(57)【要約】【課題】従来の圧電基板を用いた弾性表面波デバイスでは、広い比帯域幅を得ようとすると、温度特性が悪くなるという課題を有していた。【解決手段】本発明の弾性表面波デバイスは、誘電体基板１１と、この誘電体基板１１の上面に設けた圧電薄膜１３と、この圧電薄膜１３の上に電極パターン１４を備えた構成とすることにより、圧電単結晶並みの電気機械結合係数を有し、温度特性の良好な弾性表面波デバイスを得ることができるものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板と、この誘電体基板の上面に設けた圧電薄膜と、この圧電薄膜の上に電極パターンを備えた弾性表面波デバイス。
【請求項２】
圧電薄膜をエピタキシャル成長させた膜とした請求項１記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
圧電薄膜をタンタル酸リチウムの膜とした請求項２記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
圧電薄膜をニオブ酸リチウムの膜とした請求項２記載の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
誘電体基板と圧電薄膜の間に導電層を設けた請求項１記載の弾性表面波デバイス。
【請求項６】
誘電体基板と圧電薄膜とが同じ成分よりなる請求項５記載の弾性表面波デバイス。
【請求項７】
誘電体基板と圧電薄膜をタンタル酸リチウムとした請求項６記載の弾性表面波デバイス。
【請求項８】
誘電体基板と圧電薄膜をニオブ酸リチウムとした請求項６記載の弾性表面波デバイス。
【請求項９】
誘電体基板と圧電薄膜とが異なる成分よりなる請求項１記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１０】
誘電体基板を水晶とした請求項９記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１１】
圧電薄膜をタンタル酸リチウムの膜とした請求項１０記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１２】
圧電薄膜をニオブ酸リチウムの膜とした請求項１０記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１３】
誘電体基板と圧電薄膜の間に導電層を設けた請求項９記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１４】
導電層を圧電薄膜を構成する金属元素の少なくとも一つを含む金属とした請求項１３記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１５】
誘電体基板の弾性表面波伝播速度を圧電薄膜の弾性表面波伝播速度よりも速いものとした請求項１記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１６】
誘電体基板をサファイア、炭化珪素、ダイヤモンドのうちの一つの単結晶あるいは基板の上に薄膜を形成したものとした請求項１５記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１７】
圧電薄膜をタンタル酸リチウムの膜とした請求項１６記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１８】
圧電薄膜をニオブ酸リチウムの膜とした請求項１６記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１９】
半導体基板と、この半導体基板の上面に設けた圧電薄膜と、この圧電薄膜の上に電極パターンを備えた弾性表面波デバイス。
【請求項２０】
圧電薄膜をエピタキシャル成長させた膜とした請求項１９記載の弾性表面波デバイス。
【請求項２１】
圧電薄膜をタンタル酸リチウムの膜とした請求項２０記載の弾性表面波デバイス。
【請求項２２】
圧電薄膜をニオブ酸リチウムの膜とした請求項２０記載の弾性表面波デバイス。
【請求項２３】
半導体基板と圧電薄膜の間に導電層を設けた請求項１９記載の弾性表面波デバイス。
【請求項２４】
導電層を圧電薄膜を構成する金属元素の少なくとも一つを含む金属とした請求項２３記載の弾性表面波デバイス。
【請求項２５】
半導体基板をシリコン基板とした請求項１９記載の弾性表面波デバイス。
【請求項２６】
電極パターンの一部と導電層とを電気的に接続した請求項５，１３，２３のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【請求項２７】
圧電薄膜の一部に設けた穴を通して、電気的に接続した請求項２６記載の弾性表面波デバイス。
【請求項２８】
電極パターンの領域以外の部分の圧電薄膜を取り除いた請求項１または１９のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【請求項２９】
圧電薄膜の実効的な電気機械結合係数が、５％以上である請求項１または１９のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３０】
２５℃±５０℃の温度領域において、中心周波数の温度係数の絶対値が２５ｐｐｍ／℃以下である請求項２９記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３１】
圧電薄膜の結晶粒径が中心周波数に対する波長の０．７倍より小さい、又は２倍より大きい請求項１または１９のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３２】
圧電薄膜の厚さが中心周波数に対応する波長の０．５倍から１０倍の範囲である請求項１または１９のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に無線機器、携帯電話等に用いられる、弾性表面波デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の弾性表面波デバイスは、圧電基板あるいは非圧電性基板の上に圧電薄膜を形成した基板の上に櫛型電極パターンなどの電極パターンを形成して得ていた。
【０００３】
圧電薄膜の場合、図７のようにガラス基板１０１の上に電極パターン１０２を設け、その上に酸化亜鉛薄膜１０３、対向電極１０４を設けるものが多く用いられてきた。
【０００４】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開昭６１−９２０２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、比帯域幅の広いフィルタ特性を得ようとすると電気機械結合係数の高い圧電材料が必要となるが、従来の圧電薄膜では十分な電気機械結合係数が得られなかった。このため３６°Ｙカットのタンタル酸リチウムのような電気機械結合係数の大きい単結晶材料が良く使われるが、この場合には温度係数が約−３５ｐｐｍ／℃と比較的大きくなってしまうという問題点を有していた。
【０００６】
本発明は上記従来の課題を解決するものであり、温度特性に優れた比帯域幅の広い弾性表面波デバイスを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有する。
【０００８】
本発明の請求項１に記載の発明は、誘電体基板と、この誘電体基板の上面に設けた圧電薄膜と、この圧電薄膜の上に電極パターンを設けたものであり、これにより、圧電単結晶並みの電気機械結合係数を有し、温度特性の良い弾性表面波デバイスを得ることができるという作用効果が得られる。
【０００９】
本発明の請求項２に記載の発明は、圧電薄膜をエピタキシャル成長させた膜とした請求項１記載の弾性表面波デバイスであり、特性に優れた弾性表面波デバイスを様々の基板上で実現できる。
【００１０】
本発明の請求項３に記載の発明は、圧電薄膜をタンタル酸リチウムの膜とした請求項２記載の弾性表面波デバイスであり、帯域の広い弾性表面波デバイスを実現できる。
【００１１】
本発明の請求項４に記載の発明は、圧電薄膜をニオブ酸リチウムの膜とした請求項２記載の弾性表面波デバイスであり、結合係数が大きいことから帯域の広い弾性表面波デバイスを実現できる。
【００１２】
本発明の請求項５に記載の発明は、誘電体基板と圧電薄膜の間に導電層を設けた請求項１記載の弾性表面波デバイスであり、温度特性に優れた弾性表面波デバイスを実現できる。
【００１３】
本発明の請求項６に記載の発明は、誘電体基板と圧電薄膜とが同じ成分よりなる請求項５記載の弾性表面波デバイスであり、要望されるデバイス特性に最適なパラメータを実現することができる。
【００１４】
本発明の請求項７に記載の発明は、誘電体基板と圧電薄膜をタンタル酸リチウムとした請求項６記載の弾性表面波デバイスであり、結合係数が大きいことから帯域の広い弾性表面波デバイスを実現できる。
【００１５】
本発明の請求項８に記載の発明は、誘電体基板と圧電薄膜をニオブ酸リチウムとした請求項６記載の弾性表面波デバイスであり、結合係数が大きいことから帯域の広い弾性表面波デバイスを実現できる。
【００１６】
本発明の請求項９に記載の発明は、誘電体基板と圧電薄膜とが異なる成分よりなる請求項１記載の弾性表面波デバイスであり、従来の単結晶基板では得ることができなかったフィルタ特性を実現することができる。
【００１７】
本発明の請求項１０に記載の発明は、誘電体基板を水晶とした請求項９記載の弾性表面波デバイスであり、温度特性に優れ、かつ帯域の広いフィルタ特性を実現できる。
【００１８】
本発明の請求項１１に記載の発明は、圧電薄膜をタンタル酸リチウムの膜とした請求項１０記載の弾性表面波デバイスであり、帯域の広い弾性表面波デバイスを実現できる。
【００１９】
本発明の請求項１２に記載の発明は、圧電薄膜をニオブ酸リチウムの膜とした請求項１０記載の弾性表面波デバイスであり、帯域の広い弾性表面波デバイスを実現できる。
【００２０】
本発明の請求項１３に記載の発明は、誘電体基板と圧電薄膜の間に導電層を設けた請求項９記載の弾性表面波デバイスであり、温度特性を改善することができる。
【００２１】
本発明の請求項１４に記載の発明は、導電層を圧電薄膜を構成する金属元素の少なくとも一つを含む金属とした請求項１３記載の弾性表面波デバイスであり、温度特性に優れた弾性表面波デバイスを実現できる。
【００２２】
本発明の請求項１５に記載の発明は、誘電体基板の弾性表面波伝播速度を圧電薄膜の弾性表面波伝播速度よりも速いものとした請求項１記載の弾性表面波デバイスであり、高い周波数の弾性表面波デバイスを容易に実現することができる。
【００２３】
本発明の請求項１６に記載の発明は、誘電体基板をサファイア、炭化珪素、ダイヤモンドのうち一つの単結晶あるいは基板の上に薄膜を形成したものとした請求項１５記載の弾性表面波デバイスであり、高い周波数の弾性表面波デバイスを容易に作製することができる。
【００２４】
本発明の請求項１７に記載の発明は、圧電薄膜をタンタル酸リチウムの膜とした請求項１６記載の弾性表面波デバイスであり、帯域の広い弾性表面波デバイスを容易に実現できる。
【００２５】
本発明の請求項１８に記載の発明は、圧電薄膜をニオブ酸リチウムの膜とした請求項１６記載の弾性表面波デバイスであり、帯域の広い弾性表面波デバイスを容易に実現できる。
【００２６】
本発明の請求項１９に記載の発明は、半導体基板と、この半導体基板の上面に設けた圧電薄膜と、この圧電薄膜の上に電極パターンを設けたものであり、これにより、圧電単結晶並みの電気機械結合係数を有し、温度特性の良い弾性表面波デバイスを得ることができる。
【００２７】
本発明の請求項２０に記載の発明は、圧電薄膜をエピタキシャル成長させた膜とした請求項１９記載の弾性表面波デバイスであり、十分な圧電特性と底損失な弾性表面波デバイスを実現できる。
【００２８】
本発明の請求項２１に記載の発明は、圧電薄膜をタンタル酸リチウムの膜とした請求項２０記載の弾性表面波デバイスであり、帯域の広い弾性表面波デバイスを実現できる。
【００２９】
本発明の請求項２２に記載の発明は、圧電薄膜をニオブ酸リチウムの膜とした請求項２０記載の弾性表面波デバイスであり、帯域の広い弾性表面波デバイスを実現できる。
【００３０】
本発明の請求項２３に記載の発明は、半導体基板と圧電薄膜の間に導電層を設けた請求項１９記載の弾性表面波デバイスであり、温度特性に優れた弾性表面波デバイスを実現できる。
【００３１】
本発明の請求項２４に記載の発明は、導電層を圧電薄膜を構成する金属元素の少なくとも一つを含む金属とした請求項２３記載の弾性表面波デバイスであり、温度特性に優れた帯域の広い弾性表面波デバイスを実現できる。
【００３２】
本発明の請求項２５に記載の発明は、半導体基板をシリコン基板とした請求項１９記載の弾性表面波デバイスであり、複合化された弾性表面波デバイスを実現できる。
【００３３】
本発明の請求項２６に記載の発明は、電極パターンの一部と導電層とを電気的に接続した請求項５，１３，２３のいずれかに記載の弾性表面波デバイスであり、温度特性に優れた弾性表面波デバイスを実現できる。
【００３４】
本発明の請求項２７に記載の発明は、圧電薄膜の一部に設けた穴を通して、電気的に接続した請求項２６記載の弾性表面波デバイスであり、弾性表面波デバイスの周波数特性の安定化と不要なリップルの発生を抑えられる弾性表面波デバイスを実現できる。
【００３５】
本発明の請求項２８に記載の発明は、電極パターンの領域以外の部分の圧電薄膜を取り除いた請求項１または１９のいずれかに記載の弾性表面波デバイスであり、不要な寄生容量による特性の劣化を防止できる弾性表面波デバイスを実現できる。
【００３６】
本発明の請求項２９に記載の発明は、圧電薄膜の実効的な電気機械結合係数が５％以上である請求項１または１９のいずれかに記載の弾性表面波デバイスであり、帯域の広い弾性表面波デバイスを実現できる。
【００３７】
本発明の請求項３０に記載の発明は、２５℃±５０℃の温度領域において、中心周波数の温度係数の絶対値が２５ｐｐｍ／℃以下である請求項２９記載の弾性表面波デバイスであり、温度による周波数変動の少ない弾性表面波デバイスを実現できる。
【００３８】
本発明の請求項３１に記載の発明は、圧電薄膜の結晶粒径が中心周波数に対応する波長の０．７倍より小さい、又は２倍より大きい請求項１または１９のいずれかに記載の弾性表面波デバイスであり、伝播損失の少ない帯域の広い弾性表面波デバイスを実現できる。
【００３９】
本発明の請求項３２に記載の発明は、圧電薄膜の厚さが中心周波数に対応する波長の０．５倍から１０倍の範囲である請求項１または１９のいずれかに記載の弾性表面波デバイスであり、伝播損失の少ない帯域の広い弾性表面波デバイスを実現できる。
【発明の効果】
【００４０】
本発明の弾性表面波デバイスは、圧電単結晶並みの電気機械結合係数を有し、温度特性の良い弾性表面波デバイスを得ることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
（実施の形態１）
以下、実施の形態１を用いて、本発明の請求項１〜８及び２６〜３２に記載の発明について説明する。
【００４２】
図１は本発明の実施の形態１における弾性表面波デバイスのチップ断面図であり、図２は本発明の実施の形態１における他の一例である弾性表面波デバイスのチップ断面図であり、図３は更に別の一例である弾性表面波デバイスのチップ断面図である。
【００４３】
まず、図１を用いて本発明の弾性表面波デバイスの構成について説明する。図１において、３６°ＹカットＸ伝播のタンタル酸リチウム単結晶からなる誘電体基板１１の上に、タンタルからなる導電層１２をスパッタ蒸着により約０．１マイクロメートルの厚さで形成し、その上にＭＯＣＶＤにより約４マイクロメートルの厚さでタンタル酸リチウムの圧電薄膜１３をエピタキシャル成長させて形成し、この圧電薄膜１３の上に１．９ＧＨｚ用の電極パターン１４を形成するものである。この電極パターン１４は櫛歯状の電極パターンとしている。
【００４４】
このエピタキシャル成長させるための条件としては、通常誘電体基板１１と圧電薄膜１３の線膨張率、格子定数が近いことがあげられるが、本実施の形態１の場合、導電層１２を薄くしているため、これらが近くなり比較的容易にエピタキシャル成長した圧電薄膜１３を得ることができる。
【００４５】
また、電極パターン１４の下に圧電薄膜１３を介して導電層１２を設けることにより裏面を短絡する状態にしておくことによって、温度特性が誘電体基板１１そのものの温度特性より小さくなり、その電気機械結合係数は圧電薄膜１３がエピタキシャル成長していることから誘電体基板１１とほとんど同じ特性を実現することができることから温度特性に優れた広帯域の弾性表面波デバイスを実現することができる。
【００４６】
以上のような構成を有する弾性表面波デバイスを試作したものを確認すると、３６°ＹカットＸ伝播のタンタル酸リチウム単結晶のみで作製したものとほぼ同等の帯域幅が得られ、圧電薄膜１３の実効的な電気機械結合係数は８％程度得られていることが確認された。この圧電薄膜の実効的な電気機械結合係数を検討した結果、５％以上であればほぼ単結晶と同じ帯域の広い弾性表面波デバイスを実現できることを確認した。
【００４７】
一方、従来の弾性表面波デバイスでは４０〜４５ｐｐｍ／℃の温度係数であったが、本発明品では２０〜２５ｐｐｍ／℃に改善されていることが確認された。
【００４８】
この温度特性に関する弾性表面波デバイスとこの弾性表面波デバイスが実装される携帯電話などの電子機器との関係について検討した結果、２５℃±５０℃の温度領域において、中心周波数の温度係数の絶対値が２５ｐｐｍ／℃以下である弾性表面波デバイスとすることにより実用域で特性変動の少ない電子機器を実現できることがわかった。
【００４９】
なお、図１において、誘電体基板１１と圧電薄膜１３の間に導電層１２が存在するが、導電層１２がなくても弾性表面波デバイスは構成できる。例えば、タンタル酸リチウムの誘電体基板１１の上に、タンタル酸リチウムのエピタキシャル薄膜よりなる圧電薄膜１３を設ける場合、電極パターン１４を設ける面を誘電体基板１１の表面よりも平滑にすることにより、伝播損失を低減した弾性表面波デバイスを実現することができる。さらに、圧電薄膜１３の形成時に膜応力をコントロールすることにより、伝播速度、電気機械結合係数等を微調することができ、要望されるデバイスの特性に最適なパラメータを得ることができる。
【００５０】
また、本実施の形態１ではＭＯＣＶＤを用いているがエピタキシャル成長ができる薄膜形成方法であれば特に問題はなく、例えばスパッタ等の手段であっても構わない。
【００５１】
さらに、本実施の形態１では誘電体基板１１および圧電薄膜１３にタンタル酸リチウムを用いているが、ニオブ酸リチウムを用いても同様の効果が得られることを確認している。いずれの場合においても結合係数を大きくすることができることから広帯域の弾性表面波デバイスを実現することができる。
【００５２】
次に、図２を用いて本発明の他の一例の弾性表面波デバイスの構成について説明する。図２において、基本的な構成は図１とほぼ同じであり、特に異なっているところは圧電薄膜１３の一部に穴１５を形成し、この穴１５を通して、電極パターン１４の一部と導電層１２とを電気的に接続するものである。このような構成とすることによって、弾性表面波デバイスの温度特性などの電気的特性の安定化が図られる。
【００５３】
次に、図３を用いて本発明の別の他の一例の弾性表面波デバイスの構成について説明する。図３において、基本的な構成は図１とほぼ同じであり、異なっているところは電極パターン１４の領域以外の部分の圧電薄膜１３を取り除いたものである。このような構成とすることにより、圧電薄膜１３のエッジ部分を端面反射器として利用できるため、弾性表面波デバイスの小型化が図れる。
【００５４】
また、圧電薄膜１３の結晶粒径が中心周波数に対応する波長にほぼ等しくなると、その境界で反射が起こりやすくなり、伝播ロスが大きくなる。そのため結晶粒径を波長の０．７倍より小さくするか、あるいは２倍より大きくすることが望ましい。
【００５５】
また、圧電薄膜１３の厚さは波長の０．５倍以下になると十分な電気機械結合係数が得られず、またあまり厚くなると十分な結晶性が得られなかったり、剥離しやすくなるため、波長の０．５倍から１０倍位が望ましい。
【００５６】
さらに、温度特性を改善するために電極パターン１４の上にさらに二酸化珪素等の絶縁膜を設けても良い。
【００５７】
（実施の形態２）
以下、実施の形態２を用いて、本発明の請求項９〜１４に記載の発明について説明する。
【００５８】
本実施の形態２と実施の形態１とで相違する点は、実施の形態１では誘電体基板２１と圧電薄膜２３を同じ成分のものを用いていたものを本実施の形態２では、異なるものを用いている点である。
【００５９】
図４においては、水晶からなる誘電体基板２１の上に、タンタルからなる導電層２２をスパッタ蒸着により約０．１マイクロメートルの厚さで形成し、その上にＭＯＣＶＤにより約４マイクロメートルの厚さで、タンタル酸リチウムの圧電薄膜２３をエピタキシャル成長させ、その上に１．９ＧＨｚの電極パターン２４を形成するものである。
【００６０】
実施の形態１に比べて、エピタキシャル成長させる条件は厳しくなるが、誘電体基板２１と圧電薄膜２３の組み合わせにより、温度特性をさらにより良くすることができ、１５ｐｐｍ／℃以下の温度係数を得ることができた。
【００６１】
また本実施の形態２の場合、導電層２２はなくても可能であるが、より良い特性のためにはあることが望ましい。また、導電層２２の材料は圧電薄膜２３を構成する金属元素の少なくとも一つを含む金属であることが望ましく、本実施の形態２では、タンタルを用いている。このような構成とすることにより、圧電薄膜２３の結晶性を高めることができるため、結果として弾性表面波デバイスの温度特性を優れたものとすることができる。
【００６２】
（実施の形態３）
以下、実施の形態３を用いて本発明の請求項１５〜１８に記載の発明について説明する。
【００６３】
本実施の形態３と実施の形態１とで相違する点は、実施の形態１では誘電体基板３１と圧電薄膜３３を同じ成分のものを用いていたが、実施の形態３では、誘電体基板３１を圧電薄膜３３の弾性表面波伝播速度より速いものを用いる点である。
【００６４】
図５において、サファイアからなる誘電体基板３１の上にタンタルからなる導電層３２をスパッタ蒸着により約０．１マイクロメートルの厚さで形成し、その上にＭＯＣＶＤにより約４マイクロメートルの厚さで、タンタル酸リチウムの圧電薄膜３３をエピタキシャル成長させ、その上に１．９ＧＨｚの電極パターン３４を形成するものである。
【００６５】
このような構成とすることにより、圧電単結晶並みの電気機械結合係数を有し、温度特性の良い弾性表面波デバイスを得ることができる。
【００６６】
また、高い周波数になっても誘電体基板３１に高音速基板であるサファイアを用いることにより比較的ファインパターンにならなくて済み、工程の安定化が図れる。
【００６７】
この場合、圧電薄膜３３の膜厚をあまり大きくすると、弾性表面波伝播速度も下がってくるため、波長の５倍程度以下が望ましい。
【００６８】
なお本実施の形態３では、サファイア単結晶の基板を誘電体基板３１として用いているが、別の誘電体基板３１の上にダイヤモンド等の圧電薄膜３３を形成したものであっても良い。
【００６９】
また圧電薄膜３３は、ニオブ酸リチウムのエピタキシャル膜であっても同様の効果を得ることを確認している。
【００７０】
（実施の形態４）
以下、実施の形態４を用いて、本発明の請求項１９〜２５に記載の発明について説明する。
【００７１】
本実施の形態４と実施の形態１とで相違する点は、実施の形態１では、基板に誘電体基板１１を用いているのに対し、実施の形態４は、半導体基板４１を用いる点である。
【００７２】
図６においては、シリコンからなる半導体基板４１の上に、タンタルからなる導電層４２をスパッタ蒸着により約０．１マイクロメートルの厚さで形成し、その上にＭＯＣＶＤにより約４マイクロメートルの厚さで、タンタル酸リチウムの圧電薄膜４３をエピタキシャル成長させ、その上に、１．９ＧＨｚの電極パターン４４を形成するものである。
【００７３】
このようにすることにより、圧電単結晶並みの電気機械結合係数を有し、温度特性の良い弾性表面波デバイスを得ることができる。
【００７４】
また、半導体回路と弾性表面波デバイスを一体化したデバイスが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明にかかる弾性表面波デバイスは、従来の単結晶基板並みの電気機械結合係数を有し、温度係数の小さな特性が得られるという効果を有し、携帯電話等の通信分野、あるいはテレビ等の映像分野等のフィルタに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の実施の形態１における弾性表面波デバイスの断面図
【図２】同断面図
【図３】同断面図
【図４】本発明の実施の形態２における弾性表面波デバイスの断面図
【図５】本発明の実施の形態３における弾性表面波デバイスの断面図
【図６】本発明の実施の形態４における弾性表面波デバイスの断面図
【図７】従来の弾性表面波デバイスの断面図
【符号の説明】
【００７７】
１１，２１，３１  誘電体基板
１２，２２，３２，４２  導電層
１３，２３，３３，４３  圧電薄膜
１４，２４，３４，４４  電極パターン
１５  穴
４１  半導体基板
【図１】
2005117308.tif 000003
【図２】
2005117308.tif 000004
【図３】
2005117308.tif 000005
【図４】
2005117308.tif 000006
【図５】
2005117308.tif 000007
【図６】
2005117308.tif 000008
【図７】
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