(57)【要約】【課題】  フッ素添加カーボンからなる絶縁膜の表面に露出しているフッ素原子と水分子とが反応することを防止する。【解決手段】  基板処理装置１の絶縁膜形成装置３２において，基板Ｗ上にＣＦ絶縁膜を形成し，当該基板Ｗを，水分を含まないような減圧雰囲気に維持された搬送路８を通って絶縁膜処理装置３４に搬送する。絶縁膜処理装置３４では，処理容器内を水分を含まない乾燥雰囲気に維持しながら，クリプトンガスからプラズマを生成し，当該プラズマを基板Ｗの表面に衝突させて，ＣＦ絶縁膜の表面に露出しているフッ素原子を離脱させる。こうすることによって，ＣＦ絶縁膜の表面にフッ素原子がなくなり，フッ素原子と水分子との反応が防止される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にフッ素添加カーボンからなる絶縁膜を形成する工程と，
少なくとも前記絶縁膜を形成した直後から前記基板に水分が接触しないように維持し，当該基板上の絶縁膜の表面に露出しているフッ素原子を当該絶縁膜から離脱させる工程と，を有することを特徴とする，基板の処理方法。
【請求項２】
前記フッ素原子を離脱させる工程は，
希ガス又は窒素ガスから生成されたプラズマを基板上の絶縁膜の表面に衝突させることによって行われることを特徴とする，請求項１に記載の基板の処理方法。
【請求項３】
前記フッ素原子を離脱させる工程は，
前記基板を希ガス又は窒素ガスから生成されたプラズマ中に曝すことによって行われることを特徴とする，請求項１に記載の基板の処理方法。
【請求項４】
前記希ガスは，アルゴンガス，キセノンガス又はクリプトンガスであることを特徴とする，請求項３に記載の基板の処理方法。
【請求項５】
前記フッ素原子を離脱させる工程は，
電子温度が２ｅＶ以下で，電子密度が１×１０１１個／ｃｍ３以上の高密度のプラズマ空間内で行われることを特徴とする，請求項３又は４のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項６】
前記フッ素原子を離脱させる工程は，
前記基板上の絶縁膜の表面に電子線を照射することによって行われることを特徴とする，請求項１に記載の基板の処理方法。
【請求項７】
前記フッ素原子を離脱させる工程は，
前記基板上の絶縁膜の表面に紫外線を照射することによって行われることを特徴とする，請求項１に記載の基板の処理方法。
【請求項８】
前記フッ素原子を離脱させる工程の後に，
前記絶縁膜上に，絶縁膜の表面に水分が接触するのを防止するための防護膜を形成する工程を有することを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６又は７のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項９】
基板上にフッ素添加カーボンからなる絶縁膜を形成する工程と，
前記基板の絶縁膜上に，当該絶縁膜の表面に水分が接触するのを防止するための防護膜を形成する工程と，を有することを特徴とする，基板の処理方法。
【請求項１０】
前記絶縁膜が形成されてから前記防護膜が形成されるまでの間は，前記基板は水分を含まない乾燥雰囲気内に維持されることを特徴とする，請求項９に記載の基板の処理方法。
【請求項１１】
前記防護膜は，アモルファスカーボン，ＳｉＮ，ＳｉＣＮ，ＳｉＣ，ＳｉＣＯ又はＣＮのいずれかから構成されていることを特徴とする，請求項８，９又は１０のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項１２】
前記防護膜は，２００Å未満の厚みを有することを特徴とする，請求項８，９，１０又は１１のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項１３】
フッ素添加カーボンからなる絶縁膜の上層に，当該絶縁膜の表面に水分が接触するのを防止するため防護膜を備えたことを特徴とする，電子装置。
【請求項１４】
前記防護膜は，アモルファスカーボン，ＳｉＮ，ＳｉＣＮ，ＳｉＣ，ＳｉＣＯ又はＣＮのいずれかから構成されていることを特徴とする，請求項１３に記載の電子装置。
【請求項１５】
前記防護膜は，２００Å未満の厚みを有することを特徴とする，請求項１３又は１４のいずれかに記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，基板の処理方法及び電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば，電子装置である半導体デバイスの高集積化を図るための一つの手法として多層配線構造が採用されている。多層配線構造を採るためには，ｎ層目の配線層と（ｎ＋１）層目の配線層との間を導電層で接続すると共に，導電層以外の領域に層間絶縁膜と呼ばれる薄膜が形成される。この層間絶縁膜の代表的なものとしてシリコン酸化膜があるが，半導体デバイスの動作速度をより一層早くするために層間絶縁膜の比誘電率を低くすることが要求されている。
【０００３】
このような背景からフッ素添加カーボン（フロロカーボン）からなる絶縁膜（以下，「ＣＦ絶縁膜」という）が注目されており，このＣＦ絶縁膜によれば，シリコン酸化膜に比べて大幅に比誘電率を低減することができる。
【０００４】
ＣＦ絶縁膜の成膜は，例えばプラズマ処理装置において，例えばマイクロ波によってアルゴンガスなどのプラズマ発生用のプラズマガスをプラズマ化し，このプラズマによってフッ素添加カーボンの原料ガスである例えばＣ５Ｆ８を励起し，発生したラジカルを基板上に堆積することによって行われる（例えば，特許文献１参照。）。
【０００５】
しかしながら，ＣＦ絶縁膜を成膜した場合，図１０に示すようにＣＦ絶縁膜Ｉ中のフッ素原子は膜の表面側に配向され，当該膜の表面に露出する。フッ素原子は，電気陰性度が高く，水分子が吸着しやすい性質を有しているため，フッ素原子が膜の表面に露出したまま放置されると，例えば基板の搬送時などに水分子が吸着し，成膜後に基板を加熱した時などに，当該吸着した水分子がＣＦ絶縁膜の表面のフッ素原子と反応してしまう。水分子と反応したフッ素原子は，ＣＦ絶縁膜Ｉからフッ化水素ガスとして放出される。このフッ化水素ガスは，膜を腐蝕させ破壊する性質を有しており，半導体デバイス内の例えば導電層と層間絶縁膜との間に形成されるバリアメタル膜と反応し，当該バリアメタル膜を破壊し剥離させることがあった。この結果，半導体デバイスの多層配線構造が適正に形成されず，半導体デバイスの生産効率が著しく低下していた。
【０００６】
また，ＣＦ絶縁膜Ｉの表面は，水分子との反応によって変質し，ＣＦ絶縁膜Ｉのリーク特性が悪化していた。このため，例えばＣＦ絶縁膜Ｉが構成する層間絶縁膜の絶縁性が低下し，半導体デバイスの性能の低下させていた。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−１６２９６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，ＣＦ絶縁膜の表面に露出したフッ素原子が水分子と反応することを抑制する基板の処理方法及び当該絶縁膜を有する電子装置を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成させるために，本発明の基板の処理方法は，基板上にフッ素添加カーボンからなる絶縁膜を形成する工程と，少なくとも前記絶縁膜を形成した直後から前記基板に水分が接触しないように維持し，当該基板上の絶縁膜の表面に露出しているフッ素原子を当該絶縁膜から離脱させる工程と，を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば，フッ素添加カーボンの絶縁膜が形成された基板に水分が接触しないように維持しつつ，当該絶縁膜の表面に露出しているフッ素原子を離脱するので，絶縁膜の表面に露出しているフッ素原子と水分子が反応することを抑制できる。この結果，絶縁膜の表面からフッ化水素が発生することがなく，フッ化水素によって他の膜を破壊し剥離させることが防止できる。また，絶縁膜の表面が変質して比誘電率が上昇することが防止できる。
【００１１】
前記フッ素原子を離脱させる工程は，希ガス又は窒素ガスから生成されたプラズマを基板上の絶縁膜の表面に衝突させることによって行われてもよい。かかる場合，プラズマの物理的な衝突によって，絶縁膜の表面のフッ素原子が当該絶縁膜から飛び出して，フッ素原子を脱離させることができる。
【００１２】
前記フッ素原子を離脱させる工程は，前記基板を希ガス又は窒素ガスから生成されたプラズマ中に曝すことによって行われてもよい。かかる場合，希ガス又は窒素ガス等の不活性ガスから生成されたプラズマ自体が有するエネルギーや，当該プラズマから再びガスに戻る際に放出される光子エネルギーによって，絶縁膜の表面のフッ素原子を脱離させることができる。前記希ガスは，アルゴンガス，キセノンガス又はクリプトンガスであってもよい。
【００１３】
前記フッ素原子を離脱させる工程は，電子温度が２ｅＶ以下で，電子密度が１×１０１１個／ｃｍ３以上の高密度のプラズマ空間内で行われてもよい。かかる場合，高密度のプラズマ空間内に基板を曝すことによって，効率的に短時間でフッ素原子を離脱させることができる。
【００１４】
前記フッ素原子を離脱させる工程は，基板上の絶縁膜の表面に電子線を照射することによって行われてもよく，基板上の絶縁膜の表面に紫外線を照射することによって行われてもよい。これらの場合，電子線或いは紫外線のエネルギーによって，絶縁膜の表面のフッ素原子を離脱させることができる。また，電子線或いは紫外線は，絶縁膜の内部にまで進入するので，絶縁膜中で未結合で不安定な状態にあるフッ素原子も離脱させることができる。この結果，絶縁膜自体の膜質も向上させることができる。
【００１５】
前記基板の処理方法において，前記フッ素原子を離脱させる工程の後に，前記絶縁膜上に，絶縁膜の表面に水分が接触するのを防止するための防護膜を形成する工程を有していてもよい。かかる場合，防護膜によって，水分が絶縁膜に接触することがなくなるので，フッ素原子と水分子との反応がより確実に防止される。
【００１６】
本発明の基板の処理方法は，基板上にフッ素添加カーボンからなる絶縁膜を形成する工程と，前記基板の絶縁膜上に，当該絶縁膜の表面に水分が接触するのを防止するための防護膜を形成する工程と，を有することを特徴とする。
【００１７】
この発明によれば，絶縁膜の表面に水分が接触することがなく，絶縁膜の表面に露出するフッ素原子と水分子とが反応することがなくなる。この結果，フッ化水素ガスの発生による他の膜の破壊，剥離が防止できる。また，絶縁膜が変質し絶縁膜の比誘電率が上昇することも防止できる。なお，前記絶縁膜が形成されてから前記防護膜が形成されるまでの間は，前記基板は水分を含まない乾燥雰囲気内に維持されるようにしてもよい。
【００１８】
前記防護膜は，アモルファスカーボン，ＳｉＮ，ＳｉＣＮ，ＳｉＣ，ＳｉＣＯ又はＣＮのいずれかから構成されていてもよい。前記防護膜を，かかる比誘電率の低い材料で構成することによって，絶縁膜と防護膜を含めた膜全体の比誘電率を低く維持できる。
【００１９】
前記防護膜は，２００Å未満の厚みを有するものであってもよい。かかる場合，防護膜と絶縁膜を含めた膜全体の比誘電率が上昇することを抑制できる。
【００２０】
本発明の電子装置は，フッ素添加カーボンからなる絶縁膜の上層に，当該絶縁膜の表面に水分が接触するのを防止するため防護膜を備えたことを特徴とする。
【００２１】
この発明によれば，絶縁膜の表面のフッ素原子と水分子が接触し反応することが防止できるので，絶縁膜の表面からフッ化水素ガスが発生することがなく，当該フッ化水素ガスによって電子装置が破損することが防止できる。また，絶縁膜が変質することがなく，絶縁膜の比誘電率が上昇することが防止できる。
【００２２】
なお，前記防護膜は，記防護膜は，アモルファスカーボン，ＳｉＮ，ＳｉＣＮ，ＳｉＣ，ＳｉＣＯ又はＣＮのいずれかから構成されていてもよく，前記防護膜は，２００Å未満の厚みを有するものであってもよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば，絶縁膜の表面のフッ素原子と水分子との反応が抑制されるので，絶縁膜の膜質が維持され，また，絶縁膜周辺の他の膜が破損することがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本発明の基板の処理方法が実施される基板処理装置１の構成の概略を示す平面図である。
【００２５】
基板処理装置１は，図１に示すように，例えば複数の基板Ｗをカセット単位で外部から基板処理装置１に対して搬入出したり，カセットＣに対して基板Ｗを搬入出したりするカセットステーション２と，基板Ｗを枚葉式に処理する複数の各種装置を備えた処理ステーション３とをＹ方向（図中の左右方向）に一体に接続した構成を有している。
【００２６】
カセットステーション２は，カセット載置台４と搬送チャンバ５により構成され，カセット載置台４は，複数，例えば２つのカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に並べて載置できるようになっている。搬送チャンバ５は，例えば多関節ロボットから構成された基板搬送体６とプリアライメントステージ７を備えている。基板搬送体６は，カセット載置台４上のカセットＣと，プリアライメントステージ７と，処理ステーション３の後述するロードロック室３０，３１に対して基板Ｗを搬送できる。
【００２７】
処理ステーション３は，その中央部にカセットステーション２からＹ方向に向かって直線状に形成された搬送路８を備えている。搬送路８は，当該搬送路８内を閉鎖可能なケーシング８ａに覆われている。ケーシング８ａには，例えば乾燥気体の気体供給装置２０に連通する給気管２１が接続されており，気体供給装置２０から給気管２１を通じてケーシング８ａ内に乾燥気体を供給できる。なお，乾燥気体には，例えば希ガスや窒素ガス等の不活性気体が用いられる。ケーシング８ａには，例えば負圧発生装置２２に連通する排気管２３が接続されており，この排気管２３からの排気によって，ケーシング８ａ内を減圧することができる。したがって，搬送路８内の雰囲気を所定の乾燥気体に置換した後，搬送路８内を所定の圧力に減圧できる。つまり，搬送路８内から水分を排除した後，当該搬送路８内を水分を含まない乾燥雰囲気に維持することができる。
【００２８】
搬送路８を挟んだＸ方向の両側には，当該搬送路８に沿って，例えばロードロック室３０，３１，絶縁膜形成装置３２，３３，絶縁膜処理装置３４，３５がカセットステーション２側から順に配置されている。各ロードロック室３０，３１，絶縁膜形成装置３２，３３及び絶縁膜処理装置３４，３５は，ゲートバルブ３６を介して搬送路８に接続されている。ロードロック室３０，３１は，カセットステーション２の搬送チャンバ５に隣接しており，ロードロック室３０，３１と搬送チャンバ５とは，ゲートバルブ３７を介して接続されている。したがって，搬送チャンバ５内の基板Ｗは，ロードロック室３０，３１を経由して搬送路８内に搬送される。
【００２９】
搬送路８内には，Ｙ方向に向かって延びる搬送レール３８と，当該搬送レール３８上を移動自在で，多関節ロボットから構成された基板搬送装置３９が設けられている。基板搬送装置３９は，搬送レール３８上を移動し，ゲートバルブ３６を介してロードロック室３０，３１，絶縁膜形成装置３２，３３及び絶縁膜処理装置３４，３５に対して基板Ｗを搬送できる。以上の構成から，ロードロック室３０，３１から搬送路８内に搬入された基板Ｗを乾燥雰囲気内に維持しながら，前記装置３２〜３５に選択的に搬送し，当該装置３２〜３５において基板Ｗに所定の処理を施すことができる。
【００３０】
次に，上述の絶縁膜形成装置３２，３３の構成について，絶縁膜形成装置３２を例に採って説明する。図２は，絶縁膜形成装置３２の縦断面の様子を模式的に示している。この絶縁膜形成装置３２は，高周波によって生成されたプラズマを用いて，基板Ｗ上にフッ素添加カーボンからなるＣＦ絶縁膜を成膜するプラズマＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置である。
【００３１】
絶縁膜形成装置３２は，図２に示すように例えば上面が開口した有底円筒状の処理容器５０を備えている。処理容器５０は，例えばアルミニウム合金により形成されている。処理容器５０は，接地されている。処理容器５０の底部のほぼ中央部には，例えば基板Ｗを載置するための載置部としての載置台５１が設けられている。
【００３２】
載置台５１には，例えば電極板５２が内蔵されており，電極板５２は，処理容器５０の外部に設けられた，例えば１３．５６ＭＨｚのバイアス用高周波電源５３に接続されている。このバイアス用高周波電源５３により載置台５１の表面に負の高電圧を印加し，プラズマ中の荷電粒子を引き込むことができる。また，電極板５２は，図示しない直流電源にも接続されており，載置台５１の表面に静電気力を生じさせて，基板Ｗを載置台５１上に静電吸着することができる。
【００３３】
載置台５１内には，ヒータ５４が設けられている。ヒータ５４は，処理容器５０の外部に設けられた電源５５に接続されており，この電源５５からの給電によって発熱し，載置台５１を所定温度に加熱できる。載置台５１内には，例えば冷却媒体を通流させる冷却ジャケット５６が設けられている。冷却ジャケット５６は，処理容器５０の外部に設置された冷媒供給装置５７に連通している。冷媒供給装置５７から冷却キャビネット５６に所定温度の冷媒を供給することによって，載置台５１を所定温度の冷却できる。
【００３４】
処理容器５０の上部開口には，気密性を確保するためのＯリングなどのシール材６０を介して，石英ガラスなどからなる誘電体窓６１が設けられている。この誘電体窓６１によって処理容器５０内が閉鎖されている。誘電体窓６１の上部には，プラズマ生成用のマイクロ波を供給する高周波供給部としてのラジアルラインスロットアンテナ６２が設けられている。
【００３５】
ラジアルラインスロットアンテナ６２は，下面が開口した略円筒状のアンテナ本体６３を備えている。アンテナ本体６３の下面の開口部には，多数のスロットが形成された円盤状のスロット板６４が設けられている。アンテナ本体６３内のスロット板６４の上部には，低損失誘電体材料により形成された遅相板６５が設けられている。アンテナ本体６３の上面には，マイクロ波発振装置６６に通じる同軸導波管６７が接続されている。マイクロ波発振装置６６は，処理容器５０の外部に設置されており，ラジアルラインスロットアンテナ６２に対し，所定周波数，例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発振できる。かかる構成により，マイクロ波発振装置６６から発振されたマイクロ波は，ラジアルラインスロットアンテナ６２内に伝搬され，遅相板６５で圧縮され短波長化された後，スロット板６４で円偏波を発生させ，誘電体窓６１から処理容器５０内に向けて放射される。
【００３６】
処理容器５０の上部の内周面には，プラズマ原料となるプラズマ励起用ガスを供給するガス供給口７０が形成されている。ガス供給口７０は，例えば処理容器５０の内周面に沿って複数箇所に形成されている。ガス供給口７０には，例えば処理容器５０の外部に設置されたガス供給源７１に連通するガス供給管７２が接続されている。本実施の形態においては，ガス供給源７１に希ガスのアルゴンガスが封入されている。
【００３７】
処理容器５０内の載置台５１とラジアルラインスロットアンテナ６２との間には，例えば外形が略平板形状の原料ガス供給構造体８０が設けられている。原料ガス供給構造体８０は，外形が平面から見て少なくとも基板Ｗの直径よりも大きい円形状に形成され，載置台５１とラジアルラインスロットアンテナ６２に対向するように設けられている。この原料ガス供給構造体８０によって，処理容器５０内は，ラジアルラインスロットアンテナ６２側のプラズマ励起領域Ｒ１と，載置台５１側のプラズマ拡散領域Ｒ２とに区画されている。
【００３８】
原料ガス供給構造体８０は，図３に示すように同一平面上で略格子状に配置された一続きの原料ガス供給管８１により構成されている。原料ガス供給管８１は，例えば原料ガス供給構造体８０の外周部分に環状に配置された環状管８１ａと，管状管８１ａの内側において複数本の縦横の管が互いに直交するように配置された格子状管８１ｂにより構成されている。これらの原料ガス供給管８１は，軸方向から見て縦断面が方形に形成され，総て互いに連通している。
【００３９】
また，原料ガス供給構造体８０は，格子状に配置された原料ガス供給管８１同士の隙間に多数の開口部８２を有している。原料ガス供給構造体８０の上側のプラズマ励起領域Ｒ１で生成されたプラズマは，この開口部８２を通過して載置部台３側のプラズマ拡散領域Ｒ２に進入する。
【００４０】
各開口部８２の寸法は，例えばラジアルラインスロットアンテナ６２から放射されるマイクロ波の波長よりも短く設定される。こうすることによって，ラジアルラインスロットアンテナ６２から放射されたマイクロ波が原料ガス供給構造体８０で反射し，マイクロ波のプラズマ拡散領域Ｒ２内への進入を抑制できる。原料ガス供給構造体８０の表面，つまり原料ガス供給管８１の表面には，例えば不動態膜が被覆されており，プラズマ中の荷電粒子により原料ガス供給構造体８０がスパッタリングされることを防止し，スパッタリングで飛び出した粒子によって基板Ｗが金属汚染されることを防止できる。
【００４１】
原料ガス供給構造体８０の原料ガス供給管８１の下面には，図２に示すように多数の原料ガス供給口８３が形成されている。これらの原料ガス供給口８３は，原料ガス供給構造体８０面内において均等に配置されている。なお，この原料ガス供給口８３は，載置台５１に載置された基板Ｗに対向する領域に均等に配置されていてもよい。原料ガス供給管８１には，処理容器５０の外部に設置された原料ガス供給源８４に連通するガス管８５が接続されている。原料ガス供給源８４には，例えば原料ガスであるフッ素と炭素を含有するガス，例えばＣ５Ｆ８ガスが封入されている。原料ガス供給源８４からガス管８５を通じて原料ガス供給管８１に供給された原料ガスは，各原料ガス供給口８３から下方のプラズマ拡散領域Ｒ２に向けて吐出される。
【００４２】
処理容器５０の底部には，処理容器５０内の雰囲気を排気するための排気口９０が設けられている。排気口９０には，ターボ分子ポンプなどの排気装置９１に通じる排気管９２が接続されている。この排気口９０からの排気により，処理容器５０内を所定の圧力に減圧できる。
【００４３】
なお，絶縁膜形成装置３３の構成は，絶縁膜形成装置３２と同様であり，説明を省略する。
【００４４】
次に，上述の絶縁膜処理装置３４，３５の構成について，絶縁膜処理装置３４を例に採って説明する。図４は，絶縁膜処理装置４２の縦断面の様子を模式的に示している。この絶縁膜形成装置３２は，高周波によって希ガスからプラズマを生成し，当該プラズマにより生成された活性種を基板Ｗ上に衝突させて，基板Ｗ上の絶縁膜を処理するプラズマ処理装置である。
【００４５】
絶縁膜処理装置３４は，図４に示すように例えばアルミニウム合金により形成され，上面が開口した有底円筒状の処理容器１００を備えている。処理容器１００の底部のほぼ中央部には，載置台１０１が設けられている。載置台１０１には，例えば電極板１０２が内蔵されており，電極板１０２は，処理容器１００の外部に設けられた，例えば１３．５６ＭＨｚのバイアス用高周波電源１０３に接続されている。このバイアス用高周波電源１０３により，載置台１０１の表面に負の高電圧を印加し，処理容器１００内で生成されたプラズマを引き付けて，当該プラズマを載置台１０１上の基板Ｗに高速で衝突させることができる。また，電極板１０２は，図示しない直流電源にも接続されており，載置台１０１の表面に静電気力を生じさせて，基板Ｗを載置台１０１上に静電吸着することができる。
【００４６】
処理容器１００の上部開口には，気密性を確保するためのＯリングなどのシール材１１０を介して，プラズマガス供給部としての例えばＡｌ２Ｏ３などの誘電体からなるシャワープレート１１１が設けられている。このシャワープレート１１１によって処理容器１００内が閉鎖されている。シャワープレート１１１の上部側には，カバープレート１１２を挟んで，プラズマ発生用のマイクロ波を供給する高周波供給部としてのラジアルラインスロットアンテナ１１３が設けられている。
【００４７】
シャワープレート１１１は，例えば円盤状に形成され，載置台１０１に対向するように配置されている。シャワープレート１１１には，鉛直方向に貫通する複数のガス供給孔１１４が形成されている。シャワープレート１１１には，処理容器１００の側面からシャワープレート１１１の内部を水平に通過し，シャワープレート１１１の中央部から上面に連通するガス供給管１１５が形成されている。このガス供給管１１５が連通するシャワープレート１１１の上面には，凹部が形成されており，シャワープレート１１１とカバープレート１１２との間には，ガス流路１１６が形成されている。ガス流路１１６は，前記各ガス供給孔１１４に連通している。したがって，ガス供給管１１５に供給されたプラズマガスは，ガス供給管１１５を通ってガス流路１１６に送られ，ガス流路１１６から各ガス供給孔１１４を通って処理容器１００内に供給される。
【００４８】
ガス供給管１１５は，処理容器１００の外部に設置されたガス供給源１１７に連通している。本実施の形態においては，ガス供給源１１７には，希ガスであるクリプトンガスが封入されている。したがって，処理容器１１０内へは，プラズマ励起用ガスとしてクリプトンガスを供給できる。
【００４９】
カバープレート１１２は，Ｏリング等のシール部材１１８を介してシャワープレート１１１の上面に接着されている。カバープレート１１２は，例えばＡｌ２Ｏ３などの誘電体により形成されている。
【００５０】
ラジアルラインスロットアンテナ１１３は，下面が開口した略円筒状のアンテナ本体１２０を備えている。アンテナ本体１２０の下面の開口部には，スロット板１２１が設けられ，そのスロット板１２１の上部には，遅相板１２２が設けられている。アンテナ本体１２０には，マイクロ波発振装置１２３に通じる同軸導波管１２４が接続されている。マイクロ波発振装置１２３は，処理容器１００の外部に設置されており，ラジアルラインスロットアンテナ１１３に対し，所定周波数，例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発振できる。マイクロ波発振装置１２３から発振されたマイクロ波は，ラジアルラインスロットアンテナ１１３内に伝搬され，遅相板１２２で圧縮され短波長化され，スロット板１２１で円偏波を発生させた後，カバープレート１１２及びシャワープレート１１１を介して処理容器１００内に向けて放射される。
【００５１】
処理容器１００の底部には，処理容器１００内の雰囲気を排気するための排気口１３０が設けられている。排気口１３０には，ターボ分子ポンプなどの排気装置１３１に通じる排気管１３２が接続されている。この排気口１３０からの排気により，処理容器１００内を所定の圧力に減圧できる。この減圧によって，処理容器１００内に存在する水分が排除され，処理容器１００内を水分を含まない乾燥雰囲気に維持することができる。
【００５２】
以上のように絶縁膜処理装置３４は，前記絶縁膜成膜装置３２と比較して，ラジアルラインスロットアンテナと載置台との間に，原料ガス供給構造体８０を持たない構成になっている。なお，絶縁膜処理装置３５は，絶縁膜処理装置３４と同様の構成であるので，説明を省略する。
【００５３】
基板処理装置１は，以上のように構成されており，次に本実施の形態にかかる基板Ｗの処理方法を，電子装置である多層構造の半導体デバイスを製造する場合を例に採って説明する。
【００５４】
例えば他の処理装置において配線層となる導電膜が形成された基板ＷがカセットＣ内に収容され，当該カセットＣが図１に示すように基板処理装置１のカセット載置台４に載置される。このとき，基板処理装置１の搬送路８内は，例えば給気管２１からの給気によって乾燥気体に置換され，その後排気管２３からの排気によって所定の圧力に減圧されている。こうして，搬送路８内は，水分を含まない減圧雰囲気に維持されている。
【００５５】
カセット載置台４にカセットＣが載置されると，基板搬送体６によってカセットＣ内から基板Ｗが取り出され，プリアライメントステージ７に搬送される。プリアライメントステージ７において位置合わせの行われた基板Ｗは，基板搬送体６によってゲートバルブ３７を介して例えばロードロック室３０に搬送される。ロードロック室３０の基板Ｗは，基板搬送装置３９によって搬送路８を通って絶縁膜形成装置３２に搬送される。
【００５６】
絶縁膜形成装置３２に搬送された基板Ｗは，図２に示すように処理容器５０内の載置台５１上に吸着保持される。このとき，基板Ｗは，ヒータ５４の発熱によって，例えば３５０℃程度に維持される。続いて，排気装置５１により処理容器５０内の排気が開始され，処理容器５０内が所定の圧力，例えば１３．３Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）程度に減圧される。この減圧によって，処理容器５０内も水分を含まない乾燥雰囲気に維持される。
【００５７】
処理容器５０内が減圧されると，ガス供給口７０からプラズマ励起領域Ｒ１に向けてアルゴンガスが供給される。ラジアルラインスロットアンテナ６２からは，直下のプラズマ励起領域Ｒ１に向けて，例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波が放射される。このマイクロ波の放射によって，プラズマ励起領域Ｒ１においてアルゴンガスがプラズマ化される。このとき，ラジアルラインスロットアンテナ６２から放射されたマイクロ波は，原料ガス供給構造体８０で反射し，プラズマ励起領域Ｒ１内に留まる。この結果，プラズマ励起領域Ｒ１内には，高密度のプラズマ空間が形成される。
【００５８】
一方，載置台５１には，バイアス用高周波電源５３によって負の電圧が印加され，プラズマ励起領域Ｒ１内で生成されたプラズマは，原料ガス供給構造体８０の開口部８２を通過してプラズマ拡散領域Ｒ２に拡散する。プラズマ拡散領域Ｒ２には，原料ガス供給構造体８０の原料ガス供給口８３からＣ５Ｆ８ガスが供給されている。Ｃ５Ｆ８ガスは，例えばプラズマ励起領域Ｒ１から拡散したプラズマにより活性化され，当該Ｃ５Ｆ８ガスのプラズマによって，基板Ｗ上には，フッ素原子と炭素原子からなるＣＦ絶縁膜が形成される。このとき，図１０に示したようにＣＦ絶縁膜Ｉの表面には，フッ素原子が並んで露出する。このようにして形成されるＣＦ絶縁膜は，成膜中に使用されるガスにＨ原子が含まれないことから，例えばＣＦ絶縁膜中のＦとＨ原子によるＨＦの生成が防止され，極めて優れた品質を持った絶縁膜となる。
【００５９】
基板Ｗ上に所定厚さのＣＦ絶縁膜Ｉが形成されると，マイクロ波の放射や，原料ガス，プラズマガスの供給が停止され，載置台５１上の基板Ｗは，基板搬送装置３９によって処理容器５０から搬出される。絶縁膜形成装置３２から搬出された基板Ｗは，搬送路８内を通って絶縁膜処理装置３４に搬送される。この間，搬送路８内が乾燥雰囲気に維持されているので，基板Ｗ上のＣＦ絶縁膜Ｉの表面に水分が接触することがない。
【００６０】
絶縁膜処理装置３４は，排気口１３０からの排気によって，予め減圧雰囲気，例えば３３．３Ｐａ（２５０ｍＴｏｒｒ）に維持されている。したがって，基板Ｗが搬入されても，基板Ｗが引き続き乾燥雰囲気内に維持される。絶縁膜処理装置３４に搬送された基板Ｗは，例えば３０℃に温度調節された載置台１０１上に吸着保持される。基板Ｗが載置台１０１上に保持されると，バイアス用高周波電源１０３によって載置台１０１に負の高電圧が印加される。一方，シャワーヘッド１１１からは，クリプトンガスが下方に向けて例えば５０ｃｍ３／ｍｉｎで供給されと共に，ラジアルラインスロットアンテナ１１３からは，出力５００Ｗで例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波が放射される。このマイクロ波の放射によって，クリプトンガスがプラズマ化され，当該プラズマが，載置台１０１側の負電位に引き寄せられ，高速で載置台１０１上の基板Ｗに衝突する。この衝突によって，図５に示すように基板Ｗ上の絶縁膜Ｉの表面に露出しているフッ素原子が絶縁膜Ｉから離脱される。
【００６１】
例えばマイクロ波が５秒間照射され，基板Ｗ上のＣＦ絶縁膜Ｉの表面のフッ素原子が十分に離脱されると，マイクロ波の供給やクリプトンガスの供給が停止され，基板Ｗが基板搬送装置３９によって絶縁膜処理装置３４から搬出される。搬出された基板Ｗは，搬送路８を通ってロードロック室３１に搬送され，基板搬送体６によってカセット載置台４上のカセットＣ内に収容される。その後基板Ｗは，他の処理装置において，ＣＦ絶縁膜Ｉがフォトリソグラフィ法によってパターニングされ，その後例えば導電膜や保護膜などが所定のパターンで形成されて，所定の半導体デバイスが製造される。
【００６２】
以上の実施の形態によれば，基板Ｗ上にＣＦ絶縁膜Ｉを形成した後，当該ＣＦ絶縁膜Ｉに水分が接触しないように維持し，絶縁膜処理装置３４においてプラズマをＣＦ絶縁膜Ｉの表面に高速で衝突させて，ＣＦ絶縁膜Ｉの表面からフッ素原子を離脱させた。この結果，ＣＦ絶縁膜Ｉの表面に露出したフッ素原子がなくなり，以後，フッ素原子と水分子とが反応することがない。したがって，ＣＦ絶縁膜Ｉからフッ化水素ガスが放出されることが防止され，例えば半導体デバイス内の他の層の膜が破損し剥離することがない。また，ＣＦ絶縁膜Ｉの表面が劣化しＣＦ絶縁膜Ｉの比誘電率が上昇することもない。なお，以上の実施の形態において，絶縁膜処理装置３４において，プラズマを生成するガスとしてクリプトンガスを用いたが，他の希ガスであるヘリウムガスやキセノンガス，アルゴンガスを用いてもよいし，窒素ガスを用いてもよい。
【００６３】
前記実施の形態では，プラズマにより生成された活性種をＣＦ絶縁膜Ｉに積極的に衝突させることによって，ＣＦ絶縁膜Ｉ表面のフッ素原子を離脱させていたが，ＣＦ絶縁膜Ｉが形成された基板Ｗを，プラズマにより生成された活性種中に曝すことによってフッ素原子を離脱させてもよい。
【００６４】
かかる場合，例えば上記絶縁膜処理装置３４において，シャワープレート１１１から，例えば希ガスであるクリプトンガスが供給される。そして，ラジアルラインスロットアンテナ１１３からのマイクロ波の供給によって，クリプトンガスをプラズマ化し，処理容器１００内に高密度，例えば電子温度が２ｅＶ以下で，電子密度が１×１０１１個／ｃｍ３以上のプラズマ空間を形成する。この高密度のプラズマ空間に基板Ｗを曝すことによって，例えばクリプトンイオン自体のエネルギーや，クリプトンイオンからクリプトンガスに戻る際に放出される光子エネルギーによって，基板Ｗ上のＣＦ絶縁膜Ｉの表面に露出しているフッ素ガス原子が離脱される。この場合，励起エネルギーの高いクリプトンガスが用いられるので，短時間で効率的にフッ素ガス原子を離脱させることができる。なお，この例において，プラズマを生成するガスとして，クリプトンガス以外の他の希ガス，例えばキセノンガスやアルゴンガス，窒素ガスを用いてもよい。
【００６５】
以上の実施の形態で記載したフッ素原子の離脱方法に代えて，ＣＦ絶縁膜Ｉが形成された基板Ｗに電子線を照射して，フッ素原子を離脱させてもよい。
【００６６】
かかる場合，例えば前記絶縁膜処理装置３４に代えて図６に示すような絶縁膜処理装置１５０が用いられる。絶縁膜形成装置１５０は，閉鎖可能な処理容器１５１を備えている。処理容器１５１の底部の中央部には，載置台１５２が設けられている。例えば処理容器１５１の上部であって載置台１５２に対向する位置には，電子管照射管からなる複数の電子線照射部１５３が取り付けられている。この複数の電子線照射部１５３は，例えば載置台１５２に載置された基板Ｗの表面に均等に電子線を照射できるように配置されている。電子線照射部１５３は，例えば処理容器１５１の外部に設置された高圧電源１５４により高電圧を付加することによって，電子線を照射できる。また，例えば高圧電源１５４の動作を制御する制御部１５５によって，電子線の照射量を調整できる。
【００６７】
処理容器１５１の底部には，処理容器１５１内の雰囲気を排気するための排気口１５６が設けられている。排気口１５６には，ターボ分子ポンプなどの排気装置１５７に通じる排気管１５８が接続されている。この排気口１５６からの排気により，処理容器１５１内を所定の圧力に減圧し，処理容器１５１内を水分を含まない減圧雰囲気に維持できる。
【００６８】
そして，フッ素原子を離脱させる際には，例えば処理容器１５１内は，排気口１５６からの排気によって予め乾燥雰囲気に維持され，当該処理容器１５１内に基板Ｗが搬入される。搬入された基板Ｗは，載置台１５２上に載置され，その後，電子線照射部１５３から基板Ｗ上のＣＦ絶縁膜Ｉに対して電子線が照射される。その電子線のエネルギーによってＣＦ絶縁膜Ｉの表面に露出しているフッ素原子が炭素原子から切り離され，離脱される。かかる場合，高エネルギーの電子線の照射によって効率的にフッ素原子を離脱することができる。また，電子線は，ＣＦ絶縁膜Ｉの内部にまで透過するので，ＣＦ絶縁膜Ｉの内部において例えば未結合で不安定な状態で存在するフッ素原子も離脱され，ＣＦ絶縁膜Ｉ自体の膜質の向上が図られる。
【００６９】
なお，この例によれば，ＣＦ絶縁膜Ｉの表面に電子線を照射していたが，電子線に代えて紫外線を照射してもよい。この場合，絶縁膜処理装置１５０には，図６に示すように電子線照射部１５３に代えて紫外線照射部１６０が設けられる。ＣＦ絶縁膜Ｉに紫外線を照射した場合も，高エネルギーの紫外線によりフッ素原子の離脱が効率的に行われる。また，ＣＦ絶縁膜Ｉの内部に不安定な状態で存在するフッ素原子も離脱させることができる。
【００７０】
以上の実施の形態では，ＣＦ絶縁膜Ｉの表面に露出したフッ素原子を離脱させることによって，フッ素原子と水分子との反応を防止していたが，基板Ｗ上にＣＦ絶縁膜を形成した後に，水分の接触を防止する防護膜を形成することによって，フッ素原子と水分子との反応を防止してもよい。
【００７１】
図７は，かかる場合の基板処理装置１の一構成例を示すものであり，前記絶縁膜処理装置３４，３５に代えて，基板ＷのＣＦ絶縁膜の表面上に防護膜を形成する絶縁膜処理装置１７０，１７１が設けられる。絶縁膜処理装置１７０，１７１には，プラズマを用いて成膜するプラズマＣＶＤ装置が用いられ，絶縁膜処理装置１７０，１７１は，例えば前記絶縁膜形成装置３２とほぼ同様の構成を備えている。
【００７２】
例えば絶縁膜形成装置１７０は，図８に示すように上面が開口した有底円筒状の処理容器１８０を備え，処理容器１８０内には，載置台１８１が設けられている。載置台１８１には，電極板１８２が内蔵されており，電極板１８２は，１３．５６ＭＨｚのバイアス用高周波電源１８３に接続されている。載置台１８１内には，電源１８４からの給電によって発熱するヒータ１８５が設けられている。載置台１８１内には，冷媒供給装置１８６からの冷媒が通流する冷却ジャケット１８７が設けられている。
【００７３】
処理容器１８０の上部開口には，シール材１９０を介して誘電体窓１９１が設けられている。誘電体窓１９１の上部側には，ラジアルラインスロットアンテナ１９２が設けられている。
【００７４】
ラジアルラインスロットアンテナ１９２は，アンテナ本体１９３内に，スロット板１９４と，遅相板１９５とを下から順に備えている。アンテナ本体１９３には，２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発振するマイクロ波発振装置１９６に通じる同軸導波管１９７が接続されている。
【００７５】
処理容器１８０の上部の内周面には，ガス供給口２００が形成されている。ガス供給口２００は，例えば処理容器１８０の内周面に沿って複数箇所に形成されている。ガス供給口２００は，ガス供給管２０１を通じて例えば３つの第１，第２及び第３のガス供給源２０２，２０３，２０４に連通している。この実施の形態においては，例えば基板Ｗ上にＳｉＮからなる防護膜を形成するために，第１のガス供給源２０２には水素ガスが封入され，第２のガス供給源２０３にはアルゴンガスが封入され，第３のガス供給源２０４には窒素ガスが封入されている。
【００７６】
処理容器１８０内の載置台１８１とラジアルラインスロットアンテナ１９２との間には，原料ガス供給構造体２１０が設けられ，処理容器１８０内を，ラジアルラインスロットアンテナ１９２側のプラズマ励起領域Ｒ１と載置台１８１側のプラズマ拡散領域Ｒ２とに区画している。原料ガス供給構造体２１０は，格子状に配置された一続きの原料ガス供給管２１１を備え，当該原料ガス供給管２１１同士の隙間は，プラズマ励起領域Ｒ１からプラズマ拡散領域Ｒ２にプラズマが通過するための開口部２１２になっている。原料ガス供給管２１１の下面には，多数の原料ガス供給口２１３が形成されている。また，原料ガス供給管２１１は，ガス管２１４によって原料ガス供給源２１５に連通している。原料ガス供給源２１５には，例えば原料ガスであるシランガスが封入されており，原料ガス供給源２１５からガス管２１４，原料ガス供給口２１３を通じて処理容器１８０内のプラズマ拡散領域Ｒ２にシランガスを供給できる。
【００７７】
処理容器１８０の底部には，排気管２２０によって排気装置２２１に通じる排気口２２２が形成されており，この排気口２２２からの排気により，処理容器１８０内を減圧し，処理容器１８０内を水分を含まない雰囲気に維持できる。
【００７８】
なお，絶縁膜処理装置１７１の構成については，絶縁膜処理装置１７０と同じであるので説明を省略する。
【００７９】
そして，以上のように構成された基板処理装置１においては，上述した実施の形態と同様に絶縁膜形成装置３２で基板ＷにＣＦ絶縁膜Ｉが形成された後，基板ＷのＣＦ絶縁膜Ｉに水分が接触しないように維持しながら，基板Ｗは搬送路８を通って例えば絶縁膜処理装置１７０内に搬送される。絶縁膜処理装置１７０内は，排気口２２２からの排気によって予め減圧されており，乾燥雰囲気に維持されている。絶縁膜処理装置１７０内に搬送された基板Ｗは，載置台１８１に載置される。
【００８０】
基板Ｗは，載置台１８１内のヒータ１８５によって，例えば３５０℃程度に維持される。ガス供給口２００からは，アルゴンガス，水素ガス及び窒素ガスの混合ガスがプラズマ励起領域Ｒ１に向けて供給される。ラジアルラインスロットアンテナ１９２からは，２．４５ＧＨｚのマイクロ波が直下のプラズマ励起領域Ｒ１に放射され，プラズマ励起領域Ｒ１内の混合ガスがプラズマ化される。
【００８１】
載置台１８１には，バイアス用高周波電源１８３によって負の電圧が印加され，プラズマ励起領域Ｒ１内のプラズマは，原料ガス供給構造体２１０を通過してプラズマ拡散領域Ｒ２内に拡散する。プラズマ拡散領域Ｒ２には，原料ガス供給口２１３からシランガスが供給されており，当該シランガスは，プラズマ励起領域Ｒ１から拡散したプラズマによって活性化される。当該シランガスや窒素ガスのラジカルなどによって，基板ＷのＣＦ絶縁膜Ｉの表面上にＳｉＮが堆積し成長する。このようにして，ＣＦ絶縁膜Ｉ上に，２００Å未満，好ましくは１００Å未満，例えば３０〜９０Å程度の厚みのＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）が堆積し，図９に示すようにＣＦ絶縁膜Ｉ上に防護膜Ｄが形成される。
【００８２】
この実施の形態によれば，ＣＦ絶縁膜Ｉが形成された基板Ｗを，水分が接触しないように絶縁膜処理装置１７０に搬送し，絶縁膜処理装置１７０においてＣＦ絶縁膜Ｉの表面上にＳｉＮからなる防護膜Ｄを形成したので，ＣＦ絶縁膜Ｉの表面に露出したフッ素原子が水分子と反応することを防止できる。この結果，ＣＦ絶縁膜Ｉからフッ化水素ガスが放出されることがなく，当該フッ化水素ガスによって例えば半導体デバイス内の他の膜が破損し剥離することが防止される。また，水分子との反応によりＣＦ絶縁膜Ｉ自体が変質し比誘電率が上昇することが防止される。さらに，ＣＦ絶縁膜Ｉ上には，ＳｉＮからなる防護膜Ｄを２００Å未満の厚みに形成したので，ＣＦ絶縁膜Ｉと防護膜Ｄを含めた膜全体の絶縁性を維持できる。
【００８３】
なお，防護膜Ｄの材料は，ＳｉＮに限られず，アモルファスカーボン，ＳｉＣＮ，ＳｉＣ，ＳｉＣＯ又はＣＮなどの比誘電率の低い他の材料を用いてもよい。ここでアモルファスカーボンとは水素添加アモルファスカーボンを含むものである。これらのアモルファスカーボン，ＳｉＣＮ，ＳｉＣ，ＳｉＣＯ又はＣＮの材料を用いた場合，ＳｉＮよりも比誘電率が低いので，防護膜Ｄをより厚くすることができ，防護膜Ｄの成膜をより簡単に行うことができる。例えば，防護膜Ｄの材料がアモルファスカーボン，ＳｉＣＮ，ＳｉＣ，ＳｉＣＯ，ＣＮの場合は，５〜５００Å程度の厚みが好ましい。また，防護膜Ｄを形成する絶縁膜処理装置１７０は，他の構成の成膜装置であってもよく，電子サイクロトロン共鳴を利用したプラズマＣＶＤ装置や，スパッタリング装置，ＩＣＰプラズマ装置又は平行平板型プラズマ装置であってもよい。なお，上記例において，基板Ｗ上のＣＦ絶縁膜の表面からフッ素原子を離脱させた後に，当該ＣＦ絶縁膜の表面の炭素を直接窒化させてもよい。かかる場合，ＣＦ絶縁膜の表面が防護膜としての機能を果たす。
【００８４】
基板Ｗ上にＣＦ絶縁膜Ｉを形成した後，上述の実施の形態で記載したようにＣＦ絶縁膜Ｉの表面に露出しているフッ素原子を離脱させ，その後にＣＦ絶縁膜Ｉの表面に防護膜Ｄを形成してもよい。こうすることによって，ＣＦ絶縁膜Ｉの表面のフッ素原子と水分子との反応をより確実に防止できる。
【００８５】
図１１は，本願実施の形態に基づき処理されたＣＦ絶縁膜をＴＤＳ（熱脱離ガススペクトロスコピー）により測定した結果を示すものであり，縦軸に測定された成分量（Ａ／ｓｅｃ．），横軸に温度（℃）をとっている。図１１（ａ）はＣＦ絶縁膜形成後，何の処理もしていないものをＴＤＳ測定したものであり，図１１（ｂ）はＣＦ絶縁膜形成後，Ａｒプラズマに５秒間曝したものをＴＤＳ測定したものであり，図１１（ｃ）はＣＦ絶縁膜形成後，Ｎ２プラズマに５秒間曝したものをＴＤＳ測定したものである。
【００８６】
これらから判るように，ＣＦ絶縁膜をプラズマに曝すことにより，膜中からの脱ガス（特に）Ｆは，減少する。図１１においては，代表的な脱ガス成分のみを示しているが，実際にはこれら成分の他にＣ，ＣＦ，ＣＦ２，ＳｉＦ３，等の成分も観測されており，これら成分の脱ガス量も減少している。このことは，ＣＦ絶縁膜形成後の工程において，アニール処理された際に，ＣＦ絶縁膜からの脱ガス量が少ないことを意味し，ＣＦ絶縁膜に積層されるバリア層，配線層，保護層等との界面において，ボイドの発生を防止すると共に両者間の良好な密着性を維持することにつながる。
【００８７】
なお，以上において，本発明の実施の形態の幾つかの例について説明したが，本発明はこれらの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば，以上の実施の形態においてＣＦ絶縁膜Ｉが形成された基板Ｗは，半導体デバイスである半導体装置に用いられるものであったが，他の電子装置，例えば液晶表示装置，有機ＥＬ素子に用いられるものであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明によれば，半導体装置，液晶表示装置，有機ＥＬ素子などの電子装置の製造において，良質のフッ素添加カーボンからなる絶縁膜を形成する際に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】実施の形態における基板処理装置の構成の概略を模式的に示す説明図である。
【図２】絶縁膜形成装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。
【図３】原料ガス供給構造体の平面図である。
【図４】絶縁膜処理装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。
【図５】ＣＦ絶縁膜の表面からフッ素原子が離脱する様子を示す説明図である。
【図６】電子線照射部を備えた絶縁膜処理装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。
【図７】防護膜を形成する絶縁膜処理装置を備えた基板処理装置の構成の概略を示す説明図である。
【図８】防護膜を形成する絶縁膜処理装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。
【図９】ＣＦ絶縁膜上に防護膜が形成された様子を示す説明図である。
【図１０】ＣＦ絶縁膜の表面にフッ素原子が露出する様子を示す説明図である。
【図１１】本願実施の形態に基づき処理されたＣＦ絶縁膜をＴＤＳにより測定した結果を示し，図１１（ａ）はＣＦ絶縁膜形成後，何の処理も施さない場合，図１１（ｂ）はＣＦ絶縁膜形成後，Ａｒプラズマに５秒間曝した場合，図１１（ｃ）はＣＦ絶縁膜形成後，Ｎ２プラズマに５秒間曝した場合を各々示すグラフである。
【符号の説明】
【００９０】
１    基板処理装置
８    搬送路
３２，３３    絶縁膜形成装置
３４，３５    絶縁膜処理装置
Ｉ    ＣＦ絶縁膜
Ｗ    基板
【図１】
2005354041.tif 000003
【図２】
2005354041.tif 000004
【図３】
2005354041.tif 000005
【図４】
2005354041.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2005354041.tif 000009
【図８】
2005354041.tif 000010
【図９】
2005354041.tif 000011
【図１０】
2005354041.tif 000012
【図１１】
2005354041.tif 000013