(57)【要約】【課題】  基板上に薄膜ヘッド素子を複数段積層したマルチチャンネル型の薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気ギャップ相互の位置精度のばらつきを低減し、歩留りの向上を図る。【解決手段】  磁気ギャップｇ1 ，ｇ2 を介して対向する上下一対の磁性コア層２６と２９、２９と３３からなり薄膜コイル２８、３２を有する誘導型磁気ヘッド素子２３、２４が同一基板２２上に複数段積層され、磁性コア層の積層方向と垂直な方向からアジマス分だけ傾斜した方向にマルチトラック構造を形成した薄膜磁気ヘッド２１であって、下部側の誘導型磁気ヘッド素子２３の上層磁性コアと上部側の誘導型磁気ヘッド素子２４の下層磁性コアを同一の磁性コア層２９として成る。【選択図】      図１
2005085443.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ギャップを介して対向する上下一対の磁性コア層からなり薄膜コイルを有する誘導型磁気ヘッド素子が同一基板上に複数段積層され、
前記磁性コア層の積層方向と垂直な方向からアジマス分だけ傾斜した方向にマルチトラック構造を形成した薄膜磁気ヘッドであって、
下部側の誘導型磁気ヘッド素子の上層磁性コアと上部側の誘導型磁気ヘッド素子の下層磁性コアを同一の磁性コア層として成る
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記下部側の誘導型磁気ヘッド素子と前記上部側の誘導型磁気ヘッド素子との磁気ギャップ間距離が、前記同一の磁性コア層の平坦化研磨により設定されて成る
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
基板上に下層磁性コアを形成し、該下層磁性コア上に薄膜コイルを介して共通磁性コア層を形成し、前記下層磁性コアと前記共通磁性コア層間に第１の磁気ギャップを形成して下部側の誘導型磁気ヘッド素子を形成する工程と、
前記共通磁性コア層の表面を平坦化する研磨工程と、
前記共通磁性コア層上に薄膜コイルを介して上層磁性コアを形成し、前記共通磁性コア層と上層磁性コア層間に第２の磁気ギャップを形成して上部側の誘導型磁気ヘッド素子を形成する工程とを有し、
前記研磨工程により前記第１の磁気ギャップと前記第２の磁気ギャップとの間の距離を制御する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体例えば磁気ディスクや、磁気テープ等の各ドライブ装置に搭載されて、これら磁気記録媒体の複数のトラックに記録を行う、マルチチャンネル型の薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜磁気ヘッドは、真空薄膜形成技術により形成されるため、狭トラック化や狭ギャップ化等の微細寸法が容易で、高分解能記録が可能であるという特徴を有しており、高記録密度化に対応した磁気ヘッドとして用いられている。さらに、磁気記録媒体の高記録密度化、大容量化に伴う高転送速度化へ対応するため、複数の薄膜磁気ヘッドで同時に記録、再生を行うマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドも求められている。記録を行うマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドにおいては、２つの磁気ギャップ（すなわち記録ギャップ）の位置が近い場合、ヘッド間の干渉を避けるためと、薄膜コイルのレイアウトの問題から基板に対して積層方向にヘッドを配置している。
【０００３】
図２５及び図２６は、従来の標準的な２チャンネル薄膜磁気ヘッドを示す。図２５は２チャンネル薄膜磁気ヘッドの摺動面付近の断面構造を、図２６は摺動面から見た構成を示す。この２チャンネル薄膜磁気ヘッド１は、基板上にまず下部磁気ヘッド素子２を作製し、続いて上部磁気ヘッド素子３を順次積層して作製する。この薄膜磁気ヘッド１では、下部磁気ヘッド素子２の磁気ギャップ（記録ギャップ）ｇ1 と上部磁気ヘッド素子３の磁気ギャップ（記録ギャップ）ｇ2 の相互に位置の制御が重要となる。基板に水平方向の位置制御は高精度フォトリソグラフィ技術により可能である。基板に垂直な膜厚方向の位置制御が重要となる。
【０００４】
この薄膜磁気ヘッド１の作製プロセスは次の通りである。先ず、基板４上に軟磁性膜よりなる下層磁性コア５を形成する。次に、下層磁性コア５を平坦化するための絶縁膜を成膜し、平坦化研磨を行う。次に、非磁性絶縁膜６よりなる磁気ギャップｇ1 を形成する。次に、磁力発生用の薄膜コイル７を形成し、樹脂レジストによる絶縁平坦化膜８を形成する。次に、軟磁性膜よりなる上層磁性コア９を形成して第１の薄膜磁気ヘッド素子（下部磁気ヘッド素子）２を形成する。続いて、第２の薄膜磁気ヘッド素子（上部磁気ヘッド素子）３を積層する場合、第１の薄膜磁気ヘッド素子２を平坦化するための絶縁膜１０を成膜し、表面の平坦化研磨１７を行う。そして、前述の第１の薄膜磁気ヘッド素子２の作製プロセスと同じプロセスで第２の薄膜磁気ヘッド素子３を作製する。すなわち、平坦化された絶縁膜１０上に軟磁性膜よりなる下層磁性コア１１を形成し、下層磁性コア１１を平坦化するための絶縁膜を成膜し、表面の平坦化研磨１８を行う。次に、非磁性絶縁膜１２よりなる磁気ギャップｇ2 の形成、磁力発生用の薄膜コイル１３の形成、樹脂レジストによる絶縁平坦化膜１４の形成を行う。次に、軟磁性膜よりなる上層磁性コア１５を形成して第２の薄膜磁気ヘッド素子（上部磁気ヘッド素子）３を形成して、２チャンネル薄膜磁気ヘッド１を作製する。この２チャンネル薄膜磁気ヘッド素子１では、図２６に示すように、磁性コア５、９、１１、１５の積層方向と垂直な方向からアジマス分だけ傾斜した方向にマルチトラック１９〔１９１、１９２〕が形成される。
【０００５】
特許文献１の図１には、基板の主面上に基板面方向に複数の薄膜磁気ヘッド素子を形成した成るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドが示されている。特許文献２の図２、特許文献３の図１には、基板上に磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子（ＭＲヘッド素子）と誘導型磁気ヘッド素子を積層した複合型薄膜磁気ヘッドが示されている。
【特許文献１】特許第２６２９３２８号公報
【特許文献２】特開２００２ー１８３９１４号公報
【特許文献３】特開平１１ー２５９８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
平坦化研磨プロセスにおいて、現在の技術ではウェハー内に研磨速度の分布があるため、ウェハー内で被研磨膜の膜厚分布ができてしまう。前述したマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドでは、下部磁気ヘッド２の磁気ギャップｇ1 の形成後に、上部磁気ヘッド３の作製前の平坦化研磨１７と、上部磁気ヘッド３の下層磁性コア１１を形成した後の平坦化研磨１８を行った後、上部磁気ヘッド３の磁気ギャップｇ2 を形成している。２つの磁気ギャップｇ1 ，ｇ2 を形成する間に２回の平坦化研磨プロセスが入ることになる。平坦化研磨プロセスによるウェハー内膜厚分布により、２つの記録ギャップ間の膜厚方向の距離もウェハー内分布を持ってしまい、歩留りの低下となる。２つの磁気ギャップ間距離Ｌ1 は重要であり、この磁気ギャップ間距離Ｌ1 がずれると記録トラックの位置ずれ（記録トラック１９１と１９２間の間隔Ｄ1 の変動）が生じてしまう。
【０００７】
本発明は、上述の点に鑑み、基板上に薄膜ヘッド素子を複数段積層したマルチチャンネル型の薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気ギャップ相互の位置精度のばらつきを低減し、歩留りの向上を図った薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、磁気ギャップを介して対向する上下一対の磁性コア層からなり薄膜コイルを有する誘導型磁気ヘッド素子が同一基板上に複数段積層され、磁性コア層の積層方向と垂直な方向からアジマス分だけ傾斜した方向にマルチトラック構造を形成した薄膜磁気ヘッドであって、下部側の誘導型磁気ヘッド素子の上層磁性コアと上部側の誘導型磁気ヘッド素子の下層磁性コアを同一の磁性コア層で形成した構成とする。
【０００９】
下部側の誘導型磁気ヘッド素子と上部側の誘導型磁気ヘッド素子との磁気ギャップ間距離は、同一の磁性コア層の平坦化研磨により設定される。
【００１０】
本発明の薄膜磁気ヘッドでは、上下に隣合う誘導型磁気ヘッド素子において、下部側の誘導型磁気ヘッド素子の上層磁性コアと上部側の誘導型磁気ヘッド素子の下層磁性コアとを同一の磁性コア層で形成するので、上下隣合う誘導型磁気ヘッド素子の２つの磁気ギャップ形成の間に行う平坦化研磨プロセスが同一の磁性コアの表面研磨の１回で済む。これにより、従来例に比べてウェハー内膜厚分布が低減し、上記２つの磁気ギャップ間の膜厚方向の距離のウェハー内分布も低減する。本発明の薄膜磁気ヘッドは、上下隣合う誘導型磁気ヘッド素子間の信号の干渉が心配されるが、従来の標準的なマルチチャンネル薄膜ヘッドと同等の性能を有する。
【００１１】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基板上に下層磁性コアを形成し、この下層磁性コア上に薄膜コイルを介して共通磁性コア層を形成し、下層磁性コアと共通磁性コア層間に第１の磁気ギャップを形成して下部側の誘導型磁気ヘッド素子を形成する工程と、共通磁性コア層の表面を平坦化する研磨工程と、共通磁性コア層上に薄膜コイルを介して上層磁性コアを形成し、共通磁性コア層と上層磁性コア層間に第２の磁気ギャップを形成して上部側の誘導型磁気ヘッド素子を形成する工程とを有し、研磨工程により第１の磁気ギャップと第２の磁気ギャップとの間の距離を制御する。
【００１２】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、共通磁性コア層を形成し下部側の誘導型磁気ヘッド素子の第１の磁気ギャップを形成した後、共通磁性コア層の表面を平坦化研磨し、この共通磁性コア層と上層磁性コア層間に上部側の誘導型磁気ヘッド素子の第２に磁気ギャップを形成することにより、第１及び第２の磁気ギャップ形成の間に行う平坦化研磨工程が１回のみとなり、ウェハー内膜厚分布が低減され、第１及び第２の磁気ギャップ間の膜厚方向の距離のウェハー内分布も低減される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係るマルチチャンネル型の薄膜磁気ヘッドによれば、下部側の誘導型磁気ヘッド素子の上層磁性コアと上部側の誘導型磁気ヘッド素子の下層磁性コアとを同一の磁性コア層で形成することにより、隣合う上下２つの磁気ギャップ形成の間に行う平坦化研磨を従来の２回から１回に減らすことができる。そのため、研磨によるウェハー内膜厚分布を減らすことができ、隣合う上下２つの磁気ギャップの位置精度のばらつきを低減し、上下２つの磁気ギャップ間距離の精度を向上することができる。上記同一の磁性コア層により上下２つの磁気ギャップ間距離が短くなることと、ウェハー内膜厚分布の低減とが相俟って磁気ギャップ間距離の精度が上がることで、アジマス記録の際、記録トラックずれが生じ難いマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドを歩留り良く提供することができる。
【００１４】
下部側の誘導型磁気ヘッド素子と上部側の誘導型磁気ヘッド素子との磁気ギャップ間距離を、同一の磁性コア層の平坦化研磨により設定することにより、平坦化研磨工程の削減が可能になり、上下２つの磁気ギャップ間距離の精度を向上することができる。
【００１５】
本発明に係るマルチチャンネル型の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、隣合う上下２つの磁気ヘッド素子の第１及び第２の磁気ギャップ形成の間に行う平坦化研磨工程が共通磁性コア層表面の平坦化研磨の１回のみに減らすことができるので、研磨によるウェハー内膜厚分布を減らすことができ、上下２つの磁気ギャップの位置精度のばらつきを低減し、製造歩留りを向上させることができる。また、結果的に全製造工程を削減することができ、製造を容易にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１７】
図１及び図２は、本発明に係る薄膜磁気ヘッド、いわゆる記録を行うマルチチャンネル型の薄膜磁気ヘッドの一実施の形態を示す。図１は薄膜磁気ヘッドの摺動面付近の断面構造、図２は摺動面から見た構成を示す。本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド２１は、図１に示すように、基板２２上に垂直方向に複数、本例では２つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子２３及び２４を積層し、積層方向の上下に隣合う下部薄膜磁気ヘッド素子２３の上層磁性コアと上部薄膜磁気ヘッド素子２４の下層磁性コアとを同一の磁性コア層、即ち共通磁性コア層で兼用して構成される。
【００１８】
下部薄膜磁気ヘッド素子２３は、下層磁性コア２６と、絶縁膜２７を介して形成された薄膜コイル２８と、上層磁性コアとなる共通磁性コア層２９とを有し、記録媒体摺動面側の下層磁性コア２６及び共通磁性コア層２９をギャップスペーサ３０を介して突合わせて、磁気ギャップ（記録ギャップ）ｇ1 を形成して構成される。背面側の下層磁性コア２６及び共通磁性コア層２９は互いに磁気的に接合される。この場合、薄膜コイル２８を絶縁する絶縁膜２７と下層磁性コア２６の表面が同一面となるように平坦化され、この平坦化された下層磁性コア２６とその上の共通磁性コア層２９との間にギャップスペーサ３０による磁気ギャップｇ1 が形成される。
【００１９】
上部薄膜磁気ヘッド素子２４は、下層磁性コアとなる共通磁性コア層２９と、絶縁膜３１を介して形成された薄膜コイル３２と、上層磁性コア３３とを有し、記録媒体摺動面側の共通磁性コア層２９及び上層磁性コア３３をギャップスペーサ３４を介して突合わせて、磁気ギャップ（記録ギャップ）ｇ2 を形成して構成される。背面側の共通磁性コア層２９及び上層磁性コア３３は互いに磁気的に接合される。この場合、共通磁性コア層２９の表面が研磨により平坦化され、この表面平坦化された共通磁性コア層２９とその上の上層磁性コア３３との間にギャップスペーサ３４による磁気ギャップｇ2 が形成される。
【００２０】
下部薄膜磁気ヘッド素子２３の磁気ギャップｇ1 を構成する先端コア部分３７ａと、上部薄膜磁気ヘッド素子２４の磁気ギャップｇ2 を構成する先端コア部分３７ｂとは、図３Ａに示すように、積層方向即ち記録媒体の走行方向と垂直方向に所要距離だけ離して形成される。このため、共通磁性コア層２９には、磁気ギャップｇ1 とｇ2 を構成する２つの先端コア部分３６ａ，３６ｂが並列するように形成される。下層磁性コア２６には共通磁性コア層２９の先端コア部分３６ａに対向する位置に先端コア部分３７ａが形成され、上層磁性コア３３には共通磁性コア層２９の先端コア部分３６ｂに対向する位置に先端コア部分３７ｂが形成される。
【００２１】
この２チャンネル薄膜ヘッド２１では、図２に示すように、磁性コア２６、２９、３３の積層方向と垂直な方向からアジマス分だけ傾斜した方向にマルチトラック１９〔１９１、１９２〕が形成される。
【００２２】
次に、図４〜図２４を用いて上述のマルチチャンネル薄膜磁気ヘッド２１の製造方法の好適な実施の形態を説明する。各図において、図Ａは平面図、図Ｂは図ＡのＡーＡ線上の断面図である。
先ず、図４Ａ及びＢに示すように、基板２２上に絶縁膜４１を所要の膜厚で成膜する。例えば、アルティック（ＡｌＴｉＣ）等のセラミック基板２２上にアルミナ等の絶縁膜４１をスパッタ法等で約１μｍ程度成膜する。次に、基板２２上に下部薄膜磁気ヘッド素子を構成する第１の下層磁性コア２６１と、この第１の下層磁性コア２６１と分離して薄膜コイルの一方のコイル端子となるコイル端子用下層磁性コア４２とを所要の膜厚で形成する。第１の下層磁性コア２６１には、所要面積を有し、その先端側に磁気ギャップ形成用の先端コア部分３７ａが一体に形成される。コイル端子となるコイル端子用下層磁性コア４２は、上記第１の下層磁性コア２６１と同じ幅の所要面積を有し、一部後方側に延長する延長部４２ｂが一体に形成される。例えば、パーマロイ（ＮｉーＦｅ合金）等の飽和磁束密度が高く透磁率も高い軟磁性膜をめっき法などで約３μｍ程度成膜し、第１の下層磁性コア２６１及びコイル端子用磁性コア４６を形成する。
【００２３】
次に、図５Ａ及びＢに示すように、第１の下層磁性コア２６１、コイル端子用下層磁性コア４２上を含む基板２２の全面に絶縁膜４３を所要の膜厚で成膜し、次いで、図６Ａ及びＢに示すように、絶縁膜４３の表面を研磨して第１の下層磁性コア２６１、コイル端子用下層磁性コア４２の表面が臨むように平坦化する。  例えばアルミナ等の絶縁膜４３をスパッタ法等により膜厚３．０μｍ以上成膜し、ＣＭＰ研磨（化学機械研磨、Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）により第１の下層磁性コア２６１、コイル端子用下層磁性コア４２を平坦化する。
【００２４】
次に、図７Ａ及びＢに示すように、平坦化された第１の下層磁性コア２６１、コイル端子用下層コア４２及び絶縁膜４３を含む表面全面に絶縁膜２７１を成膜する。例えばアルミナ等の絶縁膜２７１をスパッタ法等で膜厚０．５μｍ程度成膜する。
【００２５】
次に、図８Ａ及びＢに示すように、絶縁膜２７１に対して選択的に開口４５を形成し、第１の下層磁性コア２６１側及びコイル端子用下層磁性コア４２側において、それぞれ一部を露出させる。第１の下層磁性コア２６１側では、磁気ギャップ形成部分となる先端コア部分３７ａと下層磁性コア２６１が共通磁性コア層２９と接続されるコア接続部（いわゆる下層磁性コア接続部）４４が露出され、コイル端子用下層磁性コア４２側では、コイル内端に対応する部分４２ａと延長部４２ｂが露出される。本例では、フォトリソグラフィ技術を用いて、レジスト膜のパターニング及びイオンエッチングにより絶縁膜２７１に開口４５を形成する。これ以外の形成方法を用いて開口４５を形成するようにしても良い。
【００２６】
次に、図９Ａ及びＢに示すように、絶縁膜２７１上に金属膜による薄膜コイル２８を形成する。薄膜コイル２８は、第１の下層磁性コア２６１のコア接続部４４を巻回するように形成され、その薄膜コイル２８の一端（内端）２８ａがコイル端子用下層磁性コア４２の部分４２ａに電気的に接続され、他端（外端）２８ｂが延長して形成される。コイル端子用下層磁性コア４２の延長部４２ｂ上にもコイル内端２８ａと電気的に導通されるように金属膜によるコイル端子２８ｃが形成される。例えばＣｕめっき法等で薄膜コイル２８及びその端子２８ｂ，２８ｃを形成する。
【００２７】
次に、図１０Ａ及びＢに示すように、第１の下層磁性コア２６１の先端コア部分３７ｂとコア接続部４４上に選択的に薄膜コイル２８の上面より高くなるように第２の下層磁性コア２６２を所要の膜厚で形成する。この第１及び第２の磁性コア２６１及び２６２にて下層磁性コア２６を構成する。第２の下層磁性コア２６２は、例えば第１の下層磁性コア２６１と同様の磁性膜、すなわちパーマロイ（ＮｉーＦｅ合金）等の飽和磁束密度が高く透磁率も高い軟磁性膜をめっき法等で膜厚約３．０μｍ以上成膜する。
【００２８】
次に、図１１Ａ及びＢに示すように、全面に絶縁膜２７２を成膜し、次いで図１２Ａ及びＢに示すように、絶縁膜２７２の表面を研磨して第２の下層磁性コア２６２の表面が臨むように平坦化する。例えば、アルミナ等の絶縁膜２７２をスパッタ法等で膜厚３．０μｍ以上成膜し、ＣＭＰ研磨（化学的機械的研磨）により第２の下層磁性コア２６２を平坦化する。
【００２９】
次に、図１３Ａ及びＢに示すように、平坦化された表面に磁気ギャップｇ1 を形成するためのスペーサとなる非磁性絶縁膜３０を所要の膜厚で成膜する。例えば、アルミナ等の非磁性絶縁膜３０をスパッタ法等で膜厚０．２μｍ成膜する。本例では磁気ギャップｇ1 の厚みを０．２μｍとしたが、この磁気ギャップｇ1 の厚みはシステムで要求される記録特性を満たすように決定される。
【００３０】
次に、図１４Ａ及びＢに示すように、非磁性絶縁膜３０の一部を選択的に除去し、第２の下層磁性コア２６２のコア接続部４７を露出させる。例えばフォトリソグラフィ技術を用いて、レジスト膜のパターニング及びイオンエッチングにより非磁性絶縁膜３０の一部を選択除去する。
【００３１】
次に、図１５Ａ及びＢに示すように、先端部側では非磁性絶縁膜３０を挟み且つ後端側ではコア接続部４７に磁気的に接合されるように共通磁性コア層２９を形成する。例えばパーマロイ（ＮｉーＦｅ合金）等の飽和磁束密度が高く透磁率も高い軟磁性膜をめっき法等で膜厚が約３．０μｍ程度成膜して、共通磁性コア層２９を形成する。この共通磁性コア層２９は、前述したように下部薄膜磁気ヘッド素子２３の上層磁性コアと、上部薄膜磁気ヘッド素子２４の下層磁性コアとに兼用される。このため、共通磁性コア層２９には、夫々の薄膜磁気ヘッド素子の磁気ギャップｇ1 ，ｇ2 を形成するための２つの先端コア部分３６ａ，３６ｂが形成される。ここに、非磁性絶縁膜３０を挟んで第２の下層磁性コア２６２の先端コア部分３７ａと共通磁性コア層２９の先端コア部分３６ａとにより下部薄膜磁気ヘッド素子２３の磁気ギャップｇ1 を形成する。
【００３２】
次に、図１６Ａ及びＢに示すように、共通磁性コア層２９を含む全面上絶縁膜４８を所要の膜厚で成膜し、次いで図１７Ａ及びＢに示すように、絶縁膜４８と共に共通磁性コア層２９の表面を平坦化する。例えばアルミナ等の絶縁膜４８をスパッタ法等で膜厚３．０μｍ以上成膜し、次いでＣＭＰ研磨（化学機械研磨）により共通磁性コア層２９を平坦化する。２つの磁気ギャップｇ1 ，ｇ2 の形成プロセス間に行う研磨は、この図１７の平坦化研磨の１回のみとなる。この研磨工程により、後述する２つの磁気ギャップｇ1 及びｇ2間の距離Ｌ2 （図２参照）が精度良く制御される。
【００３３】
次に、図１８に示すように、平坦化された共通磁性コア層２９上を含む表面に磁気ギャップｇ2 を形成すためのギャップスペーサとなる非磁性絶縁膜３４を成膜する。例えば、アルミナ等の非磁性絶縁膜３４をスパッタ法等で膜厚０．２μｍ成膜する。本例では磁気ギャップｇ2 の厚みを０．２μｍとしたが、この磁気ギャップｇ2 の厚みはシステムで要求される記録特性を満たすように決定される。
【００３４】
次に、図１９Ａ及びＢに示すように、非磁性絶縁膜３４の一部を選択的に除去し、共通磁性コア層２９のコア接続部４９を露出させる。例えばフォトリソグラフィ技術を用いて、レジスト膜のパターニング及びイオンエッチングにより非磁性絶縁膜３４の一部を選択除去する。
【００３５】
次に、図２０Ａ及びＢに示すように、非磁性絶縁膜３４上に金属膜による薄膜コイル３２を形成する。薄膜コイル３２は、共通磁性コア層２９のコア接続部４９を巻回するように形成され、その薄膜コイル３２の他端（外端）３２ｂが延長して形成される。この他端３２ｂに並行するように、後述で明らかとなるが薄膜コイル３２の一端（内端）３２ａと電気的に接続される金属膜によるコイル端子３２cが形成される。例えばＣｕめっき法等で薄膜コイル３２及びその端子３２ｂ，３２ｃを形成する。
【００３６】
次に、図２１Ａ及びＢに示すように、共通磁性コア層２９のコア接続部４９上と、非磁性絶縁膜３４を介して先端コア部分３６ｂ、薄膜コイル３２の内端３２ａ及びコイル端子３２Ｃ（但しコイル端子３２ｃの最端部は除く）に対応する部分上に選択的に薄膜コイル３２の上面より高くなるように第１の上層磁性コア３３１を形成する。例えばパーマロイ（ＮｉーＦｅ合金）等の飽和磁束密度が高く透磁率も高い軟磁性膜をめっき法等で膜厚が約３．０μｍ程度成膜し、第１の上層磁性コア３３１を形成する。ここに、非磁性絶縁膜３４を挟んで共通磁性コア層２９の先端コア部分３６ｂと第１の上層磁性コア３３１の先端コア部分３７ｂとにより上部薄膜磁気ヘッド素子２４の磁気ギャップｇ2 を形成する。
【００３７】
次に、図２２Ａ及びＢに示すように、全面に絶縁膜３２２を成膜し、次いで図２３Ａ及びＢに示すように、絶縁膜３２２の表面を研磨して第１の上層磁性コア３３１、が臨むように平坦化する。この上層磁性コア３３１は、実質的に磁気ヘッド素子に対応する部分と、コイル端子に対応する部分に形成される。例えばアルミナ等の絶縁膜３２２をスパッタ法等で膜厚３．０μｍ以上成膜し、ＣＭＰ研磨（化学機械研磨）により第１の上層磁性コア３３１を平坦化する。
【００３８】
次に、図２４に示すように、平坦化された表面に第１の上層磁性コア３３１の磁気ヘッド素子に対応する部分の先端コア部分及び後端部分に磁気的に接合するように第２の上層磁性コア３３２を形成し、この第２の上層磁性コア３３２と分離するように薄膜コイル３２の内端３２ａ及びコイル端子３２ｃに対応する第１の上層磁性コア３３１に磁気的に接合するように上層磁性コア３３２を形成する。例えばパーマロイ（ＮｉーＦｅ合金）等の飽和磁束密度が高く透磁率も高い軟磁性膜をめっき法等で膜厚約３．０μｍ程度成膜し、第２の上層磁性コア３３２を形成する。この磁気ヘッド素子に対応する部分の第１の磁性コア３３１と第２の磁性コア３３２で上部薄膜磁気ヘッド素子の上層磁性コア３３が形成される。
【００３９】
次に、図２４の鎖線位置５１より切断し、両磁気ギャップｇ1 及びｇ2 を臨まして、目的とする誘導型のマルチチャンネル薄膜磁気ヘッド２１を得る。
【００４０】
本実施の形態に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッド２１によれば、下部薄膜磁気ヘッド素子２３の上層磁性コアと、上部薄膜磁気ヘッド素子２４の下層磁性コアとを同一の磁性コア層、即ち共通磁性コア層２９にて形成することにより、２つの薄膜磁気ヘッド素子２３、２４の磁気ギャップｇ1 、ｇ2 形成の間に行う平坦化研磨プロセス回数が従来の２回から１回に減らすことができる。このため、２つの磁気ギャップｇ1 、ｇ2 間距離Ｌ2 の精度を向上することができる。すなわち、平坦化研磨プロセス回数が１回で済むので、従来に比べてウェハー内膜厚分布を低減することができ、２つの磁気ギャップｇ1 、ｇ2 間の膜厚方向の距離のウェハー内分布も低減することができ、２つの磁気ギャップｇ1 、ｇ2 の位置精度のばらつきが低減し、磁気ギャップｇ1 、ｇ2 間距離の精度が向上する。アジマス記録の際、磁気ギャップ間距離が変わると、記録トラック位置がずれるが、図２に示す本実施の形態では、図２６の従来のものに比べて磁気ギャップ間距離が短くなり、且つウェハー内膜厚分布の低減による磁気ギャップ間距離の精度が上がることで、記録トラックずれが生じ難いマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【００４１】
本実施の形態のマルチチャンネル薄膜磁気ヘッド２１では、下部薄膜磁気ヘッド素子２３の上層磁性コアと、上部薄膜磁気ヘッド素子２４の下層磁性コアとを共通磁性コア層２９で兼用した構成としたことで、下部薄膜磁気ヘッド素子２３と上部薄膜磁気ヘッド素子２４間での信号の干渉が心配されたが、従来の標準的なマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドと同等の性能を有することが確認された。
【００４２】
下部薄膜磁気ヘッド素子２３の上層磁性コアと、上部薄膜磁気ヘッド素子２４の下層磁性コアとが共通磁性コア層２９にて形成されるので、構成が単純化されたマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【００４３】
本実施の形態に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、磁気ギャップｇ1 、ｇ2 形成の間に行う平坦化研磨プロセス回数が１回になり、研磨によるウェハー内膜厚分布を減らすことができ、２つの磁気ギャップｇ1 、ｇ2 の位置精度のばらつきを低減できるので、製造の歩留りを向上することができる。また、結果的に全製造プロセスを減らすことができる。
【００４４】
上例では、本発明を２チャンネル薄膜磁気ヘッドに適用した場合であるが、２チャンネル以上のマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドに適用することもできる。例えば３チャンネル薄膜磁気ヘッドの場合には、２層目の薄膜磁気ヘッド素子の下層磁性コアが１層目の薄膜磁気ヘッド素子の上層磁性コアと共通の磁性コア層で形成され、その上層磁性コアが３層目の薄膜磁気ヘッド素子の下層磁性コアと共通の磁性コア層で形成される。
【００４５】
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの一実施の形態を示す要部の構成図である。
【図２】図１の摺動面側から見た構成図である。
【図３】Ａ  本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの一実施の形態を示す斜視図である。            Ｂ  その上層磁性コアを外した状態の斜視図である。
【図４】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図５】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その２）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図６】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その３）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図７】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その４）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図８】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その５）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図９】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その６）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図１０】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その７）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図１１】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その８）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図１２】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その９）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図１３】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１０）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図１４】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１１）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図１５】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１２）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図１６】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１３）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図１７】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１４）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図１８】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１５）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図１９】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１６）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図２０】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１７）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図２１】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１８）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図２２】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１９）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図２３】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その２０）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図２４】本発明に係るマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その２１）であって、図Ａは平面図、図ＢはそのＡーＡ線上の断面図である。
【図２５】従来のマルチチャンネル薄膜ヘッドの例を示す要部で構成図である。
【図２６】図２５の摺動面側から見た構成図である。
【符号の説明】
【００４７】
２１・・薄膜磁気ヘッド、２２・・基板、２３、２４・・薄膜磁気ヘッド素子、２６〔２６１、２６２〕・・下層磁性コア、２７〔２７１、２７２〕、３１・・絶縁膜、２８、３２・・薄膜コイル、２９・・共通磁性コア層、３０、３４・・ギャップスペーサ、ｇ1 ，ｇ2 ・・磁気ギャップ、３３〔３３１、３３２〕・・上層磁性コア、３６ａ，３６ｂ，３７ａ，３７ｂ・・先端コア部分、  ４１、４３、４８、３２２・・絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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