(57)【要約】【課題】  段差被覆性を改善し高性能半導体集積回路などへの応用を可能とした触媒ＣＶＤ装置及び触媒ＣＶＤ法を提供することを目的とする。【解決手段】    減圧雰囲気が維持可能な真空容器と、前記真空容器内に設けられ、基板を載置可能な基板ステージと、前記基板の主面に対して略平行に設けられた線状体からなる第１の触媒と、前記基板の主面に対して傾斜して設けられた線状体からなる第２の触媒と、を備え、前記真空容器を減圧状態に維持しつつ原料ガスを導入し前記第１及び第２の触媒を加熱して前記原料ガスを分解することにより前記基板ステージの上に載置した前記基板の上に薄膜を堆積可能とした触媒ＣＶＤ装置を提供する。【選択図】    図１
2005179744.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧雰囲気が維持可能な真空容器と、
前記真空容器内に設けられ、基板を載置可能な基板ステージと、
前記基板の主面に対して略平行に設けられた線状体からなる第１の触媒と、
前記基板の主面に対して傾斜して設けられた線状体からなる第２の触媒と、
を備え、
前記真空容器を減圧状態に維持しつつ原料ガスを導入し前記第１及び第２の触媒を加熱して前記原料ガスを分解することにより前記基板ステージの上に載置した前記基板の上に薄膜を堆積可能とした触媒ＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記第１の触媒は、前記基板の略直上に設けられ、
前記第２の触媒は、前記基板の直上から外れた部分を有することを特徴とする請求項１記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記第２の触媒を複数備え、
第２の触媒は、前記基板の中心軸からみて略放射状に配置されたことを特徴とする請求項１または２に記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記第２の触媒を構成する前記線状体が前記基板の主面となす角度は、３０度以上７５度以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記第１の触媒に電流を供給する第１の電源と、
前記第２の触媒に電流を供給する第２の電源と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項６】
前記第１の触媒と前記第２の触媒のそれぞれは、一体の線状体の一部であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項７】
加熱した触媒に原料ガスを作用させて分解させることにより生成された堆積種を基板の上に堆積する触媒ＣＶＤ法であって、
前記触媒の少なくとも一部を前記基板の主面に対して傾斜させて設けることを特徴とする触媒ＣＶＤ法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、触媒ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置及び触媒ＣＶＤ法に関し、より詳細には、真空プロセスチャンバー内で高温に保持された触媒に材料ガスを反応させ、基板上に各種の薄膜を形成するための触媒ＣＶＤ装置及び触媒ＣＶＤ法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、材料ガスを分解して基板上に薄膜を形成する新たな手段として、触媒ＣＶＤ法が開発された（例えば、特許文献１）。触媒ＣＶＤ法は、減圧雰囲気において、例えば１６００℃以上に加熱された金属フィラメントに原料ガスを接触させ、触媒反応により分解・活性化させて基板の上に薄膜を堆積する方法である
触媒ＣＶＤ法は、比較的低温で、且つプラズマ放電を用いずに材料ガスを分解できることから、基板への熱的あるいは電気的ダメージの軽減が図ることができ、高性能半導体や液晶表示装置などの製造装置としての応用研究が盛んに行われている。また、高価な放電用電源も必要としないため、安価にＣＶＤ装置を提供することも可能となる。
【０００３】
また、従来のプラズマＣＶＤ法の場合、原料ガスの利用効率は数パーセント程度に過ぎないのに対して、触媒ＣＶＤ法の場合、８０パーセント近い利用効率を得ることも可能である。またさらに、堆積速度が大きく、水素含有量が少ない高品質の薄膜を堆積することができる。
【０００４】
触媒ＣＶＤ法は、これらの長所のほかにも、活性堆積種の触媒体からの放射拡散によって薄膜の形成が進行することに起因して、大面積基板への適応性が高い。つまり、触媒体である線材を基板面に対して平行方向に延長して配置することで、簡便に大面積基板においても薄膜の成長速度の面内のばらつきを少なく保つことが可能である。
【特許文献１】特開２００３−０７３８３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、触媒ＣＶＤ法は、段差や溝に対する被覆性に改善の余地がある。すなわち、触媒ＣＶＤ法によりシリコンなどの薄膜を堆積すると、基板上に設けられた段差の側面や、溝の内部などに対する堆積速度が低い。これは、触媒ＣＶＤ法の堆積メカニズムに関連していると考えられる。すなわち、前述したように、触媒ＣＶＤ法は、活性堆積種の触媒体からの放射拡散によって薄膜の形成方向が律速される性質を有する。プラズマ放電により材料ガスを分解するプラズマＣＶＤ法やスパッタリングによる成膜においては、荷電粒子が堆積種として存在するため、電場や磁場によって粒子に方向性を与えることが可能である。そのため、高い段差を有する基板などにおいても、段差の底部での堆積量の改善が可能である。
【０００６】
これに対して、触媒ＣＶＤ法では、荷電粒子が原則的に存在しないので粒子の方向を揃えたり制御することが難しい。そして、触媒ＣＶＤ法においては、前述したように放射拡散により薄膜成長過程が律速されるため、触媒体の１点から放出される堆積種の密度は、触媒体からの距離の２乗に反比例する。このため、基板に堆積される薄膜は、いわゆるシャドー（shadow）効果により段差の側面や底面への成長が妨げられるため、段差被覆性が低いという問題点がある。
【０００７】
本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、段差被覆性を改善し高性能半導体集積回路などへの応用を可能とした触媒ＣＶＤ装置及び触媒ＣＶＤ法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、触媒ＣＶＤ装置において基板に面した触媒の線材により構成される面が基板に対して平行となる触媒群と、もう一方の触媒群の線材により構成される面が基板に対して傾斜を持って配置されかつ基板の垂線に対し回転対象に配置することにより課題が解決された。
本発明の構成によって課せられた課題を満たすことができる。触媒体線材からなる面を組み合わせることにより堆積種の成長を制御することが可能な触媒ＣＶＤ装置が得られる。これによって基板上の段差底部に沈積する粒子量が増大せしめられる。
【０００９】
すなわち、本発明によれば、減圧雰囲気が維持可能な真空容器と、前記真空容器内に設けられ、基板を載置可能な基板ステージと、前記基板の主面に対して略平行に設けられた線状体からなる第１の触媒と、前記基板の主面に対して傾斜して設けられた線状体からなる第２の触媒と、を備え、
前記真空容器を減圧状態に維持しつつ原料ガスを導入し前記第１及び第２の触媒を加熱して前記原料ガスを分解することにより前記基板ステージの上に載置した前記基板の上に薄膜を堆積可能とした触媒ＣＶＤ装置が提供される。
【００１０】
ここで、前記第１の触媒は、前記基板の略直上に設けられ、前記第２の触媒は、前記基板の直上から外れた部分を有するものとすることができる。
【００１１】
また、前記第２の触媒を複数備え、第２の触媒は、前記基板の中心軸からみて略放射状に配置されたものとすることができる。
【００１２】
また、前記第２の触媒を構成する前記線状体が前記基板の主面となす角度は、３０度以上７５度以下であるものとすることができる。
【００１３】
また、前記第１の触媒に電流を供給する第１の電源と、前記第２の触媒に電流を供給する第２の電源と、をさらに備えたものとすることができる。
【００１４】
また、前記第１の触媒と前記第２の触媒のそれぞれは、一体の線状体の一部であるものとすることができる。
【００１５】
一方、本発明によれば、加熱した触媒に原料ガスを作用させて分解させることにより生成された堆積種を基板の上に堆積する触媒ＣＶＤ法であって、前記触媒の少なくとも一部を前記基板の主面に対して傾斜させて設けることを特徴とする触媒ＣＶＤ法が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば高い段差被覆性を有する触媒ＣＶＤ装置及び触媒ＣＶＤ法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。  
図１は、本発明の実施の形態にかかる触媒ＣＶＤ装置の断面構造を例示する模式図である。
【００１８】
すなわち、真空容器１１内には、第１の触媒１２と第２の触媒１３とが配置されている。これらの触媒１２、１３は、例えば、細線状の金属線などによって形成することができ、基板面に対して異なる角度に配置されていることが特徴である。その材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、シリコン（Ｓｉ）、アルミナ（ＡｌＯｘ）などを用いることができる。
【００１９】
真空容器１１の下方には、ヒーター１６の上に静電チャック１５が設けられ、静電チャック１５の上に基板１４が載置される。基板１４は、静電チャック方式の基板ステージ１５によって保持され、基板温度はヒーター１６により、所定の温度に制御される。図示しない回転機構により基板１４を回転可能とすると膜厚の均一性がさらに向上する。また、真空容器１１の上方には、ガスノズルが設置され、原料ガスが外部から供給される。また、真空容器１１の内部空間は、真空排気装置１８により適宜排気され、所定の圧力に維持される。
【００２０】
成膜に際しては、真空容器１１の内部空間を所定の真空度まで排気し、しかる後にガスノズル１７から所定の原料ガスを導入して、所定の圧力を維持する。その状態で、直流電源１９から第１の触媒１２及び第２の触媒１３に通電し、触媒反応が可能な温度まで加熱する。すると、原料ガスがこれら触媒１２、１３の作用によって分解して堆積種が形成され、これら堆積種が基板１４の上に飛来して薄膜が形成される。
【００２１】
なお、図１においては、ひとつの直流電源１９から第１及び第２の触媒１２、１３に並列に電流を供給する回路が表されているが、本発明はこれに限定されず、例えば、これら触媒１２、１３に対して直列に電流を供給してもよく、または、後に詳述するように、複数の電源を用意してこれら触媒１２、１３のそれぞれに電流を供給してもよい。複数の電源を用いた場合には、触媒毎に、その温度を独立して制御できる利点がある。
【００２２】
そして、本発明においては、第１の触媒１２は、基板１４の主面に対して略平行に配置し、一方、第２の触媒１３は基板１４の主面に対して斜めに配置する。また、この時、第２の触媒１３は、基板１４の直上ではなく、側方にずらして設けるとよい。このようにすると、基板１４の表面に段差やトレンチなどが形成されている時に、その側面や底面に対する被覆性が向上する。
【００２３】
図２は、本発明の実施の形態にかかる触媒ＣＶＤ装置における触媒の平面配置を例示する模式図である。本具体例の場合、基板１４の主面に対して略平行に配置された４本の第１の触媒１２は、基板１４の直上において、略円筒状の真空容器１１の中心軸を取り囲む正方形状に設けられている。  
一方、基板１４の主面に対して斜めに配置された４本の第２の触媒１３は、基板１４の直上から側方にずらして配置され、略円筒状の真空容器１１の中心軸から半径方向に放射状に設けられている。すなわち、第２の触媒１３は、基板１４の直上から外れた部分を有する。
【００２４】
図３は、第２の触媒１３の作用を説明するための概念図である。  
すなわち、第２の触媒１３は、基板１４の主面に対して斜めに設けられているので、第２の触媒１３から放出される堆積種３００は、基板１４に対して斜めに入射する傾向が強くなる。すなわち、基板１４の主面に対する第２の触媒１３の傾斜角度をθとすると、基板１４の法線に対して堆積種３００の飛来方向がなす角度もθに近づく。
【００２５】
このため、基板１４に段差１４ａが形成されている場合に、その側面Ｓに対しても堆積種３００が十分に供給され、段差被覆性が向上する。
【００２６】
図４は、段差を有する基板に対して垂直上方から堆積種が飛来する場合の薄膜形成プロセスを表す模式断面図である。  
すなわち、同図（ａ）に表したように基板１４の上に段差１４ａが設けられ、トレンチＴが形成されている場合、堆積種が矢印Ａで表したように略垂直上方からのみ飛来すると、トレンチＴの側面Ｓに対する被覆性が低下する。その結果として、図４（ｂ）に表したように、側面Ｓにおける薄膜２００の堆積速度が低く、膜厚が相対的に小さくなる。このように被覆性が低下すると、いわゆる「段切れ」などによる絶縁不良や導通不良などの問題が生ずる。
【００２７】
図５は、本実施形態の触媒ＣＶＤ装置による薄膜形成のプロセスを表す模式断面図である。  
本実施形態によれば、第２の触媒１３を設けることにより、基板１４の主面に対して斜めに入射する堆積種が増加する。すなわち、図５（ａ）に矢印Ａで表したように略垂直に入射する堆積種に加えて、矢印Ｂ及び矢印Ｃで表したように斜めに入射する堆積種が増える。その結果として、図５（ｂ）に表したように、トレンチＴの側面Ｓにおける堆積速度が上昇し、被覆性が向上する。従って、例えば、絶縁膜を堆積した場合には、「段切れ」などによる絶縁不良や電流リークなどの問題を抑制することができる。また、導電膜を堆積した場合には、「段切れ」による導通不良を抑制することができる。
【００２８】
本発明者は、図１及び図２に表した構成の触媒ＣＶＤ装置を用いて薄膜堆積の実験を行った。すなわち、基板１４として直径３００ｍｍのシリコンウェーハを用いた。また、第１の触媒１２及び第２の触媒１３は、それぞれ長さ１００ｍｍのタングステン（Ｗ）線により形成した。そして、第１の触媒１２は、基板１４のほぼ直上で高さ２００ｍｍの位置に、基板１４の主面に対して平行に配置した。一方、第２の触媒１３は、図１及び図２に表したように、基板１４の直上から側方にずらした位置において、基板１４の主面に対して約３０度傾斜させて配置した。
【００２９】
また、基板１４の表面には、基板１４の表面には、幅Ｗが１００ｎｍ、高さＤが２００ｎｍの段差１４ａを形成した。
【００３０】
基板温度は、３５０℃とし、ガスノズル１７からアンモニア（ＮＨ３）を２００ｓｃｃｍとシラン（ＳｉＨ４）を６ｓｃｃｍ導入し、真空容器１１内の圧力は真空排気装置１８により３０Ｐａに維持した。直流電源１９により第１の触媒１２と第２の触媒１３に通電して約１７００℃に保持することにより基板１４の表面に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）を堆積させた。
【００３１】
この実験においては、基板１４の表面に幅Ｗが１００ｎｍ、高さＤが２００ｎｍｎの段差１４ａが形成されているが、これに対応して、第２の触媒１３の傾斜角度θを３０度とした。すなわち、第２の触媒１３からの堆積種の飛来方向は、基板１４の主面に対して６０度となる。その結果、段差１４ａの側面Ｓはシャドー効果によって遮蔽されず、側面Ｓの全面に亘って堆積種が飛来する。  
一方、図５に表したように、トレンチＴの底面に対しては、基板１４の主面に対して略垂直上方から矢印Ａの方向に堆積種が飛来して、堆積速度が維持される。
【００３２】
また、比較例として、第２の触媒１３には通電せず、第１の触媒１２のみにより堆積を行った。
【００３３】
これら実施の結果、比較例では図４に例示した如くトレンチＴの側面Ｓの被覆率は高々平面上での堆積膜厚の３０パーセント程度に過ぎなかったが、本発明によれば、被覆率を５０パーセント以上に改善できた。
【００３４】
またさらに、本発明者は、第２の触媒１３の傾斜角度（図３における角度θ）を種々に変えて堆積実験を実施した。その結果、傾斜角度θが３０度乃至７５度の範囲内において、基板の段差被覆性に改善が見られた。傾斜角度θが７５度を超えると、触媒１３から基板の主面に対する直線距離が小さくなるために、基板の外周において膜厚が厚くなる傾向が見られる。つまり、面内の膜厚均一性が低下する傾向が見られた。
【００３５】
一方、本発明によれば、基板の主面に対して斜めに設ける第２の触媒１３の数を適宜増加することにより、主面に対して斜めに入射する堆積種をさらに増加することができる。その結果として、いわゆる「埋め込み構造」などを実現することも可能となる。
【００３６】
図６は、埋め込み構造の形成プロセスを表す模式断面図である。  
すなわち、同図（ａ）に矢印Ｂ及びＣで表したように、斜めに飛来する堆積種の割合を増加させると、トレンチＴの側面Ｓにおける堆積速度が相対的に増加する。その結果として、図６（ｂ）に表したように、トレンチＴを薄膜２００により埋め込んで、略平坦な表面を形成することも可能となる。
【００３７】
本発明における第１の触媒１２と第２の触媒１３の配置関係や数は、基板１４のサイズや配置関係、あるいは段差の形状や深さなどに応じて適宜決定することができる。  
図７は、触媒１２及び１３の平面配置の第２の具体例を表す模式図である。    
このように、基板１４の主面に対して略平行に配置された第１の触媒１２を基板１４の略上方において、放射形状に配置してもよい。
【００３８】
図８は、触媒１２及び１３の平面配置の第３の具体例を表す模式図である。    
このように、基板１４の主面に対して斜めに配置された第２の触媒１３の数を増やせば、基板１４に対して斜めに入射する堆積種を全周囲方向から均一に供給することができる。また、図示しない回転機構によって基板１４を回転させながら堆積すると膜厚の均一性がさらに向上する。
【００３９】
図９は、複数の電源を設けた触媒ＣＶＤ装置を表す模式図である。  
すなわち、触媒１２、１３のそれぞれについて、独立した電源１９を用意してこれら触媒１２、１３のそれぞれに電流を供給してもよい。このようにすれば、触媒毎に、その温度を独立して制御できる利点がある。つまり、基板１４に対して略垂直上方から飛来する堆積種と、斜め方向から飛来する堆積種と、のバランスを適宜調節することが容易となる。
【００４０】
また、本発明においては、第１の触媒１２と第２の触媒１３とを必ずしも独立に設ける必要はない。すなわち、一体の線状体の一部を第１の触媒１２として用い、他の一部を第２の触媒１３として用いることができる。  
図１０は、一体の線状体により第１及び第２の触媒を構成した触媒ＣＶＤ装置を例示する模式図である。  
すなわち、タングステン（Ｗ）などの触媒材料からなる線状体の一部は基板１４の主面に対して略平行に設け、他の一部は傾斜させて設ける。このようにすれば、線状体のうちで、平行な部分は第１の触媒１２として作用し、傾斜した部分は第２の触媒１３として作用する。
【００４１】
図１１も、一体の線状体により第１及び第２の触媒を構成した触媒ＣＶＤ装置を例示する模式図である。  
また、図１２は、本具体例における触媒の平面配置を例示する模式図である。
【００４２】
本具体例の場合、線状体を基板１４の中心軸から略放射状に配置している。そして、これら線状体のうちで、基板１４の直上にある一部をその主面に対して略平行に配置することにより、第１の触媒１２として作用させる。また、残りの一部を基板１４の主面に対して傾斜させることにより、第２の触媒１３として作用させることができる。
【００４３】
このように、一体の線状体により第１及び第２の触媒１２、１３を形成すれば、電流供給のためのフィードスルーや配線などの数を減らし、装置構成を簡略化することができる。
【００４４】
以上説明したように、本発明によれば、基板の主面に対して斜めに飛来する堆積種を増加させることにより、段差被覆性を大幅に改善することが可能となる。その結果として、例えば、半導体集積回路装置の製造に本発明を適用して各種の効果が得られる。  
図１３は、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transister）の断面構造を例示する模式図である。  
すなわち、シリコン基板の表面部分が素子分離領域１０１により絶縁分離され、これら分離されたウエル１０２のそれぞれにＭＯＳＦＥＴが形成されている。それぞれのＭＯＳＦＥＴは、ソース領域１０７、ドレイン領域１０８と、これらの間に設けられたチャネル１０３と、を有する。チャネル１０３の上には、ゲート絶縁膜１０４を介してゲート電極１０６が設けられている。ソース・ドレイン領域１０７、１０８とチャネル１０３との間には、いわゆる「ショートチャネル効果」などを防ぐ目的で、ＬＤＤ（lightly doped drain）領域１０３Ｄが設けられている。そして、これらＬＤＤ領域１０３Ｄの上には、ゲート電極１０６に隣接してゲート側壁１０５が設けられている。ゲート側壁１０５は、ＬＤＤ領域１０３Ｄをセルフアライン（自己整合）的に形成するために設けられている。
【００４５】
また、ソース・ドレイン領域１０７、１０８とゲート電極１０６の上には、電極とのコンタクトを改善するためにシリサイド層１１９が設けられている。これら構造体の上は、シリコン窒化膜１１０と層間絶縁膜１１１により覆われ、これらを貫通するコンタクトホールを介して、ソース配線１１５Ｓ、ゲート配線１１５Ｇ、ドレイン配線１１５Ｄが形成されている。
【００４６】
このような半導体集積回路のトランジスタを製造する場合、ゲート側壁１０５はシリコン窒化膜により形成する。しかし、シリコン窒化膜の段差被覆性が悪いと、隣接するパターンとの距離によってゲート側壁１０５として成長するシリコン窒化膜の厚さが変動し、トランジスタ閾値のバラツキの原因となる。
【００４７】
これに対して、本発明によれば、図１乃至図８に関して前述したように、基板の主面に対して斜めに配置された第２の触媒を適宜配置することにより、高い段差被覆性を有するシリコン窒化膜を形成することができる。その結果として、トランジスタの閾値のばらつきを生ずることなく、微細化させて集積度を上げた半導体装置を製造することができる。
【００４８】
また、層間絶縁膜１１１としては、シリコン酸化膜が一般に用いられている。このシリコン酸化膜に、図示した如くコンタクトホールを形成し、ソース配線１１５Ｓ、ゲート配線１１５Ｇ、ドレイン配線１１５Ｄを形成する必要がある。しかし、図１３から分かるように、トランジスタのゲート電極１０６の上と、ソース・ドレイン領域１０７、１０８の上とではコンタクトホールの深さが異なる。このため、同一条件でコンタクトホール開口のためのエッチングを実施すると、オーバーエッチング量が変わりコンタクトの導通不良などの問題を起こす場合がある。このため、シリコン酸化膜１１１の下敷きとして、シリコン窒化膜１１０が設けられている。つまり、シリコン窒化膜１１０は、シリコン酸化膜１１１に対して充分に高いエッチング選択比を有するため、シリコン酸化膜１１１のエッチングに際してエッチングのストッパとして働く。このため、深さの異なるコンタクトホールを同時にエッチングすることが可能となる。シリコン酸化膜１１１のエッチングに続いて行われるシリコン窒化膜１１０のエッチングによりコンタクトホールの形成が完了する。
【００４９】
ところが、シリコン窒化膜１１０の段差被覆性が悪いと、上述したように隣接パターンとの距離によってシリコン窒化膜１１０の厚みが変動し、シリコン窒化膜１１０のオーバーエッチング量が変動して導通不良などを起こすという問題が生じる。
【００５０】
これに対しても、本発明によれば、図１乃至図８に関して前述したように、基板の主面に対して斜めに配置された第２の触媒を適宜配置することにより、高い段差被覆性を有するシリコン窒化膜を形成することができる。その結果として、シリコン窒化膜１１０のオーバーエッチング量の変動を防ぎ、導通不良などの問題を解消できる。
【００５１】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００５２】
例えば、触媒ＣＶＤ法の実施に際して用いる装置の具体的な構造、触媒の材質、形状、サイズなどに関しては、具体例にとして前述したもの以外にも当業者が適宜設計したものも本発明の範囲に包含される。さらに、材料ガスの種類や、形成する薄膜の種類、厚み、基板の種類、サイズ、基板温度や圧力などの条件についても、当業者が適宜選択して用いたものは本発明の範囲に包含される。
【００５３】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての触媒ＣＶＤ装置及び触媒ＣＶＤ法は、本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施の形態にかかる触媒ＣＶＤ装置の断面構造を例示する模式図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかる触媒ＣＶＤ装置における触媒の平面配置を例示する模式図である。
【図３】第２の触媒１３の作用を説明するための概念図である。
【図４】段差を有する基板に対して垂直上方から堆積種が飛来する場合の薄膜形成プロセスを表す模式断面図である。
【図５】本発明の実施形態の触媒ＣＶＤ装置による薄膜形成のプロセスを表す模式断面図である。
【図６】埋め込み構造の形成プロセスを表す模式断面図である。
【図７】触媒１２及び１３の平面配置の第２の具体例を表す模式図である。
【図８】触媒１２及び１３の平面配置の第３の具体例を表す模式図である。
【図９】複数の電源を設けた触媒ＣＶＤ装置を表す模式図である。
【図１０】一体の線状体により第１及び第２の触媒を構成した触媒ＣＶＤ装置を例示する模式図である。
【図１１】一体の線状体により第１及び第２の触媒を構成した触媒ＣＶＤ装置を例示する模式図である。
【図１２】図１１に表した具体例における触媒の平面配置を例示する模式図である。
【図１３】ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transister）の断面構造を例示する模式図である。
【符号の説明】
【００５５】
１１ 真空容器
１２ 第１の触媒
１３ 第２の触媒
１４ 基板
１４ａ 段差
１５ 基板ステージ
１６ ヒーター
１７ ガスノズル
１８ 真空排気装置
１９ 直流電源
１０１ 素子分離領域
１０２ ウエル
１０３ チャネル
１０３Ｄ 領域
１０４ ゲート絶縁膜
１０５ ゲート側壁
１０６ ゲート電極
１０７ ソース領域
１０８ ドレイン領域
１１０ シリコン窒化膜
１１１ シリコン酸化膜
１１１ 層間絶縁膜
１１５Ｄ ドレイン配線
１１５Ｇ ゲート配線
１１５Ｓ ソース配線
１１９ シリサイド層
Ｓ 側面
Ｔ トレンチ
【図１】
2005179744.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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