(57)【要約】【課題】  陰極への電流供給能を確保した上で狭額縁化が可能な構造を持つ有機ＥＬ装置を提供する。【解決手段】  本発明の有機ＥＬ装置は、画素電極１１１と少なくとも有機材料からなる発光層を有する機能層と共通陰極とが基板上にこの順に設けられ、複数の有機ＥＬ素子がマトリクス状に配置されてなる発光表示領域を備え、共通陰極に対して電流を供給するための共通陰極用配線が設けられ、共通陰極と共通陰極用配線とを電気的に接続する共通陰極用コンタクトホール３０が発光表示領域内にのみ配置されている。【選択図】  図３
2005158493.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と少なくとも有機材料からなる発光層を有する機能層と第２の電極とが基板上にこの順に設けられ、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子がマトリクス状に配置されてなる発光表示領域を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記第２の電極に対して電流を供給するための導電部が設けられ、
前記第２の電極と前記導電部とを電気的に接続する接続部が前記発光表示領域内にのみ配置されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動する複数のスイッチング素子が設けられるとともに、前記導電部が前記スイッチング素子の下層側に層状に形成され、前記第２の電極と前記導電部とがこれらの間に介在する絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して電気的に接続されたことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記第１の電極が光透過性を有する材料からなり、前記導電部が金属膜からなることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記導電部が前記第２の電極の下層側に形成され、前記第２の電極と前記導電部とが直接接触することにより電気的に接続されたことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記導電部が前記第１の電極と同層で形成され、前記第２の電極と前記導電部とがこれらの間に介在する絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して電気的に接続されたことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動する複数のスイッチング素子が設けられるとともに、前記導電部が前記スイッチング素子の上層側でかつ前記第１の電極の下層側に形成され、前記第２の電極と前記導電部とがこれらの間に介在する絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して電気的に接続されたことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
前記導電部が基板の周縁部にまで延在し、実装端子を構成していることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（Electro-Luminescence, 以下、ＥＬと略記する）装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界発光を利用した有機ＥＬ素子は、自己発光のため視認性が高く、かつ耐衝撃性に優れるなどの優れた特徴を有することから、各種表示装置における発光素子としての利用が注目されている。有機ＥＬ素子は、例えばトップエミッション型有機ＥＬ素子の場合、反射性金属膜からなる第１の電極（陽極）と、有機発光層を含む機能層と、透明導電膜よりなる第２の電極（陰極）とを設けた構造が一般的である。特にＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）等のスイッチング素子を備えたアクティブマトリクス型ＥＬ素子において、上記第１の電極は各ＴＦＴに接続された画素電極であり、上記第２の電極はマトリクス状に配置された複数の画素で共有するベタ状の共通電極である。よって、第１の電極（画素電極）にはＴＦＴを通じて駆動電流が供給される一方、第２の電極（共通電極）には共通電極と接続された共通陰極用配線を通じて駆動電流が供給される。共通陰極用配線の例としては、矩形状の基板の４辺のうち、外部接続端子が配置された１辺を除く他の３辺に沿ってコ字状に共通陰極用配線を配置したものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−２１６０６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述した特許文献１においては、共通陰極が基板の略全面にベタ状に形成されるとともに、共通陰極用配線が基板周縁部の非表示領域に形成されている。そして、共通陰極と共通陰極用配線とは異なるレイヤーで形成されている。このような構成から、基板の周縁部で共通陰極のパターンと共通陰極用配線のパターンとが平面的に重なる領域に、これら共通陰極と共通陰極用配線とを電気的に接続するためのコンタクト部を設けていた。しかしながら、共通陰極には発光輝度に応じた電流を供給しなければならないという要求があり、基板上に数箇所のみの陰極コンタクト部を設ける構成では各々がある程度の大きさを持った陰極コンタクト部が必要であった。
【０００４】
一方、有機ＥＬ表示装置は、近年、携帯電話等の携帯用電子機器への応用が進んでおり、携帯用電子機器の小型化に伴い小型化への要求が強まっている。より具体的には、所定の表示領域の面積を確保した上で非表示面積の面積を小さくする、すなわち狭額縁化への要求がある。ところが、上記のような構成では基板の非表示領域、すなわち表示領域の外側の額縁部分に占有面積の大きな陰極コンタクト部を配置しなければならず、狭額縁化に限界があった。あるいは、陰極コンタクト部を形成しなくて済む方法としては、陰極を基板端部まで延ばしておき、陰極の端部を駆動回路と直接接続する方法が考えられる。しかしながら、この方法でも、陰極を非表示領域に大きく形成する必要があり、やはり狭額縁化には限界があった。
【０００５】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、陰極への電流供給能を確保した上で狭額縁化が可能な構造を持つ有機ＥＬ装置、およびそれを用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の有機ＥＬ装置は、第１の電極と少なくとも有機材料からなる発光層を有する機能層と第２の電極とが基板上にこの順に設けられ、複数の有機ＥＬ素子がマトリクス状に配置されてなる発光表示領域を備えた有機ＥＬ装置であって、前記第２の電極に対して電流を供給するための導電部が設けられ、前記第２の電極と前記導電部とを電気的に接続する接続部が前記発光表示領域内にのみ配置されたことを特徴とする。
すなわち、本発明の有機ＥＬ装置は、第２の電極と導電部とを電気的に接続する接続部（従来技術で言うところの陰極コンタクト部）が発光表示領域内にのみ配置されており、基板周縁部の非表示領域には配置されていない構成である。そのため、上記接続部の占有面積を必要としない分、狭額縁化を図ることができる。また、接続部を発光表示領域内に設ける構成では例えば各画素毎に接続部を設けることもでき、陰極への電流供給能を十分に確保することができる。
【０００７】
より具体的な構成として、断面構造の中で導電部をどの位置（レイヤー）に配置するかはいくつかのパターンが考えられる。
例えば前記有機ＥＬ素子を駆動する複数のスイッチング素子を設けるとともに、前記導電部を前記スイッチング素子の下層側に層状に形成し、前記第２の電極と前記導電部とをこれらの間に介在する絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して電気的に接続した構成を採用することができる。この場合、前記第１の電極を光透過性を有する材料で形成し、前記導電部を金属膜で形成する構成を採ることが望ましい。
この構成によれば、導電部がスイッチング素子および有機ＥＬ素子の下層側に位置するので、これら素子の構造と干渉することなく、層状（ベタ状）の導電部を形成することができる。その結果、導電部を低抵抗の電流供給用配線として機能させることができ、高効率の有機ＥＬ装置を実現することができる。特に第１の電極を光透過性材料で形成するとトップエミッション型の有機ＥＬ装置となり、下方に光を取り出さないため、導電部を不透明の金属膜で形成することができる。その場合、透明導電膜で形成した場合と比べてより低抵抗の電流供給用配線となる。
【０００８】
あるいは、前記導電部を前記第２の電極の下層側に形成し、前記第２の電極と前記導電部とを直接接触させることによりこれらを電気的に接続する構成を採用することができる。
この構成は、導電部が第２の電極の直下に位置し、第２の電極と導電部とが直接接触した状態で電気的に接続されたものであり、コンタクトホールが不要な構成である。そのため、第２の電極と導電部との接触面積が大きく取れ、電気的導通の信頼性が高いものとなる。また、コンタクトホールの占有面積を要しない分、実効的な発光表示領域の面積が広くなり、有機ＥＬ素子の輝度を向上することができる。
【０００９】
あるいは、前記導電部を前記第１の電極と同層で形成し、前記第２の電極と前記導電部とをこれらの間に介在する絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して電気的に接続する構成を採用することができる。
この構成によれば、導電部を第１の電極と同層、すなわち同一工程で形成できるので、特別な導電部形成工程を必要とせず、製造プロセスが複雑化することがない。
【００１０】
あるいは、前記有機ＥＬ素子を駆動する複数のスイッチング素子を設けるとともに、前記導電部を前記スイッチング素子の上層側でかつ前記第１の電極の下層側に形成し、前記第２の電極と前記導電部とをこれらの間に介在する絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して電気的に接続する構成を採用することができる。
この構成によれば、前記導電部を、他の配線等との干渉を避けた上で略層状（ベタ状）に形成することができ、上記構成と同様、低抵抗の電流供給用配線を実現することができる。また、導電部がスイッチング素子の上層側に位置しており、スイッチング素子を形成した後に導電部を形成するため、スイッチング素子形成工程における導電部の悪影響（例えば金属等からなる導電部が存在する状態で結晶化アニールを行うと、熱が逃げやすく、アニール効率が低下する等）を排除することができる。
【００１１】
また、前記導電部を基板の周縁部にまで延在させ、そのまま実装端子を構成してもよい。
この構成によれば、実装端子を形成するのに別の導電層を形成する必要がなく、導電層と実装端子とのコンタクト等の接続部も不要となる。その結果、実装端子の形成を簡単に行うことができる。
【００１２】
本発明の電子機器は、上記本発明の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、狭額縁の有機ＥＬ装置を備えているため、電子機器の小型化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施の形態について図１〜図４を参照して説明する。なお、以下の全ての図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材の縮尺は実際のものと異なるように表している。
【００１４】
図１は本実施形態の有機ＥＬ表示装置の配線構造を示す等価回路図である。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ格子状に配線されている。そして、走査線１０１と信号線１０２とにより区画された領域が画素領域として構成されている。
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオラインおよびアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
【００１５】
各画素領域には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極１１１（第１の電極）と、陰極１２（第２の電極）と、この画素電極１１１と陰極１２との間に挟持された機能層１１０とが設けられている。画素電極１１１と陰極１２と機能層１１０により発光部Ａが構成され、有機ＥＬ表示装置１は、この発光部Ａをマトリクス状に複数備えて発光表示領域が構成されている。
【００１６】
この構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機能層１１０は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００１７】
図２は本有機ＥＬ表示装置１の平面模式図、図３は発光表示領域を構成する各画素のパターン構成を示す平面図、図４は各画素の断面構造を拡大視した、図３のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
図４に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、基板２上に回路素子部１４と表示素子部１０が順に積層され、この積層体の形成された基板面が封止部によって封止された構造を有する。表示素子部１０は、画素電極１１１（陽極、第１の電極）と、画素電極１１１上に積層された機能層１１０を含む発光素子部１１と、発光素子部１１上に形成された共通陰極（第２の電極）１２とからなる。共通陰極１２および封止部は透光性を有しており、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、発光層から発した表示光が封止部側から出射される、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置として構成されている。
【００１８】
基板２は、図２に示すように、基板中央に位置する発光表示領域２ａと、基板周縁に位置して発光表示領域２ａを囲む非表示領域２ｂとに区画されている。
発光表示領域２ａは、マトリクス状に配置された複数の画素Ａによって形成される領域であり、発光表示領域２ａの外側を囲むように非表示領域２ｂが形成されている。そして、非表示領域２ｂには、発光表示領域２ａに隣接するダミー表示領域が形成されるとともに、データ側駆動回路（図示略）、走査側駆動回路１０５等が形成されている。回路素子部１４には、図２および図３に示すように、前述の走査線１０１、信号線１０２、保持容量ｃａｐ、スイッチング用ＴＦＴ１１２、駆動用ＴＦＴ１２３等が備えられており、発光表示領域２ａに配置された各画素Ａを駆動するようになっている。データ側駆動回路、走査側駆動回路１０５等に入力される信号を供給する配線の一端はフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。また、配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動用ＩＣ６（駆動回路）に接続されている。
【００１９】
また、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。
また、図２における発光表示領域２ａの両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域の下側の回路素子部１４内に設けられている。さらに回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。さらに表示領域２ａの図２中上側には検査回路１０６が配置されている。
【００２０】
各画素を拡大視すると、図３に示すように、電源線１０３と信号線１０２とが平行に図中縦方向に延在して配置され、これらと直交するように走査線１０１が配置されている。スイッチング用ＴＦＴ１１２の半導体層２０（ソース）がコンタクトホール２１を介して信号線１０２に接続される一方、スイッチング用ＴＦＴ１１２の半導体層２０（ドレイン）がコンタクトホール２２を介して第１中継導電層２３に接続されている。また、駆動用ＴＦＴ１２３の半導体層２５（ソース）がコンタクトホール２６を介して電源線１０３に接続される一方、駆動用ＴＦＴ１２３の半導体層２５（ドレイン）がコンタクトホール２７を介して第２中継導電層２４に接続されている。さらに、画素電極１１１がコンタクトホール２８を介して第２中継導電層２４に接続されている。第１中継導電層２３は、駆動用ＴＦＴ１２３の半導体層２５と交差する部分が駆動用ＴＦＴ１２３のゲート電極として機能するとともに、電源線１０３と重なるように配置された部分が保持容量ｃａｐの一方の電極として機能する。符号３０は、後述する共通陰極１２と共通陰極用配線とを電気的に接続する共通陰極用コンタクトホールである。
【００２１】
次に、断面構造について図４を用いて説明する。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１はトップエミッション型であるから、基板２には、透明基板、半透明基板、不透明基板のいずれを用いることもできる。透明または半透明な基板としては、例えばガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられる。不透明な基板としては、例えばアルミナ等のセラミックやステンレススチール等の金属シートに表面酸化等の絶縁処理を施したものの他、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等が挙げられる。
【００２２】
基板２上に、シリコン酸化膜等からなる第１保護膜３１、任意の金属材料からなる共通陰極用配線３２（導電部）、シリコン酸化膜等からなる第２保護膜３３が積層されている。本実施の形態において、共通陰極用配線３２は、配線と呼んでいるものの、基板２の略全面にベタ状に形成された配線層である。図３には駆動用ＴＦＴ１２３のみが図示されているが、第２保護膜３３上に駆動用ＴＦＴ１２３を構成する半導体層２５（シリコン層）、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜３５、ゲート電極となる第１中継導電層２３が形成されている。そして、駆動用ＴＦＴ１２３を覆うように第１層間絶縁膜３６が形成され、第１層間絶縁膜３６上に電源線１０３および第２中継導電層２４が形成されている。電源線１０３は第１層間絶縁膜３６を貫通するコンタクトホール２６を介して駆動用ＴＦＴ１２３の半導体層２５（ソース）に接続される一方、第２中継導電層２４は第１層間絶縁膜３６を貫通するコンタクトホール２５を介して駆動用ＴＦＴ１２３の半導体層２５（ドレイン）に接続されている。
【００２３】
第１層間絶縁膜３６上に、電源線１０３および第２中継導電層２４を覆うようにシリコン酸化膜からなる第２層間絶縁膜３７が形成され、その上にアクリル樹脂等からなる平坦化絶縁膜３８が形成されている。平坦化絶縁膜３８上にアルミニウム、銀等の光反射性の高い金属からなる画素電極１１１が形成されている。これにより、基板２側に発した光を上方の封止部側に効率的に出射させるようになっている。本実施の形態の場合、駆動用ＴＦＴ１２３の下層側に共通陰極用配線３２がベタ状に形成されているので、共通陰極用配線３２の材料に光反射性の高い金属を用いることによりこれをトップエミッション型における反射層として機能させることもできる。その場合には、画素電極１１１の材料はＩＴＯ等の透明導電膜でも良い。また、画素電極１１１は平坦化絶縁膜３８および第２層間絶縁膜３７を貫通するコンタクトホール２８を介して第２中継導電層２４に接続されている。この構成により、画素電極１１１は第２中継導電層２４を介して駆動用ＴＦＴ１２３の半導体層２５（ドレイン）に電気的に接続されている。画素電極１１１の周縁部は表層絶縁膜３９に覆われている。
【００２４】
発光素子部１１は、画素電極１１１上に積層された機能層１１０と、隣接する画素電極１１１および機能層１１０の間に備えられて各機能層１１０を仕切るバンク層４１（隔壁）とを主体として構成されている。機能層１１０上にはＩＴＯ等の透明導電膜を含む共通陰極１２が配置されており、これら画素電極１１１、機能層１１０および共通陰極１２によって発光部が構成されている。機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層と、正孔注入／輸送層上に形成された発光層とから構成されている。正孔注入／輸送層は、例えばポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、発光層は、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層、および青色（Ｂ）に発光する青色発光層の３種類を有し、各色の発光層がストライプ配置されている。この発光層の材料としては、赤色発光層としてシアノピリフェニレンビニレン、緑色発光層および青色発光層としてポリフェニレンビニレンなどを用いることができる。また、バンク層４１は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等からなり、画素電極１１１の形成位置に対応して開口部４１ｄが形成されている。よって、バンク層４１の開口部４１ｄが、実質的に表示に寄与する有効表示領域となる。また、バンク層４１は、上記の機能層材料をインクジェット法などの液滴吐出法で形成する際の隔壁として必要なものである。
【００２５】
共通陰極１２は、機能層１１０上に形成されたバソフェンセシウム等からなる電子注入層と、その上層に積層されたＩＴＯ等の透明導電膜の２層構造となっている。発光表示領域２ａ内において、共通陰極用配線３２以外の各種電極、配線等の導電層、半導体層、および機能層が存在しない領域に、第２保護膜３３、ゲート絶縁膜３５、第１層間絶縁膜３６、第２層間絶縁膜３７、平坦化絶縁膜３８、表層絶縁膜３９、およびバンク層４１を全て貫通し、共通陰極用配線３２に達する共通陰極用コンタクトホール３０（接続部）が形成されている。そして、ベタ状の共通陰極１２が共通陰極用コンタクトホール３０の内壁面に沿って形成され、コンタクトホール底部で共通陰極用配線３２と接触することにより電気的に接続されている。共通陰極１２の上層は、酸素や水分の浸入を防止するための透明封止樹脂膜４３で覆われ、さらに接着層４４を介してカバーガラス４５が設けられている。
【００２６】
図４において、破断線より右側は、基板端部の実装端子４７を示している。この図に示すように、基板端部では、共通陰極用配線３２より上層の第２保護膜３３、ゲート絶縁膜３５、第１層間絶縁膜３６、第２層間絶縁膜３７、平坦化絶縁膜３８、表層絶縁膜３９、およびバンク層４１等の絶縁層、半導体層２５、ゲート電極２３、電源線１０３、第２中継導電層２４等の導電層が全て除去されており、共通陰極用配線３２が露出している。すなわち、本実施の形態の場合、共通陰極用配線３２がそのまま基板２の端部にまで延在し、実装端子４７として機能する。
【００２７】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の構成上の特徴点は、共通陰極１２と共通陰極用配線３２とを電気的に接続する共通陰極用コンタクトホール３０が発光表示領域２ａ内にのみ配置されており、基板周縁部の非表示領域２ｂには配置されていない構成である。そのため、非表示領域２ｂに従来の陰極コンタクト部の占有面積を必要としない分、狭額縁化を図ることができる。また、共通陰極用コンタクトホール３０が各画素毎に有効表示領域外に設けられているため、共通陰極１２への電流供給能を十分に確保することができるとともに、開口率（輝度）を低下させることがない。特に本実施の形態の場合、共通陰極用配線３２がＴＦＴおよび有機ＥＬ素子の下層側に位置するので、これら素子の構造と干渉することなく、層状（ベタ状）の共通陰極用配線３２を形成することができる。その結果、共通陰極用配線３２を低抵抗の電流供給用配線として機能させることができ、高効率の有機ＥＬ表示装置を実現することができる。
【００２８】
［第２の実施の形態］
以下、本発明の第２の実施の形態を図５を用いて説明する。
本実施の形態の有機ＥＬ表示装置の基本構成は第１の実施の形態と同様であり、断面構造における共通陰極用配線の形成位置が異なるのみである。
図５は本実施の形態の有機ＥＬ表示装置の断面構造を示す図であり、第１の実施の形態の図４に相当する図である。図５において図４と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００２９】
第１の実施の形態の場合、共通陰極用配線３２がＴＦＴよりも下層側に配置されていたのに対し、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置５０の場合、図５に示すように、共通陰極用配線５１がバンク層４１の上面に配置されている。共通陰極用配線５１は、例えばクロム（Ｃｒ）／金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）／銅（Ｃｕ）／窒化チタン（ＴｉＮ）等の金属から構成されている。よって、本実施の形態の場合、共通陰極用配線５１を基板全面にベタ状に形成するわけにはいかず、共通陰極用配線５１が有効表示領域を避けてバンク層４１の上面にのみ所定のパターンで形成されている。また、第１の実施の形態の場合、バンク層４１の上層側には共通陰極１２が配置されていたが、本実施の形態の場合、バンク層４１の上面に共通陰極用配線５１が配置されているため、共通陰極１２と共通陰極用配線５１とが直接接触することになる。よって、本実施形態の構成は、共通陰極用コンタクトホールが不要な構成となる。
【００３０】
図５において、破断線より右側は、基板端部の実装端子４７を示している。この図に示すように、基板端部では、第１層間絶縁膜３６、第２層間絶縁膜３７、平坦化絶縁膜３８、表層絶縁膜３９、およびバンク層４１等の絶縁層、半導体層２５、ゲート電極２３、電源線１０３、第２中継導電層２４等の導電層が全て除去されており、共通陰極用配線５１が露出している。すなわち、本実施の形態の場合、共通陰極用配線５１がそのまま基板の端部にまで延在し、実装端子４７として機能する。
【００３１】
本実施の形態においては、共通陰極用コンタクトホールが存在せず、ある程度広い接触面積をもって共通陰極１２と共通陰極用配線５１とが接合されているため、共通陰極１２への電流供給能を十分に確保することができるとともに、狭額縁化を図ることができる。特に本実施の形態の場合、共通陰極用コンタクトホールの占有面積を要しない分、有効表示領域の面積（バンク層の開口部）を広くすることができ、有機ＥＬ素子の輝度を向上することができる。また、共通陰極用配線５１が金属材料から構成されているため、配線の低抵抗化を図ることができる。
【００３２】
［第３の実施の形態］
以下、本発明の第３の実施の形態を図６を用いて説明する。
本実施の形態の有機ＥＬ表示装置の基本構成は第１の実施の形態と同様であり、断面構造における共通陰極用配線の形成位置が異なるのみである。
図６は本実施の形態の有機ＥＬ表示装置の断面構造を示す図であり、第１の実施の形態の図４に相当する図である。図６において図４と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３３】
第１の実施の形態の場合、共通陰極用配線３２がＴＦＴよりも下層側に配置されており、第２の実施の形態の場合、共通陰極用配線５１がバンク層の上面に配置されていたのに対し、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置６０の場合、図６に示すように、共通陰極用配線６１がバンク層４１の下層側に配置されている。すなわち、共通陰極用配線６１は、画素電極１１１と同一レイヤーで同一工程で形成されており、例えばＩＴＯ等の透明導電膜から構成されている。そして、発光表示領域２ａ内において、共通陰極用配線６１以外の各種電極、配線等の導電層、半導体層２５、および機能層１１０が存在しない領域に、表層絶縁膜３９とバンク層４１とを貫通し、共通陰極用配線６１に達する共通陰極用コンタクトホール６２が形成されている。そして、ベタ状の共通陰極１２が共通陰極用コンタクトホール６２の内壁面に沿って形成され、コンタクトホール底部で共通陰極用配線６１と接触することにより電気的に接続されている。
【００３４】
図６において、破断線より右側は、基板端部の実装端子４７を示している。この図に示すように、基板端部では、第１層間絶縁膜３６、第２層間絶縁膜３７、平坦化絶縁膜３８、表層絶縁膜３９、およびバンク層４１等の絶縁層、半導体層２５、ゲート電極２３、電源線１０３、第２中継導電層２４等の導電層が全て除去されており、共通陰極用配線６１が露出している。すなわち、本実施の形態の場合、共通陰極用配線６１がそのまま基板の端部にまで延在し、実装端子４７として機能する。
【００３５】
本実施の形態においても、各画素毎に共通陰極用コンタクトホール６２が設けられているため、共通陰極１２への電流供給能を十分に確保することができるとともに、基板周縁部に陰極用コンタクトが要らない分、狭額縁化を図ることができる。特に本実施の形態の場合、共通陰極用配線６１を画素電極１１１と同一レイヤー、同一工程で形成できるので、特別な配線形成工程を必要とせず、製造プロセスが複雑化することがない。
【００３６】
［第４の実施の形態］
以下、本発明の第４の実施の形態を図７を用いて説明する。
本実施の形態の有機ＥＬ表示装置の基本構成は第１の実施の形態と同様であり、断面構造における共通陰極用配線の形成位置が異なるのみである。
図７は本実施の形態の有機ＥＬ表示装置の断面構造を示す図であり、第１の実施の形態の図４に相当する図である。図７において図４と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３７】
本実施の形態の有機ＥＬ表示装置７０の場合、図７に示すように、共通陰極用配線７１が第２層間絶縁膜３７と平坦化絶縁膜３８との間に配置されている。共通陰極用配線７１は、ＴＦＴ１２３および電源線１０３、第２中継導電層２４の形成領域を除く基板の略全面にベタ状に形成することができ、任意の金属材料で構成することができる。そして、発光表示領域２ａ内において、共通陰極用配線７１以外の各種電極、配線等の導電層、半導体層２５、および機能層１１０が存在しない領域に、平坦化絶縁膜３８、表層絶縁膜３９、バンク層４１を全て貫通し、共通陰極用配線７１に達する共通陰極用コンタクトホール７２が形成されている。そして、ベタ状の共通陰極１２が共通陰極用コンタクトホール７２の内壁面に沿って形成され、コンタクトホール底部で共通陰極用配線７１と接触することにより電気的に接続されている。
【００３８】
図７において、破断線より右側は、基板端部の実装端子４７を示している。この図に示すように、基板端部では、第１層間絶縁膜３６、第２層間絶縁膜３７、平坦化絶縁膜３８、表層絶縁膜３９、およびバンク層４１等の絶縁層、半導体層２５、ゲート電極２３、電源線１０３、第２中継導電層２４等の導電層が全て除去されており、共通陰極用配線７１が露出している。すなわち、本実施の形態の場合、共通陰極用配線７１がそのまま基板の端部にまで延在し、実装端子４７として機能する。
【００３９】
本実施の形態においても、各画素毎に共通陰極用コンタクトホール７２が設けられているため、共通陰極１２への電流供給能を十分に確保することができるとともに、基板周縁部に陰極用コンタクトが要らない分、狭額縁化を図ることができる。特に本実施の形態の場合、共通陰極用配線７１を略ベタ状に形成できるので、第１の実施の形態と同様、低抵抗の電流供給用配線を実現することができる。また、共通陰極用配線７１がＴＦＴ１２３の上層側に位置しており、ＴＦＴ１２３を形成した後に共通陰極用配線７１を形成するため、ＴＦＴ形成工程における共通陰極用配線７１の悪影響（例えば金属等からなる共通陰極用配線が存在する状態でＴＦＴのＳｉ層の結晶化アニールを行うと、熱が逃げやすく、アニール効率が低下する等の問題）を排除することができる。さらに、第１の実施の形態ほど、共通陰極用コンタクトホール７２を深く形成する必要がないため、共通陰極用コンタクトホール７２の形成プロセス上の不具合や電気的接続上の信頼性低下を招くことがない。
【００４０】
［第５の実施の形態］
以下、本発明の第５の実施の形態を図８を用いて説明する。
本実施の形態の有機ＥＬ表示装置の基本構成は第１の実施の形態と同様であり、断面構造における共通陰極用配線の形成位置が異なるのみである。
図８は本実施の形態の有機ＥＬ表示装置の断面構造を示す図であり、第１の実施の形態の図４に相当する図である。図８において図４と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４１】
本実施の形態の有機ＥＬ表示装置８０の場合、図８に示すように、平坦化絶縁膜が第１平坦化絶縁膜３８ａと第２平坦化絶縁膜３８ｂの２層構造となっており、共通陰極用配線８１が第１平坦化絶縁膜３８ａと第２平坦化絶縁膜３８ｂとの間に配置されている。共通陰極用配線８１は、ＴＦＴ１２３および電源線１０３、第２中継導電層２４の形成領域を除く基板の略全面にベタ状に形成することができ、任意の金属材料で構成することができる。そして、発光表示領域２ａ内において、共通陰極用配線８１以外の各種電極、配線等の導電層、半導体層２５、および機能層１１０が存在しない領域に、第２平坦化絶縁膜３８ｂ、表層絶縁膜３９、バンク層４１を全て貫通し、共通陰極用配線８１に達する共通陰極用コンタクトホール８２が形成されている。そして、ベタ状の共通陰極１２が共通陰極用コンタクトホール８２の内壁面に沿って形成され、コンタクトホール底部で共通陰極用配線８１と接触することにより電気的に接続されている。
【００４２】
図８において、破断線より右側は、基板端部の実装端子４７を示している。この図に示すように、基板端部では、第１層間絶縁膜３６、第２層間絶縁膜３７、第１平坦化絶縁膜３８ａ、第２平坦化絶縁膜３８ｂ、表層絶縁膜３９、およびバンク層４１等の絶縁層、半導体層２５、ゲート電極２３、電源線１０３、第２中継導電層２４等の導電層が全て除去されており、共通陰極用配線８１が露出している。すなわち、本実施の形態の場合、共通陰極用配線８１がそのまま基板の端部にまで延在し、実装端子４７として機能する。
【００４３】
本実施の形態においても、各画素毎に共通陰極用コンタクトホール８２が設けられているため、共通陰極１２への電流供給能を十分に確保することができるとともに、基板周縁部に陰極用コンタクトが要らない分、狭額縁化を図ることができる。また、共通陰極用配線８１を略ベタ状に形成できるので、低抵抗の電流供給用配線を実現することができる、ＴＦＴ１２３を形成した後に共通陰極用配線８１を形成するため、ＴＦＴ形成工程における共通陰極用配線の悪影響を排除できる等、第４の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４４】
［電子機器］
以下、本発明の上記実施形態の有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図９は、有機ＥＬテレビジョン１２００の一例を示した斜視図である。図９において、符号１２０２はテレビジョン本体、符号１２０３はスピーカーを示し、符号１２０１は上記有機ＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。このような電子機器の表示部に上記実施形態の有機ＥＬ表示装置を用いた場合、狭額縁の表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【００４５】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば上記実施の形態で用いた共通陰極用配線の平面形状、材料、共通陰極用コンタクトホールの配置等の具体的な構成は適宜変更が可能である。さらに、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光層をストライプ配置した場合について説明したが、本発明はこれに限られず、さまざまな配置構造を採用することができる。例えばストライプ配置の他、モザイク配置や、デルタ配置とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１実施形態の有機ＥＬ表示装置の等価回路図である。
【図２】同、有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図３】同、有機ＥＬ表示装置の一画素のパターンを示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ‘線に沿う断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態の有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態の有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図７】本発明の第４実施形態の有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図８】本発明の第５実施形態の有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図９】本発明の電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４７】
１，５０，６０，７０，８０…有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ装置）、２…基板、１２…共通陰極（第２の電極）、３０，６２，７２，８２…共通陰極用コンタクトホール（接続部）、３２，５１，６１，７１，８１…共通陰極用配線（導電部）、１１０…機能層、１１１…画素電極（第１の電極）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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