(57)【要約】    【課題】  デバイスが実装される基板上の実装面積を増すことなく、デバイスから熱を効率良く放出することを可能にする。    【解決手段】  伝熱性を有する本体３０１の上面３０２に電気接点３０６、３０８が接合される。上面３０２に載置されたＬＥＤ３１４が、ボンドワイヤ３１８、３２０を介して電気接点３０６、３０８と接続され、透明な材料３２６で封止されてＬＥＤデバイス３００が形成される。穴の空けられた回路基板（不図示）の底面側に形成された回路トレースにＬＥＤデバイス３００がはんだバンプ３２２、３２４を介して接合される。ＬＥＤ３１４から発せられる光は回路基板の穴を通して出射し、ＬＥＤ３１４から発せられる熱は本体３１０を介して放出される。本体３０１の下面３０４にフィン状の形状を設けることにより、ＬＥＤ３１４の冷却効率を高めることが可能となる。    【選択図】    図３Ｂ
2005117041.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面および底面を有する熱伝導体と、
電子回路を上に有するダイであって、前記電子回路に電源を供給するための第１および第２接点を備え、前記熱伝導体と熱的接触し、前記熱伝導体の前記上面より小さい底面を有するダイと、
前記熱伝導体の前記上面に接合されて、前記上面から電気的に絶縁される導電材料を備える第１トレースと、
前記第１接点から前記第１トレースに至る第１導電経路と、
前記ダイおよび前記第１導電経路を被覆するカプセル化キャップとを有し、
前記第１トレースが、前記カプセル化キャップの外側に延在する第１部分と、前記カプセル化キャップにより被覆される第２部分とを有する
ことを特徴とする回路素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ集積回路、特に、高出力ＬＥＤに関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、順電流でバイアスされた時に発光する特性を有する化合物半導体材料から製造される。ＬＥＤは、様々なタイプの器具の指示器または表示装置として広く使用されている。従来、ＬＥＤは、他の光源と比べて比較的低レベルの光を発光し、屋内の用途にのみ適していた。
【０００３】
化合物半導体材料の研究における最近の進歩は、非常に高レベルの光を発光する新しいＬＥＤをもたらした。これらの新しいＬＥＤの例は、アルミニウムインジウムガリウムリン（ＡｌIｎＧａＰ）および窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）である。これらの高輝度ＬＥＤは、戸外ビデオ表示装置、自動車信号、交通信号および照明などの分野における用途に適する新奇なＬＥＤデバイスを生み出した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
これらのデバイスで達成される高出力は、効果的な半導体材料、および非常に高度の順電流でＬＥＤを駆動する結果である。多くの場合、数百または数千ミリアンペア（ｍＡ）の駆動電流が使用される。あいにく、このような高駆動電流は過剰な熱を発生する。ＬＥＤの効率はこうした高温では低下するため、光出力は低下し始める。さらに、デバイスのパッケージングは、長時間高温に暴露されるために分解し始める。こうしたパッケージングの不具合は、デバイスの有効寿命を制限する。多数のデバイスパッケージが提案されたが、これらのパッケージはどれも、高出力ＬＥＤの電流の発生に十分な熱放散を提供しない。本発明は、デバイスが実装される基板上の実装面積を増すことなく、デバイスから熱を効率良く放出可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上面および底面を有する熱伝導本体を有する回路素子と、上に電子回路を有するダイとを備える。ダイは、電子回路に電源を供給する第１および第２接点を備える。ダイは、熱伝導体と熱的に接触し、熱伝導体の上面より小さい底面を有する。熱伝導体の上面に接合されて、上面から電気的に絶縁された導電材料から構成された第１トレースは、好ましくはワイヤボンドである導電経路により第１接点に接続される。カプセル化キャップは、ダイおよび第１導電経路を被覆する。第１トレースは、カプセル化キャップの外側に延在する第１部分と、カプセル化キャップにより被覆される第２部分とを有する。熱伝導体は、好ましくは銅またはアルミニウムから構成され、ダイが実装される第１表面上に開口部を有するキャビティを備える。ダイは、好ましくは、上面から離れる方向に光を発する発光デバイスを備え、カプセル化キャップは光に対して光学的に透明である。カプセル化キャップは、ダイを囲繞するダムを備えることができ、このダムには、透明なカプセル化材料が充填される。
【０００６】
第１トレースは、好ましくは、その第１部分の上にはんだボールを備える。回路素子は、ダイ上の第２接点に接続するための第２トレースを備える。別法によると、第２の接続は、熱伝導ダイ自体により行なうことができる。第２はんだボールは、好ましくは第２トレースまたは熱伝導体上に配置して、ダイの第２接点に対する電気接続を形成する。第３はんだボールは、第１および第２はんだボールの位置を結ぶ直線から外れた位置にある熱伝導体の上面に設ける。はんだボールは、回路素子をプリント回路基板に結合し、ダイに電源を与えるための機構を提供する。熱伝導体からの熱の移動をさらに容易にするため、熱伝導体の底面は、熱伝導体の上面に対して底面の表面積を増加させるためのフィンまたはその他の特徴を備える。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明がその利点を提供する方法は、先行技術のある種のＬＥＤが熱放散を行なう方法を示す図１および２を参照すると、より容易に理解することができる。次に、図１を参照すると、この図は、先行技術のある構造によるパッケージＬＥＤの断面図である。ＬＥＤ１００は、導電媒体１０４を使用する基板１０２のキャビティ内に実装される。第１ボンドワイヤ１０６は、ＬＥＤ１００の１個の端子を１個の電気接点１１０に電気的に接続し、第２ボンドワイヤ１０８は、ＬＥＤ１００の第２端子をもう１つの電気接点１１２に電気的に接続する。カプセル化本体１１４はＬＥＤ、ボンドワイヤ、基板および接点を実質的に収容して、ＬＥＤを保護する。
【０００８】
次に、図２を参照すると、この図は、代表的なプリント回路基板（ＰＣＢ）１１６に取り付けられた図１に示すパッケージＬＥＤの断面図である。基板１０２の基部は、ＰＣＢ１１６と直接接触するようにＰＣＢ１上に実装する。１個の電気接点１１０は、導電媒体１２０を介してＰＣＢのトレース１１８に電気的に接続し、他の電気接点１１２は、導電媒体１２４を介してＰＣＢのトレース１２２に電気的に接続する。一般に、はんだは、これらの接続に使用する。ＬＥＤ１００内に発生する熱は、基板１０２を通ってＰＣＢに伝導する。
【０００９】
図１のＬＥＤデバイスは、多くの欠点を有する。たとえば、基板１０２がヒートシンクおよび伝熱部として機能する能力は基板のサイズによって決まる。基板の両側にある電気接点はデバイスの設置面積を増加させるばかりで、熱伝導のためには追加の表面積を提供することはないため、これらのデバイスは、デバイスの設置面積と同程度の大きさのヒートシンクを組み込むことはできない。つまり、ヒートシンクの横方向のサイズは、常に、デバイスの全体的な設置面積より小さい。さらに、デバイスの構造をさらに複雑にすることなく、基板をどのように高くまたは厚くするかは限界がある。したがって、基板が、ＬＥＤからの熱を一時的に吸収するためのヒートシンクとして機能する能力は制限される。
【００１０】
先行技術のデバイスは、基板サイズの制約を克服するため、ＰＣＢ１１６を二次ヒートシンクとして頼ってＬＥＤから熱を導き出すようにし、ＬＥＤに加わる温度上昇を制限しようと試みている。この解決方法では、熱放散の問題はＰＣＢに移る。適切な熱伝導および放熱を行なうには、多くの場合、熱を周囲空気に伝達するために何らかの備えを有する金属コアＰＣＢが必要である。こうした金属コアＰＣＢのコストは、より一般的なガラスエポキシＰＣＢのコストより著しく高いため、この解決方法は、ＬＥＤを使用する最終的な回路のコストを著しく増加させる。さらに、この解決方法では、ＰＣＢは、ＰＣＢ上のその他の構成要素に過度な温度を加えないように熱を放散させるよう配置しなければならないので、最終的なＰＣＢの構造の複雑さを増加させる。
【００１１】
さらに、これらの先行技術の解決方法は、ＰＣＢと基板１０２との間の良好な接触を必要とする。リード１１０および１１２と基板１０２との間の同一平面性は（同一平面性が良好でないと）、適切な熱的接触を得ることを難しくする可能性がある。伝熱接着剤の層を使用して良好な接触を確保する場合でも、デバイスおよび実装ＰＣＢ間には、空気の隙間または間隙が存在する。さらに、こうした伝熱接着剤層は、熱の流れを制限する可能性もある。最後に、伝熱接着剤は、最終的なＰＣＢの組立てのコストおよび複雑さをさらに増加させる。
【００１２】
本発明は、ＬＥＤの熱出力の変動を吸収するのに十分な放熱能力を有する高出力ＬＥＤデバイスを提供する。さらに、本発明は、二次ヒートシンクに頼らずに熱を放熱する。次に、図３Ａ〜図３Ｄを参照すると、これらの図は、本発明の一実施態様によるＬＥＤデバイス３００を示す。図３ＡはＬＥＤデバイス３００の上面図であり、図３Ｂは、図３Ａに示した線３４１−３４２を通る縦断面図である。ＬＥＤデバイス３００は、第１の表面３０２および第２の表面３０４を対向面上に有する本体３０１を有する。薄膜層３１０上に電気接点３０６および３０８を有する回路トレースは、表面３０２に取り付ける。回路層は、表面３０２へのアクセスを可能とする開口部３１２を中心に有する。ＬＥＤ３１４は、接着剤３１６を使用して表面３０２に取り付ける。ボンドワイヤ３１８および３２０による電気接続は、ＬＥＤを電気接点３０６および３０８に接続する。次に、はんだバンプ３２２および３２４を電気接点３０６および３０８の一部分の上に堆積する。ＬＥＤおよびボンドワイヤ、並びに電気接点の一部分は、光学的に透明な材料３２６内にカプセル化される。
【００１３】
ワイヤボンディング作業を容易にするため、トレース３０６および３０８は、好ましくは、図３Ａの３３１に示すＴ形領域を備える。この拡大領域は、ワイヤボンディングプロセスの要求精度を緩和させる。
【００１４】
次に、図３Ｃおよび３Ｄを参照すると、これらの図は、ＬＥＤデバイス３００をＰＣＢなどの基板３６１上に実装する方法を示す。図３Ｃは基板３６１の上面図であり、図３Ｄは線３５１−３５２を通る縦断面図である。基板３６１は、ＬＥＤ３１４が見える開口部３７０を備える。基板３６１は、符号３７１および３７２で示す２個のトレースを備え、これらのトレースは、はんだバンプ３２２および３２４に接続するように配置される。
【００１５】
ＬＥＤデバイス３００は、多くの方法の何れかによりトレース３７１および３７２を介して基板３６１に接続する。たとえば、はんだが溶融してＬＥＤデバイス３００と基板３６１との間を接続するのに十分な熱を基板３６１に加えることができる。もう１つの実施例では、デバイス３００を配置する前にＰＣＢ上にはんだを堆積し、組立体を後でリフローすることができる。さらに、エポキシ、シリコンまたは適切なプラスチックなどの導電接着剤を、取付けを行なうために使用することができる。こうした接着剤は、熱またはその他の手段、たとえば紫外（ＵＶ）光に対する暴露などにより硬化させることができる。
【００１６】
本体３０１は、２つの機能を提供する。先ず、本体３０１は、熱の変動を緩衝するヒートシンクとして機能する。表面３０４は、熱を周囲の空気に放散させる。本体３０１は、好ましくは、高度の熱伝導性を有する銅またはアルミニウムなどの金属から製造する。表面３０４は、デバイスの設置面積と同程度の大きさなので、本発明のこの実施態様は、上記の先行技術のデバイスに比べて実質的に大きい熱伝達面積を提供する。
【００１７】
本発明の熱伝達能力は、表面３０４の代わりに、より大きい表面積を有する表面を備えることにより強化することができることに注目するべきである。こうした一実施態様を図４に示すが、この図は、本発明のもう１つの実施態様によるＬＥＤデバイス４００の断面図である。構造上、ＬＥＤデバイス４００は、デバイス本体の第２の表面を除いて、上記のＬＥＤデバイス３００に類似している。ＬＥＤデバイス４００は、対向しあう第１の表面４０２および第２の表面４０４を有する本体４０１を有する。薄膜層４１０上の電気接点４０６および４０８から成る回路トレースは、本体の前記第１の表面に取り付ける。回路層は、表面４０２へのアクセスを可能とするための開口部を中心に有する。ＬＥＤ４１４は、接着剤層を使用して表面４０２に取り付ける。ボンドワイヤ４１８および４２０による電機接続は、ＬＥＤを電気接点４０６および４０８に接続する。次に、はんだバンプ４２２および４２４を電気接点４０６および４０８の一部分に堆積する。ＬＥＤおよびボンドワイヤ、並びに電気接点の一部分は、光学的に透明な材料４２６でカプセル化される。表面４０４は、平坦なプロファイルではなく、熱放散を強化するために、フィン状、リブ状またはスタブ状の（枝状に張り出した）形状を有する。事実上、本体４０１はヒートシンクである。フィンは、テーパ、矩形、スタブなどの任意の形状に有利に設計することができる。フィンは、図示の単一本体の部分として成形するか、または良好な熱伝導を提供する何らかの機構により、上記の表面４０４に取り付けることができる。
【００１８】
上記の実施態様は、ＬＥＤが上に実装される表面３０２などの平坦な表面を有する本体を使用する。しかし、本発明は、反射面を有するキャビティを備える本体を使用して実施することができ、この反射面は、反射光がデバイスからの出力光の一部になるように、ＬＥＤの両面を出て行く光を反射することにより、ＬＥＤからの光の抽出を改善する。次に、図５を参照すると、この図は、こうした反射器を提供するＬＥＤデバイス６００の断面図である。構造上、ＬＥＤデバイス６００は、凹部キャビティが第１の表面６０２に設けられる以外、上記のＬＥＤデバイス３００に類似している。ＬＥＤデバイス６００は、対向しあう第１の表面６０２および第２の表面６０４を有する本体６０１を備える。薄膜層６１０上の電気接点６０６および６０８から成る回路トレースは、表面６０２に取り付けられる。回路層は、表面６０２にアクセスを可能とするための開口部をその中心に有する。ＬＥＤ６１４は、接着剤６１６を使用して、第１の表面６０２のキャビティ６０３内に取り付ける。ボンドワイヤ６１８および６２０による電気接続は、ＬＥＤを電気接点６０６および６０８に接続する。次に、はんだバンプ６２２および６２４を電気接点６０６および６０８の一部分の上に堆積する。ＬＥＤおよびボンドワイヤ、並びに電気接点の一部分は、光学的に透明な材料６２６内にカプセル化される。
【００１９】
本発明の上記実施態様は、ＬＥＤおよびボンドワイヤを保護するためにカプセル化層を利用する。このカプセル化プロセスを促進するために成形リングを使用する実施態様も組み込むことができる。次に、図６Ａおよび６Ｂを参照すると、これらの図は、本発明のもう１つの実施態様によるＬＥＤデバイス７００を示す。図６ＡはＬＥＤデバイス７００の上面図であり、図６Ｂは、線７５１−７５２を通るＬＥＤデバイス７００の縦断面図である。構造上、ＬＥＤデバイス７００は、環状リング７６４が第１の表面７０２上に設けられる以外、上記のＬＥＤデバイス３００に類似する。ＬＥＤデバイス７００は、対向しあう第１の表面７０２および第２の表面７０４を有する本体７０１を有する。環状リング７６４は、熱伝導接着剤、はんだを使用するか、または締め具を使用して単に機械的に取り付けるなど、何らかの公知の方法で第１の表面７０２上に取り付ける。薄膜層７１０上に電気接点７０６および７０８を有する回路トレースは、表面７０２に取り付ける。回路層は、表面７０２にアクセスを可能とするための開口部７１２をその中心に有する。ＬＥＤ７１４は、接着剤７１６を使用して表面７０２に取り付ける。ボンドワイヤ７１８および７２０による電気接続は、ＬＥＤを電気接点７０６および７０８に接続する。次に、はんだバンプ７２２および７２４を電気接点７０６および７０８の一部分の上に堆積する。ＬＥＤおよびボンドワイヤ、並びに電気接点の一部分は、環状リング７６４により形成されたキャビティに充填することにより、光学的に透明な材料７２６でカプセル化される。
【００２０】
環状リング７６４は、円形または多角形などの何らかの形状で良い。このリングは、光学的に透明なカプセル材料７２６を収容する部分として機能する。さらに、プラスチック、ポリマーまたはガラスから製造された光学的に透明なレンズ７６５は、光を所望の方向に方向付けるために、環状本体の上部に組み込むことができる。このレンズは、カプセル材料の表面に接着するか、成形作業によりカプセル材料中に形成することができる。
【００２１】
表面７０２は、ＬＥＤデバイスをＰＣＢなどに接続する追加の接合点を提供するために、追加のはんだバンプを備える。こうしたはんだバンプは、図６Ａに符号７７１および７７２を付して示されている。これらのはんだバンプは、表面７０２に取り付けられた導体トレース上に適切な接着剤を用いて形成されるか、または本体７０１の材料として選択した金属がはんだにより湿潤する（本体７０１の材料として選択した金属に対してはんだが濡れ性を有する）場合は表面７０２に直接形成される。この点では、銅は、本体７０１に好ましい材料である。
【００２２】
上記の実施態様は、ボンドワイヤを使用して、ＰＣＢに接続するＬＥＤとはんだバンプとの間のすべての接続を行なう。しかし、本体は、これらの接続の１つに使用することができる。チップが導電性であるか、またはＬＥＤを有するチップの底部がその上に接点を有し、チップを導電接着剤により本体に実装する場合、本体は、当該接点に接続するために使用することができる。この場合、適切に配置されたはんだバンプは、表面７０２上に直接形成する。
【００２３】
上記の実施態様は、受動的な対流／伝導を利用して、熱を本体の底面、たとえば表面７０４または表面４０４から周囲空気に移動させる。しかし、ファンを使用して空気流を強化する実施態様も構成することができる。ファンは、本体の底面に取り付けるか、またはＬＥＤデバイスが配置されるエンクロージャ内に設けることができる。
【００２４】
上記の説明から、本発明のＬＥＤデバイスが、デバイスの設置面積にわたる本体を有する（デバイスの設置面積とほぼ同じ底面積の本体を有する）ことは明白である。したがって、ＬＥＤデバイスは、デバイス全体の設置面積を利用するヒートシンクを有する。さらに、本体は、ある種の断熱性カプセル材料のケースに入っていないため、熱をより効率的に放散させることができる。さらに、リード、および先行技術のデバイスのヒートシンクに関連する問題は克服された。
【００２５】
本体の底面は周囲に暴露されるため、十分な熱放散が得られる。さらに、底面は何らかのその他の表面に接触しないため、本体は、この表面ができるだけ長く、あるいは深く延在するように構成することができる。したがって、デバイスの側方（デバイス設置面に沿う方向）の寸法を増加する必要がなく、長い、あるいは深いヒートシンクを有するデバイスを構成することが可能である。
【００２６】
さらに、本発明によるＬＥＤデバイスは、熱を実装基板に伝達する必要がないため、実装基板は、安価なＰＣＢに使用される材料など、一般的な材料から構成することができる。さらに、エンドユーザは、追加のヒートシンクを設ける必要がないため、ＬＥＤデバイスを使用する製品の構造が単純になる。
【００２７】
本発明の上記の実施態様は、空気と、ＬＥＤが上に実装される本体の第２の表面との間の接触を介して、ＬＥＤによって発生した熱を空気に伝達する点に関して説明されている。しかし、本発明は、１個のＰＣＢ上に多数のＬＥＤを有する製品であって、各々のＬＥＤ内に発生した熱を、熱を放散する共通のヒートシンクに伝達するための製品を構成するために使用することができる。次に、図７を参照すると、この図は、本発明のもう１つの実施態様による１個のヒートシンクを共用するＬＥＤデバイスのアレイ８００の断面図である。アレイ８００は、ＰＣＢ８１０上に構成する。本発明による複数のＬＥＤデバイスは、上記に類似する方法でＰＣＢ８１０上に実装する。例示的なＬＥＤデバイスを図８０１〜８０３に示す。各々のＬＥＤデバイスの本体は、共通のヒートシンク８２１と熱的に接触する。たとえば、個々のＬＥＤデバイスは、熱伝導接着剤層によりヒートシンク８２１に接続することができる。ヒートシンク８２１は、周囲空気に対する熱の伝達を促進するために、符号８２２を付して示すフィンのような構造を備えても良い。ヒートシンク８２１は、ヒートシンク８２１から周囲空気に対する熱の伝達をさらに強化するため、ファン８２３を備えることもできる。
【００２８】
上記の実施態様では、ダイは、好ましくはアルミニウムまたは銅から製造される熱伝導体上に実装される。しかし、セラミックおよび複合材料など、その他の材料を熱伝導体に使用して良い。
【００２９】
本発明の様々な変形は、当業者にとっては、上記の説明および添付の図面から明白になるであろう。したがって、本発明は、以下の請求の範囲の範囲によってのみ制限されるべきである。
【００３０】
なお、本発明は例として次の態様を含む。（  ）内の数字は添付図面の参照符号に対応する。
［１］  上面および底面を有する熱伝導体と、
電子回路を上に有するダイであって、前記電子回路に電源を供給するための第１および第２接点を備え、前記熱伝導体と熱的接触し、前記熱伝導体の前記上面より小さい底面を有するダイと、
前記熱伝導体の前記上面に接合されて、前記上面から電気的に絶縁される導電材料を備える第１トレースと、
前記第１接点から前記第１トレースに至る第１導電経路と、
前記ダイおよび前記第１導電経路を被覆するカプセル化キャップとを有し、
前記第１トレースが、前記カプセル化キャップの外側に延在する第１部分と、前記カプセル化キャップにより被覆される第２部分とを有する
ことを特徴とする回路素子。
［２］  前記電子回路がＬＥＤを備えることを特徴とする、上記［１］に記載の回路素子。
［３］  前記第１トレースが、絶縁基板上に導電材料を備え、前記絶縁基板が前記熱伝導体に接合されることを特徴とする、上記［１］に記載の回路素子。
［４］  前記絶縁基板が開口部を備え、前記ダイが、前記開口部を通して前記熱伝導体に接続されることを特徴とする、上記［３］に記載の回路素子。
［５］  前記熱伝導体が銅を含むことを特徴とする、上記［１］に記載の回路素子。
［６］  前記熱伝導体がアルミニウムを含むことを特徴とする、上記［１］に記載の回路素子。
［７］  前記熱伝導体が、前記上面上に開口部を有するキャビティを備え、前記ダイが前記キャビティ内に実装されることを特徴とする、上記［１］に記載の回路素子。
［８］  前記ダイが、前記上面から離れる方向に光を発光する発光デバイスを備え、前記カプセル化キャップが前記光に対して光学的に透明であることを特徴とする、上記［１］に記載の回路素子。
［９］
前記第１導電経路が、前記第１接点に接合される第１端部と、前記第１トレースに接合される第２端部とを有するワイヤを備えることを特徴とする、上記［１］に記載の回路素子。
［１０］  前記第１トレースが、銅でできたＴ形の帯状部分を備えることを特徴とする、上記［９］に記載の回路素子。
［１１］  前記第１トレースの前記第１部分の上にはんだボールをさらに備えることを特徴とする、上記［９］に記載の回路素子。
［１２］  前記熱伝導体の前記上面に接合されて、前記上面から絶縁された導電媒体を備える第２トレースであって、第２導電経路により前記第２接点に電気的に接続される第２トレースをさらに備えることを特徴とする、上記［１］に記載の回路素子。
［１３］  前記第２トレースがはんだボールをさらに備えることを特徴とする、上記［１２］に記載の回路素子。
［１４］  前記熱伝導体の前記上面の上に配設され、前記第１および第２はんだボールの配設位置を結ぶ直線上から外れた位置に配設された第３のはんだボールをさらに備えることを特徴とする、上記［１２］に記載の回路素子。
［１５］  前記カプセル化キャップが、前記ダイを囲繞するダムを備え、前記ダムに透明なカプセル化材料が充填されることを特徴とする、上記［１］に記載の回路素子。
［１６］  前記熱伝導体の前記底面が、前記熱伝導体の前記上面より大きい表面積を有する表面を備えることを特徴とする、上記［１］に記載の回路素子。
［１７］  前記熱伝導体の前記底面が、前記熱伝導体の前記底面からの熱の伝達を促進するためのフィンを備えることを特徴とする、上記［１６］に記載の回路素子。
［１８］  上面および底面と、前記上面と前記底面とを貫通する孔とを有する回路基板であって、前記ダイが前記回路基板の前記上面の上方の位置から見えるように、前記第１トレースが前記回路基板の前記底面上にある導体に接続される回路基板をさらに備えることを特徴とする、上記［１］に記載の回路素子。
［１９］  前記熱伝導体が、前記回路基板の前記底面上にある第２および第３の位置を介して、前記回路基板に接続されることを特徴とする、上記［１８］に記載の回路素子。
［２０］  前記回路基板、前記第１トレース、並びに前記第２および第３位置間の前記接続がはんだ接合部を有することを特徴とする、上記［１９］に記載の回路素子。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】従来の技術によるパッケージＬＥＤの断面を示す図である。
【図２】図１に示すパッケージＬＥＤで、一般的なプリント回路基板（ＰＣＢ）に取り付けられたＬＥＤの断面を示す図である。
【図３Ａ】ＬＥＤデバイスを示す上面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示すＬＥＤデバイスの線３４１−３４２を通る縦断面を示す図である。
【図３Ｃ】ＬＥＤデバイスをＰＣＢなどの基板上に実装する方法を示す基板３６１の上面図である。
【図３Ｄ】図３Ｃに示すＬＥＤデバイスの線３５１−３５２を通る縦断面を示す図である。
【図４】本発明のもう１つの実施態様による比較的大きい表面積を有するＬＥＤデバイスの縦断面を示す図である。
【図５】本発明のもう１つの実施態様による、反射器を有するＬＥＤデバイスの縦断面を示す図である。
【図６Ａ】ＬＥＤデバイスを示す上面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに示すＬＥＤデバイスの線７５１−７５２を通る縦断面を示す図である。
【図７】本発明のもう１つの実施態様による、１個のヒートシンクを共用するＬＥＤのアレイの縦断面を示す図である。
【符号の説明】
【００３２】
１０２  基板
１０４  導電媒体
１０６、１０８  ボンドワイヤ
１１０、１１２  リード、電気接点
１１４  カプセル化本体
１１８、１２２  トレース
１２０、１２４  導電媒体
３００  ＬＥＤデバイス
３０１  本体
３０２、３０４  表面
３０６、３０８  電気接点
３１０  薄膜層
３１２  開口部
３１６  接着剤
３１８、３２０  ボンドワイヤ
３２２、３２４  バンプ
３２６  光学的に透明な材料
３６１  基板
３７０  開口部
３７１、３７２  トレース
４０１  本体
４０２、４０４  表面
４０６、４０８  電気接点
４１０  薄膜層
４１８、４２０  ボンドワイヤ
４２２、４２４  バンプ
４２６  材料
６００  ＬＥＤデバイス
６０１  本体
６０２、６０４  表面
６０３  キャビティ
６０６  電気接点
６１０  薄膜層
６１６  接着剤
６１８、６２０  ボンドワイヤ
６２２、６２４  バンプ
６２６  材料
７００  ＬＥＤデバイス
７０１  本体
７０２、７０４  表面
７０６、７０８  電気接点
７１０  薄膜層
７１２  開口部
７１６  接着剤
７１８、７２０  ボンドワイヤ
７２２、７２４、７７１、７７２  バンプ
７２６  カプセル材料
７２６  材料
７６４  環状リング
７６５  レンズ
８００  アレイ
８２１  ヒートシンク
８２２  フィン
８２３  ファン
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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