(57)【要約】【課題】  半導体装置、電気光学装置等に用いられる基板装置の製造工程における歩留まりを向上させる。【解決手段】  基板装置は、基板上に形成され、端部を有する第１平面パターンを持つ下層膜と、該下層膜及び基板上に下層膜の端部を覆うように形成され、下層膜の端部における一つの端面に対応して傾斜する傾斜部を有する層間膜と、該層間膜上に形成される上層膜とを備える。【選択図】      図１
2005062479.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、端部を有する第１平面パターンを持つ下層膜と、
該下層膜及び前記基板上に前記端部を覆うように形成され、前記端部における端面に対応して傾斜する傾斜部を有する層間膜と、
該層間膜上に形成され、前記層間膜上における前記傾斜部とは異なる部分上に角部を有する第２平面パターンを持つ上層膜と
を備えたことを特徴とする基板装置。
【請求項２】
基板上に形成され、角部を有する第１平面パターンを持つ下層膜と、
該下層膜及び前記基板上に前記角部を覆うように形成され、前記角部近傍の端面に対応して傾斜する傾斜部を有する層間膜と、
該層間膜上に形成され、前記層間膜上における前記傾斜部とは異なる部分上に端部を有する第２平面パターンを持つ上層膜と、
を有することを特徴とする基盤装置。
【請求項３】
前記上層膜の角部は、前記層間膜上において前記傾斜部により規定される段差の上段側に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板装置。
【請求項４】
前記上層膜は、前記段差の上段側において前記段差に向かって延在すると共に前記段差の手前で途切れており、
前記上層膜の角部は、前記上段側において、前記第１及び第２平面パターンの寸法のばらつき又は端の位置のばらつきに応じて予め設定された距離だけ前記傾斜部から後退していることを特徴とする請求項３に記載の基板装置。
【請求項５】
前記上層膜は、前記段差の下段側において前記段差に向かって延在すると共に前記段差を跨いで前記上段にまで延在しており、
前記上層膜の角部は、前記上段側において、前記第１及び第２平面パターンの寸法のばらつき又は端の位置のばらつきに応じて予め設定された距離だけ前記傾斜部から延在していることを特徴とする請求項３に記載の基板装置。
【請求項６】
前記上層膜の角部は、前記層間膜上において前記傾斜部により規定される段差の下段側に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板装置。
【請求項７】
前記上層膜は、前記段差の下段側において前記段差に向かって延在すると共に前記段差の手前で途切れており、
前記上層膜の角部は、前記下段側において、前記第１及び第２平面パターンの寸法のばらつき又は端の位置のばらつきに応じて予め設定された距離だけ前記傾斜部から延在していることを特徴とする請求項６に記載の基板装置。
【請求項８】
前記上層膜は、前記段差の上段側において前記段差に向かって延在すると共に前記段差を跨いで前記下段にまで延在しており、
前記上層膜の角部は、前記下段側において、前記第１及び第２平面パターンの寸法のばらつき又は端の位置のばらつきに応じて予め設定された距離だけ前記傾斜部から延在していることを特徴とする請求項６に記載の基板装置。
【請求項９】
基板上に形成され、角部を有する第１平面パターンを持つ下層膜と、
該下層膜及び前記基板上に前記角部を覆うように形成され、前記角部における二つの端面に対応して二方向に傾斜する傾斜部を有する層間膜と、
該層間膜上に形成され、前記層間膜上における前記傾斜部とは異なる部分上に端部を有する第２平面パターンを持つ上層膜と
を備えたことを特徴とする基板装置。
【請求項１０】
前記上層膜の端部は、前記層間膜上において前記傾斜部により規定される段差の上段側に配置されていることを特徴とする請求項９に記載の基板装置。
【請求項１１】
前記上層膜の端部は、前記層間膜上において前記傾斜部により規定される段差の下段側に配置されていることを特徴とする請求項９に記載の基板装置。
【請求項１２】
画像表示領域を有する電気光学パネルを駆動する駆動回路であって、
請求項１から１１のいずれか一項に記載の基板装置を備え、
前記上層膜及び前記下層膜は夫々、前記電気光学パネルを駆動するための配線及び電子素子の少なくとも一部をなす導電膜又は半導体膜からなり、
前記層間膜は、前記上層膜及び前記下層膜間を層間絶縁する絶縁膜からなることを特徴とする駆動回路。
【請求項１３】
請求項１２に記載の駆動回路及び前記電気光学パネルを備え、
前記電気光学パネルは、前記基板上に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１から１１のいずれか一項に記載の基板装置を備え、
前記基板上に、複数の画素電極と、該複数の画素電極をアクティブマトリクス駆動するための配線及び電子素子とを備え、
前記上層膜及び前記下層膜は夫々、前記配線及び電子素子の少なくとも一部をなす導電膜又は半導体膜からなり、
前記層間膜は、前記上層膜及び前記下層膜間を層間絶縁する絶縁膜からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置等の基板装置、該基板装置を用いて構成された、例えば液晶パネル等の電気光学パネルを駆動する駆動回路、該電気光学パネル及び駆動回路を備えてなる例えば液晶装置等の電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えてなる例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の基板装置では、基板上の積層構造内に、所定平面パターンを夫々有する導電膜や半導体膜が層間絶縁膜を介して積層形成されている。ここで例えば、導電膜や半導体膜である下層膜と、導電膜や半導体膜である上層膜との間に挟持された層間絶縁膜は、下層膜がその平面形状において端部や角部を有する平面パターンとして形成されている場合、この端部や角部と対応する位置に傾斜部が形成されることがある（例えば、特許文献１の図４参照）。より具体的には、一つの端面を規定する端部が存在すると、一つの端面に対応して一方向に傾斜している傾斜部が形成される。他方、角で連結した二つの端面を規定する角部が存在すると、二つの端面に対応して二方向に傾斜している傾斜部が形成される。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１５０６０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、本願発明者の研究によれば、層間膜の傾斜部は、下層膜の端部や角部と対応する位置に形成されるため、応力が発生しやすい状態にあり、クラックが生じ易い。特に、下層膜の角部に対応する傾斜部の場合、角で応力集中が起きやすく、クラックが一層生じ易い。或いは、このような層間膜の傾斜部上に、上層膜の角部が形成されると、上層膜の角部が傾斜部に対して大きな応力を与えるため、傾斜部でクラックが発生する恐れが増大する。更に、下層膜の角部上に、層間膜を介して、上層膜の角部を形成すると、より一層クラックが発生し易くなる。その結果、基板装置の製造工程において歩留まりが低下するという問題点がある。
【０００５】
特に、上述した基板装置を用いて電気光学装置を構成する場合、近時における画質向上という一般的要請下で画素ピッチ及びドライバ配線の微細化が進むに連れて、配線、電極等をなす下層膜上における層間絶縁膜の傾斜部上に、配線、電極等をなす上層膜の角部や端部か形成される機会が増大し、係る問題は深刻さを増すものと考えられる。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑み成されたものであり、製造工程における歩留まりを向上させることを可能ならしめる基板装置、該基板装置を用いて構成された、例えば液晶パネル等の電気光学パネルを駆動する駆動回路、該電気光学パネル及び駆動回路を備えてなる例えば液晶装置等の電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えてなる例えば液晶プロジェクタ等の電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１基板装置は上記課題を解決するために、基板上に形成され、端部を有する第１平面パターンを持つ下層膜と、該下層膜及び前記基板上に前記端部を覆うように形成され、前記端部における端面に対応して傾斜する傾斜部を有する層間膜と、該層間膜上に形成され、前記層間膜上における前記傾斜部とは異なる部分上に角部を有する第２平面パターンを持つ上層膜とを備える。
【０００８】
本発明の第１基板装置によれば、基板上に、第１平面パターンを持つ下層膜と、第２平面パターンを持つ上層膜とが、層間膜を介して積層形成された積層構造が得られる。このため、下層膜と上層膜とを夫々、例えば配線や電子素子の一部をなす導電膜や半導体膜から構成し、層間膜をこのような導電膜や半導体膜を層間絶縁する層間絶縁膜として構成すれば、基板上の積層構造内に、各種配線や電子素子を作り込むことができる。よって、例えば電気光学装置或いは電気光学パネルやその駆動回路等の各種の電気電子装置を構築できる。
【０００９】
ここで特に、本願発明者の研究によれば、下層膜上に形成される層間膜で、下層膜の存在により応力が発生しやすく或いは発生する応力の度合が相対的に強いのは、下層膜の端部上の傾斜部であることが判明している。更に、上層膜下に形成される層間膜で、上層膜の存在により応力が最も発生しやすく或いは発生する応力の度合が相対的に最も強いのは、上層膜の角部下であることが判明している。従って、仮に、下層膜の端部上の傾斜部上に、上層膜の角部を配置すると、この傾斜部では、下層膜の存在による応力及び上層膜の存在による応力によって、クラックが局所的に生じ易くなってしまう。しかるに、本発明は、上層膜は、下層膜の端部上の傾斜部とは異なる層間膜部分上に角部を有するので、傾斜部に応力が集中して、クラックが発生することを未然に防止又は効果的に抑制できる。
【００１０】
以上の結果、本発明の第１基板装置によれば、下層膜の存在による層間膜の傾斜部において発生するクラックを低減できるので、製造工程における歩留まりを向上させることが可能となる。例えば、クラックを低減させるべく傾斜部の発生を避けるために、層間膜に対して平坦化処理等の複雑高度な処理を追加的に行う必要もない。また、クラックの低減により、基板装置の信頼性を顕著に高めることも可能である。
【００１１】
本発明の第２基板装置は上記課題を解決するために、基板上に形成され、角部を有する第１平面パターンを持つ下層膜と、該下層膜及び前記基板上に前記角部を覆うように形成され、前記角部近傍の端面に対応して傾斜する傾斜部を有する層間膜と、該層間膜上に形成され、前記層間膜上における前記傾斜部とは異なる部分上に端部を有する第２平面パターンを持つ上層膜と、を有する。
【００１２】
本発明の第２基板装置の主要な構成は、本発明の第１基板装置と同様の構成となっている。本発明の第２基板装置において、下層膜は角部を有している。ここで本願発明者の研究によれば、下層膜上に形成される層間膜で、下層膜の存在により応力が最も発生しやすく或いは発生する応力の度合が相対的に最も強いのは、下層膜の角部上の傾斜部であることが判明している。更に、上層膜下に形成される層間膜で、上層膜の存在により応力が発生しやすく或いは発生する応力の度合が相対的に強いのは、上層膜の端部下であることが判明している。従って、仮に、下層膜の角部上の傾斜部上に、上層膜の端部を配置すると、この傾斜部では、下層膜の存在による応力及び上層膜の存在による応力によって、クラックが局所的に非常に生じ易くなってしまう。
【００１３】
尚、第２平面パターンの角部は、その端部と他の端部との二つの端部が角にて連結されてなり、第２平面パターンの端部は該他の端部と共に、第２平面パターンの角部の一部をなす。しかるに、本発明の第２基板装置によれば、上層膜は、下層膜の角部上の傾斜部とは異なる層間膜部分上に角部を有するので、傾斜部に応力が集中して、クラックが発生することを未然に防止又は効果的に抑制できる。
【００１４】
本発明の第１又は第２基板装置の一の態様では、前記上層膜の角部は、前記層間膜上において前記傾斜部により規定される段差の上段側に配置されている。
【００１５】
この態様によれば、上層膜の角部が、下層膜の存在により応力が相対的に発生し難い、段差の上段側における層間膜上に配置されるので、クラックの発生を効果的に防止できる。
【００１６】
この態様では、前記上層膜は、前記段差の上段側において前記段差に向かって延在すると共に前記段差の手前で途切れており、前記上層膜の角部は、前記上段側において、前記第１及び第２平面パターンの寸法のばらつき又は端の位置のばらつきに応じて予め設定された距離だけ前記傾斜部から後退しているように構成してもよい。
【００１７】
このように構成すれば、段差の下段側に広がる層間膜上領域を利用して、上層膜により各種配線や電子素子の少なくとも一部を形成できる。この際特に、下層膜及び上層膜の製造時における、例えばエッチング時におけるパターニング精度など、寸法精度に応じて予め設定された所定距離だけ、上層膜の角部が傾斜部から後退しているので、製造誤差によって、上層膜の角部が傾斜部にかかってしまう事態を未然に防止できる。従って、実践上極めて有利である。
【００１８】
或いはこの態様では、前記上層膜は、前記段差の下段側において前記段差に向かって延在すると共に前記段差を跨いで前記上段にまで延在しており、前記上層膜の角部は、前記上段側において、前記第１及び第２平面パターンの寸法のばらつき又は端の位置のばらつきに応じて予め設定された距離だけ前記傾斜部から延在しているように構成してもよい。
【００１９】
このように構成すれば、段差の下段側及び上段側に夫々広がる層間膜上領域を利用して、上層膜により各種配線や電子素子の少なくとも一部を形成できる。この際特に、下層膜及び上層膜の製造時における寸法精度に応じて予め設定された所定距離だけ、上層膜の角部が傾斜部から延在しているので、製造誤差によって、上層膜の角部が傾斜部にかかってしまう事態を未然に防止できる。
【００２０】
本発明の第１又は第２基板装置の他の態様では、前記上層膜の角部は、前記層間膜上において前記傾斜部により規定される段差の下段側に配置されている。
【００２１】
この態様によれば、上層膜の角部が、下層膜の存在により応力が相対的に発生し難い、段差の下段側における層間膜上に配置されるので、クラックの発生を効果的に防止できる。
【００２２】
この態様では、前記上層膜は、前記段差の下段側において前記段差に向かって延在すると共に前記段差の手前で途切れており、前記上層膜の角部は、前記下段側において、前記第１及び第２平面パターンの寸法のばらつき又は端の位置のばらつきに応じて予め設定された距離だけ前記傾斜部から後退しているように構成してもよい。
【００２３】
このように構成すれば、段差の下段側に広がる層間膜上領域を利用して、上層膜により各種配線や電子素子の少なくとも一部を形成できる。この際特に、下層膜及び上層膜の製造時における寸法精度に応じて予め設定された所定距離だけ、上層膜の角部が傾斜部から後退しているので、製造誤差によって、上層膜の角部が傾斜部にかかってしまう事態を未然に防止できる。
【００２４】
或いはこの態様では、前記上層膜は、前記段差の上段側において前記段差に向かって延在すると共に前記段差を跨いで前記下段にまで延在しており、前記上層膜の角部は、前記下段側において、前記第１及び第２平面パターンの寸法のばらつき又は端の位置のばらつきに応じて予め設定された距離だけ前記傾斜部から延在しているように構成してもよい。
【００２５】
このように構成すれば、段差の下段側及び上段側に夫々広がる層間膜上領域を利用して、上層膜により各種配線や電子素子の少なくとも一部を形成できる。この際特に、下層膜及び上層膜の製造時における寸法精度に応じて予め設定された所定距離だけ、上層膜の角部が傾斜部から延在しているので、製造誤差によって、上層膜の角部が傾斜部にかかってしまう事態を未然に防止できる。
【００２６】
本発明の第３基板装置は上記課題を解決するために、基板上に形成され、角部を有する第１平面パターンを持つ下層膜と、該下層膜及び前記基板上に前記角部を覆うように形成され、前記角部における二つの端面に対応して二方向に傾斜する傾斜部を有する層間膜と、該層間膜上に形成され、前記層間膜上における前記傾斜部とは異なる部分上に端部を有する第２平面パターンを持つ上層膜とを備える。
【００２７】
本発明の第３基板装置によれば、基板上に、第１平面パターンを持つ下層膜と、第２平面パターンを持つ上層膜とが、層間膜を介して積層形成された積層構造が得られる。このため、基板上の積層構造内に、各種配線や電子素子を作り込むことができる。
【００２８】
ここで特に、本願発明者の研究によれば、下層膜上に形成される層間膜で、下層膜の存在により応力が最も発生しやすく或いは発生する応力の度合が相対的に最も強いのは、下層膜の角部上の傾斜部であることが判明している。更に、上層膜下に形成される層間膜で、上層膜の存在により応力が発生しやすく或いは発生する応力の度合が相対的に強いのは、上層膜の端部下であることが判明している。従って、仮に、下層膜の角部上の傾斜部上に、上層膜の端部を配置すると、この傾斜部では、下層膜の存在による応力及び上層膜の存在による応力によって、クラックが局所的に生じ易くなってしまう。しかるに、本発明は、上層膜は、下層膜の角部上の傾斜部とは異なる層間膜部分上に端部を有するので、傾斜部に応力が集中して、クラックが発生することを未然に防止又は効果的に抑制できる。
【００２９】
以上の結果、本発明の第２基板装置によれば、下層膜の存在による層間膜の傾斜部において発生するクラックを低減できるので、製造工程における歩留まりを向上させることが可能となる。
【００３０】
本発明の第３基板装置の一態様では、前記上層膜の端部は、前記層間膜上において前記傾斜部により規定される段差の上段側に配置されている。
【００３１】
この態様によれば、上層膜の端部が、下層膜の存在により応力が相対的に発生し難い、段差の上段側における層間膜上に配置されるので、クラックの発生を効果的に防止できる。
【００３２】
本発明の第３基板装置の他の態様では、前記上層膜の端部は、前記層間膜上において前記傾斜部により規定される段差の下段側に配置されている。
【００３３】
この態様によれば、上層膜の端部が、下層膜の存在により応力が相対的に発生し難い、段差の下段側における層間膜上に配置されるので、クラックの発生を効果的に防止できる。
【００３４】
本発明の駆動回路は上記課題を解決するために、画像表示領域を有する電気光学パネルを駆動する駆動回路であって、上述した本発明の第１から第３基板装置（但し、その各種態様を含む）のいずれかを備え、前記上層膜及び前記下層膜は夫々、前記電気光学パネルを駆動するための配線及び電子素子の少なくとも一部をなす導電膜又は半導体膜からなり、前記層間膜は、前記上層膜及び前記下層膜間を層間絶縁する絶縁膜からなる。
【００３５】
本発明の駆動回路によれば、上述した本発明の第１又は第２基板装置を備えるので、製造工程における歩留まりを向上させることが可能となり、信頼性も高い。
【００３６】
本発明の第１電気光学装置は上記課題を解決するために、上述した本発明の駆動回路及び前記電気光学パネルを備え、前記電気光学パネルは、前記基板上に形成されている。
【００３７】
本発明の第１電気光学装置によれば、上述した本発明の駆動回路を備えるので、製造工程における歩留まりを向上させることが可能となり、信頼性も高い。
【００３８】
本発明の第２電気光学装置は上記課題を解決するために、上述した本発明の第１又は第２基板装置（但し、その各種態様を含む）を備え、前記基板上に、複数の画素電極と、該複数の画素電極をアクティブマトリクス駆動するための配線及び電子素子とを備え、前記上層膜及び前記下層膜は夫々、前記配線及び電子素子の少なくとも一部をなす導電膜又は半導体膜からなり、前記層間膜は、前記上層膜及び前記下層膜間を層間絶縁する絶縁膜からなる。
【００３９】
本発明の第２電気光学装置によれば、上述した本発明の基板装置を備えるので、製造工程における歩留まりを向上させることが可能となり、信頼性も高い。
【００４０】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の第１又は第２の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備してなる。
【００４１】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、製造における歩留まりを向上させることが可能な、投射型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置の他に、電子放出素子（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）等も実現することが可能である。
【００４２】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００４４】
＜１：第１実施形態＞
先ず本発明の基板装置に係る第１実施形態について、図１から図３を参照して説明する。図１（ａ）は、本実施形態に係る基板装置の一の構成例について、各構成要素の配置関係を概略的に示す斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。また、図２（ａ）は、本実施形態に係る基板装置の他の構成例について、各構成要素の配置関係を概略的に示す斜視図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。更に、図３（ａ）は、本実施形態に係る基板装置の比較例について、図１（ａ）に対応する個所における各構成要素の配置関係を概略的に示す斜視図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。
【００４５】
図１（ａ）において、基板装置７００は、図１（ａ）には図示しない基板上に、第１平面パターンを持つ下層膜７０４と、第２平面パターンを持つ上層膜７０８ａとが、層間膜７０６を介して積層形成された積層構造を有する。
【００４６】
本実施形態では、下層膜７０４と上層膜７０８ａとを夫々、例えば配線や電子素子の一部をなす導電膜や半導体膜から構成し、層間膜７０６をこのような導電膜や半導体膜を層間絶縁する層間絶縁膜として構成する。よって、基板装置７００において、基板上の積層構造内に、各種配線や電子素子を作り込むことができる。よって、例えば電気光学装置或いは電気光学パネルやその駆動回路等の各種の電気電子装置や半導体装置を構築できる。
【００４７】
図１（ａ）に示すように、下層膜７０４は端部を有する第１平面パターンとして形成されており、上層膜７０８ａは角部７０９を有する第２平面パターンとして形成されている。また、層間膜７０６は、下層膜７０４及び基板上に下層膜７０４の端部を覆うように形成され、該端部における一つの端面７０４ａに対応して傾斜する傾斜部を有する。
【００４８】
ここに、図１（ｂ）には図１（ａ）に示す構成における、上層膜７０８ａと、該上層膜の角部７０９と、層間膜の傾斜部（図１（ｂ）中において符号７０６ａを付して示す）とについて、その配置関係を示してある。尚、図１（ｂ）において、層間膜７０６上において傾斜部により規定される段差の下段側を「下」として示し、該段差の上段側を「上」として示してある。
【００４９】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、上層膜７０８ａは、層間膜７０６上において傾斜部により規定される段差の下段側から該段差に向かって延在すると共に、該段差を跨いでその上段にまで延在している。このような構成によれば、上層膜７０８ａの角部７０９は、層間膜７０６上において傾斜部により規定される段差の上段側に配置される。また、好ましくは、上層膜７０８ａの角部７０９は、下層膜７０４及び上層膜７０８ａの製造時における寸法精度に応じて予め設定された所定距離ｄだけ、層間膜７０６の傾斜部から延在している
【００５０】
次に、図２を参照して、更に本実施形態における基板装置７００の他の構成例についても説明する。図２（ａ）に示す基板装置７００の主要な構成は、図１（ａ）を参照して説明した基板装置７００と同様の構成となっているが、上層膜７０８ｂの配置に関する構成が図１（ａ）とは異なっている。
【００５１】
また、図２（ｂ）は図１（ｂ）と同様、図２（ａ）に示す構成における、上層膜７０８ｂと、該上層膜の角部７０９と、層間膜７０６の傾斜部（図２（ｂ）中において符号７０６ａを付して示す）とについて、その配置関係を示してある。
【００５２】
よって、図２（ａ）及び図２（ｂ）について、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示す構成と同様の構成について同一の符号を付して示し、重複する説明は省略する。
【００５３】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、上層膜７０８ｂは、層間膜７０６の傾斜部により規定される段差の下段側において該段差に向かって延在すると共に該段差の手前で途切れている。このような構成によれば、上層膜７０８ｂの角部７０９は、層間膜７０６上において傾斜部により規定される段差の下段側に配置される。また、好ましくは、上層膜７０８ｂの角部７０９は、下層膜７０４及び上層膜７０８ｂの製造時における寸法精度に応じて予め設定された所定距離ｄだけ層間膜７０６の傾斜部から後退している。
【００５４】
次に、図１及び図２に示す基板装置７００の比較例について、図３を参照して説明する。
【００５５】
図３（ａ）に示す基板装置７００の主要な構成は、図１及び図２を参照して説明した基板装置７００と同様の構成となっているが、上層膜７０８ｃの配置に関する構成が図１及び図２とは異なっている。
【００５６】
また、図３（ｂ）は図１（ｂ）及び図２（ｂ）と同様、図３（ａ）に示す構成における、上層膜７０８ｃと、該上層膜７０８ｃの角部７０９と、層間膜７０６の傾斜部（図３（ｂ）中において符号７０６ａを付して示す）とについて、その配置関係を示してある。
【００５７】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、上層膜７０８ｃは、層間膜７０６上において傾斜部により規定される段差の下段側から該段差に向かって延在すると共に、層間膜７０６の傾斜部の途中で途切れている。このような構成によれば、上層膜７０８ｃの角部７０９は、層間膜７０６の傾斜部上に配置される。
【００５８】
ここで特に、本願発明者の研究によれば、下層膜７０４上に形成される層間膜７０６で、下層膜７０４の存在により応力が発生しやすく或いは発生する応力の度合が相対的に強いのは、下層膜７０４の端面７０４ａ上の傾斜部であることが判明している。更に、上層膜７０８ｃ下に形成される層間膜７０６で、上層膜７０８ｃの存在により応力が最も発生しやすく或いは発生する応力の度合が相対的に最も強いのは、上層膜７０８ｃの角部７０９下であることが判明している。
【００５９】
よって、図３（ａ）及び図３（ｂ）では、下層膜７０４の端部上の傾斜部上に、上層膜７０８ｃの角部７０９が配置されているため、この傾斜部では、下層膜７０４の存在による応力及び上層膜７０８ｃの存在による応力によって、クラックが局所的に生じ易くなってしまう。より具体的には、図３（ａ）及び図３（ｂ）において、符号７１０ｃを付して示した傾斜部の一部、即ち、上層膜７０８ｃの角部７０９が配置されている傾斜部の一部７１０ｃにクラックが生じる恐れがある。
【００６０】
これに対して本実施形態では、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、上層膜７０８ａは、下層膜７０４の端面７０４ａ上の傾斜部とは異なる層間膜部分７１０ａ上に角部７０９を有するので、傾斜部に応力が集中して、クラックが発生することを未然に防止又は効果的に抑制できる。また、段差の下段側及び上段側に夫々広がる層間膜７０６上領域を利用して、上層膜７０８ａにより各種配線や電子素子の少なくとも一部を形成できる。この際特に、下層膜７０４及び上層膜７０８ａの製造時における寸法精度に応じて予め設定された所定距離ｄだけ、上層膜７０８ａの角部７０９が傾斜部から延在しているので、製造誤差によって、上層膜７０８ａの角部７０９が傾斜部にかかってしまう事態を未然に防止できる。
【００６１】
また、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示す上層膜７０８ｂは、下層膜７０４の端部上の傾斜部とは異なる層間膜部分７１０ｂ上に角部７０９を有している。よって、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示す基板装置７００においても、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示す基板装置７００と同様の作用及び効果を得ることが可能である。
【００６２】
更に、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示す基板装置７００では、段差の下段側に広がる層間膜７０６上領域を利用して、上層膜７０８ｂにより各種配線や電子素子の少なくとも一部を形成できる。この際特に、下層膜７０４及び上層膜７０８ｂの製造時における寸法精度に応じて予め設定された所定距離ｄだけ、上層膜７０８ｂの角部７０９が傾斜部から後退しているので、製造誤差によって、上層膜７０８ｂの角部７０９が傾斜部にかかってしまう事態を未然に防止できる。
【００６３】
以上説明したように、本実施形態では、下層膜７０４の存在による層間膜７０６の傾斜部において発生するクラックを低減できるので、基板装置７００の製造工程における歩留まりを向上させることが可能となる。例えば、クラックを低減させるべく傾斜部の発生を避けるために、層間膜７０６に対して平坦化処理等の複雑高度な処理を追加的に行う必要もない。また、クラックの低減により、基板装置７００の信頼性を顕著に高めることも可能である。
【００６４】
尚、本願発明者の研究によれば、下層膜７０４上に形成される層間膜７０６で、下層膜７０４の存在により応力が最も発生しやすく或いは発生する応力の度合が相対的に最も強いのは、下層膜７０４の角部上の傾斜部であることが判明している。尚、図１から図３には、下層膜７０４の角部は図示していない。従って、仮に、下層膜７０４の角部上の傾斜部上に、上層膜７０８ａ又は７０８ｂの角部を配置すると、この傾斜部では、下層膜７０４の存在による応力及び上層膜の存在による応力によって、クラックが局所的に非常に生じ易くなってしまう。
【００６５】
本実施形態では、上層膜７０８ａ又は７０８ｂは、下層膜７０４の角部上の傾斜部とは異なる層間膜部分７１０ａ又は７１０ｂ上に角部を有するので、下層膜７０４の角部上の傾斜部に応力が集中して、クラックが発生することを未然に防止又は効果的に抑制できる。
【００６６】
＜２：第２実施形態＞
次に、本発明の基板装置に係る第２実施形態について、図４から図６を参照して説明する。図４（ａ）は、第２実施形態に係る基板装置の一の構成例について、各構成要素の配置関係を概略的に示す斜視図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。また、図５（ａ）は、第２実施形態に係る基板装置の他の構成例について、各構成要素の配置関係を概略的に示す斜視図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。更に、図６（ａ）は、第２実施形態に係る基板装置の比較例について、図４（ａ）に対応する個所における各構成要素の配置関係を概略的に示す斜視図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。
【００６７】
尚、第２実施形態の基板装置の主要な構成は、第１実施形態と同様の構成となっているが、上層膜の配置に関する構成が第１実施形態とは異なっている。よって、図４から図６について、第１実施形態と同様の構成について同一の符号を付して示し、重複する説明は省略する。
【００６８】
図４（ａ）において、上層膜７０８ｄは、層間膜７０６上において傾斜部により規定される段差の上段側において該段差に向かって延在すると共に該段差を跨いでその下段にまで延在している。
【００６９】
図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、上層膜７０８ｄの角部７０９は、層間膜７０６上において傾斜部により規定される段差の下段側に配置される。また、好ましくは、上層膜７０８ｄの角部７０９は、下層膜７０４及び上層膜７０８ｄの製造時における寸法精度に応じて予め設定された所定距離ｄだけ層間膜７０６の傾斜部から延在している。
【００７０】
また、図５（ａ）において、上層膜７０８ｅは、層間膜７０６上において傾斜部により規定される段差の上段側において該段差に向かって延在すると共に該段差の手前で途切れている。
【００７１】
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、上層膜７０８ｅの角部７０９は、層間膜７０６上において傾斜部により規定される段差の上段側に配置される。また、好ましくは、上層膜７０８ｅの角部７０９は、下層膜７０４及び上層膜７０８ｅの製造時における寸法精度に応じて予め設定された所定距離ｄだけ層間膜７０６の傾斜部から後退している。
【００７２】
次に、図４及び図５に示す基板装置７００の比較例について、図６を参照して説明する。
【００７３】
図６（ａ）に示すように、上層膜７０８ｆは、層間膜７０６上において傾斜部により規定される段差の上段側において該段差に向かって延在すると共に、層間膜７０６の傾斜部の途中で途切れている。
【００７４】
図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、上層膜７０８ｆの角部７０９は、層間膜７０６の端部上の傾斜部上に配置される。よって、この傾斜部では、下層膜７０４の存在による応力及び上層膜７０８ｆの存在による応力によって、クラックが局所的に生じ易くなってしまう。より具体的には、図６（ａ）及び図６（ｂ）において、符号７１０ｆを付して示した傾斜部の一部、即ち、上層膜７０８ｆの角部７０９が配置されている傾斜部の一部７１０ｆにクラックが生じる恐れがある。
【００７５】
これに対して第２実施形態では、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す上層膜７０８ｄは、下層膜７０４の端部上の傾斜部とは異なる層間膜部分７１０ｄ上に、また、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す上層膜７０８ｅは、下層膜７０４の端部上の傾斜部とは異なる層間膜部分７１０ｅ上に、夫々角部７０９を有している。よって、第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、クラックの発生を未然に防止又は効果的に抑制できると共に、上層膜７０８ｄ又は７０８ｅにより各種配線や電子素子の少なくとも一部を形成できる。尚、この際特に、第１実施形態と同様に、上層膜７０８ｄ又は７０８ｅの角部７０９が傾斜部にかかってしまう事態を未然に防止できる。
【００７６】
従って、第２実施形態でも、第１実施形態と同様、基板装置７００の製造工程における歩留まりを向上させることが可能となる。
【００７７】
尚、第２実施形態でも、第１実施形態と同様、上層膜７０８ｄ又は７０８ｅは、下層膜７０４の角部上の傾斜部とは異なる層間膜部分７１０ｄ又は７１０ｅ上に角部を有するので、下層膜７０４の角部上の傾斜部に応力が集中して、クラックが発生することを未然に防止又は効果的に抑制できる。
【００７８】
＜３：第３実施形態＞
次に、本発明の基板装置に係る第３実施形態について、図７から図９を参照して説明する。図７（ａ）は、第３実施形態に係る基板装置の一の構成例について、各構成要素の配置関係を概略的に示す斜視図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。また、図８（ａ）は、第３実施形態に係る基板装置の他の構成例について、図７（ａ）に対応する個所における各構成要素の配置関係を概略的に示す斜視図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。更に、図９（ａ）は、第３実施形態に係る基板装置の比較例について、図７（ａ）に対応する個所における各構成要素の配置関係を概略的に示す斜視図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。
【００７９】
尚、第３実施形態の基板装置の主要な構成は、第１実施形態と同様の構成となっているが、上層膜及び下層膜の配置に関する構成が第１実施形態とは異なっている。よって、図７から図９について、第１実施形態と同様の構成について同一の符号を付して示し、重複する説明は省略する。
【００８０】
先ず、図７（ａ）において、同図中に図示しない下層膜は角部を有する第１平面パターンとして形成されており、層間膜７０６は、下層膜上及び同図中には図示しない基板上に、下層膜の角部を覆うように形成され、該角部における２つの端面に対応して二方向に傾斜する傾斜部を有する。また、上層膜７０８ｇは、層間膜７０６上に形成され、該層間膜７０６上における傾斜部とは異なる部分上に端部７１１を有する。上層膜７０８ｇは、層間膜７０６の傾斜部により規定される段差の下段側において該段差に向かって延在すると共に該段差の手前で途切れている。
【００８１】
図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、上層膜７０８ｇの端部７１１は、層間膜７０６上において傾斜部により規定される段差の下段側に配置されている。また、好ましくは、上層膜７０８ｇの端部７１１は、下層膜及び上層膜７０８ｇの製造時における寸法精度に応じて予め設定された所定距離ｄだけ下層膜の角部から後退している。
【００８２】
次に、図８（ａ）に示す基板装置７００の主要な構成は、図７（ａ）を参照して説明した基板装置７００と同様の構成となっているが、上層膜７０８ｈの配置に関する構成が図７（ａ）とは異なっている。
【００８３】
図８（ａ）において、上層膜７０８ｈは、層間膜７０６上において傾斜部により規定される段差の下段側から該段差に向かって延在すると共に、該段差を跨いでその上段にまで延在している。
【００８４】
図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、上層膜７０８ｈの端部７１１は、層間膜７０６上において傾斜部により規定される段差の上段側に配置されている。また、好ましくは、上層膜７０８ｈの端部７１１は、下層膜及び上層膜７０８ｈの製造時における寸法精度に応じて予め設定された所定距離ｄだけ下層膜の角部から延在している。
【００８５】
次に、図７及び図８に示す基板装置７００の比較例について、図９を参照して説明する。
【００８６】
図９（ａ）に示す基板装置７００の主要な構成は、図７及び図８を参照して説明した基板装置７００と同様の構成となっているが、上層膜７０８ｉの配置に関する構成が図７及び図８とは異なっている。
【００８７】
図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、上層膜７０８ｉは、層間膜７０６上において傾斜部により規定される段差の下段側から該段差に向かって延在すると共に、層間膜７０６の傾斜部の途中で途切れている。このような構成によれば、上層膜７０８ｉの端部７１１は、層間膜７０６の傾斜部上に配置される。
【００８８】
ここで特に、本願発明者の研究によれば、下層膜上に形成される層間膜７０６で、下層膜の存在により応力が最も発生しやすく或いは発生する応力の度合が相対的に最も強いのは、下層膜の角部上の傾斜部であることが判明している。更に、上層膜７０８ｉ下に形成される層間膜７０６で、上層膜７０８ｉの存在により応力が発生しやすく或いは発生する応力の度合が相対的に強いのは、上層膜７０８ｉの端部７１１下であることが判明している。
【００８９】
よって、図９（ａ）及び図９（ｂ）では、下層膜の角部上の傾斜部上に上層膜７０８ｉの端部７１１が配置されているため、この傾斜部では、下層膜の存在による応力及び上層膜７０８ｉの存在による応力によって、クラックが局所的に生じ易くなってしまう。より具体的には、図９（ａ）及び図９（ｂ）において、符号７１０ｉを付して示した傾斜部の一部、即ち、上層膜７０８ｉの端部７１１が配置されている傾斜部の一部７１０ｉにクラックが生じる恐れがある。
【００９０】
これに対して、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、上層膜７０８ｇは、下層膜の角部上の傾斜部７１０ｇとは異なる層間膜部分上に端部７１１を有するので、傾斜部に応力が集中して、クラックが発生することを未然に防止又は効果的に抑制できる。また、段差の下段側に広がる層間膜７０６上領域を利用して、上層膜７０８ｇにより各種配線や電子素子の少なくとも一部を形成できる。この際特に、下層膜及び上層膜７０８ｇの製造時における寸法精度に応じて予め設定された所定距離ｄだけ、上層膜７０８ｇの端部７１１が下層膜の角部上の傾斜部から後退しているので、製造誤差によって、上層膜７０８ｇの端部７１１が下層膜の角部上の傾斜部上にかかってしまう事態を未然に防止できる。
【００９１】
また、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す上層膜７０８ｈは、下層膜の角部上の傾斜部７１０ｈとは異なる層間膜部分上に端部７１１を有している。よって、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す基板装置７００においても、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示す基板装置７００と同様の作用及び効果を得ることが可能である。
【００９２】
更に、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す基板装置７００では、段差の下段側及び上段側に夫々広がる層間膜７０６上領域を利用して、上層膜７０８ｈにより各種配線や電子素子の少なくとも一部を形成できる。この際特に、下層膜及び上層膜７０８ｈの製造時における寸法精度に応じて予め設定された所定距離ｄだけ、上層膜７０８ｈの端部７１１が下層膜の角部上の傾斜部から延在しているので、製造誤差によって、上層膜７０８ｈの端部７１１が下層膜の角部上の傾斜部にかかってしまう事態を未然に防止できる。
【００９３】
以上説明したように、第３実施形態では、第１実施形態と同様、基板装置７００の製造工程における歩留まりを向上させることが可能となる。
【００９４】
＜４：第４実施形態＞
次に、本発明の基板装置に係る第４実施形態について、図１０から図１２を参照して説明する。図１０（ａ）は、第４実施形態に係る基板装置の一の構成例について、各構成要素の配置関係を概略的に示す斜視図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。また、図１１（ａ）は、第４実施形態に係る基板装置の他の構成例について、図１０（ａ）に対応する個所における各構成要素の配置関係を概略的に示す斜視図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。更に、図１２（ａ）は、第４実施形態に係る基板装置の比較例について、図１０（ａ）に対応する個所における各構成要素の配置関係を概略的に示す斜視図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。
【００９５】
尚、第４実施形態の基板装置の主要な構成は、第３実施形態と同様の構成となっているが、上層膜の配置に関する構成が第３実施形態とは異なっている。よって、図１０から図１２について、第３実施形態と同様の構成について同一の符号を付して示し、重複する説明は省略する。
【００９６】
図１０（ａ）において、上層膜７０８ｊは、層間膜７０６上において傾斜部により規定される段差の上段側において該段差に向かって延在すると共に該段差の手前で途切れている。
【００９７】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、上層膜７０８ｊの端部７１１は、層間膜７０６上において傾斜部により規定される段差の上段側に配置される。また、好ましくは、上層膜７０８ｊの端部７１１は、下層膜及び上層膜７０８ｊの製造時における寸法精度に応じて予め設定された所定距離ｄだけ下層膜の角部から後退している。
【００９８】
また、図１１（ａ）において、上層膜７０８ｋは、層間膜７０６上において傾斜部により規定される段差の上段側において該段差に向かって延在すると共に該段差を跨いでその下段にまで延在している。
【００９９】
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、上層膜７０８ｋの端部７１１は、層間膜７０６上において傾斜部により規定される段差の下段側に配置される。また、好ましくは、上層膜７０８ｋの端部７１１は、下層膜及び上層膜７０８ｋの製造時における寸法精度に応じて予め設定された所定距離ｄだけ層間膜７０６の傾斜部から延在している。
【０１００】
次に、図１０及び図１１に示す基板装置７００の比較例について、図１２を参照して説明する。
【０１０１】
図１２（ａ）に示すように、上層膜７０８ｍは、層間膜７０６上において傾斜部により規定される段差の上段側において該段差に向かって延在すると共に、層間膜７０６の傾斜部の途中で途切れている。
【０１０２】
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、上層膜７０８ｍの端部７１１は、下層膜の角部上の傾斜部上に配置されているため、この傾斜部では、下層膜の存在による応力及び上層膜７０８ｍの存在による応力によって、クラックが局所的に生じ易くなってしまう。より具体的には、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）において、符号７１０ｍを付して示した傾斜部の一部、即ち、上層膜７０８ｍの端部７１１が配置されている傾斜部の一部７１０ｍにクラックが生じる恐れがある。
【０１０３】
他方、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示す上層膜７０８ｊは、下層膜の角部上の傾斜部７１０ｊとは異なる層間膜部分上に、また、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示す上層膜７０８ｋは、下層膜の角部上の傾斜部７１０ｋとは異なる層間膜部分上に、夫々端部７１１を有している。よって、第４実施形態においても、第３実施形態と同様に、クラックの発生を未然に防止又は効果的に抑制できると共に、上層膜７０８ｊ又は７０８ｋにより各種配線や電子素子の少なくとも一部を形成できる。尚、この際特に、第３実施形態と同様に、上層膜７０８ｊ又は７０８ｋの端部７１１が下層膜の角部上の傾斜部にかかってしまう事態を未然に防止できる。
【０１０４】
従って、第４実施形態でも、第３実施形態と同様、基板装置７００の製造工程における歩留まりを向上させることが可能となる。
【０１０５】
＜５：変形例＞
以上説明した第１から第４実施形態における、上層膜又は下層膜の角部は、以下のような形状であるのが好ましい。図１３（ａ）は、上層膜又は下層膜における角部の形状の一例を示す斜視図であり、図１３（ｂ）から図１３（ｄ）は夫々、上層膜又は下層膜における角部の形状の他の例を示す斜視図である。
【０１０６】
図１３（ａ）及び図１３（ｂ）において、第１又は第２平面パターンには凹部が形成されている。図１３（ａ）に示す第１又は第２平面パターンにおいて、凹部は、その一辺が当該平面パターンの端部に沿って配置され、該端部に向かって開いている。そして、この凹部には４つの角部７２０ａが形成されている。また、図１３（ｂ）に示す第１又は第２平面パターンにおいて、凹部はその４辺が閉じており、４つの角部７２０ｂが形成されている。
【０１０７】
さらに、図１３（ｃ）において、第１又は第２平面パターンの端部と他の端部とが角にて連結されることにより角部７２０ｃが形成されている。ここに、図１３（ｃ）に示す角部７２０ｃにおける角度θは９０度に限定されず、１８０度を除く角度（０°＜θ＜１８０°又は１８０°＜θ＜３６０°）をなす角部となるように形成されてもよい。
【０１０８】
さらに、図１３（ｄ）に示すように、第１又は第２平面パターンにおいて、角部７２０ｄがテーパー形状のように丸みを帯びた形状として形成されてもよい。
【０１０９】
＜６：第５実施形態＞
次に、第５実施形態として、本発明に係る駆動回路を含んでなる、本発明の電気光学装置に係る実施形態を、図１４から図１９を参照して説明する。尚、以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を、ＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の液晶装置に適用したものである。
【０１１０】
先ず図１４及び図１５を参照して液晶装置の全体に係る構成及び動作について説明する。ここに図１４は、液晶装置のブロック図であり、図１５は、そのうち電気光学パネルの画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路である。
【０１１１】
図１４において、液晶装置は、液晶パネル１００Ｐ、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、パネル駆動回路１６０を備えており、該パネル駆動回路１６０には外部から画像信号Ｓｉが入力されるように構成されている。
【０１１２】
複数の画素部１０ｐは、液晶パネル１００Ｐの画像表示領域１０ａに、マトリクス状に平面配列されている。また、本発明に係る「駆動回路」は、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、及びパネル駆動回路１６０から構成されている。
【０１１３】
液晶パネル１００Ｐは図１５に示すように、複数の画素部に夫々、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されている。画像信号が供給されるデータ線６ａが、当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【０１１４】
また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極が電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａ及びゲート電極にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【０１１５】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【０１１６】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線３ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。
【０１１７】
再び図１４において、走査線駆動回路１０４は、上述の如く走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを所定タイミングで走査線３ａに供給し（図１５参照）、データ線駆動回路１０１は、上述の如く画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定タイミングでデータ線６ａに供給する（図１５参照）。尚、データ線駆動回路１０１は例えば、画像信号線上に供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎをサンプリングするサンプリング回路と該サンプリング回路に対してサンプリングパルスを供給するシフトレジスタ等を含んで構成されている。
【０１１８】
パネル駆動回路１６０は、例えばＤＶＤビデオプレーヤ、ビデオレコーダ、映像チューナ等の映像ソース（図１４には図示せず）から入力される画像信号Ｓｉに基づいて、走査線駆動回路１０４に対して、走査線駆動の基準となる、クロック信号（Ｙクロック）や反転クロック信号、走査開始の基準となるスタートパルス信号（Ｙスタートパルス）、電源信号等の各種信号Ｓｃを供給することで、走査線駆動回路１０４を駆動する。更に、データ線駆動回路１０１に対して、データ線駆動の基準となる、クロック信号（Ｘクロック）や反転クロック信号、走査開始の基準となるスタートパルス信号（Ｘスタートパルス）、例えばパラレル−シリアル展開されたデータ線６ａに供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ（図１５参照）、電源信号等の各種信号Ｓｄを供給することで、データ線駆動回路１０１を駆動するように構成されている。
【０１１９】
次に、液晶装置の画素部１０ｐにおける構成について図１６及び図１７を参照して説明する。図１６は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図１７は、図１６のＡ−Ａ´断面図である。
【０１２０】
まず、図１６において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び後述する下側遮光膜１１ａがその機能を兼ねる走査線３ａが設けられている。データ線６ａは、後述するようにアルミニウム膜等を含む積層構造からなる。また、走査線３ａとして機能する下側遮光膜１１ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´が形成されている。このように、島状に形成されたチャネル領域１ａ’に応じてゲート電極３ａａが島状に形成されている。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【０１２１】
次に、液晶装置は、図１６のＡ−Ａ´線断面図たる図１７に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。
【０１２２】
ＴＦＴアレイ基板１０の側には、図１７に示すように、前記の画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。このうち対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなり、前記の配向膜１６及び２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、後述のシール材（図１８及び図１９参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した電気光学物質からなる。シール材は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【０１２３】
一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図１７に示すように、下から順に、走査線３ａを兼ねる下側遮光膜１１ａを含む第１層、ＴＦＴ３０を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、容量配線４００等を含む第５層、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶縁膜４４が、夫々設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２、４３及び４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。
【０１２４】
まず、第１層には、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる下側遮光膜１１ａが設けられている。この下側遮光膜１１ａは、図１６中Ｘ方向に延在するストライプ状に形成されている。なお、下側遮光膜１１ａについては、図１６に示すように、データ線６ａが延在する方向に沿って突出部を有している。これにより各画素の開口領域を規定している（図１６参照）。ただし、相隣接する下側遮光膜１１ａから延びる突出部は相互に接触することはなく、互いに電気的に絶縁されている。こうしないと、下側遮光膜１１ａを、走査線３ａとして機能させることができないからである。
【０１２５】
次に、第２層には、半導体層１ａのチャネル領域１ａ´に対向するように、ゲート電極３ａａが設けられることにより、ＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、図１７に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、ゲート電極３ａａ、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、ゲート電極３ａａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【０１２６】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図１７に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、ゲート電極３ａａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、第５実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【０１２７】
また、第２層には、上述のゲート電極３ａａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。中継電極７１９は、平面的に見て、図１６に示すように、各画素電極９ａの一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９と、ゲート電極３ａａとは同一膜として形成されているから、後者が例えば導電性ポリシリコン膜等からなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜等からなる。
【０１２８】
以上説明した下側遮光膜１１ａの上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【０１２９】
下地絶縁膜１２には、平面的にみて半導体層１ａの両脇に後述するデータ線６ａに沿って延びる半導体層１ａのチャネル長の方向に沿った溝状のコンタクトホール１２ｃｖが掘られており、このコンタクトホール１２ｃｖに対応して、その上方に積層されるゲート電極３ａａは下側に凹状に形成された部分を含んでいる。また、このコンタクトホール１２ｃｖ全体を埋めるようにして、ゲート電極３ａａが形成されていることにより、該ゲート電極３ａａには、これと一体的に形成された側壁部３ｂが延設されるようになっている。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａは、図１６に示されるように、平面的にみて側方から覆われるようになっており、少なくともこの部分からの光の入射が抑制されるようになっている。
【０１３０】
また、この側壁部３ｂは、前記のコンタクトホール１２ｃｖを埋めるように形成されているとともに、その下端が前記の下側遮光膜１１ａと接するようにされている。ここで、下側遮光膜１１ａは、上述のようにストライプ状に形成されていることから、ある行に存在するゲート電極３ａａ及び下側遮光膜１１ａは、当該行に着目する限り、常に同電位となる。
【０１３１】
次に、第３層には、蓄積容量７０を構成する下部電極７１、誘電体膜７５及び容量電極３００が形成されている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、第５実施形態に係る蓄積容量７０は、図１６の平面図を見るとわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されているため（換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため）、液晶装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。
【０１３２】
より詳細には、下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、下部電極７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。また、この下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。ここにいう中継接続は、前記の中継電極７１９を介して行われている。
【０１３３】
容量電極３００は、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。容量電極３００を固定電位とするためには、固定電位とされた、後述する容量配線４００と電気的接続が図られることによりなされている。また、容量電極３００は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料から構成するとよい。これにより、容量電極３００は、ＴＦＴ３０に上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。
【０１３４】
誘電体膜７５は、図１７に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。
【０１３５】
そして、第５実施形態においては特に、この誘電体膜７５は、図１７に示すように、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂというように二層構造を有するものとなっている。上層の窒化シリコン膜７５ｂは画素電位側容量電極の下部電極７１より少し大きなサイズにパターニングされ、遮光領域（非開口領域）内で収まるように形成されている。
【０１３６】
尚、本実施形態では、誘電体膜７５は、二層構造を有するものとなっているが、場合によっては、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等というように三層構造や、或いはそれ以上の蓄積構造を有するように構成してもよいし、単層構造としてもよい。
【０１３７】
以上述べた、ＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａＡ及び中継電極７１９の上、且つ、蓄積容量７０の下には、第１層間絶縁膜４１が形成されている。該第１層間絶縁膜４１は、上述と略同様に、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等で構成すればよい。
【０１３８】
また、この第１層間絶縁膜４１には、下部電極７１の図１７中下面に電気的接続点をもつように配置された、コンタクトホール８８１が開孔されている。これにより、下部電極７１及び中継電極７１９間の電気的接続が図られることになる。また、第１層間絶縁膜４１には、後述する第２中継層６ａ２との電気的接続を図るため、後記第２層間絶縁膜４２をも貫通するように開孔されたコンタクトホール８８２が開孔されている。更に、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後述する第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。加えて、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。
【０１３９】
第４層にはデータ線６ａが形成される。このデータ線６ａは、図１７に示すように、下層より順に、アルミニウムからなる層４１Ａ、窒化チタンからなる層４１ＴＮ、窒化シリコン膜からなる層４０１の三層構造を有する膜として形成されている。窒化シリコン膜４０１は、その下層のアルミニウム層４１Ａと窒化チタン層４１ＴＮを覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。
【０１４０】
また、第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継層６ａ２が形成されている。これらは、図１６に示すように、平面的に見ると、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパターニング上分断されるように形成されている。
【０１４１】
以上述べた、蓄積容量７０の上、且つデータ線６ａの下には、第２層間絶縁膜４２が形成されているが、該第２層間絶縁膜４２は、上述と略同様に、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等で構成すればよい。また、この第２層間絶縁膜４２には、前述の容量配線用中継層６ａ１と蓄積容量７０上の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。さらに、第２層間絶縁膜４２には、第２中継層６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するための、前記のコンタクトホール８８２が形成されている。
【０１４２】
次に、第５層には、容量配線４００が形成されている。この容量配線４００は、平面的にみると、図１６に示すように、図中Ｘ方向及びＹ方向それぞれに延在するように格子状に形成されている。該容量配線４００のうち図中Ｙ方向に延在する部分については特に、データ線６ａを覆うように、且つ、該データ線６ａよりも幅広に形成されている。また、図中Ｘ方向に延在する部分については、後述の第３中継電極４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に切り欠き部を有している。
【０１４３】
さらには、図１６中ＸＹ方向それぞれに延在する容量配線４００の交差部分の隅部においては、該隅部を埋めるようにして、略三角形状の部分が設けられている。容量配線４００に、この略三角形状の部分が設けられていることにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対して、斜め上から進入しようとする光は、この三角形状部分で反射又は吸収されることになり半導体層１ａには至らないことになる。従って、光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。この容量配線４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。
【０１４４】
また、第５層には、このような容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。この第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８０４及び８９を介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。なお、これら容量配線４００及び第３中継電極４０２間は、前述の容量電極３００及びデータ線６ａと同様に、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。
【０１４５】
他方、上述の容量配線４００及び第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。
【０１４６】
以上述べた、データ線６ａの上、且つ、容量配線４００の下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、容量配線４００と前述の容量配線用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４が形成されている。
【０１４７】
最後に、第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＢＰＳＧからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び前記の第２中継層４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。
【０１４８】
第５実施形態では、液晶装置は、上述した第１から第４実施形態のいずれかにおける基板装置７００を用いて構成される。例えば、図１６及び図１７を参照して説明した液晶装置の画素部１０ｐの蓄積容量７０について、容量電極３００を上層膜とし、下部電極７１を下層膜とし、誘電体膜７５を層間膜とすれば、これらの配置関係について、例えば図１０を参照して説明した構成を適用することができる。
【０１４９】
図１８は、特に図１６及び図１７を参照して説明した液晶装置の画素部１０ｐにおける、蓄積容量７０の平面的な構成を示す図であり、図１９は、図１０に示す構成が適用された蓄積容量７０の構成例を示す斜視図である。
【０１５０】
図１８に示す蓄積容量７０において、図中Ｘ方向に延在する走査線３ａ上には、当該蓄積容量７０の端部７２０が存在する。この端部７２０に着目して、該端部７２０の詳細な構成について図１９を参照して説明する。
【０１５１】
上述したように、誘電体膜７５のうち上層の窒化シリコン膜７５ｂは画素電位側容量電極の下部電極７１より少し大きなサイズにパターニングされている。尚、図１９中には、誘電体膜７５の詳細な二層構造については図示を省略してある。
【０１５２】
よって、蓄積容量７０の端部７２０において、下層膜に相当する下部電極７１は角部を有する平面パターンとして形成されており、層間膜に相当する誘電体膜７５は、下部電極７１上に、下部電極７１の角部を覆うように形成され、該角部における２つの端面に対応して二方向に傾斜する傾斜部を有する。また、上層膜に相当する容量電極３００は、誘電体膜７５上における傾斜部とは異なる部分上に端部３１１を有する。容量電極３００は、誘電体膜７５上において傾斜部により規定される段差の上段側において該段差に向かって延在すると共に該段差の手前で途切れている。
【０１５３】
そして、容量電極３００の端部３１１は、誘電体膜７５上において傾斜部により規定される段差の上段側に配置される。よって、容量電極３００は、下部電極７１の角部上の傾斜部７３０とは異なる誘電体膜７５部分上に端部３１１を有している。また、好ましくは、容量電極３００の端部３１１は、下部電極７１及び容量電極３００の製造時における寸法精度に応じて予め設定された所定距離ｄ１だけ下部電極７１の角部から後退しているように構成してもよい。
【０１５４】
よって、下部電極７１の角部上の傾斜部７３０に応力が集中して、クラックが発生することを未然に防止又は効果的に抑制できる。よって、該クラックの発生に起因する下部電極７１の断線を防止することが可能となる。
【０１５５】
また、第５実施形態において、図１４に示す走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、及びパネル駆動回路１６０における各配線パターンに対しても、その配置関係に対して、第１実施形態から第４実施形態を参照して説明したような構成を適用することができる。その結果、第１実施形態から第４実施形態において既に説明したようなクラックの発生を防止することができるため、該クラックの発生に起因する配線パターンの断線を防止することが可能となる。特に、これらの駆動回路は、画素ピッチ或いは配線ピッチの微細化に伴って、層間絶縁膜を介して各種配線層、各種電極層、各種半導体層等が高密度で積層されており、図３、図６及び図９に示した比較例の如き構造が発生しやすい。このため、上述した第１から第４実施形態を利用すると有利である。
【０１５６】
以上説明したような液晶装置は、第１実施形態から第４実施形態のいずれかにおける基板装置７００を用いて構成されるため、製造工程における歩留まりを向上させることが可能となり、信頼性も高い。
【０１５７】
＜７；液晶装置の全体構成＞
以上のように構成された液晶装置１の全体構成について図２０及び図２１を参照して説明する。ここに、図２０は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図２１は、図２０のＨ−Ｈ’断面図である。
【０１５８】
図２０及び図２１において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、複数の画素電極９ａにより規定される画像表示領域（即ち、実際に液晶層５０の配向状態変化により画像が表示される液晶装置の領域）１０ａの周囲において両基板を貼り合わせて液晶層５０を包囲する光硬化性樹脂からなるシール材５２が、画像表示領域１０ａに沿って設けられている。そして、対向基板２０上における画像表示領域１０ａとシール材５２との間には、遮光性の額縁遮光膜５３が設けられている。遮光性の額縁遮光膜５３や遮光層２３をＴＦＴアレイ基板１０上に形成しても良い。
【０１５９】
画像表示領域１０ａの左右２辺に沿った部分には、走査線駆動回路１０４が両側に設けられている。ここで、走査線３ａの駆動遅延が問題にならないような場合、走査線駆動回路１３０は走査線３ａに対して片側のみに形成しても良い。
【０１６０】
シール材５２の外側の領域には、画像表示領域１０ａの下辺に沿って、データ線駆動回路１０１及び外部からの信号入力等を行う外部回路接続用端子１０２が設けられており、画像表示領域１０ａの左右の２辺に沿って走査線駆動回路１０４が画像表示領域１０ａの両側に設けられている。ここで、データ駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの上下の２辺に沿って両側に設けても良い。更に画像表示領域１０ａの上辺には、走査線駆動回路１０４に電源や駆動信号を供給するための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも一箇所で、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通材１０６が設けられている。そして、シール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【０１６１】
また、液晶装置１に用いるスイッチング素子は、正スタガ型又はコプラナー型のポリシリコンＴＦＴでも良いし、逆スタガ型のＴＦＴやアモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対しても、本実施の形態は有効である。
【０１６２】
＜８；電子機器＞
次に、上述した液晶装置１を各種の電子機器に適用される場合について説明する。
【０１６３】
＜８−１：プロジェクタ＞
まず、この液晶装置１をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図２２は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶パネルと同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１６４】
＜８−２：モバイル型コンピュータ＞
次に、この液晶パネルを、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図２３は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶パネル１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【０１６５】
＜８−３；携帯電話＞
さらに、この液晶パネルを、携帯電話に適用した例について説明する。図２４は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶パネル１００５を備えるものである。この反射型の液晶パネル１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【０１６６】
尚、図２２〜図２４を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１６７】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う基板装置及び、該基板装置を用いて構成された駆動回路、並びに該駆動回路を備えた電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１６８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板装置について、図１（ａ）は、本実施形態に係る基板装置の一の構成例を示す斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る基板装置について、図２（ａ）は、本実施形態に係る基板装置の他の構成例を示す斜視図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。
【図３】図３（ａ）は、第１実施形態に係る基板装置の比較例を示す斜視図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。
【図４】図４（ａ）は、第２実施形態に係る基板装置の一の構成例を示す斜視図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。
【図５】図５（ａ）は、第２実施形態に係る基板装置の他の構成例を示す斜視図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。
【図６】図６（ａ）は、第２実施形態に係る基板装置の比較例を示す斜視図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。
【図７】図７（ａ）は、第３実施形態に係る基板装置の一の構成例を示す斜視図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。
【図８】図８（ａ）は、第３実施形態に係る基板装置の他の構成例を示す斜視図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。
【図９】図９（ａ）は、第３実施形態に係る基板装置の比較例を示す斜視図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。
【図１０】図１０（ａ）は、第４実施形態に係る基板装置の一の構成例を示す斜視図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。
【図１１】図１１（ａ）は、第４実施形態に係る基板装置の他の構成例を示す斜視図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。
【図１２】図１２（ａ）は、第４実施形態に係る基板装置の比較例を示す斜視図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）に示す構成要素のうち一部の構成要素の配置関係を概略的に示す平面図である。
【図１３】図１３（ａ）から図１３（ｄ）は、上層膜又は下層膜における角部の形状を示す斜視図である。
【図１４】本発明の第５実施形態に係る液晶装置の全体構成を示すブロック図である。
【図１５】第５実施形態のうち液晶パネルの画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路である。
【図１６】本発明の第５実施形態の液晶装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図１７】図１６のＡ−Ａ’断面図である。
【図１８】図１６に示す液晶装置の画素部１０ｐにおける、蓄積容量７０の平面的な構成を示す図である。
【図１９】図１８に示す蓄積容量７０の端部７２０の構成を示す斜視図である。
【図２０】液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２１】図２０のＨ−Ｈ’断面図である。
【図２２】液晶装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す断面図である。
【図２３】液晶装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す断面図である。
【図２４】液晶装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１６９】
７００…基板装置、７０４…下層膜、７０６…層間膜、７０８ａ、７０８ｂ、７０８ｃ、７０８ｄ、７０８ｅ、７０８ｆ、７０８ｇ、７０８ｈ、７０８ｉ、７０８ｊ、７０８ｋ、７０８ｍ…上層膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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