(57)【要約】【課題】半導体素子の接合部分に信頼性を付与でき、しかも比較的安価な構造体の構成部品として好適な中継基板を提供すること。【解決手段】本発明の中継基板２１は、半導体素子１５と基板４１との間に介在された状態で使用される。この中継基板２１は、略矩形状の中継基板本体３８と、略矩形状の半導体素子実装領域１５Ｚとを含む。中継基板本体３８は、有機絶縁材料からなり、半導体素子１５が実装される側である第１面２２、及び第２面２３を有する。第１面２２には複数の第１面側端子２８が配置されている。半導体素子実装領域１５Ｚは、第１面２２内にあり、複数の第１面側端子２８を含んでいる。第１面２２の中心２２ｓに対し、半導体素子実装領域１５Ｚの中心１５ｓがずれている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機絶縁材料からなり、かつ半導体素子が実装される側の第１面、及び第２面を有する略矩形状の中継基板本体と、
前記第１面に配置された複数の第１面側端子を含む略矩形状の半導体素子実装領域と、を含み、
前記第１面の中心に対し、前記半導体素子実装領域の中心がずれている、
ことを特徴とする中継基板。
【請求項２】
前記半導体素子実装領域の中心は、前記第１面の中心を通って前記第１面を形成するいずれかの辺に平行な線上に位置し、かつ前記第１面の中心からずれていることを特徴とする請求項１に記載の中継基板。
【請求項３】
前記半導体素子実装領域の周辺に形成され、前記半導体素子実装領域を形成する四辺と対応する前記第１面を形成する四辺との間に形成される４つの平面の幅のうち、実装される半導体素子と前記中継基板本体との間に充填される樹脂充填剤を塗布するための平面の幅は、その平面に隣接する他の平面の幅及びその平面に対向する他の平面の幅よりも広いことを特徴とする請求項２に記載の中継基板。
【請求項４】
前記第２面に複数の第２面側端子を配置し、前記第２面側端子の位置及びこれらと導通する前記第１面側端子の位置が、前記中継基板本体の厚さ方向と垂直の方向に沿ってずれていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の中継基板。
【請求項５】
前記第２面側端子の上に形成される第２面側はんだバンプのはんだ量は、前記第１面側端子の上に形成される第１面側はんだバンプのはんだ量よりも多いことを特徴とする請求項４に記載の中継基板。
【請求項６】
有機絶縁材料からなり、かつ半導体素子が実装される側の第１面、及び第２面を有する略矩形状の中継基板本体と、
前記第１面に配置された複数の第１面側端子を含む略矩形状の半導体素子実装領域と、を含み、
前記半導体素子実装領域の周辺に形成され、当該半導体素子実装領域を形成する四辺と対応する前記第１面を形成する四辺との間に形成される４つの平面の幅のうち、実装される半導体素子と前記中継基板本体との間に充填される樹脂充填剤を塗布するための平面の幅は、その平面に隣接する他の平面の幅及びその平面に対向する他の平面の幅よりも広い
ことを特徴とする中継基板。
【請求項７】
中継基板及び面接続端子を有する半導体素子を備え、かつ、
前記中継基板は、前記半導体素子が実装される側の第１面、及び第２面を有し、有機絶縁材料からなる略矩形板形状の中継基板本体と、
前記第１面側に配置された複数の第１面側端子と、前記第２面側に配置された複数の第２面側端子と、前記中継基板本体に設けられ、前記第１面側端子及び前記第２面側端子を互いに導通させる導通構造と、を備え、
前記半導体素子と、前記中継基板本体との間には、樹脂充填剤が充填されてなり、
前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、対向する二辺の長さは、
前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の対向する二辺に対応する二辺の長さとそれぞれ略同一であり、かつ、
前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、他の対向する二辺の長さは、
前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の他の対向する二辺に対応する二辺の長さよりもそれぞれ短い、
ことを特徴とする半導体素子付き中継基板。
【請求項８】
中継基板及び面接続パッドを有する基板を備え、かつ、
前記中継基板は、前記半導体素子が実装される側の第１面、及び前記基板の表面上に実装される側の第２面を有し、有機絶縁材料からなる略矩形板形状の中継基板本体と、
前記第１面側に配置された複数の第１面側端子と、前記第２面側に配置された複数の第２面側端子と、前記中継基板本体に設けられ、前記第１面側端子及び前記第２面側端子を互いに導通させる導通構造と、を備え、
前記基板と、前記中継基板本体との間には、樹脂充填剤が充填されてなり、
実装される予定の前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、対向する二辺の長さは、
前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の対向する二辺に対応する二辺の長さとそれぞれ略同一であり、かつ、
実装される予定の前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、他の対向する二辺の長さは、
前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の他の対向する二辺に対応する二辺の長さよりもそれぞれ短い、
ことを特徴とする中継基板付き基板。
【請求項９】
中継基板、面接続端子を有する半導体素子、及び面接続パッドを有する基板を備え、かつ、
前記中継基板は、前記半導体素子が実装される側の第１面、及び前記基板の表面上に実装される側の第２面を有し、有機絶縁材料からなる略矩形板形状の中継基板本体と、
前記第１面側に配置された複数の第１面側端子と、前記第２面側に配置された複数の第２面側端子と、前記中継基板本体に設けられ、前記第１面側端子及び前記第２面側端子を互いに導通させる導通構造と、を備え、
前記半導体素子と、前記中継基板本体との間には、第１樹脂充填剤が充填され、
前記基板と、前記中継基板本体との間には、第２樹脂充填剤が充填されてなり、
前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、対向する二辺の長さは、
前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の対向する二辺に対応する二辺の長さとそれぞれ略同一であり、かつ、
前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、他の対向する二辺の長さは、
前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の他の対向する二辺に対応する二辺の長さよりもそれぞれ短い、
ことを特徴とする、半導体素子と中継基板と基板とからなる構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、中継基板、半導体素子付き中継基板、中継基板付き基板、半導体素子と中継基板と基板とからなる構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣチップが実装された配線基板（ＩＣチップ搭載基板やＩＣパッケージ基板など）とマザーボード等のプリント基板とをじかに接続するのではなく、配線基板とマザーボード等のプリント基板との間にインターポーザと呼ばれる中継基板を介在させ、それらを互いに接続した構造体が各種知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、この種の構造体に用いられるＩＣチップは、一般に熱膨張係数が２．０ｐｐｍ／℃〜５．０ｐｐｍ／℃程度の半導体材料（例えばシリコン等）を用いて形成される。一方、中継基板や配線基板については、それよりも熱膨張係数がかなり大きい樹脂材料等を用いて形成されることが多い。
【０００４】
ただし、ＩＣチップとＩＣチップ搭載基板との間に中継基板を介在させる構造体については、現在知られていない。
【０００５】
そこで本願発明者は、ＩＣチップとＩＣチップ搭載基板との間に中継基板を介在させた構造体を実現するために、中継基板の上面にＩＣチップ実装用の上面側パッドを形成し、中継基板の下面にＩＣチップ搭載基板と接続される下面側パッドを形成することを考えている。また、中継基板の厚さ方向に延びる複数の導体柱を設け、これら導体柱を介して上面側パッド群と下面側パッド群とを互いにダイレクトに接続して導通させることを考えている。さらに、必要に応じて上面側パッドや下面側パッドの上にはんだバンプを形成することも考えている。
【特許文献１】特開２０００−２０８６６１号公報（図２（ｄ）等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
最近、ＩＣチップの高速化に伴い、ＩＣチップを大型化してより多くの演算回路を形成しようとする動向がある。しかし、ＩＣチップの処理能力が向上すると発熱量も増大することから、熱応力の影響も次第に大きくなる。また、ＩＣチップをＩＣチップ搭載基板やＩＣパッケージ基板に実装する際には、一般にはんだが使用されるが、前記はんだが溶融温度から常温に冷却するときには、ＩＣチップと、ＩＣチップ搭載基板やＩＣパッケージ基板との熱膨張係数差に起因して、実装部分に熱応力が発生する。
【０００７】
そして、大きな熱応力がＩＣチップと中継基板との界面等に作用することで、ＩＣチップ実装部分（接合部分）にクラック等が生じるおそれがある。それゆえ、ＩＣチップと中継基板との間に高い接続信頼性を付与できなくなるという問題がある。特に、ＩＣチップの一辺のうち、いずれかの大きさが１０．０ｍｍを超えると、特に大きな熱応力が作用し、クラック等が生じるおそれがある。また、ＩＣチップの厚みが１．０ｍｍよりも小さくなると、強度が弱まり、クラック等が生じるおそれがある。よって、これらの場合には、上記問題は顕著となる。
【０００８】
また、本願発明者が考えるＩＣチップとＩＣチップ搭載基板との間に中継基板を介在させた構造体において、ＩＣチップを、中継基板付きＩＣチップ搭載基板や、中継基板付きＩＣパッケージ基板にはんだ実装する際には、前記はんだが溶融温度から常温に冷却するときに、前記中継基板と、ＩＣチップ搭載基板やＩＣパッケージ基板との間にも熱応力が発生する。
【０００９】
そして、大きな熱応力が、中継基板と、ＩＣチップ搭載基板またはＩＣパッケージ基板との界面等に作用することで、中継基板と、ＩＣチップ搭載基板またはＩＣパッケージ基板との接合部分にクラック等が生じるおそれがある。それゆえ、中継基板とＩＣチップ搭載基板またはＩＣパッケージ基板との間に高い接続信頼性を付与できなくなるという問題がある
【００１０】
そこで本願発明者は、ＩＣチップと、中継基板との接合部分にクラック等が生じるのを防止するために、前記ＩＣチップと、前記中継基板との間に、樹脂充填剤を充填することを考えている。
【００１１】
また、本願発明者は、中継基板と、ＩＣチップ搭載基板またはＩＣパッケージ基板との接合部分にクラック等が生じるのを防止するために、前記中継基板と、ＩＣチップ搭載基板またはＩＣパッケージ基板との間に、樹脂充填剤を充填することも考えている。
【００１２】
しかし、ＩＣチップと中継基板との接合部分に、樹脂充填剤を充填する際に、樹脂充填剤が、前記ＩＣチップと、前記中継基板との間に完全に充填されず、空洞が発生する不具合が生じている。このように、樹脂充填剤に空洞が発生すると、ＩＣチップと、中継基板との接合部分にクラック等が生じるのを完全に防止することが出来ない。
【００１３】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、接続信頼性に優れた、半導体素子と中継基板と基板とからなる構造体を提供することにある。また、本発明の別の目的は、上記の優れた構造体を実現するうえで好適な中継基板、半導体素子付き中継基板、中継基板付き基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
そして、上記の課題を解決する手段としては、有機絶縁材料からなり、かつ半導体素子が実装される側の第１面、及び第２面を有する略矩形状の中継基板本体と、前記第１面に配置された複数の第１面側端子を含む略矩形状の半導体素子実装領域と、を含み、前記第１面の中心に対し、前記半導体素子実装領域の中心がずれている、ことを特徴とする中継基板（請求項１）がある。前記手段において「略矩形状の中継基板本体」とは、平面視で矩形状の中継基板本体ということを意味している。この場合、前記半導体素子実装領域は、略矩形状の中継基板本体と同一または相似の形状であって、かつ、略矩形状の中継基板本体よりも面積が小さい（例えば略矩形状の中継基板本体の面積の５０％以上９５％以下の面積である）ことが好ましい。なお、半導体素子実装領域の中心のずれ量は両者の面積の差等によっても異なるが、一般的に面積の差が大きいほどずれ量も大きく設定することが可能である。
【００１５】
また、前記半導体素子実装領域の中心は、前記第１面の中心を通って前記第１面を形成するいずれかの辺に平行な線上に位置し、かつ前記第１面の中心からずれている、中継基板（請求項２）も含まれる。
【００１６】
さらに、前記半導体素子実装領域の周辺に形成され、前記半導体素子実装領域を形成する四辺と対応する前記第１面を形成する四辺との間に形成される４つの平面の幅のうち、実装される半導体素子と前記中継基板本体との間に充填される樹脂充填剤を塗布するための平面の幅は、その平面に隣接する他の平面の幅及びその平面に対向する他の平面の幅よりも広いことを特徴とする中継基板（請求項３，６）も含まれる。
【００１７】
また、前記第２面に複数の第２面側端子を配置し、前記第２面側端子の位置及びこれと導通する前記第１面側端子の位置が、中継基板本体の厚さ方向と垂直方向に沿ってずれている、中継基板（請求項４）も含まれる。
【００１８】
加えて、前記第２面側端子の上に形成される第２面側はんだバンプのはんだ量は、前記第１面側端子の上に形成される第１面側はんだバンプのはんだ量よりも多い、中継基板（請求項５）も含まれる。
【００１９】
そして前記解決手段によれば、中継基板本体の第１面における中心よりもずれた位置に半導体素子実装領域の中心が存在する。そのため、半導体素子実装領域を構成する四辺のうちの３つと、第１面を構成する四辺のうちの３つとが、略同一直線上に配置された状態となるか、あるいは対応する辺同士の間に幅の狭い平面が位置した状態となる。一方、第１面において半導体素子の中心から比較的離れた側においては、半導体素子実装領域を構成する１つの辺との間に比較的広い平面（フリースペース）が形成される。このため、かかるフリースペース上に樹脂充填剤を一旦塗布してから、上記半導体素子実装領域における複数の第１面側端子の間及びその周辺に樹脂充填剤を流し込む。これにより、半導体素子実装領域と、そこに実装される半導体素子との間に、樹脂充填剤を空洞が生じないように確実に充填することができる。また、概して有機絶縁材料はセラミック材料ほど高価ではないため、これを中継基板本体の形成材料として使用することで、低コスト化を達成しやすくなる。さらに、絶縁性を有する材料からなる中継基板本体であれば、導通構造の周囲に絶縁層を配置する必要がなく、構造の簡略化及び低コスト化を達成しやすくなる。
【００２０】
ここで、半導体素子実装領域とは、半導体素子を実装する予定で第１面内に設定された、第１面よりも小面積の略矩形状領域のことを指す。半導体素子実装領域はその内側に複数の第１面側端子を含む最小の矩形領域であると定義でき、半導体素子実装領域を構成する各辺は、第１面側端子群において最外周に位置する第１面側端子に接している。通常、半導体素子実装領域の外形及び寸法は、実装されるべき半導体素子の平面視での外形及び寸法とほぼ同じか、または若干小さい程度である。
【００２１】
また、実装される半導体素子と中継基板本体との間に充填される樹脂充填剤を塗布するための平面の幅を、他の三辺の平面の幅よりも広くすることで、樹脂充填剤を塗布できるフリースペースを確保することができる。また、第１面の上記三辺が相対的に幅狭になるため、樹脂充填剤がそれら三辺に沿って流れにくくなり、結果として樹脂充填剤を第１面側端子同士の間に容易に流動させることが可能となる。
【００２２】
更に、中継基板本体の第１面と第２面との間で互いに導通する第１面側端子と第２面側端子とが、当該基板本体の平面方向にずれる構造とすることで、半導体素子の面接続端子と基板の面接続端子とがそれらの平面方向に沿ってずれて配置されていても、これらとの接続を確実に行うことができる。また、第１面側端子及び第２面側端子のレイアウトの自由度が増す。
【００２３】
加えて、中継基板本体の第１面と第２面に位置する第１面側端子及び第２面側端子の上に形成するはんだバンプのはんだ量を前記のように異ならしめることで、サイズやピッチの異なる面接続端子との接続も容易に行うことが可能となる。
【００２４】
また、前記課題を解決する他の手段としては、中継基板及び面接続端子を有する半導体素子を備え、かつ、前記中継基板は、前記半導体素子が実装される側の第１面、及び第２面を有し、有機絶縁材料からなる略矩形板形状の中継基板本体と、前記第１面側に配置された複数の第１面側端子と、前記第２面側に配置された複数の第２面側端子と、前記中継基板本体に設けられ、前記第１面側端子及び前記第２面側端子を互いに導通させる導通構造と、を備え、前記半導体素子と、前記中継基板本体との間には、樹脂充填剤が充填されてなり、前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、対向する二辺の長さは、前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の対向する二辺に対応する二辺の長さとそれぞれ略同一であり、かつ、前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、他の対向する二辺の長さは、前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の他の対向する二辺に対応する二辺の長さよりもそれぞれ短い、ことを特徴とする半導体素子付き中継基板（請求項７）がある。
【００２５】
さらに、上記の課題を解決する他の手段としては、中継基板及び面接続パッドを有する基板を備え、かつ、前記中継基板は、前記半導体素子が実装される側の第１面、及び前記基板の表面上に実装される側の第２面を有し、有機絶縁材料からなる略矩形板形状の中継基板本体と、前記第１面側に配置された複数の第１面側端子と、前記第２面側に配置された複数の第２面側端子と、前記中継基板本体に設けられ、前記第１面側端子及び前記第２面側端子を互いに導通させる導通構造と、を備え、前記基板と、前記中継基板本体との間には、樹脂充填剤が充填されてなり、実装される予定の前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、対向する二辺の長さは、前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の対向する二辺に対応する二辺の長さとそれぞれ略同一であり、かつ、実装される予定の前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、他の対向する二辺の長さは、前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の他の対向する二辺に対応する二辺の長さよりもそれぞれ短い、ことを特徴とする中継基板付き基板（請求項８）がある。
【００２６】
加えて、上記の課題を解決する他の手段としては、中継基板、面接続端子を有する半導体素子、及び面接続パッドを有する基板を備え、かつ、前記中継基板は、前記半導体素子が実装される側の第１面、及び前記基板の表面上に実装される側の第２面を有し、有機絶縁材料からなる略矩形板形状の中継基板本体と、前記第１面側に配置された複数の第１面側端子と、前記第２面側に配置された複数の第２面側端子と、前記中継基板本体に設けられ、前記第１面側端子及び前記第２面側端子を互いに導通させる導通構造と、を備え、前記半導体素子と、前記中継基板本体との間には、第１樹脂充填剤が充填され、前記基板と、前記中継基板本体との間には、第２樹脂充填剤が充填されてなり、前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、対向する二辺の長さは、前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の対向する二辺に対応する二辺の長さとそれぞれ略同一であり、かつ、前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、他の対向する二辺の長さは、前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の他の対向する二辺に対応する二辺の長さよりもそれぞれ短い、ことを特徴とする、半導体素子と中継基板と基板とからなる構造体(請求項９)がある。
【００２７】
なお、前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、対向する二辺の長さは、前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の対向する二辺に対応する二辺の長さとそれぞれ略同一乃至４ｍｍ以下の範囲で短いことがよい。即ち上記の「略同一」とは、４００μｍ〜５００μｍ程度の差を許容するものである。また、前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、他の対向する二辺の長さは、前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の他の対向する二辺に対応する二辺の長さよりもそれぞれ４ｍｍ以上短いことがよい。
【００２８】
従って、これらの解決手段によると、前記半導体素子と前記中継基板本体との間に樹脂充填剤が充填されるか、前記基板と前記中継基板本体との間に樹脂充填剤が充填されるか、または、前記半導体素子と前記中継基板本体との間に第１樹脂充填剤が充填されかつ前記基板と前記中継基板本体との間に第２樹脂充填剤が充填されるように構成されている。このため、半導体素子（例えばＩＣチップ）と、基板（例えばＩＣチップ搭載基板やＩＣパッケージ基板等の配線基板）との間の実装部分における熱応力が緩和される。即ち、半導体素子と中継基板本体（インターポーザ本体）との間、または、基板（例えばＩＣチップ搭載基板やＩＣパッケージ基板等の配線基板）と中継基板本体（インターポーザ本体）との間における熱応力が緩和される。ゆえに、応力集中に起因するクラック等の発生が防止されることで、接続信頼性に優れた、半導体素子と中継基板と基板とからなる構造体を提供することが可能となる。
【００２９】
また、概して有機絶縁材料はセラミック材料ほど高価ではないため、これを中継基板本体の形成材料として使用することで、低コスト化を達成しやすくなる。さらに、絶縁性を有する材料からなる中継基板本体であれば、導通構造の周囲に絶縁層を配置する必要がなく、構造の簡略化及び低コスト化を達成しやすくなる。
【００３０】
これらの解決手段においては、前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、対向する二辺の長さは、前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の対向する二辺に対応する二辺の長さとそれぞれ略同一（０．４〜０．５ｍｍ程度の差）かまたは短く（４ｍｍ以下の差）、かつ、前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、他の対向する二辺の長さは、前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の他の対向する二辺に対応する二辺の長さよりもそれぞれ短い（４ｍｍ以上の差）構成を有することがよい。
【００３１】
ここで、前記半導体素子の平面視の大きさよりも、前記中継基板本体の平面視の大きさが大きい構成である場合、前記半導体素子と前記中継基板本体との間に前記樹脂充填剤を充填する際に、中継基板本体表面（第１面）に、樹脂充填剤を塗布することが可能な平面（フリースペース）が確保される。このため、前記樹脂充填剤を一旦フリースペース上に塗布してから、半導体素子と中継基板本体との間に容易に充填することが可能である。
【００３２】
しかし、前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、対向する二辺の長さが、前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の対向する二辺に対応する二辺の長さよりもそれぞれ４ｍｍ以上短く、かつ、前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、対向する他の二辺の長さが、前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の対向する他の二辺に対応する二辺の長さよりもそれぞれ４ｍｍ以上短い場合には、下記の問題点が生じる。つまり、半導体素子の四辺の周りのいずれにも、平面視において中継基板本体の第１面の一部が幅２ｍｍ超で露出する場合には、下記の問題が生じることがある。
【００３３】
即ち、上記のように、半導体素子の四辺の周りのいずれにも、樹脂充填剤を塗布することが可能な幅２ｍｍ超の平面（フリースペース）が確保される。このため、樹脂充填剤を半導体素子の四辺の周りのフリースペースに塗布して、ＩＣチップと中継基板との接合部分に樹脂充填剤を充填する際に、以下の不具合を生じてしまう。つまり、塗布した樹脂充填剤が、ＩＣチップと中継基板との間に完全に充填されず、半導体素子のいずれかの辺に沿って空洞が発生してしまう。
【００３４】
この不具合は、半導体素子の四辺の周りのフリースペース上を、塗布した樹脂充填剤が半導体素子の周りを優先的に回り込むように流れてしまい、結果として、半導体素子の四辺の周りを樹脂充填剤が取り囲んでしまうことに起因する。すると、半導体素子と中継基板との間に充填された樹脂充填剤中に空洞ができてしまう。このように、樹脂充填剤中に空洞ができると、ＩＣチップと中継基板との接合部分にクラック等が生じるのを完全に防止することが出来ない。
【００３５】
上記の解決手段は、前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、対向する二辺の長さは、前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の対向する二辺に対応する二辺の長さとそれぞれ略同一乃至４ｍｍ以下の範囲（差）で短く、かつ、前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、他の対向する二辺の長さは、前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の他の対向する二辺に対応する二辺の長さよりもそれぞれ４ｍｍ以上短い構成を有する。つまり、半導体素子の四辺の周りの全てにおいて、平面視で中継基板本体の第１面の一部がほとんど露出しない構成を有する。
【００３６】
即ち、半導体素子の四辺の周りの全てにおいて、樹脂充填剤を塗布することが可能な平面（フリースペース）が確保されることはなく、半導体素子の一部の辺の周りにおいてのみフリースペースが確保される。このため、塗布した樹脂充填剤が半導体素子の周りを回り込むように流れてしまうことがない。
【００３７】
よって、半導体素子の四辺の周りを樹脂充填剤が取り囲んでしまうことがなく、半導体素子−中継基板間に充填された樹脂充填剤中での空洞の発生を確実に防止することができる。更に、ＩＣチップと中継基板との接合部分にクラック等が生じるのを防止することが可能となる。
【００３８】
上記の解決手段において、より好ましくは、前記半導体素子の一辺のみの周りにおいて、平面視で前記中継基板本体の第１面の一部が露出する構成を有することが良い。半導体素子の四辺の周りを樹脂充填剤が取り囲むのを確実に防止して、半導体素子−中継基板間に充填された樹脂充填剤中での空洞の発生をより確実に防止することができるからである。
【００３９】
上記の解決手段において、より好ましくは、前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、他の対向する二辺の長さは、前記中継基板本体の厚さ方向と垂直方向の辺のうち、前記半導体素子の他の対向する二辺に対応する二辺の長さよりもそれぞれ４．４ｍｍ以上の範囲で短いことが良い。即ち、前記半導体素子の一辺のみの周りにおいて、平面視で、前記中継基板本体の第１面の一部が、前記半導体素子の一辺と垂直の方向に沿って例えば２．２ｍｍ以上の幅にて露出する構成を有することが良い。
【００４０】
更に、より好ましくは、前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の一辺の長さよりも、前記中継基板本体の辺のうち、上記半導体素子の一辺と対応する一辺が４．８ｍｍ以上の範囲で短いことがより好ましい。即ち、前記半導体素子の一辺のみの周りにおいて、平面視で、前記中継基板本体の第１面の一部が、前記半導体素子の一辺と垂直の方向に沿って２．４ｍｍ以上の幅により露出する構成を有することが良い。
【００４１】
これらによると、前記フリースペースが確保される為、より容易に前記樹脂充填剤を充填することが可能であるからである。
【００４２】
但し、上記において、更に、前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の一辺の長さよりも、前記中継基板本体の辺のうち、上記半導体素子の一辺と対応する一辺が６．０ｍｍ以下の範囲で大きいことが好ましい。即ち、更に、前記半導体素子の一辺のみの周りにおいて、平面視で、前記中継基板本体の第１面の一部が、前記半導体素子の一辺と垂直の方向に沿って３．０ｍｍ以下の幅にて露出する構成を有することが良い。
【００４３】
前記半導体素子の厚さ方向と垂直方向の一辺の長さよりも、前記中継基板本体の辺のうち、上記半導体素子の一辺と対応する一辺が６．０ｍｍより大きい場合、前記フリースペースが必要以上に大きいものとなる。よって、中継基板本体自体が大型化してしまうと共に、焼成時に上記フリースペース側に反りを誘発し易くなるため、好ましくない。
【００４４】
上記の解決手段を実現するうえで好適なものとしては、上記構成に加えて、面接続端子を有する半導体素子が実装される側の第１面、及び第２面とを有し、有機絶縁材料からなる略矩形板形状の中継基板本体と、前記第１面側に配置された複数の第１面側端子と、前記第２面側に配置された複数の第２面側端子と、前記中継基板本体に設けられ、前記第１面側端子及び前記第２面側端子を互いに導通させる導通構造とを備え、隣接する第２面側端子の間の中心間距離が、隣接する第１面側端子の間の中心間距離よりも大きくなるように設定されていることを特徴とする中継基板を用いることが好適である。
【００４５】
さらに、面接続端子を有する半導体素子を備え、かつ、前記半導体素子が実装される側の第１面、及び第２面とを有し、有機絶縁材料からなる略矩形板形状の中継基板本体と、前記第１面側に配置された複数の第１面側端子と、前記第２面側に配置された複数の第２面側端子と、前記中継基板本体に設けられ、前記第１面側端子及び前記第２面側端子を互いに導通させる導通構造とを備え、隣接する第２面側端子の間の中心間距離が、隣接する第１面側端子の間の中心間距離よりも大きくなるように設定されている中継基板を備えたことを特徴とする半導体素子付き中継基板、を用いることも好適である。
【００４６】
加えて、熱膨張係数が５．０ｐｐｍ／℃以上であって面接続パッドを有する基板を備え、かつ、第１面と、前記基板の表面上に実装される側の第２面とを有し、有機絶縁材料からなる略矩形板形状の中継基板本体と、前記第１面側に配置された複数の第１面側端子と、前記第２面側に配置された複数の第２面側端子と、前記中継基板本体に設けられ、前記第１面側端子及び前記第２面側端子を互いに導通させる導通構造とを備え、隣接する第２面側端子の間の中心間距離が、隣接する第１面側端子の間の中心間距離よりも大きくなるように設定されている中継基板を備えたことを特徴とする中継基板付き基板、を用いることも好適である。
【００４７】
即ち、これらの好適な例によると、隣接する第２面側端子の間の中心間距離が、隣接する第１面側端子の間の中心間距離よりも大きくなるように設定されているため、第２面側端子上に例えばバンプを容易に形成すること等が可能となる。ゆえに、製造が比較的容易な中継基板とすることができる。またこの場合、第２面側端子に対応する面接続パッドの間の中心間距離も大きめに設定可能となるため、基板（例えば、ＩＣチップ搭載基板やＩＣパッケージ基板）側の面接続パッド上に例えばバンプを容易に形成すること等が可能となる。ゆえに、製造が比較的容易な基板とすることができる。また、基板の歩留まりが向上して不良品発生率が低下するため、低コスト化にも寄与する。さらに、第２面側端子上及び面接続パッド上に所望の大きさのバンプが形成可能となる結果、中継基板と基板との間に高い接続信頼性を付与することができる。
【００４８】
上記の解決手段において、前記半導体素子としては、熱膨張係数が２．０ｐｐｍ／℃以上５．０ｐｐｍ／℃未満であって面接続端子を有するものを使用することが好適である。かかる半導体素子の例としては、熱膨張係数が２．６ｐｐｍ／℃程度のシリコンからなる半導体集積回路チップ（ＩＣチップ）などを挙げることができる。前記面接続端子とは、電気的接続のための端子であって、面接続によって接続を行うものを指す。なお、面接続とは、被接続物の平面上に線状や格子状（千鳥状も含む）にパッドあるいは端子を形成し、それら同士を接続する場合を指す。なお、前記半導体素子の大きさ及び形状は特に限定されないが、少なくとも一辺が１０．０ｍｍ以上であることがよい。このような大型の半導体素子になると、発熱量も増大しやすく熱応力の影響も次第に大きくなるため、本願発明の課題が発生しやすくなるからである。また、半導体素子の厚さは特に限定されないが、１．０ｍｍ以下であることがよい。半導体素子が１．０ｍｍ以下になると、半導体素子の強度が弱まってクラック等が生じるおそれがあり、それゆえ半導体素子と中継基板との間に高い接続信頼性を付与できない、という本願発明の課題が発生しやすくなるからである。
【００４９】
前記基板としては、例えば、熱膨張係数が５．０ｐｐｍ／℃以上であって面接続パッドを有するものが使用される。前記基板としては、半導体素子やその他の電子部品などが実装される基板、特には半導体素子やその他の電子部品などが実装され、それらを電気的に接続する導体回路を備えた配線基板が挙げられる。熱膨張係数が５．０ｐｐｍ／℃以上であるという条件を満たしていれば、基板の形成材料については特に限定されず、コスト性、加工性、絶縁性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。前記基板としては、例えば、樹脂基板、セラミック基板、金属基板などが挙げられる。
【００５０】
前記樹脂基板の具体例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）基板、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）基板、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）基板、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）基板などがあるが、これらに限ることはない。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板等を使用してもよい。前記セラミック基板の具体例としては、例えば、アルミナ基板、ベリリア基板、ガラスセラミック基板、結晶化ガラス等の低温焼成材料からなる基板などがあるが、これらに限ることはない。前記金属基板の具体例としては、例えば、銅基板や銅合金基板、銅以外の金属単体からなる基板、銅以外の金属の合金からなる基板などがあるが、これらに限ることはない。
【００５１】
また、基板が有する面接続パッドとは、中継基板との電気的接続のための端子用パッドであって、面接続によって接続を行うものを指す。かかる面接続パッドは例えば線状や格子状（千鳥状も含む）に形成される。
【００５２】
前記中継基板は、有機絶縁材料からなる略矩形板形状の中継基板本体を有している。中継基板本体の殆どの部分は、樹脂等に代表される有機絶縁材料からなる。有機絶縁材料に選択されうる樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、エポキシ・ポリフェノール樹脂、ポリフェニルエーテル樹脂、マレイミド樹脂、尿素樹脂、シアナート樹脂等といった熱硬化性樹脂や、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂等といった熱可塑性樹脂などを挙げることができる。このほかにも、例えば、シリコーン系エラストマー、フッ素系エラストマー、オレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、ウレタン系エラストマー、ポリアミド系エラストマー等といったエラストマー系材料の選択も可能である。あるいは、シリコーンゴム、フッ素ゴム、エチレンアクリルゴム等といったゴム系材料の選択も可能である。
【００５３】
ここに列挙した樹脂材料等には、少量であれば無機物が含まれていてもよい。その具体例としては、シリカ等のようなセラミックフィラーや、ガラスフィラーなどが挙げられる。フィラーは粒状でも繊維状でもよい。ただし、中継基板本体における樹脂絶縁材料の含有量は、重量比で７０％以上、好ましくは８０％以上、さらに好ましくは９５％以上であることがよい。樹脂材料中に無機物を含む材料の具体例としては、エポキシ樹脂中にガラスフィラーまたはガラスクロスを含むガラスエポキシ樹脂がある。なお、中継基板本体に使用される樹脂には、硬化剤、難燃剤、可塑剤などが少量含まれていてもよい。
【００５４】
前記中継基板本体を構成する樹脂材料のヤング率は特に限定されるべきではないが、強いて言えば２５ＧＰａ以下（ただし、０ＧＰａは除く。）であることが好ましい。その理由は、ヤング率が２５ＧＰａを超える樹脂材料からなる中継基板本体であれば、熱応力の影響を軽減する効果を期待できるからである。なお、樹脂材料のヤング率は、０．０１ＧＰａ以上１ＧＰａ以下（即ち１０ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下）がさらに好ましく、０．０１ＧＰａ以上０．３ＧＰａ以下（即ち１０ＭＰａ以上３００ＭＰａ以下）が特に好ましい。ヤング率が０．３ＧＰａ以下であると十分な応力軽減効果を得ることができる。上記のような低ヤング率の樹脂材料の好適例としては、シリコーン系エラストマー等のエラストマー系材料や、シリコーンゴム、フッ素ゴム等といったゴム系材料や、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、エポキシ・ポリフェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等の材料を挙げることができる。
【００５５】
ここで「ヤング率」とは、例えばＪＩＳ  Ｒ  １６０２に規定する弾性率試験方法による測定値をいい、より具体的には超音波パルス法による測定値をいう。超音波パルス法では、超音波パルスが試験片を伝播するときの速度に基づいて動的弾性率を測定する。
【００５６】
中継基板本体を構成する樹脂絶縁材料は、上記のように低ヤング率であることに加えて、低熱膨張性であることが好ましい。例えば、前記基板が熱膨張係数１０．０ｐｐｍ／℃以上３０．０ｐｐｍ／℃以下の樹脂基板である場合、中継基板本体を構成する樹脂絶縁材料の熱膨張係数は５．０ｐｐｍ／℃以上２０．０ｐｐｍ／℃以下、特には５．０ｐｐｍ／℃以上１０．０ｐｐｍ／℃以下であることがよい。その理由は、中継基板本体の熱膨張係数が５．０ｐｐｍ／℃未満であると、半導体素子との熱膨張係数差が小さくなる一方、樹脂基板との熱膨張係数差が大きくなる。よって、中継基板と樹脂基板との接合部分に大きな応力が作用するようになり、好ましくないからである。逆に、中継基板本体の熱膨張係数が２０．０ｐｐｍ／℃を超えると、樹脂基板との熱膨張係数差が小さくなる一方、半導体素子との熱膨張係数差が大きくなる。よって、中継基板と半導体素子との接合部分に大きな応力が作用するようになり、好ましくないからである。
【００５７】
中継基板本体の厚さは、特に限定されないが、強いて言えば０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることが好ましく、さらには０．３ｍｍ以上０．７ｍｍ以下であることがより好ましい。厚さが０．３ｍｍ未満であると、中継基板本体の介在による効果、即ち応力軽減効果が十分に得られない可能性があるからである。また、厚さが１．０ｍｍを超えると、構造体全体の厚さが増すばかりでなく、小径の導通構造の形成が困難になり製造コストが高くつくおそれがあるからである。
【００５８】
導体柱の直径は特に限定されるべきではないが、第１面側接続端子及び第２面側接続端子の直径よりも小さいことがよく、具体的には１００μｍ以下であることが好ましく、８０μｍ以下であることが特に好ましい（ただし０μｍは除く。）。かかる導体柱が小径であると、中継基板本体の内部における導体柱の占有率が小さくなり、その分だけ中継基板本体の内部に配線を形成可能なスペースが増えるからである。
【００５９】
前記中継基板本体の第１面側には複数の第１面側端子が配置される一方、第２面側には複数の第２面側端子が配置されている。
【００６０】
前記第１面側端子の数については特に限定されるべきではないが、通常は半導体素子が有する面接続端子の数に準じるようにして設定される。第１面側端子の大きさについても特に限定されるべきではないが、具体的には直径１２５μｍ以下、特には直径１００μｍ以下であることがよい（ただし０μｍは除く。）。かかる中心間距離があまりに大きすぎると、今後予想される半導体素子のファイン化に十分に対応できない可能性があるからである。また、隣接する前記第１面側端子間の中心間距離は２５０μｍ以下、さらには２００μｍ以下、特には１５０μｍ以下であることがよい（ただし０μｍは除く。）。その理由は、かかる中心間距離がこの程度まで微小化したときに、第２面側端子の形成が困難化する、という課題が発生しやすくなるからである。
【００６１】
また、複数の第２面側端子の数、大きさ等についても特に限定されるべきではないが、通常、第２面側端子の数は前記第１面側端子の数とほぼ同じだけ形成される。
【００６２】
前記中継基板本体には、第１面側端子及び第２面側端子を互いに導通させる導通構造が設けられている。前記導通構造は、中継基板厚さ方向に延びる複数の導体柱と、中継基板面方向に延びかつ前記導体柱と接続される複数の配線からなる配線群とによって構成される。前記配線群は、隣接する配線同士の間隔が広くなるファンアウト部を有していることが好ましい。ここで「隣接する配線同士の間隔が広くなる」とは、主として中継基板本体中央部から中継基板本体外周部に向かう複数の配線がある場合において、隣接する配線同士が中継基板面方向に離れる結果、それら配線同士の間隔が広くなることを意味する。なお、隣接する第２面側端子間の中心間距離が隣接する第１面側端子間の中心間距離よりも大きい構造は、ファンアウト部を有する配線群を設けることにより、比較的容易に実現することができる。
【００６３】
前記導体柱は、例えば中継基板本体に設けられた孔内に導電性金属を充填することにより形成可能である。かかる導体柱の一方の端面上には第１面側接続端子が配置されることがよく、他方の端面上には第２面側接続端子が配置されることがよい。前記導電性金属としては特に限定されないが、例えば銅、金、銀、白金、パラジウム、ニッケル、スズ、鉛、チタン、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブなどから選択される１種または２種以上の金属を挙げることができるが、これらに限ることはない。２種以上の金属からなる導電性金属としては、例えば、スズ及び鉛の合金であるはんだ等を挙げることができる。２種以上の金属からなる導電性金属として、鉛フリーのはんだ（例えば、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系はんだ等）を用いても勿論よい。複数の孔内に導電性金属を充填する具体的な手法としては、例えば、導電性金属を含む非固形状材料（例えば導電性金属ペースト）を作製しそれを印刷充填する手法があるほか、導電性金属めっきを施す手法などがある。また、非固形状の材料、具体的には金属塊や金属柱などを孔内に埋め込むという手法を採用してもよい。なお、導電性金属の充填によって導体柱を形成する場合、内部に空洞が生じないように孔をほぼ完全に埋めることが好ましい。その理由は、導体柱の低抵抗化を図るとともに、導体柱自体の強度を高めるためである。もっとも、前記導体柱は、必ずしも孔全体に導体を充填した中実状構造でなくてもよく、孔の内壁面にのみ導体を設けた中空状構造（例えばめっきスルーホールのような構造）であってもよい。
【００６４】
前記配線は、例えば中継基板本体に導電性金属からなる層を所定パターン状に形成したものが好適である。前記導電性金属としては特に限定されないが、例えば銅、金、銀、白金、パラジウム、ニッケル、スズ、鉛、チタン、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブなどから選択される１種または２種以上の金属を挙げることができるが、これらに限ることはない。２種以上の金属からなる導電性金属としては、例えば、スズ及び鉛の合金であるはんだ等を挙げることができる。配線を形成する具体的な手法としては、例えば、導電性金属を含む非固形状材料（例えば導電性金属ペースト）を作製しそれを印刷する手法があるほか、導電性金属めっきを施す手法、導電性金属をスパッタする手法などがある。なお、配線形成用の導電性金属は、導体柱形成用の導電性金属と同種のものであってもよく、異種のものであってもよい。
【００６５】
ここで、隣接する配線同士の間隔が広くなるファンアウト部を有する配線群は、中継基板本体の表層または内層のいずれに配置されていてもよいが、とりわけ中継基板本体の内層に配置されていることが望ましい。中継基板本体の表層に配線群を配置した場合、はんだの付着等を避けるための保護構造（例えばソルダーレジスト）を形成する必要が生じ、構造の複雑化や高コスト化につながるおそれがある。これに対して、中継基板本体の内層に配線群を配置すれば、はんだの付着等を避けるための構造が不要になり、構造の複雑化や高コスト化を防止することができるからである。しかも、中継基板本体の表層（特に第１面側の表層）に配線群を配置した場合であって、第１面側接続端子が多端子化したり中心間距離が微小化したようなときには、配線の引き回しが困難になり、中継基板の製造が困難になってしまう。これに対して、中継基板本体の内層に配線群を配置すれば、第１面側接続端子の状態にあまり左右されることなく、配線の引き回しを比較的自由に行うことができる。よって、中継基板の製造が困難になりにくい。
【００６６】
第１面側接続端子及び第２面側接続端子の少なくとも一方の表面上には、はんだバンプ等の突起電極が形成されていることが好ましく、特には第１面側接続端子及び第２面側接続端子の両方にはんだバンプが形成されていることがより好ましい。その理由は、中継基板側にはんだバンプが突設されていると、面接続端子や面接続パッドとの接続を容易にかつ確実に行うことができるからである。前記はんだバンプは、例えば、公知のはんだ材料を印刷してリフローすることにより形成可能である。
【００６７】
導体柱における少なくとも一方の端面上、とりわけ半導体素子が実装されるべき第１面側端面上には、接続時の便宜を図るためにはんだ層が形成されていてもよい。前記はんだ層としては第１面から突出するように形成されたはんだバンプが好適である。このようなはんだバンプがあると、バンプレスの半導体素子の実装が可能となって好都合だからである。勿論、はんだ層は複数の導体柱における両方の端面上に形成されていても構わない。前記はんだ層の形成に使用されるはんだは特に限定されず、用途に応じて任意に選択することができる。なお、はんだを用いて導体柱を形成した場合、その導体柱の一部を第１面または第２面から突出させてはんだバンプとしてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６８】
以下、本発明を具体化した実施形態を図１等に基づき詳細に説明する。図１は、インターポーザ（中継基板）２１Ａの平面図である。図２は、図１中のＸ−Ｘ線に沿った視角における概略断面図である。図３は、第１面側端子２８及び第２面側端子２９上にはんだバンプ２６，２７を形成した状態を示す概略断面図である。図４は、ＩＣチップ（半導体素子）１５と、インターポーザ（中継基板）２１と、ＩＣパッケージ基板としての配線基板（基板）４１とからなる本実施形態の半導体パッケージ構造体（構造体）１１を示す概略断面図である。図５はインターポーザ２１を示す概略断面図であり、図６はインターポーザ２１を示す部分拡大平面図である。図７は、ＩＣチップ付きインターポーザ６１（半導体素子付き中継基板）を示す概略断面図である。図８は、ＩＣチップ付きインターポーザ６１を配線基板４１上に実装するときの状態を示す概略断面図である。図９は、図１のＩＣチップ１５とインターポーザ２１とを平面視した部分平面図である。
【００６９】
図１に示すように、インターポーザ２１Ａは、平面視で長方形状のインターポーザ本体３８を備えている。ここで使用されるインターポーザ本体３８は、シリコーン系エラストマーからなる、厚さ０．４ｍｍ程度の樹脂製基板である。かかる樹脂製基板の熱膨張係数は約１２ｐｐｍ／℃、ヤング率は約０．０８ＧＰａである。インターポーザ本体３８の上面２２（第１面）には、平面視で正方形状であって、かつ一辺が約１０ｍｍの半導体素子実装領域１５Ｚが設定されている。この半導体素子実装領域１５Ｚ内においては、複数の第１面側端子２８が格子状に配置されている。これらの第１面側端子２８は、例えば銅めっきからなる。
【００７０】
図１に示されるように、半導体素子実装領域１５Ｚの中心１５ｓは、第１面２２の中心２２ｓよりも右側に若干ずれている。このため、第１面２２の上辺、下辺及び右辺と、上記半導体素子実装領域１５Ｚとの間には、幅ｗ（長さ）２ｍｍ以下の狭い平面が位置する。一方、第１面２２の左辺と上記実装領域１５Ｚとの間には、後述する樹脂充填剤の塗布が容易に行える程度の、例えば幅（長さＬ）５ｍｍの比較的広い平面（フリースペースｆｓ）が形成される。
【００７１】
即ち、図１に示すように、上記実装領域１５Ｚの周辺に形成される４つの細長い平面のうち、第１面２２の左辺と当該実装領域１５Ｚとの間に位置する平面の幅（長さＬ）は、それ以外の３つの平面の幅ｗよりも広くなっている。換言すると、第１面２２の左辺と上記実装領域１５Ｚとの間に形成される樹脂充填剤を塗布するための比較的幅の広い平面（フリースペースｆｓ）の幅（長さＬ）は、その平面に隣接する他の平面の幅及びその平面に対向する他の平面の幅よりも広くなっている。
【００７２】
図２に示すように、インターポーザ本体３８の下面２３（第２面）にも、第１面側端子２８と同形状かつ同数の第２面側端子２９が格子状に配置されている。各第１面側端子２８と各第２面側端子２９との間には、ビア（貫通孔）が貫通形成されている。ビア内には銅めっき等からなる導通柱３０が設けられている。なお、第１面側端子２８の直径、第２面側端子２９の直径及び導通柱３０の直径は、それぞれ約８０μｍに設定されている。また、第１面側端子２８，２８の中心間距離及び第２面側端子２９，２９の中心間距離は、それぞれ約３００μｍに設定されている。
【００７３】
図３に示すように、第１面側端子２８及び第２面側端子２９の上には、略半球形状のはんだバンプ２６，２７が個別に突出して形成される。はんだバンプ２６，２７は、例えばＳｎ−Ｃｕ系などの低融点合金からなり、相互のはんだ量は同じである。第１面側端子２８上のはんだバンプ２６には、後述するように、半導体素子１５の面接続端子１６が接続される。第２面側端子２９上（図示で下側）のはんだバンプ２７には、後述するように、配線基板４１の面接続端子４６が接続される。これらの接続部の周囲には、後述するように、樹脂充填剤８１，８２が空洞を形成することなく充填される。そして、充填された樹脂充填剤８１，８２により、これらの接続部が封着されるようになっている。なお、配線基板４１の面接続端子４６のサイズやピッチに応じて、はんだバンプ２７のはんだ量を、はんだバンプ２６のはんだ量よりも多くしても良い。
【００７４】
次に、前記のものとは異なる形態のインターポーザ２１を用いる本発明の構造体１１について説明する。
【００７５】
図４に示されるように、本実施形態の半導体パッケージ構造体１１は、ＩＣチップ１５と、インターポーザ２１と、配線基板４１とからなるＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）構造である。なお、半導体パッケージ構造体１１の形態は、ＬＧＡのみに限定されず、例えばＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）やＰＧＡ（ピングリッドアレイ）構造等であってもよい。ＭＰＵとしての機能を有するＩＣチップ１５は、１０ｍｍ角の矩形平板状であって、熱膨張係数が２．６ｐｐｍ／℃程度のシリコンからなる。かかるＩＣチップ１５の下面側表層には、図示しない回路素子が形成されている。また、ＩＣチップ１５の下面側には、複数の面接続端子１６が格子状に設けられている。隣接する複数の面接続端子１６，１６の中心間距離は、本実施形態では１２０μｍに設定されている。図４では、ＩＣチップ１５の左辺とインターポーザ２１の左辺とが、平面視で略同一の位置となるように示されている。しかし、望ましくはインターポーザ２１の左辺が、０．２ｍｍ〜２．０ｍｍほど同図の左側に突出していることがよい。
【００７６】
ＩＣチップ１５（半導体素子）と、インターポーザ２１（中継基板）との間には、第１樹脂充填剤８１が充填されている。また、配線基板４１（基板）と、インターポーザ２１との間には、第２樹脂充填剤８２が充填されている。
【００７７】
樹脂充填剤８１，８２は、それぞれエポキシ樹脂を主成分とし、シリカフィラーを分散させてなる複合樹脂材料の硬化体からなる。このような材料として、例えば、信越化学社製ＳＥＭＩＣＯＡＴ（品番５１１４）が用いられる。なお、樹脂充填剤８１、８２は、同一の材料を使用して形成されてもよいし、それぞれ異なる材料を使用して形成されてもよい。なお、樹脂充填剤８１，８２の熱膨張係数は、それぞれ２５．０ｐｐｍ／℃以下であることが、応力緩和の点で好ましい。このような材料として、例えば、ナミックス社製ＸＳ８４３７−２３が用いられる。
【００７８】
なお、樹脂充填剤８１，８２に、それぞれ異なる材料を使用する場合には、ＩＣチップ１５とインターポーザ２１との間の第１樹脂充填剤８１の熱膨張係数を、配線基板４１とインターポーザ２１との間の第２樹脂充填剤８２の熱膨張係数よりも小さくすることがよい。この構成は、構造体全体における応力緩和の点で好ましい。
【００７９】
本実施形態では、ＩＣチップ１５の平面視の大きさ（１０ｍｍ角）よりも、インターポーザ本体３８（中継基板本体）の平面視の大きさのほうが大きく設定されている。即ち、ＩＣチップ１５の厚さ方向と垂直方向の辺の長さ（１０ｍｍ）よりも、インターポーザ本体３８（中継基板本体）の厚さ方向と垂直方向の辺の長さ（上記ＩＣチップ１５の一辺と対応するインターポーザ本体３８の一辺の長さ：１５ｍｍ）のほうが大きく設定されている。本実施形態では、ＩＣチップ１５の厚さ方向と垂直方向の辺の長さ（１０ｍｍ）から、インターポーザ本体３８の厚さ方向と垂直方向の辺の長さ（１５ｍｍ）を差し引いた長さ（図４，図９のＬ）が５ｍｍに設定されている。即ち、図４，図９に示すように、インターポーザ本体３８の上面２２の中心よりも左側にずれた位置に、ＩＣチップ１５の実装領域の中心が位置している。
【００８０】
このインターポーザ２１の場合、ＩＣチップ１５の平面視の大きさよりも、インターポーザ本体３８の平面視の大きさのほうが大きい（図９参照）。これにより、インターポーザ２１表面（第１面）２２の右辺寄りの位置に、第１樹脂充填剤８１を塗布可能な幅（長さＬ）５ｍｍの平面（長さＬのフリースペース）が確保される。そのため、容易に第１樹脂充填剤８１を充填することが出来る。
【００８１】
また、ＩＣチップ１５の一部の辺（図４，図９で右辺）の周りにおいてのみフリースペースが確保される。このため、塗布した第１樹脂充填剤８１がＩＣチップ１５の周り（上記右辺を除く他の三辺側）を回り込むように流れてしまうことがない。よって、ＩＣチップ１５の四辺の周りを樹脂充填剤８１が取り囲んでしまうことがなく、ＩＣチップ１５−インターポーザ本体３８間での樹脂充填剤８１の空洞の発生を確実に防止することができる。さらに、ＩＣチップ１５とインターポーザ２１との接合部分にクラック等が生じるのを防止することが可能となる。
【００８２】
前記配線基板４１は、上面４２及び下面４３を有する矩形平板状の部材からなり、複数層の樹脂絶縁層４４と複数層の導体回路４５とを有する、いわゆる多層配線基板（樹脂製ＩＣパッケージ基板）である。本実施形態の場合、具体的にはエポキシ樹脂をガラスクロスに含浸させてなる絶縁基材により樹脂絶縁層４４が形成され、銅箔または銅めっき層により導体回路４５が形成されている。かかる配線基板４１の熱膨張係数は、１３．０ｐｐｍ／℃以上１６．０ｐｐｍ／℃未満となっている。配線基板４１の上面４２には、インターポーザ２１側との電気的な接続を図るための複数の面接続パッド４６が格子状に形成されている。隣接する複数の面接続パッド４６，４６の中心間距離は、本実施形態では２００μｍに設定されている。各々の面接続パッド４６の表面上には、突起電極である基板側はんだバンプ４９が形成されている。配線基板４１の下面４３には、図示しないマザーボード側との電気的な接続を図るための複数の面接続パッド４７が格子状に形成されている。なお、マザーボード接続用の面接続パッド４７は、インターポーザ接続用の面接続パッド４６よりも広い面積で広いピッチとなっている。樹脂絶縁層４４にはビアホール導体４８が設けられていて、これらのビアホール導体４８を介して、異なる層の導体回路４５、面接続パッド４６、面接続パッド４７が相互に電気的に接続されている。また、配線基板４１の上面４２には、図７に示すＩＣチップ付きインターポーザ６１以外にも、チップコンデンサ、半導体素子、その他の電子部品（いずれも図示略）が実装されている。
【００８３】
図４，図５等に示されるように、このインターポーザ２１は、ＩＣチップ側インターポーザと呼ばれるべきものであって、上面２２（第１面）及び下面２３（第２面）を有する矩形平板形状のインターポーザ本体３８（中継基板本体）を有している。そして、このインターポーザ本体３８は、エポキシ樹脂からなる第１絶縁層２４とエポキシ樹脂からなる第２絶縁層２５とを積層した２層構造を有する厚さ０．３ｍｍ程度の樹脂製基板である。かかる樹脂製基板の熱膨張係数は約１０ｐｐｍ／℃、ヤング率は約０．０６ＧＰａである。
【００８４】
従って、インターポーザ本体３８の熱膨張係数は、配線基板４１の熱膨張係数よりも小さく、かつ、ＩＣチップ１５の熱膨張係数よりも大きな値となっている。即ち、本実施形態のインターポーザ２１は、配線基板４１よりも低い熱膨張性を備えている。また、ＩＣチップ１５のヤング率が１９０ＧＰａ程度であるのに対し、インターポーザ本体３８のヤング率はそれよりも相当低くなっている。即ち、本実施形態のインターポーザ２１は、極めて低い剛性を備えている。
【００８５】
インターポーザ本体３８を構成する第１絶縁層２４には、インターポーザ２１の厚さ方向に延びる複数のビア（貫通孔）が格子状に形成されていて、それらビア内に銅めっきからなる導体柱３０が設けられている。インターポーザ本体３８を構成する第２絶縁層２５にも、インターポーザ２１の厚さ方向に延びる複数のビア（貫通孔）が形成されていて、それらビア内には銅めっきからなる導体柱３１が設けられている。本実施形態の場合、導体柱３０，３１の直径はともに約８０μｍに設定されている。
【００８６】
上面２２において各々の導体柱３０の上端面がある位置には、第１面側端子である上面側パッド２８が配置されている。上面側パッド２８は円形状かつ直径１２０μｍであって、隣接する上面側パッド２８，２８間の中心間距離３６（図６参照）は約２００μｍに設定されている。一方、下面２３において各々の導体柱３１の下端面がある位置には、第２面側端子である下面側パッド２９が配置されている。下面側パッド２９は円形状かつ直径１２０μｍであって、隣接する下面側パッド２９，２９間の中心間距離３７（図６参照）は約３００μｍに設定されている。即ち、本実施形態では、隣接する下面側パッド２９，２９間の中心間距離３７が、隣接する上面側パッド２８，２８間の中心間距離３６よりも１００μｍ程度大きくなるように設定されている。
【００８７】
各上面側パッド２８の表面上には略半球状をした上面側はんだバンプ２６が設けられている。これらの上面側はんだバンプ２６は上面２２から突出しており、ＩＣチップ１５側の面接続端子１６に対して接続されている。各下面側パッド２９の表面上には略半球状をした下面側はんだバンプ２７が設けられている。これらの下面側はんだバンプ２７は下面２３から突出しており、配線基板４１側の面接続パッド４６に対し基板側はんだバンプ４９を介して接続されている。
【００８８】
図４，図５，図６等に示されるように、インターポーザ本体３８の内層、より詳細にいうと第１絶縁層２４と第２絶縁層２５との界面には、所定パターン状に形成された複数の配線３２からなる配線群が配置されている。これらの配線３２は銅めっきからなり、インターポーザ２１の面方向に延びている。かかる配線群は、隣接する配線３２同士の間隔が広くなるファンアウト部３３を複数箇所に有している（図６参照）。
【００８９】
図４，図５，図７に示されるように、前記配線群は、インターポーザ本体３８の中央部から外周部に向かう複数の配線３２によって構成されている。配線３２の一端は第１絶縁層２４に属する導体柱３０の内端に接続され、配線３２の他端は第２絶縁層２５に属する導体柱３１の内端に接続されている。その結果、上面側パッド２８〜導体柱３０〜配線３２〜導体柱３１〜下面側パッド２９という経路（またはこれと逆の経路）を経て電流が流れるようになっている。従って、このような構造の半導体パッケージ構造体１１では、インターポーザ２１の導体柱３０，３１及び配線３２を介して、配線基板４１側とＩＣチップ１５側とが電気的に接続される。ゆえに、インターポーザ２１を介して、配線基板４１−ＩＣチップ１５間で信号の入出力が行われるとともに、ＩＣチップ１５をＭＰＵとして動作させるための電源が供給されるようになっている。
【００９０】
なお、本実施形態では、隣接する下面側パッド２９，２９間の中心間距離３７が、隣接する上面側パッド２８，２８間の中心間距離３６よりも大きくなるように設定されているが、これに限ることはない。例えば、隣接する下面側パッド２９，２９間の中心間距離３７と、隣接する上面側パッド２８，２８間の中心間距離３６とを同一の中心間距離（約２００μｍ）としてもよい。この場合、配線３２等の配線群は、省略してもよい。
【００９１】
ここで、上記構造の半導体パッケージ構造体１１を製造する手順について説明する。
【００９２】
インターポーザ２１は例えば下記の要領で作製される。まず、出発材料である銅張積層板を２枚用意する。これらの銅張積層板は、矩形状をなすエポキシ樹脂板の両面に銅箔を貼着したものである。次に、このような銅張積層板に対し、例えば炭酸ガスレーザーを用いたレーザー加工等を行って、銅張積層板の表裏を貫通する多数のビアを形成する。勿論、レーザー加工以外の穴あけ方法、例えばドリル加工等により、ビアの形成を行っても構わない。このとき、後に第１絶縁層２４となる銅張積層板については、各導体柱３０の形成位置及び各ダミー導体柱１００の形成位置に対応してビアが形成される。後に第２絶縁層２５となる銅張積層板については、各導体柱３１の形成位置及び各ダミー導体柱１００の形成位置に対応してビアが形成される。
【００９３】
次に、前記銅張積層板の全面に対してパネルめっきを施し、各ビアの内部を銅めっきで埋めることにより、導体柱３０，３１やダミー導体柱１００を形成する。なお、このようなビアめっきを行うことで、銅箔の表面全体にも銅めっきが析出する。次に、表裏両面の銅めっき上に図示しないめっきレジストを形成し、この状態で銅めっき及び銅箔における不要部分をエッチング除去する。その結果、後に第１絶縁層２４となる銅張積層板については、上面側パッド２８及び第１面側ダミー端子９１がそれぞれ形成される。また、後に第２絶縁層２５となる銅張積層板については、下面側パッド２９、配線３２及び第２面側ダミー端子９２がそれぞれ形成される。続いて、これら２枚の銅張積層板をプリプレグ等を介して積層して一体化することにより、２層構造のインターポーザ２１とする（図５参照）。さらに、上面側パッド２８上及び下面側パッド２９上に、公知のはんだ材料（例えばＳｎ／Ａｇ＝９６．５／３．５のはんだ材料など）を印刷した後、リフローを行う。その結果、上面側パッド２８上に所定高さの上面側はんだバンプ２６を形成するとともに、下面側パッド２９上にそれよりも高さが大きい下面側はんだバンプ２７を形成する。
【００９４】
次に、インターポーザ２１の上面２２にＩＣチップ１５を載置する。このとき、ＩＣチップ１５側の面接続端子１６と、インターポーザ２１側の上面側はんだバンプ２６とを位置合わせするようにする。そして、加熱して各上面側はんだバンプ２６をリフローすることにより、上面側はんだバンプ２６と面接続端子１６とを接合する。
【００９５】
次に、第１樹脂充填剤８１を公知のディスペンサ（図示せず）により、インターポーザ２１におけるフリースペースの上面２２に塗布し、インターポーザ２１とＩＣチップ１５との隙間に第１樹脂充填剤８１を充填する。この後、第１樹脂充填剤８１を約１２０℃の温度で硬化させる。その結果、上面側はんだバンプ２６が第１樹脂充填剤８１の硬化体により固定され、かつ、上記隙間が前記硬化体により完全に埋められて封止される。その結果、図７に示すＩＣチップ付きインターポーザ６１が完成する（図７，図８では、第１樹脂充填剤８１は省略）。
【００９６】
次に、あらかじめ配線基板４１を作製するとともに、面接続パッド４６上に公知のはんだ材料を印刷してリフローすることにより、基板側はんだバンプ４９を形成しておく。次に、インターポーザ２１側の下面側はんだバンプ２７と、面接続パッド４６上の基板側はんだバンプ４９とを位置合わせして（図８参照）、配線基板４１上に前記ＩＣチップ付きインターポーザ６１を載置する。そして、下面側バンプ２７と面接続パッド４６とを接合する。
【００９７】
この後、第２樹脂充填剤８２（図示しない）を公知のディスペンサ（図示しない）により、配線基板４１の上面４２に塗布し、インターポーザ２１と配線基板４１との隙間に第２樹脂充填剤８２を充填する。この後、第２樹脂充填剤８２を約１２０℃の温度で硬化させる。その結果、下面側はんだバンプ２７及び基板側はんだバンプ４９が第２樹脂充填剤８２の硬化体により固定され、かつ、上記隙間が前記硬化体により完全に埋められて封止される。その結果、図４に示す半導体パッケージ構造体１１が完成する。
【００９８】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００９９】
（１）ＩＣチップ１５（半導体素子）とインターポーザ本体３８（中継基板本体）との間に第１樹脂充填剤８１が充填され、または、配線基板４１（基板）とインターポーザ本体３８（中継基板本体）との間に第２樹脂充填剤８２が充填されるように構成されている。そのため、ＩＣチップ１５と配線基板４１（基板）との間の実装部分（即ち、ＩＣチップ１５とインターポーザ本体３８との間、または、配線基板４１とインターポーザ本体３８との間）における熱応力が緩和される。ゆえに、応力集中に起因するクラック等の発生が防止されることで、接続信頼性に優れた、半導体素子と中継基板と基板とからなる構造体を提供することが可能となる。また、上記の優れた構造体を実現するうえで好適な、半導体素子付き中継基板、中継基板付き基板を提供することが可能となる。
【０１００】
（２）また、ＩＣチップ１５の四辺の周りの全てにおいて、第１樹脂充填剤８１を塗布することが可能な平面（フリースペース）が確保されることはなく、ＩＣチップ１５の一部の辺の周りにおいてのみフリースペースが確保される。このため、塗布した第１樹脂充填剤８１がＩＣチップ１５の周りを回り込むように流れてしまうことがない。よって、ＩＣチップ１５の四辺の周りを第１樹脂充填剤８１が取り囲んでしまうことがなく、ＩＣチップ１５−インターポーザ２１，２１Ａ間での第１樹脂充填剤８１の空洞の発生を確実に防止することができる。更に、ＩＣチップ１５とインターポーザ２１，２１Ａとの接合部分にクラック等が生じるのを防止することが可能となる。
【０１０１】
（３）この半導体パッケージ構造体１１（構造体）では、隣接する下面側パッド２９，２９の間の中心間距離３７が、隣接する上面側パッド２８，２８の間の中心間距離３６よりも大きくなるように設定されている。そのため、下面側パッド２９上に、はんだ量が多くて大きめの下面側はんだバンプ２７を容易に形成することが可能となる。ゆえに、製造が比較的容易なインターポーザ２１とすることができる。またこの場合には、下面側パッド２９に対応する面接続パッド４６の間の中心間距離も大きめに設定可能となる。よって、配線基板４１側の面接続パッド４６上に、はんだ量が多くて大きめの基板側はんだバンプ４９を容易に形成することが可能となる。ゆえに、製造が比較的容易な配線基板４１とすることができる。また、配線基板４１の歩留まりが向上して不良品発生率が低下するため、半導体パッケージ構造体１１の低コスト化を図ることができる。さらに、下面側パッド２９上及び面接続パッド４６上に所望の大きさのはんだバンプ２７，４９が形成可能となる結果、インターポーザ２１と配線基板４１とがはんだを介して強固に接合されるようになる。よって、インターポーザ２１と配線基板４１との間に高い接続信頼性を付与することができる。
【０１０２】
（４）本実施形態のインターポーザ２１，２１Ａは、いずれもヤング率が０．３ＧＰａ以下であって、極めて低い剛性のインターポーザ本体３８を使用して構成されている。そのため、樹脂製の配線基板４１がＸＹ方向に熱膨張または熱収縮したときでもインターポーザ２１，２１Ａがそれに追従して弾性的にひずむ（変形する）ことができる。よって、熱膨張係数差に起因して発生する応力の影響が軽減される。しかも、このインターポーザ本体３８は低熱膨張性という好ましい性質も備えている。ゆえに、インターポーザ２１，２１Ａと他部品（即ち配線基板４１やＩＣチップ１５）との接合部分ＩＣチップ１５自身にクラックが発生しにくくなる。その結果、信頼性に優れた半導体パッケージ構造体１１を得ることができる。
【０１０３】
（５）また、概して有機絶縁材料の代表例である樹脂材料は、セラミック材料ほど高価ではない。そのため、これをインターポーザ本体３８の形成材料として使用すれば、比較的安価なインターポーザ２１，２１Ａを実現することができ、ひいては半導体パッケージ構造体１１の低コスト化を容易に達成することが可能となる。勿論、本実施形態では配線基板４１についても樹脂製であり、このことは半導体パッケージ構造体１１の低コスト化に確実に貢献している。
【０１０４】
（６）しかも、本実施形態のインターポーザ本体３８は好適な絶縁性を有するエポキシ樹脂を材料として用いているので、導体柱３０，３１との絶縁を図るための絶縁層を特に必要としない。よって、構造の簡略化及び低コスト化を達成することができる。
【０１０５】
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
【０１０６】
・例えば、上記実施形態の半導体パッケージ構造体１１（構造体）は、次のようにして製造されてもよい。図１０は、ＩＣチップ１５をインターポーザ付き配線基板７１上に実装するときの状態を示す概略断面図である。図１０に示すように、まず、配線基板４１の上面４２にインターポーザ２１をはんだ付け等により接合することで、インターポーザ付き配線基板７１（中継基板付き基板）をあらかじめ作製する。
【０１０７】
この後、インターポーザ２１と配線基板４１との隙間に第２樹脂充填剤８２を充填し、第２樹脂充填剤８２を約１２０℃の温度で硬化させる。その結果、下面側はんだバンプ２７及び基板側はんだバンプ４９が第２樹脂充填剤８２の硬化体により固定され、かつ、上記隙間が前記硬化体により完全に埋められて封止される。次に、このインターポーザ付き配線基板７１の上面２２にＩＣチップ１５を接合する。そして、インターポーザ２１におけるフリースペースの上面２２に塗布し、インターポーザ２１とＩＣチップ１５との隙間に第１樹脂充填剤８１を充填し、第１樹脂充填剤８１を約１２０℃の温度で硬化させる。その結果、上面側はんだバンプ２６が第１樹脂充填剤８１の硬化体により固定され、かつ、上記隙間が前記硬化体により完全に埋められて封止される。その結果、所望の半導体パッケージ構造体１１とする（図４参照）。
【０１０８】
・上記実施形態の半導体パッケージ構造体１１では、２層構造のインターポーザ本体３８を用いてインターポーザ２１を構成していたが、３層以上の多層構造のインターポーザ本体を用いてインターポーザ２１を構成してもよい。
【０１０９】
・上記実施形態では、インターポーザ本体３８の内層のみに配線群を形成した態様であったが、これに限定されず、例えば内層及び上面２２に配線群を形成した態様、内層及び下面２３に配線群を形成した態様、内層、上面２２及び下面２３に配線群を形成した態様であってもよい。
【０１１０】
・図１１は、図７のものとは構造が若干異なるＩＣチップ付きインターポーザ６１Ａを示す平面図、図１２は、図１１中のＹ−Ｙ線に沿った視角における概略断面図である。図１３は、ＩＣチップ１５と、インターポーザ２１Ａと、ＩＣパッケージ基板としての配線基板４１とからなる半導体パッケージ構造体１１Ａを示す概略断面図である。
【０１１１】
図１１，図１２に示すように、半導体素子実装領域１５Ｚの中心１５ｓは、インターポーザ２１Ａの上面２２の中心２２ｓから右側にずれた位置にある。そして、そのような半導体素子実装領域１５Ｚ上にＩＣチップ１５が実装されている。図１１に示すように、ＩＣチップ１５は平面視にて一辺が１０ｍｍの正方形を呈している。このＩＣチップ１５の上辺、下辺及び右辺と、インターポーザ２１Ａの上面２２の隣接する辺との間には、幅ｗ２ｍｍ以下（例えば、１．３ｍｍまたは１．５ｍｍ）のフリースペースｆｓの幅（Ｌ）よりも狭い幅ｗの平面が形成される。また、ＩＣチップ１５の左辺と上面２２の左辺との間には、長さＬが約６ｍｍのフリースペースｆｓが形成される。
【０１１２】
また、ＩＣチップ１５の面接続端子１６は、前記同様に、インターポーザ２１Ａの上面２２における前記実装領域１５Ｚ内に位置する第１面側端子２８と、はんだバンプ２６を介して接続されている。
【０１１３】
前記インターポーザ２１Ａの上面２２とＩＣチップ１５との間には第１樹脂充填剤８１が充填され、その第１樹脂充填剤８１によって前記接続部が封着されている。即ち、図示しないディスペンサからインターポーザ２１Ａの上面２２におけるフリースペースｆｓ上に樹脂充填剤８１を塗布すると、かかる樹脂充填剤８１はその流動性（粘性）により、上面２２の各辺に沿いつつ半導体実装領域１５Ｚ側に流れる。実装領域１５Ｚを構成する三辺と、上面２２の上辺、下辺及び右辺との幅ｗは、２ｍｍ以下（例えば、１．３ｍｍまたは１．５ｍｍ）であり、そこにできる平面も幅狭である。ゆえに、第１樹脂充填剤８１は、これらの平面を回り込みつつ、実装領域１５Ｚ内の第１面側端子２８、はんだバンプ２６、及び面接続端子１６の間に均一に進入した後、図１２に示すような形状となって固化する。
【０１１４】
この結果、図１２に示すように、複数組の第１面側端子２８、はんだバンプ２６、及び面接続端子１６からなる接続部が、内部に空洞のない第１樹脂充填剤８１によって封止されたＩＣチップ１５付きインターポーザ６１Ａを得ることができる。
【０１１５】
更に、図１３に示すように、上記ＩＣチップ１５付きインターポーザ６１Ａを、前記配線基板４１の上面４２に前記同様にして実装しても良い。即ち、インターポーザ２１Ａの下面２３に位置する第２面側端子２９と配線基板４１の上面４２に位置する面接続パッド４６とを、はんだバンプ２７を介して接続し、これらの周囲に第２樹脂充填剤８２を充填する。これにより、前記同様の半導体パッケージ構造体１１Ａを形成することもできる。
【０１１６】
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想の一部を以下に列挙する。
【０１１７】
（１）前記複数の第１面側端子の表面上には第１面側バンプが形成され、前記複数の第２面側端子の表面上には第２面側バンプが形成されていることを特徴とする上記の中継基板。
【０１１８】
（２）前記複数の第１面側端子の表面上には第１面側はんだバンプが形成され、前記複数の第２面側端子の表面上には、前記第１面側はんだバンプよりもはんだ量が多い第２面側はんだバンプが形成されていることを特徴とする上記の中継基板。
【０１１９】
（３）前記配線群は前記中継基板本体の内層に配置されていることを特徴とする上記の中継基板。
【０１２０】
（４）前記配線群は前記中継基板本体の内層にのみ配置されていることを特徴とする上記の中継基板。
【０１２１】
（５）前記中継基板本体は、複数枚の樹脂絶縁材料を積層した構造の樹脂積層体からなり、前記配線群は、前記樹脂積層体の内層に配置されていることを特徴とする上記の中継基板。
【０１２２】
（６）前記中継基板本体の厚さは０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることを特徴とする上記の中継基板。
【０１２３】
（７）前記中継基板本体の厚さは０．３ｍｍ以上０．７ｍｍ以下であることを特徴とする上記の中継基板。
【０１２４】
（８）前記半導体素子における少なくとも一辺は１０．０ｍｍ以上であることを特徴とする上記の中継基板。
【０１２５】
（９）前記半導体素子の厚さは１．０ｍｍ以下であることを特徴とする上記の中継基板。
【０１２６】
（１０）熱膨張係数が２．０ｐｐｍ／℃以上５．０ｐｐｍ／℃未満であって面接続端子を有する半導体素子が実装される第１面と、第２面とを有し、複数枚の有機絶縁材料を積層した構造の略矩形板形状の中継基板本体と、前記第１面側に配置された複数の第１面側端子と、前記第２面側に配置された複数の第２面側端子と、前記複数の第１面側端子の表面上に形成された第１面側はんだバンプと、前記複数の第２面側端子の表面上に形成され、前記第１面側はんだバンプよりもはんだ量が多い第２面側はんだバンプと、前記中継基板本体に設けられ、中継基板厚さ方向に延びる複数の導体柱と、中継基板面方向に延びるようにして前記中継基板本体の内層に設けられかつ前記導体柱と接続される複数の配線からなり、隣接する配線同士の間隔が広くなるファンアウト部を有する配線群と、を備え、前記複数の導体柱及び前記配線群を介して、前記第１面側端子及び前記第２面側端子が互いに導通されるとともに、隣接する第２面側端子の間の中心間距離が、隣接する第１面側端子の間の中心間距離よりも大きくなるように設定されていることを特徴とする上記の中継基板。
【０１２７】
（１１）前記中継基板本体のヤング率は０．０１ＧＰａ以上０．３ＧＰａ以下であることを特徴とする上記の中継基板。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】本発明のインターポーザ（中継基板）を示す平面図。
【図２】図１中のＸ−Ｘ線に沿った視角における断面図。
【図３】上記中継基板にはんだバンプを更に形成した状態を示す概略断面図。
【図４】ＩＣチップ（半導体素子）と、インターポーザ（中継基板）と、配線基板（基板）とからなる実施形態の半導体パッケージ構造体（構造体）を示す概略断面図。
【図５】本実施形態の半導体パッケージ構造体を構成するインターポーザ（中継基板）を示す概略断面図。
【図６】実施形態のインターポーザ（中継基板）を示す部分拡大平面図。
【図７】本実施形態の半導体パッケージ構造体を構成するＩＣチップ付きインターポーザ（半導体素子付き中継基板）を示す概略断面図。
【図８】本実施形態のＩＣチップ付きインターポーザを配線基板上に実装するときの状態を示す概略断面図である。
【図９】本実施形態の図１のＩＣチップとインターポーザとを部分的に平面視した状態を示す部分平面図である。
【図１０】別の実施形態において、ＩＣチップをインターポーザ付き配線基板（中継基板付き基板）上に実装するときの状態を示す概略断面図。
【図１１】異なる形態の半導体素子付き中継基板を示す平面図。
【図１２】図１１中のＹ−Ｙ線に沿った視角における断面図。
【図１３】上記半導体素子付き中継基板を配線基板の上面に実装した構造体を示す断面図。
【符号の説明】
【０１２９】
１１，１１Ａ：半導体素子と中継基板と基板とからなる構造体としての半導体パッケージ構造体
１５：半導体素子としてのＩＣチップ
１５Ｚ：半導体素子実装領域
１５ｓ：上記領域の中心
１６：面接続端子
２１，２１Ａ：中継基板としてのインターポーザ
２２：（中継基板本体の）第１面としての上面
２２ｓ：第１面の中心
２３：（中継基板本体の）第２面としての下面
２８：第１面側端子としての上面側パッド
２９：第２面側端子としての下面側パッド
３０，３１：導通構造の一部である導体柱
３２：導通構造の一部である配線
３３：ファンアウト部
３６：隣接する第１面側端子の間の中心間距離
３７：隣接する第２面側端子の間の中心間距離
３８：中継基板本体としてのインターポーザ本体
４１：基板としての配線基板
４６：面接続パッド
６１，６１Ａ：半導体素子付き中継基板としてのＩＣチップ付きインターポーザ
７１：中継基板付き基板としてのインターポーザ付き配線基板
８１：（第１）樹脂充填剤
８２：（第２）樹脂充填剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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