(57)【要約】【課題】配設環境によることなく高い精度を維持して被検出体であるロータの回転検出を行うことのできる回転検出装置を提供する。【解決手段】回転検出装置１１は、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４を備えるセンサチップ２ａと磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４にバイアス磁界を付与するバイアス磁石５とがリードフレーム６に装着された状態で一体に樹脂モールドされて構成されている。センサチップ２ａは、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の配設面が回転態様の検出対象となるロータの一面と平行に対向するように設けられるとともに、バイアス磁石５は、リードフレーム６を介して磁気抵抗素子の後方裏面ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に設けられている。そして、モールド材１７のうち、上記ロータと対向する面の裏面側には鉄などからなる磁性体片１９が装着されている。【選択図】        図４
2005331296.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗素子を備えるセンサチップと前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石とがリードフレームに装着された状態で一体に樹脂モールドされてなり、前記センサチップの近傍にてロータが回転するときに前記バイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値の変化として感知して前記ロータの回転態様を検出する回転検出装置において、
前記磁気抵抗素子に作用する磁気ベクトルの基準角度を調整可能な１乃至複数の磁性体片がモールド樹脂に装着されてなる
ことを特徴とする回転検出装置。
【請求項２】
前記センサチップは、前記磁気抵抗素子の配設面が前記回転態様の検出対象となるロータの一面と平行に対向するように設けられるとともに、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石は、前記リードフレームを介して前記磁気抵抗素子の後方裏面に設けられてなり、前記磁性体片は、前記モールド樹脂のうち、前記ロータと対向する面の裏面側であって且つ、前記磁石と前記磁気抵抗素子との間に位置する部分にそれら磁石および磁気抵抗素子の投影面との重複も含めて装着されてなる
請求項１に記載の回転検出装置。
【請求項３】
前記モールド樹脂の前記磁性体片が装着される部分には同磁性体片を収容するための凹部が設けられてなる
請求項１または２に記載の回転検出装置。
【請求項４】
前記磁性体片が鉄系金属片からなる
請求項１〜３のいずれか一項に記載の回転検出装置。
【請求項５】
前記磁性体片が磁石片からなる
請求項１〜３のいずれか一項に記載の回転検出装置。
【請求項６】
前記回転態様の検出対象となるロータは、その周縁部がＮ極とＳ極とに交互に着磁された着磁ロータからなる
請求項１〜５のいずれか一項に記載の回転検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば車両における車輪回転（車輪速）の検出やエンジン回転の検出など、各種機械の回転検出を行う装置に関し、特に磁気ベクトル変化に伴う磁気抵抗素子の抵抗値変化を利用して回転検出を行う回転検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の回転検出装置としては、例えば特許文献１に記載されている態様で車輪軸の回転速度を検出する装置が知られている。図７〜図９に、この特許文献１に記載されている回転検出装置も含めて、車輪速センサとして従来一般に採用されている回転検出装置の概要を示す。
【０００３】
まず、図７は、こうした回転検出装置が装着された自動車等の車両の車輪の一部を拡大して、その回転検出機構の断面構造とともに示したものである。この図７に示されるように、車輪軸ＳＨには、その外周に沿って円環状に形成されたロータＲＴが取り付けられている。このロータＲＴは、その周縁部がＮ極とＳ極とに交互に着磁された着磁ロータとなっており、上記車輪軸ＳＨの回転に伴い回転検出装置１の近傍にて回転する。
【０００４】
ここで、回転検出装置１は、付与される磁気ベクトルの変化を検出するセンサ部を有するＩＣチップ２と、同センサ部にバイアス磁界を付与するバイアス磁石５とを備えて構成されており、これらが樹脂などからなるモールド材７によってシームレスにモールドされている。そして、この回転検出装置１が、上記車輪軸ＳＨに設けられた回転検出機構のハウジングＨＯに外部から挿入されるかたちで取り付けられた取付部材Ｉに装着されることで、上記センサ部とロータＲＴとが対向配置されるようになる。このような位置関係により、上記センサ部には、バイアス磁石５による磁気ベクトルとロータＲＴによる磁気ベクトルとの合成ベクトルが付与されるようになり、ロータＲＴが回転するときに生じるこの合成ベクトルの変化が同センサ部によって検出されるようになる。
【０００５】
また、図８（ａ）、（ｂ）は、上記回転検出装置１の内部構造についてその一例を示したものである。図８（ａ）にその平面構造を、また図８（ｂ）にその側面構造をそれぞれ示すように、この回転検出装置１において、上記ＩＣチップ２およびバイアス磁石５は、リードフレーム６を挟むかたちで同リードフレーム６の表裏に各々装着されている。このうち、ＩＣチップ２は、上記センサ部を有するセンサチップ２ａとその処理回路を有する処理回路チップ２ｂとから構成されている。
【０００６】
ここで、センサチップ２ａは、磁気ベクトルの変化に伴って抵抗値が変化する磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４を上記センサ部として備えている。これら磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４は、電気的には、磁気抵抗素子ＭＲＥ１およびＭＲＥ２からなるハーフブリッジ回路と、磁気抵抗素子ＭＲＥ３およびＭＲＥ４からなるハーフブリッジ回路との２組のハーフブリッジ回路として構成されている。なお、このＩＣチップ２においてその給電端子と出力端子とを兼ねる各端子Ｔ１およびＴ２は上記モールド材７から引き出される構造となっており、上記センサチップ２ａおよび処理回路チップ２ｂは、これら端子Ｔ１およびＴ２とボンディングワイヤＷを介して電気的に接続されている。また、上記各端子Ｔ１およびＴ２は、電気的なコネクタを兼ねる先の取付部材Ｉ（図７）に装着され、該取付部材Ｉの他方に接続される外部のワイヤリングを介して図示しない制御装置などに電気的に接続されることとなる。
【０００７】
一方、図９は、上記ロータＲＴと回転検出装置１を構成する上記センサチップ２ａおよびバイアス磁石５との関係を模式的に示したものである。この図９に示されるように、回転検出装置１の近傍にて上記ロータＲＴが回転するとき、バイアス磁石５による磁気ベクトル、およびロータＲＴによる磁気ベクトルの合成ベクトルＳＶが変化し、この変化する合成ベクトルＳＶが上記センサチップ２ａを構成する磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に対して様々な方向から作用するようになる。そしてこの回転検出装置では、合成ベクトルＣＶのこのような変化がこれら磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の各抵抗値の変化として感知されて、その対応する電気信号が上記処理回路チップ２ｂ（図８）に出力される。すなわちここでは、それぞれハーフブリッジ回路を形成する磁気抵抗素子ＭＲＥ１およびＭＲＥ２と磁気抵抗素子ＭＲＥ３およびＭＲＥ４とにおける各中点電位の変化が処理回路チップ２ｂに与えられ、該処理回路チップ２ｂにおいて差動増幅や２値化などの処理が施された後、上記車輪軸ＳＨ（図７）の回転に対応した信号として端子Ｔ１およびＴ２から取り出される。
【特許文献１】特開２００２−３５７４５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上述したような回転検出装置は通常、その配設環境が必ずしも望ましい環境にあるとは限らない。事実、先の図７に例示した車輪速センサとして用いられる回転検出装置にあっても、車輪軸ＳＨや回転検出機構のハウジングＨＯなど、上記磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の周辺に配置される諸々の部材（周辺磁性体）は通常、鉄などの強磁性体から構成されている。このため、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に作用する磁気ベクトルの基準角度が、このような周辺磁性体による磁気的な影響を受けて変化することも懸念される。そして、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に作用する磁気ベクトルの基準角度がこうして変化するようなことがあると、上記各中点電位に不要なオフセットが生じるなど、上記端子Ｔ１およびＴ２を通じて取り出される回転情報の信頼性にも影響が生ずるようになる。
【０００９】
このため、上記回転検出装置１も含めた従来一般の回転検出装置では、当該装置が配設される環境ごとにバイアス磁石や磁気抵抗素子の配置態様を変更するなどの磁気回路の調整が必要となることが多く、汎用性に乏しいものとなっている。
【００１０】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、配設環境によることなく高い精度を維持して被検出体であるロータの回転検出を行うことのできる回転検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
こうした目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、磁気抵抗素子を備えるセンサチップと前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石とがリードフレームに装着された状態で一体に樹脂モールドされてなり、前記センサチップの近傍にてロータが回転するときに前記バイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値の変化として感知して前記ロータの回転態様を検出する回転検出装置として、前記磁気抵抗素子に作用する磁気ベクトルの基準角度を調整可能な１乃至複数の磁性体片をモールド樹脂に装着することとした。
【００１２】
回転検出装置としてのこのような構成によれば、磁性体片をモールド樹脂に装着するだけの簡易な構造を通じて、磁気抵抗素子に作用するバイアス磁界の磁気ベクトルの基準角度を任意に、しかも容易に調整することができるようになる。すなわち、周辺磁性体による磁気的な影響を受けやすい配設環境にあったとしても、同磁性体片の装着を通じてそれら磁気的な影響を回避することが可能となり、上記バイアス磁界を付与する磁石や磁気抵抗素子自体の配置等をあえて調整せずとも、同磁気抵抗素子に作用する磁気ベクトルの基準角度を適正な角度に保つことができるようになる。そしてこのため、被検出体であるロータの回転検出精度も自ずと高く維持されるようになる。
【００１３】
しかも、上記構成によれば、磁石やセンサチップ自体の個体差、または位置ずれ等に起因して上記磁気抵抗素子に作用する磁気ベクトルの基準角度にずれが生じたような場合であっても、これら磁石やセンサチップが樹脂モールドされた状態で同磁気ベクトルの基準角度を適正に調整することも可能となり、当該回転検出装置としての歩留まりの向上が期待できるようにもなる。
【００１４】
また、この場合には特に、請求項２に記載の発明によるように、前記センサチップを、前記磁気抵抗素子の配設面が前記回転態様の検出対象となるロータの一面と平行に対向するように設けるとともに、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石を、前記リードフレームを介して前記磁気抵抗素子の後方裏面に設け、さらに、前記磁性体片を、前記モールド樹脂のうち、前記ロータと対向する面の裏面側であって且つ、前記磁石と前記磁気抵抗素子との間に位置する部分にそれら磁石および磁気抵抗素子の投影面との重複も含めて装着するようにすることで、当該回転検出装置としての回転態様の検出精度をより好適に維持することができるようになる。
【００１５】
すなわち、こうしてモールド樹脂に磁性体片が装着される場合、モールド樹脂のうちの例えば上記磁石とロータとの間に位置する部分などでは、上記ロータが回転するときにバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化に不要な影響を及ぼしかねない。そして、こうした不要な磁気ベクトルの変化も磁気抵抗素子の抵抗値の変化として同様に感知されるため、当該回転検出装置としての回転検出精度の低下を招きかねない。
【００１６】
この点、上記構成によれば、センサチップを磁気抵抗素子の配設面がロータの一面と平行に対向するように設けるとともに、磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石を上記リードフレームを介して磁気抵抗素子の後方裏面に設け、そして上記磁性体片についてはこれを、上記モールド樹脂のうち、ロータと対向する面の裏面側であって且つ、磁石と磁気抵抗素子との間に位置する部分に、それら磁石および磁気抵抗素子の投影面との重複も含む態様で装着するようにしている。
【００１７】
磁性体片のこのような部位への装着によれば、まず、磁石と磁気抵抗素子との間に付与される磁気ベクトル、すなわち磁気抵抗素子に作用する磁気ベクトルの基準角度を的確に調整することができるようになる。さらには、磁性体片が上記モールド樹脂のうちのロータと対向する面の裏面側に配置されるため、上記ロータが回転するときにバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化への不要な影響も好適に抑制されるようになる。
【００１８】
また、これら請求項１あるいは２に記載の構成において、請求項３に記載の発明によるように、前記モールド樹脂の前記磁性体片が装着される部分に同磁性体片を収容するための凹部を設けるようにすれば、特に上記磁性体片をモールド樹脂の表面に装着する場合に、同磁性体片の装着によって不要な突起が生じることを避けることができるようになる。
【００１９】
なお、上記磁性体片としては、例えば請求項４に記載の発明によるように、
・鉄系金属片によって形成されるもの。
あるいは、請求項５に記載の発明によるように、
・磁石片によって形成されるもの。
等々が有効である。
【００２０】
これらいずれの場合であれ、上記磁気抵抗素子に作用する磁気ベクトルの角度を好適に調整することができる。ただし、上記磁性体片としての扱いやすさやコスト面等からすれば、これを鉄系金属片によって形成することが、実用上はより望ましい。
【００２１】
また、前記回転態様の検出対象となるロータは基本的に任意であるが、特に請求項６に記載の発明によるように、同ロータとして、その周縁部にＮ極とＳ極とが交互に着磁された着磁ロータが採用される場合には、上記磁石による磁気ベクトルとこの着磁ロータによる磁気ベクトルとの合成ベクトルが磁気抵抗素子に作用することとなり、上記磁気抵抗素子に作用する磁気ベクトルの強度を容易に確保することができるようになる。またこれにより、上記バイアス磁界を付与する磁石の小型化を図ることも容易となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
はじめに、図１〜図３を参照して、この発明の原理について説明する。
前述のように、磁気抵抗素子に作用する磁気ベクトルは、この磁気抵抗素子の周辺に存在する磁性体による磁気的な影響を受けてその角度が変化することがある。例えば図１（ａ）に例示するように、バイアス磁石ＭＧによる磁気ベクトルの基準角度が同図に示すベクトルＴＶに設定されていたとしても、その周辺に磁性体ＡＲ１が存在すると、その基準ベクトルもベクトルＢＶ１として示す態様で変化するようになる。そして、こうした不要な磁気ベクトルの変化がセンサチップＳＳを構成する磁気抵抗素子ＭＲＥ１１〜ＭＲＥ１４の抵抗値の変化として感知されると、このようなセンサチップＳＳを用いてロータの回転態様を検出する回転検出装置としての回転検出精度の低下を招くようになることは前述の通りである。なおここでも、磁気抵抗素子ＭＲＥ１１およびＭＲＥ１２と、磁気抵抗素子ＭＲＥ１３およびＭＲＥ１４とは、電気的には各々ハーフブリッジ回路として構成されている。
【００２３】
しかし、このような環境におかれる場合であれ、図１（ｂ）に例示するかたちで磁性体片ＭＰ１を配置することで、同図に示されるように、バイアス磁石ＭＧによる磁気ベクトルの基準角度を、上記ベクトルＢＶ１から適正な角度を有するベクトルＴＶに修正することができるようになる。
【００２４】
なお、この図１（ｂ）に示すように、上記磁性体片ＭＰ１を、センサチップＳＳに対して図面上手前側に配置した場合、同磁性体片ＭＰ１によって修正されるベクトルＴＶも、実際には、上記修正前のベクトルＢＶ１に対し、同様に図面上手前側に引きずられるようになる。ただし、磁気抵抗素子ＭＲＥ１１〜ＭＲＥ１４は、図面に対して平行または同一面となるいわばＸ−Ｙ方向成分の磁気ベクトルの変化のみを抵抗値の変化として感知するため、この図１（ｂ）に示されるように、バイアス磁石ＭＧによる磁気ベクトルのこのＸ−Ｙ方向成分の角度さえ適正な角度に設定される限り、所期の目的は達成される。
【００２５】
また、図２（ａ）に例示するように、バイアス磁石ＭＧによる磁気ベクトルの基準角度が同じくベクトルＴＶに設定されていたとしても、その周辺にセンサチップＳＳの中心から偏倚するかたちで磁性体ＡＲ２が存在すると、その基準ベクトルもベクトルＢＶ２として示される態様で変化するようになる。すなわちここでは、磁気抵抗素子ＭＲＥ１１およびＭＲＥ１２側に作用するバイアス磁石ＭＧによる磁気ベクトルが、特に磁性体ＡＲ２に引きずられるかたちで大きく変化している。
【００２６】
しかし、このような場合でも、図２（ｂ）に例示するように、磁気抵抗素子ＭＲＥ１１およびＭＲＥ１２と磁気抵抗素子ＭＲＥ１３およびＭＲＥ１４とに作用する２つの磁気ベクトルのうち、大きく修正したい側の磁気ベクトルに対し、その修正したい側に偏倚するかたちで磁性体片ＭＰ２を配置することで、上述と同様の角度修正が可能となる。すなわちこれによっても、同図２（ｂ）に示されるように、バイアス磁石ＭＧによる磁気ベクトルの基準角度がベクトルＢＶ２からベクトルＴＶに修正されて、適正な角度に設定されるようになる。
【００２７】
また一方、図３（ａ）に例示するように、バイアス磁石ＭＧによる磁気ベクトルの基準角度が同様にベクトルＴＶに設定されていたとしても、その周辺に同図に示される態様で大きく偏倚する磁性体ＡＲ３が存在する場合には、その基準ベクトルもベクトルＢＶ３として示される態様で変化するようになる。すなわちここでは、磁気抵抗素子ＭＲＥ１１およびＭＲＥ１２側に作用するバイアス磁石ＭＧによる磁気ベクトルと、磁気抵抗素子ＭＲＥ１３およびＭＲＥ１４側に作用するバイアス磁石ＭＧによる磁気ベクトルとの基準角度が、各々異なるかたちで変化している。
【００２８】
しかしこのような場合であれ、図３（ｂ）に例示するように、修正対象となる上記２つの磁気ベクトルに対して各別に磁性体片ＭＰ３を配置することで、やはり上述と同様の角度修正が可能となる。すなわちこれによっても、同図３（ｂ）に示されるように、バイアス磁石ＭＧによる磁気ベクトルの基準角度がベクトルＢＶ３からベクトルＴＶに修正されて、上記２つの磁気ベクトルの基準角度が各々適正な角度に設定されるようになる。
【００２９】
これら図１〜図３に示したように、バイアス磁石ＭＧによる磁気ベクトルの基準角度が磁気的な影響を受けやすい環境にあったとしても、磁性体片の配設を通じてそれら磁気的な影響を回避することが可能となる。すなわち、バイアス磁界を付与するバイアス磁石ＭＧや磁気抵抗素子ＭＲＥ１１〜ＭＲＥ１４自体の配置等をあえて調整せずとも、同磁気抵抗素子ＭＲＥ１１〜ＭＲＥ１４に作用する磁気ベクトルの基準角度を適正な角度に保つことができるようになる。
【００３０】
次に、こうした原理に基づいて構成したこの発明にかかる回転検出装置の一実施の形態について、図４および図５を参照して詳細に説明する。なお、この実施の形態の回転検出装置も、先の図７に例示したような車輪軸の回転速度を検出する装置を想定している。
【００３１】
すなわち、この実施の形態にかかる回転検出装置１１も、図４（ａ）にその平面構造を、また図４（ｂ）にその側面構造をそれぞれ示すように、基本的には、ＩＣチップ２およびバイアス磁石５を備えて構成されている。そして、これらＩＣチップ２およびバイアス磁石５は、リードフレーム６を挟むかたちで同リードフレーム６の表裏に各々装着された状態で、樹脂などからなるモールド材１７によってシームレスにモールドされている。また、ＩＣチップ２自体は、これも前述と同様に、センサ部を有するセンサチップ２ａとその処理回路を有する処理回路チップ２ｂとから構成されている。そして、このＩＣチップ２の給電端子と出力端子とを兼ねる各端子Ｔ１およびＴ２はモールド材１７から引き出され、上記センサチップ２ａおよび処理回路チップ２ｂは、これら端子Ｔ１およびＴ２とボンディングワイヤＷを介して電気的に接続されている。
【００３２】
一方、この実施の形態にかかる回転検出装置において、上記モールド材１７の表面には、鉄片からなる磁性体片１９が装着されている。すなわち、図５に、ロータＲＴと上記回転検出装置１１の斜視構造を併せて示すように、同回転検出装置１１では、上記モールド材１７の表面に例えば先の図１（ｂ）に例示したかたちで磁性体片１９を装着し、これによって前述した周辺磁性体による磁気的な影響に起因する上記バイアス磁石５による磁気ベクトルの基準角度のずれを修正するようにしている。そして、その修正態様は、先に原理として説明した通りである。これにより、回転検出装置１１がロータＲＴに対向する環境において、高い精度を維持して同ロータＲＴの回転検出を行うことができるようになる。なお、この実施の形態においても、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に作用する磁気ベクトルは、バイアス磁石５による磁気ベクトルと着磁ロータからなるロータＲＴによる磁気ベクトルとの合成ベクトルとなっている。
【００３３】
また、同図５、および先の図４（ａ）、（ｂ）から明らかなように、回転検出装置１１が上記ロータＲＴと対向する環境では、モールド材１７内のセンサチップ２ａは、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の配設面がロータＲＴの一面と平行に対向するようになる。また、上記バイアス磁石５は、リードフレーム６を介して上記磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の後方裏面に設けられるかたちとなる。そして、この実施の形態では、上記磁性体片１９についてこれを、モールド材１７の表面のうち、ロータＲＴと対向する面の裏面側であって且つ、バイアス磁石５と磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４との間に位置する部分に、それらバイアス磁石５および磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の投影面との重複も含めるかたちで装着することとしている。
【００３４】
上記磁性体片１９のこのような部位への装着によれば、同磁性体片１９が上記モールド材１７のうちのロータＲＴと対向する面の裏面側に配置されることとなるため、同ロータＲＴが回転するときにバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化への不要な影響も抑制することができるようになる。なお、この実施形態では、磁性体片１９の上記モールド材１７の表面からの不要な突出を避けるべく、同モールド材１７の表面にあらかじめ形成されている凹部に同磁性体片１９を装着することとしている。
【００３５】
また一方、こうした磁性体片１９の装着部位、あるいはその配設角度等も含めた装着態様は、例えば当該回転検出装置１１の配設環境があらかじめ設計図等によって提示される場合には、情報処理装置によるいわゆる磁気シミュレーションによって事前に決定することもできる。
【００３６】
この磁気シミュレーションでは、回転検出装置１１が例えば図７に例示したような回転検出機構のハウジングに取り付けられた環境において、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に作用するバイアス磁石５およびロータＲＴによる磁気ベクトルの基準角度が予測される。そして、その予測をもとに、その角度が所望とされる角度に維持されるように、同じく磁気シミュレーションを通じて上記磁性体片１９の装着部位、装着態様等が決定される。
【００３７】
図６は、このような磁気シミュレーションに基づく磁性体片１９の装着部位、装着態様の決定手法についてその一例を示したものである。この図６に示す例では、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に作用する磁気ベクトルの適正な基準角度は、同図に示されるベクトルＢＶ４であったとする。しかし、回転検出装置１１が咲きの図７に例示した態様で配設された環境にあるとして上記磁気シミュレーションを実行した結果、同磁気ベクトルの基準角度が、同図６に示されるベクトルＢＶ４１に変化すると予測されたとする。そこでこのような場合には、上記磁気ベクトルの基準角度のこのような変化を見込んで、同磁気ベクトルの基準角度が同図６に示されるベクトルＢＶ４２となるような部位に磁性体片１９を装着することとなる。これにより、回転検出装置１１の実際の配設環境においては、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に作用する磁気ベクトルの基準角度が同図６に示されるベクトルＴＶまで変化することとなり、結果として、同基準角度も適正な角度に設定されるようになる。
【００３８】
以上説明したように、この実施の形態にかかる回転検出装置によれば、以下に記載するような優れた効果が得られるようになる。
（１）磁性体片１９をモールド材１７の表面に装着するようにした。このため、当該回転検出装置１１の配設環境によることなく高い精度を維持して被検出体であるロータＲＴの回転検出を行うことができるようになる。
【００３９】
（２）モールド材１７内のセンサチップ２ａを、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の配設面がロータＲＴの一面と平行に対向するように設けるとともに、バイアス磁石５を、リードフレーム６を介して上記磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の後方裏面に設けるようにした。そして、磁性体片１９についてはこれを、モールド材１７の表面のうち、バイアス磁石５と磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４との間に位置する部分に、それらバイアス磁石５および磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の投影面との重複も含めるかたちで装着するようにした。これにより、ロータＲＴが回転するときにバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化への不要な影響も好適に抑制されるようになる。
【００４０】
（３）磁性体片１９をモールド材１７の凹部に装着するようにしたため、磁性体片１９の装着によって不要な突起が生じることを避けることができるようになる。
（４）回転態様の検出対象となるロータＲＴがその周縁部にＮ極とＳ極とが交互に着磁された着磁ロータであるため、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に作用する磁気ベクトルの強度を容易に確保することができるようになる。またこれにより、上記バイアス磁界を付与するバイアス磁石５の小型化を図ることも容易となる。
【００４１】
なお、上記実施の形態は、以下のように変更して実施することもできる。
・回転検出装置１１の配設環境によって、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に作用する磁気ベクトルの基準角度が、例えば先の図２（ａ）に示される態様で変化する場合には、磁性体片１９についてもこれを先の図２（ｂ）に示される態様で装着する。これによっても、前記（１）〜（４）の効果と同等、あるいはそれに準じた効果が得られるようになる。また、回転検出装置１１の配設環境によって、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に作用する磁気ベクトルの基準角度が、例えば先の図３（ａ）に示される態様で変化する場合には、磁性体片１９についてもこれを先の図３（ｂ）に示される態様で装着する。これによっても、やはり、前記（１）〜（４）の効果と同等、あるいはそれに準じた効果が得られるようになる。なお、磁性体片１９を先の図３（ｂ）に示される態様で装着する場合には、２つの磁性体片をモールド材１７の表面に装着することとなる。
【００４２】
・３つ以上の磁性体片をモールド材１７に装着してもよい。
・磁性体片１９の装着部位や装着態様の決定に際しては、上述した磁気シミュレーションに限らず、当該回転検出装置１１が配設される実際の磁気的な環境の測定に基づいて同装着部位や装着態様を決定してもよい。
【００４３】
・ロータＲＴは、その周縁部にＮ極とＳ極とが交互に着磁された着磁ロータでなく、いわゆるギヤロータであってもよい。
・モールド材１７の表面のうち、凹部以外の表面に磁性体片１９を装着してもよい。また、モールド材１７に凹部がなくてもよい。
【００４４】
・磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に作用する磁気ベクトルの基準角度を任意に、しかも容易に調整するという効果を得る上では、磁性体片１９をモールド材１７の裏面に装着するようにしてもよい。ただし、バイアス磁石５やセンサチップ２ａが樹脂モールドされた状態において、バイアス磁石５による磁気ベクトルの基準角度の調整を可能とし、当該回転検出装置としてのさらなる歩留まりの向上を期待する上では、同磁性体片１９をモールド材１７の表面に装着することがより望ましい。
【００４５】
・上記磁性体片１９が鉄系金属片からなるとしたが、この磁性体片１９としては、一般的な強磁性体など、上記磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に作用する磁気ベクトルの基準角度を調整可能なものであれば、いかなるものを採用してもよい。またこの意味では、磁性体片１９として磁石片を採用するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】（ａ）および（ｂ）は、この発明の原理を説明する平面図。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、この発明の原理を説明する平面図。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、この発明の原理を説明する平面図。
【図４】（ａ）は、この発明にかかる回転検出装置の一実施の形態についてその内部構造を示す平面図。（ｂ）は、この発明にかかる回転検出装置の一実施の形態についてその内部構造を示す側面図。
【図５】同実施の形態の回転検出装置について、ロータとの関係も含めてその全体構造を示す斜視図。
【図６】磁性体片の装着部位、装着態様の決定手法を説明する平面図。
【図７】従来の車輪速センサとして採用されている回転検出装置、およびその配設環境例を示す断面図。
【図８】（ａ）は、従来の回転検出装置の内部構造を示す平面図。（ｂ）は、従来の回転検出装置の内部構造を示す側面図。
【図９】磁気抵抗素子に付与される合成ベクトルの例を示す平面図。
【符号の説明】
【００４７】
１、１１…回転検出装置、２…ＩＣチップ、２ａ、ＳＳ…センサチップ、２ｂ…処理回路チップ、５、ＭＧ…バイアス磁石、６…リードフレーム、７、１７…モールド材、１９、ＭＰ１〜ＭＰ３…磁性体片、ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４、ＭＲＥ１１〜ＭＲＥ１４…磁気抵抗素子、Ｗ…ボンディングワイヤ、ＡＲ１〜ＡＲ４…磁性体、Ｉ…取付部材、ＳＨ…車輪軸、ＨＯ…ハウジング。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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