(57)【要約】【課題】  凹凸パターンが形成されたファザースタンパから、ニッケル電鋳膜を形成して、第２のスタンパを形成する際に、ファザースタンパと第２のスタンパを剥離する際に、第２のスタンパ上の欠陥を減らす。【解決手段】  スタンパ製造方法は、以下の工程を有している。  ◎凹凸パターン１０２が形成されたファザースタンパ１０６の表面に対してプラズマ表面処理を行うプラズマ表面処理工程  ◎ファザースタンパ１０６の表面上に、ニッケル電鋳膜(II)１０７を形成する電鋳膜形成工程  ◎ニッケル電鋳膜(II)１０７をファザースタンパ１０６から剥離し、マザースタンパ１０８を形成する剥離工程【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸パターンが形成されたファザースタンパの表面に対してプラズマ表面処理を行うプラズマ表面処理工程と、
前記ファザースタンパの表面上に、ニッケル電鋳膜を形成する電鋳膜形成工程と、
前記ニッケル電鋳膜を前記ファザースタンパから剥離し、第２のスタンパを形成する剥離工程と、
を有することを特徴とするスタンパ製造方法。
【請求項２】
前記プラズマ表面処理工程は、少なくともアルゴンガスを用いて行うことを特徴とする請求項１に記載のスタンパ製造方法。
【請求項３】
前記プラズマ表面処理のＲＦ電源を電力５０Ｗ以上５００Ｗ以下で行うことを特徴とする請求項１または２に記載のスタンパ製造方法。
【請求項４】
前記プラズマ表面処理工程後に、前記ファザースタンパの表面の水との接触角が、前記プラズマ表面処理工程前の前記ファザースタンパの表面の水との接触角よりも２０度以上小さいことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のスタンパ製造方法。
【請求項５】
前記プラズマ表面処理工程の後であって、前記電鋳膜形成工程の前に、前記ファザースタンパの表面に水分を供給する水分供給工程をさらに有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のスタンパ製造方法。
【請求項６】
前記水分供給工程は、前記プラズマ表面処理工程の後３０分以内に開始することを特徴とする請求項５に記載のスタンパ製造方法。
【請求項７】
前記水分供給工程は、前記ファザースタンパを水に浸すことにより行うことを特徴とする請求項５または６に記載のスタンパ製造方法。
【請求項８】
前記プラズマ表面処理は、チャンバー内において行われ、
前記水分供給工程は、前記チャンバー内を水蒸気によってリークすることにより行うことを特徴とする請求項５または６に記載のスタンパ製造方法。
【請求項９】
前記プラズマ表面処理工程の後であって、前記電鋳膜形成工程の前に、前記ファザースタンパの表面をニッケル水酸化物が主成分の皮膜とする処理を行う工程をさらに有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のスタンパ製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載のスタンパ製造方法によって製造されるスタンパ。
【請求項１１】
請求項１０に記載のスタンパによって製造される光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報の再生に用いられる円盤状の光ディスクのスタンパの製造方法、スタンパおよび光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ビームを照射して情報の記録再生を行う光記録媒体は幅広く利用されており、今後もその記録密度の向上に期待が集まっている。
そこで近年、大容量の画像・音声データ、デジタルデータを再生可能な種々の光ディスクが開発され、高密度化するような研究開発が進められている。
【０００３】
従来のスタンパとしては、レーザ光などの光学手段によって情報の記録再生が行われる光記録媒体の成形用スタンパが知られている。この光記録媒体成型用のスタンパには、光記録媒体のトラッキング用溝、情報用ピットなどに対応する凹凸パターンが形成されており、この凹凸パターンを、熱可塑性樹脂、例えば、ポリカーボネート樹脂に転写することで前記光記録媒体の溝部を形成する。
【０００４】
図２は、従来のスタンパの製造方法を示す工程図である。同図に示すように、従来のスタンパの製造方法は、ガラス基板２０１上に凹凸パターン２０２を形成した原盤２０３の凹凸パターン面上に、ニッケルをスパッタして導電化処理を施すことで導電化膜２０４を形成する（図２（Ａ））。その後、ニッケルを、導電化膜２０４上に電鋳して電鋳膜(I)２０５を形成する（図２（Ｂ））。次に、導電化膜２０４と電鋳膜(I)２０５とを一体に、原盤２０３から剥離してファザースタンパ２０６を得る（図２（Ｃ））。光ディスクに用いる凹凸パターンつき基板は、多数複製されるために、実際にはファザースタンパ２０６の表面に電鋳を行い、電鋳膜(II)２０７を形成し、（図２（Ｄ））、電鋳膜(II)２０７をファザースタンパ２０６から剥離してマザースタンパ２０８を得る（図２（Ｅ））。このマザースタンパ２０８を用いて、射出成形などの方法により光ディスク基板２１０が大量に生産される。上記のスタンパの製造方法においては、導電化膜および電鋳膜の材料としてニッケルが使用されている。
【０００５】
上述の工程で問題となるのは、図２（Ｄ）の電鋳膜(II)２０７を形成する電鋳形成工程において、ファザースタンパ２０６のニッケルからなる導電化膜２０４の表面にニッケル電鋳を行い電鋳膜(II)２０７を形成しているため、電鋳膜(II)２０７をファザースタンパ２０６から剥離する場合、電鋳膜(II)２０７と導電化膜２０４とはニッケルで同じ金属同士であるために一体化して剥離できなくなることである。
【０００６】
これらの問題を改良するために、例えば、以下の１）〜２）などの手法がすでに知られている。
１）導電化膜２０４のニッケル膜に相当する表面を次亜ハロゲン酸で酸化処理することが提案されている。（例えば、特許文献１を参照。）
２）導電化膜２０４のニッケル膜に相当する表面を酸素プラズマ処理する。（例えば、特許文献２を参照。）
【特許文献１】特開昭５４−４０２３９号公報
【特許文献２】特開昭５９−１７３２８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述の改良方法は、いずれも導電化膜２０４のニッケル膜の表面を酸化処理する方法であるが、以下の（１）〜（４）の問題点が発生する。
（１）ニッケル膜の伝導度が低下し、電鋳時の電鋳膜(II)２０７の成膜速度が遅い。
（２）ニッケル膜面の酸化処理が不均質であると、電鋳膜(II)２０７の成膜速度が面内で変動し、得られるスタンパの厚みが変動する。
（３）導電化膜２０４のニッケル膜面から電鋳膜(II)２０７を剥離したときに、酸化処理の不均質に起因して、電鋳膜(II)２０７の一部がニッケル膜の表面に残り、残渣が発生する。
（４）上記１）の酸化処理は酸化処理液が環境問題の原因となる。
【０００８】
本発明の目的は、上述の酸化処理に変わる手法を提案するものであり、ファザースタンパからマザースタンパを剥離して得られるスタンパの欠陥を少なく抑えることができるスタンパの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るスタンパ製造方法は、凹凸パターンが形成されたファザースタンパの表面に対してプラズマ表面処理を行うプラズマ表面処理工程と、ファザースタンパの表面上に、ニッケル電鋳膜を形成する電鋳膜形成工程と、ファザースタンパとニッケル電鋳膜を剥離し、第２のスタンパを形成する剥離工程とを有する。
【００１０】
この製造方法では、プラズマ表面処理によってファザースタンパの表面におけるニッケルの酸化皮膜を除去することが可能になり、ファザースタンパの表面平滑性を向上させることができる。この表面の平滑性が向上されたファザースタンパを用いて電鋳膜を形成することによって、ファザースタンパと電鋳膜との剥離性が向上する。
【００１１】
プラズマ表面処理工程は、アルゴンガスを導入することによって行われることが好ましい。これにより従来の酸素ガスによる問題点を改善することができる。
プラズマ表面処理のＲＦ電源を電力５０Ｗ以上５００Ｗ以下で行うことが好ましい。この範囲ではファザースタンパの表面荒れが少なくなり、その結果ファザースタンパと電鋳膜との剥離性が向上する。
【００１２】
プラズマ表面処理工程後に、ファザースタンパの表面の水との接触角が、プラズマ表面処理工程前のファザースタンパの表面の水との接触角よりも２０度以上小さいことが好ましい。この場合は、ファザースタンパの表面荒れが少なくなり、その結果ファザースタンパと電鋳膜との剥離性が向上する。
【００１３】
プラズマ表面処理工程の後であって、電鋳膜形成工程の前に、ファザースタンパの表面に水分を供給する水分供給工程をさらに有することが好ましく、この水分供給工程は、プラズマ表面処理工程の後３０分以内に開始することが好ましい。ニッケルの酸化物が形成される前に、ニッケル水酸化物皮膜をファザースタンパの表面に形成するためである。
【００１４】
水分供給工程は、ファザースタンパを水に浸すことが好ましい。また、水分供給工程は、ファザースタンパの表面に対するプラズマ表面処理が行われたチャンバー内において、チャンバー内を水蒸気によってリークすることでもよい。
プラズマ表面処理工程の後であって、電鋳膜形成工程の前に、ファザースタンパの表面をニッケル水酸化物が主成分の皮膜とする工程をさらに有することが好ましい。ファザースタンパと電鋳膜との間にニッケル水酸化物を介させることで、両者の剥離性を向上させることができるからである。
【００１５】
上述した各製造方法を実行することによって、欠陥の少ないスタンパを得ることができる。
また、このようにして得られたスタンパによって、信号特性の良い光記録媒体を製造することができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、凹凸パターンが形成されたファザースタンパの表面上のニッケルの酸化皮膜を除去することで、その後電鋳によって形成されるマザースタンパとの剥離性を向上させることができ、マザースタンパの欠陥を減らすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図１を用いて本発明の実施形態を説明する。
本発明は、図１において示すように、光ディスクを製造するためのスタンパの製造方法に関するものである。
図１（Ａ）は、ガラス基板１０１にフォトレジストを塗布した状態を示す。まず、直径２００ｍｍ、厚さ６ｍｍの表面を研磨したガラス基板１０１を図示しないスピンコート装置のターンテーブル上に置き、ガラス基板１０１の研磨した面上にフォトレジストを塗布することで、膜厚が約２８μｍのフォトレジスト層１０９を形成する。
【００１８】
図１（Ｂ）は、露光、現像を行った後の、ガラス基板１０１と凹凸パターン１０２とによって構成される原盤１０３を示す。ここでは、フォトレジスト層１０９に、対物レンズによって集光した波長２５０ｎｍのレーザ光を照射し、フォトレジスト層１０９上にトラックピッチ０．３２μｍ、幅０．１５μｍの溝部の露光部を形成させる。一部が露光されたフォトレジスト層１０９が形成されたガラス基板１０１を現像装置に取り付け、フォトレジスト層１０９を現像液により現像し、純水により現像液を洗い流す。このとき、露光工程においてフォトレジスト層１０９の露光された部分のみが除去され、未露光部のフォトレジスト層１０９が残る。現像工程後のガラス基板１０１は、未露光部のみが残り、ファザースタンパ１０６に形成したい凹凸パターンが除去された状態となる。以上の工程では、ポジ型フォトレジストを用いた場合について示したが、ネガ型フォトレジストを用いても良い。
【００１９】
図１（Ｃ）は、導電化膜１０４を形成した状態を示す。ここでは、スパッタリング法により、現像工程後の原盤１０３上に、ニッケルの導電化膜１０４を２０ｎｍ形成する。
図１（Ｄ）は、電鋳膜(I)１０５を電鋳させた後の状態を示す。ここでは、導電化膜１０４を形成したガラス基板１０１を図示しない電鋳装置の陰極機構に取り付け、導電化膜１０４を形成した面にニッケル電鋳を施し、凹凸パターン１０２を転写した電鋳膜(I)１０５を形成する。電鋳膜(I)１０５の厚さが０．３ｍｍになったらニッケル電鋳を終了し、ガラス基板１０１をこの電鋳装置の陰極機構から取り外す。そして、電鋳膜(I)１０５と導電化膜１０４とを一体として、原盤１０３から剥離し、ファザースタンパ１０６を得る。なお、ここでは、エッチング（後述する。）を行う前のファザースタンパ１０６の表面（導電化膜１０４側の表面）における水に対する接触角を、接触角測定器で測定し、測定結果（接触角が５０度である等）を記録しておく。
【００２０】
図１（Ｅ）は、ファザースタンパ１０６の表面（導電化膜１０４側の表面）上にプラズマ表面処理を施してニッケルの酸化皮膜を除去する除去工程を示している。ここでは、ファザースタンパ１０６を図示しない平行平板型エッチング装置に挿入し、クライオポンプなどで真空状態にする。このときの、到達真空度は３×１０-4（Ｐａ）とする。なお、エッチングガス導入前の真空到達度は１×１０-3（Ｐａ）以下であることが好ましい。その後、エッチングガスとしてのアルゴンガスを１００ｓｃｃｍの流量で注入しながら、真空排気を行い、計内の圧力が１０（Ｐａ）となるように保つ。その後、１００Ｗになるように電圧を印加し、９０ｓｅｃ間のエッチングを行う。その３分後に、純水による洗浄を５分間行う。このとき、上述と同様に、接触角測定器を用いて、エッチングを行った後のファザースタンパ１０６の水に対する接触角の測定を行う。ここでは、エッチングを行う前よりもエッチングを行った後のほうが、ファザースタンパ１０６の水に対する接触角が、２０度以上減少するようにする。例えば、エッチングを行う前の接触角が５０度であり、エッチングを行った後の接触角が１５度となる等のように調整する。このプラズマ表面処理を施した後、３０分以内に純水に浸すことによって、ファザースタンパ１０６の表面上にニッケルの水酸化物を主成分とする皮膜を均一に形成することができる。
【００２１】
図1（Ｆ）は、電鋳膜(II)１０７を電鋳した後の状態を示す。ここでは、エッチング工程を経たファザースタンパ１０６を電鋳装置の陰極機構に取り付け、電鋳膜(II)１０７を形成する（電鋳膜形成工程）。この電鋳膜(II)１０７が厚さ０．３ｍｍになったらニッケル電鋳を終了し、ガラス基板１０１を電鋳装置の陰極機構から取り外す。
【００２２】
次に、電鋳膜(II)１０７をファザースタンパ１０６から剥離する（剥離工程）。以上に述べた実施形態によると、両者をきれいに剥離することができ、欠陥や残渣のないマザースタンパ１０８（図１（Ｇ））が得られる。なお、このマザースタンパ１０８からは、射出成形機を用いることにより、光ディスク１１０等の光記録媒体を製造することができる。
【００２３】
なお、図1（Ｆ）で示したように、導電化膜１０４上に電鋳膜(II)１０７を形成すると、導電化膜１０４と電鋳膜(II)１０７とは同じニッケルの金属であるために、金属結合を形成する。しかし、図１（Ｇ）に示すように、マザースタンパ１０８を製造するためには、導電化膜１０４と電鋳膜(II)１０７間での剥離を行わなければならない。
【００２４】
上述したように、ファザースタンパの表面上にアルゴンガスによるエッチングを施すことで、ファザースタンパとマザースタンパとの剥離性の向上を確認できるが、その剥離性向上の理由は、以下のように推測される。
ニッケルの導電化膜を形成した後に、ファザースタンパを大気にさらすと、導電化膜の表面上にはニッケルの酸化物とニッケルの水酸化物とが形成されることが、組成分析により明らかになっている。大気中で生じる酸化物と水酸化物の量は表面上のわずかな量であるため、特開昭５９−１７３２８８号公報では、積極的に酸素によるアッシングを行い、ニッケルの酸化物を導電化膜上に形成する手法が提案されている。しかし、通常、この処理の後に、純水による洗浄工程や、ニッケル電鋳膜を形成するためのファザースタンパをスルファミン酸ニッケルなどの水溶液に浸す工程等により、ファザースタンパ上にはニッケルの水酸化物が形成される。このようなニッケルの水酸化物の形成では、大気中の湿度、ファザースタンパを大気中に放置する時間等にも影響されやすく、ニッケルの水酸化物はファザースタンパ上に均一に形成されるものではない。このように、ファザースタンパ上のニッケルの酸化物とニッケルの水酸化物との比は局部的に異なっており、これらのニッケルの酸化物とニッケルの水酸化物とでは剥離性に違いがあるため、電鋳膜(II)と導電化膜との間での剥離性にムラが生じ、マザースタンパに欠陥を残してしまうことがある。
【００２５】
本発明では、ファザースタンパ１０６の表面（導電化膜１０４側の表面）にプラズマ表面処理を施すことにより、表面上に形成されていたニッケルの酸化物およびニッケルの水酸化物を除去することができる。このプラズマ表面処理は、真空中で行うため、ニッケルの酸化物およびニッケルの水酸化物を除去することで、純粋なニッケルが表面に露出する。このプラズマ表面処理の後３０分以内に純水に浸すことによって、ファザースタンパ１０６の表面上に均一にニッケルの水酸化物を形成することができると考えられる。
【００２６】
また、後述するように、このプラズマ表面処理を施すことにより、ファザースタンパ１０６の表面の親水性を向上させることができることもわかっている。表面に施すプラズマ表面処理は低エネルギーの条件下で行うため、表面荒れを定量的に分析する表面計や原子間力顕微鏡などの装置ではその差を確認できない。これに対して、プラズマ表面処理の有無による違いは、水に対する接触角による違い着目することにより定量化することができる。このように水に対する接触角を定量化させた場合に、プラズマ表面処理が施されたファザースタンパ１０６の表面の水に対する接触角は、プラズマ表面処理を施す前の接触角と比較して２０度以上小さくなることがわかっている。水に対する接触角が小さくなるということは、ファザースタンパ１０６上の平滑性が向上していることを示す現象である。このためファザースタンパ１０６と電鋳膜(II)１０７との接触面積は、プラズマ表面処理を施す前の比較的平滑性が低い状態で電鋳した場合と比較して、プラズマ表面処理を施して平滑性を向上させて電鋳した場合では、接触面積を小さくすることができる。このように接触面積を小さくするという効果によっても、ファザースタンパ１０６と電鋳膜(II)１０７との剥離性は向上するものと考えられる。
【００２７】
ファザースタンパ１０６の表面にプラズマ表面処理によるエッチングを行うことで、電鋳膜(II)１０７の剥離性を向上させることができるが、後述するように、この現象はエッチング時の投入パワーに依存することがわかった。エッチング時の投入パワーが大きすぎると、逆に表面荒れが大きくなる。この表面荒れはマザースタンパ１０８の製造に影響を与えてしまう。この表面荒れが大きいスタンパを用いて作製された凹凸パターンを有する基板を用いた光ディスクでは、再生時における再生信号成分のノイズが上昇するため、Ｃ／Ｎ（搬送波対雑音比）の悪化につながる。反対に、エッチング時の投入パワーが小さすぎると、このプラズマ表面処理による平滑性向上の効果が得られにくいため、ファザースタンパ１０６から、電鋳膜(II)１０７を剥離することができない。
【実施例１】
【００２８】
（１）
このエッチングの条件を見極めるための実験例として、エッチング時の投入パワー依存性の調査について、説明する。なお、エッチング時間の依存性は小さいため、９０ｓｅｃで一定とした。結果を表１に示す。
【００２９】
【表１】
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【００３０】
表１で、ファザースタンパ１０６と電鋳膜(II)１０７とを剥離できないもの、もしくは、電鋳膜(II)１０７上に欠陥が生じたものには剥離性の列に×を、欠陥のないマザースタンパ１０８を形成できたエッチング条件には○を記した。
また、得られたマザースタンパ１０８を用いて射出成形機に設置し、ポリカーボネート樹脂に転写することで厚さ１．１ｍｍの光記録媒体の基板を得ることができる。マザースタンパ１０８の表面荒れは、ポリカーボネート基板に転写されると、光記録媒体としては、ノイズとして検出されるため、ポリカーボネート基板のノイズレベルを測定した。
【００３１】
このポリカーボネート基板の情報面側にアルミ反射膜を２０ｎｍの厚みになるように成膜し、さらに、この反射膜の上に、厚さ０．１ｍｍのポリカーボネートを材料とするシートを形成した。これを情報再生装置に設置し、ノイズレベルを測定した。この情報再生装置では、波長４０５ｎｍ、対物レンズの開口度０．８５の光学系を採用し、再生光は厚さ０．１ｍｍのポリカシート側から照射した。この光記録媒体を線速５．０ｍ／ｓで回転させ、得られた再生信号をスペクトルアナライザーに入力し、３ＭＨｚの帯域でのノイズレベルを測定した。この帯域のノイズレベルは−７０ｄＢｍ以下では、再生信号に影響を与えないことがわかっている。よって、表面性の判断としては、ノイズが−７０ｄＢｍ以下であることが望ましい。この検討により、エッチング時の投入パワーは、５０Ｗ以上５００Ｗ以下が好ましい。
【００３２】
（２）
エッチング前後の表面の平滑性変化を調査するために、接触角測定器を用いて、ファザースタンパ１０６の表面における水に対する接触角を、エッチングの前後それぞれについて測定した。これによると、エッチングの前後で、ファザースタンパ１０６表面の水に対する接触角が変化し、電鋳膜(II)１０７の剥離性は、ファザースタンパ１０６表面の水に対する接触角に大きく依存していることがわかった。また、エッチング時のアルゴン圧力、印加電圧を操作することにより、ファザースタンパ１０６表面上の水に対する接触角が制御できることから、エッチングの前後でファザースタンパ１０６の表面上の水に対する接触角が異なるスタンパを用意し、エッチング前後の接触角の変化と電鋳膜(II)１０７の剥離性との関係を調査した。結果を表２に示す。
【００３３】
【表２】
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【００３４】
表１と同様に、剥離性の列には、電鋳膜(II)１０７の剥離性、欠陥の有無を記載した。この結果から、エッチングにより、ファザースタンパ１０６の表面上の水に対する接触角の減少が２０度以上であることが好ましい。
【実施例２】
【００３５】
（１）
実施例２では、上述した実施と同様の工程、手順を経て、マザースタンパ１０８を形成する。同様に図1を用いて説明する。マザースタンパ１０８の剥離性、および、マザースタンパ１０８上の欠陥の有無は、ファザースタンパ１０６上にニッケルの水酸化物を均一に形成できることと関係があると考えられる。この水酸化物の形成は、プラズマ表面処理後にファザースタンパ１０６をすばやく水に浸すことにより、スタンパ上に均質にニッケルの水酸化物を形成することができる。しかし、プラズマ表面処理後にファザースタンパ１０６を大気中に放置したままにしておくと、ニッケルの酸化物とニッケルの水酸化物の両方ができてしまい、ニッケルの酸化物とニッケルの水酸化物との比は局部的に異なっており、これらのニッケルの酸化物とニッケルの水酸化物との剥離性が違うために、局部的に剥離性の差が生じ、マザースタンパ１０８上に欠陥が残る可能性が高くなる。
【００３６】
表３に、プラズマ表面処理後にファザースタンパ１０６を大気中に放置した時間と、マザースタンパ１０８上の欠陥の有無（剥離性）との関係を示す。
【００３７】
【表３】
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【００３８】
ファザースタンパ１０６にプラズマ表面処理を行うと、ニッケルの酸化物やニッケルの水酸化物が除去され、純粋なニッケルが表出される。このため、純粋なニッケルが表出されたファザースタンパ１０６を、３０分を越えて大気中に放置させておくと、ニッケルの酸化物およびニッケルの水酸化物の両方が形成されるため、剥離性が均質にならずに、剥離の際にマザースタンパ１０８上に残渣が生じて、欠陥が残る。そのため、プラズマ表面処理後にファザースタンパ１０６を大気中に放置時間する時間が３０分以内であることが好ましい。
【００３９】
（２）
ここでは、プラズマ表面処理の後の純水に浸す処理を除いて、上述した実施形態とほぼ同様の工程によってマザースタンパ１０８を形成した。本実施例では、上記実施形態における純水に浸す処理の代わりに、ファザースタンパ１０６に対してプラズマ表面処理が行われるチャンバー内を、プラズマ表面処理を行った後に水蒸気によって大気圧に戻す処理を行った。これにより、ファザースタンパ１０６の表面上に、より純度の高いニッケルの水酸化物を形成することができた。ただし、この処理もプラズマ処理を行った後３０分以内に行ったほうがより好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明のスタンパ製造方法は、光記録媒体のスタンパ製造方法等として有用である。また、電鋳で製造される金型の製造方法等としても適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明のスタンパ製造方法を示す図。
【図２】従来のスタンパ製造方法を示す図。
【符号の説明】
【００４２】
１０１    ガラス基板
１０３    原盤
１０４    導電化膜
１０５    電鋳膜(I)
１０６    ファザースタンパ
１０７    電鋳膜(II)
１０８    マザースタンパ
１０９    フォトレジスト層
１１０    光ディスク
【図１】
2005100597.tif 000006
【図２】
2005100597.tif 000007