(57)【要約】【課題】放電の発生を抑制するとともに耐大気圧強度が向上した画像表示装置を提供することにある。【解決手段】  蛍光面が形成された第１基板１０と、複数の電子放出源１８が設けられた第２基板１２との間に、スペーサ構体２２が設けられている。スペーサ構体の支持基板２４は、第１基板に当接した第１表面２４ａ、第２基板と対向した第２表面２４ｂ、および電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔２６を有し、絶縁層３７で被覆されている。第２表面上に複数のスペーサ３０が立設されている。支持基板は、それぞれスペーサに当接しているとともにスペーサの高さ方向に弾性変形可能に形成された複数の高さ緩和部５４を有している。【選択図】      図３
2005228657.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光体層を含む蛍光面と、この蛍光面に重ねて設けられたメタルバック層と、を有した第１基板と、
前記第１基板と隙間を置いて対向配置されているとともに、前記蛍光面に向けて電子を放出する複数の電子放出源が配置された第２基板と、
前記第１および第２基板間に配設され、前記第１基板に当接した第１表面、前記第２基板と対向した第２表面、および前記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔を有しているとともに、絶縁性物質で被覆された支持基板と、
前記支持基板の第２表面と前記第２基板との間に立設され、第１および第２基板に作用する大気圧を支持する複数のスペーサと、を備え、
前記支持基板は、それぞれ前記スペーサに当接しているとともにスペーサの高さ方向に弾性変形可能に形成された複数の高さ緩和部を有している画像表示装置。
【請求項２】
前記各高さ緩和部は、前記支持基板の第１表面に形成された凹所を有していることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
蛍光体層を含む蛍光面と、この蛍光面に重ねて設けられたメタルバック層と、メタルバック層に重ねて形成されたゲッター膜とを有した第１基板と、
前記第１基板と隙間を置いて対向配置されているとともに、前記蛍光面に向けて電子を放出する複数の電子放出源が配置された第２基板と、
前記第１および第２基板間に配設され、前記第１基板に当接した第１表面、前記第２基板と対向した第２表面、前記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔、および前記第１表面に形成された複数の凹所を有しているとともに、絶縁性物質で被覆された支持基板と、
前記支持基板の第２表面と前記第２基板との間に立設され、第１および第２基板に作用する大気圧を支持する複数のスペーサと、を備えた画像表示装置。
【請求項４】
前記凹所は、前記支持基板の第１表面において、前記スペーサと対向した位置を含み、前記電子ビーム通過孔間に形成されている請求項３に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記凹所は、前記スペーサの前記支持基板に当接した当接面の面積よりも大きな面積を有していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記凹所は、前記スペーサの前記支持基板に当接した当接面と相似形状を有していることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記凹所は、前記電子ビーム通過孔の間を延びた溝により形成されている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記各凹所はハーフエッチングにより形成されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、対向配置された基板と、基板間に配設されたスペーサとを備えた画像表示装置、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、陰極線管（以下、ＣＲＴと称する）に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な平面型の画像表示装置が注目されている。例えば、平面表示装置として機能するフィールド・エミッション・デバイス（以下、ＦＥＤと称する）の一種として、表面伝導型電子放出装置（以下、ＳＥＤと称する）の開発が進められている。
【０００３】
このＳＥＤは、所定の間隔をおいて対向配置された第１基板および第２基板を備え、これらの基板は矩形状の側壁を介して周辺部を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。第１基板の内面には３色の蛍光体層およびメタルバック層が形成され、第２基板の内面には、蛍光体を励起する電子源として、各画素に対応する多数の電子放出素子が配列されている。各電子放出素子は、電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の電極等で構成されている。
【０００４】
前記のようなＳＥＤにおいて、第１基板および第２基板間の空間、すなわち真空外囲器内は、高い真空度に維持されることが重要となる。真空度が低い場合、電子放出素子の寿命、ひいては、装置の寿命が低下してしまう。また、第１基板と第２基板間は真空であるため、第１基板、第２基板に対し大気圧が作用する。そこで、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し基板間の隙間を維持するため、両基板間には、多数の板状あるいは柱状のスペーサが配置されている。
【０００５】
スペーサを第１基板および第２基板の全面に渡って配置するためには、第１基板の蛍光体、第２基板の電子放出素子に接触しないように、極めて薄い板状、あるいは極めて細い柱状のスペーサが必要となる。これらのスペーサは、電子放出素子の極めて近くに設置せざるを得ないため、スペーサとして絶縁体材料を使用しなければならない。同時に、第１基板および第２基板の薄板化を検討した場合、一層多くのスペーサが必要となる。
【０００６】
例えば、特許文献１には、支持基板上に多数の柱状スペーサを立設してスペーサ構体を構成し、このスペーサ構体を第１および第２基板間に配置した装置が開示されている。このような画像表示装置の真空外囲器を製造する方法として、予め第１基板、第２基板、スペーサ構体を真空内に設置し、封着後の真空度維持を目的として、第１基板のメタルバック層上にゲッターを塗布した後に、スペーサ構体を狭持するように第１基板と第２基板とを封着する製造方法が提案されている（例えば、特許文献２）。
【特許文献１】特開２００１−２７２９２７号公報
【特許文献２】特開２００１−２２９８２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前記のように構成されたＳＥＤにおいて、画像を表示する場合、第１基板と第２基板との間には、電子ビームの加速電圧として例えば１０ＫＶの高電圧が印加される。高電圧下において、メタルバック層に重ねてゲッターが設けられている場合、メタルバック層と第１基板間で放電現状が発生し易くなる。そして、放電が発生した場合、蛍光体層、メタルバック層、および第２基板上の電子放出素子等が破壊する虞がある。
【０００８】
また、前記のように構成されたスペーサ構体において、全てのスペーサを同一の高さで形成することが難しく、スペーサの高さにバラツキが生じる可能性がある。スペーサの高さにバラツキがある場合、第１基板および第２基板に作用する大気圧荷重をスペーサによって安定に支持することが困難となり、外囲器の耐大気圧強度が低下する。また、高さの高いスペーサには大きな負荷が作用し、このスペーサが損傷する恐れもあり、この場合、スペーサ構体自体の強度が低下する。更に、高さの低いスペーサの先端と基板との間に隙間が形成されると、この隙間は放電の発生要因となりえる。
【０００９】
この発明は、以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、放電の発生を抑制するとともに耐大気圧強度が向上した画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するため、この発明の態様に係る画像表示装置は、蛍光体層を含む蛍光面と、この蛍光面に重ねて設けられたメタルバック層と、を有した第１基板と、前記第１基板と隙間を置いて対向配置されているとともに、前記蛍光面に向けて電子を放出する複数の電子放出源が配置された第２基板と、前記第１および第２基板間に配設され、前記第１基板に当接した第１表面、前記第２基板と対向した第２表面、および前記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔を有しているとともに、絶縁性物質で被覆された支持基板と、前記支持基板の第２表面と前記第２基板との間に立設され、第１および第２基板に作用する大気圧を支持する複数のスペーサと、を備え、前記支持基板は、それぞれ前記スペーサに当接しているとともにスペーサの高さ方向に弾性変形可能に形成された複数の高さ緩和部を有している。
【００１１】
この発明の他の形態に係る画像表示装置は、蛍光体層を含む蛍光面と、この蛍光面に重ねて設けられたメタルバック層と、メタルバック層に重ねて形成されたゲッター膜とを有した第１基板と、前記第１基板と隙間を置いて対向配置されているとともに、前記蛍光面に向けて電子を放出する複数の電子放出源が配置された第２基板と、前記第１および第２基板間に配設され、前記第１基板に当接した第１表面、前記第２基板と対向した第２表面、前記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔、および前記第１表面に形成された複数の凹所を有しているとともに、絶縁性物質で被覆された支持基板と、前記支持基板の第２表面と前記第２基板との間に立設され、第１および第２基板に作用する大気圧を支持する複数のスペーサと、を備えている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、スペーサの高さにバラツキがある場合でも、支持基板の高さ緩和部の弾性変形により高さのバラツキを吸収することができる。そのため、第２基板とスペーサとの隙間を無くし、この隙間に起因する放電を抑制することが可能となる。支持基板の第１表面に複数の凹所を設けることにより、支持基板とゲッター膜との接触面積を低減し、ゲッター膜の露出面積を増加することが可能となる。従って、放電の発生を抑制するとともに耐大気圧強度が向上した画像表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下図面を参照しながら、この発明を、平面型の画像表示装置としてＦＥＤの一種である表面伝導型電子放出装置（以下、ＳＥＤと称する）に適用した実施の形態について詳細に説明する。  
図１ないし図３に示すように、ＳＥＤは、それぞれ矩形状のガラス板からなる第１基板１０および第２基板１２を備え、これらの基板は約１．０〜２．０ｍｍの隙間をおいて対応配置されている。そして、第１基板１０および第２基板１２は、ガラスからなる矩形状の側壁１４を介して周縁部同士が接合され、内部が真空に維持された扁平な矩形状の真空外囲器１５を構成している。
【００１４】
第１基板１０の内面には表示面として機能する蛍光体スクリーン１６がほぼ全面に渡って形成されている。蛍光体スクリーン１６は、赤、青、緑に発光する蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および遮光層１１を並べて構成され、これらの蛍光体層はストライプ状あるいはドット状に形成されている。また、蛍光体スクリーン１６上には、アルミニウム等からなるメタルバック層１７およびゲッター膜１９が順に形成されている。
【００１５】
第２基板１２の内面には、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子１８が設けられている。これらの電子放出素子１８は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。各電子放出素子１８は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。また、第２基板１２の内面上には、電子放出素子１８に電位を供給する多数本の配線２１がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器１５の外部に引出されている。
【００１６】
接合部材として機能する側壁１４は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材２０により、第１基板１０の周縁部および第２基板１２の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。
【００１７】
図２および図３に示すように、ＳＥＤは、第１基板１０および第２基板１２の間に配設されたスペーサ構体２２を備えている。スペーサ構体２２は、金属板からなる支持基板２４と、支持基板上に一体的に立設された多数の柱状のスペーサ３０と、を備えている。支持基板２４は、蛍光体スクリーン１６に対応した寸法の矩形状に形成され、第１基板１０の内面と対向した第１表面２４ａおよび第２基板１２の内面と対向した第２表面２４ｂを有し、これらの基板と平行に配置されている。
【００１８】
支持基板２４は、例えば鉄−ニッケル系の金属板により厚さ０．１〜０．２５ｍｍに形成されている。支持基板２４には、エッチング等により複数の電子ビーム通過孔２６が形成されている。電子ビーム通過孔２６は、例えば、０．１５〜０．２５ｍｍ×０．１５〜０．２５ｍｍの矩形状に形成されている。図４に示すように、第１基板１０および第２基板１２の長手方向をＸ、幅方向をＹとした場合、電子ビーム通過孔２６は、Ｘ方向に沿って所定のピッチで配列され、Ｙ方向については、Ｘ方向のピッチよりも大きなピッチで配列されている。第１基板１０に形成された蛍光体スクリーン１６の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および第２基板１２上の電子放出素子１８は、Ｘ方向およびＹ方向についてそれぞれ電子ビーム通過孔２６と同一のピッチで配列され、それぞれ電子ビーム通過孔と対向している。
【００１９】
支持基板２４の第１および第２表面２４ａ、２４ｂ、各電子ビーム通過孔２６の内壁面は、ガラス等を主成分とした絶縁性物質、例えば、Ｌｉ系のアルカリホウ珪酸ガラスからなる厚さ約４０μｍの絶縁層３７により被覆されている。
【００２０】
支持基板２４は、その第１表面２４ａが絶縁層３７を介して第１基板１０のゲッター膜１９に接触して設けられている。支持基板２４に設けられた電子ビーム通過孔２６は、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および第２基板１２上の電子放出素子１８と対向している。これにより、各電子放出素子１８は、電子ビーム通過孔２６を通して、対応する蛍光体層と対向している。
【００２１】
図２および図３に示すように、支持基板２４の第２表面２４ｂ上には多数のスペーサ３０が一体的に立設されている。各スペーサ３０の延出端は、第２基板１２の内面、ここでは、第２基板１２の内面上に設けられた配線２１上に当接している。スペーサ３０の各々は、支持基板２４側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。例えば、スペーサ３０は高さ約１．８ｍｍに形成されている。支持基板２４表面と平行な方向に沿ったスペーサ３０の断面は、ほぼ楕円形に形成されている。スペーサ３０の各々は、主に、絶縁物質としてガラスを主成分とするスペーサ形成材料により形成されている。
【００２２】
図２ないし図４に示すように、支持基板２４は、それぞれスペーサ３０の立設位置に形成された複数の高さ緩和部５４を有している。各高さ緩和部５４は、支持基板２４の第１表面２４ａ側に形成された凹所５６を有し、支持基板の他部分の板厚に対して１／２以下の板厚に形成されている。これにより、各高さ緩和部５４は、第１表面２４ａに対してほぼ垂直な方向、つまり、スペーサ３０の高さ方向に沿って弾性変形可能に形成されている。各第１スペーサ３０ａは支持基板２４の第２表面２４ｂ上において高さ緩和部５４に立設され、凹所５６と対向している。
【００２３】
支持基板２４の第１表面２４ａには、スペーサ３０に対向した凹所５６の他、複数の凹所５６が形成されている。これらの凹所５６は、いずれも電子ビーム通過孔２６間で第１表面２４ａに形成されている。
【００２４】
凹所５６は、大気圧が作用した場合に、スペーサ３０の高さばらつきを吸収可能、かつ変形可能な強度となるような深さとしている。支持基板２４に凹所５６を加工する方法は種々考えられるが、例えば支持基板２４の製作においてエッチングを用いる場合は、支持基板をハーフエッチングすることにより、凹所を容易に、かつ、同時に加工することができる。また、凹所は、プレス加工等の機械加工により形成してもよい。
【００２５】
本実施形態において、各凹所５６は、スペーサ３０の支持基板２４側の端面、つまり、当接面と相似形状に形成されている。凹所５６の面積は、スペーサ３０の当接面の面積よりも大きく形成されている。支持基板５０の表面は、凹所５６の内面も含め、絶縁層３７により被覆されている。  
なお、真空外囲器１５内において、凹所５６が完全な閉塞空間とならないように、凹所に連通した溝、穴等を支持基板２４に形成しておくことが望ましい。
【００２６】
上記のように構成されたスペーサ構体２２は、支持基板２４が第１基板１０に接触し、スペーサ３０の延出端が第２基板１２の内面に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。
【００２７】
ＳＥＤは、支持基板２４および第１基板１０のメタルバック層１７に電圧を印加する図示しない電圧供給部を備え、例えば、支持基板に８ｋＶ、メタルバック層に１０ｋＶの電圧が印加される。ＳＥＤにおいて、画像を表示する場合、電子放出素子１８を駆動し、任意の電子放出素子から電子ビームを放出するとともに、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック層１７にアノード電圧を印加する。電子放出素子１８から放出された電子ビームは、アノード電圧により加速され、支持基板２４の電子ビーム通過孔２６を通った後、蛍光体スクリーン１６に衝突する。これにより、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層が励起されて発光し、画像を表示する。
【００２８】
次に、以上のように構成されたＳＥＤの製造方法について説明する。始めに、スペーサ構体２２の製造方法について説明する。  
まず、Ｆｅ−５０％Ｎｉからなる板厚０．１２ｍｍの金属板を脱脂・洗浄・乾燥した後、両面にレジスト膜を形成する。続いて、金属板の両面を露光、現像、乾燥してレジストパターンを形成する。その後、エッチングにより金属板の所定位置に０．１８×０．１８ｍｍの電子ビーム通過孔２６を形成する。同時に、金属板の第１表面側、つまり、第１基板１０と対向する表面の所定位置をハーフエッチングし、それぞれ長軸径３ｍｍ、短軸径０．４ｍｍの凹所５６を形成する。その後、支持基板２４の全面にガラスフリットを厚さ４０μｍで塗布し、乾燥した後、焼成することにより、絶縁層３７を形成する。
【００２９】
続いて、支持基板２４とほぼ同一の寸法を有した矩形板状の成形型を用意する。成形型は、紫外線を透過する透明な材料、例えば、透明ポリエチレンテレフタレートを主体とした透明シリコン等により平坦な板状に形成されている。成形型は、支持基板２４に当接する平坦な当接面と、スペーサを成形するための多数の有底のスペーサ形成孔と、を有している。スペーサ形成孔はそれぞれ成形型の当接面に開口しているとともに、所定の間隔を置いて配列されている。各スペーサ形成孔は、スペーサに対応して、長さ１ｍｍ、幅０．３５ｍｍ、高さ１．８ｍｍに形成されている。その後、成形型のスペーサ形成孔にスペーサ形成材料を充填する。スペーサ形成材料としては、少なくとも紫外線硬化型のバインダ（有機成分）およびガラスフィラーを含有したガラスペーストを用いる。ガラスペーストの比重、粘度は適宜選択する。
【００３０】
続いて、スペーサ形成材料の充填されたスペーサ形成孔が電子ビーム通過孔間に位置するように、成形型を位置決めし当接面を支持基板の第２表面２４ｂに密着させる。これにより、支持基板２４および成形型からなる組立体を構成する。
【００３１】
次に、充填されたスペーサ形成材料に対し、例えば、紫外線ランプ等を用いて支持基板２４および成形型の外面側から紫外線（ＵＶ）を照射し、スペーサ形成材料をＵＶ硬化させる。その際、成形型は、紫外線透過材料としての透明なシリコンで形成されている。そのため、紫外線は、スペーサ形成材料に直接、および成形型を透過して照射される。従って、充填されたスペーサ形成材料をその内部まで確実に硬化させることができる。
【００３２】
その後、硬化したスペーサ形成材料を支持基板２４上に残すように、成形型を支持基板２４から剥離する。次に、スペーサ形成材料が設けられた支持基板２４を加熱炉内で熱処理し、スペーサ形成材料内からバインダを飛ばした後、約５００〜５５０℃で３０分〜１時間、スペーサ形成材料を本焼成しガラス化する。これにより、支持基板２４の第２表面２４ｂ上にスペーサ３０が一体的に作り込まれたスペーサ構体２２が得られる。
【００３３】
一方、ＳＥＤの製造においては、予め、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック層１７の設けられた第１基板１０と、電子放出素子１８および配線２１が設けられているとともに側壁１４が接合された第２基板１２と、を用意しておく。続いて、上記のようにして得られたスペーサ構体２２を第２基板１２上に位置決めした後、支持基板２４の４隅を第２基板の４つのコーナー部に立設された金属製の支柱に溶接する。これにより、スペーサ構体２２を第２基板１２に固定する。なお、支持基板２４の固定箇所は、少なくとも２箇所あればよい。
【００３４】
その後、第１基板１０、およびスペーサ構体２２が固定された第２基板１２を真空チャンバ内に配置し、真空チャンバ内を真空排気した後、第１基板のメタルバック層１７上にゲッター膜１９を形成する。続いて、側壁１４を介して第１基板を第２基板に接合するとともに、これらの基板間にスペーサ構体２２を挟み込む。これにより、スペーサ構体２２を備えたＳＥＤが製造される。
【００３５】
以上のように構成されたＳＥＤによれば、支持基板２４の第２基板１２側のみにスペーサ３０を設けることにより、各スペーサの長さを長くし、支持基板２４と第２基板１２との距離を離すことができる。それにより、支持基板と第２基板との間の耐圧性が向上し、これらの間における放電の発生を抑制することが可能となる。
【００３６】
支持基板２４は高さ緩和部５４を有し、各スペーサ３０はこの高さ緩和部上に設けられている。高さ緩和部５４は板バネ、または皿バネとして作用し、スペーサ３０に高さ等にバラツキがある場合でも、高さ緩和部の弾性変形により高さのバラツキを吸収することが可能となる。従って、第１基板１０および第２基板１２に作用する大気圧荷重をスペーサ３０により安定して支持することができ、真空外囲器１５の耐大気圧強度を向上することができる。同時に、高さのバラツキに起因したスペーサの損傷を防止することができる。
【００３７】
更に、スペーサ３０の高さにバラツキがある場合でも、スペーサの先端と第２基板１０との間における隙間の発生を防止でき、この隙間に起因する放電を抑制することが可能となる。支持基板２４は絶縁層３７により被覆されているため、支持基板自身も放電を抑制するシールドして機能する。従って、放電の発生を抑制するとともに耐大気圧強度が向上したＳＥＤが得られる。
【００３８】
また、支持基板２４の第１表面２４ａはゲッター膜１９を介して第１基板１０に当接している。そのため、メタルバック層１７と支持基板２４とが同電位となり、また、第１基板と支持基板との間にメタルバック層およびゲッター膜が挟み込まれた構成となっている。この場合、メタルバック層１７およびゲッター膜１９の剥がれ、並びに、メタルバック層および蛍光面の損傷を防止することができる。これにより、長期間に渡って良好な画像品位を維持することができる。同時に、剥がれたメタルバック層、ゲッター膜に起因する放電の発生を抑制し、信頼性の向上したＳＥＤが得られる。
【００３９】
ゲッター膜１９に当接している支持基板２４の第１表面２４ａには複数の凹所５６が形成され、各凹所は図示しない溝、孔等を通して真空外囲器内部に連通している。そのため、支持基板２４によりゲッター膜１９を覆った場合でも、支持基板とゲッター膜１９との接触面積を削減し、ゲッター膜の露出面積を増加することができる。これにより、ゲッター効率の低下を低減し、高真空を維持することが可能となる。
【００４０】
上述した実施形態において、支持基板２４の凹所５６はスペーサ３０の端面と相似形状に形成したが、この端面よりも大きな面積を有していればよく、その形状は必要に応じて変更可能である。図６に示すように、凹所５６は、支持基板２４の電子ビーム通過孔２６の間を延びた溝にいより形成され、長軸Ｘ方向に並んだ複数の高さ緩和部５４に渡って連続して延びていてもよい。凹所５６の形成数は必要に応じて増減可能である。
【００４１】
本発明は前記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、前記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００４２】
スペーサの径や高さ、その他の構成要素の寸法、材質等は上述した実施形態に限定されることなく、必要に応じて適宜選択可能である。また、この発明は、電子源として表面伝導型電子放出素子を用いたものに限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等の他の電子源を用いた画像表示装置にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】この発明の実施形態に係るＳＥＤを示す斜視図。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿って破断した前記ＳＥＤの斜視図。
【図３】前記ＳＥＤを拡大して示す断面図。
【図４】前記ＳＥＤにおけるスペーサ構体の支持基板を示す平面図。
【図５】前記ＳＥＤの一部を拡大して示す断面図。
【図６】この発明の他の実施形態に係るＳＥＤの支持基板を示す平面図。
【符号の説明】
【００４４】
１０…第１基板、    １２…第２基板、  １４…側壁、    １５…真空外囲器、
１６…蛍光体スクリーン、  １７…メタルバック層、  １９…ゲッター膜、
１８…電子放出素子、  ２２…スペーサ構体、  ２４…支持基板、
２４ａ…第１表面、  ２４ｂ…第２表面、  ２６…電子ビーム通過孔、
３０…スペーサ、  ５４…高さ緩和部、  ５６…凹所
【図１】
2005228657.tif 000003
【図２】
2005228657.tif 000004
【図３】
2005228657.tif 000005
【図４】
2005228657.tif 000006
【図５】
2005228657.tif 000007
【図６】
2005228657.tif 000008