(57)【要約】【課題】  従来のフェノキシ樹脂やエラストマー等のバインダー樹脂を用いないで、高い難燃性を持ちながら同時に優れた低イオンマイグレーション性を併せ持つ接着フィルム及びそれを用いた半導体装置を提供すること。【解決手段】  延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムと接着性樹脂からなり、該接着性樹脂がジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする接着フィルム。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着性樹脂としてジヒドロベンゾオキサジン環を有する熱硬化性樹脂を含んでなり、かつ前記接着性樹脂が延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムを基材として該延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムに複合化されて成ることを特徴とする接着フィルム。
【請求項２】
前記接着性樹脂が前記延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムの多孔性空隙に充填されて前記多孔性空隙が埋められている、請求項１に記載の接着フィルム。
【請求項３】
第１の延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムからなる多孔質ポリテトラフルオロエチレン層の両面に、第２の延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムの多孔性空隙にジヒドロベンゾオキサジン環を有する熱硬化性樹脂を充填して形成された接着性樹脂層が積層され、かつ前記第１の多孔質ポリテトラフルオロエチレン層は多孔性空隙を保持してなる、請求項１に記載の接着フィルム。
【請求項４】
前記着性樹脂が、接着フィルム全体の質量を基準として４０質量％以上９０質量％以下の範囲内で含有されている、請求項２に記載の接着フィルム。
【請求項５】
前記着性樹脂が、接着フィルム全体の質量を基準として８質量％以上５０質量％以下の範囲内で含有されている、請求項３に記載の接着フィルム。
【請求項６】
前記接着性樹脂が、ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を３０質量％以上含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の接着フィルム。
【請求項７】
ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂が、分子中に芳香族炭素原子を６０質量％以上含む樹脂である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の接着フィルム。
【請求項８】
前記接着性樹脂が、ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂とフェノール樹脂とを含むものである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の接着フィルム。
【請求項９】
前記接着性樹脂が、ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を３０〜１００質量部とフェノール樹脂を０〜７０質量部含むものである、請求項８に記載の接着フィルム。
【請求項１０】
前記フェノール樹脂が分子中の芳香族炭素原子の含有量が６５質量％以上含む樹脂である、請求項８または９に記載の接着フィルム。
【請求項１１】
塩化物イオン濃度が１ppm 以下である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の接着フィルム。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の接着フィルムを備えた半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を用いた接着フィルム及びこれを使用した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の表面実装半導体装置には、ダイボンディング用接着剤を介してインターポーザー上に半導体チップを固定しているものがある。ダイボンディング用接着剤には液状及びフィルム状があるが、ともに一般的にエポキシ樹脂及び硬化剤を主成分とし、高温耐湿性や耐熱性、難燃性、接着信頼性などを確保している。
【０００３】
特に難燃性は電子材料に要求される重要な性能の一つであり、現在では主に臭素化エポキシ樹脂を用いることによってこれを解決しているが、近年の環境問題に対する意識の高まりから、臭素系エポキシ樹脂の代替としてベンゾオキサジン樹脂に注目が集まっている。ところがベンゾオキサジン樹脂は非常に脆く、可撓性に乏しいため、そのままではフィルム化できない。
【０００４】
そこで、このベンゾオキサジン樹脂の持つ致命的な欠陥を改善するためにフェノキシ樹脂（特許文献１）やエラストマー（特許文献２）等のバインダー樹脂を併用する技術が開発されているが、フェノキシ樹脂を使うと塩化物イオンの溶出量が増加し、銅配線などを腐食する原因となることがある。またエラストマーを使うと芳香族炭素の含有量が低下し、難燃性を低下させる原因となることがある。さらに、このようにして得られたフィルムは、柔軟性が不十分であり、巻取ることが出来ず生産性も悪い。
【０００５】
またガラスクロスを使ってフィルム化する方法（特許文献３、特許文献４）もあるが、ガラスクロスでは繊維の目が粗すぎるためにフィルムの切り口から樹脂粉末が飛び散り、半導体チップまたはその周辺を汚染することがある。
【０００６】
延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムと接着性樹脂を組み合わせて接着フィルムを作製する技術は既に開発されているが、特許文献５に記載のものでは難燃性が不十分であり、難燃性を十分に持たせるには臭素系難燃剤などを組み合わせなければならず、高温高湿条件で臭化物イオンが発生する可能性がある。また特許文献６に記載の接着フィルムはリンを含むため、同様にリン酸イオンを生じる可能性があり、半導体装置の信頼性を低下させることが予測される。
【０００７】
【特許文献１】特開平８−１８３８３５号公報
【特許文献２】特開平１０−３１０６７８号公報
【特許文献３】特開２００１−２７８９３４号公報
【特許文献４】特開２００２−２２６５３６号公報
【特許文献５】特開平１０−２２３３５号公報
【特許文献６】特開２００３−３１３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、ベンゾオキサジン樹脂を用いながら、脆くて可撓性に乏しいという問題点を解決し、高い難燃性を持ちながら同時に優れた低イオンマイグレーション性を併せ持つ接着フィルム及びそれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は下記により上記目的を達成するものである。
【００１０】
（１）接着性樹脂としてジヒドロベンゾオキサジン環を有する熱硬化性樹脂を含んでなり、かつ前記接着性樹脂が延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムを基材として該延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムに複合化されて成ることを特徴とする接着フィルム。
【００１１】
（２）前記接着性樹脂が前記延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムの多孔性空隙に充填されて前記多孔性空隙が埋められている、上記（１）に記載の接着フィルム。
【００１２】
（３）第１の延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムからなる多孔質ポリテトラフルオロエチレン層の両面に、第２の延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムの多孔性空隙にジヒドロベンゾオキサジン環を有する熱硬化性樹脂を充填して形成された接着性樹脂層が積層され、かつ前記第１の多孔質ポリテトラフルオロエチレン層は多孔性空隙を保持してなる、上記（１）に記載の接着フィルム。
【００１３】
（４）前記着性樹脂が、接着フィルム全体の質量を基準として４０質量％以上９０質量％以下の範囲内で含有されている、上記（２）に記載の接着フィルム。
【００１４】
（５）前記着性樹脂が、接着フィルム全体の質量を基準として８質量％以上５０質量％以下の範囲内で含有されている、上記（３）に記載の接着フィルム。
【００１５】
（６）前記接着性樹脂が、ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を３０質量％以上含む、上記（１）〜（５）のいずれか１項に記載の接着フィルム。
【００１６】
（７）ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂が、分子中に芳香族炭素原子を６０質量％以上含む樹脂である、上記（１）〜（６）のいずれか１項に記載の接着フィルム。
【００１７】
（８）前記接着性樹脂が、ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂とフェノール樹脂とを含むものである、上記（１）〜（７）のいずれか１項に記載の接着フィルム。
【００１８】
（９）前記接着性樹脂が、ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を３０〜１００質量部とフェノール樹脂を０〜７０質量部含むものである、上記（８）に記載の接着フィルム。
【００１９】
（１０）前記フェノール樹脂が分子中の芳香族炭素原子の含有量が６５質量％以上含む樹脂である、上記（８）（９）に記載の接着フィルム。
【００２０】
（１１）塩化物イオン濃度が１ppm 以下である、上記（１）〜（１０）のいずれか１項に記載の接着フィルム。
【００２１】
（１２）上記（１）〜（１１）のいずれか１項に記載の接着フィルムを備えた半導体装置。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の接着フィルムおよびこれを使った半導体装置は下記の効果を奏することができる。
・バインダー樹脂を必要としないため、高難燃性と低イオンマイグレーション性を両立できる。
・離型フィルムを必要としないため、廃棄物を減量できる。
・低吸水率のため吸湿リフロー試験の信頼性が高い。
・熱圧着時に多孔質ＰＴＦＥが適度に接着性樹脂を保持するため、樹脂流れが少なく且つ回路ギャップの埋め込み性が良好となる。
・弾性率が低いため、接着信頼性が高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の接着フィルムは、ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を含む接着性樹脂を延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムに複合化することで上記課題を解決するものである。
【００２４】
本発明者は、延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムは、融点が高く、不燃性であり、また加工技術が発達していることから、これに接着性樹脂を複合化することで、より高い難燃性を持つことができ、さらには、高温耐湿性やアンカー効果を利用した接着技術を利用でき、また柔軟性、均一性に優れており、取り扱い性がよいなどの利点も得られるのではないかと着想し、実際にこれらの効果が得られることを確認して、本発明を完成したものである。
【００２５】
本発明で用いる延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムとしては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を成形助剤と混合して得られるペーストを、フィルム状に成形し、この成形体から成形助剤を除去した後、高温、高速度で延伸し、さらに必要に応じて焼成することにより得られるものである。上記延伸は、ＭＤ方向（フィルムの押出方向、フィルム長手方向）またはＴＤ方向（ＭＤ方向に直交する方向、フィルム幅方向）のいずれか一方について行う一軸延伸でもよく、ＭＤ・ＴＤ両方向について行う二軸延伸でもよい。ただし、例えば、半導体装置の接着フィルムとして用いる場合には、機械的特性や電気的特性の異方性が小さいことが好ましいため、二軸延伸したものが好適である。
【００２６】
延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの空孔率は５％以上９８％以下であることが好ましい。より好ましくは４０％以上９５％以下である。空孔率が小さ過ぎると、充填される接着性樹脂の絶対量が少なくなるため、この接着性樹脂を使用することによる各種効果が不十分となる傾向にある。他方、延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの空孔率が大き過ぎると、該フィルムの機械的強度が著しく低下してしまい、これに接着性樹脂を複合化させる行程に於けるハンドリング性（取り扱い性）が不十分となってしまう。
【００２７】
なお、上記空孔率は、ＪＩＳ  Ｋ  ６８８５の見掛け密度測定に準拠して測定される見掛け密度（ρ）から、下式を用いて算出される値である（以下同じ）。
【００２８】
空孔率（％）＝（２．２−ρ）／２．２×１００
ここで、上式の数値「２．２」はＰＴＦＥの密度（ｇ／cm3 ）を意味する。
【００２９】
また、延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの最大細孔径は０．０５〜１５μｍ、好ましくは０．１〜５μｍである。最大細孔径が上記範囲を下回る場合は、接着性樹脂と延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムを複合化させることが困難となる。他方、最大細孔径が上記範囲を超える場合は、接着性樹脂の樹脂流れを抑える効果が不充分になる。なお、ここでいう最大細孔径は、ＡＳＴＭ  Ｆ−３１６の規定に準拠して測定した値である（以下同じ）。
【００３０】
本発明では、接着性樹脂として、ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を用いる。ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂はハロゲンを含まずに難燃性に優れた樹脂であるが、脆くて可撓性に乏しいという性質のために、実用化に問題が残っていたものである。このジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を本発明により延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムに複合化すると、高い難燃性を持ちながら同時に優れた低マイグレーション性その他の半導体用途の接着フィルムに求められる各種の性能を持つことで従来の臭素化エポキシ樹脂に代替できる接着フィルムが提供されることが見出された。
【００３１】
接着性樹脂として用いるジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂は、分子内にジヒドロベンゾオキサジン環を複数持つ多官能オキサジン系熱硬化性樹脂が好ましい。ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂、さらには多官能オキサジン系熱硬化性樹脂は、接着性樹脂全体に対して３０質量％以上配合することが好ましく、さらに好ましくは４０質量％〜８０質量％である。この割合が３０質量％を下まわると難燃性が不足する場合がある。多官能オキサジン系熱硬化性樹脂は、特に制限は無いが、フェノール類とアルデヒド類及びアミン類から合成されるものが好ましく、多価フェノール化合物とホルムアルデヒド、芳香族アミン類から合成されるものが特に好ましい。また難燃性を高めるため、芳香族炭素含有率が６０質量％以上（当該樹脂基準）である多官能オキサジン系熱硬化性樹脂が好ましい。
【００３２】
接着性樹脂の硬化性を促進するために、フェノール樹脂を配合することもできる。その割合は、これに限定するものではないが、硬化性と物性のバランスから樹脂全量を基準に０〜７０質量％が好ましい。さらには５０〜７０質量％である。また芳香族炭素含有率が６５質量％以上のフェノール樹脂を用いると、さらに難燃性を高めることも可能である。硬化性向上の理由から、例えばイミダゾール類、リン系化合物、有機金属塩などの硬化触媒を配合することもできる。さらに硬化物の物性を制御するために、エポキシ樹脂やゴム、ポリイミドなどのポリマーを配合または分散させることもできる。
【００３３】
延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムに接着性樹脂を複合化する態様は、大きくは２つの態様に分けることができる。
【００３４】
第１の態様は、接着性樹脂が延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムの多孔性空隙に充填されて前記多孔性空隙が埋められている態様である。可撓性に優れた延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの独特の多孔構造を持つ空隙中に充填することで、可撓性に乏しいジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を含浸しても、接着性フィルムは優れた可撓性を維持することができ、しかも優れた接着性及び難燃性も保持されること、接着フィルムとしての取り扱い性も優れていることが確認された。
【００３５】
接着性樹脂が延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの空隙を充填してなる接着フィルムの場合、延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの好適な厚みは、１μｍ以上２５０μｍ以下とすることが一般的である。より好ましくは３μｍ以上２００μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以上１５０μｍ以下である。
【００３６】
また難燃性と接着性のバランスから、接着性樹脂の含有率は４０質量％以上９０質量％以下とすることが好ましく、さらに好ましくは５０質量％以上８０質量％以下である。接着剤樹脂含有率が４０質量％を下回ると接着性が十分でなく、また９０質量％を越えるとフィルムを形成しにくくなり、さらに難燃性が不足する場合がある。
【００３７】
また、第２つの態様は、第１の延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムからなる多孔質ポリテトラフルオロエチレン層の両面に、第２の延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムの多孔性空隙にジヒドロベンゾオキサジン環を有する熱硬化性樹脂を充填して形成された接着性樹脂層が積層され、かつ前記第１の多孔質ポリテトラフルオロエチレン層は多孔性空隙を保持してなる態様、即ち、第１の延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムからなる中心層の両面に接着性樹脂層を形成しかつ中心層に連続した空隙を保持した延伸多孔質ＰＴＦＥ層を持つ接着フィルムとして構成するものである。この態様によれば、加熱時に生じうる、接着性樹脂に含まれる残存溶媒、水分などの揮発分を大気中に逃がすことができる、また可撓性もより優れるなどの効果がある。
【００３８】
第１の延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの両面に接着性樹脂を塗工することで上記の態様の接着フィルムを構成することができるが、難燃性を上げる、または弾性率を下げる、または樹脂流れを制御する目的で、第２の延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの空隙に接着性樹脂を充填した接着フィルムを、空隙を保持した第１の延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの両面に積層する構成が好ましい。
【００３９】
接着フィルムの中心層に連続した空隙を保持した延伸多孔質ＰＴＦＥ層を形成する場合、中心の延伸多孔質ＰＴＦＥ層の厚みは１０μｍ以上３００μｍ以下が好ましい。
【００４０】
接着フィルム中に空隙を保持した延伸多孔質ＰＴＦＥ層を設ける場合、難燃性と接着性のバランスから、接着性樹脂の含有率は接着フィルムの全質量基準で８質量％以上５０質量％以下とすることが好ましく、さらに好ましくは１０質量％以上４０質量％以下である。接着性樹脂含有率が８質量％を下回ると接着性が十分でなく、また５０質量％を越えると吸湿リフロー特性が低下する場合がある。
【００４１】
中心層の延伸多孔質ＰＴＦＥ層の両面に積層する第２の延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの空隙に接着性樹脂を充填した接着性樹脂層は、基本的に第１の態様の接着フィルムの接着性樹脂含有率に成るように構成すればよいが、接着性樹脂層の厚さ（片面）は一般に１〜１００μｍ、好ましくは２〜７０μｍ、更に好ましくは３〜５０μｍ、樹脂含有率は一般に４０〜９５％、好ましくは５０〜９０％である。
【００４２】
本発明においては、塩化物イオン濃度が低いベンゾオキサジン樹脂を柔軟な延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムと組み合わせることにより、優れた可撓性を持ち、かつ塩化物イオン濃度を低く抑えた接着フィルムを作成することができる。
【００４３】
接着フィルム中塩化物イオン（Ｃｌ-）の濃度は１ppm 以下が好ましく、さらに好ましくは０．５ppm 以下である。塩化物イオン濃度が１ppm を越えるとＩＣチップ上のアルミパッドや基板の銅配線を腐食し、半導体装置の信頼性を低下させる場合がある。
【００４４】
延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムと接着性樹脂の複合化は、一般的に有機溶媒で溶解した接着性樹脂ワニスを延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムに塗工して行う。接着性樹脂の溶解に用いる有機溶媒としては、特に制限はないが、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、メチルセロソルブ、イソブチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル系溶媒、エチルセロソルブアセテート、酢酸エチル等のエステル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒等があり、これらを何種類か混合し使用する事もできる。乾燥後の残存溶媒を少なくするため、沸点が１３０℃以下の溶媒が好ましい。
【００４５】
延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムと接着性樹脂の複合化の前処理として、塗工時の濡れ性を向上させるため紫外線（ＵＶ）、プラズマ等の処理を必要に応じ行うことができる。
【００４６】
延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムと接着性樹脂を複合化する方法として、特に制限はないが、アプリケーター、コンマコーター、グラビアコーター、オフセットコーター、ディップコーター、キスコーター、リップコーターなどの塗工機を用いることができる。
【００４７】
乾燥方法は、熱風乾燥炉及び必要に応じて溶剤発泡を防止するため赤外線（ＩＲ）ヒーターを用いる。乾燥後は接着性樹脂が半硬化状態となる。
【００４８】
熱風乾燥炉の温度は、溶媒によっても異なるが、一般的に５０℃以上２７０℃以下、好ましくは６０℃以上２５０℃以下が好ましい。５０℃よりも低い温度では接着フィルム中の残留溶媒が多すぎるためにボイドを生じる恐れがあり、２７０℃を越えると接着性樹脂の反応が進みすぎるために、接着強度が十分でなくなる恐れがある。
【００４９】
また接着フィルム中に空隙を保持した延伸多孔質ＰＴＦＥ層を設ける場合、上記方法の他に、上記方法で得られた接着フィルムを第１の延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの両面に熱ロールラミネーターや熱板プレスを用いて積層することができる。
【００５０】
熱ロールまたは熱板の温度は５０℃以上２５０℃以下、好ましくは６５℃以上２００℃以下が好ましい。５０℃以下では接着フィルム層と延伸多孔質ＰＴＦＥ層の接着強度が弱すぎ、２５０℃以上では接着性樹脂が劣化し硬化後の接着強度が低下する恐れがある。さらに接着フィルム中に空隙を保持した延伸多孔質ＰＴＦＥ層を設ける場合、接着性樹脂層は接着フィルムの表裏で同じ物を用いる必要はなく、要求される特性などから、異なる特性や接着性樹脂組成の物を用いることができる。例えば、一方の接着性樹脂にはジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を含まなくてもよい。
【００５１】
上記で得られた接着フィルムは一般的に離型フィルムやサポートフィルム無しで走行・巻き取りが可能であり、スリットやラミネートなど次工程への移行が容易である。
【００５２】
また必要に応じて接着性樹脂の組成と乾燥条件を制御することにより、室温で表面に粘着性を持つ接着フィルムを得ることも可能である。
【００５３】
粘着性を持つフィルムは、第１の延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムと積層する際やインターポーザー及びＩＣチップと貼り合わせる際に加熱する必要がない。
【００５４】
半導体チップを上記接着フィルムを用いてインターポーザーと貼り合わせる際、熱と圧力をかける方法が一般的である。特に制限はないが、貼り合わせ温度は６０〜２５０℃、好ましくは８０〜１８０℃が一般的である。これよりも高い温度では接着フィルムや被着体にダメージを与え、接着信頼性が低下する可能性がある。
【００５５】
貼り合わせの方法は、接着フィルムをインターポーザーにラミネートまたは貼り付けしこれに半導体チップを貼り付ける方法と、接着フィルムを半導体ウェハに貼り付けこれをダイシングした後インターポーザーに貼り付ける方法があるが、どちらでも良い。
【００５６】
使用されるインターポーザーとしてはリードフレーム、ガラスエポキシやガラスＢＴ等の有機基板、セラミック基板、ポリイミドフィルムなどを用いたＴＡＢテープなどがある。
【００５７】
貼りあわせた半導体チップとインターポーザーの接続は、特に制限はないが、例えば金ワイヤを用いたワイヤボンディングによる。
【００５８】
半導体チップ及びワイヤなどを保護するために、半導体装置を樹脂封止するのが一般的であり、これにはトランスファ成形法、液状封止剤をポッティングする方法、印刷封止法などが用いられる。
【００５９】
接着フィルム中に空隙を保持した延伸多孔質ＰＴＦＥ層を設ける場合、接着剤層に含まれる水分、残留溶媒などのガス抜きのために延伸多孔質ＰＴＦＥ層の断面を露出すると接着信頼性が向上する場合がある。接着フィルムの断面を露出しかつ必要な部分を封止する方法として、ポッティングにより特定の個所のみ封止する方法、封止後にインターポーザー及び接着フィルムを切断する方法、インターポーザーと接着フィルム、または半導体チップと接着フィルム、もしくはその全てに穴を開ける方法などが挙げられるが、これに限定されない。
【００６０】
封止工程は接着フィルムを硬化する工程の前に行うことも、後に行うこともできる。
【００６１】
またこの接着フィルムは一つの半導体装置に複数の半導体チップを搭載するスタックドパッケージやＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｍｏｄｕｌｅ）にも適用することができる。
【００６２】
本発明の接着フィルムは半導体装置用途に特に好適であるが、そのほか建造物の外壁貼り合わせ等に用いる建材用途、航空機等のハニカム構造の作製などにも用いることができる。
【実施例】
【００６３】
実施例１
ベンゾオキサジン樹脂「Ｆ−ａ」（四国化成工業（株）製、芳香族炭素原子含有率６６質量％）をＭＥＫに溶解し不揮発分が３０質量％のワニスを調製した。厚さ３０μｍ、空孔率７０％、孔径０．１μｍの延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム「ゴアテックス」（ジャパンゴアテックス（株）製）をピンテンター枠（３００mm×３００mm）に固定し、アプリケーターを用いて上記ワニスを塗工した。これを１２０℃に保温したクリーンオーブン（ヤマト科学（株）製）で１０分間乾燥させ、接着性樹脂含有率５０質量％、厚さ２８μｍの接着フィルムを作製した。
【００６４】
実施例２
ベンゾオキサジン樹脂「Ｆ−ａ」の７０質量％ＭＥＫ溶液と、フェノールノボラック樹脂「ＴＤ−２０９０−６０Ｍ」（大日本インキ化学工業（株）製、芳香族炭素含有率７０質量％）を固形分で６０：４０の質量比で混合し、ＭＥＫで不揮発分が３０質量％になるように希釈した。このワニスを実施例１と同様に厚さ４０μｍ、空孔率７０％、孔径０．１μｍの延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム「ゴアテックス」に塗工、１２０℃で１０分乾燥させ接着性樹脂含有率５５質量％、厚さ３５μｍの接着フィルムを作製した。
【００６５】
実施例３
ベンゾオキサジン樹脂「Ｆ−ａ」の７０質量％ＭＥＫ溶液とエポキシ樹脂「ＹＤ−１２８」（東都化成（株）製）及びフェノールノボラック樹脂「ＴＤ−２０９０−６０Ｍ」を固形分で６０：１０：３０の質量比で混合し、ＭＥＫで不揮発分が３５質量％になるように希釈した。このワニスを実施例１と同様に厚さ４０μｍ、空孔率７０％、孔径０．１μｍの延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム「ゴアテックス」に塗工、１２０℃で１０分乾燥させ接着性樹脂含有率５５質量％、厚さ３４μｍの接着フィルムを作製した。
【００６６】
実施例４
実施例１で作製した接着フィルムを、厚さ１００μｍ、空孔率６０％、孔径１μｍの延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム「ゴアテックス」の両面に１６０℃の熱板プレスを用いて１０秒間圧着し、接着性樹脂含有率２０質量％、厚さ１５０μｍの接着フィルムを作製した。
【００６７】
実施例５
実施例２で作製した接着フィルムを、厚さ１２０μｍ、空孔率６０％、孔径１μｍの延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム「ゴアテックス」の両面に１６０℃の熱板プレスを用いて１０秒間圧着し、接着性樹脂含有率１８質量％、厚さ１８０μｍの接着フィルムを作製した。
【００６８】
比較例１
ベンゾオキサジン樹脂Ｆ−ａの７０質量％ＭＥＫ溶液とフェノキシ樹脂Ｅ１２５６Ｂ４０（ジャパンエポキシレジン（株）製）を固形分で５０：５０の質量比で混合し、ＭＥＫで不揮発分が５０質量％になるように希釈した。このワニスを離型処理したＰＥＴフィルムＸ−０８（東山フィルム（株）製）にアプリケーターを用いて塗工、１２０℃に保温したクリーンオーブンで１０分乾燥させ厚さ４５μｍの接着フィルムを作製した。
【００６９】
比較例２
ベンゾオキサジン樹脂Ｆ−ａの７０質量％ＭＥＫ溶液とＡＴＢＮ１３００ｘ１６（宇部興産（株）製）を５０：５０の質量比で混合し、ＭＥＫで不揮発分が５０質量％になるように希釈した。このワニスを離型処理したＰＥＴフィルムＸ−０８（東山フィルム（株）製）にアプリケーターを用いて塗工、１２０℃に保温したクリーンオーブンで１０分乾燥させ厚さ４５μｍの接着フィルムを作製した。
【００７０】
比較例３
エポキシ樹脂「ＹＤ９００−ＥＫ８０」（東都化成（株）製）およびフェノールノボラック樹脂「ＴＤ−２１３１」（大日本インキ化学工業（株）製）を固形分で７０：３０の質量比で混合し、ＭＥＫで不揮発分が３５質量％になるように希釈した。このワニスを実施例１と同様に厚さ３０μｍ、空孔率７０％、孔径０．１μｍの延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム「ゴアテックス」に塗工、１２０℃で１０分乾燥させ、接着剤樹脂含有率５０質量％、厚さ２６μｍの接着フィルムとした。
この接着フィルムを、厚さ１００μｍ、空孔率６０％、孔径１μｍの延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム「ゴアテックス」の両面に１６０℃の熱板プレスを用いて１０秒間圧着し、接着性樹脂含有率２０質量％、厚さ１５０μｍの接着フィルムを作製した。
評価結果を表に示す。
【００７１】
【表１】
2005002335.tif 000002
【００７２】
単独巻取：  離型フィルム無しで巻き取ることの可・不可
難燃性：    サンプルを２００℃、３時間硬化させたものを使用（ＵＬ９４規格  垂直              燃焼性試験）
溶出Ｃｌ- ：サンプルを２００℃、３時間硬化させ、１０倍の超純水で１２１℃、２０              時間抽出しイオンクロマトグラフィーで濃度を測定した。
樹脂流れ：  サンプルを１０mm四方に切抜き、厚さ１２．５μｍのポリイミドフィルム              に挟んで１７０℃、２MPa で２秒間プレス、基材からはみ出た樹脂の端ま              での距離を測定した。
吸水率：    サンプルを２００℃、３時間硬化させた後５０mm四方に切り抜き、５０℃              で２４時間乾燥させた。これを２時間煮沸した前後の質量から計算した。
【００７３】
実施例１〜５および比較例３の接着フィルムは、全て離型フィルム無しで巻き取ることができたが、比較例１及び２では離型フィルム無しで作製することができなかった。さらに、実施例１〜５の接着フィルムは高い難燃性を示したが、比較例３は十分な難燃性が得られなかった。また実施例１〜５の接着フィルムは溶出塩化物イオン濃度が低く、さらに吸水率を低く抑えることができることから、高い信頼性を持つ半導体装置を作製することができると思われる。
【００７４】
実施例６
実施例１で得られた接着フィルムを、銅配線を施したＢＴ基板に１４０℃、２MPa 、１秒で貼り付け、さらに７＊７mm角のＩＣチップをチップマウンターを用いて１５０℃、０．１MPa 、１秒で搭載した。ワイヤーボンディングで基板の銅配線とＩＣチップを接続した後に樹脂封止し、半導体装置を作成した。
実施例６の評価
完成した半導体装置の吸湿リフロー（８５℃／８５％、１６８時間吸湿後２６０℃、１０秒、３回）、温度サイクル試験（−５５℃〜１２５℃、各１５分、１０００サイクル）、ＰＣＴ試験（１２１℃／１００％、３００時間）を行ったが、膨れ、剥離、腐食などの問題は発生しなかった。
【００７５】
比較例４
比較例１で得られた接着フィルムを用いる以外、実施例６と同様にして、半導体装置を作成した。
比較例４の評価
溶出塩化物イオン量が高かったため、上記信頼性試験においてＩＣチップ上アルミパッドの腐食が観察された。