(57)【要約】【課題】基板保持装置、より好ましくは静電吸着による基板保持装置において、短時間で基板を位置合わせして保持することを目的とする。【解決手段】基板保持手段１の基板保持面から突出する支持部材２１で基板１００を基板保持手段１の基板保持面と分離して支持した状態で、基板１００と基板保持手段１の位置関係を調整した後に、基板１００を所定の状態で基板保持手段１に保持する基板保持装置において、基板１００と基板保持手段１の位置関係を調整する前は、基板保持手段１は基板１００を所定の状態で保持するための第一保持力より小さい第二保持力もしくは零の保持力で基板１００を保持する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板保持手段の基板保持面から突出する支持部材で基板を前記基板保持手段の基板保持面と分離して支持した状態で、前記基板と前記基板保持手段の位置関係を調整した後に、前記基板を所定の状態で前記基板保持手段に保持する基板保持装置において、前記基板と前記基板保持手段の位置関係を調整する前は、前記基板保持手段は前記基板を所定の状態で保持するための第一保持力より小さい第二保持力もしくは零の保持力で前記基板を保持することを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】
前記基板と前記基板保持手段の位置関係を調整する前に、前記基板保持手段が前記第二保持力もしくは零の保持力で前記基板を保持した状態で、前記基板の位置ずれ量を計測する計測位置まで前記基板保持手段を移動させることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項３】
前記基板と該基板を位置合わせするための基準座標との位置ずれ量を補正するように、前記基板保持手段を移動させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板保持装置。
【請求項４】
前記位置ずれ量が回転方向の位置ずれ量であることを特徴とする請求項３に記載の基板保持装置。
【請求項５】
前記基板と前記基板保持手段の位置関係の調整を複数回行い、前記複数回のうち少なくとも一回の位置関係の調整の前で、第二保持力もしくは零の保持力で前記基板を保持することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の基板保持装置。
【請求項６】
前記基板保持手段が静電力によって前記基板を保持することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の基板保持装置。
【請求項７】
前記所定の状態において、前記基板を露光することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の基板保持装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一つに記載の基板保持装置を用いて基板の保持を行うことを特徴とする露光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の露光装置によってデバイスを製造する工程を有するデバイス製造方法。
【請求項１０】
基板保持手段の基板保持面から分離して支持された状態で、前記基板と前記基板保持手段の位置関係を調整した後に、前記基板を所定の状態で前記基板保持手段に保持する基板保持方法において、前記基板と前記基板保持手段の位置関係を調整する前は、前記基板を所定の状態で保持するための第一保持力より小さい第二保持力もしくは零の保持力で前記基板を保持することを特徴とする基板保持方法。
【請求項１１】
前記基板と前記基板保持手段の位置関係を調整する前に、前記基板保持手段が前記第二保持力もしくは零の保持力で前記基板を保持した状態で、前記基板の位置ずれ量を計測する計測位置まで前記基板保持手段を移動させることを特徴とする請求項１０に記載の基板保持方法。
【請求項１２】
前記基板と該基板を位置合わせするための基準座標との位置ずれ量を補正するように、前記基板保持手段を移動させることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の基板保持方法。
【請求項１３】
前記位置ずれ量が回転方向の位置ずれ量であることを特徴とする請求項１２に記載の基板保持方法。
【請求項１４】
前記基板と前記基板保持手段の位置関係の調整を複数回行い、前記複数回のうち少なくとも一回の位置関係の調整の前で、第二保持力もしくは零の保持力で前記基板を保持することを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか一つに記載の基板保持方法。
【請求項１５】
前記基板保持手段が静電力によって前記基板を保持することを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか一つに記載の基板保持方法。
【請求項１６】
前記所定の状態において、前記基板を露光することを特徴とする請求項１０〜１５のいずれか一つに記載の基板保持方法。
【請求項１７】
請求項１０〜１６のいずれか一つに記載の基板保持方法を用いて基板の保持を行うことを特徴とする露光装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の露光装置によってデバイスを製造する工程を有するデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造分野でウエハ等の基板を保持する基板保持装置、好ましくは半導体デバイス等を製造するための露光装置等において、基板を保持する基板保持装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置や液晶表示用装置等のデバイスを製造する工程で利用される露光装置は、マスクやレチクル等の原版や半導体ウエハやガラス基板等の被露光基板（以下、これらを基板と総称する）を保持する基板保持装置を有する。
【０００３】
従来の基板保持装置としては、例えば特許文献１に開示されているようなものがある。特許文献１では、プリアライメントが終了してウエハチャックに受け渡されたウエハのアライメントマークとのずれ量を計測し、そこから算出されるウエハの補正量がＸＹθステージの最大駆動量より大きいときに、ＸＹθステージを最大駆動量だけ駆動させて、ウエハ受取用チャック（以下、ピンと記載）に持ち換えて、ＸＹθステージを駆動前の状態に戻して、再度ウエハチャックに持ち換えて駆動させることを繰り返すことで、ウエハを補正することが開示されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−０４４０９３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ウエハをウエハチャックからピンに持ち換えて、ウエハのずれ量の補正を行う基板保持装置では、ウエハをウエハチャックに保持するたびに露光時と同等の力で吸着を行っていたため、ウエハチャックからピンに持ち換えるときに吸着の解除を待つ必要がある。また、時間短縮のためにピンでウエハを強く突き上げてしまうとウエハが大きくずれてしまう可能性がある。
【０００６】
近年、露光装置は高解像度を実現するために露光光の短波長化が進んでいる。露光光の短波長化によって、露光環境として真空雰囲気内での露光が求められている。真空雰囲気内では、ウエハの保持は真空吸着ではなく静電吸着によって行う必要があるが、静電吸着は脱着時間が非常に長いため、上述の問題がスループット低下の原因となる。
【０００７】
本発明はかかる事情に鑑みなされたもので、その目的は、短時間で基板を位置合わせして保持できる基板保持装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述の問題を解決するために、本発明では、基板保持手段の基板保持面から突出する支持部材で基板を前記基板保持手段の基板保持面と分離して支持した状態で、前記基板と前記基板保持手段の位置関係を調整した後に、前記基板を所定の状態で前記基板保持手段に保持する基板保持装置において、前記基板と前記基板保持手段の位置関係を調整する前は、前記基板保持手段は前記基板を所定の状態で保持するための第１保持力より小さい第２保持力で前記基板を保持することを特徴としている。
【０００９】
また、より好ましくは前記基板と前記基板保持手段の位置関係を調整する前に、前記基板保持手段が前記第二保持力もしくは零の保持力で前記基板を保持した状態で、前記基板の位置ずれ量を計測する計測位置まで前記基板保持手段を移動させることが望ましい。
【００１０】
また、より好ましくは前記基板と該基板を位置合わせするための基準座標との位置ずれ量を補正するように、前記基板保持手段を移動させることが望ましく、該位置ずれ量が回転方向の位置ずれ量であることがさらに望ましい。
【００１１】
また、より好ましくは前記基板と前記基板保持手段の位置関係の調整を複数回行い、前記複数回のうち少なくとも一回の位置関係の調整の前で、第二保持力もしくは零の保持力で前記基板を保持することが望ましい。
【００１２】
また、より好ましくは前記基板保持手段が静電力によって前記基板を保持することが望ましい。
【００１３】
（作用）
本発明によれば、基板保持装置において、短時間で基板を位置合わせして保持できる。
【００１４】
さらに、前記基板と前記基板保持手段の位置関係を調整する前に、前記基板保持手段が前記第二保持力もしくは零の保持力で前記基板を保持した状態で、前記基板の位置ずれ量を計測する計測位置に移動、もしくは基準座標との位置ずれ量を補正するように前記基板保持手段が移動することで、短時間で基板と基準座標との位置合わせを行うことができる。
【００１５】
さらに、前記位置ずれ量が回転方向の位置ずれ量であると、基板保持手段の回転方向のストロークは制限があるので、前記基板と前記基板保持手段の位置関係の調整がより必要となり、効果的にスループットを向上できる。
【００１６】
さらに、前記基板と前記基板保持手段の位置関係の調整を複数回行うときに、そのうちの少なくとも一回の位置関係調整前の基板保持を第二保持力もしくは零の保持力で保持することでスループット向上の効果はあり、第二保持力もしくは零の保持力で保持する回数を多くするほどスループットは向上する。
【００１７】
さらに、静電吸着は真空吸着と比べて吸着解除に時間がかかるため、前記基板を静電吸着によって保持する場合には、より効果的にスループットを向上することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明に係る第１の実施形態を表す図である。基板保持装置は露光装置に搭載されており、Ｚ方向は露光光軸方向である。基板保持装置は、Ｚ軸方向と垂直なＸＹ方向に長ストローク移動可能な不図示ステージ上に設けられた天板支持台４１と、天板支持台４１に対してＺ方向と、Ｚ軸回りの回転方向に短ストロークで移動可能な天板４０と、天板４０上に固定され、基板であるウエハ１００を保持する基板保持手段としてのチャック１を有している。天板４０には、不図示の干渉計で位置計測をするための計測ミラー５０が搭載されている。
【００１９】
チャック１には小さな切り欠き１５が３つ設けられ、そこからウエハ１００の支持部材としてのピン２１がＺ方向に貫通できるようになっている。ピン２１はピン動作ユニット２に固定されており、ピン動作ユニット２は天板支持台４１に対してＺ方向に移動自在に支持されている。このため、ピン動作ユニット２がＺ方向に駆動することにより、ピン２１はチャック１と独立にＺ方向に駆動する。これらの駆動機構に関しては周知であるため、詳細な説明は省略する。
【００２０】
図２は、図１（ｂ）の切り欠き１５を矢印方向から見た拡大図である。切り欠き１５は図２に示すように、ウエハ中心の回転方向にピン２１が自由度を有する形状となっている。切り欠き１５は、吸着時のウエハの平面度を損なわないためにも小さい方が望ましい。チャック１にはウエハ保持部１１が設けられており、段落ち部１２より５〜１００μｍぐらいＺ方向に高くなっている。ウエハ１００を吸着する時、ゴミ等をウエハ保持部１１とウエハ１００との間に挟み込まないようにするためにも、ウエハ保持部１１の面積はできるだけ小さい方が望ましく、またＸＹ方向におけるウエハ保持部１１間のピッチをあまり大きくすると、ウエハ１００の変形などを引き起こすためより小さい方が望ましい。
【００２１】
チャック１には双極型の静電チャックを用いており、極板１３，１３’がチャック１内に埋め込まれている。極板１３，１３’にはリード線１８、１８’が接続されており、チャック１で静電吸着させるときは、極板１３、１３’に＋Ｖ、−Ｖの電圧を印可する（図１（ｃ）の状態）。
【００２２】
なお、ここで双極型の静電チャックを適用しているが、図１（ｄ）に示すような、単極形の静電チャック１’を適用しても構わない。ただし、ウエハ１００に導電性針１９を打ち込み、ウエハ１００の電位を零にしなければならない。
【００２３】
さらに、ウエハ１００をウエハ保持面から分離した状態でピン２１で支持しているときにウエハ１００がずれないように、ピン２１のウエハ支持面に静電チャックを構成してウエハ１００を吸着してもよい。
【００２４】
本実施形態においては、ピン２１はＺ方向に移動可能で、Ｚ軸回りの回転方向には移動しない。これは、ピンをＺ軸周りの回転方向に移動させるには、切り欠き１５を大きくしなければならず、このことは前述のようにウエハを吸着する際に平面度を低下させるためである。チャック１を搭載した天板４０のＺ方向の移動量はピン２１のＺ方向の移動量よりも小さく、Ｚ軸回りの回転方向に移動可能な構成としている。なお、本発明はこのような機構に限られるものではなく、例えばピン２１をＺ軸回りの回転方向に移動可能にしてもよく、天板４０のＺ方向の移動量を大きくしてもよい。つまり、ウエハ１００をチャック１からピン２１に受け渡して、ウエハ１００をチャック１に対して相対的に回転させることができる機構であればよい。また、天板４０を駆動させる機構は、チャック１そのものを移動もしくは駆動させる機構と実質的に同等であるものとする。
【００２５】
次にウエハ受け渡し時におけるシーケンスを、図３を用いて説明する。
【００２６】
まず、天板保持台４１および天板４０は不図示ステージとともにウエハ受け渡し位置まで移動する。オリフラもしくはノッチ等によってプリアライメントされたウエハ１００は、不図示の搬送アームで下面を保持されたまま、天板４０上のチャック１近傍上空に搬送される。すると、ピン２１のウエハ支持面（上端面）がチャック１のウエハ保持（チャック）面としての上面より突出する（図１（ａ）の状態）。このとき、ウエハ１００は、不図示の搬送アーム（搬送ハンド）からピン２１のウエハ支持面上に受け渡される。
【００２７】
そして、搬送アームがチャック１の近傍上空より退避するのを待って、ピン２１のウエハ支持面はチャック１のウエハチャック面よりＺ方向に低い位置に下降する（図１（ｂ）の状態）。これにより、ウエハ１００は、ピン２１からチャック１に受け渡される（図３のステップ１０２０）。この際、ピン２１はチャック１のウエハチャック面（上面）に対して相対的に上昇または下降すればよく、どちらを駆動させても構わない。
【００２８】
ウエハ１００がチャック１に受け渡されると、天板保持台４１は不図示ステージとともにＸＹ方向へマーク計測位置まで移動する。この間、静電チャック（極板１３，１３’）には、所定の状態（たとえば露光時と実質的に同等の状態）で最終的に吸着固定するための第一保持力を発生するための電圧＋Ｖ、−Ｖを印可せず、それよりも小さい第二保持力を発生させるために電圧＋ｖ（＜Ｖ）、−ｖ（＞−Ｖ）の微弱な電圧をかけるか、ｖ＝０として電圧を全くかけないようにして、第二保持力を０としている。
【００２９】
印加する電圧は小さいほどウエハの脱着時間が短くできるが、移動時に基板がずれないよう留意する必要がある。また、真空中においては基板のずれが低減されるため、有利である。
【００３０】
次に、マークを計測することにより、基板上のパターン座標を、回転方向に合わせこむアライメントのシーケンス（ステップ１０３０）に入る。
【００３１】
図４（ａ）は、マーク計測時の状態である。ウエハ１００には２カ所にマーク１０１、１０１’が設けられており、図中の符番９９が合わせこみたい基準座標とする。また、破線はピン２１を表している。ウエハ１００はオリフラ等によって位置合わせをしても、基準座標９９に対して回転方向にθｉというずれ量を生じてしまう。したがって、ウエハ１００を基準座標９９に高精度に合わせるために、ウエハ１００を搭載したチャック１を天板４０とともに回転させる必要がある。
【００３２】
しかし、天板４０はＺ軸回りの回転方向に所定量（所定ストローク）のみ移動可能であり、移動可能な回転量（回転ストローク）θｍが回転方向のずれ量θｉよりも小さいと、図４（ｂ）に示すように、１回の移動だけではウエハ１００は基準座標９９に対して、無視できない回転ずれ量θ１（＝θｉ−θｍ）が残る。そこで、ウエハ上の２点以上のマークに対して、ハロゲンランプを照射し、散乱光をＣＣＤカメラで検出、画像処理することことで、ずれ量θｉを算出し、１回の回転で補正できるかどうかを判定する（ステップ１０４０）。なお、ずれ量の計測方法は一例であり、この限りではない。
【００３３】
ステップ１０４０で１回目の判定がＮＯの場合、ウエハ１００はチャック１に保持されたまま、移動可能な回転量だけ回転し、その後にピン動作ユニット２によりピン２１はチャック１に対して相対的に上昇し、そのウエハ支持面としての上端面にウエハ１００がチャック１から受け渡される（ステップ１０４１）。このとき、ウエハ１００の下面とチャック１のウエハチャック面との間には、静電吸着力は作用していないか、もしくは非常に弱いので、吸着解除を待つ時間は零もしくはわずかであり、チャック１からピン２１へウエハ１００は短時間で受け渡される。
【００３４】
ウエハ１００がピン２１に保持された状態で、図４（ｃ）に示すように、チャック１および天板４０は−θｍだけ回転駆動する（ステップ１０４１）。この回転駆動によって、ウエハ１００とチャック１および天板４０の回転方向の相対位置関係を調整する。なお、本実施形態ではピン２１を回転させない機構となっているが、ピン２１が回転方向に駆動可能であるときにはチャック１の回転とともにピン２１を正の回転方向に回転させるようにしてもよい。このことで、一回の補正での回転量を大きくできる。チャック１の回転駆動後に、ピン動作ユニット２によりピン２１はチャック１に対して相対的に下降し、ウエハ１００はピン２１よりチャック１に受け渡される。ピン２１を回転駆動させたときには、チャック１に受け渡した後にピン２１を回転したストロークだけ戻すようにする。
【００３５】
ここで残った回転ずれ量θ１を再度計測して（ステップ１０４３）、回転ずれ量θ１が２回目の回転で補正できるかどうか（θｍより小さいかどうか）を判定する（ステップ１０４４）。判定がＮＯの場合、ウエハ１００とチャック１を再度θｍ回転させて、ステップ１０４１以降の行程を再度行う。
【００３６】
ステップ１０４０またはステップ１０４４で判定がＹＥＳの場合、チャック１（天板４０）はウエハ１００をθ１（ステップ１０４０のときはθｉ）だけ回転させる。それによりウエハ１００は、図４（ｄ）に示すように、基準座標９９に誤差なく配置されたことになる。ただし、チャック１は天板４０とともにθｄ（＝θ１−θｍ）回転した状態（ステップ１０４０のときはθｉ回転した状態）で以降のプロセスにはいる。このとき、初めて静電チャックとしての極板１３、１３’に電圧＋Ｖ、−Ｖが印可され、ウエハ１００をチャック１上に吸着する（ステップ１０５０）。
【００３７】
本実施形態においては、位置計測ミラー５０は天板４０に保持されているので、天板４０と共にＺ軸回りの回転方向に移動しているが、回転方向の移動量は正確にわかっているため、アッベ誤差は補正することで対応できる。
【００３８】
以上により一連の受け渡しおよび位置合わせ動作が完了し、チャック１はウエハ１００を静電吸着により保持しながら、たとえばファインアライメントや露光プロセスに移行する（ステップ１０６０）。
【００３９】
なお、本実施形態では、受け渡し位置で搬送アームから受け渡されたウエハ１００を、マーク計測位置まで移動させて回転位置ずれ量を計測しているが、受け渡し位置に位置ずれを計測する機構を設けることで、それらの移動を省略することができる。この場合、移動時間がなくなる上、ウエハの移動にともなう位置ずれが軽減するため、第二保持力をさらに小さくできるのでスループットが向上する。
【００４０】
なお、本実施形態では、ステップ１０４３〜１０４４で一回目のウエハの回転で残った回転ずれ量θ１を計測して、チャック１の回転ストロークθｍの内であるか判定を行っているが、これは受け渡しの度に起こりうる位置ずれの影響をなくして、より高精度に位置合わせするために毎回計測を行っているものであり、ステップ１０３０〜１０４０において、回転ずれ量θｉが何回で補正できるかを算出することでステップ１０４３〜１０４４の位置ずれ量計測および判定を省略してもよい。
【００４１】
なお、本実施形態でウエハ１００とチャック１の位置関係の調整が複数回行われている場合、そのうちの少なくとも一回の位置関係の調整前で第二保持力もしくは零の保持力で保持していれば、スループット向上の効果はある。
【００４２】
＜第２の実施形態＞
図５は、本発明の基板保持装置を用いた半導体デバイス製造用の露光装置を示す。
【００４３】
この露光装置は、半導体集積回路等の半導体デバイスや、マイクロマシン、薄膜磁気ヘッド等の微細なパターンが形成されたデバイスの製造に利用され、原版であるレチクルＲを介して基板としての半導体ウエハＷ上に光源１６１からの露光エネルギーとしての露光光（この用語は、可視光、紫外光、ＥＵＶ光、Ｘ線、電子線、荷電粒子線等の総称である）を投影系としての投影レンズ（この用語は、屈折レンズ、反射レンズ、反射屈折レンズシステム、荷電粒子レンズ等の総称である）１６２を介して照射することによって、基板上に所望のパターンを形成している。
【００４４】
この露光装置は、定盤１５１上にガイド１５２とリニアモータ固定子１２１を固設している。前述と同様に、リニアモータ固定子１２１は多相電磁コイルを、リニアモータ可動子１１１は永久磁石群を有している。リニアモータ可動子１１１を可動部１５３として、ステージである可動ガイド１５４に接続し、リニアモータＭ１の駆動によって可動ガイド１５４を紙面法線方向に移動させる。可動部１５３は、定盤５１の上面を基準に静圧軸受１５５で、ガイド１５２の側面を基準に静圧軸受１５６で支持される。
【００４５】
可動ガイド１５４を跨ぐようにして配置したステージである移動ステージ１５７は静圧軸受１５８によって支持されている。この移動ステージ１５７は、上記と同様のリニアモータＭ２によって駆動され、可動ガイド１５４を基準に移動ステージ１５７が紙面左右方向に移動する。移動ステージ１５７の動きは、移動ステージ１５７に固設したミラー１５９および干渉計１６０を用いて計測する。
【００４６】
移動ステージ１５７に搭載したチャック上に基板であるウエハＷを保持し、光源１６１、投影光学系１６２によって、原版であるレチクルＲのパターンをウエハＷ上の各領域にステップアンドリピートもしくはステップアンドスキャンで縮小転写する。
【００４７】
＜第３の実施形態＞
次に、この露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図６は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。
【００４８】
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ５によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。
【００４９】
上記ステップ４のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに転写する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【００５０】
【発明の効果】
本発明によれば、基板保持装置において、短時間で基板を位置合わせして保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態における基板保持装置を表す図
【図２】切り欠き周辺を表す図
【図３】位置合わせのシーケンスを表すフローチャート図
【図４】位置合わせにおけるウエハとチャックの位置を表す図
【図５】第２の実施形態に係る露光装置を表す図
【図６】第３の実施形態に係る半導体製造プロセスを表す図
【符号の説明】
１  静電チャック
２  ピン動作ユニット
１３，１３’  極板
１５  切り欠き
１８，１８’  リード線
１９  導電性針
２１  ピン
４０  天板
４１  天板支持台
５０  位置計測ミラー
１００  ウエハ
１１１  リニアモータ可動子
１１２  リニアモータ固定子
Ｍ１，Ｍ２  リニアモータ
１５１  定盤
１５２  ガイド
１５４  可動ガイド
１５５，１５６，１５８  静圧軸受
１５７  移動ステージ
１５９  ミラー
１６０  干渉計
１６１  光源
１６２  投影光学系
Ｗ  ウエハ
Ｒ  レチクル
【図１】
2005044893.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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