(57)【要約】【課題】生産性に優れた、基体処理装置及びその方法を提供することを目的とする。【解決手段】排気系に設けられた接合可能なフランジ面と、処理容器に設けられた接合可能なフランジ面とを接合させ、前記処理容器内に設置された基体上に処理を行う処理方法であって、前記排気系又は前記処理容器の少なくとも一方のフランジ面が３次元的に移動自在であり、且つ接合面を機械的に固定しうる部材を有している基体処理装置及びその装置を用いた基体処理方法。【選択図】        図１
2005002436.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排気系に設けられた接合可能なフランジ面と、処理容器に設けられた接合可能なフランジ面とを接合させ、前記処理容器内に設置された基体上に処理を行う処理方法であって、前記排気系又は前記処理容器の少なくとも一方のフランジ面が３次元的に移動自在であり、且つ接合面を機械的に固定しうる部材を有していることを特徴とする基体処理装置。
【請求項２】
前記処理容器は、移動式処理容器であることを特徴とする請求項１に記載の基体処理装置。
【請求項３】
前記排気系は、前記排気系のフランジ面と排気手段との間に排気バルブを有し排気路を成していることを特徴とする請求項１乃至２に記載の基体処理装置。
【請求項４】
前記排気系は、前記排気系のフランジ面と前記排気バルブとの間にベント弁を有することを特徴とする請求項１乃至３に記載の基体処理装置。
【請求項５】
排気系に設けられた接合可能なフランジ面と、処理容器に設けられた接合可能なフランジ面を有し、前記排気系又は前記処理容器の少なくとも一方のフランジ面が３次元的に移動自在であり、且つ接合面を機械的に固定しうる部材設けた基体処理装置において、前記排気系に設けられた接合可能なフランジ面と前記処理容器に設けられた接合可能なフランジ面とを接合させ、前記処理容器内に設置された基体上に処理を行うことを特徴とする基体処理方法。
【請求項６】
前記処理容器は、移動式処理容器を用いることを特徴とする請求項５に記載の基体処理方法。
【請求項７】
前記排気系は、前記排気系のフランジ面と排気手段との間に排気バルブを有し排気路を成している基体処理装置を用い前記処理容器内に設置された基体上に処理を行うことを特徴とする請求項５乃至６に記載の基体処理方法。
【請求項８】
前記排気系は、前記排気系のフランジ面と前記排気バルブとの間にベント弁を有する基体処理装置を用い前記処理容器内に設置された基体上に処理を行うことを特徴とする請求項５乃至７に記載の基体処理方法。
【請求項９】
前記排気路を減圧下から大気圧にする場合は、あらかじめ前記機械的に固定しうる部材を、前記排気系又は前記処理容器のフランジ面から開放することを特徴とする請求項５乃至８に記載の基体処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基体処理装置及びその処理方法に関する。詳細には本発明は、特に半導体デバイス、電子写真用感光体（または電子写真用光受容部材）、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起電力デバイスなどに用いる、半導体膜や絶縁体膜などの堆積膜の形成に代表される基体処理装置及びその処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
像形成分野において、光受容部材における光受容層を形成する光導電材料については、高感度で、ＳＮ比［光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）］が高く、照射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトルを有し、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有し、使用時において人体に対して無害であること、などの特性が要求される。特に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組み込まれる電子写真用光受容部材の場合には、その使用時において無公害であることが重要な点である。こうした観点から、例えば水素または／およびハロゲン（例えばフッ素、塩素など）で補償されたアモルファスシリコン（Ａ−Ｓｉ）で構成された電子写真用光受容部材が提案され、その中のいくつかは実用に付されている。当該アモルファスシリコン（Ａ−Ｓｉ）は、上記の要求をほぼ満足し得ることに加えて、高耐久性であることから、電子写真用光受容部材の素材としては非常に優れている。しかしながら、現在広く普及している有機半導体（ＯＰＣ）などで構成された電子写真用光受容部材と比較して、コストが比較的高いため、高品質のアモルファスシリコン電子写真用光受容部材を安定して大量に生産できる生産性の高い成膜方法および装置の開発が要望されている。アモルファスシリコン（Ａ−Ｓｉ）の堆積膜の形成方法としては、さまざまな方法が提案されているが、その中で、原料ガスを直流、ＲＦ、ＶＨＦ、マイクロ波などの電界により分解し基体上に堆積膜を形成するプラズマＣＶＤ法が、比較的容易に大面積の堆積膜が得られることから普及している。さらに近年、プラズマＣＶＤ法を用い、生産性の向上を目的とした堆積膜形成装置がいくつか提案されている。
【０００３】
従来、減圧可能な反応容器内に投入ステージにて基体を設置し反応容器内を排気した後、反応容器を投入ステージから切り離し、軌道上を移動し処理ステージに接合させた後に基体上にプラズマ処理を行う方法及び装置が開示されている。さらに、当該公報では、投入ステージで基体を順次設置し、レール上で反応容器を複数個待機させ、プラズマ処理ステージでのプラズマ処理（堆積膜形成）が終了次第順次待機中の反応容器をプラズマ処理ステージに接合し、プラズマ処理工程を繰り返す方法及び装置が開示されている。（例えば、特許文献参照）
この方法及び装置によれば、堆積膜製品の製造タクトを向上させるとともに、装置の初期投資を抑えることが可能である。また、装置の段取り替えなどなどのデッドタイムも減少し、生産コストの面でも有効である。
【０００４】
【特許文献】
特開平１１−３１９５４６号公報（図１）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
これらの技術により、生産性の向上及び生産コストの低減の面で改善されてきたが、更なる生産性の向上を図る上で改良される余地が存在するのが実情である。すなわち、従来装置において、処理容器の移動時間の短縮改善はなされ生産性の向上及び生産コストの低減してきたものの、処理容器を処理ステージに接合させ真空排気処理を行う際の接続不良により生じた処理時間遅延による基体の温度変化、生産継続が不可能になった場合の生産性低下といった問題について改善の余地は存在する。特に、近年では、電子写真装置本体の高性能化とともに、その多様化が進み、使用する電子写真用感光体については、これまで以上の高画質、高品質化とともに多種多様なバリエーションが求められてきている。そのニーズに対応する量産装置においては、処理容器が多種にわたり、かつ複数個あることから、処理ステージに接合した際の密着性が、各々の処理容器の接合面精度によって若干の違いが生じ前述の問題を引き起こしやすい。このことから、量産装置の改善を図り、更なる生産性の向上とコストダウン、高性能化を図っていくことが必要である。
【０００６】
（発明の目的）
本発明は、上述した問題点を解決し、生産性に優れた、基体処理装置及びその方法を提供することを目的とする。特に、堆積膜、とりわけ半導体デバイス、電子写真用光受容部材（電子写真用感光体）、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起電力デバイスなどに用いる機能性堆積膜（半導体膜）、特に優れた画像性を有する良質の機能性堆積膜を、安価に安定して形成し得る、機能性堆積膜の形成方法に代表される基体処理装置及び方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、従来技術における上述した諸問題を解決し、上記目的を達成するものである。すなわち、本発明は排気系に設けられた接合可能なフランジ面と、処理容器に設けられた接合可能なフランジ面とを接合させ、前記処理容器内に設置された基体上に処理を行う処理方法であって、前記排気系又は前記処理容器の少なくとも一方のフランジ面が３次元的に移動自在であり、且つ接合面を機械的に固定しうる部材を有している基体処理装置である。
【０００８】
また、前記処理容器は、移動式処理容器であり、前記排気系は、前記排気系のフランジ面と排気手段との間に排気バルブを有し排気路を成しているものであり、前記排気系は、前記排気系のフランジ面と前記排気バルブとの間にベント弁を有している基体処理装置である。
【０００９】
また、本発明は、排気系に設けられた接合可能なフランジ面と、処理容器に設けられた接合可能なフランジ面を有し、前記排気系又は前記処理容器の少なくとも一方のフランジ面が３次元的に移動自在であり、且つ接合面を機械的に固定しうる部材設けた基体処理装置において、前記排気系に設けられた接合可能なフランジ面と前記処理容器に設けられた接合可能なフランジ面とを接合させ、前記処理容器内に設置された基体上に処理を行う基体処理方法である。また、前記処理容器は、移動式処理容器を用いる基体処理方法であり、
前記排気系は、前記排気系のフランジ面と排気手段との間に排気バルブを有し排気路を成している基体処理装置を用い前記反応容器内に設置された基体上に処理を行う基体処理方法であり、前記排気系は、前記排気系のフランジ面と前記排気バルブとの間にベント弁を有する基体処理装置を用い前記処理容器内に設置された基体上に処理を行う基体処理方法である。
【００１０】
また、前記排気路を減圧下から大気圧にする場合は、あらかじめ前記機械的に固定しうる部材を、前記排気系又は前記処理容器のフランジ面から開放する基体処理方法である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図７は、プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成のための量産型製造装置の代表例を示す模式的な構成図であり、図中７００は各段階における処理ステージであり、本例の７００Ａは処理容器に基体を投入し処理容器内を真空にするための投入処理ステージ、７００ｂは基体を予備加熱するための加熱処理ステージ、７００ｃは堆積膜を形成するための成膜処理ステージ、７００ｄは堆積膜形成後の基体を冷却し、処理容器から排出する排出ステージとからなっている。７０２は処理容器移動レールであり、レールにより処理容器側フランジ７０６と排気系側フランジ７０５との接合の位置決めがされている。処理容器７０１は、投入処理ステージ７００Ａ、加熱処理ステージ７００ｂ、成膜処理ステージ７００ｃ、排出ステージ７００ｄの順で、各処理ステージであらかじめ設定された処理プログラムに基づき処理がされていく。また、必要とされる堆積膜の製造条件によっては例えば加熱処理ステージ７００ｂを必要としない場合がある。
【００１２】
排出ステージ７００ｄで基体が排出された後、処理容器７０１は堆積膜が付着した部品のみ交換し投入処理ステージ７００Ａに戻され繰り返し使用する。
【００１３】
量産型の生産装置の場合は、この繰り返し生産に対応できるよう各処理ステージの数、処理容器の数を、各処理ステージの処理時間より算出し、稼働ロスがないよう複数個設けている。
【００１４】
また、各ステージ間の移動は、処理容器側フランジ７０６と排気系側フランジ７０５の接合の位置決めが必要な部分のみレール上の移動とし、それ以外の移動は、自由度をもたせるため、専用の搬送装置により手動搬送されていく。
【００１５】
図６は、処理容器の模式的な構成図であり、プラズマ発生用高周波電極６０３を誘電体部材６００で構成された処理容器の外に配置した場合のプラズマＣＶＤ法による電子写真用感光体の製造装置の模式図の一例である。
【００１６】
誘電体部材６００と同じ中心軸を持つ、誘電体部材６００内の円周上に、複数の原料ガス導入手段６０４、及び基体６０１が設置される放電電極を兼ね、基体加熱ヒーター６０６を内包するように配置され、回転機構６１０によって回転可能な複数の基体支持手段６０５が配置されており、さらに、誘電体部材６００と同じ中心軸を持つ、誘電体部材６００外側の円周上に、複数のプラズマ発生用高周波電極６０３が配置されている。又、プラズマ発生用高周波電極６０３の外側には高周波電力の外部への漏洩を防止するためのアースシールド６０２が配置されている。又、誘電体部材６００は形状は円筒状で、材質はセラミックスで構成されている。
【００１７】
尚、図中６０７はガス配管、６０８は圧力測定手段、６０９は排気スロットルバルブ、６１１は高周波電源、６１２は整合回路、６１３は補助整合回路、６１４は処理容器側フランジ、６１５は排気系側フランジ、６１６は排気配管、６１７は処理容器移動レールである。
【００１８】
図６に示した処理容器を用いた堆積膜の形成は、例えば以下のように行われる。
まず、投入処理ステージにて、誘電体部材６００で構成された処理容器（以下処理容器６００と略す）の処理容器側フランジを排気系側フランジに接合する。処理容器内に基体６０１を設置した後、排気系側の排気バルブ６１９を開け排気装置（例えば真空ポンプ）を用いて排気路を真空引きする。その後、処理容器ゲートバルブ６１８を開け、排気装置（例えば真空ポンプ）を用いて処理容器内６００を真空引きする。真空引きが完了したら処理容器側ゲートバルブ６１８と排気系側排気バルブ６１９を閉め、排気路を６１８ベント弁よりＮ２ガスを供給し減圧下から大気圧（以下ベントと略す）にする。その後、処理容器６００は加熱処理ステージに移動され、投入処理ステージ同様に接合する。排気系側排気バルブ６１９を開け排気装置により排気路を十分排気した後処理容器側ゲートバルブ６１８を開ける。ガス供給装置（図示せず）内のＨｅ、Ｎ２、Ａｒ及びＨ２等のガスボンベから供給される加熱用ガスが、圧力調整器及びマスフローコントローラー等を介することにより適切な流量に調節され、ガス配管６０７、原料ガス導入手段６０４を介して処理容器６００内に送り込まれる。加熱用ガス導入後の処理容器６００内の圧力は圧力測定手段６０８によってモニターされ、排気スロットルバルブ６０９の開度を調節すること等によって、所定の値に制御される。所定の基体加熱環境が整ったところで、基体６０１は基体加熱ヒーター６０６によって間接的に所定の温度にまで加熱される。
【００１９】
所定の加熱終了後、ガス供給及び加熱ヒーター６０６を止め、処理容器６００内を排気する。その後、処理容器側ゲートバルブ６１８と排気系側排気バルブ６１９を閉め、排気路を６１８ベント弁よりＮ２ガスを供給しベントする。次に、処理容器６００は成膜処理ステージに移動され、加熱処理ステージ同様に接合する。排気系側排気バルブ６１９を開け排気装置により排気路を十分排気した後処理容器側ゲートバルブ６１８を開ける。ガス供給装置（図示せず）内のＳｉＨ４、Ｈ２、ＣＨ４、Ｂ２Ｈ６、ＮＯ等のガスボンベから供給される内の必要とされる堆積膜形成用ガスが、圧力調整器及びマスフローコントローラー等を介することにより適切な流量に調節され、ガス配管６０７、原料ガス導入手段６０４を介して、処理容器内６００に送り込まれる。堆積膜形成用ガス導入後の処理容器６００内の圧力は圧力測定手段６０８によってモニターされ、排気スロットルバルブ６０９の開度を調節すること等によって、所定の値に制御される。所定の堆積膜形成環境が整ったところで、高周波電源６１１が接続され、整合回路６１２、補助整合回路６１３及びプラズマ発生用高周波電極６０３を通じて、例えばＶＨＦ電力が処理容器６００内に導入されプラズマを生起する。該プラズマにより堆積膜形成用ガスが分解され、基体６０１上に堆積膜を形成する。
【００２０】
所定の成膜終了後、高周波電力供給及びガス供給を止め、処理容器６００内を排気する。その後、処理容器６００内をＨｅ、Ｎ２、Ａｒ等のガス供給装置のガスボンベから供給される内の必要とされるパージガスにてパージする。その後、処理容器側ゲートバルブ６１８と排気系側排気バルブ６１９を閉め、排気路を６１８ベント弁よりＮ２ガスを供給しベントする。次に、処理容器６００は排出ステージに移動され同様に接合される。排気系側排気バルブ６１９を開け排気装置により排気路を十分排気した後処理容器側ゲートバルブ６１８を開ける。ガス供給装置（図示せず）内のＨｅ、Ｎ２、Ａｒ等のガスボンベから供給される内の必要とされる冷却ガスが、圧力調整器及びマスフローコントローラー等を介することにより適切な流量に調節され、ガス配管６０７、原料ガス導入手段６０４を介して処理容器６００内に送り込まれる。
【００２１】
所定の冷却終了後、ガス供給を止め、処理容器６００内を排気する。その後、処理容器側ゲートバルブ６１８と排気系側排気バルブ６１９を閉め、排気路を６１８ベント弁よりＮ２ガスを供給しベントする。処理容器６００内はガス供給装置（図示せず）内のＨｅ、Ｎ２、Ａｒ等のガスボンベから供給される内の必要とされるベントガスにてベントする。
【００２２】
次に処理容器６００内より基体を取り出し、堆積膜が付着した部品は、堆積膜を除去して再生された部品に交換され投入処理ステージに戻される。
【００２３】
尚、堆積膜が付着した部品は再生のためウエットエッチング処理、ホーニング処理、ドライエッチング処理等の内、必要とされる処理がなされる。
【００２４】
以上の工程を繰り返し行い、連続的に基体処理を行うものである。
【００２５】
図５は上述の基体処理装置の排気系側フランジを模式的に説明する構成図である。図中、５００はフランジ、５０１は真空気密を得るためのＯリングが装着されるＯリング溝であり、５０２は位置決めピン、５０３は排気管、５０４は集積コネクタである。集積コネクタ５０４は、処理容器への駆動電源供給、及び駆動空圧供給、センサー等の信号端子用集積コネクタであり、処理容器側フランジ面が排気系フランジ面に接合される際、コネクタが差し込まれ排気側フランジ方向より電源等を供給する。
【００２６】
尚、Ｏリング溝５０１、位置決めピン５０２は処理容器側フランジに設けても問題は無く、本例では処理容器側フランジは、Ｏリング溝５０１、位置決めピン５０２の受け側になるため、排気系側フランジのＯリング溝５０１が接合される部分は平滑な平面、位置決めピン５０２の対向側は位置決めピン５０２が差し込まれるような位置決め穴があいている。
【００２７】
このような構成の場合、処理容器側フランジを処理ステージの排気系側フランジ５００に接合させ真空排気処理を行う際、位置決めピン５０２により双方のフランジ面は極力並行になる状態を維持させてから接合させる手段をとっているが、量産装置においては、処理容器が多種にわたり、かつ複数個あることから、各々の処理容器のフランジ面精度（面角度）の違いによっては接続不良が生じる場合がある。
【００２８】
そのため、真空排気処理中に、接続不良により生じた隙間からエアーを引き込み、真空排気処理時間遅延による基体の温度変化による品質低下や、処理継続が困難となり処理途中で不良を引き起こしてしまう場合があり、生産面、コスト面に影響を及ぼしてしまう。
【００２９】
本発明は前述の問題を解決し、生産性の向上とコストダウン、高性能化を図る基体処理装置及びその方法であり、本発明の効果を図１、図２、図３の模式的構成図を用いて説明する。
【００３０】
図１は本発明の排気系側に設けられているフランジを模式的に説明する構成図であり、１００はフランジ、１０１はＯリング溝、１０２は位置決めピン、１０３は排気管、１０４は集積コネクタ、１０５は機械的固定部材（本例では日本オカヘルド：ロータリークランプ）、１０６は可動保持部である。
【００３１】
本発明によれば、処理容器側フランジを処理ステージの排気系側フランジ１００に接合させ真空排気処理を行う際、位置決めピン１０２により双方のフランジ面は極力並行になる状態を維持させてから接合し、その後機械的固定部材１０５により密着させる手段をとるものである。また、排気側フランジ１００は３次元的に稼動する可動保持部１０６を有した構成になっており、処理容器側フランジを機械的固定部材１０５により密着接合させた際の処理容器側フランジ面の面精度（面角度）に添うように自在に動くものである。
【００３２】
尚、本発明は、処理容器側フランジを排気系側フランジに接合させ排気路を大気圧から減圧下にする場合は、あらかじめ機械的固定部材１０５により双方のフランジを密着固定し、真空排気処理を行うものである。
【００３３】
また、処理容器側フランジを排気系側フランジから外す場合に排気路を減圧下から大気圧にするが、その際は、あらかじめ機械的固定部材１０５を処理容器側フランジから開放させることが望ましい。
【００３４】
図２は排気系側フランジの側面を模式的に示す構成図であり、Ａ部は図１の稼働保持部１０６であり、その詳細を図３にて示す。図３は可動保持部を模式的に説明する構成図であり、図中３００はフランジ、３０１はウレタン製ゴム、３０２は圧縮ばね、３０３はフランジ保持シャフトである。
【００３５】
この可動保持部は、ウレタン製ゴム３０１と圧縮ばね３０２により３次元的に稼動する構成をとっている。
【００３６】
図４は図１の機械的固定部材１０５の詳細を模式的に説明する構成図であり、４０１は押し当て部、４０２は処理容器側フランジ、４０３は排気系側フランジ、４０４は機械的固定部材（本例ではロータリークランプ）である。
【００３７】
機械的固定部材４０４は、処理ステージの排気系側フランジ４０３に設けられ、処理容器側フランジ４０２を機械的固定部材４０４によって引き寄せる方向で密着固定するものである。
【００３８】
機械的固定部材４０４は、本例では日本オカヘルド社のロータリークランプを挙げているが、特に限定するものではなく、双方のフランジを密着固定するものならいずれの形態でも可能である。
【００３９】
機械的固定部材４０４は、処理容器側フランジ４０２と排気系側フランジ４０３との接合による密着性を上げる効果とともに、基体への処理工程中は処理容器側フランジを常に引き寄せているよう駆動用エアーが供給されているため、例えば、堆積膜形成処理中に双方のフランジの密着性が低下した際の、エアー引き込みによる品質への影響、堆積膜形成用ガスとエアーとの混合による危険性を回避するものである。
【００４０】
本発明の構成により、真空排気処理中に、接続不良により生じた隙間からエアーを引き込み、真空排気処理時間遅延による基体の温度変化による品質低下、処理継続が困難となり処理途中で不良を引き起こしてしまうといった問題が解消され、安定生産が図られるともに、製品のコストダウンにも大きな効果がある。
【００４１】
特に、処理容器が多種にわたり、かつ複数個あり各々の処理容器のフランジ面精度（面角度）に違いのある量産装置において効果的な形態である。
【００４２】
【実施例】
以下、実施例に基づき本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定されるものではない。
【００４３】
（実施例１）
外径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、厚さ５ｍｍのアルミニウムシリンダーを鏡面加工し、脱脂洗浄したものを円筒状基体として使用し、図７の投入処理ステージ、加熱処理ステージ、成膜処理ステージ、排出ステージからなる装置を用い、各処理ステージの排気系側フランジを図１に示す本発明のフランジとし、先に述べた手順により、表１に示した条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる層構成の電子写真用光受容部材（以後「ドラム」という）を連続１０サイクル形成し以下の評価を行った。
【００４４】
各ステージでの処理容器側フランジと排気系側フランジの接合から真空引きが完了するまでの真空排気時間のばらつきを評価した。
【００４５】
１サイクル目の真空排気時間を１００とした相対比較をおこなった。
【００４６】
尚、本実験の前に１サイクル目に使用する処理容器を用いて、接合不良によるエアーの引き込みが無いよう、双方のフランジ位置を調整した。
【００４７】
成膜処理ステージでの成膜開始直前の基板温度のばらつきを評価した。
【００４８】
本例では成膜処理ステージでの成膜開始直前の基体温度を２２０℃にするよう、あらかじめ加熱処理ステージで処理容器移動時の基板温度低下を見越して２４０℃に加熱している。
【００４９】
作製した各々の電子写真感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ｉＲ５０００に設置し、電気特性評価を行った。
【００５０】
「帯電能」
複写機の主帯電器に一定の電流を流した時の現像器位置での暗部電位を「帯電能」とした。１サイクル目の「帯電能」を１００とした相対比較を行った。
【００５１】
これらの評価結果を表２に示す。
【００５２】
尚、この時の処理容器を１０台用意し、サイクルごとに交換して実験を行った。
【００５３】
（比較実施例１）
フランジの構成を従来例の図５にしたこと以外は実施例１と同様の評価を行った。
【００５４】
【表１】
2005002436.tif 000003
【００５５】
【表２】
2005002436.tif 000004
【００５６】
表２から明らかなように、処理ステージの排気系側フランジを本発明の構成とすることで、真空排気時間のばらつきの無い良好な結果が得られた。
【００５７】
また、基板温度変化についてもばらつきの無い良好な結果が得られた。
【００５８】
電気特性においても、本発明の構成をとることでばらつきの無い良好な結果を得ることが出来た。
【００５９】
以上の結果より、真空排気時間のばらつきが、基板温度のばらつきを生じさせ、その温度変化が電気特性に大きく関係していることが確認された。
【００６０】
本発明の構成では、真空排気処理中に、処理容器側フランジと排気系側フランジとの接続不良による真空排気処理時間遅延にて生じる基体の温度変化、その温度変化に伴う品質低下が改善され、安定生産が得られる結果となった。
【００６１】
（実施例２）
外径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、厚さ５ｍｍのアルミニウムシリンダーを鏡面加工し、脱脂洗浄したものを円筒状基体として使用し、図７の投入処理ステージ、加熱処理ステージ、成膜処理ステージ、排出ステージからなる装置を用い、各処理ステージの排気系側フランジを図１に示す本発明のフランジとし、先に述べた手順により、表３に示した条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる層構成の電子写真用光受容部材（以後「ドラム」という）を連続１０サイクル形成し実験例１と同様の評価を行ったところ、実施例１同様良好な結果が得られた。
【００６２】
【表３】
2005002436.tif 000005
【００６３】
【発明の効果】
本発明によれば、真空排気処理中に、処理容器側フランジと排気系側フランジとの接続不良により生じた隙間からエアーを引き込み、真空排気処理時間遅延による基体の温度変化による品質低下、処理継続が困難となり処理途中で不良を引き起こしてしまうといった問題が解消され、安定生産が図られるともに、製品のコストダウンにも大きく貢献した。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基体処理装置のフランジを示す模式的構成図である。
【図２】本発明の基体処理装置のフランジ側面を示す模式的構成図である。
【図３】本発明の基体処理装置のフランジ可動保持部を示す模式的構成図である。
【図４】本発明の基体処理装置のフランジ接合面を機械的に固定する部材の一例を示す模式的構成図である。
【図５】従来の基体処理装置のフランジを示す模式的構成図である。
【図６】基体処理装置の一例を示す模式的構成図である。
【図７】量産型生産装置の一例を示す模式的構成図である。
【符号の説明】
１００、２００、３００、５００  フランジ
１０１、５０１  Ｏリング溝
１０２、５０２  位置決めピン
１０３、５０３  排気管
１０４、５０４  集積コネクタ
１０５  機械的固定部材
１０６  可動保持部
２０１  ベント弁
３０１  ウレタン製ゴム
３０２  圧縮ばね
３０３  フランジ保持シャフト
４０１  押し当て部
４０２  処理容器側フランジ
４０３  排気系側フランジ
４０４  機械的固定部材
６００  処理容器
６０１  基体
６０２  アースシールド
６０３  高周波電極
６０４  原料ガス導入手段
６０５  基体支持手段
６０６  基体加熱ヒーター
６０７  ガス配管
６０８  圧力測定手段
６０９  排気スロットルバルブ
６１０  回転機構
６１１  高周波電源
６１２  整合回路
６１３  補助整合回路
６１４  処理容器側フランジ
６１５  排気系側フランジ
６１６  排気配管
６１７  処理容器移動レール
６１８  ベント弁
７００（７００ａ、７００ｂ、７００ｃ、７００ｄ）  処理ステージ
７０１  処理容器
７０２  処理容器移動レール
７０３  排気バルブ
７０４  排気装置
７０５  排気系側フランジ
７０６  処理容器側フランジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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