(57)【要約】    【課題】  捕捉手段の反応副生成物等の捕捉状態を正確に把握し、適正な保守時期を判断可能とし、処理中に流路が閉塞する等の不具合を未然に防止する。    【解決手段】  基板１１を処理する反応室１と、該反応室から排気ガスを排気する排気管１２と、該排気管に設けられ前記反応室の圧力を所定値に維持する圧力制御機構１４と、該圧力制御機構の下流側に設けられ前記排気ガス中の反応副生成物等を捕捉する捕捉手段１５と、前記圧力制御機構の下流側であって前記捕捉手段の上流又は下流の少なくとも一方に設けられる圧力検知器１９，２０とを有する。    【選択図】        図１
2005108932.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する反応室と、該反応室から排気ガスを排気する排気管と、該排気管に設けられ前記反応室の圧力を所定値に維持する圧力制御機構と、該圧力制御機構の下流側に設けられ前記排気ガス中の反応副生成物等を捕捉する捕捉手段と、前記圧力制御機構の下流側であって前記捕捉手段の上流又は下流の少なくとも一方に設けられる圧力検知器とを有することを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハ、ガラス基板等の基板に薄膜の生成、エッチング、不純物の拡散、アニール処理等の処理を行い半導体装置を製造する半導体製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する工程の１つに薄膜を生成する工程があり、又薄膜を生成する方法の１つにＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法がある。該ＣＶＤ法は、原料ガスを希釈ガスと共に反応室に導入し、化学反応（熱分解反応）により反応種を生じさせ基板上に結晶を形成堆積させるものである。
【０００３】
図６によりＣＶＤ法による成膜を行う従来の枚葉式の半導体製造装置の概略を説明する。
【０００４】
図６中、１は反応室であり、図示していないが該反応室１には基板搬送室を介してロードロック室が連設されており、該ロードロック室に搬入された基板（ウェーハ）は該基板搬送室内の搬送ロボットにより前記反応室１に搬入される。
【０００５】
該反応室１の上部にはガス溜め室２が形成され、該ガス溜め室２にガス供給管３，４，５が接続され、該ガス供給管３，４，５はそれぞれ原料ガス源、不活性ガス源（いずれも図示せず）に接続され、前記ガス供給管３，４，５には流量制御器６，７，８が設けられている。
【０００６】
前記ガス溜め室２は多数のガス導入孔が穿設されたシャワーノズル板９を介して、前記反応室１に連通している。該反応室１には基板ヒータ１０が設けられ、搬入されたウェーハ１１は前記基板ヒータ１０により加熱される様になっており、前記反応室１内部も該反応室１の壁面に設けられた壁面ヒータ（図示せず）により加熱される様になっている。
【０００７】
前記反応室１には排気配管１２を介して排気装置１３が接続され、前記排気配管１２には上流側より、圧力制御弁を有する圧力制御機構１４、トラップ装置１５が設けられている。
【０００８】
原料ガスは常温下で気体であるものの他、常温常圧で気体或は固体のものを気化したものが使用され、原料ガス単独で或は窒素ガス等の希釈ガスと共に前記流量制御器６，７，８により供給量が制御されて供給される。原料ガスは、前記ガス溜め室２を経て前記シャワーノズル板９により分散され、前記反応室１に供給される。
【０００９】
供給された原料ガスは、加熱され熱分解され、ＣＶＤ反応によりウェーハ１１の表面に付着堆積し、成膜処理がなされる。反応後のガス、余剰の原料ガスは前記排気配管１２を介して前記排気装置１３より排気される。
【００１０】
前記原料ガスは、上記ＣＶＤ反応により熱分解し、基板に堆積するが、原料ガス全てが基板に堆積されるわけではなく、一部は前記反応室１の壁面、前記排気配管１２の内面に付着する。更に、原料ガスの残りは、相変化（液化、固化）することなく気体の状態で半導体製造装置外に排出される。
【００１１】
又、前記反応室１で発生した反応副生成物も、前記反応室１壁面に付着するか装置外に排出される。例えば、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 とＮＨ3 が原料ガスであった場合、基板にはシリコン窒化膜が形成され、ＮＨ4 Ｃｌ等の反応副生成物が生成される。
【００１２】
ＮＨ4 Ｃｌは温度が低い箇所、圧力が急激に低下しガス温度が低下する箇所、例えばポンプ周辺で固体として析出し、付着していた。反応副生成物の付着が進行すると、流路を閉塞するので、装置が停止してしまう。
【００１３】
この為、従来より排気配管１２にトラップ装置１５が設けられ、該トラップ装置１５に於いて排気ガスを冷却して析出させ、排ガス中に含まれる原料ガス、反応副生成物（以下、反応副生成物等と称す）を捕捉除去し、前記排気配管１２、前記排気装置１３等の排気ラインに反応副生成物等が付着堆積することを防止している。付着堆積した反応副生成物等を除去する場合は、前記トラップ装置１５を取外し洗浄すればよく、保守作業性が向上するという利点があった。
【００１４】
尚、上記した従来の半導体製造装置に関連するものとして例えば特許文献１に示されるものがある。
【００１５】
然し乍ら、前記トラップ装置１５に反応副生成物等が過剰に捕捉されるとやはり流路は閉塞されるが、適正な洗浄時期は経験的にしか把握できず、適当な時期に或は定期的に、前記トラップ装置１５の洗浄作業を行っていた。
【００１６】
この為、洗浄時期を逸して、半導体製造装置の成膜処理中に前記トラップ装置１５が閉塞する可能性もあるという問題を有していた。
【００１７】
【特許文献１】特開２０００−０４５０７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は斯かる実情に鑑み、トラップ装置の反応副生成物等の捕捉状態を正確に把握し、適正な洗浄時期を判断可能とし、処理中に流路が閉塞する等の不具合を未然に防止するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は、基板を処理する反応室と、該反応室から排気ガスを排気する排気管と、該排気管に設けられ前記反応室の圧力を所定値に維持する圧力制御機構と、該圧力制御機構の下流側に設けられ前記排気ガス中の反応副生成物等を捕捉する捕捉手段と、前記圧力制御機構の下流側であって前記捕捉手段の上流又は下流の少なくとも一方に設けられる圧力検知器とを有する半導体製造装置に係るものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、基板を処理する反応室と、該反応室から排気ガスを排気する排気管と、該排気管に設けられ前記反応室の圧力を所定値に維持する圧力制御機構と、該圧力制御機構の下流側に設けられ前記排気ガス中の反応副生成物等を捕捉する捕捉手段と、前記圧力制御機構の下流側であって前記捕捉手段の上流又は下流の少なくとも一方に設けられる圧力検知器とを有するので、圧力検知器の検出結果に基づき捕捉手段の捕捉状態を監視でき、捕捉手段の適正な保守時期を告知でき、或は捕捉手段が成膜中に閉塞することを防止でき、基板処理の安全性、稼働率を向上させることができる等の優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００２２】
図１は第１の実施の形態を示すものであり、ＣＶＤ法による成膜を行う枚葉式の半導体製造装置の概略を示している。尚、図１中、図６中で示したものと同等にものには同符号を付してある。
【００２３】
反応室１には基板搬送室（図示せず）を介してロードロック室（図示せず）が気密に連設されており、各室はゲート弁（図示せず）により開閉される様になっている。外部搬送装置（図示せず）によりロードロック室に搬入された基板（ウェーハ）１１は基板搬送室内の搬送ロボット（図示せず）により前記反応室１に搬入され、前記ウェーハ１１はウェーハ載置台を兼ねる基板ヒータ１０に載置される。該基板ヒータ１０及び前記反応室１の壁面に設けられた壁面ヒータはそれぞれ個別に制御装置１７により加熱が制御される。
【００２４】
前記反応室１の上部にはガス溜め室２が形成され、該ガス溜め室２はシャワーノズル板９を介して前記反応室１に連通され、前記ガス溜め室２にはガス供給管３，４，５が接続され、該ガス供給管３，４，５はそれぞれ原料ガス源、不活性ガス源（いずれも図示せず）に接続されている。
【００２５】
前記ガス供給管３，４，５には流量制御器６，７，８が設けられ、該流量制御器６，７，８はそれぞれ独立して制御装置１７により流量制御され、混合比、総供給流量等が制御される様になっている。又、前記反応室１には反応室圧力検知器１８が設けられ、該反応室圧力検知器１８により検出された前記反応室１内の圧力は前記制御装置１７に入力される。該制御装置１７は圧力制御機構１４（後述）を開閉させることにより、前記反応室１内の圧力を所定の値に維持する。
【００２６】
前記反応室１には排気配管１２を介して排気装置１３が接続され、前記排気配管１２には上流側より、圧力制御弁を有する前記圧力制御機構１４、第１圧力検知器１９、トラップ装置１５、第２圧力検知器２０が設けられ、前記第１圧力検知器１９、前記第２圧力検知器２０で検出した前記トラップ装置１５前後の圧力は前記制御装置１７に入力される。該制御装置１７は前記第１圧力検知器１９と前記第２圧力検知器２０との圧力差を演算することで、前記トラップ装置１５での流路抵抗の増加、即ち該トラップ装置１５で捕捉した反応副生成物等の量を検出可能となっている。
【００２７】
前記排気配管１２の少なくとも前記トラップ装置１５の上流側にはヒータ（図示せず）が設けられ、排気ガスが前記トラップ装置１５に至る過程で冷却され、反応副生成物等が析出され、前記圧力制御機構１４、第１圧力検知器１９等に付着しない様になっている。
【００２８】
前記トラップ装置１５は、該トラップ装置１５内を流通するガスを冷却し、ガス中に含まれる反応副生成物等を析出させ、捕捉するものである。前記トラップ装置１５の入側（上流側）、出側（下流側）にはそれぞれストップ弁２２，２３が設けられ、前記トラップ装置１５は前記排気配管１２に対して着脱可能となっている。
【００２９】
前記制御装置１７にはキーボード、操作パネル等の入力装置２５、表示部２６、ブザー、警告灯等の警報装置２７、半導体メモリ、ハードディスク等の記憶装置２８が接続されている。
【００３０】
原料ガスの種類、原料ガスの供給流量、基板処理温度、処理圧力等のプロセス条件に対応する前記トラップ装置１５での反応副生成物等の捕捉量と流路抵抗の増加を示す前記圧力差との関係が予め求められ、テーブルデータとして前記記憶装置２８に入力されている。或は／更に、半導体製造装置が正常な基板処理を行っている状態での前記第１圧力検知器１９と前記第２圧力検知器２０とが検出する連続圧力値、連続圧力差が予め取得され、閉塞判断用の連続データとして前記記憶装置２８に入力されている。
【００３１】
又、前記トラップ装置１５の保守時期、該トラップ装置１５が閉塞間近の警告時期を判断する閾値が、プロセス条件毎に各プロセス条件に関連付けられて前記記憶装置２８に設定入力されている。
【００３２】
該記憶装置２８には、圧力差が閾値を越えた場合に、前記表示部２６に警告表示をさせる為のプログラム、エラー状況を前記記憶装置２８に記録するプログラム、或は半導体製造装置を安全に停止させる為の異常停止シーケンスプログラム等の異常処理プログラムが格納されている。
【００３３】
以下、作動について説明する。
【００３４】
前記入力装置２５によりプロセス条件を設定して、基板の処理を開始する。
【００３５】
ロードロック室に搬入されたウェーハ１１が基板搬送室内の搬送ロボットにより前記反応室１に搬入される。該反応室１が気密に保ち、前記排気装置１３により減圧され、前記圧力制御機構１４により処理圧に維持される。前記流量制御器６，７，８が前記制御装置１７によって制御され、所要の混合比及び流量で原料ガスが前記反応室１に供給される。原料ガス供給後も、前記圧力制御機構１４としての前記圧力制御弁の開閉を前記制御装置１７により調整することにより、処理圧に維持される。尚、原料ガスとしては、例えばＳｉＨ2 Ｃｌ2 とＮＨ3 であり、窒素ガス等の不活性ガスによって希釈されたものである。
【００３６】
前記基板ヒータ１０により前記ウェーハ１１が加熱され、熱化学反応により該ウェーハ１１にシリコン窒化膜が成膜される。成膜の過程で、ＮＨ4 Ｃｌ等の反応副生成物が生成される。該反応副生成物は、排気ガスと共に前記圧力制御機構１４を経て前記排気配管１２より排出される。排気ガスが、前記トラップ装置１５を通過する過程で冷却され、反応副生成物が析出し、前記トラップ装置１５に捕捉除去される。反応副生成物が前記トラップ装置１５で除去されることで、該トラップ装置１５より下流側で反応副生成物の付着堆積が抑止される。
【００３７】
基板処理中、前記トラップ装置１５の前後の圧力は前記第１圧力検知器１９、前記第２圧力検知器２０により監視され、前記制御装置１７は前記第１圧力検知器１９、第２圧力検知器２０が検出した圧力差をリアルタイムで演算する。
【００３８】
基板処理を重ねることで、前記トラップ装置１５に漸次反応副生成物が捕捉され、前記トラップ装置１５の流路抵抗が増大していく。流路抵抗の増加の状態は、図２で示される様に、前記第１圧力検知器１９が検出する圧力と前記第２圧力検知器２０とが検出する圧力との圧力差として現れ、該圧力差は変化のない定常状態Ｂが続いた後、増大が始ると加速度的に増加する。従って、圧力差の増大が始ると、早急に保守を行った方がよい。例えば、状態Ａの圧力差を保守時期を判断する閾値とし、状態Ｃを半導体製造装置を停止する閾値とする。
【００３９】
前記圧力差が保守時期を設定した閾値を越えた場合に、前記制御装置１７は前記表示部２６に保守を促す表示を行い、或は前記警報装置２７により保守時期を示す発光体の点灯或はブザー等による警告音の発音を行う。
【００４０】
保守時期の告知があった場合、作業者は前記入力装置２５を介して半導体製造装置を停止させ、前記ストップ弁２２，２３を閉塞して前記トラップ装置１５を取外し、該トラップ装置１５の洗浄を行い、反応副生成物の除去を行う。又、保守時期の告知があった場合に、前記制御装置１７は前記入力装置２５からの指令をロックする。例えば、成膜開始ボタンを押しても、基板処理が開始されない、原料ガスが供給できない、或はウェーハ１１を前記反応室１に搬入できない等である。
【００４１】
前記トラップ装置１５を前記排気配管１２に取付け、前記ストップ弁２２，２３を開放し、圧力の差分が所定値以下、例えば図２中の状態Ｂであることが確認されると、半導体製造装置の稼働が開始される。
【００４２】
保守時期の告知から、更に前記トラップ装置１５による反応副生成物等の捕捉が進行し、圧力差が増大して閉塞間近の閾値（図２の状態Ｃ）を越えた場合に、前記制御装置１７は異常停止シーケンスプログラムを起動して、半導体製造装置の停止処理を実行する。
【００４３】
尚、トラップ装置１５の閉塞状態の判断は、上記した様に閾値により判断してもよく、或は基板処理中の圧力差のデータ履歴を前記記憶装置２８に保存し、該データ履歴と該記憶装置２８に保存してある前記閉塞判断用の連続データとを対比させトラップ装置１５の閉塞状態を判断してもよい。尚、該データ履歴と前記閉塞判断用の連続データの対比判断としては、圧力差の変化パターンを比較判断する等があり、変化パターンによる判断では、圧力差の異常上昇等も判別でき、圧力差の上昇が反応副生成物等の捕捉によるものか、或は制御弁等の機器の故障によるものか等の判断も行える。
【００４４】
半導体製造装置の停止処理には、種々の対応があり、例えば成膜開始前であると、前記制御装置１７は前記表示部２６に警告を表示し、前記入力装置２５からの指令をロックすると共に前記流量制御器６，７，８を制御して原料ガスを停止する等して成膜処理が行えない様にし、更に前記反応室１のガスを排気、又はガスパージし、加熱を停止した後、作業者の対応を待つ。
【００４５】
或は、成膜処理中であると、成膜処理を強制終了させる等である。いずれの場合にも、保守が必要である等のエラー情報を前記記憶装置２８に記録する等の処置がとられる。
【００４６】
半導体製造装置の強制終了の場合は、異常停止シーケンスプログラムに従って、半導体製造装置が安全に停止される様な手順で停止が実行される。
【００４７】
例えば、図３に示される様な手順で実行される。
【００４８】
トラップ装置１５の状態が差圧により判断され、正常でないと判断された場合は、原料ガスを停止して基板処理を停止する。前記反応室１内のガスを排気、又はガスパージし、その後排気を停止する。加熱を停止し、前記トラップ装置１５の保守待ちの状態とする。この場合も、保守可能の表示を前記表示部２６に示し、作業者が間違いなく保守作業できる様にする。
【００４９】
半導体製造装置が強制停止された場合も同様に、前記トラップ装置１５の洗浄を行い、反応副生成物等の除去を行う。前記トラップ装置１５を前記排気配管１２に取付け、前記ストップ弁２２，２３を開放し、前記第１圧力検知器１９、前記第２圧力検知器２０が検出する圧力の差分が所定値以下であることが確認され、半導体製造装置の稼働が開始される。
【００５０】
尚、前記第１圧力検知器１９、前記第２圧力検知器２０のいずれか一方を省略することも可能である。例えば、該第２圧力検知器２０を省略した場合、前記第１圧力検知器１９の検出圧力は、前記トラップ装置１５の流路抵抗が増大すると共に増大するので、前記制御装置１７が前記第１圧力検知器１９が検出する圧力を監視し、検出圧力が所定値以上となった場合に異常と判断し、保守時期であることを前記表示部２６等で告知するか、或は半導体製造装置を強制停止させる。又、前記第１圧力検知器１９を省略した場合、前記トラップ装置１５の流路抵抗が増大すると、該トラップ装置１５の下流側は圧力が低下するので、前記制御装置１７により前記第２圧力検知器２０が検出する圧力を監視し、検出圧力が所定値以下となった場合に異常と判断し、保守時期であることを前記表示部２６等で告知するか、或は半導体製造装置を強制停止させる。
【００５１】
尚、前記第１圧力検知器１９、前記第２圧力検知器２０の検出圧力及び検出圧力の差分を監視する場合は、前記トラップ装置１５の捕捉状態を確実に把握でき、他の要因で前記第１圧力検知器１９、前記第２圧力検知器２０の検出圧力に変化があった場合と区別することができる。例えば、前記排気装置１３で意図しない閉塞が生じた場合、前記第２圧力検出器２０の検出圧力を監視することで、前記トラップ装置１５に関しない異常と判断できる。
【００５２】
又、原料ガスとして、前記ＳｉＨ2 Ｃｌ2 の代りに、Ｓｉ2 Ｃｌ6 、ＳｉＣｌ4 等の塩化物をＳｉ原料として用いることができ、この場合もＮＨ3 と反応して主にＮＨ4 Ｃｌの反応副生成物が発生する。
【００５３】
図４は第２の実施の形態を示すものであり、図４中、図１中で示したものと同等のものには同符号を付し、説明を省略する。
【００５４】
排気配管１２の第１圧力検知器１９の上流側に制御装置１７により開閉される第１開閉制御弁３１、第２圧力検知器２０の下流側に前記制御装置１７により開閉される第２開閉制御弁３２が設けられ、前記第１圧力検知器１９とトラップ装置１５との間に手動の第１弁３３、第２弁３４が設けられ、前記排気配管１２は前記第１弁３３と前記第２弁３４との間で分割可能に気密に接続されている。
【００５５】
前記トラップ装置１５と前記第２圧力検知器２０との間には手動の第３弁３５、第４弁３６が設けられ、前記排気配管１２は前記第３弁３５と前記第４弁３６との間で分割可能に気密に接続されている。
【００５６】
前記排気配管１２の前記第１開閉制御弁３１の上流側と前記第２開閉制御弁３２の下流側とをバイパスする第２排気管３７が設けられ、該第２排気管３７に前記排気配管１２と同様な構成で、第１開閉制御弁３１′、第１弁３３′、第２弁３４′、トラップ装置１５′、第３弁３５′、第４弁３６′、第２開閉制御弁３２′が設けられている。
【００５７】
前記排気配管１２、前記第２排気管３７と圧力制御機構１４とは択一的に連通し、連通状態の切換えは前記第１開閉制御弁３１、前記第２開閉制御弁３２と前記第１開閉制御弁３１′、前記第２開閉制御弁３２′とを択一的に作動させることで行う。尚、前記制御装置１７は前記排気配管１２、前記第２排気管３７のいずれが使用されているかを前記表示部２６に表示させる。
【００５８】
以下、前記排気配管１２が前記圧力制御機構１４に連通した状態を説明する。この状態では、前記第１開閉制御弁３１′、前記第２開閉制御弁３２′は閉鎖し、前記第１開閉制御弁３１、前記第２開閉制御弁３２は開放されている。又、基板処理に関しては図１に於いて説明したと同様であるので、以下説明を省略する。
【００５９】
前記第１圧力検知器１９からの圧力検出結果と前記第２圧力検知器２０からの圧力検出結果とが前記制御装置１７に入力され、該制御装置１７で圧力差が演算され、演算された圧力差が閾値と比較され、例えば前記圧力差が保守時期を設定した閾値を越えた場合に、保守時期の告知が行われると共に前記第１開閉制御弁３１、前記第２開閉制御弁３２が閉塞されると共に前記第１開閉制御弁３１′、前記第２開閉制御弁３２′が開放される。
【００６０】
前記第２排気管３７が前記圧力制御機構１４に連通され、前記トラップ装置１５′による反応副生成物等の捕捉が継続して行われ、前記トラップ装置１５の保守を実施する場合でも、半導体製造装置は停止されない。
【００６１】
保守を実施する場合、前記第１弁３３、前記第２弁３４、前記第３弁３５、前記第４弁３６を全て閉塞し、前記第１弁３３と前記第２弁３４間、前記第３弁３５と前記第４弁３６間を分割して前記トラップ装置１５を前記第２弁３４、前記第３弁３５と一体に取外し、更に前記トラップ装置１５の洗浄を行う。
【００６２】
又、前記第１弁３３、前記第４弁３６が閉塞されているので、前記トラップ装置１５が取外されても、前記排気配管１２を流通する排気ガスは該排気配管１２に封込められた状態となる。
【００６３】
従って、排気ガスに有害な原料ガスが含まれている場合、排気配管１２から排気ガスが漏出することなく安全である。又、前記トラップ装置１５の洗浄は、該トラップ装置１５′の保守時期迄に完了させることができるので、半導体製造装置の稼働率が大幅に向上する。尚、安全性を考慮すれば、前記第１開閉制御弁３１、前記第２開閉制御弁３２と前記第１開閉制御弁３１′、前記第２開閉制御弁３２′の切換え時期は、前記排気配管１２に排気ガスが流れてない様な時期、即ち処理を行っていない時期に行われることが好ましい。
【００６４】
図５は第３の実施の形態を示しており、該第３の実施の形態では原料ガスとしてＨＣＤ（Ｓｉ2 Ｃｌ6 ：ヘキサクロロジシラン）とＯ3 を用いてＳｉＯ2 膜を成膜する場合を示している。尚、図５中、図１中で示したものと同等のものには同符号を付し、制御装置１７等の制御部については上記した実施の形態と同様であるので図示、説明を省略する。
【００６５】
ガス溜め室２に連通するガス供給管３は希釈ガス供給源（図示せず）に連通され、ガス供給管４は原料ガスの１つであるオゾン（Ｏ3 ）供給源（図示せず）に連通されている。ガス供給管５は原料容器４０に連通され、該原料容器４０にはキャリアガスライン４１が連通されている。前記ガス供給管３，４，５にはそれぞれ流量制御器６，７，８が設けられている。
【００６６】
前記原料容器４０は前記ＨＣＤが貯留されている。該ＨＣＤは常温では液体であり、前記原料容器４０で加熱され、気化したＨＣＤがキャリアガスと共に前記流量制御器８を経て反応室１へ供給される。前記Ｏ3 は酸素との混合ガスとして前記流量制御器７を経て前記反応室１に供給される。
【００６７】
該反応室１にＨＣＤ、Ｏ3 が供給され、加熱されることでウェーハ１１表面にＳｉＯ2 が付着堆積し、ＳｉＯ2 膜が形成される。
【００６８】
トラップ装置１５には、未反応ＨＣＤ、ＨＣＤに起源を持つ反応副生成物等が捕捉される。
【００６９】
本実施の形態に於いても、前記トラップ装置１５の上流側の第１圧力検知器１９、下流側の第２圧力検知器２０が検出する両検出圧力の差を求めることで、前記トラップ装置１５の反応副生成物等の捕捉状態を監視でき、定常状態での差圧に比べ異常（閾値以上）と判断された場合、成膜操作ができない様な状態、例えば原料ガスを停止し、不活性ガスのみを供給するか、或は半導体製造装置を強制的に停止させる。
【００７０】
その後、前記トラップ装置１５を取外して該トラップ装置１５の洗浄等の保守作業を行う。尚、成膜をできない様にする、或は半導体製造装置を停止させる等の処置については制御装置１７の記憶装置２８に記録しておく（図１参照）。
【００７１】
尚、トラップ装置１５は反応室１と排気装置１３との間でなく、排気装置１３の下流側に設けてもよく、或は１箇所に限らず反応室１と排気装置１３との間、排気装置１３の下流等複数箇所に設けてもよい。尚、トラップ装置１５の上流側に位置する配管、排気装置１３等については反応副生成物等が冷却され、付着しない様に、加熱する等の対応をすることが好ましい。
【００７２】
又、第３の実施の形態に於いて、Ｏ3 の代りにＮＨ3 を用いれば、窒化珪素膜が成膜でき、原料ガスとしてＨＣＤのみを供給することで、Ｓｉ膜を成膜できる。又、前記トラップ装置１５で捕捉される反応副生成物としては、ＮＨ4 Ｃｌ、ＨＣＤに起源を持つ物質、Ｓｉ膜の場合に主にＨＣＤに起源を持つ物質となる。
【００７３】
尚、上記実施の形態では、枚葉式半導体製造装置について説明したが、バッチ式の半導体製造装置についても同様に実施可能であることは言う迄もない。
【００７４】
更に、成膜は窒化珪素膜以外にも昇華型の反応副生成物等、常温又は常温近傍で固相状態を有する物質に適用可能であることは言う迄もない。
【００７５】
（付記）
又、本発明は以下に示す実施の態様を含む。
【００７６】
（付記１）基板を処理する反応室と、該反応室から排気ガスを排気する排気管と、該排気管に設けられ前記排気ガス中の反応副生成物等を捕捉する捕捉手段と、該捕捉手段の上流に設けられる第１圧力検知器と、下流に設けられる第２圧力検知器とを有することを特徴とする半導体製造装置。
【００７７】
（付記２）前記両圧力検知器の圧力を監視し、圧力差と基準値との比較を行い、圧力差が基準値より大きい場合に前記捕捉手段の保守時期であると判断する制御装置を具備する付記１の半導体製造装置。
【００７８】
（付記３）前記基準値は事前に圧力差と捕捉手段の閉塞状態との関係を測定して得た付記２の半導体製造装置。
【００７９】
（付記４）前記制御装置は圧力差が基準値より大きいと判断した場合に、処理を停止する付記２の半導体製造装置。
【００８０】
（付記５）前記排気管が２以上に分岐しており、分岐した排気管それぞれに排気ガス中の反応副生成物等を捕捉する捕捉手段と、該捕捉手段の上流に設けられる第１圧力検知器と、下流に設けられる第２圧力検知器とを有し、前記排気管は前記制御装置により択一的に前記反応室に連通される付記１の半導体製造装置。
【００８１】
（付記６）前記制御装置は連通されている排気管の第１圧力検知器と第２圧力検知器との圧力差が基準値より大きいと判断した場合に、他の排気管に切替えて反応室に連通させる付記５の半導体製造装置。
【００８２】
（付記７）前記各排気管はトラップ装置の上流側に制御弁を有し、前記制御装置は該制御弁を開閉することで、前記排気管の連通状態を切替える付記５の半導体製造装置。
【００８３】
（付記８）前記排気ガスがＮＨ4 を含むものである付記１の半導体製造装置。
【００８４】
（付記９）前記反応室に気化したガスを供給するガス導入管と、前記気化したガスと前記反応室に於いて気相反応する反応ガスを供給する反応ガス導入管とを設け、前記気化したガスとは、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、Ｓｉ2 Ｃｌ6 、ＳｉＣｌ4 であり、前記反応ガスとは、Ｏ3 、ＮＨ3 である付記１の半導体製造装置。
【００８５】
（付記１０）前記排気管に前記反応室の圧力を調整する圧力制御機構を有し、前記第１圧力検知器、前記補捉手段、前記第２圧力検知器は前記圧力制御機構の下流側に設けられることを特徴とする付記１〜付記９の半導体製造装置。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す概略構成図である。
【図２】該第１の実施の形態に於けるトラップ装置の捕捉状態と該トラップ装置前後の差圧の変化を示す線図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に於ける装置停止のシーケンスを示すフローチャートである。
【図４】本発明の第２の実施の形態を示す概略構成図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態を示す概略構成図である。
【図６】従来例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００８７】
１          反応室
３          ガス供給管
４          ガス供給管
５          ガス供給管
６          流量制御器
７          流量制御器
８          流量制御器
１０        基板ヒータ
１１        ウェーハ
１２        排気配管
１３        排気装置
１４        圧力制御機構
１５        トラップ装置
１７        制御装置
１９        第１圧力検知器
２０        第２圧力検知器
２２        ストップ弁
２３        ストップ弁
２５        入力装置
２６        表示部
２７        警報装置
２８        記憶装置
３１        第１開閉制御弁
３２        第２開閉制御弁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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