(57)【要約】      （修正有）【課題】均一な抵抗を有するシリサイドフィルムを形成する。【解決手段】半導体ウエハ１８０の加工方法であって、前記ウエハの少なくともいくつかの区域上でシリコン１９０と接触している金属フィルム１６５を備える前記半導体ウエハを、アニーリングステーションに搭載するステップと、前記ウエハをシリサイド化温度に一様に加熱し、前記金属の一部がシリコンと反応してシリサイド１７０を生成するのに十分な時間、前記ウエハを前記シリサイド化温度に保持するステップと、前記ウエハの少なくともいくつかの前記区域上にある前記金属のすべてが前記シリコンと反応してしまう前に、前記アニーリングステーションから前記ウエハを取り出すステップとを含む方法。【選択図】 図５ｂ
2005039225.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの加工方法であって、
前記ウエハの少なくともいくつかの区域上でシリコンと接触している金属フィルムを備える前記半導体ウエハを、アニーリングステーションに搭載するステップと、
前記ウエハをシリサイド化温度に一様に加熱し、前記金属の一部がシリコンと反応してシリサイドを生成するのに十分な時間、前記ウエハを前記シリサイド化温度に保持するステップと、
前記ウエハの少なくともいくつかの前記区域上にある前記金属のすべてが前記シリコンと反応してしまう前に、前記アニーリングステーションから前記ウエハを取り出すステップと
を含む方法。
【請求項２】
実質的に平坦で一様に加熱される第１の物体を提供するステップをさらに含み、
前記ウエハを一様に加熱するステップが、加熱される前記第１の物体に平行に且つ対向させて、前記ウエハを配置するステップを含み、
一様に加熱する間、加熱される前記物体が、平坦なウエハ表面の全体にわたって拡張している請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ウエハが、加熱される前記第１の物体に近接して配置される請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ウエハが、加熱される前記第１の物体から約１ｍｍ未満内に配置される請求項３に記載の方法。
【請求項５】
加熱される前記第１の物体に平行に且つ対向させて配置された、実質的に平坦で一様に加熱される第２の物体を提供するステップをさらに含み、
前記ウエハを一様に加熱するステップが、前記ウエハを、加熱される前記第１および第２の物体に平行に且つ対向させて配置するステップを含み、
一様に加熱する間、加熱される前記第１および第２の物体が、それぞれ前記ウエハの反対側の平坦な表面の全体にわたって拡張している請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記ウエハが、加熱される前記物体のうちの少なくとも１つに近接して配置される請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ウエハが、加熱される前記物体のうちの少なくとも１つから約２ｍｍ未満内に配置される請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ウエハの少なくともいくつかの前記区域上にある前記金属のすべてがシリコンと反応する前に、前記ウエハを強制冷却するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記強制冷却するステップが、
前記ウエハ表面全体上に拡張するように構成された実質的に平坦な冷却用物体を提供するステップと、
前記ウエハを前記冷却用物体に近接させ、かつこれと平行にするステップとを含み、
冷却用物体が、強制冷却の間にウエハ表面全体上に拡張している請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記一様な加熱及び強制冷却が、アニーリングステーションの中で実施される請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記シリコンと反応していない金属を選択的に除去するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記金属フィルムと接触しているシリコンが、前記ウエハの一部である請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
平坦な表面を有する基板上で金属とシリコンの自己整列型のシリサイド化を行う方法であって、
前記金属もしくは前記シリコンのうちの一方からなるブランケット層を提供するステップと、
前記ブランケット層に接触している、前記金属もしくは前記シリコンのうちの他方のパターン化構造を提供するステップと、
前記基板を、一様に加熱され且つ実質的に平坦な加熱される物体に平行に且つ対向させて配置し、前記加熱される物体を前記平坦な基板表面の全体上に拡張させてパターン中に金属シリサイドを形成することによって、前記ブランケット層及び前記パターン化構造を急速熱アニーリングするステップと
を含む方法。
【請求項１４】
金属シリサイドパターンのすぐ上にある領域の前記ブランケット層がすべて消費される前に、前記急速熱アニーリングを中断するステップをさらに含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記中断するステップが、急速熱アニーリング後の前記基板の強制冷却ステップを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記強制冷却ステップが、冷却用物体と前記基板の平坦な表面の約２ｍｍ以内で伝導により熱を交換するステップを含み、
前記冷却用物体が、前記基板の熱質量の少なくとも約５倍の熱質量を有する請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記強制冷却ステップが、前記基板を急速熱アニーリングステーションから冷却ステーションへ移送するステップを含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記急速熱アニーリングするステップが、前記基板の表面の約２ｍｍ以内に位置する前記加熱される物体と伝導により熱を交換するステップを含み、
前記加熱される物体が、前記基板の熱質量の少なくとも約５倍の熱質量を有する請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記急速熱アニーリングするステップが、前記基板と前記加熱される物体との間にガスクッションを保持するステップを含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記急速熱アニーリングするステップが、前記基板と、前記加熱される物体の反対側の前記基板表面上の第２の物体との間に第２のガスクッションを保持するステップを含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記金属シリサイドのパターンの直接上にある領域の前記ブランケット層がすべて消費される前に、強制冷却によって前記急速熱アニーリングするステップを中断するステップをさらに含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記強制冷却が、前記基板の平坦な表面の約２ｍｍ以内に位置する冷却用物体と、伝導によって熱を交換するステップを含み、
前記冷却用物体が、前記基板の熱質量の少なくとも約５倍の熱質量を有する請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記冷却用物体が、第２の物体を含み、
前記強制冷却するステップが、前記基板を、加熱される物体の温度から遠ざけ、前記冷却用物体の温度に近づけるように、前記基板のいずれかの側のガスフローを切り換えるステップを含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記ガスフローを切り換えるステップが、前記冷却用物体と前記基板との間には熱伝導性がより高いガスを、前記加熱される物体と前記基板との間には熱伝導性がより低いガスを流すステップを含む請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記強制冷却するステップが、前記加熱される物体を保持するアニールステーションから、前記冷却用物体を保持する冷却ステーションへ前記基板を移送するステップを含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記パターン化構造が、絶縁領域相互の間に露出したシリコン領域を含み、
前記ブランケット層が、前記シリコン領域及び前記絶縁領域の上に重なる金属層を含む請求項１３に記載の方法。
【請求項２７】
前記シリコン領域が、半導体基板およびポリシリコンゲート構造のトランジスタ活性区域を含む請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記シリコン領域が、さらにトランジスタゲートスペーサを含む請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
複数の電気接触部を有する複数の電気デバイスを備え、
前記電気接触部が、複数の金属シリサイドフィルムを備え、
前記金属シリサイドフィルムが、実質的に均一な表面抵抗と変動する幅とを有する集積回路。
【請求項３０】
前記電気デバイスがトランジスタを備え、
前記金属シリサイドフィルムが、ソースおよびドレイン領域に接触する請求項２９に記載の集積回路。
【請求項３１】
前記金属シリサイドフィルムが、前記トランジスタのゲート領域と接触する請求項３０に記載の集積回路。
【請求項３２】
前記金属シリサイドフィルムが、ニッケルを含む請求項３１に記載の集積回路。
【請求項３３】
前記金属シリサイドフィルムが、Ｎｉ2Ｓｉ、ＮｉＳｉ、ＮｉＳｉ2からなる群の中から選択される１つまたは複数のニッケル種を有する請求項３１に記載の集積回路。
【請求項３４】
前記金属シリサイドフィルムが、約１．５％以下の表面抵抗の不均一度を有する請求項２９に記載の集積回路。
【請求項３５】
前記金属シリサイドフィルムが、約１．５％以下の厚さの不均一度を有する請求項３４に記載の集積回路。
【請求項３６】
前記金属シリサイドフィルムの境界が、自己整列型の金属シリサイドフィルムの特徴を示す請求項２９に記載の集積回路。
【請求項３７】
前記境界がぼやけている請求項３６に記載の集積回路。
【請求項３８】
前記集積回路が、１００ｎｍ以下の微小寸法を有する請求項２９に記載の集積回路。
【請求項３９】
前記集積回路が、６５ｎｍ以下の微小寸法を有する請求項２９に記載の集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は概ね半導体デバイスの製造分野に関し、特にシリサイド化プロセスに関する。
【背景技術】
【０００２】
先端的な半導体デバイスでは、ゲート、ソースおよびドレイン構造物中に存在するシリコンの一部は、低抵抗の金属シリサイドに転換されている。これは、一方で、低い体積抵抗を有する伝導性の経路を実現するためであり、他方で、良好な接触抵抗を確保するためである。過去においては、このプロセスのためにＴｉＳｉ2が使用されたが、最近では、最も先端的なデバイス用のシリサイドの選択としてはＣｏＳｉ2である。ＴｉＳｉ2とＣｏＳｉ2はどちらも比較的大量にシリコンを消費するので、６５ｎｍ技術のノードおよびそれ以上のために用いられるデバイスに関しては、ＮｉＳｉxを使用してこれらの伝導性の経路を形成するように切り替えることが期待される。このシリサイドは、体積抵抗が低いこととシリコン消費が比較的少量であることを兼ね備えている。
【０００３】
基板８０上にＮｉＳｉxを生成する理想的なプロセスを図１ａ〜１ｄに示す。まず、ゲート電極１０、ゲート誘電体２０、ソース３０およびドレイン４０を含むトランジスタの基礎構造が形成される（図１ａ）。多結晶シリコン（ポリ−Ｓｉ）ゲートの側面には、ポリ−Ｓｉ／ゲート酸化物スタックの側壁を、後続して形成されるフィルムから絶縁させるために、いわゆるスペーサ５０を配置する。次いで、通常、物理蒸着（ＰＶＤ、例えばスパッタリング）プロセスによって、ニッケルフィルム６０（Ｎｉ）を蒸着する（図１ｂ）。Ｎｉが下にあるＳｉと反応してニッケルシリサイド（ＮｉＳｉx）７０を形成する温度に、ウエハを加熱する。ここで用られるＮｉＳｉxは、アニール温度に応じてＮｉ2Ｓｉ、ＮｉＳｉ、ＮｉＳｉ2および／またはこれらの混合物を表す。温度は、一般に、比較的高い抵抗を有するＮｉＳｉ2の生成を避けるように十分低く（例えば、＜約６００℃）保持される。
【０００４】
原理的には、ＮｉＳｉxは、自己整列型で、すなわちＮｉとＳｉがどちらも存在する場所だけで生成される。図示した配置では、そうした場所は、金属Ｎｉ層の下に露出したシリコンを有している。したがって、理想的には、スペーサ５０の位置ではシリサイドの成長は起こらない（図１ｃ）。図１ｃは、露出していたシリコン上の領域でＮｉフィルムが完全に消費されるまで、シリサイドフィルムの形成が継続されることを示している。シリコンの上に、反応するＮｉは残っていない。第１急速熱加工ステップを略して一般にＲＴＰ１と称されるこのプロセスは、約３００〜４００℃の範囲の温度で実施される。
【０００５】
このプロセスが完了した後、基板をいわゆる選択的金属エッチングにかける。このウェットエッチングプロセスで、未反応のＮｉはエッチングされるが、ＮｉＳｉxフィルムはそのまま残る（図１ｄ参照）。その結果、ゲート、ソース、ドレインおよび任意の他の露出していたシリコン表面の上に低抵抗シリサイドが存在することになる。未反応Ｎｉを除去することによって、これらの構造は、電気的に互いに絶縁される。通常、続くアニール（ＲＴＰ２）は、例えば４５０℃で、シリサイドフィルムが完全にＮｉＳｉだけからできているように、例えば、シリサイド化の間に形成された先行するＮｉ2Ｓｉ相が完全に反応しつくすように施される。一般に、１００ｎｍのＮｉは約８μΩｃｍの表面抵抗を有するＮｉＳｉに転換される。
【０００６】
したがって、理論的には、ＮｉＳｉxは低い体積抵抗と良好な接触抵抗を有する伝導性経路の生成を可能にする。しかし、本発明者らは、実際には、基板の表面に広がる異なったフィルムは異なった抵抗を有することができるので、これらのＮｉＳｉxフィルムの抵抗は理想的なものよりも劣ることを見出した。ＮｉＳｉxフィルムを用いて形成される電気デバイスの電気的性能に不均一性をもたらす可能性があるので、そうした変動は望ましくない。
【０００７】
したがって、より均一な抵抗を有するＮｉＳｉxフィルムを形成する方法が必要である。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、半導体ウエハを加工するための方法を提供する。その方法は、半導体ウエハをアニーリングステーションに搭載することを含む。ウエハは、ウエハの少なくともいくつかの区域上でシリコンと接触している金属フィルムを備える。ウエハをシリサイド化温度に一様に加熱し、金属の部分がシリコンと反応してシリサイドを生成するのに十分な時間、前記ウエハを前記シリサイド化温度に保持する。ウエハの少なくともいくつかの区域の上に重なる金属のすべてが前記シリコンと反応してしまう前に、アニーリングステーションから前記ウエハを取り出す。
【０００９】
本発明の別の態様によれば、平坦な表面を有する基板上で金属とシリコンを自己整列型のシリサイド化を行う方法を提供する。その方法は、金属またはシリコンのうちの一方のブランケット層を提供し、ブランケット層と接触している、金属またはシリコンの他方のパターン化構造を提供することを含む。一様に加熱され且つ実質的に平坦な加熱される物体に、基板を平行に且つ対向させて配置して、あるパターンに金属シリサイドを形成するように、ブランケット層およびパターン化構造を急速熱アニーリングにかける。加熱される物体は平坦な基板表面全体にわたって拡張している。
【００１０】
本発明のさらに別の態様によれば、集積回路が提供される。集積回路は、複数の電気接触部を有する複数の電気デバイスを備える。電気接触部は、実質的に均一な表面抵抗と変動する幅とを有する金属シリサイドフィルムを備える。
【００１１】
本発明の好ましい実施形態では、Ｅ．Ｇｒａｎｎｅｍａｎらの米国特許第６，１８３，５６５号に開示されているＬｅｖｉｔｏｒ（登録商標）反応炉の中でシリサイド化を実施する。その開示全体を参照により本明細書に組み込む。
【００１２】
本発明のさらに別の実施形態では、アニーリング後、ウエハを、ウエハ表面全体に拡張する冷却用物体に近接させることによって、ウエハを強制的な方法で一様に冷却する。
【００１３】
好ましい実施形態の詳細な説明および添付の図面によって、本発明をよりよく理解できるであろう。これらの説明および図面は、本発明を説明するためのものであり、限定するものではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図２を参照すれば、本発明者らは、ＮｉＳｉxフィルムの抵抗の変動は、ニッケル層中のニッケルの移動によって引き起こされるフィルム厚さの変動に起因することを発見した。具体的には、ＮｉＳｉxを形成するのに消費されたニッケルが、シリコンの上に直接重なる領域からだけでなく、種々の構造（例えば、スペーサ５０および他の絶縁体の上）の非シリコン表面の上に重なるＮｉフィルムの領域からももたらされるので、フィルムは異なった厚さを有する。その結果、図２ａに示すように、実際の電気デバイスでは、様々なシリコン表面の寸法は、ダイまたは基板のいたる所で変動する。均一な金属フィルム６０が蒸着されている場合（例えばＰＶＤ  Ｎｉ）、シリサイド化プロセスは、基板８０中のＳｉと、図２ｂに示すように、その近傍、すなわちＳｉ表面のすぐ上にある好ましい金属層６０のＮｉとが反応することから始まる。しかし、Ｓｉの上のＮｉがすべて消費された時に、プロセスが必ずしも停止するとは限らない。むしろ、図２ｃに示すように、プロセスは、Ｓｉと、反応が起こっていない区域から（例えば、絶縁体の真上から）Ｎｉがすでに消費されてＮｉＳｉx層７０が形成された区域に拡散したＮｉとの反応を継続する。これによって、図２ｄの左側上の構造などの細いＳｉラインが、図２ｄの右側上の構造に示されるようなより広いＳｉラインよりも、より厚いＮｉＳｉx層７０を有する状態がもたらされる。これがいわゆる「逆ライン幅効果」であって、拡散したＮｉが、より広いＳｉラインのより大きな区域よりも、より細い幅のＳｉラインのより小さい区域により集中することによって引き起こされる。より細いＳｉライン中で、Ｎｉの濃度がより高いことがＮｉＳｉxの生成の増大と、これらの細いライン中でのトランジスタ作用区域のシリコンの消費の増大とをもたらす。
【００１５】
逆ライン幅効果の実験的な検証を図３に示す。図３のゲート長は、図２に示すライン幅に相当する寸法であることに注意されたい。これは、５０ｎｍラインが、約８Ω／ｓｑの表面抵抗を有する１０００ｎｍラインの表面抵抗よりも約２〜３倍低い、約３Ω／ｓｑの表面抵抗を有するシリサイドフィルムを有することを実証している。先に言及したように、こうした抵抗の不均衡は望ましくない。
【００１６】
逆ライン幅効果を防止する可能性のある１つの解決法は、アニールの最後をシリサイド化反応の完了、すなわち、Ｓｉ表面の上に重なるＮｉのすべてが枯渇するのと一致するように、アニーリング時間を短縮するまたはアニール温度を下げることである。ランプ加熱システムでのシリサイド化プロセスには、小さいが重要である温度の不均一性の問題がある。したがって、そうしたランプ加熱システムで、シリサイド化反応が完結しない場合、表面抵抗の不均一度が著しく増大し、逆ライン幅効果によって引き起こされる不均一度より大きくなる可能性がある。したがって、シリサイド化プロセスは一般に、「過度に行い」、例えば、アニールを理論的に必要な時間よりも長く行って、シリサイド化がどの部分においても完了するようにする。
【００１７】
今日、通常用いられているアニーリングシステムは、コールドウォールチャンバー内で、ウエハなどの基板の輻射加熱に基づく、ランプをベースとしたシステムである。一般に、急速熱アニーリングのためにウエハの温度を急速に増大させる最もよい方法と考えられているが、コールドウォールチャンバー内での輻射体による加熱は、ウエハを一様に加熱できないことが判明した。ＮｉのＳｉとの反応速度はアニール温度と関係するので、この不均等な加熱によって、ウエハ上の特定の区域ではＮｉフィルムが完全に消費されるが、他の区域ではＮｉは一部しか消費されない状態をもたらすことになる。したがって、ＮｉＳｉx層の厚さが大きく変動する結果となる。さらに、ＮｉＳｉx層が、Ｎｉ2ＳｉおよびＮｉＳｉを含む様々なニッケルシリサイドの混合物を含有する可能性がある。生成するＮｉ2ＳｉとＮｉＳｉの相対的な濃度の変動は、異なった輻射吸収速度をもたらすことになり、潜在的にウエハのいたる所での不均等な加熱速度にさらに寄与する可能性がある。したがって、シリサイド化プロセス用に通常使用されるランプをベースとしたシステムも、不均一な厚さのＮｉＳｉx層となる結果に寄与する可能性がある。
【００１８】
まとめると、逆ライン幅効果を回避する１つの方法は、表面の上に直接重なるＮｉ層の完全な転換が丁度完了した時点で、ＮｉのＳｉとの反応を停止することである。原理的にはよい考え方であるが、不均等な加熱などの要素のために、これを達成することは困難である。したがって、ＳｉでのＮｉの不完全な消費が著しい抵抗の増大を引き起こすので、シリサイド化プロセスは一般にある程度「過度に行なわれ」、シリサイド化がどこにおいても完結し、かつ一般に低抵抗を有する構造が得られるようにする。その結果、シリサイド化プロセスは一般に逆ライン幅効果を示し、これはＮｉＳｉx層の抵抗の変動を引き起こす。
【００１９】
不完全なシリサイド化は、一般にシリサイドフィルムの表面抵抗に許容されないほど大きな変動を生じることが予想されるが、不完全なシリサイド化は「逆ライン幅効果」を防止するのに役立ち得ることが判明した。さらに、不完全なシリサイド化の後に、許容されないほど大きな表面抵抗の変動が必ずしも生じるわけではなく、むしろ以下に示すように、これらの変動を著しく低減させることができる。
【００２０】
本発明の好ましい実施形態によれば、有利なことに、ホットウォール原理を採用した反応炉システムを使用して、比較的小さい表面抵抗の変動を有するシリサイドフィルムを形成することができる。これらのシステムでは、加熱される物体もしくはプレートを基板に近接させて配置し、輻射によるのではなく、伝導によって基板を加熱することが好ましい。この結果は、ウエハを非常に一様に低い温度に加熱することができ、その上、エネルギーの吸収も、形成されている材料の相、例えばニッケルシリサイドの場合Ｎｉ2ＳｉおよびＮｉＳｉ、に依存しない。したがって、不均等な加熱に起因する不均一性が低減する。結果として、Ｎｉ層がまだ完全に転換されていない時点でシリサイド化プロセスを停止させることは、以下に述べるホットウォール急速熱アニーリング（ＲＴＡ）装置中で実施する場合に特に有利である。
【００２１】
ＮｉＳｉx転換プロセスは、少なくとも１つの一様に加熱され実質的に平坦な物体を有するシステム内で実施することが好ましい。加工の間、ウエハなどの基板は、加熱される物体に平行に且つ対向して配置され、加熱される物体は平坦なウエハ表面全体にわたって拡張する。ウエハは、加熱される物体に密に近接し、加熱される物体から約２ｍｍ未満に配置されるのが好ましく、約１ｍｍ未満に配置することがより好ましい。
【００２２】
好ましい一実施形態では、ＮｉＳｉx生成プロセスは、２つの実質的に平らな加熱される物体を備えるシステムで実施され、それぞれの物体が好ましくは一様に加熱される。加工条件で、ウエハを物体の間に収納でき、ウエハが加熱される物体に平行に且つ対向して配置されるように、物体を互いに平行に且つ対向させて配置する。加熱される物体のそれぞれは、ウエハの反対側の平らな表面のうちの１つの表面上に完全に拡張することが好ましい。
【００２３】
別の好ましい実施形態では、加熱される物体は大きな質量を有する。質量が大きいということは、基板表面全体に面し、かつ拡張する壁が、基板の熱質量の約５倍（５×）を超える熱質量、より好ましくは基板の熱質量の約１０倍（１０×）を超える熱質量を有することを意味する。実際には、これには一般に、基板表面の法線方向に測定して、厚さが約１０ｍｍを超える、より好ましくは厚さが約４０ｍｍを超える金属ブロックを必要とする。
【００２４】
シリサイド化アニールは、オランダのビルトホーフェン（Ｂｉｌｔｈｏｖｅｎ）にあるＡＳＭ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，Ｎ．Ｖ．から市販されているＬｅｖｉｔｏｒ（登録商標）システムで実施することが最も好ましい。Ｌｅｖｉｔｏｒ（登録商標）システムの反応炉２００を図４に示す。この設計では、基板１８０を、２つの熱質量の大きいブロック、すなわちプレート２１３及び２１４の間の反応スペースに配置し、基板１８０がその両方の側面で、ブロック２１３及び２１４に近接するまで、熱質量の大きいブロックを近づけることによって、反応炉２００を閉じる。有利なことに、ブロック２１３及び２１４は、基板のどちらの側にもガスクッションをもたらし、それによって非接触型のアニーリングが確実に行われるように構成された不活性ガス供給口２２７及び２２８を有する、基板１８０の両側に分散配置された多数のガス通路２２４および２２５を備えている。他の配置では、ポストまたは他のスペーサ（示されていない）によって、基板１８０をより低い壁２４８から間隔を空けて配置することができることが理解されるであろう。
【００２５】
ブロック２１３及び２１４には、熱質量が大きい加熱される物体２３０と２４０が備えられている。上記のように、加熱される物体２３０及び２４０は、基板１８０の熱質量の約５倍（５×）を超える、より好ましくは基板１８０の熱質量の約１０倍（１０×）を超える熱質量を有することが好ましく、かつ基板１８０の面に対して垂直に測定して、厚さが約１０ｍｍを超える、より好ましくは厚さが約４０ｍｍを超える金属ブロックであることが好ましい。基板１８０とブロック２１３および／または２１４との間が狭い間隔、すなわち約２ｍｍ未満、より好ましくは約１ｍｍ未満であることは、均一で殆んどが伝導による加熱を提供する。これはＬｅｖｉｔｏｒ（登録商標）の設計において特に有利な点である。Ｌｅｖｉｔｏｒ（登録商標）の設計による反応炉は米国特許第６，１８３，５６５号に記載されている。その開示全体を参照により本明細書に組み込む。
【００２６】
図６および７に示した実験結果は、基板の両側の上に加熱されるブロックを採用した反応炉で実施した実験によって得られた。しかし、以下により詳細に説明するように、Ｌｅｖｉｔｏｒ（登録商標）システムは、加熱にも、その場での冷却にも使用することができる。したがって、ある配置では、上側のブロックまたはプレートと、下側のブロックまたはプレート（好ましくは、ウエハ全体に拡張し、近接して配置されている）との両方が熱く、同一温度に保持することができ、別の配置では、ブロックの一方だけが「熱く」（すなわち反応温度以上）、他方は「冷たい」（すなわち反応温度未満）。後者の配置は、基板をアニール温度より急速に低くすることによって、アニールの時間を厳密に制御するために、採用される。有利なことに、そうした急速冷却は、このような反応のための温度よりも基板温度を低くすることによって、シリサイド化反応を急速に停止させることができる。
【００２７】
シリサイド化プロセスのプロセスフローの例と、このプロセスフローの結果を図５に図示する。図５ａに示すように、ブランケット金属層１６５、好ましくはニッケル（Ｎｉ）を、好ましくはシリコンウエハであるシリコン基板１８０上に蒸着することが好ましい。相互の絶縁領域１５０（示した実施形態でのスペーサ）の間に露出したシリコンの区域１９０を有するパターンの構造を有することが好ましいことを理解されるであろう。このシリコンは、先行して蒸着されたシリコン層のシリコンまたはウエハ自体を構成しているシリコンであってもよい。金属層１６５を蒸着することによって、金属が露出していたシリコン１９０と接触することになる。図示した実施形態において、露出したシリコン１９０は、ゲート電極１１０を形成するシリコン、あるいは、スペーサ１５０の傍およびゲート電極１１０を挟んだ反対側のスペーサ１５０の傍のソースおよびドレイン領域を形成するシリコンを含むことが理解されるであろう。
【００２８】
金属層蒸着を、後続するアニールと同じ反応チャンバー内で実施できること、またはアニールを、蒸着用の反応チャンバーとは異なるアニールステーションで実施できることも理解されるであろう。アニールステーションが蒸着チャンバーと異なる場合、金属層の蒸着後にウエハをアニールステーションに搭載することができる。そうしたアニールステーションは、例えば、Ｌｅｖｉｔｏｒ（登録商標）システムの反応炉であってもよい。
【００２９】
図５ｂに示すように、次いで、ウエハをシリサイド化温度、すなわち金属層１６５のシリサイド１７０への転換が起こる温度でアニールする。図示した実施例では、シリサイド化温度は、Ｎｉ層１６５のＮｉＳｉx１７０への転換が起こる温度である。アニールは、加熱が約２分間未満、より好ましくは約１分間未満で行われる急速な熱アニールであることが好ましい。図５ｃに示すようにＮｉ層１６５のすべてがＮｉＳｉx１７０に転換される前に、このプロセスを停止することが好ましい。シリサイド化のこの時点で、ＮｉＳｉ生成プロセスの提供されるニッケルのほとんどは、依然として、ＮｉＳｉxフィルム１７０が形成されている露出していたシリコン領域１９０のすぐ上に残留しているＮｉ層１６５からもたらされる。原理的には、他の区域からのＮｉの拡散は常にある程度存在するが、そうした拡散は、ＮｉＳｉxフィルム１７０のすぐ上のＮｉの拡散ほどには、シリサイド化反応にＮｉをもたらさない。結果として、「逆ライン幅効果」を低減させるまたは実質的に防止することができる。さらに、アニールによって有利に形成されたシリサイドフィルムは、下にあるシリコン基板１８０により良好に付着し、蒸着プロセスなどで形成された同様のフィルムよりも、ぼやけた境界を有する。シリサイドフィルム１７０は、これらの層の下のソースおよびドレイン領域と接触することが好ましいことが理解されるであろう。
【００３０】
図５ｄに示すように、ＮｉＳｉxフィルム１７０を残して選択的に金属エッチングすることによって、未反応Ｎｉを基板から選択的にエッチングすることができる。未反応Ｎｉ１６５の除去を、ＮｉＳｉxフィルム１７０を含む構造を電気的に互いに絶縁させるために使用することができる。その結果、ゲート、ソース、ドレインおよび／または任意の他の露出していたシリコン表面の上に低抵抗性シリサイド１７０を形成することができる。
【００３１】
上記のシリサイド化プロセスによって形成されたフィルム１７０の均一度を、温度の関数として、異なったシリサイド化時間で検討した。ブランケットＮｉフィルムについてのこれらの検討結果を図６に示す。２５０〜３５０℃の温度範囲で、５ｓおよび３０ｓのアニーリング時間が適用された。図６に示した結果から、最初のＰＶＤ Ｎｉ層の完全な転換が、５ｓおよび３０ｓのアニーリング時間の場合に、それぞれ約３００℃超および約２９０℃超の温度範囲で、起こることが明らかである。完全な転換が起こる場合、最終的なＮｉＳｉxフィルムの表面抵抗の均一度は、これは約３％であるが、最初のＰＶＤ Ｎｉ層の厚さでの均一度によって決まる。しかし、温度が十分に低く、その結果所定のアニール時間内で不完全な転換だけが起こる場合には、得られるＮｉＳｉ層の均一度（未反応Ｎｉを選択的にエッチングした後）は、アニーリングシステムによって誘導されるように、熱収支の均一性によって支配される。Ｌｅｖｉｔｏｒ（登録商標）システムを用いたアニーリングの場合、これによって、約１〜１．５％に不均一度が改善される。したがって、Ｎｉフィルムの不完全な転換の場合、「逆ライン幅効果」が排除されるだけでなく、ブランケットフィルムでのより良好な抵抗の均一度も得られる。
【００３２】
図７に、Ｌｅｖｉｔｏｒ（登録商標）での３０ｓアニールと、ランプ主体のアニーリングシステムとの間の比較を示す。約２９０℃を超える温度では、表面抵抗はどちらの場合も実質的に一定で（かつ同じ）ある。これは、Ｎｉの層が完全にニッケルシリサイドに転換した場合に得られる表面抵抗に一致する。その温度範囲では均一度も同じである。上記のように、表面抵抗の均一度は最初のＰＶＤ Ｎｉ層（約３％）の均一度によって決定される。
【００３３】
約２９０℃未満の温度では（不完全なシリサイド化の状況にある）、２つのシステムは著しく異なる挙動を示す。Ｌｅｖｉｔｏｒ（登録商標）では、厚さと表面抵抗の両方について不均一度は約１〜１．５％に改善されるが、ランプ−アニール化したフィルムでは不均一度は＞７％に悪化する。この結果は、所定の温度範囲で、ランプ主体のシステムの加熱の均一性が劣ることに直接関係している。
【００３４】
アニーリング後のウエハの冷却は様々な形で実施することができる。例えば、ウエハを、アニーリングステーションから取り出して、周囲のウエハ操作チャンバーまたは冷却チャンバーの内側への自由輻射および伝導によって、冷却することができる。そうした冷却は非常に均一とはいえないが、冷却の均一性は一般にそれほど重要ではない。シリサイド化温度からの冷却の際、冷却曲線の最初の部分は非常に速く通過するので、余分なニッケルの拡散は急速に低下し、それによって余分なニッケルの拡散は本質的に問題にならなくなる。
【００３５】
別の実施形態では、ウエハを、アニールステーションから冷却ステーションに移送することができ、そこでは、強制冷却を使用してウエハを冷却する。ウエハの上にガスの流れをブローする、またはウエハを冷却用物体に近接させることによって強制冷却を達成することができる。好ましいことに、そうした冷却は、米国特許第６，５６０，８９６号（その開示全体を参照により本明細書に組み込む）に記載されているようなＬｅｖｉｔｏｒ（登録商標）設計による冷却ステーションで実施することができる。
【００３６】
さらに別の実施形態では、２つの反応炉ブロックがその中で異なる温度に保持され、そのブロックからのガスフローを切り換えることによってウエハの温度を切り換えられるＬｅｖｉｔｏｒ（登録商標）システム中で、アニールを実施することができる。ＰＣＴ特許出願の国際公開公報第ＷＯ０１／５０５０２号に詳細に記載されているように、ウエハの両側上の相対的なガスの熱伝導度を切り換えることによって、あるいは、米国特許第６，１８３，５６５号に記載のように、一方の側の上の流れを他方の側の流れに対して増大させ、それによって、熱いブロックの近く（アニーリングの間）と、冷たいブロックの近く（冷却の間）との間でウエハを物理的に移動させることによって達成することができる。国際公開公報第ＷＯ０１／５０５０２号および米国特許第６，１８３，５６５号の開示全体を参照により本明細書に組み込む。有利なことに、冷却がアニールステーション内で行われるので、基板を取り出して冷却ステーションに移動させる必要がある場合に起こるアニーリングと冷却との時間の遅れがない。したがって、アニール時間をより正確に制御することができ、それによって、完全なシリサイド化の前にプロセスを停止する瞬間のより厳密な制御が可能になる。
【００３７】
本実施例ではニッケルとニッケルシリサイドについて言及したが、本発明を、シリコンと反応してシリサイドを生成する任意の金属のシリサイド化プロセスに適用できることは、当分野の技術者には明らかであろう。そうした金属の例には、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、ＰｄおよびＰｔが含まれる。
【００３８】
さらに、電気デバイスを形成するのに、１００ｎｍ以下の臨界寸法（ＣＤ）、好ましくは６５ｎｍ以下のＣＤが特に有用であるが、本明細書での教示は任意の寸法のデバイスを形成するのに応用できることが理解されるであろう。
【００３９】
さらに、パターン化されたトランジスタ上でのシリサイド化の場合を述べてきたが、制御されたシリコンの消費が、多数の集積回路の製造ステップのいずれにおいても、自己整列型シリサイド化に有益であることは当分野の技術者には明らかであろう。自己整列型シリサイド化を、パターン化金属上のブランケットシリコン、またはブランケット金属上のパターン化シリコンでも実施できることが理解されるであろう。過剰の金属が使用され、その結果シリサイド化アニールの中断が望ましい場合、本明細書で述べた方法が特に有用であることが判明した。しかし、これらの方法はシリコンまたは金属反応に限定されず、かつ固体状態の反応の中断は、他の固体反応物に対して１つの固体反応物が過剰である多くの場合において、有用性を有するであろうことが理解されるであろう。
【００４０】
同様に、本発明の範囲を逸脱しないで、上記した方法および構造に様々な他の修正、省略および追加を行うことができる。そうした修正および変更はすべて、添付の特許請求の範囲によって規定されるように、本発明の範囲に包含されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１ａ】理想的な従来技術のプロセスフローに係る、トランジスタのゲート、ソースおよびドレイン領域の上での均一なＮｉＳｉxフィルムの理想的な形成を示す、部分的に形成された集積回路の概略的な断面図である。
【図１ｂ】理想的な従来技術のプロセスフローに係る、トランジスタのゲート、ソースおよびドレイン領域の上での均一なＮｉＳｉxフィルムの理想的な形成を示す、部分的に形成された集積回路の概略的な断面図である。
【図１ｃ】理想的な従来技術のプロセスフローに係る、トランジスタのゲート、ソースおよびドレイン領域の上での均一なＮｉＳｉxフィルムの理想的な形成を示す、部分的に形成された集積回路の概略的な断面図である。
【図１ｄ】理想的な従来技術のプロセスフローに係る、トランジスタのゲート、ソースおよびドレイン領域の上での均一なＮｉＳｉxフィルムの理想的な形成を示す、部分的に形成された集積回路の概略的な断面図である。
【図２ａ】図１ａ〜１ｄの従来技術のプロセスフローに付随する「逆ライン幅効果」に起因する不均一なＮｉＳｉxフィルムの形成を示す図である。
【図２ｂ】図１ａ〜１ｄの従来技術のプロセスフローに付随する「逆ライン幅効果」に起因する不均一なＮｉＳｉxフィルムの形成を示す図である。
【図２ｃ】図１ａ〜１ｄの従来技術のプロセスフローに付随する「逆ライン幅効果」に起因する不均一なＮｉＳｉxフィルムの形成を示す図である。
【図２ｄ】図１ａ〜１ｄの従来技術のプロセスフローに付随する「逆ライン幅効果」に起因する不均一なＮｉＳｉxフィルムの形成を示す図である。
【図３】より長いゲート長を有するＮ＋ゲート構造はより薄いＮｉＳｉxフィルムを有し、それによってフィルムにより高い表面抵抗がもたらされる、逆ライン幅効果の実験的な検証を示す表面抵抗とゲート長との関係のグラフを示す図である。
【図４】本発明の好ましい実施形態に係る、基板のアニーリングのための例示的な反応炉の概略的な断面図である。
【図５ａ】本発明の好ましい実施形態に係る、逆ライン幅効果が抑制されたプロセスフローを示す、部分的に形成された集積回路の概略的な断面図である。
【図５ｂ】本発明の好ましい実施形態に係る、逆ライン幅効果が抑制されたプロセスフローを示す、部分的に形成された集積回路の概略的な断面図である。
【図５ｃ】本発明の好ましい実施形態に係る、逆ライン幅効果が抑制されたプロセスフローを示す、部分的に形成された集積回路の概略的な断面図である。
【図５ｄ】本発明の好ましい実施形態に係る、逆ライン幅効果が抑制されたプロセスフローを示す、部分的に形成された集積回路の概略的な断面図である。
【図６ａ】本発明の好ましい実施形態に係る、５ｓのアニール時間での、Ｓｉウエハ上に蒸着されたブランケットＮｉフィルムに対する、ＮｉＳｉxシリサイド表面抵抗および均一度とアニール温度との関係のグラフを示す図である。
【図６ｂ】本発明の好ましい実施形態に係る、３０ｓのアニール時間での、Ｓｉウエハ上に蒸着されたブランケットＮｉフィルムに対する、ＮｉＳｉxシリサイド表面抵抗および均一度とアニール温度との関係のグラフを示す図である。
【図７】本発明の好ましい実施形態に係る密に間隔をとったホットプレートシステムでの３０ｓアニールと従来のランプ主体のシステムとの比較を示す、Ｓｉウエハ上に蒸着されたブランケットＮｉフィルムに対するＮｉＳｉxシリサイド表面抵抗および均一度とアニール温度との関係のグラフを示す図である。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図１ｄ】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図２ｄ】
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【図３】
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【図４】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【図５ｄ】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図７】
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【外国語明細書】
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