(57)【要約】      （修正有）【課題】接続が容易で費用を節減し、収率を向上させるようにしたエンベデッド集積素子パッケージ構造体を提供する。【解決手段】支持基板上に付着され、外部の一方の側の表面が露出している第１導電性電極列を有する活性素子集積回路３１０と、前記活性素子を駆動するための駆動電源を発生し、発生された駆動電源を前記活性素子に供給するため、外部の一方の側の表面に露出している第２導電性電極列を有するドライバ集積回路３２０ａ，３２０ｂと、下面の一方の側に、前記第１導電性電極列の各導電性電極３２１ａ、３２１ｂに対応する多数の導電性電極が列をなしてなる第３導電性電極列を持っており、他方の側に、前記第２導電性電極列の各導電性電極に対応する多数の導電性電極が列をなしてなる第４導電性電極列を持っており、前記第３導電性電極列の各導電性電極とこれに対応する第４導電性電極列の各導電性電極が内部回路パターンにより電気的に接続される。【選択図】図３
2005354021.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に付着され、活性素子が密封されており、前記活性素子に電源を供給するため、外部の一方の側の表面が露出している第１導電性電極列を有する活性素子集積回路と、
前記支持基板上の前記活性素子集積回路から離隔されて付着され、外部の制御信号に応じて前記活性素子を駆動するための駆動電源を発生し、発生された駆動電源を前記活性素子に供給するため、外部の一方の側の表面に露出している第２導電性電極列を有するドライバ集積回路と、
下面の一方の側に、前記第１導電性電極列の各導電性電極に対応する多数の導電性電極が列をなしてなる第３導電性電極列を有しており、他方の側に、前記第２導電性電極列の各導電性電極に対応する多数の導電性電極が列をなしてなる第４導電性電極列を有しており、前記第３導電性電極列の各導電性電極とこれに対応する第４導電性電極列の各導電性電極が内部回路パターンにより電気的に接続され、前記一方の側の第３導電性電極列が前記第１導電性電極列とフリップチップボンディングで接続され、前記他方の側の第４導電性電極列が前記第２導電性電極列とフリップチップボンディングで接続されている補助基板とを含んでなることを特徴とするエンベデッド集積素子パッケージ構造体。
【請求項２】
前記ドライバ集積回路が多数であり、前記多数の集積回路が前記活性素子集積回路の周囲を取り囲んで配置され、
前記補助基板は、中央部に前記活性素子集積回路の活性素子が外部に露出されるようにする空洞が形成され、前記活性素子集積回路の第１導電性電極列に対応する第３導電性電極列が内側を一周するように設けられ、前記ドライバ集積回路の第２導電性電極列に対応する第４導電性電極列が外側を一周するように設けられ、フリップチップボンディングにより、前記第１導電性電極列と第３導電性電極列とが接続され、かつ第２導電性電極列と第４導電性電極列とが接続されることを特徴とする請求項１記載のエンベデッド集積素子パッケージ構造体。
【請求項３】
前記活性素子集積回路と前記支持基板の接着部位に軟性メタル層をさらに有することを特徴とする請求項１記載のエンベデッド集積素子パッケージ構造体。
【請求項４】
前記活性素子集積回路と前記ドライバ集積回路間がシリコン、エポキシなどの物質で固定されることを特徴とする請求項１に記載のエンベデッド集積素子パッケージ構造体。
【請求項５】
支持基板上に付着され、活性素子が密封されており、前記活性素子に電源を供給するため、外部の一方の側の表面が露出している第１導電性電極列を有する活性素子集積回路と、
前記支持基板上の前記活性素子集積回路から離隔されて付着され、表面の一方の側に、駆動電源を前記活性素子に供給するため、露出している第２導電性電極列を有し、他方の側に、駆動電源を受けるための第３導電性電極列を有し、上面が前記活性素子集積回路と同一高さを維持している第１補助基板と、
前記第１補助基板上の一方の側に付着され、外部の制御信号に応じて前記活性素子を駆動するための駆動電源を発生し、発生された駆動電源を供給するため、一方の側の表面に露出している第４導電性電極列を有し、前記第４導電性電極列が前記第３導電性電極列に接続されて前記活性素子に駆動電源を供給するドライバ集積回路と、
下面の一方の側に、前記第１導電性電極列の各導電性電極に対応する多数の導電性電極が列をなしてなる第５導電性電極列をもっており、他方の側に、前記第２導電性電極列の各導電性電極に対応する多数の導電性電極が列をなしてなる第６導電性電極列をもっており、前記第５導電性電極列の各導電性電極とこれに対応する第６導電性電極列の各導電性電極が内部回路パターンにより電気的に接続され、一方の側の第５導電性電極列が第１導電性電極列とフリップチップボンディングで接続され、他方の側の第６導電性電極列が第２導電性電極列とフリップチップボンディングで接続されている第２補助基板とを含んでなることを特徴とするエンベデッド集積素子パッケージ構造体。
【請求項６】
前記第１補助基板の第３導電性電極列の各導電性電極と、これらに対応する前記ドライバ集積回路の第４導電性電極列の導電性電極とが、フリップチップボンディングで接続されることを特徴とする請求項５記載のエンベデッド集積素子パッケージ構造体。
【請求項７】
前記第１補助基板の第３導電性電極列の各導電性電極と、これらに対応する前記ドライバ集積回路の第４導電性電極列の導電性電極とが、ワイヤーボンディングで接続されることを特徴とする請求項５記載のエンベデッド集積素子パッケージ構造体。
【請求項８】
前記第１補助基板が多数であり、前記多数の第１補助基板が前記活性素子集積回路の周囲を取り込んで配置され、
前記ドライバ集積回路が多数であり、前記多数のドライバ集積回路が対応する前記第１補助基板上にそれぞれ付着され、
前記第２補助基板は、中央部に前記活性素子集積回路の活性素子が外部に露出されるようにする空洞が形成され、前記活性素子集積回路の第１導電性電極列に対応する第５導電性電極列が内側を一周するように設けられ、前記第１補助基板の第２導電性電極列に対応する第６導電性電極列が外側を一周するように設けられ、フリップチップボンディングにより、前記第１導電性電極列と第５導電性電極列とが接続され、かつ第２導電性電極列と第６導電性電極列とが接続されることを特徴とする請求項５記載のエンベデッド集積素子パッケージ構造体。
【請求項９】
前記活性素子集積回路と前記支持基板の接着部位に軟性メタル層をさらに有することを特徴とする請求項５記載のエンベデッド集積素子パッケージ構造体。
【請求項１０】
前記活性素子集積回路と前記ドライバ集積回路間がシリコン、エポキシなどの物質で固定されることを特徴とする請求項５記載のエンベデッド集積素子パッケージ構造体。
【請求項１１】
基板上の一方の側端に活性素子が密封材で密封され、前記活性素子に電源を提供するための第１導電性電極列が密封部材の外部に露出し、他方の側端に外部の制御回路からの制御信号を受信するための第２導電性電極列が設けられた活性素子集積回路と、
下面の一方の側に第３導電性電極列が設けられ、他方の側に第４導電性電極列が設けられ、第１導電性電極列と第３導電性電極列がフリップチップボンディングで接続され、第２導電性電極列と第４導電性電極列がフリップチップボンディングで接続され、第２導電性電極列と第４導電性電極列を介して外部から入力された制御信号に応じて前記活性素子集積回路の活性素子を駆動するための駆動電源を発生し、前記第３導電性電極列と第１導電性電極列を介して前記活性素子集積回路に提供するドライバ集積回路とを含んでなることを特徴とするエンベデッド集積素子パッケージ構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は集積素子パッケージ構造体に関し、より詳しくはマイクロエレクトロニック機械素子（ＭＥＭＳ）などが多数の電極を有する場合、外部ドライバ集積回路などと補助基板を用いて電気的接続を達成することにより、高速動作が可能で、接続が容易であり、費用を節減し、収率を向上させたエンベデッド集積素子パッケージ構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
チップをリードフレームのパドルに装着する物理的連結、またはチップの接続パッドとリードフレームの内部導線間の電気的結線、または接続パッドを補強した突起を基板の当該連結位置に直接接続させるなどの電気的、物理的連結などを接続と言う。接続は、ワイヤーボンディング、ＴＡＢボンディング、フリップチップボンディングなどに大別できる。
【０００３】
ワイヤーボンディングは、ダイボンディングの終了後、モノリシックチップのパッドからパッケージのリードフレームの内側リードまでＡｕまたはＡｌ線で結線することを言う。Ａｕ−ワイヤーボンディングの場合、ボビンから小径の金線を炭化タングステンからなった毛細管を介して球状に形成した後、チップの接続パッド上に載せ、前記毛細管を押し付ける。
【０００４】
チップはＡｕ−Ｓｉ共晶点に近い３６０℃程度に予め加熱されているため、毛細管からの圧力とチップの熱により接続される。このような方法を熱圧着接続法ともいう。チップのパッドで接続が済むと、毛細管器具を持ち上げ、水素ガス炎により、Ａｕワイヤーの球状部が形成される。この際、Ａｕワイヤーの形状によって、ボールボンディングまたはネイルヘッドボンディングと呼ばれる違いがある。
【０００５】
別のワイヤーボンディングとしてウェッジボンディングがあるが、楔状の炭化タングステンからなった毛細管に超音波装置が連結され、これによりＡｌ線をチップのパッドに置いた後、毛細管装置で押しながら超音波振動を加えると、発熱しながら接続がなされる。
【０００６】
ついで、楔状の毛細管装置をリードフレーム側に移し、同様な方法で接続を行った後、線を切断すると、接続が済む。この工程においては、ＡｕよりＡｌを多く使用するが、チップの接続パッドがＡｌからなっているため、金属離脱が発生しないことにその原因がある。これを超音波ボンディングともいう。
【０００７】
ＴＡＢボンディングはポリイミドの重合体フィルム上に、金属導線パターンの形成されたポリイミドテープと接続パッドの金属突起を有するチップの接続部分をすべて所望の位置に正しく整列した後、これらを接続させる接続方法をいう。
【０００８】
チップと接続部分を含む領域を合成樹脂でパッケージングし、テープを切ってＰＣＢに載せた後、これらと外側リードを連結して使用する。
【０００９】
映画フィルムあるいは写真フィルムの如く、テープが動けるようにする打ち抜き孔が外部に設けられている。また、信頼性試験の間、個別単位に切断して一位置に重ねておくか、あるいは外部結線のために必要な部分を残し、残りは切断して除去するトリミング工程などに使用されるトリミングスロットがある。
【００１０】
四角形になった内部にチップが置かれ、これを取り囲んでいる黒い部分が微細な接続線が密集している内部導線であり、ＰＣＢ基板が連結線と接続される部分が外部導線領域である。ＰＣＢ基板に実装するためのトリミングを行うと、外部導線までのみ残り、残りの外側部分は不要なものとなる。
【００１１】
外部導線を取り囲んでいる外部導線孔の内部にある導線がＰＣＢ基板に接続されるものである。そのほかに、電気的測定のための測定パッド、接続のための整列表示模様などがある。
【００１２】
ＴＡＢボンディングを用いると、全体積が減少し、軽くなり、出力端子数を大きく増やすことができるだけでなく、ワイヤーボンディングに比べ、信号処理の高速化が可能であり、工程速度を向上させることができる。
【００１３】
接続工程に際しては、温度、圧力、時間などが工程変数として作用する。従来使用されてきたバッチボンディングに際しては、パッドの高低差、器具の非平坦度などにより接続程度に違いがあり得るので、最近には各パッドを一つずつ接続する個別ボンディング方法が増加している。
【００１４】
フリップチップボンディングは、チップの接続パッドに突起を形成してＰＣＢ基板に直接接続する接続方法である。フリップチップは、ワイヤーボンディング過程が不要で、最も軽薄短小であるだけでなく、集積度および性能面でもほかの方法より優れている。
【００１５】
フリップチップボンディングでは、ワイヤーボンディングが省略され、接続突起がチップの全域に均等に整列されるので、信号線長の短縮による周波数特性の改善により、高周波特性を有する回路では特に性能改善の効果を提供する。
【００１６】
フリップチップボンディングは、チップの上面を下向きに裏返して接続させる実装技術の難点があるが、システムの集積化の際に、ＰＣＢに多数の相違したチップを直接連結させることができるので、システム自体の軽薄短小化と性能改善に寄与する。
【００１７】
一方、マイクロエレクトロニック機械デバイス（micro-electro-mechanical system；ＭＥＭｓ）はよく知られているシリコン半導体デバイスである。ＭＥＭｓ素子は、応力ゲージ、加速度計、電子水準器およびディスプレイ、またはそのほかの光学デバイスを含む多様な応用に有用である。これらは極小の可動部分であるため、周囲の条件に特に敏感である。したがって、ＭＥＭｓ素子は、これらに対する環境を制御するため、通常に密封パッケージ内の空洞内にシールされる。
【００１８】
特許文献１には“半導体素子に密封カバーをシールする方法および装置”についての技術的思想が開示されているが、ここで、半導体素子は回折格子光バルブである。回折格子光バルブの例は特許文献２に開示されている。
【００１９】
図１は従来技術による、密封カバーがシールされた半導体素子の断面図である。
【００２０】
金属性の導電および反射外皮１０２を含む導電性リボン１００が空気間隙１０６を介在して半導体基板１０４上に形成されている。導電性電極１０８が基板１０４の表面に形成され、絶縁層１１０で覆われている。
【００２１】
導電性電極１０８はリボン１００の下側に位置し、かつ空気間隙１０６の下側に位置する。反射外皮１０２は機械的能動リボン１００の地域上に延長され、通常のボンディングパッド１１２およびその末端から構成される。前記デバイスは上側に位置する通常の絶縁保護層１１４で保護(passivation)されている。保護層１１４はボンディングパッド１１２またはリボン(ribbon)構造体１００／１０２を覆わない。制御および電力信号は通常のワイヤーボンディング構造体１１６を介して半導体デバイスに連結される。
【００２２】
ボンディングパッド１１２をリボン構造体１００、１０２から除去して蓋(lid)シール領域１１８を提供する。この蓋シール領域１１８には、従来の半導体処理方法によりソルダ可能材１２０が形成される。また、半導体素子には密閉蓋１２２が結合される。この場合、蓋１２２は蓋シール領域１１８上に同時に結合されるのに適したサイズに形成され、蓋１２２の一面を取り囲んでいるリングにソルダ可能材１２４が形成される。ソルダ可能材１２４には、半導体素子に蓋１２２が結合できるように、ソルダ１２６が提供される。
【００２３】
前述した従来技術から分かるように、導電性電極をほかの半導体デバイス（光変調器の場合はドライバ）に電気的に接続するためにワイヤーボンディングを行うが、このようなワイヤーボンディングによる電気的接続は、図２に示すように、光変調器に適用するのには、導電性電極２０１ａ〜２０１ｎの数があまり多いため、多くの時間がかかる問題点があった。
【００２４】
また、従来技術から分かるように、導電性電極をワイヤーボンディングで接続することは、図２に示すように、密集した導電性電極２０１ａ〜２０１ｎをドライバの電極にワイヤーボンディングすることであって、収率が低下する問題点があった。
【００２５】
また、従来技術から分かるように、導電性電極をワイヤーボンディングで接続することは、図２に示すように、導電性電極２０１ａ〜２０１ｎごとに個別的にワイヤーボンディングを行わなければならないため、高い費用がかかる問題点があった。
【００２６】
また、従来技術から分かるように、高速素子を応用する場合、ワイヤーのインダクタ(inductor)成分により素子の動作速度が低下するなどの問題があった。
【００２７】
一方、光変調器において、接続方法として、ポリイミドの重合体フィルム上に、金属導線パターンの形成されたテープと接続パッドの金属突起を有するチップを、接続部分がすべて所望位置に正しく整列されるようにした後、接続させるＴＡＢボンディング方法が使用された。
【００２８】
しかし、前記のようなＴＡＢボンディング方式を光変調器に応用するためには、空間消費が多すぎて費用が上昇する問題点があり、接続抵抗の増加、相対的に低い許容電流量などの問題があった。
【００２９】
また、特許文献３および特許文献４はフリップチップ方法の応用であって、ワイヤーボンディング法の欠点を克服するが、集積回路にケーブルが付いているため工程が難しく、集積回路とケーブルを接合するため、維持補修に難しさがある。
【００３０】
さらにフリップチップでは、集積回路が空中に浮かんでおり、熱放出経路が空気対流のみに依存するため、素子から発生する熱を放出させ難いし、集積回路にケーブルを連結するために集積回路の面積が増加するしかないし、これによる集積回路の価格上昇の問題があった。また、基板支持力を確保するため、必要以上にボンディングパッドを大きくしなければならない負担があった。
【００３１】
【特許文献１】米国特許第６，３０３，９８６号明細書
【特許文献２】米国特許第５，３１１，３６０号明細書
【特許文献３】米国特許第６，４５２，２６０号明細書
【特許文献４】米国特許第６，０９６，５７６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３２】
したがって、本発明は前記のような従来の問題点を解決するためになされたもので、マイクロエレクトロニック機械などが多数の電極を有する場合、外部ドライバ集積回路などと補助基板を用いて接続して素子の高速動作を可能にし、接続が容易で費用を節減し、収率を向上させるようにしたエンベデッド集積素子パッケージ構造体を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
前記のような目的を達成するため、本発明は、支持基板上に付着され、活性素子が密封されており、前記活性素子に電源を供給するため、外部の一方の側の表面が露出している第１導電性電極列を有する活性素子集積回路と、前記支持基板上の前記活性素子集積回路から離隔されて付着され、外部の制御信号に応じて前記活性素子を駆動するための駆動電源を発生し、発生された駆動電源を前記活性素子に供給するため、外部の一方の側の表面に露出している第２導電性電極列を有するドライバ集積回路と、下面の一方の側に、前記第１導電性電極列の各導電性電極に対応する多数の導電性電極が列をなしてなる第３導電性電極列をもっており、他方の側に、前記第２導電性電極列の各導電性電極に対応する多数の導電性電極が列をなしてなる第４導電性電極列を有しており、前記第３導電性電極列の各導電性電極とこれに対応する第４導電性電極列の各導電性電極が内部回路パターンにより電気的に接続され、一方の側の第３導電性電極列が第１導電性電極列とフリップチップボンディングで接続され、他方の側の第４導電性電極列が第２導電性電極列とフリップチップボンディングで接続されている補助基板とを含んでなるエンベデッド集積素子パッケージ構造体を提供する。
【００３４】
また、本発明は、前記の目的を達成するため、支持基板上に付着され、活性素子が密封されており、前記活性素子に電源を供給するため、外部の一方の側の表面が露出している第１導電性電極列を有する活性素子集積回路と、前記支持基板上の前記活性素子集積回路から離隔されて付着され、表面の一方の側に、駆動電源を前記活性素子に供給するため、露出している第２導電性電極列を有し、他方の側に、駆動電源を受けるための第３導電性電極列を有し、上面が前記活性素子集積回路と同一高さを維持している第１補助基板と、前記第１補助基板上の一方の側に付着され、外部の制御信号に応じて前記活性素子を駆動するための駆動電源を発生し、発生された駆動電源を供給するため、一方の側の表面に露出している第４導電性電極列を有し、前記第４導電性電極列が前記第３導電性電極列に接続されて前記活性素子に駆動電源を供給するドライバ集積回路と、下面の一方の側に、前記第１導電性電極列の各導電性電極に対応する多数の導電性電極が列をなしてなる第５導電性電極列を持っており、他方の側に、前記第２導電性電極列の各導電性電極に対応する多数の導電性電極が列をなしてなる第６導電性電極列を持っており、前記第５導電性電極列の各導電性電極とこれに対応する第６導電性電極列の各導電性電極が内部回路パターンにより電気的に接続され、一方の側の第５導電性電極列が第１導電性電極列とフリップチップボンディングで接続され、他方の側の第６導電性電極列が第２導電性電極列とフリップチップボンディングで接続されている第２補助基板とを含んでなるエンベデッド集積素子パッケージ構造体を提供する。
【００３５】
また、本発明は、前記の目的を達成するため、基板上の一方の側端に活性素子が密封材で密封され、前記活性素子に電源を提供するための第１導電性電極列が密封部材の外部に露出し、他方の側端に外部の制御回路からの制御信号を受信するための第２導電性電極列が設けられた活性素子集積回路と、下面の一方の側に第３導電性電極列が設けられ、他方の側に第４導電性電極列が設けられ、第１導電性電極列と第３導電性電極列とがフリップチップボンディングで接続され、第２導電性電極列と第４導電性電極列とがフリップチップボンディングで接続され、第２導電性電極列と第４導電性電極列を介して外部から入力された制御信号に応じて前記活性素子集積回路の活性素子を駆動するための駆動電源を発生し、前記第３導電性電極列と第１導電性電極列を介して前記活性素子集積回路に提供するドライバ集積回路とを含んでなるエンベデッド集積素子パッケージ構造体を提供する。
【発明の効果】
【００３６】
前記のような本発明によると、活性素子集積回路と外部ドライバ間の接続を容易にする効果がある。
【００３７】
また、本発明によると、一度の作業で多数の電極を接続するので、ワイヤーボンディングなどに比べて製作速度を向上させ、不良率を減少させ、費用を節減する効果がある。
【００３８】
また、本発明によると、活性素子集積回路とドライバ集積回路の下面が基板と接しているので、熱放出効果に優れた効果がある。
【００３９】
また、本発明によると、構造的安定性を向上させる効果があり、高い堅牢度を提供し、落下の際、蓋ガラスが上面に位置するので、衝撃から保護される効果がある。
【００４０】
また、本発明によると、活性素子集積回路の下面に軟性メタル層を備えて平坦度を増加させる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、図３ないし図１０ｃに基づいて本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【００４２】
実施の形態１
図３は本発明の実施の形態１によるエンベデッド集積素子パッケージ構造体の平面図、図４は本発明の実施の形態１によるエンベデッド集積素子パッケージ構造体を断面図である。
【００４３】
図３に示すように、下部基板３００の中央部に集積回路３１０が配置されている。ここで、下部基板３００は、シリコン基板、セラミック基板、プリント基板などであり得る。
【００４４】
活性素子集積回路３１０としては、光メモリ、光ディスプレイ、プリンタ、光インターコネクション、ホログラム、およびディスプレイ装置などの分野に使用される回折型、反射型および透過型などの光変調器を含む。また、活性素子集積回路３１０は、光変調器のほかに、光素子、ディスプレイ素子、センサ素子、またはメモリ素子などを含む。
【００４５】
活性素子集積回路３１０は、素子基板３１４、光変調器のリボンなどからなり、素子基板３１４の中央部に位置し、電源の供給時、上下に振動する活性素子３１１、活性素子３１１のリボンなどに電源を供給するための導電性電極３１２、および蓋ガラス３１３を含んでなる。
【００４６】
蓋ガラス３１３は素子基板３１４に実装された活性素子３１１を周辺環境から保護する役目をするもので、活性素子３１１を覆い、活性素子３１１に対応する部分が光透過性物質からなっている。
【００４７】
そして、下部基板３００の活性素子集積回路３１０の両側にはドライバ集積回路３２０ａ、３２０ｂが設けられ、ドライバ集積回路３２０ａ、３２０ｂは外部から印加される制御信号に応じて活性素子集積回路３１０に駆動電源を提供する。この実施例においては、活性素子集積回路３１０と接続するための集積回路としてドライバ集積回路３２０ａ、３２０ｂを例として説明したが、これに限定されるものではなく、ほかの集積回路も使用可能なものである。
【００４８】
このようなドライバ集積回路３２０ａ、３２０ｂと活性素子集積回路３１０の電気的接続は、ドライバ集積回路３２０ａ、３２０ｂの上部に形成された導電性電極３２１ａ、３２１ｂと活性素子集積回路３１０の導電性電極３１２を補助基板３３０ａ、３３０ｂで接続することでなされる。
【００４９】
ここで、補助基板３３０ａ、３３０ｂの一方の側には、ドライバ集積回路３２０ａ、３２０ｂとの接続のためのボンディングパッド（図５参照）がジグザグに形成されており、他方の側には、活性素子集積回路３１０の導電性電極３１２との接続のためのボンディングパッド（図５参照）がジグザグに形成されている。
【００５０】
そして、補助基板３３０ａ、３３０ｂの内部には、ドライバ集積回路３２０ａ、３２０ｂの導電性電極３２１ａ、３２１ｂとの接続のためのボンディングパッドと活性素子集積回路３１０の導電性電極３１２との接続のためのボンディングパッドとの間に連結回路が形成されているので、フリップチップの接続が完了したとき、ドライバ集積回路３２０ａ、３２０ｂと活性素子集積回路３１０が電気的通路を確保することになる。この際、補助基板３３０ａ、３３０ｂの配線回路の下側には、絶縁用絶縁膜を形成しておくこともできる。すなわち、補助基板３３０ａ、３３０ｂの配線回路を露出したままで維持し、あるいは絶縁膜を被せることで、下部から保護することができる。
【００５１】
すなわち、活性素子集積回路３１０の導電性電極３１２とドライバ集積回路３２０ａ、３２０ｂの電極との電気的接続は補助基板３３０ａ、３３０ｂによりなされる。
【００５２】
ここで、図示しないボンディングパッドは、充分厚い金属膜、金属合金膜、バンプ、ソルダなどであり得るが、数十μｍの厚さのＡｕ金属を使用した場合、Ａｕ金属の軟性を用いて、活性素子集積回路３１０とドライバ集積回路３２０ａ、３２０ｂの高低差を克服することができる。
【００５３】
そして、補助基板３３０ａ、３３０ｂを用いて、活性素子集積回路３１０とドライバ集積回路３２０ａ、３２０ｂ間を接続するとき、各補助基板３３０ａ、３３０ｂを順次付着するかまたは同時に付着することができる。
【００５４】
補助基板３３０ａ、３３０ｂの材料としては、シリコン基板−シリコン基板接合対、シリコン基板−ガラス基板接合対、セラミック基板などを使用することができる。
【００５５】
また、補助基板３３０ａ、３３０ｂの下側に、活性素子集積回路３１０とドライバ集積回路３２０ａ、３２０ｂとの間をシリコン、エポキシなどの物質で固定することができる。
【００５６】
また、補助基板３３０ａ、３３０ｂを、点線で示すように、一体型に製作することができる。この場合、活性素子集積回路３１０の活性素子３１１が外部に露出するように、空洞を有しなければならない。
【００５７】
また、補助基板３３０ａ、３３０ｂで活性素子集積回路３１０とドライバ集積回路３２０ａ、３２０ｂを連結するのには、フリップチップボンディングを用いることができる。
【００５８】
つぎに、図４に基づき、前述した補助基板を用いるフリップチップボンディングによる電気的接続を説明する。
【００５９】
図４に示すように、下部基板４００に活性素子集積回路４０１が実装されている。活性素子集積回路４０１は、前述したように、光メモリ、光ディスプレイ、プリンタ、光インターコネクション、ホログラム、ディスプレイ装置などの分野に使用される回折型、反射型および透過型などの光変調器だけでなく、光素子またはディスプレイ装置などを含む。
【００６０】
下部基板４００の活性素子集積回路４０１の両側には、ドライバ集積回路４０２ａ、４０２ｂが形成される。
【００６１】
活性素子集積回路４０１は、活性素子４０３、絶縁層４０４ａ、４０４ｂ、導電性電極４０５ａ、４０５ｂ、絶縁層４０６ａ、４０６ｂ、密封下部メタル４０７ａ、４０７ｂ、密封ソルダ４０８ａ、４０８ｂ、密封上部メタル４０９ａ、４０９ｂ、蓋ガラス４１０、および素子基板４１１を含んでいる。
【００６２】
素子基板４１１の中央部には活性素子４０３が設けられる。素子基板４１１の活性素子４０３の付着された領域を除く領域には絶縁層４０４ａ、４０４ｂが形成されているので、活性素子４０３が周囲から電気的に絶縁される。
【００６３】
すなわち、素子基板４１１の表面には絶縁層４０４ａ、４０４ｂが形成されるが、この絶縁層はＳｉＯ2またはＳｉ3Ｎ4などからなる保護層であって、後続工程から素子基板４１１の損傷を防止するだけでなく、素子基板４１１上に形成された活性素子４０３の電極間短絡を防止する役割をする。
【００６４】
そして、素子基板４１１の絶縁層４０３上には、活性素子４０３に電源を供給するための導電性電極４０５ａ、４０５ｂが薄片から形成されている。
【００６５】
この際、導電性電極４０５ａ、４０５ｂの一部を横切る方向に活性素子４０３を取り囲むように絶縁層４０６ａ、４０６ｂが形成され、導電性電極４０５ａ、４０５ｂと金属層４０７ａ、４０７ｂを電気的に絶縁させる。
【００６６】
このような絶縁層４０６ａ、４０６ｂ上には蓋ガラス４１０のフリップチップボンディングのための密封下部メタル層４０７ａ、４０７ｂが形成され、密封下部メタル層４０７ａ、４０７ｂ上には密封ソルダ４０８ａ、４０８ｂが積層される。
【００６７】
すなわち、金属層４０７ａ、４０７ｂは、素子基板４１１に実装された活性素子４０３を所定の外部環境、例えば湿気または埃などから保護するための密封材の蓋ガラス４１０が付着されるもので、所定の導電性金属に対するスパッタリングまたはエバポレイションなどの工程により絶縁層４０６ａ、４０６ｂに形成される。
【００６８】
蓋ガラス４１０は、その両側に沿って密封上部メタル層４０９ａ、４０９ｂを有し、密封ソルダ４０８ａ、４０８ｂを介して密封下部メタル層４０７ａ、４０７ｂに付着されることにより、外部の周辺環境から活性素子４０３を保護する。
【００６９】
一方、補助基板４２５、４３５は、図５の背面図から分かるように、左右側にそれぞれジグザグにボンディングパッド５０１ａ〜５０１ｎ、５０２ａ〜５０２ｎが付着されている。そのほかに、ボンディングパッドはジグザグでなく一列または二列にも付着可能である。
【００７０】
導電性電極４０５ａ、４０５ｂの末端には、補助基板４２５、４３５のボンディングパッド５０１ａ〜５０１ｎ、５０２ａ〜５０２ｎ、４２２ｂ、４３２ａが付着できるように、下部ボンディングパッド４２０ｂ、４３０ａが設けられ、ボンディングソルダ４２１ｂ、４３１ａを介在して積層してから加熱、加圧することにより、補助基板４２５、４３５のボンディングパッド４２２ｂ、４３２ａと導電性電極４０５ａ、４０５ｂの末端に積層された下部ボンディングパッド４２０ｂ、４３０ａを付着させる。
【００７１】
そして、ドライバ集積回路４０２ａ、４０２ｂの上部一方の側には、活性素子集積回路４０１の導電性電極４０５ａ、４０５ｂと電気的に接続するための下部ボンディングパッド４２０ａ、４３０ｂが形成される。
【００７２】
補助基板４２５、４３５の一方の側端に設けられた上部ボンディングパッド４２２ａ、４３２ｂとドライバ集積回路４０２ａ、４０２ｂの上部の一方の側に設けられた下部ボンディングパッド４２０ａ、４３０ｂとの間にボンディングソルダ４２１ａ、４３１ｂを積層してから、加熱、加圧を行うと、上部ボンディングパッド４２２ａ、４３２ｂと下部ボンディングバンド４２０ａ、４３０ｂが接着される。
【００７３】
もちろん、補助基板４２５、４３５の内部には、左右側の上部ボンディングパッド４２２ａ、４２２ｂと４３２ａ、４３２ｂが電気的接続を維持するように、電気的回路が形成されている。
【００７４】
ここで、補助基板４２５、４３５の材料としては、シリコン基板−シリコン基板接合対、シリコン基板−ガラス基板接合対、セラミック基板などを使用することができる。
【００７５】
そして、ボンディングパッド４２２ａ、４３２ｂ、４２０ａ、４３０ｂは十分厚い金属膜、金属合金膜、バンプ、ソルダなどであり得、数十μｍの厚さのＡｕ金属を使用すると、Ａｕ金属の軟性を用いて段差を克服することができる。
【００７６】
一方、ドライバ集積回路４０２ａ、４０２ｂの他方の側端にはワイヤーボンディング用パッド４４０、４５０が形成されているので、外部の制御回路と制御信号をやり取りすることができる。そして、かかるワイヤーボンディング用パッド４４０、４５０でワイヤーボンディングを行うので、従来技術のケーブルによる接続が有する欠点を克服することができる。
【００７７】
実施の形態２
図６は本発明の実施の形態２によるエンベデッド集積素子パッケージ構造体を示す断面図である。本発明の実施の形態２によるエンベデッド集積素子パッケージ構造体は、実施の形態１とは異なり、別途の下部支持基板を設け、この基板を用いて活性素子集積回路とドライバ集積回路を電気的に接続した後、ワイヤーボンディングを行うことに特徴がある。
【００７８】
図６に示すように、下部基板６００の中央部には活性素子集積回路６１０が付着され、その両側には、ドライバ集積回路６３０ａ、６３０ｂを支持するための別途の下部支持基板６２０ａ、６２０ｂが配置されている。
【００７９】
別途の下部支持基板６２０ａ、６２０ｂはシリコン、セラミック、プリント基板、ガラスなどから形成し得るが、安価で購入可能なものを使用することが好ましい。また、下部支持基板６２０ａ、６２０ｂは一体型に製作できるが、この場合には、中央部に活性素子集積回路６１０が載置されるように空洞が形成されていなければならない。
【００８０】
下部支持基板６２０ａ、６２０ｂの一方の側端には、活性素子集積回路６１０の導電性電極６１１ａ、６１１ｂと電気的に接続するための導電性電極６２１ａ、６２１ｂが設けられ、活性素子集積回路６１０の導電性電極６１１ａ、６１１ｂと下部支持基板６２０ａ、６２０ｂの導電性電極６２１ａ、６２１ｂは補助基板６４０ａ、６４０ｂを用いたフリップチップボンディングにより電気的に接続される。
【００８１】
すなわち、補助基板６４０ａ、６４０ｂの両側には、図５に示すものと同様に、両側にジグザグに導電性電極が配置され、内部には、両側の導電性電極の電気的接続をなすための回路パターンが形成されている。もちろん、導電性電極は一列、二列などに配置できる。
【００８２】
このような補助基板６４０ａ、６４０ｂの一方の側の導電性電極（図示せず）を活性素子集積回路６１０の導電性電極６１１ａ、６１１ｂ上に配置し、その中間にボンディングソルダを積層した後、加熱、加圧すると、互いに接触して電気的に接続される。
【００８３】
また、補助基板６４０ａ、６４０ｂの他方の側の導電性電極（図示せず）を下部支持基板６２０ａ、６２０ｂの導電性電極６２１ａ、６２１ｂ上に配置し、その中間にボンディングソルダを積層した後、加熱、加圧すると、互いに接触して電気的に接続される。
【００８４】
そして、下部支持基板６２０ａ、６２０ｂ上にはドライバ集積回路６３０ａ、６３０ｂが付着されドライバ集積回路６３０ａ、６３０ｂの一方の側には導電性電極６３１ａ、６３１ｂが形成されている。
【００８５】
一方、下部支持基板６２０ａ、６２０ｂには、ドライバ集積回路６３０ａ、６３０ｂとのワイヤーボンディングのためのワイヤーボンディングパッド６２２ａ、６２２ｂが設けられる。
【００８６】
したがって、下部支持基盤６２０ａ、６２０ｂのボンディングパッド６２２ａ、６２２ｂとドライバ集積回路６３０ａ、６３０ｂの導電性電極６３１ａ、６３１ｂがワイヤーボンディングで連結されると、活性素子集積回路６１０の活性素子６１２とドライバ集積回路６３０ａ、６３０ｂが電気的に接続される。
【００８７】
こうすると、ドライバ集積回路６３０ａ、６３０ｂが、外部の制御信号に応じて、活性素子６１２に電源を供給して上下に駆動可能にする。
【００８８】
そして、ドライバ集積回路６３０ａ、６３０ｂの他方の側端にはワイヤーボンディングパッド６３２ａ、６３２ｂが形成されているので、外部の制御回路と制御信号をやり取りすることができる。さらに、このようなワイヤーボンディング用パッド６３２ａ、６３２ｂでワイヤーボンディングを行うため、従来技術のケーブルによる接続が有する欠点を克服することができる。
【００８９】
実施の形態３
図７は本発明の実施の形態３によるエンベデッド集積素子パッケージ構造体を示す断面図である。本発明の実施の形態３が実施の形態２と異なる点は、ドライバ集積回路が下部支持基板にフリップチップボンディングで接続されていることにある。
【００９０】
以下の説明において、実施の形態２と同一部分の説明は省略する。
【００９１】
図７に示すように、下部基板７００の中央部に活性素子集積回路７１０が付着され、両側にはドライバ集積回路７３０ａ、７３０ｂを支持するための別途の下部支持基板７２０ａ、７２０ｂが配設されている。
【００９２】
別途の下部支持基板７２０ａ、７２０ｂはシリコン、セラミック、プリント基板などから形成し得るが、安価で購入可能なものを使用することが好ましい。また、下部支持基板７２０ａ、７２０ｂは一体型に製作できるが、この場合には、中央部に活性素子集積回路７１０が載置されるように空洞が形成されていなければならない。
【００９３】
下部支持基板７２０ａ、７２０ｂの一方の側端には、活性素子集積回路７１０の導電性電極７１１ａ、７１１ｂと電気的に接続するための導電性電極７２１ａ、７２１ｂが設けられ、活性素子集積回路７１０の導電性電極７１１ａ、７１１ｂと下部支持基板７２０ａ、７２０ｂの導電性電極７２１ａ、７２１ｂは補助基板７４０ａ、７４０ｂを用いたフリップチップボンディングにより電気的に接続される。
【００９４】
すなわち、補助基板７４０ａ、７４０ｂの両側には、図５に示すものと同様に、両側にジグザグに導電性電極が配置され、内部には、両側の導電性電極の電気的接続をなすための回路パターンが形成されている。もちろん、導電性電極は一列、二列などに配置できる。
【００９５】
このような補助基板７４０ａ、７４０ｂの一方の側の導電性電極（図示せず）を活性素子集積回路７１０の導電性電極７１１ａ、７１１ｂ上に配置し、その中間にボンディングソルダを積層した後、加熱、加圧すると、互いに接触して電気的に接続される。
【００９６】
また、補助基板７４０ａ、７４０ｂの他方の側の導電性電極（図示せず）を下部支持基板７２０ａ、７２０ｂの導電性電極７２１ａ、７２１ｂ上に配置し、その中間にボンディングソルダを積層した後、加熱、加圧すると、互いに接触して電気的に接続される。
【００９７】
そして、下部支持基板７２０ａ、７２０ｂ上にはドライバ集積回路７３０ａ、７３０ｂがフリップチップボンディングで付着されている。
【００９８】
したがって、活性素子集積回路７１０の活性素子７１２とドライバ集積回路７３０ａ、７３０ｂが電気的に接続される。
【００９９】
こうすると、ドライバ集積回路７３０ａ、７３０ｂが、外部の制御信号に応じて、活性素子７１２に電源を供給して上下に駆動可能にする。
【０１００】
この実施の形態においては、活性素子集積回路とドライバ集積回路間の空洞に何の物質も充填されていないが、エポキシを添加して充填することで堅く固定することができる。
【０１０１】
実施の形態４
図８は本発明の実施の形態４によるエンベデッドパッケージの構造を示す断面図である。
【０１０２】
図８に示すように、本発明の実施の形態４によるエンベデッドパッケージ構造体は、実施の形態３とは異なり、活性素子集積回路８１０の下部に、平坦化のために、軟性メタル層８１４をさらに備えている。
【０１０３】
以下の説明において、実施の形態３と同一部分の説明は省略する。
【０１０４】
ここで、軟性メタル層８１４はＡｕなどで構成され、加圧によって弾力的に動けるので、活性素子集積回路８１０にクッション効果を与える。
【０１０５】
一方、第２ないし実施の形態４において、補助基板は内部に電気的接続のための回路を有し、単に電気的接続のみのために使用しているが、これとは異なり、ドライバ集積回路を補助基板として使用して電気的接続を提供することができる。
【０１０６】
すなわち、ドライバ集積回路の一方の側端の下面が下部支持基板の一方の側端の電気的電極に付着され、他端の下面が活性素子集積回路の電気的電極に付着されて電気的に接続される。
【０１０７】
実施の形態５
図９は本発明の実施の形態５によるエンベデッド集積素子パッケージ構造体を示す断面図である。実施の形態５が第１ないし実施の形態４と異なる点は、ドライバ集積回路が活性素子集積回路を構成する支持基板に直接フリップチップボンディングで接続されることにある。
【０１０８】
図９に示すように、活性素子集積回路９１０を構成する支持基板９１４に活性素子９１２が付着され、蓋ガラス９１３が活性素子９１２を取り囲んで密封している。
【０１０９】
そして、活性素子９１２からの導電性電極９１５が支持基板９１４の表面に沿って蓋ガラス９１３の外部に露出している。
【０１１０】
したがって、ドライバ集積回路９２０の一方の側端の導電性電極９１１は、活性素子９１２から支持基板９１４の表面に沿って蓋ガラス９１３の外部に露出している導電性電極９１５とフリップチップボンディングで接続される。
【０１１１】
そして、ドライバ集積回路９２０の他端の導電性電極９２１は、ほかの導電性電極９３１を介して外部の制御回路に連結されて、制御信号を受信するための導電性電極９２２とフリップチップボンディングで接続される。
【０１１２】
こうすると、ドライバ集積回路９２０は外部の制御回路から制御信号を受信して駆動電源を生成して活性素子集積回路９１０に提供することができる。
【０１１３】
図１０ａないし図１０ｃは図３、図６、図７、図８および図９の活性素子を示す斜視図である。
【０１１４】
図１０ａは実施の形態１による圧電薄膜回折光変調器を示すもので、シリコン基板１００１ａと多数のエレメント１０１０ａ１〜１０１０ａｎからなっている。
【０１１５】
基板１００１ａは、エレメント１０１０ａ１〜１０１０ａｎにエアスペースを提供するため、陥没部を持っており、陥没部の両側に多数のエレメント１０１０ａ１〜１０１０ａｎの端部が付着されている。
【０１１６】
エレメント１０１０ａ１〜１０１０ａｎは形状をしており、中央部が基板１００１ａの陥没部の底面から離隔するように、両端の下面がそれぞれ基板１００１ａの陥没部から外れた両側部に付着され、マイクロミラー層１０１５ａが上部に積層されており、基板１００１ａの陥没部に位置する部分が上下に移動可能な下部支持部１０１１ａを含んでいる。
【０１１７】
また、エレメント１０１０ａｎ〜１０１０ａｎは、下部支持部１０１１ａに積層され、圧電電圧を提供するための下部電極層１０１２ａと、下部電極層１０１２ａに積層され、両面に電圧が印加されると、収縮および膨張して上下駆動力を発生させる圧電材料層１０１３ａと、圧電材料層１０１３ａに積層され、圧電材料層１０１３ａに圧電電圧を提供する上部電極層１０１４ａと、上部電極層１０１４ａに積層され、入射するビームを反射させて回折させるためのマイクロミラー層１０１５ａとを含んでいる。
【０１１８】
図１０ｂは実施の形態２による透過型薄膜圧電回折光変調器を示すもので、実施の形態１と実施の形態２が異なる点は、実施の形態２は両側に圧電層が存在することにあり、基板１００１ｂと多数のエレメント１０１０ｂ１〜１０１０ｂｎからなっている。
【０１１９】
基板１００１ｂは、エレメント１０１０ｂ１〜１０１０ｂｎにエアスペースを提供するため、陥没部を持っており、陥没部の両側に多数のエレメント１０１０ｂ１〜１０１０ｂｎの端部が付着されている。
【０１２０】
エレメント１０１０ｂ１〜１０１０ｂｎはバー形状をしており、中央部が基板１００１ｂの陥没部の底面から離隔するように、両端の下面がそれぞれ基板１００１ｂの陥没部から外れた両側部に付着され、基板１００１ｂの陥没部に位置する部分が上下に移動可能な下部支持部１０１１ａを含んでいる。
【０１２１】
また、エレメント１０１０ｂ１〜１０１０ｂｎは、下部支持部１０１１ｂの左側端に積層され、圧電電圧を提供するための下部電極層１０１２ｂと、下部電極層１０１２ｂに積層され、両面に電圧が印加されると、収縮および膨張して上下駆動力を発生させる圧電材料層１０１３ｂと、圧電材料層１０１３ｂに積層され、圧電材料層１０１３ｂに圧電電圧を提供する上部電極層１０１４ｂとを含んでいる。
【０１２２】
また、エレメント１０１０ｂ１〜１０１０ｂｎは、下部支持部１０１１ｂの右側端に積層され、圧電電圧を提供するための下部電極層１０１２ｂ′と、下部電極層１０１２ｂ′に積層され、両面に電圧が印加されると、収縮および膨張して上下駆動力を発生させる圧電材料層１０１３ｂ′と、圧電材料層１０１３ｂ′に積層され、圧電材料層１０１３ｂ′に圧電電圧を提供する上部電極層１０１４ｂ′とを含んでいる。また、下部支持部１０１１ｂの中央部上にはマイクロミラー層１０１５ｂが形成されている。
【０１２３】
図１０ｃは実施の形態３による透過型薄膜圧電回折光変調器を示すものである。実施の形態３を第１および実施の形態２と比較すると、中央部に圧電層が存在することが異なり、シリコン基板１００１ｃと多数のエレメント１０１０ｃ１〜１０１０ｃｎからなっている。
【０１２４】
基板１００１ｃは、エレメント１０１０ｃ１〜１０１０ｃｎにエアスペースを提供するため、陥没部を持っており、陥没部の両側に多数のエレメント１０１０ｃ１〜１０１０ｃｎの端部が付着されている。
【０１２５】
エレメント１０１０ｃ１〜１０１０ｃｎはバー形状をしており、中央部が基板１００１ｃの陥没部の底面から離隔するように、両端の下面がそれぞれ基板１００１ｃの陥没部から外れた両側部に付着され、マイクロミラー層１０１５ｃが上部（陥没部を外れた部分はエッチングで除去された）に積層されており、基板１００１ｃの陥没部に位置する部分が上下に移動可能な下部支持部１０１１ｃを含んでいる。
【０１２６】
また、エレメント１０１０ｃ１〜１０１０ｃｎは、陥没部の上部（陥没部を外れた部分はエッチングで除去された）の下部支持部１０１１ｃに積層された圧電電圧を提供するための下部電極層１０１２ｃと、下部電極層１０１２ｃに積層され、両面に電圧が印加されると、収縮および膨張して上下駆動力を発生させる圧電材料層１０１３ｃと、圧電材料層１０１３ｃに積層され、圧電材料層１０１３ｃに圧電電圧を提供する上部電極層１０１４ｃと、上部電極層１０１４ｃに積層され、入射するビームを反射させて回折させるためのマイクロミラー層１０１５ｃとを含んでいる。
【０１２７】
ここでは、薄膜圧電回折型光変調器の陥没型を例として説明したが、Ｐ２００３−０７７３８９号（“薄膜圧電光変調器およびその製造方法”）には、突出型薄膜圧電光変調器が開示されているが、これも本発明の活性素子として使用可能である。
【０１２８】
また、この光変調器としては、透過型、回折型、反射型のいずれも使用可能である。
【０１２９】
以上の説明は本発明によるエンベデッド集積素子パッケージ構造体を具現するための一実施例に過ぎないもので、本発明は前記実施の形態に限定されない。本発明が属する分野での通常の知識を持った者であれば、特許請求の範囲により決められる本発明の技術的範囲から逸脱しないで多様に変形実施することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】従来技術によるマイクロエレクトロニック機械に密封カバーをシールする装置の断面図である。
【図２】一般の光変調器の電極構造を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態１によるエンベデッド集積素子パッケージ構造体の平面図である。
【図４】本発明の実施の形態１において、フリップチップボンディングによる電気的接続構造を有するエンベデッド集積素子パッケージ構造体の断面図である。
【図５】図４の補助基板の背面図である。
【図６】本発明の実施の形態２によるエンベデッド集積素子パッケージ構造体の断面図である。
【図７】本発明の実施の形態３によるエンベデッド集積素子パッケージ構造体の断面図である。
【図８】本発明の実施の形態４によるエンベデッド集積素子パッケージ構造体の断面図である。
【図９】本発明の実施の形態５によるエンベデッド集積素子パッケージ構造体の断面図である。
【図１０ａ】本発明の実施の形態１による圧電薄膜回折光変調器を示す斜視図である。
【図１０ｂ】本発明の実施の形態２による透過型薄膜圧電回折光変調器を示す斜視図である。
【図１０ｃ】本発明の実施の形態３による透過型薄膜圧電回折光変調器を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１３１】
３００、４００、６００、７００    下部基板
３１０、４０１、６１０、７１０、８１０、９１０    活性素子集積回路
３１１    活性領域
３１２、９１５、９２２、３２１ａ、３２１ｂ、
４０５ａ、４０５ｂ、６１１ａ、６１１ｂ、６２１ａ、６２１ｂ、６３１ａ、
６３１ｂ、７１１ａ、７１１ｂ、７２１ａ、７２１ｂ  導電性電極
３１３、４１０、６１３、７１３、８１３、９１３    蓋ガラス
３１４、４１１    素子基板
３２０ａ、３２０ｂ、４０２ａ、４０２ｂ、６３０ａ、６３０ｂ、
７３０ａ、７３０ｂ、８３０ａ、８３０ｂ、９３０    ドライバ集積回路
３３０ａ、３３０ｂ、４２５、４３５、６４０ａ、
６４０ｂ、７４０ａ、７４０ｂ、８４０ａ、８４０ｂ  補助基板
４０３、６１２、９１２、７１２、８１２    活性素子
４０４ａ、４０４ｂ、４０６ａ、４０６ｂ  絶縁層
４０７ａ、４０７ｂ  密封下部メタル
４０８ａ、４０８ｂ  密封ソルダ
４０９ａ、４０９ｂ  密封上部メタル
４２０ａ、４３０ｂ、４２０ｂ、４３０ａ  下部ボンディングパッド
４２１ｂ、４３１ａ  ボンディングソルダ
４２２ａ、４３２ｂ  上部ボンディングパッド
４２２ｂ、４３２ａ、５０１ａ〜５０１ｎ、
５０２ａ〜５０２ｎ、６２２ａ、６２２ｂ  ボンディングパッド
６２０ａ、６２０ｂ、７２０ａ、７２０ｂ  下部支持基板
８１４    軟性メタル層
９１４    支持基板
１００１ａ、１００１ｂ、１００１ｃ  基板
１０１０ａ、１０１０ｂ、１０１０ｃ  多数のエレメント
１０１２ａ、１０１２ｂ、１０１２ｃ    下部電極層
１０１３ａ、１０１３ｂ、１０１３ｃ    圧電材料層
１０１４ａ、１０１４ｂ、１０１４ｃ    上部電極層
【図１】
2005354021.tif 000003
【図２】
2005354021.tif 000004
【図３】
2005354021.tif 000005
【図４】
2005354021.tif 000006
【図５】
2005354021.tif 000007
【図６】
2005354021.tif 000008
【図７】
2005354021.tif 000009
【図８】
2005354021.tif 000010
【図９】
2005354021.tif 000011
【図１０ａ】
2005354021.tif 000012
【図１０ｂ】
2005354021.tif 000013
【図１０ｃ】
2005354021.tif 000014