(57)【要約】【課題】生産性を向上させ、放電開始電圧を低下させてコストを低減させ、かつ、プラズマディスプレイパネルの輝度を向上させ、表示動作を安定化させる。【解決手段】貼り合わせた前面基板及び背面基板を、加熱炉内に配置し、放電空間内の排気を開始すると共に、加熱を開始し、温度Ｔが３００〜４００℃に達すると、還元性ガスを導入を開始し、放電空間内に充填する。還元性ガスの導入から所定時間経過後、還元性ガスの排気を開始する。この還元性ガスの導入及び排気によって、パネル内表面、特に、保護膜の表層部に存在する酸化マグネシウムが除去される。次に、酸化性ガスを導入し、放電空間１３内に充填する。酸化性ガスの導入から所定時間経過後、酸化性ガスの排気を開始する。この酸化性ガスの導入及び排気によって、還元性ガスの導入によるパネル内表面、特に、保護膜６の表層部に存在する水素化物や炭素が酸化し除去される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板に第１の電極層、誘電体層及び該誘電体層を保護する保護膜が順次形成されてなる第１の基板と、少なくとも第２の電極層を有してなる第２の基板とを間隙を隔てて互いに対向させた状態で配置し、前記第１及び第２の基板の周縁部を封止して放電空間を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記放電空間内に還元性ガスを充填する第１の工程と、前記放電空間内に前記還元性ガスに換えて酸化性ガスを充填する第２の工程と、前記放電空間内に前記酸化性ガスに換えて放電ガスを充填する第３の工程とを含む
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記第２の工程では、前記還元性ガスを排出した後に前記酸化性ガスを充填し、前記第３の工程では、前記酸化性ガスを排出した後に前記放電ガスを充填することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記第１の工程を実施した後に、前記放電空間内で放電を行わせる第４の工程を含むことを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記第２の工程を実施した後に、前記放電空間内で放電を行わせる第５の工程を含むことを特徴とする請求項１、２又は３記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記第１の工程では、３００℃以上４００℃以下の温度範囲で前記還元性ガスを充填することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
前記第２の工程では、３００℃以上４００℃以下の温度範囲で前記酸化性ガスを充填することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記第１の工程と前記還元性ガスの排出を繰り返し実施した後に、前記第２の工程を実施することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
前記第２の工程と前記酸化性ガスの排出を繰り返し実施した後に、前記第３の工程を実施することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
互いに対向させた状態で配置した前記第１及び第２の基板の周縁部を封止する前に、前記第１の基板を還元性ガスに晒す第６の工程と、前記第６の工程を実施した後に、前記第１の基板を酸化性ガスに晒す第７の工程とを含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
絶縁基板に第１の電極層、誘電体層及び該誘電体層を保護する保護膜が順次形成されてなる第１の基板と、少なくとも第２の電極層が形成されてなる第２の基板とを間隙を隔てて互いに対向させた状態で配置し、前記第１及び第２の基板の周縁部を封止して放電空間を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
互いに対向させた状態で配置した前記第１及び第２の基板の周縁部を封止する前に、前記第１の基板を還元性ガスに晒す第６の工程と、前記第６の工程を実施した後に、前記第１の基板を酸化性ガスに晒す第７の工程とを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
前記還元性ガス又は／及び前記酸化性ガスは、プラズマ化されていることを特徴とする請求項９又は１０記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１２】
前記第６の工程又は／及び前記第７の工程は、３００℃以上６００℃以下の温度範囲で実施されることを特徴とする請求項９、１０又は１１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１３】
前記保護膜は、酸化マグネシウムからなることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１４】
前記還元性ガスは、水素と希ガスとの混合ガスであることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１５】
前記酸化性ガスは、酸素と希ガスとの混合ガスであることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１６】
前記第３の工程では、前記放電ガスとして、キセノンの体積混合比が２５％以上の混合希ガスを用いることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１７】
プラズマディスプレイパネルを製造する第８の工程と、前記プラズマディスプレイパネルを駆動する回路とともに前記プラズマディスプレイパネルを一つのモジュールとして製造する第９の工程と、画像信号のフォーマット変換を行い、前記モジュールに送信するインタフェースを前記モジュールに電気的に接続する第１０の工程とを含むプラズマ表示装置の製造方法であって、
前記第８の工程では、請求項１乃至１６のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法が実行されることを特徴とするプラズマ表示装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１乃至１６のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法を用いて製造されたことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法、プラズマ表示装置の製造方法及びプラズマディスプレイパネルに係り、詳しくは、前面基板を構成しＭｇＯからなる保護膜に含まれる不純物を除去する清浄化工程を含むプラズマディスプレイパネルの製造方法、プラズマ表示装置の製造方法及びプラズマディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰ（Plasma Display Panel）ともいう）を主要部として含むプラズマ表示装置は、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイや液晶表示装置等に比べて、ちらつきがなく、表示コントラスト比が大きく、薄型大画面化が可能であり、応答速度が速い等の利点を有し、近年、大型平面テレビジョン受像機や、情報処理機器のディスプレイとして利用されている。
このプラズマ表示装置は、放電により発生した紫外線を蛍光体に照射することによって可視光を取り出して表示を行うディスプレイであり、動作方式により、電極が誘電体で被覆されて間接的に交流放電の状態で動作させるＡＣ型のものと、電極が放電空間に露出されて直流放電の状態で動作させるＤＣ型のものとに略大別され、特にＡＣ型のものは、高輝度が得られ、比較的簡単な構造で上述したような大画面化が容易に実現できるので、広く用いられている。また、ＡＣ型のプラズマディスプレイパネルとしては、電極構造の違いから面放電方式のものと、対向電極方式のものとが提案されている。
このようなＡＣ型のプラズマ表示装置の主要部を構成するプラズマディスプレイパネルは、ガラス等の透明材料からなる前面基板と背面基板とが対向するように配置されて、両基板間にプラズマを発生させる放電ガス空間が形成されて概略構成されている。
【０００３】
また、ＡＣ型のプラズマ表示装置のなかで、プラズマディスプレイパネルにおいて、図１３乃至図１５に示すように、放電セル（以下、セルともいう）１０１を形成する上述したような一対の基板のうちの一方の基板である前面基板１０２の内面に、水平方向に沿って平行に走査電極１０３と維持電極（共通電極）１０４とからなる行電極を配置すると共に、他方の基板である背面基板１０５の内面に、上記行電極と直交するように垂直方向に沿ってデータ電極（アドレス電極）１０６からなる列電極を配置した３電極面放電型の構成のプラズマディスプレイパネル１０７は、前面基板１０２において行われる面放電時に発生する高エネルギのイオンによる影響を抑えることができるので、長寿命化が図れるため、最も広く採用されている。
【０００４】
この３電極面放電方式ＡＣ型のプラズマディスプレイパネル１０７は、背面基板１０５のデータ電極１０６と前面基板１０２の走査電極１０３との間で表示（発光）すべき放電セル１０１を選択する書込放電を行い、次に、前面基板１０２の走査電極１０３と維持電極１０４との間で選択したセルの面放電による維持放電（表示放電）を行うように構成されている。走査電極１０３と維持電極１０４とは電極対１１５を構成している。なお、図１４中、符号１１６は、放電ギャップを示している。
ここで、走査電極１０３は、酸化錫やＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなる透明電極１０３ａと抵抗値を小さくするためのＡｌ，Ｃｕ、Ａｇ等からなるバス電極１０３ｂとからなっている。また、維持電極１０４は、透明電極１０４ａとバス電極１０４ｂとからなっている。
【０００５】
また、前面基板１０２及び背面基板１０５の透明絶縁基板１０８，１０９としては、例えば、厚さ２〜５mmの低歪点ガラスや原料が安価なソーダライムガラス等が用いられる。
また、前面基板１０２の内面側には、走査電極１０３及び維持電極１０４を覆う低融点ガラスからなる透明誘電体層１１０が形成されている。
また、動作中に発生する放電から透明誘電体層１１０を保護するために、二次電子放出係数が大きく、耐スパッタ性に優れたＭｇＯ（酸化マグネシウム）等からなる保護膜１１１が形成される。この保護膜１１１の形成は、一般に電子ビーム蒸着等によって、０．５〜２μｍの厚さに成膜が行われる。
【０００６】
また、背面基板１０５のデータ電極１０６は、白色誘電体層１１２によって覆われている。また、白色誘電体層１１２上には、隣接する放電セル１０１，１０１間の電荷の移動を制限し、誤灯を防止するために、高さ１００［μｍ］〜１５０［μｍ］、幅３０［μｍ］〜１５０［μｍ］の隔壁１１３が形成されている。
隔壁１１３によって画成される放電セル１０１の底部や側部には、赤色、緑色、及び青色の各蛍光体層１１４ｒ，１１４ｇ，１１４ｂが配置され、前面基板１０２の内面の上記各蛍光体層にそれぞれ対向する位置に赤色、緑色、及び青色の各カラーフィルタ層を配置するように構成して多色発光が可能とされている。
ここで、蛍光体材料のうち、赤色蛍光体としては、（Y，Gｄ）BO：Eu、（Y，Gｄ）BO３：Eu、緑色蛍光体としては、Zn２SiO４：Mn、青色蛍光体としては、BaMgAl１０O１７：Euが用いられる。
【０００７】
この３電極面放電方式ＡＣ型のプラズマディスプレイパネル１０７の製造方法について説明する。
前面基板１０２及び背面基板１０５をそれぞれ作成した後、組立工程を実施する。すなわち、前面基板１０２と背面基板１０５とを所定のギャップを隔てて互いに対向した状態で、かつ、電極対１１５の延長方向（行方向）とデータ電極１０６の延長方向（列方向）とが互いに直交するように、配置する。ここで、隔壁１１３によって放電セル１０１が画成されている。
次に、封着工程に移る。すなわち、背面基板１０５の周縁部にフリットガラスを塗布した後、前面基板１０２と背面基板１０５とを貼り合わせた状態で加熱し、フリットガラスを溶かして、前面基板１０２と背面基板１０５とを接合してパネル状とする。
【０００８】
次に、排気工程を実施する。すなわち、パネル状の前面基板１０２及び背面基板１０５を加熱炉内に導入するとともに、通気管を介して、前面基板１０２と背面基板１０５との間に形成された放電空間と接続して、放電空間内の排気を行いながら、真空加熱を行う。
次に、チップオフ工程に移る。すなわち、放電空間に、例えばキセノンを含む混合希ガスからなる放電ガスを２０ｋPａ〜８０ｋPａの圧力で導入して充填した後、通気管を過熱によってチップオンし、開口端部を閉塞する。このようにして、放電空間内に放電ガスが充填される。
次に、エージング工程を実施する。すなわち、放電セル内で放電を発生させて、一定時間継続させることで、放電を安定化させる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００９】
しかしながら、ＭｇＯは吸湿性を有するために、保護膜１１１内に、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）や、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３等）等の不純物を形成している。
排気工程で、これらの不純物の大部分が除去されるものの十分には除去できず、特に、保護膜１１１内に不純物が残存していると、放電が不安定になるために、エージングを長時間行う必要があった。このため、プラズマディスプレイパネルの生産性が悪化するという問題があった。
また、特に、炭酸マグネシウムは除去され難い上に、保護膜１１１内に不純物としての炭酸マグネシウムが残存していると、放電開始電圧が高くなるために、回路の製造コストが高くなるという問題があった。
【００１０】
このため、排気工程の一部に、放電空間に酸素を導入し、炭酸マグネシウム等の不純物を酸化物として排出して保護膜を清浄化する保護膜清浄化工程を含める技術が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
また、放電空間に水素を導入した後に排出して、保護膜１１１の表層部に残存する過剰な酸素を除去する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特許第３４１２５７０号公報
【特許文献２】特許第２９８４０１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
解決しようとする第１の問題点は、上記従来技術では、放電空間に単に酸素を導入した後に排出しても不純物の除去効果が不十分であり、長時間のエージングを必要として、依然として生産性が低下するという点である。
また、第２の問題点は、上記従来技術では、不純物が十分除去されないことにより、放電開始電圧が増大し、コストが嵩む原因となっているという点である。
特に、近年は、プラズマディスプレイパネルの輝度向上のためにキセノンの混合比を高めているので、ただでさえ放電開始電圧が増大してきており、さらにコストが嵩む原因となっている。
また、第３の問題点は、上記従来技術で、放電空間に水素を導入した場合、高温で水素を充填するので、パネル内表面の物質と水素とが反応して、水素化物が生成され、水素化物を残存させたまま、プラズマディスプレイパネルとして完成させると、長期間の使用中には、表示動作中に水素がパネル内に放出されて、プラズマディスプレイパネルの輝度低下や、表示動作の不安定化の原因となってしまうという点である。
【００１２】
この発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、生産性を向上させることができるプラズマディスプレイパネルの製造方法、プラズマ表示装置の製造方法及びプラズマディスプレイパネルを提供することを第１の目的としている。
また、放電開始電圧を低下させ、コストを低減させることができるプラズマディスプレイパネルの製造方法、プラズマ表示装置の製造方法及びプラズマディスプレイパネルを提供することを第２の目的としている。
また、プラズマディスプレイパネルの輝度を向上させ、表示動作を安定化させることができるプラズマディスプレイパネルの製造方法、プラズマ表示装置の製造方法及びプラズマディスプレイパネルを提供することを第３の目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、絶縁基板に第１の電極層、誘電体層及び該誘電体層を保護する保護膜が順次形成されてなる第１の基板と、少なくとも第２の電極層を有してなる第２の基板とを間隙を隔てて互いに対向させた状態で配置し、上記第１及び第２の基板の周縁部を封止して放電空間を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記放電空間内に還元性ガスを充填する第１の工程と、上記放電空間内に上記還元性ガスに換えて酸化性ガスを充填する第２の工程と、上記放電空間内に上記酸化性ガスに換えて放電ガスを充填する第３の工程とを含むことを特徴としている。
【００１４】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記第２の工程では、上記還元性ガスを排出した後に上記酸化性ガスを充填し、上記第３の工程では、上記酸化性ガスを排出した後に上記放電ガスを充填することを特徴としている。
【００１５】
また、請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記第１の工程を実施した後に、上記放電空間内で放電を行わせる第４の工程を含むことを特徴としている。
【００１６】
また、請求項４記載の発明は、請求項１、２又は３記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記第２の工程を実施した後に、上記放電空間内で放電を行わせる第５の工程を含むことを特徴としている。
【００１７】
また、請求項５記載の発明は、請求項１乃至４のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記第１の工程では、３００℃以上４００℃以下の温度範囲で上記還元性ガスを充填することを特徴としている。
【００１８】
また、請求項６記載の発明は、請求項１乃至５のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記第２の工程では、３００℃以上４００℃以下の温度範囲で上記酸化性ガスを充填することを特徴としている。
【００１９】
また、請求項７記載の発明は、請求項１乃至６のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記第１の工程と上記還元性ガスの排出を繰り返し実施した後に、上記第２の工程を実施することを特徴としている。
【００２０】
また、請求項８記載の発明は、請求項１乃至７のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記第２の工程と上記酸化性ガスの排出を繰り返し実施した後に、上記第３の工程を実施することを特徴としている。
【００２１】
また、請求項９記載の発明は、請求項１乃至８のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、互いに対向させた状態で配置した上記第１及び第２の基板の周縁部を封止する前に、上記第１の基板を還元性ガスに晒す第６の工程と、上記第６の工程を実施した後に、上記第１の基板を酸化性ガスに晒す第７の工程とを含むことを特徴としている。
【００２２】
また、請求項１０記載の発明は、絶縁基板に第１の電極層、誘電体層及び該誘電体層を保護する保護膜が順次形成されてなる第１の基板と、少なくとも第２の電極層が形成されてなる第２の基板とを間隙を隔てて互いに対向させた状態で配置し、上記第１及び第２の基板の周縁部を封止して放電空間を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、互いに対向させた状態で配置した上記第１及び第２の基板の周縁部を封止する前に、上記第１の基板を還元性ガスに晒す第６の工程と、上記第６の工程を実施した後に、上記第１の基板を酸化性ガスに晒す第７の工程とを含むことを特徴としている。
【００２３】
また、請求項１１記載の発明は、請求項９又は１０記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記還元性ガス又は／及び上記酸化性ガスは、プラズマ化されていることを特徴としている。
【００２４】
また、請求項１２記載の発明は、請求項９、１０又は１１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記第６の工程又は／及び上記第７の工程は、３００℃以上６００℃以下の温度範囲で実施されることを特徴としている。
【００２５】
また、請求項１３記載の発明は、請求項１乃至１２のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記保護膜は、酸化マグネシウムからなることを特徴としている。
【００２６】
また、請求項１４記載の発明は、請求項１乃至１３のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記還元性ガスは、水素と希ガスとの混合ガスであることを特徴としている。
【００２７】
また、請求項１５記載の発明は、請求項１乃至１４のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記酸化性ガスは、酸素と希ガスとの混合ガスであることを特徴としている。
【００２８】
また、請求項１６記載の発明は、請求項１乃至１５のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記第３の工程では、上記放電ガスとして、キセノンの体積混合比が２５％以上の混合希ガスを用いることを特徴としている。
【００２９】
また、請求項１７記載の発明は、プラズマディスプレイパネルを製造する第８の工程と、上記プラズマディスプレイパネルを駆動する回路とともに上記プラズマディスプレイパネルを一つのモジュールとして製造する第９の工程と、画像信号のフォーマット変換を行い、上記モジュールに送信するインタフェースを上記モジュールに電気的に接続する第１０の工程とを含むプラズマ表示装置の製造方法に係り、上記第８の工程では、請求項１乃至１６のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法が実行されることを特徴としている。
【００３０】
また、請求項１８記載の発明に係るプラズマディスプレイパネルは、請求項１乃至１６のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法を用いて製造されたことを特徴としている。
【発明の効果】
【００３１】
この発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法の構成によれば、第１の工程で還元性ガスの導入及び排気の後に、第２の工程で酸化性ガスの導入及び排気を行っているので、保護膜中の不純物を迅速にかつ確実に除去することができる。したがって、エージング時間を短くすることができるので、生産性を向上させることができる。
また、不純物の迅速かつ確実な除去によって、放電開始電圧を低下させることができるので、コストを低減させることができる。
特に、少なくとも第２の工程では、放電空間内を排気した後に、酸化性ガスの導入及び排気とを行うことによって、保護膜を構成する例えばＭｇＯが大気に晒されることなく、保護膜中のＭｇＣＯ３等の不純物を迅速にかつ確実に除去することができる。したがって、エージング時間を一段と短くすることができるので、生産性を一段と向上させることができる。
【００３２】
また、第１の工程で還元性ガスの導入及び排気の後に、第２の工程で酸化性ガスの導入及び排気を行っているので、還元性ガスの導入によって、パネル内表面、特に、保護膜の表層部に残存する水素化物を除去することができる。
したがって、放電空間内の水素化物の残留による使用中の水素の発生によって、輝度の低下を招くことを抑制することができるので、高輝度の放電を行わせることができる。また、プラズマディスプレイパネルの表示動作を長期間安定化させることができる。
また、この発明のプラズマディスプレイパネルの構成によれば、第１の基板を構成する保護膜は、不純物が十分に除去されているので、高輝度で、かつ、表示動作が安定した高い信頼性を確保することができる。
また、この発明のプラズマ表示装置の製造方法の構成によれば、プラズマ表示装置をモジュール化することによって、部品交換の必要が生じた場合に、モジュール毎交換することによって、補修の簡素化及び迅速化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、図面を参照して、この発明を実施するための最良の形態について説明する。
第１の工程で還元性ガスの導入及び排気の後に、第２の工程で酸化性ガスの導入及び排気を行うことによって、保護膜中の不純物を迅速にかつ確実に除去し、エージング時間を短くすることができ、生産性を向上させるという第１の目的を実現した。
また、不純物の迅速かつ確実な除去によって、放電開始電圧を低下させ、コストを低減させるという第２の目的を実現した。
また、第１の工程で還元性ガスの導入及び排気の後に、第２の工程で酸化性ガスの導入及び排気を行うことによって、還元性ガスの導入で、パネル内表面、特に、保護膜の表層部に残存する水素化物を除去し、放電空間内の水素化物の残留による使用中の水素の発生によって、輝度の低下を招くことを抑制することができ、プラズマディスプレイパネルの輝度を向上させ、表示動作を安定化させるという第３の目的を実現した。
【実施例１】
【００３４】
図１は、この発明の第１実施例であるプラズマディスプレイパネルの製造方法のうち保護膜清浄化工程及び放電ガス封入工程を説明するための処理手順図、図２は、同保護膜清浄化工程及び放電ガス封入工程における時間と加熱温度との間の関係を示す図、図３は、同プラズマディスプレイパネルを製造するために用いられるＰＤＰ製造装置の概略構成を示す図、図４は、同プラズマディスプレイパネルの製造方法を説明するための処理手順図、また、図５は、同プラズマディスプレイパネルの概略構成を示す斜視図である。
この例のプラズマディスプレイパネルの製造方法では、図１に示すように、排気工程の一部としての保護膜清浄化工程（ステップＳＡ１１〜ステップＳＡ１５（ステップＳＤ１６（図４）））と、放電ガス封入工程（ステップＳＡ１６、ステップＳＡ１７（ステップＳＤ１７））とを、保護膜が形成された前面基板と、背面基板とを組み立てて封着した後に実行する。ここで、保護膜清浄化工程では、放電空間内に、還元性ガスを導入した後に酸化性ガスを導入して、保護膜の清浄化を行う。
【００３５】
まず、図５に示すように、前面基板１を製造するために、ガラス基板２の内面に水平方向Ｈに沿って平行に透明電極３ａ，４ａを形成する（ステップＳＢ１１（図４））。ここで、透明電極３ａ，４ａは、酸化錫やＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなっている。
次に、抵抗値を小さくするためのバス電極（トレース電極）３ｂ，４ｂを水平方向Ｈに沿って透明電極３ａ，４ａの下面側に形成する（ステップＳＢ１２）。こうして、バス電極３ｂ，４ｂは、Ａｌ，Ｃｕ、Ａｇ等からなっている。こうして、透明電極３ａ，４ａ及びバス電極３ｂ，４ｂとから走査電極３及び維持電極（共通電極）４が形成される。
次に、走査電極３及び維持電極４を被覆する透明誘電体層５を形成する（ステップＳＢ１３）。ここで、透明誘電体層５は、例えばＰｂＯ（酸化鉛）等の低融点ガラスからなっている。
次に、透明誘電体層５を放電から保護するための保護膜６を形成する（ステップＳＢ１４）。ここで、保護膜６は、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）等からなっている。こうして、前面基板１が完成する。
【００３６】
一方、図５に示すように、背面基板８を製造するために、ガラス基板９の上面に垂直方向Ｖに沿って平行にデータ電極１１を形成する（ステップＳＣ１１（図４））。ここで、データ電極１１は、Ａｌ（アルミニウム），Ｃｕ（銅）、Ａｇ（銀）等からなっている。
次に、データ電極１１を被覆する白誘電体層１２を形成する（ステップＳＣ１２）。次に、白色誘電体層１２上に、放電セルを画成するために、ストライプ状に隔壁１４を形成する（ステップＳＣ１３）。隔壁１４は、例えば、光硬化ペーストを硬化させて所定の凹凸パターンを形成した後、焼成処理を施して作成される。
【００３７】
次に、隔壁１４，１４間に蛍光体層１５を形成する（ステップＳＣ１４）。蛍光体層１５は、放電ガスの放電によって発生する紫外線を可視光に変換する赤色蛍光体層、緑色蛍光体層、及び青色蛍光体層に塗り分けられてなっている。こうして、背面基板８が完成する。
次に、前面基板１と背面基板８とを１００μｍ程度のギャップを隔てて互いに対向した状態で、両基板１，８間に放電空間１３が形成されるように、貼り合わせて配置し、その周縁部を、例えば、フリットガラスからなる封止材１７によって気密封着する（ステップＳＤ１５（図４））。
【００３８】
次に、ステップＳＤ１６に進み、保護膜清浄化工程に移る。
この保護膜清浄化工程では、まず、貼り合わせた前面基板１及び背面基板８を、ＰＤＰ製造装置１７内に導入する。
このＰＤＰ製造装置１８は、図３に示すように、加熱炉１９と、通気管２１を介して、前面基板１と背面基板８との間に形成された放電空間１３と接続して、放電空間１３内の排気と、放電空間１３への還元性ガス、酸化性ガス及び放電ガスの導入とを行うための真空排気・ガス導入装置２２とを有してなっている。
背面基板８を構成しているガラス基板９には、所定の箇所に通気孔９ａが形成されており、このガラス基板９の外側表面には、通気孔９ａに位置合わせした状態で、通気管２１が密封状態の下で取り付けられている。背面基板８に取り付けられている端部とは反対側の通気管２１の端部は、当初の状態では開口されており、この端部を介して通気管２１が真空排気・ガス導入装置２２に接続される。
【００３９】
貼り合わせた前面基板１及び背面基板８を、加熱炉１９内に配置し、通気管２１を介して放電空間１３内の排気を開始すると共に、加熱を開始する（ステップＳＡ１１（図１））。
図２に示すように、加熱を開始すると（時刻ｔ＝ｔ１１）、室温から温度Ｔが上昇しはじめ、温度Ｔが３００〜４００℃に達すると、通気管２１を介して真空排気・ガス導入装置２２から還元性ガスを導入を開始し（時刻ｔ＝ｔ１２、ステップＳＡ１２）、放電空間１３内（パネル内）の圧力を１０〜４５［ｋＰａ］とする。ここで、還元性ガスとしては、水素と希ガスとの混合ガスを用いる。
次に、還元性ガスの導入から３０〜１８０分経過後（ｔ＝時刻ｔ１３）、還元性ガスの排気を開始する（ステップＳＡ１３）。この還元性ガスの排気は、６０〜３００分行う。
この還元性ガスの導入及び排気によって、パネル内表面の保護膜６の表層部に存在する炭酸マグネシウムが除去される。
【００４０】
次に、通気管２１を介して真空排気・ガス導入装置２２から酸化性ガスを導入し（時刻ｔ＝ｔ１４、ステップＳＡ１４）、放電空間１３内の圧力を１０〜４５［ｋＰａ］とする。ここで、酸化性ガスとしては、酸素と希ガスとの混合ガスを用いる。
次に、酸化性ガスの導入から３０〜１８０分経過後（時刻ｔ＝ｔ１５）、酸化性ガスの排気を開始する（ステップＳＡ１５）。この還元性ガスの排気は、６０〜３００分行う。
この酸化性ガスの導入及び排気によって、還元性ガスの導入によるパネル内表面、特に、保護膜６の表層部に存在し、上記還元性ガスの導入によって生成された水素化物や、炭素が酸化し除去される。
【００４１】
次に、加熱を停止し、排気しながら加熱炉１９内の温度を室温まで低下させる。室温に戻り（時刻ｔ＝ｔ１６）、かつ、放電ガス空間１３が真空に排気された後（時刻ｔ＝ｔ１７で）、ステップＳＤ１７（図４）に進み、放電ガス封入工程に移る。すなわち、放電ガス空間１３内に放電ガスの導入を開始する（ステップＳＡ１５）。
放電ガスの充填が終了した後、通気管２１は過熱によってチップオンされ、開口端部が閉塞される（ステップＳＡ１６）。この後、エージングを行う（ステップＳＤ１８（図４））。
【００４２】
このようにして、放電空間１３内に放電ガスが充填されて、図５に示すようなプラズマディスプレイパネル２３が完成する。
放電ガスとしては、Ｈｅ（ヘリウム）、Ｎｅ（ネオン）、Ｘｅ（キセノン）等は、単独で又は混合されて用いられる。
上記プラズマディスプレイパネル２３において、放電開始電圧を測定したところ、Ｘｅ混合比の大きい放電ガスを用いた場合に、従来技術によって製造したプラズマディスプレイパネルと比べて、放電開始電圧の大幅な低下が確認され、特にＸｅ混合比２５％以上で放電開始電圧の低下の割合が高かった。例えば、Ｘｅ混合比３０％以上の混合希ガスを用いたプラズマディスプレイパネルでは、放電開始電圧が５０〜１００Ｖ低減された。
【００４３】
このように、この例の構成によれば、放電空間１３内を排気した後に、還元性ガスの導入及び排気と、酸化性ガスの導入及び排気とを行っているので、保護膜６を構成するＭｇＯが大気に晒されることなく、保護膜６中のＭｇＣＯ３等の不純物を迅速にかつ確実に除去することができる。したがって、エージング時間を短くすることができるので、生産性を向上させることができる。
また、ＭｇＣＯ３の迅速かつ確実な除去によって、放電開始電圧を低下させることができるので、コストを低減させることができる。
また、還元性ガスの導入及び排気の後に、酸化性ガスの導入及び排気を行っているので、還元性ガスの導入によって、パネル内表面、特に、保護膜６の表層部に残存する水素化物を除去することができる。
したがって、放電空間１３内（パネル内）の水素化物の残留による使用中の水素の発生によって、輝度の低下を招くことを抑制することができるので、高輝度の放電を行わせることができる。また、プラズマディスプレイパネルの表示動作を安定化させることができる。
【実施例２】
【００４４】
図６は、この発明の第２実施例であるプラズマディスプレイパネルの製造方法を説明するための処理手順図である。
この例が上述した実施例１と大きく異なるところは、還元性ガスの導入及び排気と、酸化性ガスの導入及び排気とを繰り返し実施する点である。
これ以外の構成は、上述した実施例１の構成と略同一であるので、その説明を簡略にする。
【００４５】
この例のプラズマディスプレイパネルの製造方法では、図６に示すように、保護膜清浄化工程において、還元性ガスの導入及び排気と、酸化性ガスの導入及び排気とを、それぞれ規定回数繰り返して実施する。まず、還元性ガスの導入及び排気の規定繰返し数と、酸化性ガスの導入及び排気の規定繰返し数とを設定しておく。
次に、貼り合わせた前面基板１及び背面基板８を、加熱炉１９内に配置し、通気管２１を介して放電空間１３内の排気を開始すると共に、加熱を開始する（ステップＳＥ１１（図１））。
次に、加熱を開始し、温度Ｔが３００〜４００℃に達すると、通気管２１を介して真空排気・ガス導入装置２２から還元性ガスを導入を行う（ステップＳＥ１２）。次に、還元性ガスの排気を行う（ステップＳＥ１３）。
【００４６】
次に、ステップＳＥ１４で、真空排気・ガス導入装置本体の構成各部を制御するコントローラ（不図示）が、規定繰返し数に達したか判断し、規定繰返し数に達したと判断した場合は、ステップＳＥ１５へ進み、規定繰返し数に達していないと判断した場合は、ステップＳＥ１２へ戻る。
次に、通気管２１を介して真空排気・ガス導入装置２２から酸化性ガスを導入する（ステップＳＥ１５）。次に、酸化性ガスの排気を開始する（ステップＳＥ１６）。
次に、ステップＳＥ１７で、上記コントローラが、規定繰返し数に達したか判断し、規定繰返し数に達したと判断した場合は、ステップＳＥ１８へ進み、規定繰返し数に達していないと判断した場合は、ステップＳＥ１５へ戻る。
この酸化性ガスの導入及び排気によって、還元性ガスの導入によるパネル内表面、特に、保護膜６の表層部に存在する水素化物や炭素が酸化され除去される。
【００４７】
次に、加熱を停止し、排気しながら加熱炉１９内の温度を室温まで低下させる。室温に戻り、かつ、放電ガス空間１３が真空に排気された後、放電ガス空間１３内に放電ガスの導入を開始する（ステップＳＥ１８）。
放電ガスの充填が終了した後、通気管２１は過熱によってチップオンされ、開口端部が閉塞される（ステップＳＥ１９）。
【００４８】
この例の構成によれば、上述した実施例１と略同様の効果を得ることができる。
【実施例３】
【００４９】
図７は、この発明の第３実施例であるプラズマディスプレイパネルの製造方法のうち保護膜清浄化工程及び放電ガス封入工程における時間と加熱温度との間の関係を示す図、図８は、同プラズマディスプレイパネルを製造するために用いられるＰＤＰ製造装置の概略構成を示す図、また、図９は、同保護膜清浄化工程のエージング工程における時間と電極に印加する印加電圧との間の関係を示す図である。
この例が上述した実施例１と大きく異なるところは、排気を行った後に、還元性ガスの導入及びエージングと、酸化性ガスの導入及びエージングとを行う点である。
これ以外の構成は、上述した実施例１の構成と略同一であるので、その説明を簡略にする。
【００５０】
この例のプラズマディスプレイパネルの製造方法では、図６に示すように、保護膜清浄化工程において、放電空間１３内を排気した後に、還元性ガスの導入及びエージング行って排気し、酸化性ガスの導入及びエージングを行って排気する。
この保護膜清浄化工程では、まず、貼り合わせた前面基板１及び背面基板８を、ＰＤＰ製造装置２５内に導入する。
このＰＤＰ製造装置２５は、図８に示すように、加熱炉１９と、通気管２１を介して、放電空間１３と接続して、放電空間１３内の排気と、放電空間１３への還元性ガス、酸化性ガス及び放電ガスの導入とを行うための真空排気・ガス導入装置２２と、パルス電圧発生回路２６とを有してなっている。
前面基板１の走査電極３及び維持電極４は、パルス電圧発生回路２６に接続され、それぞれ所定のタイミングでパルス電圧が印加される。
【００５１】
貼り合わせた前面基板１及び背面基板８を、加熱炉１９内に配置し、通気管２１を介して放電空間１３内の排気を開始すると共に、加熱を開始する。
図２に示すように、加熱を開始すると（時刻ｔ＝ｔ２１）、室温から温度Ｔが上昇しはじめ、温度Ｔが３００〜４００℃に達すると、一定時間この温度を保ち、この後、加熱を停止し、排気しながら加熱炉１９内の温度を室温まで低下させる。で、室温に戻り（時刻ｔ＝ｔ２２、）、通気管２１を介して真空排気・ガス導入装置２２から還元性ガスを導入を開始し（時刻ｔ＝ｔ２３）、放電空間１３内（パネル内）の圧力を１０〜４５［ｋＰａ］とする。
次に、この状態で、エージングを行う。すなわち、パルス電圧発生回路２６によって、図９に示すように、維持電極４にパルスｐｂを、走査電極３にパルスｐａを印加する。ここで、パルス幅ｔ０は、略４［μｓ］である。、また、維持電圧Ｖｓ＝１８０Ｖ、周波数ｆ＝１２５ｋＨｚである。これによって、放電を発生させる。
【００５２】
次に、還元性ガスの排気を開始する（時刻ｔ＝ｔ２４）。この還元性ガスの導入及び排気によって、パネル内表面、特に、保護膜６の表層部に存在する炭酸マグネシウムが除去される。
次に、通気管２１を介して真空排気・ガス導入装置２２から酸化性ガスを導入し（時刻ｔ＝ｔ２５）、放電空間１３内の圧力を１０〜４５［ｋＰａ］とする。
次に、この状態で、エージングを行う。すなわち、パルス電圧発生回路２６によって、維持電極４にパルスｐｂを、走査電極３にパルスｐａを印加する。
次に、酸化性ガスの排気を開始する（時刻ｔ＝ｔ２６）。
この酸化性ガスの導入及び排気によって、還元性ガスの導入によるパネル内表面、特に、保護膜６の表層部に存在する水素化物や炭素が酸化し除去される。
【００５３】
この後、加熱を開始し（時刻ｔ＝ｔ２７）、室温から温度Ｔが上昇しはじめ、温度Ｔが３００〜４００℃に達すると、一定時間この温度を保ち、この後、加熱を停止し、排気しながら加熱炉１９内の温度を室温まで低下させる。室温に戻ると（時刻ｔ＝ｔ２８）、次に、放電ガス封入工程に移る。
放電ガス封入工程では、室温に戻り、かつ、放電ガス空間１３が真空に排気された後、放電ガス空間１３内に放電ガスの導入を開始する（時刻ｔ＝ｔ２９）。
放電ガスの充填が終了した後、通気管２１は過熱によってチップオンされ、開口端部が閉塞される（ステップＳＡ１６）。
【００５４】
この例の構成によれば、上述した実施例１と略同様の効果を得ることができる。
加えて、このエージングによって、ステップＳＤ１８におけるエージングを短くでき、かつ、プラズマディスプレイパネルの動作を一段と安定化させることができる。
しかも、放電させて、還元性ガス雰囲気、酸化性ガス雰囲気をプラズマ化させているため、活性化された粒子によって、保護膜６の清浄度を高めることができる。
【実施例４】
【００５５】
図１０は、この発明の第４実施例であるプラズマディスプレイパネルの製造方法のうち保護膜清浄化工程及び放電ガス封入工程における時間と加熱温度との間の関係を示す図、また、図１１は、同プラズマディスプレイパネルを製造するために用いられるＰＤＰ製造装置の概略構成を示す図である。
この例が上述した実施例１と大きく異なるところは、保護膜が形成された前面基板に対して、背面基板と対向させて固定する前に、還元性ガスの導入及び酸化性ガスの導入を行って、保護膜の清浄化を行い、組立て後の保護膜清浄化工程を省略した点である。
これ以外の構成は、上述した実施例１の構成と略同一であるので、その説明を簡略にする。
【００５６】
この例のプラズマディスプレイパネルの製造方法では、ステップＳＢ１４（図４）で前面基板１に保護膜６を形成した後に、保護膜清浄化工程に移る。
この保護膜清浄化工程では、まず、前面基板１を、ＰＤＰ製造装置２８内に導入する。
ＰＤＰ製造装置２８は、図１１に示すように、加熱炉２９と、ガス流出口２９ａを介して加熱炉２９内の排気を行うための真空排気装置３１と、ガス流入口２９ｂを介して加熱炉２９内への還元性ガス、酸化性ガス及び放電ガスの導入を行うためのガス導入装置３２とを有してなっている。
図１１に示すように、前面基板１を加熱炉２９内に配置し、加熱炉２９内の排気を開始すると共に、加熱を開始する。
図１０に示すように、加熱を開始すると（時刻ｔ＝ｔ３１）、室温から温度Ｔが上昇しはじめ、温度Ｔが３００〜６００℃に達すると、ガス流入口２９ｂから還元性ガスを導入を開始する（時刻ｔ＝ｔ３２）。ここで、還元性ガス雰囲気で、前面基板１を３０〜１８０分加熱する。
【００５７】
次に、還元性ガスのガス流出口２９ａからの排気を開始する（時刻ｔ＝ｔ３３）。この還元性ガスの導入及び排気によって、前面基板１の保護膜６の表層部に存在する炭酸マグネシウムが除去される。
次に、ガス流入口２９ｂから酸化性ガスの導入を開始する（時刻ｔ＝ｔ３４）。次に、酸化性ガスのガス流出口２９ａからの排気を開始する。
この酸化性ガスの導入及び排気によって、還元性ガスの導入によるパネル内表面、特に、保護膜６の表層部に存在する水素化物や炭素が酸化し除去される。
次に、この前面基板１背面基板８とを貼り合わせて配置し、封着する。
【００５８】
この例の構成によれば、上述した実施例１と略同様の効果を得ることができる。
加えて、組立て前にも保護膜６を清浄化して、保護膜６の表層部に形成された例えば水素化物を除去しておくことによって、組立て後の保護膜６の清浄化を、一段と確実にかつ迅速に行うことができる。
また、排気温度をフリットガラスの溶解温度よりも低く設定する必要がないので、この排気温度を比較的高く設定し、不純物を一段と確実に除去することができる。
また、蛍光体層が、還元性ガス雰囲気や酸化性ガス雰囲気に晒されることがない。
また、排気工程での排気時間や、チップオフ後のエージングを短時間で済ませることができる。
【実施例５】
【００５９】
図１２は、この発明の第５実施例であるプラズマ表示装置の製造方法によって製造されたプラズマ表示装置の構成を示すブロック図である。
この例のプラズマ表示装置４１は、図１２に示すように、モジュール構造を有するものとして設計されており、具合的には、アナログインタフェース（以下、ＩＦという）４２とＰＤＰモジュール４３とから構成されている。
【００６０】
アナログＩＦ４２は、同図に示すように、クロマ・デコーダを有するＹ／Ｃ分離回路４４と、Ａ／Ｄ変換回路４５と、ＰＬＬ回路を有する同期信号制御回路４６と、画像フォーマット変換回路４７と、逆γ（ガンマ）変換回路４８と、システムコントロール回路４９と、ＰＬＥ制御回路５１とから構成されている。
概略的には、アナログＩＦ４２は、受信したアナログ映像信号をデジタル映像信号に変換した後、このデジタル映像信号をＰＤＰモジュール４３に供給する。例えば、テレビチューナから発信されたアナログ映像信号は、Ｙ／Ｃ分離回路４４において、ＲＧＢの各色の輝度信号に分解された後、Ａ／Ｄ変換回路４５において、デジタル映像信号に変換される。
【００６１】
この後、ＰＤＰモジュール４３の画素構成と映像信号の画素構成とが異なる場合には、画像フォーマット変換回路４７において、必要な画像フォーマットの変換が行われる。ＰＤＰの入力信号に対する表示輝度の特性は線形的に比例するが、通常の映像信号は、ＣＲＴの特性に合わせて、予め補正されている（γ変換されている）。
このため、Ａ／Ｄ変換回路４５において、映像信号のＡ／Ｄ変換を行った後、逆γ変換回路４８において、映像信号に対して逆γ変換を施し、線形特性に復元されたデジタル映像信号を生成する。このデジタル映像信号は、ＲＧＢ映像信号としてＰＤＰモジュール４３に出力される。
【００６２】
アナログ映像信号には、Ａ／Ｄ変換用のサンプリングクロック及びデータクロック信号が含まれていないため、同期信号制御回路４６に内蔵されているＰＬＬ回路がアナログ映像信号と同時に供給される水平同期信号を基準として、サンプリングクロック及びデータクロック信号を生成し、ＰＤＰモジュール４３に出力する。
アナログＩＦ４２のＰＬＥ制御回路５１は輝度制御を行う。具体的には、平均輝度レベルが所定値以下である場合には、表示輝度を上昇させ、平均輝度レベルが所定値を超える場合には、表示輝度を低下させる。
【００６３】
システムコントロール回路４９は、各種制御信号をＰＤＰモジュール７３に出力する。ＰＤＰモジュール４３は、さらに、デジタル信号処理・制御回路５２と、パネル部５３と、Ｄ／Ｄコンバータを内蔵するモジュール内電源回路５４とから構成されている。
デジタル信号処理・制御回路５２は、入力ＩＦ信号処理回路５５と、フレームメモリ５６と、メモリ制御回路５７と、ドライバ制御回路５８とから構成されている。
例えば、入力ＩＦ信号処理回路５５に入力された映像信号の平均輝度レベルは、入力ＩＦ信号処理回路５５内の入力信号平均輝度レベル演算回路（不図示）によって計算され、例えば、５ビットデータとして出力される。また、ＰＬＥ制御回路５１は、平均輝度レベルに応じてＰＬＥ制御データを設定し、入力ＩＦ信号処理回路５５内の輝度レベル制御回路（不図示）に入力する。
【００６４】
パネル部５３は、ＰＤＰ２３と、走査電極を駆動する走査ドライバ５９と、データ電極を駆動するデータドライバ６１と、ＰＤＰ２３及び走査ドライバ５９にパルス電圧を供給する高圧パルス回路６２と、高圧パルス回路６２からの余剰電力を回収する電力回収回路６３とから構成されている。
ＰＤＰ２３は、例えば１３６５個×７６８個に配列された画素を有するものとして構成されている。ＰＤＰ２３では、走査ドライバ５９が走査電極を制御し、データドライバ６１がデータ電極を制御することにより、これらの画素のうちの所定の画素の点灯又は非点灯が制御され、所望の表示が行われる。
なお、ロジック用電源がデジタル信号処理・制御回路５２及びパネル部５３にロジック用電源を供給している。さらに、モジュール内電源回路５４は、表示電源から直流電力を供給され、この直流電力の電圧を所定の電圧に変換した後、パネル部５３に供給している。
【００６５】
次に、図１２を参照して、この例のプラズマ表示装置４１の製造方法について概略的に説明する。
まず、ＰＤＰ２３と、走査ドライバ５９と、データドライバ６１と、高圧パルス回路６２と、電力回収回路６３とを一基板上に配置し、パネル部５３を形成する。さらに、パネル部５３とは別個にデジタル信号処理・制御回路５２を形成する。
このようにして形成されたパネル部５３及びデジタル信号処理・制御回路５２を一つのモジュールとして組み立て、ＰＤＰモジュール４３を形成する。さらに、ＰＤＰモジュール７３とは別個にアナログＩＦ７４を形成する。
このように、ＰＤＰモジュール４３とは別個にアナログＩＦ４２を形成した後、双方を電気的に接続することによって、プラズマ表示装置４１が完成する。
【００６６】
このように、プラズマ表示装置４１をモジュール化することによって、プラズマ表示装置４１を構成する他の構成部品とは別個に独立にプラズマ表示装置４１を製造することが可能となり、例えば、プラズマ表示装置４１が故障した場合には、ＰＤＰモジュール４３毎交換することによって、補修の簡素化及び迅速化を図ることができる。
【００６７】
この例の構成によれば、プラズマ表示装置をモジュール化することによって、例えば、故障時にＰＤＰモジュール毎交換して、補修の簡素化及び迅速化を図ることができる。
【００６８】
以上、この発明の実施例を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれる。
例えば、上述した実施例では、酸化性ガスとして酸素と希ガスとの混合ガスを用いる場合について述べたが、酸素に代えてオゾンを用いても良い。
また、保護膜として、酸化マグネシウム膜を形成する場合について述べたが、酸化マグネシウムに限らず、酸化バリウム等、他のアルカリ土類金属の酸化物を用いても良い。この場合でも、上述した清浄化工程の実施によって、例えば、炭酸バリウム等を除去することができる。
また、例えば、酸化性ガスを排気した後に、放電ガスを充填する場合について述べたが、放電ガスの導入によって酸化性ガスを追い出しながら、放電ガスを充填していくようにしても良い。
【００６９】
また、実施例３では、エージングを室温で行う場合について述べたが、排気温度（例えば、３００〜４００℃）でエージングを行っても良い。
また、実施例４では、保護膜が形成された組立て前の前面基板について、保護膜清浄化工程を実施し、組立て後の保護膜清浄化工程を省略する場合について述べたが、組立て後も保護膜清浄化工程を実施するようにしても良い。これによって、一段と確実に保護膜６中のＭｇＣＯ３等の不純物を除去することができる。
また、組立て後も上述した保護膜清浄化工程を実施すると共に、保護膜が形成された組立て前の前面基板を、還元性ガスのみに晒すようにしても良いし、酸化性ガスのみに晒すようにしても良い。
また、誘電体層が形成され、保護膜が形成される前の前面基板を、例えば、還元性ガスに晒すようにしても良い。この場合、実施例１や実施例４で述べた保護膜清浄化工程で、還元性ガスの導入及び排出を省略しても良い。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
放電ガスとして、キセノンのほか、ヘリウムやネオンを用いる場合に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】この発明の第１実施例であるプラズマディスプレイパネルの製造方法のうち保護膜清浄化工程及び放電ガス封入工程を説明するための処理手順図である。
【図２】同保護膜清浄化工程及び放電ガス封入工程における時間と加熱温度との間の関係を示す図である。
【図３】同プラズマディスプレイパネルを製造するために用いられるＰＤＰ製造装置の概略構成を示す図である。
【図４】同プラズマディスプレイパネルの製造方法を説明するための処理手順図である。
【図５】同プラズマディスプレイパネルの概略構成を示す斜視図である。
【図６】この発明の第２実施例であるプラズマディスプレイパネルの製造方法を説明するための処理手順図である。
【図７】この発明の第３実施例であるプラズマディスプレイパネルの製造方法のうち保護膜清浄化工程及び放電ガス封入工程における時間と加熱温度との間の関係を示す図である。
【図８】同プラズマディスプレイパネルを製造するために用いられるＰＤＰ製造装置の概略構成を示す図である。
【図９】同保護膜清浄化工程のエージング工程における時間と電極に印加する印加電圧との間の関係を示す図である。
【図１０】この発明の第４実施例であるプラズマディスプレイパネルの製造方法のうち保護膜清浄化工程及び放電ガス封入工程における時間と加熱温度との間の関係を示す図である。
【図１１】同プラズマディスプレイパネルを製造するために用いられるＰＤＰ製造装置の概略構成を示す図である。
【図１２】この発明の第５実施例であるプラズマ表示装置の製造方法によって製造されたプラズマ表示装置の構成を示すブロック図である。
【図１３】従来技術を説明するための説明図であって、面放電式ＡＣ型のプラズマディスプレイパネルの構成を示す斜視図である。
【図１４】従来技術を説明するための説明図であって、面放電式ＡＣ型のプラズマディスプレイパネルの構成を示す平面図である。
【図１５】従来技術を説明するための説明図であって、図１４のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１      前面基板（第１の基板）
２      ガラス基板（絶縁基板）
３      走査電極（第１の電極層）
４      維持電極（第１の電極層）
５      透明誘電体層（誘電体層）
６      保護膜
８      背面基板（第２の基板）
１１      データ電極（第２の電極層）
１３      放電空間
２３      プラズマディスプレイパネル
４１      プラズマ表示装置
【図１】
2005158311.tif 000003
【図２】
2005158311.tif 000004
【図３】
2005158311.tif 000005
【図４】
2005158311.tif 000006
【図５】
2005158311.tif 000007
【図６】
2005158311.tif 000008
【図７】
2005158311.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005158311.tif 000011
【図１０】
2005158311.tif 000012
【図１１】
2005158311.tif 000013
【図１２】
2005158311.tif 000014
【図１３】
2005158311.tif 000015
【図１４】
2005158311.tif 000016
【図１５】
2005158311.tif 000017