(57)【要約】【課題】  回路構造を簡略化する。【解決手段】  表面実装型半導体パッケージによって形成された半導体集積チップ１３を、放熱用ランド１１が形成された回路基板１２に取り付ける。また、半導体集積チップ１３内に、二次電池５０に対する充電を制御するパワートランジスタ１５を設ける。【効果】  二次電池に対する充電を制御するパワートランジスタを半導体チップ内に搭載する構成としたため、パワートランジスタと、このパワートランジスタを駆動制御するための半導体チップとを別体に用意する場合と比較して、回路構成を大幅に簡略化することができ、回路規模を大幅に削減することができる。したがって、二次電池を搭載する電子情報機器などの小型化・低コスト化に貢献することができる。【選択図】  図１
2005108683.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの大きさと略同等な大きさを有する表面実装型半導体パッケージにおいて、
前記半導体チップ内に、二次電池に対する充電を制御するパワートランジスタを備えていること
を特徴とする表面実装型半導体パッケージ。
【請求項２】
二次電池に対する充電を制御する充電制御回路装置において、
回路基板と、
前記回路基板上に金属材料によって形成された放熱用ランドと、
前記放熱用ランドに取り付けられ、半導体チップの大きさと略同等な大きさを有する表面実装型半導体パッケージとを備え、
前記表面実装型半導体パッケージにおける前記半導体チップ内に、二次電池に対する充電を制御するパワートランジスタを備えていること
を特徴とする充電制御回路装置。
【請求項３】
前記回路基板上に配設され、前記パワートランジスタからの出力を整流するダイオードをさらに備えること
を特徴とする請求項２記載の充電制御回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二次電池に対する充電を制御するための表面実装型半導体パッケージ及び充電制御回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えば携帯型電話機や各種のＰＤＡ(Personal  Digital  Assistant)機器などの電子情報機器には、二次電池が搭載されている。近年、このような電子情報機器においては、小型化・高性能化が目覚ましく、また、駆動時間を長時間化することが臨まれている。したがって、二次電池の充放電を高度に制御することが要求されている。
【０００３】
二次電池の充電を制御する充電制御回路としては、従来から、図４及び図５に示すような回路が用いられている。すなわち、従来の充電制御回路１００においては、図４及び図５に示すように、外部アダプタから供給される電力の供給路上に、二次電池１５０への電力供給を制御するパワートランジスタ１０１と、このパワートランジスタ１０１からの出力を整流するダイオード１０２とが配設されている。
【０００４】
また、パワートランジスタ１０１は、半導体集積チップ１０３が接続されており、この半導体集積チップ１０３によって動作が制御される。なお、パワートランジスタ１０１としては、例えば、Ｐ−ｃｈＦＥＴやＰＮＰ型バイポーラトランジスタのパワートランジスタが用いられる（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−３０８７７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述の充電制御回路１００が搭載される電子情報機器は、主として携行する用途で用いられるため、可能な限り小型化を図ることが望まれている。このため、充電制御回路１００においても回路構成を簡略化して小型化を図ることが求められている。
【０００７】
そこで、例えば、従来の充電制御回路１００におけるトランジスタ１０１を半導体集積チップ１０３内に実装して一体化することなどが望まれている。しかしながら、従来の充電制御回路１００は、トランジスタ１０１の動作を制御する半導体集積チップ１０３として、一般に広く用いられている樹脂モールド型のパッケージが使用されている。このような樹脂モールド型のパッケージは、発熱源となる半導体チップが樹脂によってモールドされているという構造上、放熱特性が良好ではない。このため、半導体集積チップ１０３は、供給可能な最大電力（パッケージパワー）が５００ｍＷ程度とされており、より大電流で駆動するパワートランジスタ１０１を内部に実装することができないという問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、上述した従来の実情に鑑みてなされたものであり、二次電池に対する充電の制御をより簡略な構成で実現することが可能な表面実装型半導体パッケージ及び充電制御回路装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る表面実装型半導体パッケージは、半導体チップの大きさと略同等な大きさを有する表面実装型半導体パッケージであって、前記半導体チップ内に、二次電池に対する充電を制御するパワートランジスタを備えていることを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明に係る充電制御回路装置は、二次電池に対する充電を制御する充電制御回路装置であって、回路基板と、前記回路基板上に金属材料によって形成された放熱用ランドと、前記放熱用ランドに取り付けられ、半導体チップの大きさと略同等な大きさを有する表面実装型半導体パッケージとを備え、前記表面実装型半導体パッケージにおける前記半導体チップ内に、二次電池に対する充電を制御するパワートランジスタを備えていることを特徴とするものである。
【００１１】
以上のように構成された本発明に係る表面実装型半導体パッケージ及び充電制御回路装置によれば、半導体チップが樹脂によってモールドされていない表面実装型半導体パッケージにパワートランジスタが搭載されていることから、供給する最大電力（パッケージパワー）を増大させた場合であっても、このパワートランジスタで生じた発熱を効果的に外部に放出することができるため、発熱による問題が生じる虞がない。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る表面実装型半導体パッケージ及び充電制御回路装置は、二次電池に対する充電を制御するパワートランジスタを半導体チップ内に搭載する構成としたため、パワートランジスタと、このパワートランジスタを駆動制御するための半導体チップとを別体に用意する場合と比較して、回路構成を大幅に簡略化することができ、回路規模を大幅に削減することができる。したがって、二次電池を搭載する電子情報機器などの小型化・低コスト化に貢献することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。以下では、本発明を適用した一構成例として、図１及び図２に示す充電制御回路装置１０について説明する。
【００１４】
充電制御回路装置１０は、図２に示すように、金属材料によって形成された放熱用ランド１１を有する回路基板１２を備え、この回路基板１２上に、二次電池５０に対する充電を制御する半導体集積チップ１３と、この半導体集積チップ１３からの出力を整流するダイオード１４が配設されている。半導体集積チップ１３及びダイオード１４は、図１に示すように、外部アダプタから二次電池５０に対して供給される電力の供給路上に配設されている。
【００１５】
半導体集積チップ１３は、表面実装型半導体パッケージによって構成されている。具体的には、例えば、半導体チップに外部取り出し電極部を形成し、電極部が形成された面を樹脂によって封止してなるウエハレベル・チップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ：Wafer  Level  Chip  Size  Package）として形成されている。このため、半導体集積チップ１３は、従来から広く利用されているような、半導体チップが樹脂によってモールドされた従来構造のパッケージと比較して大幅に実装効率を向上することが可能である。また、表面実装型半導体パッケージによって構成されてなる半導体集積チップ１３は、半導体チップ全体が樹脂によってモールドされていないことから、優れた放熱特性を有している。
【００１６】
また、半導体集積チップ１３は、図２に示すように、二次電池５０に対する充電を制御するパワートランジスタ１５と、このパワートランジスタ１５を駆動制御する制御回路１６とを内部に備えている。なお、図２においては、パワートランジスタ１５をＰ−ｃｈＦＥＴ或いはＰＮＰ型のパワートランジスタとして図示しているが、パワートランジスタ１５としては、例えば、Ｐ−ｃｈ型トランジスタ、Ｎ−ｃｈ型トランジスタ、ＰＮＰ型トランジスタ、或いはＮＰＮ型トランジスタなどの任意の種類のトランジスタを用いることができる。
【００１７】
ここで、半導体集積チップ１３は、図１に示すように、回路基板１２に形成された放熱用ランド１１上に取り付けられている。したがって、パワートランジスタ１５により発生した熱を、放熱用ランド１１を介して効果的に放出することが可能とされている。
【００１８】
充電制御回路装置１０では、半導体集積チップ１３が表面実装型半導体パッケージとされ、尚且つ放熱用ランド１１上に配設されていることにより、この半導体集積チップ１３が十分な放熱特性を備える構成とされており、供給可能な最大電流（パッケージパワー）が２Ｗ〜３Ｗ程度とされている。したがって、パワートランジスタ１５を半導体集積チップ１３内に搭載して一体化し、このパワートランジスタ１５を十分に駆動可能とされている。
【００１９】
なお、半導体集積チップ１３を放熱用ランド１１に取り付けるに際しては、図３（ａ）に示すように、電極部１３ａが形成された側を放熱用ランド１１に向けて取り付けるとしてもよいし、図３（ｂ）に示すように、電極部１３ａが形成された側と反対側、すなわちシリコン基材１３ｂが外方に露出する側を放熱用ランド１１に向けて取り付けるとしてもよい。
【００２０】
以上のように構成された充電制御回路装置１０においては、二次電池５０に対する充電を制御するパワートランジスタ１５を半導体チップ１３内に搭載する構成としたため、パワートランジスタと、このパワートランジスタを駆動制御するための半導体チップとを別体に用意する従来構造と比較して、回路構成を大幅に簡略化することができ、回路規模を大幅に削減することができる。したがって、二次電池を搭載する電子情報機器などの小型化・低コスト化に貢献することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態として例示する充電制御回路装置の概略を示す回路図である。
【図２】同充電制御回路装置の概略を示す概略図である。
【図３】同充電制御回路装置において半導体集積チップを放熱用ランドに取り付ける場合の例を示す模式図であり、（ａ）は、半導体集積チップの電極部側を放熱用ランドに取り付ける場合を示し、（ｂ）は、半導体集積チップのシリコン基材側を放熱用ランドに取り付ける場合を示す模式図である。
【図４】従来構造の充電制御回路の一例を示す回路図である。
【図５】従来構造の充電制御回路の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００２２】
１０    充電制御回路装置
１１    放熱用ランド
１２    回路基板
１３    半導体集積チップ
１４    ダイオード
１５    パワートランジスタ
５０    二次電池
【図１】
2005108683.tif 000003
【図２】
2005108683.tif 000004
【図３】
2005108683.tif 000005
【図４】
2005108683.tif 000006
【図５】
2005108683.tif 000007