(57)【要約】【課題】駆動トランジスタ及び有機発光素子のしきい電圧が劣化しても、これを補償して、画質の劣化を防止することができる表示装置及びその駆動方法を提供する。【解決手段】複数の画素を有し、各画素は、発光素子、キャパシタ、制御端子、入力端子、及び出力端子を有し、発光素子が発光するように発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタ、走査信号により駆動トランジスタをダイオード連結させ、データ電圧を駆動トランジスタに供給する第１スイッチング部、発光信号により駆動電圧を駆動トランジスタに供給し、発光素子とキャパシタを駆動トランジスタに連結する第２スイッチング部を有し、キャパシタは、第１スイッチング部を通じて駆動トランジスタに連結され、データ電圧及び駆動トランジスタのしきい電圧に依存する制御電圧を保存し、第２スイッチング部を通じて駆動トランジスタに連結され、制御電圧を駆動トランジスタに供給する。【選択図】図２
2005331959.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有し、前記各画素は、
発光素子と、
キャパシタと、
制御端子、入力端子、及び出力端子を有して、前記発光素子が発光するように発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタと、
走査信号によって前記駆動トランジスタをダイオード連結させて、データ電圧を前記駆動トランジスタに供給する第１スイッチング部と、
発光信号によって駆動電圧を前記駆動トランジスタに供給して、前記発光素子及びキャパシタを前記駆動トランジスタに連結する第２スイッチング部とを有し、
前記キャパシタは、前記第１スイッチング部を通じて前記駆動トランジスタに連結されて、前記データ電圧及び前記駆動トランジスタのしきい電圧に依存する制御電圧を保存し、前記第２スイッチング部を通じて前記駆動トランジスタに連結されて、前記制御電圧を前記駆動トランジスタに供給することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１スイッチング部は、前記走査信号によって前記駆動トランジスタの制御端子及び入力端子を連結する第１スイッチングトランジスタと、
前記走査信号によって前記駆動トランジスタの出力端子を前記データ電圧に連結する第２スイッチングトランジスタとを有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１スイッチング部は、前記走査信号によって基準電圧を前記キャパシタに供給する第３スイッチングトランジスタをさらに有することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２スイッチング部は、前記発光信号によって前記駆動トランジスタの入力端子を前記駆動電圧に連結する第４スイッチングトランジスタと、
前記発光信号によって前記発光素子及び前記駆動トランジスタの出力端子を連結する第５スイッチングトランジスタと、
前記発光信号によって前記キャパシタ及び前記駆動トランジスタの出力端子を連結する第６スイッチングトランジスタとを有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記制御電圧は、前記データ電圧及び前記駆動トランジスタのしきい電圧の合計から前記基準電圧を引いた電圧であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１乃至第６スイッチングトランジスタ及び前記駆動トランジスタは、非晶質シリコン薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１乃至第６スイッチングトランジスタ及び前記駆動トランジスタは、ｎＭＯＳ薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記発光素子は、有機発光層を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
発光素子と、
第１電圧に連結された第１端子、前記発光素子に連結された第２端子、そして制御端子を有する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタの第２端子と制御端子との間に連結されているキャパシタと、
走査信号に応答して動作し、前記駆動トランジスタの第１端子と制御端子との間に連結されている第１トランジスタと、
前記走査信号に応答して動作し、前記駆動トランジスタの第２端子とデータ電圧との間に連結されている第２トランジスタと、
発光信号に応答して動作し、前記第１電圧と前記駆動トランジスタの第１端子との間に連結されている第３トランジスタと、
前記発光信号に応答して動作し、前記発光素子と前記駆動トランジスタの第２端子との間に連結されている第４トランジスタと、
前記発光信号に応答して動作し、前記キャパシタと前記駆動トランジスタの第２端子との間に連結されている第５トランジスタとを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記走査信号に応答して動作し、前記キャパシタと第２電圧との間に連結されている第６トランジスタをさらに有することを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
順に続く第１乃至第４区間のうちで、
前記第１区間の間は、前記第１乃至第６トランジスタがターンオンされていて、
前記第２区間の間は、前記第１、第２、及び第６トランジスタがターンオンされていて、前記第３乃至第５トランジスタがターンオフされていて、
前記第３区間の間は、前記第１乃至第６トランジスタがターンオフされていて、
前記第４区間の間は、前記第１、第２、及び第６トランジスタがターンオフされていて、前記第３乃至第５トランジスタがターンオンされていることを特徴とする請求項９又は１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１電圧は前記データ電圧より高く、前記第２電圧は前記データ電圧より低いことを特徴とする請求項９又は１０に記載の表示装置。
【請求項１３】
発光素子と、制御端子及び第１及び第２端子を有する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの制御端子に連結されているキャパシタとを有する表示装置の駆動方法であって、
前記駆動トランジスタの制御端子及び第１端子を連結する段階と、
前記駆動トランジスタの第２端子にデータ電圧を印加する段階と、
前記キャパシタを前記駆動トランジスタの制御端子と第２端子との間に連結する段階と、
前記駆動トランジスタの第１端子を駆動電圧に連結する段階と、
前記駆動トランジスタの第２端子を前記発光素子に連結する段階とを有することを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１４】
前記駆動トランジスタの制御端子に前記データ電圧より高い第１電圧を印加して前記キャパシタを充電する段階をさらに有することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１５】
互いに連結された前記駆動トランジスタの制御端子及び第１端子を孤立させる段階をさらに有することを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１６】
前記キャパシタ及び前記駆動トランジスタを外部信号源と隔離する段階をさらに有することを特徴とする請求項１５に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１７】
発光素子と、前記発光素子に連結されている駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタ及び前記発光素子に連結されているキャパシタとを有する表示装置の駆動方法であって、
前記キャパシタに電圧を充電する段階と、
前記キャパシタに充電された電圧を前記駆動トランジスタを通じてデータ電圧側に放電する段階と、
前記キャパシタの放電後の電圧を前記駆動トランジスタに印加してターンオンさせる段階と、
前記駆動トランジスタを通じて前記発光素子に駆動電流を供給して発光させる段階とを有することを特徴とする表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置及びその駆動方法に関し、特に、非晶質シリコン薄膜トランジスタ及び有機発光素子のしきい電圧の劣化を補償することができる表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータやテレビなどの軽量化及び薄型化によって、表示装置も軽量化及び薄型化が要求されており、このような要求によって、陰極線管（ｃａｔｈｏｄｅ  ｒａｙ  ｔｕｂｅ、ＣＲＴ）ではなく平板表示装置が適用される傾向にある。
このような平板表示装置には、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、電界放出表示装置（ｆｉｅｌｄ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｓｐｌａｙ：ＯＬＥＤ）、プラズマ表示装置（ｐｌａｓｍａ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）などがある。
【０００３】
一般に、能動型平板表示装置では、複数の画素が行列形態に配列されていて、与えられた輝度情報によって各画素の光の強度を制御することにより画像を表示する。この中でも、有機発光表示装置は、蛍光性有機物質を電気的に励起発光させて画像を表示する表示装置であって、自己発光型で消費電力が小さく、視野角が広くて画素の応答速度が速いので、高画質の動画像の表示が容易である（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
有機発光表示装置は、有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）及びこれを駆動する薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を備える。この薄膜トランジスタは、活性層（ａｃｔｉｖｅ  ｌａｙｅｒ）の種類によって、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ  ｓｉｌｉｃｏｎ）薄膜トランジスタ及び非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）薄膜トランジスタなどに区分される。多結晶シリコン薄膜トランジスタを採用した有機発光表示装置は、様々な長所があるので一般に広く使用されているが、薄膜トランジスタの製造工程が複雑で、これにより製造費用も増加する。また、このような有機発光表示装置では、大画面を得るのが難しい。
【０００５】
一方、非晶質シリコン薄膜トランジスタを採用した有機発光表示装置は、大画面を得るのが容易で、多結晶シリコン薄膜トランジスタを採用した有機発光表示装置より製造工程数も相対的に少ない。しかし、非晶質シリコン薄膜トランジスタが有機発光素子に持続的に電流を供給することによって、非晶質シリコン薄膜トランジスタそのもののしきい電圧（Ｖｔｈ）が遷移して劣化する恐れがある。これにより同一のデータ電圧が印加されても不均一な電流が有機発光素子に流れるようになり、結局、有機発光表示装置の画質が劣化するという問題点があった。
【０００６】
一方、有機発光素子も、長時間電流を流すことによってしきい電圧が遷移する。ｎ型薄膜トランジスタの場合、有機発光素子は薄膜トランジスタのソース方向に位置するので、有機発光素子のしきい電圧が劣化すれば、薄膜トランジスタのソース方向の電圧が変化する。これにより薄膜トランジスタのゲートに同一なデータ電圧が印加されても薄膜トランジスタのゲートとソースとの間の電圧が変化するので、不均一な電流が有機発光素子に流れるようになる。これによっても、有機発光表示装置の画質が劣化が生ずるという問題点があった。
【０００７】
【特許文献１】特開平０８−２２７２７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明は上記従来の表示装置及びその駆動方法における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、非晶質シリコン薄膜トランジスタを備えながらも、非晶質シリコン薄膜トランジスタ及び有機発光素子のしきい電圧の劣化を補償することができる表示装置及びその駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、複数の画素を有し、前記各画素は、発光素子と、キャパシタと、制御端子、入力端子、及び出力端子を有して、前記発光素子が発光するように発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタと、走査信号によって前記駆動トランジスタをダイオード連結させて、データ電圧を前記駆動トランジスタに供給する第１スイッチング部と、発光信号によって駆動電圧を前記駆動トランジスタに供給して、前記発光素子及びキャパシタを前記駆動トランジスタに連結する第２スイッチング部とを有し、前記キャパシタは、前記第１スイッチング部を通じて前記駆動トランジスタに連結されて、前記データ電圧及び前記駆動トランジスタのしきい電圧に依存する制御電圧を保存し、前記第２スイッチング部を通じて前記駆動トランジスタに連結されて、前記制御電圧を前記駆動トランジスタに供給することを特徴とする。
【００１０】
前記第１スイッチング部は、前記走査信号によって前記駆動トランジスタの制御端子及び入力端子を連結する第１スイッチングトランジスタと、前記走査信号によって前記駆動トランジスタの出力端子を前記データ電圧に連結する第２スイッチングトランジスタとを有するのが好ましい。
前記第１スイッチング部は、前記走査信号によって基準電圧を前記キャパシタに供給する第３スイッチングトランジスタをさらに有するのが好ましい。
前記第２スイッチング部は、前記発光信号によって前記駆動トランジスタの入力端子を前記駆動電圧に連結する第４スイッチングトランジスタと、前記発光信号によって前記発光素子及び前記駆動トランジスタの出力端子を連結する第５スイッチングトランジスタと、前記発光信号によって前記キャパシタ及び前記駆動トランジスタの出力端子を連結する第６スイッチングトランジスタとを有するのが好ましい。
前記制御電圧は、前記データ電圧及び前記駆動トランジスタのしきい電圧の合計から前記基準電圧を引いた電圧であるのが好ましい。
前記第１乃至第６スイッチングトランジスタ及び前記駆動トランジスタは、非晶質シリコン薄膜トランジスタであるのが好ましい。
前記第１乃至第６スイッチングトランジスタ及び前記駆動トランジスタは、ｎＭＯＳ薄膜トランジスタであるのが好ましい。
前記発光素子は、有機発光層を有するのが好ましい。
【００１１】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、発光素子と、第１電圧に連結された第１端子、前記発光素子に連結された第２端子、そして制御端子を有する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの第２端子と制御端子との間に連結されているキャパシタと、走査信号に応答して動作し、前記駆動トランジスタの第１端子と制御端子との間に連結されている第１トランジスタと、前記走査信号に応答して動作し、前記駆動トランジスタの第２端子とデータ電圧との間に連結されている第２トランジスタと、発光信号に応答して動作し、前記第１電圧と前記駆動トランジスタの第１端子との間に連結されている第３トランジスタと、前記発光信号に応答して動作し、前記発光素子と前記駆動トランジスタの第２端子との間に連結されている第４トランジスタと、前記発光信号に応答して動作し、前記キャパシタと前記駆動トランジスタの第２端子との間に連結されている第５トランジスタとを有することを特徴とする。
【００１２】
前記走査信号に応答して動作し、前記キャパシタと第２電圧との間に連結されている第６トランジスタをさらに有するのが好ましい。
順に続く第１乃至第４区間のうちで、前記第１区間の間は、前記第１乃至第６トランジスタがターンオンされていて、前記第２区間の間は、前記第１、第２、及び第６トランジスタがターンオンされていて、前記第３乃至第５トランジスタがターンオフされていて、前記第３区間の間は、前記第１乃至第６トランジスタがターンオフされていて、前記第４区間の間は、前記第１、第２、及び第６トランジスタがターンオフされていて、前記第３乃至第５トランジスタがターンオンされているのが好ましい。
前記第１電圧は前記データ電圧より高く、前記第２電圧は前記データ電圧より低いのが好ましい。
【００１３】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置の駆動方法は、発光素子と、制御端子及び第１及び第２端子を有する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの制御端子に連結されているキャパシタとを有する表示装置の駆動方法であって、前記駆動トランジスタの制御端子及び第１端子を連結する段階と、前記駆動トランジスタの第２端子にデータ電圧を印加する段階と、前記キャパシタを前記駆動トランジスタの制御端子と第２端子との間に連結する段階と、前記駆動トランジスタの第１端子を駆動電圧に連結する段階と、前記駆動トランジスタの第２端子を前記発光素子に連結する段階とを有することを特徴とする。
【００１４】
前記駆動トランジスタの制御端子に前記データ電圧より高い第１電圧を印加して前記キャパシタを充電する段階をさらに有するのが好ましい。
互いに連結された前記駆動トランジスタの制御端子及び第１端子を孤立させる段階をさらに有するのが好ましい。
前記キャパシタ及び前記駆動トランジスタを外部信号源と隔離する段階をさらに有するのが好ましい。
【００１５】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置の駆動方法は、発光素子と、前記発光素子に連結されている駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタ及び前記発光素子に連結されているキャパシタとを有する表示装置の駆動方法であって、前記キャパシタに電圧を充電する段階と、前記キャパシタに充電された電圧を前記駆動トランジスタを通じてデータ電圧側に放電する段階と、前記キャパシタの放電後の電圧を前記駆動トランジスタに印加してターンオンさせる段階と、前記駆動トランジスタを通じて前記発光素子に駆動電流を供給して発光させる段階とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る表示装置及びその駆動方法によれば、６個のスイッチングトランジスタ、１個の駆動トランジスタ、有機発光素子、及びキャパシタを備え、このキャパシタにデータ電圧及び駆動トランジスタのしきい電圧に依存する電圧を保存することによって、駆動トランジスタ及び有機発光素子のしきい電圧が劣化しても、これを補償して画質の劣化を防止することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
次に、本発明に係る表示装置及びその駆動方法を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
図面では、各層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。明細書全体を通じて類似した部分については、同一な図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も意味する。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これはその中間に他の部分がない場合を意味する。また、ある部分が他の部分と連結されているとする時、これは他の部分と“直接”連結されている場合だけでなく、他の部分を“通じて”連結されている場合も意味する。
【実施例】
【００１８】
まず、図１乃至図７を参考にして、本発明の一実施例による有機発光表示装置について説明する。
図１は本発明の一実施例による有機発光表示装置のブロック図であり、図２は本発明の一実施例による有機発光表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。図３は本発明の一実施例による有機発光表示装置の一つの画素のスイッチングトランジスタ及び有機発光素子の断面を示した断面図であり、図４は本発明の一実施例による有機発光表示装置の有機発光素子の概略図である。
【００１９】
図１に示すように、本発明の一実施例による有機発光表示装置は、表示板（ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）３００、これに連結された走査駆動部４００とデータ駆動部５００と発光駆動部７００、そしてこれらを制御する信号制御部６００を含む。
表示板３００は、等価回路で見る時、複数の信号線（Ｇ１−Ｇｎ、Ｄ１−Ｄｍ、Ｓ１−Ｓｎ）、複数の電圧線（図示せず）、そしてこれらに連結されていて、ほぼ行列形態に配列された複数の画素（ＰＸ）を含む。
信号線は、走査信号を伝達する複数の走査信号線（Ｇ１−Ｇｎ）、データ信号を伝達する複数のデータ線（Ｄ１−Ｄｍ）、そして発光信号を伝達する複数の発光信号線（Ｓ１−Ｓｎ）を含む。走査信号線（Ｇ１−Ｇｎ）及び発光信号線（Ｓ１−Ｓｎ）は、ほぼ行方向にのびていて、互いにほぼ平行であり、データ線（Ｄ１−Ｄｍ）は、ほぼ列方向にのびていて、互いにほぼ平行である。
電圧線は、駆動電圧（Ｖｄｄ）を伝達する駆動電圧線（図示せず）及び基準電圧（Ｖｒｅｆ）を伝達する基準電圧線（図示せず）を含む。駆動電圧線及び基準電圧線は、行または列方向にのびている。
【００２０】
次に、図２に示すように、各画素は、有機発光素子（ＬＤ）、駆動トランジスタ（Ｑｄ）、キャパシタ（Ｃｓｔ）、及び６個のスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ６）を含む。
駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、制御端子（Ｎｇ）、入力端子（Ｎｄ）、及び出力端子（Ｎｓ）を有して、入力端子（Ｎｄ）は駆動電圧（Ｖｄｄ）に連結されている。キャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）と出力端子（Ｎｓ）との間に連結されていて、有機発光素子（ＬＤ）のアノード（ａｎｏｄｅ）及びカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）は各々駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子（Ｎｓ）及び共通電圧（Ｖｓｓ）に連結されている。
有機発光素子（ＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）が供給する電流（ＩＬＤ）の大きさによって強度の異なる光を発光することによって画像を表示して、この電流（ＩＬＤ）の大きさは、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）と出力端子（Ｎｓ）との間の電圧（Ｖｇｓ）の大きさに依存する。
【００２１】
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ３）は、走査信号に応答して動作する。
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）は駆動トランジスタ（Ｑｄ）の入力端子（Ｎｄ）と制御端子（Ｎｇ）との間に連結されており、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）はデータ電圧（Ｖｄａｔａ）と駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子（Ｎｓ）との間に連結されており、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ３）はキャパシタ（Ｃｓｔ）と基準電圧（Ｖｒｅｆ）との間に連結されている。
【００２２】
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ４〜Ｑｓ６）は、発光信号に応答して動作する。
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ４）は駆動トランジスタ（Ｑｄ）の入力端子（Ｎｄ）と駆動電圧（Ｖｄｄ）との間に連結されており、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ５）は有機発光素子（ＬＤ）と駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子（Ｎｓ）との間に連結されており、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ６）はキャパシタ（Ｃｓｔ）と駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子（Ｎｓ）との間に連結されている。
このようなスイッチングトランジスタ及び駆動トランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ６、Ｑｄ）は、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンからなるｎチャンネル金属酸化膜半導体（ｎＭＯＳ）トランジスタからなる。しかし、これらトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ６、Ｑｄ）は、ｐＭＯＳトランジスタからなることもでき、この場合には、ｐＭＯＳトランジスタ及びｎＭＯＳトランジスタは互いに相補型（ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ）であるので、ｐＭＯＳトランジスタの動作、電圧、及び電流はｎＭＯＳトランジスタのそれと反対になる。
【００２３】
次に、このような有機発光表示装置のスイッチングトランジスタ（Ｑｓ５）及び有機発光素子（ＬＤ）の構造について説明する。
図３に示すように、絶縁基板１１０上に制御端子電極（ｃｏｎｔｒｏｌ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２４が形成されている。制御端子電極１２４の側面は、基板１１０面に対して傾斜されて形成され、その傾斜角は２０−８０゜である。
制御端子電極１２４上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなる絶縁膜（ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）１４０が形成されている。
絶縁膜１４０の上部には、水素化非晶質シリコン（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）（非晶質シリコンは略してａ−Ｓｉとする）または多結晶シリコン（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）などからなる半導体１５４が形成されている。
半導体１５４の上部には、シリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）またはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどからなる抵抗性接触部材（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）１６３、１６５が形成されている。
【００２４】
半導体１５４及び抵抗性接触部材１６３、１６５の側面は傾いており、その傾斜角は３０−８０゜である。
抵抗性接触部材１６３、１６５及び絶縁膜１４０上には、出力端子電極（ｏｕｔｐｕｔ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５及び入力端子電極（ｉｎｐｕｔ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３が形成されている。
出力端子電極１７５及び入力端子電極１７３は互いに分離されていて、制御端子電極１２４に対して互いに反対側に位置する。制御端子電極１２４、出力端子電極１７５、及び入力端子電極１７３は、半導体１５４と共にスイッチングトランジスタ（Ｑｓ５）をなし、そのチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、出力端子電極１７５と入力端子電極１７３との間の半導体１５４に形成される。
出力端子電極１７５及び入力端子電極１７３も、半導体１５４などと同様に、その側面が約３０−８０゜の角度で各々傾いている。
【００２５】
出力端子電極１７５、入力端子電極１７３、及び露出された半導体１５４部分の上には、平坦化特性が優れていて、感光性（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有する有機物質、プラズマ化学気相蒸着（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆなどの低誘電率絶縁物質、または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなる保護膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）１８０が形成されている。
保護膜１８０には、出力端子電極１７５を露出する接触孔（ｃｏｎｔａｃｔ  ｈｏｌｅ）１８５が形成されている。
【００２６】
保護膜１８０上には、接触孔１８５を通じて出力端子電極１７５と物理的・電気的に連結されている画素電極１９０が形成されている。画素電極１９０は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質やアルミニウムまたは銀合金などの反射性が優れた物質からなることができる。
保護膜１８０の上部には、有機絶縁物質または無機絶縁物質からなっていて、有機発光セルを分離させるための隔壁３６０が形成されている。隔壁３６０は、画素電極１９０の周縁辺を囲んで有機発光層３７０が形成される領域を限定している。
隔壁３６０で囲まれた画素電極１９０上の領域には、有機発光層３７０が形成されている。
【００２７】
有機発光層３７０は、図４に示すように、発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ：ＥＭＬ）の他に、電子及び正孔の均衡を良くして発光効率を向上させるために、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）及び正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）を含む多層構造からなり、また、別途の電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）及び正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）を含むことができる。
隔壁３６０上には、隔壁３６０と同一なパターンで、金属のように低い比抵抗を有する導電物質からなる補助電極３８２が形成されている。補助電極３８２は、後に形成される共通電極２７０と接触して、共通電極２７０に伝達される信号が歪曲されるのを防止する機能をする。
【００２８】
隔壁３６０、有機発光層３７０、及び補助電極３８２上には、共通電圧（Ｖｓｓ）が印加される共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質からなる。画素電極１９０が透明な場合には、共通電極２７０は、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）などを含む金属からなることができる。
不透明な画素電極１９０及び透明な共通電極２７０は、表示板３００の上方向に画像を表示する上面発光（ｔｏｐ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の有機発光表示装置に適用され、透明な画素電極１９０及び不透明な共通電極２７０は、表示板３００の下方向に画像を表示する底面発光（ｂｏｔｔｏｍ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の有機発光表示装置に適用される。
【００２９】
画素電極１９０、有機発光層３７０、及び共通電極２７０は、図２に示した有機発光素子（ＬＤ）をなし、画素電極１９０はアノードで共通電極２７０はカソード、または画素電極１９０はカソードで共通電極２７０はアノードとなる。有機発光素子（ＬＤ）は、発光層（ＥＭＬ）を形成する有機物質によって、三原色、例えば赤色、緑色、青色のうちの一つを固有に表示して、これら三原色の空間的合計で所望の色相を表示する。
【００３０】
再び図１を参考にして、走査駆動部４００は、表示板３００の走査信号線（Ｇ１−Ｇｎ）に連結されて、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ３）をターンオンさせることができる高電圧（Ｖｏｎ）及びターンオフさせることができる低電圧（Ｖｏｆｆ）の組み合わせからなる走査信号（Ｖｇｉ）を走査信号線（Ｇ１−Ｇｎ）に印加し、複数の集積回路からなることができる。
データ駆動部５００は、表示板３００のデータ線（Ｄ１−Ｄｍ）に連結されて、画像信号を示すデータ電圧（Ｖｄａｔａ）を画素に印加し、複数の集積回路からなることができる。
発光駆動部７００は、表示板３００の発光信号線（Ｓ１−Ｓｎ）に連結されて、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ４〜Ｑｓ６）をターンオンさせることができる高電圧（Ｖｏｎ）及びターンオフさせることができる低電圧（Ｖｏｆｆ）の組み合わせからなる発光信号（Ｖｓｉ）を発光信号線（Ｓ１−Ｓｎ）に印加し、複数の集積回路からなることができる。
【００３１】
複数の走査駆動集積回路、データ駆動集積回路、または発光駆動集積回路は、チップ形態でＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）（図示せず）方式で装着してＴＣＰを表示板３００に付着することもでき、ＴＣＰを使用せずにガラス基板上にこれらチップ形態の集積回路を直接付着することもでき（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ：ＣＯＧ実装方式）、これら集積回路を画素の薄膜トランジスタと共に表示板３００に直接形成することもできる。
信号制御部６００は、走査駆動部４００、データ駆動部５００、及び発光駆動部７００などの動作を制御する。
【００３２】
次に、このような有機発光表示装置の表示動作について、図５乃至図１０を参考にして詳細に説明する。
図５は本発明の一実施例による有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図であり、図６乃至図９は図５に示した各区間での一つの画素に対する等価回路図であり、図１０は本発明の一実施例による有機発光表示装置の駆動トランジスタの各端子に現れる電圧波形図である。
【００３３】
信号制御部６００は、外部のグラフィック制御機（図示せず）から入力映像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及びその表示を制御する入力制御信号、例えば、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）と水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、メインクロック（ＭＣＬＫ）、データイネーブル信号（ＤＥ）などの提供を受ける。信号制御部６００は、入力映像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及び入力制御信号に基づいて、映像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を表示板３００の動作条件に合うように適切に処理して、走査制御信号（ＣＯＮＴ１）、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）、及び発光制御信号（ＣＯＮＴ３）などを生成した後、走査制御信号（ＣＯＮＴ１）を走査駆動部４００に出力し、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）及び処理した映像信号（ＤＡＴ）をデータ駆動部５００に出力し、発光制御信号（ＣＯＮＴ３）を発光駆動部７００に出力する。
走査制御信号（ＣＯＮＴ１）は、高電圧（Ｖｏｎ）の出力開始を指示する垂直同期開始信号（ＳＴＶ）、高電圧（Ｖｏｎ）の出力時期を制御するゲートクロック信号（ＣＰＶ）、及び高電圧（Ｖｏｎ）の持続時間を限定する出力イネーブル信号（ＯＥ）などを含む。
データ制御信号（ＣＯＮＴ２）は、映像データ（ＤＡＴ）の入力開始を指示する水平同期開始信号（ＳＴＨ）、及びデータ線（Ｄ１−Ｄｍ）への当該データ電圧の印加を命令するロード信号（ＬＯＡＤ）などを含む。
【００３４】
まず、データ駆動部５００は、信号制御部６００からのデータ制御信号（ＣＯＮＴ２）によって、一つの行、例えばｉ番目の行の画素に対する映像データ（ＤＡＴ）を順次に受信してシフトして、各映像データ（ＤＡＴ）に対応するデータ電圧（Ｖｄａｔａ）を当該データ線（Ｄ１−Ｄｍ）に印加する。
走査駆動部４００は、信号制御部６００からの走査制御信号（ＣＯＮＴ１）によって、走査信号線（Ｇｉ）に印加される走査信号（Ｖｇｉ）の電圧値を高電圧（Ｖｏｎ）にして、走査信号線（Ｇｉ）に連結されたスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ３）をターンオンさせる。
発光駆動部７００は、信号制御部６００からの発光制御信号（ＣＯＮＴ３）によって、発光信号線（Ｓｉ）に印加される発光信号（Ｖｓｉ）の電圧値を高電圧（Ｖｏｎ）に維持して、発光信号線（Ｓｉ）に連結されたスイッチングトランジスタ（Ｑｓ４〜Ｑｓ６）をターンオンされた状態に維持する。
【００３５】
このような状態の画素の等価回路を図６に示す。この区間を先充電区間（Ｔ１）という。図６に示すように、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２、Ｑｓ３、Ｑｓ４、Ｑｓ６）は、各々抵抗（ｒ１、ｒ２、ｒ３、ｒ４）で示すことができる。
そうすると、キャパシタ（Ｃｓｔ）の一つの端子（Ｎ１）及び駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）は抵抗（ｒ３）を通じて駆動電圧（Ｖｄｄ）に連結されるので、これら電圧は駆動電圧（Ｖｄｄ）から抵抗（ｒ３）による電圧降下量を引いた値になり、キャパシタ（Ｃｓｔ）はこの電圧を維持する機能をする。この時、駆動電圧（Ｖｄｄ）は、データ電圧（Ｖｄａｔａ）より十分に高くて駆動トランジスタ（Ｑｄ）をターンオンさせることができる程度の大きさであるのが好ましい。
これにより駆動トランジスタ（Ｑｄ）はターンオンされて、出力端子（Ｎｓ）を通じて任意の電流を有機発光素子（ＬＤ）に供給し、これにより有機発光素子（ＬＤ）は発光することができる。しかし、先充電区間（Ｔ１）の長さは１フレームに比べて非常に短いので、この区間（Ｔ１）での有機発光素子（ＬＤ）の発光は目に見えないばかりか、表示しようする輝度にほとんど影響を与えない。
【００３６】
次に、発光駆動部７００が、信号制御部６００からの発光制御信号（ＣＯＮＴ３）によって、発光信号（Ｖｓｉ）を低電圧（Ｖｏｆｆ）に変換してスイッチングトランジスタ（Ｑｓ４〜Ｑｓ６）をターンオフさせることによって、本充電区間（Ｔ２）が始まる。走査信号（Ｖｇｉ）はこの区間（Ｔ２）でも高電圧（Ｖｏｎ）を維持し続けるので、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ３）はターンオンされた状態を維持する。
そうすると、図７に示すように、駆動トランジスタ（Ｑｄ）は駆動電圧（Ｖｄｄ）及び有機発光素子（ＬＤ）から分離される一方で、ダイオード連結される。つまり、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）及び入力端子（Ｎｄ）は互いに連結された状態で駆動電圧（Ｖｄｄ）から分離されて、出力端子（Ｎｓ）は有機発光素子（ＬＤ）とは分離されるがデータ電圧（Ｖｄａｔａ）の印加は受け続ける。駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子電圧（Ｖｎｇ）が十分に高いため、駆動電圧（Ｖｄｄ）から分離された駆動トランジスタ（Ｑｄ）はターンオンされた状態を維持する。
【００３７】
これにより、図１０に示すように、先充電区間（Ｔ１）で所定のレベルに充電されていたキャパシタ（Ｃｓｔ）の端子（Ｎ１）に充電された電荷は駆動トランジスタ（Ｑｄ）を通じて放電され始め、これにより駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子電圧（Ｖｎｇ）が低くなる。制御端子電圧（Ｖｎｇ）の電圧降下は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）と出力端子（Ｎｓ）との間の電圧（Ｖｇｓ）が駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧（Ｖｔｈ）と同一になって駆動トランジスタ（Ｑｄ）がそれ以上電流を流さなくなるまで続く。
したがって、下記に示す数式１が成立し、キャパシタ（Ｃｓｔ）に充電される電圧（Ｖｃ）は下記に示す数式２のようになる。
【００３８】
（数１）
Ｖｇｓ＝Ｖｔｈ
（数２）
Ｖｃ＝Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ−Ｖｒｅｆ
これにより、キャパシタ（Ｃｓｔ）がデータ電圧（Ｖｄａｔａ）及び駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧（Ｖｔｈ）に依存する電圧を保存することが分かる。
【００３９】
電圧（Ｖｃ）がキャパシタ（Ｃｓｔ）に充電された後、走査駆動部４００が、信号制御部６００からの走査制御信号（ＣＯＮＴ１）によって、走査信号（Ｖｇｉ）を低電圧（Ｖｏｆｆ）に変換してスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ３）をターンオフさせることによって、遮断区間（Ｔ３）が始まる。発光信号（Ｖｓｉ）はこの区間（Ｔ３）でも低電圧（Ｖｏｆｆ）を維持し続けるので、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ４〜Ｑｓ６）はオフされた状態を維持する。
そうすると、図８に示すように、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の入力端子（Ｎｄ）及び出力端子（Ｎｓ）は開放されて、キャパシタ（Ｃｓｔ）の端子（Ｎ２）も開放される。したがって、この回路で電荷の流出及び流入がなくなって、キャパシタ（Ｃｓｔ）は本充電区間（Ｔ２）で充電された電圧（Ｖｃ）を維持し続ける。
【００４０】
このように全てのスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ６）がターンオフされた状態で所定の時間が経過した後、発光駆動部７００が、信号制御部６００からの発光制御信号（ＣＯＮＴ３）によって、発光信号（Ｖｓｉ）をスイッチオン電圧に変換してスイッチングトランジスタ（Ｑｓ４〜Ｑｓ６）をターンオンさせることによって、発光区間（Ｔ４）が始まる。走査信号（Ｖｇｉ）はこの区間（Ｔ４）でも低電圧（Ｖｏｆｆ）を維持し続けるので、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ３）はターンオフされた状態を維持する。
そうすると、図９に示すように、キャパシタ（Ｃｓｔ）は駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）と出力端子（Ｎｓ）との間に連結され、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の入力端子（Ｎｄ）に駆動電圧（Ｖｄｄ）が連結され、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子（Ｎｓ）に有機発光素子（ＬＤ）が連結された状態になる。
【００４１】
これにより、図１０に示すように、キャパシタ（Ｃｓｔ）の端子（Ｎ１）が孤立するので、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子電圧（Ｖｎｇ）と出力端子電圧（Ｖｎｓ）との間の電圧（Ｖｇｓ）はキャパシタ（Ｃｓｔ）に保存されている電圧（Ｖｃ）と同一になって（Ｖｇｓ＝Ｖｃ）、駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、電圧（Ｖｇｓ）によって制御される出力電流（ＩＬＤ）を出力端子（Ｎｓ）を通じて有機発光素子（ＬＤ）に供給する。これにより、有機発光素子（ＬＤ）は、出力電流（ＩＬＤ）の大きさによって強度の異なる光を発光することによって当該画像を表示する。
ところが、キャパシタ（Ｃｓｔ）は、有機発光素子（ＬＤ）による負荷に関係なく本充電区間（Ｔ２）で保存した電圧（Ｖｃ）を維持し続けるので（Ｖｃ＝Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ−Ｖｒｅｆ）、出力電流（ＩＬＤ）は下記に示す数式３のようになる。
【００４２】
【数３】
2005331959.tif 000003
ここで、ｋは薄膜トランジスタの特性による定数であって、ｋ＝μ・ＣｓｉＮｘ・Ｗ／Ｌであり、μは電界効果移動度、ＣＳｉＮｘは絶縁層の容量、Ｗは薄膜トランジスタのチャンネルの幅、Ｌは薄膜トランジスタのチャンネルの長さを示す。
【００４３】
数式３に示すように、発光区間（Ｔ４）での出力電流（ＩＬＤ）はデータ電圧（Ｖｄａｔａ）及び基準電圧（Ｖｒｅｆ）によってのみ決定される。したがって、出力電流（ＩＬＤ）は駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧（Ｖｔｈ）の変化に影響を受けない。また、出力電流（ＩＬＤ）は有機発光素子（ＬＤ）のしきい電圧（Ｖｔｈ＿ＬＤ）の変化にも影響を受けない。つまり、有機発光素子（ＬＤ）のしきい電圧（Ｖｔｈ＿ＬＤ）が変化して駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子電圧（Ｖｎｓ）も共に変化してもキャパシタ（Ｃｓｔ）に保存されている電圧（Ｖｃ）は変化しないので、電圧（Ｖｇｓ）は変化しない。結局、本実施例による有機発光表示装置は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧（Ｖｔｈ）及び有機発光素子（ＬＤ）のしきい電圧（Ｖｔｈ＿ＬＤ）が劣化しても、これを補償することができる。
【００４４】
一方、もし、本充電区間（Ｔ２）が終了した後にすぐに発光区間（Ｔ４）が続くと、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）がターンオフされる前にスイッチングトランジスタ（Ｑｓ４）がターンオンされる。そうすると、駆動電圧（Ｖｄｄ）から電荷が流入されてキャパシタ（Ｃｓｔ）に充電された電圧値が変化することがある。したがって、本充電区間（Ｔ２）と発光区間（Ｔ４）との間に遮断区間（Ｔ３）をおいて、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）を確実にターンオフさせた後でスイッチングトランジスタ（Ｑｓ４）をターンオンさせる必要がある。
【００４５】
発光区間（Ｔ４）は次のフレームでｉ番目の行の画素に対する先充電区間（Ｔ１）が再び始まるまで持続され、その次の行の画素に対しても先に説明した各区間（Ｔ１〜Ｔ４）での動作が同様に繰り返される。ただし、例えば、（ｉ＋１）番目の行の先充電区間（Ｔ１）はｉ番目の行の本充電区間（Ｔ２）が終了した後に始まるようにする。このような方式で、全ての走査信号線（Ｇ１−Ｇｎ）及び発光信号線（Ｓ１−Ｓｎ）に対して順次に区間（Ｔ１〜Ｔ４）制御を行って、全ての画素に当該画像を表示する。
各区間（Ｔ１〜Ｔ４）の長さは必要に応じて調整することができる。
基準電圧（Ｖｒｅｆ）は共通電圧（Ｖｓｓ）と同一な電圧レベルに設定することができ、例えば０Ｖである。これとは異なり、基準電圧（Ｖｒｅｆ）が負の電圧レベルを有するように設定することもできる。そうすると、データ駆動部５００が画素に印加するデータ電圧（Ｖｄａｔａ）の大きさを小さくして駆動することができる。駆動電圧（Ｖｄｄ）は、キャパシタ（Ｃｓｔ）に電荷を十分に供給して駆動トランジスタ（Ｑｄ）が出力電流（ＩＬＤ）を流すことができるように、十分に高い電圧に設定するのが好ましく、例えば２０Ｖである。
【００４６】
次に、本発明の一実施例による有機発光表示装置におけるしきい電圧の変化による模擬試験の結果について、図１１及び図１２を参考にして説明する。
図１１は、本発明の一実施例による有機発光表示装置の駆動トランジスタのしきい電圧の変化による出力電流を示す波形図であり、図１２は、本発明の一実施例による有機発光表示装置の有機発光素子のしきい電圧の変化による出力電流を示す波形図である。
【００４７】
図１１に示した波形図は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧（Ｖｔｈ）が２．５Ｖから３．５Ｖに変化した場合の出力電流（ＩＬＤ）の変化量を示す。模擬実験はＳＰＩＣＥ（汎用回路解析プログラム）を利用して行った。模擬実験条件として、駆動電圧（Ｖｄｄ）は２０Ｖ、共通電圧（Ｖｓｓ）及び基準電圧（Ｖｒｅｆ）は０Ｖとして、データ電圧（Ｖｄａｔａ）は第１フレーム（約１ｍｓｅｃ以前）で２Ｖ、第２フレームで３．３Ｖに設定した。このような実験条件下で有機発光素子（ＬＤ）に流れる出力電流（ＩＬＤ）を測定した結果、図１１に示したように、第２フレームでの出力電流（ＩＬＤ）は、しきい電圧（Ｖｔｈ）が２．５Ｖである場合には８３１ｎＡであり、しきい電圧（Ｖｔｈ）が３．５Ｖである場合には８８０ｎＡであった。したがって、駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧（Ｖｔｈ）が１Ｖ高くなる場合の電流の変化量は４９ｎＡであり、変化前の電流対比で５．８％が変化した。このような出力電流（ＩＬＤ）の変化は、従来の２個の薄膜トランジスタを備えた画素で駆動トランジスタのしきい電圧の変化による出力電流の変化に比べれば、無視することができる程度である。
【００４８】
図１２に示した波形図は、有機発光素子（ＬＤ）のしきい電圧（Ｖｔｈ＿ＬＤ）が３Ｖから３．５Ｖに変化した場合の出力電流（ＩＬＤ）の変化量を示す。前記の実験条件と同一な実験条件下で有機発光素子（ＬＤ）に流れる出力電流（ＩＬＤ）を測定した結果、図１２に示したように、第２フレームでの出力電流（ＩＬＤ）はしきい電圧（Ｖｔｈ＿ＬＤ）が３Ｖである場合には８７４ｎＡであり、しきい電圧（Ｖｔｈ＿ＬＤ）が３．５Ｖである場合には８３１ｎＡであった。したがって、有機発光素子（ＬＤ）のしきい電圧（Ｖｔｈ＿ＬＤ）が０．５Ｖ高くなる場合の電流の変化量は４３ｎＡであり、劣化前の電流対比で５．１％が変化した。このような出力電流（ＩＬＤ）の変化は、従来の２個の薄膜トランジスタを備えた画素で有機発光素子のしきい電圧の劣化による出力電流の変化に比べれば、無視することができる程度である。
このような模擬実験の結果は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい電圧（Ｖｔｈ）及び有機発光素子（ＬＤ）のしきい電圧（Ｖｔｈ＿ＬＤ）が劣化しても、本実施例による有機発光表示装置がこれを補償することができることを示している。
【００４９】
尚、本発明は、上述の実施例に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施例による有機発光表示装置のブロック図である。
【図２】本発明の一実施例による有機発光表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。
【図３】本発明の一実施例による有機発光表示装置の一つの画素のスイッチングトランジスタ及び有機発光素子の断面を示した断面図である。
【図４】本発明の一実施例による有機発光表示装置の有機発光素子の概略図である。
【図５】本発明の一実施例による有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図である。
【図６】図５に示したＴ１区間での一つの画素に対する等価回路図である。
【図７】図５に示したＴ２区間での一つの画素に対する等価回路図である。
【図８】図５に示したＴ３区間での一つの画素に対する等価回路図である。
【図９】図５に示したＴ４区間での一つの画素に対する等価回路図である。
【図１０】本発明の一実施例による有機発光表示装置の駆動トランジスタの各端子に現れる電圧波形図である。
【図１１】本発明の一実施例による有機発光表示装置の駆動トランジスタのしきい電圧による出力電流を示す波形図である。
【図１２】本発明の一実施例による有機発光表示装置の有機発光素子のしきい電圧による出力電流を示す波形図である。
【符号の説明】
【００５１】
１１０      絶縁基板
１２４      制御端子電極
１４０      絶縁膜
１５４      半導体
１６３、１６５    抵抗性接触部材
１７３      入力端子電極
１７５      出力端子電極
１８０      保護膜
１８５      接触孔
１９０      画素電極
２７０      共通電極
３００      表示板
３６０      隔壁
３７０      有機発光層
３８２      補助電極
４００      走査駆動部
５００      データ駆動部
６００      信号制御部
７００      発光駆動部
Ｃｓｔ      キャパシタ
Ｄ１〜Ｄｍ    データ線
Ｇ１〜Ｇｎ    走査信号線
ＬＤ        有機発光素子
Ｑｓ１〜Ｑｓ６    スイッチングトランジスタ
Ｑｄ    駆動トランジスタ
ｒ１〜ｒ４    抵抗
Ｓ１〜Ｓｎ    発光信号線
【図１】
2005331959.tif 000004
【図２】
2005331959.tif 000005
【図３】
2005331959.tif 000006
【図４】
2005331959.tif 000007
【図５】
2005331959.tif 000008
【図６】
2005331959.tif 000009
【図７】
2005331959.tif 000010
【図８】
2005331959.tif 000011
【図９】
2005331959.tif 000012
【図１０】
2005331959.tif 000013
【図１１】
2005331959.tif 000014
【図１２】
2005331959.tif 000015