(57)【要約】【課題】  それぞれの集積回路をそれぞれ異なるテスト温度によって、テスト可能に処置するテストシステムとヒータ構造を提供する。【解決手段】  アレイ・アレンジによって複数のテストを待つ集積回路を挿着できるテスト部と、アレイ・アレンジによって複数のヒータ同士が設けられ、前記それぞれの集積回路に対し個別的に加熱を実行できる加熱部と、を有する少なくとも一セットの二次元アレイ式テストモジュールと、前記二次元アレイ式テストモジュールに接続され、テストシステム全体の操作をコントロールするホスト・コンピュータと、前記ホスト・コンピュータを介して前記二次元アレイ式テストモジュールに接続され、温度コントロール情報を記憶し、前記加熱部におけるそれぞれのヒータに所定の温度を生成させ、集積回路に対し加熱をし、且つテスト情報を記憶するデータベースと、を少なくとも備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路のそれぞれの温度下での変化を検出する集積回路テストシステムにおいて、
アレイ・アレンジによって複数のテストを待つ集積回路を挿着できるテスト部と、アレイ・アレンジによって複数のヒーター同士が設けられ、前記それぞれの集積回路に対し個別的に加熱を実行できる加熱部と、を有する少なくとも一セットの二次元アレイ式テストモジュールと、
前記二次元アレイ式テストモジュールに接続され、テストシステム全体の操作をコントロールするホスト・コンピュータと、
前記ホスト・コンピュータを介して前記二次元アレイ式テストモジュールに接続され、温度コントロール情報を記憶し、前記加熱部におけるそれぞれのヒータに所定の温度を生成させ、集積回路に対し加熱をし、且つテスト情報を記憶するデータベースと、を少なくとも備えており、
前記二次元アレイ式テストモジュールのそれぞれのヒータが個別的に独立し、且つテストを待つそれぞれの集積回路のテスト温度について、前記ホスト・コンピュータを介して前記二次元アレイ式テストモジュールのそれぞれのヒータに送信して加熱を実行し、それぞれの集積回路のテスト情報をホスト・コンピュータに送信してから、前記データベースに記憶するように処置することを特徴とする、
集積回路テストシステム。
【請求項２】
前記二次元アレイ式テストモジュールには、半導体テスト板体に半導体テスト回路を配置し、且つその半導体テスト板体にアレイ・アレンジにしたがって複数個のソケットが配置され、それらのそれぞれがテストを待つ集積回路を挿着でき、また、それらの複数個のソケットが前記半導体テスト回路に接続されるようにしたテスト部と、基板にコントロール回路を接続してなり、且つ前記基板における前記複数個のソケットアレイに対応するように複数個のヒータが設けられ、それぞれが集積回路に対し加熱を実行でき、且つそれらの複数個のヒータがそれぞれ前記コントロール回路に接続される、前記テスト部に対応する加熱部と、を備えており、
前記コントロール回路がそれぞれのテストを待つ集積回路の到達しようとするテスト温度情報をそれぞれ対応するヒータに送信して操作を実行し、且つ集積回路のテスト情報を半導体テスト回路を介して出力するようにしたことを特徴とする、
請求項１に記載の集積回路テストシステム。
【請求項３】
前記ホスト・コンピュータには、テスト情報を送信できると共に、テストの遂行をコントロールするプロセス・コントロール・ユニットと、それぞれ異なる位置におけるテストを待つ集積回路の温度コントロール情報をそれぞれの二次元アレイ式テストモジュールのそれぞれの特定の位置へ送信して操作を遂行する温度コントロール・ユニットと、前記それぞれの二次元アレイ式テストモジュールの半導体テスト回路に接続され、それぞれの二次元アレイ式テストモジュール内の集積回路の圧力係数を検出し、且つ検出した情報を前記プロセス・コントロール・ユニットに送信する電気信号検出ユニットと、前記二次元アレイ式テストモジュールの半導体テスト回路に接続され、テスト過程中のそれぞれの二次元アレイ式テストモジュール内のそれぞれの集積回路のそれぞれ異なる特定の温度下での特性変化テスト情報を前記プロセス・コントロール・ユニットに送信する測量ユニットと、を有することを特徴とする、
請求項２に記載の集積回路テストシステム。
【請求項４】
前記二次元アレイ式テストモジュールとして複数のセット使用すると共に、三次元アレイを形成するようにアレンジされることを特徴とする、
請求項１に記載の集積回路テストシステム。
【請求項５】
前記少なくとも一セットの二次元アレイ式テストモジュールが箱体内に配置されることを特徴とする、
請求項１に記載の集積回路テストシステム。
【請求項６】
前記箱体に冷却装置が連結され、前記二次元アレイ式テストモジュール内の集積回路がテスト終了後に快速的に温度を低下させる機能を有することを特徴とする、
請求項５に記載の集積回路テストシステム。
【請求項７】
前記データベースに記憶されるテスト情報がＰＬＲモジュールによって分析してから分析情報をデータベースにフィードバックして記憶することを特徴とする、
請求項１に記載の集積回路テストシステム。
【請求項８】
挿着ユニットを有し、該挿着ユニットがヒータの基板に挿着してヒータを位置決めることができる、上部ベースと、
底端部に当接ヘッドが形成され、前記上部ベースの下方に設けられる加熱柱と、
複数本の挿着ロッド同士からなり、両端部にそれぞれ上部ベースと加熱柱とを連結し、且つ上部ベースと加熱柱との間の挿着ロッドに反発スプリングが設けてなる連結ユニットと、
前記上部ベースと前記加熱柱との間に取り付けられ、加熱柱がテストを待つ集積回路に接する後の圧力変化を検出する圧力メータと、
前記加熱柱内に挿入され、その加熱柱を加熱する加熱回路と、
前記加熱柱内に挿入され、前記加熱柱の底部の当接ヘッドの温度を検出できる温度検出回路と、を備えており、
前記当接ヘッドが集積回路に接触し、集積回路を予定のテストを待つ温度に加熱し、また、当接ヘッドの温度がテストを待つ集積回路の予定テスト温度より高くなる場合に、温度検出回路によって信号検出し、その加熱回路に加熱を停止させるようにしたことを特徴とする、
ヒータ構造。
【請求項９】
前記連結ユニットとして複数本の挿着ロッド同士を使用し、且つその両端部がそれぞれ前記上部ベースと前記加熱柱とを連結することを特徴とする、
請求項８に記載のヒータ構造。
【請求項１０】
前記上部ベースと前記加熱柱との間の挿着ロッドには弾性ユニットがつけられていることを特徴とする、
請求項９に記載のヒータ構造。
【請求項１１】
前記上部ベースと前記加熱柱との間に圧力メータが取り付けられ、それによって加熱柱がテストを待つ集積回路に接触する後の圧力変化を検出することを特徴とする、
請求項１０に記載のヒータ構造。
【請求項１２】
前記弾性ユニットとして反発スプリングを使用することを特徴とする、
請求項１０に記載のヒータ構造。
【請求項１３】
前記挿着ユニットが加熱部の基板に挿着でき、ヒータを位置決める機能を提供できることを特徴とする、
請求項８に記載のヒータ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は集積回路テストシステムおよびヒータ構造に係わり、特に少なくとも一セットの二次元アレイ式テストモジュール内のそれぞれ異なる位置におけるテスト待機中の集積回路に対し、それぞれ異なる温度の加熱を実行することによってそれぞれ異なる位置におけるテスト待機中の集積回路に特定のテスト温度に達させ、個別の集積回路を加熱し、且つ加熱操作を安定化させ、トータルのテスト時間数を短縮でき、トータルのテストコストを減少できる目的を図れる集積回路テストシステムおよびヒータ構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
さて、集積回路はその操作環境が大体常温より高くなるので、当該集積回路がこのような高温の環境においてその特性に変化を生じるか、且つ操作安定性が影響されているかを了解するために、集積回路テストシステムを利用して集積回路を特定の温度に到達させてテストを実行する。
【０００３】
従来の集積回路テストシステムのほとんどが、単に集積回路をテストしようとする温度毎に分類してそれぞれ異なる箱体に置き入れ、熱風により所定の温度まで加熱し、テストを進めるものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、前記した従来の集積回路テストシステムおよびヒータ構造にあっては、次のような問題点がある。
＜１＞それぞれの箱体において単に単一のテスト温度を以って複数個の集積電気回路を同時に加熱しかできなく、個別の集積電気回路の異なるテスト温度に対応して加熱することができない。
＜２＞箱体内で熱風によって加熱する方式では、時々それぞれの集積回路の配置位置と送風口との距離の違いによって加熱状況が不均一となり、テストの精確性と品質に悪影響を与える。
＜３＞それぞれの箱体に一回に一つのテスト温度しか設定できなく、複数個の異なる温度を設定しようとする場合、そのテスト時間数が大幅に増加してしまう。
【０００５】
本発明は上記したような従来の問題を解決するためになされたもので、個別の集積回路に対応してそれぞれ異なるテスト温度を設定して加熱でき、かつ加熱過程が安定的であり、トータルのテスト時間数を大幅に減少でき、且つテストの精確性と品質を向上でき、且つトータルのテストコストを減少できる、集積回路テストシステムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記のような課題を解決するために、本発明の集積回路テストシステムは、アレイ・アレンジによって複数のテストを待つ集積回路を挿着できるテスト部と、アレイ・アレンジによって複数のヒーター同士が設けられ、前記それぞれの集積回路に対し個別的に加熱を実行できる加熱部と、を有する少なくとも一セットの二次元アレイ式テストモジュールと、前記二次元アレイ式テストモジュールに接続され、テストシステム全体の操作をコントロールするホスト・コンピュータと、前記ホスト・コンピュータを介して前記二次元アレイ式テストモジュールに接続され、温度コントロール情報を記憶し、前記加熱部におけるそれぞれのヒータに所定の温度を生成させ、集積回路に対し加熱をし、且つテスト情報を記憶するデータベースと、を少なくとも備えており、その中、前記二次元アレイ式テストモジュールのそれぞれのヒータが個別的に独立し、且つテストを待つそれぞれの集積回路のテスト温度について、前記ホスト・コンピュータを介して前記二次元アレイ式テストモジュールのそれぞれのヒータに送信して加熱を実行し、また、それぞれの集積回路のテスト情報をホスト・コンピュータに送信してから、前記データベースに記憶するように処置する。
【０００７】
また、本発明は、前記した集積回路テストシステムにおいて、前記二次元アレイ式テストモジュールには、半導体テスト板体に半導体テスト回路を配置し、且つその半導体テスト板体にアレイ・アレンジにしたがって複数個のソケットが配置され、それらのそれぞれがテストを待つ集積回路を挿着でき、また、それらの複数個のソケットが前記半導体テスト回路に接続されるようにしたテスト部と、基板にコントロール回路を接続してなり、且つ前記基板における前記複数個のソケットアレイに対応するように複数個のヒータが設けられ、それぞれが集積回路に対し加熱を実行でき、且つそれらの複数個のヒータがそれぞれ前記コントロール回路に接続される、前記テスト部に対応する加熱部と、を備えており、前記コントロール回路がそれぞれのテストを待つ集積回路の到達しようとするテスト温度情報をそれぞれ対応するヒータに送信して操作を実行し、且つ集積回路のテスト情報を半導体テスト回路を介して出力するようにしたことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明は、前記した集積回路テストシステムにおいて、前記ホスト・コンピュータに、テスト情報を送信できると共に、テストの遂行をコントロールするプロセス・コントロール・ユニットと、それぞれ異なる位置におけるテストを待つ集積回路の温度コントロール情報をそれぞれの二次元アレイ式テストモジュールのそれぞれの特定の位置へ送信して操作を遂行する温度コントロール・ユニットと、前記それぞれの二次元アレイ式テストモジュールの半導体テスト回路に接続され、それぞれの二次元アレイ式テストモジュール内の集積回路の圧力係数を検出し、且つ検出した情報を前記プロセス・コントロール・ユニットに送信する電気信号検出ユニットと、前記二次元アレイ式テストモジュールの半導体テスト回路に接続され、テスト過程中のそれぞれの二次元アレイ式テストモジュール内のそれぞれの集積回路のそれぞれ異なる特定の温度下での特性変化テスト情報を前記プロセス・コントロール・ユニットに送信する測量ユニットと、を有することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、前記した集積回路テストシステムにおいて、前記二次元アレイ式テストモジュールとして複数セット使用すると共に、三次元アレイを形成するようにアレンジされることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、前記した集積回路テストシステムにおいて、少なくとも一セットの二次元アレイ式テストモジュールが箱体内に配置されることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、前記した集積回路テストシステムにおいて、前記箱体に冷却装置が連結され、前記二次元アレイ式テストモジュール内の集積回路がテスト終了後に快速的に温度を低下させる機能を有することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、前記した集積回路テストシステムにおいて、前記データベースに記憶されるテスト情報がＰＬＲモジュールによって分析してから分析情報をデータベースにフィードバックして記憶することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明のヒータ構造は、挿着ユニットを有し、該挿着ユニットがヒータの基板に挿着してヒータを位置決めることができる、上部ベースと、底端部に当接ヘッドが形成される、前記上部ベースの下方に設けられる加熱柱と、複数本の挿着ロッド同士からなり、両端部にそれぞれ上部ベースと加熱柱とを連結し、且つ上部ベースと加熱柱との間の挿着ロッドに反発スプリングが設けてなる連結ユニットと、前記上部ベースと前記加熱柱との間に取り付けられ、加熱柱がテストを待つ集積回路に接する後の圧力変化を検出する圧力メータと、前記加熱柱内に挿入され、その加熱柱を加熱する加熱回路と、前記加熱柱内に挿入され、前記加熱柱の底部の当接ヘッドの温度を検出できる温度検出回路と、を備えており、前記当接ヘッドが集積回路に接触し、集積回路を予定のテストを待つ温度に加熱し、また、当接ヘッドの温度がテストを待つ集積回路の予定テスト温度より高くなる場合に、温度検出回路によって信号検出し、その加熱回路に加熱を停止させるようにしたことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明のヒータ構造は、前記連結ユニットとして複数本の挿着ロッド同士を使用し、且つその両端部がそれぞれ前記上部ベースと前記加熱柱とを連結することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、前記したヒータ構造において、前記上部ベースと前記加熱柱との間の挿着ロッドには弾性ユニットがつけられていることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、前記したヒータ構造において、前記上部ベースと前記加熱柱との間に圧力メータが取り付けられ、それによって加熱柱がテストを待つ集積回路に接触する後の圧力変化を検出することを特徴とする。
【００１７】
また、本発明は、前記したヒータ構造において、前記弾性ユニットとして反発スプリングを使用することを特徴とする。
【００１８】
また、本発明は、前記したヒータ構造において、前記挿着ユニットが加熱部の基板に挿着でき、ヒータを位置決める機能を提供できることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の集積回路テストシステムおよびヒータ構造は、上記した課題を解決するための手段により、次のような効果の少なくとも一つを得ることができる。
＜１＞同時にそれぞれの集積回路のテストしようとする環境に対して、同時にそれぞれ異なる加熱を実行でき、トータルのテスト時間数を減少して、トータルのテストコストを減少することができる。
＜２＞ヒータによって集積回路に接触して一対一の加熱を実行でき、且つ集積回路の温度を制御し、加熱を安定化させ、それぞれの集積回路の加熱が不均一となり、または過熱することをなくすことができる。
これによって、テストの精確性と品質を向上させることができる。
＜３＞テスト終了後に快速的に熱を低下させることができ、トータルのテスト時間数を減少でき、次回のテストの遂行に利することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態を詳細的で具体的に説明するが、それらの説明による具体的な構造は単に本発明の実施可能な実施例に過ぎず、必ずしもかかる形態に限定されるものではない。
【００２１】
図１と図２に示すように、本発明には、六セットの二次元アレイ式テストモジュール１からなる三次元アレイを有し、且つそれらの六セットの二次元アレイ式テストモジュール１が箱体４内に収納され、当該二次元アレイ式テストモジュール１には、半導体テスト板体２２に半導体テスト回路２１を配置し、且つその半導体テスト板体２２にアレイ・アレンジにしたがって８ｘ８個のソケット２３が配置され、それらのそれぞれがテストを待つ集積回路９を挿着でき、また、それらの複数個のソケット２３が前記半導体テスト回路２１に接続されるようにしたテスト部２と、基板３２にコントロール回路３１を接続してなり、且つ前記基板３２における前記複数個のソケット３２アレイに対応するように８ｘ８個のヒータ３３が設けられ、それぞれが集積回路９に対し加熱を実行でき、且つそれらの複数個のヒータ３３がそれぞれ前記コントロール回路３１に接続される、前記テスト部２に対応する加熱部３と、を備えており、その中、前記コントロール回路３１がそれぞれのテストを待つ集積回路９の到達しようとするテスト温度情報をそれぞれ対応するヒータ３３に送信して操作を実行し、且つ集積回路９のテスト情報を半導体テスト回路２１を介して出力する。
【００２２】
前記ヒータ３は図２と図３に示すように、挿着ユニット３３２を有し、当該挿着ユニット３３２がヒータ３の基板に挿着してヒータ３３を位置決めることができる、上部ベース３３１と、底端部に当接ヘッド３３４が形成される、前記上部ベース３３１の下方に設けられる加熱柱３３３と、複数本の挿着ロッド同士からなり、両端部にそれぞれ上部ベース３３１と加熱柱３３３とを連結し、且つ上部ベース３３１と加熱柱３３３との間の挿着ロッドに反発スプリング３３６が設けてなる連結ユニット３３５と、前記上部ベース３３１と前記加熱柱３３３との間に取り付けられ、加熱柱３３３がテストを待つ集積回路９に接する後の圧力変化を検出する圧力メータ３３７と、前記加熱柱３３３内に挿入され、その加熱柱３３３を加熱する加熱回路３３８と、前記加熱柱３３３内に挿入され、前記加熱柱３３３の底部の当接ヘッド３３４の温度を検出できる温度検出回路３３９と、を備えており、その中、前記当接ヘッド３３４が集積回路９に接触し、集積回路９を予定のテストを待つ温度に加熱し、また、当接ヘッド３３４の温度がテストを待つ集積回路９の予定テスト温度より高くなる場合に、温度検出回路３３９によって信号検出し、その加熱回路３３８に加熱を停止させる。
【００２３】
且つ、冷却装置５を有し、図１に示すように、前記箱体４に連結され、箱体４内のそれぞれの二次元アレイ式テストモジュール１における集積回路９がテスト終了後に快速的に温度を低下させられる機能を提供する。
【００２４】
また、ホスト・コンピュータ６を有し、図１に示すように、前記二次元アレイ式テストモジュール１を連結し、本テストシステムの全体操作をコントロールする機能を提供し、それには、テスト情報を送信できると共に、テストの遂行をコントロールするプロセス・コントロール・ユニット６１と、それぞれ異なる位置におけるテストを待つ集積回路９の温度コントロール情報をそれぞれの二次元アレイ式テストモジュール１のそれぞれの特定の位置へ送信して操作を遂行する温度コントロール・ユニット６２と、前記それぞれの二次元アレイ式テストモジュール１の半導体テスト回路２１に接続され、それぞれの二次元アレイ式テストモジュール１内の集積回路９の圧力係数を検出し、且つ検出した情報を前記プロセス・コントロール・ユニット６１に送信する電気信号検出ユニット６３と、前記二次元アレイ式テストモジュール１の半導体テスト回路２１に接続され、テスト過程中のそれぞれの二次元アレイ式テストモジュール１内のそれぞれの集積回路９のそれぞれ異なる特定の温度下での特性変化テスト情報を前記プロセス・コントロール・ユニット６１に送信する測量ユニット６４と、を有する。
【００２５】
また、データベース７を有し、図１に示すように、それが前記ホスト・コンピュータ６を介して前記二次元アレイ式テストモジュール１に接続され、温度コントロール情報を記憶でき、前記プロセス・コントロール・ユニット６１を介して前記データベース７における温度コントロール情報を読み取ることができ、前記加熱部３におけるそれぞれのヒータ３３に適当な温度に制御する情報を提供し、テストを待つ集積回路９に対し加熱をし、且つ受信したそれぞれの集積回路９のテスト情報をデータベース７に送信してテスト情報を記憶し、且つデータベース７に記憶されるテスト情報をＰＬＲモジュール８によって分析でき、且つ分析情報をデータベース７にフィードバックする。
【００２６】
その中、前記二次元アレイ式テストモジュール１のそれぞれのソケット２３と対応するそれぞれのヒータ３３をそれぞれ独立させるようにし、且つその中のテストを待つことに係わるそれぞれの集積回路９のテスト温度を前記ホスト・コンピュータ６を介して二次元アレイ式テストモジュール１のそれぞれのヒータ３３に送信してコントロールを実行し、且つそれぞれの集積回路９のテスト情報をホスト・コンピュータ６に送信してからデータベース７に記憶する。
【００２７】
前記の構造によって実際の操作を実行する場合に、図１と図５に示すように、それぞれ異なるテスト温度の集積回路９をそれぞれ二次元アレイ式テストモジュール１のテスト部２のそれぞれのソケットに配置してから、それぞれの集積回路９の温度コントロール情報を入力してデータベース７に記憶し、且つそれぞれの二次元アレイ式テストモジュール１を起動し、ホスト・コンピュータ６によってデータベース７内に設けられるそれぞれのテストを待つ集積回路９の温度コントロール情報をアレイ位置別にしたがってそれぞれのヒータ３３に入力し、ヒータ３３によって一対一の方式によって加熱し、且つ集積回路９の温度をコントロールし、それぞれの集積回路９がテスト温度に達する場合に検出を開始し、同時にそれぞれの集積回路９の検出情報をデータベース７に送信し、且つＰＬＲモジュール８を使用してそれぞれの集積回路９の検出情報を分析してから、情報をデータベース７にフィードバックして記憶する。
【００２８】
テスト終了後に、冷却装置５によって箱体４内のそれぞれの二次元アレイ式テストモジュール１内の集積回路９をテスト終了後にまもなく温度低下させるように作用する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明を示す説明図である。
【図２】本発明の二次元アレイ式テストモジュールを示す一部説明図である。
【図３】本発明の加熱ヘッドを示す斜視図である。
【図４】本発明の加熱ヘッドを示す断面図である。
【図５】本発明のテストフローを示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００３０】
１      二次元アレイ式テストモジュール
２      テスト部
３      加熱部
４      箱体
５      冷却装置
６      ホスト・コンピュータ
７      データベース
８      ＰＬＲモジュール
９      集積回路
２１    半導体テスト回路
２２    半導体テスト板体
２３    ソケット
３１    コントロール回路
３２    基板
３３    ヒータ
６１    プロセス・コントロール・ユニット
６２    温度コントロール・ユニット
６３    電気信号出力ユニット
６４    検出ユニット
３３１  上部ベース
３３２  挿着ユニット
３３３  加熱柱
３３４  当接ヘッド
３３５  連接ユニット
３３６  反発スプリング
３３７  圧力メータ
３３８  加熱回路
３３９  検出回路
【図１】
2005331412.tif 000003
【図２】
2005331412.tif 000004
【図３】
2005331412.tif 000005
【図４】
2005331412.tif 000006
【図５】
2005331412.tif 000007