(57)【要約】【要約書】【課題】  耐熱衝撃性に著しく優れた、特に半導体製造装置用熱処理炉（酸化・拡散炉を含む）に有用である耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする基材からなる発熱体を提供する。【解決手段】  発熱体原料とするＭｏＳｉ２粉末とガラス粉末を混合後、有機バインダーと混合し、この混合物を成形体とした後、焼結して発熱体の基材内部に存在するガラス相が６〜１６ｖｏｌ％（表面酸化被膜を除く）である発熱体を製造する際に、前記ガラス粉末に含まれる不純物のＦｅ、Ｎａ、Ｋをそれぞれ０．１ｗｔｐｐｍ以下とすることを特徴とする耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱体原料とするＭｏＳｉ２粉末とガラス粉末を混合後、有機バインダーと混合し、この混合物を成形体とした後、焼結して発熱体の基材内部に存在するガラス相が６〜１６ｖｏｌ％（表面酸化被膜を除く）である発熱体を製造する際に、前記ガラス粉末に含まれる不純物のＦｅ、Ｎａ、Ｋをそれぞれ０．１ｗｔｐｐｍ以下とすることを特徴とする耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
【請求項２】
混合物を７０〜２００°Ｃに加熱した型から押出して棒状の成形体とすることを特徴とする請求項１記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
【請求項３】
棒状の成形体（グリーン）を脱脂、一次焼結及び通電加熱焼結することを特徴とする請求項２記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
【請求項４】
発熱体の基材内部に存在するガラス相が６〜１６ｖｏｌ％（表面酸化被膜を除く）であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
【請求項５】
発熱体の基材内部における発熱体断面に存在するガラス相の平均面積率が６〜１６％（表面酸化被膜を除く）であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
【請求項６】
ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体に存在するガラス相の熱膨張率が２〜１３×１０−６／°Ｃであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
【請求項７】
ＭｏＳｉ２を主成分とし、残余ガラス相と不純物からなる発熱体において、基材内部に含まれるガラス相の最大粒径が３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
【請求項８】
ＭｏＳｉ２を主成分とし、残余ガラス相と不純物からなる発熱体において、該発熱体の基材内部に存在するガラス相が６〜１６ｖｏｌ％（表面酸化被膜を除く）であり、前記発熱体の不純物のＦｅ、Ｎａ、Ｋがそれぞれ２００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体。
【請求項９】
ＭｏＳｉ２を主成分とし、残余ガラス相と不純物からなる発熱体において、該発熱体の基材内部における発熱体断面に存在するガラス相の平均面積率が６〜１６％（表面酸化被膜を除く）であり、前記発熱体の不純物のＦｅ、Ｎａ、Ｋがそれぞれ２００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体。
【請求項１０】
ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体に存在するガラス相の熱膨張率が２〜１３×１０−６／°Ｃであることを特徴とする請求項８又は９記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体。
【請求項１１】
ＭｏＳｉ２を主成分とし、残余ガラス相と不純物からなる発熱体において、基材内部に含まれるガラス相の最大粒径が３０μｍ以下であることを特徴とする耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体。
【請求項１２】
基材内部に含まれるガラス相の最大粒径が３０μｍ以下であることを特徴とする請求項８〜１１のいずれかに記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体。
【請求項１３】
半導体製造装置用熱処理炉に使用することを特徴とする請求項８〜１２のいずれかに記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐熱衝撃性に著しく優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法及び発熱体、特に半導体製造装置用熱処理炉（酸化・拡散炉を含む）に有用である耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする基材からなる発熱体の製造方法及び発熱体に関する。
なお、本明細書で使用するＭｏＳｉ２を主成分とする基材は、ＭｏＳｉ２基材に絶縁性酸化物であるガラス相（ＳｉＯ２系酸化物）を含有させて電気抵抗を増加させた耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする基材を意味する。
【背景技術】
【０００２】
ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体は、６７３°Ｋ〜８７３°Ｋの範囲で、ＭｏとＳｉの同時酸化が起こり、さらにＭｏ酸化物の蒸発減少が伴うという、ペスト（粉化現象）と言う低温酸化が起こるが、これを防止するために１５００°Ｋ以上で酸化処理して緻密なシリカ保護被膜を形成する。本発明は、このような緻密なシリカ保護被膜を形成した発熱体を含み、ガラス質成分の添加は、このような緻密なシリカ保護被膜の形成に有効である。
【０００３】
最近、半導体デバイスの微細化及びデバイス製造時間の短縮化と省エネルギー化のために、従来の金属発熱体に替えて、ＣＶＤ装置や拡散炉等の半導体製造装置に、ＭｏＳｉ２を主成分とする高出力性能の発熱体が利用されるようになってきた。
一般に、半導体製造装置に使用される熱処理炉は炉内の温度分布を厳密に制御するなど、非常に高精度な温度特性が要求されるが、ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体は優れた耐熱特性を有し、金属発熱体の約１０倍の表面負荷が可能であり、また急速加熱昇温することができるという大きな特長を有するので、好適な材料と言える。
【０００４】
ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体は、そのための材料強度（耐熱性）や材料脆化現象を防止するため、あるいはペスト（粉化現象）と呼ばれている低温酸化を防止するために１５００°Ｋ以上で酸化処理して緻密なシリカ保護被膜を形成する等、発熱体自体の材料開発が行われている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
これらのＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体を半導体製造装置の熱処理炉に使用した場合、雰囲気温度で１００〜１５０°Ｃ／分の昇温速度を達成することが可能であり、金属発熱体より格段に優れた特性を出すことができた。この場合のＭｏＳｉ２製発熱体自体の表面温度は、およそ１８００〜３６００°Ｃ／分（３０〜６０°Ｃ／秒）の速度で変化する。
【０００５】
最近では、さらに１００〜３００°Ｃ／秒の超高速昇温のニーズが生じており、その急激な温度変化に耐え得る耐熱衝撃性に優れた発熱体が要求されるようになってきた。しかし、従来のＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体では、このような耐熱衝撃性（強度）を持つに至っていないのが現状である。
一方、半導体製造装置においては、不純物の混入が大きな問題であるが、処理炉の加熱体から発生する不純物については、特に従来問題視されていなかった。また、そのようなことがあったとしても、止む得ないものとして、無視されてきたのが現状である。
【特許文献１】特開平１１−３１７２８２号公報
【特許文献２】特公昭３５−１２３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、耐熱衝撃性に著しく優れた発熱体、特に半導体製造装置用熱処理炉（酸化・拡散炉を含む）に有用である耐熱衝撃性に優れ、かつ熱処理炉の汚染を防止できるＭｏＳｉ２を主成分とする基材からなる発熱体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明者らは、発熱体中のガラス相（ＳｉＯ２系酸化物）、特にシリカ（ＳｉＯ２）相を低減することにより、耐熱衝撃性を向上させ、かつガラス相中の不純物を低減した、特に半導体製造装置用熱処理炉（酸化・拡散炉を含む）の急速加熱冷却が可能であるＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体を低コストで提供できるとの知見を得た。
本発明はこの知見に基づき、
１）発熱体原料とするＭｏＳｉ２粉末とガラス粉末を混合後、有機バインダーと混合し、この混合物を成形体とした後、焼結して発熱体の基材内部に存在するガラス相が６〜１６ｖｏｌ％（表面酸化被膜を除く）である発熱体を製造する際に、前記ガラス粉末に含まれる不純物のＦｅ、Ｎａ、Ｋをそれぞれ０．１ｗｔｐｐｍ以下とすることを特徴とする耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
２）混合物を７０〜２００°Ｃに加熱した型から押出して棒状の成形体とすることを特徴とする上記１記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
３）棒状の成形体（グリーン）を脱脂、一次焼結及び通電加熱焼結することを特徴とする上記２記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
４）発熱体の基材内部に存在するガラス相が６〜１６ｖｏｌ％（表面酸化被膜を除く）であることを特徴とする上記１〜３のいずれかに記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
５）発熱体の基材内部における発熱体断面に存在するガラス相の平均面積率が６〜１６％（表面酸化被膜を除く）であることを特徴とする上記１〜４のいずれかに記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
６）ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体に存在するガラス相の熱膨張率が２〜１３×１０−６／°Ｃであることを特徴とする上記１〜５のいずれかに記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
７）ＭｏＳｉ２を主成分とし、残余ガラス相と不純物からなる発熱体において、基材内部に含まれるガラス相の最大粒径が３０μｍ以下であることを特徴とする上記１〜６のいずれかに記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
を提供する。
【０００８】
本発明は、また
８）ＭｏＳｉ２を主成分とし、残余ガラス相と不純物からなる発熱体において、該発熱体の基材内部に存在するガラス相が６〜１６ｖｏｌ％（表面酸化被膜を除く）であり、前記発熱体の不純物のＦｅ、Ｎａ、Ｋがそれぞれ２００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体。
９）ＭｏＳｉ２を主成分とし、残余ガラス相と不純物からなる発熱体において、該発熱体の基材内部における発熱体断面に存在するガラス相の平均面積率が６〜１６％（表面酸化被膜を除く）であり、前記発熱体の不純物のＦｅ、Ｎａ、Ｋがそれぞれ２００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体。
１０）ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体に存在するガラス相の熱膨張率が２〜１３×１０−６／°Ｃであることを特徴とする上記８又は９記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体。
１１）ＭｏＳｉ２を主成分とし、残余ガラス相と不純物からなる発熱体において、基材内部に含まれるガラス相の最大粒径が３０μｍ以下であることを特徴とする耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体。
１２）基材内部に含まれるガラス相の最大粒径が３０μｍ以下であることを特徴とする上記８〜１１のいずれかに記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体。
１３）半導体製造装置用熱処理炉に使用することを特徴とする上記８〜１２のいずれかに記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体。
を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
ＭｏＳｉ２を主成分とし、残余ガラス相と不純物からなる発熱体において、該発熱体の基材内部に存在するガラス相を６〜１６ｖｏｌ％とし、かつ不純物のＦｅ、Ｎａ、Ｋがそれぞれ２００ｗｔｐｐｍ以下とすることによって、耐熱衝撃性に著しく優れかつ加熱処理炉の汚染の少ない、特に半導体製造装置用熱処理炉（酸化・拡散炉を含む）に有用であるＭｏＳｉ２を主成分とする基材からなる発熱体を提供できるという優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明のＭｏＳｉ２を主成分とし、残余ガラス相と不可避的不純物からなる発熱体（以下、特に記載しない限り、「ＭｏＳｉ２製発熱体」と称する。）は、該発熱体の基材内部のガラス相を６〜１６ｖｏｌ％とする。但し、該発熱体の表面に緻密に形成されたＳｉＯ２の酸化被膜を除く。
また、このガラス相の比率（量）は、発熱体の基材内部の任意断面におけるガラス相の平均断面積に近似するので、発熱体断面に存在するガラス相の平均面積率６〜１６％（表面酸化被膜を除く）により特定することができる。これによって、耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体を得ることができる。
表面の緻密な酸化膜層の厚みは、ガラス相の種類により、また添加量によって差異があり、およそ５μｍ〜１００μｍの範囲で形成される。
【００１１】
この耐熱衝撃性を向上させるために上記の通りガラス相を含有させるのであるが、ここで重要なことは、ベントナイト等の通常のガラスを添加すると必然的に不純物が混入することである。このような不純物の混入は加熱処理炉の発熱体の中では、着目されておらず、何らの対策も講じられていなかった。しかし、発熱体からの不純物は、昨今の微小回路又は各種機能材を形成する半導体装置において問題となるものである。
本発明は、この点に着目し、特に原料として添加されるガラス粉末から混入する不純物のＦｅ、Ｎａ、Ｋをそれぞれ０．１ｗｔ％以下とするものである。
これによって、耐熱衝撃性に著しく優れると共に、加熱処理炉の汚染の少ない、特に半導体製造装置用熱処理炉（酸化・拡散炉を含む）に有用であるＭｏＳｉ２を主成分とする基材からなる発熱体を提供できるという優れた効果が得られるようになった。
【００１２】
現在、市販されているＭｏＳｉ２製発熱体は、ＳｉＯ２を主としたシリカ系酸化物相のガラス相からなる。しかし、ＭｏＳｉ２とＳｉＯ２との熱膨張係数は、それぞれ８．０×１０−６／°Ｃ、０．５×１０−６／°Ｃで両者の差が非常に大きい。
また、熱伝導率においてもＭｏＳｉ２は３０Ｗ／ｍ・Ｋ及びＳｉＯ２は１．５Ｗ／ｍ・Ｋであり、両者の差が大きい。
以上の物性から、超高速昇温におけるＭｏＳｉ２発熱体内部の挙動を考察すると、ガラス相は熱伝導率が低く、ＭｏＳｉ２に比べ昇温されにくい。また、ガラス相はＭｏＳｉ２相より熱膨張係数が小さいので、さらに膨張差が広がり、これによって発生する歪から基材が破損し、あるいは劣化して寿命が短くなる問題がある。
【００１３】
本発明は、上記の通りガラス相を極力少なくすることによって耐熱衝撃性を改善することができる。さらに、発熱体の製造工程において熱膨張率がＭｏＳｉ２に近似する２〜１３×１０−６／°Ｃのガラス質材料を選択し、発熱体の内部の熱膨張差による歪を小さくすることが可能であり、これを併用することにより一層耐熱衝撃性を改良することができる。熱膨張率は、Ａｌ２Ｏ３やＭｇＯ等を含むガラス相にすることにより、効果的に大きくすることができる。
しかし、本発明においては、熱膨張率がＭｏＳｉ２に近似する２〜１３×１０−６／°Ｃのガラス質材料を選択することが望ましいが、この範囲をややはずれる範囲であっても、本発明に含まれるものである。上記熱膨張率は、本発明の発熱体を製造する上において、より望ましい範囲を示すものである。
【００１４】
また、本発明は基材内部に含まれるガラス相の最大粒径を３０μｍ以下とし均一に分散させ、歪が局所的に発生させないようにすることが望ましい。しかし、この範囲をややはずれる範囲であっても、本発明に含まれるものである。上記最大粒径は、本発明の発熱体を製造する上において、あくまでより好ましい範囲を示すものである。
ガラス相が１６ｖｏｌ％を超えると耐熱衝撃性が不十分であり、６ｖｏｌ％未満では基材の緻密化が困難となり、高温での柔軟性が低下し、Ｕ字形曲げ等の加工が困難となる。
上記のＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体は、急速加熱・冷却を行う半導体製造装置用熱処理炉に有用である。
【００１５】
このＭｏＳｉ２製発熱体は、ＭｏＳｉ２原料粉とガラス粉末とを混合粉砕した後、バインダーと混合し、さらに例えば押出しによって棒状又は平板状に成形する。このようにして得た成形体を脱脂、一次焼結及び通電加熱焼結することによって、密度の高い耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２製発熱体を製造する。
さらに、このようにして作製した棒状又は平板状の発熱体を接合し、例えば円弧状又はＵ字形状等に製造する。このように、ＭｏＳｉ２製発熱体を各種の形状に成形した後、半導体製造装置用熱処理炉に設置する。
【実施例】
【００１６】
以下に実施例及び比較例を説明するが、本実施例は理解を容易にするためのものであり、本発明を制限するものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内での他の変形あるいは他の実施例は、当然本発明に含まれる。
【００１７】
（実施例１−４）
発熱体原料とするＭｏＳｉ２粉末（平均粒径４μｍ）とガラス粉末を混合後、さらに熱可塑性の有機バインダーと混合し、この混合物を７０〜２００°Ｃに加熱した型から押出して棒状の成形体とした。また、ガラス粉末の不純物を制限し、発熱体中のＦｅ、Ｎａ、Ｋの不純物の量を２００ｗｔｐｐｍ以下とした。
この棒状の成形体（グリーン）を脱脂、一次焼結及び通電加熱焼結することによって、ＭｏＳｉ２製φ３の棒状発熱体を得た。
【００１８】
作製した発熱体は、発熱体断面のＳＥＭ像（二次電子像）をもとに、以下の方法でガラス相の最大粒径、平均面積率を算出した。
基材内部に含まれるガラス相の最大粒径の測定は、発熱体断面をＳＥＭ観察することにより行うことができる。ＳＥＭ像では、ガラス相は周辺（ＭｏＳｉ２相）より暗部になるため、散在している暗部の中で最大の粒径を測定することにより、本来は３次元的に存在するガラス相の最大粒径と近似させることができる。
【００１９】
一方、ガラス相の平均面積率の測定は、発熱体断面のＳＥＭ像をＰＣで画像処理することにより行うことができる。ＳＥＭ像では、ガラス相は周辺（ＭｏＳｉ２相）より暗部になるため、この画像の濃淡の違いを利用し、画像処理ソフトでガラス相のみを識別することができる。
識別したガラス相は、その面積を累積する処理を行い、画像全体の面積に対する割合を計算することにより、ガラス相の平均面積率とすることができる。
上記によって得られる発熱体断面に存在するガラス相の平均面積率、ガラス相の最大粒径、添加ガラスの熱膨張係数（×１０−６／°Ｃ）、添加ガラスの不純物量を変化させた場合の実施例１−４を表１に示す。
【００２０】
因みに、添加ガラス量はＭｏＳｉ２粉末と混合する時の秤量で調整した。また、添加ガラスの粒径はＭｏＳｉ２粉末と混合する以前のガラス粉末の粉砕工程を調整し、篩により篩別した。
添加ガラスの熱膨張係数は、純ＳｉＯ２（０．５×１０−６／°Ｃ）から、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｂａ２Ｏ３、ＺｎＯ等を任意に固溶させたガラスを作製することにより、０．５〜８．０×１０−６／°Ｃの範囲で調整した。
【００２１】
耐熱衝撃性の評価は、各発熱体基材を急速昇温および急速冷却処理した後、ＪＩＳ規格に基づく３点曲げ試験を室温中で行ない抗折強度の値から行った。
急速昇温処理は、通電加熱により発熱体基材を室温から１４００°Ｃまで５秒間で昇温(平均昇温速度：約２８０°Ｃ／秒)し、１４００°Ｃで２０秒保持する加熱パターンを１００回繰り返して行った。
また、急速冷却処理は通電加熱により６００°Ｃで保持中の発熱体基材を、通電停止後、直ちに十分な量のある水（約２０°Ｃ）の中に漬けて行った。
それぞれの発熱体基材の急速加熱処理後及び急速冷却後の抗折強度結果を、同様に表１に示す。
【００２２】
【表１】
2005085564.tif 000003
【００２３】
（比較例１−２）
実施例と同様の製造方法により、発熱体断面に存在するガラス相の平均面積率、ガラス相の最大粒径、添加ガラスの熱膨張係数（×１０−６／°Ｃ）、添加ガラスの不純物量を変化させた場合の比較例１−２を、同様に表１に示す。
【００２４】
実施例１−４はいずれも、発熱体の基材内部に存在するガラス相が１６ｖｏｌ％以下であり、急速加熱処理後及び急速冷却後の抗折強度は良好な特性値を示した。
実施例４は発熱体の基材内部に存在するガラス相が１６ｖｏｌ％以下であり、添加ガラスの最大粒径が小さく、またガラスの熱膨張係数が大きくＭｏＳｉ２の熱膨張係数（８．０×１０−６／°Ｃ）に近似しているので、急速加熱処理後及び急速冷却後の抗折強度は最も良好な特性値を示した。
実施例２の発熱体組織の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を図１に示す。最大粒径は１０μｍ以下（平均の粒径は８〜１０μｍ）の微細なガラス相（黒い部分）が均一に分散した組織を示していた。
【００２５】
これらに対し、基材内部に存在するガラス相が１９ｖｏｌ％、添加ガラスの熱膨張係数が１．０×１０−６／°ＣとＭｏＳｉ２の熱膨張係数から大きく離れ、さらに及び添加ガラスの最大粒径が５０μｍである比較例１は急速加熱処理後及び急速冷却後の抗折強度が低い値を示した。
比較例１の発熱体組織の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を図２に示す。この組織のガラス相（黒い部分）は不均一に分散しており、５０μｍの巨大ガラス相がところどころに観察された。また、ガラス相が４０．０ｖｏｌ％である比較例２は水冷時に破損するという結果になった。
以上から、急速加熱処理後及び急速冷却後の抗折強度改善に、基材内部に存在するガラス相の存在量を低減させること及び添加ガラスの熱膨張係数をＭｏＳｉ２の熱膨張係数（８．０×１０−６／°Ｃ）に近似させることが、極めて有効であることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
発熱体中のガラス相（ＳｉＯ２系酸化物）、特にシリカ（ＳｉＯ２）相を低減することにより、耐熱衝撃性を向上させ、かつガラス相中の不純物を低減したものであり、特に急速加熱冷却する半導体製造装置用熱処理炉（酸化・拡散炉を含む）用ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施例２の発熱体組織の走査型電子顕微鏡写真（均一ガラス相）である。
【図２】比較例１の発熱体組織の走査型電子顕微鏡写真（不均一ガラス相）である。
【図１】
2005085564.tif 000004
【図２】
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