(57)【要約】【課題】  非常に簡単な構造により、自然画等といった画像と文字等といった線画の両方をきれいに表示できる画素構造、電気光学装置及び電子機器を提供する。【解決手段】  デルタ配列された複数の画素２を有し、複数の画素２のそれぞれはその画素２を４分割した形状の４つの副画素３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄを有する画素構造である。個々の副画素３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄの分割辺４は縦方向Ｙ又は横方向Ｘに沿うように配列される。複数の画素２を使ってデルタ配列で表示を行えば、自然画等といった画像をきれいに表示できる。一方、複数の第２画素Ａを使って正方配列で表示を行えば、文字、数字等といった線画をきれいに表示できる。副画素は、画素を２分割した形状とすることもできる。【選択図】        図１
2005062416.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デルタ配列された複数の画素を有し、
該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、さらに
個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列される
ことを特徴とする画素構造。
【請求項２】
デルタ配列された複数の画素を有し、
該複数の画素のそれぞれは該画素を２分割した形状の２つの副画素を有し、
個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列される
ことを特徴とする画素構造。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記画素は６角形形状であり、前記副画素は台形形状であることを特徴とする画素構造。
【請求項４】
デルタ配列された複数の画素を有し、
該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、
個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに、
前記複数の副画素の選択の仕方を切り替えることによりデルタ配列及び正方配列を選択的に実現する制御手段を有する
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
デルタ配列された複数の画素を有し、
該複数の画素のそれぞれは該画素を２分割した形状の２つの副画素を有し、
個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに、
前記複数の副画素の選択の仕方を切り替えることによりデルタ配列及び直線的な配列を選択的に実現する制御手段を有する
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
デルタ配列された複数の画素を有し、
該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、
個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに、
前記４つの副画素のそれぞれに対応してＲ色光，Ｇ色光，Ｇ色光，Ｂ色光を配置して空間加法混色によるカラー表示を行う
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
デルタ配列された複数の画素を有し、
該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、さらに
個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに
前記４つの副画素のそれぞれに対応して異なる４色の光を配置して空間加法混色によるカラー表示を行う
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７において、前記異なる４色の光は、Ｒ色光，Ｇ色光，Ｗ色光，Ｂ色光であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
デルタ配列された複数の画素を有し、
該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、
個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに
Ｒ色光，Ｇ色光，Ｂ色光のそれぞれに対応したライトバルブを用いて積分的加法混色によるカラー表示を行う
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
デルタ配列された複数の画素を有し、
該複数の画素のそれぞれは該画素を２分割した形状の２つの副画素を有し、
個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに
Ｒ色光，Ｇ色光，Ｂ色光のそれぞれに対応したライトバルブを用いて積分的加法混色によるカラー表示を行う
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
デルタ配列された複数の画素を有し、
該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、
個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに
Ｒ色光，Ｇ色光，Ｂ色光を時分割方式でライトバルブへ供給して積分的加法混色によるカラー表示を行う
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
デルタ配列された複数の画素を有し、
該複数の画素のそれぞれは該画素を２分割した形状の２つの副画素を有し、
個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに
Ｒ色光，Ｇ色光，Ｂ色光を時分割方式でライトバルブへ供給して積分的加法混色によるカラー表示を行う
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
デルタ配列された複数の画素を有し、
該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、
個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに
４色以上の光で積分的加法混色によるカラー表示を行う
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
デルタ配列された複数の画素を有し、
該複数の画素のそれぞれは該画素を２分割した形状の２つの副画素を有し、
個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに
４色以上の光で積分的加法混色によるカラー表示を行う
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
デルタ配列された複数の画素を有し、
該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、
個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに
前記副画素を用いて面積階調による多階調化された表示を行う
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１６】
デルタ配列された複数の画素を有し、
該複数の画素のそれぞれは該画素を２分割した形状の２つの副画素を有し、
個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに
前記副画素を用いて面積階調による多階調化された表示を行う
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１７】
デルタ配列された複数の画素を有し、
該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、
個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、
前記副画素は当該副画素と相似形の画素電極によって形成され、
観察側から見て前記画素電極の裏側に配線が形成され、さらに
前記配線は観察側から見て前記副画素を通過する直線状の配線を含む
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１８】
デルタ配列された複数の画素を有し、
該複数の画素のそれぞれは該画素を２分割した形状の２つの副画素を有し、
個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、
前記副画素は当該副画素と相似形の画素電極によって形成され、
観察側から見て前記画素電極の裏側に配線が形成され、さらに
前記配線は観察側から見て前記副画素を通過する直線状の配線を含む
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１９】
請求項１７又は請求項１８において、観察側から順に、透光性を有する電極、液晶層、配線層及び光反射層を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２０】
請求項１７又は請求項１８において、観察側から順に、透光性を有する電極、ＥＬ発光層及び配線層を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２１】
デルタ配列された複数の画素を有し、
該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、
個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに、
前記副画素と相似形に形成された画素電極と、
該画素電極の辺縁に沿って配置された配線と
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２２】
デルタ配列された複数の画素を有し、
該複数の画素のそれぞれは該画素を２分割した形状の２つの副画素を有し、
個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに、
前記副画素と相似形に形成された画素電極と、
該画素電極の辺縁に沿って配置された配線と
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２３】
請求項２１又は請求項２２において、互いに隣り合う副画素のための一対の配線を該副画素の直線状の分割辺に沿って直線状に配置することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２４】
請求項４から請求項２３のいずれか１つにおいて、前記画素は６角形形状であり、前記副画素は台形形状であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２５】
請求項４から請求項２４のいずれか１つに記載の電気光学装置と、該電気光学装置の動作を制御する制御手段とを有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、有機ＥＬ装置等といった電気光学装置に好適な画素構造、その画素構造を用いた電気光学装置、及び液晶プロジェクタ、携帯電話機、携帯情報端末機等といった電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
デルタ配列は低容量の画像データで高品位の表示ができ、それ故、自然画等といった画像の表示に適している。しかしながら、文字、図形等といった線画は輪郭が不鮮明になるという問題がある。そのため、コンピュータのモニター等のように文字データの表示を主とする電気光学装置では、Ｒ，Ｇ，Ｂのストライプ配列等が用いられてきた。しかしながら、このストライプ配列はデルタ配列に比べて高容量の画像データが必要となり、限られた帯域でデータ送信する場合は負荷となり、大容量の画像メモリも必要となる。また、電気光学装置も高解像度の装置が必要であった。
【０００３】
近年、携帯機器の発達により、モバイルディスプレイで映像を見たり、インターネット等で得た情報をモバイルディスプレイで表示したりする機会が増えている。今後、地上波デジタル放送のＭＰＥＧ−４配信が行われれば、テレビ映像もモバイルディスプレイで視聴が可能である。ところで、携帯機器向けの無線通信網は、携帯電話網も含めて、ＡＤＳＬやＦＴＴＨ（Fiber to the Home）と比較して通信速度が遅いため、なるべく低容量のデータで高品位の表示が行えることが望ましい。しかしながら、画像と線画とを両立して高品位に表示することができなかった。
【０００４】
一方、家庭内で用いるテレビやパーソナルコンピュータ等といった固定機器では、充実した高速通信網やデジタル放送を用いて高品位の映像等を入手する環境が整いつつある。しかし、人間の視覚特性は水平方向及び垂直方向の感度が高いため、四角形の画素構造を用いると、いくら高解像度のデータを用いても画素構造を知覚し易いという問題がある。よって、このような環境においても、画像と線画を両立して高品位に表示できる装置が望まれている。
【０００５】
従来、四角形の画素をデルタ配列する構造に代えて、６角形又は多数の画素を用いて擬似６角形の画素をデルタ配列して、いわゆるハニカム構造を構成し、四角形の画素を用いた場合に知覚され易かった水平及び垂直のラインを低減した技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
また、デルタ配列における文字データの表示品位を改善するための手段として、ストライプ配列の画素電極に対応して画素電極よりも面積が小さいカラーフィルタを有し、且つ各カラーフィルタの中心が略デルタ配列になるように配置した構造が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【０００７】
また、有機ＥＬ装置等といった電気光学装置において、副画素（すなわち、サブピクセル）の画素配列をデルタ配列とする技術が開示されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開平９−２３３３８３号公報（第４〜５頁、図４）
【特許文献２】特開２００１−３３７３１７号公報（第３頁、図１）
【特許文献３】特開２００２−２２１９１７号公報（第３頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記特許文献１に開示された方式は、自然画等といった画像を表示するのには適しており、特に撮像システムとの親和性は高い。しかしながら、文字等といった線画の表示についての対策はされていない。また、四角形の多数画素で擬似６角形のブロックを表示する方法が開示されているが、副画素を用いるという技術思想は示されていない。また、四角形の多数画素で擬似６角形ブロックを構成するには非常に高解像度の表示装置が必要となり、現実的でない。
【００１０】
また、上記特許文献２に開示された方式では、輝度に寄与する面積が小さいため、表示が暗くなるという問題がある。また、四角形画素を用いているので画素構造を知覚し易く、さらには厳密にはデルタ配列ではないため表示品位が劣るという問題がある。
【００１１】
また、上記特許文献３に開示された電気光学装置では、副画素をデルタ配列させているが、デルタ配列させた画素を分割して副画素を設けるという技術思想は示されていない。このため、この従来の電気光学装置では、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等といったスイッチング素子の配列の仕方が複雑になるという問題がある。
【００１２】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、非常に簡単な構造により、自然画等といった画像と文字等といった線画との両方をきれいに表示できる画素構造、電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成するため、本発明に係る画素構造は、デルタ配列された複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、さらに個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列されることを特徴とする。
【００１４】
この画素構造によれば、副画素の選択の仕方を変えるだけという簡単な操作によって、デルタ配列又は正方配列のいずれかを選択できる。ここで、正方配列とは、画素が縦横に直線状に並ぶ配列であり、例えば、ストライプ配列、モザイク配列等である。そして、文字等といった線画データは正方配列で表示でき、自然画等といった画像データはデルタ配列で表示できる。デルタ配列によれば、低容量のデータで斜め方向の解像度が向上し、自然画などを高品位の表示ができる。また、正方配列では、垂直方向又は水平方向で副画素ずらしの繰り返しになっているため解像度が高い。つまり、本発明に係る画素構造によれば、非常に簡単な画素構造により、画像と線画の両方をきれいに表示できる。
【００１５】
次に、本発明に係る他の画素構造は、デルタ配列された複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれは該画素を２分割した形状の２つの副画素を有し、個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列されることを特徴とする。
【００１６】
この画素構造によれば、上記と同様に、副画素の選択の仕方を変えるだけという簡単な操作によって、デルタ配列又は垂直若しくは水平の直線的な配列のいずれかを選択できる。そして、自然画等といった画像データはデルタ配列で表示できる。デルタ配列によれば、低容量のデータで斜め方向の解像度が向上し、自然画などを高品位の表示ができる。また、文字等といった線画データは直線的な配列によりデルタ配列に比べてきれいな表示を行うことができる。つまり、本発明に係る画素構造によれば、非常に簡単な画素構造により、画像と線画の両方をきれいに表示できる。
【００１７】
なお、上記構成の各画素構造において、前記画素は６角形形状であり、前記副画素は台形形状であることが望ましい。こうすれば、画素同士を密着させて並べることができ、しかも副画素への分割が容易である。
【００１８】
次に、本発明に係る電気光学装置は、デルタ配列された複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに、該複数の副画素の選択の仕方を切り替えることによりデルタ配列及び正方配列を選択的に実現する制御手段を有することを特徴とする。
【００１９】
この電気光学装置によれば、制御手段の働きにより副画素の選択の仕方を簡単に変えることができ、この簡単な操作によって、デルタ配列又は正方配列のいずれかを選択できる。そして、文字等といった線画データは正方配列で表示でき、自然画等といった画像データはデルタ配列で表示できる。デルタ配列によれば、低容量のデータで斜め方向の解像度が向上し、自然画などを高品位の表示ができる。また、正方配列では、垂直方向又は水平方向で副画素ずらしの繰り返しになっているため解像度が高い。つまり、本発明に係る電気光学装置によれば、非常に簡単な構造により、画像と線画の両方をきれいに表示できる。
【００２０】
次に、本発明に係る他の電気光学装置は、デルタ配列された複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれは該画素を２分割した形状の２つの副画素を有し、個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに、該複数の副画素の選択の仕方を切り替えることによりデルタ配列及び直線的な配列を選択的に実現する制御手段を有することを特徴とする。
【００２１】
この電気光学装置によれば、制御手段の働きにより副画素の選択の仕方を簡単に変えることができ、この簡単な操作によって、デルタ配列又は直線的な配列のいずれかを選択できる。そして、自然画等といった画像データはデルタ配列で表示できる。デルタ配列によれば、低容量のデータで斜め方向の解像度が向上し、自然画などを高品位の表示ができる。また、文字等といった線画データは直線的な配列によりデルタ配列に比べてきれいな表示を行うことができる。つまり、本発明に係る電気光学装置によれば、非常に簡単な画素構造により、画像と線画の両方をきれいに表示できる。
【００２２】
次に、本発明に係るさらに他の電気光学装置は、デルタ配列された複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに、前記４つの副画素のそれぞれに対応してＲ色光，Ｇ色光，Ｇ色光，Ｂ色光を配置して空間加法混色によるカラー表示を行うことを特徴とする。
【００２３】
この電気光学装置によれば、副画素の選択の仕方を変えるだけという簡単な操作によって、デルタ配列又は正方配列のいずれかを選択できる。そして、文字等といった線画データは正方配列で表示でき、自然画等といった画像データはデルタ配列で表示できる。デルタ配列によれば、低容量のデータで斜め方向の解像度が向上し、自然画などを高品位の表示ができる。また、正方配列では、垂直方向又は水平方向で副画素ずらしの繰り返しになっているため解像度が高い。つまり、本発明に係る電気光学装置によれば、非常に簡単な画素構造により、画像と線画の両方をきれいに表示できる。
【００２４】
この構成では、デルタ配列及び正方配列の両方ともに１画素をＲ，Ｇ，Ｇ，Ｂでカラー表示する。ここで、人間の眼はＧ色光の視感度が高いため、Ｇ色光を２つ配置することで良好な表示を得ることができる。また、正方配列では副画素を１／２画素ずらした周期構造とすることができ、解像度感が高い。
【００２５】
次に、本発明に係るさらに他の電気光学装置は、デルタ配列された複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、さらに個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに前記４つの副画素のそれぞれに対応して異なる４色の光を配置して空間加法混色によるカラー表示を行うことを特徴とする。
【００２６】
この電気光学装置によれば、副画素の選択の仕方を変えるだけという簡単な操作によって、デルタ配列又は正方配列のいずれかを選択できる。そして、文字等といった線画データは正方配列で表示でき、自然画等といった画像データはデルタ配列で表示できる。デルタ配列によれば、低容量のデータで斜め方向の解像度が向上し、自然画などを高品位の表示ができる。また、正方配列では、垂直方向又は水平方向で副画素ずらしの繰り返しになっているため解像度が高い。つまり、本発明に係る画素構造によれば、非常に簡単な画素構造により、画像と線画の両方をきれいに表示できる。
【００２７】
この構成では、デルタ配列及び正方配列の両方ともに１画素を異なる４色の光でカラー表示する。異なる４色としてＲ，Ｇ，Ｂの３原色と４色目にＷ（白）を加えれば高輝度化が達成でき、省電力化を達成できる。またＷ以外の４色目を選べば色再現範囲が広がる。
【００２８】
次に、本発明に係るさらに他の電気光学装置は、デルタ配列された複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらにＲ色光，Ｇ色光，Ｂ色光のそれぞれに対応したライトバルブを用いて積分的加法混色によるカラー表示を行うことを特徴とする。
【００２９】
この電気光学装置によれば、副画素の選択の仕方を変えるだけという簡単な操作によって、デルタ配列又は正方配列のいずれかを選択できる。そして、文字等といった線画データは正方配列で表示でき、自然画等といった画像データはデルタ配列で表示できる。デルタ配列によれば、低容量のデータで斜め方向の解像度が向上し、自然画などを高品位の表示ができる。また、正方配列では、垂直方向又は水平方向で副画素ずらしの繰り返しになっているため解像度が高い。つまり、本発明に係る画素構造によれば、非常に簡単な画素構造により、画像と線画の両方をきれいに表示できる。
【００３０】
また、この構成では、大画面で使用するプロジェクタにおいて、水平及び垂直の画素構造が知覚され難くなるので、特に、ホームシアター等で映像を楽しむときに好適である。
【００３１】
次に、本発明に係るさらに他の電気光学装置は、デルタ配列された複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれは該画素を２分割した形状の２つの副画素を有し、個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらにＲ色光，Ｇ色光，Ｂ色光のそれぞれに対応したライトバルブを用いて積分的加法混色によるカラー表示を行うことを特徴とする。
【００３２】
この電気光学装置によれば、制御手段の働きにより副画素の選択の仕方を簡単に変えることができ、この簡単な操作によって、デルタ配列又は直線的な配列のいずれかを選択できる。そして、自然画等といった画像データはデルタ配列で表示できる。デルタ配列によれば、低容量のデータで斜め方向の解像度が向上し、自然画などを高品位の表示ができる。また、文字等といった線画データは直線的な配列によりデルタ配列に比べてきれいな表示を行うことができる。つまり、本発明に係る電気光学装置によれば、非常に簡単な画素構造により、画像と線画の両方をきれいに表示できる。
【００３３】
また、この構成では、大画面で使用するプロジェクタにおいて、水平及び垂直の画素構造が知覚され難くなるので、特に、ホームシアター等で映像を楽しむときに好適である。
【００３４】
次に、本発明に係るさらに他の電気光学装置は、デルタ配列された複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらにＲ色光，Ｇ色光，Ｂ色光を時分割方式でライトバルブへ供給して積分的加法混色によるカラー表示を行うことを特徴とする。
【００３５】
この電気光学装置によれば、副画素の選択の仕方を変えるだけという簡単な操作によって、デルタ配列又は正方配列のいずれかを選択できる。そして、文字等といった線画データは正方配列で表示でき、自然画等といった画像データはデルタ配列で表示できる。デルタ配列によれば、低容量のデータで斜め方向の解像度が向上し、自然画などを高品位の表示ができる。また、正方配列では、垂直方向又は水平方向で副画素ずらしの繰り返しになっているため解像度が高い。つまり、本発明に係る画素構造によれば、非常に簡単な画素構造により、画像と線画の両方をきれいに表示できる。
【００３６】
この構成においても、水平及び垂直の画素構造を知覚され難くなるので、特に、ホームシアター等で映像を楽しむときに好適である。
【００３７】
次に、本発明に係るさらに他の電気光学装置は、デルタ配列された複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれは該画素を２分割した形状の２つの副画素を有し、個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらにＲ色光，Ｇ色光，Ｂ色光を時分割方式でライトバルブへ供給して積分的加法混色によるカラー表示を行うことを特徴とする。
【００３８】
この電気光学装置によれば、制御手段の働きにより副画素の選択の仕方を簡単に変えることができ、この簡単な操作によって、デルタ配列又は直線的な配列のいずれかを選択できる。そして、自然画等といった画像データはデルタ配列で表示できる。デルタ配列によれば、低容量のデータで斜め方向の解像度が向上し、自然画などを高品位の表示ができる。また、文字等といった線画データは直線的な配列によりデルタ配列に比べてきれいな表示を行うことができる。つまり、本発明に係る電気光学装置によれば、非常に簡単な画素構造により、画像と線画の両方をきれいに表示できる。
【００３９】
この構成においても、水平及び垂直の画素構造を知覚され難くなるので、特に、ホームシアター等で映像を楽しむときに好適である。
【００４０】
次に、本発明に係るさらに他の電気光学装置は、デルタ配列された複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに４色以上の光で積分的加法混色によるカラー表示を行うことを特徴とする。
【００４１】
この電気光学装置によれば、副画素の選択の仕方を変えるだけという簡単な操作によって、デルタ配列又は正方配列のいずれかを選択できる。そして、文字等といった線画データは正方配列で表示でき、自然画等といった画像データはデルタ配列で表示できる。デルタ配列によれば、低容量のデータで斜め方向の解像度が向上し、自然画などを高品位の表示ができる。また、正方配列では、垂直方向又は水平方向で副画素ずらしの繰り返しになっているため解像度が高い。つまり、本発明に係る画素構造によれば、非常に簡単な画素構造により、画像と線画の両方をきれいに表示できる。
【００４２】
この構成においては、水平及び垂直の画素構造が知覚され難くなるのに加えて、多原色とすることで色再現性に優れ、特に、ホームシアター等で映像を楽しむときに好適である。
【００４３】
次に、本発明に係るさらに他の電気光学装置は、デルタ配列された複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれは該画素を２分割した形状の２つの副画素を有し、個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに４色以上の光で積分的加法混色によるカラー表示を行うことを特徴とする。
【００４４】
この電気光学装置によれば、制御手段の働きにより副画素の選択の仕方を簡単に変えることができ、この簡単な操作によって、デルタ配列又は直線的な配列のいずれかを選択できる。そして、自然画等といった画像データはデルタ配列で表示できる。デルタ配列によれば、低容量のデータで斜め方向の解像度が向上し、自然画などを高品位の表示ができる。また、文字等といった線画データは直線的な配列によりデルタ配列に比べてきれいな表示を行うことができる。つまり、本発明に係る電気光学装置によれば、非常に簡単な画素構造により、画像と線画の両方をきれいに表示できる。
【００４５】
この構成においては、水平及び垂直の画素構造が知覚され難くなるのに加えて、多原色とすることで色再現性に優れ、特に、ホームシアター等で映像を楽しむときに好適である。
【００４６】
次に、本発明に係るさらに他の電気光学装置は、デルタ配列された複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに前記副画素を用いて面積階調による多階調化された表示を行うことを特徴とする。
【００４７】
この画素構造によれば、副画素の選択の仕方を変えるだけという簡単な操作によって、デルタ配列又は正方配列のいずれかを選択できる。そして、文字等といった線画データは正方配列で表示でき、自然画等といった画像データはデルタ配列で表示できる。デルタ配列によれば、低容量のデータで斜め方向の解像度が向上し、自然画などを高品位の表示ができる。また、正方配列では、垂直方向又は水平方向で副画素ずらしの繰り返しになっているため解像度が高い。つまり、本発明に係る画素構造によれば、非常に簡単な画素構造により、画像と線画の両方をきれいに表示できる。
【００４８】
また、従来の振幅変調や時間変調による階調表示に加えて、副画素の階調の組み合わせによる面積階調を行うことで、より多階調の表示を行うことができる。
【００４９】
次に、本発明に係るさらに他の電気光学装置は、デルタ配列された複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれは該画素を２分割した形状の２つの副画素を有し、個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに前記副画素を用いて面積階調による多階調化された表示を行うことを特徴とする。
【００５０】
この電気光学装置によれば、制御手段の働きにより副画素の選択の仕方を簡単に変えることができ、この簡単な操作によって、デルタ配列又は直線的な配列のいずれかを選択できる。そして、自然画等といった画像データはデルタ配列で表示できる。デルタ配列によれば、低容量のデータで斜め方向の解像度が向上し、自然画などを高品位の表示ができる。また、文字等といった線画データは直線的な配列によりデルタ配列に比べてきれいな表示を行うことができる。つまり、本発明に係る電気光学装置によれば、非常に簡単な画素構造により、画像と線画の両方をきれいに表示できる。
【００５１】
また、従来の振幅変調や時間変調による階調表示に加えて、副画素の階調の組み合わせによる面積階調を行うことで、より多階調の表示を行うことができる。
【００５２】
次に、本発明に係るさらに他の電気光学装置は、デルタ配列された複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、前記副画素は当該副画素と相似形の画素電極によって形成され、観察側から見て前記画素電極の裏側に形成され、さらに前記配線は観察側から見て前記副画素を通過する直線状の配線を含むことを特徴とする。
【００５３】
この電気光学装置によれば、副画素の選択の仕方を変えるだけという簡単な操作によって、デルタ配列又は正方配列のいずれかを選択できる。そして、文字等といった線画データは正方配列で表示でき、自然画等といった画像データはデルタ配列で表示できる。デルタ配列によれば、低容量のデータで斜め方向の解像度が向上し、自然画などを高品位の表示ができる。また、正方配列では、垂直方向又は水平方向で副画素ずらしの繰り返しになっているため解像度が高い。つまり、本発明に係る画素構造によれば、非常に簡単な画素構造により、画像と線画の両方をきれいに表示できる。
【００５４】
この構成においては、配線の引き回しが表示に影響を与えないので、画素電極の配置状態に関わらず、配線を自由にパターニングできる。このため、配線を最短でレイアウトでき、その結果、時定数を低減でき、信号遅延等を抑制できる。
【００５５】
次に、本発明に係るさらに他の電気光学装置は、デルタ配列された複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれは該画素を２分割した形状の２つの副画素を有し、個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、前記副画素は当該副画素と相似形の画素電極によって形成され、観察側から見て前記画素電極の裏側に配線が形成され、さらに前記配線は観察側から見て前記副画素を通過する直線状の配線を含むことを特徴とする。
【００５６】
この電気光学装置によれば、制御手段の働きにより副画素の選択の仕方を簡単に変えることができ、この簡単な操作によって、デルタ配列又は直線的な配列のいずれかを選択できる。そして、自然画等といった画像データはデルタ配列で表示できる。デルタ配列によれば、低容量のデータで斜め方向の解像度が向上し、自然画などを高品位の表示ができる。また、文字等といった線画データは直線的な配列によりデルタ配列に比べてきれいな表示を行うことができる。つまり、本発明に係る電気光学装置によれば、非常に簡単な画素構造により、画像と線画の両方をきれいに表示できる。
【００５７】
この構成においては、配線の引き回しが表示に影響を与えないので、画素電極の配置状態に関わらず、配線を自由にパターニングできる。このため、配線を最短でレイアウトでき、その結果、時定数を低減でき、信号遅延等を抑制できる。
【００５８】
上記構成の電気光学装置は、観察側から見て、透光性を有する電極、液晶層、配線層及び光反射層を有することが望ましい。この構成の電気光学装置は、電気光学物質として液晶層を用いる電気光学装置である。この構成では光反射層の下の配線は表示に影響しない。
【００５９】
また、上記構成の電気光学装置は、観察側から見て、透光性を有する電極、ＥＬ発光層及び配線層を有することが望ましい。この構成の電気光学装置は、電気光学物質として有機ＥＬ層を用いる電気光学装置である。この構成では有機ＥＬ層の下の配線は表示に影響しない。
【００６０】
次に、本発明に係るさらに他の電気光学装置は、デルタ配列された複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれは該画素を４分割した形状の４つの副画素を有し、個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに、前記画素と相似形に形成された画素電極と、該画素電極の辺縁に沿って配置された配線とを有することを特徴とする。
【００６１】
この画素構造によれば、副画素の選択の仕方を変えるだけという簡単な操作によって、デルタ配列又は正方配列のいずれかを選択できる。そして、文字等といった線画データは正方配列で表示でき、自然画等といった画像データはデルタ配列で表示できる。デルタ配列によれば、低容量のデータで斜め方向の解像度が向上し、自然画などを高品位の表示ができる。また、正方配列では、垂直方向又は水平方向で副画素ずらしの繰り返しになっているため解像度が高い。つまり、本発明に係る画素構造によれば、非常に簡単な画素構造により、画像と線画の両方をきれいに表示できる。
【００６２】
本構成によれば、配線が副画素に対応する電極の辺縁に沿って配置されるので、当該副画素電極による表示が配線によって受ける悪影響を低減できる。本構成は、例えば透過型液晶装置や配線が副画素電極よりも観察側に存在するボトムエミッション型のＥＬ装置等に好適である。
【００６３】
次に、本発明に係るさらに他の電気光学装置は、デルタ配列された複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれは該画素を２分割した形状の２つの副画素を有し、個々の副画素の分割辺は縦方向又は横方向に沿うように配列され、さらに、前記副画素と相似形に形成された画素電極と、該画素電極の辺縁に沿って配置された配線とを有することを特徴とする。
【００６４】
この電気光学装置によれば、制御手段の働きにより副画素の選択の仕方を簡単に変えることができ、この簡単な操作によって、デルタ配列又は直線的な配列のいずれかを選択できる。そして、自然画等といった画像データはデルタ配列で表示できる。デルタ配列によれば、低容量のデータで斜め方向の解像度が向上し、自然画などを高品位の表示ができる。また、文字等といった線画データは直線的な配列によりデルタ配列に比べてきれいな表示を行うことができる。つまり、本発明に係る電気光学装置によれば、非常に簡単な画素構造により、画像と線画の両方をきれいに表示できる。
【００６５】
本構成によれば、配線が副画素に対応する電極の辺縁に沿って配置されるので、副画素に対応する電極による表示が配線によって受ける悪影響を低減できる。本構成は、例えば透過型液晶装置や配線が副画素電極よりも観察側に存在するボトムエミッション型のＥＬ装置等に好適である。
【００６６】
副画素電極の辺縁に沿って配線を配置するようにした上記構成の電気光学装置においては、互いに隣り合う副画素のための一対の配線を該副画素の直線状の分割辺に沿って直線状に配置することが望ましい。
【００６７】
こうすれば、配線がジグザグ構造にならないで直線状に形成でき、それ故、最短距離の状態に配置できる。このように配線レイアウトを最短にできるので、時定数を低減でき、信号遅延を抑制できる。
【００６８】
以上に記載した全ての構成の電気光学装置において、前記画素は６角形形状であり、前記副画素は台形形状であることが望ましい。６角形形状の複数の画素をデルタ配列で並べれば、いわゆるハニカム構造の配列を実現できる。
【００６９】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置と、該電気光学装置の動作を制御する制御手段とを有することを特徴とする。このような電子機器としては、例えば、液晶プロジェクタ、携帯電話機、携帯情報端末機等が考えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７０】
（画素構造の第１実施形態）
以下、本発明に係る画素構造をその一実施形態を挙げて説明する。なお、本発明がこの実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。図１は、本発明に係る画素構造の一実施形態の平面構造の一部分を示している。ここに示す画素構造１Ａは、６角形形状の複数の画素２をデルタ配列に並べることによって、いわゆるハニカム状に形成されている。デルタ配列とは、各画素２の中心点Ｏが破線で示す三角形Ｔの頂点に位置するような配列である。
【００７１】
各画素２は、それらの画素を４分割した形状の４つの副画素３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄを、各分割辺４が概接するように並べることによって形成されている。この場合、各分割辺４は、縦方向Ｙ又は横方向Ｘに沿うように配置される。縦方向Ｙは画素配列の列方向に一致し、横方向Ｘは画素配列の行方向に一致する。画素２に対する分割辺４をこのように設定したことにより、各副画素３ａ〜３ｄは台形形状となっている。
【００７２】
画素とは、文字、数字、図形等といった像を表示する際の、表示の単位となる領域である。また、副画素とは、その画素をどのような状態で点灯させるかを決めるための最小単位の表示用ドットである。副画素３ａ〜３ｄのうちの１つが点灯すれば、その点灯した１つの副画素によって画素が表示され、副画素３ａ〜３ｄのうちの２つが点灯すれば、その点灯した２つの副画素によって画素が表示される。つまり、１つの画素２の表示状態は、副画素３ａ〜３ｄのうちの点灯したものによって決められる。
【００７３】
副画素３ａ〜３ｄの個々は、一般に、液晶、有機ＥＬ等といった電気光学物質を一対の電極によって挟持したときに、それらの電極が平面的に重なり合う領域として構成される。つまり、副画素３ａ〜３ｄ及び画素２は、電極をそれらに対応した形状に形成することによって形成できる。なお、画素２の平面形状は、６角形に限られず、円形、多角形等とすることもできる。
【００７４】
本実施形態の画素構造によれば、複数の画素２を用いて表示を行えばデルタ配列の画素配列が構成され、それ故、低容量の画像データで斜め方向の解像度が向上して高品位の表示ができ、画像、例えば自然画の映像の表示に適した表示を行うことができる。一方、本実施形態では、１つの画素２内の副画素３ｄと、その１つの画素２に対して横方向Ｘで隣りの画素２内の副画素３ｃと、それら２つの画素と協働してデルタ配列を構成する他の画素２内の副画素３ａ及び３ｂとによって１つの画素を構成することもできる。以下、このような画素を第２画素Ａと呼ぶことにする。図１では、１つの第２画素Ａを斜線で示してある。
【００７５】
第２画素Ａの１つは略正方形又は略長方形であり、さらに、複数の第２画素Ａは縦方向Ｙ及び横方向Ｘの両方向へ直線状に並んでいる。つまり、複数の第２画素Ａは正方配列に並んでいる。この結果、複数の第２画素Ａを画素として表示を行えば、自然画等といった画像ではない、文字、図形等といった線画を鮮明な輪郭で表示することができる。
【００７６】
（画素構造の第２実施形態）
図２は、本発明に係る画素構造の他の実施形態の平面構造の一部分を示している。ここに示す画素構造１Ｂが、図１の画素構造１Ａと異なる点は、図２の画素２が図１の画素２を角度９０度だけ回転させた状態になっていることである。本実施形態では、１つの画素２内の副画素３ｄと、その１つの画素２に対して縦方向Ｙで隣りの画素２内の副画素３ｃと、それら２つの画素と協働してデルタ配列を構成する他の画素２内の副画素３ａ及び３ｂとによって斜線で示す１つの第２画素Ａが構成される。そして、複数の第２画素Ａが縦方向Ｙ及び横方向Ｘに直線状に配列されている。
【００７７】
図２の実施形態において、６角形形状の複数の画素２をデルタ配列に並べること、各画素２がそれらの画素を４分割した形状の４つの副画素３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄによって形成されること、各分割辺４が縦方向Ｙ又は横方向Ｘに沿うように配置されること、そして、各副画素３ａ〜３ｄが台形形状となっていること、の各点は図１の実施形態の場合と同じである。
【００７８】
本実施形態の画素構造によれば、複数の画素２を用いて表示を行えばデルタ配列の画素配列が構成され、それ故、低容量の画像データで斜め方向の解像度が向上して高品位の表示ができ、画像、例えば自然画の映像の表示に適した表示を行うことができる。一方、正方配列に並べられた複数の第２画素Ａを用いて表示を行えば、画像ではない、文字、図形等といった線画を鮮明な輪郭で表示することができる。
【００７９】
（画素構造の第３実施形態）
図３は、本発明に係る画素構造のさらに他の実施形態の平面構造の一部分を示している。ここに示す画素構造１Ｃが、図１の画素構造１Ａと異なる点は、副画素を形成するにあたって、画素２を４つに分割することに代えて、２つに分割したことである。つまり、本実施形態では、２つの台形形状の副画素３ａ及び３ｂによって１つの画素２が形成されている。
【００８０】
この実施形態において、複数の画素２はデルタ配列に並べられている。そして、第２画素Ａは、図３に実線の斜線で示すように、１つの画素２の右側の副画素３ｂと、その横方向Ｘで隣りの画素２の左側の副画素３ａとによって形成されるか、又は、破線の斜線で示すように、１つの画素２のそれ自体によって形成される。これにより、複数の第２画素Ａが縦方向Ｙに直線状に配列されている。
【００８１】
本実施形態の画素構造によれば、複数の画素２を用いて表示を行えばデルタ配列の画素配列が構成され、それ故、低容量の画像データで斜め方向の解像度が向上して高品位の表示ができ、画像、例えば自然画の映像の表示に適した表示を行うことができる。一方、縦に直線状に並べられた複数の第２画素Ａを用いて表示を行えば、画像ではない、文字、図形等といった線画を鮮明な輪郭で表示することができる。
【００８２】
（画素構造の第４実施形態）
図４は、本発明に係る画素構造のさらに他の実施形態の平面構造の一部分を示している。ここに示す画素構造１Ｄでは、図３に示した画素構造と同様に、２つの台形形状の副画素３ａ及び３ｂによって１つの画素２が形成されている。この画素構造１Ｄが図３の画素構造１Ｃと異なる点は、図４の画素２が図３の画素２を角度９０度だけ回転させた状態になっていることである。
【００８３】
この実施形態において、複数の画素２はデルタ配列に並べられている。そして、第２画素Ａは、図３に実線の斜線で示すように、１つの画素２の下側の副画素３ａと、その縦方向Ｙで隣りの画素２の上側の副画素３ｂとによって形成されるか、又は、破線の斜線で示すように、１つの画素２のそれ自体によって形成される。これにより、複数の第２画素Ａが横方向Ｘに直線状に配列されている。
【００８４】
本実施形態の画素構造によれば、複数の画素２を用いて表示を行えばデルタ配列の画素配列が構成され、それ故、低容量の画像データで斜め方向の解像度が向上して高品位の表示ができ、画像、例えば自然画の映像の表示に適した表示を行うことができる。一方、横に直線状に並べられた複数の第２画素Ａを用いて表示を行えば、画像ではない、文字、図形等といった線画を鮮明な輪郭で表示することができる。
【００８５】
（電気光学装置の第１実施形態）
図５は、本発明に係る電気光学装置の一実施形態であって、本発明に係る画素構造を駆動するのに適した制御回路を備えた電気光学装置を示している。この電気光学装置は、自然画等といった画像のデータ及び文字、数字等といった線画のデータを入力するデータ入力部５１と、圧縮データを解凍したり画像データと線画データとを判別したりするデータ処理部５２と、データ出力部５３と、像を表示する表示部５４とを有する。表示部５４は、自然画等といった画像や、文字、数字等といった線画を映像として表示するものであり、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）や液晶装置等を用いて構成できる。
【００８６】
データ出力部５３は、データ処理部５２で判別された画像データと線画データとを分配するデータ分配部５６と、データ分配部５６の一方の出力端子から出力される画像データに好適な処理を行う画像データ処理部５７と、データ分配部５６の他方の出力端子から出力される線画データに好適な処理を行う線画データ処理部５８と、画像データ処理部５７からの出力データと線画データ処理部５８からの出力データとを合成して表示部５４へ供給するデータ合成部５９とを有する。画像データ処理部５７は、例えば図１においてデルタ配列された複数の画素２を用いて表示を行うためのデータ処理を行う。一方、線画データ処理部５８は、例えば図１において正方配列された複数の第２画素Ａを用いて表示を行うためのデータ処理を行う。
【００８７】
図５に示す制御回路によれば、画像データと線画データとを別々に処理した後、それらを合成して出力データとして出力する。これにより、表示しようとしているデータの種類に応じて、デルタ配列と図１及び図２における正方配列との選択、あるいは、デルタ配列と図３及び図４における直線状の配列との選択、を必要に応じて切り替えることができる。これにより、高品位の表示を行うことができる。なお、データ合成部５９は、画像データと線画データとが重複する場合に、どちらを強調するかを判断してそれらのデータの合成を行うことが望ましい。
【００８８】
表示データとしてインターネットからの情報を考えると、その情報はＨＴＭＬ（Hyper Text Markup Language）という表現言語で記述される。また、表示データとしてデジタル放送を考えると、その情報はＢＭＬ（Broad Markup Language）という表示言語で記述される。例えば、データのうち画像データはデルタ配列で表示し、線画データは正方配列又は直線状の配列で表示するように分配することにより、それぞれのデータに適した表示を行うことができる。
【００８９】
また、ＤＶＤ等で使われるＭＰＥＧ−２ＰＳ（プログラム・ストリーム）では、ビデオやオーディオの圧縮符号化データであるＥＳ（エレメンタリー・ストリーム）を複数多重化している。画像データと字幕等といった文字データ（すなわち、線画データ）は異なるＥＳとしてあるので、それらを分配してそれぞれに適した表示を行うことができる。
【００９０】
また、デジタル放送等で使われるＭＰＥＧ−２ＴＳ（トランスポート・ストリーム）では、ＭＰＥＧ−２ＰＳとは多重化の方法が異なっているが、同時に画像データ、文字データが異なるＰＥＳ（パケット化されたＥＳ）としてあるので、それらを分配してそれぞれのデータに適した表示を行うことができる。
【００９１】
また、携帯電話機等で用いられるＭＰＥＧ−４は、ＭＰＥＧ−２と異なり、画面を人物、背景、文字、図形、音声等といったオブジェクトに分け、それぞれに適した符号化を行っている。従って、この場合には、画像データと線画データを分配してそれぞれに適した表示を行うことができる。
【００９２】
また、アナログ放送等では、画像データと文字データとが１枚の絵として送られる。よって、画像データと文字データとを分配してそれぞれに適した表示を行うには、適当な処理によって画像データと文字データをそれぞれに検出する処理を行うことが望ましい。
【００９３】
（電気光学装置の第２実施形態）
図６及び図７は本発明に係る電気光学装置の第２実施形態を示している。この実施形態は、電気光学装置の１つである液晶装置に本発明を適用して、空間加法混色によってカラー表示を行う場合の実施形態である。空間加法混色とは、周知の通り、Ｒ，Ｇ，Ｂ等といった複数色が互いに重なることなく、しかし近接して配置されているときに、人間がこれらの色を見たときに混色を知覚することにより、カラー表示を行う手法である。
【００９４】
液晶装置としては、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等といった３端子型のアクティブ素子をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス型の液晶装置や、ＴＦＤ（Thin Film Diode）等といた２端子型のアクティブ素子をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス型の液晶装置や、スイッチング素子を用いないパッシブマトリクス型の液晶装置等を用いることができる。本実施形態では、ＴＦＤ（Thin Film Diode）を用いたアクティブマトリクス型で半透過反射方式の液晶装置を例示する。なお、図６及び図７において、各種の構成要素は、それらを分かり易く示すために実際のものと異なる縮尺で示されている。
【００９５】
図６に示す液晶装置２０は、液晶パネル２１及び照明装置２２を有する。照明装置２２は、冷陰極管、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等によって構成される光源１９と、その光源１９からの光を導入して面状の光として出射する導光体１８とを有する。また、液晶パネル２１は、素子基板２３ａと対向基板２３ｂとを矢印Ｂで示す観察側から見て四角形状でリング状のシール材２４によって貼り合わせることによって形成されている。両基板２３ａ及び２３ｂの間には、スペーサ２５によって保持された微小な間隙、いわゆるセルギャップが形成され、そのセルギャップ内に電気光学物質としての液晶が封入されて液晶層２６が形成されている。
【００９６】
素子基板２３ａは、透光性を有するガラス、透光性を有するプラスチック等によって形成された基材２７ａを有し、その基材２７ａの液晶側表面上に、ＴＦＤ素子２８、画素電極２９、及び配向膜３０ａが形成されている。また、基材２７ａの外側表面には、偏光板、その他の必要な光学要素３１ａが設けられる。配向膜３０ａはポリイミド等によって形成され、その表面に配向処理、例えばラビング処理が施される。
【００９７】
ＴＦＤ素子２８は、例えば、第１金属／絶縁層／第２金属の３層構造（すなわち、Metal／Insulator／Metalの積層構造、いわゆる、ＭＩＭ構造）を有し、所定の閾値以上の電圧が印加されたときに通電を許容する、すなわちスイッチング動作する。画素電極２９はその１つずつが、例えば図１に示すような副画素３ａ〜３ｄに対応した台形形状に形成され、それらの台形形状の画素電極２９の集まりによって画素２が構成されている。なお、画素電極２９はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）その他の透明導電材料によって形成される。
【００９８】
図６において、対向基板２３ｂは、透光性を有するガラス、透光性を有するプラスチック等によって形成された基材２７ｂを有し、その基材２７ｂの液晶側表面上に、光反射膜３２、カラーフィルタ３３、ストライプ状の対向電極３４、及び配向膜３０ｂが形成されている。配向膜３０ｂはポリイミド等によって形成され、その表面に配向処理、例えばラビング処理が施される。なお、基材２７ｂの外側表面には、偏光板、その他の必要な光学要素３１ｂが設けられる。
【００９９】
光反射膜３２は、Ａｌ（アルミニウム）等といった光反射性の金属材料によって形成されている。また、光反射膜３２のうち各副画素３ａ〜３ｄに対応する位置には、光透過用の開口３５が形成されている。光反射膜３２の光反射部分は反射型表示時において観察側Ｂから入射した光を反射して液晶層２６へ供給する。一方、光反射膜３２に形成した開口３５は透過型表示時において照明装置２２から発生した面状の光を透過して液晶層２６へ供給する。
【０１００】
カラーフィルタ３３は、矢印Ｂ方向から見て所定のパターンで配列されたＲ，Ｇ，Ｂの３色の着色要素３６と、それらの着色要素３６の間を埋めるように形成された遮光層３７とによって構成されている。遮光層３７は、Ｃｒ（クロム）その他の遮光性材料によって形成される。また、着色要素３６は、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色に相当する顔料、染料等を含んだ材料によって形成される。本実施形態では、Ｒ，Ｇ，Ｂの配色は素子基板２３ａ側の画素電極２９との関連で決められており、具体的には、図７に示すように、各副画素３ａ〜３ｄごとにＲ，Ｇ，Ｇ，Ｂの色配置で割り当てられる。より具体的には、副画素３ａにＧ色、副画素３ｂにＢ色、副画素３ｃにＲ色、そして副画素３ｄにＧ色が割り当てられる。このような色配置により、空間加法混色によるカラー表示が行われる。１つの画素内にＧ色を２個配置するのは、人間の眼はＧ色の視感度が高いためである。
【０１０１】
図６において、対向電極３４の１本は図６の左右方向へ延びる直線状、すなわち帯状であり、その帯状電極の複数本が図６の紙面垂直方向へ適宜の間隔をおいて平行に並べられている。これにより、複数本の対向電極３４が矢印Ｂ方向から見てストライプ状に形成されている。なお、対向電極３４はＩＴＯ等といった透明導電材料によって形成されている。
【０１０２】
素子基板２３ａは、対向基板２３ｂの外側へ張り出す張出し部３８を有する。この張出し部３８には配線３９が形成され、この配線３９がシール材２４の内側へ延びて画素電極２９や対向電極３４に接続されている。また、張出し部３８の辺縁には外部回路（図示せず）との間で電気的な接続をとるための外部接続端子４０が形成されている。張出し部３８の表面には駆動用ＩＣ４１が実装され、その駆動用ＩＣ４１の入力側バンプが外部接続端子４０に接続し、その出力側バンプが配線３９に接続している。駆動用ＩＣ４１の働きにより、画素電極２９及び対向電極３４に走査信号及びデータ信号が印加される。
【０１０３】
本実施形態の液晶装置２０によれば、図７において、複数の画素２を用いて表示を行えばデルタ配列の画素配列が構成され、それ故、低容量の画像データで斜め方向の解像度が向上して高品位の表示ができ、画像、例えば自然画の映像の表示に適した表示を行うことができる。一方、複数の第２画素Ａ（図１参照）を画素として表示を行えば、ストライプ、モザイク等といった正方配列の画素配列が構成され、それ故、画像ではない、文字、図形等といった線画を鮮明な輪郭で表示することができる。
【０１０４】
なお、本実施形態で採用できる画素構造は図７の画素構造、すなわち図１の画素構造に限られない。例えば、図２、図３、図４、その他本発明の範囲内にある任意の画素構造を採用できる。
【０１０５】
（電気光学装置の第３実施形態）
図８は本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態を示している。この実施形態は、構造的には概ね図６及び図７に示した先の液晶装置と同じであるが、図８に示す画素構造１Ａに対する各色光の配置の仕方に改変が加えられている。具体的には、本実施形態では、副画素３ａ〜３ｄに対応させて全て異なる色を配置する。例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂに加えてＷ（すなわち、白）を加え、それらの各色の配色が図６の素子基板２３ａ側の画素電極２９との関連で決められている。より具体的には、図８に示すように、副画素３ａにＷ色、副画素３ｂにＢ色、副画素３ｃにＲ色、そして副画素３ｄにＧ色が割り当てられる。このような色配置により、空間加法混色によるカラー表示が行われる。Ｗ色を配置することにより、本実施形態では白表示を明るく表示できる。また、Ｗ以外の４色目を選べば色再現範囲が広がる。
【０１０６】
なお、本実施形態で採用できる画素構造は図７の画素構造、すなわち図１の画素構造に限られない。例えば、図２、図３、図４、その他本発明の範囲内にある任意の画素構造を採用できる。
【０１０７】
（電気光学装置の第４実施形態及び電子機器の第１実施形態）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態を説明すると共に、その電子機器に用いられる本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態を説明する。これから説明する実施形態は、図７に示した画素構造、すなわち図１に示した画素構造を用いて、積分的加法混色によってカラー表示を行う構造の液晶装置及びそれを用いた液晶プロジェクタに関するものである。ここで、積分的加法混色について簡単に説明すれば、前述した空間加法混色がＲ，Ｇ，Ｂ等といった各色を実際には重ね合わせないことに対し、積分的加法混色は異なる色を実際に重ね合わせてカラー表示を行う手法である。
【０１０８】
図９は、その積分的加法混色を実現する液晶装置を含んで構成される電子機器の一例である液晶プロジェクタを示している。この液晶プロジェクタ６０は、光を放出する光源６３と、Ｒ色光を反射してその他の波長の光を透過するダイクロイックミラー６４ｒと、Ｇ色光を反射してその他の波長の光を透過するダイクロイックミラー６４ｇと、Ｂ色光を反射してその他の光を透過するダイクロイックミラー６４ｂと、反射ミラー６５と、Ｒ色光の光路上に配置されたＲ色液晶ライトバルブ６６ｒと、Ｇ色光の光路上に配置されたＧ色光液晶ライトバルブ６６ｇと、Ｂ色光の光路上に配置されたＢ色液晶ライトバルブ６６ｂと、各色光を合成するダイクロイックプリズム６７と、投射レンズ６８と、スクリーン６９とを有する。光源６３は、白色光を発生するランプ６１と、リフレクタ６２とによって構成される。
【０１０９】
本実施形態で液晶装置は、個々の液晶ライトバルブ６６ｒ，６６ｇ，６６ｂと、対応する波長の光をそれらの液晶ライトバルブに供給する光供給系とによって構成される。光供給系は、本実施形態の場合、光源６３、ダイクロイックミラー６４ｒ，６４ｇ，６４ｂ、及び反射ミラー６５によって構成される。
【０１１０】
各液晶ライトバルブ６６ｒ，６６ｇ，６６ｂは、それぞれ、図１０に示すように、素子基板７１ａと対向基板７１ｂとを矢印Ｂ方向から見て四角形状でリング状のシール材７２によって貼り合わせることによって形成されている。両基板７１ａ及び７１ｂの間には、微小な間隙、いわゆるセルギャップが形成され、そのセルギャップ内に電気光学物質としての液晶が封入されて液晶層７３が形成されている。液晶層７３は、例えば、１種又は数種類のネマチック液晶を混合した液晶によって形成される。
【０１１１】
素子基板７１ａは、透光性を有するガラス、透光性を有するプラスチック等によって形成された基材７４ａを有し、その基材７４ａの液晶側表面上に、ＴＦＴ素子７５、画素電極７６、及び配向膜７７ａが形成されている。また、基材７４ａの外側表面には、偏光板、あるいはその他の必要な光学要素７８ａが設けられる。配向膜７７ａはポリイミド等によって形成され、その表面に配向処理、例えばラビング処理が施される。
【０１１２】
対向基板７１ｂは、透光性を有するガラス、透光性を有するプラスチック等によって形成された基材７４ｂを有し、その基材７４ｂの液晶側表面上に、対向電極７９及び配向膜７７ｂが形成されている。また、基材７４ｂの外側表面には、偏光板、その他の必要な光学要素７８ｂが設けられる。対向電極７９は、有効表示領域の略全面にわたってＩＴＯ等といった透明導電材料によって共通電極として形成されている。また、配向膜７７ｂはポリイミド等によって形成され、その表面に配向処理、例えばラビング処理が施される。
【０１１３】
素子基板７１ａの表面に形成される複数の画素電極７６は、その１つずつが、例えば図１に示すような副画素３ａ〜３ｄに対応した台形形状に形成され、それらの台形形状の画素電極７６の集まりによって画素２が構成されている。なお、画素電極７６はＩＴＯその他の透明導電材料によって形成される。
【０１１４】
素子基板７１ａは、対向基板７１ｂの外側へ張り出す張出し部１０１を有する。この張出し部１０１には配線１０２が形成され、この配線１０２がシール材７２の内側へ延びて画素電極７６や対向電極７９に接続されている。また、張出し部１０１の辺縁には外部回路（図示せず）との間で電気的な接続をとるための外部接続端子１０３が形成されている。張出し部１０１の表面には駆動用ＩＣ１０４が実装され、その駆動用ＩＣ１０４の入力側バンプが外部接続端子１０３に接続し、その出力側バンプが配線１０２に接続している。駆動用ＩＣ１０４の働きにより、画素電極７６及び対向電極７９に走査信号及びデータ信号が印加される。
【０１１５】
以下、素子基板７１ａの液晶側表面上に形成されるＴＦＴ素子７５及び画素電極７６について簡単に説明する。図１１は、ＴＦＴ素子７５、画素電極７６、さらに、それらに付随する各種要素についての等価回路を示している。また、図１２は、素子基板７１ａにおけるＴＦＴ素子７５の近傍の断面構造を示している。なお、図１２においては、各要素の構造を分かり易く示すために、各要素の寸法の縮尺を実際のものと異ならせてある。
【０１１６】
図１１において、画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを供給するための配線であるデータ線８１が設けられる。また、走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍを供給するための配線である走査線８２が設けられる。また、容量線８３が設けられる。ＴＦＴ素子７５のソースはデータ線８１に接続され、ＴＦＴ素子７５のゲートは走査線８２に接続される。画素電極７６は、ＴＦＴ素子７５のドレインに接続され、ＴＦＴ素子７５を一定期間だけ閉じることにより、データ線８１から供給される画像信号Ｓ１，Ｓ２，…を所定のタイミングで書き込む。書き込まれた画像信号は、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【０１１７】
また、保持された画像信号のリークによってコントラスト比の低下やフリッカと呼ばれるちらつき等を防ぐため、画素電極７６と対向電極７９（図１０参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量８４を付加する。このような蓄積容量８４を形成するため、例えば、走査線８２と同層に容量線８３を設ける。
【０１１８】
次に、図１２に基づいて、図１０のＴＦＴ素子７５の近傍の断面構造を説明する。同図において、素子基板７１ａは、石英等から成る基材７４ａと、画素電極７６と、ＴＦＴ素子７５と、配向膜７７ａとを有する。ＴＦＴ素子７５は各画素電極７６をスイッチング制御する。一方、対向基板７１ｂは、透明なガラス、透明な石英等といった光透過性材料から成る基材７４ｂを有し、その基材７４ｂの液晶側表面上に、対向基板遮光層８６と、対向電極７９と、配向膜７７ｂとが形成される。
【０１１９】
素子基板７１ａは、例えば基材７４ａ上に単結晶シリコン基板を貼り合わせて成る複合基板を用いたものであり、基材７４ａの液晶側表面上に設けられた下側貼り合わせ膜８７と、その下側貼り合わせ膜８７の上に設けられている上側貼り合わせ膜８８との間が、基材７４ａと半導体基板との貼り合わせの界面となっている。上側貼り合わせ膜８８の表面上において、各ＴＦＴ素子７５に対応する位置には、不透明な高融点金属、例えばＴｉ，Ｃｒ等から成る遮光層８９が埋め込まれている。この遮光層８９は、単結晶シリコン基板の基材７４ａと貼り合わされる側の面に形成され、その後、基材７４ａ上に単結晶シリコン基板を貼り合わせることにより基材７４ａ上に形成されたものである。従って、遮光層８９は、遮光層８９が設けられた単結晶シリコン基板上に遮光層８９を覆うように形成された上側貼り合わせ膜８８によって埋め込まれた状態となっている。
【０１２０】
上側貼り合わせ膜８８上及び遮光層８９上には、第１層間絶縁膜９１が設けられている。この第１層間絶縁膜９１は、ＴＦＴ素子７５を構成する半導体層９２を遮光層８９から電気的に絶縁するためのものであり、基材７４ａの表面上の全面に形成されている。また、第１層間絶縁膜９１は、遮光層８９がＴＦＴ素子７５等を汚染するのを防止する。なお、複合基板ではなく公知の高温多結晶シリコンプロセスを用いて素子基板７１ａを形成できることは言うまでもない。
【０１２１】
遮光層８９及びこれに電気的に接続された容量線８３は、第１層間絶縁膜９１を貫通して遮光層８９に達するコンタクトホール９３を介して、定電位源に電気的に接続されることにより、定電位とされている。従って、遮光層８９に対向して配置されるＴＦＴ素子７５に対して遮光層８９の電位変動が悪影響を及ぼすことはない。
【０１２２】
ゲート絶縁膜９４を走査線８２に対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜９２を延設して第１蓄積容量電極９２ｆとし、さらに、これらに対向する容量線８３の一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量９５が構成されている。より詳細には、半導体層９２の高濃度ドレイン領域９２ｅがデータ線８１及び走査線８２の下に延設されて、同じくデータ線８１及び走査線８２に沿って延びる容量線８３の部分に絶縁膜９４を介して対向配置されて、第１蓄積容量電極９２ｆとされている。特に、蓄積容量９５の誘電体としての絶縁膜９４は、高温酸化により単結晶半導体層上に形成されるＴＦＴ素子７５のゲート絶縁膜９４に他ならないので、薄く且つ高耐圧の絶縁膜とすることができ、蓄積容量９５は比較的小面積で大容量の蓄積容量として構成できる。
【０１２３】
ＴＦＴ素子７５は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線８２と、該走査線８２からの電界によりチャネルが形成される半導体層９２のチャネル領域９２ａと、走査線８２と半導体層９２とを絶縁するゲート絶縁膜９４と、データ線８１と、半導体層９２の低濃度ソース領域（すなわち、ソース側ＬＤＤ領域）９２ｂと、低濃度ドレイン領域（すなわち、ドレイン側ＬＤＤ領域）９２ｃと、半導体層９２の高濃度ソース領域９２ｄと、高濃度ドレイン領域９２ｅとを有する。
【０１２４】
また、走査線８２、ゲート絶縁膜９４及び第１層間絶縁膜９１の上には、第２層間絶縁膜９６が形成されている。この第２層間絶縁膜９６には、高濃度ソース領域９２ｄへ通じるコンタクトホール９７及び高濃度ドレイン領域９２ｅへ通じるコンタクトホール９８が各々形成されている。ソース領域９２ｄへのコンタクトホール９７を介して、データ線８１は高濃度ソース領域９２ｄに電気的に接続されている。さらに、データ線８１及び第２層間絶縁膜９６の上には、第３層間絶縁膜９９が形成され、その第３層間絶縁膜９９には高濃度ドレイン領域９２ｅへのコンタクトホール９８が形成される。このコンタクトホール９８を介して、画素電極７６が高濃度ドレイン領域９２ｅに電気的に接続されている。
【０１２５】
上記構成より成る液晶ライトバルブ６６ｒ，６６ｇ，６６ｂには、図９に示したように、それぞれにＲ色光、Ｇ色光、Ｂ色光が供給される。各液晶ライトバルブで変調された後、ダイクロイックプリズム６７で合成され、積分的加法混色によるカラー表示が行われる。
【０１２６】
本実施形態の液晶ライトバルブ６６ｒ，６６ｇ，６６ｂによれば、図７において、複数の画素２を用いて表示を行えばデルタ配列の画素配列が構成され、それ故、低容量の画像データで斜め方向の解像度が向上して高品位の表示ができ、画像、例えば自然画の映像の表示に適した表示を行うことができる。一方、複数の第２画素Ａ（図１参照）を画素として表示を行えば、ストライプ、モザイク等といった正方配列の画素配列が構成され、それ故、画像ではない、文字、図形等といった線画を鮮明な輪郭で表示することができる。
【０１２７】
なお、本実施形態で採用できる画素構造は図７の画素構造、すなわち図１の画素構造に限られない。例えば、図２、図３、図４、その他本発明の範囲内にある任意の画素構造を採用できる。
【０１２８】
（電気光学装置の第５実施形態及び電子機器の第２実施形態）
図１３は、積分的加法混色を実現する液晶装置を含んで構成される電子機器の一例である液晶プロジェクタを示している。この液晶プロジェクタ１０６は、光を放出する光源６３と、フィルタ装置１０７と、液晶ライトバルブ６６と、投射レンズ６８と、スクリーン６９とを有する。光源６３は、白色光を発生するランプ６１と、リフレクタ６２とによって構成される。
【０１２９】
フィルタ装置１０７は、軸線Ｘ０を中心として矢印Ｃのように回転可能な回転体１０８と、その回転体１０８の円周軌跡上に設けられた複数、本実施形態では８個のフィルタ要素１０９とを有する。回転体１０８の回転移動は、モータ等といった駆動源を用いて画像データと同期して自動的に行われる。複数のフィルタ要素１０９は、Ｒ，Ｇ，Ｂを含んで９種類の異なった色に対応している。例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗ，Ｒ’，Ｇ’，Ｂ’等といった色を含むものとする。ここで、Ｗは白、Ｒ’はＲではないがＲに近い色、Ｇ’はＧではないがＧに近い色、Ｂ’はＢではないがＢに近い色を示している。
【０１３０】
複数のフィルタ要素１０９に関しては、回転体１０８の回転に従って、希望するいずれか１つを光源６３から液晶ライトバルブ６６へ至る光路Ｌ０上に配置できる。これにより、希望する色を液晶ライトバルブへ供給できる。また、回転体１０８の回転速度を高速にすれば、異なる複数の色を重ねた状態で人間の眼に表示できる。これにより、積分的加法混色によるカラー表示を行うことができる。本実施形態で液晶装置は、液晶ライトバルブ６６と、複数波長の光を液晶ライトバルブ６６に供給する光供給系とによって構成される。光供給系は、本実施形態の場合、光源６３及びカラーフィルタ装置１０７によって構成される。
【０１３１】
本実施形態では、液晶ライトバルブ６６内に図１に示すような画素２及び副画素３ａ〜３ｄが設けられている。Ｗ，Ｂ，Ｒ，Ｇの色、あるいは、それ以上の種類の色を設定できる。図１において複数の画素２を用いて表示を行えばデルタ配列の画素配列が構成され、それ故、低容量の画像データで斜め方向の解像度が向上して高品位の表示ができ、画像、例えば自然画の映像の表示に適した表示を行うことができる。一方、複数の第２画素Ａ（図１参照）を画素として表示を行えば、ストライプ、モザイク等といった正方配列の画素配列が構成され、それ故、画像ではない、文字、図形等といった線画を鮮明な輪郭で表示することができる。
【０１３２】
なお、本実施形態で採用できる画素構造は図１の画素構造に限られない。例えば、図２、図３、図４、その他本発明の範囲内にある任意の画素構造を採用できる。
【０１３３】
（電気光学装置の第６実施形態）
図１２に示した液晶ライトバルブ６６ｒ，６６ｇ，６６ｂは、素子基板７１ａ内の画素電極７６を透明材料によって形成し、さらに対向基板７１ｂ内の対向電極７９も透明材料によって形成した。このため、液晶ライトバルブ６６ｒ，６６ｇ，６６ｂは透過型の液晶装置として構成されている。これに対し、画素電極７６を光反射性の導電材料によって形成すれば、液晶ライトバルブ６６ｒ，６６ｇ，６６ｂを対向基板７１ｂ側を観察側とする反射型の液晶装置として使用できる。
【０１３４】
この場合には、データ線８１及び走査線８２は観察側から見て画素電極７６の裏側に配置されると共に、画素電極７６は不透明であるので、データ線８１及び走査線８２の引き回しは画素電極７６の位置に関わらず、比較的自由に行うことができる。例えば、図１４に示す例では、走査線８２の一部８２ａが副画素３ａ〜３ｄのいずれかを横切るように配置されているが、それらの副画素が不透明な反射層を兼用するのであれば、走査線８２ａが表示に悪影響を及ぼすことはない。
【０１３５】
また、図１５に示すように画素２が２つの副画素３ａ及び３ｂによって形成される場合、走査線８２が副画素３ａ及び３ｂを横切る配置となることがある。しかしながら、この場合でも、走査線８２が表示に悪影響を及ぼすことはない。
【０１３６】
なお、以上の説明では、走査線８２等が副画素を横切る場合でも表示に悪影響が及ばない例として反射型液晶装置を例示した。しかしながら、トップエミッション型のＥＬ装置に関しても同様のことが言える。何故ならば、トップエミッション型のＥＬ装置では、ＴＦＴ素子、走査線、データ線等が形成された素子基板の上に電極を形成し、その電極の上に有機ＥＬ発光層を形成し、さらにその有機ＥＬ発光層の上に透明電極を形成するという構成が採用されるので、走査線やデータ線が表示の邪魔にならないからである。
【０１３７】
（電気光学装置の第７実施形態）
図１２に示した液晶ライトバルブ６６ｒ，６６ｇ，６６ｂは、素子基板７１ａ内の画素電極７６を透明材料によって形成し、さらに対向基板７１ｂ内の対向電極７９も透明材料によって形成した。このため、液晶ライトバルブ６６ｒ，６６ｇ，６６ｂは透過型の液晶装置として構成されている。このような透過型の液晶装置では、走査線、データ線等といった配線が図１の副画素３ａ〜３ｄを横切ると、表示に悪影響が及ぶおそれがある。これを回避するため、配線は副画素３ａ〜３ｄを横切らないよう、副画素３ａ〜３ｄの分割辺４やその外周辺縁に沿って配置することが望ましい。例えば、図１６に示す実施形態では、走査線８２ａを副画素３ａ〜３ｄの外周辺縁に沿うように配置してある。
【０１３８】
図１６は画素２を４つの副画素３ａ〜３ｄに分割する場合の適用例であるが、図１７に示すように、画素２を２分割する場合にも、走査線８２、データ線８１、あるいはその他の配線を副画素３ａ及び３ｂの分割辺４や外周辺縁に沿わせて配置することが望ましい。
【０１３９】
なお、走査線８２等といった配線を副画素の分割辺や外周辺縁に沿わせるという構成は、上記のような透過型の液晶装置に限られず、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置に対しても好適である。何故ならば、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置では、ＴＦＴ素子、走査線、データ線等が形成された素子基板の上に透明電極を形成し、その透明電極の上に有機ＥＬ発光層を形成し、さらにその有機ＥＬ発光層の上に不透明電極を形成することにより、素子基板側を観察側とするので、走査線、データ線、その他の配線が表示の邪魔になるからである。
【０１４０】
（電気光学装置の第８実施形態）
図１６の実施形態や図１７の実施形態では、走査線８２等といった配線がジグザグの配列構造をとっているので、配線抵抗や断線を考慮すると好ましくない。このことを解消するため、図１８に示すように、配線、例えば走査線８２を副画素３ａ〜３ｄの分割辺４に沿って２本まとめて直線的に配置することが望ましい。この場合、複数の走査線８２の間隔は等間隔ではなくて不等間隔になるが、表示上は何等の問題はない。
【０１４１】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【０１４２】
例えば、以上の説明では電気光学装置として、液晶装置、有機ＥＬ装置を例示したが、本発明はその他任意の電気光学装置、例えば、ＰＤＰ（Plasma Display：プラズマディスプレイ装置）、ＦＥＤ（Field Emission Display：フィールドエミッションディスプレイ装置）、ＳＥＤ（Surface-Conduction Electron-Emitter Display）等にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【０１４３】
本発明に係る画素構造は、液晶装置、有機ＥＬ装置等といった電気光学装置において画像や線画を表示する際に好適に用いられる。また、本発明に係る電気光学装置は、電子機器としての液晶プロジェクタにおけるライトバルブとして用いられたり、携帯電話機、携帯情報端末機等といった電子機器において各種の表示を行うための表示装置として用いられたりする。また、本発明に係る電子機器は、液晶プロジェクタ、携帯電話機、携帯情報端末機等として利用される。
【図面の簡単な説明】
【０１４４】
【図１】本発明に係る画素構造の一実施形態を示す平面図である。
【図２】本発明に係る画素構造の他の一実施形態を示す平面図である。
【図３】本発明に係る画素構造のさらに他の一実施形態を示す平面図である。
【図４】本発明に係る画素構造のさらに他の一実施形態を示す平面図である。
【図５】本発明に係る電気光学装置の一実施形態を示す制御ブロック図である。
【図６】本発明に係る電気光学装置の他の一実施形態である液晶装置の断面構造を示す断面図である。
【図７】図６の電気光学装置で用いる画素構造と光の色との関連の一例を示す平面図である。
【図８】図６の電気光学装置で用いる画素構造と光の色との関連の他の一例を示す平面図である。
【図９】本発明に係る電子機器の一実施形態である液晶プロジェクタの構造を示す図である。
【図１０】図９の液晶プロジェクタで用いられる液晶ライトバルブの一例を示す断面図である。
【図１１】図１０の液晶ライトバルブで用いられるＴＦＴ素子及びそれに接続される各要素の等価回路を示す図である。
【図１２】図１１に示す等価回路内のＴＦＴ素子の具体的な構造の一例を示す断面図である。
【図１３】本発明に係る電子機器の一実施形態である液晶プロジェクタの構造の他の例を示す図である。
【図１４】本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態の要部である、画素と配線との関係を示す平面図である。
【図１５】本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態の要部である、画素と配線との関係を示す平面図である。
【図１６】本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態の要部である、画素と配線との関係を示す平面図である。
【図１７】本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態の要部である、画素と配線との関係を示す平面図である。
【図１８】本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態の要部である、画素と配線との関係を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１４５】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ：画素構造、  ２：画素、  ３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ：副画素、４：分割辺、  ２０：液晶装置（電気光学装置）、  ２１：液晶パネル、  ２２：照明装置、  ２３ａ：素子基板、  ２３ｂ：対向基板、  ２６：液晶層、  ２７ａ，２７ｂ：基材、  ２８：ＴＦＤ素子、  ２９：画素電極、  ３３：カラーフィルタ、
３４：対向電極、  ３６：着色要素、  ６０：液晶プロジェクタ（電子機器）、
６６ｒ，６６ｇ，６６ｂ：液晶ライトバルブ（電気光学装置）、  ６４：ダイクロイックミラー、  ６５：反射ミラー、  ７１ａ：素子基板、  ７１ｂ：対向基板、
７３：液晶層、  ７４ａ，７４ｂ：基材、  ７５：ＴＦＴ素子、  ７６：画素電極、
７９：対向電極、  ８１：データ線、  ８２：走査線、  ８３：容量線、
１０６：液晶プロジェクタ（電子機器）、  １０７：フィルタ装置、  １０８：回転体、
１０９：フィルタ要素、  Ａ：第２画素、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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