(57)【要約】【課題】光ディスクの２つの記録層からの反射光を精度良く分離する。【解決手段】第１記録層での反射光と第２記録層での反射光とが含まれる戻り光束を集光光学素子５８で収束光とし、該収束光の一部に含まれる第１記録層での反射光の集光位置Ｆ１と第２記録層での反射光の集光位置Ｆ２との間に少なくとも１つの光検出器ＰＤを配置し、その光検出器に第１記録層での反射光を受光する受光部と第２記録層での反射光を受光する受光部とを備えることにより、第１記録層からの反射光と第２記録層からの反射光とを、互いに干渉することなく、個別に取得することができる。すなわち、光ディスクの２つの記録層からの反射光を精度良く分離することが可能となる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの記録層を有する光ディスクに光を照射し、前記光ディスクからの反射光を受光する光ピックアップ装置であって、
光源と；
前記光源から出射され、光ディスクの第１記録層で反射された反射光と第２記録層で反射された反射光とが含まれる前記光ディスクからの戻り光束の光路上に配置され、前記戻り光束を収束光とする集光光学素子を含む光学系と；
前記集光光学素子からの収束光の一部に含まれる前記第１記録層での反射光の集光位置と前記第２記録層での反射光の集光位置との間に配置され、前記第１記録層での反射光を受光する受光部と前記第２記録層での反射光を受光する受光部とを有する少なくとも１つの光検出器と；を備える光ピックアップ装置。
【請求項２】
前記光学系は、前記集光光学素子からの収束光を複数の光束に分割する光分割素子を含み、
前記集光光学素子からの収束光の一部は、前記光分割素子で分割された光束であることを特徴とする請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】
前記光分割素子で分割された複数の光束は、第１光束と第２光束とを含み、
前記少なくとも１つの光検出器は、前記第１光束に含まれる前記第１記録層での反射光を受光する受光部と前記第２記録層での反射光を受光する受光部とを有する第１光検出器と、前記第２光束に含まれる前記第１記録層での反射光を受光する受光部と前記第２記録層での反射光を受光する受光部とを有する第２光検出器とを有することを特徴とする請求項２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
前記光分割素子は、光分割プリズムであることを特徴とする請求項２又は３に記載の光ピックアップ装置。
【請求項５】
前記光分割素子は、第１ホログラム領域及び第２ホログラム領域を有するホログラムであり、
前記第１光束は前記第１ホログラム領域からの回折光であり、前記第２光束は前記第２ホログラム領域からの回折光であることを特徴とする請求項３に記載の光ピックアップ装置。
【請求項６】
前記第１及び第２光束は、互いに回折次数が異なる光束であることを特徴とする請求項５に記載の光ピックアップ装置。
【請求項７】
前記第１及び第２ホログラム領域は、互いにレンズ作用が異なることを特徴とする請求項５に記載の光ピックアップ装置。
【請求項８】
前記第１及び第２光束は、互いに回折次数が等しい光束であることを特徴とする請求項７に記載の光ピックアップ装置。
【請求項９】
前記光源、前記光分割素子及び前記光検出器は、同一の筐体内に収納され、パッケージ化されていることを特徴とする請求項２〜８のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１０】
前記集光光学素子の光軸方向に前記集光光学素子を駆動する駆動手段を、更に備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１１】
前記光検出器の受光面における光軸方向に前記光検出器を駆動する駆動手段を、更に備えることを特徴とする請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１２】
前記集光光学素子からの収束光の光路上に配置され、印加電圧によってその屈折率が変化する電気光学素子を、更に備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１３】
２つの記録層を有する光ディスクに対して、記録、再生及び消去のうち少なくとも再生を行なう光ディスク装置であって、
請求項１〜９のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置と；
前記光ピックアップ装置の出力信号に基づいて、光ディスクの２つの記録層のうち再生対象の記録層からの信号を取得する信号取得手段と；
前記信号取得手段で取得された信号を用いて、再生を行なう再生手段と；を備える光ディスク装置。
【請求項１４】
前記信号取得手段は、前記光ピックアップ装置の出力信号から、前記再生対象の記録層からの信号のみが含まれる出力信号を選択することを特徴とする請求項１３に記載の光ディスク装置。
【請求項１５】
前記信号取得手段は、前記光ピックアップ装置の出力信号から、該出力信号に含まれる前記２つの記録層のうち再生対象でない記録層からの信号成分を減算することを特徴とする請求項１３に記載の光ディスク装置。
【請求項１６】
２つの記録層を有する光ディスクに対して、情報の記録、再生及び消去のうち少なくとも再生を行なう光ディスク装置であって、
請求項１０又は１１に記載の光ピックアップ装置と；
前記光ピックアップ装置を構成する駆動手段を、光ディスクの２つの記録層のうち再生対象の記録層に応じて制御する駆動制御手段と；
前記光ピックアップ装置の出力信号のうち、前記再生対象の記録層からの信号のみが含まれる出力信号を選択する信号選択手段と；
前記信号選択手段で選択された信号を用いて、再生を行なう再生手段と；を備える光ディスク装置。
【請求項１７】
２つの記録層を有する光ディスクに対して、情報の記録、再生及び消去のうち少なくとも再生を行なう光ディスク装置であって、
請求項１２に記載の光ピックアップ装置と；
前記光ピックアップ装置を構成する電気光学素子の屈折率を、光ディスクの２つ記録層のうち再生対象の記録層に応じて切り換える切換手段と；
前記光ピックアップ装置の出力信号のうち、前記再生対象の記録層からの信号のみが含まれる出力信号を選択する信号選択手段と；
前記信号選択手段で選択された信号を用いて、再生を行なう再生手段と；を備える光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ピックアップ装置及び光ディスク装置に係り、さらに詳しくは、２つの記録層を有する光ディスクに光束を照射し、該光ディスクからの反射光を受光する光ピックアップ装置、及び２つの記録層を有する光ディスクに対して情報の記録、再生及び消去のうち少なくとも再生を行なう光ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタル技術の進歩及びデータ圧縮技術の向上に伴い、音楽、映画、写真及びコンピュータソフトなどの情報（以下「コンテンツ」ともいう）を記録するための媒体として、ＤＶＤ（digital versatile disc）などの光ディスクが注目されるようになり、その低価格化とともに、光ディスクを情報記録の対象媒体とする光ディスク装置が普及するようになった。
【０００３】
ところで、コンテンツの情報量は、年々増加する傾向にあり、光ディスクの記録容量の更なる増加が期待されている。そこで、光ディスクの記録容量を増加させる手段の一つとして、記録層の多層化が考えられ、複数の記録層を有する光ディスク（以下「多層ディスク」ともいう）及び該多層ディスクをアクセス対象とする光ディスク装置の開発が盛んに行われている。
【０００４】
多層ディスクでは、記録層と記録層との間隔が広いと、球面収差の影響により選択された記録層からの信号が劣化するおそれがあるため、記録層と記録層との間隔を狭くする傾向にある。しかしながら、記録層と記録層との間隔が狭くなると、いわゆる層間クロストークにより、多層ディスクからの戻り光束には、選択された記録層での反射光（以下「信号光」ともいう）だけでなく、選択された記録層以外の記録層での反射光（以下「迷光」ともいう）も高いレベルで含まれることとなり、再生信号のＳ／Ｎ比が低下するおそれがあった。
【０００５】
そこで、多層ディスクを再生するときに、層間クロストークを低減させる装置が提案された（例えば、特許文献１〜特許文献３参照）。
【０００６】
しかしながら、特許文献１〜特許文献３に開示されている装置では、受光素子の受光面手前で信号光と迷光とが干渉するため、各受光素子での受光光量がそれぞれ変動し、再生信号のＳ／Ｎ比が低下する場合があった。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２７３６４０号公報
【特許文献２】特開平１０−１１７８６号公報
【特許文献３】ＷＯ９６／２０４７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第１の目的は、光ディスクの２つの記録層からの反射光を精度良く分離することができる光ピックアップ装置を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の第２の目的は、２つの記録層を有する光ディスクからの情報の再生を精度良く行うことができる光ディスク装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、２つの記録層を有する光ディスクに光を照射し、前記光ディスクからの反射光を受光する光ピックアップ装置であって、光源と；前記光源から出射され、光ディスクの第１記録層で反射された反射光と第２記録層で反射された反射光とが含まれる前記光ディスクからの戻り光束の光路上に配置され、前記戻り光束を収束光とする集光光学素子を含む光学系と；前記集光光学素子からの収束光の一部に含まれる前記第１記録層での反射光の集光位置と前記第２記録層での反射光の集光位置との間に配置され、前記第１記録層での反射光を受光する受光部と前記第２記録層での反射光を受光する受光部とを有する少なくとも１つの光検出器と；を備える光ピックアップ装置である。
【００１１】
これによれば、光源から出射された光束が２つの記録層（第１記録層、第２記録層）を有する光ディスクに照射されると、第１記録層での反射光と第２記録層での反射光とが含まれる戻り光束が集光光学素子に入射する。戻り光束は集光光学素子で収束光とされ、該収束光の一部は、少なくとも１つの光検出器で受光される。そして、この光検出器は、収束光の一部に含まれる第１記録層での反射光の集光位置と第２記録層での反射光の集光位置との間に配置され、第１記録層での反射光を受光する受光部と第２記録層での反射光を受光する受光部とを有しているため、第１記録層からの反射光と第２記録層からの反射光とを、互いに干渉することなく、個別に取得することができる。従って、光ディスクの２つの記録層からの反射光を精度良く分離することが可能となる。
【００１２】
この場合において、請求項２に記載の光ピックアップ装置の如く、前記光学系は、前記集光光学素子からの収束光を複数の光束に分割する光分割素子を含み、前記集光光学素子からの収束光の一部は、前記光分割素子で分割された光束であることとすることができる。
【００１３】
この場合において、請求項３に記載の光ピックアップ装置の如く、前記光分割素子で分割された複数の光束は、第１光束と第２光束とを含み、前記少なくとも１つの光検出器は、前記第１光束に含まれる前記第１記録層での反射光を受光する受光部と前記第２記録層での反射光を受光する受光部とを有する第１光検出器と、前記第２光束に含まれる前記第１記録層での反射光を受光する受光部と前記第２記録層での反射光を受光する受光部とを有する第２光検出器とを有することとすることができる。
【００１４】
上記請求項２及び３に記載の各光ピックアップ装置において、請求項４に記載の光ピックアップ装置の如く、前記光分割素子は、光分割プリズムであることとすることができる。
【００１５】
上記請求項３に記載の光ピックアップ装置において、請求項５に記載の光ピックアップ装置の如く、前記光分割素子は、第１ホログラム領域及び第２ホログラム領域を有するホログラムであり、前記第１光束は前記第１ホログラム領域からの回折光であり、前記第２光束は前記第２ホログラム領域からの回折光であることとすることができる。
【００１６】
この場合において、請求項６に記載の光ピックアップ装置の如く、前記第１及び第２光束は、互いに回折次数が異なる光束であることとすることができる。
【００１７】
上記請求項５に記載の光ピックアップ装置において、請求項７に記載の光ピックアップ装置の如く、前記第１及び第２ホログラム領域は、互いにレンズ作用が異なることとすることができる。
【００１８】
この場合において、請求項８に記載の光ピックアップ装置の如く、前記第１及び第２光束は、互いに回折次数が等しい光束であることとすることができる。
【００１９】
上記請求項２〜８に記載の各光ピックアップ装置において、請求項９に記載の光ピックアップ装置の如く、前記光源、前記光分割素子及び前記光検出器は、同一の筐体内に収納され、パッケージ化されていることとすることができる。
【００２０】
上記請求項１〜９に記載の各光ピックアップ装置において、請求項１０に記載の光ピックアップ装置の如く、前記集光光学素子の光軸方向に前記集光光学素子を駆動する駆動手段を、更に備えることとすることができる。
【００２１】
上記請求項１に記載の光ピックアップ装置において、請求項１１に記載の光ピックアップ装置の如く、前記光検出器の受光面における光軸方向に前記光検出器を駆動する駆動手段を、更に備えることとすることができる。
【００２２】
上記請求項１〜９に記載の各光ピックアップ装置において、請求項１２に記載の光ピックアップ装置の如く、前記集光光学素子からの収束光の光路上に配置され、印加電圧によってその屈折率が変化する電気光学素子を、更に備えることとすることができる。
【００２３】
請求項１３に記載の発明は、２つの記録層を有する光ディスクに対して、記録、再生及び消去のうち少なくとも再生を行なう光ディスク装置であって、請求項１〜９のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置と；前記光ピックアップ装置の出力信号に基づいて、光ディスクの２つの記録層のうち再生対象の記録層からの信号を取得する信号取得手段と；前記信号取得手段で取得された信号を用いて、再生を行なう再生手段と；を備える光ディスク装置である。
【００２４】
これによれば、請求項１〜９のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置を備えているため、信号取得手段により再生対象の記録層からの信号が容易に取得され、その結果、再生手段により再生対象の記録層に記録されている情報が精度良く再生される。すなわち、２つの記録層を有する光ディスクからの情報の再生を精度良く行うことが可能となる。
【００２５】
この場合において、請求項１４に記載の光ディスク装置の如く、前記信号取得手段は、前記光ピックアップ装置の出力信号から、前記再生対象の記録層からの信号のみが含まれる出力信号を選択することとすることができる。
【００２６】
上記請求項１３に記載の光ディスク装置において、請求項１５に記載の光ディスク装置の如く、前記信号取得手段は、前記光ピックアップ装置の出力信号から、該出力信号に含まれる前記２つの記録層のうち再生対象でない記録層からの信号成分を減算することとすることができる。
【００２７】
請求項１６に記載の発明は、２つの記録層を有する光ディスクに対して、情報の記録、再生及び消去のうち少なくとも再生を行なう光ディスク装置であって、請求項１０又は１１に記載の光ピックアップ装置と；前記光ピックアップ装置を構成する駆動手段を、光ディスクの２つの記録層のうち再生対象の記録層に応じて制御する駆動制御手段と；前記光ピックアップ装置の出力信号のうち、前記再生対象の記録層からの信号のみが含まれる出力信号を選択する信号選択手段と；前記信号選択手段で選択された信号を用いて、再生を行なう再生手段と；を備える光ディスク装置である。
【００２８】
これによれば、請求項１０又は１１に記載の光ピックアップ装置を備えているため、駆動制御手段により再生対象の記録層に応じて光ピックアップ装置の駆動手段を制御することにより、光ピックアップ装置の出力信号のうち再生対象の記録層からの信号のみが含まれる出力信号が、信号選択手段により容易に選択される。その結果、再生手段により再生対象の記録層に記録されている情報が精度良く再生される。すなわち、２つの記録層を有する光ディスクからの情報の再生を精度良く行うことが可能となる。
【００２９】
請求項１７に記載の発明は、２つの記録層を有する光ディスクに対して、情報の記録、再生及び消去のうち少なくとも再生を行なう光ディスク装置であって、請求項１２に記載の光ピックアップ装置と；前記光ピックアップ装置を構成する電気光学素子の屈折率を、光ディスクの２つ記録層のうち再生対象の記録層に応じて切り換える切換手段と；前記光ピックアップ装置の出力信号のうち、前記再生対象の記録層からの信号のみが含まれる出力信号を選択する信号選択手段と；前記信号選択手段で選択された信号を用いて、再生を行なう再生手段と；を備える光ディスク装置である。
【００３０】
これによれば、請求項１２に記載の光ピックアップ装置を備えているため、切換手段により再生対象の記録層に応じて光ピックアップ装置を構成する電気光学素子の屈折率を切り換えることにより、光ピックアップ装置の出力信号のうち再生対象の記録層からの信号のみが含まれる出力信号が、信号選択手段により選択される。その結果、再生手段により再生対象の記録層に記録されている情報が精度良く再生される。すなわち、２つの記録層を有する光ディスクからの情報の再生を精度良く行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
《第１の実施形態》
以下、本発明の第１の実施形態を図１〜図１０に基づいて説明する。図１には、第１の実施形態に係る光ディスク装置２０の概略構成が示されている。
【００３２】
この図１に示される光ディスク装置２０は、光ディスク１５を回転駆動するためのスピンドルモータ２２、光ピックアップ装置２３、該光ピックアップ装置２３をスレッジ方向に駆動するためのシークモータ２１、レーザ制御回路２４、エンコーダ２５、サーボ制御回路２６、再生信号処理回路２８、バッファＲＡＭ３４、バッファマネージャ３７、インターフェース３８、フラッシュメモリ３９、ＣＰＵ４０及びＲＡＭ４１などを備えている。なお、図１における矢印は、代表的な信号や情報の流れを示すものであり、各ブロックの接続関係の全てを表すものではない。
【００３３】
また、この光ディスク装置２０は、本第１の実施形態では一例として、２つの記録層を有する光ディスクに対応しているものとする。すなわち、光ディスク１５は、いわゆる２層ディスクである。
【００３４】
この光ディスク１５は、一例として図２に示されるように、光ピックアップ装置２３に近いほうから順に、基板Ｌ0、記録層Ｍ0（第１記録層）、中間層ＭＬ、記録層Ｍ1（第２記録層）、基板Ｌ1などを有している。各記録層にはスパイラル状のトラックがそれぞれ形成されており、情報はトラック上に記録される。また、記録層Ｍ0と中間層ＭＬとの間にはシリコン、銀、アルミニウムなどで形成された半透過膜ＭＢ0があり、記録層Ｍ1と基板Ｌ1との間には銀、アルミニウムなどで形成された金属反射膜ＭＢ1がある。なお、一例として、光ディスク１５は記録可能な２層ディスクであり、市販されているＤＶＤと同様に、約６６０ｎｍの波長の光に対応しているものとする。
【００３５】
前記光ピックアップ装置２３は、光ディスク１５の２つの記録層のうち選択された記録層（以下「選択記録層」と略述する）にレーザ光を集光するとともに、光ディスク１５からの反射光を戻り光束として受光する装置である。この光ピックアップ装置２３は、一例として図３（Ａ）に示されるように、光源ユニット５１、カップリングレンズ５２、ビームスプリッタ５４、対物レンズ６０、集光光学素子としての集光レンズ５８、遮光板５９、光検出器としての受光器ＰＤ、集光レンズ５８をその光軸方向に駆動するための駆動手段としての集光レンズアクチュエータＡＣ１、及び対物レンズ６０を駆動するための対物レンズ駆動系（フォーカシングアクチュエータＡＣ２及びトラッキングアクチュエータ（図示省略））などを備えている。
【００３６】
上記光源ユニット５１は、約６６０ｎｍの波長のレーザ光を発光する光源としての半導体レーザＬＤを含んで構成されている。なお、本第１の実施形態では、光源ユニット５１から出射されるレーザ光の最大強度出射方向を＋Ｘ方向とする。この光源ユニット５１の＋Ｘ側には、前記カップリングレンズ５２が配置され、光源ユニット５１から出射された光束を略平行光とする。
【００３７】
前記ビームスプリッタ５４は、カップリングレンズ５２の＋Ｘ側に配置され、カップリングレンズ５２からの光束をそのまま透過させ、かつ光ディスク１５で反射した光束（戻り光束）を−Ｚ方向に分岐する。このビームスプリッタ５４の＋Ｘ側には前記対物レンズ６０が配置され、ビームスプリッタ５４を透過した光束を選択記録層に集光する。
【００３８】
前記集光レンズ５８は、ビームスプリッタ５４の−Ｚ側に配置され、ビームスプリッタ５４で−Ｚ方向に分岐された戻り光束を収束光とする。
【００３９】
前記遮光板５９は、集光レンズ５８からの収束光のうち、集光レンズ５８の光軸より＋Ｘ側の収束光を遮光する。そして、集光レンズ５８の光軸より−Ｘ側の収束光は検出用光束（収束光の一部）として前記受光器ＰＤの受光面の方向に向かう。
【００４０】
前記受光器ＰＤの受光面は、一例として図３（Ｂ）に示されるように、トラックの接線方向に直交する方向（いわゆるトラッキング方向）に対応する方向の分割線ＢＬによって、受光領域ＤＡと受光領域ＤＢとに分割されている。そして、受光領域ＤＡは分割線ＢＬに直交する２本の分割線によって更に３つの部分受光領域（Ｄa、Ｄb、Ｄc）に分割されている。また、受光領域ＤＢも同様に分割線ＢＬに直交する２本の分割線によって更に３つの部分受光領域（Ｄd、Ｄe、Ｄf）に分割されている。各部分受光領域は、それぞれ受光量に応じた光電変換信号を生成する。ここで生成された各光電変換信号は、それぞれ再生信号処理回路２８に出力される。
【００４１】
前記フォーカシングアクチュエータＡＣ２は、対物レンズ６０の光軸方向であるフォーカス方向に対物レンズ６０を微少駆動するためのアクチュエータである。前記トラッキングアクチュエータ（図示省略）は、トラッキング方向に対物レンズ６０を微少駆動するためのアクチュエータである。
【００４２】
図１に戻り、前記再生信号処理回路２８は、Ｉ／Ｖアンプ２８ａ、サーボ信号検出回路２８ｂ、ウォブル信号検出回路２８ｃ、ＲＦ信号検出回路２８ｄ、及びデコーダ２８ｅなどから構成されている。
【００４３】
前記Ｉ／Ｖアンプ２８ａは、受光器ＰＤからの各光電変換信号をそれぞれ電圧信号に変換するとともに、所定のゲインで増幅する。ここでは、部分受光領域Ｄaからの光電変換信号に対応するＩ／Ｖアンプ２８ａの出力信号を信号Ｖaとし、部分受光領域Ｄbからの光電変換信号に対応するＩ／Ｖアンプ２８ａの出力信号を信号Ｖbとし、部分受光領域Ｄcからの光電変換信号に対応するＩ／Ｖアンプ２８ａの出力信号を信号Ｖcとする。また、部分受光領域Ｄdからの光電変換信号に対応するＩ／Ｖアンプ２８ａの出力信号を信号Ｖdとし、部分受光領域Ｄeからの光電変換信号に対応するＩ／Ｖアンプ２８ａの出力信号をＶeとし、部分受光領域Ｄfからの光電変換信号に対応するＩ／Ｖアンプ２８ａの出力信号を信号Ｖfとする。
【００４４】
そこで、次の（１）式で示されるように、信号ＶａとＶbとＶcを加算した信号（ＶＡとする）が、受光領域ＤＡに対応するＩ／Ｖアンプ２８ａの出力信号となる。また、次の（２）式で示されるように、信号ＶdとＶeとＶfを加算した信号（ＶＢとする）が、受光領域ＤＢに対応するＩ／Ｖアンプ２８ａの出力信号となる。
【００４５】
ＶＡ＝Ｖa＋Ｖb＋Ｖc  ……（１）
ＶＢ＝Ｖd＋Ｖe＋Ｖf  ……（２）
【００４６】
前記サーボ信号検出回路２８ｂは、Ｉ／Ｖアンプ２８ａの出力信号に基づいてフォーカスエラー信号及びトラックエラー信号などのサーボ信号を検出する。ここで検出されたサーボ信号は前記サーボ制御回路２６に出力される。
【００４７】
前記ウォブル信号検出回路２８ｃは、Ｉ／Ｖアンプ２８ａの出力信号に基づいてウォブル信号を検出する。前記ＲＦ信号検出回路２８ｄは、Ｉ／Ｖアンプ２８ａの出力信号に基づいてＲＦ信号を検出する。前記デコーダ２８ｅは前記ウォブル信号からアドレス情報及び同期信号などを抽出する。ここで抽出されたアドレス情報はＣＰＵ４０に出力され、同期信号はエンコーダ２５に出力される。また、デコーダ２８ｅは前記ＲＦ信号に対して復号処理及び誤り検出処理などを行い、誤りが検出されたときには誤り訂正処理を行った後、再生データとして前記バッファマネージャ３７を介して前記バッファＲＡＭ３４に格納する。
【００４８】
前記サーボ制御回路２６は、ＰＵ制御回路２６ａ、シークモータ制御回路２６ｂ、及びＳＰモータ制御回路２６ｃを有している。
【００４９】
前記ＰＵ制御回路２６ａは、一例として図４に示されるように、フォーカシングアクチュエータＡＣ２の駆動信号（以下便宜上、「第１駆動信号」という）を生成するフォーカシングＡＣＴ制御回路２６１、不図示のトラッキングアクチュエータの駆動信号（以下便宜上、「第２駆動信号」という）を生成するトラッキングＡＣＴ制御回路２６３、及び集光レンズアクチュエータＡＣ１の駆動信号（以下便宜上、「第３駆動信号」という）を生成する集光レンズＡＣＴ制御回路２６５を有している。
【００５０】
前記フォーカシングＡＣＴ制御回路２６１は、ビームスプリッタ５４を透過した光束が選択記録層に集光されるように、ＣＰＵ４０からの選択記録層を示す記録層信号に基づいて、フォーカス方向に関する対物レンズ６０の位置が、記録層Ｍ0に対応する位置（以下「第１レンズ位置」と略述する）及び記録層Ｍ1に対応する位置（以下「第２レンズ位置」と略述する）のいずれかとなるように前記第１駆動信号を生成する。なお、対物レンズ６０が第２レンズ位置にあるときには、第１レンズ位置にあるときよりも、対物レンズ６０と光ディスク１５との間隔は狭くなる（図５（Ａ）及び図５（Ｂ）参照）。
【００５１】
また、フォーカシングＡＣＴ制御回路２６１は、前記フォーカスエラー信号に基づいて、フォーカスずれが補正されるように前記第１駆動信号を調整する。これにより、フォーカス制御が行われる。
【００５２】
前記トラッキングＡＣＴ制御回路２６３は、前記トラックエラー信号に基づいて、トラックずれが補正されるように前記第２駆動信号を生成する。これにより、トラッキング制御が行われる。
【００５３】
前記集光レンズＡＣＴ制御回路２６５は、ＣＰＵ４０からの記録層信号に基づいて、集光レンズ５８の光軸方向に関する集光レンズ５８の位置が、記録層Ｍ0に対応する位置（以下「第１対応位置」と略述する）及び記録層Ｍ1に対応する位置（以下「第２対応位置」と略述する）のいずれかとなるように前記第３駆動信号を生成する。なお、この第１対応位置及び第２対応位置については後述する。
【００５４】
図１に戻り、前記シークモータ制御回路２６ｂは、ＣＰＵ４０の指示に基づいてシークモータ２１を駆動するための駆動信号を生成する。ここで生成された駆動信号はシークモータ２１に出力される。
【００５５】
前記ＳＰモータ制御回路２６ｃは、ＣＰＵ４０の指示に基づいてスピンドルモータ２２を駆動するための駆動信号を生成する。ここで生成された駆動信号はスピンドルモータ２２に出力される。なお、ＳＰモータ制御回路２６ｃは、再生及び記録中においては、スピンドルモータ２２の線速度（又は角速度）が指示された速度を維持するようにスピンドルモータ２２の駆動信号を調整する。
【００５６】
前記バッファＲＡＭ３４には、光ディスク１５に記録するデータ（記録用データ）、及び光ディスク１５から再生したデータ（再生データ）などが一時的に格納される。このバッファＲＡＭ３４へのデータの入出力は、前記バッファマネージャ３７によって管理されている。
【００５７】
前記エンコーダ２５は、ＣＰＵ４０の指示に基づいてバッファＲＡＭ３４に蓄積されている記録用データをバッファマネージャ３７を介して取り出し、データの変調及びエラー訂正コードの付加などを行ない、光ディスク１５への書き込み信号を生成する。ここで生成された書き込み信号はレーザ制御回路２４に出力される。
【００５８】
前記レーザ制御回路２４は、半導体レーザＬＤから出射されるレーザ光のパワーを制御する。例えば記録の際には、レーザ制御回路２４は、前記書き込み信号、記録条件、及び半導体レーザＬＤの発光特性などに基づいて、半導体レーザＬＤの駆動信号を生成する。
【００５９】
前記インターフェース３８は、上位装置９０（例えば、パソコン）との双方向の通信インターフェースであり、ＡＴＡＰＩ（AT Attachment Packet Interface）及びＳＣＳＩ（Small Computer System Interface）などの標準インターフェースに準拠している。再生時には、バッファＲＡＭ３４に格納されている再生データは、セクタ毎にインターフェース３８を介して上位装置９０に出力される。また、記録時には、上位装置９０から記録用データがインターフェース３８を介して入力され、バッファマネージャ３７を介してバッファＲＡＭ３４に蓄積される。
【００６０】
前記フラッシュメモリ３９は、プログラム領域及びデータ領域を含んで構成されている。フラッシュメモリ３９のプログラム領域には、ＣＰＵ４０にて解読可能なコードで記述されたプログラムが格納されている。また、フラッシュメモリ３９のデータ領域には、記録条件及び半導体レーザＬＤの発光特性などが格納されている。
【００６１】
前記ＣＰＵ４０は、フラッシュメモリ３９のプログラム領域に格納されているプログラムに従って前記各部の動作を制御するとともに、制御に必要なデータなどをＲＡＭ４１及びバッファＲＡＭ３４に保存する。
【００６２】
ここで、光ディスク１５からの戻り光束について説明する。
【００６３】
選択記録層が記録層Ｍ0のときには、一例として図５（Ａ）に示されるように、対物レンズ６０は前記第１レンズ位置に位置決めされる。これにより、半導体レーザＬＤから出射された光束は、対物レンズ６０によって記録層Ｍ0に集光される。そして、半透過膜ＭＢ0で反射された光束は信号光として対物レンズ６０に入射する。一方、半透過膜ＭＢ0を透過した光束は前記金属反射膜ＭＢ1で反射され、迷光として対物レンズ６０に入射する。
【００６４】
選択記録層が記録層Ｍ1のときには、一例として図５（Ｂ）に示されるように、対物レンズ６０は前記第２レンズ位置に位置決めされる。これにより、半導体レーザＬＤから出射された光束は、対物レンズ６０によって記録層Ｍ1に集光される。そして、金属反射膜ＭＢ1で反射された光束は信号光として対物レンズ６０に入射する。一方、半透過膜ＭＢ0で反射された光束は迷光として対物レンズ６０に入射する。
【００６５】
すなわち、選択記録層がいずれの記録層であっても、戻り光束には半透過膜ＭＢ0で反射された光束（以下「第１反射光束」ともいう）と金属反射膜ＭＢ1で反射された光束（以下「第２反射光束」ともいう）とが含まれることとなる。ここでは、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、第１反射光束が信号光であり、第２反射光束が迷光である。一方、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、第２反射光束が信号光であり、第１反射光束が迷光である。従って、前記検出用光束も信号光成分と迷光成分とを含んでいる。迷光成分は再生信号処理回路２８で各種信号を検出する際にＳ/Ｎ比を低下させる要因となるため、検出用光束に含まれる信号光成分と迷光成分とを分離する必要がある。
【００６６】
ところで、半透過膜ＭＢ0と金属反射膜ＭＢ1とは、フォーカス方向に関して互いに離れているために、第１反射光束の集光位置（Ｆ１とする）と第２反射光束の集光位置（Ｆ２とする）とは一致せずに、集光レンズ５８の光軸方向に関して互いに離れることとなる。そして、集光位置Ｆ１と集光位置Ｆ２との間では、検出用光束は、集光レンズ５８の光軸の＋Ｘ側が第２反射光束のみとなり、−Ｘ側が第１反射光束のみとなる。
【００６７】
そこで、集光位置Ｆ１と集光位置Ｆ２との間であって、集光レンズ５８の光軸の＋Ｘ側が受光領域ＤＡ、−Ｘ側が受光領域ＤＢとなるような位置（以下「分離受光位置」ともいう）に受光器ＰＤを配置することにより、第１反射光束と第２反射光束とを個別に検出することが可能となる。
【００６８】
しかしながら、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示されるように、選択記録層が記録層Ｍ0のときと記録層Ｍ1のときとで対物レンズ６０と光ディスク１５との間隔が異なるために、集光位置Ｆ１及び集光位置Ｆ２は、それぞれ選択記録層が記録層Ｍ0のときと記録層Ｍ1のときとでは異なっている。そこで、選択記録層がいずれの記録層であっても、受光器ＰＤの位置が前記分離受光位置となるように、集光レンズＡＣＴ制御回路２６５によって、集光レンズ５８の位置が制御される。すなわち、一例として図６（Ａ）に示されるように、選択記録層が記録層Ｍ0のときに、受光器ＰＤの位置が分離受光位置となるような集光レンズ５８の位置が前記第１対応位置であり、一例として図７（Ａ）に示されるように、選択記録層が記録層Ｍ1のときに、受光器ＰＤの位置が分離受光位置となるような集光レンズ５８の位置が前記第２対応位置である。
【００６９】
従って、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、一例として図６（Ｂ）に示されるように、受光器ＰＤの受光領域ＤＡで迷光成分が受光され、受光領域ＤＢで信号光成分が受光される。すなわち、前記信号ＶＡは、信号光成分をほとんど含まない迷光成分のみによる信号Ｓmとなり、前記信号ＶＢは、迷光成分をほとんど含まない信号光成分による信号Ｓdとなる（図６（Ｃ）参照）。なお、図６（Ｃ）におけるＦＥはフォーカスエラー信号を示している。
【００７０】
また、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、一例として図７（Ｂ）に示されるように、受光器ＰＤの受光領域ＤＡで信号光成分が受光され、受光領域ＤＢで迷光成分が受光される。すなわち、信号ＶＡは、迷光成分をほとんど含まない信号光成分による信号Ｓdとなり、信号ＶＢは、信号光成分をほとんど含まない迷光成分のみによる信号Ｓmとなる（図７（Ｃ）参照）。
【００７１】
前記ＲＦ信号検出回路２８ｄは、一例として図８に示されるように、ＣＰＵ４０からの記録層信号Ｌselに応じて、信号ＶＢ及びＶＡのいずれかを選択する切換スイッチ２８１と、切換スイッチ２８１の出力信号に基づいてＲＦ信号を求める演算回路２８２とを有している。切換スイッチ２８１は、選択記録層が記録層Ｍ0のときに信号ＶＢを選択し、選択記録層が記録層Ｍ1のときに信号ＶＡを選択するように設定されている。これにより、ＲＦ信号を精度良く取得することができる。
【００７２】
前記サーボ信号検出回路２８ｂは、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、Ｉ／Ｖアンプ２８ａからの信号Ｖdと信号Ｖfとの差信号に基づいてトラックエラー信号を検出し、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、Ｉ／Ｖアンプ２８ａからの信号Ｖaと出力信号Ｖcとの差信号に基づいてトラックエラー信号を検出する。
【００７３】
また、サーボ信号検出回路２８ｂは、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、信号ＶＢの低周波成分を抽出してフォーカスエラー信号ＦＥを検出し、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、信号ＶＡの低周波成分を抽出してフォーカスエラー信号ＦＥを検出する。
【００７４】
なお、選択記録層が記録層Ｍ0から記録層Ｍ1に変わったときに、集光レンズ５８の位置を変更しない場合には、一例として図９（Ａ）に示されるように、受光器ＰＤの後方（−Ｚ側）にＦ１とＦ２とが位置し、一例として図９（Ｂ）に示されるように、受光領域ＤＢで迷光成分と信号光成分とが混在して受光される。この場合には、迷光成分と信号光成分との分離はできない（図９（Ｃ）参照）。
【００７５】
以上の説明から明らかなように、本第１の実施形態に係る光ディスク装置２０では、ＲＦ信号検出回路２８ｄによって信号選択手段が構成され、デコーダ２８ｅによって再生手段が構成されている。また、集光レンズＡＣＴ制御回路２６５によって駆動制御手段が構成されている。
【００７６】
以上説明したように、本第１の実施形態に係る光ピックアップ装置２３によると、２つの記録層を有する光ディスク１５において、半導体レーザＬＤ（光源）から出射された光束が選択記録層に集光されると、記録層Ｍ0（第１記録層）での反射光と記録層Ｍ1（第２記録層）での反射光とが含まれる戻り光束は集光レンズ５８（集光光学素子）で収束光とされる。この収束光はその約半分が遮光板５９で遮光され、残り半分の収束光は遮光板５９を透過する。遮光板５９を透過した収束光（収束光の一部）に含まれる記録層Ｍ0での反射光はＦ１に集光し、記録層Ｍ1での反射光はＦ２に集光する。そして、受光器ＰＤ（光検出器）はＦ１とＦ２との間に位置し、受光領域ＤＢで記録層Ｍ0での反射光が受光され、受光領域ＤＡで記録層Ｍ1での反射光が受光されるように設定されているため、互いに干渉することなく、記録層Ｍ0での反射光と記録層Ｍ1での反射光とを分離することができる。従って、光ディスクの２つの記録層からの反射光を精度良く分離することが可能となる。
【００７７】
また、集光レンズ５８を駆動するための集光レンズアクチュエータＡＣ１を備えているため、いずれの記録層が選択されても、受光器ＰＤがＦ１とＦ２との間に位置することが可能となる。
【００７８】
また、本第１の実施形態に係る光ディスク装置によると、ＲＦ信号検出回路２８ｄでは、光ピックアップ装置２３の出力信号のうち選択された記録層からの信号を選択して、ＲＦ信号を検出する。ここでは、２つの記録層のうち選択された記録層からの反射光の光電変換信号が光ピックアップ装置２３から精度良く出力されるため、ＲＦ信号検出回路２８ｄで検出されたＲＦ信号のＳ/Ｎ比を向上させることができる。そこで、デコーダ２８ｅでは、選択された記録層に記録されている情報が精度良く再生される。すなわち、２つの記録層を有する光ディスクからの情報の再生を精度良く行うことが可能となる。
【００７９】
また、一例として図１０に示されるように、中間層ＭＬの厚さが薄くなっても、再生信号におけるＣＮ（キャリア・ノイズ）比の低下を従来よりも抑えることができる。なお、図１０には、５Ｔの連続マークを再生したときの再生信号のＣＮ比を測定した結果が示されている。
【００８０】
また、集光レンズＡＣＴ制御回路２６５を備え、いずれの記録層が選択されても、受光器ＰＤがＦ１とＦ２との間に位置するように、集光レンズ５８の位置を制御しているため、いずれの記録層が選択されても、選択された記録層に記録されている情報を精度良く再生することができる。
【００８１】
《第２の実施形態》
次に、本発明の第２の実施形態を図１１〜図１４（Ｃ）に基づいて説明する。
【００８２】
この第２の実施形態は、上記第１の実施形態の変形例であり、第１の実施形態に係る光ピックアップ装置２３において、一例として図１１に示されるように、前記集光レンズ５８を駆動する代わりに前記受光器ＰＤを駆動する点が前述した第１の実施形態と異なっている。すなわち、前記集光レンズアクチュエータＡＣ１に代えて、前記受光器ＰＤをその受光面における光軸方向に駆動するための駆動手段としての受光器アクチュエータＡＣ３が設けられている。これに伴い、前記ＰＵ制御回路２６ａは、一例として図１２に示されるように、前記集光レンズＡＣＴ制御回路２６５に代えて、前記受光器アクチュエータＡＣ３の駆動信号（以下便宜上、「第４駆動信号」という）を生成するＰＤＡＣＴ制御回路２６７が設けられている。なお、その他の構成の大部分は、前述した第１の実施形態と同様である。そこで、以下においては、第１の実施形態との相違点を中心に説明するとともに、前述した第１の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については同一の符号を用い、その説明を簡略化し若しくは省略するものとする。
【００８３】
上記ＰＤＡＣＴ制御回路２６７は、ＣＰＵ４０からの記録層信号に基づいて、受光器ＰＤが前記分離受光位置に位置するように、前記第４駆動信号を生成する。ここでは、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、一例として図１３（Ａ）に示されるように、受光器ＰＤは＋Ｚ方向に駆動され、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、一例として図１４（Ａ）に示されるように、受光器ＰＤは−Ｚ方向に駆動される。
【００８４】
従って、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、一例として図１３（Ｂ）に示されるように、第１の実施形態と同様に、受光器ＰＤの受光領域ＤＡで迷光成分が受光され、受光領域ＤＢで信号光成分が受光される。すなわち、信号ＶＡは、信号光成分をほとんど含まない迷光成分のみによる信号Ｓmとなり、信号ＶＢは、迷光成分をほとんど含まない信号光成分による信号Ｓdとなる（図１３（Ｃ）参照）。
【００８５】
また、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、一例として図１４（Ｂ）に示されるように、第１の実施形態と同様に、受光器ＰＤの受光領域ＤＡで信号光成分が受光され、受光領域ＤＢで迷光成分が受光される。すなわち、信号ＶＡは、迷光成分をほとんど含まない信号光成分による信号Ｓdとなり、信号ＶＢは、信号光成分をほとんど含まない迷光成分のみによる信号Ｓmとなる（図１４（Ｃ）参照）。
【００８６】
ＲＦ信号検出回路２８ｄは、第１の実施形態と同様に、選択記録層が記録層Ｍ0のときには信号ＶＢを選択してＲＦ信号を検出し、選択記録層が記録層Ｍ1のときに信号ＶＡを選択してＲＦ信号を検出する。すなわち、第１の実施形態と同様に、ＲＦ信号を精度良く取得することができる。
【００８７】
サーボ信号検出回路２８ｂは、第１の実施形態と同様にして、トラックエラー信号及びフォーカスエラー信号ＦＥを検出する。
【００８８】
以上説明したように、本第２の実施形態に係る光ピックアップ装置によると、第１の実施形態と同様に、受光領域ＤＢで記録層Ｍ0での反射光が受光され、受光領域ＤＡで記録層Ｍ1での反射光が受光されるため、互いに干渉することなく、記録層Ｍ0での反射光と記録層Ｍ1での反射光とを分離することができる。従って、光ディスクの２つの記録層からの反射光を精度良く分離することが可能となる。
【００８９】
また、受光器ＰＤを駆動するための受光器アクチュエータＡＣ３を備えているため、いずれの記録層が選択されても、受光器ＰＤがＦ１とＦ２との間に位置することが可能となる。
【００９０】
また、本第２の実施形態に係る光ディスク装置によると、２つの記録層のうち選択された記録層からの反射光の光電変換信号が光ピックアップ装置２３から精度良く出力されるため、第１の実施形態と同様にして、選択された記録層に記録されている情報を精度良く再生することができる。従って、２つの記録層を有する光ディスクからの情報の再生を精度良く行うことが可能となる。
【００９１】
また、ＰＤＡＣＴ制御回路２６７を備え、いずれの記録層が選択されても、受光器ＰＤがＦ１とＦ２との間に位置するように、受光器ＰＤの位置を制御しているため、いずれの記録層が選択されても、選択された記録層に記録されている情報を精度良く再生することができる。
【００９２】
《第３の実施形態》
次に、本発明の第３の実施形態を図１５〜図１８（Ｂ）に基づいて説明する。
【００９３】
この第３の実施形態は、前記第１の実施形態の変形例であり、第１の実施形態に係る光ピックアップ装置２３において、一例として図１５に示されるように、前記遮光板５９と前記受光器ＰＤとの間に、印加電圧によってその屈折率が変化する電気光学素子としての液晶素子ＰＰが配置され、かつ前記集光レンズアクチュエータＡＣ１を備えていない点が前述した第１の実施形態と異なっている。これに伴い、前記ＰＵ制御回路２６ａは、一例として図１６に示されるように、前記集光レンズＡＣＴ制御回路２６５に代えて、前記液晶素子ＰＰに印加される電圧信号を生成する切換手段としてのＰＰ屈折率切換回路２６９が設けられている。なお、その他の構成の大部分は、前述した第１の実施形態と同様である。そこで、以下においては、第１の実施形態との相違点を中心に説明するとともに、前述した第１の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については同一の符号を用い、その説明を簡略化し若しくは省略するものとする。
【００９４】
前記ＰＰ屈折率切換回路２６９は、ＣＰＵ４０からの記録層信号に基づいて、液晶素子ＰＰの屈折率が、記録層Ｍ0に対応する屈折率（以下「第１屈折率」という）及び記録層Ｍ1に対応する屈折率（以下「第２屈折率」という）のいずれかとなるように前記電圧信号を生成する。
【００９５】
ここでは、一例として図１７（Ａ）に示されるように、選択記録層が記録層Ｍ0のときに、受光器ＰＤの位置が前記分離受光位置となるような屈折率が前記第１屈折率であり、一例として図１８（Ａ）に示されるように、選択記録層が記録層Ｍ1のときに、受光器ＰＤの位置が前記分離受光位置となるような屈折率が前記第２屈折率である。
【００９６】
そこで、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、一例として図１７（Ｂ）に示されるように、第１の実施形態と同様に、受光領域ＤＡで迷光成分が受光され、受光領域ＤＢで信号光成分が受光される。
【００９７】
また、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、一例として図１８（Ｂ）に示されるように、第１の実施形態と同様に、受光領域ＤＡで信号光成分が受光され、受光領域ＤＢで迷光成分が受光される。
【００９８】
ＲＦ信号検出回路２８ｄは、第１の実施形態と同様に、選択記録層が記録層Ｍ0のときには信号ＶＢを選択してＲＦ信号を検出し、選択記録層が記録層Ｍ1のときには信号ＶＡを選択してＲＦ信号を検出する。すなわち、第１の実施形態と同様に、ＲＦ信号を精度良く取得することができる。
【００９９】
サーボ信号検出回路２８ｂは、第１の実施形態と同様にして、トラックエラー信号及びフォーカスエラー信号ＦＥを検出する。
【０１００】
以上説明したように、本第３の実施形態に係る光ピックアップ装置によると、第１の実施形態と同様に、受光領域ＤＢで記録層Ｍ0での反射光が受光され、受光領域ＤＡで記録層Ｍ1での反射光が受光されるため、互いに干渉することなく、記録層Ｍ0での反射光と記録層Ｍ1での反射光とを分離することができる。従って、光ディスクの２つの記録層からの反射光を精度良く分離することが可能となる。
【０１０１】
また、印加電圧によってその屈折率が変化する液晶素子ＰＰを備えているため、いずれの記録層が選択されても、受光器ＰＤがＦ１とＦ２との間に位置することが可能となる。
【０１０２】
また、本第３の実施形態に係る光ディスク装置によると、２つの記録層のうち選択された記録層からの反射光の光電変換信号が光ピックアップ装置２３から精度良く出力されるため、第１の実施形態と同様にして、選択された記録層に記録されている情報を精度良く再生することができる。従って、２つの記録層を有する光ディスクからの情報の再生を精度良く行うことが可能となる。
【０１０３】
また、ＰＰ屈折率切換回路２６９を備え、いずれの記録層が選択されても、受光器ＰＤがＦ１とＦ２との間に位置するように、液晶素子ＰＰの屈折率を切り換えているため、いずれの記録層が選択されても、選択された記録層に記録されている情報を精度良く再生することができる。
【０１０４】
なお、上記実施形態では、電気光学素子として液晶素子を用いる場合について説明したが、これに限らず、例えば印加される電圧に応じて屈折率が変化する電気光学結晶を有する光学素子であっても良い。
【０１０５】
《第４の実施形態》
次に、本発明の第４の実施形態を図１９（Ａ）〜図２３（Ｃ）に基づいて説明する。
【０１０６】
この第４の実施形態は、前記第１の実施形態の変形例であり、第１の実施形態に係る光ピックアップ装置２３において、一例として図１９（Ａ）に示されるように、前記遮光板５９に代えて光分割素子としての光分割プリズム６１を用い、前記受光器ＰＤに代えて２つの受光器（ＰＤ１、ＰＤ２）を用いている点が前述した第１の実施形態と異なっている。なお、その他の構成の大部分は、前述した第１の実施形態と同様である。そこで、以下においては、第１の実施形態との相違点を中心に説明するとともに、前述した第１の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については同一の符号を用い、その説明を簡略化し若しくは省略するものとする。
【０１０７】
前記光分割プリズム６１は、集光レンズ５８からの収束光を集光レンズ５８の光軸より＋Ｘ側の光束と、集光レンズ５８の光軸より−Ｘ側の光束とに分割する。集光レンズ５８の光軸より−Ｘ側の光束は、第１検出用光束（第１光束）として受光器ＰＤ１（第１光検出器）の受光面の方向に向かい、集光レンズ５８の光軸より＋Ｘ側の光束は、第２検出用光束（第２光束）として受光器ＰＤ２（第２光検出器）の受光面の方向に向かう。なお、受光器ＰＤ１は集光レンズ５８の光軸の＋Ｘ側に配置され、受光器ＰＤ２は集光レンズ５８の光軸の−Ｘ側に配置されている。また、各受光器は、Ｚ軸方向に関して分割プリズム６１から互いにほぼ等距離にある。
【０１０８】
前記受光器ＰＤ１の受光面は、一例として図１９（Ｂ）に示されるように、トラックの接線方向に対応する方向の分割線ＢＬ１によって、受光領域ＤＡと受光領域ＤＢとに分割されている。そして、受光領域ＤＡは分割線ＢＬ１に直交する２本の分割線によって更に３つの部分受光領域（Ｄa、Ｄb、Ｄc）に分割されている。また、受光領域ＤＢも同様に分割線ＢＬ１に直交する２本の分割線によって更に３つの部分受光領域（Ｄd、Ｄe、Ｄf）に分割されている。各部分受光領域は、それぞれ受光量に応じた光電変換信号を生成する。ここで生成された各光電変換信号は、それぞれ再生信号処理回路２８に出力される。
【０１０９】
また、前記受光器ＰＤ２の受光面は、一例として図１９（Ｂ）に示されるように、トラックの接線方向に対応する方向の分割線ＢＬ２によって、受光領域ＤＣと受光領域ＤＤとに分割されている。そして、受光領域ＤＣは分割線ＢＬ２に直交する２本の分割線によって更に３つの部分受光領域（Ｄg、Ｄh、Ｄi）に分割されている。また、受光領域ＤＤも同様に分割線ＢＬ２に直交する２本の分割線によって更に３つの部分受光領域（Ｄj、Ｄk、Ｄl）に分割されている。各部分受光領域は、それぞれ受光量に応じた光電変換信号を生成する。ここで生成された各光電変換信号は、それぞれ再生信号処理回路２８に出力される。
【０１１０】
Ｉ／Ｖアンプ２８ａは、受光器ＰＤ１からの各光電変換信号及び受光器ＰＤ２からの各光電変換信号をそれぞれ電圧信号に変換するとともに、所定のゲインで増幅する。
【０１１１】
受光器ＰＤ１の部分受光領域Ｄa、Ｄb、Ｄc、Ｄd、Ｄe、Ｄfからの各光電変換信号に対応するＩ／Ｖアンプ２８ａの出力信号をそれぞれ信号Ｖa、Ｖb、Ｖc、Ｖd、Ｖe、Ｖfとする。同様に、受光器ＰＤ２の部分受光領域Ｄg、Ｄh、Ｄi、Ｄj、Ｄk、Ｄlからの各光電変換信号に対応するＩ／Ｖアンプ２８ａの出力信号をそれぞれ信号Ｖg、Ｖh、Ｖi、Ｖj、Ｖk、Ｖlとする。
【０１１２】
そこで、次の（３）式で示されるように、信号ＶgとＶhとＶiを加算した信号（ＶＣとする）が、受光領域ＤＣに対応するＩ／Ｖアンプ２８ａの出力信号となる。また、次の（４）式で示されるように、信号ＶjとＶkとＶlを加算した信号（ＶＤとする）が、受光領域ＤＤに対応するＩ／Ｖアンプ２８ａの出力信号となる。なお、信号ＶＡ及び信号ＶＢは、第１の実施形態と同様に、それぞれ前記（１）式及び（２）式で示される。
【０１１３】
ＶＣ＝Ｖg＋Ｖh＋Ｖi  ……（３）
ＶＤ＝Ｖj＋Ｖk＋Ｖl  ……（４）
【０１１４】
そして、第１検出用光束に含まれる第１反射光束の集光位置（Ｆ１1とする）と第２反射光束の集光位置（Ｆ２1とする）との間では、第１検出用光束は第２反射光束と第１反射光束とに分かれることとなる。そこで、集光位置Ｆ１1と集光位置Ｆ２1との間であって、受光領域ＤＡで第２反射光束が受光され、受光領域ＤＢで第１反射光束が受光される位置（以下「第１分離受光位置」ともいう）に受光器ＰＤ１を配置することにより、第１検出用光束に含まれる第１反射光束と第２反射光束とを個別に検出することが可能となる。
【０１１５】
また、第２検出用光束に含まれる第１反射光束の集光位置（Ｆ１2とする）と第２反射光束の集光位置（Ｆ２2とする）との間では、第２検出用光束は第２反射光束と第１反射光束とに分かれることとなる。そこで、集光位置Ｆ１2と集光位置Ｆ２2との間であって、受光領域ＤＣで第１反射光束が受光され、受光領域ＤＤで第２反射光束が受光される位置（以下「第２分離受光位置」ともいう）に受光器ＰＤ２を配置することにより、第２検出用光束に含まれる第１反射光束と第２反射光束とを個別に検出することが可能となる。
【０１１６】
すなわち、一例として図２０（Ａ）に示されるように、選択記録層が記録層Ｍ0のときに、受光器ＰＤ１の位置が前記第１分離受光位置となるとともに、受光器ＰＤ２の位置が前記第２分離受光位置となるような集光レンズ５８の位置が前記第１対応位置である。また、一例として図２１（Ａ）に示されるように、選択記録層が記録層Ｍ1のときに、受光器ＰＤ１の位置が前記第１分離受光位置となるとともに、受光器ＰＤ２の位置が前記第２分離受光位置となるような集光レンズ５８の位置が前記第２対応位置である。
【０１１７】
選択記録層が記録層Ｍ0のときには、一例として図２０（Ｂ）に示されるように、受光領域ＤＢ及び受光領域ＤＣで信号光成分が受光され、受光領域ＤＡ及び受光領域ＤＤで迷光成分が受光される。すなわち、信号ＶＢ及び信号ＶＣは、迷光成分をほとんど含まない信号光成分による信号Ｓdとなり、信号ＶＡ及び信号ＶＤは、信号光成分をほとんど含まない迷光成分のみによる信号Ｓmとなる（図２０（Ｃ）参照）。
【０１１８】
また、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、一例として図２１（Ｂ）に示されるように、受光領域ＤＡ及び受光領域ＤＤで信号光成分が受光され、受光領域ＤＢ及び受光領域ＤＣで迷光成分が受光される。すなわち、信号ＶＡ及び信号ＶＤは、迷光成分をほとんど含まない信号光成分による信号Ｓdとなり、信号ＶＢ及び信号ＶＣは、信号光成分をほとんど含まない迷光成分のみによる信号Ｓmとなる（図２１（Ｃ）参照）。
【０１１９】
ＲＦ信号検出回路２８ｄは、一例として図２２に示されるように、Ｉ／Ｖアンプ２８ａからの信号ＶＢと信号ＶＣを加算する加算器２８３、Ｉ／Ｖアンプ２８ａからの信号ＶＡと信号ＶＤを加算する加算器２８４、ＣＰＵ４０からの記録層信号Ｌselに応じて、加算器２８３の出力信号及び加算器２８４の出力信号のいずれか選択する切換スイッチ２８１と、切換スイッチ２８１の出力信号に基づいてＲＦ信号を求める演算回路２８２とを有している。切換スイッチ２８１は、選択記録層が記録層Ｍ0のときに加算器２８３の出力信号を選択し、選択記録層が記録層Ｍ1のときに加算器２８４の出力信号を選択するように設定されている。すなわち、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、次の（５）式で示される信号Ｖrfに基づいてＲＦ信号が検出され、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、次の（６）式で示される信号Ｖrfに基づいてＲＦ信号が検出される。これにより、ＲＦ信号を精度良く取得することができる。
【０１２０】
Ｖrf＝Ｖd＋Ｖe＋Ｖf＋Ｖg＋Ｖh＋Ｖi  ……（５）
Ｖrf＝Ｖa＋Ｖb＋Ｖc＋Ｖj＋Ｖk＋Ｖl  ……（６）
【０１２１】
サーボ信号検出回路２８ｂは、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、次の（７）式で示される信号Ｖteに基づいてトラックエラー信号を検出し、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、次の（８）式で示される信号Ｖteに基づいてトラックエラー信号を検出する。
【０１２２】
Ｖte＝（Ｖd−Ｖf）＋（Ｖg−Ｖi）  ……（７）
Ｖte＝（Ｖa−Ｖc）＋（Ｖj−Ｖl）  ……（８）
【０１２３】
また、サーボ信号検出回路２８ｂは、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、次の（９）式で示される信号Ｖfeに基づいてフォーカスエラー信号ＦＥを検出し、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、次の（１０）式で示される信号Ｖfeに基づいてフォーカスエラー信号ＦＥを検出する。いわゆる、Ｗビームサイズ法を用いてフォーカスエラー信号ＦＥを検出する。
【０１２４】
Ｖfe＝（Ｖd＋Ｖf−Ｖe）−（Ｖg＋Ｖi−Ｖh）  ……（９）
Ｖfe＝（Ｖa＋Ｖc−Ｖb）−（Ｖj＋Ｖl−Ｖk）  ……（１０）
【０１２５】
なお、選択記録層が記録層Ｍ0から記録層Ｍ1に変わったときに、集光レンズ５８の位置を変更しない場合には、一例として図２３（Ａ）に示されるように、受光器ＰＤ１の後方に集光位置Ｆ１1と集光位置Ｆ２1とが位置し、受光器ＰＤ２の後方に集光位置Ｆ１2と集光位置Ｆ２2とが位置する。そして、一例として図２３（Ｂ）に示されるように、受光領域ＤＢ及び受光領域ＤＣでは、それぞれ迷光成分と信号光成分とが混在して受光される。この場合には、一例として図２３（Ｃ）に示されるように、迷光成分と信号光成分との分離はできない。
【０１２６】
以上説明したように、本第４の実施形態に係る光ピックアップ装置によると、光ディスク１５からの戻り光束は集光レンズ５８で収束光とされ、光分割プリズム６１によって第１検出用光束（第１光束）と第２検出用光束（第２光束）とに分割される。第１検出用光束に含まれる記録層Ｍ0での反射光はＦ１1に集光し、記録層Ｍ1での反射光はＦ２1に集光する。また、第２検出用光束に含まれる記録層Ｍ0での反射光はＦ１2に集光し、記録層Ｍ1での反射光はＦ２2に集光する。そして、受光器ＰＤ１（第１光検出器）はＦ１1とＦ２1との間に位置し、受光領域ＤＢで記録層Ｍ0での反射光が受光され、受光領域ＤＡで記録層Ｍ1での反射光が受光されるように設定され、受光器ＰＤ２（第２光検出器）はＦ１2とＦ２2との間に位置し、受光領域ＤＣで記録層Ｍ0での反射光が受光され、受光領域ＤＤで記録層Ｍ1での反射光が受光されるように設定されているため、互いに干渉することなく、記録層Ｍ0での反射光と記録層Ｍ1での反射光とを分離することができる。従って、光ディスクの２つの記録層からの反射光を精度良く分離することが可能となる。
【０１２７】
また、集光レンズ５８を駆動するための集光レンズアクチュエータＡＣ１を備えているため、いずれの記録層が選択されても、各受光器が記録層Ｍ0での反射光の集光位置と記録層Ｍ1での反射光の集光位置との間に位置することが可能となる。
【０１２８】
また、本第４の実施形態に係る光ディスク装置によると、２つの記録層のうち選択された記録層からの反射光の光電変換信号が光ピックアップ装置２３から精度良く出力されるため、選択された記録層に記録されている情報を精度良く再生することができる。従って、２つの記録層を有する光ディスクからの情報の再生を精度良く行うことが可能となる。
【０１２９】
また、集光レンズＡＣＴ制御回路２６５を備え、いずれの記録層が選択されても、各受光器が記録層Ｍ0での反射光の集光位置と記録層Ｍ1での反射光の集光位置との間に位置するように、集光レンズ５８の位置を制御しているため、いずれの記録層が選択されても、選択された記録層に記録されている情報を精度良く再生することができる。
【０１３０】
また、本第４の実施形態に係る光ディスク装置では、再生信号処理回路２８において、第１検出用光束に含まれる信号光成分と第２検出用光束に含まれる信号光成分とを用いているため、前記第１の実施形態〜第３の実施形態よりも、光利用効率を向上させることができる。
【０１３１】
なお、上記第４の実施形態において、戻り光束に含まれる信号光成分が大きい場合には、再生信号処理回路２８では、第１検出用光束及び第２検出用光束の一方を用いて、各信号を検出しても良い。
【０１３２】
また、上記第４の実施形態において、サーボ信号検出回路２８ｂは、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、信号ＶＢ又は信号ＶＣの低周波成分を抽出してフォーカスエラー信号ＦＥを検出し、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、信号ＶＡ又は信号ＶＤの低周波成分を抽出してフォーカスエラー信号ＦＥを検出しても良い。
【０１３３】
また、上記第４の実施形態において、一例として図２４に示されるように、前記分割プリズム６１に代えて、集光レンズ５８の光軸より＋Ｘ側の光束が第１検出用光束として受光器ＰＤ１の受光面の方向に向かい、集光レンズ５８の光軸より−Ｘ側の光束が第２検出用光束として受光器ＰＤ２の受光面の方向に向かうような、分割プリズム６１’を用いても良い。
【０１３４】
《第５の実施形態》
次に、本発明の第５の実施形態を図２５〜図２９に基づいて説明する。
【０１３５】
この第５の実施形態は、上記第４の実施形態における光ピックアップ装置の変形例１であり、一例として図２５に示されるように、Ｚ軸方向に関して前記光分割プリズム６１と前記受光器ＰＤ１との距離と、前記光分割プリズム６１と前記受光器ＰＤ２との距離とを異ならせることにより、前記集光レンズアクチュエータＡＣ１を不要としたものである。
【０１３６】
ＰＵ制御回路２６ａは、一例として図２６に示されるように、フォーカシングＡＣＴ制御回路２６１、及びトラッキングＡＣＴ制御回路２６３を有している。すなわち、前記集光レンズＡＣＴ制御回路２６５は不要である。
【０１３７】
ここでは、一例として図２７（Ａ）に示されるように、選択記録層が記録層Ｍ0のときに、受光器ＰＤ１が集光位置Ｆ１1と集光位置Ｆ２1との間に位置し、一例として図２８（Ａ）に示されるように、選択記録層が記録層Ｍ1のときに、受光器ＰＤ２が集光位置Ｆ１2と集光位置Ｆ２2との間に位置するように各受光器の位置を設定する。
【０１３８】
従って、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、一例として図２７（Ｂ）に示されるように、受光領域ＤＡで迷光成分が受光され、受光領域ＤＢで信号光成分が受光される。すなわち、信号ＶＡは、信号光成分をほとんど含まない迷光成分のみによる信号Ｓmとなり、信号ＶＢは、迷光成分をほとんど含まない信号光成分による信号Ｓdとなる（図２７（Ｃ）参照）。なお、このとき受光器ＰＤ２は、集光位置Ｆ１2及び集光位置Ｆ２2の後方に位置することとなるため、受光領域ＤＤでは迷光成分と信号光成分とが混在して受光される。
【０１３９】
また、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、一例として図２８（Ｂ）に示されるように、受光領域ＤＣで迷光成分が受光され、受光領域ＤＤで信号光成分が受光される。すなわち、信号ＶＣは、信号光成分をほとんど含まない迷光成分のみによる信号Ｓmとなり、信号ＶＤは、迷光成分をほとんど含まない信号光成分による信号Ｓdとなる（図２８（Ｃ）参照）。なお、このときには、受光器ＰＤ１は、集光位置Ｆ１1及び集光位置Ｆ２1の前方に位置することとなるため、受光領域ＤＢでは迷光成分と信号光成分とが混在して受光される。
【０１４０】
ＲＦ信号検出回路２８ｄは、一例として図２９に示されるように、ＣＰＵ４０からの記録層信号Ｌselに応じて、Ｉ／Ｖアンプ２８ａからの信号ＶＢ及びＶＤのいずれか選択する切換スイッチ２８１と、切換スイッチ２８１の出力信号に基づいてＲＦ信号を求める演算回路２８２とを有している。切換スイッチ２８１は、選択記録層が記録層Ｍ0のときに信号ＶＢを選択し、選択記録層が記録層Ｍ1のときに信号ＶＤを選択するように設定されている。これにより、ＲＦ信号を精度良く取得することができる。
【０１４１】
前記サーボ信号検出回路２８ｂは、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、Ｉ／Ｖアンプ２８ａからの信号Ｖdと信号Ｖfとの差信号に基づいてトラックエラー信号を検出し、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、Ｉ／Ｖアンプ２８ａからの信号Ｖjと出力信号Ｖlとの差信号に基づいてトラックエラー信号を検出する。
【０１４２】
また、サーボ信号検出回路２８ｂは、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、信号ＶＢの低周波成分を抽出してフォーカスエラー信号ＦＥを検出し、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、信号ＶＤの低周波成分を抽出してフォーカスエラー信号ＦＥを検出する。
【０１４３】
以上説明したように、本第５の実施形態に係る光ピックアップ装置によると、選択記録層が記録層Ｍ0のときに、受光器ＰＤ１（第１光検出器）はＦ１1とＦ２1との間に位置し、受光領域ＤＢで記録層Ｍ0での反射光が受光され、受光領域ＤＡで記録層Ｍ1での反射光が受光されるように設定され、選択記録層が記録層Ｍ1のときに、受光器ＰＤ２（第２光検出器）が集光位置Ｆ１2と集光位置Ｆ２2との間に位置し、受光領域ＤＣで記録層Ｍ0での反射光が受光され、受光領域ＤＤで記録層Ｍ1での反射光が受光されるように設定されている。これにより、互いに干渉することなく、記録層Ｍ0での反射光と記録層Ｍ1での反射光とを分離することができる。従って、光ディスクの２つの記録層からの反射光を精度良く分離することが可能となる。
【０１４４】
また、本第５の実施形態に係る光ディスク装置によると、２つの記録層のうち選択された記録層からの信号が光ピックアップ装置２３から精度良く出力されるため、選択された記録層に記録されている情報を精度良く再生することができる。従って、２つの記録層を有する光ディスクからの情報の再生を精度良く行うことが可能となる。
【０１４５】
なお、上記第５の実施形態では、Ｉ／Ｖアンプ２８ａからの信号ＶＢ及び信号ＶＤを用いてＲＦ信号を検出しているが、Ｉ／Ｖアンプ２８ａからの信号ＶＡ、ＶＢ、ＶＣ及びＶＤを用いてＲＦ信号を検出しても良い。この場合には、ＲＦ信号検出回路２８ｄは、一例として図３０に示されるように、Ｉ／Ｖアンプ２８ａからの信号ＶＢと信号ＶＤを加算する加算器２８３、Ｉ／Ｖアンプ２８ａからの信号ＶＡと信号ＶＣを加算する加算器２８４、加算器２８３の出力信号から加算器２８４の出力信号を減算する減算器２８５、及び減算器２８５の出力信号に基づいてＲＦ信号を求める演算回路２８２とを有している。これにより、光利用効率を高くすることができる。この場合には、ＲＦ信号検出回路２８ｄによって信号取得手段が実現されている。
【０１４６】
《第６の実施形態》
次に、本発明の第６の実施形態を図３１（Ａ）〜図３５（Ｃ）に基づいて説明する。
【０１４７】
この第６の実施形態は、前記第４の実施形態における光ピックアップ装置の変形例２であり、一例として図３１（Ａ）に示されるように、前記光分割プリズム６１に代えてホログラム６２を用いている点が前述した第４の実施形態と異なっている。
【０１４８】
前記ホログラム６２は、一例として図３１（Ｂ）に示されるように、Ｙ軸方向に延びる分割線によって２分割されている。ここでは、分割線の＋Ｘ側をホログラム領域６２ａ（第１ホログラム領域）、分割線の−Ｘ側をホログラム領域６２ｂ（第２ホログラム領域）とする。そして、集光レンズ５８からの収束光束のうち、集光レンズ５８の光軸より＋Ｘ側の収束光がホログラム領域６２ａで回折され、集光レンズ５８の光軸より−Ｘ側の収束光がホログラム領域６２ｂで回折されるように設定されている。
【０１４９】
前記ホログラム領域６２ａからの＋１次回折光は、第１検出用光束（第１光束）として受光器ＰＤ１（第１光検出器）の受光面の方向に向かい、前記ホログラム領域６２ｂからの−１次回折光は、第２検出用光束（第２光束）として受光器ＰＤ２（第２光検出器）の受光面の方向に向かう。すなわち、第１検出用光束と第２検出用光束とは互いに異なる回折次数の光束である。
【０１５０】
そこで、前記第４の実施形態と同様に、集光位置Ｆ１1と集光位置Ｆ２1との間であって、受光領域ＤＡで第２反射光束が受光され、受光領域ＤＢで第１反射光束が受光される位置（第１分離受光位置）に受光器ＰＤ１を配置することにより、第１検出用光束に含まれる第１反射光束と第２反射光束とを個別に検出することが可能となる。また、前記第４の実施形態と同様に、集光位置Ｆ１2と集光位置Ｆ２2との間であって、受光領域ＤＣで第１反射光束が受光され、受光領域ＤＤで第２反射光束が受光される位置（第２分離受光位置）に受光器ＰＤ２を配置することにより、第２検出用光束に含まれる第１反射光束と第２反射光束とを個別に検出することが可能となる。
【０１５１】
すなわち、一例として図３２（Ａ）に示されるように、選択記録層が記録層Ｍ0のときに、受光器ＰＤ１の位置が前記第１分離受光位置となるとともに、受光器ＰＤ２の位置が前記第２分離受光位置となるような集光レンズ５８の位置が前記第１対応位置である。また、一例として図３３（Ａ）に示されるように、選択記録層が記録層Ｍ1のときに、受光器ＰＤ１の位置が前記第１分離受光位置となるとともに、受光器ＰＤ２の位置が前記第２分離受光位置となるような集光レンズ５８の位置が前記第２対応位置である。
【０１５２】
選択記録層が記録層Ｍ0のときには、一例として図３２（Ｂ）に示されるように、受光領域ＤＡ及び受光領域ＤＤで信号光成分が受光され、受光領域ＤＢ及び受光領域ＤＣで迷光成分が受光される。すなわち、信号ＶＡ及び信号ＶＤは、それぞれ迷光成分をほとんど含まない信号光成分による信号Ｓdとなり、信号ＶＢ及び信号ＶＣは、それぞれ信号光成分をほとんど含まない迷光成分のみによる信号Ｓmとなる（図３２（Ｃ）参照）。
【０１５３】
また、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、一例として図３３（Ｂ）に示されるように、受光領域ＤＢ及び受光領域ＤＣで信号光成分が受光され、受光領域ＤＡ及び受光領域ＤＤで迷光成分が受光される。すなわち、信号ＶＢ及び信号ＶＣは、それぞれ迷光成分をほとんど含まない信号光成分による信号Ｓdとなり、信号ＶＡ及び信号ＶＤは、それぞれ信号光成分をほとんど含まない迷光成分のみによる信号Ｓmとなる（図３３（Ｃ）参照）。
【０１５４】
ＲＦ信号検出回路２８ｄは、一例として図３４に示されるように、Ｉ／Ｖアンプ２８ａからの信号ＶＡと信号ＶＤを加算する加算器２８３と、Ｉ／Ｖアンプ２８ａからの信号ＶＢと信号ＶＣを加算する加算器２８４と、ＣＰＵ４０からの記録層信号Ｌselに応じて、加算器２８３の出力信号及び加算器２８４の出力信号のいずれか選択する切換スイッチ２８１と、切換スイッチ２８１の出力信号に基づいてＲＦ信号を求める演算回路２８２とを有している。切換スイッチ２８１は、選択記録層が記録層Ｍ0のときに加算器２８３の出力信号を選択し、選択記録層が記録層Ｍ1のときに加算器２８４の出力信号を選択するように設定されている。すなわち、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、上記（６）式で示される信号Ｖrfに基づいてＲＦ信号が検出され、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、上記（５）式で示される信号Ｖrfに基づいてＲＦ信号が検出される。これにより、ＲＦ信号を精度良く取得することができる。
【０１５５】
サーボ信号検出回路２８ｂは、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、上記（８）式で示される信号Ｖteに基づいてトラックエラー信号を検出し、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、上記（７）式で示される信号Ｖteに基づいてトラックエラー信号を検出する。
【０１５６】
また、サーボ信号検出回路２８ｂは、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、上記（１０）式で示される信号Ｖfeに基づいてフォーカスエラー信号ＦＥを検出し、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、上記（９）式で示される信号Ｖfeに基づいてフォースエラー信号ＦＥを検出する。
【０１５７】
なお、選択記録層が記録層Ｍ0から記録層Ｍ1に変わったときに、集光レンズ５８の位置を変更しない場合には、一例として図３５（Ａ）に示されるように、受光器ＰＤ１の後方に集光位置Ｆ１1と集光位置Ｆ２1とが位置し、受光器ＰＤ２の後方に集光位置Ｆ１2と集光位置Ｆ２2とが位置する。そして、一例として図３５（Ｂ）に示されるように、受光領域ＤＡ及び受光領域ＤＤでは、それぞれ迷光成分と信号光成分とが混在して受光される。この場合には、一例として図３５（Ｃ）に示されるように、迷光成分と信号光成分との分離はできない。
【０１５８】
以上説明したように、本第６の実施形態に係る光ピックアップ装置によると、光ディスク１５からの戻り光束は集光レンズ５８で収束光とされ、ホログラム６２によって第１検出用光束（第１光束）と第２検出用光束（第２光束）とに分割される。第１検出用光束に含まれる記録層Ｍ0での反射光はＦ１1に集光し、記録層Ｍ1での反射光はＦ２1に集光する。また、第２検出用光束に含まれる記録層Ｍ0での反射光はＦ１2に集光し、記録層Ｍ1での反射光はＦ２2に集光する。そして、受光器ＰＤ１（第１光検出器）はＦ１1とＦ２1との間に位置し、受光領域ＤＢで記録層Ｍ0での反射光が受光され、受光領域ＤＡで記録層Ｍ1での反射光が受光されるように設定され、受光器ＰＤ２（第２光検出器）はＦ１2とＦ２2との間に位置し、受光領域ＤＣで記録層Ｍ0での反射光が受光され、受光領域ＤＤで記録層Ｍ1での反射光が受光されるように設定されているため、互いに干渉することなく、記録層Ｍ0での反射光と記録層Ｍ1での反射光とを分離することができる。従って、光ディスクの２つの記録層からの反射光を精度良く分離することが可能となる。
【０１５９】
また、本第６の実施形態に係る光ディスク装置によると、２つの記録層のうち選択された記録層からの信号が光ピックアップ装置２３から精度良く出力されるため、選択された記録層に記録されている情報を精度良く再生することができる。従って、２つの記録層を有する光ディスクからの情報の再生を精度良く行うことが可能となる。
【０１６０】
なお、上記第６の実施形態では、前記受光器ＰＤ１は、前記ホログラム領域６２ａからの＋１次回折光を受光し、前記受光器ＰＤ２は、前記ホログラム領域６２ｂからの−１次回折光を受光する場合について説明したが、これに限らず、前記受光器ＰＤ１は、前記ホログラム領域６２ａからの−１次回折光を受光し、前記受光器ＰＤ２は、前記ホログラム領域６２ｂからの＋１次回折光を受光しても良い。
【０１６１】
また、上記第６の実施形態では、半導体レーザＬＤ、ホログラム６２、及び各受光器がそれぞれ個別に配置されている場合について説明したが、これに限らず、例えば半導体レーザＬＤ、ホログラム６２、及び各受光器が同一の筐体内に収納され、パッケージ化されていても良い。
【０１６２】
また、上記第６の実施形態において、サーボ信号検出回路２８ｂは、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、信号ＶＡ又は信号ＶＤの低周波成分を抽出してフォーカスエラー信号ＦＥを検出し、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、信号ＶＢ又は信号ＶＣの低周波成分を抽出してフォーカスエラー信号ＦＥを検出しても良い。
【０１６３】
《第７の実施形態》
次に、本発明の第７の実施形態を図３６（Ａ）〜図３９に基づいて説明する。
【０１６４】
この第７の実施形態は、第６の実施形態における光ピックアップ装置の変形例であり、一例として図３６（Ａ）に示されるように、前記ホログラム６２に代えて、互いにレンズ作用が異なる２つの領域を有するホログラム６３を用いることにより、前記集光レンズアクチュエータＡＣ１を不要としたものである。
【０１６５】
前記ホログラム６３は、一例として図３６（Ｂ）に示されるように、Ｙ軸方向に延びる分割線によって２分割されている。ここでは、分割線の＋Ｘ側をホログラム領域６３ａ（第１ホログラム領域）、分割線の−Ｘ側をホログラム領域６３ｂ（第２ホログラム領域）とする。そして、集光レンズ５８からの収束光のうち、集光レンズ５８の光軸より＋Ｘ側の光束がホログラム領域６３ａで回折され、集光レンズ５８の光軸より−Ｘ側の光束がホログラム領域６３ｂで回折されるように設定する。
【０１６６】
前記ホログラム領域６３ａからの＋１次回折光は、第１検出用光束（第１光束）として受光器ＰＤ１（第１光検出器）の受光面の方向に向かい、前記ホログラム領域６３ｂからの＋１次回折光は、第２検出用光束（第２光束）として受光器ＰＤ２（第２光検出器）の受光面の方向に向かう。すなわち、第１検出用光束と第２検出用光束とは互いに同じ回折次数の光束である。
【０１６７】
そこで、前記第４の実施形態と同様に、集光位置Ｆ１1と集光位置Ｆ２1との間であって、受光領域ＤＡで第２反射光束が受光され、受光領域ＤＢで第１反射光束が受光される位置（第１分離受光位置）に受光器ＰＤ１を配置することにより、第１検出用光束に含まれる第１反射光束と第２反射光束とを個別に検出することが可能となる。また、前記第４の実施形態と同様に、集光位置Ｆ１2と集光位置Ｆ２2との間であって、受光領域ＤＣで第１反射光束が受光され、受光領域ＤＤで第２反射光束が受光される位置（第２分離受光位置）に受光器ＰＤ２を配置することにより、第２検出用光束に含まれる第１反射光束と第２反射光束とを個別に検出することが可能となる。
【０１６８】
ここでは、選択記録層が記録層Ｍ0のときに、一例として図３７（Ａ）に示されるように、受光器ＰＤ２の位置が、集光位置Ｆ１2と集光位置Ｆ２2との間であって、受光領域ＤＤで第１反射光束が受光され、受光領域ＤＣで第２反射光束が受光される位置となるように、ホログラム領域６３ｂのレンズ作用が設定されている。
【０１６９】
また、選択記録層が記録層Ｍ1のときに、一例として図３８（Ａ）に示されるように、受光器ＰＤ１の位置が、集光位置Ｆ１1と集光位置Ｆ２1との間であって、受光領域ＤＡで第１反射光束が受光され、受光領域ＤＢで第２反射光束が受光される位置となるように、ホログラム領域６３aのレンズ作用が設定されている。すなわち、ホログラム領域６３a及びホログラム領域６３ｂでは、互いのレンズ作用が異なっている。
【０１７０】
選択記録層が記録層Ｍ0のときには、一例として図３７（Ｂ）に示されるように、受光領域ＤＤで信号光成分が受光され、受光領域ＤＣで迷光成分が受光される。すなわち、信号ＶＤは、迷光成分をほとんど含まない信号光成分による信号Ｓdとなり、信号ＶＣは、信号光成分をほとんど含まない迷光成分のみによる信号Ｓmとなる（図３７（Ｃ）参照）。なお、このときには、受光器ＰＤ１は、集光位置Ｆ１1及び集光位置Ｆ２1の後方に位置することとなるため、受光領域ＤＢでは迷光成分と信号光成分とが混在して受光される。
【０１７１】
また、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、一例として図３８（Ｂ）に示されるように、受光領域ＤＢで信号光成分が受光され、受光領域ＤＡで迷光成分が受光される。すなわち、信号ＶＢは、迷光成分をほとんど含まない信号光成分による信号Ｓdとなり、信号ＶＡは、信号光成分をほとんど含まない迷光成分のみによる信号Ｓmとなる（図３８（Ｃ）参照）。なお、このときには、受光器ＰＤ２は、集光位置Ｆ１2及び集光位置Ｆ２2の前方に位置することとなるため、受光領域ＤＤでは迷光成分と信号光成分とが混在して受光される。
【０１７２】
ＲＦ信号検出回路２８ｄは、一例として図３９に示されるように、ＣＰＵ４０からの記録層信号Ｌselに応じて、Ｉ／Ｖアンプ２８ａからの信号ＶＤ及びＶＢのいずれか選択する切換スイッチ２８１と、切換スイッチ２８１の出力信号に基づいてＲＦ信号を求めるＲＦ信号演算回路２８２とを有している。切換スイッチ２８１は、選択記録層が記録層Ｍ0のときに信号ＶＤを選択し、選択記録層が記録層Ｍ1のときに信号ＶＢを選択するように設定されている。これにより、ＲＦ信号を精度良く取得することができる。
【０１７３】
前記サーボ信号検出回路２８ｂは、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、Ｉ／Ｖアンプ２８ａからの信号Ｖjと出力信号Ｖlとの差信号に基づいてトラックエラー信号を検出し、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、Ｉ／Ｖアンプ２８ａからの信号Ｖdと信号Ｖfとの差信号に基づいてトラックエラー信号を検出する。
【０１７４】
また、サーボ信号検出回路２８ｂは、選択記録層が記録層Ｍ0のときには、信号ＶＤの低周波成分を抽出してフォーカスエラー信号ＦＥを検出し、選択記録層が記録層Ｍ1のときには、信号ＶＢの低周波成分を抽出してフォーカスエラー信号ＦＥを検出する。
【０１７５】
以上説明したように、本第７の実施形態に係る光ピックアップ装置によると、選択記録層が記録層Ｍ0のときに、受光器ＰＤ２（第２光検出器）が集光位置Ｆ１2と集光位置Ｆ２2との間に位置し、受光領域ＤＣで記録層Ｍ1での反射光が受光され、受光領域ＤＤで記録層Ｍ0での反射光が受光されるように設定され、選択記録層が記録層Ｍ1のときに、受光器ＰＤ１（第１光検出器）はＦ１1とＦ２1との間に位置し、受光領域ＤＡで記録層Ｍ0での反射光が受光され、受光領域ＤＢで記録層Ｍ1での反射光が受光されるように設定されている。これにより、前記第６の実施形態に係る光ピックアップ装置と同様な効果を得ることが可能となる。
【０１７６】
また、本第７の実施形態に係る光ディスク装置によると、２つの記録層のうち選択された記録層からの信号が光ピックアップ装置２３から精度良く出力されるため、前記第６の実施形態に係る光ディスク装置と同様な効果を得ることが可能となる。
【０１７７】
なお、上記第７の実施形態では、Ｉ／Ｖアンプ２８ａからの信号ＶＤ及びＶＢを用いてＲＦ信号を検出しているが、前記第５の実施形態で説明したように、Ｉ／Ｖアンプ２８ａからの信号ＶＡ、ＶＢ、ＶＣ及びＶＤを用いてＲＦ信号を検出しても良い（図３０参照）。これにより、光利用効率を向上させることができる。この場合には、ＲＦ信号検出回路２８ｄによって信号取得手段が実現されている。
【０１７８】
また、上記第７の実施形態では、Ｘ軸方向に関してホログラム領域６３ａでの回折方向とホログラム領域６３ｂでの回折方向とが互いに反対方向である場合について説明したが、これに限らず、例えば図４０（Ａ）〜図４１（Ｂ）に示されるように、Ｘ軸方向に関してホログラム領域６３ａでの回折方向とホログラム領域６３ｂでの回折方向とが互いに同じ方向であっても良い。
【０１７９】
また、上記第７の実施形態では、半導体レーザＬＤ、ホログラム６３、及び各受光器がそれぞれ個別に配置されている場合について説明したが、これに限らず、例えば半導体レーザＬＤ、ホログラム６３、及び各受光器が同一の筐体内に収納され、パッケージ化されていても良い。
【０１８０】
なお、上記各実施形態では、光ディスク１５が約６６０ｎｍの波長の光に対応する場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではなく、例えば、約７８０ｎｍ、及び約４０５ｎｍの波長の光に対応しても良い。この場合には、光ディスク１５に対応する光の波長とほぼ同じ波長の光束が、光源ユニット５１から出射されることとなる。
【０１８１】
また、上記各実施形態では、光ディスク１５が記録可能である場合について説明したが、これに限らず、再生専用であっても良い。
【０１８２】
また、上記各実施形態では、光ディスク装置２０が情報の記録機能と再生機能とを有する場合について説明したが、これに限らず、情報の記録、再生及び消去のうち、少なくとも再生機能を有していれば良い。
【０１８３】
また、上記各実施形態では、光ピックアップ装置が１つの半導体レーザを備える場合について説明したが、これに限らず、例えば互いに異なる波長の光束を発光する複数の半導体レーザを備えていても良い。この場合に、例えば波長が約４０５ｎｍの光束を発光する半導体レーザ、波長が約６６０ｎｍの光束を発光する半導体レーザ及び波長が約７８０ｎｍの光束を発光する半導体レーザの少なくとも１つを含んでいても良い。すなわち、光ディスク装置が互いに異なる規格に準拠した複数種類の光ディスクに対応する光ディスク装置であっても良い。このときには、複数種類の光ディスクのうち少なくとも１種類の光ディスクが多層ディスクであれば良い。
【図面の簡単な説明】
【０１８４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光ディスク装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図１の光ディスクを説明するための図である。
【図３】図３（Ａ）は図１の光ピックアップ装置を説明するための図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の受光器を説明するための図である。
【図４】図１のＰＵ制御回路の構成を説明するためのブロック図である。
【図５】図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、それぞれ信号光及び迷光を説明するための図である。
【図６】図６（Ａ）〜図６（Ｃ）は、それぞれ選択記録層が記録層Ｍ0のときの、信号光及び迷光の集光位置と受光器位置との関係、各受光領域で受光される信号光と迷光、及び各受光領域から出力される信号を説明するための図である。
【図７】図７（Ａ）〜図７（Ｃ）は、それぞれ選択記録層が記録層Ｍ1のときの、信号光及び迷光の集光位置と受光器位置との関係、各受光領域で受光される信号光と迷光、及び各受光領域から出力される信号を説明するための図である。
【図８】図１のＲＦ信号検出回路を説明するための図である。
【図９】図９（Ａ）〜図９（Ｃ）は、それぞれ選択記録層が記録層Ｍ0から記録層Ｍ1に切り換わったときに、集光レンズの位置を駆動制御しない場合における、信号光及び迷光の集光位置と受光器位置との関係、各受光領域で受光される信号光と迷光、及び各受光領域から出力される信号を説明するための図である。
【図１０】ＲＦ信号のＣＮ比と中間層の厚さとの関係を説明するための図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係る光ピックアップ装置を説明するための図である。
【図１２】図１１の光ピックアップ装置が用いられるときのＰＵ制御回路の構成を説明するためのブロック図である。
【図１３】図１３（Ａ）〜図１３（Ｃ）は、それぞれ図１１の光ピックアップ装置において、選択記録層が記録層Ｍ0のときの、信号光及び迷光の集光位置と受光器位置との関係、各受光領域で受光される信号光と迷光、及び各受光領域から出力される信号を説明するための図である。
【図１４】図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）は、それぞれ図１１の光ピックアップ装置において、選択記録層が記録層Ｍ1のときの、信号光及び迷光の集光位置と受光器位置との関係、各受光領域で受光される信号光と迷光、及び各受光領域から出力される信号を説明するための図である。
【図１５】本発明の第３の実施形態に係る光ピックアップ装置を説明するための図である。
【図１６】図１５の光ピックアップ装置が用いられるときのＰＵ制御回路の構成を説明するためのブロック図である。
【図１７】図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）は、それぞれ図１５の光ピックアップ装置において、選択記録層が記録層Ｍ0のときの、信号光及び迷光の集光位置と受光器位置との関係、及び各受光領域で受光される信号光と迷光を説明するための図である。
【図１８】図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）は、それぞれ図１５の光ピックアップ装置において、選択記録層が記録層Ｍ1のときの、信号光及び迷光の集光位置と受光器位置との関係、及び各受光領域で受光される信号光と迷光を説明するための図である。
【図１９】図１９（Ａ）は本発明の第４の実施形態に係る光ピックアップ装置を説明するための図であり、図１９（Ｂ）は図１９（Ａ）の受光器を説明するための図である。
【図２０】図２０（Ａ）〜図２０（Ｃ）は、それぞれ図１９（Ａ）の光ピックアップ装置において、選択記録層が記録層Ｍ0のときの、信号光及び迷光の集光位置と受光器位置との関係、各受光領域で受光される信号光と迷光、及び各受光領域から出力される信号を説明するための図である。
【図２１】図２１（Ａ）〜図２１（Ｃ）は、それぞれ図１９（Ａ）の光ピックアップ装置において、選択記録層が記録層Ｍ1のときの、信号光及び迷光の集光位置と受光器位置との関係、各受光領域で受光される信号光と迷光、及び各受光領域から出力される信号を説明するための図である。
【図２２】図１９（Ａ）の光ピックアップ装置が用いられるときの、ＲＦ信号検出回路を説明するための図である。
【図２３】図２３（Ａ）〜図２３（Ｃ）は、それぞれ図１９（Ａ）の光ピックアップ装置において、選択記録層が記録層Ｍ0から記録層Ｍ1に切り換わったときに、集光レンズの位置を駆動制御しない場合における、信号光及び迷光の集光位置と受光器位置との関係、各受光領域で受光される信号光と迷光、及び各受光領域から出力される信号を説明するための図である。
【図２４】図１９（Ａ）の光ピックアップ装置の変形例を説明するための図である。
【図２５】本発明の第５の実施形態に係る光ピックアップ装置を説明するための図である。
【図２６】図２５の光ピックアップ装置が用いられるときのＰＵ制御回路の構成を説明するためのブロック図である。
【図２７】図２７（Ａ）〜図２７（Ｃ）は、それぞれ図２５の光ピックアップ装置において、選択記録層が記録層Ｍ0のときの、信号光及び迷光の集光位置と受光器位置との関係、各受光領域で受光される信号光と迷光、及び各受光領域から出力される信号を説明するための図である。
【図２８】図２８（Ａ）〜図２８（Ｃ）は、それぞれ図２５の光ピックアップ装置において、選択記録層が記録層Ｍ1のときの、信号光及び迷光の集光位置と受光器位置との関係、各受光領域で受光される信号光と迷光、及び各受光領域から出力される信号を説明するための図である。
【図２９】図２５の光ピックアップ装置が用いられるときの、ＲＦ信号検出回路を説明するための図である。
【図３０】図２９のＲＦ信号検出回路の変形例を説明するための図である。
【図３１】図３１（Ａ）は本発明の第６の実施形態に係る光ピックアップ装置を説明するための図であり、図３１（Ｂ）は図３１（Ａ）のホログラムを説明するための図である。
【図３２】図３２（Ａ）〜図３２（Ｃ）は、それぞれ図３１（Ａ）の光ピックアップ装置において、選択記録層が記録層Ｍ0のときの、信号光及び迷光の集光位置と受光器位置との関係、各受光領域で受光される信号光と迷光、及び各受光領域から出力される信号を説明するための図である。
【図３３】図３３（Ａ）〜図３３（Ｃ）は、それぞれ図３１（Ａ）の光ピックアップ装置において、選択記録層が記録層Ｍ1のときの、信号光及び迷光の集光位置と受光器位置との関係、各受光領域で受光される信号光と迷光、及び各受光領域から出力される信号を説明するための図である。
【図３４】図３１（Ａ）の光ピックアップ装置が用いられるときの、ＲＦ信号検出回路を説明するための図である。
【図３５】図３５（Ａ）〜図３５（Ｃ）は、それぞれ図３１（Ａ）の光ピックアップ装置において、選択記録層が記録層Ｍ0から記録層Ｍ1に切り換わったときに、集光レンズの位置を駆動制御しない場合における、信号光及び迷光の集光位置と受光器位置との関係、各受光領域で受光される信号光と迷光、及び各受光領域から出力される信号を説明するための図である。
【図３６】図３６（Ａ）は本発明の第７の実施形態に係る光ピックアップ装置を説明するための図であり、図３６（Ｂ）は図３６（Ａ）のホログラムを説明するための図である。
【図３７】図３７（Ａ）〜図３７（Ｃ）は、それぞれ図３６（Ａ）の光ピックアップ装置において、選択記録層が記録層Ｍ0のときの、信号光及び迷光の集光位置と受光器位置との関係、各受光領域で受光される信号光と迷光、及び各受光領域から出力される信号を説明するための図である。
【図３８】図３８（Ａ）〜図３８（Ｃ）は、それぞれ図３６（Ａ）の光ピックアップ装置において、選択記録層が記録層Ｍ1のときの、信号光及び迷光の集光位置と受光器位置との関係、各受光領域で受光される信号光と迷光、及び各受光領域から出力される信号を説明するための図である。
【図３９】図３６（Ａ）の光ピックアップ装置が用いられるときの、ＲＦ信号検出回路を説明するための図である。
【図４０】図４０（Ａ）及び図４０（Ｂ）は、それぞれ図３６（Ａ）の光ピックアップ装置の変形例において、選択記録層が記録層Ｍ0のときの、信号光及び迷光の集光位置と受光器位置との関係、及び各受光領域で受光される信号光と迷光を説明するための図である。
【図４１】図４１（Ａ）及び図４１（Ｂ）は、それぞれ図３６（Ａ）の光ピックアップ装置の変形例において、選択記録層が記録層Ｍ1のときの、信号光及び迷光の集光位置と受光器位置との関係、及び各受光領域で受光される信号光と迷光を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１８５】
１５…光ディスク、２０…光ディスク装置、２３…光ピックアップ装置、２８ｄ…ＲＦ信号検出回路（信号取得手段、信号選択手段）、２８ｅ…デコーダ（再生手段）、４０…ＣＰＵ、５８…集光レンズ（集光光学素子）、６１…光分割プリズム、６２…ホログラム、２６５…集光レンズＡＣＴ制御回路（駆動制御手段）、２６７…ＰＤＡＣＴ制御回路（駆動制御手段）、２６９…ＰＰ屈折率切換回路（切換手段）、ＡＣ１…集光レンズアクチュエータ（駆動手段）、ＡＣ３…受光器アクチュエータ（駆動手段）、ＬＤ…光源、ＰＤ…受光器（光検出器）、ＰＤ１…受光器（第１光検出器）、ＰＤ２…受光器（第２光検出器）、ＰＰ…液晶素子（電気光学素子）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図８】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１９】
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【図２２】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３４】
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【図３６】
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【図３９】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１７】
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【図１８】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２３】
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【図２７】
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【図２８】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３５】
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【図３７】
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【図３８】
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【図４０】
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【図４１】
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