(57)【要約】【課題】先端部にテープが貼着されたインナーリードにおいて、インナーリードとテープとを同時に切断する際のバリの発生を極力抑え、ボンディング異常を防止することができるリードフレーム及びリードフレームの製造方法を提供する。【解決手段】両面テープ貼着工程（Ｓ６）前に、潰し工程（Ｓ３）によって、インナーリードの先端部の両面テープが貼着られる貼着面のうち、カット工程（Ｓ７）時のカット位置であるインナーリードの先端を含む一部に、インナーリードの他の部分より厚みが小さい潰し領域部分をプレス成形する。これにより、加熱圧着の際に両面テープの接着層が押し圧により一部溶融してインナーリードの先端周辺にはみ出すのを極力抑えることができる。【選択図】      図４
2005228812.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インナーリードの先端部に接着層を備えたテープが、当該接着層の接着剤により貼着されたリードフレームにおいて、
前記インナーリードの先端部の前記テープが貼着される貼着面の一部に、当該インナーリードの他の部分より厚みが小さくなっているリード潰し領域部分を有することを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記リード潰し領域部分は、前記インナーリードの先端から０．１ｍｍ以内の範囲の領域であることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記リード潰し領域部分は、その面積が前記貼着面の面積の５０％よりも小さいことを特徴とする請求項１又は２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記リード潰し領域部分の厚み方向における潰し量は、５〜２０μｍの範囲とされることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記リード潰し領域部分の厚み方向における潰し量は、前記テープの接着層の厚みより小さいことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記リードフレームはＬＯＣ用リードフレームであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のリードフレーム。
【請求項７】
インナーリードの先端位置より内側に延設された延設部と当該延設部を連結する接続部とを備えたインナーリードの先端位置でのカット前のリードフレームに、前記インナーリードの先端部から前記延設部にわたって前記インナーリードの他の部分より厚みが小さい潰し領域部分を形成する潰し工程と、
当該潰し工程後、接着テープを前記潰し領域部分を覆うように貼着する貼着工程と、
前記インナーリードの先端位置となるカット位置にて、前記インナーリードと前記接着テープとを同時にカットして前記延設部及び接続部を切り落としてインナーリードを所定形状に形成するカット工程と
を含むリードフレームの製造方法。
【請求項８】
前記潰し領域部分は、前記インナーリードに形成される部分であるリード潰し領域部分と前記延設部に形成される部分である切り落し側潰し領域部分とで構成され、前記リード潰し領域部分及び前記切り落し領域部分は共に前記インナーリードの先端位置から０．１ｍｍ以内の範囲において形成されることを特徴とする請求項７に記載のリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム及びリードフレームの製造方法に係り、詳しくは、インナーリードの先端に固定用の接着テープが貼着されるリードフレーム及びリードフレームの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば１６Ｍ以上のＤＲＡＭ等の半導体素子のように決まったサイズ、形状のパッケージに大きな高集積チップを搭載した半導体装置（プラスチックリードフレームパッケージ）が知られている。この半導体装置には、多数のインナーリードを半導体チップ上に配置し、半導体チップ中央でチップの電極とインナーリードとをワイヤーボンディングするＬＯＣ（Ｌｅａｄ  ｏｎ  Ｃｈｉｐ）構造のリードフレームが使用されている。そして、このＬＯＣ構造のリードフレームでは、インナーリード先端にチップを固定するために、インナーリードの先端部に半導体チップ固定用の両面テープが予め貼着されている。また、ＬＯＣ構造のリードフレームに限らず、ファインピッチ化されたインナーリード間の間隙を接着テープにより保持させたようなものもある。
【０００３】
例えば特許文献１には、このようなＬＯＣ用のリードフレームの製造方法が提案されている。図５、図８、図１２は本実施形態を説明する図であるが、共通する部分であるため、以下参照しつつ符号も同様として説明する。ＬＯＣ用リードフレームは、先ずプレス抜き若しくはエッチング等でリードフレームパターンが形成される。このうちプレス抜きによる成形は量産性やコスト面において有利であるので主流の生産方法である。しかしながら、プレス抜きの場合は打ち抜き時の応力によりインナーリード間の間隔が狂いやすい。そのため、最初の打ち抜き時に生産されるリードフレームパターンでは、図５に示すリードフレーム１のようにインナーリード２の先端が、延設部９によって先端位置から内側へ延設され、さらにその延設部９が接続部１０によって繋がった状態で成形されることが好ましい。その後、必要に応じて残存する応力を除去するためにアニール処理を行い、ワイヤーボンディングのためにインナーリード２にメッキ処理を行う。そして次に、図８に示すようにチップ固定用の両面テープ５が貼着される。この半導体チップ固定用の両面テープ５は、例えば伸縮が小さく機械的強度の高いポリイミドなどを基材として両面に接着層が積層されたもので、インナーリード２の移動を防止する機能も兼ね備えている。そして、両面テープ５の貼着後、図１２に示すようにインナーリード２の先端部を両面テープ５側から両面テープ５と共にカットして所定の最終形状とする。そして、半導体チップとインナーリード２間にワイヤーボンディングがなされ、半導体チップを搭載したＬＯＣ用リードフレームは、例えばエポキシ樹脂などにより樹脂封入されて半導体パッケージ製品とされる（図３参照）。
【０００４】
この両面テープ５により半導体チップが固定されるとともに、インナーリード２の間隔が保持されるため、製品の歩留りを向上させるとともに信頼性を向上させることができた。
【特許文献１】特開２００３−１９７８４１（請求項１、図７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の方法では図１４に示すように、インナーリード２と両面テープ５を同時に切断する際、両面テープ５の接着層が切断方向に引きずられるようにして、各インナーリード２の間隙の接着層にいわゆるバリ２２が発生する。この発生したバリ２２は金型内で脱落し、インナーリード２の先端部のボンディング面側に付着することがあるために、インナーリード２と半導体チップとのボンディング異常を引き起こす要因となるという問題があった。
【０００６】
また、両面テープ５をインナーリード２に貼着する際には、加熱して圧接するが、その押し圧で溶融した接着層が潰れて、インナーリード２の周囲にはみ出してしまう。このはみ出し量が大きいと、はみ出した接着層の影響を受けて高精度な切断が出来にくくなると共に、当然切断時に発生する接着層によるバリも大きくなり、ますます上記に示したボンディング異常を助長するという問題があった。
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明は、先端部にテープが貼着されたインナーリードにおいて、インナーリードとテープとを同時に切断する際のバリの発生を極力抑え、ボンディング異常を防止することができるリードフレーム及びＬＯＣ用リードフレームの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１に係るリードフレームは、インナーリードの先端部に接着層を備えたテープが、当該接着層の接着剤により貼着されたリードフレームにおいて、前記インナーリードの先端部の前記テープが貼着される貼着面の一部に、当該インナーリードの他の部分より厚みが小さくなっているリード潰し領域部分を有することを要旨とする。
【０００９】
請求項２に係るリードフレームは、請求項１に記載のリードフレームにおいて、前記リード潰し領域部分は、前記インナーリードの先端から０．１ｍｍ以内の範囲の領域であることを要旨とする。
【００１０】
請求項３に係るリードフレームは、請求項１又は２に記載のリードフレームにおいて、前記リード潰し領域部分は、その面積が前記貼着面の面積の５０％よりも小さいことを要旨とする。
【００１１】
請求項４に係るリードフレームは、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のリードフレームにおいて、前記リード潰し領域部分の厚み方向における潰し量は、５〜２０μｍの範囲とされることを要旨とする。
【００１２】
請求項５に係るリードフレームは、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のリードフレームにおいて、前記リード潰し領域部分の厚み方向における潰し量は、前記テープの接着層の厚みより小さいことを要旨とする。
【００１３】
請求項６に係るリードフレームは、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のリードフレームにおいて、前記リードフレームはＬＯＣ用リードフレームであることを要旨とする。
【００１４】
請求項７に係るリードフレームの製造方法は、インナーリードの先端位置より内側に延設された延設部と当該延設部を連結する接続部とを備えたインナーリードの先端位置でのカット前のリードフレームに、前記インナーリードの先端部から前記延設部にわたって前記インナーリードの他の部分より厚みが小さい潰し領域部分を形成する潰し工程と、当該潰し工程後、接着テープを前記潰し領域部分を覆うように貼着する貼着工程と、前記インナーリードの先端位置となるカット位置にて、前記インナーリードと前記接着テープとを同時にカットして前記延設部及び接続部を切り落としてイナーリードを所定形状に形成するカット工程とを含むことを要旨とする。
【００１５】
請求項８に係るリードフレームの製造方法は、請求項７に記載のリードフレームの製造方法において、前記潰し領域部分は、前記インナーリードに形成される部分であるリード潰し領域部分と前記延設部に形成される部分である切り落し側潰し領域部分とで構成され、前記リード潰し領域部分及び前記切り落し領域部分は共に前記インナーリードの先端位置から０．１ｍｍ以内の範囲において形成されることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、インナーリードとテープとを同時に切断する際のバリの発生を極力抑え、ボンディング異常を防止することができるリードフレーム及びリードフレームの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明のリードフレーム及びリードフレームの製造方法を具体化した一実施形態を図１〜図１３にしたがって説明する。なお、「ＬＯＣ（Ｌｅａｄ  ｏｎ  Ｃｈｉｐ）」とは、多数のインナーリードの下に両面テープを介して半導体チップが固定され、半導体チップ中央でチップの電極とインナーリードとをワイヤーボンディングするタイプの構造をいい、このＬＯＣ構造の半導体パッケージを形成するためのリードフレームを、以下「ＬＯＣ用リードフレーム」という。
【００１８】
図１は、本実施形態で用いるＬＯＣ用リードフレーム（以下、単に「リードフレーム」という。）１の全体図であって、インナーリードの先端が連結された切断前の態様を示している。図１に示すように、リードフレーム１の中央部には多数のインナーリード２が概ね平行な櫛状に設けられ、それぞれのインナーリード２はフレーム外周に設けられたアウターリード３に接続されている。
【００１９】
図２は、図１に示すリードフレーム１の連結された各インナーリード２を切断したリードフレーム１ａの態様を示す図である。図２に示すように、インナーリード２の表面（図２の裏面に相当する。）には両面テープ５が貼着されており、先端が切断されて各々のインナーリード２が形成されている。
【００２０】
図３は、リードフレーム１ａを用いた半導体パッケージ４を示す模式図である。図３に示すように、インナーリード２の下面に貼着された両面テープ５によって半導体チップ６が固定されている。半導体チップ６の中央部には電極部（ボンディングパッド）が設けられ、インナーリード２とＡｕ、Ａｌのワイヤー７（細線）で結線される。そして、半導体チップ６とワイヤー７及びインナーリード２の各部分は、樹脂８により封入される。リードフレーム１のアウターリード３は、外部に露出され、結線に用いられる。
【００２１】
図４は、半導体パッケージ４の製造工程を示すフローチャートである。図４に示すように、本実施形態における半導体パッケージ４は、概ね外形形成（ステップ１、以下「ステップ」を「Ｓ」と略す。）、コイニング（Ｓ２）、潰し（Ｓ３）、アニール処理（Ｓ４）、めっき（Ｓ５）、両面テープ貼着（Ｓ６）、カット（Ｓ７）、マウンティング（Ｓ８）、ワイヤーボンディング（Ｓ９）、樹脂封入（Ｓ１０）、トリム・フォーム（Ｓ１１）の各工程を経て製造される。以下、半導体パッケージ４の各製造工程について説明する。
【００２２】
外形形成工程（Ｓ１）は、精密プレスによりリードフレーム１（図１参照）の外形を形成する工程である。リードフレーム１は、０．１〜０．２５ｍｍ厚の４２Ｎｉ−Ｆｅ合金（Ｎｉ４２％、Ｃｏ０．５％、Ｍｎ０．８％、Ｆｅ５６．７％）からなる条材からプレス抜きして外形が形成される。プレス加工は、精密金型を用い、順送り金型により多数の工程に分けて行われる。
【００２３】
図５は、図１に示すリードフレーム１のインナーリード２の先端部近傍であるＡ−Ｂ部分の拡大図である。プレス加工による外形形成工程（Ｓ１）が終了したリードフレーム１は、インナーリード２の先端位置より内側に延設された延設部９と、その延設部９を連結する接続部１０とを備え、インナーリード２の各先端が連結された状態で外形が形成されている。このため、インナーリード２の間隔は精密プレス加工後の正確な間隔が維持されている。
【００２４】
次に、テープ貼着面裏面のコイニング工程（Ｓ２）を行う。図６は、コイニング工程（Ｓ２）後のインナーリード２を模式的に示す側面図である。図６に一点鎖線で示すのは、後のカット工程（Ｓ７）でインナーリード２が切断されるカットラインＣ−Ｃである。よって、この切断線の箇所がインナーリード２の先端１１となる。
【００２５】
コイニング工程（Ｓ２）では、インナーリード２の先端部１２及び延設部９のうち、両面テープ５の貼着面１３と反対側の面である裏面１４に対してコイニングが行われる。これは、裏面１４は、後の工程である半導体チップ６とインナーリード２をワイヤー７で連結するワイヤーボンディング工程（Ｓ９）の際のボンディング面となるため、所定の平坦精度や粗度が求められるためである。コイニング工程（Ｓ２）後には、インナーリード２の厚みが僅かに小さく、所定の平坦精度が確保されたコイニング面１５が形成されている。
【００２６】
コイニング工程（Ｓ２）の後には、テープ貼着面の潰し工程（Ｓ３）（以下、単に「潰し工程」ともいう。）が行われる。図７は、この潰し工程（Ｓ３）後のインナーリード２を模式的に示す側面図である。これ以後、テープ貼着面（以下、単に「貼着面」ともいう。）１３とは、両面テープ５が貼着される面であって、両面テープの接着層（図９参照）と当接する範囲の領域を指していうこととする。
【００２７】
この潰し工程（Ｓ３）では、半導体チップ６が固定される側となる両面テープ５の貼着面１３に対して、潰し領域部分１６がインナーリード２の先端部１２から延設部９にわたって形成されるように潰し工程が行われる。潰し工程（Ｓ３）後には、インナーリード２の他の部分よりも厚みが小さくなっている潰し領域部分１６が形成されている。潰し領域部分１６は、インナーリード２の先端部１２側に形成されるリード潰し領域部分１７と、後のカット工程（Ｓ７）で切り落とされる延設部９側に形成される切り落し側潰し領域部分１８とで構成されている。なお、本実施形態では、潰し領域部分１６の潰し量Ａ＝５μｍ、潰し領域部分１６の全体長さＤ＝０．１８ｍｍ、リード潰し領域部分長さＢ＝０．０８ｍｍ、切り落し側潰し領域部分長さＣ＝０．１ｍｍとなっている。すなわち、潰し量Ａは後述する両面テープ５の接着層５ａ（図９参照）の厚みより小さく、潰し領域部分１６の全体長さＤ（Ｂ＋Ｃ）（以下、潰し領域部分１６の全体長さを意味する際には、単に「潰し領域部分１６の長さ」ということもある。）は、テープ貼着面１３の長さ（図９、図１０参照。両面テープ５の接着層５ａの長さＧ）より小さく、また面積においても潰し領域部分１６の面積は貼着面１３の面積よりも小さく設定されている。潰し領域部分１６と貼着面１３との寸法・面積の関係については後に詳しく述べる。
【００２８】
テープ貼着面の潰し工程（Ｓ３）の後には、アニール工程（Ｓ４）において、アニリング（ａｎｎｅａｌｉｎｇ）を行う。アニリングは、所定時間の加熱により外形形成工程（Ｓ１）における残留応力の除去が行われる。
【００２９】
アニール工程（Ｓ４）に続き、めっき工程（Ｓ５）が行われる。めっき工程（Ｓ５）では、インナーリード２にワイヤーボンディングに必要なめっきが施される。めっきは銀めっき、パラジウムめっきなどによる。
【００３０】
次に、両面テープ貼着工程（Ｓ６）が行われる。ここで、図８は、両面テープ貼着工程（Ｓ６）により両面テープ５が貼着された後のインナーリード２を示す部分拡大図である。両面テープ５は、インナーリード２の先端１１のカットラインＣ−Ｃを覆うようにリードフレーム１の下面に加熱圧着される。
【００３１】
ここで、図９は、両面テープ５の構造を示す模式図である。ＬＯＣ用の両面テープ５は、３層積層に構成される。中央の層には、ポリイミドテープ５ｂが配置され、絶縁性と機械的強度を確保する。その上下の層は、熱可塑性接着剤からなる感熱性の接着層５ａ，５ｃが配置される。なお、片面若しくは両面に他の接着剤、例えば熱硬化性接着剤などを用いてもよい。
【００３２】
また、図１０は、この両面テープ貼着工程（Ｓ６）後のインナーリード２を模式的に示す側面図である。図１０に示すように、両面テープ５の接着層５ａは潰し領域部分１６全体を覆うように貼着されている。また、図１１は、図１０におけるインナーリード２をテープ５が貼着されている下面から見た模式図である。貼着面１３はインナーリードの先端部１２を形成する側のリード側貼着面１９（長さＥ）と、後のカット工程（Ｓ７）後に切り落とされる延設部９側の切り落し側貼着面２０（長さＦ）とで構成される。ただし、以下、貼着面１３全体（長さＧ）を指して述べる際には、単に「貼着面」と呼ぶ。両面テープ貼着時には、上記の加熱圧着により両面テープ５の接着層の一部が溶融するが（図１０は、両面テープ５を貼着した直後の態様を示しているため、接着層５ａは溶融していない。）、潰し工程（Ｓ３）において潰し領域部分１６が形成されているため、接着層の溶融部分は主にこの潰し領域部分１６内に流動する。つまり、潰し領域部分１６が溶融して変形した接着層の逃げ場として機能している。貼着工程（Ｓ６）では、貼着に伴う圧力がブリッジ状に構成された潰し領域部分１６以外に掛かり、この潰し領域部分１６には掛からないため、溶融した接着剤が押し出されることもない。また、潰し領域部分１６の潰し量Ａは、本実施形態では５μｍとしたが、その他好適な範囲としては概ね５〜２０μｍとされ、一方接着層５ａの厚みは２０〜３０μｍとされる。つまり、潰し量Ａは、インナーリード２側の接着層５ａの厚みより薄くなっているため、インナーリード２の潰し領域部分１６と接着層５ａの間に間隙が生じて接着不良となることもない。なお、インナーリード２の間隙に進入する接着層５ａにより形成されるメニスカスは、体積が大きすぎればバリの発生が大きくなることは述べたが、一方、ある程度のメニスカスが形成されなければ接着力の低下や間隔の保持力の低下が問題となり得る。しかし、本実施形態では、リード潰し領域部分１７（図１１参照）の面積は、リード側貼着面１９の面積のおよそ５０％以下であり、この面積の範囲であれば、両面テープ５の接着力の低下やインナーリード２の間隔の保持力が十分であることが出願人により確かめられた。従って、この部分の両面テープ５自体の接着力の低下やインナーリード２の間隔の保持力の低下が問題とはならず、両面テープ５のはがれや、平坦性の低下、インナーリード２の間隔の変動などの不都合は生じない。
【００３３】
両面テープ貼着工程（Ｓ６）後には、カット工程（Ｓ７）が行われる。カット工程（Ｓ７）は、図９に示す両面テープ５が貼着されたインナーリード２の先端１１が、両面テープ５側から両面テープ５とともにカットラインＣ−Ｃからダイとパンチによりプレス機で打ち抜かれる。
【００３４】
このように、両面テープ貼着工程（Ｓ６）後に、インナーリード２の先端部１２と、ここに貼着された両面テープ５を同時にカットして、延設部９と接続部１０とを切り落としてインナーリード２を最終の所定形状に形成するカット工程（Ｓ７）により、インナーリード２の先端部と両面テープ５の端部を揃えて切断する。このため、図１２（図２のＡ−Ｂ部分に対応する図）に示すようにインナーリード２の先端１１と貼着された両面テープ５の端部が略同一平面線上に位置するように両面テープ５が配置される。
【００３５】
また、図１３はカット工程（Ｓ７）後のインナーリード２を模式的に示す平面図である。図１３における破線は、潰し領域部分１６の境界を示しており、この破線より下方部分がリード潰し領域部分である。前述したように、インナーリード２のテープ貼着面１３（図１０参照）の一部には、潰し工程（Ｓ３）において潰し領域部分１６が形成されているため、接着層５ａの溶融部分は主にこの潰し領域部分１６内に流動している。その状態でカットされるため、カット工程（Ｓ７）後のインナーリード２の周辺部の一部には、接着層５ａのはみ出し部分２１が僅かに形成されているものの、半導体チップ６とワイヤーボンディングされるインナーリード２の先端１１付近にはテープの接着層５ａによるはみ出し部分２１が形成されていない。よって、インナーリード間の接着層５ａの厚みが厚くなることもなく、カット工程（Ｓ７）で、両面テープ５と、インナーリード２を、インナーリード先端位置でカットしても、せん断により生じるバリ（かえり）も大きなものとはならない。そのため、バリが脱落してボンディング面（図６におけるコイニング面１５に相当する。）に付着することもない。
【００３６】
カット工程（Ｓ７）に続き、先端をカットされたインナーリード２に貼着された両面テープ５により、半導体チップ６（図３参照）をマウントするマウンティング工程（Ｓ８）が行われる。マウンティング工程（Ｓ８）では、両面テープ５の接着層５ｃによりインナーリード２の先端部に半導体チップ６が固定される。この場合、潰し領域部分１６の潰し量Ａが接着層５ａの厚みより薄くなっているため、潰し領域部分１６の凹凸は接着剤により埋められ、両面テープ５のポリイミドテープ５ｂ、及び半導体チップ６側の接着層５ｃの平坦性は損なわれていない。そのため、半導体チップ６のマウンティングにおける接着性に問題となるような低下は見られない。さらに、リード潰し領域部分１７のインナーリードの先端１１からの長さＢ（図７参照）は０．１ｍｍ以内に設定されており、また、リード潰し領域部分１７の面積はリード側貼着面１９の面積のおよそ５０％以下で、この点からも、半導体チップ６のマウンティングにおける接着性に問題となるような低下は見られない。
【００３７】
続いて、半導体チップ６の中央で半導体チップ６のＡｌ電極とインナーリード２とをワイヤーで連結するワイヤーボンディング工程（Ｓ９）が行われる。ここでは、チップ上の電極部（ボンディングパッド）とリードフレーム１ａを２０〜２５μｍ径のＡｕ、Ａｌの細線で結線する工程で、超音波を併用しながら熱圧着する。このボンディング工程では、ボンディング面の平坦性が悪かったり、ボンディング面に異物があったりすれば、ボンディングに支障が出てボンディング異常となる。ボンディング異常は、製品の歩留りを下げるとともに、信頼性を損なうため極力避ける必要がある。本実施形態では、前述のようにカット工程（Ｓ７）で生じる接着層５ａのバリを小さくし、脱落しないようにしているため、このバリが金型を介しボンディング面に付着して、異物となることもない。
【００３８】
次に、樹脂封入工程（Ｓ１０）に移行する。樹脂封入工程（Ｓ１０）では、ワイヤーボンディング工程（Ｓ９）で配線が完了したリードフレーム１ａを加熱した図示しないモールド金型にセットする。そして上金型で閉じてキャビティー内に熱硬化性エポキシ樹脂をポット部からプランジャーで押し込むトランスファモールド方式で半導体チップ６、ボンディング用のワイヤー７を樹脂で封入する。この工程では、アウターリード３は、外部に露出させている。
【００３９】
そして、所定時間エージングを行った後、仕上げ工程であるトリム・フォーム工程（Ｓ１１）を行う。ここでは、アウターリード３のめっき、リードフレーム１ａの切断・分離・成形により半導体パッケージ製品として完成させる。以上で、半導体パッケージ４の製造工程は終了である。
【００４０】
本実施形態では、次のような効果を得ることができる。
（１）両面テープ貼着工程（Ｓ６）前に、半導体チップ６が固定される側となる両面テープ５の貼着面１３の一部に対して、潰し工程（Ｓ３）を行う。これにより、インナーリード２の他部分より厚みが小さい潰し領域部分１６がインナーリード２の先端部１２から延設部９にわたってインナーリード２の先端１１を含む形態で形成される。このため、潰し領域部分１６を覆うように貼着された両面テープ５とを同時にカットするカット工程（Ｓ７）の際に、両面テープ５の接着層５ａによるバリの発生を抑えることができる。
【００４１】
従来の方法であれば、カット工程時に、プレス機のパンチにより両面テープ５の接着層が引きちぎられて、各インナーリード２の間隙に接着層にいわゆるバリが発生していた（図１４参照）。また、両面テープ貼着工程（Ｓ６）では、両面テープ５の接着層が加熱して圧接されるために、溶融した接着層の一部が潰れてインナーリード２の周囲にはみ出し、これが前述のバリの発生に繋がっていた。しかし、本実施形態では、テープ貼着面の潰し工程（Ｓ３）にて、潰し領域部分１６が形成されているため、接着層の溶融部分が主にこの潰し領域部分１６内に流動する。つまり、潰し領域部分１６がはみ出した接着層の逃げ場として機能する。このため、カット工程（Ｓ７）において、両面テープ５側からインナーリード２を両面テープ５と同時にカットした時にも、接着層のはみ出しが少ない（図１３参照）ために、バリがほとんど発生しない。よって、バリが脱落するようなこともなく、脱落したバリがボンディング面（コイニング面１５）に付着することもないため、ボンディング異常を引き起こすこともない。
【００４２】
（２）潰し工程（Ｓ３）において、潰し領域部分１６の潰し量Ａ＝５μｍ、潰し領域部分１６の長さのうち、リード側潰し領域部分長さＢ＝０．０８ｍｍ、切り落し側潰し領域部分長さＣ＝０．１ｍｍとなっている。すなわち、潰し量Ａは両面テープ５の接着層（５ａ、図９参照）の厚みより小さく、潰し領域部分１６の全体長さＤ（Ｂ＋Ｃ）はテープ貼着面１３の長さＧより小さく（図１０参照）また、両面テープ５全体で潰し領域部分１６を覆うような形態となっている。さらに、リード潰し領域部分１７（図１１参照）の面積は、リード側貼着面１９の面積のおよそ５０％以下とされている。例えば、貼着される接着層の面積や容積に対し、潰し領域部分１６が必要以上に大きければ、接着層と貼着面１３との密着圧力が減少して両面テープ５の貼着力が損なわれる。また、潰し領域部分１６があまりに狭すぎると、接着層の溶融部分を受け切れずにインナーリード２の先端１１の周辺部にはみ出してしまい、領域部分１６の形成による効果を十分に得られない。よって、本実施形態では、テープ全体の接着力の低下やインナーリードの間隔の保持力の低下がテープ全体に及ぼす問題とならない程度に、潰し領域部分１６が適度に設定されている。
【００４３】
上記実施形態では、多数のインナーリード２の下に半導体チップ６が両面テープ５によって固定されるＬＯＣ（Ｌｅａｄ  ｏｎ  Ｃｈｉｐ）用リードフレームについて具体的に説明したが、インナーリード２の上に半導体チップ６が固定されるＣＯＬ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｌｅａｄ）用のリードフレームも、本発明のＬＯＣ用リードフレームに含まれるものとする。
【００４４】
なお、上記実施形態は以下のような別の実施形態（別例）に変更しても良い。
・上記実施形態ではＬＯＣ用リードフレームとしたが、ＬＯＣやＣＯＬ構造でないタイプ、例えばリードフレームの中央部に半導体チップ搭載用のダイパッドを備えるものについても同様に実施できる。
【００４５】
このタイプの半導体パッケージでは、半導体パッケージの多端子化に伴いインナーリードの形成間隔及び幅が狭くなってきており、インナーリード先端の機械的強度が弱くなっている。このため、ワイヤーボンディング作業の際、インナーリードの先端部が跳ね上がり、接触不良等を発生させていた。この跳ね上がりを避けるために、あるいは他の処理工程や搬送時の取り扱いにおけるインナーリードの変形を防ぐために、インナーリード先端間を絶縁性のテープにて固定しておいて、この状態でインナーリードの先端の延設部と接続部をカットして除去し、その後ワイヤーボンディング作業を行うという手法が用いられている。この場合、パッケージ内の気泡の発生を防止する目的で、インナーリードとテープを同時にカットする場合がある。このインナーリードの延設部をカットする際にテープとインナーリードとを同時にカットするという工程において、上記実施形態と同様の課題を有し、上記実施形態と同様にテープの接着層によるバリの発生を抑えるという効果を奏することができる。
【００４６】
・上記実施形態の潰し領域部分１６の潰し量Ａ＝５μｍとしたが、この数値に何ら限定されることはなく、例えば潰し量Ａ＝５〜２０μｍの範囲で適宜変更することができる。
・上記実施形態のリードフレーム１の条材は４２Ｎｉ−Ｆｅ合金としたが、銅合金（Ｃｒ０．２７％、Ｓｎ０．２５％、Ｚｎ０．１％、他Ｃｕ）等によるものとしても良い。
【００４７】
・上記実施形態の半導体パッケージ４の製造工程では、外形形成工程（Ｓ１）においてプレス加工にて外形を形成したが、プレス加工によらずにエッチングにより加工することもできる。この場合は、（１）素材のコイルの巻出しから、（２）脱脂洗浄、（３）フォトレジストのコーティング・乾燥、（４）露光、（５）現像、（６）スプレーエッチング、（７）レジスト剥離、（８）洗浄・乾燥の各工程によりリードフレーム１の外形を形成することができる。
【００４８】
・上記実施形態の半導体パッケージ４の製造工程におけるアニール工程（Ｓ４）は省略しても良い。加工する素材や加工方法によって適宜調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本実施形態に係るＬＯＣ用リードフレーム１を示す図。
【図２】本実施形態に係るＬＯＣ用リードフレーム１ａを示す図。
【図３】リードフレーム１ａを用いた半導体パッケージ４を示す模式図。
【図４】半導体パッケージ４の製造工程を示すフローチャート。
【図５】外形形成工程（Ｓ１）後の図１に示すリードフレーム１のインナーリード先端部近傍であるＡ−Ｂ部分の拡大図。
【図６】コイニング工程後のインナーリード２を模式的に示す側面図。
【図７】潰し工程後のインナーリード２を模式的に示す側面図。
【図８】両面テープ貼着工程（Ｓ６）により両面テープ５が貼着された後のインナーリード２を示す部分拡大図。
【図９】両面テープ５の構造を示す模式図。
【図１０】両面テープ貼着工程（Ｓ６）後のインナーリード２を模式的に示す側面図。
【図１１】図１０におけるインナーリード２をテープ５が貼着されている下面から見た模式図。
【図１２】カット工程（Ｓ７）によりカットされたインナーリード２を示す部分拡大図。
【図１３】カット工程（Ｓ７）後のインナーリード２を模式的に示す平面図。
【図１４】従来例におけるバリの発生を説明する図であって、インナーリードの先端側から見た模式図。
【符号の説明】
【００５０】
Ａ…潰し量、１，１ａ…ＬＯＣ用リードフレーム（リードフレーム）、２…インナーリード、４…半導体パッケージ、５…両面テープ（テープ、接着テープ）、５ａ…（インナーリード側）接着層、５ｃ…（半導体チップ側）接着層、６…半導体チップ、９…延設部、１０…接続部、１１…先端（インナーリード２の先端）、１２…先端部、１３…貼着面、１６…潰し領域部分、１７…リード潰し領域部分、１８…切り落し側潰し領域部分、１９…リード側貼着面、２０…切り落し側貼着面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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