(57)【要約】【課題】  保護膜と電極パッドとを有する電子部品を歩留りよく電気特性も改善できる製造方法を提供する。【解決手段】  基板１上にＩＤＴ２、電極パッド３及び圧電薄膜５を形成する。電極パッド３上にエチルセルロースを主材として含有したマスク用樹脂層９を形成する。圧電薄膜５上に保護膜６をスパッタリングにより形成する。マスク用樹脂層９を除去することにより、マスク用樹脂層９上に形成された保護膜６を除去する。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、電子機能部及び該電子機能部と外部との間の電気的な導通のための電極パッドを形成する第一の工程と、
前記電極パッド上に、マスク用樹脂層を形成する第二の工程と、
前記基板上に、前記電子機能部のための保護膜を真空蒸着或いはスパッタリングにより形成する第三の工程と、
前記マスク用樹脂層を除去することにより、マスク用樹脂層上に形成された保護膜を除去する第四の工程とを含み、
前記第二の工程におけるマスク用樹脂層の素材に、セルロース誘導体を主材として含有したものを用いる、ことを特徴とすることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記第三の工程において、保護膜を形成するときに前記電極パッド部分をマスクするためのメタルマスクを用いる、ことを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記マスク用樹脂層を、２００℃以下の加熱温度で硬化させて得る、ことを特徴とする請求項１又は２記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記マスク用樹脂層が、さらにアルキド樹脂を含有するものである、ことを特徴とする請求項１ないし３の何れか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記セルロース誘導体はエチルセルロースである、ことを特徴とする請求項１ないし４の何れか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記マスク用樹脂層の素材が、有機溶剤を含有し、該有機溶剤の揮散により硬化するものである、ことを特徴とする請求項１ないし５の何れか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記基板は、表面波基板であり、
前記電子機能部は、くし型電極部を表面波基板上に有するものである、ことを特徴とする請求項１ないし６の何れか１項に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＶやＶＴＲなどに使用される映像中間周波用（ＶＩＦ）の弾性表面波装置といった、電極パッドを基板上に有すると共に、くし型電極部（以下、ＩＤＴと記す）といった電子機能部上に保護膜が形成された電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気機器や電子機器の小型化や低コスト化を実現するためには、チップ状の電子部品のさらなる小型化が必須となっている。電気機器としてのテレビ受信機に使用される映像中間周波用（ＶＩＦ）フィルタには、小型化できる弾性表面波（以下、ＳＡＷと記す）フィルタが電子部品として用いられている。
【０００３】
上記ＳＡＷフィルタは、圧電薄膜上に、複数のくし型電極部（以下、ＩＤＴという）が設けられ、電気信号がＩＤＴに印加されると、圧電薄膜上にＳＡＷが発生して伝搬し、他のＩＤＴで上記ＳＡＷを電気信号として検出することでフィルタ機能を発揮できるようになっている。
【０００４】
また、ＴＶやＶＴＲでは、デジタル化が進んできているため、ＩＤＴの電極対数を減らすことができない。このため、ＩＤＴの形成領域がチップ面積に占める割合が大きくなる。
【０００５】
従来技術のように取出し電極パッドがチップ状の電子部品のサイズに対し大きいとＩＤＴの電極形成領域を確保することができないため、取出し電極パッドを小さく、かつ圧電薄膜の膜端との距離をできるだけ縮めなければならない。
【０００６】
従来技術では信頼性向上のためＩＤＴ上に保護膜を形成しているが、取出し電極パッドと圧電薄膜の膜端の距離が縮まると、保護膜が取出し電極パッド上にかかってしまい、ワイヤーボンディングができない、もしくはできても接合強度が弱くなるという間題があった。
【０００７】
また、チップ状の電子部品は、集合基板となるウエハ上に、同時に多数形成して生産性を向上させている。当ウエハ上の各電子部品の中間製品については、ワイヤーボンディングする前に電気的特性の測定が行なわれ、選別される。電気的特性の測定では、測定装置のプローブの先端が各中間製品の取出し電極パッドに接触されるため、取出し電極パッドにプローブの跡が付くおそれがあり、ボンディングワイヤーが取出し電極パッドに十分な強度で接合されなかったり、ボンディングワイヤーが取出し電極パッドから外れたりするおそれがあった。
【０００８】
上記おそれを回避するため、取出し電極パッドとは別に、対応する取出し電極パッドに電気的に接続された電気的特性測定用電極パッドを、上記取出し電極パッドに近接した位置に設けることが一般化している。
【０００９】
このような電子部品としてのＳＡＷフィルタは、圧電薄膜がＳＯ2ガスにより腐食されることを回避するために、耐環境性を向上できる樹脂パッケージに収容されて用いられている。
【００１０】
さらに、耐環境性を補うため、先行技術としての特許文献１には、ＳＡＷフィルタの素子機能部分を覆うＳｉＯ2からなる保護膜をスパッタリング形成することが開示されている。上記保護膜は、電気絶縁性を有するので、取出し電極パッドや電気的特性測定用電極パッドといった電極パッド上に残る場合、電極パッドと外部との間での電気的な接続が不良となるという不都合を生じる。
【００１１】
このことから、上記電極パッド上をマスクして、上記保護膜がスパッタリング形成されている。この保護膜パターンをスパッタリング形成する際の電極パッド用のマスクとして、従来はメタルマスクが用いられていた。
【００１２】
ところが、上記メタルマスクを用いても、上記保護膜が電極パッド上に残り、上記電極パッドと外部との電気的な接続が阻害されることがあるという不都合を生じている。
【００１３】
本発明者らは、上記不都合の原因について種々検討したところ、メタルマスクは、開口部が広く遮蔽部が狭いため比較的反り易い形状であることと、使用時に、メタルマスクの表面に保護膜材料であるＳｉＯ2が付着すると、ＳｉＯ2とメタルマスクの材質であるステンレスとの間での膨張係数の差による反りがスパッタリング形成時に大きくなり、メタルマスクと基板表面との間に隙間が生じるためであることを見出した。
【００１４】
そこで、保護膜形成時に、電極パッド上の部分のみに樹脂パターンを形成してマスクとするリストオフ法に変え、メタルマスクの浮きによる前記不都合を解決することを、本発明者らは考えた。ここで、リフトオフ法とは、まず、ワイヤーボンディング用といった電極パッド上にフォトリソグラフィー法を用いて樹脂パターンを形成した後、ＳｉＯ2といった保護膜を全面にスパッタリング形成し、続いて、前記樹脂パターンを剥離することによって樹脂パターン上のＳｉＯ2も剥離して除去する方法である。この方法により、電極パッド上においては保護膜が形成されない保護膜パターンを形成できる。
【００１５】
上記樹脂パターンに使用される素材としては、パターン形成が容易なレジスト樹脂としての、ポジレジストのノボラック系樹脂やネガレジストのアクリル系樹脂が挙げられる。
【特許文献１】特開平１０−１７８３３０号公報（公開日：１９９８年６月３０日）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、上記従来のレジスト樹脂によるリフトオフ法を用いた場合では、スパッタリングの熱でレジスト樹脂が重合・硬化して、樹脂パターンが電極パッド上から剥離し難くなっていた。これにより、上記従来においては、電極パッド上に樹脂パターン残さを生じ、その樹脂パターン残さに起因する上記電極パッドと外部との電気的な接続が阻害されることがあるという問題を招来している。
【００１７】
本発明の目的は、簡便な製造方法により、上記樹脂パターン残さの発生を抑制して、電極パッドと外部との電気的な接続を安定化できる、弾性表面波装置といった電子部品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の電子部品の製造方法は、以上の課題を解決するために、基板上に、電子機能部及び該電子機能部と外部との間の電気的な導通のための電極パッドを形成する第一の工程と、前記電極パッド上に、マスク用樹脂層を形成する第二の工程と、前記基板上に、前記電子機能部のための保護膜を真空蒸着或いはスパッタリングにより形成する第三の工程と、前記マスク用樹脂層を除去することにより、マスク用樹脂層上に形成された保護膜を除去（リフトオフ）する第四の工程とを含み、前記第二の工程におけるマスク用樹脂層の素材に、セルロース誘導体を主材として含有したものを用いることを特徴としている。
【００１９】
上記方法によれば、マスク用樹脂層の素材に、セルロース誘導体を主材として含有したものを用いることで、保護膜を形成した後のリフトオフのときに、電極パッド上に形成されるマスク用樹脂層が上記電極パッド上に樹脂残さとして残ることを防止できる。
【００２０】
この結果、上記方法は、上記電極パッド上での樹脂残さの発生が回避されることにより、電子機能部と外部との間の電極パッドを介した電気的な導通を、より確実化できるから、得られた電子部品における歩留りや電気特性を安定化することが可能となる。
【００２１】
上記製造方法では、前記第三の工程において、保護膜を形成するときに前記電極パッド部分をマスクするためのメタルマスクを用いてもよい。
【００２２】
上記方法によれば、メタルマスクを用いて、真空蒸着或いはスパッタリングにより保護膜を形成することにより、マスク用樹脂層上に付着する保護膜の面積を小さくできるから、上記マスク用樹脂層のリフトオフを容易化できる。
【００２３】
上記製造方法においては、前記マスク用樹脂層を、２００℃以下の加熱温度で硬化させて得ることが好ましい。
【００２４】
上記方法によれば、前記マスク用樹脂層を２００℃以下の加熱温度で硬化させて得るので、この加熱時における前記電子機能部への特性変化を抑制できる。
【００２５】
上記製造方法では、前記マスク用樹脂層が、さらにアルキド樹脂を含有するものであってもよい。
【００２６】
上記方法によれば、前記マスク用樹脂層の素材がセルロース誘導体とアルキド樹脂を少なくとも含むことにより、マスク用樹脂層と基板との間での乾燥塗膜強度を向上できて、保護膜の成分が電極パッド上に侵入することをより確実に阻止できる。
【００２７】
上記製造方法においては、前記セルロース誘導体はエチルセルロースであることが望ましい。上記方法によれば、前記セルロース誘導体はエチルセルロースであることで、エチルセルロース以外の含有成分がパッド上に残ることを防止できて、電極パッド上からマスク用樹脂層を除去することを確実化できる。
【００２８】
上記製造方法では、前記マスク用樹脂層の素材が、有機溶剤を含有し、該有機溶剤の揮散により硬化するものであることが望ましい。上記製造方法においては、前記基板は、表面波基板であり、前記電子機能部は、ＩＤＴを表面波基板上に有するものであってもよい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の電子部品の製造方法は、以上のように、基板上に、電子機能部及び該電子機能部と外部との間の電気的な導通のための電極パッドと、該電子機能部上に保護膜とを有する電子部品の製造方法において、前記電極パッド上にマスク用樹脂層を形成する工程と、前記保護膜を真空蒸着或いはスパッタリングにより形成する工程と、前記マスク用樹脂層のパターンを除去する工程とを含み、前記マスク用樹脂層の素材に、セルロース誘導体を主材として含有したものを用いる方法である。
【００３０】
それゆえ、上記方法は、マスク用樹脂層の素材に、セルロース誘導体を主材として含有したものを用いることで、形成されたマスク用樹脂層が、除去する（リフトオフ）時に電極パッド上に残留した樹脂残さの発生が回避される。
【００３１】
この結果、上記方法は、樹脂残さの発生が回避されることによって、電子機能部と外部との間の電極パッドを介した電気的な導通を、より確実化できるから、得られた電子部品における歩留りや電気特性を安定化することが可能となるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明の実施の形態について図１ないし図５に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００３３】
本発明に係る電子部品としてのＳＡＷ装置は、図１に示すように、略長方形板状のガラスなどからなる支持基板１上に、複数のＩＤＴ（くし型電極部）２、複数の取出し電極パッド３、及び上記両者を電気的にそれぞれ接続する複数の配線パターン４が、アルミニウム（Ａｌ）等の導電体から形成されている。上記複数の各ＩＤＴ２は、それらの弾性表面波の伝搬方向に沿って支持基板１上にそれぞれ形成されている。
【００３４】
ＩＤＴ２は、帯状のバスバー２ａに対し、その側部から上記バスバー２ａの長手方向に直交する方向に延びる、複数の、互いに平行で離間したくし歯状電極２ｂを、一組、互いのくし歯状電極２ｂが互いに交叉されて上記圧電薄膜５の表面に対しそれぞれ当接して有するものである。このようなＩＤＴ２では、電気信号が入力されると、圧電薄膜５上に所定周波数の弾性表面波が各くし歯状電極２ｂの幅方向に沿って発生して圧電薄膜５上にて伝搬し、発生した弾性表面波は伝搬して他のＩＤＴ２で電気信号として検出される。これにより、上記複数の各ＩＤＴ２の組み合わせは、所定周波数の弾性表面波を発生させて検出するのでフィルタ機能を発揮できる。
【００３５】
さらに、各ＩＤＴ２の形成領域を密接して覆うように、ＺｎＯからなる圧電薄膜５が設けられている。また、上記ＳＡＷ装置においては、支持基板１上における圧電薄膜５上に、ＳｉＯ2からなる保護膜６が圧電薄膜５の周辺部と上面の全面に形成されている。また、図２に示すように、取出し電極パッド３以外に、電気的特性測定用電極パッド３ａを支持基板１上に設けてもよい。
【００３６】
さらに、図１及び図２に示すように、圧電薄膜５上を伝搬する弾性表面波を制御するためのダンピング材層７が、圧電薄膜５における支持基板１の長手方向の膜端を覆うように、弾性体、例えばシリコンゴムから形成されている。なお、図１では、保護膜６の下に形成されている各ＩＤＴ２や圧電薄膜５については透視して示している。
【００３７】
このようなＳＡＷ装置では、保護膜６が圧電薄膜５に対して形成されているので、圧電薄膜５の耐腐食性を向上でき、耐腐食試験や、通常の動作時で腐食により特性が劣化することが抑制されるから、歩留りや経時的な特性安定性を改善できる。
【００３８】
次に、本実施の形態に係るＳＡＷ装置の製造方法について説明する。上記製造方法では、まず、図３（ａ）に示すように、例えば、厚さが０．８ｍｍ、大きさが５０ｍｍ×５０ｍｍといったウエハ形状の集合支持基板１１の表面を洗浄する。集合支持基板１１は、後述するように、ダイシング等により分割することで前記の支持基板１となるものである。
【００３９】
次に、図３（ｂ）に示すように、集合支持基板１１上の全面にＡｌ層１２をスパッタリング法により形成する。続いて、図３（ｃ）に示すように、Ａｌ層１２上に、感光性のレジスト樹脂層１３を、例えばスピンコート法により形成する。
【００４０】
その後、図３（ｄ）に示すように、レジスト樹脂層１３上に、各ＩＤＴ２、各取出し電極パッド３、電気的特性測定用電極パッド３ａ、及び各配線パターン４を形成するためのメタルパターン１４が形成された光透過性板１５を装着する。なお、以下の記載では、特に断らない限り、各取出し電極パッド３、電気的特性測定用電極パッド３ａを、電極パッド３と記す。
【００４１】
その次に、上記メタルパターン１４を挟んで紫外線を上記レジスト樹脂層１３に向かって照射して、メタルパターン１４の開口を通過した紫外線により各ＩＤＴ２、電極パッド３、各配線パターン４に対応した樹脂感光部分１３ａを感光によりそれぞれ形成する。
【００４２】
続いて、メタルパターン１４が形成された光透過性板１５を上記レジスト樹脂層１３上から取り外した後、図４（ａ）に示すように、現像により、非感光部分の樹脂非感光部分１３ｂを除去する。
【００４３】
次に、図４（ｂ）に示すように、残っている樹脂感光部分１３ａにて覆われたＡｌ層１２ａ以外のＡｌ層１２ｂを、例えばウエットエッチング法で除去する。その後、図４（ｃ）に示すように、残っている樹脂感光部分１３ａをレジスト剥離により除去する。
【００４４】
続いて、集合支持基板１１上の全面にＺｎＯ薄膜をスパッタリング法により形成した後、前記ＩＤＴ２の形成領域を覆いつつ、電極パッド３部分は覆わないようにレジストを上記ＺｎＯ薄膜上に形成し、レジストで覆われていない部分のＺｎＯ薄膜を、例えばウエットエッチング法で除去する。これにより、図５（ａ）に示すように、ＩＤＴ２上はＺｎＯ薄膜で覆われた前記圧電薄膜５を形成すると共に、電極パッド３上にＺｎＯ薄膜は残らない。これまでの、図３（ａ）ないし図３（ｄ）、図４（ａ）ないし図４（ｃ）及び図５（ａ）までの各工程は、本発明に係る第一の工程に含まれる。
【００４５】
次に、各電極パッド３の全て上をそれぞれ覆うように、かつ圧電薄膜５にはかからないようにマスク用樹脂ペースト層８をスクリーン印刷法により形成する。マスク用樹脂ペースト層８の形成精度は、各電極パッド３を覆うことができればよいので、１０μｍ〜２０μｍ程度の形成精度でよく、スクリーン印刷法で十分な形成精度を確保できる。
【００４６】
その後、１５０℃、３０分の加熱によって、マスク用樹脂ペースト層８からマスク用樹脂層９を、マスク用樹脂ペースト層８中の有機溶剤を揮散させることによる硬化により、マスク用樹脂層９を形成する（第二の工程）。
【００４７】
その後、集合支持基板１１上に、圧電薄膜５のための保護膜６を、メタルマスクを用いたスパッタリング法により形成する（第三の工程）。保護膜６の素材としては、ＳｉＯ2等の電気絶縁性や耐湿性に優れたものが挙げられる。スパッタリング形成時の加熱は、通常、２００℃以下であり、本実施の形態では１５０℃程度である。減圧は、１Ｐａ以下に設定される。上記硬化では、得られたマスク用樹脂層９に重合は生じていない。
【００４８】
このとき、圧電薄膜５の膜端と各電極パッド３とが互いに近接して設けられているので、前記メタルマスクを用いても、回り込み等により上記保護膜６は、各電極パッド３の少なくとも一部上のマスク用樹脂層９上にも不要なものとして形成されている。
【００４９】
続いて、マスク用樹脂層９を、アセトン等の有機溶媒による集合支持基板１１上の洗浄により除去することによって、マスク用樹脂層９上に形成された保護膜６のみをリフトオフ（除去）する（第四の工程）と共に、各電極パッド３の表面が、保護膜５を残さず露出され、洗浄される。
【００５０】
その次に、図４（ｅ）に示すように、圧電薄膜５上における、集合支持基板１１における支持基板１の長手方向（つまり、圧電薄膜５上でのＳＡＷの伝搬方向に沿った各端部）の膜端を覆うようにダンピング材層７を印刷により形成する。その後、図示しないが、集合支持基板１１を、各支持基板１毎に分割して本発明のＳＡＷ装置が得られる。
【００５１】
マスク用樹脂ペースト層８の各組成としては、エチルセルロース（主材）が１０ｗｔ％〜２０ｗｔ％、アルキド樹脂が１ｗｔ％〜１０ｗｔ％、ナフテン・パラフィン混合物が３０ｗｔ％〜４０ｗｔ％、１−オクタノールが２０ｗｔ％、ジエチレングリコールモノメチルエーテルが１０ｗｔ％〜２０ｗｔ％含むものが挙げられる。上記主材とは、上記組成において、有機溶剤を除去したときの固形分において５０ｗｔ％を超えるものとする。
【００５２】
アルキド樹脂は、基板との乾燥塗膜強度を向上させるための乾燥塗膜強度制御用樹脂として用いられている。ナフテン・パラフィン混合物、及びジエチレングリコールモノメチルエーテルは、それぞれ粘度調整用希釈剤つまり有機溶剤として用いられている。１−オクタノールは、酸化防止剤及び有機溶剤として用いられている。
【００５３】
本実施の形態に係る製造方法では、第二の工程におけるマスク用樹脂ペースト層８の素材に、セルロース誘導体であるエチルセルロースを主材として含有したものを用いている。つまり、電極パッド３上に形成するレジスト樹脂として、エチルセルロースを主材として含有したマスク用樹脂ペースト層８を用いることで、エチルセルロースは、ＳｉＯ2の保護膜６のスパッタリング成膜で２００℃の高温に晒されても剥離性が良く、電極パッド３上での樹脂残さの発生を回避することができる。これは、エチルセルロースは、耐熱性に優れているからである。
【００５４】
また、上記製造方法では、ＺｎＯからなる圧電薄膜５をＳｉＯ2の保護膜６で保護して耐環境性を高めたので、圧電薄膜５が耐蝕試験で腐食して特性劣化を起こすことが防止されるＳＡＷ装置が得られる。
【００５５】
その上、電極パッド３上には、ワイヤボンディング用のＡｕワイヤを接合する時に障害となるものが存在しないので、上記接合を確実化でき、また、上記接合の経時的な安定性も向上できる。
【００５６】
ところで、電極パッド３上に形成した、従来の樹脂層上の保護膜６をリフトオフして除去する場合、保護膜６は真空蒸着法を用いて形成することが一般的である。
【００５７】
しかし、本発明のように保護膜６の形成にスパッタリング法を用いる場合、スパッタリング中の温度上昇やプラズマにより、従来の樹脂層では、上記樹脂層が変質し、リフトオフ時に上記変質した樹脂層が除去できず、その上の保護膜６が完全に除去できない問題があった。
【００５８】
これを解決するため、スパッタリング中に変質が起きないエチルセルロースを主材とするマスク用樹脂ペースト層８の組成を用いた。これにより、本発明では、マスク用樹脂ペースト層８からのマスク用樹脂層９を、リフトオフ時に電極パッド３上より完全に除去できて、マスク用樹脂層９上の不要な保護膜６も完全に除去することができる。
【００５９】
この結果、上記製造方法では、圧電薄膜５上に保護膜６を形成して耐環境性を改善したＳＡＷ装置の電極パッド３の形成（つまり導通性の確保）を確実化できて、上記ＳＡＷ装置の歩留り（すなわち、導通不良による不良品の低減）や、電気特性の経時的な安定性を向上できるので、通信分野や電子機器分野のＳＡＷ装置といった電子部品に好適に利用できる。
【００６０】
なお、エチルセルロースを主材とするマスク用樹脂ペースト層８の組成に代えて、無機系レジストを印刷して行なうリフトオフも考えられたが、無機系レジストは、その硬化のための焼成温度が４００℃以上と高温であるから、ＳＡＷ装置の分野ではＳＡＷ特性が変化するので使用できないことが分かった。
【００６１】
また、上記実施の形態では、表面波基板として、支持基板１と圧電薄膜５とを用いた例を挙げたが、上記に限定されるものではなく、例えば、タンタル酸リチウムに代表される圧電基板を表面波基板として用いたものにも、本発明を適用可能なことは明らかであろう。この場合には、上記圧電基板上に各ＩＤＴをＡｌ等により形成すればよい。
【００６２】
さらに、上記では、マスク用樹脂ペースト層８の組成にエチルセルロースを主材として含有するものを挙げたが、上記エチルセルロースに代えて、有機溶媒に可溶な、他のセルロース誘導体であるメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロースを用いることもできる。
【００６３】
本実施の形態では、電子部品としてＳＡＷ装置の例を挙げたが、電極パッドを基板上に形成した後に、その基板上における電極パッドとは異なる位置に保護膜といった絶縁膜が形成される電子部品に対して本発明を適用できることは明らかであろう。さらに、本実施の形態においては、圧電薄膜５や保護膜６の形成にスパッタリング法を用いた例を挙げたが、他の薄膜形成法、例えば真空蒸着法を上記スパッタリング法に代えて用いることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明の電子部品の製造方法は、電子機能部上に保護膜を形成して耐環境性を改善した電子部品の電極パッドの形成（つまり導通性の確保）を確実化できて、上記電子部品の歩留りや、電気特性の経時的な安定性を向上できるので、通信分野や電子機器分野の電子部品に好適に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の電子部品としてのＳＡＷ装置の要部透視平面図である。
【図２】上記ＳＡＷ装置の一変形例である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、上記ＳＡＷ装置の製造方法における各工程の一部分をそれぞれ示す工程図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、上記ＳＡＷ装置の製造方法における各工程の他の部分をそれぞれ示す工程図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、上記ＳＡＷ装置の製造方法における各工程のさらに他の部分をそれぞれ示す工程図である。
【符号の説明】
【００６６】
１：支持基板（基板、表面波基板）
２：ＩＤＴ（くし型電極部）
３：取出し電極パッド
３ａ：電気的特性測定用電極パッド
４：配線パターン
５：圧電薄膜（表面波基板）
６：保護膜
７：ダンピング材層
【図１】
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【図２】
2005228767.tif 000004
【図３】
2005228767.tif 000005
【図４】
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【図５】
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