(57)【要約】【課題】  電子放出部を構成するＣＮＴの酸化消耗がなく、また、エッチング速度が速く、電子放出部上の空間部にエッチング副生物の付着もない、電子放出の効率が高いＦＥＤ用電界電子放出装置を、高い生産性で製造できる方法を提供する。【解決手段】  基板上に形成されたカソード電極表面にＣＮＴを含む電子放出部を形成する工程と、上記カソード電極の露出面、上記電子放出部の露出面、および上記基板の露出面の上に、シリコーンラダーポリマーを乾燥固化することにより絶縁層を形成する工程と、上記絶縁層の上面の一部を露出させたゲート電極を上記絶縁層の上面に形成する工程と、上記絶縁層の上記露出部より上記絶縁層の表層部を除去する工程と、上記絶縁層の上記露出部より、表層部が除去された上記絶縁層をウェットエッチングして、電子放出部の上面の一部をその底面全体とする開口部を形成する工程とからなることである。【選択図】        図３
2005108487.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上にカソード電極を形成する工程と、
上記カソード電極の上にＣＮＴを含む電子放出部を形成する工程と、
上記カソード電極の露出面、上記電子放出部の露出面、および上記基板の露出面の上に、液状又はペースト状のシリコーンラダーポリマーを塗布した上で、上記シリコーンラダーポリマーを乾燥固化することにより絶縁層を形成する工程と、
上記絶縁層の上にゲート電極を形成する工程と、
上記ゲート電極の上にレジスト膜を形成する工程と、
上記レジスト膜を露光／現像する工程と、
現像後のレジスト膜パターンをマスクとして上記ゲート電極をエッチングして、上記絶縁層の上面の一部を露出させる工程と、
上記絶縁層の上記露出部より上記絶縁層の表層部を除去する工程と、
上記絶縁層の上記露出部より、表層部が除去された上記絶縁層をウェットエッチングして、上記電子放出部の上面の一部をその底面全体とする開口部を形成する工程とを備えることを特徴とする電界電子放出装置の製造方法。
【請求項２】
絶縁層の表層部を除去する方法が、バッファードフッ酸処理、反応性イオンエッチング処理、イオンビームエッチング処理のうちのいずれかであること特徴とする請求項１記載の電界電子放出装置の製造方法。
【請求項３】
シリコーンラダーポリマーに、重量平均分子量が10,000〜200,000の範囲にあるＰＰＳＱ、重量平均分子量が10,000〜300,000の範囲にあるＰＶＳＱ、重量平均分子量が20,000〜400,000の範囲にあるＰＭＳＱのうちのいずれかを用いることを特徴とする請求項１記載の電界電子放出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電界電子放出装置の製造方法、特に電界放出ディスプレイ（以下、ＦＥＤと記す）用の電界電子放出装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＥＤ用の電界電子放出装置は、ガラス基板と、このガラス基板上面に形成されたカソード電極と、このカソード電極の上面の一部に形成されたカーボンナノチューブ（以下、ＣＮＴと記す）を含む電子放出部と、この電子放出部周囲のカソード電極上面と電子放出部の周縁部上とに形成された平坦な上面を有する絶縁層と、この絶縁層上面に形成されたゲート電極とを備えている。
【０００３】
そして、ゲート電極を支える上記絶縁層には、ＦＥＤ製造工程において曝される熱処理に耐えること、絶縁層形成時の熱収縮が小さいこと、真空中で用いられるため脱ガスが少ないこと、カソード電極との密着性に優れていることなどの特性が要求される。これらの要求を満たす、高耐熱性、低収縮性、低脱ガス性、高密着性の絶縁性材料として、シリコーンラダーポリマーが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、上記絶縁層には、電子放出部から放出された電子が移動するための空間部が設けられている。すなわち、ＦＥＤ用電界電子放出装置を製造するには、上記絶縁層に上記空間部を設けるための加工が必要であり、その加工方法として、反応性イオンエッチングなどのドライエッチング法が開示されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平８−２４５７９２号公報（第２頁）
【０００６】
【非特許文献１】第５０回応用物理学関係連合講演会  講演予稿集（第１０２６頁）２００３年、３月
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＦＥＤ用電界電子放出装置の製造における、シリコーンラダーポリマーの絶縁層に空間部を設ける加工では、反応性イオンエッチングが用いられている。そして、反応性イオンエッチングに用いられるドライエッチングガスが、フッ素系ガスと酸素との混合ガスであるので、エッチング時に、電子放出部を構成するＣＮＴが酸素により酸化され消耗される。すなわち、ＣＮＴが傷つき電子の放出効率が優れたＦＥＤ用電界電子放出装置が得られないとの問題があった。
【０００８】
また、ドライエッチングによるシリコーンラダーポリマーからなる絶縁層の加工では、エッチング速度が遅く、加工に長時間を要するとともに、ドライエッチング時に副生物が上記空間部の内壁に付着し、これらの付着物を除去する工程が必要であり、生産性が低いとの問題があった。
【０００９】
この発明は上述のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、電子放出部を構成するＣＮＴの酸化消耗がなく、また、エッチング速度が速く、電子放出部上の空間部にエッチング副生物の付着もない、電子放出の効率が高いＦＥＤ用電界電子放出装置を、高い生産性で製造できる製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明の電界電子放出装置の製造方法は、基板の上にカソード電極を形成する工程と、上記カソード電極の上にＣＮＴを含む電子放出部を形成する工程と、上記カソード電極の露出面、上記電子放出部の露出面、および上記基板の露出面の上に、液状又はペースト状のシリコーンラダーポリマーを塗布した上で、上記シリコーンラダーポリマーを乾燥固化することにより絶縁層を形成する工程と、上記絶縁層の上にゲート電極を形成する工程と、上記ゲート電極の上にレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜を露光／現像する工程と、現像後のレジスト膜パターンをマスクとして上記ゲート電極をエッチングして、上記絶縁層の上面の一部を露出させる工程と、上記絶縁層の上記露出部より上記絶縁層の表層部を除去する工程と、上記絶縁層の上記露出部より、表層部が除去された上記絶縁層をウェットエッチングして、上記電子放出部の上面の一部をその底面全体とする開口部を形成する工程とを備えたものである。
【発明の効果】
【００１１】
この発明の電界電子放出装置の製造方法は、ゲート電極をエッチング部から露出した絶縁層露出部の表面層を除去した後に、この表面層が除去された絶縁層をウェットエッチングして、上記電子放出部の上面の一部をその底面全体とする開口部を形成するものであり、電子放出部を構成するＣＮＴの酸化消耗がなく、また、絶縁層のエッチング速度が速く、電子放出部上の空間部にエッチング副生物の付着もなく、電子放出の効率が高いＦＥＤ用電界電子放出装置を、高い生産性で製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
実施の形態
図１は、ＦＥＤ用電界電子放出装置の構造を説明する断面構成図である。
【００１３】
図１に示すように、ＦＥＤ用電界電子放出装置１０は、基板１の一方の表面にカソード電極２が形成されている。このカソード電極２の基板１に接合している面と対向する面の一部にＣＮＴを含む電子放出部３が設けられている。電子放出部３の周囲のカソード電極２の表面および電子放出部３の側面と周縁部上とにはラダーシリコーンポリマーの絶縁層４が設けられており、この絶縁層４には、電子放出部３から放出された電子が移動する空間部（以下、電子放出用開口部と記す）８が設けられている。上記絶縁層４のカソード電極２に接合する面に対向する面にゲート電極５が設けられている。
【００１４】
図１に示すＦＥＤ用電界電子放出装置１０の製造において、従来のドライエッチング法による電子放出用開口部８の形成では、上記のような問題があるので、発明者らは、これに替わる電子放出用開口部８の形成方法として、絶縁層４に分子量を調整したシリコーンラダーポリマーを用い、この絶縁層４を溶剤によりエッチングするウェットエッチング法を検討した。
【００１５】
しかし、絶縁層４の表面に、ゲート電極５を設け、ゲート電極５に、従来のフォトリソグラフィ法により開口部を設け、このゲート電極５をマスクとして、例えばアニソールとキシレン（重量比で２：１）との混合溶液でエッチングを行ったが、上記絶縁層４をエッチングすることが全くできなかった。この原因解明を鋭意行った結果、発明者らは、ゲート電極５が金属の真空蒸着やスパッタリングにより形成されるので、図２に示すように、絶縁層４のゲート電極５と接触する面およびその近傍の絶縁層中に、絶縁層４の変質部２０が形成されることを明らかにした。そして、この変質部２０を除去する工程を設けることにより、絶縁層４のウェットエッチングが可能となり、電子放出用開口部８を形成できることを見出し、本発明を完成するにいたった。
【００１６】
実施の形態１．
図３は、実施の形態１におけるＦＥＤ用電界電子放出装置の製造工程を説明する図である。
【００１７】
まず、ガラス基板１の上面上に、透明導電膜のカソード電極２を、スパッタリング法を用いて形成する（図３（ａ））。
【００１８】
次に、カソード電極２の上面上に、ＣＮＴ粉末を含むペーストを用いスクリーン印刷法により塗布し、上記ペースト中の樹脂を熱分解させて、電子放出部３を形成する。その際、カソード電極２上面の全面に渡ってではなくて、カソード電極２の上面の内で、電子放出用開口部８の直下に該当する領域上とその周辺領域上とにのみ、電子放出部３を形成する（図３（ｂ））。
【００１９】
次に、カソード電極２の露出面、電子放出部３の露出面、および基板１の露出面（図示せず）の上に、液状のシリコーンラダーポリマーを塗布した上で、当該シリコーンラダーポリマーを乾燥することにより、電子放出部３を埋没させた、例えば膜厚が約10μmの絶縁層４を形成する（図３（ｃ））。
【００２０】
次に、絶縁層上面４上に、真空蒸着法を用いて、例えば、膜厚約0.3μmのＡｌ膜を成膜して、ゲート電極５となる金属膜を形成する（図３（ｄ））。
【００２１】
次に、ゲート電極５の上に、レジスト膜を全面的に形成する。例えば、ポジ型レジスト液を用いてスピンコートで、レジスト膜を塗布して、乾燥後、フォトリソグラフィ法により第１の電子放出用開口部８ａに相当するパターンを有するレジスト膜パターン６を形成する（図３（ｅ））。
【００２２】
次に、現像後のレジスト膜パターン６をマスクとしてゲート電極５をエッチングして、ゲート電極５に第１の電子放出用開口部８ａを形成して絶縁層上面の一部を露出させる（図３（ｆ））。
【００２３】
次に、レジスト膜パターン６を、レジスト剥離液にて除去した後、上記の露出した絶縁層上面を、バッファードフッ酸による処理、反応性イオンエッチング処理、イオンビームエッチング処理のうちのいずれかの処理をして、例えば、上記絶縁層４の上面表層部の約1μmを取り除き、上記ゲート電極形成時に絶縁層上面の表層に形成された絶縁層変質部２０を除去する（図３（ｇ））。絶縁層変質部２０が取り除けて、電子放出部３が露出しなければ、絶縁層４の表層部を取り除く厚さは1μmに限定されない。
【００２４】
次に、表層の変質部２０が除去された第１の電子放出用開口部８ａに露出した絶縁層４を、例えばアニソールとキシレンとの混合溶液（重量比で２：１）に約100〜180秒間浸漬して、ウェットエッチングを行い、電子放出部３の上面の一部を、その底面の全体とする第２の電子放出用開口部８ｂを形成する。すなわち、第１の電子放出用開口部８ａと第２の電子放出用開口部８ｂとからなる電子放出用開口部８が形成される（図３（ｈ））。
【００２５】
本実施の形態で用いられるシリコーンラダーポリマーとしては、フェニル基を持つポリフェニルシルセスオキサン（以下、ＰＰＳＱと記す）、側鎖の一部にビニル基を持つポリフェニルビニルシルセスオキサン（以下、ＰＶＳＱと記す）、側鎖の全てがメチル基であるポリメチルシルセスオキサン（以下、ＰＭＳＱと記す）が挙げられる。
【００２６】
ＰＰＳＱとしては、重量平均分子量が10,000〜200,000の範囲ものが用いられ、重量平均分子量が10,000未満のものでは、絶縁層４として要求される厚さである、例えば、約10μｍの膜が形成できない。また、重量平均分子量が200,000より大きいものでは、所望の時間のウェットエッチングでは絶縁層の残留物が残り、電子放出用開口部８の形成に長時間が必要である。
【００２７】
ＰＶＳＱとしては、重量平均分子量が10,000〜300,000の範囲ものが用いられ、重量平均分子量が10,000未満のものでは、絶縁層４として要求される厚さである、例えば、約10μｍの膜が形成できない。また、重量平均分子量が300,000より大きいものでは、所望の時間のウェットエッチングでは絶縁層の残留物が残り、電子放出用開口部８の形成に長時間が必要である。
【００２８】
ＰＭＳＱとしては、重量平均分子量が20,000〜400,000の範囲ものが用いられ、重量平均分子量が20,000未満のものでは、絶縁層４として要求される厚さである、例えば、約10μｍの膜が形成できない。また、重量平均分子量が400,000より大きいものでは、所望の時間のウェットエッチングで絶縁層の残留物が残り、電子放出用開口部８の形成に長時間が必要である。
【００２９】
本実施の形態では、ゲート電極５の第１の電子放出用開口部８aから露出した絶縁層４の表面層を、バッファードフッ酸による処理、反応性イオンエッチング処理、イオンビームエッチング処理のうちのいずれかの処理をして、上記ゲート電極形成時に絶縁層上面の表層に形成された絶縁層変質部２０を除去しており、上記ゲート電極５の第１の電子放出用開口部８aから露出した絶縁層４のウェットエッチングが可能になる。それと絶縁層４をウェットエッチングすることにより第２の電子放出用開口部８ｂを形成するので、電子放出部３のＣＮＴが酸化消耗されることがない。また、電子放出用開口部８にエッチング副生物の付着がないので、これを除去する工程が不要である。また、エッチング速度が速いので、短時間で電子放出用開口部８を形成できる。
【実施例】
【００３０】
次に、実施例にて、本発明をさらに詳細に説明する。
【００３１】
実施例１．
図３（ａ）に示すように、まず、ガラス基板１の上面上に、例えば透明導電膜であるＩＴＯ膜から成るカソード電極２の膜を、スパッタリング法を用いて形成する。膜厚は、例えば0.3μmである。
【００３２】
次に、図３（ｂ）に示すように、カソード電極２の上面上に、電子放出部３を形成する。その際、カソード電極２上面の全面に渡ってではなくて、カソード電極２の上面の内で、電子放出用開口部８の直下に該当する領域上とその周辺領域上とにのみ、電子放出部３を形成する。
【００３３】
具体的には、ＣＮＴ粉末を含むペーストを用いて、スクリーン印刷法で、電子放出部３を形成する。このとき、ＣＮＴ粉末の平均粒径を1.5μmとし、ペーストの組成比は、重量比で、ＣＮＴ：エチルセルロース：ブチルカルビトール：ブチルカルビトールアセテート＝４：１３：４２：４１とする。スクリーン印刷用マスクとしては、250番メッシュのスクリーン版を用いる。
電子放出部３の印刷後は、150℃で同部３を乾燥し、その後、大気中450℃で同部３を10分間焼成し、同部３中の樹脂および溶剤を燃焼分解する。
【００３４】
次に、図３（ｃ）に示すように、カソード電極２の露出面、電子放出部３の露出面、および基板１の露出面（図示せず）の上に、液状のシリコーンラダーポリマーを塗布した上で、当該シリコーンラダーポリマーを乾燥することにより、約10μmの膜厚を有する絶縁層４を形成する。
【００３５】
具体的には、シリコーンラダーポリマーとして、重量平均分子量200,000のＰＰＳＱ（この状態では液状である）を、テーブルコータを用いて、上記露出面上に、均一に塗布し、凹凸の無い平坦な面のＰＰＳＱの塗布層を形成する。
次に、平坦な上面を有する液状のＰＰＳＱ層としての絶縁層４が形成された基板１を、ホットプレートを用いて150℃の温度下で予備乾燥を行い、更にオーブンを用い250℃の温度下で1時間の乾燥処理を行い、ＰＰＳＱ固体の絶縁層４とする。250℃での乾燥処理では、ＰＰＳＱは分子末端のシラノール基の脱水縮合反応は起こらず、ＰＰＳＱ固体の絶縁層４は溶剤に対する溶解性を有する。
それと、乾燥処理の結果、絶縁層の膜厚は約10μmになる。しかも、絶縁層４は、平坦な上面を有する液状から、上面の平坦性が保たれたままで固体化されているので、乾燥後の絶縁層上面もまた、一様に凹凸の無い平坦な面となっている。
【００３６】
次に、図３（ｄ）に示すように、絶縁層上面上に、ゲート電極５となる金属膜を形成する。例えば、真空蒸着法を用いて、Ａｌの膜を蒸着する。膜厚は、0.3μmである。
【００３７】
次に、図３（ｅ）に示すように、ゲート電極５の上に、レジスト膜を全面的に形成する。例えば、ポジ型レジスト液を用いてスピンコートで塗布し、レジスト膜を形成する。その後、レジスト膜を乾燥させる。
レジスト膜の乾燥後、第１の電子放出用開口部８ａの横断面形状に相当する円形の透過部をもつ露光マスク（図示せず）を用いて、レジスト膜を露光する。更に、アルカリ系現像液で現像を行ない、露光された部分のレジスト膜を除去する。これにより、第１の電子放出用開口部８ａに相当するパターンを有するレジスト膜パターン６が形成される。
【００３８】
次に、図３（ｆ）に示すように、現像後のレジスト膜パターン６をマスクとしてゲート電極５をエッチングして、絶縁層上面の一部を露出させる。即ち、レジスト膜パターン６における円形開口部の直下に位置するＡｌ膜をエッチングして、電子放出部３の上面の直上方に位置するゲート電極５の部分に、当該部分を貫通する第１の電子放出用開口部８ａを形成する。Ａｌ膜のエッチングは、例えば、液温が40℃のリン酸系のエッチング液を用いて行う。
【００３９】
次に、図３（ｇ）に示すように、レジスト膜パターン６を、有機アミンを主成分とするレジスト剥離液にて除去した後、上記第１の電子放出用開口部８ａに露出した絶縁層上面を、25℃の3％ＨＦ水溶液に10分間浸漬するバッファードフッ酸処理により、上記絶縁層４の上面表層部の約1μmを取り除き、上記ゲート電極形成時に絶縁層上面の表層に形成された絶縁層変質部２０を除去する。
【００４０】
次に、図３（ｈ）に示すように、表層の変質部２０が除去された第１の電子放出用開口部８ａに露出した絶縁層４を、アニソールとキシレンとの混合溶液（重量比で２：１）に110秒間浸漬して、ウェットエッチングを行い、電子放出部３の上面の一部を、その底面の全体とする第２の電子放出用開口部８ｂを形成する。
【００４１】
このようにして得られた、第１の電子放出用開口部８ａと第２の電子放出用開口部８ｂとからなる電子放出用開口部８が設けられたＦＥＤ用電界電子放出装置について、電子放出用開口部８に絶縁層４が残留しているか、電子放出用開口部８にエッチング副生物が付着していないか、電子放出部３のＣＮＴが消耗されていないかを顕微鏡を用いて観察した。観察結果を表１に示した。
【００４２】
実施例２〜６．
絶縁層４として表１の実施例２〜６に示す種類と重量平均分子量とのシリコーンラダーポリマーを用いた以外、実施例１と同様にして、ＦＥＤ用電界電子放出装置を得た。得られたＦＥＤ用電界電子放出装置について、実施例１と同様にして、電子放出用開口部８と電子放出部３とを観察した。観察家結果を表１に示した。
【００４３】
実施例７.
第１の電子放出用開口部８ａに露出した絶縁層上面の約1μmの除去、すなわち絶縁層変質部２０の除去を、ＣＦ４とＯ２との混合ガスを用いて反応性エッチングにより行った以外、実施例１と同様にして、ＦＥＤ用電界電子放出装置を得た。反応性エッチング条件は、ＣＦ４のガス流量が100sccm、Ｏ２のガス流量が25sccm、ガス圧力が100mTorr、ＲＦ出力が300W、エッチング時間が3分である。得られたＦＥＤ用電界電子放出装置について、実施例１と同様にして、電子放出用開口部８と電子放出部３とを観察し、観察結果を表１に示した。
【００４４】
実施例８.
第１の電子放出用開口部８ａに露出した絶縁層上面の約1μmの除去、すなわち絶縁層変質部２０の除去を、イオンビームエッチングにより行った以外、実施例１と同様にして、ＦＥＤ用電界電子放出装置を得た。イオンビームエッチング条件は、シリング角が45°、ガス流量が8sccm、チャンバー内圧力が0.03Pa、出力が600V/240mA、減速電圧が-200V、エッチング時間が5分である。得られたＦＥＤ用電界電子放出装置について、実施例１と同様にして、電子放出用開口部８と電子放出部３とを観察し、観察結果も表１に示した。
【００４５】
実施例９.
ウェットエッチングによる第２の電子放出用開口部８ｂの形成に、シクロヘキサノンとジエチルベンゼンとの混合溶液（重量比で２：１）を用いた以外、実施例１と同様にして、ＦＥＤ用電界電子放出装置を得た。得られたＦＥＤ用電界電子放出装置について、実施例１と同様にして、電子放出用開口部８と電子放出部３とを観察し、観察結果を表１に示した。
【００４６】
比較例１〜６．
絶縁層４として表１の比較例１〜６に示す種類と重量平均分子量とのシリコーンラダーポリマーを用いた以外、実施例１と同様にして、ＦＥＤ用電界電子放出装置を得た。得られたＦＥＤ用電界電子放出装置について、実施例１と同様にして、電子放出用開口部８と電子放出部３とを観察し、観察結果を表１に示した。
【００４７】
比較例７．
第１の電子放出用開口部８ａに露出した絶縁層上面の約1μmの除去、すなわち絶縁層変質部２０の除去、を実施しなかった以外、実施例１と同様にしてＦＥＤ用電界電子放出装置を得た。得られたＦＥＤ用電界電子放出装置について、実施例１と同様にして、電子放出用開口部８と電子放出部３とを観察し、観察結果を表１に示した。
【００４８】
表１から明らかなように、絶縁層４に、重量平均分子量が10,00〜200,00の範囲のＰＰＳＱ、重量平均分子量が10,00〜300,00の範囲のＰＶＳＱ、または、重量平均分子量が20,00〜400,00の範囲のＰＭＳＱを用いた場合、本発明の製造方法にて、絶縁層４を容易に形成でき、電子放出部３のＣＮＴが酸化消耗されることがなく、また、電子放出用開口部８にエッチング副生物の付着がなく、短時間で電子放出用開口部８を形成できる。
【００４９】
しかし、絶縁層４に用いるシリコーンラダーポリマーが、重量平均分子量が10,00未満のＰＰＳＱ、重量平均分子量が10,00未満のＰＶＳＱ、または、重量平均分子量が20,
00未満のＰＭＳＱの場合では、例えば10μmの厚膜の絶縁層４を形成できず、ＦＥＤ用電界電子放出装置を得ることができなかった。
【００５０】
また、絶縁層４に用いるシリコーンラダーポリマーが、重量平均分子量が200,00より大きいＰＰＳＱ、重量平均分子量が300,00より大きいＰＶＳＱ、または、重量平均分子量が400,00より大きいＰＭＳＱの場合では、短時間のウェットエッチングでは絶縁層の残留物が残り、第２の電子放出用開口部８ｂを形成できず、ＦＥＤ用電界電子放出装置を得ることができなかった。
【００５１】
また、ウェットエッチング可能なシリコーンラダーポリマーを絶縁層４に用いても、第１の電子放出用開口部８ａに露出した絶縁層上面の約1μmの除去、すなわち絶縁層変質部２０の除去、を実施しないと、ウェットエッチングができず、第２の電子放出用開口部８ｂの形成が不可能であり、ＦＥＤ用電界電子放出装置を得ることができなかった。
【００５２】
【表１】
2005108487.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００５３】
電子放出部のＣＮＴを傷つけることなく電子放出部を形成する信頼性の高いＦＥＤ用電界電子放出装置の製造に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】電界電子放出装置の構造を説明する図である。
【図２】本発明の製造方法でゲート電極形成により形成される絶縁層変質部を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態１における電界電子放出装置の製造工程を説明する図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  基板、２カソード電極、３  電子放出部、４  絶縁層、５  ゲート電極、６  レジスト膜パターン、８  電子放出用開口部、１０  電界電子放出装置、２０  絶縁層の変質部。
【図１】
2005108487.tif 000004
【図２】
2005108487.tif 000005
【図３】
2005108487.tif 000006