(57)【要約】【課題】  本発明は半導体工程装置及び工程診断方法に関するものであって、より詳しくは半導体工程開始前に一括的に半導体工程を診断することができる半導体工程装置及び工程診断方法に関する。【解決手段】  本発明は複数の下部モジュールを有するシステムの作動を含む半導体工程を管理する工程診断方法において、前記半導体工程を開始する前に前記複数の下部モジュールの状態を診断する段階と、前記システムの工程条件をチェックする段階と、前記下部モジュール及び前記工程条件の状態を使用者に知らせる段階とを含むことを特徴とする工程診断方法及びこれを遂行できる半導体工程装置である。これにより、半導体製造工程中のシステム故障の予防及びモジュール別運営者の管理が不要な中央集中的なシステム管理が可能であり、半導体製造収率を向上させることができる。【選択図】  図３
2005039202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の下部モジュールを有するシステムの作動を含む半導体工程を管理する工程診断方法において、
前記半導体工程を開始する前に前記複数の下部モジュールの状態を診断する段階と、
前記システムの工程条件をチェックする段階と、
前記下部モジュール及び前記工程条件の状態を使用者に知らせる段階と
を含むことを特徴とする工程診断方法。
【請求項２】
前記半導体工程を開始する前に前記下部モジュールの入出力装置の状態を診断する段階と、
前記入出力装置の状態を使用者に知らせる段階とをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の工程診断方法。
【請求項３】
前記複数の下部モジュールの状態を診断する段階は、前記下部モジュールを動作させるための診断プログラムモジュールを設け、前記診断プログラムモジュールを実行する段階を含むことを特徴とする、請求項１に記載の工程診断方法。
【請求項４】
前記工程条件をチェックする段階は、前記システムの性能を把握する性能診断プログラムモジュールを実現し、前記性能診断プログラムモジュールを実行する段階を含むことを特徴とする、請求項１に記載の工程診断方法。
【請求項５】
前記下部モジュール及び前記工程条件の状態の異常有無は、正常状態での複数の変数値を設け、診断結果得られる前記変数の測定値と比較して判断することを特徴とする、請求項１に記載の工程診断方法。
【請求項６】
前記半導体工程を開始する前に診断対象を使用者が選択することができる段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の工程診断方法。
【請求項７】
複数の下部モジュールを有するシステムの作動を含む半導体工程を管理する半導体工程装置において、
前記下部モジュールの動作状態を診断するモジュールチェック部と、
前記システムの工程条件を診断する工程条件チェック部と、
診断された対象の診断結果を使用者に表示する測定結果表示部と、
前記半導体工程を開始する前に前記モジュールチェック部及び前記工程条件チェック部が各々前記下部モジュールの動作状態及び前記工程条件を診断するように制御し、診断結果を前記測定結果表示部に出力する制御部と
を有することを特徴とする半導体工程装置。
【請求項８】
前記下部モジュールの入出力状態を診断するインターフェースチェック部を更に含み、
前記制御部は前記インターフェースチェック部の測定結果を前記測定結果表示部に出力するようにすることを特徴とする、請求項７に記載の半導体工程装置。
【請求項９】
前記制御部は、使用者の選択によって診断対象を選択できるようにすることを特徴とする、請求項７に記載の半導体工程装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体工程装置及び工程診断方法｛equipment for making semiconductor and process control thereof｝に関するものであって、より詳しくは、半導体工程開始前に一括的に半導体工程を診断することができる半導体工程装置及び工程診断方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウエハー上に数個の半導体ディバイスを生産する工程は一般的に約２００個の工程を経る。工程の進行段階で特定装置に故障が発生すると、工程進行中にあるウエハーを使用できなくなるだけでなく、故障診断のために全工程を進行できなくなる。
【０００３】
図１は従来の半導体工程診断のためのシステムのブロック構成図である。
図１に示したように、工程診断システムは診断部選択部１０１、細部診断項目選択部１０２、測定装備選択部１０３及び測定結果表示部１０４を有する。
【０００４】
診断部選択部１０１は使用者が診断しようとする工程装置の構成要素を選択することができるようにし、細部診断項目選択部１０２は選択された診断部に対する細部的な診断項目を使用者が選択することができる機能をする。
【０００５】
測定装備選択部１０３は半導体製造装備内に装着された測定装備のうちで選択された細部診断項目をテストするための少なくとも一つ以上の測定装備を使用者が選択することができるようにし、選択された診断部の細部診断を実施する。
【０００６】
測定結果表示部１０４は測定装備選択部１０３で選択された測定装備によって測定された結果を目視で確認できるように表示する役割を果たす。
【０００７】
使用者は半導体製造工程中に装備の故障症状によってそれに該当する診断装備及び細部診断項目を選択し、当該部品の動作状態をテストするためにその内部に装着された測定装備を選択する。
【０００８】
選択された測定装備は選択された部品の性能をテストし、結果を測定結果表示部１０４に出力して使用者が目視で確認することができるようにする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、従来の半導体工程診断システムは半導体制製造装備の故障症状が発生した後にその故障症状によって診断項目及び測定装備を選択し、故障有無を確認するようになっていた。装備運営者は故障装備の制御機を直接コントロールして故障診断をしなければならないなど多くの時間がかかる問題点があった。
【００１０】
半導体製造装備の故障症状が発生する前に全体システムの状態を事前に点検すると、工程中に故障を防止することができ、半導体を量産するにあたって収率を高めることができる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的は、本発明によって複数の下部モジュールを有するシステムの作動を含む半導体工程を管理する工程診断方法において、前記半導体工程を開始する前に前記複数の下部モジュールの状態を診断する段階と、前記システムの工程条件をチェックする段階と、前記下部モジュール及び前記工程条件の状態を使用者に知らせる段階とを含むことを特徴とする工程診断方法によって達成できる。前記工程診断方法に、前記半導体工程を開始する前に前記下部モジュールの入出力装置の状態を診断する段階と、前記入出力装置の状態を使用者に知らせる段階とをさらに含むのが好ましい。
【００１２】
ここで、前記複数の下部モジュールの状態を診断する段階は前記下部モジュールを動作させるための診断プログラムモジュールを設け、前記診断プログラムモジュールを実行する段階を含むようにすることができ、前記工程条件をチェックする段階は前記システムの性能を把握する性能診断プログラムモジュールを実現し、前記性能診断プログラムモジュールを実行する段階を含むようにすることができる。
【００１３】
そして、前記下部モジュール及び前記工程条件の状態の異常有無は、正常状態での複数の変数値を設け、診断結果得られる前記変数の測定値を比較して判断するようにすることができ、前記半導体工程を開始する前に診断対象を使用者が選択することができる段階をさらに含むようにすることができる。
【００１４】
また、前記目的は、本発明によって複数の下部モジュールを有するシステムの作動を含む半導体工程を管理する半導体工程装置において、前記下部モジュールの動作状態を診断するモジュールチェック部と、前記システムの工程条件を診断する工程条件チェック部と、診断された対象の診断結果を使用者に表示する測定結果表示部と、前記半導体工程を開始する前に前記モジュールチェック部及び前記工程条件チェック部が各々前記下部モジュールの動作状態及び前記工程条件を診断するように制御し、診断結果を前記測定結果表示部に出力する制御部とを有することを特徴とする半導体工程装置によって達成できる。
【００１５】
ここで、前記下部モジュールの入出力状態を診断するインターフェースチェック部をさらに含み、前記制御部は前記インターフェースチェック部の測定結果を前記測定結果表示部に出力するようにし、前記制御部は使用者の選択によって診断対象を選択できるようにするのが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によって半導体製造工程中のシステム故障の予防及びモジュール別運営者の管理が不要な中央集中的なシステム管理が可能であり、半導体製造収率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図２は本発明の実施例による半導体工程装置のブロック構成図である。
図２に示したように、半導体工程装置はインターフェースチェック部１、モジュールチェック部２、システム工程条件チェック部３、測定結果表示部４及び制御部５を有する。
【００１８】
インターフェースチェック部１は、故障診断の対象になる各構成要素の入出力装置の異常有無及びアラーム状態などを点検するものである。
【００１９】
モジュールチェック部２は、半導体工程に使用される各種チャンバー、コンベヤー、炉（furance）などのシステム構成要素及びその部品、例えば、バルブ、ポンプ、コントローラ、ローラなどのように故障を起こすことができる工程手段の状態を点検する機能を担当するものである。
【００２０】
システム工程条件チェック部３は、工程手段の正常な動作に必要な圧力、真空状態などを点検して目標にするディバイスを生産できるかを診断するためのものであって、全般的なシステム性能を評価するためのものであると言える。
【００２１】
測定結果表示部４は、インターフェースチェック部１、モジュールチェック部２及びシステム工程条件チェック部３の結果をシステム運営者が目視で確認することができるように出力する機能を担当する。測定結果表示部４は各装備を一括的に診断して処理できる中央制御用モニターなどで実現されるのが好ましい。
【００２２】
制御部５は前記半導体工程を開始する前にインターフェースチェック部１、モジュールチェック部２及びシステム工程条件チェック部３が好ましい順序に診断動作を遂行するように制御し、診断結果を前記測定結果表示部４に出力するようにする。制御部５は使用者によって診断対象を選択できるようにするのが好ましい。
【００２３】
図３は本発明の実施例による工程診断方法のフローチャートである。
以下、図２及び図３を参照して本発明の実施例を具体的に説明する。
半導体製造工程が開始される前に装備運営者は全般的なシステムの状態を点検するために制御部５を通じてシステムの診断を始めることができる。
【００２４】
工程診断が開始されると、インターフェースチェック部１は診断の対象になる各下部モジュールの入出力装置の状態を診断する（Ｓ１）。診断された結果は測定結果表示部４に出力されて運営者にリアルタイムで伝達される（Ｓ２）。
【００２５】
下部モジュールの入出力装置に異常がないと、下部モジュール作動状態がテストされ（Ｓ３）、その結果が測定結果表示部４によって運営者に伝達される（Ｓ４）。下部モジュールのテストは装備の動作状態を診断することであって、電圧、電流、トルク、速度などの測定によって多様に実施できる。下部モジュールのテストは下部モジュールを動作させるための診断プログラムモジュールを設け、前記診断プログラムモジュールを実行することによって実現できる。また、制御部５は下部モジュールの状態が適正な順序によって診断されるように制御する。
【００２６】
各装備の動作が正常である場合、システム工程条件チェック部３によってシステムの工程条件がチェックされ（Ｓ５）、その結果がリアルタイムで測定結果表示部４に出力されて運営者に認知されるようにする（Ｓ６）。システム工程条件チェック部３はチャンバーの真空度、ガスの分圧比などシステム全般的な性能を評価し、制御部５はこのような診断が好ましい順序によって進められ得るように制御する。システム工程条件のテストはシステムの性能を把握する性能診断プログラムモジュールを実現し、前記性能診断プログラムモジュールの実行によって実現できる。
【００２７】
測定結果表示部４では下部モジュールの入出力装置、下部モジュール及び工程条件の異常有無を事前に設けられた正常状態の変数値と診断結果得られる前記変数の測定値とを比較して使用者に出力するのが好ましい。
【００２８】
運営者は診断結果に基づいて半導体製造工程を開始するかを判断し（Ｓ７）、半導体製造工程を開始するように制御することができる（Ｓ８）。
【００２９】
工程診断において、使用者が診断対象を選択することができるようにして、部分的な診断過程を省略できる柔軟性を提供するのが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】従来の半導体工程の診断のためのシステムのブロック構成図である。
【図２】本発明の実施例による半導体工程装置のブロック構成図である。
【図３】本発明の実施例による工程診断方法のフローチャートである。
【符号の説明】
【００３１】
１  インターフェースチェック部
２  モジュールチェック部
３  システム工程条件チェック部
４  測定結果表示部
５  制御部
【図１】
2005039202.tif 000003
【図２】
2005039202.tif 000004
【図３】
2005039202.tif 000005