(57)【要約】【課題】基板ホルダーの境界の近くでウェハの支持が不均等になる問題を解決し、基板の縁部の近くで制御可能な方法で基板を平らにするフォトリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】放射線の投影ビームを供給するための放射線システムと、所望のパターンに従って投影ビームをパターン化する働きをするパターニング手段を支持するための支持構造体と、ほぼ平らな基板を支持するためのほぼ平らな支持面を供給するための突起構成を形成している複数の突起を備える基板ホルダーと、基板の目標部分上にパターン化されたビームを投影するための投影システムとを備えるリソグラフィ投影装置。基板ホルダーは、電界により基板ホルダーに対して基板を締め付けるために、電界を発生するための少なくとも１つの締付け電極を備え、基板ホルダーは、さらに、基板と接触するように配置されている周辺支持縁部を備える。本発明によれば、少なくとも１つの電極は、周辺支持縁部を越えて延びる。【選択図】図２
2005039274.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ投影装置であって、
放射線の投影ビームを供給するための放射線システムと、
ほぼ平らな基板を支持するためのほぼ平らな支持面を提供するための突起構成を画成している複数の突起を備え、前記投影ビームのビーム経路内に設置される基板を支持するための基板ホルダーとを備え、前記基板ホルダーが、電界により前記基板ホルダーに対して前記基板を締め付けるために、前記電界を発生するための少なくとも１つの締付け電極を備え、前記基板ホルダーが、さらに、基板と接触するように配置されている周辺支持縁部を備え、
前記少なくとも１つの電極が、前記基板の縁部近くで前記基板のレベルをだすためのねじり荷重を供給するために前記周辺支持縁部を越えて延びることを特徴とするリソグラフィ投影装置。
【請求項２】
前記電極の延長が、Ｍ＝（１／１２）Δｐａ2により定義される基準ねじり荷重の０．１〜３倍の範囲のねじり荷重を発生する請求項１に記載のリソグラフィ投影装置であって、ここで、Δｐが加えた締付け圧力であり、ａが２つの突起間の平均距離であるリソグラフィ投影装置。
【請求項３】
前記突起構成が一連の同心円内に配置されていて、前記電極の延長が、０．３＜ｂ／ａ＜０．６の関係を満足し、ここでｂが前記電極延長の長さであり、ａが前記周辺支持縁部に最も近い２つの同心円相互間の距離である、請求項２に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項４】
前記基板ホルダーが、前記周辺支持縁部に沿って延びる外側電極を備えることを特徴とする、請求項１〜３の何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項５】
前記締付け電極が、前記突起近くに電界圧力を集中させるための前記突起構成に、ほぼ相補的に電界を減衰するように構成されている電界減衰器を備えることを特徴とする、請求項１〜４の何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項６】
前記電界減衰器が、少なくとも２００μｍおよび／またはアース層の４Ｆ／ｍの誘電率を有する誘電体層を備える、請求項５に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項７】
前記締付け電極が、２つの隣接突起間で凹状になっている、請求項５〜６の何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項８】
前記締付け電極が、前記各突起内に突き出ている、請求項５〜７の何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項９】
前記締付け電極が、少なくとも２０μｍの４Ｆ／ｍの誘電率を有する誘電体層によりカバーされている、請求項８に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１０】
前記基板ホルダーが、前記基板の目標部分上にパターン化されたビームによりパターン化される基板を保持するための支持テーブルである、前記請求項の何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１１】
ほぼ平らな基板を支持するためのほぼ平らな支持面を供給するための突起構成を形成している複数の突起と、電界により、前記基板ホルダーに対して基板を締め付けるための前記電界を発生するための少なくとも１つの締付け電極と、
基板に接触するように配置されている周辺支持縁部とを備え、
前記少なくとも１つの電極が、前記基板の前記縁部近くの前記基板のレベルを出す、ねじり荷重を供給するために前記周辺支持縁部を越えて延びることを特徴とする、前記請求項の何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置用の基板ホルダー。
【請求項１２】
リソグラフィ投影装置であって、
放射線の投影ビームを供給するための放射線システムと、
ほぼ平らな基板を支持するためのほぼ平らな支持面を供給するため突起構成を形成している複数の突起を備える前記投影ビームのビーム経路内に設置される基板を支持するための基板ホルダーとを備え、前記基板ホルダーが、電界により前記基板ホルダーに対して前記基板を締め付けるために、前記電界を発生するための少なくとも１つの締付け電極を備え、前記基板ホルダーが、さらに、基板と接触するように配置されている周辺支持縁部を備え、
前記締付け電極が、前記突起近くに前記電界圧力を集中させるための前記突起構成に、ほぼ相補的に電界を減衰するように構成されている電界減衰器を備えることを特徴とするリソグラフィ投影装置。
【請求項１３】
リソグラフィ投影装置であって、
放射線の投影ビームを供給するための放射線システムと、
パターニング手段の実質的な背面を支持するためのほぼ平らな面を供給するための、突起構成を形成している複数の突起を備える、前記投影ビームのビーム経路内に設置されるパターニング・デバイスを支持するためのパターニング・デバイス・ホルダーとを備え、前記基板ホルダーが、電界により前記基板ホルダーに対して前記基板を締め付けるために、前記電界を発生するための少なくとも１つの締付け電極を備え、前記基板ホルダーが、さらに、基板と接触するように配置されている周辺支持縁部を備え、
前記少なくとも１つの電極が、前記パターニング・デバイスの前記縁部近くの前記基板のレベルを出すため、ねじり荷重を供給するための前記周辺支持縁部を越えて延びることを特徴とするリソグラフィ投影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線の投影ビームを供給するための放射線システムと、ほぼ平らな基板を支持するためのほぼ平らな支持面を供給するための突起構成を形成している複数の突起を備える上記投影ビームのビーム経路内に設置される基板を支持するための基板ホルダーとを備えるリソグラフィ投影装置に関する。上記基板ホルダーは、電界により基板ホルダーに対して基板を締め付けるための上記電界を発生するための少なくとも１つの締付け電極を備える。上記基板ホルダーは、さらに、基板と接触するように配置された周辺支持縁部を備える。
【背景技術】
【０００２】
周知の静電クランプは、通常、突起間に形成される空間を満たすために使用される裏込めガスを使用するための手段と、突起および基板ホルダーにより締め付けられる基板の背面を支持するためのアース層を形成するベース・プレートとを備える。このような裏込めガスは、基板から基板ホルダーへの熱の伝達能力を向上させる。真空動作状態でこの裏込めガスが漏れないようにするために、締付け圧力は、裏込めガス圧力より高くなければならないし、漏洩を起こさない密封状態にするために、基板の輪郭とほぼ一致し、基板が基板ホルダーと接触した場合に、ガスが漏洩しない環境を供給する輪郭を有する壁部を使用している。
【０００３】
欧州特許出願第ＥＰ０９４７８８４号に、基板の平面度を改善するために突起が配置されている基板ホルダーを有するリソグラフィ装置が記載されている。これらの突起は、一般的に、０．５ｍｍの直径を有し、一般的に、３ｍｍ間隔で位置していて、それにより基板を支持する支持部材のベッドを形成する。典型的な突起の高さは５μｍである。しかし、静電締付け構成の場合には、特に照射を受ける基板の背面に裏込めガスを閉じ込めるために、硬質のリムを使用する静電締付け構成の場合には、境界縁部の近くでまでしか支持が行われないために、特に突起構成の境界の近くでウェハの支持が不均等になる傾向がある。その原因は、おそらく、オーバーハングの程度により、縁部の近くでウェハが上に持ち上がったり、下に「垂れ下がったり」するためと思われるが、これにより画像の品質が許容できないほどに劣化する場合がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の１つの目的は、基板ホルダーの境界の近くでウェハの支持が不均等になる問題を解決し、基板の縁部の近くで制御可能な方法で基板を水平にする序文に記載のフォトリソグラフィ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明のフォトリソグラフィ装置は、請求項１に記載の特徴のある機能に従って配置されている。
【０００６】
制御可能な方法で、締付け電極を、基板ホルダーの最後の支持縁部より先に延ばすことにより、基板の境界近くの締付け圧力を変えることができる。それ故、突起構成により行われる支持の大きさに対する基板の大きさに従って、縁部近くの基板に対して下向きの最適なねじりモーメントを供給するために、電極を周縁部から外へ延ばすことができる。好ましい実施形態の場合には、上記突起構成は、一連の同心円内に配置されていて、各同心円は距離ａだけ相互に離れていて、電極の延長によりＭ＝（１／１２）Δｐａ２で表される基準ねじれ負荷の０．１〜３倍の範囲のねじれ負荷が発生する。ここで、Δｐは加えた締付け圧力である。このような範囲において、曲げモーメントが、支持縁部の近くで基板の最適な高さの違いを導入させることを証明することができる。
【０００７】
上記突起構成が一連の同心円内に配置されているある実施形態の場合には、上記電極の延長は、好適には、０．３＜ｂ／ａ＜０．４の関係を満足することが好ましい。ここで、ｂは電極延長の長さであり、ａは周辺支持縁部に最も近い２つの同心円間の相互間の距離である。
【０００８】
他の好ましい実施形態の場合には、基板ホルダーは、周辺支持縁部の周囲を延びる外側電極（ｇｒｏｕｎｄ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）を備える。このような外側電極により、電極の境界上の静電界が明確に画成され、そのため静電力を境界の近くで制御することができる。
【０００９】
もう１つの実施形態の場合には、好適には、上記締付け電極は、突起構成を相補する構成に配置される電界減衰器を備える。上記電界減衰器は、誘電体層および／またはアース層を備えることができる。このようにして、基板と基板ホルダーとの間に発生する静電力が、突起と基板の背面との間に位置する電気力に対する突起間で減衰する。それに応じて、突起間の曲げの程度を有意に少なくすることができる。
【００１０】
添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について以下に説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。図面中、対応する参照符号は、対応する部材を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は、本発明の特定の実施形態によるリソグラフィ投影装置の略図である。このリソグラフィ投影装置は、
・放射線（例えば、深紫外線領域内の光）（この特定の実施形態の場合には、放射線源ＬＡも含む）の投影ビームＰＢを供給するための放射線システムＥｘ、ＩＬと、
・マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためのマスク・ホルダーを備えていて、品目ＰＬに対してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決め手段ＰＭに接続している第１の対象物テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
・基板Ｗ（例えば、レジストでコーティングされたシリコン・ウェハ）を保持するための基板ホルダーを備え、品目ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段ＰＷに接続している第２の対象物テーブル（基板テーブル）と、
・マスクＭＡの照射された部分を基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つまたはそれ以上のダイを備える）上に画像形成するための投影システム（「レンズ」）ＰＬとを備える。
【００１２】
本明細書で説明するように、装置は透過タイプである（すなわち、透過性マスクを有する）。しかし、一般的に言って、上記装置は、例えば、反射性タイプのもの（反射マスクを含む）であってもよい。別の方法としては、上記装置は、上記ようなあるタイプのプログラマブル・ミラー・アレイのような別のタイプのパターニング・デバイスを使用することもできる。
【００１３】
放射線源ＬＡ（例えば、エキシマ・レーザ源）は、放射線ビームを生成する。このビームは、直接、または例えば、ビーム・エクスパンダＥｘのようなコンディショニング手段を横切った後で、照明システム（照明装置）ＩＬに送られる。照明装置ＩＬは、ビーム内の輝度分布の外部および／または内部の半径方法の広がり（通常、それぞれｓアウタおよびｓインナと呼ばれる）を設定するための調整手段ＡＭを備えることができる。さらに、照明装置は、一般的に、インテグレータＩＮおよび集光レンズ（ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）ＣＯのような種々の他の構成要素を備える。このようにして、マスクＭＡに入射するビームＰＢは、その断面内に所望の均一性と輝度分布を有する。
【００１４】
図１の場合、放射線源ＬＡは、リソグラフィ投影装置のハウジング内に収容することができるが（例えば、放射線源ＬＡが水銀ランプの場合、多くの場合そうであるように）、リソグラフィ投影装置から離れたところに設置することもでき、放射線源ＬＡが発生する放射線ビームは装置内に導入されるが（例えば、適当な方向づけミラーの助けにより）、この後者のシナリオは、多くの場合、放射線源ＬＡがエキシマ・レーザの場合に使用され、本発明および特許請求の範囲はこれら両方のシナリオを含むことに留意されたい。
【００１５】
その後で、ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡを照射する。マスクＭＡを横切った後で、ビームＰＢは、レンズＰＬを通過し、レンズＰＬは基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームＰＢの焦点を結ぶ。第２の位置決め手段ＰＷ（および干渉計測手段ＩＦ）の助けにより、例えば、ビームＰＢの経路内の異なる目標部分Ｃに位置決めするために、基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、例えば、マスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に検索した後で、または走査中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするために、第１の位置決め手段ＰＭを使用することができる。一般的に、対象物テーブルＭＴ、ＷＴの運動は、図１に明示していないロング・ストローク・モジュール（粗位置決め用）、およびショート・ストローク・モジュール（微細位置決め用）の助けを借りて行われる。しかし、ウェハ・ステッパ（ステップ・アンド・スキャン装置とは対照的な）の場合には、マスク・テーブルＭＴは、ショート・ストローク・アクチュエータに単に接続することもできるし、固定することもできる。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスク整合マークＭ１、Ｍ２および基板整合マークＰ１、Ｐ２により整合することができる。
【００１６】
図の装置は、下記の２つの異なるモードで使用することができる。
１．ステップ・モードの場合には、マスク・テーブルＭＴは、本質的に固定状態に維持され、全マスク画像は、１回で（すなわち、１回の「照射」で）目標部分Ｃ上に投影される。次に、異なる目標部分ＣをビームＰＢで照射することができるように、基板テーブルＷＴが、ｘおよび／またはｙ方向にシフトされる。
２．走査モードの場合には、所与の目標部分Ｃが１回の「照射」で露光されない点を除けば、本質的に同じシナリオが適用される。代わりに、マスク・テーブルＭＴを速度ｖで所与の方向（例えば、ｙ方向のようないわゆる「走査方向」）に移動することができ、その結果、投影ビームＰＢは、マスク画像上を走査する。同時に、基板テーブルＷＴは、速度Ｖ＝Ｍｖで同じ方向または反対方向に同時に移動する。ここで、ＭはレンズＰＬの倍率（通常、Ｍ＝１／４または１／５）である。このようにして、解像度と妥協することなく、比較的広い目標部分Ｃを露光することができる。
【００１７】
図２は、本発明による基板ホルダー１の略平面図である。この図においては、点線は複数の突起２を示し、突起２はほぼ同心円内に位置する。これらの突起は、一般的に、０．５ｍｍの直径を有し、一般的に、３ｍｍ間隔で位置していて、それにより基板を支持する支持部材のベッドを形成する。参照番号３および４は、相互間の距離がａである突起の一番外側の２つの円を示す（図３参照）。さらに、参照番号８は、周辺支持縁部を越えて延びる電極を示す。この点に関して、周辺支持縁部を、基板の輪郭にほぼ一致していて、基板が基板ホルダー１と接触した場合、ガスが漏れない環境を提供する輪郭を有する壁部の形にすることができることに留意されたい。そうでない場合、周辺支持縁部３は、複数の相互に分離している突起を備えることができ、一番外側の突起の円を形成する。この配置（図示せず）の場合、基板を支持していないが、裏込めガスが漏洩するのをほぼ防止する密封縁部を形成することができる。
【００１８】
図３は、図２のＩ−Ｉ線に沿って切断した略側面図である。この図には、一番外側の突起３および一番外側から二番目の突起４が略図で示してある。それ故、一番外側の突起３は、周辺支持縁部を形成する。この図の場合には、基板ホルダー１および基板７は、曲線５で概略示すように図の左に向かって延びる。突起３および４は、ベース・プレート６により支持されている。ベース・プレートは、通常、当業者であれば周知の（ＵＬＥ（コーニング社（Ｃｏｒｎｉｎｇ）の商標名）およびサファイア）のような電気絶縁体からできている。図には突起３、４が示してある突起は、支持のためのほぼ平らな面を供給する突起構成を形成する。このようにして、ほぼ平らな基板７が支持される。実際には、一番外側の突起４は、周囲を囲む壁部タイプのものでもよいが、内部突起は、通常シリンダー状をしていて、そのため周辺支持縁部は内部突起を囲んでいる。このようにして、静電クランプ用のガス漏れしない状態が形成され、その場合、裏込めガスは、基板７の背面、周辺支持縁部３およびベース・プレート６により封じ込められる。
【００１９】
周辺支持縁部３を越えて延びるベース・プレート内に埋設されている締付け電極８を略図で示す。この点については、埋設という用語を使用する。何故なら、通常、電極８は、絶縁材料でカバーされているからである。この場合、締付け電極８は、制御可能な方法で、基板ホルダーの上記最後の支持縁部を越えて延びているので、基板の境界近くの締付け圧力を変えることができる。それ故、突起構成が形成するサポートの大きさに対する基板の大きさにより、縁部近くの基板７に対して下向きの最適なねじりモーメントを供給するために、電極８を周辺支持縁部３の外側に延ばすことができる。アース電極９は、締付け電極８および周辺支持縁部３の周囲を延びる。それにより、電極８および９の境界上の静電界が、境界の近くに明確に形成される。
【００２０】
ａは、２つの突起３、４間の距離を示す。ｂは、周辺支持縁部３を越えて延びる電極８によりカバーされる延長距離を示す。ｃは、締付け距離ｂでカバーされるオーバーハングの他に、締付け電極８の外縁部と基板１０の縁部との間の基板の任意の余分なオーバーハング距離を示す。
【００２１】
一次元ビーム理論により、支持縁部３の近くのねじりモーメントを反時計方向ねじりモーメントＭａ（締付けたビーム構成）、および時計方向ねじりモーメントＭｂ（カンチレバー・ビーム構成）として計算することができる。
【００２２】
【数１】
2005039274.tif 000003
【００２３】
式１の場合、Δｐは、電極８が加える締付け圧力であり、ａは、一番外側の支持縁部３と一番外側から２番目の突起４との間の距離であり、ｂは、締付け距離であり、θａは、支持縁部３近くの基板の反時計方向の回転である。式を見れば、回転しない構成の場合には、締付け距離は、支持突起間の支持距離ａの０．４倍を延びなければならないことは明らかである。さらに、図３にｃで示す基板の締付けられていない重なり部分の程度は、支持距離と比較した場合大きく（ほぼ１０倍またはそれ以上）、境界近くの基板は、突起３および４が形成する支持面上にほぼ位置する焦点面の最適な深さからずれる傾向がある。ウェハのオーバーハングｃの程度に対する締付け距離ｂを変えることにより、基板上のすべての領域に対して焦点の最適な深さを供給することができる。この場合、距離ｃの長さにより距離ｂをもっと短く、またはもっと長くすることができる。
【００２４】
ｃの実際の値は、支持距離ａの０〜１０倍の範囲内である。この場合、ｂの値は、支持距離ａの０．１〜０．７倍の範囲内である。
下記のテーブルは、５つの負荷の場合の結果を示す。
１．最後の支持縁部３の基板の回転がゼロである場合の最適距離ｂ。
２．「短い」基板の延長（ｂ＋ｃ＝２ａ）に対する、基板縁部１０および支持突起間の基板のところでの等しい湾曲に対する最適距離ｂ
３．「長い」基板の延長（ｂ＋ｃ＝１０ａ）に対する、基板縁部１０および支持突起間の基板のところでの等しい湾曲に対する最適距離ｂ
４．１６０ｎｍのウェハ縁部の上向きの最大の湾曲に対する最適距離ｂ
５．１６０ｎｍのウェハ縁部の下向きの最大の湾曲に対する最適距離ｂ
【００２５】
【表１】
2005039274.tif 000004
【００２６】
列Ｍｂ／Ｍは、これらの設計の場合の最後の支持縁部のすぐ外側でのウェハ内の曲げモーメントの変化を示す。約０．１〜３の範囲がすべての最適設計を含んでいるように見える。この場合、Ｍｂは、静電クランプが最後の突起のすぐ外側のウェハにかける実際の曲げモーメントである。Ｍは、平均の一定の静電クランプ負荷および突起のピッチから定義した基準モーメントである。さらに、このテーブルにおいては、ｙａ、ｙｂ、ｙｃは、図３の位置Ａ、ＢおよびＣに近い突起２が形成する支持面１１に平行な、平らな基準面からの垂直基板の湾曲を示す。
【００２７】
図４は、本発明による基板ホルダーのもう１つの実施形態の詳細断面図である。この実施形態の場合には、静電締付けの湾曲効果は、突起構成をほぼ相補する構成に構成されている電界減衰器を導入することによりさらに緩和される。より詳細に説明すると、図４は、突起２を備える基板ホルダー１である。この場合、突起２の間の領域内の電極８と基板７との間の距離は拡大してある。それ故、締付け電極８の凹部１２は、２つの隣接突起２間に形成され、そのため、静電力は、上記距離に反比例して低減する。さらに、この実施形態の場合には、電極８が、突起２内に突き出ている直立素子１３を有するように形成されているので、突起の直接支持領域内の突起２に加わる静電力が大きくなる。突起２間の支持されていない領域内の静電圧力がかなり低減するので、湾曲が少なくなり、それによりフォトリソグラフィ・プロセスの焦点誤差およびオーバレイ誤差が低減する。典型的な突起の高さは５μｍであり、表面の粗さは３０ｎｍであり、かけられる静電負荷は３ｋＶである。このような構成の場合、静電クランプが、突起間のエリア内に４Ｆ／ｍおよび３００μｍの誘電率を有する少なくとも２０μｍの誘電体層１４でカバーされていると仮定した場合、基板ホルダー全体を通して３５０Ｖを超えるギャップ電圧は発生せず、そのため漏洩が防止される。このかけた電圧により、突起上に１６バールの、突起間に０．０６バールの全推定締付け圧力が発生する。
【００２８】
図５は、本発明による基板ホルダーのさらにもう１つの実施形態の詳細断面図である。この実施形態の場合には、静電締付けの湾曲効果は、突起間に電界を遮蔽するアース層１５を導入することにより緩和される。アース層１５としてはカバー層を使用することができるが、アース層１５は、基板ホルダー１に埋設することもできる。図５は、また、突起の側壁部１６がアース層１５でカバーされている構成を示す。この構成は、基板７がアースするという追加の利点を提供する。さらに、このような基板ホルダーは、金属層で基板ホルダーをカバーした後で非常に容易に製造することができ、研磨プロセス等で突起の頂部を除去し、滑らかにすることができる。
【００２９】
当業者であれば、このような別の用途に関連して、本明細書中の「レチクル」または「ウェハ」または「基板」という用語の任意の使用は、ビーム経路内に置かれる任意の物体のようなもっと一般的な用語で置き換えることができることを理解することができるだろう。このような物体はパターニング・デバイスを含むことができるが、このパターニング・デバイスは、基板の目標部分上にパターン化されたビームにより、パターン化されるその断面または基板内に、パターンによる投影ビームを入射する働きをする。さらに、本明細書で使用するいくつかのコンセプトの一般的および特定のコンテキストを説明するために下記のように定義する。本明細書において使用する「パターニング・デバイス」という用語は、入射する放射線ビームに、基板の目標部分に形成されるパターンに対応するパターン化された断面を与えるために使用することができるデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。「ライト・バルブ」という用語もこの意味で使用することができる。一般的に、上記パターンは、集積回路または他のデバイス（下記の説明を参照）などの目標部分に形成中のデバイスの特定の機能層に対応する。このようなパターニング・デバイスとしては下記のものがある。すなわち、
−  マスク。マスクの概念は、リソグラフィにおいて周知のものであり、バイナリ・マスク・タイプ、レベンソン・マスク・タイプ、減衰位相シフト・マスク・タイプおよび種々のハイブリッド・マスク・タイプ等がある。放射線ビーム内にこのようなマスクを置くと、マスク上のパターンにより、マスク上に入射する放射線が選択的に透過（透過性マスクの場合）または選択的に反射（反射性マスクの場合）される。あるマスクの場合には、支持構造は、一般的に、確実にマスクを入射放射線ビーム内の所望する位置に保持することができ、そうしたい場合には、ビームに対してマスクが移動することができるようなマスク・テーブルである。
−  プログラマブル・ミラー・アレイ。このようなデバイスの一例としては、粘弾性制御層および反射面を有するマトリックス・アドレス可能面がある。このような装置の基本的原理は、（例えば）反射面のアドレスされた領域が入射光を回折光として反射し、アドレスされていない領域は入射光を非回折光として反射するという原理である。適当なフィルタを使用することにより、反射ビームから上記の非回折光をろ過して回折光だけを後に残すことができる。このようにして、ビームは、マトリックス・アドレス可能面のアドレス・パターンに従ってパターン化される。プログラマブル・ミラー・アレイの他の実施形態は、それぞれが、適当な集中した電界を加えることにより、または圧電作動手段を使用することにより、軸を中心にして個々に傾斜することができる小さなミラーのマトリックス配置を使用する。ここでもまた、アドレスされるミラーが、アドレスされないミラーへ異なる方向に入力放射線ビームを反射するように、ミラーは、マトリックス・アドレス指定することができる。このようにして、反射したビームは、マトリックス・アドレス指定することができるミラーのアドレス・パターンに従ってパターン化される。必要なマトリックス・アドレス指定は、適当な電子手段により行うことができる。上記両方の状況において、パターニング・デバイスは、１つまたはそれ以上のプログラマブル・ミラー・アレイを備えることができる。本明細書に記載したミラー・アレイのより詳細な情報については、例えば、米国特許第５，２９６，８９１号、および米国特許第５，５２３，１９３号およびＰＣＴ特許出願第ＷＯ９８／３８５９７号およびＷＯ９８／３３０９６号を参照されたい。プログラマブル・ミラー・アレイの場合には、上記支持構造を、例えば、必要に応じて固定式にも移動式にもすることができるフレームまたはテーブルの形で実施することができる。
−  プログラマブルＬＣＤアレイ。このような構造の一例は、米国特許第５，２２９，８７２号に記載されている。すでに説明したように、この場合の支持構造は、例えば、必要に応じて固定式にも移動式にもすることができるフレームまたはテーブルの形で実施することができる。
【００３０】
リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造の際に使用することができる。このような場合、パターニング・デバイスはＩＣの個々の層に対応する回路パターンを形成することができ、このパターンを、放射線感光材料（レジスト）の層でコーティングされた基板（シリコン・ウェハ）上の目標部分（例えば、１つまたはそれ以上のダイを含む）に画像として形成することができる。一般的に、１つのウェハは、１回に１つずつ、投影システムにより連続的に照射される隣接目標部分の全ネットワークを含む。１つのマスク・テーブル上にマスクによりパターン形成を行う現在の装置の場合、２つの異なるタイプの機械を区別することができる。リソグラフィ投影装置の１つのタイプの場合には、１回の動作で目標部分上に全マスク・パターンを露光することにより各目標部分を照射することができる。このような装置は、通常、ウェハ・ステッパまたはステップアンドリピート装置と呼ばれる。通常、ステップ・アンド・スキャン装置と呼ばれる別の装置の場合には、所与の基準方向（「走査」方向）の投影ビームの下で、マスク・パターンを順次走査し、一方この方向に平行または非平行に基板テーブルを同期状態で走査することにより、各目標部分が照射される。一般的に、投影システムは、倍率計数Ｍ（一般的に、１より小さい）を有しているので、基板テーブルが走査される速度Ｖは、マスク・テーブルが走査される速度に計数Ｍを掛けたものになる。本明細書に記載するリソグラフィ・デバイスについてのより詳細な情報は、例えば、引用によって本明細書の記載に援用する米国特許第６，０４６，７９２号から入手することができる。
【００３１】
さらに、リソグラフィ装置は、２つまたはそれ以上のウェハ・テーブル（および／または２つまたはそれ以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものであってもよい。このような「多段」デバイスの場合には、追加テーブルを並列に使用することもできるし、または１つまたはそれ以上の他のテーブルを露光のために使用している間に、１つまたはそれ以上のテーブル上で準備ステップを実行することもできる。二段リソグラフィ装置については、引用によって本明細書の記載に援用する、米国特許第５，９６９，４４１号およびＰＣＴ特許出願第ＷＯ９８／４０７９１号に記載されている。
【００３２】
ＩＣ製造の際の本発明による装置の使用について、本明細書において特定しているが、このような装置は、多くの他の可能な用途を有することをはっきりと理解されたい。例えば、本発明の装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用の案内および検出パターン、液晶ディスプレイ・パネル、薄膜磁気ヘッド等の製造の際に使用することができる。本明細書においては、「放射線」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長を有する）および極紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、およびイオン・ビームまたは電子ビームのような粒子ビームを含むすべてのタイプの電磁放射線を含む。
【００３３】
今まで本発明のいくつかの実施形態について説明してきたが、本発明を上記以外の方法で実行することができることを理解することができるだろう。例えば、上記いくつかの例の場合には、基板ホルダーを、基板の目標部分上にパターン化されたビームにより、パターン化される基板を保持するためのウェハ・テーブルとして説明してきたが、ある実施形態の場合には（特に、反射マスクを使用する実施形態の場合には）、基板ホルダーとして、その断面内にパターンにより投影ビームを照射する働きをするパターニング・デバイスを支持するための支持体を使用することができる。上記説明は本発明を制限するためのものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明のある実施形態によるリソグラフィ投影装置である。
【図２】本発明による基板ホルダーの略平面図である。
【図３】Ｉ−Ｉ線に沿って切断した図２の基板の略部分図である。
【図４】本発明による基板ホルダーの他の実施形態の詳細断面図である。
【図５】本発明による基板ホルダーの第３の実施形態の詳細断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
ＰＢ  投影ビーム
Ｅｘ  ビーム・エクスパンダ
ＩＬ  照明装置
ＰＭ  第１の位置決め手段
ＰＷ  第２の位置決め手段
ＭＴ  マスク・テーブル
ＰＬ  レンズ
ＭＡ  マスク
Ｃ  目標部分
Ｗ  基板
ＬＡ  放射線源
ＣＯ  集光レンズ
Ｍ１，Ｍ２  マスク整合マーク
Ｐ１，Ｐ２  基板整合マーク
１  基板ホルダー
２  突起
３，４  突起
５  曲線
６  ベース・プレート
７，１０  基板
８  締付け電極
９  外側電極
１１  支持面
１２  凹部
１３  直立素子
１４  誘電体層
１５  アース層
１６  側壁部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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