(57)【要約】【課題】フェライトメッキ法によって形成されるフェライト膜の工業的な生産性を増大できると共に、均質な柱状結晶の集合体構造を持った品質の向上を図り得るフェライト膜の製造装置を提供すること。【解決手段】この製造装置の場合、基体７の搬送機構により搬送供給される部分（供給ロール４，巻き取りロール５の間の所定の寸法部分）と、第一鉄イオンを含む反応液を基体７表面上に接触させる反応液接触機構のノズル１と、酸化媒体を反応液を接触させた基体７表面上に接触させることで基体７表面上にフェライトメッキ法によりフェライト膜を形成する酸化媒体接触機構のノズル２と、ポンプ（液循環機構）３の除去溶液９（反応液及び酸化媒体のうちのフェライト膜の形成に寄与しない残りの部分を基体７表面上から除去するもの）に対する吸い上げ口及び吐き出し口とを容器８内の除去溶液９中に浸すように設置している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体表面上に接触させるための反応液接触機構と、少なくとも酸化剤又は酸素を含んだ酸化媒体を前記反応液を接触させた前記基体表面上に接触させることで該基体表面上にフェライトメッキ法によりフェライト膜を形成するための酸化媒体接触機構と、前記基体を前記反応液接触機構及び前記酸化媒体接触機構の近傍を通るように連続的に搬送供給するための搬送機構と、前記基体表面上にあっての前記反応液及び前記酸化媒体のうちの前記フェライト膜の形成に寄与しない残りの部分を該基体表面上から除去するための除去溶液を貯溜した容器と、前記容器中の前記除去溶液を循環させて流動させるための液循環機構とを備え、更に、前記基体にあっての前記搬送機構により搬送供給される部分と、前記反応液接触機構にあっての前記反応液を噴出する部分と、前記酸化媒体接触機構にあっての前記酸化媒体を噴出する部分と、前記液循環機構にあっての前記除去溶液に対する吸い上げ口及び吐き出し口とを前記容器内の該除去溶液中に浸すように設置して成ることを特徴とするフェライト膜の製造装置。
【請求項２】
請求項１記載のフェライト膜の製造装置において、前記反応液接触機構は、流動する前記除去溶液中での前記基体表面上に対する前記反応液の接触を滴下により行い、前記酸化媒体接触機構は、流動する前記除去溶液中での前記基体表面上に対する前記酸化媒体の接触を滴下により行うものであることを特徴とするフェライト膜の製造装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載のフェライト膜の製造装置において、前記容器内の前記除去溶液中で前記基体にあっての少なくとも前記フェライト膜を形成する箇所を含むように前記搬送機構により搬送供給される部分を支持すると共に、所定の温度に保たれる支持部材を備えたことを特徴とするフェライト膜の製造装置。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一つに記載のフェライト膜の製造装置において、前記フェライト膜は柱状結晶として形成されるもので、且つ該柱状結晶にあっての長軸ａは０．０１〜５０μｍの範囲にあり、短軸ｂは０．０１〜１μｍの範囲にあることを特徴とするフェライト膜の製造装置。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一つに記載のフェライト膜の製造装置において、前記フェライト膜は柱状結晶として形成されるもので、且つ該柱状結晶にあっての長軸ａ，短軸ｂの比ａ／ｂは１〜１００の範囲にあることを特徴とするフェライト膜の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として磁気記録媒体，光磁気記録媒体，磁気ヘッド，磁気光学素子，マイクロ波素子，磁歪素子，磁気音響素子、或いは高周波領域における不要な電磁波干渉によって生じる電磁ノイズ障害を抑制するための電磁干渉抑制体等に広く適用又は応用されているＦｅ３＋を含むスピネル型フェライト膜を製造するためのフェライト膜の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、固体表面にフェライト膜を形成する技術としては、フェライトメッキ法を適用したもの（特許文献１参照）が知られている。ここでのフェライトメッキ法とは、固体表面に金属イオンとして少なくとも第一鉄イオンを含む水溶液を接触させ、固体表面にＦｅ２＋又はこれと他の水酸化金属イオンを吸着させ、続いて吸着したＦｅ２＋を酸化させてＦｅ３＋を得ておき、このＦｅ３＋が水溶液中の水酸化金属イオンとの間でフェライト結晶化反応を起こして固体表面にフェライト膜（尚、以下も同様であるが、フェライトメッキ法を適用して得られたフェライト膜は、フェライトメッキ膜と呼ばれても良い）を形成するものである。
【０００３】
又、このフェライトメッキ法の技術に基づく応用分野としては、フェライト膜の均質化、反応速度の向上を図ったもの（特許文献２参照）、固体表面に界面活性を付与して種々固体にフェライト膜を形成しようとするもの（特許文献３参照）、フェライト膜の形成速度を向上させたもの（特許文献４，特許文献５，及び特許文献６参照）等が知られている。
【０００４】
即ち、フェライトメッキ法によれば、フェライト膜を形成しようとする固体が上述した水溶液に対して耐性を持つものであれば何でも良い。又、水溶液を介した反応であるため、温度が比較的低温（常温〜水溶液の沸点以下）でもスピネル型フェライト膜を形成できるという利点がある。このため、他のフェライト膜を形成（成膜）する技術と比べて対象とされる固体が限定される範囲が非常に小さくなっている。
【特許文献１】特許第１４７５８９１号（第２頁）
【特許文献２】特許第１８６８７３０号（第３頁〜第４頁）
【特許文献３】特開昭６１−０３０６７４号公報（第３頁）
【特許文献４】特許第１７７４８６４号（第３頁〜第５頁）
【特許文献５】特許第１９７９２９５号（第５頁）
【特許文献６】特開平０２−１１６６３１号公報（第２頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した特許文献１〜６に係るフェライトメッキ法を適用して形成されるフェライト膜の場合、例えば特許文献４〜６で開示されているようにフェライト膜の形成（生成）速度の向上に関しては種々改善策が提案されているが、工業的な生産性という観点からみるとまだまだ不十分であり、生産性という点に関して大きな問題がある。
【０００６】
ところで、フェライトメッキ法により形成されたフェライト膜の場合、磁気記録媒体，光磁気記録媒体，磁気ヘッド，磁気光学素子，マイクロ波素子，磁歪素子，及び磁気音響素子や、或いは電磁干渉抑制体に適用するときには膜の均質性が重要なポイントとなる。これは膜の均質性が各用途におけるフェライト膜の特性に大きく影響を与えるためである。
【０００７】
一般に、フェライトメッキ法によるフェライト膜は、上述したように固体表面を基点とした結晶成長によって形成されるが、このとき、理想的な条件下で形成されると柱状結晶の集合体構造となる。
【０００８】
ところが、従来のフェライトメッキ法により形成されたフェライト膜の場合、固体表面以外で副次的に形成されたフェライトの微粒子が柱状結晶の成長を疎外したり、或いは固体表面に吸着するＦｅ２＋が不均一性を持つことにより、均質な柱状結晶の集合体構造のフェライト膜を得ることが困難となっており、製造時の品質の向上を図り難いという問題がある。
【０００９】
本発明は、このような問題点を解決すべくなされたもので、その技術的課題は、フェライトメッキ法によって形成されるフェライト膜の工業的な生産性を増大できると共に、均質な柱状結晶の集合体構造を持った品質の向上を図り得るフェライト膜の製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体表面上に接触させるための反応液接触機構と、少なくとも酸化剤又は酸素を含んだ酸化媒体を反応液を接触させた基体表面上に接触させることで該基体表面上にフェライトメッキ法によりフェライト膜を形成するための酸化媒体接触機構と、基体を反応液接触機構及び酸化媒体接触機構の近傍を通るように連続的に搬送供給するための搬送機構と、基体表面上にあっての反応液及び酸化媒体のうちのフェライト膜の形成に寄与しない残りの部分を該基体表面上から除去するための除去溶液を貯溜した容器と、容器中の除去溶液を循環させて流動させるための液循環機構とを備え、更に、基体にあっての搬送機構により搬送供給される部分と、反応液接触機構にあっての反応液を噴出する部分と、酸化媒体接触機構にあっての酸化媒体を噴出する部分と、液循環機構にあっての除去溶液に対する吸い上げ口及び吐き出し口とを容器内の該除去溶液中に浸すように設置して成るフェライト膜の製造装置が得られる。
【００１１】
又、本発明によれば、上記フェライト膜の製造装置において、反応液接触機構は、流動する除去溶液中での基体表面上に対する反応液の接触を滴下により行い、酸化媒体接触機構は、流動する除去溶液中での基体表面上に対する酸化媒体の接触を滴下により行うフェライト膜の製造装置が得られる。
【００１２】
更に、本発明によれば、上記何れかのフェライト膜の製造装置において、容器内の除去溶液中で基体にあっての少なくともフェライト膜を形成する箇所を含むように搬送機構により搬送供給される部分を支持すると共に、所定の温度に保たれる支持部材を備えたフェライト膜の製造装置が得られる。
【００１３】
一方、本発明によれば、上記何れか一つのフェライト膜の製造装置において、フェライト膜は柱状結晶として形成されるもので、且つ該柱状結晶にあっての長軸ａは０．０１〜５０μｍの範囲にあり、短軸ｂは０．０１〜１μｍの範囲にあるフェライト膜の製造装置が得られる。
【００１４】
他方、本発明によれば、上記何れか一つのフェライト膜の製造装置において、フェライト膜は柱状結晶として形成されるもので、且つ該柱状結晶にあっての長軸ａ，短軸ｂの比ａ／ｂは１〜１００の範囲にあるフェライト膜の製造装置が得られる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のフェライト膜の製造装置の場合、基体にあっての搬送機構により搬送供給される部分と、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体表面上に接触させるための反応液接触機構にあっての反応液を噴出する部分と、少なくとも酸化剤又は酸素を含んだ酸化媒体を反応液を接触させた基体表面上に接触させることで基体表面上にフェライトメッキ法によりフェライト膜を形成するための酸化媒体接触機構にあっての酸化媒体を噴出する部分と、液循環機構にあっての除去溶液（基体表面上にあっての反応液及び酸化媒体のうちのフェライト膜の形成に寄与しない残りの部分を基体表面上から除去するためのもの）に対する吸い上げ口及び吐き出し口とを容器内の除去溶液中に浸すように設置しているので、フェライト膜の形成（成膜）に際して、容器内の流動する除去溶液中で反応液及び酸化媒体のうちのフェライト膜の形成に寄与しない残りの部分を効果的に基体表面上から除去しつつ基体表面上の所定箇所に形成されるフェライト膜の形成（生成）速度を向上させることができるようになり、結果として、フェライトメッキ法によって形成されるフェライト膜の工業的な生産性を増大できると共に、均質な柱状結晶の集合体構造を持つフェライト膜を製造できて品質の向上を図り得るようになる。
【００１６】
特に、本発明のフェライト膜の製造装置の場合、容器内の除去溶液中で基体にあっての少なくともフェライト膜を形成する箇所を含むように搬送機構により搬送供給される部分を所定の温度に保たれる支持部材で支持した上、反応液接触機構における反応液の噴出量，酸化媒体接触機構における酸化媒体の噴出量、並びに搬送機構における基体の搬送速度が関係する容器内で流動する除去溶液の流速を制御することにより、柱状結晶として形成されるフェライト膜の形成速度を安定して向上させられるようにすると共に、柱状結晶の長軸ａを０．０１〜５０μｍの範囲とし、且つ短軸ｂを０．０１〜１μｍの範囲としたり、或いは長軸ａ，短軸ｂの比ａ／ｂを１〜１００の範囲として制御することができて均質な柱状結晶の集合体構造を制御することが可能となるため、工業的な利用価値が極めて大である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明者等は、種々検討の結果、フェライト膜の製造装置として、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体表面上に接触させるための反応液接触機構と、少なくとも酸化剤又は酸素を含んだ酸化媒体を反応液を接触させた基体表面上に接触させることで基体表面上にフェライトメッキ法によりフェライト膜を形成するための酸化媒体接触機構と、基体を反応液接触機構及び酸化媒体接触機構の近傍を通るように連続的に搬送供給するための搬送機構と、基体表面上にあっての反応液及び酸化媒体のうちのフェライト膜の形成に寄与しない残りの部分を基体表面上から除去するための除去溶液を貯溜した容器と、容器中の除去溶液を循環させて流動させるための液循環機構とを備えた上、基体にあっての搬送機構により搬送供給される部分と、反応液接触機構にあっての反応液を噴出する部分と、酸化媒体接触機構にあっての酸化媒体を噴出する部分と、液循環機構にあっての除去溶液に対する吸い上げ口及び吐き出し口とを容器内の除去溶液中に浸すように設置して基体の表面上の所定箇所に反応液及び酸化媒体の滴下によりフェライト膜を生成すれば、フェライトメッキ法によって形成されるフェライト膜の工業的な生産性を増大できると共に、均質な柱状結晶の集合体構造を持つフェライト膜を製造できて品質の向上を図り得ることを見い出した。
【００１８】
又、このフェライト膜の製造装置において、反応液接触機構における反応液の噴出量，酸化媒体接触機構における酸化媒体の噴出量、並びに搬送機構における基体の搬送速度が関係する容器内で流動する除去溶液の流速を制御すること（必要に応じて容器内の除去溶液中で基体にあっての少なくともフェライト膜を形成する箇所を含むように搬送機構により搬送供給される部分を所定の温度に保たれる支持部材で支持することが望ましい）により、柱状結晶として形成されるフェライト膜の形成（生成）速度を安定して向上させられ、柱状結晶の長軸ａを０．０１〜５０μｍの範囲とし、且つ短軸ｂを０．０１〜１μｍの範囲としたり、或いは長軸ａ，短軸ｂの比ａ／ｂを１〜１００の範囲として制御することができ、均質な柱状結晶の集合体構造を制御できることを見い出した。
【００１９】
ここでのフェライト膜の形成速度の向上について、例えば特許文献６と対比すれば、特許文献６の場合には先ず少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体表面に接触させた後、次に少なくとも酸化剤を含んだ溶液を基体表面に接触させることを繰り返すことにより、基体表面にフェライト膜を形成することが提案されており、それによってフェライト膜の堆積速度が向上するとされているが、ここでは少なくとも第一鉄イオンを含む反応液、及び少なくとも酸化剤を含んだ溶液を除去する技術については考慮されていない。
【００２０】
しかしながら、本発明者等の検討によれば、このような反応液及び酸化媒体のうちのフェライト膜の形成に寄与しない残りの部分を効果的に基体表面上から除去することがフェライト膜の形成速度を向上させ、しかも均質な柱状結晶構造を得るために重要であることが判っている。
【００２１】
そこで、本発明のフェライト膜の製造装置では、容器内の流動する除去溶液中で反応液及び酸化媒体のうちのフェライト膜の形成に寄与しない残りの部分を基体表面上から除去するような構成を採用している。このように、基体表面上からフェライト膜の形成に寄与しない反応液と少なくとも酸化剤又は酸素を含んだ酸化媒体とを除去することがフェライト膜の形成速度を向上させ、しかも均質な柱状結晶構造が得られるようになることの詳細な原因は明らかでないが、流動する除去溶液の粘性によってフェライト膜の形成に寄与しない残りの（不要な）部分が除去されることにより、固体表面以外での副次的なフェライト微粒子の形成が抑制され、又固体表面に均一にＦｅ２＋を吸着させるものと考えられる。
【００２２】
尚、流動する除去溶液には純水を用いることが好ましいが、その他にも反応液と酸化剤又は酸素を含んだ酸化媒体とを含有する溶液を循環させて用いるようにしても良い。
【００２３】
図１は、本発明のフェライト膜の製造装置の要部構成を示した概略斜視図である。
【００２４】
このフェライト膜の製造装置は、フェライト膜を形成するためのフィルム状の基体７を巻回した回転可能な供給側の供給ロール４，この供給ロール４から供給される基体７を巻回する回転可能な巻き取り側の巻き取りロール５を含むと共に、基体７を供給ロール４，巻き取りロール５の間で連続的に搬送供給するための搬送機構と、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体７表面上に接触可能であると共に、反応液を噴出する部分のノズル１を含む反応液接触機構と、少なくとも酸化剤又は酸素を含んだ酸化媒体を反応液を接触させた基体７表面上に接触可能であると共に、酸化媒体を噴出する部分のノズル２を含み、且つ酸化媒体の接触により基体７表面上にフェライトメッキ法によりフェライト膜を形成可能な酸化媒体接触機構と、基体７表面上にあっての反応液及び酸化媒体のうちのフェライト膜の形成に寄与しない残りの部分を基体７表面上から除去するための除去溶液９を貯溜した容器８と、容器８内の除去溶液９中で基体７にあっての少なくともフェライト膜を形成する箇所を含むように搬送機構により搬送供給される部分を支持すると共に、所定の温度に保たれる支持部材６と、容器８中の除去溶液９を循環させて流動させるための液循環機構としてのポンプ３とを備えている。
【００２５】
このうち、反応液接触機構のノズル１及び酸化媒体接触機構のノズル２は、２本一組として基体７の供給方向に沿って所定の複数単位で所定の間隔を成して設置されている他、基体７にあっての搬送機構により搬送供給される部分（供給ロール４，巻き取りロール５の間の所定の寸法部分を示す）と、反応液接触機構のノズル１と、酸化媒体接触機構のノズル２と、ポンプ３の除去溶液９に対する吸い上げ口を持つ管端及び吐き出し口を持つ管端とを容器８内の除去溶液９中に浸すように設置して成り、搬送機構により供給ロール４，巻き取りロール５の間で基体７を反応液接触機構のノズル１及び酸化媒体接触機構のノズル２の近傍を通るように連続的に搬送供給可能に構成されている。
【００２６】
このフェライト膜の製造装置の場合、上述した基体７にあっての搬送機構により搬送供給される部分と、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体７表面上に接触させるための反応液接触機構のノズル１と、少なくとも酸化剤又は酸素を含んだ酸化媒体を反応液を接触させた基体７表面上に接触させることで基体７表面上にフェライト膜を形成するための酸化媒体接触機構のノズル２と、ポンプ（液循環機構）３にあっての除去溶液９に対する吸い上げ口及び吐き出し口とを容器８内の除去溶液９中に浸すように設置しているので、フェライト膜の形成に際して、容器８内の流動する除去溶液９中で反応液及び酸化媒体のうちのフェライト膜の形成に寄与しない残りの部分を効果的に基体７表面上から除去しつつ基体７表面上の所定箇所に形成されるフェライト膜の形成速度を向上させることができるようになり、この結果、フェライトメッキ法によって形成されるフェライト膜の工業的な生産性を増大できると共に、均質な柱状結晶の集合体構造を持つ高品質なフェライト膜を製造することができる。
【００２７】
以下は、図１に示した本発明のフェライト膜の製造装置と図２に示す本発明の比較例に係るフェライト膜の製造装置とを用いてフェライト膜を製造した場合について、実施例１〜４、並びに比較例１，２を挙げ、これらを対比して具体的に説明する。
【００２８】
［実施例１〜４］
実施例１〜４では、先ず純水１リットルに対してＦｅＣｌ２・４Ｈ２Ｏを３．３ｇ、ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏを１．２５ｇ、ＺｎＣｌ２を０．０２５ｇそれぞれ溶解した反応液を作製した。又、別の溶液として、純水１リットルに対してＮａＮＯ２を０．３ｇ、ＣＨ３ＣＯＯＮＨ４を５ｇ溶解した酸化液を作製した。
【００２９】
そこで、これらの溶液を用いて、図１に示した製造装置を用いて実施例１〜４に係るフェライト膜を作製した。但し、ここでのフェライト膜の製造条件として、実施例１〜４では製造装置に窒素ガスを１．５リットル／分で供給して非酸化性雰囲気を得ておき、ノズル１から噴出される反応液の流量、並びにノズル２から噴出される酸化液の流量を３０ミリリットル／分に調整すると共に、ポンプ３で流動循環される容器８内の除去溶液９の流量をそれぞれ０．５，１，５，５リットル／分とし、フェライト膜を形成する基体７の温度を支持部材６のヒータを用いて９０℃に保つように調節した上でフェライト膜の成膜時間をそれぞれ１，１，１，５時間とした。
【００３０】
［比較例１，２］
比較例１，２では、先ず純水１リットルに対してＦｅＣｌ２・４Ｈ２Ｏを３．３ｇ、ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏを１．２５ｇ、ＺｎＣｌ２を０．０２５ｇそれぞれ溶解した反応液を作製した。又、別の溶液として、純水１リットルに対してＮａＮＯ２を０．３ｇ、ＣＨ３ＣＯＯＮＨ４を５ｇ溶解した酸化液を作製した。
【００３１】
そこで、これらの溶液を用いて、図２に示した製造装置を用いて比較例１，２に係るフェライト膜を作製した。因みに、この製造装置は、図１に示したものと異なり、回転台１３上に載置された基体７の近傍に対して反応液を噴出するためのノズル１１と酸化液を噴出するためのノズル１２とを並設した構成となっている。但し、ここでのフェライト膜の製造条件として、比較例１，２では製造装置に窒素ガスを１．５リットル／分で供給して非酸化性雰囲気を得ておき、回転台１３を１５０ｒｐｍで回転させながらノズル１１から噴出される反応液の流量、並びにノズル１２から噴出される酸化液の流量を３０ミリリットル／分に調整して基体１０に供給し、フェライト膜を形成する基体１０の温度を図示されない支持部材のヒータを用いて９０℃に保つように調節した上でフェライト膜の形成をそれぞれ回転台１３の１回転を１サイクルとする１００００サイクル（比較例１）、５００００サイクル（比較例２）として幾つかの試料を得るように行った。
【００３２】
表１は、上述した実施例１〜４、及び比較例１，２で得られた各フェライト膜の結晶における長軸ａ，短軸ｂの値、長軸ａ，短軸ｂの比ａ／ｂ、及び生膜（形成）速度を調べた結果を示したものである。
【００３３】
【表１】
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【００３４】
表１からは、実施例１〜３に係る各フェライト膜の場合、流動循環する除去溶液９の流量の増加に伴って結晶の長軸ａ，短軸ｂの値、並びに長軸ａ，短軸ｂの比ａ／ｂが増加していることが判る。尚、実施例４の比ａ／ｂは実施例３の比ａ／ｂよりも低下しているが、これは成膜時間を５時間として長くし過ぎたことによると考えられる。これにより、実施例１〜３の各フェライト膜では結晶の長軸ａ，短軸ｂの値、並びに比ａ／ｂを制御したフェライト膜が得られたことを示している。これに対して、比較例１，２の各フェライト膜では、サイクルを増加させても結晶の長軸ａ，短軸ｂの値、並びに比ａ／ｂにバラツキがあり、長軸ａ，短軸ｂの値や比ａ／ｂが制御されていないことが判る。又、表１からは、実施例１〜４で容器８内の除去溶液９の流量を上昇させて得られたフェライト膜（実施例２〜４）の成膜速度は、比較例１，２のものと比べて約１０倍以上となり、成膜速度が向上したフェライト膜が得られることも判る。
【００３５】
図３は、上述した実施例１〜４に係るフェライト膜の断面形状を示した模式図である。又、図４は、同様に上述した比較例１，２に係るフェライト膜の断面形状を示した模式図である。
【００３６】
図３を参照すれば、実施例１〜４に係るフェライト膜の場合、基体７上に均質な柱状結晶の集合体構造を持ったフェライト結晶１４が成膜されており、フェライト膜の品質が向上していることが判る。これに対し、図４を参照すれば、比較例１，２に係るフェライト膜の場合、基体１０上に不均質な柱状結晶の集合体構造を持ったフェライト結晶１５が成膜されており、フェライト結晶１４と比べて品質が劣化していることが判る。
【００３７】
尚、上述した本発明の製造装置により得られるフェライト膜において、柱状結晶の長軸ａ，短軸ｂの値が０．０１μｍを下回る場合には均質なフェライト膜が得られないために本発明の適用範囲から除外する。又、長軸ａの値が５０μｍを上回った場合や、短軸ｂの値が１μｍを上回った場合にも、得られるフェライト膜の実質的な機械的強度が低下するために本発明の適用範囲から除外する。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明のフェライト膜の製造装置の要部構成を示した概略斜視図である。
【図２】本発明の比較例に係るフェライト膜の製造装置の基本構成を示した概略図である。
【図３】図１に示す製造装置により製造された実施例１〜４に係るフェライト膜の断面形状を示した模式図である。
【図４】図２に示す製造装置により製造された比較例１，２に係るフェライト膜の断面形状を示した模式図である。
【符号の説明】
【００３９】
１，２，１１，１２    ノズル
３    ポンプ
４    基体供給ロール
５    基体巻き取りロール
６    基体支持部材
７，１０    基体
８    容器
９    除去溶液
１３    回転台
１４，１５    フェライト結晶
【図１】
2005179698.tif 000004
【図２】
2005179698.tif 000005
【図３】
2005179698.tif 000006
【図４】
2005179698.tif 000007