(57)【要約】【課題】基板からの熱伝導を抑制することにより、隣接する発光部からの熱の影響を排除し、定格出力を向上させ、同時に、高精細な画像を高速に出力可能なマルチビーム半導体レーザーを提供する。【解決手段】第１導電型コンタクト層と第１導電型クラッド層と活性層と第２導電型クラッド層と第２導電型コンタクト層との各半導体層よりなる複数の発光部と、各発光部のそれぞれに対応して設けられ、各発光部の第１導電型コンタクト層，第２導電型コンタクト層の各々と電気的に接続されたオーミック電極と、複数の発光部及びオーミック電極を支持する基板とを有し、前記基板には、発光部を構成する半導体材料よりも熱伝導率が低い材料が用いられる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型コンタクト層と第１導電型クラッド層と活性層と第２導電型クラッド層と第２導電型コンタクト層との各半導体層よりなる複数の発光部と、各発光部のそれぞれに対応して設けられ、各発光部の第１導電型コンタクト層，第２導電型コンタクト層の各々と電気的に接続されたオーミック電極と、複数の発光部及びオーミック電極を支持する基板と、各発光部において発生する熱を放出する放熱部材とを有し、前記基板には、発光部を構成する半導体材料よりも熱伝導率が低い材料が用いられることを特徴とするマルチビーム半導体レーザー。
【請求項２】
請求項１記載のマルチビーム半導体レーザーにおいて、各発光部の第１導電型コンタクト層，第２導電型コンタクト層の各々と電気的に接続されたオーミック電極は、基板上の発光部の存在する側に設置されていることを特徴とするマルチビーム半導体レーザー。
【請求項３】
請求項１記載のマルチビーム半導体レーザーにおいて、各発光部の第１導電型コンタクト層，第２導電型コンタクト層の各々と電気的に接続されたオーミック電極のうちの一方のオーミック電極は、基板裏面に設置されていることを特徴とするマルチビーム半導体レーザー。
【請求項４】
請求項１記載のマルチビーム半導体レーザーにおいて、各発光部間に、各発光部を構成する半導体材料よりも熱伝導率が高い材料よりなる放熱材料が充填されていることを特徴とするマルチビーム半導体レーザー。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のマルチビーム半導体レーザーにおいて、前記放熱部材は、各発光部もしくはオーミック電極と絶縁層を介して個別に接触し、かつ、各放熱部材は、互いに接触していないことを特徴とするマルチビーム半導体レーザー。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のマルチビーム半導体レーザーを製造するマルチビーム半導体レーザーの製造方法において、半導体層の作製工程以前に、該半導体層を侵食する液体に対し侵食されない性質を有する層を形成することを特徴とするマルチビーム半導体レーザーの製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のマルチビーム半導体レーザーが、該マルチビーム半導体レーザーから放出されるレーザー光が直線上に等間隔で放出されるように、複数個配置されていることを特徴とするマルチビーム半導体レーザーアレイ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のマルチビーム半導体レーザーが等間隔で並べられ、且つ該マルチビーム半導体レーザーから放出されるレーザー光が直線上に放出されるようになっていることを特徴とするマルチビーム半導体レーザーアレイ。
【請求項９】
請求項７または請求項８記載のマルチビーム半導体レーザーアレイが用いられていることを特徴とする印刷用版材製版装置。
【請求項１０】
請求項７または請求項８記載のマルチビーム半導体レーザーアレイが用いられていることを特徴とする画像記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マルチビーム半導体レーザーおよびその製造方法およびマルチビーム半導体レーザーアレイおよび印刷用版材製版装置および画像記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真やオフセット印刷における画像記録において、高精細な画像品質を得るための画像形成手段として、レーザーを用いた画像形成方法が広く用いられている。電子写真の場合、感光性を有するドラムを回転させつつ（主走査しつつ）、その軸方向にポリゴンミラーを用いてレーザーを走査（副走査）する方法が一般的である。また、印刷用版材に画像形成を行う場合、ドラム上に固定された印刷用版材にレーザーを照射し、ドラムが１回転するごとにレーザー光を１ドット分だけ走査し、この操作を繰り返すことで所望のサイズの画像を形成している。
【０００３】
一方、電子写真・オフセット印刷分野では、画像の高精細化及び出力の高速化が求められている。これを実現するための方法として、主走査，副走査ともに高速化し、同時にレーザーを高出力化するか、感光体もしくは印刷用版材を高感度化する方法が考えられるが、この方法により画像形成速度を向上させるには、レーザーの高出力化に伴う光源または高感度メディアの開発、主副走査の高速化によるそれを支持する筐体の補強、更には高速走査時の位置制御方法の開発等の多くの課題が発生し、多大なコストと時間を必要とする。また、画像の高精細化について、画像の解像度が２倍になった場合、主走査，副走査方向ともに２倍の時間が必要となるため、画像出力時においては４倍の時間が必要となる。従って、画像の高精細化を実現するには、画像出力の高速化も同時に達成する必要がある。
【０００４】
画像出力の高速化を達成するための別の方法として、レーザーをマルチビーム化する方法が考えられ、実際、印刷用版材に対する画像形成においては複数本のレーザーを用いるのが一般的となっている。レーザーをマルチビーム化することにより、１本あたりのレーザーにより描画される領域が縮小され、理論的にはｎ本のレーザーを用いた場合の画像形成に必要な時間は、１本のレーザーを用いた場合の１／ｎとなる。
【０００５】
オフセット印刷においては、１，２００ｄｐｉ以上の解像度が一般的で、それ以上の解像度が要求されている。また、近年のオンデマンド・ショートランプリンティングのニーズの増大により、製版に要する時間の短縮が一層望まれている。このようなニーズに対応するため、レーザー光源の更なるマルチビーム化が検討されているが、レーザー光源のサイズ以下にビームピッチを狭めることは不可能であり、また、光源だけでなく個々の光源の制御回路も増加するためコスト的に好ましくはない。
【０００６】
これらの課題を同時に解決する手段として、１つのチップに複数の発光光源を有するマルチビーム半導体レーザーが提案されている。これにより、ビームピッチを縮小するだけでなく、それを制御する回路をビーム本数以下にすることが可能となり、コスト的にも有利となる。しかし、現在提案されているマルチビーム半導体レーザーのビームピッチは１４μｍで、定格出力は１０ｍＷ以下であり、電子写真に対しては十分であるが、印刷用版材に対しては不十分である。
【０００７】
定格出力を抑制している主たる要因は、各発光源より発生する熱であり、ビームピッチが狭いため隣接する素子の熱の影響を受けているためである。このような課題を解決するために、特許文献１，特許文献２が提案されている。特許文献１，特許文献２では、各発光部間に放熱材料を埋め込むことによって、発光部で発生した熱を外部に放出する手段を用いているが、これによっても熱の影響を十分に排除することは不可能で、定格出力を向上させるには至っていない。
【０００８】
また、特許文献３には、数十Ｗ級のマルチビームレーザーアレイが提案されている。しかし、特許文献３は、ＹＡＧレーザー用の励起光源を目的としており、特許文献３に示されている構成では十分なビームの位置精度を得ることは困難である。また放熱部材上に発光部を固定しているが、各発光部間の熱の伝達経路が非常に短く、熱の影響による性能劣化は避けられない。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１１−３４０５７０号公報
【００１０】
【特許文献２】
特開平１１−３５４８８８号公報
【００１１】
【特許文献３】
特願平１−１０５２０５号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、基板からの熱伝導を抑制することにより、隣接する発光部からの熱の影響を排除し、定格出力を向上させ、同時に、高精細な画像を高速に出力可能なマルチビーム半導体レーザーおよびその製造方法およびマルチビーム半導体レーザーアレイおよび印刷用版材製版装置および画像記録装置を提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、第１導電型コンタクト層と第１導電型クラッド層と活性層と第２導電型クラッド層と第２導電型コンタクト層との各半導体層よりなる複数の発光部と、各発光部のそれぞれに対応して設けられ、各発光部の第１導電型コンタクト層，第２導電型コンタクト層の各々と電気的に接続されたオーミック電極と、複数の発光部及びオーミック電極を支持する基板と、各発光部において発生する熱を放出する放熱部材とを有し、前記基板には、発光部を構成する半導体材料よりも熱伝導率が低い材料が用いられることを特徴としている。
【００１４】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載のマルチビーム半導体レーザーにおいて、各発光部の第１導電型コンタクト層，第２導電型コンタクト層の各々と電気的に接続されたオーミック電極は、基板上の発光部の存在する側に設置されていることを特徴としている。
【００１５】
また、請求項３記載の発明は、請求項１記載のマルチビーム半導体レーザーにおいて、各発光部の第１導電型コンタクト層，第２導電型コンタクト層の各々と電気的に接続されたオーミック電極のうちの一方のオーミック電極は、基板裏面に設置されていることを特徴としている。
【００１６】
また、請求項４記載の発明は、請求項１記載のマルチビーム半導体レーザーにおいて、各発光部間に、各発光部を構成する半導体材料よりも熱伝導率が高い材料よりなる放熱材料が充填されていることを特徴としている。
【００１７】
また、請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のマルチビーム半導体レーザーにおいて、前記放熱部材は、各発光部もしくはオーミック電極と絶縁層を介して個別に接触し、かつ、各放熱部材は、互いに接触していないことを特徴としている。
【００１８】
また、請求項６記載の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のマルチビーム半導体レーザーを製造するマルチビーム半導体レーザーの製造方法において、半導体層の作製工程以前に、該半導体層を侵食する液体に対し侵食されない性質を有する層を形成することを特徴としている。
【００１９】
また、請求項７記載の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のマルチビーム半導体レーザーが、該マルチビーム半導体レーザーから放出されるレーザー光が直線上に等間隔で放出されるように、複数個配置されていることを特徴とするマルチビーム半導体レーザーアレイである。
【００２０】
また、請求項８記載の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のマルチビーム半導体レーザーが等間隔で並べられ、且つ該マルチビーム半導体レーザーから放出されるレーザー光が直線上に放出されるようになっていることを特徴としている。
【００２１】
また、請求項９記載の発明は、請求項７または請求項８記載のマルチビーム半導体レーザーアレイが用いられていることを特徴とする印刷用版材製版装置である。
【００２２】
また、請求項１０記載の発明は、請求項７または請求項８記載のマルチビーム半導体レーザーアレイが用いられていることを特徴とする画像記録装置である。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２４】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態は、第１導電型コンタクト層と第１導電型クラッド層と活性層と第２導電型クラッド層と第２導電型コンタクト層との各半導体層よりなる複数の発光部と、各発光部のそれぞれに対応して設けられ、各発光部の第１導電型コンタクト層，第２導電型コンタクト層の各々と電気的に接続されたオーミック電極と、複数の発光部及びオーミック電極を支持する基板と、各発光部において発生する熱を放出する放熱部材とを有し、前記基板には、発光部を構成する半導体材料よりも熱伝導率が低い材料が用いられることを特徴とするマルチビーム半導体レーザーである。
【００２５】
図１には、第１の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの基本構成の一例が示されている。また、図２には、図１のマルチビーム半導体レーザーにおいて、さらに放熱部材を設けた例が示されている。図１，図２の例では、複数の発光部として、２つの発光部（Ａ），（Ｂ）を設けた例が示されており、一方の発光部（Ａ）には、ｐ側，ｎ側オーミック電極Ａが接続され、他方の発光部（Ｂ）には、ｐ側，ｎ側オーミック電極Ｂが接続されている。
【００２６】
また、各発光部（Ａ），（Ｂ）は、第１導電型（ｐ−（またはｎ−））コンタクト層、第１導電型（ｐ−（またはｎ−））クラッド層、活性層、第２導電型（ｎ−（またはｐ−））クラッド層、第２導電型（ｎ−（またはｐ−））コンタクト層との各半導体層により構成されている。なお、各半導体層の具体的な材料は省略するが、ＧａＡｓ系化合物材料を用いるのが一般的である。また、基板を構成する材料としては石英ガラス等が挙げられる。
【００２７】
マルチビーム半導体レーザーにおいては、隣接する発光部間の熱の干渉による出力低下が問題となる。各発光部は基板により支持されており、熱の干渉は主に基板を介しての熱伝導により発生している。従来のマルチビーム半導体レーザーにおいては、発光部を構成する半導体材料と同種の材料よりなる基板を用いていたため、隣接する発光部間の熱干渉を防ぐことはできなかった。そこで、本発明においては、基板の材料として、発光部を構成する材料よりも熱伝導率の低い材料を用いることで、隣接する発光部間の熱干渉を抑制している。
【００２８】
一方、各発光部で発生した熱を外部に効果的に放出させる手段を設けない場合、その熱により該発光部自身の性能が低下する恐れがある。そのため、本発明では、図２に示す例のように、各発光部において発生する熱を効果的に放出する放熱部材を設けている。なお、図２の例では、放熱部材は１つの部材で構成されているが、各発光部間の熱の伝達経路が十分に長く確保されているため、互いの熱が干渉することなく外部へ放出される。なお、放熱部材を構成する材料としては、アルミ，銅等の金属材料が一般的であるが、発光部で発生した熱を効果的に放出できるのであれば、これらに限るものではない。すなわち、放熱部材を構成する材料としては、金属材料、セラミック材料及びそれらの混合体等のいずれを用いても良い。より詳細には、金属材料としては、銅，アルミニウム，モリブデン，タングステン及びそれらの混合物を用いることができ、セラミック材料としては、ＳｉＣ，ＳｉＳｉＣ，ＡｌＮ等を用いることができる。
【００２９】
しかし、金属材料を用いる場合、各発光部の独立駆動を維持するために、放熱部材とオーミック電極との間に絶縁層を設ける必要がある。
【００３０】
次に、このような第１の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの製造工程例を以下に示す。すなわち、先ず、第２導電型（ｎ−（またはｐ−））ＧａＡｓ基板上に、第２導電型（ｎ−（またはｐ−））クラッド層、活性層、第１導電型（ｐ−（またはｎ−））クラッド層、第１導電型（ｐ−（またはｎ−））コンタクト層を順次結晶成長させる。ここで、結晶成長に用いる基板としては、ＧａＡｓ基板に限るものではなく、結晶成長させる材料と格子整合するものであれば、任意の材料のものを用いることができる。
【００３１】
次いで、図３に示すように、上記のように結晶成長させた基板の成長面と熱伝導率の低い基板（例えば石英ガラス基板）とをエポキシ系接着剤等を用いて貼り合わせる。なお、ここで用いる熱伝導性の低い基板としては、石英ガラスに限るものではなく、前記半導体材料よりも熱伝導性の低い材料のものであれば、任意の材料のものを用いることができ、また、貼り合わせる接着剤についても、アクリル系，スチロール系等、任意の材料のものを用いることができる。ただし、いずれの基板，接着剤についても、各発光部から駆動中に放出される熱により変形・変質しない材料であることが望ましい。
【００３２】
次いで、半導体材料を成長させた基板を、アルミナ等を用いた機械研磨により所望の厚さを残して研磨・除去する。研磨せずに残した基板は、そのままコンタクト層となる。
【００３３】
次いで、半導体材料表面にフォトレジストを一面に塗布し、図３の破線内部を除いて、他の領域のフォトレジストを完全に除去する。次に、ＲＩＥ等のドライエッチング、もしくは、硫酸・リン酸及びそれらを含む混合溶液等によるウェットエッチング、あるいは、両方のエッチング方法により、図４に示すように加工する。
【００３４】
次いで、先の工程で塗布したフォトレジストを除去し、しかる後、新たにフォトレジストを塗布し、図４の破線内部以外のフォトレジストを完全に除去する。次に、先の工程と同様に半導体材料をエッチングし、第１導電型（ｐ−（またはｎ−））コンタクト層のみを残す（図５を参照）。
【００３５】
次いで、リフトオフ法等を用いて、第１導電型（ｐ−）コンタクト層、第２導電型（ｎ−）コンタクト層上に、オーミック電極を形成する（図６を参照）。なお、オーミック電極の材料の例として、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｌ、及び、それらの合金等が挙げられる。
【００３６】
図３乃至図６では、簡略化のため、放熱部材の図示は省略されているが、本発明におけるマルチビーム半導体レーザーを駆動する際には、各発光部で発生する熱を効果的に拡散・放出させるため、前述した放熱部材を設ける必要がある。さらに、各発光部の電気的独立を確保するため、放熱部材と発光部との間に絶縁層を設ける必要がある。
【００３７】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態は、第１の実施形態のマルチビーム半導体レーザーにおいて、各発光部の第１導電型コンタクト層，第２導電型コンタクト層の各々と電気的に接続されたオーミック電極は、基板上の発光部の存在する側に設置されていることを特徴としている。すなわち、第２の実施形態では、図１の例のように、各発光部の各コンタクト層（ｐ、ｎ）にそれぞれ電気的に独立して接続されたオーミック電極が、基板表面で且つ発光部が存在する側に配置されていることを特徴としている。
【００３８】
マルチビーム半導体レーザーにおいては、１つの素子上に複数の発光部が存在するため、それぞれの発光部を独立して駆動する場合、複雑な配線が必要となる。そこで、本発明の第２の実施形態のように、発光部の存在する側の基板表面に、オーミック電極をすべて形成することで、複雑な配線を容易に行うことができる。
【００３９】
次に、このような第２の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの製造工程例を以下に示す。すなわち、先ず、第２導電型（ｎ−（またはｐ−））ＧａＡｓ基板上に、第２導電型（ｎ−（またはｐ−））クラッド層、活性層、第１導電型（ｐ−（またはｎ−））クラッド層、第１導電型（ｐ−（またはｎ−））コンタクト層を順次結晶成長させる。ここで、結晶成長に用いる基板としては、ＧａＡｓ基板に限るものではなく、結晶成長させる材料と格子整合するものであれば、任意の材料のものを用いることができる。
【００４０】
次に、結晶成長させた第１導電型（ｐ−（またはｎ−））コンタクト層上に、リフトオフ法等により、ｐ（またはｎ）側オーミック電極を形成する（図７を参照）。ここで用いる電極材料としては、Ａｕ，Ｐｔ等の、半導体材料をエッチングする際に用いる液体に対し腐食しない性質を有しているものが望ましい。
【００４１】
次いで、図８に示すように、上記基板のｐ（またはｎ）側オーミック電極を形成した面と熱伝導率の低い基板（例えば石英ガラス基板）とを、エポキシ系接着剤等を用いて貼り合わせる。なお、ここで用いる熱伝導性の低い基板としては、石英ガラスに限るものではなく、前記半導体材料よりも熱伝導性の低い材料のものであれば、任意の材料のものを用いることができ、また、貼り合わせる接着剤についても、アクリル系，スチロール系等、任意の材料のものを用いることができる。ただし、いずれの基板，接着剤についても、各発光部から駆動中に放出される熱によって変形・変質しない材料であることが望ましい。
【００４２】
次いで、半導体材料を成長させた基板を、アルミナ等を用いた機械研磨により所望の厚さを残して研磨・除去する。研磨せずに残した基板は、そのままコンタクト層となる。
【００４３】
次いで、半導体材料表面にフォトレジストを一面に塗布し、図８の破線内部を除いて、他の領域のフォトレジストを完全に除去する。次に、ＲＩＥ等のドライエッチング、もしくは、硫酸・リン酸及びそれらを含む混合溶液等によるウェットエッチング、あるいは、両方のエッチング方法によって、図９に示すように加工する。このエッチングによってフォトレジストが残留している領域の下部以外の半導体材料は除去されるが、先に形成したｐ（またはｎ）側オーミック電極はエッチングされずに残留する。
【００４４】
次いで、リフトオフ法等を用いて、第２導電型（ｎ−（またはｐ−））コンタクト層上に、オーミック電極を形成する（図１０を参照）。なお、電極の材料の例として、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｌ、及び、それらの合金等が挙げられる。
【００４５】
なお、図７乃至図１０では、簡略化のため、放熱部材の図示は省略されているが、本発明におけるマルチビーム半導体レーザーを駆動する際には、各発光部で発生する熱を効果的に拡散・放出させるため、前述した放熱部材を設ける必要がある。さらに、各発光部の電気的独立を確保するため、放熱部材と発光部との間に絶縁層を設ける必要がある。
【００４６】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態は、第１の実施形態のマルチビーム半導体レーザーにおいて、各発光部の第１導電型コンタクト層，第２導電型コンタクト層の各々と電気的に接続されたオーミック電極のうちの一方のオーミック電極は、基板裏面に設置されていることを特徴としている。すなわち、第３の実施形態では、各発光部の各コンタクト層（ｐ、ｎ）にそれぞれ電気的に独立して接続されたオーミック電極のうちのいずれか一方が、基板の発光部が存在しない側に配置されていることを特徴としている。
【００４７】
換言すれば、各発光部の各コンタクト層（ｐ、ｎ）にそれぞれ電気的に独立して接続されたオーミック電極のうち一方が、基板表面で且つ発光部が存在する側に配置されており、もう一方のオーミック電極が、基板表面で且つ発光部が存在しない側に配置されていることを特徴としている。
【００４８】
マルチビーム半導体レーザーにおいて、１つの素子上に存在する発光部の数が増えるにつれて、配線は複雑となり、素子の片面のみでは配線が困難になる。そこで、この第３の実施形態のように、各発光部の各コンタクト層に電気的に接続しているオーミック電極のいずれか一方を裏面に配置することで、複雑な配線を容易にすることができる。
【００４９】
次に、このような第３の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの製造工程例を以下に示す。すなわち、先ず、第２導電型（ｎ−（またはｐ−））ＧａＡｓ基板上に、第２導電型（ｎ−（またはｐ−））クラッド層、活性層、第１導電型（ｐ−（またはｎ−））クラッド層、第１導電型（ｐ−（またはｎ−））コンタクト層を順次結晶成長させる。ここで、結晶成長に用いる基板としては、ＧａＡｓ基板に限るものではなく、結晶成長させる材料と格子整合するものであれば、任意の材料のものを用いることができる。
【００５０】
次に、結晶成長させた第１導電型（ｐ−（またはｎ−））コンタクト層上に、リフトオフ法等により、ｐ（またはｎ）側オーミック電極を形成する（図１１を参照）。ここで用いる電極材料としては、Ａｕ，Ｐｔ等の、半導体材料をエッチングする際に用いる液体に対し腐食しない性質を有しているものが望ましい。
【００５１】
一方、先の工程で作製した半導体材料を貼り合わせるべき熱伝導率の低い材料（例えば石英ガラス基板）に対し、リフトオフ法等を用いて図１２に示すように電極を作製する。なお、ここで用いる熱伝導性の低い基板としては、石英ガラスに限るものではなく、前記半導体材料よりも熱伝導性の低い材料のものであれば、任意の材料のものを用いることができるが、各発光部から駆動中に放出される熱により変形・変質しない材料であることが望ましい。
【００５２】
次いで、先の工程で電極を形成した面とは反対側の面に、上記電極形成済の半導体材料をエポキシ系接着剤等を用いて貼り合わせる。貼り合わせる際には、図１３に示すように、半導体材料端面と基板端面とを少なくとも基板の厚さ分以上ずらし、且つ電極の位置はその配列方向に対し一致していなければならない。ここで用いる接着剤については、アクリル系，スチロール系等、任意の材料のものを用いることができるが、各発光部から駆動中に放出される熱により変形・変質しない材料であることが望ましい。
【００５３】
次いで、半導体材料表面前面にフォトレジストを塗布し、しかる後、図１３の破線で示した領域以外はすべて除去する。次に、ＲＩＥ等のドライエッチング、もしくは、硫酸・リン酸及びそれらを含む混合溶液等によるウェットエッチング、あるいは、両方のエッチング方法により、図１４に示すように加工する。このエッチングによってフォトレジストが残留している領域の下部以外の半導体材料は除去されるが、先に形成したｐ（またはｎ）側オーミック電極Ａはエッチングされずに残留する。
【００５４】
次いで、図１４において、エッチングされずに残留したｐ（またはｎ）側オーミック電極Ａを、図１５に示すように基板裏面側へ折り曲げ、基板裏面に形成されたオーミック電極と電気的に接続する。これにより、基板両面に電極を形成することができ、該マルチビーム半導体レーザーを駆動するための配線を容易にすることができる。
【００５５】
なお、図１１乃至図１５では、簡略化のため、放熱部材の図示は省略されているが、本発明におけるマルチビーム半導体レーザーを駆動する際には、各発光部で発生する熱を効果的に拡散・放出させるため、前述した放熱部材を設ける必要がある。さらに、各発光部の電気的独立を確保するため、放熱部材と発光部との間に絶縁層を設ける必要がある。
【００５６】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態は、第１の実施形態のマルチビーム半導体レーザーにおいて、各発光部間に、該発光部を構成する半導体材料よりも熱伝導率が高い材料よりなる放熱材料が充填されていることを特徴としている。
【００５７】
マルチビーム半導体レーザーにおいては、基板を通じての隣接する発光部間の熱伝導による影響の低減が課題となるが、図２に示した構成により熱伝導を抑制することで該影響を低減することができる。しかし、その結果、各発光部で発生した熱が蓄積し易く、その熱の影響により新たな課題が発生する恐れがある。そこで、本発明の第４の実施形態では、各発光部間に放熱グリス等の熱伝導性の高い材料を充填することで、発光部で発生した熱を発光部外部に拡散，発散させることができる。
【００５８】
（第５の実施形態）
本発明の第５の実施形態は、第１乃至第４のいずれかの実施形態のマルチビーム半導体レーザーにおいて、前記放熱部材は、各発光部もしくはオーミック電極と絶縁層を介して個別に接触し、かつ、各放熱部材は、互いに接触していないことを特徴としている。すなわち、第５の実施形態では、各発光部に個々の放熱部材が接触しており、かつ、それぞれの放熱部材が電気的に独立していることを特徴としている。
【００５９】
マルチビーム半導体レーザーにおいては、基板を通じての隣接する発光部間の熱伝導による影響の低減が課題となるが、図２に示した構成により基板を通した熱伝導を抑制することで該影響を低減することができる。しかし、図２の構成では、各発光部間の独立駆動を維持するため、放熱部材とオーミック電極と間に絶縁層を設ける必要があるが、この場合には、素子構成が複雑になり、製造工程の増加・コストアップは避けられない。そこで、本発明の第５の実施形態では、各発光部に独立した放熱部材を接触させることで、放熱部材とオーミック電極との間に絶縁層を設ける必要がなく、素子構成を簡素なものにすることができる。また、本発明の第５の実施形態においては、各発光部に取り付けられている放熱部材は、個々に電気的に独立しているため、電極として用いることも可能である。
【００６０】
（第６の実施形態）
本発明の第６の実施形態は、第１乃至第５のいずれかの実施形態のマルチビーム半導体レーザーの製造方法において、半導体層の作製工程以前に、該半導体層を侵食する液体に対し侵食されない性質を有する層を形成することを特徴としている。すなわち、第６の実施形態は、半導体層の形成以前に、該半導体層を侵食する液体に対し侵食されない性質を有するエッチストップ層を形成することで、コンタクト層の厚さを均一にし、各発光部の抵抗を均一にしたことを特徴としている。
【００６１】
第１乃至第５の実施形態において示した半導体層は、第２導電型（ｎ−（またはｐ−））ＧａＡｓ基板上に成長されている。これら半導体層の材料は硫酸には可溶であるが、塩酸には侵食されにくい。そこで、本発明の第６の実施形態においては、第２導電型（ｎ−（またはｐ−））ＧａＡｓ基板上に、硫酸に侵食されにくいエッチストップ層（例えばＧａＩｎＰ層）を成長させた後、上記半導体層を順次積層し、更にオーミック電極を形成する（図１６を参照）。
【００６２】
より具体的に、第６の実施形態の製造工程は、例えば次のようになされる。すなわち、成長した半導体材料を、前述の製造工程例と同様にガラス基板等に貼り付け、ＧａＡｓ基板を侵食しＧａＩｎＰよりなるエッチストップ層を侵食しない液体（硫酸等）によりエッチングする。その結果、図１７に示すように、ＧａＡｓ基板がエッチングされ、ＧａＩｎＰエッチストップ層が露出する。
【００６３】
次に、ＧａＩｎＰエッチストップ層を侵食し前記半導体材料を侵食しない塩酸等の液体によりエッチングすることにより、ＧａＩｎＰエッチストップ層が除去され、均一な膜厚を持つコンタクト層が露出する。
【００６４】
以後の工程に関しては、前述した製造工程例と同様であるので、省略する。
【００６５】
なお、図１６，図１７では、簡略化のため、放熱部材の図示は省略されているが、本発明におけるマルチビーム半導体レーザーを駆動する際には、各発光部で発生する熱を効果的に拡散・放出させるため、前述した放熱部材を設ける必要がある。さらに、各発光部の電気的独立を確保するため、放熱部材と発光部との間に絶縁層を設ける必要がある。
【００６６】
（第７の実施形態）
本発明の第７の実施形態は、第１乃至第５のいずれかの実施形態のマルチビーム半導体レーザーが、該マルチビーム半導体レーザーから放出されるレーザー光が直線上に等間隔で放出されるように、複数個配置されていることを特徴とするマルチビーム半導体レーザーアレイである。すなわち、第７の実施形態は、図１８に示すように、前述したいずれかの実施形態のマルチビーム半導体レーザーが、ステー上に、各発光部が等間隔に並ぶよう、複数個配置されているマルチビーム半導体レーザーアレイである。
【００６７】
従来の半導体レーザーは、１つの発光素子について１つの発光部しか持っていなかった。また、発光素子を駆動するには、制御回路が必要であり、通常それらが一組として１つの格納容器（ＣＡＮ）が構成されている。従って、ビームピッチを狭めて半導体レーザーを等間隔に配置する場合、ＣＡＮのサイズに制約され、１０ｍｍ程度以下にビームピッチを狭めることはできなかった。
【００６８】
これに対し、本発明の第７の実施形態におけるマルチビーム半導体レーザーアレイの場合、ビームピッチ（図１８中にａで示す）は発光部の幅以上であれば任意に設定することができ、ＣＡＮのサイズに差程制約されることなく、等間隔に発光部を配置することができる。
【００６９】
第７の実施形態のようなマルチビーム半導体レーザーアレイを用いて画像記録を行う場合、ビームピッチと等しい距離を走査することにより画像を形成することができる。このとき、マルチビーム半導体レーザーアレイを走査する距離（ビームピッチに等しい）は、従来の半導体レーザーアレイと比較して非常に短いため、はるかに短い時間で画像記録を行うことができる。
【００７０】
（第８の実施形態）
本発明の第８の実施形態は、第１乃至第５のいずれかの実施形態のマルチビーム半導体レーザーが等間隔で並べられ、且つ該マルチビーム半導体レーザーから放出されるレーザー光が直線上に放出されるようになっていることを特徴とするマルチビーム半導体レーザーアレイである。すなわち、第８の実施形態は、図１９に示すように、前述したいずれかの実施形態のマルチビーム半導体レーザー素子が、ステー上に等間隔に並ぶよう、複数個配置されているマルチビーム半導体レーザーアレイである。
【００７１】
従来の半導体レーザーは、１つの発光素子について１つの発光部しか持っていなかった。また、発光素子を駆動するには、制御回路が必要であり、通常それらが一組として１つのＣＡＮが構成されている。従って、ビームピッチを狭めて半導体レーザーを等間隔に配置する場合、ＣＡＮのサイズに制約され、１０ｍｍ程度以下にビームピッチを狭めることはできなかった。
【００７２】
これに対し、前述の第７の実施形態において示した構成では、ビームピッチが狭く画像記録に要する時間は非常に短い反面、素子（発光部）数が非常に多く、制御回路が複雑になり、全体的に高価になる可能性がある。
【００７３】
一方、本発明の第８の実施形態においては、素子（発光部）数を減らすことによって、画像記録に要する時間は長くなるが、制御回路を簡素にすることができ、全体的に安価にすることができる。
【００７４】
第８の実施形態のようなマルチビーム半導体レーザーアレイを用いて画像記録を行う場合、始めは第７の実施形態と同様に、ビームピッチの間隔だけレーザーアレイを走査する。次に、レーザーアレイを距離（ｂ−ａ）だけ移動し、引き続きビームピッチの間隔だけレーザーアレイを走査する。このような操作を繰り返すことによって、所望の画像を得ることができる。
【００７５】
（第９の実施形態）
本発明の第９の実施形態は、第７または第８の実施形態のマルチビーム半導体レーザーアレイが用いられていることを特徴とする印刷用版材製版装置であって、第７または第８の実施形態のマルチビーム半導体レーザーアレイを用いることで、短時間で画像記録が可能な印刷用版材製版装置を提供することができる。
【００７６】
この第９の実施形態の印刷用版材製版装置の主要部分は、図２０に示すように、画像記録媒体である印刷用版材と、該版材を固定するドラムと、マルチビーム半導体レーザーアレイとにより構成されている。版材は、ドラム上に固定されており、ドラムは、図示しない駆動手段により、主走査方向に一定速度で回転している。また、マルチビーム半導体レーザーアレイは、図示しない制御回路により駆動されており、画像データに応じて所定の出力にて発光している。
【００７７】
画像記録時においては、ドラムが１回転するごとに、レーザーアレイは画像の解像度に対応した距離を副走査方向に移動する（例：１，２７０ｄｐｉ・・・０．０２ｍｍ、２，５４０ｄｐｉ・・・０．０１ｍｍ）。引き続き、ドラムが１回転した後、レーザーアレイは同じ距離だけ副走査方向に移動する。第７の実施形態のマルチビーム半導体レーザーアレイを用いている場合、これらの動作を繰り返し、ビームピッチと等しい距離を移動した時点で画像記録は終了する。一方、第８の実施形態のマルチビーム半導体レーザーアレイを用いている場合、これらの動作を繰り返し、ビームピッチと等しい距離を移動した後、（１つの半導体素子上の発光部数）×（ビームピッチ）で計算される距離を移動した後、同様の動作を繰り返す。一連の動作を繰り返し、全体の移動距離が半導体素子の配置している間隔と等しくなった時点で画像記録が終了する。
【００７８】
（第１０の実施形態）
図２１は本発明の第１０の実施形態の画像記録装置の構成例を示す図である。図２１の画像記録装置では、レーザー製版ユニットに、第７または第８の実施形態のマルチビーム半導体レーザーアレイが用いられている。
【００７９】
より詳細に、図２１の画像記録装置では、版胴上に図示しない記録体が固定されており、この記録体は初期状態においてインクが付着しない状態であり、レーザー光を熱変換し、加熱された領域のみ印刷用インクが付着する性質を有している。あるいは初期状態においてインクが付着する状態であって、レーザー光を照射し加熱された領域のみインクが付着しない性質を有している記録体であっても構わない。上記方法で画像を形成した後、インキングユニットにより画像を現像すると、レーザー光を照射した領域のみインクが付着する。このようにして現像された画像は、ブランケット胴に転写される。一方、記録媒体は給紙台より供給され、圧胴により画像が転写されたブランケット胴へ圧着されることにより、画像が記録媒体上に転写される。このような画像記録装置を用いることによって、高精細な画像を、画像記録開始後、迅速に出力することができる。
【００８０】
【実施例】
次に、本発明の実施例について説明する。
【００８１】
（実施例１）
実施例１は第１の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの具体例となっている。すなわち、実施例１のマルチビーム半導体レーザーは、図１の基本構成において、ｐ型コンタクト層としてｐ−ＧａＡｓ、ｐ型クラッド層としてｐ−Ａｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓ、活性層としてＡｌ０．８５Ｇａ０．１５Ａｓ、ｎ型クラッド層としてｎ−Ａｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓ、ｎ型コンタクト層としてｎ−ＧａＡｓをそれぞれ用いており、また、熱伝導率の低い基板材料として石英ガラスを用いている（基板厚さｔ＝０．５ｍｍ）。
【００８２】
このような構成のマルチビーム半導体レーザーの製造方法を以下に述べる。すなわち、先ず、基板表面に対して洗浄・酸化膜除去を施したＧａＡｓ基板を用意する。該ＧａＡｓ基板上に、エッチストップ層（ＧａＩｎＰ）、ｎ型コンタクト層、ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層を順次結晶成長させる。結晶成長させる具体的な方法としては、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法等の任意の方法を用いることができる。次に、結晶成長面にｐ側オーミック電極を形成する。オーミック電極の具体的な材料としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｌ、及び、それらの合金などの、マルチビーム半導体レーザー駆動時に発光部から発生する熱により変形・変質しない材料が望ましく、オーミック電極のパターニング方法としては、リフトオフ法等の任意の方法を用いることができる。
【００８３】
次に、このように結晶成長がなされオーミック電極が形成されたＧａＡｓ基板の表面と石英ガラス基板とをエポキシ系接着剤等を用いて貼り合わせる。次に、結晶成長がなさせたＧａＡｓ基板をアルミナ，サンドペーパー等を使って研磨した後、硫酸を使ってエッチングすることにより完全に除去し、エッチストップ層を露出させる。該エッチストップ層はＧａＩｎＰにより構成され硫酸に対しては不溶であるから、該エッチストップ層と石英ガラス基板との間の半導体層は全くエッチングされることはない。引き続き、該エッチストップ層を塩酸により除去するが、上記半導体材料は塩酸に対しては不溶であるため、厚さの均一なｎ型コンタクト層が露出する。
【００８４】
次に、ウエットエッチング，ドライエッチング法などを用いて、図１に示すような形状に加工し、ｎ側オーミック電極を形成する。
【００８５】
このようにして作製されたマルチビーム半導体レーザーは、隣接する発光部の熱の影響を受けにくく、継続して高い出力のレーザー光を放出し続けることができる。
【００８６】
（実施例２）
実施例２は本発明のマルチビーム半導体レーザーアレイを用いた第９の実施形態の印刷用版材製版装置の具体例となっている。すなわち、実施例２の印刷用版材製版装置では、図２０において、主走査方向の回転速度は、レーザー出力，レーザー光のスポット径，印刷用版材のレーザー波長に対する書き込み感度及び印刷用版材のサイズに依存して決まる。レーザー光のスポット径は、書き込み画像の解像度と密接に関係しており、２，５４０ｄｐｉ（１ドット：１０×１０μｍ）での書き込みを想定すると、１５μｍ程度のスポット径でなければならない。また、印刷用版材として、特開平０８−２７６６６３，特開平０９−３１５００４，特開２０００−２４７０２６に示されているフッ素系感熱材料を用いた場合、画像記録に必要なエネルギー密度は約３４０ｍＪ／ｃｍ２である。また、１つの発光部から放出されるレーザー光の出力が５０ｍＷであるとする場合、印刷用版材がＡ２サイズであるとすると、ドラムの回転速度はおよそ５０ｒｐｍとなる。
【００８７】
従来より用いられているシングルビーム半導体レーザーを用いた場合、より大出力が得られる反面、ＣＡＮの大きさやクリアランスを確保するため、ビームピッチを１０ｍｍ（１，０００ステップ）以下にすることは極めて困難である。レーザー光の出力が１００ｍＷであるとすると、ドラム回転速度は１００ｒｐｍまで向上させることができるが、その条件下の画像書き込み所要時間は１０分である。また、ドラム回転速度を向上させるためには、それを支持する筐体補強、より高トルクなドラム駆動モーターを採用する必要があり、これにより大幅なコストアップは避けられない。
【００８８】
これに対し、マルチビーム半導体レーザーのビームピッチ（副走査方向の走査距離）を１ｍｍとすると、１００ステップの副走査が必要となり、その所要時間（＝画像書き込み時間）は、ドラムが１００回転する時間に等しく、２分となる。
【００８９】
また、１つの半導体レーザー素子の幅を１０ｍｍとすると、Ａ２サイズをカバーするには６０個の素子が必要となるが、これを削減するために１０ｍｍ間隔で素子を配置すると、３０個の素子でＡ２幅をカバーすることができる。そのとき書き込みに必要な所要時間は４分＋α（副走査方向へのから送り時間）となるが、その場合であっても、シングルビーム半導体レーザーを用いて画像書き込みを行う場合よりもはるかに短時間で画像書き込みを終了させることができる。
【００９０】
【発明の効果】
以上に説明したように、請求項１乃至請求項５記載の発明によれば、第１導電型コンタクト層と第１導電型クラッド層と活性層と第２導電型クラッド層と第２導電型コンタクト層との各半導体層よりなる複数の発光部と、各発光部のそれぞれに対応して設けられ、各発光部の第１導電型コンタクト層，第２導電型コンタクト層の各々と電気的に接続されたオーミック電極と、複数の発光部及びオーミック電極を支持する基板と、各発光部において発生する熱を放出する放熱部材とを有し、前記基板には、発光部を構成する半導体材料よりも熱伝導率が低い材料が用いられるので、基板を通じて発光部間で互いに熱の干渉を生じることを抑制することができる。換言すれば、基板からの熱伝導を抑制することにより、隣接する発光部からの熱の影響を排除し、定格出力を向上させ、同時に、高精細な画像を高速に出力させることができる。
【００９１】
すなわち、画像印刷分野においては、オンデマンドプリンティングと呼ばれるニーズが高まっており、オフセット印刷，電子写真技術を用いた様々な印刷システムが現在各社から提案されている。オンデマンド印刷への対応を実現するには、小ロットおよび１ジョブあたりのコスト低減などが課題となる。オフセット印刷技術における作像工程では、製版プロセスが存在する。一般にオフセット印刷は印字速度が電子写真方式と比較してきわめて高いため、製版プロセスにおける時間短縮・コスト低減が非常に重要となる。
【００９２】
本発明においては、１つの素子上に複数の発光部を設けることでビームピッチを縮小し（すなわち１つの発光部が走査する領域を縮小し）、且つ各発光部を支持する基板を熱伝導率の低い材料とすることにより各発光部より発生する熱の影響を低減し、光出力の低下を抑制することができる。
【００９３】
なお、請求項２記載の発明では、請求項１記載のマルチビーム半導体レーザーにおいて、各発光部の第１導電型コンタクト層，第２導電型コンタクト層の各々と電気的に接続されたオーミック電極は、基板上の発光部の存在する側に設置されており、コンタクト層上にオーミック電極を形成した後、該電極を形成した面と熱伝導率の低い材料とを貼り合わせるようになっているため、後の作製工程を簡略化することができる。
【００９４】
また、請求項３記載の発明では、請求項１記載のマルチビーム半導体レーザーにおいて、各発光部の第１導電型コンタクト層，第２導電型コンタクト層の各々と電気的に接続されたオーミック電極のうちの一方のオーミック電極は、基板裏面に設置されており、オーミック電極が基板の表面と裏面とに存在するため、マルチビーム半導体レーザーとそれを駆動するための回路との接続を容易にすることができる。
【００９５】
また、請求項４記載の発明では、請求項１記載のマルチビーム半導体レーザーにおいて、各発光部間に、該発光部を構成する半導体材料よりも熱伝導率が高い材料よりなる放熱材料が充填されており、各発光部間に熱伝導率の高い放熱材料を充填することにより、各発光部で発生した熱を拡散させることができ、これにより、熱の影響を低減することができる。
【００９６】
また、請求項５記載の発明では、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のマルチビーム半導体レーザーにおいて、前記放熱部材は、各発光部もしくはオーミック電極と絶縁層を介して個別に接触し、かつ、各放熱部材は、互いに接触していないので、発光部で発生した熱を効果的に外部へ発散させ、且つマルチビーム半導体レーザーとそれを駆動するための回路との接続を容易にすることができる。
【００９７】
また、請求項６記載の発明によれば、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のマルチビーム半導体レーザーの製造方法において、半導体層の作製工程以前に、該半導体層を侵食する液体に対し侵食されない性質を有する層を形成するので、各発光部のコンタクト層の厚さを均一にすることができ、特性の均一な発光部を持つマルチビーム半導体レーザーを製造することができる。
【００９８】
また、請求項７記載の発明によれば、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のマルチビーム半導体レーザーが、該マルチビーム半導体レーザーから放出されるレーザー光が直線上に等間隔で放出されるように、複数個配置されていることを特徴とするマルチビーム半導体レーザーアレイであるので、各発光部より放出されるレーザー光のピッチを狭めることができ、これにより、１つの発光素子の走査する領域が狭くなり、短時間での画像記録が可能となる。
【００９９】
また、請求項８記載の発明によれば、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のマルチビーム半導体レーザーが等間隔で並べられ、且つ該マルチビーム半導体レーザーから放出されるレーザー光が直線上に放出されるようになっていることを特徴とするマルチビーム半導体レーザーアレイであるので、各発光部より放出されるレーザー光のピッチを狭めるとともに、請求項７の構成よりも少ない素子数で、同等の面積にレーザー光を照射することができる。すなわち、１つの発光素子の走査する領域が狭くなり、且つ少ないマルチビーム半導体レーザー素子で画像記録を行うことにより、短時間で画像記録が可能で安価なマルチビーム半導体レーザーアレイを実現することができる。
【０１００】
また、請求項９記載の発明によれば、請求項７または請求項８記載のマルチビーム半導体レーザーアレイが用いられていることを特徴とする印刷用版材製版装置であるので、短時間で高精細な画像記録が可能な印刷用版材製版装置を提供することができる。
【０１０１】
また、請求項１０記載の発明によれば、請求項７または請求項８記載のマルチビーム半導体レーザーアレイが用いられていることを特徴とする画像記録装置であるので、短時間で高精細な画像を出力可能な記録装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの基本構成の一例を示す図である。
【図２】第１の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの基本構成の一例を示す図である。
【図３】第１の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの製造工程例を説明するための図である。
【図４】第１の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの製造工程例を説明するための図である。
【図５】第１の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの製造工程例を説明するための図である。
【図６】第１の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの製造工程例を説明するための図である。
【図７】第２の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの製造工程例を説明するための図である。
【図８】第２の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの製造工程例を説明するための図である。
【図９】第２の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの製造工程例を説明するための図である。
【図１０】第２の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの製造工程例を説明するための図である。
【図１１】第３の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの製造工程例を説明するための図である。
【図１２】第３の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの製造工程例を説明するための図である。
【図１３】第３の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの製造工程例を説明するための図である。
【図１４】第３の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの製造工程例を説明するための図である。
【図１５】第３の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの製造工程例を説明するための図である。
【図１６】第６の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの製造工程例を説明するための図である。
【図１７】第６の実施形態のマルチビーム半導体レーザーの製造工程例を説明するための図である。
【図１８】第７の実施形態のマルチビーム半導体レーザーアレイを示す図である。
【図１９】第８の実施形態のマルチビーム半導体レーザーアレイを示す図である。
【図２０】第９の実施形態の印刷用版材製版装置を示す図である。
【図２１】本発明の第１０の実施形態の画像記録装置の構成例を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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