(57)【要約】【課題】  他の領域の画素と特性が異なった画素が形成された領域が形成された場合においても、表示品位が低下することがない表示装置、表示パネルの駆動方法及び電子機器を提供する。【解決手段】  データ線駆動回路４の各単一ラインドライバＬＤ１〜ＬＤＭに入力される基準電圧Ｖｒｅｆ１〜ＶｒｅｆＭの電圧レベルを独立して制御可能となるようにした。そして、Ｍ×Ｎ個の画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂのうち、他の列方向に形成されたＮ個の画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂとその特性が異なる所定の列方向に形成されたＮ個の画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂがある場合、その所定の列方向に配設されたＮ個の画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂとデータ線を介して接続される単一ラインドライバＬＤ１〜ＬＤＭに入力される基準電圧Ｖｒｅｆ１〜ＶｒｅｆＭの電圧レベルを、その特性のずれた分だけ異ならせて供給するようにした。【選択図】  図２
2005331573.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線を順次選択する走査線駆動回路と、輝度データに応じたデータ信号を生成し対応する複数のデータ線に供給するデータ線駆動回路と、前記各走査線と各データ線の交差部にそれぞれ配設され、前記データ信号に応じた電流に基づいて発光する発光素子を有した複数の画素を備えた表示装置において、
ある前記データ線に対応した列方向の複数の画素が、他の列方向の複数の画素と異なる特性を有する場合、
前記データ線駆動回路は、
前記異なる特性を有する列方向の複数の画素が前記走査線駆動回路によって選択されるとき、前記異なる特性を有する列方向の複数の画素に対して、他の列方向の複数の画素とその特性が同じになるように、補償したデータ信号を生成して供給するようにしたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
複数の走査線を順次選択する走査線駆動回路と、輝度データに応じたデータ信号を生成し対応する複数のデータ線に供給するデータ線駆動回路と、前記各走査線と各データ線の交差部にそれぞれ配設され、前記データ信号に応じた電流に基づいて発光する発光素子を有した複数の画素を備えた表示装置において、
ある前記走査線に対応した行方向の複数の画素が、他の行方向の複数の画素と異なる特性を有する場合、
前記データ線駆動回路は、
前記異なる特性を有する行方向の複数の画素が前記走査線駆動回路によって一斉に選択されるとき、前記異なる特性を有する行方向の複数の画素に対して、他の行方向の複数の画素とその特性が同じになるように、補償したデータ信号を生成して供給するようにしたことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
複数の走査線を走査信号にて順次選択する走査線駆動回路と、輝度データに応じたデータ信号を生成し対応する複数のデータ線に供給するデータ線駆動回路と、前記各走査線と各データ線の交差部にそれぞれ配設され、前記データ信号に応じた電流に基づいて発光する発光素子を有した複数の画素を備えた表示装置において、
ある前記走査線に対応した行方向の複数の画素が、他の行方向の複数の画素と異なる特性を有する場合、
前記走査線駆動回路は、
前記異なる特性を有する行方向の複数の画素を一斉に選択するとき、前記異なる特性を有する行方向の複数の画素に対して、他の行方向の複数の画素とその特性が同じになるように、補償した走査信号を生成して供給するようにしたことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一つに記載の表示装置において、
前記発光素子は、その発光層が有機材料で構成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
走査線駆動回路によって順次選択される複数の走査線と、データ線駆動回路によって輝度データに応じたデータ信号が供給される複数のデータ線と、前記各走査線と各データ線の交差部にそれぞれ配設され、前記データ信号に応じて発光する発光素子を有した複数の画素とを形成した表示パネルの駆動方法において、
ある前記データ線に対応した列方向の複数の画素が、他の列方向の複数の画素と異なる特性を有する場合、
前記異なる特性を有する列方向の複数の画素が前記走査線駆動回路によって選択されるとき、前記異なる特性を有する列方向の複数の画素に対して、他の列方向の複数の画素とその特性が同じになるように、補償したデータ信号を生成して供給するようにしたことを特徴とする表示パネルの駆動方法。
【請求項６】
走査線駆動回路によって順次選択される複数の走査線と、データ線駆動回路によって輝度データに応じたデータ信号が供給される複数のデータ線と、前記各走査線と各データ線の交差部にそれぞれ配設され、前記データ信号に応じて発光する発光素子を有した複数の画素とを形成した表示パネルの駆動方法において、
ある前記データ線に対応した行方向の複数の画素が、他の行方向の複数の画素と異なる特性を有する場合、
前記異なる特性を有する行方向の複数の画素が前記走査線駆動回路によって一斉に選択されるとき、前記異なる特性を有する列方向の複数の画素に対して、他の行方向の複数の画素とその特性が同じになるように、補償したデータ信号を生成して供給するようにしたことを特徴とする表示パネルの駆動方法。
【請求項７】
走査線駆動回路からの走査信号によって順次選択される複数の走査線と、データ線駆動回路によって輝度データに応じたデータ信号が供給される複数のデータ線と、前記各走査線と各データ線の交差部にそれぞれ配設され、前記データ信号に応じて発光する発光素子を有した複数の画素とを形成した表示パネルの駆動方法において、
ある前記走査線に対応した行方向の複数の画素のうち、他の行方向の複数の画素と異なる特性を有する場合、
前記異なる特性を有する行方向の複数の画素が前記走査線駆動回路によって一斉に選択されるとき、前記異なる特性を有する行方向の複数の画素に対して、他の行方向の複数の画素とその特性が同じになるように、補償した走査信号を生成して供給するようにしたことを特徴とする表示パネルの駆動方法。
【請求項８】
請求項１乃至４のいずれか一つに記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、表示パネルの駆動方法及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、小型化・薄型化の観点から、表示装置としての液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等が注目されている。特に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、有機ＥＬディスプレイという）は、液晶表示装置に比べて高速応答化及び広視野角化が可能であるため、その開発が盛んに行われている。
【０００３】
有機ＥＬディスプレイは、表示パネル部上に走査線を順次選択する走査線駆動回路と、輝度データに応じたデータ信号を生成し対応するデータ線に供給するデータ線駆動回路と、を備えている。また、有機ＥＬディスプレイは、前記各走査線と各データ線の交差部にそれぞれ配設され前記データ信号に応じた電流に基づいて発光する有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という）を含む複数の画素を備えている。
【０００４】
複数の画素の各々は、各有機ＥＬ素子を駆動させるためのアクティブ素子（トランジスタ）を備えている。有機ＥＬディスプレイにおいては、このアクティブ素子（トランジスタ）をポリシリコンで構成することで、比較的低コストで比較的大型のディスプレイを実現することが可能となる。
【０００５】
ところで、上記のような構造を有する有機ＥＬディスプレイの製造過程において、例えば、エキシマレーザアニール法を用いて前記アクティブ素子（トランジスタ）を形成することが提案されている。
【０００６】
このエキシマレーザアニール法は、エキシマレーザビームをスリット状に引き延ばして基板上を順次走査させて、基板上のアモルファスシリコン膜をアニールすることでアモルファスシリコンをポリシリコン化する方法である。
【０００７】
しかしながら、このスリット状にしたスリットの長さは、通常は、２０〜３０ｃｍ程度である。そのため、基板が大型の場合は、その基板上を、例えば、Ｘ方向にスリット状に引き延ばされたエキシマレーザビームをＹ方向に沿って照射し、その後、Ｘ方向にずらして再びエキシマレーザビームをＹ方向に沿って照射するようにする。
【０００８】
そのため、Ｘ方向にずらした場合のスリットの継ぎ目部の領域に対応した位置に形成されたポリシリコンの物性は、他の領域に形成されたポリシリコンの物性と異なる。このようなプロセス上の制約によって、その継ぎ目部の領域に形成されるアクティブ素子（トランジスタ）の特性（たとえば、電圧−電流特性や閾値電圧）が、他の領域に形成されるアクティブ素子（トランジスタ）の特性と異なる領域が形成される。従って、スリットの継ぎ目部の領域に対応した位置に形成された画素を他の画素と同様にそのままで使用すると、各アクティブ素子（トランジスタ）の特性の差によって帯状の表示ムラが発生し、表示劣化の原因となってしまう。また、仮に継ぎ目部がない場合であっても、スリット状に引き延ばされたエキシマレーザビームのある部分がそのままＹ方向に走査されポリシリコン化を担うため、同様の特性を有するアクティブ素子（トランジスタ）がＹ方向に対してスリット状に配列されることとなる。このようにして、Ｙ方向にスリット状の表示むらが生じる。
【０００９】
そこで、走査線駆動回路やデータ線駆動回路といった周辺駆動回路を分割して形成した
り、また画素のアクティブ素子を構成する半導体膜の必要な箇所のみをスポット状にアニールしたりすることで、上記表示劣化を回避するようにしている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２０００−３２１９９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記特許文献１に開示された発明では、画素と、走査線駆動回路やデータ線駆動回路といった周辺駆動回路とを別々にレーザアニールするため、製造スループットが向上できない問題がある。また、レーザアニールを行う装置のアライメントずれなどが原因で良好なレーザアニールが行えなかった場合は、アクティブ素子（トランジスタ）の特性にバラツキが発生し、表示品位が低下するという問題があった。
【００１１】
本発明は上記問題点を解消するためになされたものであって、その目的は、他の領域と特性が異なった画素が配置された領域が形成された場合においても、表示品位が低下することがない表示装置、表示パネルの駆動方法及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の表示装置は、複数の走査線を順次選択する走査線駆動回路と、輝度データに応じたデータ信号を生成し対応する複数のデータ線に供給するデータ線駆動回路と、前記各走査線と各データ線の交差部にそれぞれ配設され、前記データ信号に応じた電流に基づいて発光する発光素子を有した複数の画素を備えた表示装置において、ある前記データ線に対応した列方向の複数の画素が、他の列方向の複数の画素と異なる特性を有する場合、前記データ線駆動回路は、前記異なる特性を有する列方向の複数の画素が前記走査線駆動回路によって選択されるとき、前記異なる特性を有する列方向の複数の画素に対して、他の列方向の複数の画素とその特性が同じになるように、補償したデータ信号を生成して供給するようにした。
【００１３】
これによれば、たとえば、画素を形成する際にその複数の画素のうち他の複数の画素と異なった特性を有する帯状の複数の画素が形成された場合、同他の複数の画素と異なった特性を有する帯状の画素を列方向、即ちデータ線に沿った方向に配置する。そして、前記他の複数の画素と異なった特性を有する画素に対して補償したデータ信号が供給される。これにより、他の複数の画素と異なった特性を有する画素が帯状に形成された場合においても、異なった特性を有する画素に備えられた発光素子は、他の複数の画素と同じような輝度で発光される。この結果、複数の画素のうち、他の画素とその特性が異なった画素が形成された場合の表示劣化を抑制することが可能になる。また、異なった特性を有する画素を切り捨てることはないので、所謂タイリングすることなく１枚の基板で大きな表示装置を形成することが可能になる。
【００１４】
本発明の表示装置は、複数の走査線を順次選択する走査線駆動回路と、輝度データに応じたデータ信号を生成し対応する複数のデータ線に供給するデータ線駆動回路と、前記各走査線と各データ線の交差部にそれぞれ配設され、前記データ信号に応じた電流に基づいて発光する発光素子を有した複数の画素を備えた表示装置において、ある前記走査線に対応した行方向の複数の画素が、他の行方向の複数の画素と異なる特性を有する場合、前記データ線駆動回路は、前記異なる特性を有する行方向の複数の画素が前記走査線駆動回路によって一斉に選択されるとき、前記異なる特性を有する行方向の複数の画素に対して、他の行方向の複数の画素とその特性が同じになるように、補償したデータ信号を生成して供給するようにした。
【００１５】
これによれば、たとえば、画素を形成する際にその複数の画素のうち他の複数の画素と異なった特性を有する帯状の複数の画素が形成された場合、同他の複数の画素と異なった
特性を有する帯状の画素を行方向、即ち走査線に沿った方向に配置する。そして、前記他の複数の画素と異なった特性を有する画素が選択された場合に、補償したデータ信号が供給される。これにより、他の複数の画素と異なった特性を有する画素が帯状に形成された場合においても、異なった特性を有する画素に備えられた発光素子は、他の複数の画素と同じような輝度で発光される。この結果、複数の画素のうち、他の画素とその特性が異なった画素が形成された場合の表示劣化を抑制することが可能になる。また、異なった特性を有する画素を切り捨てることはないので、所謂タイリングすることなく１枚の基板で大きな表示装置を形成することが可能になる。
【００１６】
本発明の表示装置は、複数の走査線を走査信号にて順次選択する走査線駆動回路と、輝度データに応じたデータ信号を生成し対応する複数のデータ線に供給するデータ線駆動回路と、前記各走査線と各データ線の交差部にそれぞれ配設され、前記データ信号に応じた電流に基づいて発光する発光素子を有した複数の画素を備えた表示装置において、ある前記走査線に対応した行方向の複数の画素が、他の行方向の複数の画素と異なる特性を有する場合、前記走査線駆動回路は、前記異なる特性を有する行方向の複数の画素を一斉に選択するとき、前記異なる特性を有する行方向の複数の画素に対して、他の行方向の複数の画素とその特性が同じになるように、補償した走査信号を生成して供給するようにした。
【００１７】
これによれば、たとえば、画素を形成する際にその複数の画素のうち他の複数の画素と異なった特性を有する帯状の複数の画素が形成された場合、同他の複数の画素と異なった特性を有する帯状の画素を行方向、即ち走査線に沿った方向に配置する。そして、前記他の複数の画素と異なった特性を有する画素を選択する場合に、補償した走査信号が供給される。これにより、他の複数の画素と異なった特性を有する画素が帯状に形成された場合においても、異なった特性を有する画素が他の複数の画素と同様に選択される。この結果、複数の画素のうち、他の画素とその特性が異なった画素が形成された場合の表示劣化を抑制することが可能になる。また、異なった特性を有する画素を切り捨てることはないので、所謂タイリングすることなく１枚の基板で大きな表示装置を形成することが可能になる。
【００１８】
この表示装置において、前記発光素子は、その発光層が有機材料で構成されていてもよい。
これによれば、発光層を有機材料にて構成した発光素子の場合には、電流駆動型素子でありアクティブ素子（トランジスタ）の移動度のばらつきの影響を受けやすく、本発明を適用することにより表示劣化を効率的に低減できる。また、エキシマレーザビームをスリット状に引き延ばして基板上を順次走査させて、基板上のアモルファスシリコン膜をアニールすることでアモルファスシリコンをポリシリコン化する工程を有するアクティブ素子（トランジスタ）に適用するのが好ましい。Ｘ方向にスリット状に引き延ばされたエキシマレーザビームをＹ方向に沿って照射する際、例えばエキシマレーザビームを用いてＸ方向あるいはＹ方向を認識できるアライメントマークを形成しておき、このアライメントマークを用いてアクティブ素子（トランジスタ）のそれぞれのパターンを形成されていることが好ましい。アクティブ素子（トランジスタ）のそれぞれのパターンは、アクティブ素子（トランジスタ）を構成する半導体層、ゲート電極、ソース／ドレイン電極などのパターンを示す。このようにすることにより、アクティブ素子（トランジスタ）の配列とアクティブ素子（トランジスタ）の帯状の特性劣化を一致させることができ、本発明の表示装置により、特性劣化に起因する表示劣化を良好に解消することができる。
【００１９】
本発明の表示パネルの駆動方法は、走査線駆動回路によって順次選択される複数の走査線と、データ線駆動回路によって輝度データに応じたデータ信号が供給される複数のデータ線と、前記各走査線と各データ線の交差部にそれぞれ配設され、前記データ信号に応じて発光する発光素子を有した複数の画素とを形成した表示パネルの駆動方法において、あ
る前記データ線に対応した列方向の複数の画素が、他の列方向の複数の画素と異なる特性を有する場合、前記異なる特性を有する列方向の複数の画素が前記走査線駆動回路によって選択されるとき、前記異なる特性を有する列方向の複数の画素に対して、他の列方向の複数の画素とその特性が同じになるように、補償したデータ信号を生成して供給するようにした。
【００２０】
これによれば、たとえば、画素を形成する際にその複数の画素のうち他の複数の画素と異なった特性を有する帯状の複数の画素が形成された場合、同他の複数の画素と異なった特性を有する帯状の画素を列方向、即ちデータ線に沿った方向に配置する。そして、前記他の複数の画素と異なった特性を有する画素が選択された場合に、補償したデータ信号が供給される。これにより、他の複数の画素と異なった特性を有する画素が帯状に形成された場合においても、異なった特性を有する画素に備えられた発光素子は、他の複数の画素と同じような輝度で発光される。この結果、複数の画素のうち、他の画素とその特性が異なった画素が形成された場合の表示劣化を抑制することが可能になる。
【００２１】
本発明の表示パネルの駆動方法は、走査線駆動回路によって順次選択される複数の走査線と、データ線駆動回路によって輝度データに応じたデータ信号が供給される複数のデータ線と、前記各走査線と各データ線の交差部にそれぞれ配設され、前記データ信号に応じて発光する発光素子を有した複数の画素とを形成した表示パネルの駆動方法において、ある前記データ線に対応した行方向の複数の画素が、他の行方向の複数の画素と異なる特性を有する場合、前記異なる特性を有する行方向の複数の画素が前記走査線駆動回路によって一斉に選択されるとき、前記異なる特性を有する列方向の複数の画素に対して、他の行方向の複数の画素とその特性が同じになるように、補償したデータ信号を生成して供給するようにした。
【００２２】
これによれば、たとえば、画素を形成する際にその複数の画素のうち他の複数の画素と異なった特性を有する帯状の複数の画素が形成された場合、同他の複数の画素と異なった特性を有する帯状の画素を行方向、即ち走査線に沿った方向に配置する。そして、前記他の複数の画素と異なった特性を有する画素を選択する場合に、補償した走査信号が供給される。これにより、他の複数の画素と異なった特性を有する画素が帯状に形成された場合においても、異なった特性を有する画素が他の複数の画素と同様に選択される。この結果、複数の画素のうち、他の画素とその特性が異なった画素が形成された場合の表示劣化を抑制することが可能になる。
【００２３】
本発明の表示パネルの駆動方法は、走査線駆動回路からの走査信号によって順次選択される複数の走査線と、データ線駆動回路によって輝度データに応じたデータ信号が供給される複数のデータ線と、前記各走査線と各データ線の交差部にそれぞれ配設され、前記データ信号に応じて発光する発光素子を有した複数の画素とを形成した表示パネルの駆動方法において、ある前記走査線に対応した行方向の複数の画素のうち、他の行方向の複数の画素と異なる特性を有する場合、前記異なる特性を有する行方向の複数の画素が前記走査線駆動回路によって一斉に選択されるとき、前記異なる特性を有する行方向の複数の画素に対して、他の行方向の複数の画素とその特性が同じになるように、補償した走査信号を生成して供給するようにした。
【００２４】
これによれば、たとえば、画素を形成する際にその複数の画素のうち他の複数の画素と異なった特性を有する帯状の複数の画素が形成された場合、同他の複数の画素と異なった特性を有する帯状の画素を行方向、即ち走査線に沿った方向に配置する。そして、前記他の複数の画素と異なった特性を有する画素に対して補償したデータ信号が供給される。これにより、他の複数の画素と異なった特性を有する画素が帯状に形成された場合においても、異なった特性を有する画素に備えられた発光素子は、他の複数の画素と同じような輝
度で発光される。この結果、複数の画素のうち、他の画素とその特性が異なった画素が形成された場合の表示劣化を抑制することが可能になる。
【００２５】
本発明の電子機器は、上記記載の表示装置を備えている。
これによれば、複数の画素のうち、他の複数の画素と異なった特性を有する帯状の画素を切り捨てることなく使用された表示装置を備えた電子機器を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
（第１実施形態）
以下、本発明の表示装置を有機ＥＬディスプレイに適用した第１実施形態を図１〜図６に従って説明する。尚、以下に示す各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００２７】
図１は、有機ＥＬディスプレイの全体構成を説明するための図であり、図２は、その有機ＥＬディスプレイの電気的構成を説明するための図である。
図１に示すように、有機ＥＬディスプレイ１は、表示パネル部２、走査線駆動回路３、データ線駆動回路４及び制御回路５を備えている。本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１は、表示パネル部２及び走査線駆動回路３がガラス基板ＧＳ上に形成され、データ線駆動回路４及び制御回路５が高分子フィルム等で構成されたフレキシブル基板ＦＳ上に形成されている。そして、フレキシブル基板ＦＳは、その上端がガラス基板ＧＳの下端に異方性導電膜等で接着された構成を成している。
【００２８】
図２に示すように、表示パネル部２には、行方向（図２中Ｘ矢印方向）に沿ってＮ本の走査線Ｙ１、Ｙ２，・・・，ＹＮと、列方向（図２中Ｙ矢印方向）に沿ってＭ本のデータ線Ｘ１，Ｘ２，・・・，ＸＭが形成されている。また、表示パネル部２には、各走査線Ｙ１〜ＹＮと各データ線Ｘ１〜ＸＭの交差部にそれぞれ赤、緑又は青色用画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂが形成されている。ここで、赤色用画素６Ｒはその内部に赤色の光を出射する有機ＥＬ素子を有している。また、緑色用画素６Ｇはその内部に緑色の光を出射する有機ＥＬ素子を有している。さらに、青色用画素６Ｂはその内部に青色の光を出射する有機ＥＬ素子を有している。
【００２９】
そして、各赤、緑及び青色用画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂは、行方向（図２中Ｘ矢印方向）に沿って、赤色用画素６Ｒ→緑色用画素６Ｇ→青色用画素６Ｂ→赤色用画素６Ｒ→…→青色用画素６Ｂの順に配設されている。また、列方向（図２中Ｙ矢印方向）に沿っては、同色の色が配設されている。
【００３０】
つまり、第１データ線Ｘ１上には、赤色用画素６Ｒが、第２データ線Ｘ２上には、緑色用画素６Ｇが、第３データ線Ｘ３上には、青色用画素６Ｂがそれぞれ配設されている。また、第４データ線Ｘ４上には、赤色用画素６Ｒが、第５データ線Ｘ５上には、緑色用画素６Ｇが、第６データ線Ｘ６上には、青色用画素６Ｂがそれぞれ配設されている。以降、同様にして繰り返されて対応するデータ線上には、対応する色用画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂが配設されている。つまり、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１は、フルカラー表示可能なディスプレイである。
【００３１】
さらに、表示パネル部２には、データ線Ｘ１〜ＸＭと並行にＭ本の電源線Ｚ１，Ｚ２，・・・，ＺＭが形成されている。Ｍ本の電源線Ｚ１〜ＺＭのうち、赤色用画素６Ｒに沿って、第１電源線Ｚ１、第４電源線Ｚ４、…が形成されている。また、緑色用画素６Ｇに沿って、第２電源線Ｚ２、第５電源線Ｚ５、…が形成されている。さらに、青色用画素６Ｂに沿って、第３電源線Ｚ３、第６電源線Ｚ６、…、第Ｍ電源線ＺＭが形成されている。
【００３２】
そして、第１電源線Ｚ１、第４電源線Ｚ４、…は、赤用電源線であって、各赤色用画素６Ｒ内に形成される画素回路を駆動させるための電源ＶＲが供給される。第２電源線Ｚ２、第５電源線Ｚ５、…は、緑用電源線であって、各緑色用画素６Ｇ内に形成される画素回路を駆動させるための電源ＶＧが供給される。第３電源線Ｚ３、第６電源線Ｚ６、…は、青用電源線であって、各青色用画素６Ｂ内に形成される画素回路を駆動するための電源ＶＢが供給されている。
【００３３】
次に、赤、緑及び青色用画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂの画素回路の構成について、図３に従って説明する。尚、各色用画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂは、その全てが同じ回路構成であるので、以下、説明の便宜上、第Ｍデータ線ＸＭと第Ｎ走査線ＹＮとの交差部に対応して配設された青色用画素６Ｂの回路構成図についてのみ説明し、他の画素の回路構成については、その詳細な説明を省略する。
【００３４】
図３は、第Ｍデータ線ＸＭと第Ｎ走査線ＹＮとの交差部に対応して配設された青色用画素６Ｂの回路構成図である。図３に示すように、青色用画素６Ｂは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、駆動トランジスタＱｄ、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタＱｓｗ及び保持キャパシタＣｏを備えている。
【００３５】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、その発光層（図示略）が有機材料で構成されたエレクトロルミネッセンス素子であって、同有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極Ｅ１と陰極Ｅ２との間に流れ込む電流（以下、「駆動電流」という）ＩＯＬＥＤの電流レベルに応じた輝度で青色に発光する。また、駆動トランジスタＱｄはその導電型がＰ型のトランジスタであり、スイッチングトランジスタＱｓｗは、その導電型がＮ型のトランジスタである。
【００３６】
ところで、この駆動トランジスタＱｄ及びスイッチングトランジスタＱｓｗは、その製造過程において、それぞれガラス基板ＧＳ上に他の配線（走査線Ｙ１〜ＹＮ、データ線Ｘ１〜ＸＭ及び電源線Ｚ１〜ＺＭ等）とともに作り込まれる。このため、駆動トランジスタＱｄ及びスイッチングトランジスタＱｓｗは、（低温）ポリシリコンプロセスによって形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。詳しくは、ガラス基板ＧＳ上全面にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を一旦形成した後、行方向（図２中Ｙ矢印方向）にスリット状に引き延ばされたエキシマレーザビームを列方向（図２中Ｙ矢印方向）に沿って照射する。そして、その後、行方向（図２中Ｙ矢印方向）にずらして再びエキシマレーザビームを列方向（図２中Ｙ矢印方向）に沿って照射して同アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜をアニールしポリシリコン化して駆動トランジスタＱｄ及びスイッチングトランジスタＱｓｗが形成される。
【００３７】
駆動トランジスタＱｄは、そのドレインが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極Ｅ１に接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極Ｅ２は接地されている。駆動トランジスタＱｄのソースは第Ｍ電源線ＺＭに接続されて、同駆動トランジスタＱｄのソース／ドレイン間に電源ＶＢが供給される。
【００３８】
駆動トランジスタＱｄのゲートは、スイッチングトランジスタＱｓｗのドレインに接続されている。スイッチングトランジスタＱｓｗのソースは、第Ｍデータ線ＸＭに接続されている。また、スイッチングトランジスタＱｓｗのゲートは、第Ｎ走査線ＹＮに接続されている。また、駆動トランジスタＱｄのソース／ゲート間には、保持キャパシタＣｏが接続されている。
【００３９】
従って、走査線ＹＮにＨレベルの電圧信号（Ｈレベルの走査信号ＳＣＮ）が供給され、スイッチングトランジスタＱｓｗがオン状態になると、駆動トランジスタＱｄのゲートと
データ線ＸＭとが電気的に導通状態となる。これにより、駆動トランジスタＱｄのゲートにデータ線ＸＭの電圧レベル（データ信号ＶＭ）が印加されるとともに、保持キャパシタＣｏにデータ線ＸＭの電圧レベル（データ信号ＶＭ）に応じた電荷が書き込まれる。
【００４０】
この結果、駆動トランジスタＱｄのソース／ドレイン間の導電率がデータ線ＸＭの電圧レベル（データ信号ＶＭ）に応じて変化し、同データ線ＸＭの電圧レベル（データ信号ＶＭ）に応じた駆動電流ＩＯＬＥＤが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給される。これにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、その駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルに応じた輝度で発光する。
【００４１】
この状態から、走査線ＹＮにＬレベルの電圧信号（Ｌレベルの走査信号ＳＣＮ）が供給され、スイッチングトランジスタＱｓｗがオフ状態になると、駆動トランジスタＱｄのゲートとデータ線ＸＭとが電気的に遮断状態となる。すると、保持キャパシタＣｏに書き込まれた電荷が保持される。これにより、駆動トランジスタＱｄのゲート電圧は、データ信号ＶＭが印加され続け、駆動トランジスタＱｄのソース／ドレイン間に前記駆動電流ＩＯＬＥＤが流れ続ける。従って、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、スイッチングトランジスタＱｓｗがオフ状態の後もデータ信号ＶＭに応じた輝度で発光し続ける。
【００４２】
その後、再び、スイッチングトランジスタＱｓｗがオン状態になると、駆動トランジスタＱｄのゲートとデータ線ＸＭとが電気的に導通状態となり、データ線ＸＭからの新たな電圧レベル（データ信号ＶＭ）に応じた駆動電流ＩＯＬＥＤが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れ込み、その駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルに応じた輝度で発光する。また、この新たな電圧レベルに応じた電荷が保持キャパシタＣｏに書き込まれ、スイッチングトランジスタＱｓｗがオフ状態の後も、データ信号ＶＭに応じた輝度で発光し続ける。
【００４３】
走査線駆動回路３は、図１に示すように、表示パネル部２の一側（図１中左側）に形成されている。図２に示すように、走査線駆動回路３は、Ｎ個のシフトレジスタＳＲ１，ＳＲ２，…，ＳＲＮを備えている。各シフトレジスタＳＲ１〜ＳＲＮには、同シフトレジスタＳＲ１〜ＳＲＮから出力される走査信号ＳＣ１〜ＳＣＮの電圧レベルを決定する基準電圧ＳＶ１，ＳＶ２，…，ＳＶＮが供給されるようになっている。本実施形態では、各基準電圧ＳＶ１〜ＳＶＮの電圧レベルは同じである。従って、各シフトレジスタＳＲ１〜ＳＲＮから出力される電圧信号（走査信号ＳＣ１〜ＳＣＮ）の電圧レベルは全て同じである。
【００４４】
シフトレジスタＳＲ１〜ＳＲＮのうち、第１シフトレジスタＳＲ１は、走査線Ｙ１〜ＹＮのうち図２中最上位側に形成された第１走査線Ｙ１に接続されている。第２シフトレジスタＳＲ２は、第２走査線Ｙ２に、…、第ＮシフトレジスタＳＲＮは、図２中最下位側に形成された第Ｎ走査線ＹＮに接続されている。
【００４５】
また、走査線駆動回路３は、制御回路５と図示しない信号線を介して電気的に接続され、同制御回路５から出力される垂直同期信号ＶＳＹＮＣ及び水平同期信号ＨＳＹＮＣを入力する。そして、走査線駆動回路３は、垂直同期信号ＶＳＹＮＣのタイミングで第１シフトレジスタＳＲ１〜第ＮシフトレジスタＳＲＮのうちの１個のシフトレジスタからその対応する走査線へＨレベルの走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣＮを出力する。また、それに同期してそのシフトレジスタ以外のシフトレジスタから対応する走査線へＬレベルの電圧信号である走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣＮを出力する。そして、走査線駆動回路３は、Ｈレベルの走査信号ＳＣ１〜ＳＣＮを図２中Ｙ矢印方向に沿って走査線Ｙ１→走査線Ｙ２→…→走査線ＹＮ→走査線Ｙ１→…の順に出力することで、走査線Ｙ１〜ＹＮを走査線Ｙ１→走査線Ｙ２→…→走査線ＹＮ→走査線Ｙ１→…の順に線順次選択する。
【００４６】
データ線駆動回路４は、図２に示すように、Ｍ個の単一ラインドライバＬＤ１，ＬＤ２，…，ＬＤＭを備えている。単一ラインドライバＬＤ１〜ＬＤＭのうち、第１単一ライン
ドライバＬＤ１は第１データ線Ｘ１に接続され、第２単一ラインドライバＬＤ２は第２データ線Ｘ２に接続され、…、第Ｍ単一ラインドライバＬＤＭは第Ｍデータ線ＸＭに接続されている。
【００４７】
また、データ線駆動回路４は、制御回路５と図示しない信号線を介して電気的に接続され、同制御回路５から出力される水平同期信号ＨＳＹＮＣを入力する。さらに、データ線駆動回路４は、図示しない供給回路から供給されるビデオデータＤを水平同期信号ＨＳＹＮＣに同期して入力する。このビデオデータＤはデジタル信号であって、赤、緑、青色毎の各色用画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂに対応した輝度データである。そして、赤色のビデオデータＤは、第１単一ラインドライバＬＤ１、第４単一ラインドライバＬＤ４，…へそれぞれ入力される。緑色のビデオデータＤは、第２単一ラインドライバＬＤ２、第５単一ラインドライバＬＤ５，…へそれぞれ入力される。青色のビデオデータＤは、第３単一ラインドライバＬＤ３、第６単一ラインドライバＬＤ６、…、第Ｍ単一ラインドライバＬＬＤＭへそれぞれ入力される。
【００４８】
各単一ラインドライバＬＤ１〜ＬＤＭは、その内部にデジタル・アナログ変換回路を備えている。本実施形態のデジタル・アナログ変換回路は、たとえば、容量型デジタル・アナログ変換回路で構成されたデジタル電圧−アナログ電圧変換回路である。
【００４９】
各単一ラインドライバＬＤ１（デジタル・アナログ変換回路）は、制御回路５と図示しない制御線によって電気的に接続され、同制御線を介して基準電圧Ｖｒｅｆ１〜ＶｒｅｆＭがそれぞれ供給されるようになっている。そして、第１単一ラインドライバＬＤ１は、第１基準電圧Ｖｒｅｆ１を基準値として、入力された赤色のビデオデータＤをアナログ電圧信号であるデータ信号Ｖ１に変換する。第２単一ラインドライバＬＤ２は、第２基準電圧Ｖｒｅｆ２を基準値として、入力された緑色のビデオデータＤをアナログ電圧信号であるデータ信号Ｖ２に変換する。第３単一ラインドライバＬＤ３は、第３基準電圧Ｖｒｅｆ３を基準値として、入力された青色のビデオデータＤをアナログ電圧信号であるデータ信号Ｖ３に変換する。
【００５０】
他の単一ラインドライバも前記と同様に、対応する基準電圧が供給され、その対応する基準電圧を基準値として、入力された各色のビデオデータＤをアナログ電圧信号であるデータ信号に変換する。
【００５１】
従って、例えば、第１単一ラインドライバＬＤ１に供給される基準電圧Ｖｒｅｆ１の電圧レベルを他の単一ラインドライバＬＤ２〜ＬＤＭに供給される基準電圧Ｖｒｅｆ２〜ＶｒｅｆＭの電圧レベルと異ならせる。すると、全ての単一ラインドライバＬＤ１〜ＬＤＭに対して同じビデオデータＤが入力された場合でも、データ信号Ｖ１は他のデータ信号Ｖ２〜ＶＭと異なる電圧レベルのデータ信号Ｖ１に変換される。
【００５２】
そして、データ線駆動回路４は、変換されたデータ信号Ｖ１〜ＶＭを水平同期信号ＨＳＹＮＣのタイミングで一斉に対応するデータ線Ｘ１〜ＸＭに供給する。
制御回路５は、図示しない外部電源回路から供給される電圧信号に応じて基準電圧Ｖｒｅｆ１〜ＶｒｅｆＭを生成し、対応する単一ラインドライバＬＤ１〜ＬＤＭへ出力する。本実施形態の制御回路５は、各基準電圧Ｖｒｅｆ１〜ＶｒｅｆＭの電圧レベルを各単一ラインドライバＬＤ１〜ＬＤＭ毎に独立して制御可能となっている。これにより、制御回路５は、列方向に配設されたＮ個の帯状の画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ毎にその画素の特性に応じた基準電圧Ｖｒｅｆ１〜ＶｒｅｆＭをデータ線駆動回路４へ供給する。
【００５３】
具体的には、第１データ線Ｘ１に接続された各赤色用画素６Ｒが他の第２〜第Ｍデータ線Ｘ２〜ＸＭに接続された各赤色用画素６Ｒと比較して高い輝度で発光する特性を有して
いる場合がある。制御回路５は、その輝度の差の分だけ第２〜第Ｍ基準電圧ＶｒｅｆＭの電圧レベルより低い第１基準電圧Ｖｒｅｆ１をデータ線駆動回路４の第１単一ラインドライバＬＤ１へ出力する。その結果、データ線駆動回路４（単一ラインドライバＬＤ１）は、基準電圧が低い分だけ電圧レベルの低いデータ信号Ｖ１に変換して出力する。
【００５４】
また反対に、第１データ線Ｘ１に接続された各赤色用画素６Ｒが他の第２〜第Ｍデータ線Ｘ２〜ＸＭに接続された各赤色用画素６Ｒと比較して低い輝度で発光する特性を有している場合がある。制御回路５は、その輝度の差の分だけ第２〜第Ｍ基準電圧ＶｒｅｆＭの電圧レベルより高い第１基準電圧Ｖｒｅｆ１をデータ線駆動回路４の第１単一ラインドライバＬＤ１へ出力する。その結果、データ線駆動回路４（単一ラインドライバＬＤ１）は、基準電圧が高い分だけ電圧レベルの高いデータ信号Ｖ１に変換して出力する。
【００５５】
従って、例えば、有機ＥＬディスプレイ１の製造過程において、第１データ線Ｘ１に接続された列方向の各赤色用画素６Ｒのみが、他の列方向に沿った画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂとは異なった特性を有した場合、第１基準電圧Ｖｒｅｆ１の電圧レベルを調整することでその画素６Ｒの特性のずれ分を補償したデータ信号Ｖ１に変換することができる。
【００５６】
制御回路５は、図示しない外部装置から供給されるクロック信号に応じて垂直同期信号ＶＳＹＮＣ及び水平同期信号ＨＳＹＮＣを作成する。制御回路５は、その作成した垂直同期信号ＶＳＹＮＣ及び水平同期信号ＨＳＹＮＣを走査線駆動回路３へ出力する。また、制御回路５は、水平同期信号ＨＳＹＮＣをデータ線駆動回路４へ出力する。そして、垂直同期信号ＶＳＹＮＣ及び水平同期信号ＨＳＹＮＣに基づいて、走査線駆動回路３が所定の走査線を選択するとともに、データ線駆動回路４からその選択された走査線上の画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂにデータ信号Ｖ１〜ＶＭが一斉に供給される。その結果、赤、緑及び青色用画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂは、データ信号Ｖ１〜ＶＭに応じた輝度で各色の光を出射し、表示パネル部２上に所望の画像が表示される。
【００５７】
次に、上記のように構成された有機ＥＬディスプレイ１の作用について図４〜図６に従って説明する。
図４は、有機ＥＬディスプレイ１の作用を説明するための表示パネル部２の上面図である。有機ＥＬディスプレイ１を製造した後、ディスプレイを出荷する前に、事前に駆動させ表示パネル部２上に所定の画像を表示させる。その結果、本実施形態では、図４に示すように、例えば、表示パネル部２上の画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂのうち列方向（図４中矢印方向）の第４データ線Ｘ４に接続された各赤色用画素６Ｒが他の列方向（図４中矢印方向）のデータ線に接続された各画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂとは異なった特性を有する表示ディスプレイであることがわかる。
【００５８】
詳しくは、第４データ線Ｘ４に接続された帯状の領域（図４中網掛けで表示された領域）が、その領域内の各画素回路を構成する駆動トランジスタＱｄを形成するためのエキシマレーザビームを列方向に沿って照射し、その後、行方向にずらして再びエキシマレーザビームを列方向に沿って照射したときの間隙（継ぎ目部の領域）に相当する。このため、その領域の駆動トランジスタＱｄの電圧−電流特性が他の領域の画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂの駆動トランジスタＱｄの電圧−電流特性と異なっている。
【００５９】
図５は、第４データ線Ｘ４に接続された各赤色用画素６Ｒに形成された駆動トランジスタＱｄの電圧−電流特性と、他のデータ線に接続された各赤色用画素６Ｒに形成された駆動トランジスタＱｄの電圧−電流特性とを示したグラフである。図５において、破線は、第４データ線Ｘ４に接続された各赤色用画素６Ｒに形成された駆動トランジスタＱｄの電圧−電流特性を示している。また、実線は、他のデータ線に接続された各赤色用画素６Ｒに形成された駆動トランジスタＱｄの電圧−電流特性を示している。
【００６０】
図５に示すように、第４データ線Ｘ４各赤色用画素６Ｒに形成された駆動トランジスタＱｄは、他のデータ線に接続された各赤色用画素６Ｒに形成された駆動トランジスタＱｄに比べて電流値が小さい。例えば、第４データ線Ｘ４に接続された各赤色用画素６Ｒの駆動トランジスタＱｄのゲートに、所定の電圧レベルＶｇのデータ信号Ｖ４が印加された場合、そのソース／ドレイン間に流れる電流（駆動電流ＩＯＬＥＤ）の電流レベルはＩｐである。一方、他のデータ線に接続された各赤色用画素６Ｒの駆動トランジスタＱｄのゲートに、前記電圧レベルＶｇのデータ信号Ｖ１，Ｖ７、…が印加された場合は、そのソース／ドレイン間に流れる電流（駆動電流ＩＯＬＥＤ）の電流レベルは前記ＩｐよりΔＩだけ大きなＩｑである。
【００６１】
この場合、制御回路５から第４単一ラインドライバＬＤ４へ、他のデータ線に接続された各赤色用画素６Ｒの駆動トランジスタＱｄに比べて電流値がずれた分ΔＩに応じた大きな電圧レベルを有した基準電圧Ｖｒｅｆ４が出力される。
【００６２】
従って、データ線駆動回路４は、第４データ線Ｘ４に接続された各画素６Ｒが走査線駆動回路３によって選択されるとき、その各画素６Ｒに対して、他のデータ線に接続された各画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂとその特性が同じになるように、補償したデータ信号Ｖ４を生成して供給する。この結果、第４データ線Ｘ４に接続された各画素６Ｒの駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルＩｐは、他のデータ線に接続された各画素６Ｒの駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルＩｑと等しくなる。
【００６３】
図６は、その時の、データ線に接続された各赤色用画素６Ｒに形成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの電流―輝度特性である。そして、図６において、破線は、第４データ線Ｘ４に接続された各赤色用画素６Ｒに形成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの電流―輝度特性を示している。また、実線は、他のデータ線に接続された各赤色用画素６Ｒに形成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの電流―輝度特性を示している。
【００６４】
図６に示すように、第４データ線Ｘ４に接続された赤色用画素６Ｒには補償されたデータ信号Ｖ４が供給されるので、第４データ線Ｘ４に接続された各赤色用画素６Ｒに形成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度は、他のデータ線に接続された各赤色用画素６Ｒに形成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度と同じになる。
【００６５】
これにより、画素６Ｒのうち、他の画素６Ｒとその特性が異なった画素が形成された場合の表示劣化を抑制することが可能になる。
また、画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂのうち、異なった特性を有する画素が列方向に沿って形成されても、その異なった特性を有する各画素に供給されるデータ信号Ｖ１〜ＶＭを、その基準電圧Ｖｒｅｆ１〜ＶｒｅｆＭの電圧レベルを調整することで、他の画素と同様に使用することが可能となる。従って、異なった特性を有する画素を切り捨てることはないので、所謂タイリングすることなく１枚のガラス基板ＧＳで大きな有機ＥＬディスプレイ１を形成することができる。
【００６６】
尚、前記電源線Ｚ１〜ＺＭの電位がそれぞれ独立して設定できるようにした表示パネル部においては、上記のように、画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂのうち異なった特性を有する画素が列方向に沿って形成された場合、その対応する前記電源線の電源ＶＲ，ＶＧ，ＶＢの電圧レベルをその異なった特性が補正されるように制御する。このようにすることでも、前記した列方向に生じる特性劣化による表示劣化を補正することが可能である。
【００６７】
尚、特許請求の範囲の発光素子は、例えば、本実施形態においては有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対応している。特許請求の範囲の表示装置は、例えば、本実施形態においては有機Ｅ
Ｌディスプレイ１に対応している。特許請求の範囲の表示パネルは、例えば、本実施形態においては表示パネル部２に対応している。
【００６８】
前記実施形態によれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１）本実施形態では、走査線駆動回路３の各単一ラインドライバＬＤ１〜ＬＤＭに入力される基準電圧Ｖｒｅｆ１〜ＶｒｅｆＭの電圧レベルを独立して制御可能となるようにした。そして、画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂのうち、他の列方向に形成された画素とその特性が異なる所定の列方向に形成された画素がある場合、その所定の列方向に形成された画素と接続される単一ラインドライバＬＤ１〜ＬＤＭに入力される基準電圧Ｖｒｅｆ１〜ＶｒｅｆＭの電圧レベルを、その特性のずれた分だけ異ならせて供給するようにした。従って、データ線駆動回路４は、その所定の列方向に配設されたＮ個の画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂに対してその特性がずれた分を補正したデータ信号を供給することが可能となる。
【００６９】
この結果、画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂのうち、他の画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂとその特性が異なった画素が形成された場合の表示劣化を抑制することができる。
（２）本実施形態では、エキシマレーザビームを使って各駆動トランジスタＱｄを形成した表示パネル部２において、データ線駆動回路４は、そのエキシマレーザビームを走査した際のピッチの間隙（継ぎ目部の領域）に形成された他とは異なった特性を有する画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂに、補正された電圧レベルを有したデータ信号を供給するようにした。従って、ピッチの間隙（継ぎ目部の領域）による異なった特性を有する画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂを切り捨てることはないので、所謂タイリングすることなく１枚の基板で大きな有機ＥＬディスプレイ１を形成することが可能になる。
【００７０】
（第２実施形態）
次に、本発明を具体化した第２実施形態を図７〜図１０に従って説明する。この第２実施形態の有機ＥＬディスプレイは、上記第１実施形態の走査線駆動回路３、制御回路５、及び、各赤、緑及び青色用画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂの画素回路の構成が異なっている以外は、上記第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１と同じである。従って、同じ構成部材については符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。
【００７１】
図７は、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１ａの上面図である。図７に示すように、走査線駆動回路３ａは、走査線Ｙ１〜ＹＮに平行してそれぞれ第１制御線Ｌ１、第２制御線Ｌ２及び給電線ＫがそれぞれＮ本ずつ備えられている。
【００７２】
各第１制御線Ｌ１は、行方向に形成された各画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂに接続され、各画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂに所定の電圧レベルを有する第１制御信号ＶＧ１を供給する。また、各第２制御線Ｌ２は、行方向に形成された各画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂに接続され、各画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂに所定の電圧レベルを有する第２制御信号ＶＧ２を供給する。
【００７３】
各給電線Ｋは、行方向に形成された各画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂに接続され、各画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂに所定の電圧レベルを有する電圧信号Ｖｏを供給する。
そして、走査線駆動回路３ａは、各第１制御線Ｌ１及び第２制御線Ｌ２を介して第１制御信号ＶＧ１及び第２制御信号ＶＧ２を後記する所定のタイミングで出力する。また、走査線駆動回路３ａは、給電線Ｋを介して電圧信号Ｖｏを常時供給する。
【００７４】
本実施形態の制御回路５は、各シフトレジスタＳＲ１〜ＳＲＮに入力する基準電圧ＳＶ１〜ＳＶＮをそれぞれ独立して走査線駆動回路３ａに入力する。例えば、第１シフトレジスタＳＲ１に供給される基準電圧ＳＶ１の電圧レベルのみを他のシフトレジスタＳＲ２〜ＳＲＮに供給される基準電圧ＳＶ２〜ＳＶＮの電圧レベルと異ならせる。このようにすることで、走査線駆動回路３ａは、第１走査線Ｙ１に対してのみ他の走査線Ｙ２〜ＹＮへ供
給される走査信号ＳＣ２〜ＳＣＮとは異なった電圧レベルを有する走査信号ＳＣ１を出力する。尚、本実施形態においては、データ線駆動回路４の各単一ラインドライバＬＤ１〜ＬＤＭに供給される基準電圧Ｖｒｅｆ１〜ＶｒｅｆＭは全て同じ電圧レベルを有する。
【００７５】
次に、本実施形態における赤、緑及び青色用画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂの画素回路の構成について、図８に従って説明する。尚、各色用画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂは、全て同じ回路構成であるので、以下の説明では、説明の便宜上、第Ｍデータ線ＸＭと第Ｎ走査線ＹＮとの交差部に対応して形成された青色用画素６Ｂの回路構成図についてのみ説明し、他の画素の回路構成については、その詳細な説明を省略する。
【００７６】
図８に示すように、青色用画素６Ｂは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、駆動トランジスタＱｄ、スイッチングトランジスタＱｓｗ、第１〜第３スイッチング素子Ｑｓ１〜Ｑｓ３及び保持キャパシタＣｏを備えている。
【００７７】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、上記第１実施形態と同様に、その発光層が有機材料で構成されたエレクトロルミネッセンス素子であって、同有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極Ｅ１と陰極Ｅ２との間に流れ込む駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルに応じた輝度で青色に発光する。また、駆動トランジスタＱｄ、スイッチングトランジスタＱｓｗ及び第１〜第３スイッチング素子Ｑｓ１〜Ｑｓ３は、それぞれ、導電型がＮ型のトランジスタである。
【００７８】
ところで、駆動トランジスタＱｄ、スイッチングトランジスタＱｓｗ及び第１〜第３スイッチング素子Ｑｓ１〜Ｑｓ３は、その製造過程において、それぞれガラス基板ＧＳ上に他の配線（走査線Ｙ１〜ＹＮ、データ線Ｘ１〜ＸＭ及び電源線Ｚ１〜ＺＭ等）とともに作り込まれる。このため、駆動トランジスタＱｄ、スイッチングトランジスタＱｓｗ及び第１〜第３スイッチング素子Ｑｓ１〜Ｑｓ３は、（低温）ポリシリコンプロセスによって形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。
【００７９】
詳しくは、ガラス基板ＧＳ上全面にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を一旦形成した後、列方向（図７中Ｙ矢印方向）にスリット状に引き延ばされたエキシマレーザビームを行方向（図７中Ｘ矢印方向）に沿って照射する。そして、その後、列方向（図７中Ｙ矢印方向）にずらして再びエキシマレーザビームを行方向（図７中Ｘ矢印方向）に沿って照射して同アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜をアニールしポリシリコン化して駆動トランジスタＱｄ及びスイッチングトランジスタＱｓｗが形成される。
【００８０】
第１スイッチング素子Ｑｓ１のドレインは、第Ｍ電源線ＺＭに接続される一方、第１スイッチング素子Ｑｓ１のソースは、駆動トランジスタＱｄのドレイン、及び、第２スイッチング素子Ｑｓ２のドレインにそれぞれ接続されている。第１スイッチング素子Ｑｓ１のゲートは、第１制御線Ｌ１に接続されている。
【００８１】
駆動トランジスタＱｄのソースは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極Ｅ１に接続される一方、同有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極Ｅ２は接地されている。
駆動トランジスタＱｄのゲートは、保持キャパシタＣｏの一端及び第２スイッチング素子Ｑｓ２のソースにそれぞれ接続されている。尚、説明の便宜上、保持キャパシタＣｏの一端（駆動トランジスタＱｄのゲート）をノードＡとする。このノードＡには、容量が寄生する。この容量はノードＡと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極Ｅ２の間に寄生する容量であり、駆動トランジスタＱｄのゲート容量を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの容量、ノードＡと陰極Ｅ２の間にある配線の寄生容量などに起因する容量を含んでいる。
【００８２】
従って、第２スイッチング素子Ｑｓ２は、駆動トランジスタＱｄのドレイン／ゲート間に電気的に接続される。第２スイッチング素子Ｑｓ２のゲートは、第２制御線Ｌ２に接続
されている。一方、第３スイッチング素子Ｑｓ３のドレインは、給電線Ｋに接続される一方、そのソースは、スイッチングトランジスタＱｓｗのドレイン及び保持キャパシタＣｏの他端にそれぞれ接続されている。第３スイッチング素子Ｑｓ３のゲートは、第２制御線Ｌ２に接続されている。
【００８３】
さらに、スイッチングトランジスタＱｓｗのソースは第Ｍデータ線ＸＭに接続され、そのゲートは第Ｎ走査線ＹＮに接続されている。以下、説明の便宜上、保持キャパシタＣｏの他端（第２スイッチング素子Ｑｓ２のソース、スイッチングトランジスタＱｓｗのドレイン）をノードＢとする。
【００８４】
次に、前記のように構成された画素６Ｂの駆動方法について説明する。まず、その初期化期間において、走査線駆動回路３ａから走査線ＹＮを介してＬレベルの走査信号ＳＣＮが、第１及び第２制御線Ｌ１，Ｌ２を介してＨレベルの制御信号ＶＧ１，ＶＧ２が供給される。このため、スイッチングトランジスタＱｓｗがオフ状態となり、第１、第２及び第３スイッチング素子Ｑｓ１，Ｑｓ２，Ｑｓ３がそれぞれオン状態になる。第１スイッチング素子Ｑｓ１がオン状態になるので、駆動トランジスタＱｄはダイオードとして機能する。この結果、電流が電源線ＺＭ→第１スイッチング素子Ｑｓ１→駆動トランジスタＱｄ→有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ→接地という経路にて流れる。この結果、ノードＡは、この電流に応じた電圧、詳細には、この電流を流す駆動トランジスタＱｄのゲート電圧となる。
【００８５】
一方、第２制御信号ＶＧ２は、この初期化期間の全域にわたってＨレベルであり、第２及び第３スイッチング素子Ｑｓ２，Ｑｓ３をオン状態にさせる。このため、ノードＢは、初期化期間にわたって第２制御信号ＶＧ２に対応した電圧に固定されるので、保持キャパシタＣｏからみてノードＢの反対側に位置するノードＡでは、前記電流に応じた電圧が保持されることになる。
【００８６】
尚、この初期化期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流が流れ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光するが、当該期間は非常に短く後記する発光期間における発光、即ち、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに目的とする駆動電流ＩＯＬＥＤが流れることによる発光に影響を与えることはない。
【００８７】
次に、走査線駆動回路３ａから第１制御線Ｌ１を介してＬレベルの第１制御信号ＶＧ１が供給され第１スイッチング素子Ｑｓ１がオフ状態になる。このため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの電流経路は遮断される。このとき、第２スイッチング素子Ｑｓ２はオン状態が継続するので、駆動トランジスタＱｄが引き続きダイオードとして機能する。このため、ノードＡは、駆動トランジスタＱｄの閾値電圧Ｖｔｈに向かって自己補償的に徐々に移行し、駆動トランジスタＱｄの閾値電圧Ｖｔｈが補償される。
【００８８】
次に、書き込み期間に入る。即ち、走査線駆動回路３ａから第２制御線Ｌ２を介してＬレベルの第２制御信号ＶＧ２が供給されるとともに、シフトレジスタＳＲＮから走査線ＹＮを介してＨレベルの走査信号ＳＣＮが供給される。このため、第２及び第３スイッチング素子Ｑｓ２，Ｑｓ３がともにオフ状態になるとともに、スイッチングトランジスタＱｓｗがオン状態になる。
【００８９】
この書き込み間では、第２スイッチング素子Ｑｓ２はオフ状態であるので、ノードＡは、駆動トランジスタＱｄのゲート容量のみによって保持される。このため、ノードＡは、ノードＢにおける電圧変動分を保持キャパシタＣｏと駆動トランジスタＱｄのゲート容量との容量比で配分した分だけ、閾値電圧Ｖｔｈから上昇することになる。この結果、画素６Ｂには、データ信号ＶＭが書き込まれて保持される。
【００９０】
次に、発光期間に入る。即ち、走査線駆動回路３ａから第１制御線Ｌ１を介してＨレベルの第１制御信号ＶＧ１が供給されるとともに、走査線ＹＮを介してＬレベルの走査信号ＳＣＮが供給される。このため、第１スイッチング素子Ｑｓ１がオン状態になるとともに、スイッチングトランジスタＱｓｗがオフ状態になる。
【００９１】
この発光期間では、スイッチングトランジスタＱｓｗがオフ状態であるが、保持キャパシタＣｏに電圧が保持されているので、ノードＡは、データ信号ＶＭに維持される。一方、第１スイッチング素子Ｑｓ１がオン状態であるで、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにはデータ信号ＶＭに応じた駆動電流ＩＯＬＥＤが流れ込む。これにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルに応じた輝度で発光する。
【００９２】
その後、予め指定された期間だけ継続すると、走査線駆動回路３ａから第１制御線Ｌ１を介してＨレベルの第１制御信号ＶＧ１が供給される。このため、第１スイッチング素子Ｑｓ１がオフ状態になるので、電流経路が遮断され有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは消灯することになる。
【００９３】
そして、所定期間経過後、再び、初期化期間に入り、走査線駆動回路３ａから走査線ＹＮを介してＬレベルの走査信号ＳＣＮが、第１及び第２制御線Ｌ１，Ｌ２を介してＨレベルの制御信号ＶＳ１，ＶＳ２が供給される、その後、前記と同様にして、画素６Ｂにデータ信号ＶＭが書き込まれ、発光することとなる。
【００９４】
このように構成された画素６Ｂは、前記初期化期間において、駆動トランジスタＱｄの閾値電圧Ｖｔｈが補償される。従って、各画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ毎にその駆動トランジスタＱｄの閾値電圧Ｖｔｈにバラツキがあっても、供給されたデータ信号Ｖ１〜ＶＭに応じた駆動電流ＩＯＬＥＤが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる。この結果、表示パネル部２上には、駆動トランジスタＱｄの閾値電圧Ｖｔｈのバラツキに起因した表示劣化は生じない。
【００９５】
次に、前記のように構成された有機ＥＬディスプレイ１ａの作用について図９及び図１０に従って説明する。図９は、有機ＥＬディスプレイ１の作用を説明するための表示パネル部２の上面図である。有機ＥＬディスプレイ１ａを製造した後、ディスプレイを出荷する前に、事前に駆動させ表示パネル部２上に所定の画像を表示させる。その結果、本実施形態では、図９に示すように、例えば、表示パネル部２上の画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂのうち第２走査線Ｙ２に接続された各赤、緑及び青色用画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂが他の走査線に接続された各赤、緑及び青色用画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂとは異なった特性を有する表示ディスプレイであることがわかる。
【００９６】
詳しくは、第２走査線Ｙ２に接続された帯状の領域（図９中網掛けで表示された領域）が、その領域内の各画素回路を構成するスイッチングトランジスタＱｓｗ及び駆動トランジスタＱｄを形成するためのエキシマレーザビームを行方向に沿って照射し、その後、列方向にずらして再び行方向に沿って照射したときの間隙（継ぎ目部の領域）に相当する。このため、その領域のスイッチングトランジスタＱｓｗ及び駆動トランジスタＱｄの各電圧−電流特性が他の領域の画素６Ｒ，６Ｇ，６ＢのスイッチングトランジスタＱｓｗ及び駆動トランジスタＱｄの各電圧−電流特性と異なっている。
【００９７】
図１０は、その時の、データ線に接続された赤色用画素６Ｒに形成されたスイッチングトランジスタＱｓｗの電圧−電流特性とを示したグラフである。そして、図１０において、破線は、第２走査線Ｙ２に接続された赤色用画素６ＲのスイッチングトランジスタＱｓｗの電圧−電流特性を示している。また、実線は、他の走査線に接続された赤色用画素６Ｒのスイッチングトランジスタの電圧−電流特性を示している。
【００９８】
図１０に示すように、第２走査線Ｙ２に接続された赤色用画素６ＲのスイッチングトランジスタＱｓｗは、オン状態となる電圧値Ｖｐが他の走査線に接続された赤色用画素６ＲのスイッチングトランジスタＱｓｗのオン状態となる電圧値Ｖｑに比べて大きい。
【００９９】
また、図示しないが、第２走査線Ｙ２に接続された他の緑及び青色用画素６Ｇ，６ＢのスイッチングトランジスタＱｓｗについても、オン状態となる電圧値が他の走査線に接続された緑及び青色用画素６ＲのスイッチングトランジスタＱｓｗに比べて大きい。そして、他の緑及び青色用画素６Ｇ，６Ｂにおいても、その各オン状態となる電圧値のずれΔＶ（＝Ｖｐ−Ｖｑ）は一様にずれている。
【０１００】
そこで、制御回路５から、走査線駆動回路３ａの第２走査線Ｙ２に接続されたシフトレジスタＳＲ２へ、他の走査線に接続された画素６Ｒ，６Ｇ，６ＢのスイッチングトランジスタＱｓｗに比べてオン状態となる電圧値のずれΔＶ分、大きな値の電圧レベルを有した基準電圧ＳＶ２が出力される。
【０１０１】
この結果、第２走査線Ｙ２を選択するためのＨレベルの走査信号ＳＣ２の電圧レベルは、他の走査線を選択するためのＨレベルの走査信号の電圧レベルに比べてずれΔＶ分に対応して大きくなる。これにより、他の走査線に接続された画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂのものに比べてオン状態になる電圧が大きくても、その第２走査線Ｙ２に接続された画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂを確実に選択することができる。
【０１０２】
一方、第２走査線Ｙ２に接続された赤、緑及び青色用画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂの各駆動トランジスタＱｄは、前記したような画素回路を備えているので、その閾値電圧Ｖｔｈが補償されている。従って、第２走査線Ｙ２に接続された赤、緑及び青色用画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂの各駆動トランジスタＱｄの閾値電圧Ｖｔｈが、エキシマレーザビームを走査する際のピッチの間隙（継ぎ目部の領域）に相当したことによってばらついたとしても、供給されたデータ信号Ｖ１〜ＶＭに応じた輝度で発光することが可能である。
【０１０３】
以上により、画素６Ｒのうち、他の画素６Ｒとその特性が異なった画素が形成された場合の表示劣化を抑制することが可能になる。
また、画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂのうち、異なった特性を有する画素が行方向に沿って形成されても、その異なった特性を有する各画素に供給されるデータ信号を、その基準電圧ＳＶ１〜ＳＶＮの電圧レベルを調整することで、他の画素と同様に使用することが可能となる。従って、異なった特性を有する画素を切り捨てることはないので、所謂タイリングすることなく１枚のガラス基板ＧＳで大きな有機ＥＬディスプレイ１ａを形成することができる。
【０１０４】
また、上記したように、画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂのうち異なった特性を有する画素が行方向に沿って形成された場合、異なった特性を有する画素に対応する給電線Ｋに供給される電圧信号Ｖoのレベルをその異なった特性が補正されるように制御する。このようにする
ことでも、前記した行方向に生じる特性劣化による表示劣化を補正することが可能である。
【０１０５】
尚、各電源線Ｚ１〜ＺＭが列方向ではなく、行方向に形成され、かつその各電源線Ｚ１〜ＺＭの電位がそれぞれ独立して設定できるようにした表示パネル部においては、異なった特性を有する画素が行方向に沿って形成された場合、その対応する電源線の電源ＶＲ，ＶＧ，ＶＢの電圧レベルをその異なった特性が補正されるように制御する。このようにすることでも、前記した行方向に生じる特性劣化による表示劣化を補正することが可能である。
【０１０６】
尚、特許請求の範囲の発光素子は、例えば、本実施形態においては有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対応している。特許請求の範囲の表示装置は、例えば、本実施形態においては有機ＥＬディスプレイ１ａに対応している。特許請求の範囲の表示パネルは、例えば、本実施形態においては表示パネル部２に対応している。
【０１０７】
前記実施形態によれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１）本実施形態では、走査線駆動回路３ａの各シフトレジスタＳＲ１〜ＳＲＮに入力される基準電圧ＳＶ１〜ＳＶＮの電圧レベルを独立して制御可能となるようにした。そして、他の行方向に形成された各画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂとその特性が異なる所定の列方向に形成された各画素がある場合、その所定の列方向に形成された各画素と走査線を介して接続されるシフトレジスタに入力される基準電圧の電圧レベルを、その特性のずれた分だけ異ならせて供給するようにした。従って、走査線駆動回路３ａは、その所定の行方向に形成された各画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂに対してその特性がずれた分を補正した走査信号を供給することが可能となる。これにより、その所定の走査線に接続された画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂを確実に選択することができる。
【０１０８】
この結果、画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂのうち、他の画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂとその特性が異なった画素が形成された場合の表示劣化を抑制することができる。
（２）本実施形態では、駆動トランジスタＱｄをエキシマレーザビームを使って形成された表示パネル部２において、データ線駆動回路４は、そのエキシマレーザビームを走査する際のピッチの間隙（継ぎ目部の領域）に形成された異なった特性を有する画素に供給するデータ信号の電圧レベルを補正したデータ信号を供給するようにした。従って、ピッチの間隙（継ぎ目部の領域）による異なった特性を有する画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂを切り捨てることはないので、所謂タイリングすることなく１枚の基板で大きな有機ＥＬディスプレイ１を形成することが可能になる。
（３）本実施形態では、各画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂの画素回路をその駆動トランジスタＱｄの閾値電圧Ｖｔｈを補償することができる構成した。従って、例えば、各画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂを製造する過程において、エキシマレーザビームを走査する際のピッチの間隙（継ぎ目部の領域）に相当する駆動トランジスタＱｄ及びスイッチングトランジスタＱｓｗの特性が他の画素と異なった場合であっても、そのピッチの間隙（継ぎ目部の領域）に相当する画素の駆動トランジスタＱｄの閾値電圧のバラツキは抑制される。
【０１０９】
これにより、シフトレジスタＳＲ１〜ＳＲＮの基準電圧ＳＶ１〜ＳＶＮを適宜調整し、スイッチングトランジスタＱｓｗのオン電圧を補償するだけで、画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂのうち、他の画素とその特性が異なった画素が形成された場合の表示劣化を抑制することができる。
【０１１０】
（第３実施形態）
次に、第１または第２実施形態で説明した表示装置としての有機ＥＬディスプレイ１，１ａの電子機器の適用について図１１に従って説明する。有機ＥＬディスプレイ１，１ａは、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。
【０１１１】
図１１は、大型テレビ６０の斜視図である。この大型テレビ６０は、有機ＥＬディスプレイ１，１ａを用いた大型テレビ用の表示ユニット６１と、スピーカー６２と、複数の操作ボタン６３とを備えている。この場合でも、有機ＥＬディスプレイ１，１ａは、他の複数の画素と異なった特性を有する帯状の画素を備えても、その画素を切り捨てることなく１枚のガラス基板を使って大型のディスプレイを備えたテレビを提供することが可能となる。
【０１１２】
尚、発明の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
○上記第１及び第２実施形態では、有機ＥＬディスプレイ１，１ａの走査線駆動回路３，３ａ及びデータ線駆動回路４及び制御回路５は、それぞれが独立した電子部品によって構成した。これを、例えば、走査線駆動回路３，３ａ、データ線駆動回路４及び制御回路５が、各々１チップの半導体集積回路装置によって構成されるようにしてもよい。又、走査線駆動回路３，３ａ、データ線駆動回路４及び制御回路５が、の全部若しくは一部がプログラマブルなＩＣチップで構成され、その機能がＩＣチップに書き込まれたプログラムによりソフトウェア的に実現されてもよい。
【０１１３】
○上記実施形態では、発光素子は、その発光層が有機材料で構成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤであったが、これに限定されるものではなく、たとえば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ以外の例えばＬＥＤやＦＥＤであっても同様な効果を得ることができる。特に電流駆動型素子であれば、本発明により良好に表示装置の表示劣化を解消できる。
【０１１４】
○上記実施形態では、エキシマレーザビームを走査する際のピッチの間隙（継ぎ目部の領域）のある構成にて説明した。これを、仮につなぎ目がない場合であっても、スリット状に引き延ばされたエキシマレーザビームのある部分がそのままＹ方向に走査されポリシリコン化を担うため、同様の特性を有するアクティブ素子（トランジスタ）がＹ方向に対してスリット状に配列されることとなる。このようにして、Ｙ方向にスリット状の表示むらが生じる。本発明を適用することにより、このようなＹ方向のスリット状の表示むらを解消でき、良好な表示を行なうことができる。
【０１１５】
○Ｘ方向にスリット状に引き延ばされたエキシマレーザビームをＹ方向に沿って照射する際、例えばエキシマレーザビームを用いてＸ方向あるいはＹ方向を認識できるアライメントマークを形成しておき、このアライメントマークを用いてアクティブ素子（トランジスタ）のそれぞれのパターンを形成されていることが好ましい。アクティブ素子（トランジスタ）のそれぞれのパターンは、アクティブ素子（トランジスタ）を構成する半導体層、ゲート電極、ソース／ドレイン電極などのパターンを示す。このようにすることにより、アクティブ素子（トランジスタ）の配列とアクティブ素子（トランジスタ）の帯状の特性劣化を一致させることができ、本発明の表示装置により、特性劣化に起因する表示劣化を良好に解消することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】有機ＥＬディスプレイの全体構成を説明するためのブロック図である。
【図２】第１実施形態の有機ＥＬディスプレイの電気的構成を説明するための図である。
【図３】第１実施形態の青色用画素の回路構成図である。
【図４】第１実施形態の表示パネル部の上面図である。
【図５】第１実施形態の駆動トランジスタの電圧−電流特性を示したグラフである。
【図６】第１実施形態の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの電流―輝度特性である。
【図７】第２実施形態の有機ＥＬディスプレイの上面図である。
【図８】第２実施形態の青色用画素の回路構成図である。
【図９】第２実施形態の表示パネル部の上面図である。
【図１０】第２実施形態のスイッチングトランジスタの電圧−電流特性を示したグラフである。
【図１１】本発明を適応した電子機器としての大型テレビの斜視図である。
【符号の説明】
【０１１７】
ＯＬＥＤ…発光素子としての有機ＥＬ素子、Ｖ１〜ＶＭ…データ信号、Ｘ１〜ＸＭ…デ
ータ線、Ｙ１〜ＹＮ…走査線、１，１ａ…表示装置としての有機ＥＬディスプレイ、２…表パネルとしての表示パネル部、３，３ａ…走査線駆動回路、４…データ線駆動回路、６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ…画素、６０…電子機器としての大型テレビ６０。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2005331573.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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