(57)【要約】【課題】放射線画像変換パネルの生産性を高める。【解決手段】放射線画像変換パネルの製造装置３は、基板１１の被形成面に輝尽性蛍光体層１２を形成する第１製造部３５と、輝尽性蛍光体層１２の表面を保護フィルムで封止する第２製造部３８と、基板１１を選別する第２選別室３６とを有している。第２選別室３６では、輝尽性蛍光体層１２が形成される前での基板１１の被形成面の表面粗さＡと、輝尽性蛍光体層の表面粗さＢとを比較し、｜Ａ−Ｂ｜の平均値Ｒａｂ［μｍ］と最大値Ｒａｂ・Ｚ［μｍ］とが０≦Ｒａｂ＜２．０、かつ０≦Ｒａｂ・Ｚ＜３．０を満たす場合には基板１１を第１製造部３５に搬送し、満たさない場合には基板１１をロードロック室３４から搬出するようになっている。【選択図】図２
2005156224.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第１工程と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第２工程とを有する放射線画像変換パネルの製造方法であって、
前記基板の表裏面のうち、前記輝尽性蛍光体層が形成される被形成面の形状に関する第１物理量を測定した後に前記第１工程を行い、
次に、前記輝尽性蛍光体層の表面の形状に関する第２物理量を測定し、
前記第１物理量と前記第２物理量との比較結果が所定の条件を満たす場合に前記第２工程を行うことを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記第１物理量として、前記被形成面の表面粗さＡを、
前記第２物理量として、前記輝尽性蛍光体層の表面の表面粗さＢを、
前記所定の条件として、
０≦Ｒａｂ＜２．０、かつ
０≦Ｒａｂ・Ｚ＜３．０
（但し、Ｒａｂは｜Ａ−Ｂ｜の平均値［μｍ］、Ｒａｂ・Ｚは｜Ａ−Ｂ｜の最大値［μｍ］）
を用いることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記基板として、前記被形成面の形状が
０．０５＜Ｒａ＜２．０、かつ
（但し、Ｒａは前記被形成面の平均粗さ［μｍ］）
０．１＜Ｒｚ・Ｄ＜３．０
（但し、Ｒｚ・Ｄは前記被形成面の最大粗さ［μｍ］）
を満たすものを用いることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記被形成面の形状が前記条件を満たさない基板に対してクリーニングを行った後、前記被形成面の形状が前記条件を満たす基板に前記第１工程を行うことを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項５】
基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第１工程と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第２工程とを有する放射線画像変換パネルの製造方法であって、
前記基板の表裏面のうち、前記輝尽性蛍光体層が形成される被形成面における凹凸部の位置を測定した後に前記第１工程を行い、
次に、前記輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置を測定し、
前記輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置と、前記被形成面における凹凸部の位置とが対応する場合に前記第２工程を行うことを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項６】
基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第１製造部と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第２製造部とを有する放射線画像変換パネルの製造装置であって、
前記輝尽性蛍光体層が形成される前に、前記基板の表裏面のうち、前記輝尽性蛍光体層が形成される被形成面の形状に関する物理量を測定する第１測定装置と、
前記輝尽性蛍光体層の表面の形状に関する第２物理量を測定する第２測定装置と、
前記第１物理量と前記第２物理量との比較結果が所定の条件を満たす基板を選別して前記第２製造部に供給する第２選別装置とを有することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造装置。
【請求項７】
請求項６記載の放射線画像変換パネルの製造装置において、
前記第１物理量は、前記被形成面の表面粗さＡであり、
前記第２物理量は、前記輝尽性蛍光体層の表面の表面粗さＢであり、
前記所定の条件とは、
０≦Ｒａｂ＜２．０、かつ
０≦Ｒａｂ・Ｚ＜３．０
（但し、Ｒａｂは｜Ａ−Ｂ｜の平均値［μｍ］、Ｒａｂ・Ｚは｜Ａ−Ｂ｜の最大値［μｍ］）
であることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造装置。
【請求項８】
請求項６または７記載の放射線画像変換パネルの製造装置において、
前記第１測定装置の測定結果に基づき、前記被形成面の形状が
０．０５＜Ｒａ＜２．０、かつ
（但し、Ｒａは前記被形成面の平均粗さ［μｍ］）
０．１＜Ｒｚ・Ｄ＜３．０
（但し、Ｒｚ・Ｄは前記被形成面の最大粗さ［μｍ］）
を満たす基板を選別して前記第１製造部に供給する第１選別装置を有することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造装置。
【請求項９】
請求項８記載の放射線画像変換パネルの製造装置において、
前記被形成面の形状が前記所定の条件を満たさない前記基板に対してクリーニングを行うクリーニング装置を備え、
前記第１測定装置は、前記クリーニング装置によるクリーニング後の前記被形成面の形状に関する前記物理量を測定し、測定結果を前記第１選別装置に送信することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造装置。
【請求項１０】
基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第１製造部と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第２製造部とを有する放射線画像変換パネルの製造装置であって、
前記輝尽性蛍光体層が形成される前に前記基板の表裏面のうち、前記輝尽性蛍光体層が形成される被形成面における凹凸部の位置を測定する第３測定装置と、
前記保護フィルムで封止される前に前記輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置を測定する第４測定装置と、
前記基板を選別して前記第２製造部に供給する第３選別装置とを有し、
前記第３選別装置は、
前記輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置と、前記被形成面における凹凸部の位置とが対応する場合に、前記基板を前記第２製造部に供給することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造装置。
【請求項１１】
基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第１製造部と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第２製造部とを有する放射線画像変換パネルの製造方法であって、
前記保護フィルムで封止される前に前記輝尽性蛍光体層の表面の状態を、紫外線の瞬時発光変化または透過信号変化によって観測する観測装置と、
前記観測装置の観測結果に基づいて前記基板を選別し、前記第２製造部に供給する第４選別装置とを有することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記紫外線の波長は、瞬時発光エネルギーの波長以下であることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルを製造する、放射線画像変換パネルの製造方法及び放射線画像変換パネルの製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、放射線像を記録する記録媒体として、基板上に輝尽性蛍光体層及び封止層が設けられた放射線画像変換パネルが用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
放射線画像変換パネルは、被写体を透過した放射線を輝尽性蛍光体層で吸収するようになっている。そして、放射線画像変換パネルに蓄積された放射線エネルギーは、ある種のエネルギーにより励起される結果、輝尽発光として放射され、画像に変換されるようになっている。
【０００４】
このような放射線画像変換パネルは、気相堆積法や塗布法などによって基板の表面に輝尽性蛍光体層を形成し、続いて、防湿性の保護フィルム等によって輝尽性蛍光体層の表面を封止することによって製造されている。
【０００５】
ところで、放射線画像変換パネルと同様に基板と、気相堆積によって形成される堆積層と、フィルムなどの封止層とを有するものとして、有機エレクトロルミネセンス素子（以下、有機ＥＬ素子とする）がある。この有機ＥＬ素子の製造方法として、気相堆積の後に電圧を印加して堆積層の発光特性を検査し、検査結果が良いものだけに封止層を設ける方法がある（例えば、特許文献２参照）。この方法によれば、検査結果が悪い場合に封止層を設けない分だけ生産性を高めることができる。
【特許文献１】米国特許第３，８５９，５２７号明細書
【特許文献２】特開２００１−２９１５８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層は電圧の印加によって発光するものではないため、上記特許文献２に開示の技術をそのまま放射線画像変換パネルに適用することはできない。また、輝尽性蛍光体層の状態を検査するのに単純に輝尽性蛍光体層にＸ線潜像を形成して読取光で読み取ることとすると、潜像を形成してから読み取りを行う分、手間がかかってしまう。
【０００７】
そのため、放射線画像変換パネルの製造では、輝尽性蛍光体層の状態を検査することができないため、劣悪に形成された輝尽性蛍光体層の表面にも保護フィルムを設ける場合が生じてしまい、その分だけ生産性が低くなっている。
【０００８】
本発明の課題は、生産性の高い放射線画像変換パネルの製造方法及び放射線画像変換パネルの製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１記載の発明は、
基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第１工程と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第２工程とを有する放射線画像変換パネルの製造方法であって、
前記基板の表裏面のうち、前記輝尽性蛍光体層が形成される被形成面の形状に関する第１物理量を測定した後に前記第１工程を行い、
次に、前記輝尽性蛍光体層の表面の形状に関する第２物理量を測定し、
前記第１物理量と前記第２物理量との比較結果が所定の条件を満たす場合に前記第２工程を行うことを特徴とする。
【００１０】
請求項１記載の発明によれば、第１物理量と第２物理量との比較結果が所定の条件を満たさない基板、つまり劣悪な品質の放射線画像変換パネルとなることが予想される基板に対し、封止を行う手間を省くことができる。従って、劣悪な輝尽性蛍光体層を形成しなくて良い分、放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。
【００１１】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記第１物理量として、前記被形成面の表面粗さＡを、
前記第２物理量として、前記輝尽性蛍光体層の表面の表面粗さＢを、
前記所定の条件として、
０≦Ｒａｂ＜２．０、かつ
０≦Ｒａｂ・Ｚ＜３．０
（但し、Ｒａｂは｜Ａ−Ｂ｜の平均値［μｍ］、Ｒａｂ・Ｚは｜Ａ−Ｂ｜の最大値［μｍ］）
を用いることを特徴とする。
【００１２】
ここで、２．０≦Ｒａｂの場合と、３．０≦Ｒａｂ・Ｚの場合とには、輝尽性蛍光体層の厚さが均一でないため、放射線画像変換パネルの品質が劣悪になることが予想される。
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の発明と同様の効果を得ることができる。
【００１３】
なお、表面粗さとしては、平均粗さＲａや最大粗さＲｚ・Ｄ等を用いることができる。これらの粗さとは、表面のうち最も低い部分を基準面として測定されるものである。表面粗さの測定には、ダイヤルゲージや光学式変位計、光学顕微鏡、暗視野光学方式の測定機器などを用いることができる。光学式変位計としては、東京精密社製の表面粗さ計「サーフコム１６００Ａ」等を用いることができる。
【００１４】
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記基板として、前記被形成面の形状が
０．０５＜Ｒａ＜２．０、かつ
（但し、Ｒａは前記被形成面の平均粗さ［μｍ］）
０．１＜Ｒｚ・Ｄ＜３．０
（但し、Ｒｚ・Ｄは前記被形成面の最大粗さ［μｍ］）
を満たすものを用いることを特徴とする。
【００１５】
ここで、被形成面の平均粗さＲａが０．０５以下の場合と、最大粗さＲｚ・Ｄが０．１以下の場合とには、被形成面の平滑性が良すぎる結果、輝尽性蛍光体層と基板との接着性が悪くなるため、輝尽性蛍光体層が剥離しやすくなる。
また、平均粗さＲａが２．０以上の場合と、最大粗さＲｚ・Ｄが３．０以上の場合とには、輝尽性蛍光体層の膜厚にムラが生じる結果、良好な画質が得られなくなる。
【００１６】
請求項３記載の発明によれば、基板を選別した後に輝尽性蛍光体層の形成を行うことにより、被形成面の形状が前記条件を満たさず、劣悪な品質の放射線画像変換パネルが製造されることが予想される基板に対し、輝尽性蛍光体層の形成を行う手間を省くことができる。従って、劣悪な輝尽性蛍光体層を形成しなくて良い分、放射線画像変換パネルの生産性を更に高めることができる。また、放射線画像変換パネルをより高い品質に安定させることができる。
【００１７】
請求項４記載の発明は、請求項３記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記被形成面の形状が前記条件を満たさない基板に対してクリーニングを行った後、前記被形成面の形状が前記条件を満たす基板に前記第１工程を行うことを特徴とする。
【００１８】
請求項４記載の発明によれば、クリーニングの後に前記条件を満たす基板に第１工程を行うことにより、基板の無駄をなくすことができる。
なお、クリーニングの方法としては、エアーを吹きつける方法などが挙げられる。
【００１９】
請求項５記載の発明は、
基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第１工程と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第２工程とを有する放射線画像変換パネルの製造方法であって、
前記基板の表裏面のうち、前記輝尽性蛍光体層が形成される被形成面における凹凸部の位置を測定した後に前記第１工程を行い、
次に、前記輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置を測定し、
前記輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置と、前記被形成面における凹凸部の位置とが対応する場合に前記第２工程を行うことを特徴とする。
【００２０】
ここで、輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置と被形成面における凹凸部の位置とが対応する場合とは、輝尽性蛍光体層の表面と基板の被形成面とに凹部及び凸部の少なくとも一方がない場合も含み、輝尽性蛍光体層の厚みがほぼ均一であることを意味する。
【００２１】
請求項５記載の発明によれば、輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置が被形成面における凹凸部の位置に対応していない場合、つまり、輝尽性蛍光体層の厚さが不均一であるために劣悪な品質の放射線画像変換パネルが製造されると予想される場合には、第２工程を行う手間を省くことができる。従って、放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。
【００２２】
請求項６記載の発明は、
基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第１製造部と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第２製造部とを有する放射線画像変換パネルの製造装置であって、
前記輝尽性蛍光体層が形成される前に、前記基板の表裏面のうち、前記輝尽性蛍光体層が形成される被形成面の形状に関する物理量を測定する第１測定装置と、
前記輝尽性蛍光体層の表面の形状に関する第２物理量を測定する第２測定装置と、
前記第１物理量と前記第２物理量との比較結果が所定の条件を満たす基板を選別して前記第２製造部に供給する第２選別装置とを有することを特徴とする。
【００２３】
請求項６記載の発明によれば、第１物理量と第２物理量との比較結果が所定の条件を満たす基板を選別して第２製造部に供給する第２選別装置を有するので、第１物理量と第２物理量との比較結果が所定の条件を満たさない基板、つまり劣悪な品質の放射線画像変換パネルとなることが予想される基板に対し、封止を行う手間を省くことができる。従って、劣悪な輝尽性蛍光体層を形成しなくて良い分、放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。
【００２４】
請求項７記載の発明は、請求項６記載の放射線画像変換パネルの製造装置において、
前記第１物理量は、前記被形成面の表面粗さＡであり、
前記第２物理量は、前記輝尽性蛍光体層の表面の表面粗さＢであり、
前記所定の条件とは、
０≦Ｒａｂ＜２．０、かつ
０≦Ｒａｂ・Ｚ＜３．０
（但し、Ｒａｂは｜Ａ−Ｂ｜の平均値［μｍ］、Ｒａｂ・Ｚは｜Ａ−Ｂ｜の最大値［μｍ］）
であることを特徴とする。
請求項７記載の発明によれば、請求項６記載の発明と同様の効果を得ることができる。
【００２５】
請求項８記載の発明は、請求項６または７記載の放射線画像変換パネルの製造装置において、
前記第１測定装置の測定結果に基づき、前記被形成面の形状が
０．０５＜Ｒａ＜２．０、かつ
（但し、Ｒａは前記被形成面の平均粗さ［μｍ］）
０．１＜Ｒｚ・Ｄ＜３．０
（但し、Ｒｚ・Ｄは前記被形成面の最大粗さ［μｍ］）
を満たす基板を選別して前記第１製造部に供給する第１選別装置を有することを特徴とする。
【００２６】
請求項８記載の発明によれば、前記基準を満たす基板を選別して第１製造部に供給する第１選別装置を有するので、被形成面の形状が所定の条件を満たさず、劣悪な品質の放射線画像変換パネルが製造されることが予想される基板に対し、輝尽性蛍光体層の形成を行う手間を省くことができる。従って、劣悪な輝尽性蛍光体層を形成しなくて良い分、放射線画像変換パネルの更に生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルをより高い品質に安定させることができる。
【００２７】
請求項９記載の発明は、請求項８記載の放射線画像変換パネルの製造装置において、
前記被形成面の形状が前記所定の条件を満たさない前記基板に対してクリーニングを行うクリーニング装置を備え、
前記第１測定装置は、前記クリーニング装置によるクリーニング後の前記被形成面の形状に関する前記物理量を測定し、測定結果を前記第１選別装置に送信することを特徴とする。
【００２８】
請求項９記載の発明によれば、クリーニングの後に前記所定の条件を満たす基板に輝尽性蛍光体層の形成を行うことにより、基板の無駄をなくすことができる。
【００２９】
請求項１０記載の発明は、
基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第１製造部と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第２製造部とを有する放射線画像変換パネルの製造装置であって、
前記輝尽性蛍光体層が形成される前に前記基板の表裏面のうち、前記輝尽性蛍光体層が形成される被形成面における凹凸部の位置を測定する第３測定装置と、
前記保護フィルムで封止される前に前記輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置を測定する第４測定装置と、
前記基板を選別して前記第２製造部に供給する第３選別装置とを有し、
前記第３選別装置は、
前記輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置と、前記被形成面における凹凸部の位置とが対応する場合に、前記基板を前記第２製造部に供給することを特徴とする。
【００３０】
請求項１０記載の発明によれば、輝尽性蛍光体層の表面における凹凸部の位置と被形成面における凹凸部の位置とが対応していない場合、つまり、輝尽性蛍光体層の厚さが不均一なために劣悪な品質の放射線画像変換パネルが製造されると予想される場合には、保護フィルムを設ける手間を省くことができる。従って、放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。
【００３１】
請求項１１記載の発明は、
基板の表裏面の少なくとも一方に輝尽性蛍光体層を形成する第１製造部と、
前記輝尽性蛍光体層の表面を保護フィルムで封止する第２製造部とを有する放射線画像変換パネルの製造方法であって、
前記保護フィルムで封止される前に前記輝尽性蛍光体層の表面の状態を、紫外線の瞬時発光変化または透過信号変化によって観測する観測装置と、
前記観測装置の観測結果に基づいて前記基板を選別し、前記第２製造部に供給する第４選別装置とを有することを特徴とする。
【００３２】
ここで、瞬時発光変化とは、輝尽性蛍光体層の表面における瞬時発光量の変化であり、製造される放射線画像変換パネルの輝度分布の推定を可能とするものである。
また、透過信号変化とは、輝尽性蛍光体層の表面における透過信号量の変化であり、製造される放射線画像変換パネルのＸ線吸収分布の推定を可能とするものである。
【００３３】
請求項１１記載の発明によれば、観測された瞬時発光変化または透過信号変化が劣悪である場合、つまり劣悪な品質の放射線画像変換パネルが製造されると予想される場合には、保護フィルムを設ける手間を省くことができる。また、紫外線の瞬時発光変化または透過信号変化によって輝尽性蛍光体層の表面状態を評価するので、輝尽性蛍光体層にＸ線などの潜像を作って読取光で読み取る場合と異なり、一旦潜像を作る必要がない分、手間をかけずに輝尽性蛍光体層の表面状態を評価することができる。従って、放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。
また、光線としてＸ線を使用する場合と異なり、ノイズの影響を受けない分だけ、評価精度を高めることができる。また、光線を集光ビームにすることができるため、輝尽性蛍光体層の微小領域毎の評価をすることができる。従って、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。
【００３４】
請求項１２記載の発明は、請求項１１記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記紫外線の波長は、瞬時発光エネルギーの波長以下であることを特徴とする。
請求項１２記載の発明によれば、請求項１１記載の発明と同様の効果を得ることができる。
【発明の効果】
【００３５】
請求項１，５記載の発明によれば、放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の発明と同様の効果を得ることができる。
【００３６】
請求項３記載の発明によれば、請求項１または２記載の発明と同様の効果を得られるのは勿論のこと、放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。
【００３７】
請求項４記載の発明によれば、請求項３記載の発明と同様の効果を得られるのは勿論のこと、基板の無駄をなくすことができる。
【００３８】
請求項６，１０，１１記載の発明によれば、放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。
請求項７，１２記載の発明によれば、請求項６，１１記載の発明と同様の効果を得ることができる。
【００３９】
請求項８記載の発明によれば、請求項６または７記載の発明と同様の効果を得られるのは勿論のこと、放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。
【００４０】
請求項９記載の発明によれば、請求項８記載の発明と同様の効果を得られるのは勿論のこと、基板の無駄をなくすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
［第１の実施の形態］
図１は、本実施の形態における放射線画像変換パネル１を示す断面図である。
【００４２】
この図に示すように、放射線画像変換パネル１は、被形成面（図１では上面）に輝尽性蛍光体層１２が形成された基板１１を有している。
【００４３】
基板１１には、各種のガラスや高分子材料、金属などが用いられている。ガラスとしては、石英ガラスやホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス等の板ガラスが好ましい。高分子材料としては、セルロースアセテートフィルムやポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルムが好ましい。金属としては、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シートや、これらの金属の酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。
【００４４】
基板１１の表面は滑面であっても良いし、マット面であっても良い。基板１１の表面がマット面である場合には、基板１１と輝尽性蛍光体層１２との接着性を向上させることができる。また、基板１１の被形成面には、輝尽性蛍光体層１２との接着性を向上させる下引層を設けても良い。
【００４５】
基板１１の厚さは、一般的には８０μｍ〜５０００μｍであり、取り扱い上の点から８０μｍ〜３０００μｍであることが好ましい。
【００４６】
輝尽性蛍光体層１２は、輝尽性蛍光体の柱状結晶１３（図５参照）から形成されている。輝尽性蛍光体としては、一般式（１）で表されるものを使用することができる。
M1X・ａM2X'2・bM3X''3：eA      ・・・（１）
【００４７】
ここで、M1はLi、Na、K、Rb及びCsからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、特にK、Rb及びCsからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることが好ましい。
【００４８】
また、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、特に、Be、Mg、Ca、Sr及びBaから選ばれる少なくとも一種の二価金属であることが好ましい。
【００４９】
また、M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、特に、Y、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Lu、Al、Ga及びInからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であることが好ましい。
【００５０】
また、X、X'及びX''はF、Cl、Br及びIからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、特にXはBr及びIからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることが好ましい。
【００５１】
また、AはEu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属であり、特にEu、Cs、Sm、Tl及びNaからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属であることが好ましい。
【００５２】
また、a、b、eはそれぞれ0≦a＜0.5、0≦b＜0.5、0＜e≦0.2の範囲の数値を示し、特にbは0≦b≦10-2 の範囲の数値を示すことが好ましい。
【００５３】
輝尽性蛍光体層１２は、気相堆積法や塗布法によって１０〜１０００μｍ、好ましくは１０μｍ〜５００μｍの膜厚に形成されている。ここで、気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、その他を用いることができる。
【００５４】
基板１１及び輝尽性蛍光体層１２の表面には、輝尽性蛍光体層１２を被覆して封止する防湿性保護フィルム２０が設けられている。
防湿性保護フィルム２０としては、酢酸セルロースやニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体などの樹脂フィルムを用いることができる。
【００５５】
なお、防湿性保護フィルム２０は、透湿度及び酸素透過性が低い無機物質の層を有していてもよい。このような無機物質としては、SiOx（SiO、SiO2）、Al2O3、ZrO2、SnO2，SiC、SiN等がある。これらの無機物質中において、特にAl2O3やSiOxは、光透過率が高く、また、クラックやマイクロポアが少ない緻密な膜を形成することができるので好ましい。
【００５６】
次に、本発明に係る放射線画像変換パネルの製造装置について説明する。
図２は、放射線画像変換パネルの製造装置（以下、製造装置とする）３の概略構成を示す図である。
【００５７】
この図に示すように、製造装置３は、内部に基板１１を搬入するためのロードロック室３１と、基板１１や製造された放射線画像変換パネル１を搬出するためのロードロック室３２，３４，３７とを有している。
【００５８】
これらロードロック室３１，３２，３４，３７は、製造装置３の内部を外気から遮断するようになっている。
ロードロック室３１には、搬入された基板１１を選別するための第１選別室３３が搬送室３０ａを介して接続されている。
【００５９】
第１選別室３３は、図３に示すように、基板１１の被形成面をクリーニングするクリーニング装置（図示せず）と、基板１１の上方を移動する光学式変位計（第１測定装置，第３測定装置）３３０とを備えている。
【００６０】
クリーニング装置は、図示しないノズルから基板１１の被形成面にエアーを吹きつけることにより、被形成面上の粉塵などを除去するようになっている。
【００６１】
光学式変位計３３０は、基板１１の被形成面の形状に関する物理量、本実施の形態においては表面粗さＡを測定するようになっている。
【００６２】
ここで、表面粗さＡは、製造される放射線画像変換パネル１の品質を予想可能とするものである。
具体的には、表面粗さＡのうち、平均粗さＲａ［μｍ］が０．０５＜Ｒａ＜２．０で、かつ最大粗さＲｚ・Ｄ［μｍ］が０．１＜Ｒｚ・Ｄ＜３．０の場合には放射線画像変換パネル１の品質は良好になることが予想される。
【００６３】
一方、Ｒａ≦０．０５の場合と、Ｒｚ・Ｄ≦０．１の場合とには、被形成面の平滑性が良すぎる結果、輝尽性蛍光体層と基板との接着性が悪くなるため、輝尽性蛍光体層が剥離しやすくなることが予想される。また、２．０≦Ｒａの場合と、３．０≦Ｒｚ・Ｄの場合とには、輝尽性蛍光体層の膜厚にムラが生じる結果、良好な画質が得られなくなることが予想される。
【００６４】
これらクリーニング装置及び光学式変位計３３０には、演算装置（第１選別装置）３３１が接続されている。
演算装置３３１は、基板１１の搬送装置（図示せず）と接続されており、光学式変位計３３０の測定結果に基づいて基板１１の搬送先を決定するようになっている。具体的には、演算装置３３１は、基板１１の被形成面の平均粗さＲａが０．０５＜Ｒａ＜２．０を満たさない場合または最大粗さＲｚ・Ｄが０．１＜Ｒｚ・Ｄ＜３．０を満たさない場合には搬送室３０ｂを介して基板１１をロードロック室３４に搬送し、これらの条件をともに満たす場合には搬送室３０ｃを介して基板１１を第１製造部３５に搬送するようになっている。
【００６５】
第１製造部３５は、蒸着法によって基板１１の被形成面に輝尽性蛍光体層１２を形成するものである。より詳細には、第１製造部３５は、図４に示すように、真空容器３５０の内部を真空に保つ真空ポンプ３５４を備えている。
【００６６】
真空ポンプ３５４は、真空容器３５０の内部の排気及び真空容器３５０の内部への大気の導入を行うようになっている。
真空容器３５０の内部には、基板１１を保持する基板ホルダ３５２が配設されている。
【００６７】
基板ホルダ３５２は、基板１１を加熱する加熱ヒータ（図示せず）を備えている。加熱ヒータは、基板１１を加熱することによって基板１１表面の吸着物を離脱させて除去するようになっている。これにより、基板１１の被形成面と輝尽性蛍光体との間に不純物層が発生するのが防止され、基板１１と輝尽性蛍光体層１２との密着性の強化や輝尽性蛍光体層１２の膜質調整が行われる。
【００６８】
基板ホルダ３５２は、回転機構３５３によって回転するようになっている。回転機構３５３は、例えば、基板ホルダ３５２を支持する回転軸３５３aと、真空容器３５０の外部に配置されて回転軸３５３aを回転させるモータ（図示せず）等とから構成されている。
【００６９】
基板ホルダ３５２の下方には、輝尽性蛍光体を収容して抵抗加熱法で加熱する蒸発源３５１が配設されている。この蒸発源３５１は、ヒータを巻いたアルミナ製のるつぼから構成しても良いし、高融点金属からなるヒータやボートから構成しても良い。なお、輝尽性蛍光体を加熱する方法は、抵抗加熱法に限らず、電子ビームによる加熱や高周波誘導による加熱等の方法でも良い。また、蒸発源３５１は分子源エピタキシャル法による分子線源でも良い。
【００７０】
なお、基板１１と蒸発源３５１との間には、蒸発源３５１から基板１１に至る空間を遮断するシャッタ（図示せず）を配設することとしても良い。この場合には、シャッタによって輝尽性蛍光体の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着の初期段階で蒸発し、基板１１に付着するのを防ぐことができる。
【００７１】
第１製造部３５によって被形成面に輝尽性蛍光体層１２が形成された基板１１は、搬送室３０ｄを介して第２選別室３６に搬送されるようになっている。
【００７２】
第２選別室３６は、上記図３に示すように、光学式変位計（第４測定装置）３６０と、演算装置（第２選別装置）３６１とを備えている。光学式変位計３６０は、輝尽性蛍光体層１２の表面の形状に関する物理量、本実施の形態においては表面粗さＢを測定するようになっている。
【００７３】
演算装置３６１は、光学式変位計３３０，３６０と接続されており、光学式変位計３３０，３６０の測定結果に基づいて基板１１の被形成面における表面粗さＡと、輝尽性蛍光体層１２の表面における表面粗さＢとを比較し、｜Ａ−Ｂ｜の平均値Ｒａｂ［μｍ］と最大値Ｒａｂ・Ｚ［μｍ］とを算出するようになっている。
【００７４】
ここで、これら平均値Ｒａｂと最大値Ｒａｂ・Ｚとは、製造される放射線画像変換パネル１の品質を予想可能とするものである。
具体的には、平均値Ｒａｂと最大値Ｒａｂ・Ｚとが０．０５＜Ｒａｂ＜２．０、かつ０．１＜Ｒａｂ・Ｚ＜３．０を満たす場合には、放射線画像変換パネル１の品質は良好になることが予想される。
一方、２．０≦Ｒａｂの場合と、３．０≦Ｒａｂ・Ｚの場合とには、輝尽性蛍光体層１２の厚さが均一でないため、放射線画像変換パネル１の品質が劣悪になることが予想される。
【００７５】
演算装置３６１は、基板１１の搬送装置（図示せず）とも接続されており、平均値Ｒａｂと最大値Ｒａｂ・Ｚとが前記条件を満たさない場合には、搬送室３０ｅを介して基板１１をロードロック室３７に搬送し、満たす場合には搬送室３０ｆを介して基板１１を第２製造部３８に搬送するようになっている。
【００７６】
第２製造部３８は、輝尽性蛍光体層１２の表面を防湿性保護フィルム２０によって封止するものである。より詳細には、第２製造部３８は、基板１１の外周部よりも外側の部分で防湿性保護フィルム２０を上下から加熱圧着することによって基板１１及び輝尽性蛍光体層１２を封止する圧着装置（図示せず）を有している。
【００７７】
第２製造部３８によって製造された放射線画像変換パネル１は、搬送室３０ｇを介してロードロック室３２に搬送された後、ロードロック室３２から搬出されるようになっている。
【００７８】
続いて、輝尽性蛍光体層１２の原料である輝尽性蛍光体の製造方法について説明する。
まず、下記（ａ）〜（ｄ）の蛍光体原料を前記一般式（１）のa、b、eの範囲を満たすように秤量し、純水にて混合する。この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合してもよい。
【００７９】
ここで、（ａ）の蛍光体原料とは、LiF、LiCl、LiBr、LiI、NaF、NaCl、NaBr、NaI、KF、KCl、KBr、KI、RbF、RbCl、RbBr、RbI、CsF、CsCl、CsBr及びCsIからなる群から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物である。
【００８０】
また、（ｂ）の蛍光体原料とは、BeF2、BeCl2、BeBr2、BeI2、MgF2、MgCl2、MgBr2、MgI2、CaF2、CaCl2、CaBr2、CaI2、SrF2、SrCl2、SrBr2、SrI2、BaF2、BaCl2、BaBr2、BaI2、ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2、CdF2、CdCl2、CdBr2、CdI2、CuF2、CuCl2、CuBr2、CuI2、NiF2、NiCl2、NiBr2及びNiI2からなる群から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物である。
【００８１】
また、（ｃ）の蛍光体原料とは、ScF3、ScCl3、ScBr3、ScI3、YF3、YCl3、YBr3、YI3、LaF3、LaCl3、LaBr3、LaI3、CeF3、CeCl3、CeBr3、CeI3、PrF3、PrCl3、PrBr3、PrI3、NdF3、NdCl3、NdBr3、NdI3、PmF3、PmCl3、PmBr3、PmI3、SmF3、SmCl3、SmBr3、SmI3、EuF3、EuCl3、EuBr3、EuI3、GdF3、GdCl3、GdBr3、GdI3、TbF3、TbCl3、TbBr3、TbI3、DyF3、DyCl3、DyBr3、DyI3、HoF3、HoCl3、HoBr3、HoI3、ErF3、ErCl3、ErBr3、ErI3、TmF3、TmCl3、TmBr3、TmI3、YbF3、YbCl3、YbBr3、YbI3、LuF3、LuCl3、LuBr3、LuI3、AlF3、AlCl3、AlBr3、AlI3、GaF3、GaCl3、GaBr3、GaI3、InF3、InCl3、InBr3及びInI3からなる群から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物である。
【００８２】
更に、（ｄ）の蛍光体原料とは、Eu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の金属である。
【００８３】
これら蛍光体原料を純水中で混合したら、得られた混合液のｐＨ値Cを0＜C＜7に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。
【００８４】
混合液の水分を蒸発気化させたら、得られた原料混合物を石英ルツボあるいはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉内で焼成を行う。これにより、輝尽性蛍光体が製造される。
【００８５】
ここで、焼成温度は５００〜１０００℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、０．５〜６時間が好ましい。
また、焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、希ガス雰囲気等の中性雰囲気あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。
【００８６】
なお、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行うこととしても良い。また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気あるいは弱酸化性雰囲気で急冷することとしても良い。これらの場合には、輝尽性蛍光体の発光輝度を更に高めることができる。
【００８７】
続いて、本発明に係る放射線画像変換パネルの製造方法について説明する。
まず、基板１１をロードロック室３１から製造装置３の内部に搬入する。ロードロック室３１内に基板１１が搬入されると、図示しない搬送装置が基板１１を第１選別室３３に搬送する。
【００８８】
第１選別室３３に基板１１が搬送されると、前記クリーニング装置が基板１１の被形成面をクリーニングする。これにより、被形成面の粉塵などが除去される。
次に、光学式変位計３３０が基板１１の被形成面の表面粗さＡを測定する。
【００８９】
測定された表面粗さＡのうち、平均粗さＲａが０．０５＜Ｒａ＜２．０を満たさない場合または最大粗さＲｚ・Ｄが０．１＜Ｒｚ・Ｄ＜３．０を満たさない場合には、再度クリーニング装置が基板１１の被形成面をクリーニングし、光学式変位計３３０が被形成面の表面粗さＡを測定する。そして、クリーニング後にも平均粗さＲａが０．０５＜Ｒａ＜２．０を満たさない場合または最大粗さＲｚ・Ｄが０．１＜Ｒｚ・Ｄ＜３．０を満たさない場合、つまり、劣悪な品質の放射線画像変換パネル１が製造されると予想される場合には、演算装置３３１は、図示しない搬送装置によって基板１１をロードロック室３４へ搬送させる。ロードロック室３４に搬送された基板１１は、製造装置３から搬出されて破棄される。
これにより、劣悪な品質の放射線画像変換パネル１となることが予想される基板１１に対して輝尽性蛍光体層１２を形成する手間が省かれる。
【００９０】
一方、測定された平均粗さＲａが０．０５＜Ｒａ＜２．０を満たし、かつ最大粗さＲｚ・Ｄが０．１＜Ｒｚ・Ｄ＜３．０を満たす場合には、演算装置３３１は、前記搬送装置によって基板１１を第１製造部３５に搬送させる。
【００９１】
次に、第１製造部３５は、蒸着法によって基板１１の被形成面に輝尽性蛍光体層１２を形成する。
具体的には、まず、図示しない搬送装置によって基板１１を基板ホルダ３５２に取り付ける。
次に、真空ポンプ３５４によって真空容器３５０の内部を真空排気し、蒸着可能な真空度、例えば１．３３３×１０-4Ｐａ程度とする。また、回転機構３５３により基板ホルダ３５２を基板１１とともに蒸発源３５１に対して回転させる。そして、加熱された蒸発源３５１から輝尽性蛍光体を蒸発させて、基板１１の被形成面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。これにより、輝尽性蛍光体層１２が形成される。
【００９２】
この場合において、基板１１と蒸発源３５１との間隔は、１００ｍｍ〜１５００ｍｍに設置するのが好ましい。また、基板１１の設定温度は５０℃〜４００℃が好ましく、輝尽性蛍光体の特性上は１００℃〜２５０℃がより好ましい。また、基板１１に樹脂を用いる場合には、樹脂の耐熱性を考慮して基板１１の設定温度は５０℃〜１５０℃が好ましく、５０℃〜１００℃がより好ましい。
【００９３】
なお、蒸発源として使用する輝尽性蛍光体は、加圧圧縮によりタブレットの形状に加工しておくことが好ましい。
また、輝尽性蛍光体の代わりにその原料もしくは原料混合物を用いても構わない。
【００９４】
図５は、基板１１上に輝尽性蛍光体層１２が蒸着される具体的な様子を示す図である。基板ホルダ３５２に固定された基板１１の被形成面の法線方向（Ｒ）に対する輝尽性蛍光体の蒸気流１５の入射角度をθ2（図では６０°）とし、形成される柱状結晶１３の支持体面の法線方向（Ｒ）に対する角度をθ1（図では３０°）とすると、経験的にはθ1はθ2の約半分となり、この角度で柱状結晶１３が形成される。なお、図５では、蒸気流１５の入射角度θ2が６０°に設定されている場合である。
【００９５】
なお、本実施の形態においては、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層１２が形成されるが、柱状結晶１３の間に形成された間隙１４に結着剤等の充填物を充填しても良く、柱状結晶１３を補強する物質や光吸収性の物質、光反射性の物質を充填しても良い。光吸収性の物質や光反射性の物質を充填する場合には、輝尽性蛍光体層１２に入射した輝尽励起光が横方向へ拡散するのを防止することができる。
【００９６】
以上のようにして輝尽性蛍光体層１２を形成したら、図示しない搬送装置が基板１１を第２選別室３６に搬送する。
第２選別室３６に基板１１が搬送されると、光学式変位計３６０が輝尽性蛍光体層１２の表面粗さＢを測定する。
【００９７】
次に、演算装置３６１は、光学式変位計３３０，３６０の測定結果に基づいて基板１１の被形成面の表面粗さＡと、輝尽性蛍光体層１２の表面粗さＢとを比較し、｜Ａ−Ｂ｜の平均値Ｒａｂと最大値Ｒａｂ・Ｚとを算出する。
【００９８】
平均値Ｒａｂと最大値Ｒａｂ・Ｚとが０．０５＜Ｒａｂ＜２．０、かつ０．１＜Ｒａｂ・Ｚ＜３．０を満たさない場合、つまり、劣悪な品質の放射線画像変換パネル１が製造されると予想される場合には、演算装置３６１は、図示しない搬送装置によって基板１１をロードロック室３７へ搬送させる。ロードロック室３７に搬送された基板１１は、製造装置３から搬出されて破棄される。
これにより、劣悪な品質の放射線画像変換パネル１が製造されると予想される輝尽性光体層１２に対して防湿性保護フィルム２０を設ける手間が省かれる。
【００９９】
一方、平均値Ｒａｂと最大値Ｒａｂ・Ｚとが上記の条件を満たす場合には、演算装置３６１は、前記搬送装置によって基板１１を第２製造部３８に搬送させる。
【０１００】
次に、第２製造部３８は、防湿性保護フィルム２０によって基板１１及び輝尽性蛍光体層１２の表面を封止する。これにより、放射線画像変換パネル１が製造される。
そして、製造された放射線画像変換パネル１は、ロードロック室３２から搬出される。
【０１０１】
以上の放射線画像変換パネルの製造方法によれば、劣悪な品質の放射線画像変換パネル１が製造されることが予想される基板１１に対し、輝尽性蛍光体層１２を設ける手間を省くことができる。また、劣悪な品質の放射線画像変換パネル１が製造されることが予想される輝尽性蛍光体層１２に対し、防湿性保護フィルム２０を設ける手間を省くことができる。従って、その分だけ放射線画像変換パネルの生産性を高めることができる。また、放射線画像変換パネルを高い品質に安定させることができる。
【０１０２】
また、前記クリーニング装置によるクリーニングの後に良好な品質の放射線画像変換パネル１となることが予想される基板１１に第１工程を行うことにより、基板１１の無駄をなくすことができる。
【０１０３】
なお、上記の実施の形態においては、第１選別室３３，第２選別室３６は、光学式変位計３３０，３６０を備えていることとして説明したが、基板１１の被形成面、輝尽性蛍光体層１２の表面の形状に関する物理量を測定する測定装置として、ダイヤルゲージや光学顕微鏡などを備えることとしても良い。
【０１０４】
また、第１製造部３５は、蒸着法によって輝尽性蛍光体層１２を形成することとして説明したが、スパッタリング法やＣＶＤ法、イオンプレーティング法、塗布法などによって形成することとしても良い。
【０１０５】
また、第２選別室３６では、｜Ａ−Ｂ｜の平均値Ｒａｂと最大値Ｒａｂ・Ｚとによって基板１１を選別することとして説明したが、基板１１の被形成面における凹凸部の位置と輝尽性蛍光体層１２の表面における凹凸部の位置とによって基板１１を選別することとしても良い。具体的には、輝尽性蛍光体層１２の表面における凹凸部の位置と基板１１の被形成面における凹凸部の位置とが対応していない場合には、基板１１をロードロック室３７に搬送し、対応している場合には基板１１を第２製造部３８に搬送する。また、輝尽性蛍光体層１２の表面の凹凸とは、キズやスジによる凹凸であっても良いし、塵などの異物が付着することによる凹凸であっても良い。
【０１０６】
［第１の実施の形態の変形例］
続いて、製造装置３の変形例について説明する。なお、上記第１の実施の形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１０７】
本変形例における製造装置３Ａは、図２に示すように、第１選別室３３の代わりに第１選別室３３Ａを有している。
第１選別室３３Ａは、暗視野光学方式の測定機器４を有している。
【０１０８】
暗視野光学方式の測定機器４は、図６に示すように、光線を基板１１または輝尽性蛍光体層１２に斜め入射させる光源４０を備えている。
【０１０９】
また、基板１１の上方には、基板１１の被形成面での反射光を検知して画像データを作成する撮影ユニット４１が配設されている
撮影ユニット４１は撮影レンズ４１０と２次元ＣＣＤ４４１とを有している。これら撮影レンズ４１０及び２次元ＣＣＤ４４１は基板１１の上方を移動可能となっている。２次元ＣＣＤ４４１で撮影された画像の画像データは演算装置４４２に送信されるようになっている。
【０１１０】
演算装置４４２は、画像データに基づいて基板１１の被形成面の表面粗さや凹凸部の位置などを算出するようになっている。また、演算装置４４２は、算出結果に基づいて基板１１の搬送先を決定するようになっている。
【０１１１】
以上のような製造装置３Ａによっても、上記製造装置３と同様の効果を得ることができる。
【０１１２】
［第２の実施の形態］
続いて、放射線画像変換パネルの製造装置３の第２の実施の形態ついて説明する。なお、上記第１の実施の形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１１３】
本変形例における製造装置３Ｃは、図２に示すように、第２選別室３６の代わりに第２選別室３６Ｃを備えている。
第２選別室３６Ｃは、紫外線光源（図示せず）を有している。
紫外線光源は、紫外線を輝尽性蛍光体層１２に照射するようになっている。紫外線光源から照射される紫外線の波長は、輝尽性蛍光体の瞬時発光エネルギーの波長以下となっている。
【０１１４】
紫外線の照射によって輝尽性蛍光体層１２に生じる瞬時発光変化または透過信号変化は観測装置（図示せず）によって観測され、演算装置（図示せず）に送信されるようになっている。
【０１１５】
演算装置は、瞬時発光変化に基づいて輝尽性蛍光体層１２の輝度分布を推定するか、或いは透過信号変化に基づいて輝尽性蛍光体層１２のＸ線吸収分布を推定するようになっている。また、演算装置は、推定結果に基づいて、劣悪な輝尽性蛍光体層１２が形成された基板１１をロードロック室３４に、良好な輝尽性蛍光体層１２が形成された基板１１を第２製造部３８に搬送させるようになっている。
【０１１６】
以上のような製造装置３Ｃによっても、上記製造装置３と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】放射線画像変換パネルの断面図である。
【図２】本発明に係る放射線画像変換パネルの製造装置の概略構成を示す図である。
【図３】光学式変位計と演算装置とを示す図である。
【図４】第１製造部の概略構成を示す側面図である。
【図５】蒸着によって基板上に輝尽性蛍光体層が形成される様子を示す図である。
【図６】暗視野光学方式の測定機器と演算装置とを示す図である。
【符号の説明】
【０１１８】
１              放射線画像変換パネル
３，３Ａ，３Ｃ  放射線画像変換パネルの製造装置
１１            基板
１２            輝尽性蛍光体層
２０            防湿性保護フィルム（保護フィルム）
３５            第１製造部
３８            第２製造部
３３０          光学式変位計（第１測定装置，第３測定装置）
３３１          演算装置（第１選別装置）
３６０          光学式変位計（第４測定装置）
３６１          演算装置（第２選別装置）
【図１】
2005156224.tif 000003
【図２】
2005156224.tif 000004
【図３】
2005156224.tif 000005
【図４】
2005156224.tif 000006
【図５】
2005156224.tif 000007
【図６】
2005156224.tif 000008