(57)【要約】【課題】  粉粒状の封止用樹脂組成物において、その粒径を特定の範囲に規定することによって、ボイドの発生や流動ムラを大幅に低減し、光学ムラの発生を大きく低減することができるようにする。【解決手段】  粒子の平均粒径が１０〜８００μｍであり、且つ、１０メッシュ篩不通過の粒子が５質量％以下であると共に１００メッシュ篩通過の粒子が５質量％以下の粉粒状に、光半導体封止用樹脂組成物を形成する。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子の平均粒径が１０〜８００μｍであり、且つ、１０メッシュ篩不通過の粒子が５質量％以下であると共に１００メッシュ篩通過の粒子が５質量％以下の粉粒状に形成されたものであることを特徴とする光半導体封止用樹脂組成物。
【請求項２】
粒子の平均粒径が５０〜２５０μｍであり、且つ、１０メッシュ篩不通過の粒子が２質量％以下であると共に２００メッシュ篩通過の粒子が１０質量％以下の粉粒状に形成されたものであることを特徴とする光半導体封止用樹脂組成物。
【請求項３】
粒子の最大粒径が２０００μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光半導体封止用樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体を加圧成形して、タブレット状あるいはスティック状に形成されたものであることを特徴とする光半導体封止用予備成形体。
【請求項５】
圧縮率（見掛け比重と空隙を零にしたときの真比重との比率）が９０〜９８％になるよう加圧成形されたことを特徴とする請求項４に記載の光半導体封止用予備成形体。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれかに記載の光半導体封止用樹脂組成物と、請求項４又は５に記載の光半導体封止用予備成形体のいずれかを用いて、トランスファー成形装置で光半導体素子を封止成形して得られたものであることを特徴とする光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ、フォトトランジスター、フォトダイオード、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ、ＥＰＲＯＭなどの光半導体素子を封止成形するために用いられる光半導体封止用樹脂組成物及び光半導体封止用予備成形体、またこのように封止成形して得られた光半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光素子や受光素子などに用いられる上記の光半導体素子を封止する材料として、透明性、密着性、耐湿性、電気絶縁性、耐熱性等に優れる点からエポキシ樹脂組成物が、また耐光性、耐変色性、応力緩和性等に優れる点からアクリル樹脂組成物、ポリカーボネート樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物が使用されている。これらの中でも、エポキシ樹脂組成物を用いたトランスファー成形による樹脂封止は、作業性や量産性に優れるために、最も優れているといえる。
【０００３】
またトランスファー成形を行なう際の成形方式としては、封止用の樹脂組成物をタブレットに予備成形し、そして大型タブレットを用いて１回の成形で多数の光半導体装置を成形するコンベンショナル方式、またミニタブレットを用いたマルチプランジャー方式、粉粒状の樹脂組成物を用いて成形機内でスティック状に加圧成形した予備成形体を金型に挿入して成形する方式などが導入されている（例えば特許文献１、特許文献２、特許文献３等参照）。
【特許文献１】特開平９−２０８８０５号公報
【特許文献２】特開平１１−１１１７４１号公報
【特許文献３】特開２００１−２４３０３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように光半導体素子を封止用樹脂組成物で封止して光半導体装置を成形するにあたって、封止成形品に小さなボイドが生じたり、成形時に樹脂組成物の流動ムラが生じたりすると、封止成形品内に光学ムラが発生するおそれがある。デジタルカメラ、カメラ付き携帯電話、セキュリティーシステムなどに光半導体装置を応用展開するにあたって、このような光学ムラがあると、画像認識の欠陥やゆらぎの発生の原因になるので、光学ムラの発生を低減することが課題となっている。
【０００５】
そこで、光半導体封止用樹脂組成物の配合組成を検討することが従来から行なわれており（例えば特許文献１、特許文献３等参照）、また金型構造の検討や、キャビティ内を真空にした状態で成形を行なうなどの成形条件の検討もおこなわれている。しかし、これらの検討だけでは、封止成形品に生じる非常に小さなボイドや成形時の流動ムラを十分に低減することは難しい。
【０００６】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、粉粒状の光半導体封止用樹脂組成物において、その粒径を特定の範囲に規定することによって、ボイドの発生や流動ムラを大幅に低減し、光学ムラの発生を大きく低減することができるようにすることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の請求項１に係る光半導体封止用樹脂組成物は、粒子の平均粒径が１０〜８００μｍであり、且つ、１０メッシュ篩不通過の粒子が５質量％以下であると共に１００メッシュ篩通過の粒子が５質量％以下の粉粒状に形成されたものであることを特徴とする。
【０００８】
光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体の粒径をこの範囲に設定することによって、光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体をトランスファー成形装置やあるいは予備成形体を成形する成形機に供給する際の供給安定性が高まると共に成形時の溶融速度のバラツキを抑制することができ、ボイドの発生や成形の際の流動ムラを大幅に低減して、光学ムラの発生を大きく低減することができる。
【０００９】
本発明の請求項２に係る光半導体封止用樹脂組成物は、粒子の平均粒径が５０〜２５０μｍであり、且つ、１０メッシュ篩不通過の粒子が２質量％以下であると共に２００メッシュ篩通過の粒子が１０質量％以下の粉粒状に形成されたものであることを特徴とする。
【００１０】
光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体の粒径をこの範囲に設定することによって、光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体をトランスファー成形装置やあるいは予備成形体を成形する成形機に供給する際の供給安定性が高まると共に成形時の溶融速度のバラツキを抑制することができ、ボイドの発生や成形の際の流動ムラを大幅に低減して、光学ムラの発生を大きく低減することができる。
【００１１】
また請求項３の発明は、請求項１又は２において、粒子の最大粒径が２０００μｍ以下であることを特徴とする。
【００１２】
粒子の最大粒径をこのように設定することによって、成形時の溶融速度のバラツキを抑制して、ボイドの発生や流動ムラをより一層に低減することができる。
【００１３】
本発明の請求項４に係る光半導体封止用予備成形体は、請求項１乃至３のいずれかに記載の光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体を加圧成形して、タブレット状あるいはスティック状に形成されたものであることを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体を予備成形した状態で、トランスファー成形に供することができ、またタブレット状あるいはスティック状に形成してトランスファー成形の成形方式に適応させることができる。
【００１５】
また請求項５の発明は、請求項４において、圧縮率（見掛け比重と空隙を零にしたときの真比重との比率）が９０〜９８％になるよう加圧成形されたことを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、空隙の少ない予備成形体を得ることができ、ボイドの発生や流動ムラをより一層に低減することができる。
【００１７】
本発明の請求項６の光半導体装置は、請求項１乃至３のいずれかに記載の光半導体封止用樹脂組成物と、請求項４又は５に記載の光半導体封止用予備成形体のいずれかを用いて、トランスファー成形装置で光半導体素子を封止成形して得られたものであることを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、ボイドや流動ムラを大幅に低減して封止成形することができ、光学ムラの発生を大きく低減した光半導体装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ボイドの発生や成形の際の流動ムラを大幅に低減することができるものであり、光学ムラの発生を大きく低減した光半導体装置を得ることができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００２１】
本発明に係る光半導体封止用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シラン化合物、必要に応じて有機あるいは無機の充填材、さらにその他の添加剤を配合し、これらを溶融混合、あるいはミキサーやブレンダーでドライブレンドした後、３本ロールの混練ロールやニーダー等の連続混練機で溶融混練し、これを冷却・固化した後に、粉砕することによって、粉粒状に製造されるものである。
【００２２】
ここで、上記の熱硬化性樹脂としては、特に制限されるものではないが、エポキシ樹脂が最も一般的である。エポキシ樹脂としては１分子中に２個以上のエポキシ基を持っているものであれば特に制限はないが、光半導体封止用には比較的着色の少ないものが好ましい。例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、脂肪族系エポキシ樹脂等を挙げることができ、またこれらのエポキシ樹脂の芳香格部に水素添加したエポキシ樹脂を用いることもできる。これらは単独で用いるようにしても、複数種を併用するようにしても、いずれでもよい。
【００２３】
また熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、硬化剤はエポキシ樹脂と反応するものであれば特に制限はないが、光半導体封止用には比較的着色の少ないものが好ましい。例えば無水ヘキサヒドロフタル酸、無水テトラヒドロフタル酸等の酸無水物、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール等とホルムアルデヒドとを縮合反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂、液状ポリメルカプタンやポリサルファイド樹脂等のポリメルカプタン系硬化剤などを挙げることができる。これらの他にアミン系硬化剤も挙げることができるが、硬化時の変色が大きいために使用する際は添加量に注意を要する。これらは単独で用いるようにしても、複数種を併用するようにしても、いずれでもよい。エポキシ樹脂に対する硬化剤の配合量は、特に制限されるものではないが、色目や硬化物特性の点から、エポキシ樹脂／硬化剤の当量比で０．８〜２．０の範囲が好ましい。
【００２４】
さらに熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、硬化促進剤としては、エポキシ樹脂と硬化剤の反応を促進させる作用があるものであれば、特に制限はないが、比較的着色の少ないものが好ましい。例えばトリフェニルフォスフィン、ジフェニルフォスフィン等の有機フォスフィン系硬化促進剤、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリエタノールアミン、ベンジルジメチルアミン等の３級アミン系硬化促進剤及びその有機酸塩類、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・ブロマイド等の有機酸塩類、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類などを挙げることができる。これらは単独で用いるようにしても、複数種を併用するようにしても、いずれでもよい。硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂に対して０．０１〜５質量％の範囲、特に０．０５〜５質量％の範囲が好ましい。配合量が０．０１質量％未満であると、エポキシ樹脂と硬化剤の反応の十分な促進効果を得ることができず、成形サイクルが長くなって生産性が悪くなる。また配合量が５質量％を超えると、光半導体封止用樹脂組成物を成形する際のゲル化時間が短くなり過ぎ、ボイドが多発し易くなると共に、キャビティへの未充填が発生し易くなり、成形性の悪化を引き起こすおそれがある。
【００２５】
また上記のその他の添加剤としては、例えば変色防止剤、劣化防止剤、染料、紫外線吸収剤、シランカップリング剤、変性剤、可塑剤、光拡散剤、希釈剤等を用いることができる。
【００２６】
そして上記の各成分を配合して溶融混練し、冷却・固化した後に粉砕して、粉粒状の光半導体封止用樹脂組成物を得ることができるものであるが、本発明では、粒子の平均粒径が１０〜８００μｍであり、且つ、１０メッシュ篩不通過の粒子が５質量％以下であると共に１００メッシュ篩通過の粒子が５質量％以下の粉粒状に形成するようにしてある。１０メッシュ篩不通過の粒子や１００メッシュ篩通過の粒子は少ないほど好ましいものであり、０％であることが最も好ましい。
【００２７】
光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体の粒径をこの範囲に設定することによって、光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体をトランスファー成形装置やあるいは予備成形体を成形する成形機に供給する際の供給安定性が高まるものであり、また成形時の溶融速度のバラツキを抑制することができるものであり、この結果、ボイドの発生や成形の際の流動ムラを大幅に低減して、光学ムラの発生を大きく低減することができるものである。
【００２８】
すなわち、平均粒径が１０μｍ未満の場合や、１００メッシュ篩通過の粒子が５質量％を超える場合、粉粒体が凝集し易くなり、この凝集によって粉粒体の重量ばらつきが大きくなる。従って、光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体をトランスファー成形装置に供給する供給ラインでの、重量ばらつきによって、供給が不安定になるおそれがあり、またトランスファー成形装置の金型内での光半導体封止用樹脂組成物の溶融速度が粉粒体の重量ばらつきによってばらつくおそれがあり、ボイドが発生し易くまた成形の際の流動ムラが発生し易くなる。また光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体を後述のように予備成形して予備成形体を成形する場合には、予備成形機に供給する供給ラインでの、重量ばらつきによって、同様に供給が不安定になり、重量ばらつきの大きい予備成形体が成形されるおそれがあり、この予備成形体を用いてトランスファー成形するにあたってトランスファー成形装置への材料供給が不安定になり、同様にボイドや成形の際の流動ムラが発生し易くなる。
【００２９】
一方、平均粒径が８００μｍを超える場合や、１０メッシュ篩不通過の粒子が５質量％を超える場合、粒径の大きい粒子は流動し易く、粒径の小さい粒子は流動し難い現象によって、トランスファー成形装置や予備成形機への粉粒体の供給が不安定になるおそれがあると共に、重量ばらつきが生じるおそれがあり、上記と同様に、ボイドが発生し易くまた成形の際の流動ムラが発生し易くなる。
【００３０】
また本発明では、粒子の平均粒径が５０〜２５０μｍであり、且つ、１０メッシュ篩不通過の粒子が２質量％以下であると共に２００メッシュ篩通過の粒子が１０質量％以下の粉粒状に、半導体封止用樹脂組成物を形成するのが、より好ましい。１０メッシュ篩不通過の粒子や２００メッシュ篩通過の粒子は少ないほど好ましいものであり、０％であることが最も好ましい。
【００３１】
光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体の粒径をこの範囲に設定することによって、光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体をトランスファー成形装置やあるいは予備成形体を成形する成形機に供給する際の供給安定性が高まるものであり、また成形時の溶融速度のバラツキを抑制することができるものであり、この結果、ボイドの発生や成形の際の流動ムラを大幅に低減して、光学ムラの発生を大きく低減することができるものである。
【００３２】
すなわち、平均粒径が５０μｍ未満の場合や、２００メッシュ篩通過の粒子が１０質量％を超える場合、粉粒体が凝集し易くなり、この凝集によって粉粒体の重量ばらつきが大きくなる。従って、光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体をトランスファー成形装置に供給する供給ラインでの、重量ばらつきによって、供給が不安定になるおそれがあり、またトランスファー成形装置の金型内での光半導体封止用樹脂組成物の溶融速度が粉粒体の重量ばらつきによってばらつくおそれがあり、ボイドが発生し易くまた成形の際の流動ムラが発生し易くなる。また光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体を後述のように予備成形して予備成形体を成形する場合には、予備成形機に供給する供給ラインでの、重量ばらつきによって、同様に供給が不安定になり、重量ばらつきの大きい予備成形体が成形されるおそれがあり、この予備成形体を用いてトランスファー成形するにあたってトランスファー成形装置への材料供給が不安定になり、同様にボイドや成形の際の流動ムラが発生し易くなる。
【００３３】
一方、平均粒径が２５０μｍを超える場合や、１０メッシュ篩不通過の粒子が２質量％を超える場合、粒径の大きい粒子は流動し易く、粒径の小さい粒子は流動し難い現象によって、トランスファー成形装置や予備成形機への粉粒体の供給が不安定になるおそれがあると共に、重量ばらつきが生じるおそれがあり、上記と同様に、ボイドが発生し易くまた成形の際の流動ムラが発生し易くなる。
【００３４】
また、光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体は、粒子の最大粒径が２０００μｍ以下であることが望ましい。粒子の最大粒径が２０００μｍを超える場合には、上記と同様に、光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体をトランスファー成形装置やあるいは予備成形体の成形機に供給する際の供給が不安定になると共に、成形時の溶融速度のバラツキが大きくなり、ボイドが発生し易くまた成形の際の流動ムラが発生し易くなる。従って、ボイドの発生や成形の際の流動ムラを大幅に低減して、光学ムラの発生を低減するには、粒子の最大粒径が２０００μｍ以下であることが望ましいのである。粒子の最小粒径については特に制限されるものではないが、粒子の最小粒径は０．０１μｍ以上であることが好ましい。
【００３５】
本発明に係る光半導体封止用樹脂組成物は、粉粒状のままトランスファー成形装置のトランスファー金型に供給してトランスファー成形に供することができるが、粉粒状の光半導体封止用樹脂組成物を加圧成形して予備成形体を作製し、この予備成形体をトランスファー金型でトランスファー成形するようにしてもよい。予備成形体は、タブレット成形機などの予備成形機を用いて光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体を予備成形して作製するようにしてもよく、あるいはトランスファー成形装置のトランスファー金型内でまず光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体を予備成形して予備成形体を作製した後、引き続いて予備成形体をトランスファー成形するようにしてもよい。
【００３６】
ここで、上記の予備成形体は、タブレット状あるいはスティック状に形成されるものである。尚、本発明において「タブレット状」とは、直径が５〜９０ｍｍ、高さが６０ｍｍ以下の円柱形状のものを意味する。また「スティック状」とは、縦２〜１５ｍｍ×横２〜１５ｍｍ×高さ３００ｍｍ以下の直方体形状のものを意味する。
【００３７】
また、粉粒状の光半導体封止用樹脂組成物を加圧成形して予備成形体を作製するにあたって、圧縮率が９０〜９８％になるように予備成形体を成形するのが好ましい。ここで圧縮率は、予備成形体の内部に空隙を含む見掛け比重（Ｄ１）と、予備成形体の内部の空隙が零と仮定したときの真比重（Ｄ２：つまり光半導体封止用樹脂組成物の粒子の比重）との比率（＝Ｄ１／Ｄ２×１００）である。予備成形体の圧縮率が９０％未満であると、予備成形体内に含まれる空隙が多く、予備成形体の強度が不足し、予備成形体を搬送する際の欠けによる重量不足が発生し易く、また空隙内の空気によって、成形時にボイドが発生し易くなる。予備成形体の圧縮率は高い程、ボイド発生の低減のうえで好ましいが、圧縮率が９８％を超えても、もはやボイド発生低減の効果は飽和に達しており、しかも圧縮率が９８％を超えるように安定して予備成形体を成形するには、過大な設備とエネルギーが必要になるので、圧縮率は９８％以下で十分である。
【００３８】
そして、上記のようにして得られる、光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体、あるいは光半導体封止用予備成形体を用い、ＬＥＤ、フォトトランジスター、フォトダイオード、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ、ＥＰＲＯＭなどの光半導体素子をトランスファー成形装置で封止成形することによって、透明な封止成形品で光半導体素子を被覆した光半導体装置を製造することができるものである。
【実施例】
【００３９】
次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００４０】
（実施例１〜１０及び比較例１〜３）
表１の配合量でエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、酸化防止剤、添加剤を配合し、これをミキサーでドライブレンドした後、二軸型混練機を用いて１２０℃の条件で溶融混練し、連続的に押し出した。
【００４１】
【表１】
2005179582.tif 000002
【００４２】
そしてこの溶融混練物を室温で冷却して固化させた後、粉砕機で粉砕し、さらに表２のように粒度調整することによって、実施例１〜１０及び比較例１〜３の光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体を得た。尚、粒度分布の測定は、ＨＯＲＩＢＡ製レーザー回折式粒度分布計を用い、溶媒にイオン交換水を使用して湿式法で行なった。そして実施例４〜１０及び比較例２〜３については、光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体を１０ＭＰａの圧力で加圧成形して予備成形し、直径１３ｍｍ×高さ１５ｍｍのタブレット状、あるいは５ｍｍ×８ｍｍ×５０ｍｍのステッィク状の予備成形体を作製した。
【００４３】
上記の実施例１〜３及び比較例１の光半導体封止用樹脂組成物の粉粒体、実施例４〜１０及び比較例２〜３の光半導体封止用予備成形体を用い、トランスファー成形して、直径５０ｍｍφ×厚み３ｍｍのテストピースを成形した。成形条件は、金型温度１５０℃、キュア時間１５０秒に設定し、１５０℃で２時間ポストキュアした。
【００４４】
このように作製したテストピースの成形品について、外観を目視で観察して光学ムラ、流動ムラがあるか否かを評価し、また光透過率を測定した。この外観の目視観察は、２本の平行な直管型蛍光ランプを点灯し、テストピースをこの蛍光ランプと２ｍの距離で平行に配置して固定し、テストピースから０．３ｍ離れた位置から、テストピースを透してランプを目視することによって行ない、２本の蛍光ランプが平行に目視できるかどうかを判定した。テストピースの成形品に成形時の流動ムラや光学ムラがあると、テストピースを透した蛍光ランプの写り込みに歪みや揺らぎが生じ、蛍光ランプが平行に見えなくなるので、蛍光ランプが平行に見える場合を「○」、歪みや揺らぎがあって平行に見えない場合を「×」と評価した。また光透過率は、島津製作所製の積分球付き分光光度計を使用し、２５０〜１１００ｎｍの波長の光について測定した。そして光透過率が９０％以上を「◎」、７５％以上９０％未満を「○」、５０％以上７５％未満を「△」、５０％未満を「×」と評価した。
【００４５】
また、上記と同じ成形条件でトランスファー成形して封止成形を行なうことによって、光ピックアップ用の受光パッケージ（４ｍｍ×５ｍｍ×厚み１．８ｍｍ）として光半導体装置を２０個作製した。この受光パッケージについて、受光面（鏡面部分）のエリアをＣＣＤマイクロスコープで拡大表示し、直径５μｍ以上のボイドの個数をカウントすることによって、ボイド発生の状態を試験した。ボイドの個数は受光パッケージ２０個に発生する合計数としてカウントし、ボイドの発生ゼロを「◎」、ボイドの発生１個を「○」、ボイドの発生２〜５個を「△」、ボイドの発生６個以上を「×」と評価した。
【００４６】
また上記と同様に光ピックアップ用の受光パッケージ（４ｍｍ×５ｍｍ×厚み１．８ｍｍ）として光半導体装置を２０個作製し、この受光パッケージについて、耐温度サイクル性を試験した。すなわち、受光パッケージを−４０℃に３０分間さらした後、常温に５分間さらし、さらに１００℃に３０分間さらすのを１サイクルとするヒートサイクル試験機に、１０００サイクル投入し、そしてヒートサイクル試験機から取り出した受光パッケージについて、電気的な接続不良率を測定した。２０個の受光パッケージのうち、接続不良なしを「○」、接続不良２個以下を「△」、接続不良３個以上を「×」と評価した。
【００４７】
さらに、上記と同様に光ピックアップ用の受光パッケージ（４ｍｍ×５ｍｍ×厚み１．８ｍｍ）として光半導体装置を２０個作製し、この受光パッケージについて、耐リフロー性を試験した。すなわち、受光パッケージを１２５℃で１６時間乾燥した後、ドライボックスに入れて室温にまで冷却し、次に前処理として３０℃、７０％ＲＨの恒温恒湿機に１６８時間入れて吸湿処理した後、２４５℃ピークのＩＲリフロー炉に受光パッケージを投入した。そしてこの受光パッケージについて、電気的な接続不良率を測定した。２０個の受光パッケージのうち、接続不良なしを「○」、接続不良２個以下を「△」、接続不良３個以上を「×」と評価した。
【００４８】
【表２】
2005179582.tif 000003
【００４９】
表２にみられるように、各実施例のものは、光ムラ・流動ムラが少なく、またボイドの発生が少なく、光透過性に優れていることが確認される。さらに各実施例ものは、耐温度サイクル性や、耐リフロー性にも優れるものであった。