(57)【要約】【課題】    記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、これらの記録マークおよびブランク領域を含む記録マーク列により構成されたデータを記録し、再生することができ、記録容量を大幅に増大させることが可能になるとともに、再生耐久性を向上させることができる光記録ディスクを提供することを目的とする。【解決手段】    貴金属酸化物を主成分として含む分解反応層８と、硫黄を含む誘電体材料を主成分とする誘電体層７と、硫黄を除く元素を主成分として含む誘電体材料、または誘電体層７に含まれる硫黄の含有量に比して少ない含有量の硫黄を含む誘電体材料を主成分とする中間層６と、光吸収層５とが、順に積層された積層体を含み、レーザビームＬが照射されて、データが記録され、再生されるように構成されていることを特徴とする光記録ディスク。【選択図】      図２
2005158110.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザビームが照射されて、データが記録され、再生されるように構成された光記録ディスクであって、貴金属酸化物を主成分として含む分解反応層と、硫黄を含む誘電体材料を主成分とする誘電体層と、硫黄を除く元素を主成分として含む誘電体材料、または前記誘電体層に含まれる硫黄の含有量に比して少ない含有量の硫黄を含む誘電体材料を主成分とする中間層と、光吸収層とが、順に積層された積層体を含んでいることを特徴とする光記録ディスク。
【請求項２】
レーザビームが照射されて、データが記録され、再生されるように構成された光記録ディスクであって、貴金属酸化物を主成分として含む分解反応層と、第二の誘電体層と、光吸収層と、中間層と、第三の誘電体層が、順に積層された積層体を含み、前記第三の誘電体層が硫黄を含む誘電体材料を主成分として含むとともに、前記中間層が硫黄を除く元素を主成分として含む誘電体材料、または前記第三の誘電体層に含まれる硫黄の含有量に比して少ない含有量の硫黄を含む誘電体材料を主成分として含んでいることを特徴とする光記録ディスク。
【請求項３】
前記レーザビームが照射されたときに、前記分解反応層に主成分として含まれている前記貴金属酸化物が貴金属と酸素に分解され、生成された酸素ガスによって、空洞が形成されるとともに、前記貴金属の微粒子が前記空洞内に析出することによって、前記分解反応層に記録マークが形成されるように構成されたことを特徴とする請求項１または２に記載の光記録ディスク。
【請求項４】
前記貴金属酸化物が、白金酸化物によって構成され、前記レーザビームの光入射面を介して、前記レーザビームが照射されたときに、白金と酸素に分解されることを特徴とする請求項３に記載の光記録ディスク。
【請求項５】
前記白金の微粒子が、前記分解反応層に形成すべき空洞の大きさより小さい粒径（前記白金の微粒子の粒径は、前記白金の微粒子が球形であるときの直径として定義される）を有することを特徴とする請求項４に記載の光記録ディスク。
【請求項６】
前記光吸収層が、ＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含んでいることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の光記録ディスク。
【請求項７】
前記誘電体層、前記中間層および前記光吸収層が、前記分解反応層に前記空洞が形成されるのに伴って、変形するように構成されたことを特徴とする請求項１に記載の光記録ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録ディスクに関するものであり、さらに詳細には、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、これらの記録マークおよびブランク領域を含む記録マーク列により構成されたデータを記録し、再生することができ、記録容量を大幅に増大させることが可能になるとともに、再生耐久性を向上させることができる光記録ディスクに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録ディスクが広く利用されているが、近年においては、より大容量で、かつ、高いデータ転送レートを有する光記録ディスクの開発が盛んに行われている。
【０００３】
こうした光記録ディスクにおいては、データの記録・再生に用いるレーザビームの波長λを小さくするとともに、対物レンズの開口数ＮＡを大きくして、レーザビームのビームスポット径を小さく絞ることにより、光記録ディスクの記録容量の増大が図られている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光記録ディスクにおいては、光記録ディスクに記録された記録マークの長さ、および、隣り合う記録マーク間の長さ、すなわち、記録マークが形成されていない領域（以下、「ブランク領域」という。）の長さが解像限界未満になると、光記録ディスクからデータを再生することが不可能になる。
【０００５】
解像限界は、レーザビームの波長λと、レーザビームを集束するための対物レンズの開口数ＮＡによって決定され、記録マークとブランク領域との繰り返しの周波数、すなわち、空間周波数が２ＮＡ／λ以上の場合に、記録マークおよびブランク領域に記録されたデータの読み取りが不可能になる。
【０００６】
したがって、読み取り可能な空間周波数に対応する記録マークおよびブランクの長さは、それぞれ、λ／４ＮＡ以上となり、波長λのレーザビームを、開口数ＮＡの対物レンズによって、光記録ディスクの表面に集光させるときは、λ／４ＮＡの長さの記録マークおよびブランク領域が、読み取ることができる最短の記録マークおよびブランク領域となる。
【０００７】
このように、データを再生する場合には、データの再生が可能な解像限界が存在し、再生することができる記録マークの長さおよびブランク領域の長さに制限がある。したがって、解像限界未満の長さの記録マークおよびブランク領域を形成して、データを記録しても、記録されたデータを再生することができないので、光記録ディスクに、データを記録するときに形成可能な記録マークの長さおよびブランク領域の長さが必然的に制限されるから、通常は、解像限界未満になるような長さの記録マークおよびブランク領域を形成して、光記録ディスクにデータを記録することがない。
【０００８】
したがって、光記録ディスクの記録容量を増大させるためには、データの再生に用いるレーザビームの波長λを短くし、あるいは、対物レンズの開口数ＮＡを大きくすることによって、解像限界を小さくし、より短い記録マークとブランク領域よりなるデータを再生することができるようにすることが要求される。
【０００９】
しかしながら、データの再生に用いるレーザビームの波長λを短くし、あるいは、対物レンズの開口数ＮＡを大きくすることには限界があり、したがって、解像限界を小さくすることによって、光記録ディスクの記録容量を増大させることには限界があった。
【００１０】
また、何らかの方法で、光記録ディスクの記録容量を増大させることができたとしても、それだけでは十分ではなく、光記録ディスクに記録されたデータを繰り返し再生したときにも、記録されたデータが劣化し、再生信号の信号特性が悪化することがないように、十分な再生耐久性を有することが必要である。
【００１１】
したがって、本発明の目的は、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、これらの記録マークおよびブランク領域を含む記録マーク列により構成されたデータを記録し、再生することができ、記録容量を大幅に増大させることが可能になるとともに、再生耐久性を向上させることができる光記録ディスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のかかる目的は、レーザビームが照射されて、データが記録され、再生されるように構成された光記録ディスクであって、貴金属酸化物を主成分として含む分解反応層と、硫黄を含む誘電体材料を主成分とする誘電体層と、硫黄を除く元素を主成分として含む誘電体材料、または前記誘電体層に含まれる硫黄の含有量に比して少ない含有量の硫黄を含む誘電体材料を主成分とする中間層と、光吸収層とが、順に積層された積層体を含んでいることを特徴とする光記録ディスクによって達成される。
【００１３】
本発明において、光記録ディスクは、貴金属酸化物を主成分として含む分解反応層を備えている。
【００１４】
本発明者の研究によれば、貴金属酸化物を主成分として含む分解反応層を備えた光記録ディスクに、レーザビームが照射され、分解反応層に記録マーク列が形成されて、データが記録された場合には、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときにも、データが再生可能であることが見出されている。
【００１５】
したがって、本発明によれば、光記録ディスクの記録容量を大幅に増大させることが可能になる。
【００１６】
また、本発明においては、光吸収層と誘電体層との間に、硫黄を除く元素を主成分として含む誘電体材料、または前記誘電体層に含まれる硫黄の含有量に比して少ない含有量の硫黄を含む誘電体材料を主成分とする中間層が形成されている。
【００１７】
本発明者の研究によれば、光記録ディスクに、かかる中間層を形成した場合には、高いパワーの再生用レーザビームが繰り返し照射されて、複数回にわたって、データが再生される場合にも、光記録ディスクに記録されたデータを再生したときの再生信号の信号特性が悪化するのを効果的に抑制できることが見出されている。
【００１８】
硫黄を除く元素を主成分として含む誘電体材料、または前記誘電体層に含まれる硫黄の含有量に比して少ない含有量の硫黄を含む誘電体材料を主成分とする中間層を、光吸収層と誘電体層との間に形成した場合に、光記録ディスクに記録されたデータを再生したときの再生信号の信号特性が悪化するのを抑制することができる理由は、必ずしも明らかではないが、かかる構成を有する中間層を、光吸収層と誘電体層との間に形成することにより、高いパワーの再生用レーザビームが照射されて、光吸収層が加熱されたときにも、誘電体層に含まれる硫黄が、光吸収層に含まれる元素と混合することがなく、その結果、光吸収層の状態の変化が光記録ディスクの光学的特性に与える悪影響を排除することができたためではないかと推測される。
【００１９】
したがって、本実施態様によれば、光記録ディスクの再生耐久性を向上させることも可能となる。
【００２０】
本発明の好ましい実施態様においては、前記レーザビームが照射されたときに、前記分解反応層に主成分として含まれている前記貴金属酸化物が貴金属と酸素に分解され、生成された酸素ガスによって、空洞が形成されるとともに、前記貴金属の微粒子が前記空洞内に析出することによって、前記分解反応層に記録マークが形成されるように構成されている。
【００２１】
本発明者の研究によれば、貴金属酸化物を主成分として含む分解反応層を備えた光記録ディスクに、レーザビームを照射すると、分解反応層に主成分として含まれている貴金属酸化物が貴金属と酸素に分解され、生成された酸素ガスによって、分解反応層内に空洞が形成されるとともに、貴金属の微粒子が空洞内に析出し、分解反応層に記録マークが形成されて、データが記録され、こうして、データが光記録ディスクに記録された場合には、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときにも、データが再生可能であることが見出されている。
【００２２】
分解反応層に主成分として含まれている貴金属酸化物が貴金属と酸素に分解され、生成された酸素ガスによって、分解反応層内に空洞が形成されるとともに、貴金属の微粒子が空洞内に析出し、分解反応層に記録マークが形成されて、データが記録された場合に、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときでも、データを再生することができるという理由は必ずしも明らかではないが、空洞内に析出した貴金属の微粒子に、再生用のレーザビームが照射されることにより、近接場光が発生し、解像限界がなくなったためか、あるいは、空洞内に析出した貴金属の微粒子と照射されたレーザビームとの相互作用によって、解像限界が小さくなったためではないかと推測される。
【００２３】
したがって、本発明によれば、光記録ディスクの記録容量を大幅に増大させることが可能になる。
【００２４】
本発明において、光記録ディスクの分解反応層に主成分として含まれる貴金属酸化物は、とくに限定されるものではないが、酸化物の形成し易さ、近接場光の発生効率の観点から、銀、白金およびパラジウムよりなる群から選ばれる一種の貴金属を含む酸化物が好ましく、とくに、白金酸化物ＰｔＯｘが、分解温度が高いため、好ましい。
【００２５】
白金酸化物ＰｔＯｘは、他の貴金属酸化物に比べて、分解温度が高く、したがって、記録用のパワーに設定されたレーザビームを照射して、記録マークを形成する際に、レーザビームが照射された領域から、周囲の分解反応層に、熱が拡散しても、レーザビームが照射された領域以外の領域で、白金酸化物ＰｔＯｘの分解反応が生じることが防止されるから、分解反応層の所望の領域に、空洞を形成して、記録マークを形成することが可能になる。
【００２６】
また、高いパワーの再生用レーザビームが照射されて、データが再生される場合においても、白金酸化物ＰｔＯｘは、他の貴金属酸化物に比べて、分解温度が高いから、白金酸化物が白金と酸素に分解されるおそれがなく、したがって、繰り返し、光記録ディスクに記録されたデータを再生しても、記録マークの形状が変化することはなく、空洞が形成され、また、記録マークが形成された領域以外の領域に、新たに空洞が形成されることもないから、光記録ディスクの再生耐久性を向上させることが可能になる。
【００２７】
本発明において、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、良好な信号特性を有する再生信号を得るためには、白金酸化物の一般式ＰｔＯｘにおいて、ｘが０．５以上、４．０以下であることが好ましく、１．０以上、３未満であることがより好ましい。
【００２８】
本発明において、貴金属酸化物として、酸化銀ＡｇＯｙを用いる場合には、ｙが０．５以上、１．５以下であることが好ましく、０．５以上、１．０以下であることがより好ましい。
【００２９】
本発明において、好ましくは、白金酸化物が分解して、形成される白金の微粒子は、分解反応層に形成すべき空洞の大きさよりも小さい粒径を有しており、白金酸化物が分解して、形成される白金の微粒子が、通常、形成される空洞の大きさに比べて十分に小さい場合には、空洞内に析出した白金の微粒子によって、空洞の形状が悪影響を受け、記録マークの形状に、望ましくない変化が生じることを効果的に防止することが可能になる。
【００３０】
本発明において、光吸収層は、レーザビームの光入射面を介して、レーザビームが照射されたときに、レーザビームを吸収して、発熱するように構成されている。
【００３１】
レーザビームが照射されたときに、光吸収層がレーザビームを吸収して、発熱するように構成されている場合には、レーザビームが照射されたときに、分解反応層自身が発熱し難くても、光吸収層から伝達される熱によって、分解反応層に主成分として含まれている貴金属酸化物を貴金属と酸素に分解させることができ、したがって、分解反応層が容易に変形しやすくなるように、分解反応層を薄層化しても、また、分解反応層が、レーザビームの透過性の高い貴金属酸化物を含んでいても、光記録ディスクに、レーザビームを照射することにより、所望のように、貴金属酸化物を分解させて、記録マークを形成することが可能になる。
【００３２】
本発明において、光吸収層は、レーザビームの吸収率が高く、熱伝導率の低い材料を含んでいることが好ましく、ＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含んでいることが好ましい。
【００３３】
本発明において、光吸収層に含まれるＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金としては、（ＳｂａＴｅ１ーａ）１ーｂＭｂ、または｛（ＧｅＴｅ）ｃ（Ｓｂ２Ｔｅ３）１−ｃ｝ｄＸ１−ｄで表わされる組成を有するものがとくに好ましい。ここに、元素Ｍは、ＳｂおよびＴｅを除く元素を表わし、元素Ｘは、Ｓｂ、ＴｅおよびＧｅを除く元素を表す。
【００３４】
光吸収層に含まれるＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金が、（ＳｂａＴｅ１ーａ）１ーｂＭｂで表される組成を有するもののときは、ａおよびｂは、０≦ａ≦１、かつ、０≦ｂ≦０．２５であることが好ましい。ｂが０．２５を越えているときは、光の吸収係数が光吸収層に要求される値よりも低くなり、また、熱伝導性が光吸収層に要求される値よりも低くなり、好ましくない。
【００３５】
元素Ｍは、とくに限定されるものではないが、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｐ、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｎ、Ｏおよび希土類元素（Ｓｃ、Ｙおよびランタノイド）よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を主成分として含むことが好ましい。
【００３６】
一方、光吸収層に含まれるＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金が、｛（ＧｅＴｅ）ｃ（Ｓｂ２Ｔｅ３）１−ｃ｝ｄＸ１−ｄで表される組成を有するもののときは、１／３≦ｃ≦２／３、かつ、０．９≦ｄであることが好ましい。
【００３７】
元素Ｘは、とくに限定されるものではないが、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｐ、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｎ、Ｏおよび希土類元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を主成分として含むことが好ましい。
【００３８】
本発明においては、レーザビームが照射されて、分解反応層が、貴金属と酸素に分解し、空洞が形成される際に、誘電体層、中間層および光吸収層が変形することが好ましい。
【００３９】
誘電体層、中間層および光吸収層が変形した領域は、誘電体層、中間層および光吸収層が変形しない領域と、光学特性が異なるので、より良好な信号特性を有する再生信号を得ることができる。
【００４０】
本発明の前記目的はまた、レーザビームが照射されて、データが記録され、再生されるように構成された光記録ディスクであって、貴金属酸化物を主成分として含む分解反応層と、第二の誘電体層と、光吸収層と、中間層と、第三の誘電体層が、順に積層された積層体を含み、前記第三の誘電体層が硫黄を含む誘電体材料を主成分として含むとともに、前記中間層が硫黄を除く元素を主成分として含む誘電体材料、または前記第三の誘電体層に含まれる硫黄の含有量に比して少ない含有量の硫黄を含む誘電体材料を主成分として含んでいることを特徴とする光記録ディスクによって達成される。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によれば、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、これらの記録マークおよびブランク領域を含む記録マーク列により構成されたデータを記録し、再生することができ、記録容量を大幅に増大させることが可能になるとともに、再生耐久性を向上させることができる光記録ディスクを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
【００４３】
図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録ディスクの略斜視図であり、図２は、図１に示された光記録ディスクのトラックに沿った断面のうち、Ａで示される部分の略拡大断面図である。
【００４４】
図２に示されるように、本実施態様にかかる光記録ディスク１は、支持基板２を備え、支持基板２上に、反射層３と、第三の誘電体層４と、光吸収層５と、中間層６と、第二の誘電体層７と、分解反応層８と、第一の誘電体層９と、光透過層１０が、この順に、積層されている。
【００４５】
本実施態様においては、図１に示されるように、光記録ディスク１は、光透過層１０側から、レーザビームＬが照射されて、データが記録され、記録されたデータが再生されるように構成されている。レーザビームＬは、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有し、開口数ＮＡが０．７ないし０．９の対物レンズによって、光記録ディスク１に集光される。
【００４６】
支持基板２は、光記録ディスク１に求められる機械的強度を確保するための支持体として、機能する。
【００４７】
支持基板２を形成するための材料は、光記録ディスク１の支持体として機能することができれば、とくに限定されるものではない。支持基板２は、たとえば、ガラス、セラミックス、樹脂などによって、形成することができる。これらのうち、成形の容易性の観点から、樹脂が好ましく使用される。このような樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、オレフィン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、加工性、光学特性などの点から、ポリカーボネート樹脂、オレフィン樹脂がとくに好ましい。
【００４８】
支持基板２の厚さは、とくに限定されるものではないが、現行の光記録ディスクとの互換性の観点から、支持基板２は、１．０ｍｍないし１．２ｍｍの厚さを有するように形成されることが好ましく、約１．１ｍｍの厚さを有するように形成されることがより好ましい。
【００４９】
図２に示されるように、支持基板２の表面には、反射層３が形成される。
【００５０】
反射層３は、光透過層１０を介して、入射したレーザビームＬを反射し、再び、光透過層１０から出射させる役割を果たす。
【００５１】
反射層３を形成するための材料は、レーザビームＬを反射することができれば、とくに限定されるものではなく、反射層３は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を用いて、形成することができる。
【００５２】
反射層３の厚さは、とくに限定されるものではないが、反射層３は、５ｎｍないし２００ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。
【００５３】
図２に示されるように、光記録ディスク１の反射層３の表面上には、第三の誘電体層４が形成されている。
【００５４】
本実施態様においては、第三の誘電体層４は、支持基板２および反射層３を保護するとともに、その上に形成される光吸収層５を、物理的、化学的に保護する機能を有している。
【００５５】
第三の誘電体層４を形成するための誘電体材料は、とくに限定されるものではなく、たとえば、酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物、あるいは、これらの組み合わせを主成分とする誘電体材料によって、第三の誘電体層４を形成することができ、第三の誘電体層４は、好ましくは、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物によって形成される。第三の誘電体層４を形成するための誘電体材料としては、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物がとくに好ましく、ＺｎＳとＳｉＯ２のモル比が８０：２０であることが、さらに好ましい。
【００５６】
第三の誘電体層４は、たとえば、第三の誘電体層４の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、反射層３の表面上に形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
【００５７】
第三の誘電体層４の厚さは、とくに限定されるものではないが、１０ｎｍないし１４０ｎｍが好ましい。
【００５８】
図２に示されるように、光記録ディスク１の第三の誘電体層４の表面上には、光吸収層５が形成されている。
【００５９】
本実施態様において、光吸収層５は、光記録ディスク１に、記録パワーに設定されたレーザビームＬが照射されたときに、レーザビームＬを吸収して、発熱し、生成した熱を、後述する分解反応層８に伝達する機能を有している。
【００６０】
本実施態様においては、光吸収層５は、光の吸収係数が高く、熱伝導率の低いＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金によって形成されている。
【００６１】
光吸収層５に含まれるＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金としては、（ＳｂａＴｅ１ーａ）１ーｂＭｂ、または｛（ＧｅＴｅ）ｃ（Ｓｂ２Ｔｅ３）１−ｃ｝ｄＸ１−ｄで表わされる組成を有していることがとくに好ましい。ここに、元素Ｍは、ＳｂおよびＴｅを除く元素を表わし、元素Ｘは、Ｓｂ、ＴｅおよびＧｅを除く元素を表わす。
【００６２】
光吸収層５に含まれるＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金が、（ＳｂａＴｅ１ーａ）１ーｂＭｂで表される組成を有しているときは、ａおよびｂは、０≦ａ≦１、かつ、０≦ｂ≦０．２５であることが好ましい。ｂが０．２５を越えているときは、光の吸収係数が光吸収層５に要求される値よりも低くなり、また、熱伝導性が光吸収層５に要求される値よりも低くなり、好ましくない。
【００６３】
元素Ｍは、とくに限定されるものではないが、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｐ、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｎ、Ｏおよび希土類元素（Ｓｃ、Ｙおよびランタノイド）よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を主成分として含むことが好ましい。
【００６４】
一方、光吸収層５に含まれるＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金が、｛（ＧｅＴｅ）ｃ（Ｓｂ２Ｔｅ３）１−ｃ｝ｄＸ１−ｄで表わされる組成を有しているときは、１／３≦ｃ≦２／３、かつ、０．９≦ｄであることが好ましい。
【００６５】
元素Ｘは、とくに限定されるものではないが、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｐ、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｎ、Ｏおよび希土類元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を主成分として含むことが好ましい。
【００６６】
３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬを用いる場合には、元素Ｍとしては、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅおよび希土類元素よりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を主成分として含むことが、とくに好ましく、元素Ｘとしては、Ａｇ、Ｉｎおよび希土類元素よりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を主成分として含むことが、とくに好ましい。
【００６７】
光吸収層５は、光吸収層５の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、第三の誘電体層４の表面上に形成することができ、気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
【００６８】
光吸収層５は、５ｎｍないし１００ｎｍの厚さを有していることが好ましい。光吸収層５の厚さが、５ｎｍ未満である場合には、光吸収率が低すぎ、一方、光吸収層５の厚さが、１００ｎｍを越えると、後述のように、分解反応層８に空洞が形成される際に、光吸収層５が変形し難くなり、好ましくない。
【００６９】
図２に示されるように、光吸収層５の表面上には、中間層６が形成されている。
【００７０】
中間層６は、光記録ディスク１に、再生パワーに設定されたレーザビームＬが照射されたときに、光記録ディスク１に記録されたデータが劣化するのを防止する役割を果たす。
【００７１】
中間層６は、酸化物、窒化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物を主成分として含む誘電体材料、または、硫化物、あるいは、硫化物を含む複合物を主成分として含む誘電体材料によって、形成することができる。
【００７２】
本実施態様においては、中間層６が、硫化物を除く酸化物、窒化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物を主成分として含む誘電体材料によって形成される場合には、とくに規定はないが、中間層６が、硫化物、あるいは硫化物を含む複合物を主成分として含む誘電体材料によって形成される場合には、中間層６に含まれる硫黄の含有量が、第二の誘電体層７に含まれる硫黄の含有量に比べて、少なくなるように、形成される。
【００７３】
中間層６は、好ましくは、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｙよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物によって形成され、光学定数、熱伝導性、機械的性質などの観点から、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物によって、中間層６が形成されるのが、とくに好ましい。
【００７４】
中間層６の厚さは、とくに限定されるものではないが、中間層６は、２ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。
【００７５】
中間層６の厚さが、２ｎｍ未満である場合には、厚さが薄すぎて、連続膜として形成することが困難となり、一方、中間層６の厚さが、１５ｎｍを越えると、光記録ディスク１に記録されたデータを再生するときの再生特性が低下するといった不具合があり、好ましくない。
【００７６】
中間層６は、中間層６の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、光吸収層５の表面上に形成することができ、気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
【００７７】
図２に示されるように、中間層６の表面上には、第二の誘電体層７が形成されている。
【００７８】
本実施態様において、第二の誘電体層７は、後述する第一の誘電体層９とともに、後述する分解反応層８を、物理的、化学的に保護する機能を有している。
【００７９】
第二の誘電体層７を形成するための材料は、たとえば、酸化物、硫化物、窒化物またはこれらの組み合わせを主成分とする誘電体材料によって、第二の誘電体層７を形成することができ、第二の誘電体層７は、好ましくは、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む硫化物、あるいは、硫化物を主成分として含み、酸化物や窒化物、フッ化物を含む複合物によって形成される。
【００８０】
第二の誘電体層７は、第二の誘電体層７の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、光吸収層５の表面上に形成することができ、気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
【００８１】
第二の誘電体層７は、好ましくは、５ｎｍないし１００ｎｍの厚さを有するように形成される。
【００８２】
図２に示されるように、第二の誘電体層７の表面上には、分解反応層８が形成されている。
【００８３】
本実施態様においては、分解反応層８は、記録層の一部として用いられ、光記録ディスク１にデータが記録される際に、分解反応層８に、記録マークが形成される。
【００８４】
本実施態様において、分解反応層８は、白金酸化物ＰｔＯｘを主成分として含んでいる。
【００８５】
本実施態様において、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、高いＣ／Ｎ比を有する再生信号を得るためには、１．０≦ｘ＜３．０であることがより好ましい。
【００８６】
分解反応層８は、分解反応層８に主成分として含まれる構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、第二の誘電体層７の表面上に形成することができ、気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
【００８７】
分解反応層８は、２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有するように形成され、４ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有するように形成されるのが好ましく、この範囲内であれば、分解反応層８の厚さは格別限定されるものではない。
【００８８】
分解反応層８の厚さが薄すぎる場合には、分解反応層８を連続膜として形成できないことがあり、逆に、分解反応層８の厚さが厚すぎる場合には、分解反応層８が変形し難くなり、形成すべき記録マークの長さが短くなるほど、所望の形状の空洞が形成され難くなると考えられるので、これらを考慮すると、分解反応層の厚さは、２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有するのが、好ましく、４ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有するのが、より好ましい。
【００８９】
図２に示されるように、分解反応層８の表面上には、第一の誘電体層９が形成されている。
【００９０】
本実施態様において、第一の誘電体層９は、分解反応層８を物理的、化学的に保護する機能を有している。
【００９１】
第一の誘電体層９を形成するための材料はとくに限定されるものではないが、たとえば、第一の誘電体層９は、第三の誘電体層４と同様の材料を用いて形成することができる。また、第一の誘電体層９は、第三の誘電体層４と同様に、第一の誘電体層９の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって形成することができる。
【００９２】
図２に示されるように、第一の誘電体層９の表面上には、光透過層１０が形成されている。
【００９３】
光透過層１０は、レーザビームＬが透過する層であり、その表面は、レーザビームＬの入射面を形成している。
【００９４】
光透過層１０は、１０μｍないし２００μｍの厚さを有していることが好ましく、より好ましくは、光透過層１０は、５０μｍないし１５０μｍの厚さを有している。
【００９５】
光透過層１０を形成するための材料は、光学的に透明で、使用されるレーザビームＬの波長領域である３９０ｎｍないし４２０ｎｍでの光学吸収および反射が少なく、複屈折が小さい材料であれば、とくに限定されるものではなく、スピンコーティング法などによって、光透過層１０が形成される場合には、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂などが、光透過層１０を形成するために用いられ、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂などの活性エネルギー線硬化型樹脂が、光透過層１０を形成するために、とくに好ましく使用される。
【００９６】
光透過層１０は、第一の誘電体層９の表面に、光透過性樹脂によって形成されたシートを、接着剤を用いて、接着することによって、形成されてもよい。
【００９７】
光透過層１０の膜厚は、スピンコーティング法により、光透過層１０を形成する場合には、１０μｍないし２００μｍが好ましく、光透過性樹脂によって形成されたシートを、接着剤を用いて、第一の誘電体層９の表面に接着して、光透過層１０を形成する場合には５０μｍないし１５０μｍが好ましい。
【００９８】
以上のように構成された光記録ディスク１には、次のようにして、データが記録され、データが再生される。
【００９９】
図３（ａ）は、データが記録される前の光記録ディスク１の一部拡大略断面図であり、図３（ｂ）は、データが記録された後の光記録ディスク１の一部拡大略断面図である。
【０１００】
光記録ディスク１にデータを記録するに際しては、光透過層１０を介して、光記録ディスク１にレーザビームＬが照射される。
【０１０１】
本実施態様においては、データを高い記録密度で記録するため、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬを、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズによって、光記録ディスク１に集光するように構成されている。
【０１０２】
また、レーザビームＬのパワーは、４ｍＷより高く、１２ｍＷ以下に設定される。ここに、レーザビームＬのパワーは、光記録ディスク１の表面におけるレーザビームＬのパワーとして、定義される。
【０１０３】
記録用のパワーに設定されたレーザビームＬが、光記録ディスク１に照射されると、光吸収層５が光の吸収係数が高いＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金によって形成されているため、レーザビームＬが照射された光吸収層５の領域が加熱される。
【０１０４】
光吸収層５で生成された熱は、分解反応層８に伝達され、分解反応層８の温度が上昇する。
【０１０５】
分解反応層８に主成分として含まれる白金酸化物は、レーザビームＬに対する透過性が高いため、レーザビームＬが照射されても、分解反応層８自体は発熱し難く、分解反応層８の温度を、白金酸化物の分解温度以上に上昇させることは困難であるが、本実施態様においては、光の吸収係数が高いＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金によって形成された光吸収層５が設けられているから、光吸収層５が発熱し、光吸収層５で生成された熱が、分解反応層８に伝達され、分解反応層８の温度が上昇する。
【０１０６】
こうして、分解反応層８が、白金酸化物の分解温度以上に加熱され、分解反応層８に主成分として含まれている白金酸化物が、白金と酸素に分解される。
【０１０７】
その結果、図３（ｂ）に示されるように、白金酸化物が分解して、生成された酸素ガスによって、分解反応層８中に、空洞８ａが形成され、白金の微粒子８ｂが空洞８ａ内に析出する。
【０１０８】
同時に、図３（ｂ）に示されるように、酸素ガスの圧力によって、第二の誘電体層７とともに、分解反応層８が変形する。
【０１０９】
こうして、空洞８ａが形成され、第二の誘電体層７および分解反応層８が変形した領域は、他の領域とは異なる光学特性を有するため、空洞８ａが形成され、第二の誘電体層７および分解反応層８が変形した領域によって、記録マークが形成される。
【０１１０】
本実施態様においては、こうして形成される記録マークおよび隣り合った記録マーク間のブランク領域の中には、λ／４ＮＡよりも長さが短いものが含まれ、解像限界未満の記録マーク列が形成される。
【０１１１】
また、本実施態様においては、分解反応層８が、分解温度が高い白金酸化物を主成分として含んでいるから、記録用のパワーに設定されたレーザビームＬを照射して、記録マークを形成する際に、レーザビームＬが照射された領域から、熱が周囲の分解反応層８に拡散した場合にも、レーザビームが照射された領域以外の領域で、白金酸化物の分解反応が生じることが防止され、したがって、分解反応層８の所望の領域に、空洞８ａを形成して、記録マークを形成することが可能になる。
【０１１２】
さらに、本実施態様においては、白金酸化物が分解して、白金の微粒子８ｂが、空洞８ａ内に、析出して、記録マークが形成されるが、白金の微粒子８ｂの粒径は、分解反応層８に形成すべき空洞８ａの大きさよりも小さいから、空洞８ａ内に析出した白金の微粒子８ｂによって、空洞８ａの形状が悪影響を受け、記録マークの形状に、望ましくない変化が生じることを効果的に防止することが可能になる。
【０１１３】
こうして、光記録ディスク１にデータが記録され、光記録ディスク１に記録されたデータは、以下のようにして、再生される。
【０１１４】
光記録ディスク１に記録されたデータを再生するに際しては、まず、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬを、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズによって、光記録ディスク１に集光させる。
【０１１５】
本実施態様においては、データを再生するために光記録ディスク１に照射されるレーザビームＬのパワーは、通常よりも高く、１ｍＷないし４ｍＷに設定される。
【０１１６】
本発明者の研究によれば、こうして、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬを、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズを用いて、光透過層１０を介して、光記録ディスク１に集光することによって、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときにも、データが再生可能であることが見出されている。
【０１１７】
分解反応層８に主成分として含まれている白金酸化物が白金と酸素に分解され、生成された酸素ガスによって、分解反応層８内に空洞８ａが形成されるとともに、白金の微粒子８ｂが空洞８ａ内に析出し、分解反応層８に記録マークが形成されて、データが記録された場合に、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときでも、データを再生することができるという理由は必ずしも明らかではないが、空洞８ａ内に析出した白金の微粒子８ｂに、再生用のレーザビームＬが照射されることにより、近接場光が発生し、解像限界がなくなったためか、あるいは、空洞８ａ内に析出した白金の微粒子８ｂと照射されたレーザビームＬとの相互作用によって、解像限界が小さくなったためではないかと推測される。
【０１１８】
本実施態様においては、分解反応層８は、分解温度が高い白金酸化物を主成分として含んでいるから、高いパワーの再生用レーザビームが照射されて、データが再生される場合にも、白金酸化物が白金と酸素に分解されるおそれがなく、したがって、繰り返し、光記録ディスク１に記録されたデータを再生しても、記録マークの形状が変化することはなく、空洞８ａが形成され、また、記録マークが形成された領域以外の領域に、新たに空洞が形成されることもないから、光記録ディスク１の再生耐久性を向上させることが可能になる。
【０１１９】
また、本実施形態においては、光吸収層５と第二の誘電体層７との間に、硫黄を除く元素を主成分として含む誘電体材料、または、第二の誘電体層７に含まれる硫黄の含有量に比して少ない含有量の硫黄を含む誘電体材料を主成分とする中間層６が形成されており、本発明者の研究によれば、かかる構成を有する場合には、高いパワーの再生用レーザビームが繰り返し照射されて、複数回にわたって、データが再生される場合においても、光記録ディスク１に記録されたデータを再生したときの再生信号の信号特性が悪化するのを効果的に抑制することができるのが見出されている。
【０１２０】
硫黄を除く元素を主成分として含む誘電体材料、または、第二の誘電体層７に含まれる硫黄の含有量に比して少ない含有量の硫黄を含む誘電体材料を主成分とする中間層６を、光吸収層５と第二の誘電体層７の間に形成したときに、光記録ディスク１に記録されたデータを再生したときの再生信号の信号特性が悪化するのを抑制することができる理由は、必ずしも明らかではないが、かかる構成を有する中間層６を、光吸収層５と第二の誘電体層７との間に形成することにより、高いパワーの再生用レーザビームが照射されて、光吸収層５が加熱されたときにも、第二の誘電体層７に含まれる硫黄が、光吸収層５に含まれる元素と混合することがなく、その結果、光吸収層５の状態の変化が光学的特性に与える悪影響を排除することができたためではないかと推測される。
【０１２１】
したがって、本実施態様によれば、光記録ディスク１の再生耐久性をさらに向上させることが可能となる。
【０１２２】
図４は、本発明の別の好ましい実施態様にかかる光記録ディスクの略斜視図であり、図５は、図２に示された光記録ディスクのトラックに沿った断面のうち、Ｂで示される部分の略拡大断面図である。
【０１２３】
図５に示されるように、本実施態様にかかる光記録ディスク２０は、支持基板２を備え、支持基板２上に、反射層３と、第三の誘電体層４と、中間層１６と、光吸収層５と、第二の誘電体層７と、分解反応層８と、第一の誘電体層９と、光透過層１０が、この順に、積層されており、図１および図２に示された光記録ディスク１とは異なり、第三の誘電体層４と光吸収層５との間に、中間層１６が形成されている。
【０１２４】
中間層１６は、図２に示される中間層６と同様に、光記録ディスク２０に、再生パワーに設定されたレーザビームＬが照射されたときに、光記録ディスク２０に記録されたデータが劣化するのを防止する役割を果たす。
【０１２５】
中間層１６は、図２に示される中間層６と同様の誘電体材料によって、形成することができ、硫化物を除く酸化物、窒化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物を主成分として含む誘電体材料によって形成される場合には、とくに規定はないが、硫化物、あるいは硫化物を含む複合物を主成分として含む誘電体材料によって形成される場合には、中間層１６に含まれる硫黄の含有量が、第三の誘電体層４に含まれる硫黄の含有量に比べて、少なくなるように、形成される。
【０１２６】
中間層１６の厚さは、とくに限定されるものではないが、中間層１６は、２ｎｍ以上の厚さを有するように形成されることが好ましい。
【０１２７】
中間層１６の厚さが、２ｎｍ未満である場合には、厚さが薄すぎて、連続膜として形成することが困難となるため、好ましくない。
【０１２８】
中間層１６は、中間層１６の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、第三の誘電体層４の表面上に形成することができ、気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
【０１２９】
本発明者の研究によれば、硫黄を除く元素を主成分として含む誘電体材料、または、第三の誘電体層４に含まれる硫黄の含有量に比して少ない含有量の硫黄を含む誘電体材料を主成分とする中間層１６を、第三の誘電体層４と光吸収層５の間に形成した場合には、高いパワーの再生用レーザビームが繰り返し照射されて、複数回にわたって、データが再生される場合にも、光記録ディスク２０に記録されたデータを再生したときの再生信号の信号特性が悪化するのを効果的に抑制できることが見出されており、したがって、本実施態様によれば、光記録ディスク２０の再生耐久性を向上させることが可能となる。
【実施例】
【０１３０】
以下、本発明の効果をより明瞭なものとするため、実施例を掲げる。
【０１３１】
実施例１
１．１ｍｍの厚さと１２０ｍｍの直径を有するポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、ポリカーボネート基板上に、Ａｇ、ＰｄおよびＣｕを含み、２０ｎｍの厚さを有する反射層を、スパッタリング法により形成した。
【０１３２】
次いで、反射層の表面に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物をターゲットとして、スパッタリング法により、１００ｎｍの厚さを有する第三の誘電体層を形成した。ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物ターゲットとしては、ＺｎＳとＳｉＯ２のモル比が８０：２０のターゲットを使用した。
【０１３３】
次いで、第三の誘電体層の表面に、Ｓｂ、Ｔｅをターゲットとして、スパッタリング法により、２０ｎｍの厚さを有する光吸収層を形成した。光吸収層の組成は、原子比で、Ｓｂ７４Ｔｅ２６とした。
【０１３４】
次いで、光吸収層の表面に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物よりなるターゲットを用いて、スパッタリング法により、５ｎｍの厚さを有する中間層を形成した。ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物ターゲットとしては、ＺｎＳとＳｉＯ２のモル比が５０：５０のターゲットを使用した。
【０１３５】
次いで、中間層の表面に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物よりなるターゲットを用いて、スパッタリング法により、６０ｎｍの厚さを有する第二の誘電体層を形成した。ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物ターゲットとしては、ＺｎＳとＳｉＯ２のモル比が８０：２０のターゲットを使用した。
【０１３６】
次いで、第二の誘電体層の表面に、Ａｒガスと酸素ガスとの混合ガスをスパッタリングガスとして用い、Ｐｔターゲットを用いて、スパッタリング法により、白金酸化物を主成分として含み、４ｎｍの厚さを有する分解反応層を形成した。
【０１３７】
最後に、分解反応層の表面に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物よりなるターゲットを用いて、スパッタリング法により、９５ｎｍの厚さを有する第一の誘電体層を形成した。ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物ターゲットとしては、ＺｎＳとＳｉＯ２のモル比が８０：２０のターゲットを使用した。
【０１３８】
こうして、光記録ディスクサンプル＃１を作製した。
【０１３９】
次いで、中間層を形成せず、光吸収層の表面上に、第二の誘電体層を形成する点、および第一の誘電体層の厚さを７５ｎｍにする点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃１を作製した。
【０１４０】
次いで、光記録ディスクサンプル＃１を、パルステック工業株式会社製の光記録ディスク評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、波長が４０５ｎｍの青色レーザビームを、記録用レーザビームとして用い、開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いて、レーザビームを、第一の誘電体層を介して、集光し、解像限界である１２０ｎｍ未満の７５ｎｍの記録マークと、７５ｎｍのブランク領域との繰り返しからなる記録マーク列、および解像限界よりも長い３００ｎｍの記録マークと、３００ｎｍブランク領域との繰り返しからなる記録マーク列を、それぞれ、以下の条件で、光記録ディスクサンプル＃１の分解反応層に、形成した。ここに、記録パワーは５．０ｍＷに設定した。
【０１４１】
記録線速度：４．９ｍ／ｓ
記録方式：オングルーブ記録
記録マーク列の形成後、同じ光記録ディスク評価装置を用いて、光記録ディスクサンプル＃１に記録したデータを再生し、再生信号のＣ／Ｎ比を測定するととともに、再生パワーに設定されたレーザビームを記録マーク列に照射したときの反射率を測定した。ここに、レーザビームの再生パワーは２．０ｍＷに設定し、再生線速度は４．９ｍ／ｓに設定した。
【０１４２】
７５ｎｍの記録マーク列を形成して記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比の測定結果は、図６の曲線Ａに示されており、３００ｎｍの記録マーク列を形成して記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比の測定結果は、図７の曲線Ａに示されている。
【０１４３】
次いで、同じ光記録ディスク評価装置を用いて、光記録ディスクサンプル＃１に記録したデータを、１０００回まで繰り返し再生し、再生回数が１０００回のときの再生信号のＣ／Ｎ比および反射率を測定するとともに、測定した反射率をもとに、反射率の変化を算出した。ここに、反射率の変化は、光記録ディスクサンプル＃１に記録したデータを１回再生したときの反射率を１．０とした場合の記録したデータを１０００回再生したときの反射率と、記録したデータを１回再生したときの反射率との比によって、規定した。
【０１４４】
７５ｎｍの記録マーク列を形成して記録したデータを１０００回再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比の測定結果は、図６の曲線Ａに示されており、３００ｎｍの記録マーク列を形成して記録したデータを１０００回再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比の測定結果は、図７の曲線Ａに示されている。
【０１４５】
また、７５ｎｍの記録マーク列を形成して記録したデータを１０００回再生したときの反射率の変化は、図８の曲線Ａに示されており、３００ｎｍの記録マーク列を形成して記録したデータを１０００回再生したときの反射率の変化は、図９の曲線Ａに示されている。
【０１４６】
次いで、同じ光記録ディスク評価装置を用いて、光記録ディスクサンプル＃１の分解反応層に７５ｎｍの記録マーク列を形成して記録したデータを、１００００回まで繰り返し再生し、再生回数が、２０００回、４０００回、７０００回および１００００回のときの再生信号のＣ／Ｎ比および反射率を測定するとともに、反射率の変化を算出した。
【０１４７】
測定結果および算出結果は、それぞれ、図６の曲線Ａ、図７の曲線Ａに示されている。
【０１４８】
次いで、光記録ディスクサンプル＃１の分解反応層に３００ｎｍの記録マーク列を形成して記録したデータを、４０００回まで繰り返し再生し、再生回数が、２０００回および４０００回のときの再生信号のＣ／Ｎ比および反射率を測定するとともに、反射率の変化を算出した。
【０１４９】
測定結果および算出結果は、それぞれ、図８の曲線Ａ、図９の曲線Ａに示されている。
次いで、光記録ディスク比較サンプル＃１を、同じ光記録ディスク評価装置にセットし、光記録ディスクサンプル＃１と同様に、分解反応層に、７５ｎｍおよび３００ｎｍの記録マーク列を形成した。ここに、レーザビームの記録パワーは、５．０ｍＷに設定した。
【０１５０】
次いで、同じ光記録ディスク評価装置を用いて、光記録ディスクサンプル＃１の分解反応層に７５ｎｍの記録マーク列を形成して記録したデータを、１００００回まで繰り返し再生し、再生回数が、２０００回、４０００回、７０００回および１００００回のときの再生信号のＣ／Ｎ比および反射率を測定するとともに、反射率の変化を算出した。ここに、レーザビームの再生パワーは２．０ｍＷに設定し、再生線速度は４．９ｍ／ｓに設定した。
【０１５１】
測定結果および算出結果は、それぞれ、図６の曲線Ｂ、図７の曲線Ｂに示されている。
次いで、光記録ディスク比較サンプル＃１の分解反応層に３００ｎｍの記録マーク列を形成して記録したデータを、４０００回まで繰り返し再生し、再生回数が、２０００回および４０００回のときの再生信号のＣ／Ｎ比および反射率を測定するとともに、反射率の変化を算出した。
【０１５２】
測定結果および算出結果は、それぞれ、図８の曲線Ｂ、図９の曲線Ｂに示されている。
【０１５３】
図６から明らかなように、解像限界未満の記録マーク列を形成してデータを記録し、記録したデータを複数回にわたって繰り返し再生したときには、中間層が形成されていない光記録ディスク比較サンプル＃１が、再生回数が増加するのに伴って、再生信号のＣ／Ｎ比が低下していったのに対し、光吸収層と第二の誘電体層との間に、中間層を設けた光記録ディスクサンプル＃１においては、再生回数を増加させても、再生信号のＣ／Ｎがほとんど変化しないことが認められた。
【０１５４】
また、図８から明らかなように、分解反応層に形成した解像限界未満の記録マーク列に、再生用のレーザビームを複数回にわたって繰り返し照射したときには、光記録ディスクサンプル＃１においては、光記録ディスク比較サンプル＃１に比べて、反射率が低下する勾配が緩やかであり、高い再生耐久性を有することが認められた。
【０１５５】
さらに、図７および図９から明らかなように、解像限界より長い記録マーク列を形成してデータを記録し、記録したデータを複数回にわたって繰り返し再生したときには、光記録ディスクサンプル＃１においては、再生信号のＣ／Ｎ比が低下する勾配および反射率が低下する勾配がともに、光記録ディスク比較サンプル＃１に比べて、緩やかであり、解像限界より長い記録マークを形成して記録したデータを、複数回にわたって繰り返し再生したときにも、高い再生耐久性を有することが認められた。
【０１５６】
実施例２
１．１ｍｍの厚さと１２０ｍｍの直径を有するポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、ポリカーボネート基板上に、Ａｇ、ＰｄおよびＣｕを含み、４０ｎｍの厚さを有する反射層を、スパッタリング法により形成した。
【０１５７】
次いで、反射層の表面上に、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、第三の誘電体層および光吸収層を、順次、形成した。
【０１５８】
次いで、光吸収層の表面上に、Ａｌ２Ｏ３ターゲットを用いて、スパッタリング法により、５ｎｍの厚さを有する中間層を形成した。
【０１５９】
次いで、中間層の表面上に、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、第二の誘電体層および分解反応層を、順次、形成した。
【０１６０】
最後に、分解反応層の表面に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物よりなるターゲットを用いて、スパッタリング法により、９０ｎｍの厚さを有する第一の誘電体層を形成した。ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物ターゲットとしては、ＺｎＳとＳｉＯ２のモル比が８０：２０のターゲットを使用した。
【０１６１】
こうして、光記録ディスクサンプル＃２を作製した。
【０１６２】
次いで、以下のようにして、光記録ディスクサンプル＃３を作製した。
【０１６３】
光記録ディスクサンプル＃２と同様にして、ポリカーボネート基板上に、反射層および第三の誘電体層を、順次、形成した。
【０１６４】
次いで、第三の誘電体層の表面に、Ａｌ２Ｏ３ターゲットを用いて、スパッタリング法により、５ｎｍの厚さを有する中間層を形成した。
【０１６５】
次いで、中間層の表面上に、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光吸収層、第二の誘電体層および分解反応層を、順次、形成し、最後に、光記録ディスクサンプル＃２と同様にして、９０ｎｍの厚さを有する第一の誘電体層を形成した。
【０１６６】
こうして、光記録ディスサンプル＃３を作製した。
【０１６７】
次いで、光吸収層の表面上に、中間層を形成せず、第二の誘電体層を形成する点、および第一の誘電体層の厚さを７０ｎｍにする点を除き、光記録ディスクサンプル＃２と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃２を作製した。
【０１６８】
次いで、実施例１で用いた光記録ディスク評価装置と同じ光記録ディスク評価装置に、光記録ディスクサンプル＃２および＃３、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃２を、順次、セットし、実施例１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２および＃３、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃２の分解反応層に、７５ｎｍの記録マークと、７５ｎｍのブランク領域との繰り返しからなる記録マーク列、および３００ｎｍの記録マークと、３００ｎｍブランク領域との繰り返しからなる記録マーク列を、それぞれ、形成した。ここに、レーザビームの記録パワーは、７．０ｍＷに設定し、記録線速度は、４．９ｍ／ｓに設定した。
【０１６９】
次いで、同じ光記録ディスク評価装置を用いて、光記録ディスクサンプル＃２および＃３、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃２に記録したデータを、１００００回まで繰り返し再生し、再生回数が、１回、２０００回、４０００回、７０００回および１００００回のときの再生信号のＣ／Ｎ比および反射率を測定するとともに、反射率の変化を算出した。ここに、レーザビームの再生パワーは２．４ｍＷに設定し、再生線速度は４．９ｍ／ｓに設定した。
【０１７０】
光記録ディスクサンプル＃２および＃３、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃２の分解反応層に、７５ｎｍの記録マーク列を形成して記録したデータを１００００回再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比の測定結果は、それぞれ、図１０の曲線Ｃ、曲線Ｄ、曲線Ｅに示されており、光記録ディスクサンプル＃２および＃３、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃２の分解反応層に、３００ｎｍの記録マーク列を形成して記録したデータを１００００回再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比の測定結果は、それぞれ、図１１の曲線Ｃ、曲線Ｄ、曲線Ｅに示されている。
【０１７１】
また、光記録ディスクサンプル＃２および＃３、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃２の分解反応層に、７５ｎｍの記録マーク列を形成して記録したデータを１００００回再生したときの反射率の変化は、それぞれ、図１２の曲線Ｃ、曲線Ｄ、曲線Ｅに示されており、光記録ディスクサンプル＃２および＃３、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃２の分解反応層に、３００ｎｍの記録マーク列を形成して記録したデータを１００００回再生したときの反射率の変化は、それぞれ、図１３の曲線Ｃ、曲線Ｄ、曲線Ｅに示されている。
【０１７２】
図１０から明らかなように、解像限界未満の記録マーク列を形成してデータを記録し、記録したデータを複数回にわたって繰り返し再生したときには、中間層が形成されていない光記録ディスク比較サンプル＃２が、再生回数が２０００回を超えると、再生信号のＣ／Ｎ比が著しく低下したのに対し、光吸収層と第二の誘電体層との間に、中間層が形成された光記録ディスクサンプル＃２、および第三の誘電体層と光吸収層との間に、中間層が形成された光記録ディスクサンプル＃３においては、再生回数を増加させても、再生信号のＣ／Ｎがほとんど変化しないことが認められた。
【０１７３】
また、図１２から明らかなように、分解反応層に形成した解像限界未満の記録マーク列に、再生用のレーザビームを複数回にわたって繰り返し照射したときには、光記録ディスクサンプル＃２においては、反射率が低下する勾配が最も緩やかであり、最も高い再生耐久性を有することが認められ、また、光記録ディスクサンプル＃３においても、光記録ディスクサンプル＃２に次いで、反射率が低下する勾配が緩やかであり、高い再生耐久性を有することが認められた。
【０１７４】
また、図１１から明らかなように、解像限界より長い記録マーク列を形成してデータを記録し、記録したデータを複数回にわたって繰り返し再生したときには、光記録ディスク比較サンプル＃２が、再生回数が４０００回を超えると、再生信号のＣ／Ｎ比が低下していったのに対し、光記録ディスクサンプル＃２および＃３においては、再生信号のＣ／Ｎがほとんど変化しないことが認められた。しかしながら、光記録ディスクサンプル＃２および＃３においては、再生回数が１００００回未満のときには、光記録ディスク比較サンプル＃２に比べて、再生信号のＣ／Ｎ比が低いことも認められたが、いずれも、再生回数が増加しても、４０ｄＢ以上のＣ／Ｎ比を保持しているので、実際の使用環境で、光記録ディスクを繰り返し使用しても、問題となることはない。
【０１７５】
さらに、図１３から明らかなように、分解反応層に形成した解像限界よりも長い記録マーク列に、再生用のレーザビームを複数回にわたって繰り返し照射したときには、光記録ディスクサンプル＃２および＃３、ならびに、光記録ディスク比較サンプル＃２のいずれにおいても、再生回数が増加するのに伴って低下したが、再生回数が４０００回以上になったときには、光記録ディスクサンプル＃２および＃３においては、光記録ディスク比較サンプル＃２に比べて、反射率の変化が小さくなり、高い再生耐久性を有することが認められた。
【０１７６】
本発明は、以上の実施態様および実施例に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【０１７７】
たとえば、図１および図２に示される実施態様にかかる光記録ディスク１においては、光吸収層５と第二の誘電体層７との間に、中間層１６が形成され、図３よび図４に示される実施態様にかかる光記録ディスク２０においては、第三の誘電体層４と光吸収層５との間に、中間層１６が形成されているが、中間層は、光吸収層５と第２の誘電体層７との間、および第三の誘電体層４と光吸収層５との間の双方に、形成されてもよい。
【０１７８】
また、図１および図２に示される実施態様にかかる光記録ディスク１は、支持基板２を備え、支持基板２上に、反射層３と、第三の誘電体層４と、光吸収層５と、中間層６と、第二の誘電体層７と、分解反応層８と、第一の誘電体層９と、光透過層１０とが、この順に、積層され、光透過層１０の側から、レーザビームＬが照射されるように構成されているが、本発明は、これに限られるものではなく、たとえば、約０．６ｍｍの厚さを有する光透過性基板を備え、光透過性基板上に、第一の誘電体層９と、分解反応層８と、第二の誘電体層７と、中間層６と、光吸収層５と、第三の誘電体層４とが順に積層され、光透過性基板の側からレーザビームＬが照射されるように構成されたＤＶＤ型の光記録ディスクにも、適用することができる。
【０１７９】
また、図１および図２、ならびに図４および図５に示される実施態様にかかる光記録ディスク１、２０においては、レーザビームＬの光入射面から、分解反応層８と、第二の誘電体層７と、光吸収層５とが順に積層されているが、本発明は、これに限られるものではく、たとえば、レーザビームＬの光入射面の反対側から、分解反応層８と、第二の誘電体層７と、光吸収層５とが順に積層されてもよく、あるいは、レーザビームＬの光入射面から、光吸収層と、誘電体層と、分解反応層と、誘電体層と、光吸収層とが順に積層されてもよい。すなわち、本発明においては、光記録ディスクが、分解反応層と、光吸収層とが、少なくとも誘電体層を挟んで形成された積層体を有していればよい。
【図面の簡単な説明】
【０１８０】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録ディスクの略断面図である。
【図２】図２は、図１のＡで示された部分の略拡大断面図である。
【図３】図３（ａ）は、データが記録される前の光記録ディスクの一部拡大略断面図であり、図３（ｂ）は、データが記録された後の光記録ディスクの一部拡大略断面図である。
【図４】図４は、本発明の別の好ましい実施態様にかかる光記録ディスクの略断面図である。
【図５】図５は、図４のＢで示された部分の拡大断面図である。
【図６】図６は、光記録ディスクサンプル＃１および光記録ディスク比較サンプル＃１につき、解像限界未満の記録マークを形成して記録したデータを再生したときの再生回数と再生信号のＣ／Ｎ比との関係を示すグラフである。
【図７】図７は、光記録ディスクサンプル＃１および光記録ディスク比較サンプル＃１につき、解像限界より長い記録マークを形成して記録したデータを再生したときの再生回数と再生信号のＣ／Ｎ比との関係を示すグラフである。
【図８】図８は、光記録ディスクサンプル＃１および光記録ディスク比較サンプル＃１につき、解像限界未満の記録マークを形成して記録したデータを再生したときの再生回数と反射率の変化との関係を示すグラフである。
【図９】図９は、光記録ディスクサンプル＃１および光記録ディスク比較サンプル＃１につき、解像限界より長い記録マークを形成して記録したデータを再生したときの再生回数と反射率の変化との関係を示すグラフである。
【図１０】図１０は、光記録ディスクサンプル＃２および＃３、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃２につき、解像限界未満の記録マークを形成して記録したデータを再生したときの再生回数と再生信号のＣ／Ｎ比との関係を示すグラフである。
【図１１】図１１は、光記録ディスクサンプル＃２および＃３、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃２につき、解像限界より長い記録マークを形成して記録したデータを再生したときの再生回数と再生信号のＣ／Ｎ比との関係を示すグラフである。
【図１２】図１２は、光記録ディスクサンプル＃２および＃３、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃２につき、解像限界未満の記録マークを形成して記録したデータを再生したときの再生回数と反射率の変化との関係を示すグラフである。
【図１３】図１３は、光記録ディスクサンプル＃２および＃３、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃２につき、解像限界より長い記録マークを形成して記録したデータを再生したときの再生回数と反射率の変化との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１８１】
１  光記録ディスク
２  支持基板
３  反射層
４  第三の誘電体層
５  光吸収層
６  中間層
７  第二の誘電体層
８  分解反応層
９  第一の誘電体層
１０  光透過層
１６  中間層
２０  光記録ディスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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