(57)【要約】      （修正有）【課題】微細なフリップ接合方式に適し、放熱対策を兼ね備えたた極薄の半導体装置用基板及びその製造方法並びに半導体装置を提供する。【解決手段】金属基板等からなるヒートスラグ１１上に絶縁層２１、２３、２５及び２７を介して配線層４１、４２、４３が、サーマルビア５１、５３、５５及び５７が、ビア５４、５６、５８がそれぞれ形成されており、最上層に半導体実装パッド４４及びはんだボール用パッド４５が形成された半導体チップ搭載用基板１００であって、ヒートスラグ１１からはサーマルビア５１、５３、５５及び５７を介して最上層の半導体実装パッド４４に接続され、半導体チップの熱をヒートスラグ１１に導きヒートスラグ１１より放熱するようになっている放熱対応の半導体チップ搭載用基板である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板等からなるヒートスラグ上に絶縁層を介して配線層、ビア、サーマルビアが少なくとも１層以上形成されており、最上層に半導体実装パッド及びハンダボール用パッドが形成されていることを特徴とする半導体チップ搭載用基板。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体チップ搭載用基板上に半導体チップを搭載・実装し、ハンダボールを形成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
少なくとも以下の工程を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用基板の製造方法。
（ａ）金属基板等からなるヒートスラグ（１１）の一方の面に絶縁層（２１）を、他方の面に保護層（３１）を形成する工程。
（ｂ）絶縁層（２１）の所定位置にビア用孔（２２）を形成し、絶縁層（２１）上及びビア用孔（２２）内にめっき下地導電層を形成する工程。
（ｃ）サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法にてパターニング処理を行って、配線層（４１）とヒートスラグ（１１）に接続されたサーマルビア（５１）とを形成する工程。
（ｄ）絶縁層（２３）を形成し、絶縁層（２３）の所定位置にビア用孔（２４）を形成し、絶縁層（２３）上及びビア用孔（２４）内にめっき下地導電層を形成する工程。
（ｅ）サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法にてパターニング処理を行って、配線層（４２）、サーマルビア（５３）及びビア（５４）を形成する工程。
（ｆ）上記絶縁層、配線層、サーマルビア及びビア形成工程を所定回数繰り返す工程。
（ｇ）最上層の絶縁層（２７）を形成し、絶縁層（２７）の所定位置にビア用孔（２８）を形成し、絶縁層（２７）上及びビア用孔（２８）内にめっき下地導電層を形成する工程。
（ｈ）サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法にてパターニング処理を行って、半導体実装用パッド（４４）、はんだボール用パッド（４５）、サーマルビア（５７）及びビア（５８）を形成する工程。
（ｉ）ソルダーレジストパターン（６１）を形成し、半導体実装用パッド（４４）及びはんだボール用パッド（４５）上にニッケル、金皮膜を形成する工程。
（ｊ）保護層（３１）を除去する工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップが搭載されるＢＧＡ（Ball Grid Array）型の半導体チップ搭載用基板であって、特に、金属基板等からなるヒートスラグ上に形成された半導体チップ搭載用基板及びその製造方法並びに半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体実装技術の発展によりＬＳＩ等の半導体チップを実装するプリント配線板においては、高密度、高精度の配線層を有する半導体装置用基板が要求されている。
この種の半導体装置用基板には、ＬＳＩ等の半導体チップを搭載可能なＢＧＡ型の半導体装置用基板及び半導体装置用基板に半導体チップを搭載し、樹脂封止することにより、外部要素のマザーボード等に実装可能な半導体装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図６に上記半導体装置用基板の構成の一例を、図７及び図８に上記半導体装置の一例をそれぞれ示す。
【０００４】
図６に示す半導体装置用基板３００は、絶縁層１１１の一方の面に絶縁層１１２を介して半導体チップに接続可能な実装パッド１４１が、他方の面にはんだボール用パッド１２１が形成されており、配線層１３１と実装パッド１４１とはビア１４２にて、配線層１３１とはんだボール用パッド１２１とはビア１３２にてそれぞれ電気的に接続されている。パッド電極１４１及びはんだボール用パッド１２１の表面には、半導体チップ及びはんだボールと良好な接続状態を得るために、ニッケル及び金からなるめっき被膜（特に、図示せず）が形成されている。
【０００５】
このように、実装パッド１４１とはんだボール用パッド１２１とは半導体装置用基板の両側（上、下）に形成されるのが一般的である。
【０００６】
以下、上記半導体装置用基板３００の製造方法について説明する。
【０００７】
図９（ａ）〜（ｆ）及び図１０（ｇ）〜（ｋ）は、上記半導体装置用基板３００の製造方法の一例を示す模式構成部分断面図である。
【０００８】
まず、シート状の銅合金等からなる金属基板１０１を洗浄、乾燥後、この金属基板１０１の裏面に、ドライフィルム等をラミネートして保護層１０３を形成する。しかる後、この金属基板１０１の表面に感光性のソルダーレジストをスクリーン印刷にて塗布、乾燥し、ソルダー感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、開口部１０４を有するソルダーレジストパターン１０２を形成する（図９（ａ）参照）。
【０００９】
次に、金属基板１０１を電極として電解金めっきを行い、開口部１０４の金属基板１０１上に金めっき膜１０５を形成する（図９（ｂ）参照）。
【００１０】
さらに、パターンめっき用のレジストパターン１０６を形成し（図９（ｃ）参照）、金属基板１０１を電極として電解銅めっきを行い、金めっき膜１０５上に約１５μｍ厚のはんだボール用パッド１２１を形成する（図９（ｄ）参照）。
【００１１】
次に、感光性絶縁樹脂（ＤＰＲ−１０５：商品名：（株）アサヒ化学研究所製）をスクリーン印刷により塗布、乾燥して感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパター
ニング処理を行って、ビア用孔１１３を有する絶縁層１１１を形成し、触媒付与及び無電解銅めっきにてめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成する。（図９（ｅ）参照）。
【００１２】
次に、パターンめっき用のレジストパターン１０７を形成し（図９（ｆ）参照）、めっき下地導電層を電極として電解銅めっきを行い、レジストパターン１０７を剥離処理し、レジストパターン１０７下部にあっためっき下地導電層をクイックエッチングにて除去して、配線層１３１及びフィルドビア１３２を形成する（図１０（ｇ）参照）。
【００１３】
次に、感光性絶縁樹脂（ＤＰＲ−１０５：商品名：（株）アサヒ化学研究所製）をスクリーン印刷により塗布、乾燥して感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、ビア用孔１１４を有する絶縁層１１２を形成し、触媒付与及び無電解銅めっきにてめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成する。（図１０（ｈ）参照）。
【００１４】
次に、パターンめっき用のレジストパターン１０８を形成し（図１０（ｉ）参照）、  めっき下地導電層を電極として電解銅めっきを行い、レジストパターン１０８を剥離処理し、レジストパターン１０８下部にあっためっき下地導電層をクイックエッチングにて除去して、実装パッド１４１及びフィルドビア１４２を形成する（図１０（ｊ）参照）。
次に、保護層１０３を専用の剥離液で剥離処理し、金属基板１０１をエッチングにより除去して、半導体装置用基板３００を得る（図１０（ｋ）参照）。
【００１５】
上記の製造方法では、微細なフリップ接合方式の極薄の半導体装置用基板をうることができる。
図７に示す半導体装置４００は、上記半導体装置用基板３００の半導体チップ搭載部に半導体チップ１５１を搭載し、半導体チップ１５１のパッド電極１５２と実装パッド１４１がフェイスダウンボンディングにて実装され、さらに、半導体チップ１５１はアンダーフィル樹脂１６１にて樹脂封止され、はんだボール用パッド１２１に半田ボール１７１が実装されたものである。
【００１６】
上記半導体装置において、フリップチップ型半導体チップは、一般的には多ピン・高速ロジック系デバイスに適用されることが多く、その際半導体チップの放熱をいかに効率よく実施するかが問題になっており、放熱対策の半導体装置がいくつか提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【００１７】
そこで、図８に示す半導体装置５００は、図７に示す半導体装置４００の半導体チップ１５１上に放熱用のヒートスプレッダー１９１を取り付けた一例である。
【００１８】
具体的には、半導体チップ１５１上に放熱性接着剤層１８２を使用してヒートスプレッダー１９１を取り付ける。この際、半導体装置用基板３００の平面性を確保するために、金属又はセラミック材料からなるスティフナー１８１を用いて半導体チップ１５１上面と同じ高さにして放熱性接着剤層１８２で固定したものである。
このように、半導体チップの放熱対策を施した半導体装置では、半導体装置の半導体チップの上部にヒートスプレッダーを２次元的に貼り合わせている。
この方式では、半導体装置用基板に半導体チップを実装した後ヒートスプレッダーを２次元的に貼り合わせるので、コストと工数が掛かかり、問題である。
【特許文献１】特開平１０−１２５８１８号公報
【特許文献２】特開２００１−２５７２８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明は、微細なフリップ接合方式に適し、放熱対策を兼ね備えたた極薄の半導体装置用基板及びその製造方法並びに半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明は、上記課題を達成するために、まず請求項１においては、金属基板等からなるヒートスラグ上に絶縁層を介して配線層、ビア、サーマルビア等が少なくとも１層以上形成されており、最上層に半導体実装パッド及びハンダボール用パッドが形成されていることを特徴とする半導体チップ搭載用基板としたものである。
【００２１】
また、請求項２においては、請求項１に記載の半導体チップ搭載用基板上に半導体チップを搭載・実装し、ハンダボールを形成したことを特徴とする半導体装置としたものである。
【００２２】
さらにまた、請求項３においては、少なくとも以下の工程を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体チップ搭載用基板の製造方法としたものである。
（ａ）金属基板等からなるヒートスラグ１１の一方の面に絶縁層２１を、他方の面に保護層３１を形成する工程。
（ｂ）絶縁層２１の所定位置にビア用孔２２を形成し、絶縁層２１上及びビア用孔２２内にめっき下地導電層を形成する工程。
（ｃ）サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法にてパターニング処理を行って、配線層４１とヒートスラグ１１に接続されたサーマルビア５１とを形成する工程。
（ｄ）絶縁層２３を形成し、絶縁層２３の所定位置にビア用孔２４を形成し、絶縁層２３上及びビア用孔２４内にめっき下地導電層を形成する工程。
（ｅ）サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法にてパターニング処理を行って、配線層４２、サーマルビア５３及びビア５４を形成する工程。
（ｆ）上記絶縁層、配線層、サーマルビア及びビア形成工程を所定回数繰り返す工程。
（ｇ）最上層の絶縁層２７を形成し、絶縁層２７の所定位置にビア用孔２８を形成し、絶縁層２７上及びビア用孔２８内にめっき下地導電層を形成する工程。
（ｈ）サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法にてパターニング処理を行って、半導体実装用パッド４４、はんだボール用パッド４５、サーマルビア５７及びビア５８を形成する工程。
（ｉ）ソルダーレジストパターン６１を形成し、半導体実装用パッド４４及びはんだボール用パッド４５上にニッケル、金皮膜を形成する工程。
（ｊ）保護層３１を除去する工程。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の半導体チップ搭載用基板は、金属基板等からなるヒートスラグ上に形成されているので、ヒートスラグを半導体装置の半導体チップ上に貼り合わせることもなく、半導体チップの放熱対策が施された高密度、極薄型の半導体装置を容易に得ることができる。
【００２４】
また、本発明の半導体チップ搭載用基板の製造方法によれば、金属基板等からなるヒートスラグ上にビルドアップ法で配線層及びビアを形成して行くので、高密度、極薄型の半導体チップ搭載用基板を容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１は、本発明の半導体チップ搭載用基板の一実施例を、図２は、本発明の半導体装置の一実施例を示す模式構成断面図である。
【００２６】
図１に示す半導体チップ搭載用基板１００は、金属基板等からなるヒートスラグ１１上に絶縁層２１、２３、２５及び２７を介して配線層４１、４２、４３が、サーマルビア５１、５３、５５が、ビア５４、５６、５８がそれぞれ形成されており、最上層に半導体実装パッド４４及びはんだボール用パッド４５が形成された４層の半導体チップ搭載用基板である。
【００２７】
ヒートスラグ１１からはサーマルビア５１、５３、５５及び５７を介して最上層の半導体実装パッド４４に接続され、半導体チップの熱をヒートスラグ１１に導きヒートスラグ１１より放熱するようになっている放熱対応の半導体チップ搭載用基板である。
【００２８】
図２は、本発明の半導体装置の一実施例を示す模式構成断面図である。
【００２９】
図２に示す半導体装置２００は、上記半導体チップ搭載用基板１００の最上層の半導体実装パッド４４に半導体チップ７１の外部接続端子である金バンプ７２を接合し、半導体チップ７１と半導体装置用基板１００の間はアンダーフィル樹脂９１にて固定されており、最上層のはんだボールパッド４５にはんだボール８１が形成された構造になっている。
【００３０】
以下、本発明の半導体チップ搭載用基板の製造法について説明する。
【００３１】
図３（ａ）〜（ｆ）、図４（ｇ）〜（ｋ）及び図５（ｌ）〜（ｏ）は、本発明の半導体装置用基板１００の製造方法の一例を工程順に示す模式構成断面図である。
【００３２】
まず、金属基板等からなるヒートスラグ１１の一方の面にエポキシ樹脂等の樹脂溶液を塗布するか、もしくはプリプレグシートをラミネートする等の方法で絶縁層２１を、他方の面にドライフィルム等をラミネートする等の方法で保護層３１を形成する（図３（ａ）参照）。
【００３３】
ここで、ヒートスラグ１１としては、銅、アルミニウム、ニッケル等を主成分とする金属または、合金からなる金属基板が使用できる。
【００３４】
次に、絶縁層２１の所定位置にレーザー加工等によりビア用孔２２を形成し、ビア用孔２２の孔底または内壁に付着した樹脂残渣を、ドライデスミア、またはウェットデスミア等のデスミア処理にて除去し、めっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、絶縁層２１上及びビア用孔２２内に０．５〜２μｍ厚のめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成する（図３（ｂ）参照）。
【００３５】
ここで、レーザ加工のレーザーとしては、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ等が利用できる。
【００３６】
デスミア処方としては、例えば、ＭＬＢ２１１：シプレイ・ファーイースト（株）製を２０ｖｏｌ％、キューポジットＺが１０ｖｏｌ％からなる膨潤浴に６０〜８５℃で１〜５分間浸漬した後、ＭＬＢ２１３Ａ（シプレイ・ファーイースト（株）製）が１０ｖｏｌ％とＭＬＢ２１３Ｂ（シプレイ・ファーイースト（株）製）が１５ｖｏｌ％とからなるエッチング浴に５５〜７５℃で２〜１０分間浸漬処理し、ＭＬＢ２１６−２（シプレイ・ファーイースト（株）製）が２０ｖｏｌ％からなる中和浴に３５〜５５℃で２〜１０分間浸漬することにより、絶縁層２１表面及びビア用孔２２内のデスミア処理を行う。
【００３７】
次に、サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法にてパターニング処理を行って配線層及びビアを形成する。ここでは、セミアディティブ法を用いたパターニング処理について説明する。
【００３８】
絶縁層２１上に感光性ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、絶縁層２１の所定位置にパターンめっき用のレジストパターン３２を形成する（図３（ｃ）参照）。
【００３９】
次に、めっき下地導電層をカソードにして電解銅めっきを行い、所定厚の銅からなる導体層を形成し、レジストパターン３２を専用の剥離液で剥離処理し、レジストパターン３２の下部にあっためっき下地導電層をクイックエッチングにて除去し、配線層４１及びサーマルビア５１を形成する（図３（ｄ）参照）。
【００４０】
ここで、サーマルビア５１はヒートスラグ１１に電気的、物理的に接続されており、以降作成されるサーマルビアを経由して半導体チップのバンプに接続され、半導体チップで発生した熱をヒートスラグ１１に導く役目をする。
【００４１】
次に、絶縁層２１及び配線層４１上にエポキシ樹脂等の樹脂溶液を塗布するか、プリプレグシートをラミネートする等の方法で、所定厚の絶縁層２３を形成し、絶縁層２３の所定位置にレーザー加工等によりビア用孔２４を形成し、デスミア処理、めっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地導電層（特に、図示せず）を形成する（図３（ｅ）参照）。
【００４２】
次に、サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法にてパターニング処理を行って配線層及びビアを形成する。ここでは、セミアディティブ法を用いたパターニング処理について説明する。
【００４３】
感光性のドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、絶縁層２３の所定位置にパターンめっき用のレジストパターン３３を形成する（図３（ｆ）参照）。
【００４４】
次に、めっき下地導電層をカソードにして、電解銅めっきを行い、所定厚の導体層を形成し、レジストパターン３３を専用の剥離液で剥離処理し、レジストパターン３３の下部にあっためっき下地導電層をクイックエッチングにて除去し、配線層４２、サーマルビア５３及びビア５４を形成する（図４（ｇ）参照）。
【００４５】
次に、絶縁層２３及び配線層４２上にエポキシ樹脂等の樹脂溶液を塗布するか、プリプレグシートをラミネートする等の方法で、所定厚の絶縁層２５を形成し、絶縁層２５の所定位置にレーザー加工等によりビア用孔２６を形成し、デスミア処理、めっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地導電層（特に、図示せず）を形成する（図４（ｈ）参照）。
【００４６】
次に、サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法にてパターニング処理を行って配線層及びビアを形成する。ここでは、セミアディティブ法を用いたパターニング処理について説明する。
【００４７】
感光性のドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、絶縁層２５の所定位置にパターンめっき用のレジストパターン３４を形成する（図４（ｉ）参照）。
【００４８】
次に、めっき下地導電層をカソードにして、電解銅めっきを行い、所定厚の導体層を形成し、レジストパターン３４を専用の剥離液で剥離処理し、レジストパターン３４の下部にあっためっき下地導電層をクイックエッチングにて除去し、配線層４３、サーマルビア
５５及びビア５６を形成する（図４（ｊ）参照）。
【００４９】
次に、絶縁層２５及び配線層４３上にエポキシ樹脂等の樹脂溶液を塗布するか、プリプレグシートをラミネートする等の方法で、所定厚の絶縁層２７を形成し、絶縁層２７の所定位置にレーザー加工等によりビア用孔２８を形成し、デスミア処理、めっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地導電層（特に、図示せず）を形成する（図４（ｋ）参照）。
【００５０】
次に、サブトラクティブ法、もしくはセミアディティブ法にてパターニング処理を行って配線層及びビアを形成する。ここでは、セミアディティブ法を用いたパターニング処理について説明する。
【００５１】
感光性のドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、絶縁層２５の所定位置にパターンめっき用のレジストパターン３５を形成する（図５（ｌ）参照）。
【００５２】
次に、めっき下地導電層をカソードにして、電解銅めっきを行い、所定厚の導体層を形成し、レジストパターン３５を専用の剥離液で剥離処理し、レジストパターン３５の下部にあっためっき下地導電層をクイックエッチングにて除去し、半導体実装パッド４４、はんだボール用パッド４５、サーマルビア５７及びビア５８を形成する（図５（ｍ）参照）。
【００５３】
さらに、絶縁層２７及びはんだボール用パッド４５上にスクリーン印刷にて感光性のソルダーレジスト溶液を塗布して、ソルダー感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、ソルダーレジストパターン６１を形成し、半導体実装パッド４４及びハンダボール用パッド４５上に半導体チップ及びはんだボールと良好な接続状態を得るために、ニッケル、金皮膜等を形成する（図５（ｎ）参照）。
【００５４】
最後に、保護層３１を除去して、金属基板等からなるヒートスラグ１１上に絶縁層２１、２３、２５及び２７を介して配線層４１、４２、４３が、サーマルビア５１、５３、５５が、ビア５４、５６、５８がそれぞれ形成され、最上層に半導体実装パッド４４及びはんだボール用パッド４５が形成された４層極薄型のヒートスラグ付きの半導体チップ搭載用基板１００を得ることができる。
【００５５】
ここでは、半導体チップ搭載用基板１００として４層のビルドアップ配線基板の事例で説明したが、配線基板の層数は特に、限定されるものではなく、任意の層数が適宜設定できる。
【００５６】
このように、金属基板等からなるヒートスラグ１１上にビルドアップ法にて絶縁層、配線層、ビアを所定層分だけ積層形成し、最上層に半導体実装パッド及びはんだボール用パッドを形成することにより、容易に極薄型のヒートスラグ付きの半導体チップ搭載用基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の半導体チップ搭載用基板の一実施例を示す模式構成部分断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の一実施例を示す模式構成部分断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の半導体チップ搭載用基板の製造方法における工程の一部を模式的に示す部分構成断面図である。
【図４】（ｇ）〜（ｋ）は、本発明の半導体チップ搭載用基板の製造方法における工程の一部を模式的に示す部分構成断面図である。
【図５】（ｌ）〜（ｏ）は、本発明の半導体チップ搭載用基板の製造方法における工程の一部を模式的に示す部分構成断面図である。
【図６】従来の半導体装置用基板の一例を模式的に示す部分構成断面図である。
【図７】従来の半導体装置の一例を模式的に示す部分構成断面図である。
【図８】従来の半導体装置の他の例を模式的に示す部分構成断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｆ）は、従来の半導体装置用基板の製造工程の一部を模式的に示す部分構成断面図である。
【図１０】（ｇ）〜（ｋ）は、従来の半導体装置用基板の製造工程の一部を模式的に示す部分構成断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１１……ヒートスラグ
２１、２３、２５、２７、１１１、１１２……絶縁層
２２、２４、２６、２８、１１３、１１４……ビア用孔
３１、１０３……保護層
３２、３３、３４、３５、１０６、１０７、１０８……レジストパターン
４１、４２、４３、１３１……配線層
４４……半導体実装用パッド
４５……はんだボール用パッド
５１、５３、５５、５７……サーマルビア
５４、５６、５８……ビア
６１……はんだレジストパターン
７１、１５１……半導体チップ
７２、１５２……金バンプ
８１、１７１……はんだボール
９１、１６１……アンダーフィル樹脂
１００……半導体チップ搭載用基板
１０１……金属基板
１０２……ソルダーレジストパターン
１０４……開口部
１０５……金めっき膜
１２１……はんだボール用パッド
１３２、１４２……フィルドビア
１４１……実装パッド
１８１……スティフナー
１８２……放熱性接着剤層
１９１……ヒートスプレッダー
２００、４００、５００……半導体装置
３００……半導体装置用基板
【図１】
2005158989.tif 000003
【図２】
2005158989.tif 000004
【図３】
2005158989.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005158989.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005158989.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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