(57)【要約】【課題】  高い均一性をもって、基板のイオンビーム照射領域に電子を照射することができるチャージアップ抑制装置およびイオン注入装置を提供する。【解決手段】  チャージアップ抑制装置２０は、イオンビームＢを包囲するように設けられた電子供給部材２２を有している。電子供給部材２２は、内部にガスが封入されており、電離気体（プラズマ）を発生させ、その電離気体中の電子をイオンビームＢに対して内向き放射状に供給するものである。この電子供給部材２２の内壁２２ａには、電離気体中の電子を通過させるための開口２４が８個形成されており、これらの開口２４は、電子供給部材２２の周方向に沿って等間隔に形成されている。イオンビームＢに供給された電子は、基板９０に照射され、基板９０においてイオンビームＢの照射による正のチャージアップが発生するのを抑制する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンビームを包囲するように設けられ、電離気体を発生させ、前記電離気体中の電子を前記イオンビームに対して内向き放射状に供給する電子供給部材を備えることを特徴とするチャージアップ抑制装置。
【請求項２】
請求項１に記載のチャージアップ抑制装置において、
前記電子供給部材の内壁には、前記電子を通過させるための少なくとも３個の開口が、当該電子供給部材の周方向に沿って略等間隔に形成されていることを特徴とするチャージアップ抑制装置。
【請求項３】
請求項２に記載のチャージアップ抑制装置において、
前記開口は、８個以上形成されていることを特徴とするチャージアップ抑制装置。
【請求項４】
請求項１に記載のチャージアップ抑制装置において、
前記電子供給部材の内壁には、前記電子を通過させるためのスリットが、当該電子供給部材の周方向に沿って形成されていることを特徴とするチャージアップ抑制装置。
【請求項５】
請求項４に記載のチャージアップ抑制装置において、
前記スリットのスリット幅を変更するスリット幅変更手段を備えることを特徴とするチャージアップ抑制装置。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載のチャージアップ抑制装置において、
前記電子供給部材の内壁が外壁よりも高電位となるように、前記電子供給部材に電圧を印加する電圧印加手段を備えることを特徴とするチャージアップ抑制装置。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか一項に記載のチャージアップ抑制装置において、
前記電子供給部材の内部には、複数のカソードが、当該電子供給部材の周方向に沿って略等間隔に設けられていることを特徴とするチャージアップ抑制装置。
【請求項８】
請求項１〜６の何れか一項に記載のチャージアップ抑制装置において、
前記電子供給部材の内部には、当該電子供給部材と略同心の環状のカソードが設けられていることを特徴とするチャージアップ抑制装置。
【請求項９】
請求項１〜８何れか一項に記載のチャージアップ抑制装置と、前記イオンビームを発生させるイオンビーム発生器と、を備えることを特徴とするイオン注入装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チャージアップ抑制装置およびイオン注入装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のチャージアップ抑制装置としては、例えば特許文献１に記載されたものがある。同文献に記載されたチャージアップ抑制装置は、いわゆるエレクトロンシャワー型のものであり、イオンビームを包囲するニュートラルカップの側壁が熱電子放出部材によって形成されている。この装置においては、熱電子放出部材を発熱させて熱電子を放出させることによりエレクトロンシャワーを生成し、そのエレクトロンシャワーをイオンビームと共に基板に照射する。それにより、イオンビームの照射によって基板に正のチャージアップが発生するのを抑制している。
【特許文献１】特開平５−２２５９４８号公報
【特許文献２】特開平６−５２８２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述のエレクトロンシャワー型の装置では、生じる熱電子のエネルギーの分布幅が大きいため、基板に照射される電子のエネルギーにも大きなばらつきが生じる。したがって、基板のイオンビーム照射領域に対して一様に等エネルギーの電子を照射することが困難である。
【０００４】
これに対して、特許文献２には、いわゆるプラズマシャワー型のチャージアップ抑制装置が提案されている。同文献に記載された装置においては、イオンビームを包囲するファラデーケージの外周に、電離気体を発生させる石英容器が設けられている。この装置は、石英容器内で発生した電離気体中の電子を、石英容器に形成された２つの穴を通してファラデーケージ内に放出することにより、基板のチャージアップを抑制している。
【０００５】
このようなプラズマシャワー型の装置は、上述のエレクトロンシャワー型の装置に比して基板に照射される電子のエネルギー分布幅が小さい。したがって、基板のイオンビーム照射領域に対して一様に等エネルギーの電子を照射する観点からは、プラズマシャワー型の装置を用いることが好ましい。
【０００６】
ところが、特許文献２に記載の装置では、石英容器に形成された２つの穴を通してファラデーケージ内に電子が放出されるため、イオンビームにはその２方向からのみ電子が供給されることになる。そのため、この装置では、基板のイオン照射領域に対して均一の照射量で電子を照射することが困難である。
【０００７】
そこで、本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高い均一性をもって、基板のイオンビーム照射領域に電子を照射することができるチャージアップ抑制装置およびイオン注入装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明によるチャージアップ抑制装置は、イオンビームを包囲するように設けられ、電離気体を発生させ、電離気体中の電子をイオンビームに対して内向き放射状に供給する電子供給部材を備えることを特徴とする。
【０００９】
このチャージアップ抑制装置においては、電子供給部材がイオンビームに対して内向き放射状に電子を供給するため、イオンビームの周囲から等方的に電子が供給される。したがって、高い均一性をもって、基板のイオンビーム照射領域に電子を照射することができる。
【００１０】
電子供給部材の内壁には、電子を通過させるための少なくとも３個の開口が、当該電子供給部材の周方向に沿って略等間隔に形成されていてもよい。これにより、容易な構成で、イオンビームの周囲から等方的に電子を供給することができる。ここで、上記開口は、好ましくは８個以上、より好ましくは１６個以上形成される。このように開口の数を増やすことにより、基板に対する電子の照射量の均一性を一層高くすることができるとともに、充分な量の電子を安定的に供給することができる。
【００１１】
電子供給部材の内壁には、電子を通過させるためのスリットが、当該電子供給部材の周方向に沿って形成されていてもよい。この場合、イオンビーム周囲のあらゆる方向から電子を供給することができ、それゆえ基板に対する電子の照射量の均一性を一層高くすることができるとともに、電離気体中の電子を効率良くイオンビームに供給することができる。
【００１２】
チャージアップ抑制装置は、スリットのスリット幅を変更するスリット幅変更手段を備えていてもよい。この場合、スリット幅を変えることにより、イオンビームに対する電子の供給量を制御することができる。
【００１３】
チャージアップ抑制装置は、電子供給部材の内壁が外壁よりも高電位となるように、電子供給部材に電圧を印加する電圧印加手段を備えていてもよい。この場合、電離気体中の電子は電子供給部材の内壁に引き寄せられるため、これらの電子を効率良くイオンビームに供給することができる。
【００１４】
電子供給部材の内部には、複数のカソードが、当該電子供給部材の周方向に沿って略等間隔に設けられていてもよい。これにより、電子供給部材の内部における電離気体の濃度の均一性が向上する。したがって、より確実に、基板に対する電子の照射量の均一性を高めることができる。
【００１５】
電子供給部材の内部には、当該電子供給部材と略同心の環状のカソードが設けられていてもよい。この場合も、電子供給部材の内部における電離気体の濃度の均一性を向上させることができる。
【００１６】
また、本発明によるイオン注入装置は、上記のチャージアップ抑制装置と、イオンビームを発生させるイオンビーム発生器と、を備えることを特徴とする。このイオン注入装置においては、高い均一性をもって、基板のイオンビーム照射領域に電子が照射されるので、基板全体に渡って効果的にチャージアップが抑制される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、高い均一性をもって、基板のイオンビーム照射領域に電子を照射することができるチャージアップ抑制装置およびイオン注入装置が実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照しつつ、本発明によるチャージアップ抑制装置およびイオン注入装置の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１９】
図１（ａ）は、本発明によるイオン注入装置の一実施形態を示す概略図である。イオン注入装置１は、イオンビーム発生器１０およびチャージアップ抑制装置２０を備えている。イオンビーム発生器１０は、基板９０に照射するイオンビームＢを発生させるものである。なお、基板９０は、図示しないディスク上に載置されている。ディスクはその面内において回転および並進運動することができ、ディスクを動かすことにより、基板９０をイオンビームに対して位置合わせすることができる。
【００２０】
チャージアップ抑制装置２０は、イオンビームＢを包囲するように設けられた電子供給部材２２を有している。電子供給部材２２は、中空の円筒状をしており、その中心軸がイオンビームＢの中心軸と略一致するように位置合わせされている。また、電子供給部材２２は、内部にガスが封入されており、電離気体（プラズマ）を発生させるアークチャンバーとして機能する。さらに、電子供給部材２２は、内部で発生した電離気体中の電子を、イオンビームＢに対して内向き放射状に供給する。
【００２１】
図２および図３を参照しつつチャージアップ抑制装置２０の構成をより詳細に説明する。図２は、チャージアップ抑制装置２０を示す斜視図である。また、図３は、チャージアップ抑制装置２０を示す断面図である。図３は、開口２４を通り、電子供給部材２２の中心軸方向に垂直な断面を示している。これらの図に示すように、電子供給部材２２の内壁２２ａには、電離気体中の電子を通過させるための開口２４が複数形成されている。本実施形態では、８個の開口２４が形成されており、これらの開口２４は、電子供給部材２２の周方向に沿って等間隔に形成されている。
【００２２】
また、チャージアップ抑制装置２０は、ガス供給管２６、フィラメント２８および電源２９を有する。ガス供給管２６は、電子供給部材２２の外壁２２ｂを貫通しており、電離気体の元となるガスを電子供給部材２２の内部に供給するためのものである。このようなガスとしては、例えばＡｒ、ＫｒまたはＸｅ等を用いることができる。
【００２３】
フィラメント２８は、電子供給部材２２の内部に設けられており、電子供給部材２２と同心の環状をしている。このフィラメント２８は、電圧ＶＣを印加されると、熱電子を放出する。この熱電子がガス分子と衝突を繰り返すことにより、電子供給部材２２の内部に電離気体が発生する。このとき、電圧ＶＣは、例えば１〜５０Ｖに設定される。また、フィラメント２８の材料としては、例えばＴａまたはＷ等を用いることができる。
【００２４】
電源２９は、電子供給部材２２の内壁２２ａと外壁２２ｂとの間に、電圧ＶＰを印加する電圧印加手段である。この電圧ＶＰは、内壁２２ａが外壁２２ｂよりも高電位となるように印加される。これにより、電子供給部材２２の内部には、内壁２２ａから外壁２２ｂへと向かう放射状の電界が生じるため、電離気体中の電子は、内壁２２ａに引き寄せられることとなる。電圧ＶＰは、例えば０〜３０Ｖに設定される。
【００２５】
図１（ｂ）は、イオン注入装置１を示す機能ブロック図である。この図に示すように、イオン注入装置１には、ドーズ量測定器９２および制御装置９４が設けられている。ドーズ量測定器９２は、基板９０に照射されるイオンビームＢのドーズ量を測定する。ドーズ量測定器９２としては、例えば電流計を用いることができる。制御装置９４は、ドーズ量測定器９２により測定されたドーズ量に基づいて、チャージアップ抑制装置２０からイオンビームＢに供給される電子量を制御する。
【００２６】
次に、イオン注入装置１およびチャージアップ抑制装置２０の動作を説明する。イオンビーム発生器１０（図１参照）から出射したイオンビームＢは、基板９０に照射される。基板９０は、所望の部位にイオンビームＢが照射されるように位置合わせされているものとする。このとき、フィラメント２８に電圧ＶＣを印加することにより電子供給部材２２の内部に電離気体を発生させると、その電離気体中の電子は、開口２４を通ってイオンビームに引き寄せられる。これにより、イオンビームＢに電子が供給される。供給された電子は、イオンビームＢと共に基板９０に照射され、基板９０においてイオンビームＢの照射による正のチャージアップが発生するのを抑制する。
【００２７】
続いて、イオン注入装置１およびチャージアップ抑制装置２０の効果を説明する。チャージアップ抑制装置２０においては、電子供給部材２２がイオンビームＢに対して内向き放射状に電子を供給するため、イオンビームＢの周囲から等方的に電子が供給される。したがって、高い均一性をもって、基板９０のイオンビーム照射領域に電子を照射することができる。
【００２８】
ところで、特許文献２に記載のチャージアップ抑制装置では、イオンビームに対して２方向からのみ電子を供給するため、イオンビームの進行方向に垂直な断面において供給される電子の量が均一ではなく、またイオンビームの形状により電子の供給量が異なってしまうことになる。近年では、半導体装置の微細化に伴いイオン注入の低加速化が進んでいるため、イオン注入時に、イオンビームの広がりやビーム形状の変化が生じ易くなる傾向にある。このようにイオンビームの広がりやビーム形状の変化がある場合、特許文献２に記載の装置では、上述のように電子の供給量がイオンビームの形状に依存するため、チャージアップ補正が正確に働かなくなってしまうという問題がある。
【００２９】
ここで、図９および図１０を参照しつつ、イオンビーム形状の変化と電子の供給量との関係を説明する。図９（ａ）および図９（ｂ）は、特許文献２に記載の装置のようにイオンビームに対して２方向からのみ電子を供給する場合である。これらの図は、イオンビームＢの進行方向に垂直な断面を示している。また、イオンビームＢに供給される電子の供給方向を矢印で示している。また、図９（ａ）においてイオンビームＢの形状は図中縦長の楕円であり、図９（ｂ）においては、横長の楕円となっている。これらの図の比較からもわかるように、イオンビームＢの上記断面において電子の供給量が不均一であると、イオンビームの形状の違いによって電子の供給量も異なってしまう。一方、図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、イオン注入装置１の場合を示している。この場合、イオンビームＢに対して均一に電子が供給されるため、イオンビームの形状に依らず、電子の供給量を一定にすることができる。
【００３０】
このように、チャージアップ抑制装置２０によれば、イオンビームＢの周囲から等方的に電子が供給されるため、イオンビームの形状の影響を受けにくく、基板９０におけるチャージアップを効果的に抑制することができる。
【００３１】
しかも、チャージアップ抑制装置２０は、電離気体中の電子をイオンビームBに供給するプラズマシャワー型のチャージアップ抑制装置であるため、特許文献1に記載されているようなエレクトロンシャワー型のものに比して、基板９０に照射される電子のエネルギー分布幅が小さい。したがって、チャージアップ抑制装置２０は、基板９０のイオンビーム照射領域に対して一様に等エネルギーの電子を照射するのに適している。これに対して、基板に照射される電子のエネルギー分布幅が大きいエレクトロンシャワー型のチャージアップ抑制装置の場合、仮に基板全体に均一の照射量で電子を供給できたとしても、電子のエネルギーのばらつきが大きいため、基板において照射された電子のエネルギーが低い部位では充分に正のチャージアップを抑制することができず、逆に電子のエネルギーが高い部位では負のチャージアップが発生してしまう等の問題が生じ得る。
【００３２】
電子供給部材２２の内壁２２ａには、複数の開口２４が、電子供給部材２２の周方向に沿って等間隔に形成されている。これにより、容易な構成で、イオンビームＢの周囲から等方的に電子を供給することができる。上記実施形態において開口２４は、８個形成されているが、３個以上であればいくつであってもよい。ただし、好ましくは８個以上、より好ましくは１６個以上形成される。このように開口２４の数を増やすことにより、基板９０に対する電子の照射量の均一性を一層高くすることができるとともに、充分な量の電子を安定的に供給することができる。
【００３３】
電子供給部材２２の内壁２２ａが外壁２２ｂよりも高電位となるように、電子供給部材２２に電圧ＶＰを印加する電源２９が設けられている。これにより、電離気体中の電子は電子供給部材２２の内壁２２ａに引き寄せられるため、これらの電子を効率良くイオンビームＢに供給することができる。
【００３４】
電子供給部材２２の内部には、電子供給部材２２と略同心の環状のフィラメント２８が設けられている。これにより、電子供給部材２２の内部における電離気体の濃度の均一性が向上する。したがって、より確実に、基板９０に対する電子の照射量の均一性を高めることができる。なお、本実施形態において、電子供給部材２２内に電離気体を発生させるためにフィラメント２８を用いることは必須ではない。例えば、電離気体として高周波誘導プラズマを発生させるような場合であれば、電子供給部材２２内にフィラメント２８を設ける必要はない。
【００３５】
また、イオン注入装置１においては、上述のチャージアップ抑制装置２０を備えられているため、高い均一性をもって、基板９０のイオンビーム照射領域に電子が照射される。したがって、基板９０全体に渡って効果的にチャージアップが抑制される。
【００３６】
図４は、図２のチャージアップ抑制装置２０の第１変形例を示す斜視図である。チャージアップ抑制装置３０は、電子供給部材２２を備えており、電子供給部材２２の内部に電離気体を発生させ、その電離気体中の電子をイオンビームＢに対して内向き放射状に供給する点で、図２のチャージアップ抑制装置２０と同様である。その一方で、チャージアップ抑制装置３０は、内壁２２ａの構造がチャージアップ抑制装置２０と相違する。すなわち、チャージアップ抑制装置３０において、内壁２２ａには、電離気体中の電子を通過させるための構造としてスリット３４が形成されている。このスリット３４は、電子供給部材２２の周方向に沿って、周全体に渡って形成されている。
【００３７】
上記構成のチャージアップ抑制装置３０においても、イオンビームＢの周囲から等方的に電子が供給される。したがって、高い均一性をもって、基板のイオンビーム照射領域に電子を照射することができる。さらに、本例においては、電子供給部材２２の内壁２２ａに形成されたスリット３４を通して、イオンビームＢに電子を供給するので、イオンビームＢの周囲のあらゆる方向から電子を供給することができる。それゆえ基板に対する電子の照射量の均一性を一層高くすることができるとともに、電離気体中の電子を効率良くイオンビームに供給することができる。
【００３８】
図５は、図２のチャージアップ抑制装置２０の第２変形例を示す断面図である。この図は、図３と同様の断面を示している。チャージアップ抑制装置４０は、図２のチャージアップ抑制装置２０と同様に、電子供給部材２２を備えており、電子供給部材２２の内部に電離気体を発生させ、その電離気体中の電子をイオンビームＢに対して内向き放射状に供給するものであるが、フィラメントの構成がチャージアップ抑制装置２０と相違する。すなわち、チャージアップ抑制装置４０においては、いわゆるブリッジ型のフィラメント３８が局所的に複数設けられている。具体的には、８個のフィラメント３８が設けられており、これらは、電子供給部材２２の周方向に沿って等間隔に設けられている。特に本例においては、各開口２４に対応する位置にそれぞれフィラメント３８が配置されている。また、各フィラメント３８は、図示しない直流電源に接続されており、熱電子を発生させるために必要な電圧を印加できるようになっている。このとき、各フィラメント３８は、別々の電源に接続されていてもよく、共通の電源に接続されていてもよい。
【００３９】
上記構成のチャージアップ抑制装置４０においても、イオンビームＢの周囲から等方的に電子が供給される。したがって、高い均一性をもって、基板のイオンビーム照射領域に電子を照射することができる。さらに、本例においては、局在する複数のフィラメントを電子供給部材２２の周方向に沿って等間隔に設けているため、電子供給部材２２の内部における熱電子の密度の均一性が高まる。したがって、電子供給部材２２の内部における電離気体の濃度の均一性も向上するため、より確実に、基板に対する電子の照射量の均一性を高めることができる。
【００４０】
なお、本例においてはフィラメント３８を複数設けたが、単数であってもよい。また、内壁２２ａにおける電子を通過させるための構造は、開口２４に限られず、スリット３４（図４参照）であってもよい。
【００４１】
図６は、図２のチャージアップ抑制装置２０の第３変形例を示す斜視図である。チャージアップ抑制装置５０は、図２のチャージアップ抑制装置２０と同様に、電子供給部材２２を備えており、電子供給部材２２の内部に電離気体を発生させ、その電離気体中の電子をイオンビームＢに対して内向き放射状に供給するものであるが、内壁２２ａの構造がチャージアップ抑制装置２０と相違する。すなわち、チャージアップ抑制装置５０においては、内壁２２ａがいわゆるメッシュ状に形成されている。具体的には、内壁２２ａ全体に渡って、格子状に並んだ多数の開口が形成されている。
【００４２】
上記構成のチャージアップ抑制装置５０においても、イオンビームＢの周囲から等方的に電子が供給される。したがって、高い均一性をもって、基板のイオンビーム照射領域に電子を照射することができる。さらに、本例においては、内壁２２ａがメッシュ状に形成されているため、イオンビームＢに対する電子の供給量を増大させることができる。
【００４３】
図７は、図２のチャージアップ抑制装置２０の第４変形例を示す斜視図である。チャージアップ抑制装置６０は、図２の電子供給部材２２と同様にイオンビームＢを包囲する円筒状の電子供給部材６２を備えている。電子供給部材６２の内部は、２枚の円環状の仕切り部材６５によって、電子供給部材６２の中心軸方向に沿って３つの部屋に分けられている。各仕切り部材６５は、内壁６２ａに連設されており、その周縁部は外壁６２ｂに隙間なく接している。これにより、仕切り部材６５により分けられた各部屋は、略密閉された空間となっている。また、部屋毎に内壁６２ａの構造が相異なっている。すなわち、図中左側の部屋においては内壁６２ａがメッシュ状に形成されており（図６参照）、中央の部屋では内壁６２ａに開口２４（図２参照）が形成され、右側の部屋では内壁６２ａにスリット３４（図４参照）が形成されている。また、各部屋にはそれぞれ、図２に示すようなガス供給管およびフィラメント（共に図示を省略している）が設けられており、チャージアップ抑制装置６０の動作時においては、３つの部屋のうち何れか１部屋だけを稼動させることも、任意に組み合わせた２部屋だけを稼動させることも、３部屋全てを稼動させることも可能である。
【００４４】
上記構成のチャージアップ抑制装置６０においても、イオンビームＢの周囲から等方的に電子が供給される。したがって、高い均一性をもって、基板のイオンビーム照射領域に電子を照射することができる。さらに、本例においては、電子供給部材２２の内部が複数の部屋に分けられ、各部屋の内壁６２ａにおける電子を通過させるための構造は相異なっている。これにより、チャージアップ抑制装置６０を使用する毎に、イオン注入条件等と各構造の利点とを考慮して、稼動させる部屋を選択することにより、基板のチャージアップを一層効果的に抑制することが可能となる。なお、本例においては、図中左側から、メッシュ状の内壁、開口が形成された内壁、スリットが形成された内壁という順になっているが、この順は任意である。
【００４５】
図８は、図２のチャージアップ抑制装置２０の第５変形例を示す斜視図である。チャージアップ抑制装置７０は、図２の電子供給部材２２と同様にイオンビームＢを包囲する円筒状の電子供給部材７２を備えている。具体的には、径が相異なる２つの円筒状部材が同心に配置されており、径の比較的小さな円筒状部材が内壁７２ａをなし、径の比較的大きな円筒状部材が外壁７２ｂをなしている。また、電子供給部材７２の内部は、図７の内壁６２ａと同様に、２枚の仕切り部材７５によって３つの部屋に分けられているが、両端の２つの部屋は開放されており、略密閉された空間となっているのは、それら２つの部屋に挟まれた中央の部屋のみである。中央の部屋において、内壁７２ａには、スリット７４が設けられている。構造的には、内壁７２ａを構成する円筒状部材は、スリット７４を挟んで２つに分断されており、換言すれば、これら２つの円筒状部材が一定の間隔を置いて配置されることによりスリット７４が画成されている。また、内壁７２ａを構成する円筒状部材と外壁７２ｂを構成する円筒状部材とは、中心軸方向に沿って相対的に移動可能に設けられているため、内壁７２ａの構成する２つの円筒状部材間の間隔を変えることにより、スリット７４のスリット幅を変更することができる。
【００４６】
上記構成のチャージアップ抑制装置７０においても、イオンビームＢの周囲から等方的に電子が供給される。したがって、高い均一性をもって、基板のイオンビーム照射領域に電子を照射することができる。さらに、本例においては、スリット７４のスリット幅が可変であるため、スリット幅を適宜設定することにより、イオンビームＢへの電子の供給量を制御することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】（ａ）は、本発明によるイオン注入装置の一実施形態を示す概略図である。（ｂ）は、本発明によるイオン注入装置の一実施形態を示すブロック図である。
【図２】図１のチャージアップ抑制装置２０を示す斜視図である。
【図３】図１のチャージアップ抑制装置２０を示す断面図である。
【図４】図２のチャージアップ抑制装置２０の一変形例を示す斜視図である。
【図５】図２のチャージアップ抑制装置２０の他の変形例を示す断面図である。
【図６】図２のチャージアップ抑制装置２０の第３変形例を示す斜視図である。
【図７】図２のチャージアップ抑制装置２０の第４変形例を示す斜視図である。
【図８】図２のチャージアップ抑制装置２０の第５変形例を示す斜視図である。
【図９】（ａ）および（ｂ）は、図１のチャージアップ抑制装置２０の効果を説明するための図である。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は、図１のチャージアップ抑制装置２０の効果を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４８】
１    イオン注入装置
１０    イオンビーム発生器
２０    チャージアップ抑制装置
２２    電子供給部材
２２ａ    内壁
２２ｂ    外壁
２４    開口
２６    ガス供給管
２８    フィラメント
２９    電源
３０    チャージアップ抑制装置
３４    スリット
３８    フィラメント
４０    チャージアップ抑制装置
５０    チャージアップ抑制装置
６０    チャージアップ抑制装置
６２    電子供給部材
６２ａ    内壁
６２ｂ    外壁
６５    仕切り部材
７０    チャージアップ抑制装置
７２    電子供給部材
７２ａ    内壁
７２ｂ    外壁
７４    スリット
７５    仕切り部材
９０    基板
９２  ドーズ量測定器
９４  制御装置
B    イオンビーム
【図１】
2005228531.tif 000003
【図２】
2005228531.tif 000004
【図３】
2005228531.tif 000005
【図４】
2005228531.tif 000006
【図５】
2005228531.tif 000007
【図６】
2005228531.tif 000008
【図７】
2005228531.tif 000009
【図８】
2005228531.tif 000010
【図９】
2005228531.tif 000011
【図１０】
2005228531.tif 000012