(57)【要約】【課題】配線の露出表面を密着性の良い保護膜で覆って、配線のエレクトロンマイグレーション耐性を改善し、しかもデバイスの信頼性を向上させることができるようにする。【解決手段】基板の表面に形成した絶縁膜に配線用凹部を設け、配線用凹部の内部に配線材料を埋め込んで絶縁膜の表面に該配線材料からなる金属膜を形成し、金属膜の表面に導電性材料からなる第１保護膜を形成し、配線用凹部以外の余剰な金属材料を除去し基板表面を平坦化して、表面を第１保護膜で保護した配線を形成する。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に形成した絶縁膜に配線用凹部を設け、
前記配線用凹部の内部に配線材料を埋め込んで絶縁膜の表面に該配線材料からなる金属膜を形成し、
前記金属膜の表面に導電性材料からなる第１保護膜を形成し、
前記配線用凹部以外の余剰な金属材料を除去し基板表面を平坦化して、表面を前記第１保護膜で保護した配線を形成することを特徴とする配線形成方法。
【請求項２】
前記配線用凹部の内部に表面が位置するように前記金属膜を形成することを特徴とする請求項１記載の配線形成方法。
【請求項３】
前記金属膜の前記配線用凹部内の表面と前記絶縁膜の表面がなす平面との距離は、５〜５０ｎｍであることを特徴とする請求項２記載の配線形成方法。
【請求項４】
前記金属膜を、電解めっき、無電解めっき、ＣＶＤまたはＰＶＤで形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項５】
前記配線材料は、銅、銅合金、銀または銀合金であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項６】
前記第１保護膜を、電解めっき、無電解めっき、ＣＶＤ、ＰＶＤまたはＡＬＤで形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項７】
前記第１保護膜は、Ｃｏ、Ｃｏ合金、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｍｏ、Ｍｏ合金、Ｔａ、Ｔａ合金、Ｔａ窒化物、ＷＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｔｉ合金またはＴｉ窒化物からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項８】
前記基板表面の平坦化を、化学機械的研磨または電解研磨で行うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項９】
表面を平坦化した基板の表面に、第２保護膜を形成することを特徴とする請求項１乃至８いずれかに記載の配線形成方法。
【請求項１０】
前記第２保護膜を、ＣＶＤ、ＰＶＤまたは塗布によって形成することを特徴とする請求項９記載の配線形成方法。
【請求項１１】
前記第２保護膜は、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、ＳｉＣＯまたはボラジン−ケイ素ポリマからなることを特徴とする請求項９または１０記載の配線形成方法。
【請求項１２】
基板の表面に形成した絶縁膜に設けた配線用凹部の内部に配線材料を埋め込んで表面に該配線材料からなる金属膜を形成する配線形成ユニットと、
前記金属膜の表面に導電性材料からなる第１保護膜を形成する第１保護膜形成ユニットと、
前記配線用凹部以外の余剰な金属材料を除去し基板表面を平坦化する平坦化ユニットを有することを特徴とする配線形成装置。
【請求項１３】
前記平坦化ユニットで平坦化した基板表面に、第２保護膜を形成する第２保護膜形成ユニットを更に有することを特徴とする請求項１２記載の配線形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線形成方法及び配線形成装置に関し、特に半導体ウエハ等の基板の表面に設けた配線用の微細な凹部の内部に銅等の配線材料（金属）を埋込んで配線を形成する配線形成方法及び配線形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体ウエハ等の基板上に配線回路を形成するための配線材料として、アルミニウムまたはアルミニウム合金に代えて、電気抵抗率が低くエレクトロマイグレーション耐性が高い銅（Ｃｕ）を用いる動きが顕著になっている。この種の銅配線は、基板の表面に設けた配線用の微細凹部の内部に銅を埋込むことによって一般に形成される。この銅配線を形成する方法としては、ＣＶＤ、スパッタリング及びめっきといった手法があるが、いずれにしても、基板のほぼ全表面に銅を成膜し、化学機械的研磨（ＣＭＰ）により不要の銅を除去するようにしている。
【０００３】
この種の配線にあっては、平坦化後、その配線の表面が外部に露出しており、この上に埋込み配線を形成する際、例えば次工程の層間絶縁膜形成プロセスにおけるＳｉＯ２形成時の表面酸化やビアホールを形成するためのＳｉＯ２エッチング等に際して、ビアホール底に露出した配線のエッチャントやレジスト剥離等による表面汚染が懸念されている。
【０００４】
このため、従来、表面が露出している配線形成部のみならず、基板の全表面にＳｉＮやＳｉＣ等の配線保護膜を形成して、銅の拡散防止や配線のエッチャント等による汚染を防止することが一般に行われていた。
【０００５】
しかしながら、基板の全表面にＳｉＮ等の保護膜を形成すると、この種の保護膜は、銅等の配線材料との接合力が一般に弱く、このため、配線と保護膜間に電子が移動するエレクトロンマイグレーションが生じやすい。しかも、埋込み配線構造を有する半導体装置においては、保護膜の誘電率ｋの方が通常の層間絶縁膜の誘電率ｋより一般に高いので層間絶縁膜の誘電率が上昇して配線遅延を誘発し、配線材料として銅や銀のような低抵抗材料を使用したとしても、半導体装置として能力向上を阻害してしまう。
【０００６】
このため、銅や銀等の配線材料との接合力が強く、しかも比抵抗（ρ）が低い、例えば無電解めっきによって得られるＣｏ（コバルト）またはＣｏ合金層や、Ｎｉ（ニッケル）またはＮｉ合金層で配線の表面を選択的に覆って配線を保護することが提案されている。
【０００７】
図１は、半導体装置における銅配線形成例を工程順に示すもので、図１（ａ）に示すように、半導体素子を形成した半導体基材１上の導電層１ａの上に、例えばＳｉＯ２からなる酸化膜やｌｏｗ−ｋ材膜等の絶縁膜２を堆積し、この絶縁膜２の内部に、例えばリソグラフィ・エッチング技術により、配線用凹部としてのコンタクトホール３と配線溝４を形成し、その上にＴａＮ等からなるバリア層５、更にその上に電解めっきの給電層としてのシード層６をスパッタリング等により形成する。
【０００８】
そして、図１（ｂ）に示すように、基板Ｗの表面に銅めっきを施すことで、基板Ｗのコンタクトホール３及び配線溝４内に銅を充填させるとともに、絶縁膜２上に銅層７を堆積させる。その後、化学機械的研磨（ＣＭＰ）などにより、絶縁膜２上のバリア層５、シード層６及び銅層７を除去して、コンタクトホール３及び配線溝４内に充填させた銅層７の表面と絶縁膜２の表面とをほぼ同一平面にする。これにより、図１（ｃ）に示すように、絶縁膜２の内部にシード層６と銅層７からなる配線（銅配線）８を形成する。
【０００９】
次に、図１（ｄ）に示すように、基板Ｗの表面に無電解めっきを施し、配線８の表面に、Ｃｏ合金やＮｉ合金等からなる保護膜９を選択的に形成し、これによって、配線８の表面を保護膜９で覆って配線８を保護する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、配線の露出表面を保護膜で選択的に覆って保護するようにした従来例にあっては、配線の電気特性が損なわれることを防止するため、絶縁膜の上面に残る導電性物質残渣（ＣＭＰ残渣）を完全に除去する必要があり、このための工程が増えるばかりでなく、配線の高密度化及び微細化に伴い、配線幅が更に狭くなるに従って、配線の露出表面のみに選択的に保護膜を形成することが益々困難になる。しかも、保護膜は、一般に無電解めっきによって形成されるが、無電解めっきによって成膜できる合金等の導電性材料の種類に一定の制限があるのが現状であった。
【００１１】
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、配線の露出表面を密着性の良い保護膜で覆って、配線のエレクトロンマイグレーション耐性を改善し、しかもデバイスの信頼性を向上させることができるようにした配線形成方法及び配線形成装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、基板の表面に形成した絶縁膜に配線用凹部を設け、前記配線用凹部の内部に配線材料を埋め込んで表面に該配線材料からなる金属膜を形成し、前記金属膜の表面に導電性材料からなる第１保護膜を形成し、前記配線用凹部以外の余剰な金属材料を除去し基板表面を平坦化して、表面を前記第１保護膜で保護した配線を形成することを特徴とする配線形成方法である。
【００１３】
これにより、第１保護膜を形成する前のＣＭＰ工程及びＣＭＰ残渣の除去といった、余計な処理ステップを増やすことなく、表面を第１保護膜で選択的に覆って該配線を保護した配線を形成することができる。しかも、配線幅の大小に拘わることなく、しかも材料の制限を緩和しつつ、金属膜の表面に第１保護膜を比較的容易に形成することができるので、配線の表面を容易かつ任意の材料で保護することができる。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、前記配線用凹部の内部に表面が位置するように前記金属膜を形成することを特徴とする請求項１記載の配線形成方法である。このように、表面が該配線用凹部の内部に位置するように金属膜を形成することで、配線用凹部の内部に第１保護膜を位置させて、単に配線用凹部以外の余剰な金属材料を除去し基板表面を平坦化することで、表面を選択的に形成した前記第１保護膜で保護した配線を形成することができる。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、前記金属膜の前記配線用凹部内の表面と前記絶縁膜の表面がなす平面との距離は、５〜５０ｎｍであることを特徴とする請求項２記載の配線形成方法である。これにより、十分な膜厚を有する第１保護膜を得ることができる。
請求項４に記載の発明は、前記金属膜を、電解めっき、無電解めっき、ＣＶＤまたはＰＶＤで形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の配線形成方法である。
【００１６】
請求項５に記載の発明は、前記配線材料は、銅、銅合金、銀または銀合金であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の配線形成方法である。
請求項６に記載の発明は、前記第１保護膜を、電解めっき、無電解めっき、ＣＶＤ、ＰＶＤまたはＡＬＤで形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の配線形成方法である。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、前記第１保護膜は、Ｃｏ、Ｃｏ合金、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｍｏ、Ｍｏ合金、Ｔａ、Ｔａ合金、Ｔａ窒化物、ＷＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｔｉ合金またはＴｉ窒化物からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の配線形成方法である。
請求項８に記載の発明は、前記基板表面の平坦化を、化学機械的研磨または電解研磨で行うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の配線形成方法である。
【００１８】
請求項９に記載の発明は、表面を平坦化した基板の表面に、第２保護膜を形成することを特徴とする請求項１乃至８いずれかに記載の配線形成方法である。これにより、配線と第２保護膜との間に第１保護膜を介在させることで、この第１保護膜を介して、配線と第２保護膜との接合力を強め、これによって、配線のエレクトロマイグレーションを改善するとともに、デバイスとしての信頼性を向上させることができる。
請求項１０に記載の発明は、前記第２保護膜を、ＣＶＤ、ＰＶＤまたは塗布によって形成することを特徴とする請求項９記載の配線形成方法である。
【００１９】
請求項１１に記載の発明は、前記第２保護膜は、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮまたはボラジン−ケイ素ポリマからなることを特徴とする請求項９または１０記載の配線形成方法である。
請求項１２に記載の発明は、基板の表面に形成した絶縁膜に設けた配線用凹部の内部に配線材料を埋め込んで表面に該配線材料からなる金属膜を形成する配線形成ユニットと、前記金属膜の表面に導電性材料からなる第１保護膜を形成する第１保護膜形成ユニットと、前記配線用凹部以外の余剰な金属材料を除去し基板表面を平坦化する平坦化ユニットを有することを特徴とする配線形成装置である。
【００２０】
請求項１３に記載の発明は、前記平坦化ユニットで平坦化した基板表面に、第２保護膜を形成する第２保護膜形成ユニットを更に有することを特徴とする請求項１２記載の配線形成装置である。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。この実施の形態では、半導体ウエハ等の基板の表面に配線溝等の配線用凹部を形成し、配線材料としての銅を埋込んで銅層からなる配線を形成するようにした例を示す。
【００２２】
図２は、本発明の実施の形態における配線形成装置の平面図を示す。図２に示すように、この配線形成装置は、例えばスミフボックスやフープ等の内部に多数の半導体ウエハ等の基板を収納した搬送ボックス１０を着脱自在な矩形状のハウジング１２を備えている。このハウジング１２の内部には、内部に第１搬送装置としての第１搬送ロボット１４を備えたロード・アンロードステーション１６が備えられている。そして、ハウジング１２の内部の、仕切壁１８でロード・アンロードステーション１６と仕切られた領域には、配線形成ユニット２０、第１保護膜形成ユニット２２、第２保護膜形成ユニット２４及び平坦化ユニット２６が第２搬送装置としての第２搬送ロボット２８を挟んだ両側に配置されている。
【００２３】
ここで、ハウジング１２には遮光処理が施され、これによって、このハウジング１２内での以下の各工程を遮光状態で、つまり、配線に照明光等の光が当たることなく行えるようになっている。このように、配線に光が当たることを防止することで、例えば銅からなる配線に光が当たって光電位差が生じ、この光電位差によって配線が腐食してしまうことを防止することができる。
【００２４】
配線形成ユニット２０は、基板の表面に形成した絶縁膜に設けた配線溝等の配線用凹部の内部に、配線材料としての銅を埋め込んで基板の表面に銅からなる金属膜（銅膜）を形成するためのもので、例えば電解めっきユニット、無電解めっきユニット、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）ユニットまたはＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）ユニットから構成されている。
【００２５】
第１保護膜形成ユニット２２は、基板の表面に形成された金属膜（銅膜）の表面に導電性材料からなる第１保護膜を形成するためのもので、例えば電解めっきユニット、無電解めっきユニット、ＣＶＤユニット、ＰＶＤユニットまたはＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）ユニットから構成されている。
【００２６】
前記電解めっきユニット及び無電解めっきユニットは、少なくともめっきセル、基板保持機能、めっき液循環機能、及びめっき液分析・補充機能を備えた液管理ユニットとから構成される。特に無電解めっきユニットは、めっき液の温度制御機能を更に有する。また、無電解めっきユニットには、前洗浄機能、触媒付与処理機能、後洗浄機能のうち少なくとも１つが含まれる。
【００２７】
平坦化ユニット２６は、配線用凹部以外の余剰な金属材料を除去し基板表面を平坦化して、表面を第１保護膜で保護した配線を形成するためのもので、例えば化学機械的研磨（ＣＭＰ）ユニットまたは電解平坦化ユニットで構成されている。
第２保護膜形成ユニット２４は、表面を平坦化した基板の表面に、第２保護膜を形成するためのもので、例えばＣＶＤユニット、ＰＶＤユニットまたは塗布ユニットで構成されている。
【００２８】
次に、図３乃至図５を更に参照して、本発明の実施の形態における配線（銅配線）形成例について説明する。
先ず、図３（ａ）に示すように、基板の表面に形成した、例えばＳｉＯ２からなる酸化膜やｌｏｗ−ｋ材膜等の絶縁膜３０に、例えばリソグラフィ・エッチング技術により配線溝（トレンチ）３２等の配線用凹部を形成する（ステップ１）。そして、この絶縁膜３０の表面に、図３（ｂ）に示すように、ＴａＮ等からなるバリア層３４を形成し（ステップ２）、更にバリア層３４の表面に、図３（ｃ）に示すように、給電層としての（銅）シード層３６をスパッタリング等により形成する（ステップ３）。このように、シード層３６を形成した基板を搬送ボックス１０の内部に収容し、この基板を収容した搬送ボックス１０を配線形成装置のハウジング１２に搬送して装着する。
【００２９】
次に、搬送ボックス１０から基板を第１搬送ロボット１４で一枚ずつ取出して、ロード・アンロードステーション１６に搬入し、更に第２搬送ロボット２８で配線形成ユニット２０に搬送する。
【００３０】
この配線形成ユニット２０では、例えば電解めっき、無電解めっき、ＣＶＤまたはＰＶＤ（スパッタリング）等により、図４（ａ）に示すように、配線溝（配線用凹部）３２の内部に配線材料（銅）を埋込んで、シード層３６の表面に銅からなる金属膜（銅膜）３８を形成する（ステップ４）。この時、配線溝３２の内部が銅膜３８で完全に埋め込まれないようにする。つまり、銅膜３８の表面が配線溝３２の内部に位置し、しかも銅膜３８の表面と絶縁膜３０の表面がなす平面との距離Ｄが、例えば５〜５０ｎｍとなった時点で、銅膜３８の形成を終了する。上述の銅膜３８の表面が配線溝３２の内部に位置することを実現するために、例えば、擦りながらめっきすることによって、ボトムアップ性能よく配線を形成できる。またスピンエッチングの方法を用いて、上述の配線を形成してもよい。
【００３１】
そして、この銅膜３８を形成した基板を第２搬送ロボット２８で第１保護膜形成ユニット２２に搬送する。この第１保護膜形成ユニット２２では、銅膜３８の全表面に、例えば電解めっき、無電解めっき、ＣＶＤ、ＰＶＤ（スパッタリング）またはＡＬＤ等により、図４（ｂ）に示すように、例えばＣｏ、Ｃｏ合金、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｍｏ、Ｍｏ合金、Ｔａ、Ｔａ合金、Ｔａ窒化物、ＷＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｔｉ合金またはＴｉ窒化物等の導電性材料からなる第１保護膜４０を形成し、この第１保護膜４０で配線溝３２を完全に埋める（ステップ５）。
【００３２】
このように、第１保護膜４０を銅膜３８の全表面に形成することで、例えば、第１保護膜を形成する前のＣＭＰ工程及びＣＭＰ残渣（導電性残量残渣）の除去といった余計な処理ステップを増やすことなく、しかも、配線溝３２の幅の大小に拘わることなく、更に第１保護膜４０の材料の制限を緩和しつつ、銅膜３８の全表面に第１保護膜４０を比較的容易に形成することができる。つまり、配線の露出表面に保護膜を無電解めっきによって選択的に形成するようにした従来例にあっては、配線の電気特性が損なわれることを防止するため、第１保護膜を形成する前のＣＭＰ工程及び絶縁膜の上面に残る導電性物質残渣（ＣＭＰ残渣）を完全に除去する必要があるばかりでなく、配線幅が更に狭くなるに従って、配線の露出表面のみに選択的に保護膜を形成することが益々困難になるといった弊害があったが、この例によれは、このような弊害を除去することができる。
【００３３】
次に、このように第１保護膜４０を形成した基板を、第２搬送ロボット２８により平坦化ユニット２６に搬送する。この平坦化ユニット２６では、例えば化学機械的研磨（ＣＭＰ）または電解研磨により、図４（ｃ）に示すように、配線溝３２以外の余剰な金属材料、すなわち絶縁膜３０上の銅膜３８、シード層３６及びバリア層３４、更に、必要に応じて、絶縁膜３０上端面の一部分を除去し基板表面を平坦化して、表面を第１保護膜４０で保護した配線４２を形成する（ステップ６）。つまり、前述のように、銅膜３８の表面が配線溝３２の内部に位置し、しかも銅膜３８の表面と絶縁膜３０の表面がなす平面との距離Ｄが、例えば５〜５０ｎｍとなった時点で銅膜３８の形成を終了して、銅膜３８の表面に第１保護膜４０を形成することで、単に配線溝３２以外の余剰な金属材料を除去し基板表面を平坦化することで、表面を第１保護膜４０で保護した配線４２を形成することができる。
【００３４】
ここで、銅膜３８の表面と絶縁膜３０の表面がなす平面との距離Ｄを、例えば５〜５０ｎｍとすることで、十分な膜厚を有する第１保護膜４０を得ることができる。
【００３５】
そして、このように表面を平坦化した基板を第２搬送ロボット２８で第２保護膜形成ユニット２４に搬送する。この第２保護膜形成ユニット２４では、例えばＣＶＤ、ＰＶＤまたは塗布により、図４（ｄ）に示すように、平坦化した基板の全表面に、例えばＳｉｘＮｙ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮまたはボラジン−ケイ素ポリマからなるハードマスクまたはエッチストップ層としての第２保護膜４４を形成する（ステップ７）。このように、表面に第１保護膜４０を形成した配線４２の表面に第２保護膜４４を形成することで、この第１保護膜４０を介して、配線４２と第２保護膜４４との接合力を強め、これによって、配線４２のエレクトロマイグレーションを改善するとともに、デバイスとしての信頼性を向上させることができる。
【００３６】
つまり、前述のように、例えば銅からなる配線の表面にＳｉＮ等からなる保護膜を形成するようにした従来例にあっては、配線と保護膜との接合力または密着性が一般に弱く、このため、配線にエレクトロンマイグレーションが生じやすくなるが、この例のように、配線４２の表面に、第２保護膜４４との十分な接合力を有する第１保護膜４０を形成し、この第１保護膜４０と第２保護膜４４とを十分な接合力を持って接合させることによって、配線４２のエレクトロンマイグレーション耐性を改善することができる。
【００３７】
そして、このようにして形成した第１層の配線の上に、更に第２層の配線を形成して、多層配線構造とするときには、第２保護膜４４の表面に絶縁膜（層間絶縁膜）を形成し、この絶縁膜（層間絶縁膜）に対して、前述と同様な操作（ステップ１〜７）を行う。
【００３８】
そして、このように第２保護膜４４を形成した基板を、第２保護膜形成ユニット２４に備えられている洗浄部で洗浄し、更に純水で洗浄（リンス）した後、高速回転させてスピン乾燥させる。そして、このスピン乾燥後の基板Ｗを第１搬送ロボット１４でロード・アンロードステーション１６を経由して搬送ボックス１０内に戻す。
なお、この例は、配線材料として、銅を使用した例を示しているが、この銅の他に、銅合金、銀及び銀合金等を使用しても良い。
【００３９】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、第１保護膜を形成する前のＣＭＰ工程及びＣＭＰ残渣の除去といった、余計な処理ステップを増やすことなく、表面を第１保護膜で選択的に覆って該配線を保護した配線を形成することができる。しかも、配線幅の大小に拘わることなく、しかも材料の制限を緩和しつつ、金属膜の表面に接合力を強めた第１保護膜を比較的容易に形成して、配線のエレクトロマイグレーションを改善するとともに、デバイスの信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体装置における配線形成例を工程順に示す図である。
【図２】本発明の実施の形態における配線形成方法に使用する配線形成装置の平面図である。
【図３】本発明の実施の形態における配線形成例のシード層を形成するまでを工程順に示す図である。
【図４】本発明の実施の形態における銅膜形成以降を工程順に示す図である。
【図５】本発明の実施の形態に配線形成例を工程順に示すブロック図である。
【符号の説明】
１４，２８  搬送ロボット
２２  第１保護膜形成ユニット
２４  第２保護膜形成ユニット
２６  平坦化ユニット
３０  絶縁膜
３２  配線溝（配線用凹部）
３４  バリア層
３６  シード層
３８  銅膜（金属膜）
４０  第１保護膜
４２  配線
４４  第２保護膜
【図１】
2005044909.tif 000003
【図２】
2005044909.tif 000004
【図３】
2005044909.tif 000005
【図４】
2005044909.tif 000006
【図５】
2005044909.tif 000007