(57)【要約】【課題】  優れた電磁変換特性、アーカイブ性を有し、信頼性の高い磁気テープ媒体を低コストで作製する。【解決手段】  ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、アラミドのいずれかよりなる長尺状の基体１上に、Ｃｏの含有量が１０〜１５重量％のＣｏ含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層２を有する高密度型の磁気記録媒体１０を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果型磁気ヘッド、又は巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドに適用される磁気記録媒体であって、
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、アラミドのいずれかよりなる長尺状の基体上に、
コバルトの含有量が１０〜１５重量％のコバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
上記基体の磁性層形成面側には、高さ５〜３０ｎｍの微小突起が、５×１０6〜３×１０7個／ｍｍ2の割合で形成されてなり、
磁性層の膜厚が１０〜５０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
磁気抵抗効果型磁気ヘッド、又は巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドに適用される磁気記録媒体の製造方法であって、
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、アラミドのいずれかよりなる長尺状の基体上に、スパッタ法により、コバルト含有マグネタイト薄膜を形成する工程と、
上記基体側を冷却し、かつ上記コバルト含有マグネタイト薄膜を加熱して当該コバルト含有マグネタイト薄膜を酸化処理し、コバルト含有量が１０〜１５重量％のコバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層を形成する工程とを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高密度型の磁気記録媒体及びその製造方法に関するものであり、特に、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）や、巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）を用いたシステムにおいて高密度記録が実現され、かつ保存安定性についても優れた磁気記録媒体及びその製造方法を提供するものである。
である。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録媒体においては、大容量のデータを取り扱うために、高密度記録化への要求が益々高まってきている。特に最近では、さらなる高密度記録化を達成するために、記録信号の再生を行う際に用いる磁気ヘッドについて、従来の誘導型ヘッドに代わり磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）や、巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）のような高感度型磁気ヘッドが適用されるようになってきており、ハードディスクだけではなく、いわゆる磁気テープに対しても適用されるようになってきている。
【０００３】
このような高密度型の磁気記録媒体としては、従来、いわゆるスパッタリング法や真空蒸着法によって磁性層を形成した金属薄膜型の磁気記録媒体が適用されており、上述したような高感度型磁気ヘッドを用いて記録密度を向上させるために磁性層を薄膜化し、更なる高保磁力化、低ノイズ化を図ることが要求されている。また、高密度記録化とともに、長期に亘って信号品質の劣化を起こすことなく保存が可能な、いわゆるアーカイブ性に対する要求も厳しくなってきている。
【０００４】
上述したような磁気記録媒体に対する種々の要求を満足するものとして、スパッタリング法によってコバルト含有マグヘマイト薄膜の磁性層を形成した構成のハードディスク用の垂直記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１、２参照。）。
このようなコバルト含有マグヘマイト薄膜は、金属薄膜型の磁性層に比べ、保存安定性に優れ、かつ膜の硬度が高く耐久性に優れており、またスパッタ法により成膜するため粒子径が微細で従来の蒸着型の磁気テープに比べてさらなる低ノイズ化が可能であるという利点を有している。
【０００５】
一方、磁気テープに関しては、例えば次世代の高密度型の磁気記録媒体として金属薄膜型の磁気テープが有力なものとして実用化されているが、耐食性に関しては塗布型の磁気テープより劣るという課題を有しており、データを長期に亘って保存する特性（アーカイブ性）については未だ解決課題を残している。
【０００６】
また、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドで信号の再生を行う場合、磁気ヘッドの飽和を回避するべく磁性層を一層薄くすることが必要となるが、保磁力が低下し、コバルト主体の蒸着型の磁気テープにおいては安定した信号記録が困難になるという問題がある。
【０００７】
また、磁気ヘッドが高感度になるに従い、媒体側に起因するノイズをさらに低減化させることが重要となってくるが、磁性層を構成する磁性粒子の微細化には製造工程上の制限があり、未だノイズの低減化についても課題を残していると言える。
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−３２８６５１号公報
【特許文献２】特開平１１−３２８６５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
コバルトを主体とする磁性層を有する磁気テープに関し、課題となっていたアーカイブ性や記録信号の安定性、低ノイズ化等の課題を解決するために、コバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層をテープ媒体に応用することが検討されている。
しかしながら、従来のコバルト含有マグヘマイト薄膜は、高い保磁力を得るためには、成膜時に２００〜３００℃程度の加熱処理を必要としていたため、これを磁気テープに応用するとすれば、高分子フィルムの材質によって保磁力が制約されてしまうという問題がある。
【００１０】
そこで本発明においては、上述した問題に鑑みて、基体（ベースフィルム）の材質にかかわらず、室温〜２００℃程度の加熱温度であっても、高密度記録が可能な保磁力Ｈｃ（２０００〜３０００Ｏｅ）を得ることができる磁気記録媒体、及びその製造方法を提供することとした。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明においては、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、又は巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドに対し摺動状態で用いられるテープ状の磁気記録媒体であって、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、アラミドのいずれかよりなる長尺状の基体上に、コバルトの含有量が１０〜１５重量％のコバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層を有している磁気記録媒体を提供する。
【００１２】
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、アラミドのいずれかよりなる長尺状の基体上に、スパッタ法によりコバルト含有マグネタイト薄膜を形成し、続いて基体側を冷却し、かつコバルト含有マグネタイト薄膜を加熱しながらＣｏ含有マグネタイト薄膜に対して加熱酸化処理を施し、コバルト含有量が１０〜１５重量％のコバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層を形成する工程とを有するものとする。
【００１３】
本発明によれば、磁性層中のコバルト含有量を数値的に特定したことにより、汎用プラスチックよりなる基体上に、実用上充分な保磁力Ｈｃを有するコバルト含有マグヘマイト薄膜を形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、磁性層を構成するコバルト含有マグヘマイト薄膜のコバルト含有量を１０〜１５重量％に特定したことにより、加熱酸化工程において汎用プラスチックにも適用可能な温度に抑制してコバルト含有マグヘマイト薄膜を形成することが可能となった。これにより低コストで優れた耐食性を有し、電磁変換特性、アーカイブ性の向上が図られ、信頼性の高い磁気記録媒体が得られた。
【００１５】
また、磁性層形成面側に、高さが５〜３０ｎｍの微小突起を、０．５×１０8〜５．０×１０8個／ｍｍ2の割合で形成したことにより、優れた電磁変換特性、良好な走行安定性、走行耐久性が得られ、かつ磁気ヘッドとの磨耗による出力低下を効果的に回避することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の磁気記録媒体の具体的な実施形態について説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
本発明の磁気記録媒体１０の一例の概略断面図を図１に示す。磁気記録媒体１０は、長尺状で非磁性の基体１の一の主面上に、直接磁性層２が形成されてなり、この磁性層２上に保護層３及び潤滑剤層４が順次形成された構成を有している。
【００１７】
基体１は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、アラミド（芳香族ポリアミド）のいずれかよりなるものとする。
基体１の磁性層形成面側には、高さ５〜３０ｎｍの微小突起が、５×１０6〜３×１０7個／ｍｍ2の割合で形成されていることが望ましい。
突起の高さが５ｎｍ未満であると磁気ヘッドとの摺動による走行耐久性が充分に確保できなくなり、３０ｎｍを超えるとスペーシングによる出力の低下やノイズの原因となるからである。
また、突起が５×１０6個／ｍｍ2未満であると、走行耐久性が充分に得られず、３×１０7個／ｍｍ2を超えると表面が粗くなりすぎ、ノイズの原因となる。
【００１８】
磁性層２は、コバルト含有マグヘマイト薄膜（Ｃｏ−γＦｅ2Ｏ3）よりなるものとし、コバルトの含有量は１０〜１５重量％であるものとする。
コバルト含有量が１０重量％未満であると、例えば基体１としてＰＥＴフィルムを適用することを想定した場合、磁性層形成工程における加熱酸化処理時に、加熱温度を６０〜７０℃程度に選定する必要があることから、実用上充分な保磁力Ｈｃが確保できなくなる。一方コバルト含有量が１５重量％を超えると高温高湿環境下において長時間保存した場合に錆が発生してしまい、耐食性の低下を招来する。
【００１９】
磁性層２はコバルト含有マグヘマイト薄膜の面内配向膜であり、面内方向の保磁力Ｈｃは、低ノイズでかつ高分解能であることを実現するために、２０００Ｏｅ（１５９ｋＡ／ｍ）以上を保つ必要がある。但し３０００Ｏｅ（２３９ｋＡ／ｍ）を超えると、充分に信号を記録することができなくなり、再生出力が低下する。
【００２０】
磁性層２を構成するコバルト含有マグヘマイト薄膜の残留磁化量Ｍｒと、磁性層膜厚ｔとの積Ｍｒ・ｔは０．２〜２ｍｅｍｕ／ｃｍ2であることが好ましい。
Ｍｒ・ｔが０．２ｍｅｍｕ／ｃｍ2未満であると、充分な再生出力が得られなくなり、２ｍｅｍｕ／ｃｍ2を越えると再生用のＧＭＲヘッドが飽和してしまい、再生出力に歪が生じるためである。
【００２１】
また、磁性層２の膜厚ｔは、最終的に得られる磁気テープのカッピングを低減化させるために薄層とすることが望ましいが、磁性層の膜厚を１０ｎｍ未満とすると、実用充分な保磁力Ｈｃを得ることが困難になるという問題がある。
一方、膜厚ｔが厚いと、保磁力Ｈｃが高くなる傾向にあるが、ＧＭＲヘッドのような高感度磁気ヘッドを適用する場合、磁性層が５０ｎｍよりも厚いと磁性層２を構成する磁性粒子が大きくなるためノイズが高くなってしまう。また、基体１上に形成した表面突起の走行耐久性に対する効果が充分に得られなくなる。
上述したことから磁性層２の膜厚ｔは１０〜５０ｎｍとすることが好適である。
【００２２】
また、磁性層２の面内配向を高め、結晶粒子の微細化を促進するため、また基体１の変形を抑制するために、基体１と磁性層２との間に、任意の材料、例えば酸化物膜や非磁性金属膜よりなる下地層（図示せず）を形成してもよい。
【００２３】
磁性層上には、耐久性、耐候性を向上させるため、硬質炭素等の保護層３を形成する。
保護層３の膜厚は１〜１０ｎｍであることが好ましい。
保護層３が１ｎｍ未満であると充分な耐久性が得られず、１０ｎｍよりも厚く形成すると、スペーシングが増加して短波長記録を行う際に充分な出力が得られなくなるおそれがある。
保護層３は、従来公知の金属磁性薄膜型の磁気記録媒体用の保護層として使用されているものであれば、いかなるものも適用できる。特に磁気ヘッドの磨耗の低減化を図るためにはプラズマＣＶＤ法により形成した、ＤＬＣ(ダイヤモンドライクカーボン)薄膜が好適である。その他、ＣｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢＮ、Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｏ4、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＮx−ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＴｉＣ等が挙げられる。
【００２４】
さらに、磁性層形成面側の最表面には、潤滑剤層４を形成することにより、磁気記録媒体の走行性を高めるようにすることが望ましい。
また基体１の磁性層形成面とは反対側の面にバック層を設けても良い。バック層としては、カーボンを主成分とするものが挙げられる。
【００２５】
次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法について説明する。
先ず、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、アラミド（芳香族ポリアミド）のいずれかよりなる基体１を用意する。  
次に、基体１の一主面上にコバルト含有マグネタイト薄膜をスパッタリング法によって形成する。
具体的には、連続搬送する基体（プラスチックフィルム）上に、コバルト含有鉄合金のターゲットを用いて酸素を導入しながら反応スパッタを行うことにより、基体１上にコバルト含有マグネタイト膜を形成し、次に、このコバルト含有マグネタイト膜を酸化処理することによってコバルト含有マグヘマイト膜とする。
【００２６】
ターゲットに使用する鉄コバルト合金中のコバルト含有量は１０〜１５重量％であるものとし、最終的に得る磁性層２がコバルト含有量１０〜１５重量％のコバルト含有マグヘマイト薄膜となるようにする。
コバルト含有量を増加させると、保磁力Ｈｃを高くすることができ、実用上充分な保磁力Ｈｃを得るためには磁性層２中のコバルト含有量を１０重量％以上とすることが必要である。特に、後述する酸化処理時の加熱温度を可能な限り低くしつつ高いＨｃを得るためには、コバルトの含有量は多いほうが望ましいが、１５重量％を超えると磁気テープの経時安定性が低下するため、コバルト含有量は１０〜１５重量％に特定する。
【００２７】
スパッタ法は特に限定されるものではなく、ＲＦマグネトロンスパッタ法や、ＥＣＲスパッタ法、対向ターゲット式スパッタ法等、いずれの方法も適用することができる。これらのスパッタ法においては、それぞれ酸素流量とガス圧、投入電力を任意に制御しながらコバルト含有マグネタイト膜を形成する。
【００２８】
上記スパッタ法によるコバルト含有マグネタイト薄膜形成工程においては、基体１の温度は室温程度（２０〜５０℃）とする。
従来公知のハードディスク作製工程におけるコバルト含有マグヘマイト薄膜形成工程においては、面内配向膜を成膜するために、基体を２００℃程度に加熱することが必要とされていたが、基体１に汎用プラスチックフィルムを適用することを考慮すると、基体１を高温に加熱することは望ましくない。また、スパッタプラズマ等に曝されることによって、温度上昇により基体が変形する場合もある。よって、コバルト含有マグネタイト薄膜形成工程においては、例えば基体１を冷却させながらスパッタ成膜することが望ましく、例えば、内部に冷却機構を具備するキャン（冷却キャン）の周面に走行させて磁性層形成面とは反対側の面を冷却させながらスパッタ成膜を行うことが望ましい。
【００２９】
次に、コバルト含有マグネタイト薄膜を酸化処理し、コバルト含有マグヘマイト薄膜とする。
マグヘマイト薄膜形成工程としては、大気中で高温に保持したキャンに接触させ搬送する方法（大気中アニール処理）が一般的に知られているが、この場合、基体１の温度を２００℃〜３００℃程度に保持して長時間加熱するため、ＰＥＴやＰＥＮ等の汎用性のプラスチックフィルムを基体として用いることはできない。よって大気中アニール処理による場合には、基体１としては耐熱性を有するアラミド（芳香族ポリアミド）を適用する必要がある。また、この場合においても基体１の走行面を冷却キャンで冷却し、磁性層側を例えばハロゲンランプ等の加熱手段によって加熱するようにすることが望ましい。
【００３０】
コバルト含有マグヘマイト薄膜を形成する他の手法としては、１５０℃以下の低温でも酸化処理が可能な、プラズマ活性化された酸素イオンを数秒間照射する方法（プラズマ酸化法）、及び酸素含有ガス雰囲気下で紫外線照射するＵＶオゾン処理法等が挙げられる。
これらの場合には、インラインで比較的短時間の処理が可能であり、基体１にＰＥＴフィルムやＰＥＮフィルム等を適用することが可能になる。
なお、これらの手法による場合においても、基体１側を冷却キャンで冷却し、磁性層側を例えばハロゲンランプ等の加熱手段によって加熱するようにすることが望ましい。
【００３１】
次に、磁性層２上に保護層３を形成する。保護層３は、スパッタリング法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により形成することができるが、特に磁気ヘッドの磨耗の低減化を図るためにはプラズマＣＶＤ法により形成した、ＤＬＣ(ダイヤモンドライクカーボン)薄膜が好適である。この場合の膜形成材料の炭素化合物としては、例えば炭化水素系、ケトン系、アルコール系等の従来公知の材料が挙げられる。また、プラズマ生成時には、炭素化合物の分解を促進するためのガスとして、アルゴンや水素等を導入してもよい。
保護層３は、その他、ＣｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢＮ、Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｏ4、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＮx−ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＴｉＣ等よりなる薄膜としてもよい。保護層３の膜厚は１〜１０ｎｍであることが好ましい。保護層３が１ｎｍ未満であると充分な耐久性が得られず、１０ｎｍよりも厚く形成すると、スペーシングが増加して短波長記録を行う際に充分な出力が得られなくなるおそれがある。
【００３２】
さらに、磁性層形成面側の最表面には潤滑剤層４を形成する。
また基体１の磁性層形成面とは反対側の面にバック層を設けても良い。バック層はウエットプロセスあるいはドライプロセス等、従来公知の方法により形成することができる。
【実施例】
【００３３】
以下、本発明について、具体的な例を挙げて説明する。
〔実施例１〕
基体１として、膜厚４．５μｍのポリアミドフィルムを用意した。
次に、対向ターゲット式スパッタ装置を用い、反応スパッタ法により基体１とターゲットとの距離を１５０ｍｍに設定して、１０ｍ／ｍｉｎの送り速度で搬送させた基体１上に、室温（３０℃）で全圧０．３０Ｐａ、アルゴン２０ｓｃｃｍ、酸素３０ｓｃｃｍの流量中で、Ｆｅ＋１０重量％Ｃｏ金属合金ターゲットをスパッタリングして、Ｃｏ含有マグネタイト薄膜を膜厚３０ｎｍに形成した。
さらに連続して基体１温度が２００℃程度となるように設定してプラズマ酸化処理を行い、Ｃｏ含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層２を形成した。
次に、基体１を５ｍ／ｍｉｎの送り速度で搬送させ、アルゴン２０ｓｃｃｍ、全圧０．２０Ｐａとし、スパッタ法によりカーボン膜よりなる保護層３を膜厚５ｎｍに形成した。
その後、保護層３上にパーフルオロポリエーテルを塗布して潤滑剤層４を形成し、さらに、磁性層形成面側とは反対側の面に、カーボンブラック、炭酸カルシウム、ポリエステル樹脂、ニトロセルロース樹脂を主成分とした塗料を塗布することにより、バック層を形成した。その後、８ｍｍ幅にスリットしてサンプルとなる磁気テープを作製した。
【００３４】
〔実施例２〜５〕、〔比較例１〜３〕
基体（プラスチックフィルム）の材料、磁性層のＣｏ含有量、及びＣｏ含有マグヘマイト薄膜形成工程における加熱処理時の基体の設定温度を制御し、それぞれサンプル磁気テープを作製した。その他の製造条件は上記実施例１と同様とする。
【００３５】
上述のようにして作製した各サンプル磁気テープの保磁力Ｈｃを「振動試料型磁力計  ＶＳＭ」を用いて測定した。このとき最大印加磁界を１５ｋＯｅとした。
なお、実用上充分な保磁力Ｈｃは２０００Ｏｅ（１５９ｋＡ／ｍ）以上であるとして評価を行った。
静磁気特性及びカッピングについては、各磁気テープが実用上規定の範囲内であることを確認した。
【００３６】
次に、周波数特性（ｆ特性）をドラムテスタを用いて測定した。
記録にはトラック幅２０μｍの薄膜ヘッド、再生にはトラック幅７μｍのＭＲヘッド（市販のMicroMV用再生ヘッド）を用いた。
磁気テープと磁気ヘッドとの相対速度は６．８ｍ／ｓになるようにドラムの回転速度を制御した。
周波数特性（ｆ特性）は、記録周波数１〜３０ＭＨｚの範囲で記録し、出力のピークから６ｄＢ減少した線記録密度をＤ５０として評価した。Ｄ５０は１５０ｋＦＣＩ以上を許容とした。
【００３７】
また、上述のようにして作製した各サンプル磁気テープの保存耐久性についての評価を行った。
６５℃９０％ＲＨの環境下、８週間磁気テープを保存した後、残留磁化Ｍｒと磁性層膜厚ｔとの積Ｍｒｔを測定し、保存の前後におけるＭｒｔの減少率が１０％以下であれば、実用上許容（○）とし、Ｍｒｔの減少率が１０％を超えた場合は実用上不適当（×）として評価した。
【００３８】
磁気テープの作製条件、保磁力Ｈｃ、周波数特性、及び保存耐久性の評価結果を下記表１に示す。
【００３９】
【表１】
2005085325.tif 000003
【００４０】
表１に示すように磁性層を構成するマグヘマイト薄膜のＣｏ含有量を１０〜１５重量％に設定した実施例１〜５の磁気テープにおいては、いずれも実用上充分な保磁力Ｈｃが得られ、周波数特性及び保存耐久性の評価についても良好な評価が得られた。
特に、実施例３〜５においては、マグヘマイト薄膜形成工程における加熱酸化処理時に設定温度を６０℃〜１００℃としても実用上充分な保磁力Ｈｃが得られており、従来のハードディスク用の記録層形成工程において適用されていた温度よりも低温であるにもかかわらず、実用上充分な保磁力Ｈｃが実現できた。すなわち、本発明によれば例えばＰＥＴやＰＥＮのような汎用性プラスチックフィルムを基体として適用することができることが明らかとなった。
【００４１】
一方、比較例１においては、磁性層中のＣｏ含有量が少なく、実用上充分な保磁力Ｈｃが得られなかった。Ｃｏ含有量を１０重量％未満として充分な保磁力Ｈｃを得るためにはマグヘマイト薄膜形成工程における加熱酸化処理時に高温に設定すればよいが、基体１が熱変形してしまう。実施例１、２と比較例１とを比較すると、２００℃程度で加熱酸化処理し、かつ充分な保磁力Ｈｃを得るためには、Ｃｏの含有量を１０重量％以上とすることが必要であることが明らかとなった。
【００４２】
比較例２においては、マグヘマイト薄膜中のＣｏ含有量が多すぎ、高温高湿環境下において錆が発生し、保存耐久性について良好な評価が得られなかった。
【００４３】
比較例３においては、基体としてＰＥＴフィルムを適用したため、マグヘマイト薄膜形成工程における加熱酸化処理時の設定温度を６０℃にしたが、Ｃｏ含有量が少なすぎるため、実用上充分な保磁力Ｈｃが得られず、また周波数特性の評価も劣化した。
【００４４】
上述したことから明らかなように、磁性層を構成するコバルト含有マグヘマイト薄膜のコバルト含有量を１０〜１５重量％に特定したことにより、加熱酸化工程において汎用プラスチックにも適用可能な温度に抑制してコバルト含有マグヘマイト薄膜を形成することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の磁気記録媒体の概略断面図を示す。
【符号の説明】
【００４６】
１……基体、２……磁性層、３……保護層、４……潤滑剤層、１０……磁気記録媒体
【図１】
2005085325.tif 000004