(57)【要約】【課題】  電極層、これを具備する発光素子及び電極層の製造方法を提供する。【解決手段】  ランタン系元素と金属元素とが結合された酸化物の固溶体を含むことを特徴とする電極層を提供し、これを具備する発光素子、例えばＬＥＤ、ＬＤを提供し、前記電極層の製造方法を提供する。前記電極層にＡｕまたはＡｕＬａとＬａＧａとのうち少なくとも何れか一つをさらに含みうる。【選択図】            図２
2005033207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランタン系元素と金属元素とが結合された酸化物の固溶体を含むことを特徴とする電極層。
【請求項２】
Ａｕをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電極層。
【請求項３】
ＡｕＬａとＬａＧａとのうち少なくとも何れか一つをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電極層。
【請求項４】
前記金属元素は、Ｎｉであることを特徴とする請求項１に記載の電極層。
【請求項５】
化合物半導体上に第１及び第２電極層が順次に積層されている電極層において、
前記第１電極層は、ランタン系元素と第１金属元素とを含む化合物層であることを特徴とする電極層。
【請求項６】
前記第１金属元素は、Ｎｉであることを特徴とする請求項５に記載の電極層。
【請求項７】
前記第２電極層は、金属層であることを特徴とする請求項５に記載の電極層。
【請求項８】
前記第２電極層は、導電性を有する透明な酸化物層であることを特徴とする請求項５に記載の電極層。
【請求項９】
前記金属層は、Ａｕ層、Ｐｄ層、Ｐｔ層、及びＲｕ層よりなる群から選択された何れか一つであることを特徴とする請求項７に記載の電極層。
【請求項１０】
前記酸化物層は、ＲｕＯ２層、ＩｒＯ２層、及びＩＴＯ層よりなる群から選択された何れか一つであることを特徴とする請求項８に記載の電極層。
【請求項１１】
ｎ型及びｐ型電極層の間に少なくともｎ型化合物半導体層、活性層、及びｐ型化合物半導体層を具備する発光素子において、
前記ｐ型電極層は、ランタン系元素と金属元素とが結合された酸化物の固溶体を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項１２】
前記ｐ型電極層にＡｕをさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記ｐ型電極層にＡｕＬａとＬａＧａとのうち少なくとも何れか一つをさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記金属元素は、Ｎｉであることを特徴とする請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１５】
ｎ型及びｐ型電極層の間に少なくともｎ型化合物半導体層、活性層、及びｐ型化合物半導体層を具備する発光素子において、
前記ｐ型電極層は、順次に積層された第１及び第２電極層を含み、
前記第１電極層は、ランタン系元素と第１金属元素とを含む化合物層であることを特徴とする発光素子。
【請求項１６】
前記第１金属元素は、Ｎｉであることを特徴とする請求項１５に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記第２電極層は、金属層であることを特徴とする請求項１５に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記第２電極層は、導電性を有する透明な酸化物層であることを特徴とする請求項１５に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記金属層は、Ａｕ層、Ｐｄ層、Ｐｔ層、及びＲｕ層よりなる群から選択された何れか一つであることを特徴とする請求項１７に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記酸化物層は、ＲｕＯ２層、ＩｒＯ２層、及びＩＴＯ層よりなる群から選択された何れか一つであることを特徴とする請求項１８に記載の発光素子。
【請求項２１】
化合物半導体層上に第１電極層を形成する段階と、
前記第１電極層上に第２電極層を形成する段階と、
前記第２電極層が形成された結果物をアニールする段階と、を含むが、
前記第１電極層は、ランタン系元素と第１金属元素とを含む化合物層で形成することを特徴とする電極層の形成方法。
【請求項２２】
前記第１金属元素は、Ｎｉであることを特徴とする請求項２１に記載の電極層の形成方法。
【請求項２３】
前記第２電極層は、金属層で形成することを特徴とする請求項２１に記載の電極層の形成方法。
【請求項２４】
前記第２電極層は、導電性を有する透明な酸化物層で形成することを特徴とする請求項２１に記載の電極層の形成方法。
【請求項２５】
前記金属層は、Ａｕ層、Ｐｄ層、Ｐｔ層、及びＲｕ層よりなる群から選択された何れか一つであることを特徴とする請求項２３に記載の電極層の形成方法。
【請求項２６】
前記酸化物層は、ＲｕＯ２層、ＩｒＯ２層、及びＩＴＯ層よりなる群から選択された何れか一つであることを特徴とする請求項２４に記載の電極層の形成方法。
【請求項２７】
前記電極層は、大気圧、空気雰囲気で３００℃〜７００℃で１０秒〜５分間アニールすることを特徴とする請求項２１に記載の電極層の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物質層とその製造方法及び前記物質層を具備する素子に係り、より詳細には、電極層とその製造方法及びこれを具備する発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ(Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ)とＬＤ(Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ)のような発光素子は、駆動電圧が低いものが望ましい。また、低い駆動電圧でより高い光放出効率を得るものが望ましい。
【０００３】
駆動電圧を低めるために、電極層と活性層間との間に変形された物質層を有する発光素子が広く使われている。前記変形された物質層は、前記発光素子の電極層から活性層までの電流流入経路の幅を制限する。その結果、活性層の制限された領域でだけ光が放出される。発光素子の駆動電圧を低めるためには何より電極層をはじめとして電極層と活性層の間に形成された前記変形された物質層の抵抗を低めることが先行されねばならない。
【０００４】
特に、電極層は光放出のための電流が通過する物質層であり、かつ化合物半導体層、例えば、ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層とオーム接触されているので、電極層の抵抗を低めることが発光素子の駆動電圧を低めるのに非常に重要である。
【０００５】
図１は、発光素子に使われる従来技術による電極層の断面を示す。図１を参照すれば、ｐ型化合物半導体層１０上に第１及び第２電極層１２、１４が順次に形成されている。第１及び第２電極層１２、１４は、それぞれＮｉ層及びＡｕ層である。
【０００６】
このように電極層をニッケル層及び金層（金製の層）で構成する場合、電極層の抵抗が高く、透過率が低いため、その使用が制限される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は前記問題点を改善するためになされたものであって、本発明が解決しようとする技術的課題は、抵抗が低く、透過率が高い電極層を提供することである。
【０００８】
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、前記電極層を具備する発光素子を提供することである。
【０００９】
本発明が解決しようとするまた他の技術的課題は、前記電極層の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記技術的課題を達成するために、本発明は、ランタン系元素と金属元素とが結合された酸化物の固溶体を含むことを特徴とする電極層を提供する。
【００１１】
本発明の実施の形態によれば、前記電極層にＡｕをさらに含みうる。
【００１２】
本発明の他の実施の形態によれば、前記電極層にＡｕＬａとＬａＧａとのうち少なくとも何れか一つをさらに含みうる。
【００１３】
本発明は、さらに前記技術的課題を達成するために、化合物半導体上に第１及び第２電極層が順次に積層されている電極層において、前記第１電極層は、ランタン系元素と第１金属元素とを含む化合物層であることを特徴とする電極層を提供する。
【００１４】
前記第１金属元素はＮｉであり、前記第２電極層は金属層または導電性を有する透明な酸化物層である。この時、前記金属層は、Ａｕ層、Ｐｄ層、Ｐｔ層、及びＲｕ層よりなる群から選択された何れか一つであり、前記酸化物層は、ＲｕＯ２層、ＩｒＯ２層、及びＩＴＯ層よりなる群から選択された何れか一つでありうる。
【００１５】
前記他の技術的課題を達成するために、本発明は、ｎ型及びｐ型電極層の間に少なくともｎ型化合物半導体層、活性層、及びｐ型化合物半導体層を具備する発光素子において、前記ｐ型電極層はランタン系元素と金属元素とが結合された酸化物の固溶体を含むことを特徴とする発光素子を提供する。
【００１６】
前記金属元素はＮｉであり、前記ｐ型電極層にＡｕ、またはＡｕＬａとＬａＧａとのうち少なくとも何れか一つをさらに含みうる。
【００１７】
本発明は、さらに前記他の技術的課題を達成するために、ｎ型及びｐ型電極層の間に少なくともｎ型化合物半導体層、活性層、及びｐ型化合物半導体層を具備する発光素子において、前記ｐ型電極層は、第１及び第２電極層が順次に積層されているものであるが、前記第１電極層は、ランタン系元素と第１金属元素とを含む化合物層であることを特徴とする発光素子を提供する。
【００１８】
ここで、前記第１金属元素と前記第２電極層として使用できる金属層または酸化物層は前記のようである。
【００１９】
本発明は、さらに前記他の技術的課題を達成するために、化合物半導体層上に第１電極層を形成する段階と、前記第１電極層上に第２電極層を形成する段階と、及び前記第２電極層が形成された結果物をアニールする段階と、を含むが、前記第１電極層は、ランタン系元素と第１金属元素とを含む化合物層で形成することを特徴とする電極層の形成方法を提供する。
【００２０】
ここで、前記第１金属元素はＮｉであり、前記第２電極層は金属層あるいは導電性を有する透明な酸化物層で形成する。この時、前記金属層及び前記酸化物層は前記のようである。
【００２１】
前記結果物は、大気圧、空気雰囲気で３００℃〜７００℃、望ましくは４００℃〜６００℃、さらに望ましくは５５０℃でアニールするが、１０秒〜５分間、望ましいくは１分間アニールする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の電極層は、従来の電極層に比べて抵抗が低くて透過率が高いという特性を有している。したがって、発光素子の電極層として本発明の電極層を使用する場合、該当発光素子の駆動電圧は低くなり、透過率は高まるようになって、前記該当発光素子の発光効率は従来よりはるかに高まる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態による電極層とこれを具備する発光素子と前記電極層の製造方法を添付した図面に基づいて詳細に説明する。
【００２４】
まず、本発明の実施例による電極層について説明する。
【実施例１】
【００２５】
図２を参照すれば、ｐ型化合物半導体層１０上に第１電極物質層４０が形成されている。ｐ型化合物半導体層１０は、ｐ型ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層であって、望ましくは、ｐ型ＧａＮ層でありうる。第１電極物質層４０は、少なくともランタン系元素、例えばＬａと所定の金属、例えばＮｉを含む酸化物固溶体層(以下、ランタン−ニッケル酸化物(ＬａｘＮｉＹＯＺ)固溶体層という）である。前記ランタン−ニッケル酸化物固溶体層は、例えばＬａ２ＮｉＯ４またはＬａＮｉＯ３である。
【実施例２】
【００２６】
図３を参照すれば、ｐ型化合物半導体層１０上に第２電極物質層４２が形成されている。第２電極物質層４２は、第１電極物質層４０に所定の金属をさらに含むものである。例えば、第２電極物質層４２は、前記ランタン−ニッケル酸化物固溶体層にＡｕをさらに含むものでありうる。
【００２７】
一方、前記金の代りにＰｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、及びＡｇよりなる群から選択された何れか一つを前記ランタン−ニッケル酸化物固溶体に含まれうる。
【実施例３】
【００２８】
図４を参照すれば、ｐ型化合物半導体層１０上に第３電極物質層４４が形成されている。第３電極物質層４４は、第１電極物質層４０に所定の化合物をさらに含むものである。例えば、第３電極物質層４４は、前記ランタン−ニッケル酸化物固溶体層に金を含む第１ランタン化合物とＧａを含む第２ランタン化合物とをさらに含むものでありうる。この時、前記第１ランタン化合物は、ランタン系元素のうち一つ、例えば、Ｌａを含むＬａＡｕである。前記第２ランタン化合物は、ランタン系元素のうち一つ、例えば、Ｌａを含むＬａＧａである。
【実施例４】
【００２９】
第１ないし第３実施例とは異なり、本発明の第４実施例による電極層は図５に示したように複層で構成できる。
【００３０】
具体的に、図５を参照すれば、ｐ型化合物半導体層１０上に第４電極物質層４６が形成されている。そして、第４電極物質層４６上に第５電極物質層４８が形成されている。
【００３１】
第４電極物質層４６は、ランタン系元素のうち一つ、例えば、Ｌａと所定の金属、例えばＮｉを含む化合物層である。そして、第５電極物質層４８は、所定の金属層または透過性及び導電性を有する酸化物層である。この時、前記金属層は、金層であることが望ましいが、他の金属層、例えば、Ｐｔ層、Ｐｄ層、Ｒｕ層、Ｉｒ層、及びＡｇ層よりなる群から選択された何れか一つであってもよい。そして、前記導電性を有する透明酸化物層はＲｕＯ２、ＩｒＯ２、及びＩＴＯ(Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ)膜よりなる群から選択された何れか一つでありうる。
【００３２】
次に、前述した本発明の実施例による電極層の抵抗及び透過性特性実験について説明する。
【００３３】
<第１実験>
本発明者は電極層の抵抗特性を測定するために、ｐ型ＧａＮ層上にランタン−ニッケル化合物層を８ｎｍの厚さに形成した後、前記ランタン−ニッケル化合物層上に金層を８ｎｍの厚さに形成して電極層を形成した。
【００３４】
本発明者はこのように形成した電極層に対する抵抗特性を４つの場合に区分して測定した。また、前記電極層に対する電流-電圧特性を測定する、間接的な方法で前記電極層に対する抵抗を測定した。
【００３５】
第１の場合において、前記電極層に対する電流-電圧特性は、前記電極層の形成直後に測定した。
【００３６】
第２の場合において、前記電極層に対する電流-電圧特性は、前記電極層を３５０℃で所定時間加熱した後に測定した。
【００３７】
第３及び第４の場合において、前記電極層に対する電流-電圧特性は、前記電極層を４５０℃及び５５０℃で所定時間加熱の後に測定した。
【００３８】
図６は、前記第１ないし第４の場合で測定した結果を示すグラフであって、図形“■”は前記第１の場合に対する測定結果を示し、図形“●”、“▲”、及び“▼”はそれぞれ前記第２ないし第４の場合に対する測定結果を示す。
【００３９】
図６を参照すれば、前記第１の場合から前記第４の場合に行くほどグラフの傾度が大きくなるが、これは加熱温度が高いほど電極層を通過する電流が増加することを意味するものであって、すなわち前記第４の場合に行くほど電極層の抵抗が低くなるということを意味する。
【００４０】
本発明者は、このような本発明の電極層の抵抗特性が従来技術による電極層の抵抗特性より優秀である点を検証するための第１実験を実施し、その結果は図７に示した。図７において参照符号Ｇ１は、従来技術による電極層に対する第１実験結果を示す第１グラフであり、Ｇ２は本発明の電極層に対する前記第１実験結果を示す第２グラフである。
【００４１】
本発明者は、前記第１実験で本発明による電極層を５ｎｍのランタン−ニッケル化合物層と５ｎｍの金層とを順次に積層して形成した。そして、従来の電極層は５ｎｍのニッケル層と５ｎｍの金層とを順次に積層して形成した。
【００４２】
前記第１実験は、大気圧、５００℃で１分間加熱した前記本発明の電極層及び従来の電極層を対象に行った。
【００４３】
図７の第１及び第２グラフＧ１、Ｇ２を参照すれば、任意の電圧で測定された本発明の電極層に対する電流は、従来技術による電極層に対する電流より常に大きくなることが分かる。これは前記本発明の電極層の抵抗が前記従来技術による電極層の抵抗より常に低いということを意味する。
【００４４】
<第２実験>
次に、本発明者は、本発明の電極層及び従来技術による電極層の透過性を比較するための第２実験を行った。前記第２実験に対する結果を図８に示す。図８で参照符号Ｇ３は前記従来技術による電極層に対する前記第２実験結果を示し、参照符号Ｇ４は前記本発明の電極層に対する前記第２実験結果を示す。
【００４５】
前記第２実験において、本発明者は、ｐ型ＧａＮ層上に５ｎｍのランタン−ニッケル化合物層と４ｎｍの金層とを順次に形成する方法で前記本発明の電極層を形成した。また、本発明者は、ｐ型ＧａＮ層上に５ｎｍのニッケル層と４ｎｍの金層とを順次に形成する方法で前記従来技術による電極層を形成した。
【００４６】
本発明者は、このように形成された前記本発明の電極層及び従来技術による電極層を大気圧、５５０℃で１分間加熱し、このように加熱された電極層を対象に前記第２実験を行った。前記第２実験で可視光領域に属する光を透過用光として使用した。
【００４７】
図８の第３及び第４グラフＧ３、Ｇ４を参照すれば、前記第２実験に使われたあらゆる光で前記本発明の電極層の透過率が前記従来技術による電極層の透過率より常に大きくなることが分かる。
【００４８】
前述したように、本発明の電極層の方が抵抗特性及び透過率特性のいずれについても従来技術による電極層の抵抗特性及び透過率特性よりも優れていることが分かる。したがって、本発明の電極層を発光素子、例えば、ＬＥＤやＬＤの電極層として使用する場合、該当発光素子の駆動電圧を低めつつ放出される光量は増加させることができるため、該当発光素子の発光効率を一層高めうる。
【００４９】
次は前述した本発明の電極層が備わった発光素子に対する例であって、本発明の電極層が備わったレーザーダイオード(ＬＤ)について説明する。
【００５０】
図９は、ｎ型及びｐ型電極層が全て同じ方向に備わったＬＤを示す。
【００５１】
図９を参照すれば、サファイア基板１００上に第１ｎ型化合物半導体層１０２、例えばｎ型ＧａＮ層が形成されている。第１ｎ型化合物半導体層１０２の所定領域上にｎ型電極層１２０が形成されている。第１ｎ型化合物半導体層１０２の残り領域は上方に突出されている。第１ｎ型化合物半導体層１０２の前記突出された領域上に第２ｎ型化合物半導体層１０４、例えばｎ−ＡｌＧａＮ/ＧａＮ層が形成されている。この層上に第２ｎ型化合物半導体層１０４より屈折率の高いｎ型導波層１０６、例えばn-ＧａＮ層、ｎ型導波層１０６より屈折率の高い活性層(InＧａＮ層)１０８、活性層１０８より屈折率の低いｐ型導波層１１０、例えばp-ＧａＮ層を含む共振器層が形成されている。ｐ型導波層１１０上にこれより屈折率の低い第１ｐ型化合物半導体層１１２、例えばｐ−ＡｌＧａＮ/ＧａＮ層が形成されている。第１ｐ型化合物半導体層１１２の上部の中央にリッジ部１１２ａが存在する。第１ｐ型化合物半導体層１１２のリッジ部１１２ａ上に第２ｐ型化合物半導体層１１４、例えばｐ型ＧａＮ層が形成されている。リッジ部１１２ａの全面は保護膜１１６で覆われている。保護膜１１６は、第２ｐ型化合物半導体層１１４の一部と接触されている。保護膜１１６上に第２ｐ型化合物半導体層１１４の露出された全面と接触するｐ型電極層１１８が形成されている。ｐ型電極層１１８は、図２ないし図５に示した電極層のうち一つである。
【００５２】
図１０は、ｎ型及びｐ型電極層が対向するように備わったＬＤを示す。
【００５３】
図１０を参照すれば、ｎ型電極層２９０上に基板３００が形成されている。基板３００はｎ型化合物半導体層であって、n-ＧａＮ層が望ましい。基板３００上にｎ型クラッド層３０２、レーザー光が放出されて多重量子井戸(ＭＱＷ)構造を有する活性層３０４及びｐ型第１クラッド層３０６が順次に積層されている。ｎ型クラッド層３０２は、活性層３０４より屈折率の低いｎ型化合物半導体層であって、例えばｎ−ＡｌＧａＮ層でありうる。ｐ型第１クラッド層３０６は、活性層３０４より屈折率の低いｐ型化合物半導体層であって、例えばｐ−ＩｎＡｌＧａＮ層である。活性層３０４、ｎ型クラッド層３０２、及びｐ型第１クラッド層３０６はレーザー放出のための共振器層をなす。ｐ型第１クラッド層３０６上に第１及び第２電流遮断層３０８ａ、３０８ｂが形成されている。第１及び第２電流遮断層３０８ａ、３０８ｂは、所定距離Ｃだけ離隔されている。第１及び第２電流遮断層３０８ａ、３０８ｂの間にレーザー放出のための電流が流入され、他の部分では遮断される。結局、第１及び第２電流遮断層３０８ａ、３０８ｂは、離隔された距離Ｃに該当する幅を有するチャンネル領域を定義する。第１及び第２電流遮断層３０８ａ、３０８ｂ上にチャンネル領域を通じて露出されるｐ型第１クラッド層３０６と接触するｐ型第２クラッド層３１０が形成されている。ｐ型第１及び第２クラッド層３０６、３１０は同じｐ型化合物半導体層である。ｐ型第２クラッド層３１０上にコンタクト層として使われる平面のｐ型化合物半導体層３１２が形成されている。ｐ型化合物半導体層３１２はp-ＧａＮ層であることが望ましい。ｐ型化合物半導体層３１２上にオーム接触するｐ型電極層３１４が形成されている。ｐ型電極層３１４は、図２ないし図５に示した電極層のうち一つである。
【００５４】
図１１は、Ｎ型及びＰ型電極層が対向するように備わったＬＤであって、図１０に示したものと異なる例を示す。
【００５５】
図１１を参照すれば、高抵抗性基板４００、例えばサファイア基板上にｎ型化合物半導体層４０２が形成されている。ｎ型化合物半導体層４０２は、ＧａＮ系列のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層であって、直接遷移型であることが望ましく、特にn-ＧａＮ層であることが望ましい。高抵抗性基板４００に入口が下方に形成されたビアホール４０４が形成されている。ｎ型化合物半導体層４０２の底面一部はこのようなビアホール４０４を通じて露出される。ビアホール４０４を通じて露出されるｎ型化合物半導体層４０２の一部領域と接触する導電層４０６が高抵抗性基板４００の底面に形成されている。導電層４０６はｎ型電極層として使われる。ｎ型化合物半導体層４０２上にｎ型クラッド層４０８が形成されている。ｎ型クラッド層４０８上に共振器層を構成する第１導波層５００、活性層５０２及び第２導波層５０４が順次に形成されている。第１及び第２導波層５００、５０４はＧａＮ系列のＩＩＩ−Ｖ族窒化物化合物半導体層であって、それぞれはn-ＧａＮ層及びp-ＧａＮ層であることが望ましい。活性層５０２はＩＩＩ−Ｖ族窒化物化合物半導体層、例えばインジウム(Ｉｎ)を所定割合で含有するＩｎＧａＮ層である。活性層５０２の屈折率は第１及び第２導波層５００、５０４より高い。第２導波層５０４上にｐ型クラッド層５０６が形成されている。ｐ型クラッド層５０６上部の中央は突出されている。ｐ型クラッド層５０６の前記突出された部分の上面にｐ型化合物半導体層５０８が形成されている。ｐ型化合物半導体層５０８はp-ＧａＮ層であることが望ましい。ｐ型クラッド層５０６の全面は保護膜５１０で覆われており、保護膜５１０はｐ型化合物半導体層５０８の両側と接触する。保護膜５１０上にｐ型化合物半導体層５０８の露出された部分と接触するｐ型電極層５１２が形成されている。この時、ｐ型電極層５１２は、図２ないし図５に示した電極層のうち何れか一つであるが、図２ないし図４に示した電極層のうち何れか一つであることが望ましい。
【００５６】
次に、本発明の実施の形態による電極層の製造方法について説明する。
【００５７】
図１２を参照すれば、まず、ｐ型化合物半導体層６００、例えばｐ型ＧａＮ層上に第１電極層６１０を形成する。第１電極層６１０は化合物層であって、少なくともランタン系元素のうち一つ、例えばＬａと所定の金属、例えばＬａＮｉで形成する。この時、第１電極層６１０は１Å〜１０，０００Åの厚さに形成する。
【００５８】
このように、第１電極層６１０を形成した後、第１電極層６１０上に１Å〜５０，０００Åの厚さに第２電極層６２０を形成する。第２電極層６２０は金属層で形成することが望ましいが、透光性及び導電性を有する酸化物層で形成してもよい。この時、第２電極層６２０を前記金属層で形成する場合、第２電極層６２０はＡｕ層で形成することが望ましいが、パラジウム層、白金層、ルテニウム層で形成してもよい。また、第２電極層６２０を前記透光性及び導電性を有する酸化物層で形成する場合、第２電極層６２０はルテニウム酸化膜またはイリジウム酸化膜で形成できる。
【００５９】
このように、第２電極層６２０を形成した後、その結果物を大気圧の空気雰囲気で熱処理する。前記熱処理は３００℃〜７００℃、望ましくは４００℃〜６００℃、さらに望ましくは５５０℃で１０秒〜５分、望ましくは１分ほど実施する。
【００６０】
前記熱処理過程で第１及び第２電極層６１０、６２０を構成する成分が互いに混合されながら一部の成分、例えば第１電極層６１０を構成する成分は酸化される。この結果、ｐ型化合物半導体層６００上に単一電極層６３０が形成される。単一電極層６３０は所定の酸化物固溶体層であって、例えば、ランタン−ニッケル酸化物(ＬａｘＮｉＹＯＺ)固溶体層またはＡｕが含まれたランタン−ニッケル酸化物固溶体層またはＡｕＬａとＬａＧａが含まれたランタン−ニッケル酸化物固溶体層でありうる。前記ランタン−ニッケル酸化物固溶体層は、例えばＬａ２ＮｉＯ４またはＬａＮｉＯ３である。
【００６１】
一方、このような電極層製造方法は図９ないし図１１に示した発光素子を製造する方法にそのまま適用できる。
【００６２】
前記の説明で多くの事項が具体的に記載されているが、これは発明の範囲を限定するものではなく、望ましい実施の例示として解釈せねばならない。例えば、当業者ならば、図９ないし図１１に示した発光素子と他の発光素子にも本発明の電極層を具備でき、発光素子ではなくても低抵抗を要求する電極が必要な素子に使われうる。したがって、本発明の範囲は説明された実施の形態によって決まるべきではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想により決まるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明は、ＬＥＤ及び／またはＬＤが使われるあらゆる装置分野、例えば光記録及び再生装置分野あるいは発光表示装置分野に広く使われうる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】従来技術による電極層を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例１による電極層を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例２による電極層を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例３による電極層を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例４による電極層を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例による電極層の電流-電圧特性を示すグラフである。
【図７】従来技術及び本発明の実施例による電極層の電流−電圧特性を示すグラフである。
【図８】従来技術及び本発明の実施例による電極層の波長対透過率の変化を示すグラフである。
【図９】本発明の実施例による電極層が備わった実施例１による発光素子を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施例による電極層が備わった実施例２による発光素子を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施例による電極層が備わった実施例３による発光素子を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施例による電極層の製造方法を段階別に示す断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１０  ｐ型化合物半導体層
４０  第１電極物質層
４２  第２電極物質層
４４  第３電極物質層
４６  第４電極物質層
４８  第５電極物質層
【図１】
2005033207.tif 000003
【図２】
2005033207.tif 000004
【図３】
2005033207.tif 000005
【図４】
2005033207.tif 000006
【図５】
2005033207.tif 000007
【図６】
2005033207.tif 000008
【図７】
2005033207.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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