Ｒ4およびＲ5は、一般式（１）の場合と同義である。Ｒ21及びＲ22は、それぞれ独立に、炭素数１〜４のアルキル基である。Ｘ1は、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、またはシアノ基を表す。）
５．安息香酸フェニルエステル化合物をセルロースアシレートに対し０．１質量％以上１５質量％以下含有していることを特徴とする上記第１〜４項のいずれかに記載の溶融流延用セルロースアシレート製剤。
６． セルロースアシレートのアシレート基の置換度が、下記の数式（Ｉ）〜（III）を満たすことを特徴とする上記第１〜５項のいずれかに記載の溶融流延用セルロースアシレート製剤。
数式（Ｉ） ：２．６≦Ｘ＋Ｙ＜３．０
数式（II） ：０≦Ｘ≦１．８
数式（III）：１．０≦Ｙ＜３
（式中、Ｘはアセテート基の置換度を表し、Ｙはプロピオネート基、ブチレート基、プロピオネート基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基の置換度の総和を表す。）
【００１１】
７．上記第１〜６項のいずれかに記載の溶融流延用セルロースアシレート製剤を溶融して流延することを特徴とするセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【００１２】
８．上記第１〜６項のいずれかに記載の溶融流延用セルロースアシレート製剤を溶融して流延することで製造されたセルロースアシレートフィルム。
９．表面粗さの最大値と最小値の差が、０μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする上記第８項に記載のセルロースアシレートフィルム。
１０．上記第８項または第９項に記載のセルロースアシレートフィルムを、少なくとも一軸方向に１０％以上３００％以下延伸したことを特徴とする延伸セルロースアシレートフィルム。
【００１３】
本発明者の研究の結果、液晶表示装置に組み込み黒表示時した時に発生するスジ状の表示むらの原因は、セルロースアシレート製膜中に製膜方向（ＭＤ）に沿って発生する表面凹凸に起因することが明らかとなった。このような表面凹凸は、表面粗さ計を用い幅方向（ＴＤ）に沿って測定したものであり、好ましい表面粗さのレンジは０μｍ以上５μｍ以下であり、より好ましくは０μｍ以上４μｍ以下、さらに好ましくは０μｍ以上３μｍ以下である。ここで言う表面粗さのレンジとは、測定した表面粗さの最大値と最小値の差を指す。詳細な測定法は後述する。
さらに研究を進めた結果、このような表面凹凸は、溶融製膜時のダイの凹凸が転写して発生すること、凹凸の原因は長時間連続製膜している間に発生した樹脂の熱分解物が、ダイリップ近傍で固化したものであること、このような熱分解を軽減しスジの発生を軽減する素材として、安息香酸フェニルエステル化合物、なかでも下記一般式（１）で示される化合物を少なくとも１種類、セルロースアシレート中に含有させることが有効であることを見出し、本発明を完成したものである。
【発明の効果】
【００１４】
安息香酸フェニルエステル化合物を含有する本発明の溶融流延用セルロースアシレート製剤から溶融製膜したセルロースアシレートフィルムを用いた偏光板は、液晶表示装置に組み込んでも表示むらが発生しない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を詳細に説明する。なお、本明細書において、数値が物性値、特性値等を表す場合に、「（数値１）〜（数値２）」という記載は「（数値１）以上（数値２）以下」の意味を表す。また、「（メタ）アクリロイル」との記載は、「アクリロイル及びメタクリロイルの少なくともいずれか」の意味を表す。「（メタ）アクリレート」、「（メタ）アクリル酸」等も同様である。
【００１６】
本発明のセルロースアシレートフィルムは、セルロースアシレートと、安息香酸フェニルエステル化合物を少なくとも１種含有する溶融流延用セルロースアシレート製剤を溶融、流延して製造される。製剤としての形状は特に限定はしないが、粉末状またはペレット状が好ましい。
安息香酸フェニルエステル化合物は単独で用いても良く、混合して用いても良い。好ましい含有量は、セルロースアシレートに対して０．１質量％以上１５質量％以下であり、より好ましくは０．３質量％以上１２質量％以下、更に好ましくは０．８質量％以上８質量％以下である。安息香酸フェニルエステル化合物を二種以上混合して用いた場合、含有量は該化合物添加量の総和を指す。
【００１７】
安息香酸フェニルエステル化合物を添加することにより、フィルム面内のレターデーション（Ｒｅ）、厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）が発現し易い特性も付与できる。なお、本発明でいうＲｅ，Ｒｔｈは下記数式（１）及び（２）で示され、Ｒｅは面内のＭＤ，ＴＤの屈折率の差の指標であり、Ｒｔｈは面内の平均屈折率と厚み方向の屈折率との差の指標である。このようなＲｅ，Ｒｔｈが発現しているものは、液晶表示板に組み込んだ際に、視野角を広くとることができ、より好ましい。好ましいＲｅ、Ｒｔｈは２０ｎｍ以上８００ｎｍ以下、より好ましくは２５ｎｍ以上５００ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。さらにＲｅ≦Ｒｔｈであることが好ましく、より好ましくはＲｅ×１．５≦Ｒｔｈ、さらに好ましくはＲｅ×２≦Ｒｔｈである。このようなＲｅ，Ｒｔｈは後述の延伸により、より顕著に発現させることができる。
【００１８】
数式（１）：Ｒｅ＝（ｎmd−ｎtd）×ｄ
数式（２）：Ｒth＝｜｛（ｎmd＋ｎtd）／２｝−ｎth｜×ｄ
【００１９】
ここで、ｎmd、ｎtd、ｎthはそれぞれ、長手方向(md)、幅方向(TD)、厚み方向(th)の屈折率を指し、ｄは厚み（ｎｍ単位で表したもの）を指す。
【００２０】
安息香酸フェニルエステル化合物を添加することにより、湿度でＲｅ，Ｒｔｈが変動し難い特性もさらに付与できる。好ましいＲｅ，Ｒｔｈ湿度変動は少なくとも一方が０％以上１５％以下であり、より好ましくは０％以上１０％以下、さらに好ましくは０％以上7％以下である。ここでいうＲｅ，Ｒｔｈ湿度変動とは、２５℃８０％ｒｈで測定したＲｅ，Ｒｔｈと、２５℃１０％ｒｈで測定したＲｅ,Ｒｔｈの差の絶対値を、それぞれ２５℃６０％ｒｈで測定したＲｅ，Ｒｔｈで割り百分率で表したものである。
【００２１】
（安息香酸フェニルエステル化合物）
本発明では一般式（１）で示される安息香酸フェニルエステル化合物をセルロースアシレートに添加することが好ましい。
【００２２】
【化３】
2005325258.tif 000004
【００２３】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ9およびＲ10は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5のうち少なくとも１つは電子供与性基を表す。Ｒ8は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。）
【００２４】
一般式（１）中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ9およびＲ10は、それぞれ独立に、水素原子、または置換基を表し、置換基は後述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5のうち少なくとも１つは電子供与性基を表す。好ましくはＲ1、Ｒ3またはＲ5のうちの１つが電子供与性基であり、Ｒ3が電子供与性基であることがより好ましい。
【００２５】
電子供与性基とは、Hammetのσp値がO以下のものを表し、Chem．Rev．，９１，１６５（１９９１）．記載のHammetのσp値がO以下のものが好ましく適用でき、より好ましくは  −０．８５〜０  のものが用いられる。例えば、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基などが挙げられる。
電子供与性基として好ましくは、アルキル基、アルコキシ基であり、より好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６特に好ましくは炭素数１〜４である）である。
【００２６】
Ｒ1として好ましくは、水素原子または電子供与性基であり、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基であり、特に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、最も好ましくはメトキシ基である。
【００２７】
Ｒ2として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４、より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。
【００２８】
Ｒ3として好ましくは、水素原子または電子供与性基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、アルキル基、アルコキシ基であり、特に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。最も好ましくはｎ−プロポキシ基、エトキシ基、メトキシ基である
【００２９】
Ｒ4として好ましくは、水素原子または電子供与性基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、特に好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基であり、最も好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。
【００３０】
Ｒ5として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４、より好ましくはメチル基）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。
【００３１】
Ｒ6、Ｒ7、Ｒ9およびＲ10として、好ましくは水素原子、炭素数1〜１２のアルキル基、炭素数1〜１２のアルコキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子である。
【００３２】
Ｒ8は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数1〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表し、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。また、置換基が更に置換してもよい。
Ｒ8として、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、シアノ基であり、より好ましくは炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、シアノ基であり、更に好ましくは、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜６のアルコキシカルボニル基、シアノ基であり、特に好ましくは、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェニル基、ｐ−シアノフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、炭素数２〜４のアルコキシカルボニル基、シアノ基である。
【００３３】
一般式（１）で表される化合物のうち、より好ましい化合物は下記一般式（１−Ａ）で表される化合物ある。
【００３４】
【化４】
2005325258.tif 000005
【００３５】
一般式（１―Ａ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10は、それぞれ一般式（１）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｒ11は、炭素数１〜１２のアルキル基を表す。Ｒ11で表されるアルキル基は直鎖でも分岐があってもよく、また更に置換基を有してもよいが、好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜８アルキル基、更に好ましくは炭素数１〜６アルキル基、特に好ましくは炭素数１〜４のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などが挙げられる）を表す。
【００３６】
一般式（１）で表される化合物のうち、さらに好ましい化合物は下記一般式（１−Ｂ）で表される化合物ある。
【００３７】
【化５】
2005325258.tif 000006
【００３８】
一般式（１−Ｂ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ9、Ｒ10は一般式（１）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｒ11は、一般式（１−Ａ）におけるそれと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｘは、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5がすべて水素原子の場合には、Ｘとして好ましくはアルキル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、より好ましくは、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、更に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４である。）であり、特に好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基である。
【００３９】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5のうち少なくとも１つが置換基の場合には、Ｘとして好ましくはアルキニル基、アリール基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、であり、より好ましくはアリール基（好ましくは炭素数６〜１２）、シアノ基、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜１２）であり、更に好ましくはアリール基（好ましくは炭素数６〜１２のアリール基であり、より好ましくはフェニル基、ｐ−シアノフェニル基、ｐ−メトキシフェニルである）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素２〜１２、より好ましくは炭素数２〜６、更に好ましくは炭素数２〜４、特に好ましくはメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、n−プロポキシカルボニルである）、シアノ基であり、特に好ましくは、フェニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、シアノ基である。
【００４０】
一般式（１）で表される化合物のうち、更に好ましい化合物は下記一般式（１−Ｃ）で表される化合物ある。
【００４１】
【化６】
2005325258.tif 000007
【００４２】
一般式（１−Ｃ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ11およびＸは、一般式（１−Ｂ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００４３】
一般式（１）で表される化合物の中で、特に好ましい化合物は下記一般式（１−Ｄ）で表される化合物である。
【００４４】
【化７】
2005325258.tif 000008
【００４５】
一般式（１−Ｄ）中、Ｒ2、Ｒ4およびＲ5は、一般式（１−Ｃ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｒ21、Ｒ22は、それぞれ独立に、炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｘ1は、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、またはシアノ基を表す。
【００４６】
Ｒ21は、炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくはエチル基、メチル基である。
Ｒ22は、炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくはエチル基、メチル基であり、更に好ましくはメチル基である。
【００４７】
Ｘ1は、炭素数６〜１２のアリール基、炭素２〜１２アルコキシカルボニル基、又はシアノ基であり、好ましくは炭素数６〜１０のアリール基、炭素数２〜６アルコキシカルボニル基、シアノ基であり、より好ましくはフェニル基、p−シアノフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロポキシカルボニル、シアノ基であり、更に好ましくは、フェニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、シアノ基である。
【００４８】
一般式（１）で表される化合物のうち、最も好ましい化合物は下記一般式（１−Ｅ）で表される化合物ある。
【００４９】
【化８】
2005325258.tif 000009
【００５０】
一般式（１−Ｅ）中、Ｒ2、Ｒ4およびＲ5は一般式（１−Ｄ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。但し、いずれか１つは−ＯＲ13で表される基である。ここで、Ｒ13は炭素数１〜４のアルキル基である。Ｒ21、Ｒ22、Ｘ1は一般式（１−Ｄ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
好ましくは、Ｒ4及びＲ5の少なくともいずれかが−ＯＲ13で表される基であり、より好ましくはＲ4が−ＯＲ13で表される基であることである。
Ｒ13は炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは炭素数1〜３のアルキル基であり、より好ましくはエチル基、メチル基であり、更に好ましくはメチル基である。
【００５１】
以下に前述の置換基Ｔについて説明する。
置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
【００５２】
また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【００５３】
以下に一般式（１）で表される化合物に関して具体例をあげて詳細に説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。
【００５４】
【化９】
2005325258.tif 000010
【００５５】
【化１０】
2005325258.tif 000011
【００５６】
【化１１】
2005325258.tif 000012
【００５７】
【化１２】
2005325258.tif 000013
【００５８】
【化１３】
2005325258.tif 000014
【００５９】
【化１４】
2005325258.tif 000015
【００６０】
本発明の一般式（１）で表される化合物は、置換安息香酸とフェノール誘導体の一般的なエステル反応によって合成でき、エステル結合形成反応であればどのような反応を用いてもよい。例えば、置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノールと縮合する方法、縮合剤あるいは触媒を用いて置換安息香酸とフェノール誘導体を脱水縮合する方法など挙げられる。
製造プロセス等を考慮すると置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノールと縮合する方法が好ましい。
【００６１】
反応溶媒としては、炭化水素系溶媒（好ましくはトルエン、キシレンが挙げられる。）、エーテル系溶媒（好ましくはジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる。）、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどを用いることができる。これらの溶媒は単独でも数種を混合して用いてもよく、反応溶媒として好ましくはトルエン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドである。
【００６２】
反応温度は、好ましくは０〜１５０℃、より好ましくは０〜１００℃、更に好ましくは０〜９０℃であり、特に好ましくは２０℃〜９０℃である。
本反応には塩基を用いないのが好ましく、塩基を用いる場合には有機塩基、無機塩基のどちらでもよく、好ましくは有機塩基であり、ピリジン、３級アルキルアミン（好ましくはトリエチルアミン、エチルジイソプルピルアミンなどが挙げられる）である。
【００６３】
（セルロースアシレート樹脂）
本発明で用いるセルロースアシレートは以下の特徴を有するものが好ましい。
即ち、セルロースアシレートのアシレート基の置換度が、下記の数式（Ｉ）〜（III）を満たすセルロースアシレートが好ましい。
【００６４】
数式（Ｉ） ：２．６≦Ｘ＋Ｙ＜３．０
数式（II） ：０≦Ｘ≦１．８
数式（III）：１．０≦Ｙ＜３
（式中、Ｘはアセテート基の置換度を表し、Ｙはプロピオネート基、ブチレート基、プロピオネート基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基の置換度の総和を表す。）
【００６５】
より好ましいセルロースアシレートは；
Ｙの１／２以上がプロピオネート基の場合は、下記数式（Ｉ−１）及び（III−１）を満たし、
数式（Ｉ−１） ：２．６≦Ｘ＋Ｙ≦２．９５
数式（III−１）：２．０≦Ｙ≦２．９５
Ｙの１／２未満がプロピオネート基の場合は、下記数式（Ｉ−２）及び（III−２）を満たす。
数式（Ｉ−２） ：２．６≦Ｘ＋Ｙ≦２．９５
数式（III−２）：１．３≦Ｙ≦２．５
【００６６】
さらに好ましいセルロースアシレートは；
Ｙの１／２以上がプロピオネート基の場合は、下記数式（Ｉ−３）及び（III−３）を満たし、
数式（Ｉ−３） ：２．７≦Ｘ＋Ｙ≦２．９５
数式（III−３）：２．４≦Ｙ≦２．９
Ｙの１／２未満がプロピオネート基の場合は、下記数式（Ｉ−４）及び（III−４）を満たす。
数式（Ｉ−４） ：２．７≦Ｘ＋Ｙ≦２．９５
数式（III−４）：３≦Ｙ≦２．０
【００６７】
本発明では、アセテート基の置換度を少なくし、プロピオネート基、ブチレート基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基の置換度の総和を多くしたセルロースアシレートが好ましい。これにより、延伸中に伸びむらが発生し難くＲｅ，Ｒｔｈむらが発現しにくい上、結晶融解温度（Ｔｍ）を下げることができ、溶融製膜の熱による分解で発生する黄変を抑制することもできる。これらの効果は、なるべく大きな置換基を用いることで達成できるが、大きすぎるとガラス転移温度（Ｔｇ）や弾性率を低下させすぎるため好ましくない。このためアセチル基より大きなプロピオネート基、ブチレート基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基が好ましく、より好ましくはプロピオネート基、ブチレート基であり、さらに好ましくはブチレート基である。
【００６８】
これらのセルロースアシレート合成方法の基本的な原理は、右田他、木材化学１８０〜１９０頁（共立出版、１９６８年）に記載されている。代表的な合成方法は、カルボン酸無水物−酢酸−硫酸触媒による液相酢化法である。具体的には、綿花リンターや木材パルプ等のセルロース原料を適当量の酢酸で前処理した後、予め冷却したカルボン酸化混液に投入してエステル化し、完全セルロースアシレート（２位、３位および６位のアシル置換度の合計が、ほぼ３．００）を合成する。上記カルボン酸化混液は、一般に溶媒としての酢酸、エステル化剤としての無水カルボン酸および触媒としての硫酸を含む。無水カルボン酸は、これと反応するセルロースおよび系内に存在する水分の合計よりも、化学量論的に過剰量で使用することが普通である。アシル化反応終了後に、系内に残存している過剰の無水カルボン酸の加水分解およびエステル化触媒の一部の中和のために、中和剤（例えば、カルシウム、マグネシウム、鉄、アルミニウムまたは亜鉛の炭酸塩、酢酸塩または酸化物）の水溶液を添加する。次に、得られた完全セルロースアシレートを少量の酢化反応触媒（一般には、残存する硫酸）の存在下で、５０〜９０℃に保つことによりケン化熟成し、所望のアシル置換度および重合度を有するセルロースアシレートまで変化させる。所望のセルロースアシレートが得られた時点で、系内に残存している触媒を前記のような中和剤を用いて完全に中和するか、あるいは中和することなく水または希硫酸中にセルロースアシレート溶液を投入（あるいは、セルロースアシレート溶液中に、水または希硫酸を投入）してセルロースアシレートを分離し、洗浄および安定化処理によりセルロースアシレートを得る。
【００６９】
本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの重合度は、粘度平均重合度２００〜７００、好ましくは２５０〜５５０、更に好ましくは２５０〜４００であり、特に好ましくは粘度平均重合度２５０〜３５０である。平均重合度は、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫、繊維学会誌、第１８巻第１号、１０５〜１２０頁、１９６２年）により測定できる。更に特開平９−９５５３８号公報に詳細に記載されている。
【００７０】
このような重合度の調整には低分子量成分を除去することでも達成できる。低分子成分が除去されると、平均分子量（重合度）が高くなるが、粘度は通常のセルロースアシレートよりも低くなるため有用である。低分子成分の除去は、セルロースアシレートを適当な有機溶媒で洗浄することにより実施できる。さらに重合方法でも分子量を調整できる。例えば、低分子成分の少ないセルロースシレテートを製造する場合、酢化反応における硫酸触媒量を、セルロース１００質量に対して０．５〜２５質量部に調整することが好ましい。硫酸触媒の量を上記範囲にすると、分子量部分布の点でも好ましい（分子量分布の均一な）セルロースアシレートを合成することができる。
【００７１】
本発明で用いられるセルロースアシレートは、質量平均分子量Ｍｗ／数平均分子量Ｍｎ比が１．５〜５．５のものが好ましく用いられ、特に好ましくは２．０〜５．０であり、更に好ましくは２．５〜５．０であり、更に好ましくは３．０〜５．０のセルロースアシレートが好ましく用いられる。
これらのセルロースアシレートは１種類のみを用いてもよく、２種以上を併用しても良い。また、セルロースアシレート以外の高分子成分を適宜混合したものでもよい。混合される高分子成分はセルロースエステルと相溶性に優れるものが好ましく、フィルムにしたときの透過率が８０％以上、更に好ましくは９０％以上、更に好ましくは９２％以上であることが好ましい。
【００７２】
（可塑剤）
さらに本発明では可塑剤を添加しても良い。可塑剤としては、例えば、アルキルフタリルアルキルグリコレート類、リン酸エステルやカルボン酸エステル等が挙げられる。
【００７３】
アルキルフタリルアルキルグリコレート類として例えばメチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、エチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルメチルグリコレート、ブチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルオクチルグリコレート、エチルフタリルオクチルグリコレート、オクチルフタリルメチルグリコレート、オクチルフタリルエチルグリコレート等が挙げられる。
リン酸エステルとしては、例えばトリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、フェニルジフェニルホスフェート等を挙げることができる。さらに特表平６−５０１０４０号公報の請求項３〜７に記載のリン酸エステル系可塑剤を用いることが好ましい。
カルボン酸エステルとしては、例えばジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート及びジエチルヘキシルフタレート等のフタル酸エステル類、及びクエン酸アセチルトリメチル、クエン酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチル等のクエン酸エステル類、ジメチルアジペート、ジブチルアジペート、ジイソブチルアジペート、ビス（２−エチルヘキシル）アジペート、ジイソデシルアジペート、ビス（ブチルジグリコールアジペート）等のアジピン酸エステルを挙げることができる。またその他、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、トリアセチン等を単独あるいは併用するのが好ましい。
【００７４】
これらの可塑剤はセルロースアシレートフィルムに対し０質量％以上２０質量％以下が好ましく、より好ましくは１質量％以上２０質量％以下、さらに好ましくは２質量％以上１５質量％以下である。これらの可塑剤は必要に応じて、２種類以上を併用してもよい。
【００７５】
（その他添加剤）
さらに、セルロースアシレートフィルムには、可塑剤以外に種々の添加剤（例えば、紫外線防止剤、劣化防止剤、光学異方性コントロール剤、微粒子、赤外吸収剤、界面活性剤、臭気トラップ剤（アミン等）など）を加えることができる。赤外吸収染料としては例えば特開平２００１−１９４５２２号公報のものが使用でき、紫外線吸収剤は例えば特開平２００１−１５１９０１号公報に記載のものが使用でき、それぞれセルロースアシレートに対して０．００１〜５質量％含有することが好ましい。微粒子は、平均粒径が５〜３０００ｎｍのものを使用することが好ましく、金属酸化物や架橋ポリマーから成るものを使用でき、セルロースアシレートに対して０．００１〜５質量％含有させることが好ましい。劣化防止剤はセルロースアシレートに対して０．０００１〜２質量％含有させることが好ましい。光学異方性コントロール剤は例えば特開２００３−６６２３０号公報、特開２００２−４９１２８号公報記載のものを使用でき、セルロースアシレートに対して０．１〜１５質量％含有させることが好ましい。
【００７６】
（製剤化）
本発明においてセルロースアシレートフィルムを溶融流延して製造する際には、製膜に先立ち、セルロースアシレートを製剤化する。製剤化としては、粉末またはペレット化することが好ましい。この際、上記安息香酸フェニルエステル化合物や、可塑剤、その他添加剤と一緒に製剤化することが好ましい。これらの量は、最終的にフィルムで必要とする量になるよう混合しても良く、これより添加量を多くした粉末あるいはペレット（以下、これらを「マスターペレット等」とも称する）を作成しても良い。マスターペレット等を作成した場合、添加剤を添加していない、又はフィルムで必要とした量より少なく作成した製剤（粉末またはペレット）を用い、必要添加量になるよう、希釈し製膜すれば良い。マスターペレット等の好ましいこれらの添加量は、０．１質量％以上４０質量％以下であり、より好ましくは０．３質量％以上３０質量％以下、より好ましくは０．８質量％以上２０質量％以下である。
【００７７】
ペレット化する場合、その前にセルロースアシレート、安息香酸フェニルエステル化合物や、可塑剤、その他の添加剤は、含水率が１％以下、より好ましくは０．１％以下になるまで乾燥しておくことが好ましい。
ペレット化は、２軸混練押し出し機を用い、１５０℃以上２２０℃以下、より好ましくは１６０℃以上２１０℃以下、さらに好ましくは１７０℃以上２００℃以下で、スクリュー回転数３０ｒｐｍ以上８００ｒｐｍ以下、より好ましくは８０ｒｐｍ以上６００ｒｐｍ以上、さらに好ましくは１２０ｒｐｍ以上４００ｒｐｍ以下で、滞留時間１５秒以上５分以下、より好ましくは２０秒以上４分以下、さらに好ましくは２０秒以上２分以下混練する。この際、安息香酸フェニルエステル化合物や、可塑剤、その他添加剤は、最初からセルロースアシレートと混合して混練押出し機に供給しても良く、混練押出し機の途中に設けたポートから添加しても良い。
混練機の出口に付けた、３ｍｍ2〜３００ｍｍ2の孔が１〜５００個空いたダイから、１０℃以上９０℃以下の水中に押出しストランド状に固化させた後、１ｍｍから２０ｍｍ間隔で裁断、乾燥し、ペレットを得る。ペレットの断面は円、多角形（三角形、四角形、五角形等）いずれであっても良い。
【００７８】
粉体化とは、粉状、フレーク状、粒状等にすることであり、粉状とは１００μｍ以下のものを指し、フレーク状とは１００μｍを越える大きさのものを指し、粒状とは粉体の会合させたものを指す。セルロースアシレートは、均一溶剤の中で合成され、これを貧溶剤（水等）に投入する際に固化するが、この時強く撹拌しながら投入すると粉状に、弱く撹拌しながら投入するとフレーク状にすることができる。安息香酸フェニルエステル化合物は本来粉状であり、これをそのまま用いても良く、造粒して用いても良い。造粒は、安息香酸フェニルエステル化合物単独で行っても良く、セルロースアシレートと一緒に造粒しても良い。造粒する方法は特に限定されないが、これらを溶解する溶剤を少量添加し撹拌することで造粒しても良く、加熱し少し融解させながら撹拌することで造粒しても良い。
これらの粉体は、安息香酸フェニルエステル化合物とセルロースアシレートが混合されていることが必要である。混合は溶融製膜前であればどこでおこなっても良く、例えばミキサー等で十分撹拌したものを一旦ストックし、これを溶融押し出し機に投入すても良く、これらを撹拌しながら直接溶融押し出し機に投入しても良い。このような粉体を溶融する場合、溶融押し出し機は２軸の溶融押し出し機を用いるのがより好ましい。
【００７９】
（溶融製膜）
（１）乾燥
上述の方法で粉体またはペレット化したものを、溶融製膜に先立ち粉体またはペレット中の含水率を１％以下、より好ましくは０．５％以下にした後、溶融押出し機のホッパーに投入する。このときホッパーをＴｇ−５０℃以上Ｔｇ＋３０℃以下、より好ましくはＴｇ−４０℃以上Ｔｇ＋１０℃以下、さらに好ましくはＴｇ−３０℃以上Ｔｇ以下にする。  これによりホッパー内での水分の再吸着を抑制し、上記乾燥の効率をより発現し易くできる。
【００８０】
（２）混練押出し
押出し機中で、１２０℃以上２５０℃以下、より好ましくは１４０℃以上２２０℃以下、さらに好ましくは１５０℃以上２００℃以下で混練溶融する。この時、溶融温度は一定温度で行ってもよく、いくつかに分割して制御しても良い。好ましい混練時間は２分以上６０分以下であり、より好ましくは３分以上４０分以下であり、さらに好ましくは４分以上３０分以下である。さらに、溶融押出し機内を不活性（窒素等）気流中、あるいはベント付き押出し機を用い真空排気しながら実施するのも好ましい。
【００８１】
（３）キャスト
溶融した樹脂をギヤポンプに通し、押し出し機の脈動を除去した後、金属メッシュフィルター等で濾過を行い、この後ろに取り付けたＴ型のダイから冷却ドラム上にシート状に押し出す。押出しは単層で行ってもよく、マルチマニホールドダイやフィードブロックダイを用いて複数層押出しても良い。この時、ダイのリップの間隔を調整することで幅方向の厚みむらを調整することができる。
この後キャスティングドラム上に押出す。この時、静電印加法、エアナイフ法、エアーチャンバー法、バキュームノズル法、タッチロール法等の方法を用い、キャスティングドラムと溶融押出ししたシートの密着を上げることも好ましい。このような密着向上法は、溶融押出しシートの全面に実施してもよく、一部に実施しても良い。
【００８２】
キャスティングドラムは６０℃以上１６０℃以下が好ましく、より好ましくは７０℃以上１５０℃以下、さらに好ましくは８０℃以上１４０℃以下である。この後、キャスティングドラムから剥ぎ取り、ニップロールを経た後巻き取る。巻き取り速度は１０ｍ／分以上１００ｍ／分以下が好ましく、より好ましくは１５ｍ／分以上８０ｍ／分以下、さらに好ましくは２０ｍ／分以上７０ｍ／分以下である。
製膜幅は１ｍ以上５ｍ以下、さらに好ましくは１．２ｍ以上４ｍ以下、さらに好ましくは１．３ｍ以上３ｍ以下が好ましい。このようにして得られた未延伸フィルムの厚みは３０μｍ以上４００μｍ以下が好ましく、より好ましくは４０μｍ以上３００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以上２００μｍ以下である。
【００８３】
このようにして得たシートは両端をトリミングし、巻き取ることが好ましい。トリミングされた部分は、粉砕処理された後、或いは必要に応じて造粒処理や解重合・再重合等の処理を行った後、同じ品種のフィルム用原料として又は異なる品種のフィルム用原料として再利用してもよい。また、巻き取り前に、少なくとも片面にラミフィルムを付けることも、傷防止の観点から好ましい。
【００８４】
（延伸）
延伸は縦方向、横方向の少なくとも一方方向（一軸方向）に延伸するのが好ましく、縦、横両方延伸するのがより好ましい。好ましい延伸温度はＴｇ以上Ｔｇ＋５０℃以下であり、より好ましくはＴｇ＋１℃以上Ｔｇ＋３０℃以下、さらに好ましくはＴｇ＋２℃以上Ｔｇ＋２０℃以下である。好ましい延伸倍率は、少なくとも一方方向（一軸方向）に１０％以上３００％以下延伸することが好ましく、より好ましくは２０％以上２５０％以下、さらに好ましくは３０％以上２００％以下である。これらの延伸は１段で実施しても、多段で実施しても良い。ここで云う延伸倍率は、以下の式を用いて求めたものである。
【００８５】
延伸倍率（％）＝１００×｛（延伸後の長さ）−（延伸前の長さ）｝／延伸前の長さ
【００８６】
このような延伸は縦延伸、横延伸、およびこれらの組み合わせによって実施される。縦延伸は、（１）ロール延伸（出口側の周速を速くした２対以上のニップロールを用いて、長手方向に延伸）、（２）固定端延伸（フィルムの両端を把持し、これを長手方向に次第に早く搬送し長手方向に延伸）、等を用いることができる。さらに横延伸は、テンター延伸（フィルムの両端をチャックで把持しこれを横方向（長手方向と直角方向）に広げて延伸）、等を使用することができる。これらの縦延伸、横延伸は、それだけでおこなっても良く（１軸延伸）、組み合わせて行っても良い（２軸延伸）。２軸延伸の場合、縦、横逐次で実施しても良く（逐次延伸）、同時に実施しても良い（同時延伸）。
【００８７】
縦延伸、横延伸の延伸速度は１０％／分以上１００００％／分以下が好ましく、より好ましくは２０％／分以上１０００％／分以下、さらに好ましくは３０％／分以上８００％／分以下である。多段延伸の場合、各段の延伸速度の平均値を指す。
このような延伸に引き続き、縦あるいは横方向に０％から１０％緩和することも好ましい。さらに、延伸に引き続き、１５０℃以上２５０℃以下で１秒以上３分以下熱固定することも好ましい。
【００８８】
このような延伸により発現するＲｅ，Ｒｔｈは上述の範囲が好ましい。さらに上述のようにＲｔｈはＲｅ以上であることがより好ましい。このためには固定端１軸延伸、より好ましくは縦、横方向の２軸延伸により達成される。即ち縦、横に延伸することで面内の屈折率（ｎmd、ｎtd）の差を小さくしＲｅを小さくする、さらに、縦、横に延伸し面積倍率を大きくすることで厚み減少に伴う厚み方向の配向を強くすることでＲｔｈを大きくすることができるためである。
このようにして延伸した後の膜厚は１０〜３００μｍが好ましく、より好ましくは２０μｍ以上２００μｍ以下、さらに好ましくはは３０μｍ以上１００μｍ以下が好ましい。
【００８９】
また製膜方向（長手方向）と、フィルムのＲｅの遅相軸とのなす角度θが０°、＋９０°もしくは−９０°に近いほど好ましい。即ち、縦延伸の場合は０°に近いほど好ましく、０±３°が好ましく、より好ましくは０±２°、さらに好ましくは０±１°である。横延伸の場合は、９０±３°あるいは−９０±３°が好ましく、より好ましくは９０±２°あるいは−９０±２°、さらに好ましくは９０±１°あるいは−９０±１°である。
【００９０】
これらの未延伸あるいは延伸セルロースアシレートフィルムは、単独で使用してもよく、これらを偏光板に組み合わせて使用してもよく、これらの上に液晶層や屈折率を制御した層（低反射層）やハードコート層を設けて使用しても良い。
【００９１】
（表面処理）
セルロースアシレートフィルムは、場合により表面処理を行うことによって、セルロースアシレートフィルムと各機能層（例えば、下塗層およびバック層）との接着の向上を達成することができる。例えばグロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸またはアルカリ処理を用いることができる。ここでいうグロー放電処理とは、１０-3〜２０Ｔｏｒｒの低圧ガス下でおこる低温プラズマでもよく、更にまた大気圧下でのプラズマ処理も好ましい。プラズマ励起性気体とは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類及びそれらの混合物などがあげられる。これらについては、詳細が発明協会公開技報、公技番号  ２００１−１７４５、３０頁〜３２頁（２００１年３月１５日発行）に詳細に記載されている。なお、近年注目されている大気圧でのプラズマ処理は、例えば１０〜１０００Ｋｅｖ下で２０〜５００Ｋｇｙの照射エネルギーが用いられ、より好ましくは３０〜５００Ｋｅｖ下で２０〜３００Ｋｇｙの照射エネルギーが用いられる。これらの中でも特に好ましくは、アルカリ鹸化処理でありセルロースアシレートフィルムの表面処理としては極めて有効である。
【００９２】
アルカリ鹸化処理は、鹸化液に浸漬しても良く、鹸化液を塗布しても良い。浸漬法の場合は、ＮａＯＨやＫＯＨ等のｐＨ１０〜１４の水溶液を２０℃〜８０℃に加温した槽を０．１分から１０分通過させたあと、中和、水洗、乾燥することで達成できる。
【００９３】
塗布方法の場合、ディップコーティング法、カーテンコーティング法、エクストルージョンコーティング法、バーコーティング法およびＥ型塗布法を用いることができる。アルカリ鹸化処理塗布液の溶媒は、鹸化液の透明支持体に対して塗布するために濡れ性が良く、また鹸化液溶媒によって透明支持体表面に凹凸を形成させずに、面状を良好なまま保つ溶媒を選択することが好ましい。具体的には、アルコール系溶媒が好ましく、イソプロピルアルコールが特に好ましい。また、界面活性剤の水溶液を溶媒として使用することもできる。アルカリ鹸化塗布液のアルカリは、上記溶媒に溶解するアルカリが好ましく、ＫＯＨ、ＮａＯＨがさらに好ましい。鹸化塗布液のｐＨは１０以上が好ましく、１２以上がさらに好ましい。アルカリ鹸化時の反応条件は、室温で１秒以上５分以下が好ましく、５秒以上５分以下がさらに好ましく、２０秒以上３分以下が特に好ましい。アルカリ鹸化反応後、鹸化液塗布面を水洗あるいは酸で洗浄したあと水洗することが好ましい。また、塗布式鹸化処理と後述の配向膜塗設を、連続して行うことができ、工程数を減少できる。これらの鹸化方法は、具体的には、例えば、特開２００２−８２２２６号公報、ＷＯ０２／４６８０９号公報に内容の記載が挙げられる。
【００９４】
機能層との接着のため下塗り層を設けることも好ましい。この層は上記表面処理をした後、塗設しても良く、表面処理なしで塗設しても良い。下塗層についての詳細は、発明協会公開技報、公技番号  ２００１−１７４５、３２頁（２００１年３月１５日発行）に記載されている。
これらの表面処理、下塗り工程は、製膜工程の最後に組み込むこともでき、単独で実施することもでき、後述の機能層付与工程の中で実施することもできる。
【００９５】
（機能層）
本発明のセルロースアシレートフィルムに、発明協会公開技報、公技番号  ２００１−１７４５、３２頁〜４５頁（２００１年３月１５日発行）に詳細に記載されている機能性層を組み合わせることが好ましい。中でも好ましいのが、偏光層の付与（偏光板）、光学補償層の付与（光学補償シート）、反射防止層の付与（反射防止フィルム）である。
【００９６】
（１）偏光層の付与（偏光板の作成）
［偏光層の使用素材］
現在、市販の偏光層は、延伸したポリマーを、浴槽中のヨウ素もしくは二色性色素の溶液に浸漬し、バインダー中にヨウ素、もしくは二色性色素を浸透させることで作製されるのが一般的である。偏光膜は、Optiva  Inc.に代表される塗布型偏光膜も利用できる。偏光膜におけるヨウ素および二色性色素は、バインダー中で配向することで偏向性能を発現する。二色性色素としては、アゾ系色素、スチルベン系色素、ピラゾロン系色素、トリフェニルメタン系色素、キノリン系色素、オキサジン系色素、チアジン系色素あるいはアントラキノン系色素が用いられる。二色性色素は、水溶性であることが好ましい。二色性色素は、親水性置換基（例、スルホ、アミノ、ヒドロキシル）を有することが好ましい。例えば、発明協会公開技法、公技番号２００１−１７４５号、５８頁（発行日２００１年３月１５日）に記載の化合物が挙げられる。
【００９７】
偏光膜のバインダーは、それ自体架橋可能なポリマーあるいは架橋剤により架橋するポリマーのいずれも使用することができ、これらの組み合わせを複数使用することができる。バインダーには、例えば特開平８−３３８９１３号公報明細書中段落番号［００２２］記載のメタクリレート系共重合体、スチレン系共重合体、ポリオレフィン、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコール、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル共重合体、カルボキシメチルセルロース、ポリカーボネート等が含まれる。シランカップリング剤をポリマーとして用いることができる。水溶性ポリマー（例、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、カルボキシメチルセルロース、ゼラチン、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール）が好ましく、ゼラチン、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールがさらに好ましく、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールが最も好ましい。重合度が異なるポリビニルアルコールまたは変性ポリビニルアルコールを２種類併用することが特に好ましい。ポリビニルアルコールの鹸化度は、７０〜１００％が好ましく、８０〜１００％がさらに好ましい。ポリビニルアルコールの重合度は、１００〜５０００であることが好ましい。変性ポリビニルアルコールについては、特開平８−３３８９１３号、同９−１５２５０９号および同９−３１６１２７号の各公報に記載がある。ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールは、二種以上を併用してもよい。
【００９８】
バインダー厚みの下限は、１０μｍであることが好ましい。厚みの上限は、液晶表示装置の光漏れの観点からは、薄ければ薄い程よい。現在市販の偏光板（約３０μｍ）以下であることが好ましく、２５μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がさらに好ましい。
【００９９】
偏光膜のバインダーは架橋していてもよい。架橋性の官能基を有するポリマー、モノマーをバインダー中に混合しても良く、バインダーポリマー自身に架橋性官能基を付与しても良い。架橋は、光、熱あるいはｐＨ変化により行うことができ、架橋構造をもったバインダーを形成することができる。架橋剤については、米国再発行特許２３２９７号明細書に記載がある。また、ホウ素化合物（例、ホウ酸、硼砂）も、架橋剤として用いることができる。バインダーの架橋剤の添加量は、バインダーに対して、０．１乃至２０質量％が好ましい。偏光素子の配向性、偏光膜の耐湿熱性が良好となる。
架橋反応が終了後は、未反応の架橋剤は１．０質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがさらに好ましい。このようにすることで、耐候性が向上する。
【０１００】
［偏光膜の延伸］
偏光膜は、偏光膜を延伸するか（延伸法）、もしくはラビングした（ラビング法）後に、ヨウ素、二色性染料で染色することが好ましい。
延伸法の場合、延伸倍率は２．５乃至３０．０倍が好ましく、３．０乃至１０．０倍がさらに好ましい。延伸は、空気中でのドライ延伸で実施できる。また、水に浸漬した状態でのウェット延伸を実施してもよい。ドライ延伸の延伸倍率は、２．５乃至５．０倍が好ましく、ウェット延伸の延伸倍率は、３．０乃至１０．０倍が好ましい。延伸はＭＤ方向に平行に行っても良く（平行延伸）、斜め方向におこなっても良い（斜め延伸）。これらの延伸は、１回で行っても、数回に分けて行ってもよい。数回に分けることによって、高倍率延伸でもより均一に延伸することができる。
より好ましいのが斜め方向に１０度から８０度の傾きを付けて延伸する斜め延伸である。
【０１０１】
（イ）平行延伸法
延伸に先立ち、ＰＶＡフィルムを膨潤させる。膨潤度は１．２〜２．０倍（膨潤前と膨潤後の質量比）である。この後、ガイドロール等を介して連続搬送しつつ、水系媒体浴内や二色性物質溶解の染色浴内で、１５〜５０℃、就中１７〜４０℃の浴温で延伸する。延伸は２対のニップロールで把持し、後段のニップロールの搬送速度を前段のそれより大きくすることで達成できる。延伸倍率は、延伸後／初期状態の長さ比（以下同じ）に基づき、前記作用効果の点より好ましい延伸倍率は１．２〜３．５倍、就中１．５〜３．０倍である。この後、５０℃から９０℃において乾燥させて偏光膜を得る。
【０１０２】
（ロ）斜め延伸法
これには特開２００２−８６５５４号公報に記載の斜め方向に張り出したテンターを用い延伸する方法を用いることができる。この延伸は空気中で延伸するため、事前に含水させて延伸しやすくすることが必用である。好ましい含水率は５％以上１００％以下、より好ましくは１０％以上１００％以下である。
延伸時の温度は４０℃以上９０℃以下が好ましく、より好ましくは５０℃以上８０℃以下である。湿度は５０％ｒｈ以上１００％ｒｈ以下が好ましく、より好ましくは７０％ｒｈ以上１００％ｒｈ以下、さらに好ましくは８０％ｒｈ以上１００％ｒｈ以下である。長手方向の進行速度は、１ｍ／分以上が好ましく、より好ましくは３ｍ／分以上である。
延伸終了後、好ましくは５０℃以上１００℃以下、より好ましくは６０℃以上９０℃以下で、好ましくは０．５分以上１０分以下、より好ましくは１分以上５分以下乾燥する。
このようにして得られた偏光膜の吸収軸の方向は、長手方向に対して１０度から８０度傾いていることが好ましく、より好ましくは３０度から６０度であり、さらに好ましくは実質的に４５度（４０度から５０度）である。
【０１０３】
［貼り合せ］
上記鹸化後のセルロースアシレートフィルムと、延伸して調製した偏光層とを貼り合わせ、偏光板を調製する。張り合わせる方向は、セルロースアシレートフィルムの流延軸方向と偏光板の延伸軸方向が４５度になるように行うのが好ましい。
貼り合わせの接着剤は特に限定されないが、ＰＶＡ系樹脂（アセトアセチル基、スルホン酸基、カルボキシル基、オキシアルキレン基等の官能基を含有する変性ＰＶＡを含む）やホウ素化合物水溶液等が挙げられ、中でもＰＶＡ系樹脂が好ましい。接着剤層厚みは乾燥後に０．０１乃至１０μｍが好ましく、０．０５乃至５μｍが特に好ましい。
このようにして得た偏光板の光線透過率は高い方が好ましく、偏光度も高い方が好ましい。偏光板の透過率は、波長５５０ｎｍの光において、３０乃至５０％の範囲にあることが好ましく、３５乃至５０％の範囲にあることがさらに好ましく、４０乃至５０％の範囲にあることが最も好ましい。偏光度は、波長５５０ｎｍの光において、９０乃至１００％の範囲にあることが好ましく、９５乃至１００％の範囲にあることがさらに好ましく、９９乃至１００％の範囲にあることが最も好ましい。
【０１０４】
さらに、このようにして得た偏光板はλ／４板と積層し、円偏光を作成することができる。この場合λ／４の遅相軸と偏光板の吸収軸を４５度になるように積層する。この時、λ／４は特に限定されないが、より好ましくは低波長ほどレターデーションが小さくなるような波長依存性を有するものがより好ましい。さらには長手方向に対し２０度〜７０度傾いた吸収軸を有する偏光膜、および液晶性化合物からなる光学異方性層から成るλ/４板を用いることが好ましい。
【０１０５】
・光学補償層の付与（光学補償シートの作成）
光学異方性層は、液晶表示装置の黒表示における液晶セル中の液晶化合物を補償するためのものであり、セルロースアシレートフィルムの上に配向膜を形成し、さらに光学異方性層を付与することで形成される。
【０１０６】
［配向膜］
上記表面処理したセルロースアシレートフィルム上に配向膜を設ける。この膜は、液晶性分子の配向方向を規定する機能を有する。しかし、液晶性化合物を配向後にその配向状態を固定してしまえば、配向膜はその役割を果たしているために、本発明の構成要素としては必ずしも必須のものではない。即ち、配向状態が固定された配向膜上の光学異方性層のみを偏光子上に転写して偏光板を作製することも可能である。
配向膜は、有機化合物（好ましくはポリマー）のラビング処理、無機化合物の斜方蒸着、マイクログルーブを有する層の形成、あるいはラングミュア・ブロジェット法（ＬＢ膜）による有機化合物（例、ω−トリコサン酸、ジオクタデシルメチルアンモニウムクロライド、ステアリル酸メチル）の累積のような手段で設けることができる。さらに、電場の付与、磁場の付与あるいは光照射により、配向機能が生じる配向膜も知られている。
配向膜は、ポリマーのラビング処理により形成することが好ましい。配向膜に使用するポリマーは、原則として、液晶性分子を配向させる機能のある分子構造を有する。
【０１０７】
本発明では、液晶性分子を配向させる機能に加えて、架橋性官能基（例、二重結合）を有する側鎖を主鎖に結合させるか、あるいは、液晶性分子を配向させる機能を有する架橋性官能基を側鎖に導入することが好ましい。
【０１０８】
配向膜に使用されるポリマーは、それ自体架橋可能なポリマーあるいは架橋剤により架橋されるポリマーのいずれも使用することができ、これらの組み合わせを複数使用することができる。ポリマーの例には、例えば特開平８−３３８９１３号公報明細書中段落番号［００２２］記載のメタクリレート系共重合体、スチレン系共重合体、ポリオレフィン、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコール、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル共重合体、カルボキシメチルセルロース、ポリカーボネート等が含まれる。シランカップリング剤をポリマーとして用いることができる。水溶性ポリマー（例、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、カルボキシメチルセルロース、ゼラチン、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール）が好ましく、ゼラチン、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールがさらに好ましく、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールが最も好ましい。重合度が異なるポリビニルアルコールまたは変性ポリビニルアルコールを２種類併用することが特に好ましい。ポリビニルアルコールの鹸化度は、７０〜１００％が好ましく、８０〜１００％がさらに好ましい。ポリビニルアルコールの重合度は、１００〜５０００であることが好ましい。
【０１０９】
液晶性分子を配向させる機能を有する側鎖は、一般に疎水性基を官能基として有する。具体的な官能基の種類は、液晶性分子の種類および必要とする配向状態に応じて決定する。例えば、変性ポリビニルアルコールの変性基としては、共重合変性、連鎖移動変性またはブロック重合変性により導入できる。変性基の例には、親水性基（カルボン酸基、スルホン酸基、ホスホン酸基、アミノ基、アンモニウム基、アミド基、チオール基等）、炭素数１０〜１００個の炭化水素基、フッ素原子置換の炭化水素基、チオエーテル基、重合性基（不飽和重合性基、エポキシ基、アジリニジル基等）、アルコキシシリル基（トリアルコキシ、ジアルコキシ、モノアルコキシ）等が挙げられる。これらの変性ポリビニルアルコール化合物の具体例として、例えば特開２０００−１５５２１６号公報明細書中の段落番号［００２２］〜［０１４５］、同２００２−６２４２６号公報明細書中の段落番号［００１８］〜［００２２］に記載のもの等が挙げられる。
【０１１０】
架橋性官能基を有する側鎖を配向膜ポリマーの主鎖に結合させるか、あるいは、液晶性分子を配向させる機能を有する側鎖に架橋性官能基を導入すると、配向膜のポリマーと光学異方性層に含まれる多官能モノマーとを共重合させることができる。その結果、多官能モノマーと多官能モノマーとの間だけではなく、配向膜ポリマーと配向膜ポリマーとの間、そして多官能モノマーと配向膜ポリマーとの間も共有結合で強固に結合される。従って、架橋性官能基を配向膜ポリマーに導入することで、光学補償シートの強度を著しく改善することができる。
【０１１１】
配向膜ポリマーの架橋性官能基は、多官能モノマーと同様に、重合性基を含むことが好ましい。具体的には、例えば特開２０００−１５５２１６号公報明細書中段落番号［００８０］〜［０１００］記載のもの等が挙げられる。配向膜ポリマーは、上記の架橋性官能基とは別に、架橋剤を用いて架橋させることもできる。
【０１１２】
架橋剤としては、アルデヒド、Ｎ−メチロール化合物、ジオキサン誘導体、カルボキシル基を活性化することにより作用する化合物、活性ビニル化合物、活性ハロゲン化合物、イソオキサゾールおよびジアルデヒド澱粉が含まれる。二種類以上の架橋剤を併用してもよい。具体的には、例えば特開２００２−６２４２６号公報明細書中の段落番号［００２３］〜［０２４］記載の化合物等が挙げられる。反応活性の高いアルデヒド、特にグルタルアルデヒドが好ましい。
架橋剤の添加量は、ポリマーに対して０．１〜２０質量％が好ましく、０．５〜１５質量％がさらに好ましい。配向膜に残存する未反応の架橋剤の量は、１．０質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがさらに好ましい。このように調節することで、配向膜を液晶表示装置に長期使用、或は高温高湿の雰囲気下に長期間放置しても、レチキュレーション発生のない充分な耐久性が得られる。
【０１１３】
配向膜は、基本的に、配向膜形成材料である上記ポリマー、架橋剤を含む透明支持体上に塗布した後、加熱乾燥し（架橋させ）、ラビング処理することにより形成することができる。架橋反応は、前記のように、透明支持体上に塗布した後、任意の時期に行って良い。ポリビニルアルコールのような水溶性ポリマーを配向膜形成材料として用いる場合には、塗布液は消泡作用のある有機溶媒（例、メタノール）と水の混合溶媒とすることが好ましい。その比率は質量比で水：メタノールが０：１００〜９９：１が好ましく、０：１００〜９１：９であることがさらに好ましい。これにより、泡の発生が抑えられ、配向膜、更には光学異方層の層表面の欠陥が著しく減少する。
【０１１４】
配向膜の塗布方法は、スピンコーティング法、ディップコーティング法、カーテンコーティング法、エクストルージョンコーティング法、ロッドコーティング法またはロールコーティング法が好ましい。特にロッドコーティング法が好ましい。また、乾燥後の膜厚は０．１乃至１０μｍが好ましい。加熱乾燥は、２０℃〜１１０℃で行なうことができる。充分な架橋を形成するためには６０℃〜１００℃が好ましく、特に８０℃〜１００℃が好ましい。乾燥時間は１分〜３６時間で行なうことができるが、好ましくは１分〜３０分である。ｐＨも、使用する架橋剤に最適な値に設定することが好ましく、グルタルアルデヒドを使用した場合は、ｐＨ４．５〜５．５で、特に５が好ましい。
【０１１５】
配向膜は、透明支持体上又は上記下塗層上に設けられる。配向膜は、上記のようにポリマー層を架橋したのち、表面をラビング処理することにより得ることができる。
前記ラビング処理は、ＬＣＤの液晶配向処理工程として広く採用されている処理方法を適用することができる。即ち、配向膜の表面を、紙やガーゼ、フェルト、ゴムあるいはナイロン、ポリエステル繊維などを用いて一定方向に擦ることにより、配向を得る方法を用いることができる。一般的には、長さおよび太さが均一な繊維を平均的に植毛した布などを用いて数回程度ラビングを行うことにより実施される。
【０１１６】
工業的に実施する場合、搬送している偏光層のついたフィルムに対し、回転するラビングロールを接触させることで達成するが、ラビングロールの真円度、円筒度、振れ（偏芯）はいずれも３０μｍ以下であることが好ましい。ラビングロールへのフィルムのラップ角度は、０．１乃至９０゜が好ましい。ただし、特開平８−１６０４３０号公報に記載されているように、３６０゜以上巻き付けることで、安定なラビング処理を得ることもできる。フィルムの搬送速度は１〜１００ｍ／ｍｉｎが好ましい。ラビング角は０〜６０゜の範囲で適切なラビング角度を選択することが好ましい。液晶表示装置に使用する場合は、４０乃至５０゜が好ましい。４５゜が特に好ましい。
このようにして得た配向膜の膜厚は、０．１乃至１０μｍの範囲にあることが好ましい。
【０１１７】
次に、配向膜の上に光学異方性層の液晶性分子を配向させる。その後、必要に応じて、配向膜ポリマーと光学異方性層に含まれる多官能モノマーとを反応させるか、あるいは、架橋剤を用いて配向膜ポリマーを架橋させる。
光学異方性層に用いる液晶性分子には、棒状液晶性分子および円盤状液晶性分子が含まれる。棒状液晶性分子および円盤状液晶性分子は、高分子液晶でも低分子液晶でもよく、さらに、低分子液晶が架橋され液晶性を示さなくなったものも含まれる。
【０１１８】
［棒状液晶性分子］
棒状液晶性分子としては、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類およびアルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類が好ましく用いられる。
なお、棒状液晶性分子には、金属錯体も含まれる。また、棒状液晶性分子を繰り返し単位中に含む液晶ポリマーも、棒状液晶性分子として用いることができる。言い換えると、棒状液晶性分子は、（液晶）ポリマーと結合していてもよい。
【０１１９】
棒状液晶性分子については、季刊化学総説第２２巻液晶の化学（１９９４）日本化学会編の第４章、第７章および第１１章、および液晶デバイスハンドブック日本学術振興会第１４２委員会編の第３章に記載がある。
棒状液晶性分子の複屈折率は、０．００１乃至０．７の範囲にあることが好ましい。
棒状液晶性分子は、その配向状態を固定するために、重合性基を有することが好ましい。重合性基は、ラジカル重合性不飽基或はカチオン重合性基が好ましく、具体的には、例えば特開２００２−６２４２７号公報明細書中の段落番号［００６４］〜［００８６］記載の重合性基、重合性液晶化合物が挙げられる。
【０１２０】
［円盤状液晶性分子］
円盤状（ディスコティック）液晶性分子には、Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅらの研究報告、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．７１巻、１１１頁（１９８１年）に記載されているベンゼン誘導体、Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅらの研究報告、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．１２２巻、１４１頁（１９８５年）、Ｐｈｙｓｉｃｓ ｌｅｔｔ，Ａ，７８巻、８２頁（１９９０）に記載されているトルキセン誘導体、Ｂ．Ｋｏｈｎｅらの研究報告、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．９６巻、７０頁（１９８４年）に記載されたシクロヘキサン誘導体及びＪ．Ｍ．Ｌｅｈｎらの研究報告、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１７９４頁（１９８５年）、Ｊ．Ｚｈａｎｇらの研究報告、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１１６巻、２６５５頁（１９９４年）に記載されているアザクラウン系やフェニルアセチレン系マクロサイクルが含まれる。
【０１２１】
円盤状液晶性分子としては、分子中心の母核に対して、直鎖のアルキル基、アルコキシ基、置換ベンゾイルオキシ基が母核の側鎖として放射線状に置換した構造である液晶性を示す化合物も含まれる。分子または分子の集合体が、回転対称性を有し、一定の配向を付与できる化合物であることが好ましい。円盤状液晶性分子から形成する光学異方性層は、最終的に光学異方性層に含まれる化合物が円盤状液晶性分子である必要はなく、例えば、低分子の円盤状液晶性分子が熱や光で反応する基を有しており、結果的に熱、光で反応により重合または架橋し、高分子量化し液晶性を失った化合物も含まれる。円盤状液晶性分子の好ましい例は、特開平８−５０２０６号公報に記載されている。また、円盤状液晶性分子の重合については、特開平８−２７２８４公報に記載がある。
【０１２２】
円盤状液晶性分子を重合により固定するためには、円盤状液晶性分子の円盤状コアに、置換基として重合性基を結合させる必要がある。円盤状コアと重合性基は、連結基を介して結合する化合物が好ましく、これにより重合反応においても配向状態を保つことが出来る。例えば、特開２０００−１５５２１６号公報明細書中の段落番号［０１５１］〜「０１６８」記載の化合物等が挙げられる。
ハイブリッド配向では、円盤状液晶性分子の長軸（円盤面）と偏光膜の面との角度が、光学異方性層の深さ方向でかつ偏光膜の面からの距離の増加と共に増加または減少している。角度は、距離の増加と共に減少することが好ましい。さらに、角度の変化としては、連続的増加、連続的減少、間欠的増加、間欠的減少、連続的増加と連続的減少を含む変化、あるいは、増加及び減少を含む間欠的変化が可能である。間欠的変化は、厚さ方向の途中で傾斜角が変化しない領域を含んでいる。角度は、角度が変化しない領域を含んでいても、全体として増加または減少していればよい。さらに、角度は連続的に変化することが好ましい。
【０１２３】
偏光膜側の円盤状液晶性分子の長軸の平均方向は、一般に円盤状液晶性分子あるいは配向膜の材料を選択することにより、またはラビング処理方法の選択することにより、調整することができる。また、表面側（空気側）の円盤状液晶性分子の長軸（円盤面）方向は、一般に円盤状液晶性分子あるいは円盤状液晶性分子と共に使用する添加剤の種類を選択することにより調整することができる。円盤状液晶性分子と共に使用する添加剤の例としては、可塑剤、界面活性剤、重合性モノマー及びポリマーなどを挙げることができる。長軸配向方向の変化の程度も、上記と同様に、液晶性分子と添加剤との選択により調整できる。
【０１２４】
「光学異方性層の他の成分」
上記の液晶性分子と共に、可塑剤、界面活性剤、重合性モノマー等を併用して、塗工膜の均一性、膜の強度、液晶分子の配向性等を向上することが出来る。液晶性分子と相溶性を有し、液晶性分子の傾斜角の変化を与えられるか、あるいは配向を阻害しないことが好ましい。
【０１２５】
重合性モノマーとしては、ラジカル重合性若しくはカチオン重合性の化合物が挙げられる。好ましくは、多官能性ラジカル重合性モノマーであり、上記の重合性基含有の液晶化合物と共重合性のものが好ましい。例えば、特開２００２−２９６４２３号公報明細書中の段落番号［００１８］〜［００２０］記載のものが挙げられる。上記化合物の添加量は、円盤状液晶性分子に対して一般に１〜５０質量％の範囲にあり、５〜３０質量％の範囲にあることが好ましい。
界面活性剤としては、従来公知の化合物が挙げられるが、特にフッ素系化合物が好ましい。具体的には、例えば特開２００１−３３０７２５号公報明細書中の段落番号［００２８］〜［００５６］記載の化合物が挙げられる。
円盤状液晶性分子とともに使用するポリマーは、円盤状液晶性分子に傾斜角の変化を与えられることが好ましい。
ポリマーの例としては、セルロースエステルを挙げることができる。セルロースエステルの好ましい例としては、特開２０００−１５５２１６号公報明細書中の段落番号［０１７８］記載のものが挙げられる。液晶性分子の配向を阻害しないように、上記ポリマーの添加量は、液晶性分子に対して０．１〜１０質量％の範囲にあることが好ましく、０．１〜８質量％の範囲にあることがより好ましい。
円盤状液晶性分子のディスコティックネマティック液晶相−固相転移温度は、７０〜３００℃が好ましく、７０〜１７０℃がさらに好ましい。
【０１２６】
［光学異方性層の形成］
光学異方性層は、液晶性分子および必要に応じて後述の重合性開始剤や任意の成分を含む塗布液を、配向膜の上に塗布することで形成できる。
塗布液の調製に使用する溶媒としては、有機溶媒が好ましく用いられる。有機溶媒の例には、アミド（例、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、スルホキシド（例、ジメチルスルホキシド）、ヘテロ環化合物（例、ピリジン）、炭化水素（例、ベンゼン、ヘキサン）、アルキルハライド（例、クロロホルム、ジクロロメタン、テトラクロロエタン）、エステル（例、酢酸メチル、酢酸ブチル）、ケトン（例、アセトン、メチルエチルケトン）、エーテル（例、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン）が含まれる。アルキルハライドおよびケトンが好ましい。二種類以上の有機溶媒を併用してもよい。
塗布液の塗布は、公知の方法（例、ワイヤーバーコーティング法、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、ダイコーティング法）により実施できる。
光学異方性層の厚さは、０．１乃至２０μｍであることが好ましく、０．５乃至１５μｍであることがさらに好ましく、１乃至１０μｍであることが最も好ましい。
【０１２７】
［液晶性分子の配向状態の固定］
配向させた液晶性分子を、配向状態を維持して固定することができる。固定化は、重合反応により実施することが好ましい。重合反応には、熱重合開始剤を用いる熱重合反応と光重合開始剤を用いる光重合反応とが含まれる。光重合反応が好ましい。
光重合開始剤の例には、α−カルボニル化合物（米国特許２３６７６６１号、同２３６７６７０号の各明細書記載）、アシロインエーテル（米国特許２４４８８２８号明細書記載）、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物（米国特許２７２２５１２号明細書記載）、多核キノン化合物（米国特許３０４６１２７号、同２９５１７５８号の各明細書記載）、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせ（米国特許３５４９３６７号明細書記載）、アクリジンおよびフェナジン化合物（特開昭６０−１０５６６７号公報、米国特許４２３９８５０号明細書記載）およびオキサジアゾール化合物（米国特許４２１２９７０号明細書記載）が含まれる。
光重合開始剤の使用量は、塗布液の固形分の０．０１乃至２０質量％の範囲にあることが好ましく、０．５乃至５質量％の範囲にあることがさらに好ましい。
【０１２８】
液晶性分子の重合のための光照射は、紫外線を用いることが好ましい。
照射エネルギーは、２０ｍＪ／ｃｍ2乃至５０Ｊ／ｃｍ2の範囲にあることが好ましく、２０乃至５０００ｍＪ／ｃｍ2の範囲にあることがより好ましく、１００乃至８００ｍＪ／ｃｍ2の範囲にあることがさらに好ましい。また、光重合反応を促進するため、加熱条件下で光照射を実施してもよい。
保護層を、光学異方性層の上に設けてもよい。
【０１２９】
この光学補償フィルムと偏光層を組み合わせることも好ましい。具体的には、上記のような光学異方性層用塗布液を偏光膜の表面に塗布することにより光学異方性層を形成する。その結果、偏光膜と光学異方性層との間にポリマーフイルムを使用することなく、偏光膜の寸度変化にともなう応力（歪み×断面積×弾性率）が小さい薄い偏光板が作成される。本発明に従う偏光板を大型の液晶表示装置に取り付けると、光漏れなどの問題を生じることなく、表示品位の高い画像を表示することができる。
【０１３０】
偏光層と光学補償層の傾斜角度を、ＬＣＤを構成する液晶セルの両側に貼り合わされる２枚の偏光板の透過軸と液晶セルの縦または横方向のなす角度にあわせるように偏光層を延伸することが好ましい。通常の傾斜角度は４５゜である。しかし、最近は、透過型、反射型および半透過型ＬＣＤにおいて必ずしも４５゜でない装置が開発されており、延伸方向はＬＣＤの設計にあわせて任意に調整することが好ましい。
【０１３１】
「液晶表示装置」
このような光学補償フィルムが用いられる各液晶モードについて説明する。
（ＴＮモード液晶表示装置）
カラーＴＦＴ液晶表示装置として最も多く利用されており、多数の文献に記載がある。ＴＮモードの黒表示における液晶セル中の配向状態は、セル中央部で棒状液晶性分子が立ち上がり、セルの基板近傍では棒状液晶性分子が寝た配向状態にある。
【０１３２】
（ＯＣＢモード液晶表示装置）
棒状液晶性分子を液晶セルの上部と下部とで実質的に逆の方向に（対称的に）配向させるベンド配向モードの液晶セルである。ベンド配向モードの液晶セルを用いた液晶表示装置は、米国特許４５８３８２５号、同５４１０４２２号の各明細書に開示されている。棒状液晶性分子が液晶セルの上部と下部とで対称的に配向しているため、ベンド配向モードの液晶セルは、自己光学補償機能を有する。そのため、この液晶モードは、ＯＣＢ(Optically Compensatory Bend) 液晶モードとも呼ばれる。
ＯＣＢモードの液晶セルもＴＮモード同様、黒表示においては、液晶セル中の配向状態は、セル中央部で棒状液晶性分子が立ち上がり、セルの基板近傍では棒状液晶性分子が寝た配向状態にある。
【０１３３】
（ＶＡモード液晶表示装置）
電圧無印加時に棒状液晶性分子が実質的に垂直に配向しているのが特徴であり、ＶＡモードの液晶セルには、（１）棒状液晶性分子を電圧無印加時に実質的に垂直に配向させ、電圧印加時に実質的に水平に配向させる狭義のＶＡモードの液晶セル（特開平２−１７６６２５号公報記載）に加えて、（２）視野角拡大のため、ＶＡモードをマルチドメイン化した（ＭＶＡモードの）液晶セル（ＳＩＤ９７、Digest of tech. Papers（予稿集）２８（１９９７）８４５記載）、（３）棒状液晶性分子を電圧無印加時に実質的に垂直配向させ、電圧印加時にねじれマルチドメイン配向させるモード（ｎ−ＡＳＭモード）の液晶セル（日本液晶討論会の予稿集５８〜５９（１９９８）記載）および（４）ＳＵＲＶＡＩＶＡＬモードの液晶セル（ＬＣＤインターナショナル９８で発表）が含まれる。
【０１３４】
（ＩＰＳモード液晶表示装置）
電圧無印加時に棒状液晶性分子が実質的に面内に水平に配向しているのが特徴であり、これが電圧印加の有無で液晶の配向方向を変えることでスイッチングするのが特徴である。具体的には特開２００４−３６５９４１号、特開２００４−１２７３１号、特開２００４−２１５６２０号、特開２００２−２２１７２６号、特開２００２−５５３４１号、特開２００３−１９５３３３号の各公報に記載のものなどを使用できる。
【０１３５】
（その他液晶表示装置）
ＥＣＢモードおよびＳＴＮモードに対しても、上記と同様の考え方で光学的に補償することができる。
【０１３６】
［反射防止層の付与（反射防止フィルム）］
反射防止フィルムは、一般に、防汚性層でもある低屈折率層、及び低屈折率層より高い屈折率を有する少なくとも一層の層（即ち、高屈折率層、中屈折率層）とを透明基体上に設けて成る。透明基体に本発明のセルロースアシレートフィルムを用いることができる。
【０１３７】
屈折率の異なる無機化合物（金属酸化物等）の透明薄膜を積層させた多層膜として、化学蒸着（ＣＶＤ）法や物理蒸着（ＰＶＤ）法、金属アルコキシド等の金属化合物のゾルゲル方法でコロイド状金属酸化物粒子皮膜を形成後に後処理（紫外線照射：特開平９−１５７８５５号公報、プラズマ処理：特開２００２−３２７３１０号公報）して薄膜を形成する方法が挙げられる。
一方、生産性が高い反射防止膜として、無機粒子をマトリックスに分散させてなる薄膜を積層塗布してなる反射防止膜が各種提案されている。
上述したような塗布による反射防止フィルムとして、最上層表面が微細な凹凸の形状を有する防眩性を付与した反射防止層から成る反射防止フィルムも挙げられる。
本発明のセルロースアシレートフィルムは上記いずれの方式にも適用できるが、特に好ましいのが塗布による方式（塗布型）である。
【０１３８】
［塗布型反射防止フィルムの層構成］
基体上に少なくとも中屈折率層、高屈折率層、低屈折率層（最外層）の順序の層構成から成る反射防止膜は、以下の関係を満足する屈折率を有する様に設計される。
高屈折率層の屈折率＞中屈折率層の屈折率＞透明支持体の屈折率＞低屈折率層の屈折率
【０１３９】
また、透明支持体と中屈折率層の間に、ハードコート層を設けてもよい。更には、中屈折率ハードコート層、高屈折率層及び低屈折率層からなってもよい。
例えば、特開平８−１２２５０４号公報、同８−１１０４０１号公報、同１０−３００９０２号公報、特開２００２−２４３９０６号公報、特開２０００−１１１７０６号公報等が挙げられる。  又、各層に他の機能を付与させてもよく、例えば、防汚性の低屈折率層、帯電防止性の高屈折率層としたもの（例、特開平１０−２０６６０３号公報、特開２００２−２４３９０６号公報等）等が挙げられる。
反射防止フィルムのヘイズは、５％以下あることが好ましく、３％以下がさらに好ましい。また、フィルムの強度は、ＪＩＳ  Ｋ５４００に従う鉛筆硬度試験でＨ以上であることが好ましく、２Ｈ以上であることがさらに好ましく、３Ｈ以上であることが最も好ましい。
【０１４０】
［高屈折率層および中屈折率層］
反射防止フィルムの高い屈折率を有する層は、平均粒径１００ｎｍ以下の高屈折率の無機化合物超微粒子及びマトリックスバインダーを少なくとも含有する硬化性膜から成る。
高屈折率の無機化合物微粒子としては、屈折率１．６５以上の無機化合物が挙げられ、好ましくは屈折率１．９以上のものが挙げられる。例えば、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｔａ、Ｌａ、Ｉｎ等の酸化物、これらの金属原子を含む複合酸化物等が挙げられる。
【０１４１】
このような超微粒子とするには、粒子表面が表面処理剤で処理されること（例えば、シランカップリング剤等：特開平１1−２９５５０３号公報、同１1−１５３７０３号公報、特開２０００−９９０８、アニオン性化合物或は有機金属カップリング剤：特開２００１−３１０４３２号公報等）、高屈折率粒子をコアとしたコアシェル構造とすること（：特開２００１−１６６１０４等）、特定の分散剤併用（例、特開平１１−１５３７０３号公報、特許番号ＵＳ６２１０８５８Ｂ１、特開２００２−２７７６０６９号公報等）等挙げられる。
マトリックスを形成する材料としては、従来公知の熱可塑性樹脂、硬化性樹脂皮膜等が挙げられる。
【０１４２】
更に、ラジカル重合性基及びカチオン重合性基の少なくともいずれかの重合性基を少なくとも２個以上含有する多官能性化合物含有組成物、加水分解性基を含有する有機金属化合物及びその部分縮合体組成物の少なくともいずれかを含有する組成物がマトリックスを形成する材料として好ましい。例えば、特開２０００−４７００４号公報、同２００１−３１５２４２号公報、同２００１−３１８７１号公報、同２００１−２９６４０１号公報等に記載の組成物が挙げられる。
【０１４３】
また、金属アルコキドの加水分解縮合物から得られるコロイド状金属酸化物と金属アルコキシド組成物から得られる硬化性膜も高、中屈折率層として好ましい。例えば、特開２００１−２９３８１８号公報等に記載されている。
高屈折率層の屈折率は、−般に１．７０〜２．２０である。高屈折率層の厚さは、５ｎｍ〜１０μｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜１μｍであることがさらに好ましい。
中屈折率層の屈折率は、低屈折率層の屈折率と高屈折率層の屈折率との間の値となるように調整する。中屈折率層の屈折率は、１．５０〜１．７０であることが好ましい。
【０１４４】
［低屈折率層］
低屈折率層は、高屈折率層の上に順次積層して成る。低屈折率層の屈折率は１．２０〜１．５５である。好ましくは１．３０〜１．５０である。
耐擦傷性、防汚性を有する最外層として構築することが好ましい。耐擦傷性を大きく向上させる手段として表面への滑り性付与が有効で、従来公知のシリコーン化合物の導入、フッ素化合物の導入等から成る薄膜層の手段を適用できる。  
【０１４５】
上記含フッ素化合物の屈折率は１．３５〜１．５０であることが好ましい。より好ましくは１．３６〜１．４７である。また、含フッ素化合物はフッ素原子を３５〜８０質量％の範囲で含む架橋性若しくは重合性の官能基を含む化合物が好ましい。
例えば、特開平９−２２２５０３号公報明細書段落番号［００１８］〜［００２６］、同１１−３８２０２号公報明細書段落番号［００１９］〜［００３０］、特開２００１−４０２８４号公報明細書段落番号［００２７］〜［００２８］、特開２０００−２８４１０２号公報等に記載の化合物が挙げられる。
【０１４６】
上記シリコーン化合物としてはポリシロキサン構造を有する化合物であり、高分子鎖中に硬化性官能基あるいは重合性官能基を含有して、膜中で橋かけ構造を有するものが好ましい。例えば、反応性シリコーン（例、サイラプレーン（チッソ（株）製等）、両末端にシラノール基含有のポリシロキサン（特開平１１−２５８４０３号公報等）等が挙げられる。
架橋又は重合性基を有する含フッ素又は含ケイ素ポリマーあるいは両元素を含有するポリマーの架橋又は重合反応は、重合開始剤、増感剤等を含有する最外層を形成するための塗布組成物を塗布と同時または塗布後に光照射や加熱することにより実施することが好ましい。
【０１４７】
また、シランカップリング剤等の有機金属化合物と特定のフッ素含有炭化水素基含有のシランカップリング剤とを触媒共存下に縮合反応で硬化するゾルゲル硬化膜も好ましい。
例えば、ポリフルオロアルキル基含有シラン化合物またはその部分加水分解縮合物（特開昭５８−１４２９５８号公報、同５８−１４７４８３号公報、同５８−１４７４８４号公報、特開平９−１５７５８２号公報、同１１−１０６７０４号公報記載等記載の化合物）、フッ素含有長鎖基であるポリ「パーフルオロアルキルエーテル」基を含有するシリル化合物（特開２０００−１１７９０２号公報、同２００１−４８５９０号公報、同２００２−５３８０４号公報記載の化合物等）等が挙げられる。
【０１４８】
低屈折率層は、上記以外の添加剤として充填剤（例えば、二酸化珪素（シリカ）、含フッ素粒子（フッ化マグネシウム，フッ化カルシウム，フッ化バリウム）等の一次粒子平均径が１〜１５０ｎｍの低屈折率無機化合物、特開平１１−３８２０号公報の段落番号[００２０]〜[００３８]に記載の有機微粒子等）、シランカップリング剤、滑り剤、界面活性剤等を含有することができる。
低屈折率層が最外層の下層に位置する場合、低屈折率層は気相法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等）により形成されても良い。安価に製造できる点で、塗布法が好ましい。
低屈折率層の膜厚は、３０〜２００ｎｍであることが好ましく、５０〜１５０ｎｍであることがさらに好ましく、６０〜１２０ｎｍであることが最も好ましい。
【０１４９】
［ハードコート層］
ハードコート層は、反射防止フィルムに物理強度を付与するために、透明支持体の表面に設ける。特に、透明支持体と前記高屈折率層の間に設けることが好ましい。
ハードコート層は、光及び熱の少なくともいずれかによる硬化性化合物の架橋反応、又は、重合反応により形成されることが好ましい。硬化性官能基としては、光重合性官能基が好ましい。これらの化合物の具体例としては、高屈折率層で例示したものと同様のものが挙げられる。
【０１５０】
ハードコート層の具体的な構成成分としては、例えば、特開２００２−１４４９１３号公報、同２０００−９９０８号公報、ＷＯ０／４６６１７号公報等記載のものが挙げられる。
高屈折率層はハードコート層を兼ねることができる。このような場合、高屈折率層で記載した手法を用いて微粒子を微細に分散してハードコート層に含有させて形成することが好ましい。
ハードコート層は、平均粒径０．２〜１０μｍの粒子を含有させて防眩機能（アンチグレア機能）を付与した防眩層（後述）を兼ねることもできる。
ハードコート層の膜厚は用途により適切に設計することができる。ハードコート層の膜厚は、０．２〜１０μｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜７μｍである。
ハードコート層の強度は、ＪＩＳ  Ｋ５４００に従う鉛筆硬度試験で、Ｈ以上であることが好ましく、２Ｈ以上であることがさらに好ましく、３Ｈ以上であることが最も好ましい。また、ＪＩＳ Ｋ５４００に従うテーバー試験で、試験前後の試験片の摩耗量が少ないほど好ましい。
【０１５１】
［前方散乱層］
前方散乱層は、反射防止フィルムを液晶表示装置に適用した場合の、上下左右方向に視角を傾斜させたときの視野角改良効果を付与するために設ける。上記ハードコート層中に屈折率の異なる微粒子を分散することで、ハードコート機能と兼ねることもできる。
例えば、前方散乱係数を特定化した特開１１−３８２０８号公報、透明樹脂と微粒子の相対屈折率を特定範囲とした特開２０００−１９９８０９号公報、ヘイズ値を４０％以上と規定した特開２００２−１０７５１２号公報等が挙げられる。
【０１５２】
［その他の層］
上記の層以外に、プライマー層、帯電防止層、下塗り層や保護層等を設けてもよい。
【０１５３】
［塗布方法］
反射防止フィルムの各層は、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート、マイクログラビア法やエクストルージョンコート法（米国特許２６８１２９４号明細書）により、塗布により形成することができる。
【０１５４】
［アンチグレア機能］
反射防止フィルムは、外光を散乱させるアンチグレア機能を有していてもよい。アンチグレア機能は、反射防止膜の表面に凹凸を形成することにより得られる。反射防止膜がアンチグレア機能を有する場合、反射防止膜のヘイズは、３〜３０％であることが好ましく、５〜２０％であることがさらに好ましく、７〜２０％であることが最も好ましい。
反射防止フィルム表面に凹凸を形成する方法は、これらの表面形状を充分に保持できる方法であればいずれの方法でも適用できる。例えば、低屈折率層中に微粒子を使用して膜表面に凹凸を形成する方法（例えば、特開２０００−２７１８７８号公報等）、低屈折率層の下層（高屈折率層、中屈折率層又はハードコート層）に比較的大きな粒子（粒径０．０５〜２μｍ）を少量（０．１〜５０質量％）添加して表面凹凸膜を形成し、その上にこれらの形状を維持して低屈折率層を設ける方法（例えば、特開２０００−２８１４１０号公報、同２０００−９５８９３号公報、同２００１−１００００４号公報、同２００１−２８１４０７号公報等）、最上層（防汚性層）を塗設後の表面に物理的に凹凸形状を転写する方法（例えば、エンボス加工方法として、特開昭６３−２７８８３９号公報、特開平１１−１８３７１０号公報、特開２０００−２７５４０１号公報等記載）等が挙げられる。
【０１５５】
以下に本発明で使用した測定法について記載する。
（１）表面粗さのレンジ
サンプルフィルムを、全幅を２０等分し、幅方向に５ｃｍ、長手方向に３ｃｍサンプリングする。この表裏に対し、下記方法で表面粗さを測定する（合計５０点の測定）。
・装置：小阪研究所(株)製  表面形状測定器（ＳＥ−３Ｆ型）
・測定条件：測定方向＝ＴＤ、測定長＝８ｍｍ、縦軸（粗さ）倍率＝２０００倍
カットオフ＝０．８ｍｍ
得られた表面凹凸のうち、最大点（凸部）と最小点（凹部）の差を求める。このようにして得た測定点５０点の最大点と最小点の差のうち、最も大きな値を「表面粗さのレンジ」とする。
【０１５６】
（２）セルロースアシレートの置換度
セルロースアシレートのアシル置換度は、Ｃａｒｂｏｈｙｄｒ．Ｒｅｓ．２７３（１９９５）８３−９１（手塚他）に記載の方法で13Ｃ−ＮＭＲにより求めた。
【実施例】
【０１５７】
以下、本発明を実施例により例証する。
まず、本発明の化合物の合成法に関して具体的に記載するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。
【０１５８】
［合成例１：例示化合物（Ａ−1）の合成］
３，４，５−トリメトキシ安息香酸２４．６ｇ（０．１１６モル）、トルエン１００ｍL、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１ｍLを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１５．２ｇ（０.１２７モル）をゆっくりと滴下し、２時間６０℃で加熱した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１５．１ｇ（０．１２７モル）をアセトニトリル５０ｍLに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、６０℃で３時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、得られた固形物に、アセトニトリル１００ｍLを加え、再結晶操作を行った。アセトニトリル溶液を室温まで冷却し、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１１．０ｇ（収率１１％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
【０１５９】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．５０（br，９Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），７．４５（ｓ，２Ｈ），７．７７（ｓ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１７２〜１７３℃であった。
【０１６０】
［合成例２：例示化合物（Ａ−２）の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸１０６．１ｇ（０．５モル）、トルエン３４０ｍL、ジメチルホルムアミド１ｍLを６０℃に加熱した後、塩化チオニル６５．４ｇ（０.５５モル）をゆっくりと滴下し、２時間６５〜７０℃で加熱した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール７１．５ｇ（０．６モル）をアセトニトリル１５０ｍLに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で２時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル（１L）、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸マグネシウムで水分を除去した後、約５００ｍLの溶媒を減圧留去し、メタノール１Lを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１２５．４ｇ（収率８０％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
【０１６１】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９１（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９８（ｓ，３Ｈ），６．５９（ｓ，１Ｈ），７．３５（ｄ，２Ｈ），７．５８（ｓ，１Ｈ），７．７４（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１１６℃であった。
【０１６２】
［合成例３：例示化合物（Ａ−３）の合成］
２，３，４−トリメトキシ安息香酸１０．１ｇ（４７．５ミリモル）、トルエン４０ｍL、ジメチルホルムアミド０．５ｍLを８０℃に加熱した後、塩化チオニル６．２２ｇ（５２．３ミリモル）をゆっくりと滴下し、８０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール６．２ｇ（５２．３ミリモル）をアセトニトリル２０ｍLに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で２時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、メタノール５０ｍLを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１１．９ｇ（収率８０％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
【０１６３】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ３．５０（br，９Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），７．４５（ｓ，２Ｈ），７．７７（ｓ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０２〜１０３℃であった。
【０１６４】
［合成例４：例示化合物（Ａ−４）の合成］
２，４，６−トリメトキシ安息香酸２５．０ｇ（１１８ミリモル）、トルエン１００ｍL、ジメチルホルムアミド１ｍLを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１５．４ｇ（１２９ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１５．４ｇ（１２９ミリモル）をアセトニトリル５０ｍLに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で４．５時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、メタノール５００ｍL、アセトニトリル１００ｍLを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１０．０ｇ（収率２７％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１７２〜１７３℃であった。
【０１６５】
［合成例５：例示化合物（Ａ−５）の合成］
２，３−ジメトキシ安息香酸１５．０ｇ（８２．３ミリモル）、トルエン６０ｍL、ジメチルホルムアミド０．５ｍLを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１０．７（９０．５ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１０．８ｇ（９０．５ミリモル）をアセトニトリル３０ｍLに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、７０〜８０℃で７時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、イソプロピルアルコール９０ｍLを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１２．３ｇ（収率５３％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルで行った。
【０１６６】
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０４℃であった。
【０１６７】
［合成例６：例示化合物（Ａ−６）の合成］
合成例５（例示化合物（Ａ−５）の合成）における２，３−ジメトキシ安息香酸を２，４−ジメトキシ安息香酸に変更する以外は同様の方法で合成した。また化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１３４〜１３６℃であった。
【０１６８】
［合成例７：例示化合物（Ａ−７）の合成］
２，５−ジメトキシ安息香酸２５．０ｇ（１３７ミリモル）、トルエン１００ｍL、ジメチルホルムアミド１．０ｍLを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１８．０（１５１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１８．０ｇ（１５１ミリモル）をアセトニトリル５０ｍLに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、７０〜８０℃で７．５時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、飽和食塩水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン−酢酸エチル（９／１、体積比）で精製操作を行い、白色の結晶として目的化合物を１８．８ｇ（収率４８％）得た。また化合物の同定はマススペクトルで行った。
【０１６９】
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は７９〜８０℃であった。
【０１７０】
［合成例８：例示化合物（Ａ−８）の合成］
合成例５（例示化合物（Ａ−５）の合成）における２，３−ジメトキシ安息香酸を２，６−ジメトキシ安息香酸に変更する以外は同様の方法で合成した。また化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１３０〜１３１℃であった。
【０１７１】
［合成例９：例示化合物（Ａ−１１）の合成］
合成例２（例示化合物（Ａ−２）の合成）における４−シアノフェノール７１．５ｇを４−クロロフェノール７６．９ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
【０１７２】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９０（ｓ，３Ｈ），３．９４（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５８（ｓ，１Ｈ），７．１５（ｄ，２Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），７．５６（ｓ，１Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３２３（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１２７〜１２９℃であった。
【０１７３】
［合成例１０：例示化合物（Ａ−１２）の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸４５．０ｇ（２１２ミリモル）、トルエン１８０ｍL、ジメチルホルムアミド１.８ｍLを６０℃に加熱した後、塩化チオニル２７．８ｇ（２３３ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２．５時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−ヒドロキシ安息香酸メチル３５．４ｇ（２３３ミリモル）をジメチルホルムアミド２７ｍLに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却し、メタノール２７０ｍLを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を６４．５ｇ（収率８８％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
【０１７４】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９５（ｍ，９Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５７（ｓ，１Ｈ），７．２８（ｄ，２Ｈ），７．５７（ｓ，１Ｈ）８．１１（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３４７（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１２１〜１２３℃であった。
【０１７５】
［合成例１１：例示化合物（Ａ−１３）の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸２０．０ｇ（９４．３ミリモル）、トルエン１００ｍL、ジメチルホルムアミド１ｍLを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１２．３ｇ（１０４ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−フェニルフェノール１７．７ｇ（１０４ミリモル）をトルエン１５０ｍLに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却し、メタノール２５０ｍLを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２１．２ｇ（収率６２％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
【０１７６】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９６（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５９（ｓ，１Ｈ），７．２６−７．７５（ｍ，１０Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３６５（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１３１〜１３２℃であった。
【０１７７】
［合成例１２：例示化合物（Ａ−１４）の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸１２.９ｇ（６１ミリモル）、トルエン５０ｍL、ジメチルホルムアミド０．６ｍLを６０℃に加熱した後、塩化チオニル８．０ｇ（６７ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−フェニルフェノール１７．７ｇ（１０４ミリモル）をアセトニトリル２５ｍLに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却し、メタノール１００ｍLを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２１．６ｇ（収率９３％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３８１（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は９１〜９２℃であった。
【０１７８】
［合成例１３：例示化合物（Ａ−１５）の合成］
合成例２（例示化合物（Ａ−２）の合成）における４−シアノフェノール７１．５ｇをフェノール５６．４ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲおよびマススペクトルにより行った。
【０１７９】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９１（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５８（ｓ，１Ｈ），７．１９−７．２７（ｍ，３Ｈ），７．４２（ｍ，２Ｈ）
７．５８（ｓ，１Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３６５（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０５〜１０８℃であった。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８９（Ｍ＋Ｈ）+
【０１８０】
［合成例１４：例示化合物（Ａ−１６）の合成］
合成例２（例示化合物（Ａ−２）の合成）における４−シアノフェノール７１．５ｇを４−メトキシフェノール７４．４ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得ることができる。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲおよびマススペクトルにより行った。
【０１８１】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．８４（ｓ，３Ｈ），３．９２（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５８（ｓ，１Ｈ），６．９２（ｄ，２Ｈ），７．１２（ｄ，２Ｈ），７．４２（ｍ，２Ｈ），７．５８（ｓ，１Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１９（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０２〜１０３℃であった。
【０１８２】
［合成例１５：例示化合物（Ａ−１７）の合成］
合成例２（例示化合物（Ａ−２）の合成）における４−シアノフェノール７１．５ｇを４−エチルフェノール７３．３ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得た。なお、化合物の同定は1Ｈ―ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１７（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は７０〜７１℃であった。
【０１８３】
［合成例１６：例示化合物（Ａ−２４）の合成］
４−エトキシ安息香酸２７．３ｇ（１６４ミリモル）、トルエン１０８ｍL、ジメチルホルムアミド１ｍLを６０℃に加熱した後、塩化チオニル２１．５ｇ（１８１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−エトキシフェノール２５．０ｇ（１８１ミリモル）をアセトニトリル５０ｍLに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で４時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１００ｍLを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３０．６ｇ（収率６５％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
【０１８４】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ１．４８−１．５９（ｍ，６Ｈ），４．０５（ｑ，２Ｈ），４．１０（ｑ，２Ｈ），６．８９−７．００（ｍ，４Ｈ），７．１０（ｄ，２Ｈ），８．１２（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８７（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１１３〜１１４℃であった。
【０１８５】
［合成例１７：例示化合物（Ａ−２５）の合成］
４−エトキシ安息香酸２４．７ｇ（１４９ミリモル）、トルエン１００ｍL、ジメチルホルムアミド１ｍLを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１９．５ｇ（１６４ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−プロポキシフェノール２５．０ｇ（１６５ミリモル）をアセトニトリル５０ｍLに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で４時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１００ｍLを加え、析出した結晶をろ過回収し、得られた固体にメタノール１００ｍLを加え再結晶操作を行い、得られた結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３３．９ｇ（収率７６％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
【０１８６】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ１．０４（ｔ，３Ｈ），１．４５（ｔ，３Ｈ），１．８２（ｑ，２Ｈ），３．９３（ｑ，２Ｈ），４．０４（ｑ，２Ｈ），６．８９−７．００（ｍ，４Ｈ），７．１０（ｄ，２Ｈ），８．１２（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３０１（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０７℃であった。
【０１８７】
［合成例１８：例示化合物（Ａ−２７）の合成］
合成例１６（例示化合物（Ａ−２４）の合成）における４−エトキシ安息香酸２７．３ｇを４−プロポキシ安息香酸２９．５ｇに変更する以外は同様の方法で合成した。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３０１（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は８８〜８９℃であった。
【０１８８】
［合成例１９：例示化合物（Ａ−２８）の合成］
合成例１７（例示化合物（Ａ−２５）の合成）における４−エトキシ安息香酸２４．７ｇを４―プロポキシ安息香酸２６．８ｇに変更する以外は同様の方法で合成した。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１５（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は９２℃であった。
【０１８９】
［合成例２０：例示化合物（Ａ−４０）の合成］
２，４−ジメトキシ安息香酸２０．０ｇ（１０９ミリモル）、トルエン８０ｍL、ジメチルホルムアミド０．８ｍLを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１４．４ｇ（１２１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−フェニルフェノール２０．５ｇ（１２１ミリモル）をジメチルホルムアミド５０ｍLに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で６時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１００ｍLを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３１．７ｇ（収率８６％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３３５（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１６１〜１６２℃であった。
【０１９０】
［合成例２１：例示化合物（Ａ−４２）の合成］
２，４−ジメトキシ安息香酸３０．０ｇ（１６５ミリモル）、トルエン１２０ｍL、ジメチルホルムアミド１．２ｍLを６０℃に加熱した後、塩化チオニル２１．６ｇ（１８１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−ヒドロキシ安息香酸メチル２７．６ｇ（１８１ミリモル）をジメチルホルムアミド４０ｍLに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で６時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１４０ｍLを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２４．４ｇ（収率４７％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
【０１９１】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９２（ｍ，９Ｈ），６．５６（ｍ，２Ｈ），７．２７（ｍ，２Ｈ），８．０９（ｍ，３Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１７（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１２２〜１２３℃であった。
【０１９２】
次いで、本発明のセルロースアシレートフィルムについて、実施例に基づき、具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１９３】
１．セルロースアシレートフィルムの製膜
（１）セルロースアシレートの調製
表１に記載のアシル基の種類、置換度の異なるセルロースアシレートを調製した。これは、触媒として硫酸（セルロース１００質量部に対し７．８質量部）を添加し、アシル置換基の原料となるカルボン酸を添加し４０℃でアシル化反応を行った。この時、カルボン酸の種類、量を調整することで、アシル基の種類、置換度を調整した。またアシル化後、４０℃で熟成を行った。このようにして得たセルロースアシレートの重合度は下記の方法で求め、表１に記載した。
【０１９４】
（重合度測定法）
絶乾したセルロースアシレート約０．２ｇを精秤し、メチレンクロリド：エタノール＝９：１（質量比）の混合溶剤１００ｍｌに溶解した。これをオストワルド粘度計にて２５℃で落下秒数を測定し、重合度ＤＰを以下の式により求めた。
【０１９５】
【数１】
2005325258.tif 000016
【０１９６】
（２）セルロースアシレートのペレット化
上記セルロースアシレートを１２０℃で３時間乾燥して含水率を０．１質量％にしたものに、本発明の安息香酸フェニルエステル化合物（表１に前記の例示化合物の記号で記載）を添加した。添加量（セルロースアシレートに対する質量比（％））は表１に記載した。さらに下記から選択した可塑剤（表１に記載）を加え、さらに全水準に二酸化珪素微粒子（アエロジルＲ９７２Ｖ）０．０５質量％を添加した。
【０１９７】
可塑剤Ａ：１，４−フェニレン−テトラフェニル燐酸エステル
可塑剤Ｂ：トリフェニルフォスフェート
可塑剤Ｃ：ジメチルフタレート
可塑剤Ｄ：ジオクチルアジペート
【０１９８】
これらを混合したものを２軸混練押出し機のホッパーに入れ、１９０℃で、３００回転／分、滞留時間１分で混練した。なお、この２軸混練押出し機には真空ベントを設け、真空排気（０．３気圧に設定）した。
このようにして融解した後、直径３ｍｍのストランド状に押出し、４５℃の水浴中に１０秒間浸漬した後、１０℃の水中に１０秒通過させ固化した後、長さ５ｍｍに裁断しペレット化した。これを１００℃で１０分乾燥した後、袋詰した。
さらに、セルロースアシレートのみからなるブランクペレットを上記方法と同様に調製した。
【０１９９】
（３）溶融製膜
上記方法で調製した安息香酸フェニルエステル化合物を添加したセルロースアシレートペレットを用い、一部の水準は単独で、一部の水準はブランクペレットと混合して使用した（表１に記載）。
これらのペレットは１１０℃の真空乾燥機で３時間乾燥した後、８０℃に調整したホッパーに投入し、１９０℃で５分間かけ溶融した後、Ｔ−ダイからキャスティングドラム上に押出し、固化した。なお、キャスティングドラムの温度はフィルムのＴｇ−１０℃に設定した。なお、フィルムのＴｇは下記方法で測定した。
【０２００】
（Ｔｇ測定）
・溶融製膜後のフィルムを２０ｍｇサンプリングし、ＤＳＣの測定パンに入れる。
・これを窒素気流中で、１０℃／分で３０℃から２５０℃まで昇温した後（１st−run）、３０℃まで−１０℃／分で冷却する。この後、再度３０℃から２５０℃まで昇温する（２nd−run）。
・２nd−runで求めたＴｇ（ベースラインが低温側から偏奇し始める温度）を表１に記載した。
【０２０１】
固化したフィルムを剥ぎ取り、巻き取り直前に両端（全幅の各５％）をトリミングした後、両端に幅１０ｍｍ、高さ５０μｍの厚みだし加工（ナーリング）をつけた後、３０ｍ／分で巻き取った。このようにして得た未延伸フィルムの幅は各水準とも１．５ｍであり、厚みを表２に記載した。
このようにして長時間（３００時間）連続製膜した後、未延伸セルロースアシレートフィルムの表面粗さのレンジを上記の方法で測定し表２に記載した。
【０２０２】
本発明の試料はいずれも良好な特性を示した。安息香酸フェニルエステル化合物を配合しない本発明の範囲外の試料は表面粗さのレンジは連続成膜の時間の経過と共に増大した。特に特開2000−3526620Ａ号公報の実施例の試料N0.１１に準じて実施した比較例９の試料は、特にその表面粗さのレンジが増大し、表示むらも発生した。一方、安息香酸フェニルエステル化合物及び可塑剤を配合した以外は比較例９の試料と同様な条件（セルロースアシレートの組成比は本発明のより好ましい範囲外ではあるが）で本発明を実施した実施例２４の試料は良好な結果を示した。さらに実施例２４のセルロースアシレートの組成を、本発明のより好ましい組成の範囲内とした実施例２３の試料はさらに好ましい結果を示した。
【０２０３】
（４）延伸
このようにして得た未延伸フィルムを表２に記載の倍率で延伸した。この後、両端各５％ずつトリミングした。このようにして得た延伸フィルムの表面粗さのレンジおよびＲｅ，Ｒｔｈ、これらの湿度変動を下記方法で測定し表２に記載した。なお、延伸は上記で測定したＴｇより１０℃高い温度で、３００％／分で実施した。
【０２０４】
（Ｒｅ，Ｒｔｈ測定）
サンプルフィルムを２５℃６０％rhに３時間以上調湿後、自動複屈折計（KOBRA−21ADH/PR：王子計測器（株）製）を用いて、２５℃６０％rhにおいて、サンプルフィルム表面に対し垂直方向および、フィルム面法線から±４０°傾斜させて方向から波長５５０ｎｍにおけるレターデーション値を測定する。垂直方向から面内のレターデーション（Ｒｅ）、垂直方向、±４０°方向の測定値から算出する。これをＲｅ（６０）、Ｒｔｈ（６０）とする。
【０２０５】
（Ｒｅ，Ｒｔｈの湿度変動）
上記測定で用いたサンプルフィルムを２５℃１０％で１２時間以上調湿した後、２５℃１０％ｒｈ中で上記と同様にしてＲｅ，Ｒｔｈを測定する（Ｒｅ（１０）、Ｒｔｈ（１０）とする）。
これと同じサンプルフィルムを用い、２５℃８０％で１２時間以上調湿した後、２５℃８０％ｒｈ中で上記と同様にしてＲｅ，Ｒｔｈを測定する（Ｒｅ（８０）、Ｒｔｈ（８０）とする）。
下記式からＲｅ湿度変動(%)及びＲth湿度変動(%)を算出した。
Ｒｅ湿度変動(%)＝１００×｜Ｒｅ(10)−Ｒe(80)｜／Ｒｅ(60)
Ｒth湿度変動(%)＝１００×｜Ｒth(10)−Ｒth(80)｜／Ｒth(60)
【０２０６】
２．偏光板の作成
（１）セルロースアシレートフィルムの鹸化
未延伸、延伸セルロースアシレートフィルムを下記（ｉ）浸漬鹸化法で鹸化した。
（ｉ）浸漬鹸化法
ＮａＯＨの１．５規定水溶液を鹸化液として用いた。
これを６０℃に調温し、セルロースアシレートフィルムを２分間浸漬した。
この後、０．１Ｎの硫酸水溶液に３０秒浸漬した後、水洗浴を通した。
なお、下記塗布鹸化法でも実施したが、下記液晶表示板に組み込んでの表示むらの評価は浸漬鹸化法と同様の結果を示した。
【０２０７】
（ii）塗布鹸化
ｉｓｏ−プロパノール８０質量部に水２０質量部を加え、これにＫＯＨを１．５規定となるように溶解し、これを６０℃に調温したものを鹸化液として用いた。
これを６０℃のセルロースアシレートフィルム上に１０ｇ／ｍ2塗布し、１分間鹸化した。
この後、５０℃の温水をスプレー状に、１０Ｌ／ｍ2・分で１分間吹きかけ洗浄した。
【０２０８】
（２）偏光層の作成
特開平２００１−１４１９２６号公報の実施例１に従い、２対のニップロール間に周速差を与え、長手方向に延伸した。
【０２０９】
（３）貼り合わせ
このようにして得た偏光層と、上記鹸化処理した未延伸、延伸セルロースアシレートフィルムおよび鹸化処理したフジタック（未延伸トリアセテートフィルム）を、ＰＶＡ（（株）クラレ製ＰＶＡ−１１７Ｈ）３％水溶液を接着剤として、偏光軸とセルロースアシレートフィルムの長手方向が４５度となるように下記組み合わせで張り合わせた。
（ｉ）偏光板Ａ：延伸セルロースアシレートフィルム／偏光層／未延伸セルロースアシレートフィルム
（ii）偏光板Ｂ：延伸セルロースアシレートフィルム／偏光層／フジタック
（iii）偏光板Ｃ：延伸セルロースアシレートフィルム／偏光層／延伸セルロースアシレートフィルム
なお、未延伸セルロースアシレートは同じ水準の延伸前のフィルムを使用した。
【０２１０】
３．光学補償フィルム・液晶表示素子の作成
上記位相差偏光板Ａ，Ｂ，Ｃを、富士通(株)製１５インチディスプレーＶＬ−１５３０Ｓ（ＶＡ方式）の偏光板に代えて使用した。このとき表２に記載したように一対の偏光板のうち片側のみに偏光位相差板を用いた場合は「片側」、両方の偏光板に用いた場合は「両側」と記載した。このようにして得た液晶表示装置を用い、全面グレー表示としたときに目視で観察されるスジ状の表示むらの本数を数え、表２に示した。
【０２１１】
【表１】
2005325258.tif 000017
【０２１２】
【表２】
2005325258.tif 000018
【０２１３】
本発明の延伸セルロースアシレートフィルムを用いた位相差偏光板を使用したものは、スジ状の表示むらがほとんど発生せず良好な光学補償フィルムを作成できた。一方、本発明の範囲外のものは、スジ状の表示むらが顕著であった。特に、特開２０００−３５２６２０号公報の実施例中の試料１１に準じたもの（表１及び表２の比較例９）のスジ状の表示むらが顕著であった。これに対し、比較例９に近い条件で本発明を実施した実施例２３は良好な結果を示した。
【０２１４】
さらに、特開平１１−３１６３７８号公報の実施例１の液晶層を塗布したセルロースアセテートフィルムの代わりに、本発明の延伸セルロースアシレートフィルムを使用しても、良好な光学補償フィルムを作成できた。
【０２１５】
特開平７−３３３４３３号公報の実施例１の液晶層を塗布したセルロースアセテートフィルムに代わって、本発明の延伸セルロースアシレートフィルムに変更し光学補償フィルターフィルムを作製しても、良好な光学補償フィルムを作成できた。
【０２１６】
さらに本発明の偏光板、位相差偏光板を、特開平１０−４８４２０号公報の実施例１に記載の液晶表示装置、特開平９−２６５７２号公報の実施例１に記載のディスコティック液晶分子を含む光学的異方性層、ポリビニルアルコールを塗布した配向膜、特開２０００−１５４２６１号公報の図２〜９に記載の２０インチＶＡ型液晶表示装置、特開２０００−１５４２６１号公報の図１０〜１５に記載の２０インチＯＣＢ型液晶表示装置、特開２００４−１２７３１の図１１に記載のＩＰＳ型液晶表示装置に用いたところ、スジ状の表示むら無い良好な液晶表示素子を得た。
【０２１７】
４．反射防止フィルムの作成
本発明の延伸セルロースアシレートフィルムを発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５）の実施例４７に従い本発明の延伸セルロースアシレートフィルムを用いて反射防止フィルムを作成したところ、良好な光学性能が得られた。
さらに本発明の反射防止フィルムを、特開平１０−４８４２０号公報の実施例１に記載の液晶表示装置、特開２０００−１５４２６１号公報の図２〜９に記載の２０インチＶＡ型液晶表示装置、特開２０００−１５４２６１号公報の図１０〜１５に記載の２０インチＯＣＢ型液晶表示装置、特開２００４−１２７３１の図１１に記載のＩＰＳ型液晶表示装置の最表層に貼り評価を行ったところ、良好な液晶表示素子を得た。