(57)【要約】【課題】  シール剤の内側から延在する信号線に発生する腐食を防止する。【解決手段】  液晶を介して対向配置された基板のうち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に信号を供給する信号線が形成され、この信号線は他方の基板を固定させるシール剤を超えて延在されているものであって、該シール剤を超えて延在される信号線は、その信号線側から第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜の順次積層体によって被われている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にシール剤が配置されており、該シール剤により囲われた領域において表示部を構成した表示装置において、
前記基板上には、前記シール剤の内側から該シール剤を越えて延伸して配置された信号線を有し、
前記信号線は前記表示部から前記シール剤を越えて延在され、前記基板上に配置された駆動ＩＣの出力端子と接続されており、
前記信号線の前記シール剤を越えて延在された部分の上方には、該信号線側から少なくとも第１絶縁膜、半導体層、第２絶縁膜が、前記駆動ＩＣと重畳する位置まで配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１の表示装置において、
前記画素領域の各画素は薄膜トランジスタを有しており、
前記第１絶縁膜、前記半導体層、及び前記第２絶縁膜は、それぞれ、該薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜、半導体層、及び保護膜と同一の材料である表示装置。
【請求項３】
請求項１の表示装置において、
前記信号線の上方に配置された前記第１絶縁膜、前記半導体層、前記第２絶縁膜は、前記第２絶縁膜が前記シール剤の内側から延在されて形成されている表示装置。
【請求項４】
請求項３の表示装置において、
前記信号線の上方に配置された前記第１絶縁膜、前記半導体層、及び前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜が前記シール剤の内側から延在されて形成されている表示装置。
【請求項５】
請求項４の表示装置において、
前記信号線の上方に配置された前記第１絶縁膜、前記半導体層、及び前記第２絶縁膜は、前記半導体層が前記シール剤の内側から延在されて形成されている表示装置。
【請求項６】
請求項１の表示装置において、
前記信号線の上方に配置された前記第１絶縁膜、前記半導体層、前記第２絶縁膜は、前記シール剤下の途中から延在されて形成されている表示装置。
【請求項７】
請求項１の表示装置において、
前記信号線の上方に配置された前記第１絶縁膜、前記半導体層、前記第２絶縁膜は、前記出力端子下の途中まで延在されて形成されている表示装置。
【請求項８】
基板上にシール剤が配置されており、該シール剤により囲われた領域において表示部を構成した表示装置において、
前記基板上には、前記シール剤の内側から該シール剤を越えて延伸して配置された信号線を有し、
前記信号線は前記表示部から前記シール剤を越えて延在され、前記基板上に配置された駆動ＩＣの出力端子と接続されており、
前記信号線の前記シール剤を越えて延在された部分の上方には、該信号線側から少なくとも絶縁膜、半導体層、保護膜が、前記駆動ＩＣと重畳する位置まで配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項８の表示装置において、
前記画素領域の各画素は薄膜トランジスタを有しており、
前記絶縁膜、前記半導体層、及び前記保護膜は、それぞれ、該薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜、半導体層、及び保護膜と同一の材料である表示装置。
【請求項１０】
請求項８の表示装置において、
前記信号線の上方に配置された前記絶縁膜、前記半導体層、前記保護膜は、前記保護膜が前記シール剤の内側から延在されて形成されている表示装置。
【請求項１１】
請求項１０の表示装置において、
前記信号線の上方に配置された前記絶縁膜、前記半導体層、及び前記保護膜は、前記絶縁膜が前記シール剤の内側から延在されて形成されている表示装置。
【請求項１２】
請求項１１の表示装置において、
前記信号線の上方に配置された前記絶縁膜、前記半導体層、及び前記保護膜は、前記半導体層が前記シール剤の内側から延在されて形成されている表示装置。
【請求項１３】
請求項８の表示装置において、
前記信号線の上方に配置された前記絶縁膜、前記半導体層、前記保護膜は、前記シール剤下の途中から延在されて形成されている表示装置。
【請求項１４】
請求項８の表示装置において、
前記信号線の上方に配置された前記絶縁膜、前記半導体層、前記保護膜は、前記出力端子下の途中まで延在されて形成されている表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、液晶を介して互いに対向配置される透明基板を外囲器とし、該液晶の広がり方向に多数の画素を備えている。
そして、これら各画素には映像信号に対応する電界を発生する手段が組み込まれ、該電界の強さに応じて液晶の光透過率を制御できるようになっている。
このため、透明基板の一方の液晶側の面には、その各画素領域に信号を供給する信号線が形成され、この信号線は外囲器の外側にまで引き出されるようになっている。
すなわち、外囲器を構成する一対の透明基板のうち、一方の透明基板（信号線が形成されている側の基板）は、他方の透明基板よりも若干面積が大きく構成され、該他方の透明基板と重畳していない領域に該信号線が延在され、外部回路に接続されるようになっている。
なお、他方の基板は、その周辺に相当する部分にシール剤が配置されることにより、一方の基板に対して固定され、それら各基板の間に所定のギャップを保持するとともに液晶を封入できるようになっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このように構成された液晶表示装置は、シール剤の内側から延在する信号線に腐食が原因とする断線が往々にして起こることが指摘されるようになった。
これを究明した結果、シール剤の内側から延在する信号線は、従来から、画素の集合体から構成される表示領域に形成される保護膜の延在膜によって被われて形成されているが、その延在膜にピンホール等の何らか等の欠陥があった場合、その欠陥部分下の信号線が腐食することが判明した。
特に、近年において、信号線はそれと隣接する信号線との間の距離が狭くなる傾向にあり、それらの間の電界強度が大きくなるため、信号線腐食をより促進させてしまうという背景も有する。
また、断線にまでは到らなくても、信号線の腐食がシール剤の下部にまで到ってしまうことによって、該シール剤にリーク孔が生じ、液晶のリーク不良を回避できない憂いも有する。
本発明は、このような事情に基づいてなされたもので、その目的は、シール剤の内側から延在する信号線に発生する腐食を防止できる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【０００５】
手段１．
液晶を介して対向配置された基板のうち一方の基板の液晶側の面の各画素領域に信号を供給する信号線が形成され、この信号線は他方の基板を固定させるシール剤を超えて延在されているものであって、該シール剤を超えて延在される信号線は、その信号線側から第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜の順次積層体によって被われていることを特徴とするものである。
このように、シール剤を超えて延在される信号線を第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜の順次積層体によって被うことによって、第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜のそれぞれにピンホール等の欠陥が生じていても、それらの欠陥の個所が信号線上において重なりあうことは極めて希となり、ほとんど皆無といっても過言でなくなる。
このため、信号線を被う材料のピンホール等の欠陥による腐食を回避できることになる。
【０００６】
手段２．
手段１の構成において、各画素領域には保護膜で被われた薄膜トランジスタを備え、前記第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜は、それぞれ、該薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜、半導体層、及び前記保護膜と同一の材料であることを特徴とするものである。
このようにした場合、第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜は、各画素を形成する際に並行して形成することができることから、製造工程の増大をもたらすことがないという効果を奏する。
【発明の効果】
【０００７】
以上説明したことから明らかなように、本発明による液晶表示装置によれば、シール剤の内側から延在する信号線に発生する腐食を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明による液晶表示装置の一実施例を図面を用いて説明する。
【実施例１】
【０００９】
〈液晶表示装置の等価回路〉
図２は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等価回路図である。同図は回路図であるが、実際の幾何学的配置に対応して描かれている。
同図において、液晶表示パネル１がある。この液晶表示パネル１は液晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板のうち一方の透明基板１Ａの液晶側の面に、そのｘ方向に延在しｙ方向に並設される走査信号線２と、この走査信号線２に絶縁されｙ方向に延在しｘ方向に並設される映像信号線３が形成されている。
【００１０】
隣接される各走査信号線２と隣接される各映像信号線３とで囲まれる矩形状の領域は画素領域を構成し、これら各画素領域には、一方の走査信号線２からの走査信号の供給によってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介して一方の映像信号線３からの映像信号が供給される画素電極５とが形成されている。この画素電極５は透明材料からなりたとえばＩＴＯ（Indum-Tin-Oxide）膜によって構成されている。
【００１１】
また、画素電極５と他方の走査信号線２との間には付加容量素子Ｃａｄｄが形成され、この付加容量素子Ｃａｄｄによって画素電極５に供給された映像信号に相当する電荷を比較的長く蓄積できるようになっている。
【００１２】
このように構成される透明基板１Ａと液晶を介して配置される他の透明基板１Ｂの液晶側の面には、図示していないが、各画素領域に共通して透明材料からなる共通電極が形成され、この共通電極と前記画素電極５との間に発生する電界によって、その間の液晶の光透過率が制御されるようになっている。
【００１３】
また、各走査信号線２の一端側には外部端子を介して垂直走査回路７から走査信号が供給されるようになっている。
この垂直走査回路７は透明基板１Ａ上にフェースダウンして搭載された複数の駆動ＩＣから構成され、その出力電極が前記外部端子に接続されるようになっている。
【００１４】
同様に、各映像信号線３の一端側には外部端子を介して映像信号駆動回路８から映像信号が供給されるようになっている。
この映像信号駆動回路８も透明基板１Ａ上にフェースダウンして搭載された複数の駆動ＩＣから構成され、その出力電極が前記外部端子に接続されるようになっている。
【００１５】
ここで、垂直走査回路７及び映像信号駆動回路８はいずれもそれが搭載された領域において透明基板１Ｂは張り出していない構成になっている。すなわち、透明基板１Ｂは、透明基板１Ａよりも若干面積が小さく形成され、該透明基板１Ａとその図中右側端辺と下側端辺とを一致づけて配置され、透明基板１Ａが透明基板１Ｂから露呈された領域に垂直走査回路７及び映像信号駆動回路８が搭載されるようになっている。
【００１６】
〔画素領域〕
図３（ａ）は、前記画素領域の構成の一実施例を示す平面図である。そして、同図（ａ）のｂ−ｂ線における断面を同図（ｂ）に示している。
同図において、透明基板１Ａ上に、図中ｘ方向に延在されｙ方向に並設される走査信号線２があり、この走査信号線２をも被って透明基板１Ａの表面の全域には絶縁膜４が形成されている。
【００１７】
この絶縁膜４は、後に形成される映像信号線３に対する走査信号線２の層間絶縁膜として機能し、また、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜として機能し、さらには、付加容量素子Ｃａｄｄの形成領域においては誘電体膜として機能するようになっている。
【００１８】
そして、この絶縁膜４の表面には画素電極５が形成され、この画素電極５はたとえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜からなる透明の電極から構成されている。この画素電極５は、その一部が、一方の走査信号線２（図中上側の信号配線）に重畳するようにして形成され、それらの間に配置される絶縁膜４を誘電体膜とする付加容量素子Ｃａｄｄを構成している。
【００１９】
薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域は一方の走査信号線２（図中下側の信号配線）に重畳するようにして形成され、この領域に島状のたとえばアモルファスＳｉからなる半導体層６が形成されている。この半導体層６の表面にドレイン電極３ｄ及びソース電極３ｓが形成されることにより前記走査信号線２の一部をゲート電極とするＭＩＳ型のトランジスタが形成されるが、これらドレイン電極３ｄ及びソース電極３ｓは映像信号線３とともに形成されるようになっている。
【００２０】
すなわち、ｙ方向に延在しｘ方向に並設される映像信号線３が形成され、この映像信号線３の一部は前記薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域の半導体層６の表面にまで延在されてドレイン電極３ｄを形成するようになっている。
そして、この際に同時に形成されるソース電極３ｓは画素領域側に延在され、予め形成されている画素電極５と接続が図れるようになっている。
【００２１】
さらに、このように加工された基板の表面の全域には、たとえばシリコン窒化膜なる保護膜９が形成され、この保護膜９の上面には液晶の配向を規制させるための配向膜１０が形成されている。
【００２２】
このように形成された画素領域は、走査信号線２から走査信号が供給されることによって薄膜トランジスタＴＦＴが駆動され、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して映像信号線３からの映像信号が画素電極５に供給されるようになっている。
薄膜トランジスタＴＦＴがオフした際には、画素電極５に供給された映像信号を付加容量素子Ｃａｄｄによって長く蓄積させるようになっている。
【００２３】
《駆動ＩＣ近傍の構成》
図４は、透明基板１Ａに搭載された駆動ＩＣ７Ａ、８Ａの近傍における構成の一実施例を示した斜視図であり、図２において矢印IV側から観た図である。
【００２４】
透明基板１Ｂから露呈された透明基板１Ａの図中ｙ方向辺にはその方向に沿って垂直走査回路７を構成する複数の駆動ＩＣ７Ａが搭載され、また、図中ｘ方向辺にはその方向に沿って映像信号駆動回路８を構成する複数の駆動ＩＣ８Ａが搭載されている。
【００２５】
たとえば複数の駆動ＩＣ７Ａは、互いに隣接する所定数のグループ化された各走査信号線２に対して一つの駆動ＩＣ７Ａが担当するように配置されている。
ここで、走査信号線２は、画素領域から透明基板１Ｂが形成されていない透明基板１Ａ上にまで延在され、その一端において該駆動ＩＣ７Ａの出力端子に接続されるようになっている。
【００２６】
また、駆動ＩＣ７Ａの入力端子は透明基板１Ａの辺部に形成された配線層に接続され、この配線層はフレキシブルなプリント基板ＪＴ２から信号が供給されるようになっている。
なお、このような構成は映像信号駆動回路８を構成する駆動ＩＣ８Ａ側でも同様となっている。
【００２７】
図１は、図４のＩ−Ｉ線における断面を示した図である。
同図において、透明基板１Ａの上面には透明基板１Ｂの対向面側から延在する走査信号線２が形成され、この走査信号線２の延在端はフェースダウンされる駆動ＩＣ７Ａの出力端子１２に接続されている。
【００２８】
そして、この走査信号線は絶縁膜４、半導体層６、保護膜９の順次積層体によって被われている。
これら絶縁膜４、半導体層６、保護膜９は、各画素における絶縁膜４、半導体層６、保護膜９であり、透明基板１Ｂの外側にまで延在され、その縁辺は駆動ＩＣ７Ａの下側であってその出力端子１２の近傍にまで及んで形成されている。
【００２９】
なお、透明基板１Ａに対する透明基板１Ｂは、前記保護膜９上に形成されるシール剤１３によって固定されている。このシール剤１３は透明基板１Ａと透明基板１Ｂの間のギャップを所定の値に保持するとともに、該ギャップの間の液晶を封入する機能を有する。
【００３０】
そして、このシール剤１３の外側において透明基板１Ａと透明基板１Ｂとの間には有機樹脂１４が塗布されている。また、駆動ＩＣ７Ａの出力端子１２側において透明基板１Ａと該駆動ＩＣ７Ａとの間には有機樹脂１５が塗布されている。
【００３１】
これら有機樹脂１４、１５は、その下層に位置づけられる走査信号線２の腐食等に対してその防止の信頼性を向上させるために形成されている。
このような構成は、映像信号線３における駆動ＩＣ８Ａの近傍においても同様となっている。
【００３２】
このようにシール剤１３を超えて延在される走査信号線２（映像信号線３）を絶縁膜４、半導体層６、及び保護膜９の順次積層体によって被うことによって、絶縁膜４、半導体層６、及び保護膜９のそれぞれにピンホール等の欠陥が生じていても、それらの欠陥の個所が走査信号線２上において重なりあうことは極めて希となり、ほとんど皆無といっても過言でなくなる。
【００３３】
このため、走査信号線２（映像信号線３）を被う材料のピンホール等の欠陥による腐食を回避できることになる。
また、絶縁膜４、半導体層６、及び保護膜９は、各画素を形成する際に並行して形成することができることから、製造工程の増大をもたらすことがないという効果も奏する。
【実施例２】
【００３４】
図５（ａ）は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図である。
図１と異なる構成は、絶縁膜４、半導体層６の順次積層体はシール剤１３の形成個所には形成されていないことにある。すなわち、シール剤１３の外側から駆動ＩＣ７Ａ側に延在されて形成されている。
この場合、保護膜９に関しては図１と同様にシール剤１３の内側からそのまま延在されて形成している。
このように構成した理由は、シール剤１３の形成個所において平坦性を確保し、透明基板１Ａに対する透明基板１Ｂのギャップの均一性を向上させんがためである。
この場合、シール剤１３の近傍における走査信号線２の腐食は有機樹脂１４によって充分に回避できるようになる。
【実施例３】
【００３５】
図５（ｂ）は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図である。
図１と異なる構成は、絶縁膜４、半導体層６の順次積層体はシール剤１３下の途中から駆動ＩＣ７Ａ側に延在されて形成されている。すなわち、シール剤１３はその外方側において絶縁膜４、半導体層６の順次積層体を介して形成されているのに対して、内方側においてそれらが介在されていないようになっている。
この場合、保護膜９に関しては図１と同様にシール剤１３の内側からそのまま延在されて形成している。
このように構成した理由は、走査信号線２の腐食防止強化とシール剤１３の形成個所の平坦化を併せもつ効果を得んとせんがためである。
【実施例４】
【００３６】
図６（ａ）は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図である。
図１と異なる構成は、絶縁膜４、半導体層６、保護膜９の順次積層体は、駆動ＩＣ７Ａの出力端子１２の途中まで延在されて形成されている。すなわち、出力端子１２はそのシール剤１３の側において絶縁膜４、半導体層６、保護膜９の順次積層体を介して形成されているのに対して、その反対側においてそれらが介在されていないようになっている。
このように構成した理由は、走査信号線２をその全域にわたって該積層体で被うことによって腐食防止強化を図らんがためである。
【実施例５】
【００３７】
図６（ｂ）は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図である。
図１と異なる構成は、走査信号線２を被う積層体は、絶縁膜４及び保護膜９の二層からなるものである。すなわち、半導体層６は走査信号線２の腐食防止対策に寄与していない構成となっている。
このように構成した理由は、走査信号線２の腐食防止対策は絶縁膜４及び保護膜９の積層体で充分とし、シール剤１３の形成個所の平坦化をより強化せんがためである。
【実施例６】
【００３８】
図７は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図である。
図１と異なる構成は、走査信号線２を被う絶縁膜４、半導体層６、保護膜９のうち、半導体層６のみがシール剤１３の形成個所には形成されていないことにある。すなわち、シール剤１３の外側から駆動ＩＣ７Ａ側に延在されて形成されている。
このように構成した理由は、走査信号線２の腐食防止強化とシール剤１３の形成個所の平坦化を併せもつ効果を得んとせんがためである。
【００３９】
実施例２から実施例６まではいずれも走査信号線２に接続される駆動ＩＣ７Ａの近傍の構成を示したものである。しかし、映像信号線３に接続される駆動ＩＣ８Ａの近傍も同様の構成としてもよいことはいうまでもない。
【００４０】
また、上述した実施例は、そのいずれも信号線を被う積層体の各層は、各画素領域に形成される所定の層と同一材料としたものである。しかし、これに限定されることはなく、各画素領域に形成される層と同一でなくてもよい。
【００４１】
また、上述した実施例は、そのいずれも駆動ＩＣが透明基板に搭載されたいわゆるＣＯＧ（chip on glass）型のものを説明したものである。しかし、本発明はこれに限定されないことはいうまでもない。
透明基板１Ｂが対向配置されていない透明基板１の表面に信号線が形成されている場合、この信号線の腐食防止に本発明が適用できるからである。
【００４２】
また、上述した実施例は、いわゆる縦電界方式と称される液晶表示装置について示したものである。しかし、横電界方式と称される液晶表示装置等についても適用できることはいうまでもない。
【００４３】
ここで、横電界方式の液晶表示装置とは、液晶を介して対向配置される透明基板のうち一方の透明基板の液晶側の面の画素領域に画素電極とこの画素電極に離間されて配置された共通電極とを備え、これら各電極との間に基板と平行に発生する電界によって液晶の光透過率を制御するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す要部断面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等価回路を示す図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す構成図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の信号線に接続される駆動ＩＣの近傍の一実施例を示した斜視図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す要部断面図である。
【図６】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す要部断面図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１Ａ、１Ｂ…透明基板、２…走査信号線、４…絶縁膜、５…半導体層、７Ａ…駆動ＩＣ、９…保護膜、１２…出力端子、１３…シール剤、１４、１５…有機樹脂。
【図１】
2005301311.tif 000003
【図２】
2005301311.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2005301311.tif 000007
【図６】
2005301311.tif 000008
【図７】
2005301311.tif 000009