(57)【要約】【課題】  複数の切削予定ラインを迅速にアライメントすることが可能な，切削装置におけるアライメント方法を提供すること。【解決手段】  対向配置された第１の切削手段２０ａおよび第２の切削手段２０ｂと，被加工物１２を保持するチャックテーブル３０とを具備し，第１の切削手段２０ａに第１の撮像手段４０ａが装着され，第２の切削手段２０ｂ第２の撮像手段４０ｂが装着された切削装置において，第１の撮像手段４０ａおよび第２の撮像手段４０ｂによって，被加工物１２の２つの切削予定ラインＬを同時にアライメントする方法が提供される。これにより，１つの撮像手段を用いて２つの切削予定ラインＬを１つずつアライメントする場合と比して，撮像手段４０の移動量をほぼ半減できるので，複数の切削予定ラインＬを迅速にアライメントできる。【選択図】  図３
2005085972.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のスピンドルと前記第１のスピンドルの一端部に装着された第１の切削ブレードとを有する第１の切削手段と，第２のスピンドルと前記第２のスピンドルの一端部に装着された第２の切削ブレードとを有する第２の切削手段と，被加工物を保持するチャックテーブルと，前記第１の切削手段に装着された第１の撮像手段と，前記第２の切削手段に装着された第２の撮像手段とを具備し，前記第１の切削ブレードと前記第２の切削ブレードとが対向するように前記第１の切削手段および前記第２の切削手段が配設された切削装置におけるアライメント方法において；
前記第１の撮像手段および前記第２の撮像手段によって，前記被加工物の複数の切削予定ラインのうちの２つを同時にアライメントすることを特徴とする，切削装置におけるアライメント方法。
【請求項２】
前記被加工物の加工面を，一側の第１の領域と他側の第２の領域とに区分し，
前記第１の撮像手段によって，前記第１の領域に含まれる複数の前記切削予定ラインを順次アライメントすると同時に，前記第２の撮像手段によって，前記第２の領域に含まれる複数の前記切削予定ラインを順次アライメントすることを特徴とする，請求項１に記載の切削装置におけるアライメント方法。
【請求項３】
前記被加工物は，ＣＳＰ基板であることを特徴とする，請求項１または２のいずれかに記載の切削装置におけるアライメント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，切削装置におけるアライメント方法に関し，特に，対向配置された２つの切削手段にそれぞれ設けられた２つの撮像手段を用いて，被加工物の切削予定ラインをアライメントする方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハ等の被加工物を精密にダイシング加工する切削装置としては，１つの切断手段を備えているものだけではなく，対向配置された２つの切削手段を備えたタイプの切削装置も知られている（例えば，特許文献１参照）。かかる切削装置においては，軸心が略同一の直線上に位置する２つのスピンドルにそれぞれ切削ブレードが装着されており，双方の切削ブレードを被加工物に対して同時に作用させることができる，これにより，被加工物の２つの切削予定ライン（ストリート）を同時に切削加工できるため，切削効率を向上させることができる。
【０００３】
図６（ａ）に示すように，被加工物として一般的な半導体ウェハ１２０の表面には，半導体デバイスが形成された矩形のチップ領域Ｃが複数配されている。かかる複数のチップ領域Ｃの間には，縦方向の切削予定ラインＬｘと横方向の切削予定ラインＬｙとが，所定間隔で略平行に配されている。このような半導体ウェハ１２０を上記切削装置によって切削する場合は，通常は，まず，ある１つの切削予定ラインと切削ブレードとの位置合わせであるアライメントを行ってから，当該切削予定ラインを切削し，その後は，切削予定ライン間隔ずつ切削ブレードを割り出し送りしながら，同一方向の複数の切削予定ラインを順次切削していく。即ち，一般的な半導体ウェハ１２０では，すべての切削予定ラインが高精度に平行に形成されていることを前提として，最初に切削する切削予定ラインについてのみアライメントを行うこととしている。
【０００４】
一方，近年では，電子機器の小型化，薄型化，軽量化を図るために，ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）チップが多用されている。このＣＳＰチップは，ボール状の端子が裏面から突出した配線基板の表面に，１または２以上の半導体チップを積層してボンディングし，さらにチップ全体を樹脂でモールドしたものである。かかるＣＳＰチップは，図６（ｂ）に示すように，ＣＳＰが作り込まれた複数のチップ領域Ｃを有するＣＳＰ基板２２０を，チップ領域Ｃ間の切削予定ラインＬｘ，Ｌｙに沿って切削して，複数片に分割することによって製造される。
【０００５】
しかしながら，かかるＣＳＰ基板２２０は，樹脂のモールド時に配線基板に歪みが生じるため，切削予定ラインの平行精度が低下しやすい。このように切削予定ラインの平行精度が低いＣＳＰ基板２２０の場合，上記半導体ウェハ１２０のようにすべての切削予定ラインが平行に形成されていると想定して切削を行うと，切削予定ライン以外の領域（例えばチップ領域Ｃ）を切削してしまい，半導体デバイスを損傷してしまうという問題がある。
【０００６】
かかる問題を解決するためには，特許文献２に記載されたように，アライメント段階において，ＣＳＰ基板のすべての切削予定ラインについて１つずつアライメントを行って，アライメント情報を記録しておき，次いで，切削段階において，各切削予定ラインのアライメント情報を参照してＣＳＰ基板の向きを調整しながら，各切削予定ラインを順次切削していく方法も考えられる。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−２６４０２号公報
【特許文献２】特開平９−５２２２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら，上記のような全ての切削予定ラインを１つずつアライメントする方法では，アライメント作業に多大な時間を要するため，生産性を低下させてしまうという問題があった。
【０００９】
本発明は，上記問題に鑑みてなされたものであり，本発明の目的とするところは，ＣＳＰ基板などのような切削予定ラインの平行精度が低い被加工物であっても，複数の切削予定ラインを迅速にアライメントすることが可能な，新規かつ改良された切削装置におけるアライメント方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために，本発明の第１の観点によれば，対向配置された２つの切削手段を具備する切削装置におけるアライメント方法が提供される。この切削装置は，第１のスピンドルと第１のスピンドルの一端部に装着された第１の切削ブレードとを有する第１の切削手段と，第２のスピンドルと第２のスピンドルの一端部に装着された第２の切削ブレードとを有する第２の切削手段と，被加工物を保持するチャックテーブルとを具備する。この第１の切削手段および第２の切削手段は，第１の切削ブレードと第２の切削ブレードとが対向するように配設されている。さらに，第１の切削手段には，第１の撮像手段が装着されており，第２の切削手段には第２の撮像手段が装着されている。このような切削装置におけるアライメント方法では，第１の撮像手段および第２の撮像手段によって，被加工物の複数の切削予定ラインのうちの２つを同時にアライメントすることを特徴とする。
【００１１】
かかる構成により，第１の撮像手段によって，被加工物上に形成された複数の略平行な切削予定ラインのうちの１つの切削予定ラインをアライメントすると同時に，第２の撮像手段によって，別の１つの切削予定ラインをアライメントすることができる。このため，１つの撮像手段を用いて複数の切削予定ラインを１つずつアライメントする場合と比して，撮像手段を切削予定ラインに沿って軸移動させる回数及び移動量をほぼ半減できる。このため，複数の切削予定ラインをアライメントするために要するトータル時間を大幅に低減できる。
【００１２】
また，上記前記被加工物の加工面を，一側の第１の領域と他側の第２の領域とに区分し，第１の撮像手段によって，第１の領域に含まれる複数の切削予定ラインを順次アライメントすると同時に，第２の撮像手段によって，第２の領域に含まれる複数の切削予定ラインを順次アライメントするようにしてもよい。かかる構成により，第１の撮像手段によるアライメント対象となる切削予定ラインと，第２の撮像手段によるアライメント対象となる切削予定ラインとを，被加工物の一側と他側とに振り分けることできる。これにより，複数の切削予定ラインのアライメント時において，第１の撮像手段の移動範囲は被加工物の一側にある第１の領域に対応する範囲内で済み，一方，第２の撮像手段の移動範囲は被加工物の他側にある第２の領域に対応する範囲内で済む。このため，複数の切削予定ラインをアライメントする際の第１および第２の撮像手段の移動量を低減できるので，より迅速なアライメントが可能になる。さらに，上記被加工物の加工面を切削予定ラインに対して平行な直線で略半分に領域区分して，当該直線の一側半分の領域を上記第１の領域とし，当該直線の他側半分の領域を上記第２の領域としてもよい。これにより，第１の撮像手段がアライメントする切削予定ラインの数と第２の撮像手段がアライメントする切削予定ラインの数とを略同一にできるので，アライメント作業の効率化が図れる。
【００１３】
また，上記被加工物は，ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）基板であってもよい。ＣＳＰ基板は，例えば，略矩形状を有する基板であり，その表面には複数のＣＳＰと，このＣＳＰの間に配置され，直交する２方向に延びる複数の切削予定ラインとが形成されている。このＣＳＰ基板は，一般的な半導体ウェハ等と比して切削予定ラインの平行精度が低いので，全ての切削予定ライン若しくは何本かおきに複数の切削予定ラインをアライメントする必要がある。このため，かかるＣＳＰ基板の複数の切削予定ラインをアライメントするときに，上記切削装置におけるアライメント方法を効果的に適用できる。
【００１４】
また，上記切削装置におけるアライメント方法は，以下の第１〜第５のステップを含むようにしてもよい。第１ステップでは，複数の切削予定ラインの中からアライメント対象として選択された第１の切削予定ラインの一端部を撮像可能な位置に第１の撮像手段を配置するとともに，複数の切削予定ラインの中からアライメント対象として選択された第２の切削予定ラインの一端部を撮像可能な位置に第２の撮像手段を配置する。次いで，第２のステップでは，第１の撮像手段によって第１の切削予定ラインの一端部の座標を検出するとともに，第２の撮像手段によって第２の切削予定ラインの一端部の座標を検出する。さらに，第３のステップでは，第１の撮像手段および第２の撮像手段と被加工物とを切削予定ラインの方向に相対移動させることにより，第１の撮像手段を第１の切削予定ラインの他端部を撮像可能な位置に配置するとともに，第２の撮像手段を第２の切削予定ラインの他端部を撮像可能な位置に配置する。その後，第４のステップでは，第１の撮像手段によって第１の切削予定ラインの他端部の座標を検出するとともに，第２の撮像手段によって第２の切削予定ラインの他端部の座標を検出する。さらに，第５のステップでは，上記第１〜第４のステップを，アライメントの対象である他の切削予定ラインについて繰り返す。かかる構成により，切削予定ラインの一端部と他端部の座標を検出し，かかる両座標に基づいて，当該切削予定ラインの切削方向に対する傾きと，当該切削予定ラインの位置とを求めるアライメントを実行できる。かかるアライメントを，第１および第２の撮像手段を用いて第１および第２の切削予定ラインについて同時に実行できるので，第１および第２の撮像手段と被加工物とを相対移動させる回数とその移動量を低減して，アライメント作業の迅速化を図れる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように本発明によれば，２つの撮像手段を使用して２つの切削予定ラインのアライメントを同時に行うことができるので，アライメントに要する時間を短縮できる。特に，ＣＳＰ基板などのように，加工面上の複数の切削予定ラインのすべて若しくは多数をアライメントする必要があるときに，アライメント作業を効率的に実行できる，
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１７】
（第１の実施形態）
まず，図１に基づいて，本発明の第１の実施形態にかかる切削装置として構成されたダイシング装置について説明する。なお，図１は，本実施形態にかかるダイシング装置を示す斜視図である。
【００１８】
図１に示すように，ダイシング装置１０は，例えば，対向配置された第１の切削ユニット２０ａおよび第２の切削ユニット２０ｂと，ＣＳＰ基板１２などの被加工物を保持するチャックテーブル３０と，制御装置３２と，表示装置３４と，切削ユニット移動機構（図示せず。）と，チャックテーブル移動機構（図示せず。）と，を備える。このように，ダイシング装置１０は，例えば，２つの切削ユニット２０ａ，２０ｂを具備するいわゆる対面型のデュアルダイサーとして構成されている。
【００１９】
本実施形態では，このダイシング装置１０が切削加工する被加工物として，例えばＣＳＰ基板１２の例を挙げて説明する。このＣＳＰ基板１２は，上記図６（ｂ）で説明したように，半導体デバイスであるＣＳＰが縦横に等間隔に配された略矩形状を有する基板である。かかるＣＳＰ基板１２は，上記ＣＳＰの間に位置する切削予定ライン（ストリート）に沿って切削加工され，複数のＣＳＰチップに分割される。
【００２０】
以下に，このダイシング装置１０の各部について詳細に説明する。
【００２１】
第１の切削ユニット２０ａは，本実施形態にかかる第１の切削手段として構成されている。この第１の切削ユニット２０ａは，図２に示すように，例えば，切削ブレード２２ａと，フランジ２３ａと，スピンドル２４ａと，スピンドルハウジング２６ａと，切削水供給ノズル２７ａと，ホイルカバー２８ａと，第１の撮像手段４０ａと，第３の撮像手段４０ｃとを備える。
【００２２】
切削ブレード２２ａは，本実施形態にかかる第１の切削ブレードとして構成されており，略リング形状を有する極薄の切削砥石である。この切削ブレード２２ａは，フランジ２３ａによって両側から挟持されてスピンドル２４ａの一端部に装着される。スピンドル２４ａは，本実施形態にかかる第１のスピンドルとして構成されており，一端部に切削ブレード２２ａが装着され，他端部でスピンドルモータＭ１と連結されている。このスピンドル２４ａは，例えば，Ｙ軸方向に延びるように配設されており，スピンドルモータＭ１が発生した回転駆動力によって切削ブレード２４を高速回転させることができる。スピンドルハウジング２６ａは，スピンドル２４ａを回転可能に支持する。切削水供給ノズル２７ａは，加工点に切削水を供給して冷却する。ホイルカバー２８ａは，切削ブレード２２ａの外周を覆って切削水や切り屑などの飛散を防止する。
【００２３】
かかる構成の第１の切削ユニット２０ａは，切削ブレード２２ａを高速回転させながらＣＳＰ基板１２に切り込ませることにより，ＣＳＰ基板１２の加工面を切削予定ラインに沿って切削して，極薄のカーフ（切溝）を形成することができる。なお，この切削予定ラインは，ＣＳＰ基板１２の縦方向（Ｘ軸方向）および横方向（Ｙ軸方向）にそれぞれ略平行に複数配されており，切削予定ライン全体としては，ＣＳＰ基板１２上に略格子状の切削領域を形成している。
【００２４】
また，第１の切削ユニット２０ａには，第１の撮像手段４０ａが装着されている。この第１の撮像手段４０ａは，例えば，顕微鏡やＣＣＤカメラ等で構成された可視光カメラなどである。この第１の撮像手段４０ａは，例えば，撮像倍率がミクロ倍率（例えば１．５〜７．５倍）に設定されており，ＣＳＰ基板１２表面の一部（後述するターゲット等）を上方から拡大して撮像することができる。この第１の撮像手段４０ａによる撮像画像は，表示装置３４に表示することができる。かかる第１の撮像手段４０ａを用いてＣＳＰ基板１２を撮像することにより，例えば，切削加工前には，ＣＳＰ基板１２の切削予定ラインをアライメントし，切削加工後には，ＣＳＰ基板１２に形成されたカーフをチェックすることができる。
【００２５】
さらに，第１の切削ユニット２０ａには，例えば，第３の撮像手段４０ｃが装着されている。この第３の撮像手段４０ｃも，例えば，顕微鏡やＣＣＤカメラ等で構成された可視光カメラなどである。かかる第３の撮像手段４０ｃは，例えば，撮像倍率がマクロ倍率（例えば０．７５倍）に設定されており，ＣＳＰ基板１２全体を撮像してラフアライメント用の画像を出力することができる。
【００２６】
なお，上記第１および第３の撮像手段４０ａ，４０ｃは，例えば，スピンドルハウジング２６ａの切削方向前方（Ｘ軸正方向）側の側面に固定されているので，切削加工時に主に切削方向後方側に飛散する切削水や切り屑によって，第１および第３の撮像手段４０ａ，４０ｃが汚染することを防止できる。
【００２７】
第２の切削ユニット２０ｂは，本実施形態にかかる第２の切削手段として構成されている。この第２の切削ユニット２０ａは，上記第１の切削ユニット２０ａと略同一の機能構成を有するので，その詳細説明は省略する。また，かかる第２の切削ユニット２０ｂにも，上記第１の撮像手段４０ａと略同一の機能構成を有する第２の撮像手段４０ｂが装着されている。
【００２８】
なお，本実施形態にかかる第２の切削ユニット２０ｂには，例えば，上記第３の撮像手段４０ｃに対応する撮像手段は設けられていない。しかし，かかる例に限定されず，例えば，上記第３の撮像手段４０ｃを，第１の切削ユニット２０ａの代わりに，第２の切削ユニット２０ｂに設けても良く，或いは，双方の切削ユニット２０ａ，２０ｂにそれぞれ設けてもよい。
【００２９】
切削ユニット移動機構は，例えば，電動モータなどから構成され，第１の切削ユニット２０ａおよび第２の切削ユニット２０ｂを例えばＹ軸およびＺ軸方向に同時若しくは個別に移動させることができる。この切削ユニット移動機構が切削ユニット２０ａ，２０ｂをＺ軸方向に移動させることにより，ＣＳＰ基板１２に対する切削ブレード２２ａ，２２ｂの切り込み深さを調整することができる。また，この切削ユニット移動機構３０が切削ユニット２０ａ，２０ｂをＹ軸方向に移動させることにより，例えば，ＣＳＰ基板１２上の切削予定ラインに切削ブレード２２ａ，２２ｂの刃先位置を合わせたり，切削予定ライン若しくはカーフ上に第１及び第２の撮像手段４０ａ，４０ｂを配置したりすることができる。
【００３０】
図１に戻り，チャックテーブル３０は，例えば，真空チャック等を備えた略円盤状のテーブルであり，その上部に載置された被加工物を保持する。このチャックテーブル３０は，例えば，ウェハテープ１４を介してフレーム１６に支持された状態のＣＳＰ基板１２を，真空吸着して保持することができる。
【００３１】
チャックテーブル移動機構は，例えば，電動モータなどから構成され，チャックテーブル３０をＸ軸およびＹ軸方向に移動させたり，回転させたりすることができる。これにより，切削加工前には，チャックテーブル３０上に保持されたＣＳＰ基板１２を，撮像手段４０ａ，４０ｂに対して切削予定ラインの方向（Ｘ軸方向）に平行移動させることができる。また，切削加工中には，ＣＳＰ基板１２の表面に例えば２つの切削ブレード２２ａ，２２ｂを切り込ませた状態で，当該ＣＳＰ基板１２を切削ユニット２０ａ，２０ｂに対して切削方向（Ｘ軸方向）に平行移動させることができる。
【００３２】
制御装置３２は，例えばダイシング装置１０の内部に配設され，例えば，ＣＰＵ等で構成された演算処理装置と，ＲＯＭ，ＲＡＭ，ハードディスク等で構成され，各種のデータやプログラムを記憶する記憶部と，を備える。この制御装置３２は，オペレータの入力や予め設定されたプログラム等に基づいて，上記各部の動作を制御する機能を有する。また，この制御装置３２は，切削予定ラインのアライメントを行うために，撮像手段４０ａ，４０ｂによる撮像画像をパターンマッチング処理等する画像処理手段（図示せず。）や，後述するアライメント情報の作成・記録処理などを実行するデータ処理手段（図示せず。）などとしても機能する。
【００３３】
以上のような構成のダイシング装置１０は，高速回転させた切削ブレード２２ａ，２２ｂをＣＳＰ基板１２に所定の切り込み深さで切り込ませながら，第１および第２の切削ユニット２０ａ，２０ｂとチャックテーブル３０とを例えばＸ軸方向に相対移動させることができる。これにより，ＣＳＰ基板１２上の２つの切削予定ラインを同一ストロークで同時に切削加工することができる。かかる切削加工を同一方向の全ての切削予定ラインについて繰り返した後に，ＣＳＰ基板１２を例えば９０°回転させ，新たにＸ軸方向に配された全ての切削予定ラインについて同様の切削加工を繰り返すことにより，ＣＳＰ基板１２をダイシング加工して，複数のＣＳＰチップに分割することができる。
【００３４】
また，ダイシング装置１０は，かかる切削加工に先立ち，ＣＳＰ基板１２の各切削予定ラインをアライメントすることができる。以下に，かかるダイシング装置１０のアライメント動作について詳細に説明する。
【００３５】
まず，図３に基づいて，本実施形態にかかるダイシング装置１０によってアライメントを行うときの，切削ユニット２０ａ，２０ｂと，ＣＳＰ基板１２との位置関係について説明する。なお，図３（ａ）および（ｂ）は，本実施形態にかかるダイシング装置１０によるアライメント時における，第１および第２の切削ユニット２０ａ，２０ｂとＣＳＰ基板１２との位置関係を示す正面図および平面図である。
【００３６】
図３（ａ）に示すように，第１の切削ユニット２０ａと第２の切削ユニット２０ｂは，切削ブレード２２ａの側面と切削ブレード２２ｂの側面とが対峙するように，対向して配設されている。このとき，両切削ユニット２０ａ，２０ｂのスピンドル２４ａ，２４ｂの軸心が，例えば，略同一直線上となっている。かかる第１の切削ユニット２０ａには第１の撮像手段４０ａと第３の撮像手段４０ｃとが装着されており，第２の切削ユニット２０ｂには第２の撮像手段４０ｂが装着されており，それぞれの撮像手段でＣＳＰ基板１２の加工面を撮像可能である。なお，第１の撮像手段４０ａと第２の撮像手段４０ｂの装着位置は，アライメント前に予め測定・調整されている。
【００３７】
このように配設された第１の撮像手段４０ａおよび第２の撮像手段４０ｂによって，図３（ｂ）に示すように，ＣＰＳ基板１２上にＸ軸方向に略平行に配された２つの切削予定ラインＬ（第１の切削予定ラインＬａおよび第２の切削予定ラインＬｂ）を同時にアライメントする手順について説明する。なお，第１の切削予定ラインＬａは，ＣＳＰ基板１２上に形成された複数の切削予定ラインのうち，第１の撮像手段４０ａによるアライメント対象となる１又は２以上のラインである。また，第１の切削予定ラインＬａは，ＣＳＰ基板１２上に形成された複数の切削予定ラインのうち，第２の撮像手段４０ｂによるアライメント対象となる１又は２以上のラインである。
【００３８】
まず，チャックテーブル３０及び／又は切削ユニット２０ａ，２０ｂを，Ｘ軸及び／又はＹ軸方向に移動させて，図３（ｂ）の二点鎖線で示すように，第１の撮像手段４０ａを第１の切削予定ラインＬａの一端部付近にあるターゲットＴａの直上に配置するとともに，第２の撮像手段４０ｂを第２の切削予定ラインＬｂの一端部付近にあるターゲットＴｂの直上に配置する。このターゲットＴとは，ＣＳＰ基板１２の表面上において，他の部分と識別できる特徴的なパターン形状を有しているため，アライメントの対象となり得る部分である。このターゲットは，対応する切削予定ラインＬから所定距離だけ離れたパターン形状であることが一般的であるが，例えば，切削予定ラインＬ上に位置するパターン形状であってもよい。かかるターゲットＴとしては，例えば，ＣＳＰ基板１２表面上の半導体デバイスおよびその周辺のパターン形状のみならず，ＣＳＰ基板１２の縁部や角部等の形状なども含む。
【００３９】
次いで，第１および第２の撮像手段４０ａ，４０ｂによって，それぞれのターゲットＴａ，Ｔｂの画像を撮像して，画像処理およびパターンマッチング処理を行うことにより，各ターゲットＴａ，Ｔｂの座標を求める。
【００４０】
さらに，例えばチャックテーブル３０をＸ軸正方向に移動させることにより，第１および第２の撮像手段４０ａ，４０ｂを，切削予定ラインＬａ，Ｌｂに沿ってＣＳＰ基板１２をＸ軸方向に横切るように同時に相対移動させる。これにより，図３（ｂ）の実線で示すように，第１の撮像手段４０ａを第１の切削予定ラインＬａの他端部付近にあるターゲットＴａ’の直上に配置するとともに，第２の撮像手段４０ｂを第２の切削予定ラインＬｂの他端部付近にあるターゲットＴｂ’の直上に配置する。
【００４１】
その後，第１および第２の撮像手段４０ａ，４０ｂによって，上記と同様にして各ターゲットＴａ’，Ｔｂ’の座標を求める。以上のようにして，第１の切削予定ラインＬａの両端付近にあるターゲットＴａ，Ｔａ’の座標と，第２の切削予定ラインＬｂの両端付近にあるターゲットＴｂ，Ｔｂ’の座標をそれぞれ検出できる。これにより，双方の切削予定ラインＬａ，ＬｂのＹ軸方向の位置情報およびＸ軸方向（切削方向）に対する傾き（即ち，平行精度）を求めることができる。
【００４２】
以上のように，本実施形態にかかるダイシング装置１０では，２つの切削ユニット２０ａ，２０ｂにそれぞれ装着された２つの撮像手段４０ａ，４０ｂを，２つの切削予定ラインＬａ，Ｌｂに沿って同時に平行移動させて，その両端付近にあるターゲットＴａ，Ｔａ’，Ｔｂ，Ｔｂ’の座標を検出することにより，２つの切削予定ラインＬａ，Ｌｂのアライメントを同時に実行することができる。
【００４３】
次に，図４および図５に基づいて，上記のような本実施形態にかかるダイシング装置１０を用いたアライメント方法について詳細に説明する。なお，図４は，本実施形態にかかるダイシング装置１０におけるアライメント方法を示すフローチャートである。また，図５Ａ〜Ｄは，本実施形態にかかるダイシング装置１０におけるアライメント方法の各工程を説明するための工程図である。
【００４４】
図４に示すように，まず，ステップＳ１００では，アライメントに必要な基準パターン形状が登録される（ステップＳ１００）。本ステップはいわゆるティーチ工程である。具体的には，例えば，加工対象であるＣＳＰ基板１２の基本データ（基板の種類，大きさ，厚さ，切削予定ライン間隔等）がオペレータによって入力され，その後，例えばＣＳＰ基板１２のマスター基板を撮像手段４０ａ等によって撮像し，ＣＳＰ基板１２上のターゲットの基準パターン形状および基準位置を，制御装置３２の記憶部に記憶して登録する。この基準パターン形状は，例えば，マスター基板全体をマクロ倍率で撮像したマクロターゲットの基準パターン形状と，マスター基板の各切削予定ラインの例えば両端付近のパターン形状を撮像したミクロターゲットの基準パターンと，を含む。
【００４５】
次いで，ステップＳ１０２では，ＣＳＰ基板１２全体がラフアライメントされる（ステップＳ１０２）。本ステップでは，以下のステップＳ１０４〜Ｓ１１６における切削予定ラインＬごとの詳細なアライメントに先立ち，実際に切削加工されるＣＳＰ基板１２全体の大まかなアライメント（ラフアライメント）がなされる。このラフアライメントでは，まず，例えば第１の切削ユニット２０ａに装着されているマクロ倍率に設定された第３の撮像手段４０ｃによって，ＣＳＰ基板１２全体の表面パターンをマクロターゲットとして撮像する。次いで，画像処理手段によって，撮像されたマクロターゲットと，上記ステップＳ１０２で記憶されているマクロターゲットの基準パターンとを比較して，パターンマッチング処理等を行う。これにより，チャックテーブル３０上に載置されているＣＳＰ基板１２の概略的な傾斜角度と位置とをアライメントして，かかる情報を記憶部に記憶することができる。
【００４６】
なお，本実施形態にかかるＣＳＰ基板１２は，例えば，図５Ａに示すように，短手方向には例えば６本の切削予定ラインＬ１〜Ｌ６が略平行に略等間隔で配されており，図５Ｄに示すように，長手方向には例えば４本の切削予定ラインＬ７〜Ｌ１０が略平行に略等間隔で配されている。また，かかる切削予定ラインＬ１〜Ｌ１０の両端部付近（ＣＳＰ基板１２表面の縁部近傍）には，それぞれ，ＣＳＰ基板１２の一側にターゲットＴ１〜Ｔ１０，他側にＴ１’〜Ｔ１０’が定められている。
【００４７】
次いで，以下のステップＳ１０４〜Ｓ１１６では，ＣＳＰ基板１２上の短手方向に配された切削予定ラインＬ１〜Ｌ６の例えば全てについて，詳細なアライメントが成される。
【００４８】
なお，図５Ａに示すように，ＣＳＰ基板１２の加工面は，例えば，ＣＳＰ基板１２の短手方向に対して平行で，長手方向の中央部を通る第１の中央線ＣＬ１を境界として，一側の第１の領域と，他側の第２の領域とに半分に区分されている。本実施形態では，このように区分された第１の領域に含まれる切削予定ラインＬ４〜Ｌ６を，第１の撮像手段４０ａによってアライメントし，第２の領域に含まれる切削予定ラインＬ１〜Ｌ３を，第２の撮像手段４０ｂによってアライメントするように構成されている。換言すると，切削予定ラインＬ４〜Ｌ６は，第１の撮像手段４０ａによるアライメント対象である第１の切削予定ラインＬａとして構成されており，一方，切削予定ラインＬ１〜Ｌ３は，第２の撮像手段４０ｂによるアライメント対象である第２の切削予定ラインＬｂとして構成されている。以下に，かかる切削予定ラインＬ１〜Ｌ６のアライメントの詳細について説明する。
【００４９】
まず，ステップＳ１０４では，第１の撮像手段４０ａおよび第２の撮像手段４０ｂが，それぞれ，最初の切削予定ラインＬ上に配置される（ステップＳ１０４）。本実施形態では，例えば，第１の撮像手段４０ａを用いて切削予定ラインＬ４→Ｌ５→Ｌ６の順にアライメントし，第２の撮像手段４０ｂを用いて切削予定ラインＬ１→Ｌ２→Ｌ３の順にアライメントする。従って，第１の撮像手段４０ａが最初にアライメントするのは，切削予定ラインＬ４であり，第２の撮像手段４０ｂが最初にアライメントするのは，切削予定ラインＬ１である。
【００５０】
そこで，本ステップでは，例えば，上記切削ユニット２０ａ，２０ｂ及び／又はチャックテーブル３０を，Ｘ軸及び／又はＹ軸方向に移動させることにより，第１の撮像手段４０ａを切削予定ラインＬ４の一端部付近のターゲットＴ４上に配置するとともに，第２の撮像手段４０ｂを切削予定ラインＬ１の一端部付近のターゲットＴ１上に配置する。この結果，図５Ａに示すように，第１の撮像手段４０ａの撮像領域（視野）４２ａは，ターゲットＴ４を含む領域となり，第２の撮像手段４０ｂの撮像領域４２ｂは，ターゲットＴ１を含む領域となる。
【００５１】
次いで，ステップＳ１０６では，切削予定ラインＬ１及びＬ４の一端部にあるターゲットＴ１及びＴ４の座標位置が検出される（ステップＳ１０６）。具体的には，まず，第１の撮像手段４０ａによって撮像領域４２ａ内のターゲットＴ４を撮像するとともに，第２の撮像手段４０ｂによって撮像領域４２ｂ内のターゲットＴ１を撮像する。次いで，制御装置３２によって，ターゲットＴ４の撮像画像と，上記ステップＳ１０２で記憶されているターゲットＴ４に相当するミクロターゲットの基準パターンとを比較して，パターンマッチング処理を行う。これにより，実際のＣＳＰ基板１２上でのターゲットＴ４の座標位置を検出できる。また，同様にして，第２の撮像手段４０ｂによる撮像画像に基づいて，ターゲットＴ１の座標位置も検出できる。このようにして，本ステップでは，２つの撮像手段４０ａ，４０ｂを用いて，切削予定ラインＬ４及びＬ１の一側にある２つのターゲットＴ４及びＴ１の座標位置が，例えば同時に検出される。
【００５２】
さらに，ステップＳ１０８では，第１の撮像手段４０ａおよび第２の撮像手段４０ａが，ＣＳＰ基板１２に対して切削予定ラインＬ方向（Ｘ軸方向）に相対移動される（ステップＳ１０８）。具体的には，ＣＳＰ基板１２を保持しているチャックテーブル３０を，Ｘ軸正方向に所定距離（切削予定ラインＬの一端部のターゲットＴと他端部のターゲットＴ’との距離）だけ移動させる。これにより，第１の撮像手段４０ａは，ＣＳＰ基板１２に対して切削予定ラインＬ４に沿って相対移動して，ターゲットＴ４’上に配置される。一方，第２の撮像手段４０ｂは，ＣＳＰ基板１２に対して切削予定ラインＬ１に沿って相対移動して，ターゲットＴ１’上に配置される。この結果，図５Ｂに示すように，第１の撮像手段４０ａの撮像領域４２ａは，ターゲットＴ４’を含む領域となり，第２の撮像手段４０ｂの撮像領域４２ｂは，ターゲットＴ１’を含む領域となる。このように，本ステップでは，２つの撮像手段４０ａ，４０ｂが，切削予定ラインＬ４，Ｌ１の一側から他側に向けて同時にスライドするようにして，ターゲットＴ４’，Ｔ１’を撮像可能な位置に配置される。
【００５３】
その後，ステップＳ１１０では，切削予定ラインＬ１及びＬ４の他端部付近にあるターゲットＴ１’，Ｔ４’の座標位置が検出される（ステップＳ１１０）。具体的には，上記ステップＳ１０６と同様にして，第１および第２の撮像手段４０ａ，４０ｂによって，ターゲットＴ４’及びＴ１’をそれぞれ撮像した後，制御装置３２によってパターンマッチング処理等することにより，ターゲットＴ４’及びＴ１’の座標位置がそれぞれ検出される。
【００５４】
次いで，ステップＳ１１２では，切削予定ラインＬ１及びＬ４についてのアライメント情報が，例えば制御装置３２の記憶部に記憶される（ステップＳ１１２）。具体的には，例えば，制御装置３２のデータ処理手段は，上記ステップＳ１０６およびＳ１１０で検出された切削予定ラインＬ４（若しくはＬ１）の両端付近のターゲットＴ４及びＴ４’（若しくはＴ１及びＴ１’）のＹ座標値に基づいて，調整角度θおよび調整Ｙ座標値などを算出する。この調整角度θは，切削予定ラインＬと切削方向（Ｘ軸方向）とのなす角度であり，この角度が大きいほど切削予定ラインＬの平行精度が悪いことを意味する。また，上記調整Ｙ座標値は，上記調整角度θだけチャックテーブル３０を回転させたときの当該切削予定ラインＬのＹ座標値である。従って，当該切削予定ラインＬの実際の切削加工時には，上記調整角度θだけチャックテーブル３０を回転させるとともに，上記調整Ｙ座標値が表す位置に切削ブレード２２ａまたは２２ｂを配置して切削することにより，チップ領域を損傷することなく当該切削予定ラインＬに沿ってＣＳＰ基板１２を好適に切削できる。
【００５５】
このように，制御装置３２のデータ処理手段は，切削予定ラインＬ４及びＬ１ついて，調整角度θおよび調整Ｙ座標値をそれぞれ算出し，算出した調整角度θおよび調整Ｙ座標値を切削予定ラインＬ４及びＬ１についてのアライメント情報として，例えば制御装置３２の記憶部にそれぞれ記憶する。このように記憶されたアライメント情報は，当該切削予定ラインＬ４，Ｌ１の切削時に随時読み出され，切削ブレード２２ａ，２２ｂと当該切削予定ラインＬ４，Ｌ１との位置合わせの基準となる。
【００５６】
以上までのステップＳ１０６〜Ｓ１１２までで，切削予定ラインＬ４およびＬ１のアライメントが終了する。
【００５７】
次いで，ステップＳ１１４では，同一方向の全ての切削予定ラインＬ１〜Ｌ６のアライメントが終了したか否かが判断される（ステップＳ１１４）。全ての切削予定ラインＬ１〜Ｌ６のアライメントが終了していると判断された場合には，ステップＳ１１８に進み，一方，終了していないと判断された場合には，ステップＳ１１６に進む。
【００５８】
さらに，ステップＳ１１６では，第１の撮像手段４０ａおよび第２の撮像手段４０ａが，ＣＳＰ基板１２に対してＸ軸およびＹ軸方向に相対移動される（ステップＳ１１６）。より詳細には，ＣＳＰ基板１２を保持しているチャックテーブル３０をＸ軸およびＹ軸方向に移動させることにより，第１及び第２の撮像手段４０ａ，４０ｂを，ＣＳＰ基板１２に対して相対移動させ，次にアライメントされる第１及び第２の切削予定ラインＬａ，Ｌｂの一端部付近のターゲットＴ上にそれぞれ配置する。
【００５９】
具体的には，上記のように，切削予定ラインＬ４及びＬ１の組のアライメントが終了している場合には，次に，切削予定ラインＬ５及びＬ２の組についてのアライメントがなされる。このため，第１の撮像手段４０ａは，切削予定ラインＬ５の一端部付近のターゲットＴ５上に配置され，第２の撮像手段４０ｂは，切削予定ラインＬ２の一端部付近のターゲットＴ２上に配置される。この結果，図５Ｃに示すように，第１の撮像手段４０ａの撮像領域４２ａは，ターゲットＴ５を含む領域となり，第２の撮像手段４０ｂの撮像領域４２ｂは，ターゲットＴ２を含む領域となる。
【００６０】
以後は，上記ステップＳ１０６〜Ｓ１１２と同様にして，第１及び第２の撮像手段４０ａ，４０ｂによって，切削予定ラインＬ５及びＬ２の組のアライメントが同時に行われる。切削予定ラインＬ５及びＬ２の組のアライメント終了後には，さらに，上記ステップＳ１１６，Ｓ１０６〜Ｓ１１２と同様にして，次の切削予定ラインＬ６及びＬ３の組が同時にアライメントされる。この結果，ＣＳＰ基板１２上の短手方向の全ての切削予定ラインＬ１〜Ｌ６のアライメントが終了するため，ステップＳ１１４によりステップＳ１１８に進む。
【００６１】
なお，このように複数組の切削予定ラインＬ（即ち，Ｌ４とＬ１の組，Ｌ５とＬ２の組，Ｌ６とＬ３の組）を順次アライメントする際に，第１の撮像手段４０ａと第２の撮像手段４０ｂとの間隔（Ｙ軸方向の距離）を変更する必要はない。これは，本実施形態にかかるＣＳＰ基板１２上では，切削予定ラインＬ１〜Ｌ６は略等間隔に配されているので，切削予定ラインＬ１とＬ４との間隔，切削予定ラインＬ２とＬ５との間隔，および切削予定ラインＬ３とＬ６との間隔が，略同一であるからである。このため，第１の撮像手段４０ａと第２の撮像手段４０ｂを，次にアライメントする切削予定ラインＬの組に位置合わせする際（ステップＳ１１６）に，第１の撮像手段４０ａと第２の撮像手段４０ｂとを，両者の間隔を維持したまま共にスライドさせるだけで，各切削予定ラインＬの組に容易に位置合わせができる。
【００６２】
次いで，ステップＳ１１８では，ＣＳＰ基板１２が例えば９０°回転される（ステップＳ１１８）。即ち，チャックテーブルを９０°回転させることによって，ＣＳＰ基板１２を第１及び第２の切削ユニット２０ａ，２０ｂに対して９０°回転させる。これにより，図５Ｄに示すように，上記短手方向の切削予定ラインＬ１〜Ｌ６に対して直交している長手方向の切削予定ラインＬ７〜Ｌ１０が，Ｘ軸方向に対して略平行となるように，ＣＳＰ基板１２の向きを変えることができる。
【００６３】
その後，ステップＳ１２０では，長手方向の切削予定ラインＬ７〜１０について，上記ステップＳ１０４〜Ｓ１１６と同様にして，第１及び第２の撮像手段４０ａ，４０ｂによって２つずつ同時にアライメントされる（ステップＳ１２０）。具体的には，図５Ｄに示すように，ＣＳＰ基板１２の加工面は，例えば，ＣＳＰ基板１２の長手方向に対して平行で，短手方向の方向の中央部を通る第２の中央線ＣＬ２を境界として，一側の第１の領域と，他側の第２の領域とに半分に区分されている。本実施形態では，このように区分された第１の領域に含まれる切削予定ラインＬ９及びＬ１０を，第１の撮像手段４０ａによってアライメントし，一方，第２の領域に含まれる切削予定ラインＬ７及びＬ８を，第２の撮像手段４０ｂによってアライメントする。この場合，例えば，まず，図５Ｄに示すように，第１及び第２の撮像手段４０ａ，４０ｂを切削予定ラインＬ９，Ｌ７の一端部付近のターゲットＴ７，Ｔ９上にそれぞれ配置し，次いで，撮像手段４０ａ，４０ｂによって２つの切削予定ラインＬ９及びＬ７を，上記ステップＳ１０６〜Ｓ１１２と同様にして同時にアライメントし，さらに，第１及び第２の撮像手段４０ａ，４０ｂを切削予定ラインＬ１０，Ｌ８の他端部付近のターゲットＴ１０，Ｔ８上に移動させ，その後，２つの切削予定ラインＬ１０及びＬ８を上記と同様にして同時にアライメントする。
【００６４】
上記のようして，ＣＳＰ基板１２上の２方向の全ての切削予定ラインＬ１〜Ｌ１０についてのアライメントが完了し，本実施形態にかかる切削装置におけるアライメント方法のすべてのステップが終了する。
【００６５】
以上のように，本実施形態にかかる切削装置におけるアライメント方法では，２つの切削ユニット２０ａ，２０ｂにそれぞれ装着された２つの撮像手段４０ａ，４０ｂを用いて，略平行な２つの切削予定ラインＬを同時にアライメントできる。このため，ＣＳＰ基板１２などのように切削予定ラインＬの平行精度が低いため，すべての切削予定ラインＬをアライメントする，或いは何ラインか毎に複数の切削予定ラインＬをアライメントする必要がある場合に，撮像手段４０ａ，４０ｂをＸ軸およびＹ軸方向に移動させる回数および移動量を半減できる。従って，複数の切削予定ラインＬのアライメントを迅速に行うことができるので，アライメントに要する時間を大幅に低減できる。具体的には，本実施形態のように２つの切削予定ラインＬを同時にアライメントするために必要な時間は，例えば約６秒程度であり，従来のように２つの切削予定ラインを１つずつアライメントしていた場合に要する時間（約１０秒）と比して，ほぼ半減している。このように，アライメント作業を迅速化することにより，ＣＳＰチップの生産性を向上させることができる。
【００６６】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００６７】
例えば，上記実施形態では，ダイシング装置１０の被加工物としてＣＳＰ基板１２の例を挙げて説明したが，本発明は，かかる例に限定されない。被加工物は，複数の切削予定ラインＬ（ストリート）を有する基板であれば，例えば，半導体ウェハ（シリコンウェハ等），ＧＰＳ基板，ＢＧＡ基板，ガラス基板，石英板，サファイア基板，セラミックス材，金属材などであってもよい。
【００６８】
また，上記実施形態では，ＣＳＰ基板１２上の全ての切削予定ラインＬについてアライメントする例について説明したが，本発明は，かかる例に限定されない。例えば，被加工物上の複数の切削予定ラインＬを，１，２，…，ｎ本おきに順次アライメントする，或いは任意に抽出した特定の複数の切削予定ラインＬを順次アライメントするなどしてもよい。これにより，全ての切削予定ラインＬをアライメントする場合よりも，迅速にアライメントを実行することができる。
【００６９】
また，上記実施形態では，ミクロ倍率に設定された撮像手段（即ち，第１の撮像手段４０ａおよび第２の撮像手段４０ｂ）と，マクロ倍率に設定した撮像手段（即ち，第３の撮像手段４０ｃ）とをそれぞれ別途に設置したが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，１つの撮像手段の倍率をミクロとマクロに切り替え可能に構成してもよい。なお，実際には，撮像手段の倍率の調整には精度が要求されるため，上記実施形態のように倍率を固定した撮像手段を別途設ける方が好ましい。
【００７０】
また，上記実施形態では，切削予定ラインＬの両端付近のターゲットＴ，Ｔ’の座標値に基づいて算出した調整角度θおよび調整Ｙ座標値を，当該切削予定ラインＬについてのアライメント情報として記憶したが，本発明は，かかる例に限定されない。アライメント情報は，アライメントされた切削予定ラインＬの位置を特定できる情報であれば，如何なる情報であってもよい。例えば，切削予定ラインＬの両端付近のターゲットＴ，Ｔ’の座標値自体を，アライメント情報として記録しておき，切削加工時に当該座標値を読み出して，上記調整角度θおよび調整Ｙ座標値などを演算するようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明は，切削装置におけるアライメント方法に適用可能であり，特に，ＣＳＰ基板等といった切削予定ラインの平行精度の低い被加工物を切削加工する切削装置におけるアライメント方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかるダイシング装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態にかかる第１の切削ユニットを示す斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施形態にかかるダイシング装置によるアライメント時における，第１及び第２の切削ユニットとＣＳＰ基板との位置関係を示す正面図および平面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態にかかるダイシング装置におけるアライメント方法を示すフローチャートである。
【図５Ａ】本発明の第１の実施形態にかかるダイシング装置におけるアライメント方法のステップＳ１０４等を説明するための工程図である。
【図５Ｂ】本発明の第１の実施形態にかかるダイシング装置におけるアライメント方法のステップＳ１０８等を説明するための工程図である。
【図５Ｃ】本発明の第１の実施形態にかかるダイシング装置におけるアライメント方法のステップＳ１１６等を説明するための工程図である。
【図５Ｄ】本発明の第１の実施形態にかかるダイシング装置におけるアライメント方法のステップＳ１１８等を説明するための工程図である。
【図６】切削装置の被加工物である半導体ウェハ（ａ）およびＣＳＰ基板（ｂ）を示す平面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０  ：  ダイシング装置
１２  ：  ＣＳＰ基板
２０ａ  ：  第１の切削ユニット
２０ｂ  ：  第２の切削ユニット
２２ａ，２２ｂ  ：  切削ブレード
２４ａ，２４ｂ  ：  スピンドル
３０  ：  チャックテーブル
３２  ：  制御装置
４０ａ  ：  第１の撮像手段
４０ｂ  ：  第２の撮像手段
４０ｃ  ：  第３の撮像手段
４２ａ  ：  第１の撮像手段の撮像領域
４２ｂ  ：  第２の撮像手段の撮像領域
Ｌａ  ：  第１の切削予定ライン
Ｌｂ  ：  第２の切削予定ライン
Ｌ１〜Ｌ１０，Ｌ  ：  切削予定ライン
Ｔ１〜Ｔ１０，Ｔ１’〜Ｔ１０’，Ｔ，Ｔ’  ：  ターゲット
ＣＬ１，ＣＬ２  ：  中央線
【図１】
2005085972.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６】
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