(57)【要約】【課題】真空容器内の適切な洗浄時期を判定したり、処理基板の加工の形状制御も可能となり、経時変化を抑制し得るドライエッチング装置を提供する。【解決手段】処理基板を保持するカソード電極を収容し、高周波電力が印加されることによって放電プラズマ２０を発生するための反応ガスが導入される真空容器１と、プラズマを含む装置系のインピーダンス、プラズマにかかる高周波信号のピーク間電圧およびカソード電極にかかる自己バイアス電圧のうちの少なくとも１つの物理量を測定する測定回路７〜９と、測定回路による測定値を予め用意されたデータと比較し、放電プラズマを用いた処理基板に対する加工特性の経時変化あるいは真空容器内部の洗浄時期を検知する検知回路１３とを具備する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理基板を保持するカソード電極を収容し、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するための反応ガスが導入される真空容器と、
前記プラズマを含む装置系のインピーダンスを測定する測定手段と、
前記測定手段による測定値が予め設定した範囲から外れた場合を検知し、前記真空容器の内部の洗浄時期を知らせる制御手段
とを具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
処理基板を保持するカソード電極を収容し、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するための反応ガスが導入される真空容器と、
前記プラズマにかかる高周波信号のピーク間電圧を測定する測定手段と、
前記測定手段による測定値が予め設定した範囲から外れた場合を検知し、前記真空容器の内部の洗浄時期を知らせる制御手段
とを具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項３】
処理基板を保持するカソード電極を収容し、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するための反応ガスが導入される真空容器と、
前記カソード電極にかかる自己バイアス電圧を測定する測定手段と、
前記測定手段による測定値が予め設定した範囲から外れた場合を検知し、前記真空容器の内部の洗浄時期を知らせる制御手段
とを具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項４】
前記制御手段は前記測定手段による測定値が予め設定した範囲から外れた際に、リアルタイムにプロセス条件を調整し、調整後も測定値が設定範囲から外れている場合にプロセスの停止信号を送信してプロセスを強制終了させると共に、洗浄時期の到達を示す信号を出すことを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造装置に係り、特に放電プラズマを用いて半導体基板を処理する装置に関するもので、例えば高周波電源を用いたＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置に使用される。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程で使用されるドライエッチング装置においては、表面に任意のマスクパターンが形成された処理基板を真空反応室内に設置し、この真空反応室内に反応ガスを導入するとともに放電プラズマを発生させ、反応性イオンにより処理基板をエッチング加工する。
【０００３】
この際、一般的には、反応性イオンと処理基板の被エッチング層との反応により、蒸気圧の高い反応生成物が生成され、この反応生成物は排気されるが、真空容器内の圧力、反応ガスの種類、流量および反応性イオンのエネルギー量によって被エッチング膜との反応速度や反応生成物の種類が異なってくる。
【０００４】
ところで、放電プラズマを用いて半導体基板を処理する装置において、処理状況の経時変化の発生の有無および経時変化が発生した場合の度合いを最も明確に確認する手段の一つに、高アスペクト比を有する形状による検証がある。
【０００５】
そこで、高アスペクト比を有する形状としては、コンタクトホール、ビアホール、トレンチ等が挙げられるが、代表例として、例えばＤＲＡＭにおけるメモリセルのトレンチキャパシタ用のトレンチの形成工程にドライエッチング装置を使用した場合について、従来の問題点を説明する。
【０００６】
図８（ａ）、（ｂ）は、トレンチキャパシタ用のトレンチの形成工程における基板の断面構造を示す。
【０００７】
まず、図８（ａ）に示すように、処理基板であるＳｉ基板１４上にＴＥＯＳ膜１５を成膜し、パターン加工を行ってマスクパターンを形成することにより処理基板のサンプルを形成する。
【０００８】
次に、マグネトロンＲＩＥ装置による半導体基板のロット処理毎後に、図８（ａ）に示したような処理基板のサンプルを真空反応室内に設置し、この真空反応室内に反応ガスとしてＨＢｒ／Ｏ2 ／ＮＦ3 をそれぞれ約１００／１０／７０ｓｃｃｍを導入し、圧力約２００ｍＴ、高周波電源の出力が約１０００Ｗの条件で放電プラズマを発生させ、反応性イオンによりサンプルをエッチング加工する。
【０００９】
これにより、図８（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板１４にトレンチキャパシタ用のトレンチが形成される。ここで、θはトレンチ上部のテーパ角、ｄはトレンチの下部径である。
【００１０】
図９は、従来のＲＩＥ装置による処理基板の処理ロット数とトレンチの下部径の関係を示す。
【００１１】
図９から、処理基板の処理枚数が増えてくると、トレンチの下部径が細ってくる傾向が見られることがわかる。これは、処理基板の処理枚数が増えてくると、トレンチの上部テーパ角が次第に付いていくことが一つの要因である。
【００１２】
この理由は明らかではないが次のような現象が起こっているものと予想される。
【００１３】
トレンチキャパシタ用のトレンチの加工に際しては、反応生成物として主にＳｉＢｒx 、ＳｉＢｒy Ｏz 、ＳｉＦα、等が生成され、その多くは排気されるが、その一部は真空容器内の低温部に付着したり、再びプラズマ中で再分解し蒸気圧の低い物質となり真空容器内に付着したりする。
【００１４】
これらの付着物（デポ）は主にＳｉＯ2 系のものと予想されるが、これらのデポが堆積し、膜を形成すると、その膜からの脱ガスやプラズマに晒されて再分解等が発生する。そのため、真空容器内における雰囲気中の実際の各プロセスガスの流量は設定した流量と異なり、目的とする形状やレートが得られなくなる。
【００１５】
このように、トレンチの下部径は真空容器内のデポ膜の状況と密接に関係するので、デポ膜の状況を把握できれば真空容器内の洗浄時期を明確にすることができるが、外部から真空容器内の表面状況等を把握することは不可能である。
【００１６】
そこで、トレンチキャパシタ用のトレンチの下部径のスペック値が０．１μｍである現状では、図９のデータに基づいて、８ロット毎に真空容器を大気開放し、手作業によるクリーニングを行っているが、この方法が最適であるか否かは不明である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
上記したように従来の半導体装置製造用のドライエッチング装置は、外部から真空容器内の表面状況等を把握することは不可能であり、例えばトレンチキャパシタ用のトレンチの加工に際して処理基板の処理枚数に依存するトレンチの下部径の経時変化を把握することは不可能であり、真空容器内の適切な洗浄時期を判定できないという問題があった。
【００１８】
本発明は上記の問題点を解決すべくなされたもので、例えばトレンチキャパシタ用のトレンチの加工に際して処理基板の処理枚数に依存するトレンチの下部径の経時変化や真空容器内の表面状況等を外部から把握することが可能になり、真空容器内の適切な洗浄時期を判定したり、処理基板の加工の形状制御も可能となり、経時変化を抑制し得る半導体装置の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
第１の発明の半導体装置の製造装置は、処理基板を保持するカソード電極を収容し、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するための反応ガスが導入される真空容器と、前記プラズマを含む装置系のインピーダンスを測定する測定手段と、前記測定手段による測定値が予め設定した範囲から外れた場合を検知し、前記真空容器の内部の洗浄時期を知らせる制御手段とを具備することを特徴とする。
【００２０】
第２の発明の半導体装置の製造装置は、処理基板を保持するカソード電極を収容し、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するための反応ガスが導入される真空容器と、前記プラズマにかかる高周波信号のピーク間電圧を測定する測定手段と、前記測定手段による測定値が予め設定した範囲から外れた場合を検知し、前記真空容器の内部の洗浄時期を知らせる制御手段とを具備することを特徴とする。
【００２１】
第３の発明の半導体装置の製造装置は、処理基板を保持するカソード電極を収容し、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するための反応ガスが導入される真空容器と、前記カソード電極にかかる自己バイアス電圧を測定する測定手段と、前記測定手段による測定値が予め設定した範囲から外れた場合を検知し、前記真空容器の内部の洗浄時期を知らせる制御手段とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の半導体装置の製造装置によれば、例えばトレンチキャパシタ用のトレンチの加工に際して処理基板の処理枚数に依存するトレンチの下部径の経時変化や真空容器内の表面状況等を外部から把握することが可能になり、真空容器内の適切な洗浄時期を判定したり、処理基板の加工の形状制御も可能となり、経時変化を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２４】
図１は、本発明の半導体装置の製造装置の第１の実施の形態に係るドライエッチング装置の一例としてマグネトロンＲＩＥ装置とその周辺回路を示す。
【００２５】
図１において、１０は装置本体であり、６は高周波電源（マグネトロン）である。装置本体１０は、処理基板を保持するカソード電極を収容し、高周波電力が印加されることによって放電プラズマ２０を発生するための反応ガスが導入される真空反応容器１と、前記高周波電源６の出力と負荷側とのインピーダンスの整合をとるためのインピーダンス整合回路（マッチング・コントローラ）２を含む。上記マッチング・コントローラ２において、３は第１の可変コンデンサ、４は第２の可変コンデンサ、５はインダクタンスである。
【００２６】
さらに、７は前記プラズマ２０にかかる高周波信号のピーク間電圧Ｖｐｐを測定するためのＶｐｐ測定回路、８は前記カソード電極にかかる自己バイアス電圧Ｖｄｃを測定するためのＶｄｃ測定回路である。９は前記プラズマ２０を含む装置系のインピーダンスを測定するためのインピーダンス測定回路である。
【００２７】
１１はプロセスガスの流量を制御するためのプロセスガス制御回路、１２は高周波電源の出力を制御するための高周波電源制御回路である。
【００２８】
１３は前記各測定回路の出力（測定値）に基づいて前記プロセスガス制御回路１１あるいは高周波電源制御回路１２を制御することによって、インピーダンスＺ・高周波電力ピーク間電圧Ｖｐｐ・自己バイアス電圧Ｖｄｃを制御するためのＺ・Ｖｐｐ・Ｖｄｃ制御回路である。
【００２９】
この場合、上記Ｚ・Ｖｐｐ・Ｖｄｃ制御回路１３は、前記各測定回路の出力（測定値）を予め用意されたデータと比較し、前記処理基板に対する加工特性の経時変化あるいは前記真空容器の内部の洗浄時期を検知する検知機能も有する。
【００３０】
なお、前記マッチング・コントローラ２は、高周波電源６から見て、マッチング・コントローラ２およびそれより先（真空反応容器１側）の「プラズマを含めたチャンバー（反応容器）系」においてモニター対象となる物理量としてのインピーダンスの合計が５０Ωになるように動作する。例えば、「プラズマを含めたチャンバー系」のインピーダンスが３０Ωであれば、マッチング・コントローラ２自体のインピーダンスが２０Ωになるように動作する。これにより、「プラズマを含めたチャンバー系」のインピーダンスをモニターした結果に基づいて処理基板の加工の形状を制御することが可能になる。
【００３１】
（１）実施例１
図１に示したドライエッチング装置による半導体基板のロット処理毎後に、図６（ａ）に示したような処理基板のサンプルを真空反応室内に設置し、この真空反応室内に反応ガスとしてＨＢｒ／Ｏ2 ／ＮＦ3 をそれぞれ約１００／１０／７０ｓｃｃｍを導入し、圧力約２００ｍＴ、高周波電源の出力Ｗが約１０００Ｗの条件で放電プラズマ２０を発生させ、反応性イオンによりサンプルをエッチング加工した。これにより、図８（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板１４にトレンチキャパシタ用のトレンチが形成される。
【００３２】
この際、ドライエッチング装置による処理基板の処理ロット数とトレンチの下部径ｄとの関係を調べた。また、処理ロット数と真空反応室内部の電極に印加される高周波信号のピーク間電圧Ｖｐｐとの関係を調べた。これらの結果を図２（ａ）に示す。
【００３３】
また、上記したような調査を、同じマスクパターン、同じエッチング条件下で数回行い、その時の高周波信号のピーク間電圧Ｖｐｐとトレンチの下部径ｄとの関係を調べた結果を図２（ｂ）に示す。
【００３４】
図２（ａ）および図２（ｂ）から、トレンチの下部径ｄと高周波信号のピーク間電圧Ｖｐｐとに相関関係があり、Ｖｐｐ測定回路７によりＶｐｐを測定することによってトレンチの下部径ｄをほぼ特定することができることが分かる。
【００３５】
上記したようにトレンチの下部径ｄと高周波信号のピーク間電圧Ｖｐｐとに相関関係がある理由は明らかではないが、次のように考えられる。
【００３６】
即ち、何らかの要因でトレンチの形状が細ると、エッチングされるべき処理基板であるＳｉ基板の開口面積が減少する。主な反応生成物はＳｉＢｒx 、ＳｉＢｒy Ｏz 、ＳｉＦα等と予想されるので、被エッチング物質のＳｉの量が減少すると、当然に反応生成物の発生量も減少する。そのため、イオンと反応生成物との衝突頻度が減少し、プラズマ２０を含めた装置系のインピーダンスＺも小さくなる。また、ここで、高周波電源の出力をＷで表わすと、Ｗ＝Ｖｐｐ2 ／Ｚが成り立つ。この場合、Ｗは一定（本例では約１０００Ｗ）であるので、Ｖｐｐも減少すると予想される。
【００３７】
また、処理基板を保持したカソード電極にかかる自己バイアスＶｄｃと高周波信号のピーク間電圧Ｖｐｐとの間には、ＶｄｃはＶｐｐ／２にほぼ等しいという関係が一般的に成り立つので、Ｖｄｃ測定回路８によりＶｄｃを測定することによっても、前記Ｖｐｐの測定と同様にトレンチの下部径ｄを特定することが可能であることが容易に予想される。
【００３８】
上記実施例１のドライエッチング装置によれば、前記各測定回路７、８、９の出力（測定値）を予め用意されたデータと比較し、処理基板に対する加工特性の経時変化あるいは真空容器の内部の洗浄時期を検知する検知手段を具備するので、トレンチキャパシタ用のトレンチの加工に際して処理基板の処理枚数に依存するトレンチの下部径の経時変化を外部から把握することが可能になり、真空容器内の表面状況等を間接的に外部から把握することが可能になり、この真空容器内の適切な洗浄時期を判定することが可能になる。
【００３９】
また、上記実施例１のドライエッチング装置によれば、Ｖｐｐ測定回路７によりＶｐｐを測定した値、あるいは、Ｖｄｃ測定回路８によりＶｄｃを測定した値に基づいてＺ・Ｖｐｐ・Ｖｄｃ制御回路１３によって高周波電源制御回路１２を制御することによって、インピーダンスＺ・高周波電力ピーク間電圧Ｖｐｐ・自己バイアス電圧Ｖｄｃを制御することにより、前記測定値を所望の一定値に保持することにより、処理基板の加工の形状制御も可能となる
（２）実施例２
図１に示したドライエッチング装置による半導体基板のロット処理毎後に、図６（ａ）に示したような処理基板のサンプルを真空反応室内に設置し、この真空反応室内に反応ガスとしてＨＢｒ／Ｏ2 ／ＮＦ3 をそれぞれ約１００／１０／７０ｓｃｃｍを導入し、圧力約２００ｍＴの条件で、高周波電源の出力（ＲＦ−Ｐｏｗｅｒ）を印加して放電プラズマ２０を発生させ、反応性イオンによりサンプルをエッチング加工した。
【００４０】
この際、高周波電源の出力Ｗを変化させてドライエッチングを行い、高周波信号のピーク間電圧Ｖｐｐがどのように変化するかについて調べた。また、この際、図８（ｂ）に示したようなトレンチ上部のテーパ角θがどのように変化するかについても調べた。これらの結果を図３（ａ）および図３（ｂ）に示す。
【００４１】
図３（ａ）および図３（ｂ）から、高周波電源の出力Ｗと高周波信号のピーク間電圧Ｖｐｐおよびトレンチのテーパ角θには一対一の相関関係があり、Ｗによって制御が可能であることがわかる。
【００４２】
この理由は明らかではないが、Ｗ＝Ｖｐｐ2 ／Ｚの関係は一般的に成り立つが、反応生成物の発生量がほぼ一定量である時、Ｚはほぼ一定であるので、ＶｐｐはＷに比例し、その値も決まってくると予想される。
【００４３】
また、反応生成物の一部がトレンチの側壁に付いて側壁保護膜となり、この側壁保護膜の量によってトレンチ上部のテーパ角θが制御され、側壁保護膜が厚く付くとテーパ角θが寝て付いてくる。
【００４４】
また、ＶｄｃはＶｐｐ／２にほぼ等しいという関係が一般的に成り立つので、Ｖｐｐが増加すると、Ｖｄｃの増加、そして、反応性イオンの基板への到達エネルギーが増加し、それに伴いトレンチ内の側壁保護膜が削り取られてテーパ角θが立ってくるものと予想される。
【００４５】
上記実施例２のドライエッチング装置によれば、Ｖｐｐの値をＶｐｐ測定回路７により測定し、あるいは、Ｖｄｃの値をＶｄｃ測定回路８により測定し、この測定結果に基づいて高周波電源制御回路１２を制御し、ＶｐｐあるいはＶｄｃの測定結果がある設定値を保持するように高周波電源の出力Ｗを任意の値に制御することにより、トレンチの形状を制御することが可能である。
【００４６】
（３）実施例３
図１に示したドライエッチング装置による半導体基板のロット処理毎後に、図６（ａ）に示したような処理基板のサンプルを真空反応室内に設置し、この真空反応室内に反応ガスとしてＨＢｒ／Ｏ2 ／ＮＦ3 をそれぞれ導入し、圧力約２００ｍＴの条件で、高周波電源の出力（ＲＦ−Ｐｏｗｅｒ）を印加して放電プラズマ２０を発生させ、反応性イオンによりサンプルをエッチング加工した。
【００４７】
この際、ＨＢｒ／ＮＦ3 をそれぞれ約１００／７０ｓｃｃｍを導入し、Ｏ2 の流量を変化させてドライエッチングを行い、高周波信号のピーク間電圧Ｖｐｐがどのように変化するかについて調べた。また、この際、図６（ｂ）に示したようなトレンチ上部のテーパ角θがどのように変化するかについても調べた。これらの結果を図４（ａ）および図４（ｂ）に示す。
【００４８】
図４（ａ）および図４（ｂ）から、実施例２と同様に、Ｏ2 の流量と高周波信号のピーク間電圧Ｖｐｐおよびトレンチのテーパ角θには一対一の相関関係があり、Ｏ2 の流量によって制御が可能であることがわかる。
【００４９】
この理由は明らかではないが、Ｗ＝Ｖｐｐ2 ／Ｚの関係は一般的に成り立つが、Ｏ2 の流量の増加によりＳｉＢｒy Ｏz 系の反応生成物の発生量が増加するので、前記Ｚが大きくなる。そのため、この場合、Ｗはほぼ一定であるので、Ｖｐｐの値が減少しているものと考えられる。
【００５０】
また、前記インピーダンスＺの大きさは反応生成物の量に起因することから、反応生成物を形成するＢｒ、Ｆを含むＨＢｒ等の臭素含有ガスや、ＮＦ3 等のフッ素含有ガスを含めたプロセスガスを使用する場合においても、同様な効果が得られることは容易に予想される。
【００５１】
上記実施例３のドライエッチング装置によれば、Ｖｐｐの値をＶｐｐ測定回路７により測定し、あるいは、Ｖｄｃの値をＶｄｃ測定回路８により測定し、この測定結果に基づいてプロセスガス制御回路１１を制御し、ＶｐｐあるいはＶｄｃの測定結果がある設定値を保持するように各プロセスガス流量を任意の値に制御することにより、トレンチの形状を制御することが可能である。
【００５２】
次に、図１の装置を使用して基板を処理する方法について、図５に示すフローチャートを参照しながら簡単に説明する。
【００５３】
基板処理の開始時に、まず、各プロセスガスの供給および高周波電源の出力を開始させる。
【００５４】
開始後、装置系およびプラズマ２０を含めたインピーダンスＺ、あるいはプラズマ２０にかかる高周波信号のピーク間電圧Ｖｐｐ、あるいはカソード電極に生じる自己バイアス電圧Ｖｄｃのうち、少なくとも一つ以上の物理量をリアルタイムで測定する。
【００５５】
そして、これらの測定値が、任意に設定した値と等しい値であるかどうかをリアルタイムで確認する。測定値が設定値と等しい場合には、プロセスの終了時間と一致した時点で、プロセスガスの供給および高周波電源の出力を停止してプロセスを終了する。
【００５６】
プロセスの終了時間と一致しない場合は、再び測定値が前記Ｚ、Ｖｐｐ、Ｖｄｃ等が設定値と等しい値であるかどうかを確認する。
【００５７】
また、前記測定値が設定値と異なる場合には、プロセスガスあるいは高周波電源の出力等のプロセス条件をリアルタイムで調整し、設定値と等しい測定値が得られたかどうかを確認する。この時点で、設定値と等しい測定値が得られない場合、プロセス停止の信号を各プロセス制御回路に送信し、プロセスを強制終了させ、同時に洗浄時期到達の信号を発令する。
【００５８】
このように、Ｚ、Ｖｐｐ、Ｖｄｃ等をモニターすることにより、真空容器内部の処理基板の加工特性の経時変化および真空容器内部の洗浄時期を真空容器外部から明確に把握することが可能であり、また、モニターの結果を任意の値に保持制御することで加工の形状制御も可能となり、経時変化を抑制することが可能となる。
【００５９】
（４）実施例４
図１に示したドライエッチング装置による半導体基板のロット処理毎後に、図８（ａ）に示したような処理基板のサンプルを真空反応室内に設置し、この真空反応室内に反応ガスを導入し、チャンバー内を所定の圧力にし、高周波電源の出力を印加して放電プラズマを発生させ、反応性イオンによりサンプルをエッチング加工した。
【００６０】
この際、チャンバー内の圧力を変化させてドライエッチングを行い、図８（ｂ）に示したようなトレンチ上部のテーパー角θがどのように変化するかについて調べた。これらの結果を表１および図６に示す。
【表１】
2005117071.tif 000003
【００６１】
表１および図６において、チャンバー内の圧力が小さくなると、テーパー角θが大きくなることが分かる。この理由は次のように考えられる。すなわち、チャンバー内の圧力が小さくなると、イオンの方向性が揃い、イオンとイオン、もしくはイオンと原子などの他粒子との衝突頻度が減少する。そのため、電界によって加速された運動エネルギーが衝突によって失われることが無くなるので、イオンがウェーハに到達した時のエネルギーが増加し、側壁保護膜を削り易くなる効果（高周波電源の出力を増加させた場合と同様な効果）が得られる。
【００６２】
よって、チャンバー内の圧力を所望の一定値に調整保持することにより、テーパー角θを所望の値に制御することが可能になる。
【００６３】
（５）実施例５
図１に示したドライエッチング装置による半導体基板のロット処理毎後に、図８（ａ）に示したような処理基板のサンプルを真空反応室内に設置し、この真空反応室内に反応ガスを導入し、チャンバー内を所定の圧力にし、ウェーハを所定の温度にし、高周波電源の出力を印加して放電プラズマを発生させ、反応性イオンによりサンプルをエッチング加工した。
【００６４】
この際、ウェーハ温度を変化させてドライエッチングを行い、図８（ｂ）に示したようなトレンチ上部のテーパー角θがどのように変化するかについて調べた。これらの結果を表２および図７に示す。
【００６５】
なお、ウェーハ温度を調整する方法として、ウェーハ裏面からＨｅガス（Ｂａｃｋ−Ｈｅガス）を流し、そのガスの圧力でウェーハとの熱交換率を変える。
【表２】
2005117071.tif 000004
【００６６】
表２および図７において、Ｂａｃｋ−Ｈｅガスの圧力が大きくなると、テーパー角θが小さくなることが分かる。この理由は次のように考えられる。Ｂａｃｋ−Ｈｅガスの圧力を上昇させると、ウェーハ温度が下がり、反応生成物（堆積物、側壁保護膜）の付着量が増加し、テーパー角θを寝かせる効果（前述したＯ2の流量を増加させた場合と同様な効果）が得られる。
【００６７】
よって、ウェーハ温度を所望の一定値に調整保持することにより、テーパー角θを所望の値に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の半導体装置の製造装置の第１の実施の形態に係るドライエッチング装置とその周辺回路の構成を概略的に示す図。
【図２】図１の装置による処理基板の処理ロット数とトレンチの下部径との関係（加工特性の経時変化）を調べた結果と、処理ロット数とプラズマにかかる高周波信号のピーク間電圧Ｖｐｐとの関係を調べた結果を示す図。
【図３】図１の装置による処理基板の高周波電源の出力と高周波信号のピーク間電圧Ｖｐｐとの関係を調べた結果と、高周波信号のピーク間電圧Ｖｐｐとトレンチ上部のテーパ角θとの関係を調べた結果を示す図。
【図４】図１の装置による処理基板の反応ガスＯ2 の流量と高周波信号のピーク間電圧Ｖｐｐの関係を調べた結果と、反応ガスＯ2 の流量とトレンチ上部のテーパ角θとの関係を調べた結果を示す図。
【図５】図１の装置を使用した半導体装置の製造方法の一例を示すフローチャート。
【図６】図１の装置によるチャンバーの圧力とトレンチ上部のテーパ角θとの関係を調べた結果を示す図。
【図７】図１の装置による処理基板の温度を調整するＢａｃｋ−Ｈｅガスの圧力とトレンチ上部のテーパ角θとの関係を調べた結果を示す図。
【図８】トレンチキャパシタ用のトレンチの形成工程における基板の断面構造を示す図。
【図９】従来のライエッチング装置による処理基板の処理ロット数とトレンチの下部径の関係を示す図。
【符号の説明】
【００６９】
１…反応真空容器、２…マッチング・コントローラ、３…第１のバリアブルコンデンサ、４…第２のバリアブルコンデンサ、５…インダクタンス、６…高周波電源、７…Ｖｐｐ測定回路、８…Ｖｄｃ測定回路、９…インピーダンス測定回路、１０…装置本体、１１…プロセスガス制御回路、１２…高周波電源制御回路、１３…Ｚ・Ｖｐｐ・Ｖｄｃ制御回路、２０…放電プラズマ。
【図１】
2005117071.tif 000005
【図２】
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【図３】
2005117071.tif 000007
【図４】
2005117071.tif 000008
【図５】
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【図６】
2005117071.tif 000010
【図７】
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【図８】
2005117071.tif 000012
【図９】
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