(57)【要約】【課題】  ＡＰＤのアバランシェ増倍率を精度良く制御することが可能な光受信器を提供する。【解決手段】  光受信器１は、光受信部３及び制御部５を備えている。光受信部３はＡＰＤ１１、ＰＩＮ−ＰＤ１３、及びハーフミラー１５を有しており、光受信器１に入射した信号光Ｌ１がハーフミラー１５によって分岐され、信号光Ｌ２がＡＰＤ１１へ、信号光Ｌ３がＰＩＮ−ＰＤ１３へ、それぞれ入射する。この構成によって、信号光Ｌ１の偏波状態等によって信号光Ｌ３の光量が変動することなくＰＩＮ−ＰＤ１３へ信号光Ｌ３が入射される。制御部５は、ＰＩＮ−ＰＤ１３からの出力電流Ｉ２に基づいて、ＡＰＤ１１のアバランシェ増倍率が所望の値となる電源電圧Ｐ１を生成する。以上の構成によれば、ＰＩＮ−ＰＤ１３の出力電流Ｉ２に基づいてＡＰＤ１１のアバランシェ増倍率を精度良く制御することが可能となる。【選択図】  図１
2005117032.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号光を受信する光受信器であって、
受光面を有するアバランシェフォトダイオードと、
受光面を有し、前記アバランシェフォトダイオードに対し隔離して配置されたＰＩＮフォトダイオードと、
入射した前記信号光を２つに分岐するとともに、分岐された一方の前記信号光が前記アバランシェフォトダイオードの前記受光面に入射し、他方の前記信号光が前記ＰＩＮフォトダイオードの前記受光面に入射するように、前記アバランシェフォトダイオード及び前記ＰＩＮフォトダイオードのそれぞれの前記受光面と光学的に結合されたハーフミラーと
を備えていることを特徴とする光受信器。
【請求項２】
信号光を受信する光受信器であって、
受光面を有するアバランシェフォトダイオードと、
受光面を有し、前記アバランシェフォトダイオードに対し隔離して配置されたＰＩＮフォトダイオードと、
前記信号光が入射する一端から分岐点まで延びる第１の部分、前記分岐点から一方の他端まで延びる第２の部分、及び前記分岐点から他方の他端まで延びる第３の部分を有する光導波路と
を備え、
前記光導波路の前記一方の他端と前記アバランシェフォトダイオードの前記受光面とが互いに光学的に結合されており、前記光導波路の前記他方の他端と前記ＰＩＮフォトダイオードの前記受光面とが互いに光学的に結合されていることを特徴とする光受信器。
【請求項３】
前記アバランシェフォトダイオードが所定のアバランシェ増倍率を維持するように、前記アバランシェフォトダイオードへの電源電圧または前記アバランシェフォトダイオードを流れる電流のうち少なくとも一方を前記ＰＩＮフォトダイオードからの出力電流値に基づいて制御する制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の光受信器。
【請求項４】
或る光量の光が入射したときのアバランシェフォトダイオードのＰＩＮモードにおける出力電流値及びＰＩＮフォトダイオードの出力電流値をそれぞれＩava2及びＩpin2として、前記信号光が入射したときの前記アバランシェフォトダイオードの平均出力電流値が以下の値
ｍ・Ｉpin1・（Ｉava2／Ｉpin2）
（ｍ：所望のアバランシェ増倍率、Ｉpin1：ＰＩＮフォトダイオードからの出力電流値）に近づくように、前記制御手段が、前記アバランシェフォトダイオードへの電源電圧または前記アバランシェフォトダイオードを流れる電流のうち少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項３に記載の光受信器。
【請求項５】
前記制御手段が、
前記ＰＩＮフォトダイオードからの出力電流値を電圧信号に変換する変換回路と、
入力、第１の出力、及び第２の出力を有し、前記第２の出力における電流量が前記第１の出力における電流量とほぼ等しくなるよう構成され、前記第１の出力が前記アバランシェフォトダイオードに接続されたカレントミラー回路と、
前記カレントミラー回路の前記入力に前記電源電圧を供給する電源回路と、
前記変換回路からの前記電圧信号と前記カレントミラー回路の前記第２の出力における電流量とに基づいて、前記電源電圧を制御する電圧制御回路と
を備えることを特徴とする請求項３または４に記載の光受信器。
【請求項６】
前記制御手段が、
前記ＰＩＮフォトダイオードからの出力電流値を電圧信号に変換する変換回路と、
入力、第１の出力、及び第２の出力を有し、前記第２の出力における電流量が前記第１の出力における電流量とほぼ等しくなるよう構成され、前記第２の出力が前記アバランシェフォトダイオードに接続されたカレントミラー回路と、
前記カレントミラー回路の前記入力に前記電源電圧を供給する電源回路と、
前記カレントミラー回路の前記第１の出力における電流量を、前記変換回路からの前記電圧信号に基づいて制御する電流制御回路と
を備えることを特徴とする請求項３または４に記載の光受信器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、信号光をアバランシェフォトダイオードにより検出する光受信器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、光通信システムにおいては、受光素子としてアバランシェフォトダイオード（以下、ＡＰＤという）を用いた光受信器が用いられる。ＡＰＤは、信号光電流の増幅作用を有し、微弱な光信号を扱う光ファイバ通信システムの受光素子として好適である。
【０００３】
ところで、ＡＰＤは、温度変動などによってそのアバランシェ増倍率が変化するという特性を有している。これは、アバランシェ増倍作用を生じさせる際に、ＡＰＤへ印加電圧として比較的高い逆バイアス電圧が印加されることによる。すなわち、ＡＰＤは、ＰＮ接合のブレークダウン電圧付近で動作することとなるので、その動作特性が環境温度などの変化に対して非常に敏感になる。従って、温度変動などが生じても一定の増倍率が得られるように、ＡＰＤのアバランシェ増倍率を制御することが好ましい。
【０００４】
特許文献１には、ＡＰＤの増倍率を制御する構成を備える光受信器が開示されている。この光受信器の構成を図１０（ａ）に示す。この光受信器は、同一基板上に信号受光用領域１０１及び受光用モニター領域１０２を有しており、光ファイバ１０３からの信号光をこれらの領域において受光する。なお、信号受光用領域１０１には、アバランシェフォトダイオードが構成されている。そして、受光用モニター領域１０２における出力電流値に基づいて、信号受光用領域１０１における増倍率が制御される。
【０００５】
また、特許文献２には、ＡＰＤの増倍率を制御する別の構成を備える光受信器が開示されている。この光受信器の構成を図１０（ｂ）に示す。この光受信器は、ＡＰＤ１１１及びフォトダイオード１１２を備えており、光ファイバ１１３からの信号光をＡＰＤ１１１において受光するとともに、ＡＰＤ１１１の受光面で反射した信号光をフォトダイオード１１２において受光する構成となっている。そして、フォトダイオード１１２における出力電流値に基づいて、ＡＰＤ１１１における増倍率が制御される。
【０００６】
【特許文献１】特開昭６３−７７１７１号公報
【特許文献２】特開昭６３−１０５５４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に開示された光受信器では、同一基板の同一面上に信号受光用領域１０１及び受光用モニター領域１０２を隣接して設けているので、信号受光用領域１０１と受光用モニター領域１０２との間でクロストークが発生する可能性が高い。クロストークが発生すると、受光用モニター領域１０２における信号光の検出精度が悪化するので、信号受光用領域１０１における増倍率を精度良く制御することが困難となる。
【０００８】
また、特許文献２に開示された光受信器では、必然的に信号光がＡＰＤ１１１の斜め方向から入射する構成となる。しかしながら、ＡＰＤ１１１の受光面に対して斜め方向から信号光を入射させると、その反射率は信号光の偏波状態によって変動する。また、偏波依存性を解消する方法として多層膜を形成する方法もあるが、半導体素子であるＡＰＤ１１１の受光面上にそのような多層膜を形成することは困難である。従って、この光受信器では、光ファイバ１１３からの信号光の偏波状態によってフォトダイオード１１２へ入射する信号光の光量が変動するので、ＡＰＤ１１１におけるアバランシェ増倍率を精度良く制御することが難しい。
【０００９】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、ＡＰＤのアバランシェ増倍率を精度良く制御することが可能な光受信器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記した課題を解決するために、本発明による光受信器は、信号光を受信する光受信器であって、受光面を有するアバランシェフォトダイオードと、受光面を有し、アバランシェフォトダイオードに対し隔離して配置されたＰＩＮフォトダイオードと、入射した信号光を２つに分岐するとともに、分岐された一方の信号光がアバランシェフォトダイオードの受光面に入射し、他方の信号光がＰＩＮフォトダイオードの受光面に入射するように、アバランシェフォトダイオード及びＰＩＮフォトダイオードのそれぞれの受光面と光学的に結合されたハーフミラーとを備えていることを特徴とする。
【００１１】
上記した光受信器では、偏波依存性を低減する多層膜を形成することが容易なハーフミラーによって信号光を分岐している。従って、信号光の偏波状態等によって該信号光の光量が変動することなくＰＩＮフォトダイオード（以下、ＰＩＮ−ＰＤという）及びアバランシェフォトダイオード（以下、ＡＰＤという）へ該信号光を入射させることが可能となる。さらに、ＡＰＤとＰＩＮ−ＰＤとが隔離して配置されることによって、ＡＰＤとＰＩＮ−ＰＤとの間のクロストークを防止できる。従って、上記した光受信器によれば、ＰＩＮ−ＰＤの出力電流に基づいてＡＰＤのアバランシェ増倍率を精度良く制御することが可能となる。
【００１２】
また、本発明による光受信器は、信号光を受信する光受信器であって、受光面を有するアバランシェフォトダイオードと、受光面を有し、アバランシェフォトダイオードに対し隔離して配置されたＰＩＮフォトダイオードと、信号光が入射する一端から分岐点まで延びる第１の部分、分岐点から一方の他端まで延びる第２の部分、及び分岐点から他方の他端まで延びる第３の部分を有する光導波路とを備え、光導波路の一方の他端とアバランシェフォトダイオードの受光面とが互いに光学的に結合されており、光導波路の他方の他端とＰＩＮフォトダイオードの受光面とが互いに光学的に結合されていることを特徴とする。
【００１３】
上記した光受信器では、光導波路の分岐点において信号光が分岐されるので、信号光の偏波状態等によって該信号光の光量が変動することなくＰＩＮ−ＰＤ及びＡＰＤへ該信号光が入射される。さらに、ＡＰＤとＰＩＮ−ＰＤとが隔離して配置されることによって、ＡＰＤとＰＩＮ−ＰＤとの間のクロストークを防止できる。従って、上記した光受信器によれば、ＰＩＮ−ＰＤの出力電流に基づいてＡＰＤのアバランシェ増倍率を精度良く制御することが可能となる。
【００１４】
また、光受信器は、アバランシェフォトダイオードが所定のアバランシェ増倍率を維持するように、アバランシェフォトダイオードへの電源電圧またはアバランシェフォトダイオードを流れる電流のうち少なくとも一方をＰＩＮフォトダイオードからの出力電流値に基づいて制御する制御手段をさらに備えることを特徴としてもよい。これによって、ＡＰＤのアバランシェ増倍率を良好に制御することができる。
【００１５】
また、光受信器は、或る光量の光が入射したときのアバランシェフォトダイオードのＰＩＮモードにおける出力電流値及びＰＩＮフォトダイオードの出力電流値をそれぞれＩava2及びＩpin2として、信号光が入射したときのアバランシェフォトダイオードの平均出力電流値が以下の値
ｍ・Ｉpin1・（Ｉava2／Ｉpin2）
（ｍ：所望のアバランシェ増倍率、Ｉpin1：ＰＩＮフォトダイオードからの出力電流値）に近づくように、制御手段が、アバランシェフォトダイオードへの電源電圧またはアバランシェフォトダイオードを流れる電流のうち少なくとも一方を制御することを特徴としてもよい。これによって、所望のアバランシェ増倍率を精度良く実現することができる。
【００１６】
また、光受信器は、制御手段が、ＰＩＮフォトダイオードからの出力電流値を電圧信号に変換する変換回路と、入力、第１の出力、及び第２の出力を有し、第２の出力における電流量が第１の出力における電流量とほぼ等しくなるよう構成され、第１の出力がアバランシェフォトダイオードに接続されたカレントミラー回路と、カレントミラー回路の入力に電源電圧を供給する電源回路と、変換回路からの電圧信号とカレントミラー回路の第２の出力における電流量とに基づいて、電源電圧を制御する電圧制御回路とを備えることを特徴としてもよい。この光受信器では、カレントミラー回路の第２の出力における電流量が第１の出力からＡＰＤに供給される電流量に略等しくなることを利用して、第２の出力における電流量に基づいてＡＰＤへの電源電圧を制御している。これによって、ＡＰＤのアバランシェ増倍率をさらに良好に制御することができる。
【００１７】
また、光受信器は、制御手段が、ＰＩＮフォトダイオードからの出力電流値を電圧信号に変換する変換回路と、入力、第１の出力、及び第２の出力を有し、第２の出力における電流量が第１の出力における電流量とほぼ等しくなるよう構成され、第２の出力がアバランシェフォトダイオードに接続されたカレントミラー回路と、カレントミラー回路の入力に電源電圧を供給する電源回路と、カレントミラー回路の第１の出力における電流量を、変換回路からの電圧信号に基づいて制御する電流制御回路とを備えることを特徴としてもよい。この光受信器では、カレントミラー回路の第２の出力における電流量が第１の出力からＡＰＤに供給される電流量に略等しくなることを利用して、第１の出力における電流量を制御することによって第２の出力からＡＰＤに供給される電流量を制御している。これによって、ＡＰＤのアバランシェ増倍率をさらに良好に制御することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明による光受信器によれば、ＰＩＮ−ＰＤの出力電流に基づいてＡＰＤのアバランシェ増倍率を精度良く制御することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照しながら本発明による光受信器の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２０】
（実施の形態）
図１は、本発明による光受信器の実施形態を示すブロック図である。図１を参照すると、本実施形態の光受信器１は、光受信部３、制御部５、及び増幅器９を備えている。光受信部３は、ＡＰＤ１１、ＰＩＮ−ＰＤ１３、及びハーフミラー１５を備えている。
【００２１】
光受信部３は、光受信器１の外部から入射した信号光Ｌ１がハーフミラー１５において２方向に分岐され、分岐された一方の信号光Ｌ２がＡＰＤ１１の受光面１１ａに入射し、他方の信号光Ｌ３がＰＩＮ−ＰＤ１３の受光面１３ａに入射するように構成されている。本実施形態では、信号光Ｌ１の一部がハーフミラー１５の反射面１５ａにおいて反射されて信号光Ｌ３となり、残りの信号光Ｌ１がハーフミラー１５を透過して信号光Ｌ２となる。このとき、ハーフミラー１５における反射率を、例えば信号光Ｌ１の光量のうちの１〜１０％が反射して信号光Ｌ３となり、残りの９０〜９９％が透過して信号光Ｌ２となるような反射率とするとよい。
【００２２】
ＡＰＤ１１は、信号光Ｌ２を出力電流Ｉ１に変換するための素子である。ＡＰＤ１１のカソード電極は制御部５に電気的に接続されており、ＡＰＤ１１のアノード電極は増幅器９に電気的に接続されている。ＡＰＤ１１は、カソード電極に制御部５から電源電圧Ｐ１を受けることによって作動し、受光面１１ａに信号光Ｌ２が入射すると該信号光Ｌ２に応じた出力電流Ｉ１を生成する。このとき、ＡＰＤ１１内部では、信号光Ｌ２の入射によって発生した光電流がアバランシェ増倍作用により所定の増倍率で増倍されることにより、出力電流Ｉ１が生成される。ＡＰＤ１１は、生成した出力電流Ｉ１をアノード電極から増幅器９へ提供する。増幅器９は、ＡＰＤ１１からの出力電流Ｉ１を電圧信号に変換するとともに増幅することにより受信信号Ｓ１を生成し、該受信信号Ｓ１を光受信器１の外部へ提供する。
【００２３】
ＰＩＮ−ＰＤ１３は、信号光Ｌ３を出力電流Ｉ２に変換するための素子である。ＰＩＮ−ＰＤ１３は、ＡＰＤ１１から隔離されて配置される。ＰＩＮ−ＰＤ１３のカソード電極は図示しない所定の電源端に電気的に接続されており、ＰＩＮ−ＰＤ１３のアノード電極は制御部５に電気的に接続されている。ＰＩＮ−ＰＤ１３は、受光面１３ａに信号光Ｌ３が入射すると該信号光Ｌ３に応じた出力電流Ｉ２を生成する。ＰＩＮ−ＰＤ１３は、生成した出力電流Ｉ２をアノード電極から制御部５へ提供する。
【００２４】
制御部５は、本実施形態における制御手段であり、ＡＰＤ１１が所定のアバランシェ増倍率を維持するように、ＡＰＤ１１への電源電圧Ｐ１をＰＩＮ−ＰＤ１３からの出力電流値に基づいて制御する。すなわち、制御部５は、ＰＩＮ−ＰＤ１３からの出力電流Ｉ２によって、信号光Ｌ３の光量を検出する。制御部５は、ＡＰＤ１１が信号光Ｌ２の光量に応じて発生する光電流を所定の増倍率でアバランシェ増倍するように、信号光Ｌ３の光量に基づいてＡＰＤ１１への電源電圧Ｐ１を生成する。制御部５は、例えばＣＰＵ等を搭載した演算装置や電気回路などによって構成されることができる。
【００２５】
ここで、制御部５の上記した機能について、さらに詳細に説明する。図２は、ＡＰＤ１１の電源電圧に対する出力電流の特性を示すグラフである。なお、図２に示すグラフでは、ＡＰＤ１１の受光面１１ａに入射する光の光量を一定としている。図２を参照すると、ＡＰＤ１１に或る電圧ＶＢよりも小さい電源電圧が印加されている場合には、ＡＰＤ１１は入射光量に応じた光電流Ｉ０を発生する（この状態を、ＡＰＤ１１におけるＰＩＮモードと称する）。また、ＡＰＤ１１に電圧ＶＢよりも大きな電源電圧が印加されている場合には、ＡＰＤ１１においてアバランシェ増倍作用が生じ、ＡＰＤ１１からの出力電流値は光電流Ｉ０に所定の増倍率を掛けた値となる。
【００２６】
アバランシェ増倍作用は、ＡＰＤ１１へ電源電圧として比較的高い逆バイアス電圧が印加されることにより生じる。このとき、ＡＰＤ１１は、ＰＮ接合のブレークダウン電圧付近で動作することとなるので、その動作特性はＡＰＤ１１の温度などの変化に対して非常に敏感になる。例えば、図２において、グラフＡ、Ｂ、ＣはそれぞれＡＰＤ１１の温度がＴＭ、ＴＬ、ＴＨ（ＴＬ＜ＴＭ＜ＴＨ）のときのグラフである。このように、一定の光量下で且つＡＰＤ１１への電源電圧が同じ値（例えばＶＭ）であっても、温度変化によってＡＰＤ１１からの出力電流値がＩＨ、ＩＭ、ＩＬなどのように変動することとなる。
【００２７】
図２に示したグラフにおいて、例えば所定の入射光量に対して出力電流ＩＭ（＝ｍ・Ｉ０、ｍ：所望のアバランシェ増倍率）を得ようとすれば、ＡＰＤ１１の特性の変動に応じて電源電圧値をＶＬ、ＶＭ、ＶＨなどのように変化させるとよい。従来より、サーミスタ等を用いてＡＰＤの温度を測定し、ＡＰＤの温度に基づいて電源電圧を変化させる方法が主に用いられているが、ＡＰＤの温度特性にも個体差があるため、この方法では所望のアバランシェ増倍率ｍを精度良く得ることが難しい。
【００２８】
これに対し、本実施形態の制御部５では、ＰＩＮ−ＰＤ１３からの出力電流Ｉ２に基づいてＡＰＤ１１のアバランシェ増倍率を制御する。まず、光受信器１に或る光量の光を入射させ、このときのＡＰＤ１１のＰＩＮモードにおける出力電流Ｉ１の値及びＰＩＮ−ＰＤ１３の出力電流Ｉ２の値をそれぞれＩava2（Ａ）及びＩpin2（Ａ）とする。そして、ＡＰＤ１１に信号光Ｌ２が入射したときのＡＰＤ１１の出力電流Ｉ２の平均値が以下の式
ｍ・Ｉpin1・（Ｉava2／Ｉpin2）
（ｍ：所望のアバランシェ増倍率、Ｉpin1：信号光Ｌ３に対するＰＩＮ−ＰＤ１３からの出力電流Ｉ２の電流値（Ａ））に近づくように、電源電圧Ｐ１を制御する。これにより、温度変化などの影響を受けることなくＡＰＤ１１において所望のアバランシェ増倍率ｍが得られる。なお、出力電流Ｉ２の平均値とは、符号化されている信号光Ｌ１（Ｌ２）に応じた出力電流Ｉ２における、複数の符号にわたる充分な時間の時間平均値を意味する。出力電流Ｉ２の平均値は、例えば積分回路などによって生成されることができる。
【００２９】
次に、光受信部３について詳細に説明する。図３は、本実施形態の光受信部３を示す断面図である。図３を参照すると、光受信部３は、ＡＰＤモジュール３３、ＰＩＮ−ＰＤモジュール３５、ハーフミラー１５、パッケージ３１、フェルール３９、及び光ファイバ３７を備えている。
【００３０】
パッケージ３１は、ＡＰＤモジュール３３、ＰＩＮ−ＰＤモジュール３５、ハーフミラー１５、及び光ファイバ３７を所定の位置関係で保持するための部材である。パッケージ３１は、所定の軸方向に延びる筒状を呈しており、例えばステンレスなどの金属からなる。或いは、パッケージ３１は、例えばエポキシ樹脂などの樹脂からなってもよい。パッケージ３１には、パッケージ３１を所定の軸方向に貫通する貫通孔３１ａと、貫通孔３１ａのほぼ中央から分岐されており、所定の軸方向とは異なる方向へパッケージ３１の側壁を貫通する貫通孔３１ｂとが形成されている。貫通孔３１ａの一端にはフェルール３９及び光ファイバ３７が挿入されており、貫通孔３１ａの他端にはＡＰＤモジュール３３が固定されている。貫通孔３１ｂの他端（パッケージ３１表面側の端部）には、ＰＩＮ−ＰＤモジュール３５が固定されている。貫通孔３１ａと３１ｂとの分岐点には、ハーフミラー１５が設けられている。
【００３１】
本実施形態では、ハーフミラー１５によって、信号光Ｌ１が２つの信号光Ｌ２及びＬ３に分岐される。ハーフミラー１５はＡＰＤモジュール３３及びＰＩＮ−ＰＤモジュール３５と光学的に結合されており、信号光Ｌ２がＡＰＤモジュール３３へ入射し、信号光Ｌ３がＰＩＮ−ＰＤモジュール３５へ入射する。
【００３２】
ハーフミラー１５は、例えばガラス板やポリイミド板からなり、その反射面１５ａには、例えば数十層から１００層程度の多層膜が形成されている。この多層膜は、ハーフミラー１５における偏波依存性を解消するために設けられている。すなわち、信号光Ｌ１の光量の一部がハーフミラー１５において反射して信号光Ｌ３となるときに、信号光Ｌ１の偏波状態により信号光Ｌ３の光量が変動することを多層膜によって防ぐ。
【００３３】
ここで、図４は、ＡＰＤモジュール３３またはＰＩＮ−ＰＤモジュール３５を示す断面図である。図４を参照すると、ＡＰＤモジュール３３（ＰＩＮ−ＰＤモジュール３５）は、いわゆる同軸型ＣＡＮパッケージの構成を有しており、ステム４１、キャップ４３、レンズ４５、ＡＰＤ１１（ＰＩＮ−ＰＤ１３）、マウント４９、及びリードピン４７を備えている。
【００３４】
ステム４１は、例えば直径５．６ｍｍといった大きさの円盤状の部材でステンレス、銅、鉄等の金属材料からなる部材である。ステム４１には、複数のリードピン４７がステム４１の厚さ方向に貫通して取り付けられている。マウント４９はステム４１の主面４１ａ上に設けられており、マウント４９上にＡＰＤ１１（ＰＩＮ−ＰＤ１３）が載置されている。ＡＰＤ１１（ＰＩＮ−ＰＤ１３）のアノード電極及びカソード電極は複数のリードピン４７のうち一部のリードピン４７と電気的に接続されており、ＡＰＤ１１（ＰＩＮ−ＰＤ１３）は該リードピン４７を介して光受信部３の外部へ出力電流Ｉ１（Ｉ２）を提供する。本実施形態では、ＡＰＤモジュール３３のリードピン４７は制御部５及び増幅器９（図１参照）に電気的に接続されており、ＰＩＮ−ＰＤモジュール３５のリードピン４７は制御部５及び所定の電源端に電気的に接続されている。
【００３５】
キャップ４３は、上記したＡＰＤ１１（ＰＩＮ−ＰＤ１３）及びマウント４９を覆うための部材である。キャップ４３は、一端が塞がれた円筒形状をしており、例えばステンレス、鉄、鉄ニッケル合金、真鍮等の金属材料からなる。キャップ４３は、その他端がステム４１の主面４１ａに接するようにステム４１に固定されている。キャップ４３の一端には、ＡＰＤ１１（ＰＩＮ−ＰＤ１３）の受光面１１ａ（１３ａ）と光学的に結合された球状のレンズ４５が設けられている。信号光Ｌ２（Ｌ３）は、レンズ４５によって集光され、ＡＰＤ１１（ＰＩＮ−ＰＤ１３）の受光面１１ａ（１３ａ）へ入射する。
【００３６】
次に、制御部５について詳細に説明する。図５は、制御部５の内部回路を示す回路図である。
【００３７】
図５を参照すると、制御部５は、ＤＣ−ＤＣコンバータ７と、変換回路１７と、カレントミラー回路２１と、電圧制御回路１９とを備えている。ＤＣ−ＤＣコンバータ７は、本実施形態における電源回路であり、入力７ａ及び７ｂ、並びに出力７ｃを有している。入力７ａは、所定電圧（例えば３．３Ｖ）の電源端に電気的に接続されている。出力７ｃは、カレントミラー回路２１に電気的に接続されている。入力７ｂは電圧制御回路１９に電気的に接続されており、ＤＣ−ＤＣコンバータ７は制御信号Ｓ３（後述）を電圧制御回路１９から受ける。ＤＣ−ＤＣコンバータ７は、電源端からの電源電圧を制御信号Ｓ３に基づいて変圧し、電源電圧Ｐ１を生成する。そして、ＤＣ−ＤＣコンバータ７は、出力７ｃからカレントミラー回路２１へ電源電圧Ｐ１を供給する。
【００３８】
カレントミラー回路２１は、抵抗素子２１１及び２１３、並びにｐｎｐ型のトランジスタ２１５及び２１７を含んでいる。また、カレントミラー回路２１は、入力２１ａ、出力２１ｂ（第２の出力）及び出力２１ｃ（第１の出力）を有している。そして、カレントミラー回路２１は、出力２１ｂにおける電流量が出力２１ｃにおける電流量とほぼ等しくなるように構成されている。すなわち、トランジスタ２１５のエミッタ端子は、抵抗素子２１１を介して入力２１ａに電気的に接続されている。トランジスタ２１７のエミッタ端子は、抵抗素子２１３を介して入力２１ａに電気的に接続されている。カレントミラー回路２１の入力２１ａは、ＤＣ−ＤＣコンバータ７の出力７ｃに電気的に接続されており、ＤＣ−ＤＣコンバータ７から電源電圧Ｐ１が供給される。トランジスタ２１５のベース端子とトランジスタ２１７のベース端子とは、ノード２１９を介して互いに電気的に接続されている。ノード２１９は、トランジスタ２１７のコレクタ端子に電気的に接続されている。トランジスタ２１５のコレクタ端子は、カレントミラー回路２１の出力２１ｂに電気的に接続されている。トランジスタ２１７のコレクタ端子は、カレントミラー回路２１の出力２１ｃを介してＡＰＤ１１のカソード電極１１ｂに電気的に接続されている。なお、ＡＰＤ１１のアノード電極１１ｃは、前述したように増幅器９に電気的に接続されている。
【００３９】
変換回路１７は、バッファアンプ１７１及び抵抗素子１７３を含んでいる。また、変換回路１７は、入力１７ａ、出力１７ｂ及び１７ｃを有している。抵抗素子１７３の一端は、ノード１７５及び入力１７ａを介してＰＩＮ−ＰＤ１３のアノード電極１３ｃに電気的に接続されている。なお、ＰＩＮ−ＰＤ１３のカソード電極１３ｂは、所定の電源端（例えば３．３Ｖ）に電気的に接続されている。抵抗素子１７３の他端は、基準電位線に電気的に接続されている。バッファアンプ１７１の＋側入力端子はノード１７５に電気的に接続されており、バッファアンプ１７１の−側入力端子はバッファアンプ１７１の出力端子に電気的に接続されている。バッファアンプ１７１の出力端子は、出力１７ｃを介してモニタ用端子に電気的に接続されるとともに、出力１７ｂを介して抵抗素子２５の一端に電気的に接続されている。抵抗素子２５の他端は、ノード２７及びダイオード２３を介して基準電位線に電気的に接続されている。
【００４０】
電圧制御回路１９は、ＯＰアンプ１９１、抵抗素子１９３及び１９５を含んでいる。また、電圧制御回路１９は、入力１９ａ及び１９ｃ、並びに出力１９ｂを有している。ＯＰアンプ１９１の−側入力端子は、入力１９ａを介してノード２７に電気的に接続されているとともに、抵抗素子１９５を介してＯＰアンプ１９１の出力端子に電気的に接続されている。ＯＰアンプ１９１の出力端子は、電圧制御回路１９の出力１９ｂを介してＤＣ−ＤＣコンバータ７の入力７ｂに電気的に接続されている。ＯＰアンプ１９１の＋側入力端子は、ノード１９７に電気的に接続されている。ノード１９７は、抵抗素子１９３を介して基準電位線に電気的に接続されるとともに、電圧制御回路１９の入力１９ｃを介してカレントミラー回路２１の出力２１ｂに電気的に接続されている。
【００４１】
続いて、本実施形態による光受信器１の動作について説明する。再び図３を参照すると、光ファイバ３７を伝搬した信号光Ｌ１が、光受信部３に入射する。光受信部３では、信号光Ｌ１がハーフミラー１５によって信号光Ｌ２と信号光Ｌ３とに分岐される。信号光Ｌ２は、ハーフミラー１５を透過して直進し、ＡＰＤモジュール３３のＡＰＤ１１に入射する。信号光Ｌ３は、ハーフミラー１５の反射面１５ａにおいて反射し、ＰＩＮ−ＰＤモジュール３５のＰＩＮ−ＰＤ１３に入射する。
【００４２】
再び図５を参照すると、ＰＩＮ−ＰＤ１３のカソード電極１３ｂとアノード電極１３ｃとの間には３．３Ｖの逆バイアス電圧が印加されており、ＰＩＮ−ＰＤ１３に信号光Ｌ３が入射することによって該信号光Ｌ３の光量に応じた出力電流Ｉ２が流れる。出力電流Ｉ２は、変換回路１７に入力され、ノード１７５及び抵抗素子１７３を通って基準電位線に達する。このとき、抵抗素子１７３によってノード１７５に電位Ｖ１が生じ、該電位Ｖ１がバッファアンプ１７１に入力されることにより、信号光Ｌ３の光量に応じた電圧信号Ｓ２が生成される。
【００４３】
変換回路１７において生成された電圧信号Ｓ２は、変換回路１７の出力１７ｂから出力され、抵抗素子２５及びノード２７を介して電圧制御回路１９に入力される。なお、このとき、ＰＩＮ−ＰＤ１３に過大な光量の光が入力されて電圧信号Ｓ２の電圧値が規定値を超えると、ダイオード２３が作動してＯＰアンプ１９１に過大な電流が流れない仕組みになっている。
【００４４】
一方、ＡＰＤ１１のカソード電極１１ｂとアノード電極１１ｃとの間には、ＤＣ−ＤＣコンバータ７からカレントミラー回路２１を介して電源電圧Ｐ１が逆バイアス電圧として印加されている。そして、ＡＰＤ１１に信号光Ｌ２が入射すると、ＡＰＤ１１において該信号光Ｌ２の光量に応じた出力電流Ｉ１が流れる。出力電流Ｉ１は、増幅器９によって電圧信号に変換されて受信信号Ｓ１となり、該受信信号Ｓ１が光受信器１の外部へ提供される。このとき、カレントミラー回路２１の作用により、抵抗素子２１１及びトランジスタ２１５を流れる電流Ｉ３の電流量は、抵抗素子２１３及びトランジスタ２１７を流れる電流Ｉ１の電流量とほぼ等しくなる。電流Ｉ３は、カレントミラー回路２１の出力２１ｂから出力され、電圧制御回路１９の入力１９ｃ、ノード１９７、及び抵抗素子１９３を順に通って基準電位線へ流れる。電圧制御回路１９の抵抗素子１９３に電流Ｉ３が流れると、ノード１９７に電位Ｖ２が生じる。電位Ｖ２は、ＯＰアンプ１９１の＋側入力端子に入力される。
【００４５】
また、変換回路１７において生成され、電圧制御回路１９へ入力された電圧信号Ｓ２は、ＯＰアンプ１９１の−側端子に入力される。そして、ＯＰアンプ１９１の出力端子は抵抗素子１９５を介して負帰還されているので、電圧信号Ｓ２と電位Ｖ２との差が所定倍率で増幅され、制御信号Ｓ３が生成される。すなわち、制御信号Ｓ３の値は、ＡＰＤ１１の出力電流Ｉ１の電流値と、ＰＩＮ−ＰＤ１３の出力電流Ｉ２の電流値とが所定の比率から乖離したときに大きくなる。ＤＣ−ＤＣコンバータ７は、電圧制御回路１９から制御信号Ｓ３を受けると、この制御信号Ｓ３の値が０に近づくように電源電圧Ｐ１の電圧値を調整する。
【００４６】
以上に説明した動作によって、ＡＰＤ１１への電源電圧Ｐ１が制御され、ＡＰＤ１１は所望のアバランシェ増倍率ｍを維持することができる。なお、本実施形態においては、或る光量の光が入射したときのＡＰＤ１１のＰＩＮモードにおける出力電流Ｉ１の電流値（＝Ｉava2）及びＰＩＮ−ＰＤ１３の出力電流Ｉ２の電流値（＝Ｉpin2）をまず測定し、それらの比と所望のアバランシェ増倍率ｍとの積ｍ（Ｉava2／Ｉpin2）に基づいて、抵抗素子１９３の抵抗値を定めるとよい。また、アバランシェ増倍率ｍを変更する場合は、抵抗素子１９３の抵抗値を変更するとよい。抵抗素子１９３をデジタルポテンショメータとすれば、外部信号によってアバランシェ増倍率ｍを変化させることが可能になる。以下に、図５に示した回路図における数値例を記しておく。
出力電流Ｉ１：１０μＡ（信号光Ｌ２の光量：０．９５μＷ）
出力電流Ｉ２：５０ｎＡ（信号光Ｌ３の光量：０．０５μＷ）
電流Ｉ３：１０μＡ
抵抗素子１７３：１００ｋΩ
抵抗素子１９３：５００ｋΩ
抵抗素子１９５：ＯＰアンプ１９１に関する閉ループが発振しない程度に大きいことが好ましい
抵抗素子２１１：１ｋΩ
抵抗素子２１３：１ｋΩ
電源電圧Ｐ１：５０Ｖ
電位Ｖ１：５ｍＶ
電位Ｖ２：５ｍＶ
【００４７】
あるいは、抵抗素子２１１、抵抗素子２１３、及び電流Ｉ３については、以下の数値とすることもできる。この場合、ＤＣ−ＤＣコンバータ７の消費電力を上記数値の場合と比べて１１／２０に低減することができる。
電流Ｉ３：１μＡ
抵抗素子２１１：１０ｋΩ
抵抗素子２１３：１ｋΩ
抵抗素子１９３：５ＭΩ
【００４８】
本実施形態による光受信器は、以下の効果を有する。すなわち、本実施形態による光受信器１では、偏波依存性を低減する多層膜を形成することが容易なハーフミラー１５によって信号光Ｌ１を分岐している。従って、信号光Ｌ１の偏波状態等によって信号光Ｌ２、Ｌ３の光量が変動することなくＡＰＤ１１及びＰＩＮ―ＰＤ１３へ信号光Ｌ２及びＬ３がそれぞれ入射される。また、ＡＰＤ１１及びＰＩＮ−ＰＤ１３が隔離されて配置されることにより、ＡＰＤ１１とＰＩＮ−ＰＤ１３との間のクロストークを防止できる。従って、本実施形態の光受信器１によれば、ＰＩＮ−ＰＤ１３の出力電流Ｉ２に基づいてＡＰＤ１１のアバランシェ増倍率を精度良く制御することが可能となる。
【００４９】
また、本実施形態による光受信器１では、ＡＰＤ１１が所定のアバランシェ増倍率ｍを維持するように、ＡＰＤ１１への電源電圧Ｐ１をＰＩＮ−ＰＤ１３からの出力電流Ｉ２の電流値に基づいて制御する制御部５を備えている。光受信器１はこのような制御部５を備えることが好ましく、これによって、ＡＰＤ１１のアバランシェ増倍率ｍを良好に制御することができる。
【００５０】
（第１の変形例）
図６は、上記した実施形態による光受信器１の第１変形例として、光受信部３ａを示す平面図である。また、図７は、図６に示す光受信部３ａのＩ−Ｉ断面を示す断面図である。図６及び図７を参照すると、光受信部３ａは、基板６１、ＡＰＤ６３、ＰＩＮ−ＰＤ６５、及び光導波路６７を備えている。基板６１は主面６１ａを有しており、ＡＰＤ６３、ＰＩＮ−ＰＤ６５、及び光導波路６７は、基板６１の主面６１ａ上に設けられている。このうち、ＡＰＤ６３及びＰＩＮ−ＰＤ６５は、互いに隔離されて配置されている。
【００５１】
光導波路６７は、その一端６７ａが基板６１の縁に位置しており、該一端６７ａが光ファイバ７５に光学的に結合されている。なお、光ファイバ７５の端部はフェルール７７に保持されている。そして、光導波路６７は、他端６７ｂ及び６７ｃへ向けて２方向に分岐している。すなわち、光導波路６７において、第１の部分６７ｆが一端６７ａから分岐点６７ｇまで延びており、第２の部分６７ｅが分岐点６７ｇから他端６７ｃまで延びており、第３の部分６７ｄが分岐点６７ｇから他端６７ｂまで延びている。光導波路６７の他端６７ｃには、ＡＰＤ６３の受光面６３ａが光学的に結合されている。光導波路６７の他端６７ｂには、ＰＩＮ−ＰＤ６５の受光面が光学的に結合されている。なお、光導波路６７における分岐比は、第２の部分６７ｅを伝搬する信号光の光量と第２の部分６７ｅを伝搬する信号光の光量との比が９：１ないし９９：１となる程度であることが好ましい。
【００５２】
また、図７を参照すると、光導波路６７は、コア部６７ｈ及びクラッド部６７ｉを有している。コア部６７ｈは、クラッド部６７ｉの材料よりも屈折率が大きな材料からなる。これにより、光ファイバ７５から光導波路６７の一端６７ａに入射された信号光は、主にコア部６７ｈに閉じ込められて光導波路６７の内部を好適に導波されることとなる。
【００５３】
本発明による光受信器は、図３に示した光受信部３に代えて、本変形例による光受信部３ａを備えることによっても、上記した実施形態の効果と同様の効果を得ることができる。すなわち、本変形例では、光導波路６７の分岐点において信号光Ｌ１が分岐されるので、信号光Ｌ１の偏波状態等によって信号光Ｌ２、Ｌ３の光量が変動することなくＡＰＤ６３及びＰＩＮ−ＰＤ６５へ信号光Ｌ２及びＬ３がそれぞれ入射される。さらに、ＡＰＤ６３とＰＩＮ−ＰＤ６５とが隔離して配置されることによって、ＡＰＤ６３とＰＩＮ−ＰＤ６５との間のクロストークを防止できる。従って、本変形例によれば、ＰＩＮ−ＰＤ６５の出力電流Ｉ２に基づいてＡＰＤ６３のアバランシェ増倍率を精度良く制御することが可能となる。
【００５４】
（第２の変形例）
図８は、上記した実施形態による光受信器１の第２変形例として、光受信部３ｂを示す平面図である。図８を参照すると、光受信部３ｂは、光カプラ８０、ＡＰＤモジュール８５、及びＰＩＮ−ＰＤモジュール８７を備えている。本実施形態において、ＡＰＤモジュール８５及びＰＩＮ−ＰＤモジュール８７はピッグテイル型と呼ばれる形態を有しており、ＡＰＤモジュール８５及びＰＩＮ−ＰＤモジュール８７の内部にはＡＰＤ及びＰＩＮ−ＰＤがそれぞれ内蔵されている。
【００５５】
光カプラ８０は、光ファイバ８３、及び該光ファイバ８３を収容する容器８１を有している。光ファイバ８３は、本変形例における光導波路である。光ファイバ８３は、その一端８３ａが光ファイバ８９ａに光学的に結合されている。そして、光ファイバ８３は、他端８３ｂ及び８３ｃへ向けて２方向に分岐している。すなわち、光ファイバ８３において、第１の部分８３ｆが一端８３ａから分岐点８３ｇまで延びており、第２の部分８３ｅが分岐点８３ｇから他端８３ｃまで延びており、第３の部分８３ｄが分岐点８３ｇから他端８３ｂまで延びている。光ファイバ８３の他端８３ｃには、光ファイバ８９ｃの一端が光学的に結合されている。光ファイバ８９ｃの他端は、ＡＰＤモジュール８７に光学的に結合されている。また、光ファイバ８３の他端８３ｂには、光ファイバ８９ｂの一端が光学的に結合されている。光ファイバ８９ｂの他端は、ＰＩＮ−ＰＤモジュール８５に光学的に結合されている。なお、光ファイバ８９ａ〜８９ｃの端部は、それぞれフェルール９１ａ〜９１ｃに保持されている。また、光カプラ８０における分岐比は、光ファイバ８３の他端８３ｂを通過する信号光の光量と他端８３ｃを通過する信号光の光量との比が９：１ないし９９：１となる程度であることが好ましい。
【００５６】
図１に示した光受信器１は、図３に示した光受信部３に代えて、本変形例による光受信部３ｂを備えることによっても、上記した実施形態の効果と同様の効果を得ることができる。
【００５７】
（第３の変形例）
図９は、上記した実施形態による光受信器１の第３変形例として、制御部６の内部回路を示す回路図である。本変形例による制御部６は、以下の点を除き、上記した実施形態の制御部５と同様の構成を備えている。すなわち、本変形例による制御部６は、上記した実施形態の電圧制御回路１９及びＤＣ−ＤＣコンバータ７に代えて、電流制御回路１８及びＤＣ−ＤＣコンバータ５１を備えている。また、本変形例による制御部６では、上記した実施形態と異なり、カレントミラー回路２１の出力２１ｂ（第２の出力）がＡＰＤ１１のカソード電極１１ｂに電気的に接続されており、カレントミラー回路２１の出力２１ｃ（第１の出力）が電流制御回路１８に電気的に接続されている。
【００５８】
電流制御回路１８は、ＯＰアンプ１８１、抵抗素子１８３及び１８５、並びにｎｐｎ型のトランジスタ１８９を含んでいる。また、電流制御回路１８は、入力１８ａ及び１８ｂを有している。ＯＰアンプ１８１の−側入力端子は、入力１８ａを介してノード２７に電気的に接続されているとともに、抵抗素子１８５を介してノード１８７に電気的に接続されている。ＯＰアンプ１８１の＋側入力端子は、基準電位線に電気的に接続されている。ＯＰアンプ１８１の出力端子は、トランジスタ１８９のベース端子に電気的に接続されている。トランジスタ１８９のコレクタ端子は、入力１８ｂを介してカレントミラー回路２１の出力２１ｃに電気的に接続されている。トランジスタ１８９のエミッタ端子は、ノード１８７及び抵抗素子１８３を介して基準電位線に電気的に接続されている。
【００５９】
また、ＤＣ−ＤＣコンバータ５１は、本変形例における電源回路であり、入力５１ａ及び出力５１ｂを有している。入力５１ａは、所定電圧（例えば３．３Ｖ）の電源端に電気的に接続されている。出力５１ｂは、カレントミラー回路２１の入力２１ａに電気的に接続されている。ＤＣ−ＤＣコンバータ５１は、上記した実施形態のＤＣ−ＤＣコンバータ７とは異なり、電源端からの電源電圧を予め定められた電源電圧Ｐ１（例えば８０Ｖ）に変換する。そして、ＤＣ−ＤＣコンバータ５１は、出力５１ｂからカレントミラー回路２１へ電源電圧Ｐ１を供給する。
【００６０】
続いて、本変形例の動作について説明する。なお、上記した実施形態による光受信器１の動作と重複する動作については、説明を省略する。
【００６１】
ＰＩＮ−ＰＤ１３に信号光Ｌ３が入射した後、変換回路１７において生成され、電流制御回路１８へ入力された電圧信号Ｓ２は、ＯＰアンプ１８１の−側端子に入力される。そして、ＯＰアンプ１８１において制御信号Ｓ４が生成される。制御信号Ｓ４はトランジスタ１８９のベース端子に入力され、トランジスタ１８９のコレクタ−エミッタ間に制御信号Ｓ４に応じた電流Ｉ３が流れる。電流Ｉ３が抵抗素子１８３を流れると、ノード１８７に電位Ｖ３が生じ、この電位Ｖ３が抵抗素子１８５を介してＯＰアンプ１８１の−側入力端子に負帰還される。従って、制御信号Ｓ４の電圧は電圧信号Ｓ２の電圧を所定倍した大きさとなり、制御信号Ｓ４の大きさに従って電流Ｉ３の電流量が決定される。
【００６２】
一方、ＡＰＤ１１のカソード電極１１ｂとアノード電極１１ｃとの間には、ＤＣ−ＤＣコンバータ５１からカレントミラー回路２１を介して電源電圧Ｐ１が逆バイアス電圧として印加されている。そして、ＡＰＤ１１に信号光Ｌ２が入射すると、ＡＰＤ１１に出力電流Ｉ１が流れる。このとき、カレントミラー回路２１の作用により、抵抗素子２１１及びトランジスタ２１５を流れる電流Ｉ１の電流量は、抵抗素子２１３及びトランジスタ２１７を流れる電流Ｉ３の電流量とほぼ等しくなる。すなわち、電流Ｉ３の電流量は前述したように電流制御回路１８によって制御されているので、この電流Ｉ３とほぼ同じ電流量の出力電流Ｉ１がＡＰＤ１１に流れることとなる。出力電流Ｉ１は、増幅器９によって電圧信号に変換されて受信信号Ｓ１となり、該受信信号Ｓ１が光受信器１の外部へ提供される。
【００６３】
以上に説明した動作によって、ＡＰＤ１１の出力電流Ｉ１が制御され、ＡＰＤ１１は所望のアバランシェ増倍率ｍを維持することができる。なお、本変形例においても上記した実施形態と同様に、或る光量の光が入射したときのＡＰＤ１１のＰＩＮモードにおける出力電流Ｉ１の電流値（＝Ｉava2）及びＰＩＮ−ＰＤ１３の出力電流Ｉ２の電流値（＝Ｉpin2）をまず測定し、それらの比と所望のアバランシェ増倍率ｍとの積ｍ（Ｉava2／Ｉpin2）に基づいて、抵抗素子１８３の抵抗値を定めるとよい。
【００６４】
本変形例では、制御部６が、ＡＰＤ１１が所定のアバランシェ増倍率ｍを維持するように、ＡＰＤ１１を流れる出力電流Ｉ１をＰＩＮ−ＰＤ１３からの出力電流Ｉ２の電流値に基づいて制御している。光受信器１はこのような制御部６を備えることによっても、ＡＰＤ１１のアバランシェ増倍率を良好に制御することができる。
【００６５】
本発明による光受信器は、上記した実施形態及び変形例に限られるものではなく、他にも様々な変形が可能である。例えば、上記した実施形態及び各変形例では、ＡＰＤへの信号光の光量とＰＩＮ−ＰＤへの信号光の光量との比が９：１〜９９：１となるように信号光を分岐しているが、これらの光量の比を他の所望の比率とすることも可能である。また、上記した実施形態では制御部がＡＰＤへの電源電圧を制御し、第３変形例では制御部がＡＰＤを流れる電流量を制御しているが、制御手段は電源電圧及び電流の双方を同時に制御してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】図１は、本発明による光受信器の実施形態を示すブロック図である。
【図２】図２は、ＡＰＤの電源電圧に対する出力電流の特性を示すグラフである。
【図３】図３は、光受信部を示す断面図である。
【図４】図４は、ＡＰＤ部またはＰＩＮ−ＰＤ部を示す断面図である。
【図５】図５は、制御部の内部回路を示す回路図である。
【図６】図６は、光受信器の第１変形例として、光受信部を示す平面図である。
【図７】図７は、図６に示す光受信部のＩ−Ｉ断面を示す断面図である。
【図８】図８は、光受信器の第２変形例として、光受信部を示す平面図である。
【図９】図９は、光受信器の第３変形例として、制御部の内部回路を示す回路図である。
【図１０】図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、従来の光受信器を示す図である。
【符号の説明】
【００６７】
１…光受信器、３、３ａ、３ｂ…光受信部、５、６…制御部、９…増幅器、１１…ＡＰＤ、１１ａ…受光面、１３…ＰＩＮ−ＰＤ、１３ａ…受光面、１５…ハーフミラー、１５ａ…反射面、１７…変換回路、１８…電流制御回路、１９…電圧制御回路、２１…カレントミラー回路、３１…パッケージ、３１ａ、３１ｂ…貫通孔、３３、８７…ＡＰＤモジュール、３５、８５…ＰＩＮ−ＰＤモジュール、３７、７５、８３、８９ａ〜８９ｃ…光ファイバ、４１…ステム、４３…キャップ、４５…レンズ、４７…リードピン、４９…マウント、６１…基板、６３ａ…受光面、６７ｉ…クラッド部、６７ｈ…コア部、６７…光導波路、８０…光カプラ、８１…容器、Ｉ１、Ｉ２…出力電流、Ｉ３…電流、Ｌ１〜Ｌ３…信号光、Ｐ１…電源電圧、Ｓ１…受信信号、Ｓ２…電圧信号、Ｓ３、Ｓ４…制御信号。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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