(57)【要約】【課題】深溝のＬ／Ｇ基板を用いて磁壁移動再生を行う場合、膜の付き回り形状からどうしてもランドに比べてグルーブの磁界感度が悪くなる。また、グルーブの磁界感度向上のために磁性層組成を調整すると、ランド記録時の浮遊磁界が強すぎて却って特性が悪化してしまう。【解決手段】ランドの肩の部分を高パワーのレーザでアニールして面内磁化膜とし、必要以上に記録時の浮遊磁界が発生しないように処理する。これにより、ランドとグルーブでの磁界感度を同等とすることができ、さらに膜組成を最適化することでランド・グルーブともに安定した微小磁区記録再生を実現する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報の再生に寄与し、磁壁が移動する磁壁移動層と、情報に応じた記録磁区を保持するメモリ層と、前記磁壁移動層と前記メモリ層との間に配置され、前記磁壁移動層と前記メモリ層のいずれよりも低いキュリー温度を有する遮断層とを備え、前記遮断層のキュリー温度以上の温度領域において前記メモリ層から前記磁壁移動層に転写された記録磁区の磁壁を移動させて前記記録磁区を拡大させることにより前記情報の再生を行う光磁気記録媒体において、
前記媒体の基板の屈折率をｎとしたときに、
相対的な段差が記録再生に係る光源波長の１／（４・ｎ）程度以上である、前記情報の記録及び再生に用いられるランド及びグルーブと、
アニール用光ビームが予め照射されることで磁性膜が面内磁化膜となっている側壁部を中心とした領域を有することを特徴とする光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気光学効果を利用してレーザ光により情報の記録再生を行う光磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、書き換え可能な高密度記録方式として、半導体レーザの熱エネルギーを利用して磁性薄膜に磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を使って記録情報を読み出す光磁気記録媒体及び記録再生装置が注目されている。光磁気記録媒体は、コンピュータなどにおける大容量の取り外し可能（リムーバブル）な情報記録媒体として、広く使用されるようになってきている。最近では、コンピュータやその他の情報処理装置で取り扱うデータが音声、画像、動画といったさまざまな情報に多様化し、それらの要求するデータサイズが増え続けていることから、この光磁気記録媒体の記録密度を高めてさらに大容量の記録媒体とする要求が高まっている。
【０００３】
光磁気記録媒体は、記録密度に関し、光学系の解像限界よりも微小な記録マークを記録し、またこれを再生できるという点で、他の光記録媒体よりも優れている。例えば、特開平７―３３４８７７号公報（特許文献１）には、そのような光磁気記録再生方法の一例である磁気超解像再生方式が開示されている。さらに、光学系の解像限界よりも微小な磁区を記録する方式としては、外部磁界の変調速度を十分に速めた磁界変調方式が一般に知られている。
【０００４】
また、特開平６−２９０４９６号公報（特許文献２）によれば、光磁気記録媒体において再生光の入射側に磁壁抗磁力の小さい磁壁移動層を設け、再生スポット内の温度勾配を利用して磁壁移動層の磁壁を高温側に移動させ、スポット内で磁区を拡大再生する方法が開示されている。これによれば、記録マークサイズが小さくなったとしても、磁区を拡大しながら信号を再生するので、再生光を有効に使うことができ、信号振幅を落とさずに解像力があげることができる。
【特許文献１】特開平７―３３４８７７号公報
【特許文献２】特開平６−２９０４９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特開平６−２９０４９６号公報に示された磁壁移動を利用した再生方法は、超解像方式の中でも特に線記録密度に優れた方法である。すなわち、磁壁の移動量が常に一定であれば、記録磁区の大きさにかかわらず一定の再生信号振幅が得られるという特徴がある。しかしながら、この方式には以下のような問題点があった。
【０００６】
再生中に安定した磁壁移動を行わせるには、二つの方法が考えられる。一つは浅い溝形状の基板を用い、トラックの両側を高パワーのレーザでアニールすることで垂直磁気異方性を弱め、トラック間を磁気的に分断する方法、もう一つは比較的深い溝形状の基板を用いて形状的に分断する方法である。
【０００７】
ところが、前者においては良好な特性を実現するためのアニール条件が厳しく製造安定性が問題であった。つまり溝深さが浅いためにランド・グルーブ間の熱的な干渉が大きく、アニールすることで記録再生特性の確保だけでなく、トラック間のクロスライトを防ぐ目的も兼ねていたので、アニールパワーマージンを確保するのが難しかった。また、後者においてはランドとグルーブで磁性膜の付き方が異なるために記録再生特性、特に磁界感度を揃えることが非常に困難であった。
【０００８】
本発明の目的は、上述の課題を解決すべくなされたものであり、記録媒体構成を複雑化することなく、光学系の分解能（解像度）を超えた記録密度の信号を正確に再生することが可能な光磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の光磁気記録媒体は、情報の再生に寄与し、磁壁が移動する磁壁移動層と、情報に応じた記録磁区を保持するメモリ層と、前記磁壁移動層と前記メモリ層との間に配置され、前記磁壁移動層と前記メモリ層のいずれよりも低いキュリー温度を有する遮断層とを備え、前記遮断層のキュリー温度以上の温度領域において前記メモリ層から前記磁壁移動層に転写された記録磁区の磁壁を移動させて前記記録磁区を拡大させることにより前記情報の再生を行う光磁気記録媒体において、前記媒体の基板の屈折率をｎとしたときに、相対的な段差が記録再生に係る光源波長の１／（４・ｎ）程度以上である、前記情報の記録及び再生に用いられるランド及びグルーブと、アニール用光ビームが予め照射されることで磁性膜が面内磁化膜となっている側壁部を中心とした領域を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
以上説明したように本発明は、深溝基板に成膜した磁壁移動媒体に対し、側壁部分を高パワーレーザでアニールすることでランド・グルーブの特性を揃え、また膜組成を最適化することによりともに良好な記録再生特性を得ることが出来る、という効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に、本発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態における光磁気記録媒体の構成とその動作原理（記録再生原理）を説明する図であり、同図（ａ）は、光ディスクとして構成された本実施形態の光磁気ディスクの断面構成を示し、同図（ｂ）は、レーザ光を照射しながら、向かって右に光磁気記録媒体（ディスク）が移動したときのトラック中心における温度分布を示し、同図（ｃ）は、磁壁移動層における磁壁エネルギー密度σ１と磁壁移動層の磁壁に対して作用する力Ｆ１の分布を示している。
【００１２】
図１に示すように、光磁気記録媒体は、基板１０１上に、干渉層１０２、磁壁移動層１、遮断層２、メモリ層３、保護層１０３を順次積層して構成されたものである。これらの各層は、マグネトロンスパッタ装置による連続スパッタリング、あるいは連続蒸着などによって、基板１０１上に被着形成できる。ここで磁壁移動層１、遮断層２、メモリ層３はいずれも希土類−鉄族元素非晶質合金から構成されており、少なくともメモリ層３は室温で垂直磁化膜である。これら各磁性膜中の矢印１１は、膜中に保持された記録磁区の遷移金属（鉄族）副格子磁化の向きを表わしている。隣接する記録磁区間で磁化が平行でない部分には、ブロッホ磁壁１２（図中太線で表示）が存在する。
【００１３】
基板１０１には、通常、ガラスあるいはポリカーボネートなどの透明な材料が使われる。干渉層１０２は、磁気光学効果を高めるために設けられる層であり、例えば、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＺｎＳ、ＭｇＦ２などの透明な誘電材料が用いられる。図１に示す光磁気記録媒体では、記録あるいは再生に用いられるレーザ光は、基板１０１側から入射する。保護層１０３は、磁性層の保護のために設けられるものであって、干渉層１０２と同様の材料が用いられる。また、光磁気記録媒体全体の熱構造を最適化するために、保護層１０３の上に、さらに、Ａｌ、ＡｌＴａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、ＡｌＳｉ、Ｃｕなどからなる金属層を設ける場合もある。干渉層１０２、保護層１０３および必要に応じて設ける金属層については、光磁気記録媒体の構成要素として当業者には公知のものであり、ここではその詳細な説明は省略する。
【００１４】
メモリ層３には、希土類−鉄族元素非晶質合金、例えばＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏなどの、微小な記録ピットが安定に保存できるような垂直磁気異方性の大きい材料が用いられる。メモリ層３のキュリー温度をＴｃ３で表わすと、室温からＴｃ３の間に補償温度を有するものを使用することが好ましい。光磁気記録媒体における記録情報は、メモリ層３の磁区の磁化方向が上向きか下向きかで保持される。また、メモリ層３として、ガーネット類、Ｐｔ／Ｃｏ，Ｐｄ／Ｃｏなどの垂直磁化膜を用いて、他の層に磁気的に情報転写できる構成としてもよい。また、メモリ層３と近接して公知である記録補助層を設けても良い。これは、キュリー温度がメモリ層と同等以上で保磁力の小さい材料、例えばＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏなどを付加することで、記録磁界の低減をはかるものである。
【００１５】
遮断層２は、例えば、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏＡｌ、ＤｙＦｅＣｏＡｌ、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＡｌ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＡｌ、ＴｂＦｅＡｌなどの希土類−鉄族元素非晶質合金からなり、他の層よりもキュリー温度を低く設定しておく。遮断層２のキュリー温度をＴｃ２で表わす。
【００１６】
磁壁移動層１には、例えば、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＮｄＧｄＦｅＣｏなどの比較的垂直磁気異方性の小さな希土類−鉄族元素非晶質合金や、ガーネットなどの磁気バブルメモリ用材料が望ましい。また、補償組成を有するものを使用することが好ましい。特に、本発明においては、磁壁移動層１の磁壁抗磁力はメモリ層３の磁壁抗磁力よりも小さくすることが好ましい。磁壁移動層１は２層以上の磁性層を積層して構成してもよく、この場合、各層の磁化をキャンセルさせることで再生温度範囲における正味の磁化の大きさを小さくし、外部磁界からの影響を受けずに滑らかに磁壁を移動させることが出来る。
【００１７】
この光磁気記録媒体における各層の膜厚は、干渉層１０２が２０〜１００ｎｍ、磁壁移動層１が２０〜４０ｎｍ、遮断層２が７〜２０ｎｍ、メモリ層３が４０〜１００ｎｍ、保護層１０３が３０〜８０ｎｍである。
【００１８】
本実施形態の光磁気記録媒体では、さらにこの構成に、高分子樹脂からなる保護コート層を付与してもよい。あるいは、成膜後の基板１０１を貼り合わせてもよい。
【００１９】
このような本実施形態の光磁気記録媒体へのデータ信号の記録は、ディスク状としたこの媒体を移動させながら、メモリ層３の温度がそのキュリー温度Ｔｃ３前後になるようなパワーのレーザ光を照射し、そこに印加される外部磁界を変調して行う。この場合、外部磁界の変調周波数を高くすれば、光スポット径より小さい記録磁区が形成でき、その結果、光の回折限界以下の周期で信号をメモリ層３に記録することができる。
【００２０】
図１（ｂ）は、この光磁気記録媒体（光ディスク）にレーザ光を照射しながら、向かって右に光磁気記録媒体が移動したときのトラック中心における温度分布を示している。この温度プロファイルにおいて膜温度が最大となる位置は、光磁気記録媒体の移動の線速にもよるが、レーザスポットの中心よりも若干後ろ側になる。図１（ｃ）は、そのときの磁壁移動層１における磁壁エネルギー密度σ１の分布を示している。図示されるように、磁壁エネルギー密度σ１は、膜温度の上昇とともに減少するので、光磁気記録媒体の移動方向に沿った温度勾配があると、磁壁エネルギー密度σ１は、最高温度位置に向かって減少していく。すると位置ｘに存在する磁壁移動層１の磁壁１２に対し、次式のような力Ｆ１が作用する。
【００２１】
Ｆ１＝ｄσ１／ｄｘ
この力Ｆ１は、磁壁エネルギーの低い方に磁壁１２を移動させるように作用する。磁壁移動層１は、磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きいように設定されているので、単独では、この力Ｆ１によって、磁壁移動層１において容易に磁壁１２が移動する。
【００２２】
ここで再生時の動作を説明する。図１（ａ）において、光磁気記録媒体にまだ再生用のレーザ光が照射される前の領域（図示左端側の領域）、すなわち室温の部分では、各磁性層（磁壁移動層１、遮断層２及びメモリ層３）はいずれも垂直磁化膜であり、メモリ層３に記録された磁区は遮断層２を介して磁壁移動層１と交換結合し、磁区が磁壁移動層１に転写されている。この時、各層の中に矢印で示した互いに逆向きの磁区１１の間には、ブロッホ磁壁１２が存在することになる。ここで、磁壁移動層１と遮断層２は必ずしも室温で垂直磁化膜となっている必要はなく、レーザ光の照射位置に接近して膜温度が上昇し、遮断層２のキュリー温度Ｔｃ２に達する前に垂直磁化膜となってメモリ層３の磁区と交換結合すればよい。磁性膜がＴｃ２に達すると、メモリ層３から遮断層２への交換結合は切れ、磁壁抗磁力が小さい磁壁移動層１は磁区を保持できず、温度勾配によって加わる力Ｆ１にしたがって磁壁１２が高温側（図示右方向）に移動する。この時、磁壁１２が移動する速度は、光磁気記録媒体の移動速度に比べて充分に速いので、メモリ層３に記録された磁区よりも大きな磁区がレーザスポット内に得られることになる。
【００２３】
記録時においては、光磁気記録媒体に照射するレーザ光を再生時よりも高いパワーにすることで、メモリ層３のキュリー温度Ｔｃ３よりも高い温度まで媒体を昇温させ、かつ記録磁界２０の向きを記録データに応じて変調させる。これにより、記録データに応じた記録磁区を媒体に記録することができる。記録磁界２０は、光磁気記録媒体の膜面に垂直な、記録データに応じて上向きあるいは下向きに変化する磁界である。
【００２４】
次に、このような光磁気記録媒体を構成する各磁性層（磁壁移動層１、遮断層２及びメモリ層３）の膜特性、特に磁気的な特性について検討する。
【００２５】
一般的に、遮断層２、メモリ層３の膜特性は次のように考えることができる。
【００２６】
遮断層２のキュリー温度Ｔｃ２が低すぎると、室温でのメモリ層３から磁壁移動層１への記録磁区の転写が不完全になりやすく、また温度勾配が緩いために磁壁移動が開始する位置が不安定になる。そのため、遮断層２のキュリー温度Ｔｃ２については、ある程度室温とは温度差を設け、１００℃から２００℃の間に設定する。また、遮断層２からの浮遊磁界を減らすために、補償温度がほぼキュリー温度Ｔｃ２に近くなる組成を選ぶ。
【００２７】
メモリ層３については、再生中の温度上昇でも記録磁区が劣化しないために、遮断層２とはキュリー温度の差が大きくなるようにする。具体的には、メモリ層３のキュリー温度Ｔｃ３を３００℃前後とする。また、安定した記録を行うために、ある程度、キュリー温度Ｔｃ３付近での飽和磁化を大きくし、かつ、再生温度（再生時に光磁気記録媒体が達する温度）での浮遊磁界をなるべく減らすために、メモリ層３の補償温度は、室温から遮断層２のキュリー温度Ｔｃ２近傍までの間に設定する。さらに好ましくは、記録時にメモリ層自身から発生する反磁界によって記録を補助する効果を得るために、補償温度を室温近くに設定することで広い温度範囲で飽和磁化を大きくする。
【００２８】
図２は、本発明で用いる基板に成膜したときの断面図を示し、簡単のために磁性層はまとめて１０４として表している。図中ハッチングした部分は、ランド・グルーブそれぞれで実質的に記録再生に寄与する部分を示しており、膜の付き回り形状にしたがってランドとグルーブとは逆向きの台形になっている。したがって、メモリ層の幅はランドとグルーブで大きく異なっているため記録時にメモリ層から発生する反磁界の大きさにも違いがあり、結果として磁界感度が大きく違ってしまう。
【００２９】
そこで、図３に示すように溝の側壁部分にアニール用の高パワーレーザを照射し、ランドの肩部分の磁性膜を面内磁化膜に変化させる。これにより、図中ハッチングで示したように実質的に記録再生に寄与する部分をランドとグルーブで同等とすることが出来、結果として両者の磁界感度を同等にすることが出来る。また、本発明におけるアニール処理は磁壁移動のための磁気的分断や、あるいはクロスライトマージンを確保するといった目的で行うわけではなく、ランドの肩部の余分な磁性膜の異方性を弱めるだけなのでアニールパワーマージン、アニールの安定性について問題は生じない。
【００３０】
このように記録媒体の側壁部分を高パワーレーザでアニールすることにより、ランドとグルーブの特性を合わせ、安定した情報記録再生が行えるようになる。
【実施例】
【００３１】
以下、本発明について、実施例に基づいてさらに詳しく説明する。
【００３２】
＜実施例１＞
直流マグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に、ＢをドープしたＳｉ、及びＧｄ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｌの各ターゲットを取り付け、トラッキング用の案内溝の形成されたディスク状のポリカーボネート基板１０１をそのチャンバー内の基板ホルダーに固定した後、１×１０−５Ｐａ以下の高真空になるまでチャンバー内をクライオポンプで真空排気した。真空排気したまま、Ａｒガスを０．５Ｐａとなるまでチャンバー内に導入し、基板１０１を回転させながら、以下の通り、各ターゲットをスパッタリングして光磁気記録媒体の各層を基板１０１上に成膜した。なお、ＳｉＮ層成膜時にはＡｒガスに加えてＮ２ガスを導入し、直流反応性スパッタリングによりＳｉＮ層を成膜した。
【００３３】
基板形状としては、溝深さが１６０ｎｍ、トラックピッチが０．５４ｕｍのランド・グルーブ基板を用いた。最初に、下地層（干渉層１０２）としてＳｉＮ層を９０ｎｍ成膜した。引き続き、磁壁移動層１としてＧｄＦｅＣｏＡｌ層を膜厚３０ｎｍ、遮断層２としてＴｂＦｅＡｌ層を膜厚１０ｎｍ、メモリ層３としてＴｂＦｅＣｏ層を膜厚６０ｎｍに順次成膜した。最後に、保護層１０３としてＳｉＮ層を５０ｎｍ成膜した。
【００３４】
各磁性層は、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｌの各ターゲットに投入するパワーの比によって組成比を制御した。磁壁移動層１はキュリー温度が２９０℃、補償温度が２３０℃、遮断層２のキュリー温度Ｔｃ２は１５０℃、メモリ層３のキュリー温度Ｔｃ３は３２０℃、メモリ層３の補償温度が３５℃程度となるように調整した。
【００３５】
この媒体に、特願２００２−１２２４３１と同様の光学系を用いて側壁部分のアニール処理を行った。すなわち図４に示すように、回折格子を用いてアニール用のビーム（波長４０５ｎｍ）を０、±１次光に分け、±１次光を使って公知のディファレンシャルプッシュプル法によりトラッキングサーボをかける。これにより、アニール用のメインビームを側壁上に追従させることが出来るので、これを高パワーとすることで側壁部のアニールを行うことが出来た。
【００３６】
このようにアニール処理した光磁気記録媒体（ディスク）を線速２．４ｍ／ｓで回転させながら、波長６５０ｎｍのレーザ光、ＮＡ（開口比）０．６０の対物レンズおよび２００  Ｏｅの外部磁界を用い、（１−７）変調で情報記録再生を行ったところ、ランド・グルーブともに記録密度０．０７５μｍ／ビットで１×１０−４のビットエラーレートが得られた。また、この時のアニールパワーは６．５ｍＷ±１０％と、生産装置としては十分なマージンが確保できた。なお、本実施例でのアニール処理は、基板のチルトに対する安定性を高め、またアニール用レーザをより小さなスポットに集光するために、ＮＡ０．８５の光学系を媒体の膜面側に設けて行った。
【００３７】
＜実施例２＞
次に、基板の溝深さを１００ｎｍまで浅くした実験を行った。溝深さ以外の媒体の作成条件は実施例１と同じである。
【００３８】
本実施例では、溝深さが１００ｎｍであり、アニール用ビームの波長４０５ｎｍのほぼ１／４であるため実施例１で用いたようなプッシュプル法によるトラッキングエラー信号は得られない。そこで、図５に示すようにデータ再生用のクロックピットを使って公知のサンプルサーボ法によってトラッキングをかけた。すなわち、ランド・グルーブそれぞれに設けてあるクロックピットをウォブルピットに見立て、両者を半分ずつ横切るようにサンプルサーボをかけることで側壁をトレースすることが出来た。
【００３９】
実施例１と同様に情報記録再生を行ったところ、実施例１と同様に、ランド・グルーブともに２００  Ｏｅの外部磁界を用い、記録密度０．０７５μｍ／ビットで１×１０−４のビットエラーレートが得られた。また、溝が若干浅いことからクロスライトマージンを確保するためのアニールパワーがやや大きく、７．０ｍＷ±５％となったが、これは実用上問題ないレベルである。
【００４０】
なお、本実施例では記録再生時の光源からみても溝深さｄは、ｄ≒λ／（４・ｎ）となるため（λは記録再生用光源の波長６５０ｎｍ、ｎはポリカーボネートの屈折率１．６）、記録再生時においてもプッシュプル法ではなくサンプルサーボ法を用いてトラッキングを行った。
【００４１】
＜比較例１＞
実施例１と同様の光磁気記録媒体に対し、側壁のアニール処理を施さずに記録再生を行った。
【００４２】
この場合は、グルーブはアニール時と同様２００  Ｏｅの外部磁界、記録密度０．０７５μｍ／ビットで１×１０−４のビットエラーレートが得られたのに対し、ランドは記録時の反磁界の影響が大きすぎるために記録パターン依存性が大きくなり、記録密度０．０７５μｍ／ビットで１×１０−３のビットエラーレートしか得られなかった。
【００４３】
＜比較例２＞
次にランドの反磁界を抑えるため、実施例１と同様の光磁気記録媒体に対し、メモリ層の組成を調整して補償温度を１５０℃とし、側壁のアニール処理を施さずに記録再生を行った。この場合、ランドの特性は良好で２００  Ｏｅの外部磁界、記録密度０．０７５μｍ／ビットで１×１０−４のビットエラーレートが得られたのに対し、グルーブは４００  Ｏｅの外部磁界を用いても記録密度０．０７５μｍ／ビットで６×１０−４のビットエラーレートとなり、磁界感度特性としてはまだ飽和していなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施の一形態の光磁気記録媒体の構成と動作を示す図である。
【図２】深溝基板上に形成した光磁気記録媒体を示す概略断面図である。
【図３】図２に示す光磁気記録媒体の側壁部分をアニールした様子である。
【図４】実施例１の側壁アニール方法を表す図である。
【図５】実施例２の側壁アニール方法を表す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１    磁壁移動層
２    遮断層
３    メモリ層
１１    遷移金属副格子磁化の向き
１２    ブロッホ磁壁
２０    記録磁界
２１    ランド
２２    グルーブ
２３    側壁
３１    アニール用メインビーム
３２、３３    サーボ用サブビーム
３４    アニールビーム
１０１    基板
１０２    干渉層
１０３    保護層
【図１】
2005100562.tif 000003
【図２】
2005100562.tif 000004
【図３】
2005100562.tif 000005
【図４】
2005100562.tif 000006
【図５】
2005100562.tif 000007