(57)【要約】【課題】  耐久性に優れた発光効率、発光輝度の高い発光素子を提供すること。【解決手段】  本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層が単一のホスト材料を含み、該有機層が、該ホスト材料を含む第一領域と、少なくとも一種のドープ材料を含む第二領域とを有し、該ドープ材料の濃度が前記第二領域中で濃度勾配を有する。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層が単一のホスト材料を含み、該有機層が、該ホスト材料を含む第一領域と、少なくとも一種のドープ材料を含む第二領域とを有し、少なくとも一種のドープ材料の濃度が該第二領域中で濃度勾配を有することを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
前記少なくとも一種のドープ材料が発光材料であり、かつ該発光材料が前記有機層中の電子と正孔との再結合領域において最大濃度に到達するような濃度勾配を有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記有機層が、少なくとも一種の正孔輸送材料を含む第三領域をさらに有し、かつ該正孔輸送材料の濃度が陽極側から陰極側に向かって減少する濃度勾配を有することを特徴とする請求項１または２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記有機層が、少なくとも一種の電子輸送材料を含む第四領域をさらに有し、かつ該電子輸送材料の濃度が陰極側から陽極側に向かって減少する濃度勾配を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記ホスト材料が、電子及び正孔の両電荷輸送性材料であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子（有機ＥＬ素子、発光素子と同義である）は、発光層及び該層を挟んだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極から電子が注入され、陽極から正孔が注入される。この電子と正孔が発光層において再結合し、エネルギ−準位が伝導体から価電子帯に戻る際にエネルギ−を光として放出する現象である。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、機能を分離した積層構造を用いることにより、輝度及び発光効率が大きく改善される。例えば、正孔輸送層と発光兼電子輸送層を積層した二層積層型素子や正孔輸送層と発光層と電子輸送層を積層した三層積層型素子や正孔輸送層と正孔阻止層と発光層と電子輸送層を積層した四層積層型素子がよく用いられる。
【０００４】
しかしながら上記の積層構造は異種物質間の接合であるため、各層間に界面が生じる。界面が存在すると、電荷の蓄積、モルフォロジーの悪化などにより、素子の駆動耐久性が悪化することが考えられる。
【０００５】
界面の影響を除くため、正孔輸送材料と電子輸送材料との混合領域を設けた素子構成が提案されている（例えば特許文献１参照）。しかしながら、この素子構成では効率が不十分であり、また素子作製が複雑であるという問題がある。
【特許文献１】特開２００２−３１３５８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、耐久性に優れた発光効率、発光輝度の高い発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記問題点に鑑み鋭意検討の結果、本発明者らは、有機層に単一のホスト材料を用いることで界面を除去し、更に高効率化をはかるため電子輸送材料、正孔輸送材料及び発光材料をドープし、且つ、ドープした化合物に濃度勾配を持たせることでドープ材料による界面の影響も除去することにより、高効率、長寿命の発光素子を得ることが可能となった。
すなわち、前記課題は以下の本発明によって解決された。
（１）  一対の電極間に有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層が単一のホスト材料を含み、該有機層が、該ホスト材料を含む第一領域と、少なくとも一種のドープ材料を含む第二領域とを有し、少なくとも一種のドープ材料の濃度が該第二領域中で濃度勾配を有することを特徴とする有機電界発光素子。
（２）  前記少なくとも一種のドープ材料が発光材料であり、かつ該発光材料が前記有機層中の電子と正孔との再結合領域において最大濃度に到達するような濃度勾配を有することを特徴とする前記（１）に記載の有機電界発光素子。
（３）  前記有機層が、少なくとも一種の正孔輸送材料を含む第三領域をさらに有し、かつ該正孔輸送材料の濃度が陽極側から陰極側に向かって減少する濃度勾配を有することを特徴とする前記（１）または（２）に記載の有機電界発光素子。
（４）  前記有機層が、少なくとも一種の電子輸送材料を含む第四領域をさらに有し、かつ該電子輸送材料の濃度が陰極側から陽極側に向かって減少する濃度勾配を有することを特徴とする前記（１）乃至（３）のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
（５）  前記ホスト材料が、電子及び正孔の両電荷輸送性材料であることを特徴とする前記（１）乃至（４）のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、耐久性が極めて優れ、かつ発光輝度、発光効率が極めて高い有機電界発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の有機電界発光素子について詳細に説明する。
本発明の有機電界発光素子は、従来の積層型素子においては不可避であった層間に界面が生ずる問題を回避するため、単独のホスト材料を使用し、そのホスト材料中に各機能性材料をドープした、もしくはホスト材料のみからなる複数の領域から形成され、更に、ドープされた各機能性材料が厚み方向に濃度勾配を形成する有機層を有することを特徴とする。
すなわち、本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層が単一のホスト材料を含み、該有機層が、該ホスト材料を含む第一領域と、少なくとも一種のドープ材料を含む第二領域とを有し、該ドープ材料の濃度が前記第二領域中で濃度勾配を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の発光素子におけるホスト材料とは、有機層の全領域に含有される材料であり、この場合、「全領域に含有される」とは、有機層の任意単位体積中の体積存在比率が４０％以上であることを表す。体積存在比率は５０％以上であることがより好ましく、さらに好ましくは６０％以上である。ホスト材料は、その機能が限定されることはないが、ホスト材料にドープされる機能性材料（以降、ドープ材料と記す）を分散して層中に保持する機能、陽極や正孔輸送層等から正孔を受け取る機能、陰極や電子輸送層等から電子を受け取る機能、正孔又は電子を輸送する機能、正孔と電子の再結合の場を提供する機能、再結合により生成した励起子のエネルギーを発光材料に移動させる機能、正孔又は電子を発光材料に輸送する機能などを有するものが好ましい。特に、前記ホスト材料は、電子及び正孔の両電荷輸送性材料であるのが好ましい。
【００１１】
本発明において、「実質的に単一のホスト材料」とは、ホスト材料が一種のみに含まれる態様であり、ホスト材料の純度が１００％であることが好ましいが、痕跡量の不純物が含まれていてもよい。
【００１２】
前記有機層は、該有機層の全領域に実質的に単一のホスト材料を含み、該有機層が、該ホスト材料を含む第一領域と、少なくとも一種のドープ材料を含む第二領域とを有する構成である。該有機層は単層であり、少なくとも二つの領域に分かれる。
第一領域は、他の材料がドープされていないホスト材料のみから構成される領域が好ましい。第一及び第二領域は、発光層として機能してよいが、第一領域が発光層として機能することが好ましい。前記有機層は、さらに複数の領域を有することが好ましい。例えば、該ホスト材料に少なくとも一種の正孔輸送材料をドープした領域（正孔輸送領域）、少なくとも一種の発光材料をドープした領域（発光領域）、少なくとも一種の電子輸送材料をドープした領域（電子輸送領域）、少なくとも一種の正孔阻止材料をドープした領域（正孔阻止領域）などの群から選ばれる領域をさらに有してよく、機能を分離した複数の領域から有する構成が好ましい。ドープ材料は、それぞれ他の機能を兼ね備えていても良い。
【００１３】
本発明において、前記有機層が、少なくとも一種の正孔輸送材料を含む第三領域をさらに有し、かつ該正孔輸送材料の濃度が陽極側から陰極側に向かって減少する濃度勾配を有することが好ましい。
【００１４】
本発明において、前記有機層が、少なくとも一種の電子輸送材料を含む第四領域をさらに有し、かつ該電子輸送材料の濃度が陰極側から陽極側に向かって減少する濃度勾配を有することが好ましい。
【００１５】
上記に示した、単一のホスト材料を用いた複数の領域を有する有機層の構成を用いることにより、キャリアの注入移動効率の向上、再結合効率の向上、発光効率の向上など、従来の積層構造に由来する利点を生かすことができる。
しかし、一定濃度でドープした場合、ドープ材料を含む領域とホスト材料のみからなる領域との間に界面が生じてしまう。本発明ではドープ材料が濃度勾配を形成することにより、実質的に有機層から界面をなくすことができるため、高効率素子が得られると同時に、素子耐久性をも飛躍的に向上させることができる。
【００１６】
単一のホスト材料を用いた複数領域を含む有機層を有する発光素子の場合、ある領域に含有されるドープ材料は、一種でも二種以上の複数種であってもよい。またあるドープ材料が複数の領域にまたがって含有されていても良いが、領域間の機能を分離して従来の積層型素子の利点を充分に発揮させることを考慮すると、一つのドープ材料はある一つの領域にのみ含有されていることがより好ましい。
【００１７】
正孔輸送材料をドープする場合は、その機能を発揮させるため、陽極／有機層界面において最大濃度になることが好ましい。正孔輸送領域とその他の領域との界面を無くすため、陽極側から陰極側に向かってドープ濃度が減少し、最終的にある膜厚に達したところで濃度が零になることが好ましい。濃度勾配の形は限定されないが、一次関数的に変化するのが好ましい。
【００１８】
電子輸送材料をドープする場合は、その機能を発揮させるため、陰極／有機層界面において最大濃度になることが好ましい。電子輸送領域とその他の領域との界面を無くすため、陰極側から陽極側に向かってドープ濃度が減少し、最終的にある膜厚に達したところで濃度が零になることが好ましい。濃度勾配の形は限定されないが、一次関数的に変化するのが好ましい。
【００１９】
発光材料をドープする場合は、高効率を達成するため、電子と正孔との再結合領域において最大濃度になることが好ましい。発光領域とその他の領域との界面をなくすため、再結合領域から陰極側及び陽極側に向かってドープ濃度が減少し、ある膜厚に達したところで濃度が零になることが好ましい。濃度勾配の形は限定されないが、一次関数的に変化するのが好ましい。
【００２０】
各機能領域の厚さは特に限定されないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００２１】
本発明の発光素子は、発光材料に蛍光材料を用いるものでも燐光材料を用いるものでも良いが、素子の効率を勘案すると、燐光材料を用いた発光素子の方が好ましい。
【００２２】
本発明におけるホスト材料は、その機能を果たす際に電気化学的に酸化もしくは還元され得るため、電気化学的酸化及び還元に対して非常に安定であるものが好ましい。言い換えれば、酸化種（例えばラジカルカチオン種）及び還元種（例えばラジカルアニオン種）が非常に安定であるものが好ましい。
また、ホスト材料分子において正孔と電子が再結合する場合には、ホスト材料分子の励起状態が生成することから、ホスト材料分子の励起状態は分解や熱失活を引き起こさず安定であることが好ましい。このことはすなわち、光に対しても安定なホスト材料が好ましいことをも意味するものである。
さらに、発光素子では駆動時の発熱による膜の破壊や材料の分解が劣化の大きな要因であることから、ホスト材料もまた熱による分解がなく、高温まで安定なアモルファス膜を保持できる材料であることが好ましい。すなわち、ガラス転位温度が１００℃以上であることが好ましく、１３０℃以上であることがより好ましく、１５０℃以上であることが更に好ましい。
【００２３】
以上のようにホスト材料は、光、熱、電気化学的酸化還元に対して極めて安定であるものが好ましく、これらを満足するホスト材料を用いた場合、発光素子の耐久性は極めて大きく向上する。
【００２４】
本発明のホスト材料は、有機層の陽極側から陰極側までの全領域に存在するため、正孔及び電子の両電荷輸送性であることが好ましく、正孔及び電子の両電荷の移動度（電界強度２×１０５Ｖ／ｃｍの時）が１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上であることがより好ましく、両電荷の移動度が１０−４ｃｍ２／Ｖｓ以上であることがさらに好ましい。さらに、正孔と電子の移動度が同程度であることが好ましい。
【００２５】
本発明のホスト材料としては、8−キノリノール誘導体の金属錯体、ヒドロキシフェニル置換アゾール類の金属錯体、有機金属錯体などに代表される金属錯体類、オキサゾール、イミダゾール、チアゾール、スチリルベンゼン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、ペリレン、ピレン、フルオランテン、オキサジアゾール、ビススチリルアントラセン、ピロロピロール、シクロペンタジエン、シロール、有機ケイ素化合物、有機ホウ素化合物、芳香族ジメチリディン化合物、トリアジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、ピリジン、カルバゾール、トリアリールアミン化合物、ペルフッ素置換アリーレン化合物、トリアゾール、フェニレンジアミン、アミノ置換カルコン、フルオレン、ヒドラゾン、スチルベン、ポルフィリン系化合物、バックミンスターフラーレン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香族テトラカルボン酸無水物及びこれらの誘導体等が挙げられる。
【００２６】
本発明のホスト材料は、好ましくは金属錯体材料であり、下記一般式（Ｉ）で表される金属錯体であることがより好ましい。
【００２７】
【化１】
2005100767.tif 000002
【００２８】
（式中、Ｘ１は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、炭素原子、リン原子を表し、可能な場合は置換基を有していてもよい。Ｙ１は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、炭素原子、リン原子を表し、可能な場合は置換基を有していてもよい。Ｘ１、Ｙ１は、それぞれ、Ｑ1で表される原子群の構成原子と共に、Ｑ１、Ｘ1、Ｙ１、Ｍ１で形成されるキレート環以外の環を形成してもよい。Ｍ１は金属イオンを表す。ｎ１は１以上の整数を表す。Ｌ１は配位子を表し、ｍ１は０以上の整数を表す。Ｑ１はＸ１、Ｙ１、Ｍ１と共にキレート環を形成する原子群を表す。式中の各原子間の結合種は単結合、二重結合、三重結合、配位結合のいずれでもよい。）
【００２９】
一般式（Ｉ）で表される金属錯体について詳細に説明する。Ｘ１は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、炭素原子、リン原子を表し、可能な場合は置換基を有していてもよく、また他の環の構成原子となっていても良い。Ｘ１として好ましくは、酸素原子、窒素原子、硫黄原子であり、より好ましくは窒素原子である。Ｘ１に置換基が置換する場合、置換基としては例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル等が挙げられる。）、置換カルボニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、メトキシカルボニル、フェニルオキシカルボニル、ジメチルアミノカルボニル、フェニルアミノカルボニル、等が挙げられる。）、置換スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル等が挙げられる。）、ヘテロ環基（脂肪族ヘテロ環基、芳香族ヘテロ環基がある。好ましくは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子のいずれかを含み、好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数１〜３０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばイミダゾリル、ピリジル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、トリアゾリル基等が挙げられる。）等が挙げられる。これらの置換基は更に上記の置換基で置換されてもよい。
【００３０】
Ｘ１が他の環の構成原子になっている場合、該他の環としてはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、オキサゾール環、イソキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、テトラゾール環や上記芳香環が全部又は部分的に還元された環等が挙げられる。これらの環はさらに他の環が縮環していてもよく、また置換基を有していても良い。置換基としては、前記Ｘ１の置換基として挙げたものが適用できる。
【００３１】
Ｙ１は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、炭素原子、リン原子を表し、可能な場合は置換基を有していてもよく、また他の環の構成原子となっていても良い。Ｙ１として好ましくは酸素原子、窒素原子、硫黄原子、炭素原子であり、より好ましくは酸素原子、窒素原子であり、更に好ましくは酸素原子である。Ｙ１に置換基が置換する場合、置換基としては前記Ｘ１の置換基として挙げたものが適用できる。
【００３２】
Ｑ１はＸ１、Ｍ１、Ｙ１と共に環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｑ１、Ｘ１、Ｍ１、Ｙ１からなる環は、好ましくは５員環、６員環である。Ｑ１は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル等が挙げられる。）、置換カルボニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、メトキシカルボニル、フェニルオキシカルボニル、ジメチルアミノカルボニル、フェニルアミノカルボニル、等が挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジメチルアミノ、メチルカルボニルアミノ、エチルスルフォニルアミノ、ジメチルアミノカルボニルアミノ基、フタルイミド基等が挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル等が挙げられる。）、スルホ基、カルボキシル基、ヘテロ環基（脂肪族ヘテロ環基、芳香族ヘテロ環基がある。好ましくは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子のいずれかを含み、好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数１〜３０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばイミダゾリル、ピリジル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、トリアゾリル基等が挙げられる。）、ヒドロキシ基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメトキシ基、ベンジルオキシ基等が挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェノキシ基、ナフチルオキシ基等が挙げられる。）、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子）、チオール基、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基等が挙げられる）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基等が挙げられる）、シアノ基、シリル基（好ましくは炭素数０〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜１８であり、例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基等が挙げられる）等が挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
【００３３】
Ｍ１は金属イオンを表す。金属イオンとしては特に限定されないが、好ましくは周期律表（長周期型）の第２周期〜第６周期に含まれる金属のイオンであり、より好ましくは二価もしくは三価の金属イオンであり、より好ましくは、Ｂｅ２＋、Ｍｇ２＋、Ａｌ３＋、Ｃｕ２＋、Ｚｎ２＋、Ｇａ３＋、Ｐｄ２＋。Ｉｎ３＋、Ｉｒ３＋、Ｐｔ２＋であり、さらに好ましくは、Ａｌ３＋、Ｚｎ２＋、Ｇａ３＋である。
【００３４】
Ｌ１は単座又は多座の配位子を表す。配位子としてはえば、ハロゲンイオン（例えばＣｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-等が挙げられる）、パークロレートイオン、アルコキシイオン（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜５であり、例えばメトキシイオン、エトキシイオン、イソプロポキシイオン、アセチルアセトネートイオン等が挙げられる）、アリールオキシイオン（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは６〜１２、さらに好ましくは６〜８であり、例えばフェノキシイオン、キノリノールイオン、２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾアゾールイオン等が挙げられる）、含窒素ヘテロ環（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは２〜１０、さらに好ましくは３〜８であり、フェナンスレン、ビピリジル等が挙げられる）、アシルオキシイオン（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは２〜１０、さらに好ましくは３〜８であり、アセトキシイオン等が挙げられる）、シリルオキシイオン（好ましくは炭素数３〜５０、より好ましくは３〜４０、さらに好ましくは３〜２５であり、トリフェニルシリルオキシイオンなどが挙げられる）、エーテル化合物（好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは３〜１０、さらに好ましくは３〜８であり、テトラヒドロフラン等が挙げられる）、ヒドロキシイオン等が挙げられる。より好ましくはアルコキシイオン、シリルオキシイオン、アリールオキシイオンであり、さらに好ましくは、シリルオキシイオン、アリールオキシイオンであり、特に好ましくはアリールオキシイオンである。
【００３５】
ｎ１は１以上の整数を表し、ｍ１は０以上の整数を表す。ｎ１、ｍ１の好ましい範囲は金属イオンにより異なり特に限定されないが、ｎ１は１〜４が好ましく、より好ましくは１〜３であり、特に好ましくは、２、３である。ｍ１は０〜２が好ましく、より好ましくは０、１であり、特に好ましくは０である。ｎ１、ｍ１の数の組み合わせは一般式（Ｉ）で表される金属錯体が中性錯体となる数の組み合わせが好ましい。
【００３６】
一般式（Ｉ）中において、各原子間の結合は全て一本の実線により記されているが、これは該結合が単結合であることを意味するものではなく、各原子間の結合種は限定されない。
【００３７】
一般式（Ｉ）で表される金属錯体は、好ましくは一般式（ＩＩ）で表される金属錯体である。次に一般式（ＩＩ）で表される金属錯体について説明する。
【００３８】
【化２】
2005100767.tif 000003
【００３９】
（式中、Ｘ２は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、炭素原子、リン原子を表し、可能な場合は置換基を有していてもよい。Ｙ２は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、炭素原子、リン原子を表し、可能な場合は置換基を有していてもよい。Ｚ２１、Ｚ２２は炭素原子又は窒素原子を表し、可能な場合は置換基を有してもよい。Ｘ２とＺ２１、Ｙ２とＺ２２及びＺ２１とＺ２２は、それぞれ、Ｚ２１、Ｚ２２、Ｘ２、Ｙ２、Ｍ２で形成されるキレート環以外の環を形成してもよい。Ｍ２は金属イオンを表す。ｎ２は１以上の整数を表す。Ｌ２は配位子を表し、ｍ２は０以上の整数を表す。式中の各原子間の結合種は単結合、二重結合、三重結合、配位結合のいずれでもよい。）
【００４０】
Ｘ２、Ｙ２は一般式（Ｉ）におけるＸ１、Ｙ１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｚ２１、Ｚ２２は炭素原子又は窒素原子を表し、可能な場合は置換基を有してもよく、また他の環の構成原子となっていても良い。Ｚ２１、Ｚ２２は炭素原子であることが好ましく、また他の環の構成原子となっていることがより好ましい。この場合、他の環としてはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、オキサゾール環、イソキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、テトラゾール環や上記芳香環が全部又は部分的に還元された環等が挙げられる。これらの環はさらに縮環されていてもよく、また置換基を有していても良い。置換基としては、一般式（Ｉ）におけるＱ１の置換基として挙げたものが適用できる。
【００４１】
Ｍ２、ｎ２、Ｌ２、ｍ２はそれぞれＭ１、ｎ１、Ｌ１、ｍ１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００４２】
一般式（ＩＩ）中において、各原子間の結合は全て一本の実線により記されているが、これは該結合が単結合であることを意味するものではなく、各原子間の結合種は限定されない。
【００４３】
一般式（Ｉ）で表される金属錯体材料は、また好ましくは一般式（ＩＩＩ）で表される金属錯体材料である。次に一般式（ＩＩＩ）で表される金属錯体について説明する。
【００４４】
【化３】
2005100767.tif 000004
【００４５】
式中、Ｘ３は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、炭素原子、リン原子を表し、可能な場合は置換基を有していてもよい。Ｙ３は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、炭素原子、リン原子を表し、可能な場合は置換基を有していてもよい。Ｚ３１、Ｚ３２及びＺ３３は炭素原子又は窒素原子を表し、可能な場合は置換基を有してもよい。Ｘ３とＺ３１、Ｙ３とＺ３３、Ｚ３１とＺ３２及びＺ３２とＺ３２は、それぞれ、Ｚ３１、Ｚ３２、Ｚ３３、Ｘ３、Ｙ３、Ｍ３で形成されるキレート環以外の環を形成してもよい。Ｍ３は金属イオンを表す。ｎ３は１以上の整数を表す。Ｌ３は配位子を表し、ｍ３は０以上の整数を表す。式中の各原子間の結合種は単結合、二重結合、三重結合、配位結合のいずれでもよい。）
【００４６】
Ｘ３、Ｙ３はＸ１、Ｙ１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｚ３１、Ｚ３２、Ｚ３３は炭素原子又は窒素原子を表し、可能な場合は置換基を有してもよく、またキレート環以外の環の構成原子となっていてもよい。Ｚ３１はＸ３と共にキレート環以外の環の構成原子となっていることが好ましい。Ｚ３２及びＺ３３は炭素原子であることが好ましく、またＺ３２とＺ３３を含むキレート環以外の環の構成原子となっていることがより好ましい。
Ｘ３とＺ３１、Ｙ３とＺ３３、Ｚ３１とＺ３２及びＺ３２とＺ３２が形成し得るキレート環以外の環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、オキサゾール環、イソキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、テトラゾール環や上記芳香環が全部又は部分的に還元された環等が挙げられる。これらの環はさらに縮環されていてもよく、また置換基を有していてもよい。
【００４７】
Ｍ３、ｎ３、Ｌ３、ｍ３はそれぞれＭ１、ｎ１、Ｌ１、ｍ１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００４８】
一般式（ＩＩＩ）中において、各原子間の結合は全て一本の実線により記されているが、これは該結合が単結合であることを意味するものではなく、各原子間の結合種は限定されない。
【００４９】
一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）で表される金属錯体は、より好ましくは一般式（ＩＶ）で表される金属錯体である。次に一般式（ＩＶ）で表される金属錯体について説明する。
【００５０】
【化４】
2005100767.tif 000005
【００５１】
（式中、Ｘ４は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、炭素原子を表し、可能な場合は置換基を有していてもよい。Ｙ４は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子を表し、可能な場合は置換基を有していてもよい。Ｚ４１、Ｚ４２及びＺ４３は炭素原子又は窒素原子を表し、可能な場合は置換基を有していてもよい。Ｑ４１及びＱ４２は五員環又は六員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｍ４は金属イオンを表す。ｎ４は１以上の整数を表す。Ｌ４は配位子を表し、ｍ４は０以上の整数を表す。式中の各原子間の結合種は単結合、二重結合、三重結合、配位結合のいずれでもよい。）
【００５２】
Ｘ４は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、炭素原子、可能な場合は置換基を有していてもよく、置換基としては一般式（Ｉ）におけるＸ１の置換基として挙げたものが適用できる。Ｘ４として好ましくは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子であり、より好ましくは窒素原子である。Ｙ４は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子を表し、可能な場合は置換基を有していてもよく、置換基としては一般式（Ｉ）におけるＸ１の置換基として挙げたものが適用できる。Ｙ４として好ましくは酸素原子、硫黄原子、置換又は無置換の窒素原子であり、より好ましくは酸素原子、置換窒素原子であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ｚ４１、Ｚ４２及びＺ４３は炭素原子又は窒素原子を表し、可能な場合は置換基を有していてもよい。Ｚ４１、Ｚ４２及びＺ４３として好ましくは炭素原子である。
【００５３】
Ｑ４１はＸ４、Ｚ４３と結合して環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｑ４１で形成される環として好ましくは５員環、６員環であり、より好ましくは芳香族５員環、芳香族６員環であり、さらに好ましくは含窒素芳香族へテロ５員環、含窒素芳香族へテロ６員環であり、さらに好ましくは含窒素芳香族へテロ６員環である。
Ｑ４１で形成される環の具体例としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、オキサゾール環、イソキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、テトラゾール環や上記の芳香環類が全部又は部分的に還元された環等が挙げられ、好ましくはピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環であり、より好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、であり、さらに好ましくはピリジン環である。Ｑ４１で形成される環はさらに他の環と縮合環を形成してもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては一般式（Ｉ）のＱ１の置換基として挙げたものが適用できる。
【００５４】
Ｑ４２はＺ４２、Ｚ４３と結合して環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｑ４２で形成される環として好ましくは５員環、６員環であり、より好ましくは芳香族５員環、芳香族６員環である。
Ｑ４１で形成される環の具体例としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、オキサゾール環、イソキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、テトラゾール環や上記の芳香環類が全部又は部分的に還元された環等が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環であり、より好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、であり、さらに好ましくはベンゼン環である。Ｑ４１で形成される環はさらに他の環と縮合環を形成してもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては一般式（Ｉ）のＱ１の置換基として挙げたものが適用できる。
【００５５】
Ｍ４、ｎ４、Ｌ４、ｍ４はそれぞれＭ１、ｎ１、Ｌ１、ｍ１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００５６】
一般式（ＩＶ）中において、各原子間の結合は全て一本の実線により記されているが、これは該結合が単結合であることを意味するものではなく、各原子間の結合種は限定されない。
【００５７】
一般式（Ｉ）及び（ＩＩＩ）で表される金属錯体は、より好ましくは一般式（Ｖ）で表される金属錯体である。次に一般式（Ｖ）で表される金属錯体について説明する。
【００５８】
【化５】
2005100767.tif 000006
【００５９】
（式中、Ｘ５は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、炭素原子を表し、可能な場合は置換基を有していてもよい。Ｙ５は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子を表し、可能な場合は置換基を有していてもよい。Ｚ５１、Ｚ５２及びＺ５３は炭素原子又は窒素原子を表し、可能な場合は置換基を有していてもよい。Ｑ５１及びＱ５２は五員環又は六員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｍ５は金属イオンを表す。ｎ５は１以上の整数を表す。Ｌ５は配位子を表し、ｍ５は０以上の整数を表す。式中の各原子間の結合種は単結合、二重結合、三重結合、配位結合のいずれでもよい。）
【００６０】
Ｘ５は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、炭素原子を表し、可能な場合は置換基を有していてもよく、置換基としては一般式（Ｉ）におけるＸ１の置換基として挙げたものが適用できる。Ｘ５として好ましくは窒素原子である。Ｙ５は酸素原子、窒素原子、硫黄原子を表し、可能な場合は置換基を有していてもよく、置換基としては一般式（Ｉ）におけるＸ１の置換基として挙げたものが適用できる。Ｙ５として好ましくは酸素原子、硫黄原子、置換又は無置換の窒素原子であり、より好ましくは酸素原子、置換窒素原子であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３は炭素原子又は窒素原子を表す。Ｚ５１、Ｚ５２、Ｚ５３として好ましくは、炭素原子である。
【００６１】
Ｑ５１はＸ５、Ｚ５１と結合して環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｑ５１で形成される環として好ましくは５員環、６員環であり、より好ましくは芳香族５員環、芳香族６員環であり、さらに好ましくは含窒素芳香族へテロ５員環、含窒素芳香族へテロ６員環であり、さらに好ましくは含窒素芳香族へテロ６員環である。
Ｑ５１で形成される環の具体例としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、オキサゾール環、イソキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、テトラゾール環や上記の芳香環類が全部又は部分的に還元された環等が挙げられ、好ましくはピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、オキサゾール環、イミダゾール環であり、より好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、オキサゾール環、イミダゾール環であり、さらに好ましくはイミダゾール環である。Ｑ５１で形成される環はさらに他の環と縮合環を形成してもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては一般式（Ｉ）のＱ１の置換基として挙げたものが適用できる。
【００６２】
Ｍ５、ｎ５、Ｌ５、ｍ５はそれぞれＭ１、ｎ１、Ｌ１、ｍ１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００６３】
一般式（Ｖ）中において、各原子間の結合は全て一本の実線により記されているが、これは該結合が単結合であることを意味するものではなく、各原子間の結合種は限定されない。
【００６４】
一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩＩ）、一般式（Ｖ）で表される金属錯体は、より好ましくは一般式（ＶＩ）で表される金属錯体である。次に一般式（ＶＩ）で表される金属錯体について説明する。
【００６５】
【化６】
2005100767.tif 000007
【００６６】
（式中、Ｒ６１、Ｒ６２は水素原子又は置換基を表す。Ｚ６は酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（Ｒ６３）Ｒ６４−、又は−ＮＲ６５−を表す。Ｒ６３、Ｒ６４及びＲ６５は水素原子又は置換基を表す。Ｙ６は酸素原子、硫黄原子、置換又は無置換の窒素原子を表す。Ｑ６は５員環又は６員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｍ６は金属イオンを表す。ｎ６は１以上の整数を表す。Ｌ６は配位子を表し、ｍ６は０以上の整数を表す。式中の各原子間の結合種は単結合、二重結合、三重結合、配位結合のいずれでもよい。）
【００６７】
Ｒ６１、Ｒ６２は水素原子又は置換基を表す。置換基としては例えば一般式（Ｉ）のＱ１の置換基として挙げたものが適用できる。Ｒ６１、Ｒ６２は結合して環を形成しても良い。Ｒ６１、Ｒ６２が結合して形成される環としては、シクロアルケン環、ベンゼン環、ヘテロ環（例えばピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、オキサゾール環、イソキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、テトラゾール環等が挙げられる）等が挙げられ、これらの環はさらに他の環と縮合していてもよく、またさらに置換基を有していても良い。
【００６８】
Ｒ６１、Ｒ６２としては、水素原子、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、又は互いに結合して芳香環を形成する基であることが好ましく、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、互いに結合して芳香族ヘテロ環基を形成する基であることが好ましく、さらに好ましくは水素原子、アリール基、互いに結合して芳香族ヘテロ環を形成する基である。
【００６９】
Ｚ６は酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（Ｒ６３）Ｒ６４−、又は−ＮＲ６５−を表す。Ｒ６３、Ｒ６４は水素原子又は置換基を表し、置換基としては一般式（Ｉ）のＸ１の置換基として挙げたものが適用できる。Ｒ６５は水素原子又は置換基を表し、Ｒ６５の置換基としては例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル等が挙げられる。）、置換カルボニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、メトキシカルボニル、フェニルオキシカルボニル、ジメチルアミノカルボニル、フェニルアミノカルボニル、等が挙げられる。）、置換スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル等が挙げられる。）、ヘテロ環基（脂肪族ヘテロ環基、芳香族ヘテロ環基がある。好ましくは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子のいずれかを含み、好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数１〜３０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばイミダゾリル、ピリジル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、トリアゾリル基等が挙げられる。）等が挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。Ｒ６５として好ましくは、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基が好ましく、さらに好ましくはアルキル基、アリール基である。
【００７０】
Ｙ６は酸素原子、窒素原子、硫黄原子を表し、可能な場合は置換基を有していてもよく、置換基としては一般式（Ｉ）におけるＸ１の置換基として挙げたものが適用できる。Ｙ５として好ましくは酸素原子、硫黄原子、置換窒素原子であり、より好ましくは酸素原子、置換窒素原子であり、さらに好ましくは酸素原子である。
【００７１】
Ｑ６は５員環又は６員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｑ６を含む環はさらに置換基を有していてもよく、また他の環と縮合環を形成していてもよい。置換基としては一般式（Ｉ）におけるＱ１の置換基として挙げたものが適用できる。
上記Ｑ６を含む環としては、例えばシクロペンテン環、シクロヘキセン環、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、ペリレン環、ピリジン環、キノリン環、フラン環、チオフェン環、ピラジン環、ピリミジン環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、ナフトチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ナフトオキサゾール環、イソオキサゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ナフトイミダゾール環、イソキノリン環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。
Ｑ６を含む環は芳香環であることが好ましい。好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ピリジン環、チオフェン環、ピラジン環、ピリミジン環であり、より好ましくはベンゼン環、ナフタレン環であり、さらに好ましくはベンゼン環である。
【００７２】
Ｍ６、ｎ６、Ｌ６、ｍ６はそれぞれＭ１、ｎ１、Ｌ１、ｍ１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００７３】
一般式（ＶＩ）中において、各原子間の結合は全て一本の実線により記されているが、これは該結合が単結合であることを意味するものではなく、各原子間の結合種は限定されない。
【００７４】
一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩＩ）、一般式（Ｖ）、一般式（ＶＩ）で表される金属錯体は、より好ましくは一般式（ＶＩＩ）で表される金属錯体である。次に一般式（ＶＩＩ）で表される金属錯体について説明する。
【００７５】
【化７】
2005100767.tif 000008
【００７６】
（式中、Ｚ７は酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（Ｒ７３）Ｒ７４−、又は−ＮＲ７５−を表す。Ｒ７３、Ｒ７４及びＲ７５は水素原子又は置換基を表す。Ｙ７は酸素原子、硫黄原子、置換又は無置換の窒素原子を表す。Ｑ７１は５員環又は６員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｑ７２はヘテロ環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｍ７は金属イオンを表す。ｎ７は１以上の整数を表す。Ｌ７は配位子を表し、ｍ７は０以上の整数を表す。式中の各原子間の結合種は単結合、二重結合、三重結合、配位結合のいずれでもよい。）
【００７７】
Ｚ７、Ｒ７３、Ｒ７４、Ｒ７５、Ｙ７、Ｍ７、ｎ７、Ｌ７、ｍ７、Ｑ７１はそれぞれ一般式（ＶＩ）におけるＺ６、Ｒ６３、Ｒ６４、Ｒ６５、Ｙ６、Ｍ６、ｎ６、Ｌ６、ｍ６、Ｑ６と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００７８】
Ｑ７２はヘテロ環（脂肪族ヘテロ環及び芳香族ヘテロ環を含む。ヘテロ原子として好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子であり、好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数３〜１５、特に好ましくは炭素数４〜１０であり、例えばピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、オキサゾール環、イソキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、テトラゾール環等が挙げられる。）を形成するに必要な原子群を表す。Ｑ７２で形成されるヘテロ環は置換基を有していてもよく、置換基としては一般式（Ｉ）のＱ１の置換基としてあげたものが適用できる。
【００７９】
一般式（ＶＩＩ）中において、各原子間の結合は全て一本の実線により記されているが、これは該結合が単結合であることを意味するものではなく、各原子間の結合種は限定されない。
【００８０】
本発明のホスト材料の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらに限定されない。
【００８１】
【化８】
2005100767.tif 000009
【００８２】
【化９】
2005100767.tif 000010
【００８３】
【化１０】
2005100767.tif 000011
【００８４】
【化１１】
2005100767.tif 000012
【００８５】
【化１２】
2005100767.tif 000013
【００８６】
【化１３】
2005100767.tif 000014
【００８７】
【化１４】
2005100767.tif 000015
【００８８】
【化１５】
2005100767.tif 000016
【００８９】
【化１６】
2005100767.tif 000017
【００９０】
【化１７】
2005100767.tif 000018
【００９１】
【化１８】
2005100767.tif 000019
【００９２】
【化１９】
2005100767.tif 000020
【００９３】
【化２０】
2005100767.tif 000021
【００９４】
【化２１】
2005100767.tif 000022
【００９５】
【化２２】
2005100767.tif 000023
【００９６】
【化２３】
2005100767.tif 000024
【００９７】
【化２４】
2005100767.tif 000025
【００９８】
本発明の発光材料は一重項から発光する蛍光材料でも三重項から発光する燐光材料でもよい。蛍光材料としては特に限定されないが、例えば、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ペリレン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体、フェニルピリジン誘導体の金属錯体、有機金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、又は上記化合物の誘導体等が挙げられる。
【００９９】
燐光材料としても特に限定されないが、遷移金属錯体が好ましい。遷移金属錯体の中心金属は特に限定されないが、好ましくはイリジウム、白金、レニウム、又はルテニウムであり、より好ましくはイリジウム又は白金であり、特に好ましくはイリジウムである。遷移金属錯体の中でも、オルトメタル化錯体が非常に好ましい。オルトメタル化錯体（Ｏｒｔｈｏｍｅｔａｌａｔｅｄ  Ｃｏｍｐｌｅｘ）とは、山本明夫著「有機金属  基礎と応用」、１５０頁及び２３２頁、裳華房社（１９８２年）やＨ．Ｙｅｒｓｉｎ著「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ」、７１〜７７頁及び１３５〜１４６頁、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社（１９８７年）等に記載されている化合物群の総称である。
【０１００】
上記燐光材料は、２０℃以上における燐光量子収率が７０％以上であるのが好ましく、より好ましくは８０％以上であり、さらに好ましくは８５％以上である。
【０１０１】
上記燐光材料としては、例えばＵＳ  ６３０３２３１  Ｂ１、ＵＳ６０９７１４７、ＷＯ  ００／５７６７６、ＷＯ  ００／７０６５５、ＷＯ  ０１／０８２３０、ＷＯ  ０１／３９２３４  Ａ２、ＷＯ  ０１／４１５１２  Ａ１、ＷＯ  ０２／０２７１４  Ａ２、ＷＯ  ０２／１５６４５  Ａ１、特開２００１−２４７８５９、特願２０００−３３５６１、特願２００１−１８９５３９、特願２００１−２４８１６５、特願２００１−３３６８４、特願２００１−２３９２８１、特願２００１−２１９９０９、ＥＰ  １２１１２５７、特開２００２−２２６４９５、特開２００２−２３４８９４、特開２００１−２４７８５９、特開２００１−２９８４７０、特開２００２−１７３６７４、特開２００２−２０３６７８、特開２００２−２０３６７９等の特許文献や、Ｎａｔｕｒｅ、３９５巻、１５１頁（１９９８年）、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、７５巻、４頁（１９９９年）、Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ、４１巻、７７０頁（２０００年）、Ｊｏｕｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ、１２３巻、４３０４頁（２００１年）、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、７９巻、２０８２頁（１９９９年）等の非特許文献に記載されているものが好適に利用できる。
【０１０２】
本発明の有機電界発光素子は、励起三重項状態からの発光を利用する発光材料を有する形態が、発光効率などの観点から好ましい。
【０１０３】
本発明の有機電界発光素子における有機層の形成方法は特に限定されないが、蒸着法であることが好ましい。蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法が好ましい。
【０１０４】
正孔輸送材料は、陽極から正孔が注入される機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良く、具体例としてはカルバゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機金属錯体、遷移金属錯体、又は上記化合物の誘導体等が挙げられる。
【０１０５】
電子輸送材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入され得た正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良い。その具体例としては、例えばトリアゾール、トリアジン、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、シロール、ナフタレンペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、又は上記化合物の誘導体等が挙げられる。
【０１０６】
正孔輸送領域、発光領域、電子輸送領域等の各機能領域は一領域であっても、二領域以上の複数領域から構成されていても良い。発光領域が複数の場合、それぞれの領域の発光色は同じでも異なっていてもよい。
【０１０７】
本発明の素子においては、銅フタロシアニンを単独で正孔注入材料として用いる場合、該層は有機層の概念に含まれないものとする。
【０１０８】
本発明の素子は有機層以外に保護層などを有していても良い。これらの層は、請求項１における有機層とは別層であり、有機層と同一のホスト材料が含まれていなくても良い。
保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入る事を抑止する機能を有しているものであれば良い。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、インクジェット法、印刷法、転写法、電子写真法を適用できる。
【０１０９】
次に、本発明の有機電界発光素子の構造について述べる。
本発明においては、基板上に前記電極等を形成するのが好ましい。
−基板−
本発明で使用する基板は有機層から発せられる光を散乱又は減衰させないことが好ましい。その具体例としては、ジルコニア安定化イットリウム（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリブチレンフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト等のポリエステルやポリスチレン、ポリカ−ボネ−ト、ポリエ−テルスルホン、ポリアリレ−ト、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。有機材料の場合、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
【０１１０】
前記基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、前記形状としては、板状である。前記構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。
【０１１１】
前記基板は、無色透明であってもよいし、有色透明であってもよいが、前記発光層から発せられる光を散乱あるいは減衰等させることがない点で、無色透明で有る事が好ましい。
【０１１２】
前記基板には、その表面又は裏面（前記透明電極側）に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。前記透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。該透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。前記熱可塑性基板には、さらに必要に応じて、ハ−ドコ−ト層、アンダ−コ−ト層などを設けてもよい。
【０１１３】
前記電極は、透明陽極と陰極とからなるのが好ましい。
−透明陽極−
前記透明陽極としては、通常、前記有機層に正孔を供給する陽極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極の中から適宜選択することができる。
【０１１４】
前記透明陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、有機導電性化合物、又はこれらの混合物を好適に挙げられ、仕事関数が４．０ｅＶ以上の材料が好ましい。具体例としては、アンチモンやフッ素等をド−プした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の半導性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。  
【０１１５】
前記透明陽極は例えば、印刷方式、コ−ティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、などの中から前記材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って前記基板上に形成することができる。例えば、前記透明陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、該透明陽極の形成は、直流あるいは高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレ−ティング法等に従って行うことができる。また前記透明陽極の材料として有機導電性化合物を選択する場合には湿式製膜法に従って行うことができる。
【０１１６】
前記透明陽極の前記発光素子における形成位置としては、特に制限はなく、該発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、該透明陽極は、前記基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
【０１１７】
なお、前記透明陽極のパタ−ニングは、フォトリソグラフィ−などによる化学的エッチングにより行ってもよいし、レ−ザ−などによる物理的エッチングにより行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法により行ってもよい。
【０１１８】
前記透明陽極の厚みとしては、前記材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５０μｍであり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
前記透明陽極の抵抗値としては、１０３Ω／□以下が好ましく、１０２Ω／□以下がより好ましい。
前記透明陽極は、無色透明であっても、有色透明であってもよく、該透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。この透過率は、分光光度計を用いた公知の方法に従って測定することができる。
【０１１９】
なお、前記透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シ−エムシ−刊（１９９９）に詳述があり、これらを本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で製膜した透明陽極が好ましい。
【０１２０】
−陰極−
前記陰極としては、通常、前記有機層に電子を注入する陰極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極の中から適宜選択することができる。  
【０１２１】
前記陰極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられ、仕事関数が４．５ｅＶ以下のものが好ましい。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
【０１２２】
これらの中でも、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ度類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
前記アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、又はアルミニウムと０．０１〜１０重量％のアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属との合金若しくは混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
【０１２３】
なお、前記陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されている。
【０１２４】
前記陰極の形成法は、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コ−ティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、などの中から前記材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、前記陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
【０１２５】
なお、前記陰極のパタ−ニングは、フォトリソグラフィ−などによる化学的エッチングにより行ってもよいし、レ−ザ−などによる物理的エッチングにより行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法により行ってもよい。
【０１２６】
前記陰極の前記発光積層体における形成位置としては、特に制限はなく、該発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記有機層上に形成されるのが好ましい。この場合、該陰極は、前記有機層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、前記陰極と前記有機層との間に前記アルカリ金属又は前記アルカリ土類金属のフッ化物等による誘電体層を０．１〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。
なお、該誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−ティング法等により形成することができる。
【０１２７】
前記陰極の厚みとしては、前記材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍであり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
前記陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、前記陰極の材料を１〜１０ｎｍの厚みに薄く製膜し、更に前記ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
【０１２８】
さらに本発明においては、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を設けることができる。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが例えば酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラ−シ−ブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パ−フルオロアルカンやパ−フルオロアミン、パ−フルオロエ−テル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコ−ンオイル類が挙げられる。
【０１２９】
本発明の発光素子は、前記透明陽極と前記陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜４０ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の発光素子の駆動については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号、日本特許第２７８４６１５号、等に記載の方法を利用することができる。
【０１３０】
本発明の有機電界発光素子は、フルカラ−ディスプレイ、バックライト、照明光源等の面光源やプリンタ−等の光源アレイ等に有効に利用できる。
【実施例１】
【０１３１】
本発明を以下の実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
（実施例１）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のガラス基板にＩｎ２Ｏ３含有率が９５重量％であるＩＴＯタ−ゲットを用いて、ＤＣマグネトロンスパッタ（条件：基材温度１００℃、酸素圧１×１０−３Ｐａ）により、透明陽極としてのＩＴＯ薄膜（厚み０．２μｍ）を形成した。ＩＴＯ薄膜の表面抵抗は１０Ω／□であった。ＩＴＯ薄膜を形成した基板を洗浄容器に入れ、ＩＰＡ洗浄した後、これにＵＶ−オゾン処理を３０分おこなった。
次に、前記基板を真空蒸着チャンバーにセットし、明細書中に記載のホスト化合物２と正孔輸送材料ＴＰＤを質量比１：１になるように蒸着速度を調節して真空蒸着を開始した。但し蒸着開始後に正孔輸送材料の蒸着速度を減少させ、膜厚が５０ｎｍに達した時点で０になるように正孔輸送材料の蒸着速度を調整した。
ホスト化合物の蒸着速度を一定に保った状態で、発光材料Ｉｒ（ｐｐｙ）３の蒸着を開始した。膜厚５０ｎｍの時点から発光材料の蒸着を開始し、膜厚５５〜８１ｎｍの間でホスト化合物と発光材料の質量比が１７：１になるように発光材料の蒸着速度を調整し、膜厚８１ｎｍに達した時点から発光材料の蒸着速度を減少させ、膜厚８６ｎｍに達した時点で０になるように発光材料の蒸着速度を調整した。
更にホスト化合物の蒸着速度を一定に保った状態で、電子輸送材料Ａの蒸着を開始した。膜厚８６ｎｍの時点から電子輸送材料の蒸着を開始し、膜厚１２２ｎｍに達した時点でホスト化合物と電子輸送材料の質量比が６：１になるように電子輸送材料の蒸着速度を調整し、有機層の蒸着を終了した。
【０１３２】
【化２５】
2005100767.tif 000026
【０１３３】
この有機層上にパタ−ニングしたマスク（発光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、フッ化リチウムを真空蒸着法にて０．００１μｍの電子注入層を設けた。この上にアルミニウムを真空蒸着法にて０．１５μｍの陰極を設けた。
前記陽極及び陰極より、それぞれアルミニウムのリ−ド線を結線し、発光積層体を形成した。
このものを、アルゴンガスで置換したグロ−ブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ製）を用いて封止し、本発明の発光素子を得た。
【０１３４】
東洋テクニカ製ソ−スメジャ−ユニット２４００型を用いて、直流電圧を作成した素子に印加し発光させた。その時の輝度をトプコン社製輝度計ＢＭ−８、発光波長を浜松ホトニクス社製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。その結果、発光ピーク波長５１４ｎｍの緑色発光が得られ、最高輝度は５４０００ｃｄ／ｍ２でその時の印加電圧は１１Ｖ、外部量子効率は１６．０％であった。
【０１３５】
（比較例１）
実施例１と同様にして洗浄したＩＴＯ基板上に、正孔輸送材料ＴＰＤを膜厚５０ｎｍに蒸着し、この上にホスト化合物２及び発光材料Ｉｒ（ｐｐｙ）３を１７：１の質量比で膜厚３６ｎｍに蒸着し、更にこの上に電子輸送材料Ａを膜厚３６ｎｍに蒸着した。得られた有機薄膜上に実施例１と同様にして陰極を蒸着し、封止を行った。
作成した素子を実施例１と同様に測定したところ、発光ピーク波長５１５ｎｍの緑色発光が得られ、最高輝度は４８０００ｃｄ／ｍ２でその時の印加電圧は１４Ｖ、外部量子効率は１５．０％であった。
また、実施例１と比較例１の発光素子の耐久性を、初期輝度２０００Ｃｄ／ｍ２で定電流駆動した場合の輝度半減時間で比較したところ、実施例１の有機ＥＬ素子の方が１２倍長寿命であった。
【０１３６】
（実施例２）
実施例１と同様にして洗浄したＩＴＯ基板上に、明細書中に記載のホスト化合物１４１と正孔輸送材料ＮＰＤを質量比が１：１になるように蒸着速度を調節して真空蒸着を開始した。但し蒸着開始後に正孔輸送材料の蒸着速度を減少させ、膜厚が４０ｎｍに達した時点で０になるように正孔輸送材料の蒸着速度を調整した。
ホスト化合物の蒸着速度を一定に保った状態で、発光材料ルブレンの蒸着を開始した。膜厚４０ｎｍで発光材料の蒸着を開始し、膜厚４５〜５５ｎｍの間でホスト化合物と発光材料との質量比が１０：１になるように発光材料の蒸着速度を調整し、膜厚５５ｎｍに達した時点から発光材料の蒸着速度を減少させ、膜厚６０ｎｍに達した時点で０になるように発光材料の蒸着速度を調整した。
更にホスト化合物の蒸着速度を一定に保った状態で、電子輸送材料Ａの蒸着を開始した。膜厚６０ｎｍの時点から電子輸送材料の蒸着を開始し、膜厚１０２ｎｍに達した時点でホスト化合物と電子輸送材料との質量比が６：１になるように電子輸送材料の蒸着速度を調整し、有機層の蒸着を終了した。得られた有機薄膜上に実施例１と同様にして陰極を蒸着し、封止を行った。
【０１３７】
【化２６】
2005100767.tif 000027
【０１３８】
作成した素子を実施例１と同様に測定したところ、発光ピーク波長５６５ｎｍの黄色発光が得られ、最高輝度は３２０００ｃｄ／ｍ２でその時の印加電圧は１１Ｖ、外部量子効率は２．５％であった。
【０１３９】
（比較例２）
実施例１と同様にして洗浄したＩＴＯ基板上に、正孔輸送材料ＮＰＤを膜厚４０ｎｍに蒸着し、この上にホスト化合物１４１と発光材料ルブレンを質量比１０：１で膜厚２０ｎｍに蒸着し、更にこの上に、電子輸送材料Ａを膜厚４０ｎｍに蒸着した。得られた有機薄膜上に実施例１と同様にして陰極を蒸着し、封止を行った。
作成した素子を実施例１と同様に測定したところ、発光ピーク波長５６７ｎｍの黄色発光が得られ、最高輝度は２６０００ｃｄ／ｍ２でその時の印加電圧は１３Ｖ、外部量子効率は２．３％であった。
また、実施例２と比較例２の発光素子の耐久性を、初期輝度２０００Ｃｄ／ｍ２で定電流駆動した場合の輝度半減時間で比較したところ、実施例２の有機ＥＬ素子の方が５倍長寿命であった。
【０１４０】
以上の結果より、本発明の発光素子は、従来の積層型素子と比較して素子の耐久性が飛躍的に向上することがわかった。また、ホスト材料として本発明の金属錯体材料を用いた場合、耐久性向上効果がより顕著に現れ、さらに素子の外部量子効率も高いことがわかった。