(57)【要約】【課題】半導体集積回路または液晶ディスプレー製造工程に用いられ、フォトレジスト及びフォトレジスト変質膜に対する剥離性に優れ、高温処理条件及び洗浄条件でも基板の防腐性に優れたフォトレジスト用ストリッパー組成物及びこれを用いてフォトレジスト剥離工程後に別の洗浄段階なしに直ぐに超純水で洗浄する方法に関する。【解決手段】アルカノールアミン５−２０重量％；非イオン性極性溶剤１０−４０重量％；グリコールエーテル３５−７５重量％；ならびに以下の化学式１で表示される無水フタル酸類、化学式２で表示されるフタリド類、および化学式３で表示される無水ナフタル酸類  【化５】2005331913.tif 000013からなる群より選択された１種以上の添加剤０．１−５重量％を含むフォトレジスト用ストリッパー組成物。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカノールアミン５-２０重量％、非イオン性極性溶剤１０-４０重量％、グリコールエーテル３５-７５重量％、ならびに以下の化学式１で表示される無水フタル酸類、化学式２で表示されるフタリド類、および化学式３で表示される無水ナフタル酸類
【化１】
2005331913.tif 000012
からなる群より選択された１種以上の添加剤０．１-５重量％を含むことを特徴とするフォトレジスト用ストリッパー組成物。
【請求項２】
アルカノールアミンはモノイソプロパノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、モノエタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−エチルエタノールアミン、N,N−ジメチルエタノールアミン、及びN,N−ジエチルエタノールアミンからなる群より選択された１種以上のものであることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト用ストリッパー組成物。
【請求項３】
非イオン性極性溶剤はN,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、N−エチルピロリドン、N,N−ジメチルイミダゾール、γ−ブチロラクトン、及びジメチルスルホキシドからなる群より選択された１種以上のものであることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト用ストリッパー組成物。
【請求項４】
グリコールエーテルはエチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、及びジプロピレングリコールブチルエーテルからなる群より選択された１種以上のものであることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト用ストリッパー組成物。
【請求項５】
腐食防止剤を全体組成中０．１-５重量％だけさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト用ストリッパー組成物。
【請求項６】
腐食防止剤はキシレノール−３−ヒドロキシ−２−メチル−４−ピロン、カテコール、８−ヒドロキシキノリン、１−メチル−５−メルカプト−テトラゾール、５−フェニル−テトラゾール、４−tert−ブチルカテコール、２−メルカプトナフタレン、３−メチル−５−ピラゾロン、１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、マレイン酸ヒドラジド、６−メチル−３−ピリダゾール、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２−エチル−３−ヒドロキシ−４−ピロン、５，５−ジメチルヒダントイン、２−メルカプトベンゾチアゾール、及び２−メルカプトベンゾイミダゾールからなる群より選択された一つ以上のものであることを特徴とする請求項１または５に記載のフォトレジスト用ストリッパー組成物。
【請求項７】
LCD及び半導体製造工程のパターン形成過程において請求項１のフォトレジスト用ストリッパー組成物を用いてフォトレジストを剥離した後、イソプロパノールのような有機溶剤を別に使用せずに直ぐ超純水で洗浄する工程を行ってフォトレジストを剥離することを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトレジストストリッパー組成物及びこれをフォトレジスト剥離に用いる方法に係るもので、詳しくは、半導体集積回路または液晶ディスプレー製造工程に用いられ、フォトレジスト及びフォトレジスト変質膜に対する剥離性に優れ、高温処理条件及び洗浄条件でも基板の防腐性に優れたフォトレジスト用ストリッパー組成物及びこれを用いてフォトレジスト剥離工程後に別の洗浄段階なしに直ぐに超純水で洗浄することができる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトレジスト工程は、集積回路（IC）、高集積回路（LSI）及び超高集積回路（VLSI）などのような半導体装置と、液晶表示装置（LCD）及び平板表示装置（PDP）などのような画像具現装置などを製造するときに微細回路を製造するために用いられる。
【０００３】
一般に、このような工程ではまず半導体基板またはガラス基板に酸化シリコン膜のような絶縁膜及び回路配線のための金属膜のような伝導性薄膜を形成し、この上にフォトレジスト組成物を均一に塗布する。次いで、所定のパターンが形成されたマスクを通して前記フォトレジスト膜に紫外線、電子線またはX線のような高エネルギー活性線を照射し、現像工程を進行して所望のレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンを食刻マスクとして用いて下部基板を食刻して基板内部に所定のパターンを形成し、形成された基板の上部に残留するレジストパターンをストリッパー組成物を用いて完全に除去することにより、工程が完了される。
【０００４】
最近、半導体集積回路または液晶ディスプレーの製造工程は、集積度を向上させるために加工パターンが超微細化されるに従い、金属膜及び酸化膜の食刻方法が複雑になり、従来の湿式エッチングのほかに乾式食刻と、灰分化過程を通じて金属膜及び酸化膜を食刻する工程が導入されている。
【０００５】
このように回路形成工程が複雑になるに従い、フォトレジスト膜の熱架橋化反応及び有・無機酸化物が生成されるなどの既存のストリッパー組成物では除去され難い変性フォトレジスト膜の発生が増加している。従って、フォトレジストを除去するためのストリッパー組成物は一般に変性フォトレジスト膜に対する剥離性に優れ、剥離の際に不純物微粒子が基板に残らず、アルミニウムのような金属膜を腐食させないことを要する。
【０００６】
ストリッパー組成物を用いたフォトレジストの一般の剥離工程は、ストリッパーによりフォトレジストを除去し、エアーナイフによりフォトレジストが溶解したストリッパーの大部分を除去した後、洗浄工程に移動して基板の表面に残されたストリッパーを超純水を用いて除去し乾燥させる過程から構成される。金属膜はフォトレジストの剥離過程及び洗浄工程で露出され、この過程で腐食が発生すると推定される。
【０００７】
たいていの金属膜の腐食はアルカノールアミンを含むストリッパーを用いる場合、フォトレジストの剥離過程で発生する腐食よりも、洗浄工程（post-stripping water rinse）において基板表面及び基板キャリヤの上に残されたアルカノールアミンに多量の水が混合されたときに水のイオン化により誘発される腐食の程度がより大きいことが知られている。
【０００８】
このような問題点を解決するため、フォトレジストの剥離工程後に超純水で洗浄する前に、有機溶媒（例えば、イソプロパノール）を用いてストリッパー組成物を除去する中間洗浄段階を導入して金属膜の腐食を防止することが試みられてきた。しかし、このような中間洗浄工程を導入することにより工程時間及び製造費用が増加し、溶媒廃水が発生するに従い、工程改善の必要性が生じた。
【０００９】
そこで、アルカノールアミンを含んだストリッパーを用いる場合、このような中間洗浄段階を排除し、金属膜腐食の問題点を解決しなければならない。
【００１０】
現在、半導体集積回路及び液晶ディスプレーに用いられるフォトレジスト用ストリッパー組成物の例としては、アルカノールアミンまたはポリアルキレンポリアミンの酸化エチレン添加生成物、スルホン化合物及びグリコールモノアルキルエーテルを含むストリッパー（日本特開昭６２−４９３５５号）；主成分のジメチルスルホキシドとジエチレングリコールモノアルキルエーテル及び窒素含有の有機ヒドロキシ化合物を含有するストリッパー（日本特開昭６４−４２６５３号）などがあり、フルオロ化合物、アミド、ジメチルスルホキシド溶媒などを含有した水溶液及び腐食抑制剤が高剥離力及び簡便さのためレジストストリッパーとして用いられる（日本特開平８−２０２０５２及び米国特許第５、９６２、３８５号）。
【００１１】
また、日本特開平８−８７１１８号ではN−アルキルアルカノールアミン５０−９０重量％、ジメチルスルホキシドまたはN−メチル−２−ピロリドン５０−１０重量％からなる組成物を開示し、このようにN−アルキルアルカノールアミンと特定有機溶媒からなる溶剤をストリッパーとして用いることにより、高温の過酷な剥離条件でも不溶物の析出が起こらず、微粒子が基板に残らないと記載されている。しかし、これらのアルカリ性ストリッパーは工程上で吸収した水の作用により添加生成物から遊離したアミンのためにアルカリ性を帯び、またはフォトレジスト剥離工程後にアルコールなどの有機溶媒の代わりに水で洗浄した場合に洗浄時にアルカリ性を帯び、微細な配線を形成するために広く用いられる材料であるアルミニウムに深刻な腐食作用を起こす。従って、前記剥離液は最近の厳しい寸法精密性の条件を求めるマイクロプロセッシング技術に使用するには適当でない。
【００１２】
一方、日本特開平４−１２４６６８号には有機アミン２０-９０重量％、燐酸エステル界面活性剤０．１-２０重量％、２−ブテン−１，４−ジオール０．１-２０重量％、及び残部としてグリコールモノアルキルエーテル及び（または）非プロトン性極性溶剤からなるフォトレジスト剥離用組成物が開示され、ここで、２−ブテン−１，４−ジオール及び燐酸エステル界面活性剤は剥離特性を低下させない限度内でフォトレジストに吸収された有機アミンによりアルミニウム及び銅などの金属層が腐食することを防止するために添加されると記載されている。
【特許文献１】特開昭６２−４９３５５号
【特許文献２】特開昭６４−４２６５３号
【特許文献３】特開平８−２０２０５２号
【特許文献４】米国特許第５、９６２、３８５号
【特許文献５】特開平８−８７１１８号
【特許文献６】特開平４−１２４６６８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の目的は、フォトレジストに対する溶解性に優れ、乾式及び湿式食刻、熱による変性フォトレジスト膜を容易に剥離でき、剥離工程中に金属配線の腐食を最小化し、特に、剥離工程後にイソプロパノールのような有機溶媒を用いる中間洗浄段階を経ずに水で直接に洗浄してもアルミニウムのような金属配線に対して腐食が少ないフォトレジスト用ストリッパー組成物を提供するにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、剥離工程後のイソプロパノールのような有機溶媒を用いる中間洗浄段階を経ずに水で洗浄するストリッパー組成物を用いたフォトレジストの剥離方法を提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
このような目的を達成するため本発明によるフォトレジスト用ストリッパー組成物は、アルカノールアミン５-２０重量％、非イオン性極性溶媒１０-４０重量％、グリコールエーテル３５-７５重量％、ならびに以下の化学式１で表示される無水フタル酸類、化学式２で表示されるフタリド類、および化学式３で表示される無水ナフタル酸類
【化２】
2005331913.tif 000002
【００１６】
からなる群より選択された少なくとも１種以上の添加剤０．１-５重量％を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明により無水フタル酸またはフタリド類、或いは無水ナフタル酸を添加剤として含むフォトレジスト用ストリッパー組成物は剥離性能が良好であり、反復使用のときにも蒸発によるストリッパーの減少が少なく、成分含量の変化が少なく剥離性能が維持されるという特性があり、アルミニウムのような金属膜の腐食を効果的に防止することにより、ストリッパーによる剥離工程後にイソプロパノールのような有機溶剤を別に使用しなくても直ちに超純水で洗浄が可能であり、好ましくは、腐食防止剤を一緒に使用する場合に高温の超純水を用いて洗浄してもアルミニウムのような金属の腐食を効果的に防止でき、金属層間に発生されるガルバニック腐食も防止することにより、工程短縮及び諸般の費用の節減効果を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を詳しく説明する。
【００１９】
本発明のフォトレジスト用ストリッパー組成物は、フォトレジストのストリップ工程後に超純水で直ぐに洗浄してもアルミニウムのような金属配線の腐食防止の役割をするとともに、フォトレジストの剥離能力向上の役割をするように、前記化学式１で表示される無水フタル酸類、前記化学式２で表示されるフタリド類、または前記化学式３で表示される無水ナフタル酸類からなる群より選択された少なくとも一つ以上の添加剤を含む。
【００２０】
このような添加剤は以下の反応式１に示すように、ストリッパーに含まれたアルカノ−ルアミンと反応して環構造を有するアミド類を形成する。このように生成された環構造のアミドは以下の反応式２に示すように、アミド官能基とヒドロキシル基が構造的に平面上に存在してアルミニウムのような金属物質と錯体の形成が容易になって金属の腐食を防止する機能を有し、且つ、反応物の構造内にアミド基を含むことによりフォトレジストの溶解性を増加させる役割をすると推定される。
【化３】
2005331913.tif 000003
【化４】
2005331913.tif 000004
【００２１】
ここで、Mはアルミニウムのような金属を示す。
【００２２】
前記化学式１で表示される無水フタル酸類化合物の具体的な例としては、無水フタル酸、無水４−メチルフタル酸、無水３，６−ジクロロフタル酸、無水３−ヒドロキシフタル酸、無水１，２，４−ベンゼントリカルボン酸、及び無水３−ニトロフタル酸などがあり、化学式２で表示されるフタリド類化合物の具体的な例としては、フタリド、６−ニトロフタリド、及び３−ベンジルフタリドなどがあり、化学式３で表示される無水ナフタル酸類化合物の具体的な例としては無水１，８−ナフタル酸、無水４−クロロ−１，８−ナフタル酸、無水４−アミノ−１，８−ナフタル酸、無水３−ニトロ−１，８−ナフタル酸、及びに無水１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸などがある。
【００２３】
このような役割をする添加剤の量は全体のストリッパー組成物のうち０．１乃至５重量％の範囲で選択される。その含量が全体のストリッパー組成物のうち０．１重量％未満である場合、アルミニウムのような金属配線の腐食防止及びレジスト膜の剥離効果が少なく、５重量％を超過する場合にはフォトレジスト用ストリッパー組成物の粘度が大きく増加して、使用のときに便利性を低下させるという問題点がある。
【００２４】
一方、本発明のフォトレジスト用ストリッパー組成物に用いられたアルカノールアミンは強アルカリ性物質で、乾式または湿式食刻、或いは、アッシング（ashing）またはイオン注入工程などの様々な工程により変性されたレジスト膜に浸透してこれを溶解させるか、またはレジスト膜の膨潤を容易になるようにする役割をするものであり、具体的な例はモノイソプロパノールアミン、２−（２−アミノエポキシ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、モノエタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−エチルエタノールアミン、N，N−ジメチルエタノールアミン、及びN，N−ジエチルエタノールアミンなどで表される物質群より選択された一つ以上の物質である。
【００２５】
アルカノールアミンの量は全体ストリッパー組成物のうち５乃至２０重量％の範囲で選択される。その含量が5重量％未満である場合、フォトレジスト剥離性能が低下してフォトレジスト残膜が残り、２０重量％を超過すると、ストリッパー工程後に超純水で直ぐに洗浄する場合に金属配線の腐食性が増加して製品不良の原因となるため、イソプロパノールのような有機溶媒で残ったストリッパーを除去した後に超純水で洗浄するという追加工程が求められる。
【００２６】
非イオン性極性溶剤はフォトレジストを構成する高分子樹脂に対する溶解性に優れ、水とよく混合し、分子構造がコンパクトで水中で容易に移動でき、界面張力を大きく低下させる役割をし、その具体的な例としてはN，N−ジメチルフォルムアミド、N，N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、N−エチルピロリドン、N，N−ジメチルイミダゾル、γ−ブチロラクトン、及びジメチルスルホキシドなどで表される物質群より選択された一つ以上である。その含量は全体ストリッパー組成物のうち１０乃至４０重量％が好ましい。
【００２７】
グリコールエーテルは非イオン性極性溶剤とともにフォトレジストを溶解させる溶剤役割をし、且つ、長期間の剥離工程を進行しても加熱による組成変化及び蒸発損失が少なくストリッパー組成の交換周期を最大化する役割をする。詳しくは、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、及びジプロピレングリコールブチルエーテルなどで表される物質群より選択された一つ以上の物質である。その含量は３５乃至７５重量％の範囲で選択される。
【００２８】
一方、本発明のストリッパー組成物は腐食防止剤をさらに含むことができ、腐食防止剤はフォトレジストのストリッパー工程の後に超純水で直ぐに洗浄してもアルミニウムのような金属配線の腐食を少なくする役割をし、キシレノル−３−ヒドロキシ−２−メチル−４−ピロン、カテコール、８−ヒドロキシキノリン、１−メチル−５−メルカプト−テトラゾール、５−フェニル−テトラゾール、４−tert−ブチルカテコール、２−メルカプトナフタレン、３−メチル−５−ピラゾロン、１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、マレイン酸ヒドラジド、６−メチル−３−ピリダゾール、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２−エチル−３−ヒドロキシ−４−ピロン、５，５−ジメチルヒダントイン、２−メルカプトベンゾチアゾール、及び２−メルカプトベンゾイミダゾールで表される物質より選択された少なくとも一つ以上の物質である。
【００２９】
腐食防止剤を添加せずに上記の添加剤だけでもストリッパー組成物に腐食防止効果を付与できるが、前記腐食防止剤を追加する場合に腐食防止能力が一層向上する。特に、二重膜または三重膜の金属配線を使用する工程においては、アルミニウムのような単一金属の腐食だけでなく、層間ガルバニック腐食が発生する場合には工程不良の原因となりうるが、本発明でのように上記の添加剤と腐食防止剤を混用するストリッパー組成物を使用すると、単一金属膜だけでなく、多層膜で発生する層間ガルバニック腐食を効果的に防止することができる。
【００３０】
腐食防止剤を添加する場合、その含量は全体ストリッパー組成物中で０．１乃至５重量％が好ましい。仮にその含量が全体ストリッパー租生物中で０．１重量％未満であれば、アルミニウムのような金属配線の腐食防止効果が少なく、５重量％を超過すれば、エッチング処理後のレジスト膜の剥離速度が顕著に低下してフォトレジスト膜が完全に剥離されないという問題がある。
【００３１】
以下、実施例をもって本発明を詳しく説明する。しかし、本発明の範囲が以下の実施例のみに限定されるのではない。本発明の実施例及び比較例において別に言及がなければ百分率及び混合比は重量を基準にしたものである。
【００３２】
（実施例１-１６及び比較例１-６）
以下の表１に記載されたような組成成分と組成比率に従い本発明のストリッパー組成物を実施例１-１６のように製造し、これと対比されるストリッパー組成物を比較例１-６のように製造した。
【表１】
2005331913.tif 000005
【００３３】
前記実施例及び比較例に従い得られたストリッパー組成物を用いて剥離性能、ストリッパー組成物の使用寿命、金属配線腐食性を評価した。
【００３４】
その具体的な評価方法は以下のようである。
【００３５】
１．剥離性能
試片製造
Al、Moまたはa−Si（非晶質シリコン）がそれぞれ２０００Åの厚さに蒸着された０．７ｍｍ×５０ｍｍ×５０ｍｍガラス基板の上にポジティブ型フォトレジストを塗布した後、ホットプレートの上で１１０℃で９０秒間熱処理して塗布されたフォトレジストを乾燥させた。乾燥後のフォトレジストの膜厚は１．５μｍであった。このとき、使用フォトレジストは日本国JEON（社）のポジティブ型フォトレジスト（商品名JPP-1800）である。
【００３６】
前記フォトレジスト膜の上に所定のパターンが形成されたマスクを用いて紫外線を照射し、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（TMAH）現像液で現像した後、試片をホットプレート上で１３０℃、１５０℃、１７０℃、または１９０℃で３分間ハードベークしてAl、Moまたはa−Si膜上に所定のパターンを形成した。
【００３７】
前記試片を食刻溶液に浸漬する湿式食刻工程またはプラズマで乾式食刻工程を進行して金属膜パターンを形成した後、超純水で洗浄し窒素ガスで乾燥した。
【００３８】
剥離試験
７０℃のストリッパーに前記試片を３分間浸漬した後、超純水で洗浄し窒素ガスで乾燥して、走査電子顕微鏡で金属膜パターンの表面及びラインとラインの間のスペースにおいてフォトレジスト残留物を観測し、その結果を以下の表２乃至表４に示した。
【００３９】
表２-表４の結果において、◎は完全除去（約１００％除去）、丸印は殆どの完全除去（９０％以上の除去）、△は部分残留（８０-９０％の除去）、Xは多量残留（８０％以下の除去）を示す。
【表２】
2005331913.tif 000006
【表３】
2005331913.tif 000007
【表４】
2005331913.tif 000008
【００４０】
前記表２-４の結果から、実施例１-１６のストリッパー組成物は膜質にかかわらずに剥離性能が良好であったが、比較例３-６のストリッパー組成物はハードベーク温度が１３０℃である場合には剥離性能が良好であるが、ハードベーク温度が増加するほど、剥離性能は低下することがわかる。
【００４１】
２．ストリッパー組成物の使用寿命
前記１から得られた試片を０枚、１０００枚、２０００枚、３０００枚、及び４０００枚の剥離工程を行ったストリッパー組成物を用い、金属配線はAl膜を形成し、ハードベーク温度を１３０℃、１６０℃にして、剥離試験は７０℃のストリッパー組成物に３分間浸漬してから取出して超純水で洗浄し窒素ガスで乾燥した後、走査電子顕微鏡で金属膜パターンの表面及びラインとラインの間のスペースにおいてフォトレジスト残留物を観測してその結果を表５に示した。
【表５】
2005331913.tif 000009
【００４２】
前記表５の結果から、実施例１、３、５-７、９、１０、１５、１６のストリッパー組成物は試片を４０００枚処理した状態でも１３０℃、１６０℃でハードベークされたフォトレジストに対して初期のストリッパー組成物と同一な水準の剥離性能を示し、実施例８、１２のストリッパー組成物は１６０℃でハードベークされたフォトレジストに対しては試片を３０００枚処理した後にも初期のストリッパー組成物と同一な水準の剥離性能を示したが、試片を４０００枚処理した状態では初期のストリッパー組成物に比べ剥離力は多少低下し始めることがわかる。反面、比較例３-６のストリッパー組成物の場合、試片を２０００枚処理した状態では１３０℃でハードベークされたフォトレジストに対し初期のストリッパー組成物と同一な水準の剥離性能を示したが、試片３０００枚処理した状態からはストリッパー組成物の剥離力が低下し始めることがわかる。また、１６０℃でハードベークされたフォトレジストに対しては初期から剥離能力が低下することがわかる。
【００４３】
３．金属配線の腐食性
１）金属配線溶出量の比較試験
アルミニウム、モリブデンの二重膜で回路が形成された０．７ｍｍ×５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさの試片を７０℃のストリッパー組成物１ｋｇに浸漬させた後、それぞれ５時間、１０時間、２４時間及び４８時間が経過するたびにストリッパー組成物をサンプリングし、Al、Moの溶出量ICP-MS(Inductively Coupled Plasma-Mass Spectroscopy)で測定してその結果を表６に示した。
【表６】
2005331913.tif 000010
【００４４】
前記表６の結果から、実施例１-１５のストリッパー組成物では比較例１-６のストリッパー組成物に比べA1、Moの腐食が少ないことがわかる。
【００４５】
２）超純水洗浄時の腐食防止の比較試験
アルミニウム、モリブデンの二重膜で回路の形成された０．７ｍｍ×５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさの試片を７０℃のストリッパー組成物に２分間浸漬させてから出し、２５℃及び４５℃超純水５００mlに１０分間浸漬させる。以後、試片を取出して超純水で洗浄し窒素ガスで乾燥した後に走査電子顕微鏡でアルミニウムパターンラインの上部表面及び側面部位を検査し、腐食程度を以下のような基準に基づき評価して、その結果を表７に示した。
【００４６】
◎：アルミニウムとモリブデンの二重膜の界面腐食がない場合
丸印：アルミニウムとモリブデンの二重膜の界面腐食は多少発生するが、アルミニウムパターンラインの側面腐食がない場合
△：アルミニウムパターンラインの側面腐食が一部ある場合
X ：アルミニウムパターンラインの側面腐食が甚だしく現れる場合
【表７】
2005331913.tif 000011
【００４７】
前記表７の結果から、実施例１-１６のストリッパー組成物はフォトレジストの剥離工程後のイソプロパノールの洗浄工程なしに直ちに超純水で洗浄してもアルミニウムの金属膜に対し腐食が発生せず、特に、実施例２-８、１０、１３、１５、１６のストリッパー組成物はアルミニウムとモリブデンの二重膜で構成されたパターンにおいて層間腐食（ガルバニック腐食）が発生しないという良好な結果が得られた。
【００４８】
反面、比較例１-６のストリッパー組成物は剥離工程後に超純水で直ちに洗浄する場合にアルミニウムの腐食が甚だしく発生するため、かならずイソプロパノールの洗浄工程が必要となる。
【００４９】
この結果から、常温の超純水を用いる洗浄工程では無水フタル酸またはフタリドのような添加剤だけでもアルミニウムのような金属膜の腐食を防止することができるが、高温の超純水を用いる工程ではアルミニウムとモリブデンの層間腐食（ガルバニック腐食）が一部発生するため、添加剤と２，３−ジヒドロキシナフタレンまたは２−メルカプトベンゾチアゾールなどの腐食防止剤を混合して使用することが金属間のガルバニック腐食を効果的に防止するのにより一層好ましいことがわかる。