(57)【要約】【課題】ＥＴＣ車載器用等に用いられるＳＡＷ変換器及びそれを用いたＳＡＷデバイスにおいて、広帯域で帯域内偏差を低減したフィルタ特性を得ることを目的とする。【解決手段】１２８±５°回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板上に励起されるＳＡＷの波長λに相当する幅を有した基本区間を複数個連結したＳＡＷ変換器を配置する。前記基本区間は正電極指１と負電極指２を有し、正電極指１と負電極指２は中心間距離がほぼλ／２となるように配置されている。そして、電極材料をＡｌ又はＡｌを主成分とする合金とした時に、波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λと電極幅Ｗ／λとの関係を、Ｈ／λ＜０．０１とした時に０．３８≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．０１≦Ｈ／λ≦０．０３とした時に０．２２≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．０３＜Ｈ／λとした時に０．０８＜Ｗ／λ≦０．２５とする。【選択図】  図１
2005354430.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１２８±５°回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板上に配置して弾性表面波素子を構成するための弾性表面波変換器であって、
前記弾性表面波変換器は、励起される弾性表面波の波長λに相当する幅を有した基本区間を複数個連結した構成を備えており、
前記基本区間は、正電極指と負電極指とを１本ずつ有し、該正電極指と該負電極指は中心間距離がほぼλ／２となるように配置されており、
前記弾性表面波変換器の電極材料をＡｌ又はＡｌを主成分とする合金とした時に、波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λと電極幅Ｗ／λとの関係を、Ｈ／λ＜０．０１とした時に０．３８≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．０１≦Ｈ／λ≦０．０３とした時に０．２２≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．０３＜Ｈ／λとした時に０．０８＜Ｗ／λ≦０．２５としたことを特徴とする弾性表面波変換器。
【請求項２】
前記弾性表面波変換器の電極材料をＭｇ又はＭｇを主成分とする合金とした時に、波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λと電極幅Ｗ／λとの関係を、Ｈ／λ＜０．０２とした時に０．２８≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．０２≦Ｈ／λ≦０．０３とした時に０．２０≦Ｗ／λ≦０．３０とし、０．０３＜Ｈ／λとした時に０．０８＜Ｗ／λ≦０．２２としたことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波変換器。
【請求項３】
前記弾性表面波変換器の電極材料をＣｕ又はＣｕを主成分とする合金とした時に、波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λと電極幅Ｗ／λとの関係を、Ｈ／λ＜０．００５とした時に０．２５≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．００５≦Ｈ／λとした時に０．０８＜Ｗ／λ≦０．３０としたことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波変換器。
【請求項４】
前記弾性表面波変換器の電極材料をＡｇ又はＡｇを主成分とする合金とした時に、波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λと電極幅Ｗ／λとの関係を、Ｈ／λ＜０．００５とした時に０．３０≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．００５≦Ｈ／λとした時に０．０８＜Ｗ／λ≦０．３５としたことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波変換器。
【請求項５】
前記弾性表面波変換器の電極材料をＡｕ又はＡｕを主成分とする合金とした時に、波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λと電極幅Ｗ／λとの関係を、Ｈ／λ＜０．００５とした時に０．１８≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．００５≦Ｈ／λとした時に０．０８＜Ｗ／λ≦０．２５としたことを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波変換器。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の弾性表面波変換器を少なくとも１つ配置した弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電基板にニオブ酸リチウムを用い、弾性表面波の１波長に相当する基本区間において正電極指と負電極指とを１本ずつ配置した弾性表面波変換器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、弾性表面波（以下、ＳＡＷと称す）デバイスは移動体通信分野で広く利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有することから特に携帯電話に多く用いられる。また、前記ＳＡＷデバイスのうち低周波帯で使われるＩＦ用ＳＡＷフィルタは、携帯電話のみならずＥＴＣ車載器やＴＶ用部品としても用いられ広帯域で中心周波数に対し対称な特性、即ち、帯域内の偏差（リップル）の小さい特性が必要とされている。このような仕様を満たすＳＡＷフィルタとしてはトランスバーサル型ＳＡＷフィルタが最も適している。
【０００３】
図８は従来のトランスバーサル型ＳＡＷフィルタを示す平面図であって、圧電基板３１の主表面上にＳＡＷの伝搬方向に沿って入力用のＳＡＷ変換器３２と出力用のＳＡＷ変換器３３を所定の間隔をあけて配置すると共に、ＳＡＷ変換器３２、３３の間に入出力端子間の直達波を遮蔽するためのシールド電極３４を配置する。前記ＳＡＷ変換器３２、３３はそれぞれ互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対のくし形電極より構成されており、ＳＡＷ変換器３２の一方のくし形電極を入力端子ＩＮに接続すると共に他方のくし形電極は接地する。そして、ＳＡＷ変換器３３の一方のくし形電極を出力端子ＯＵＴに接続すると共に他方のくし形電極は接地する。また、基板端面からの反射波を抑圧するために圧電基板３１の長辺方向（ＳＡＷの伝搬方向）の両端に吸音材３５を塗布する。
【０００４】
図８に示すＳＡＷ変換器３２、３３は、電極指を正、負、正と順番に並べ、ＳＡＷの波長１λ当たりに正電極指と負電極指を１本ずつ配置したシングル（正規）電極構造である。なお、ＳＡＷ変換器においては前記シングル電極以外にも多種の電極構造が存在する。その一例として、図９（ａ）はスプリット（ダブル）電極と呼ばれる電極構造を示している。該スプリット電極構造は、ほぼλ／８の幅を有する電極指をその中心間距離がλ／４となるように正、正、負、負と順番に並べ、ＳＡＷの波長１λ当たりに正電極指と負電極指を２本ずつ配置した構造となっている。また他の例として、図９（ｂ）はＳＡＷの励振に方向性を付けた一方向性電極（Single Phase Uni-Directional Transducer：ＳＰＵＤＴ）の代表例であるＤＡＲＴ（Distributed Acoustic Reflection Transducer）と呼ばれる構造を示している。このＤＡＲＴ構造は、T.Kodama, H.Kawabata, Y.Yasuhara and H.Sato:Design of Low-loss SAW Filters Employing Distributed Acoustic Reflection Transducers, IEEE Ultrason.Symp.Proc., pp.59-64 (1986).にて提案された構造であり、１λの間に電極指３本からなる電極指対を配置して、各電極指の幅をＷ１＝３λ／８、Ｗ２＝Ｗ３＝λ／８とし、左端を原点０とした時に各電極指の中心位置をｄ１＝λ／４、ｄ２＝５λ／８、ｄ３＝７λ／８としている。
【０００５】
また、上述のＳＡＷ変換器を用いてＳＡＷフィルタを形成した場合、図１０（ａ）に示すように電源側インピーダンスＲＳと負荷インピーダンスＲＬとを整合させる為にＳＡＷフィルタの入出力側に整合回路ＭＣ１、ＭＣ２が取り付けられる。整合回路ＭＣ１、ＭＣ２においてはＱ値が低く、安価なインダクタ（Ｌ）を使用することが多いが、製造誤差の大きいＬの影響により通過特性の挿入損失や平坦度が劣化してしまう虞がある。このような場合、ＳＡＷフィルタと整合回路ＭＣ１、ＭＣ２のＬとの感度を低くする必要がある。図１０（ｂ）はＳＡＷフィルタのくし型電極の等価回路図を示したものであるが、ＳＡＷフィルタと整合回路ＭＣ１、ＭＣ２のＬとの感度を低下させるには、くし型電極のelectrical Q（＝（Ｂａ＋ωＣｔ）／Ｇa）を下げて実効的な励振効率を高めれば良い。このelectrical Qについては、B.Abott and C.S.Hartmann:An Efficient Evaluation of the Electrostatic Fields in IDTs with Periodic Electrode  Sequences,IEEE Ultrason.Symp.Proc.,pp157-160(1993).に詳細に説明されている。electrical Qを低くしたＳＡＷ変換器を実現できれば、Ｑ値の低い安価なインダクタで整合回路を形成してもフィルタ特性を低損失にでき良好な平坦度を実現できる。
【０００６】
ここで、上述のシングル電極、スプリット電極、ＤＡＲＴの各電極構造についてelectrical Qを比較した。図１１は、シングル電極のelectrical Qを１とした場合にスプリット電極及びＤＡＲＴのelectrical Qを比較したものである。同図に示すように、シングル電極と比較してスプリット電極は１．３０５倍、ＤＡＲＴは２．１４４倍とelectrical Qが大きい。以上から、シングル電極が最もelectrical Qが低く実効的な励振効率に優れていると言える。
【０００７】
ところで、ＥＴＣ車載器やＴＶ用部品として用いられるＳＡＷフィルタにおいては広帯域な特性が要求されている。具体的な仕様としては、ＥＴＣ車載器用では、中心周波数４０（ＭＨｚ）、通過帯域幅４（ＭＨｚ）以上が要求されており、中心周波数と通過帯域幅の比である比帯域幅は１０％以上が必要となる。また、ＴＶ部品用においては中心周波数５７（ＭＨｚ）、通過帯域幅５（ＭＨｚ）以上が要求されており、比帯域幅は８．８％以上が必要となる。このような広帯域な仕様を満足するためには、ニオブ酸リチウム（ＬＮ）等の電気機械結合係数ｋ２の高い圧電基板を用いる必要がある。
【０００８】
また、低周波数帯に用いられるフィルタの製造上の問題として電極膜厚がある。量産時に製造可能な電極膜厚には限界があり、一般的には１μｍを超える膜厚を有する電極を精度良く形成することは困難である。加えて、膜厚が厚くなるほど成膜工程、エッチング工程に要する時間が長くなってしまい作業効率が著しく悪くなってしまう。従って、電極膜厚を薄くしても良好な特性が得られる電極構造を選択する必要がある。
【０００９】
例えば、電極構造をＤＡＲＴにした場合、ＳＡＷの波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λは０．０３以上が必要である。従って、ＥＴＣ車載器用では３μｍ以上もの電極膜厚が必要となり、製造効率が著しく悪くなってしまう。また、電極膜厚Ｈ／λを０．０３以下としてしまうと十分な方向性が得られず、通過帯域の中央部分のみで低損失となりフィルタ特性が単峰になる欠点があった。
【００１０】
また、橋本研也著,弾性表面波デバイスシミュレーション入門,（株）リアライズ社,pp.85.によると、電気機械結合係数と実現可能な比帯域幅との関係を以下の式で表している。
ＢＷ３／ｆｏ＝（２η２ｋ２／２．２５７）１／２
ここで、ＢＷ３は挿入損失から3ｄＢダウンした位置における実現可能な最大通過帯域幅、ｆｏは中心周波数、ｋ２は電気機械結合係数、ηは電極形状を考慮した実効的な励振効率を表すエレメント係数である。図１１に示すように、ＤＡＲＴは実効的な励振効率を示すelectrical Qがシングル電極の半分以下であり、上式におけるηが小さいので、シングル電極と比較して実現可能な比帯域幅は狭くなり広帯域化には不利である。また、挿入損失を犠牲にして広帯域化を図ることは可能であるが、いずれにせよフィルタ特性の高性能化は困難である。また、スプリット電極においてもシングル電極と比較して励振効率は低いので広帯域化の点でシングル電極に劣る。
【００１１】
以上から、広帯域化にはシングル電極が最も適した構造であると言えるが、従来のシングル電極においてはＳＡＷの反射が生じると、その反射の方向によって通過帯域の低域もしくは高域のどちらか一方の振幅が持ち上がってしまう為、帯域内偏差が大きくなってしまい、通過帯域が中心周波数に対して非対称になってしまう欠点があった。図１２は、図８に示すシングル電極でＳＡＷ変換器を形成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタにおいて、中心周波数をＥＴＣ車載器用の４０（ＭＨｚ）とし、電極膜厚Ｈ／λ＝０．０１、電極幅Ｗ／λ＝０．２５とした時のフィルタ特性を示したものであるが、帯域内偏差が大きくなり中心周波数に対し非対称な特性になっているのが分かる。
【非特許文献１】T.Kodama, H.Kawabata, Y.Yasuhara and H.Sato: Design of Low-loss SAW Filters Employing Distributed Acoustic ReflectionTransducers, IEEE Ultrason.Symp.Proc., pp.59-64 (1986).
【非特許文献２】B.Abott and C.S.Hartmann:An Efficient Evaluation of the Electrostatic Fields in IDTs with Periodic Electrode Sequences,IEEE Ultrason.Symp.Proc.,pp157-160(1993).
【非特許文献３】橋本研也著,弾性表面波デバイスシミュレーション入門,（株）リアライズ社,pp.85.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ＥＴＣ車載器用等の広帯域で帯域内偏差の小さい特性が要求されるＳＡＷデバイスにおいて、シングル電極でＳＡＷ変換器を形成とすると広帯域化には有利であるが、ＳＡＷの反射により帯域内偏差が大きくなってしまい、中心周波数に対し非対称な特性になってしまうという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために本発明に係るＳＡＷ変換器及びそれを用いたＳＡＷデバイスの請求項１記載の発明は、１２８±５°回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板上に配置して弾性表面波素子を構成するための弾性表面波変換器であって、前記弾性表面波変換器は、励起される弾性表面波の波長λに相当する幅を有した基本区間を複数個連結した構成を備えており、前記基本区間は、正電極指１本と負電極指１本を有し、該正電極指と該負電極指は中心間距離がほぼλ／２となるように配置されており、前記弾性表面波変換器の電極材料をＡｌ又はＡｌを主成分とする合金とした時に、波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λと電極幅Ｗ／λとの関係を、Ｈ／λ＜０．０１とした時に０．３８≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．０１≦Ｈ／λ≦０．０３とした時に０．２２≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．０３＜Ｈ／λとした時に０．０８＜Ｗ／λ≦０．２５とすることを特徴としている。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、前記弾性表面波変換器の電極材料をＭｇ又はＭｇを主成分とする合金とした時に、波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λと電極幅Ｗ／λとの関係を、Ｈ／λ＜０．０２とした時に０．２８≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．０２≦Ｈ／λ≦０．０３とした時に０．２０≦Ｗ／λ≦０．３０とし、０．０３＜Ｈ／λとした時に０．０８＜Ｗ／λ≦０．２２とすることを特徴としている。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、前記弾性表面波変換器の電極材料をＣｕ又はＣｕを主成分とする合金とした時に、波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λと電極幅Ｗ／λとの関係を、Ｈ／λ＜０．００５とした時に０．２５≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．００５≦Ｈ／λとした時に０．０８＜Ｗ／λ≦０．３０とすることを特徴としている。
【００１６】
請求項４に記載の発明は、前記弾性表面波変換器の電極材料をＡｇ又はＡｇを主成分とする合金とした時に、波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λと電極幅Ｗ／λとの関係を、Ｈ／λ＜０．００５とした時に０．３０≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．００５≦Ｈ／λとした時に０．０８＜Ｗ／λ≦０．３５とすることを特徴としている。
【００１７】
請求項５に記載の発明は、前記弾性表面波変換器の電極材料をＡｕ又はＡｕを主成分とする合金とした時に、波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λと電極幅Ｗ／λとの関係を、Ｈ／λ＜０．００５とした時に０．１８≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．００５≦Ｈ／λとした時に０．０８＜Ｗ／λ≦０．２５とすることを特徴としている。
【００１８】
請求項６に記載の発明は、前記弾性表面波変換器を少なくとも１つ配置した弾性表面波デバイスであることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１及び６に記載の発明によれば、圧電基板に１２８±５°回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウムを用い、電極構造をシングル電極とし、電極材料をＡｌ又はＡｌを主成分とする合金としたＳＡＷ変換器及びそれを用いたＳＡＷデバイスにおいて、電極膜厚に応じ反射量が零となるような電極幅を定めたので、広帯域で且つ帯域内偏差を低減したフィルタ特性を実現できる。
【００２０】
請求項２及び６に記載の発明によれば、前記電極材料をＭｇ又はＭｇを主成分とする合金としたので、Ａｌと比較して膜厚が変動した時の周波数変動量が小さいので製造歩留まりを改善できる。
【００２１】
請求項３乃至６に記載の発明によれば、前記電極材料をＣｕ、Ａｇ、Ａｕ又はそれらを主成分とする合金としたので、Ａｌと比較して薄い電極膜厚で反射が零となる電極幅を設定することができるので製造効率を改善できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を図面に図示した実施の形態例に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るＳＡＷ変換器の一部分を拡大した図である。該ＳＡＷ変換器は、圧電基板上に励起されるＳＡＷの波長λに相当する幅を有した基本区間を複数個連結した構成を備えており、１つの基本区間において正電極指１と負電極指２を中心間距離がλ／２となるよう配置したシングル電極である。本実施例では、圧電基板に１２８±５°回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム（以下、１２８±５°ＬＮと称す）を用い、電極をＡｌ又はＡｌを主成分とする合金から形成している。
【００２３】
前述の通り、従来のシングル電極においてはＳＡＷの反射の影響で帯域内偏差が大きくなってしまい、通過帯域が中心周波数に対し非対称となってしまうという問題があった。本発明では、この問題を鑑みてＳＡＷの反射が零になるように電極幅を設定することで帯域内偏差を小さくし通過帯域の平坦化を図った。なお、本実施例では、K.Hashimoto and M.Yamaguchi:Free So-ftware Products for Simulation and Design of Surface Acoustic Wave and Surface Transverse Wave Devices, Freq. Contr. Symp. Proc., pp.300-307 (1996).に示されているＦＥＭ解析ツール「Multi」を用いた。また、１２８±５°ＬＮの材料定数にはKovacsの定数を使用し、Ａｌの材料定数にはそのソフトウエアに内蔵されている定数をそのまま用いている。
【００２４】
図２は、図１のシングル電極において、電極膜厚Ｈ／λを変化させた時の電極幅と反射量との関係を示している。なお、横軸に波長λで基準化した電極幅Ｗ／λを、縦軸にモード結合理論における相互結合係数の絶対値｜κ１２｜に波数ｋ０（＝２π／λ）を乗じた係数｜κ１２'｜を示しており前記基本区間におけるＳＡＷの反射量を表している。同図より、Ｈ／λ＝０．０１とした時はＷ／λ＝０．３８付近、Ｈ／λ＝０．０２とした時はＷ／λ＝０．２８付近、Ｈ／λ＝０．０３とした時はＷ／λ＝０．２５付近で反射量がほぼ零となる。このように、シングル電極において反射量が零となる電極幅が存在し、また、電極膜厚を大きくするほど反射量が零になる電極幅が小さくなることが確認された。
【００２５】
図３は、電極膜厚をＨ／λ＝０．０１とし、電極幅を反射量がほぼ零となるＷ／λ＝０．３８とした時のＳＡＷ変換器を用いたトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの通過特性を示している。なお、中心周波数をＥＴＣ車載器用の４０ＭＨｚとしている。同図から挿入損失から３ｄＢダウンした位置において比帯域幅が５ＭＨｚ以上、即ち、１０％以上もの広帯域な特性が得られ、また、図１１に示す従来のシングル電極の通過特性と比較して帯域内偏差が大幅に小さくなり中心周波数に対して対称な特性が得られていることが分かる。
【００２６】
このように、本発明においては、圧電基板に１２８±５°ＬＮを用い、ＳＡＷ変換器の電極構造をシングル電極にした場合において、電極膜厚とＳＡＷの反射が零となる電極幅の関係を見出し、帯域内偏差を大幅に小さくできた。
【００２７】
ところで、前記シングル電極において電極幅をＷ／λ＜０．０８、もしくは０．４２＜Ｗ／λとすると製造効率が悪くなってしまうので、０．０８＜Ｗ／λ＜０．４２の範囲内で反射量が零となる電極幅を設定する必要がある。従って、Ｈ／λ＜０．０１とした時には０．３８≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．０１≦Ｈ／λ≦０．０３とした時には０．２２≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．０３＜Ｈ／λとした時には０．０８＜Ｗ／λ≦０．２５の範囲内に設定するのが好ましい。
【００２８】
これまで、電極材料をＡｌ又はＡｌを主成分とする合金とした場合についてのみ説明してきたが、これ以外の電極材料についても本発明を適用できる。以下、Ａｌ以外の電極材料とした場合について説明する。
【００２９】
図４は前記シングル電極の電極材料をＭｇとした場合における電極膜厚Ｈ／λを変化させた時の電極幅Ｗ／λと反射量｜κ１２'｜の関係を示している。同図より、電極材料をＭｇとした場合においてもＡｌと同様に反射量が零となる電極幅が存在し、電極膜厚を大きくすると反射量が零となる電極幅が小さくなることが分かる。具体的に反射量が零となる電極幅は、Ｈ／λ＝０．０２でＷ／λ＝０．２８付近、Ｈ／λ＝０．０３でＷ／λ＝０．２２付近であり、Ｈ／λ＜０．０２とした時には０．２８≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．０２≦Ｈ／λ≦０．０３とした時には０．２０≦Ｗ／λ≦０．３０とし、０．０３＜Ｈ／λとした時には０．０８＜Ｗ／λ≦０．２２とするのが好ましい。また、ＭｇはＡｌと比較して膜厚が変動した時の周波数変動量が小さいので製造歩留まりを改善できる。
【００３０】
図５は前記シングル電極の電極材料をＣｕとした場合において、電極膜厚Ｈ／λを変化させた時の電極幅Ｗ／λと反射量｜κ１２'｜の関係を示している。Ａｌと比較して全体的に反射量が小さく、同じ膜厚条件において反射量が零となる電極幅の値が小さい。具体的に反射量が零となる電極幅は、Ｈ／λ＝０．００５でＷ／λ＝０．２５付近、Ｈ／λ＝０．０１でＷ／λ＝０．１２付近であり、Ｈ／λ＜０．００５とした時には０．２５≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．００５≦Ｈ／λとした時には０．０８＜Ｗ／λ≦０．３０とするのが好ましい。
【００３１】
図６は前記シングル電極の電極材料をＡｇとした場合における電極膜厚Ｈ／λを変化させた時の電極幅Ｗ／λと反射量｜κ１２'｜の関係を示している。ＣｕのようにＡｌと比較して全体的に反射量が小さく、同じ膜厚条件において反射量が零となる電極幅の値が小さい。具体的に反射量が零となる電極幅は、Ｈ／λ＝０．００５でＷ／λ＝０．３０付近、Ｈ／λ＝０．０１でＷ／λ＝０．１２付近であり、Ｈ／λ＜０．００５とした時には０．３０≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．００５≦Ｈ／λとした時には０．０８＜Ｗ／λ≦０．３５とするのが好ましい。
【００３２】
図７は前記シングル電極の電極材料をＡｕとした場合における電極膜厚Ｈ／λを変化させた時の電極幅Ｗ／λと反射量｜κ１２'｜の関係を示している。Ｃｕ、ＡｇのようにＡｌと比較して全体的に反射量が小さく、同じ膜厚条件において反射量が零となる電極幅の値が小さい。具体的に反射量が零となる電極幅は、Ｈ／λ＝０．００５でＷ／λ＝０．１８付近、Ｈ／λ＝０．０１でＷ／λ＝０．０７付近であり、Ｈ／λ＜０．００５とした時には０．１８≦Ｗ／λ＜０．４２とし、０．００５≦Ｈ／λとした時には０．０８＜Ｗ／λ≦０．２５とするのが好ましい。
【００３３】
このようにＡｌ以外の電極材料としても反射が零となる電極幅が存在することが確認された。一般的に、電極幅はＷ／λ＝０．２５、即ち電極幅と電極間スペースとの比率が１：１の時が最も実効的な結合係数が高く広帯域な特性が得られる。電極材料をＡｌとした場合は、Ｗ／λ＝０．２５で反射量が零となる電極膜厚はＨ／λ＝０．０３であり、低周波帯で用いる場合は膜厚を１μｍ以上に厚くしなければならず製造効率が悪くなってしまう。従って、膜厚を薄くしなければならない場合は電極材料をＣｕ、Ａｇ、Ａｕにすれば良い。例えば、電極材料をＣｕとした場合、図５に示すようにＷ／λ＝０．２５で反射量が零となる電極膜厚はＨ／λ＝０．００５であり、Ａｌと比較して格段に薄い膜厚で結合係数が高く、且つ反射が零となる条件を両立させることが可能となるので、より広帯域で帯域内偏差の小さいフィルタ特性を実現できる。
【００３４】
これまで電極材料を単一の材料とした場合について説明してきたが、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｕ及び他の金属類を組み合わせた合金であっても良い。その場合には、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｕのいずれかが９０ｗｔ％以上含まれている方が好ましい。また、本発明のＳＡＷ変換器をトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ以外のＳＡＷデバイスに適用できるのことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に係る弾性表面波変換器の基本区間を示す。
【図２】電極材料をＡｌとした場合の電極幅と反射量の関係を示す。
【図３】電極材料をＡｌとした場合の通過特性を示す。
【図４】電極材料をＭｇとした場合の電極幅と反射量の関係を示す。
【図５】電極材料をＣｕとした場合の電極幅と反射量の関係を示す。
【図６】電極材料をＡｇとした場合の電極幅と反射量の関係を示す。
【図７】電極材料をＡｕとした場合の電極幅と反射量の関係を示す。
【図８】従来のシングル電極で構成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタを示す。
【図９】（ａ）にスプリット（ダブル）電極を、（ｂ）にＤＡＲＴを示す。
【図１０】（ａ）にＳＡＷフィルタに外部整合回路を取り付けた時の簡略図を、（ｂ）にくし型電極の等価回路図を示す。
【図１１】各電極構造とelectrical Qの比較を示す。
【図１２】従来のシングル電極で構成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの通過特性を示す。
【符号の説明】
【００３６】
１：正電極指
２：負電極指
３１：圧電基板
３２、３３：ＳＡＷ変換器
３４：シールド電極
３５：吸音材
【図１】
2005354430.tif 000003
【図２】
2005354430.tif 000004
【図３】
2005354430.tif 000005
【図４】
2005354430.tif 000006
【図５】
2005354430.tif 000007
【図６】
2005354430.tif 000008
【図７】
2005354430.tif 000009
【図８】
2005354430.tif 000010
【図９】
2005354430.tif 000011
【図１０】
2005354430.tif 000012
【図１１】
2005354430.tif 000013
【図１２】
2005354430.tif 000014