(57)【要約】【課題】  装置を大型化することなくガスクラスターイオンビームから所要クラスターサイズのクラスターイオンを選択して通過させるようにする。【解決手段】  引き出し電極系１０の下流側に配置した高周波加速電極系１１の電極１９と２１に、引き出し電極系１０から入射されるガスクラスターイオンビームのうちの、所要クラスターサイズのガスクラスターイオンビームの高周波加速電極系１１の各電極間の移動時間と同期するような周期の高周波電圧を高周波印加電源２６から印加することにより、所要クラスターサイズのガスクラスターイオンビームが加速されて過剰エネルギーが付与され、エネルギーフィルター電極系１２で過剰エネルギーが付与された所要クラスターサイズのガスクラスターイオンビームを選択して被加工物１３側に通過させる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導入されるガスをノズルから高速噴出させて中性のガスクラスターを生成するノズル室と、隔壁によって前記ノズル室と分離され、前記ガスクラスターが前記隔壁に設けたスキマーによってビーム形状に整えられて供給されるイオン化室とを設けた真空容器を備え、前記イオン化室に、前記ビーム形状に整えられたガスクラスターをイオン化するイオン化部と、該イオン化部でイオン化されたガスクラスタービームを被加工物側に向けて引き出す引き出し電極系とを有するガスクラスターイオンビーム装置であって、
前記引き出し電極系の下流側に所定間隔で並設した少なくとも５枚の電極で構成される高周波加速電極系と、前記複数枚の電極のうちの所定の電極に、前記引き出し電極系から入射されるガスクラスターイオンビームのうちの、所要クラスターサイズのガスクラスターイオンビームの前記各電極間の移動時間と同期するような周期の高周波電圧を印加する高周波印加電源と、
前記高周波加速電極系と前記被加工物の間に設置され、前記高周波電圧の印加によって加速されて過剰エネルギーが付与された前記所要クラスターサイズのガスクラスターイオンビームを選択して前記被加工物側に通過させ、前記所要クラスターサイズのガスクラスターイオンビーム以外のガスクラスターイオンビームの通過を阻止するガスクラスターイオンビーム選択手段と、を備えた、
ことを特徴とするガスクラスターイオンビーム装置。
【請求項２】
前記ガスクラスターイオンビーム選択手段は３枚の電極からなり、前記引き出し電極系に印加される直流加速電圧に対して同極性で略同じ大きさの直流電圧を前記３枚の電極の中間の電極に印加し、他の２枚の電極は接地電極又は直流バイアス電極が印加されている、
ことを特徴とする請求項１に記載のガスクラスターイオンビーム装置。
【請求項３】
前記高周波印加電源を２つ以上備えており、前記高周波加速電極系の任意の各電極に前記各高周波印加電源をそれぞれ接続し、前記各高周波印加電源から位相をずらした高周波電圧を接続している各電極にそれぞれ印加する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のガスクラスターイオンビーム装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板等の被加工物の表面にガスクラスターイオンビームを照射してその表面の改質や平坦化を行うガスクラスターイオンビーム装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ガスクラスターイオンビームを基板等の被加工物の表面に照射してその表面を研磨することによって平坦な面を得る加工方法（ガスクラスターイオンビーム装置）が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
上記特許文献１のようなガスクラスターイオンビーム装置では、ガスボンベより供給されたソースガスをノズル室内のノズルで真空中に超音速で噴出させることによって、断熱膨張にともなう過冷却により、原子（分子）同士がファンデルワスルス力によって数百〜数千個の原子の集団からなる中性クラスタービームが生成される。そして、スキマーによって中心部を切り出された中性クラスタービームを電子衝突によりイオン化した後に、数１０ｋＶに加速して基板等の被加工物の表面に照射する。
【０００４】
この際、クラスターの構成原子又は分子は、被加工物の構成原子又は分子と多体衝突を生じる。その結果、被加工物の構成原子は表面を横方向に運動する。これにより、被加工物の表面の凸部が削られて原子サイズでの研磨が可能となり、平坦な面を得ることができる。
【０００５】
ところで、上記した従来のガスクラスターイオンビーム装置で生成されるガスクラスターイオンビームには、原子・分子イオン（モノマーイオン）や種々のクラスターサイズのクラスターイオンが含まれている。よって、数１０ｋＶに加速されたガスクラスターイオンビームにおいては、原子・分子イオン（モノマーイオン）やクラスターサイズの小さいクラスターイオンは原子１個あたりのエネルギーが大きく、基板等の被加工物の表面荒れや表面に深い損傷を引き起こす。
【０００６】
このため、従来では、例えば電磁石等の磁石で発生させた磁場中に、原子・分子イオン（モノマーイオン）やサイズの小さいクラスターイオンを含むガスクラスターイオンビームを通過させて、その軌道（軌跡）を偏向させることにより、原子・分子イオン（モノマーイオン）やサイズの小さいクラスターイオンのみを選択して除去する方法が知られている（例えば、特許文献２参照。）
【特許文献１】特開平８−１２０４７０号公報
【特許文献２】特表２００３−５２７７２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記した電磁石等の磁石で発生させた磁場でクラスターイオンの軌道（軌跡）を偏向させて除去する方法では、除去するクラスターイオンのサイズが大きくなると（例えば、サイズ１００以下を除去）、その軌道（軌跡）の偏向に強磁場が必要となる。
【０００８】
このため、強磁場で大型の磁石が必要となるので、装置全体が大型化してしまうという問題点があった。
【０００９】
そこで本発明は、装置全体を大型化することなくガスクラスターイオンビームから原子・分子イオン（モノマーイオン）、及び所要のサイズのクラスターイオン選択して除去することができるガスクラスターイオンビーム装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために本発明は、導入されるガスをノズルから高速噴出させて中性のガスクラスターを生成するノズル室と、隔壁によって前記ノズル室と分離され、前記ガスクラスターが前記隔壁に設けたスキマーによってビーム形状に整えられて供給されるイオン化室とを設けた真空容器を備え、前記イオン化室に、前記ビーム形状に整えられたガスクラスターをイオン化するイオン化部と、該イオン化部でイオン化されたガスクラスタービームを被加工物側に向けて引き出す引き出し電極系とを有するガスクラスターイオンビーム装置であって、前記引き出し電極系の下流側に所定間隔で並設した少なくとも５枚の電極で構成される高周波加速電極系と、前記複数枚の電極のうちの所定の電極に、前記引き出し電極系から入射されるガスクラスターイオンビームのうちの、所要クラスターサイズのガスクラスターイオンビームの前記各電極間の移動時間と同期するような周期の高周波電圧を印加する高周波印加電源と、前記高周波加速電極系と前記被加工物の間に設置され、前記高周波電圧の印加によって加速されて過剰エネルギーが付与された前記所要クラスターサイズのガスクラスターイオンビームを選択して前記被加工物側に通過させ、前記所要クラスターサイズのガスクラスターイオンビーム以外のガスクラスターイオンビームの通過を阻止するガスクラスターイオンビーム選択手段と、を備えたことを特徴としている。
【００１１】
また、前記ガスクラスターイオンビーム選択手段は３枚の電極からなり、前記引き出し電極系に印加される直流加速電圧に対して同極性で略同じ大きさの直流電圧を前記３枚の電極の中間の電極に印加し、他の２枚の電極は接地電極又は直流バイアス電極が印加されていることを特徴としている。
【００１２】
また、前記高周波印加電源を２つ以上備えており、前記高周波加速電極系の任意の各電極に前記各高周波印加電源をそれぞれ接続し、前記各高周波印加電源から位相をずらした高周波電圧を接続している各電極にそれぞれ印加することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のガスクラスターイオンビーム装置によれば、引き出し電極系から引き出されたガスクラスターイオンビームのうちから所要クラスターサイズのガスクラスターイオンビームを選択して被加工物側に通過させることを、従来のように強磁場を発生させる大型の磁石を用いることなく容易に行うことができるので、装置の小型化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
〈実施形態１〉
図１は、本発明の実施形態１に係るガスクラスターイオンビーム装置を示す概略構成図である。
【００１５】
本実施形態に係るガスクラスターイオンビーム装置１は、中性のガスクラスターを生成するノズル室２と、このガスクラスターをイオン化して加速するためのイオン化室３と、処理室４とを有する真空容器５を備えており、ノズル室２とイオン化室３は、真空容器５内に設置される隔壁６によって仕切られている。隔壁６の中央部にはスキマー７が取付けられている。ノズル室２とイオン化室３、処理室４は、真空ポンプ（不図示）によって排気されて圧力が調整されている。
【００１６】
ノズル室２内には、スキマー７と対向するようにして円錐形状のノズル８が設けられており、イオン化室３内には、順にイオン化部９、引き出し電極系１０、高周波加速電極系１１、エネルギーフィルター電極系１２が同軸上に設置されている。処理室４には、基板等の被加工物１３が設置されている。
【００１７】
イオン化部９は、スキマー７を通過してきた中性クラスタービームを電子衝突によりイオン化し、引き出し電極系１０は、イオン化されたガスクラスタービーム（ガスクラスターイオンビーム）を高周波加速電極系１１側に向けて引き出す。
【００１８】
高周波加速電極系１１は、引き出し電極系１０から引き出されたガスクラスターイオンビームのうちから、所要クラスターサイズのガスクラスターイオンビームが加速されるような高周波電場を印加して過剰エネルギーを付与する。なお、本実施形態における所要クラスターサイズとは、基板等の被加工物１３の表面に照射したときにその表面荒れや表面に深い損傷を生じさせることなく、表面の改質や平坦化を良好に行うことができるクラスターサイズのことであり、引き出し電極系１０から引き出されたガスクラスターイオンビームのうちから、所要クラスターサイズのガスクラスターイオンビームを選択することが必要である。
【００１９】
エネルギーフィルター電極系１２は、高周波加速電極系１１で加速されて過剰エネルギーを持った所要クラスターサイズのガスクラスターイオンビームを入射させ、高周波加速電極系１１で加速されなかった所要クラスターサイズ以下のガスクラスターイオンビームや原子・分子イオン（モノマーイオン）を除去する。
【００２０】
イオン化部９は、カゴ形状のアノード１４とその中央部の外周に同心状に配置したタングステンの細線からなるフィラメント１５とで構成されている。アノード１４にはイオン化電源１６が接続され、フィラメント１５にはフィラメント電源１７が接続されている。
【００２１】
引き出し電極系１０は、引き出し電極１８と上記アノード１４とで構成されており、高周波加速電極系１１は、前記引き出し電極１８と４つの電極１９、２０、２１、２２とで構成されている。高周波加速電極系１１を構成する引き出し電極１８と４つの電極１９、２０、２１、２２は、等間隔でそれぞれ配置されている。また、エネルギーフィルター電極系１２は、前記電極２２とエネルギーフィルター電極２３とアース電極２４とで構成されている。
【００２２】
上記したように引き出し電極１８は、引き出し電極系１０と高周波加速電極系１１の電極の両方を兼ねており、後端の電極２２は、高周波加速電極系１１とエネルギーフィルター電極系１２の電極の両方を兼ねている。引き出し電極系１０、高周波加速電極系１１、エネルギーフィルター電極系１２の各電極の中心部は、被加工物１３に向けてガスクラスターイオンビームが通過するように開口している。
【００２３】
引き出し電極系（アノード１４と引き出し電極１８）１０には引き出し電源２５が接続されており、高周波加速電極系１１の電極１９、２１には高周波加速電源２６が接続されている。なお、本実施形態では、位相切換えスイッチ（不図示）の切換え操作によって高周波加速電源２６から電極２１に、電極１９に印加する高周波加速電圧と同位相と１８０°位相がずれた高周波加速電圧とを切換えて印加することできるように構成されている。また、エネルギーフィルター電極系１２のエネルギーフィルター電極２３にはエネルギーフィルター電源２７が接続されている。
【００２４】
本実施形態に係るガスクラスターイオンビーム装置１は上記のように構成されており、ガスボンベ（不図示）より供給されたソースガス（本実施形態ではＡｒガス）をノズル室２内のノズル８で超音速で噴出させることによって、断熱膨張によりガスクラスターが生成される。生成されたガスクラスターの一部はスキマー７を通過し、ビーム形状を整えてイオン化室３に供給される。
【００２５】
イオン化室３のイオン化部９では、フィラメント電源１７から電圧印加されて加熱状態のフィラメント１５から放出された熱電子が、イオン化電源１６から電圧印加されたアノード１４によって加速され、ガスクラスターと衝突しガスクラスタービームをイオン化する。イオン化されたガスクラスタービーム（ガスクラスターイオンビーム）は、加速電源２５によりアノード１４と引き出し電極１０との間に形成される電界によって引き出される（加速される）。この際、本実施形態では、加速電源２５を用いて２０ｋＶの直流電圧がアノード１４に印加される。
【００２６】
引き出し電極系（アノード１４と引き出し電極１８）１０で引き出されたガスクラスターイオンビームは、高周波（ＲＦ）電場が発生されている高周波加速電極系１１に入る。
【００２７】
即ち、図２に示すように、本実施形態では、電極１９と２１には高周波加速電源２６から高周波（ＲＦ）電圧が印加され、電極２０と２２は接地されている。高周波加速電極系１１の各電極間の電界強度と印加される高周波電圧の周期により、アノード１４側から入ってくるガスクラスターイオンビームＡのうち、印加される高周波電圧の周期と各電極間でのガスクラスターイオンビームＡの移動時間が同期したガスクラスターイオンビームが加速されて、過剰エネルギーを得ることができる。
【００２８】
図３は、高周波加速電極系１１の各電極間のガスクラスターイオンビームを加速するための高周波電圧の印加パターン（図の各濃淡部）を示した図であり、各濃淡部でガスクラスターイオンビームが加速され、濃淡部以外の白地部で減速される。図３において、横軸は印加される高周波電圧の周期、縦軸は高周波加速電極系１１の各電極間の位置である。なお、縦軸において、０と１間は引き出し電極１８と電極１９間、１と２間は電極１９と２０間、２と３間は電極２０と２１間、３と４間は電極２１と２２間にそれぞれ相当している。
【００２９】
ところで、引き出し電極系１０から高周波加速電極系１１に入射するモノマーイオンや種々のクラスターサイズからなるガスクラスターイオンビームは、それぞれ同一のエネルギーを持っているので、それらの質量（クラスターサイズ）の違いによって移動速度が異なる。このため、図３に示したような印加パターンで高周波電圧を印加した場合、モノマーイオンやクラスターサイズの小さいクラスターイオンビームの一部も同時に加速される場合がある。
【００３０】
即ち、印加される高周波電圧の周期に同期するガスクラスターイオンビームの質量をＭo、入射するガスクラスターイオンビームの質量をＭとして、その質量比をＭ/Ｍoとした場合、図３において、ａはＭ/Ｍo＝１、ｂはＭ/Ｍo＝０．２５、ｃはＭ/Ｍo＝０．０１を示しており、図３の高周波電圧印加パターンでは、質量比（Ｍ/Ｍo）が小さい、即ち、質量の小さいガスクラスターイオンビームも同時に加速される場合がある。
【００３１】
そこで、位相切換えスイッチ（不図示）の切換え操作によって、もしくは他の高周波加速電源（不図示）から電極２１に、電極１９に印加する高周波加速電圧と１８０°位相がずれた高周波加速電圧を印加するようにした。図４は、このときの高周波電圧印加パターン（図の各濃淡部）であり、図４においても、ａはＭ/Ｍo＝１、ｂはＭ/Ｍo＝０．２５、ｃはＭ/Ｍo＝０．０１を示している。なお、図４の横軸と縦軸は図３と同様である。図４に示す本実施形態における印加パターンでは、質量比（Ｍ/Ｍo）＝０．３５近傍のガスクラスターイオンビームが効率よく加速されることが確認された。また、この印加パターンでは、質量比（Ｍ/Ｍo）が小さいガスクラスターイオンビームが加速される割合は図３の印加パターンよりも小さくなることが確認された。
【００３２】
質量比（Ｍ/Ｍo）＝０．３５のガスクラスターイオンビームに対する、引き出し電極系１０から高周波加速電極系１１へのガスクラスターイオンビームの入射時の高周波電圧の位相角とエネルギー利得との関係を調べたところ、図５のような結果が得られた。図５の結果から明らかなように、印加される高周波電圧の電圧波高値が１ｋＶであれば、位相角６０度で入射したガスクラスターイオンビームは、約２．７ｋｅＶの過剰エネルギーを得る。
【００３３】
引き出し電極系１０から高周波加速電極系１１へ２０ｋＶで加速されたガスクラスターイオンビームに対する、高周波加速電極系１１の等間隔で配置された各電極の対向する一組の電極（例えば引き出し電極１８と加速電極１９）間の距離とそれに同期する高周波電圧の周波数の測定結果を図６に示す。図６において、ａはクラスターサイズ１０００のガスクラスターイオンビーム、ｂはクラスターサイズ５０００のガスクラスターイオンビーム、ｃはクラスターサイズ１０００のガスクラスターイオンビーム、ｃはクラスターサイズ１００００のガスクラスターイオンビームである。
【００３４】
図６の結果から明らかなように、高周波加速電極系１１の各電極の距離を３ｃｍとした場合、２０ｋＶで加速されたクラスターサイズ１００００のガスクラスターイオンビームに同期する高周波電圧の周波数は約５１．７ｋＨｚであった。
【００３５】
そして、印加する高周波電圧に同期する２０ｋＶで加速されたガスクラスターイオンビームのクラスターサイズが１００００の場合の、各クラスターサイズの最大エネルギー利得を調べたところ、図７のような結果が得られた。図７の結果から明らかなように、クラスターサイズ３０００〜４０００程度でエネルギー利得が最大となる。
【００３６】
そして、高周波加速電極系１１により、図４（又は図３）に示したような印加パターンの高周波電圧に同期して加速されて過剰エネルギーが付与されたガスクラスターイオンビームがエネルギーフィルター電極系１２に入射する。エネルギーフィルター電極系１２に、加速電源２５から引き出し電極系１０への印加電圧（本実施形態では２０ｋＶ）と略同程度の電圧をエネルギーフィルター電源２７から印加する。
【００３７】
これにより、本実施の形態では、図７に示したように、エネルギー利得が略１以下のガスクラスターイオンビームは、エネルギーフィルター電極系１２のエネルギーフィルター電極２３で通過が阻止される。よって、クラスターサイズ６００以下のガスクラスターイオンビームが除去され、それ以上のクラスターサイズのガスクラスターイオンビームがアース電極２４を通して前方の基板等の被加工物１３の表面に対して垂直に照射され、被加工物１３の表面原子を横方向にスパッタして表面の凹凸を平坦化する。
【００３８】
このように、引き出し電極系１０と被加工物１３との間に配置した高周波加速電極系１１とエネルギーフィルター電極系１２により、引き出し電極系１０から引き出されたガスクラスターイオンビームのうちから所要クラスターサイズ以下のガスクラスターイオンビームや原子・分子イオン（モノマーイオン）を除去して、クラスターサイズの大きいガスクラスターイオンビームを選択して被加工物１３に照射することができる。よって、基板等の被加工物１３の表面に照射したときにその表面荒れや表面に深い損傷を生じさせることなく、表面の改質や平坦化を良好に行うことができる。
【００３９】
また、従来のように原子・分子イオン（モノマーイオン）やサイズの小さいクラスターイオンの軌道（軌跡）を偏向させて除去するための強磁界を発生させる大型の磁石を用いることもないので、装置の小型化も図ることができる。
〈実施形態２〉
図８は、本実施形態に係るガスクラスターイオンビーム装置の高周波加速電極系とエネルギーフィルター電極系の配置を示す図である。なお、図１に示した実施形態１と同一機能を有する部材には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４０】
本実施形態では、高周波加速電極系１１の電極１９と２１に、各高周波加速電源２６ａ、２６ｂからそれぞれ位相が１８０度ずれた高周波電圧を印加する。なお、実施形態１と同様に引き出し電極１８は、高周波加速電極系１１の前段電極も兼ねている。
【００４１】
また、アース電極２４の被加工物側（図１０の右側）より入射する電子を阻止するため、エネルギーフィルター電極系１２のエネルギーフィルター電極２３とアース電極２４の間に電極３１を配置し、この電極３１に電源３２から負極性の直流電圧（例えば、−１ｋＶ）を印加する。ガスクラスターイオンビーム装置の他の構成は、図１に示した実施形態１と同様である。
【００４２】
そして、本実施形態においても上記した実施形態１と同様に、引き出し電極系１０から引き出されたガスクラスターイオンビームが高周波加速電極系１１に入射する。そして、高周波加速電極系１１により、図４（又は図３）に示したような印加パターンの高周波電圧に同期して加速されて過剰エネルギーが付与されたガスクラスターイオンビームがエネルギーフィルター電極系１２に入射する。エネルギーフィルター電極系１２に、電源２５から引き出し電極系１０への印加電圧（本実施形態では２０ｋＶ）と略同程度の電圧をエネルギーフィルター電源２７から印加し、更に、電源３２から負極性の直流電圧（例えば、−１ｋＶ）を電極３１に印加して、所望クラスターサイズ以下のガスクラスターイオンビームや原子・分子イオン（モノマーイオン）が除去されたクラスターサイズの大きいガスクラスターイオンビームを被加工物に照射する。
〈実施形態３〉
図９は、本実施形態に係るガスクラスターイオンビーム装置の高周波加速電極系とエネルギーフィルター電極系の配置を示す図である。なお、図８に示した実施形態２と同一機能を有する部材には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４３】
本実施形態では、高周波加速電極系１１の電極２２に、電源３３から直流電圧を印加する。この際、電源２５から引き出し電極系１０に例えば２０ｋＶを印加した場合には、電源３３から電極２２に３０ｋＶの直流電圧を印加する。他の構成は実施形態１、２と同様である。
【００４４】
そして、本実施形態においても上記した実施形態１、２と同様に、引き出し電極系１０から引き出されたガスクラスターイオンビームが高周波加速電極系１１に入射する。そして、高周波加速電極系１１により、図４（又は図３）に示したような印加パターンの高周波電圧に同期して加速されて過剰エネルギーが付与されたガスクラスターイオンビームがエネルギーフィルター電極系１２に入射する。エネルギーフィルター電極系１２に、電源２５から引き出し電極系１０への印加電圧（本実施形態では２０ｋＶ）と略同程度の電圧をエネルギーフィルター電源２７から印加し、更に、電源３２から負極性の直流電圧（例えば、−１ｋＶ）を電極３１に印加して、所望クラスターサイズ以下のガスクラスターイオンビームや原子・分子イオン（モノマーイオン）が除去されたクラスターサイズの大きいガスクラスターイオンビームを被加工物に照射する。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施形態１に係るガスクラスターイオンビーム装置を示す概略構成図。
【図２】本発明の実施形態１に係るガスクラスターイオンビーム装置の高周波加速電極系を示す図。
【図３】高周波加速電極系の各電極間のガスクラスターイオンビームを加速するための高周波電圧の印加パターンの一例を示した図。
【図４】高周波加速電極系の各電極間のガスクラスターイオンビームを加速するための高周波電圧の印加パターンの一例を示した図。
【図５】引き出し電極系から高周波加速電極系へのガスクラスターイオンビームの入射時の高周波電圧の位相角とエネルギー利得との関係を示す図。
【図６】高周波加速電極系へ入射されるガスクラスターイオンビームに対する、高周波加速電極系の各電極間の距離とそれに同期する高周波電圧の周波数との関係を示す図。
【図７】印加する高周波電圧に同期するガスクラスターイオンビームのクラスターサイズが１００００の場合の、各クラスターサイズの最大エネルギー利得を示す図。
【図８】本発明の実施形態２に係るガスクラスターイオンビーム装置の高周波加速電極系を示す図。
【図９】本発明の実施形態３に係るガスクラスターイオンビーム装置の高周波加速電極系を示す図。
【符号の説明】
【００４６】
１        ガスクラスターイオンビーム装置
２        ノズル室
３        イオン化室
４        処理室
５        真空容器
７        スキマー
８        ノズル
９        イオン化部
１０      引き出し電極系
１１      高周波加速電極系
１２      エネルギーフィルター電極系
１３      被加工物
２６      高周波加速電源
【図１】
2005179752.tif 000003
【図２】
2005179752.tif 000004
【図３】
2005179752.tif 000005
【図４】
2005179752.tif 000006
【図５】
2005179752.tif 000007
【図６】
2005179752.tif 000008
【図７】
2005179752.tif 000009
【図８】
2005179752.tif 000010
【図９】
2005179752.tif 000011