(57)【要約】【課題】  計算効率がよい半導体プロセスのシミュレーション方法を実現すること。【解決手段】  Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎと（Ｔnf＋Ｔint）×ｎとの大小を判断するステップＳ１と、ステップＳ１において、Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎ＜（Ｔnf＋Ｔint）×ｎの場合には、前記途中経過計算結果の保存を行うステップＳ３と、ステップＳ１において、Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎ＞（Ｔnf＋Ｔint）×ｎの場合には、前記途中経過計算結果の保存を行わないステップとを有する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
最終的な結果を取得するために使用される途中経過計算結果を取得するステップと、前記途中経過計算結果から前記最終的な結果を取得するステップとを含む半導体プロセスのシミュレーション方法であって、
前記途中経過計算結果を取得するために必要な計算コストをＴnf、
前記途中経過計算結果の記憶装置への保存および記憶装置からの読出しに必要なコストをＴmemo、
前記途中経過計算結果から前記最終的な結果を取得するための計算に必要な計算コストをＴint、
必要な計算回数をｎ回とし、該ｎ回の計算において前記途中経過計算結果がｎ回とも同一の結果となる場合において、
Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎと（Ｔnf＋Ｔint）×ｎとの大小関係を判断するステップと、
前記大小関係を判断するステップにおいて、Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎ＜（Ｔnf＋Ｔint）×ｎの場合、前記途中経過計算結果を前記記憶装置に保存するステップと、
前記大小関係を判断するステップにおいて、Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎ＞（Ｔnf＋Ｔint）×ｎの場合、前記途中経過計算結果を前記記憶措置に保存しないステップと
を有することを特徴とする半導体プロセスのシミュレーション方法。
【請求項２】
前記大小関係を判断するステップにおいて、Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎ＜（Ｔnf＋Ｔint）×ｎの場合、１回目の計算で取得した途中経過計算結果を前記記憶装置に保存し、２回目以降の最終的な結果を取得するための計算において、前記記憶装置に保存された途中経過計算結果を利用し、
前記大小関係を判断するステップにおいて、Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎ＞（Ｔnf＋Ｔint）×ｎの場合、ｎ回の計算の各々において前記途中経過計算結果を取得することを特徴とする請求項１に記載の半導体プロセスのシミュレーション方法。
【請求項３】
前記Ｔnf、前記Ｔmemoおよび前記Ｔintは、それぞれ、前記途中経過計算結果を取得するために必要な計算に要する時間、前記途中経過計算結果の記憶装置への保存および記憶装置からの読出しに要する時間、前記途中経過計算結果から前記最終的な結果を取得するための計算に要する時間に基づいて見積もったコストであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体プロセスのシミュレーション方法。
【請求項４】
前記時間は、予め測定した値であることを特徴とする請求項３に記載の半導体プロセスのシミュレーション方法。
【請求項５】
前記Ｔint、前記Ｔnfおよび前記Ｔmemoは、マスク直下の電磁場分布を偏微分方程式の解として求めるときに用いるメッシュのサイズから予測した計算時間から見積もったコストであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体プロセスのシミュレーション方法。
【請求項６】
前記半導体プロセスはリソグラフィプロセスであり、前記Ｔnfは、マスク直下の電磁場分布を偏微分方程式の解として求める場合に、前記電磁場分布を光の位相および振幅の分布として得るために必要な計算コストであることを特徴とする請求項５に記載の半導体プロセスのシミュレーション方法。
【請求項７】
前記半導体プロセスはリソグラフィプロセスであり、前記ｎ回の計算においてｎ個のフォーカス値が全て異なることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体プロセスのシミュレーション方法。
【請求項８】
前記半導体プロセスはリソグラフィプロセスであり、前記途中経過計算結果から最終的な結果を取得するための計算は、ウェハ上の光強度分布からレジスト形状を得るための計算であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体プロセスのシミュレーション方法。
【請求項９】
最終的な結果を取得するために使用される途中経過計算結果を取得するステップと、前記途中経過計算結果から前記最終的な結果を取得するステップとを含む半導体プロセスのシミュレーション方法を入力させる手順であって、
前記途中経過計算結果を取得するために必要な計算コストをＴnf、
前記途中経過計算結果の記憶装置への保存および記憶装置からの読出しに必要なコストをＴmemo、
前記途中経過計算結果から前記最終的な結果を取得するための計算を行うの必要な計算コストをＴint、
必要な計算回数をｎ回とし、該ｎ回の計算において前記途中経過計算結果がｎ回とも同一の結果となる場合において、
Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎと（Ｔnf＋Ｔint）×ｎとの大小関係を判断させる手順と、
前記大小関係を判断するステップにおいて、Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎ＜（Ｔnf＋Ｔint）×ｎの場合には、前記途中経過計算結果を前記記憶装置に保存させる手順と、
前記大小関係を判断するステップにおいて、Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎ＞（Ｔnf＋Ｔint）×ｎの場合には、前記途中経過計算結果を前記記憶措置に保存させない手順とを実行させるためのプログラム。
【請求項１０】
前記大小関係を判断するステップにおいて、Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎ＜（Ｔnf＋Ｔint）×ｎの場合、１回目の計算で取得した途中経過計算結果を前記記憶装置に保存し、２回目以降の最終的な結果を取得するための計算において、前記記憶装置に保存された途中経過計算結果を利用し、
前記大小関係を判断するステップにおいて、Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎ＞（Ｔnf＋Ｔint）×ｎの場合、ｎ回の計算の各々において前記途中経過計算結果を取得することを特徴とする請求項９に記載のプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィプロセスシなどの半導体プロセスのシミュレーション方法および該シミュレーション方法の実施に供されるプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体プロセスのシミュレーション方法の一つとして、リソグラフィプロセスのシミュレーション方法がある。このシミュレーション方法では、例えば、マスクの立体構造を考慮した像計算ツールが使用される。
【０００３】
この種の像計算ツールにおいては、マスク直下の電場分布を求めるための計算が行われ、それを元にウェハ上の空間像結像あるいはそれに引き続くレジストパターンを求めるための計算が行われる。上記一連の計算は、異なる計算条件で複数回行われる。
【０００４】
ここで、マスク直下の電場分布は、ウェハ上の空間像等を求めるための中間情報（途中経過計算結果）としてしか利用されず、空間像等の計算の保存の後には破棄される。したがって、マスク直下の電場分布計算は、異なる計算条件毎に行われる。
【０００５】
その結果、例えば、ある立体構造を持つマスクを用いて空間像の計算を行い、その後、フォーカスのみを変更して他の条件は変更せずにシミュレーションを行う場合、マスク直下の電場分布は同一であるにも関わらず、各フォーカス条件毎に、マスク直下の電場分布を計算するという手間が生じる。
【０００６】
マスク直下の電場分布の計算は、例えばＦＤＴＤ法で行われる（例えば、特許文献１）。この方法は、偏微分方程式（マクスウェル方程式）を空間時間で細かく分割したメッシュ毎に解く。そのため、精度よいシミュレーションを行うためには、長い計算時間を要し、その結果として、計算コストが高くなってしまう。
【０００７】
一方、上記マスク直下の電場分布を、ウェハ上の空間像計算を行うための途中経過計算結果として保存する機能を有するシミュレーションツールも存在する。この種のシミュレーションツールでは、計算条件（計算回数）にかかわりなく、常に途中経過計算結果が保存される。
【０００８】
その結果、記憶装置の記憶容量が途中経過計算結果によって無駄に占有されるため、大容量の記憶装置が必要となり、その結果として、計算コストが高くなってしまう。
【０００９】
また、途中経過計算結果を得るために要する計算時間がそれほどかからない場合、途中経過計算結果の保存／読出し時間の方が長くかかり、シミュレーションに要する時間が長くなってしまう。
【特許文献１】特開平１１−３２７１２０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述の如く、従来のリソグラフィプロセスのシミュレーション方法は、異なる計算条件毎に途中経過計算結果を求めたり、あるいは計算条件にかかわりなく常に途中経過計算結果を保存するため、計算コストが高くなったり、あるいはシミュレーションに要する時間（計算時間）が長くなるという問題がある。
【００１１】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、計算効率がよい半導体プロセスのシミュレーション方法およびプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１３】
すなわち、上記目的を達成するために、本発明に係る半導体プロセスのシミュレーション方法は、最終的な結果を得るために使用される途中経過計算結果を取得するステップと、前記途中経過計算結果から最終的な結果を取得するための計算を行うステップとを含む半導体プロセスのシミュレーション方法であって、前記途中経過計算を取得するために必要なコストをＴnf、前記途中経過計算結果の記憶装置への保存および記憶装置からの読出しに必要なコストをＴmemo、前記途中経過計算結果から最終的な結果を取得するための計算を行うの必要なコストＴint、必要な計算回数をｎ回とし、該ｎ回の計算において前記途中経過計算結果がｎ回とも同一の結果となる場合において、Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎと（Ｔnf＋Ｔint）×ｎとの大小関係を判断するステップと、前記大小関係を判断するステップにおいて、Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎ＜（Ｔnf＋Ｔint）×ｎの場合には、前記途中経過計算結果を前記記憶装置に保存するステップと、前記大小関係を判断するステップにおいて、Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎ＞（Ｔnf＋Ｔint）×ｎの場合には、前記途中経過計算結果を前記記憶措置に保存しないステップとを有することを特徴とする。
【００１４】
本発明に係るプログラムは、コンピュータに、最終的な結果を得るために使用される途中経過計算結果を取得するステップと、前記途中経過計算結果から最終的な結果を取得するための計算を行うステップとを含む半導体プロセスのシミュレーション方法を入力させる手順であって、前記途中経過計算を取得するために必要なコストをＴnf、前記途中経過計算結果の記憶装置への保存および記憶装置からの読出しに必要なコストをＴmemo、前記途中経過計算結果から最終的な結果を取得するための計算を行うの必要なコストＴint、必要な計算回数をｎ回とし、該ｎ回の計算において前記途中経過計算結果がｎ回とも同一の結果となる場合において、Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎと（Ｔnf＋Ｔint）×ｎとの大小関係を判断させる手順と、前記大小関係を判断するステップにおいて、Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎ＜（Ｔnf＋Ｔint）×ｎの場合には、前記途中経過計算結果を前記記憶装置に保存させる手順と、前記大小関係を判断するステップにおいて、Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎ＞（Ｔnf＋Ｔint）×ｎの場合には、前記途中経過計算結果を前記記憶措置に保存させない手順とを実行させることを特徴とする。
【００１５】
本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明らかになるであろう。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、計算効率がよい半導体プロセスのシミュレーション方法およびプログラムを実現できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【００１８】
ウェハ上の空間像結像等の空間像シミュレーションの最終的な結果を得るためにかかるコストを、
（最終的な結果を得るために使用される途中経過計算結果を取得するために必要な計算コスト）＋
（途中経過計算結果から最終的な結果を取得するために必要な計算コスト）
と分割できる場合、計算条件数（計算回数）がｎ回であるときは、トータルの計算コストは、
｛（最終的な結果を得るために使用される途中経過計算結果を取得するために必要な計算コスト）＋
（途中経過計算結果から最終的な結果を取得するために必要な計算コスト）｝×ｎ  …(1)
とあらわせる。
【００１９】
ここで、最終的な結果を得るために使用される途中経過計算結果がｎ回すべての計算条件で不変の場合、１回目のシミュレーションの最終的な結果とともに、途中経過計算結果を記憶装置に保存することにより、残りの（ｎ−１）回の計算を行う際に記憶装置に保存した途中経過計算結果の再利用が可能となる。そのため、途中経過計算結果を保存・再利用する場合、上記と同様のトータルの計算コストは、
（最終的な結果を得るために使用される途中経過計算結果を取得するために必要な計算コスト）＋
（途中経過計算結果の記憶装置への記憶および記憶装置からの読出しに必要な計算コスト）＋
（途中経過計算結果から最終的な結果を取得するための計算を行うのに必要な計算コスト）×ｎ  …(2)
であらわすことができる。
【００２０】
最終的な結果を得るために使用される途中経過計算結果を取得するために必要な計算コストをＴnf、途中経過計算結果から最終的な結果を取得するために必要な計算コストをＴint、途中経過計算結果の記憶装置への記憶および記憶装置からの読出しに必要な計算コストをＴmemoとしたとき、前出の式（１）および式（２）で表されるトータルの計算コストをグラフにすると、例えば図１のように変化する。図１において、横軸は計算条件数（計算回数）ｎ、縦軸はトータルの計算コストを表す。
【００２１】
図１から、計算条件数（計算回数）が４回以下のときには、計算を行う都度、途中経過計算の結果を破棄し、途中経過計算を再度行う方がトータルの計算コストが少なく、５回以上のときには、１回目の計算時に途中経過計算を保存（記憶）し、２回目以降の計算時には途中経過計算を再度利用する方が、トータルの計算コストが少なくなることが分かる。
【００２２】
ここで示したＴnf、Ｔint、Ｔmemoおよびｎは、シミュレーションの内容、条件により毎回異なる。
【００２３】
図２に、式（１）、式（２）の大小関係を比較判断するステップＳ１（計算プロセス）を含む、本実施形態のシミュレーションのフローチャートを示す。
【００２４】
まず、途中経過計算結果を各計算毎に破棄する場合のトータルの計算コストと、途中経過計算結果を保存する場合のトータルの計算コストとの大小関係が判断される（ステップＳ１）。
【００２５】
その結果、途中経過計算結果を保存する場合の方が、トータルの計算コストが少ない場合には、ステップＳ２に進み、途中経過計算が行われる。
【００２６】
次に、ステップＳ２にて得られた途中経過計算結果を保存する（ステップＳ３）。途中経過計算結果は、記憶装置に保存（記憶）される。この記憶装置は、例えば、半導体メモリ、ハードディスクまたはこれらの両方で構成されたものである。
【００２７】
次に、記憶装置に保存された途中経過計算結果が読み出され、該途中経過計算結果およびｉ番目（ｉ＝1, …, n）の条件に基づいて、ｉ番目最終結果（ｉ番目の空間像シミュレーション結果）を求めるための計算が行われる（ステップＳ４）。
【００２８】
次に、ステップＳ４にて取得されたｉ番目最終結果が記憶装置に保存される（ステップＳ５）。この記憶装置は、ステップＳ３で使用された記憶装置と同じもの、あるいは異なるものでも構わない。
【００２９】
次に、計算条件数（計算回数）ｉが所定の回数ｎに達した否かが判断される（ステップＳ６）。
【００３０】
その結果、計算条件数（計算回数）ｉが所定の回数ｎに達していない場合には、ｉ→ｉ＋１に更新され（ステップＳ７）、所定の回数ｎに達するまで、ステップＳ４−Ｓ７が繰り返される。
【００３１】
一方、計算条件数（計算回数）ｉが所定の回数ｎに達した場合には、ｎ個の空間像シミュレーション結果が合成されて、空間像が得られる（ステップＳ８）。
【００３２】
ステップＳ１に戻って、途中経過計算結果を各計算毎に破棄する場合の方が、トータルの計算コストが少ない場合には、ステップＳ９に進み、途中経過計算が行われる。ステップＳ９では、ステップＳ４とは異なり、途中経過計算結果は記憶装置には保存されない。ただし、バッファ等により、一時的には保持される。
【００３３】
次に、一時的に保存された途中経過計算結果およびｉ番目の条件に基づいて、ｉ番目最終結果を求めるための計算が行われる（ステップＳ１０）。この計算の終了後、上記一時的に保存された途中経過計算結果は破棄される。
【００３４】
次に、ステップＳ１０にて取得されたｉ番目最終結果（ｉ番目の空間像シミュレーション結果）が記憶装置に保存される（ステップＳ１１）。この記憶装置は、ステップＳ３またはＳ５で使用された記憶装置と同じもの、あるいは異なるものでも構わない。
【００３５】
次に、計算条件数（計算回数）ｉが所定の回数ｎに達した否かが判断される（ステップＳ１２）。
【００３６】
その結果、計算条件数（計算回数）ｉが所定の回数ｎに達していない場合には、ｉ→ｉ＋１に更新され（ステップＳ１３）、所定の回数ｎに達するまで、ステップＳ９−Ｓ１２が繰り返される。
【００３７】
一方、計算条件数（計算回数）ｉが所定の回数ｎに達した場合には、ｎ個の空間像シミュレーション結果が合成されて、空間像が得られる（ステップＳ８）。
【００３８】
本実施形態のように、式（１）、式（２）の大小を比較判断するステップＳ１（計算プロセス）を含むシミュレーションを行うことで、予めあるＴnf、Ｔint、Ｔmemoおよびｎの条件から、トータルの計算コストが最少で済むように、途中経過計算結果を保存／再利用するか、あるいは計算条件毎に計算するかを選択できるので、計算効率（計算コスト、計算時間）を上げることができる。
【００３９】
なお、ステップＳ１は、途中経過計算結果の保存を行うステップＳ３の前であればよく、図２に示した個所に限定されるものではない。
【００４０】
以下、レベンソン型位相シフトマスクの立体構造を考慮したリソグラフィシミュレーションを例にとってさらに説明する。
【００４１】
この場合、Ｔnfはマスク直下電場分布を求めるための計算にかかる時間、Ｔintはマスク直下電場分布からウェハ上の空間像を求めるための計算にかかる時間、そして、Ｔmemoはマスク直下電場分布の記憶装置への保存（書込み）および読出に必要な時間に基づいて見積もったコストである。上記各時間は、例えば、予め測定したものである。マスク直下電場分布を求めるための計算はＦＤＴＤ法を用いて行われる。
【００４２】
まず、Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎ＜（Ｔnf＋Ｔint）×ｎの判断がなされる（ステップＳ１）。すなわち、途中経過計算結果を毎回破棄／再計算する場合と、１回目の計算時に途中経過計算結果を保存し、２回目以降の計算時に途中経過計算結果を再利用する場合とで比較すると、どちらの場合の方がトータルの計算コストが少ないかが判断される。
【００４３】
例えば、図１の関係のもとでは、計算すべきフォーカス位置の個数が４以下の場合は途中経過計算の結果を各フォーカス位置毎に計算する方が、また計算すべきフォーカス位置の個数が５以上の場合には、途中経過計算結果を１回目の計算時に保存し、２回目以降の計算では予め保存してある途中経過計算結果を再利用する方が、それぞれトータルの計算コストが少なくて済むと判断される。
【００４４】
なお、図１では、途中経過計算の保存／破棄を判断するための分岐点が、計算回数４回、５回の間にあるが、この回数は計算条件やＴint、Ｔnf、Ｔmemoの大きさにより異なるものであり、分岐点となる計算回数を限定するものではない。
【００４５】
Ｔnf＋Ｔmemo＋Ｔint×ｎ＝（Ｔnf＋Ｔint）×ｎの場合には、途中経過計算結果を破棄する計算プロセスおよび再利用する計算プロセスのどちらを採用しても構わない。
【００４６】
フォーカス位置のみを変えて空間像計算をする場合、フォーカス位置によらずマスク直下電場分布の結果（途中計算結果）は不変となるので、ステップＳ２−Ｓ８が行われる。
【００４７】
図３に、本実施形態のシミュレーション装置のブロック図を示す。図３において、１は途中経過計算結果を取得するための計算を行う計算部（途中経過計算部）、２は途中経過計算結果およびｉ番目の条件に基づいて、ｉ番目最終結果を求めるための計算を行う計算部（ｉ番目最終結果計算部）、３はｉ番目最終結果、または途中経過計算結果およびｉ番目最終結果が保存される記憶装置、そして、４は空間像を取得するために記憶装置から読み出された１番目からｎ番目のｎ個の最終結果を合成するための結果合成部を示している。
【００４８】
記憶装置３は、半導体メモリ、ハードディスク、またはこれらの両方で構成された、シミュレーション装置内のものの以外に、例えば、外部の記憶装置、ＬＡＮでつながった場所にある記憶装置、あるいはインターネット上に存在する記憶装置であっても構わない。
【００４９】
ステップＳ１でＹｅｓの場合、一点破線で示されるように、途中経過計算部１にて取得された途中経過計算結果は、記憶装置３に保存されるとともに、ｉ番目最終結果を求めるときに、記憶装置３から読み出される。
【００５０】
一方、ステップＳ１でＮｏの場合、途中経過計算部１にて取得された途中経過計算結果は、破線で示されるように、ｉ番目最終結果計算部２に入力される。途中経過計算結果は、ｉ番目最終結果計算部２での計算の終了後に破棄され、記憶装置３には保存されない。
【００５１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、リソグラフィプロセスにおける空間像計算を目的とする最終計算としたが、これに限定するものではなく、例えばこの空間像分布を加工してレジスト形状を求めることが目的とする最終計算であってもよい。レジスト形状の計算は、例えば、ＣＥＬＬ−ＲＥＭＯＶＡＬ法により行う。ＣＥＬＬ−ＲＥＭＯＶＡＬ法が開示された公知文献としては、例えば、
著者
W. Henke, D. Mewes, M. Wei, G. Czech and R. Schiel-Hoyler 
論文名
A study of reticle defects imaged into three-dimensional developed profiles of positive photoresist using the SOLID lithography simulator 
出典雑誌
Microelectronic Engineering Volume 14, Issues 3-4 , September 1991, Pages 283-297
がある。
【００５２】
また、上記実施形態では、本発明をリソグラフィプロセスのシミュレーションに適用した場合について説明したが、本発明はその他の半導体プロセスのシミュレーション方法にも適用できる。例えば、ゲート工程のポリシリコン膜の加工プロセスのシミュレーション方法にも適用できる。
【００５３】
また、上記実施形態では、Ｔint、Ｔnf、Ｔmemoとして、予め測定した計算時間から見積もったコストを用いたが、マスク直下の電場分布を偏微分方程式の解（電場の位相および振幅）として求めるときに用いるメッシュのサイズから予測した計算時間から見積もったコストを用いてもよい。
【００５４】
また、上記実施形態の半導体プロセスのシミュレーション方法は、コンピュータに所定の手段を実行させるための（あるいはコンピュータを所定の手段として機能させるための、あるいはコンピュータに所定の機能を実現させるための）プログラムとして実施することもできる。この場合、上述したステップがソフトウエアで行われる。
【００５５】
また、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００５６】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】トータルの計算コストの計算回数依存性を示す図。
【図２】実施形態のシミュレーション方法を示すフローチャート
【図３】実施形態のシミュレーション装置を示すブロック図
【符号の説明】
【００５８】
１…途中経過計算部、２…ｉ番目最終結果計算部、３…記憶装置、４…結果合成部。
【図１】
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【図２】
2005108882.tif 000004
【図３】
2005108882.tif 000005