(57)【要約】【課題】  簡易に、インク供給口の開口寸法、位置ズレ、歩留まり低下を防止したインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供すること。【解決手段】  Ｓｉ基板１０にインク供給口２８を形成する際、２段階以上のエッチング処理を施す例えば、ウエットエッチング処理によりＳｉ基板１０の所望の深さまで処理を施し（図中（ｄ））、残存する部分をドライエッチング処理を施してＳｉ基板１０を貫通させ、インク供給口２８を形成する（図中（ｅ））。また、インク供給口の形成位置に対応して犠牲層を設ける場合、３段階以上のエッチング処理を施す。【選択図】図１
2005153440.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱抵抗体、前記発熱抵抗体を駆動するための回路素子、及びインク供給口を有する基板と、
前記基板の前記発熱抵抗体を有する第１の主面側に設けられ、インク吐出口を有するオリフィス体と、
を備えるインクジェット記録ヘッドの製造方法において、
２段階以上のエッチング処理により、第１の主面とは反対側の第２の主面側から前記基板をエッチング除去して、前記インク供給口を形成することを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項２】
２段階以上のエッチング処理は、ウエットエッチング処理による第１エッチング処理と、ドライエッチングによる第２エッチング処理と、を含むことを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項３】
ウエットエッチング処理による第１エッチング処理により前記基板を所望の深さまでエッチング除去し、ドライエッチングによる第２エッチング処理により基板をエッチング除去して貫通させて、前記インク供給口を形成することを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項４】
発熱抵抗体、前記発熱抵抗体を駆動するための回路素子、及びインク供給口を有する基板と、
前記基板の前記発熱抵抗体を有する第１の主面側に設けられ、インク吐出口を有するオリフィス体と、
を備えるインクジェット記録ヘッドの製造方法において、
前記基板上の第１の主面上に、犠牲層を前記インク供給口の形成位置に対応して形成し、
３段階以上のエッチング処理により、第１の主面とは反対側の第２の主面側から前記基板をエッチング除去すると共に前記犠牲層をエッチング除去して、前記インク供給口を形成することを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項５】
ウエットエッチング処理による第１エッチング処理により前記基板を所望の深さまでエッチング除去し、
ドライエッチングによる第２エッチング処理により前記基板をエッチング除去して貫通させ、
ウエットエッチングによる第３エッチング処理により前記犠牲層をエッチング除去して、
前記インク供給口を形成することを特徴とする請求項４に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記回路素子のゲート電極と同時に、前記犠牲層は酸化膜を介して前記基板の第１の主面上に形成することを特徴とする請求項４に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項７】
ウエットエッチング処理による第１エッチング処理により前記基板を所望の深さまでエッチング除去し、
ドライエッチングによる第２エッチング処理により基板をエッチング除去すると共に前記酸化膜もエッチング除去して貫通させ、
ウエットエッチングによる第３エッチング処理により前記犠牲層をエッチング除去して、
前記インク供給口を形成することを特徴とする請求項５に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェット方式の記録装置に利用されるインクジェット記録ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、オフィスにおけるカラー文書の普及はめざましく、そのための様々な出力機器が提案されている。そのなかで、小型化が可能であり、低価格なインクジェット方式は有力な記録方式として様々な出力機器に使用されている。
【０００３】
このようなインクジェット方式で用いられる記録ヘッドの製造方法は、ＬＳＩなどの半導体製造方法と同様にシリコンウエハーからなるＳｉ基板の表面にエッチング処理を行なう工程が基本となっている。
【０００４】
例えば、図３のようなインクジェット記録ヘッドの場合、図３のようにＳｉ基板１００の裏面からインク供給のためのインク供給口１０８を形成する必要があるが、このためには酸化膜あるいは窒化膜のマスクパターン１１０を予め形成し、ＫＯＨ（水酸化カリウム）、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）などの薬液で異方性エッチングを行ない、正確にインク供給口１０８を形成する。
【０００５】
工程の順序としては、Ｓｉ基板１００にヒータ１０２、その保護膜１０４、ノズル１０６を形成したのち、Ｓｉ基板１００の裏面側からインク供給口１０８を開口し、インク流路１１２を形成する。
【０００６】
このインク供給口１０８の位置、寸法は、Ｓｉ基板１００裏面のマスクパターン１１０で決定されることになるが、エッチングのばらつき、マスクパターン１１０のアライメントずれなどによりインク供給口１０８の開口寸法、位置が狙いの位置からずれてしまうことがあり、歩留まり低下の原因となる。
【０００７】
また、インレット供給口１０８が形成されると、エッチング液（ＴＭＡＨ，ＫＯＨなど）が、Ｓｉ基板１００表面（ヒータ１０２側）に回り込んで、エッチング液によるダメージが発生し、歩留まり低下の原因となる。
【０００８】
このような問題を改善するために、特開平１０−１８１１０３２号では、犠牲層と呼ぶ層をインレット開口（インク供給口）位置にあらかじめ着膜しておき、開口寸法が一定になる方法を提案している。
また、特開２００２−３３７３４７では、貫通孔（インク供給口）部分のシリコン基板表面に不純物を前もって導入（ダメージ層形成）し、貫通口の寸法制御をする方法を提案している。
また、特開２００３−１３６４９１では、貫通孔（インク供給口）部分に酸化膜、チッ化シリコン膜を形成し、貫通孔形成時の薬液廻り込みによる表面へのダメージを防ぐ方法を提案している。
また、特開２００３−１３６４９２では、貫通孔（インク供給口）部分に酸化膜を覆うようにチッ化シリコン膜を形成し、貫通孔形成時の薬液廻り込みによる表面へのダメージを防ぐ方法を提案している。
【特許文献１】特開平１０−１８１１０３２号
【特許文献２】特開２００２−３３７３４７
【特許文献３】特開２００３−１３６４９１
【特許文献４】特開２００３−１３６４９２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特開平１０−１８１１０３２で代表されるような、犠牲層としてＰｏｌｙ−Ｓｉを犠牲層にする方法は、改善方法としては良いが、その作製工程が非常に複雑になるといった問題があり、昨今の技術要求では未だ十分でないというのが現状である。
【００１０】
ここで、犠牲層を形成する場合の作製工程について、図を示しながら問題点を説明する。
【００１１】
図４は、通常のＰｏｌｙ−Ｓｉのプロセスを説明した工程図である。通常Ｐｏｌｙ−Ｓｉは、論理回路（ＬＯＧＩＣ）のゲート電極として使われる。
【００１２】
まず、図４（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１２０に薄い酸化膜１２２（ダメージ対策）と窒化膜１２４を着膜する。次に、図４（ｂ）に示すように、レジスト１２６を回転塗布する。次に、図４（ｃ）に示すように、レジスト１２６をマスクに、窒化膜１２４をエッチングし、所望のパターンを形成する。次に、図４（ｄ）に示すように、例えば１０００℃で酸化処理をおこない、フィールド酸化膜１２８を形成する。また、Ｓｉ基板１２０裏面には酸化膜１３０が形成される。次に、図４（ｅ）に示すように、ゲート酸化膜１３２、ゲート電極１３４としてＰｏｌｙ−Ｓｉを順次形成する。その後、図４（ｆ）に示すように、犠牲層１３６としてＰｏｌｙ−Ｓｉを形成する。
【００１３】
このように、通常の犠牲層１３６としてのＰｏｌｙ−Ｓｉは以上のように形成されるが、問題となるのは、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ下のゲート酸化膜１３２である。ゲート酸化膜１３２が存在すると、裏面側からシリコン基板を異方性エッチングすると、ゲート酸化膜１３２でエッチングがストップしてしまう。
【００１４】
したがって、特開平１０−１８１１０３２で使われるような犠牲層１３６としてのＰｏｌｙ−Ｓｉは、ゲート電極１３４のＰｏｌｙ−Ｓｉとは別に形成しなければならない。工程が複雑となりコストアップにつながる。
【００１５】
また、やはり、特開平１１４−１９８３８７、特開平１０−１８１０３２においても、工程が複雑になり、コストアップにつながっているのが現状である。
【００１６】
従って、本発明は、前記従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明の目的は、簡易に、インク供給口の開口寸法、位置ズレ、歩留まり低下を防止したインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
本発明の第１インクジェット記録ヘッドの製造方法は、
発熱抵抗体、前記発熱抵抗体を駆動するための回路素子、及びインク供給口を有する基板と、
前記基板の前記発熱抵抗体を有する第１の主面側に設けられ、インク吐出口を有するオリフィス体と、
を備えるインクジェット記録ヘッドの製造方法であり、
２段階以上のエッチング処理により、第１の主面とは反対側の第２の主面側から前記基板をエッチング除去して、前記インク供給口を形成することを特徴としている。
【００１８】
本発明の第１インクジェット記録ヘッドの製造方法では、インク供給口を形成する際、２段階以上のエッチング処理により、段階的に基板を貫通させることで、簡易に、インク供給口の開口寸法、位置ズレ、歩留まり低下を防止することができる。
【００１９】
本発明の第１インクジェット記録ヘッドの製造方法において、２段階以上のエッチング処理は、ウエットエッチング処理による第１エッチング処理と、ドライエッチングによる第２エッチング処理と、を含むことが好適である。
【００２０】
エッチング処理速度が速いウエットエッチングと、寸法制御が優れるドライエッチングと、使い分けて段階的にエッチング処理を施すことで、簡易且つ迅速にインク供給口が形成可能となる。
【００２１】
本発明の第１インクジェット記録ヘッドの製造方法において、ウエットエッチング処理による第１エッチング処理により前記基板を所望の深さまでエッチング除去し、ドライエッチングによる第２エッチング処理により基板をエッチング除去して貫通させて、前記インク供給口を形成することが好適である。
【００２２】
まず、所望の深さまで基板をウエットエッチングで迅速に処理し、残りの深さをドライエッチングにより精度よく処理することで、２段階のエッチング処理により簡易且つ迅速にインク供給口が形成可能である。
【００２３】
本発明の第２インクジェット記録ヘッドの製造方法は、
発熱抵抗体、前記発熱抵抗体を駆動するための回路素子、及びインク供給口を有する基板と、
前記基板の前記発熱抵抗体を有する第１の主面側に設けられ、インク吐出口を有するオリフィス体と、
を備えるインクジェット記録ヘッドの製造方法であり、
前記基板上の第１の主面上に、犠牲層を前記インク供給口の形成位置に対応して形成し、
３段階以上のエッチング処理により、第１の主面とは反対側の第２の主面側から前記基板をエッチング除去すると共に前記犠牲層をエッチング除去して、前記インク供給口を形成することを特徴としている。
【００２４】
本発明の第２インクジェット記録ヘッドの製造方法では、インク供給口を形成する際、２段階以上のエッチング処理により段階的に基板を貫通させ、そして残る犠牲層をエッチング処理により除去すること、即ち３段階以上のエッチング処理により、簡易に、インク供給口の開口寸法、位置ズレ、歩留まり低下を防止することができる。
【００２５】
本発明の第２インクジェット記録ヘッドの製造方法においては、ウエットエッチング処理による第１エッチング処理により前記基板を所望の深さまでエッチング除去し、ドライエッチングによる第２エッチング処理により前記基板をエッチング除去して貫通させ、ウエットエッチングによる第３エッチング処理により前記犠牲層をエッチング除去して、前記インク供給口を形成することが好適である。
【００２６】
まず、所望の深さまで基板をウエットエッチングで迅速に処理し、残りの深さをドライエッチングにより精度よく処理し、再びウエットエッチングにより犠牲層を除去することで、３段階のエッチング処理により簡易且つ迅速にインク供給口が形成可能である。
【００２７】
本発明の第２インクジェット記録ヘッドの製造方法において、前記回路素子のゲート電極と同時に、前記犠牲層は酸化膜を介して前記基板の第１の主面上に形成することが好適である。このとき、ウエットエッチング処理による第１エッチング処理により前記基板を所望の深さまでエッチング除去し、ドライエッチングによる第２エッチング処理により基板をエッチング除去すると共に前記酸化膜もエッチング除去して貫通させ、ウエットエッチングによる第３エッチング処理により前記犠牲層をエッチング除去して、インク供給口を形成することが好適である。
【００２８】
犠牲層は、回路素子のゲート電極と同様に絶縁膜（ゲート酸化膜）上に形成することで、従来、犠牲層を形成する場合、ゲート電極とは異なる工程で形成していたのに比べ、工程数の削減が図れる。また、この構成でも、第２エッチング処理であるウエットエッチングにより基板と共に絶縁膜もエッチング除去することで、３段階のエッチング処理により簡易且つ迅速にインク供給口が形成可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明について、図面を参照しつつ説明する。なお、実質的に同一の機能を有する部材には全図面通して同じ符合を付与して説明する。
【００３０】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【００３１】
本実施形態では、まず、図１（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１０（＜１００＞基板、厚さ５５０μｍ）表面（第１の主面）に、論理回路（回路素子）作製プロセスを行い、後述するヒータ１６を駆動するための回路素子を形成する。なお、論理回路作製プロセスは、周知の半導体プロセスにて行われるため、本実施形態では省略する。但し、図中、素子分離層であるフィールド熱酸化膜１２（ＬＯＣＯＳ：Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）のみ図示する。
【００３２】
次に、図１（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板１０の表面側上に、層間絶縁膜１４としてＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ−Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜を０．８μｍ着膜し、インク供給口２８の形成位置などに所望のパターンで開口する。このとき、層間絶縁膜１４が残らないように、きちんと除去しておく。ここで、層間絶縁膜１４が薄く残っているとインク供給口２８形成時に層間絶縁膜１４でエッチングストップしてしまうなどＳｉ基板１０裏面（第２の主面）からのエッチングに影響がでる。
【００３３】
その後、層間絶縁膜１４上に、アルミニウム合金をスパッタ法により着膜し、ホトリソ工程、例えば塩素系ガスによるドライエッチング工程を順次施し、パターン化して金属配線（図示せず）を形成する。次に、層間絶縁膜２２上に、例えば、ＴａＳｉＯをスパッタ法により着膜し、ホトリソ工程、例えばフッ素系ガスによりエッチング工程を順次行い、パターニングして、金属配線と接続されたヒータ１６（発熱抵抗体）を形成する。そして、金属配線及びヒータ１６上に、ヒータ保護膜１８として、例えばＰ−ＳｉＮ膜、Ｔａ膜を順次形成する。
【００３４】
次に、図１（ｃ）に示すように、Ｓｉ基板１０の表面（第１の主面）側上には、型材２０としてＰＭＧＩレジスト（ＭｉｃｒｏＣｈｅｍ社）を回転塗布法により形成し、さらに型材２０を覆うようにエポキシ系樹脂（ＳＵ−８、ＭｉｃｏｒＣｈｅｍ社）を回転塗布して、被覆樹脂層２２を形成する。ここで、型材２０としては、後工程で除去できるように、例えば、溶剤に対して溶解可能な樹脂が使用される。その後、被覆樹脂層２２にヒータ１６に対応したノズル２４（インク吐出口）を形成する。
【００３５】
このとき、Ｓｉ基板１０の裏面（第２の主面）に、Ｐ−ＣＶＤ法によりＰ−ＳｉＯ膜を１．０μｍ着膜する。その後、Ｐ−ＳｉＯ膜表面にレジストパターン（ＯＦＰＲ８００東京応化製：図示せず）を形成し、ＣＦ系ドライエッチング（ＡＭＪ製  Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  ５０００Ｅｔｃｈ）により、Ｐ−ＳｉＯ膜をパターニングして、マスクパターン２６を形成する。
【００３６】
次に、図１（ｄ）に示すように、ＫＯＨ液又はＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）液にＳｉ基板１０を浸漬して（８０℃、約１３ｈｒｈｒ）、裏面からＳｉ基板１０を所望の深さまでウエットエッチング処理を施し、所望の深さのインク供給口２８を形成する。このとき、Ｓｉ基板１０の所望の深さ（インク供給口２８の深さ）でウエットエッチング処理をストップし、残存させるＳｉ基板１０の厚み（図中ａで示す長さ）は、例えば１０〜１００μｍである。
【００３７】
次に、図１（ｅ）に示すように、Ｆ系ガスによりＳｉ基板１０を、ドライエッチング処理を施し、上記ウエットエッチングにより残った部分を除去し、基板を完全に貫通し、インク供給口２８を形成する。
【００３８】
そして、図１（ｆ）マスクパターン２６を除去した後、型材２０を有機溶剤にて除去してインク流路３０を形成すると共に、被覆樹脂層２２からなるオリフィスプレート３２（オリフィス体）を形成する。
【００３９】
このようにしてインクジェット記録ヘッドは作製される。
【００４０】
以上、説明したように、本実施形態では、Ｓｉ基板１０を、ウエットエッチングと、ドライエッチングとの２段階で、段階的にエッチング処理して、インク供給口２８を形成しているので、簡易に、インク供給口の開口寸法、位置ズレ、歩留まり低下を防止している。
【００４１】
また、エッチング処理速度が速いウエットエッチングによりＳｉ基板の所望の深さまで迅速にエッチング処理し、残りを寸法制御が優れるドライエッチングにより精度よくエッチング処理を施しているので、簡易且つ迅速にインク供給口２８を形成している。
【００４２】
（第２の実施形態）
図２は、本発明の第２の実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【００４３】
本実施形態では、まず、図２（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１０（＜１００＞基板、厚さ５５０μｍ）表面（第１の主面）に、論理回路（回路素子）作製プロセスを行い、後述するヒータ１６を駆動するための回路素子を形成する。なお、論理回路作製プロセスは、周知の半導体プロセスにて行われるため、本実施形態では省略する。但し、図中、素子分離層であるフィールド熱酸化膜１２（ＬＯＣＯＳ：Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）のみ図示する。
【００４４】
ここで、論理回路作製プロセスにおいて、ゲート酸化膜３４、ゲート電極（図示せず）としてのＰｏｌｙ−Ｓｉが順次形成されるが、このゲート電極（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）と同時に、ゲート酸化膜３４上に犠牲層３６としてＰｏｌｙ−Ｓｉを形成する。
【００４５】
次に、図２（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板１０の表面側上に、層間絶縁膜１４（酸化膜）としてＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ−Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜を０．８μｍ着膜し、犠牲層３６上が開口するように所望のパターンで開口する。
【００４６】
その後、層間絶縁膜２２上に、アルミニウム合金をスパッタ法により着膜し、ホトリソ工程、例えば塩素系ガスによるドライエッチング工程を順次施し、パターン化して金属配線（図示せず）を形成する。次に、層間絶縁膜２２上に、例えば、ＴａＳｉＯをスパッタ法により着膜し、ホトリソ工程、例えばフッ素系ガスによりエッチング工程を順次行い、パターニングして、金属配線と接続されたヒータ１６（発熱抵抗体）を形成する。そして、金属配線及びヒータ１６上に、ヒータ保護膜１８として、例えばＰ−ＳｉＮ膜、Ｔａ膜を順次形成する。
【００４７】
次に、図２（ｃ）に示すように、Ｓｉ基板１０の表面（第１の主面）側上には、型材２０としてＰＭＧＩレジスト（ＭｉｃｒｏＣｈｅｍ社）を回転塗布法により形成し、さらに型材２０を覆うようにエポキシ系樹脂（ＳＵ−８、ＭｉｃｏｒＣｈｅｍ社）を回転塗布して、被覆樹脂層２２を形成する。ここで、型材２０としては、後工程で除去できるように、例えば、溶剤に対して溶解可能な樹脂が使用される。その後、被覆樹脂層２２にヒータ１６に対応したノズル２４（インク吐出口）を形成する。
【００４８】
このとき、Ｓｉ基板１０の裏面（第２の主面）に、Ｐ−ＣＶＤ法によりＰ−ＳｉＯ膜を１．０μｍ着膜する。その後、Ｐ−ＳｉＯ膜表面にレジストパターン（ＯＦＰＲ８００東京応化製：図示せず）を形成し、ＣＦ系ドライエッチング（ＡＭＪ製  Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  ５０００Ｅｔｃｈ）により、Ｐ−ＳｉＯ膜をパターニングして、マスクパターン２６を形成する。
【００４９】
次に、図２（ｄ）に示すように、ＫＯＨ液又はＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）液にＳｉ基板１０を浸漬して（８０℃、約１３ｈｒ程度）、裏面からＳｉ基板１０を所望の深さまでウエットエッチング処理を施し、所望の深さのインク供給口２８を形成する。このとき、Ｓｉ基板１０の所望の深さ（インク供給口２８の深さ）でウエットエッチング処理をストップし、残存させるＳｉ基板１０の厚み（図中ａで示す長さ）は、例えば１０〜１００μｍである。また、エッチングをストップさせたときの開口幅が、犠牲層３６幅よりも小さい幅とする。
【００５０】
次に、図２（ｅ）に示すように、Ｆ系ガスにより基板にドライエッチング処理を施し、上記ウエットエッチングにより残った部分を除去し、基板を貫通させる。このＳｉ基板１０へのドライエッチング処理はゲート酸化膜３４でストップする。そして、ガスを切り替えてゲート酸化膜３４をドライエッチング処理を施し除去する。ゲート酸化膜３４へのドライエッチング処理は犠牲層３６でストップする。
【００５１】
次に、図２（ｆ）に示すように、ＫＯＨ液又はＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）液にＳｉ基板１０を浸漬して（８０℃、約１３ｈｒ）、Ｓｉ基板１０裏面側から、犠牲層３６にウエットエッチング処理を施し、犠牲層３６が除去され、犠牲層３６の幅でインク供給口２８が形成される。
【００５２】
そして、図２（ｇ）に示すように、マスクパターン２６を除去した後、型材２０を有機溶剤にて除去してインク流路３０を形成すると共に、被覆樹脂層２２からなるオリフィスプレート３２（オリフィス体）を形成する。
【００５３】
このようにしてインクジェット記録ヘッドは作製される。
【００５４】
以上、説明したように、本実施形態では、Ｓｉ基板１０をウエットエッチングとドライエッチングとの２段階で処理し、犠牲層３６をウエットエッチングの１段階で処理して、段階的にエッチング処理して形成しているので、簡易に、インク供給口の開口寸法、位置ズレ、歩留まり低下を防止している。
【００５５】
また、エッチング処理速度が速いウエットエッチングによりＳｉ基板１０の所望の深さまで迅速にエッチング処理し、残りのＳｉ基板１０及びゲート酸化膜３４を寸法制御が優れるドライエッチングにより精度よくエッチング処理し、再び犠牲層３６をウエットエッチング処理しているので、簡易且つ迅速にインク供給口２８を形成している。
【００５６】
なお、インク供給口２８の寸法、位置は犠牲層３６であるので、ウエットエッチングにより犠牲層３６を除去しても寸法精度よくインク供給口２８は形成される。また、Ｓｉ基板１０へのウエットエッチング処理（図３（ｄ））は、エッチングをストップさせたときの開口幅が、犠牲層３６幅よりも小さい幅（インク供給口２８寸法）とすればよく、少々サイズがばらついていても、アライメントズレがあっても、犠牲層３６がインク供給口２８の寸法、位置を規定するため問題はない。
【００５７】
また、本実施形態では、論理回路作製プロセスでゲート電極及び犠牲層３６としてのＰｏｌｙ−Ｓｉを一緒に形成しているので、論理回路作製プロセスでの不要な工程が増えず歩留まりが向上し、しいては低コスト化を図ることができる。
【００５８】
仮に、３段階というエッチング処理を施しても、エッチング処理１工程のコストは、従来のようにゲート電極形成とは別工程で犠牲層３６（Ｐｏｌｙ）を形成するコストに比べれば大幅に低く、また、歩留まりも向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【図３】従来のインクジェット記録ヘッドの構成を示す概略断面図である。
【図４】通常のＰｏｌｙ−Ｓｉのプロセスを説明した工程図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０   基板
１２   フィールド熱酸化膜
１４   層間絶縁膜
１６   ヒータ
１８   ヒータ保護膜
１８   犠牲層
２０   型材
２２   層間絶縁膜
２２   被覆樹脂層
２４   ノズル
２６   マスクパターン
２８   インク供給口
３０   インク流路
３２   オリフィスプレート
３４   ゲート酸化膜
３６   犠牲層
【図１】
2005153440.tif 000003
【図２】
2005153440.tif 000004
【図３】
2005153440.tif 000005
【図４】
2005153440.tif 000006