(57)【要約】【課題】  暗電流やノイズの測定を、待ち時間を生じることなく行うことができ、撮像素子のコンデションにマッチした画像処理を行うようにする。【解決手段】  撮像センサー３０３と、撮像センサー３０３が生成した電気信号の読み出し制御を行うカメラ制御部５００を備え、このカメラ制御部５００は、撮像センサー３０３のオプチカルブラック部分から読み出した電気信号に基づいて暗電流を求める暗電流計測部５１２を有する。さらに求めた暗電流値に基づいて当該撮像素子の内部温度を推定する撮像センサー温度算出部５１３１と、推定された撮像素子の内部温度に基づいて、前記画像処理部における画像処理動作に変更処理を施す信号を発生する変更処理信号発生部５１３２とを備える。【選択図】      図４
2005130045.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を電気信号に光電変換する撮像素子と、撮像素子が生成した電気信号の読み出し制御を行う制御部と、読み出した電気信号に所定の画像処理を施す画像処理部とを備える撮像装置において、
前記撮像素子において発生する暗電流値を求める手段と、該暗電流値に基づいて当該撮像素子の内部温度を推定する手段とを備え、
推定された撮像素子の内部温度に基づいて、前記画像処理部における画像処理動作に変更処理を施すよう構成されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
被写体像を電気信号に光電変換する撮像素子と、撮像素子が生成した電気信号の読み出し制御を行う制御部と、読み出した電気信号に所定の画像処理を施す画像処理部とを備える撮像装置において、
前記撮像素子として、その一部に光学的遮光部分となるオプチカルブラック部分を備えた撮像素子を用い、
前記制御部が撮像素子のオプチカルブラック部分から読み出した電気信号に基づいて、該撮像素子の暗電流値を求める暗電流計測部と、
該暗電流計測部の出力に基づいて、前記画像処理部における画像処理動作に変更処理を施すための変更処理信号を生成する演算部と、
を具備することを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
暗電流計測部による暗電流値の測定は、撮像素子のライブビュー中に行われることを特徴とする請求項２記載の撮像装置。
【請求項４】
予め求めた撮像素子温度と暗電流値との関係を記憶させた温度テーブル記憶部と、前記暗電流計測部による暗電流値の実測値と、前記温度テーブル記憶部に記憶されている記憶値とを対比することで、撮像素子温度を算出する撮像素子温度算出部とを備え、
算出された温度情報により画像処理動作に変更処理が施されることを特徴とする請求項２記載の撮像装置。
【請求項５】
暗電流計測部による暗電流値の測定は、撮像素子における電荷蓄積時間を異ならせて複数回行われることを特徴とする請求項２記載の撮像装置。
【請求項６】
撮像素子が縦型オーバーフロードレイン構造を備えており、暗電流計測部による暗電流値の測定期間中はオーバーフロードレインを動作させないようにすることを特徴とする請求項５記載の撮像装置。
【請求項７】
撮像素子における電荷蓄積時間を、少なくとも１秒以上に設定したことを特徴とする請求項５記載の撮像装置。
【請求項８】
撮像素子が縦型オーバーフロードレイン構造を備えており、前記撮像素子のオプチカルブラック部分の一部における蓄積電荷の掃き出しタイミングと、それ以外の有効画素を含む部分における蓄積電荷の掃き出しタイミングとが、それぞれ別個に制御可能とされていることを特徴とする請求項２記載の撮像装置。
【請求項９】
撮像素子の温度と、該撮像素子の飽和電圧との関係を記憶させた飽和電圧テーブルをさらに備え、
前記撮像素子温度算出部にて算出された温度情報と、前記飽和電圧テーブルとを対照させることで、画像処理動作に変更処理を施す変更処理信号が生成されることを特徴とする請求項４記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記変更処理信号は、撮像素子から入力されるアナログ信号をデジタル変換する前段階において、アナログ信号を増幅するゲイン設定値の制御に用いられることを特徴とする請求項９記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記変更処理信号は、ガンマ補正及び／又はオフセット調整のために用いられることを特徴とする請求項９記載の撮像装置。
【請求項１２】
撮像素子の温度とダークノイズとの関係を記憶させたダークノイズデータ記憶部をさらに備え、
前記撮像素子温度算出部にて算出された温度情報と、前記ダークノイズデータ記憶値とを対照させることで、撮像素子温度に応じたダークノイズデータを生成し、該ダークノイズデータに基づいてノイズリダクション動作が行なわれることを特徴とする請求項４記載の撮像装置。
【請求項１３】
縦型オーバーフロードレイン構造を備える撮像素子であって、
該撮像素子の撮像エリアを複数に区画し、この区画毎にオーバーフロードレインのための電荷掃き出しパルスをそれぞれ別個に印加可能とするオーバーフロードレイン端子を具備することを特徴とする撮像素子。
【請求項１４】
撮像エリアが、オプチカルブラック部のみをカバー領域とする第１の区画と、有効画素部を含む領域をカバー領域とする第２の区画とからなることを特徴とする請求項１３記載の撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばデジタルカメラ等の、ＣＣＤ（charge coupled device）等の撮像素子を備える撮像装置に関し、特に撮像素子自体の温度を勘案して画像処理部における画像処理動作に変更処理を行えるようにした撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
被写体像を電気信号に光電変換するＣＣＤ等の撮像素子は、本来被写体からの反射光を受光して生成された電荷に基づき電気信号を発生するのであるが、実際に光を受光していないにも拘わらず電荷が生成されてしまうことがある。このような電荷は暗電流と呼ばれ、かかる暗電流を含んだ画像データに基づいて画像形成すると、暗電流分の誤差を含んだ態様で被写体像を再生してしまい画質が低下する。そこで、従来、このような暗電流の影響を除くために、種々の手法が提案されている。
【０００３】
基本的な手法は、撮像素子の一部に光学的遮光部分となるオプチカルブラック部（光学的な黒）を設けて、通常の露光部分からセンサ出力を得ると同時にこのオプチカルブラック部からも出力（遮光出力）を得て、これらの出力を比較等することにより、遮光出力基準に黒レベルを固定（クランプ）する方法である。
【０００４】
また、上記の方法の欠点とされる、固定パターンノイズや画素毎の暗電流の温度特性のばらつきに対しても補正を行い得るよう、例えば特許文献１には、撮像素子から画像データを得た後に、つまり撮像完了後に、その露光時間と同じ時間だけシャッターを閉じて撮像素子を遮光して暗状態データ（ダークノイズデータ）を取得し、前記画像データに対して取得したダークノイズデータに基づいて補正演算を行って、画像処理信号の補正を行う方法が開示されている。
【０００５】
一方、前記ノイズや暗電流の発生量が、ＣＣＤ等の撮像素子自身の温度に依存することを利用した方法も提案されている。例えば特許文献２には、撮像素子近傍の温度を測定する測温手段（温度センサー）を設け、当該撮像素子で得られた画像データを画像処理する際に、温度センサーで計測した撮像素子の外表面温度に基づいて、画像処理信号を補正する方法が開示されている。
【特許文献１】特開平８−５１５７１号公報
【特許文献２】特開２０００−１８４２９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の方法では、撮像素子で被写体の画像データを得た後に、シャッターを閉じて暗状態データを取得する必要があり、その間は待ち時間となって次の撮像が行えないことになる。従って、連続的なシャッターチャンスに対応できないことがあり、ユーザーの利便性を損ねるという不都合がある。
【０００７】
また、特許文献２の方法では、温度センサにより測定できるのは撮像素子の外側近傍の温度であって、必ずしも撮像素子自身の温度を計測しているのではないことから、現に生じている暗電流を正確に算出できないという問題がある。すなわち、撮像動作が行われることで撮像素子自身が発熱するため、撮像素子の外側近傍の温度（撮像素子の外部温度）を測定しても、撮像素子自身の内部温度との相関が取れず、暗電流やノイズ測定に誤差が生じてしまうのである。このような誤差が発生した場合、画像処理信号を補正したとしても所期の暗電流矯正は行われず、綺麗な画像が得られないという不都合がある。
【０００８】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、暗電流やノイズの測定を待ち時間を生じることなく行うことができ、また撮像素子の暗電流やノイズの発生量を正確に把握して、これを画像処理部にフィードバックし、当該撮像素子のコンデションにマッチした画像処理を行えるようにした撮像装置を提供することを目的とする。  
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の請求項１に係る撮像装置は、被写体像を電気信号に光電変換する撮像素子と、撮像素子が生成した電気信号の読み出し制御を行う制御部と、読み出した電気信号に所定の画像処理を施す画像処理部とを備える撮像装置において、前記撮像素子において発生する暗電流値を求める手段と、該暗電流値に基づいて当該撮像素子の内部温度を推定する手段とを備え、推定された撮像素子の内部温度に基づいて、前記画像処理部における画像処理動作に変更処理を施すよう構成されていることを特徴とするものである。
【００１０】
また請求項２に係る撮像装置は、同様な撮像装置において、前記撮像素子として、その一部に光学的遮光部分となるオプチカルブラック部分を備えた撮像素子を用い、前記制御部が撮像素子のオプチカルブラック部分から読み出した電気信号に基づいて、該撮像素子の暗電流値を求める暗電流計測部と、該暗電流計測部の出力に基づいて、前記画像処理部における画像処理動作に変更処理を施すための変更処理信号を生成する演算部とを具備することを特徴とするものである。
【００１１】
請求項３に係る撮像装置は、請求項２において、暗電流計測部による暗電流値の測定は、撮像素子のライブビュー中に行われることを特徴とする。
【００１２】
請求項４に係る撮像装置は、請求項２において、予め求めた撮像素子温度と暗電流値との関係を記憶させた温度テーブル記憶部と、前記暗電流計測部による暗電流値の実測値と、前記温度テーブル記憶部に記憶されている記憶値とを対比することで、撮像素子温度を算出する撮像素子温度算出部とを備え、算出された温度情報により画像処理動作に変更処理が施されることを特徴とする。
【００１３】
請求項５に係る撮像装置は、請求項２において、暗電流計測部による暗電流値の測定は、撮像素子における電荷蓄積時間を異ならせて複数回行われることを特徴とする。
【００１４】
請求項６に係る撮像装置は、請求項５において、撮像素子が縦型オーバーフロードレイン構造を備えており、暗電流計測部による暗電流値の測定期間中はオーバーフロードレインを動作させないようにすることを特徴とする。
【００１５】
請求項７に係る撮像装置は、請求項５において、撮像素子における電荷蓄積時間を、少なくとも１秒以上に設定したことを特徴とする。
【００１６】
請求項８に係る撮像装置は、請求項２において、撮像素子が縦型オーバーフロードレイン構造を備えており、前記撮像素子のオプチカルブラック部分の一部における蓄積電荷の掃き出しタイミングと、それ以外の有効画素部分における蓄積電荷の掃き出しタイミングとが、それぞれ別個に制御可能とされていることを特徴とする。
【００１７】
請求項９に係る撮像装置は、請求項４において、撮像素子の温度と、該撮像素子の飽和電圧との関係を記憶させた飽和電圧テーブルをさらに備え、前記撮像素子温度算出部にて算出された温度情報と、前記飽和電圧テーブルとを対照させることで、画像処理動作に変更処理を施す変更処理信号が生成されることを特徴とする。
【００１８】
請求項１０に係る撮像装置は、請求項９において、前記変更処理信号が、撮像素子から入力されるアナログ信号をデジタル変換する前段階において、アナログ信号を増幅するゲイン設定値の制御に用いられることを特徴とする。
【００１９】
請求項１１に係る撮像装置は、請求項９において、前記変更処理信号が、ガンマ補正及び／又はオフセット調整のために用いられることを特徴とする。
【００２０】
請求項１２に係る撮像装置は、請求項４において、撮像素子の温度とダークノイズとの関係を記憶させたダークノイズデータ記憶部をさらに備え、前記撮像素子温度算出部にて算出された温度情報と、前記ダークノイズデータ記憶値とを対照させることで、撮像素子温度に応じたダークノイズデータを生成し、該ダークノイズデータに基づいてノイズリダクション動作が行なわれることを特徴とする。
【００２１】
請求項１３に係る撮像素子は、縦型オーバーフロードレイン構造を備える撮像素子であって、該撮像素子の撮像エリアを複数に区画し、この区画毎にオーバーフロードレインのための電荷掃き出しパルスをそれぞれ別個に印加可能とするオーバーフロードレイン端子を具備することを特徴とするものである。
【００２２】
請求項１４に係る撮像素子は、請求項１３において、撮像エリアが、オプチカルブラック部のみをカバー領域とする第１の区画と、有効画素部を含む領域をカバー領域とする第２の区画とからなることを特徴とする。
なお、上記各構成において、撮像素子の内部温度を推定する手段は、必ずしも摂氏、華氏等直接温度を示す値を求めるものではなく、温度に対応するパラメータを求めるものであれば、全て本発明の範疇である。
【発明の効果】
【００２３】
請求項１に記載の発明によれば、先ず撮像素子において発生する暗電流値を求め、該暗電流値をベースとして撮像素子の内部温度を知見する構成を採用している。これにより、従来は撮像素子の近傍に設置した温度センサー等により外部的にしか計測できなかった撮像素子の温度を、いわば当該撮像素子の固有の内部情報と評価できる暗電流値から導出するので、より正確に当該撮像素子自身の内部温度を検知することができる。そして、このようにして検出された温度情報に基づいて、画像処理動作に変更処理が施されるので、当該撮像素子の現況（温度）に応じた最適な画像処理を行わせることが可能となり、デジタルカメラ等においてより綺麗な画像を得ることが出来るようになる。
【００２４】
請求項２に記載の発明によれば、撮像素子のオプチカルブラック部分から読み出した電気信号に基づいて、該撮像素子の暗電流値を求め、この計測された暗電流値に基づいて画像処理動作に変更処理が施す構成であるので、上記と同様に当該撮像素子の固有の内部情報に基づいた最適な画像処理を行え、より綺麗な画像を得ることが出来る。また、この暗電流値から当該撮像素子の温度を求めて画像処理動作に変更処理を施与するようにすれば、前掲した特許文献１の技術のようにメカシャッターを閉じることなく、撮像素子の温度状況に応じた画像処理（ノイズリダクション）を行わせることが可能となる。
【００２５】
請求項３に記載の発明によれば、上記の暗電流値の計測を撮像素子のライブビューに行わせるようにしたので、例えばデジタルカメラのメインスイッチを投入してライブビュー状態としておけば、自動的に暗電流値の計測が行われ、且つそれに応じた画像処理動作の変更処理も自動的に行なわれるようにすることができる。従って、従来のようにダークノイズデータ取得のための撮影待ち動作等は不要となり、ユーザーの利便性を損なうことがない。
【００２６】
請求項４に記載の発明によれば、予め求めた撮像素子温度と暗電流値との関係を記憶させた温度テーブル記憶部を具備させるようにしたので、前記暗電流計測部において暗電流値が計測されれば、その計測値と温度テーブル記憶部に記憶されている記憶値とを対比させることで、直ちに撮像素子の温度状態を把握することができる。
【００２７】
請求項５に記載の発明によれば、暗電流計測部による暗電流値の測定を、撮像素子における電荷蓄積時間を異ならせて複数回行うようにしたので、撮像素子の温度検知精度を向上させることができる。すなわち、暗電流は電荷蓄積時間が長いほどその値が増大する傾向があり、例えば短秒蓄積と長秒蓄積を行うようにすれば、上記温度テーブルとの対照等の際にデータ数が増えるので、より正確に撮像素子の温度を検知できるようになる。
【００２８】
請求項６に記載の発明によれば、暗電流値の計測のための具体的方法として、その計測期間中にオーバーフロードレインを動作させない（過剰な信号電荷は掃き出させない）構成を採用したので、既存の汎用ＣＣＤ等を撮像素子として用いた場合でも、簡易に暗電流の計測を行うことができる。
【００２９】
請求項７に記載の発明によれば、電荷の蓄積時間を少なくとも１秒以上に設定したので、電荷蓄積時間が長くなるほどその値が増加する傾向がある暗電流の性質に合わせて、効果的に暗電流計測を行うことができる。
【００３０】
請求項８に記載の発明によれば、縦型オーバーフロードレイン構造を備える撮像素子を用いると共に、前記撮像素子のオプチカルブラック部分の一部における蓄積電荷の掃き出しタイミングと、それ以外の有効画素部分における蓄積電荷の掃き出しタイミングとが、それぞれ別個に制御可能な撮像素子を用いるので、例えば暗電流計測を前記オプチカルブラック部分から得られる画像データを用いて行うようにすることができる。従って、有効画素部分においては、暗電流の計測期間中であっても通常通りにオーバーフロードレインを停止させることなく動作させることが可能となる。これにより、過剰な信号電荷の掃き出しを有効画素部分については通常通りに行わせることができ、ライブビュー表示の際にブルーミング等が発生せず画質に影響が表出しないことから、ユーザーに暗電流の計測期間中であることを意識させないで済むという効果を奏する。
【００３１】
請求項９に記載の発明によれば、撮像素子の温度と該撮像素子の飽和電圧との関係を記憶させた飽和電圧テーブルを設けたので、暗電流計測により求めた温度情報を飽和電圧情報に置換して種々の画像処理を行えるので、暗電流値の活用範囲をより拡大することができる。
【００３２】
請求項１０乃至請求項１１に記載の発明によれば、前記飽和電圧情報に基づき、ゲイン設定値やガンマ補正、オフセット調整を行うので、これらの処理を撮像素子の温度状況に応じた最適な状態で行えるようになり、より綺麗な画像を得ることができる。
【００３３】
請求項１２に記載の発明によれば、撮像素子温度に応じたダークノイズデータを生成し、該ダークノイズデータに基づいてノイズリダクション動作を行うようにしたので、撮像素子の温度状況に応じた最適な状態でノイズリダクションが行えるようになり、より綺麗な画像を得ることができる。
【００３４】
請求項１３乃至請求項１４に記載の発明によれば、該撮像素子の撮像エリアを複数に区画し、この区画毎にオーバーフロードレインのための電荷掃き出しパルスをそれぞれ別個に印加可能としたので、電荷の掃き出しタイミングを部分的に異ならせることが可能となり、各種制御の利便性が格段に向上する。例えばオプチカルブラック部の一部のみをカバー領域とする第１の区画と、有効画素部を含む領域をカバー領域とする第２の区画に分けることで、有効画素部では通常のオーバーフロードレイン動作を行わせてブルーミングの発生を抑止しつつ、第１の区画から得られる画像情報を元にして、各種の制御やセンシングを行わせることができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
本発明に係る撮像装置のいくつかの実施形態について、図を用いて説明する。
【００３６】
（第１実施形態）
図１は本発明の撮像装置の第１実施形態にかかる、単板式デジタルカメラ１の外観図であって、同図（ａ）は当該デジタルカメラの正面図、（ｂ）は上面図、（ｃ）は側面図、及び（ｄ）は背面図をそれぞれ示している。これらの図において、カメラボディ１００の正面側には撮影レンズ２００が設けられ、また背面側には、その上部に配置された電子ビューファインダー窓４０２と、この電子ビューファインダー窓４０２の下方に配置されたＬＣＤ等の表示モニター３０４とが設けられている。これら電子ビューファインダー窓４０２と表示モニター３０４は、再生モード（ＰＬＡＹモード）においては、内蔵する記録媒体に記録された記録画像を再生表示させ、記録モード（ＲＥＣモード）においては、撮影待機中にビデオ撮影された被写体の電子映像（ライブビュー画像）を表示させるものである。なお、これらの表示に際しては、電子ビューファインダー窓４０２若しくは表示モニター３０４のいずれかを選択して表示させることが可能とされている。
【００３７】
カメラボディ１００の上面側には、撮影を指示するためのシャッタースタートボタン１０１と、前述の再生モード（ＰＬＡＹモード）と記録モード（ＲＥＣモード）との切り換えを行うための撮影モード切り換えスイッチ１０２と、電子ビューファインダー窓４０２及び表示モニター３０４に表示させる電子映像を拡大表示させるためのモニター拡大スイッチ１０３とが設けられている。さらに、当該デジタルカメラ１の撮影モードを、通常の撮影モードとするか、或いは本発明の特徴である、ＣＣＤ等の撮像素子の温度を擬似的にモニターして最適な画像処理を施す（後記で詳述する）適応型撮影モードとするかを選択するためのモード選択スイッチ１０４が設けられている。
【００３８】
またカメラボディ１００の背面側には、電源ＯＮ／ＯＦＦと、電子ビューファインダーとモニターとの表示切換スイッチとを兼ねたスライドスイッチからなるメインスイッチ１０５が設けられている。さらに、このメインスイッチ１０５の右側方には、再生モード時において記録画像をコマ送りするスイッチ、及び撮影レンズ２００のズームスイッチとなるプッシュスイッチ群１０６が配置されている。
【００３９】
図２は、デジタルカメラ１の概略構造を示す断面図である。本実施形態に係るデジタルカメラ１は、基本的には、箱形のカメラボディ１００と、このカメラボディ１００に設けられた撮影レンズ２００と、さらにカメラボディ１００の上部に配置された電子ビューファインダー４００とから構成されている。
【００４０】
撮影レンズ２００は、図示しない光源下にある被写体からの反射光（入射光）Ａをカメラボディ１００内の撮像面に取り込むためのものであり、カメラボディ１００の前面側に固設されている。撮影レンズ２００は、複数のレンズ群からなる撮影光学系２０１とこの撮像光学系２０１に介装されて入射光量を規制する光学絞り２０２とを備え、これらの撮影光学系２０１と光学絞り２０２は鏡胴２０３内の所定の位置に保持されている。
【００４１】
カメラボディ１００は、撮影レンズ２００で被写体光像を取り込むための暗箱を構成し、光電変換素子で被写体光像を画像信号に光電変換して取り込み、その画像信号に所定の信号処理を行って画像メモリやメモリカード等の記録媒体に記録し、また、その記録画像を再生するものである。また前述した通り、カメラボディ１００の背面側には、ＬＣＤ等の表示モニター３０４が設けられている。
【００４２】
カメラボディ１００内には、撮影レンズ２００の光軸Ｂ上であって、背面の近傍位置にはＣＣＤエリアセンサー等の撮像センサー（光電変換素子）３０３が配設されている。撮像センサー３０３は、例えばＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の原色透過フィルターがピクセル単位で市松模様状に張られたエリアセンサーであって、インターライン転送方式を採用したプログレッシブスキャン（順次走査）型のＣＣＤを用いることができる。勿論、メカニカルシャッターと併用すれば、インターレーススキャン（飛び越し走査）型のＣＣＤであっても良い。また、撮像センサー３０３の前面には、撮像センサー３０３のモワレを除去する所定厚みの光学ローパスフィルター３０５が配設されている。
【００４３】
また、撮像センサー３０３として、その一部に光学的遮光部分となるオプチカルブラック部分を備えるものが用いられる。該オプチカルブラック部分は、通常撮像エリアの周縁部に設けられ、黒レベルを固定するためのものである。このオプチカルブラック部分については後に詳述する。
【００４４】
電子ビューファインダー４００は、被写体光像を接眼部に導いて当該接眼部から実際に撮影される画像を確認できるようにするもので、プリズム４０１と、結像された被写体画像をユーザーが確認するための接眼部となる電子ビューファインダー窓４０２と、プリズム４０３の下方に配置された透過型の小型液晶モニター４０３と、小型液晶モニター４０３の照明用の光源４０４とを備えている。小型液晶モニター４０３にはビデオ撮像された画像（ライブビュー画像）が表示可能とされ、プリズム４０１は、小型液晶モニター４０３の表示画像を反射して電子ビューファインダー窓４０２に導くよう構成されている。
【００４５】
図３は、本実施形態に係るデジタルカメラ１による撮像処理ブロック図である。同図においては、上記図１、図２に示した部材と同一部材には同一の番号を付している。図３において、カメラ制御部５００はデジタルカメラ１の撮影動作を集中制御するものである。カメラ制御部５００は、後に詳述するように、絞りドライバー５０１、タイミングジェネレーター５０２及びズーム／フォーカスモータードライバー５０３を制御して撮影を行わせ、アナログ信号処理部５０５、デジタル画像処理部６００、表示モニター３０４及び小型液晶モニター４０３を制御して、撮影画像に対して所定の画像処理を行った後、その撮影画像をメモリカード８００に記録させたり、表示モニター３０４や小型液晶モニター４０３に表示させたりする。
【００４６】
また、カメラ制御部５００は、電子ファインダーモードでの撮影待機中において、撮像センサー３０３で取り込まれる画像信号から画面内に予め設定された所定の測光エリアに含まれる画像信号を抽出し、その画像信号を用いて撮影時の露出制御値を算出するとともに、この算出結果と予め設定されたプログラム線図とを用いて、光学絞り２０２の絞り値と撮像センサー３０３の電荷蓄積時間（露光時間（シャッタースピード））とを設定する。
【００４７】
絞りドライバー５０１は撮影レンズ２００内の光学絞り２０２の駆動を制御するものである。絞りドライバー５０１は、カメラ制御部５００から入力される絞り値に基づいて光学絞り２０２の開口量を所定の開口量に設定する。
【００４８】
タイミングジェネレーター５０２は撮像センサー３０３の撮影動作（露光に基づく電荷蓄積や蓄積電荷の読出し等）を制御するものである。タイミングジェネレーター５０２は、カメラ制御部５００からの撮影制御信号に基づいて所定のタイミングパルス（垂直転送パルス、水平転送パルス、電荷掃き出しパルス等）を生成して撮像センサー３０３に出力し、ライブビュー時には、例えば１／３０（秒）毎にフレーム画像を取り込み、順次、アナログ信号処理部５０５に出力させる。
【００４９】
また、撮影時の露光中には撮像センサー３０３の露光動作に連動して電荷を蓄積させ（すなわち、被写体光像を画像信号に光電変換させ）、その蓄積電荷をアナログ信号処理部５０５に出力させる。一方、撮影待機中における各フレーム画像はアナログ信号処理部５０５及びデジタル画像処理部６００で所定の画像処理が行なわれた後、電子ファインダーモードになっていれば、小型液晶モニター４０３に表示される。また、撮影時には、撮影画像はアナログ信号処理部５０５及びデジタル画像処理部６００で所定の画像処理が行なわれた後、メモリカード８００に記録される。
【００５０】
ズーム／フォーカスモータードライバー５０３は、撮影レンズ２００の撮像光学系２０１の焦点距離を調整するズームやフォーカスレンズを駆動するフォーカスモーターの駆動を制御するものである。ズーム／フォーカスモータードライバー５０３は、カメラ制御部５００から入力される焦点距離の設定信号に基づいて、ズーム／フォーカスモーターの駆動動作を制御する。
【００５１】
カメラ操作スイッチ５０４は、カメラボディ３００に設けられた各種操作ボタンの操作情報をカメラ制御部５００に入力するためのスイッチである。カメラ操作スイッチ５０４には電源スイッチに対応するメインスイッチ、シャッターボタン１０１に対応するスイッチ、撮影モード切り換えスイッチ１０３に対応するスイッチなどが含まれる。
【００５２】
アナログ信号処理部５０５は、撮像センサー３０３から出力される画像信号（ＣＣＤエリアセンサーの各画素で受光されたアナログ信号群）に所定の信号処理を施した後、デジタル信号に変換して出力するものである。アナログ信号処理部５０５は、ＣＤＳ回路（相関二重サンプリング回路）５０６、ＡＧＣ回路５０７及びＡ／Ｄ変換回路５０８を備えている。ＣＤＳ回路５０６は、アナログ画像信号に含まれるリセット雑音を低減するものである。ＡＧＣ回路５０７はアナログ画像信号のレベルを補正するものである。Ａ／Ｄ変換回路５０８はアナログ画像信号を、例えば１０ビットのデジタル画像信号（以下、このデジタル画像信号を画像データという）に変換するものである。なお、このアナログ処理部５０５はＡＦＥ（アナログフロントエンド）と呼ばれ、通常一つのＩＣで構成されるのが一般的である。
【００５３】
デジタル画像処理部６００は、アナログ信号処理部５０５から入力される画像データに画素補間、解像度変換、ホワイトバランス調整、ガンマ補正、画像圧縮／伸長等の信号処理を行って画像ファイルを作成すると共に、信号処理後のデジタル画像の表示モニター３０４への再生表示やメモリカード８００への記録を制御するものである。なお、デジタル画像処理部６００へ取り込まれた画像データは、撮像センサー３０３の読み出しに同期して画像メモリー７００に一旦書き込まれ、以後この画像メモリー７００に書き込まれた画像データにアクセスして、デジタル画像処理部６００の各ブロックにおいて処理が行なわれる。
【００５４】
デジタル画像処理部６００には、画素補間回路６０１、解像度変換回路６０２、ホワイトバランス制御回路６０３、ガンマ補正回路６０４、画像圧縮／伸長回路６０５、ビデオエンコーダー６０６、及びメモリカードドライバー６０７が設けられている。
【００５５】
画素補間回路６０１は、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色成分毎にフレーム画像の不足する画素位置のデータを補間するものである。すなわち、本実施形態では撮像センサー３０３としてＲ，Ｇ，Ｂの各色成分の画素が市松模様状に配列された単板式のＣＣＤエリアセンサーを用いているので、各色成分のフレーム画像は離散的に配置された画素位置の複数のデータ（以下、このデータを画素データという）で構成されているが、画素補間回路６０１は、実在する複数の画素データを用いて実在しない画素位置の画素データを補間するものである。
【００５６】
アナログ信号処理部５０５から入力され、画像メモリー７００に保存されているＲ，Ｇ，Ｂの各色成分の画像データは、画素補間回路６０１に読み出されて画素データの補間処理が行われる。画素補間回路６０１は、高帯域まで画素を持つＧの色成分のフレーム画像については、フレーム画像を構成する画像データを所定のフィルタパターンでマスキングした後、メディアン（中間値）フィルターを用いて、補間すべき画素位置の周辺に実在する画素データのうち、最大値と最小値とを除去した画素データの平均値を演算し、その平均値を当該画素位置の画素データとして補間する。また、Ｒ，Ｂの色成分については、フレーム画像を構成する画像データを所定のフィルタパターンでマスキングした後、補間すべき画素位置の周辺に実在する画素データの平均値を演算し、その平均値を当該画素位置の画素データとして補間する。そして、画素補間回路６０１にて画素補間された後の各色成分のフレーム画像データは、再度画像メモリー７００に保存される。
【００５７】
解像度変換回路６０２は、設定された記録画像画素数へ解像度を変換するものである。すなわち、画素補間後の画像データに対し、水平又は垂直方向の圧縮、或いは間引きを行う等して、所定の記録画像画素数へ解像度変換する。また、モニター表示用の画像を生成する場合においても、この解像度変換回路６０２にて水平画素の間引きを行う等して、ＬＣＤ表示モニター３０４や電子ビューファインダー４００での表示用の低解像度画像が作成される。
【００５８】
ホワイトバランス制御回路６０３は、画素補間されたデジタル画像のホワイトバランス（ＷＢ）調整を行うものである。ホワイトバランス制御回路６０３は、画像メモリー７００からＲ，Ｂの色成分の画像データを読み出し、それぞれカメラ制御部５００によって設定されたＷＢ調整データに基づいてレベル補正を行う。すなわち、ホワイトバランス制御回路６０３は、撮影被写体において輝度や彩度データ等から本来白色であると推定される部分を特定し、その部分のＲ，Ｇ，Ｂそれぞれの色成分の平均と、Ｇ／Ｒ比及びＧ／Ｂ比とを求め、これをＲ，Ｂの補正ゲインとしてレベル補正する。その補正後の画像データは、それぞれ再度、画像メモリー７００に保存される。
【００５９】
ガンマ補正回路６０４は、ＷＢ調整された画像データの階調特性を、表示モニター３０４や外部出力されるモニターテレビ等の階調特性に補正するものである。ガンマ補正回路６０４は、画像メモリー７００から読み出された画像データのレベルを色成分毎に所定のガンマ特性を用いて非線形変換すると共にオフセット調整する。その変換・調整後の画像データは、それぞれ再度、画像メモリー７００に保存される。
【００６０】
画像圧縮／伸長回路６０５は、メモリカード８００に記録すべき撮像画像を構成する画像データを圧縮し、メモリカード８００から表示モニター３０４又は電子ビューファインダー用の小型液晶モニター４０３に再生表示するべく読み出された撮像画像を構成する画像データを伸長するものである。記録時に圧縮処理を行うのは、メモリカード８００へ記録すべき撮像画像のデータ数を低減することでメモリカード８００の記録容量を高めるためである。
【００６１】
ビデオエンコーダー６０６は、表示モニター３０４及び小型液晶モニター４０３がＮＴＳＣ方式若しくはＰＡＬ方式のビデオ信号に基づいて駆動されるので、表示モニター３０４及び小型液晶モニター４０３に表示すべき画像データをＮＴＳＣ方式若しくはＰＡＬ方式の画像信号に変換して表示モニター３０４及び小型液晶モニター４０３に出力するものである。
【００６２】
画像メモリ７００は、画像データに所定のデジタル画像処理を行うために当該画像データを一時、保存するメモリである。画像メモリ７００は少なくとも３枚分の画像が記憶可能な容量を有し、撮像画像はＲ，Ｇ，Ｂの各色成分に分離された状態で記憶される。メモリカード８００は、上述のように圧縮された画像データを記録して保存しておくためのメモリであって、その交換により画像データを外部保存等することができる。
【００６３】
このような構成において、記録モードのプレビュー時においては、画像メモリ７００に格納されたガンマ補正後の各コマのフレーム画像（例えば６４０×２４０画素の低解像度画像）がビデオエンコーダー６０６に読み出され、ＮＴＳＣ方式若しくはＰＡＬ方式の画像信号に変換されて表示モニター３０４又は小型液晶モニター４０３にフィールド画像として出力されるようになっている。
【００６４】
また撮像画像の記録時においては、画像メモリ７００からガンマ補正後の撮像画像の画像データが読み出され、画像圧縮／伸長回路６０５により設定された記録解像度に、例えばＪＰＥＧ方式で該画像データが圧縮される。この圧縮された画像データは、メモリカードドライバー６０７を介してメモリカード８００に記録される。なお、前記画像記録の際、前述の指定された解像度の画像とリンクさせて、再生表示用のスクリーンネイル画像（ＶＧＡ；６４０×４８０画素のグラフィック画像）を作成し、併せてメモリカード８００に記録しておくことが望ましい。
【００６５】
さらに、撮像画像の再生時においては、メモリカード８００に記録された撮像画像（圧縮画像）が、メモリカードドライバー６０７を介して画像圧縮／伸長回路６０５に読み出され、元の画像サイズに解凍された後、ビデオエンコーダー６０６でＮＴＳＣ方式若しくはＰＡＬ方式の画像信号に変換されて表示モニター３０４又は小型液晶モニター４０３に出力される。この場合、前述のスクリーンネイル画像（ＶＧＡ）を表示させるようにすれば、比較的高速な再生画像表示が行えるので好ましい。
【００６６】
以上がデジタルカメラ１の全般的な説明であるが、本実施形態においては、ＣＣＤ等の撮像素子（撮像センサー３０３）の暗電流を検出し、その暗電流値に基づいて撮像センサー３０３の実際の内部温度を推定し、この推定された撮像センサー３０３の温度に基づいて、画像処理部（アナログ信号処理部５０５及びデジタル画像処理部６００）における各種画像処理動作に、その温度に応じた変更処理を施し得るような構成を付加した点に特徴を有する。以下、この特徴点につき詳述する。
【００６７】
図４は、上記した撮像センサー３０３の温度推定、及び画像処理信号の変更処理を行うための、要部の動作を説明するための機能ブロック図である。この要部は、撮像センサー３０３とカメラ制御部５００、及びその周辺部とからなる。
【００６８】
撮像センサー３０３としては、前述の通りインターライン転送方式のＣＣＤが用いられる。一般的なＣＣＤについて図５に基づいて概説すると、ＣＣＤ（撮像センサー３０３）は、半導体基板３０３０上に搭載された撮像エリア部３０３１を備え、該撮像エリア部３０３１は、行列状に配列され、入射される光をその光量に応じた電荷量の信号電荷に変換して蓄積する複数のセンサー部３０３Ｓと、センサー部３０３Ｓに蓄積された信号電荷を読み出すゲートとなる読み出しゲート部３０３Ｇと、センサー部３０３Ｓの垂直列ごとに設けられ、読み出しゲート部３０３Ｇを介して読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転送部（垂直ＣＣＤ）３０３Ｖとから構成されている。この撮像エリア部３０３１の下側には、垂直転送部３０３Ｖから１ラインに相当する信号電荷が順次転送される水平転送部（水平ＣＣＤ）３０３Ｈが配置されている。
【００６９】
また撮像センサー３０３は縦型オーバーフロードレイン構造を備えており、その半導体基板３０３０はオーバーフロードレイン端子３０５１、垂直転送パルス入力端子３０５２、及び水平転送パルス入力端子３０５３が設けられている。ここでタイミングジェネレーター５０２は、前記オーバーフロードレイン端子３０５１に電荷掃き出しパルスを供給してセンサー部３０３Ｓに蓄積された過剰な信号電荷を掃き出させる。その一方で、電荷読み出しパルスを前記読み出しゲート部３０３Ｇに与えて、蓄積された信号電荷を垂直転送部３０３Ｖへ移動させる。
【００７０】
さらにタイミングジェネレーター５０２は、例えば４相の垂直転送パルスφＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４を前記垂直転送パルス入力端子３０５２に供給して、センサー部３０３Ｓから移転された信号電荷を、垂直転送部３０３Ｖから水平転送部３０３Ｈへ転送させると共に、例えば２相の水平転送パルスφＨ１，φＨ２を前記水平転送パルス入力端子３０５３へ供給して、水平転送部３０３Ｈの転送先側端部に設けられた電荷電圧変換部３０３Ｔへ信号電荷を転送させる。このようにして水平転送されてきた信号電荷は、電荷電圧変換部３０３Ｔにて順次電圧信号に変換されて、アナログ信号処理部５０５へ送出される。なお、半導体基板３０３０にはバイアス電圧Ｖｓｕｂが印加可能とされており、このバイアス電圧Ｖｓｕｂの電圧値により前記センサー部３０３Ｓの飽和信号電荷量が定められるよう構成されている。
【００７１】
図６は、上記した撮像センサー３０３における信号電荷の読み出し方式の一例を示す図である。図示する方式は、行方向のセンサー部３０３Ｓの１６画素を繰り返し単位として、その１６画素のうちの４画素についてのみ垂直転送部３０３Ｖで信号電荷を読み出す方式である。つまり１６画素単位中、１２画素の信号電荷が間引かれた状態で読み出され、これが水平ブランキング期間中に水平転送部３０３Ｈへ送られる。そして水平転送部３０３Ｈにて、垂直転送部３０３Ｖからの２ライン分の信号電荷が加算され、電荷電圧変換部３０３Ｔへ転送される。このような読み出し方式によると、垂直転送部３０３Ｖにおける４／１６画素の間引き読み出しと、水平転送部３０３Ｈにおける２ライン分の信号電荷の加算により、全画素の信号電荷を読み出す場合（フレーム読み出し方式）に比べ、８倍の速度で信号電荷の読み出しを行うことができるものである。なお、この信号電荷の読み出し方式については特に限定はなく、前記フレーム読み出し方式や、４画素中の２画素を間引き読み出しすることにより２倍の速度で信号電荷を読み出す方式なども採用することができる。
【００７２】
このような撮像センサー３０３において、本実施形態では、図７に示すように撮像エリア部３０３１の周縁部分に、マスキングを施して光学的遮光部分とされたオプチカルブラック部３０３２を具備する撮像センサー３０３が用いられる。この撮像センサー３０３は、水平方向（Ｈ）が６０画素、垂直方向（Ｖ）が４０画素の総画素数が２４００画素のものを例示しており（実際のデジタルカメラでは数百万単位の画素を有する撮像センサーが用いられるが、ここでは説明の便宜上、少画素のものを示している）、このうちオプチカルブラック部３０３２として、水平方向（Ｈ）の左側１画素及び右側８画素、垂直方向（Ｖ）の上側３画素及び下側１画素が割り当てられ、残部の画素は有効画素部３０３３とされている。
【００７３】
このオプチカルブラック部３０３２は遮光出力基準に黒レベルをクランプするためのもので、本実施形態では水平方向（Ｈ）の右側８画素が実際のクランプ域３０３２Ｃとして活用される。従って、このクランプ域３０３２Ｃも信号電荷の読み出しが可能とされている。本来的には、オプチカルブラック部３０３２の領域は光学的に遮光されていることから、電荷の蓄積が行われず、而して画像データとしての信号電流も検出されないはずであるが、前述の通り暗電流が発生することがあり、該暗電流に基づいてＣＣＤ（撮像センサー３０３）の温度推定が可能であることから、本実施形態では垂直方向（Ｖ）の上側３画素の上側オプチカルブラック部３０３２Ｄにおいても信号電荷の読み出しが可能とされる。
【００７４】
図４に戻り、カメラ制御部５００は、上記のように撮像センサー３０３で光電変換され、アナログ処理部５０５でデジタル化された画像データを読み出すと共に、撮像センサー３０３において発生する暗電流信号を読み出す画像データ読取部５１１を備える。さらにカメラ制御部５００は、前記画像データ読取部５１１が読み出した暗電流信号から実際に発生した暗電流値（絶対値）を求める暗電流算出部５１２と、暗電流値と撮像センサー３０３の温度との関係についての温度テーブルを記憶させた温度テーブル記憶部５１４と、この温度テーブルと前記暗電流算出部５１２にて算出された暗電流値とを対照して撮像センサー３０３の内部温度の推定値を出力する撮像センサー温度算出部５１３１、並びに前記推定温度に基づいて各種の補正画像処理信号を生成してデジタル画像処理部６００へ出力する変更処理信号発生部５１３２からなる演算部５１３とを具備している。
【００７５】
このように構成されたデジタルカメラ１において、撮像センサー３０３の温度検出のための動作を、図８（ａ）のタイムチャート及び図９のフローチャートを用いて説明する。先ずメインスイッチ１０５がＯＮとされ、撮影モード切り換えスイッチ１０２がＲＥＣモードとされている場合、その通常のライブビュー中においては、撮像センサー３０３の前記オーバーフロードレイン端子３０５１に、所定のタイミング（例えば１／３０秒毎）で電荷掃き出しパルスが与えられて、そのセンサー部３０３Ｓに蓄積された過剰な信号電荷が掃き出され、その一方で読み出しゲート部３０３Ｇへ電荷読み出しパルスが与えられて信号電荷が垂直転送部３０３Ｖへ移動される。
【００７６】
移動された信号電荷は、垂直転送パルス入力端子３０５２に与えられる垂直転送パルスによりさらに水平転送部３０３Ｈへ転送され、水平転送パルス入力端子３０５３へ与えられる水平転送パルスにより電荷電圧変換部３０３Ｔへ転送されるというプロセスを経ることで、信号電荷の通常の読み出しが行われる（ステップＳ１１）。つまり図８（ａ）のタイムチャートによれば、ライブビューが開始される時刻（ｔ１１）から、電荷掃き出しパルス（ＶＯＦＤ）の出力タイミングに応じて、センサー部３０３Ｓの蓄積電荷の掃き出し（掃き出し後には次の電荷の蓄積が開始される）と、例えば図６に示したような８倍速方式等による信号電荷の読み出しとが行われるものである。
【００７７】
このように読み出され、電荷電圧変換部３０３Ｔにてアナログ信号化されたアナログ画像信号は、アナログ処理部５０５を経てデジタル画像信号（画像データ）に変換され、デジタル画像処理部６００にて前述したような画像処理が施される（ステップＳ１３）。画像処理後の画像データは、一時的に画像メモリ７００に格納され、その後ビデオエンコーダー６０６により読み出されて、表示モニター３０４又は小型液晶モニター４０３に、ライブビュー画像として表示される（ステップＳ１５）。
【００７８】
上記の読み出しは、有効画素部３０３３並びにそのクランプ域３０３２Ｃ、すなわち本実施形態では垂直方向（Ｖ）の第４ラインから第３９ラインについて行われる。図１０（ａ）は、このような第４ラインから第３９ラインの読み出し信号に対応する、アナログ処理部５０５のＡＧＣ回路５０７におけるレベル補正後のアナログ画像信号出力の一例を示すグラフ図である。同図に示すように、有効画素部３０３３においてはセンシングした（蓄積電荷に対応した）アナログ信号が出力され、オプチカルブラック部のクランプ域３０３２Ｃでは光学的遮光が行われている関係上、特に信号出力は存在していない。
【００７９】
次いで、カメラボティ１００のモード選択スイッチ１０４がＯＮとされ、適応型撮影モードが選択されているか否かが判定される（ステップＳ２１）。ここで適応型撮影モードが選択されていない場合、ステップＳ１１に戻り、同じ動作が繰り返される。一方、適応型撮影モードが選択された場合（タイムチャートの時刻（ｔ１２））、オーバーフロードレイン端子３０５１への電荷掃き出しパルス（ＶＯＦＤ）の供給が停止され（ステップＳ２３）、撮像センサー３０３のセンサー部３０３Ｓにおける暗電流計測のための、第１の信号電荷の蓄積が開始される（ステップＳ２５）。すなわち、上部オプチカルブラック部３０３２Ｄからの電荷排出が停止され、暗電流が発生するとこれが蓄積され続ける（ライブビュー用間引き読み出しが行われる）。
【００８０】
この暗電流計測のための電荷蓄積は、特に限定はないが、電荷蓄積時間が長くなるほど暗電流の検出が行い易くなる傾向があることから、少なくとも１秒以上の範囲で設定することが望ましい。１秒以下であると暗電流データが検出しにくくなることから、撮像センサー３０３の温度推定の精度が低下する場合が生じるからである。一方電荷蓄積時間が長すぎると、その蓄積期間中に撮影動作に移る場合があり、温度推定が行えない場合がある。従って長すぎる電荷蓄積は好ましくなく、１０〜１５秒程度以下に設定することが望ましい。
【００８１】
また電荷蓄積は、一回の計測に際して１回行えば足りるが、より温度検出の精度を高めるためには、蓄積時間を異ならせて複数回行うようにすることが好ましい。例えば比較的短時間の蓄積（短秒蓄積）と、比較的長時間の蓄積（長秒蓄積）との２回の電荷蓄積を行わせれば、後記する温度テーブル記憶部５１４に記憶されている温度テーブルとの対照の際にデータ数が増えるので、より正確に撮像素子の温度を検知できるようになる。また、２回の電荷蓄積を行わせることで、暗電流以外のノイズ成分は前記短秒蓄積と長秒蓄積とで有意差なく検出される一方で、暗電流成分は長秒蓄積の方が一般的に増大することから、両者を比較することで、正確な暗電流検出を行うことができ、この点においても精度の高い撮像センサー３０３の温度推定が行えるようにもなる。
【００８２】
本実施形態では、上記のような事情を考慮して、短秒蓄積と長秒蓄積とを行うようにしており、前記短秒蓄積のための時間として、２秒間が割り当てられている。この蓄積期間中、センサー部３０３Ｓではオーバーフロードレインによる電荷の掃き出しが停止される。また前記長秒蓄積のための時間として、８秒間が割り当てられており、同様にこの蓄積期間中は、オーバーフロードレインによる電荷の掃き出しが停止される。そのため、ライブビュー用の画像の電子シャッター制御が難しくなってしまうが、高速シャッターでない限りは垂直転送路への移動により対応する。高速シャッターになる場合は、ゲイン調整、絞りを閉じる等の対応を行う。
【００８３】
この短秒蓄積と長秒蓄積とは、図８（ａ）のタイムチャートに示すように順次行なわれる。すなわち時刻（ｔ１２）から短秒蓄積が開始され、時刻（ｔ１３）で蓄積を終了してその間に蓄積された信号電荷の読み出し（ステップＳ２７）が行われ、オーバーフロードレイン端子３０５１への電荷掃き出しパルス（ＶＯＦＤ）が供給されて一旦リセットされた後、時刻（ｔ１４）から８秒間の長秒蓄積が再び開始され、該長秒蓄積の終了時刻（ｔ１５）まで継続される。なお、このような駆動制御は、タイミングジェネレーター５０２から与えられるセンサードライブ用の駆動タイミングパルスに基づいて行われる。
【００８４】
ステップＳ２７における信号電荷の読み出し領域は、撮像エリア３０３１の有効画素部３０３３だけでなく、垂直方向（Ｖ）の上側第１ラインから第３ラインにあたる上側オプチカルブラック部３０３２Ｄを含めた領域について行われる。また信号電荷の読み出しは、図８（ａ）のタイムチャートに示すように、前述の８倍速方式等による通常の読み出しモードに割り入れられた「計測用読み出しモード」において読み出しが行われる。具体的には、前記上側オプチカルブラック部３０３２Ｄに相当する第１ラインから第３ラインから得られる信号に、「計測用読み出しモード」においてのみ読み出しが行われるようにする関連情報（アドレス情報でも良い）を付与しておくことで、当該「計測用読み出しモード」において、上側オプチカルブラック部３０３２Ｄを含めた領域の信号電荷の読み出しが行われるようにすれば良い。
【００８５】
このようにして、先ず短秒蓄積と長秒蓄積による信号電荷の読み出しが行われる。図１０（ｂ）及び（ｃ）は、かかる短秒蓄積及び長秒蓄積における第１ラインから第３ラインの読み出し信号に対応する、アナログ処理部５０５のＡＧＣ回路５０７におけるレベル補正後のアナログ画像信号出力例をそれぞれ示すグラフ図である。この出力例では、短秒蓄積では図１０（ｂ）の通り、クランプ域３０３２Ｃに対応する領域を含めてほぼ同一レベル（フラットレベル）で出力されているが、長秒蓄積では図１０（ｃ）の通り、ランダムなノイズ信号を含んで出力されている。
【００８６】
実際には上記ノイズ信号を含む画像データは、カメラ制御部５００の暗電流検出部５１２に送られ、暗電流値が計測される（ステップＳ３１）。具体的には、上側オプチカルブラック部３０３２Ｄにはクランプ域を設けず、有効画素部３０３３におけるクランプ域３０３２Ｃのデータ（読み出しゲート部３０３Ｇによる読出しの毎にデータがリセットされている）を用いることで、短秒蓄積時及び長秒蓄積時における暗電流値がそれぞれ求められる。
【００８７】
このようにクランプ域３０３２Ｃとの比較から暗電流値を求める他、本実施形態のように短秒蓄積及び長秒蓄積とを行う場合は、両者を比較する方法、例えば両者の出力の差動をとって不要ノイズ成分を相殺することで、暗電流値を求めるようにしても良い。図１０（ｂ）及び（ｃ）に示す出力例では、長秒蓄積時にのみノイズ信号が発生していることから、この場合は、該ノイズ信号は全て暗電流に起因するものであることが予測できるようになる。
【００８８】
暗電流検出部５１２で検出された暗電流データは、演算部５１３の撮像センサー温度算出部５１３１へ送られる。撮像センサー温度算出部５１３１では、温度テーブル記憶部５１４に記憶されている温度テーブルと、入力された暗電流データとを対照させることで、撮像センサー３０３の内部温度の推定値が求められる（ステップＳ３３）。すなわち、温度テーブル記憶部５１４には、例えば図１１に示すような、当該撮像センサー３０３の電荷蓄積時間と暗電流値との関係を、温度毎（例えば２０℃、３０℃、４０℃）にグラフ化されたような温度テーブルが記憶されており、暗電流値が判明すれば、対応する撮像センサー３０３の温度も検知可能とされている。そして、入力された暗電流データをこれに当てはめることで、現時点における撮像センサー３０３の内部温度の推定値が導出されるものである。
【００８９】
図１２は、暗電流データの当てはめ例を示すグラフ図である。このデータ当てはめは、１つのデータの当てはめのみでも撮像センサー３０３の内部温度検知が可能であるが、好ましくは多点当てはめとすることが望ましい。図１２では、短秒蓄積と長秒蓄積（この図例では５秒と１０秒）の２点で検出された暗電流データをそれぞれプロットし、温度を特定する場合を示している。このように多点にデータプロットを行うことで、より精度良く温度検知を行うことができる。
【００９０】
このようにして撮像センサー３０３の内部温度検知（推定）がなされたら、その温度に関するデータは変更処理信号発生部５１３２へ送られる。変更処理信号発生部５１３２では、当該温度データを踏まえて、先ずデジタル画像処理部６００における各種画像処理信号に対して変更処理を与える必要があるかを判定し（ステップＳ３５）、もしその必要がない場合（ステップＳ３５でＮ）は前述のステップＳ１３に戻り、通常の画像処理動作が行なわれる。一方、変更処理の必要がある場合（ステップＳ３５でＹ）は、適宜な変更処理信号を生成してステップＳ１３における画像処理にフィードバックする（ステップＳ３７）。前記変更処理信号の生成例については後に詳述する。
【００９１】
以上説明した実施形態において、上記短秒蓄積と長秒蓄積とを、図８（ａ）のタイムチャートに示すように順次行わず、同図（ｂ）に示すように、短秒蓄積と長秒蓄積とを同時に開始するようにしても良い。すなわち、ライブビューの開始（時刻（ｔ２１））後、適応型撮影モードが選択された時刻（ｔ２２）から短秒蓄積と長秒蓄積とが開始され、短秒蓄積は２秒経過後の時刻（ｔ２３）で蓄積を終了して、前記計測用読み出しモードでの信号電荷の読み出しが行われ、長秒蓄積は８秒経過後の時刻（ｔ２５）で蓄積を終了して、同様に計測用読み出しモードでの信号電荷の読み出しが行われるものである。このような読み出し方法によれば、暗電流計測のために要する時間を、短秒蓄積と長秒蓄積とを順次行う場合に比べて短縮化できるという利点がある。
【００９２】
図８（ｂ）のタイムチャートを実行するための実際の読み出し方式としては、例えば、短秒蓄積のときは図７に示す上側オプチカルブラック部３０３２Ｄの第１ラインのみを読み出すようにし、長秒蓄積のときは上側オプチカルブラック部３０３２Ｄの第２ライン〜第３ラインを読み出すというようにすればよい。このとき、中間点（時刻（ｔ２４））で電荷の掃き出しが行われないように制御することで、長秒蓄積動作が影響を受けることはないようにすることができる。
【００９３】
以上の説明では、ライブビュー中に暗電流の計測を行うようにしたが、本発明はこれに限定されるものではなく、他のモードにおいて暗電流の計測を行うようにしても良い。しかし、本実施形態のようにライブビュー中に行うようにすれば、デジタルカメラのメインスイッチを投入してライブビュー状態としておけば、自動的に暗電流値の計測が行われ、且つそれに応じた画像処理動作の変更処理も自動的に行なわれるようにすることができるので好ましい。
【００９４】
（第２実施形態）
以上説明した第１実施形態においては、一般的なＣＣＤを撮像センサー３０３として用いた場合について例示したが、本実施形態では特別仕様のＣＣＤを撮像センサー３０３として用いた場合について例示する。撮像センサー３０３の関連部分以外は第１実施形態と同様であるので、重複する部分については説明を省略する。具体的・BR>ノは、本実施形態で用いる撮像センサー３０３は、基本構成は第１実施形態で用いたものと同様であるが、図１３に示すように、撮像エリア部３０３１を２つの領域、つまり第１ＯＤＦ域Ｖ１と第２ＯＤＦ域Ｖ２とに区画し、それぞれの領域毎に電荷掃き出しパルス（ＶＯＦＤ）を印加できるような撮像センサー３０３を用いる点で相違する。
【００９５】
具体的には、垂直方向（Ｖ）の上側３画素、すなわち第１ラインから第３ラインに相当する部分（該部分は上側オプチカルブラック部３０３２Ｄである）を第１ＯＤＦ域Ｖ１とし、それ以後垂直方向（Ｖ）の画素、すなわち第４ラインから第４０ラインに相当する部分（該部分は、有効画素部３０３３並びにそのクランプ部３０３２ｃを含む）を第２ＯＤＦ域Ｖ２としたものである。このような撮像センサー３０３を構成するには、図５の構成図に示したオーバーフロードレイン端子３０５１を、第１ＯＤＦ域Ｖ１と第２ＯＤＦ域Ｖ２とのためにそれぞれ別個に設け（つまり第１ＯＤＦ域Ｖ１と第２ＯＤＦ域Ｖ２とでオーバーフロードレインを回路的に分離し）、タイミングジェネレーター５０２にてそれぞれのオーバーフロードレイン端子に、独立して電荷掃き出しパルス（ＶＯＦＤ）を印加できるようにし、第１ＯＤＦ域Ｖ１と第２ＯＤＦ域Ｖ２とで電荷掃き出しのタイミングを別個に制御し得るよう構成すれば良い。
【００９６】
このような特別仕様のＣＣＤを撮像センサー３０３として用いた場合の動作を、図１４（ａ）に示すタイムチャートに従って説明する。先ずライブビューが開始された時刻（ｔ３１）では、前記第１ＯＤＦ域Ｖ１及び第２ＯＤＦ域Ｖ２それぞれのオーバーフロードレイン端子に、電荷掃き出しパルス（第１ＶＯＦＤ、第２ＶＯＦＤ）が所定のタイミングで印加される。なお、この時間帯では、前記第１ＯＤＦ域Ｖ１については、第２ＯＤＦ域Ｖ２と異なるタイミングで電荷掃き出しパルスを与えたり、あるいは電荷掃き出しパルスを与えないようにすることもできる。
【００９７】
次に、適応型撮影モードが選択された場合（タイムチャートの時刻（ｔ３２）より後）、前記第１ＯＤＦ域Ｖ１に対するオーバーフロードレイン端子からの電荷掃き出しパルス（第１ＶＯＦＤ）の供給が停止される。一方、第２ＯＤＦ域Ｖ２に対しては、継続して通常のタイミングで、電荷掃き出しパルス（第２ＶＯＦＤ）が供給される。これにより、第２ＯＤＦ域Ｖ２、すなわち有効画素部３０３３並びにそのクランプ部３０３２ｃについては電荷の掃き出し動作が通常どおり行なわれるため、暗電流値の計測期間中であっても、ライブビュー中の画像表示に特段の影響を与えることはない。
【００９８】
つまり、本実施形態では、先に図９のフローチャートで示したステップＳ２３において、電荷掃き出しパルス（ＶＯＦＤ）の供給が停止されるのはライブビュー表示に実質的に影響のない第１ＯＤＦ域Ｖ１のみである。一方、有効画素部分を含む第２ＯＤＦ域Ｖ２においては、暗電流値の計測期間中であっても通常通りにオーバーフロードレインが停止されることなく動作するので、信号電荷の掃き出しを有効画素部分については通常通りに行わせることができる。これにより電子シャッター制御が通常通り行えるようになる。また、ブルーミング等も発生しにくくなる。
【００９９】
このようにして時刻（ｔ３２）より、撮像センサー３０３の第１ＯＤＦ域Ｖ１のセンサー部３０３Ｓにおいて、その領域の暗電流計測のための、第１の信号電荷の蓄積（短秒蓄積）が開始される。以後、時刻（ｔ３３）で短秒蓄積を終了してその間に蓄積された信号電荷の読み出しが、計測用読み出しモードにて行われ、第１ＯＤＦ域Ｖ１用のオーバーフロードレイン端子への電荷掃き出しパルス（第１ＶＯＦＤ）が供給されてリセットされた後、時刻（ｔ３４）から８秒間の長秒蓄積が再び開始され、該長秒蓄積の終了時刻（ｔ３５）まで継続される。以降、第１実施形態と同様にして暗電流値が求められ、該暗電流値に基づいて撮像センサー３０３の温度推定が行われる。
【０１００】
また、図１４（ｂ）に示すタイムチャートのように、短秒蓄積と長秒蓄積とを同時に開始するようにしても良い。すなわち、ライブビューの開始（時刻（ｔ４１））後、適応型撮影モードが選択された時刻（ｔ４２）から、第１ＯＤＦ域Ｖ１のセンサー部３０３Ｓにおいて、短秒蓄積と長秒蓄積とが同時に開始され、短秒蓄積は２秒経過後の時刻（ｔ４３）で蓄積を終了して、前記計測用読み出しモードで第１ラインから信号電荷の読み出しが行われ、長秒蓄積は８秒経過後の時刻（ｔ４５）で蓄積を終了して、同様に第２ライン〜第３ラインから計測用読み出しモードでの信号電荷の読み出しが行われるようにしても良い。このような読み出し方法によれば、暗電流計測のために要する時間を、短秒蓄積と長秒蓄積とを順次行う場合に比べて短縮化できるという利点がある。
【０１０１】
なお、このような特別な撮像センサー３０３、つまり撮像エリア部３０３１を２つの領域、つまり第１ＯＤＦ域Ｖ１と第２ＯＤＦ域Ｖ２とに区画し、それぞれの領域毎に電荷掃き出しパルス（ＶＯＦＤ）を印加できるような撮像センサー３０３は、電荷の掃き出しタイミングを部分的に異ならせることが可能となることから、各種の制御やセンシングのために活用できる可能性があり、上記の暗電流検出の用途以外に限らず有用なものである。例えば、オプチカルブラック部のみをカバー領域とする第１の区画と、有効画素部を含む領域をカバー領域とする第２の区画に分けることで、有効画素部では通常のオーバーフロードレイン動作を行わせてブルーミングの発生を抑止しつつ、第１の区画から得られる画像情報を元にして、各種の制御やセンシングを行わせることができるようになる。
【０１０２】
（検知された撮像センサー温度の利用）
上記のようにして検知された撮像センサー３０３の内部温度を利用して、画像処理にあたって各種変更処理（画像処理信号の補正）を行うことができる。すなわち、得られた撮像センサー３０３の温度情報、あるいは暗電流値に基づいて、例えば露光制御部５１６により、当該撮像センサー３０３のコンデションに最も合致した状態で露光状態を制御（露光時間の変更等）することで、綺麗な画像を得ることができる。以下、いくつかの具体例について説明する。
【０１０３】
（利用例１；ＡＦＥのゲイン設定）
撮像センサー３０３の各センサー部３０３Ｓに蓄積可能な信号電荷の許容量（画素飽和電圧。以下、単に「飽和電圧」という）は、温度の上昇と共に減少してゆく傾向にある。図１５は撮像センサーの温度と飽和電圧との関係の一例を示すグラフ図である。このように飽和電圧は撮像センサーの温度上昇に伴ってリニアに低下し、この例では、撮像センサー温度が１０℃のときは５００ｍＶ程度の飽和電圧が、６０℃においては３７０ｍＶにまで低下している。
【０１０４】
仮にＡ／Ｄ変換回路において撮像センサーから入力されるアナログ信号を、１ｍＶ毎に１階調に対応させて０〜１０２３階調のデジタル信号に変換する場合においては、前記３７０ｍＶまで低下している飽和電圧を少なくとも１０２３ｍＶにまで増幅する必要がある。具体的には、図３の処理ブロック図において、アナログ信号処理部５０５のＡ／Ｄ変換回路５０８にてデジタル変換する前段階（ＡＦＥ）において、増幅率（ゲイン設定値）＝１０２３ｍＶ／３７０ｍＶ＝約２.７６でＡＧＣ回路５０７にてアナログ信号を増幅することになる。一方、撮像センサー温度が１０℃であって、飽和電圧が５００ｍＶのときは、ゲイン設定値＝１０２３ｍＶ／５００ｍＶ＝約２.０５に設定される。この際、露出パラメータも変更される。
【０１０５】
このように、撮像センサーの温度に応じてゲイン設定値の変更をなすことで、Ａ／Ｄ変換後のデジタル信号に被写体の輝度を正しく反映することができるようになる。しかしながら、もし撮像センサーの温度の検知値に誤差があれば、ノイズが増加してしまう要因となり得る。すなわち、ゲイン設定値が必要以上に大きいと、ノイズ成分も増幅されてしまい、画像信号とノイズとの比率であるＳ／Ｎ比の低下を招くことになる。さらに、撮像センサーの内部温度を正確に計測することが出来ない場合、温度上昇を考慮して前記ゲイン設定値を比較的大きな値に設定する対策が取られることがあるが、このような対策は撮像センサーのダイナミックレンジを減殺してしまうことになる。
【０１０６】
かかる状況において、本発明によれば、上記で説明した通り暗電流計測により撮像センサーの内部温度を測定することができるので、その温度データを活用して上記のようなゲイン設定値の制御を行うことができる。つまり、計測した撮像センサーの温度から、前記飽和電圧を逆算し、そのようにして得られた飽和電圧に基づいてゲイン設定値を制御するものである。
【０１０７】
具体的には、図４の機能ブロック図において、温度テーブル記憶部５１４に、図１１に示すような温度テーブルだけでなく、図１５に示した撮像センサーの温度と飽和電圧との関係を示すテーブル（飽和電圧テーブル）も記憶させておく。そして撮像センサー温度算出部５１３１において、暗電流算出部５１２にて求められた暗電流値と、温度テーブル記憶部５１４において記憶されている温度テーブルとを対照させて先ず撮像センサー３０３の温度が求められ、次いで該温度と飽和電圧テーブルとを対照させて、現状における飽和電圧が求められる。この飽和電圧に関するデータは変更処理信号発生部５１３２へ送られる。変更処理信号発生部５１３２では、ＡＧＣ回路５０７において、その飽和電圧値に応じたゲイン設定値にするための信号を生成し、アナログ信号処理部５０５（ＡＧＣ回路５０７）へフィードバックする。
【０１０８】
このような構成とすれば、Ａ／Ｄ変換回路５０８の直前段階でアナログ信号の増幅のためのゲイン設定値が、撮像センサー３０３の温度に応じて自動調整されることで、ノイズの少ない綺麗な画像を得ることができる。しかも、撮像センサー３０３の温度を測定するための温度センサーを設置したり、飽和電圧の検出手段を別途設けたりする必要もないので、デジタルカメラの構成を簡素化できるという利点がある。
【０１０９】
なお、静止画像撮影時においてのみ、半導体基板３０３０のバイアス電圧Ｖｓｕｂを変化させ、飽和電圧を高くする方式を採用しているデジタルカメラが最近多くなっている。これは、ライブビュー時等においてはブルーミングを抑止するために前記バイアス電圧Ｖｓｕｂを高くすることで飽和電圧を低くし、垂直転送部３０３Ｖへの電荷の流れ出しを防止する一方で、撮影時にはなるべく多くの電荷を蓄積できるようにするために、バイアス電圧Ｖｓｕｂを低くすることで飽和電圧を高くするものである。このようなバイアス電圧Ｖｓｕｂ可変方式を採用しているデジタルカメラにあっても、計測した撮像センサー３０３の温度に基づいて飽和電圧を概ね求めることが出来るので、本発明を適用すれば有益である。
【０１１０】
（利用例２；ノイズリダクション）
上述している通り、ＣＣＤ等の撮像センサーにおいては、暗電流が発生し、これが本来の画像データにダークノイズとして重畳される。この他、各デバイス上で発生するランダムノイズやＣＣＤの画素に固定して発生する固定パターンノイズも含まれる。そして、このようなダークノイズの除去法としては、撮像完了後に、その露光時間と同じ時間だけシャッターを閉じて撮像センサーを遮光して暗状態データ（ダークノイズデータ）を取得し、撮像データから前記ダークノイズデータを減算処理することでノイズ除去を行うノイズリダクション方法が、前述の通り知られている（例えば特許文献１）。
【０１１１】
ところで、暗電流によるダークノイズは、上述のように露光時間の長秒化だけでなく、撮像センサー自身の温度上昇によっても増加することが知られている。すなわち図１１のグラフ図に示す通り、電荷蓄積時間を一定にして見た場合、撮像センサーの温度がＴ＝２０℃の場合に比べてＴ＝４０℃の場合の方が格段に暗電流値が増加するものである。
【０１１２】
従って、上述の実施形態で示したように、撮像センサー３０３の温度が検知できるのであれば、そのダークノイズレベルも推定できることになる。而して、本発明に基づけば、特許文献１で開示されているように、撮像完了後にシャッターを閉じて暗状態データをとるという動作を行わずとも、撮像センサー３０３の温度から前記ダークノイズデータの推定値を導出し、撮像データからこのダークノイズデータ推定値を減算処理することで、ノイズリダクションを行うことが可能となる。
【０１１３】
図１６は、上記のノイズリダクション動作の一例を説明するための機能ブロック図であり、図４の機能ブロック図における演算部５１３を、この利用例２の動作を行わせる場合の機能について表したものである。まず、撮像センサー温度算出部５１３１において、暗電流算出部５１２にて求められたオプチカルブラック部３０３２Ｄの暗電流値と、温度テーブル記憶部５１４において記憶されている温度テーブルとを対照させて先ず撮像センサー３０３の温度が求められる。この温度情報は、撮像センサー温度算出部５１３１からダークノイズデータ生成部５１３３へ向けて出力される。ダークノイズデータ生成部５１３３では、撮像センサー３０３の温度とダークノイズとの関係に関するテーブルデータを備えるダークノイズデータ記憶部５１３４から、所定のデータが参照され、当該撮像センサーの温度におけるダークノイズデータが生成される。なお、撮像センサー温度算出部５１３１及びダークノイズデータ生成部５１３３は、暗電流値から必要なダークノイズデータを求めることが出来るものであればよく、図示の機能ブロック図の態様を適宜アレンジして種々適用することができる。
【０１１４】
前記ダークノイズデータは、ダークノイズデータ生成部５１３３から減算処理部５１３５へ出力される。減算処理部５１３５では、該ダークノイズデータと、撮像センサー３０３から得られた露光データとの減算処理がなされる。かかる減算処理が、ダークノイズのノイズリダクション処理となり、ダークノイズの影響が減殺された画像データが生成されるものである。
【０１１５】
（利用例３；ガンマ補正及びオフセット調整）
通常、デジタルカメラにおいては、ライブビュー中の画像信号から画像全体の輝度信号の信号量を求め、それらの信号量が適正になるように、撮影時の絞りやシャッタースピードが設定され、露光量が定められる。しかし、撮像センサーの最大光量を超える強い光が入射された場合は画像信号が飽和してしまい、輝度の判別を行うことが困難になる。また、画像の一部に太陽光等の強烈な光が入射されると、フレアが生じて暗部の輝度が持ち上げられ画像に悪影響が及ぼされる場合がある。
【０１１６】
そこで、画像の撮影条件やその輝度のヒストグラムにより画像に入っている強い光を予測して、ガンマ補正やオフセット調整を行うことで、前記フレア等による影響を軽減させることが可能である。前述の実施形態においては、図３の撮影処理ブロック図に示したガンマ補正回路６０４において、かかる画像処理が行われる。このような処理を最適に行うには、最大光量を正確に把握する必要がある。
【０１１７】
従って、最大光量の把握のため何らかの光量検知手段を付設することが要請され、例えば強力光の入射によっても画像信号が飽和しないような超高速のシャッタースピード（例えば１／５００秒程度）で画像を取り出し（光量検知フレーム）、高輝度部を含めた画像の光量を検知する手段は、好適な方法の一つである。しかしながら、本発明にあっては、前述の通り撮像センサーの温度から実使用状態に応じた飽和電圧を求めることができ、該飽和電圧から最大光量も温度要素を加味して正確に把握することが可能となる。従って、最大光量をより正確に把握できる分、上記の光量検知フレーム方式においても、より最適なガンマ補正やオフセット調整を行うことができる。
【０１１８】
具体的には、図４の機能ブロック図において、前記利用例１と同様にして、撮像センサー温度算出部５１３１において、暗電流算出部５１２にて求められた暗電流値と、温度テーブル記憶部５１４において記憶されている温度テーブルとを対照させて先ず撮像センサー３０３の温度が求められ、次いで該温度と飽和電圧テーブルとを対照させて、現状における飽和電圧が求められる。この飽和電圧に関するデータは変更処理信号発生部５１３２へ送られる。変更処理信号発生部５１３２では、入力された飽和電圧データに基づいて現状における最大光量がいくらであるかが求められると共に、当該最大光量において前記光量検知フレームの作成に際しての最適なシャッタースピードや絞りの設定信号が生成されるものである。なお、撮像センサー温度算出部５１３１等は、暗電流値から必要なダークノイズデータを求めることが出来るものであればよく、図示の機能ブロック図の態様を適宜アレンジして種々適用することができる。
【０１１９】
また、このような光量検知フレーム方式によらずとも、本実施形態では撮像センサーの温度から実使用状態に応じた飽和電圧を求めることができることから、該飽和電圧から最大光量を直接算出し、これに応じたガンマ補正やオフセット調整を行うようにしても勿論良い。
【０１２０】
以上、本発明のいくつかの実施態様につき説明したが、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において各種構成の追加、変更を伴うことが可能である。例えば、本発明にかかる暗電流計測及び画像処理動作の変更処理を行うタイミングに関しては、メインスイッチを投入した直後は頻繁に暗電流計測を行い、その後は徐々に計測間隔を広げてゆくようなプログラムを組み入れても良い。メインスイッチ投入直後は撮像センサーの温度変化が大きいので、このようなプログラムを内蔵しておけば、その温度変化に追従して最適な変更処理を行わせることができ、そのような温度変化期にあっても良質な画像を常に得ることができるようになる。なお、撮像センサー温度産出部は、必ずしも温度の数値（摂氏、華氏等）を求めるものではなく、対応づけられたパラメータを求めるものであれば全て本発明に包含されるものである。
【０１２１】
また、上記実施形態では本発明の撮像装置の例としてデジタルカメラを例示して説明したが、ＣＣＤやＣＭＯＳ等の各種撮像センサーを用いたビデオカメラ、センシング装置等にも勿論適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２２】
【図１】本発明の実施形態にかかるデジタルカメラの外観図であって、同図（ａ）は当該デジタルカメラの正面図、（ｂ）は上面図、（ｃ）は側面図、及び（ｄ）は背面図をそれぞれ示している。
【図２】本発明の実施形態に係るデジタルカメラの概略構造を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係るデジタルカメラによる撮影処理ブロック図である。
【図４】本発明の実施形態に係るデジタルカメラの要部における動作を説明するための機能ブロック図である。
【図５】本発明の実施形態で用いられるＣＣＤ（撮像センサー）の概略構成を示すブロック図である。
【図６】撮像センサーにおける信号電荷の読み出し方式の一例を示す説明図である。
【図７】本発明の第１実施形態において用いられる撮像センサーの概要を示す平面図である。
【図８】本発明の第１実施形態にかかるデジタルカメラの動作を説明するためのタイムチャートである。
【図９】本発明の第１実施形態にかかるデジタルカメラの動作を説明するためのフローチャートである。
【図１０】第１実施形態において、撮像センサーからの信号読み出し状況を示すグラフ図である。
【図１１】撮像センサーにおける電荷蓄積時間と暗電流値との関係を、温度毎に示すグラフ図である。
【図１２】暗電流データを、図１１に示すグラフ図に当てはめた状態を示すグラフ図である。
【図１３】本発明の第２実施形態において用いられる撮像センサーの概要を示す平面図である。
【図１４】本発明の第２実施形態にかかるデジタルカメラの動作を説明するためのタイムチャートである。
【図１５】撮像センサーの温度と飽和電圧との関係の一例を示すグラフ図である。
【図１６】本発明の利用例２におけるノイズリダクション動作の一例を説明するための機能ブロック図である。
【符号の説明】
【０１２３】
１        デジタルカメラ
３０３    撮像センサー（撮像素子）
３０３２  オプチカルブラック部
３０５１  オーバーフロードレイン端子
５００    カメラ制御部
５０２    タイミングジェネレーター
５０５    アナログ処理部
５１２    暗電流算出部（暗電流計測部）
５１３    演算部
５１３１  撮像センサー温度算出部
５１３２  変更処理信号発生部
５１４    温度テーブル記憶部
６００    デジタル画像処理部
【図１】
2005130045.tif 000003
【図２】
2005130045.tif 000004
【図３】
2005130045.tif 000005
【図４】
2005130045.tif 000006
【図５】
2005130045.tif 000007
【図６】
2005130045.tif 000008
【図７】
2005130045.tif 000009
【図８】
2005130045.tif 000010
【図９】
2005130045.tif 000011
【図１０】
2005130045.tif 000012
【図１１】
2005130045.tif 000013
【図１２】
2005130045.tif 000014
【図１３】
2005130045.tif 000015
【図１４】
2005130045.tif 000016
【図１５】
2005130045.tif 000017
【図１６】
2005130045.tif 000018