(57)【要約】【課題】  露光装置のアライメント精度を改善することを目的とする。【解決手段】  露光装置は、レチクル６上に描かれたパターンを縮小投影レンズ３を介してウエハ４Ａに投影転写する。この露光装置は、レチクル６をその周辺部で支持する支持面を有する弾性シール７Ｃと、弾性シール７Ｃを支持するレチクルクランプパッド７Ａと、を備える。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版に描かれたパターンを投影光学系を介して基板に投影転写する露光装置であって、
前記原版又は前記基板をその周辺部で支持する支持面を有する弾性部材と、
前記弾性部材を支持する支持部材と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記支持部材は、
その表面に形成された凹部と、前記凹部内に配置された、前記原版又は前記基板を支持するための複数の突起部と、を有し、
前記弾性部材は、前記凹部の外周部に配置されることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記凹部内に配置された弾性シートを有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記凹部内に配置された弾性発泡シートを有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光装置。
【請求項５】
前記弾性部材は、前記支持部材に着脱自在に配置されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記弾性部材は、前記支持部材上に着脱可能に配置されたブラケット上に配置されることを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記突起部は、連通多孔体を含むことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項８】
前記連通多孔体は、セラミック材料を含むことを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記弾性部材は、フッ素系樹脂又はポリパラキシレン樹脂を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記弾性部材は、前記支持面に鉛直な方向の弾性係数が、前記支持面に水平な方向の弾性係数よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記支持部材又は前記弾性部材は、前記支持面に鉛直な方向の弾性係数が、前記支持面に水平な方向の弾性係数よりも小さくなるように弾性支持されていることを特徴とする請求項１乃至請求項９の少なくとも１項に記載の露光装置。
【請求項１２】
原版に描かれたパターンを投影光学系を介して基板に投影転写する投影露光装置であって、前記原版又は前記基板を支持する支持面を有する金属薄膜層と、
前記弾性部材を支持する支持部材と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
前記金属薄膜層は、クロム、ニッケル、シリコンを含むことを特徴とする請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
基板に感光材を塗布する塗布工程と、
前記塗布工程で前記感光材が塗布された前記基板に請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の露光装置を利用してパターンを転写する露光工程と、
前記露光工程で前記パターンが転写された前記基板の前記感光材を現像する現像工程と、
を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造プロセスで用いられる露光装置及び半導体デバイスの製造方法に関し、特に、原版及び基板の支持手段に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路等のパターンが高密度化および微細化するにつれて、露光装置のアライメント精度の更なる向上が求められている。露光装置のアライメント精度を下げる要因としては種々のものが考えられている。
【０００３】
例えば、露光光によるレチクルの熱膨張及びその周辺部の熱変形によって、アライメント精度の低下や結像性能の劣化が引き起こされうる。この問題を解決するために、レチクルやレチクルの支持部に高い熱伝導率・熱拡散率を有する物体を設けて、熱を排除、拡散若しくは均一化し又は所定の分布にするものがある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、レチクル自身の自重による自重タワミ変形や、レチクル面の変形、クランプ時のレチクル面の変形等によって、レチクル面上のパターンがウエハ上面での像面湾曲、パターン横ずれ、ディストーション、パターン面内デフォーカス等が生じ、パターン解像度が劣化しうる。この問題を解決するために、レチクル面の変位を検出し、その検出結果に基づいて、レチクルを固定する部材を変位させ、レチクル面の変形を補正するものもある（例えば、特許文献２参照。）。
【０００５】
また、マスクを マスクを４つの支持面で当接支持し、２つの支持面の支持中心でこの２つの支持面を揺動させるマスク支持台が開示されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００６】
また、被処理材をガイド機構を有する保持部材で保持し、このガイド機構によって被処理材を昇降させて移動ステージ上に位置決めする固定装置が開示されている（例えば、特許文献４を参照。）。
【０００７】
また、被処理材の下面の内側をコイルバネで支持し、被処理材の端部ををクランプして、平面度を向上させる固定装置が開示されている（例えば、特許文献５参照。）。
【特許文献１】特開２００１−０３５７６４号公報
【特許文献２】特開２００１−１４８３３５号公報
【特許文献３】特開平０７−３２６５６６号公報
【特許文献４】特開平０８−２８８３７１号公報
【特許文献５】特開平０８−１６７５５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１、２等の従来の技術では、レチクルとその支持面との間に入り込んだ異物によるアライメント精度の低下を抑えることは困難である。これについて、図１３〜図１５を用いて説明する。
【０００９】
図１３は、従来の露光装置の構成を示す図である。レチクル１０１は、露光パターンの原版である。レチクルステージ１０２は、レチクル１０１を搭載し、露光光（不図示）に対してレチクル１０１をスキャン露光させる。レチクルクランプ１０３は、セラミックで構成されており、レチクル１０１をレチクルステージ１０２にクランプする。縮小投影レンズ１０４は、レチクル１０１上のパターンを、基板（ウエハ）１０５上に縮小投影する。ウエハステージ１０６、は、シリコン基板等のウエハ１０５を搭載し、レチクルステージ１０２と同期して、露光光に対してスキャン移動露光する。
【００１０】
図１４は、図１３のレチクルステージ１０２の上面図（図１４（ａ））及び側面図（図１４（ｂ））である。図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、レチクル１０１は、レチクルクランプ１０３のレチクルクランプパッド１０３Ａによって、レチクルステージ１０２にクランプされる。
【００１１】
図１５は、図１４のレチクルクランプ１０３の拡大図である。図１５（ａ）、（ｂ）に示すように、レチクル１０１は、レチクルクランプパッド１０３Ａの凹部１０に接続された排気孔１１を通して、ポンプ１２により真空吸着される。
【００１２】
図１５（ａ）に示すように、このようなレチクルステージ１０２では、レチクル１０１をクランプするときに、レチクルクランプパッド１０３Ａの上面（クランプ面）とレチクル６との間に異物１０３Ｂが挟まる場合がある。その結果、レチクル１０１面上のパターンをウエハ上に投影する際に、パターン面内のデフォーカスが悪化し、ウエハ上のパターン精度が低下するという問題がある。
【００１３】
また、特許文献３では、マスク面にゴミが介在したときに、マスクを揺動支持させてたわみ形状を一定にしているが、ゴミの存在によってマスク面が移動し、パターン面内のデフォーカスが悪化するという問題は避けられない。
【００１４】
基板をステージにクランプする場合にも、同様にして、チャックの平坦度の悪化によって、像面湾曲、パターン横ずれ、ディストーション、パターン面内デフォーカスの劣化等が生じ、基板上のパターン精度が悪化するという問題がある。
【００１５】
例えば、特許文献４では、被処理材の昇降機構が別途必要であるためホルダ装置が複雑化するとともに、被処理材との接触面にゴミが載った場合には、描画精度の劣化が避けられない。
【００１６】
また、特許文献５では、マスクブランクスの端部を挾持するマスクバサミがバネで弾性支持されているものの、マスクブランクスの端部がマスクバサミによって機械的に挾持されているため、マスクブランクスの端部に応力がかかるという問題がある。
【００１７】
また、従来のレチクルクランプは、支持面がセラミックで形成されており、セラミックの支持面と原版との間の接触面の不安定性及び摩擦係数の不安性により、原版移動時に微小なズレが生じるという問題もある。
【００１８】
本発明は、上記の背景に鑑みてなされたものであり、露光装置のアライメント精度を改善することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の第１の側面は、原版上に描かれたパターンを投影光学系を介して基板に投影転写する露光装置に係り、前記原版又は前記基板をその周辺部で支持する支持面を有する弾性部材と、前記弾性部材を支持する支持部材と、を備えることを特徴とする。
【００２０】
本発明の第２の側面は、原版上に描かれたパターンを投影光学系を介して基板に投影転写する投影露光装置に係り、前記原版又は前記基板を支持する支持面を有する金属薄膜層と、前記弾性部材を支持する支持部材と、を備えることを特徴とする。
【００２１】
本発明の第３の側面は、半導体デバイスの製造方法に係り、基板に感光材を塗布する塗布工程と、前記塗布工程で前記感光材が塗布された前記基板に上記の露光装置を利用してパターンを転写する露光工程と、前記露光工程で前記パターンが転写された前記基板の前記感光材を現像する現像工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、露光装置のアライメント精度を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。以下の実施形態では、露光装置のレチクルステージを一例として説明するが、本発明はこれに限定されない。本発明の好適な実施の形態に係る発明は、例えば、露光装置のウエハステージについても同様にして適用することができる。
[第１の実施形態]
図１は、本発明の好適な実施の形態に係る露光装置の構成を示す概念図である。
【００２４】
照明系ユニット１は、光源からの露光光を均一な露光光として導光する。レチクルステージ２は、露光用の原版（レチクル）を搭載し、照明系ユニット１により導光された露光光に対して、原版（レチクル）をスキャン露光させる。縮小投影レンズ３は、レチクルステージ２に搭載された原版（レチクル）のパターンを、ウエハ上に縮小投影する。ウエハステージ４は、シリコンや化合物半導体等の半導体材料を含むウエハ（図３の４Ａ参照）を搭載する。ウエハステージ４は、レチクルステージ２と同期して、露光光に対してスキャン移動することによって、スキャン露光を行うことができる。露光装置本体５は、レチクルステージ２、縮小投影レンズ３及びウエハステージ４等を支持する。
【００２５】
図２〜図５は、図１のレチクルステージ２の構成を詳細に示す概念図である。
【００２６】
図２は、図１のレチクルステージ２の斜視図である。レチクルステージ２は、レチクル６をレチクルクランプ（不図示）上に保持する。レチクル（原版）６には、露光パターンが形成されている。レチクル６の両側には、リニアモータ可動子２０１ａ、２０１ｂが配置されている。リニアモータ可動子２０１ａ、２０１ｂは、リニアモータ固定子２０２ａ、２０２ｂとリニアモータを構成し、レチクル６を走査方向に駆動する。
【００２７】
図３は、図１の露光装置の構成を詳細に示す概念図である。レチクルステージ２は、レチクル６を支持する支持部材としてのレチクルクランプ７を備える。レチクルクランプ７上には、レチクル６をその周辺部で支持する支持面を有する弾性シール７Ｃが配置されている。
【００２８】
図４は、レチクルステージ２の上面図（図４（ａ））及び側面図（図４（ｂ））である。図４（ａ）に示すように、レチクル６の原版パターンに対してスリット状の露光光８が透過する。
【００２９】
図５及び図６は、レチクル６を位置決めして保持する構造を詳細に示す概念図である。
【００３０】
図５（ａ）は、レチクルステージ２の上面図である。レチクル６は、レチクルクランプパッド７Ａ上面に位置決めされ、保持された状態にある。図５（ｂ）は、図５（ａ）の状態におけるレチクルステージ２の断面図を示す。レチクルクランプパッド７Ａは、上面に凹部１０ａが形成されている。凹部１０ａの外周部１０ｂには、弾性シール７Ｃが配置されている。凹部１０ａ内には排気孔１１が設けられている。排気孔１１に接続されたポンプ１２によって、レチクル６が吸着される。弾性シール７Ｃは、このような吸着機構のシール機能を果たす。弾性シールＣとしては、例えば、フッ素系樹脂又はポリパラキシレン樹脂等を用いることができる。
【００３１】
図６は、レチクルクランプパッド７Ａを詳細に示す概念図である。図６（ａ）、（ｂ）に示すように、レチクルクランプパッド７Ａの凹部１０ａ内には、突起部としてのピン７Ｂが複数配列されている。ピン部材７Ｂは、レチクル６を位置決め可能であれば、どのような形状であってもよい。ピン７Ｂの高さは、ポンプ１２のバキューム圧力Ｖａｃによってレチクル６がクランプされて、弾性シール７Ｃが弾性変形してレチクル６下面に倣い密着したときに、ピン７Ｂの先端部がレチクル６下面に突き当たる位置で位置決めするように調整される。このようにして、ピン７Ｂによりレチクル６の上下方向の位置が決定される。
【００３２】
なお、弾性シール７Ｃは、レチクルクランプパッド７Ａによりレチクル６が支持される支持面に鉛直な方向の弾性係数が、この支持面に水平な方向の弾性係数よりも小さいことが望ましい。レチクルクランプパッド７Ａ又は弾性シール７Ｃは、レチクルクランプパッド７Ａによりレチクル６が支持される支持面に鉛直な方向の弾性係数が、この支持に水平な方向の弾性係数よりも小さくなるように弾性支持されていることが望ましい。
【００３３】
以上のような構成により、レチクルクランプパッド７Ａの上面部の弾性シール７Ｃに微小の異物が付着した場合でも、弾性シール部材が変形することによって、異物によるレチクル６への歪の発生や、バキュームリーク等の問題を回避することができる。
【００３４】
また、凹部内に設けられたピン部７Ｂが、接触面積が非常に小さい微小ピンを複数配置した構成をとることにより、異物がレチクル６との間に介在する確率を非常に小さくすることが可能になる。その結果、異物によるレチクル６への歪の発生頻度を非常に小さくすることができる。
【００３５】
なお、ウエハステージ４についても、本実施形態に係るレチクルステージ７Ａと同様に、ウエハを真空吸着するウエハパッドの表面に凹部を形成し、凹部の外周部に弾性シールを配置する構成を採用することができる。以下、他の実施形態についてもレチクルステージを一例として説明しているが、同様にしてウエハステージ４にも適用することができる。
【００３６】
以上説明したように、本実施形態によれば、レチクル面とレチクル支持面の間に異物が付着した際に、支持面を弾性部材にすることにより微小異物を弾性部材の厚み内に埋没させることができる。その結果、異物によるレチクル歪の発生を防止して、レチクルの変形を直接的に抑えることができ、露光精度を向上させるという顕著な効果を奏する。
[第２の実施形態]
図７は、本発明の好適な第２の実施の形態に係るレチクルクランプパッドの構成を示す概念図である。本実施形態のレチクルクランプパッド７Ａは、概略的には図６に示した第１の実施の形態に係るレチクルクランプパッド７Ａと同様である。ただし、弾性シール７Ｃが着脱可能であるように構成されている点で、第１の実施形態の構成とは相違する。その他の構成については、第１の実施の形態と実質的に同様の構成であるため、第２の実施の形態ではその説明を省略する。
【００３７】
図７は、レチクル６をレチクルステージ２上のレチクルクランプパッド７Ａに位置決め保持する構成を例示的に示す。図７（ａ）は、レチクルクランプパッド７Ａの上面図であり、図７（ｂ）は、レチクルクランプパッド７Ａの断面図である。レチクルクランプパッド７Ａの上面周囲には、窪みとしての弾性シールブラケット接合面７Ｅが形成されている。弾性シールブラケット接合面７Ｅ上には、ポンプ１２によるバキュームクランプのシール機能を有する弾性シール７Ｃが設けられている。図７（ａ）、（ｂ）に示すように、レチクルクランプパッド７Ａ上面には、突起部としてのピン７Ｂが複数配列されている。ピン７Ｂの高さは、ポンプ１２のバキューム圧力Ｖａｃによってレチクル６がクランプされ、弾性シール７Ｃが弾性変形してレチクル６下面に倣い密着したときに、ピン７Ｂの先端部がレチクル６下面に突き当たる位置で位置決めするように調整されうる。このようにして、ピン７Ｂによりレチクル６の上下方向の位置が決定することができる。
【００３８】
以上のような構成により、本実施形態によれば、弾性シール７Ｃに異物が付着し、異物の影響によってバキュームリーク等が発生した場合であっても、図８に示すように、レチクルクランプパッド７Ａから弾性シール７Ｃが接合された弾性シールブラケット７Ｄを取り外し、他の弾性シールブラケット７Ｄに容易に交換することができる。
[第３の実施形態]
図９は、本発明の好適な第３の実施の形態に係るレチクルクランプパッドの構成を示す概念図である。本実施形態のレチクルクランプパッド７Ａは、概略的には図７に示した第２の実施の形態に係るレチクルクランプパッド７Ａと同様である。ただし、レチクルクランプパッド７Ａの上面の凹部内に弾性シート７Ｆ又は弾性発泡シート７Ｇが設けられている点で、第２の実施形態の構成とは相違する。その他の構成については、第２の実施の形態と実質的に同様の構成であるため、第３の実施の形態ではその説明を省略する。
【００３９】
図９は、本発明の好適な第３の実施の形態に係るレチクルクランプパッドの構成を示す概念図である。図９は、レチクル６をレチクルステージ２上のレチクルクランプパッド７Ａに位置決め保持する構成を例示的に示したものである。図９（ａ）は、レチクルクランプパッド７Ａの上面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）のレチクルクランプパッド７Ａの断面図（図９（ａ）のＡＡで切断したＡＡ断面図及び図９（ａ）のＢＢで切断したＢＢ断面図）である。レチクルクランプパッド７Ａの上面周囲には、バキュームクランプのシール機能を有する弾性シール７Ｃが設けられている。
【００４０】
また、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、レチクルクランプパッド７Ａ上面の凹部内には、突起部としてのピン７Ｂが複数配列されている。ピン７Ｂの高さは、ポンプ１２のバキューム圧力Ｖａｃによってレチクル６がクランプされて、弾性シール７Ｃが弾性変形してレチクル６下面に倣い密着したときに、ピン７Ｂの先端部がレチクル６下面に突き当たる位置で位置決めするように調整される。このようにして、ピン７Ｂによりレチクル６の上下方向の位置が決定することができる。
【００４１】
本実施形態では、凹部１０ａ内のピン７Ｂの間には、弾性シート７Ｆ又は弾性発泡シート７Ｇが配置されている。弾性シート７Ｆ又は弾性発泡シート７Ｇは、弾性シール７Ｃと同様にして、レチクル６がクランプされたときに弾性変形しながら、レチクル６下面に倣い密着する。
【００４２】
以上のような構成により、図１０（ｂ）にクランプ状態が示されているように、弾性シート７Ｆ又は弾性発泡シート７Ｇがクランプ時に弾性変形することによって、レチクル６との接触面積が増加する。また、弾性シート７Ｆ又は弾性発泡シート７Ｇに異物が付着しても、異物がこれらのシート内に埋没するため、レチクル６へのクランプ保持力を増加させることができる。また、弾性発泡シート７Ｇは、連続気泡体のため、レチクル６面との接触面の空気層を素早く逃がし、クランプ時の摩擦係数の安定化させて、クランプ保持力（ズレ方向）を大きくすることができる。弾性発泡シート７Ｇとしては、例えば、発泡材料又は多孔質材料を用いることができる。
[第４の実施形態]
図１１は、本発明の好適な第４の実施の形態に係るレチクルクランプパッドの構成を示す概念図である。本実施形態のレチクルクランプパッド７Ａは、概略的には図６に示した第１の実施の形態に係るレチクルクランプパッド７Ａと同様である。ただし、第１の実施の形態のピン７Ｂに代えて、発泡セラミックピン７Ｈが設けられている点で、第１の実施形態の構成とは相違する。その他の構成については、第１の実施の形態と実質的に同様の構成であるため、第４の実施の形態ではその説明を省略する。
【００４３】
図１１は、本発明の好適な第４の実施の形態に係るレチクルクランプパッドの構成を示す概念図である。第１〜第３の実施形態では、突起部としてのピン部材７Ｂをレチクルクランプパッド７Ａと同一材質で構成していた。本実施形態では、レチクル６のクランプ接触部面の空気層を素早く除去し、逃がすために、連続連通孔を有する連通多孔体としての発泡セラミックピン７Ｈを用いる。これによって、クランプ接触部面の空気層による摩擦係数の低下を招くことなく、安定して部材同士の摩擦係数を補償することができるため、クランプ保持力（ズレ方向）を大きくすることが可能になる。
[第５の実施形態]
図１２は、本発明の好適な第５の実施の形態に係るレチクルクランプパッドの構成を示す概念図である。本実施形態のレチクルクランプパッド７Ａは、概略的には図６に示した第１の実施の形態に係るレチクルクランプパッド７Ａと同様である。ただし、第１の実施の形態の弾性シール７Ｃに代えて、金属薄膜層７Ｊを用いる点で、第１の実施形態の構成とは相違する。その他の構成については、第１の実施の形態と実質的に同様の構成であるため、第５の実施の形態ではその説明を省略する。
【００４４】
図１２は、本発明の好適な第５の実施の形態に係るレチクルクランプパッドの構成を示す概念図である。第１〜第４の実施形態では、弾性シール７Ｃを用いたが、本実施形態では、レチクル６の下面クランプ部の表面処理状態によって、レチクル６及びその表面に形成されたパターンと同一材質であるクロム、ニッケル、シリコン等の金属薄膜層７Ｊを用いることができる。その際、同一材質同士における摩擦係数が大きいという効果を用いて、クランプ保持力（ズレ方向）を大きくすることが可能になる。金属薄膜層７Ｊは、例えば、金属メッキ、溶着、蒸着等のプロセスを用いて、成膜される。
[応用例]
次に、この露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１６は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ５によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。
【００４５】
上記ステップ４のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに転写する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【００４６】
このように、アライメント精度が改善された露光装置を半導体デバイスの製造プロセスに適用することによって、半導体集積回路等のパターンの更なる高密度化および微細化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】、
【図２】、
【図３】、
【図４】、
【図５】、
【図６】本発明の好適な第１の実施の形態に係る露光装置の構成を示す概念図である。
【図７】、
【図８】本発明の好適な第２の実施の形態に係る露光装置の構成を示す概念図である。
【図９】、
【図１０】本発明の好適な第３の実施の形態に係る露光装置の構成を示す概念図である。
【図１１】本発明の好適な第４の実施の形態に係る露光装置の構成を示す概念図である。
【図１２】本発明の好適な第５の実施の形態に係る露光装置の構成を示す概念図である。
【図１３】、
【図１４】、
【図１５】従来の露光装置の構成を示す概念図である。
【図１６】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１、照明系ユニット
２、レチクルステージ
３、縮小投影レンズ
４、ウエハステージ
４Ａ、ウエハ
５、露光装置本体
６、レチクル
７、レチクルクランプ
７Ａ、レチクルクランプパッド
７Ｂ、ピン
７Ｃ、弾性シール
７Ｄ、弾性シールブラケット
７Ｅ、弾性シールブラケット接合面（着脱面）
７Ｆ、弾性シート
７Ｇ、弾性発泡シート
７Ｈ、発泡セラミックピン
７Ｊ、金属薄膜層
スリット露光光
１０１、レチクル
１０１Ａ、スリット露光光
１０２、レチクルステージ
１０３、レチクルクランプ
１０３Ａ、レチクルクランプパッド
１０３Ｂ、異物
１０４、縮小投影レンズ
１０５、ウエハ
１０６、ウエハステージ
【図１】
2005228978.tif 000003
【図２】
2005228978.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005228978.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005228978.tif 000011
【図１０】
2005228978.tif 000012
【図１１】
2005228978.tif 000013
【図１２】
2005228978.tif 000014
【図１３】
2005228978.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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