(57)【要約】【課題】  光ヘッドの光源を用いた光ディスク傾き検出では、不要光を集光レンズに入射させてチルト信号を得るため、光ヘッド形状に影響を与え、また個々の光源のばらつきと温度変化時の誤差、検出器の調整精度が課題となり、十分な簡素化を図れず、光ディスク傾き検出の性能も十分に発揮できないという問題点を有していた。【解決手段】  ＬＥＤチップ３５と、ＬＥＤチップ３５からの出射光を光ディスク６に向けて集光する集光素子と、光ディスク６の傾きもしくは位置ずれを検出するセンサー３８を具備する。センサー３８は、複数の受光チップ３１ａ，３１ｂを設けた半導体基板３０上にＬＥＤチップ３５を搭載し、ＬＥＤチップ３５からの出射光が光ディスク６に照射され、光ディスク６からの反射光を複数の受光チップ３１ａ，３１ｂにて受光し、受光チップ３１ａ，３１ｂにて受光した光量に応じて光ディスク６の傾きもしくは位置ずれを検出することを特徴とする。【選択図】      図１
2005100601.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源から出射された情報記録用又は再生用の光を光情報媒体に集光させてこの光情報媒体からの反射光を受光する光ヘッドであって、
所定の基準に対する前記光情報媒体の傾き又は位置ずれを検出するためのセンサーが設けられ、
前記センサーは、
基板と、
前記基板上に設けられた光源チップ素子と、
前記基板上に設けられ且つ前記光源チップ素子から出射されて前記光情報媒体によって反射された光を受光する受光領域とを備え、
前記受光領域は、複数の領域に分割されて、各領域の受光量の比率によって前記光情報媒体の傾き又は位置ずれを検出するように構成されていることを特徴とする光ヘッド。
【請求項２】
レーザ光源から出射された光を所定の光学部品を透過させた後に光情報媒体に集光させてこの光情報媒体からの反射光を受光する光ヘッドであって、
所定の基準に対する前記光学部品の傾き又は位置ずれを検出するためのセンサーが設けられ、
前記センサーは、
基板と、
前記基板上に設けられた光源チップ素子と、
前記基板上に設けられ、前記光源チップ素子から出射されて前記光学部品又はこれを保持する保持部材によって反射された光を受光する受光領域とを備え、
前記受光領域は、複数の領域に分割されて、各領域の受光量の比率によって前記光学部品の傾き又は位置ずれを検出するように構成されていることを特徴とする光ヘッド。
【請求項３】
レーザ光源から出射された情報記録用又は再生用の光を所定の光学部品に透過させた後に光情報媒体に集光させてこの光情報媒体からの反射光を受光する光ヘッドであって、
所定の基準に対する前記光学部品の傾き又は位置ずれを検出するためのセンサーが設けられ、
前記センサーは、
基板と、
前記基板上に設けられた光源チップ素子と、
前記基板上に設けられ、前記光源チップ素子から出射された出射光を前記光学部品又はこれを保持する保持部材によって反射された反射光を受光する受光領域とを備え、
前記光学部品又はこれを保持する保持部材における前記光源チップ素子からの出射光を反射させるための反射領域がそれぞれ反射率を異にする複数の領域によって形成され、前記反射領域で反射されて前記受光領域で受光された反射光の受光量によって前記光学部品の傾き又は位置ずれを検出するように構成されていることを特徴とする光ヘッド。
【請求項４】
前記基板の表面に凹部が形成され、
前記凹部に前記光源チップ素子が配置されていることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の光ヘッド。
【請求項５】
前記凹部の側面はテーパ状であることを特徴とする請求項４に記載の光ヘッド。
【請求項６】
前記光源チップ素子はＬＥＤ素子であることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の光ヘッド。
【請求項７】
前記基板は半導体からなり、
前記光源チップ素子は前記基板と一体的に形成されていることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の光ヘッド。
【請求項８】
前記基板には、前記受光領域からの光電流を増幅して演算する回路部が設けられていることを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の光ヘッド。
【請求項９】
前記光情報媒体は円板状に形成され、
前記光情報媒体と前記受光領域との間の光路にシリンドリカル素子が設けれ、
前記受光領域は、前記光情報媒体の直径方向と平行な方向に延びる分割線を境に分割されており、
前記シリンドリカル素子は、母線が前記分割線に対して傾いた向きなるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光ヘッド。
【請求項１０】
請求項１から９の何れか１項に記載の光ヘッドを備え、
光情報媒体への情報の記録又は記録された情報の再生を行うことを特徴とする光情報媒体駆動装置。
【請求項１１】
所定の基準に対する対象物の傾き又は位置ずれを検出するためのセンサーであって、
基板と、
前記基板上に設けられた光源チップ素子と、
前記基板上に設けられ、前記光源チップ素子から出射されて前記対象物によって反射された光を受光する受光領域とを備え、
前記受光領域は、複数の領域に分割されて、各領域の受光量の比率によって前記対象物の傾き又は位置ずれを検出するように構成されていることを特徴とするセンサー。
【請求項１２】
所定の基準に対する対象物の傾き又は位置ずれを検出するためのセンサーであって、
基板と、
前記基板上に設けられた光源チップ素子と、
前記基板上に設けられ、前記光源チップ素子から出射されて前記対象物によって反射された光を受光する受光領域とを備え、
前記対象物における前記光源チップ素子からの光を反射させるための反射領域がそれぞれ反射率を異にする複数の領域によって形成され、前記反射領域で反射して前記受光領域で受光された受光量によって前記対象物の傾き又は位置ずれを検出するように構成されていることを特徴とするセンサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ヘッド、光情報媒体駆動装置及びセンサーに関するものであり、特に光情報媒体の傾きや位置を検出する小型のセンサー、このセンサーを設けた光ヘッド及び光情報媒体駆動装置、光ヘッドを構成する構成部品のうち変位させる必要のある光学部品の傾きや位置を検出するセンサー、並びにこのセンサーを設けた光ヘッド及び光情報媒体駆動装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報化時代の現在、高密度大容量メモリーの技術開発が盛んに行われている。メモリーに要求される能力としては、高密度、大容量、高信頼性に加え、書換え機能等が挙げられ、それらを満足するものとして光ディスクがある。その光ディスクに光学的に情報を記録再生する光ヘッドにおいて、従来、光ディスクの傾きを検出する技術に関して数多くの報告がなされている。例えば特許文献１に記載のものは、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）と一対の光検出器を配設することから生ずるコストアップと、小型化が困難という課題を解決するためのものである。
【０００３】
図１８は、特許文献１の光ヘッドの構成を説明する図であり、以下に構成と動作についての説明をおこなう。
【０００４】
図１８において、１は光源である半導体レーザ（以下ＬＤと称する）、２はＬＤ１から出射された光束、４は光ディスク６からの反射光束を出射光束と分離する分離手段としてのビームスプリッタ、７は集光手段としての対物レンズ５への入射光束の開口を制限する開口制限手段、９はＬＤ１から出射された光束２により光ディスク６の情報記録面上に集光された光スポット、１０は光ディスク６によって反射され、対物レンズ５およびビームスプリッタ４を透過した光束を受光し光電変換する光検知器、４０は対物レンズ５のレンズ光軸、８はＬＤ１からの出射光束のうち開口制限手段７を通過して対物レンズ５に入射する有効光束２以外の不要光束（チルト検知用光束すなわち光ディスク６の傾き検知用光束）、１７は不要光束８により光ディスク６の情報記録面上に集光された光スポット、１４は不要光束８の光ディスク６からの反射光束を受光する第２の光検知手段としてのチルト検知用光検知器、９０は不要光束８の一部の光束の進行方向を変え開口制限手段７を介して対物レンズ５に入射させる進行方向変更手段としての反射ミラーである。上記チルト検知用光検知器１４は２つの検知領域１４ａ，１４ｂを有し、それら各領域１４ａ，１４ｂからの出力はそれぞれ減算器１５に与えられる。このチルト検知用光検知器１４の出力は、対物レンズ５の光軸と光ディスク６の情報記録面とのなす角度、すなわち光ディスク６の傾きを検知するために用いられる。
【０００５】
図１８において光ディスク６の傾きを検出する動作について説明する。ＬＤ１からの発散光束のうち、光ディスク６の記録・再生に用いられるのは、開口制限７によって決まる有効光束２である。その他の不要光束８の一部の進行方向を反射ミラー９０によって変え、開口制限手段７を通り、対物レンズ５により光ディスク６上に集光スポット１７を照射する。集光スポット１７は記録・再生用の集光スポット９とは異なる位置に照射される。集光スポット９，１７の光ディスク６からの反射光束は、各々異なる位置に結像され、光検知器１０および光検知器１４でそれぞれ受光される。光検知器１４はチルト（光ディスク傾き）検出用であり、検知領域１４ａ，１４ｂからなる２分割光検知器である。光ディスク６が対物レンズ５の光軸と垂直であるとき、チルト検知用光束８による集光スポット１７の受光量が検知領域１４ａと検知領域１４ｂとで等しくなるように、光検知器１４を配しておく。図１８において、光ディスク６の半径方向はＸ軸に沿っている。光ディスク６の回転軸がＹ軸に対して（Ｙ軸回りに）傾くと、チルト検知用光束８は光検知器１４上で±Ｘ方向に動く。したがって検知領域１４ａの受光量と検知領域１４ｂの受光量との差を求める演算処理｛（検知領域１４ａの受光量）−（検知領域１４ｂの受光量）｝を施すことによって、光ディスク６の傾きを検知することができる。この傾き情報は減算器１５からチルト信号ＶTILTとして出力される。このように本来使用されていなかったＬＤ１の不要光束中に反射ミラー９０を配するだけで、ＬＥＤ等の別光源を用いずともチルト検知用光束を得ることができる。
【０００６】
なお、ここでは光ヘッド、この光ヘッドが適用された光情報媒体駆動装置を構成する他の構成要素であるアクチュエータ、モータ、回路、メカニズムなどの本発明の主旨に基づかない要素については図示もせず説明も省略している。
【特許文献１】特公平７−８２６５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら上記特許文献１の構成は、以下のような課題を有している。すなわち、図１８の構成では、チルト検知用光束を得るためにＬＥＤ等の別光源を用いないため、その体積分だけ光ヘッドの小型化を図れるものの、光検知器１４がチルト検知用光束８による集光スポット１７を結像させて受光する構成であるため、この光検知器１４を光検知器１０の近傍に配置せざるを得ず、光ヘッド構成面からは不要な体積が必要となる。またＬＤ１の不要光束８を用いるため、チルト検知用光束の光量や発散度合いは、個々のＬＤ１の特性によってばらつきを生じることになり、チルト（光ディスク傾き）検出の性能にもばらつきを生じる。さらに光検知器１４の位置決め調整においては、集光スポット１７を結像させて受光するため、検知領域１４ａと検知領域１４ｂとで受光量が等しくなるように調整するには非常に高精度が要求される。加えて、ＬＤ１近傍は光ヘッドの中で最も温度が上昇する部分であるので、ＬＤ１からの不要光束８が温度変化よって光束の位置や向きが変化する可能性が大きく、チルト（光ディスク傾き）検出の性能にも誤差を生じる。すなわち、ＬＥＤ等の別光源を必要としないことによる小型化と低コスト化は効果として発揮できるものの、十分な簡素化を図れず、チルト（光ディスク傾き）検出の性能も十分に発揮できないという問題点を有していた。
【０００８】
一方、ＬＥＤを別光源として受光素子と一体化した、いわゆるチルトセンサーも実用化されている。しかしながら、このチルトセンサーは、例えば７ｍｍ×７ｍｍで高さ９ｍｍ程度のサイズであるために、小型光ヘッドへの搭載は困難である。
【０００９】
そこで、本発明は、光ディスクの傾きや光学部品等の位置ずれを検出する性能を十分に発揮する簡素な構成で小型のセンサーを提供し、さらにはこのセンサーが設けられた光ヘッド、光情報媒体駆動装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するため、本発明は、レーザ光源から出射された情報記録用又は再生用の光を光情報媒体に集光させてこの光情報媒体からの反射光を受光する光ヘッドを前提として、所定の基準に対する前記光情報媒体の傾き又は位置ずれを検出するためのセンサーが設けられ、前記センサーは、基板と、前記基板上に設けられた光源チップ素子と、前記基板上に設けられ且つ前記光源チップ素子から出射されて前記光情報媒体によって反射された光を受光する受光領域とを備え、前記受光領域は、複数の領域に分割されて、各領域の受光量の比率によって前記光情報媒体の傾き又は位置ずれを検出するように構成されている。
【００１１】
また、本発明は、レーザ光源から出射された光を所定の光学部品を透過させた後に光情報媒体に集光させてこの光情報媒体からの反射光を受光する光ヘッドを前提として、所定の基準に対する前記光学部品の位置ずれを検出するためのセンサーが設けられ、前記センサーは、基板と、前記基板上に設けられた光源チップ素子と、前記基板上に設けられ、前記光源チップ素子から出射されて前記光学部品又はこれを保持する保持部材によって反射された光を受光する受光領域とを備え、前記受光領域は、複数の領域に分割されて、各領域の受光量の比率によって前記光学部品の傾き又は位置ずれを検出するように構成されている。
【００１２】
また、本発明は、レーザ光源から出射された情報記録用又は再生用の光を所定の光学部品に透過させた後に光情報媒体に集光させてこの光情報媒体からの反射光を受光する光ヘッドを前提として、所定の基準に対する前記光学部品の傾き又は位置ずれを検出するためのセンサーが設けられ、前記センサーは、基板と、前記基板上に設けられた光源チップ素子と、前記基板上に設けられ、前記光源チップ素子から出射された出射光を前記光学部品又はこれを保持する保持部材によって反射された反射光を受光する受光領域とを備え、前記光学部品又はこれを保持する保持部材における前記光源チップ素子からの出射光を反射させるための反射領域がそれぞれ反射率を異にする複数の領域によって形成され、前記反射領域で反射されて前記受光領域で受光された反射光の受光量によって前記光学部品の傾き又は位置ずれを検出するように構成されている。
【００１３】
前記基板の表面に凹部が形成され、前記凹部に前記光源チップ素子が配置されている構成としてもよい。
【００１４】
前記凹部の側面はテーパ状であってもよい。
【００１５】
前記光源チップ素子はＬＥＤ素子であるのが好ましい。
【００１６】
前記基板は半導体からなり、前記光源チップ素子は前記基板と一体的に形成されている構成としてもよい。
【００１７】
前記基板には、前記受光領域からの光電流を増幅して演算する回路部が設けられている構成としてもよい。
【００１８】
前記光情報媒体は円板状に形成され、前記光情報媒体と前記受光領域との間の光路にシリンドリカル素子が設けれ、前記受光領域は、前記光情報媒体の直径方向と平行な方向に延びる分割線を境に分割されており、前記シリンドリカル素子は、母線が前記分割線に対して傾いた向きなるように配置されている構成としてもよい。
【００１９】
また、前記光ヘッドを備え、光情報媒体への情報の記録又は記録された情報の再生を行う光情報媒体駆動装置としてもよい。
【００２０】
所定の基準に対する対象物の傾き又は位置ずれを検出するためのセンサーを前提として、基板と、前記基板上に設けられた光源チップ素子と、前記基板上に設けられ、前記光源チップ素子から出射されて前記対象物で反射した光を受光する受光領域とを備え、前記受光領域は、複数の領域に分割されて、各領域の受光量の比率によって前記対象物の傾き又は位置ずれを検出するように構成されている。
【００２１】
また、本発明は、所定の基準に対する対象物の傾き又は位置ずれを検出するためのセンサーを前提として、基板と、前記基板上に設けられた光源チップ素子と、前記基板上に設けられ、前記光源チップ素子から出射されて前記対象物で反射した光を受光する受光領域とを備え、前記対象物における前記光源チップ素子からの光を反射させるための反射領域がそれぞれ反射率を異にする複数の領域によって形成され、前記反射領域で反射して前記受光領域で受光された受光量によって前記対象物の傾き又は位置ずれを検出するように構成されている。
【発明の効果】
【００２２】
以上説明したように、本発明による光ヘッドでは、センサーが、複数の領域に分割された受光領域と光源チップ素子とを基板上に備え、光情報媒体からの反射光を前記複数の領域にて受光してこの複数の領域での受光量に応じて前記光情報媒体の傾きもしくは位置ずれを検出している。このため、光情報媒体の傾きや位置ずれを検出する性能を十分に発揮する簡素なセンサーを、位置決め調整に高精度を要求せず、光ヘッド本来の形状に影響を与えない位置に配置することができる。また、レーザ光源とは別の光源チップ素子を用いて傾き等を検出しているため、そのばらつき特性も小さく、温度変化による光源チップ素子からの光束の位置や向きの変化も小さく、総合して小型化と低コスト化を実現できる光ヘッドを実現することができる。
【００２３】
また、本発明による別の態様の光ヘッドでは、センサーが、複数の領域に分割された受光領域と光源チップ素子とを基板上に備え、光学部品又はこれを保持する保持部材からの反射光を前記複数の領域にて受光してこの複数の領域の受光量に応じて前記光学部品の傾きもしくは位置を検出している。このため、検出した情報に応じて光ヘッド内において駆動手段によりその傾きや位置を変位させる光学部品の詳細な制御を行うことができる。例えば光ディスクの厚みによって生じる球面収差に対して、光ヘッド内で光学部品の位置を制御して球面収差の補正を行うことが可能となる。
【００２４】
また、本発明による別の態様の光ヘッドでは、センサーが、それぞれ反射率を異にする複数の領域によって形成された反射領域で反射した光を受光する受光領域と光源チップ素子とを基板上に備える構成なので、センサーの受光領域を複数の領域に分割する必要がなくなる。この結果、光ヘッドを小型化しつつ光学部品の詳細な位置制御を行うことができる。
【００２５】
また、受光領域を設けた基板に凹部が形成され、この凹部に光源チップ素子を搭載した場合には、光源チップ素子からの出射光が光情報媒体に照射されて、その反射光が受光領域に入射して光情報媒体の傾きもしくは位置を検出することにより、光情報媒体の傾きもしくは位置を検出する性能を十分に発揮する簡素な構成で、しかも光源チップ素子の不要な光を凹部の側面部分に至らしめることでセンサーとしての検出能力を向上することができる。また、光源チップ素子が基板から突出するのを抑制することができるので、１つの部品として扱いやすい小型のセンサーを実現することができる。さらに、凹部の側面をテーパ状にすることによって、凹部の側面が垂直状である場合と比較して、光源チップの搭載を容易にすることができるとともに基板の形成をも容易にでき、しかも熱が空中に逃げやすい構成にすることができる。
【００２６】
また、光源チップ素子がＬＥＤ素子である場合には、基板上に固定しやすく安定した発光をおこなうため、光情報媒体の傾きもしくは位置を検出する性能を十分に発揮する簡素な構成で小型のセンサーを実現できる。
【００２７】
また、基板が半導体からなる場合には、この基板上に光源チップ素子が例えばプロセス工程によって一体的に形成されることにより、別体の光源チップ素子を基板上に搭載するときに発生する面内位置と角度の誤差がなくなる為、光束の光軸傾きや発光位置のばらつきを抑えることができる。また、光源チップ素子搭載の為の凹部面積を少なくすることができる為、その分、受光チップの面積を大きく取ることができる。以上より、光情報媒体の傾きもしくは位置をより精度よく検出することができる光ヘッドを実現できる。
【００２８】
また、基板に、受光領域からの光電流を増幅して演算する回路部を設けた場合には、センサー出力がより安定するため、光情報媒体の傾きもしくは位置を検出する性能を十分に発揮する簡素な構成で小型のセンサーを実現できる。
【００２９】
また、光情報媒体からの反射光がシリンドリカル素子を経て受光領域に入射する構成の場合には、光情報媒体の傾きもしくは位置を検出する性能を十分に発揮する簡素な構成で、光情報媒体が記録部と未記録部とで反射率が異なるような光ディスクの場合であっても、反射率が異なる影響を受けることなく、傾きもしくは位置を安定して検出する小型のセンサーを実現できる。
【００３０】
また、本発明の光ヘッドは、レーザ光源と、集光素子駆動手段と、光情報媒体からの信号反射光を受光する光受光素子にて構成され、上記のセンサーを具備したことにより、光ヘッド構成部品、例えば集光素子駆動手段の傾きや位置を検出する性能を十分に発揮する簡素な構成で小型のセンサーを搭載した光ヘッドを実現できる。
【００３１】
また、本発明によるセンサーは、受光領域が複数の領域に分割されて、各領域の受光量の比率によって対象物の傾き又は位置ずれを検出するので、簡単な構成で対象物の傾きや位置ずれを検出できる小型のセンサーとすることができる。
【００３２】
また、本発明による別の態様のセンサーは、それぞれ反射率を異にする複数の領域によって形成された反射領域で反射した光を受光する受光領域と光源チップ素子とを基板上に備える構成なので、受光領域を分割することなく、対象物の傾き又は位置ずれを検出することができる。したがって、簡素で且つ小型のセンサーを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３４】
（実施の形態１）
図１（ａ），図１（ｂ），図１（ｃ）は、本発明の実施形態１に係る傾きセンサーを示す平面図，側面図，正面図である。この図は傾きセンサーの概略的な構成を示すものである。図２（ａ），図２（ｂ），図２（ｃ）は、その傾きセンサーが搭載された光ヘッドを示す平面図，側面図，正面図である。この図は光ヘッドを概略的に示すものである。以下にその構成と機能についての説明を行う。
【００３５】
図１（ａ），図１（ｂ），図１（ｃ）、図２（ａ），図２（ｂ），図２（ｃ）において、符号６は反射体である光情報媒体の一例としての光ディスクを示している。傾きセンサー３８は、光ディスク６から３ｍｍの位置に配置される厚みが０．３ｍｍの平面視矩形状の半導体基板３０を備えている。この半導体基板３０は、シリコン、ＧａＡｓＰ（ガリウム・砒素・リン）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＩｎＧａＡｓ（インジウム・ガリウム・砒素）等の半導体からなる基板である。半導体基板３０には、受光領域の一例としての受光チップが設けられている。受光チップは、本実施形態１では２つの領域（第１受光チップ３１ａと第２受光チップ３１ｂ）に分割されている。第１受光チップ３１ａと第２受光チップ３１ｂとは、直線状に延びる分割線３４を境として分割されている。両受光チップ３１ａ，３１ｂは、それぞれ１．２ｍｍ×１．５ｍｍの大きさの半導体（構造は詳述しない）からなる。つまり、両受光チップ３１ａ，３１ｂは分割線３４に対して互いに対称に形成されている。
【００３６】
第１受光チップ３１ａには第１電極３２ａが、また第２受光チップ３１ｂには第２電極３２ｂがそれぞれ設けられている。また、半導体基板３０には、両受光チップ３１ａ，３１ｂに共通に作用する第３電極３３が設けられている。
【００３７】
半導体基板３０には、光源チップ素子の一例としてのＬＥＤチップ３５が設けられている。このＬＥＤチップ３５は０．３１ｍｍ×０．２１ｍｍで高さ０．３５ｍｍに形成されている。ＬＥＤチップ３５は、発光点３７が分割線３４の延長線上に位置するように配置されている。ＬＥＤチップ３５は第４電極３６を介して半導体基板３０に設けられている。なお、図１（ｂ）中、符号１１はＬＥＤチップ３５から出射された出射光束を、また図１（ａ）中、符号１２は光ディスク６で反射した反射光束を示している。
【００３８】
以上の構成要素によりセンサー３８が構成される。このような構成にするとセンサー３８は２．７ｍｍ×２．４ｍｍで高さ０．６５ｍｍのサイズとなる。本実施形態ではこのセンサーを光ディスク６の傾きを検出する傾きセンサー３８として適用したものを例にして説明を行う。
【００３９】
図２において、符号３９は傾きセンサー３８と電気的に接続される配線基板を示している。ここで配線基板３９への電気的接続とは、第３電極３３がハンダにより配線基板３９上の配線に接続固定され、第１電極３２ａ、第２電極３２ｂ，ＬＥＤチップ３５，第４電極３６が、それぞれ金属線（図示せず）によるワイヤボンディングによって配線基板３９上の配線に接続固定されることを意味している。
【００４０】
同図において、符号４２は集光素子である対物レンズを、また４３は対物レンズ４２を駆動する集光素子駆動手段であるアクチュエータを、また４１はレーザ光源としての半導体レーザを、また４４は半導体レーザ４１からの出射光を対物レンズ４２に至らしめ、光ディスク６の情報信号を検出するための光学素子類を搭載した光学系ブロックをそれぞれ示している。以上の構成要素により傾きセンサー３８が搭載された光ヘッド４５が構成される。
【００４１】
ここで、Ｒ方向は光ディスク６の半径方向、Ｔ方向は光ディスク６のタンジェンシャル方向とする。傾きセンサー３８は、分割線３４がＴ方向とほぼ平行になるように配置される。
【００４２】
以上のように構成された本発明の実施形態１における傾きセンサー３８とその傾きセンサー３８が搭載された光ヘッドの動作について説明する。
【００４３】
まず、配線基板３９によって外部回路（図示せず）と接続されて通電されたＬＥＤチップ３５は、発光して図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示すように発散光を出射する。この出射光束１１は光ディスク６に入射して反射する。この反射光束１２は、例えば図１（ａ）に示すような大きさで傾きセンサー３８に入射する。ＬＥＤチップ３５から出射された出射光束１１は光学部品等を透過することなく、直接光ディスク６に照射され、またこの反射光束１２も光学部品等を透過することなく直接受光チップ３１ａ，３ｂに入射される。ここで、傾きセンサー３８は、光ヘッド４５の所定の基準に対して光ディスク６が相対傾きを発生していない時に受光チップ３１ａと受光チップ３１ｂとが受光する光量がそれぞれ等しくなるように位置決めされている。
【００４４】
そして、両受光チップ３１ａ，３１ｂが第３電極３３で配線基板３９の配線に電気接続されるとともに、第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂがそれぞれ金属線によって配線基板３９の配線に電気接続されるため、各受光チップ３１ａ，３１ｂでそれぞれ受光した光量に応じた光電流となって配線に出力される。受光チップ３１ａ，３１ｂは、いわゆる２分割フォトダイオードとして機能する。
【００４５】
傾きセンサー３８の機能について、図３（ａ），図３（ｂ），図３（ｃ）を用いて説明する。図３（ａ），図３（ｂ），図３（ｃ）は、傾きセンサー３８と反射光束１２との関係を示すものである。これらの図は、便宜上、配線基板３９とその配線を図示せず、かわりに受光チップ３１ａ，３１ｂで発生した光電流が第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂから信号線で回路部の一例としての差動回路１３に入力するように図示している。
【００４６】
図３（ａ）は、図２（ｃ）において光ヘッド４５に対する光ディスク６のＲ方向（Ｔ方向の軸回り）の相対傾きが無いときの状態を示している。この状態では、反射光束１２が分割線３４に対して対称に位置するので、両受光チップ３１ａ，３１ｂの受光量は等しく、第１電極３２ａ及び第２電極Ｂ３２ｂからの発生光電流も等しい。したがって、差動回路１３のＲ傾き信号は「０」となる。
【００４７】
図３（ｂ）は、光ディスク６が光ヘッド４５に対して図２（ｃ）に示すＲ方向（Ｔ方向の軸回り）の＋の向きの相対傾きが発生したときの状態である。この状態では、反射光束１２が分割線３４に対して第１受光チップ３１ａ側にシフトするため、第１受光チップ３１ａの受光量が第２受光チップ３１ｂの受光量よりも大きくなり、第１電極３２ａからの光電流は第２電極３２ｂからの光電流よりも大きくなる。したがって、差動回路１３のＲ傾き信号は「＋」となる。
【００４８】
図３（ｃ）は、光ディスク６が光ヘッド４５に対してＲ方向（Ｔ方向の軸回り）の−の向きの相対傾きが発生したときの状態である。この状態では、反射光束１２が分割線３４に対して第２受光チップ３１ｂ側にシフトするため、第１受光チップ３１ａの受光量が第２受光チップ３１ｂの受光量よりも小さくなり、第１電極３２ａからの光電流は第２電極３２ｂからの光電流よりも小さくなる。したがって、差動回路１３のＲ傾き信号は「−」となる。
【００４９】
このようにして、傾きセンサー３８は、光ディスク６に対する光ヘッド４５のＲ方向（Ｔ方向の軸回り）の相対傾きに応じたＲ傾き信号を出力することができる。いいかえれば、傾きセンサー３８は、光ヘッド４５と光ディスク６にＲ方向（Ｔ方向の軸回り）の相対傾きを検出できるものである。
【００５０】
本実施の形態の構成による特徴を２点述べる。１つは、光ヘッド４５と光ディスク６にＴ方向（Ｒ方向の軸回り）の相対傾きが発生しても、反射光束１２はＴ方向すなわち分割線３４に沿ってシフトするだけなので、オートゲインコントロールをかけておけば、Ｒ傾き信号が変化することはない。もう１つは、光ディスク６がフォーカス方向に変位したとしても、反射光束１２の中心位置は変わらずに直径が変化するだけであるので、オートゲインコントロールをかけておくと、Ｒ傾き信号が変化することはない。
【００５１】
このように、本実施形態１の傾きセンサー３８は、光ディスク６のフォーカス方向の変位や、光ヘッド４５と光ディスク６とのＴ方向（Ｒ方向の軸回り）の相対傾きが生じたとしても、その影響を受けずに光ヘッド４５と光ディスク６とのＲ方向（Ｔ方向の軸回り）の相対傾きを検出することができる。
【００５２】
加えて、実施形態１の傾きセンサー３８とその傾きセンサー３８が搭載された光ヘッド４５は次の効果も有する。まず、傾きセンサー３８が小型であるため、光ヘッド４５の形状に影響を与えない。さらに、相対傾きを検出するための光源がＬＥＤチップ３５であり、ばらつき特性も小さい。そして、ＬＥＤチップ３５と受光チップ３１ａ，３１ｂとが半導体基板３０と一体化されているので、光ヘッド４５上で傾きセンサー３８の精密な位置決め調整は必要ない。また、傾きセンサー３８は半導体レーザ４１、つまり光ヘッドの中で最も温度上昇する部分から離れた位置に配置可能なので、半導体レーザ４１による熱の影響を小さくすることができる。この結果、ＬＥＤチップ３５からの出射光束１１は温度変化よって光束の位置や向きが変化する可能性は小さくなり、相対傾きの検出の性能に誤差を生じる可能性も小さい。
【００５３】
さらに、反射光束１２の受光領域を２分割するだけで傾きセンサー３８として機能させることができるので、構成が複雑化するのを回避するとともに傾きセンサー３８の小型化を図ることができる。
【００５４】
本実施形態１の光ヘッド４５には、図示省略しているがチルト補正機構が設けられている。このチルト補正機構は、傾きセンサー３８による出力結果に基づいてアクチュエータ４３を駆動制御するように構成されている。このアクチュエータ４３の駆動制御により対物レンズのフォーカス方向及びトラッキング方向の位置補正が行われる。なお、チルト補正機構は、アクチュエータ４３を駆動制御する構成に限られるものではなく、例えば光ヘッド４５自体の位置制御又は姿勢制御を行う構成としてもよい。
【００５５】
（実施の形態２）
実施の形態１では、半導体基板３０を形成した後に、この半導体基板３０の上にＬＥＤチップ３５を搭載する構成としたが、本発明の実施形態２では、図４に示すように、ＬＥＤチップ３５がプロセス工程により半導体基板３０に一体的に形成されている。なお、図４は、本実施形態２に係るセンサー３８を図１（ａ）のIV-IV線における断面で示したものである。
【００５６】
半導体基板３０は、Ｎ型不純物を比較的高濃度に含むＮ+半導体層３０ａとＮ型不純物を比較的低濃度に含むＮ-半導体層３０ｂとを有する。Ｎ-半導体層３０ｂの不純物濃度は十分に低く設定され、実質的に高抵抗の真性半導体として機能する。
【００５７】
Ｎ-半導体層３０ｂの上部には、Ｐ型不純物を比較的高濃度に含む不純物拡散領域が設けられている。この不純物拡散領域は受光チップ３１ａ，３１ｂを構成するものである。第１受光チップ３１ａ及び第２受光チップ３１ｂは、同様の不純物濃度プロファイルを有し、その結果、光学的にも電気的にも特性が実質的に同じになっている。両受光チップ３１ａ，３１ｂが何れも同様の不純物濃度プロファイルを有するように形成されているということは両受光チップ３１ａ，３１ｂの形成が同時に行われ得ることを意味している。
【００５８】
半導体基板３０の底面（下面）には、カソード電極としての第３電極３３が蒸着されている。この第３電極３３は図示省略したカソード端子に接続されている。一方、半導体基板３０の上面は、絶縁膜６２及び保護膜６３により覆われている。また、アノード電極としての第１電極３２ａが絶縁膜６２及び保護膜６３中に形成されたコンタクトホールを介して第１受光チップ３１ａに接続されている。この第１電極３２ａは図示省略したアノード端子に接続されている。第２電極３２ｂも第１電極３２ａと同様の構成をなして第２受光チップ３１ｂに接続されている。
【００５９】
第１電極３２ａ及び第２電極３２ｂと第３電極３３との間に縦型ＰＩＮダイオードが形成され、この縦型ＰＩＮダイオードは、受光量に応じて光電流を発生させる。この縦型ＰＩＮダイオードを流れる光電流を直接的又は間接的に検出することにより、各受光チップ３１ａ，３１ｂに照射された光の量を知ることができる。
【００６０】
絶縁層６２の上側には金属膜からなる第４電極３６が形成され、この第４電極３６の上側にＰＮ接合を有する半導体層６４が形成されている。この半導体層６４の上面には中央部を残して絶縁膜６５及び第５電極６６が形成されている。半導体層上面の中央部は発光点３７となる。この構成により、半導体基板３０上にＬＥＤチップ３５が一体的に形成されることとなる。
【００６１】
本実施の形態２では、別体のＬＥＤチップを半導体基板３０上に形成するときに発生する面内位置と角度の誤差がなくなる為、出射光束１１の光軸傾きや発光位置のばらつきを抑えることができる。したがって、光ディスク６の傾きをより精度よく検出することができる光ヘッド４５を実現することができる。
【００６２】
なお、その他の構成、作用及び効果は実施の形態１と同様である。
【００６３】
（実施の形態３）
本発明の実施形態３の構成と動作について、図５（ａ），図５（ｂ），図５（ｃ）を参照しながら説明する。
【００６４】
図５（ａ），図５（ｂ），図５（ｃ）は、それぞれ実施の形態３に係る光ヘッド４５における傾きセンサー３８の平面図，側面図，正面図であり、これらの図は傾きセンサー３８を概略的に示すものである。以下にその構成と機能についての説明を行う。なお、図５（ａ），図５（ｂ），図５（ｃ）において、図１（ａ），図１（ｂ），図１（ｃ）と同じ構成要素には同じ符号を付しており、ここでは実施の形態１と異なる点のみについて説明する。
【００６５】
半導体基板３０の端部には凹部６１が形成されており、この凹部６１が形成された端部はその他の部位よりも薄くなっている。凹部６１は受光チップ３１ａ，３１ｂが形成された側（図５（ｂ）における右側）の面を切除することにより形成されるものである。
【００６６】
半導体基板３０は全体として０．５ｍｍの厚みとなっているが、凹部６１が形成された端部の厚みは０．２ｍｍとなっている。この凹部６１にＬＥＤチップ３５が搭載されている。これにより、実施形態１に比べ、ＬＥＤチップ３５が半導体基板３０から突出する高さを抑制することがきるので、傾きセンサー３８のハンドリングを容易にすることができる。
【００６７】
凹部６１の側面は半導体基板３０にテーパ状に形成されるので、その分ＬＥＤチップ３５と受光チップ３１ａ，３１ｂとの間隔が必要となり、このため傾きセンサー３８は２．７ｍｍ×２．６５ｍｍで高さ０．５５ｍｍのサイズとなる。
【００６８】
この傾きセンサー３８が搭載された光ヘッド４５の概略的な構成は、実施の形態１の図２（ａ），図２（ｂ），図２（ｃ）と同様である。したがって本発明の実施の形態２における傾センサー３８は、図３（ａ），図３（ｂ），図３（ｃ）と同様の機能を有し、光ヘッド４５と光ディスク６とのＲ方向（Ｔ方向の軸回り）の相対傾きをＲ傾き信号として検出できるものである。
【００６９】
本実施の形態３では、ＬＥＤチップ３５が凹部６１に設けられているために、実施の形態１の特徴に加え、ＬＥＤチップ３５が半導体基板３０から突出するのを抑制でき、傾きセンサー３８を１つの部品として取り扱いやすくすることができるという特徴を有する。しかも、凹部６１の側面をテーパ状に形成しているので、ＬＥＤチップ３５の不要な光を凹部６１のテーパ部分によって反射させることで光ディスク６に到達するのを防止することができる。
【００７０】
なお、本実施形態３においても、実施形態２と同様にプロセス工程にてＬＥＤチップ３５を半導体基板３０と一体的に形成するようにしてもよい。その他の構成、作用及び効果は実施形態１と同様である。
【００７１】
（実施の形態４）
本発明の実施形態４の構成と動作について、図６（ａ），図６（ｂ），図６（ｃ）を参照しながら説明する。
【００７２】
図６（ａ），図６（ｂ），図６（ｃ）は、それぞれ実施の形態４に係る光ヘッドにおける傾きセンサー３８の平面図，側面断面図，正面断面図であり、これらの図は傾きセンサー３８を概略的に示すものである。本実施の形態４は実施の形態３の特徴をさらに際だたせたものである。したがって、図６（ａ），図６（ｂ），図６（ｃ）において図５（ａ），図５（ｂ），図５（ｃ）と同じ構成要素には同じ符号を付し、ここでは実施の形態３と異なる点のみについて説明する。
【００７３】
半導体基板３０は、全体として０．５ｍｍの厚みに構成されており、半導体基板３０における一方の面（図６（ｂ）における右側）の中央部には凹部６１が形成されている。この凹部６１が形成された面には、そのほぼ全体に亘って受光チップ３１ａ，３１ｂが凹部６１を取り囲むように形成されている。半導体基板３０の中央部に凹部６１が形成され、その凹部６１にＬＥＤチップ３５が配置されることで半導体基板３０は全体としては平板形状をなしている。
【００７４】
凹部６１が形成された中央部分の厚みは０．２ｍｍとなっている。この凹部６１には、その中央に発光点３７が位置するようにＬＥＤチップ３５が搭載されている。凹部６１の側面がテーパ状に形成されているので、その分ＬＥＤチップ３５と受光チップ３１ａ，３１ｂとの間隔が必要となり、傾きセンサー３８は２．７ｍｍ×４．５ｍｍで高さ０．５５ｍｍのサイズとなる。
【００７５】
傾きセンサー３８が搭載された光ヘッド４５の概略的な構成は、実施の形態１の図２（ａ），図２（ｂ），図２（ｃ）と同様である。したがって本発明の実施の形態４における傾きセンサー３８は、図３（ａ），図３（ｂ），図３（ｃ）と同様の機能を有し、光ヘッド４５と光ディスク６にＲ方向（Ｔ方向の軸回り）の相対傾きをＲ傾き信号として検出できるものである。
【００７６】
本実施の形態４の構成による特徴は、実施の形態１の特徴に加えて、実施の形態２の特徴がさらに際だったものとなる。つまり、ＬＥＤチップ３５が基板中央の凹部６１に設けられているために、実施の形態１の特徴に加え、ＬＥＤチップ３５が半導体基板３０から突出するのを抑制でき、傾きセンサー３８を１つの部品として取り扱いやすくすることができるという特徴を有する。しかも、凹部６１の側面をテーパ状に形成することでＬＥＤチップ３５の不要な光が光ディスク６には到達し難いようになっている。
【００７７】
なお、本実施形態４においても、実施形態２と同様にプロセス工程にてＬＥＤチップ３５を半導体基板３０と一体的に形成するようにしてもよい。その他の構成、作用及び効果は実施の形態３と同様である。
【００７８】
（実施の形態５）
本発明の実施形態５の構成と動作について、図７（ａ），図７（ｂ），図７（ｃ）を参照しながら説明する。
【００７９】
図７（ａ），図７（ｂ），図７（ｃ）は、実施の形態４の光ヘッドにおける傾きセンサー３８の平面図，側面断面図，正面断面図であり、これらの図は傾きセンサー３８の概略的な構成を示すものである。図７（ａ），図７（ｂ），図７（ｃ）において図６（ａ），図６（ｂ），図６（ｃ）と同じ構成要素には同じ符号を付し、ここでは実施の形態４と異なる点のみについて説明する。なお、この傾きセンサー３８が搭載された光ヘッド４５の概略的な構成は、実施の形態１の図２（ａ），図２（ｂ），図２（ｃ）と同様である。
【００８０】
傾きセンサー３８と光ディスク６との間には、円筒レンズであるシリンドリカル素子４６が配置されている。このシリンドリカル素子４６は平面視でおよそ正方形状のものであり、母線が受光チップ３１ａ，３１ｂの分割線３４に対して４５度の角度をなす向きになるように配置されている。シリンドリカル素子４６の中央部には、貫通孔４６ａが形成されている。この貫通孔４６ａは、ＬＥＤチップ３５から出射された出射光束１１を通過させるためのものである。つまり、ＬＥＤチップ３５から光ディスク６に向かう出射光束１１はシリンドリカル素子４６を経由しない。一方、光ディスク６からの反射光束１２は、シリンドリカル素子４６を透過する。シリンドリカル素子４６は第１受光チップ３１ａ及び第２受光チップ３１ｂに入射する反射光束１２全体に作用するものである。シリンドリカル素子４６は、母線が受光チップ３１ａ，３１ｂの分割線３４に対して４５度の角度をなすように配置するのが最も好ましいが、４０度以上で且つ５０度以下としても許容範囲内の効果を得ることができる。
【００８１】
ここで、光ディスク６の記録部と未記録部とで反射率が異なる場合について説明する。この記録部と未記録部は互いに光ディスク６のＲ方向に隣接配置されており、それぞれ反射率が異なっている。このため、ＬＥＤチップ３５からの出射光束１１が光ディスク６に照射されると、光ディスク６上に形成された照射光束４７は、図８に示すようにＲ方向の半分が暗くなりＲ方向に明暗を有した状態となる。そして、出射光束１１はこの状態で傾きセンサー３８に反射される。
【００８２】
前述した実施の形態４（図６参照）の如く、シリンドリカル素子が配置されていない傾きセンサー３８であれば、そのままＲ方向の明暗を有した反射光束１２となるので、第１受光チップ３１ａよりも第２受光チップ３１ｂの受光量が減少する。つまり、光ヘッド４５と光ディスク６が相対傾きを発生していない場合でも、Ｒ傾き信号を出力してしまうので、光ヘッド４５と光ディスク６とのＲ方向（Ｔ方向の軸回り）の相対傾きを安定して検出できないこととなる。
【００８３】
これに対し、本実施の形態５の傾きセンサー３８によれば、Ｒ方向に明暗を有して光ディスク６から反射されてきた反射光束１２は、シリンドリカル素子４６を透過する。このときこの透過光束１２に対して、母線を含む面における光束断面については変化を受けずに透過するが、母線と直交する面における光束断面についてはレンズ効果で収斂される。そして、この光束１２は、シリンドリカル素子４６の焦点位置を過ぎると再び発散状態となる。このとき、シリンドリカル素子４６がＲ方向に対して母線を４５度回転させた姿勢で配置される円筒レンズであることから、光束が収斂して発散する方向もＲ方向に対して４５度傾いており、この結果、発散光束においては明暗の境界が透過前の光束に対して９０度回転することになる。傾きセンサー３８は、この発散光束が、変化しなかった母線を含む面内の光束断面とほぼ同じ大きさになるような光軸方向の位置に配置されている。これにより、シリンドリカル素子４６に入射する光束の像は、傾きセンサー３８の位置で９０度回転した状態で略円形となる。
【００８４】
したがって、本実施の形態５のように、Ｒ方向に明暗を有して光ディスク６から反射されてきた反射光束１２は、図９に示すように、傾きセンサー３８の位置において像が９０度回転してＲ方向と直交した方向に明暗を有する光束となる。このため、Ｔ方向に延びる分割線３４によって分割された第１受光チップ３１ａと第２受光チップ３１ｂとにおいて、その受光量はそれぞれ等しくなり、光ディスク６の記録部と未記録部とで反射率が異なる場合においても、差動回路１３のＲ傾き信号は、その影響を受けることがない。つまり、本実施形態４では、光ヘッド４５と光ディスク６が相対傾きを発生していない場合において、照射光束４７の明暗によってＲ傾き信号を出力してしまって、光ヘッド４５と光ディスク６にＲ方向（Ｔ方向の軸回り）の相対傾きを安定して検出できないという事態を回避することができる。
【００８５】
この動作について模式的に表した図１０〜図１２を用いて説明する。図１０は、図７の構成を模式的に示すとともに、ＬＥＤチップ３５からの出射光束１１の光線と光ディスク６からの反射光束１２の光線を追跡したものを示している。図１１は、光ディスク６上における照射光束４７の分布を概念的に示すものであり、同図に示すように照射光束４７には低反射率部４７ａが含まれている。この低反射率部４７ａは例えばＴ方向に延びる分布を示す。
【００８６】
一方、図１２（ａ）〜（ｃ）は、傾きセンサー３８の第１受光チップ３１ａ及び第２受光チップ３１ｂとそこに入射する光ディスク６からの反射光束１２の分布を示している。図１２（ａ）は、Ｔ軸周りのチルトが存在しない場合を示し、図１２（ｂ）及び図１２（ｃ）はＴ軸周りのチルトが次第に大きくなった場合を示している。この反射光束１２も照射光束４７と同じように、低反射率部１２ａを含んでいる。ただし、この傾きセンサー３８における低反射率部１２ａの分布は、上述したように照射光束４７における明暗の像に対して９０度回転して分布するので、Ｒ方向に延びる分布を示す。そして、光ディスク６にＴ軸回りの傾きが発生した場合には、この傾きによって発生する反射光束１２の位置変化は図３と同様にＲ方向の位置ずれとして発生する。しかしながら、低反射率部１２ａがＲ方向に分布していることから、光ディスク６のＴ軸周りのチルトが発生して反射光束１２が位置ずれしたとしても、第１受光チップ３１ａ及び第２受光チップ３１ｂがそれぞれ受光する受光量は低反射率部１２ａの影響を受け難く、両受光チップ３１ａ，３１ｂの差動検出によって、Ｒ傾き信号を出力することができる。
【００８７】
このように、本実施の形態４の構成による特徴は、実施の形態１、２、３の特徴に加えて、光ディスク６の記録部と未記録部とで反射率が異なり、照射光束４７においてＲ方向の一部に低反射率部４７ａが存在する場合であっても、光ヘッド４５と光ディスク６にＲ方向（Ｔ方向の軸回り）の相対傾きをＲ傾き信号として検出できるものである。
【００８８】
なお、本実施形態５においても、実施形態２と同様にプロセス工程にてＬＥＤチップ３５を半導体基板３０と一体的に形成するようにしてもよい。その他の構成、作用及び効果は、前記実施形態４と同様である。
【００８９】
（実施の形態６）
前述した実施形態１から５までは、反射体が光ディスク６であり、光ヘッド４５に搭載される傾きセンサー３８を説明してきた。そして傾きセンサー３８は、光ヘッド４５と光ディスク６とのＲ方向（Ｔ方向の軸回り）の相対傾きをＲ傾き信号として検出する構成とした。しかしながら本発明の主旨は、上述の構成に限られるものではなく、光ディスク６の位置ずれを検出することも包含する。つまり、傾きセンサー３８の工夫により、光ヘッド４５における所定の基準に対する光ディスク６のフォーカス方向の変位（位置ずれ）を検出することが可能となる。
【００９０】
実施形態１の傾きセンサー３８では、受光チップ３１ａ，３１ｂの分割線３４をＴ方向と平行に設けたが（図１（ａ）参照）、図１３に示すように、例えば分割線３４をＲ方向と平行に設けることができる。こうすることにより、光ヘッド４５と光ディスク６との位置を検出するセンサーとすることができる。
【００９１】
つまり、光ディスク６がフォーカス方向に変位した状態が発生すると、反射光束１２の中心位置は変わらずに直径が変化する。そして、反射光束１２の光束径に応じて第１受光チップ３１ａ及び第２受光チップ３１ｂの受光量が変化するので、各受光チップ３１ａ，３１ｂの受光量に基づいて、光ヘッド４５に対する光ディスク６のフォーカス方向変位（位置ずれ）を導出することができる。
【００９２】
なお、本実施形態６においても、実施形態２と同様にプロセス工程にてＬＥＤチップ３５を半導体基板３０と一体的に形成するようにしてもよい。その他の構成、作用及び効果は実施の形態１と同様である。
【００９３】
（実施の形態７）
図１４に示すように本発明の実施の形態７に係るセンサー３８は、前述した実施形態１〜６の傾きセンサーと異なり、光学部品等の位置ずれ又は傾きを検出するためのセンサーとして構成されるものである。
【００９４】
例えば光学部品である対物レンズがその保持部材（後述する）と一体となって変位する構成の場合には、例えば位置センサー３８のＬＥＤチップ３５から出射される光を保持部材へ照射させ、その反射光がセンサーの受光領域にて受光できるような位置（例えば保持部材の近傍）に配置すれば保持部材の傾きもしくは位置ずれを検出でき、これにより保持部材によって保持された対物レンズの傾きもしくは位置ずれを検出できるようになる。
【００９５】
具体的に説明する。図１４に示すように、光ヘッド４５は、光学ブロック４４と集光素子駆動手段であるアクチュエータ４３とを備える。アクチュエータ４３は、固定部５１と保持部材４８と対物レンズ４２とを備える。保持部材４８は、固定部５１に設けられた４本のワイヤ５０によって固定部５１に保持されている。対物レンズ４２は保持部材４８によって保持されている。
【００９６】
光学ブロック４４は、半導体レーザ４１、コリメートレンズ５２、ミラー４９等を主要な構成要素として備える。半導体レーザ４１からの出射光はコリメートレンズ５２で略平行光となり、ミラー４９で反射して、保持部材４８上の対物レンズ４２に入射して光ディスク６の情報信号を記録・再生する。
【００９７】
本実施形態の傾きセンサー３８は、アクチュエータ４３の固定部５１に配線基板３９を介装した状態で設けられている。この傾きセンサー３８は、保持部材４８に対して出射光を出射し、その反射光を受光チップで受光する。ここで、受光チップが実施形態１と同様に２つに分割された構成であれば、光ディスク６のチルト検出と同様の原理で保持部材４８の傾きを検出することができる。これにより、対物レンズ４２の位置検出信号から、例えば光ディスク駆動装置の姿勢が変化した場合等において、対物レンズ４２の自重によって生じる変位量が検出できるため、光ヘッド４５内で対物レンズの位置を補正して、光ディスク６に対する安定した制御を行うことが可能となる。
【００９８】
なお、傾きセンサー３８の受光チップを２つに分割する構成に代え、受光チップを分割しない構成とするとともに、保持部材４８における出射光束の反射領域がそれぞれ反射率を異にする複数の領域に分割された構成とすることもできる。例えば図１５に示すように、反射領域６７は、反射率の比較的高い第１反射部６７ａと、この第１反射部６７ａよりも反射率の低い第２反射部６７ｂとからなる。傾きセンサー３８は、反射領域６７上に形成された照射光束４７が第１反射部６７ａ及び第２反射部６７ｂに跨るような位置に設置される。そして、保持部材４８が例えば図１５における上下方向に位置ずれすると、この位置ずれに応じて反射領域６７における照射光束４７の反射率が異なるので、保持部材４８の位置ずれを検出することができる。つまり、ＬＥＤチップ３５からの出射方向に対して略直交する方向における保持部材４８の位置ずれを検出することができる。また、この場合でも、保持部材４８の左右方向の傾きを検出することができる。
【００９９】
なお、本実施形態７においても、実施形態２と同様にプロセス工程にてＬＥＤチップ３５を半導体基板３０と一体的に形成するようにしてもよい。その他の構成、作用及び効果は実施形態１と同様である。
【０１００】
（実施の形態８）
図１６に示すように本発明の実施の形態８に係るセンサー３８は、半導体レーザ４１と対物レンズ４２との間に配置された光学部品であるコリメートレンズ５２の傾きまたは位置ずれを検出するためのセンサーとして構成されるものである。
【０１０１】
半導体レーザ４１からの出射光を平行光に変換するコリメートレンズ５２が、その保持部材５３と一体となって駆動手段５４によって光軸方向に移動する構成の場合、本実施形態８のセンサー３８をＬＥＤチップ３５から出射される光を保持部材５３へ照射させ、その反射光がセンサー３８の受光領域にて受光できるような位置（例えば保持部材の近傍）に配置すれば保持部材５３の位置を検出でき、これにより保持部材５３によって保持されたコリメートレンズ５２の位置を検出できるようになる。
【０１０２】
具体的に説明する。図１６に示すように、光ヘッド４５は、半導体レーザ４１、コリメートレンズ５２、保持部材５３、駆動手段５４、ミラー４９、対物レンズ４２等を主要な構成要素として備える。コリメートレンズ５２は保持部材５３によって保持されるとともに半導体レーザ４１とミラー４９との間に配置されている。駆動手段５４は、保持部材５３を光軸方向に駆動する構成である。
【０１０３】
傾きセンサー３８は、光学系ブロック４４に配線基板３９を介装した状態で取り付けられている。傾きセンサー３８は、保持部材５３に対して出射光を出射し、その反射光を受光チップで受光する。これにより、保持部材５３の傾き又は位置ずれを検出することができる。こうして、検出したコリメートレンズ５２の位置検出信号によって、例えば光ディスク６の厚みによって生じる球面収差に対して、光ヘッド４５内でコリメートレンズ５２の位置を制御して球面収差の補正を行うことが可能となる。
【０１０４】
さらに、コリメートレンズ５２と対物レンズ４２の間に、コリメートレンズ５２からの平行光を受光する少なくとも２枚のレンズ（図示せず）と、この２枚のレンズのうちの一方のレンズを保持する保持部材（図示せず）と、一方のレンズと保持部材とを一体として光軸方向へ移動させる移動手段（図示せず）とを更に有する構成の場合には、本実施の形態で説明をしたセンサー３８をＬＥＤチップ３５からの光を保持部材へ照射させ、反射光がセンサー３８の受光領域にて受光のできるような位置（例えば保持部材の近傍）に配置すれば保持部材の位置を検出することにより、保持部材が保持する光学部品である一方のレンズの位置を検出できるようになる。このような構成にすると、一方のレンズの位置検出信号から、例えば光ディスクの厚みによって生じる球面収差に対して、光ヘッド内で一方のレンズの位置を制御して球面収差の補正を行うことが可能となる。
【０１０５】
なお、以上説明した実施の形態１〜８では、傾きセンサー３８は光ヘッド４５に搭載されて、反射体としての光ディスク６や光ヘッド４５の構成部品の傾きや位置ずれを検出するものとした。しかしながら、傾きセンサー３８は光ヘッド４５に搭載されるものに限られるものではなく、また反射体が光ディスク６や光ヘッド４５の構成部品に限定されるものでもない。ここでは、上述の構成によって、反射体の傾きや位置ずれを検出するセンサー自体が本発明の主旨に基づくものである。
【０１０６】
また、以上説明した実施の形態１〜８では、傾きセンサー３８は半導体基板３０に受光チップ３１ａ，３１ｂを形成して、いわゆる２分割フォトダイオードとして機能するものとしたが、半導体基板３０上に受光チップ３１ａ，３１ｂからの光電流を増幅演算する回路部を設けたセンサーとしても本発明の主旨に基づくものである。
【０１０７】
（実施の形態９）
本実施形態１の光ヘッド４５が適用された光情報媒体駆動装置の構成について説明する。この光情報媒体駆動装置は、図１７に示すように、光ヘッド４５、回転駆動機構７１、検出回路７２、再生回路７３、トラッキング制御回路７４、フォーカス制御回路７５等を主要な構成要素とする。
【０１０８】
回転駆動機構７１は、図略のモータによって光ディスク６を回転駆動する。検出回路７２は、光ヘッド４５によって分岐させられた反射光に基づいて、再生信号、トラッキングエラー信号及びフォーカスエラー信号を生成する。再生回路７３は、再生信号に基づいて光ディスク６に記録された情報を再生する。トラッキング制御回路７４は、トラッキングエラー信号に基づいて、トラッキング誤差を補償するように光ヘッド４５を制御する。フォーカス制御回路７５は、フォーカスエラー信号に基づいて、フォーカス誤差を補償するように光ヘッド４５を制御する。
【０１０９】
なお、本実施形態では、実施形態１の光ヘッド４５を適用したが、これに代え、実施形態２〜７の何れかの光ヘッド４５を適用した構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１による光ヘッドにおける傾きセンサーの平面図である。（ｂ）本発明の実施の形態１による光ヘッドにおける傾きセンサーの側面図である。（ｃ）本発明の実施の形態１による光ヘッドにおける傾きセンサーの正面図である。
【図２】（ａ）本発明の実施の形態１による光ヘッドの平面図である。（ｂ）本発明の実施の形態１による光ヘッドの側面図である。（ｃ）本発明の実施の形態１による光ヘッドの正面図である。
【図３】（ａ）Ｒ方向の相対傾きがないときの本発明の実施形態１による傾きセンサーと反射光束との関係を示す図である。（ｂ）Ｒ方向の＋の向きの相対傾きが発生したときの本発明の実施形態１による傾きセンサーと反射光束との関係を示す図である。（ｃ）Ｒ方向の−の向きの相対傾きが発生したときの本発明の実施形態１による傾きセンサーと反射光束との関係を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態１による傾きセンサーの構成を示す断面図である。
【図５】（ａ）本発明の実施の形態３による光ヘッドにおける傾きセンサーの平面図である。（ｂ）本発明の実施の形態３による光ヘッドにおける傾きセンサーの側面図である。（ｃ）本発明の実施の形態３による光ヘッドにおける傾きセンサーの正面図である。
【図６】（ａ）本発明の実施の形態４による光ヘッドにおける傾きセンサーの平面図である。（ｂ）本発明の実施の形態４による光ヘッドにおける傾きセンサーの側面断面図である。（ｃ）本発明の実施の形態４による光ヘッドにおける傾きセンサーの正面断面図である。
【図７】（ａ）本発明の実施の形態５によるシリンドリカル素子の配置状態を示す平面図である。（ｂ）本発明の実施の形態５によるシリンドリカル素子の配置状態を示す側面断面図である。（ｃ）本発明の実施の形態５によるシリンドリカル素子の配置状態を示す正面断面図である。
【図８】本発明の実施の形態５による光ヘッドにおける光ディスク上に形成されら照射光束を示す図である。
【図９】（ａ）本発明の実施の形態５による光ヘッドにおける傾きセンサーに照射する反射光束を示す図である。（ｂ）本発明の実施の形態５による光ヘッドにおける傾きセンサーの側面断面図である。（ｃ）本発明の実施の形態５による光ヘッドにおける傾きセンサーの正面断面図である。
【図１０】ＬＥＤチップからの出射光束の光線と光ディスクからの反射光束の光線の軌跡を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態５における光ディスク上の照射光束を模式的に示す図である。
【図１２】（ａ）光ディスクにチルトが生じていない場合での本発明の実施形態５におけるセンサー上の光束分布を示す図である。（ｂ）光ディスクにチルトが生じている場合での本発明の実施の形態５におけるセンサー上の光束分布を示す図である。（ｃ）光ディスクにチルトが生じている場合での本発明の実施の形態５におけるセンサー上の光束分布を示す図である。
【図１３】本発明の実施の形態６による光ヘッドと光ディスクの位置ずれを検出するセンサーの平面図である。
【図１４】本発明の実施の形態７による光ヘッドの構成を示す側面図である。
【図１５】本発明の実施の形態７における保持部材に形成された照射光束を示す図である。
【図１６】本発明の実施の形態８による光ヘッドの構成を示す側面図である。
【図１７】本発明の実施の形態９による光情報媒体駆動装置の構成を示す概略図である。
【図１８】従来の光ディスク傾き検出をおこなう光学ヘッドの構成を示す図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１、４１：半導体レーザ
２：光束
４：ビームスプリッタ
５、４２：対物レンズ
６：光ディスク
７：開口制限手段
８：不要光束
９、１７：光スポット
１０：光検知器
１１：出射光束
１２：反射光束
１３：差動回路
１４：チルト検知用光検知器
１４ａ、１４ｂ：検知領域
１５：減算器
３０：シリコン基板
３１ａ、３１ｂ：受光チップ
３２ａ、３２ｂ、３３、３６：電極
３４：分割線
３５：ＬＥＤチップ
３７：発光点
３８：傾きセンサー
３９：配線基板
４３：アクチュエータ
４４：光学系ブロック
４５：光ヘッド
４６：シリンドリカル素子
４７：照射光束
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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