(57)【要約】【課題】  小型で高感度であり、外部の圧力を正確に検出可能な圧力検出装置用パッケージを提供すること。【解決手段】  圧力検出装置用パッケージは、一方の主面に半導体素子３が搭載される搭載部１ｂを有する絶縁基体１と、絶縁基体１の他方の主面の中央部に形成された凸部と、絶縁基体１の表面および内部に配設され、半導体素子３の各電極が電気的に接続される複数の配線導体５と、凸部との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で絶縁基体１の凸部の周囲に接合された絶縁板２と、密閉空間内の凸部の上面に被着され、配線導体５の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第一電極７と、絶縁板２の内側の主面に第一電極７と対向するように被着され、配線導体５の他の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第二電極９と、絶縁板２の内側の主面の外周部に全周にわたって形成されるとともに凸部の上面に当接された段差部２ａとを具備している。【選択図】  図１
2005156410.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の主面に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の他方の主面の中央部に形成された凸部と、前記絶縁基体の表面および内部に配設され、前記半導体素子の各電極が電気的に接続される複数の配線導体と、前記凸部との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で前記絶縁基体の前記凸部の周囲に接合された絶縁板と、前記密閉空間内の前記凸部の上面に被着され、前記配線導体の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第一電極と、前記絶縁板の内側の主面に前記第一電極と対向するように被着され、前記配線導体の他の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第二電極と、前記絶縁板の内側の主面の外周部に全周にわたって形成されるとともに前記凸部の上面に当接された段差部とを具備していることを特徴とする圧力検出装置用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧力を検出するための圧力検出装置に使用される圧力検出装置用パッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、圧力を検出するための圧力検出装置として静電容量型の圧力検出装置が知られている。この静電容量型の圧力検出装置は、例えば図５に断面図で示すように、セラミック材料や樹脂材料から成る配線基板２１上に、静電容量型の感圧素子２２と、パッケージ２８に収容された演算用の半導体素子２９とを備えている。
【０００３】
感圧素子２２は、例えばセラミック材料等の電気絶縁材料から成り、上面中央部に静電容量形成用の一方の電極２３が被着された凹部を有する絶縁基体２４と、この絶縁基体２４の上面に絶縁基体２４との間に密閉空間を形成するようにして可撓な状態で接合されており、下面に静電容量形成用の他方の電極２５が被着された絶縁板２６と、各静電容量形成用の電極２３，２５をそれぞれ外部に電気的に接続するための外部リード端子２７とから構成されており、外部の圧力に応じて絶縁板２６が撓むことにより各静電容量形成用の電極２３，２５間に形成される静電容量が変化する。そして、この静電容量の変化を演算用の半導体素子２９により演算処理することにより外部の圧力を検出することができる。
【０００４】
しかしながら、この従来の圧力検出装置によると、感圧素子２２と半導体素子２９とを配線基板２１上に個別に実装していることから、圧力検出装置が大型化するとともに圧力検出用の電極２３，２５と半導体素子２９との間の配線が長いものとなり、この長い配線間に不要な静電容量が形成されるため感度が低いという問題点を有していた。
【０００５】
そこで、図４に断面図で示すような、一方の主面に半導体素子１３が搭載される搭載部１１ｂを有する絶縁基体１１と、この絶縁基体１１の表面および内部に配設され、半導体素子１３の各電極が電気的に接続される複数の配線導体１５と、絶縁基体１１の他方の主面の中央部に被着され、配線導体１５の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第一電極１７と、絶縁基体１１の他方の主面に、この主面の中央部との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で接合された絶縁板１２と、この絶縁板１２の内側主面に第一電極１７と対向して被着され、配線導体１５の他の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第二電極１９とを具備する圧力検出装置用パッケージが提案されている（下記の特許文献１参照）。
【０００６】
この圧力検出装置用パッケージによれば、一方の主面に半導体素子１３が搭載される搭載部１１ｂを有する絶縁基体１１の他方の主面に静電容量形成用の第一電極１７を設けるとともに、この第一電極１７に対向する静電容量形成用の第二電極１９を内側面に有する絶縁板１２を、絶縁基体１５の他方の主面との間に密閉空間を形成するようにして可撓な状態で接合させたことから、半導体素子１３を収容するパッケージに感圧素子が一体に形成され、その結果、圧力検出装置を小型化することができるとともに圧力検出用の電極と半導体素子１３とを接続する配線を短いものとして、これらの配線間に発生する不要な静電容量を小さなものとすることができるというものである。
【０００７】
従来、これらの圧力検出装置用パッケージの第一電極１７は、タングステンやモリブデン，銅，銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ，溶剤，可塑剤，分散剤を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁基体１１用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これを絶縁基体１１用の生セラミック成形体とともに焼成することによって絶縁基体１１の上面中央部に所定のパターンに形成される。
【０００８】
また、第二電極１９は、タングステンやモリブデン，銅，銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ，溶剤，可塑剤，分散剤を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁板１２用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これを絶縁板１２用の生セラミック成形体とともに焼成することによって絶縁板１２の所定のパターンに形成される。
【０００９】
また、第一電極１７と第二電極１９とを静電容量形成用とするためには、第一電極１７と第二電極１９との間に一定の領域を形成する必要があるため、絶縁基体１１または絶縁板１２の外周部に枠状の突起部１２ｂを形成することで、絶縁基体１１と絶縁板１２との間に静電容量形成用の密閉空間を形成させていた。
【００１０】
また、絶縁基体１１と絶縁板１２とは、その外周部または枠状の突起部１２ｂに第一接合用メタライズ層１８、第二接合用メタライズ層２０を形成し、この第一接合用メタライズ層１８と第二接合用メタライズ層２０とをろう材等により接合していた。
【特許文献１】特開２００１−３５６０６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来の圧力検出装置用パッケージによると、絶縁基体１１と絶縁板１２とを接合する銀−銅ろうから成るろう材は大きな応力により塑性変形を起こしやすいことから、絶縁板１２に外部の圧力が長期間にわたり大きく加えられた場合、絶縁板１２が撓むことにより発生する応力が絶縁基体１１と絶縁板１２とを接合するろう材の内周縁部に大きく作用してろう材に塑性変形が発生し易くなり、その結果、圧力が解除されても絶縁板１２が元の位置に完全には戻らず、外部の圧力を正確に検出するのが困難になるという問題点を有していた。
【００１２】
従って、本発明はかかる従来の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、外部の圧力を長期間にわたり正確に検出することが可能な圧力検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の圧力検出装置用パッケージは、一方の主面に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の他方の主面の中央部に形成された凸部と、前記絶縁基体の表面および内部に配設され、前記半導体素子の各電極が電気的に接続される複数の配線導体と、前記凸部との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で前記絶縁基体の前記凸部の周囲に接合された絶縁板と、前記密閉空間内の前記凸部の上面に被着され、前記配線導体の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第一電極と、前記絶縁板の内側の主面に前記第一電極と対向するように被着され、前記配線導体の他の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第二電極と、前記絶縁板の内側の主面の外周部に全周にわたって形成されるとともに前記凸部の上面に当接された段差部とを具備していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の圧力検出装置用パッケージによれば、一方の主面に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基体と、絶縁基体の他方の主面の中央部に形成された凸部と、絶縁基体の表面および内部に配設され、半導体素子の各電極が電気的に接続される複数の配線導体と、凸部との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で前記絶縁基体の凸部の周囲に接合された絶縁板と、密閉空間内の凸部の上面に被着され、配線導体の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第一電極と、絶縁板の内側の主面に第一電極と対向するように被着され、配線導体の他の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第二電極と、絶縁板の内側の主面の外周部に全周にわたって形成されるとともに凸部の上面に当接された段差部とを具備していることから、第一電極と第二電極との間隔を狭いものとして、圧力検出の感度の高いものとすることができる。
【００１５】
また、絶縁板に外部の圧力が長期間にわたり大きく加えられたとしても、絶縁板が撓むことにより発生する応力を凸部に当接した絶縁板の段差部に集中させることができ、応力が絶縁基体と絶縁板とを接合するろう材に大きく作用してろう材に塑性変形が発生するのを有効に防止することができる。その結果、圧力を解除したときに絶縁板を元の位置に良好に復元することができ、外部の圧力の検出精度を長期にわたって良好に維持することができる。
【００１６】
さらに、絶縁板を絶縁基体に接合する際、段差部を凸部に当接させることにより、第一電極と第二電極との間隔をばらつきの少ないきわめて精度良いものとすることができ、圧力検出の感度を非常に高精度にすることができる。また、絶縁板と絶縁基体との接合部の間隔もきわめて精度良く調整でき、絶縁基体と絶縁板との接合を接合強度ばらつきが少なく、非常に強固なものとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
次に、本発明の圧力検出装置用パッケージを添付の図面を基に詳細に説明する。図１は、本発明の圧力検出装置用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図であり、図１において、１は絶縁基体、２は絶縁板、３は半導体素子、７は第一電極、９は第二電極である。
【００１８】
絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，ガラス−セラミックス等のセラミック材料から成る積層体である。
【００１９】
絶縁基体１は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム，酸化珪素，酸化マグネシウム，酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダ，溶剤，可塑剤，分散剤を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクタブレード法を採用してシート状に成形することにより複数枚のセラミックグリーンシートを得、しかる後、これらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工，積層加工，切断加工を施すことにより絶縁基体１用の生セラミック成形体を得るとともにこの生セラミック成形体を約１６００℃の温度で焼成することにより製作される。
【００２０】
絶縁基体１は、その一方の主面（図１では下面）に半導体素子３を収容するための凹部１ａが形成されており、それにより半導体素子３を収容する容器として機能する。そして、この凹部１ａの底面中央部が半導体素子３が搭載される搭載部１ｂとなっており、この搭載部１ｂに半導体素子３を搭載するとともに凹部１ａ内に例えばエポキシ樹脂等の樹脂製封止材４を充填することにより半導体素子３が封止される。
【００２１】
なお、この例では半導体素子３は樹脂製封止材４を凹部１ａ内に充填することにより封止されるが、半導体素子３は絶縁基体１の下面に金属やセラミックス等から成る蓋体を凹部１ａを塞ぐように接合させることにより封止されてもよい。
【００２２】
また、搭載部１ｂには半導体素子３の各電極に接続される複数の配線導体５が導出されており、この配線導体５と半導体素子３の各電極を半田バンプ６等の電気的接続手段を介して接続することにより半導体素子３の各電極と各配線導体５とが電気的に接続されるとともに半導体素子３が搭載部１ｂに固定される。なお、この例では、半導体素子３の電極と配線導体５とは半田バンプ６を介して接続されるが、半導体素子３の電極と配線導体５とはボンディングワイヤ等の他の種類の電気的接続手段により接続されてもよい。
【００２３】
配線導体５は、半導体素子３の各電極を外部電気回路および後述する第一電極７，第二電極９に電気的に接続するための導電路として機能し、その一部は絶縁基体１の外周部下面に導出され、別の一部は第一電極７，第二電極９に電気的に接続されている。そして、半導体素子３の各電極をこれらの配線導体５に半田バンプ６等の電気的接続手段を介して電気的に接続するとともに半導体素子３を樹脂製封止材４で封止した後、配線導体５の絶縁基体１の外周部下面に導出した部位を外部電気回路基板の配線導体に半田等の導電性接合材を介して接合することにより、内部に収容する半導体素子３が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００２４】
このような配線導体５は、タングステンやモリブデン，銅，銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ，溶剤，可塑剤，分散剤等を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁基体１用のセラミックグリーンシートに所定のパターンに印刷塗布し、これを絶縁基体１用の生セラミック成形体とともに焼成することによって絶縁基体１の内部および表面に所定のパターンに形成される。
【００２５】
なお、配線導体５の表面には、配線導体５が酸化腐食するのを防止するとともに配線導体５と半田等との接合を良好なものとするために、例えば、厚みが１〜１０μｍ程度のニッケルめっき層と厚みが0.1〜３μｍ程度の金めっき層とが順次被着されているのが好ましい。
【００２６】
また、絶縁基体１は、他方の主面（図１では上面）の中央部に凸部を有しており、その上面に静電容量形成用の第一電極７が被着されている。この第一電極７は、後述する第二電極９とともに感圧素子用の静電容量を形成するためのものであり、例えば円形状のパターンに形成されている。そして、この第一電極７には配線導体５の一つである配線導体５ａが接続されており、配線導体５ａの他端に半導体素子３の電極を半田バンプ６等の電気的接続手段を介して接続することによって導体素子３の電極と第一電極７とが電気的に接続されるようになっている。
【００２７】
このような第一電極７は、厚みが１０〜５０μｍ程度のタングステンやモリブデン，銅，銀等の金属粉末メタライズから成り、例えば、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ，溶剤，可塑剤，分散剤を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁基体１用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これを絶縁基体１用の生セラミック成形体とともに焼成することによって絶縁基体１の上面中央部に所定のパターンに形成される。なお、第一電極７の表面には、第一電極７が酸化腐食するのを防止するために、例えば、厚みが１〜１０μｍ程度のニッケルめっき層が被着されているのがよい。
【００２８】
また、絶縁基体１の上面外周部には、その全周にわたり枠状の第一接合用メタライズ層８が被着されており、この第一接合用メタライズ層８に、絶縁板２の下面外周部に形成された第二接合用メタライズ層１０が銀−銅ろう材等のろう材を介して接合されることにより、絶縁基体１と絶縁板２との間に密閉空間が形成される。
【００２９】
この第一接合用メタライズ層８には配線導体５の一つである配線導体５ｂが接続されており、配線導体５ｂの他端に半導体素子３の電極を半田バンプ６等の電気的接続手段を介して電気的に接続することによって半導体素子３の電極と第二電極９とが電気的に接続されるようになっている。
【００３０】
このような第一接合用メタライズ層８は、タングステンやモリブデン，銅，銀等の金属粉末メタライズから成り、例えば、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ，溶剤，可塑剤，分散剤を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁基体１用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これを絶縁基体１用の生セラミック成形体とともに焼成することによって絶縁基体１の上面外周部に枠状の所定のパターンに形成される。なお、第一接合用メタライズ層８の表面には、第一接合用メタライズ層８が酸化腐食するのを防止するとともに第一接合用メタライズ層８とろう材との接合を強固なものとするために、厚みが１〜１０μｍ程度のニッケルめっき層が被着されているのがよい。
【００３１】
また、絶縁基体１の凸部の高さは１０〜２００μｍであるのがよい。これにより、絶縁板２が撓むことにより発生する応力が絶縁基体１と絶縁板２とを接合するろう材に大きく作用するのを有効に抑制し、ろう材に塑性変形が発生するのを有効に防止することができる。
【００３２】
なお、凸部は、図１で示すように絶縁基体１の一部からなるものであってもよく、絶縁基体１に板状の絶縁体を取着することにより凸部を形成してもよい。絶縁基体１に絶縁体を取着する場合、絶縁体を研磨等で平坦化した後、絶縁基体１に取着することにより、より平坦性の高い面を容易に形成することが可能となり、第一電極７の平坦性を向上させて圧力検査の精度をより向上させることが可能となる。
【００３３】
また、凸部は導体により形成されていてもよい。例えば、絶縁基体１に凸部となるメタライズ層を形成した後、第一電極７を形成することができる。あるいは、絶縁基体１にメタライズ層を厚く形成して凸部と第一電極７を一体として形成してもよい。このように、凸部をメタライズ等の導体で形成することにより、凸部の段差部２ａとの接触部が適度に変形して段差部２ａに加わる応力を凸部で有効に吸収することができる。
【００３４】
また、絶縁基体１の上面に接合された絶縁板２は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，ガラス−セラミックス等のセラミック材料から成る四角形状や八角形状，円形状等の平板状であり、その下面外周部に高さが０．０１〜５ｍｍの枠状の段差部２ａを有している。そして、段差部２ａで囲まれた中央部が外部の圧力に応じて絶縁基体１側に撓むいわゆる圧力検出用のダイアフラムとして機能する。
【００３５】
なお、絶縁板２は、その中央部の厚みが０．０１ｍｍ未満ではその機械的強度が小さいものとなり易い。他方、中央部の厚みが５ｍｍを超えると、小さな圧力では撓みにくくなり、精度良く圧力検出するのが困難になる。したがって、絶縁板２の中央部の厚みは０．０１〜５ｍｍの範囲が好ましい。
【００３６】
また、段差部２ａの高さは、絶縁基体１と絶縁板２とを接合するろう材の塑性変形を防止するために０．１ｍｍ以上であるのが好ましく、段差部２ａの高さが０．１ｍｍ未満の場合、絶縁板２の中央部が外部の圧力により大きく撓んだ際に、その撓みにより発生する応力が段差部２ａの内周縁部を介してろう材の内周縁部に大きく作用してろう材に塑性変形が発生し易くなる。また、段差部２ａの高さが５ｍｍを超える場合、そのような高さの段差部２ａを形成するために圧力検出装置用パッケージの厚みが厚くなりすぎる傾向にある。したがって、段差部２ａの高さは０．１〜５ｍｍの範囲が好ましい。
【００３７】
このような絶縁板２は、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム，酸化珪素，酸化マグネシウム，酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダ，溶剤，可塑剤，分散剤を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクタブレード法を採用してシート状に成形することによりセラミックグリーンシートを得、しかる後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工や積層加工，切断加工を施すことにより絶縁板２用の生セラミック成形体を得るとともにこの生セラミック成形体を約１６００℃の温度で焼成することにより製作される。
【００３８】
また、絶縁板２の下面にはその中央部に第一電極７と対向する静電容量形成用の第二電極９が被着されている。この第二電極９は、前述の第一電極７とともに感圧素子用の静電容量を形成するためのものであり、例えば円形状のパターンに形成されている。
【００３９】
このような第二電極９は、厚みが１０〜５０μｍ程度のタングステンやモリブデン，銅，銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ，溶剤，可塑剤，分散剤を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁板２用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これを絶縁板２用の生セラミック成形体とともに焼成することによって絶縁板２の下面中央部に所定のパターンに形成される。なお、第二電極９の表面には、第二電極９が酸化腐食するのを防止するために、厚みが１〜１０μｍ程度のニッケルめっき層が被着されているのがよい。
【００４０】
また、絶縁板２の段差部２ａの下面には第二電極９に電気的に接続された円形状や八角形状の枠状の第二接合用メタライズ層１０が被着されている。この第二接合用メタライズ層１０は、絶縁板２を絶縁基体１に接合するための接合用下地金属層として機能し、第二接合用メタライズ層１０と第一接合用メタライズ層８とを銀−銅ろう等のろう材を介して接合することにより絶縁基体１と絶縁板２とが接合されるとともに第一接合用メタライズ層８と第二接合用メタライズ層１０とが電気的に接続される。
【００４１】
このとき、第一電極７と第二電極９とは、絶縁基体１と絶縁板２との間に形成された密閉空間を挟んで対向しており、これらの間には、第一電極７や第二電極９の面積および第一電極７と第二電極９との間隔に応じて所定の静電容量が形成される。そして、絶縁板２の上面に外部の圧力が加わると、その圧力に応じて絶縁板２が絶縁基体１側に撓んで第一電極７と第二電極９との間隔が変わり、それにより第一電極７と第二電極９との間の静電容量が変化するので、外部の圧力の変化を静電容量の変化として感知する感圧素子として機能する。そして、この静電容量の変化を凹部１ａ内に収容した半導体素子３に配線導体５ａ，５ｂを介して伝達し、これを半導体素子３で演算処理することによって外部の圧力の大きさを知ることができる。
【００４２】
このような第二接合用メタライズ層１０は、厚みが１０〜５０μｍ程度のタングステンやモリブデン，銅，銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ，溶剤，可塑剤，分散剤を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁板２用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これを絶縁板２用の生セラミック成形体とともに焼成することによって絶縁板２の段差部２ａ下面に所定のパターンに形成される。
【００４３】
なお、第二接合用メタライズ層１０の表面には、第二接合用メタライズ層１０が酸化腐食するのを防止するとともに第二接合用メタライズ層１０とろう材との接合を良好とするために、厚みが１〜１０μｍ程度のニッケルめっき層が被着されているのがよい。
【００４４】
また、絶縁基体１に絶縁板２を接合するには、例えば、第一接合用メタライズ層８および第二接合用メタライズ層１０の表面に予め１〜１０μｍ程度の厚みのニッケルめっき層をそれぞれ被着させておくとともに、第一接合用メタライズ層８と第二接合用メタライズ層10との間に厚みが１０〜２００μｍ程度の銀−銅ろうから成るろう材箔を挟んで絶縁基体１と絶縁板２とを重ね合わせ、これらを還元雰囲気中、約８５０℃の温度に加熱してろう材箔を溶融させて第一接合用メタライズ層８と第二接合用メタライズ層１０とをろう付けする方法が採用される。
【００４５】
また、絶縁板２は、図１に示すように、第二接合用メタライズ層が被着された部位が突出した突出部２ｂが形成されているのがよい。これにより、第一接合用メタライズ層と第二接合用メタライズ層との間のろう材が流出して第一電極７に接触するのを有効に防止することができるため、絶縁基体１と絶縁板２との接合部を第一電極７により接近させることができ、圧力検出装置用パッケージをより小型化することができる。さらに、第一接合用メタライズ層と第二接合用メタライズ層との間のろう材を薄くすることができ、ろう材の高さ方向の熱膨張を小さくして絶縁基体１や絶縁板２に応力が生じるのを有効に防止できる。
【００４６】
また、突出部２ｂを形成することで、段差部２ａとろう材の接合部との距離を大きくし、かつ絶縁板２が撓むことによる応力がろう材に大きく作用することを防止することができるので、段差部２ａの高さを０．１ｍｍよりも薄いものとして形成することができ、第一電極７と第二電極９との距離を小さいものとして、感度の高い圧力検出装置用パッケージとすることができる。
【００４７】
絶縁板２の段差部２ａは、図１のように第一電極７の外周部の上面に接触してもよく、または、図２の圧力検出装置用パッケージの断面図で示すように、第一電極７の周囲の絶縁基体１の凸部の上面に直接当接するようにしても構わない。段差部２ａを凸部の上面に直接当接した場合、第一電極７と第二電極９の間隔を、第一電極７の厚み分狭くすることもできるので、より感度の高い圧力検出装置用パッケージとすることができる。
【００４８】
また、図１および図２においては、絶縁板２の一部にて段差部２ａを形成しているが、メタライズ層等により形成していても構わず、例えば、図３の圧力検出装置用パッケージの断面図で示すように、第二電極９の周囲にメタライズ層から成る段差部２ａを形成しておき、これが絶縁基体１に当接するようにしておいても良い。このように段差部２ａをメタライズ層で形成することにより、段差部２ａに加わる応力を、段差部２ａが適度に変形して有効に吸収することができるとともに、段差部２ａをメタライズ層で形成することでより薄く形成しやすく、第一電極７と第二電極９との間隔をより小さいものとして形成して、感度を高いものとすることができるようになる。
【００４９】
なお、この段差部２ａがメタライズ層からなり、第一電極７等に当接する際は、第一電極７と第二電極９とが短絡することがないように、第二電極９と第二接合メタライズ層との接続部と、段差部２ａとの間に空隙部を設けておけば良い。
【００５０】
このように、本発明の圧力検出装置用パッケージによれば、一方の主面に半導体素子３が搭載される絶縁基体１の他方の主面に、静電容量形成用の第一電極７を設けるとともにこの第一電極７に対向する静電容量形成用の第二電極９を内側面に有する絶縁板２を絶縁基体１との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で接合させたことから、半導体素子３を収容する容器と感圧素子とが一体となり、その結果、圧力検出装置を小型化することができる。また、静電容量形成用の第一電極７および第二電極９を、絶縁基体１に設けた配線導体５ａ，５ｂを介して半導体素子３に接続することから、第一電極７および第二電極９を短い距離で半導体素子３に接続することができ、その結果、これらの配線導体５ａ，５ｂ間に発生する不要な静電容量を小さなものとして感度の高い圧力検出装置を提供することができる。
【００５１】
かくして、上述の圧力検出装置用パッケージによれば、搭載部１ｂに半導体素子３を搭載するとともに半導体素子３の各電極と配線導体５とを電気的に接続し、しかる後、半導体素子３を封止することによって小型でかつ感度が高い圧力検出装置となる。
【００５２】
なお、本発明は、上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の圧力検出装置用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の圧力検出装置用パッケージの実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図３】本発明の圧力検出装置用パッケージの実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図４】従来の圧力検出装置用パッケージを示す断面図である。
【図５】従来の圧力検出装置用パッケージを示す断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１・・・・・絶縁基体
２・・・・・絶縁板
２ａ・・・・段差部
３・・・・・半導体素子
５・・・・・配線導体
７・・・・・第一電極
９・・・・・第二電極
【図１】
2005156410.tif 000003
【図２】
2005156410.tif 000004
【図３】
2005156410.tif 000005
【図４】
2005156410.tif 000006
【図５】
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