(57)【要約】【課題】  本発明は、素子の熱破壊を防止し得る電力増幅回路を実現する。【解決手段】  本発明は、入力信号Ｓ１を増幅して電流ＩＥ１１を出力する正半波増幅回路１１と、差異信号ＳＢ１を増幅して電流ＩＥ１２を出力する正半波増幅回路１２と、電流ＩＥ１１と電流ＩＥ１２との差異に基づき、当該電流ＩＥ１２の値を当該電流ＩＥ１１の値に追従させるための差異信号ＳＢ１を生成する差動増幅器Ｂ１とを設けるようにしたことにより、正半波増幅回路１１及び１２の特性の違いにかかわらず、電流ＩＥ１２の値を電流ＩＥ１１の値に追従させてそれぞれの電流値を揃えることができる。【選択図】        図２
2005039627.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の入力信号を増幅して第１の出力信号を出力する第１の増幅回路と、
第２の入力信号を増幅して第２の出力信号を出力する第２の増幅回路と、
上記第１の出力信号と上記第２の出力信号との差異に基づき、上記第２の出力信号の値を上記第１の出力信号の値に追従させるための上記第２の入力信号を生成する出力信号追従手段と
を具えることを特徴とする電力増幅回路。
【請求項２】
第１の入力信号を増幅して第１の出力信号を出力する第１の増幅回路と、
第２、第３、…、第ｎの入力信号を増幅して第２、第３、…、第ｎの出力信号として出力する第２、第３、…、第ｎの増幅回路と、
上記第１の出力信号と上記第２、第３、…、第ｎの出力信号との差異に基づき、上記第２、第３、…、第ｎの出力信号の値を上記第１の出力信号の値に追従させるための上記第２、第３、…、第ｎの入力信号を生成する第１、第２、…、第（ｎ−１）の出力信号追従手段と
を具えることを特徴とする電力増幅回路。
【請求項３】
第１の入力信号のうち正の半波成分のみを増幅して第１の正半波出力信号を出力する第１の正半波増幅回路と、第２の正半波入力信号を増幅して第２の正半波出力信号を出力する第２の正半波増幅回路と、上記第１の正半波出力信号と上記第２の正半波出力信号との差異に基づき、上記第２の正半波出力信号の値を上記第１の正半波出力信号の値に追従させるための上記第２の正半波入力信号を生成する正出力信号追従手段とでなる正半波成分増幅部と、
上記第１の入力信号のうち負の半波成分のみを増幅して第１の負半波出力信号を出力する第１の負半波増幅回路と、第２の負半波入力信号を増幅して第２の負半波出力信号を出力する第２の負半波増幅回路と、上記第１の負半波出力信号と上記第２の負半波出力信号との差異に基づき、上記第２の負半波出力信号の値を上記第１の負半波出力信号の値に追従させるための上記第２の負半波入力信号を生成する負出力信号追従手段とでなる負半波成分増幅部と
を具え、
上記正半波成分増幅部の出力と上記負半波成分増幅部の出力を合成して出力する
ことを特徴とする電力増幅回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電力増幅回路に関し、例えば音響用電力増幅器に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、音響用電力増幅器においては、トランジスタ回路を複数並列に接続した電力増幅回路を用いるものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
例えば図４に示すように、電力増幅回路１は、正半波増幅回路２及び負半波増幅回路４によって構成される第１のプッシュプル回路と、正半波増幅回路３及び負半波増幅回路５によって構成される第２のプッシュプル回路とが並列接続された構成を有する。
【０００４】
電力増幅回路１の正半波増幅回路２は、エミッタフォロア回路を形成しており、図示しないグラウンドに対して交流波でなる入力信号Ｓ１を、ベース抵抗ＲＢ１を介してｎｐｎ型のトランジスタＱ１のベースへ入力し、当該入力信号Ｓ１の正の半波成分のみを取り出して増幅し、エミッタから抵抗ＲＥ１を介して電流ＩＥ１を出力する。
【０００５】
同様に電力増幅回路１の負半波増幅回路４は、トランジスタＱ１と相補的な（すなわち特性が揃ったトランジスタ対をなす）ｐｎｐ型のトランジスタＱ３によって、入力信号Ｓ１の負の半波成分のみを取り出して増幅し、エミッタから抵抗ＲＥ３を介して電流ＩＥ３を流入する。
【０００６】
そして電力増幅回路１は、トランジスタＱ１及びトランジスタＱ３のエミッタからそれぞれ出力される正の半波及び負の半波を合成することによって、増幅した交流波を出力するようになされている。
【０００７】
さらに電力増幅回路１は、トランジスタＱ１及びＱ３とそれぞれ同じ規格のトランジスタＱ２及びＱ４でなる正半波増幅回路３及び負半波増幅回路５を当該正半波増幅回路２及び負半波増幅回路４とそれぞれ並列に接続し、抵抗ＲＥ１〜ＲＥ４を介して各エミッタから出力される電流ＩＥ１〜ＩＥ４を合成することによって、出力信号Ｓ２を得るようになされている。
【０００８】
このように電力増幅器では、同じ規格の素子を複数並列に接続してその出力を合成することによって、素子単体では得られない大電流の出力信号Ｓ２を得るようになされている。
【特許文献１】特開昭５８−１８７１５号公報（第８６頁、第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで一般にトランジスタは、流れる電流量に応じて発熱するが、電流増幅率ｈｆｅ（以下これを特性と呼ぶ）が素子毎にばらつきを有するため、同じ入力信号に対して素子毎に流れる電流及び発熱量が異なってしまう。
【００１０】
ここで図４との対応部分に同一符号を付して示す図５は、電力増幅回路１のうち入力信号Ｓ１の正の半波を増幅する部分を抜粋したものであり、以下この図面について、ある瞬間のトランジスタＱ１及びＱ２に流れる電流に着目する。
【００１１】
まず入力信号Ｓ１の電圧ＶＩＮについて、トランジスタＱ１のベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ１、ベース抵抗ＲＢ１及びそこに流れる電流ＩＢ１、抵抗ＲＥ１及びそこに流れる電流ＩＥ１、並びに出力信号Ｓ２の電圧ＶＯＵＴを用いると、次式
【００１２】
【数１】
2005039627.tif 000003
【００１３】
のような関係が成立し、また電流ＩＢ１については、トランジスタＱ１の電流増幅率ｈｆｅ１を用いた次式
【００１４】
【数２】
2005039627.tif 000004
【００１５】
のような関係が成立する。
【００１６】
ここで、（１）式に（２）式を代入すると、次式
【００１７】
【数３】
2005039627.tif 000005
【００１８】
のようになり、さらに当該（３）式を電流ＩＥ１についてまとめると、次式
【００１９】
【数４】
2005039627.tif 000006
【００２０】
のように変形できる。
【００２１】
同様にトランジスタＱ２に関して、ベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ２、ベース抵抗ＲＢ２及びそこに流れる電流ＩＢ２、抵抗ＲＥ２及びそこに流れる電流ＩＥ２、並びに入力信号Ｓ１の電圧ＶＩＮ及び出力信号Ｓ２の電圧ＶＯＵＴ、さらに当該トランジスタＱ２の電流増幅率ｈｆｅ２を用いると、（４）式と同様に次式
【００２２】
【数５】
2005039627.tif 000007
【００２３】
が成立する。
【００２４】
たとえば各変数の具体的な数値として、抵抗ＲＥ１＝ＲＥ２＝０．１［Ω］、ベース抵抗ＲＢ１＝ＲＢ２＝１００［Ω］、入力信号Ｓ１の電圧ＶＩＮ＝１１．１［Ｖ］、出力信号Ｓ２の電圧ＶＯＵＴ＝１０［Ｖ］、ベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ１＝ＶＢＥ２＝０．６［Ｖ］とし、さらに電流増幅率ｈｆｅ１＝５０、ｈｆｅ２＝１００とした場合、（４）式より電流ＩＥ１＝２４３［ｍＡ］、（５）式より電流ＩＥ２＝４５９［ｍＡ］となり、電力増幅回路１はトランジスタＱ１及びＱ２に対して不均等に電流を流していることになる。
【００２５】
このような場合、電力増幅回路１は、複数並列に用いたトランジスタＱ１及びＱ２の素子毎に流れる電流が異なるために発熱量がばらついてしまい、特定のトランジスタＱ２に過大な電流が流れた場合に当該トランジスタＱ２を熱によって破壊してしまう（以下これを熱破壊と呼ぶ）という問題があった。
【００２６】
そこで電力増幅回路１では、互いに並列関係にあるトランジスタＱ１及びＱ２、並びにトランジスタＱ３及びＱ４について、予め特性を測定して同等の特性を持つ素子同士を選別して用いることによって、各素子に流れる電流値を揃えることができるが、このようにした場合、当該測定及び選別に手間がかかるという問題があった。
【００２７】
さらに電力増幅回路１は、トランジスタＱ１〜Ｑ４の特性が温度によって変化してしまうことにより、測定時に特性の一致する素子同士を選択してあっても、動作時の温度が測定時と異なる場合に当該素子に流れる電流が均等にならなくなってしまい、特定の素子に過大な電流が流れて熱破壊されてしまう可能性があるという問題もあった。
【００２８】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、素子の特性のばらつきにかかわらず、各素子に流れる電流値を常に揃えることにより素子の熱破壊を防止し得る電力増幅回路を提案しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
かかる課題を解決するため本発明においては、第１の入力信号を増幅して第１の出力信号を出力する第１の増幅回路と、第２の入力信号を増幅して第２の出力信号を出力する第２の増幅回路と、第１の出力信号と第２の出力信号との差異に基づき、第２の出力信号の値を第１の出力信号の値に追従させるための第２の入力信号を生成する出力信号追従手段とを設けるようにしたことにより、第１及び第２の増幅回路の特性の違いに関わらず、第２の出力信号の値を第１の出力信号の値に追従させてそれぞれの電流値を揃えることができる。
【００３０】
また本発明においては、第１の入力信号を増幅して第１の出力信号を出力する第１の増幅回路と、第２、第３、…、第ｎの入力信号を増幅して第２、第３、…、第ｎの出力信号として出力する第２、第３、…、第ｎの増幅回路と、第１の出力信号と第２、第３、…、第ｎとの出力信号の差異に基づき、第２、第３、…、第ｎの出力信号の値を第１の出力信号の値に追従させるための第２、第３、…、第ｎの入力信号を生成する第１、第２、…、第（ｎ−１）の出力信号追従手段とを設けるようにしたことにより、第１、第２、…、第ｎの増幅回路の特性の違いに関わらず、第２、第３、…、第ｎの出力信号の値を全て第１の増幅回路の出力信号の値に追従させてそれぞれの電流値を揃えることができる。
【００３１】
さらに本発明においては、第１の入力信号のうち正の半波成分のみを増幅して第１の正半波出力信号を出力する第１の正半波増幅回路と、第２の正半波入力信号を増幅して第２の正半波出力信号を出力する第２の正半波増幅回路と、第１の正半波出力信号と第２の正半波出力信号との差異に基づき、第２の正半波出力信号の値を第１の正半波出力信号の値に追従させるための第２の正半波入力信号を生成する正出力信号追従手段とでなる正半波成分増幅部と、第１の入力信号のうち負の半波成分のみを増幅して第１の負半波出力信号を出力する第１の負半波増幅回路と、第２の負半波入力信号を増幅して第２の負半波出力信号を出力する第２の負半波増幅回路と、第１の負半波出力信号と第２の負半波出力信号との差異に基づき、第２の負半波出力信号の値を第１の負半波出力信号の値に追従させるための第２の負半波入力信号を生成する負出力信号追従手段とでなる負半波成分増幅部とを設け、正半波成分増幅部の出力と負半波成分増幅部の出力を合成して出力するようにしたことにより、第１及び第２の正半波増幅回路の特性の違いに関わらず、第２の正半波出力信号の値を第１の正半波出力信号の値に追従させることができると共に、第１及び第２の負半波増幅回路の特性の違いに関わらず、第２の負半波出力信号の値を第１の負半波出力信号の値に追従させてそれぞれの電流値を揃えることができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、第１及び第２の増幅回路の特性の違いに関わらず、第２の増幅回路の出力信号の値を第１の増幅回路の出力信号の値に追従させることができるので、各増幅回路を構成する素子の特性のばらつきに関わらず、各素子に流れる電流値を常に揃えることができ、素子の熱破壊を防止し得る電力増幅回路を実現できる。
【００３３】
また本発明によれば、第１、第２、…、第ｎの増幅回路の特性の違いに関わらず、第２、第３、…、第ｎの出力信号の値を全て第１の増幅回路の出力信号の値に追従させることができるので、各増幅回路を構成する素子の特性のばらつきに関わらず、各素子に流れる電流値を常に揃えることができ、素子の熱破壊を防止し得る電力増幅回路を実現できる。
【００３４】
さらに本発明によれば、第１及び第２の正半波増幅回路の特性の違いに関わらず、第２の正半波出力信号の値を第１の正半波出力信号の値に追従させることができると共に、第１及び第２の負半波増幅回路の特性の違いに関わらず、第２の負半波出力信号の値を第１の負半波出力信号の値に追従させることができるので、各増幅回路を構成する素子の特性のばらつきに関わらず、各素子に流れる電流値を常に揃えることができ、素子の熱破壊を防止し得る電力増幅回路を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。
【実施例】
【００３６】
（１）電力増幅回路の構成
図４との対応部分に同一符号を付した図１に示すように、電力増幅回路１０は、正半波増幅回路１１及び負半波増幅回路１３によって構成される第１のプッシュプル回路と、正半波増幅回路１２及び負半波増幅回路１４によって構成される第２のプッシュプル回路とが接続された構成を有する。
【００３７】
正半波増幅回路１１のｎｐｎ型トランジスタＱ１は、コレクタに電源電圧ＶＣＣが供給されており、ベース抵抗ＲＢ１を介してベースに入力された入力信号Ｓ１の正の半波を電流増幅率ｈｆｅ１で増幅し、エミッタから電流ＩＥ１１として出力する。
【００３８】
電流ＩＥ１１を検出するための電流検出抵抗ＲＥ１１は、電流ＩＥ１１によって両端に次式
【００３９】
【数６】
2005039627.tif 000008
【００４０】
のような電圧ＶＥ１１を生じる。
【００４１】
また正半波増幅回路１２のｎｐｎ型トランジスタＱ２は、コレクタに電源電圧ＶＣＣが供給されており、トランジスタＱ１のエミッタから差動増幅器Ｂ１及びベース抵抗ＲＢ２を介してベースに入力された差異信号ＳＢ１を電流増幅率ｈｆｅ２で増幅し、エミッタから電流ＩＥ１２として出力する。
【００４２】
電流検出抵抗ＲＥ１２は、電流検出抵抗ＲＥ１１と同様に、電流ＩＥ１２によって両端に次式
【００４３】
【数７】
2005039627.tif 000009
【００４４】
のような電圧ＶＥ１２を生じる。
【００４５】
ここで電力増幅回路１０は、電流検出抵抗ＲＥ１１の一端とＲＥ１２の一端とを接続することによって電流ＩＥ１１とＩＥ１２とを合成しており、また当該電流検出抵抗ＲＥ１１とＲＥ１２との抵抗値を精度良く揃えているため、（６）式及び（７）式においてＲＥ１１＝ＲＥ１２として変形すると、次式
【００４６】
【数８】
2005039627.tif 000010
【００４７】
のようになり、すなわち電圧ＶＥ１１とＶＥ１２との比に応じて電流ＩＥ１１とＩＥ１２との比を生じることになる。
【００４８】
ところで差動増幅器Ｂ１は、トランジスタＱ１のエミッタからの非反転入力とトランジスタＱ２のエミッタからの反転入力との電位差（ＶＥ１１−ＶＥ１２）に応じて、当該電位差を打ち消すような差異信号ＳＢ１をベース抵抗ＲＢ２へ出力するようになされており、これによって当該トランジスタＱ２に負帰還をかけるようになされている。
【００４９】
すなわちトランジスタＱ２は、入力された差異信号ＳＢ１に基づいて動作することによって電圧ＶＥ１２を電圧ＶＥ１１に近づけて、当該電圧ＶＥ１２と当該電圧ＶＥ１１との電位差を０に収束させていく。
【００５０】
その結果トランジスタＱ２は、電圧ＶＥ１２と電圧ＶＥ１１との電位差を０に収束させると、（８）式の関係により電流ＩＥ１２と電流ＩＥ１１との差を０に収束させることになり、すなわち当該トランジスタＱ２に流れる電流値をトランジスタＱ１に流れる電流値に追従させることになる。
【００５１】
このときトランジスタＱ２は、その電流増幅率ｈｆｅ２がトランジスタＱ１の電流増幅率ｈｆｅ１と異なっていたとしても、差動増幅器Ｂ１によって負帰還をかけることにより、当該トランジスタＱ２に流れる電流値をトランジスタＱ１に流れる電流値に追従させることができる。
【００５２】
ここで図１及び図５との対応部分に同一符号を付して示す図２は、電力増幅回路１０のうち入力信号Ｓ１の正の半波を増幅する部分を抜粋したものであり、以下この図面について、ある瞬間にトランジスタＱ１及びＱ２に流れる電流について着目する。
【００５３】
まずトランジスタＱ１に関して、ベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ１、ベース抵抗ＲＢ１及びそこに流れる電流ＩＢ１、電流検出抵抗ＲＥ１１及びそこに流れる電流ＩＥ１１、並びに入力信号Ｓ１の電圧ＶＩＮ及び出力信号Ｓ１０の電圧ＶＯＵＴを用いると、上述の（４）式と同様に次式
【００５４】
【数９】
2005039627.tif 000011
【００５５】
のような関係が成立する。
【００５６】
次に差動増幅器Ｂ１に関して、出力する差異信号ＳＢ１の電圧ＶＢ１は、差動利得Ａを用いて次式
【００５７】
【数１０】
2005039627.tif 000012
【００５８】
のように表される。
【００５９】
さらにトランジスタＱ２に関して、ベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ２、ベース抵抗ＲＢ２及びそこに流れる電流ＩＢ２、電流検出抵抗ＲＥ１２及びそこに流れる電流ＩＥ１２、並びに電流検出抵抗ＲＥ１１及びそこに流れる電流ＩＥ１１と差異信号ＳＢ１の電圧ＶＢ１とを用いて次式
【００６０】
【数１１】
2005039627.tif 000013
【００６１】
の関係が成立し、また電流ＩＢ２に関しては、（２）式と同様に次式
【００６２】
【数１２】
2005039627.tif 000014
【００６３】
の関係が成立する。
【００６４】
ここで（１１）式に（１０）式及び（１２）式を適用し、電流ＩＥ１２について整理することにより次式
【００６５】
【数１３】
2005039627.tif 000015
【００６６】
を得る。
【００６７】
ところで（１３）式において、差動利得Ａの値はベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ２及びベース抵抗ＲＢ２の値よりも非常に大きくなるため、当該（１３）式のＶＢ２／（１＋Ａ）項及びＲＢ２／（１＋Ａ）（１＋ｈｆｅ２）項はそれぞれほぼ０と見なすことができ、これにより次式
【００６８】
【数１４】
2005039627.tif 000016
【００６９】
の関係が成立する。ここで（１４）式から明らかなように、電力増幅回路１０は、トランジスタＱ２の電流増幅率ｈｆｅ２と無関係に電流ＩＥ１２を得ることができる。
【００７０】
たとえば各変数の具体的な数値として、電流検出抵抗ＲＥ１１＝ＲＥ１２＝０．１［Ω］、ベース抵抗ＲＢ１＝ＲＢ２＝１００［Ω］、入力信号Ｓ１の電圧ＶＩＮ＝１１．１［Ｖ］、出力信号Ｓ１０の電圧ＶＯＵＴ＝１０［Ｖ］、ベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ１＝ＶＢＥ２＝０．６［Ｖ］とし、さらに電流増幅率ｈｆｅ１＝５０、ｈｆｅ２＝１００とした場合、（９）式より電流ＩＥ１１＝２４３［ｍＡ］、（１４）式より電流ＩＥ１２＝２４３［ｍＡ］を得ることができ、このとき電流ＩＥ１２と電流ＩＥ１１とが同じ値となっている。
【００７１】
ところで、電力増幅回路１０（図１）は上述したようにプッシュプル回路を構成しており、正半波増幅回路１１及び１２と対称な負半波増幅回路１３及び１４に、ｎｐｎ型トランジスタＱ１及びＱ２とそれぞれ相補的なｐｎｐ型トランジスタＱ３及びＱ４を有している。
【００７２】
トランジスタＱ３は、コレクタに電源電圧−ＶＣＣが供給されており、ベース抵抗ＲＢ３を介してベースに入力された入力信号Ｓ１の負の半波を増幅し、エミッタへ電流ＩＥ１３を流入する。
【００７３】
またトランジスタＱ４は、コレクタに電源電圧−ＶＣＣが供給されており、トランジスタＱ４のエミッタから差動増幅器Ｂ２及びベース抵抗ＲＢ４を介してベースに入力された差異信号ＳＢ２を増幅し、エミッタへ電流ＩＥ１４を流入する。
【００７４】
ここで差動増幅器Ｂ２は、差動増幅器Ｂ１と同様に、トランジスタＱ３のエミッタからの非反転入力とトランジスタＱ４のエミッタからの反転入力との電位差を打ち消すための差異信号ＳＢ２をベース抵抗ＲＢ４へ出力することによって、当該トランジスタＱ４に流れる電流値を当該トランジスタＱ３に流れる電流値に追従させる。
【００７５】
そして電力増幅回路１０は、正半波増幅回路１１及び１２によって増幅された正の半波と負半波増幅回路１３及び１４によって増幅された負の半波とを合成することによって、入力信号Ｓ１を増幅した出力信号Ｓ１０を生成するようになされている。
【００７６】
（２）動作及び効果
以上の構成において、電力増幅回路１０は、差動増幅器Ｂ１が電圧ＶＥ１１と電圧ＶＥ１２との差分に基づいてトランジスタＱ２に負帰還をかけることにより、当該電圧ＶＥ１２を当該電圧ＶＥ１１と同じ値に収束させることができるので、当該トランジスタＱ２に流れる電流値を当該トランジスタＱ１に流れる電流値に追従させることができ、当該トランジスタＱ１及びＱ２の発熱量を同程度に揃えることができる。
【００７７】
また電力増幅回路１０は、トランジスタＱ１の電流増幅率ｈｆｅ１とトランジスタＱ２の電流増幅率ｈｆｅ２とが異なっていても、当該トランジスタＱ１及びＱ２に流れる電流値を揃えることができるので、予め素子の特性を測定したり選別したりする手間をかけさせることがない。
【００７８】
以上の構成によれば、電力増幅回路１０は、差動増幅器Ｂ１の動作によってトランジスタＱ２に流れる電流値をトランジスタＱ１に流れる電流値に追従させることができるので、当該電力増幅回路１０を構成する各トランジスタへ均等に電流を流すことができ、特定のトランジスタに過大な電流が流れることによる熱破壊を防止することができる。
【００７９】
（３）他の実施の形態
なお上述の実施の形態においては、正半波増幅回路１１及び負半波増幅回路１３に対して正半波増幅回路１２及び負半波増幅回路１４をそれぞれ１つずつ接続するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、正半波増幅回路及び負半波増幅回路をそれぞれ２つ以上ずつ接続するようにしても良い。
【００８０】
例えば図１との対応部分に同一符号を付して示す図３において、電力増幅回路２０は、電力増幅回路１０の回路構成に加えて、正半波増幅回路１１に差動増幅器Ｂ３を介して正半波増幅回路１５を接続し、また負半波増幅回路１３に差動増幅器Ｂ４を介して負半波増幅回路１６を接続している。
【００８１】
正半波増幅回路１５は、上述した正半波増幅回路１２と同様に差動増幅器Ｂ３が負帰還をかけることによって、トランジスタＱ５から出力される電流ＩＥ１５の値をトランジスタＱ１から出力される電流ＩＥ１１の値に追従させることができる。
【００８２】
また負半波増幅回路１６は、上述した負半波増幅回路１４と同様に差動増幅器Ｂ４が負帰還をかけることによって、トランジスタＱ６へ流入する電流ＩＥ１６の値をトランジスタＱ３に流入する電流ＩＥ１３の値に追従させることができる。
【００８３】
その結果電力増幅回路２０は、トランジスタＱ２及びＱ５に流れる電流の値を常にトランジスタＱ１に流れる電流の値に追従させることができ、またトランジスタＱ４及びＱ６に流れる電流値を常にトランジスタＱ３に流れる電流値に追従させることができるので、全体として各トランジスタに流れる電流値を揃えることができ、各トランジスタの発熱量を同程度に揃えることができる。
【００８４】
また上述の実施の形態においては、第１の出力信号としての電流ＩＥ１１及びＩＥ１３を出力する第１の増幅回路としての正半波増幅回路１１及び負半波増幅回路１３と、第２の入力信号としての差異信号ＳＢ１及びＳＢ２を入力して第２の出力信号としての電流ＩＥ１２及びＩＥ１４を出力する第２の増幅回路としての正半波増幅回路１２及び負半波増幅回路１４と、出力信号追従手段としての差動増幅器Ｂ１及びＢ２とによって電力増幅回路１０を構成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、その他種々の回路構成でなる第１の増幅回路と、第２の増幅回路と、出力信号追従手段とによって電力増幅回路を構成するようにしても良い。
【００８５】
さらに上述の実施の形態においては、第１の正半波出力信号としての電流ＩＥ１１を出力する第１の正半波増幅回路としての正半波増幅回路１１、第２の正半波入力信号としての差異信号ＳＢ１を増幅して第２の正半波出力信号としての電流ＩＥ１２を出力する第２の正半波増幅回路としての正半波増幅回路１２、及び正出力信号追従手段としての差動増幅器Ｂ１でなる正半波成分増幅部と、第１の負半波出力信号としての電流ＩＥ１３を出力（流入）する第１の負半波増幅回路としての正半波増幅回路１３、第２の負半波入力信号としての差異信号ＳＢ２を増幅して第２の負半波出力信号としての電流ＩＥ１４を出力（流入）する第２の負半波増幅回路としての正半波増幅回路１４、及び負出力信号追従手段としての差動増幅器Ｂ２でなる負半波成分増幅部とによって電力増幅回路１０を構成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、その他種々の回路構成でなる第１の正半波増幅回路、第２の正半波増幅回路、及び正出力信号追従手段でなる正半波成分増幅部と、第１の負半波増幅回路、第２の負半波増幅回路、及び負出力信号追従手段でなる負半波成分増幅部とによって電力増幅回路を構成するようにしても良い。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明は、音響用電力増幅器の他に、種々の電力増幅回路に適用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】実施の形態による電力増幅回路の構成を示す略線的回路図である。
【図２】実施の形態による電力増幅回路の一部の構成を示す略線的回路図である。
【図３】他の実施の形態による電力増幅回路の構成を示す略線的回路図である。
【図４】従来の電力増幅回路の構成を示す略線的回路図である。
【図５】従来の電力増幅回路の一部の構成を示す略線的回路図である。
【符号の説明】
【００８８】
１、１０、２０……電力増幅回路、２、３、１１、１２、１５……正半波増幅回路、４、５、１３、１４、１６……負半波増幅回路、Ｑ１〜Ｑ６……トランジスタ、Ｂ１〜Ｂ４……差動増幅器、ＩＥ１１〜ＩＥ１６……電流、ＳＢ１〜ＳＢ４……差異信号。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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