(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、発光効率が高く高輝度な分散型エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。さらに、フレキシブル基板を用いても、長時間の交流電源駆動による輝度ムラ、短絡が起こりにくい分散型エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。【解決手段】  透明電極、発光層、絶縁層及び背面電極を有するエレクトロルミネッセンス素子において、該絶縁層の比誘電率が、該発光層の比誘電率の３倍以上であって、且つ絶縁層の発光層に対する厚みの比が1／３以上であり、該発光層へかかる電圧が、素子全体にかかる電圧の８０％以上であることを特徴とする分散型エレクトロルミネッセンス素子。【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明電極、発光層、絶縁層及び背面電極を有するエレクトロルミネッセンス素子において、該絶縁層の比誘電率が、該発光層の比誘電率の３倍以上であって、且つ絶縁層の発光層に対する厚みの比が1／３以上であり、該発光層へかかる電圧が、素子全体にかかる電圧の８０％以上であることを特徴とする分散型エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記発光層の比誘電率が2以上15以下であることを特徴とする請求項１に記載の分散型エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記発光層の絶縁層側の平滑度を中心線平均粗さＲａとして見た時、Ｒａが発光層の厚みｄに対してｄ×1/8以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の分散型エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
熱可塑性樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂、UV硬化樹脂または非加硫フッ素ゴム系化合物から選ばれる少なくとも一種の化合物を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の分散型エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高電圧駆動に耐えるエレクトロルミネッセンス素子（以下、「ＥＬ素子」ともよぶ。）であって、高輝度が得られ、耐久性に優れた分散型エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
蛍光体を用いた素子としては、蛍光体粒子を電極に挟んで発光素子とした分散型ＥＬ素子と、蛍光体を薄膜層として電極で挟んだ薄膜型ＥＬ素子が従来より知られている。分散型ＥＬ素子は薄膜型ＥＬ素子に比べて輝度が低いなどの欠点があるものの、薄膜型ＥＬ素子製造のような大がかりな真空設備を必要とせず、比較的安価かつ大面積の発光素子の作成が可能である。従って、分散型ＥＬ素子は、その輝度を高めることで、各種表示用発光パネル、インテリアやエクステリア用の照明光源あるいは補助光源、液晶ディスプレイのバックライトなどの用途への展開が期待されている。
【０００３】
これら分散型ＥＬ素子を高輝度化するためには、例えば素子にかける電界強度を高くすることが考えられるが、単純に素子の電圧を上げると、消費電力が増加し、また周辺の電源回路のコストに繋がるばかりでなく、発光寿命を低下させたり、高電界による素子破壊が起こりやすくなったりする。電圧を上げずに発光層の膜の厚みを薄くすると、上記消費電力の問題は軽減されるが、寿命や素子破壊の問題はますます深刻になる。これは使用されている蛍光体の粒子サイズに対する層の膜厚み比が小さくなり、粒子１個１個の凹凸を反映して、平滑性が失われ、電極間距離の近い部位で短絡しやすくなることが考えられる。そこで小粒子の蛍光体を使用し膜厚みを下げることが考えられるが、一般にＥＬ用蛍光体の粒子サイズが２〜３μｍより小さくなると輝度が低下してしまうことが知られており、また発光面に輝度のバラツキを生じたりすることがわかった。特に発光部の面積が広い場合は均一な輝度で全面発光させることが困難であるばかりでなく大きな出力の電源等も必要になってくる。
【０００４】
蛍光体の実効的な電界強度を増加させることで高輝度化を達成する方法として、発光層中に高誘電率の粒子を含有させることが知られている。例えば、特許文献１には比較的大きな粒径の高誘電体粒子を蛍光体の背面に位置させ、さらに絶縁層を設けた素子が開示されている。しかしながら、発光層中の蛍光体への電界集中は確かに起こり易くなるが、外部電源からの電力供給は背面に配した絶縁層にも分配されており、上記のような高誘電体を発光層中に分散した場合は、発光層としての見かけの比誘電率が上昇し、結果として絶縁層に配分される電力が無視できなくなる。
【０００５】
また、高輝度化するために発光層の厚みを下げて電圧を上げると、発光層への電界強度も増加する。発光層の厚みが不均一な場合、この高電界の状態が長期間続くことで、局部的に劣化が進み輝度ムラが発生したり、短絡が生じたりする問題がある。
【特許文献１】特開平６−２６０２８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って本発明の目的は、発光効率が高く高輝度な分散型エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。さらに、フレキシブル基板を用いても、長時間の交流電源駆動による輝度ムラ、短絡が起こりにくい分散型エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の課題は、以下の方法によって達成された。すなわち、
（１）透明電極、発光層、絶縁層及び背面電極を有するエレクトロルミネッセンス素子において、該絶縁層の比誘電率が、該発光層の比誘電率の３倍以上であって、且つ絶縁層の発光層に対する厚みの比が1／３以上であり、該発光層へかかる電圧が、素子全体にかかる電圧の８０％以上であることを特徴とする分散型エレクトロルミネッセンス素子。
（２）前記発光層の比誘電率が2以上15以下であることを特徴とする前記（１）に記載の分散型エレクトロルミネッセンス素子。
（３）前記発光層の絶縁層側の平滑度を中心線平均粗さＲａとして見た時、Ｒａが発光層の厚みｄに対してｄ×1/8以下であることを特徴とする前記（１）又は（２）に記載の分散型エレクトロルミネッセンス素子。
（４）熱可塑性樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂、UV硬化樹脂および非加硫フッ素ゴム系化合物から選ばれる少なくとも一種の化合物を含有することを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載の分散型エレクトロルミネッセンス素子。
（５）フレキシブルな基板を用いていることを特徴とする前記（１）〜（４）のいずれか一項に記載の分散型エレクトロルミネッセンス素子。
（６）交流電源によって駆動することを特徴とする前記（１）〜（５）のいずれか一項に記載の分散型エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の分散型エレクトロルミネッセンス素子は、高輝度で、発光効率が高く、フレキシブル基板を用いた場合でも、長時間の交流電源駆動による輝度ムラが起こりにくい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
発光効率を下げずに高輝度化を達成するためには、比較的低電圧で、効率的に発光層及び発光層内の蛍光体に高い電界強度を与える必要がある。分散型ＥＬ素子のごとき比較的単純な多層構成の素子においては、発光層と絶縁層を各々コンデンサーと見立ててこれらを直列に配した等価回路が近似的に使用できる。絶縁層に対して発光層にかかる電圧配分を高めるためには、絶縁層の単層膜としての電気容量が発光層の単層膜としての電気容量よりも高いことが重要である。電気容量はその膜の比誘電率に比例し、厚みに反比例する。即ち、絶縁層の電気容量を上げるためには、膜の誘電率を上げるか、あるいは絶縁層の厚みを薄くするまたはその両方を行うことである。また、発光層内の蛍光体にかかる電界強度の観点からは、発光層の厚みを薄くすることが効果的である。
【００１０】
一般に薄膜型ＥＬ素子における絶縁層は、耐電圧適性と防湿性の観点から、ＳｉＮのごとき比較的誘電率の低い材料を１μｍ以下の非常に薄い膜を均一に設けている。しかし分散型ＥＬ素子においては、薄膜型ＥＬ素子の膜のごとき気相法による均一薄膜とは異なる粒子分散膜であるので、膜厚みを下げることは、膜の厚みに対する相対的な平滑性が充分に保てないため、高電圧をかけると、素子短絡を引き起こしやすいことがわかった。
また、[背景技術]の項でも記載したように、発光層に含有する蛍光体の粒子サイズに制限があるため、発光層の厚みを大きく下げることはできない。
【００１１】
本発明の分散型エレクトロルミネッセンス素子は、素子全体にかかる電圧の８０％以上が発光層に配分されており、層の構成としては少なくとも絶縁層の単独膜としての比誘電率が、発光層の単独膜としての比誘電率の３倍以上であって、且つ絶縁層／発光層の厚みが1／３以上であることを特徴とする。即ち、本発明は、高輝度で、高効率に発光させるためには、絶縁層はある程度以上の厚みが必要で、そのためにロスする電圧の配分は、発光層との比誘電率の相対値を上げるという構成が適していることを見出し、完成させたものである。
単に各層の電圧配分を考えるだけであるなら、各層の電気容量を規定すればよいが、本発明において上記の比誘電率と厚みの関係を規定することが重要であることがわかった。
【００１２】
本発明において、高輝度の発光を得るためには、発光層にかかる電圧が、素子全体にかかる電圧の８０％以上であることが必要である。より好ましくは、８６％以上であり、特に好ましくは９０％である。
本発明において、発光層にかかる電圧は、以下の方法で計算して求める。即ち、素子の電極間にかける電圧をＶ0(V)、素子構成中の発光層のキャパシタンスをＣ1(F)、絶縁層のキャパシタンスをＣ2(F)とすると、発光層にかかる電圧はＶ1＝Ｖ0×Ｃ2／(Ｃ1＋Ｃ2）となる。発光層の厚みをd(m)とすると、発光層の電界強度はＶ1／ｄ(V/m)である。絶縁層が発光層を挟んで両側にある場合も、絶縁層のキャパシタンスをＣ2、Ｃ3とすると、発光層にかかる電圧は、素子を直列等価回路に置き換えて、Ｖ1＝Ｖ0×(Ｃ2＋Ｃ3）／（Ｃ1＋Ｃ2＋Ｃ3）で計算できる。この他、保護層や、中間層がある場合も同様に、等価回路を組んで算出が出来る。
【００１３】
本発明において、絶縁層の単独膜としての比誘電率が、発光層の単独膜としての比誘電率の３倍より小さい場合は、耐電圧上絶縁層を薄くできないため充分な輝度を得ることが出来ない。絶縁層の単独膜としての比誘電率が、発光層の単独膜としての比誘電率に対して、好ましくは５倍以上、より好ましくは７倍以上である。また塗布やスクリーン印刷で作成する実用的な絶縁層の比誘電率の上限は1000程度であると思われる。
また、発光層の比誘電率は２以上１５以下が好ましい。一般的に発光層中のバインダーは蛍光体に電界をかけやすくするために、シアノエチル化物のような高誘電体バインダーが用いられている。しかしこれらの比誘電率を用いて、発光層中の電界強度を計算した結果、意外にもバインダーの比誘電率の影響が小さいことが判った。確かに蛍光体への電圧配分は若干ロスするが、比誘電率が２より小さいという極端な場合を除いて、極端に蛍光体への電圧配分が大きく下がることはないことがわかった。従って、絶縁層との関係を考えた時、発光層の比誘電率は低い方が、発光層に配分される電圧は高くなる。従って、好ましい発光層の比誘電率は２〜１５であり、更に好ましくは３〜１２である。
【００１４】
高輝度発光のために、発光層に高電界をかけることから、均一な発光及び局部的な劣化を防止する点からも、発光層の厚みは均一であることが望ましい。特に絶縁層との界面における平滑性は重要で、平滑度を中心線平均粗さＲａとして見た時、Ｒａが発光層の厚みｄに対してｄ×１／８以下が好ましい。これ以上の平均粗さの場合は、特に３００ｃｄ/ｍ2以上の高輝度を長時間維持するような場合に問題を生じやすい。より好ましくは、Ｒａはｄ×１／１０である。
発光層の表面を平滑にする方法としては、一般の塗布技術により達成することが可能であるが、乾燥膜をプレスロールでプレスして平滑にしたり、塗布後、均一に塗布面を掻き落したりすることも可能である。また、平滑化のための補助層を設けることも有効である。
【００１５】
本発明の分散型エレクトロルミネッセンス素子において、発光層の好ましい厚みは５μｍ〜100μｍであり、より実用的に好ましくは10μｍ〜70μｍである。従って絶縁層の厚みは、実用的には3μｍ以上が好ましく、絶縁層の厚み／発光層の厚みとしては、1／２以上が好ましく、さらには１／１以上が好ましい。一方、絶縁層の比誘電率の実用範囲が限られるので、絶縁層の厚み／発光層の厚みの関係は１０／１以下が好ましい。より好ましくは５／１以下である。
【００１６】
本発明の分散型エレクトロルミネッセンス素子中のバインダーは、高誘電率を持ったシアノエチルプルランやシアノエチルポリビニルアルコールなどが用いられるが、上記で述べたように高輝度発光を求めたり、またそのときに必要な耐電圧適性を付与したりすることはもちろん、劣化の要因と考える水分に対する防湿性の観点から、熱可塑性樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂、UV硬化樹脂および非加硫フッ素ゴム系化合物から選ばれる少なくとも一種の化合物が好ましい。また、これらのバインダーにBaTiO3やSrTiO3などの高誘電率の微粒子を適度に分散させて誘電率を調節したものも好ましく用いられる。これらのバインダーは、発光層および絶縁層等に好ましく用いられる。特に、発光層に使用することが好ましい。
【００１７】
上記観点に加えて発光効率を向上させるためには、電極との密着性も重要である。例えば、透明電極側と背面電極側を揃えて加熱プレス或いは加熱ロールプレスで張り合わせる場合などは、透明基板に使用される例えばポリエチレンテレフタレートのごときフレキシブルな基板の耐熱性からして、少なくとも発光層あるいは絶縁層が実質的に１８０℃以下で密着可能である必要がある。好ましくは１５０℃以下である。またエポキシ樹脂のごとく常温付近の比較的低温で硬化させて密着力が高められるものも好ましい。また、密着力を高める上で、４０℃以上で密着可能であることが好ましい。より好ましくは６０℃以上である。この密着力は透明電極及び例えば金属を配した背面電極の両方において必要である。本発明において密着可能とは、25ｍｍ幅の試料の密着力を２５℃において、インストロン万能材料試験機等で評価した場合、100g以上であることを言う。より好ましくは200g以上である。
【００１８】
次に、本発明の素子に使用される材料について具体的に説明する。
本発明の分散型エレクトロルミネッセンス素子の発光層には、蛍光体粒子が好ましく用いられる。好ましい蛍光体粒子の組成としては具体的には以下のものが挙げられる。すなわち、ZnS:Cu,Cl、ZnS:Ag,Al、ZnS:Mn、ZnS:Tb、SrS:Ce、CaS:Eu、ZnS:Sm,Fあるいはこれらの混合物などである。
本発明では、蛍光体粒子の粒子サイズ（球相当直径）は１μｍ〜４０μｍであることが好ましく、３μｍ〜２０μｍであることがより好ましい。
【００１９】
粒子の合成方法としては、固相法として、硫化亜鉛と発光中心及びフラックスを混ぜて電気炉などを用いて900℃〜1200℃で焼成することで得ることができる。また液相による合成、例えば、沈殿法、スプレーパイロリシスなどの噴霧熱分解法、逆ミセル法やこれらの方法と高温焼成を組み合わせた方法、尿素溶融法、凍結乾燥法、どがある。更に気相法として、CVD法、プラズマ法、スパッタリングや抵抗加熱、電子ビーム法などと、流動油面蒸着を組み合わせた方法などが挙げられる。
【００２０】
本発明に記載の絶縁層は、発光層の片側に設けてもよく、また発光層の両側に設けてもよい。上記のバインダーに分散して塗布やスクリーン印刷で塗設することが出来る。あるいは、厚みが本発明の範囲を満たすならば、基板にスパッタリング等の気相法で形成した薄膜であっても、ＢａやＳｒなどのアルコキサイドを用いたゾルゲル膜であっても良い。絶縁層中に使用する誘電体物質が粒子形状の場合は、蛍光体粒子の大きさに対し十分に小さいことが好ましい。具体的には蛍光体粒子サイズの1/3〜1/1000の大きさが好ましく、より好ましくは1/5〜1/500の大きさである。
好ましい誘電体物質の組成としては、例えばBaTa2O6、BaTiO3、SrTiO3、Y2O3、TiO2、PbTiO3、Al2O3、ZnS、ZrO2、PbNbO3などが挙げられる。
【００２１】
本発明の分散型エレクトロルミネッセンス素子は、透明電極、発光層、絶縁層および背面電極を有する。基本的には発光層と絶縁層を、透明電極と背面電極で挟持した構成を持つ。層配列は、透明電極、発光層、絶縁層、背面電極の順であることが好ましい。その他、本発明の素子構成において、基板、各種保護層、フィルター、光散乱反射層などを必要に応じて付与する事が出来る。特に透明電極としてはＩＴＯや酸化亜鉛とAlあるいはGaを併用した酸化被膜などが好ましい。基板に関しては、フレキシブルな透明樹脂シートが好ましいが、ガラス基板やセラミック基板を用いることが出来る。また薄膜状に吸湿素材を含有した吸湿層を設けたりするのも好ましい。電極に挟まれた層の合計厚みは、好ましくは５μｍ〜１５０μｍである。より好ましくは１０μｍ〜１００μｍであり、特に好ましくは１０μｍ〜７０μｍである。
【００２２】
本発明の分散型エレクトロルミネッセンス素子は、例えば、蛍光表示材料として、各種ディスプレイや表示装置に使用することができる。また発光色を制御することで各種照明装置に使用することができる。また大型看板やディスプレイのバックライトなどにも利用できる。
【実施例】
【００２３】
（実施例１）
光散乱反射性を示す基板として、厚さ350μｍのBaSO4練り混み白色ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シートを用いた。この基板上に、In2O3及びSnO2等の導電膜をスパッタリングによって形成した。次にZnSの微粉末に、硫酸銅及びフラックスとしてNaCl、MgCl2、BaCl2を混合し、1200℃のマッフル炉にて焼成した。該焼成後の粒子を水洗後、ボールミルで弱く衝撃を加えた後、700℃にて更に焼成を加えた。焼成後、酸性水及び蒸留水にて洗浄し乾燥させてZnS:Cu,Cl蛍光体を作成した（蛍光体Ａ）。
【００２４】
この蛍光体Ａを、シアノエチルプルラン及びシアノエチルポリビニルアルコールとのＤＭＦ混合溶液に、固形分含率で８０％となるように分散混合した（塗布液(i)）。次に、上記蛍光体Ａを、ダイキン社製フッ素ゴムＧ５０１をＭＥＫに溶解させた溶液に、固形分含率８０％となるように分散混合した（塗布液(ii)）。次に、上記蛍光体Ａを、２液混合型の透明エポキシ樹脂に分散させるために、先ず硬化剤を添加しないエポキシ樹脂に分散混合した（塗布液(iii)）。但し塗布液(iii)は塗布直前に硬化剤を冷却しながら添加攪拌して使用する。
【００２５】
次に、シアノエチルプルラン及びシアノエチルポリビニルアルコールとのＤＭＦ混合溶液に、固形分含率で７５％となるように、平均粒子サイズ200nmのチタン酸バリウムを混合分散した絶縁層塗布液(I)を作成した。同様に、シアノエチルプルラン及びシアノエチルポリビニルアルコールとのＤＭＦ混合溶液に、固形分含率で７５％となるように、平均粒子サイズ200nmのチタン酸ストロンチウムを混合分散した絶縁層塗布液(II)を作成した。同様に、シアノエチルプルラン及びシアノエチルポリビニルアルコールとのＤＭＦ混合溶液に、固形分含率で５５％となるように、平均粒子サイズ100nmのチタン酸バリウムを混合分散した（絶縁層塗布液(III)）。
【００２６】
上記ＩＴＯ付きＰＥＴベース上のＩＴＯ面上に、上記各蛍光体塗布液を乾燥時の膜の厚みが10μｍになるように各々塗布し、塗布面上に背面電極として銀ペーストを一定面積になるようにスクリーン印刷して試料1〜3を作成した。同様に、各絶縁層塗布液を乾燥時の膜厚みが10μｍとなるように各々塗布し、塗布面上に背面電極として銀ペーストを一定面積になるようにスクリーン印刷して試料4〜6を作成した。試料を充分に乾燥後、リード線を取り付け、電圧電流特性をSawyer-Tower回路を用いて測定し、比誘電率を算出した。結果を表1に示す。
【００２７】
【表１】
2005158491.tif 000002
【００２８】
次に、厚みが70μｍのアルミニウム箔上に、上記で作成した各々の絶縁層塗布液および蛍光体塗布液を塗布して、それぞれ絶縁層および発光層の厚みが異なる試料を作成した。この時、アルミニウム箔上に絶縁層塗布液を塗布、乾燥させた後、その絶縁層塗布面上に、蛍光体塗布液を塗布した。それぞれの組合せの厚さで絶縁層と発光層が塗布されたシートを９０℃の真空加熱で１２時間乾燥後、上記ＩＴＯ付きＰＥＴベースのＩＴＯ面を発光層面に接触するように重ねて、１７０℃の加熱ロールプレス機に通して貼りあわせた。
これらの素子を酸化ケイ素とポリビニルアルコールの膜を交互に積層した多層防湿フイルムにて封止し、表２に示す素子7〜23を作成した。
【００２９】
上記で作成した素子を、Sawyer-Tower回路を用いて電圧電流特性を測定し、輝度計にて、そのときの輝度を測定した。絶縁層と発光層のそれぞれ乾燥膜厚が40μｍである素子を基準にして、輝度及び発光効率を相対値として算出した。ここで輝度は周波数が1000Hzで1cd/m2を与える素子電圧に対して、更に100Ｖの電圧を加えた時の輝度値（L100）を用いた。発光効率もこの時の電圧で算出した値（η100）を用いた。また上記で算出した各単独膜の比誘電率及び各層の膜厚みから、各素子の発光層にかかる電圧の配分を見積もった。更に輝度が1000cd/m2になるように素子電圧を上げて100時間連続発光させ、100時間後の発光面のムラを目視観察した。（○良好、△明暗のムラが判別できる、×一部未発光部などの欠陥が発生）
結果を表２に示す。
【００３０】
【表２】
2005158491.tif 000003
【００３１】
表２からわかるように、本発明の構成のいずれかが満足されなかった場合、即ち、絶縁層の比誘電率が発光層のそれの３倍を満たさないもの(試料No.14,15,16)、あるいは、絶縁層の膜厚み／発光層の膜厚みが１／３以上を満たさないもの（試料No.9,16）あるいは発光層の電圧配分が80％に満たないもの(試料No.11,14)は何れも、輝度、発光効率、輝度ムラのいずれかが劣っていることがわかる。特に絶縁層の厚みが薄いと輝度ムラの性能が悪化しやすい。また発光層の電圧配分が80％以上となる構成であっても、絶縁層と発光層の比誘電率の比が３より小さい場合は、発光効率が低下しやすく絶縁層部分での誘電損失が増加するものと思われる。
更に、本発明の構成を２つ以上満たさなかった水準(試料No.14,16)も発光効率や輝度ムラの性能が不十分であった。
また、発光層の厚みを下げると、輝度及び発光効率は充分に改善されるが輝度ムラは若干悪化していることがわかる(試料No.10)。しかしながら、発光層のバインダーを変更することで、輝度ムラも改善され、シアノエチル系での性能(試料No.10)より優れていることが判る(試料No.19)。
【００３２】
（実施例２）
実施例１で作成した塗布液(i)のＤＭＦ量を調節した液を何種か準備した。同様に塗布液(ii)のＭＥＫ量を調節した液を何種か準備した。実施例１で使用したＩＴＯ付きＰＥＴベースに、この塗布液を各々アプレケーターで塗布し、乾燥条件を適当に変更して乾燥後の発光層の表面平滑度を変えた。但し蛍光体の単位面積あたりの塗布量は同じになるように調節した。表面の平滑性は走査型レーザー顕微鏡を用いて評価した。発光層の平均的な厚みは40μｍであった。中心線平均粗さＲａ値の結果を表３に示す。
【００３３】
上記で作成した発光層の表面平滑度の異なる各シート上に、実施例１で作成した絶縁層塗布液(I)を、乾燥時の膜の厚さが20μｍになるように塗布した。次に背面電極としてアルミニウム箔を貼り付けたＰＥＴベースを準備し、アルミニウム箔側に、シアノエチルポリビニルアルコールの薄膜を接着層として、厚さ0.5μｍになるように設け、上記発光層と絶縁層を塗布したシートと、該背面電極を重ねて熱ヒートローラーで加熱プレスして接着させた。その後実施例１と同様に封止フイルムで封止し評価用素子とした。
Sawyer-Tower回路を用いて1000Hzの周波数の条件で輝度（L100）を求めた。更に発光効率（η100）及び、輝度ムラを評価した。結果を表３に示す。
【００３４】
【表３】
2005158491.tif 000004
【００３５】
表３から、発光層の平均粗さが厚み40μｍの1/8以下である場合（試料No.32,33,35,36）には、特に発光効率と輝度ムラが改良されることがわかる。また、その改良効果は、発光層の比誘電率が15以下となる塗布液(ii)の水準の方がより優れている(試料No.35,36)。