(57)【要約】【課題】LSIの多層配線構造における配線のRLC値抽出時に参照されるRLCルールテーブルの生成を簡単に行えるようにする。【解決手段】異なる誘電率を有する複数絶縁膜構造内に複数層の配線が設けられた多層配線構造における、当該配線の容量値データを、隣接配線間距離を含むパラメータに応じて有する容量値ルールテーブルを生成する方法に関する。本生成方法は、注目配線に対する隣接配線構造データを抽出する工程（S30）と、隣接配線構造に含まれる複数の絶縁膜の共通誘電率を、当該複数の絶縁膜の誘電率をそれぞれの絶縁膜の膜厚に応じて加算して求める共通誘電率生成工程（S32）と、当該求められた共通誘電率にしたがって、パラメータに対応する容量値データを求めて容量値ルールテーブル（F12）を生成する工程（S34）とを有する。複雑な誘電率構造を簡素化して共通の誘電率を求めるので、その共通誘電率によって、配線の容量値を簡単に求めることができる。【選択図】    図１４
2005228008.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる誘電率を有する複数絶縁膜構造内に複数層の配線が設けられた多層配線構造における、当該配線の容量値データを、隣接配線間距離を含むパラメータに応じて有する容量値ルールテーブルを生成する方法において、
注目配線に対する隣接配線構造データを抽出する工程と、
前記隣接配線構造に含まれる複数の絶縁膜の共通誘電率を、当該複数の絶縁膜の誘電率をそれぞれの絶縁膜の膜厚に応じて加算して求める共通誘電率生成工程と、
当該求められた共通誘電率にしたがって、前記パラメータに対応する容量値データを求めて前記容量値ルールテーブルを生成する工程とを有することを特徴とする容量値ルールテーブルの生成方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記共通誘電率生成工程では、前記複数の絶縁膜の誘電率を、前記複数の絶縁膜の合計膜厚に対する各絶縁膜の膜厚の比率に応じて加算して、前記共通誘電率を求めることを特徴とする容量値ルールテーブルの生成方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記共通誘電率生成工程では、前記隣接配線構造に含まれる複数の絶縁膜グループ対してそれぞれ前記共通誘電率を求めることを特徴とする容量値テーブルの生成方法。
【請求項４】
絶縁膜構造内に複数の配線が設けられた配線構造における、当該配線の容量値データを、隣接配線間距離を含むパラメータに応じて有する容量値ルールテーブルを生成する方法において、
前記配線構造は水平方向に隣接する配線間にフローティングのダミーパターンを有し、
前記生成方法は、
注目配線に対する隣接配線構造データを抽出する工程と、
前記隣接配線構造に含まれる前記水平方向に隣接する配線間の共通誘電率を、前記絶縁膜の誘電率と前記ダミーパターンに与えられたダミー誘電率とを前記絶縁膜とダミーパターンの幅に応じて加算して求める共通誘電率生成工程と、
当該求められた共通誘電率にしたがって、前記パラメータに対応する容量値データを求めて前記容量値ルールテーブルを生成する工程とを有することを特徴とする容量値ルールテーブルの生成方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記共通誘電率生成工程では、前記絶縁膜の誘電率と前記ダミー誘電率とを、前記絶縁膜と前記ダミーパターンの合計幅に対する各絶縁膜およびダミーパターンの幅の比率に応じて加算して、前記共通誘電率を求めることを特徴とする容量値ルールテーブルの生成方法。
【請求項６】
異なる誘電率を有する複数絶縁膜構造内に複数層の配線が設けられた多層配線構造における、当該配線の容量値データを、隣接配線間距離を含むパラメータに応じて有する容量値ルールテーブルを生成する手順を、コンピュータに実行させる容量値ルールテーブル生成プログラムにおいて、
前記手順は、
コンピュータが、注目配線に対する隣接配線構造データを抽出する手順と、
コンピュータが、前記隣接配線構造に含まれる複数の絶縁膜の共通誘電率を、当該複数の絶縁膜の誘電率をそれぞれの絶縁膜の膜厚に応じて加算して求める共通誘電率生成手順と、
コンピュータが、当該求められた共通誘電率にしたがって、前記パラメータに対応する容量値データを求めて前記容量値ルールテーブルを生成する手順とを有することを特徴とする容量値ルールテーブル生成プログラム。
【請求項７】
請求項６において、
前記共通誘電率生成手順では、前記複数の絶縁膜の誘電率を、前記複数の絶縁膜の合計膜厚に対する各絶縁膜の膜厚の比率に応じて加算して、前記共通誘電率を求めることを特徴とする容量値ルールテーブル生成プログラム。
【請求項８】
絶縁膜構造内に複数の配線が設けられた配線構造における、当該配線の容量値データを、隣接配線間距離を含むパラメータに応じて有する容量値ルールテーブルを生成する手順をコンピュータに実行させる容量値テーブル生成プログラムにおいて、
前記配線構造は水平方向に隣接する配線間にフローティングのダミーパターンを有し、
前記生成手順は、
コンピュータが、注目配線に対する隣接配線構造データを抽出する手順と、
コンピュータが、前記隣接配線構造に含まれる前記水平方向に隣接する配線間の共通誘電率を、前記絶縁膜の誘電率と前記ダミーパターンに与えられたダミー誘電率とを前記絶縁膜とダミーパターンの幅に応じて加算して求める共通誘電率生成手順と、
コンピュータが、当該求められた共通誘電率にしたがって、前記パラメータに対応する容量値データを求めて前記容量値ルールテーブルを生成する手順とを有することを特徴とする容量値ルールテーブル生成プログラム。
【請求項９】
異なる誘電率を有する複数絶縁膜構造内に複数層の配線が設けられた多層配線構造における、当該配線の容量値データを、隣接配線間距離を含むパラメータに応じて有する容量値ルールテーブルを参照して、集積回路の論理検証を行う方法において、
注目配線に対する隣接配線構造データを抽出する工程と、
前記隣接配線構造に含まれる複数の絶縁膜の共通誘電率を、当該複数の絶縁膜の誘電率をそれぞれの絶縁膜の膜厚に応じて加算して求める共通誘電率生成工程と、
当該求められた共通誘電率にしたがって、前記パラメータに対応する容量値データを求めて前記容量値ルールテーブルを生成する工程と、
前記生成された容量値ルールテーブルを参照して前記集積回路の論理検証を行う論理検証工程とを有することを特徴とする集積回路の論理検証方法。
【請求項１０】
絶縁膜構造内に複数の配線が設けられた配線構造における、当該配線の容量値データを、隣接配線間距離を含むパラメータに応じて有する容量値ルールテーブルを参照して、集積回路の論理検証を行う方法において、
前記配線構造は水平方向に隣接する配線間にフローティングのダミーパターンを有し、
前記方法は、
注目配線に対する隣接配線構造データを抽出する工程と、
前記隣接配線構造に含まれる前記水平方向に隣接する配線間の共通誘電率を、前記絶縁膜の誘電率と前記ダミーパターンに与えられたダミー誘電率とを前記絶縁膜とダミーパターンの幅に応じて加算して求める共通誘電率生成工程と、
当該求められた共通誘電率にしたがって、前記パラメータに対応する容量値データを求めて前記容量値ルールテーブルを生成する工程と、
前記生成された容量値ルールテーブルを参照して前記集積回路の論理検証を行う論理検証工程とを有することを特徴とする集積回路の論理検証方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＳＩの配線容量抽出用の容量値ルールテーブルを生成する方法およびそのコンピュータプログラムに関し、特に、複雑な誘電率構造を有する多層配線の配線容量を抽出する時に参照される容量値ルールテーブルの生成を高速化できる方法およびそのコンピュータプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの設計工程は、通常コンピュータによるＣＡＤで行われる。ＬＳＩの設計工程は、論理ゲートを接続して論理回路をデザインする論理設計工程と、その論理回路を実際のチップ上にレイアウトするレイアウトデザイン工程と、レイアウトされた接続配線のＲＬＣ（抵抗、インダクタンス、容量）をレイアウトデータから抽出し、その抽出したＲＬＣ値とセルやマクロのＡＣ特性から各信号パスの遅延時間を求める工程と、その遅延時間を利用して論理回路が正常に動作するかをチェックするタイミング検証（論理検証）工程と、レイアウトデータがデザインルールを満足していることをチェックする物理検証工程とを有する。レイアウトデザインにより、チップ上の各層の配線パターンデータを含むレイアウトデータが作成され、このレイアウトデータをもとに、接続配線のＲＬＣ値が抽出される。ＲＬＣ抽出工程、遅延時間計算工程、及び論理シミュレーション工程は、一般に一つのプログラムモジュールにて提供される。
【０００３】
上記ＲＬＣ抽出工程では、レイアウトデータに含まれる配線の幅、隣接する配線との距離やオーバーラップ面積などに従って、接続配線の抵抗Ｒ、容量Ｃ、インダクタンスＬが、ＲＬＣルールテーブルを参照して抽出される。すなわち、多層配線構造を規定するＬＳＩのプロセスルールから、接続配線のＲＬＣ値を配線距離などのパラメータに対応して求めたＲＬＣ値を有するルールテーブルをあらかじめ生成しておき、実際にレイアウトした接続配線のＲＬＣ値を抽出するときは、実際の接続配線のパラメータとＲＬＣルールテーブルのパラメータとのマッチングをとり、一致したパラメータに対応するＲＬＣ値をルールテーブルから抽出する。このようなＲＬＣ値の抽出方法については、たとえば以下の特許文献１に開示されている。
【０００４】
また、別のＲＬＣ抽出方法としては、レイアウトデータをもとに、実際の接続配線の隣接配線構造における容量値を演算により求めることも提案されている。たとえば以下の特許文献２である。
【特許文献１】特開２００２−３６８０８８号公報（たとえば図１、図１２）
【特許文献２】特開２００２−２９９４５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年のＬＳＩの微細化に伴って、多層配線構造がより複雑になり、配線間の絶縁膜や配線層の絶縁膜が多様化し、異なる誘電率を有する複数の絶縁膜により形成されるようになっている。多層配線がこのような誘電率構造を有する場合、上記特許文献２のようにレイアウトデータをもとに実際の隣接配線構造からルールテーブルの容量値を演算しようとすると、その演算が複雑であり、膨大なコンピュータ処理時間を必要とする。
【０００６】
それに対して、上記の特許文献１のＲＬＣ抽出方法によれば、ルールテーブルとしてあらかじめ可能性のある隣接配線構造におけるＲＬＣ値をパラメータに対応して求めておき、レイアウトデータによる実際の接続配線の隣接配線構造のパラメータに対してルールテーブルのパラメータとのマッチングをとるだけで良いので、コンピュータの処理時間を大幅に短縮することができる。
【０００７】
しかしながら、ＲＬＣ抽出工程に先んじてあらかじめ行われるＲＬＣルールテーブルの生成において、複雑な誘電率構造を有する隣接配線構造から容量値を演算により求めようとすると、特許文献２と同様にその演算は複雑であり、膨大なコンピュータ処理時間を要することになる。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、複雑な誘電率構造を有する多層配線における容量値ルールテーブルの生成を簡単化した容量値ルールテーブルの生成方法およびそのコンピュータプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の側面は、異なる誘電率を有する複数絶縁膜構造内に複数層の配線が設けられた多層配線構造における、当該配線の容量値データを、隣接配線間距離を含むパラメータに応じて有する容量値ルールテーブルを生成する方法において、
注目配線に対する隣接配線構造データを抽出する工程と、
前記隣接配線構造に含まれる複数の絶縁膜の共通誘電率を、当該複数の絶縁膜の誘電率をそれぞれの絶縁膜の膜厚に応じて加算して求める共通誘電率生成工程と、
当該求められた共通誘電率にしたがって、前記パラメータに対応する容量値データを求めて前記容量値ルールテーブルを生成する工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
上記本発明の第１の側面においてより好ましい実施例は、前記隣接配線構造データを抽出する工程では、前記注目配線とそれに左右または上下で隣接する配線との間に存在する複数の絶縁膜のデータを抽出することを特徴とする。
【００１１】
上記の目的を達成するために、本発明の第２の側面は、絶縁膜構造内に複数の配線が設けられた配線構造における、当該配線の容量値データを、隣接配線間距離を含むパラメータに応じて有する容量値ルールテーブルを生成する方法において、
前記配線構造は水平方向に隣接する配線間にフローティングのダミーパターンを有し、
前記生成方法は、
注目配線に対する隣接配線構造データを抽出する工程と、
前記隣接配線構造に含まれる前記水平方向に隣接する配線間の共通誘電率を、前記絶縁膜の誘電率と前記ダミーパターンに与えられたダミー誘電率とを前記絶縁膜とダミーパターンの幅に応じて加算して求める共通誘電率生成工程と、
当該求められた共通誘電率にしたがって、前記パラメータに対応する容量値データを求めて前記容量値ルールテーブルを生成する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の第１の側面によれば、多層配線構造内の異なる誘電率を有する複数誘電率構造に対して、共通誘電率を求めて誘電率構造を簡素化した後に、当該共通誘電率にしたがって隣接配線間距離のパラメータに応じた容量値を求めるので、単一の誘電率からなる絶縁膜構造と同様の演算により、各パラメータに対応する容量値を容易に求めることができる。
【００１３】
本発明の第２の側面によれば、配線間にダミーパターンが設けられていても、ダミー誘電率に置き換えてから当該配線層内の誘電率構造を簡素化して共通誘電率を求めるので、その共通誘電率を使用して、配線間距離に従い容量値を簡単に求めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。
【００１５】
図１は、本実施の形態におけるＬＳＩの設計工程を示すフローチャート図である。ＬＳＩの設計工程は、最初に準備段階として、多層配線構造を特定するプロセスルールにもとづいて、配線のＲＬＣ（抵抗、インダクタンス、容量）の値を隣接配線の配線間距離や対抗面積などのパラメータに対応して求めるＲＬＣルールテーブル生成工程Ｓ１０を有する。プロセスルールは、ＬＳＩの多層配線構造について、各配線層の膜厚や材質、配線層間の絶縁膜構造、配線層内の絶縁膜構造などのデータを含む。したがって、プロセスルールを参照することで、可能性のある隣接配線構造における配線のＲＬＣ値をあらかじめ求めておくことができる。この準備段階で生成されたＲＬＣルールテーブルＦ１２が、データファイルの形でコンピュータの記憶手段に格納される。このＲＬＣルールテーブルの生成方法については、後で詳述する。
【００１６】
なお、本実施の形態では、配線のRLC値を求めているが、非常に高速動作をする場合を除いて遅延特性に直接関係する抵抗値Ｒと容量値Ｃとを求めるだけでもよい。
【００１７】
次に、ＬＳＩ設計開始ステップＳ１１後の個別のＬＳＩを設計する段階において、論理ゲートを接続して論理回路をデザインする論理設計工程（Ｓ１２）と、その論理回路を実際のチップ上にレイアウトするレイアウトデザイン工程（Ｓ１４）と、レイアウトされた配線の信号パスの遅延時間を求め、その遅延時間によるタイミングで論理回路が正常に動作するかをチェックする論理検証工程（Ｓ１６）と、レイアウトデータがデザインルールを満足していることをチェックする物理検証工程（Ｓ２０）とを有する。
【００１８】
論理設計工程Ｓ１２では、設計者が、論理設計のためのＣＡＤツールを利用して、一定の機能を実現する論理回路をデザインする。その結果、論理ゲートを有するセルやマクロと、それらの接続データからなるネットリストF14が生成される。論理設計工程が終了すると、図２に示すような論理回路が完成する。かかる論理回路は、ネットリストF14により特定可能である。図２の論理回路の例は、チップ１０内に入力端子IN1、IN2と出力端子OUTとの間に、ゲート１２〜１４、１６〜１８とフリップフロップ１５とが接続された例である。それぞれのゲートやフリップフロップは、接続配線LN1〜LN9により接続される。
【００１９】
かかる論理設計工程の次に、レイアウトデザイン工程Ｓ１４が行われる。ここでは、実際のチップ上にセルやマクロを配置し、それらを接続する接続配線パターンのレイアウトが行われ、レイアウトデータF16が生成される。接続配線がチップ内の多層配線で実現される場合は、各接続配線層のレイアウトデータが生成される。従って、レイアウトデータF16は、図２の論理回路を例にとれば、接続配線LN1〜LN9の配線パターンのデータを有する。
【００２０】
レイアウトデザイン工程では、レイアウトデータに対して、パターンの疎密度をできるだけ一定に抑えるために、一方向に延び且つ隣接する配線パターン間の距離が比較的長く、パターン密度が低い領域に、ダミーパターンを発生させてパターン密度の低下をなくす。導電性ダミーパターンは通常電気的にフローティング状態であり、その点で配線パターンとは異なる。このダミーパターンについては後に詳述する。
【００２１】
そして、レイアウトデータF16に対して論理検証工程（S16）が行われる。図４は、論理検証工程のフローチャート図であり、これを参照しながら、論理検証工程を説明する。まず、レイアウトデータF16にもとづいて、接続配線LN1〜LN9の抵抗R、容量C、必要に応じてインダクタンスLの値が抽出される（S20）。このRLC値の抽出工程では、準備段階で生成したRLCルールテーブルF12のパラメータと、注目配線のパラメータとのマッチングをとり、マッチングしたパラメータに対応するRLC値をRLCルールテーブルF12から読み出すことで行われる。RLCルールテーブルを参照することで、レイアウトデータにもとづいて注目配線のRLC値をその都度演算する必要がないので、コンピュータ処理時間を節約することができる。
【００２２】
次に、抽出した配線のRLC値データとセルライブラリF18内のセルやマクロのＡＣ特性とに基づいて、信号パスPASS1〜PASS3の信号伝播遅延時間が計算される（S22）。このセルやマクロのＡＣ特性は、例えばインバータの場合であれば、入力の立ち上がりに対する出力の立ち下がり特性、出力駆動能力などである。
【００２３】
図３は、信号パスの信号伝播遅延時間の計算を説明する図である。この例では、インバータINV1、INV2が縦列に接続されている。この場合、初段のインバータINV1の入力端子には、抵抗R1、容量C1なる接続配線LN50が接続されている。この接続配線LN50は、図示しない前段のゲートにより駆動され、インバータINV1の入力信号は、遅延時間ｔ１を有する立ち上がり波形になる。この立ち上がり波形の遅延時間ｔ１は、前段ゲートの駆動能力と接続配線LN50の抵抗R1、容量C1などから求められる。
【００２４】
そして、インバータINV1では、入力の立ち上がり波形に対して、一定の遅延時間t10遅れて出力が立ち下がる。出力の立ち下がり特性は、その出力端子に接続された接続配線LN51の抵抗R2、容量C2と、インバータINV1の出力駆動特性に依存する。同様にして、次の段のインバータINV2においても、入力の立ち下がり波形に対して、一定の遅延時間t11遅れて出力が立ち上がる。この出力立ち上がり特性ｔ３もインバータINV2の駆動能力と出力に接続される配線の抵抗R3と容量C3とにより決まる。
【００２５】
このように、接続配線のRLC値とセルのAC特性により、信号パスに沿って、信号の伝播遅延時間を順次計算することができる。その結果、図２の論理回路例において、信号パスPASS1、2、3の信号伝播遅延時間がそれぞれ求められる。なお、接続配線のインダクタンスが抽出されれば、それによる遅延特性も信号パスの信号伝播遅延時間に含めることができる。
【００２６】
そして、信号パスの信号伝播遅延時間が得られれば、論理回路に対して正常に動作するかをチェックするタイミング検証が行われる（S24）。このタイミング検証では、テスト入力データに対して論理回路が正常に動作して、期待されるテスト出力データが出力されるか否かがチェックされる。その場合、上記で求めた信号パスの信号伝播遅延時間により、図２の例では、フリップフロップ１５のクロック端子CKへのクロック入力タイミングと、データ入力端子Ｄへのデータ入力タイミングとが、整合するか否かがチェックされる。即ち、クロックCKのリーディングエッジ前後のセットアップタイムとホールドタイムの間に、データ入力Ｄが正しいレベルに維持される必要がある。かかるチェックを行うためには、信号パスPASS1、PASS2の遅延時間を適切に計算しなければならない。
【００２７】
図５は、本実施の形態におけるコンピュータシステムの構成図である。このコンピュータシステムは、演算ユニット２０にキーボードなどの入力ユニット２２、モニタなどの表示ユニット２４、印刷装置などの出力ユニット２６が接続されている。更に、記憶ユニットには、ＬＳＩの多層配線構造を特定するプロセスルールファイルF10、準備段階でプロセスルールにもとづいて配線に対するRLC値を隣接配線間距離や対抗面積などのパラメータに対応させて求めたRLCルールテーブルのファイルF12、論理設計により生成されたネットリストファイルF14、レイアウトデザインにより生成されたレイアウトデータファイルF16、LSIを構成するセル、マクロの論理データやレイアウトデータを有するセルライブラリファイルF18、RLC抽出工程により抽出された接続配線のRLC値ファイルF20などのファイルと、RLCルール作成プログラムP10、論理設計ツールP12、レイアウトツールP14、論理検証ツールP16などのプログラムとを格納する。
【００２８】
論理設計ツールP12、レイアウトツールP14、論理検証ツールP16の機能は、前述の通りであり、本実施の形態では詳述しない。一方、RLCルール作成プログラムP10のうち、特に容量値Cのルールテーブルを作成する方法は本実施の形態において本質的な部分であるので、以下詳細に説明する。
【００２９】
図６は、典型的な多層配線構造において抽出される容量を示す図である。図６の例では、４つの配線層Li,Lj,Lk,Lmに対してX方向（図面に水平方向）とY方向（図面に垂直方向）の配線が交互に設けられるが、配線層Lkにはたまたま配線が設けられていない。そこで、配線層Ljの配線LNXを注目配線とすると、同じ配線層Lj内の隣接する配線LN10,LN12との間に隣接配線容量Ccが存在し、下層の配線層Li内の隣接する配線LN14との間にエリア容量Caと斜め方向のフリンジ容量Cfが存在し、上層の配線層Lm内の真上に隣接する配線LN18との間にエリア容量Caと斜め方向のフリンジ容量Cvが存在し、上層の配線Lm内の斜め方向に隣接する配線LN16,LN20との間に斜め配線容量Cdが存在する。
【００３０】
エリア容量Caは、対抗する配線のオーバーラップ面積Sと隣接距離ｄおよび配線間の絶縁膜の誘電率εとから単位長あたりの容量がCa＝εS／ｄにより求められる。また、隣接配線容量（カップリング容量）Ccは、配線間距離ｄと配線の厚みおよび配線間の絶縁膜の誘電率とから単位長あたりの容量が同様に求められる。フリンジ容量Cf,Cvは、隣接配線LN14の縁部分の長さｓｐや誘電率に依存する。更に、斜め配線容量Cdは、斜め方向の距離ｄや誘電率に依存する。
【００３１】
図７は、配線間距離ｄと容量Cとの関係を示すグラフ図である。配線間容量Cと配線間距離ｄとは反比例の関係にあるが、配線間距離が所定の距離ｄｔを超えると、一定の容量Ctを与えることで、配線間容量Cを求める演算処理を簡略化することができる。
【００３２】
図８は、本実施の形態におけるRLCルールテーブルの一例を示す図である。RLCルールテーブルは、上記各容量Ca,Cc,Cf,Cv,Cdと抵抗RとインダクタンスLについて、マッチング対象となるパラメータに対応するRLC値を有する。たとえば、エリア容量Caでは、マッチング対象のパラメータは注目配線の配線層Ljと隣接配線間距離ｄであり、異なる配線層（図８の例では配線層Ljのみ示されている）と異なる距離ｄ１，ｄ２．．．ｄｎに対応して単位面積あたりの容量Caを有する。つまり、実際のレイアウトデータの注目配線が有するエリア容量に対応する距離ｄと、このルールテーブル内のパラメータｄとが比較され、一致するパラメータの容量値Caがルールテーブルから抽出される。そして、注目配線の配線幅Wと抽出しようとしている注目配線のセグメントの長さLaとから、注目配線のエリア容量Ca×W×Laが抽出される。
【００３３】
隣接配線間容量Ccは、注目配線の配線層が特定されればその配線の厚みなどが特定されるので、マッチング対象のパラメータは注目配線の配線層Ljと配線間距離ｓであり、ルールテーブルは、配線層Ljと距離ｓ１，ｓ２．．．ｓｎのパラメータに対応して単位長あたりの容量Ccを有する。フリンジ容量Cf,Cvは、配線層Ljとフリンジ長ｓｐがマッチング対象のパラメータ、斜め配線間容量Cdは、配線層Ljとその距離ｄがマッチング対象のパラメータになっている。
【００３４】
更に、抵抗RとインダクタンスLは、注目配線の配線層に対応するので、マッチング対象のパラメータは配線層である。ルールテーブル内の抵抗Rは単位断面積あたりの抵抗であるので、その演算は注目配線の幅Wと長さLaを利用して行われる。
【００３５】
図９は、多層配線構造の一例を示す斜視図である。また、図１０はその平面図である。図９の斜視図には、４層の多層配線構造例が示されている。前述したとおり、配線層のX方向とY方向に交互に配線が設けられ、ただし、すべての配線層に配線が密に設けられているわけではなく、レイアウトデザインに依存して、配線が密に設けられている配線層と設けられていない配線層とが存在する。図１０の平面図は、図９の配線LNX、LN10、LN12の配線層の上から見た図であり、下層の配線LN14,LN22のみが見えている。この平面図によれば、注目配線LNXの５つのセグメントSG1-5において、その断面構造はそれぞれ異なることが理解できる。すなわち、セグメントSG1,SG3,SG5では上下に横方向の配線は存在しないが、セグメントSG2では上下に横方向の配線LN14,LN30が存在し、セグメントSG4では下に横方向の配線LN22が存在する。
【００３６】
図１１〜図１３は、多層配線構造の断面図である。図１１は、注目配線LNXのセグメントSG2の断面図である。注目配線LNXの両側に配線LN10,LN12が設けられ、その上層に配線LN30、更に上層に配線LN16,LN18,LN20が設けられ、下層に配線LN14、更に下層に配線LN24,LN26,LN28が設けられている。また、配線層間の絶縁膜は、必ずしも単一の誘電率を有する単一の絶縁膜ではなく、異なる誘電率ε１〜ε１８、異なる膜厚T1〜T18を有する複数の絶縁膜で構成されている。図１１の例では、配線層間はそれぞれ２層絶縁膜で、配線層内の配線間も２層絶縁膜で構成されているが、からなずしも２層であるとは限られない。プロセスルールにより多層配線構造内の絶縁膜の構成は異なる。
【００３７】
図１２は、注目配線LNXのセグメントSG3の断面図である。このセグメントでは、注目配線LNXの上下ともに水平方向の配線が設けられておらず、注目配線に対して、上層側では垂直方向配線LN16,LN18,LN20が直接隣接し、下層側でも垂直方向配線LN24,LN26,LN28が直接隣接している。
【００３８】
図１３は、注目配線LNXのセグメントSG4の断面図であり、図６の断面図と同じである。すなわち、注目配線LNXの上層には水平方向の配線は存在せず、その上の配線LN16,LN18,LN20が注目配線に直接隣接している。それ以外は図１１と同じである。なお、注目配線LNXの下層側において、水平方向の配線が存在せず、その下層の垂直方向の配線と直接隣接する場合は、上下関係が図１３と逆になる。
【００３９】
このように、同じ注目配線でもそのセグメント毎に断面構造が異なるので、それに伴って隣接配線との間に形成される容量構成も異なる。したがって、これらの可能性のある全ての断面構造に対して容量値をあらかじめ求めてRLCルールテーブル内にパラメータと関連づけて格納しておくことが必要になる。
【００４０】
図１３と図６とを対比して、注目配線に対する容量値のルールファイルの生成について説明する。たとえば、図６の隣接配線容量Ccを求めるためには、注目配線LNXと水平方向の隣接配線LN10,LN12との間には、誘電率ε９、ε１０、膜厚T9、T10を有する２層の絶縁膜が存在する。したがって、それら２つの絶縁膜それぞれを考慮して隣接配線容量Ccを演算する必要がある。同様に、図６のエリア容量Caを求めるためには、注目配線LNXと垂直方向の隣接配線LN14との間には、誘電率ε１１、ε１２、膜厚T11、T12を有する２層の絶縁膜が存在する。したがって、それら２つの絶縁膜それぞれを考慮してエリア容量Caを演算する必要がある。ほかの容量Cv、Cf、Cdも同様に、注目配線とそれに隣接する配線との間の複数の絶縁膜を考慮してそれぞれの容量を演算により求める必要がある。
【００４１】
近年のLSIは大規模化により、多層配線データはより複雑化、膨大化しているので、それらの配線すべてについて、上記のような複数の絶縁膜による容量値を演算処理することは、コンピュータ処理時間の長時間化を招き、好ましくない。そこで、本実施の形態では、容量値のルールテーブルを作成する時に、まず、複数の誘電率構造を、誘電率、誘電率構造の膜厚、着目配線と隣接配線、周囲配線との距離に応じて誘電率構造を簡素化する。具体的には、注目配線と隣接配線間の複数の絶縁膜を統合して共通誘電率を求めて、複数の絶縁膜構造を簡素化する。この絶縁膜構造を簡素化する工程の後に、その単純化された共通誘電率を利用して、あたかも単一の絶縁膜内に配線が設けられているモデルに対して、容量値のルールテーブルを生成する。その結果、RLCルールテーブルの作成工程におけるコンピュータ処理量を減らし処理時間を短くすることができる。具体的な方法について、以下説明する。
【００４２】
図１４は、本実施の形態における容量値のルールテーブル作成工程のフローチャート図である。注目配線の容量値は、その周囲の隣接配線の構造に応じて異なるので、容量値を求める対象である配線のセグメントの断面構造を、プロセスルールF１０から抽出する（S30）。つまり、前述の図９の多層配線構造において、図１０に示した注目配線LNXのセグメントが抽出され、それらの断面構造例は、図１１、図１２、図１３に示した通りである。そして、抽出されたセグメントの注目配線周囲の誘電率構造を簡素化して共通誘電率を求める（S32）。
【００４３】
図１５は、水平方向の隣接配線との隣接配線容量値に対応した誘電率構造の簡素化を説明する図である。図１５（Ａ）は、図１１のセグメントSG2の断面図の一部であり、注目配線LNXと同じ配線層の左右の隣接配線LN10,LN12との間及び周囲には、誘電率ε8、ε9、ε10、ε11、膜厚T8,T9,T10,T11の４層の絶縁膜が存在する。その場合、各絶縁膜毎に容量値を求めることは演算工数の増大になる。そこで、４つの絶縁膜の共通誘電率εAを演算で求めて、複数絶縁膜を簡素化する。具体的には、４層の絶縁膜の誘電率ε8、ε9、ε10、ε11を、４層の絶縁膜の合計膜厚TAに対する各絶縁膜の膜厚T8,T9,T10,T11の比率に応じて加算することで、共通誘電率εAを求める。つまり、以下の演算式の通りである。
【００４４】
εA＝ε8×T8／TA＋ε9×T9／TA＋ε10×T10／TA＋ε11×T11／TA
その結果、図１５（Ｂ）に示されるように注目配線LNXと隣接配線LN10,LN12との間と周囲は、共通誘電率εAの単一の絶縁膜とすることができる。したがって、この簡素化された誘電率構造にしたがって、隣接配線容量Ccを簡単に求めることができる（S34）。周囲の絶縁率ε8とε11とを共通誘電率に取り込む理由は、隣接配線容量Ccを求める場合、配線間の誘電体のみならず配線の両エッジ周囲部分の誘電体も容量演算に含める必要があるからである。
【００４５】
図１６は、隣接配線容量値に対応した誘電率構造の別の簡素化を説明する図である。図１６（Ａ）は図１５（Ａ）と同じである。この例では、４つの絶縁膜のうち、注目配線LNXと隣接配線間に存在する２層の絶縁膜を簡素化する。つまり、２層の絶縁膜の誘電率ε9、ε10を、２層の絶縁膜の合計膜厚TBに対する各絶縁膜の膜厚T9,T10の比率に応じて加算することで、共通誘電率εBを求める。つまり、以下の演算式の通りである。
【００４６】
εB＝ε9×T9／TB＋ε10×T10／TB
その結果、図１６（Ｂ）に示されるように注目配線LNXと隣接配線LN10,LN12との間と周囲は、誘電率ε8、ε11と共通誘電率εBの３層の絶縁膜とすることができる。そして、簡素化された誘電率構造にしたがって隣接配線容量Ccが簡単に求められる。
【００４７】
図１７は、垂直方向の隣接配線との容量値に対応した誘電率構造の簡素化を説明する図である。図１７（Ａ）は、図１１のセグメントSG2の断面図の一部であり、注目配線LNXと上下の隣接配線LN14,LN30との間には、誘電率ε7〜ε12、膜厚T7〜T12の６層の絶縁膜が存在する。そこで、これらの６層の誘電率構造を単一の誘電率構造に簡素化して、共通の誘電率εCを求める。その演算式は、前述と同じであり、各誘電率を絶縁膜の合計膜厚TCに対する各絶縁膜の膜厚の比率に応じて加算する。つまり、
εC＝ε7×T7／TC＋ε8×T8／TC＋ε9×T9／TC＋ε10×T10／TC＋ε11×T11／TC
＋ε12×T12／TC
その結果、図１７（Ｂ）に示されるように、共通誘電率εCの簡素化誘電率構造にしたがって、エリア容量Caとフリンジ容量Cfとを簡単に求めることができる。
【００４８】
図１８は、垂直方向の隣接配線との容量値に対応した誘電率構造の別の簡素化を説明する図である。図１８（Ａ）は図１７（Ａ）と同じ断面構造である。この例では、図１８（Ｂ）に示されるように、誘電率ε7、ε8を簡素化して共通誘電率εDに、誘電率ε9、ε10を簡素化して共通誘電率εEに、誘電率ε11、ε12を簡素化して共通誘電率εFにする。その結果、図１８（Ｂ）に示されるように、３つの共通誘電率εD、εE、εF構造に簡素化される。この簡素化された誘電率構造にしたがい、エリア容量Caとフリンジ容量Cfとを簡単に求めることができる。このように、図１７のように、関連する全ての誘電率を一つの共通誘電率に簡素化してもよいし、図１８のように、適宜、部分的に誘電率を選択し、複数の共通誘電率に簡素化してもよい。
【００４９】
図１９は、垂直方向の隣接配線との容量値に対応した誘電率構造の別の簡素化を説明する図である。この例では、図１１のセグメントSG2において、１５の誘電率ε3〜ε16を共通誘電率εGに簡素化している。つまり、各誘電率を全体の膜厚TGに対する各膜厚の比率で重み付けして加算することで、共通誘電率εGが求められ、注目配線LNXの上下方向の誘電率が求められる。
【００５０】
図２０は、図１３のセグメントSG4の断面構造において、誘電率構造を簡素化している。この例は、図１９と同じであり、１５の誘電率ε3〜ε16を共通誘電率εGに簡素化している。そして、この共通誘電率εGを利用して、図２０に示される容量値Ca,Cf,Cv,Cdを簡単に求めることができる。これらの容量値を求めるためには、最低で、配線LN14とLN18との間の誘電率構造を簡素化すれば良いので、それらの誘電率に対して共通誘電率を求めても良い。なお、図１９，図２０のように１５の誘電率ε3〜ε16を共通誘電率εGに簡素化すれば、図１２のセグメントSG3の断面構造においても、その共通誘電率εGを使用することができる。
【００５１】
図２１は、図１１のセグメントSG2の断面構造において、複数の共通誘電率εH、εI、εJ、εK、εL、εM、εNに簡素化している。この例では、各配線層間の複数の誘電率、各配線層内の複数の誘電率をそれぞれ共通の誘電率に簡素化している。このように、適宜、複数の共通誘電率に簡素化してもよい。つまり、セグメントの断面構造と生成する誘電率とに応じて、簡素化される複数の誘電率が選択され、共通の誘電率が求められる。
【００５２】
図２２は、配線層にダミーパターンが設けられた場合の誘電率構造の簡素化を説明する図である。図２２（Ａ）に示されるように、配線層の間に電位的にフローティングのダミーパターンＤＭを設けて、配線密度を一定にしてエッチングプロセスやＣＭＰ（化学的機械的ポリッシング）プロセスで配線幅や高さの変動が生じないようにすることが行われる。このダミーパターンは、通常、配線と同じ導電物質で形成されているので、注目配線LNXと隣接配線LN10,LN12との間の絶縁膜の距離は短くなる。その結果、ダミーパターンが存在する場合の隣接配線容量は、それが存在しない場合に比較して大きくなる。したがって、正確に隣接配線容量を求めるためには、単に隣接配線間距離だけでなく、その間のダミーパターン幅Wtも考慮する必要がある。そこで、ここでは、ダミーパターンDMに対して比較的大きな仮想の誘電率εQを与えて、そのダミー誘電率εQと絶縁膜の誘電率εpとを簡素化して共通誘電率εRを求める。共通誘電率εRは、ダミー誘電率εQと絶縁膜の誘電率εpとを配線間距離WRに対するそれぞれの幅Wt,Wdの比率に応じて重み付けして加算することで求められる。つまり、
εR＝εp×Wｔ／WR＋εQ×Wd／WR＋εp×Wｔ／WR
この共通誘電率εRを利用することで、隣接配線層間の距離WRに応じて隣接配線層間容量を簡単に求めることができる。
【００５３】
なお、上記共通誘電率εRによる容量値が、ダミーパターンを前提として求めた容量値と等しくなるように、ダミー誘電率εQはあらかじめ適切な値に設定される。
【００５４】
図１４に戻り、抽出したセグメントの誘電率構造が簡素化されて共通誘電率が求められると（S32）、その簡素化誘電率構造のセグメントについて、容量Cのルールテーブルが共通誘電率を利用して求められる（S34）。このルールテーブルの演算処理は、誘電率構造が簡素化されているので、比較的短いコンピュータ処理時間で行われる。これらの工程S30,S2,S34は、可能性のある全ての配線の全てのセグメントに対して繰り返される。
【００５５】
図１４の簡素化工程は、図５に示されたRLCルール作成プログラムを演算ユニットであるコンピュータにより実行されることで実現される。
【００５６】
抵抗値RやインダクタンスLのルールテーブルは、本実施の形態で注目するところではないが、簡単に説明すると、これらルールテーブルは、各層の配線について、その材料と膜厚などに応じて単位面積または単位長さの抵抗値RやインダクタンスLが求められることで生成される。
【００５７】
以上の通り、本実施の形態によれば、多層配線構造における複数誘電率構造を簡素化することで、注目配線の容量値のルールテーブルを簡単に求めることができ、それに伴うコンピュータ処理時間を節約することができる。このようにして求められたRLCルールテーブルを利用して、注目配線のRLC値がマッチングにより簡単に抽出される。
以上の実施の形態をまとめると、以下の付記のとおりである。
【００５８】
（付記１）異なる誘電率を有する複数絶縁膜構造内に複数層の配線が設けられた多層配線構造における、当該配線の容量値データを、隣接配線間距離を含むパラメータに応じて有する容量値ルールテーブルを生成する方法において、
注目配線に対する隣接配線構造データを抽出する工程と、
前記隣接配線構造に含まれる複数の絶縁膜の共通誘電率を、当該複数の絶縁膜の誘電率をそれぞれの絶縁膜の膜厚に応じて加算して求める共通誘電率生成工程と、
当該求められた共通誘電率にしたがって、前記パラメータに対応する容量値データを求めて前記容量値ルールテーブルを生成する工程とを有することを特徴とする容量値ルールテーブルの生成方法。
【００５９】
（付記２）付記１において、
前記共通誘電率生成工程では、前記複数の絶縁膜の誘電率を、前記複数の絶縁膜の合計膜厚に対する各絶縁膜の膜厚の比率に応じて加算して、前記共通誘電率を求めることを特徴とする容量値ルールテーブルの生成方法。
【００６０】
（付記３）付記１において、
前記隣接配線構造データを抽出する工程では、前記注目配線とそれに左右または上下で隣接する配線との間に存在する複数の絶縁膜のデータを抽出することを特徴とする容量値ルールテーブルの生成方法。
【００６１】
（付記４）付記１において、
前記共通誘電率生成工程では、前記隣接配線構造に含まれる複数の絶縁膜グループ対してそれぞれ前記共通誘電率を求めることを特徴とする容量値テーブルの生成方法。
【００６２】
（付記５）絶縁膜構造内に複数の配線が設けられた配線構造における、当該配線の容量値データを、隣接配線間距離を含むパラメータに応じて有する容量値ルールテーブルを生成する方法において、
前記配線構造は水平方向に隣接する配線間にフローティングのダミーパターンを有し、
前記生成方法は、
注目配線に対する隣接配線構造データを抽出する工程と、
前記隣接配線構造に含まれる前記水平方向に隣接する配線間の共通誘電率を、前記絶縁膜の誘電率と前記ダミーパターンに与えられたダミー誘電率とを前記絶縁膜とダミーパターンの幅に応じて加算して求める共通誘電率生成工程と、
当該求められた共通誘電率にしたがって、前記パラメータに対応する容量値データを求めて前記容量値ルールテーブルを生成する工程とを有することを特徴とする容量値ルールテーブルの生成方法。
【００６３】
（付記６）付記５において、
前記共通誘電率生成工程では、前記絶縁膜の誘電率と前記ダミー誘電率とを、前記絶縁膜と前記ダミーパターンの合計幅に対する各絶縁膜およびダミーパターンの幅の比率に応じて加算して、前記共通誘電率を求めることを特徴とする容量値ルールテーブルの生成方法。
【００６４】
（付記７）異なる誘電率を有する複数絶縁膜構造内に複数層の配線が設けられた多層配線構造における、当該配線の容量値データを、隣接配線間距離を含むパラメータに応じて有する容量値ルールテーブルを生成する手順を、コンピュータに実行させる容量値ルールテーブル生成プログラムにおいて、
前記手順は、
コンピュータが、注目配線に対する隣接配線構造データを抽出する手順と、
コンピュータが、前記隣接配線構造に含まれる複数の絶縁膜の共通誘電率を、当該複数の絶縁膜の誘電率をそれぞれの絶縁膜の膜厚に応じて加算して求める共通誘電率生成手順と、
コンピュータが、当該求められた共通誘電率にしたがって、前記パラメータに対応する容量値データを求めて前記容量値ルールテーブルを生成する手順とを有することを特徴とする容量値ルールテーブル生成プログラム。
【００６５】
（付記８）付記７において、
前記共通誘電率生成手順では、前記複数の絶縁膜の誘電率を、前記複数の絶縁膜の合計膜厚に対する各絶縁膜の膜厚の比率に応じて加算して、前記共通誘電率を求めることを特徴とする容量値ルールテーブル生成プログラム。
【００６６】
（付記９）絶縁膜構造内に複数の配線が設けられた配線構造における、当該配線の容量値データを、隣接配線間距離を含むパラメータに応じて有する容量値ルールテーブルを生成する手順をコンピュータに実行させる容量値テーブル生成プログラムにおいて、
前記配線構造は水平方向に隣接する配線間にフローティングのダミーパターンを有し、
前記生成手順は、
コンピュータが、注目配線に対する隣接配線構造データを抽出する手順と、
コンピュータが、前記隣接配線構造に含まれる前記水平方向に隣接する配線間の共通誘電率を、前記絶縁膜の誘電率と前記ダミーパターンに与えられたダミー誘電率とを前記絶縁膜とダミーパターンの幅に応じて加算して求める共通誘電率生成手順と、
コンピュータが、当該求められた共通誘電率にしたがって、前記パラメータに対応する容量値データを求めて前記容量値ルールテーブルを生成する手順とを有することを特徴とする容量値ルールテーブル生成プログラム。
【００６７】
（付記１０）異なる誘電率を有する複数絶縁膜構造内に複数層の配線が設けられた多層配線構造における、当該配線の容量値データを、隣接配線間距離を含むパラメータに応じて有する容量値ルールテーブルを参照して、集積回路の論理検証を行う方法において、
注目配線に対する隣接配線構造データを抽出する工程と、
前記隣接配線構造に含まれる複数の絶縁膜の共通誘電率を、当該複数の絶縁膜の誘電率をそれぞれの絶縁膜の膜厚に応じて加算して求める共通誘電率生成工程と、
当該求められた共通誘電率にしたがって、前記パラメータに対応する容量値データを求めて前記容量値ルールテーブルを生成する工程と、
前記生成された容量値ルールテーブルを参照して前記集積回路の論理検証を行う論理検証工程とを有することを特徴とする集積回路の論理検証方法。
【００６８】
（付記１１）絶縁膜構造内に複数の配線が設けられた配線構造における、当該配線の容量値データを、隣接配線間距離を含むパラメータに応じて有する容量値ルールテーブルを参照して、集積回路の論理検証を行う方法において、
前記配線構造は水平方向に隣接する配線間にフローティングのダミーパターンを有し、
前記方法は、
注目配線に対する隣接配線構造データを抽出する工程と、
前記隣接配線構造に含まれる前記水平方向に隣接する配線間の共通誘電率を、前記絶縁膜の誘電率と前記ダミーパターンに与えられたダミー誘電率とを前記絶縁膜とダミーパターンの幅に応じて加算して求める共通誘電率生成工程と、
当該求められた共通誘電率にしたがって、前記パラメータに対応する容量値データを求めて前記容量値ルールテーブルを生成する工程と、
前記生成された容量値ルールテーブルを参照して前記集積回路の論理検証を行う論理検証工程とを有することを特徴とする集積回路の論理検証方法。
【００６９】
（付記１２）異なる誘電率を有する複数絶縁膜構造内に複数層の配線が設けられた多層配線構造における、当該配線の容量値データを、隣接配線間距離を含むパラメータに応じて有する容量値ルールテーブルを参照して、集積回路の論理検証を行う手順を、コンピュータに実行させる集積回路の論理検証プログラムにおいて、
前記手順は、
コンピュータが、注目配線に対する隣接配線構造データを抽出する手順と、
コンピュータが、前記隣接配線構造に含まれる複数の絶縁膜の共通誘電率を、当該複数の絶縁膜の誘電率をそれぞれの絶縁膜の膜厚に応じて加算して求める共通誘電率生成手順と、
コンピュータが、当該求められた共通誘電率にしたがって、前記パラメータに対応する容量値データを求めて前記容量値ルールテーブルを生成する手順と、
コンピュータが、前記生成された容量値ルールテーブルを参照して前記集積回路の論理検証を行う論理検証手順とを有することを特徴とする集積回路の論理検証プログラム。
【００７０】
（付記１３）絶縁膜構造内に複数の配線が設けられた配線構造における、当該配線の容量値データを、隣接配線間距離を含むパラメータに応じて有する容量値ルールテーブルを参照して、集積回路の論理検証を行う手順を、コンピュータに実行させる集積回路の論理検証プログラムにおいて、
前記配線構造は水平方向に隣接する配線間にフローティングのダミーパターンを有し、
前記手順は、
コンピュータが、注目配線に対する隣接配線構造データを抽出する手順と、
コンピュータが、前記隣接配線構造に含まれる前記水平方向に隣接する配線間の共通誘電率を、前記絶縁膜の誘電率と前記ダミーパターンに与えられたダミー誘電率とを前記絶縁膜とダミーパターンの幅に応じて加算して求める共通誘電率生成手順と、
コンピュータが、当該求められた共通誘電率にしたがって、前記パラメータに対応する容量値データを求めて前記容量値ルールテーブルを生成する手順と、
コンピュータが、前記生成された容量値ルールテーブルを参照して前記集積回路の論理検証を行う論理検証手順とを有することを特徴とする集積回路の論理検証プログラム。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本実施の形態におけるＬＳＩの設計工程を示すフローチャート図である。
【図２】論理設計により生成される論理回路の一例を示す図である。
【図３】信号パスの信号伝播遅延時間の計算を説明する図である。
【図４】論理検証工程のフローチャート図である。
【図５】本実施の形態におけるコンピュータシステムの構成図である。
【図６】典型的な多層配線構造において抽出される容量を示す図である。
【図７】配線間距離ｄと容量Cとの関係を示すグラフ図である。配線間
【図８】本実施の形態におけるRLCルールテーブルの一例を示す図である。
【図９】多層配線構造の一例を示す斜視図である。
【図１０】図９の平面図である。
【図１１】注目配線LNXのセグメントSG2の断面図である。
【図１２】注目配線LNXのセグメントSG3の断面図である。
【図１３】注目配線LNXのセグメントSG4の断面図である。
【図１４】本実施の形態における容量値のルールテーブル作成工程のフローチャート図である。
【図１５】隣接配線容量値に対応した誘電率構造の簡素化を説明する図である。
【図１６】隣接配線容量値に対応した誘電率構造の別の簡素化を説明する図である。
【図１７】上下の配線間容量に対応した誘電率構造の簡素化を説明する図である。
【図１８】上下の配線間容量に対応した誘電率構造の別の簡素化を説明する図である。
【図１９】上下の配線間容量に対応した誘電率構造の別の簡素化を説明する図である。
【図２０】上下の配線間容量に対応した誘電率構造の別の簡素化を説明する図である。
【図２１】上下の配線間容量に対応した誘電率構造の別の簡素化を説明する図である。
【図２２】配線層にダミーパターンが設けられた場合の誘電率構造の簡素化を説明する図である。
【符号の説明】
【００７２】
F10:プロセスルール、F12:RLCルールテーブル、F16:レイアウトデータ、
P10：RLCルール作成プログラム、２０：演算ユニット、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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