(57)【要約】【課題】より簡便なデバイス構造および製造プロセスで、ＳＡＷ装置の阻止帯域における減衰特性を改善し、端子間のアイソレーション特性を向上させる。【解決手段】少なくとも一方の面に導体層４３ａを有する蓋体４３を備えたパッケージ内にＳＡＷ素子３１，３２を収容してなるＳＡＷ装置である。導体層は、基準電位電極から電気的に分離されかつ２以上の導体部分に分割されている。ＳＡＷ素子と電気的に接続された第一端子導体および第二端子導体を備え、導体層は、互いに分離された、第一端子導体の上部に位置する導体部分と、第二端子導体の上部に位置する導体部分とを少なくとも含む。ＳＡＷ素子を囲むようにＳＡＷ素子の周囲に配され、蓋体と共にＳＡＷ素子を封止する堰堤部４２を備える。堰堤部に対応する領域において導体層を複数の導体部分に分割することが望ましい。【選択図】図５
2005341227.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の面に導体層を有する蓋体を備えたパッケージ内に弾性表面波素子を収容してなる弾性表面波装置であって、
前記導体層は、基準電位電極から電気的に分離されており、かつ、２以上の導体部分に分割されている
ことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】
前記弾性表面波素子と電気的に接続された第一の端子導体および第二の端子導体を備え、
前記導体層は、互いに分離された、前記第一の端子導体の上部に位置する導体部分と、前記第二の端子導体の上部に位置する導体部分とを少なくとも含む
請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項３】
前記弾性表面波素子を囲むように該弾性表面波素子の周囲に配され、前記蓋体とともに該弾性表面波素子を封止する堰堤部を備え、
該堰堤部の厚さが０．４ｍｍ以下である
請求項１または２に記載の弾性表面波装置。
【請求項４】
前記堰堤部の誘電率が４以上である
請求項３に記載の弾性表面波装置。
【請求項５】
前記堰堤部に対応する領域において前記導体層が複数の導体部分に分割されている
請求項３または４に記載の弾性表面波装置。
【請求項６】
前記蓋体の両面に導体層が形成されている
請求項１から５のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。
【請求項７】
前記弾性表面波素子として、互いに異なる通過帯域を有しアンテナ接続用の共通端子に接続された送信用弾性表面波フィルタ素子および受信用弾性表面波フィルタ素子を含む
請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波装置に係り、特に弾性表面波（Surface Acoustic Wave／ＳＡＷ）素子を気密封止するパッケージ蓋体に導体層を備えたＳＡＷデバイスにおいて、減衰特性および端子間のアイソレーション特性を改善する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電効果によって発生する弾性表面波を利用したＳＡＷ装置は、小型軽量で信頼性に優れることから、携帯電話機等の移動体通信機器におけるフィルタやアンテナデュプレクサなどに近年広く使用されている。
【０００３】
かかるＳＡＷ装置は、信号線や素子搭載用のパッド等の導体パターンが形成されたベース基板上にＳＡＷ素子を実装し、この実装面を気密封止するため蓋体を被せた構造がとられる。基板上面を覆う蓋体には、電磁波ノイズを遮断するシールド層として導体層が設けられる。
【０００４】
また、この種の弾性表面波装置を開示するものとして下記特許文献がある。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−７８３８５号公報
【特許文献２】特開平１０-２２４１７５号公報
【０００６】
ところで、蓋体に形成された上記導体層は、一方においてベース基板表面の導体パターンと間に容量結合や浮遊容量を生じさせ、信号のスルーパスを引き起こす原因ともなる。例えば、帯域通過フィルタを構成した場合に、阻止帯域における減衰特性を悪化させ、あるいはデュプレクサを構成した場合に、送信信号が受信側に流れ込んでノイズを発生させ通話品質を劣化させるなどの問題を引き起こすことがある。
【０００７】
特に、デバイスが小型・薄型化されるにつれ、上記容量結合や浮遊容量の問題は顕著となる傾向にあり、今後ますます進展を続ける電子機器の小型・薄型化に伴いその解決が強く望まれる。
【０００８】
他方、上記特許文献に記載の発明は、不要信号の流れを遮断することで、阻止帯域における減衰特性を改善し、あるいは端子間のアイソレーション特性の向上を図るものであるが、いずれも、ベース基板上面を覆う蓋体に接地電極としての導体層を形成することを前提としたものであり、したがって蓋体導体層を接地させるための接続構造を必要とし、デバイス構造および製造プロセスが複雑となる難がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって、本発明の目的は、より簡便なデバイス構造および製造プロセスで、弾性表面波装置の阻止帯域における減衰特性を改善し、また端子間のアイソレーション特性を向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成し課題を解決するため、本発明のＳＡＷ（弾性表面波）装置は、少なくとも一方の面に導体層を有する蓋体を備えたパッケージ内にＳＡＷ素子を収容してなるＳＡＷ装置であって、前記導体層は、基準電位電極から電気的に分離されており、かつ、２以上の導体部分に分割されている。
【００１１】
本発明のＳＡＷ装置では、蓋体に設けた導体層により電磁波ノイズを遮断するが、この導体層は２以上の導体部分に分割してある。したがって、蓋体に設けた導体層を経由して不要な信号が流れることを抑えることができ、これにより端子間のアイソレーション特性を向上させ、また前記ＳＡＷ素子としてＳＡＷフィルタ素子を搭載した場合に該フィルタ素子の阻止帯域における減衰特性を改善することが可能となる。
【００１２】
さらに、上記本発明の装置では、蓋体に設ける導体層が基準電位電極から電気的に分離されている。つまり、蓋体の導体層を基準電位電極に接続しない構造をとる。したがって、従来必要とされた蓋体の導体層と基準電位電極とを接続するサイドビアホール（キャスタレーション）等の接続構造が不要となり、従来に較べデバイス構造ならびにデバイスの製造プロセスを簡略化することが可能で、製造コストを低減することが出来る。
【００１３】
蓋体に設ける導体層は、電磁波ノイズの遮断性の観点からは、少なくとも下面（ベース基板に対向する面側）に設けることが望ましく、下面に導体層を形成すれば、蓋体の上面には必ずしも導体層を設ける必要はない。しかしながら、導体層を蓋体の片面に設ける場合には、蓋体の反りや変形が生じやすくなることある。したがって、かかる反り・変形を防止するためには、蓋体の両面に導体層を形成することが望ましい。これにより、蓋体の反りや変形を防ぎ、パッケージング作業（蓋体の装着作業）を容易にし、より確実に気密封止を行うことが出来る。
【００１４】
また、上記本発明のＳＡＷ装置は、ＳＡＷ素子と電気的に接続された第一の端子導体および第二の端子導体を備え、前記導体層は、互いに分離された、前記第一の端子導体の上部に位置する導体部分と、前記第二の端子導体の上部に位置する導体部分とを少なくとも含む場合がある。
【００１５】
このように蓋体の導体層を、第一および第二の各端子導体の上部に位置する導体部分に分ければ、当該第一および第二の端子導体の間（例えば入力端子導体と出力端子導体との間、送信端子導体と受信端子導体との間など）において蓋体の導体層を通じ不要信号が流れることを防ぐことが可能となり、端子導体間のアイソレーション特性を良好にすることが出来る。尚、導体層の分割の程度（分割数）は、少なくとも２つの導体部分（二分割）に分けられていれば良く、さらに細かく（３つ以上の導体部分に）分割することも可能である。
【００１６】
またかかる本発明のＳＡＷ装置では、ＳＡＷ素子を囲むように該ＳＡＷ素子の周囲に配され、前記蓋体とともに該ＳＡＷ素子を封止する堰堤部を備え、該堰堤部の厚さが０．４ｍｍ以下である場合がある。また、堰堤部の誘電率が４以上の場合がある。
【００１７】
このような装置構成では、堰堤部と蓋体とによりＳＡＷ素子が気密封止される。堰堤部は、ベース基板と一体に形成されていても良いし、蓋体と一体に形成されたものであっても良い。
【００１８】
さらに、かかる堰堤部を備えたＳＡＷ装置では、堰堤部に対応する領域（例えば堰堤部の上部領域）において前記導体層が複数の導体部分に分割されていることがある。
【００１９】
堰堤部は、例えば樹脂、セラミックス、あるいは樹脂とセラミックスを混合した複合材料等によって形成することが可能であるが、上記堰堤部領域では、ベース基板表面の導体と蓋体の導体層との間にこれらの材料が介在されることとなるため、堰堤部の内側領域より結合容量が大きくなり、不要信号が流れやすくなる。したがって、蓋体に設けられる上記導体層について、当該堰堤部領域において複数の導体部分に分割することが不要信号の流路を遮断する点で好ましい。
【００２０】
また本発明では、上記ＳＡＷ装置としてデュプレクサを構成することが可能であり、該デュプレクサは、前記ＳＡＷ素子として、互いに異なる通過帯域を有しアンテナ接続用の共通端子に接続された送信用ＳＡＷフィルタ素子および受信用ＳＡＷフィルタ素子を含む。
【００２１】
該デュプレクサによれば、送信用および受信用の各ＳＡＷフィルタ素子について、阻止帯域における減衰特性を改善するとともに、送信側端子と受信側端子とのアイソレーション特性を向上させることが出来る。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、より簡便なデバイス構造および製造プロセスで、弾性表面波装置の阻止帯域における減衰特性を改善し、また端子間のアイソレーション特性を向上させることが出来る。
【００２３】
本発明の他の特徴および利点は、以下の本発明の実施の形態の説明により明らかにする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の実施の形態を説明するが、まず本発明および本実施形態の前提となる概念について述べ、その後、実施形態について具体的に説明する。
【００２５】
（本発明の前提概念）
図１は、ＳＡＷ装置の一例を示す断面図である。同図に示すようにこのＳＡＷ装置１０は、ベース基板１１の上面にＳＡＷフィルタ素子２１を実装したもので、ＳＡＷフィルタ素子２１は、該素子２１を取り囲むようにベース基板１１上に配したダム１２（堰堤部）と、ダム１２の上面に被せた平板状のキャップ１３（蓋体）とで封止されている。キャップ１３は、樹脂層１３ｃと、該樹脂層１３ｃの両面に配した電磁波ノイズを遮断する導体層１３ａ，１３ｂとを備えている。また、ベース基板１１の上面には、各種の導体線路や端子などの導体パターンが形成される。
【００２６】
このようなＳＡＷ装置１０において、ダム１２は樹脂材料等で形成された誘電体であるから、キャップ下面の導体層１３ａとベース基板１１の表面に形成された導体パターンとの間にキャパシタンスが発生し（同図において符号Ｃで示す）、ダム１２およびキャップの導体層１３ａを介した信号のスルーパスが生じることがある。
【００２７】
具体的には、例えばＳＡＷフィルタ素子２１の阻止帯域において、ダム１２およびキャップの導体層１３ａを介して一方の端子１５から他方の端子１６へ信号が流れ（図において一点鎖線の矢印で示す）、通過帯域外における減衰特性を悪化させることがある。また、ＳＡＷ装置１０がデュプレクサの場合には、一方の端子１５（例えば送信端子）から他方の端子１６（例えば受信端子）へ同様にダム１２および導体層１３ａを介して信号が流れ込み、送受信端子間のアイソレーション特性を低下させることがある。
【００２８】
さらに、このような信号のスルーパスの問題は、近年のデバイスの低背化（デバイスの薄型化に伴いダム１２の高さが小さくなればその分、ベース基板表面の導体パターンとキャップの導体層との結合容量は大きくなる）並びに信号の高周波化に伴い、一層顕著となる傾向にある。
【００２９】
図２は、上記ＳＡＷ装置１０におけるＳＡＷ素子部の等価回路を示すものである。同図においてＳＡＷ素子２１の入力端子１側と出力端子２側との間には、寄生容量Ｃthが存在する。ＳＡＷ素子２１のアドミッタンスをＹｄ(＝Ｇｄ＋ｊＢｄ)とすると、寄生容量Ｃthを含むＳＡＷ素子部２１ａの入力端子１側から見た入力アドミッタンスの大きさ│Ｙ│は、下記式１のとおりとなる。
【００３０】
│Ｙ│＝（│Ｙｄ│2＋│ωＣth│2＋２|ωＣth・Ｂｄ｜）0.5  ・・・（式１）
【００３１】
ここで、|Ｙｄ|＞＞|ωＣth|の場合には、ほぼ│Ｙ│＝│Ｙｄ│であり、寄生容量Ｃthは入力端子１から出力端子２への伝送特性Ｓ21にほとんど影響しない。
【００３２】
一方、|Ｙｄ|＝|ωＣth|の場合には、２0.5│Ｙｄ│＜│Ｙ│＜２│Ｙｄ│となり、寄生容量Ｃthがない場合に較べて伝送量│Ｓ21│が｜Ｙ｜＜＜｜Ｙ0｜(基準アドミッタンス)の場合に約３〜６ｄＢ増加する(但し｜Ｙ｜＞＞｜Ｙ0｜の場合はほとんど影響しない)。さらに、|Ｙｄ|＜＜|ωＣth|の場合には、│Ｙ│＝│１／Ｚ11│＝│ωＣth│となり、寄生容量Ｃthが伝送特性Ｓ21に影響する。尚、Ｚ11は、入力端子１側からの入力インピーダンスである。
【００３３】
このように、|Ｙ|＜＜|Ｙ0|かつ|Ｙｄ|≦|ωＣth|となる場合に寄生容量Ｃthが伝送特性に影響を及ぼし、端子１，２間のアイソレーション特性が約３ｄＢ以上劣化する。
【００３４】
下記表１は、ＳＡＷ素子のインピーダンスＺｄが１Ω、１ｋΩおよび１ＭΩの各場合について、寄生容量Ｃth（単位はｐＦ）と伝送特性Ｓ21（減衰量／単位はｄＢ）との関係を計算により求めた結果を示すものである。また下記表２は、寄生容量Ｃthが０の場合を基準とした伝送特性の劣化量（単位はｄＢ）を寄生容量Ｃthとの関係において示すものである。尚、信号周波数は、１ＧＨｚである。表２において、太線より上の部分が|Ｙｄ|＞|ωＣth|の場合、太線より下の部分が|Ｙｄ|＜|ωＣth|の場合であり、また二重線より左側の部分が|Ｙ|＞＞|Ｙ0|の場合で、二重線より右側の部分が|Ｙ|＜＜|Ｙ0|の場合である。さらに図３は、表２に示す寄生容量Ｃthと伝送特性の劣化量との関係を線図で表したものである。
【００３５】
【表１】
2005341227.tif 000003
【００３６】
【表２】
2005341227.tif 000004
【００３７】
以上の結果から、端子間のアイソレーション特性の劣化を避けるためには、│ωＣth│＜＜│Ｙｄ│とする必要があり、このため寄生容量Ｃthを低減させることが望ましいことがわかる。
【００３８】
〔実施形態１〕
図４は、本発明の第一の実施形態に係るＳＡＷ装置であるデュプレクサを示すブロック図であり、図５は、該デュプレクサを示す分解斜視図である。これらの図に示すようにデュプレクサ３０は、互いに異なる通過帯域を有する２つのＳＡＷフィルタ素子３１，３２、すなわち送信側のＳＡＷフィルタ素子３１と受信側のＳＡＷフィルタ素子３２とを備え、これらＳＡＷフィルタ素子３１，３２をアンテナ接続用の共通端子Ｃｘに接続する一方、送信信号が入力される送信端子Ｔｘを送信側フィルタ素子３１に、また受信信号が出力される受信端子Ｒｘを受信側フィルタ素子３２にそれぞれ設けたものである。
【００３９】
各ＳＡＷフィルタ素子３１，３２は、ベース基板４１の表面にフリップチップ実装する。ベース基板４１の表面には、ＳＡＷフィルタ素子３１，３２を接続するための導体パッド（ランド）や信号伝送用の導体線路を形成するとともに、ＳＡＷフィルタ素子３１，３２を取り囲むようにベース基板４１の周縁部にダム（堰堤部）４２を形成する。このダム４２は、例えばエポキシ系樹脂材料（誘電率が例えば４．０）により形成し、実装状態におけるＳＡＷフィルタ素子３１，３２の高さより大きな一定高さ（例えば０．４ｍｍ）を有するものとする。ダム４２の上には、平板状のキャップ（蓋体）４３を被せ、これによりＳＡＷフィルタ素子３１，３２を実装したベース基板表面を気密封止する。
【００４０】
尚、ダム４２は、本実施形態のようにベース基板４１上に一体に形成し、その後ダム４２の上にキャップ４３を被せるようにしても良いし、平板状の蓋材とダム４２とが一体となったキャップを形成し、このキャップをベース基板４１の表面に被せるようにしても構わない。
【００４１】
図６はベース基板４１の表面を、図７はベース基板４１の表面にＳＡＷフィルタ素子３１，３２を実装した状態を、図８はベース基板表面にさらにダム４２を形成した状態を、図９はキャップ４３を被せた状態をそれぞれ示す平面図である。
【００４２】
図７に示すように本実施形態に係るデュプレクサでは、受信側および送信側の各ＳＡＷフィルタ素子３１，３２を並べてベース基板上に実装してある。同図において右側が送信側のＳＡＷフィルタ素子３１であり、左側が受信側のＳＡＷフィルタ素子３２である。また、これらに対応して図６にも示すようにベース基板４１の表面に、送信側ＳＡＷフィルタ素子３１に接続して該素子３１へ送信信号を入力するための送信側ライン５１と、受信側ＳＡＷフィルタ素子３２に接続して該素子３２から受信信号を出力するための受信側ライン５２と、受信側ＳＡＷフィルタ素子３２をアンテナ共通端子Ｃｘに接続するためのライン５３と、送信側ＳＡＷフィルタ素子３１をアンテナ共通端子Ｃｘに接続するための接続パッド５５とを形成してある。
【００４３】
一方、ベース基板４１の裏面には、本デュプレクサ３０（受信側ＳＡＷフィルタ素子３２）から受信信号を導出する受信側の外部接続用端子（受信端子Ｔｘ）と、本デュプレクサ３０（送信側ＳＡＷフィルタ素子３１）に対して送信信号を入力するための送信側の外部接続用端子（送信端子Ｔｘ）と、アンテナに接続するための共通端子Ｃｘとを形成する。
【００４４】
また、ベース基板４１は略方形の平面形状を有するが、対向する一対の側面４１ａ，４１ｂと、該一対の側面４１ａ，４１ｂに隣接する側面４１ｃとにそれぞれ、ベース基板の表面から裏面まで延びるキャスタレーション４５，４６，４７を設ける。これらは、ＳＡＷフィルタ素子３１，３２を送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘおよび共通端子Ｃｘに接続するものである。
【００４５】
すなわち、送信側ＳＡＷフィルタ素子３１に接続された上記送信側ライン５１は、上記一対の側面のうち一方の側面４１ａに向かって延び、該一方の側面４１ａに形成したキャスタレーション４５を介してベース基板裏面の送信端子Ｔｘと接続される。一方、受信側ＳＡＷフィルタ素子３２に接続された上記受信側ライン５２は、上記一対の側面のうち他方の側面４１ｂに向かって延び、該他方の側面４１ｂに形成したキャスタレーション４６を介してベース基板裏面の受信端子Ｒｘと接続される。また、共通端子に接続するための上記ライン５３は、一対のベース基板側面４１ａ，４１ｂに隣接する側面４１ｃに設けたキャスタレーション４７を通じて、また上記接続パッド５５は、ビアホール（図示せず）を通じて、それぞれベース基板裏面の共通端子Ｃｘに接続される。尚、ベース基板４１の各側面には、グランド電極に接続するためのキャスタレーション４８をさらに設けて良い。
【００４６】
ＳＡＷフィルタ素子３１，３２を気密封止するキャップ４３の裏面（下面）には、導体層４３ａを設け、電磁波ノイズを遮断する。すなわち、キャップ４３は、樹脂材料（樹脂にセラミック材料を加えた複合材料でも良い）により形成した平板状部材４３ｃの下面に金属箔の導体層４３ａを形成してなる。図１０から図１４は導体層４３ａの形状パターンを示すもので、本発明のＳＡＷ装置では、図１０から図１３に示すパターン１から４のいずれの導体層を蓋体に形成しても良く、さらに図示しない他のパターン形状を有する導体層を設けることも可能である。
【００４７】
パターン１（図１０）は、キャップ４３の下面の略全体に導体層４３ａを形成してあるが、左右中央位置にスリットを形成することにより導体層４３ａを２つに分け、送信側導体（送信側ライン５１および送信側キャスタレーション４５）に対向する導体部分ａ１と、受信側導体（受信側ライン５２および受信側キャスタレーション４６）に対向する導体部分ａ２とに分割したものである。
【００４８】
パターン２（図１１）は、ダム４２の形成位置（ダム４２の上部位置）に略対応するようにキャップ４３の下面周縁部に導体層を形成したもので、該導体層を左右中央位置で２つに分け、送信側導体に対向する導体部分ａ３と、受信側導体に対向する導体部分ａ４とに分割してある。
【００４９】
パターン３（図１２）は、キャップ下面の略全体に形成した導体層を、左右中央位置および前後中央位置に（十字状に）スリットを設けることにより４等分したもので、略正方形の４つの導体部分ａ５〜ａ８を有する。
【００５０】
パターン４（図１３）は、キャップ下面の略全体に形成した導体層を、上記パターン２と同様にキャップ下面周縁部に形成した導体部分（周縁導体部）と、該キャップ下面周縁部の導体部分に囲まれたキャップ下面中央部の導体部分（中央導体部）とに分け、周縁導体部をさらに４隅部と左右中央部と前後中央部で分割して８つの導体部分ａ９〜ａ１６に分け、中央導体部をさらに略１６等分に分割して略正方形の導体部分ａ１７〜ａ３２を形成したものである。
【００５１】
パターン５（図１４）は、本発明との比較例としてキャップ下面の全体に連続した１枚の導体層ａ３３を形成したものである。
【００５２】
本実施形態に基づいて、上記パターン１から４の各パターンの導体層をキャップの下面に有するデュプレクサを構成し、受信端子（受信側ライン５２および受信側キャスタレーション４６）と送信端子（送信側ライン５１および送信側キャスタレーション４５）との間のアイソレーション特性（送信端子Ｔｘまたは受信端子Ｒｘから信号を入力した場合の、該信号の受信端子Ｒｘまたは送信端子Ｔｘにおける減衰量）を測定した。結果は、図１５および下記表３に示すとおりである。
【００５３】
尚、同図および同表において、例１はパターン１（図１０）の導体層を、例２はパターン２（図１１）の導体層を、例３はパターン３（図１２）の導体層を、例４はパターン４（図１３）の導体層を、例５はパターン５（図１４）の導体層をそれぞれキャップ下面に形成したものである。また下記表３は、７２０ＭＨｚおよび９２０ＭＨｚにおける減衰量を例１（パターン１）から例５（パターン５）のデュプレクサについて比較したものである（単位はｄＢ）。尚、図１５および下記表３では、比較のため、キャップに導体層を設けない場合についても示している。
【００５４】
【表３】
2005341227.tif 000005
【００５５】
図１５および表３から明らかなように、キャップ全面に分割しない導体層を設けた場合（例５／パターン５）に較べ、本実施形態に基づいて導体層を分割した場合（例１〜例４／パターン１〜４）には、送受信端子間のアイソレーション特性を高めることが出来る。
【００５６】
さらに、本実施形態（キャップ構造）によれば、同様に受信端子とアンテナ共通端子との間、並びに送信端子とアンテナ共通端子との間における信号の遮断特性（各通過帯域外における減衰特性）を良好にすることも可能である。
【００５７】
〔実施形態２〕
図１６は、本発明の第二の実施形態に係るＳＡＷ装置（デュプレクサ）を示す分解斜視図である。前記第一の実施形態ではキャップ４３の片面（下面）にのみ導体層４３ａを設けたが、この第二の実施形態は、キャップ４３の上下両面に導体層４３ａ，４３ｂを設けたものである。他の構成（ベース基板４１、ダム４２およびＳＡＷフィルタ素子３１，３２等）は、前記第一の実施形態と同様であるから、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００５８】
本実施形態では、導体層４３ａ，４３ｂの形状パターンが異なる例６から例１０までの各デュプレクサを構成する。すなわち、例６は、図１７に示すパターン６の導体層をキャップ４３の両面に形成したものである。また、例７は図１８に示すパターン７の導体層を、例８は図１９に示すパターン８の導体層を、例９は前記図１３に示したパターン４の導体層を、さらに例１０は前記図１４に示したパターン５の導体層をそれぞれキャップ４３の両面に設けたものである。
【００５９】
ここで、図１７に示すパターン６は、前記パターン４（図１３）と同様に、キャップ両面の略全体に形成した導体層を、ダム４２に対向する部分（キャップ４３の周縁部）に形成した導体部分ａ３４（周縁導体部）と、該周縁導体部に囲まれたキャップ中央部分の導体部分ａ３５（中央導体部）とに分けたものである。尚、このパターン６では、前記パターン４（図１３）とは異なり、周縁導体部ａ３４と中央導体部ａ３５をさらに細かい導体部分には分けていない。またパターン７（図１８）は、前記パターン６（図１７）において周縁導体部をさらに、前記パターン４（図１３）と同様に４隅部と左右中央位置および前後中央位置で分割し８つの導体部分ａ３６〜ａ４３に分けたものである。またパターン８（図１９）は、前記パターン７（図１８）において中央導体部をさらに４等分し、導体部分ａ４４〜ａ４７に分けたものである。
【００６０】
図２０は、上記例６から例１０のデュプレクサについて、前記第一実施形態と同様に、受信端子（受信側ライン５２および受信側キャスタレーション４６）と送信端子（送信側ライン５１および送信側キャスタレーション４５）との間のアイソレーション特性（減衰量）を信号周波数との関係において示すものであり、下記表４は、７５０ＭＨｚおよび９５０ＭＨｚにおける減衰量を比較したものである（単位はｄＢ）。
【００６１】
【表４】
2005341227.tif 000006
【００６２】
図２０および表４から明らかなように、キャップ全面に連続した導体層（パターン５）を設けた例１０に較べ、本実施形態に基づいて導体層を分割した例６（パターン６）から例９（パターン４）では、送受信端子間のアイソレーション特性を高めることが出来る。
【００６３】
また、本実施形態ではキャップ４３の両面に導体層４３ａ，４３ｂを設けるから、これによりキャップ４３の反りや変形を防ぐことができ、より確実に気密封止を行うことが出来る利点をも有する。
【００６４】
また、上記第一および第二実施形態では、導体層の分割パターンを対称的な形状とし、さらに前記パターン１（図１０）および２（図１１）では、キャップの一辺に平行な第一の方向（左右方向）に関し略等分に導体層を複数の部分に分割し、パターン３（図１２）、パターン４（図１３）、パターン７（図１８）およびパターン８（図１９）では、該第一の方向（左右方向）に加え、該第一の方向と直交する第二の方向（前後方向）についても略等分に導体層を複数の部分に分割している。
【００６５】
一方、ベース基板上に形成される導体パターンは、製品ごとに区々となることも少なくない。しかしながら、上記のような分割パターンを有する本実施形態の導体層の構造によれば、ベース基板上の端子位置や導体パターンが様々に変わったとしても、同様の特性改善効果を得ることができ、ベース基板上の導体パターンへの依存性（影響）を抑えることが出来る。つまり、ベース基板の構造パターンに合わせて蓋体の導体層の分割パターンを逐一設計する必要がなく、設計を煩雑化することなく、減衰およびアイソレーションの両特性の改善効果を得ることが可能となる利点がある。
【００６６】
以上、本発明の実施の形態について図面に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々の変更を行うことが出来る。
【００６７】
例えば、キャップに設けた導体層の形状は、図示の例のほかにも様々なパターンを形成することが可能である。また、本発明に係るＳＡＷ装置としてデュアルモードやトリプルモード等のデュプレクサを構成することも可能であり、ＳＡＷフィルタ素子の配設個数は３つ以上の場合もある。また、上記実施形態ではデュプレクサを構成したが、１つのＳＡＷフィルタ素子を備えたフィルタ装置、あるいは前段ＳＡＷフィルタ素子、増幅回路および後段ＳＡＷフィルタ素子を備えた微弱信号抽出用フィルタ、さらにはその他各種のフィルタ装置を構成することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】ＳＡＷ装置の概略構成の一例を示す断面図である。
【図２】図１のＳＡＷ装置におけるＳＡＷ素子部の等価回路を示す図である。
【図３】ＳＡＷ装置における寄生容量Ｃthと伝送特性の劣化量との関係を示す線図である。
【図４】本発明の第一の実施形態に係るＳＡＷ装置（デュプレクサ）を示すブロック図である。
【図５】上記第一実施形態に係るデュプレクサを示す分解斜視図（キャップを上方に持ち上げた状態）である。
【図６】上記第一実施形態におけるベース基板の表面を示す平面図である。
【図７】上記第一実施形態においてベース基板の表面にＳＡＷフィルタ素子を実装した状態を示す平面図である。
【図８】上記第一実施形態においてベース基板表面にダムを形成した状態を示す平面図である。
【図９】上記第一実施形態においてキャップを被せた状態を示す平面図である。
【図１０】上記第一実施形態におけるキャップの下面（導体層のパターン）の一例を示す平面図である。
【図１１】上記第一実施形態におけるキャップの下面（導体層のパターン）の別の例を示す平面図である。
【図１２】上記第一実施形態におけるキャップの下面（導体層のパターン）のさらに別の例を示す平面図である。
【図１３】上記第一実施形態におけるキャップの下面（導体層のパターン）のさらに別の例を示す平面図である。
【図１４】ＳＡＷデュプレクサにおけるキャップの下面（従来の導体層のパターン）を示す平面図である。
【図１５】受信端子と送信端子との間のアイソレーション特性（信号減衰量）を信号周波数との関係において示す線図である。
【図１６】本発明の第二の実施形態に係るデュプレクサを示す分解斜視図（キャップを上方に持ち上げた状態）である。
【図１７】上記第二実施形態におけるキャップ（導体層のパターン）の一例を示す平面図である。
【図１８】上記第二実施形態におけるキャップ（導体層のパターン）の別の例を示す平面図である。
【図１９】上記第二実施形態におけるキャップ（導体層のパターン）のさらに別の例を示す平面図である。
【図２０】受信端子と送信端子との間のアイソレーション特性（信号減衰量）を信号周波数との関係において示す線図である。
【符号の説明】
【００６９】
１０，３０  ＳＡＷ装置
１１，４１  ベース基板
１２，４２  ダム（堰堤部）
１３，４３  キャップ（蓋体）
１３ａ，１３ｂ，４３ａ，４３ｂ  導体層
１３ｃ，４３ｃ  樹脂層
１５，１６  端子
２１  ＳＡＷフィルタ素子
３１  送信側ＳＡＷフィルタ素子
３２  受信側ＳＡＷフィルタ素子
４５  送信側キャスタレーション
４６  受信側キャスタレーション
４７  共通端子接続用キャスタレーション
４８  グランド電極用キャスタレーション
５１  送信側ライン
５２  受信側ライン
５３  共通端子接続用ライン
５５  接続パッド
Ｔｘ  送信端子
Ｒｘ  受信端子
Ｃｘ  共通端子
【図１】
2005341227.tif 000007
【図２】
2005341227.tif 000008
【図３】
2005341227.tif 000009
【図４】
2005341227.tif 000010
【図５】
2005341227.tif 000011
【図６】
2005341227.tif 000012
【図７】
2005341227.tif 000013
【図８】
2005341227.tif 000014
【図９】
2005341227.tif 000015
【図１０】
2005341227.tif 000016
【図１１】
2005341227.tif 000017
【図１２】
2005341227.tif 000018
【図１３】
2005341227.tif 000019
【図１４】
2005341227.tif 000020
【図１６】
2005341227.tif 000021
【図１７】
2005341227.tif 000022
【図１８】
2005341227.tif 000023
【図１９】
2005341227.tif 000024
【図１５】
2005341227.tif 000025
【図２０】
2005341227.tif 000026