(57)【要約】【課題】  ダイシング加工を２段階に分けることなく、半導体ウェハ裏面のチッピングを抑制し、短時間かつ高効率でフルカットするダイシング装置及び半導体装置の製造方法、半導体装置を提供する。【解決手段】  テーブル１１は、保護テープ１２の貼られたウェハＷＦを支持し、アライメント及び移動制御可能である。ブレード１３は、周縁の刃先がテーパ形状であり、テーパ形状の領域１３１、１３２を有する。ブレードホルダ１４は、図示しないスピンドルを介して回転機構１５につながり高速回転する。研磨機構１６は、回転砥石１６１，１６２を有し、ブレード１３で半導体ウェハＷＦを切断している最中にブレードの刃先を研磨する。これにより、常時ブレード１３の刃先のテーパ形状を保つようにしている。【選択図】  図１
2005158855.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハが置かれるウェハ支持部と、
前記半導体ウェハをダイシングするブレードと、
前記ブレードを固定し回転させるブレード回転機構と、
前記ブレードで前記半導体ウェハを切断している最中に前記ブレードの周縁を研磨する研磨機構と、を含むダイシング装置。
【請求項２】
前記ブレードの周縁の所定領域はテーパ形状を有し、前記研磨機構は前記ブレードのテーパ形状を研磨する請求項１記載のダイシング装置。
【請求項３】
半導体ウェハが置かれるウェハ支持部と、
周縁の刃先がテーパ形状のブレードと、
前記ブレードを固定し回転させるブレード回転機構と、
前記ブレードで前記半導体ウェハを切断している最中に前記ブレードのテーパ形状を両側から研磨する第１、第２の回転砥石を有する研磨機構と、を含むダイシング装置。
【請求項４】
半導体ウェハが置かれるウェハ支持部と、
周縁の刃先が平坦部と両エッジのテーパ形状で構成されるブレードと、
前記ブレードを固定し回転させるブレード回転機構と、
前記ブレードで前記半導体ウェハを切断している最中に前記ブレードのテーパ形状を両側から研磨する第１、第２の回転砥石を有する研磨機構と、を含むダイシング装置。
【請求項５】
前記研磨機構は、前記第１、第２の回転砥石それぞれの回転中心から半径以内の所定領域を前記ブレードのテーパ形状の領域に沿うように接触させる請求項３または４記載のダイシング装置。
【請求項６】
前記研磨機構は、前記第１、第２の回転砥石それぞれの回転中心から半径の領域を前記ブレードのテーパ形状の領域に沿うように接触させる請求項３記載のダイシング装置。
【請求項７】
前記研磨機構は、前記第１、第２の回転砥石それぞれの回転中心から半径以内の所定領域を前記ブレードのテーパ形状の領域に沿うように接触させ、前記所定領域を移動するよう制御する請求項３または４記載のダイシング装置。
【請求項８】
周縁の刃先がテーパ形状のブレードを用いて半導体ウェハをスクライブラインに沿って分離するダイシング工程と、
前記ダイシング工程と同時に前記ブレードを研磨し前記テーパ形状を保つようにする研磨工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項９】
周縁の刃先が平坦部と両エッジのテーパ形状で構成されるブレードを用いて半導体ウェハをスクライブラインに沿って分離するダイシング工程と、
前記ダイシング工程と同時に前記ブレードを研磨し前記テーパ形状を保つようにする研磨工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体ウェハは、片面に保護テープが貼り付けられており、前記ダイシング工程は前記ブレードのテーパ形状を前記保護テープの厚さ方向の途中まで到達させることを特徴とする請求項８または９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体ウェハは、片面に保護テープが貼り付けられており、前記ダイシング工程は前記ブレードのテーパ形状の領域を前記半導体ウェハの厚さ方向の一部領域に反映させることを特徴とする請求項８または９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体チップと、
前記半導体チップに設けられた外部との接続部と、を含み、
前記半導体チップの側面が厚さ方向に関し途中で曲がり一方の縁部が鋭角になっている半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置製造に係り、特に半導体ウェハをチッピング抑制しつつダイシングするダイシング装置及び半導体装置の製造方法、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、ウェハ工程終了後、ダイシング装置でダイス状に分離され半導体チップとして所定の組立工程に移行する。ダイシング装置によるダイシング加工時、高速回転するダイシングブレードが半導体基板をカッティングしていく。このとき、ダイシングブレード先端が矩形状であると、基板裏面のエッチ部でチッピングが生じる懸念がある。
【０００３】
チッピングを防止する対策として、ダイシング加工を２回に分ける方法が知られている。１段目は比較的幅広のブレードで基板の中程まで切削し、２段目は幅の狭いブレードで基板を完全に分離する。いわゆる２段カット工法と呼ばれる技術である。１段目の切削で刃先断面をＶ字形状とした切削ブレードを用いる技術も周知となっている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−１０５４９号公報（第２〜４頁、図１０、図４等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来のダイシング加工では、２回に分ける工程分の相当時間がかかる上、消耗品であるブレードも大量に使用する。［特許文献１］に開示の切削ブレードには、刃先のＶ字形状を保とうとする工夫はある。例えば、切削ブレードの厚み方向中央部の硬度を高くして摩耗し難くし、それ以外の両縁を比較的摩耗し易くする構成などである。しかしながら、刃先の摩耗は避けられず、長期間刃先のＶ字形状を維持することは困難である。また、この［特許文献１］は、ダイシング加工を２回に分ける工法を問題視しているわけではない。
【０００５】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、ダイシング加工を２段階に分けることなく、半導体ウェハ裏面のチッピングを抑制し、短時間かつ高効率でフルカットするダイシング装置及び半導体装置の製造方法、半導体装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るダイシング装置は、半導体ウェハが置かれるウェハ支持部と、前記半導体ウェハをダイシングするブレードと、前記ブレードを固定し回転させるブレード回転機構と、前記ブレードで前記半導体ウェハを切断している最中に前記ブレードの周縁を研磨する研磨機構と、を含む。
【０００７】
上記本発明に係るダイシング装置によれば、ブレードは、半導体ウェハの切断時と同時に研磨機構によってその周縁が研磨されるようになる。
なお、好ましくは、前記ブレードの周縁の所定領域はテーパ形状を有し、前記研磨機構は前記ブレードのテーパ形状を研磨する。これにより、常にテーパ形状を崩さないで半導体ウェハを切断でき、チッピング抑制に寄与する。
【０００８】
本発明に係るダイシング装置は、半導体ウェハが置かれるウェハ支持部と、周縁の刃先がテーパ形状のブレードと、前記ブレードを固定し回転させるブレード回転機構と、前記ブレードで前記半導体ウェハを切断している最中に前記ブレードのテーパ形状を両側から研磨する第１、第２の回転砥石を有する研磨機構と、を含む。
【０００９】
本発明に係るダイシング装置は、半導体ウェハが置かれるウェハ支持部と、周縁の刃先が平坦部と両エッジのテーパ形状で構成されるブレードと、前記ブレードを固定し回転させるブレード回転機構と、前記ブレードで前記半導体ウェハを切断している最中に前記ブレードのテーパ形状を両側から研磨する第１、第２の回転砥石を有する研磨機構と、を含む。
【００１０】
上記それぞれ本発明に係るダイシング装置によれば、研磨機構は第１、第２の回転砥石を有する。ブレードは、半導体ウェハの切断中、同時にブレード周縁にあるテーパ形状の両側が第１、第２の回転砥石で研磨される。これにより、常にテーパ形状を崩さないで半導体ウェハの切断が達成され、チッピング抑制に寄与する。
【００１１】
上記それぞれ本発明に係るダイシング装置において、次のようないずれかの特徴を有して、ダイシング中におけるブレードの刃先のテーパ形状や第１、第２の回転砥石の形状が保たれる。
前記研磨機構は、前記第１、第２の回転砥石それぞれの回転中心から半径以内の所定領域を前記ブレードのテーパ形状の領域に沿うように接触させる。
特に周縁の刃先がテーパ形状のブレードに関し、前記研磨機構は、前記第１、第２の回転砥石それぞれの回転中心から半径の領域を前記ブレードのテーパ形状の領域に沿うように接触させる。
前記研磨機構は、前記第１、第２の回転砥石それぞれの回転中心から半径以内の所定領域を前記ブレードのテーパ形状の領域に沿うように接触させ、前記所定領域を移動するよう制御する。
【００１２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、周縁の刃先がテーパ形状のブレードを用いて半導体ウェハをスクライブラインに沿って分離するダイシング工程と、前記ダイシング工程と同時に前記ブレードを研磨し前記テーパ形状を保つようにする研磨工程と、を含む。
【００１３】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、周縁の刃先が平坦部と両エッジのテーパ形状で構成されるブレードを用いて半導体ウェハをスクライブラインに沿って分離するダイシング工程と、前記ダイシング工程と同時に前記ブレードを研磨し前記テーパ形状を保つようにする研磨工程と、を含む。
【００１４】
上記それぞれ本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、研磨工程は、ダイシング工程と同時に行われる。これにより、ブレードがテーパ形状を有していても、その形状がダイシング中に崩れることはない。これにより、チッピング抑制に寄与する。
【００１５】
上記それぞれ本発明に係る半導体装置の製造方法において、次のようないずれかの特徴を有して、チッピング抑制されながら半導体ウェハが分離される。
前記ウェハは片面に保護テープが貼り付けられており、前記ダイシング工程は前記ブレードのテーパ形状を前記保護テープの厚さ方向の途中まで到達させることを特徴とする。
前記半導体ウェハは、片面に保護テープが貼り付けられており、前記ダイシング工程は前記ブレードのテーパ形状を前記半導体ウェハの厚さ方向の一部領域に反映させることを特徴とする。
【００１６】
本発明に係る半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップに設けられた外部との接続部と、を含み、前記半導体チップの側面が厚さ方向に関し途中で曲がり一方の縁部が鋭角になっている。
【００１７】
上記それぞれ本発明に係る半導体装置によれば、ブレードのテーパ形状を半導体ウェハの側面に反映させたチップ側面となっている。チップ側面の変形により実装やパッケージングに利点を有する場合がある。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は、本発明の第１実施形態に係るダイシング装置の要部を示す構成図である。
テーブル１１は、保護テープ１２の貼られたウェハＷＦを支持し、アライメント及び移動制御可能である。ブレード１３は、周縁の刃先がテーパ形状であり、テーパ形状の領域１３１、１３２を有する。テーパ角θ１は９０°程度に設定されている。テーパ角θ１はその他、９０°より小さく設定することも十分考えられる。ブレード１３は、例えば粒径４〜８μｍ程度のダイヤモンド砥粒を、ニッケルを含むバインダによって固めて成形したものであり、５０μｍ以下の所定厚さ及び半径１５ｍｍ程度の外周径を有する薄型リング状である。このようなブレード１３は、両側からブレードホルダ１４により挟み込まれ固定される。ブレードホルダ１４は、図示しないスピンドルを介して回転機構１５につながり高速回転する。テーブル１１の移動制御により、ブレード１３は所定の切り込み深さを保ちながらウェハＷＦに対して相対的に移動し得る。
【００１９】
研磨機構１６は、ブレード１３で半導体ウェハＷＦを切断している最中にブレードの刃先を研磨する。ここでの研磨機構１６は、一部交差するように隣り合う第１、第２の回転砥石１６１，１６２を有する。回転砥石１６１，１６２はブレード１３を研磨し得る部材で構成される。例えばダイヤモンド砥粒を含んでいてもよい。回転砥石１６１，１６２はそれぞれ図示しないスピンドルモータに結合されている。回転砥石１６１，１６２は、それぞれの回転中心線Ｃ１１，Ｃ１２から半径Ｄ１１，Ｄ１２の領域をブレード１３のテーパ形状の領域１３１，１３２に沿うように接触させるようになっている。従って、ここでの回転砥石１６１，１６２は、ブレード１３の回転中心線から刃先端を通る破線Ｌに対して互いにθ２＝４５°程度傾けて設置されている（θ２＝９０°−（θ１／２））。
【００２０】
また、研磨機構１６によって、回転砥石１６１，１６２それぞれは、ブレード１３の回転中心に向けて移動できる。すなわち、ブレード１３のテーパ形状の領域１３１，１３２が削れて後退するのに合わせて回転砥石１６１，１６２それぞれが、そのままの傾斜角度を保った状態でブレード１３の回転中心に向けてスライドできる（矢印Ａ）。
【００２１】
図１を参照して半導体装置の製造方法を説明する。保護テープ１２の貼られたウェハＷＦがダイシング装置に搬入され、テーブル１１に支持される。アライメントを経て、ブレード１３下方の所定位置に移動する。周縁の刃先がテーパ形状となっているブレード１３が用いられ、回転機構１５及びテーブル１１によって半導体ウェハＷＦがスクライブラインＳＬに沿って分離されていく。このダイシング工程と同時に研磨機構１６の回転砥石１６１，１６２がブレード１３を常時研磨し刃先のテーパ形状を保つようにしている。最終的には破線１３Ｅに示すように、ブレード１３のテーパ形状の領域１３１、１３２全域を保護テープ１２の厚さ方向の途中まで到達させる。これにより、ダイシングされた半導体チップはチッピングが無く、略垂直な側面を有するようになる。
【００２２】
上記実施形態及び方法によれば、研磨機構１６は第１、第２の回転砥石１６１，１６２を有する。ブレード１３は、ウェハＷＦの切断中、同時に刃先のテーパ形状の両側が回転砥石１６１，１６２で研磨される。これにより、ブレード１３がテーパ形状の刃先を有していても、その形状がダイシング中に崩れることはない。ウェハＷＦの切削面は、テーパ形状に沿って深く進み、ウェハＷＦ裏面にはテーパ形状の領域１３１、１３２が当たる。このため、応力が分散され、チッピングが抑制される。チッピングの懸念が解消されれば半導体装置の加工不良が少なくなり、製品歩留まりが向上する。また、ダイシングに関わる領域を狭めることができるので、その分集積回路領域を広げることも可能である。
【００２３】
図２は、本発明の第２実施形態に係るダイシング装置の要部を示す構成図である。図３は、図２に関わるダイシング動作中の一部の構成である。第１実施形態と同様の箇所には図１と同一の符号を付して説明する。
図２において、第１実施形態と同様のテーブル１１に、保護テープ１２の貼られたウェハＷＦが支持されている。ブレード２３は、薄型リング状でかつ周縁の刃先がテーパ形状であり、テーパ形状の領域２３１、２３２を有する。テーパ角θ３は９０°より小さい所定の角度に設定されている。このようなブレード２３は、両側からブレードホルダ１４により挟み込まれ固定される。ブレードホルダ１４は、図示しないスピンドルを介して回転機構１５につながり高速回転する。テーブル１１の移動制御により、ブレード２３は所定の切り込み深さを保ちながらウェハＷＦに対して相対的に移動し得る。
【００２４】
研磨機構２６は、ブレード２３で半導体ウェハＷＦを切断している最中にブレードの刃先を研磨する。ここでの研磨機構２６は、一部交差するように隣り合う第１、第２の回転砥石２６１，２６２を有する。回転砥石２６１，２６２はブレード２３を研磨し得る部材で構成される。例えばダイヤモンド砥粒を含んでいてもよい。回転砥石２６１，２６２はそれぞれ図示しないスピンドルモータに結合されている。回転砥石２６１，２６２は、それぞれの回転中心Ｃ２１，Ｃ２２から半径Ｄ２１，Ｄ２２以内の所定領域をブレード２３のテーパ形状の領域２３１，２３２に沿うように接触させるようになっている。従って、ここでの回転砥石２６１，２６２は、ブレード２３の回転中心から刃先端を通る直線に対して互いに角度θ４程度傾けて設置されている（θ４＝９０°−（θ３／２））。
【００２５】
また、研磨機構２６によって、回転砥石２６１，２６２それぞれは、テーパ形状の領域２３１，２３２の研磨面に垂直な押圧力がかかるように移動できる。すなわち、回転砥石２６１，２６２それぞれは、ブレード２３のテーパ形状の領域２３１，２３２が削れて後退するのに合わせてそのままの傾斜角度を保った状態で所定領域が移動し接触し続ける。
【００２６】
図３は、図２中の回転砥石２６１，２６２が移動した場合の一状態を示している。回転砥石２６１，２６２は、ブレード２３におけるテーパ形状の領域２３１，２３２の研磨面に垂直な押圧力がかかる。ブレード２３のテーパ形状の領域２３１，２３２が削れて後退した場合、回転砥石２６１，２６２の接触領域が移動する。回転砥石２６１，２６２は半径Ｄ２１，Ｄ２２以内の領域が移動可能である。これにより、回転砥石２６１，２６２は、作用面全域が一様な減り具合になり、長寿命化すると共に研磨の信頼性が向上する。
なお、回転砥石２６１，２６２の移動制御はこれに限らず、前記第１実施形態と同様に、ブレード２３の回転中心に向けてスライドするようにしてもよい。
【００２７】
図２を参照して半導体装置の製造方法を説明する。保護テープ１２の貼られたウェハＷＦがダイシング装置に搬入され、テーブル１１に支持される。アライメントを経て、ブレード２３下方の所定位置に移動する。周縁の刃先がテーパ形状となっているブレード２３が用いられ、回転機構１５及びテーブル１１によって半導体ウェハＷＦがスクライブラインＳＬに沿って分離されていく。このダイシング工程と同時に研磨機構２６の回転砥石２６１，２６２がブレード２３を常時研磨し刃先のテーパ形状を保つようにしている。すなわち、ウェハＷＦの切削面は、テーパ形状に沿って深く進み、ウェハＷＦ裏面にはテーパ形状の領域２３１、２３２が当たる。このため、応力が分散され、チッピングが抑制される。最終的な切断面として、ブレード２３のテーパ形状部分をウェハＷＦの厚さ方向の一部領域に反映させる。これにより、ダイシングされた半導体チップは、チッピングが無く、厚さ方向に関し途中で曲っている側面を有し、縁部が鋭角化する。
【００２８】
なお、上記ダイシング工程は、前記第１実施形態に係る方法と同様に、ブレード２３のテーパ形状の領域２３１、２３２全域を保護テープ１２の厚さ方向の途中まで到達させるようにしてもよい。その場合、ダイシングされた半導体チップは略垂直な側面を有するようになる。また、逆に前記第１実施形態においても、この第２実施形態に係る方法と同様に、ブレード１３のテーパ形状部分をウェハＷＦの厚さ方向の一部領域に反映させ、途中で曲っている側面を有する半導体チップを構成してもよい。
【００２９】
上記実施形態及び方法によれば、研磨機構２６は第１、第２の回転砥石２６１，２６２を有する。ブレード２３は、ウェハＷＦの切断中、同時に刃先のテーパ形状の両側が回転砥石２６１，２６２で研磨される。これにより、ブレード２３がテーパ形状の刃先を有していても、その形状がダイシング中に崩れることはない。ウェハＷＦの切削面は、テーパ形状に沿って深く進み、ウェハＷＦ裏面にはテーパ形状の領域２３１、２３２が当たる。このため、応力が分散され、チッピングが抑制される。チッピングの懸念が解消されれば半導体装置の加工不良が少なくなり、製品歩留まりが向上する。また、ダイシングに関わる領域を狭めることができるので、その分集積回路領域を広げることも可能である。
【００３０】
図４は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の要部構成を示す概観図である。半導体チップ３１が、配線基板３０にフリップチップ実装されている。配線基板３０は、プリント配線基板、フィルムタイプの配線基板等も考えられる。半導体チップ３１は、前記第２実施形態及び方法を利用したダイシングで分離されたものである。すなわち、半導体チップ３１は、その側面が厚さ方向に関し、途中部分３１１で曲がり、縁部３１２が鋭角化している。
【００３１】
半導体チップ３１の主表面には外部との接続部としてバンプ３２が形成されている。半導体チップ３１のバンプ３２と配線基板３０の所定接続部３０１は例えば異方性導電フィルム３３を介して接続される。その際、チップ３１の背面はボンダーの押圧部３４で加熱押圧される。このとき、異方性導電フィルム３３の樹脂成分が熱により液状化し、チップ３１の側面を這い上がってくる。
【００３２】
異方性導電フィルム３３の液状化した樹脂成分は、側面が略垂直の一般的なチップであると、ボンダーの押圧部３４と接触するチップ背面まで這い上がることがあり、不必要な接着が起こりかねない。しかし、この第３実施形態に係る半導体チップ３１では、側面が厚さ方向に関し途中部分３１１で曲がり、縁部３１２が鋭角化している。これにより、異方性導電フィルム３３の樹脂成分が熱により液状化して這い上がってきても、チップ３１の側面領域で食い止めることができる。このように、半導体チップ側面に関し、ブレード２３のテーパ形状を反映させている。これにより、半導体装置としての実装やパッケージングに利点を有する場合がある。
【００３３】
上記各実施形態によれば、ダイシングに利用されるブレードはテーパ形状であり、しかもそのブレードは、半導体ウェハの切断中に、同時に刃先のテーパ形状の両側が第１、第２の回転砥石で研磨される。これにより、常にテーパ形状を崩さないで半導体ウェハの切断が達成される。ウェハＷＦの切削面は、テーパ形状に沿って深く進み、ウェハＷＦ裏面にはテーパ形状の領域が当たる。このため、応力が分散され、チッピングが抑制される。
【００３４】
なお、上記各実施形態ではブレードの刃先全域が鋭いテーパ形状のものを用いたが、刃先の一部が実質的な平坦領域を有したものも使用可能である。
図５は、本発明の第４実施形態に係るダイシング装置の要部を示す構成図である。刃先近辺部分を拡大しており、その他の図示しない周辺構成は、前記第１、第２実施形態に関する図１、図２に示す構成と同様である。ブレード４３は、周縁の刃先が実質的な平坦部４３０を呈し、この平坦部４３０に続いて両エッジがテーパ形状の領域４３１，４３２を有する。研磨機構４６は、ブレード４３で半導体ウェハＷＦ（ここでは図示せず）を切断している最中にブレードのテーパ形状の領域４３１，４３２を研磨する。すなわち、第１、第２の回転砥石４６１，４６２は、それぞれの回転中心Ｃ４１，Ｃ４２から半径Ｄ４１，Ｄ４２以内の所定領域をブレード４３のテーパ形状の領域４３１，４３２に沿うように接触させる。
【００３５】
また、研磨機構４６によって、回転砥石４６１，４６２それぞれは、ブレード４３の回転中心に向けて移動できる。すなわち、ブレード４３のテーパ形状の領域４３１，４３２が削れて後退するのに合わせて回転砥石４６１，４６２それぞれが、そのままの傾斜角度を保った状態でブレード４３の回転中心に向けてスライド可能である。また、回転砥石４６１，４６２のブレード４３との接触面が均一に減るように移動制御してもよい。
【００３６】
図５の構成のブレード４３及び研磨機構４６を有するダイシング装置を用いた半導体装置の製造方法も前記第１、第２実施形態と同様の効果が得られる。ウェハの切断中、回転砥石４６１，４６２がブレード４３を常時研磨しテーパ形状の領域４３１，４３２が崩れないように保つ。これにより、ダイシングされた半導体チップはチッピングが無く、略垂直な側面を有するようになる。
【００３７】
上記実施形態及び方法によれば、研磨機構４６は第１、第２の回転砥石４６１，４６２を有する。ブレード４３によるウェハ切断中、同時にブレード４３における刃先両エッジのテーパ形状の領域４３１，４３２が回転砥石４６１，４６２で研磨される。これにより、ブレード４３の形状は大幅に崩れることなく、刃先両エッジのテーパ形状の領域４３１，４３２は良好に保たれる。ウェハ切削面は、テーパ形状の領４３１、４３２によって応力分散され、チッピングが抑制される。チッピングの懸念が解消されれば半導体装置の加工不良が少なくなり、製品歩留まりが向上する。また、ダイシングに関わる領域を狭めることができるので、その分集積回路領域を広げることも可能である。
【００３８】
以上、各実施形態及び方法で説明したように、ブレードによるウェハ切断中、同時にブレードにおける刃先またはエッジのテーパ形状を研磨して、切断に影響する形状を常に良好に保つ。これにより、チッピングを抑制する。チッピング抑制が達成されれば、製品歩留まりが向上する。また、ダイシングに関わる領域を狭めることができるので、その分集積回路領域を広げることも可能である。また、ブレード刃先のテーパ形状を反映させた側面を有する半導体チップは実装等で利点を有する場合もある。この結果、ダイシング加工を２段階に分けることなく、半導体ウェハ裏面のチッピングを抑制し、短時間かつ高効率でフルカットするダイシング装置及び半導体装置の製造方法、半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】第１実施形態に係るダイシング装置の要部を示す構成図。
【図２】第２実施形態に係るダイシング装置の要部を示す構成図。
【図３】図２中の回転砥石が移動した場合の一状態を示す構成図。
【図４】第３実施形態に係る半導体装置の要部構成を示す概観図。
【図５】第４実施形態に係るダイシング装置の要部を示す構成図。
【符号の説明】
【００４０】
１１…テーブル、１２…保護テープ、１３，２３，４３…ブレード、１４…ブレードホルダ、１３１，１３２，２３１，２３２，４３１，４３２…テーパ形状の領域、１５…回転機構、１６，２６，４６…研磨機構、１６１，１６２，２６１，２６２，４６１，４６２…回転砥石、３０…配線基板、３０１…所定接続部、３１…半導体チップ、３１１…半導体チップ側面の途中部分、３１２…縁部、３２…バンプ、３３…異方性導電フィルム、３４…ボンダーの押圧部、ＷＦ…半導体ウェハ。
【図１】
2005158855.tif 000003
【図２】
2005158855.tif 000004
【図３】
2005158855.tif 000005
【図４】
2005158855.tif 000006
【図５】
2005158855.tif 000007