(57)【要約】【課題】従来のマグネトロンスパッタ源の遅い成膜速度、特に金属の酸化物の成膜に於ける遅い成膜速度の問題を解決し、成膜速度が速いマグネトロンスパッタ源を提供することにある。【解決手段】カソード電極として機能するバッキングプレート３と、ターゲット２と、マグネトロン磁場を発生する磁石４とを具えるマグネトロンスパッタ源であって、前記バッキングプレート３の前記ターゲット２の側に前記ターゲット２を加熱する為の加熱機構と、前記バッキングプレート３の前記ターゲット２のある側と反対側に前記磁石４を冷却する為の冷却機構とを具える。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットを設置可能なバッキングプレートと、マグネトロン磁場を発生する磁石とを具えるマグネトロンスパッタ源であって、
前記バッキングプレートの前記ターゲット設置側の面又は該面の近傍に前記ターゲットを加熱する為の加熱機構と、
前記バッキングプレートの前記ターゲットのある側と反対側に前記磁石を冷却する為の冷却機構とを具えることを特徴とするマグネトロンスパッタ源。
【請求項２】
請求項１に記載のマグネトロンスパッタ源であって、
前記加熱機構が、前記バッキングプレートの前記ターゲット設置側に設けられた面発熱体を有し、
前記ターゲットと前記バッキングプレートとが電気的に接続可能となる接触部を有し、
前記面発熱体が前記バッキングプレートと前記ターゲットとの両方から電気的に絶縁されていることを特徴とするマグネトロンスパッタ源。
【請求項３】
請求項２に記載のマグネトロンスパッタ源であって、
前記面発熱体の前記ターゲット設置側に第１の電気絶縁体が、前記面発熱体と前記バッキングプレートとの間に第２の電気絶縁体が各々配設され、
前記第１の電気絶縁体の熱伝導率が前記第２の電気絶縁体の熱伝導率よりも高いことを特徴とするマグネトロンスパッタ源。
【請求項４】
請求項３に記載のマグネトロンスパッタ源であって、
前記第１の電気絶縁体が第１の厚みを有し、前記第２の電気絶縁体が第２の厚みを有し、
前記第１の厚みが前記第２の厚みよりも小さいことを特徴とするマグネトロンスパッタ源。
【請求項５】
請求項３に記載のマグネトロンスパッタ源であって、
前記第２の電気絶縁体が、多孔質部分を具えることを特徴とするマグネトロンスパッタ源。
【請求項６】
請求項３に記載のマグネトロンスパッタ源であって、
前記第２の電気絶縁体の前記バッキングプレートに対向する面、又は前記第２の電気絶縁体の前記面発熱体に対向する面に、前記第２の電気絶縁体と前記バッキングプレート又は前記面発熱体との接触面積を低減する為に凹部が設けられていることを特徴とするマグネトロンスパッタ源。
【請求項７】
請求項２〜６何れか１項に記載のマグネトロンスパッタ源であって、前記加熱機構と前記第２の電気絶縁体との間に熱反射板が配設されていることを特徴とするマグネトロンスパッタ源。
【請求項８】
請求項１〜７何れか１項に記載のマグネトロンスパッタ源を真空槽内に具え、該マグネトロンスパッタ源から放出させた物質粒子を基板表面に堆積させることを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘電体、金属、又は半導体等の薄膜を成膜する為に用いるマグネトロンスパッタ源及びマグネトロンスパッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、誘電体や金属、半導体等の成膜を行なう装置としてマグネトロンスパッタ装置がある。このマグネトロンスパッタ装置は、真空槽内にマグネトロンスパッタ源が設けられている。このマグネトロンスパッタ源には蒸発源としてターゲットを具え、前記ターゲットは、カソード電極の役割を果たすと共に前記ターゲットを冷却し冷却水から遮断する役割を果たすバッキングプレートに低融点金属等で接合されている。又、前記バッキングプレートの前記ターゲットが接着されている側の対向側にはマグネトロン磁場を発生させる為の磁石が設けられており、この磁石は必要な磁力を保つ為に冷却水で冷却されている。前記マグネトロンスパッタ装置に於いては、前記マグネトロンスパッタ源から放出させたターゲット物質の粒子を前記真空槽内に設けた基板表面に堆積させる。
【０００３】
このようなスパッタ装置の中で、ターゲットの温度検出手段と昇熱手段と温度制御手段とを設け、スパッタに際してこのターゲットの温度が略同一となるように温度制御するものが提案されている。（例えば特許文献１参照）
【０００４】
【特許文献１】
特開平１０−２８７９７４号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のマグネトロンスパッタ装置による成膜は、慣用の真空蒸着装置による成膜と較べると成膜速度が遅いという問題があった。特に金属の酸化膜の成膜においてこの問題は深刻であった。
【０００６】
特許文献１で提案された方法は、成膜レートを安定させる為にターゲットの温度検出手段と昇熱手段と温度制御手段とを設けたものであり、成膜速度が遅いという問題を充分に解決するものではなかった。
【０００７】
本発明の目的は上記課題を解決するものであり、成膜速度が速いマグネトロンスパッタ源及びマグネトロンスパッタ装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決する為の手段】
以上の課題を解決する為に、本発明の第１の態様のマグネトロンスパッタ源は、ターゲットを設置可能なバッキングプレートと、マグネトロン磁場を発生する磁石とを具えるマグネトロンスパッタ源であって、前記バッキングプレートの前記ターゲット設置側の面又は該面の近傍に前記ターゲットを加熱する為の加熱機構と、前記バッキングプレートの前記ターゲットのある側と反対側に前記磁石を冷却する為の冷却機構とを具えるものである。
【０００９】
本発明の第２の態様のマグネトロンスパッタ源は、第１の態様のマグネトロンスパッタ源であって、前記加熱機構が、前記バッキングプレートの前記ターゲット設置側に設けられた面発熱体を有し、前記ターゲットと前記バッキングプレートとが電気的に接続可能となる接触部を有し、前記面発熱体が前記バッキングプレートと前記ターゲットとの両方から電気的に絶縁されているものである。
【００１０】
本発明の第３の態様のマグネトロンスパッタ源は、第２の態様のマグネトロンスパッタ源であって、前記面発熱体の前記ターゲット設置側に第１の電気絶縁体が、前記面発熱体と前記バッキングプレートとの間に第２の電気絶縁体が各々配設され、前記第１の電気絶縁体の熱伝導率が前記第２の電気絶縁体の熱伝導率よりも高いものである。
【００１１】
本発明の第４の態様のマグネトロンスパッタ源は、第３の態様のマグネトロンスパッタ源であって、前記第１の電気絶縁体が第１の厚みを有し、前記第２の電気絶縁体が第２の厚みを有し、前記第１の厚みが前記第２の厚みよりも小さいものである。
【００１２】
本発明の第５の態様のマグネトロンスパッタ源は、第３の態様のマグネトロンスパッタ源であって、前記第２の電気絶縁体が、多孔質部分を具えるものである。
【００１３】
本発明の第６の態様のマグネトロンスパッタ源は、第３の態様のマグネトロンスパッタ源であって、前記第２の電気絶縁体の前記バッキングプレートに対向する面、又は前記第２の電気絶縁体の前記面発熱体に対向する面に、前記第２の電気絶縁体と前記バッキングプレート又は前記面発熱体との接触面積を低減する為に凹部が設けられているものである。
【００１４】
本発明の第７の態様のマグネトロンスパッタ源は、第１〜第６の態様の何れかのマグネトロンスパッタ源であって、前記加熱機構と前記第２の電気絶縁体との間に熱反射板が配設されているものである。
【００１５】
本発明の第８の態様のマグネトロンスパッタ装置は、第１〜第７の態様の何れかのマグネトロンスパッタ源を真空槽内に具え、該マグネトロンスパッタ源から放出させた物質粒子を基板表面に堆積させるものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
［第１実施形態］
図１、図２は、各々第１実施形態のマグネトロンスパッタ源を示す平面図及び断面図である。
【００１７】
図２にて、本実施形態のマグネトロンスパッタ源は、加熱機構１、金属ターゲット２、バッキングプレート３、磁石４、冷却水路壁１４、冷却水路７、冷却水流入口８、冷却水流出口９、ヒータ電源５、及びスパッタ電源６から構成される。ヒータ電源５は必要な加熱用電力を加熱機構１に出力し、スパッタ電源６は冷却水路壁１４を経由してバッキングプレート３に直流電圧を出力する。又、冷却水流入口８は冷却水供給源（不図示）に接続され、冷却水流出口９は流出先（不図示）に接続される。
【００１８】
図２に示すように、本実施形態のマグネトロンスパッタ源の加熱機構１は、バッキングプレート３と金属ターゲット２との間に設けられ、金属ターゲット２を加熱する。金属ターゲット２の加熱は加熱機構１からの熱伝導で行なうことが好ましい。その為に、加熱機構１は面状の加熱面を持つ面発熱体から構成されることが好ましい。この面状の加熱面を金属ターゲット２に接触させ、熱伝導によって金属ターゲット２を加熱する。この面発熱体の好ましい例としては、ＳｉＣヒーターユニット（住友大阪セメント社製）がある。このＳｉＣヒータは、プラズマＣＶＤ成膜したＳｉＣ膜をヒータ線状にパターン化した平面加熱ヒータであり、酸化に強く、真空中で高温均一加熱することに適している。
【００１９】
加熱機構１としては、熱伝導による以外に熱輻射によっても良い。具体的にはランプヒータ等を用いて加熱する。この場合には、加熱機構は金属ターゲット２の側方に、又は斜め上方に設けても良い。
【００２０】
又、図２に示すように、本実施形態のマグネトロンスパッタ源には、バッキングプレート３に対し加熱機構１の対向側に冷却機構が設けられている。冷却水路７、冷却水流入口８、冷却水流出口９、及び冷却水路壁１４がこの冷却機構を構成している。冷却水流入口８から流入させた冷却水を冷却水路７を通して冷却水流出口９から排出させる。この間冷却水路７を流れる冷却水によって磁石４が冷却される。
【００２１】
本実施形態のマグネトロンスパッタ源は、金属ターゲット２をバッキングプレート３に電気的に接続している。この電気的接続を行なう為に、金属ターゲット２に凸部１０を設け、凸部１０にはネジ穴を設けている。又、加熱機構１の一部に貫通孔１１を、バッキングプレート３には座ぐりを設けている。凸部１０を貫通孔１１に嵌挿して、加熱機構１を金属ターゲット２とバッキングプレート３とで挟み込み、バッキングプレート３の下方から金属ボルト１２をねじ込んでねじ止めする。金属ボルト１２の頭部の上面とその突き当て面である前記座ぐりの上面との間にはＯリング１３を設けているので、以上のようにネジ止めすることによって、バッキングプレート３を金属ターゲット２に電気的に接続すると共に冷却水路７からの冷却水の漏れを防ぐことができる。尚、凸部１０は、金属ターゲット２の一部ではなくて、金属ターゲット２との導電性を保って金属ターゲット２に固設された他の導電性材料から構成されても良い。
【００２２】
本実施形態のマグネトロンスパッタ源は、真空中で直流電圧と磁石４の働きでマグネトロンプラズマを発生させ、このマグネトロンプラズマによって金属ターゲット２の原子をスパッタする点では、従来のマグネトロンスパッタ源と同様である。
【００２３】
本実施形態のマグネトロンスパッタ源は、バッキングプレート３を金属ターゲット２に電気的に接続しているので、スパッタ電源６からバッキングプレート３を経由して金属ターゲット２全面に直流電力を供給することができ、磁石４の働きと合わせて所望の態様のマグネトロンプラズマを発生させることができる。
【００２４】
本実施形態のマグネトロンスパッタ源は、バッキングプレート３の一方の側で金属ターゲット２を加熱し、その対向する側では磁石４を冷却することに特徴がある。その為に、図２に示したマグネトロンスパッタ源は、バッキングプレート３の一方の側に金属ターゲット２を加熱する為の加熱機構１を設け、その対向する側に磁石４を冷却する為の冷却機構を設けている。
【００２５】
本実施形態のマグネトロンスパッタ源は、スパッタ中に、加熱機構１によって金属ターゲット２を加熱し、同時に上記冷却機構によって磁石４を冷却する。
【００２６】
本実施形態のマグネトロンスパッタ源では、金属ターゲット２を加熱してその温度を高くしているので、金属ターゲットを加熱せずその温度が低いときと較べると、金属ターゲット２への投入マグネトロンプラズマのエネルギー（例えばイオン電流）が比較的小さくても、スパッタ率（金属ターゲットから金属ターゲット原子がスパッタされる速度）が高く、従って、スパッタ成膜速度を高めることが出来る。その結果、比較的小型の金属ターゲット２、又、小容量のスパッタ電源６であっても高い成膜速度を得ることができる。
【００２７】
又、本実施形態のマグネトロンスパッタ源は、金属ターゲット２を加熱すると共に、上記冷却機構によって磁石４を冷却している。一般に磁石の温度が高くなるとその磁力は弱まる。本実施形態のマグネトロンスパッタ源は、磁石４を冷却してその温度上昇を防いでいるので、磁石４の磁力は好ましい大きさに保たれ、従って、安定した好ましいマグネトロンプラズマを発生することができ、その結果、スパッタを安定させることができる。
【００２８】
以上のように、本実施形態のマグネトロンスパッタ源によれば、スパッタ率が高くて成膜速度が速く、且つスパッタが安定している。
［第２実施形態］
図１、図３は、各々第２実施形態のマグネトロンスパッタ源を示す平面図及び断面図である。
【００２９】
図３に示すように、本実施形態のマグネトロンスパッタ源は、第１の絶縁体１５と第２の絶縁体１６とリング状絶縁体１７とが設けられている点でのみ第１実施形態のマグネトロンスパッタ源と異なる。
【００３０】
第１の絶縁体１５は金属ターゲット２と加熱機構１との間に設けられ、金属ターゲット２から加熱機構１を電気的に絶縁する。又、第１の絶縁体１５には貫通孔１１に対応する位置に貫通孔が開けられている。
【００３１】
第２の絶縁体１６は加熱機構１とバッキングプレート３との間に設けられ、加熱機構１をバッキングプレート３から電気的に絶縁する。又、第２の絶縁体１６には貫通孔１１と対応する位置に貫通孔が開けられている。
【００３２】
リング状絶縁体１７は円筒状であり、貫通孔１１と第１の絶縁体の貫通孔と第２の絶縁体の貫通孔とに嵌挿される。又、リング状絶縁体１７の円筒の内部空間に凸部１０が嵌挿され、この円筒の内部空間の凸部１０に金属ボルト１２がねじ込まれてねじ止めされる。このようにして、加熱機構１を凸部１０及び金属ボルト１２から絶縁している。
【００３３】
第１の絶縁体１５、第２の絶縁体１６、及びリング状絶縁体１７としては絶縁用セラミックや絶縁用樹脂を用いることができる。
【００３４】
以上の構成を採ることにより、本実施形態のマグネトロンスパッタ源は、第１実施形態の効果に加えて、加熱機構１が、バッキングプレート３と金属ターゲット２と凸部１０と金属ボルト１２とから確実に絶縁され、安定して加熱機構を働かせることができるという効果を奏する。
【００３５】
本実施形態のマグネトロンスパッタ源は、第１の絶縁体１５の熱伝導率を第２の絶縁体１６の熱伝導率よりも大きくすることがより好ましい。第１の絶縁体１５は第２の絶縁体１６よりも材料自体の熱伝導度を大きくすることが好ましいが、材料自体は同じであっても、第１の絶縁体１５の厚みを薄くして熱伝導率を大きくし、第２の絶縁体１６の厚みを厚くして熱伝導率を小さくすることも好ましい方法である。更に、第１の電気絶縁体１５の充填率を高くし、第２の電気絶縁体１６を充填率の低い多孔質性のものにすることによっても、第１の電気絶縁体１５の熱伝導率を高く、第２の電気絶縁体１６の熱伝導率を低くすることができる。更に、第２の電気絶縁体１６の加熱機構１の側又はバッキングプレート３の側の面に、第２の電気絶縁体１６の加熱機構１又はバッキングプレート３への接触面積を低減するための凹部を設けることによっても第２の電気絶縁体１６の熱伝導率を実質的に低くすることができる。
【００３６】
以上のような構成を採ることにより、本実施形態のマグネトロンスパッタ源は、第１の絶縁体１５の熱伝導率が大きくなるので、第１の絶縁体１５にこのような配慮をしない場合よりも、加熱機構１による金属ターゲット２の加熱効果を高め、従って、スパッタ率を高め、その結果スパッタ成膜速度を高めることができる。又、第２の絶縁体１６の熱伝導度が小さくなるので、第２の絶縁体１６にこのような配慮をしない場合よりも、加熱機構１からバッキングプレート３へ伝わる熱量を低減し、従って、バッキングプレート３の温度上昇を抑制し、その結果、バッキングプレート３の下方にある磁石４を冷却機構によって効果的に冷却することができる。その結果、本実施形態のマグネトロンスパッタ源は、より安定した好ましいマグネトロンプラズマを発生させることができ、スパッタをより安定させることができる。
［第３実施形態］
図１、図４は、各々第３実施形態のマグネトロンスパッタ源を示す平面図及び断面図である。
【００３７】
図４に示すように、本実施形態のマグネトロンスパッタ源は、熱反射板１８が設けられている点でのみ、第２実施形態のマグネトロンスパッタ源と異なる。
【００３８】
図４の場合には、熱反射板１８は、加熱機構１と第２の絶縁体１６との間に設けられ、加熱機構１から発する熱を反射して第２の絶縁体へ伝わる熱量を低減する。
【００３９】
熱反射板１８としては、他にも加熱機構からの輻射熱を反射するために加熱機構１から所定間隔を隔てた位置に加熱機構の面に平行に反射板を１枚設けても、又は遮蔽板的に複数の反射板を互いに所定間隔を隔てて平行に設けても良い。
【００４０】
以上のような構成を採ることにより、本実施形態のマグネトロンスパッタ源は、第２の絶縁体１５の上面の温度を第２実施形態のマグネトロンズパッタ源よりも低下させることができるので、加熱機構１からバッキングプレート３へ伝わる熱量を更に低減し、バッキングプレート３の温度上昇を更に抑制し、その結果、バッキングプレート３の下方にある磁石４を更に効果的に冷却することができ、その結果、更に安定した好ましいマグネトロンプラズマを発生させることができ、スパッタを更に安定させることができる。
【００４１】
以上、第１〜第３実施形態におけるマグネトロンスパッタ源は、スパッタ電源６が直流電圧を発生し、ＤＣマグネトロンスパッタを行なうものとして説明したが、本発明はスパッタ電源７が高周波電圧を発生し、ＲＦマグネトロンスパッタを行なうマグネトロンスパッタ源をも含むことは言うまでもない。
［第４実施形態］
図５、図６は、各々第４実施形態のマグネトロンスパッタ源を示す平面図及び断面図である。
【００４２】
本実施形態のマグネトロンスパッタ源は、誘電体をスパッタ成膜するマグネトロンスパッタ源であり、第３実施形態のマグネトロンスパッタ源とは金属ターゲット２を金属板２に置き換え、金属板２の上に誘電体ターゲット１９を貼り付けた点で異なる。又、本実施形態のマグネトロンスパッタ源では、スパッタ電源６として直流電源ではなくて高周波電源が用い、ＲＦマグネトロンスパッタを行なう。
【００４３】
金属板２は誘電体ターゲット１９を加熱する為に加熱機構１からの熱を伝える機能、スパッタ電極としての機能を有する。金属板２の材料として、誘電体ターゲット１９の加熱効率を高める為に熱電導率が高く、且つ融点が高いことが好ましく、銅は好ましい材料の一つである。
【００４４】
本実施形態のマグネトロンスパッタ源は、以上のような構成を採ることにより、
第３実施形態のマグネトロンスパッタ源の効果と合わせて、誘電体をスパッタ成膜することが可能となる。
【００４５】
尚、本実施形態のマグネトロンスパッタ源の変形例として図２又は図３のタイプのマグネトロンスパッタ源の金属ターゲット２を金属板２に置き換え、その上に誘電体ターゲットを貼り付けたタイプも考えられる。各々の場合の効果は対応する第１、第２実施形態のマグネトロンスパッタ源の効果に準ずる。
［第５実施形態］
図７は、第５実施形態のマグネトロンスパッタ装置の概要を示す図である。
【００４６】
本実施形態のマグネトロンスパッタ装置には、本発明のマグネトロンスパッタ源がスパッタ源として設けられている。
【００４７】
図７に於いて、３２がマグネトロンスパッタ源である。本実施形態のマグネトロンスパッタ装置は、マグネトロンスパッタ源３２を２台具えたデュアルカソードタイプであり、交流のスパッタを行なう。この交流の周波数は例えば４０ｋＨｚであり、２つのターゲット３２に対し２５μｓｅｃの周期で交互にスパッタリングを行なう。これら２台のマグネトロンスパッタ源は、共に、バッキングプレートの一方の側でターゲットを加熱し、その対向する側では磁石を冷却する。
【００４８】
図７にて、３０は真空槽、３１は真空排気系、３２は交流デュアルカソードタイプのマグネトロンスパッタ源、左右の３３は金属のターゲット、２０は基板、３５は基板３４を保持するターンテーブル、３６は真空槽内の全圧を測定する真空計、３７はアルゴンガス用流量制御バルブ、３８はアルゴンガス供給源、３９は酸素ガス用流量制御バルブ、４０は酸素ガス供給源、４１は圧力制御器である。尚、本実施形態のマグネトロンスパッタ装置は、不図示の位置に第１の金属とは異なる第２の金属のターゲットを具えた第２の交流デュアルカソードタイプのマグネトロンスパッタ源を具えても良い。アルゴンガスは流量制御バルブ３７を介して真空槽３０に導入され、酸素ガスは流量制御バルブ３９を介して真空槽３０に導入される。圧力制御器４１は、真空計３６により検出された真空槽内の全圧力が所定圧力を保ち、且つ、アルゴンガスと酸素ガスの流量比が所定値を保つように、ガスの流量を調節する。ここでターゲット３３と基板２０との距離は例えば約１２０ｍｍ、基板２０の回転速度は１００ｒｐｍである。
【００４９】
本実施形態のマグネトロンスパッタ装置は以下のように作動する。真空槽の全圧を所定値に制御した状態で、交流デュアルカソードスパッタ源３２の電源がＯＮして放電を開始し、ターゲットから第１の金属をスパッタさせる。本マグネトロンスパッタ装置は、導入された酸素ガスがスパッタされた金属原子に化学的に作用し反応するので、第１の金属をスパッタさせることにより、第１の金属の酸化物薄膜を基板２０面上に堆積させることができる。
【００５０】
第１の金属の酸化物薄膜が所定膜厚に達したら、成膜を終了させ、次には第２のマグネトロンスパッタ源をＯＮさせ、第２の金属をスパッタさせることにより第２の金属の酸化物薄膜を基板２０面上に堆積させる。第２の金属の酸化物薄膜が所定膜厚に達したら、成膜を終了させる。
【００５１】
このように、第１、第２の金属を交互に成膜することによって、第１の金属の酸化膜と第２の金属の酸化膜との交互層を基板面上に形成することができる。
例えば、第１の金属としてＳｉを、第２の金属としてＮｂを用いれば、ＳｉＯ２層とＮｂ２Ｏ５層との交互層を基板面上に形成することができる。
【００５２】
本実施形態のマグネトロンスパッタ装置は、本発明のマグネトロンスパッタ源を具えているので、成膜速度が速く、その結果生産量が多い。更に本実施形態のマグネトロンスパッタ装置で用いているスパッタ源は金属ターゲットをスパッタして基板面上で酸化させて成膜する反応性の交流デュアルカソードタイプであるので、酸化物薄膜が緻密であるばかりでなく成膜速度が本来的に速い。本実施形態のマグネトロンスパッタ装置のマグネトロンスパッタ源では更にターゲットを加熱しているので、相乗的に成膜速度が速く、生産量が多い。従って、本実施形態のマグネトロンスパッタ装置は特に酸化膜の成膜に適している。
【００５３】
以上第５の実施形態のマグネトロンスパッタ装置は、スパッタ源として交流デュアルカソードタイプのマグネトロンスパッタ源を設けた場合を説明したが、本発明のマグネトロンスパッタ装置はスパッタ源としてをマグネトロンスパッタ源を１台具えたＤＣ又はＲＦマグネトロンスパッタ装置をも、又、容易に考えつく他の全ての変形例をもその発明範囲に含む。
【００５４】
【発明の効果】
本発明のマグネトロンスパッタ源によれば、ターゲットを加熱すると共に磁石を冷却する機構を具えているので、スパッタ率が高い為に成膜速度が速く、且つ安定的なスパッタ成膜を行なうことができる。
【００５５】
又、本発明のマグネトロンスパッタ装置によれば、成膜速度が速く安定的なマグネトロンスパッタ源を具えているので、生産量が多く、且つ生産が安定している。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１〜第３実施形態のマグネトロンスパッタ源に共通の平面図である。
【図２】第１実施形態のマグネトロンスパッタ源の断面図である。
【図３】第２実施形態のマグネトロンスパッタ源の断面図である。
【図４】第３実施形態のマグネトロンスパッタ源の断面図である。
【図５】第４実施形態のマグネトロンスパッタ源の平面図である。
【図６】第４実施形態のマグネトロンスパッタ源の断面図である。
【図７】第５実施形態のマグネトロンスパッタ装置の概要図である。
【符号の説明】
１    加熱機構（面発熱体）
２    金属ターゲット（金属板）
３    バッキングプレート
４    磁石
５    ヒータ電源
６    スパッタ電源
７    冷却水路
８    冷却水流入口
９    冷却水流出口
１０  凸部
１１  貫通孔
１２  金属ボルト
１３  Ｏリング
１４  冷却水路壁
１５  第１の電気絶縁体
１６  第２の電気絶縁体
１７  リング状電気絶縁体
１８  熱反射板
１９  誘電体ターゲット
３２  マグネトロンスパッタ源
３３  金属ターゲット
２０  基板
３０  真空槽
【図１】
2005002396.tif 000003
【図２】
2005002396.tif 000004
【図３】
2005002396.tif 000005
【図４】
2005002396.tif 000006
【図５】
2005002396.tif 000007
【図６】
2005002396.tif 000008
【図７】
2005002396.tif 000009