(57)【要約】【課題】  データの書き換えが可能な不揮発性メモリを機器寿命まで使用できる電子機器を提供する。【解決手段】  データを記憶するＲＡＭ２と、このＲＡＭ２上のデータの書き込みが可能なフラッシュメモリ（不揮発性メモリ）３と、電力を供給する主電源４とを有する電子機器１であって、主電源４のＯＮからの経過時間を計測する手段と、経過時間がフラッシュメモリ３に記憶された書き換えインターバルに達したときに、ＲＡＭ２上のデータが変更されていればこのデータをフラッシュメモリ３に書き込んで経過時間をリセットする一方、ＲＡＭ２上のデータが変更されていなければ経過時間をリセットする手段と、主電源４のＯＦＦを検知する電源断検知回路５と、この電源断検知回路５が主電源４のＯＦＦを検知したときにＲＡＭ２上のデータをフラッシュメモリ３に書き込む手段と、を備えた。【選択図】      図２ 
2005099983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを記憶するＲＡＭと、このＲＡＭ上のデータの書き込みが可能な不揮発性メモリと、電力を供給する主電源とを有する電子機器であって、
前記主電源のＯＮからの経過時間を計測する手段と、
前記経過時間が前記不揮発性メモリに記憶された書き換えインターバルに達したときに、前記ＲＡＭ上のデータが変更されていればこのデータを前記不揮発性メモリに書き込んで前記経過時間をリセットする一方、前記ＲＡＭ上のデータが変更されていなければ前記経過時間をリセットする手段と、
前記主電源のＯＦＦを検知する電源断検知回路と、
この電源断検知回路が前記主電源のＯＦＦを検知したときに前記ＲＡＭ上のデータを前記不揮発性メモリに書き込む手段と、
を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
データを記憶するＲＡＭと、このＲＡＭ上のデータの書き込みが可能な不揮発性メモリと、電力を供給する主電源とを有する電子機器であって、
前記主電源のＯＮからの経過時間を計測する手段と、
前記経過時間が前記不揮発性メモリに記憶された書き換えインターバルに達したときに、前記ＲＡＭ上のデータが変更されていればこのデータを前記不揮発性メモリに書き込み、前記不揮発性メモリに記憶されたその総書き換え回数に１回加算して前記経過時間をリセットする一方、前記ＲＡＭ上のデータが変更されていなければ前記書き換えインターバルを更新して前記経過時間をリセットする手段と、
前記主電源のＯＦＦを検知する電源断検知回路と、
この電源断検知回路が前記主電源のＯＦＦを検知したときに前記ＲＡＭ上のデータを前記不揮発性メモリに書き込み、前記総書き換え回数に１回加算して前記書き換えインターバルを更新する手段と、
を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項３】
当該電子機器の使用時間を積算する使用時間積算回路を備えると共に、
前記書き換えインターバルを更新する手段は、前記不揮発性メモリに記憶された当該電子機器の機器寿命、前記使用時間積算回路により積算された当該電子機器の使用時間、前記不揮発性メモリに記憶されたその書き換え可能回数及び総書き換え回数を用い、前記不揮発性メモリに記憶された数式
Ｔ＝Ｌ／Ｘ＝（Ｌ0−Ｌt）／（Ｘ0−Ｘt）
〔式中、Ｔ（分ごと）：書き換えインターバル，
Ｌ（分）：電子機器の残り機器寿命，
Ｘ（回）：不揮発性メモリの残り書き換え可能回数，
Ｌ0（分）：電子機器の機器寿命，
Ｌt（分）：電子機器の使用時間，
Ｘ0（回）：不揮発性メモリの書き換え可能回数，
Ｘt（回）：不揮発性メモリの総書き換え回数〕
に基づいて前記書き換えインターバルを算出、更新するものである請求項２記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、データの書き換えが可能な不揮発性メモリ等を有する電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、フラッシュメモリやＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable and Programmable ROM）等のデータの書き換えが可能な不揮発性メモリは、バックアップ電源を必要とせず、数万回の書き込み／消去の繰り返しにも耐えられるようになっている（例えば、非特許文献１参照）。
【非特許文献１】日経ＢＰ社出版局編，「日経ＢＰ デジタル大事典 2000−2001年版」，３版１刷，日経ＢＰ社発行，2000年3月20日，p.831,832
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記のような不揮発性メモリにユーザーが設定したユーザーデータ等の各種のデータを記録するような電子機器においては、不揮発性メモリの書き換え可能回数に上限があるので、データが変更されるごとに不揮発性メモリ上のデータを書き換えれば、不揮発性メモリを電子機器の機器寿命まで使用できないことがあるという問題点がある。
【０００４】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、データの書き換えが可能な不揮発性メモリを機器寿命まで使用できる電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するための請求項１の発明は、データを記憶するＲＡＭと、このＲＡＭ上のデータの書き込みが可能な不揮発性メモリと、電力を供給する主電源とを有する電子機器であって、前記主電源のＯＮからの経過時間を計測する手段と、前記経過時間が前記不揮発性メモリに記憶された書き換えインターバルに達したときに、前記ＲＡＭ上のデータが変更されていればこのデータを前記不揮発性メモリに書き込んで前記経過時間をリセットする一方、前記ＲＡＭ上のデータが変更されていなければ前記経過時間をリセットする手段と、前記主電源のＯＦＦを検知する電源断検知回路と、この電源断検知回路が前記主電源のＯＦＦを検知したときに前記ＲＡＭ上のデータを前記不揮発性メモリに書き込む手段と、を備えたものである。
【０００６】
請求項２の発明は、データを記憶するＲＡＭと、このＲＡＭ上のデータの書き込みが可能な不揮発性メモリと、電力を供給する主電源とを有する電子機器であって、前記主電源のＯＮからの経過時間を計測する手段と、前記経過時間が前記不揮発性メモリに記憶された書き換えインターバルに達したときに、前記ＲＡＭ上のデータが変更されていればこのデータを前記不揮発性メモリに書き込み、前記不揮発性メモリに記憶されたその総書き換え回数に１回加算して前記経過時間をリセットする一方、前記ＲＡＭ上のデータが変更されていなければ前記書き換えインターバルを更新して前記経過時間をリセットする手段と、前記主電源のＯＦＦを検知する電源断検知回路と、この電源断検知回路が前記主電源のＯＦＦを検知したときに前記ＲＡＭ上のデータを前記不揮発性メモリに書き込み、前記総書き換え回数に１回加算して前記書き換えインターバルを更新する手段と、を備えたものである。
【０００７】
請求項３の発明は、当該電子機器の使用時間を積算する使用時間積算回路を備えると共に、前記書き換えインターバルを更新する手段は、前記不揮発性メモリに記憶された当該電子機器の機器寿命、前記使用時間積算回路により積算された当該電子機器の使用時間、前記不揮発性メモリに記憶されたその書き換え可能回数及び総書き換え回数を用い、前記不揮発性メモリに記憶された数式
Ｔ＝Ｌ／Ｘ＝（Ｌ0−Ｌt）／（Ｘ0−Ｘt）      ・・・〔１〕
〔式中、Ｔ（分ごと）：書き換えインターバル，
Ｌ（分）：電子機器の残り機器寿命，
Ｘ（回）：不揮発性メモリの残り書き換え可能回数，
Ｌ0（分）：電子機器の機器寿命，
Ｌt（分）：電子機器の使用時間，
Ｘ0（回）：不揮発性メモリの書き換え可能回数，
Ｘt（回）：不揮発性メモリの総書き換え回数〕
に基づいて前記書き換えインターバルを算出、更新するものである。
【発明の効果】
【０００８】
請求項１の発明によれば、書き換えインターバルや主電源のＯＦＦにより前記不揮発性メモリ上のデータの書き換えを監視するので、前記不揮発性メモリを電子機器の機器寿命まで使用することができる。
【０００９】
請求項２の発明によれば、書き換えインターバルや主電源のＯＦＦにより前記不揮発性メモリ上のデータの書き換えを監視すると共に、ＲＡＭ上のデータが変更されていない場合や主電源がＯＦＦにされた場合に書き換えインターバルを更新するように構成しているので、前記不揮発性メモリを電子機器の機器寿命まで確実に使用することができる。
【００１０】
請求項３の発明によれば、使用時間積算回路を備えると共に、書き換えインターバルを更新する手段が上記の数式〔１〕に基づいて書き換えインターバルを算出、更新するものであるので、前記不揮発性メモリを電子機器の機器寿命までより確実に使用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
第１実施形態に係る電子機器１は、図１及び図２に示すように、ＲＡＭ（Random Access Memory，随時書き込み読み出しメモリ）２と、フラッシュメモリ（不揮発性メモリ）３と、主電源４とを有し、主電源４のＯＮからの経過時間を計測する手段と、経過時間がフラッシュメモリ２に記憶された書き換えインターバルに達したときに、ＲＡＭ３上のデータが変更されていればこのデータをフラッシュメモリ２に書き込んで経過時間をリセットする一方、ＲＡＭ３上のデータが変更されていなければ経過時間をリセットする手段と、主電源４のＯＦＦを検知する電源断検知回路５と、この電源断検知回路５が主電源４のＯＦＦを検知したときにＲＡＭ３上のデータをフラッシュメモリ２に書き込む手段とを備えたものである。
【００１２】
この電子機器１は、図１に示すように、ＲＡＭ２、フラッシュメモリ３、ＣＰＵ（Central Processing Unit，中央処理装置）６、表示部７、操作部８等を備えており、各部２，３，６〜８はバス９を介して互いに通信可能に接続されている。バス９には、主電源４や書き換え電力供給部１０が接続されている。主電源４には、電源断検知回路５が接続されている。
【００１３】
なお、電子機器１は、図示しないコーデック、モデム、ＮＣＵ、原稿を読み取って白黒２値化した画像データを出力する読取部、受信した画像データ等を電子写真方式等により記録紙上に記録する記録部、ＬＡＮインターフェース等も有している。このような電子機器１としては、ファクシミリ通信機能・インターネットファクシミリ通信機能・Ｆコード通信機能等を有するファクシミリ装置等の通信装置、各種通信機能・複写機能・プリンタ機能・スキャナ機能等を有する複合機等が挙げられる。ここで、Ｆコード通信とはＩＴＵ−Ｔ（国際電気通信連合−電気通信標準化部門）の規格に従ったサブアドレスやパスワードを利用して行う通信であり、サブアドレス等と配信先とを対応付けてフラッシュメモリ３等に記憶されたＦコードボックスに基づいて、受信した画像データの配信先が決定される。
【００１４】
ＲＡＭ２は、ユーザーが設定したユーザーデータ等の各種のデータを記憶する記憶部として機能する。ユーザーデータとしては、機器設定情報（短縮ファクシミリ番号、発信元名、発信元ファクシミリ番号等）、ライフ情報（送信枚数、コピー枚数等）、通信履歴情報（送信履歴情報、受信履歴情報等）等が挙げられる。
【００１５】
フラッシュメモリ３には、ＣＰＵ６により各部２，３，７，８等の動作を制御するための各種プログラムが格納されている。なお、不揮発性メモリはフラッシュメモリ３に限定されるものではなく、その他に例えば、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable and Programmable ROM）やＮＶＲＡＭ（Nonvolatile RAM）等であってもよい。
【００１６】
ＣＰＵ６は、フラッシュメモリ３等に格納されたプログラムに従って各部２，３，７，８等の動作を制御する制御部として機能する。
【００１７】
主電源４は、電子機器１全体に電力を供給する電力供給部として機能する。書き換え電力供給部１０は、主電源４がＯＦＦのときにＣＰＵ６がＲＡＭ２上のデータをフラッシュメモリ３に書き込むのに必要な電力を供給する。このような書き換え電力供給部１０を構成するものとしては、コンデンサや２次電池等が挙げられる。
【００１８】
電源断検知回路５は主電源４に接続されており、主電源４のＯＦＦを検知する。この電源断検知回路５が主電源４のＯＦＦを検知すれば、ＮＭＩ（Non Maskable Interrupt）信号がＣＰＵ６に出力される。ＮＭＩ信号が入力されたＣＰＵ６は、フラッシュメモリ３に格納されたプログラムに基づいて、ＲＡＭ２上のデータをフラッシュメモリ３に書き込む。
【００１９】
表示部７は、操作部８等に併設されたＬＣＤ（Liquid Crystal Display，液晶ディスプレイ）等で構成されており、各種の画面情報を表示する。操作部８は、ファクシミリ番号、メールアドレス、サブアドレス、パスワード等の各種情報を入力するための入力キー等を備えている。電子機器１に対するユーザーによる各種操作はこの操作部８を通じて行われ、操作部８から入力されるデータはまずＲＡＭ２に記憶される。
【００２０】
次に、フラッシュメモリ３上のデータの書き換え処理の手順例を図２に示すフローチャートに基づいて説明する。なお、この書き換え処理は、フラッシュメモリ３に格納された制御プログラムに基づいてＣＰＵ６が発行する命令に従って行われる。
【００２１】
具体的には、まず、計測手段により主電源４のＯＮからの経過時間が計測される（ステップＳ１）。次いで、経過時間がフラッシュメモリ３に記憶された書き換えインターバルに達したときに（ステップＳ２でＹＥＳ）、ＲＡＭ２上のデータが変更されていれば（ステップＳ３でＹＥＳ）、リセット手段によりこのデータがフラッシュメモリ３に書き込まれ（ステップＳ４）、経過時間がリセットされ（ステップＳ５）、ステップＳ２に戻る。ＲＡＭ２上のデータが変更されていなければ（ステップＳ３でＮＯ）、リセット手段により経過時間がリセットされ（ステップＳ５）、ステップＳ２に戻る。
【００２２】
書き換えインターバルは、下記の数式〔２〕に基づいて算出された理論値としてフラッシュメモリ３にあらかじめ記憶されている。
Ｔ0＝Ｌ0／Ｘ0      ・・・〔２〕
〔式中、Ｔ0（分ごと）：書き換えインターバルの理論値，
Ｌ0（分）：電子機器の機器寿命，
Ｘ0（回）：フラッシュメモリの書き換え可能回数〕
【００２３】
一方、経過時間が書き換えインターバルに達していなくても（ステップＳ２でＮＯ）、電源断検知回路５が主電源４のＯＦＦを検知すれば（ステップＳ６でＹＥＳ）、書き込み手段によりＲＡＭ２上のデータがフラッシュメモリ３に書き込まれ（ステップＳ７）、処理が終了する。電源断検知回路５が主電源４のＯＦＦを検知しなければ（ステップＳ６でＮＯ）、ステップＳ２に戻る。
【００２４】
このように、電子機器１によれば、書き換えインターバルや主電源４のＯＦＦによりフラッシュメモリ３上のデータの書き換えを監視するので、フラッシュメモリ３を電子機器１の機器寿命まで使用できるという利点がある。
【００２５】
第２実施形態に係る電子機器２１は、図３及び図４に示すように、第１実施形態において、電子機器２１の使用時間を積算する使用時間積算回路２２がバス９に通信可能に接続されていると共に、主電源４のＯＮからの経過時間を計測する手段と、経過時間がフラッシュメモリ３に記憶された書き換えインターバルに達したときに、ＲＡＭ２上のデータが変更されていればこのデータをフラッシュメモリ３に書き込み、フラッシュメモリ３に記憶されたその総書き換え回数に１回加算して経過時間をリセットする一方、ＲＡＭ２上のデータが変更されていなければ書き換えインターバルを更新して経過時間をリセットする手段と、電源断検知回路５と、この電源断検知回路５が主電源４のＯＦＦを検知したときにＲＡＭ２上のデータをフラッシュメモリ３に書き込み、前記総書き換え回数に１回加算して書き換えインターバルを更新する手段とを備えたものである。
【００２６】
この電子機器２１におけるフラッシュメモリ３上のデータの書き換え処理の手順例を図４に示すフローチャートに基づいて説明する。なお、この書き換え処理も第１実施形態と同様、フラッシュメモリ３に格納された制御プログラムに基づいてＣＰＵ６が発行する命令に従って行われる。
【００２７】
具体的には、まず、計測手段により主電源４のＯＮからの経過時間が計測される（ステップＳ１１）。次いで、経過時間が書き換えインターバルに達したときに（ステップＳ１２でＹＥＳ）、ＲＡＭ２上のデータが変更されていれば（ステップＳ１３でＹＥＳ）、リセット手段によりこのデータがフラッシュメモリ３に書き込まれ（ステップＳ１４）、フラッシュメモリ３に記憶されたその総書き換え回数に１回加算され（ステップＳ１５）、経過時間がリセットされ（ステップＳ１６）、ステップＳ１２に戻る。ＲＡＭ２上のデータが変更されていなければ（ステップＳ１３でＮＯ）、リセット手段により書き換えインターバルが更新され（ステップＳ１７）、経過時間がリセットされ（ステップＳ１６）、ステップＳ１２に戻る。
【００２８】
書き換えインターバルは、既述の数式〔２〕に基づいて算出された理論値としてフラッシュメモリ３にあらかじめ記憶されている。
【００２９】
一方、経過時間が書き換えインターバルに達していなくても（ステップＳ１２でＮＯ）、電源断検知回路５が主電源４のＯＦＦを検知すれば（ステップＳ１８でＹＥＳ）、更新手段によりＲＡＭ２上のデータがフラッシュメモリ３に書き込まれ（ステップＳ１９）、総書き換え回数に１回加算され（ステップＳ２０）、書き換えインターバルが更新され（ステップＳ２１）、処理が終了する。電源断検知回路５が主電源４のＯＦＦを検知しなければ（ステップＳ１８でＮＯ）、ステップＳ１２に戻る。
【００３０】
このように、電子機器２１によれば、書き換えインターバルや主電源４のＯＦＦによりフラッシュメモリ３上のデータの書き換えを監視すると共に、ＲＡＭ２上のデータが変更されていない場合や主電源４がＯＦＦにされた場合に書き換えインターバルを更新するように構成しているので、フラッシュメモリ３を電子機器１の機器寿命まで確実に使用できるという利点がある。
【００３１】
ここで、図３及び図５に示すように、電子機器２１が使用時間積算回路２２を備えると共に、書き換えインターバルを更新する手段が、フラッシュメモリ３に記憶された電子機器２１の機器寿命、使用時間積算回路２２により積算された電子機器２１の使用時間、フラッシュメモリ３に記憶されたその書き換え可能回数及び総書き換え回数を用い、フラッシュメモリ３に記憶された上記の数式〔１〕に基づいて書き換えインターバルを算出、更新するものであれば、フラッシュメモリ３を電子機器２１の機器寿命までより確実に使用できるという利点がある。
【００３２】
なお、使用時間積算回路２２は、電子機器２１の製造時又は主電源４を最初にＯＮにした時等から電子機器２１の使用時間の積算を開始するように構成できる。
【００３３】
この電子機器２１におけるフラッシュメモリ３上の書き換えインターバルの更新処理の手順例を図５に示すフローチャートに基づいて説明する。なお、この更新処理も第１実施形態と同様、フラッシュメモリ３に格納された制御プログラムに基づいてＣＰＵ６が発行する命令に従って行われる。
【００３４】
具体的には、更新手段により、フラッシュメモリ３に記憶された上記の数式〔２〕に基づいて書き換えインターバルが算出され（ステップＳ３１）、フラッシュメモリ３上の書き換えインターバルが更新され（ステップＳ３２）、処理が終了する。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
以上のように、本発明に係る電子機器は、データの書き換えが可能な不揮発性メモリにデータを記録するような場合に有用であり、特にその不揮発性メモリを電子機器の機器寿命まで使用できるようにするのに適している。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】第１実施形態に係る電子機器の構成例を示すブロック図。
【図２】フラッシュメモリ上のデータの書き換え処理の手順例を示すフローチャート。
【図３】第２実施形態に係る電子機器の構成例を示すブロック図。
【図４】フラッシュメモリ上のデータの書き換え処理の手順例を示すフローチャート。
【図５】書き換えインターバルの更新処理の手順例を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００３７】
１，２１  電子機器
２  ＲＡＭ
３  フラッシュメモリ（不揮発性メモリ）
４  主電源
５  電源断検知回路
２２  使用時間積算回路
【図１】
2005099983.tif 000003
【図２】
2005099983.tif 000004
【図３】
2005099983.tif 000005
【図４】
2005099983.tif 000006
【図５】
2005099983.tif 000007