(57)【要約】【課題】半導体装置に設けられたヒューズの面積を縮小する。【解決手段】開口部４ａの周囲の層間絶縁膜３を露出させた状態で、バリアメタル膜５およびタングステン膜６の研磨を行い、層間絶縁膜３の削り屑７を開口部４ａ内に堆積させることにより、タングステンプラグ６ｂ上に削り屑７が積層されたヒューズを形成する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒューズの両端が異なる層にそれぞれ配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁層上に形成された下層配線層と、
前記下層配線層上に形成された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上に形成された上層配線層と、
前記層間絶縁層に形成された開口部と、
前記開口部の途中まで埋め込まれ、前記下層配線層と前記上層配線層とを接続するプラグと、
前記開口部に埋め込まれ、前記プラグと前記上層配線層とを絶縁する埋め込み絶縁層とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁層上に形成された下層配線層と、
前記下層配線層上に形成された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上に形成された上層配線層と、
前記層間絶縁層に形成された第１開口部と、
前記第１開口部の途中まで埋め込まれ、前記下層配線層と前記上層配線層とを接続する第１プラグと、
前記第１開口部に埋め込まれ、前記第１プラグと前記上層配線層とを絶縁する埋め込み絶縁層と、
前記層間絶縁層に形成された第２開口部と、
前記第２開口部に埋め込まれ、前記下層配線層および前記上層配線層に接続された第２プラグとを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記埋め込み絶縁層は、前記層間絶縁層の削り屑であることを特徴とする請求項２または３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記埋め込み絶縁層は、前記第１開口部に埋め込まれた堆積膜であることを特徴とする請求項２または３記載の半導体装置。
【請求項６】
絶縁層上に下層配線層を形成する工程と、
前記下層配線層上に層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層に開口部を形成する工程と、
前記下層配線層に接続され、前記開口部の途中まで埋め込まれたプラグを形成する工程と、
前記開口部内のプラグ上に埋め込み絶縁層を形成する工程と、
前記埋め込み絶縁層を介して前記プラグに接続される上層配線層を前記層間絶縁層上に形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
絶縁層上に下層配線層を形成する工程と、
前記下層配線層上に層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層に第１および第２開口部を形成する工程と、
前記第１および第２開口部が埋め込まれるようにして前記層間絶縁層上にタングステン膜を成膜する工程と、
前記第１開口部の周囲のタングステン膜を選択的に除去することにより、前記第１開口部内に第１タングステンプラグを形成する工程と、
前記選択的に除去されたタングステン膜の研磨を行うことにより、前記第２開口部の周囲の層間絶縁層を露出させ、前記第２開口部内に第２タングステンプラグを形成するとともに、前記第１開口部内の前記第１タングステンプラグ上に研磨屑を積層する工程と、
第２タングステンプラグに接続されるとともに、前記研磨屑を介して第１タングステンプラグに接続される上層配線層を前記層間絶縁層上に形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
絶縁層上に下層配線層を形成する工程と、
前記下層配線層上に層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層に第１および第２開口部を形成する工程と、
前記第１および第２開口部が埋め込まれるようにして前記層間絶縁層上にタングステン膜を成膜する工程と、
前記タングステン膜の研磨を行うことにより、前記層間絶縁層を露出させ、前記第１および前記第２開口部内に第１および第２タングステンプラグをそれぞれ形成する工程と、
前記第１開口部内に埋め込まれた前記第１タングステンプラグの上部を除去する工程と、
前記第１タングステンプラグの上部が除去された前記第１開口部内が埋め込まれるように前記層間絶縁層上に絶縁膜を成膜する工程と、
前記絶縁膜の研磨を行うことにより、前記第２タングステンプラグの表面を露出させるとともに、前記第１開口部内の前記第１タングステンプラグ上に埋め込み絶縁層を形成する工程と、
前記第２タングステンプラグに接続されるとともに、前記埋め込み絶縁層を介して第１タングステンプラグに接続される上層配線層を前記層間絶縁層上に形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、ヒューズ構造に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置では、例えば、特許文献１に開示されているように、工程増を伴うことなく、耐腐食性に優れた材料からなるヒューズを形成するために、プラグと同一の材料を用いてプラグと同層にヒューズを設ける方法が行なわれている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−１２１７１２号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のヒューズ構造では、ヒューズの両端が同一面上に配置されているため、ヒューズとコンタクトをとるための領域を同一面上に設ける必要があり、ヒューズ面積が大きくなるという問題があった。
そこで、本発明の目的は、ヒューズ面積を縮小することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、ヒューズの両端が異なる層にそれぞれ配置されていることを特徴とする。
これにより、ヒューズとコンタクトをとるための領域を重ねて配置することが可能となり、ヒューズとコンタクトをとるための領域を同一面上に設ける必要がなくなることから、ヒューズ面積を縮小することが可能となる。
【０００６】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、絶縁層上に形成された下層配線層と、前記下層配線層上に形成された層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に形成された上層配線層と、前記層間絶縁層に形成された開口部と、前記開口部の途中まで埋め込まれ、前記下層配線層と前記上層配線層とを接続するプラグと、前記開口部に埋め込まれ、前記プラグと前記上層配線層とを絶縁する埋め込み絶縁層とを備えることを特徴とする。
【０００７】
これにより、プラグが埋め込まれた開口部内に絶縁層を埋め込むことが可能となり、縦方向に配置されたヒューズを開口部内に自己整合的に形成することが可能となるとともに、ヒューズの上下でコンタクトをとることが可能となる。このため、ヒューズを微細化することが可能となり、ヒューズ面積を縮小することが可能となる。
【０００８】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、絶縁層上に形成された下層配線層と、前記下層配線層上に形成された層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に形成された上層配線層と、前記層間絶縁層に形成された第１開口部と、前記第１開口部の途中まで埋め込まれ、前記下層配線層と前記上層配線層とを接続する第１プラグと、前記第１開口部に埋め込まれ、前記第１プラグと前記上層配線層とを絶縁する埋め込み絶縁層と、前記層間絶縁層に形成された第２開口部と、前記第２開口部に埋め込まれ、前記下層配線層および前記上層配線層に接続された第２プラグとを備えることを特徴とする。
【０００９】
これにより、層間接続用プラグの形成に併せて、縦方向に配置されたヒューズを開口部内に自己整合的に形成することが可能となるとともに、ヒューズの上下でコンタクトをとることが可能となる。このため、工程数の増加を抑制しつつ、微細化されたヒューズを形成することが可能となり、ヒューズ面積を縮小することが可能となるとともに、スループットの低下を抑制することが可能となる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記埋め込み絶縁層は、前記層間絶縁層の削り屑であることを特徴とする。
これにより、第２プラグを第２開口部に埋め込むための研磨工程にて、第１開口部に埋め込まれた第１プラグの絶縁を図ることが可能となる。このため、第２プラグを第２開口部に埋め込むための研磨工程を流用することで、縦方向に配置されたヒューズを第１開口部内に自己整合的に形成することが可能となり、工程数の増加を抑制しつつ、ヒューズ面積を縮小することが可能となる。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記埋め込み絶縁層は、前記第１開口部に埋め込まれた堆積膜であることを特徴とする。
これにより、第１開口部に埋め込まれた第１プラグ上に埋め込み絶縁層を安定して形成することが可能となるとともに、埋め込み絶縁層の膜厚を精度よく設定することが可能となる。このため、縦方向に配置されたヒューズを第１開口部内に自己整合的に形成することを可能として、ヒューズ面積を縮小することが可能となるとともに、ヒューズを導通させるために必要な電圧を精度よく設定することが可能となる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、絶縁層上に下層配線層を形成する工程と、前記下層配線層上に層間絶縁層を形成する工程と、前記層間絶縁層に開口部を形成する工程と、前記下層配線層に接続され、前記開口部の途中まで埋め込まれたプラグを形成する工程と、前記開口部内のプラグ上に埋め込み絶縁層を形成する工程と、前記埋め込み絶縁層を介して前記プラグに接続される上層配線層を前記層間絶縁層上に形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１３】
これにより、縦方向に配置されたヒューズを開口部内に自己整合的に形成することが可能となるとともに、ヒューズの上下でコンタクトをとることが可能となり、ヒューズ構造の積層化を可能として、ヒューズ面積を縮小することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、絶縁層上に下層配線層を形成する工程と、前記下層配線層上に層間絶縁層を形成する工程と、前記層間絶縁層に第１および第２開口部を形成する工程と、前記第１および第２開口部が埋め込まれるようにして前記層間絶縁層上にタングステン膜を成膜する工程と、前記第１開口部の周囲のタングステン膜を選択的に除去することにより、前記第１開口部内に第１タングステンプラグを形成する工程と、前記選択的に除去されたタングステン膜の研磨を行うことにより、前記第２開口部の周囲の層間絶縁層を露出させ、前記第２開口部内に第２タングステンプラグを形成するとともに、前記第１開口部内の前記第１タングステンプラグ上に研磨屑を積層する工程と、第２タングステンプラグに接続されるとともに、前記研磨屑を介して第１タングステンプラグに接続される上層配線層を前記層間絶縁層上に形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１４】
これにより、層間接続用の第２タングステンプラグの形成に併せて、第１タングステンプラグが埋め込まれた第１開口部内に絶縁層を埋め込むことが可能となる。このため、縦方向に配置されたヒューズを第１開口部内に自己整合的に形成することが可能となり、工程数の増加を抑制しつつ、ヒューズ面積を縮小することが可能となる。
【００１５】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、絶縁層上に下層配線層を形成する工程と、前記下層配線層上に層間絶縁層を形成する工程と、前記層間絶縁層に第１および第２開口部を形成する工程と、前記第１および第２開口部が埋め込まれるようにして前記層間絶縁層上にタングステン膜を成膜する工程と、前記タングステン膜の研磨を行うことにより、前記層間絶縁層を露出させ、前記第１および前記第２開口部内に第１および第２タングステンプラグをそれぞれ形成する工程と、前記第１開口部内に埋め込まれた前記第１タングステンプラグの上部を除去する工程と、前記第１タングステンプラグの上部が除去された前記第１開口部内が埋め込まれるように前記層間絶縁層上に絶縁膜を成膜する工程と、前記絶縁膜の研磨を行うことにより、前記第２タングステンプラグの表面を露出させるとともに、前記第１開口部内の前記第１タングステンプラグ上に埋め込み絶縁層を形成する工程と、前記第２タングステンプラグに接続されるとともに、前記埋め込み絶縁層を介して第１タングステンプラグに接続される上層配線層を前記層間絶縁層上に形成する工程とを備えることを備えることを特徴とする。
【００１６】
これにより、層間接続用の第２タングステンプラグの形成に併せて、第１タングステンプラグが埋め込まれた第１開口部内に絶縁層を安定して埋め込むことが可能となり、縦方向に配置されたヒューズを第１開口部内に自己整合的に形成することを可能として、ヒューズ面積を縮小することが可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１および図２は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【００１８】
図１（ａ）において、例えば、ＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ／ＴｉＮを絶縁層１上に順次スパッタし、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、ＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ／ＴｉＮからなる積層構造をパターニングすることにより、絶縁層１上に下層配線層２ａ、２ｂを形成する。
そして、例えば、高密度プラズマＣＶＤにより、下層配線層２ａ、２ｂ間の隙間の深い部分が埋め込まれるように、層間絶縁膜３を下層配線層２ａ、２ｂ上に形成する。
【００１９】
ここで、高密度プラズマＣＶＤを用いて層間絶縁膜３を形成することにより、ギャップフィル特性を向上させることが可能となり、下層配線層２ａ、２ｂのアスペクト比が高く、間隔が狭い場合においても、下層配線層２ａ、２ｂ間の隙間を精度よく埋め込むことができる。
なお、下層配線層２ａ、２ｂ上に層間絶縁膜３を形成する場合、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いたプラズマＣＶＤにより、層間絶縁膜３を成膜するようにしてもよい。
【００２０】
そして、層間絶縁膜３が下層配線層２ａ、２ｂ上に形成されると、例えば、ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学的機械的研磨）を用いて、層間絶縁膜３の表面を研磨することにより、層間絶縁膜３の表面を平坦化する。
そして、層間絶縁膜３の表面が平坦化されると、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、層間絶縁膜３をパターニングすることにより、下層配線層２ａ、２ｂをそれぞれ露出させる開口部４ａ、４ｂを層間絶縁膜３に形成する。
【００２１】
そして、開口部４ａ、４ｂが層間絶縁膜３に形成されると、スパッタリングなどの方法を用いてＴｉ／ＴｉＮを順次成膜することにより、開口部４ａ、４ｂが設けられた層間絶縁膜３にバリアメタル膜５を形成する。そして、層間絶縁膜３にバリアメタル膜５が形成されると、例えば、ＷＦ６／ＳｉＨ４／Ｈ２／Ａｒ系ガスを用いたＣＶＤを行うことにより、タングステン膜６をバリアメタル膜５上に形成する。
【００２２】
次に、図１（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、バリアメタル膜５およびタングステン膜６をパターニングすることにより、開口部４ｂの周囲の層間絶縁膜３をバリアメタル膜５およびタングステン膜６で覆ったまま、開口部４ａの周囲のバリアメタル膜５およびタングステン膜６を除去し、開口部４ａ内に埋め込まれたタングステンプラグ６ａを形成する。
【００２３】
次に、図２（ａ）に示すように、ＣＭＰを用いて、バリアメタル膜５およびタングステン膜６の研磨を行うことにより、開口部４ｂの周囲の絶縁膜３の表面を露出させ、開口部４ｂ内に埋め込まれたタングステンプラグ６ｂを形成する。ここで、開口部４ａの周囲のバリアメタル膜５およびタングステン膜６を除去してからＣＭＰを行うことにより、開口部４ａの周囲の層間絶縁膜３が露出された状態で、バリアメタル膜５およびタングステン膜６の研磨を行うことができる。このため、バリアメタル膜５およびタングステンプラグ６ａの表面を削り取りながら、層間絶縁膜３の削り屑７を開口部４ａ内に堆積させることができ、バリアメタル膜５およびタングステンプラグ６ａの表面に絶縁層を自己整合的に形成することができる。
【００２４】
次に、図２（ｂ）に示すように、例えば、ＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ／ＴｉＮを層間絶縁膜３上に順次スパッタし、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、ＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ／ＴｉＮからなる積層構造をパターニングすることにより、タングステンプラグ６ｂに接続された上層配線層８ｂを層間絶縁膜３上に形成するとともに、削り屑７を介してタングステンプラグ６ａに接続された上層配線層８ａを層間絶縁膜３上に形成する。
【００２５】
ここで、タングステンプラグ６ａ上に削り屑７を設けることにより、開口部４ａ内にヒューズを形成することが可能となる。そして、下層配線層２ａと上層配線層８ａとの間に電圧を印加して、タングステンプラグ６ａに電流を流し、タングステンプラグ６ａ上の削り屑７を焼き切ることにより、開口部４ａ内に形成されたヒューズを導通させることができる。
【００２６】
これにより、上層配線層８ｂと下層配線層２ｂとを接続するためのタングステンプラグ６ｂの形成に併せて、縦方向に配置されたヒューズを開口部４ａ内に自己整合的に形成することが可能となるとともに、上層配線層８ａおよび下層配線層２ａをヒューズの上下にそれぞれ配置することを可能として、ヒューズの上下でコンタクトをとることが可能となる。このため、工程数の増加を抑制しつつ、ヒューズ構造を積層化することが可能となり、ヒューズを微細化することを可能として、ヒューズ面積を縮小することが可能となる。
【００２７】
図３〜図５は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
図３（ａ）において、例えば、ＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ／ＴｉＮを絶縁層１１上に順次スパッタし、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、ＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ／ＴｉＮからなる積層構造をパターニングすることにより、絶縁層１１上に下層配線層１２ａ、１２ｂを形成する。
【００２８】
そして、例えば、高密度プラズマＣＶＤにより、下層配線層１２ａ、１２ｂ間の隙間の深い部分が埋め込まれるように、層間絶縁膜１３を下層配線層１２ａ、１２ｂ上に形成する。
そして、層間絶縁膜１３が下層配線層１２ａ、１２ｂ上に形成されると、例えば、ＣＭＰを用いて、層間絶縁膜１３の表面を研磨することにより、層間絶縁膜１３の表面を平坦化する。
【００２９】
そして、層間絶縁膜１３の表面が平坦化されると、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、層間絶縁膜１３をパターニングすることにより、下層配線層１２ａ、１２ｂをそれぞれ露出させる開口部１４ａ、１４ｂを層間絶縁膜１３に形成する。
そして、開口部１４ａ、１４ｂが層間絶縁膜１３に形成されると、スパッタリングなどの方法を用いてＴｉ／ＴｉＮを順次成膜することにより、開口部１４ａ、１４ｂが設けられた層間絶縁膜１３にバリアメタル膜１５を形成する。そして、層間絶縁膜１３にバリアメタル膜１５が形成されると、例えば、ＷＦ６／ＳｉＨ４／Ｈ２／Ａｒ系ガスを用いたＣＶＤを行うことにより、タングステン膜１６をバリアメタル膜１５上に形成する。
【００３０】
次に、図３（ｂ）に示すように、ＣＭＰを用いて、バリアメタル膜１５およびタングステン膜１６の研磨を行うことにより、層間絶縁膜１３の表面を露出させ、開口部１４ａ、１４ｂ内にそれぞれ埋め込まれたタングステンプラグ１６ａ、１６ｂを形成する。
次に、図４（ａ）に示すように、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、バリアメタル膜１５およびタングステンプラグ１６ａの表面を選択的に除去することにより、層間絶縁膜１３とバリアメタル膜１５の境界に配置された段差を開口部１４ａに形成する。
【００３１】
次に、図４（ｂ）に示すように、ＣＶＤなどの方法により、タングステンプラグ１６ａ上の開口部１４ａが埋め込まれるようにして、層間絶縁膜１３上に絶縁膜１７を形成する。なお、絶縁膜１７としては、例えば、シリコン酸化膜を用いることができる。
次に、図５（ａ）に示すように、例えば、ＣＭＰを用いて、絶縁膜１７の表面を研磨することにより、タングステンプラグ１６ａ上の開口部１４ａ内に絶縁膜１７が埋め込まれるようにして、タングステンプラグ１６ｂの表面を露出させる。
【００３２】
次に、図５（ｂ）に示すように、例えば、ＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ／ＴｉＮを層間絶縁膜１３上に順次スパッタし、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、ＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ／ＴｉＮからなる積層構造をパターニングすることにより、タングステンプラグ１６ｂに接続された上層配線層１８ｂを層間絶縁膜１３上に形成するとともに、絶縁膜１７を介してタングステンプラグ１６ａに接続された上層配線層１８ａを層間絶縁膜１３上に形成する。
【００３３】
ここで、タングステンプラグ１６ａ上に絶縁膜１７を設けることにより、開口部１４ａ内にヒューズを安定して形成することが可能となるとともに、絶縁膜１７の膜厚を精度よく設定することが可能となる。そして、下層配線層１２ａと上層配線層１８ａとの間に電圧を印加して、タングステンプラグ１６ａに電流を流し、タングステンプラグ１６ａ上の絶縁膜１７を焼き切ることにより、開口部１４ａ内に形成されたヒューズを導通させることができる。
【００３４】
これにより、ヒューズを導通させるために必要な電圧を精度よく設定することが可能となるとともに、ヒューズ構造を積層化することが可能となる。このため、ヒューズを微細化することを可能として、ヒューズ面積を縮小することが可能となるとともに、ヒューズを安定して使用することが可能となる。
なお、上述した実施形態では、下層配線層２ａ、１２ａおよび上層配線層２ｂ、１２ｂとして、ＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ／ＴｉＮ構造をそれぞれ用いる方法について説明したが、下層配線層２ａ、１２ａおよび上層配線層２ｂ、１２ｂとして、ＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉ／ＴｉＮ構造、ＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／ＴｉＮ構造、ＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ／ＴｉＮ構造、ＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／ＴｉＮ構造、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ／ＴｉＮ構造、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉ／ＴｉＮ構造、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ／ＴｉＮ構造またはＴｉ／ＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／ＴｉＮ構造などをそれぞれ用いるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図
【図３】第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図
【図４】第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図
【図５】第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図
【符号の説明】
１、１１  絶縁層、２ａ、２ｂ、１２ａ、１２ｂ  下層配線層、３、１３  層間絶縁層、４ａ、４ｂ、１４ａ、１４ｂ  開口部、５、１５  バリアメタル膜、６、１６  タングステン膜、６ａ、６ｂ、１６ａ、１６ｂ  タングステンプラグ、７  削り屑、８ａ、８ｂ、１８ａ、１８ｂ  上層配線層、１７  絶縁膜
【図１】
2005044962.tif 000003
【図２】
2005044962.tif 000004
【図３】
2005044962.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005044962.tif 000007