(57)【要約】    【課題】  電極パッドとバンプとの接合強度、並びにバンプのパッケージ側の電極ランド等への接合強度が十分に高められている、弾性表面波装置の製造方法を提供する。    【解決手段】  圧電基板１上に、少なくともインターデジタル電極、配線電極及び電極パッドを構成するために第１の電極膜２を形成し、第１の電極膜２を覆うように絶縁膜３を形成し、絶縁膜３をパターニングし、第１の電極膜２上のうち、第２の電極膜が積層される部分上の絶縁膜を除去し、絶縁膜が除去されている第１の電極膜上部分に、第２の電極膜５を形成し、第２の電極膜５上にバンプ８を接合する、弾性表面波装置の製造方法。【選択図】      図１
2005117151.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に、インターデジタル電極と、インターデジタル電極に連ねられた配線電極と、配線電極に接続された電極パッドとを有する電極が形成されており、少なくとも電極パッドが複数の電極層を積層した構造を有しており、該電極パッドにバンプが接合されている弾性表面波装置の製造方法であって、
圧電基板上に少なくとも前記インターデジタル電極、配線電極及び電極パッドを構成するために第１の電極膜を形成する工程と、
前記第１の電極膜を覆うように圧電基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をパターニングし、前記第１の電極膜のうち、第２の電極膜が積層される部分上の絶縁膜を除去する工程と、
前記絶縁膜が除去されている第１の電極膜上部分に、第２の電極膜を形成する工程と、
前記第２の電極膜上にバンプを接合する工程とを備える、弾性表面波装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の電極膜が積層される部分が、前記電極パッド、配線電極及びインターデジタル電極のバスバー部分である、請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項３】
圧電基板上に、インターデジタル電極と、インターデジタル電極に連ねられた配線電極と、配線電極に接続された電極パッドとを有する電極が形成されており、少なくとも電極パッドが複数の電極層を積層した構造を有しており、該電極パッドにバンプが接合されている弾性表面波装置の製造方法であって、
圧電基板上に少なくとも前記インターデジタル電極及び配線電極を構成するために第１の電極膜を形成する工程と、
前記第１の電極膜を覆うように圧電基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をパターニングし、前記第１の電極膜のうち、第２の電極膜が積層される部分上の絶縁膜と、前記圧電基板のうち、電極パッドを構成するための第２の電極膜が形成される部分上の絶縁膜とを除去する工程と、
前記絶縁膜が除去されている第１の電極膜上部分及び圧電基板上の第２の電極膜が形成される部分に第２の電極膜を形成する工程と、
前記電極パッドを構成している前記第２の電極膜上にバンプを接合する工程とを備える、弾性表面波装置の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜のパターニングを行った後に、絶縁膜の厚みを薄くするようにして周波数調整を行う工程をさらに備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜として、ＳｉＯ2膜またはＳｉＮ膜を形成する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の電極膜の下地に、前記圧電基板と電極との密着性を高めるための下地電極層を形成する工程をさらに備え、該下地電極層上に前記第１の電極膜が形成される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の電極膜の下地に、前記第１の電極膜と第２の電極膜との密着性を高めるための密着電極層を形成する工程をさらに備え、該密着電極層上に前記第２の電極膜が形成される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項８】
圧電基板と、
圧電基板上に形成されており、インターデジタル電極、前記インターデジタル電極に接続されるように形成された配線電極及び電極パッドを有する電極と、
前記電極パッドに接合されたバンプとを備え、
前記少なくとも電極パッドを含む電極部分が、複数の電極膜を積層した構造を有し、該複数の電極膜を積層した構造を有する電極部分以外を覆うように設けられた絶縁膜をさらに備える、弾性表面波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フリップチップボンディング工法によりパッケージングされる弾性表面波装置の製造方法に関し、より詳細には、圧電基板上に複数の電極層が積層されている部分を有する電極が設けられており、かつ該電極を覆うように絶縁膜が設けられている弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、パッケージにフリップチップボンディングにより搭載される弾性表面波装置が種々提案されている。この種の弾性表面波装置では、電極の一部が複数の電極層を積層した構造により構成されていることがある。例えば、インターデジタル電極に連ねられる配線電極部分では、低抵抗化を図るために、複数の電極層が積層されることがある。また、配線電極に連ねられる電極パッドでは、バンプ接合時における基板への衝撃を緩和するために、電極パッドが複数の電極層を積層した構造とされることがある。さらに、インターデジタル電極のバスバー部分が複数の電極層を積層した構造とされ、それによって表面波の閉じ込め効果が高められ、挿入損失の低減及び通過帯域の拡大が図られることがある。
【０００３】
他方、この種の弾性表面波装置では、電極を保護したり、周波数調整を図るために、ＳｉＯ2膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜がバンプ接合部分を除いて電極を覆うように形成されることがある。
【０００４】
上記のような弾性表面波装置の製造方法の一例が、下記の特許文献１に記載されている。図６及び図７を参照して、特許文献１に記載の弾性表面波装置の製造方法を説明する。
【０００５】
先ず、図６（ａ）に示すように、圧電基板１０１上に、第１の電極層１０２が形成される。次に、図６（ｂ）に示すように、第１の電極層１０２上に、第２の電極層１０３が形成される。第２の電極層１０３は、第１の電極層１０２の上面の全面ではなく、部分的に形成されている。すなわち、上述した電極パッド、配線電極及びバスバーを構成する部分においてのみ、第２の電極層１０３が設けられている。このようにして、第１，第２の電極層が積層されている、配線電極１０４、電極パッド１０５及びバスバー１０６が設けられる。なお、１０７は、インターデジタル電極の電極指構成部分であり、該電極指構成部分１０７は、第１の電極層１０２のみにより構成されている。
【０００６】
次に、図６（ｃ）に示すように、電極パッド１０５上に、バンプ１０８が接合される。
【０００７】
次に、図７（ａ）に示すように、ＳｉＯ2からなる絶縁膜１０９が全面に形成される。そして、図７（ｂ）に示すように、バンプ１０８を露出させるように、絶縁膜１０９がエッチングされる。また、図７（ｃ）に示すように、上記絶縁膜１０９の厚みを低減するようにエッチングを施し、周波数調整が図られる。
【０００８】
他方、下記の特許文献２には、特許文献１とは異なる弾性表面波装置の製造方法が開示されている。特許文献２に記載の弾性表面波装置の製造方法図８（ａ）〜（ｃ）及び図９（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。
【０００９】
先ず、図８（ａ）に示すように、圧電基板２０１上に、第１の電極層２０２が形成される。次に、図８（ｂ）に示すように、第１の電極層２０２上に、第２の電極層２０３が形成される。
【００１０】
第２の電極層２０３は、電極パッド、配線電極及びバスバーを構成する部分のみに積層されている。
【００１１】
このようにして、配線電極２０４、電極パッド２０５及びバスバー２０６が構成される。また、２０７は、インターデジタル電極の電極指構成部分に相当する。
【００１２】
次に、図８（ｃ）に示すように、全面にＳｉＯ2からなる絶縁膜２０８が積層される。そし、図９（ａ）に示すように、絶縁膜２０８の電極パッド２０５上の部分がエッチングにより除去される。そして、図９（ｂ）に示すように、絶縁膜２０８の厚みを低減するようにエッチングを施し、周波数調整が図られる。最後に、電極パッド２０５上に、バンプ２０９が接合される。
【特許文献１】特許第３４３５６３９号公報
【特許文献２】特開平１０−１６３７８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
特許文献１に記載の製造方法では、バンプ１０８は、電極パッド１０５が形成された後、直ちに、電極パッド１０５を構成している第２の電極層１０３の上面に接合されている。従って、電極パッド１０５とバンプ１０８との接合強度が十分な大きさとされ得る。しかしながら、バンプ１０８を形成した後に、バンプ１０８をも覆うように、絶縁膜１０９が形成されている。従って、図７（ｃ）において、バンプ１０８上の絶縁膜１０９が除去されているものの、バンプ１０８上の絶縁膜残渣により、フリップチップボンディングに際し、バンプ１０８とパッケージの電極との接合強度が低下するおそれがあるという問題があった。
【００１４】
他方、特許文献２に記載の製造方法では、電極パッド２０５が形成された後に、直ちに絶縁膜２０８が形成され、該電極パッド上の絶縁膜２０８を除去した後に、電極パッド２０５上にバンプ２０９が形成される。従って、電極パッド２０５上の絶縁膜残渣により、電極パッド２０５とバンプ２０９との接合強度が低下するおそれがあった。
【００１５】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、バンプ及び絶縁膜を有し、フリップチップボンディング工法でパッケージに搭載される弾性表面波装置の製造方法であって、バンプと電極パッドとの接合強度が十分であり、かつバンプのパッケージ側の電極への接合強度の低下が生じ難い、弾性表面波装置の製造方法、並びにそのような弾性表面波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、圧電基板上に、インターデジタル電極と、インターデジタル電極に連ねられた配線電極と、配線電極に接続された電極パッドとを有する電極が形成されており、少なくとも電極パッドが複数の電極層を積層した構造を有しており、該電極パッドにバンプが接合されている弾性表面波装置の製造方法であって、圧電基板上に少なくとも前記インターデジタル電極、配線電極及び電極パッドを構成するために第１の電極膜を形成する工程と、前記第１の電極膜を覆うように圧電基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をパターニングし、前記第１の電極膜のうち、第２の電極膜が積層される部分上の絶縁膜を除去する工程と、前記絶縁膜が除去されている第１の電極膜上部分に、第２の電極膜を形成する工程と、前記第２の電極膜上にバンプを接合する工程とを備える。
【００１７】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のある特定の局面では、前記第２の電極膜が積層される部分が、前記電極パッド、配線電極及びインターデジタル電極のバスバー部分である。
【００１８】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の別の広い局面によれば、圧電基板上に、インターデジタル電極と、インターデジタル電極に連ねられた配線電極と、配線電極に接続された電極パッドとを有する電極が形成されており、少なくとも電極パッドが複数の電極層を積層した構造を有しており、該電極パッドにバンプが接合されている弾性表面波装置の製造方法であって、圧電基板上に少なくとも前記インターデジタル電極及び配線電極を構成するために第１の電極膜を形成する工程と、前記第１の電極膜を覆うように圧電基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をパターニングし、前記第１の電極膜のうち、第２の電極膜が積層される部分上の絶縁膜と、前記圧電基板のうち、電極パッドを構成するための第２の電極膜が形成される部分上の絶縁膜とを除去する工程と、前記絶縁膜が除去されている第１の電極膜上部分及び圧電基板上の第２の電極膜が形成される部分に第２の電極膜を形成する工程と、前記電極パッドを構成している前記第２の電極膜上にバンプを接合する工程とを備える、弾性表面波装置の製造方法が提供される。
【００１９】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のある特定の局面では、前記絶縁膜のパターニングを行った後に、絶縁膜の厚みを薄くするようにして周波数調整を行う工程がさらに備えられる。
【００２０】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記第２の電極膜が積層される部分が、前記電極パッド、配線電極及びインターデジタル電極のバスバー部分である。
【００２１】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のある特定の局面では、上記絶縁膜として、ＳｉＯ2膜またはＳｉＮ膜が形成される。
【００２２】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のさらに別の特定の局面では、前記第２の電極膜の下地に、前記第１の電極膜と第２の電極膜との密着性を高めるための密着電極層を形成する工程をさらに備え、該密着電極層上に前記第２の電極膜が形成される。
【００２３】
本発明に係る弾性表面波装置のさらに別の特定の局面では、前記第１の電極膜の下地に、前記圧電基板と電極との密着性を高めるための下地電極層を形成する工程をさらに備え、該下地電極層上に前記第１の電極膜が形成される。
【００２４】
本発明に係る弾性表面波装置は、圧電基板と、圧電基板上に形成されており、インターデジタル電極と、前記インターデジタル電極に接続されるように形成された配線電極及び電極パッドを有する電極と、前記電極パッドに接合されたバンプとを備え、前記少なくとも電極パッドを含む電極部分が複数の電極膜を積層した構造を有し、該複数の電極膜を積層した構造を有する電極部分以外を覆うように設けられた絶縁膜をさらに備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法によれば、先ず圧電基板上に第１の電極膜が形成され、次に第１の電極膜を覆うように絶縁膜が形成される。そして、絶縁膜のパターニングにより第１の電極膜の内、第２の電極膜が積層される部分上の絶縁膜が除去される。しかる後、絶縁膜が除去されている第１の電極膜上部分に、第２の電極膜が形成される。そして、第２の電極膜上にバンプが接合される。従って、第２の電極膜上に直接バンプが接合されるため、電極とバンプとの接合強度が十分な大きさとされる。
【００２６】
また、バンプを形成した後に、バンブ上には絶縁膜が形成されないため、絶縁膜残渣によるバンプのパッケージ側の電極に対する接合強度の低下を生じ難い。
【００２７】
従って、本発明によれば、バンプを用いてフリップチップボンディングによりパッケージに搭載される弾性表面波装置であって、バンプの電極パッドとの電気的接合強度、並びにバンプとパッケージ側の電極との接合強度が十分に高められた弾性表面波装置を提供することが可能となる。
【００２８】
なお、第１の電極膜上に第２の電極膜が形成されるのに先立ち、第１の電極膜上に第２の電極膜が積層される部分上の絶縁膜が除去されるが、第１，第２の電極膜は、薄膜形成法などにより形成される。従って、第１の電極膜上に絶縁膜を除去して第２の電極膜を形成したとしても、第１，第２の電極膜間の接合強度は十分な大きさとされる。
【００２９】
本発明の製造方法において、第２の電極膜が積層される部分が、電極パッド、配線電極及びバスバー部分である場合には、本発明に従って、バンプ接合時の基板の割れが生じ難く、低抵抗の配線電極を有し、かつ表面波がインターデジタル電極のバスバー間に効果的に閉じ込められる弾性表面波装置を提供することができる。
【００３０】
本発明の別の広い局面で提供される弾性表面波装置の製造方法では、先ず圧電基板上に、インターデジタル電極及び配線電極を構成するための第１の電極膜が形成され、第１電極膜を覆うように絶縁膜が圧電基板上に形成される。そして、この絶縁膜をパターニングし、第１の電極膜上のうち第２の電極膜が積層される部分上、並びに圧電基板のうち電極パッドが形成されることが予定されている部分上において、絶縁膜が除去される。そして、絶縁膜が除去されている第１の電極膜上部分及び圧電基板上の第２の電極膜が形成される部分上に第２の電極膜が形成され、電極パッドを構成する上記第２の電極膜上にバンプが接合される。従って、電極パッドを構成している第２の電極膜上に絶縁膜残渣が生じないため、電極パッドとバンプとの接合強度を効果的に高めることができる。すなわち、本発明においては、電極パッドは、インターデジタル電極及び配線電極とは別に、第１，第２の電極膜を積層した構造ではなく、第２の電極膜を主体とする構造により構成されてもよい。
【００３１】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法において、絶縁膜のパターニングを行った後に、絶縁膜の厚みを薄くするように周波数調整を行う工程がさらに備えられる場合には、本発明の製造方法に従って、さらに所望とする周波数特性を有する弾性表面波装置を確実に提供することが可能となる。
【００３２】
上記絶縁膜として、ＳｉＯ2膜またはＳｉＮ膜が形成される場合には、ＳｉＯ2膜またはＳｉＮ膜により電極が保護されるとともに、周波数温度特性を改善することも可能である。
【００３３】
第１の電極膜の下地に、圧電基板と電極との密着性を高めるための下地電極層を形成する工程がさらに備えられ、下地電極層上に第１の電極膜が形成される場合には、電極の圧電基板への接合強度を効果的に高めることができる。
【００３４】
第２の電極層の下地に、第１の電極膜と第２の電極膜との密着性を高めるための密着電極層を形成する工程がさらに備えられる場合には、密着電極層により、第１，第２の電極膜の密着性が効果的に高められる。
【００３５】
本発明に係るに弾性表面波装置では、少なくとも電極パッドを含む電極部分が複数の電極膜を積層した構造を有し、該複数の電極膜を積層した構造を有する電極部分以外を覆うように絶縁膜が設けられているため、インターデジタル電極を保護することができ、また、前記絶縁膜の厚みを調整することにより、周波数調整を行うことができるため、信頼性を高くすることができ、さらに
特性歩留りを高くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００３７】
図１（ａ）〜（ｄ）及び図２（ａ）及び（ｂ）を参照して、本発明の一実施形態に係る製造方法を説明する。
【００３８】
先ず、図１（ａ）に示すように、圧電基板１を用意する。圧電基板１上に、第１の電極膜２を形成する。第１の電極膜２は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、ＰｔまたはＴｉなどの導電性材料からなる。第１の電極膜は、蒸着、スパッタリングまたはメッキなどの薄膜形成法などの適宜の方法で金属膜を形成した後、フォトリソグラフィー技術によりパターニングすることにより形成されている。なお、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングし、エッチングする際し、エッチング方法は、湿式エッチング及びプラズマなどを用いた乾式エッチングのいずれであってもよい。さらに、上記第１の電極膜２は、リフトオフ法により形成されていてもよい。
【００３９】
第１の電極膜２は、少なくともインターデジタル電極、配線電極及び電極パッドを構成するために設けられる。すなわち、第１の電極膜２は、圧電基板１上に形成される種々の電極部分を構成するために設けられている。
【００４０】
次に、図１（ｂ）に示すように、圧電基板１の上面１ａの全面を覆うように、絶縁膜３が形成される。絶縁膜３としては、例えばＳｉＯ2、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＮなどの様々な絶縁材料からなる絶縁膜を用いることができる。絶縁膜３の形成は、スパッタリングなどの適宜の方法により行われる。
【００４１】
絶縁膜３は、弾性表面波装置における保護膜としての機能を果たすため、並びに本実施形態では、周波数調整を図るために設けられている。
【００４２】
次に、図１（ｃ）に示すように、絶縁膜３がパターニングされる。パターニングは、第１の電極膜２上に後述の第２の電極膜が積層される部分において絶縁膜３を除去するように行われる。例えば、絶縁膜３上の全面にポジ型のレジストを付与し、しかる後、絶縁膜が除去される部分が開口部とされたマスクを該レジスト上に積層し、露光し、露光された部分のレジストを除去した後、第２の電極膜の形成が予定されている部分において、絶縁膜を除去し、しかる後残りのレジストを除去すればよい。また、フォトリソグラフィー工程において、レチクルを用いたステッパー露光により絶縁膜を部分的に除去してもよい。
【００４３】
このようにして、絶縁膜３のパターニングが行われた後、弾性表面波装置の周波数特性を測定する。そして、測定結果に基づいて、周波数を調整するためにエッチングにより絶縁膜３の厚みを低減する（図１（ｄ）参照）。絶縁膜３のエッチングに際してのエッチング方法は、湿式エッチング、プラズマなどを用いた乾式エッチングのいずれであってもよい。なお、上記周波数調整を必要としない場合には、絶縁膜３の厚みを低減する工程は実施せずともよい。
【００４４】
次に、図２（ａ）に示すように、第１の電極膜２の露出している部分上に、第２の電極膜４を形成する。第２の電極膜４は、インターデジタル電極５のバスバー５ａ，５ｂが位置している部分上、配線電極６上及び電極パッド７に対応する部分に形成されることになる。すなわち、バスバー５ａ，５ｂ、配線電極６及び電極パッド７が、第１，第２の電極膜を積層した構造を有することとなる。
【００４５】
なお、インターデジタル電極５の電極指部分５ｃは第１の電極膜２のみからなる。
【００４６】
第２の電極膜４は、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉなどの適宜の導電性材料により構成される。第２の電極膜４の形成方法は、特に限定されず、全面に第２の電極膜となる金属膜を形成した後、湿式または乾式エッチングによりパターニングする方法、あるいはリフトオフを用いた方法などの適宜の方法で形成され得る。
【００４７】
上記第２の電極膜４の形成により、電極パッド７にバンプを接合した際の基板への衝撃を緩和したり、フリップチップボンディングに際してのバンプへの応力による圧電基板の欠けを抑制することができる。さらに、配線電極６においては、低抵抗化を図ることができるとともに、バスバー５においては、表面波の閉じ込め効果を高めることができる。
【００４８】
次に、図２（ｂ）に示すように、電極パッド７上にバンプ８を接合する。バンプ８としては、Ａｕ、半田などの適宜の導電性材料からなるものを用いることができる。
【００４９】
本実施形態では、上記第２の電極膜４の上面において直接バンプ８が接合されるため、バンプ８と電極パッド７との接合強度は十分な大きさとされる。また、このようにして得られた弾性表面波装置では、バンプ８の表面に絶縁膜残渣が生じないため、バンプ８のパッケージ側基板の電極ランドへの接合強度も十分な大きさとされる。
【００５０】
なお、図１及び図２では、１つのインターデジタル電極、該インターデジタル電極に連ねられた配線電極及び電極パッドが構成されている部分を示したが、本発明において圧電基板上に形成される電極構造は特に限定されず、様々な弾性表面波共振子や弾性表面波装置の製造に本発明を適用することができる。例えば、図３及び図４に示すラダー型フィルタを構成するのに本発明を好適に用いることができる。
【００５１】
図３は、本発明が適用されるラダー型フィルタの回路構成を示す図であり、図４はその模式的平面図である。図３に示すように、ラダー型フィルタ１１では、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２が入力端子１２と出力端子１３とを結ぶ直列腕に配置されている。そして、並列腕に、それぞれ、並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３が配置されている。
【００５２】
図４に示すように、ラダー型フィルタ１１では、圧電基板１４上に、上記直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３を構成するために、それぞれ、１端子対弾性表面波共振子が構成されている。
【００５３】
上記ラダー型フィルタ１１においても、上記実施形態のように、絶縁膜及びバンプを形成することにより、本発明に従って、バンプと電極パッドとの接合強度及びバンプのパッケージへの接合強度が十分な大きさとされ得る。
【００５４】
また、上記実施形態では、第１の電極膜２上に部分的に第２の電極膜４が積層されていたが、電極は３以上の電極膜が積層された構造であってもよい。例えば、図５に示すように、第１の電極膜２の下地に、下地電極層２１が形成されていてもよい。下地電極層２１を、第１の電極膜２よりも圧電基板１に対する密着性が高い導電性材料で構成することにより、電極の圧電基板への接合強度を効果的に高めることができる。このような密着性に優れた下地電極層を構成する電極材料としては、例えば、Ｔｉ、ＣｒまたはＮｉＣｒ合金などを挙げることができる。また、第２の電極膜４の下地に、密着電極層が形成されていてもよい。これにより、第１の電極膜２と第２の電極膜３の密着性をより高めることができる。
【００５５】
なお、上記実施形態の弾性表面波装置の製造方法では、フォトリソグラフィー、金属膜形成及びバンプ形成等の工程において、加熱処理が行われることがあり、信号ラインとアースライン間の微小なギャップにおいて、圧電基板の焦電性による放電（焦電破壊）が生じ、インターデジタル電極やレジストの欠損が生じるおそれがある。このような場合には、インターデジタル電極形成時に、信号ライン側の電極とアースライン側の電極とを短絡用線路で導通しておき、各ラインの電位を同電位とする方法、ダミーの微小ギャップを設け、意図的にダミーの微小ギャップにおいて焦電破壊を生じさせる方法、または体積抵抗値が１０7〜１０13Ω・ｃｍ程度の還元処理が施された圧電基板を用いる方法などが挙げられる。還元処理が施された圧電基板を用いた場合には、前記短絡用線路を後工程において切断する工程並びに焦電によに破壊対策を必要としない。従って、還元処理が施された圧電基板を用いた場合、コストを低減することができる。
【００５６】
次に、上記実施形態の変形例の製造方法を説明する。この変形例では、先ず、圧電基板上に、例えばＴｉからなる下地電極及びＡｌ−Ｃｕからなる第１の電極膜が形成される。この下地電極及び第１の電極膜は、インターデジタル電極及び配線電極が形成される部分に形成される。
【００５７】
次に、上記圧電基板上の全面にＳｉＯ2膜が絶縁膜として形成される。ＳｉＯ2膜が部分的にエッチングされる。この場合、インターデジタル電極のバスバー構成部分及び配線電極上のＳｉＯ2膜と、圧電基板上に直接ＳｉＯ2膜が形成されている部分であって、かつ第２の電極膜が電極パッドを形成するために積層されることが予定されている部分上のＳｉＯ2膜が除去される。次に、Ａｌ−Ｃｕからなる密着電極層、Ｔｉからなる電極層及びＡｌからなる第２の電極膜が上記ＳｉＯ2膜がエッチングにより除去された部分に積層される。このようにして、インターデジタル電極のバスバー部分及び配線電極部分が、第１，第２の電極膜と、上述した下地電極や密着電極層を積層した構造により構成され、他方、電極パッドは第２の電極膜及び密着電極層を積層した構造により構成される。すなわち、電極パッドは、第１，第２の電極膜を積層した構造で構成される必要は必ずしもない。この変形例においては、第２の電極膜からなる電極パッド上に、直接バンプが接合されることになり、従って、電極パッドとバンプとの接合強度を十分な大きさとすることができる。
【００５８】
なお、本発明が適用される弾性表面波装置は、上記ラダー型フィルタに限定されない。すなわち、本発明の製造方法は、様々な弾性表面波共振子、縦結合共振子型弾性表面波フィルタまたは弾性表面波素子を用いたデュプレクサなどの製造に広く用いることができる。加えて、反射器を有しない弾性表面波装置の製造方法にも本発明を適用することができる。
【００５９】
また、本発明において、上記圧電基板は、ＬｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3、水晶、四硼酸リチウム、ランガサイトなどの圧電単結晶、あるいはチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧電セラミックスで構成される。もっとも、アルミナなどからなる絶縁基板上に、ＺｎＯなどの圧電薄膜を形成することにより圧電基板が構成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態の弾性表面波装置の製造方法を説明するための各断面図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態の弾性表面波装置の製造方法を説明するための各正面断面図。
【図３】本発明の一実施形態の弾性表面波装置の製造方法が適用される弾性表面波装置としてのラダー型フィルタの回路図。
【図４】本発明の一実施形態の弾性表面波装置の製造方法が適用される弾性表面波装置としてのラダー型フィルタの模式的平面図。
【図５】同じ電極膜が設けられた変形例の弾性表面波装置を示す正面断面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、従来の弾性表面波装置の製造方法の一例を説明するための正面断面図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、図６に示した弾性表面波装置の製造方法の各工程を示す模式的正面断面図。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、従来の弾性表面波装置の製造方法の他の例を説明するための各正面断面図。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、図８に示した製造方法の各工程の後に行われる弾性表面波装置の製造工程を説明するための各正面断面図。
【符号の説明】
【００６１】
１…圧電基板
２…第１の電極膜
３…絶縁膜
４…第２の電極膜
５…インターデジタル電極
６…配線電極
７…電極パッド
８…バンプ
１１…ラダー型フィルタ
１２…入力端子
１３…出力端子
２１…下地電極層
Ｓ１，Ｓ２…直列腕共振子
Ｐ１〜Ｐ３…並列腕共振子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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