(57)【要約】【課題】本発明は、ｐ−ＳｉＴＦＴを備えたＴＦＴ基板の製造方法及びそれに用いるレーザアニール装置に関し、製造コストを削減できるＴＦＴ基板の製造方法及びそれに用いるレーザアニール装置を提供することを目的とする。【解決手段】ガラス基板１０上に形成されたａ−Ｓｉ膜の少なくとも一部を結晶化してｐ−Ｓｉ膜を形成する結晶化工程を有するＴＦＴ基板の製造方法であって、結晶化工程は、ａ−Ｓｉ膜に対してマスクを介さずにレーザ光を照射して選択的に結晶化し、ｐ−Ｓｉ膜からなるアライメントマークを形成する工程を含むようにする。【選択図】図１
2005108919.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたアモルファスシリコン膜の少なくとも一部を結晶化してポリシリコン膜を形成する結晶化工程を有する薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、
前記結晶化工程は、前記アモルファスシリコン膜に対してマスクを介さずにレーザ光を照射して選択的に結晶化し、前記ポリシリコン膜からなるアライメントマークを形成する工程を含むこと
を特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法において、
前記結晶化工程の後に、前記ポリシリコン膜を島状にパターニングするアイランド化工程を有し、
前記アイランド化工程は、前記ポリシリコン膜と前記アモルファスシリコン膜との間の光学特性の差異に基づいて前記アライメントマークを認識し、前記アライメントマークに基づいて前記基板を位置合わせする工程を含むこと
を特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法において、
前記アライメントマークは、予め設定された座標データに基づいて所定の位置に形成すること
を特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法において、
前記アイランド化工程は、前記ポリシリコン膜又は前記アモルファスシリコン膜をパターニングして第２のアライメントマークを形成する工程を含み、
前記アイランド化工程より後の工程は、前記第２のアライメントマークに基づいて前記基板を位置合わせすること
を特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項５】
ポリシリコン膜からなるアライメントマークを形成するためのレーザ光を発振する光源と、前記レーザ光を所定の照射位置に導くレーザ光学系とを備えたアライメントマーク形成用レーザ光照射部と、
載置された基板に対して前記照射位置を相対的に移動可能なステージと、
予め設定された座標データに基づいて前記照射位置を移動させ、前記基板上に形成されたアモルファスシリコン膜の所定の位置にマスクを介さずに前記レーザ光を照射させて選択的に結晶化し、前記アライメントマークを形成する制御部と
を有することを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項６】
請求項５記載のレーザアニール装置において、
前記アライメントマーク形成用レーザ光照射部は、前記アモルファスシリコン膜の薄膜トランジスタ形成領域に前記レーザ光を照射して結晶化する機能をさらに有すること
を特徴とするレーザアニール装置。
【請求項７】
請求項５記載のレーザアニール装置において、
前記アモルファスシリコン膜の前記薄膜トランジスタ形成領域に前記レーザ光を照射して結晶化する薄膜トランジスタ形成領域結晶化用レーザ光照射部をさらに有し、
前記制御部は、予め設定された座標データに基づいて前記薄膜トランジスタ形成領域結晶化用レーザ光照射部の照射位置を移動させること
を特徴とするレーザアニール装置。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか１項に記載のレーザアニール装置において、
前記基板上の所定の検出位置の光学特性を検出する光学特性検出部をさらに有し、
前記ステージは、前記検出位置を前記基板に対して相対的に移動可能であること
を特徴とするレーザアニール装置。
【請求項９】
請求項８記載のレーザアニール装置において、
前記制御部は、前記検出位置の光学特性に基づいて、前記アモルファスシリコン膜に前記レーザ光が照射された位置を特定すること
を特徴とするレーザアニール装置。
【請求項１０】
請求項９記載のレーザアニール装置において、
前記制御部は、予め設定された座標データと前記レーザ光が照射された位置の座標データとを比較し、誤差を補正する機能を有すること
を特徴とするレーザアニール装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ基板の製造方法及びそれに用いるレーザアニール装置に関し、特に、多結晶シリコン薄膜トランジスタを備え、液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタ基板の製造方法及びそれに用いるレーザアニール装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置は様々な用途に用いられるとともに、高精細化及び高性能化への要求が高まっている。この要求を実現するために、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の動作層として、従来の非晶質半導体（アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ））に代えて多結晶半導体（ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ））を用いる動きが活発化している。また、さらに高性能化するために、ラテラル結晶化などの技術を用いてポリシリコンの結晶粒径を大きくする検討がなされている。
【０００３】
また最近では、基板上に形成したａ−Ｓｉ膜のうち特定の位置にのみエキシマ・レーザ又は連続波（ＣＷ；Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ−Ｗａｖｅ）レーザを照射することにより、結晶粒径の大きいｐ−Ｓｉ膜を所望の領域（例えば高速動作が要求される周辺回路部）にのみ形成するＴＦＴ基板の製造方法がある。しかしこの場合、ＴＦＴの動作層を形成するためにＳｉ膜（ａ−Ｓｉ膜及びｐ−Ｓｉ膜）を島状にパターニングするアイランド化工程では、大粒径化したｐ−Ｓｉ膜の形成された領域の位置を正確に認識できるようにしなければならない。仮に、ｐ−Ｓｉ膜の形成された領域にＴＦＴを形成する際の位置合わせの許容誤差が大きければ、機械的な位置合わせ方法が採用できる。しかし、高精細化が進んだ近年では、位置合わせの許容誤差が小さくなる。そこで、位置合わせの精度を向上するためにアライメントマークを形成する必要がある。通常、アライメントマークはフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を経て形成される。このため、これらの工程分だけＴＦＴ基板の製造コストが増加することになる。
【０００４】
アライメントマークを安価に形成する方法として、特許文献１には、レーザ処理により薄膜を除去してアライメントマークを形成する技術が記載されている。また他の方法として、特許文献２には、アライメントマーク形状の光透過領域を有するマスクをレーザ光学系の経路に設置し、薄膜を除去するのではなくレーザ光が照射された部分のＳｉ膜の光学特性を変化させることにより基板上にアライメントマークを形成する技術が記載されている。
【０００５】
図６は、特許文献２に記載された従来のレーザアニール装置（露光装置）の構成を示している。図６に示すように、レーザアニール装置１０１は、ガラス基板１１０が載置されるステージ１５２と、ガラス基板１１０上にアライメントマークを形成するためのレーザ光照射部１４４とを有している。６面取りのガラス基板１１０の各表示領域の周囲には、周辺回路部１６０が配置されるようになっている。ステージ１５２は、載置されたガラス基板１１０に対するレーザ光の照射位置を相対的に移動可能になっている。レーザ光照射部１４４は、エキシマ・レーザを発振する光源部１４０と、レーザ光を所定の照射位置に導くレーザ光学系１４２とを備えている。レーザ光学系１４２は、ミラーや光学レンズ等で構成されている。また、レーザ光の経路上には、所定形状の光透過領域を有するマスク１５０が配置されている。アライメントマーク１６２を形成する際には、基板上のａ−Ｓｉ膜のアライメントマーク形成領域に、マスク１５０を介してレーザ光を照射する。これにより、マスク１５０の光透過領域を透過したレーザ光がガラス基板１１０上のａ−Ｓｉ膜に照射され、ｐ−Ｓｉ膜からなるアライメントマーク１６２が形成される。
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載された技術では、レーザ光の照射により除去された薄膜が蒸発し、レーザ光の経路上のアニーラウインドウが汚染されてしまう。このため、アニーラウインドウに付着した汚染物質を除去するためのメンテナンスが必要になる。また、特許文献２に記載された技術では、レーザ光がマスク１５０を介して照射されるため、遮光パターンとしてマスク１５０上に形成された金属層や誘電体多層膜が蒸発し、レーザ光の経路上の光学レンズが汚染されてしまう。このため、光学レンズに付着した汚染物質を除去するためのメンテナンスが必要になる。これらのメンテナンスに必要な部品代や人件費、あるいはメンテナンスによるレーザアニール装置の稼働率の低下等により、ＴＦＴ基板の製造コストが増加してしまうという問題が生じる。
【０００７】
また、別のレーザマーキング装置を用いて、アイランド化工程より前に予めアライメントマークを形成する方法もある。しかしこの場合、専用のレーザマーキング装置が新たに必要になり、またａ−Ｓｉ膜を結晶化するためのレーザアニール装置がアライメントマークを読み取って基板を位置合わせする機能を備える必要がある。このため製造装置が高価になり、ＴＦＴ基板の製造コストが増加してしまうという問題が生じる。
【特許文献１】特開平７−１６１６２７号公報
【特許文献２】特開２００１−２８４４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、製造コストを削減できる薄膜トランジスタ基板の製造方法及びそれに用いるレーザアニール装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的は、基板上に形成されたアモルファスシリコン膜の少なくとも一部を結晶化してポリシリコン膜を形成する結晶化工程を有する薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、前記結晶化工程は、前記アモルファスシリコン膜に対してマスクを介さずにレーザ光を照射して選択的に結晶化し、前記ポリシリコン膜からなるアライメントマークを形成する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法によって達成される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、薄膜トランジスタ基板の製造コストを削減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の一実施の形態による薄膜トランジスタ基板の製造方法及びそれに用いるレーザアニール装置について図１乃至図５を用いて説明する。まず、本実施の形態によるレーザアニール装置の構成について説明する。図１は本実施の形態によるレーザアニール装置の構成を模式的に示す図であり、図２は本実施の形態によるレーザアニール装置の構成を示すブロック図である。図１及び図２に示すように、レーザアニール装置１は、ガラス基板１０が載置されるＸ−Ｙステージ５２と、ガラス基板１０上にアライメントマークを形成するための第１のレーザ光照射部４４と、ＴＦＴ形成領域のａ−Ｓｉ膜を結晶化するための第２のレーザ光照射部５０とを有している。本実施の形態では、例えば６面取りのガラス基板１０の各表示領域の周囲に配置される周辺回路部６０のａ−Ｓｉ膜が結晶化される。Ｘ−Ｙステージ５２はＸＹ面内で移動可能になっており、載置されたガラス基板１０に対するレーザ光の照射位置を相対的に移動させることができるようになっている。またＸ−Ｙステージ５２は、載置されたガラス基板１０を固定する基板固定用治具を有している。レーザ光照射部４４は、レーザ光（例えばＣＷレーザ）を発振する光源部４０と、レーザ光を所定の照射位置に導くレーザ光学系４２とを備えている。同様にレーザ光照射部５０は、レーザ光（例えばＣＷレーザ）を発振する光源部４６と、レーザ光を所定の照射位置に導くレーザ光学系４８とを備えている。レーザ光学系４２、４８は、ミラーや光学レンズ等で構成されている。レーザ光照射部４４、５０はレーザアニール装置１に対して固定されていてもよいし、ＸＹ面内をそれぞれ移動できるようにしてもよい。またレーザアニール装置１は、Ｘ−Ｙステージ５２（及びレーザ光照射部４４、５０）を所定の位置に移動させる制御部５６と、後述するレーザ光照射位置確認用ＣＣＤカメラ５４とを有している。
【００１２】
ここで、レーザ光照射部４４、５０のレーザ光照射位置をガラス基板１０に対して位置決めする際にはアライメントマークは用いられず、レーザアニール装置１に設定されている座標データが用いられるようになっている。座標データとして、レーザアニール装置１の装置原点に対するＸ−Ｙステージ５２の位置の絶対座標と、同じく装置原点に対するレーザ光照射部４４、５０のレーザ光照射位置の絶対座標とが設定されている。Ｘ−Ｙステージ５２上に載置されたガラス基板１０の位置は、基板固定用治具の位置に基づき、Ｘ−Ｙステージ５２に対する相対座標として取得される。これによって、レーザ光照射部４４、５０がレーザアニール装置１に対して固定されている場合には、レーザ光を照射すべき位置のガラス基板１０に対する相対座標を設定すれば、レーザ光を照射すべき位置にガラス基板１０を配置するためのＸ−Ｙステージ５２の位置の絶対座標が得られるようになっている。また、レーザ光照射部４４、５０がレーザアニール装置１に対して移動可能になっている場合には、レーザ光を照射すべき位置のガラス基板１０に対する相対座標を設定すれば、レーザ光照射部４４、５０のＸ−Ｙステージ５２に対する相対座標が得られるようになっている。したがって、本実施の形態のレーザアニール装置１を用いれば、制御部５６がＸ−Ｙステージ５２及びレーザ光照射部４４、５０のレーザ光照射位置の絶対座標を設定することにより、アライメントマークを読み取ることなくガラス基板１０上の所望の位置にレーザ光を照射できるようになっている。
【００１３】
また、レーザアニール装置１は、実際にレーザ光が照射されてａ−Ｓｉ膜が結晶化した位置を確認できるようになっている。レーザ光が照射された位置を確認する際には、まずレーザアニール装置１の制御部５６が、Ｘ−Ｙステージ５２及びレーザ光照射位置確認用ＣＣＤカメラ５４に対して、既に照射の終了した所定の位置を指定したレーザ光照射位置確認指示信号を送信する。Ｘ−Ｙステージ５２は、指定された位置近傍上にレーザ光照射位置確認用ＣＣＤカメラ５４が配置されるように移動する。レーザ光照射位置確認用ＣＣＤカメラ５４は、レーザ光が照射されてａ−Ｓｉ膜が結晶化した位置をａ−Ｓｉとｐ−Ｓｉとの間の反射率等の差に基づいて感知すると、その旨の情報を制御部５６に送信する。レーザ光の照射された位置を感知した旨の情報を受信した制御部５６は、Ｘ―Ｙステージ５２からそのときの座標データを取得する。これにより、実際にレーザ光の照射された位置の座標データが得られる。制御部５６は、予め設定されたレーザ光照射位置の座標データと、実際にレーザ光が照射された位置の座標データとを比較する。経時変化によるレーザ光の光軸のずれ等によってこれらの座標データ間に誤差が生じていれば、制御部５６はその誤差に基づいて、例えば次のレーザ光照射時におけるＸ−Ｙステージ５２の移動量等を補正する。なお、本例ではレーザ光照射位置確認用ＣＣＤカメラ５４がレーザアニール装置１に対して固定されている例を示しているが、ＸＹ面内を移動できるようにしてもよい。
【００１４】
次に、本実施の形態によるＴＦＴ基板の製造方法について図３及び図４を用い、既に示した図１及び図２を参照しつつ説明する。図３及び図４は本実施の形態によるＴＦＴ基板の製造方法を示す工程断面図である。図３及び図４では、アライメントマーク６２の形成領域を右側に示し、周辺回路部６０のＴＦＴ形成領域を左側に示している。まず、図３（ａ）に示すように、ガラス基板１０上に、例えばＣＶＤ法を用いて膜厚５０ｎｍのシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）１２、膜厚２００ｎｍのシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）１４、及び膜厚８０ｎｍのａ−Ｓｉ膜１６をこの順に連続成膜する。次に、４００℃でアニールし、ａ−Ｓｉ膜１６の水素を除去する水素出し処理を行う。
【００１５】
次に、本実施の形態によるレーザアニール装置１を用いて、周辺回路部６０のＴＦＴ形成領域とアライメントマーク６２形成領域のａ−Ｓｉ膜１６を結晶化する。周辺回路部６０のＴＦＴ形成領域には、レーザ光照射部５０により例えば出力５．０Ｗ、スキャン速度２０ｃｍ／ｓｅｃの照射条件でＣＷレーザが照射され、図３（ｂ）に示すｐ−Ｓｉ膜１９が形成される。また、アライメントマーク６２形成領域には、レーザ光照射部４４により例えば出力５．０Ｗ、スキャン速度２０ｃｍ／ｓｅｃの照射条件でＣＷレーザが照射される。これにより、ｐ−Ｓｉ膜１８からなる第１のアライメントマーク６２が形成される。ここで、レーザ光照射部４４、５０のレーザ光照射位置を位置決めする際には、アライメントマークを用いるのではなくレーザアニール装置１に設定されている座標データが用いられる。
【００１６】
アライメントマーク６２は、マスクを介さずにレーザ光をａ−Ｓｉ膜１６に直接照射して所定形状（例えば大きさ５０〜１００μｍ程度の十字形状）に描画して形成されている。ｐ−Ｓｉからなるアライメントマーク６２の周囲にはａ−Ｓｉ膜１６が存在するので、ｐ−Ｓｉとａ−Ｓｉとの間の反射率や透過率等の光学特性の差により、ＣＣＤカメラやＵＶ反射装置等を用いてアライメントマーク６２を認識できる。
【００１７】
次に、図３（ｃ）に示すように、例えばインライン式のコータ・デベロッパ装置を用いて、ｐ−Ｓｉ膜１９上の基板全面にレジストを塗布してパターニングし、ＴＦＴ形成領域のレジストパターン２４と、第２のアライメントマーク形成領域のレジストパターン２５とを形成する。この工程では、ＣＣＤカメラ等を用いて第１のアライメントマーク６２を読み取り、アライメントマーク６２に基づいてガラス基板１０と露光用マスクとが位置合わせされて所定の位置にレジストパターン２４、２５が形成される。
【００１８】
次に、図４（ａ）に示すように、レジストパターン２４、２５をマスクとして、ＳＦ６とＯ２との混合ガスを用いてｐ−Ｓｉ膜１８、１９及びａ−Ｓｉ膜１６をドライエッチングし、ＴＦＴ形成領域の島状のｐ−Ｓｉ膜２０、及び第２のアライメントマーク６４を形成する（アイランド化工程）。第２のアライメントマーク６４は、アイランド化工程より後の工程でのガラス基板１０と露光用マスクとの位置合わせに用いられる。アライメントマーク６４は、当該アライメントマーク６４上に成膜された薄膜の表面に形成される凹凸をＣＣＤカメラ等により検出することにより認識される。なお、本例では第１のアライメントマーク６２と第２のアライメントマーク６４とを互いに異なる位置に形成しているが、第１のアライメントマーク６２上に重ねて第２のアライメントマーク６４を形成してもよい。続いて、レジストパターン２４、２５を剥離する。
【００１９】
次に、図４（ｂ）に示すように、ｐ−Ｓｉ膜２０上に、例えば膜厚１００ｎｍのＳｉＯ膜からなる絶縁膜（ゲート絶縁膜）２６と、絶縁膜２６上に配置され、例えば膜厚３００ｎｍのＡｌ膜からなるゲート電極２８とを形成する。次に、図４（ｃ）に示すように、ゲート電極２８をマスクとして、ｐ−Ｓｉ膜２０に例えばｎ型の不純物を注入し、チャネル領域３０以外の領域にソース領域３２及びドレイン領域３４を形成する。
【００２０】
次に、ゲート電極２８上の基板全面に例えば膜厚４００ｎｍのＳｉＮ膜を成膜し、層間絶縁膜３６を形成する。次に、ソース領域３２及びドレイン領域３４上の層間絶縁膜３６を除去してコンタクトホールを形成する。次に、層間絶縁膜上の全面に、例えば膜厚１００ｎｍのＴｉ膜、膜厚２００ｎｍのＡｌ膜、膜厚１００ｎｍのＴｉ膜をこの順に成膜してパターニングし、ソース電極３８及びドレイン電極３９を形成する。ソース電極３８及びドレイン電極３９は、ソース領域３２及びドレイン領域３４にそれぞれ接続される。以上の工程によりＴＦＴが形成される。なお、ＴＦＴの製造方法や構造は上記に限られない。本例では表示領域の画素駆動用ＴＦＴの形成領域のａ−Ｓｉ膜１６を結晶化していないが、例えば周辺回路部６０よりも高いスキャン速度で画素駆動用ＴＦＴの形成領域のａ−Ｓｉ膜１６にＣＷレーザを照射し、周辺回路部６０より小さい粒径に結晶化するようにしてもよい。また、表示領域内の画素駆動用のＴＦＴには、チャネル領域３０とソース領域３２及びドレイン領域３４との間に、低濃度不純物領域（ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域）をそれぞれ形成してもよい。その後、ソース電極３８及びドレイン電極３９上に層間絶縁膜をさらに形成し、ソース電極３８に電気的に接続された画素電極を表示領域内の画素領域毎に形成して、ＴＦＴ基板が完成する。
【００２１】
本実施の形態では、第１のアライメントマーク６２は、ａ−Ｓｉ膜１６を除去するのではなくａ−Ｓｉ膜１６を選択的に結晶化することにより形成されている。また、アライメントマーク６２を形成する際にはマスクを介さずに直接レーザ光を照射している。したがって、レーザ光学系が汚染されることがなく、汚染物質を除去するメンテナンスが不要になる。また、本実施の形態では、アライメントマーク６２の形成位置と、ａ−Ｓｉ膜１６を結晶化してｐ−Ｓｉ膜１９を形成する位置との位置決めは、レーザアニール装置１内の絶対座標を用いて行っているため、これらの工程の前に予めアライメントマークを形成する必要がない。また、アイランド化工程では、ａ−Ｓｉ膜１６を結晶化して形成したアライメントマーク６２を用いて位置合わせが行われる。したがって、アライメントマークを形成する工程を削減できるとともに、レーザアニール装置がアライメントマークの読取り機能を備える必要がないため、ＴＦＴ基板の製造コストを削減できる。さらに、本実施の形態では、結晶化の際にエキシマ・レーザではなくＣＷレーザを用いているため、より大粒径化したｐ−Ｓｉ膜１９を形成できる。
【００２２】
図５は、本実施の形態によるレーザアニール装置の変形例を示している。図５に示すように、本変形例によるレーザアニール装置１’は、アライメントマーク形成用とＴＦＴ形成領域結晶化用とを兼ねる１つのレーザ光照射部８４を有している。本変形例では、アライメントマーク形成用のレーザ光照射部４４とＴＦＴ形成領域結晶化用のレーザ光照射部５０とをそれぞれ備えた構成に比較してレーザアニール装置１’が安価になり、ＴＦＴ基板の製造コストをさらに削減できる。
【００２３】
以上説明した本実施の形態による薄膜トランジスタ基板の製造方法及びそれに用いるレーザアニール装置は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
基板上に形成されたアモルファスシリコン膜の少なくとも一部を結晶化してポリシリコン膜を形成する結晶化工程を有する薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、
前記結晶化工程は、前記アモルファスシリコン膜に対してマスクを介さずにレーザ光を照射して選択的に結晶化し、前記ポリシリコン膜からなるアライメントマークを形成する工程を含むこと
を特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
（付記２）
付記１記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法において、
前記結晶化工程の後に、前記ポリシリコン膜を島状にパターニングするアイランド化工程を有し、
前記アイランド化工程は、前記ポリシリコン膜と前記アモルファスシリコン膜との間の光学特性の差異に基づいて前記アライメントマークを認識し、前記アライメントマークに基づいて前記基板を位置合わせする工程を含むこと
を特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
（付記３）
付記１又は２に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法において、
前記アライメントマークは、予め設定された座標データに基づいて所定の位置に形成すること
を特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
（付記４）
付記１乃至３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法において、
前記レーザ光として連続波レーザを用いること
を特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
（付記５）
付記１乃至４のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法において、
前記アイランド化工程は、前記ポリシリコン膜又は前記アモルファスシリコン膜をパターニングして第２のアライメントマークを形成する工程を含み、
前記アイランド化工程より後の工程は、前記第２のアライメントマークに基づいて前記基板を位置合わせすること
を特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
（付記６）
ポリシリコン膜からなるアライメントマークを形成するためのレーザ光を発振する光源と、前記レーザ光を所定の照射位置に導くレーザ光学系とを備えたアライメントマーク形成用レーザ光照射部と、
載置された基板に対して前記照射位置を相対的に移動可能なステージと、
予め設定された座標データに基づいて前記照射位置を移動させ、前記基板上に形成されたアモルファスシリコン膜の所定の位置にマスクを介さずに前記レーザ光を照射させて選択的に結晶化し、前記アライメントマークを形成する制御部と
を有することを特徴とするレーザアニール装置。
（付記７）
付記６記載のレーザアニール装置において、
前記アライメントマーク形成用レーザ光照射部は、前記アモルファスシリコン膜の薄膜トランジスタ形成領域に前記レーザ光を照射して結晶化する機能をさらに有すること
を特徴とするレーザアニール装置。
（付記８）
付記６記載のレーザアニール装置において、
前記アモルファスシリコン膜の前記薄膜トランジスタ形成領域に前記レーザ光を照射して結晶化する薄膜トランジスタ形成領域結晶化用レーザ光照射部をさらに有し、
前記制御部は、予め設定された座標データに基づいて前記薄膜トランジスタ形成領域結晶化用レーザ光照射部の照射位置を移動させること
を特徴とするレーザアニール装置。
（付記９）
付記６乃至８のいずれか１項に記載のレーザアニール装置において、
前記基板上の所定の検出位置の光学特性を検出する光学特性検出部をさらに有し、
前記ステージは、前記検出位置を前記基板に対して相対的に移動可能であること
を特徴とするレーザアニール装置。
（付記１０）
付記９記載のレーザアニール装置において、
前記光学特性検出部は、前記検出位置の反射率又は透過率を検出すること
を特徴とするレーザアニール装置。
（付記１１）
付記９又は１０に記載のレーザアニール装置において、
前記制御部は、前記検出位置の光学特性に基づいて、前記アモルファスシリコン膜に前記レーザ光が照射された位置を特定すること
を特徴とするレーザアニール装置。
（付記１２）
付記１１記載のレーザアニール装置において、
前記制御部は、予め設定された座標データと前記レーザ光が照射された位置の座標データとを比較し、誤差を補正する機能を有すること
を特徴とするレーザアニール装置。
（付記１３）
付記６乃至１２のいずれか１項に記載のレーザアニール装置において、
前記レーザ光は連続波レーザであること
を特徴とするレーザアニール装置。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施の形態によるレーザアニール装置の模式的な構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態によるレーザアニール装置の構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の一実施の形態によるＴＦＴ基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態によるＴＦＴ基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態によるレーザアニール装置の構成の変形例を示す図である。
【図６】従来のレーザアニール装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００２５】
１、１’  レーザアニール装置
１０  ガラス基板
１２  ＳｉＮ膜
１４  ＳｉＯ２膜
１６  ａ−Ｓｉ膜
１８、１９、２０  ｐ−Ｓｉ膜
２４、２５  レジストパターン
２６  絶縁膜
２８  ゲート電極
３０  チャネル領域
３２  ソース領域
３４  ドレイン領域
３６  層間絶縁膜
３８  ソース電極
３９  ドレイン電極
４０、４６  光源部
４２、４８  レーザ光学系
４４  第１のレーザ光照射部
５０  第２のレーザ光照射部
５２  Ｘ−Ｙステージ
５４  レーザ光照射位置確認用ＣＣＤカメラ
５６  制御部
６０  周辺回路部
６２  第１のアライメントマーク
６４  第２のアライメントマーク
７０、７２  コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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