(57)【要約】【課題】励振機能部周りに中空の閉空間を設けたウェハレベルＣＳＰ（Chip Size Package）構造の弾性表面波装置において、プリント基板を設けることなく再配線における引き回し自由度を確保し、且つ、振動空間を容易に構築可能な弾性表面波装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  圧電基板２１の一方の主面上に励振機能部２２とパッド電極部２３とを有する弾性表面波フィルタが形成されており、パッド電極部２３を除く領域上に形成される第１の絶縁層２４と、パッド電極部２３を含み、第１の絶縁層２４の上に形成される電気的導通可能な配線パターン２５と、配線パターン２５の上に形成される第２の絶縁層２６と、第２の絶縁層２６の上に形成される外部電極２７と、第２の絶縁層２６に埋設され配線パターン２５と外部電極２７とを電気的導通可能に接続する柱状電極２８とを備えて構成する。【選択図】    図１
2005033689.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の一方の主面に振動伝搬電極を含む励振機能部と該励振機能部からリードラインにより引き出されたパッド電極部とを形成した弾性表面波素子と、
前記弾性表面波素子の主面上の前記励振機能部周りを中空とすると共に前記パッド電極部上を除く領域を覆うように形成した第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上および前記パッド電極部上を領域として信号別に区分しつつ前記弾性表面波素子平面の縁周近傍に導出するよう形成された配線パターンと、
前記区分した信号別の配線パターン毎に配置された柱状電極と、
前記柱状電極の先端を露出させて充填した第２の絶縁層と
前記第２の絶縁層上にて前記柱状電極に接続させて形成した外部電極とを備えたことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】
前記励振機能部の中空は、前記第１の絶縁層と前記配線パターンとの二重層によりほぼ覆われて形成したことを特徴とする前記請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項３】
前記第１の絶縁層がＳｉＯ２を成分に含み常温領域にてガラス化された金属酸化物ガラスであることを特徴とする前記請求項１または２に記載の弾性表面波装置。
【請求項４】
圧電基板の一方の主面に振動伝搬電極を含む励振機能部と該励振機能部からリードラインにより引き出されたパッド電極部とを形成する工程と、
前記励振機能部を覆うようにレジスト膜を形成する工程と、
当該圧電基板の一方の主面全体に第１の絶縁層を形成する工程と、
前記レジスト膜の少なくとも一端と前記パッド電極上を除く領域をマスクして前記第１の絶縁層を除去する工程と、
前記マスクおよび前記レジスト膜を剥離する工程と、
当該圧電基板の一方の主面全体に金属層を形成する工程と、
前記レジスト膜の少なくとも一端と前記パッド電極上を含む領域を信号別に区分しつつ当該圧電基板の一方の主面の縁周近傍に導出するようマスクして前記金属層を除去することで配線パターンを形成する工程と、
前記区分した信号別の配線パターン毎に柱状電極を配設する工程と、
封止部材を充填し前記柱状電極の先端を露出するよう第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層上にて前記柱状電極に接続させた外部電極を形成する工程とを備えることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項５】
前記請求項４に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
一つのウェハ上にて各工程を行った後に個片に分割することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電基板の表面に電極を形成してなる弾性表面波装置に関し、特に、励振機能部周りに中空の閉空間を設けたウェハレベルＣＳＰ（Chip Size Package）構造の弾性表面波装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波装置として代表される弾性表面波フィルタは、通信分野で広く利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有することから、特に携帯電話機等の移動体通信機器に多く用いられている。例えば、携帯電話機のＲＦ部に用いられるフィルタの１つとして、１次と３次の縦モードを利用した広帯域の縦結合ダブルモード弾性表面波フィルタ（以下、縦結合ＤＭＳフィルタと称す）がある。中でも、急峻な減衰傾度及び大きな保証減衰量を必要とする場面では、圧電基板上に縦結合ＤＭＳフィルタを２個併置する縦続接続型縦結合ＤＭＳフィルタ（以下、縦続縦結合ＤＭＳフィルタと称す）が用いられている。
【０００３】
図１３は、縦続縦結合ＤＭＳフィルタ素子の電極構造の一例を示す図であり、図１４は、縦続縦結合ＤＭＳフィルタ素子を構成する個々の縦結合ＤＭＳフィルタの詳細説明図である。
図１３に示す縦続縦結合ＤＭＳフィルタ素子１１は、図１４（ａ）に示した圧電基板の一方の主面に表面波の伝搬方向（図中矢印）に沿って、それぞれ互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対の櫛形電極から成るＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極１〜３を近接配置し、その両側にグレーティング反射器（以下、反射器と称す）４ａ、４ｂを配設してなる振動伝搬部、即ち縦結合ＤＭＳフィルタ５と、図１４（ｂ）に示した圧電基板の一方の主面に表面波の伝搬方向（図中矢印）に沿って、それぞれ互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対の櫛形電極から成るＩＤＴ電極６〜８を近接配置し、その両側に反射器９ａ、９ｂを配設してなる振動伝搬部、即ち縦結合ＤＭＳフィルタ１０とを備えている。
【０００４】
そして、縦結合ＤＭＳフィルタ５、１０からは、信号入力用パッド電極ＩＮと、信号出力用パッド電極ＯＵＴと、アース電位用のパッド電極Ｅ１〜Ｅ４とが引き出し配線されている。
前記パッド電極ＩＮは縦結合ＤＭＳフィルタ５の中央近傍の基板端縁側に、パッド電極ＯＵＴは縦結合ＤＭＳフィルタ１０の中央近傍の基板端縁側に、パッド電極Ｅ１〜Ｅ４は縦結合ＤＭＳフィルタ５と縦結合ＤＭＳフィルタ１０との間隙に配設されると共に、当該パッド電極Ｅ１〜Ｅ４はパッド電極ＩＮとパッド電極ＯＵＴとを結ぶ線と直交するように一列に配設されている。また、縦結合ＤＭＳフィルタ５と縦結合ＤＭＳフィルタ１０とが図中上下方向に線対称に配置されており、縦結合ＤＭＳフィルタ５と縦結合ＤＭＳフィルタ１０とにパッド電極Ｅ１〜Ｅ４、パッド電極ＩＮ、パッド電極ＯＵＴ夫々を電気的に接続するリードラインは圧電基板の中央を基準として点対称になるように引き回されている。
【０００５】
更に、リードラインの引き回しを詳細に説明すると、ＩＤＴ電極１が備える櫛形電極１ａ（図中上側）の略中央からリードラインを上側方向に延ばし、パッド電極ＩＮに接続する。また、ＩＤＴ電極６が備える櫛形電極６ａ（図中下側）の略中央からリードラインを下側方向に延ばし、パッド電極ＯＵＴに接続する。
ＩＤＴ電極１が備える櫛形電極１ｂ（図中下側）の略中央からリードラインを下側方向に延ばし、パッド電極Ｅ３に接続する。また、ＩＤＴ電極６が備える櫛形電極６ｂ（図中上側）の略中央からリードラインを上側方向に延ばし、パッド電極Ｅ２にそれぞれ接続する。
【０００６】
ＩＤＴ電極２が備える櫛形電極２ｂ（図中下側）の最下端辺の一部からリードラインを下側方向に延ばすと共にＩＤＴ電極８が備える櫛形電極８ｂ（図中上側）の最上端辺の一部からリードラインを上側方向に延ばし、パッド電極Ｅ２の外側を経由して接続する。
また、ＩＤＴ電極３が備える櫛形電極３ｂ（図中下側）の最下端辺の一部からリードラインを下側方向に延ばすと共にＩＤＴ電極７が備える櫛形電極７ｂ（図中上側）の最上端辺の一部からリードラインを上側方向に延ばし、パッド電極Ｅ３の外側を経由して接続する。
ＩＤＴ電極２が備える櫛形電極２ａ（図中上側）の最上端辺の一部からリードラインを上側方向に延ばすと共にＩＤＴ電極８が備える櫛形電極８ａ（図中下側）の最下端辺の一部からリードラインを下側方向に延ばし、前記反射器４ａと前記反射器９ａとの左外側を経由してパッド電極Ｅ１にそれぞれ接続する。
また、ＩＤＴ電極３が備える櫛形電極３ａ（図中上側）の最上端辺の一部からリードラインを上側方向に延ばすと共にＩＤＴ電極７が備える櫛形電極７ａ（図中下側）の最下端辺の一部からリードラインを下側方向に延ばし、前記反射器４ｂと前記反射器９ｂとの右外側を経由してパッド電極Ｅ４にそれぞれ接続する。
【０００７】
近年、移動体通信機器の普及に伴う低価格化および小型化の急激な進展により、上述の縦続縦結合ＤＭＳフィルタ素子に対して更なる低価格化、小型化（低背化）の要求が高まっており、この要求を満足するには半導体の分野で一般化しつつあるチップサイズパッケージ（以下、「ＣＳＰ」と記す）のパッケージ技術が不可欠となる。ＣＳＰとは、表面実装型パッケージの一種でシリコンチップサイズと同等か、あるいは、わずかに大きい小型パッケージの総称であって、その構造は、パッケージ基台となるプリント基板の一方の主面に、フリップチップボンディングによりシリコンチップを接続し、当該シリコンチップを封止用樹脂で覆ったものである。
また、プリント基板の他方の主面に備える外部電極端子の位置は、一般的にプリント基板の四隅に配置されるが、その配置位置は、シリコンチップが有するボンディング用のパッド電極の位置とは異なる位置である場合が多く、パッド電極と外部電極端子との接続は、プリント基板の内部配線による自由な引き回しにて対応することが可能となっている。
【０００８】
このようなＣＳＰにおいても、更なる小型化、薄型化の要求に応えるため、例えば特開２０００−２６１２８４号公報で開示されたようなウェハレベルＣＳＰ構造を弾性表面波装置に適用することも提案されている。
図１５は、そのパッケージの構成を示す縦断面図である。
同図から明らかなように、圧電基板１０１の一方主面に形成された櫛歯状を成す励振電極１０２と、励振電極１０２に電気的に接続された入出力パッド及び接地パッドを含む配線電極１０３と、配線電極１０３（少なくとも入出力パッド）上に立設した複数の柱状電極１０５と、励振電極１０２の上方を励振電極１０２の振動空間１０８を確保すべく覆う金属等から成る保護カバー１０４とを備え、柱状電極１０５の外周部及び保護カバー１０４を覆った樹脂等の絶縁体から成る外部カバー１０６から露出した柱状電極１０５の上端部にはんだバンプ１０７を配設することで、外部回路基板（不図示）へ実装することを可能としている。これによれば、プリント基板を省くことができるので、小型化を図ることができる。
【特許文献１】特開２０００−２６１２８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述した従来の弾性表面波装置においては、以下に示すような問題点があった。つまり、圧電基板上に形成した配線電極１０３（パッド電極）に柱状電極１０５を配設し、その柱状電極１０５を介してはんだバンプ１０７等の外部電極端子を設けていたため、配線電極１０３間の結合などの再配線における引き回し自由度が乏しかった。
また、フィルタを形成する励振電極１０２の周りに中空の閉空間、即ち、振動空間１０８を確保するための保護カバー１０４を搭載し気密化を行っていたが、正確な位置固定に高度な技術を要するものであった。
【００１０】
そこで、本発明はこのような問題点を解決するためになされたものであり、プリント基板を設けることなく再配線における引き回し自由度を確保し、且つ、振動空間を容易に構築可能な弾性表面波装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために本発明に係る弾性表面波装置の請求項１の発明は、圧電基板の一方の主面に振動伝搬電極を含む励振機能部と該励振機能部からリードラインにより引き出されたパッド電極部とを形成した弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子の主面上の前記励振機能部周りを中空とすると共に前記パッド電極部上を除く領域を覆うように形成した第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上および前記パッド電極部上を領域として信号別に区分しつつ前記弾性表面波素子平面の縁周近傍に導出するよう形成された配線パターンと、前記区分した信号別の配線パターン毎に配置された柱状電極と、前記柱状電極の先端を露出させて充填した第２の絶縁層と前記第２の絶縁層上にて前記柱状電極に接続させて形成した外部電極とを備えたことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る弾性表面波装置の請求項２の発明は、前記請求項１記載の弾性表面波装置において、前記励振機能部の中空は、前記第１の絶縁層と前記配線パターンとの二重層によりほぼ覆われて形成したことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係る弾性表面波装置の請求項３の発明は、前記請求項１または２に記載の弾性表面波装置において、前記第１の絶縁層がＳｉＯ２を成分に含み常温領域にてガラス化された金属酸化物ガラスであることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の請求項４の発明は、圧電基板の一方の主面に振動伝搬電極を含む励振機能部と該励振機能部からリードラインにより引き出されたパッド電極部とを形成する工程と、前記励振機能部を覆うようにレジスト膜を形成する工程と、当該圧電基板の一方の主面全体に第１の絶縁層を形成する工程と、前記レジスト膜の少なくとも一端と前記パッド電極上を除く領域をマスクして前記第１の絶縁層を除去する工程と、前記マスクおよび前記レジスト膜を剥離する工程と、当該圧電基板の一方の主面全体に金属層を形成する工程と、前記レジスト膜の少なくとも一端と前記パッド電極上を含む領域を信号別に区分しつつ当該圧電基板の一方の主面の縁周近傍に導出するようマスクして前記金属層を除去することで配線パターンを形成する工程と、前記区分した信号別の配線パターン毎に柱状電極を配設する工程と、封止部材を充填し前記柱状電極の先端を露出するよう第２の絶縁層を形成する工程と、前記第２の絶縁層上にて前記柱状電極に接続させた外部電極を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の請求項５の発明は、前記請求項４記載の弾性表面波装置の製造方法において、一つのウェハ上にて各工程を行った後に個片に分割することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る弾性表面波装置及びその製造方法は、励振機能部を覆うようにレジスト膜を形成する工程と、圧電基板の一方の主面全体に第１の絶縁層を形成する工程と、前記レジスト膜の少なくとも一端とパッド電極上とを除く領域をマスクして前記第１の絶縁層を除去する工程と、前記マスクおよび前記レジスト膜を剥離する工程とを経ることによって、
弾性表面波素子の主面上の励振機能部周りに中空の閉空間を形成することができるので、保護カバー等の部材を被覆配置する手間がなくなる。
また、圧電基板の一方の主面全体に金属層を形成する工程と、前記レジスト膜の少なくとも一端と前記パッド電極上を含む領域を信号別に区分しつつ当該圧電基板の一方の主面の縁周近傍に導出するようマスクして前記金属層を除去することで配線パターンを形成する工程とを経ることによって、再配線における自由な引き回しを行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
プリント基板を設けることなく再配線における引き回し自由度を確保し、且つ、振動空間を容易に構築可能な弾性表面波装置及びその製造方法を提供するという目的を、フォトリソグラフィを活用した製造技術により、最小の部品点数で、小型化に適した弾性表面波装置を実現した。
【実施例】
【００１８】
以下、図示した実施の形態例に基づいて本発明を詳細に説明する。
図１は、本発明に係わる弾性表面波装置の実施例を示す断面図である。なお、ここでは上述した従来例と同様に弾性表面波装置として、ＣＳＰ構造の縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置を例に説明する。
この例に示す縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置２０は、圧電基板２１の一方の主面上に励振機能部２２ａ、２２ｂとパッド電極部２３ａ、２３ｂ、２３ｃとを有する縦続縦結合ＤＭＳフィルタが形成されており、パッド電極部２３ａ、２３ｂ、２３ｃを除く領域上に形成される第１の絶縁層２４と、パッド電極部２３ａ、２３ｂ、２３ｃを含み前記第１の絶縁層２４の上に形成される電気的導通可能な配線パターン２５と、前記配線パターン２５の上に形成される第２の絶縁層２６と、前記第２の絶縁層２６の上に形成される外部電極２７と、前記第２の絶縁層２６に埋設され前記配線パターン２５と前記外部電極２７とを電気的導通可能に接続する柱状電極２８とを備えて構成する。
なお、励振機能部２２ａ、２２ｂの周囲には、それぞれ第１の絶縁層２４にて囲まれた振動空間２９ａ、２９ｂが設けられている。
【００１９】
この図に示す縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置２０の各構成について、以下、製造手順ごとに詳細に説明する。
（ＳＴＥＰ１）図２は、本発明の製造方法における弾性表面波素子の形成例についての工程を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）は平面図中にＡとして示す部位の断面図（以下、Ａ断面図と記す）、（ｃ）は平面図中にＢとして示す部位の断面図（以下、Ｂ断面図と記す）である。
この図に示す弾性表面波素子３０は、方形平板状の圧電基板２１の片面に励振電極からなる励振機能部２２、および配線用電極からなるパッド電極部２３を有するフィルタが形成されている。なお、このフィルタ自体は、上述の図１３に示したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００２０】
（ＳＴＥＰ２）図３は、本発明の製造方法におけるレジスト膜の形成例についての工程を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ断面図、（ｃ）はＢ断面図である。
この図（ａ）に示すように、この工程におけるレジスト膜３１は、励振機能部２２を覆い隠すように形成する。後述する工程にて、このレジスト膜３１を剥離することにより振動空間を確保することになるため、振動空間の高さや幅などを考慮してレジスト膜を形成する。
ここで形成するレジスト膜３１は、例えば、感光性樹脂であり、塗布する膜厚は、励振機能部２２の振動を阻害しない程度に薄くすることが望ましく、具体的には２〜５μｍである。この例では、励振機能部２２に沿って延長形成されるレジスト膜３１の両端における膜幅を絞り込むよう形成している。これは後述する工程にて、レジスト剥離液の浸入排出口をレジスト膜の両端部に設けるが、浸入排出口は最終的に塞がれるものであるから開口面積はレジスト剥離液の浸入排出に支障がない程度に小さくしておくことで、浸入排出口の封止を確実にせしめるための配慮である。このように塗布した感光性樹脂を乾燥し硬化させてレジスト膜３１を形成する。
【００２１】
（ＳＴＥＰ３）図４は、本発明の製造方法における第１の絶縁層の形成例についての工程を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ断面図、（ｃ）はＢ断面図である。
この図（ａ）に示すように、この工程における第１の絶縁層２４は、圧電基板２１の一方の主面全体にわたって形成する。これによりパッド電極部２３とレジスト膜３１の領域も第１の絶縁層２４に覆われることになる。
ここで形成する第１の絶縁層２４は、例えば、取り扱いの容易性からＳｉＯ２を成分に含み常温領域にてガラス化可能な金属酸化物ガラス（ヒートレスグラスとも呼ばれる）で構成する。このガラスを用いることで高温状態におくことなく硬化することができる。第１の絶縁層２４の膜厚は、レジスト膜３１よりも厚くする必要がある。
【００２２】
（ＳＴＥＰ４）図５は、本発明の製造方法におけるマスク（フォトレジスト膜）の形成例についての工程を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ断面図、（ｃ）はＢ断面図である。
この図（ａ）に示すように、この工程におけるマスク３２は、パッド電極部２３とレジスト膜３１の両端部上の領域を除いて、圧電基板２１の一方の主面全体に形成する。
ここで形成するマスク３２は、一般的なリソグラフィ・プロセスにて形成すれば良く、全面にフォトレジストを塗布し、軽くベーキングをかけた後、パッド電極部２３とレジスト膜３１の両端部上の領域に対応させた光遮蔽部材を介して露光し、現像することにより、形成した薄膜である。開口部分には第１の絶縁層２４が露出することになる。
【００２３】
（ＳＴＥＰ５）図６は、本発明の製造方法における第１の絶縁膜の除去例についての工程を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ断面図、（ｃ）はＢ断面図である。
つまり、マスク３２を形成した後に、エッチング処理を行うことで、パッド電極部２３とレジスト膜３１の両端部上の領域についてのみ第１の絶縁膜が除去される。これにより、パッド電極部２３とレジスト膜３１の両端部が露出する。なお、ここで露出させたレジスト膜３１の両端部がレジスト剥離液の浸入排出口となる。
【００２４】
（ＳＴＥＰ６）図７は、本発明の製造方法におけるマスクおよびレジスト膜の剥離例についての工程を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ断面図、（ｃ）はＢ断面図である。
レジスト剥離液に浸漬することにより、マスク３２とレジスト膜３１の除去を行う。これにより、レジスト膜３１が存在していた部分が中空となり、この中空の空間が振動空間２９となる。
【００２５】
（ＳＴＥＰ７）図８は、本発明の製造方法における金属膜の形成例についての工程を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ断面図、（ｃ）はＢ断面図である。
この図（ａ）に示すように、この工程における金属膜３３は、圧電基板２１の一方の主面全体にわたって形成する。これによりパッド電極部２３とレジスト膜３１の両端部も金属膜３３に覆われることになる。
ここで形成する金属膜３３は、例えば、銅（Ｃｕ）を材料として、蒸着あるいはスパッタ等の成膜する。この金属膜３３の膜厚は、レジスト剥離液の浸入排出口を塞ぐのに必要な膜厚であって、仮に、振動空間２９の高さが５μｍであるとすれば、金属膜３３の膜厚は５μｍより厚くする必要がある。即ち、振動空間２９を密閉する手段として、金属膜３３の膜厚を利用し、レジスト剥離液の浸入排出口を塞ぐのである。
なお、金属膜３３は、後述の工程によりパターン形成されることで配線パターン２５になるものであり、材料とする金属はＣｕに限らず、Ａｕ、Ａｌ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｎｉ、ハンダなどの一般的な金属を用いることができる。
【００２６】
（ＳＴＥＰ８）図９は、本発明の製造方法における配線パターンの形成例についての工程を示す平面図である。
金属膜３３に対し、リソグラフィ・プロセスにより、フォトレジストコーティング、ベーキング、露光・現像、エッチング、レジスト剥離を行ってパターン形成する。
この例に示す配線パターン２５は、当該弾性表面波装置の外部インタフェースに要する信号毎（外部電極の役割毎）に４つに分割したパターン構成にした場面を示しており、配線パターン２５ａは、パッド電極２３のうち３つのアース電位用電極を結合して主面角部に引き出すよう再配線した第１の“Ｇ”パターンであり、配線パターン２５ｂは、パッド電極２３のうち入力信号用電極と接続して、別の主面角部に引き出すよう再配線した“Ｉ”パターンであり、配線パターン２５ｃは、パッド電極２３のうち出力信号用電極と接続して、別の主面角部に引き出すよう再配線した“Ｏ”パターンであり、配線パターン２５ｄは、パッド電極２３のうち残る３つのアース電位用電極を結合して別の主面角部に引き出すよう再配線した第２の“Ｇ”パターンとして形成している。
【００２７】
なお、ここで特徴的な点として、前記配線パターン２５は、励振機能部２２に対する電磁シールド効果を奏するよう“Ｇ”パターンである配線パターン２５ａと２５ｄの両方または一方の領域を、振動空間２９を覆うように拡張して形成する。このようにすれば、振動空間２９は、ガラス質の第１の絶縁層２４の外側に金属膜の配線パターン２５が積層された強固な壁構造に囲まれたものとなり、シールド効果のみならず耐湿性をも向上することができる。
【００２８】
（ＳＴＥＰ９）図１０は、本発明の製造方法における柱状電極の配設例についての工程を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ断面図、（ｃ）はＢ断面図である。
この図に示すように、この例にあっては、Ｃｕからなる四角柱の柱状電極２８を用い、信号別に区分した配線パターン２５ａ〜２５ｄのそれぞれに接続して設ける。このとき、柱状電極２８の位置は、それぞれの配線パターン２５ａ〜２５ｄにおいて角部に引き出された部分とする。なお、柱状電極２８に用いる材質はＣｕでなくとも良く、Ａｕ、Ａｌ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｎｉ、ハンダなどの一般的な他の金属に変えても良い。また、形状については、四角柱でなくとも良く、他の多角柱や円柱、或いは、球状のものに変えても良い。
【００２９】
（ＳＴＥＰ１０）図１１は、本発明の製造方法における封止部材の充填例についての工程を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）は柱状電極の高さを越えて充填した場合のＡ断面図、（ｃ）は柱状電極の高さを越えて充填した場合のＢ断面図、（ｄ）は柱状電極の端面を露出させた状態に充填した場合のＡ断面図、（ｅ）は柱状電極の端面を露出させた状態に充填した場合のＢ断面図である。
この図に示すように封止部材としての第２の絶縁層２６を主面の全面にわたって形成する。具体的には、封止部材（アンダーフィルとも呼ばれる）に低温速硬化型のエポキシ系樹脂を流入し硬化させている。このとき、一旦、柱状電極２８の高さを越えて第２の絶縁層２６を充填し、第２の絶縁層２６を硬化させた後に、表面を研磨して削り柱状電極２８の端面を露出させるようにしても良いし、柱状電極２８の高さを越えないように第２の絶縁層２６を充填することで柱状電極２８の端面を露出させるようにしても良い。
【００３０】
（ＳＴＥＰ１１）図１２は、本発明の製造方法における外部電極の形成例についての工程を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ断面図、（ｃ）はＢ断面図である。
この図に示すように、外部電極２７ａ〜２７ｄは、それぞれ端面を露出した柱状電極２８ａ〜２８ｄに接続させながら第２の絶縁層２６の表面に形成する。
【００３１】
以上のような工程手順にて、図１に示した縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置２０を製造することができる。
また、上記の工程手順にを大型圧電基板母材（以下、圧電ウェハと記す）上にて行い、複数の縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置２０を一括して生成した後、各個片に切断して分割するように製造すれば、効率よく量産することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
ここでいう圧電基板あるいは圧電ウェハとは、水晶、四方酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ランガサイト等の弾性表面波の励振が可能な圧電材料を示しており、その励振を行う励振機能部が要する機械的な物理振動に与える影響の度合いに応じて、当該振動空間の大小或いは形状を適宜に選択することで本発明の実施の変形が可能なことは言うまでもない。また、上述した実施の形態例においては、弾性表面波装置として完結させた場合を示し再外面に外部電極を設けるという例を示したが、本発明における再配線自由度が確保されていれば足りるため、外部電極は必ずしも必要な物ではない。また、第２の絶縁層から露出する柱状電極の断面が十分に広い場合にも外部電極は不要となるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明に係る弾性表面波装置の実施の形態例を示す断面図である。
【図２】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法における弾性表面波素子の形成例を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ断面図、（ｃ）はＢ断面図である。
【図３】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法におけるレジスト膜の形成例を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ断面図、（ｃ）はＢ断面図である。
【図４】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法における第１の絶縁層の形成例を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ断面図、（ｃ）はＢ断面図である。
【図５】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法におけるマスク（フォトレジスト膜）の形成例を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ断面図、（ｃ）はＢ断面図である。
【図６】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法における第１の絶縁膜の一部除去例を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ断面図、（ｃ）はＢ断面図である。
【図７】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法におけるマスクおよびレジスト膜の剥離例を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ断面図、（ｃ）はＢ断面図である。
【図８】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法における金属膜の形成例を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ断面図、（ｃ）はＢ断面図である。
【図９】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法における配線パターンの形成例を示す平面図である。
【図１０】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法における柱状電極の配設例を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ断面図、（ｃ）はＢ断面図である。
【図１１】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法における第２の絶縁層（封止部材）の充填例を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ断面図、（ｃ）はＢ断面図、（ｄ）はＡ断面図、（ｅ）はＢ断面図である。
【図１２】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法における外部電極の形成例を示す図であり、同図（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ断面図、（ｃ）はＢ断面図である。
【図１３】縦続縦結合ＤＭＳフィルタ素子の電極構造を説明するための図である。
【図１４】個々の縦結合ＤＭＳフィルタの詳細説明図である。
【図１５】従来の弾性表面波装置のパッケージ構成例を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１〜３…ＩＤＴ電極
１ａ、１ｂ…櫛形電極
２ａ、２ｂ…櫛形電極
３ａ、３ｂ…櫛形電極
４ａ、４ｂ…グレーティング反射器
５…縦結合ＤＭＳフィルタ
６〜８…ＩＤＴ電極
６ａ、６ｂ…櫛形電極
７ａ、７ｂ…櫛形電極
８ａ、８ｂ…櫛形電極
９ａ、９ｂ…グレーティング反射器
１０…縦結合ＤＭＳフィルタ
１１…縦続縦結合ＤＭＳフィルタ素子
ＩＮ…パッド電極
ＯＵＴ…パッド電極
Ｅ１〜Ｅ４…パッド電極
２０…縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置
２１…圧電基板
２２…励振機能部
２２ａ、２２ｂ…励振機能部
２３…パッド電極部
２３ａ〜２３ｃ…パッド電極部
２４…第１の絶縁層
２５…配線パターン
２６…第２の絶縁層
２７…外部電極
２８…柱状電極
２９…振動空間
３０…弾性表面波素子
３１…レジスト膜
３２…マスク（フォトレジスト膜）
３３…金属膜
１０１…圧電基板
１０２…励振電極
１０３…配線電極
１０４…保護カバー
１０５…柱状電極
１０６…封止部材
１０７…はんだバンプ
１０８…振動空間
【図１】
2005033689.tif 000003
【図２】
2005033689.tif 000004
【図３】
2005033689.tif 000005
【図４】
2005033689.tif 000006
【図５】
2005033689.tif 000007
【図６】
2005033689.tif 000008
【図７】
2005033689.tif 000009
【図８】
2005033689.tif 000010
【図９】
2005033689.tif 000011
【図１０】
2005033689.tif 000012
【図１１】
2005033689.tif 000013
【図１２】
2005033689.tif 000014
【図１３】
2005033689.tif 000015
【図１４】
2005033689.tif 000016
【図１５】
2005033689.tif 000017