(57)【要約】【課題】  新規な金属錯体含有化合物および、金属錯体含有フルオレン化合物並びにその製造方法を提供することにある。【解決手段】  金属錯体含有フルオレン化合物は、下記一般式（１）で表される構造を有することを特徴とする。【化１】2005325048.tif 000040〔式中、Ｘ1 およびＸ2 は、それぞれ独立にハロゲン性官能基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立に１価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｒ3 およびＲ4 は、単結合または２価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｒ5 およびＲ6 は、少なくとも一方が金属錯体部位を示すと共に、他方が１価の有機基、あるいは金属錯体部位を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。ｎ１は０〜３の整数であり、ｎ２は０〜３の整数である。〕【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つのハロゲン性官能基を有する芳香族化合物に、フェニルピリジン構造を有する金属錯体含有基が結合していることを特徴とする金属錯体含有化合物。
【請求項２】
下記一般式（１）で表される構造を有することを特徴とする金属錯体含有フルオレン化合物。
【化１】
2005325048.tif 000021
〔式中、Ｘ1 およびＸ2 は、それぞれ独立にハロゲン性官能基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立に１価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｒ3 およびＲ4 は、単結合または２価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｒ5 およびＲ6 は、少なくとも一方が下記一般式（２）または一般式（３）に示される金属錯体部位を示すと共に、他方が１価の有機基、あるいは下記一般式（２）または一般式（３）に示される金属錯体部位を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。ｎ１は０〜３の整数であり、ｎ２は０〜３の整数である。〕
【化２】
2005325048.tif 000022
〔式中、Ｒ7 およびＲ8 は、それぞれ独立にフッ素原子、アルキル基またはアリール基を示し、これらは置換されていてもいなくてもよく、環構造を形成していてもよく、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｍは、２〜４価の金属原子を示し、Ｌは有機配位子を示す。ｍ１は０〜４の整数であり、ｍ２は０〜３の整数であり、ｗは１〜３の整数である。〕
【化３】
2005325048.tif 000023
〔式中、Ｒ7 およびＲ8 は、それぞれ独立にフッ素原子、アルキル基またはアリール基を示し、これらは置換されていてもいなくてもよく、環構造を形成していてもよく、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｍは、２〜４価の金属原子を示し、Ｌは有機配位子を示す。ｍ３は０〜３の整数であり、ｍ４は０〜４の整数であり、ｗは１〜３の整数である。〕
【請求項３】
請求項２に記載の金属錯体含有フルオレン化合物を製造する方法であって、
下記一般式（４）で示されるフェニルピリジン化合物と、下記一般式（５）で示されるジフェニル化合物とを反応させて中間反応生成物を得、
この中間反応生成物と、下記一般式（６）で示される金属錯体化合物とを反応させることを特徴とする金属錯体含有フルオレン化合物の製造方法。
【化４】
2005325048.tif 000024
〔式中、Ｘ3 は、ハロゲン原子を示す。Ｒ7 およびＲ8 は、それぞれ独立にフッ素原子、アルキル基またはアリール基を示し、これらは置換されていてもいなくてもよく、環構造を形成していてもよく、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。ｍ１は０〜４の整数であり、ｍ２は０〜３の整数である。〕
【化５】
2005325048.tif 000025
〔式中、Ｘ1 およびＸ2 は、それぞれ独立にハロゲン性官能基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立に１価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。ＲLVは１価の有機基をを示す。ｎ１は０〜３の整数であり、ｎ２は０〜３の整数である。〕
【化６】
2005325048.tif 000026
〔式中、Ｒ11は、２個の配位原子を有する二座のキレート配位子を示し、Ｍは、２〜４価の金属原子を示し、Ｌは有機配位子を示す。ｗは１〜３の整数である。〕
【請求項４】
請求項２に記載の金属錯体含有フルオレン化合物を製造する方法であって、
下記一般式（７）で示されるフェニルピリジン誘導体と、下記一般式（８）で示されるフルオレン誘導体とを反応させて中間反応生成物（１）を得、
この中間反応生成物（１）と、ハロゲンとを反応させて中間反応生成物（２）を得、
この中間反応生成物（２）と、下記一般式（６）で示される金属錯体化合物とを反応させることを特徴とする金属錯体含有フルオレン化合物の製造方法。
【化７】
2005325048.tif 000027
〔式中、Ｒ7 およびＲ8 は、それぞれ独立にフッ素原子、アルキル基またはアリール基を示し、これらは置換されていてもいなくてもよく、環構造を形成していてもよく、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｘ4 は、反応性のハロゲン性官能基、若しくは反応性のホウ素誘導体官能基を示す。ｍ１は０〜４の整数であり、ｍ２は０〜３の整数である。〕
【化８】
2005325048.tif 000028
〔式中、Ｘ5 は、反応性のハロゲン性官能基、若しくは反応性のホウ素誘導体官能基を示し、上記一般式（７）におけるＸ4 と互いに異なるものである。Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立に１価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｒ12およびＲ13は、それぞれ独立に１価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。ｎ１は０〜３の整数であり、ｎ２は０〜３の整数であり、ｑ１は０〜４の整数であり、ｑ２は０〜４の整数である。〕
【化９】
2005325048.tif 000029
〔式中、Ｒ11は、２個の配位原子を有する二座のキレート配位子を示し、Ｍは、２〜４価の金属原子を示し、Ｌは有機配位子を示す。ｗは１〜３の整数である。〕
【請求項５】
請求項２に記載の金属錯体含有フルオレン化合物を製造する方法であって、
下記一般式（４）で示されるフェニルピリジン化合物と、下記一般式（９）で示されるフルオレノン化合物とを反応させて中間反応生成物（１）を得、
この中間反応生成物（１）と、１価の有機基よりなる置換基を１〜５個有するベンゼンとを反応させて中間反応生成物（２）を得、
この中間反応生成物（２）と、下記一般式（６）で示される金属錯体化合物とを反応させることを特徴とする金属錯体含有フルオレン化合物の製造方法。
【化１０】
2005325048.tif 000030
〔式中、Ｘ3 は、ハロゲン原子を示す。Ｒ7 およびＲ8 は、それぞれ独立にフッ素原子、アルキル基またはアリール基を示し、これらは置換されていてもいなくてもよく、環構造を形成していてもよく、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。ｍ１は０〜４の整数であり、ｍ２は０〜３の整数である。〕
【化１１】
2005325048.tif 000031
〔式中、Ｘ1 およびＸ2 は、それぞれ独立にハロゲン性官能基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立に１価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。ｎ１は０〜３の整数であり、ｎ２は０〜３の整数である。〕
【化１２】
2005325048.tif 000032
〔式中、Ｒ11は、２個の配位原子を有する二座のキレート配位子を示し、Ｍは、２〜４価の金属原子を示し、Ｌは有機配位子を示す。ｗは１〜３の整数である。〕
【請求項６】
請求項２に記載の金属錯体含有フルオレン化合物を製造する方法であって、
下記一般式（１０）で示されるフェノールピリジン化合物と、その主鎖の両端にハロゲン原子を有する有機基のジハロゲン化物とを反応させて中間反応生成物（１）を得、
この中間反応生成物（１）と、下記一般式（１１）で示されるフルオレン化合物とを反応させて中間反応生成物（２）を得、
この中間反応生成物（２）と、下記一般式（６）で示される金属錯体化合物とを反応させることを特徴とする金属錯体含有フルオレン化合物の製造方法。
【化１３】
2005325048.tif 000033
〔式中、Ｒ7 およびＲ8 は、それぞれ独立にフッ素原子、アルキル基またはアリール基を示し、これらは置換されていてもいなくてもよく、環構造を形成していてもよく、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。ｍ１は０〜４の整数であり、ｍ２は０〜３の整数である。〕
【化１４】
2005325048.tif 000034
〔式中、Ｘ1 およびＸ2 は、それぞれ独立にハロゲン性官能基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立に１価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。ｎ１は０〜３の整数であり、ｎ２は０〜３の整数である。〕
【化１５】
2005325048.tif 000035
〔式中、Ｒ11は、２個の配位原子を有する二座のキレート配位子を示し、Ｍは、２〜４価の金属原子を示し、Ｌは有機配位子を示す。ｗは１〜３の整数である。〕
【請求項７】
請求項２に記載の金属錯体含有フルオレン化合物を製造する方法であって、
下記一般式（１２）で示されるヒドロキシピリジン誘導体と、その主鎖の両端にハロゲン原子を有する有機基のジハロゲン化物とを反応させて中間反応生成物（１）を得、
この中間反応生成物（１）と、下記一般式（１３）で示されるベンゼン誘導体とを反応させて中間反応生成物（２）を得、
この中間反応生成物（２）と、下記一般式（１１）で示されるフルオレン化合物とを反応させて中間反応生成物（３）を得、
この中間反応生成物（３）と、下記一般式（６）で示される金属錯体化合物とを反応させることを特徴とする金属錯体含有フルオレン化合物の製造方法。
【化１６】
2005325048.tif 000036
〔式中、Ｒ7 は、フッ素原子、アルキル基またはアリール基を示し、置換されていてもいなくてもよく、環構造を形成していてもよい。Ｘ6 は、反応性のハロゲン性官能基、若しくは反応性のホウ素誘導体官能基を示す。ｍ３は０〜３の整数である。〕
【化１７】
2005325048.tif 000037
〔式中、Ｒ8 は、フッ素原子、アルキル基またはアリール基を示し、置換されていてもいなくてもよく、環を形成していてもよい。Ｘ7 は、反応性のハロゲン性官能基、若しくは反応性のホウ素誘導体官能基を示し、上記一般式（１２）におけるＸ6 と互いに異なるものである。ｍ４は０〜４の整数である。〕
【化１８】
2005325048.tif 000038
〔式中、Ｘ1 およびＸ2 は、それぞれ独立にハロゲン性官能基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立に１価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。ｎ１は０〜３の整数であり、ｎ２は０〜３の整数である。〕
【化１９】
2005325048.tif 000039
〔式中、Ｒ11は、２個の配位原子を有する二座のキレート配位子を示し、Ｍは、２〜４価の金属原子を示し、Ｌは有機配位子を示す。ｗは１〜３の整数である。〕
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属錯体含有化合物および、金属錯体含有フルオレン化合物およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」ともいう。）は、直流電圧によって駆動することが可能であること、自己発光素子であるため視野角が広くて視認性が高いこと、応答速度が速いことなどの優れた特性を有することから、次世代の表示素子として期待されており、その研究が活発に行われている。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子における発光層を構成する機能性有機材料は、高い発光輝度が得られるものであることが要求されている。そして、最近においては、高い発光輝度を実現するために、有機ＥＬ素子の発光に、励起状態である三重項状態の分子などのエネルギーを利用することが試みられている。具体的には、このような構成を有する有機ＥＬ素子によれば、従来から有機ＥＬ素子の外部量子効率の限界値と考えられていた５％を超え、８％の外部量子効率が得られることが報告されている（例えば、非特許文献１参照。）。
しかしながら、この有機ＥＬ素子を構成する機能性有機材料は低分子量のものであることから、物理的耐久性および熱的耐久性が小さい、という問題がある。
【０００４】
【非特許文献１】「アプライドフィジックスレターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ）」，１９９９年，第７５巻，ｐ．４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、優れた発光特性および耐久性を有する機能性有機材料を得るための単量体について研究を重ねた結果、完成されたものであり、その目的は、新規な金属錯体含有化合物および金属錯体含有フルオレン化合物を提供することにある。
本発明の他の目的は、以上のような新規な金属錯体含有フルオレン化合物の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の金属錯体含有化合物は、２つのハロゲン性官能基を有する芳香族化合物に、フェニルピリジン構造を有する金属錯体含有基が結合していることを特徴とする。
また、本発明の金属錯体含有フルオレン化合物は、下記一般式（１）で表される構造を有することを特徴とする。
【０００７】
【化１】
2005325048.tif 000002
【０００８】
一般式（１）において、Ｘ1 およびＸ2 は、それぞれ独立にハロゲン性官能基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立に１価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｒ3 およびＲ4 は、単結合または２価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｒ5 およびＲ6 は、少なくとも一方が下記一般式（２）または一般式（３）に示される金属錯体部位を示すと共に、他方が１価の有機基、または下記一般式（２）または一般式（３）に示される金属錯体部位を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。ｎ１は０〜３の整数であり、ｎ２は０〜３の整数である。
【０００９】
【化２】
2005325048.tif 000003
【００１０】
一般式（２）において、Ｒ7 およびＲ8 は、それぞれ独立にフッ素原子、アルキル基またはアリール基を示し、これらは置換されていてもいなくてもよく、環構造を形成していてもよく、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｍは、２〜４価の金属原子を示し、Ｌは有機配位子を示す。ｍ１は０〜４の整数であり、ｍ２は０〜３の整数であり、ｗは１〜３の整数である。
【００１１】
【化３】
2005325048.tif 000004
【００１２】
一般式（３）において、Ｒ7 およびＲ8 は、それぞれ独立にフッ素原子、アルキル基またはアリール基を示し、これらは置換されていてもいなくてもよく、環構造を形成していてもよく、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｍは、２〜４価の金属原子を示し、Ｌは有機配位子を示す。ｍ３は０〜３の整数であり、ｍ４は０〜４の整数であり、ｗは１〜３の整数である。
【００１３】
本発明の金属錯体含有フルオレン化合物の製造方法は、上記の金属錯体含有フルオレン化合物を製造する方法であって、
下記一般式（４）で示されるフェニルピリジン化合物と、下記一般式（５）で示されるジフェニル化合物とを反応させて中間反応生成物（１）を得、
この中間反応生成物（１）と、下記一般式（６）で示される金属錯体化合物とを反応させることを特徴とする。
【００１４】
【化４】
2005325048.tif 000005
【００１５】
一般式（４）において、Ｘ3 は、ハロゲン原子を示す。Ｒ7 およびＲ8 は、それぞれ独立にフッ素原子、アルキル基またはアリール基を示し、これらは置換されていてもいなくてもよく、環構造を形成していてもよく、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。ｍ１は０〜４の整数であり、ｍ２は０〜３の整数である。
【００１６】
【化５】
2005325048.tif 000006
【００１７】
一般式（５）において、Ｘ1 およびＸ2 は、それぞれ独立にハロゲン性官能基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立に１価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。ＲLVは１価の有機基を示す。ｎ１は０〜３の整数であり、ｎ２は０〜３の整数である。
【００１８】
【化６】
2005325048.tif 000007
【００１９】
一般式（６）において、Ｒ11は、２個の配位原子を有する二座のキレート配位子を示し、Ｍは、２〜４価の金属原子を示し、Ｌは有機配位子を示す。ｗは１〜３の整数である。
【００２０】
本発明の金属錯体含有フルオレン化合物の製造方法は、上記の金属錯体含有フルオレン化合物を製造する方法であって、
下記一般式（７）で示されるフェニルピリジン誘導体と、下記一般式（８）で示されるフルオレン誘導体とを反応させて中間反応生成物（２−１）を得、
この中間反応生成物（２−１）と、ハロゲンとを反応させて中間反応生成物（２−２）を得、
この中間反応生成物（２−２）と、上記一般式（６）で示される金属錯体化合物とを反応させることを特徴とする。
【００２１】
【化７】
2005325048.tif 000008
【００２２】
一般式（７）において、Ｒ7 およびＲ8 は、それぞれ独立にフッ素原子、アルキル基またはアリール基を示し、これらは置換されていてもいなくてもよく、環構造を形成していてもよく、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｘ4 は、反応性のハロゲン性官能基、若しくは反応性のホウ素誘導体官能基を示す。ｍ１は０〜４の整数であり、ｍ２は０〜３の整数である。
【００２３】
【化８】
2005325048.tif 000009
【００２４】
一般式（８）において、Ｘ5 は、反応性のハロゲン性官能基、若しくは反応性のホウ素誘導体官能基を示し、上記一般式（７）におけるＸ4 と互いに異なるものである。Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立に１価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｒ12およびＲ13は、それぞれ独立に１価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。ｎ１は０〜３の整数であり、ｎ２は０〜３の整数であり、ｑ１は０〜４の整数であり、ｑ２は０〜４の整数である。
【００２５】
本発明の金属錯体含有フルオレン化合物の製造方法は、上記の金属錯体含有フルオレン化合物を製造する方法であって、
上記一般式（４）で示されるフェニルピリジン化合物と、下記一般式（９）で示されるフルオレノン化合物とを反応させて中間反応生成物（３−１）を得、
この中間反応生成物（３−１）と、１価の有機基よりなる置換基を１〜５個有するベンゼンとを反応させて中間反応生成物（３−２）を得、
この中間反応生成物（３−２）と、上記一般式（６）で示される金属錯体化合物とを反応させることを特徴とする。
【００２６】
【化９】
2005325048.tif 000010
【００２７】
一般式（９）において、Ｘ1 およびＸ2 は、それぞれ独立にハロゲン性官能基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立に１価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。ｎ１は０〜３の整数であり、ｎ２は０〜３の整数である。
【００２８】
本発明の金属錯体含有フルオレン化合物の製造方法は、上記の金属錯体含有フルオレン化合物を製造する方法であって、
下記一般式（１０）で示されるフェノールピリジン化合物と、その主鎖の両端にハロゲン原子を有する、有機基のジハロゲン化物とを反応させて中間反応生成物（４−１）を得、
この中間反応生成物（４−１）と、下記一般式（１１）で示されるフルオレン化合物とを反応させて中間反応生成物（４−２）を得、
この中間反応生成物（４−２）と、上記一般式（６）で示される金属錯体化合物とを反応させることを特徴とする。
【００２９】
【化１０】
2005325048.tif 000011
【００３０】
一般式（１０）において、式中、Ｒ7 およびＲ8 は、それぞれ独立にフッ素原子、アルキル基またはアリール基を示し、これらは置換されていてもいなくてもよく、環構造を形成していてもよく、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。ｍ１は０〜４の整数であり、ｍ２は０〜３の整数である。
【００３１】
【化１１】
2005325048.tif 000012
【００３２】
一般式（１１）において、Ｘ1 およびＸ2 は、それぞれ独立にハロゲン性官能基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立に１価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。ｎ１は０〜３の整数であり、ｎ２は０〜３の整数である。
【００３３】
本発明の金属錯体含有フルオレン化合物の製造方法は、上記の金属錯体含有フルオレン化合物を製造する方法であって、
下記一般式（１２）で示されるヒドロキシピリジン誘導体と、その主鎖の両端にハロゲン原子を有する、有機基のジハロゲン化物とを反応させて中間反応生成物（５−１）を得、  この中間反応生成物（５−１）と、下記一般式（１３）で示されるベンゼン誘導体とを反応させて中間反応生成物（５−２）を得、
この中間反応生成物（５−２）と、上記一般式（１１）で示されるフルオレン化合物とを反応させて中間反応生成物（５−３）を得、
この中間反応生成物（５−３）と、上記一般式（６）で示される金属錯体化合物とを反応させることを特徴とする。
【００３４】
【化１２】
2005325048.tif 000013
【００３５】
一般式（１２）において、Ｒ7 は、フッ素原子、アルキル基またはアリール基を示し、置換されていてもいなくてもよく、環構造を形成していてもよい。Ｘ6 は、反応性のハロゲン性官能基、若しくは反応性のホウ素誘導体官能基を示す。ｍ３は０〜３の整数である。
【００３６】
【化１３】
2005325048.tif 000014
【００３７】
一般式（１３）において、Ｒ8 は、フッ素原子、アルキル基またはアリール基を示し、置換されていてもいなくてもよく、環構造を形成していてもよい。Ｘ7 は、反応性のハロゲン性官能基、若しくは反応性のホウ素誘導体官能基を示し、上記一般式（１２）におけるＸ6 と互いに異なるものである。ｍ４は０〜４の整数である。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、２つのハロゲン性官能基を有する芳香族化合物に、フェニルピリジン構造を有する金属錯体含有基が結合している金属錯体含有化合物、並びに、２つのハロゲン性官能基および金属錯体部位を有するフルオレンに由来する骨格構造を有する新規な金属錯体含有フルオレン化合物が提供される。そして、本発明の新規な金属錯体含有化合物、並びに金属錯体含有フルオレン化合物は、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層を形成する、発光特性および耐久性に優れた機能性有機材料としての重合体の合成に用いられる単量体として、好適に用いることができる可能性がある。
【００３９】
本発明の金属錯体含有フルオレン化合物の製造方法によれば、新規な金属錯体含有フルオレン化合物を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
＜金属錯体含有フルオレン化合物＞
本発明の金属錯体含有フルオレン化合物は、上記一般式（１）で示される構造を有する化合物である。
【００４１】
上記一般式（１）において、Ｘ1 およびＸ2 は、それぞれ独立にハロゲン性官能基であって、互いに同一のものであっても異なるものであってもよいが、同一のものであることが好ましい。ハロゲン性官能基の具体例としては、例えば−Ｃｌ基、−Ｂｒ基、−Ｉ基、トリフレート（ＣＦ3 ＳＯ3 - ）に由来する基、トシラートに由来する基またはメシラートに由来する基などが挙げられ、これらの中では、特に、−Ｂｒ基または−Ｉ基を好ましく挙げることができる。
ここで、上記一般式（１）において、Ｘ1 およびＸ2 は、それぞれ位置番号２および７の炭素原子に結合されていることが好ましい。
【００４２】
Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立に１価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよいが、同一のものであることが好ましい。Ｒ1 およびＲ2 に係る１価の有機基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、フェニル基などが挙げられる。
【００４３】
ｎ１およびｎ２は、それぞれ独立に０〜３の整数を示し、特に、ｎ１およびｎ２が共に０であることが好ましい。ｎ１またはｎ２が０であるときは、置換基がなくて水素原子が結合していることを意味する。
【００４４】
Ｒ3 およびＲ4 は、単結合または２価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよいが、同一のものであることが好ましい。２価の有機基としては、具体的には、例えば炭素原子数１〜８のアルコキシル基から水素原子が１つ失われて形成される２価の基、炭素原子数１〜８のアルキレン基および、置換基を有するまたは有さない１〜３環の２価の芳香族基（例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基またはキシリレン基等）が挙げられる。以上において、Ｒ3 およびＲ4 は、単結合、炭素原子数１〜８の特定のアルコキシル基から水素原子が１つ失われて形成される２価の基、フェニレン基であることが好ましい。
【００４５】
Ｒ5 およびＲ6 は、少なくとも一方が上記一般式（２）または一般式（３）に示される金属錯体部位を示すと共に、他方が１価の有機基または、上記一般式（２）または一般式（３）に示される金属錯体部位を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよい。
【００４６】
そして、上記一般式（２）および一般式（３）において、Ｒ7 およびＲ8 は、それぞれ独立にフッ素原子、アルキル基またはアリール基（環構造を形成する場合には、これらに由来する基）を示し、置換されていてもいなくてもよく、環構造を形成していてもよく、互いに同一のものであっても異なるものであってもよいが、Ｒ7 およびＲ8 は、共に置換されておらず、環構造を形成せず、また、互いに同一のものであることが好ましい。  
ここで、Ｒ7 およびＲ8 が、各々、ベンゼン環またはピリジン環を形成する炭素原子の複数に結合して多環構造が形成されていてもよい。
【００４７】
Ｒ7 およびＲ8 に係るアルキル基の具体例としては、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ヘキシル基、オクチル基などを挙げることができる。
アリール基の具体例としては、例えばフェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基などを挙げることができる。
【００４８】
ｍ１は０〜４の整数を示し、ｍ２は０〜３の整数を示し、また、ｍ３は０〜３の整数を示し、ｍ４は０〜４の整数を示し、特に、ｍ１、ｍ２、ｍ３およびｍ４のすべてが０であることが好ましい。
ここで、ｍ１、ｍ２、ｍ３およびｍ４のいずれか一つが０であるときは、置換基がなくて水素原子が結合していることを意味する。
【００４９】
上記一般式（２）および一般式（３）において、Ｍは、原子価が２〜４の金属原子である。この金属原子としては、イリジウム原子、白金原子、パラジウム原子、ルビジウム原子、オスミウム原子、レニウム原子などが挙げられるが、これらの中ではイリジウム原子が好ましい。
また、Ｌは有機配位子である。この有機配位子は、上記Ｍである金属原子に対して配位性を有する有機化合物によって形成されてなるものである。有機配位子の数ｗは１〜３の整数であり、用いられている金属原子の原子価および当該金属原子による中性錯体の安定配位数などを考慮して選択される。
【００５０】
ここで、有機配位子としては、オルトメタル化錯体を形成し得るものが挙げられ、例えば含窒素ヘテロ環誘導体が用いられる。具体的には、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリダジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、ピロール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体などが挙げられる。
ここに、「オルトメタル化錯体」とは、例えば山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」１５０頁、２３２頁、裳華房社（１９８２年発行）や、Ｈ. Ｙｅｒｓｉｎ著「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」７１〜７７頁、１３５〜１４６頁、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社（１９８７年発行）等に記載されている化合物群の総称である。
【００５１】
また、有機配位子としては、ハロゲン、カルボニル基、シアノ基などの単座有機配位子となる有機化合物により形成されるもの、アセチルアセトン、ヘキサフルオロアセチルアセトン、５, ５−ジメチル−２, ４−ヘキサジオンなどのβ−ジケトン類、エチレンジアミン、ジピリジルなどのジアミン類、９−ヒドロキシキノリン、ピコリン酸、サリチル酸などの多座有機配位子となる有機化合物により形成されるものなどが挙げられる。これらの有機配位子を形成する有機化合物は、１種単独で若しくは２種以上組み合わせて用いることができる。
【００５２】
以上において、本発明の金属錯体含有フルオレン化合物の好ましい具体例としては、下記構造式（１）〜構造式（５）に示される構造を有する金属錯体含有フルオレン化合物を挙げることができる。
【００５３】
【化１４】
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【００５４】
ここで、上記構造式（３）に示される金属錯体含有フルオレン化合物において、Ｒ3 およびＲ4 が単結合であると共に、Ｒ5 は一般式（２）で示される金属錯体部位であり、Ｒ6 はメチルフェニル基である。
【００５５】
以上のような金属錯体含有フルオレン化合物を製造するための方法を下記に説明する。
＜第１の製造方法＞
第１の金属錯体含有フルオレン化合物の製造方法は、例えば上記構造式（１）で示される構造を有する金属錯体含有フルオレン化合物を得ることができるものである。
【００５６】
すなわち、第１の製造方法において、本発明の金属錯体含有フルオレン化合物は、上記一般式（４）で示されるフェニルピリジン化合物（以下、単に「特定のフェニルピリジン化合物」ともいう。）と、上記一般式（５）で示されるジフェニル化合物（以下、単に「特定のジフェニル化合物」ともいう。）とを反応させることにより中間反応生成物（１）を得（以下、この反応工程を「反応工程（１−１）」ともいう。）、次いで、中間反応生成物（１）と、上記一般式（６）で示される金属錯体化合物（以下、単に「特定の金属錯体化合物」ともいう。）とを反応させること（以下、この反応工程を「反応工程（１−２）」ともいう。）により、製造することができる。
【００５７】
〔反応工程（１−１）〕
反応工程（１−１）に用いられる特定のフェニルピリジン化合物を示す一般式（４）において、Ｘ3 は、例えば臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子であって、好ましくは臭素原子を挙げることができる。
【００５８】
このような特定のフェニルピリジン化合物の具体例としては、例えば上記一般式（４）において、ｍ１およびｍ２が共に０であり、Ｘ3 が臭素原子であるものを特に好ましく挙げることができる。
【００５９】
また、反応工程（１−１）に用いられる特定のジフェニル化合物を示す一般式（５）において、ＲLVは、１価の有機基よりなる脱離基であり、好ましくはメチル基を挙げることができる。
【００６０】
このような特定のジフェニル化合物の具体例としては、例えば上記一般式（５）において、Ｘ1 およびＸ2 が、それぞれ、形成されるフルオレン骨格における位置番号２および位置番号７となる炭素原子に結合する臭素原子であり、ｎ１およびｎ２が共に０であり、ＲLVがメチル基であるものを特に好ましく挙げることができる。
【００６１】
以上の反応工程（１−１）は、前反応処理および後反応処理の二つの処理工程からなるものである。
具体的には、前反応処理は、特定のフェニルピリジン化合物をリチオ化試剤の存在下において処理することによって、Ｘ3 である臭素原子がリチウム原子に置換されたものと、特定のジフェニル化合物との反応を行うものである。
【００６２】
前反応処理において用いられるリチオ化試剤としては、具体的には、例えばｎ−ブチルリチウム、ｓ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウムを挙げることができ、特にｎ−ブチルリチウムが好ましく用いられる。
【００６３】
前反応処理においては極性溶剤が用いられ、通常、テトラヒドロフランが好ましく用いられる。
【００６４】
後反応処理は、酸性条件下で行われ、例えば硫酸と酢酸の組み合わせが好ましく用いられる。
【００６５】
〔反応工程（１−２）〕
反応工程（１−２）に用いられる特定の金属錯体化合物を示す一般式（６）において、Ｒ11は、２個の配位原子を有すると共に、当該配位原子によって中心金属である金属に結合する、二座の特定の反応性キレート配位子を示す。特定の反応性キレート配位子としては、具体的には、アセチルアセトナト配位子、反応性の置換基を有するフェニルピリジン配位子などが好ましく用いられる。
【００６６】
以上のような特定の反応性キレート配位子を有する特定の金属錯体化合物の具体例としては、例えば上記一般式（６）において、Ｒ11がアセチルアセトナト配位子であり、Ｍがイリジウム原子であり、Ｌが、フェニルピリジンから水素原子が失われて形成される２価のピリジン誘導体であるものを特に好ましく挙げることができる。
【００６７】
反応工程（１−２）においては、適宜の溶剤が用いられる。斯かる溶剤の具体例としては、例えばグリセリン、メトキシエタノール、エトキシエタノールなどを挙げることができ、これらの溶剤は、単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中では、グリセリンを用いることが好ましい。
【００６８】
反応工程（１−２）における種々の反応条件としては、例えば反応温度は、１５０〜３００℃、好ましくは２００〜２５０℃とされる。
また、反応時間は、１０〜５０時間、好ましくは１５〜３０時間とされる。
【００６９】
＜第２の製造方法＞
第２の金属錯体含有フルオレン化合物の製造方法は、例えば上記構造式（２）で示される構造を有する金属錯体含有フルオレン化合物を得ることができるものである。
【００７０】
すなわち、第２の製造方法において、本発明の金属錯体含有フルオレン化合物は、上記一般式（７）で示されるフェニルピリジン誘導体（以下、単に「特定のフェニルピリジン誘導体」ともいう。）と、上記一般式（８）で示されるフルオレン誘導体（以下、単に「特定のフルオレン誘導体」ともいう。）とを反応させることにより中間反応生成物（２−１）を得（以下、この反応工程を「反応工程（２−１）」ともいう。）、次いで、中間反応生成物（２−１）と、ハロゲンとを反応させて中間反応生成物（２−２）を得（以下、この反応工程を「反応工程（２−２）」ともいう。）、更に、中間反応生成物（２−２）と、特定の金属錯体化合物とを反応させること（以下、この反応工程を「反応工程（２−３）」ともいう。）により、製造することもできる。
【００７１】
〔反応工程（２−１）〕
反応工程（２−１）に用いられる特定のフェニルピリジン誘導体を示す一般式（７）において、Ｘ4 は、反応性のハロゲン性官能基、若しくはホウ素誘導体官能基を示し、上記一般式（８）におけるＸ5 と互いに異なるものである。
【００７２】
ハロゲン性官能基の具体例としては、例えば−Ｃｌ基、−Ｂｒ基、−Ｉ基、トリフレート（ＣＦ3 ＳＯ3 - ）に由来する基、トシラートに由来する基またはメシラートに由来する基などが挙げられ、これらの中では、特に、−Ｂｒ基または−Ｉ基を好ましく挙げることができる。
【００７３】
ホウ素誘導体官能基としては、式−Ｂ（ＯＨ2 ）で表されるボロン酸基、ボロン酸エステル基、ボラン基が挙げられる。
ボロン酸エステル基としては、式−Ｂ（ＯＲ20）（ＯＲ21）で表される基、または式−Ｂ（ＯＲ22Ｏ）で表される基が好ましい。
ボラン基としては、式−ＢＲ23Ｒ24で表される基が好ましい。
【００７４】
ここに、ボロン酸エステル基に係るＲ20は、炭素数が１〜６のアルキル基であり、置換されていてもいなくてもよい。
Ｒ21は、水素原子または炭素数が１〜６のアルキル基であり、置換されていてもいなくてもよい。
Ｒ22は、式中の（ＯＲ22Ｏ）が５員環または６員環のエステル環となるような２価の炭化水素基であり、具体的には、炭素数が２または３のアルキレン基、オルトフェニレン基またはメタフェニレン基であることが好ましい。なお、これらアルキレン基およびフェニレン基は置換されていてもいなくてもよい。
【００７５】
このような構成のボロン酸エステル基として好ましい基には、例えば炭素数が１〜６のアルコール、ピナコール等のエタンジオール、プロパンジオールまたは１，２−ジヒドロキシベンゼン等のオルト芳香族ジオールと、対応するボロン酸とのエステル化による生成物に由来の基が含まれる。
【００７６】
ボラン基に係るＲ23およびＲ24は、それぞれ独立に炭素数が１〜６のアルキル基であり、置換されていてもいなくてもよい。
【００７７】
このような特定のフェニルピリジン誘導体の具体例としては、例えば上記一般式（７）において、ｍ１およびｍ２が共に０であり、Ｘ4 が臭素原子であるものを特に好ましく挙げることができる。
【００７８】
また、当該反応工程（２−１）に用いられる特定のフルオレン誘導体を示す一般式（８）において、Ｘ5 は、反応性のハロゲン性官能基、若しくはホウ素誘導体官能基を示し、上記一般式（７）におけるＸ4 と互いに異なるものである。
ハロゲン性官能基の具体例としては、上記Ｘ4 として挙げたものと同じものを挙げることができ、特に、−Ｂｒ基または−Ｉ基を好ましく挙げることができる。
また、ホウ素誘導体官能基としては、上記Ｘ4 として挙げたものと同じものを挙げることができ、特に、式−Ｂ（ＯＲ22Ｏ）で表される基を好ましく挙げることができる。
【００７９】
Ｒ12およびＲ13は、それぞれ独立に１価の有機基を示し、互いに同一のものであっても異なるものであってもよいが、同一のものであることが好ましい。Ｒ12およびＲ13に係る１価の有機基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、フェニル基などが挙げられる。
【００８０】
ｑ１およびｑ２は、それぞれ独立に０〜４の整数を示し、特に、ｑ１およびｑ２び両方が０であることが好ましい。ｑ１およびｑ２のいずれかが０であるときは、置換基がなくて水素原子が結合していることを意味する。
【００８１】
このような特定のフルオレン誘導体の具体例としては、例えば上記一般式（８）において、Ｘ5 が、Ｒ22が式−Ｃ（ＣＨ3 ）2 Ｃ（ＣＨ3 ）2 −で表されるアルキレン基である、式−Ｂ（ＯＲ22Ｏ）で表される基であり、ｎ１、ｎ２、ｑ１およびｑ２のすべてが０であるものを特に好ましく挙げることができる。
【００８２】
以上の反応工程（２−１）は、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ３，１２６１（１９８４）において開示されている方法（以下、「スズキ法」ともいう。）を利用するものであって、具体的には、スズキ法は、反応溶媒中において、塩基化合物およびパラジウム触媒の存在下においてカップリング反応を行うものである。
【００８３】
反応溶媒としては、水、不活性有機溶剤または水と不活性有機溶剤との混合物を用いることができ、これらの中では水と不活性有機溶剤との混合物を用いることが好ましい。
【００８４】
不活性有機溶剤としては、例えばジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジイソプロピルエーテルおよびｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル等のエーテル類、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、トルエンおよびキシレン等の炭化水素類、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコールおよびエチレングリコール等のアルコール類、エチルメチルケトンおよびイソブチルメチルケトン等のケトン類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドおよびＮ−メチルピロリドン等のアミド類、およびそれらの混合物などが挙げられる。これらの不活性有機溶剤は、単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中では、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、およびそれらの混合物を用いることが好ましい。
【００８５】
反応溶媒の好ましい具体例としては、水とトルエンとの混合物、水とトルエンとテトラヒドロフランとの混合物、水とトルエンとエタノールとの混合物を好適に用いることができる。
【００８６】
また、塩基化合物としては、例えばアルカリ金属ヒドロキシド、アルカリ土類金属ヒドロキシド、アルカリ金属カーボネート、アルカリ土類金属カーボネート、アルカリ金属アセテート、アルカリ土類金属アセテート、アルカリ金属ハイドロジェンカーボネート、アルカリ土類金属ハイドロジェンカーボネート、アルカリ金属アルコキシド、アルカリ土類金属アルコキシド、一級アミン、二級アミン、および三級アミンなどを用いることができる。
これらの中では、水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウム等のアルカリ金属ヒドロキシド、炭酸リチウム、炭酸ナトリウムおよび炭酸カリウム等のアルカリ金属カーボネート、アルカリ金属ハイドロジェンカーボネートを用いることが好ましい。
【００８７】
塩基化合物の使用量は、反応に供する特定のフェニルピリジン誘導体または特定のフルオレン誘導体に係るホウ素誘導体官能基の合計のモル数に対して、好ましくは１５０〜４００ｍｏｌ％、特に好ましくは１８０〜２５０ｍｏｌ％である。
【００８８】
パラジウム触媒としては、パラジウム（０）錯体、パラジウム（II）塩を用いることができるが、パラジウム（０）錯体を用いることが好ましい。
これらの中では、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ3 ）4 ）を用いることが好ましい。
【００８９】
パラジウム触媒の使用量は、通常、反応に供される単量体の合計のモル数に対して、０．０５〜３ｍｏｌ％、好ましくは０．１〜１．５ｍｏｌ％である。
【００９０】
反応工程（２−１）における種々の反応条件としては、例えば反応温度は、３０〜２００℃、好ましくは６０〜１２０℃とされる。
また、反応時間は、５〜１５０時間、好ましくは１０〜１００時間とされる。
【００９１】
〔反応工程（２−２）〕
反応工程（２−２）において用いられるハロゲンとしては、例えば臭素、ヨウ素などを挙げることができ、臭素を特に好ましく挙げることができる。
【００９２】
反応工程（２−２）においては、ハロゲン系の溶剤が用いられ、好ましくはクロロホルムが用いられる。
【００９３】
また、反応工程（２−２）は、酸化剤の存在下において行うことが好ましい。酸化剤としては、塩化鉄が好ましく用いられる。
【００９４】
反応工程（２−２）における種々の反応条件としては、例えば反応温度は、３０〜１５０℃、好ましくは５０〜１００℃とされる。
また、反応時間は、５〜３０時間、好ましくは１０〜２０時間とされる。
【００９５】
〔反応工程（２−３）〕
反応工程（２−３）は、前記反応工程（１−２）と同様に行うことができる。
【００９６】
＜第３の製造方法＞
第３の金属錯体含有フルオレン化合物の製造方法は、例えば上記構造式（３）で示される構造を有する金属錯体含有フルオレン化合物を得ることができるものである。
【００９７】
すなわち、第３の製造方法において、本発明の金属錯体含有フルオレン化合物は、特定のフェニルピリジン化合物と、上記一般式（９）で示されるフルオレノン化合物（以下、単に「特定のフルオレノン化合物」ともいう。）とを反応させることにより中間反応生成物（３−１）を得（以下、この反応工程を「反応工程（３−１）」ともいう。）、次いで、中間反応生成物（３−１）と、１価の有機基よりなる置換基を１〜５個有するベンゼンとを反応させて中間反応生成物（３−２）を得（以下、この反応工程を「反応工程（３−２）」ともいう。）、更に、中間反応生成物（３−２）と、特定の金属錯体化合物とを反応させること（以下、この反応工程を「反応工程（３−３）」ともいう。）により、製造することもできる。
【００９８】
〔反応工程（３−１）〕
反応工程（３−１）において用いられる特定のフェニルピリジン化合物の具体例としては、例えば上記一般式（４）において、ｍ１およびｍ２が共に０であり、Ｘ3 が臭素原子であるものを特に好ましく挙げることができる。
【００９９】
また、反応工程（３−１）において用いられる特定のフルオレノン化合物の具体例としては、例えば上記一般式（９）において、Ｘ1 およびＸ2 が、それぞれ、フルオレン骨格における位置番号２および位置番号７の炭素原子に結合する臭素原子であると共に、ｎ１およびｎ２が共に０であるものを特に好ましく挙げることができる。
【０１００】
反応工程（３−１）は、特定のジフェニル化合物の代わりに特定のフルオレノン化合物を用いたこと以外は前記反応工程（１−１）の前反応処理と同様に行うことができる。
【０１０１】
〔反応工程（３−２）〕
反応工程（３−２）において用いられる、１価の有機基よりなる置換基を１〜５個有するベンゼンにおいて、置換基である１価の有機基の具体例としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、フェニル基などを挙げることができ、特にトルエンを好ましく挙げることができる。
【０１０２】
反応工程（３−２）は、酸性条件下で行われ、例えば硫酸が好ましく用いられる。
【０１０３】
〔反応工程（３−３）〕
反応工程（３−３）は、前記反応工程（１−２）と同様に行うことができる。
【０１０４】
＜第４の製造方法＞
第４の金属錯体含有フルオレン化合物の製造方法は、例えば上記構造式（４）で示される構造を有する金属錯体含有フルオレン化合物を得ることができるものである。
【０１０５】
すなわち、第４の製造方法において、本発明の金属錯体含有フルオレン化合物は、上記一般式（１０）で示されるフェノールピリジン化合物（以下、単に「特定のフェノールピリジン化合物」ともいう。）と、その主鎖の両端にハロゲン原子を有する、有機基のジハロゲン化物（以下、単に「特定のジハロゲン化物」ともいう。）とを反応させることにより中間反応生成物（４−１）を得（以下、この反応工程を「反応工程（４−１）」ともいう。）、次いで、中間反応生成物（４−１）と、上記一般式（１１）で示されるフルオレン化合物（以下、単に「特定のフルオレン化合物」ともいう。）とを反応させて中間反応生成物（４−２）を得（以下、この反応工程を「反応工程（４−２）」ともいう。）、更に、中間反応生成物（４−２）と、特定の金属錯体化合物とを反応させること（以下、この反応工程を「反応工程（４−３）」ともいう。）により、製造することもできる。
【０１０６】
〔反応工程（４−１）〕
反応工程（４−１）において用いられる特定のフェノールピリジン化合物としては、例えば上記一般式（１０）において、ｍ１およびｍ２が共に０であるものを特に好ましく挙げることができる。
【０１０７】
反応工程（４−１）に用いられる特定のジハロゲン化物は、２価の有機基と、２つのハロゲン原子とよりなるものであり、２価の有機基としては、例えば炭素原子数１〜８のアルキレン基および、置換基を有するまたは有さない１〜３環の２価の芳香族基（例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基またはキシリレン基等）が挙げられ、好ましくは、炭素原子数１〜８のアルキレン基である。
このような特定のジハロゲン化物としては、例えばジブロモブタンを特に好ましく挙げることができる。
【０１０８】
反応工程（４−１）においては、適宜の溶剤が用いられる。斯かる溶剤の具体例としては、例えばジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどが挙げられる。これらの溶剤は、単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができ、これらの中では、ジメチルスルホキシドを用いることが好ましい。
【０１０９】
また、反応工程（４−１）は、塩基化合物の存在下において行うことが好ましい。その具体例としては、例えばアルカリ金属ヒドロキシド、アルカリ土類金属ヒドロキシド、アルカリ金属カーボネート、アルカリ土類金属カーボネート、アルカリ金属アセテート、アルカリ土類金属アセテート、アルカリ金属ハイドロジェンカーボネート、アルカリ土類金属ハイドロジェンカーボネート、アルカリ金属アルコキシド、アルカリ土類金属アルコキシド、一級アミン、二級アミン、および三級アミンなどを用いることができる。
以上において、炭酸カリウムを好ましく用いることができる。
このような塩基化合物は、例えば１〜１０ｍｏｌ、好ましくは３〜７ｍｏｌの範囲で用いられる。
【０１１０】
反応工程（４−１）は、反応の活性を高めるため、触媒量のヨウ化カリウムの存在下で行うことが好ましい。
【０１１１】
反応工程（４−１）における種々の反応条件としては、例えば反応温度は、２０〜１００℃、好ましくは３０〜６０℃とされる。
また、反応時間は、５〜３０時間、好ましくは１０〜２０時間とされる。
【０１１２】
〔反応工程（４−２）〕
反応工程（４−２）において用いられる特定のフルオレン化合物としては、例えば上記一般式（１１）において、Ｘ1 およびＸ2 が、それぞれ、フルオレン骨格における位置番号２および位置番号７の炭素原子に結合する臭素原子であると共に、ｎ１およびｎ２が共に０であるものを特に好ましく挙げることができる。
【０１１３】
ここで、反応工程（４−２）は前記反応工程（４−１）と同様に行うことができる。
【０１１４】
〔反応工程（４−３）〕
反応工程（４−３）は、前記反応工程（１−２）と同様に行うことができる。
【０１１５】
＜第５の製造方法＞
第５の金属錯体含有フルオレン化合物の製造方法は、例えば上記構造式（５）で示される構造を有する金属錯体含有フルオレン化合物を得ることができるものである。
【０１１６】
すなわち、第５の製造方法において、本発明の金属錯体含有フルオレン化合物は、上記一般式（１２）で示されるヒドロキシピリジン誘導体（以下、単に「特定のヒドロキシピリジン誘導体」ともいう。）と、特定のジハロゲン化物とを反応させることにより中間反応生成物（５−１）を得（以下、この反応工程を「反応工程（５−１）」ともいう。）、次いで、中間反応生成物（５−１）と、上記一般式（１３）で示されるベンゼン誘導体（以下、単に「特定のベンゼン誘導体」ともいう。）とを反応させて中間反応生成物（５−２）を得（以下、この反応工程を「反応工程（５−２）」ともいう。）、更に、中間反応生成物（５−２）と、特定のフルオレン化合物とを反応させて中間反応生成物（５−３）を得（以下、この反応工程を「反応工程（５−３）」ともいう。）、更に、中間反応生成物（５−３）と、特定の金属錯体化合物とを反応させること（以下、この反応工程を「反応工程（５−４）」ともいう。）により、製造することもできる。
【０１１７】
〔反応工程（５−１）〕
反応工程（５−１）において用いられる特定のヒドロキシピリジン誘導体を示す一般式（１２）において、Ｘ6 は、反応性のハロゲン性官能基、若しくはホウ素誘導体官能基を示し、上記一般式（１３）におけるＸ7 と互いに異なるものである。
【０１１８】
ハロゲン性官能基の具体例としては、上記反応工程（２−１）で用いられる特定のフェニルピリジン誘導体におけるＸ4 として挙げたものと同じものを挙げることができ、特に、−Ｂｒ基または−Ｉ基を好ましく挙げることができる。
また、ホウ素誘導体官能基としては、上記反応工程（２−１）で用いられる特定のフェニルピリジン誘導体におけるＸ4 として挙げたものと同じものを挙げることができ、特に、式−Ｂ（ＯＨ2 ）で表されるボロン酸基を好ましく挙げることができる。
【０１１９】
このような特定のヒドロキシピリジン誘導体としては、例えば上記一般式（１２）において、ｍ３が０であると共に、Ｘ6 が臭素原子であるものを特に好ましく挙げることができる。
【０１２０】
反応工程（５−１）に用いられる特定のジハロゲン化物としては、例えばジブロモブタンを特に好ましく挙げることができる。
【０１２１】
以上の反応工程（５−１）は、前記反応工程（４−１）と同様に行うことができる。
【０１２２】
〔反応工程（５−２）〕
また、反応工程（５−２）において用いられる特定のベンゼン誘導体を示す一般式（１３）において、Ｘ7 は、反応性のハロゲン性官能基、若しくはホウ素誘導体官能基を示し、上記一般式（１２）におけるＸ6 と互いに異なるものである。
【０１２３】
ハロゲン性官能基の具体例としては、上記Ｘ6 として挙げたものと同じものを挙げることができ、特に、−Ｂｒ基または−Ｉ基を好ましく挙げることができる。
また、ホウ素誘導体官能基としては、上記Ｘ6 として挙げたものと同じものを挙げることができ、特に、式−Ｂ（ＯＨ2 ）で表される基を好ましく挙げることができる。
【０１２４】
このような特定のベンゼン誘導体の具体例としては、例えば上記一般式（１３）において、Ｘ7 が、式−Ｂ（ＯＨ2 ）で表されるボロン酸基であり、ｍ４が０であるものを特に好ましく挙げることができる。
【０１２５】
以上の反応工程（５−２）は、スズキ法を利用するものであって、前記反応工程（２−１）と同様に行うことができる。
【０１２６】
〔反応工程（５−３）〕
反応工程（５−３）において用いられる特定のフルオレン化合物としては、例えば上記一般式（１１）において、Ｘ1 およびＸ2 が、それぞれ、フルオレン骨格における位置番号２および位置番号７の炭素原子に結合する臭素原子であると共に、ｎ１およびｎ２が共に０であるものを特に好ましく挙げることができる。
【０１２７】
反応工程（５−３）においては、適宜の溶剤が用いられる。斯かる溶剤の具体例としては、例えばジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどが挙げられる。これらの溶剤は、単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができ、これらの中では、ジメチルスルホキシドを用いることが好ましい。
【０１２８】
反応工程（５−３）は、適宜の触媒の存在下において行うことが好ましく、例えばトリエチルベンジルアンモニウムクロライドが好ましく用いられる。
【０１２９】
また、反応工程（５−３）は、アルカリ性とされた溶液中において行うことが好ましく、例えば水酸化ナトリウムの水溶液、水酸化カリウムの水溶液、水酸化バリウムの水溶液が好ましく用いられ、特に水酸化ナトリウムの水溶液が好ましく用いられる。
【０１３０】
反応工程（５−３）における種々の反応条件としては、例えば反応温度は、２０〜１００℃、好ましくは３０〜６０℃とされる。
また、反応時間は、５〜７０時間、好ましくは１０〜５０時間とされる。
【０１３１】
〔反応工程（５−４）〕
反応工程（５−４）は、前記反応工程（１−２）と同様に行うことができる。
【０１３２】
以上に、金属錯体含有フルオレン化合物の製造方法を説明したが、本発明に係る金属錯体含有フルオレン化合物は、上記の製造方法によって製造されたものに限定されるものではなく、他の製造方法によって製造されたものであってもよい。
【０１３３】
本発明によれば、２つのハロゲン性官能基および特定の金属錯体部位を有するフルオレン骨格構造を有する、新規な金属錯体含有フルオレン化合物、およびその製造方法が提供される。そして、このような金属錯体含有フルオレン化合物は、例えば有機ＥＬ素子の形成に用いられる優れた発光特性および耐久性を有する機能性有機材料としての重合体の合成に用いられる単量体として好適に用いることができる可能性がある。
【０１３４】
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例１】
【０１３５】
（フェニルピリジン化合物の合成）
２- ブロモピリジン２４．５ｇ（１５５ｍｍｏｌ) を脱水ジエチルエーテル４００ｍｌに溶解した系をアセトン−ドライアイスバスを用いて−７８℃に冷却した後、当該系にｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍヘキサン溶液) ９７ｍｌを滴下し、その後、３０分間撹拌した。次いで、トリメトキシボラン３２．２ｇ（３１０ｍｍｏｌ）を滴下した後、当該系を、アセトン−ドライアイスバスから外して室温にまで上昇させ、その後、２４時間撹拌した。得られた反応溶液を水で洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、更に、溶媒を減圧蒸留することにより、中間体（１）を得た。
【０１３６】
上記において得られた中間体（１）の全量（１５５ｍｍｏｌ）、ジブロモベンゼン１４６．３ｇ（６２０ｍｍｏｌ）およびテトラキス（トリフェニルホスフィンパラジウム）５ｇ（４．３ｍｍｏｌ) を、トルエン６００ｍｌおよび２ＮのＮａ2 ＣＯ3 水溶液３００ｍｌの混合溶剤に添加した系を９０℃に加熱し、３０時間撹拌した。そして、原料の消費を確認後、１Ｎの塩酸を滴下して反応を終了した。その後、当該系をトルエンによって抽出処理し、得られたトルエン溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、更に、溶媒を減圧蒸留した。
【０１３７】
得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、ブロモフェニルピリジン２５ｇ（１０７ｍｍｏｌ）を得た。
【０１３８】
＜反応工程（１−１）＞
（前反応処理）
得られたブロモフェニルピリジン２０g （８５．４ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１５０ｍｌに溶解した系をアセトン−ドライアイスバスを用いて−７８℃に冷却した後、当該系にｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍヘキサン溶液) ５３．３ｍｌを滴下し、その後、６０分間撹拌した。次いで、４, ４’−ジブロモビフェニルカルボキシルエキシドメチルエステル（ＪＡＣＳ,   １９５６,   ７８,   ３１９６）１５．５ｇ（４２ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン４０ｍｌに溶解した溶液を滴下した後、当該系を、アセトン−ドライアイスバスから外して室温にまで上昇させ、その後、２４時間撹拌した。得られた反応溶液を水で洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、更に、溶媒を減圧蒸留した。
【０１３９】
（後反応処理）
得られた生成物を、硫酸４ｍｌを添加した酢酸２００ｍｌと混合し、白色の沈殿物が生成するまで加熱還流した。
得られた沈殿物をフィルターにより濾過し、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、中間反応生成物（１）２０ｇを得た。
【０１４０】
＜反応工程（１−２）＞
中間反応生成物（１）２．０ｇ（３ｍｍｏｌ）およびビス（２−フェニルピリジン）イリジウムアセチルアセトナート３．７ｇ（６．２ｍｍｏｌ）をグリセリン５０ｍｌに溶解した系を２００℃に加熱し、３時間撹拌した。その後、室温に冷却した当該系にクロロホルムを添加し、得られたクロロホルム溶液を飽和食塩水で洗浄した。次いで、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧蒸留した。
得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、最終反応生成物（１）２．５ｇを得た。
【０１４１】
得られた最終反応生成物（１）を飛行時間型質量分析法により分析した結果、当該最終反応生成物（１）は、上記構造式（１）で示される金属錯体含有フルオレン化合物であった。
【０１４２】
以上の実施例１に係る反応工程（１−１）および反応（１−２）は、下記反応式（１）に係るものである。
【０１４３】
【化１５】
2005325048.tif 000016
【実施例２】
【０１４４】
（フルオレン誘導体の合成）
１，４−ジブロモベンゼン２４．１ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１５０ｍｌに溶解した系をアセトン−ドライアイスバスを用いて−７８℃に冷却した後、当該系にｔ−ブチルリチウム（１．５Ｍヘキサン溶液）１２６ｍｌを滴下し、その後、１時間撹拌した。次いで、メチル２−フェニルベンゾエイト１０ｇ（４８ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５０ｍｌに溶解した溶液を滴下した後、当該系を、アセトン−ドライアイスバスから外して室温にまで上昇させ、その後、１２時間撹拌した。得られた反応溶液を飽和食塩水で洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、更に、溶媒を減圧蒸留した。得られた生成物を１００ｇのポリりん酸中に添加した系を８０℃に加熱し、白色の沈殿物が生成されるまで加熱を続けた。その後、当該系にエーテルを添加して抽出処理し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧蒸留した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製することによりフルオレン誘導体前躯体２０ｇを得た。
【０１４５】
フルオレン誘導体前躯体９．５ｇ（２０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２００ｍｌに溶解した系をアセトン−ドライアイスバスを用いて−７８℃に冷却した後、ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍヘキサン溶液）２６．２ｍｌを滴下し、その後、２時間撹拌した。次いで、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン１１．２ｇ（６０ｍｍｏｌ）を滴下した後、当該系を、アセトン−ドライアイスバスから外して室温にまで上昇させ、その後、２４時間撹拌した。得られた反応溶液を水で洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、更に、溶媒を減圧蒸留した。得られた固体状の生成物をメタノールで再結晶することにより精製して、フルオレン誘導体８．５ｇを得た。
【０１４６】
＜反応工程（２−１）＞
フルオレン誘導体２．８ｇ（５ｍｍｏｌ）と、実施例１において得られたブロモフェニルピリジン２．６ｇ（１１ｍｍｏｌ）と、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．２ｇ（０．１５ｍｍｏｌ）とを、トルエン１５ｍｌおよび２ＮのＮａ2 ＣＯ3 水溶液７．５ｍｌの混合溶剤に添加した系を９０℃に加熱し、２４時間撹拌した。原料が反応に消費されたのを確認した後、１Ｎの塩酸を滴下して当該反応を終了した。得られた反応溶液をトルエンで抽出処理し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、更に、溶媒を減圧蒸留した。
得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製することにより中間反応生成物（２−１）２．０ｇを得た。
【０１４７】
＜反応工程（２−２）＞
中間反応生成物（２−１）２．０ｇ（３．３ｍｍｏｌ）および塩化鉄（ＩＩＩ）０．０５ｇ（０．３ｍｍｏｌ）をクロロホルム５ｍｌに溶解した系に、臭素０．４ｍｌ（７．２  ｍｍｏｌ）を室温にて滴下した。その後、当該系を８時間撹拌し、次いで、チオ硫酸ナトリウム水溶液を滴下した。得られた反応溶液を水で３回洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧蒸留した。
得られた粗生成物を、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより中間反応生成物（２−２）２．２ｇを得た。
【０１４８】
＜反応工程（２−３）＞
中間反応生成物（２−２）２．０ｇ（２．６ｍｍｏｌ）およびビス（２−フェニルピリジン）イリジウムアセチルアセトナート３．４ｇ（５．６ｍｍｏｌ）をグリセリン５０ｍｌに溶解した系を用いたこと以外は実施例１の反応工程（１−２）と同様に反応処理を行うと共に、得られた粗生成物の精製を行うことにより、最終反応生成物（２）１．５ｇを得た。
【０１４９】
得られた最終反応生成物（２）を飛行時間型質量分析法により分析した結果、当該最終反応生成物（２）は、上記構造式（２）で示される金属錯体含有フルオレン化合物であった。
【０１５０】
以上の実施例２に係る反応工程（２−１）〜反応工程（２−３）は、下記反応式（２）に係るものである。
【０１５１】
【化１６】
2005325048.tif 000017
【実施例３】
【０１５２】
＜反応工程（３−１）＞
実施例１において得られたブロモフェニルピリジン２．３g （１０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍｌに溶解した系をアセトン−ドライアイスバスを用いて−７８℃に冷却した後、当該系にｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍヘキサン溶液) ６．８ｍｌを滴下し、その後、６０分間撹拌した。次いで、２, ７−ジブロモフルオレノン３．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５ｍｌに溶解した溶液を滴下した後、当該系を、アセトン−ドライアイスバスから外して室温にまで上昇させ、その後、２４時間撹拌した。得られた反応溶液にクロロホルムを添加し、得られたクロロホルム溶液を水で洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、更に、溶媒を減圧蒸留した。
得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、中間反応生成物（３−１）３．６ｇを得た。
【０１５３】
＜反応工程（３−２）＞
中間反応生成物（３−１）３．５ｇ（７．１ｍｍｏｌ）をトルエン５０ｍｌに溶解した系に硫酸２ｍｌを添加し、白色の沈殿物が生成するまで加熱還流した。
得られた沈殿物をフィルターにより濾過し、展開溶媒としてクロロホルムを用いたカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、中間反応生成物（３−２）２．９ｇを得た。
【０１５４】
＜反応工程（３−３）＞
中間反応生成物（３−２）３．０ｇ（６．３ｍｍｏｌ）およびビス（２−フェニルピリジン）イリジウムアセチルアセトナート３．９ｇ（６．５ｍｍｏｌ）をグリセリン６５ｍｌに溶解した系を用いたこと以外は実施例１の反応工程（１−２）と同様に反応処理を行うと共に、得られた粗生成物の精製を行うことにより、最終反応生成物（３）２．７ｇを得た。
【０１５５】
得られた最終反応生成物（３）を飛行時間型質量分析法により分析した結果、当該最終反応生成物（３）は、上記構造式（３）で示される金属錯体含有フルオレン化合物であった。
【０１５６】
実施例３に係る反応工程（３−１）〜反応工程（３−３）は、下記反応式（３）に係るものである。
【０１５７】
【化１７】
2005325048.tif 000018
【実施例４】
【０１５８】
（フェノールピリジン化合物の合成）
ブロモテトラヒドロピラニルオキシベンゼン１０ｇ（３８．９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン８０ｍｌに溶解した系をアセトン−ドライアイスバスを用いて−７８℃に冷却した後、当該系にｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍヘキサン溶液) ２６ｍｌを滴下し、その後、２時間撹拌した。次いで、トリメトキシボラン５ｍｌ（４４．６ｍｍｏｌ）を滴下した後、当該系を、アセトン−ドライアイスバスから外して室温にまで上昇させ、その後、８時間撹拌した。得られた反応溶液を水で洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、更に、溶媒を減圧蒸留して中間体（４−１）６．９ｇを得た。
【０１５９】
中間体（４−１）６．９ｇ（２８ｍｍｏｌ）と、２−ブロモピリジン（３．９ｍｌ，４０ｍｍｏｌ）と、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）２．３ｇ（２．１６ｍｍｏｌ）とを、トルエン１６０ｍｌおよび２ＮのＮａ2 ＣＯ3 水溶液８０ｍｌの混合溶剤に溶解した系を１１０℃に加熱し、３０時間撹拌した。その後、当該系をトルエンで抽出処理し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、更に、溶媒を減圧蒸留した。
得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、中間体（４−２）５．１ｇを得た。
【０１６０】
中間体（４−２）５．１ｇを７５％エタノール水溶液５０ｍｌに溶解した系に濃塩酸１ｍｌを添加し、当該系を６時間加熱還流させた。次いでエタノールを減圧留去し、残留した溶液にエーテルと水酸化カリウム水溶液を添加して抽出処理し、有機層を除去した。その後、得られた水層のｐＨを、塩酸を添加することにより酸性にし、更にエーテルを添加して抽出処理し、有機層を除去すると共に、得られた水層のｐＨを、炭酸ナトリウム水溶液を添加することにより中性にし、更にクロロホルムを添加して抽出処理した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧蒸留することにより、フェノールピリジン３．２ｇを得た。
【０１６１】
＜反応工程（４−１）＞
フェノールピリジン３．０ｇ（１７．５ｍｍｏｌ）と、ヨウ化カリウム０．０１ｇと、炭酸カリウム６．９ｇ（５０ｍｍｏｌ）とを、ジメチルスルホキシド５０ｍｌに溶解した系に、ジブロモブタン１９．３ｇをジメチルスルホキシド３０ｍｌに溶解した溶液を滴下し、当該系を５０℃に加熱し、１２時間撹拌した。その後、得られた反応溶液に水５ｍｌを滴下して反応を終了し、当該反応溶液をクロロホルムによって抽出処理し、得られたクロロホルム溶液を水で３回洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、更に、溶媒を減圧蒸留して中間反応生成物（４−１）３．７ｇを得た。
【０１６２】
＜反応工程（４−２）＞
中間反応生成物（４−１）３．１ｇ（１０ｍｍｏｌ）と、２，７−ジブロモフルオレン１．５ｇ（４．５ｍｍｏｌ）と、炭酸カリウム１０ｇ（７２ｍｍｏｌ) とを、ジメチルスルホキシド５０ｍｌに溶解した系を８０℃に加熱し、１２時間攪拌した。得られた反応溶液を室温まで冷却し、クロロホルムと水を添加して抽出処理した。更に水、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧蒸留した。
得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、中間反応生成物（４−２）４．３ｇを得た。
【０１６３】
＜反応工程（４−３）＞
中間反応生成物（４−２）１．０ｇ（１．３ｍｍｏｌ）およびビス（２−フェニルピリジン）イリジウムアセチルアセトナート１．５g （２．６ｍｍｏｌ）をグリセリン５ｍｌに溶解した系を用いたこと以外は実施例１の反応工程（１−２）と同様に反応処理を行うと共に、得られた粗生成物の精製を行うことにより、最終反応生成物（４）２．７ｇを得た。
【０１６４】
得られた最終反応生成物（４）を飛行時間型質量分析法により分析した結果、当該最終反応生成物（４）は、上記構造式（４）で示される金属錯体含有フルオレン化合物であった。
【０１６５】
以上の実施例４に係る反応工程（４−１）〜反応工程（４−３）は、下記反応式（４）に係るものである。
【０１６６】
【化１８】
2005325048.tif 000019
【実施例５】
【０１６７】
＜反応工程（５−１）＞
２−ブロモ−３−ヒドロキシピリジン１７．４ｇ（１００ｍｍｏｌ）と、ヨウ化カリウム０．８２ｇ（５ｍｍｏｌ）と、炭酸カリウム  ４１．４ｇ（３００ｍｍｏｌ）とを、ジメチルスルホキシド２００ｍｌに溶解した系に、ジブロモブタン５４ｍｌ（４４８ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシド１００ｍｌに溶解した溶液を滴下し、５０℃で２４時間撹拌した。原料の消費を確認した後、反応溶液を、クロロホルムと水とを添加することにより抽出処理した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、更に、溶媒を減圧蒸留した。
得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、中間反応生成物（５−１）２６．０ｇを得た。
【０１６８】
＜反応工程（５−２）＞
中間反応生成物（５−１）２６ｇ（８４ｍｍｏｌ）と、フェニルボロン酸１５．２ｇ（１２６ｍｍｏｌ）と、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）２．９ｇ（２．５１ｍｍｏｌ）とを、トルエン１００ｍｌおよび２ＮのＮａ2 ＣＯ3 ５０ｍｌの混合溶剤に溶解した系を１１０℃に加熱し、４８時間撹拌した。得られた反応溶液を室温まで冷却し、トルエンと水とを添加することにより抽出処理した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧蒸留した。
得られた粗生成物を、展開溶媒としてクロロホルムを用いたカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、中間反応生成物（５−２）４．１ｇを得た。
【０１６９】
＜反応工程（５−３）＞
２，７−ジブロモフルオレン３．２ｇ（１０ｍｍｏｌ）およびトリエチルベンジルアンモニウムクロリド４．５g(２０ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシド２０ｍｌに溶解した系に５０％水酸化ナトリウム１０ｍｌ水溶液を滴下し、その後、当該系に中間反応生成物（５−2 ）４．１ｇ（１３ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシド２０ｍｌに溶解した溶液を滴下し、５０℃で２４時間撹拌した。得られた反応溶液を室温まで冷却し、クロロホルムと水とを添加することにより抽出処理した。次いで飽和食塩水で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、更に、溶媒を減圧蒸留した。
得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、中間反応生成物（５−３）６．７ｇを得た。
【０１７０】
＜反応工程（５−４）＞
中間反応生成物（５−３）７．０ｇ（９ｍｍｏｌ）およびビス（２−フェニルピリジン）イリジウムアセチルアセトナート１２．０ g (２０ｍｍｏｌ）をグリセリン１５０ｍｌに溶解した系を用いたこと以外は実施例１の反応工程（１−２）と同様に反応処理を行うと共に、得られた粗生成物の精製を行うことにより、最終反応生成物（５）４．０ｇを得た。
【０１７１】
得られた最終反応生成物（５）を飛行時間型質量分析法により分析した結果、当該最終反応生成物（５）は、上記構造式（５）で示される金属錯体含有フルオレン化合物であった。
【０１７２】
以上の実施例５に係る反応工程（５−１）〜反応工程（５−４）は、下記反応式（５）に係るものである。
【０１７３】
【化１９】
2005325048.tif 000020