(57)【要約】【課題】  入射光によって生成する電子・正孔対による電流のみを検出する光電変換装置では、光電変換効率におのずと限界があり、高い光電変換効率を実現するのが困難であった。【解決手段】  受光層２４と電子供給層２２を有する光電変換装置であり、前記受光層２４は、入射光を吸収して電子・正孔対を生成し、前記電子供給層２２は、電子・正孔対を生成した前記受光層２４の電位変化に起因して、前記受光層２４へ電子を供給することを特徴とする光電変換装置である。【選択図】  図２
2005085955.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光層と電子供給層を有する光電変換装置であり、
前記受光層は、入射光を吸収して電子・正孔対を生成し、
前記電子供給層は、電子・正孔対を生成した前記受光層の電位変化に起因して、前記受光層へ電子を供給することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記受光層と前記電子供給層の間に、ｉ型の半導体からなるバリア層が介在していることを特徴とする請求項１の光電変換装置。
【請求項３】
受光層の電位を外部から調整する調整電極を備えていることを特徴とする請求項１又は２の光電変換装置。
【請求項４】
受光層の反電子供給層側表面に、電位差を持つ１対の電極が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかの光電変換装置。
【請求項５】
入射光側から順に、透明な基板と、透明な電子供給層と、不透明な受光層と、１対の電極が配置されていることを特徴とする請求項４の光電変換装置。
【請求項６】
入射光側から順に、透明な基板と、透明なｎ型のＡｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎ（１−ｘ１−ｙ１）Ｎ（０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１、０≦ｘ１＋ｙ１≦１）層と、不透明なＡｌｘ２Ｇａｙ２Ｉｎ（１−ｘ２−ｙ２）Ｎ（０≦ｘ２≦１、０≦ｙ２≦１、０≦ｘ２＋ｙ２≦１）層と、１対の電極が配置されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
前記の透明なｎ型のＡｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎ（１−ｘ１−ｙ１）Ｎ層と、不透明なＡｌｘ２Ｇａｙ２Ｉｎ（１−ｘ２−ｙ２）Ｎ層の間に、透明なｉ型のＡｌｘ３Ｇａｙ３Ｉｎ（１−ｘ３−ｙ３）Ｎ（０≦ｘ３≦１、０≦ｙ３≦１、０≦ｘ３＋ｙ３≦１）層が介在していることを特徴とする請求項６の光電変換装置。
【請求項８】
前記の不透明なＡｌｘ２Ｇａｙ２Ｉｎ（１−ｘ２−ｙ２）Ｎ層に接触する１対の電極の間隔に、前記の不透明なＡｌｘ２Ｇａｙ２Ｉｎ（１−ｘ２−ｙ２）Ｎ層に接触する第３電極が配置されていることを特徴とする請求項６又は７の光電変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光電変換装置に関する。特に、光電変換効率が高い（同一の入射光量に対して大きな電気信号を出力することをいう）光電変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
入射光を電流に変換する光電変換装置が知られており、シリコン基板上にｐ型不純物をドープしたＰ層と高抵抗のＩ層とｎ型不純物をドープしたＮ層を積層したＰＩＮフォトダイオードや、半絶縁性のヒ化ガリウム基板を受光領域とし、この基板表面上に一対の電極を形成したＭＳＭ（Metal-Semiconductor-Metal）フォトディテクタ等が知られている。この種の光電変換装置は、入射光によって電子・正孔対を生成し、それによって流れる電流を検出することによって、入射光量を検出する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の光電変換装置は、入射光のエネルギーで生成した電子・正孔対によって得られる電流を検出するために、光電変換効率（入射する光量Ｗに対する検出電流値Ａの割合をいい、Ａ／Ｗで示される）が低かった。
本発明の目的は、高い光電変換効率を実現する光電変換装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明で創作された光電変換装置は、受光層と電子供給層を備えており、受光層は入射光を吸収して電子・正孔対を生成し、電子供給層は、電子・正孔対を生成した受光層の電位が変化することに起因して、受光層へ電子を供給する。受光層が入射光を吸収しなければ、受光層は電子・正孔対を生成せず、従って受光層の電位も変化しないために、電子供給層は受光層へ電子を供給しない。受光層に流れる電流は、光が入射するときと入射しないときで大きく相違する。また、受光層に流れる電流には、電子供給層から供給された電子が寄与しており、光電変換効率（Ａ／Ｗ）が高い。
【０００５】
受光層と電子供給層の間に、ｉ型の半導体からなるバリア層が介在していることが好ましい。
不純物がドープされていない高抵抗のｉ型の半導体からなるバリア層が受光層と電子供給層の間に介在していると、光が入射されていない状態では、バリア層が障壁となって電極間にリーク電流が流れるのを防止する。一方、光が入射されている状態では、入射光によって生成した電子・正孔対によって受光層の電位が変化するのに連動して、バリア層による電位障壁が小さくなり、電子供給層から受光層へ電子が供給されるのを許容する。ｉ型の半導体からなるバリア層が受光層と電子供給層の間に介在していると、明状態と暗状態で検出される電流値の差を大きくすることができる。
【０００６】
受光層の電位を外部から調整する調整電極を備えていることが好ましい。
調整電極を備えていると、調整電極に用いる材質を選択することによって、あるいは、調整電極に印加する電圧を調整すことによって、電子供給層と受光層の間に形成される電位障壁の大きさを調整することができる。光が入射されていない暗状態では、電子供給層から受光層に電子が供給されず、光が入射されている明状態では、電子供給層から受光層に電子が供給されるように調整することができる。
【０００７】
受光層の電子供給層側とは反対側の表面に、電位差を持つ１対の電極が形成されていることが好ましい。
この場合、同一面に存在する１対の電極間に流れる電流を検出すればよく、光電変換装置を回路基板に簡単に実装することができる。また、光ファイバと組合せて回路基板に実装することも容易にできる。
【０００８】
入射光側から順に、透明な基板と、透明な電子供給層と、不透明な受光層と、１対の電極が配置されていることが好ましい。
この光電変換装置は、透明な基板側から光を入射することができ、１対の電極が光を遮断することに対して対策する必要がない。遮断光が実質的に存在しないことから光電変換効率（Ａ／Ｗ）が高い。
また１対の電極側を回路基板に直接実装することができ、実装しやすい。
さらに、透明な基板が表面側に向いた状態で回路基板に実装することができることから、光ファイバと組合せやすい。
極めて扱いやすい光電変換装置が得られる。
【０００９】
本発明で創作された一つの具体的な光電変換装置では、入射光側から順に、透明な基板と、透明なｎ型のＡｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎ（１−ｘ１−ｙ１）Ｎ層と、不透明なＡｌｘ２Ｇａｙ２Ｉｎ（１−ｘ２−ｙ２）Ｎ層と、１対の電極が配置されている。上記において、０≦ｘ１、ｘ２≦１であり、０≦ｙ１、ｙ２≦１であり、０≦ｘ１＋ｙ１、ｘ２＋ｙ２≦１である。ＡｌＸＧａＹＩｎ（１−Ｘ−Ｙ）Ｎは、いわゆる、III族窒化物系化合物半導体である。
上記の光電変換装置では、透明な基板側から光を入射することができるので、１対の電極が光を遮断することに対して対策する必要がない。遮断光が実質的に存在しないことから光電変換効率（Ａ／Ｗ）が高い。
また１対の電極側を回路基板に直接実装することができ、実装しやすい。
さらに、透明な基板が表面側に向いた状態で回路基板に実装することができることから、光ファイバと組合せやすい。
受光層が、ＡｌＸＧａＹＩｎ（１−Ｘ−Ｙ）Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）で表されるIII族窒化物系化合物半導体であると、感度波長域が紫外から可視光とすることができる。光通信に適している紫外から可視光に感度波長域を有する光電変換装置が得られる。
ＡｌＸＧａＹＩｎ（１−Ｘ−Ｙ）Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）層は、成分比を変化することで透明化することができる。透明な電子供給層を実現することができる。
透明基板は、絶縁体であっても半導体であってもよい。
【００１０】
透明なｎ型のＡｌｘ１Ｇａｙ１Ｉｎ（１−ｘ１−ｙ１）Ｎ層と、不透明なＡｌｘ２Ｇａｙ２Ｉｎ（１−ｘ２−ｙ２）Ｎ層の間に、透明なｉ型のＡｌｘ３Ｇａｙ３Ｉｎ（１−ｘ３−ｙ３）Ｎ層が介在していることが好ましい。
透明なｉ型のＡｌｘ３Ｇａｙ３Ｉｎ（１−ｘ３−ｙ３）Ｎ層はバリア層となって、受光層と電子供給層の間に障壁を提供する。電極間にリーク電流が流れるのを防止することができる。
【００１１】
不透明なＡｌｘ２Ｇａｙ２Ｉｎ（１−ｘ２−ｙ２）Ｎ層に接触する１対の電極の間隔に、不透明なＡｌｘ２Ｇａｙ２Ｉｎ（１−ｘ２−ｙ２）Ｎ層に接触する第３の電極が配置されていることが好ましい。
この第３電極は、受光層の電位を外部から調整する調整電極として機能し、光が入射されていない暗状態では、電子供給層から受光層に電子が供給されず、光が入射されている明状態では、電子供給層から受光層に電子が供給されるように調整することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の光電変換装置によれば、入射光によって電子・正孔対が生成し、それによって受光層の電位が変化し、それによって電子供給層から受光層に電子が供給される。電極間には、電子供給層から供給された電子による電流も流れ、高い光電変換効率を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
最初に実施例の主要な特徴を列記する。
（第１実施形態）基板上に形成された機能層と、機能層上に形成された一対の電極とを備えた光電変換装置であり、機能層は電子供給層と受光層とを備えている。
（第２実施形態）暗状態では、電子供給層のドナー準位が受光層の伝導帯のエネルギー準位よりも低くなるように調整されており、明状態では、電子供給層のドナー準位が受光層の伝導帯のエネルギー準位よりも高くなるように調整されている。
（第３実施形態）入射光のエネルギー（hv）に対して、受光層のバンドギャップは小さく、受光層以外の層のバンドギャップは大きく形成されている。
【実施例】
【００１４】
（第１実施例）  図１は本発明を具体化した第１実施例の光電変換装置２の平面図（図２の上方から見下ろした図）を示し、図２は図１のII―II線断面図を示している。
図２の矢印４に示すように、光電変換装置２は、下側から入射光を受入れる。光電変換装置２は、入射光側から順に、基板１０と、緩衝層２０と、絶縁層２１と、電子供給層２２と、バリア層２３と、受光層２４と、キャップ層２５が配置され、最上面に電極３１ｂ、３２、３１ａが形成されている。絶縁層２１からキャップ層２５までを集合的に機能層２６ということにする。
【００１５】
機能層２６はシリコン、ヒ化ガリウム、炭化シリコン等で構成することができる。感度波長域が紫外から可視光の場合、一般式としてＡｌＸＧａＹＩｎ（１−Ｘ−Ｙ）Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）で表されるIII族窒化物系化合物半導体を用いることができる。
ＡｌＸＧａＹＩｎ（１−Ｘ−Ｙ）ＮからなるIII族窒化物系化合物半導体とは、（ＡｌＧａＩｎＮ）の四元系のみならず、（ＡｌＧａＮ）や（ＡｌＩｎＮ）や（ＧａＩｎＮ）の三元系や、（ＡｌＮ）や（ＧａＮ）や（ＩｎＮ）の２元系も含む。またIII族元素の一部がボロンやタリウム等で置換されている場合も含む。機能層２６は任意の不純物を含んでいることがある。
第1実施例では、５２０nmの入射光を対象としているため、受光層２４にはＩｎＧａＮからなる三元系の化合物半導体を用いる。
【００１６】
基板１０の材質は、光電変換装置２の感度波長域の光を透過する材質であれば特に限定するものではなく、サファイア、スピネル、リン化ガリウム、ヒ化ガリウム、炭化シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、III族窒化物系化合物半導体などを用いることができる。
第１実施例では、５２０nmの入射光を対象としているため、サファイアが用いられている。
【００１７】
緩衝層２０は、基板１０上に積層する機能層２６の結晶欠陥を低減するために形成される。緩衝層２０上に積層する結晶の格子定数に近い格子定数を持つ材質で形成すればよく、第１実施例では、窒化アルミニウムを用いており、その膜厚は５０nmである。５２０nmの入射光に対して透明である。
【００１８】
絶縁層２１は、絶縁体として機能する材質から選択されればよく、第１実施例では不純物がドープされていないｉ型の窒化ガリウムで形成されており、その膜厚は２μmである。５２０nmの入射光に対して透明である。
【００１９】
電子供給層２２は、電子のキャリアを含有し、受光層２４へ電子を供給する機能を有する。電子供給層２２はｎ型であるのが好ましい。第１実施例では不純物にシリコンを含有する窒化ガリウムで形成されており、その膜厚は５０nmである。５２０nmの入射光に対して透明である。
なお、電子供給層２２の不純物濃度や膜厚は特に限定するものではない。受光層２４へ電子を供給する機能を果たすために適宜最適化すればよい。
【００２０】
バリア層２３は、電子供給層２２から受光層２４へ電子を供給する際に、供給量を制御する機能を有する。つまり、バリア層２３で電位障壁を形成し、暗状態では電子供給層２２から受光層２４へ電子が供給されないようにし、明状態では電位障壁が低下して電子供給層２２から電子と正孔対を生成した受光層２４へ電子が供給されるようにする。後記する調整電極３２に正の電圧を印加することよって機能層２６内部の電位障壁を低下させることもできる。
バリア層２３は条件を調整することによって、電子供給層２２と受光層２４の間の電位障壁を制御することができる。バリア層２３は不可欠ではないが、多くの利点をもたらすので設けることが好ましい。
第１実施例では、不純物がドープされていないｉ型の窒化ガリウムで形成され、その膜厚は１０ｎｍである。５２０nmの入射光に対して不透明である。
【００２１】
受光層２４は、光電変換装置２の感度波長の光エネルギーに対応したバンドギャップを持ち、５２０nmの入射光に対して透明である。
第１実施例では、５２０nmの入射光を対象としているため、ＩｎＧａＮで形成されており、その膜厚は１００nmである。
なお、ＡｌｘＧａｙＩｎ（１−ｘ−ｙ）ＮのIII族窒化物系化合物半導体のＩｎの含有量を調節することによって、光電変換装置に必要とされる感度波長域にあわせることができる。また、ＡｌｘＧａｙＩｎ（１−ｘ−ｙ）Ｎの４元系の組成の他に、不純物の含有濃度を調整することによって、感度波長を調整することもできる。
【００２２】
キャップ層２５は、受光層２４の保護や雰囲気温度の影響を緩和するために設けられている。受光層２４で生成された電子・正孔対が電極（３１ａ、３１ｂ）へ流れられるように、キャップ層２５は電子・正孔がトンネル可能な膜厚であるのが好ましい。
第１実施例では、不純物がドープされていない窒化ガリウムで形成されており、その膜厚は５nmである。
【００２３】
キャップ層２５の表面には、図１に示すように、一対櫛歯電極（３１ａ、３１ｂ）が形成されている。入射光によって励起した電子・正孔がこの一対の電極（３１ａ、３１ｂ）間を流れるように、一対の電極（３１ａ、３１ｂ）間は数μｍないしそれ以上の所定の間隔を保って形成されていればよい。第１実施例では、一対の電極（３１ａ、３１ｂ）は櫛形で形成されており、その間隔は５μｍである。なお、一対の電極のそれぞれの形状は対称であっても、また対称でなくてもよい。
電極（３１ａ、３１ｂ）は導体の材質であればよく、具体的な材質として不純物をドープした多結晶シリコンや、その他に、典型的には、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化タンタル、TiAlN等の金属窒化物、また酸化スズ、酸化インジウム、酸化インジウムスズ等の金属酸化物、またWSix等の金属シリサイド、またIn、Cu、Ag、Au、Pt、Ir、Al、Pd、Rh、W、Mo、Ti、Ni、Cr、Co等の金属の単体やこれらの中から任意に選択される２種類以上の金属を含有する合金を用いることができる。
電極（３１ａ、３１ｂ）は一つの導体を用いて一層で形成されてもよく、また２種以上の導体が積層した構成となっていてもよい。また、機能層２６上にプレーナー型で形成されていてもよく、機能層２６内に掘り込んで形成されるトレンチ型であってもよい。また、一対の電極（３１ａ、３１ｂ）のそれぞれが同一の材質や形状であっても、また異なっていても構わない。第１実施例では、一対の電極（３１ａ、３１ｂ）のそれぞれの材質は窒化チタンで一層のみで形成されており、それぞれの電極（３１ａ、３１ｂ）の幅は５μｍである。
【００２４】
一対の電極（３１ａ、３１ｂ）間に調整電極３２が形成されている。調整電極３２は機能層２６と電位障壁を形成する材質を用いて形成されていればよく、典型的にはショットキー障壁を形成する金属が用いられる。なお、電圧を印加可能な電極としての機能を有していても、有していなくても構わない。また、調整電極３２は一対の電極（３１ａ、３１ｂ）と電気的に絶縁した状態で形成される。調整電極３２は一対の電極（３１ａ、３１ｂ）の間隔内に形成されているのが好ましい。
第１実施例ではＰｔであり、その幅は２μｍで形成されている。
なお、調整電極３２は、構成上必要ない場合は形成されなくても構わない。その場合でも、本発明の機能を実現することは可能である。
【００２５】
次に、第１実施例の光電変換装置の動作を、エネルギーバンドダイヤグラムを用いて説明する。図３は、図２のＢ−Ｂ’に沿った機能層２６のエネルギーバンドダイヤグラムを示しており、図３（ａ）は入射光が入射していない暗状態であり、図３（ｂ）は入射光が入射している明状態である。
図３（ａ）に示すように、機能層２６と調整電極３２がショットキー接触しており、その界面で電位障壁が形成されている。機能層２６内部からみた電位障壁は、界面に向かって勾配を形成しており、界面でもっとも高くなっている。キャップ層２５とバリア層２３の間に受光層２４が形成されており、受光層２４は隣接するキャップ層２５とバリア層２３に比してバンドギャップが狭いため、ポテンシャル井戸を形成する。受光層２４と電子供給層２２の間のバリア層２３は、受光層２４と電子供給層２２の間に電位障壁を形成している。電子供給層２２のドナー準位は、受光層２４の伝導帯のエネルギー準位よりも低い位置であり、またバリア層２３の電位障壁によって、電子供給層２２の電子が受光層２４へ供給されることがない。したがって暗状態では、電極３１ａ、３１ｂ間に電流が流れることがなく、リーク電流は効果的に抑制されている。
【００２６】
図３（ｂ）に示す明状態では、受光層２４に入射光が入射し、受光層２４が入射光を吸収して電子・正孔対を生成する。一対の電極３１ａ、３１ｂ間に電圧がかけられているために、生成された電子・正孔はそれぞれの電極に向かって流れる。受光層２４で電子・正孔対が形成されることで、受光層２４の電位変化が生じる。また受光層２４のキャリア濃度が高くなり、それに伴いショットキ−接触界面の機能層２６側の空乏層の領域が狭くなる。
このために、図３（ｂ）に示すように、受光層２４の伝導帯のエネルギー準位が電子供給層２２のドナー準位よりも低い位置になり、またバリア層２３の電位障壁が小さくなることと相俟って、電子供給層２２から受光層２４へ電子が供給されるようになる。電子供給層２４から受光層２４に供給された電子に起因して、一対の電極３１ａ、３１ｂ間に大電流が流れることになる。
電子・正孔対が生成されたことによって受光層２４の電位の変化するが、その変化だけではバリア層２３による電位障壁の変化が不充分であり、暗状態では電子の供給を抑えて明状態では電子を供給する変化を起こせない場合には、調整電極３２に正電圧を印加すればよい。調整電極３２に正電圧を印加すると、機能層２６の内部ポテンシャルは低下し、バリア層２３による電位障壁が低下する。調整電極３２に印加する正電圧を調整することによって、暗状態では電子の供給を抑えて明状態では電子を供給する現象が生じるようにチューニングすることができる。
明状態では、受光層２４の電位が低下し、受光層２４の伝導帯のエネルギー準位が下がる。受光層２４の伝導帯のエネルギー準位が電子供給層２２のドナー準位よりも低下すると、電子供給層２２から受光層２４へ電子が供給され易くなる。入射光を吸収したことに起因して電子供給層２２から受光層２４へ電子が供給されるようになる。入射光によって生成された電子・正孔対による電流に加えて、電子供給層２２から供給された電子も一対の電極３１ａ、３１ｂ間に流れるために、明状態で電極３１ａ、３１ｂ間に流れる電流を増大することができる。
調整電極３２は、ショットキ−障壁を利用してバリア層２３による電位障壁の大きさを調整する。電子供給層２２とバリア層２３と受光層２４のヘテロ接合に起因して生じるバリア層２３による電位障壁の大きさが適値となる場合には、調整電極３２は不要である。
また、電子供給層２２と受光層２４を直接接触させると、両者のヘテロ結合することによって界面に電位障壁が形成される。その電位障壁の大きさが適値となる場合には、バリア層２３を省略することができる。
【００２７】
受光層２４の膜厚を厚くすると入射光をより効率的に吸収することができる。受光層２４の膜厚を厚くすると、受光層２４の伝導帯のエネルギー準位が電子供給層２２のドナー準位よりも低くなりやすいので、暗状態でも電子供給層２２から受光層２４へ電子が供給され、リーク電流が流れやすくなる。受光層２４の伝導帯のエネルギー準位が低下すのにあわせてバリア層２３の電位障壁を高くするなど対策を講ずることによって、光電変換効率を高め、リーク電流を低減することができる。
【００２８】
第１実施例の光電変換装置の電極（３１ａ、３１ｂ）間に２Ｖの電圧を印加し、基板１０裏面側からピーク波長が５２０nmの入射光を入射したところ、光電変換効率は０．６Ａ／Ｗであった。従来のＰＩＮフォトダイオードの同波長域の光電変換効率に比して、約２倍の高効率であった。
【００２９】
第１実施例の光電変換装置は、入射光によって生成した電子・正孔対が、一対の電極３１ａ、３１ｂ間を横方向に流れる構造である。したがって、第１実施例は横導通型の光電変換装置である。そのため、従来から知られる縦導通型のＰＩＮフォトダイオード等に比して、電極３１ａ、３１ｂ間の容量を著しく小さくすることができる。そのため、応答性が非常に早い。明状態と暗状態に切換えるタイミングと、電極３１ａ、３１ｂ間に流れる電流のオンオフタイミングの差が非常に小さい。第１実施例の光電変換装置２にパルス光を入射した場合の光応答時間を測定すると、電流のオン側もオフ側もともに１nsec以下の光応答時間であった。
【００３０】
光電変換装置２は、基板１０の裏面側から入射光を入射できるため、入射光が電極３１ａ、３１ｂ、３２等で遮蔽される問題は生じない。また、電極３１ａ、３１ｂ、３２が形成されている面を回路基板に接触させて実装することができる。電極をリードフレームやプリント基板の導体パターンに直接接合するフリップチップ実装が可能となる。したがって、ワイヤ接合部などで雑音を拾ったり損失が生じることを防止でき、クロストークやノイズの低減が実現できる。また、入射面となる基板１０の裏面を表に向けた状態で光電変換装置２を回路基板に実装することができるので、光電変換装置２に光を導く光ファイバや光導波路を実装しやすい。さらには、基板１０裏面に光ファイバや光導波路を直接接合させることができ、両者の間隙から光が漏れて損失することを大幅に低減することができる。
【００３１】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の光電変換装置の平面図を示す。
【図２】本発明の光電変換装置の要部断面図を示す。
【図３】（ａ）本発明の光電変換装置の暗状態での機能層のバンドギャップ準位を示す。（ｂ）本発明の光電変換装置の明状態での機能層のバンドギャップ準位を示す。
【符号の説明】
【００３３】
１０：基板
２０：緩衝層
２１：絶縁層
２２：電子供給層
２３：バリア層
２４：受光層
２５：キャップ層
２６：機能層
３１ａ、３１ｂ：電極
３２：調整電極
【図１】
2005085955.tif 000003
【図２】
2005085955.tif 000004
【図３】
2005085955.tif 000005