(57)【要約】【課題】プラズマ放電現象により帯電した基板上に付着した残渣を効率良く除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗをアッシング部ＡＳＨに搬送する。また、基板搬送ロボットＣＲは、アッシング部ＡＳＨで所定のアッシング処理を施された基板Ｗをクーリングプレート部ＣＰに搬送する。イオナイザ５は、基板搬送ロボットＣＲが基板Ｗをクーリングプレート部ＣＰに搬送するときに、基板Ｗの静電気を除去する。基板搬送ロボットＣＲは、クーリングプレート部ＣＰで所定の冷却処理を施された基板Ｗを洗浄処理部ＭＰＣ１または洗浄処理部ＭＰＣ２に搬送する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ放電現象を用いて基板に所定の処理を施すプラズマ処理部と、
前記プラズマ処理部で処理された基板を除電する除電手段と、
前記除電手段で除電された基板を洗浄する洗浄処理部とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
少なくとも１枚の基板が載置される基板載置部をさらに備え、
前記除電手段は、前記基板載置部へ搬入される基板、前記基板載置部から搬出される基板または前記基板載置部内に載置される基板を除電することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板載置部には、前記プラズマ処理部による処理前もしくは処理後の基板または前記洗浄処理部による処理前もしくは処理後の基板が載置されることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板載置部は、基板を冷却する冷却手段をさらに備えることを特徴とする請求項２または３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記洗浄処理部は、基板を保持しつつ回転する基板回転手段を備え、前記基板回転手段により回転する基板を洗浄することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記除電手段は、前記洗浄処理部に搬送される基板を除電することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
プラズマ放電現象により基板を処理するステップと、
プラズマ放電現象により処理された基板を除電するステップと、
除電された基板を洗浄するステップとを含むことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス、液晶ディスプレイ等の製造工程では、半導体ウエハ、ガラス基板等の基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、イオン注入、レジスト剥離、層間絶縁膜の形成、熱処理等の各種処理が行われる。
【０００３】
上記の処理のうち、レジスト剥離は、例えば、プラズマ化したガスと基板上のレジストとを反応させ、レジストを気化させて除去するプラズマ灰化処理（以下、アッシング処理と呼ぶ）によって行われる場合がある。レジストは炭素、酸素および水素からなる有機物質である。アッシング処理は、この有機物質と酸素プラズマとを化学反応させることによってレジスト除去を行う処理である。
【０００４】
実際のレジストには重金属等の気化しない不純物も含まれており、アッシング処理後の基板には不純物が残渣として付着している。また、レジストのパーティクル（微粒子）が残渣として基板の表面に付着することもある。このような残渣は、後の基板処理において異物として悪影響を及ぼす。そのため、基板の表面に付着した残渣を薬液により除去している（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平９−４５６１０号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、アッシング処理においては、原料ガスをプラズマ放電でプラズマ化する行程で基板が帯電することがある。この場合、基板上に付着した残渣と基板との間に静電引力が働き、その後の薬液等を用いた洗浄工程において残渣が除去されにくくなる。
【０００７】
本発明の目的は、プラズマ放電現象により帯電した基板上に付着した残渣を効率良く除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
本発明に係る基板処理装置は、プラズマ放電現象を用いて基板に所定の処理を施すプラズマ処理部と、プラズマ処理部で処理された基板を除電する除電手段と、除電手段で除電された基板を洗浄する洗浄処理部とを備えるものである。
【０００９】
本発明に係る基板処理装置においては、プラズマ処理部により基板にプラズマ放電現象による処理が施され、プラズマ放電現象による処理が施された基板が除電手段により除電され、除電手段により除電された後に洗浄処理部により洗浄される。
【００１０】
この場合、プラズマ処理部において静電気により基板上に付着した残渣と基板との間の静電引力が除電手段により無効化される。それにより、洗浄処理部による洗浄処理により、基板上に付着した残渣が効率良く除去される。
【００１１】
少なくとも１枚の基板が載置される基板載置部をさらに備え、除電手段は、基板載置部へ搬入される基板、基板載置部から搬出される基板または基板載置部内に載置される基板を除電してもよい。
【００１２】
この場合、プラズマ処理部により処理が施された基板が基板載置部に載置され、次の処理まで一時的に待機する。それにより、プラズマ処理部による処理により昇温するとともに帯電した基板が、待機前、待機中または待機後に除電される。
【００１３】
基板載置部には、プラズマ処理部による処理前もしくは処理後の基板または洗浄処理部による処理前もしくは処理後の基板が載置されてもよい。
【００１４】
この場合、基板載置部にプラズマ処理部による処理前もしくは処理後の基板または洗浄処理部による処理前もしくは処理後の基板を一時的に待機させることができる。それにより、各処理部間の基板の移動を優先して行うことができる。その結果、基板処理のスループットが向上する。
【００１５】
基板載置部は、基板を冷却する冷却手段をさらに備えてもよい。この場合、プラズマ処理部による処理により昇温した基板が基板載置部において効率良く冷却される。このように、基板載置部が基板の一時的な待機および冷却処理のために用いられるので、基板処理装置の小型化および省スペース化が図られる。また、プラズマ処理部による処理と洗浄処理部の処理との間の時間が短縮され、基板処理のスループットが向上する。
【００１６】
洗浄処理部は、基板を保持しつつ回転する基板回転手段を備え、基板回転手段により回転する基板を洗浄してもよい。この場合、基板が基板回転手段に保持されつつ回転する。それにより、基板上に付着した残渣がより効率良く洗浄される。
【００１７】
除電手段は、洗浄処理部に搬送される基板を除電してもよい。この場合、除電された基板が再帯電することなく洗浄処理部に搬送される。それにより、洗浄処理部により効率良く洗浄される。
【００１８】
本発明に係る基板処理方法は、プラズマ放電現象により基板を処理するステップと、プラズマ放電現象により処理された基板を除電するステップと、除電された基板を洗浄するステップとを含むものである。
【００１９】
本発明に係る基板処理方法においては、基板にプラズマ放電現象による処理が施され、プラズマ放電現象による処理が施された後に除電され、除電された後に洗浄される。
【００２０】
この場合、プラズマ放電現象による処理において静電気により基板上に付着した残渣と基板との間の静電引力が無効化される。それにより、洗浄処理部による洗浄中に、基板上に付着した残渣が効率良く除去される。
【００２１】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２２】
以下の説明において、基板とは、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。
【００２３】
図１は本実施の形態に係る基板処理装置１００の平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。
【００２４】
処理領域Ａには、メイン制御部４、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２および流体ボックス部２ａ，２ｂが配置されている。
【００２５】
流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２への処理液の供給および洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２からの使用済処理液の排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。
【００２６】
洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２では、後述するアッシング部ＡＳＨによるアッシング処理後の基板表面に付着した不純物、パーティクル等の残渣を除去するために残渣除去処理を含む洗浄処理が行われるとともに、洗浄処理後の基板の乾燥処理も行われる。
【００２７】
なお本実施の形態においては、洗浄処理部ＭＰＣ１と洗浄処理部ＭＰＣ２は、同等の機能を有しており、基板処理のスループットを向上させるために２台搭載されている。ただし、基板処理のスループットを十分に確保できる場合は、例えば洗浄処理部ＭＰＣ１を１台だけ搭載させてもよい。。
【００２８】
処理領域Ｂには、アッシング部ＡＳＨ、複数のクーリングプレート部ＣＰおよびアッシャ制御部３が配置されている。アッシング部ＡＳＨでは、加熱プレート（図示せず）上に基板が載置された状態にて減圧下で酸素プラズマによりアッシング処理が行われる。
【００２９】
複数のクーリングプレート部ＣＰでは、後述する冷却プレート上に載置された状態でペルチェ素子または恒温水循環等により基板が所定温度（例えば、２３℃）まで冷却される。クーリングプレート部ＣＰは、主としてアッシング処理により昇温した基板Ｗを残渣除去処理または洗浄処理が可能な温度にまで冷却するために用いられる。
【００３０】
以下、アッシング部ＡＳＨ、クーリングプレート部ＣＰおよび洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２を処理ユニットと総称する。
【００３１】
搬送領域Ｃには、イオナイザ５および基板搬送ロボットＣＲが配置されている。イオナイザ５の詳細については後述する。
【００３２】
処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板Ｗの搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。本実施の形態においては、キャリア１として、基板Ｗを密閉した状態で収納するＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）を用いているが、これに限定されるものではなく、ＳＭＩＦ（Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｉｎｔｅｒ  Ｆａｃｅ）ポッド、ＯＣ（Ｏｐｅｎ  Ｃａｓｓｅｔｔｅ）等を用いてもよい。
【００３３】
インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。
【００３４】
基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗをアッシング部ＡＳＨに搬送する。また、基板搬送ロボットＣＲは、アッシング部ＡＳＨで所定のアッシング処理を施された基板Ｗをクーリングプレート部ＣＰに搬送する。
【００３５】
さらに、基板搬送ロボットＣＲは、クーリングプレート部ＣＰで所定の冷却処理を施された基板Ｗを洗浄処理部ＭＰＣ１または洗浄処理部ＭＰＣ２に搬送する。また、基板搬送ロボットＣＲは、洗浄処理部ＭＰＣ１または洗浄処理部ＭＰＣ２で所定の洗浄処理を施された基板ＷをインデクサロボットＩＲに搬送する。
【００３６】
なお、クーリングプレート部ＣＰは、基板Ｗの冷却処理以外にも使用される。詳細については、後述する。
【００３７】
アッシャ制御部３は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａのアッシング部ＡＳＨおよびクーリングプレート部ＣＰの動作を制御する。また、メイン制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａ，Ｂの各処理ユニットの動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。
【００３８】
図２は、図１の基板処理装置１００の縦断面図である。
【００３９】
図２に示すように、処理領域Ｂ側には、複数のクーリングプレート部ＣＰが上下に３つ重ねて配置されている。
【００４０】
搬送領域Ｃの上方には、フィルタファンユニットＦＦＵが設けられ、下方には基板搬送ロボットＣＲが設けられている。また、搬送領域Ｃ内であって、最上段のクーリングプレート部ＣＰの基板搬入出口ＯＳ上方にイオナイザ５が設けられている。処理領域Ａ側には、洗浄処理部ＭＰＣ２が設けられている。
【００４１】
イオナイザ５は、基板搬送ロボットＣＲが基板Ｗをクーリングプレート部ＣＰに搬送するときに、基板Ｗの静電気を除去する。
【００４２】
洗浄処理部ＭＰＣ２には、回転式保持装置５０が設けられている。搬入された基板Ｗは、回転式保持装置５０に保持される。回転式保持装置５０が基板Ｗを回転させるとともに、処理液供給配管５１から処理液（薬液、純水等）が滴下され、基板Ｗの洗浄が行われる。洗浄処理部ＭＰＣ１も洗浄処理部ＭＰＣ２と同様の構造を有する。
【００４３】
クーリングプレート部ＣＰには、基板Ｗの冷却に使用されない期間（以下、未使用期間という）に基板Ｗを一時的に待機させるために載置することが可能である。また、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、クーリングプレート部ＣＰが３段積み重なった構成を有するため、３枚の基板Ｗをそれぞれのクーリングプレート部ＣＰに１枚ずつ収納することが可能である。
【００４４】
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、各処理ユニットにおいて基板Ｗの処理中に、処理前の他の基板Ｗが図１のキャリア１から未使用期間中のクーリングプレート部ＣＰに予め搬送される。それにより、基板Ｗのアッシング処理時にクーリングプレート部ＣＰからアッシング部ＡＳＨに基板Ｗを短い行程で即座に搬入することができる。したがって、スループットが向上する。
【００４５】
また、各処理ユニットにおいて処理がなされた基板Ｗも、未使用期間中のクーリングプレート部ＣＰに載置される。それにより、基板搬送ロボットＣＲは各処理ユニット間の基板Ｗの搬送を優先して行い、クーリングプレート部ＣＰに載置された処理後の基板Ｗを各処理ユニット間の基板Ｗの移動がない期間（以下、待機期間という）にインデクサロボットＩＲに渡す。したがって、インデクサロボットＩＲと基板搬送ロボットＣＲとの間の基板Ｗの受け渡しが待機期間に行われるため、基板処理装置１００における基板処理およびスループットがさらに向上する。
【００４６】
図３は、クーリングプレート部ＣＰの構造の一例を示す模式的断面図である。
【００４７】
図３において、クーリングプレート部ＣＰは、基板搬入出口ＯＳを有する筐体２０を備える。筐体２０の基板搬入出口ＯＳには、シャッタＳＨがエアシリンダ等の駆動装置ＰＳにより開閉自在に設けられている。
【００４８】
筐体２０内には、冷却プレートＰＬが設けられている。冷却プレートＰＬの上面には基板Ｗの裏面を支持する３つの球状スペーサ２１が略正三角形状に配置されている。この冷却プレートＰＬは、伝熱性の高い部材から構成され、冷却プレートＰＬの上方にわずかな隙間をもって支持された基板Ｗの温度が所定の温度に冷却される。冷却プレートＰＬには、温度センサ２２が埋設されている。この温度センサ２２の出力は、図１のメイン制御部４に入力される。
【００４９】
また、冷却プレートＰＬの下面には冷却装置２３が設けられる。この冷却装置２３は、例えばぺルチェ素子から構成される。ぺルチェ素子は、電流が供給されることにより一面側で吸熱し、他面側で放熱する。これにより、熱を移動させることができる。このぺルチェ素子を用いた冷却装置２３は、冷却プレートＰＬの温度を短時間で調整することができる。
【００５０】
さらに、冷却装置２３の下面には、水冷ジャケット２４が設けられる。水冷ジャケット２４は、伝熱性の高い板状部材の内部に冷却水を循環させるための冷却水通路２５を有する。冷却水通路２５は、循環配管２６を介して外部、例えば基板処理装置１００が配置される工場の冷却水ユーティリティ２７に接続されている。冷却装置２３は、基板Ｗが持つ熱を水冷ジャケット２４に移動させる。
【００５１】
また、冷却プレートＰＬ、冷却装置２３および水冷ジャケット２４には、複数の貫通孔２９が形成される。本実施の形態においては、貫通孔２９は３個である。この貫通孔２９の内部には、基板Ｗの裏面を支持する複数の昇降ピン２８が設けられる。複数の昇降ピン２８は、基板昇降装置（図示せず）により上下方向に移動することにより、基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲとの間で受け渡す。
【００５２】
筐体２０内の上部には、不活性ガス供給チャンバ１５が配設されている。不活性ガス供給チャンバ１５の上面には不活性ガス導入口１４が設けられ、下面には複数の不活性ガス噴出孔１６が設けられている。
【００５３】
不活性ガス供給チャンバ１５の不活性ガス導入口１４には、窒素ガス等の不活性ガスを導く給気管路１３が接続されている。給気管路１３は、流量調整弁Ｖ１を介して窒素ガス等の不活性ガスを供給するガスユーティリティ（図示せず）に接続されている。
【００５４】
また、筐体２０の下方には、排気口１７が設けられている。排気口１７には、排気ガスを排出する排気管路１８が接続されている。排気管路１８は、流量調整弁Ｖ２を介して工場の排気設備（図示せず）に接続されている。
【００５５】
流量調整弁Ｖ１が開放されることにより、窒素ガス等の不活性ガスが、不活性ガス導入口１４および複数の不活性ガス噴出孔１６を介して基板Ｗに噴射される。また、流量調整弁Ｖ２が開放されることにより、基板Ｗに噴射された不活性ガスが、排気口１７および排気管路１８より排気される。
【００５６】
図４は、図１の基板処理装置の制御系の構成を示すブロック図である。
【００５７】
アッシャ制御部３は、アッシング部ＡＳＨで行われる基板Ｗのアッシング処理についての各種動作を制御する。また、アッシャ制御部３は、複数のクーリングプレート部ＣＰで行われる基板Ｗの冷却についての各種動作を制御する。
【００５８】
メイン制御部４は、インデクサロボットＩＲおよび基板搬送ロボットＣＲの基板搬送動作、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２およびイオナイザ５の動作を制御する。
【００５９】
図５は、イオナイザ５による基板Ｗの静電気除去を説明する図である。
【００６０】
イオナイザ５は、電極針から発せられる高電圧スパークを利用して電極周りの雰囲気をプラズマイオン化し、対象物の静電気を除去する電極針式除電装置である。
【００６１】
基板搬送ロボットＣＲのアームＡＭに保持された基板Ｗにイオナイザ５によりイオンが供給される。この場合、クーリングプレート部ＣＰに対する基板Ｗの搬入および搬出の際に、高電圧スパークにより発生したイオンは、搬送領域ＣのフィルタファンユニットＦＦＵが形成するダウンフローにより効率良く搬送中の基板Ｗに供給される。基板Ｗに供給されたイオンは、基板Ｗおよびその基板Ｗ上に付着した残渣の静電気を電気的に除去する。
【００６２】
それにより、静電気により基板Ｗ上に付着した残渣と基板Ｗとの間の静電引力が無効化される。したがって、その後の洗浄工程において、基板Ｗ上に付着した残渣が効率良く洗浄されるとともに、洗浄後の残渣の再付着が防止される。
【００６３】
また、１〜数秒程度で基板Ｗの静電気が除去されるため、基板搬送ロボットＣＲはイオナイザ５下で搬送速度を減少させる必要がない。したがって、基板Ｗの搬送時間に影響がなく、スループットは低下しない。
【００６４】
なお、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、イオナイザ５は最上段のクーリングプレート部ＣＰの基板搬入出口ＯＳ上方に設けられているが、アッシング処理後かつ洗浄処理前の基板Ｗの静電気除去が可能な位置に配置されていればよい。例えば、アッシング部ＡＳＨの基板搬入出口上方にあってもよいし、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２の基板搬入出口上方にあってもよい。また、アッシング部ＡＳＨ、クーリングプレート部ＣＰおよび洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２内のいずれかに配置されていてもよい。
【００６５】
また、本実施の形態に係る基板処理装置１００において、処理領域Ａに設けられる処理ユニットは、薬液等により洗浄を行う洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２に限らない。例えば、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２の代わりにポリマー除去液を用いて基板Ｗの洗浄を行うポリマー除去ユニット、基板Ｗの表面をスクラブ洗浄するブラシ洗浄ユニットならびにエッチング液、ポリマー除去液、レジスト剥離液等の処理液の蒸気を用いて基板Ｗを洗浄する気相洗浄ユニット等の他の洗浄処理ユニットが設けられてもよい。
【００６６】
さらに、本実施の形態に係る各処理ユニットとしては、枚葉式の処理ユニットを用いているが、バッチ式処理ユニットであってもよい。
【００６７】
本実施の形態においては、アッシング部ＡＳＨがプラズマ処理部に相当し、イオナイザ５が除電手段に相当し、クーリングプレート部が基板載置部に相当し、冷却プレートＰＬが冷却手段に相当し、回転式保持装置５０が基板回転手段に相当する。
【００６８】
（第２の実施の形態）
図６は、第２の実施の形態に係る基板処理装置１００ａの平面図である。
【００６９】
図１の基板処理装置１００と異なる点は、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２の外側にイオナイザ５ａを備える点である。イオナイザ５ａは、アッシング処理後に洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２に搬入された基板Ｗの静電気を除去する。イオナイザ５ａの動作の詳細は後述する。
【００７０】
図７は、洗浄処理部ＭＰＣ１内におけるイオナイザ５ａによる基板Ｗの静電気除去について説明する図である。
【００７１】
イオナイザ５ａは、除電作用のある電磁波である微弱Ｘ線を照射するための微弱Ｘ線照射装置である。イオナイザ５ａから照射される微弱Ｘ線は、１２０度の角度を有する円錐状に広がる。
【００７２】
洗浄処理部ＭＰＣ１には、窓６が設けられている。この窓６は、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等からなる。ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂はＸ線を通しやすい性質を有する。それにより、イオナイザ５ａから発生する微弱Ｘ線は窓６を通って基板Ｗに照射される。なお、窓６の材料として、Ｘ線を通しやすい他の種々の樹脂を用いても良い。
【００７３】
微弱Ｘ線は、２Åを中心とする１．３Å以上の波長を有し、３〜９．５ｅＶのエネルギー強度を有する電磁波である。イオナイザ５ａから微弱Ｘ線が照射されると、照射範囲内に含まれる安定状態の気体原子および気体分子が電離し、高濃度の気体原子イオンおよび気体分子イオンが生成される。それにより、生成されたイオンのうち照射範囲内の部材の電荷と逆極性のイオンがその帯電した部材の電荷と結合し、静電気が除去される。
【００７４】
イオナイザ５ａにより生成されるイオンは濃度が高く、イオンバランスが優れているため、瞬時に帯電した部材の除電がなされ、その部材が逆帯電することはない。
【００７５】
以上のことから、図６に示すように、アッシング処理により帯電した基板Ｗにイオナイザ５ａから微弱Ｘ線が照射されると基板Ｗおよび基板Ｗに付着した残渣の静電気が除去される。
【００７６】
それにより、静電気により基板Ｗ上に付着した残渣と基板Ｗとの間の静電引力が無効化される。したがって、その後の洗浄工程において、基板Ｗ上に付着した残渣が効率良く洗浄されるとともに、洗浄後の残渣の再付着が防止される。
【００７７】
なお、本実施の形態に係る基板処理装置１００ａにおいては、イオナイザ５ａは洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２の外側に設けられているが、アッシング処理後かつ洗浄処理前の基板Ｗの静電気除去が可能な位置に配置されていればよい。
【００７８】
例えば、クーリングプレート部ＣＰの外側に配置されてもよいし、アッシング部ＡＳＨの外側に配置されてもよいし、搬送領域Ｃの上方に配置されてもよい。
【００７９】
本実施の形態においては、イオナイザ５ａが除電手段に相当する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の縦断面図である。
【図３】クーリングプレート部の構造の一例を示す模式的断面図である。
【図４】図１の基板処理装置の制御系の構成を示すブロック図である。
【図５】イオナイザによる基板の静電気除去を説明する図である。
【図６】第２の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図７】洗浄処理部内におけるイオナイザによる基板の静電気除去について説明する図である。
【符号の説明】
３  アッシャ制御部
４  メイン制御部
５，５ａ  イオナイザ
６  窓
１００，１００ａ  基板処理装置
ＩＲ  インデクサロボット
ＣＲ  基板搬送ロボット
ＡＳＨ  アッシング部
ＣＰ  クーリングプレート部
ＭＰＣ１，ＭＰＣ２  洗浄処理部
Ｗ  基板
【図１】
2005044975.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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