(57)【要約】【目的】光センサの内部リセット時間内に積分回路が応答してしまうような高輝度被写体に対し、高輝度被写体であることを検出してフラグをたてることにより、適切な制御が行えるようにする。【構成】光センサの前段部である積分回路の出力をソースフォロワー回路に入力してその出力を結合することにより、積分回路出力のピークモニタ信号を得る。当該ピークモニタ信号が内部リセット時間内に所定値ＶＲＥＦ１に達すると、高輝度と判断して、ＦＬＧ１をＨにする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光量に応じて光電流を生成する光電変換素子と、前記光電流を積分して電圧に変換する積分回路と、該積分回路の出力を増幅する増幅回路からなる光センサを複数有する光センサアレイにおいて、前記積分回路の出力が接続されてその最大出力値を検出して出力する積分ピークモニタ回路を備え、該積分ピークモニタ回路の出力値が所定時間内に所定値を超えた場合に高輝度であると判定することを特徴とする光センサの高輝度検出方法。
【請求項２】
前記積分ピークモニタ回路が前記光センサ毎に設けられた複数のＭＯＳトランジスタを有し、該ＭＯＳトランジスタのゲートに前記積分回路の出力がそれぞれ接続され、前記複数のＭＯＳトランジスタのドレインは共通の電源に接続され、前記複数のＭＯＳトランジスタのソースは前記積分ピークモニタ回路の出力線に接続されるとともに定電流回路に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の光センサの高輝度検出方法。
【請求項３】
前記積分回路は演算増幅器、積分容量及びスイッチからなり、前記増幅回路は演算増幅器、積分容量、スイッチおよび接続容量からなり、該接続容量が前記積分回路中の前記演算増幅器の出力と前記増幅回路中の前記演算増幅器の入力間に接続されていて、前記増幅回路のスイッチのオフ動作を前記積分回路のオフ動作にから遅延して行うことを特徴とする請求項１または２に記載の光センサの高輝度検出方法。
【請求項４】
前記積分回路のスイッチがオフでかつ前記増幅回路のスイッチがオンのときに前記積分ピークモニタ回路の出力値が前記所定値を越えた場合のみ、高輝度であると判定することを特徴とする請求項３に記載の光センサの高輝度検出方法。
【請求項５】
前記増幅回路の出力が接続されてその最大出力値を検出して出力する光センサピークモニタ回路の出力信号が所定値を越える前に前記積分ピークモニタ回路の出力値が前記所定値を越えた場合のみ、高輝度であると判定することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の光センサの高輝度検出方法。
【請求項６】
前記光センサピークモニタ回路が前記光センサ毎に設けられた複数のＭＯＳトランジスタを有し、該ＭＯＳトランジスタのゲートに前記増幅回路の出力がそれぞれ接続され、前記複数のＭＯＳトランジスタのドレインは共通の電源に接続され、前記複数のＭＯＳトランジスタのソースは前記光センサピークモニタ回路の出力線に接続されるとともに定電流回路に接続されていることを特徴とする請求項５に記載の光センサの高輝度検出方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばカメラ等の自動焦点装置に用いられる、複数の電荷蓄積型の光電変換素子を備えた光センサ回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
カメラ等の自動焦点装置や測光装置のセンサでは、電荷蓄積型の光電変換素子を備えた光センサ回路をアレイ状またはエリア状に並べたものを使用し、被写体像をレンズを介してその素子面に結像させている。
【０００３】
これらの光センサ回路としては、図６に示すような、光電変換素子が光量に応じて光電流を生成し、その光電流を積分回路が積分し、さらに積分回路の出力を増幅回路が増幅するものがある（例えば、特許文献１参照）。図６においてＰＤは光電変換素子としてのフォトダイオードであり、フォトダイオードＰＤに照射される光Ｌを光電流ｉに変換する。１０，２０は演算増幅器であり、それぞれの非反転入力部には基準電圧ＶＲＥＦ０が接続されている。ＳＷ１，ＳＷ２はスイッチ、Ｃ１，Ｃ３は積分容量で、スイッチＳＷ１および積分容量Ｃ１はそれぞれ演算増幅器１０の反転入力部と出力部の間に接続されている。また、スイッチＳＷ２および積分容量Ｃ３はそれぞれ演算増幅器１０の反転入力部と出力部の間に接続されている。Ｃ２は接続容量であり、演算増幅器１０の出力部と演算増幅器２０の反転入力部の間に接続される。演算増幅器１０、積分容量Ｃ１およびスイッチＳＷ１並びに演算増幅器２０、積分容量Ｃ３およびスイッチＳＷ２はそれぞれ第１および第２の積分回路を構成していて、スイッチＳＷ１，ＳＷ２がオン（導通）すると積分容量Ｃ１，Ｃ３の両端の電圧はそれぞれＶＲＥＦ０に初期化され、オフ（遮断）されると積分動作を開始する。スイッチＳＷ１，ＳＷ２にはそれぞれリセット信号Ｒ１，Ｒ２が接続されていて、Ｒ１，Ｒ２がＬのときにスイッチＳＷ１，ＳＷ２がオンし、Ｒ１，Ｒ２がＨのときにスイッチＳＷ１，ＳＷ２がオフする。この回路により得られる信号Ｖ１（演算増幅器１０の出力）およびＶ２（演算増幅器２０の出力）は次のようになる。
【０００４】
まず、Ｒ１がＬからＨに変化してから時間Ｔ経過したときのＶ１は以下のようになる。
【０００５】
【数１】
Ｖ１＝ＶＲＥＦ０＋ｉ×Ｔ／Ｃ１  ・・・  （１）
接続容量Ｃ２と第２の積分回路は電荷増幅器を構成しているので、Ｖ２がＶＲＥＦ０から変化する量ΔＶ２（＝Ｖ２−ＶＲＥＦ０）は以下のようになる。
【０００６】
【数２】
ΔＶ２＝−ΔＶ１×（Ｃ２／Ｃ３）  ・・・  （２）
ここで△Ｖ１＝Ｖ１−ＶＲＥＦ０である。（２）式を見れば分かるように、２つの容量の比（Ｃ２／Ｃ３）だけΔＶ１を増幅するものとなっている（符号は無視）。従い、Ｃ２は本回路に不可欠なものになっているが、信号Ｒ１によるスイッチＳＷ１のスイッチングノイズが容量Ｃ２を介して第２の積分回路の積分動作に悪影響を与えてしまうため、スイッチＳＷ２のリセット解除をスイッチＳＷ１のリセット解除より遅延させてこの影響を回避する必要がある。これについて図７のタイミングチャートにより説明する。
【０００７】
図７において、時刻Ｔ１にて信号Ｒ１がＬからＨに変化しスイッチＳＷ１が遮断動作を行う。このときのスイッチングノイズに影響されないように、Ｔ２までは信号Ｒ２をＬに保持してスイッチＳＷ２がオンの第２の積分回路をリセット状態に留め、Ｔ２になった時点で初めてスイッチＳＷ２のリセットを解除する。Ｔ１からＴ２までの期間ｔ０を内部リセット時間と呼ぶが、内部リセット時間ｔ０はスイッチＳＷ１のスイッチングノイズが充分収まる程度の時間とする。
【０００８】
【特許文献１】
特許第３１４６７１６号公報  （第３−５頁、第１図）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上で示した従来の技術には、光電変換素子ＰＤに照射される光Ｌが非常に強く、従い発生する光電流ｉも非常に大きい場合は、内部リセット時間ｔ０中に第１の積分回路の積分動作が完全にもしくはほとんど動作を終了してしまうという問題点がある。これについて図８，９により説明する。図８は、内部リセット時間ｔ０中に第１の積分回路の出力電圧が電源電圧ＶＤＤに達してしまう場合で、第２の積分回路のリセット解除後には第２の積分回路回路への入力が変化しないため、演算増幅器２の出力Ｖ２すなわち光センサの出力Ｖ２は初期値ＶＲＥＦ０から変化しないことになる。
【００１０】
図９は、内部リセット時間ｔ０中に第１の積分回路の出力電圧が電源電圧ＶＤＤ近くまで上昇してしまうため、第２の積分回路のリセット解除後に演算増幅器２の出力Ｖ２すなわち光センサの出力Ｖ２が少しだけ変化して止まってしまうことになる。これらの場合は、出力信号Ｖ２が全くもしくはほとんど変化しないため、光Ｌが非常に強い状態にもかかわらず、逆に非常に弱い光が照射されていると見なされてしまう。従い、このような光センサをカメラの自動焦点装置などに適用した場合、非常に高輝度な被写体を逆に非常に低輝度な被写体と見なしてしまい、徒にセンシング時間を費やしたり、光センサの感度を下げる必要があるのに逆に感度を上げる動作に繋げてしまうことがある、などの課題がある。
【００１１】
そこで、本発明は上記課題を解決するためになされたものである、その目的は上記内部リセット時間ｔ０の期間中に第１の積分回路の出力電圧が電源電圧に達してしまうような高輝度被写体に対し、当該被写体が高輝度であると適切な判断を行うことのできる光センサの高輝度検出方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
そこで上記課題を解決するために、請求項１に係る発明は、光量に応じて光電流を生成する光電変換素子と、前記光電流を積分して電圧に変換する積分回路と、該積分回路の出力を増幅する増幅回路からなる光センサを複数有する光センサアレイにおいて、前記積分回路の出力が接続されてその最大出力値を検出して出力する積分ピークモニタ回路を備え、該積分ピークモニタ回路の出力値が所定時間内に所定値を超えた場合に高輝度であると判定することを特徴とする。
【００１３】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明において、前記積分ピークモニタ回路が前記光センサ毎に設けられた複数のＭＯＳトランジスタを有し、該ＭＯＳトランジスタのゲートに前記積分回路の出力がそれぞれ接続され、前記複数のＭＯＳトランジスタのドレインは共通の電源に接続され、前記複数のＭＯＳトランジスタのソースは前記積分ピークモニタ回路の出力線に接続されるとともに定電流回路に接続されていることを特徴とする。
【００１４】
請求項３に係る発明は、請求項１または２に係る発明において、前記積分回路は演算増幅器、積分容量及びスイッチからなり、前記増幅回路は演算増幅器、積分容量、スイッチおよび接続容量からなり、該接続容量が前記積分回路中の前記演算増幅器の出力と前記増幅回路中の前記演算増幅器の入力間に接続されていて、前記増幅回路のスイッチのオフ動作を前記積分回路のオフ動作にから遅延して行うことを特徴とする。
【００１５】
請求項４に係る発明は、請求項３に係る発明において、前記積分回路のスイッチがオフでかつ前記増幅回路のスイッチがオンのときに前記ピークモニタ回路の出力値が前記所定値を越えた場合のみ、高輝度であると判定することを特徴とする。
【００１６】
請求項５に係る発明は、請求項１ないし３のいずれかに係る発明において、前記演算回路の出力が接続されてその最大出力値を検出して出力する光センサピークモニタ回路の出力信号が所定値を越える前に前記ピークモニタ回路の出力値が前記所定値を越えた場合のみ、高輝度であると判定することを特徴とする。
【００１７】
請求項６に係る発明は、請求項５に係る発明において、前記光センサピークモニタ回路が前記光センサ毎に設けられた複数のＭＯＳトランジスタを有し、該ＭＯＳトランジスタのゲートに前記増幅回路の出力がそれぞれ接続され、前記複数のＭＯＳトランジスタのドレインは共通の電源に接続され、前記複数のＭＯＳトランジスタのソースは前記光センサピークモニタ回路の出力線に接続されるとともに定電流回路に接続されていることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図に沿って本発明の実施形態を説明する。
【００１９】
図１は、本発明に係る第１の実施形態を示す回路図である。図１に示す回路は、図６に示す光センサをｎ個アレイ状もしくはマトリクス状に配置したものに、ｎ個のＮＭＯＳトランジスタＮＭＯＳ１〜ＮＭＯＳｎ、定電流回路３１、コンパレータ３２、３入力アンドゲート３３およびフリップフロップ３４を付加した構成となっている。フォトダイオードＰＤ１〜ＰＤｎ、演算増幅器１１〜１ｎおよび２１〜２ｎ、スイッチＳＷ１１〜ＳＷ１ｎおよびＳＷ２１〜ＳＷ２ｎ、積分容量Ｃ１１〜Ｃ１ｎおよびＣ３１〜Ｃ３ｎ、接続容量Ｃ２１〜Ｃ２ｎがそれぞれ図６のフォトダイオードＰＤ、演算増幅器１０および２０、スイッチＳＷ１およびＳＷ２、積分容量Ｃ１およびＣ３、接続容量Ｃ２に相当する。ＮＭＯＳトランジスタＮＭＯＳ１〜ＮＭＯＳｎのゲートは演算増幅器１１〜１ｎの出力Ｖ１１〜Ｖ１ｎにそれぞれ接続され、各ドレインは電源ＶＤＤに接続され、各ソースは定電流回路３１の一端に共通接続されるとともにコンパレータの非反転入力部にも接続されている。定電流回路３１の他端は接地電位（ＧＮＤ）に接続されている。コンパレータ３２の反転入力部には基準電圧ＶＲＥＦ１が接続され、コンパレータ３２の出力は３入力アンドゲート３３に接続されている。３入力アンドゲート３３の他の２入力にはスイッチＳＷ１１〜ＳＷ１ｎおよびＳＷ２１〜ＳＷ２ｎのスイッチング動作を制御する信号Ｒ１，Ｒ２が入力される。信号Ｒ２が入力される入力部は負論理となっているので、３入力アンドゲートの出力はコンパレータ３１および信号Ｒ１がＨで信号Ｒ２がＬの場合のみＨとなり、それ以外の場合の出力はＬとなる。３入力アンドゲート３３の出力はフリップフロップ３４のセット入力Ｓに接続され、フリップフロップ３４のリセット入力Ｒには信号Ｒ１が接続されている。フリップフロップ３４の状態Ｑは高輝度状態を示すフラグＦＬＧ１として出力される。フリップフロップ３４はセット・リセット型フリップフロップで、セット入力Ｓ＝Ｈのとき状態ＱがセットされてＨとなり、リセット入力Ｒ＝Ｌのとき状態ＱがリセットされてＬとなる。なお、Ｓ＝ＨとＲ＝Ｌが同時に入力されることは禁止されている。この回路の動作について以下説明を行う。
【００２０】
ＮＭＯＳトランジスタＮＭＯＳ１〜ＮＭＯＳｎはそれぞれＶ１１〜Ｖ１ｎに対するソースフォロワー回路となっていて、その出力端子であるソースが共通接続されて定電流回路３１に接続されて形となっている。このソースが共通接続された箇所の電位をＶ１ＰＥＡＫとする。スイッチＳＷ１１〜ＳＷ１ｎを制御する信号Ｒ１が図７に示す時刻Ｔ１にＬからＨになりスイッチＳＷ１１〜ＳＷ１ｎが一斉にオフすると、フォトダイオードＰＤ１〜ＰＤｎに発生した光電流がそれぞれ積分容量Ｃ１１〜Ｃ１ｎに積分され、演算増幅器の出力Ｖ１１〜Ｖ１ｎはそれぞれフォトダイオードＰＤ１〜ＰＤｎが受光した光量に応じて上昇していく。すると、Ｖ１ＰＥＡＫは演算増幅器の出力Ｖ１１〜Ｖ１ｎの最大値に追従して上昇していく。すなわち、これにより最大光量が照射されたフォトダイオードＰＤｉに対応する積分信号Ｖ１ｉすなわち積分信号のピークをモニタすることができる。コンパレータ３２、３入力アンドゲート３３およびフリップフロップ３４はＶ１ＰＥＡＫが上述の内部リセット時間ｔ０内に所定電圧ＶＲＥＦ１（ＶＲＥＦ１は例えばＶ１ＰＥＡＫの飽和レベルに相当するものである）を超えると、それを検出してフリップフロップ３４に記憶してフラグＦＬＧ１として出力する回路を構成している。Ｖ１ＰＥＡＫ＞ＶＲＥＦ１の条件が成立するとコンパレータ３２の出力がＨとなり、その時点でＲ１＝ＨかつＲ２＝Ｌ（これは内部リセット時間ｔ０内であるための条件）であれば３入力アンドゲート３３の出力がＨとなり、フリップフロップ３４の出力、すなわちフラグＦＬＧ１がＨとなる。フリップフロップ３４は事前に信号Ｒ１によりリセットされているため、３入力アンドゲート３３のアンド条件が成立しない限りフラグＦＬＧ１はＬのままとなる。フラグＦＬＧ１がＨとなるときのタイミングチャートを図４に示す。Ｖ１ＰＥＡＫは上述のようにＲ１がＨに変化した時点から演算増幅器の出力Ｖ１１〜Ｖ１ｎの最大値に追従して上昇していき、Ｒ２がＨになる前に電源電圧ＶＤＤに達してしまうが、それより以前の所定値ＶＲＥＦ１を超えた時点でＦＬＧ１がＨとなる。フラグＦＬＧ１がＨとなることにより、フォトダイオードに照射されている光量が大きい、すなわち被写体が高輝度であることを検出・記憶している。
【００２１】
図５は信号Ｖ１ＰＥＡＫがＶＲＥＦ１を超えるタイミングが、Ｒ２がＨに変化した直後のもので、この場合は３入力アンドゲート３３のアンド条件が成立しないのでＦＬＧ１はＬのままである。この場合も被写体が高輝度であり、Ｒ２がＨに変化する前に信号Ｖ１１〜Ｖ１ｎがその変化をほとんど終了してしまっているため、光センサとしての出力Ｖ２１〜Ｖ２ｎは初期値から僅かしか変化しないことになる。この状態も光センサの動作としては問題となるため、これを検知する必要がある。その検知方法を第２の実施形態として説明する。
【００２２】
図２，３は、本発明に係る第２の実施形態を示す回路図である。図１と共通する部分は同一符号を付して説明を省略し、異なる部分について説明する。ＰＭＯＳトランジスタＰＭＯＳ１〜ｎの各ゲートにはそれぞれ演算増幅器２１〜２ｎの出力Ｖ２１〜Ｖ２ｎが接続されている。また、ＰＭＯＳトランジスタＰＭＯＳ１〜ｎの各ドレインはＧＮＤに接続され、各ソースは定電流回路３５に共通接続されている。ＰＭＯＳトランジスタＰＭＯＳ１〜ｎはＶ２１〜Ｖ２ｎに対するソースフォロワ回路を構成していて、ソースと定転流回路３５の接続点の電位Ｖ２ＰＥＡＫはＶ２１〜Ｖ２ｎの最大値（この場合は最も下降している出力）に追従して下降する。すなわち、ＰＭＯＳトランジスタＰＭＯＳ１〜ｎおよび定電流回路３５により、Ｖ２ＰＥＡＫにより最大光量が照射されたフォトダイオードＰＤｉに対応する光センサの出力Ｖ２ｉすなわち光センサ出力のピークをモニタすることができる、光センサピークモニタ回路が構成されている。
【００２３】
本第２の実施形態は、ここで得られた光センサ出力のピークをモニタする信号Ｖ２ＰＥＡＫと上述の積分信号のピークをモニタする信号Ｖ１ＰＥＡＫを組み合わせ、Ｖ２ＰＥＡＫが飽和する前にＶ１ＰＥＡＫが飽和するような高輝度状態を検出することを目的とする。すなわち、式（２）に示されるようにＶ２ＰＥＡＫはＶ１ＰＥＡＫを増幅した信号であるため、通常はＶ２ＰＥＡＫが先に飽和する。Ｖ２ＰＥＡＫが飽和する前にＶ１ＰＥＡＫが飽和するのは、内部リセット時間ｔ０中にＶ１ＰＥＡＫが完全に飽和するか、もしくは飽和直前となった場合である。第１の実施形態は前者の完全に飽和してしまった場合のみしか検知できないが、第２の実施形態は後者の飽和直前の場合も合わせて検知するものである。
【００２４】
Ｖ２ＰＥＡＫは図３のコンパレータ３６の非反転入力部に入力される。コンパレータ３６の反転入力部にはＶ２ＰＥＡＫの飽和レベルに相当する電圧もしくはそれより高い電圧である基準電圧ＶＲＥＦ２が入力されている。基準電圧ＶＲＥＦ２を飽和レベルに相当する電圧より高くするのは、Ｖ２ＰＥＡＫが飽和レベルに達していれば光センサはきちんと積分できているので、高輝度と判断しなくても良いと判断する場合である。コンパレータ３２，３６の出力は２入力アンドゲート３７に入力され、２入力アンドゲート３７の出力はフリップフロップ３８のセット入力Ｓに接続されている。フリップフロップ３８のリセット入力には信号Ｒ１が接続されている。フリップフロップ３８の状態Ｑは高輝度状態を示す第２のフラグＦＬＧ２として出力される。フリップフロップ３８もフリップフロップ３４と同様にセット・リセット型フリップフロップで、セット入力Ｓ＝Ｈのとき状態ＱがセットされてＨとなり、リセット入力Ｒ＝Ｌのとき状態ＱがリセットされてＬとなる。なお、Ｓ＝ＨとＲ＝Ｌが同時に入力されることも、同様に禁止されている。回路の動作について図４，５を参照しつつ、以下説明を行う。
【００２５】
フリップフロップ３８のセット・リセット条件はフリップフロップ３４とほとんど同様であるが、セットされるのは２入力アンドゲート３７のアンド条件が成立する場合であるところが異なっている。２入力アンドゲート３７のアンド条件が成立するのは、Ｖ１ＰＥＡＫ＞ＶＲＥＦ１かつＶ２ＰＥＡＫ＞ＶＲＥＦ２のときである。ＶＲＥＦ２の値をＶ２ＰＥＡＫの初期値と最終値の間にとっておけば、図４に示す、Ｖ１ＰＥＡＫが上述の内部リセット時間ｔ０内に所定電圧ＶＲＥＦ１を超える場合は、ＦＬＧ２はＦＬＧ１と同じタイミングでＨとなる。ＦＬＧ１とＦＬＧ２の動作の違いが出てくるのが、図５に示すように、Ｒ２がＨに変化した直後に信号Ｖ１ＰＥＡＫがＶＲＥＦ１を超える場合で、この場合は、上述のようにＦＬＧ１はＨにはならない。ＦＬＧ２はＦＬＧ１よりＨになる条件を広げたものになっている。すなわち、Ｖ２ＰＥＡＫがＶＲＥＦ２に到達する前にＶ１ＰＥＡＫがＶＲＥＦ１に到達すれば、内部リセット時間ｔ０後でも高輝度を示すＦＬＧ２をＨとする。
【００２６】
Ｖ１ＰＥＡＫ＞ＶＲＥＦ１かつＶ２ＰＥＡＫ＞ＶＲＥＦ２のとき高輝度と判断する理由は上で説明したとおりである。
【００２７】
【発明の効果】
上述した各実施形態によれば、通常のセンサ動作が不可能な高輝度被写体に対しても、高輝度であることを適切に検出することできる。また、本発明をカメラ等の自動焦点装置に適用する場合は、通常動作が不可能な高輝度であることを検出できるので、カメラがその情報を用いて遅延なく適切な制御を行うことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１の実施形態を示す回路図である。
【図２】本発明に係る第２の実施形態を示す第１の回路図である。
【図３】本発明に係る第２の実施形態を示す第２の回路図である。
【図４】本発明に係る光センサの動作を示す第１のタイミングチャートである。
【図５】本発明に係る光センサの動作を示す第２のタイミングチャートである。
【図６】従来例に係る光センサの構成を示す回路図である。
【図７】従来例に係る光センサの動作を示すタイミングチャートである。
【図８】従来例に係る光センサの高輝度での動作を示す第１のタイミングチャートである。
【図９】従来例に係る光センサの高輝度での動作を示す第２のタイミングチャートである。
【符号の説明】
ＰＤ１〜ＰＤｎ                  フォトダイオード
Ｃ１１〜Ｃ１ｎ，Ｃ３１〜Ｃ３ｎ  積分容量
Ｃ２１〜Ｃ２ｎ                  接合容量
ＳＷ１１〜ＳＷ１ｎ，ＳＷ２１〜ＳＷ２ｎ  スイッチ
ＰＭＯＳ１〜ＰＭＯＳｎ          ｐ型トランジスタ
ＮＭＯＳ１〜ＮＭＯＳｎ          ｎ型トランジスタ
ＦＬＧ１，ＦＬＧ２              フラグ
ＶＲＥＦ０，ＶＲＥＦ１，ＶＲＥＦ２            基準電圧
Ｖ１ＰＥＡＫ                        積分信号のピークモニタ信号
Ｖ２ＰＥＡＫ                        光センサのピークモニタ信号
Ｒ１，Ｒ２                      リセット信号
１１〜１ｎ，２１〜２ｎ          演算増幅器
３１，３５                      定電流源
３２，３６                      コンパレータ
３３                            ３入力アンドゲート
３７                            ２入力アンドゲート
３４，３８                      フリップフロップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2005039418.tif 000006
【図５】
2005039418.tif 000007
【図６】
2005039418.tif 000008
【図７】
2005039418.tif 000009
【図８】
2005039418.tif 000010
【図９】
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