(57)【要約】  【課題】液晶表示装置の製造工程において表示検査を効率よく行うことができるようにする。  【解決手段】ＴＦＴ基板領域１０を複数有する第１の大型基板１１０の端縁に、各ＴＦＴ基板領域１０に形成されている外部接続端子１０２に対し配線パターンを介して接続するテスト端子１１１を形成する。そして、両大型基板１１０，１２０を貼り合わせて大型パネル構造体１５０を形成するに際しては、第１の大型基板１１０に対して第２の大型基板１２０を偏倚させ、第２の大型基板１２０の一端面に形成したプロービング領域１２１からテスト端子１１１を露呈させる。そして、テスト端子１１１に検査用プローブの端子を接触させ、大型パネル構造体１５０のままの状態で表示検査を一括して行う。【選択図】図５
2005249939.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の大型基板を貼り合わせて形成された大型パネル構造体であって、電気光学物質を封入する複数の電気光学領域が形成されている電気光学装置用大型パネル構造体において、
一方の前記大型基板に、前記電気光学領域毎に形成された外部接続端子に配線パターンを介して接続されるテスト端子が形成されており、
前記貼り合せ後に前記テスト端子が露呈される
ことを特徴とする電気光学装置用大型パネル構造体。
【請求項２】
前記貼り合せ後に前記テスト端子が露呈される領域は、
前記一方の大型基板に対して前記他方の大型基板を偏倚させることで形成される
ことを特徴とする請求項１記載の電気光学装置用大型パネル構造体。
【請求項３】
前記貼り合せ後に前記テスト端子が露呈される領域は、前記両大型基板を貼り合わせた後、前記他方の大型基板の一側を除去することで形成される
ことを特徴とする請求項１記載の電気光学装置用大型パネル構造体。
【請求項４】
前記貼り合せ後に前記テスト端子が露呈される領域は、前記他方の大型基板に形成されたオリフラを前記テスト端子側に配設することで形成される
ことを特徴とする請求項１記載の電気光学装置用大型パネル構造体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電気光学装置用大型パネル構造体から、前記複数の電気光学領域の各々を切り出して設けられることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
大型基板に複数枚取り可能な基板領域が形成されていると共に、
前記大型基板の一側であって、前記各基板領域に外部接続端子が形成され、
前記大型基板の一側にテスト端子が形成され、
前記外部接続端子と前記テスト端子とが前記大型基板上に形成された検査用配線パターンを介して接続されている
ことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項７】
前記検査用配線パターンが前記各基板領域を区画するスクライブライン上に形成されている
ことを特徴とする請求項６記載の電気光学装置用基板。
【請求項８】
前記検査用配線パターンにて前記スクライブラインが形成されている
ことを特徴とする請求項７記載の電気光学装置用基板。
【請求項９】
電圧の共通する前記各外部接続端子が１つの前記検査用配線パターンで接続されている
ことを特徴とする請求項６〜８の何れか１項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項１０】
複数枚取り可能な基板領域が形成されている２枚の大型基板の一方に該基板領域に形成されている外部接続端子に接続するテスト端子を形成する工程と、
前記一方の大型基板に形成されている前記各基板領域をシール材を介して区画する工程と、
前記一方の大型基板に形成されている前記各基板領域に対して電気光学物質を注入する工程と、
前記一方の大型基板に対して前記他方の大型基板を前記シール材を介して貼り合わせて前記各基板領域に前記電気光学物質を封入し、更に前記他方の大型基板に前記一方の大型基板に形成されている前記テスト端子を露呈させるプロービング領域を形成する工程と、
前記プロービング領域から露呈されている前記テスト端子に検査用プローブを接触させて前記各外部接続端子に電圧や信号を供給して前記各基板領域の表示状態を検査する工程と
を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記プロービング領域は、前記一方の大型基板に対して前記他方の大型基板を偏倚させることで形成する
ことを特徴とする請求項１０記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記プロービング領域は、前記両大型基板を貼り合わせた後、前記他方の大型基板の一側を除去することで形成する
ことを特徴とする請求項１０記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記プロービング領域は、前記他方の大型基板に形成されたオリフラを前記テスト端子側に配設することで形成する
ことを特徴とする請求項１０記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
２枚の大型基板を貼り合わせて形成される大型パネル構造体であって、電気光学物質を封入する複数の電気光学領域が形成されている電気光学装置用大型パネル構造体を検査する電気光学装置の検査方法において、
一方の前記大型基板に設けられ、前記貼り合せ後に露呈されると共に前記電気光学領域毎に形成された外部接続端子に配線パターンを介して接続されるテスト端子を用いて検査を行うことを特徴とする電気光学装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２枚の大型基板を貼り合わせた状態で、各基板領域の表示状態を検査することのできる電気光学装置用大型パネル構造体、電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置の代表である液晶表示装置の製造工程では、多くの場合、異なる製造工程を経て製造された２枚の透明基板をシール材を介して貼り合わせた後、シール材によってシールされた内部に液晶を封入し、次工程に送る前に表示検査を行っている。
【０００３】
例えば特開２００１−７５０６８号公報に開示されている液晶表示装置には、液晶パネルの製造過程において表示検査を行う技術が開示されている。
【０００４】
すなわち、同公報に開示されている技術では、先ず、透明基板を複数枚取り可能な２枚の大型基板を互いに貼り合わせて大型パネル構造体を形成し、次いで、この大型パネル構造体を切り出して、各液晶パネル領域（チップ状に切り出したとき、液晶パネルの構成要素となる領域）の液晶注入口が外部に露出する短冊状の中型パネル構造体を形成する。
【０００５】
そして、液晶注入口を通して各液晶パネル領域の内部へ液晶を注入する。その後、中型パネル構造体に形成されている各液晶パネル領域の端子部に対して検査用プローブを接触させて、各液晶パネル領域に電源や各種駆動信号を供給し、全ての画素を一斉に点灯状態にさせて、各液晶パネル領域の表示状態から線欠陥の有無等を検査する。その後、中型パネル構造体から液晶パネルを１つずつ切り出す。
【特許文献１】特開２００１−７５０６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」と称する）を用いた液晶表示装置の場合、単純マトリクス型等に比し画素数が多く、端子の数も多く、且つ、各端子の電極幅および電極間ピッチも狭いため、中型パネル構造体で表示検査を行う場合、表示検査には全ての端子に接触させるための多端子を有する検査用プローブが必要となり、検査装置が複雑化、高額化してしまう問題がある。
【０００７】
又、パネル構造体を配線パターンが露呈される短冊状の中型パネル構造体に切り出すまでは、表示検査を行うことができないため、検査工程の効率化を図ることができない問題がある。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑み、検査用プローブを多端子化することなく、検査装置の低廉化が実現できるばかりでなく、製造工程における表示検査の効率化を図り、生産性の向上を実現することのできる  電気光学装置用大型パネル構造体、電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置の検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するため本発明による第１の電気光学装置用大型パネル構造体は、２枚の大型基板を貼り合わせて形成された大型パネル構造体であって、電気光学物質を封入する複数の電気光学領域が形成されている電気光学装置用大型パネル構造体において、一方の前記大型基板に、前記電気光学領域毎に形成された外部接続端子に配線パターンを介して接続されるテスト端子が形成されており、前記貼り合せ後に前記テスト端子が露呈されることを特徴とする。
【００１０】
このような構成では、一方の前記大型基板に、電気光学領域毎に形成された外部接続端子に配線パターンを介して接続されるテスト端子を形成し、このテスト端子を貼り合せ後に露呈させるようにしたので、両大型基板を貼り合わせた状態のままで、テスト端子に検査用プローブの端子を接触させて、表示状態を検査することができ、検査工程の効率化が実現できる。
【００１１】
第２の電気光学装置用大型パネル構造体は、第１の電気光学装置用大型パネル構造体において、前記貼り合せ後に前記テスト端子が露呈される領域は、前記一方の大型基板に対して前記他方の大型基板を偏倚させることで形成されることを特徴とする。
【００１２】
このような構成では、貼り合せ後にテスト端子が露呈される領域を、一方の大型基板に対して他方の大型基板を偏倚させるだけで形成したので、製造が容易となる。
【００１３】
第３の電気光学装置用大型パネル構造体は、第１の電気光学装置用大型パネル構造体において、前記貼り合せ後に前記テスト端子が露呈される領域は、前記両大型基板を貼り合わせた後、前記他方の大型基板の一側を除去することで形成されることを特徴とする。
【００１４】
このような構成では、貼り合せ後にテスト端子が露呈される領域を、両大型基板を貼り合わせた後、他方の大型基板の一側を除去することで形成するようにしたので、貼り合わせの際のアライメントが容易になる。
【００１５】
第４の電気光学装置用大型パネル構造体は、第１の電気光学装置用大型パネル構造体において、前記貼り合せ後に前記テスト端子が露呈される領域は、前記他方の大型基板に形成されたオリフラを前記テスト端子側に配設することで形成されることを特徴とする。
【００１６】
このような構成では、貼り合せ後にテスト端子が露呈される領域を、他方の大型基板に形成したオリフラをテスト端子側に配設しただけで形成したので、製造が容易となる。
【００１７】
本発明による電気光学装置は、第１〜第４の何れかの電気光学装置用大型パネル構造体から、前記複数の電気光学領域の各々を切り出して設けられることを特徴とする。
【００１８】
このような構成では、第１〜第４の何れかの電気光学装置用大型パネル構造体から、複数の電気光学領域の各々を切り出すことで、複数の電気光学装置を一度に形成することができる。
【００１９】
本発明による第１の電気光学装置用基板は、大型基板に複数枚取り可能な基板領域が形成されていると共に、前記大型基板の一側であって、前記各基板領域に外部接続端子が形成され、前記大型基板の一側にテスト端子が形成され、前記外部接続端子と前記テスト端子とが前記大型基板上に形成された検査用配線パターンを介して接続されていることを特徴とする。
【００２０】
このような構成では、複数枚取り可能な基板領域を有する大型基板の一側にテスト端子を形成し、このテスト端子と基板領域に形成した外部接続端子とを検査用配線パターンを介して接続したので、外部接続端子に触れることなく、テスト端子に検査用プローブの端子を接触させることで電圧や信号を供給することができるため、検査を効率よく行うことができる。
【００２１】
第２の電気光学装置用基板は、第１の電気光学装置用基板において、前記検査用配線パターンが前記各基板領域を区画するスクライブライン上に形成されていることを特徴とする。
【００２２】
このような構成では、検査用配線パターンを各基板領域を区画するスクライブライン上に形成することで、大型基板から各基板領域を切り出す際に、検査用配線パターンが自動的に除去されるため、作業性がよい。
【００２３】
第３の電気光学装置用基板は、第２の電気光学装置用基板において、前記検査用配線パターンにて前記スクライブラインが形成されていることを特徴とする。
【００２４】
このような構成では、検査用配線パターンを用いてスクライブラインを形成したので、スクライブラインを別途形成する必要が無く、製造が容易になる。
【００２５】
第４の電気光学装置用基板は、第１〜第３の電気光学装置用基板において、電圧の共通する前記各外部接続端子が１つの前記検査用配線パターンで接続されていることを特徴とする。
【００２６】
このような構成では、電圧の共通する各外部接続端子を１つの検査用配線パターンで接続して共通化したので、検査用配線パターンに接続するテスト端子の数を削減することができ、その分、検査用プローブの端子数を削減することができ、検査装置の低廉化を実現することができる。
【００２７】
本発明による第１の電気光学装置の製造方法は、複数枚取り可能な基板領域が形成されている２枚の大型基板の一方に該基板領域に形成されている外部接続端子に接続するテスト端子を形成する工程と、前記一方の大型基板に形成されている前記各基板領域をシール材を介して区画する工程と、前記一方の大型基板に形成されている前記各基板領域に対して電気光学物質を注入する工程と、前記一方の大型基板に対して前記他方の大型基板を前記シール材を介して貼り合わせて前記各基板領域に前記電気光学物質を封入し、更に前記他方の大型基板に前記一方の大型基板に形成されている前記テスト端子を露呈させるプロービング領域を形成する工程と、前記プロービング領域から露呈されている前記テスト端子に検査用プローブを接触させて前記各外部接続端子に電圧や信号を供給して前記各基板領域の表示状態を検査する工程とを備えることを特徴とする。
【００２８】
このような構成では、電気光学装置の製造過程において、テスト端子を露呈させるプロービング領域を形成するようにしたので、両大型基板を貼り合わせた状態のままで表示状態を検査することができ、検査工程の効率化が実現できる。
【００２９】
第２の電気光学装置の製造方法は、第１の電気光学装置の製造方法において、前記プロービング領域は、前記一方の大型基板に対して前記他方の大型基板を偏倚させることで形成することを特徴とする。
【００３０】
このような構成では、プロービング領域を、一方の大型基板に対して他方の大型基板を偏倚させるだけで形成したので、製造が容易となる。
【００３１】
第３の電気光学装置の製造方法は、第１の電気光学装置の製造方法において、前記プロービング領域は、前記両大型基板を貼り合わせた後、前記他方の大型基板の一側を除去することで形成することを特徴とする。
【００３２】
このような構成では、プロービング領域を、両大型基板を貼り合わせた後、他方の大型基板の一側を除去することで形成するようにしたので、貼り合わせ工程におけるアライメントが容易になる。
【００３３】
第４の電気光学装置の製造方法は、第１の電気光学装置の製造方法において、前記プロービング領域は、前記他方の大型基板に形成されたオリフラを前記テスト端子側に配設することで形成することを特徴とする。
【００３４】
このような構成では、プロービング領域を、他方の大型基板に形成したオリフラをテスト端子側に配設しただけで形成したので、貼り合わせ工程におけるアライメントが容易になる。
【００３５】
本発明による電気光学装置の検査方法は、２枚の大型基板を貼り合わせて形成される大型パネル構造体であって、電気光学物質を封入する複数の電気光学領域が形成されている電気光学装置用大型パネル構造体を検査する電気光学装置の検査方法において、一方の前記大型基板に設けられ、前記貼り合せ後に露呈されると共に前記電気光学領域毎に形成された外部接続端子に配線パターンを介して接続されるテスト端子を用いて検査を行うことを特徴とする。
【００３６】
このような構成では、２枚の大型基板を貼り合わせて形成される大型パネル構造体の一方の大型基板に設けられ、貼り合せ後に露呈されると共に電気光学領域毎に形成された外部接続端子に配線パターンを介して接続されるテスト端子を用いて検査を行うようにしたので、両大型基板を貼り合わせた状態のままで表示状態を検査することができ、検査工程の効率化が実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、図面に基づいて本発明の一形態を説明する。図１〜図７に本発明の第１形態を示す。図１は液晶表示装置の概略断面図、図２は大型パネル構造体の要部分解斜視図、図３は第１の大型基板の平面図、図４は図３の要部拡大図である。
【００３８】
先ず、図１を参照して電気光学装置の一例である液晶表示装置の全体構成について簡単に説明する。尚、図１には駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置が示されている。
【００３９】
液晶表示装置１は、石英基板、ガラス基板等からなるＴＦＴ基板１０と、これに対向配置されるガラス基板や石英基板等からなる対向基板２０とがシール材５２を介して貼り合わされており、シール材５２によって形成された両基板１０，２０の対向面間に、電気光学物質としての液晶５０が封入されている。
【００４０】
ＴＦＴ基板１０上には画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９ａ等がマトリクス状に配置され、又、対向基板２０上には全面に対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられている。更に、ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上、及び対向基板２０上の全面に渡って、ラビング処理が施された配向膜１６，２２が各々形成されている。尚、各配向膜１６，２２は、ポリイミド膜等の透明な有機膜で構成されている。
【００４１】
又、ＴＦＴ基板１０のシール材５２が形成された領域の外側の一辺に、データ線駆動回路１０１、及び外部接続端子１０２が形成されている。尚、図示しないが、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路が設けられ、更に、残る一辺に、走査線駆動回路間をつなぐ配線パターンが形成されている。
【００４２】
ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、異なる工程を経て個別に製造された後、貼り合わされる。又、各基板１０，２０は、各々複数枚取りできる大型基板の状態で製造される。すなわち、図２に示すように、第１の大型基板１１０には、基板領域としての複数のＴＦＴ基板１０となる領域（以下、「ＴＦＴ基板領域１０」と称する）が設けられており、一方、第２の大型基板１２０には、基板領域としての複数の対向基板２０となる領域（以下、「対向基板領域２０」と称する）が設けられ、両大型基板１１０，１２０を貼り合わせることで、液晶表示装置１を複数枚取りできる大型パネル構造体１５０が形成される。尚、上述のように本形態では、便宜的に、ＴＦＴ基板領域、及び対向基板領域に、ＴＦＴ基板１０、及び対向基板２０と同一の符号を付して、説明を簡略化する。
【００４３】
本形態による第１の大型基板１１０は円板状に形成されており、一方、第２の大型基板１２０は矩形状に形成されているが、形状はこれに限定されるものではなく、例えば第１の大型基板１１０を矩形とし、第２の大型基板１２０を円板状の基板としても良い。
【００４４】
又、図２、図３に示すように、第１の大型基板１１０には、ＴＦＴ基板領域１０を区分するスクライブラインＬが格子状に形成されている。
【００４５】
図４に模式的に示すように、スクライブラインＬ上には、各ＴＦＴ基板領域１０に形成されている各外部接続端子１０２に接続する検査用接続端子１０３が形成されている。この検査用接続端子１０３は、各外部接続端子１０２を形成する際に同時に形成される。従って、検査用接続端子１０３は多層回路構造を有している。
【００４６】
更に、スクライブラインＬ上には、共通する検査用接続端子１０３間を接続する検査用配線パターンが形成されている。この検査用配線パターン１０４も、ＴＦＴ基板領域１０の配線パターンを形成する際に同時に形成される。従って、各検査用配線パターン１０４も多層回路構造を有している。
【００４７】
この場合、検査用配線パターン１０４は、１つのＴＦＴ基板領域１０のなかでも、電圧の共通するもの同士の検査用接続端子１０３を纏めて接続することで共通化を図るようにしても良い。検査用配線パターン１０４を共通化することで、検査用配線パターン１０４の簡素化が実現される。
【００４８】
一方、第１の大型基板１１０の端縁で、ＴＦＴ基板領域１０が切り出される際に除去される領域に、各検査用配線パターン１０４に接続するテスト端子１１１が形成されている。テスト端子１１１は、各ＴＦＴ基板領域１０の外部接続端子１０２が、例えば３０個形成されている場合は、最大３０個となり、その中でいくつかの外部接続端子１０２が共通化できる場合は、その分、テスト端子１１１の数も少なくなる。
【００４９】
尚、１つのＴＦＴ基板領域１０の中で外部接続端子１０２を共通化する手段は種々のものが考えられる。例えば、スクライブラインＬの途中にコンタクト端子を設け、このコンタクト端子を介して検査用配線パターン１０４を接続して共通化する。又は、テスト端子１１１に対して複数の検査用配線パターン１０４を接続して共通化を図る。或いは、この両者を組み合わせて接続する。
【００５０】
又、検査用配線パターン１０４自体でスクライブラインＬを形成するようにしても良い。検査用配線パターン１０４を用いてスクライブラインＬを形成した場合、スクライブラインＬを別途形成する工程が不要となり、製造工程の簡素化が実現できる。
【００５１】
又、図５に示すように、第１の大型基板１１０と第２の大型基板１２０とを貼り合わせた状態では、第２の大型基板１２０が一方へ偏倚されて、その一端面側に、プロービング領域１２１が形成され、このプロービング領域１２１から第１の大型基板１２０の端縁に形成されているテスト端子１１１が露呈される。すなわち、プロービング領域１２１は、両大型基板１１０，１２０を貼り合せ後にテスト端子１１１が露呈される領域となる。
【００５２】
又、図６の符号１３０は表示検査装置である。本形態では第１の大型基板１１０と第２の大型基板１２０とをシール材５２を介して貼り合わせた後、これらを切り出すことなく、大型基板のまま表示検査装置１３０のステージ１３１上に載置して表示検査を行う。
【００５３】
ステージ１３１上には、第１の大型基板１１０に形成されているテスト端子１１１に接触する複数の端子を有する検査用プローブ（図示せず）が設けられていると共にバックライトが配設されている。
【００５４】
更に、ステージ１３１の上方に、ＣＣＤカメラ、ＣＭＯＳカメラ等の撮像手段１３２が配設されており、撮像手段１３２で撮像した画像に基づき、ＴＦＴ基板領域１０とこれに対向する対向基板領域２０で構成される、電気光学領域としての各液晶表示領域（液晶表示装置１となる領域）１００の表示状態を個別に検査する。尚、撮像手段１３２は、ＣＣＤやＣＭＯＳを用いたラインセンサであっても良い。
【００５５】
次に、図７に基づき液晶表示装置の製造工程について説明する。
【００５６】
［第１の大型基板１１０の製造工程］
電極形成工程(Ｓ１)：液晶表示装置１のＴＦＴ基板１０となる領域を複数枚取りできる大きさを有する第１の大型基板１１０上に、ＩＴＯ等を材料として周知のパターン形成法、例えばフォトリソグラフィー法によって、所定パターンの画素電極９ａ、配線及び外部接続端子１０２を形成する。同時に、スクライブラインＬ上に、各外部接続端子１０２に接続する各検査用接続端子１０３、及びこの検査用接続端子１０３に接続する検査用配線パターン１０４を形成する。更に、第１の大型基板１１０の端縁に検査用配線パターン１０４に接続するテスト端子１１１を形成する(図３参照)。
【００５７】
尚、この場合、検査用配線パターン１０４自体でスクライブラインＬを形成するようにしても良い。スクライブラインＬを検査用配線パターン１０４を用いて形成した場合、スクライブラインＬを別途形成する必要がないので、工程の簡素化が実現できる。
【００５８】
オーバコート層形成工程(Ｓ２)：次に、第１の大型基板１１０上にオーバーコート層を、酸化シリコン（ＳｉＯ2）等をＣＶＤ法等によって形成する。
【００５９】
配向膜形成工程(Ｓ３)：オーバコート層上に、ポリイミド系樹脂等を材料としてオフセット印刷等によって配向膜１６（図１参照）を形成し、所定にラビング処理を施す。
【００６０】
シール材形成工程(Ｓ４)：配向膜１６のＴＦＴ基板領域１０上に、エポキシ系樹脂の中に導通材を分散して成る材料等を用いてスクリーン印刷等によりシール材５２を枠形状に各々形成する。これにより、複数のＴＦＴ基板領域１０を有する第１の大型基板１１０が製造される。
【００６１】
［第２の大型基板１２０の製造工程］
電極形成工程(Ｓ５)：液晶表示装置１の対向基板２０となる領域を複数枚取りできる大きさを有する第２の大型基板１２０上に、ＩＴＯ等を材料として周知のパターン形成法、例えばフォトリソグラフィー法によって、対向電極２１を形成する。
【００６２】
オーバコート層形成工程(Ｓ６)：次に、第２の大型基板１２０上にオーバーコート層を、酸化シリコン（ＳｉＯ2）等をＣＶＤ法等によって形成する。
【００６３】
配向膜形成工程(Ｓ７)：オーバコート層上に、ポリイミド系樹脂等を材料としてオフセット印刷等によって配向膜２２（図１参照）を形成し、所定にラビング処理を施す。これにより、複数の対向基板２０を有する第２の大型基板１２０が製造される。
【００６４】
［大型パネル構造体１５０の製造工程］
液晶注入（Ｓ８）：第１の大型基板１１０上のシール材５２で区画された各ＴＦＴ基板領域１０内に液晶を適量注入する。
【００６５】
基板貼合工程(Ｓ９)：第１の大型基板１１０上に第２の大型基板１２０をアライメントを施しながら圧着し、その状態でシール材５２を、加熱、或いは紫外線照射等の手段により硬化させ、両大型基板１１０，１２０を貼り合わせると共に、液晶５０（図１参照）をシール材５２内に封入する。
【００６６】
この状態では、図５に示すように、第１の大型基板１１０と第２の大型基板１２０とがやや偏倚された状態で貼り合わされ、第１の大型基板１１０の端縁に形成されているテスト端子１１１が、第２の大型基板１２０の一端面側に形成されたプロービング領域１２１から露呈される。又、両大型基板１１０，１２０に形成されているＴＦＴ基板領域１０と対向基板領域２０とが互いに対向されて、液晶表示領域１００を複数有する大型パネル構造体１５０が形成される。
【００６７】
又、両大型基板１１０，１２０を貼り合わせることにより、第２の大型基板１２０に形成されている各対向基板領域２０の電極と、第２の大型基板１１０に形成されている配線（図示せず）とがシール材５２に分散されている導通材を介す等の方法で導通接続される。
【００６８】
検査工程（Ｓ１０）：大型パネル構造体１５０に形成されている各液晶表示領域１００の表示状態を検査する。
【００６９】
すなわち、先ず、図６に示すように、大型パネル構造体１５０を表示検査装置１３０のステージ１３１上にセットする。次いで、第１の大型基板１１０の一端に形成されているテスト端子１１１に対し、検査用プローブに設けられている各端子（図示せず）を接触させ、表示検査装置１３０から各液晶表示領域１００に対して電圧及び信号を供給し、各液晶表示領域１００を駆動させる。テスト端子１１１に接続される検査用配線パターン１０４は、電圧の共通するもの同士が共通化されているため、テスト端子１１１の端子数が少なく、従って、このテスト端子１１１に接触される検査用プローブの端子数を少なくすることができる。その結果、表示検査装置１３０の構造が簡素化され、低廉化を実現することができる。又、表示検査装置１３０のステージ１３１に配設されているバックライトを点灯する。
【００７０】
そして、ステージ１３１の上方に配設されているＣＣＤカメラやＣＭＯＳカメラ等の撮像手段１３２にて、各液晶表示領域１００を撮像し、撮像した画像に基づいて各液晶表示領域１００の表示状態を検査する。そして、表示不良と判定された液晶表示領域１００に表示不良を示すマークを付し、各液晶表示領域１００を切り出した後、廃却する。各液晶表示領域１００の表示検査を大型パネル構造体１５０のままで一括して行うことができるので、表示検査を効率的に行うことができ、検査時間の短縮化を実現することができる。
【００７１】
切り出し工程（Ｓ１１）：検査の終了後、表示検査装置１３０のステージ１３１から大型パネル構造体１５０を取り出し、この大型パネル構造体１５０に形成されているスクライブラインＬに沿って切断し、各液晶表示領域１００を１つずつ切り出し、液晶表示装置１を形成する。
【００７２】
尚、液晶表示領域１００を切り出す方法としては、スクライブ法、ダイシング法、レーザカット法等がある。因みに、スクライブ法は、スクライブラインＬに沿ってスクライブ溝を形成し、大型パネル構造体１５０をスクライブ溝の裏側から叩くことで、各液晶表示領域１００を切り出す方法である。ダイシング法は、ダイシングブレードを用いてスクライブラインＬに沿って切削することで、各液晶表示領域１００を切り出す方法である。又、レーザカット法は、レーザ光線をスクライブラインＬに沿って照射することで、各液晶表示領域１００を切り出す方法である。
【００７３】
又、検査用接続端子１０３及び検査用配線パターン１０４はスクライブラインＬ上に形成されており、更に、テスト端子１１１は切り出しの際に除去される領域に形成されているため、これらは切り出し工程において全て自動的に除去される。従って、完成された液晶表示装置１のＴＦＴ基板１０上には、外部接続端子１０２から端面方向へ延出する検査用配線パターンのみが僅かに残されるのみとなる。
【００７４】
このように、本形態では表示検査を、大型パネル構造体１５０の状態で行うようにしたので、製造工程における表示検査を効率的に行うことができ、検査時間の短縮化を実現することができる。又、第１の大型基板１１０に形成されている検査用配線パターン１０４が共通化されているため、テスト端子１１１の端子数を削減することができる。従って、テスト端子１１１に接触させる表示検査装置１３０の検査用プローブに設けた端子の数を削減することができる。その結果、表示検査装置１３０の低廉化を実現することができる。
【００７５】
又、図８に本発明の第２形態を示す。尚、第１形態と同一の構成部分については同一の符号を付して説明を省略する。
【００７６】
上述した第１形態では、第１の大型基板１１０に対して第２の大型基板１２０を偏倚させることで、第１の大型基板１１０に形成したテスト端子１１１を露呈させるようにしたが、本形態では、第２の大型基板１２０を後加工により切断することで、テスト端子１１１を露呈させるようにしたものである。
【００７７】
すなわち、同図（ａ）に示すように、基板貼合工程では、第１の大型基板１１０の全体を覆うように第２の大型基板１２０を被せて貼り合わせる。次いで、同図（ｂ）に示すように、第２の大型基板１２０のうち、第１の大型基板１１０に形成されているテスト端子１１１を覆っている部位（プロービング領域１２１）の基板１２２を除去して、テスト端子１１１を露呈させる。
【００７８】
そして、露呈したテスト端子１１１に表示検査装置１３０（図６参照）の検査用プローブに設けた端子を接触させることで表示検査を行う。
【００７９】
本形態では、第１の大型基板１１０と第２の大型基板１２０とを同心状に配設した状態で貼り合わせることができるため、貼り合わせる際のアライメントが容易になるばかりでなく、大型パネル構造体１５０の重心バランスが良くなる。
【００８０】
又、図９に本発明の第３形態を示す。尚、第１形態と同一の構成部分については同一の符号を付して説明を省略する。
【００８１】
本形態では、第１、第２の大型基板１１０，１２０として、オリフラ１１３，１２３の形成されている円板状の基板を用い、第１の大型基板１１０に形成するテスト端子１１１を、少なくともオリフラ１１３が形成されていない端縁に形成する。一方、第２の大型基板１２０に形成されているオリフラ１２３は、第１の大型基板１１０のテスト端子１１１側に指向するように貼り合わせる。
【００８２】
その結果、第１の大型基板１１０と第２の大型基板１２０とを貼り合わせるだけで、オリフラ１２３によりプロービング領域１２１が形成され、そこからテスト端子１１１を露呈させることができるので、何ら後加工することなく、そのままの状態で表示検査を行うことができる。
【００８３】
ところで、図においては、第１の大型基板１１０に形成するテスト端子１１１をオリフラ１１３に対して中心部を挟んでほぼ対称な位置に形成したが、必ずしも対称な位置に形成する必要はない。但し、テスト端子１１１をオリフラ１１３に対し、中心部を挟んでほぼ対称な位置に形成することで、貼り合わせた後の重心バランスが良くなる。尚、同図においては第１の大型基板１１０の、第２の大型基板１２０に形成したオリフラ１２３を覆う部分が省略されている。
【００８４】
又、図１０に本発明の第４形態を示す。尚、第１形態と同一の構成部分については同一の符号を付して説明を省略する。
【００８５】
本形態では、第１、第２の大型基板１１０，１２０として同一サイズの円板状基板を用い、調合に際しては、両大型基板１１０，１２０を偏倚させることで、プロービング領域１２１を形成し、そこからテスト端子１１１を露呈させるようにしたものである。
【００８６】
本形態では、第１、第２の大型基板１１０，１２０として同一サイズの円板状基板を用いたので、部品の共通化が実現でき、部品点数の削減を図ることができる。基板が円盤状であるため、オリフラを形成する必要が無く、その分、製品コストの低減を図ることができる。
【００８７】
尚、電気光学装置は、ＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置１以外に、パッシブマトリックス型の液晶表示装置、ＴＦＤ（薄型ダイオード）をスイッチング素子として備えた液晶表示装置であっても良く、更に、液晶表示装置に限らず、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display、及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）等の各種の電気光学装置であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】第１形態による液晶表示装置の概略断面図
【図２】同、大型パネル構造体の要部分解斜視図
【図３】同、第１の大型基板の平面図
【図４】同、図３の要部拡大図
【図５】同、大型パネル構造体の平面図
【図６】同、大型パネル構造体を表示検査装置にセットした状態の斜視図
【図７】同、液晶表示装置の製造方法を示す工程図
【図８】第２形態を示し、（ａ）は第１の大型基板と第２の大型基板とを貼り合わせた状態の平面図、（ｂ）は第２の大型基板からテスト端子を覆っている部位の基板を除去した状態の平面図
【図９】第３形態による大型パネル構造体の平面図
【図１０】第４形態による大型パネル構造体の平面図
【符号の説明】
【００８９】
１…液晶表示装置、１０…ＴＦＴ基板（ＴＦＴ基板領域）、２０…対向基板（対向基板領域）、１００…液晶表示領域、１０２…外部接続端子、１０３…検査用接続端子、１０４…検査用配線パターン、１１０…第１の大型基板、１１１…テスト端子、１２０…第２の大型基板、１３０…表示検査装置、１５０…大型パネル構造体、Ｌ…スクライブライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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