(57)【要約】【課題】  低価格な基板材を使用することができ、安価で性能の良い高誘電体損失基板における低雑音増幅器を実現する。【解決手段】  ＨＥＭＴ（高電子移動トランジスタ）１の入力部のインピーダンス整合を、マイクロストリップラインで行わず、高誘電体損失基板２から浮かした状態の金メッキ線等のワイヤ７を用いて行う。そして、ＨＥＭＴ１のゲート部を基板２と接触させないように、基板上の対応する位置に楕円形の穴８を開けて、ゲートＧを基板２から浮かす。また、ワイヤ７の長さは、ＨＥＭＴ１の入力パラメータＳ１１及びΓｏｐｔの整合可能な長さに決定する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高誘電体損失基板における低雑音増幅器であって、増幅用の半導体素子の入力部を前記基板から浮かした状態でワイヤにより接続したことを特徴とする低雑音増幅器。
【請求項２】
基板上の半導体素子のゲート部と対応する位置に穴を開けて該半導体素子のゲート端子が基板と接触しないようにしたことを特徴とする請求項１に記載の低雑音増幅器。
【請求項３】
半導体素子は高電子移動トランジスタであることを特徴とする請求項１または２に記載の低雑音増幅器。
【請求項４】
高誘電体損失基板における低雑音増幅器の整合方法であって、増幅用の半導体素子の入力部を前記基板から浮かした状態でワイヤにより接続することでインピーダンス整合を行うようにしたことを特徴とする低雑音増幅器の整合方法。
【請求項５】
基板上の半導体素子のゲート部と対応する位置に穴を開けて該半導体素子のゲート端子が基板と接触しないようにしたことを特徴とする請求項４に記載の低雑音増幅器の整合方法。
【請求項６】
半導体素子は高電子移動トランジスタであることを特徴とする請求項４または５に記載の低雑音増幅器の整合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高誘電体損失基板における低雑音増幅器及びその整合方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高周波回路は、プリント基板化することによって、プリント基板に使用する誘電体の持つ誘電体損失特性の影響により、性能が劣化することが知られている。この性能劣化をなくすには、それなりの努力が必要であり、経験的要素が重要になってくる。そこで、高周波回路の劣化具合を知っておくために、回路本来の限界性能を確認することが必要である。この高周波回路の性能限界を知るには、理想的な組み立てによって回路を実験することになる（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００３】
図２は従来の高誘電体損失基板を用いた低雑音増幅器の構成を示す図である。同図中、１は低雑音増幅器として機能するＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）で、高誘電体損失基板２に搭載され、ソースＳ、ドレインＤ、ゲートＧの各端子を備えている。３は容量性スタブ、４は入力コネクタ、５はコネクタ４の中心導体のタブ、６はマイクロストリップラインを示している。
【０００４】
従来では、ＨＥＭＴ１の入力整合（ゲート入力）を、図２に示す入力整合部において、マイクロストリップライン６のインピーダンス整合により行っている。
【非特許文献１】吉田武著，「現場技術者実線シリーズ（６）高周波回路設計ノウハウ」，第２版，ＣＱ出版株式会社，昭和６０年１１月１０日，Ｐ．５２（２．６高周波用プリント基板〔１〕参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記のマイクロストリップラインにおける電力の損失には、放射損失、導体損失、誘電体損失等があるが、この中で誘電体損失を低く抑えるためにはテフロン（Ｒ）基板等の低誘電体損失の基板を使用することが有効であり、誘電体損失の影響を低く抑えることができる。
【０００６】
しかし、このような低誘電体損失の基板は非常に高価であり、一般的には高誘電体損失の基板、例えばガラスエポキシ基板等を使用せざるをえないことがある。このような基板を使用すると、マイクロストリップラインの損失が増え、低雑音増幅器の入力部の伝送線路損失が雑音指数にそのまま影響し、このため、低雑音化を図ることが困難であった。特に、高電子移動トランジスタの入力部における低損失化が問題となっていた（高電子移動トランジスタの雑音指数は超低雑音のため入力部の伝送ライン損失が目立ってしまう）。
【０００７】
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたもので、低価格な基板材を使用することができ、安価で性能の良い低雑音増幅器及びその整合方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る高誘電体損失基板における低雑音増幅器は、増幅用の半導体素子の入力部を前記基板から浮かした状態でワイヤにより接続したものであり、また、基板上の半導体素子のゲート部と対応する位置に穴を開けて該半導体素子のゲート端子が基板と接触しないようにしたものである。
【０００９】
本発明に係る高誘電体損失基板における低雑音増幅器の整合方法は、増幅用の半導体素子の入力部を前記基板から浮かした状態でワイヤにより接続することでインピーダンス整合を行うようにしたものであり、また、基板上の半導体素子のゲート部と対応する位置に穴を開けて該半導体素子のゲート端子が基板と接触しないようにしたものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、低価格な基板材を使用することができ、安価で性能の良い低雑音増幅器を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
【実施例１】
【００１２】
図１は本発明の実施例の構成を示す図であり、図２と同一符号は同一構成要素を示している。
【００１３】
図１において、１はＨＥＭＴ（高電子移動トランジスタ）、２は高誘電体損失基板、４は入力コネクタ、５はそのタブ、６はマイクロストリップライン、７はタブ５とＨＥＭＴ１のゲートＧを接続しているワイヤ、８は基板２に開けられた穴である。
【００１４】
本実施例では、ＨＥＭＴ１の入力部に誘電体損失の影響を受けるような整合回路及び実装方法を避けるようにしており、ＨＥＭＴ１の入力整合部の低損失化を図っている。すなわち、次のような構成としている。
【００１５】
（１）ＨＥＭＴ入力部のインピーダンス整合を、マイクロストリップラインで行わず、基板２から浮かした状態の金メッキ線等のワイヤ７を用いて行う。
【００１６】
（２）ＨＥＭＴ１のゲート部を基板２と接触させないように、基板上の対応する位置に楕円形の穴８を開けて、ゲートＧを基板２から浮かす。
【００１７】
（３）ワイヤ７の長さは、ＨＥＭＴ１の入力パラメータＳ１１及びΓｏｐｔの整合可能な長さに決定する。
【００１８】
このように、従来と相違して、ＨＥＭＴ１の入力整合部においては、マイクロストリップラインではなく、基板２から浮かした状態の金メッキ線等のワイヤ７を用いてインピーダンス整合を行っている。そして、ＨＥＭＴ１のゲート部を基板２と接触させないように楕円形の穴８を開け、基板２から浮かすようにしている。このため、ＨＥＭＴ１の入力部に基板材質による誘電体損失の影響を受けにくいものとなる。したがって、低価格な基板材を使用することができ、安価で性能の良い低雑音増幅器を実現することができる。
【００１９】
なお、実施例では増幅デバイスとしてＨＥＭＴを用いた場合を説明したが、本発明はこれに限らず、他のトランジスタ、ＦＥＴ等の３端子素子においても、同様に低損失化の整合を行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【００２０】
本発明は、実施例の低雑音増幅器に限らず、各種通信機、電波センサ等に使用される高周波帯の低雑音増幅器にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施例の構成を示す平面図
【図２】従来例の構成を示す平面図
【符号の説明】
【００２２】
１  ＨＥＭＴ（高電子移動トランジスタ）
２  高誘電体損失基板
４  入力コネクタ
５  タブ
７  ワイヤ
８  穴
【図１】
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【図２】
2005039536.tif 000004