(57)【要約】【課題】消費電力を低減することができ、かつ、小型化することができる光受信回路およびそれを備えた電子機器を提供する。【解決手段】光ファイバからの光信号を検知するフォトダイオード１の出力は、初段アンプ部、アンプ１７、ヒステリシスコンパレータ１８、バッファ１９および出力段を順次経由する。アンプ１７、ヒステリシスコンパレータ１８、バッファ１９には、バイアス回路６がバイアス電流を供給する。アンプ１７の出力に基いてシグナルディテクト信号３がリセット信号を送出し、このリセット信号がシャットダウン制御回路５に入力されると、シャットダウン制御回路５がバイアス回路６をシャットダウン状態にする。バイアス回路６のシャットダウン状態は、初段アンプ部の出力に基いてシャットダウン制御回路５が解除する。【選択図】図１
2005130173.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバからの光信号を電気信号に変換し、上記電気信号を出力する光受信回路において、
上記光信号を検知する光信号検知手段と、
上記光信号検知手段の出力を上記電気信号に変換する電気信号変換手段と、
上記電気信号変換手段にバイアス電流を供給すると共に、シャットダウン機能を有するバイアス回路と、
上記光信号検知手段の出力に基いて、上記バイアス回路をシャットダウン状態にするためのリセット信号を送出するリセット信号送出手段と、
上記光信号検知手段の出力に基いて、上記バイアス回路のシャットダウン状態を解除するシャットダウン制御回路と
を備えたことを特徴とする光受信回路。
【請求項２】
請求項１に記載の光受信回路において、
上記光信号検知手段の出力は、上記電気信号を得るために用いられると共に、上記バイアス回路のシャットダウン状態を制御するために用いられることを特徴とする光受信回路。
【請求項３】
請求項１に記載の光受信回路において、
上記光信号検知手段と上記電気信号変換手段との間に、上記光信号検知手段の出力を電圧信号に変換する増幅手段が設けられ、
上記バイアス回路がシャットダウン状態のときには、上記シャットダウン制御回路が上記増幅手段をスタンバイ状態にすることを特徴とする光受信回路。
【請求項４】
請求項３に記載の光受信回路において、
上記増幅手段にはＭＯＳトランジスタであるスイッチが設けられていることを特徴とする光受信回路。
【請求項５】
請求項３に記載の光受信回路において、
上記増幅手段には定電流源が設けられていることを特徴とする光受信回路。
【請求項６】
請求項１に記載の光受信回路において、
上記光信号検知手段、電気信号変換手段、バイアス回路、リセット信号送出手段およびシャットダウン制御回路はモノリシック集積回路として形成されていることを特徴とする光受信回路。
【請求項７】
請求項１に記載の光受信回路を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば光ファイバリンク等に使用される光受信回路およびそれを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ファイバリンクは、送信側が電気信号を光信号に変換して伝送し、受信側が受信した光信号を電気信号に再変換することによって、音声信号や映像信号等の信号を１本の光ファイバで手軽に高速伝送できる。
【０００３】
近年、デジタル機器の普及に伴って、一般家庭にも光ファイバリンクが広く普及してきている。例えば、ＤＶＤ（デジタル万能ディスク）プレーヤ、デジタル放送のＳＴＢ（セットトップボックス）およびＣＤ（コンパクトディスク）プレーヤから、ＭＤ（ミニディスク）プレーヤやアンプ等への信号伝送などに光ファイバリンクが用いられている。そして、最近では、パーソナルコンピュータ等のパーソナルな携帯機器に音楽信号を伝送することも広く普及してきている。
【０００４】
デジタル機器、特に携帯機器では、バッテリ動作時間を左右する消費電力の低減が常に要求されている。また、携帯機器の小型化が進んでいるため、携帯機器に対応するデバイスの小型化も求められている。
【０００５】
また、光ファイバは軽量性、耐ノイズ性が優れており、ＭＯＳＴ（Media Oriented Systems Transport）、ＩＤＢ（ITS Data Bus）１３９４といった車載向けの光ファイバリンクの実用化が進んでいる。このような車載向けの光ファイバリンクに関するデバイスにおいても、バッテリの動作時間を長くするために、厳密な低消費電流化が求められている。
【０００６】
上記低消費電流化を実現する方法の一つとしては、特に信号を伝送していない状態において消費電流を下げる方法がある。このような方法を用いた光受信回路では、信号を伝送していない状態において消費電流を低減するシャットダウン機能を有する。具体的に説明すると、上記光受信回路は外部からシャットダウン信号が入力されると、シャットダウン状態となり、消費電流が低減された状態となる。その後、上記光受信回路は外部からシャットダウン解除信号が入力されると、シャットダウン状態は解除され、通常の動作状態に復帰する。
【０００７】
図６に、シャットダウン機能を有さない光受信回路を示す（例えば、特開２０００−３５７９５７号公報（特許文献１）参照。）。
【０００８】
上記光受信回路では、光信号をフォトダイオード１で受け、その光信号の強度に比例した電流信号をフォトダイオード１が送出する。この電流信号は、アンプ１１１と抵抗１２とで構成された初段アンプ部（電流−電圧変換アンプ）で線形に電圧変換され、容量１４によりＤＣ成分を除去された後、ＤＣ電位を決めるため、定電圧源Ｖｒｅｆに接続された抵抗１５で受けられ、アンプ１７の一方の入力端子に入力する。また、上記フォトダイオード１と等価でかつ遮光されたダミーフォトダイオード２を、アンプ２２と抵抗２３で構成されたアンプ部（電流−電圧変換アンプ）に接続している。上記アンプ２２の出力は、アンプ１１１１の出力と差動になるように、容量２４でＤＣ成分を除去された後、定電圧源Ｖｒｅｆに接続された抵抗１６で受けられ、アンプ１７の他方の入力端子に入力する。これにより、上記フォトダイオード１が出力した電流信号から、電源ラインノイズなどの同相ノイズ成分が差動回路により除去される。そして、上記アンプ１７の出力はヒステリシスコンパレータ１８に入力されて波形整形された後、バッファ１９および出力段でＨｉｇｈ−Ｌｏｗのデジタル信号に変換されて出力される。上記出力段はｐ−ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜半導体電化効果トランジスタ）２０とｎ−ＭＯＳＦＥＴ２１とからなっている。なお、上記アンプ１７とヒステリシスコンパレータ１８との間にはシグナルディテクト回路１０３が接続している。このシグナルディテクト回路１０３は、アンプ１７からの出力が入力されると、シグナルディテクト信号ＳＤをシグナルディテクト端子２７に出力する。また、図６において、２５は電源端子、２６は出力端子、２８はグランド端子である。
【０００９】
上記初段アンプ部では、図７に示すように、フォトダイオード１のアノードに抵抗１２の一端が接続している。このフォトダイオード１のアノードと抵抗１２の一端との間にはトランジスタ７２のベースが接続している。そして、上記トランジスタ７２のコレクタには定電流源７１が接続し、トランジスタ７２のコレクタと定電流源７１との間にトランジスタ７４のベースが接続している。また、上記トランジスタ７２のエミッタにはトランジスタ７３のコレクタが接続している。そして、上記トランジスタ７３のエミッタと、抗７５の一端とがグランドに接続している。この抵抗７５の他端はトランジスタ７４のエミッタに接続され、抵抗７５の他端とトランジスタ７４のエミッタとの間に抵抗１２の他端が接続している。このような構成により、上記フォトダイオード１に入力した光信号の強度に比例した電流信号は、抵抗１２によって電流−電圧変換された信号となって後段アンプへ出力される。
【００１０】
図８に、シャットダウン機能を有する光受信回路の概略構成図を示す（例えば、特開２００３−２１８７９５号公報（特許文献２）参照。）。なお、図８において、図６に示した光受信回路の構成部と同一構成部は、図６における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
【００１１】
上記光受信回路は、シャットダウン機能を有するバイアス回路６と、このバイアス回路６のシャットダウン状態を解除するためのフォトダイオード８１を備えている。上記フォトダイオード８１は、アンプ８２と抵抗８３とで構成されたアンプ部（電流−電圧変換アンプ）に接続されている。これにより、上記フォトダイオード８１が出力した光電流は、電流−電圧変換された後、ローパスフィルタ８４、コンパレータ８５で波形整形され、シャットダウン制御回路１０５へ入力する。このシャットダウン制御回路１０５の出力端子はバイアス回路６の入力端子に接続されている。上記バイアス回路６は、アンプ１１１，２２，１７、ヒステリシスコンパレータ１８およびバッファ１９にバイアス電流を供給している。
【００１２】
上記構成の光受信回路をシャットダウン状態にする場合、シャットダウン端子８６からシャットダウン信号をシャットダウン制御回路１０５に入力する。そうすると、上記バイアス回路６は、アンプ１１１，２２，１７、ヒステリシスコンパレータ１８およびバッファ１９へのバイアス電流をシャットダウンする。これにより、上記光受信回路は低消費電力モードになる。
【００１３】
その後、送信相手から光信号が送られてくると、その光信号をフォトダイオード８１で検知する。このフォトダイオード８１が出力した電流信号は、アンプ部、ローパスフィルタ３およびコンパレータ８５を順次経由してシャットダウン制御回路１０５に入力される。そうすると、上記シャットダウン制御回路１０５は、バイアス回路６のシャットダウン状態を解除するための信号をバイアス回路６へ向けて送出する。これにより、上記バイアス回路６は、シャットダウン状態が解除され、アンプ１１１，２２，１７、ヒステリシスコンパレータ１８およびバッファ１９へのバイアス電流の供給を再開する。つまり、上記光受信回路は低消費電力モードから通常動作状態へ復帰する。
【００１４】
しかしながら、図８の光受信回路は、送信相手からの光信号を電気信号に変換するために設けたフォトダイオード１とは別に、バイアス回路６のシャットダウン状態を解除するためのフォトダイオード８１を設けている上に、フォトダイオード８１が送出する電流信号を電流−電圧変換するためのアンプ部、さらに、ローパスフィルタ３およびコンパレータ８５を設けているため、デバイスの小型化が困難であるという問題がある。
【００１５】
また、上記光受信回路がシャットダウンするためには、制御用マイコンなどの外部からシャットダウン制御信号を光受信回路に入力する必要があるため、シャットダウン制御用の回路を動作させておかなければならない。このように、シャットダウン制御用の回路を動作させておくことは低消費電力化を妨げる１つの要因となる。
【００１６】
また、上記光受信回路にはシャットダウン端子８６を設ける必要があるため、光受信デバイスの入出力端子が増加する。これもデバイスの小型化のためには不利であった。
【特許文献１】特開２０００−３５７９５７号公報
【特許文献２】特開２００３−２１８７９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
そこで、本発明の課題は、消費電力を低減することができ、かつ、小型化することができる光受信回路およびそれを備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するため、第１の発明の光受信回路は、
光ファイバからの光信号を電気信号に変換し、上記電気信号を出力する光受信回路において、
上記光信号を検知する光信号検知手段と、
上記光信号検知手段の出力を上記電気信号に変換する電気信号変換手段と、
上記電気信号変換手段にバイアス電流を供給すると共に、シャットダウン機能を有するバイアス回路と、
上記光信号検知手段の出力に基いて、上記バイアス回路をシャットダウン状態にするためのリセット信号を送出するリセット信号送出手段と、
上記光信号検知手段の出力に基いて、上記バイアス回路のシャットダウン状態を解除するシャットダウン制御回路と
を備えたことを特徴としている。
【００１９】
上記構成の光受信回路によれば、送信相手からの光信号が光信号検知手段で検知されない場合、リセット信号送出手段は、光信号検知手段の出力に基いてリセット信号を送出する。このリセット信号を受けたシャットダウン制御回路は、バイアス回路をシャットダウン状態にする。これにより、上記バイアス回路から電気信号変換手段へのバイアス電流の供給が停止するので、消費電力を低減することができる。
【００２０】
また、上記バイアス回路がシャットダウン状態であるときに、通信相手からの光信号が光信号検知手段で検知されると、シャットダウン制御回路は光信号検知手段の出力に基いてバイアス回路のシャットダウン状態を解除する。これにより、上記バイアス回路のバイアス電流が電気信号変換手段に供給される。したがって、上記光信号検知手段とは別に、シャットダウン状態を解除するための光信号検知手段を設けなくてよいので、小型化することができる。
【００２１】
また、上記バイアス回路をシャットダウン状態にするためのリセット信号はリセット信号送出手段が送出するので、図８の従来例のようにシャットダウン端子を設けなくてもよく、入出力端子が増加しない。したがって、上記光受信回路はより小型化することができる。
【００２２】
一実施形態の光受信回路では、上記光信号検知手段の出力は、上記電気信号を得るために用いられると共に、上記バイアス回路のシャットダウン状態を制御するために用いられる。
【００２３】
上記実施形態の光受信回路によれば、上記電気信号を得るために光信号検知手段の出力を用いると共に、バイアス回路のシャットダウン状態を制御するためにも光信号検知手段の出力を用いるので、光信号検知手段とは別に、シャットダウン状態を解除するための光信号検知手段を設けなくてよい。したがって、上記光信号検知手段の設置個数の増加を抑えることができる。
【００２４】
一実施形態の光受信回路では、上記光信号検知手段と上記電気信号変換手段との間に、上記光信号検知手段の出力を増幅する増幅手段が設けられ、上記バイアス回路がシャットダウン状態のときには、上記シャットダウン制御回路が上記増幅手段をスタンバイ状態にする。
【００２５】
上記実施形態の光受信回路によれば、上記バイアス回路がシャットダウン状態のときには、シャットダウン制御回路が増幅手段をスタンバイ状態にするので、増幅手段の消費電力を低減することができる。
【００２６】
一実施形態の光受信回路は、上記増幅手段にはＭＯＳトランジスタであるスイッチが設けられている。
【００２７】
上記実施形態の光受信回路によれば、上記増幅手段が含むスイッチはＭＯＳトランジスタであるから、スイッチを集積化することができる。つまり、上記スイッチを集積回路内に設けることができる。
【００２８】
一実施形態の光受信回路は、上記増幅手段には定電流源が設けられている。
【００２９】
上記実施形態の光受信回路によれば、上記増幅手段は定電流源を含むから、バイアス回路がシャットダウン状態になっても動作することができる。
【００３０】
一実施形態の光受信回路は、上記光信号検知手段、電気信号変換手段、バイアス回路、リセット信号送出手段およびシャットダウン制御回路はモノリシック集積回路として形成されている。
【００３１】
上記実施形態の光受信回路によれば、上記光信号検知手段、電気信号変換手段、バイアス回路、リセット信号送出手段およびシャットダウン制御回路はモノリシック集積回路として形成するから、小型化できると共に、製造コストを低減することができる。
【００３２】
第２の発明の電子機器は、上記第１の発明の光受信回路を備えたことを特徴としている。
【００３３】
上記構成の電子機器によれば、上記光受信回路を用いることにより、低消費電力化と小型化との両方が実現可能となる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明の光受信回路は、送信相手からの光信号が光信号検知手段で検知されない場合、シャットダウン制御回路はリセット信号送出手段からのリセット信号を受けることによってバイアス回路をシャットダウン状態にするから、バイアス回路から電気信号変換手段へのバイアス電流の供給が停止し、消費電力を低減することができる。
【００３５】
また、上記バイアス回路がシャットダウン状態であるときに、通信相手からの光信号が光信号検知手段で検知されると、シャットダウン制御回路は光信号検知手段の出力に基いてバイアス回路のシャットダウン状態を解除するから、バイアス回路のバイアス電流が電気信号変換手段に供給される。したがって、上記光信号検知手段とは別に、シャットダウン状態を解除するための光信号検知手段を設けなくてよいので、小型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の光受信回路を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３７】
図１に、本発明の一実施の形態の光受信回路の概略構成図を示す。上記実施の形態の光受信回路は、図示しない光ファイバからの光信号を受けて、その光信号をデジタル電気信号に変化し、そのデジタル電気信号を出力する。また、図１において、図８に示した光受信回路の構成部と同一構成部は、図８における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
【００３８】
本実施の形態の光受信回路は、アンプ１１と抵抗１２とで構成された初段アンプ部の出力がシャットダウン制御回路５に入力する点と、シャットダウン制御回路５が送出した制御信号が初段アンプ部に入力する点と、シグナルディテクト回路３が送出したリセット信号がシャットダウン制御回路５に入力する点とが図７の光受信回路とは異なっている。
【００３９】
上記初段アンプ部は、図２に示すように、定電流源７１とトランジスタ７２のコレクタとの間に設けられたスイッチ７７と、抵抗７５の一端とトランジスタ７３のエミッタとの間に設けられたスイッチ７８とを有している。上記スイッチ７７は定電流源７１の電流をコントロールする一方、スイッチ７８はトランジスタ７４および抵抗７５に流れるバイアス電流をコントロールする。また、上記フォトダイオード１のアノードにはスイッチ７９を介して定電流源７６が接続している。このスイッチ７９は定電流源７６の電流をコントロールする。上述したスイッチ７７，７８，７９はいずれもシャットダウン制御回路５により制御される。つまり、上記スイッチ７７，７８，７９はいずれもシャットダウン制御回路５からの制御信号を受ける。
【００４０】
本実施の形態では、フォトダイオード１が光信号検知手段の一例であり、アンプ１７、ヒステリシスコンパレータ１８およびバッファ１９が電気信号変換手段の一例を構成し、バイアス回路６がバイアス回路の一例であり、シグナルディテクト回路３がリセット信号送出手段の一例であり、シャットダウン制御回路５がシャットダウン制御回路の一例であり、初段アンプ部が増幅手段の一例である。
【００４１】
上記構成の光受信回路においてバイアス回路６がシャットダウン状態とき、初段アンプ部はスタンバイ状態となっている。このスタンバイ状態では、スイッチ７７，７８はＯＦＦ状態で、スイッチ７９はＯＮ状態である。つまり、上記スイッチ７７，７８，７９が図２に示す状態となっている。これにより、上記定電流源７１の電流はカットオフされ、トランジスタ７４および抵抗７５を流れる電流もカットオフされる。また、上記スイッチ７９はＯＮ状態にあるので、定電流源７６がフォトダイオード１のアノードに接続する。
【００４２】
以下、上記バイアス回路６がシャットダウン状態のときに、送信相手からの光信号がフォトダイオード１に入力したときの動作を説明する。
【００４３】
図３に、図２のＡ点の電圧と、フォトダイオード１が送出する光電流Ｉｓｃとの関係を示す。
【００４４】
図３から判るように、上記光電流Ｉｓｃが定電流源７６の出力電流Ｉ２よりも大きくなると、Ａ点の電位は上昇して行き、トランジスタ７２,トランジスタ７３のベース−エミッタ間電圧の合計電圧の約１.４Ｖまで上昇する。
【００４５】
上記Ａ点はシャットダウン制御回路５に接続されており、Ａ点の電位がシャットダウン制御回路５の入力スレッシュ電圧以上になると、シャットダウン制御回路５はバイアス回路６のシャットダウン状態を解除するためのシャットダウン解除信号を送出する。このシャットダウン解除信号がバイアス回路６に入力されることによって、バイアス回路６のシャットダウン状態は解除される。これにより、上記バイアス回路６のバイアス電流が流れて、光受信回路は通常動作状態となる。
【００４６】
図２において、上記バイアス回路６のシャットダウン状態の解除は、光電流Ｉｓｃが定電流源７６の出力電流Ｉ２以上になると実行される。すなわち、上記定電流源７６の出力電流Ｉ２がスレッシュレベル電流となる。上記バイアス回路６のシャットダウン状態を解除するときの光電流Ｉｓｃの調整は、定電流源７６の出力電流Ｉ２を調整することにより実現できる。また、上記定電流源７６の出力電流Ｉ２は定電流源７６を調節することで精度よく設定できる。これにより、上記バイアス回路６のシャットダウン状態の解除を精度よく行うことができる。
【００４７】
上記定電流源７６の出力電流Ｉ２の設定は例えば次のようにして行う。
【００４８】
上記フォトダイオード１に光強度Ｐｃの光信号が入力したときに、バイアス回路６のシャットダウン状態が解除されるようにするには、定電流源７６の出力電流Ｉ２を以下の（式１）で示すように設定する。但し、上記フォトダイオード１の光―電流変換効率をＡとする。
【００４９】
（式１）
Ｉ２＝１０＾(Ｐｃ/１０)＊Ａ
【００５０】
そして、上記（式１）は、入力光信号強度Ｐｃ＝−２６ｄＢｍ、光―電流変換効率Ａ＝０.４Ａ／Ｗとすると、
Ｉ２＝１０＾(-２６/１０)＊０.４＝１.０μＡ
となる。
【００５１】
図４に、上記フォトダイオード１に光信号が入力したときの動作タイミングチャートを示す。
【００５２】
上記フォトダイオード１に光信号が入力して、Ａ点の電位が上昇し、シャットダウン制御回路５の入力スレッシュ電圧以上になると、シャットダウン制御回路５がシャットダウン解除信号を出力する。このシャットダウン解除信号がバイアス回路６に入力して、バイアス回路６が動作し、回路全体の供給電流が通常動作状態になる。つまり、上記初段アンプ部および回路全体へのバイアス電流が流れる。
【００５３】
また、上記フォトダイオード１への光信号入力が停止すると、シグナルディテクト回路３からリセット信号が入力される。これによりＡ点の電位は低下し、バイアス回路６は再びシャットダウン状態となる。
【００５４】
図５に、図２に示した初段アンプ部，シャットダウン制御回路５の具体的な回路図の一例を示す。
【００５５】
上記初段アンプ部の定電流源７１はｐ−ＭＯＳＦＥＴ６２，６３と抵抗６４とで構成される。また、上記初段アンプ部の定電流源７６はｎ−ＭＯＳＦＥＴ５１，５５と抵抗５９とで構成される。そして、図２のスイッチ７７はｎ−ＭＯＳＦＥＴ５３で構成され、図２のスイッチ７８はｎ−ＭＯＳＦＥＴ５２で構成され、図２のスイッチ７９はｎ−ＭＯＳＦＥＴ５４で構成される。
【００５６】
上記シャットダウン制御回路５は、シグナルディテクト回路３が送出したシグナルディテクトリセット信号を受けるｎ−ＭＯＳＦＥＴ５８を有している。このｎ−ＭＯＳＦＥＴ５８のソースは、ｎ−ＭＯＳＦＥＴ５６，５７のソースに接続している。また、上記ｎ−ＭＯＳＦＥＴ５６のドレインは抵抗６０の一端に接続し、ｎ−ＭＯＳＦＥＴ５７のドレインは抵抗６１の一端に接続している。
【００５７】
以下、上記初段アンプ部，シャットダウン制御回路５のシャットダウン時の状態について説明する。
【００５８】
シャットダウン状態においては、Ａ点の電位は前述の通りローレベルであるから、Ａ点にゲートが接続されたｎ−ＭＯＳＦＥＴ５６はＯＦＦ状態となる。また、上記ｎ−ＭＯＳＦＥＴ５６のドレインにゲートが接続されたＭＯＦＥＴ５７はＯＮ状態となる。このとき、上記ｎ−ＭＯＳＦＥＴ５７のドレインはローレベルとなるので、ｎ−ＭＯＳＦＥＴ５７のドレインに接続されたｎ−ＭＯＳＦＥＴ５２，５３のゲートはローレベルとなり、ｎ−ＭＯＳＦＥＴ５２，５３はＯＦＦ状態となる。つまり、図２のスイッチ７７，７８がＯＦＦ状態になる。よって、上記ｐ−ＭＯＳＦＥＴ６２，６３および抵抗６４で構成された定電流源７１はＯＦＦ状態となり、トランジスタ７４および抵抗７５を流れるバイアス電流はＯＦＦ状態となる。また、上記ｎ−ＭＯＳＦＥＴ５３のドレインに接続されたｎ−ＭＯＳＦＥＴ５４のゲートはハイレベルとなるので、ｎ−ＭＯＳＦＥＴ５４はＯＮ状態となる。つまり、図２のスイッチ７９がＯＮ状態になる。
【００５９】
図５の回路において、シャットダウン状態の消費電流は、抵抗５９を流れる電流Ｉ１と、抵抗６１を流れる電流Ｉ２との合計である。上記電流Ｉ１は下記の（式２）で求められ、電流Ｉ２は下記の（式３）で求められる。
【００６０】
（式２）
Ｉ１＝（Ｖｃｃ−Ｖｏｎ４−Ｖｇｓ５）／Ｒ１
Ｖｏｎ４：ｎ−ＭＯＳＦＥＴ５４のＯＮ時のドレイン−ソース間の電圧
Ｖｇｓ５：ｎ−ＭＯＳＦＥＴ５５のＯＮ時のゲート−ソース間の電圧
Ｒ１：抵抗５９の抵抗値
【００６１】
（式３）
Ｉ２＝（Ｖｃｃ−Ｖｏｎ７）／Ｒ２
Ｖｏｎ７：ｎ−ＭＯＳＦＥＴ５７のＯＮ時のドレイン−ソース間の電圧
Ｒ２：抵抗６１の抵抗値
【００６２】
今、Ｖｃｃ＝３Ｖ、Ｒ１=２.２５ＭΩ、Ｒ２=２.９５ＭΩ、Ｖｏｎ４=０.０５Ｖ、Ｖｇｓ５=０.７Ｖ、Ｖｏｎ７=０.０５Ｖとすると、電流Ｉ１,Ｉ２はそれぞれ
Ｉ１＝（３.０−０.０５−０.７）／２.２５ＭΩ＝１μＡ
Ｉ２＝（３.０−０.０５）／２.９５ＭΩ＝１μＡ
となる。よって、図５の回路の消費電流は２μＡとなる。
【００６３】
また上記構成をモノリシック集積回路内に構成することにより、小型化省スペース化に有利となる。
【００６４】
上記構成により、相手の機器からの光信号が入力されるまではシャットダウン状態を保持することにより、より一層の省電力化が可能な光受信回路およびそれを備えた電子機器を提供可能になる。
【００６５】
上記実施の形態では、シグナルディテクト回路３はアンプ１７の出力を受けていたが、初段アンプ部の出力を直接受けるようにしてもよい。
【００６６】
また、上記シグナルディテクト回路３は、シャットダウン制御回路５へ向けてリセット信号を送出していたが、バイアス回路６へ向けてリセット信号を送出するようにしてもよい。つまり、上記バイアス回路６はシグナルディテクト回路３のリセット信号を直接受けるようにしてもよい。
【００６７】
本発明は、電気信号を光信号に変換して伝送する光ファイバリンクに用いられる光受信回路チップに適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】図１は本発明の実施の一形態の光受信回路の概略構成図である。
【図２】図２は上記光受信回路の要部の概略構成図である。
【図３】図３は図２のＡ点の電圧とフォトダイオード１の光電流との関係を示す図である。
【図４】図４は光受信回路のフォトダイオードに光信号が入力したときの動作タイミングチャートを示す図である。
【図５】図５は上記光受信回路の要部の一例を示す回路図である。
【図６】図６は従来の光受信回路の概略構成図である。
【図７】図７は上記従来の光受信回路の要部の回路図である。
【図８】図８は他の従来の光受信回路の概略構成図である。
【符号の説明】
【００６９】
１    フォトダイオード
３    シグナルディテクト回路
５    シャットダウン制御回路
６    バイアス回路
１７  アンプ
１８  ヒステリシスコンパレータ
１９  バッファ
【図１】
2005130173.tif 000003
【図２】
2005130173.tif 000004
【図３】
2005130173.tif 000005
【図４】
2005130173.tif 000006
【図５】
2005130173.tif 000007
【図６】
2005130173.tif 000008
【図７】
2005130173.tif 000009
【図８】
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