(57)【要約】【課題】熱処理炉等に用いられているプロセスチューブのリーク検査を短時間で速やかに、かつ高精度に行うことができ、またその検査結果の信頼性も高いプロセスチューブの検査方法を提供する。【解決手段】プロセスチューブのリークを検査する方法であって、前記プロセスチューブに形成されている少なくとも２つの開口部にそれぞれ真空排気手段を接続するとともに該真空排気手段を接続した開口部の一つにさらにガス検知器を接続しておき、前記開口部に接続した少なくとも２つの真空排気手段で前記プロセスチューブ内を所定の真空度まで排気した後、前記ガス検知器が接続されている開口部以外の開口部を閉じ、その後、前記プロセスチューブに外部からガスを吹き付けるとともに前記ガス検知器でプロセスチューブのリーク量を測定することによって、プロセスチューブのリーク検査を行うことを特徴とするプロセスチューブのリーク検査方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスチューブのリークを検査する方法であって、前記プロセスチューブに形成されている少なくとも２つの開口部にそれぞれ真空排気手段を接続するとともに該真空排気手段を接続した開口部の一つにさらにガス検知器を接続しておき、前記開口部に接続した少なくとも２つの真空排気手段で前記プロセスチューブ内を所定の真空度まで排気した後、前記ガス検知器が接続されている開口部以外の開口部を閉じ、その後、前記プロセスチューブに外部からガスを吹き付けるとともに前記ガス検知器でプロセスチューブのリーク量を測定することによって、プロセスチューブのリーク検査を行うことを特徴とするプロセスチューブのリーク検査方法。
【請求項２】
前記真空排気手段で、前記プロセスチューブ内を５０Ｐａ以下の真空度まで排気することを特徴とする請求項１に記載のプロセスチューブのリーク検査方法。
【請求項３】
前記プロセスチューブに吹き付けるガスをヘリウムガスとし、前記ガス検知器としてヘリウムガスリーク検知器を用いることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプロセスチューブのリーク検査方法。
【請求項４】
前記ガス検知器を接続する開口部を、前記プロセスチューブのリーク検査部位に近い位置にある開口部とすることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のプロセスチューブのリーク検査方法。
【請求項５】
前記プロセスチューブとして、内径が１６０ｍｍ以上及び／または長さが１０００ｍｍ以上のものにリーク検査を行うことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のプロセスチューブのリーク検査方法。
【請求項６】
前記プロセスチューブとして、ＳｉＣまたは石英からなるものにリーク検査を行うことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載のプロセスチューブのリーク検査方法。
【請求項７】
前記リーク検査を、熱処理炉の炉心管として用いられているプロセスチューブに行うことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載のプロセスチューブのリーク検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱処理炉の炉心管等に使用されているプロセスチューブのリークを検査する検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体ウエーハの製造プロセスやデバイス製造プロセスでは、ウエーハに酸化、拡散等を行ったり、またウエーハの品質を向上させたりするために様々な条件で熱処理が行われている。
【０００３】
図２は、半導体ウエーハを熱処理あるいはＣＶＤ膜を形成するための代表的な熱処理炉の一つである横型の熱処理炉の構造を示す概略構成図である。図２に示すように、従来一般的に使用されている横型の熱処理炉１１は、半導体ウエーハを投入し、処理するためのＳｉＣ製または石英製のプロセスチューブ１と、ＳｉＣ製の場合は不要であるが、石英製の場合は、そのプロセスチューブ１が挿入されるＳｉＣ均熱管１２が配置され、ＳｉＣ均熱管１２の周囲に配置されたヒーター１３とを具備する。また、プロセスチューブ１は、熱処理空間を形成している円筒部本体１４を有し、その円筒部本体１４の一方の先端部分にはプロセスチューブ１にプロセスガスを導入する第一ガス導入部２、また必要に応じて第一ガス導入部２とは異なる種類のプロセスガスを導入する第二ガス導入部３が形成されており、それぞれガス供給管（不図示）に接続されている。またプロセスチューブ１のもう一端には半導体ウエーハの投入及び取り出しを行うための投入口４が形成されており、さらにこの投入口４側には、プロセスチューブ１に導入されたガスを排出するための排出部５が形成されている。
【０００４】
そして、このような横型の熱処理炉１１を用いて、例えば第一ガス導入部２及び第二ガス導入部３からプロセスチューブ１内に雰囲気ガスを連続的に導入しながら、ヒーター１３で所望の温度まで加熱することによって、ウエーハボート１５に保持されている半導体ウエーハ１６に熱処理を行うことができる。
【０００５】
このような熱処理炉１１を用いて半導体ウエーハに熱処理を行う場合、熱処理を安定して行うために、プロセスチューブ１内を雰囲気ガスで置換する必要があり、熱処理炉の炉心管として用いられるプロセスチューブには、リークが生じずに高い気密性を有するものを用いることが必要とされている。特に、半導体ウエーハの熱処理では、雰囲気ガスとして水素ガス等を用いる場合があり、このように水素ガス等を用いて熱処理を行う場合には、熱処理中に雰囲気ガスがプロセスチューブから漏れてしまうことは許されない。そのため、熱処理等を行う際には、操業前にプロセスチューブのリークの有無を確認するためにリーク検査が行われている。
【０００６】
従来行われているプロセスチューブのリーク検査では、例えばプロセスチューブを外側から目視によって検査する方法が用いられている。通常、プロセスチューブにリークが生じる箇所があるとその部分が虹色を呈するため、使用したプロセスチューブの外観を目視で観察することによってリークの有無を確認することができる。しかしながら、このような目視によるリーク検査では、比較的大きなリークについては検出できるけれども、小さなリークを検出することは非常に難しいため、検査結果の信頼性は低いものであった。また、納入されたばかりの新品のプロセスチューブでは、リークが生じる箇所があっても虹色になっていないため、観察が困難である。
【０００７】
また、プロセスチューブに存在する小さなリークを検出する方法として、例えば図３に示すように、プロセスチューブ１の第一ガス導入部２及び第二ガス導入部３にゴム栓１９等で栓をするとともに投入口４側の排出部５にガス検知器１８と真空ポンプ１７とを接続しておき、先ず真空ポンプ１７でプロセスチューブ１内を排気して真空状態を形成し、その後プロセスチューブ１の外側からノズル２０等でリークを検査する部位（リーク検査部位）にガスを吹き付けてガス検知器１８でそのガスのリーク量を測定することによってリーク検査を行う方法がある。
【０００８】
また逆に、プロセスチューブ１の第二ガス導入部３及び投入口４にゴム栓１９等で栓をするとともに第一ガス導入部２にガス検知器１８と真空ポンプ１７とを接続しておき、真空ポンプ１７でプロセスチューブ１内を排気して真空状態を形成し、その後プロセスチューブ１の外側からノズル２０等でリークを検査する部位にガスを吹き付けてガス検知器１８でそのガスのリーク量を測定することによってリーク検査を行う方法もある。
【０００９】
このように真空状態を形成したプロセスチューブ１の外側からリーク検査部位にガスを吹き付けてそのリーク量を測定することにより、検査部位にリークがあれば測定されるリーク量が増大するため、大きなリークだけでなく比較的小さなリークの存在も検出することが可能となる。尚、リーク量とは、一般に真空容器等でどの程度の気体の漏れがあるかを表す尺度として使用されているものであり、漏れを通る気体の流量を示す。
【００１０】
さらに、その他の方法として、特許文献１に開示されている真空処理室のリーク検査装置を応用してプロセスチューブにリーク検査を行う方法がある。例えば、前記のように真空ポンプでプロセスチューブ内を排気して真空状態を形成した後に、一定時間経過前後のプロセスチューブ内の差圧を測定して基準値と比較することによって、プロセスチューブのリークを自動的に検査することが可能である。
【００１１】
しかしながら、近年、半導体ウエーハの大口径化に伴い、ウエーハが投入されるプロセスチューブも大型化してきている。そのため、上記のような方法を用いてプロセスチューブのリークを検査する場合、真空ポンプでプロセスチューブ内を排気して真空状態を形成する際に、容積が大きいため非常に時間がかかる上にチューブ内で真空度に差が生じ、不十分な真空度となった部位でのリークチェックが正確に行えないという問題があった。
【００１２】
また、近年、半導体デバイスの微細化・高集積化が進むにつれて、半導体ウエーハに対する品質向上への要望は一層強くなってきており、ウエーハに施す熱処理等の処理条件をより高精度に制御することが必要とされている。そのため、熱処理を行う熱処理装置自体にもより品質の優れているものが求められており、上記のようなプロセスチューブのリーク検査をより高精度に行って、リークの有無を高い信頼性で判断できる検査方法の開発が望まれている。
【００１３】
【特許文献１】特開平９−２８０９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、熱処理炉等に用いられているプロセスチューブのリーク検査を短時間で速やかに、かつ高精度に行うことができ、またその検査結果の信頼性も高いプロセスチューブの検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明によれば、プロセスチューブのリークを検査する方法であって、前記プロセスチューブに形成されている少なくとも２つの開口部にそれぞれ真空排気手段を接続するとともに該真空排気手段を接続した開口部の一つにさらにガス検知器を接続しておき、前記開口部に接続した少なくとも２つの真空排気手段で前記プロセスチューブ内を所定の真空度まで排気した後、前記ガス検知器が接続されている開口部以外の開口部を閉じ、その後、前記プロセスチューブに外部からガスを吹き付けるとともに前記ガス検知器でプロセスチューブのリーク量を測定することによって、プロセスチューブのリーク検査を行うことを特徴とするプロセスチューブのリーク検査方法が提供される（請求項１）。
【００１６】
このような方法を用いてプロセスチューブのリークを検査することによって、プロセスチューブ内に不十分な真空到達度部分をなくしリークを非常に高精度に検出して、リークの有無を正確に判断することができるので、信頼性の高いリーク検査を安定して行うことができる。また、このようなリーク検査方法を用いることにより、検査時間を従来に比べて大幅に短縮できるので、プロセスチューブのリーク検査を短時間で速やかに行うことができる。
【００１７】
このとき、前記真空排気手段で、前記プロセスチューブ内を５０Ｐａ以下の真空度まで排気することが好ましい（請求項２）。
このように、プロセスチューブ内を真空排気手段で５０Ｐａ以下の真空度まで排気することにより、その後プロセスチューブにガスを吹き付けてガス検知器でリーク量を測定する際に、リーク量の測定を優れた測定感度で行うことができるので、プロセスチューブのリーク検査を一層高精度に行うことができる。
【００１８】
また、前記プロセスチューブに吹き付けるガスをヘリウムガスとし、前記ガス検知器としてヘリウムガスリーク検知器を用いることが好ましい（請求項３）。
このように、プロセスチューブに吹き付けるガスをヘリウムガスとし、またガス検知器としてヘリウムガスリーク検知器を用いることにより、プロセスチューブに存在する小さなリークも非常に高精度に検出することができる。また、ヘリウムガスは不活性で取扱いが容易なため、リーク検査を簡便に行うことができる。
【００１９】
さらに、前記ガス検知器を接続する開口部を、前記プロセスチューブのリーク検査部位に近い位置にある開口部とすることが好ましい（請求項４）。
このようにガス検知器を接続する開口部を、プロセスチューブのリーク検査部位に近い位置にある開口部とすれば、リーク検査部位にガスを吹き付けた際にガス検知器によるリーク量の測定を一層優れた測定感度で行うことができるので、リーク検査部位でのリークの有無を極めて高精度に判断することができる。
【００２０】
また、本発明のプロセスチューブのリーク検査方法では、前記プロセスチューブとして、内径が１６０ｍｍ以上及び／または長さが１０００ｍｍ以上のものにリーク検査を行うことができ（請求項５）、さらに、前記プロセスチューブとして、ＳｉＣまたは石英からなるものにリーク検査を行うことができる（請求項６）。
本発明のプロセスチューブのリーク検査方法は、内径が１６０ｍｍ以上及び／または長さが１０００ｍｍ以上といった大容積の大型のプロセスチューブや、ＳｉＣまたは石英製のプロセスチューブにリーク検査を行う際に特に好適に用いることができ、本発明のリーク検査方法でこのようなプロセスチューブにリーク検査を行えば、短時間でかつ高信頼性でリークの有無を判断することができる。
【００２１】
さらに、本発明では、前記リーク検査を、熱処理炉の炉心管として用いられているプロセスチューブに行うことができる（請求項７）。
このように、本発明は、横型の熱処理炉や縦型の熱処理炉等の炉心管として用いられているプロセスチューブにリーク検査を行うことができ、例えば、半導体ウエーハに熱処理を行う前に、本発明のリーク検査方法で熱処理炉に設置されているプロセスチューブのリーク検査を行えば、プロセスチューブのリークの有無を短時間でかつ高信頼性で確認することができる。
【発明の効果】
【００２２】
以上説明したように、本発明によれば、プロセスチューブのリークを非常に高精度に検出し、リークの有無を短時間で正確に判断することができるようになり、信頼性の高いリーク検査を速やかに安定して行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明者は、図３に示したような従来のリーク検査方法について調査したところ、従来のリーク検査方法は、前述のようにプロセスチューブを排気して真空状態を形成する際に非常に時間がかかるという問題があるだけでなく、プロセスチューブの一端に接続した一つの真空ポンプだけで排気を行っているため、特に内径が１６０ｍｍ以上の大口径プロセスチューブの場合、内容積が大きくなったためプロセスチューブのもう一端の側では真空度が不十分な状況が発生してしまい、プロセスチューブの位置によって真空度が異なるといったプロセスチューブ内全体に安定した真空状態を形成できないという問題があることがわかった。すなわち、従来のリーク検査では、内径が１６０ｍｍ未満の小口径プロセスチューブでは内容積がそれほど大きくないため、あまり問題が生じなかったが、大口径のプロセスチューブの場合、プロセスチューブ内が不安定な真空状態であるために、真空度の低い位置ではプロセスチューブにリークがあっても高精度に検出することができず、検査結果の信頼性に欠けるところがあることが明らかとなった。
【００２４】
そこで、本発明者は、上記のような問題点を解消して、プロセスチューブにリークがあった場合に短時間で高精度に検出することができ、信頼性の高いリーク検査を速やかに行うことができる方法を開発するべく鋭意研究及び検討を重ねた。その結果、プロセスチューブに少なくとも２つの真空排気手段を接続してプロセスチューブ内を所定の真空度まで排気することにより、プロセスチューブ内に安定した真空状態を短時間で形成でき、その後、プロセスチューブにガスを吹き付けてガス検知器でそのリーク量を測定することによって、プロセスチューブのリーク検査を非常に高精度に行うことができることを見出して、本発明を完成させた。
【００２５】
以下、本発明のプロセスチューブのリーク検査方法について、図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに何ら限定されるものではない。ここで、図１は、本発明のプロセスチューブのリーク検査方法を説明する概略説明図である。
【００２６】
本発明のプロセスチューブのリーク検査方法は、例えば図１に示すように、横型の熱処理炉１１の炉心管として用いられているプロセスチューブ１のリーク検査に用いることができる。このプロセスチューブ１には、一方の先端部分にプロセスガスを導入するための第一ガス導入部２及び第二ガス導入部３が形成されており、またプロセスチューブ１のもう一端にはウエーハの投入及び取り出しを行うための投入口４が形成されている。さらに、プロセスチューブ１の投入口４側には、プロセスチューブ１に導入されたガスを排出するための排出部５が形成されている。
【００２７】
このように横型の熱処理炉に設置されているプロセスチューブにリーク検査を行う場合には、先ず、プロセスチューブに形成されている少なくとも２つの開口部にそれぞれ真空排気手段を接続するとともに、これらの真空排気手段を接続した開口部の一つにさらにガス検知器を接続する。
【００２８】
例えば、図１に示したように、プロセスチューブの一端に形成されている第一ガス導入部２と、第一ガス導入部２の反対側に形成されている排出部５とに、それぞれ真空排気手段として真空ポンプ６を接続し、さらに第一ガス導入部２には、真空ポンプ６の前段にガス検知器としてＨｅガスのリーク量を測定できるヘリウムガスリーク検知器７を接続する。また、排出部５と真空ポンプ６との間にはバルブ８を設置して開閉できるようにしておき、さらに真空排気手段を接続してない第二ガス導入部３には、例えばゴム栓９等で栓をしておく。
【００２９】
尚、本発明では、真空排気手段及びガス検知器の接続位置は上記に限定されるものではない。例えば、真空ポンプは、第二ガス導入部３と排出部５のそれぞれに接続したり、また第一ガス導入部２と第二ガス導入部３とに接続することもできるが、プロセスチューブ内を排気して安定した真空状態の形成を行うためには、図１のように、プロセスチューブ１の両側にそれぞれ真空ポンプが接続されるようにすることが好ましい。また、本発明では、プロセスチューブに第一ガス導入部、第二ガス導入部、及び排出部のような３つの開口部、またはそれ以上の開口部が形成されている場合、３つ以上の開口部に真空ポンプを接続することもできる。
【００３０】
また、ガス検知器については、リーク検査部位に近い位置にある開口部に接続することが好ましい。一般に、プロセスチューブのリークは、プロセスチューブの円筒部本体と第一ガス導入部との接続部や、円筒部本体と第二ガス導入部との接続部等のような接続箇所に生じることが多く、このようなリークの生じやすい箇所に対してリーク検査を行うことが重要である。したがって、例えばプロセスチューブの円筒部本体と第一ガス導入部との接続部付近のリークを主に検査する場合であれば、図１に示したように、ヘリウムガスリーク検知器７をリーク検査部位に近い第一ガス導入部２に接続することが好ましく、それにより、以下で説明するように、ヘリウムガスリーク検知器７でＨｅガスのリーク量を測定する際にリーク量の測定を一層優れた測定感度で行うことが可能となる。一方、投入口４側のリークを検査したい場合は、検知器を排出部５側に接続するのが好ましい。
【００３１】
上記のようにしてプロセスチューブ１に真空ポンプ６及びヘリウムガスリーク検知器７を接続した後、第一ガス導入部２と排出部５のそれぞれに接続した２つの真空ポンプ６でプロセスチューブ１内を排気して、所定の真空度、例えば５０Ｐａ以下の真空度まで減圧する。このようにプロセスチューブ内を両側に設置した２つの真空ポンプで５０Ｐａ以下、特に３０〜２０Ｐａ程度の真空度まで排気することにより、プロセスチューブ内に安定した真空状態を短時間で形成することができる。
【００３２】
そして、このようにプロセスチューブ内を所定の真空度まで排気して安定した真空状態を形成した後、ガス検知器が接続されている開口部以外の開口部を閉じる。つまり、図１に示したように、ヘリウムガスリーク検知器７が第一ガス導入部２に接続されている場合であれば、排出部５に設置されているバルブ８を閉じる。
【００３３】
その後、プロセスチューブ１の外部からノズル１０を用いて、例えば図１に示したようにプロセスチューブ１の円筒部本体と第一ガス導入部２との接続部等の検査部位にＨｅガスを吹き付けるとともに、ヘリウムガスリーク検知器７でプロセスチューブ１のＨｅガスリーク量を測定する。このようにプロセスチューブの外部からＨｅガスを吹き付けるとともにガス検知器でＨｅガスリーク量を測定すれば、プロセスチューブにリークがある場合にはガス検知器の測定値（リーク量）が増加し、また一方リークの無い場合には測定値が殆ど変化しないため、プロセスチューブのリークの有無を数秒程度の短時間で容易に判断することができる。また、この場合、プロセスチューブに吹き付けるガスとしてＨｅガスを使用しているため、非常に小さなリークでも高精度に検出することができる。
【００３４】
このとき、プロセスチューブ内は上述のように５０Ｐａ以下の真空度まで減圧されているので、プロセスチューブにリークがあった場合にはリーク量の変化を優れた測定感度で測定することができる。さらに、図１に示したようにヘリウムガスリーク検知器７を第一ガス導入部２に接続している場合は、例えばプロセスチューブ１の円筒部本体と第一ガス導入部２との接続部付近にＨｅガスを吹き付けた際に、リークがあるとガス導入部２の近くに接続されている検知器７でリーク量の変化をすばやく非常に優れた感度で測定できるため、このようなリークの生じやすい接続箇所のリーク検査を極めて高精度に行うことができる。
【００３５】
以上のようにしてプロセスチューブにリーク検査を行うことによって、プロセスチューブに存在するリークを非常に高精度に検出し、リークの有無を正確に判断することができるので、信頼性の高いリーク検査を安定して行うことができる。また、このようなリーク検査方法を用いれば、検査時間を従来に比べて大幅に短縮できるので、プロセスチューブのリーク検査を短時間で速やかに行うことができる。
【００３６】
特に、本発明のリーク検査方法は、内径が１６０ｍｍ以上及び／または長さが１０００ｍｍ以上のような容積が大きく真空度に分布を持ち易い大型のプロセスチューブや、ＳｉＣまたは石英製のプロセスチューブにリーク検査を行う際に非常に好適に用いることができ、このようなプロセスチューブのリーク検査を短時間でかつ非常に高精度に行って、高い信頼性でリークの有無を判断することができる。
【００３７】
尚、本発明のプロセスチューブのリーク検査方法は、図１のような横型の熱処理炉の炉心管として用いられるプロセスチューブのリーク検査に使用できるだけでなく、例えば縦型の熱処理炉に用いられるプロセスチューブのリーク検査にも同様に用いることができるし、さらに熱処理炉に設置される前のプロセスチューブの品質検査を行う際にも適用することができる。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例）
実施例として、横型の熱処理炉に設置されている内径２７０ｍｍ、長さ２０００ｍｍのＳｉＣ製のプロセスチューブにリーク検査を行った。今回検査を行うプロセスチューブには、図１に示すように、一方の先端部分に第一ガス導入部２及び第二ガス導入部３が形成されており、またプロセスチューブ１の投入口４側には排出部５が形成されている。
【００３９】
このようなプロセスチューブ１にリーク検査を行うために、図１に示すように、第一ガス導入部２にはヘリウムガスリーク検知器７及び真空ポンプ６を接続し、一方排出部５にはバルブ８を介して真空ポンプ６を接続した。また、第二ガス導入部３は、ゴム栓９で栓をした。
【００４０】
次に、第一ガス導入部２及び排出部５のそれぞれに接続した２つの真空ポンプ６でプロセスチューブ１内を３０分間排気して、３０Ｐａの真空度まで減圧した。続いて、バルブ８を閉じた後、ノズル１０を用いてプロセスチューブ１の円筒部本体と第一ガス導入部２との接続部にＨｅガスを吹き付けるとともにヘリウムガスリーク検知器７でＨｅガスリーク量を測定した。その結果、ヘリウムガスリーク検知器７の測定値は、１．２×１０−７Ｐａ・ｍ３／Ｓの値から７．０×１０−５Ｐａ・ｍ３／Ｓに増加した所があったため、このＨｅガスを吹き付けた部位にリークがあることが確認できた。
【００４１】
（比較例）
上記実施例と同じプロセスチューブ１に従来の方法でリーク検査を行うために、図３に示すように、第一ガス導入部２及び第二ガス導入部３にゴム栓１９で栓をするとともに排出部５にガス検知器１８と真空ポンプ１７とを接続した。次に、排出部５に接続した真空ポンプ１７のみでプロセスチューブ１内を３０分間排気した後、ノズル２０を用いて上記実施例と同じ部位にＨｅガスを吹き付けてガス検知器１８でリーク量を測定した。その結果、ガス検知器１８の測定値は、１．２×１０−７Ｐａ・ｍ３／Ｓの値のまま殆ど変化しなかったため、リークを確認することはできなかった。
【００４２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４３】
例えば、上記では主にプロセスチューブの円筒部本体とガス導入部との接続部でリーク検査を行う場合を例に挙げて説明を行っているが、本発明はこれに限定されるものではなく、リーク量を測定する際にガスを吹き付ける部位を変えることによって、プロセスチューブの様々な位置でリーク検査を行うことができる。さらに、本発明は、プロセスチューブが種々の形状を有するものであっても同様に適用することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明のプロセスチューブのリーク検査方法を説明する概略説明図である。
【図２】横型の熱処理炉の構造を示す概略構成図である。
【図３】従来のプロセスチューブのリーク検査方法を説明する概略説明図である。
【符号の説明】
【００４５】
１…プロセスチューブ、  ２…第一ガス導入部、
３…第二ガス導入部、  ４…投入口、  ５…排出部、
６…真空ポンプ（真空排気手段）、
７…ヘリウムガスリーク検知器（ガス検知器）、  ８…バルブ、
９…ゴム栓、  １０…ノズル、  １１…横型の熱処理炉、
１２…ＳｉＣ均熱管、  １３…ヒーター、  １４…円筒部本体、
１５…ウエーハボート、  １６…半導体ウエーハ、
１７…真空ポンプ、  １８…ガス検知器、  １９…ゴム栓、
２０…ノズル。
【図１】
2005085909.tif 000003
【図２】
2005085909.tif 000004
【図３】
2005085909.tif 000005