(57)【要約】【課題】本発明は、広範囲で均一なプラズマ領域を形成し、被処理物の成膜面積を拡大するとともに、拡大される成膜範囲全体に均質に成膜することができるプラズマ処理装置及びその処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】ステアリングコイル１５ａの垂直支持軸２５は、駆動機構２６のシリンダ２６ａにクランク機構によって係合し、シリンダ２６ａの往復動によって垂直支持軸２５を水平方向に回動させることで、プラズマ出射中心軸方向Ｅに対してステアリングコイル１５ａを所定の周期で幅方向に変位させて、プラズマ源から出射されるプラズマの出射方向を可変する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器と、
該真空容器に接続されたプラズマを生成するプラズマ源と、
該真空容器内に配設され、成膜材料が配設されると共に、前記プラズマが入射される電極部と、
前記プラズマを前記真空容器内に導くためのステアリングコイルとを備え、
該電極部と対向配置される被処理物に前記成膜材料を成膜するプラズマ処理装置において、
前記プラズマ源からのプラズマ出射中心軸方向に対し、前記ステアリングコイルの実質的な方向を可変し、前記プラズマ源が発生するプラズマ領域を拡張するプラズマ領域拡張手段を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記電極部は、前記プラズマガンのプラズマ出射中心軸方向と直交する方向に配設され、
前記被処理物は前記電極部に対向する位置に配置されており、
かつ前記プラズマが前記プラズマ出射中心軸方向から曲げられて前記電極部に入射して、前記被処理物に成膜されるように構成されたことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記プラズマ領域拡張手段は、
前記ステアリングコイルを構成すると共に、
前記プラズマ出射中心軸方向に対し角度を異ならせた複数のコイル部と、
該複数のコイル部の磁場を制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項１または２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記プラズマ領域拡張手段は、
前記プラズマ出射中心軸方向に対する前記ステアリングコイルの角度を変化させる駆動手段を設けたことを特徴とする請求項１または２記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記被処理物は、前記プラズマ出射中心軸方向と平行な方向に搬送されるように構成したことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
プラズマ源から出射されるプラズマのプラズマ出射中心軸方向を可変して、
前記プラズマ源が発生するプラズマ領域を拡張させて、プラズマ雰囲気下、真空容器内に配置された被処理物に成膜材料を成膜することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
前記プラズマがプラズマ出射中心軸方向から曲げられて前記電極部に入射するとともに、前記入射の方向が、該電極部及び該電極部と対向して配置される前記被処理物とを結ぶ直線に直交する平面の延出方向に変更されることを特徴とする請求項６記載のプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理装置及びその処理方法に関し、特に基板上に成膜を行うプラズマ処理装置及びその処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマＣＶＤ装置、プラズマを用いたスパッタリング装置及びプラズマを用いたイオンプレーティング装置等のプラズマ処理装置において、ＲＦ放電やマイクロ波放電等の高周波放電により、あるいはＤＣ（直流）放電によりプラズマを発生させ、プラズマ源に応じて配設される電極にプラズマを入射させることが行われている。この場合、発生するプラズマは、通常、略円柱状のプラズマ（以下、円柱プラズマという。）であり、生成した円柱プラズマは例えば円柱状に形成した電極に入射される。
【０００３】
しかしながら、円柱プラズマを用いた場合、例えばイオンプレーティング装置において、プラズマ形成領域が、例えば最大で４００〜６００ｍｍ程度の径を有する円柱状のビームの範囲に限られるため、上記電極に配置されるハース等から蒸発した成膜材料粒子がプラズマに曝されて活性化される領域が制限され、大面積の基板等の被処理物に均一に成膜することが難しい。すなわち、チャンバ（真空容器）内空間のプラズマ濃度に分布があり、プラズマ濃度の大きな領域と小さな領域を通過する成膜材料粒子はイオン化の挙動さらにはイオン化した粒子の飛翔軌跡等が異なるため、成膜材料粒子が被成膜物に付着して形成される膜が均質ではなく、被成膜物の面内ばらつきを生じる（特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平８−１００２５４号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、円柱プラズマを用いた装置の場合、プラズマ分布の制御、適正化を図ったとしても、プラズマ形成領域が大きく拡大するものではないため、大きな面積に均質に成膜することが困難であるという問題があった。また、プラズマ源を複数配列した場合には、装置構成が複雑となり装置費用も増大するとともに、均一なプラズマ濃度分布を得ることが困難であるという問題があった。
【０００６】
そこで本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、広範囲で均一なプラズマ形成領域を形成して、被処理物上の成膜領域を拡大すると共に、均質な膜を成膜することができるプラズマ処理装置及びその処理方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係るプラズマ処理装置は、真空容器と、該真空容器に接続されたプラズマを生成するプラズマ源と、該真空容器内に配設され、成膜材料が配設されると共に、前記プラズマが入射される電極部と、前記プラズマを前記真空容器内に導くためのステアリングコイルとを備え、該電極部と対向配置される被処理物に前記成膜材料を成膜するプラズマ処理装置において、前記プラズマ源からのプラズマ出射中心軸方向に対し、前記ステアリングコイルの実質的な方向を可変し、前記プラズマ源が発生するプラズマ領域を拡張するプラズマ領域拡張手段とを備えたことを特徴とする。
【０００８】
また、この場合、前記電極部は、前記プラズマガンのプラズマ出射中心軸方向と直交する方向に配設され、前記被処理物は前記電極部に対向する位置に配置されており、かつ前記プラズマが前記プラズマ出射中心軸方向から曲げられて前記電極部に入射して、前記被処理物に成膜されるように構成されたことを特徴とする。
【０００９】
本発明の上記の構成により、広範囲で均一なプラズマ形成領域を形成することができる。これにより、従来よりも広い成膜面積において均一な品質の膜を得ることができる。
【００１０】
また、この場合、前記プラズマ領域拡張手段は、前記ステアリングコイルを構成すると共に、前記プラズマ出射中心軸方向に対し角度を異ならせた複数のコイル部と、該複数のコイル部の磁場を制御する制御手段とを設けた構成からなると、好適である。
【００１１】
このような構成にすることにより、制御手段により複数のコイル部の磁場を制御して、真空容器内に広範囲で均一なプラズマ形成領域を形成することができる。
【００１２】
また、この場合、前記プラズマ領域拡張手段は、前記プラズマ出射中心軸方向に対する前記ステアリングコイルの角度を変化させる駆動手段を設けた構成とすることにより、好適である。
【００１３】
このような構成とすることにより、プラズマガンから出射されるプラズマの出射角度を広げて、真空容器内に広範囲で均一なプラズマ形成領域を形成することができる。
【００１４】
また、この場合、前記被処理物が前記プラズマ出射中心軸方向と平行な方向に、言いかえれば、入射方向を変更する方向と直交する方向に搬送されるように構成してなると、被処理物の表面において、入射方向を変更する方向と直交する方向（搬送方向）についても均質な膜を得ることができて好適である。
【００１５】
また、本発明に係るプラズマ処理方法は、プラズマ源から出射されるプラズマのプラズマ出射中心軸方向を可変して、前記プラズマ源が発生するプラズマ領域を拡張させて、プラズマ雰囲気下、真空容器内に配置された被処理物に成膜材料を成膜することを特徴とする。
【００１６】
また、この場合、プラズマがプラズマ出射中心軸方向から曲げられて前記電極部に入射するとともに、前記入射の方向が、該電極部及び該電極部と対向して配置される前記被処理物とを結ぶ直線に直交する平面の延出方向に変更されることを特徴とする。
【００１７】
本発明の上記の構成により、広範囲で均一なプラズマ形成領域を形成することができる。これにより、従来よりも広い成膜面積において均一な品質の膜を得ることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
次に、図面に基づいて本発明に係るプラズマ処理装置及びその処理方法について説明する。まず、図１を参照して、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置の概略構成について説明する。なお、図１中に示したＥは、プラズマ源から放出されるプラズマのプラズマ出射中心軸方向を示している。
【００１９】
イオンプレーティング装置１０は、大略すると成膜室である真空容器１２と、真空容器１２中にプラズマビーム（プラズマ）ＰＢを供給するプラズマ源であるプラズマガン（プラズマビーム発生器）１４と、真空容器１２内の底部に配置されてプラズマビームＰＢが入射する陽極部材（電極部）１６と、搬送機構１８とを備える。搬送機構１８は、成膜の対象である基板（被成膜物）Ｗを保持する基板保持部材ＷＨを陽極部材１６の上方で適宜移動させるためのものである。真空容器１２は、アースされている。なお、参照符号２０ｂ、２０ｃは酸素等の雰囲気ガスを供給するための供給路を示し、参照符号２０ｄはＡｒ等の不活性ガスを後述するハース１６ａに供給するための供給路を示している。また、参照符号２０ｅは排気系を示す。
【００２０】
プラズマガン１４は、圧力勾配型であり、その本体部分は真空容器１２の側壁に備えられる。生成、放出されるプラズマビームＰＢは、プラズマガン１４の陰極１４ａ、中間電極１４ｂ、１４ｃ及び電磁石コイル１４ｄによって強度や分布状態が制御され、収束される。収束したプラズマビームＰＢは、さらに、ステアリングコイル１５によってプラズマ出射方向が制御され、真空容器１２中に導入される。ステアリングコイル１５については、詳細を後述する。なお、参照符号２０ａは、プラズマビームＰＢのもととなる、Ａｒ等の不活性ガスからなるキャリアガスの導入路を示している。
【００２１】
陽極部材１６は、プラズマビームＰＢを下方に導く主陽極であるハース１６ａと、その周囲に配置された環状の補助陽極１６ｂとからなる。請求項１に記載の電極部であるハース１６ａは、正電位を持ち、プラズマガン１４から出射されたプラズマビームＰＢを図１中下方に吸引する。ハース１６ａは、プラズマビームＰＢが入射する中央部に貫通孔ＴＨが形成されており、貫通孔ＴＨに成膜材料２２が装填される。成膜材料２２は、柱状又は棒状に成形されたタブレットであり、プラズマビームＰＢからの電流によって加熱されて、蒸発物質を生成する。ハース１６ａは成膜材料２２を徐々に上昇させる構造を有しており、成膜材料２２の上端は、常に一定量だけハース１６ａの貫通孔ＴＨから突出している。
【００２２】
補助陽極１６ｂは、ハース１６ａの周囲に同心に配置された環状の容器で構成され、容器内には、永久磁石２４ａとコイル２４ｂとが収容されている。これら永久磁石２４ａ及びコイル２４ｂは、磁場制御部材であり、これにより、ハース１６ａに入射するプラズマビームＰＢの向きが制御される。搬送機構１８は、搬送路１８ａ内に水平方向に等間隔で配列されて基板保持部材ＷＨを支持する多数のコロ１８ｂと、コロ１８ｂを回転させて基板保持部材ＷＨを所定の速度で水平方向に移動させる駆動装置とを有している。基板保持部材ＷＨには、被処理物である基板Ｗが保持される。なお、この際、基板Ｗを搬送する搬送機構１８を設けることなく、真空容器１２の内部の上方に基板Ｗを真空チャックで固定してもよい。
【００２３】
ここで、ステアリングコイル１５の詳細及びステアリングコイル１５によって制御されるプラズマのプラズマ出射方向を変更して、プラズマ形成領域を拡張するための手段、すなわち、請求項１に記載のプラズマ領域拡張手段について説明する。プラズマのプラズマ出射方向を変更する手段は、機械的な方式や電気的な方式等の適宜の方式を用いることができる。図２〜図４を参照して、機械的な方式を用いてプラズマのプラズマ出射方向を変更する場合について説明する。なお、機械的な方式のプラズマ領域拡張手段には、後述する駆動手段である駆動機構２６が設けられている。
【００２４】
図２は図１のステアリングコイル１５に対応するステアリングコイル１５ａの平面図（図１中、Ｓ１方向から見た図。）であり、図３はステアリングコイル１５ａの正面図（図１中、Ｓ２方向から見た図。）であり、図４はステアリングコイル１５ａの側面図（図１中、紙面を貫通する方向から見た図。）である。なお、図２及び図３では、プラズマガン１４の図示は省略する。また、図２乃至４中に示したＥは、プラズマ源から放出されるプラズマのプラズマ出射中心軸方向を示している。
【００２５】
通常の装置では、ステアリングコイル１５ａに相当する制御部材として、電磁コイル、あるいは永久磁石がプラズマビームＰＢの外周に環状に固設される。そして、制御部材によって制御されたプラズマビームＰＢは、真空容器１２内に導入されて、プラズマ出射中心軸方向Ｅの延長線上に照射される。真空容器１２内に照射されたプラズマビームＰＢは、前記のように陽極部材１６の作用によって、進路をハース１６ａの方向に曲げられ、ハース１６ａに向けて収束される。
【００２６】
このとき、図２に示すように、ハース１６ａを上から見た状態、言いかえれば、陽極部材１６と基板Ｗとを結ぶ直線（この場合、鉛直線）に対して直交する平面（図１中、紙面を貫通する方向の平面）から見た場合、例えば制御部材の中心からの水平距離Ｌが５００ｍｍに位置するハース１６ａに入射されるプラズマビームＰＢは、ハース１６ａの中心（図１、図２中、矢印Ｃで示す。）から一定の幅（図１中、紙面貫通方向。図２中、左右方向）に放射、拡散された後、ハース１６ａに収束される。このプラズマビームＰＢが平面（この場合、水平面）上に広がる幅は例えばＷ１＝４００ｍｍ〜Ｗ２＝６００ｍｍ程度である。ハース１６ａの中心ＣからＷ１＝４００ｍｍの幅内ではプラズマビームＰＢは均一、すなわち、ほぼ一定のプラズマ密度となるが、これに対して、その周辺にあたる両端それぞれ１００ｍｍ程度の幅のプラズマビームＰＢは不均一となり、プラズマ密度が低くなり、あるいはプラズマ密度が変化し易い領域となっている。
【００２７】
このため、ハース１６ａに配置された成膜材料２２から蒸発する成膜材料粒子は、ハース１６ａの直上付近を上昇する際、プラズマビームＰＢによって良好な状態に活性化されて、イオン化し、基板Ｗに向けて飛翔する。これに対して、ハース１６ａの周辺を上昇するときは、プラズマビームＰＢの周辺部分によっては活性化が十分に行われず、イオン化状態や、基板Ｗに向けた飛翔状態が不安定となる。したがって、基板Ｗにおける実用的な成膜範囲は、Ｗ１＝４００ｍｍの幅に対応する幅に制限されることになる。
【００２８】
本実施の形態では、通常のものと同様の環状のコアに一定方向に巻き線した電磁コイルをステアリングコイル１５ａとして用い、このステアリングコイル１５ａの垂直支持軸２４を駆動機構２６のシリンダ２６ａにクランク機構２８によって係合した構造を有する。そしてシリンダ２６ａの往復動によって垂直支持軸２４を水平方向（図２中Ｘ１−Ｘ２方向）に回動させることで、プラズマ出射中心軸方向Ｅに対してのステアリングコイル１５ａの向きを所定の周期で幅方向（図２中、左右方向）に変位させる構造を有している。ステアリングコイル１５ａの水平面上での振り角θ１は、特に限定されるものではなく、成膜方式、装置の構造、装置の大きさ、あるいは、求められる成膜品質の程度等に応じて適宜の角度に設定することができる。
【００２９】
また、ステアリングコイル１５ａを上記の振り角θ１に変化させる単位次間当たりの繰り返し回数（単位：回／ｍｉｎ、周期の逆数）についても、所定の角度と同様に特に限定されるものではない。例えば、振り角θ１は、ハース１６ａの中心Ｃに向けた方向を挟んで、±１０°程度とすることができ、単位次間当たりの繰り返し回数は、例えば３０回／ｍｉｎとすることができる。これにより、プラズマビームＰＢのプラズマ密度が均一な幅を、Ｗ１＝４００ｍｍから、Ｗ１の両側にそれぞれ５０ｍｍ程度拡張することができ、これに応じて基板Ｗの実用的な成膜範囲を、基板Ｗの搬送方向に直交する幅方向に拡張することができる。
【００３０】
このとき、本実施の形態では基板Ｗを上記幅方向に直交する方向に搬送しながら成膜するため、この方向における成膜品質の均一化を図ることができる。また、なお、上記機械的な方式を用いる場合、ステアリングコイルの代わりに環状永久磁石を用いても良い。
【００３１】
次に、図５及び図６を参照して、電気的な方式を用いてプラズマの出射方向を変更する場合について説明する。ステアリングコイル１５ｂは、プラズマの外周を囲う環状の巻き線である２つコイル部３２ａ、３２ｂが設けられている。このコイル部３２ａ、３２ｂは、巻き線方向を、例えば３０°違えた構成とされている。電気的な方式を用いたプラズマ領域拡張手段には、制御手段３０が設けられており、この制御手段３０により２つコイル部３２ａ、３２ｂに対して交互に通電することで、プラズマビームＰＢが通過する空間（図５及び図６中、Ｓ）に生成する磁場の向きを変えることができ、その結果、プラズマビームＰＢのプラズマ出射方向を変更することができる。これにより、上記機械的な方式を用いた場合と同様の作用効果を得ることができる。
【００３２】
このとき、プラズマ出射中心軸方向Ｅに対するステアリングコイル１５ｂの振り角や振り角θ１に振る単位次間当たりの繰り返し回数は、上記機械的な方式を用いた場合と同様に特に限定うるものではないが、例えば、振り角を±１０°、繰り返し回数を１０〜５０回／ｓｅｃ程度とする。なお、上記の電気的な方式と機械的な方式とを併用してもよく、このとき、例えば、振り角を±２０°及び繰り返し回数を１０〜５０回／ｓｅｃ程度とすることで、プラズマ形成領域をさらに広げることができる。
【００３３】
以上のように構成したイオンプレーティング装置を用いた本実施の形態に係るイオンプレーティング方法について説明する。まず、真空容器（成膜室）１２の下部に配置されたハース１６ａの貫通孔ＴＨに成膜材料２２を装着する。一方、ハース１６ａの上方の対向する位置に、例えばガラス製の基板Ｗを配置する。そして、アース電位にある真空容器１２を挟んで、負電圧をプラズマガン１４の陰極１４ａに、正電圧をハース１６ａに印加して放電を生じさせ、これにより、プラズマビームＰＢを生成する。
【００３４】
放電が安定した状態でのハース１６ａの電圧は、真空容器１２（真空容器１２の壁）を基準として例えば＋３０〜＋６０Ｖの範囲内とする。このハース１６ａの電圧は、磁場、真空容器１２の圧力、放電電流等の条件を変更することで調整することができる。プラズマビームＰＢは、ステアリングコイル１５（１５ａ、１５ｂ）と補助陽極１６ｂ内の永久磁石２４ａ等とによって決定される磁界に案内されてハース１６ａに到達する。この際、成膜材料２２の周囲にアルゴンガスが供給されるので、容易にプラズマビームＰＢがハース１６ａに引き寄せられる。
【００３５】
このとき、前記した機械的あるいは電気的な方式を用いて、プラズマ出射中心軸方向Ｅに対するステアリングコイル１５（１５ａ、１５ｂ）の向きを変えて、プラズマビームＰＢの入射方向を変更することにより、ハース１６ａの上方のプラズマビームＰＢの領域（プラズマ雰囲気の範囲）が拡張される。プラズマビームＰＢに曝された成膜材料２２は、徐々に加熱される。成膜材料２２が十分に加熱されると、成膜材料２２が昇華し、蒸発物質が蒸発（出射）する。蒸発物質は、ハース１６ａ直上の高密度のプラズマビームＰＢ中でイオン化される。
【００３６】
プラズマビームＰＢ内におけるハース１６ａ直上での電位はハース１６ａの電位と略同程度であるため、正にイオン化された蒸発物質（蒸着材料の元素）は、ハース１６ａの電位と略等しい電位、すなわち、ポテンシャルエネルギを持つ。さらに、本実施の形態では、プラズマビームＰＢの幅がハース１６ａ直上を中心として広がっているため、蒸発物質がハース１６ａの電位と略等しい電位、すなわち、ポテンシャルエネルギを持つ領域もハース１６ａ直上を中心として拡張する。
【００３７】
これにより、基板Ｗ上の広い範囲にわたって均一なポテンシャルエネルギを持つ蒸発物質が堆積し、均質な薄膜が形成される。なお、本実施の形態に係るイオンプレーティング方法において、ステアリングコイル１５（１５ａ、１５ｂ）の向きを変える代わりに、陽極部材１６をステアリングコイル１５（１５ａ、１５ｂ）の場合と同様な手法により、回動あるいは揺動させて、プラズマビームＰＢのプラズマ出射中心軸方向Ｅに対してステアリングコイルを変位させてもよい。
【００３８】
【実施例】
実施例及び比較例を挙げて、本発明をさらに説明する。なお、本発明は、以下に説明する実施例に限定されるものではない。放電電流１００Ａ、真空容器の圧力０．３Ｐａ、ガラス基板の保持温度８０〜１２０℃の成膜条件で、ＩＴＯを約１７０ｎｍの厚みに成膜した。このとき、プラズマ出射中心軸方向Ｅに対するステアリングコイルの振り角（θ１）を±３°とし、周期の逆数である回動の回数（回／ｍｉｎ）を最大１０まで変えて、プラズマビームの出射方向を変更した。
【００３９】
得られたＩＴＯ膜の成膜品質として、比抵抗（単位：×１０−４Ω・ｃｍ）のＩＴＯ膜の幅方向の分布を図７に、シート抵抗（単位：Ω／□）のＩＴＯ膜の幅方向の分布を図８に、それぞれ示した。このＩＴＯ膜の幅は、膜の幅中心とプラズマビームの幅中心、言いかえればハースの中心とを鉛直線上で一致させたうえで、プラズマビームの幅方向（Ｗ１、Ｗ２）に対応するものである。
【００４０】
図７及び図８において、回動回数０は、ステアリングコイルが固定された状態にある従来の場合（比較例）を意味する。この比較例では、ＩＴＯ膜の幅が中心から両側２００ｍｍの範囲内では、比抵抗及びシート抵抗はいずれもほぼ均一な値が得られている。そして、ＩＴＯ膜の幅が中心から両側２００ｍｍの範囲を越えると、比抵抗及びシート抵抗はいずれも急激に大きくなっている。
【００４１】
これに対して、ステアリングコイルを振る実施例では、ＩＴＯ膜の幅が中心から両側２００ｍｍの範囲内では、回動回数の多寡に関わらず、比抵抗及びシート抵抗はいずれもほぼ均一な値が得られている。また、ＩＴＯ膜の幅が中心から両側２００ｍｍの範囲を約５０ｍｍ越える幅内、すなわち、両側２５０ｍｍの幅内においても、比抵抗及びシート抵抗の上昇幅が抑えられている。なお、この実施例では、ＩＴＯ膜の幅が中心から両側２５０ｍｍを越える領域では、比抵抗及びシート抵抗はいずれもかなり上昇しており、顕著な改善効果は見られない。但し、振り角θ１をさらに大きくし、あるいは回動回数をさらに大きくする等によりプラズマビーム出射方向の最適化を図ることで、均一な成膜品質が得られる幅の範囲をさらに拡張することができることは明らかである。
【００４２】
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。なお、請求項１に記載のステアリングコイルの実質的な方向を可変とは、機械的な方式と電気的な方式との両方を含んでおり、プラズマ出射中心軸方向Ｅに対してステアリングコイル１５（１５ａ、１５ｂ）の向きを変えるということを示している。
【００４３】
【発明の効果】
本発明に係るプラズマ処理装置によれば、プラズマ源から放出されるプラズマを所定の角度内で周期的に出射方向を変更して、真空容器内に配設される電極部に入射させ、プラズマ雰囲気下、真空容器内に配置される被処理物の表面に成膜するため、広範囲で均一なプラズマ形成領域を形成することができ、従来よりも広い成膜面積において均一な品質の膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態に係るイオンプレーティング装置の概略構成を示す図である。
【図２】図１中、機械的なプラズマ領域拡張手段を備えたステアリングコイル部分を取り出して示した平面図である。
【図３】図１中、機械的なプラズマ領域拡張手段を備えたステアリングコイル部分を取り出して示した正面図である。
【図４】図１中、機械的なプラズマ領域拡張手段を備えたステアリングコイル部分を取り出して示した側面図である。
【図５】図１中、電気的なプラズマ領域拡張手段を備えたステアリングコイル部分を取り出して示した平面図である。
【図６】図１中、電気的なプラズマ領域拡張手段を備えたステアリングコイル部分を取り出して示した正面図である。
【図７】入射するプラズマビームの幅方向に対応する基板の幅方向に成膜されるＩＴＯの比抵抗分布を示す図である。
【図８】入射するプラズマビームの幅方向に対応する基板の幅方向に成膜されるＩＴＯのシート抵抗分布を示す図である。
【符号の説明】
１０  イオンプレーティング装置
１２  真空容器
１４  プラズマガン
１５、１５ａ、１５ｂ  ステアリングコイル
１６  陽極部材
１６ａ  ハース
１６ｂ  補助陽極
１８  搬送機構
２２  成膜材料
２４ａ  永久磁石
２４ｂ  コイル
２５  垂直支持軸
２６  駆動機構
２６ａ  シリンダ
２８  クランク機構
２９ａ、２９ｂ  水平支持軸
３０  制御手段
３２ａ、３２ｂ  コイル部
【図１】
2005044604.tif 000003
【図２】
2005044604.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2005044604.tif 000008
【図７】
2005044604.tif 000009
【図８】
2005044604.tif 000010