(57)【要約】【課題】  デバイス工程に影響する貫通欠陥をＨＦ欠陥として顕在化させずに非破壊で迅速にかつ極めて高い確率で推定する。【解決手段】  酸素イオンを複数回に分けて注入したシリコンウェーハ１１を熱処理することにより、埋込み酸化膜層１２上にＳＯＩ層１３が形成されたＳＩＭＯＸウェーハ１０のＳＯＩ層１３を貫通する貫通欠陥１３ａの有無を検査する。具体的には、先ず酸素イオンを注入した後毎にシリコンウェーハ１１表面上に存在するパーティクルの位置データを測定して複数のパーティクルマップを作製する。次に複数のパーティクルマップを解析することにより熱処理を行う前にＳＩＭＯＸウェーハ１０の貫通欠陥１３ａの数を推定する。【選択図】  図３
2005228848.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素イオンを複数回に分けて注入したシリコンウェーハ(11)を熱処理することにより、埋込み酸化膜層(12)上にＳＯＩ層(13)が形成されたＳＩＭＯＸウェーハ(10)の前記ＳＯＩ層(13)を貫通する貫通欠陥(13a)の有無を検査する方法において、
前記酸素イオンを注入した後毎に前記シリコンウェーハ(11)表面上に存在するパーティクルの位置データを測定して複数のパーティクルマップを作製し、
前記複数のパーティクルマップを解析することにより前記熱処理を行う前に前記ＳＩＭＯＸウェーハ(10)の貫通欠陥(13a)の数を推定する
ことを特徴とするＳＩＭＯＸウェーハの検査方法。
【請求項２】
パーティクルマップの解析が、複数の酸素イオンの注入工程にわたって常に同じ位置に存在する不動点パーティクルの抽出である請求項１記載のＳＩＭＯＸウェーハの検査方法。
【請求項３】
シリコンウェーハ(11)に酸素イオンを複数回に分けて注入する工程と、前記酸素イオンを注入したシリコンウェーハ(11)を熱処理することにより前記シリコンウェーハ(11)の内部に埋込み酸化膜層(12)を形成するとともに表面にＳＯＩ層(13)を形成する工程とを含むＳＩＭＯＸウェーハの製造方法において、
前記酸素イオンを注入した後毎に前記シリコンウェーハ(11)表面上に存在するパーティクルの位置データを測定して複数のパーティクルマップを作製する工程と、
前記複数のパーティクルマップを解析することにより前記熱処理を行う前にＳＩＭＯＸウェーハ(10)のＳＯＩ層(13)を貫通する貫通欠陥(13a)の数を推定する工程と
を更に含むＳＩＭＯＸウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸素イオンを複数回に分けて注入して製造するＳＩＭＯＸ（Separation by IMplanted OXygen）ウェーハを非破壊で検査する方法と、その検査方法を含むＳＩＭＯＸウェーハの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の高集積化、高性能化及び多機能化に伴い、回路パターンの寸法はますます細かくなってきている。このため、図２に示すように、デバイス形成領域となるウェーハ表面層に酸化膜層を隔てて１５０ｎｍ、更には２０ｎｍ程度にまで薄膜化した無欠陥のＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハが要望されている。このような薄膜ＳＯＩウェーハをＳＩＭＯＸ法により作製する場合、先ずウェーハの一方の主面を鏡面加工した後に、この鏡面加工面から酸素イオンをインプランテーションによりウェーハ中の所定深さに打込む。次にウェーハに高温熱処理を施すことによりウェーハ内部に埋込み酸化膜層を形成して、埋込み酸化膜層上にＳＯＩ層を有する。更にこのＳＩＭＯＸウェーハを高酸素濃度の雰囲気中で高温熱処理を施すことによりＳＯＩ層の表面側に熱酸化膜を形成した後に、この熱酸化膜をフッ酸水溶液にてエッチング除去する。これによりＳＩＭＯＸウェーハが得られる。
【０００３】
上記ＳＩＭＯＸウェーハにおける重要な品質としてＳＯＩ層の欠陥がある。特に図３（ａ）に示すように、ＳＯＩ層表層から埋込み酸化膜層にまで達しているような貫通欠陥はデバイス特性に大きく影響を与えるため、その欠陥を精密に検査及び評価する方法が要求されている。従来、ＳＩＭＯＸウェーハのＳＯＩ層の欠陥を検出する方法としては、最終製品のＳＩＭＯＸウェーハを所定のフッ酸水溶液に浸漬した後に、埋込み酸化膜層に観察される欠陥（以下、ＨＦ欠陥という）を顕在化させ、このＨＦ欠陥を光学顕微鏡や原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope、以下ＡＦＭという。）等で検出する方法が知られている。デバイス工程では、ウェーハをフッ酸水溶液に浸漬する処理が一般的に不可欠であり、本来、埋込み酸化膜層は端部を除きウェーハ表面に露呈しないため、埋込み酸化膜層自体がフッ酸水溶液に接することはなく、埋込み酸化膜層はフッ酸水溶液から何も影響を受けない。
【０００４】
しかしながら例えば、図３（ａ）に示すように、ウェーハ表面に開口し且つ埋込み酸化膜層に達する孔（例えばＣＯＰ）が存在するとき、このＣＯＰからフッ酸水溶液が流入して埋込み酸化膜層を浸食するため、この部位に形成された素子に不具合を生じさせる（図３（ｂ））。なお、ＣＯＰ（Crystal Originated Particle）とは結晶育成時に結晶内部に取り込まれた空孔が集合して形成された微小ボイドである。ＡＦＭとは、探針先端の原子を試料に近づけた際に働く原子間力を利用して、原子間力が一定になるように探針を制御し試料を観察するものである。ちなみにＡＦＭの分解能は０．１ｎｍ以下である。ここで、上記方法によりＨＦ欠陥の検査を行う場合、ウェーハを破壊して検査を行う必要があり、フッ酸水溶液でエッチングした際にウェーハ表面に付着してしまうパーティクルとの区別が難しくなり、また全てのウェーハに対して検査を行うことができない。更にフッ酸水溶液によるエッチング、洗浄及びその後の欠陥観察に多大な時間を要するため、迅速な検査及び評価が行えない問題があった。
【０００５】
上記ＳＯＩ層の欠陥を検査する別の方法としては、ＳＩＭＯＸウェーハの欠陥検査方法（例えば、特許文献１参照。）やＳＯＩ基体の欠陥検出方法（例えば、特許文献２参照。）が知られている。上記特許文献１に示されたＳＩＭＯＸウェーハの欠陥検査方法は、ＳＩＭＯＸウェーハをアルカリ系洗浄液にて洗浄し、ＳＯＩ層を０．１μｍ以下の膜厚にするとともに、ＳＯＩ層に微小エッチピットを発生させ、ＳＩＭＯＸウェーハをフッ酸水溶液に浸漬して、微小エッチピット直下の埋込み酸化膜層を除去した後、欠陥密度の測定を行う方法である。このＳＩＭＯＸウェーハの欠陥検査方法では、ＳＩＭＯＸウェーハに存在するＣＯＰ欠陥を、通常のウェーハ表面欠陥評価装置を用いて容易に評価を行うことができるとともに、ＣＯＰ欠陥の外観形状も評価できるようになっている。
また特許文献２に示されたＳＯＩ基体の欠陥検出方法は、ＳＯＩ層が形成された面側をフッ酸処理し、このフッ酸処理されたことで生じた絶縁層の凹部又は絶縁層の欠陥が存在する部位に電解物質を析出させ、この電解物質が析出した部位を検出する方法である。このＳＯＩ基体の欠陥検出方法では、ＳＯＩ層のＨＦ欠陥及び埋込み酸化膜層の欠陥を１枚のＳＩＭＯＸウェーハで同時に検出できるようになっている。
【０００６】
一方、シリコンウェーハに酸素イオンを注入する工程の途中で、超音波を印加した水流を噴射するジェット洗浄、ＳＣ−１洗浄液を用いた洗浄、或いは塩酸と過酸化水素と純水の混合液を用いた洗浄を行う半導体の製造方法（例えば、特許文献３参照。）が開示されている。この半導体の製造方法では、酸素イオンの注入前に予めシリコンウェーハに表面酸化膜を形成しておき、酸素イオンの注入工程の途中で希フッ酸水溶液を用いて表面酸化膜を除去するように構成される。
このように構成された半導体の製造方法では、酸素イオンの注入工程の途中でウェーハを洗浄してパーティクルを除去することにより、その後の酸素イオンの注入時にウェーハのパーティクルによる遮蔽面積を小さくすることができるので、埋込み酸化膜の電流パス欠陥を低減できる。また予めウェーハに表面酸化膜を形成した状態で酸素イオンをウェーハに注入し、ウェーハへの酸素イオンの注入工程の途中で、希フッ酸水溶液を用いて表面酸化膜を除去するので、表面酸化膜の表面に付着したパーティクルが表面酸化膜とともに除去され、ウェーハ表面のパーティクルを効果的に低減できるようになっている。
【特許文献１】特開平１１−７４４９３号公報（請求項１、段落［００１１］
【特許文献２】特開２００２−２３１９１１号公報（請求項１、段落［００１１］）
【特許文献３】特開平８−７８６４７号公報（請求項１〜５、段落［００１９］、段落［００２４］、図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記従来の特許文献３に示された半導体の製造方法から、酸素イオン注入時にウェーハ表面に付着したパーティクルと、最終製品であるＳＩＭＯＸウェーハの欠陥との間に密接な関係があることが分かる。
しかし、上記特許文献１に示されたＳＩＭＯＸウェーハの欠陥検査方法では、ＳＯＩ層をアルカリ洗浄することで微小エッチピットを発生させ、更にフッ酸水溶液により埋込み酸化膜層を除去するため、ウェーハを破壊して検査を行なわなければならない問題があった。
また、上記特許文献２に示されたＳＯＩ基体の欠陥検出方法では、ウェーハを破壊して検査を行う必要があるとともに、全てのウェーハに対して検査を行うことができない問題点もあった。
【０００８】
本発明の目的は、デバイス工程に影響を及ぼす貫通欠陥をＨＦ欠陥として顕在化させずに非破壊で迅速にかつ極めて高い確率で推定できる、ＳＩＭＯＸウェーハの検査方法を提供する。
本発明の別の目的は、デバイス工程に影響を及ぼす貫通欠陥をＨＦ欠陥として顕在化させずに非破壊で迅速に確認して選別することにより、製品歩留まりを低下させることなく、高品質のＳＩＭＯＸウェーハを製造できる、ＳＩＭＯＸウェーハの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、酸素イオンの分割注入を用いたＳＩＭＯＸウェーハの製造工程において、酸素イオンを注入した後毎に、シリコンウェーハ表面のパーティクルをその座標位置を含めて測定して得られた各工程でのパーティクルマップと、最終製品であるＳＩＭＯＸウェーハの表面欠陥の種類と位置を測定して得られた欠陥マップとを比較した。その結果、デバイス工程において大きな影響を及ぼす貫通欠陥と、複数の酸素イオンの注入工程において常に同じ位置に検出される不動点パーティクルとの間に、極めて良い対応関係を見出し、本発明をなすに至った。
請求項１に係る発明は、図１〜図３に示すように、酸素イオンを複数回に分けて注入したシリコンウェーハ１１を熱処理することにより、埋込み酸化膜層１２上にＳＯＩ層１３が形成されたＳＩＭＯＸウェーハ１０のＳＯＩ層１３を貫通する貫通欠陥１３ａの有無を検査する方法の改良である。
その特徴ある構成は、酸素イオンを注入した後毎にシリコンウェーハ１１表面上に存在するパーティクルの位置データを測定して複数のパーティクルマップを作製し、複数のパーティクルマップを解析することにより熱処理を行う前にＳＩＭＯＸウェーハ１０の貫通欠陥１３ａの数を推定するところにある。
この請求項１に記載されたＳＩＭＯＸウェーハの検査方法では、デバイス工程に影響を及ぼす貫通欠陥１３ａの数を、ＨＦ欠陥１２ａとして顕在化させず、破壊せず、迅速にかつ極めて高い確率で推定することができる。
【００１０】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明であって、更にパーティクルマップの解析が、複数の酸素イオンの注入工程にわたって常に同じ位置に存在する不動点パーティクルの抽出であることを特徴とする。
この請求項２に記載されたＳＩＭＯＸウェーハの検査方法では、デバイス工程において大きな影響を及ぼす貫通欠陥と、複数の酸素イオンの注入工程において常に同じ位置に検出される不動点パーティクルとの間に相関関係があるため、この不動点パーティクルを抽出することにより、上記貫通欠陥の数を、ＨＦ欠陥として顕在化させず、破壊せず、迅速にかつ極めて高い確率で推定することができる。
【００１１】
請求項３に係る発明は、図１〜図３に示すように、シリコンウェーハ１１に酸素イオンを複数回に分けて注入する工程と、この酸素イオンを注入したシリコンウェーハ１１を熱処理することによりシリコンウェーハ１１の内部に埋込み酸化膜層１２を形成するとともに表面にＳＯＩ層１３を形成する工程とを含むＳＩＭＯＸウェーハの製造方法の改良である。
その特徴ある構成は、酸素イオンを注入した後毎にシリコンウェーハ１１表面上に存在するパーティクルの位置データを測定して複数のパーティクルマップを作製する工程と、複数のパーティクルマップを解析することにより熱処理を行う前にＳＩＭＯＸウェーハ１０のＳＯＩ層１３を貫通する貫通欠陥１３ａの数を推定する工程とを更に含むところにある。
この請求項３に記載されたＳＩＭＯＸウェーハの製造方法では、デバイス工程に影響を及ぼす貫通欠陥１３ａの数を、ＨＦ欠陥１２ａとして顕在化させず、破壊せず、迅速にかつ極めて高い確率で推定することができる。これにより不良品となる確率の高いウェーハ１１を熱処理前という早い段階で排除できるので、製品歩留まりを低下させることなく、高品質のＳＩＭＯＸウェーハ１０を製造できる。
【発明の効果】
【００１２】
以上述べたように、本発明によれば、複数回の酸素イオンを注入した後毎にシリコンウェーハ表面上に存在するパーティクルの位置データを測定して複数のパーティクルマップを作製し、複数のパーティクルマップを解析することにより熱処理を行う前にＳＩＭＯＸウェーハの貫通欠陥の数を推定したので、デバイス工程に影響を及ぼす貫通欠陥の数を、ＨＦ欠陥として顕在化させず、破壊せず、迅速にかつ極めて高い確率で推定することができる。この結果、不良品となる確率の高いウェーハを熱処理前に排除できる。
またパーティクルマップの解析が、複数の酸素イオンの注入工程にわたって常に同じ位置に存在する不動点パーティクルの抽出であれば、デバイス工程において大きな影響を及ぼす貫通欠陥と、複数の酸素イオンの注入工程において常に同じ位置に検出される不動点パーティクルとの間に相関関係があるため、この不動点パーティクルを抽出することにより、上記貫通欠陥の数を、ＨＦ欠陥として顕在化させず、破壊せず、迅速にかつ極めて高い確率で推定することができる。この結果、不良品となる確率の高いウェーハを熱処理前に排除できる。
更にＳＩＭＯＸウェーハの製造工程の途中に上記検査方法による工程を含めば、デバイス工程に影響を及ぼす貫通欠陥の数を、ＨＦ欠陥として顕在化させず、破壊せず、迅速にかつ極めて高い確率で推定することができる。この結果、不良品となる確率の高いウェーハを熱処理前という早い段階で排除できるので、製品歩留まりを低下させることなく、高品質のＳＩＭＯＸウェーハを製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
図１〜図３に示すように、ＳＩＭＯＸウェーハ１０の製造方法は、シリコンウェーハ１１に酸素イオンを注入する工程と、酸素イオンを注入したウェーハ１１を洗浄する工程と、この洗浄したウェーハ１１を熱処理（高温アニール）することによりウェーハ１１の内部に埋込み酸化膜層１２を形成する工程とを含む。この実施の形態では、酸素イオン注入を３段階に分けて行う。またウェーハ１１の洗浄方法としては、ＳＣ−１洗浄液を用いた洗浄方法、硫酸と過酸化水素と純水の混合液を用いた洗浄方法、塩酸と過酸化水素と純水の混合液を用いた洗浄方法、オゾン水及び濃度０．２〜２重量％のフッ酸水溶液を用いた洗浄方法、又はこれらの洗浄方法を組合せた洗浄方法などが挙げられる。チョクラルスキー法で引上げられたシリコンインゴットはスライスして表面を研磨した後に、第１洗浄工程で洗浄される（図１）。この洗浄されたウェーハには、１回目の酸素イオンの注入を行う（第１酸素イオン注入工程）。この第１酸素イオン注入は、ウェーハを３００〜５００℃に加熱した状態で酸素イオンのドーズ量が５×１０16〜２×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ2で行う。
【００１４】
次いで１回目の酸素イオンを注入したウェーハ表面のパーティクルの位置データをパーティクルカウンタ等を用いて測定し、第１パーティクルマップを作製した後に、洗浄して２回目の酸素イオンの注入を行う（第２酸素イオン注入工程）。この第２酸素イオン注入は、ウェーハを３００〜５００℃に加熱した状態で酸素イオンのドーズ量が５×１０16〜２×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ2で行う。次に２回目の酸素イオンを注入したウェーハ表面のパーティクルの位置データをパーティクルカウンタ等を用いて測定し、第２パーティクルマップを作製した後に、洗浄して３回目の酸素イオンの注入を行う（第３酸素イオン注入工程）。この第３酸素イオン注入は、ウェーハを室温に保持した状態で酸素イオンのドーズ量が１×１０15〜１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ2で行う。更に３回目の酸素イオンを注入したウェーハ表面のパーティクルの位置データをパーティクルカウンタ等を用いて測定し、第３パーティクルマップを作製した後、第１〜第３パーティクルマップの座標比較を行う。具体的には、第１〜第３パーティクルマップの解析は、第１〜第３酸素イオン注入工程にわたって常に同じ位置に存在する不動点パーティクルを抽出する。
【００１５】
デバイス工程において大きな影響を及ぼす貫通欠陥１３ａ（図３（ａ）及び図３（ｂ））と、第１〜第３酸素イオン注入工程において常に同じ位置に検出される不動点パーティクルとの間に相関関係があるため、上記不動点パーティクルを抽出することにより、熱処理を行う前にＳＩＭＯＸウェーハ１０の貫通欠陥１３ａの数を推定することができる。抽出された不動点パーティクルの数が所定値以上であるウェーハは不良品として排除される。このようにデバイス工程に影響を及ぼす貫通欠陥１３ａの数を、ＨＦ欠陥１２ａ（図３（ｂ））として顕在化させずかつ破壊することなく、迅速にかつ極めて高い確率で推定することができる。従って、不良品と推定されたウェーハ、即ち不良品となる確率の高いウェーハを熱処理前という早い段階で排除できるので、製品歩留まりを低下させることなく、高品質のＳＩＭＯＸウェーハ１０を製造できる。一方、良品と推定されたウェーハは洗浄後、熱処理（高温アニール）されてＳＩＭＯＸウェーハ１０となる。また上記貫通欠陥１３ａは、ＳＯＩ層１３を貫通して埋込み酸化膜層１２に達する欠陥である。
【００１６】
なお、各酸素イオンの注入直後のパーティクルの測定では、可能な限り小さいサイズのパーティクルから測定することが好ましい。しかし、通常、鏡面加工を行ったウェーハに酸素イオンを注入すると、その表面に微小な凹凸（荒れ）が形成され、この微小は凹凸がパーティクル測定時にヘイズとして現れる。このヘイズと表面に付着したパーティクルとを区別して検出するために、パーティクルのサイズの検出下限値を０．２μｍ程度にすることが好ましい。
また、パーティクルの測定にパーティクルカウンタを用いた場合、測定するウェーハに対して入射光を斜め方向から入射するタイプのパーティクルカウンタ（例えば、KLA-Tencor社製のSP1-TBIのOblique Mode）を使用するとヘイズの影響を抑制できる。
また、上記パーティクルマップの座標比較では、２つのパーティクルマップにおいて、一方のパーティクルマップ上のパーティクルの位置に対して、他方のパーティクルマップ上のその位置を中心とする半径４００μｍ以内の範囲にパーティクルが検出された場合、これら２つのパーティクルを同一のパーティクル（不動点パーティクル）とみなす処理を行う。
更に、この実施の形態では、シリコンウェーハへの酸素イオン注入を３回に分けて行ったが、シリコンウェーハへの酸素イオン注入を２回に分けてもよく、或いは４回以上に分けてもよい。
【実施例】
【００１７】
次に本発明の実施例を詳しく説明する。
＜実施例１＞
図１に示すように、直径３００ｍｍのシリコンウェーハに酸素イオンを３回に分けて注入し、酸素イオンを注入した後毎にシリコンウェーハ表面上に存在するパーティクルの位置データを測定して３つのパーティクルマップを作製した。また各パーティクルの位置データの測定後に、ウェーハを洗浄した。上記パーティクルの位置データはKLA-Tencor社製のSP1-TBIを用いて測定し、測定モードをOblique Modeとし、検出下限値を０．２μｍとした。その結果を表１及び表２に示す。表１において、「パーティクル数」とは各酸素イオン注入後に検出されたパーティクルの数であり、「ＨＦ欠陥と一致するパーティクル数」とは最終製品であるＳＩＭＯＸウェーハの表面に存在する貫通欠陥（ＨＦ欠陥として観察される。）と座標が一致したパーティクルの数であり、「ＨＦ欠陥率」とは貫通欠陥（ＨＦ欠陥として観察される。）と座標が一致したパーティクルの数を製造工程中に検出されたパーティクルの数で割った値を百分率で示している。また表２において、「第１酸素イオン注入のみ」とは第１酸素イオン注入後の測定のみで検出されたパーティクルの数であり、「第２酸素イオン注入のみ」とは第２酸素イオン注入後の測定のみで検出されたパーティクルの数であり、「第３酸素イオン注入のみ」とは第３酸素イオン注入後の測定のみで検出されたパーティクルの数である。また表２において、「第１及び第２酸素イオン注入」とは第１酸素イオン注入後の測定と第２酸素イオン注入後の測定の両方で同一座標に検出されたパーティクルの数であり、「第２及び第３酸素イオン注入」とは第２酸素イオン注入後の測定と第３酸素イオン注入後の測定の両方で同一座標に検出されたパーティクルの数であり、「第３及び第１酸素イオン注入」とは第３酸素イオン注入後の測定と第１酸素イオン注入後の測定の両方で同一座標に検出されたパーティクルの数である。更に「第１〜第３酸素イオン注入」とは第１酸素イオン注入後の測定と第２酸素イオン注入後の測定と第３酸素イオン注入後の全てにおいて同一座標に検出されたパーティクルの数である。
【００１８】
【表１】
2005228848.tif 000003
【００１９】
【表２】
2005228848.tif 000004
【００２０】
表１から明らかなように、貫通欠陥（ＨＦ欠陥として観察される。）と一致するパーティクル数の割合はいずれの酸素イオン注入工程後でも数％以下であることが分かった。
また表２から明らかなように、複数の酸素イオン注入後のパーティクルの位置座標と同一座標に検出された不動点パーティクルが、最終製品であるＳＩＭＯＸウェーハの貫通欠陥（ＨＦ欠陥として観察される。）となる割合が大きいことが分かった。
【００２１】
＜実施例２＞
図１に示すように、直径２００ｍｍのシリコンウェーハに酸素イオンを３回に分けて注入し、酸素イオンを注入した後毎にシリコンウェーハ表面上に存在するパーティクルの位置データを測定して３つのパーティクルマップを作製した。また各パーティクルの位置データの測定後に、ウェーハを洗浄した。上記パーティクルの位置データはKLA-Tencor社製のSFS6420を用いて測定し、検出下限値を０．２μｍとした。その結果を図４及び図５に示す。図４において、横軸に、各ウェーハの第１酸素イオン注入後に検出されたパーティクルの位置座標と第２酸素イオン注入後に検出されたパーティクルの位置座標とが一致するパーティクル数（不動点パーティクルの数）を示し、縦軸に各ウェーハのＨＦ欠陥（最終製品であるＳＩＭＯＸウェーハ表面の貫通欠陥の存在により発生する。）の数を示す。また図５において、横軸に、各ウェーハの第１酸素イオン注入後と第２酸素イオン注入後に検出されたシリコンウェーハ表面のパーティクルの総数を示し、縦軸に各ウェーハのＨＦ欠陥（最終製品であるＳＩＭＯＸウェーハ表面の貫通欠陥の存在により発生する。）の数を示す。
図４と図５を比較すると明らかなように、不動点パーティクルとＨＦ欠陥（貫通欠陥）との間に比例関係が成立する、即ち不動点パーティクルとＨＦ欠陥（貫通欠陥）との間に相関関係があることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明のＳＩＭＯＸウェーハの検査方法を含むＳＩＭＯＸウェーハの製造工程図である。
【図２】そのＳＩＭＯＸウェーハの断面構成図である。
【図３】図３（ａ）はＳＯＩ層に貫通欠陥を有するＳＩＭＯＸウェーハの断面構成図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＳＯＩウェーハにＨＦ処理を施して貫通欠陥をＨＦ欠陥として顕在化させた状態を示すＳＩＭＯＸウェーハの断面構成図である。
【図４】第１及び第２酸素イオン注入後における不動点パーティクルの数とＨＦ欠陥の数との関係を示す図である。
【図５】第１及び第２酸素イオン注入後のパーティクルの総数とＨＦ欠陥の数との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００２３】
１０  ＳＩＭＯＸウェーハ
１１  シリコンウェーハ
１２  埋込み酸化膜層
１２ａ  ＨＦ欠陥
１３  ＳＯＩ層
１３ａ  貫通欠陥
【図１】
2005228848.tif 000005
【図２】
2005228848.tif 000006
【図３】
2005228848.tif 000007
【図４】
2005228848.tif 000008
【図５】
2005228848.tif 000009