(57)【要約】【課題】  工程数の削減を達成し、生産性の向上が可能となる有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】  電極２３、５０に形成された発光機能層６０を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置であって、発光機能層６０は、発光材料と自己組織化単分子膜ＳＡＭの材料を有し、当該自己組織化膜ＳＡＭは少なくとも一方の電極２３の表面に形成されてなることを特徴とする。【選択図】  図５
2005085731.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極間に形成された発光機能層を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記発光機能層は、発光材料と自己組織化単分子膜との材料を有し、
当該自己組織化膜は、少なくとも一方の前記電極の表面に形成されてなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記自己組織化単分子膜は、次の式（１）に示す分子構造を有していることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
Ｘ−（ＣＨ２）ｎ−Ｙ  …  （１）
Ｘ：前記電極と結合する基
Ｙ：前記発光材料側に配置される基
【請求項３】
前記Ｘの基は、シラノール基（−Ｓｉ（ＯＨ）３）、トリクロロシリル基（−ＳｉＣｌ３）、トリエトキシシリル基（−Ｓｉ（ＯＥｔ）３）、トリメトキシシリル基（−Ｓｉ（ＯＭｅ）３）、チオール基（−ＳＨ）、ヒドロキシル基（−ＯＨ）、アミノ基（−ＮＨ２）、リン酸基（−ＰＯ３Ｈ２）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、スルホン酸基（−ＳＯ３Ｈ）、リン酸クロリド基（−ＰＯ２Ｃｌ２）、カルボン酸クロリド基（−ＣＯＣｌ）、及びスルホン酸クロリド基（−ＳＯ２Ｃｌ）、のうちいずれかからなることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記Ｙの基は、メチル基（ＣＨ３）、トリフルオロメチル基（ＣＦ３）、芳香族官能基、ベンゼン誘導体からなる基、ビフェニル誘導体からなる基、トリアリールアミン誘導体からなる基、及びフタロシアニン誘導体からなる基、のうちいずれかからなることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記ｎの数は、０〜１０であることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
電極間に形成された発光機能層を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
発光材料と自己組織化単分子膜の材料とが混合された混合材料を、少なくとも一方の前記電極の表面に塗布することによって、前記発光機能層を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項７】
液相法を用いることにより、前記混合材料を塗布することを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項８】
前記液相法は、液滴吐出法であることを特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイに替わる自発発光型ディスプレイとして、有機物を用いた有機エレクトロルミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」と略称する）装置の開発が加速している。このような有機ＥＬ装置においては、陽極と陰極との間に、正孔注入／輸送層（以下、「ホール輸送層」と称する）と発光層とが積層形成された構造が一般的に知られている。
また、有機ＥＬ装置の製造方法においては、ホール輸送層材料及び発光層材料として高分子系材料を採用し、これを各層毎に液相法で形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−１４２２６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来技術においては、ホール輸送層及び発光層の各層を形成する工程が必要になり、工程増による生産効率の低下を招くという問題があった。
【０００４】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、工程数の削減を達成し、生産性の向上が可能となる有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の有機ＥＬ装置は、電極間に形成された発光機能層を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記発光機能層は発光材料と自己組織化単分子膜の材料を有し、当該自己組織化膜は少なくとも一方の電極の表面に形成されてなることを特徴としている。
ここで、自己組織化単分子膜の材料とは、種種の公知の材料が採用されるものであり、このような材料が陽極又は陰極に液相状態で接触することで、陽極又は陰極の表面に自己組織化的に単分子膜が形成されるものである。
更に、このような自己組織化単分子膜は、例えば陽極に形成した場合には発光材料に対して好適にホールを注入／輸送する性質を有し、又は陰極に形成した場合には発光材料に対して好適に電子を注入／輸送する性質を有するものである。
従って、発光機能層に含まれた自己組織化単分子膜の材料が自己組織化的に一方の電極の表面に形成される。また、当該自己組織化単分子膜は、ホール注入／輸送性又は電子注入／輸送性を兼ね備えるので、上記従来のようにホール輸送層及び発光層それぞれを別の工程で形成する必要がなく、一工程で発光機能層を形成できるので、工程数の削減と、生産性の向上を達成できる。
なお、本発明で「ホール輸送層」はホール注入性を有する「ホール注入層」としての意味も含むもの、また、「電子輸送層」は電子注入性を有する「電子注入層」としての意味も含むものとして説明する。
【０００６】
また、前記有機ＥＬ装置においては、前記自己組織化単分子膜は、Ｘ−（ＣＨ２）ｎ−Ｙに示す分子構造を有していることが好ましい。
ここで、Ｘは電極と結合する基、Ｙは発光材料側に配置される基、をそれぞれ意味している。
また、前記Ｘの基は、シラノール基（−Ｓｉ（ＯＨ）３）、トリクロロシリル基（−ＳｉＣｌ３）、トリエトキシシリル基（−Ｓｉ（ＯＥｔ）３）、トリメトキシシリル基（−Ｓｉ（ＯＭｅ）３）、チオール基（−ＳＨ）、ヒドロキシル基（−ＯＨ）、アミノ基（−ＮＨ２）、リン酸基（−ＰＯ３Ｈ２）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、スルホン酸基（−ＳＯ３Ｈ）、リン酸クロリド基（−ＰＯ２Ｃｌ２）、カルボン酸クロリド基（−ＣＯＣｌ）、及びスルホン酸クロリド基（−ＳＯ２Ｃｌ）、のうちいずれかからなることが好ましい。
また、前記Ｙの基は、メチル基（ＣＨ３）、トリフルオロメチル基（ＣＦ３）、芳香族官能基、ベンゼン誘導体からなる基、ビフェニル誘導体からなる基、トリアリールアミン誘導体からなる基、及びフタロシアニン誘導体からなる基、のうちいずれかを含んでいることが好ましい。
【０００７】
このようにすれば、好適な自己組織単分子膜を形成できるので、先に記載した同様の効果を奏する。
また、このような自己組織化単分子膜においては、種種の電極材料に応じて、上記の電極と結合する基を選択するのが好ましい。例えば、電極材料が金や銀等の貴金属系である場合には、電極と結合する基としてチオール基を有した自己組織化単分子膜を採用するのが好適であり、また、電極材料がガラス基板やＩＴＯ等の酸化物を有している場合には、当該基としてシロキサン基を有した自己組織化単分子膜を採用するのが好適である。
また、発光材料側に配置される基として、芳香族官能基（ベンゼン核）を採用するのが好ましい。この場合、ベンゼン核が電子供与性を有しているので、当該ベンゼン核の周辺の官能基が電子過剰状態になるので、親液性を高めることができる。
また、発光材料側に配置される基は、ホール注入／輸送性を有する官能基であることが好ましい。
【０００８】
また、前記有機ＥＬ装置においては、前記ｎの数は０〜１０であることが好ましい。
アルキル基の長さは、ｎの数が大きくなると自己組織化膜が絶縁性を有することが報告されている。従って、本発明においては、ｎの数が０〜１０としているので導電性を有する自己組織単分子膜を形成することが可能となり、ホール輸送性や電子輸送性を好適に得ることができる。
【０００９】
また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、電極間に形成された発光機能層を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、発光材料と自己組織化単分子膜の材料とが混合された混合材料を、少なくとも一方の電極の表面に塗布することによって、前記発光機能層を形成することを特徴としている。
このようにすれば、発光機能層に含まれた自己組織化単分子膜の材料が自己組織化的に一方の電極の表面に形成される。また、当該自己組織化単分子膜は、ホール注入／輸送性又は電子注入／輸送性を兼ね備えるので、上記従来のようにホール輸送層及び発光層それぞれを別の工程で形成する必要がなく、一工程で発光機能層を形成できるので、工程数の削減と、生産性の向上を達成できる。
【００１０】
また、前記有機ＥＬ装置の製造方法においては、液相法を用いることにより、前記混合材料を塗布することが好ましい。
ここで、液相法とは、ウエットプロセスもしくは湿式塗布法とも呼ばれており、基板と液体材料とを接触状態にする方法であって、インクジェット（液滴吐出）法、スピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレー成膜法、印刷法、液体吐出法等を意味している。なお、液相法を施した後には、液体材料を乾燥・加熱するための加熱処理を施すのが一般的である。
当該液相法は高分子材料を成膜するには好適な方法であり、気相法と比較して真空装置等の高価な設備を用いることなく安価に有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００１１】
また、前記有機ＥＬ装置の製造方法においては、前記液相法は、液滴吐出法であることが好ましい。
液滴吐出法とは、いわゆるインクジェットプリンタでよく知られているカラー印刷技術であり、各種材料を液状化させた材料インクの液滴を、インクジェットヘッドから透明基板上に吐出し、定着させるものである。液滴吐出法によれば、微細な領域に材料インクの液滴を正確に吐出できるので、フォトリソグラフィを行うことなく、所望の着色領域に直接材料インクを定着させることができる。従って、材料の無駄も発生せず、製造コストの低減も図れ、非常に合理的な方法となる。
従って、液滴吐出法を用いることにより、安価かつ正確に発光機能層を形成することができる。
【００１２】
また、本発明の電子機器は、上述の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴としている。
これにより、安価な電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を詳しく説明する。
まず、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法を説明するに先立ち、本発明の製造方法によって得られる有機ＥＬ装置の配線構造を、図１を参照して説明する。
図１に示す有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ではＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス方式の装置である。
【００１４】
この有機ＥＬ装置１は、図１に示すように、複数の走査線１０１…と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２…と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３…とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１…と信号線１０２…の各交点付近に、画素領域Ｘ…が設けられている。
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００１５】
さらに、画素領域Ｘ各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）２３と、この画素電極２３と陰極５０との間に挟み込まれた機能層１１０（後述では発光機能層と電子輸送層とに相当する）とが設けられている。
【００１６】
この有機ＥＬ装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ、更に機能層１１０を介して陰極５０に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００１７】
次に、図１に示した有機ＥＬ装置１の具体的な構成を図２〜図７を参照して説明する。
この有機ＥＬ装置１は、図２に示すように光透過性と電気絶縁性を備える基板２０と、スイッチング用ＴＦＴ（図示せず）に接続された画素電極が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる画素電極域（図示せず）と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線（図示せず）と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図２中一点鎖線枠内）とを具備して構成されている。また、画素部３は、中央部分の実表示領域４（図２中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００１８】
実表示領域４には、それぞれ画素電極を有する表示領域Ｒ、Ｇ、ＢがＡ−Ｂ方向およびＣ−Ｄ方向に離間して配置されている。
また、実表示領域４の図２中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置されている。これら走査線駆動回路８０、８０は、ダミー領域５の下側に配置されたものである。
【００１９】
さらに、実表示領域４の図２中上側には、検査回路９０が配置されている。この検査回路９０は、有機ＥＬ装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されたものである。なお、この検査回路９０も、ダミー領域５の下側に配置されたものである。
【００２０】
走査線駆動回路８０および検査回路９０は、その駆動電圧が、所定の電源部から駆動電圧導通部３１０（図３参照）および駆動電圧導通部３４０（図４参照）を介して、印加されるよう構成されている。また、これら走査線駆動回路８０および検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、この有機ＥＬ装置１の作動制御を行う所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部３２０（図３参照）および駆動電圧導通部３５０（図４参照）を介して、送信および印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。
【００２１】
有機ＥＬ装置１は、図３、図４に示すように、基板２０と封止基板３０とが封止樹脂４０を介して貼り合わされてなるものである。基板２０、封止基板３０および封止樹脂４０で囲まれた領域においては、封止基板３０の内面に乾燥剤４５が貼着されている。また、その空間部は窒素ガスが充填されて窒素ガス充填層４６となっている。このような構成のもとに、有機ＥＬ装置１内部に水分や酸素が浸透するのが抑制され、これにより有機ＥＬ装置１はその長寿命化が図られたものとなっている。なお、乾燥剤４５に代えてゲッター剤を用いてもよい。
【００２２】
基板２０としては、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の場合、この基板２０の対向側である封止基板３０側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。
また、いわゆるバックエミッション型の有機ＥＬ装置の場合には、基板２０側から発光光を取り出す構成であるので、基板２０としては、透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。なお、本実施形態では、基板２０側から発光光を取り出すバックエミッション型とし、よって基板２０としては透明あるいは半透明のものを用いるようにする。
封止基板３０としては、例えば電気絶縁性を有する板状部材を採用することができる。また、封止樹脂４０は、例えば熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂からなるものであり、特に熱硬化樹脂の一種であるエポキシ樹脂よりなっているのが好ましい。
【００２３】
また、基板２０上には、画素電極２３を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成されており、更に当該回路部１１上には図５に示すように、陽極として機能する画素電極２３と、正孔注入／輸送性を備えると共に発光能を有する発光機能層６０と、電子輸送層６５と、陰極５０とが順に形成されたことによって構成されたものである。
なお、本実施形態においては、電子輸送層６５を設けた構成について説明するが、必ずしも電子輸送層６５を設ける必要はなく、有機ＥＬ装置１の形態に応じて当該電子輸送層６５の有無が決定される。
【００２４】
また、本発明の有機ＥＬ装置１は、図２に示したように赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）をそれぞれ発光するドットをその実表示領域４に有し、これによりフルカラー表示をなすものとなっている。図５に拡大図を示したように、発光機能層６０と陰極５０との間には、陰極５０からの電子を注入／輸送する電子輸送層６５が形成されており、当該電子輸送層６５は、青（Ｂ）、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）の発光色種類に応じて、その材料構成が選択されている。
【００２５】
このような構成のもとに、画素電極２３から供給された正孔と、陰極５０から供給された電子とが発光機能層６０において結合することにより、発光光を発生するようになっている。
【００２６】
陽極として機能する画素電極２３は、本例ではバックエミッション型であることから透明導電材料によって形成されている。透明導電材料としてはＩＴＯが好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zinc Oxide ：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）等を用いることができる。なお、本実施形態ではＩＴＯを用いるものとするが、これに代えて、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ等を用いることも可能である。
画素電極２３の膜厚については、５０〜２００ｎｍとするのが好ましく、１５０ｎｍ程度とするのが特に好ましい。
【００２７】
電子輸送層６５を形成するための材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又は希土類金属のハロゲン化物あるいは酸化物によって形成されている。アルカリ金属としては例えばＬｉ、Ｎａ、Ｃｓが用いられ、アルカリ土類金属としては例えばＣａ、Ｂａ、Ｓｒが用いられ、希土類金属としては例えばＳｍ、Ｔｂ、Ｅｒが用いられる。これら金属は、特にフッ化物として用いられ形成されているのが好ましいが、これ以外のハロゲン化物、すなわち塩化物や臭化物としてもよく、また、酸化物としてもよい。
【００２８】
このような化合物から形成される電子輸送層６５の膜厚としては、０．５〜１０ｎｍとするのが好ましく、特に５ｎｍ以下の極薄膜とするのが好ましい。また、このような電子輸送層５の形成については、後述するようにインクジェット法等の液滴吐出法で行うのが、前記分散液の塗布を行った場合に、数ｎｍオーダーの薄膜形成が可能となるため好ましい。前記超微粒子の分散に用いる分散媒としては、水、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ジメチルケトンなどの極性溶媒を用いるのが、前記発光機能層６０を再溶解しないことから好ましい。
【００２９】
陰極５０は、図３〜図５に示すように、実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されている。
陰極５０を形成するための材料としては、発光機能層６０側（下部側）には仕事関数が小さい材料を形成することが望ましく、例えばＣａ、Ｂａなどが用いられている。また、上部側（封止側）には発光機能層６０側よりも仕事関数が高い材料、例えばＡｌを用いられている。陰極５０の膜厚については、１００〜１０００ｎｍとするのが好ましく、特に２００〜５００ｎｍ程度とするのが好ましい。なお、本実施形態はバックエミッション型であることから、この陰極５０は特に光透過性である必要はない。
【００３０】
発光機能層６０を形成するための材料は、発光材料と自己組織化単分子膜を形成する材料とを混合させたものが用いられる。
発光材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、またはこれら高分子材料にルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることもできる。
【００３１】
このような発光機能層６０の材料を液状化するための溶媒としては、極性溶媒もしくは非極性溶媒が用いられる。特に、発光機能層形成材料を後述するようにインクジェット法（液滴吐出法）等によって塗布する場合には、極性溶媒として、水、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート等のグリコールエーテル類等を用いることもできる。また、非極性溶媒として、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、またはこれらの混合物を用いることが好ましい。また、スピンコート法やディップ法によって塗布する場合には、トルエン、キシレン等が好適に用いられる。
【００３２】
自己組織化単分子膜の材料は、上記の発光材料及び溶媒に混合させて用いられるものであり、当該混合液をインクジェット法等により画素電極２３上に吐出（塗布）することにより、当該画素電極２３表面に単分子膜が形成されるものである。
図６を参照して自己組織化単分子膜の模式図について説明すると、インクジェット法を用いた場合は、図６（ａ）に示すように液滴吐出ヘッドＨから発光材料ＥＭと自己組織化単分子膜ＳＡＭの材料との混合液ＬＱを画素電極２３に吐出すると、図６（ｂ）に示すように画素電極２３表面に自己組織化単分子膜ＳＡＭが形成される。ここで、自己組織化単分子膜ＳＡＭの部分拡大図Ｔを図６（ｃ）に示すと、自己組織化単分子膜ＳＡＭは、電極と結合する基（Ｘ）と、発光材料ＥＭ側に配置される基（Ｙ）と、直鎖分子とから構成されている。
【００３３】
次に、図５の要部について説明する。
図７は図５における画素電極２３、発光機能層６０、電子輸送層６５、及び陰極５０を示す図である。
図７に示す発光機能層６０においては、図６（ａ）、（ｂ）に示したように混合液ＬＱを吐出することで、自己組織化単分子膜ＳＡＭが画素電極２３表面に配置され、更に、乾燥処理等の熱処理を施すことによって、画素電極２３上に自己組織化単分子膜ＳＡＭと発光材料ＥＭとが形成されている。更に、発光機能層６０の上方に電子輸送層６５と陰極５０とが積層形成されることで、有機ＥＬ装置１が構成されている。
この自己組織化単分子膜ＳＡＭは、画素電極２３表面に形成されることにより、発光機能層６０の発光材料ＥＭに対して好適にホールを注入／輸送する性質を有するものとなり、所謂ホール輸送層として機能する。
【００３４】
次に、自己組織化単分子膜ＳＡＭの分子構造について詳述する。
本発明における自己組織化単分子膜の分子構成は、Ｘ−（ＣＨ２）ｎ−Ｙで表される。ここで、Ｘは電極と結合する基、Ｙは発光材料側に配置される基、（ＣＨ２）ｎは直鎖分子を、それぞれ示している。
【００３５】
電極と結合する基Ｘとしては、例えば、シラノール基（−Ｓｉ（ＯＨ）３）、トリクロロシリル基（−ＳｉＣｌ３）、トリエトキシシリル基（−Ｓｉ（ＯＥｔ）３）、トリメトキシシリル基（−Ｓｉ（ＯＭｅ）３）、チオール基（−ＳＨ）、ヒドロキシル基（−ＯＨ）、アミノ基（−ＮＨ２）、リン酸基（−ＰＯ３Ｈ２）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、スルホン酸基（−ＳＯ３Ｈ）、リン酸クロリド基（−ＰＯ２Ｃｌ２）、カルボン酸クロリド基（−ＣＯＣｌ）、及びスルホン酸クロリド基（−ＳＯ２Ｃｌ）、のうちいずれかからなることが好ましい。
また、このような基Ｘは、画素電極材料の種類に応じて適宜選択される。例えば、本実施形態に示すように画素電極材料がＩＴＯである場合には、シロキサン結合を形成する自己組織化単分子膜ＳＡＭを選択するが好適である。
なお、電極材料が金や銀等の貴金属系である場合には、電極と結合する基としてチオール基を有した自己組織化単分子膜を採用するのが好適である。
【００３６】
また、発光材料ＥＭ側に配置される基Ｙとしては、メチル基（ＣＨ３）、トリフルオロメチル基（ＣＦ３）、芳香族官能基、ベンゼン誘導体からなる基、ビフェニル誘導体からなる基、トリアリールアミン誘導体からなる基、及びフタロシアニン誘導体からなる基、のうちいずれかからなることが好ましい。
また、このような基Ｙとして、芳香族官能基（ベンゼン核）を採用した場合には、ベンゼン核が電子供与性を有しているので、当該ベンゼン核の周辺の官能基が電子過剰状態になり、親液性を高めることができる。
また、基Ｙとしてホール注入／輸送性を有する官能基であることが好ましい。
【００３７】
また、直鎖分子（ＣＨ２）ｎにおけるｎの数は０〜１０であることが好ましい。このようにｎの数を規定することにより、導電性を有する自己組織単分子膜ＳＡＭを形成することが可能となり、ホール輸送性を好適に得ることができる。
【００３８】
次に、自己組織化単分子膜ＳＡＭとなる具体的な材料として、下記の「化１」から「化５」に示す化学式を例示する。
ここで、「化１」に示す物質は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−1，1’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine）、「化２」に示す物質は、４，４‘−ビス[（ｐ−トリメトキシシリルプロピルフェニル）フェニルアミノ]ビフェニル（4,4'-bis[(p-trimethoxysilylpropylphenyl)phenylamino]biphenyl）、「化３」に示す物質は、トリス（ｐ−トリメトキシシリルプロピルフェニル）アミン（tris(p-trimethoxysilylpropylphenyl)amine）、「化４」に示す物質は、n-ブチルトリメトキシシラン（n-butyltrimethoxysilane）、「化５」に示す物質は、メチルトリメトキシシラン（methyltrimethoxysilane）である。
【００３９】
【化１】
2005085731.tif 000003
【００４０】
【化２】
2005085731.tif 000004
【００４１】
【化３】
2005085731.tif 000005
【００４２】
【化４】
2005085731.tif 000006
【００４３】
【化５】
2005085731.tif 000007
【００４４】
上述したように、発光機能層６０が自己組織化単分子膜ＳＡＭを具備し、当該自己組織化単分子膜ＳＡＭが画素電極２３上に形成され、更に、その分子構成が好適に選択、規定されているので、発光機能層６０は発光能とホール注入／輸送性とを兼ね備えたものとなる。
【００４５】
また、このような発光素子の下方には、図５に示したように回路部１１が設けられている。この回路部１１は基板２０上に形成されたものである。すなわち、基板２０の表面にはＳｉＯ２ を主体とする下地保護層２８１が下地として形成され、その上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ２ および／またはＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。
【００４６】
また、前記シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は、図示しない走査線１０１の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ２を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。
【００４７】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain ）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、前述した電源線１０３（図１参照、図５においてはソース電極２４３の位置に紙面垂直方向に延在する）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００４８】
ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層は、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする第２層間絶縁層２８４によって覆われている。この第２層間絶縁層２８４は、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ２ などを用いることもできる。そして、ＩＴＯからなる画素電極２３が、この第２層間絶縁層２８４の表面上に形成されるとともに、該第２層間絶縁層２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
【００４９】
なお、走査線駆動回路８０および検査回路９０に含まれるＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）、すなわち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型のＴＦＴは、画素電極２３と接続されていない点を除いて前記駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造とされている。
【００５０】
画素電極２３が形成された第２層間絶縁層２８４の表面は、画素電極２３と、例えばＳｉＯ２ などの親液性材料を主体とする親液性制御層２５と、アクリルやポリイミドなどからなる有機バンク層２２１とによって覆われている。そして、画素電極２３には親液性制御層２５に設けられた開口部２５ａ、および有機バンク２２１に設けられた開口部２２１ａの開口内部に、正孔輸送層７０と、発光機能層６０とが画素電極２３側からこの順で積層されている。なお、本実施形態における親液性制御層２５の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層２２１を構成するアクリル、ポリイミドなどの材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。
以上に説明した基板２０から第２層間絶縁層２８４までの層が、回路部１１を構成するものとなっている。
【００５１】
なお、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、前述したようにカラー表示を行うべく、各発光機能層６０が、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応して形成されている。例えば、発光機能層６０として、発光波長帯域が赤色に対応した赤色用発光機能層６０Ｒ、緑色に対応した緑色用発光機能層６０Ｇ、青色に対応した青色用有機ＥＬ層６０Ｂとをそれぞれに対応する表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂに設け、これら表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂをもってカラー表示を行う１画素が構成されている。また、各色表示領域の境界には、金属クロムをスパッタリングなどにて成膜した図示略のＢＭ（ブラックマトリクス）が、有機バンク層２２１と親液性化制御層２５との間に位置して形成されている。
【００５２】
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１の製造方法により、本発明の製造方法の一例を、図８〜図１２を参照して説明する。なお、図８〜図１２に示す各断面図は、図２中のＡ−Ｂ線の断面図に対応した図である。
まず、図８（ａ）に示すように、基板２０の表面に、下地保護層２８１を形成する。次に、下地保護層２８１上に、ＩＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層５０１を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層とする。
【００５３】
次いで、図８（ｂ）に示すように、ポリシリコン層をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、島状のシリコン層２４１、２５１および２６１を形成する。これらのうちシリコン層２４１は、表示領域内に形成され、画素電極２３に接続される駆動用ＴＦＴ１２３を構成するものであり、シリコン層２５１、２６１は、走査線駆動回路８０に含まれるＰチャネル型およびＮチャネル型のＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）をそれぞれ構成するものである。
【００５４】
次に、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法などにより、シリコン層２４１、２５１および２６１、下地保護層２８１の全面に厚さが約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコン酸化膜によって、ゲート絶縁層２８２を形成する。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を形成する際には、シリコン層２４１、２５１および２６１の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。
【００５５】
また、シリコン層２４１、２５１および２６１にチャネルドープを行う場合には、例えば、このタイミングで約１×１０１２／ｃｍ２ のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４１、２５１および２６１は、不純物濃度（活性化アニール後の不純物にて算出）が約１×１０１７／ｃｍ３ の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。
【００５６】
次に、Ｐチャネル型ＴＦＴ、Ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル層の一部にイオン注入選択マスクを形成し、この状態でリンイオンを約１×１０１５／ｃｍ２のドーズ量でイオン注入する。その結果、パターニング用マスクに対してセルフアライン的に高濃度不純物が導入されて、図８（ｃ）に示すように、シリコン層２４１及び２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓおよび２６１Ｓ並びに高濃度ドレイン領域２４１Ｄおよび２６１Ｄが形成される。
【００５７】
次に、図８（ｃ）に示すように、ゲート絶縁層２８２の表面全体に、ドープドシリコンやシリサイド膜、あるいはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜という金属膜からなるゲート電極形成用導電層５０２を形成する。この導電層５０２の厚さは概ね５００ｎｍ程度である。その後、パターニング法により、図８（ｄ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２５２、画素用ＴＦＴを形成するゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２６２を形成する。また、駆動制御信号導通部３２０（３５０）、陰極電源配線の第１層１２１も同時に形成する。なお、この場合、駆動制御信号導通部３２０（３５０）はダミー領域５に配設するものとされている。
【００５８】
続いて、図８（ｄ）に示すように、ゲート電極２４２，２５２および２６２をマスクとして用い、シリコン層２４１，２５１および２６１に対してリンイオンを約４×１０１３／ｃｍ２ のドーズ量でイオン注入する。その結果、ゲート電極２４２，２５２および２６２に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入され、図８（ｄ）に示すように、シリコン層２４１および２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂおよび２６１ｂ、並びに低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび２６１ｃが形成される。また、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄが形成される。
【００５９】
次に、図９（ｅ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴ２５２以外の部分を覆うイオン注入選択マスク５０３を形成する。このイオン注入選択マスク５０３を用いて、シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１０１５／ｃｍ２ のドーズ量でイオン注入する。結果として、Ｐチャネル型駆動回路用ＴＦＴを構成するゲート電極２５２もマスクとして機能するため、シリコン層２５２中にセルフアライン的に高濃度不純物がドープされる。したがって、低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄはカウンタードープされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域となる。
【００６０】
次いで、図９（ｆ）に示すように、基板２０の全面にわたって第１層間絶縁層２８３を形成するとともに、フォトリソグラフィ法を用いて該第１層間絶縁層２８３をパターニングすることにより、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極に対応する位置にコンタクトホールＣを形成する。
【００６１】
次に、図９（ｇ）に示すように、第１層間絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタルなどの金属からなる導電層５０４を形成する。この導電層５０４の厚さは概ね２００ｎｍないし８００ｎｍ程度である。この後、導電層５０４のうち、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極が形成されるべき領域２４０ａ、駆動電圧導通部３１０（３４０）が形成されるべき領域３１０ａ、陰極電源配線の第２層が形成されるべき領域１２２ａを覆うようにパターニング用マスク５０５を形成するとともに、該導電層５０４をパターニングして、図１０（ｈ）に示すソース電極２４３、２５３、２６３、ドレイン電極２４４、２５４、２６４を形成する。
【００６２】
次いで、図１０（ｉ）に示すように、これらが形成された第１層間絶縁層２８３を覆う第２層間絶縁層２８４を、例えばアクリル系樹脂などの高分子材料によって形成する。この第２層間絶縁層２８４は、約１〜２μｍ程度の厚さに形成されることが望ましい。なお、ＳｉＮ、ＳｉＯ２ により第２層間絶縁膜を形成することも可能であり、ＳｉＮの膜厚としては２００ｎｍ、ＳｉＯ２ の膜厚としては８００ｎｍに形成することが望ましい。
【００６３】
次いで、図１０（ｊ）に示すように、第２層間絶縁層２８４のうち、駆動用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対応する部分をエッチングにより除去してコンタクトホール２３ａを形成する。
その後、基板２０の全面を覆うように画素電極２３となる導電膜を形成する。そして、この透明導電膜をパターニングすることにより、図１１（ｋ）に示すように、第２層間絶縁層２８４のコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４と導通する画素電極２３を形成すると同時に、ダミー領域のダミーパターン２６も形成する、なお、図３、４では、これら画素電極２３、ダミーパターン２６を総称して画素電極２３としている。
【００６４】
ダミーパターン２６は、第２層間絶縁層２８４を介して下層のメタル配線へ接続しない構成とされている。すなわち、ダミーパターン２６は、島状に配置され、実表示領域に形成されている画素電極２３の形状とほぼ同一の形状を有している。もちろん、表示領域に形成されている画素電極２３の形状と異なる構造であってもよい。なお、この場合、ダミーパターン２６は少なくとも前記駆動電圧導通部３１０（３４０）の上方に位置するものも含むものとする。
【００６５】
次いで、図１１（ｌ）に示すように、画素電極２３、ダミーパターン２６上、および第２層間絶縁膜上に絶縁層である親液性制御層２５を形成する。なお、画素電極２３においては一部が開口する態様にて親液性制御層２５を形成し、開口部２５ａ（図３、図１１（ｍ）も参照）において画素電極２３からの正孔移動が可能とされている。逆に、開口部２５ａを設けないダミーパターン２６においては、絶縁層（親液性制御層）２５が正孔移動遮蔽層となって正孔移動が生じないものとされている。続いて、親液性制御層２５において、異なる２つの画素電極２３の間に位置して形成された凹状部にＢＭ（図示せず）を形成する。具体的には、親液性制御層２５の前記凹状部に対して、金属クロムを用いスパッタリング法にて成膜する。
【００６６】
次いで、図１１（ｍ）に示すように、親液性制御層２５の所定位置、詳しくは前記ＢＭを覆うように有機バンク層２２１を形成する。具体的な有機バンク層の形成方法としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などのレジストを溶媒に溶解したものを、スピンコート法、ディップコート法などの各種塗布法により塗布して有機質層を形成する。なお、有機質層の構成材料は、後述するインクの溶媒に溶解せず、しかもエッチングなどによってパターニングし易いものであればどのようなものでもよい。
続いて、有機質層をフォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いてパターニングし、有機質層にバンク開口部２２１ａを形成することにより、開口部２２１ａに壁面を有した有機バンク層２２１を形成する。なお、この場合、有機バンク層２２１は、少なくとも前記駆動制御信号導通部３２０の上方に位置するものを含むものとする。
【００６７】
次いで、図１２（ｎ）に示すように、発光機能層形成工程によって発光機能層６０を形成する。
当該発光機能層形成工程においては液相プロセスが採用される。液相プロセスとは、成膜したい材料を溶解もしくは分散させることで液状体とし、この液状体をスピンコート法やディップ法、あるいは液滴吐出法（インクジェット法）等により、薄膜を作製する方法である。なお、スピンコート法やディップ法は全面塗布に適しているのに対し、液滴吐出法は任意の箇所に薄膜をパターニングすることができることから、この発光機能層形成工程においては、液滴吐出法によって前記の発光機能層６０を画素電極２３上に塗布するのが好ましい。また、当該発光機能層形成工程で用いる溶媒としては、前述したように極性溶媒又は非極性溶媒を用いる。
更に、本発明の特徴点となっているように、発光機能層形成工程で用いる材料は、発光材料と自己組織化単分子膜の材料とが混合された混合材料であって、当該混合材料を画素電極２３の表面に塗布することによって、発光機能層６０を形成するものである。
【００６８】
液滴吐出法（インクジェット法）で発光機能層形成工程を選択的に塗布する場合、まず、液滴吐出ヘッド（図示略）に発光機能層材料（図６では混合液ＬＱ）を充填し、液滴吐出ヘッドの吐出ノズルを親液性制御層２５に形成された前記開口部２５ａ内に位置する電極面２３ｃに対向させ、液滴吐出ヘッドと基材（基板２０）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を電極面２３ｃに吐出する。
【００６９】
吐出ノズルから吐出された液滴は、電極面２３ｃ上にて広がり、親液性制御層２５の開口部２５ａ内に満たされる。その一方で、撥インク処理された有機バンク層２２１の上面では、液滴がはじかれて付着しない。したがって、液滴が所定の吐出位置からはずれて有機バンク層２２１の上面に吐出されたとしても、該上面が液滴で濡れることがなく、弾かれた液滴が親液性制御層２５の開口部２５ａ内に転がり込む。
なお、この発光機能層形成工程以降は、発光機能層６０の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うのが好ましい。
【００７０】
このように画素電極２３の表面（電極面２３ｃ）に液滴が吐出されると、図６に示したように自己組織化単分子膜ＳＡＭが画素電極２３表面上に形成される。更に、自己組織化単分子膜ＳＡＭにおいては、基Ｘが画素電極２３側に、基Ｙが発光材料ＥＭ側にそれぞれ自己組織化的に配置される。
その後、乾燥処理および熱処理を行い、発光機能層材料に含まれる分散媒や溶媒を蒸発させることにより、電極面２３ｃ上に発光機能層６０を例えば数ｎｍ〜数百ｎｍオーダーの薄膜に形成する。この乾燥処理については、窒素雰囲気中にて室温で圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度とする条件で行うのが好ましい。また、この乾燥処理後の熱処理については、真空中にて２００℃で１０分間程度とする条件で行うのが好ましい。
【００７１】
なお、この発光機能層形成工程では、前記の液滴吐出法によって例えば青色（Ｂ）の発光機能層形成材料を青色の表示領域に選択的に塗布し、乾燥処理した後、同様にして緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）についてもそれぞれその表示領域に選択的に塗布し、乾燥処理する。乾燥処理としては、液滴吐出法で塗布を行った場合、ホットプレート上にて２００℃以下で加熱して乾燥蒸発させるのが好ましい。なお、スピンコート法またはディップ法によって塗布を行った場合には、基板に窒素を吹き付けるか、あるいは基板を回転させて基板表面に気流を発生させることで乾燥させるのが好ましい。
【００７２】
次いで、図１２（ｏ）に示すように、電子輸送層形成工程によって電子輸送層６５、６５の形成を行う。電子輸送層形成工程では、前記の液滴吐出法によって前述した電子輸送層形成材料を吐出して形成する。
【００７３】
次いで、図１２（ｐ）に示すように、陰極層形成工程によって陰極５０の形成を行う。この陰極層形成工程では、例えば蒸着法やスパッタ法等によってＡｌ等の陰極材料を成膜する。
その後、封止工程によって封止基板３０の形成を行う。この封止工程では、作製した有機ＥＬ素子内部に水や酸素が浸入するのを防ぐため、封止基板３０の内側に乾燥剤４５を貼着しつつ、該封止基板３０と基板２０とを封止樹脂４０にて封止する。封止樹脂４０としては、熱硬化樹脂や紫外線硬化樹脂が用いられる。なお、この封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うのが好ましい。
【００７４】
このような有機ＥＬ装置１の製造方法においては、発光材料と自己組織化単分子膜の材料とを混合させた発光機能層材料を画素電極２３表面に配置させることにより、発光能を有する発光材料が形成され、また、ホール注入／輸送性を備える自己組織化単分子膜が画素電極の表面に形成される。即ち、単工程でホール輸送性と発光能を備える発光機能層を形成することができる。従って、従来技術のようにホール輸送層及び発光層それぞれを別の工程で形成する必要がなく、発光機能層を形成できるので、工程数の削減と、生産性の向上を達成できる。
【００７５】
また、発光機能層６０の形成工程においては、液相法を用いているので、気相法と比較して真空装置等の高価な設備を用いることなく安価に有機ＥＬ装置を製造することができる。更に、液相法として液滴吐出法を用いているので、安価かつ正確に発光機能層を形成することができる。
【００７６】
なお、本実施形態においては、バックエミッション型を例にして説明したが、本発明はこれに限定されることなく、トップエミッション型にも、また、両側に発光光を出射するタイプのものにも適用可能である。
【００７７】
また、本実施形態においては、画素電極２３表面に自己組織化単分子膜を形成しているが、画素電極２３に限定することなく、陰極表面に当該自己組織化単分子膜を形成してもよい。
例えば、所謂リバース構造の有機ＥＬ装置を形成する場合において、陰極表面に当該自己組織化単分子膜を形成することができる。ここでいうリバース構造とは、陰極と陽極の位置関係が逆になった構造を意味しており、即ち、基板２０側から陰極５０、電子注入層６５、発光機能層６０、ホール輸送層、画素電極２３が順に積層された構造を意味する。従って、このようなリバース構造の有機ＥＬ装置においては、自己組織化単分子膜の材料を発光材料に混ぜた混合液を陰極５０上に形成することにより、上述と同様のプロセスによって陰極５０表面に自己組織化単分子膜を形成することができる。このようにすれば、当該自己組織化単分子膜によって発光材料に対する電子注入性を向上させることができる。
更に、当該リバース構造を形成することにより、画素電極２３側から発光光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ装置を提供することが可能となる。従って、発光面積の開口率化を達成することができる。なお、この場合には、封止基板３０と透明性材料を採用する必要がある。
【００７８】
次に、本発明の電子機器を説明する。本発明の電子機器は、前記の有機ＥＬ装置１を表示部として有したものであり、具体的には、例えば図１３に示すような携帯電話が挙げられる。
図１３において符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は前記の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示している。
図１３に示した電子機器（携帯電話）は、前記の有機ＥＬ装置からなる表示部１００１を備えているので、安価な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図。
【図２】本発明の有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す平面図。
【図３】図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図。
【図４】図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図。
【図５】図３の要部を示す拡大断面図。
【図６】自己組織化単分子膜の模式図。
【図７】図５の要部を示す拡大図。
【図８】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に説明する断面図。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図。
【図１３】本発明の電子機器を示す斜視図。
【符号の説明】
【００８０】
１…有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）、２３…画素電極（陽極、電極）、５０…陰極（電極）、６０…発光機能層、６５…電子輸送層、ＳＡＭ…自己組織化単分子膜
【図１】
2005085731.tif 000008
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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