(57)【要約】【課題】  高画質、高精細の表示特性が実現可能となる電気光学装置、電気光学装置の製造方法を提供し、更に、当該電気光学装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】  複数の画素電極９と、前記複数の画素電極９の各々に対応して設けられるスイッチング素子４が形成され、前記スイッチング素子４の上には、樹脂膜、反射膜、絶縁膜、及び前記画素電極９が順に形成されている電気光学装置を特徴とする。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極と、
前記複数の画素電極の各々に対応して設けられるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を覆い、凹凸形状を備える樹脂膜と、
前記樹脂膜上に形成され、前記樹脂膜の凹凸形状を反映した形状を備え、入射した光を散乱して反射する反射膜と、
前記反射膜上に形成された前記画素電極と、
前記反射膜と前記画素電極との間に配置され、前記反射膜と前記画素電極とを絶縁する絶縁膜と、を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子は、前記反射膜と非導通状態に保持されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記スイッチング素子と前記画素電極とを接続する金属配線を更に具備し、当該金属配線の一部は前記樹脂膜に覆われていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記反射膜は、電気的にフローティング状態であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記金属配線の一部は、前記樹脂膜、前記反射膜、及び前記絶縁膜に覆われてなり、
前記画素電極は、前記樹脂膜、前記反射膜、及び前記絶縁膜により覆われていない前記金属配線の接続部に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記金属配線の接続部は、前記樹脂膜、前記反射膜、及び前記絶縁膜から平面的に突出してなり、
前記画素電極は、突出した前記接続部を覆って前記金属配線と接続されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記素子基板は、前記画素電極に対応するサブ画素内において、前記反射膜が設けられてなる反射領域と、前記反射膜が設けられていない透過領域と、を有し、
前記金属配線の接続部は、前記反射領域と前記透過領域との境界を越えて前記透過領域に延びるように形成されていることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
一対の基板と、
前記一対の基板に挟持されてなる液晶層と、を有し、
一方の前記基板は、前記スイッチング素子を備え、
前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さは、透過領域に対応する前記液晶層の厚さより小さいことを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
複数の画素電極を形成する工程と、
前記複数の画素電極の各々に対応してスイッチング素子を形成する工程と、
前記スイッチング素子を覆うように、凹凸形状を備える樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜上に、前記樹脂膜の凹凸形状を反映した形状を備え、入射した光を散乱して反射する反射膜を形成する工程と、
前記樹脂膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記樹脂膜上に前記画素電極を形成する工程と、
を具備し、
前記反射膜と前記画素電極とは、前記絶縁膜により絶縁されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話機、携帯情報端末機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等といった電気機器に液晶表示装置が広く用いられている。そのような液晶表示装置として、ＴＦＤ（Thin  Film  Diode）素子等の二端子型スイッチング素子を備える液晶表示装置が知られている。ＴＦＤアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置では、各画素に設けられる画素電極をスイッチング駆動するための薄膜ダイオード（以下適宜、ＴＦＤと称する）が、ＴＦＤアレイ基板上における各画素電極に隣接した領域に配置される。ここで、各ＴＦＤは、Ｃｒ（クロム）等を用いた配線が形成され、また、Ｔａ（タンタル）等の金属膜を用いた下電極が形成され、当該Ｔａ上にＴａ酸化物による絶縁膜が形成され、更にその上にＣｒ等の金属膜から上電極が形成されることにより、ＭＩＭ（金属（Metal）−絶縁体(Insulator)−金属(Metal)）構造を持つように構成される。更に、上電極と画素電極とが接続されており、画素電極に駆動電圧が供給するようになっている。他方で、このように形成されたＴＦＤにおいては、各画素の開口領域（即ち、各画素において表示に寄与する光が透過又は反射により出射する領域）に配置されるように、各画素電極がＩＴＯ等の透明導電膜により別途形成される。
【０００３】
特に、半透過反射型の電気光学装置の場合、ＴＦＤアレイ基板の裏側にバックライトが置かれ、このバックライトからの光源光を透過するためのスリットや微細孔等の開口部が画素電極に設けられる。そして、反射型表示時には、対向基板側から入射される外光を画素電極の開口部を除く部分で反射することにより反射型表示を行い、透過型表示時には、バックライトからの光源光を画素電極の開口部を通して対向基板側から出射することで透過型表示を行うように構成されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−０８３５０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、最近ではいわゆる高精細、高画質の表示特性を有する電気光学装置が要求されてきている。上記のように配線としてＣｒ、スイッチング駆動素子としてＴａを用いた場合には、Ｃｒの配線抵抗が障壁となり、高画質の動画を表示することが困難であるという問題がある。
【０００６】
また、高精細な表示を達成するためには、画素隣接間ピッチを狭く設定する必要があるが、異物の混入による線間ショートや、高温高湿環境での配線間の放電界によるイオンマイグレーション等の問題がある。
【０００７】
更に、高精細な表示を達成するためには、画素電極と画素電極に接続されてなるスイッチング素子とが同層に形成されている場合、画素電極とスイッチング素子との間隔を狭く設定する必要があるが、画素電極とスイッチング素子との間隔には限界がある。また、画素電極とスイッチング素子とが別層にある場合でも、高精細化すると画素の面積が狭くなるため、画素電極とスイッチング素子との接続が困難になるという問題がある。
【０００８】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、高画質、高精細の表示特性が実現可能となる電気光学装置、電気光学装置の製造方法を提供し、更に、当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
【００１０】
本発明の電気光学装置は、複数の画素電極と、前記複数の画素電極の各々に対応して設けられるスイッチング素子と、前記スイッチング素子を覆い、凹凸形状を備える樹脂膜と、前記樹脂膜上に形成され、前記樹脂膜の凹凸形状を反映した形状を備え、入射した光を散乱して反射する反射膜と、前記反射膜上に形成された前記画素電極と、前記反射膜と前記画素電極との間に配置され、前記反射膜と前記画素電極とを絶縁する絶縁膜と、を有することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置は、複数の画素電極と、前記複数の画素電極の各々に対応して設けられるスイッチング素子が形成され、前記スイッチング素子の上には、樹脂膜、反射膜、絶縁膜、及び前記画素電極が順に形成されていることが好ましい。
【００１２】
ここで、前記複数の画素電極においては、当該画素電極の各１ドット領域内に反射表示領域と透過表示領域とが設けられていることが好ましく、半透過反射型の表示を可能とする電気光学装置であることが好ましい。
【００１３】
また、前記反射表示領域は、樹脂散乱膜、金属反射膜、及びオーバーコート膜からなる積層膜を具備し、当該積層膜によって前記スイッチング素子が覆われていることが好ましい。
【００１４】
また、画素電極は、１ドット領域毎に透過表示領域及び反射表示領域を覆うように設けられており、ＩＴＯ等の透明金属材料を用いることが好ましい。
【００１５】
本発明によれば、スイッチング素子が反射表示領域における積層膜によって覆われているので、反射表示領域の表面に当該スイッチング素子が配置されることがなく、また、スイッチング素子を反射表示領域内に配置することによって表示特性が低下することないので、有効画素面積を最大とすることができる。
【００１６】
また、Ａｌ等からなる反射膜をオーバーコート膜によって覆う構成が採用されているので、画素電極をＩＴＯのみで形成することが可能となり、フリッカーの発生を防止できる。具体的に説明すると、対向基板側の表面にＩＴＯからなる電極、電気光学装置側の表面にＡｌからなる画素電極を設けた場合においては、材料の電極電位の違いからフリッカーが生じてしまうが、本発明では反射膜のＡｌが露出することがなくオーバーコート膜によって覆われているので、当該フリッカーの発生を防止できる。
【００１７】
また、本発明の電気光学装置は、先に記載の電気光学装置であり、前記スイッチング素子は、前記樹脂膜によって覆われており、前記反射膜と非導通状態に保持されていることを特徴とする。
【００１８】
従って、本発明によれば、上記積層膜を構成する樹脂膜、反射膜、及びオーバーコート膜のうち、スイッチング素子が樹脂膜によって覆われているので、反射膜とスイッチング素子との電気的絶縁性を確実に確保することができる。なお、スイッチング素子は、電気光学装置の基体となるガラス基板等の上面に形成されていることが好ましい。
【００１９】
また、本発明の電気光学装置は、先に記載の電気光学装置であり、前記スイッチング素子と前記画素電極とを接続する金属配線を更に具備し、当該金属配線の一部は前記樹脂膜に覆われていることが好ましい。
【００２０】
従って、本発明によれば、上記積層膜を構成する樹脂膜、反射膜、及びオーバーコート膜のうち、金属配線が樹脂膜によって覆われて、反射膜と金属配線とは電気的絶縁されるので、絶縁性を確実に確保することができる。
【００２１】
また、本発明の電気光学装置は、先に記載の電気光学装置であり、前記反射膜は、電気的にフローティング状態であることを特徴とする。
【００２２】
ここで、例えば、反射膜を任意のアース部に接地させて、その電位をアース部と等電位にする場合、オーバーコート膜及び樹脂膜のそれぞれの電位差が表示特性に影響を与える可能性がある。これに対して、本発明においては、反射膜がフローティング状態に保持されているので、表示特性を良好に保つことができる。
【００２３】
本発明の電気光学装置は、前記金属配線の一部は、前記樹脂膜、前記反射膜、及び前記絶縁膜に覆われてなり、前記画素電極は、前記樹脂膜、前記反射膜、及び前記絶縁膜により覆われていない前記金属配線の接続部に接続されていることを特徴とする。
【００２４】
本発明の電気光学装置は、前記金属配線の接続部は、前記樹脂膜、前記反射膜、及び前記絶縁膜から平面的に突出してなり、前記画素電極は、突出した前記接続部を覆って前記金属配線と接続されていることを特徴とする。
【００２５】
本発明によれば、金属配線と画素電極を突出した接続部で接続しており、画素電極が接続部を覆うように形成されているため、金属配線と画素電極をしっかりと接続することができる。
【００２６】
本発明の電気光学装置は、前記素子基板は、前記画素電極に対応するサブ画素内において、前記反射膜が設けられてなる反射領域と、前記反射膜が設けられていない透過領域と、を有し、前記金属配線の接続部は、前記反射領域と前記透過領域との境界を越えて前記透過領域に延びるように形成されていることを特徴とする。
【００２７】
本発明によれば、反射領域と透過領域の境界部分において、樹脂膜、反射膜、及び絶縁膜が形成されている部分と形成されていない部分が切り替っており、その切り替りを利用して金属配線と画素電極とを接続している。したがって、金属配線と画素電極との接続のためのコンタクトホールを別途設ける必要がないため、製造工程が簡略化され、歩留まりが向上する。
【００２８】
本発明の電気光学装置は、一対の基板と、前記一対の基板に挟持されてなる液晶層と、を有し、一方の前記基板は、前記スイッチング素子を備え、前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さは、透過領域に対応する前記液晶層の厚さより小さいことを特徴とする。
【００２９】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、複数の画素電極を形成する工程と、前記複数の画素電極の各々に対応してスイッチング素子を形成する工程と、前記スイッチング素子を覆うように、凹凸形状を備える樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に、前記樹脂膜の凹凸形状を反映した形状を備え、入射した光を散乱して反射する反射膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に絶縁膜を形成する工程と、前記樹脂膜上に前記画素電極を形成する工程と、を具備し、前記反射膜と前記画素電極とは、前記絶縁膜により絶縁されることを特徴とする。
【００３０】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、複数の画素電極を形成する工程と、前記複数の画素電極の各々に対応してスイッチング素子を形成する工程と、前記スイッチング素子の上に、樹脂膜、反射膜、絶縁膜、及び前記画素電極を順に形成する工程とを具備することを特徴とする。
【００３１】
ここで、複数の画素電極、スイッチング素子、樹脂膜、反射膜、及び絶縁膜を、一つの基板上に形成することが好ましい。更に、当該基板と、当該基板に対向する対向基板とによって、液晶層を狭持することによって電気光学装置が構成されていることが好ましい。
【００３２】
また、前記複数の画素電極においては、当該画素電極の各１ドット領域内に反射表示領域と透過表示領域とが設けられていることが好ましく、半透過反射型の表示を可能とする電気光学装置であることが好ましい。
【００３３】
また、前記反射表示領域は、樹脂散乱膜、金属反射膜、及びオーバーコート膜からなる積層膜を具備し、当該積層膜によって前記スイッチング素子が覆われていることが好ましい。
【００３４】
また、画素電極は、１ドット領域毎に透過表示領域及び反射表示領域を覆うように設けられており、ＩＴＯ等の透明金属材料を用いることが好ましい。
【００３５】
本発明によれば、スイッチング素子が反射表示領域における積層膜によって覆われているので、反射表示領域の表面に当該スイッチング素子が配置されることがなく、また、スイッチング素子を配置することによって表示特性が低下することないので、有効画素面積を最大とすることができる。
【００３６】
また、Ａｌ等からなる反射膜をオーバーコート膜によって覆う構成が採用されているので、画素電極をＩＴＯのみで形成することが可能となり、フリッカーの発生を防止できる。具体的に説明すると、対向基板側の表面にＩＴＯからなる電極、電気光学装置側の表面にＡｌからなる画素電極を設けた場合においては、材料の電極電位の違いからフリッカーが生じてしまうが、本発明では反射膜のＡｌが露出することがなくオーバーコート膜によって覆われているので、当該フリッカーの発生を防止できる。
【００３７】
また、本発明の電子機器は、先に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする。
【００３８】
ここで、電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置などを例示することができる。
【００３９】
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置を用いた表示部を備えているので、表示特性が低下することがない、有効画素面積が最大となった電子機器となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
次に、本発明に係る実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。尚、以下の実施形態は、本発明を液晶表示装置に適用したものである。
【００４１】
［液晶表示装置１００の構成］
まず、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の構成について説明する。図１は、本発明の液晶表示装置１００の概略構成を模式的に示す平面図である。図１では、主として、液晶表示装置１００の電極及び配線の構成を平面図として示している。ここに、本発明の液晶表示装置１００は、ＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式であって、半透過反射型の液晶表示装置である。また、本発明の液晶表示装置１００は、反射表示領域の液晶層の厚さが透過表示領域の液晶層の厚さよりも小さく設定され、透過型表示及び反射型表示の双方において表示性能を向上させることが可能な、いわゆるマルチギャップ構造を有する液晶表示装置である。さらに、本発明の液晶表示装置は、画素電極とデータ線及びＴＦＤ素子が樹脂散乱層にて絶縁された、いわゆるオーバーレイヤー構造を有する液晶表示装置である。
【００４２】
図２は、図１の液晶表示装置１００において、１つの横列をなす複数の画素電極の反射表示領域を通る切断線Ａ−Ａ’に沿った概略断面図である。
【００４３】
まず、図２を参照して、画素電極９の反射表示領域を通る切断線Ａ−Ａ’に沿った液晶表示装置１００の断面構成について説明説明する。そして、その後、液晶表示装置１００の電極及び配線の構成について説明する。
【００４４】
図２において、液晶表示装置１００は、素子基板１００と、その素子基板１００に対向して配置される対向基板（カラーフィルタ基板）２０とが枠状のシール材５２を介して貼り合わされ、内部に液晶が封入されて液晶５０が形成されてなる。この枠状のシール材５２には、複数の金粒子などの導通部材６７が混入されている。
【００４５】
素子基板１００の内面上には、適宜の間隔を置いてデータ線１３が、サブ画素ＳＧ毎にＴＦＤ素子４が夫々形成されている。素子基板１００、データ線１３及びＴＦＤ素子４の内面上には、表面上に微細な凹凸を有する樹脂散乱層３４が形成されている。樹脂散乱層３４の材料としては、アクリル樹脂などの絶縁性を有し且つ透光性を有する材料が好ましい。樹脂散乱層３４の内面上には、サブ画素ＳＧ毎に金属反射膜３３が形成されている。各金属反射膜３３には樹脂散乱層３４の微細な凹凸が反映されており、各金属反射膜３３の内面上には微細な凹凸が形成されている。各金属反射膜３３は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀合金等の薄膜により形成することができる。
【００４６】
樹脂散乱層３４及び金属反射膜３３の内面上には、オーバーコート膜１７が形成されている。このオーバーコート膜１７は、液晶表示装置１００の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から金属反射膜３３などを保護する機能を有する。オーバーコート膜１７の内面上には、サブ画素ＳＧ毎に画素電極９が形成されている。画素電極９等の内面上には、配向膜（図示略）が形成されている。
【００４７】
また、素子基板１０の内面上の左右周縁部には配線２０１が形成されている。配線２０１の一端部はシール材５２内まで延在しており、その配線２０１はシール材５２内の導通部材６７と電気的に接続されている。
【００４８】
一方、対向基板２０の内面上であって且つ画素電極９と対向する位置には、サブ画素ＳＧ毎にＲ、Ｇ、Ｂの三色のいずれかからなる着色層６６Ｒ、６６Ｇ、及び６６Ｂが形成されている。着色層６６Ｒ、６６Ｇ及び６６Ｂによりカラーフィルタが構成される。画素Ｇは、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素ＳＧから構成されるカラー１画素分の領域を示している。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を指す場合は単に「着色層６６」と記し、色を区別して着色層を指す場合は「着色層６６Ｒ」などと記す。
【００４９】
また、各サブ画素ＳＧの間には、隣接するサブ画素ＳＧを隔て、一方のサブ画素ＳＧから他方のサブ画素ＳＧへの光の混入を防止するため黒色遮光層ＢＭが形成されている。この黒色遮光層ＢＭは、黒色の樹脂材料、例えば黒色の顔料を樹脂中に分散させたもの等を用いることが可能である。なお、本発明では、これに代えて、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層が相互に重ね合わされて形成された重ね遮光層（図示略）を用いてもよい。あるいは、低反射率を有する金属膜材料を用いることも可能である。
【００５０】
着色層６６及び黒色遮光層ＢＭの内面上には、アクリル樹脂等からなるオーバーコート層６８が形成されている。このオーバーコート層６８は、液晶表示装置１００の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から、着色層６６等を保護する機能を有する。オーバーコート層６８の内面上には、ストライプ状のＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などの対向電極（走査電極）２３が形成されている。この対向電極２３の一端はシール材５２内に延在しており、そのシール材５２内の導通部材６７と電気的に接続されている。
【００５１】
対向電極２３の内面上には、配向膜（図示略）が形成されている。また、対向電極２３の内面上には、フォトリソグラフィー等の方法にて形成され、柱状の形状をなすフォトスペーサ６７が形成されている。フォトスペーサ６７は、反射表示領域における液晶５０の厚さを一定の厚さＤ１に保持している。フォトスペーサの材料としては、例えば、アクリル膜、ポリイミド膜のような感光性を有する熱硬化型の樹脂材料や、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の無機材料からなるものが好ましい。
【００５２】
素子基板１０の外面上には、位相差板（１／４波長板）６３及び偏光板６４が配置されており、対向基板２００の外面上には、位相差板（１／４波長板）６１及び偏光板６２が配置されている。また、偏光板６４の下側には、バックライト６５が配置されている。バックライト６５は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった点状光源や、冷陰極蛍光管等といった線状光源などが好適である。
【００５３】
素子基板１０の配線２０１と、対向基板２０の対向電極２３、即ち対向基板の走査線とは、シール材５２内に混入された導通部材６７を介して上下導通している。
【００５４】
さて、本実施形態の液晶表示装置１００において反射型表示がなされる場合、液晶表示装置１００に入射した外光は、図２に示す経路Ｒに沿って進行する。つまり、液晶表示装置１００に入射した外光は、金属反射膜３３によって反射され観察者に至る。この場合、その外光は、着色層６６、画素電極９及びオーバーコート膜１７等が形成されている領域を通過して、そのオーバーコート膜１７の下側にある金属反射膜３３により反射され、再度オーバーコート膜１７、画素電極９及び着色層６６等を通過することによって所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００５５】
次に、図１、図９及び図１１を参照して、本発明の素子基板１００及び対向基板２００の電極及び配線の構成について説明する。図９は、素子基板１００を正面方向（即ち、図２における上方）から観察したときの素子基板１００の電極及び配線などの構成を平面図として示す。図１１は、対向基板２００を正面方向（即ち、図２における下方）から観察したときの対向基板２００の電極の構成を平面図として示す。また、図９及び図１１において、電極や配線以外のその他の要素は説明の便宜上図示を省略している。
【００５６】
図１において、素子基板１００の画素電極９と、対向基板２００の対向電極２３との交差する領域が表示の最小単位であるサブ画素ＳＧを構成する。そして、このサブ画素ＳＧが紙面縦方向及び紙面横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域Ｖ（２点鎖線により囲まれる領域）である。この有効表示領域Ｖに、文字、数字、図形等の画像が表示される。なお、図１及び図９において、液晶表示装置１００の外周と、有効表示領域Ｖとによって区画された領域は、画像表示に寄与しない額縁領域２０８である。
【００５７】
（電極及び配線構成）
先ず、図９を参照して、素子基板１００の電極及び配線の構成などについて説明する。素子基板１００は、ＴＦＤ素子４、画素電極９、複数の配線２０１、複数のデータ線１３、データ信号駆動回路１２、走査信号駆動回路１１、及び複数の外部接続用端子２０５を備えている。
【００５８】
素子基板１００の張り出し領域２０６上には、データ信号駆動回路１２及び走査信号駆動回路１１が例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を介して、それぞれ実装されている。なお、図９において、素子基板１００の張り出し領域２０６側の辺９２ａから反対側の辺９２ｃへ向かう方向をＸ方向とし、辺９２ｄから辺９２ｂへ向かう方向をＹ方向とする。
【００５９】
張り出し領域２０６上には、複数の外部接続用端子２０５が形成されている。データ信号駆動回路１２及び走査信号駆動回路１１の各入力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、その複数の外部接続用端子２０５にそれぞれ接続されている。外部接続用端子２０５は、ＡＣＦや半田などを介して、図示しない配線基板、例えばフレキシブルプリント基板に接続されている。これにより、例えば携帯電話や情報端末などの電子機器から液晶表示装置１００へ信号や電力が供給される。
【００６０】
データ信号駆動回路１２の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数のデータ線１３に接続されている。一方、各走査信号駆動回路１１の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数の配線２０１に接続されている。これにより、各走査信号駆動回路１１は複数の配線２０１に走査信号を、データ信号駆動回路１２は複数のデータ線１３にデータ信号をそれぞれ出力する。
【００６１】
複数のデータ線１３は、紙面縦方向に延在する直線状の配線であり、張り出し領域２０６から有効表示領域ＶにかけてＸ方向に形成されている。各データ線１３は一定の間隔を隔てて形成されている。また、各データ線１３は、適宜の間隔をおいて複数のＴＦＤ素子４に接続されており、各ＴＦＤ素子４は、接続部としての機能を有する金属配線３５（図示略）を通じて、対応する各画素電極９に接続されている。
【００６２】
複数の配線２０１は、本線部分２０１ａと、その本線部分２０１ａに対して略直角に折れ曲がる折れ曲がり部分２０１ｂとにより構成されている。各本線部分２０１ａは、額縁領域２０８内を張り出し領域２０６からＸ方向に形成されている。また、各本線部分２０１ａは、各データ線１３に対して略平行で、且つ、一定の間隔を隔てて形成されている。各折れ曲がり部分２０１ｂは、額縁領域２０８内において、左右に位置するシール材５２内までＹ方向に延在している。そして、その折れ曲がり部分２０１ｂの終端部は、シール材５２内で導通部材６６に接続されている。更に、配線２０１のシール材５２に囲まれた内側では、これらを被覆するパシベーション膜２２０が形成されており、電気的絶縁性が得られた構造となっている。
【００６３】
また、シール材５２の内側の領域には、画像表示領域（表示領域）が形成される一方、シール材５２の外側の領域には、データ信号駆動回路１２と、走査信号駆動回路１１と、データ信号駆動回路１２および走査信号駆動回路１１の入力端子と接続される実装端子（外部接続端子）２０５が形成されている。
【００６４】
次に、対向基板２００の電極の構成について説明する。図１１に示すように、対向基板２００は、Ｙ方向にストライプ状の対向電極（走査電極）２３が形成されている。各対向電極２３の左端部或いは右端部は、図１及び図１１に示すように、シール材５２内まで延在しており、且つ、シール材５２内の導通部材６７に接続されている。
【００６５】
以上に述べた、対向基板２００と素子基板１００とをシール材５２を介して貼り合わせた状態が図１に示されている。図示のように、対向基板２００の各対向電極２３は、素子基板１００の各データ線１３に対して直交しており、且つ、横列をなす複数の画素電極９と平面的に重なり合っている。このように、対向電極２３と画素電極９とが重なり合う領域がサブ画素ＳＧを構成する。
【００６６】
また、対向基板２００の対向電極２３（即ち、対向基板２００側の走査線）と、素子基板１００の配線２０１とは、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に重なり合っており、その対向電極２３と配線２０１とは、シール材５２内の導通部材６７を介して上下導通している。つまり、対向電極２３たる対向基板２００の各走査線と、素子基板１００の各配線２０１との導通は、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に実現されている。これにより、対向基板２００の対向電極２３は、素子基板１００の配線２０１を介して、紙面左右に夫々位置する各走査信号駆動回路１１に電気的に接続されている。
【００６７】
図３は液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００６８】
ここで、本実施形態の電気光学装置は、後述するように１ドット毎に反射表示領域と透過表示領域とを備えた半透過反射型であり、スイッチング素子としてＴＦＤ（Thin Film Diode）素子（二端子型非線形素子）を用いたアクティブマトリクス方式であるが、本発明は本実施形態に限定されることなく、反射型の表示装置や、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）等を用いた電気光学装置にも適用できる。
【００６９】
素子基板１０対向基板２０素子基板１０対向基板２０対向基板２０素子基板１０図１に示すように、シール材５２の内側の領域には、画像表示領域（表示領域）が形成される一方、シール材５２の外側の領域には、データ信号駆動回路１２と、データ線及びデータ信号駆動回路１２の出力端子と接続される実装端子（外部接続端子）１８とが素子基板１００の一辺に沿って形成されている。また、この一辺にに沿って走査信号駆動回路１１が形成されている。素子基板１０更に、配線２０１には、これらを被覆するパシベーション膜２２０が形成されており、電気的絶縁性が得られた構造となっている。
【００７０】
対向基板２０素子基板１０対向基板２０対向基板２０素子基板１０ここで、カラーフィルタは、対向基板２００側に形成することが好ましい。カラーフィルタを素子基板１００側に形成する場合には、当該カラーフィルタを形成するための熱処理工程（２００℃以上）を素子基板１００に施す必要があり、素子基板１００に形成する樹脂材料の熱ダレが問題となるが、当該カラーフィルタを対向基板２００側に形成するので、樹脂材料に対する熱負荷を軽減することが可能となる。
【００７１】
本実施形態の液晶表示装置１００においては、Ｒ、Ｇ、Ｂの３ドットで１画素が構成されており、素子基板１００側においては各ドット領域に対応して、透過表示領域（後述）と反射表示領域（後述）が設けられている。
【００７２】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１５がマトリクス状に構成されている。また、図３に示すように、液晶表示装置１００は走査信号駆動回路１１及びデータ信号駆動回路１２を含んでおり、複数の走査線１４と、該走査線１４と交差する複数のデータ線１３とが設けられ、走査線１４は走査信号駆動回路１１により、データ線１３はデータ信号駆動回路１２により駆動される。そして、各画素１５において、走査線１４とデータ線１３との間にＴＦＤ素子４と液晶表示要素１６（液晶層）とが直列に接続されている。なお、図３では、ＴＦＤ素子４がデータ線１３側に接続され、液晶表示要素１６が走査線１４側に接続されているが、これとは逆にＴＦＤ素子４を走査線１４側に、液晶表示要素１６をデータ線１３側に設ける構成としても良い。
【００７３】
以上のような回路構成により、ＴＦＤ素子４のスイッチング特性に基づいて液晶表示要素１６が駆動制御されるとともに、その液晶表示要素１６の駆動に基づいて画素１５毎に明暗表示がなされ、液晶表示装置１００の表示領域において画像表示が行われるものとされている。そして、本実施形態では、１ドット毎にＭＩＭ型のＴＦＤ素子４が配置されると共に、反射表示領域と透過表示領域とが設けられた構成となっている。以下、このＴＦＤ素子４を備えた素子基板１００の構成について詳細に説明する。
【００７４】
［素子基板］
次に、図４から図８を参照して、上記液晶表示装置１００に採用した素子基板１００について詳細に説明する。
【００７５】
図４は、素子基板１００における１ドット当りの平面構造を示すと共に、ＴＦＤ素子４と、画素電極９と、実装端子（外部接続端子）１８とを備えた構造を説明するため図、図５は図４のＡ−Ａ'線に沿う断面図、図６は図４のＢ−Ｂ'線に沿う断面図、図７はＴＦＤ素子を示す断面拡大図、及び当該ＴＦＤ素子と画素電極との接続部を示す断面拡大図、図８は図１に示した配線２０１の断面図である。
【００７６】
図４に示すように、本実施形態のＴＦＤ素子４は、いわゆるBack to Back構造を有してなり、Ｃｒにより形成されたデータ線１３と、透明導電膜により形成された画素電極９とが当該当該ＴＦＤ素子４を介して接続されている。なお、データ線１３はシール材５２の外側領域（非表示領域）において実装端子（外部接続端子）１８に接続され、各種データの入出力が可能な構成となっている。
【００７７】
また、素子基板１００の１ドット毎に透過表示領域３０及び反射表示領域３１が形成されており、当該透過表示領域３０及び反射表示領域３１は、画素電極９によって覆われた構成となっている。更に、透過表示領域３０の一部に形成された接続部３２（図７参照）においては、ＴＦＤ素子４に延設された金属配線３５と画素電極９とが接続されており、データ線１３からＴＦＤ素子４に供給される駆動電圧が金属配線３５を介して画素電極９に供給されるようになっている。ここで、金属配線３５はＣｒにより形成されている。
【００７８】
素子基板１００は、絶縁性及び透明性を有する、例えばガラス基板、プラスチック基板等からなる。また、ＴＦＤ素子４は、後に詳述するようにＴａ及びＣｒによって絶縁膜を狭持した構成となっている。また、画素電極９は、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電膜からなる。なお、画素電極としては、ＩＴＯの他にも金属酸化物に亜鉛（Ｚｎ）を含有した材料、例えば、酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）を採用してもよい。
【００７９】
図５に示すように、透過表示領域３０及び反射表示領域３１の断面構造は、両者とも画素電極９によって覆われた構成となっている。透過表示領域３０は、素子基板１００と接触配置されており、バックライト等の光源光が透過可能となっている。また、反射表示領域３１は、画素電極９と素子基板１００との間にオーバーコート膜１７と、金属反射膜（反射膜）３３と、樹脂散乱膜（樹脂膜）３４とが積層形成された構成となっており、表示面側から入射した自然光等が金属反射膜３３で反射すると共に樹脂散乱膜３４によって当該反射光が散乱するようになっている。
【００８０】
なお、樹脂散乱膜３４、金属反射膜３３、及びオーバーコート膜１７の積層構造においては、光散乱や透過率等の表示特性を良好に保ちつつ、反射表示領域３１が形成されていることが好ましい。
【００８１】
ここで、樹脂散乱膜３４は、その表面が凹凸形状を有しており、当該凹凸形状に沿って形成された反射膜に自然光が照射することにより、自然光の散乱機能を備えたものである。
【００８２】
また、金属反射膜３３の材料としては、Ａｌ等が採用され、本実施形態ではＡｌ−Ｎｄ（ネオジウム）合金を採用している。このような樹脂散乱膜３４及び金属反射膜３３を備えることにより、表示面に対して視野角が大きい表示装置、いわゆる広視野角表示装置を提供することが可能となる。
【００８３】
また、オーバーコート膜１７は、反射膜の上層に配置される所謂保護膜であり、画素電極と反射膜とを電気的に絶縁する機能を有するものである。当該オーバーコート膜１７の材料としては、透明樹脂材料が好適に採用される。
【００８４】
更に、図６に示すように、ＴＦＤ素子４が上記の反射表示領域３１の積層膜によって覆われた構成となっている。このように、ＴＦＤ素子４が画素電極９上に形成されることなく、反射表示領域３１内に設けられるという点が本発明の最大の特徴点となっている。
【００８５】
また、ＴＦＤ素子４が樹脂散乱膜３４によって覆われることにより、金属反射膜３３とＴＦＤ素子４とが電気的に絶縁された状態に保持されている。
【００８６】
更に、上述したＴＦＤ素子４と画素電極９とを接続する金属配線３５においても樹脂散乱膜３４によって覆われることにより、反射膜３３と金属配線３５とが電気的に絶縁された状態に保持されている。
【００８７】
更に、反射表示領域３１の膜厚は、樹脂散乱膜３４の膜厚、金属反射膜３３の膜厚、及びオーバーコート膜１７の膜厚の和によって規定され、透過表示領域３０及び反射表示領域３１における表示状態のコントラストが最大になるように、反射表示領域３１の膜厚が調整されている。ここで、金属反射膜３３は膜厚によって反射率等の表示特性に影響を与えるので、反射表示領域３１の膜厚は、オーバーコート膜１７又は樹脂散乱膜３４の膜厚を調整することにより決定することが好ましい。更に、樹脂散乱膜３４を複数回に分けて積層形成し、膜厚の調整を行ってもよい。
【００８８】
図５及び図６において、樹脂散乱膜３４は、素子基板１００上に複数の凸形状として設けられているが、凸形状と凸形状との間に樹脂散乱膜３４が配置され、凹凸形状を形成しても良いことはもちろんである。
【００８９】
なお、上述した金属反射膜３３は、電気的にフローティング状態に保持されていることが好ましい。
【００９０】
次に、図７を参照し、ＴＦＤ素子４の構造について詳述する。
【００９１】
当該ＴＦＤ素子４は、素子基板１００上に下地絶縁膜３を介して形成されている。ＴＦＤ素子４の具体的な構成は、Ｔａにて構成された第１導電膜６と、導電膜６の表面を酸化してなるＴａ2Ｏ5にて構成された絶縁膜７と、絶縁膜７の表面に形成されたＣｒにて構成された第２導電膜８とを備えてなるものである。
【００９２】
このようなＴＦＤ素子は、上述したように反射表示領域３１内に配置されていることから、第２導電膜８上には上記の散乱樹脂膜３４、金属反射膜３３、オーバーコート膜１７が形成されている。更に、第２導電膜８に延設して形成された金属配線３５と画素電極９は、透過表示領域３０における接続部３２を介して接続されている。
【００９３】
金属配線３５の一部は、散乱樹脂膜３４、金属反射膜３３、及びオーバーコート膜１７に覆われている。そして、画素電極９は、散乱樹脂膜３４、金属反射膜３３、及びオーバーコート膜１７により覆われていない金属配線３５の接続部３２に接続されている。金属配線３５の接続部３２は、散乱樹脂膜３４、金属反射膜３３、及び絶縁膜から平面的に突出している。画素電極９は、突出した接続部３２を覆うように形成され、金属配線３５と接続されている。
【００９４】
素子基板１００は、画素電極９に対応するサブ画素SG内において、金属反射膜３３が設けられている反射領域と、金属反射膜３３が設けられていない透過領域とを有する。金属配線３５の接続部３２は、反射領域と透過領域との境界を越えて透過領域に延びるように形成されている。
【００９５】
第２導電膜８は、上述した通り画素毎に所定のパターンにて形成され、例えばウェットエッチングを用いたパターニングによりマトリクス状に形成されている。なお、オーバーコート膜１７は、Ｃｒにて構成された第２導電膜８及びデータ線１３上を覆う形にて形成されており、ウェットエッチングの際のエッチャント液から第２導電膜８及びデータ線１３を保護する保護膜としての機能を具備している。
【００９６】
図８に示すように、配線２０１においては、絶縁膜４０、Ｃｒ配線４１、Ａｌ−Ｎｄ配線４２、パッシベーション膜２２０が積層された構成となっている。
【００９７】
具体的には、絶縁膜４０は上記の絶縁膜７を形成する同一の工程でＴａ2Ｏ5により形成され、Ｃｒ配線４１は上記の第２導電膜８を形成する同一の工程で形成され、Ａｌ−Ｎｄ配線４２は上記の金属反射膜３３を形成する同一の工程で形成され、パッシベーション膜２２０は上記のオーバーコート膜１７を形成する同一の工程により形成されている。
【００９８】
また、図４及び図８に示すように、データ線１３は表示領域からシール材５２を超えて非表示領域まで延設され、当該非表示領域において、実装端子（外部接続端子）１８に接続されている。実装端子（外部接続端子）１８は、上述の画素電極９と同一工程に形成されるものであってＩＴＯ等の透明導電膜から構成されている。なお、オーバーコート膜１７は、第２導電膜８及びデータ線１３上のうち、少なくとも画素電極９及び実装端子（外部接続端子）１８が形成されない領域に形成されていれば、エッチャント液からの保護機能を実現することが可能である。
【００９９】
このように構成された電気光学装置においては、ＴＦＤ素子４が反射表示領域３１における積層膜によって覆われているので、反射表示領域３１の表面に当該ＴＦＤ素子４が配置されることがなく、また、ＴＦＤ素子４を反射表示領域３１内に配置することによって表示特性が低下することないので、有効画素面積を最大とすることができる。
【０１００】
また、金属反射膜３３がオーバーコート膜１７によって覆われるので、画素電極９をＩＴＯのみで形成することが可能となり、フリッカーの発生を防止できる。具体的に説明すると、対向基板側の表面にＩＴＯからなる電極、素子基板側の表面にＡｌからなる画素電極を設けた場合においては、材料の電極電位の違いからフリッカーが生じてしまうが、本発明では金属反射膜のＡｌが露出することがなくオーバーコート膜によって覆われているので、当該フリッカーの発生を防止できる。
【０１０１】
また、ＴＦＤ素子４及び金属配線３５が樹脂散乱膜３４によって覆われているので、金属反射膜３３と、ＴＦＤ素子４及び金属配線３５との電気的絶縁性を確実に確保することができる。
【０１０２】
また、金属反射膜３３は、電気的にフローティング状態に保持されているので、例えば、金属反射膜を任意のアース部に接地させてその電位をアース部と等電位にする場合においては、オーバーコート膜及び樹脂散乱膜のそれぞれの電位差が表示特性に影響を与えることがなく、表示特性を良好に保つことができる。
【０１０３】
また、オーバーコート膜１７は、配線部２０１のパシベーション膜２０６としての機能を有するので、オーバーコート膜１７を形成する工程と同一の工程によって、パシベーション膜２０６を形成することが可能となるので、工程の簡略化を達成できる。また、パシベーション膜を形成することにより、腐食に弱い（耐食性が劣る）材料を保護することが可能となる。
【０１０４】
また、反射表示領域３１の膜厚が、樹脂散乱膜３４、金属反射膜３３、及びオーバーコート膜１７の膜厚の和によって規定され、当該膜厚の和が透過表示領域３０及び反射表示領域３１における表示状態のコントラストが最大になるように調整されているので、反射表示領域３１より上層に位置する液晶層のリタデーションΔｎｄ（位相差）の値を好適に設定することができ、良好な半透過反射型の電気光学装置を形成することができる。
【０１０５】
［変形例］
上記の実施形態では、アクティブ素子としてＴＦＤ（薄膜ダイオード）素子４を用いた例について説明したが、本発明の適用はこれには限定されない。即ち、本発明は、ＴＦＤ素子４の代わりに、アクティブ素子の他の例としてのアモルファスＴＦＴを用いることも可能である。図１２に、アモルファスＴＦＴの断面図を示す。
【０１０６】
図１２において、ＴＦＴ４５０は、図示しないゲート線から分岐したゲート電極４０２の上に、それを覆うようにゲート絶縁膜４０３が設けられている。ゲート絶縁膜４０３の上には、ゲート電極４０２に重なるようにａ−Ｓｉ層４０５が設けられている。ａ−Ｓｉ層４０５の上には、２つに分断されたｎ+−ａ−Ｓｉ層４０６ａ、４０６ｂが設けられている。さらに、ｎ+−ａ−Ｓｉ層４０６ａの上には図示しないソース線から分岐したソース電極４０８が設けられ、ｎ+−ａ−Ｓｉ層４０６ｂの上にはドレイン電極４０９が設けられている。ドレイン電極４０９の上には、金属配線３５が部分的に重なるように設けられている。これにより、ＴＦＴ４５０は、金属配線３５を介して画素電極９及びデータ線１３に電気的に接続される。
【０１０７】
［電気光学装置の製造方法］
次に、上述の素子基板１００を備える電気光学装置の製造方法について、図４から図９を参照して説明する。
【０１０８】
［ＴＦＤ素子の製造方法］
まず、最初に素子基板１００上にＴＦＤ素子を形成する方法について説明する。
【０１０９】
図７に示すように、ガラス又はプラスチックからなる基材１０の全面に下地絶縁膜３を形成する。更に、Ｔａ或いはＴａ合金からなるＴａ導電膜を全面に成膜する。そして、当該Ｔａ導電膜をウェットエッチングにてパターニングし、所定形状の第１導電膜６を得る。
【０１１０】
続いて、第１導電膜６に対して陽極酸化を行い、第１導電膜６の表面にＴａ2Ｏ5を主体として構成される絶縁膜７を形成する。具体的には、第１導電膜６の一端部を電源に繋ぎ、クエン酸等の水溶液中で所定の電圧まで定電流法で行い、その後定電圧法にして数時間放置することによって陽極酸化が行われる。
【０１１１】
次に、表面に絶縁膜７を備えた第１導電膜６及びデータ線１３が形成された基材１０の全面に、Ｃｒからなる導電膜を成膜する。そして、当該導電膜をウェットエッチングにてパターニングし、所定形状の第２導電膜８を得る。このように、第１導電膜６、絶縁膜７、第２導電膜８を形成することにより、上記のＭＩＭ型のＴＦＤ素子４が形成される。
【０１１２】
また、第２導電膜８を形成する工程においては、ＴＦＤ素子４と後述の画素電極９とを接続するために金属配線３５を同時に形成する。
【０１１３】
また、上述の絶縁膜７、第２導電膜８を形成する同一の工程により、配線２０１における絶縁膜４０、Ｃｒ配線４１をそれぞれ形成する。
【０１１４】
［透過表示領域及び反射表示領域の製造方法］
次に、スピンコート工程、フォトリソグラフィ工程、及び焼成工程等を用いることにより、ＴＦＤ素子４を覆うように反射表示領域３１において樹脂散乱膜３４を形成する。なお、本工程においては、引き回し配線２０１に対して樹脂散乱膜３４を形成しないでおく。
【０１１５】
このように樹脂散乱膜３４によりＴＦＤ素子４を覆うことにより、ＴＦＤ素子４に対する後のプロセスダメージを極力受けないよう保護することが可能となる。
【０１１６】
次に、スパッタ工程、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程等を用いることにより、反射表示領域３１における樹脂散乱膜３４上にＡｌ−Ｎｄからなる金属反射膜３３を形成する。ここで、当該金属反射膜３３を形成する工程においては、引き回し配線２０１におけるＣｒ配線４１上に対してもＡｌ−Ｎｄ配線４２を積層形成する。
【０１１７】
このように金属反射膜３３を樹脂散乱膜３４上に形成することにより、光散乱・反射機能を有する反射表示領域３１を形成することができる。
【０１１８】
更に、配線２０１におけるＣｒ配線４１上にＡｌ−Ｎｄ配線４２を形成する。これにより、Ｃｒ配線４１とＡｌ−Ｎｄ配線４２との電気的接触が容易に得られるので、配線２０１における低抵抗化が実現する。
【０１１９】
更に、樹脂散乱膜３４及び金属反射膜３３を覆うようにオーバーコート膜１７を形成する。ただし、透過表示領域３０には、オーバーコート膜１７が形成されないものとし、この樹脂散乱膜３４の膜厚＋金属反射膜３３の膜厚＋オーバーコート膜１７の膜厚の総厚が、反射表示時の最大コントラスト、及び透過表示時の最大コントラストより算出される膜厚差に相当した膜厚となるように制御する。
【０１２０】
ここで、金属反射膜３３上にオーバーコート膜１７を形成することにより、金属反射膜３３を電気的にフローティング状態に保持することが好ましい。
【０１２１】
また、配線２０１におけるＡｌ−Ｎｄ配線４２上に当該オーバーコート膜１７を形成することにより、パッシベーション膜２２０が形成される。
【０１２２】
次に、オーバーコート膜１７を形成した後に、スパッタ工程、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程等により画素電極９やパネルシール外配線のＩＴＯパターンを形成する。
【０１２３】
ここで、透過表示領域３０における接続部３２において、金属配線３５と画素電極９とが電気的に接続され、ＴＦＤ素子４と画素電極４とが導通した状態になる。
【０１２４】
以上の工程により、ＴＦＤ素子４を含む素子基板１００を備えた電気光学装置が製造される。本実施形態の電気光学装置は、上述したようにＴＦＤ素子４が反射表示領域３１における積層膜によって覆われているので、反射表示領域３１の表面に当該ＴＦＤ素子４が配置されることがなく、また、ＴＦＤ素子４を反射表示領域３１内に配置することによって表示特性が低下することないので、有効画素面積を最大とすることができる。
【０１２５】
また、反射表示領域３１の膜厚が、樹脂散乱膜３４、金属反射膜３３、及びオーバーコート膜１７の膜厚の和によって規定され、当該膜厚の和が透過表示領域３０及び反射表示領域３１における表示状態のコントラストが最大になるように調整されているので、反射表示領域３１より上層に位置する液晶層のリタデーションΔｎｄの値を好適に設定することができ、良好な半透過反射型の電気光学装置を形成することができる。
【０１２６】
なお、上述の電気光学装置の製造方法における樹脂散乱膜３４を形成する工程においては、複数の成膜工程を経て樹脂散乱膜３４を形成してもよい。換言すると、例えば第１の樹脂散乱膜形成工程と、第２の樹脂散乱膜形成工程とに分けて行うことにより、樹脂散乱膜３４を形成することを意味する。
【０１２７】
このようにすれば、最終的に形成される樹脂散乱膜３４よりも薄い樹脂膜を積層して形成するので、当該樹脂散乱膜３４の膜厚の調整を容易に行うことができる。従って、反射表示領域３１の膜厚の調整を更に好適に行うことができる。
【０１２８】
また、樹脂散乱膜３４の凹凸部の形状を容易に調整することができ、所望の光散乱特性を得ることができる。
【０１２９】
［電子機器］
次に、本発明の上記実施の形態の液晶表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
【０１３０】
図９は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図９において、符号５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は上記液晶表示装置を用いた表示部を示している。このような電子機器は、上記実施の形態の液晶表示装置を用いた表示部を備えているので、表示特性が低下することがない、有効画素面積が最大となった電子機器となる。
【０１３１】
また、上記の電子機器は、携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、明るく、高コントラストであり、かつ広視野角の表示が可能になっている。
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】本発明の電気光学装置の一実施形態として液晶表示装置を示す平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ'線に沿う断面図。
【図３】図１の液晶表示装置の等価回路を示す図。
【図４】素子基板１００における１ドット当りの平面構造を示す図。
【図５】図４のＡ−Ａ'線に沿う断面図。
【図６】図４のＢ−Ｂ'線に沿う断面図。
【図７】ＴＦＤ素子と、当該ＴＦＤ素子と画素電極との接続部を示す断面拡大図。
【図８】データ線の引き回し配線の断面図。
【図９】本発明の素子基板の電極及び配線の構成等を示す平面図。
【図１０】本発明の電子機器の一実施形態を示す斜視図。
【図１１】本発明の対向基板の電極の構成を示す平面図。
【図１２】ＴＦＴ素子を利用した液晶表示装置への適用例を示す。
【符号の説明】
【０１３３】
４…ＴＦＤ素子（スイッチング素子）
９…画素電極
３０…透過表示領域
３１…反射表示領域
３３…金属反射膜（反射膜）
３４…樹脂散乱膜（樹脂膜）
３５…金属配線
１００…液晶表示装置（電気光学装置）
５００…携帯電話（電子機器）
【図１】
2005099794.tif 000003
【図２】
2005099794.tif 000004
【図３】
2005099794.tif 000005
【図４】
2005099794.tif 000006
【図５】
2005099794.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005099794.tif 000009
【図８】
2005099794.tif 000010
【図９】
2005099794.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2005099794.tif 000013
【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】平成17年3月1日(2005.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
［液晶表示装置１００の構成］
まず、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の構成について説明する。図９は、本発明の液晶表示装置１００の概略構成を模式的に示す平面図である。図９では、主として、液晶表示装置１００の電極及び配線の構成を平面図として示している。ここに、本発明の液晶表示装置１００は、ＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式であって、半透過反射型の液晶表示装置である。また、本発明の液晶表示装置１００は、反射表示領域の液晶層の厚さが透過表示領域の液晶層の厚さよりも小さく設定され、透過型表示及び反射型表示の双方において表示性能を向上させることが可能な、いわゆるマルチギャップ構造を有する液晶表示装置である。さらに、本発明の液晶表示装置は、画素電極とデータ線及びＴＦＤ素子が樹脂散乱層にて絶縁された、いわゆるオーバーレイヤー構造を有する液晶表示装置である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図２は、図９の液晶表示装置１００において、１つの横列をなす複数の画素電極の反射表示領域を通る切断線Ａ−Ａ’に沿った概略断面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
次に、図１、図９及び図１１を参照して、本発明の素子基板１００及び対向基板２００の電極及び配線の構成について説明する。図１は、素子基板１００を正面方向（即ち、図２における上方）から観察したときの素子基板１００の電極及び配線などの構成を平面図として示す。図１１は、対向基板２００を正面方向（即ち、図２における下方）から観察したときの対向基板２００の電極の構成を平面図として示す。また、図１及び図１１において、電極や配線以外のその他の要素は説明の便宜上図示を省略している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
（電極及び配線構成）
先ず、図１を参照して、素子基板１００の電極及び配線の構成などについて説明する。素子基板１００は、ＴＦＤ素子４、画素電極９、複数の配線２０１、複数のデータ線１３、データ信号駆動回路１２、走査信号駆動回路１１、及び複数の外部接続用端子２０５を備えている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
次に、対向基板２００の電極の構成について説明する。図１１に示すように、対向基板２００は、Ｙ方向にストライプ状の対向電極（走査電極）２３が形成されている。各対向電極２３の左端部或いは右端部は、図９及び図１１に示すように、シール材５２内まで延在しており、且つ、シール材５２内の導通部材６７に接続されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
以上に述べた、対向基板２００と素子基板１００とをシール材５２を介して貼り合わせた状態が図９に示されている。図示のように、対向基板２００の各対向電極２３は、素子基板１００の各データ線１３に対して直交しており、且つ、横列をなす複数の画素電極９と平面的に重なり合っている。このように、対向電極２３と画素電極９とが重なり合う領域がサブ画素ＳＧを構成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
［電気光学装置の製造方法］
次に、上述の素子基板１００を備える電気光学装置の製造方法について、図１から図４を参照して説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
図１０は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０において、符号５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は上記液晶表示装置を用いた表示部を示している。このような電子機器は、上記実施の形態の液晶表示装置を用いた表示部を備えているので、表示特性が低下することがない、有効画素面積が最大となった電子機器となる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005099794.tif 000015