(57)【要約】【課題】あらかじめ露光量と寸法測定値をプロットした検量線を作成し、除ショット４隅の寸法値の平均値を検量線と対比させ、その差分を露光量に加減することで、精度の良い寸法値を得ることができる半導体装置の製造方法及びそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】レティクルショットの４隅の寸法測定パターンを測定する測定工程と、測定工程によって算出された寸法測定値を平均化する平均化工程と、露光量を算出する算出工程とを有し、算出工程によって算出された露光量と平均化工程によって平均化された寸法測定値を比較する比較工程を有し、比較工程によって露光量と決定させ、基板に露光する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
寸法測定パターンを含む半導体装置の製造方法において、
レティクルショットの４隅の寸法測定パターンを測定する測定工程と、
前記測定工程によって算出された寸法測定値を平均化する平均化工程と、
露光量を算出する算出工程とを有し、
前記算出工程によって算出された前記露光量と前記平均化工程によって平均化された寸法測定値を比較する比較工程を有し、
前記比較工程によって前記露光量と決定させ、基板に露光することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記測定工程は、レティクルショットの４隅に所定の寸法測定パターンを形成したレティクル（マスク）を作成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記比較工程は、前記算出工程によって算出された前記露光量と前記測定工程によって算出された寸法測定値による検量線とを比較して、目標となる寸法値になるような露光量を決定する決定手段を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記決定手段は、前記比較手段によって比較された前記寸法測定値と前記検量線と比較した差分を用いて露光量を加減し、露光量を決定することを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
寸法測定パターンを含む半導体装置において、
請求項１から４のいずれか１項に記載の方法によって製造されることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体の製造方法に関し、特に、寸法測定パターンを用いて製造する半導体製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程において、リソグラフィーにおける寸法測定は微細化によって、ますます重要な位置を占めるようになりつつある。
【０００３】
従来の寸法測定は、レティクル（マスク）内の任意の場所に形成された寸法測定パターン（通常１ヶ所）を測長ＳＥＭ等の寸法測長装置を用いて測定し、所定の寸法規格値内または工程管理値内であることを確認した後、工程に流動させていた。
【０００４】
しかし、近年の高周波増幅回路を含む集積回路、いわゆるアナログ回路においては単純なＯＫ、ＮＧ判定では、回路の性能の低下を招き、歩留まりの低下にもつながりつつある。
【０００５】
また、従来技術として以下のような先行技術がある。
リソグラフィ工程における露光条件の補正方法を最適化することにより、半導体ウェハ面内の加工精度を向上させることを目的とし、半導体ウェハの面内または面外に設定した原点から等距離に位置する半導体チップ上に、同一の補正を加えた露光条件でレジストパターンを形成し、補正されたレジストパターンをマスクにして半導体ウェハ上に形成された膜を加工することによって、加工された膜の仕上がり寸法の均一性を向上させている（特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−４９０７６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし従来の発明では、回路パターンを精度良く形成するために、レティクルショットの４隅に所定の寸法測定パターンを形成したレティクル（マスク）を作成し、露光ショット４隅の部分の寸法測定パターンを測定した場合、露光装置のレンズの歪みから測長値がばらつき目標とする寸法値から外れる場合も出てくる。
本発明は、係る問題に鑑みてなされたものであり、予め露光量と寸法測定値をプロットした検量線を作成し、上記のショット４隅の寸法値の平均値を検量線と対比させ、その差分を露光量に加減すれば、精度良く目標とする寸法値を得ることができる。
また、露光装置毎に上記の検量線を作成した場合は、更に精度良く所定の寸法値を得ることが可能となる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の半導体装置の製造方法は、寸法測定パターンを含む半導体装置の製造方法において、レティクルショットの４隅の寸法測定パターンを測定する測定工程と、測定工程によって算出された寸法測定値を平均化する平均化工程と、露光量を算出する算出工程とを有し、算出工程によって算出された露光量と平均化工程によって平均化された寸法測定値を比較する比較工程を有し、比較工程によって露光量と決定させ、基板に露光することを特徴とする。
【０００９】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、測定工程は、レティクルショットの４隅に所定の寸法測定パターンを形成したレティクル（マスク）を作成することを特徴とする。
【００１０】
請求項３記載の発明は、請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、比較工程は、算出工程によって算出された露光量と測定工程によって算出された寸法測定値による検量線とを比較して、目標となる寸法値になるような露光量を決定する決定手段を有することを特徴とする。
【００１１】
請求項４記載の発明は、請求項３記載の半導体装置の製造方法であって、決定手段は、比較手段によって比較された寸法測定値と検量線と比較した差分を用いて露光量を加減し、露光量を決定することを特徴とする。
【００１２】
請求項５記載の発明は、請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置であって、寸法測定パターンを含む半導体装置において、請求項１から４のいずれか１項に記載の方法によって製造されることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
次に添付された図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。
図１は、露光量と寸法値をプロットした図である。
ＰＯＩＮＴ−１から４がショットの４隅の寸法測定パターンを表し、Ｍｅｄｉａｎが平均値を表す。線形（Ｍｅｄｉａｎ）は平均値から導き出した方程式で表示した直線を表す。
上記の方程式は、以下のように表示される。
寸法値＝−０．０００６×露光量＋０．６７１１
ここで、−０．０００６は検量線の傾き、０．６７１１は切片を表す。実際の作業は、所定の露光量（この場合は４００ｍｓｅｃ）で寸法パターンを測定した場合に得られた平均値、例えば０．４３７μｍの場合、ターゲットとする寸法値が０．４５０μｍでは、設定露光量３７８ｍｓｅｃとなる。
【００１４】
より具体的に詳細を説明すると、以下の式のようになる。
設定露光量＝｛ターゲット寸法値−測定値＋（−傾き×初期露光量）｝÷傾き上記の例として挙げた数値を記載すると以下のようになる。
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で表せる。
【００１５】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明の半導体装置の製造方法及びそれを用いて製造された半導体装置は、ショット４隅の寸法を測定することができる構造を有し、ショット４隅の寸法測定パターンを測定した結果を検量線と比較して最適な露光量を決定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態における露光量と寸法値をプロットした図である。
【図１】
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