(57)【要約】    【課題】ブリスタの発生を回避しつつ、より一層のセラミック電子部品の外部導体の緻密化を図ることが可能な導電性ペースト、及びこの導電性ペーストを使用して製造されたセラミック電子部品を実現する。    【解決手段】卑金属材料と、ガラス成分と、バインダ樹脂とを含有し、前記卑金属材料が、平均粒径が３〜１０μｍであって、粒子の最大径ａと平均厚みｂとの比ａ／ｂが４〜１１の扁平状Ｃｕ粉末からなり、前記扁平状Ｃｕ粉末と前記ガラス成分の含有量総計（Ａ＋Ｂ）に対するガラス成分の含有量Ｂが、体積比で０．１５〜０．４５であり、前記扁平状Ｃｕ粉末と前記ガラス成分との含有量総計（Ａ＋Ｂ）に対するバインダ樹脂の含有量Ｃが、体積比で０．７〜１．１であり、乾燥膜密度が２．０〜２．９ｇ／ｃｍ３である。  【選択図】選択図なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
卑金属材料と、ガラス成分と、バインダ樹脂とを含有した導電性ペーストであって、
前記卑金属材料が、平均粒径が３〜１０μｍであって、最大径ａと平均厚みｂとの比ａ／ｂが４〜１１の扁平状粉末からなり、
前記扁平状粉末と前記ガラス成分の含有量総計（Ａ＋Ｂ）に対する前記ガラス成分の含有量Ｂが、体積比で０．１５〜０．４５であり、
前記扁平状粉末と前記ガラス成分との含有量総計（Ａ＋Ｂ）に対する前記バインダ樹脂の含有量Ｃが、体積比で０．７０〜１．１０であることを特徴とする導電性ペースト。
【請求項２】
乾燥膜密度が２．０〜２．９ｇ／ｃｍ３であることを特徴とする請求項１記載の導電性ペースト。
【請求項３】
前記扁平状粉末は、Ｃｕを主成分としていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の導電性ペースト。
【請求項４】
セラミック素体の表面に形成された外部導体が、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の導電性ペーストの焼結体からなることを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項５】
前記セラミック素体に内部導体が埋設されると共に、該内部導体が前記外部導体に電気的に接続されていることを特徴とする請求項４記載のセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は導電性ペースト及びセラミック電子部品に関し、より詳しくはセラミック電子部品の外部導体形成用に使用される導電性ペースト、及び該導電性ペーストを使用して製造された積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品では、一般に、セラミック素体の両端部にＣｕ等の導電成分を含有した導電性ペーストを塗布し、乾燥させた後、焼成処理を行なうことにより外部導体が形成される。また、外部導体上には、はんだ濡れ性やはんだ耐熱性の向上を目的として、Ｎｉ、Ｓｎ、はんだ等のめっき処理が施されている。
【０００３】
しかしながら、めっき処理を施す場合に外部導体内にめっき液が浸入し、該めっき液がセラミック層と内部導体の界面に達して絶縁抵抗が劣化したり、デラミネーションやクラック等の構造欠陥が生じるおそれがある。
【０００４】
外部導体内へのめっき液の浸入を防止するためには、導体膜の緻密化が有効な手段と考えられる。導体膜を緻密化させるためには、通常導電性ペーストの乾燥膜密度を大きくすれば良いと考えられるが、乾燥膜密度を大きくすると、焼成処理の前段時に発生するガスにより、導体膜中にブリスタと呼ばれる空洞が発生し、導体膜の一部がドーム状に盛り上がってしまい、外観を損ない特性的にも種々の悪影響を及ぼすおそれが生じる。
【０００５】
すなわち、外部導体の導電成分としてＣｕ等の卑金属材料を使用する場合は、卑金属材料が焼成の際に酸化して導電不良を生じないように、焼成雰囲気を窒素雰囲気や中性雰囲気に制御しながら温度７００〜９００℃で焼成処理が行なわれる。
【０００６】
しかしながら、導電性ペーストの焼成時に残留するカーボンは、温度７００℃近辺からは炉内や導体膜に内包された酸素と反応してＣＯ２ガスを発生し、このため温度７００℃に到達したときに既に緻密化が進んでいる場合には、所謂ガス抜けが悪くなって導体膜がドーム状に盛り上がり、ブリスタ（膨れ）が生じる。特に、乾燥膜密度が大きい場合は、酸素供給が不十分となって脱バインダ性が悪化し、残留カーボンが多くなるため、ブリスタが発生し易くなる。
【０００７】
つまり、外部導体の緻密化を図るためには乾燥膜密度を大きくすれば良いと考えられるが、その一方で、乾燥膜密度を大きくするとブリスタが発生し易くなる。
【０００８】
そこで、従来より、塗布乾燥したときの乾燥膜密度を３．０〜４．８ｇ／ｃｍ３の範囲にまで低下させ、これによりブリスタの発生のない緻密な導体膜を得ることが可能な電極ペーストが提案されている（特許文献１）。
【０００９】
また、この特許文献１では、平均粒径３．０〜１０μｍ、平均粒径／平均厚みが５〜４０、比表面積が０．１ｍ２／ｇ以上、１．０ｍ２／ｇ未満の扁平状銅粉を使用することにより、ブリスタの発生のない一層緻密化された導体膜を得ようとしている。
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−５６７１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１は、乾燥膜密度を３．０〜４．８ｇ／ｃｍ３の範囲まで低下させることにより、ブリスタの発生を抑制することはできるが、本発明者の実験結果により、平均粒径が８μm以上の扁平状銅粉を使用した場合は、焼結性が悪化し、このため焼成後に十分な緻密性を得ることができない場合が生じ有るということが判明した。
【００１２】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、ブリスタの発生を回避しつつ、より一層のセラミック電子部品の外部導体の緻密化を図ることが可能な導電性ペースト、及びこの導電性ペーストを使用して製造されたセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者は上記目的を達成するために鋭意研究を行なった結果、卑金属材料としての扁平状粉末の形状や粒径に加え、導電性ペーストに含有されるガラス成分やバインダ樹脂の体積含有量を特定範囲に限定することにより、焼成後の導体膜をより一層緻密化することができ、しかも乾燥膜密度もより一層低下させることができ、これによりブリスタが発生することもなく、より一層の導体膜の緻密化を図ることができるという知見を得た。
【００１４】
すなわち、卑金属材料に扁平状粉末を使用した場合、導電性ペーストの乾燥膜は、扁平状粉末、ガラス成分（ガラスフリット）、バインダ樹脂、及び空隙で構成される。このうち、バインダ樹脂は、その軟化点から分解・燃焼の開始するまでの温度域では、軟化流動により液状化する。この液状化したバインダ樹脂中を扁平状粉末が移動し、空隙が小さくなったり扁平状粉末の配列が整えられて再配列し、これにより扁平状粉末同士のネッキングが生じやすくなり、緻密化が促進されると考えられる。
【００１５】
そこで、このような観点から本発明者が鋭意研究を重ねたところ、固形分（扁平状粉末及びガラス成分）に対するバインダ樹脂の体積含有量を特定範囲とすることにより、扁平状粉末の流動が生じ易くなり、再配列が起こる結果、緻密化が進むという知見を得た。また、ガラス成分は低温焼成に寄与するが、このガラス成分の含有量についても、前記固形分に対し特定範囲に制御することにより、乾燥膜密度が大きくなるのを回避してブリスタの発生を防ぐことができるという知見も得た。
【００１６】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る導電性ペーストは、卑金属材料と、ガラス成分と、バインダ樹脂とを含有した導電性ペーストであって、前記卑金属材料が、平均粒径が３〜１０μｍであって、最大径ａと平均厚みｂとの比ａ／ｂ（以下、「アスペクト比」という）が４〜１１の扁平状粉末からなり、前記扁平状粉末と前記ガラス成分の含有量総計（Ａ＋Ｂ）に対するガラス成分の含有量Ｂが、体積比で０．１５〜０．４５であり、前記扁平状粉末と前記ガラス成分との含有量総計（Ａ＋Ｂ）に対するバインダ樹脂の含有量Ｃが、体積比で０．７０〜１．１０であることを特徴としている。
【００１７】
また、本発明の導電性ペーストは、乾燥膜密度が２．０〜２．９ｇ／ｃｍ３であることを特徴としている。
【００１８】
さらに、本発明の導電性ペーストは、前記扁平状粉末がＣｕを主成分としていることを特徴としている。
【００１９】
また、本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック素体の表面に形成された外部導体が上記導電性ペーストの焼結体からなることを特徴としている。
【００２０】
さらに、本発明のセラミック電子部品は、前記セラミック素体に内部導体が埋設されると共に、該内部導体が前記外部導体に電気的に接続されていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２１】
上記導電性ペーストによれば、Ｃｕ等の卑金属材料が、平均粒径が３〜１０μｍであってアスペクト比が４〜１１の扁平状粉末からなり、前記扁平状粉末とガラス成分の含有量総計（Ａ＋Ｂ）に対するガラス成分の含有量Ｂが、体積比で０．１５〜０．４５であり、前記扁平状粉末と前記ガラス成分との含有量総計（Ａ＋Ｂ）に対するバインダ樹脂の含有量Ｃが、体積比で０．７０〜１．１０であるので、扁平状粉末の再配列効果によりブリスタが発生することなく、焼成後の導体膜の緻密化を図ることができる。
【００２２】
また、本発明の導電性ペーストによれば、乾燥膜密度が２．０〜２．９ｇ／ｃｍ３であるので、乾燥膜密度はより一層低下し、これによりブリスタの発生を防止しつつ導体膜の緻密化を図ることができる。
【００２３】
また、本発明のセラミック電子部品によれば、セラミック素体の表面に形成された外部導体が上記導電性ペーストの焼結体からなるので、ブリスタの発生することがない緻密化された外部導体を得ることができ、したがって、外部導体内部にめっき液等が浸入することのない信頼性に優れたセラミック電子部品を得ることができる。
【００２４】
また、本発明のセラミック電子部品によれば、前記セラミック素体に内部導体が埋設されると共に、該内部導体が前記外部導体に電気的に接続されているので、緻密化の良好な外部導体を有しており、したがって内部導体にめっき液が浸入するのを回避することができ、セラミック層と内部導体との界面でデラミネーションが生じたりセラミック素体にクラックが発生するのを回避することができ、信頼性の優れた積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００２６】
本発明の一実施の形態としての導電性ペーストは、卑金属材料としての扁平状Ｃｕ粉末と、ガラス成分と、バインダ樹脂と、有機溶剤とを含有している。そして、前記扁平状Ｃｕ粉末は、平均粒径が３〜１０μｍであってアスペクト比が４〜１１であり、前記扁平状Ｃｕ粉末と前記ガラス成分の含有量総計（Ａ＋Ｂ）に対するガラス成分の含有量Ｂ、すなわち、Ｂ／（Ａ＋Ｂ）値が、体積比で０．１５〜０．４５であり、前記扁平状粉末と前記ガラス成分との含有量総計（Ａ＋Ｂ）に対するバインダ樹脂の含有量Ｃ、すなわちＣ／（Ａ＋Ｂ）値が、体積比で０．７０〜１．１０となるように調製されている。
【００２７】
そして、上記導電性ペーストをセラミック素体等の被塗布物に塗布し、乾燥することにより、乾燥膜密度を２．０〜２．９ｇ／ｃｍ３の範囲内に制御することができ、これにより焼成後にブリスタが発生することもなく、緻密性の良好な導体膜を得ることができる。
【００２８】
以下、平均粒径、アスペクト比、Ｂ／（Ａ＋Ｂ）値、及びＣ／（Ａ＋Ｂ）値を上述のように限定した理由を詳述する。
【００２９】
（１）平均粒径
導電性ペーストをセラミック素体等の被塗布物の表面に塗布・乾燥し、焼成処理を施し、これにより導体膜を得る場合、扁平状Ｃｕ粉末の平均粒径が３μｍ未満になると、焼成処理時にカーボンが残留し易くなる。そして、この残留カーボンが温度７００℃位から導体膜中の酸素と反応してＣＯ２を発生し、その結果導体膜の緻密化が進行している場合はガス抜けが悪くなり、ブリスタが発生するおそれがある。一方、扁平状Ｃｕ粉末の平均粒径が１０μｍを超えると乾燥膜密度を低下させることができ、これによりブリスタの発生を抑制することができるが、焼結性が悪化し、導体膜の緻密性が低下する。
【００３０】
そこで、本実施の形態では、扁平状Ｃｕ粉末の平均粒径を３〜１０μｍとしている。
【００３１】
（２）アスペクト比
扁平状Ｃｕ粉末は、加熱により軟化流動しているバインダ樹脂中に分散させることにより再配列し、これにより乾燥膜の緻密化が可能となるが、アスペクト比が４未満の場合は、乾燥膜密度が大きくなって酸素供給が不十分となり、脱バインダ性が悪化して残留カーボンが増加し、このためブリスタが発生するおそれがある。
【００３２】
一方、アスペクト比が１１を超えると乾燥膜密度を小さくすることができるが、空隙率が大きくなって扁平状Ｃｕ粉末同士の物理的接触が生じにくくなり、このためネッキングが起こらない箇所が増加し、焼結性が低下して緻密な導体膜を得ることができなくなる。
【００３３】
そこで、本実施の形態では、アスペクト比が４〜１１となるようにしている。
【００３４】
（３）Ｂ／（Ａ＋Ｂ）値
扁平状Ｃｕ粉末の酸化を防止するために低温で焼成処理を行なう必要があり、このため導電性ペースト中にはホウケイ酸系ガラス、ホウケイ酸亜鉛系ガラス、アルミノケイ酸系ガラス、アルカリケイ酸系ガラス等のガラス成分を含有させる必要がある。
【００３５】
しかしながら、Ｂ／（Ａ＋Ｂ）値が体積比で０．１５未満の場合は固形分（扁平状Ｃｕ粉末及びガラス成分）中に占めるガラス成分の体積比が相対的に小さくなり、このため低温焼結性が悪く、導体膜の緻密化を図ることができなくなる。
【００３６】
一方、Ｂ／（Ａ＋Ｂ）値が体積比で０．４５を超えた場合は、固形分（扁平状Ｃｕ粉末及びガラス成分）中に占めるガラス成分の体積比が相対的に大きくなり、ブリスタが発生するおそれがある。
【００３７】
そこで、本実施の形態では、Ｂ／（Ａ＋Ｂ）値が体積比で０．１５〜０．４５となるように調製している。
【００３８】
（４）Ｃ／（Ａ＋Ｂ）値
乾燥膜は、扁平状Ｃｕ粉末、ガラス成分、バインダ樹脂、及び空隙で構成される。そして、焼結は、扁平状Ｃｕ粉末同士のネッキングにより起こるが、空隙やバインダ樹脂の存在するところでは、扁平状Ｃｕ粉末同士の物理的な接触が起こりにくいため、ネッキングが起こらず、緻密化が促進されない。
【００３９】
導電性ペースト中のバインダ樹脂は、軟化する約５０℃からバインダ樹脂の分解・燃焼が生じる約３００℃までの温度域では、軟化流動により液状化する。この液状化したバインダ樹脂中を扁平状Ｃｕ粉末が移動し、その結果、空隙を小さくしたり、扁平状Ｃｕ粉末の配列を整えて再配列し、扁平状Ｃｕ粉末同士のネッキングを起こりやすくし、これにより緻密化が促進される。
【００４０】
しかしながら、Ｃ／（Ａ＋Ｂ）値が体積比で０．７０未満の場合は、固形分に占めるバインダ樹脂の体積比が相対的に小さすぎるため、扁平状Ｃｕ粉末の再配列を行なうことができず、焼結性が悪くなり、導体膜の緻密化を図ることができない。
【００４１】
一方、前記Ｃ／（Ａ＋Ｂ）値が体積比で１．１０を超えた場合は、固形分に占めるバインダ樹脂の体積比が相対的に大きすぎるため、バインダ樹脂が燃焼・消失せずに残存して緻密不良が発生したり、高温まで残存したバインダ樹脂によって導体膜にクラックが生じるおそれがある。
【００４２】
そこで、本実施の形態では、Ｃ／（Ａ＋Ｂ）値が体積比で０．７０〜１．１０となるように調製している。
【００４３】
尚、バインダ樹脂としては、特に限定されるものではなく、例えば、アクリル樹脂、エチルセルロース樹脂、ブチラール樹脂等を使用することができる。
【００４４】
そして、本導電性ペーストは以下のようにして製造される。
【００４５】
すなわち、平均粒径が３〜１０μｍであって、アスペクト比が４〜１１の扁平状Ｃｕ粉末と、ホウケイ酸系ガラスフリット等のガラス成分をＢ／（Ａ＋Ｂ）値が０．１５〜０．４５となるように秤量する。
【００４６】
また、バインダ樹脂をＣ／（Ａ＋Ｂ）値が０．７０〜１．１０となるように秤量し、テルピネオール等の有機溶剤中に分散させて有機ビヒクルを作製する。
【００４７】
次いで、上記扁平状Ｃｕ粉末、及びガラス成分を有機ビヒクル中に混合し、三本ロールミルで混練して分散させ、これにより導電性ペーストが作製される。
【００４８】
このようにして作製された導電性ペーストは、平均粒径を３〜１０μｍであって、アスペクト比が４〜１１であり、またＢ／（Ａ＋Ｂ）値が０．１５〜０．４５、Ｃ／（Ａ＋Ｂ）値が０．７０〜１．１０となるように調製されているので、導電性ペーストをセラミック素体等の被塗布物に塗布した後、乾燥し、その後低温焼成してもブリスタが発生することもなく、緻密性の良好な導体膜を得ることができる。
【００４９】
次に、上記導電性ペーストを使用して製造されたセラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサについて詳説する。
【００５０】
図１は積層セラミックコンデンサの一実施の形態を模式的に示した断面図である。
【００５１】
該積層セラミックコンデンサは、セラミック素体１に内部導体２（２ａ〜２ｆ）が埋設されると共に、該セラミック素体１の両端部には外部導体３ａ、３ｂが形成され、さらに該外部導体３ａ、３ｂの表面には第１のめっき皮膜４ａ、４ｂ及び第２のめっき皮膜５ａ、５ｂが形成されている。
【００５２】
具体的には、各内部導体２ａ〜２ｆは積層方向に並設されると共に、内部導体２ａ、２ｃ、２ｅは外部導体３ａと電気的に接続され、内部導体２ｂ、２ｄ、２ｆは外部導体３ｂと電気的に接続されている。そして、内部導体２ａ、２ｃ、２ｅと内部導体２ｂ、２ｄ、２ｆとの対向面間で静電容量を形成している。
【００５３】
上記積層セラミックコンデンサは以下のようにして製造される。
【００５４】
すなわち、まず、チタン酸バリウム等の誘電体材料を主成分とするセラミックグリーンシートを用意し、次いで、ＮｉやＣｕ等の卑金属材料を主成分とした内部導体形成用の導電性ペーストを使用し、セラミックグリーンシート上にスクリーン印刷を施して所定形状の導電パターンを形成する。
【００５５】
そしてこの後、導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートを所定方向に複数枚積層し、導電パターンの形成されていないセラミックグリーンシートで挟持・圧着し、所定寸法に切断してセラミック積層体を作製する。しかる後、温度約５００℃で脱バインダ処理を行ない、その後、温度９００〜１２００℃、還元雰囲気で所定時間焼成処理を行い、これにより内部導体２が埋設されたセラミック素体１を作製する。
【００５６】
次いで、上述した本導電性ペーストをセラミック素体１の両端面に塗布した後、乾燥し、その後窒素雰囲気又は中性雰囲気下、最高温度約８００℃で所定時間焼成処理を施し、外部導体３ａ、３ｂを形成する。
【００５７】
次に、電解めっきを施して外部導体３ａ、３ｂの表面にＮｉ、Ｃｕ等からなる第１のめっき皮膜４ａ、４ｂを形成し、さらに該第１のめっき皮膜４ａ、４ｂの表面にはんだやＳｎ等からなる第２のめっき皮膜５ａ、５ｂを形成し、これにより積層セラミックコンデンサが製造される。
【００５８】
このように本積層セラミックコンデンサは、上述した導電性ペーストを使用してセラミック素体１の両端面に外部導体３ａ、３ｂが形成されているので、外部導体３ａ、３ｂはブリスタやクラックが発生することもなく外観が良好であり、また外部導体３ａ、３ｂは導体膜は緻密であり、めっき液が外部導体３ａ、３ｂ内部や内部導体２に浸入するのを回避することができ、したがってデラミネーションやクラック等の構造欠陥が生じることのない信頼性の優れた積層セラミックコンデンサを高効率で得ることができる。
【００５９】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されることはない、例えば、上記実施の形態では、卑金属材料としてＣｕ粉を使用したが、Ｃｕ粉以外の他の卑金属材料、例えばＣｕ合金、Ｎｉ、Ｎｉ合金等にも適用可能である。また、上記実施の形態では、本導電性ペーストを積層セラミックコンデンサに応用した場合について述べたが、外部導体の導電成分に卑金属材料を使用する他のセラミック電子部品についても同様に適用できるのはいうまでもない。
【実施例】
【００６０】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００６１】
表１に示すような扁平状Ｃｕ粉末、ガラス成分量、及びバインダ樹脂量を有する導電性ペーストを作製した。
【００６２】
まず、平均粒径が２〜２０μｍ、アスペクト比が２〜１５の扁平状Ｃｕ粉末、及び平均粒径が２．５μｍのホウケイ酸亜鉛系ガラスフリットを用意した。
【００６３】
尚、扁平状Ｃｕ粉末の平均粒径は、レーザー式粒度分布測定装置で粒度分布を測定して求めた。また、アスペクト比は、扁平状Ｃｕ粉末をアクリル樹脂で固めた後、研磨処理を施して粉末断面を露出させ、その最大径ａと平均厚さｂとを測定して求めた。
【００６４】
次に、バインダ樹脂としてのアクリル樹脂の含有量が２０〜３５重量％となるように該アクリル樹脂をテルピネオール中に分散させて有機ビヒクルを作製した。
【００６５】
次いで、上記扁平状Ｃｕ粉末とガラスフリットとの含有量総計（Ａ＋Ｂ）に対するガラスフリットの含有量Ｂ、すなわちＢ／（Ａ＋Ｂ）値が体積比で０．１５〜０．５０、扁平状Ｃｕ粉末とガラスフリットとの含有量総計（Ａ＋Ｂ）に対するアクリル樹脂の含有量Ｃ、すなわちＣ／（Ａ＋Ｂ）値が体積比で０．５３〜１．１９となるように、三本ロールミルを使用して扁平状Ｃｕ粉末及びガラスフリットを有機ビヒクル中に混練させ、導電性ペーストを作製した。
【００６６】
次に、このようにして作製された導電性ペーストの乾燥膜密度を以下の方法で求めた。
【００６７】
すなわち、ドクターブレード法を使用し、ポリエチレンテレフタレートからなる薄膜フィルム（以下、「ＰＥＴフィルム」という）上に導電性ペーストを塗布し、膜厚２００μｍの塗布膜を作製した。次いで、この塗布膜を温度１５０℃で３０分間乾燥処理を施して乾燥膜を形成し、ＰＥＴフィルムを縦１００ｍｍ、横１００ｍｍに切断した。そしてこの後、ＰＥＴフィルム上の乾燥膜の膜厚をマイクロメータで測定し、この測定結果とＰＥＴフィルムの寸法（縦１００ｍｍ、横１００ｍｍ）から乾燥膜の体積Ｖを求めた。さらに、乾燥膜の重量Ｗを電子天秤で測定し、乾燥膜の重量Ｗを乾燥膜の体積Ｖで除算して導電性ペーストの乾燥膜密度を求めた。
【００６８】
次いで、チタン酸バリウムを主成分とするセラミックグリーンシートを準備し、一方の端縁がセラミックグリーンシートの何れかの端面に露出するように、該セラミックグリーンシートの表面に、Ｎｉペーストを用いて内部導体となるべき導電パターンをスクリーン印刷した。次に、導電パターンの形成されたセラミックグリーンシートを所定枚数積層し、次いで、導電パターンの形成されていないセラミックグリーンシートで挟持した後、圧着してセラミック積層体を作製し、その後温度約５００℃で脱バインダ処理を行なった後、温度１２００℃の還元雰囲気で焼成処理を行ない、これによりセラミック焼結体を作製し、長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、厚み１．６ｍｍのセラミック素体を得た。
【００６９】
次に、このセラミック素体の両端部に前記導電ペーストを浸漬法で塗布した後、温度１５０℃で１５分間乾燥し、その後、中性雰囲気下、最高温度８００℃で１０分間保持する焼成プロファイルで焼成処理を行ない、外部導体を形成した。
【００７０】
次に、このようにして外部導体が形成された試料番号１〜１９の各１００個について、実体顕微鏡で外部導体を観察し、ブリスタやクラックの発生の有無を観察した。その結果、後述するように試料番号１〜３、１１、１５、及び１９はブリスタやクラックが発生した。
【００７１】
次に、各試料１００個について、ブリスタやクラックの発生が皆無であった試料番号４〜１０、１２〜１４、１６〜１８の各試料について、電解Ｎｉめっき処理、及び電解Ｓｎめっき処理を順次施し、外部導体の表面に膜厚３μｍのＮｉ皮膜を形成し、さらにＮｉ皮膜の表面に膜厚３μｍのＳｎ皮膜を形成し、これにより静電容量が１０μＦの積層セラミックコンデンサを得た。
【００７２】
次に、このようにして得られた試料番号４〜１０、１２〜１４、１６〜１８の各試料１０個について緻密性評価を行なった。
【００７３】
すなわち、緻密性評価は、電極表面を研磨して電極断面を表面露出させ、金属顕微鏡（ＳＥＭ）で導体膜へのめっき液の浸入の有無を観察し、導体膜中へのめっき液の浸入が認められた試料を不良品と判断した。
【００７４】
表１は導電性ペーストの仕様と測定結果を示している。
【表１】
2005228610.tif 000002
この表１から明らかなように試料番号１は、扁平状Ｃｕ粉末の平均粒径が２μｍ、アスペクト比が２と小さく、乾燥膜密度が４．０ｇ／ｃｍ３と大きいため、ブリスタの発生率が９５％となり、ブリスタの発生する確率が大きいことが分かった。
【００７５】
試料番号２も、試料番号１と同様、扁平状Ｃｕ粉末の平均粒径が２μｍ、アスペクト比が２と小さく、しかも、この場合Ｃ／（Ａ＋Ｂ）値が１．１８でありバインダ樹脂の体積比率が大きいため、乾燥膜密度が２．９ｇ／ｃｍ３であるにも拘らず、ブリスタやクラックが全数（１００個）について発生した。
【００７６】
また、試料番号３は、アスペクト比が３と小さく、乾燥膜密度が３．６ｇ／ｃｍ３と大きいため、ブリスタ発生率が２０％となり、ブリスタの発生するおそれのあることが分かった。
【００７７】
試料番号６は、Ｂ／（Ａ＋Ｂ）値が０．１０であり、ガラスフリットの体積比率が小さいため、ブリスタは発生しなかったが、緻密性不良率が８０％と高かった。
【００７８】
試料番号１１は、Ｂ／（Ａ＋Ｂ）値が０．５０であり、ガラスフリットの体積比率が大きいため、ブリスタ発生率が２１％となり、ブリスタの発生するおそれのあることが分かった。
【００７９】
試料番号１２は、Ｃ／（Ａ＋Ｂ）値が０．５３と小さいため、アクリル樹脂による扁平状Ｃｕ粉末の再配列効果が小さく、このため緻密性不良率が４０％となった。
【００８０】
試料番号１５は、Ｃ／（Ａ＋Ｂ）値が１．１９と大きく、脱バインダ処理時にガスの抜けが悪く、全数（１００個）について外部導体にクラックが発生した。
【００８１】
試料番号１７は、アスペクト比が１５と大きく、緻密性不良率が５０％であった。
【００８２】
試料番号１８は、扁平状Ｃｕ粉末の平均粒径が２０μｍと大きく、またアスペクト比も１３と大きいため、ブリスタは発生しなかったが、全数（１０個）について緻密性不良が認められた。
【００８３】
試料番号１９は、扁平状Ｃｕ粉末の平均粒径が２μｍと小さく、またアスペクト比も１と小さいため、全数（１００個）についてブリスタの発生が認められた。
【００８４】
これに対して試料番号４、５、７〜１０、１３、１４、及び１６は、扁平状Ｃｕ粉末の平均粒径が３〜１０μｍ、アスペクト比が４〜１１、Ｂ／（Ａ＋Ｂ）値が０．１５〜０．４５、Ｃ／（Ａ＋Ｂ）値が０．７３〜１．０５、乾燥膜密度が２．０〜２．９ｇ／ｃｍ３であるので、ブリスタやクラックが発生せず、また外部導体にめっき液が浸入することもなく緻密性が良好であった。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明に係るセラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一実施の形態を模式的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００８６】
１  セラミック素体
２  内部導体
３ａ、３ｂ  外部導体
【図１】
2005228610.tif 000003