(57)【要約】【課題】ノイズ抑制回路中の素子発熱が低減でき、かつノイズ抑制回路を動作させるための余分な時間を必要としないインバータ回路を提供する。【解決手段】制御端子、並びに主電流が流れる第１及び第２の主端子を有する主回路スイッチＳｗＨ，ＳｗＬと、上記主回路スイッチの制御端子に駆動電圧を供給し、上記制御端子と上記第１の主端子との間の電圧に応じて上記主電流を制御し、スイッチ動作させる駆動回路１１，１２とからなるインバータ回路において、上記主回路スイッチと上記駆動回路との間に、上記主回路スイッチの第１及び第２の主端子間の電圧変動を検出し、検出された電圧変動の振幅及び周波数に応じて、上記主回路スイッチの制御端子と上記主回路スイッチの第１の主端子との間のインピーダンスを略ゼロにするように構成されたノイズ抑制回路１３，１４を設ける。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御端子、並びに主電流が流れる第１及び第２の主端子を有する主回路スイッチと、上記主回路スイッチの制御端子に駆動電圧を供給し、上記制御端子と上記第１の主端子との間の電圧に応じて上記主電流を制御し、スイッチ動作させる駆動回路とからなるインバータ回路において、上記主回路スイッチと上記駆動回路との間に、上記主回路スイッチの第１及び第２の主端子間の電圧変動を検出し、検出された電圧変動の振幅及び周波数に応じて、上記主回路スイッチの制御端子と上記主回路スイッチの第１の主端子との間のインピーダンスを略ゼロにするように構成されたノイズ抑制回路を設けたことを特徴とするインバータ回路。
【請求項２】
ノイズ抑制回路は、第１のコンデンサと、第１の抵抗と、制御端子及び主電流が流れる２つの主端子を有する第１の半導体スイッチとからなり、上記第１のコンデンサと上記第１の抵抗とは直列に接続され、上記第１のコンデンサと上記第１の抵抗との直列体は主回路スイッチの第１の主端子と第２の主端子間に接続され、上記第１の半導体スイッチの制御端子は上記第１のコンデンサと上記第１の抵抗との接続点に接続され、上記第１の半導体スイッチの一方の主端子は上記主回路スイッチの制御端子に、もう一方の主端子は上記主回路スイッチの第１の主端子に接続されたことを特徴とする請求項１記載のインバータ回路。
【請求項３】
インバーター回路は直列接続される２つの主回路スイッチで構成されると共に、上記２つの主回路スイッチの接続点に誘導性負荷が接続され、第１のコンデンサ及び第１の抵抗の値は、還流時のみノイズ発生回路が動作するような値に設定されていることを特徴とする請求項２記載のインバータ回路。
【請求項４】
第１の抵抗と並列にインダクタを接続したことを特徴とする請求項３記載のインバータ回路。
【請求項５】
インバーター回路は直列接続される２つの主回路スイッチで構成されると共に、上記２つの主回路スイッチの接続点に誘導性負荷が接続され、第１の半導体スイッチの制御端子電圧を主回路スイッチの制御端子電圧で制御したことを特徴とする請求項２記載のインバータ回路。
【請求項６】
第２の抵抗と第２のコンデンサとの直列体を第１の半導体スイッチの２つの主端子間に並列に接続し、上記第２の抵抗と上記第２のコンデンサとの接続点に第２の半導体スイッチの制御端子を接続し、上記第２の半導体スイッチの２つの主端子の一方を上記第１の半導体スイッチの制御端子に、もう一方を上記第１の半導体スイッチの２つの主端子のうち主回路スイッチの第１の主端子に接続されている主端子に接続したことを特徴とする請求項５記載のインバータ回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はインバータ回路、特にパワー半導体スイッチのスイッチング動作により発生するノイズを抑制し、上記ノイズにより発生する誤動作を防止する回路構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のインバータ回路においては、スイッチング動作により発生するノイズを抑制するために、半導体スイッチとこの半導体スイッチを動作させる駆動回路とを備えた高電位側アーム及び低電位側アームにおいて、それぞれの半導体スイッチと駆動回路との間にノイズ抑制回路を設けており、このノイズ抑制回路は、例えば、半導体スイッチ（ＩＧＢＴ：Ｉｎｓｕｌａａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のゲート−エミッタ間に直列接続され、駆動回路の駆動直流電圧を印加するダイオードＤ１０１，Ｄ１０２と、上記駆動直流電圧を分圧する第１の抵抗Ｒ１０３，Ｒ１０４と、分圧された駆動直流電圧により導通制御される第１のスイッチＳＷ１０１と、電源電圧と上記半導体スイッチ（ＩＧＢＴ）のエミッタ間に直列接続され、第１のスイッチＳＷ１０１のスイッチング状態によって、電源電圧を分圧する第２の抵抗Ｒ１０１，Ｒ１０２と、分圧された電源電圧により導通制御される第２のスイッチＳＷ１０２とで構成されている。（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００３−２３７６８号公報（第４−５頁、図１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来のインバータ回路は上述のように構成されているので、ノイズ抑制回路中の第１のスイッチＳＷ１０１がＯＮしている期間、ゲート駆動用電源Ｖｃｃの正電圧と負電圧が第２の抵抗Ｒ１０１を介して接続されるため電流が流れ、第２の抵抗Ｒ１０１で電力損失が発生して第２の抵抗Ｒ１０１が発熱する課題があった。
また、第２の抵抗Ｒ１０１で発生する発熱を小さくするために第２の抵抗Ｒ１０１の抵抗値を大きな値にすると、第２のスイッチＳＷ１０２の動作時間が長くなってしまう。例えば、インバータ回路をＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ  Ｗｉｄｔｈ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）制御型の直交変換回路として動作させた場合、高電位側半導体スイッチと低電位側半導体スイッチの全ＯＦＦ期間（デッドタイム）を第２のスイッチＳＷ１０２の動作時間分長く設定しなければならず、その分電圧利用率（交流電圧の電圧値）が低下してしまうという問題があった。
【０００５】
この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、ノイズ抑制回路中の素子発熱が低減でき、かつノイズ抑制回路を動作させるための余分な時間を必要としないインバータ回路を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のインバータ回路は、制御端子、並びに主電流が流れる第１及び第２の主端子を有する主回路スイッチと、上記主回路スイッチの制御端子に駆動電圧を供給し、上記制御端子と上記第１の主端子との間の電圧に応じて上記主電流を制御し、スイッチ動作させる駆動回路とからなるインバータ回路において、上記主回路スイッチと上記駆動回路との間に、上記主回路スイッチの第１及び第２の主端子間の電圧変動を検出し、検出された電圧変動の振幅及び周波数に応じて、上記主回路スイッチの制御端子と上記主回路スイッチの第１の主端子との間のインピーダンスを略ゼロにするように構成されたノイズ抑制回路を設けたものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下、本発明の実施の形態１を図を用いて説明する。
図１は本発明の実施の形態１によるインバータ回路を示す回路構成図である。図１において、インバータ回路は高電位側アームと低電位側アームとで構成され、上記高電位側アームは、パワーＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｃｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：電界効果形トランジスタ）で構成された主回路スイッチＳｗＨと、駆動回路１１と、ノイズ抑制回路１３とを備え、上記低電位側アームは、パワーＭＯＳＦＥＴで構成された主回路スイッチＳｗＬと、駆動回路１２と、ノイズ抑制回路１４とを備える。主回路スイッチＳｗＨ，ＳｗＬは、制御端子（ゲート）と、主電流が流れる第１の主端子（ソース）及び第２の主端子（ドレイン）とを有する。駆動回路１１，１２は、それぞれ主回路スイッチＳｗＨ，ＳｗＬの制御端子に駆動電圧を供給し、制御端子と第１の主端子との間の電圧に応じて主回路スイッチＳｗＨ，ＳｗＬを流れる主電流を制御し、上記主回路スイッチをスイッチ動作させる。ノイズ抑制回路１３は主回路スイッチＳｗＨと駆動回路１１との間に、ノイズ抑制回路１４は主回路スイッチＳｗＬと駆動回路１２との間に設けられている。
【０００８】
また、駆動回路１１と主回路スイッチＳｗＨの制御端子（ゲート）との間にはゲート抵抗ＲｇＨ及びゲート駆動用のダイオードＤｇＨが接続され、駆動回路１２と主回路スイッチＳｗＬの制御端子（ゲート）との間にはゲート抵抗ＲｇＬ及びゲート駆動用のダイオードＤｇＬが接続されている。
さらに、本実施の形態のインバータ回路は誘導性負荷に接続されるものであり、主回路スイッチＳｗＨには還流用ダイオードＤＨが、主回路スイッチＳｗＬには還流用ダイオードＤＬが接続されている。
【０００９】
主回路スイッチＳｗＨ，ＳｗＬは直列に接続され、接続点である主回路スイッチＳｗＨのソースと主回路スイッチＳｗＬのドレインは出力点となり、誘導性の負荷に接続されている。主回路スイッチＳｗＨと主回路スイッチＳｗＬとは、上記出力点に電圧ＶＤＣと電圧ＧＮＤを供給するようにスイッチング動作を行う。
【００１０】
高電位側のノイズ抑制回路１３は、高周波に低インピーダンスな第１のコンデンサＣｓ１Ｈと、第１の抵抗Ｒｓ１Ｈと、ＭＯＳＦＥＴで構成された第１の半導体スイッチＳｗ１Ｈとで構成されている。第１のコンデンサＣｓ１Ｈと第１の抵抗Ｒｓ１Ｈとは直列に接続され、第１のコンデンサＣｓ１Ｈと第１の抵抗Ｒｓ１Ｈとの直列体は主回路スイッチＳｗＨの２つの主端子（ソース、ドレイン）間に接続される。第１の半導体スイッチＳｗ１Ｈの制御端子（ゲート）は第１のコンデンサＣｓ１Ｈと第１の抵抗Ｒｓ１Ｈとの接続点に接続される。また、第１の半導体スイッチＳｗ１Ｈの２つの主端子（ソース、ドレイン）のうちの一方の主端子（ドレイン）は主回路スイッチＳｗＨの制御端子（ゲート）に接続され、かつゲート抵抗ＲｇＨ、ダイオードＤｇＨを介して高電位側の駆動回路１１に接続されている。第１の半導体スイッチＳｗ１Ｈのもう一方の主端子（ソース）は主回路スイッチＳｗＨの一方の主端子（第１の主端子：ソース）に接続されている。
低電位側のノイズ抑制回路１４も高電位側のノイズ抑制回路１３と同様の構成であり、第１のコンデンサと、第１の抵抗と、第１の半導体スイッチとからなる。
【００１１】
本発明のインバータ回路では、スイッチング時においてノイズ源となっている、主回路スイッチの２つの主端子（ドレイン、ソース）間電圧の高周波電圧振動を検出し、検出された電圧変動の振幅及び周波数に応じて、主回路スイッチの制御端子と主回路スイッチの第１の主端子（ソース）との間のインピーダンスを略ゼロにし、ノイズを抑制している点に特徴がある。本実施の形態においては、直列接続された第１のコンデンサと第１の抵抗とで主回路スイッチの２つの主端子間の電圧変動を検出しており、第１の抵抗で上記電圧変動を分圧し、分圧された電圧に応じて第１の半導体スイッチを動作させる。即ち、電圧変動の振幅が大きいときに、主回路スイッチのゲートとソースとの間のインピーダンスを略ゼロにするように機能する。また、第１のコンデンサと第１の抵抗の値を所定の値に設定することによって低周波の電圧振動では第１の半導体スイッチが動作しないようにしている。
【００１２】
動作を具体的に説明する前に、高電位側の主回路スイッチを例に挙げ、主回路スイッチのＯＦＦ動作時に発生する現象ついて述べておく。誘導性負荷に接続されたインバータ回路において、スイッチＯＦＦ動作は、主回路スイッチに並列接続された還流用ダイオードＤＨが還流状態にある場合と、自分自身のドレインからソースに電流が流れている場合の２種類のモードがある。
【００１３】
並列接続された還流用ダイオードＤＨが還流状態にある場合のＯＦＦ動作について述べる。図２にノイズ抑制回路１３，１４が無い場合の１相分のインバータ回路の構成を、図３にこの回路における各電圧、電流波形を示す。ＶｇｓＨ，ＶｄｓＨはそれぞれ高電位側主回路スイッチＳｗＨのゲート−ソース電圧、ドレイン−ソース電圧、ＶｇｓＬ，ＶｄｓＬは低電位側主回路スイッチＳｗＬのゲート−ソース電圧、ドレイン−ソース電圧を示す。ＩＨはスイッチＳｗＨおよびダイオードＤＨに流れる電流の和、ＩＬはスイッチＳｗＬに流れる電流を示す。
【００１４】
図３において、期間Ｔ１はダイオードＤＨおよび主回路スイッチＳｗＨに図２に示す方向に電流が流れている期間である。この電流は、他相のインバータを構成するスイッチを介して誘導性負荷が流している電流である。期間Ｔ２において、ＶｇｓＨがロウ電圧になり主回路スイッチＳｗＨがＯＦＦするが、還流用ダイオードおよび主回路スイッチＳｗＨの寄生ダイオードを通って電流は流れ続けている。期間Ｔ３において、ＶｇｓＬがハイ電圧になり低電位側主回路スイッチＳｗＬがＯＦＦからＯＮ状態に移行する。誘導性負荷を流れる電流が主回路スイッチＳｗＨから主回路スイッチＳｗＬへ転流する。図３に示すように、電流ＩＨがゼロになり、電流ＩＬが増大する。電流ＩＨが切れたとき、０Ｖの状態であった主回路スイッチＳｗＨのドレイン−ソース間の寄生容量が、配線の寄生インダクタンス（数１０ｎＨ程度）を介してＤＣ電源（電圧ＶＤＣ）から充電される。このとき配線の抵抗成分は非常に小さいので、ドレイン−ソース間の充電電圧に数１０ＭＨｚ程度の振動（図３中のＡ）が発生する（期間Ｔ４）。
この高周波の電圧振動は、主回路スイッチＳｗＨのドレイン−ゲート間の寄生容量を介してゲート−ソース電圧も変動させることになる（図３中のＢ）。このとき、主回路スイッチＳｗＨのゲートはゲート抵抗ＲｇＨを介して駆動回路１１内部で主回路スイッチＳｗＨのソースと接続状態であり、この閉ループの高周波に対するインピーダンスが非常に低くなっているのならば、主回路スイッチＳｗＨのゲート−ソース電圧の変動を抑えることができる。しかし、ゲート抵抗は後述のＯＦＦサージを抑えるのに数１０Ω必要であるし、上記閉ループを構成する配線のインダクタンスも数１００ｎＨ程度あるので、ゲート−ソース間電圧変動が発生してしまう。ゲート−ソース間電圧が変動し、主回路スイッチＳｗＨのゲート閾値電圧を超えてしまうと、主回路スイッチＳｗＨが誤ってＯＮしてしまい、低電位側の主回路スイッチＳｗＬがＯＮ状態であるので短絡電流が流れ、スイッチが発熱してその定格温度を超えてしまうと故障する可能性がある。
【００１５】
次に、自分自身がＯＮ状態でドレインからソースに向かって電流が流れている場合のＯＦＦ動作について述べる。図４にノイズ抑制回路１３，１４が無い場合の１相分のインバータ回路の構成を、図５にこの回路における各電圧、電流波形を示す。
図５において、期間Ｔ１は主回路スイッチＳｗＨに図４に示す方向に電流が流れている期間である。この期間は、電源から誘導性負荷に電流を流している。期間Ｔ２において、高電位側駆動回路１１の出力がロウ電圧になり、ゲート抵抗ＲｇＨを介して主回路スイッチＳｗＨのゲート容量に蓄積されている電荷を緩やかに引き抜く（図５中のＣ）。主回路スイッチＳｗＨのドレイン−ソース間電圧が緩やかに上昇し（図５中のＤ）、電流ＩＨが減少すると同時に電流ＩＬが増加し始める。このときの電流ＩＬは還流用ダイオードＤＬおよび主回路スイッチＳｗＬの寄生ダイオードに流れる。電流ＩＬが流れ始めると、主回路スイッチＳｗＬのドレイン−ソース間電圧はほぼ０Ｖになる。期間Ｔ２では、配線の寄生インダクタンスに蓄積されているエネルギーを主回路スイッチＳｗＨで受けることになるのでドレイン−ソース間にサージ電圧（図５中のＤ１）が発生する。主回路スイッチＳｗＨのゲート電圧を緩やかに立ち下げるのは、このサージエネルギーを主回路スイッチＳｗＨの導通抵抗で消費させ、サージ電圧を低く抑え素子の耐圧破壊を防止するためである。期間Ｔ３において、主回路スイッチＳｗＨのドレイン−ソース間電圧は電源電圧になり、電流もＩＨからＩＬへ転流が完了している。期間Ｔ４において、低電位側主回路スイッチＳｗＬのゲート−ソース電圧がハイ電圧になり、電流ＩＬは還流用ダイオードＤＬおよび主回路スイッチＳｗＬの寄生ダイオードだけではなく、主回路スイッチＳｗＬ自身にも流れる。
【００１６】
次に、図１に示すノイズ抑制回路１３，１４がある場合の本実施の形態１の動作について説明する。本実施の形態では、上述の還流用ダイオードＤＨが還流状態の場合のＯＦＦ動作時にゲート−ソース間に発生する電圧ノイズ（図３中のＢ）を低減することを目的としている。図６に本発明の実施の形態１によるインバータ回路における各電圧、電流波形を示す。図中、ＶＲｓＨはノイズ抑制回路１３における第１の抵抗Ｒｓ１Ｈに発生する電圧を示す。その他の符号は図３および図５と同様である。
【００１７】
期間Ｔ１〜Ｔ３間での動作は図３と同様である。期間Ｔ４において、電流の転流が完了すると、上述の通り高電位側主回路スイッチＳｗＨのドレイン−ソース電圧に高周波の電圧振動（図６中のＡ）が発生する。この高周波の電圧振動は、第１のコンデンサＣｓ１Ｈを介して第１の半導体スイッチＳｗ１Ｈのゲートにも発生する。第１の半導体スイッチＳｗ１Ｈのゲートに発生する電圧は、第１の抵抗Ｒｓ１Ｈに発生する電圧ＶＲｓＨであり、第１の半導体スイッチＳｗ１Ｈのゲート容量と第１の抵抗Ｒｓ１Ｈとで構成される並列体と、第１のコンデンサＣｓ１Ｈとのインピーダンス比で決まる電圧になる。第１の半導体スイッチＳｗ１Ｈのゲートに発生する電圧（＝ＶＲｓＨ）により、第１の半導体スイッチＳｗ１ＨはＯＮ、ＯＦＦを繰り返す。即ち、ＶＲｓＨが第１の半導体スイッチＳｗ１Ｈのゲート閾値電圧を超えると、図６に示すように、主回路スイッチＳｗＨのゲート電圧が持ち上がるタイミングで第１の半導体スイッチＳｗ１ＨがＯＮするため、主回路スイッチＳｗＨのゲート電圧の浮き上がりを抑制することができる（図６中のＢ’）。
よって、還流用ダイオードＤＨが還流状態の場合のＯＦＦ動作において、主回路スイッチＳｗＨが誤ってＯＮすることはなく、短絡電流が発生しないためスイッチ素子が発熱し故障する心配が無くなる。
【００１８】
本実施の形態の説明において、高電位側主回路スイッチＳｗＨのＯＦＦ動作時に起こる現象について説明したが、低電位側主回路スイッチＳｗＬのＯＦＦ動作時においても同様であることは言うまでもない。従って、同様の構成のノイズ抑制回路１４を設けることにより、素子発熱が低減でき、信頼性の高いインバータ回路が実現できる。
【００１９】
本実施の形態では、ドレイン−ソース間に発生する電圧振動に応じてノイズ抑制回路内のスイッチを動作させている。電圧振動の振幅の大きさによっては、ノイズ抑制回路内のスイッチ（内部スイッチ）のゲート耐圧を越えてしまい内部スイッチの故障が発生する心配がある。そのような場合は、図７に示すように、内部スイッチのゲート−ソース間にツェナーダイオードＴＤｓＨを接続するとよい。あるいは、図８に示すように、第１のコンデンサＣｓ１Ｈと第１の抵抗Ｒｓ１Ｈとの間に第２の抵抗Ｒｓ２Ｈを直列に接続し、主回路スイッチＳｗＨのドレイン−ソース間に発生する電圧を、第１のコンデンサＣｓ１Ｈと第２の抵抗Ｒｓ２Ｈと第１の抵抗Ｒｓ１Ｈとで分圧して、第１の抵抗Ｒｓ１Ｈの電圧が第１のスイッチＳｗ１Ｈのゲートに印加されるようにしてもよい。
【００２０】
本実施の形態において注意すべきことについて述べる。本実施の形態では、還流用ダイオードが還流状態にある場合のＯＦＦ動作時にノイズ抑制回路を動作させ、自身のドレインからソースへ電流を流している状態でのＯＦＦ動作時にはノイズ抑制回路を動作させない。なぜならば、ＯＦＦ動作時、ゲート抵抗ＲｇＨを介して緩やかにゲート電圧を立ち下げている最中に、ノイズ抑制回路１３が動作し、第１の半導体スイッチＳｗ１ＨがＯＮしてしまうと、急激にゲート電圧を立ち下げてしまい、主回路スイッチＳｗＨで消費するはずのサージエネルギーが行き場を失い、主回路スイッチＳｗＨの寄生容量を急激に充電し、ドレイン−ソース間電圧をその耐圧以上に跳ね上げてしまうからである。
【００２１】
よって、本実施の形態においては、２種類のＯＦＦ動作時のドレイン−ソース間電圧の立ち上がりの傾き（周波数成分）の違いを利用して、ノイズ抑制回路の動作、非動作をコントロールしている。即ち、図３、図６中のＡに示すように、還流時からのＯＦＦ動作の電圧の傾きは鋭く（高周波）、図５中のＤに示すように、自身が導通時のＯＦＦ動作の傾きは緩やか（低周波）であることを利用して、ノイズ抑制回路の動作、非動作をコントロールしている。具体的には、第１のコンデンサＣｓ１Ｈの容量値と第１の抵抗Ｒｓ１Ｈの抵抗値とを調節することにより、電圧の傾きが鋭い場合（高周波の場合）ノイズ抑制回路を動作させ、電圧の傾きが緩やかな場合（低周波の場合）ノイズ抑制回路が非動作となる（第１の半導体スイッチが常にＯＦＦ）ような動作マージンを得ることが可能となる。ある回路条件における第１のコンデンサＣｓ１Ｈの容量値Ｃと第１の抵抗Ｒｓ１Ｈの抵抗値Ｒとの動作マージンの例を図９に示す。本実施の形態では、第１の抵抗Ｒｓ１Ｈの抵抗値を５０Ω、第１のコンデンサＣｓ１Ｈの容量値を４７０ｐＦの設定にしている。
【００２２】
本実施の形態のインバータ回路のゲート駆動回路は上記のように構成されているため、ノイズ抑制回路を動作させるための余分な時間が必要なく、かつ、電力損失を最小限に抑えることができる。
【００２３】
なお、上記実施の形態においては、誘導性負荷に接続されるインバータ回路について説明したが、抵抗性負荷、容量性負荷に接続されるものに対しても、上記と同様のノイズ抑制回路を設けることにより、スイッチング時における主回路スイッチのゲート電圧変動が抑制できるので、主回路スイッチの短絡現象を防止することが可能となり、素子の電力損失を最小限に抑えることができる。
【００２４】
また、上記実施の形態においては、高電位側アームと低電位側アームとを備えたインバータ回路に対してノイズ抑制回路１３，１４を設けたが、主回路スイッチが１つのものに対しても、図１と同様の構成のノイズ抑制回路を設けることにより、主回路スイッチの短絡現象を防止することが可能となり、素子の電力損失を最小限に抑えることができる。
【００２５】
また、本実施の形態において、主回路スイッチをパワーＭＯＳＦＥＴとしているが、ＩＧＢＴのような他のパワー半導体素子でも同様の効果の効果があることは言うまでもない。
【００２６】
また、本実施の形態において、ノイズ抑制回路内の第１の半導体スイッチをＭＯＳＦＥＴとしているが、バイポーラトランジスタのような他の半導体素子でも同様な効果があることは言うまでもない。
【００２７】
実施の形態２．
上記実施の形態１においては、動作マージンを確保するため、第１の抵抗Ｒｓ１Ｈの抵抗値と第１のコンデンサＣｓ１Ｈの容量値とを調節した。本実施の形態２においては、この動作マージンを広げるための構成について述べる。図１０に実施の形態２によるノイズ抑制回路の構成を示す。図１０では高電位側のノイズ抑制回路１３を示したが、低電位側のノイズ抑制回路１４も同様の構成としている。本実施の形態のノイズ抑制回路１３では第１の抵抗Ｒｓ１Ｈと並列にインダクタＬｓＨが接続されている。インダクタを付加することにより動作マージンを広げることができる。図１１にその効果を示す。
【００２８】
図１１では第１の抵抗Ｒｓ１Ｈの抵抗値Ｒを１００Ω、第１のコンデンサＣｓ１Ｈの容量値Ｃを１ｎＦとし、インダクタＬｓＨの値Ｌが１０μＨの場合と開放の場合における第１の抵抗Ｒｓ１Ｈに発生する相対的な電圧を、主回路スイッチのドレイン−ソース間の電圧変動の周波数に対して示している。図１１より、インダクタの追加により動作マージンが拡大することがわかる。
例えば、主回路スイッチの還流用ダイオードに還流電流が流れている状態からのＯＦＦ動作時に発生するドレイン−ソース間電圧変動の周波数成分を１０ＭＨｚ、主回路スイッチが導通状態からのＯＦＦ動作時に発生するドレイン−ソース間電圧変動の周波数成分を１ＭＨｚとすると、インダクタなしの場合の動作マージンは０．４５である。それに対して、インダクタありの場合は０．６５となり、動作マージンが４０％強も広がることがわかる。
動作マージンを広くとれるということは、抵抗、コンデンサ、スイッチの特性のばらつきを吸収する範囲が広いということで、回路設計に裕度を与えるという利点がある。
【００２９】
なお、本実施の形態２においても、実施の形態１と同様に、主回路スイッチ及びノイズ抑制回路内のスイッチは他の半導体素子でもよい。
【００３０】
また、実施の形態１と同様に、抵抗Ｒｓ１Ｈに並列にツェナーダイオードを接続したり、あるいはスイッチＳｗ１Ｈへのゲート入力を抵抗で分圧したりすることが有効である。
【００３１】
実施の形態３．
本実施の形態３においては、実施の形態１，２のように動作マージンを配慮しなくても、２種類のＯＦＦ動作時におけるノイズ抑制回路の動作、非動作をコントロールできるように工夫されたノイズ抑制回路を示す。
図１２に本実施の形態３によるノイズ抑制回路の回路構成を示す。図１２では高電位側のノイズ抑制回路１３を示したが、低電位側のノイズ抑制回路１４も同様の構成としている。追加した素子は、ＭＯＳＦＥＴで構成された第２の半導体スイッチＳｗ２Ｈと、第２の抵抗Ｒｓ２Ｈと、第２のコンデンサＣｓ２Ｈとの３素子である。第２の半導体スイッチＳｗ２Ｈのドレインは第１の半導体スイッチＳｗ１Ｈのゲートに接続され、ソースは第１の半導体スイッチＳｗ１Ｈのソースに接続されている。第２の抵抗Ｒｓ２Ｈの一方の電極は主回路スイッチＳｗＨのゲートに接続され、もう一方は第２のコンデンサＣｓ２Ｈと第２の半導体スイッチＳｗ２Ｈのゲートに接続されている。第２のコンデンサＣｓ２Ｈのもう一方の電極は第２の半導体スイッチＳｗ２Ｈのソースに接続されている。
【００３２】
本実施の形態３では、ＯＦＦ動作時の主回路スイッチのゲート電圧の状態の違いを利用している。図３、図５からわかるように、還流用ダイオードが還流状態からのＯＦＦ動作時のゲート電圧ＶｇｓＨがロウ電圧（図３中のＦ）であるのに対して、自身が導通状態からのＯＦＦ動作時のゲート電圧ＶｇｓＨは、電圧が低下している過渡的な状態（図５中のＣ）であることがわかる。よって、本実施の形態３では、第２の抵抗Ｒｓ２Ｈの抵抗値と第２のコンデンサＣｓ２Ｈの容量値とから決まる時定数を調整して、自身が導通状態からのＯＦＦ動作時には第２の半導体スイッチＳｗ２ＨがＯＮ状態となるようにし、第１の半導体スイッチＳｗ１Ｈが動作しないようにしている。また、還流用ダイオードが還流状態からのＯＦＦ動作時には第２の半導体スイッチＳｗ２ＨがＯＦＦ状態になるようにし、第１の半導体スイッチＳｗ１Ｈがドレイン−ソース間に発生する電圧振動に応じて動作できるようにしている。
【００３３】
なお、本実施の形態３においても、実施の形態１，２と同様に、主回路スイッチ及びノイズ抑制回路内のスイッチは他の半導体素子でもよい。
【００３４】
また、実施の形態１，２と同様に、抵抗Ｒｓ１Ｈに並列にツェナーダイオードを接続したり、あるいはスイッチＳｗ１Ｈへのゲート入力を抵抗で分圧したりすることが有効である。
【００３５】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、制御端子、並びに主電流が流れる第１及び第２の主端子を有する主回路スイッチと、上記主回路スイッチの制御端子に駆動電圧を供給し、上記制御端子と上記第１の主端子との間の電圧に応じて上記主電流を制御し、スイッチ動作させる駆動回路とからなるインバータ回路において、上記主回路スイッチと上記駆動回路との間に、上記主回路スイッチの第１及び第２の主端子間の電圧変動を検出し、検出された電圧変動の振幅及び周波数に応じて、上記主回路スイッチの制御端子と上記主回路スイッチの第１の主端子との間のインピーダンスを略ゼロにするように構成されたノイズ抑制回路を設けたので、ノイズ抑制回路中の素子発熱が低減でき、かつノイズ抑制回路を動作させるための余分な時間を必要としない効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１によるインバータ回路を示す回路構成図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係る主回路スイッチがＯＦＦ時の動作を説明する図である。
【図３】この発明の実施の形態１に係る主回路スイッチがＯＦＦ時の動作を説明する波形図である。
【図４】この発明の実施の形態１に係る主回路スイッチがＯＦＦ時の動作を説明する図である。
【図５】この発明の実施の形態１に係る主回路スイッチがＯＦＦ時の動作を説明する波形図である。
【図６】この発明の実施の形態１に係る主回路スイッチがＯＦＦ時の動作を説明する波形図である。
【図７】この発明の実施の形態１に係る他のノイズ抑制回路を示す回路構成図である。
【図８】この発明の実施の形態１に係るさらに他のノイズ抑制回路を示す回路構成図である。
【図９】この発明の実施の形態１に係る第１のコンデンサＣｓ１Ｈの容量値Ｃと第１の抵抗Ｒｓ１Ｈの抵抗値Ｒとの動作マージンの例を示す図である。
【図１０】この発明の実施の形態２に係るノイズ抑制回路を示す回路構成図である。
【図１１】この発明の実施の形態２に係るノイズ抑制回路における動作マージンを示す図である。
【図１２】この発明の実施の形態３に係るノイズ抑制回路を示す回路構成図である。
【符号の説明】
ＳｗＨ，ＳｗＬ  主回路スイッチ、ＤＨ，ＤＬ  還流用ダイオード、Ｓｗ１Ｈ第１の半導体スイッチ、Ｃｓ１Ｈ  第１のコンデンサ、Ｒｓ１Ｈ  第１の抵抗、ＲｇＨ，ＲｇＬ  ゲート抵抗、ＤｇＨ，ＤｇＬ  ゲート駆動用のダイオード、ＴＤｓＨ  ツェナーダイオード、ＬｓＨ  インダクタ、Ｓｗ２Ｈ  第２の半導体スイッチ、Ｃｓ２Ｈ  第２のコンデンサ、Ｒｓ２Ｈ  第２の抵抗、１１，１２  駆動回路、１３，１４  ノイズ抑制回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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