(57)【要約】【課題】  外部端子のスクリーニングの精度を向上し、外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止する。【解決手段】  半導体装置本体１ａのテープ基板３のバンプランドに外部端子としての半田ボール５を接合した後、粘着ローラや粘着テープ２１のような粘着物を半田ボール５に接触させてから移動させることで、半田ボール５のうちの未接合半田ボール５ｂを除去し、半田ボール５のスクリーニングを行う。あるいは、ノズルから吐出された流体を半田ボール５に衝突させることで、半田ボール５のうちの未接合半田ボール５ｂを除去し、半田ボール５のスクリーニングを行う。【選択図】  図１１
2005158944.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを有した半導体装置本体に複数の外部端子を接合する工程と、
前記複数の外部端子に粘着物を接触させてから前記粘着物を移動させて、前記外部端子のうち前記半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体チップを有した半導体装置本体に複数の外部端子を接合する工程と、
前記複数の外部端子に流体を衝突させて、前記外部端子のうち前記半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体チップを有した半導体装置本体に複数の外部端子を接合する工程と、
前記複数の外部端子にそれぞれ対応する複数の部材を用意し、前記複数の部材をそれぞれ対応する前記外部端子に接触させて外力を印加し、前記外部端子のうち前記半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体チップを有した半導体装置本体に複数の外部端子を接合する工程と、
前記半導体装置本体を吸着しながら前記複数の外部端子に外力を印加して、前記外部端子のうち前記半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体チップを有した半導体装置本体に複数の外部端子を接合する工程と、
加熱しながら前記複数の外部端子に外力を印加して、前記外部端子のうち前記半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、ボール電極のような外部端子を接合した構造を有する半導体装置の製造技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路が形成された半導体チップを有する半導体装置において、外部端子として半田などからなるボール電極（半田ボール）が設けられ、かつ半導体チップを支持するチップ支持基板（例えば、テープ基板など）を備えたものの一例として、ＣＳＰ（Chip Size Package）と呼ばれるチップサイズもしくは半導体チップより僅かに大きい程度の小形の半導体パッケージが知られている。
【０００３】
前記ＣＳＰの主な組み立て工程は、半導体チップ（ペレット）をテープ基板にマウントするダイボンディング工程、半導体チップの表面電極とテープ基板の接続端子とを接続するワイヤボンディング工程、半導体チップを樹脂封止するモールド工程、外部端子である半田ボールをテープ基板の所定箇所に整列させて配置するボール付け工程、半田ボールをテープ基板のバンプランドに接続するリフロー工程、多数個取り基板を個片に切断するテープカット工程などである。
【０００４】
前記した技術のＣＳＰの組み立てにおいては、リフロー工程で半田ボールをテープ基板のバンプランドに接続する際に、バンプランドと半田ボールとの間に異物が入り込んでいると、半田とバンプランドとの合金層形成が阻害され、その結果、このような半田ボールは、バンプランドに未接合状態となる。これにより、未接合状態で後工程に流れると、後工程の途中で半田ボールが欠落して、その結果、半田ボール未接合による不良が後工程で発見されることが問題となる。つまり、半田ボール未接合による不良品が後工程に流出すると、後工程での作業効率が低下することが問題となる。さらに、半田ボール未接合による不良品が客先に流出する場合があり、その結果、製品の信頼性が低下することが問題となる。このため、ボール電極未接合による不良品の後工程への流出防止と製品の信頼性向上を図ることが望まれる。
【０００５】
特開２００１−３５８１６３号公報には、リフローによってＣＳＰ本体のテープ基板に複数の半田ボールを設け、その後、半田ボールのうちテープ基板に接合していない未接合半田ボールを移動させることが可能な移動力を付与するとともに半田より柔らかい材料からなる導電性の弾性シート部材を用い、弾性シート部材をそれぞれの半田ボールに接触させて前記移動力を付与して未接合半田ボールを除去することにより、ボール電極未接合による不良品の後工程への流出を防止する技術が記載されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−３５８１６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者の検討によれば、次のことが分かった。
【０００７】
例えばゴムシートのような弾性シートなどを用いて半田ボールに横からの剪断力（移動力）を与えて半田ボールのスクリーニングを行った場合は、各半田ボールに作用する剪断力（移動力）が均一にならずに、スクリーニング工程後に未接合半田ボールの一部が除去されずにテープ基板のバンプランド上に残存してしまう可能性がある。これは、半田ボールのスクリーニングの精度を低下させる可能性がある。このため、半田ボールのスクリーニングの精度を更に向上し、半田ボール未接合による不良品の後工程への流出をより確実に防止することが望まれる。
【０００８】
本発明の目的は、外部端子のスクリーニングの精度を向上し、半導体装置の外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止できる技術を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１１】
本発明は、半導体装置本体に接合した外部端子に粘着物を接触させてから粘着物を移動させ、外部端子のうち半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去して、外部端子のスクリーニングを行うものである。
【００１２】
また、本発明は、半導体装置本体に接合した外部端子に流体を衝突させて、外部端子のうち半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去して、外部端子のスクリーニングを行うものである。
【００１３】
また、本発明は、半導体装置本体に接合した複数の外部端子にそれぞれ対応する複数の部材を接触させて外力を印加し、外部端子のうち半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去して、外部端子のスクリーニングを行うものである。
【００１４】
また、本発明は、半導体装置本体を吸着しながら、半導体装置本体に接合した外部端子のスクリーニングを行うものである。
【００１５】
また、本発明は、半導体装置本体を加熱しながら、半導体装置本体に接合した外部端子のスクリーニングを行うものである。
【発明の効果】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１７】
半導体装置本体に接合した外部端子に粘着物を接触させてから粘着物を移動させ、外部端子のうち半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去して、外部端子のスクリーニングを行うことにより、外部端子のスクリーニングの精度を向上することができる。また、外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止することができる。
【００１８】
また、半導体装置本体に接合した外部端子に流体を衝突させて、外部端子のうち半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去して、外部端子のスクリーニングを行うことにより、外部端子のスクリーニングの精度を向上することができる。また、外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止することができる。
【００１９】
また、半導体装置本体に接合した複数の外部端子にそれぞれ対応する複数の部材を接触させて外力を印加し、外部端子のうち半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去して、外部端子のスクリーニングを行うことにより、外部端子のスクリーニングの精度を向上することができる。また、外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止することができる。
【００２０】
また、半導体装置本体を吸着しながら、半導体装置本体に接合した外部端子のスクリーニングを行うことにより、外部端子のスクリーニングの精度を向上することができる。また、外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止することができる。
【００２１】
また、半導体装置本体を加熱しながら、半導体装置本体に接合した外部端子のスクリーニングを行うことにより、外部端子のスクリーニングの精度を向上することができる。また、外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションに分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２４】
また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。
【００２５】
（実施の形態１）
本実施の形態の半導体装置の製造方法を図面を参照して説明する。
【００２６】
図１は、本実施の形態の半導体装置の製造方法に従って製造された半導体装置の一例であるＣＳＰ（Chip Size Package）形態の半導体装置の構造を示す断面図である。図２は、本実施の形態の半導体装置の製造工程（製造方法）の一例を示す製造プロセスフロー図であり、図３〜図９は、本実施の形態の半導体装置の製造工程（製造方法）を示す断面図（要部断面図）である。なお、図３〜図９は、図２の製造プロセスフロー図の各工程に対応する断面図が示されている。
【００２７】
本実施の形態の半導体装置の製造方法は、例えばボール電極（半田ボール）のような外部端子を接合した構造の半導体装置の組み立てに関するものである。なお、本実施の形態では、図１に示されるような、例えばチップサイズもしくは半導体チップ２より僅かに大きい程度の小形の半導体パッケージであるＣＳＰ形態の半導体装置１に本発明を適用した場合について説明する。
【００２８】
まず、図１に示される半導体装置１の構造について説明する。図１に示される半導体装置１は、半導体チップ２と、半導体チップ２を支持するチップ支持基板であるテープ基板３と、半導体チップ２の表面の複数の電極（ボンディングパッド、パッド電極）２ａとこれに対応するテープ基板３の接続端子３ｃとを電気的に接続するボンディングワイヤ４と、テープ基板３のチップ支持面３ａと反対側の面（以降、この面を裏面３ｂという）に外部端子としてエリアアレイ配置で設けられた複数の半田ボール（ボール電極）５と、テープ基板３と半導体チップ１との間に配置されたダイボンド材（接合材）６と、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を樹脂封止して形成された封止部７とを備えている。
【００２９】
半導体チップ２は、例えば、単結晶シリコンなどからなる半導体基板（半導体ウエハ）に種々の半導体素子または半導体集積回路を形成した後、必要に応じて半導体基板の裏面研削を行ってから、ダイシングなどにより半導体基板を各半導体チップ２に分離したものである。半導体チップ２は、その表面（半導体素子形成側の主面）２ｂが上方を向くようにテープ基板３のチップ支持面３ａ上に配置され、半導体チップ２の裏面（半導体素子形成側の面とは逆側の主面）２ｃがテープ基板３のチップ支持面３ａにダイボンド材６を介して接着され固定されている。半導体チップ２をテープ基板３に固定しているダイボンド材６は、例えば、絶縁性の接着層であるが、導電性のペースト材などを用いてもよい。半導体チップ２の表面２ｂには、複数の電極２ａが形成されており、電極２ａは、半導体チップ２内部または表層部分に形成された半導体素子または半導体集積回路に電気的に接続されている。
【００３０】
テープ基板３には、例えば、ポリイミドなどからなるテープ基材３ｆ上に銅箔材などによって形成されたバンプランド３ｇや配線リード３ｅおよび接続端子３ｃが設けられており、そのうち接続端子３ｃはボンディングワイヤ４との接続用に露出し、バンプランド３ｇや配線リード３ｅは絶縁膜であるレジスト膜３ｄによって覆われている。
【００３１】
半導体チップ２の電極２ａは、例えば金（Ａｕ）線などの金属細線などからなるボンディングワイヤ４を介してテープ基板３のチップ支持面３ａに形成された接続端子３ｃと電気的に接続され、さらに、テープ基板３において、この接続端子３ｃと、外部端子である半田ボール５が搭載されたバンプランド３ｇとが配線リード３ｅによって接続されている。
【００３２】
封止部７は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止部７を形成することができる。封止部７により、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４が封止され、保護される。
【００３３】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法を、図２に示される製造プロセスフロー図および図３〜図９に示される断面図に従って説明する。なお、本実施の形態では、複数のテープ基板３が繋がって形成された多連のテープ状の多数個取り基板１３を用いて個々の半導体装置１を製造する場合について説明する。
【００３４】
主面に所望の半導体素子または半導体集積回路が形成された半導体チップ２を準備し、さらに、半導体チップ２を支持可能なチップ支持面３ａを個々に備えた複数のテープ基板３が形成された多連のテープ状の多数個取り基板１３を準備する。
【００３５】
次に、図３に示されるように、テープ基板３のチップ支持面３ａ上にダイボンド材６を介して半導体チップ２を接合（チップマウント、ダイボンディング）する（ステップＳ１）。例えば、テープ基板３のチップ支持面３ａのほぼ中央部にダイボンド材６を塗布してチップ固定用の接着層を形成し、ダイボンド材６上に半導体チップ２を載置し、加熱などを行って、ダイボンド材６と半導体チップ２の裏面２ｃとを接合する。
【００３６】
次に、図４に示されるように、ワイヤボンディング工程を行って、半導体チップ２の各電極２ａと、これに対応するテープ基板３に形成された接続端子３ｃとをボンディングワイヤ４を介して電気的に接続する（ステップＳ２）。
【００３７】
次に、図５に示されるように、モールド工程（例えばトランスファモールド工程）による樹脂封止を行って封止部７を形成し、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を封止部７によって封止する（ステップＳ３）。封止部７は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止部７を形成することができる。
【００３８】
次に、図６に示されるように、マーキングを行って、封止部７の表面に製品番号などのマーク１７を付す（ステップＳ４）。
【００３９】
次に、図７に示されるように、半導体チップ２を有した半導体装置本体（ＣＳＰ本体）１ａのテープ基板３に、外部端子としての複数の半田ボール５を配置する。ここでは、多数個取り基板１３のテープ基板３の裏面３ｂを上方に向け、そこに、半田ボール５を供給して、ボール付けを行う（ステップＳ５）。その際、所定位置にマトリクス状に複数の貫通孔が形成されたマスク部材などを用いて複数の半田ボール５をテープ基板３の裏面３ｂ上の所定箇所に整列させて配置する。
【００４０】
なお、各半田ボール５には、フラックスを塗布し、このフラックスによって半田ボール５を仮固定する（転写する）。ここで、フラックスは、半田の酸化皮膜を除去するとともに、再酸化を防止して表面の清浄度を保つものである。
【００４１】
次に、図８に示されるように、半導体装置本体１ａのテープ基板３に複数の半田ボール５を設けるリフロー処理を行う（ステップＳ６）。ここでは、それぞれの半田ボール５がフラックスによって仮固定された多連のテープ状の多数個取り基板１３を図示しないリフロー炉などに通し、これによって、半田を溶融して半田ボール５とバンプランド３ｇとを接合する。このようにして、半導体装置本体１ａに外部端子としての半田ボール５が接合される。
【００４２】
次に、フラックス洗浄を行って、テープ基板３の裏面３ｂに設けられた各半田ボール５を洗浄し、これによって、半田ボール５の表面に付いたフラックスを取り除く（ステップＳ７）。
【００４３】
次に、外部端子である半田ボール５のスクリーニングを行う（ステップＳ８）。すなわち、ステップＳ６のリフロー工程とステップＳ７のフラックス洗浄工程とを終えた多数個取り基板１３上の半導体装置本体１ａに接合された（設けられた）半田ボール５のうち、テープ基板３のバンプランド３ｇに接合していない未接合半田ボール（未接合の外部端子、後述する未接合半田ボール５ｂに対応）をスクリーニングによって取り除くものである。
【００４４】
未接合半田ボール（未接合半田ボール５ｂ）は、例えば、リフローによる半田接続を行う際に、テープ基板３のバンプランド３ｇと半田ボール５との間に異物などが入り込んでいると、半田とバンプランド３ｇとの合金層形成が阻害され、その結果、正常に接合されずに未接合状態（この状態は、見かけ上ではバンプランド３ｇ上に配置されているが、極小さな荷重によって動く程度に配置された状態のこと）となってしまった半田ボールのことである。ステップＳ８に示すスクリーニング工程においては、半田ボール５のうち半導体装置本体１ａ（のテープ基板３のバンプランド３ｇ）に接合していない未接合半田ボールを移動（欠落）させることが可能な移動力（外力）を付与する移動力付与手段（例えば後述する粘着テープ２１や粘着ローラ２２）を用い、その移動力付与手段によって半田ボール５に移動力（外力）を付与して未接合半田ボールを除去することで、未接合半田ボールをスクリーニングすることができる。
【００４５】
次に、図９に示されるように、多連のテープ状の多数個取り基板１３においてそれぞれの半導体装置領域（ＣＳＰ領域）を切断して個々の（個片化された）半導体装置本体１ａ、すなわち半導体装置（ＣＳＰ）１に切断分離するテープカットを行う（ステップＳ９）。すなわち、切断・個片化を行って、図１に示されるような半導体装置１を製造することができる。
【００４６】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造工程における上記ステップＳ８のスクリーニング工程についてより詳細に説明する。図１０〜図１２は、本実施の形態におけるスクリーニング工程の説明図である。
【００４７】
本実施の形態では、ステップＳ５およびステップＳ６で半導体装置本体１ａ（のテープ基板３のバンプランド３ｇ）に外部端子としての半田ボール５を接合した後、ステップＳ８に示すスクリーニング工程において、粘着物を半田ボール５に接触させてから移動させることで、半田ボール５のうちの未接合半田ボール５ｂを除去する。例えば、図１０に示されるように、ステージ（載置台）２０上にテープ基板３（多数個取り基板１３）を半田ボール５が上方を向くように配置し、その表面に粘着材を付与するなどして粘着面（粘着性の表面）２１ａを有する粘着テープ（粘着テープ材）２１を準備し、この粘着テープ２１の粘着面２１ａをテープ基板３（多数個取り基板１３）の裏面３ｂ上に貼り付けて、全ての半田ボール５に粘着テープ２１の粘着性の表面２１ａを接触させてから、図１１に示されるように粘着テープ２１を剥がす（移動させる）。すなわち、粘着テープ２１の粘着面２１ａを半田ボール５に接触させてから粘着テープ２１を移動させる。
【００４８】
また、図１２に示されるように、ステージ２０上にテープ基板３（多数個取り基板１３）を半田ボール５が上方を向くように配置し、粘着テープ２１の代わりに、その表面に粘着材を付与するなどして粘着面（粘着性の表面）２２ａを有して回転可能な粘着ローラ２２を準備し、全ての半田ボール５に粘着ローラ２２の粘着面２２ａが接触するように、この粘着ローラ２２をテープ基板３（多数個取り基板１３）の裏面３ｂ上でころがす。すなわち、半田ボール５に粘着ローラ２２の粘着面２２ａを接触させ、粘着ローラ２２を回転しながら移動させる。
【００４９】
このようにして、テープ基板３の裏面３ｂに設けられた全ての半田ボール５に粘着テープ２１または粘着ローラ２２のような粘着物を接触させてから移動させることで、半田ボール５には粘着物によって引っ張られる外力（移動力）が作用し、半田ボール５のうちの未接合半田ボール５ｂを粘着物にくっつけて移動させ各半導体装置本体１ａから除去する（欠落させる）ことができる。
【００５０】
すなわち、粘着テープ２１または粘着ローラ２２に接触した半田ボール５が、上記のような未接合半田ボール５ｂであれば、その未接合半田ボール５ｂは粘着テープ２１または粘着ローラ２２の粘着力によって粘着テープ２１の粘着面２１ｂまたは粘着ローラ２２の粘着面２２ａにくっついて粘着テープ２１または粘着ローラ２２とともに移動し、テープ基板３のバンプランド３ｇから離れる。これにより、図１１や図１２のように未接合半田ボール５ｂを各半導体装置本体１ａから除去することができる。
【００５１】
また、粘着テープ２１または粘着ローラ２２に接触した半田ボール５が、リフローによってテープ基板３のバンプランド３ｇに適切に取り付けられた（接合した）良品半田ボール５ａ（良品のボール電極、良品の外部端子）であれば、半田接合による接続強度が高いため、図１１や図１２のように粘着テープ２１または粘着ローラ２２による粘着力が作用してもテープ基板３のバンプランド３ｇから離れることはなく、半導体装置本体１ａから除去される（欠落される）ことはない。
【００５２】
このようにして、ステップＳ８のスクリーニング工程において、半田ボール５のうち、未接合半田ボール５ｂのみを除去することができる。これにより、半田ボール未接合による不良品を自工程（スクリーニングを含む半田ボール取り付け工程）で収束させることができ、その結果、半田ボール未接合による不良品の後工程への流出を防止することができる。また、半田ボール未接合による不良品の後工程への流出を防止できるため、半田ボール５が後工程の途中で欠落することが無くなり、その結果、半田ボール未接合による不良品の客先への流出を防止できる。従って、製品（半導体装置１）の信頼性を向上できる。
【００５３】
本実施の形態とは異なり、例えば粘着性を有さないゴムシートのような弾性シートなどを用いて半田ボール５に横からの剪断力（移動力）を与えて半田ボール５のスクリーニングを行った場合は、各半田ボール５に作用する剪断力（移動力）が均一にならずに、スクリーニング工程後に未接合半田ボール５ｂの一部が除去されずにテープ基板３のバンプランド３ｇ上に残存してしまう可能性がある。これは、半田ボール５のスクリーニングの精度を低下させる可能性がある。
【００５４】
本実施の形態では、粘着テープ２１や粘着ローラ２２のような粘着物を用いて、半田ボール５のスクリーニングを行う。全ての半田ボール５に粘着物を接触させてその粘着力を作用させることが容易に実現でき、各半田ボール５に均一な粘着力を作用させ、均一な移動力を作用させることができる。このため、半田ボール５のうち、未接合半田ボール５ｂを的確に除去することができ、スクリーニング工程後に未接合半田ボール５ｂが除去されずにテープ基板３のバンプランド３ｇ上に残存してしまうのを防止することができる。
【００５５】
また、本実施の形態では、粘着テープ２１や粘着ローラ２２のような粘着物の摩耗管理や交換が容易である。また、スクリーニングを行う毎に、粘着テープ２１を新しいものに交換するなどして、各スクリーニング工程で常に均一で的確な粘着力を有する粘着面を半田ボール５に接触させて未接合半田ボール５ｂを除去することができる。また、スクリーニングを行う毎に、粘着ローラ２２の清浄化を行うかあるいは粘着ローラ２２に巻かれた粘着テープを剥がして新しい粘着面を露出させるなどして、各スクリーニング工程で常に均一で的確な粘着力を有する粘着面を半田ボール５に接触させて未接合半田ボール５ｂを除去することができる。このため、各スクリーニング工程で半田ボール５のうちの未接合半田ボール５ｂを的確に除去することができる。
【００５６】
このように、本実施の形態では、半田ボール５のスクリーニングの精度を向上し、半田ボール５のうちの未接合半田ボール５ｂを的確に除去することができるので、半田ボール５のような外部端子の未接合による不良品の後工程への流出を的確に防止できる。また、半田ボール５のような外部端子が後工程の途中で欠落することを的確に防止でき、その結果、外部端子未接合による不良品の客先への流出を防止して製品の信頼性を的確に向上することができる。
【００５７】
また、粘着テープ２１や粘着ローラ２２の高さを可変する高さ制御手段（軸）を設け、手動または自動で粘着テープ２１や粘着ローラ２２の高さを制御（高さ制御）することができる。また、粘着テープ２１や粘着ローラ２２をテープ基板３の裏面３ｂに接触させる際の荷重を自動でセンシングし、一定の（所定の）荷重となるように制御（荷重制御）することができる。また、粘着テープ２１や粘着ローラ２２を移動させる速度を可変とし、所定の値に制御（速度制御）することができる。これらは、半田ボール５の直径やピッチなどに応じて調整することができ、未接合半田ボール５ｂを的確に除去できる条件で、半田ボール５のスクリーニングを行うことができる。
【００５８】
また、本実施の形態では、ステップＳ８のスクリーニング工程の後にステップＳ９のテープカット工程を行っているが、ステップＳ８のスクリーニング工程の後、ステップＳ９のテープカット工程の前に、テープ基板３の洗浄と、半田ボール５の検査とを行うことが好ましい。図１３は、ステップＳ８のスクリーニング工程からステップＳ９のテープカット工程にかけてのプロセスフロー図である。
【００５９】
上記のようにしてステップＳ８のスクリーニング工程を行って、未接合半田ボール５ｂを除去した（欠落させた）後、テープ基板３の洗浄を行う（ステップＳ１０）。例えば、回転するブラシをテープ基板３（多数個取り基板１３）の裏面３ｂに接触させ、半田ボール５が接続されたテープ基板３の裏面３ｂを洗浄するとともに、ステップＳ８のスクリーニング工程で除去または欠落された未接合半田ボール５ｂをテープ基板３の裏面３ｂから完全に取り除く。
【００６０】
次に、テープ基板３（多数個取り基板１３）の各バンプランド３ｇに半田ボール５が接続されているかどうか検査を行う（ステップＳ１１）。例えば、画像処理またはテスタなどを用いた電気的テストなどを行って、テープ基板３の各バンプランド３ｇに半田ボール５が接続されているかどうか検査する。半田ボール５を接続すべきバンプランド３ｇの全てに半田ボール５が接続されていれば、良品としてステップＳ９のテープカット工程に送られ、上記のように個片の半導体装置１に分割され、製品として出荷される。ステップＳ８のスクリーニング工程によって未接合半田ボール５ｂが除去されたことにより、半田ボール５を接続すべきバンプランド３ｇに半田ボール５が接続されていない個所が生じていれば、その半田ボール５の数が不足する半導体装置本体１ａは不良品として選別され、ステップＳ９のテープカット工程で個片に分割されたときに除去される。あるいは、ステップＳ８のスクリーニング工程によって未接合半田ボール５ｂが除去されたことにより、半田ボール５を接続すべきバンプランド３ｇに半田ボール５が接続されていない個所が生じていれば、半田ボール５が欠落しているバンプランド３ｇにだけ半田ボール５を再度接続し、その後ステップＳ９のテープカット工程で個片の半導体装置１に分割して、製品として出荷することもできる。
【００６１】
また、本実施の形態では、上記のように、ステップＳ８のスクリーニング工程を行ってからステップＳ９のテープカット工程を行っているが、他の形態として、ステップＳ８のスクリーニング工程の前にステップＳ９のテープカット工程を行って個片の半導体装置１に分割し、その後、各半導体装置１に対してステップＳ８のスクリーニング工程に対応する半田ボール５のスクリーニングを行うこともできる。個片の半導体装置１に分割した後に半田ボール５のスクリーニングを行うので、スクリーニング中の半導体装置１の反りを抑制または防止でき、半田ボール５のスクリーニングの際に各半田ボール５に加わる負荷（移動力、外力）をより均一にすることができる。このため、未接合半田ボール５ｂをより的確に除去することができる。
【００６２】
（実施の形態２）
図１４は、本発明の他の実施の形態におけるスクリーニング工程（ステップＳ８）の説明図であり、上記実施の形態１における図１０〜図１３に対応する。
【００６３】
本実施の形態は、半導体装置の構造および半導体装置の製造工程のうち、ステップＳ８のスクリーニング工程（半田ボール５のスクリーニング工程）以外については上記実施の形態１と同様であるので、ここではその説明を省略する。
【００６４】
本実施の形態では、ステップＳ５およびステップＳ６で半導体装置本体１ａ（のテープ基板３のバンプランド３ｇ）に外部端子としての半田ボール５を接合した後、ステップＳ８に示すスクリーニング工程において、流体を用いて（流体を半田ボール５に衝突させて半田ボール５に外力を印加することで）、半田ボール５のうちの未接合半田ボール５ｂを除去する。例えば、図１４に示されるように、ステージ２０上にテープ基板３（多数個取り基板１３）を半田ボール５が上方を向くように配置し、流体３１を放出または吐出可能なノズル（流体吐出手段）３２を準備し、このノズル３２から流体３１をテープ基板３（多数個取り基板１３）の裏面３ｂに対して放出または吐出させる。ノズル３２から吐出された流体３１はテープ基板３の裏面３ｂの半田ボール５に衝突する。ノズル３２はテープ基板３の裏面３ｂの上方で水平方向（テープ基板３の裏面３ｂに水平な方向）に移動し、ノズル３２から吐出された流体３１をテープ基板３の裏面３ｂに設けられた全ての半田ボール５にまんべんなくあてる（供給する、衝突させる）。このようにして、流体３１の圧力により、半田ボール５に外力（移動力）が作用し、半田ボール５のうちの未接合半田ボール５ｂが除去される（欠落する）。流体３１は、気体または液体を用いることができ、例えばエア（空気）、水または洗浄液などを用いることができる。
【００６５】
すなわち、ノズル３２から吐出された流体３１が衝突した半田ボール５が、未接合半田ボール５ｂであれば、その未接合半田ボール５ｂは流体３１の圧力によってテープ基板３のバンプランド３ｇから離れる。これにより、未接合半田ボール５ｂを各半導体装置本体１ａから除去する（欠落させる）ことができる。
【００６６】
また、ノズル３２から吐出された流体３１が衝突した半田ボール５が、リフローによってテープ基板３のバンプランド３ｇに適切に取り付けられた（接合した）良品半田ボール（良品のボール電極、良品の外部端子）５ａであれば、半田接合による接続強度が高いため、流体３１の圧力が作用してもテープ基板３のバンプランド３ｇから離れることはなく、除去される（欠落する）ことはない。
【００６７】
このようにして、ステップＳ８のスクリーニング工程において、半田ボール５のうち、未接合半田ボール５ｂのみを除去することができる。
【００６８】
本実施の形態とは異なり、例えばゴムシートのような弾性シートなどを用いて半田ボール５に横からの剪断力（移動力）を与えて半田ボール５のスクリーニングを行った場合は、弾性シートが摩耗するので定期的な交換が必要になる。また、弾性シートが摩耗したままスクリーニングに用いると、スクリーニング工程毎に半田ボール５に作用する剪断力（移動力）が変動してしまう可能性がある。これは、半田ボール５のスクリーニングの精度を低下させる可能性がある。
【００６９】
本実施の形態では、ノズル３２から吐出された流体３１を用いて半田ボール５のスクリーニングを行っているので、スクリーニング工程を繰り返し行ってもノズル３２の定期的な交換は不要である。また、流体３１として液体を用いる場合は循環して再利用が可能である。また、劣化や摩耗を生じることがなく、スクリーニング工程を繰り返し行ったときの各スクリーニング工程のスクリーニング条件を同じにすることが容易に実現でき、流体３１により常に均一な圧力を半田ボール５に対して与えて、各半田ボール５に作用する外力（移動力）を均一にすることができる。すなわち、スクリーニング工程毎に半田ボールに作用する流体３１の圧力が変動することはなく、更に、各半田ボール５に作用する流体３１の圧力も均一にすることができる。このため、半田ボール５のうち、未接合半田ボール５ｂを的確に除去することができ、スクリーニング工程後に未接合半田ボール５ｂが除去されずにテープ基板３のバンプランド３ｇ上に残存してしまうのを防止することができる。
【００７０】
このように、本実施の形態では、半田ボール５のスクリーニングの精度を向上し、スクリーニング工程で半田ボール５のうちの未接合半田ボール５ｂを的確に除去することができるので、半田ボール５のような外部端子の未接合による不良品の後工程への流出を的確に防止できる。また、半田ボール５のような外部端子が後工程の途中で欠落することを的確に防止でき、その結果、外部端子未接合による不良品の客先への流出を防止して製品の信頼性を的確に向上することができる。
【００７１】
また、流体３１に水や洗浄液のような液体を用いる場合、その流体３１中にビーズ材を含有させることもできる。ビーズ材としては、例えば直径０．１〜０．２ｍｍ程度の樹脂ビーズなどを用いることができる。これにより、ノズル３２から吐出された流体３１を半田ボール５に衝突させたときに、半田ボール５に与えられる圧力（衝撃）を大きくすることができる。このため、より的確に未接合半田ボール５ｂを除去することができる。
【００７２】
また、流体３１に水や洗浄液のような液体を用いる場合、ノズルから３２から流体３１を介して超音波振動を半田ボール５に付与することもできる。超音波を付与または印加することで、未接合半田ボール５ｂが移動しやすい状態にし（取れやすくし）、流体３１の圧力で未接合半田ボール５ｂを移動させて除去するので、より的確に未接合半田ボール５ｂを除去することができる。
【００７３】
また、流体３１にフラックスを溶解可能な液体または洗浄液（例えばアルカリ系洗浄液）を用いることもできる。未接合半田ボール５ｂはフラックスによってテープ基板３のバンプランド３ｇに付着しているので、フラックスを溶解可能な洗浄液（流体３１）を半田ボール５に供給することで、フラックスを溶解し、未接合半田ボール５ｂが移動しやすい状態にし、流体３１の圧力で未接合半田ボール５ｂを移動させて除去することができる。これにより、より的確に未接合半田ボール５ｂを除去することができる。
【００７４】
また、流体３１にエア（空気）のような気体を用いる場合、加熱した気体、例えばホットエア（加熱空気）を用いることもできる。未接合半田ボール５ｂはフラックスによってテープ基板３のバンプランド３ｇに付着しているので、ホットエアのような加熱した気体からなる流体３１をノズル３２から吐出して半田ボール５に当てることで、フラックスを加熱して溶かし（または粘度を低下させ）、未接合半田ボール５ｂが移動しやすい状態にし、ホットエア（流体３１）の圧力によって未接合半田ボール５ｂを移動させて除去することができる。これにより、より的確に未接合半田ボール５ｂを除去することができる。なお、この際、半田ボール５の半田材料自身は溶融せず、フラックスの粘度が低下するような温度になるようにホットエア（流体３１）の温度が調整される。また、流体３１にエア（空気）またはホットエア（加熱空気）を用いれば、半導体装置の製造コストの低減も可能である。
【００７５】
流体３１にホットエアのような加熱した気体を用いる代わりに、ステージ２０にヒータなどの加熱装置を内蔵させ、ステージ２０上に配置された半導体装置本体１ａを加熱しながら、エア（空気）のような気体からなる流体３１をノズル３２から吐出して半田ボール５に当てることもできる。これにより、フラックスを加熱して溶かし（または粘度を低下させ）て未接合半田ボール５ｂが移動しやすい状態にし、流体３１の圧力によって未接合半田ボール５ｂを移動させて除去することができ、より的確に未接合半田ボール５ｂを除去することができる。ステージ２０を加熱する際には、半田ボール５の半田材料自身は溶融せず、フラックスの粘度が低下するような温度になるようにステージ２０の温度が調整される。
【００７６】
また、ノズル３２の高さを可変する高さ制御手段（軸）を設け、手動または自動でノズル３２の高さを制御（高さ制御）することができる。また、ノズル３２を移動させる速度を可変とし、所定の値に制御（速度制御）することができる。また、ノズル３２の取り付け部にノズルの角度を可変とする部材を設けるなどしてノズル３２の角度を可変とし、テープ基板３の裏面３ｂに対して供給される流体３１の角度を所定の値に制御（角度制御）することができる。これらは、半田ボール５の直径やピッチなどに応じて調整することができ、未接合半田ボール５ｂを的確に除去できる条件で、半田ボール５のスクリーニングを行うことができる。
【００７７】
（実施の形態３）
図１５および図１６は、本発明の他の実施の形態におけるスクリーニング工程（ステップＳ８）の説明図（要部側面図）であり、上記実施の形態１における図１０〜図１２の部分拡大図に対応する。
【００７８】
本実施の形態は、半導体装置の構造および半導体装置の製造工程のうち、ステップＳ８のスクリーニング工程（半田ボール５のスクリーニング工程）以外については上記実施の形態１と同様であるので、ここではその説明を省略する。
【００７９】
本実施の形態では、ステップＳ５およびステップＳ６で半導体装置本体１ａ（のテープ基板３のバンプランド３ｇ）に外部端子としての半田ボール５を接合した後、ステップＳ８に示すスクリーニング工程において、一つの部材を用いて複数の半田ボール５に順々に外力（移動力）を作用させていくのではなく、複数の半田ボール５にそれぞれ対応する複数の部材を用いて一度に複数の半田ボール５に対して外力（移動力）を作用させて半田ボール５のうちの未接合半田ボール５ｂを除去する。例えば、図１５に示されるように、ステージ２０上にテープ基板３（多数個取り基板１３）を半田ボール５が上方を向くように配置し、半田ボール５のピッチに対応してソケット端子４１が設けられた支持板（支持部材）４２を準備し、この支持板４２を近づけて各ソケット端子４１で半田ボール５を挟み込む。ソケット端子４１で挟み込まれた半田ボール５には、ソケット端子４１によって横からの外力（移動力）が加えられる。
【００８０】
この際、ソケット端子４１に接触して挟み込もうとされた半田ボール５が、未接合半田ボール５ｂであれば、その未接合半田ボール５ｂはソケット端子４１によって加えられた外力によってテープ基板３のバンプランド３ｇから離れ、それによって未接合半田ボール５ｂを除去することができる（欠落させることができる）。また、ソケット端子４１に接触して挟み込もうとされた半田ボール５が、リフローによってテープ基板３のバンプランド３ｇに適切に取り付けられた（接合した）良品半田ボール５ａであれば、半田接合による接続強度が高いため、ソケット端子４１によって外力が加えられてもテープ基板３のバンプランド３ｇから離れることはなく、除去されない（欠落しない）。
【００８１】
それから、図１６に示されるように、支持板４２を上方に移動してテープ基板３（多数個取り基板１３）から離れさせると、支持板４２とともにソケット端子４１も上方に移動して各半田ボール５から各ソケット端子４１が離れる。この際、ソケット端子４１に挟み込まれていた半田ボール５がテープ基板３のバンプランド３ｇに適切に取り付けられた（接合した）良品半田ボール５ａであれば、半田接合による接続強度が高いため、ソケット端子４１が上方に移動してもテープ基板３のバンプランド３ｇから離れない。
【００８２】
このようにして、各半田ボール５にそれに対応するソケット端子４１を作用させて、半田ボール５のうちの未接合半田ボール５ｂを半導体装置本体１ａから除去する（欠落させる）ことができる。
【００８３】
本実施の形態とは異なり、例えばゴムシートのような弾性シートなどを用いて半田ボール５に横からの剪断力（移動力）を与えて半田ボール５のスクリーニングを行った場合は、弾性シートが摩耗するなどして一部の半田ボール５に弾性シートがうまく接触せず、外力が加わらない半田ボール５が生じてしまい、スクリーニング工程後に未接合半田ボール５ｂの一部が除去されずにテープ基板３のバンプランド３ｇ上に残存してしまう可能性がある。
【００８４】
本実施の形態では、複数の半田ボール５に対応して複数のソケット端子４１を設け、半田ボール５のそれぞれに同時にソケット端子４１を接触させて外力を作用させる。このため、全部の半田ボール５に対してソケット端子４１によって外力を作用させることができ、外力が加わらない半田ボール５が生じるのを防止することができる。従って、全ての未接合半田ボール５ｂに外力を作用させ、的確に除去することが可能となる。これにより、半田ボール５のスクリーニングの精度を向上することができる。
【００８５】
また、フラックスを溶解可能な洗浄液（例えばアルカリ系洗浄液）を用いて洗浄処理を行いながら、ステップＳ８の半田ボール５のスクリーニング工程を行うこともできる。未接合半田ボール５ｂはフラックスによってテープ基板３のバンプランド３ｇに付着しているので、フラックスを溶解可能な洗浄液を半田ボール５に供給することで、フラックスを溶解して未接合半田ボール５ｂが移動しやすい状態にした状態で、上記のようにして半田ボール５のスクリーニングを行って未接合半田ボール５ｂを移動させて除去することができる。これにより、より的確に未接合半田ボール５ｂを除去することができる。
【００８６】
（実施の形態４）
図１７は、本発明の他の実施の形態におけるスクリーニング工程（ステップＳ８）の説明図であり、上記実施の形態１における図１０〜図１２に対応する。
【００８７】
本実施の形態は、半導体装置の構造および半導体装置の製造工程のうち、ステップＳ８のスクリーニング工程（半田ボール５のスクリーニング工程）以外については上記実施の形態１と同様であるので、ここではその説明を省略する。なお、上記実施の形態１では、ステップＳ３の樹脂封止工程において多数個取り基板１３の各テープ基板３の領域をそれぞれ樹脂封止し、封止部７をテープ基板３毎に、すなわち半導体装置本体１ａ毎に個別に形成した場合について説明したが、本実施の形態では、図１７に示されるように、多数個取り基板１３を構成する複数のテープ基板３の領域全体を覆うように一括して樹脂封止を行い、複数の複数のテープ基板３、すなわち複数の半導体装置本体１ａに対して一括して封止部７を形成している。このため、ステップＳ９のテープカット工程においては、多数個取り基板１３とともに封止部７も半導体装置領域（ＣＳＰ領域）毎に切断され、個々の半導体装置本体１ａ、すなわち半導体装置１に切断分離される。
【００８８】
本実施の形態では、ステップＳ５およびステップＳ６で半導体装置本体１ａ（のテープ基板３のバンプランド３ｇ）に外部端子としての半田ボール５を接合した後、ステップＳ８に示すスクリーニング工程において、テープ基板３（多数個取り基板１３）をステージ（載置台）５０上に半田ボール５が上方を向くように配置するが、図１７に示されるように、このステージ５０には真空吸着用の吸着穴５０ａが形成されている。ステージ５０上にテープ基板３を配置し、吸着穴５０ａから吸引して封止部７を真空吸着することで、封止部７およびテープ基板３（すなわち半導体装置本体１ａ）を固定する。そして、半導体装置本体１ａを吸着して固定した状態で、半田ボール５のスクリーニングを行う。
【００８９】
半導体装置本体１ａ（封止部７）を吸着し固定した状態で半田ボール５のスクリーニングを行うこと以外は、上記実施の形態１〜３と同様にして半田ボール５のスクリーニングを行うことができる。例えば、スクリーニング部材として、上記実施の形態１のように粘着テープ２１や粘着ローラ２２のような粘着物を用いて行うことができ、上記実施の形態２のようにノズル３２から吐出された流体３１を用いて行うことができ、あるいは上記実施の形態３のように半田ボール５に対応して設けられた複数のソケット端子４１を用いて行うことができるが、ここではその詳しい説明は省略する。
【００９０】
半田ボール５のスクリーニングの際に封止部７が反っていると、テープ基板３も反ってしまい、各半田ボール５に加わる負荷（移動力）が不均一になる可能性がある。このため、スクリーニング工程後に未接合半田ボール５ｂの一部が除去されずにテープ基板３のバンプランド３ｇ上に残存してしまう可能性がある。本実施の形態では、封止部７を真空吸着しながら半田ボール５のスクリーニングを行うので、半田ボール５のスクリーニングの際に封止部７およびテープ基板３（すなわち半導体装置本体１ａ）が反るのを防止することができる。このため、半田ボール５のスクリーニングの際に各半田ボール５に加わる負荷（移動力）をより均一にすることができ、未接合半田ボール５ｂをより的確に除去することができる。従って、半田ボール５のスクリーニングの精度を向上することができる。
【００９１】
また、封止部７の平面寸法が大きな半導体装置を製造する際には、封止部７が反りやすくなるので、本実施の形態を適用すればより好適である。また、ＭＡＰ（Mold Array Package）形態の半導体装置は、切断前は封止部（封止樹脂部）の平面寸法が大きく、反りやすいので、ＭＡＰ（Mold Array Package）形態の半導体装置の製造工程に本実施の形態を適用し、半田ボールの形成後、封止部の切断前に、封止部を吸着しながら半田ボールのスクリーニングを行えば、特に効果が大きい。
【００９２】
また、ステージ５０にヒータなどの加熱装置を内蔵させ、半導体装置本体１ａを加熱しながら半田ボール５のスクリーニングを行うこともできる。未接合半田ボール５ｂはフラックスによってテープ基板３のバンプランド３ｇに付着しているので、ステージ５０を加熱することによってステージ５０上に配置された半導体装置本体１ａに付着しているフラックスを加熱して溶かし（または粘度を低下させ）、未接合半田ボール５ｂが移動しやすい状態にすることができる。このような状態で半田ボール５のスクリーニングを行うことで、より的確に未接合半田ボール５ｂを除去することができる。従って、半田ボール５のスクリーニングの精度を向上することができる。なお、ステージ５０を加熱する際には、半田ボール５の半田材料自身は溶融せず、フラックスの粘度が低下するような温度になるようにステージ５０の温度が調整される。
【００９３】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００９４】
前記実施の形態では、ＣＳＰ形態の半導体装置に適用した場合について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、外部端子を接合した構造を有した半導体装置であれば、ＢＧＡ（Ball Grid Array）や、半導体ウェハ状態で再配線を形成してボール電極が設けられた後にダイシングされて製造されたウェハレベルパッケージなどの種々の半導体パッケージ形態の半導体装置に適用することができる。
【００９５】
また、前記実施の形態では、半導体装置の外部端子として半田ボール５を用いた場合について説明したが、半田ボール以外のボール電極、例えば、金や銅などのボール電極を半導体装置の外部端子として用いた場合についても適用でき、また、外部端子としてボール電極以外の電極または端子、例えばリード端子などを用いた場合についても適用できる。
【００９６】
前記実施の形態では、半導体装置に用いられるチップ支持基板がポリイミドテープなどからなる薄膜のテープ基板３の場合を説明したが、前記チップ支持基板は、ガラス入りエポキシ樹脂などによって形成された基板などの種々の基板を用いることができる。
【００９７】
また、前記実施の形態では、複数のテープ基板３を有した多連のテープ状の多数個取り基板１３から個々の半導体装置を製造する場合について説明したが、前記多連のテープ状の多数個取り基板１３は必ずしも使用しなくてもよく、予め半導体装置１の１個分に切断分離されたテープ基板３を準備して、このテープ基板３を用い、かつ半田ボール５のスクリーニングを行って半導体装置１を製造することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
本発明は、例えばボール電極のような外部端子を接合した構造を有する半導体装置に適用して有効である。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法に従って製造された半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程の一例を示す製造プロセスフロー図である。
【図３】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図４】図３に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図５】図４に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図６】図５に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図７】図６に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図８】図７に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図９】図８に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図１０】スクリーニング工程の説明図である。
【図１１】スクリーニング工程の説明図である。
【図１２】スクリーニング工程の説明図である。
【図１３】スクリーニング工程からテープカット工程にかけてのプロセスフロー図である。
【図１４】本発明の他の実施の形態におけるスクリーニング工程の説明図である。
【図１５】本発明の他の実施の形態におけるスクリーニング工程の説明図である。
【図１６】本発明の他の実施の形態におけるスクリーニング工程の説明図である。
【図１７】本発明の他の実施の形態におけるスクリーニング工程の説明図である。
【符号の説明】
【０１００】
１  半導体装置
１ａ  半導体装置本体
２  半導体チップ
２ａ  電極
２ｂ  表面
２ｃ  裏面
３  テープ基板
３ａ  チップ支持面
３ｂ  裏面
３ｃ  接続端子
３ｄ  レジスト膜
３ｅ  配線リード
３ｆ  テープ基材
３ｇ  バンプランド
４  ボンディングワイヤ
５  半田ボール
５ａ  良品半田ボール
５ｂ  未接合半田ボール
６  ダイボンド材
７  封止部
１３  多数個取り基板
１７  マーク
２０  ステージ
２１  粘着テープ
２１ａ  表面
２２  粘着ローラ
２２ａ  表面
３１  流体
３２  ノズル
４１  ソケット端子
４２  支持板
５０  ステージ
５０ａ  吸着穴
【図１】
2005158944.tif 000003
【図２】
2005158944.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2005158944.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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