(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、粒状性、鮮鋭性が改良され、かつ画像欠陥が低減された放射線画像変換パネルとその製造方法を提供することである。【解決手段】  気相堆積法により、基材上に輝尽性蛍光体層を形成する放射線画像変換パネル製造方法において、該膜形成装置は、蒸着室を真空状態とする排気手段及び真空度を測定する真空計を有し、該蒸着室は、基材配置手段及び基材表面に輝尽性蛍光体を主体とする原料を堆積させる原料蒸発手段を有し、該蒸着室は基材加熱手段と基材温度測定または基材温度推定手段を有し、該蒸着室を大気圧から減圧して真空状態にし、該原料を蒸発させて該基材へ堆積させる堆積過程の前に、該蒸着室を該堆積過程で設定する真空度Ｐ1よりも高い真空度Ｐ2に設定し、かつ該堆積過程で設定する基材温度Ｔ1よりも高い基材温度Ｔ2に設定して一定時間保持することを特徴とする放射線画像変換パネル製造方法。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相堆積法により原料を堆積させる膜形成装置を用いて、基材上に少なくとも１層の輝尽性蛍光体層を膜形成する放射線画像変換パネル製造方法において、
該膜形成装置は、蒸着室を排気手段で減圧して真空状態とする排気手段及び該蒸着室内の真空度を測定する真空計とを有し、
該蒸着室は、基材配置手段及び配置された基材表面に輝尽性蛍光体を主体とする原料を堆積させるための原料蒸発手段とを有し、
該蒸着室は、基材加熱手段と、基材温度測定または基材温度推定手段とを有し、
該蒸着室を大気圧から減圧して真空状態にし、該原料を蒸発させて該基材へ堆積させる堆積過程の前に、該蒸着室を該堆積過程で設定する真空度Ｐ1よりも高い真空度Ｐ2に設定し、かつ該堆積過程で設定する基材温度Ｔ1よりも高い基材温度Ｔ2に設定して一定時間保持することを特徴とする放射線画像変換パネル製造方法。
【請求項２】
前記堆積過程の前に、前記真空度Ｐ2及び前記基材温度Ｔ2を一定時間保持する際に、同時に蒸着室壁面も加熱することを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネル製造方法。
【請求項３】
気相堆積法により原料を堆積させる膜形成装置を用いて、基材上に少なくとも１層の輝尽性蛍光体層を膜形成する放射線画像変換パネル製造方法において、
該膜形成装置は、蒸着室を排気手段で減圧して真空状態とする排気手段及び該蒸着室内の真空度を測定する真空計とを有し、
該蒸着室は、基材配置手段及び配置された基材表面に輝尽性蛍光体を主体とする原料を堆積させるための原料蒸発手段とを有し、
該蒸着室は、基材加熱手段と、基材温度測定または基材温度推定手段とを有し、該原料を全て蒸発させて該基材上へ堆積させる堆積過程の後、該堆積過程で設定する真空度Ｐ1よりも低い真空度Ｐ3に設定し、かつ該堆積過程で設定する基材温度Ｔ1よりも低い基材温度Ｔ3に設定して一定時間保持することを特徴とする放射線画像変換パネル製造方法。
【請求項４】
気相堆積法により原料を堆積させる膜形成装置を用いて、基材上に少なくとも１層の輝尽性蛍光体層を膜形成する放射線画像変換パネル製造方法において、
該膜形成装置は、蒸着室を排気手段で減圧して真空状態とする排気手段及び該蒸着室内の真空度を測定する真空計とを有し、
該蒸着室は、基材配置手段及び配置された基材表面に輝尽性蛍光体を主体とする原料を堆積させる堆積過程で用いる原料蒸発手段とを有し、該原料を蒸発させて該基材上へ堆積させる堆積過程で、経過時間により真空度Ｐ1を変化させることを特徴とする放射線画像変換パネル製造方法。
【請求項５】
前記原料蒸発手段を複数有し、該原料蒸発手段を任意の組合せで順次原料の蒸発を行って基材へ堆積させる際、それぞれの該原料の蒸発毎に真空度Ｐ1を変化させることを特徴とする請求項４に記載の放射線画像変換パネル製造方法。
【請求項６】
前記経過時間または前記原料の蒸発毎に変化させる真空度Ｐ1は、初期の真空度が最も低く、その後真空度を高くすることを特徴とする請求項４または５に記載の放射線画像変換パネル製造方法。
【請求項７】
前記基材上へ堆積させる堆積過程における真空度を、低真空から高真空に変化させ、次いで低真空に戻し、再び高真空とする操作を繰り返すことを特徴とする請求項６に記載の放射線画像変換パネル製造方法。
【請求項８】
気相堆積法により原料を堆積させる膜形成装置を用いて、基材上に少なくとも１層の輝尽性蛍光体層を膜形成する放射線画像変換パネル製造方法において、
該膜形成装置は、蒸着室を排気手段で減圧して真空状態とする排気手段及び該蒸着室内の真空度を測定する真空計とを有し、
該蒸着室は、基材配置手段及び配置された基材表面に輝尽性蛍光体を主体とする原料を堆積させるための原料蒸発手段とを有し、
該原料蒸発手段を複数有し、該原料蒸発手段を任意の組合せで順次原料の蒸発を行って基材へ堆積させる際、次に蒸発を行う該原料蒸発手段をあらかじめ原料の蒸発が起きない範囲で予備加熱を行って保持しておくことを特徴とする放射線画像変換パネル製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル製造方法により製造された放射線画像変換パネルであって、基材上に形成された少なくとも１層の輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光体が柱状結晶を有することを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項１０】
前記柱状結晶の主成分が、下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体であることを特徴とする請求項９に記載の放射線画像変換パネル。
一般式（１）
ＣｓＸ：Ａ
〔式中、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、ＴｂまたはＣｓを表す。〕
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線等の放射線画像を輝尽性蛍光体に蓄積記憶させた後、輝尽性蛍光体を励起光で走査することによる輝尽発光を利用して画像情報を得るのに用いられる放射線画像変換パネルとその製造方法に関し、詳しくは、基材上に気相堆積法によって形成された輝尽性蛍光体を有する放射線画像変換パネルとその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、放射線画像を得るために銀塩を使用した、いわゆる放射線写真法が利用されているが、銀塩を使用しないで放射線像を画像化する方法が開発されている。即ち、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収せしめ、しかる後この蛍光体をある種のエネルギーで励起してこの蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法が開示されている。
【０００３】
上記の画像形成方法としては、例えば、米国特許第３，８５９，５２７号及び特開昭５５−１２１４４号等に開示された様な基材上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用するものである。この放射線画像変換パネルは、輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線をあてて被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを輝尽性蛍光体層に蓄積させて潜像（蓄積像）を形成する。次いで、この輝尽性蛍光体層を、輝尽励起光（レーザ光が用いられる）で走査することによって各部に蓄積された放射線エネルギーを放射させて光に変換し、この光の強弱を読みとって画像を得る方法である。この画像は、ＣＲＴ等各種のディスプレイ上に再生してもよいし、又ハードコピーとして再生してもよい。
【０００４】
この放射線画像変換パネルは、基材上に結着樹脂溶液に蛍光体粒子を分散した液を塗布乾燥する方法によって形成された分散タイプの蛍光体層を有するものと、基材上に気相堆積法によって形成された蒸着タイプの蛍光体層を有するものとがあり、何れの放射線画像変換パネルに要求される特性は、放射線に対する感度と形成される画像の粒状性及び鮮鋭性である。
【０００５】
この放射線像変換方法に用いられる放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層は、放射線吸収率及び光変換率が高いこと、画像の粒状性がよいこと、高鮮鋭性であることが要求される。通常、放射線に対する感度を高くするには、輝尽性蛍光体層の膜厚を厚くする必要があるが、余り厚くなりすぎると、輝尽性蛍光体粒子間での輝尽発光の散乱のため、発光が外部に出てこなくなる現象があり、自ずと限界がある。また、鮮鋭性については、輝尽性蛍光体層を薄層化するほど向上するが、薄すぎると感度低下が大きくなる。
【０００６】
また、画像の粒状性は、放射線量子数の場所的なゆらぎ（量子モトル）、あるいは放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的な乱れ（構造モトル）等によって決定される。輝尽性蛍光体層の層厚が薄くなると、輝尽性蛍光体層に吸収される放射線量子数が減少して量子モトルが増加したり、構造的な乱れが顕在化して構造モトルが増加したりして画質低下を生ずる。従って、画像粒状性を向上させるためには、輝尽性蛍光体層の層厚が厚い必要があった。
【０００７】
蒸着タイプの蛍光体層は、分散タイプの蛍光体層に比較すると、蛍光体が１００％であるから、蛍光体が同じ場合、同じ層厚では感度が優れ、放射線吸収率が高いことにより相対的に量子モトルが減少して粒状性も優れる放射線画像変換パネルを達成することができ、感度を同じ程度にすれば層厚を薄くできて、層厚内での放射線や励起光の拡散が減少し鮮鋭性の優れた放射線画像変換パネルを得ることができる筈であるが、感度の優れた放射線画像変換パネルを与えることは上述のように容易であっても、粒状性と鮮鋭性とが共に優れた放射線画像変換パネルを与えることは技術的な障害が大きいのが現状である。
【０００８】
この様に、様々な要因から放射線画像変換パネルを用いた放射線画像変換方法の画質及び感度は決定される。これらの感度や画質に関する複数の因子を調整して、感度や画質を改良するため、これまで様々な気相堆積方法が検討されてきた。
【０００９】
通常、大気圧の状態の蒸着室に基材及び原料を準備し、真空ポンプなどで室内の空気を排気して真空状態とする。この際、雰囲気ガスとしてＡｒガスなどの不活性ガスを導入する方法もとられている。更に、基材を加熱しながら原料堆積を行う場合に、基材の加熱を行ってから基材への原料堆積を行う方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この方法では、基材への原料堆積を行う際の真空度、基材温度に達すればよく、いずれの測定値も所定値に到達した後、直ちに基材への原料堆積を行う方法であり、得られる放射線画像変換パネルの性能が、十分に引き出せないという課題を抱えている。
【００１０】
また、上記特許文献１では、基板を加熱器により加熱しながら蒸着膜を形成した後、加熱器の出力を段階的に下げて基板を徐々に冷却する方法が開示されている。しかし、この特許文献１で提案された方法では、基材の加熱を停止した後、基材の自然冷却速度よりも強制的に遅くする、もしくは意図的に基材の冷却速度をコントロールする必要がある場合には有効であるが、一般的には、基材の自然冷却速度で基材を冷却すればよいことであり、一方で、基材の冷却過程ではその膜質を維持するために真空度も変化させることが望ましく、原料堆積時の基材温度・真空度から急激に変化させず一旦インターバルをおいて、常温、常圧へ導くことが効果的であるが、このような技術に関しては一切の開示はない。
【００１１】
また、基材への原料堆積は、所望とする画質および膜質を得るため、その目的に合わせた最適な真空度を設定することが一般的である。例えば、複数の異種蒸着材料をそれぞれ基板の成膜面に蒸着する際に、異種蒸着材料の内の一つの蒸着材料について、その固有の真空度でそれぞれ蒸着を行う技術が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
【００１２】
上記特許文献２に記載の方法は、基材へ堆積させる原料が異なる場合であり、異なる原料で真空度を変更し、原料を蒸発させ基材へ堆積させることはいわば当然である。本発明のように、同一原料で基材への原料堆積の際に真空度を適宜変化させて、最適条件を達成する方法に関しては、一切言及や示唆がなされてはいない。
【００１３】
また、所定の蒸発位置に成膜材料を供給する材料供給装置が開示されている（例えば、特許文献３参照。）。この特許文献３では、成膜材料を回転可能なターレットと、ターレットに装填された成膜材料をターレットの回転軸の延在方向に移動することにより成膜材料を所定の蒸発位置に移動する方法である。この方法では、蒸発位置が一つしかない場合であり、複数の原料蒸発手段から原料蒸発を行う場合とは異なる構成である。本発明のように、複数の原料蒸発手段から原料蒸発を行う場合において、次に蒸発を行う蒸発源をあらかじめ予備加熱を行って保持しておく技術に関しては、一切言及や示唆がなされてはいない。
【００１４】
この様な状況から、輝尽性蛍光体層の厚さを薄くし、輝尽性蛍光体層厚内での放射線や励起光の拡散が減少して、粒状性、鮮鋭性に優れた放射線画像変換パネルを気相堆積方法により安定して作製できる放射線画像変換パネルの製造方法及び放射線画像変換パネルの製造方法により製造する放射線画像変換パネルの開発が望まれている。
【特許文献１】特開２００２−１０７４９６号公報
【特許文献２】特開平６−１７２９９８号公報
【特許文献３】特開２００３−２４７０６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、粒状性、鮮鋭性が改良され、かつ画像欠陥が低減された放射線画像変換パネルとその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成される。
（請求項１）
気相堆積法により原料を堆積させる膜形成装置を用いて、基材上に少なくとも１層の輝尽性蛍光体層を膜形成する放射線画像変換パネル製造方法において、
該膜形成装置は、蒸着室を排気手段で減圧して真空状態とする排気手段及び該蒸着室内の真空度を測定する真空計とを有し、
該蒸着室は、基材配置手段及び配置された基材表面に輝尽性蛍光体を主体とする原料を堆積させるための原料蒸発手段とを有し、
該蒸着室は、基材加熱手段と、基材温度測定または基材温度推定手段とを有し、
該蒸着室を大気圧から減圧して真空状態にし、該原料を蒸発させて該基材へ堆積させる堆積過程の前に、該蒸着室を該堆積過程で設定する真空度Ｐ1よりも高い真空度Ｐ2に設定し、かつ該堆積過程で設定する基材温度Ｔ1よりも高い基材温度Ｔ2に設定して一定時間保持することを特徴とする放射線画像変換パネル製造方法。
（請求項２）
前記堆積過程の前に、前記真空度Ｐ2及び前記基材温度Ｔ2を一定時間保持する際に、同時に蒸着室壁面も加熱することを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネル製造方法。
（請求項３）
気相堆積法により原料を堆積させる膜形成装置を用いて、基材上に少なくとも１層の輝尽性蛍光体層を膜形成する放射線画像変換パネル製造方法において、
該膜形成装置は、蒸着室を排気手段で減圧して真空状態とする排気手段及び該蒸着室内の真空度を測定する真空計とを有し、
該蒸着室は、基材配置手段及び配置された基材表面に輝尽性蛍光体を主体とする原料を堆積させるための原料蒸発手段とを有し、
該蒸着室は、基材加熱手段と、基材温度測定または基材温度推定手段とを有し、該原料を全て蒸発させて該基材上へ堆積させる堆積過程の後、該堆積過程で設定する真空度Ｐ1よりも低い真空度Ｐ3に設定し、かつ該堆積過程で設定する基材温度Ｔ1よりも低い基材温度Ｔ3に設定して一定時間保持することを特徴とする放射線画像変換パネル製造方法。
（請求項４）
気相堆積法により原料を堆積させる膜形成装置を用いて、基材上に少なくとも１層の輝尽性蛍光体層を膜形成する放射線画像変換パネル製造方法において、
該膜形成装置は、蒸着室を排気手段で減圧して真空状態とする排気手段及び該蒸着室内の真空度を測定する真空計とを有し、
該蒸着室は、基材配置手段及び配置された基材表面に輝尽性蛍光体を主体とする原料を堆積させる堆積過程で用いる原料蒸発手段とを有し、該原料を蒸発させて該基材上へ堆積させる堆積過程で、経過時間により真空度Ｐ1を変化させることを特徴とする放射線画像変換パネル製造方法。
（請求項５）
前記原料蒸発手段を複数有し、該原料蒸発手段を任意の組合せで順次原料の蒸発を行って基材へ堆積させる際、それぞれの該原料の蒸発毎に真空度Ｐ1を変化させることを特徴とする請求項４に記載の放射線画像変換パネル製造方法。
（請求項６）
前記経過時間または前記原料の蒸発毎に変化させる真空度Ｐ1は、初期の真空度が最も低く、その後真空度を高くすることを特徴とする請求項４または５に記載の放射線画像変換パネル製造方法。
（請求項７）
前記基材上へ堆積させる堆積過程における真空度を、低真空から高真空に変化させ、次いで低真空に戻し、再び高真空とする操作を繰り返すことを特徴とする請求項６に記載の放射線画像変換パネル製造方法。
（請求項８）
気相堆積法により原料を堆積させる膜形成装置を用いて、基材上に少なくとも１層の輝尽性蛍光体層を膜形成する放射線画像変換パネル製造方法において、
該膜形成装置は、蒸着室を排気手段で減圧して真空状態とする排気手段及び該蒸着室内の真空度を測定する真空計とを有し、
該蒸着室は、基材配置手段及び配置された基材表面に輝尽性蛍光体を主体とする原料を堆積させるための原料蒸発手段とを有し、
該原料蒸発手段を複数有し、該原料蒸発手段を任意の組合せで順次原料の蒸発を行って基材へ堆積させる際、次に蒸発を行う該原料蒸発手段をあらかじめ原料の蒸発が起きない範囲で予備加熱を行って保持しておくことを特徴とする放射線画像変換パネル製造方法。
（請求項９）
請求項１〜８のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル製造方法により製造された放射線画像変換パネルであって、基材上に形成された少なくとも１層の輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光体が柱状結晶を有することを特徴とする放射線画像変換パネル。
（請求項１０）
前記柱状結晶の主成分が、下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体であることを特徴とする請求項９に記載の放射線画像変換パネル。
【００１７】
一般式（１）
ＣｓＸ：Ａ
〔式中、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、ＴｂまたはＣｓを表す。〕
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、粒状性、鮮鋭性が改良され、かつ画像欠陥が低減された放射線画像変換パネルとその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２０】
本発明の放射線画像変換パネル製造方法は、気相堆積法により原料を堆積させる膜形成装置を用いて、基材上に少なくとも１層の輝尽性蛍光体層を膜形成する放射線画像変換パネル製造方法であって、該膜形成装置は、蒸着室を排気手段で減圧して真空状態とする排気手段及び該蒸着室内の真空度を測定する真空計とを有し、該蒸着室は、基材配置手段及び配置された基材表面に輝尽性蛍光体を主体とする原料を堆積させるための原料蒸発手段とを有し、
第１の発明においては、蒸着室は、基材加熱手段と、基材温度測定または基材温度推定手段とを有し、蒸着室を大気圧から減圧して真空状態にし、原料を蒸発させて該基材へ堆積させる堆積過程の前に、蒸着室を堆積過程で設定する真空度Ｐ1よりも高い真空度Ｐ2に設定し、かつ堆積過程で設定する基材温度Ｔ1よりも高い基材温度Ｔ2に設定して一定時間保持することを特徴とする。
【００２１】
また、第２の発明では、蒸着室は、基材加熱手段と、基材温度測定または基材温度推定手段とを有し、原料を全て蒸発させて該基材上へ堆積させる堆積過程の後、堆積過程で設定する真空度Ｐ1よりも低い真空度Ｐ3に設定し、かつ堆積過程で設定する基材温度Ｔ1よりも低い基材温度Ｔ3に設定して一定時間保持することを特徴とする。
【００２２】
また、第３の発明では、原料を蒸発させて基材上へ堆積させる堆積過程で、経過時間により真空度Ｐ1を変化させることを特徴とする。
【００２３】
また、第４の発明では、原料蒸発手段を複数有し、原料蒸発手段を任意の組合せで順次原料の蒸発を行って基材へ堆積させる際、次に蒸発を行う原料蒸発手段をあらかじめ原料の蒸発が起きない範囲で予備加熱を行って保持しておくことを特徴とする。
【００２４】
本発明のおいては、上述の第１〜第４の発明から選ばれる少なくとも１つの発明を、あるいは上述の第１〜第４の発明を適宜複数手段組み合わせた放射線画像変換パネル製造方法を用いることにより、粒状性、鮮鋭性が改良され、かつ画像欠陥が低減された放射線画像変換パネルとその製造方法を提供することができるものである。
【００２５】
以下、本発明の詳細について説明する。
【００２６】
はじめに、本発明の放射線画像変換パネルついて、図を用いて具体的に説明する。
【００２７】
図１は、本発明の放射線画像変換パネルを構成する気相堆積法により形成した輝尽性蛍光体層の構成の一例を示す断面図である。
【００２８】
図１において、基材１１上に、気相堆積法により輝尽性蛍光体層１２が形成され、更にその上部に保護層１３を設けて、輝尽蛍光体プレートが構成されている。放射線画像変換パネルは、この輝尽蛍光体プレートを、カーボン繊維強化樹脂（ＣＦＲＰ）、ガラスエポキシ樹脂等で出来たトレー上に接着剤等で固定し、輝尽性蛍光体プレートの周縁部を接着剤（不図示）で封入して、輝尽性蛍光体層が密閉された構造となっている。
【００２９】
図２は、本発明の放射線画像変換パネルを用いた放射線像変換方法の一例を示す概略図である。
【００３０】
図２において、２１は放射線発生装置、２２は被写体、２３は本発明の放射線画像変換パネル、２４はレーザ等の輝尽励起光源、２５は放射線画像変換パネル２３により放射された輝尽蛍光を検出する光電変換装置、２６は光電変換装置２５で検出された信号を画像として再生する再生装置、２７は再生された画像を表示する表示装置、２８は輝尽励起光と輝尽蛍光とを分離し、輝尽蛍光のみを透過させるフィルタである。なお、２５〜２７は放射線画像変換パネル２３からの光情報を何らかの形で画像として再生できるものであればよく、上記に限定されるものではない。
【００３１】
図２に示されるように、放射線発生装置２１からの放射線Ｒは、被写体２２を通して放射線画像変換パネル２３に入射光ＲＩとして照射される。この入射した放射線は放射線画像変換パネル２３の輝尽蛍光体層に吸収され、そのエネルギーが蓄積され、放射線透画像の蓄積像として形成される。
【００３２】
次いで、この蓄積像を輝尽励起光源２４からの輝尽励起光で励起し、輝尽発光として放出せしめる。
【００３３】
放射される輝尽発光の強弱は、蓄積された放射線エネルギー量に比例するので、この光信号を、例えば、光電子倍増管等の光電変換装置２５で光電変換し、画像生成装置２６によって画像として再生し、画像表示装置２７によって表示することで被写体の放射線透過像を観察することができる。
【００３４】
輝尽励起光源２４としては、放射線画像変換プレートに使用される輝尽性蛍光体の輝尽励起波長を含む光源が使用される。特にレーザ光を用いると光学系が簡単になり、また、輝尽励起光強度を大きくすることができるために輝尽発光効率を上げることができ、より好ましい結果が得られる。
【００３５】
レーザとしては、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ、Ａｒイオンレーザ、Ｋｒイオンレーザ、Ｎ2レーザ、ＹＡＧレーザ及びその第２高調波、ルビーレーザ、半導体レーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レーザ等の金属蒸気レーザ等がある。通常はＨｅ−ＮｅレーザやＡｒイオンレーザのような連続発振のレーザが望ましいが、パネル１画素の走査時間とパルスを同期させればパルス発振のレーザを用いることもできる。また、フィルタ２８を用いずに特開昭５９−２２０４６号に示されるような、発光の遅延を利用して分離する方法によるときは、連続発振レーザを用いて変調するよりもパルス発振のレーザを用いる方が好ましい。上記の各種レーザ光源の中でも、半導体レーザは小型で安価であり、しかも変調器が不要であるので特に好ましく用いられる。
【００３６】
次いで、本発明に係る気相堆積法による輝尽性蛍光体層の形成方法について、図を交えて説明する。
【００３７】
輝尽性蛍光体を基材上に気相堆積させる方法としては、蒸着法、スパッタ法及びＣＶＤ法等がある。
【００３８】
蒸着法は、基材を蒸着装置内に設置したのち、蒸着装置内を排気して１．３×１０-4Ｐａ程度の真空度とし、次いで、輝尽性蛍光体を抵抗加熱法、エレクトロンビーム法などの方法で加熱蒸発させて、基材表面に輝尽性蛍光体を所望の厚みに堆積させる。この結果、結着剤を含有せずに、輝尽性蛍光体単独で構成された輝尽性蛍光体層が形成されるが、上記の蒸着工程は、複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。また、上記蒸着工程では、複数の抵抗加熱器、あるいはエレクトロンビームを用いて蒸着を行うことも可能である。また、蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を複数の抵抗加熱器、あるいはエレクトロンビームを用いて蒸着し、基材上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。更に、蒸着法においては、蒸着時に必要に応じて基材を冷却或いは加熱してもよい。また、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。
【００３９】
スパッタ法は、上記蒸着法と同様に、基材をスパッタ装置内に設置した後、スパッタ装置内を一旦排気して１．３×１０-4Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパッタ用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスを装置内に導入して１．３×１０-1Ｐａ程度のガス圧とする。次いで、輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより、基材表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さ堆積させる。このスパッタ工程では、蒸着法と同様に複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、複数の輝尽性蛍光体原料を用いて同時あるいは順次、ターゲットをスパッタリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。また、スパッタ法では、複数の輝尽性蛍光体原料をターゲットとして用い、これを同時あるいは順次スパッタリングして、基材上で目的とする輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。また、必要に応じてＯ2、Ｈ2等のガスを導入して、反応性スパッタを行ってもよい。更に、スパッタ法においては、スパッタ時に必要に応じて基材を冷却あるいは加熱してもよい。また、スパッタ終了後に輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。
【００４０】
ＣＶＤ法は、目的とする輝尽性蛍光体あるいは輝尽性蛍光体原料を含有する有機金属化合物を、熱、高周波電力等のエネルギーで分解することにより、基材上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層を得るものであり、いずれも輝尽性蛍光体層を支持体の法線方向に対して特定の傾きをもって独立した細長い柱状結晶に気相成長させることが可能である。
【００４１】
これらの方法により形成した輝尽性蛍光体層の層厚は目的とする放射線像変換パネルの放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、１０μｍ〜１０００μｍの範囲から選ばれるのが好ましく、２０μｍ〜８００μｍから選ばれるのがより好ましい。
【００４２】
図３は、従来の気相堆積方法における蒸着室の温度及び真空度履歴パターンの一例を示す図である。
【００４３】
通常、蒸発室で、輝尽性蛍光体を主体とする原料を用いて基材上に、輝尽性蛍光体層を形成する場合には、蒸着室を排気手段を用いて所定の真空度Ｐ1に減圧を行うと共に、基材を所定の温度Ｔ1まで加熱した後、一定の条件下で原料の蒸発及び基材への堆積を行って、輝尽性蛍光体層を形成する。
【００４４】
しかしながら、単一の真空度Ｐ1及び基材温度Ｔ1で蒸着を行った場合には、輝尽性蛍光体層の形成を精密にコントロールすることが難しく、その結果、安定して所望の粒状性、鮮鋭性を両立させることが困難となり、また画像欠陥の発生を引き起こすため、より緻密な真空度と基材温度の設定が必要となる。
【００４５】
本発明放射線画像変換パネル製造方法では、上記気相堆積方法による輝尽性蛍光体層の形成において、蒸着室を大気圧から減圧して真空状態にし、原料を蒸発させて基材へ堆積させる堆積過程の前過程である堆積前過程では、蒸着室を堆積過程で設定する真空度Ｐ1よりも高い真空度Ｐ2に設定し、かつ堆積過程で設定する基材温度Ｔ1よりも高い基材温度Ｔ2に設定して一定時間保持することが特徴であり、また原料を全て蒸発させて該基材上へ堆積させる堆積過程の後過程である堆積後過程では、堆積過程で設定する真空度Ｐ1よりも低い真空度Ｐ3に設定し、かつ堆積過程で設定する基材温度Ｔ1よりも低い基材温度Ｔ3に設定して一定時間保持することを特徴とする。
【００４６】
本発明においては、堆積前過程、あるいは堆積後過程で、蒸発室の真空度及び温度を特定の条件に設定することにより、より精緻な輝尽性蛍光体層の形成が可能と有り、その結果、画像欠陥がなく、粒状性と鮮鋭性が共に優れた放射線画像変換パネルを得ることができた。
【００４７】
図４は、本発明の蒸発室の堆積前過程及び堆積後過程での温度及び真空度履歴パターンの一例を示す図である。
【００４８】
図４に示すように、基材上に輝尽性蛍光体層を形成する堆積過程の前過程である堆積前過程で、堆積過程における真空度Ｐ1に対し、より高い真空度Ｐ2で、一定時間（保持時間ｔ2）で保持する。同様に、堆積過程における基材温度Ｔ1に対し、より高い基材温度Ｔ2で、一定時間（保持時間ｔ2）で保持する。
【００４９】
本発明においては、堆積過程における真空度Ｐ1としては、１．０×１０-4〜５．０×１０-1Ｐａであることが好ましく、また、基材温度Ｔ1としては、５０〜３００℃の範囲に設定することが好ましい。
【００５０】
この時、堆積前過程における真空度Ｐ2としては、堆積過程における真空度Ｐ1との真空度差ΔＰ1（Ｐ1−Ｐ2）が、１．０×１０-7〜１×１０-4Ｐａの範囲となるように設定することが好ましく、より好ましくは１．０×１０-5〜５×１０-1Ｐａである。また、堆積前過程における基材温度Ｔ2としては、堆積過程における基材温度Ｔ1との温度差ΔＴ1（Ｔ2−Ｔ1）が、５〜１００℃の範囲となるように設定することが好ましく、より好ましくは１０〜５０℃である。
【００５１】
また、堆積前過程における上記真空度Ｐ2及び基材温度Ｔ2の保持時間ｔ2としては、堆積過程における処理時間ｔ1の０．０１〜０．５０倍であることが好ましく、より好ましくは０．０１〜０．２５倍である。
【００５２】
同様に、基材上に輝尽性蛍光体層を形成する堆積過程の後過程である堆積後過程で、堆積過程における真空度Ｐ1に対し、より低い真空度Ｐ3で、一定時間（保持時間ｔ3）で保持する。同様に、堆積過程における基材温度Ｔ1に対し、より低い基材温度Ｔ3で、一定時間（保持時間ｔ3）で保持する。
【００５３】
この時、堆積過程後過程における真空度Ｐ3としては、堆積過程における真空度Ｐ1との真空度差ΔＰ2（Ｐ3−Ｐ1）が、１．０×１０-3〜９×１０-1Ｐａの範囲となるように設定することが好ましく、より好ましくは１．０×１０-2〜５×１０-1Ｐａである。また、堆積過程前過程における基材温度Ｔ3としては、堆積過程における基材温度Ｔ1との温度差ΔＴ2（Ｔ1−Ｔ3）が、５〜１００℃の範囲となるように設定することが好ましく、より好ましくは１０〜５０℃である。
【００５４】
また、堆積後過程における上記真空度Ｐ3及び基材温度Ｔ3の保持時間ｔ3としては、堆積過程における処理時間ｔ1の０．０１〜０．５０倍であることが好ましく、より好ましくは０．０１〜０．２５倍である。
【００５５】
また、本発明放射線画像変換パネル製造方法では、本発明の目的効果をより一層発揮させる観点から、上述の堆積前過程において、真空度Ｐ2及び基材温度Ｔ2を一定時間ｔ2保持する際に、同時に蒸着室を構成する各壁面も同時に加熱すること好ましく、その加熱温度としては、５０〜３００℃の範囲に設定することが好ましく、より好ましくは基材温度Ｔ2と同じ温度範囲（Ｔ２±２０℃）に設定することが好ましい。
【００５６】
また、本発明放射線画像変換パネル製造方法では、原料を蒸発させて基材上へ堆積させる堆積過程で、経過時間により真空度Ｐ1を変化させることが特徴である。
【００５７】
図５は、堆積過程で蒸着室の真空度を変化させる履歴パターンの一例を示す図である。
【００５８】
堆積過程のおいて、堆積の進行と共に、真空度をＰ1-1、Ｐ1-2、Ｐ1-3及びＰ1-4と順次変化させて、基材上に輝尽性蛍光体層を形成する。図５においては、堆積開始直後は高真空度とし、順次低真空度にシフトさせるパターンを一例として示してあるが、逆に堆積開始直後は低真空度とし、順次高真空度にシフトさせるパターンであっても、あるいはランダムに真空度を変化させるパターンでも良い。
【００５９】
なお、図５において、堆積前過程と堆積後過程の真空度及び基材温度パターンとして、上記図４で示したそれぞれの真空度及び基材温度パターンを組み合わせても良い。
【００６０】
また、本発明放射線画像変換パネル製造方法では、蒸発室に原料蒸発手段を複数有し、原料蒸発手段を任意の組合せで順次原料の蒸発を行って基材へ堆積させる際、それぞれの原料の蒸発毎に真空度Ｐ1を変化させて、基材上に輝尽性蛍光体層を形成することが好ましく、また経過時間または原料の蒸発毎に変化させる真空度Ｐ1は、初期の真空度が最も低く、その後真空度を高くするパターンが好ましい。
【００６１】
図６は、複数の原料蒸発手段を有し、堆積過程の真空度を変化させるパターンの一例を示す図である。
【００６２】
堆積過程では、複数の原料蒸発手段３６−１、３６−２、３６−３、３６−４を用いて、それぞれ真空度をＰ1-5、Ｐ1-6、Ｐ1-7及びＰ1-8と順次低真空度から高真空度に変化させて、基材上に輝尽性蛍光体層を形成する。上記で規定した条件に従って輝尽性蛍光体層を形成することにより、画像欠陥がなく、粒状性と鮮鋭性が共に優れた放射線画像変換パネルを得ることができる。
【００６３】
なお、図６において、堆積前過程と堆積後過程の真空度及び基材温度パターンとして、上記図４で示したそれぞれの真空度及び基材温度パターンを組み合わせても良い。
【００６４】
また、本発明放射線画像変換パネル製造方法では、蒸発室に原料蒸発手段を複数有し、原料蒸発手段を任意の組合せで順次原料の蒸発を行って基材へ堆積させる際、基材上へ堆積させる堆積過程における真空度を、低真空から高真空に変化させ、次いで低真空に戻し、再び高真空とする操作を繰り返すことが好ましい。
【００６５】
図７は、複数の原料蒸発手段を有し、堆積過程の真空度を変化させる他のパターンの一例を示す図である。
【００６６】
堆積過程では、複数の原料蒸発手段３６−１、３６−２、３６−３、３６−４を用いて、それぞれ真空度をＰ1-9、Ｐ1-10、Ｐ1-11及びＰ1-12と低真空から高真空に変化させ、次いで低真空に戻し、再び高真空とする操作を繰り返すパターンを採ることにより、画像欠陥がなく、粒状性と鮮鋭性が共に優れた放射線画像変換パネルを得ることができる。
【００６７】
また、本発明において、原料蒸発手段を複数有し、該原料蒸発手段を任意の組合せで順次原料の蒸発を行って基材へ堆積させる際、次に蒸発を行う原料蒸発手段をあらかじめ原料の蒸発が起きない範囲で予備加熱を行って保持しておくことが特徴であり、この結果、画像欠陥がなく、粒状性と鮮鋭性が共に優れた放射線画像変換パネルを得ることができる。
【００６８】
なお、図７において、堆積前過程と堆積後過程の真空度及び基材温度パターンとして、上記図４で示したそれぞれの真空度及び基材温度パターンを組み合わせても良い。
【００６９】
次いで、上記説明した複数からなる原料蒸発手段と、その加熱方法について説明する。
【００７０】
図８は、本発明に係る気相堆積方法で用いる蒸着室の原料蒸発手段と加熱手段の構成の一例を示す概略図である。
【００７１】
図８では、原料蒸発手段を４箇所配している一例を示してある。図８において、蒸着室３１は、不図示の前段排気手段によりメインバルブ３２を介して一旦ある値以下の真空にされ、また更に不図示の後段排気手段によりリークバルブ３３を介して真空度が設定値以下に維持される。この蒸着室には、必要に応じてガス導入バルブ３４を介してＮ2、Ａｒ、Ｎｅ、Ｈｅといった不活性ガスが雰囲気ガスとして導入される。更に、蒸着室３１には内部真空度を計測する真空計３８が設けられている。
【００７２】
蒸着室３１には、上部に基材配置手段３５が設けられており、基材３０が配置可能となっている。基材３０は複数枚配置しても、基材配置手段３５のいかなる位置に配置してもよく、基材配置手段３５は固定である必要は無く、回転や往復運動等を行わせても良い。また、基材配置手段３５には、基材３０の温度を測定するための温度センサ（不図示）と、基材３０を加熱するためのヒータ（不図示）が埋め込まれており、基材３０を所定の温度にすることができる。また、下部には、原料を保持した原料蒸発手段３６−１〜３６−４が配置されている。
【００７３】
また、図９は図８におけるＢ−Ｂ′矢視図を示す。基材配置手段（不図示）より下部に複数の原料蒸発手段３６−１〜３６−４が設けられており、原料容器に原料である輝尽性蛍光体を所定量仕込む。図９においては、原料蒸発手段内の原料加熱手段は、いわゆる抵抗加熱方式であり、電流供給部３７−１〜３７−４により各原料蒸発手段３６−１〜３６−４へ電流が供給され加熱される。
【００７４】
次いで、本発明の放射線画像変換パネルの構成について説明する。
【００７５】
本発明に係る気相堆積法において、蒸発源である輝尽性蛍光体としては、例えば、特開昭４８−８０４８７号に記載されているＢａＳＯ4：Ａｘで表される蛍光体、特開昭４８−８０４８８号記載のＭｇＳＯ4：Ａｘで表される蛍光体、特開昭４８−８０４８９号に記載されているＳｒＳＯ4：Ａｘで表される蛍光体、特開昭５１−２９８８９号に記載されているＮａ2ＳＯ4、ＣａＳＯ4及びＢａＳＯ4等にＭｎ、Ｄｙ及びＴｂの中少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭５２−３０４８７号に記載されているＢｅＯ、ＬｉＦ、ＭｇＳＯ4及びＣａＦ2等の蛍光体、特開昭５３−３９２７７号に記載されているＬｉ2Ｂ4Ｏ7：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、特開昭５４−４７８８３号に記載されているＬｉ2Ｏ・（Ｂｅ2Ｏ2）ｘ：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、米国特許第３，８５９，５２７号に記載されているＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ、Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ及び（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎｘで表される蛍光体があげられる。また、特開昭５５−１２１４２号に記載されているＺｎＳ：Ｃｕ，Ｐｂ蛍光体、一般式がＢａＯ・ｘＡｌ2Ｏ3：Ｅｕであげられるアルミン酸バリウム蛍光体、及び、一般式がＭ（II）Ｏ・ｘＳｉＯ2：Ａで表されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体があげられる。
【００７６】
また、特開昭５５−１２１４３号に記載されている一般式が（Ｂａ1-x-yＭｇxＣａy）Ｆx：Ｅｕ2+で表されるアルカリ土類フッ化ハロゲン化物蛍光体、特開昭５５−１２１４４号に記載されている一般式がＬｎＯＸ：ｘＡで表される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載されている一般式が（Ｂａ1-xＭ（II）x）Ｆx：ｙＡで表される蛍光体、特開昭５５−８４３８９号に記載されている一般式がＢａＦＸ：ｘＣｅ，ｙＡで表される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に記載されている一般式がＭ（II）ＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎで表される希土類元素賦活２価金属フルオロハライド蛍光体、一般式ＺｎＳ：Ａ、ＣｄＳ：Ａ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａ，Ｘで表される蛍光体、特開昭５９−３８２７８号に記載されている下記いずれかの一般式
ｘＭ3（ＰＯ4）2・ＮＸ2：ｙＡ
ｘＭ3（ＰＯ4）2：ｙＡ
で表される蛍光体、特開昭５９−１５５４８７号に記載されている下記いずれかの一般式
ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ′2：ｘＥｕ
ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ′2：ｘＥｕ，ｙＳｍ
で表される蛍光体、特開昭６１−７２０８７号に記載されている下記一般式
Ｍ（Ｉ）Ｘ・ａＭ（II）Ｘ′2・ｂＭ（III）Ｘ″3：ｃＡ
で表されるアルカリハライド蛍光体、及び特開昭６１−２２８４００号に記載されている一般式Ｍ（Ｉ）Ｘ：ｘＢｉで表されるビスマス賦活アルカリハライド蛍光体等が挙げられる。特に、アルカリハライド蛍光体は、蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成させやすく好ましい。
【００７７】
本発明では、下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体粒子が好ましい。
【００７８】
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′2・ｂＭ3Ｘ″3：ｅＡ
一般式（１）において、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも１種の２価金属であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の３価金属であり、Ｘ、Ｘ′及びＸ″は各々Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも１種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。
【００７９】
更に、前記一般式（１）においては、Ｍ1がＫ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であること、ＸがＢｒ及びＩから選ばれる少なくとも１種のハロゲンであること、Ｍ2がＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａから選ばれる少なくとも１種の２価金属であること、Ｍ3がＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の３価金属であること、ｂが０≦ｂ≦１０-2であること、Ａが、Ｅｕ、Ｃｓ、Ｓｍ、Ｔｌ及びＮａからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であることが好ましい。
【００８０】
本発明に係る輝尽性蛍光体としては、柱状結晶を有することが好ましく、また柱状結晶の主成分が、下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体であることが好ましい。
【００８１】
一般式（１）
ＣｓＸ：Ａ
一般式（１）において、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、ＴｂまたはＣｅを表す。
【００８２】
また、本発明において、蒸発源としては必ずしも輝尽性蛍光体のみである必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであってもよい。また、賦活剤は母体（ｂａｓｉｃ  ｓｕｂｓｔａｎｃｅ）に対して賦活剤（ａｃｔｉｂａｔｏｒ）を混合したものを蒸着してもよいし、母体のみを蒸着した後に賦活剤をドープしてもよい。例えば、母体であるＲｂＢｒのみを蒸着した後、例えば賦活剤であるＴｌをドープしてもよい。ドーピングは形成された蛍光体の母体層中にドーピング剤（賦活剤）を熱拡散、イオン注入法によって行うことができる。
【００８３】
また、輝尽性蛍光体層中に高光吸収率の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい。これにより輝尽性蛍光体層の補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散をほぼ完全に防止できる。
【００８４】
高光反射率の物質とは、輝尽励起光（５００〜９００ｎｍ、特に６００〜８００ｎｍ）に対する反射率の高いものをいい、例えばアルミニウム、マグネシウム、銀、インジウムその他の金属等、白色顔料及び緑色から赤色領域の色材を用いることができる。
【００８５】
白色顔料は輝尽発光も反射することができる。白色顔料として、ＴｉＯ2（アナターゼ型、ルチル型）、ＭｇＯ、ＰｂＣＯ3・Ｐｂ（ＯＨ）2、ＢａＳＯ4、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ（II）ＦＸ（但し、Ｍ（II）はＢａ、Ｓｒ及びＣａの中の少なくとも１種であり、ＸはＣｌ、及びＢｒのうちの少なくとも１種である。）、ＣａＣＯ3、ＺｎＯ、Ｓｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、リトポン（ＢａＳＯ4・ＺｎＳ）、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸鉛、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウム等が挙げられる。これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネルの感度を顕著に向上させ得る。
【００８６】
また、高光吸収率の物質としては、例えば、カーボン、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄等及び青の色材が用いられる。このうちカーボンは輝尽発光も吸収する。
【００８７】
また、色材は、有機または無機系色材のいずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファーストブルー３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリルブルーＮ−３ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナショナルアニリン製）、スピリットブルー（保土谷化学製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント製）、キトンブルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカチロンブルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学製）、レイクブルーＡＦＨ（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産業製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋インク製）、ライオノイルブルーＳＬ（東洋インク製）等が用いられる。またカラーインデクスＮｏ．２４４１１、２３１６０、７４１８０、７４２００、２２８００、２３１５４、２３１５５、２４４０１、１４８３０、１５０５０、１５７６０、１５７０７、１７９４１、７４２２０、１３４２５、１３３６１、１３４２０、１１８３６、７４１４０、７４３８０、７４３５０、７４４６０等の有機系金属錯塩色材も挙げられる。無機系色材としては群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ2−ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ系顔料が挙げられる。
【００８８】
本発明の放射線画像変換パネルにおいては、上記の輝尽性蛍光体層上に、保護層を設けても良い。保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成する手順を取ってもよい。保護層の材料としては、例えば、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３などの無機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は一般的には０．１μｍ〜２０００μｍ程度が好ましい。
【００８９】
また、透光性がよくシート状に形成できるものを用いることができ、例えば、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラスや、ＰＥＴ、ＯＰＰ、ポリ塩化ビニルなどの有機高分子があげられる。
【００９０】
本発明の放射線画像変換パネルに用いられる基材としては、各種のガラス、高分子材料、金属等が用いられるが、例えば石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラス、又、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート或いは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。これら基材の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面としてもよい。また、本発明においては、基材と輝尽性蛍光体層の接着性を向上させるために、必要に応じて基材の表面に予め接着層を設けてもよい。
【００９１】
これら基材の厚みは用いる基材の材質等によって異なるが、一般的には８０μｍ〜２０００μｍであり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは８０μｍ〜１０００μｍである。
【実施例】
【００９２】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９３】
実施例１
《放射線画像変換パネルの作製》
〔試料１の作製〕
基材は１ｍｍ厚の結晶化ガラス（日本電気ガラス社製）に、図８及び図９に示した蒸着装置を用いて、輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を有する輝尽性蛍光体層を、図３に記載の真空度及び基材温度パターンで形成した。
【００９４】
なお、輝尽性蛍光体層形成にあたっては、上記基材を蒸着室内に設置し、次いで蛍光体原料を蒸着源として原料容器に入れた。その後、蒸発室内を一旦排気し、その後Ａｒガスを導入して０．１３３Ｐａの真空度に調整した後、基材の温度を約２００℃に保持しながら複数の原料蒸発手段３６−１〜３６−４を順番に加熱して蒸着を行った。この際、基板と蒸発源の距離を６０ｃｍとして輝尽性蛍光体層の厚みが３００μｍになるように調整した。輝尽性蛍光体層の膜厚が３００μｍとなったところで蒸発を終了させ、基材の加熱及びＡｒガス導入を停止した後、蒸着室を大気圧に戻し、原料が堆積された基材を取り出した。その後、乾燥空気の雰囲気内で、基材及び硼珪酸ガラスからなる保護層周縁部を接着剤で封入して、蛍光体層が密閉された構造の放射線画像変換パネルである試料１を作製した。
【００９５】
〔試料２の作製〕
基材は１ｍｍ厚の結晶化ガラス（日本電気ガラス社製）に、図８及び図９に示した蒸着装置を用いて、輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を有する輝尽性蛍光体層を、図４に記載の真空度及び基材温度パターン（堆積前過程のパターンのみ適用）で形成した。
【００９６】
蒸着室内に上記基材を設置し、蛍光体原料を蒸着源として原料容器に入れた後、蒸着室内を一旦排気し、その後Ａｒガスを導入し、０．０１３３Ｐａに真空度を調整した後、基材の温度を２５０℃に保持して０．５時間経過させた。次いで、０．１３３Ｐａに真空度を調整し、基材温度を２００℃に保持させながら複数の原料蒸発手段３６−１〜３６−４を順番に加熱して蒸着を行った。この際、基板と蒸発源の距離を６０ｃｍとして輝尽性蛍光体層の厚みが３００μｍになるように調整した。輝尽性蛍光体層の膜厚が３００μｍとなったところで蒸発を終了させ、基材の加熱及びＡｒガス導入を停止した後、蒸着室を大気圧に戻し、原料が堆積された基材を取り出した。その後、乾燥空気の雰囲気内で、基材及び硼珪酸ガラスからなる保護層周縁部を接着剤で封入して、蛍光体層が密閉された構造の放射線画像変換パネルである試料２を作製した。
【００９７】
〔試料３の作製〕
基材は１ｍｍ厚の結晶化ガラス（日本電気ガラス社製）に、図８及び図９に示した蒸着装置を用いて、輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を有する輝尽性蛍光体層を、図４に記載の真空度及び基材温度パターン（堆積後過程のパターンのみ適用）で形成した。
【００９８】
蒸発室内を一旦排気し、その後Ａｒガスを導入して０．１３３Ｐａの真空度に調整した後、基材の温度を約２００℃に保持しながら複数の原料蒸発手段３６−１〜３６−４を順番に加熱して蒸着を行った。この際、基板と蒸発源の距離を６０ｃｍとして輝尽性蛍光体層の厚みが３００μｍになるように調整した。輝尽性蛍光体層の膜厚が３００μｍとなったところで蒸発を終了させ、直ちに蒸着室内の真空度を０．５Ｐａ、基材温度を１５０℃に保持して０．５時間経過させた。その後、基材加熱、Ａｒがス導入を停止した後、蒸着室を大気圧に戻し、原料堆積された基材を取り出した。その後、乾燥空気の雰囲気内で、基材及び硼珪酸ガラスからなる保護層周縁部を接着剤で封入して、蛍光体層が密閉された構造の放射線画像変換パネルである試料３を作製した。
【００９９】
《放射線画像変換パネルの評価》
上記作製した試料１〜３について、下記の各評価を行った。
【０１００】
〔鮮鋭性の評価〕
各試料の鮮鋭性は、変調伝達関数（ＭＴＦ）を測定し、これを鮮鋭性の尺度とした。
【０１０１】
ＭＴＦは、放射線画像変換パネルである各試料にＣＴＦチャートを貼付した後、各試料に８０ｋＶｐのＸ線を１０ｍＲ（被写体までの距離：１．５ｍ）照射した後、１００μｍφの直径の半導体レーザ（６８０ｎｍ：パネル上でのパワー４０ｍＷ）を用いてＣＴＦチャート像を走査して読み取って求めた。鮮鋭性は、試料１の鮮鋭性を１．００としたときの相対値で示す。
【０１０２】
（粒状性の評価）
各試料の粒状性評価は、放射線画像の形成を下記のＸ線照射条件にて行い、次いで放射線画像の読み取りを、励起光として６８０ｎｍの半導体レーザ光を用いて行った。放射線画像を読み取った後、フィルムに出力したＸ線のベタ露光画像を目視観察し、下記の評価基準に従って粒状性の評価を行った。
【０１０３】
Ｘ線照射条件：８０ｋＶｐ、２００ｍＡ、０．１ｓｅｃ
フィルム出力条件：γ（階調）＝３．０出力
〈評価基準〉
５：粒状がほとんど認められず、極めて良好な粒状性である
４：若干の粒状が認められるものの、良好が画質である
３：やや粒状が認められる
２：粒状感があり、実用上問題となる品質である
１：明らかに粒状が目立ち、実用に耐えない
以上により得られた結果を、表１に示す。
【０１０４】
【表１】
2005156491.tif 000002
【０１０５】
表１の結果より明らかなように、堆積過程の前に、蒸着室を堆積過程で設定する真空度よりも高い真空度に設定し、かつ堆積過程で設定する基材温度よりも高い基材温度に設定して一定時間保持して作製した本発明の試料２、あるいは堆積過程の後、堆積過程で設定する真空度よりも低い真空度に設定し、かつ堆積過程で設定する基材温度よりも低い基材温度に設定して一定時間保持して作製した試料３は、単一条件で形成した比較例に対し、鮮鋭性、粒状性に優れていることが分かる。
【０１０６】
実施例２
《放射線画像変換パネルの作製》
〔試料４〜６の作製〕
実施例１に記載の試料１の作製（図３のパターン）において、原料蒸発手段３６−１〜３６−４を順番に加熱し原料を基材に堆積させる際に、それぞれの真空度を表２に記載の様に変化した以外は同様にして、図５〜図７で示す真空度パターンで輝尽性蛍光体層を形成した以外は同様にして、試料４〜６を作製した。
【０１０７】
〔試料７の作製〕
実施例１に記載の試料１の作製（図３のパターン）において、原料を基材に堆積させる際の真空度を０．０５Ｐａに変更した以外は同様にして、試料７を作製した。
【０１０８】
《放射線画像変換パネルの評価》
上記作製した試料４〜７と実施例１で作製した試料１について、実施例１に記載の方法と同様にして鮮鋭性及び粒状性の評価と、下記の方法に従って画像欠陥の評価を行い、得られた結果を表２に示す。
【０１０９】
（画像欠陥の評価）
評価用検査機器：Ｒｅｇｉｕｓ３３０（コニカミノルタエムジー（株）製）
評価条件：８０ｋＶｐ、７０ｍＡの条件下で、Ｘ線管球と放射線画像変換パネル間距離を２ｍにしてＸ線撮影をした。
【０１１０】
評価方法：上記撮影条件にて、Ｘ線撮影後の画像情報を読み取り、β画像信号を得た。このβ画像信号を２０００×２０００画素毎に分割して画素毎の信号値を得た。得られた画像信号の中で、隣り合う信号値で５０ｓｔｅｐ以上の差がある画素を検出し、１０ｃｍ2あたりのこの画素数を欠陥数と定義した。信号差のある画素が多い程、欠陥数が多くなり画像診断に影響をする。
【０１１１】
【表２】
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【０１１２】
表２の結果より明らかなように、原料蒸発手段を複数有し、原料蒸発手段を任意の組合せで順次原料の蒸発を行う際に、それぞれの原料の蒸発毎に真空度を変化させて作製した本発明の試料は、一定条件で作製した比較例に対し、鮮鋭性、粒状性に優れ、かつ画像欠陥が少ないことが分かる。
【０１１３】
実施例３
《放射線画像変換パネルの作製》
〔試料８の作製〕
実施例１に記載の試料１の作製（図３のパターン）において、原料蒸発手段３６−１〜３６−４を順番に加熱して原料を基材上に堆積させる際に、原料蒸発手段３６−１の原料堆積中に原料蒸発手段３６−２の予備加熱を行い、原料蒸発手段３６−２の原料堆積中に原料蒸発手段３６−３の予備加熱を行い、原料蒸発手段３６−３の原料堆積中に原料蒸発手段３６−４の予備加熱を行う様に変更した以外は同様にして、試料８を作製した。
【０１１４】
《放射線画像変換パネルの評価》
上記作製した試料８と実施例１で作製した試料１について、実施例２に記載の方法と同様にして画像欠陥の評価と、総原料堆積時間の比較を行い、得られた結果を表３に示す。なお、総原料堆積時間は、試料１の輝尽性蛍光体層を形成に要した時間を１．００とした相対時間で表示した。
【０１１５】
【表３】
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【０１１６】
表２の結果より明らかなように、原料蒸発手段を複数有し、原料蒸発手段を任意の組合せで順次原料の蒸発を行って基材へ堆積させる際、次に蒸発を行う原料蒸発手段をあらかじめ原料の蒸発が起きない範囲で予備加熱を行って保持して作製した本発明の試料は、比較例に対し、画像欠陥数が少なく、かつ輝尽性蛍光体層を形成に要する時間が短くできることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明の放射線画像変換パネルを構成する気相堆積法により形成した輝尽性蛍光体層の構成の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の放射線画像変換パネルを用いた放射線像変換方法の一例を示す概略図である。
【図３】従来の気相堆積方法における蒸着室の温度及び真空度履歴パターンの一例を示す図である。
【図４】本発明の蒸発室の堆積前過程及び堆積後過程での温度及び真空度履歴パターンの一例を示す図である。
【図５】本発明の堆積過程で蒸着室の真空度を変化させる履歴パターンの一例を示す図である。
【図６】複数の原料蒸発手段を有し、堆積過程の真空度を変化させるパターンの一例を示す図である。
【図７】複数の原料蒸発手段を有し、堆積過程の真空度を変化させる他のパターンの一例を示す図である。
【図８】本発明に係る気相堆積方法で用いる蒸着室の原料蒸発手段と加熱手段の構成の一例を示す概略図である。
【図９】図８におけるＢ−Ｂ′矢視図である。
【符号の説明】
【０１１８】
１１、３０  基材
１２  輝尽性蛍光体層
１３  保護層
２１  放射線発生装置
２２  被写体
２３  放射線画像変換パネル
２４  輝尽励起光源
２５  光電変換装置
２６  再生装置
２７  表示装置
２８  フィルタ
３１  蒸着室
３２  メインバルブ
３３  リークバルブ
３４  ガス導入バルブ
３５  基材配置手段
３６−１、３６−２、３６−３、３６−４  原料蒸発手段
３７−１、３７−２、３７−３、３７−４  電流供給部
Ｔ1  堆積過程の基材温度
Ｐ1  堆積過程の真空度
Ｔ2  堆積前過程の基材温度
Ｐ2  堆積前過程の真空度
Ｔ3  堆積後過程の基材温度
Ｐ3  堆積後過程の真空度
ｔ1  堆積時間
ｔ2  堆積前過程の保持時間
ｔ3  堆積後過程の保持時間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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