(57)【要約】  【課題】高密度実装に対応した配線の狭ピッチ化を安価な手段で実現する半導体装置及びその製造方法を提供する。  【解決手段】一部の絶縁樹脂層４において、下層の絶縁樹脂層４ｂより張出した形状に形成した上層の絶縁樹脂層４ａを備え、異方性蒸着工程において、前記上層樹脂の張出し部直下の樹脂上には、金属照射の影となり金属が蒸着しない部分１０が形成されることにより、上下の配線間隔により絶縁距離を設けることができるため、配線間に水平方向の絶縁距離を設ける必要が無く、狭ピッチかつ高密度の金属配線７ａで構成された半導体装置を提供できる。【選択図】  図１
2005033061.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂を積層することにより配線間に絶縁樹脂層が形成される半導体装置であって、前記絶縁樹脂層の一部において上層の樹脂を下層の樹脂より張出した形状に形成することにより、前記配線間に絶縁性を持たせたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記上層の樹脂が下層の樹脂より張出した形状が、前記下層の一部を前記上層の樹脂より内側に引込んだ形状である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記上層の樹脂が下層の樹脂より張出した形状が、前記絶縁樹脂層の一部とは異なる部分において、前記下層の樹脂ほど張出した形状または順テーパ形状に形成することにより、樹脂層の側面に電気的接続性を設けた請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記積層樹脂による絶縁樹脂層が、光造形樹脂によって形成されている請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁樹脂層が、１層の膜厚が０．３〜４μｍの範囲、積層数が５〜２０の範囲、配線間のトータル膜厚が６〜３０μｍの範囲である請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
樹脂を積層することにより配線間に絶縁樹脂層が形成される半導体装置の製造方法であって、光造形樹脂を用いて光造形法により基板またはウェハの上に光造形樹脂を積層することにより、前記絶縁樹脂層の一部において上層の樹脂を下層の樹脂より張出した形状に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁樹脂層を形成した後、スパッタリングを含む異方性金属蒸着により金属配線層を形成する請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の集積回路部を保護し、かつ外部装置と半導体素子の電気的な接続を確保する半導体装置であって、小ロット生産に対応しかつ安価に高密度な実装を実現することを可能とした半導体装置およびその製造法に関するものである。本発明の半導体装置およびその製造法により、情報通信機器、事務用電子機器等の小型化を容易にするものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の処理能力向上及び携帯性向上に対応するために、半導体装置などの電子部品は高密度実装が要求され、それに伴って、半導体装置の小型、薄型化、さらに同一装置サイズにおける多ピン化が進展し、各種のチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）が開発されている。
【０００３】
特に半導体のウェハ上に半導体素子電極から外部端子までを接続する再配線を形成し、最終工程で分割する形態のウェハレベルＣＳＰ（ＷＬＣＳＰ）はベアチップと同等の究極小型パッケージを実現する技術として近年注目されている。
【０００４】
以下、従来のＷＬＣＳＰと呼ばれる半導体装置及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。図８はＷＬＣＳＰと呼ばれる従来の半導体装置示す部分的に開口した斜視図である（例えば、特許文献1）。図８において、１は半導体素子、２は半導体素子電極、３はパッシベーション膜、４は絶縁樹脂層、７ａは金属配線、７ｂは金蔵ランド、８はソルダーレジスト、９は外部端子である。
【０００５】
図９（ａ）〜図１１（ｂ）は上記半導体装置の従来の製造方法を示す工程別の断面図である。図９（ａ）〜図１１（ｂ）において、図４と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。まず絶縁樹脂層４として、感光性樹脂を一般に用い、半導体素子１の上の半導体素子電極２上およびパッシベーション膜３上に塗布する。その後アライナーまたはステッパー等を用いて露光し、半導体素子電極２上及びその他不要とする感光性樹脂を現像除去したのち、硬化し絶縁樹脂層４を形成する（図９(a)）。ここで、半導体素子電極２は通常Ａｌ−ＳｉまたはＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕが用いられるため、絶縁樹脂層４を形成する材料である感光性樹脂の現像液として、現像時に半導体素子電極２を溶解しない材料として弱アルカリまたは有機系の現像液を用いる。絶縁樹脂層４がパターニングされ積層された半導体素子１上全面に、蒸着金属層５をスパッタリング法により形成する（図９(ｂ)）。このとき蒸着金属層５として、まず金属バリヤを形成し、真空状態下で引き続きめっきシード層を形成する。また、スパッタリングに先立ち、プラズマ処理によって、絶縁樹脂層４の表面を微細に粗化し、絶縁樹脂層４と金属バリアとの密着強度を向上させる。プラズマ処理方法と反応ガスは半導体素子電極２やパッシベーション膜３のエッチングに対して絶縁樹脂層４の樹脂を選択的にエッチングできればよく、ここではＲＩＥ(Reactive Ion Etching)処理法とＯ2ガスやＮ2ガス、もしくはＯ2ガスとＣＦ4ガスの混合ガス等が用いられる。
【０００６】
金属バリアには絶縁樹脂層４や半導体素子電極２、パッシベーション膜３と強い密着強度を持ち、かつめっきシード層のエッチング液に対するバリア性を有する金属として例えばＣｒ等が用いられる。めっきシード層としては電解めっきにおいて抵抗率の低い金属であることが必要であり、一般にはＣｕが用いられる。金属バリアの厚みはめっきシード層のエッチング液に対するバリア性の観点から０．１〜０．２μｍ程度、まためっきシード層の厚みは電気抵抗や析出応力とエッチングの容易さの観点から０．２〜０．５μｍ程度が用いられる。次にめっきシード層上に感光性レジスト材料を塗布する。その後感光性レジスト材料を乾燥、露光、現像することによりめっきレジスト６を形成する（図９(ｃ)）。一般には後工程の電解Ｃｕめっき厚を５から１１μｍ程度にするため、めっきレジスト６の厚みは８から１５μｍ程度に形成する。その後Ｏ2ガスによるプラズマ処理によりめっきレジストの現像残さを除去する。
【０００７】
次に電解Ｃｕめっき法によりめっきレジスト６が開口し、シード層が露出した部分に厚膜金属層７を選択的に形成する（図１０(a)）。厚膜金属層７の厚みは電気抵抗と機械的強度の観点から５から１１μｍ程度の厚みに形成する。
【０００８】
厚膜金属層７の形成後めっきレジスト６を剥離除去し、さらにＯ2プラズマによるプラズマ処理によりめっきレジスト６の剥離残さを除去する（図１０(b)）。これにより、厚膜金属層７間に溝１１が形成される。
【０００９】
次にシード層と厚膜金属層７とをＣｕエッチング液にて全面Ｃｕエッチングすると、厚膜金属層７よりも層厚が薄いシード層のＣｕが先行して除去される。このときシード層のエッチング液は金属バリアを溶かさずシード層を選択的にエッチングできる溶液を用いる。次に金属バリアを全面エッチングすることで所望のパターンを有する金属配線７ａ及び金属ランド７ｂを形成する（図１０(c)）。
【００１０】
次に感光性樹脂を絶縁樹脂層４、厚膜金属層７上に塗布し、その後乾燥、露光し、金属ランド７ｂ上及びその他不要とする感光性樹脂を現像除去したのち、硬化しソルダーレジスト層８を形成する（図１１(a)）。
【００１１】
その後、金属ランド上に半田ペーストを印刷し、溶融し外部端子９を形成する（図１１(b)）。ここで半田ペーストを印刷溶融する変わりに半田ボールを搭載溶融して外部端子９を形成する場合もある。
【００１２】
以上のように従来の半導体装置の製造方法によれば、露光現像により形成しためっきレジストが金属配線の幅と間隔を決定し、配線間上の蒸着金属層のエッチングが配線間の絶縁性を実現しているため、めっきレジストのパターニング及び蒸着金属層のエッチングが有効に機能する範囲で、金属配線を狭ピッチでパターン化することが可能であり、小型高密度な半導体装置を製造していた。
【特許文献１】特開平１１−５４６４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかし、上記従来の半導体装置の製造方法によれば、配線の狭ピッチ化に伴い、配線の厚みに対して配線間の間隔が狭くなり、配線間溝のアスペクト比が１．４より高い状態となると、蒸着金属層をエッチングする工程において、配線間の底面の蒸着金属層に接するエッチング液の交換度合いが低下し、エッチングが困難となる。ここで従来の課題を図１２（ａ）（ｂ）を用いて説明する。図１２（ａ）に示すように、配線間の溝底に蒸着金属層が粒状に一部残った状態２２となり、半導体装置として配線間の絶縁信頼性を低下させる。
【００１４】
次に図１２（ｂ）に示すように、エッチング時間を延長すると、エッチングが場所的に完全に均一に進んでいるわけではないため、エッチング状態の良好な部分は、過度にエッチングされた状態２３となり、金属配線の幅が狭くなる、また金属配線の下の蒸着金属膜を溶解することにより、剥離空間２４が形成され、後工程で配線が絶縁樹脂層から剥がれるという問題があった。
【００１５】
また配線間の溝を形成するめっきレジストのアスペクト比も同様に高くなるため、金属配線層の電解めっき工程において、めっき液の流動によってレジストが倒れ易くなり、一部が変形したり、剥がれたりする問題もあった。
【００１６】
本発明は前記従来の課題を解決するもので、高密度実装に対応した配線の狭ピッチ化を安価な手段で実現する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の半導体装置は、樹脂を積層することにより配線間に絶縁樹脂層が形成される半導体装置であって、前記絶縁樹脂層の一部において上層の樹脂を下層の樹脂より張出した形状に形成することにより、前記配線間に絶縁性を持たせたことを特徴とする。
【００１８】
前記上層の樹脂が下層の樹脂より張出した形状が、前記下層の一部を前記上層の樹脂より内側に引込んだ形状であることが好ましい。
【００１９】
前記上層の樹脂が下層の樹脂より張出した形状が、前記絶縁樹脂層の一部とは異なる部分において、前記下層の樹脂ほど張出した形状または順テーパ形状に形成することにより、樹脂層の側面に電気的接続性を設けたことが好ましい。
【００２０】
前記積層樹脂による絶縁樹脂層が、光造形樹脂によって形成されていることが好ましい。
【００２１】
前記絶縁樹脂層の１層の膜厚が０．３〜４μｍの範囲、積層数が５〜２０の範囲、トータル膜厚が６〜３０μｍ(配線が２段の場合)の範囲であることが好ましい。
【００２２】
本発明の半導体装置の製造方法は、樹脂を積層することにより配線間に絶縁樹脂層が形成される半導体装置の製造方法であって、光造形樹脂を用いて光造形法により基板またはウェハの上に光造形樹脂を積層することにより、前記絶縁樹脂層の一部において上層の樹脂を下層の樹脂より張出した形状に形成することを特徴とする。
【００２３】
前記絶縁樹脂層を形成した後、スパッタリングを含む異方性金属蒸着により金属配線層を形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００２４】
以上のように、本発明の半導体装置によれば、狭ピッチの配線を同一平面上でなく、上下に配置するため、配線間の絶縁間隔を配線間の溝で形成する従来の半導体装置と異なり、配線間の溝のアスペクト比及びめっきレジストの厚みに起因する問題は発生せず、狭ピッチかつ高密度の配線で構成された半導体装置を実現することができる。さらに光造形法により絶縁樹脂層を形成することにより、マスク製作に要する費用と時間を削減できる。上記の理由により高密度実装に対応した配線の狭ピッチ化を安価に実現する半導体装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明においては、樹脂形成工程において、一部の上層の樹脂を下層の樹脂より張出した形状に形成することにより、異方性蒸着工程において前記上層樹脂の張出し部直下の樹脂上には、金属照射の影となり金属が蒸着しない部分が形成される。この構成によって、上下の配線間隔により絶縁距離を設けることができるため、配線間に水平方向の絶縁距離を設ける必要が無く、狭ピッチかつ高密度の配線で構成された半導体装置を実現することができる。ここで、上層に形成された金属配線と半導体素子電極と電気的接続を実現するためには、上層ほど幅が狭く形成し、順テーパ状の樹脂形状であることが必要であるが、１枚のマスクを用いた一括露光工法による従来の製造方法で、上層樹脂の幅を広くした部分と反対の形状となる順テーパ状の形状を同じ露光、現像条件によって同時に形成することは不可能である。そのため、マスクを用いた一括露光工法による従来の製造方法で狭ピッチ配線部は上層樹脂が出張る形状にし、かつ半導体素子電極と上層樹脂との間の樹脂は順テーパ状にするためには２枚以上の異なるマスクが必要となる。しかしながら上層の樹脂塗布時において、現像によってできた下層樹脂の開口部凹みに、上層樹脂が流入するため、上層樹脂を所望の形状に形成することは困難である。さらに、樹脂塗布、露光、現像、洗浄、ベーキング工程を１セットとして、マスクの数と同じセット数の工程が必要となり、半導体装置の製作に要する工程数が増加する。本発明の半導体装置製造方法は、絶縁樹脂層形成工程に光造形法を用い、上層樹脂が張出す形状と順テーパ状の形状とを同時に形成することができる。絶縁樹脂層の各層の形成を光造形装置内で連続して行うことができるため、工程数が少なく、マスクを多数使用する方法に比べて、製作時間が短くなる。また光造形法においてパターニングデータはＣＡＤ上で作成、修正されるため、マスクが不要であり、マスク製作に要する費用と時間を削減できることから、本発明の半導体装置製造方法は小ロットの生産にも適した安価な製造方法である。
【００２６】
以下、本発明の実施の形態としてＷＬＣＳＰを例に取り上げ、図面を参照しながら説明する。
【００２７】
（実施の形態１）
図１は本発明の半導体装置の一実施形態を示す断面図である。図１において、図４と同じ構成要素については同じ符号を用い説明を省略する。図１において、上層絶縁樹脂層４ａは下層絶縁樹脂層４ｂより張出した形状で形成されている。上層絶縁樹脂層４ａと下層絶縁樹脂層４ｂは、光硬化性の液状樹脂を硬化させたものであり、張り出し量は０．５〜５μｍとした。下層絶縁樹脂層４ｂの下でパッシべーション膜３との間の部分は樹脂層４と同一の材料で形成されており、２〜５μｍの厚さとした。１０は異方性蒸着工程において金属が蒸着しない部分である。隣接する金属配線７ａは配線間の樹脂層４により上下に隔てられていることにより絶縁されている。メッキにより所定厚みまで金属配線を形成したとき、確実に絶縁することが目的であり、側面に金属が蒸着しなければ良く、底面は蒸着していても良い。現実的には側面に蒸着しないようにすると、金属が蒸着しない部分１０をわずかな長さでも設けることと同じになる。
【００２８】
（実施の形態２）
図２は本発明の実施の形態２の半導体装置の断面図である。図２において、図１と同じ構成要素については同じ符号を用い説明を省略する。実施の形態１においては、上層絶縁樹脂層４ａが下層絶縁樹脂層４ｂに対して１段で張出しているが、絶縁樹脂層が下層から上層ほど順次張出し、逆テーパ状の形状に形成されている。好ましいテーパ角度は約３°以上である。
【００２９】
（実施の形態３）
図３（a）、（ｂ）は本発明の実施の形態３の半導体装置の断面図である。図３（a）、（ｂ）において、図１と同じ構成要素については同じ符号を用い説明を省略する。実施の形態１においては、下層樹脂層４ｂ全体が上層樹脂層４ａに対して引込んだ形状であるが、図３（a）、（ｂ）に示すように下層絶縁樹脂層４ｂの一部において内側に引込んだ形状によっても実施の形態１と同様に上層と下層の金属配線を絶縁することが可能である。
【実施例１】
【００３０】
以下、実施例を用いて、さらに具体的に説明する。
【００３１】
（実施例１）
図４（ａ）〜図６（ｂ）は本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を示す工程別の断面図である。光造形法により絶縁樹脂層４を形成する方法を図７（ａ）（ｂ）に示す。同図で３０は光硬化性の液状樹脂３１を収用したタンクであり、３２は光造形用のエレベータである。エレベータ３２は平板状のテーブル部３３の上に所定形状の造形物を形成するためのもので鉛直方向に移動可能である。
【００３２】
まず絶縁樹脂層を上に積層していくための基板またはウェハ３５をタンク３０内のテーブル３３上に設置し、次に基板またはウェハを液状樹脂内に浸漬し、基板またはウェハの表面が樹脂液面よりｐ以下の距離になる高さにエレベータを位置決めする。ｐの好ましい範囲は０．３〜４μｍ（樹脂が硬化収縮するがほぼ樹脂一層の厚さと同じである。また、好ましい１層の厚さは０．３〜４μｍ、積層数は５〜２０μｍ、トータルの厚さは６〜３０μｍ（配線が２段の場合）である。
【００３３】
硬化用のレーザー光３４をテーブル部３３上で走査し、レーザーが照射した液面近傍の樹脂を硬化させることにより、テーブル部３３の任意の位置に１層目の絶縁樹脂層３６を形成することができる。次にエレベータ３２を厚さｐだけ沈ませて位置決めし、レーザ光３４を照射して２層目の絶縁樹脂層３７を形成する。以上の方法により光造形法ではエレベータ３２を鉛直方向に徐々に沈めながらレーザー光３４を照射し絶縁樹脂層を順次形成し所望の立体形状を形成する。
【００３４】
ここで、光造形樹脂は、光重合性オリゴマー、反応性希釈剤、光重合開始剤などから構成されており、露光することで光が照射された部分だけが硬化する性質を有し、必要に応じて光重合助剤、添加剤などが配合されている。光重合性オリゴマーは種類によって、ウレタンアクリレート系、エポキシアクリレート系、エステルアクリレート系、アクリレート系などのラジカル重合反応で硬化するタイプと、エポキシ系、ビニルエーテル系などのカチオン重合反応により硬化するタイプとに大別される。どのようなタイプの樹脂を使用するかは、反応速度、収縮歪み、寸法精度、耐熱性、強度などによって使い分ける。一般的に、光硬化性樹脂としては、ウレタンアクリレート系とエポキシ系の光重合性オリゴマーを含むものが主に使われているが、ウレタンアクリレート系は反応速度が早く、分子間凝集力が大きく、機械的強度/熱的強度がエポキシ系に比べて有利で、強度を重要視した場合適当であり、一方、エポキシ系は重合反応速度が遅く、収縮歪みが小さいのが特徴である。よって、エポキシ系の光造形樹脂は寸法精度の点で有利であり、精度を重視する場合に好適である。エポキシ系光造形樹脂の具体例は、旭電化工業社製"HS-681"(商品名)、DSM-SOMOS社製"SOMOS8100"(商品名)(JSR社からも同じものがSCR-8100シリーズとして販売されている)、Vantico社(旧チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社)製"SL-7540"(商品名)がある。また、ウレタンアクリレート系光造形樹脂の具体例は、帝人製機社"TSR-1938M"(商品名)がある。
【００３５】
本実施例において、図４（ａ）に示すように絶縁樹脂層の一部においては上層の樹脂を下層の樹脂より張出した形状に形成する、または下層の一部において、前記上層の樹脂より、内側に引込んだ形状に形成する。かつ前記絶縁樹脂層の一部の形成と同時に、より下層に配置されている電極または金属配線等と電気的な接続が必要な部分において、下層の樹脂ほど張出した形状または、順テーパ状に形成する。その後エレベータを上昇しテーブルを液面上に引き上げ、付着した余分な液状樹脂を除去し、紫外線等により、絶縁樹脂層を十分硬化させる。なお液状樹脂３１に照射するレーザー光３４は液状樹脂３１が硬化できるものであれば紫外線レーザー光、炭酸ガスレーザー光等のレーザー光が適宜使用できる。エレベータを降下させるピッチｐは、０．数μｍから十数μｍが使用されるが、絶縁樹脂の傾斜面または曲面形状を再現する忠実度と生産効率の観点から決定され、本実施例では０．３〜４μｍであった。
【００３６】
絶縁樹脂層４がパターニングされ積層された半導体素子１上全面に、蒸着金属層５をスパッタリング法等の異方性蒸着工程により形成する（図４ｂ）。このとき蒸着金属層５として、まず金属バリヤを形成し、真空状態下で引き続きめっきシード層を形成する。このとき上層絶縁樹脂層４ａの張出し部直下の樹脂上は金属照射の影となるため、金属が蒸着しない部分１０が形成される。また、スパッタリングに先立ち、プラズマ処理によって、絶縁樹脂層４の露出している表面を微細に粗化し、絶縁樹脂層４と金属バリアとの密着強度を向上させる。
【００３７】
前記プラズマ処理により、絶縁樹脂層４の表面は一部灰化除去され、半導体素子電極２表面に付着していた樹脂残さも除去される。そのため、プラズマ処理方法と反応ガスは半導体素子電極２やパッシベーション膜３に対して絶縁樹脂層４の樹脂を選択的にエッチングできればよく、ここではＲＩＥ(Reactive Ion Etching)処理法とＯ2ガスやＮ2ガス、もしくはＯ2ガスとＣＦ4ガスの混合ガス等が用いられる。
【００３８】
金属バリアには絶縁樹脂層４や半導体素子電極２、パッシベーション膜３と強い密着強度を持ち、かつめっきシード層のエッチング液に対するバリア性を有する金属として例えばＣｒ等が用いられる。めっきシード層としては電解めっきにおいて抵抗率の低い金属であることが必要であり、一般にはＣｕが用いられる。金属バリアの厚みはめっきシード層のエッチング液に対するバリア性の観点から０．１から０．２μｍ程度、まためっきシード層の厚みは電気抵抗や析出応力とエッチングの容易さの観点から０．２から０．５μｍ程度が用いられる。次にめっきシード層上に感光性レジスト材料を塗布する。その後感光性レジスト材料を乾燥、露光、現像することによりめっきレジスト６を形成する（図４ｃ）。その後Ｏ２ガスによるプラズマ処理によりめっきレジスト６の現像残さを除去する。
【００３９】
次に電解Ｃｕめっき法によりめっきレジスト６が開口し、シード層が露出した部分に厚膜金属層７を選択的に形成する（図５ａ）。厚膜金属層７の厚みは電気抵抗と機械的強度の観点から５から１１μｍ程度の厚みに形成する。
【００４０】
厚膜金属層７の形成後めっきレジスト６を剥離除去し、さらにＯ2プラズマによるプラズマ処理によりめっきレジスト６の剥離残さを除去する（図５ｂ）。
【００４１】
次にシード層と厚膜金属層７とをＣｕエッチング液にて全面Ｃｕエッチングすると、厚膜金属層７よりも層厚が薄いシード層のＣｕが先行して除去される（図５ｃ）。このときシード層のエッチング液は金属バリアを溶かさずシード層を選択的にエッチングできる溶液を用いる。次に金属バリアを全面エッチングすることで所望のパターンを有する金属配線７ａ及び金属ランド７ｂを形成する。
【００４２】
次に感光性樹脂を絶縁樹脂層４、厚膜金属層７上に塗布し、その後乾燥、露光し、ランド７ｂ上及びその他不要とする感光性樹脂を現像除去したのち、硬化しソルダーレジスト層８を形成する（図６ａ）。なお、ソルダーレジスト層８の形成は、前記絶縁樹脂層４の形成と同様に、光造形法を用いて光硬化性樹脂を積層し所定の形状に形成してもよい。
【００４３】
その後金属ランド７ｂ上に半田ペーストを印刷し、溶融し外部端子９を形成する（図６ｂ）。ここで半田ペーストを印刷溶融する変わりに半田ボールを搭載し溶融して外部端子９を形成する場合もある。
【００４４】
かかる構成によれば、配線間の溝のアスペクト比及びめっきレジストの厚みに関係無く、上下の配線間隔により絶縁距離を設けることができるため、配線間に水平方向の絶縁距離を設ける必要が無く、狭ピッチかつ高密度の配線で構成された半導体装置を実現することができる。また絶縁樹脂層形成工程に光造形法を用い、上層樹脂が張出す形状と順テーパ状の形状とを同時に形成することができる。絶縁樹脂層の各層の形成を光造形装置内で連続して行うことができるため、工程数が少なく、マスクを多数使用する方法に比べて、製作時間が短くなる。また光造形法においてパターニングデータはＣＡＤ上で作成、修正されるため、マスクが不要であり、マスク製作に要する費用と時間を削減できることから、本発明の半導体装置製造方法により小ロットの半導体装置生産を安価に実現することができる。
【００４５】
なお、前記においてはめっきレジストを形成し、不要な箇所にめっきによる金属の厚膜が形成されないようめっきによる厚膜金属層形成をコントロールしたが、絶縁樹脂層の上層の張出し形状のみによって配線間の絶縁が可能であるため、めっきレジスト形成及び除去工程を省略することも可能である。また、前記において、めっきにより金属配線の厚さを増加したが、強度的、電気特性上の問題の無い場合または生産効率上の問題のない場合においては金属蒸着のみによって金属配線を形成完了してもよい。この場合は、めっきレジスト形成工程、めっき工程、メッキレジスト除去工程、蒸着金属層エッチング工程を省略することができる。
【００４６】
また、本実施の形態としてＷＬＣＳＰを例としたが、ウェハの代わりにＢＧＡ等の基板を光造形装置のテーブル上に設置し、基板上に絶縁樹脂層を所定の形状に積層形成することにより、ＷＬＣＳＰの場合と全く同様に基板上に高密度の金属配線層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置を示す断面図。
【図２】本発明の実施の形態２における半導体装置を示す断面図。
【図３】（ａ）〜（ｂ）は本発明の実施の形態３における半導体装置を示す断面図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例１における半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例１における半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図６】（ａ）〜（ｂ）は本発明の実施例１における半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図７】（ａ）〜（ｂ）は本発明の実施例１における光造形装置を用いて絶縁樹脂層を形成する方法を示す説明図。
【図８】半導体装置の１実施例を示す、部分的に開口した斜視図。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は従来の半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は従来の半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図１１】（ａ）〜（ｂ）は従来の半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図１２】（ａ）〜（ｂ）は従来の半導体装置の蒸着金属層のエッチング工程を示す断面図。
【符号の説明】
【００４８】
１  半導体素子
２  半導体素子電極
３  パッシベーション膜
４  絶縁樹脂層
４ａ  上層絶縁樹脂層
４ｂ  下層絶縁樹脂層
５  蒸着金属層
６  めっきレジスト
７  厚膜金属層
７a         金属配線
７ｂ  金属ランド
８  ソルダーレジスト
９  外部端子
１０  金属が蒸着しない部分
１１  厚膜金属層間の溝
２２  蒸着金属残り
２３  過度にエッチングされた箇所
２４  剥離空間
３０  光硬化性の液状樹脂の収用する光造形装置内のタンク
３１  光硬化性の液状樹脂
３２  エレベータ
３３  テーブル
３４  レーザー光
３５  基板またはウェハ
３６  １層目絶縁樹脂層
３７  ２層目絶縁樹脂層
【図１】
2005033061.tif 000003
【図２】
2005033061.tif 000004
【図３】
2005033061.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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