(57)【要約】  【課題】  タンタル電解コンデンサが高温に曝されても気密性が損なわれず、かつ信号の透過損失を小さくすることができるセラミック容器およびタンタル電解コンデンサを提供すること。  【解決手段】  上面中央部の凹部１ａの一内側面と底面との間に段差１ｃ−Ａが形成されており、下面に第一および第二の導体層４ａ，４ｂが互いに独立して設けられたセラミック基体１と、段差１ｃ−Ａに形成された切り欠き２に形成された第一のメタライズ層２ａと、凹部１ａの底面に形成された第二のメタライズ層１ｂと、セラミック基体１の側面に上下方向に形成された溝の内面に形成された第一および第二の側面導体４ｃ，４ｄとを具備し、第一のメタライズ層２ａは第一の内部配線３ａと第一の側面導体４ｃと第一の導体層４ａとに電気的に接続されており、第二のメタライズ層１ｂは第二の内部配線３ｂと第二の側面導体４ｄと第二の導体層４ｂとに電気的に接続されている。【選択図】  図１
2005039168.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、該凹部の一内側面と底面との間に段差が形成されており、下面に第一の導体層および第二の導体層が互いに独立して設けられたセラミック基体と、前記段差の上面から側面にかけて形成された切り欠きと、該切り欠きの側面および底面に形成された第一のメタライズ層と、前記凹部の底面に形成された第二のメタライズ層と、前記セラミック基体の外側面に上下方向に形成されるとともに内面に第一および第二の側面導体がそれぞれ形成された第一および第二の溝とを具備しており、前記第一のメタライズ層は第一の内部配線と前記第一の側面導体とを介して前記第一の導体層に電気的に接続されており、前記第二のメタライズ層は第二の内部配線と前記第二の側面導体とを介して前記第二の導体層に電気的に接続されていることを特徴とするセラミック容器。
【請求項２】
前記第一および第二の導体層はそれぞれ複数に分割されていることを特徴とする請求項１記載のセラミック容器。
【請求項３】
前記第一および第二の導体層は前記セラミック基体の下面から突出する第一および第二の突出部の下面にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載のセラミック容器。
【請求項４】
前記セラミック基体の上面の前記凹部の周囲に金属製の枠状部材がロウ付けされていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のセラミック容器。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のセラミック容器と、タンタル粉末の焼結体の側面に一端部が埋め込まれるとともに他端部が前記第一のメタライズ層に電気的に接続されている陽極リード端子、および前記焼結体の下面に被着されるとともに前記第二のメタライズ層に電気的に接続されている陰極層とを有するタンタル電解コンデンサ素子と、前記セラミック基体の上面に前記凹部を塞ぐように取着された蓋体とを具備していることを特徴とするタンタル電解コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック容器、および電子回路などに使用されるタンタル電解コンデンサに関し、特にセラミック容器を用いて構成されたタンタル電解コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の樹脂封止された固体電解質コンデンサとして面実装型のタンタル電解コンデンサが知られている。このタンタル電解コンデンサは携帯電話などの通信機器、デジタルカメラなどのＡＶ機器、パソコンなどのコンピュータ機器、エアバッグ，アンチロックブレーキなどの自動車用機器を始めとする幅広い分野で大量に用いられ、また、用途としては電源の平滑回路、コンピュータのバックアップ、タンタル電解コンデンサの充放電時間を利用したタイマー回路、高周波フィルタなどがあり、上記機器類に欠くことのできない電子部品である。
【０００３】
このようなタンタル電解コンデンサは、タンタル電解コンデンサ素子部とリードフレームとこれらを気密に封止する外装樹脂とからなり、リードフレームは一般的に例えば鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金などの強度が大きなものが使用され、また外装樹脂としてはエポキシ樹脂などがその耐熱性、耐湿性が良好なために用いられている。
【０００４】
以下に、この種の従来のタンタル電解コンデンサについて図５を用いて説明する。図５は従来のタンタル電解コンデンサの構成を示す断面図であり、同図において11はタンタル電解コンデンサ、Ｂはタンタル電解コンデンサ素子、Ｃは陽極リードを示し、タンタル電解コンデンサ素子Ｂはタンタルなどから成る陽極リードＣの一端部が埋め込まれるとともに他端部が側面から突出するように埋設されたタンタル粉末を固めた成形体を焼結させて得られた焼結体12に誘電体の酸化皮膜層（図示せず）を形成し、固体電解質層（図示せず）を酸化被膜層外側に形成し、次いで外周に陰極層12ａを形成することにより得られる。
【０００５】
陽極リードＣは他端部がリードフレーム13に溶接され、このリードフレーム13が外装樹脂14から突出して外装樹脂14の外形に沿って下面に至るまで折り曲げられることにより外部接続用の陽極端子13ａとされる。また、リードフレーム13が導電性接合材15を介して陰極層12ａ上に接合され、外装樹脂14から突出して外装樹脂14の外形に沿って外装樹脂14の下面に至るように折り曲げられることにより外部接続用の陰極端子13ｂとされる。リードフレーム13は、これを曲げて両極用の接続端子とするために、また同時に曲げることができるように外装樹脂14の対向する側面の同じ高さから両側方向に突出させられた構造となっている。外装樹脂14にはエポキシ系樹脂がその耐熱性、耐湿性などが優れているという理由から使用されている。
【０００６】
次に、このタンタル電解コンデンサ11の製造方法について説明する。まず、リードフレーム13におけるタンタル電解コンデンサ素子Ｂの固定部16にタンタル電解コンデンサ素子Ｂを載置し、タンタル電解コンデンサ素子Ｂの陽極リードＣと陽極端子13ａとが溶接により互いに接合され、またタンタル電解コンデンサ素子Ｂの陰極層12ｂと陰極端子13ｂとが熱硬化性の導電性接合材15を介して接合される。導電性接合材15は例えば銀（Ａｇ）エポキシ系樹脂接合材が用いられ、300℃程度の温度で約10分加熱することにより硬化される。
【０００７】
さらに、リードフレーム13が接合されたタンタル電解コンデンサ素子Ｂを所定の位置に載置し、次いで外部電気回路基板との接合部となる端部を外部に露出するようにしてタンタル電解コンデンサ素子Ｂをリードフレーム13の一部とともにエポキシ系から成る外装樹脂14で被覆し、150〜180℃で約１時間加熱することにより外装樹脂14を硬化させる。これにより、外装樹脂14の高分子架橋の割合が増加して耐熱性、耐湿性が向上し、信頼性の高いタンタル電解コンデンサ11が得られる。次いで、陽極端子13ａ、陰極端子13ｂがタンタル電解コンデンサ11の下面に位置するようにリードフレーム13が外装樹脂14の外形に沿うように下方に曲げられてタンタル電解コンデンサ11の下面の一部を構成する。これにより外部電気回路基板への実装を容易なものとし、量産に適したものとすることができる。
【特許文献１】特開2002−134360号公報（３−４頁，図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、地球環境問題の意識が高まるとともに鉛（Ｐｂ）を用いない半田が使用されるようになってきた。しかしながら、Ｐｂを含んでいない半田は、半田付けする際の温度が従来のＰｂ（鉛）40％−Ｓｎ（錫）60％の半田の処理温度（220〜230℃）に比して40〜50℃高くなり、この温度で半田付けが行われると外装樹脂14が熱で変質してリードフレーム13との間に隙間が発生し、この隙間から水分が侵入して漏れ電流を発生させたり、ショートによる不良を発生させたりするという問題点を有していた。
【０００９】
そこで、外装樹脂14にシリカ（ＳｉＯ２）やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などのフィラーを添加して高耐熱性を付与することが検討されたが、この場合には外装樹脂14の熱膨張率が小さくなってリードフレーム13の熱膨張係数との差が増大し、よって半田付けをするときの温度でリードフレーム13と外装樹脂14との間に隙間が発生し、水分が侵入して上記不良を発生させるため、この方法は実用的ではなかった。
【００１０】
さらに、外装樹脂14としてポリイミドなどの高耐熱性の樹脂を用いることも検討されたが、材料が高価であることに加えてポリイミドでは熱膨張率がリードフレーム13の熱膨張係数（７×10−６／℃）の８倍を超えるおよそ60×10−６／℃であることから、やはりリードフレーム13と外装樹脂14との間に隙間を発生させ、上記不良を招来するという問題点を有していた。
【００１１】
さらに、従来のタンタル電解コンデンサでは陽極リードＣを溶接によりリードフレーム13に接合していることにより、接合部の抵抗値が大きくなり、よって完成したタンタル電解コンデンサ11の信号の透過損失が大きくなり、その結果、信号の伝播遅延が発生するという問題点も有していた。
【００１２】
したがって、本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、タンタル電解コンデンサを半田付けをするときに高温に曝されても、タンタル電解コンデンサ素子の気密性を保持することができるとともに、信号の伝播遅延を少なくすることができるようなセラミック容器、およびこのセラミック容器を用いたタンタル電解コンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明のセラミック容器は、上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、この凹部の一内側面と底面との間に段差が形成されており、下面に第一の導体層および第二の導体層が互いに独立して設けられたセラミック基体と、前記段差の上面から側面にかけて形成された切り欠きと、この切り欠きの側面および底面に形成された第一のメタライズ層と、前記凹部の底面に形成された第二のメタライズ層と、前記セラミック基体の外側面に上下方向に形成されるとともに内面に第一および第二の側面導体がそれぞれ形成された第一および第二の溝とを具備しており、前記第一のメタライズ層は第一の内部配線と前記第一の側面導体とを介して前記第一の導体層に電気的に接続されており、前記第二のメタライズ層は第二の内部配線と前記第二の側面導体とを介して前記第二の導体層に電気的に接続されていることを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明のセラミック容器は、好ましくは上記構成において、前記第一および第二の導体層はそれぞれ複数に分割されていることを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明のセラミック容器は、好ましくは上記構成において、前記第一および第二の導体層は前記セラミック基体の下面から突出する第一および第二の突出部の下面にそれぞれ形成されていることを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明のセラミック容器は、好ましくは、前記セラミック基体の上面の前記凹部の周囲に金属製の枠状部材がロウ付けされていることを特徴とするものである。
【００１７】
また、本発明のタンタル電解コンデンサは、上記本発明のセラミック容器と、タンタル粉末の焼結体の側面に一端部が埋め込まれるとともに他端部が前記第一のメタライズ層に電気的に接続されている陽極リード端子、および前記焼結体の下面に被着されるとともに前記第二のメタライズ層に電気的に接続されている陰極層とを有するタンタル電解コンデンサ素子と、前記セラミック基体の上面に前記凹部を塞ぐように取着された蓋体とを具備していることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のセラミック容器によれば、上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、この凹部の一内側面と底面との間に段差が形成されており、下面に第一の導体層および第二の導体層が互いに独立して設けられたセラミック基体と、段差の上面から側面にかけて形成された切り欠きと、この切り欠きの側面および底面に形成された第一のメタライズ層と、凹部の底面に形成された第二のメタライズ層と、セラミック基体の外側面に上下方向に形成されるとともに内面に第一および第二の側面導体がそれぞれ形成された第一および第二の溝とを具備しており、第一のメタライズ層は第一の内部配線と第一の側面導体とを介して第一の導体層に電気的に接続されており、第二のメタライズ層は第二の内部配線と第二の側面導体とを介して第二の導体層に電気的に接続されていることから、内部配線を有するセラミック基体の気密性が従来の外装樹脂とリードフレームとを有する構成における気密性に比べて、格段に信頼性があり、またセラミック基体には吸湿性がほとんどないことから、セラミック容器内部に水分が浸入することがなく、よってタンタル電解コンデンサを水分による腐食等で誤作動を発生させることのない、また、基体が耐熱性に優れるセラミック基体からなるので高温での半田付けに耐えるとともに樹脂に比して誘電率が小さい材料であるので電気特性の良好なセラミック容器を提供することができる。
【００１９】
また、タンタル電解コンデンサの陽極リード端子および陰極層にそれぞれ電気的に接続される第一および第二の導体層をともにセラミック基体の下面に設けることによって、リードフレーム等を用いることなく外部電気回路基板の表面の配線導体に表面実装によって容易に接続することが可能となり、リードフレームの曲げ加工の必要がないので、量産性に優れたものとなる。
【００２０】
また、本発明のセラミック容器は、好ましくは上記構成において、第一および第二の導体層はそれぞれ複数に分割されていることから、第一および第二の導体層と外部電気回路基板との接触面積が小さくなり、かつ複数に分割されていることにより、セラミック容器を外部電気回路基板に半田付けする際に溶融した半田からの熱が第一および第二の導体層を介してセラミック容器に伝達されるのを抑制することができる。その結果、セラミック容器内における第二のメタライズ層とタンタル電解コンデンサ素子の外表面の陰極層との間で熱応力が発生するのを有効に抑制できるのでタンタル電解コンデンサの電気特性に係る信頼性を向上するとともに、第一および第二の導体層とセラミック基体との熱膨張率の差による熱応力を緩和することができ、セラミック基体にクラック等の破損が生じるのを有効に抑制できるので、セラミック容器の気密性による信頼性を向上させることができる。
【００２１】
また、本発明のセラミック容器によれば、好ましくは上記構成において、第一および第二の導体層はセラミック基体の下面から突出する第一および第二の突出部の下面に形成されていることより、外部電気回路基板に反りが発生しても外部電気回路基板表面の電極に確実に接続させることが可能となり、接続強度および信頼性が良いセラミック容器を提供することができる。さらに、突出部の側面が全周に亘って外気に触れるため冷却効果が大きくなり、セラミック容器に熱応力による歪みが生じるのを抑制することができる。
【００２２】
また、本発明のセラミック容器によれば、好ましくは、セラミック基体の上面の凹部の周囲に金属製の枠状部材がロウ付けされていることから、セラミック容器の上面に蓋体を溶接によって接合することができ、隙間が発生しないように強固に蓋体を接合できてセラミック容器内部の気密性を良好に保持することができる。従って、セラミック容器の内部に水分等が浸入するのを有効に防止できるので、漏れ電流が発生したり、ショートが発生したりするのを有効に防止できる。その結果、内部に収容されるタンタル電解コンデンサ素子がショートにより発火して火災を引き起こす虞を少なくできる。
【００２３】
また、従来の外装樹脂とリードフレームを有する構成における気密性に比べて、格段に気密信頼性が高くなり、タンタル電解コンデンサ素子が水分による腐食等で劣化するのを有効に防止して、タンタル電解コンデンサ素子の電気特性を長期間にわたって良好に維持できる信頼性の高いセラミック容器とすることができる。
【００２４】
また、本発明のタンタル電解コンデンサは、上記本発明のセラミック容器と、タンタル粉末の焼結体の側面に一端部が埋め込まれるとともに他端部が第一のメタライズ層に電気的に接続されている陽極リード端子、および焼結体の下面に被着されるとともに第二のメタライズ層に電気的に接続されている陰極層とを有するタンタル電解コンデンサ素子と、セラミック基体の上面に凹部を塞ぐように取着された蓋体とを具備していることより、上記本発明のセラミック容器を用いているので気密性による信頼性が高く、また周知のセラミックグリーンシート積層法により多数個取りの手法で製造できるので量産性に優れるものとなる。さらに、陽極リード端子を第一のメタライズ層に電気的に接続することにより、電気抵抗を小さくすることができることから、タンタル電解コンデンサの電気抵抗を小さくすることができ、タンタル電解コンデンサの透過損失を少なくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明のセラミック容器について以下に詳細に説明する。図１において、（ａ）は本発明のセラミック容器の実施の形態の一例を示す平面図であり、（ｂ）は図（ａ）の断面図である。また、図２は本発明のセラミック容器の実施の形態の一例を下方から見た斜視図であり、図３は本発明のセラミック容器の実施の形態の他の例を下方から見た斜視図である。これらの図において、１はセラミック基体、１ａは凹部、１ｂは第二のメタライズ層、１ｃ−Ａは段差、２は切り欠き、２ａは第一のメタライズ層、３ａは第一の内部配線、３ｂは第二の内部配線、４ａは第一の導体層、４ｂは第二の導体層、４ｃは第一の側面導体、４ｄは第二の側面導体、５ａ，５ｂは第一および第二の突出部、６は蓋体、Ａはセラミック容器、Ｂはタンタル電解タンタル電解コンデンサ素子、Ｃは陽極リード端子、Ｄは陰極層、Ｅは導電性接合材である。
【００２６】
本発明のセラミック容器Ａは、セラミック基体１の上面中央部に直方体状の凹部１ａが形成され、この凹部１ａの１つの内側面と凹部１ａの底面との間に段差１ｃ−Ａが形成されており、例えば図１に示すように下面の段差１ｃ−Ａの直下の部位に第一の導体層４ａが、および段差１ｃ−Ａが形成された上記の１つの内側面に対向する内側面の直下の部位に第二の導体層４ｂがそれぞれ設けられている。
【００２７】
また、段差１ｃ−Ａの上面からその側面にかけて切り欠き２が形成され、切り欠き２の内面の側面および底面に第一のメタライズ層２ａが形成されており、また凹部１ａの底面には第二のメタライズ層１ｂが形成されている。さらに、第一のメタライズ層２ａと電気的に接続され、セラミック基体１の内部を貫通する第一の内部配線３ａと、セラミック基体１の下面の第一の導体層４ａとを電気的に接続する第一の側面導体４ｃ（いわゆるキャスタレーション導体）がセラミック基体１の外側面に形成された第一の溝内に形成されている。また、第二のメタライズ層１ｂと電気的に接続され、セラミック基体１の内部を貫通する第二の内部配線３ｂと、セラミック基体１の下面の第二の導体層４ｂとを電気的に接続する第二の側面導体４ｄ（キャスタレーション導体）がセラミック基体１の外側面に形成された第二の溝内に形成されている。
【００２８】
このようなセラミック基体１は、アルミナ質焼結体等のセラミックスから成り、例えば、以下のようにして作製される。すなわち、セラミック基体１がアルミナ質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３），酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），酸化カルシウム（ＣａＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダ、溶剤等を添加混合してスラリーと成す。このスラリーをドクターブレード法やカレンダーロール法によってグリーンシートと成し、所要の大きさに切断する。次に、その中から選ばれた複数のグリーンシートにおいて凹部１ａ、段差１ｃ−Ａ、切り欠き２、第一および第二の側面導体４ｃ，４ｄを形成するための溝を形成するために適当な打抜き加工を施す。
【００２９】
そして、これらのグリーンシートにタングステン（Ｗ）等の金属粉末を主成分とする金属ペーストを印刷塗布して第一および第二のメタライズ層２ａ，１ｂ、第一および第二の内部配線３ａ，３ｂ、第一および第二の導体層４ａ，４ｂとなる導体層を形成し、次いでこれらの導体層を形成したグリーンシートを積層し、外側面の第一および第二の溝に第一および第二の側面導体４ｃ，４ｄを形成する金属ペーストを塗布し、最後に約1600℃の温度で焼成することによってセラミック基体１が作製される。
【００３０】
また、このようにして作製されたセラミック基体１に形成されたこれらの導体層の露出した表面には、耐食性に優れかつ半田との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ１〜12μｍのニッケル（Ｎｉ）層および厚さ0.3〜５μｍの金（Ａｕ）層をめっき法等により順次被着しておくのがよい。これにより、第一および第二の導体層４ａ，４ｂにおいては半田との濡れ性が良くなり、外部電気回路基板上の電極（図示せず）との接合強度がより強固なものとなる。
【００３１】
Ｎｉ層の厚さが１μｍ未満であれば、メタライズ層から成る各導体層の酸化腐蝕を防止するのが困難になって外部電気回路基板への接合強度が劣化し易く成る。また、Ｎｉ層の厚さが12μｍを超えると、めっき形成に多大の時間がかかることになり量産性が低下し易くなるとともに電気抵抗が大きくなり易い。
【００３２】
また、Ａｕ層の厚さが0.3μｍ未満であれば、均一な厚さのＡｕ層を形成するのが困難となり、Ａｕ層がきわめて薄い部位が形成されたりＡｕ層が形成されていない部位が生じ易く、酸化腐食の防止効果や半田との濡れ性が低下し易くなる。またＡｕ層の厚さが５μｍを超えると、めっき形成に多大の時間がかかることになり量産性が低下し易くなる。
【００３３】
セラミック基体１は、段差１ｃ−Ａの上面から側面にかけて切り欠き２が形成され、切り欠き２の底面および側面には第一のメタライズ層２ａが形成される。さらに、第一のメタライズ層２ａにも上記のように表面にＮｉめっき、Ａｕめっきが被着されている。
【００３４】
セラミック基体１の下面には、第一および第二の導体層４ａ，４ｂが第一および第二の側面導体４ｃ，４ｄと第一および第二の内部配線３ａ，３ｂとを介して第一および第二のメタライズ層２ａ，１ｂとそれぞれ電気的に接続されて形成されている。これらの第一および第二の導体層４ａ，４ｂが外部電気回路基板（図示せず）の表面の配線導体に半田を介して接合される。
【００３５】
このように構成された本発明のセラミック容器Ａによれば、第一および第二の内部配線３ａ，３ｂを有するセラミック基体１の気密性が従来の外装樹脂とリードフレームから成るものの気密性に比べて、格段に信頼性があり、またセラミック基体１の吸湿性がほとんどないことから、セラミック容器Ａ内部に水分が浸入することがなく、よってタンタル電解コンデンサＦを水分による腐食等で誤作動を発生させることのない、良好な電気特性を長期間にわたって保持できるものとすることができる。
【００３６】
また、タンタル電解コンデンサＦの陽極リード端子Ｃおよび陰極層Ｄにそれぞれ電気的に接続される第一および第二の導体層４ａ，４ｂをともにセラミック基体１の下面に設けることによって、リードフレーム等を用いることなく外部電気回路基板の表面の配線導体に表面実装によって容易に接続することが可能となり、リードフレームの曲げ加工の必要がないので、量産性に優れたものとなる。
【００３７】
また、本発明のセラミック容器Ａにおいて、第一および第二の導体層４ａ，４ｂは、それぞれ複数に分割されているのがよい。第一および第二の導体層４ａ，４ｂが複数に分割されることにより、分割されたそれぞれの導体層の面積が小さくなり、これらと外部電気回路基板との接触面積が小さくなるので、セラミック容器Ａを外部電気回路基板の電極等に半田付けする際に溶融した半田の熱が第一および第二の導体層４ａ，４ｂを介してセラミック容器Ａに伝達されるのを抑制することができる。その結果、セラミック容器Ａにおける第二のメタライズ層１ｂとタンタル電解タンタル電解コンデンサ素子Ｂの外表面の陰極層Ｄとの間で熱応力が発生するのを有効に抑制できるとともに、第一および第二の導体層４ａ，４ｂとセラミック基体１との熱膨張率の差による熱応力を緩和することができ、セラミック基体１にクラック等の破損が生じるのを有効に抑制できるので、セラミック容器Ａの気密性による信頼性を大きくすることができ、タンタル電解コンデンサＦの信頼性を大きく向上させることができる。
【００３８】
また、本発明のセラミック容器Ａは、図３に示すように、第一および第二の導体層４ａ，４ｂは、セラミック基体１の下面に設けられた第一および第二の突出部５ａ、５ｂの下面に形成されているのがより好ましい。これにより、外部電気回路基板が反っていたとしても外部電気回路基板表面の電極に、より確実に接続させることが可能となり接続強度および信頼性が向上する。さらに第一および第二の突出部５ａ，５ｂの側面が全周にわたって外気に触れているため冷却効果が大きくなり、セラミック容器Ａを外部電気回路基板の電極等に半田付けする際に溶融した半田の熱がセラミック容器Ａの凹部１ａに伝達され、凹部１ａに収容されるタンタル電解コンデンサ素子Ｂとセラミック容器Ａの凹部１ａの底面に形成された第二のメタライズ層１ｂとの間で熱応力が発生するのを有効に抑制することができる。その結果、タンタル電解コンデンサＦの電気的特性に係る信頼性を向上させることができる。
【００３９】
このような第一および第二の突出部５ａ，５ｂの下面に形成された第一および第二の導体層４ａ，４ｂは、例えば、セラミック基体１の下面において、段差１ｃ−Ａの直下の部位に第一の突出部５ａが、および段差１ｃ−Ａが形成された一内側面に対向する内側面の直下の部位に第二の突出部５ｂが形成されている場合、第一の突出部５ａの下面に第一の導体層４ａが、および第二の突出部５ｂの下面に第二の導体層４ｂが形成される。
【００４０】
なお、この第一および第二の突出部５ａ，５ｂの下面に形成された第一および第二の導体層４ａ，４ｂは、第一および第二の突出部５ａ，５ｂのそれぞれの下面全面に形成されていてもよいが、図３に示すように第一および第二の突出部５ａ，５ｂのそれぞれの下面にそれぞれ複数に分割されて設けられていてもよい。これにより、上述のように第二のメタライズ層１ｂとタンタル電解コンデンサ素子Ｂの陰極層Ｄとの間で熱応力が発生するのを有効に抑制できるとともに、第一および第二の導体層４ａ，４ｂとセラミック基体１との熱膨張率の差による熱応力を緩和することができ、セラミック基体１にクラック等の破損が生じるのを有効に抑制できる。
【００４１】
また、本発明のセラミック容器Ａにおいて、好ましくは、図６に示すようにセラミック基体１の上面の凹部１ａの周囲に凹部１ａを取り囲むように金属製の枠状部材７がロウ付けされているのがよい。なお、図６は本発明のセラミック容器Ａの実施の形態の他の例を示し、（ａ）はセラミック容器Ａの平面図、（ｂ）はセラミック容器Ａの断面図である。枠状部材７以外の図１〜図４と共通する部分には同じ符号を付している。
【００４２】
枠状部材７は、鉄（Ｆｅ）−Ｎｉ−コバルト（Ｃｏ）合金やアルミニウム（Ａｌ）等の金属から成り、銀（Ａｇ）ロウ，Ａｌロウ等を介してセラミック基体１の上面の凹部１ａの周囲にロウ付けされる。セラミック基体１の上面の枠状部材７がロウ付けされる部位には、Ｗ等からなるメタライズ層が第一および第二の導体層４ａ，４ｂ等と同様に予め形成されるとともに、その表面にＮｉ等のめっきが施されるのがよい。Ｎｉ等のめっきが施されることにより、セラミック基体１の上面のメタライズ層のロウ材との濡れ性が良くなり、セラミック基体１の上面のメタライズ層と枠状部材７との接合強度がより強固なものとなる。
【００４３】
そして、枠状部材７にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＡｌ合金等の金属製の蓋体６をシーム溶接等により接合し、セラミック基体１の上面に凹部１ａを塞ぐように強固に取着することによって、セラミック基体１の凹部１ａを確実に気密封止できるようになる。従って、外部から水分や酸素等がセラミック基体１と蓋体６との間から凹部１ａに侵入するのをより有効に抑止することができるので、内部に封入されるタンタル電解コンデンサ素子Ｂに漏れ電流が発生したり、ショートによる不良が発生したりするのを有効に防止できる。その結果、内部に収容されるタンタル電解コンデンサ素子Ｂがショートすることにより発火して火災を引き起こす虞を少なくできる。
【００４４】
また、タンタル電解コンデンサ素子Ｂが水分による腐食等で劣化するのを有効に防止できるので、タンタル電解コンデンサ素子Ｂの電気特性を長期間にわたって良好に維持できる信頼性の高いセラミック容器Ａとすることができる。
【００４５】
次に、本発明のタンタル電解コンデンサＦについて以下に詳細に説明する。図４は本発明のタンタル電解コンデンサＦの実施の形態の一例を示す断面図であり、Ｂはタンタル電解コンデンサ素子、Ｃは陽極リード端子、Ｄは陰極層、Ｅは導電性接合材である。
【００４６】
本発明のタンタル電解コンデンサＦは、タンタル粉末の焼結体の側面からこの焼結体内に一端部が埋め込まれて形成された陽極リード端子Ｃと焼結体の外周に形成された陰極層Ｄとを有するタンタル電解コンデンサ素子Ｂを内蔵している。そして、陽極リード端子Ｃがその他端部を切り欠き２に導電性接合材Ｅを介して接合されてなるとともに、段差１ｃ−Ａ上の切り欠き２が導電性接合材Ｅによって覆われることにより、陽極リード端子Ｃと第一のメタライズ層２ａとの接続部の電気抵抗を小さくすることができ、かつ陽極リード端子Ｃを強固に切り欠き２の第一のメタライズ層２ａに接合することができるとともに、さらに、陰極層Ｄが導電性接合材Ｅによって広い面積で第二のメタライズ層１ｂに電気的に接合されるので、陰極層Ｄと第二のメタライズ層１ｂとの接続部の電気抵抗も小さくすることができ、陰極層Ｄを強固に第二のメタライズ層１ｂに接合することができるので、電気的接続の信頼性が高く電気抵抗が低いタンタル電解コンデンサＦとすることができる。
【００４７】
これにより、本発明のタンタル電解コンデンサＦは、上記本発明のセラミック容器Ａを用いたことから気密信頼性が高くなるとともに、周知のセラミックグリーンシート積層法により多数個取りの手法で製造できることから量産性に優れるものとなる。また、タンタル電解コンデンサＦは陽極リード端子Ｃと第一のメタライズ層２ａとの接続部ならびに陰極層Ｄと第二のメタライズ層１ｂとの電気抵抗を小さくできることからタンタル電解コンデンサＦの電気抵抗を小さくすることができ、タンタル電解コンデンサＦを透過する信号の損失を少なくすることができる。
【００４８】
蓋体６は、アルミナ質焼結体等のセラミックス等から成り、蓋体６の下面のセラミック基体１と接合される部位に従来周知のメタライズ層を形成しておき、また、セラミック基体１の上面の凹部１ａの周囲にも従来周知のメタライズ層を形成しておき、これらのメタライズ層同士が半田等のロウ材で接合され封止されることによってセラミック基体１の上面に気密に取着される。
【００４９】
また、図６に示すようにセラミック基体１の上面の凹部１ａの周囲に金属製の枠状部材７がロウ付けされている場合は、図７に示すように、枠状部材７の上面に蓋体６を載置するとともに、蓋体６と枠状部材７との外周部をシーム溶接法等の溶接法によって溶接接合することによって、セラミック基体１の上面に蓋体６が強固かつ気密に取着される。
【００５０】
さらに好ましくは、セラミック容器Ａの内部に窒素またはアルゴン等の不活性気体を封入すると良く、タンタル電解コンデンサ素子Ｂがセラミック容器Ａの内部気体と反応して腐食等するのを確実に防止し、タンタル電解コンデンサ素子Ｂを長期にわたって極めて良好に作動させることができる。
【００５１】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、本発明ではセラミック容器Ａのセラミック基体１の材質がアルミナ質焼結体である場合について説明したが、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体やガラスセラミックス等の他のセラミックスから成っていてもよい。ＡｌＮ質焼結体からなる成る場合には作動時の熱を効率よく外部に放散させることができるので、タンタル電解コンデンサＦの電気特性をより長期間にわたって保持できるタンタル電解コンデンサＦとすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明のタンタル電解コンデンサは携帯電話などの通信機器、デジタルカメラなどのＡＶ機器、パソコンなどのコンピュータ機器、エアバッグ，アンチロックブレーキなどの自動車用機器を始めとする幅広い分野に利用できる。特に、車載用，航空機搭載用，衛星搭載用等の極めて高い信頼性が要求される用途でも好適に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明のセラミック容器の実施の形態の一例を示し、（ａ）はセラミック容器の平面図、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図２】本発明のセラミック容器の実施の形態の一例を示す下面側から見たセラミック容器の斜視図である。
【図３】本発明のセラミック容器の実施の形態の他の例を示す下面側から見たセラミック容器の斜視図である。
【図４】本発明のタンタル電解コンデンサの実施の形態の一例を示す断面図である。
【図５】従来のタンタル電解コンデンサの例を示す断面図である。
【図６】本発明のセラミック容器の実施の形態の他の例を示し、（ａ）はセラミック容器の平面図、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図７】本発明のタンタル電解コンデンサの実施の形態の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１：セラミック基体
１ａ：凹部
１ｂ：第二のメタライズ層
１ｃ−Ａ：段差
２：切り欠き
２ａ：第一のメタライズ層
３ａ：第一の内部配線
３ｂ：第二の内部配線
４ａ：第一の導体層
４ｂ：第二の導体層
４ｃ：第一の側面導体
４ｄ：第二の側面導体
５ａ：第一の突出部
５ｂ：第二の突出部
６：蓋体
７：枠状部材
Ａ：セラミック容器
Ｂ：タンタル電解コンデンサ素子
Ｃ：陽極リード端子
Ｄ：陰極層
Ｅ：導電性接合材
Ｆ：タンタル電解コンデンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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