(57)【要約】【課題】  ガラスセラミックス等の絶縁基体の表面に形成された低抵抗金属の配線導体上に選択的かつ均一に無電解めっきを施すことができ、絶縁基体上へのパラジウムの吸着を有効に防止し、無電解めっきの配線導体からのはみ出し析出を抑制することで、電気的信頼性を大幅に向上させると共に、人体に有害となる鉛を使用しない無電解めっき用触媒液を提供すること。【解決手段】  無電解めっき用触媒液は、パラジウム塩として水溶性の塩化パラジウムまたは硫酸パラジウムと、無機塩としてピロリン酸カリウムおよびピロリン酸ナトリウムの少なくとも一方と、錯化剤としてカルボキシル基を持つ有機酸と、無機酸類として硫酸およびスルファミン酸の少なくとも一方とを含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パラジウム塩として水溶性の塩化パラジウムまたは硫酸パラジウムと、無機塩としてピロリン酸カリウムおよびピロリン酸ナトリウムの少なくとも一方と、錯化剤としてカルボキシル基を持つ有機酸と、無機酸類として硫酸およびスルファミン酸の少なくとも一方とを含むこと特徴とする無電解めっき用触媒液。
【請求項２】
前記無電解めっき用触媒液のｐＨが３．０〜５．０であることを特徴とする請求項１記載の無電解めっき用触媒液。
【請求項３】
前記有機酸が、ジカルボン酸またはトリカルボン酸であり、酸素および窒素の少なくとも一方を配位原子として有し、アンモニウム基を持たない請求項１または請求項２記載の無電解めっき用触媒液。
【請求項４】
前記無電解めっき用触媒液中のパラジウムの濃度が１５〜４００ｍｇ／Ｌである請求項１〜３のいずれかに記載の無電解めっき用触媒液。
【請求項５】
前記無電解めっき用触媒液中の無機塩の濃度が０．００６〜０．１５ｍｏｌ／Ｌである請求項１〜４のいずれかに記載の無電解めっき用触媒液。
【請求項６】
前記無電解めっき用触媒液中の有機酸の濃度が０．００４〜０．１０ｍｏｌ／Ｌである請求項１〜５のいずれかに記載の無電解めっき用触媒液
【請求項７】
前記無電解めっき用触媒液中の無機酸類の濃度が、０．００００１〜０．１ｍｏｌ／Ｌである請求項１〜６のいずれかに記載の無電解めっき用触媒液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子、容量素子、抵抗器等の電子部品を搭載するための絶縁基体の表面に形成された配線導体上に選択的に無電解めっきを施すための活性化触媒液に関するものであり、特にガラスセラミックス等の耐薬品の低い焼結体などの絶縁材料からなる絶縁基体の表面に形成された銅系配線導体上に選択的に無電解めっきを施すための無電解めっき用触媒液に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子や容量素子、抵抗器等の電子部品が搭載される配線基板は、一般に、酸化アルミニウム質焼結体から成る絶縁基体と、この絶縁基体の上面から下面にかけて形成されたタングステン、モリブデン等の高融点金属材料から成る複数個の配線層とから構成されており、絶縁基体の上面に半導体素子や容量素子、抵抗器等の電子部品を搭載するとともにこのような電子部品の各電極を配線層に半田を介して電気的に接続するようになっている。通常、電子部品が接続部材を介して接続される領域には、ニッケルめっき層と金めっき層とが順次被着されている。最近は、配線基板、電子部品などが小型軽量化されており、めっき引き出し線の形成が困難であるため、ニッケルめっきおよび金めっきを施す方法として無電解めっき法が多用されつつある。
【０００３】
また、近年の高度情報化時代を迎え、使用される周波数帯域はますます高周波帯に移行しつつある。このような高周波信号の伝送を行なう高周波配線基板においては、高周波信号を高速で伝送するうえで、配線層を形成する導体の抵抗が小さいことが要求され、絶縁基板にもより低い誘電率が要求される。
【０００４】
しかし、従来のタングステン、モリブデン等の高融点金属は導体抵抗が大きく、高周波信号の伝播速度が遅く、また30ＧＨｚ以上の高周波領域の信号伝播も困難であることから、タングステン、モリブデン等の金属に代えて銅、銀、金等の低抵抗金属を使用することが必要となってきている。
【０００５】
このため、最近では、ガラスとセラミックス（無機質フィラー）との混合物を焼成して得られるガラスセラミックスを絶縁基板として用いることが注目されている。すなわち、ガラスセラミックスは誘電率が低いため高周波用絶縁基板として好適であり、またガラスセラミックスは800〜1000℃の低温で焼成することができることから、銅、銀、金等の低抵抗金属を配線層として使用できるという利点がある。なかでも銅は電気抵抗が低く、安価なことから使用されることが多い。
【０００６】
一方、銅を配線導体とした配線基板としては、ガラスセラミック配線基板の以前から、ガラスエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの合成樹脂を絶縁基体とするプリント配線板等に多く使用されていることがよく知られている。
【０００７】
これらプリント配線板等の銅箔または銅めっきを配線層とする配線基板等に無電解めっき法によりめっきを施すには、このめっきを施す部分にパラジウム等を析出させて活性化させる必要がある。その活性化方法としては、パラジウムと銅とを直接置換して、パラジウム活性を施す方法が知られている。しかし、電子部品などの小型軽量化に伴い配線導体間の間隔が狭くなるに従い、絶縁基体部分に触媒成分が一部吸着され、めっき工程で絶縁基体部分に一部めっき皮膜が形成され配線導体と配線導体が部分的に結合するブリッジ現象がおきるという問題があった。この対策として無電解めっき用触媒液（以下、触媒液ともいう）の安定化作用に優れた鉛を含有した触媒液が用いられている。
【０００８】
しかしながら、前述のガラスセラミックスに使用される銅、銀、金等の低抵抗金属から成る導体はめっき層が被着形成されにくいガラス成分を多量に含有しその表面にガラスが多く露出しているため、このような鉛を含有した従来の銅系導体（銅を主成分とする導体）用の触媒液を用いた場合、導体の表面に露出したガラスに鉛の安定化作用が働き、導体の表面全体に均一にパラジウムを被着させることができず、均一に無電解めっきを施すことができないという問題があった。
【０００９】
また、これら銅系導体用の触媒液は強酸性であるために、アルミナなどの高温焼成セラミックスに比べ耐薬品性が劣るガラスセラミックスに用いた場合、磁器強度が低下するなどの問題点があった。
【００１０】
さらに、鉛は人体に悪影響を与えるので全世界で鉛の使用が規制される傾向にある。このため、鉛を含まない触媒液の開発が必要とされていた。
【特許文献１】特開平７−１１４４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、ガラスセラミックス等の絶縁基体の表面に形成された低抵抗金属の配線導体上に選択的に均一に無電解めっきを施すことができ、かつ絶縁基体上へのパラジウムの吸着を有効に防止し、無電解めっきの配線導体からのはみ出し析出を抑制することで、電気的信頼性を大幅に向上すると共に人体に有害となる鉛を使用しない無電解めっき用触媒液を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の無電解めっき用触媒液は、パラジウム塩である水溶性の塩化パラジウムまたは硫酸パラジウムと、無機塩であるピロリン酸カリウムおよびピロリン酸ナトリウムの少なくとも一方と、錯化剤であるカルボキシル基を持つ有機酸と、無機酸類として硫酸およびスルファミン酸の少なくとも一方とを含むことを特徴とする。
【００１３】
ここで、無機塩であるピロリン酸カリウムおよびピロリン酸ナトリウムは、触媒液中でパラジウムに配位してパラジウムを安定化させる作用がある。また、錯化剤であるカルボキシル基を持つ有機酸は、上記と同様に、触媒液中でパラジウムに配位してパラジウムを安定化させる作用を有し、一方で無機塩との相互作用によりパラジウムの析出を促進させる作用も有している。また、無機酸である硫酸およびスルファミン酸は銅、銀などの金属材料に対するパラジウム置換反応を促進する作用を有する。
【００１４】
さらに、触媒液のｐＨを３．０〜５．０にしておくと、銅、銀などの金属材料は不動態膜や酸化膜を形成することがなく、その表面をパラジウムとの置換反応に対して活性にできると共に、絶縁基体の成分の溶出や金属材料への過剰な腐食を抑制することができるため、磁器強度を高く維持できる。これにより、触媒液中に鉛を含まなくても、絶縁基体上へのパラジウムの吸着を有効に防止し、無電解めっきの配線導体からのはみ出し析出を抑制し、配線導体上に選択的に無電解めっきを施すことができる。また、鉛を含有しないことから、銅、銀などの低抵抗金属の配線導体の表面のガラスに安定化作用が働くことがないため、配線導体上に均一にパラジウムを析出させ活性化させることができ、配線導体上に均一に無電解めっきを施すことができる。
【００１５】
本発明の無電解めっき用触媒液は、有機酸が、ジカルボン酸またはトリカルボン酸であり、酸素および窒素の少なくとも一方を配位原子として有し、アンモニウム基を持たないものであるのが好ましい。この構成により、パラジウムに配位する作用と、パラジウムの析出を促進させる作用とがより効果的となる。また、有機酸がアンモニウム基を有すると、パラジウム核の析出が抑制されるので、アンモニウム基を持たないのが好ましい。
【００１６】
また、無機酸類としては硫酸およびスルファミン酸の少なくとも一方が好ましい。無機酸が硫酸およびスルファミン酸の少なくとも一方である場合、銅や銀などの金属材料を酸化、還元を伴わず溶解させるので、金属材料の溶解反応がパラジウムの置換反応に影響を与えないため、均一なパラジウムの析出に効果的となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、鉛を含まない無電解めっき用触媒液を用いて活性化処理することによって、ガラスセラミックス等から成る絶縁基体の表面に形成された銅等の低抵抗金属から成る配線導体上に選択的に無電解めっきを施すことができる。また、無機酸類として硫酸およびスルファミン酸の少なくとも一方を含むｐＨ３．０〜５．０の無電解めっき用触媒液を用いて活性化処理することによって、無電解めっきの配線導体からのはみ出し析出を抑制し、配線導体上に選択的かつ均一に無電解めっきを施すことができる。さらに、触媒液をより耐薬品性の低い絶縁基体に使用でき、より広い温度範囲およびより広いパラジウム濃度範囲で使用できるという効果がある。
【００１８】
更に、人体に有害な鉛を含まないことから、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子や容量素子、抵抗器、水晶発振子等の発振子、圧電素子、ＳＡＷデバイス、ＬＤ，ＬＥＤ等の光半導体素子等の電子部品が搭載された地球環境に優しい配線基板を供給することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を詳細に説明する。本発明の無電解めっき用触媒液は、パラジウム塩として水溶性の塩化パラジウムまたは硫酸パラジウムと、無機塩としてピロリン酸カリウムおよびピロリン酸ナトリウムの少なくとも一方と、錯化剤としてカルボキシル基を持つ有機酸と、無機酸類として硫酸およびスルファミン酸の少なくとも一方とを含むものである。
【００２０】
パラジウム塩としては、上記したように、水溶性の塩化パラジウムまたは硫酸パラジウムを用いており、触媒液中におけるパラジウム濃度は１５〜４００ｍｇ／Ｌ（リットル）程度の範囲であるのが好ましい。パラジウム濃度が１５ｍｇ／Ｌより低いと、配線導体上にパラジウムが析出しにくくなる。一方、パラジウム濃度が４００ｍｇ／Ｌより高いと、触媒液が不安定になり分解しやすくなるため液寿命が短くなり好ましくない。
【００２１】
無機塩としては、ピロリン酸カリウムおよびピロリン酸ナトリウムを単独でもしくは混合して用いることができ、カルボキシル基を持つ有機酸とともに、触媒液中でパラジウムに配位してパラジウムを安定化させる作用がある。触媒液中における無機塩の濃度は、０．００６〜０．１５ｍｏｌ／Ｌ程度が好ましい。無機塩の濃度が０．００６ｍｏｌ／Ｌより低いと、触媒液が不安定になり分解しやすくなるため液寿命が短くなる。一方、無機塩の濃度が０．１５ｍｏｌ／Ｌより高いと、パラジウムが過度に安定化してパラジウムが析出しにくくなるので好ましくない。
【００２２】
有機酸としては、カルボキシル基を持つ有機酸を使用することができる。また、この有機酸としては、ジカルボン酸またはトリカルボン酸であり、酸素および窒素の少なくとも一方を配位原子として有し、アンモニウム基を持たないものであるのが好ましい。カルボキシル基を持つ有機酸は、触媒液中においてパラジウムに配位してパラジウムを安定化させる作用を有し、一方で無機塩との相互作用によりパラジウムの析出を促進させる作用も有している。触媒液中における有機酸の濃度は、０．００４〜０．１０ｍｏｌ／Ｌ程度が好ましい。有機酸の濃度が０．００４ｍｏｌ／Ｌより低いと、パラジウムの析出を促進させる効果を得ることができない。一方、有機酸の濃度が０．１０ｍｏｌ／Ｌより高い場合、特に特性的に問題は生じないが、触媒液のコストが高くなる。
【００２３】
有機酸がアンモニウム基を有したものである場合、メカニズムは明らかではないが、配線導体上においてパラジウム核の析出が抑制され、結果として均一にパラジウムを析出させることができず、個々のパラジウム核が大きく成長してしまう。パラジウム核が大きいと、配線導体の剥がれやふくれの原因となる。
【００２４】
このような有機酸としては、例えばマロン酸CH２(COOH)２、こはく酸HOOC(CH２)２COOH、アジピン酸HOOC(CH２)４COOH、マレイン酸C２H２(COOH)２、酒石酸(CHOH)２(COOH)２、クエン酸C３H４OH(COOH)３、イミノ二酢酸HN(CH２COOH)２、グルタミン酸HOOC・CH２・CH２・CH（NH２）COOHなどが挙げられる。
【００２５】
無機酸類としては、硫酸、スルファミン酸を用いることができる。触媒液中における無機酸の濃度は、０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌ程度が好ましい。無機酸の濃度が０．０１ｍｏｌ／Ｌより低いと、触媒液のｐＨが金属材料へパラジウムを置換反応させるのに適したｐＨ領域（ｐＨ３．０〜５．０）から外れるので、パラジウムの析出を促進させる効果が低下してしまう。一方、無機酸の濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌより高い場合、パラジウムの析出を促進させる効果が高くなりすぎて、めっきのノビなどのはみ出し析出が発生するため好ましくない。
【００２６】
なお、触媒液のｐＨが４〜７程度の場合でもパラジウムの析出を促進させる効果は得られるが、この場合、触媒液の好適な温度範囲は４５〜７０℃程度となる。また、触媒液の好適なパラジウム濃度範囲は４５〜４００ｍｇ／Ｌとなる。一方、本発明の場合、無機酸を添加して触媒液のｐＨを３．０〜５．０とすることでパラジウムの析出を促進させる効果が得られるとともに、触媒液の好適な温度範囲は１５〜７０℃となり濃度範囲は１５〜４００ｍｇ／Ｌとなる。これにより、触媒液をより広い温度範囲およびより広いパラジウム濃度範囲で使用できる。
【００２７】
絶縁基体の作製方法を、絶縁基体がガラスセラミックスからなる場合を例にして説明する。まず、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示す）などのガラス粉末、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化ジルコニウム、酸化チタンなどのフィラー粉末（セラミック粉末）からなる原料粉末に適当な有機バインダー、溶剤を添加混合して泥漿状のセラミックスラリーを作製する。ついで、セラミックスラリーを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法などのシート成形技術を採用してシート状のセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を得る。次に、このセラミックグリーンシートに切断加工や打ち抜き加工などを施して適当な形状とするとともにこれを複数枚積層する。最後に、この積層されたセラミックグリーンシートを有機成分の除去と焼成とをすることによって絶縁基体を作製することができる。
【００２８】
有機成分の除去は、約100〜800℃の温度範囲でこの積層体を加熱することによって行ない、有機成分を分解、揮散させる。また、焼成温度はガラスセラミック組成により異なるが、通常は約800〜1100℃の範囲内で行う。焼成は通常、大気中で行なうが、導体材料に銅を使用する場合には100〜700℃の水蒸気を含む窒素雰囲気中で有機成分の除去を行ない、次いで窒素雰囲気中で焼成を行なう。
【００２９】
配線導体は、例えば、銅の金属粉末と１重量％以下のガラスに適当な有機バインダーや溶剤を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体となるセラミックグリーンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布しておき、上記したように大気あるいは窒素雰囲気中、約800〜1100℃の範囲内の温度でセラミックグリーンシートと同時焼成することによって、絶縁基体の所定位置に被着形成される。
【００３０】
上記のようにして形成された絶縁基体上の銅の配線導体は、半田濡れ性が悪いため、そのままでは電子部品の各電極を配線導体に半田等の接続部材を用いて接続することができない。そこで、この配線導体上に無電解めっき層を形成する。
【００３１】
このめっき層は、(1)めっき前処理、(2)触媒液による活性化処理、(3)無電解めっき処理、の各工程を経て形成される。
【００３２】
(1)めっき前処理
めっき前処理は、例えば以下の手順で実施される。
【００３３】
まず、銅の配線導体が形成された絶縁基体を液温５０〜６０℃に温度調節されたアルカリ脱脂液に浸漬して脱脂を行う。この脱脂液は、水酸化ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、リン酸ナトリウム等のアルカリ塩と界面活性剤とを主成分とし、表面に付着している油脂等の汚れを除去するとともに、ガラス（絶縁基体）エッチング液、銅エッチング液との濡れ性を持たせるものである。この脱脂の後、水道水で水洗する。
【００３４】
ついで、硫酸と過酸化水素水とを主成分とする２０〜３０℃の銅エッチング液に所定時間浸漬し、焼成により絶縁基体上に飛散した不要な銅や配線導体の表面の酸化皮膜を除去する。その後、水道水で水洗しする。
【００３５】
ついで、フッ化物を主成分とする２０〜３０℃のガラスエッチング液に所定時間浸漬することにより、ガラスを主成分とする絶縁基体から配線導体表面まで上がって来ているガラス相を取り除く。その後、水道水で水洗する。ただし、ガラスエッチング液は絶縁基体の磁器強度を低下させるため、浸漬時間には制限があり、配線導体表面に多量に露出したガラス相を完全に除去することはできず、ガラス相は配線導体表面に微量残留することになる。そして、最後に純水で水洗する。
【００３６】
(2)無電解めっき用触媒液による活性化処理
上記のようにしてめっき前処理された銅の配線導体は、そのままでは無電解ニッケルめっきや銅めっきなどに対して触媒能力がなく、めっき処理することができない。そこで、この配線導体上を上記した本発明の無電解めっき用触媒液により活性化処理し、配線導体上にパラジウムの触媒核を付与してパラジウム活性を施すことによって、めっき処理が可能となる。
【００３７】
活性化処理は、例えば触媒液に配線導体が形成された絶縁基体を浸漬することによって行うことができる。触媒液の液温は１５〜７０℃程度、浸漬時間は１〜５分間程度、触媒液のｐＨは３．０〜５．０であるのがよい。この触媒液のｐＨを調整するには、無機酸類の他、ピロリン酸カリウム、ピロリン酸ナトリウムなどのアルカリ性の無機塩を適量添加すればよい。このような本発明の無電解めっき用触媒液を用いることで、銅の配線導体上に均一にパラジウムを析出させパラジウム活性を施すことができる。
【００３８】
(3)無電解めっき
上記のようにしてパラジウム活性が施された銅の配線導体上には、通常、無電解ニッケルめっき層、無電解金めっき層の順にめっき層が形成される。これらのめっき層およびその形成方法としては、特に限定されず、通常使用されているめっき液およびめっき層の形成方法を用いることができる。
【００３９】
例えば、無電解ニッケルめっき層は、ニッケルイオンの供給源として硫酸ニッケルを、還元剤として次亜リン酸ナトリウムを用い、これに錯化剤、促進剤（ニッケルとの錯化安定性の異なる（強弱）錯化剤を組み合わせることにより、促進効果が現れる）としてコハク酸、リンゴ酸、乳酸、クエン酸等の内いずれか２〜３種類の有機酸を有する無電解めっき液を用い、そのめっき液を建浴後、水酸化ナトリウム等によりｐＨを４．５〜６．０に調整し、８５〜９０℃に加温してめっきを行うことによって配線導体表面に被着される。
【００４０】
また、無電解金めっき層は、金イオン供給源としてシアン化金カリウム、錯化剤としてエチレンジアミン四酢酸、クエン酸アンモニウム、塩化アンモニウム等を添加した置換型のめっき液を用い、そのめっき液を建浴後、８５〜９５℃に加温して、無電解ニッケルめっき層が被着された配線導体上に被着される。
【００４１】
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の実施例のみに限定されるものではない。
【実施例１】
【００４２】
実施例１〜１９および参考例１〜１１（表１〜表５）において、本発明の無電解めっき用触媒液を用いた活性化処理および無電解ニッケルめっき処理を行い、得られたサンプルのパラジウム析出状況とニッケルめっき析出状況について評価した。
【００４３】
本実施例で用いた評価用サンプルは、以下のようにして作製した。
【００４４】
＜絶縁基体上への配線導体の形成＞
ガラスセラミックスから成るセラミックグリーンシート上に、銅のペーストをスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布し、セラミックグリーンシートと銅ペーストとを同時焼成し、銅の配線導体を形成した。
【００４５】
図１に示すように、ガラスセラミックス焼結体からなる絶縁基体１は、外寸が５０ｍｍ角のものを用いた。絶縁基体１上には、１０ｍｍ角の四角形のパッド２と、直径０．１ｍｍでピッチ（繰り返し配置間隔）０．２ｍｍの丸形のパッド３と、線幅０．１ｍｍで長さ２０ｍｍで線間間隔０．１ｍｍの配線導体４と、線幅０．０５ｍｍで長さ２０ｍｍで線間間隔０．０５ｍｍの配線導体５と、線幅０．０２ｍｍで長さ２０ｍｍで線間間隔０．０２ｍｍの配線導体６とを形成した。
【００４６】
次に、触媒液による活性化処理および無電解めっき処理について説明する。
【００４７】
＜めっき前処理＞
上記した方法（(1)めっき前処理）を用いて、絶縁基体１、パッド２，３および配線導体４〜６のめっき前処理を行った。このとき、アルカリ脱脂液の液温は６０℃とした。
【００４８】
＜無電解めっき用触媒液への浸漬＞
パッド２，３および配線導体４〜６は、無電解ニッケルのめっきに対して触媒能力がないことから、めっき処理の前に触媒液に浸漬した。この触媒液としては、塩化パラジウム、ピロリン酸カリウム、カルボキシル基を有する有機酸、スルファミン酸から成る無機酸を含むものを使用し、表１〜５に示すような組成に調製した。
【００４９】
次に、調製した各触媒液を温度調整（実施例１〜１３および参考例６〜１１では３５℃に調整し、実施例１４〜１９および参考例１〜５では表３，４に示す温度に調整した）し、めっき前処理を行ったパッド２，３および配線導体４〜６を有する絶縁基体１を触媒液に１〜５分間浸漬し、パラジウム触媒核の付与を行なった。
【００５０】
＜無電解めっき処理＞
上記のようにして活性化処理を行った絶縁基体１を、液温９０℃、ｐＨ４．５に調整された無電解Ｎｉ−Ｐめっき液（日本カニゼン社製商品名「Ｓ−５００」）に１５分間浸漬して無電解ニッケルめっき処理を行った。
【００５１】
上記のようにして得られたサンプルは、以下の方法で評価した。
【００５２】
＜サンプルの評価方法＞
パラジウムの析出状況については、パラジウム触媒核の付与後に走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察した。
【００５３】
ニッケルめっきの析出状況については、無電解Ｎｉ−Ｐめっき後に肉眼及び１０〜１００倍の実体顕微鏡を用いて、ニッケルめっき層の色、光沢等の外観、めっき欠け、めっきノビ（はみ出し析出）を観察した。評価結果を表１〜５に示す。
【００５４】
なお、実施例１〜６は、パラジウム濃度を変化させたときのパラジウムの析出状況およびニッケルめっき層の析出状況を評価したものである。実施例７〜１１は、無機酸濃度を変化させたときのパラジウムの析出状況およびニッケルめっき層の析出状況を評価したものである。実施例１２〜１７は、触媒液の温度を変化させたときのパラジウムの析出状況およびニッケルめっき層の析出状況を評価したものである。
【００５５】
＜判定基準（パラジウムの析出状況について）＞
表１〜５において、「◎」は、析出パラジウム粒子径およびその分布状態に問題がないことを表す。「○」は、部分的なニッケル層の未析出箇所があるが、処理時間の延長で対応でき、実用上問題ないレベルであることを表す。または、析出パラジウム粒子に若干凝集が見られるが、実用上問題ないレベルであることを表す。「△」は、５０％以上のニッケル層の未析出箇所があり、処理時間の延長などで対応し難いため実用上問題があることを表す。
【００５６】
＜判定基準（ニッケルの析出状況について）＞
表１〜５において、「◎」は、めっきのノビなどの不具合が見られないことを表す。「○」は、配線導体５，６において、一部めっきノビが見られるが実用上問題ないレベルであることを表す。「△」は、パッド２，３や配線導体４〜６においてめっきのノビが見られ、ショートなどの不具合が生じる可能性が高いことを表す。
【００５７】
表１〜５に示すように、実施例１〜１７の各条件により活性化処理およびニッケルめっきを施した全てのサンプルは、実用上問題のないものであることが判った。
【表１】
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【表２】
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【表３】
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【表４】
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【表５】
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【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施例において用いた絶縁基体の評価用サンプルの平面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１・・・絶縁基体
２，３・・・パッド
４〜６・・・配線導体
【図１】
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