(57)【要約】【課題】  生産性を向上できる弾性表面波装置の製造方法を提供する。【解決手段】  複数の弾性表面波素子を、複数の実装基板からなる集合基板に実装する実装工程（Ｓ１）を設ける。複数の弾性表面波素子を実装した集合基板を、硬化完了前の封止樹脂である封止樹脂材の硬化温度未満に加熱する封止樹脂塗布前加熱工程（Ｓ２）を設ける。封止樹脂塗布前加熱工程の温度で封止樹脂材を塗布する封止樹脂塗布工程（Ｓ３）を設ける。封止樹脂材を硬化させる硬化工程（Ｓ４、Ｓ５）を設ける。ダイシングにより、集合基板から弾性表面波素子を実装した個々の実装基板に切断する切断工程（Ｓ６）を設ける。【選択図】  図１
2005130343.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、該圧電基板上に形成されたくし型電極部からなる振動部とを有する弾性表面波素子を、実装基板に前記弾性表面波素子の振動部が対向するように実装し、該実装された弾性表面波素子を、熱硬化型樹脂からなる封止樹脂で封止してなる弾性表面波装置の製造方法であって、
複数の弾性表面波素子を、複数の実装基板からなる集合基板に実装する実装工程と、
複数の弾性表面波素子を実装した集合基板を硬化完了前の封止樹脂である封止樹脂材の硬化温度未満に加熱する封止樹脂塗布前加熱工程と、
封止樹脂塗布前加熱工程の温度で封止樹脂材を塗布する封止樹脂塗布工程と、
封止樹脂材を硬化させる硬化工程と、
ダイシングにより、集合基板から弾性表面波素子を実装した個々の実装基板に切断する切断工程とを備えることを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法。
【請求項２】
圧電基板と、該圧電基板上に形成されたくし型電極部からなる振動部とを有する弾性表面波素子を、実装基板に前記弾性表面波素子の振動部が対向するように実装し、該実装された弾性表面波素子を、熱硬化型樹脂からなる封止樹脂で封止してなる弾性表面波装置の製造方法であって、
複数の弾性表面波素子を、複数の実装基板からなる集合基板に実装する実装工程と、
複数の弾性表面波素子を実装した集合基板を硬化完了前の封止樹脂である封止樹脂材の硬化温度未満に加熱する封止樹脂塗布前加熱工程と、
封止樹脂塗布前加熱工程の温度で封止樹脂材を塗布する封止樹脂塗布工程と、
封止樹脂材の硬化温度付近にて、封止樹脂材の流動が止まる程度に封止樹脂材の粘度を上昇させる第１次硬化工程と、
第１次硬化工程よりも高い温度で、封止樹脂材がダイシング可能な硬さまで封止樹脂材の粘度をさらに上昇させる第２次硬化工程と、
ダイシングによって、集合基板より弾性表面波素子を実装した個々の実装基板に切断する切断工程と、
封止樹脂材の未硬化部分の硬化を完了させる第３次硬化工程とを備えることを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法。
【請求項３】
前記第３次硬化工程において、網目状の固定枠を用意し、ダイシング工程で形成された弾性表面波素子を実装した個々の実装基板がそれぞれ固定枠上にて互いに接触しないように配置された状態で封止樹脂材の未硬化部分を硬化させることを特徴とする、請求項２に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項４】
前記固定枠は、アルミナからなることを特徴とする、請求項３に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波素子を複数の実装基板からなる集合基板上に複数実装し、封止樹脂により一括封止した後に分割することにより得られる、チップサイズパッケージの弾性表面波装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化、軽量化により、電子部品に対しても多機能化が要求されている。このような背景の中、携帯電話機等の通信装置に使用される、弾性表面波フィルタ（以下ＳＡＷフィルタという）である弾性表面波素子を有する弾性表面波装置に対しても同様に小型化、軽量化が求められている。
【０００３】
従来の弾性表面波装置は、圧電基板上にくし型電極部を形成してなる弾性表面波素子を、アルミナからなるパッケージにフリップチップボンディング又はダイボンドで実装されるパッケージ構造であったが、弾性表面波素子を小型化しても、パッケージが小型化されない限り、弾性表面波装置としての小型化ができず、小型化に限界があった。
【０００４】
そこで、近年、チップサイズパッケージの弾性表面波装置が提案されている。チップサイズパッケージの弾性表面波装置は、弾性表面波素子における圧電基板のくし型電極部が形成されている面が、実装基板の表面に対向するようにして、弾性表面波素子が実装基板上にフリップチップボンディング法により実装され、該実装された弾性表面波素子が封止樹脂で封止されている構造を有する。すなわち、パッケージ材を有する上記パッケージ構造に代えて、封止樹脂により弾性表面波素子を封止することにより小型化が図られている。
【０００５】
上記のようなチップサイズパッケージの弾性表面波装置の製造においては、弾性表面波素子を実装基板に実装した後、封止樹脂材を印刷により塗布し、更に封止樹脂材を硬化することが行なわれる。
【０００６】
特許文献１では、封止樹脂の収縮により発生する残留応力が、弾性表面波素子にかかることによって、弾性表面波素子の割れや弾性表面波素子の特性劣化が発生することを防ぐために、弾性表面波素子よりも線膨張係数が小さい封止樹脂材を封止樹脂の原料として用いることが開示されている。
【特許文献１】特開２００３−３２０７５号公報（公開日：２００３年１月３１日）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記の特許文献１では、特に熱硬化型樹脂を封止樹脂材として用いた場合に、封止樹脂材を硬化させるときに発生する、下記の問題については何ら考慮されていなかった。
【０００８】
すなわち、封止樹脂材の塗布後、封止樹脂材を熱硬化させる工程において、室温付近から封止樹脂材の硬化温度まで急激に温度上昇させて封止樹脂材を硬化させると、弾性表面波素子と実装基板の間の空間に存在する空気が膨張し、この膨張した空気の一部が硬化する前の封止樹脂材内に入り込むことで、気泡（ボイド）が封止樹脂内に発生するという問題があった。
【０００９】
封止樹脂中に気泡（ボイド）が発生すると、気泡（ボイド）によって、弾性表面波素子のくし型電極部などが外気と遮断されないため、外気によりくし型電極部の電極が酸化するなどして、得られた弾性表面波装置の特性が劣化する。
【００１０】
また、前記従来公報に記載の方法では、別に、封止樹脂材の塗布後、封止樹脂材を熱硬化させる工程において、室温付近から封止樹脂材の硬化温度まで急激に温度上昇させて封止樹脂材を硬化させると、封止樹脂材が硬化する前に封止樹脂材の粘度が急激に低下し、封止樹脂材が弾性表面波素子と実装基板の間の空間に流入するという問題もある。
【００１１】
弾性表面波素子は、圧電基板上に形成されたくし型電極部からなる振動部において、弾性表面波が伝搬するための空間が必要であり、上記のように、封止樹脂材が弾性表面波素子と実装基板の間の空間に流入して振動部と接触して硬化すると、弾性表面波装置としての特性を得ることができない。
【００１２】
さらに、封止樹脂材の塗布後、封止樹脂材を熱硬化させる工程において、室温付近から封止樹脂材の硬化温度まで急激に温度上昇させて封止樹脂材を硬化させると、圧電基板にＬｉＴａＯ3やＬｉＮｂＯ3を用いた場合、急激な温度変化により、圧電基板の焦電性による、くし型電極部での電極破壊が発生するという問題もある。
【００１３】
さらに、封止樹脂材の塗布後、封止樹脂材を熱硬化させる工程において、高温で熱硬化した場合、得られた封止樹脂の収縮により、硬化後に実装基板に反りが発生するという問題がある。特に、複数の実装基板で構成される集合基板に複数の弾性表面波素子を実装した場合、塗布される封止樹脂材の面積が大きくなって反りが大きくなりやすく、特許文献１のように弾性表面波素子よりも線膨張係数が小さい樹脂を封止樹脂材として用いても、集合基板において反りが発生することがある。
【００１４】
集合基板に大きな反りが発生すると、ダイシングの際に、上記集合基板に対する吸着による固定が不十分となり、ダイシングする位置が所望の位置からずれたり、ダイシング時に実装基板や封止樹脂に欠けが発生したりするなどの問題を招く。
【００１５】
この反りの量を小さくするには、封止樹脂材の硬化温度を下げたり、複数の実装基板からなる集合基板の大きさを小さくする方法があるが、いずれも、封止樹脂材の硬化が不十分となったり、生産効率が悪化するなどの問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の弾性表面波装置の製造方法は、以上の課題を解決するために、圧電基板と、該圧電基板上に形成されたくし型電極部からなる振動部とを有する弾性表面波素子を、実装基板に前記弾性表面波素子の振動部が対向するように実装し、該実装された弾性表面波素子を、熱硬化型樹脂からなる封止樹脂で封止してなる弾性表面波装置の製造方法であって、複数の弾性表面波素子を、複数の実装基板からなる集合基板に実装する実装工程と、複数の弾性表面波素子を実装した集合基板を硬化完了前の封止樹脂である封止樹脂材の硬化温度未満に加熱する封止樹脂塗布前加熱工程と、封止樹脂塗布前加熱工程の温度で封止樹脂材を塗布する封止樹脂塗布工程と、封止樹脂材を硬化させる硬化工程と、ダイシングにより、集合基板から弾性表面波素子を実装した個々の実装基板に切断する切断工程とを備えることを特徴としている。
【００１７】
本発明の他の弾性表面波装置の製造方法は、以上の課題を解決するために、圧電基板と、該圧電基板上に形成されたくし型電極部からなる振動部とを有する弾性表面波素子を、実装基板に前記弾性表面波素子の振動部が対向するように実装し、該実装された弾性表面波素子を、熱硬化型樹脂からなる封止樹脂で封止してなる弾性表面波装置の製造方法であって、複数の弾性表面波素子を、複数の実装基板からなる集合基板に実装する実装工程と、複数の弾性表面波素子を実装した集合基板を硬化完了前の封止樹脂である封止樹脂材の硬化温度未満に加熱する封止樹脂塗布前加熱工程と、封止樹脂塗布前加熱工程の温度で封止樹脂材を塗布する封止樹脂塗布工程と、封止樹脂材の硬化温度付近にて、封止樹脂材の流動が止まる程度に封止樹脂材の粘度を上昇させる第１次硬化工程と、第１次硬化工程よりも高い温度で、封止樹脂材がダイシング可能な硬さまで封止樹脂材の粘度をさらに上昇させる第２次硬化工程と、ダイシングによって、集合基板より弾性表面波素子を実装した個々の実装基板に切断する切断工程と、封止樹脂材の未硬化部分の硬化を完了させる第３次硬化工程とを備えることを特徴としている。
【００１８】
上記製造方法では、前記第３次硬化工程において、網目状の固定枠を用意し、ダイシング工程で形成された弾性表面波素子を実装した個々の実装基板がそれぞれ固定枠上にて互いに接触しないように配置された状態で封止樹脂材の未硬化部分を硬化させてもよい。上記製造方法においては、前記固定枠は、アルミナからなっていてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
前記封止樹脂塗布前加熱工程および封止樹脂塗布工程を有する、本発明の弾性表面波装置の製造方法によれば、封止樹脂材の塗布時や硬化時においても、例えば弾性表面波素子の振動部と集合基板との間に空気も予め加温されているから、上記空気の膨張を抑制できて、上記封止樹脂材を熱硬化させる工程における空気の膨張に起因する、得られた封止樹脂における気泡（ボイド）の発生を軽減できる。
【００２０】
これにより、上記方法は、封止樹脂での封止性を向上できて、封止樹脂にて封止された弾性表面波素子の特性劣化を回避できる。
【００２１】
前記第１次硬化工程、第２次硬化工程および第３次硬化工程を有する、本発明の弾性表面波装置の製造方法では、上記封止樹脂塗布前加熱工程、第１次硬化工程、第２次硬化工程の各工程により、封止樹脂材の塗布後から硬化までの急激な温度変化を防ぐことができるため、空気の膨張よりも早く封止樹脂材が硬化することにより、封止樹脂材において、集合基板と弾性表面波素子との間の空間に存在する空気の膨張による気泡（ボイド）の発生を防ぐことができる。
【００２２】
上記方法では、第１次硬化工程により、封止樹脂材を流動しない程度の硬さまで硬化させるため、第２次硬化工程において封止樹脂材の粘度の低下による、封止樹脂材が集合基板と弾性表面波素子との間の空間への流入を防止することができる。さらに、上記方法においては、圧電基板の焦電性による電極破壊の発生を防ぐことができる。
【００２３】
さらに、上記第２次硬化工程において、ダイシング前の硬化温度を低くしたことで、封止樹脂における硬化による収縮、集合基板と封止樹脂の熱膨張率の差による、集合基板における反りの発生を抑制することができる。
【００２４】
その上、上記第３次硬化工程により、封止樹脂材を完全に硬化することができると共に、弾性表面波装置をプリント基板などに対するはんだによる実装時における、はんだリフロー後の弾性表面波装置に関する周波数変化といった電気的特性の劣化を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の弾性表面波装置の製造方法に係る実施の形態について図１ないし図９に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２６】
最初に、上記弾性表面波装置の構成について説明すると、図２に示すように、上記弾性表面波装置１０は、セラミック基板（実装基板）１と、弾性表面波素子２と、封止樹脂４とを有している。弾性表面波素子２は、略直方体形状である、略長方形板状の圧電基板２ａと該圧電基板２ａ上に形成されたくし型電極部からなる振動部２ｂとを備えている。
【００２７】
また、弾性表面波素子２は、セラミック基板１の表面に対して前記弾性表面波素子２の振動部２ｂが空間部を有して対向するように、バンプ３によるバンプボンディング工法によって実装されている（フリップチップボンディング、ＦＣＢ）。なお、くし型電極部に接続されている、圧電基板２ａ上の電極パッド（図示せず）と、セラミック基板１の電極ランド１ａとは、バンプ３により機械的にも電気的にも接続されている。
【００２８】
その上、上記弾性表面波装置１０においては、該実装された弾性表面波素子２の各外壁面部、およびセラミック基板１の露出面が封止樹脂４で密に覆われていて上記空間部内の振動部２ｂが封止されている。上記露出面とは、セラミック基板１の表面上における、弾性表面波素子２の載置部分以外の面をいう。封止樹脂４の素材としては、熱硬化型樹脂である、例えばエポキシ樹脂が好ましい。
【００２９】
さらに、上記弾性表面波装置１０では、弾性表面波素子２の振動部２ｂの形成面における、上記振動部２ｂの周囲を囲むように、つまり上記形成面の外縁部に沿ってダム部５が上記封止樹脂材の空間部への流入を防止するために形成されている。ダム部５は、成形性に優れた樹脂、例えば、感光性ポリイミド等からなり、フォトリソ法により形成される。
【００３０】
また、ダム部５の高さは、弾性表面波素子２が各バンプ３によりセラミック基板１上に実装されたとき、上記ダム部５の先端部がセラミック基板１の表面から離間し、かつ、離間した空間に対して後述する封止樹脂材がその粘性によりダム部５の内部に侵入しない程度が好ましい。なお、ダム部５は、実装基板であるセラミック基板１に形成されていてもよい。
【００３１】
このような弾性表面波装置においては、実装された弾性表面波素子２の各外壁面部を封止樹脂４で密に封止できるので、従来のパッケージのようにパッケージ材と弾性表面波素子との間の隙間の発生を低減して小型化、つまり、チップサイズパッケージが可能となる。
【００３２】
次に、弾性表面波素子２について、図３に基づき説明する。弾性表面波素子２は、圧電基板２ａ上にて、振動部２ｂとしての反射器を含む各くし型電極部と、各配線２ｃと、各電極パッド２ｄと、各バンプ３とを備えている。各配線２ｃは、振動部２ｂの各くし型電極部と各電極パッド２ｄとを互いに電気的に接続するものである。各バンプ３は、各電極パッド２ｄ上に形成されている。
【００３３】
本発明の製造方法では、図１のフローチャートに示すように、封止樹脂材の硬化を次のような工程の順に行う。最初に、(1) 複数の弾性表面波素子２を、複数のセラミック基板１を面一にて集合したものとなる集合基板に対し、ＦＣＢにより実装する実装工程を行う（ステップ１、以下、ステップをＳと記す）。
【００３４】
続いて、(2) 複数の弾性表面波素子２を実装した集合基板を、封止樹脂４の硬化前となる封止樹脂材の硬化温度未満に予め加熱する封止樹脂塗布前加熱工程を行う（Ｓ２）。このとき、塗布時の泡かみ抑制と硬化時の気泡（ボイド）不良抑制のために、封止樹脂材が硬化しない程度の上記硬化温度未満の温度である４０℃〜５０℃に集合基板を加温した。
【００３５】
その後、(3) 封止樹脂塗布前加熱工程の温度状態で封止樹脂材をスキージ印刷により上記集合基板上に対して塗布する封止樹脂塗布工程を行う（Ｓ３）。このとき、樹脂流入（素子機能部である振動部２ｂへの樹脂付着）防止対策のために、封止樹脂材として粘度が４００Ｐａ・ｓ〜６５０Ｐａ・ｓ（２５℃）で、熱硬化後の集合基板の反りを低減するために低温で硬化する封止樹脂材（今回は８０℃で硬化する封止樹脂材を用いた）のエポキシ樹脂を使用した。
【００３６】
次に、(4) 集合基板が樹脂材塗布時の温度以下にならないように、封止樹脂材の硬化温度付近にて、封止樹脂材の流動が止まる硬さまで封止樹脂材を硬化させる（粘度を上昇させる）第１次硬化工程を行った（Ｓ４）。このとき、封止樹脂材の硬化反応開始付近の温度である６０℃付近を用いた。このとき、封止樹脂材は、流動がほぼ収まる硬さになっているが硬化反応は終了していない、仮硬化の状態となっている。
【００３７】
続いて、(5) 第１次硬化工程よりも高い温度で、封止樹脂材がダイシング可能な硬さまで封止樹脂材を硬化するように、上記封止樹脂材の粘度を上昇させる第２次硬化工程を行う（Ｓ５）。
【００３８】
このとき、硬化開始温度またはその近傍の温度である８０℃〜９０℃で硬化を行った。この第２次硬化工程により、個片への切断時に樹脂の欠けや割れが生じない程度の硬さとなる。一方、第２次硬化工程の温度が高すぎると集合基板の反りが増大し、個片への切断が困難となるため、反りの量が少ない温度に設定する必要がある。本実施の形態では、上記反りの許容上限値は２ｍｍ以下である。本実施の形態の条件では反り量は１．５ｍｍとなり切断時の問題はなかった。これによって、個片への切断時（ダイシング）による不具合（切断時に吸着固定できない・切断位置がずれる・切断時に基板や樹脂がかける）を低減できる。
【００３９】
なお、第１次硬化工程と第２次硬化工程とは、１台のオーブンで２段階の温度プロファイルとしてもよいし（図４（ａ））、第１次硬化工程と第２次硬化工程で別々のオーブンを使用して、第１の硬化用オーブンを使用して（図４（ｂ））第１次硬化工程終了後、第２の硬化用オーブンを使用して（図４（ｃ））第２次硬化工程を行ってもよい。
【００４０】
その後、(6) ダイシングによって、集合基板より弾性表面波素子２を実装した個々のセラミック基板１に切断する切断工程（Ｓ６）を行った。このとき、アルミナ等から成る集合基板と硬化させた封止樹脂材とを同時に切断する。このため、上記封止樹脂材が緩衝材としても機能するから、切断時において、内部に封止された弾性表面波素子２の損傷を抑制できる。
【００４１】
続いて、(7) 硬化が未完了の封止樹脂材の硬化を完了させて、封止樹脂４とする第３次硬化工程を行う（Ｓ７）。このとき、個片化した弾性表面波装置１０を実装する時のリフロー温度に相当する２６０℃ピークの温度で上記封止樹脂材を本硬化させる。
【００４２】
つまり、第３次硬化工程では、個片化後の硬化においてリフロー温度で硬化させることにより、実装時のリフロー後の周波数変化を抑えることが可能となり、かつ、硬化を完全にすることができる。これにより、未硬化成分を硬化・分解させることができ、第３次硬化工程での硬化温度を、封止樹脂材の主剤の分解温度以上で、硬化しないで残った主剤を硬化または分解して、くし型電極部といった振動部２ｂへの封止樹脂４の流入を防止できる温度に設定できる。
【００４３】
このように本発明の方法においては、集合基板上でＦＣＢ、樹脂塗布・硬化、個片への切断が実施されるから、複数の弾性表面波装置１０をまとめて製造できて量産性を向上できる。
【００４４】
次に、上記製造方法の効果について説明する。上記(2) の工程により、封止樹脂材の塗布時に気泡（ボイド）の発生を防ぐことができる。また、上記(2) (3) (4) の各工程により、封止樹脂材の塗布後から硬化までの急激な温度変化を防ぐことができるため、
（Ａ）空気の膨張よりも早く封止樹脂材が硬化することにより、封止樹脂材において、集合基板（セラミック基板）と弾性表面波素子２との間の空間に存在する空気の膨張による気泡（ボイド）の発生を防ぐことができ、
（Ｂ）(4) により、封止樹脂材を流動しない程度の硬さまで硬化するため、(5) において封止樹脂材の粘度の低下による、封止樹脂材が集合基板（セラミック基板）と弾性表面波素子２との間の空間への流入を防止することができ、
（Ｃ）圧電基板２ａの焦電性による電極破壊の発生を防ぐことができる。
【００４５】
さらに、上記(5) の工程において、ダイシング前の硬化温度を低くしたことで、封止樹脂４における硬化による収縮、集合基板と封止樹脂４の熱膨張率（線膨張率）の差による、集合基板における反りの発生を抑制することができる。
【００４６】
その上、上記(7) の工程により、封止樹脂材を完全に硬化することができると共に、弾性表面波装置１０をプリント基板などに対するはんだによる実装時における、はんだリフロー後の弾性表面波装置１０に関する、通過帯域周波数、その中心周波数、抑圧周波数等の周波数の変化といった電気的特性の劣化を抑えることができる。
【００４７】
すなわち、このようにダイシング後の第３次硬化工程において、弾性表面波装置１０をプリント基板などに実装する際の、はんだのリフロー温度（封止樹脂材の硬化開始温度以上）付近に封止樹脂材の硬化温度を設定することにより、封止樹脂材を完全に硬化させることができると共に、アニール処理を兼ねるため、弾性表面波装置１０をプリント基板などに実装時のリフロー後の周波数変化を抑えることができる。なお、鉛（Ｐｂ）含有はんだのリフロー温度が１８３℃、Ｐｂ非含有はんだのリフロー温度が約２７０℃である。
【００４８】
ところで、上記の第３次硬化工程において、ダイシングした弾性表面波装置１０を、一般的な金属性のバット（受け皿）に並べた場合では、第３次硬化工程で加熱された封止樹脂材が金属性のバットの表面に付着して、容易にはずれないという問題が発生したり、特に、弾性表面波装置１０同士が隣接したまま第３次硬化工程を施したときは、弾性表面波装置１０同士が互いに付着し合うという問題が発生したりする。
【００４９】
これらの問題を避けるために、本発明の製造方法では、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、アルミナを主成分とした網目状の固定枠７を用いることが好ましく、さらに上記網目状に対応した各開口部８ａを備えた振込み治具８を用いることが望ましい。
【００５０】
よって、上記方法では、切断工程により得られた各弾性表面波装置１０について、それらの表裏をそろえる必要を省けて、手作業で１個ずつ整列させていた作業が、振り込みによる一括整列作業になり、量産性を改善できる。
【００５１】
次に、第３次硬化工程後に温度を常温まで戻す際に好ましい温度勾配について、検討した。その結果を以下に示す。第３次硬化工程後に常温に戻すと、しばらくの時間は周波数特性が変化し、一定時間が経過しないと所望の特性に戻らないことが分かった。検討の結果、第３次硬化工程後に、どのような温度勾配で常温に戻すかによって、所望の特性に戻る時間が変化することを見いだし、最適なのは、降温の平均温度勾配を１℃／分以下とすればよいことが分かった。上記の温度勾配にすることで、常温に戻った直後の温度特性変動が小さくなると共に、特性の回復も早くできる。
【００５２】
次に、各弾性表面波素子２を集合基板（セラミック基板）上にＦＣＢし、封止樹脂４で封止した構造を有する弾性表面波装置の作製方法において、樹脂の硬化後の降温時の温度勾配の設定についてさらに詳しく説明する。
【００５３】
まず、硬化後の温度勾配を徐冷で行う。徐冷条件は、図６（ａ）ないし図６（ｃ）に示すように、温度勾配を、図６（ａ）の４℃／分、図６（ｂ）の１℃／分、図６（ｃ）の０．５℃／分にそれぞれ設定して室温まで戻した。室温に戻ったときを０時間として硬化後の周波数変化量を特性として経時的にそれぞれ測定した。特性回復時の判断基準は、±５０ｐｐｍに設定した。本実施の形態では、圧電基板２ａにＬｉＴａＯ3基板を用いており、前述の判断基準は測定温度を±１．５℃とした時の特性変化量に相当する。
【００５４】
そこで、４℃／分と、１℃／分との各温度勾配における結果を図７にそれぞれ示した。降温時の温度勾配を約４℃／分とすると、室温に戻ってから特性が安定（回復）するまでに３８時間もかかっていた。一方、温度勾配を約１℃／分とゆるくすると硬化直後の特性変化量を小さくでき、特性が安定（回復）するまでの時間を約半分の１８時間に短縮できたことが図７から分かる。
【００５５】
言い換えると、硬化にかかる時間は３時間程長くなるが、特性が安定（回復）するまでの時間を考慮すると硬化〜特選工程までの時間短縮が可能となり、また、実装時のリフロー後の特性変化を低減できることが分かる。
【００５６】
その上、上記方法においては、最大温度がかかることで弾性表面波装置に生じる応力を降温時の温度勾配によって緩和することができる。つまり、降温時の温度勾配と弾性表面波装置にかかる応力の関係を調査した結果、温度勾配４℃／分での応力を１としたときに、１℃／分で０．８３、０．５℃／分で０．７６であり、温度勾配の低下が弾性表面波装置にかかる応力を低減させていることが分かった。
【００５７】
この応力低下に伴う、弾性表面波装置の繰返しヒートサイクル試験における接続信頼性の向上の効果も確認できた。その確認結果を表１に示した。
【００５８】
【表１】
2005130343.tif 000003
【００５９】
このように硬化後の降温の温度勾配には、適正な範囲があり、温度勾配を早くすると放電破壊が発生しやすくなり、特性が回復する時間も長くなる一方、遅くすると本工程での作業時間が増大するが、上記の適正な降温の温度勾配を設定することにより、硬化工程から後述する特選工程までにかかる時間の短縮化が可能である。
【００６０】
以下に、本発明の弾性表面波装置における製造方法の一変形例を、図８および図９に基づき説明する。本変形例では、図８に示すように、複数のセラミック基板１からなる集合基板１１上に、複数の弾性表面波素子２をＦＣＢにより実装し（Ｓ１１）、複数の弾性表面波素子２が実装された集合基板１１を前記Ｓ２と同様に加熱し、集合基板１１上に対して、複数の弾性表面波素子２を覆うように、かつ表面が平坦となるように封止樹脂材４ａにて塗布する（Ｓ１２）。
【００６１】
続いて、上記封止樹脂材４ａについて、前記Ｓ４、Ｓ５と同様に加熱して粘度を上昇させ（Ｓ１３）、その後、粘度を上昇させた封止樹脂材４ａ上に印字用樹脂９を塗布し（Ｓ１４）、硬化させる（Ｓ１５）。次に、硬化させた印字用樹脂９に対して、ＣＯ2レーザーにより捺印する（Ｓ１６）。よって、印字用樹脂９は、ＣＯ2レーザーの波長の光を吸収して変色する素材である。
【００６２】
その後、捺印した集合基板１１を前記Ｓ６と同様にダイシングにより切断して、図９に示すように、セラミック基板１上にバンプ３を介して実装された弾性表面波素子２が封止樹脂４により内部に封止され、表面に捺印された印字用樹脂９を備えた弾性表面波装置１０をそれぞれ得る（Ｓ１７）。
【００６３】
これら各弾性表面波装置１０について、前記Ｓ７と同様に封止樹脂材を硬化させて封止樹脂４とし（Ｓ１８）、特性選別を行った後、弾性表面波装置１０をキャリアテープに封止し（Ｓ１９）、外観選別工程（Ｓ２０）を経て、良品の弾性表面波装置１０が選択されて得られる。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明の弾性表面波装置の製造方法は、複数の弾性表面波装置を一括して生産できると共に、外壁となる封止樹脂に気泡（ボイド）の発生を抑制できて歩留りを向上でき、また、生産後の特性の回復を迅速化できるので、生産性を改善でき、上記弾性表面波装置の製造に好適に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の弾性表面波装置の製造方法に係る実施の第一形態のフローチャートである。
【図２】上記弾性表面波装置の断面図である。
【図３】上記弾性表面波装置における、くし型電極部の形成面の要部平面図である。
【図４】上記製造方法における温度プロファイルを示すグラフであって、（ａ）は１台のオーブンにて１次硬化工程および２次硬化工程を行うときの温度プロファイルを示し、（ｂ）は各硬化を別のオーブンで行うときの１次硬化工程での温度プロファイルを示し、（ｃ）は各硬化を別のオーブンで行うときの２次硬化工程での温度プロファイルを示す。
【図５】上記製造方法における３次硬化工程を示し、（ａ）は上記３次硬化工程に用いる固定枠および振込み治具を示す分解斜視図であり、（ｂ）は固定枠の各凹部に載置された各弾性表面波装置を示す平面図である。
【図６】上記３次硬化工程での降温プロファイルを示すグラフであり、（ａ）は比較例としての４℃／分の温度勾配を示し、（ｂ）は１℃／分の温度勾配を示し、（ｃ）は０．５℃／分の温度勾配を示す。
【図７】上記製造方法における、特性回復に要する時間を示すグラフである。
【図８】上記製造方法の一変形例を示し、（ａ）は各要部工程での集合基板やその上も形成された各部材を備えたものの斜視図であり、（ｂ）は上記変形例のフローチャートである。
【図９】上記一変形例での弾性表面波装置の断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１：セラミック基板（実装基板）
２：弾性表面波素子
２ａ：圧電基板
２ｂ：振動部
３：バンプ
４：封止樹脂
５：ダム部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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