(57)【要約】【課題】紫外線等の励起光を検出しないようにすることにより、ＤＮＡ等の高分子の塩基配列の誤特定を防止すること。【解決手段】配列特定支援装置１０１は、固体撮像デバイス２と、固体撮像デバイス２の受光面に点在したスポット５０，５０，…と、固体撮像デバイス２に向けて紫外線を照射する励起光照射装置４と、固体撮像デバイス２と励起光照射装置４との間に配置された液晶シャッタ装置１０７と、を備える。固体撮像デバイス２は、複数のダブルゲートトランジスタ２０を列順次に走査することによって撮像を行う。液晶シャッタ装置１０７は、固体撮像デバイス２の走査に同期して、列順次に励起光を遮蔽する。【選択図】図９
2005249635.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体撮像デバイスと、
既知の塩基配列の高分子からなり、前記固体撮像デバイスの受光面に点在した複数種のスポットと、
前記固体撮像デバイスの受光面に向けて励起光を照射する励起光照射装置と、を備え、
前記励起光照射装置が前記固体撮像デバイスの撮像時前に点灯し、前記固体撮像デバイスの撮像時に消灯するように設けられていることを特徴とする配列特定支援装置。
【請求項２】
請求項１に記載の配列特定支援装置を用いた配列特定方法において、
未知の配列の高分子からなり、励起光の被照射により燐光を発する燐光材料を結合させた高分子のサンプルを前記固体撮像デバイスの受光面に塗布し、
次いで前記励起光照射装置により励起光を前記固体撮像デバイスの受光面に向けて照射し、
次いで前記励起光照射装置を消灯させ、
次いで前記固体撮像デバイスで撮像を行うことを特徴とする配列特定方法。
【請求項３】
複数の光電変換素子が受光面に沿って二次元アレイ状に配列され、前記複数の光電変換素子を列順次で走査することにより撮像を行う固体撮像デバイスと、
既知の塩基配列の高分子からなり、前記固体撮像デバイスの受光面に点在した複数種のスポットと、
前記固体撮像デバイスの受光面に向けて励起光を照射する励起光照射装置と、
前記励起光照射装置と前記固体撮像デバイスとの間に配置され、前記固体撮像デバイスが列順次で走査することに同期して列順次に前記励起光照射装置の励起光を遮蔽する液晶シャッタ装置と、を備えることを特徴とする配列特定支援装置。
【請求項４】
請求項３に記載の配列特定支援装置を用いた配列特定方法において、
未知の配列の高分子からなり、励起光の被照射により燐光を発する燐光材料を結合させた高分子のサンプルを前記固体撮像デバイスの受光面に塗布し、
次いで前記励起光照射装置により励起光を前記固体撮像デバイスの受光面に向けて照射し、
前記複数の光電変換素子を列順次で走査することにより前記固体撮像デバイスで撮像を行うとともに、前記固体撮像デバイスの走査に同期して列順次に前記励起光照射装置の励起光を遮蔽することを前記液晶シャッタ装置で行うことを特徴とする配列特定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像された画像を用いて高分子の塩基配列を特定する配列特定方法及びそれを支援する配列特定支援装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、医療分野、農業分野等の幅広い分野で生物の遺伝子情報が利用されるようになってきているが、遺伝子の利用に際しては、ＤＮＡの塩基配列の特定が不可欠である。ＤＮＡは螺旋状によじれあった２本のポリヌクレオチド鎖を有し、それぞれのポリヌクレオチド鎖は４種の塩基（アデニン：Ａ、グアニン：Ｇ、シトシン：Ｃ、チミン：Ｔ）が一次元的に並んだ塩基配列を有し、アデニンとチミン、グアニンとシトシンという相補性に基づいて一方のポリヌクレオチド鎖の塩基が他方のポリヌクレオチド鎖の塩基に結合している。
【０００３】
ＤＮＡの塩基配列を特定するために使用するデバイスとして、ＤＮＡチップが開発されている。ＤＮＡチップとは、既知の塩基配列を有した複数種類のＤＮＡプローブをスライドガラス等の固体担体に整列固定させたものである。
【０００４】
ＤＮＡチップを用いる場合には、サンプルを一本鎖ＤＮＡに変性し、そのサンプルに蛍光物質を結合させる。次に、サンプルをＤＮＡチップ上に添加すると、サンプルのＤＮＡが相補的なＤＮＡのプローブとは結合し、相補的でないＤＮＡのプローブとは結合しない。サンプルには蛍光物質が結合されているから、光源からの励起光として紫外線がＤＮＡチップに照射されると、サンプルと結合したプローブは蛍光を発するが、サンプルと結合していないプローブは蛍光を発しない。そのため、ＤＮＡチップ上の蛍光の強度をフォトダイオードによって測定することによって蛍光を発したプローブを特定し、サンプルの塩基配列を特定することができる（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００１−１１６６９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、フォトダイオード等の光電変換素子が蛍光のみならず紫外線に対しても感度を示すため紫外線でも蛍光との識別ができなくなるので、光電変換素子が光源からの紫外線が直接入射されてしまう位置に配置されていると、サンプルと結合していないプローブから紫外線を検出してしまい、蛍光を発したプローブを特定することが困難になる。そのため、サンプルのＤＮＡの塩基配列を誤って特定しまうことがある。
【０００６】
そこで、本発明は、上記のような問題点を解決しようとしてなされたものであり、紫外線等の励起光を検出しないようにすることにより、ＤＮＡ等の高分子の塩基配列の誤特定を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題を解決するために、請求項１に記載の配列特定支援装置は、
固体撮像デバイスと、
既知の塩基配列の高分子からなり、前記固体撮像デバイスの受光面に点在した複数種のスポットと、
前記固体撮像デバイスの受光面に向けて励起光を照射する励起光照射装置と、を備え、
前記励起光照射装置が前記固体撮像デバイスの撮像時前に点灯し、前記固体撮像デバイスの撮像時に消灯するように設けられていることを特徴とする。
【０００８】
請求項２に記載の配列特定方法は、
請求項１に記載の配列特定支援装置を用いた配列特定方法において、
未知の配列の高分子からなり、励起光の被照射により燐光を発する燐光材料を結合させた高分子のサンプルを前記固体撮像デバイスの受光面に塗布し、
次いで前記励起光照射装置により励起光を前記固体撮像デバイスの受光面に向けて照射し、
次いで前記励起光照射装置を消灯させ、
次いで前記固体撮像デバイスで撮像を行うことを特徴とする。
【０００９】
以上のように、燐光材料が結合された高分子のサンプルを固体撮像デバイスの受光面に塗布すると、サンプルが相補的な高分子からなるスポットに結合し、相補的でない高分子からなるスポットには結合しない。その後、紫外線等の励起光を励起光照射装置により固体撮像デバイスの受光面に向けて照射すると、サンプルと結合したスポットは燐光材料により蛍光を発し、サンプルと結合していないスポットは蛍光を発しない。その後、励起光照射装置を消灯しても、サンプルと結合したスポットは燐光材料により残光として燐光を発する。そのため、固体撮像デバイスで撮像を行えば、撮像画像中の明るい部分にあるスポットと相補的な塩基配列がサンプルの塩基配列であると特定することができる。
【００１０】
ここで、励起光照射装置を消灯した後に固体撮像デバイスで撮像を行っているので、固体撮像デバイスで励起光を検出しなくなる。また、サンプルに燐光材料を結合させているので、励起光照射装置を消灯した後でも、固体撮像デバイスで燐光を検出することができる。そのため、サンプルと結合した明るいスポットと、サンプルと結合していない暗いスポットとのコントラスト比が大きくなり、サンプルの塩基配列を容易に特定することができる。
【００１１】
請求項３に記載の配列特定支援装置は、
複数の光電変換素子が受光面に沿って二次元アレイ状に配列され、前記複数の光電変換素子を列順次で走査することにより撮像を行う固体撮像デバイスと、
既知の塩基配列の高分子からなり、前記固体撮像デバイスの受光面に点在した複数種のスポットと、
前記固体撮像デバイスの受光面に向けて励起光を照射する励起光照射装置と、
前記励起光照射装置と前記固体撮像デバイスとの間に配置され、前記固体撮像デバイスが列順次で走査することに同期して列順次に前記励起光照射装置の励起光を遮蔽する液晶シャッタ装置と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
請求項４に記載の配列特定方法は、
請求項３に記載の配列特定支援装置を用いた配列特定方法において、
未知の配列の高分子からなり、励起光の被照射により燐光を発する燐光材料を結合させた高分子のサンプルを前記固体撮像デバイスの受光面に塗布し、
次いで前記励起光照射装置により励起光を前記固体撮像デバイスの受光面に向けて照射し、
前記複数の光電変換素子を列順次で走査することにより前記固体撮像デバイスで撮像を行うとともに、前記固体撮像デバイスの走査に同期して列順次に前記励起光照射装置の励起光を遮蔽することを前記液晶シャッタ装置で行うことを特徴とする。
【００１３】
以上のように、燐光材料が結合された高分子のサンプルを固体撮像デバイスの受光面に塗布すると、サンプルが相補的な高分子からなるスポットに結合し、相補的でない高分子からなるスポットには結合しない。その後、紫外線等の励起光を励起光照射装置により固体撮像デバイスの受光面に向けて照射すると、サンプルと結合したスポットは燐光材料により蛍光を発し、サンプルと結合していないスポットは蛍光を発しない。複数の光電変換素子を列順次で走査することにより固体撮像デバイスで撮像を行うが、液晶シャッタ装置によって励起光が固体撮像デバイスの走査に同期して列順次に遮蔽されるので、指定された列の光電変換素子には励起光が入射しない。また、励起光照射装置の励起光を液晶シャッタ装置により遮蔽しても、サンプルと結合したスポットは燐光材料により残光として燐光を発する。そのため、固体撮像デバイスで撮像を行えば、撮像画像中の明るい部分にあるスポットと相補的な塩基配列がサンプルの塩基配列であると特定することができる。
【００１４】
ここで、光電変換素子の列順次の走査に同期して、励起光を遮蔽するので、固体撮像デバイスで励起光を検出しなくなる。また、サンプルに燐光材料を結合させているので、励起光を遮蔽した後でも、固体撮像デバイスで燐光を検出することができる。そのため、サンプルと結合した明るいスポットと、サンプルと結合していない暗いスポットとのコントラスト比が大きくなり、サンプルの塩基配列を容易に特定することができる。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１、請求項２に記載の発明によれば、サンプルに燐光材料を結合させ、励起光照射装置を消灯した後に固体撮像デバイスで撮像を行っているので、サンプルと結合した明るいスポットと、サンプルと結合していない暗いスポットとのコントラスト比が大きくなり、サンプルの塩基配列を容易に特定することができる。
【００１６】
請求項３、４に記載の発明によれば、サンプルに燐光材料を結合させ、光電変換素子の列順次の走査に同期して励起光を遮蔽するので、サンプルと結合した明るいスポットと、サンプルと結合していない暗いスポットとのコントラスト比が大きくなり、サンプルの塩基配列を容易に特定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００１８】
〔第１の実施の形態〕
図１は第１の実施形態における配列特定支援装置１のブロック図であり、図２はこの配列特定支援装置１に備わった固体撮像デバイス２及び励起光照射装置４の断面図であり、図３は固体撮像デバイス２及びその駆動回路３の回路図である。
【００１９】
この配列特定支援装置１は、生体高分子であるＤＮＡサンプルの塩基配列を特定するために用いられる装置である。ＤＮＡサンプルには標識として燐光材料を結合させて、配列特定支援装置１を用いる。ここで、燐光材料について図４を参照して説明する。図４は、色素分子のエネルギー準位を模式的に示したものである。図４において、基底状態をＳ０、励起１重項状態をＳ１、励起３重項状態をＴ１で表している。１重項及び２重項とは電子−正孔対をひとつの準粒子とした場合にとりうる内部運動量の対照性を表現している。内部角運動量Ｓ＝０のとき１重項であり、Ｓ＝１のとき３重項になる。図４からわかるように、基底状態は１重項である。このためＳ１からＳ０への遷移は対照性を変えないため直接遷移になる。しかし、３重項を介するとその遷移はスピン禁制遷移のために遷移確率が低く発光に時間がかかる。これが燐光現象である。Ｓ１からＳ０へ遷移することによる発光が蛍光と呼ばれる。燐光材料に照射された励起光が切れた後でも、燐光現象により燐光材料からは燐光（残光）が発し続ける。
【００２０】
図１に示すように、この配列特定支援装置１は、受光面に沿って複数のダブルゲートトランジスタ２０，２０，…を二次元アレイ状に配列した固体撮像デバイス２と、固体撮像デバイス２を駆動する駆動回路３と、固体撮像デバイス２の受光面に点在したスポット５０，５０，…（図５に図示）と、固体撮像デバイス２の受光面に向けて紫外線を励起光として照射する励起光照射装置４と、固体撮像デバイス２により撮像された画像の処理を行う画像処理装置であり、配列特定支援装置１全体の制御を司るコントローラ５と、コントローラ５から出力された信号により出力（表示又はプリント）を行う出力装置６と、を備える。
【００２１】
励起光照射装置４は固体撮像デバイス２の受光面に対して励起光を面状に照射するものである。
【００２２】
出力装置６はプロッタ、プリンタ又はディスプレイである。
【００２３】
図２、図３に示すように、固体撮像デバイス２は、画素としての光電変換素子であるダブルゲートトランジスタ２０，２０，…を透明基板３５上にマトリクス状に配列したものである。
【００２４】
透明基板３５は、紫外線及び可視光を透過する性質（以下、光透過性という。）を有するとともに絶縁性を有し、石英ガラス等といったガラス基板又はポリカーボネート、ＰＭＭＡ等といったプラスチック基板である。
【００２５】
図５はダブルゲートトランジスタ２０の電極構造を示した平面図であり、図６は図３の面VI−VIに沿う断面図である。図５、図６に示すように、ダブルゲートトランジスタ２０，２０，…はそれぞれ、透明基板３５上に形成されたボトムゲート電極２１と、ボトムゲート電極２１上に形成されたボトムゲート絶縁膜２２と、ボトムゲート電極２１に対向するとともにボトムゲート絶縁膜２２をボトムゲート電極２１と挟む真性な半導体膜２３と、半導体膜２３の中央部上に形成されたチャネル保護膜２４と、半導体膜２３の両端部上に互いに離間して形成された不純物半導体膜２５，２６と、不純物半導体膜２５上に形成されたソース電極２７と、不純物半導体膜２６上に形成されたドレイン電極２８と、ソース電極２７及びドレイン電極２８上に形成されたトップゲート絶縁膜２９と、半導体膜２３に対向するとともにトップゲート絶縁膜２９及びチャネル保護膜２４を半導体膜２３と挟むトップゲート電極３０と、を具備する。なお、図６は図２に直交する面の断面図である。
【００２６】
ボトムゲート電極２１は、ダブルゲートトランジスタ２０ごとに透明基板３５上に形成されている。また、図３に示すように、透明基板３５上には縦方向（列方向）に延在する複数本のボトムゲートライン４１，４１，…が形成されており、縦方向に配列された同一の列のダブルゲートトランジスタ２０，２０，…の何れのボトムゲート電極２１も共通のボトムゲートライン４１と一体となって形成されている。ボトムゲート電極２１及びボトムゲートライン４１は、導電性及び遮光性を有し、例えばクロム、クロム合金、アルミ若しくはアルミ合金又はこれらの合金からなる。なお、図２は、列方向（ボトムゲートライン４１の延在方向）に直交する面の断面図である。
【００２７】
図５、図６に示すように、ボトムゲート絶縁膜２２は、全てのダブルゲートトランジスタ２０，２０，…に共通して形成されており、ダブルゲートトランジスタ２０，２０，…のボトムゲート電極２１及びボトムゲートライン４１，４１，…をまとめて被覆している。ボトムゲート絶縁膜２２は、絶縁性及び光透過性を有し、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）又は酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる。
【００２８】
ボトムゲート絶縁膜２２上には、半導体膜２３がダブルゲートトランジスタ２０ごとに形成されている。半導体膜２３は、平面視して略矩形状を呈しており、受光した光量に応じた量の電子−正孔対を生成するアモルファスシリコン又はポリシリコンで形成された層である。半導体膜２３上には、チャネル保護膜２４が形成されている。チャネル保護膜２４は、絶縁性及び光透過性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。チャネル保護膜２４は、パターニングに用いられるエッチャントから半導体膜２３の界面を保護するものである。半導体膜２３に光が入射すると、入射した光量に従った量の電子−正孔対がチャネル保護膜２４と半導体膜２３との界面付近を中心に発生するようになっている。この場合、半導体膜２３側にはキャリアとして正孔が発生し、チャネル保護膜２４側には電子が発生する。
【００２９】
半導体膜２３の一端部上には、不純物半導体膜２５が一部チャネル保護膜２４に重なるようにして形成されており、半導体膜２３の他端部上には、不純物半導体膜２６が一部チャネル保護膜２４に重なるようにして形成されている。不純物半導体膜２５，２６は、ダブルゲートトランジスタ２０ごとにパターニングされている。不純物半導体膜２５，２６は、ｎ型の不純物イオンを含むアモルファスシリコン（ｎ+シリコン）からなる。
【００３０】
不純物半導体膜２５上には、ダブルゲートトランジスタ２０ごとにパターニングされたソース電極２７が形成されている。不純物半導体膜２６上には、ダブルゲートトランジスタ２０ごとにパターニングされたドレイン電極２８が形成されている。また、図３に示すように、横方向（行方向）に延在する複数本のソースライン４２，４２，…及びドレインライン４３，４３，…がボトムゲート絶縁膜２２上に形成されている。横方向に配列された同一の行のダブルゲートトランジスタ２０，２０，…の何れのソース電極２７も共通のソースライン４２と一体に形成されており、横方向に配列された同一の行のダブルゲートトランジスタ２０，２０，…の何れのドレイン電極２８も共通のドレインライン４３と一体に形成されている。ソース電極２７、ドレイン電極２８、ソースライン４２及びドレインライン４３は、導電性及び遮光性を有しており、例えばクロム、クロム合金、アルミ若しくはアルミ合金又はこれらの合金からなる。
【００３１】
図５、図６に示すように、トップゲート絶縁膜２９は、全てのダブルゲートトランジスタ２０，２０，…に共通して形成されており、ダブルゲートトランジスタ２０，２０，…のチャネル保護膜２４、ソース電極２７及びドレイン電極２８並びにソースライン４２，４２，…及びドレインライン４３，４３，…をまとめて被覆している。トップゲート絶縁膜２９は、絶縁性及び光透過性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
【００３２】
トップゲート絶縁膜２９上には、ダブルゲートトランジスタ２０ごとにパターニングされたトップゲート電極３０が形成されている。また、図２に示すように、トップゲート絶縁膜２９上には縦方向に延在する複数本のトップゲートライン４４，４４，…が形成されており、縦方向に配列された同一の列のダブルゲートトランジスタ２０，２０，…の何れのトップゲート電極３０も共通のトップゲートライン４４と一体に形成されている。トップゲート電極３０及びトップゲートライン４４は、導電性及び光透過性を有し、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛若しくは酸化スズ又はこれらのうちの少なくとも一つを含む混合物（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム）で形成されている。
【００３３】
図５、図６に示すように、保護絶縁層３１は、ダブルゲートトランジスタ２０，２０，…のトップゲート電極３０及びトップゲートライン４４，４４，…をまとめて被覆している。保護絶縁層３１は、絶縁性及び光透過性を有し、窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
【００３４】
以上のように構成された固体撮像デバイス２は、保護絶縁層３１の表面を受光面としており、それぞれのダブルゲートトランジスタ２０は半導体膜２３において受光した光量を電気信号に変換するように設けられている。
【００３５】
また、図２に示すように、固体撮像デバイス２の受光面上には、１つの画素（ダブルゲートトランジスタ２０）につき１つのスポット５０が配置されており、固体撮像デバイス２の有効画素数と同じ数だけのスポット５０，５０，…がマトリクス状に点在している。１つのスポット５０は、生体高分子として一本鎖ＤＮＡ断片のプローブが多数集まった群集である。１つのスポット５０に含まれる多数のプローブは互いに同じ塩基配列である。また、スポット５０ごとにプローブの塩基配列が異なる配列となっている。何れのスポット５０，５０，…も、塩基配列が既知のものである。
【００３６】
図３に示すように、トップゲートドライバ７４、ボトムゲートドライバ７５及びドレインドライバ７６からなる駆動回路３が配置された状態で、駆動回路３が固体撮像デバイス２と一体となっている。
【００３７】
固体撮像デバイス２のトップゲートライン４４，４４，…がトップゲートドライバ７４の端子にそれぞれ接続されている。固体撮像デバイス２のボトムゲートライン４１，４１，…がボトムゲートドライバ７５の端子にそれぞれ接続されている。固体撮像デバイス２のドレインライン４３，４３，…がドレインドライバ７６の端子にそれぞれ接続されている。また、固体撮像デバイス２のソースライン４２，４２，…が一定電圧に保持され、この例ではソースライン４２，４２，…が接地されている。
【００３８】
トップゲートドライバ７４は、シフトレジスタである。つまり、図７のタイミングチャートに示すように、トップゲートドライバ７４は、トップゲートライン４４，４４，…にリセットパルスを順次出力するようになっている。リセットパルスのレベルは＋５〔Ｖ〕のハイレベルである。一方、トップゲートドライバ７４は、リセットパルスを出力しない時にローレベルの−２０〔Ｖ〕の電位をそれぞれのトップゲートライン４４に印加するようになっている。
【００３９】
ボトムゲートドライバ７５は、シフトレジスタである。つまり、ボトムゲートライン４１，４１，…にリードパルスを順次出力するようになっている。リードパルスのレベルは＋１０〔Ｖ〕のハイレベルであり、リードパルスが出力されていない時のレベルは±０〔Ｖ〕のローレベルである。
【００４０】
トップゲートドライバ７４のシフトタイミングとボトムゲートドライバ７５のシフトタイミングは以下のようになっている。すなわち、トップゲートドライバ７４が任意の列のトップゲートライン４４にリセットパルスを出力した後にキャリア蓄積期間（露光時間）を経てボトムゲートドライバ７５が同じ列のボトムゲートライン４１にリードパルスを出力する。また、ボトムゲートドライバ７５が任意の列のボトムゲートライン４１に対するリードパルスの出力を終了した後に、トップゲートドライバ７４が次の列のトップゲートライン４４にリセットパルスを出力する。つまり、各列では、リードパルスが出力されるタイミングは、リセットパルスが出力されるタイミングより遅れている。また、任意の列のトップゲートライン４４へのリセットパルスの入力が開始してから、同じ列のボトムゲートライン４１へのリードパルスの入力が終了するまでの期間は、その列の選択期間である。リセットパルスのレベルは＋５〔Ｖ〕のハイレベルであり、リセットパルスが出力されていない時のレベルは−２０〔Ｖ〕のローレベルである。
【００４１】
ドレインドライバ７６は、それぞれの列の選択期間において、リセットパルスが出力されてからリードパルスが出力されるまでの間に、全てのドレインライン４３，４３，…にプリチャージパルスを出力するようになっている。プリチャージパルスのレベルは＋１０〔Ｖ〕のハイレベルであり、プリチャージパルスが出力されていない時のレベルは±０〔Ｖ〕のローレベルである。また、ドレインドライバ７６は、プリチャージパルスの出力後にパラレル式のドレインライン４３，４３，…の電圧を増幅し、ドレインライン４３，４３，…の増幅電圧を順次シリアル式でコントローラ５に出力するようになっている。
【００４２】
図１に示すように、固体撮像デバイス２は励起光照射装置４の照射範囲内に装着されている。また、固体撮像デバイス２はその励起光照射装置４の照射範囲に対して着脱可能に設けられている。固体撮像デバイス２は消耗品であり、使用済みの固体撮像デバイス２を新たな固体撮像デバイス２に交換して用いられる。励起光照射装置４の照射範囲内に固体撮像デバイス２が装着された場合、固体撮像デバイス２の受光面が励起光照射装置４に対して相対向し、更に、駆動回路３を介してコントローラ５に接続される。
【００４３】
コントローラ５について説明する。
図１に示すように、コントローラ５は、ＣＰＵと、ＣＰＵの作業領域を提供するＲＡＭと、ＣＰＵにとって読取可能なプログラムを記憶したＲＯＭと、駆動回路３を介して固体撮像デバイス２から入力した画像を記憶するフレームメモリと、を備える。
【００４４】
コントローラ５は、ＲＡＭを作業領域としてＣＰＵでＲＯＭのプログラムに従った演算処理を行うことにより、励起光照射装置４に励起光を発光させたり、駆動回路３を作動さて固体撮像デバイス２で撮像された画像を入力したり、固体撮像デバイス２から入力した画像をフレームメモリに記憶したり、フレームメモリに記憶した画像を出力装置６に出力させたりする。
【００４５】
次に、配列特定支援装置１を用いてＤＮＡサンプル中の塩基配列を特定する方法と、配列特定支援装置１の動作と、コントローラ５の処理の流れと、について説明する。
【００４６】
まず、作業者が検体からサンプルを採取し、サンプル中のＤＮＡを一本鎖に変性してＰＣＲ増幅する。次に、作業者がこの増幅されたＤＮＡサンプルに燐光材料を結合又は付着させることにより、ＤＮＡサンプルが標識される。
【００４７】
次いで、作業者が、ＤＮＡサンプルを含有した溶液を固体撮像デバイス２の受光面に浸し、ＤＮＡサンプルが一本鎖の状態でスポット５０，５０，…全域に行きわたるようにする。ＤＮＡサンプルは、適宜温度制御されてスポット５０，５０，…のうち相補性を有するスポット５０のプローブ４８とハイブリダイゼーションによって結合し、相補性を有しないスポット５０のプローブ４８とは結合しない。固体撮像デバイス２の受光面に浸されたＤＮＡサンプルのうちハイブリダイゼーションしなかったものは洗い流す。
【００４８】
以上のように、ＤＮＡサンプルは相補性を有するスポット５０とは結合し、相補性を有しないスポット５０とは結合しないので、固体撮像デバイス２の受光面に向けて励起光が放射されると、燐光を発したスポット５０がＤＮＡサンプルと結合したということを把握することができる。そして、複数種のスポット５０，５０，…のうち燐光を発したスポット５０を特定すれば、ＤＮＡサンプルの塩基配列がその特定スポット５０と相補的であることを把握することができる。そこで、燐光を発するスポット５０を特定することによりＤＮＡサンプルの塩基配列を特定することを、配列特定支援装置１を用いて行う。
【００４９】
配列特定支援装置１を用いる際に、図２に示すように、作業者はＤＮＡサンプルを浸した固体撮像デバイス２の受光面を励起光照射装置４に対向させ、固体撮像デバイス２をセッティングする。これにより、固体撮像デバイス２が駆動回路３を介してコントローラ５に接続される。
【００５０】
次に、作業者が配列特定支援装置１の電源をオンにすると、コントローラ５が起動する。起動したコントローラ５は以下のような制御を行う。
【００５１】
まず、コントローラ５が励起光照射装置４を制御して励起光照射装置４を点灯すると、励起光照射装置４が励起光を固体撮像デバイス２の受光面に向けて照射する（励起光照射制御工程）。
【００５２】
励起光照射装置４から発した励起光によって、スポット５０，５０，…のうちＤＮＡサンプルとハイブリダイゼーションしたスポット５０では燐光材料によって蛍光が発し、ＤＮＡサンプルと結合しなかったスポット５０では蛍光が発しない。
【００５３】
次に、コントローラ５が励起光照射装置４を制御して励起光照射装置４を消灯する（励起光消灯工程）。励起光照射装置４が消灯しても、スポット５０，５０，…のうちＤＮＡサンプルとハイブリダイゼーションしたスポット５０では燐光材料によって燐光が依然発し続ける。そのため、ＤＮＡサンプルと結合したスポット５０に重なったダブルゲートトランジスタ２０には高強度の燐光が入射し、ＤＮＡサンプルと結合していないスポット５０に重なったダブルゲートトランジスタ２０には燐光が殆ど入射しない。
【００５４】
そして、励起光照射装置４の消灯と同時又はその後に、コントローラ５が駆動回路３を制御してトップゲートライン４４，４４，…に対して第一列目から列毎に順次リセットパルスの出力を開始して固体撮像デバイス２が撮像動作を行う。固体撮像デバイス２がダブルゲートトランジスタ２０，２０，…のそれぞれで励起光の消失した後の燐光のみの光量を検知し、ドレインドライバ７６がダブルゲートトランジスタ２０，２０，…のそれぞれの光量を増幅電圧としてコントローラ５に順次出力する。これにより、コントローラ５が駆動回路３を介してハイブリダイゼーションの有無を確認するための画像を入力する（ステップＳ２：画像入力工程）。
【００５５】
駆動回路３の動作について説明する。
トップゲートドライバ７４がトップゲートライン４４，４４，…に順次リセットパルスを出力する。また、ボトムゲートドライバ７５がボトムゲートライン４１，４１，…に順次リードパルスを出力する。また、ドレインドライバ７６が各列でリセットパルスが出力されているリセット期間と各列でリードパルスが出力されている期間との間に、プリチャージパルスを全てのドレインライン４３，４３，…に出力する。
【００５６】
任意の列（ｋ列目）の各ダブルゲートトランジスタ２０の動作について詳細に説明する。図７に示すように、トップゲートドライバ７４がｋ列目のトップゲートライン４４にリセットパルスを出力すると、ｋ列目のトップゲートライン４４がハイレベルになる。ｋ列目のトップゲートライン４４がハイレベルになっている間（この期間をリセット期間という。）、ｋ列目の各ダブルゲートトランジスタ２０では、半導体膜２３とチャネル保護膜２４との界面近傍に蓄積されたキャリア（ここでは、正孔である。）が、トップゲート電極３０の電圧により反発して吐出される。
【００５７】
次に、トップゲートドライバ７４がｋ列目のトップゲートライン４４にリセットパルスを出力することを終了する。ｋ列目のトップゲートライン４４のリセットパルスが終了してから、ｋ列目のボトムゲートライン４１にリードパルスが出力されるまでの間（この期間をキャリア蓄積期間という。）、可視光の燐光の光量に従った量の電子−正孔対が半導体膜２３内で生成され、そのうちの正の電荷を持つ正孔がトップゲート電極３０の負電界により半導体膜２３とチャネル保護膜２４との界面近傍に蓄積される。
【００５８】
次に、キャリア蓄積期間中に、ドレインドライバ７６が全てのドレインライン４３，４３，…にプリチャージパルスを出力する。プリチャージパルスが出力されている間（プリチャージ期間という。）では、ｋ列目の各ダブルゲートトランジスタ２０においては、トップゲート電極３０に印加されている電位が−２０〔Ｖ〕であり、ボトムゲート電極２１に印加されている電位が±０〔Ｖ〕であるため、たとえ半導体膜２３とチャネル保護膜２４との界面近傍に蓄積された正孔の電荷だけではゲート−ソース間電位が低いので半導体膜２３にはチャネルが形成されず、ドレイン電極２８とソース電極２７との間に電流は流れない。プリチャージ期間において、ドレイン電極２８とソース電極２７との間に電流が流れないため、ドレインライン４３，４３，…に出力されたプリチャージパルスによってｋ列目の各ダブルゲートトランジスタ２０のドレイン電極２８に電荷がチャージされる。
【００５９】
次に、ドレインドライバ７６がプリチャージパルスの出力を終了するとともに、ボトムゲートドライバ７５がｋ列目のボトムゲートライン４１にリードパルスを出力する。ボトムゲートドライバ７５がｋ列目のボトムゲートライン４１にリードパルスを出力している間（この期間を、リード期間という。）では、ｋ列目の各ダブルゲートトランジスタ２０のボトムゲート電極２１に＋１０〔Ｖ〕の電位が印加されているため、ｋ列目の各ダブルゲートトランジスタ２０がオン状態になる。
【００６０】
リード期間においては、キャリア蓄積期間において蓄積されたキャリア（正孔）の正電荷がトップゲート電極３０の負電界を緩和するように働くため、トップゲート電極３０の負電界がボトムゲート電極２１のリードパルスの正電界を消失できずに半導体膜２３にチャネルが形成されて、ドレイン電極２８からソース電極２７に電流が流れるようになる。従って、リード期間では、ドレインライン４３，４３，…のプリチャージ電圧は、ドレイン−ソース間電流によって時間の経過とともに徐々に低下する傾向を示す。
【００６１】
ここで、キャリア蓄積期間において半導体膜２３に入射した光量が多くなるにつれて、蓄積されるキャリアも多くなり、蓄積されるキャリアが多くなるにつれて、リード期間においてドレイン電極２８からソース電極２７に流れる電流のレベルも大きくなる。従って、リード期間におけるドレインライン４３，４３，…の電圧の変化傾向は、キャリア蓄積期間で半導体膜２３に入射した光量に深く関連する。そして、ドレインドライバ７６が、ｋ列目のリード期間から次の（ｋ＋１）列目のプリチャージ期間までの間に、リード期間が開始してから所定の時間経過後のドレインライン４３，４３，…の電圧を検出する。これにより、ドレインライン４３，４３，…の光量が電圧に換算される。そして、ドレインドライバ７６は、パラレル式のドレインライン４３，４３，…の電圧を増幅し、ドレインライン４３，４３，…の増幅電圧を順次シリアル式でコントローラ５に出力する。
【００６２】
上述したｋ列目の一連の処理を１サイクルとして、同じ処理が列順次に繰り返される。これにより、全てのダブルゲートトランジスタ２０，２０，…の増幅電圧がコントローラ５に順次出力される。
【００６３】
コントローラ５は、ドレインドライバ７６から順次入力した増幅電圧を画素の８ｂｉｔ階調データに順次変換し、フレームメモリに順次記憶する。これにより、コントローラ５のフレームメモリには、固体撮像デバイス２の受光面に沿った燐光の光量分布が画像データとして格納される。
【００６４】
次に、コントローラ５は、フレームメモリに記憶した画像に従った信号を演算処理し、ハイブリダイゼーションの有無を判断し、ハイブリダイゼーションしていれば、ハイブリダイゼーションしたスポット５０の一本鎖ＤＮＡ断片のプローブの塩基配列から自動的にハイブリダイゼーションしたＤＮＡサンプルの塩基配列を算出しその結果を出力装置６に出力する（出力制御工程）。これにより、出力装置６は、ＤＮＡサンプルの結果を出力する。
【００６５】
以上のように、本実施の形態によれば、以下のような作用効果を奏する。
固体撮像デバイス２の各ダブルゲートトランジスタ２０は励起光（紫外線）に対しても感度を示すとともに、励起光が入射される位置に配置されている。そのため、仮に励起光照射装置４が励起光を照射している最中に固体撮像デバイス２が撮像動作を行えば、どのダブルゲートトランジスタ２０，２０，…にも励起光が入射してしまうため、ＤＮＡサンプルと結合したスポット５０に重なったダブルゲートトランジスタ２０（明るい部分）と、ＤＮＡサンプルと結合したスポット５０に重なっていないダブルゲートトランジスタ２０（暗い部分）とのコントラスト比が小さくなってしまう。そのため、明暗比が小さくなり、ハイブリダイゼーションがあったのかどうかやＤＮＡサンプルの塩基配列を特定することが難しくなることがある。
【００６６】
しかしながら、本実施の形態では、励起光照射装置４が消灯した後に、固体撮像デバイス２が撮像動作を行えば、どのダブルゲートトランジスタ２０，２０，…にも励起光が入射しないので、励起光の影響をなくすことができる。そのうえ、ＤＮＡサンプルに燐光材料を結合しているため、励起光照射装置４が消灯した後でも、ＤＮＡサンプルと結合したスポット５０から燐光が発し、そのスポット５０に重なったダブルゲートトランジスタ２０には燐光が入射する。従って、本実施の形態では、ＤＮＡサンプルと結合したスポット５０に重なったダブルゲートトランジスタ２０（明るい部分）と、ＤＮＡサンプルと結合したスポット５０に重なっていないダブルゲートトランジスタ２０（暗い部分）とのコントラスト比が大きくなり、出力装置６に出力される画像の明暗比も大きくなり、ＤＮＡサンプルの配列を容易に特定することができる。
【００６７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。例えば、上記実施形態では、光電変換素子としてダブルゲートトランジスタ２０，２０，…を画素として用いた固体撮像デバイス２を撮像素子として用いているが、別の種類の光電変換素子を画素として用いた固体撮像素子を用いても良い。例えば、フォトダイオードを画素として用いたＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等といった固体撮像素子を用いても良い。ＣＣＤイメージセンサにおいては、フォトダイオードが基板上にマトリクス状となって配列されており、それぞれのフォトダイオードの周囲には、フォトダイオードで光電変換された電気信号を転送するための垂直ＣＣＤ、水平ＣＣＤが形成されている。ＣＭＯＳイメージセンサにおいては、フォトダイオードが基板上にマトリクス状となって配列されており、それぞれのフォトダイオードの周囲にはフォトダイオードで光電変換された電気信号を増幅するためのＣＭＯＳ回路が設けられている。
【００６８】
また、励起光照射装置４と固体撮像デバイス２との間にシャッタを設け、上記実施形態のように励起光照射装置４が消灯するタイミングでシャッタが閉じても良い。この場合、励起光照射装置４が消灯しなくても良い。
【００６９】
〔第２の実施の形態〕
燐光材料は励起光の消灯から長い時間かけて一様の強度の燐光を発するのではなく、所定時間経過後に燐光の発光が止まったり、固体撮像デバイス２が１列目から最終列へ列順次に走査することによって撮像を行っているので、励起光の消灯時からキャリア蓄積期間の開始時刻までの時間が列を追うごとに長くなる。そのため、この固体撮像デバイス２のようにどの列もキャリア蓄積期間（露光時間）が同じであっても、時間の経過とともに燐光強度が変化する燐光材料を用いると、ダブルゲートトランジスタ２０に入射する光量が列ごとに異なってしまう。
【００７０】
そこで、第２の実施の形態では、固体撮像デバイス２が列順次に走査するタイミングに同期して、励起光照射装置４から発した励起光の遮蔽を１列目から最終列への順に行うことによって、どの列でも励起光の遮蔽時からキャリア蓄積期間の開始時刻までの時間を一様にしている。具体的には、第２の実施の形態における配列特定支援装置１０１は図８、図９に示されるように構成されており、１列目から最終列への順に励起光を遮蔽することを液晶シャッタ装置１０７によって行う。ここで、図８は配列特定支援装置１０１のブロック図であり、図９はこの配列特定支援装置１０１に備わった固体撮像デバイス２、励起光照射装置４及び液晶シャッタ装置１０７の断面図である。図８及び図９に示すように、配列特定支援装置１０１において、第１の実施の形態の配列特定支援装置１の何れかの部分と同一の部分に対しては同一の符号を付し、同一の部分についての説明を省略する。なお、図８は、列方向（ボトムゲートライン４１の延在方向）に直交する面の断面図である。
【００７１】
図９に示すように、励起光照射装置４と固体撮像デバイス２との間に液晶シャッタ装置１０７が配置されている。この液晶シャッタ装置１０７は、背面基板１１０と正面基板１１１との間に液晶１１２を封入したものである。
【００７２】
液晶シャッタ装置１０７の背面基板１１０は固体撮像デバイス２の受光面に対向している。背面基板１１０の二面のうち固体撮像デバイス２に対向した面には、偏光膜１１３が形成されており、反対の面には、ライン状の複数の透明電極１１４，１１４，…が形成されている。これら透明電極１１４，１１４，…は固体撮像デバイス２のボトムゲートライン４１，４１，…及びトップゲートライン４４，４４，…に平行に設けられており、１つのトップゲートライン４４につき１つの透明電極１１４が相対している。これら透明電極１１４，１１４，…を被覆するように配向膜が成膜されている。
【００７３】
一方、液晶シャッタ装置１０７の正面基板１１１は励起光照射装置４に対向している。正面基板１１１の二面のうち励起光照射装置４に対向した面には、偏光膜１１３の偏光軸（光透過軸）に直交する偏光軸を有する偏光膜１１５が形成されている。正面基板１１１の反対面には、透明な共通電極１１６がべた一面に成膜され、共通電極１１６を被覆するように配向膜が成膜されている。
【００７４】
正面基板１１１の共通電極１１６が成膜された面が、背面基板１１０の透明電極１１４，１１４，…が成膜された面に対向し、これら面の間にはスペーサ及び周囲の封止材１１７によって間隔が設けられ、これら面の間に液晶１１２が封入されている。
【００７５】
以上の液晶シャッタ装置１０７においては透明電極１１４及び共通電極１１６間に印加された電圧が０（Ｖ）のように閾値未満であると、その透明電極１１４に重なった部分の液晶１１２の液晶分子の配列が捻れた状態の初期配向を維持し、透明電極１１４及び共通電極１１６間に印加された電圧が閾値以上であると、その透明電極１１４に重なった部分の液晶１１２の液晶分子配列の捻れが解除され、液晶分子が背面基板１１０と正面基板１１１の面方向に対して略垂直方向に立ち上がる。上記液晶シャッタ装置１０７の構造では、透明電極１１４及び共通電極１１６間に電圧が閾値未満時に励起光が液晶１１２を透過するノーマリーホワイト型であるが、励起光が液晶１１２を遮蔽するノーマリーブラック型であっても良い。
【００７６】
第２の実施の形態におけるコントローラ５は、第１の実施の形態の場合とは異なり、固体撮像デバイス２の撮像開始タイミングに合わせて励起光照射装置４を消灯することは行わない。しかし、第２の実施の形態におけるコントローラ５は駆動回路によって透明電極１１４，１１４，…に順次電圧を印加することによって液晶シャッタ装置１０７を駆動するように設けられている。
【００７７】
ここで、コントローラ５は、固体撮像デバイス２が列順次に走査するタイミングに同期させて、透明電極１１４，１１４，…に順次電圧を印加し、共通電極１１６と各透明電極１１４との間の電圧が閾値以上とするように設定されている。電圧が透明電極１１４，１１４，…に順次印加されていくタイミングと、固体撮像デバイス２の走査タイミングとの関係は図１０のようになっている。
【００７８】
図１０に示すように、任意のｋ列目のボトムゲートライン４１にリードパルスが出力されるまでの間はｋ列目の透明電極１１４に電圧が印加されていないので、ｋ列目の透明電極１１４に重なった部分において励起光が液晶１１２を透過する。そのため、ｋ列目のスポット５０，５０，…には励起光が入射する。
【００７９】
そして、ｋ列目のボトムゲートライン４１にリードパルスが出力される直前に、又は、ｋ列目のボトムゲートライン４１のリードパルスが立ち上がる時に、ｋ列目の透明電極１１４と共通電極１１６との間の電圧が閾値以上となるように電圧が印加され、ｋ列目の透明電極１１４に重なった部分において励起光が液晶１１２によって遮蔽される。そのため、リードパルスの立ち上がり時以降、ｋ列目のスポット５０，５０，…には励起光が入射せず、ｋ列目のダブルゲートトランジスタ２０，２０，…にも励起光が入射しない。
【００８０】
そして、最終列の選択期間が終了するまでの間、ｋ列目の透明電極１１４には電圧が印加され続け、ｋ列目の各スポット５０，５０，…及びｋ列目のダブルゲートトランジスタ２０，２０，…には励起光が入射しない。
【００８１】
次に、配列特定支援装置１０１を用いてＤＮＡサンプルの配列を特定する方法について説明する。
【００８２】
まず、作業者が検体から一本鎖ＤＮＡサンプルを採取し、サンプル中のＤＮＡを一本鎖に変性してＰＣＲ増幅する。次に、作業者がこの増幅されたＤＮＡサンプルに燐光材料を結合又は付着させることにより、ＤＮＡサンプルが標識される。
【００８３】
次いで、作業者が、ＤＮＡサンプルを含有した溶液を固体撮像デバイス２の受光面に浸し、ＤＮＡサンプルが一本鎖の状態でスポット５０，５０，…全域に行きわたるようにする。ＤＮＡサンプルは、適宜温度制御されてスポット５０，５０，…のうち相補性を有するスポット５０のプローブ４８とハイブリダイゼーションによって結合し、相補性を有しないスポット５０のプローブ４８とは結合しない。固体撮像デバイス２の受光面に浸されたＤＮＡサンプルのうちハイブリダイゼーションしなかったものは洗い流す。
【００８４】
作業者がＤＮＡサンプル溶液を浸した固体撮像デバイス２をセッティングする。次に、作業者が配列特定支援装置１の電源をオンにすると、コントローラ５が起動する。
【００８５】
そして、コントローラ５が励起光照射装置４を制御して励起光照射装置４を点灯すると、励起光照射装置４が励起光を固体撮像デバイス２の受光面に向けて照射する。
【００８６】
次に、コントローラ５が駆動回路３を制御すると、駆動回路３が固体撮像デバイス２を駆動し、固体撮像デバイス２がダブルゲートトランジスタ２０，２０，…を列順次に走査することによって撮像動作を行う。駆動回路３による固体撮像デバイス２の動作は、第１の実施の形態と同じである。
【００８７】
また、固体撮像デバイス２が撮像を行っている時、コントローラ５が液晶シャッタ装置１０７を駆動制御する。これにより、固体撮像デバイス２の走査に同期して、１列目の透明電極１１４から最終列の透明電極１１４への順に電圧が印加され、列順次に励起光照射装置４の励起光を遮蔽することが液晶シャッタ装置１０７によって行われる。
【００８８】
次に、コントローラ５は、固体撮像デバイス２で撮像された画像をフレームメモリに記憶し、フレームメモリに記憶した画像に従った信号を演算処理し、ハイブリダイゼーションの有無を判断し、ハイブリダイゼーションしていれば、ハイブリダイゼーションしたスポット５０の一本鎖ＤＮＡ断片のプローブの塩基配列から自動的にハイブリダイゼーションしたＤＮＡサンプルの塩基配列を算出しその結果を出力装置６に出力する。これにより、出力装置６は、ＤＮＡサンプルの結果を出力する。
【００８９】
本実施の形態によれば、固体撮像デバイス２が列順次に走査するタイミングに同期して液晶シャッタ装置１０７により列順次に励起光を遮蔽することによって、どの列でも励起光の遮蔽時からキャリア蓄積期間の開始時刻までの時間を一様になる。
【００９０】
また、固体撮像デバイス２の列順次の走査が液晶シャッタ装置１０７の列順次の遮蔽と同期しているから、固体撮像デバイス２の任意の列がリード期間になっている時には、その列のダブルゲートトランジスタ２０，２０，…には励起光が入射しない。従って、ＤＮＡサンプルと結合したスポット５０に重なったダブルゲートトランジスタ２０（明るい部分）と、ＤＮＡサンプルと結合したスポット５０に重なっていないダブルゲートトランジスタ２０（暗い部分）とのコントラスト比が大きくなり、出力装置６に出力される画像の明暗比も大きくなり、ＤＮＡサンプルの配列を容易に特定することができる。
【００９１】
なお、固体撮像デバイス２の代わりにＣＭＯＳイメージセンサを用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】第１の実施の形態における配列特定支援装置１のブロック図である。
【図２】固体撮像デバイス２及び励起光照射装置４の断面図である。
【図３】固体撮像デバイス２の回路図である。
【図４】燐光現象を説明するための図面である。
【図５】固体撮像デバイス２の１画素の平面図である。
【図６】図５の面VI−VIに沿った断面図である。
【図７】駆動回路３によって固体撮像デバイス２に出力される電気信号のレベルの推移を示したタイミングチャートである。
【図８】第２の実施の形態における配列特定支援装置１０１のブロック図である。
【図９】固体撮像デバイス２、励起光照射装置４及び液晶シャッタ装置１０７の断面図である。
【図１０】固体撮像デバイス２及び液晶シャッタ装置１０７に出力される電気信号のレベルの推移を示したタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００９３】
１、１０１  配列特定支援装置
２  固体撮像デバイス
４  励起光照射装置
２０  ダブルゲートトランジスタ（光電変換素子）
５０  スポット
１０７  液晶シャッタ装置
【図１】
2005249635.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2005249635.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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