(57)【要約】【課題】層間の配線層を電気的に接続しているビアの接続信頼性を向上させた信頼性の高い多層回路板及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁基材１１の片面もしくは両面に絶縁層を介して少なくとも２層以上の配線層が形成されており、前記配線層はビア接続されてなる多層回路板であって、ランド上に形成された円錐台形状の導体、ランドの窪み上にビアとなる突起状の導体及びリング状ランドにビアとなる突起状の導体を設けてビアを形成しているので、突起状の導体とランドとの密着性が向上し、多層回路板の製造工程中の絶縁樹脂層形成、剥離工程で突起状の導体がランドから離脱するようなことはなく、層間の配線層を電気的に接続しているビアの接続信頼性を向上させた信頼性の高い多層回路板を得ることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材の片面もしくは両面に絶縁層を介して少なくとも２層以上の配線層が形成されており、前記配線層はビア接続されてなる多層回路板であって、前記ビア（６１ａ）は配線層のランド上に形成された円錐台形状の導体からなることを特徴とする多層回路板。
【請求項２】
絶縁基材の片面もしくは両面に絶縁層を介して少なくとも２層以上の配線層が形成されており、前記配線層はビア接続されてなる多層回路板であって、前記ビア（６２ａ）は配線層のランドに掘り込まれた窪み上に形成されていることを特徴とする多層回路板。
【請求項３】
絶縁基材の片面もしくは両面に絶縁層を介して少なくとも２層以上の配線層が形成されており、前記配線層はビア接続されてなる多層回路板であって、前記ビア（６３ａ）は配線層のリング状ランドに設けられていることを特徴とする多層回路板。
【請求項４】
プリント配線板やインターポーザー等の多層回路板の製造方法において、以下の工程を備えることを特徴とする請求項１記載の多層回路板の製造方法。
（ａ）絶縁基材（１１）の両面に薄膜導体層（２１）を形成し、薄膜導体層（２１）上に感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターンニング処理を行って、レジストパターン（３１）を形成する工程。
（ｂ）レジストパターン（３１）をマスクにして電解銅めっきを行い、薄膜導体層（２１）上の所定位置に導体層（４１）を形成した回路基板（２０）を作製する工程。
（ｃ）所定位置に開孔部（５３）が形成された樹脂シート（５１）及び樹脂シート（５２）を回路基板（２０）の両面に積層して、開孔部（５３）が形成された絶縁樹脂層（５１ａ）及び絶縁樹脂層（５２ａ）を形成し、開孔部（５３）内にめっき下地層を形成する工程。
（ｄ）導体層（４１）をカソードにして電解銅めっきを行い、開孔部（５３）に導体（６１）を形成する工程。
（ｅ）絶縁樹脂層（５１ａ）、絶縁樹脂層（５２ａ）及びレジストパターン（３１）を剥離処理し、レジストパターン（３１）下部にあった薄膜導体層（２１）をエッチングで除去し、絶縁基材（１１）上に配線層（４１ａ）及び円錐台形状の導体（６１）が形成された回路基板（４０）を作製する工程。
（ｆ）回路基板（４０）の両面に絶縁樹脂層（７１）形成する工程。
（ｇ）絶縁樹脂層（７１）表面を研磨処理し、絶縁層（７１ａ）及び円錐台形状の導体（６１）の上部が一部露出したビア（６１ａ）を形成する工程。
（ｈ）めっき下地層及び感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターンニング処理を行って、レジストパターン（３２）を形成する工程。
（ｉ）レジストパターン（３２）をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていないめっき下地層上に導体層を形成し、レジストパターン（３２）を剥離処理して配線層（４２）を形成する工程。
【請求項５】
プリント配線板やインターポーザー等の多層回路板の製造方法において、以下の工程を備えることを特徴とする請求項２記載の多層回路板の製造方法。
（ａ）絶縁基材（１１）の両面に薄膜導体層（２１）を形成し、薄膜導体層（２１）上に感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターンニング処理を行って、レジストパターン（３１）を形成する工程。
（ｂ）レジストパターン（３１）をマスクにして電解銅めっきを行い、薄膜導体層（２１）上の所定位置に導体層（４１）を形成した回路基板（２０）を作製する工程。
（ｃ）回路基板（２０）の両面に所定厚の絶縁樹脂層（５４）を形成する工程。
（ｄ）レーザー加工にて絶縁樹脂層（５４）の所定位置に開孔部（５５）及び導体層（４１）上に窪み（５５ａ）を形成し、開孔部（５５）内にめっき下地層を形成する工程。
（ｅ）導体層（４１）をカソードにして電解銅めっきを行い、開孔部（５５）及び窪み（５５ａ）上に導体（６２）を形成する工程。
（ｆ）絶縁樹脂層（５４）及びレジストパターン（３１）を剥離処理し、レジストパターン（３１）下部にあった薄膜導体層（２１）をエッチングで除去し、絶縁基材（１１）上に配線層（４１ａ）及びランドの窪み（５５ａ）上に突起状の導体（６２）が形成された回路基板（５０）を作製する工程。
（ｇ）回路基板（５０）の両面に絶縁樹脂層（７２）を形成する工程。
（ｈ）絶縁樹脂層（７２）の表面を研磨処理し、絶縁層（７２ａ）及び上部が一部露出したビア（６２ａ）を形成する工程。
（ｉ）めっき下地層及び感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターンニング処理を行って、レジストパターン（３３）を形成する工程。
（ｊ）レジストパターン（３３）をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていないめっき下地層上に導体層を形成し、レジストパターン（３３）を剥離処理して配線層（４３）を形成する工程。
【請求項６】
プリント配線板やインターポーザー等の多層回路板の製造方法において、以下の工程を備えることを特徴とする請求項３記載の多層回路板の製造方法。
（ａ）絶縁基材（１１）の両面に薄膜導体層（２１）を形成し、薄膜導体層（２１）上に感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターンニング処理を行って、レジストパターン（３４ａ）及び（３４ｂ）を形成する工程。
（ｂ）レジストパターン（３４ａ）及び（３４ｂ）をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていない薄膜導体層（２１）上に導体層（４２）を形成した回路基板（３０）を作製する工程。
（ｃ）回路基板（３０）の両面に所定厚の絶縁樹脂層（５６）を形成する工程。
（ｄ）レーザー加工にて絶縁樹脂層（５６）の所定位置に開孔部（５７）及び開孔部（５７ａ）を形成し、開孔部（５７）及び開孔部（５７ａ）内にめっき下地層を形成する工程。
（ｅ）薄膜導体層（２１）及び導体層（４２）をカソードにして電解銅めっきを行い、開孔部（５７）及び開孔部（５７ａ）に導体（６３）を形成する工程。
（ｆ）絶縁樹脂層（５６）及びレジストパターン（３４ａ）を剥離処理し、レジストパターン（３４ａ）下部にあった薄膜導体層（２１）をエッチングで除去し、絶縁基材（１１）上に配線層（４２ａ）及びリング状ランド（４２ｂ）に突起状の導体（６３）が形成された回路基板（６０）を作製する工程。
（ｇ）回路基板（６０）の両面に絶縁樹脂層（７３）形成する工程。
（ｈ）絶縁樹脂層（７３）の表面を研磨処理し、絶縁層（７３ａ）及び上部が一部露出したビア（６３ａ）を形成する工程。
（ｉ）めっき下地層及び感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターンニング処理を行って、レジストパターン（３５）を形成する工程。
（ｊ）レジストパターン（３５）をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていないめっき下地層上に導体層を形成し、レジストパターン（３３）を剥離処理して配線層（４５）を形成する工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は各種電子機器に使用されるプリント配線板及びインターポーザー等の多層回路板及びその製造方法に関し、さらに詳しくは、プリント配線板及びインターポーザー等の多層回路板における層間の配線層の電気的接続方法の改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
絶縁基材の片面もしくは両面に絶縁層を介して少なくとも２層以上の配線層が形成された多層回路板においては、最近の多層回路板の高密度化に伴い、より厚い絶縁層に柱状（いわゆるスタックド形）のビアを形成した多層回路基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
従来の多層回路板の製造方法について以下に説明する。
従来の多層回路板の製造方法の一例を図１１（ａ）〜（ｅ）及び図１２（ｆ）〜（ｊ）に示す。
まず、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させた絶縁基材１１に無電解銅めっきを行って薄膜導体層２１を形成し、薄膜導体層２１上に液状フォトジストを塗布するか、またはドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジストパターン３１を形成する（図１１（ａ）参照）。
【０００３】
次に、レジストパターン３１をマスクにして、電解銅めっきを行い、マスクされていない薄膜導体層２１上に所定厚の導体層４１を形成した回路基板２０を作製する（図１１（ｂ）参照）。
次に、回路基板２０の両面に樹脂溶液を塗布するか、プリプレグシートを積層する等の方法で、絶縁樹脂層５８を形成する（図１１（ｃ）参照）。
【０００４】
次に、レーザー加工により、絶縁樹脂層５８の所定位置に開孔部５９を形成し、開孔部５９内のデスミア、めっき触媒核付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地層（特に、図示せず）を形成する（図１１（ｄ）参照）。
【０００５】
次に、めっき下地層及び導体層４１をカソードにして、電解銅めっきを行い、開孔部５９内にビアとなる導体６４を形成する（図１１（ｅ）参照）。
次に、絶縁樹脂層５８及びレジストパターン３１を専用の剥離液で剥離処理し、レジストパターン３１下部にあった薄膜導体層２１をエッチングで除去し、配線層４１ａのランド上にビアとなる突起状の導体６４が形成された２層の回路基板７０を得る（図１２（ｆ）参照）。
【０００６】
次に、樹脂溶液を塗布するか、プリプレグシートを貼付する等の方法で、回路基板７０の両面にビアとなる突起状の導体６４を覆い隠すように絶縁樹脂層７４を形成する（図１２（ｇ）参照）。
次に、突起状の導体６４の上部が露出するまで、絶縁樹脂層７４の表面を研磨し、絶縁層７４ａ及びビア６４ａを形成する（図１２（ｈ）参照）。
【０００７】
次に、絶縁層７４ａ表面にめっき触媒核付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地層（特に、図示せず）を形成し、ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジストパターン３５を形成する（図１２（ｉ）参照）。
【０００８】
次に、電解銅めっきによるマスクめっきを行い、マスクされていないめっき下地層上に
導体層を形成し、レジストパターン３５を剥離処理し、レジストパターン３５下部にあっためっき下地層をソフトエッチングで除去し、配線層４６を形成し、配線層４１ａと配線層４６がビア６４ａにて電気的に接続された４層の多層回路板５００を得る（図１２（ｊ）参照）。
【０００９】
上記したような多層回路板の製造方法では、ビアとなる突起状の導体を形成した後樹脂シートを積層するか、または樹脂溶液を塗布する等の方法でビアとなる突起状の導体を覆い隠すように絶縁樹脂層を形成し、ビアとなる突起状の導体の上部を露出するために絶縁樹脂層表面を研磨処理して、絶縁層及びビアを形成する。
上記、ビアとなる突起状の導体の高さは、層間絶縁性及び電気特性の関係から、４０〜５０μｍ程必要とされ、また、近年、配線の微細化要求から、ビア径は３０〜６０μｍが要求されている。
上記ビアとなる突起状の導体の形成方法では、ビアとなる突起状の導体は逆テーパー状のすり鉢型となっており、ビアとなる突起状の導体とランドとの接続領域は上記ビア径の半分程となり、ランドとの密着強度はかなり弱くなる。
このことから、レジストパターンの剥離工程や絶縁樹脂層形成工程や剥離工程で、ビアとなる突起状の導体がランドより離脱してしまうという問題が発生する。
【００１０】
しかしながら、近年の配線層の微細化、高密度化の要求から、ビア径は益々微細化の方向にあり、また、信頼性の高い多層回路板を得るためには、従来のビア形成方法では充分に対応できなくなっているのが現状である。
【特許文献１】特開平６−３０２９６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記問題点に鑑み考案されたものであり、層間の配線層を電気的に接続しているビアの接続信頼性を向上させた信頼性の高い多層回路板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上記課題を達成するために、まず請求項１においては、絶縁基材の片面もしくは両面に絶縁層を介して少なくとも２層以上の配線層が形成されており、前記配線層はビア接続されてなる多層回路板であって、前記ビア６１ａは配線層のランド上に形成された円錐台形状の導体からなることを特徴とする多層回路板としたものである。
【００１３】
また、請求項２においては、絶縁基材の片面もしくは両面に絶縁層を介して少なくとも２層以上の配線層が形成されており、前記配線層はビア接続されてなる多層回路板であって、前記ビア６２ａは配線層のランドに掘り込まれた窪み上に形成されていることを特徴とする多層回路板としたものである。
【００１４】
また、請求項３においては、絶縁基材の片面もしくは両面に絶縁層を介して少なくとも２層以上の配線層が形成されており、前記配線層はビア接続されてなる多層回路板であって、前記ビア６３ａは配線層のリング状ランドに設けられていることを特徴とする多層回路板としたものである。
【００１５】
また、請求項４においては、プリント配線板やインターポーザー等の多層回路板の製造方法において、以下の工程を備えることを特徴とする請求項１記載の多層回路板の製造方法としたものである。
（ａ）絶縁基材１１の両面に薄膜導体層２１を形成し、薄膜導体層２１上に感光層を形成
し、パターン露光、現像等の一連のパターンニング処理を行って、レジストパターン３１を形成する工程。
（ｂ）レジストパターン３１をマスクにして電解銅めっきを行い、薄膜導体層２１上の所定位置に導体層４１を形成した回路基板２０を作製する工程。
（ｃ）所定位置に開孔部５３が形成された樹脂シート５１及び樹脂シート５２を回路基板２０の両面に積層して、開孔部５３が形成された絶縁樹脂層５１ａ及び５２ａを形成し、開孔部５３内にめっき下地層を形成する工程。
（ｄ）導体層４１をカソードにして電解銅めっきを行い、開孔部５３に導体６１を形成する工程。
（ｅ）絶縁樹脂層５１ａ、絶縁樹脂層５２ａ及びレジストパターン３１を剥離処理し、レジストパターン３１下部にあった薄膜導体層２１をエッチングで除去し、絶縁基材１１上に配線層４１ａ及び円錐台形状の導体６１が形成された回路基板４０を作製する工程。
（ｆ）回路基板４０の両面に絶縁樹脂層７１を形成する工程。
（ｇ）絶縁樹脂層７１表面を研磨処理し、絶縁層７１ａ及び円錐台形状の導体６１の上部が一部露出したビア６１ａを形成する工程。
（ｈ）めっき下地層及び感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターンニング処理を行って、レジストパターン３２を形成する工程。
（ｉ）レジストパターン３２をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていないめっき下地層上に導体層を形成し、レジストパターン３２を剥離処理して配線層４２を形成する工程。
【００１６】
また、請求項５においては、プリント配線板やインターポーザー等の多層回路板の製造方法において、以下の工程を備えることを特徴とする請求項２記載の多層回路板の製造方法としたものである。
（ａ）絶縁基材１１の両面に薄膜導体層２１を形成し、薄膜導体層２１上に感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターンニング処理を行って、レジストパターン３１を形成する工程。
（ｂ）レジストパターン３１をマスクにして電解銅めっきを行い、薄膜導体層２１上の所定位置に導体層４１を形成した回路基板２０を作製する工程。
（ｃ）回路基板２０の両面に所定厚の絶縁樹脂層５４を形成する工程。
（ｄ）レーザー加工にて絶縁樹脂層５４の所定位置に開孔部５５及び導体層４１に窪み５５ａを形成し、開孔部５５内にめっき下地層を形成する工程。
（ｅ）導体層４１をカソードにして電解銅めっきを行い、開孔部５５及び窪み５５ａ上に導体６２を形成する工程。
（ｆ）絶縁樹脂層５４及びレジストパターン３１を剥離処理し、レジストパターン３１下部にあった薄膜導体層２１をエッチングで除去し、絶縁基材１１上に配線層４１ａとランドの窪み５５ａ上に突起状の導体６２が形成された回路基板５０を作製する工程。
（ｇ）回路基板５０の両面に絶縁樹脂層７２を形成する工程。
（ｈ）絶縁樹脂層７２の表面を研磨処理し、絶縁層７２ａ及び上部が一部露出したビア６２ａを形成する工程。
（ｉ）めっき下地層及び感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターンニング処理を行って、レジストパターン３３を形成する工程。
（ｊ）レジストパターン３３をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていないめっき下地層上に導体層を形成し、レジストパターン３３を剥離処理して配線層４３を形成する工程。
【００１７】
さらにまた、請求項６においては、プリント配線板やインターポーザー等の多層回路板の製造方法において、以下の工程を備えることを特徴とする請求項３記載の多層回路板の製造方法としたものである。
（ａ）絶縁基材１１の両面に薄膜導体層２１を形成し、薄膜導体層２１上に感光層を形成
し、パターン露光、現像等の一連のパターンニング処理を行って、レジストパターン３４ａ及び３４ｂを形成する工程。
（ｂ）レジストパターン３４ａ及び３４ｂをマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていない薄膜導体層２１上に導体層４２を形成した回路基板３０を作製する工程。
（ｃ）回路基板３０の両面に所定厚の絶縁樹脂層５６を形成する工程。
（ｄ）レーザー加工にて絶縁樹脂層５６の所定位置に開孔部５７及び開孔部５７ａを形成し、開孔部５７及び開孔部５７ａ内にめっき下地層を形成する工程。
（ｅ）薄膜導体層２１及び導体層４２をカソードにして電解銅めっきを行い、開孔部５７及び開孔部５７ａに導体６３を形成する工程。
（ｆ）絶縁樹脂層５６及びレジストパターン３４ａを剥離処理し、レジストパターン３４ａ下部にあった薄膜導体層２１をエッチングで除去し、絶縁基材１１上に配線層４２ａ及びリング状ランド４２ｂに突起状の導体６３が形成された回路基板６０を作製する工程。（ｇ）回路基板６０の両面に絶縁樹脂層７３形成する工程。
（ｈ）絶縁樹脂層７３の表面を研磨処理し、絶縁層７３ａ及び上部が一部露出したビア６３ａを形成する工程。
（ｉ）めっき下地層及び感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターンニング処理を行って、レジストパターン３５を形成する工程。
（ｊ）レジストパターン３５をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていないめっき下地層上に導体層を形成し、レジストパターン３５を剥離処理して配線層４５を形成する工程。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の多層回路板は、配線層のランド上にビアとなる円錐台形状の導体、ランドの窪み上にビアとなる突起状の導体及びリング状ランドにビアとなる突起状の導体を設けてビアを形成しているので、突起状の導体とランドとの密着性が向上し、多層回路板の製造工程中の絶縁樹脂層形成、剥離工程で突起状の導体がランドから離脱するようなことはなく、層間の配線層を電気的に接続しているビアの接続信頼性を向上させた信頼性の高い多層回路板（プリント配線板またはインターポーザ）を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明のプリント配線板またはインターポーザ等からなる多層回路板の実施の形態につき説明する。
請求項１に係る本発明の多層回路板１００は、図１に示すように、絶縁基材１１の両面に配線層４１ａ、配線層４２が絶縁層７１ａを介して形成されており、配線層４１ａと配線層４２とはビア６１ａで電気的に接続されている。ビア６１ａは配線層４１ａのランド上に円錐台形状の導体で形成されており、ビア６１ａを円錐台形状とすることにより、後記する多層回路板の製造工程中で、ビアとなる円錐台形状の導体をランド上に形成する工程（特に、絶縁樹脂層の形成、研磨、剥離工程）中に円錐台形状の導体がランドから離脱することがほとんどなくなり、配線層４１ａと配線層４２との安定した電気的接続が得られる。
【００２０】
請求項２に係る本発明の多層回路板２００は、図２に示すように、絶縁基材１１の両面に配線層４１ａ、配線層４３が絶縁層７２ａを介して形成されており、配線層４１ａと配線層４３とはビア６２ａで電気的に接続されている。ビア６２ａは配線層４１ａのランドの窪み上に形成されている。このような構造にすることにより、ビア６２ａの下部とランドとの接触面積が増加し、ビアとなる突起状の導体とランドとの密着強度が向上する。後記する多層回路板の製造工程中で、ビアとなる突起状の導体をランドの窪み上に形成する工程（特に、絶縁樹脂層の形成、研磨、剥離工程）中に突起状の導体がランドから離脱することがほとんどなくなり、配線層４１ａと配線層４３との安定した電気的接続が得られる。
【００２１】
請求項３に係る本発明の多層回路板３００は、図３に示すように、絶縁基材１１の両面に配線層４１ａ、配線層４５が絶縁層７３ａを介して形成されており、配線層４１ａと配線層４５とはビア６３ａで電気的に接続されている。ビア６３ａは配線層４１ａのリング状ランド４１ｂに形成されている。このような構造にすることにより、ビアとなる突起状の導体とランドとの密着強度は向上し、後記する多層回路板の製造工程中で、ビアとなる突起状の導体を配線層のリング状ランドに形成する工程（特に、絶縁樹脂層の形成、研磨、剥離工程）中に突起状の導体がランドから離脱することがほとんどなくなり、配線層４１ａと配線層４５との安定した電気的接続が得られる。
【００２２】
図４（ａ）〜（ｄ）は、ランド上の突起状の導体形成例を模式的に示したもので、図４（ａ）は、ランド上に円錐台形状の導体６１を形成した一例を、図４（ｂ）は、リング状ランドに突起状の導体６３を形成した一例を、図４（ｃ）は、ランドの窪みに突起状の導体６２を形成した一例を、図４（ｄ）は、ランドに逆テーパー形状の突起状の導体６４を形成した一例を、それぞれ示す。
ここで、突起状の導体の先端をある力Ｆで押した場合突起状の導体とランドとの密着強度は、ランドに円錐台形状の導体６１を設けた図４（ａ）が一番強く、リング状のランドに突起状の導体６３を設けた図４（ｂ）、ランドの窪みに突起状の導体６２を設けた図４（ｃ）、ランドに逆テーパー形状の突起状の導体６４を設けた図４（ｄ）の順に密着強度は低下する。
【００２３】
以下、本発明の多層回路板の製造方法について説明する。
請求項４に係る本発明の多層回路板の製造方法について説明する。
図５（ａ）〜（ｅ）及び図６（ｆ）〜（ｉ）は、請求項４に係る本発明の多層回路板の製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
まず、エポキシ系樹脂からなる絶縁基材１１上に無電解銅めっき等の方法で薄膜導体層２１を形成し、ドライフィルムをラミネートするか、レジスト溶液をスピンナーで塗布する等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン３１を形成する（図５（ａ）参照）。
【００２４】
次に、レジストパターン３１をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていない薄膜導体層２１上に所定厚の導体層４１を形成し、回路基板２０を作製する（図５（ｂ）参照）。
次に、所定位置に開孔部５３が形成された樹脂シート５１及び樹脂シート５２を回路基板２０の両面に積層して、回路基板２０の両面に開孔部５３が形成された絶縁樹脂層５１ａ及び５２ａを形成し、専用のアルカリ溶液にて、開孔部導体上の残渣除去を行って、めっき下地層（特に、図示せず）を形成する（図５（ｃ）参照）。
【００２５】
ここで、絶縁樹脂層５１ａ及び５２ａは、配線層のランド上にビアとなる突起状の導体を形成するために設けるもので、ビアとなる突起状の導体を形成した後は除去されるので、アルカリ等の剥離液で溶解する樹脂（例えば、アクリル系樹脂等）が好ましい。
【００２６】
次に、導体層４１をカソードにして電解銅めっきを行い、開孔部５３に導体６１を形成する（図５（ｄ）参照）。
次に、絶縁樹脂層５１ａ、絶縁樹脂層５２ａ及びレジストパターン３１を専用の剥離液で剥離処理し、レジストパターン３１下部にあった薄膜導体層２１をエッチングで除去し、絶縁基材１１上に配線層４１ａ及び円錐台形状の導体６１が形成された回路基板４０を作製する（図５（ｅ）参照）。
【００２７】
次に、回路基板４０の両面にエポキシ系の樹脂等からなる樹脂シートをラミネートして
、所定厚の絶縁樹脂層７１を形成する（図６（ｆ）参照）。ここで、絶縁樹脂層７１の膜厚は円錐台形状の導体６１を覆い隠すような膜厚になるが、後で研磨処理するので円錐台形状の導体６１の先端より５μｍ程厚い樹脂層であればよい。
【００２８】
次に、円錐台形状の導体６１の上部が一部露出するまで絶縁樹脂層７１表面を研磨処理し、円錐台形状の導体６１の上部が一部露出したビア６１ａ及び絶縁層７１ａを形成する（図６（ｇ）参照）。
次に、絶縁層７１ａ表面にめっき触媒核付与、無電解銅めっきを行ってめっき下地層（特に、図示せず）を形成し、ドライフィルムをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン３２を形成する（図６（ｈ）参照）。
【００２９】
次に、レジストパターン３２をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていないめっき下地層上に導体層を形成し、レジストパターン３２を剥離処理し、レジストパターン３２の下部にあっためっき下地層をエッチングで除去して配線層４２を形成し、絶縁基材１１の両面に絶縁層７１ａを介して配線層４１ａ及び配線層４２が形成され、配線層４１ａと配線層４２とはビア６１ａで電気的に接続された４層の多層回路板１００を得ることができる（図６（ｉ）参照）。
【００３０】
このように、ランド上に円錐台形状の導体６１を形成した後ビア６１ａを形成しているため、多層回路板の製造工程中での円錐台形状の導体６１のランドとの密着強度が確保され、工程中に円錐台形状の導体６１がランドから離脱するようなことはない。
【００３１】
請求項５に係る本発明の多層回路板の製造方法について説明する。
図７（ａ）〜（ｅ）及び図８（ｆ）〜（ｊ）は、請求項４に係る本発明の多層回路板の製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
【００３２】
まず、エポキシ系樹脂からなる絶縁基材１１上に無電解銅めっき等の方法で薄膜導体層２１を形成し、ドライフィルムをラミネートするか、レジスト溶液をスピンナーで塗布する等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン３１を形成する（図７（ａ）参照）。
【００３３】
次に、レジストパターン３１をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていない薄膜導体層２１上に所定厚の導体層４１を形成し、回路基板２０を作製する（図７（ｂ）参照）。
次に、アクリル系の樹脂シートを回路基板２０の両面に積層して、絶縁樹脂層５４を形成する（図７（ｃ）参照）。
【００３４】
ここで、絶縁樹脂層５４は、配線層のランド上にビアとなる突起状の導体を形成するために設けるもので、ビアとなる突起状の導体を形成した後は除去されるので、アルカリ等の剥離液で溶解する樹脂（例えば、アクリル系樹脂等）が好ましい。
【００３５】
次に、絶縁樹脂層５４の所定位置にレーザーにより孔明け加工し、開孔部５５及び導体層４１に所定深さの窪み５５ａを形成し、専用のアルカリ溶液にて、開孔部導体上の残渣除去を行って、めっき下地層（特に、図示せず）を形成する（図７（ｄ）参照）。
ここで、レーザーとしては、ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザーを使用し、窪みの深さは導体層厚の１／２を目安とする。
【００３６】
次に、導体層４１をカソードにして電解銅めっきを行い、開孔部５５及び窪み５５ａ上に導体６２を形成する（図７（ｅ）参照）。
次に、絶縁樹脂層５４及びレジストパターン３１を専用の剥離液で剥離処理し、レジストパターン３１下部にあった薄膜導体層２１をエッチングで除去し、絶縁基材１１上に配線層４１ａ及び突起状の導体６２が形成された回路基板５０を作製する（図８（ｆ）参照）。
【００３７】
次に、回路基板５０の両面にエポキシ系の樹脂等からなる樹脂シートをラミネートして、所定厚の絶縁樹脂層７２を形成する（図８（ｇ）参照）。ここで、絶縁樹脂層７２の膜厚は突起状の導体６２を覆い隠すような膜厚になるが、後で研磨処理するので突起状の導体６２の先端より５μｍ程厚い樹脂層であればよい。
【００３８】
次に、突起状の導体６２の上部が一部露出するまで絶縁樹脂層７２表面を研磨処理し、突起状の導体６２の上部が一部露出したビア６２ａ及び絶縁層７２ａを形成する（図８（ｈ）参照）。
【００３９】
次に、絶縁層７２ａ表面にめっき触媒核付与、無電解銅めっきを行ってめっき下地層（特に、図示せず）を形成し、ドライフィルムをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン３３を形成する（図８（ｉ）参照）。
【００４０】
次に、レジストパターン３３をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていないめっき下地層上に導体層を形成し、レジストパターン３３を剥離処理し、レジストパターン３３の下部にあっためっき下地層をエッチングで除去して配線層４３を形成し、絶縁基材１１の両面に絶縁層７２ａを介して配線層４１ａ及び配線層４３が形成され、配線層４１ａと配線層４３とはビア６２ａで電気的に接続された４層の多層回路板２００を得ることができる。
【００４１】
このように、ランドの窪み上に突起状の導体６２を形成した後ビア６２ａを形成しているため、多層回路板の製造工程中での突起状の導体６２とランドとの密着強度が確保され、工程中に突起状の導体６２がランドから離脱するようなことはない。
【００４２】
請求項６に係る本発明の多層回路板の製造方法について説明する。
図９（ａ）〜（ｅ）及び図１０（ｆ）〜（ｊ）は、請求項６に係る本発明の多層回路板の製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
まず、エポキシ系樹脂からなる絶縁基材１１上に無電解銅めっき等の方法で薄膜導体層２１を形成し、ドライフィルムをラミネートするか、レジスト溶液をスピンナーで塗布する等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン３４ａ及び３４ｂを形成する（図９（ａ）参照）。ここで、ランドが形成されるパターンの中央部にレジストパターン３４ｂを形成しておき（図９（ａ’）参照）、めっきでリング状ランドを形成するためのレジストパターンとなっている。
【００４３】
次に、レジストパターン３４ａ及び３４ｂをマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていない薄膜導体層２１上に所定厚の導体層４２を形成し、回路基板３０を作製する（図９（ｂ）及び（ｂ’）参照）。
次に、アクリル系の樹脂シートを回路基板３０の両面に積層して、絶縁樹脂層５６を形成する（図９（ｃ）参照）。
ここで、絶縁樹脂層５６は、配線層のランド上にビアとなる突起状の導体を形成するために設けるもので、ビアとなる突起状の導体を形成した後は除去されるので、アルカリ等の剥離液で溶解する樹脂（例えば、アクリル系樹脂等）が好ましい。
【００４４】
次に、絶縁樹脂層５６の所定位置にレーザーにより孔明け加工し、開孔部５７及び開孔
部５７ａを形成し、専用のアルカリ溶液を用いて開孔部５７及び開孔部５７ａ内導体上の残渣除去を行って、めっき下地層（特に、図示せず）を形成する（図９（ｄ）参照）。
ここで、レーザーとしては、ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザーを使用し、開孔部５７の下部にレジストパターン３４ｂがくるように位置合わせして、このレジストパターン３４ｂもレーザー加工して開孔部５７ａを形成し、導体４２の側面を露出させる。
【００４５】
次に、薄膜導体層２１及び導体層４２をカソードにして電解銅めっきを行い、開孔部５７及び開孔部５７ａに導体６３を形成する（図９（ｅ）参照）。
次に、絶縁樹脂層５６及びレジストパターン３４ａを専用の剥離液で剥離処理し、レジストパターン３４ａ下部にあった薄膜導体層２１をエッチングで除去し、絶縁基材１１上に配線層４２ａ及びリング状ランド４２ｂに突起状の導体６３が形成された回路基板６０を作製する（図１０（ｆ）参照）。
【００４６】
次に、回路基板６０の両面にエポキシ系の樹脂等からなる樹脂シートをラミネートして、所定厚の絶縁樹脂層７２を形成する（図１０（ｇ）参照）。ここで、絶縁樹脂層７３の膜厚は突起状の導体６３を覆い隠すような膜厚になるが、後で研磨処理するので突起状の導体６３の先端より５μｍ程厚い樹脂層であればよい。
【００４７】
次に、突起状の導体６３の上部が一部露出するまで絶縁樹脂層７３表面を研磨処理し、突起状の導体６３の上部が一部露出したビア６３ａ及び絶縁層７３ａを形成する（図１０（ｈ）参照）。
次に、絶縁層７３ａ表面にめっき触媒核付与、無電解銅めっきを行ってめっき下地層（特に、図示せず）を形成し、ドライフィルムをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン３５を形成する（図１０（ｉ）参照）。
【００４８】
次に、レジストパターン３５をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていないめっき下地層上に導体層を形成し、レジストパターン３５を剥離処理し、レジストパターン３５の下部にあっためっき下地層をエッチングで除去して配線層４５を形成し、絶縁基材１１の両面に絶縁層７３ａを介して配線層４２ａ及び配線層４５が形成され、配線層４２ａと配線層４５とはビア６３ａで電気的に接続された４層の多層回路板３００を得ることができる。
【００４９】
このように、リング状ランドに突起状の導体６３を形成した後ビア６３ａを形成しているため、突起状の導体６３の下部はランド中心部の導体側面で保持されており、多層回路板の製造工程中での突起状の導体６３のランドとの密着強度が確保され、製造工程中に突起状の導体６３がランドから離脱するようなことはない。
【実施例１】
【００５０】
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
まず、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させた絶縁基材１１の両面にめっき触媒核付与及び無電解銅めっきを行って、薄膜導体層２１を形成し、薄膜導体層２１表面に厚さ１２μｍのドライフィルムフォトレジストをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像を行って、レジストパターン３１を形成した（図５（ａ）参照）。
【００５１】
次に、レジストパターン３１をマスクにして電解銅めっきを行い、１２μｍ厚の導体層４１を形成し、回路基板２０を作製した（図５（ｂ）参照）。
次に、所定位置にＵＶＹＡＧレーザーを用いて開孔部５３を形成したアクリル系の樹脂シート５１及び樹脂シート５２を回路基板２０の両面に積層して、回路基板２０の両面に開孔部５３が形成された絶縁樹脂層５１ａ及び５２ａを形成し、専用のアルカリ溶液を用い
て開孔部５３内導体上の残渣除去を行って、めっき下地層（特に、図示せず）を形成した（図５（ｃ）参照）。
【００５２】
次に、導体層４１をカソードにして電解銅めっきを行い、開孔部５３に導体６１を形成した（図５（ｄ）参照）。
次に、絶縁樹脂層５１ａ、絶縁樹脂層５２ａ及びレジストパターン３１を専用の剥離液で剥離処理し、レジストパターン３１下部にあった薄膜導体層２１を過硫酸アンモニウム水溶液によるソフトエッチングで除去し、絶縁基材１１上に配線層４１ａ及び円錐台形状の導体６１が形成された回路基板４０を作製した（図５（ｅ）参照）。
【００５３】
次に、回路基板４０の両面にエポキシ系の樹脂からなる樹脂シートを真空加圧加熱ラミネータにて積層して、４０μｍ厚の絶縁樹脂層７１を形成した（図６（ｆ）参照）。
次に、絶縁樹脂層７１表面を３μｍ程研磨処理し、円錐台形状の導体６１の上部が一部露出した円錐台形状の導体６１ａ及び絶縁樹脂層７１ａを形成した（図６（ｇ）参照）。
【００５４】
次に、絶縁樹脂層７１ａ表面にめっき触媒核付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地層（特に、図示せず）を形成し、厚さ１２μｍのドライフィルムフォトレジストをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像を行って、レジストパターン３２を形成した（図６（ｈ）参照）。
【００５５】
次に、レジストパターン３２をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていないめっき下地層上に導体層を形成し、レジストパターン３２を専用の剥離液で剥離処理し、レジストパターン３２の下部にあっためっき下地層を過硫酸アンモニウム水溶液によるソフトエッチングで除去して配線層４２を形成し、絶縁基材１１の両面に絶縁層７１ａを介して配線層４１ａ及び配線層４２が形成され、配線層４１ａと配線層４２とはビア６１ａで電気的に接続された４層の多層回路板１００を得た（図６（ｉ）参照）。
【実施例２】
【００５６】
まず、実施例１と同様な方法で、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させた絶縁基材１１の両面１２μｍ厚の導体層４１を形成し、回路基板２０を作製した（図７（ａ）及び（ｂ）参照）。
次に、回路基板２０の両面にアクリル系の樹脂シートを真空加圧加熱ラミネータにて積層して、回路基板２０の両面に絶縁樹脂層５４を形成した（図７（ｃ）参照）。
【００５７】
次に、絶縁樹脂層５４の所定位置にＵＶＹＡＧレーザーを用いて孔明け加工し、開孔部５５及び導体層４１に６μｍ深さの窪み５５ａを形成し、専用のアルカリ溶液を用いて開孔部５５内導体上の残渣除去を行って、めっき下地層（特に、図示せず）を形成した（図７（ｄ）参照）。
【００５８】
次に、導体層４１をカソードにして電解銅めっきを行い、開孔部５５及び窪み５５ａ上に導体６２を形成した（図７（ｅ）参照）。
次に、絶縁樹脂層５４及びレジストパターン３１を専用の剥離液で剥離処理し、レジストパターン３１下部にあった薄膜導体層２１を過硫酸アンモニウム水溶液によるソフトエッチングで除去し、絶縁基材１１上に配線層４１ａ及び突起状の導体６２が形成された回路基板５０を作製した（図８（ｆ）参照）。
【００５９】
次に、回路基板５０の両面にエポキシ系の樹脂シートを真空加圧加熱ラミネータにて積層して、４０μｍ厚の絶縁樹脂層７２を形成した（図８（ｇ）参照）。
次に、絶縁樹脂層７２表面を３μｍ程研磨処理し、上部が一部露出した突起状の導体６２ａ及び絶縁樹脂層７２ａを形成した（図８（ｈ）参照）。
【００６０】
次に、絶縁樹脂層７２ａ表面にめっき触媒核付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地層（特に、図示せず）を形成し、厚さ１２μｍのドライフィルムフォトレジストをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像を行って、レジストパターン３３を形成した（図８（ｉ）参照）。
【００６１】
次に、レジストパターン３３をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていないめっき下地層上に導体層を形成し、レジストパターン３３を専用の剥離液で剥離処理し、レジストパターン３３の下部にあっためっき下地層を過硫酸アンモニウム水溶液によるソフトエッチングで除去して配線層４３を形成し、絶縁基材１１の両面に絶縁層７２ａを介して配線層４１ａ及び配線層４３が形成され、配線層４１ａと配線層４３とはビア６２ａで電気的に接続された４層の多層回路板２００を得た（図８（ｊ）参照）。
【実施例３】
【００６２】
まず、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させた絶縁基材１１の両面にめっき触媒核付与及び無電解銅めっきを行って、薄膜導体層２１を形成し、薄膜導体層２１表面に厚さ１２μｍのドライフィルムフォトレジストをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像を行って、レジストパターン３４ａ及びレジストパターン３４ｂを形成した（図９（ａ）及び（ａ’）参照）。
【００６３】
次に、レジストパターン３４ａ及びレジストパターン３４ｂをマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていない薄膜導体層２１上に１２μｍ厚の導体層４２を形成し、回路基板３０を作製した（図９（ｂ）及び（ｂ’）参照）。
【００６４】
次に、回路基板３０の両面にアクリル系の樹脂シートを真空加圧加熱ラミネータにて積層して、回路基板３０の両面に絶縁樹脂層５６を形成した（図９（ｃ）参照）。
【００６５】
次に、絶縁樹脂層５６の所定位置にＵＶＹＡＧレーザーを用いて孔明け加工し、開孔部５７及び５７ａを形成し、専用のアルカリ溶液を用いて開孔部５７及び５７ａ内導体上の残渣除去を行って、めっき下地層（特に、図示せず）を形成した（図９（ｄ）参照）。
【００６６】
次に、導体層４２をカソードにして電解銅めっきを行い、開孔部５７及び５７ａに導体６３を形成した（図９（ｅ）参照）。
次に、絶縁樹脂層５６及びレジストパターン３４ａを専用の剥離液で剥離処理し、レジストパターン３４ａ下部にあった薄膜導体層２１を過硫酸アンモニウム水溶液によるソフトエッチングで除去し、絶縁基材１１上に配線層４２ａ及びリング状のランド４２ｂに突起状の導体６３が形成された回路基板６０を作製した（図１０（ｆ）参照）。
【００６７】
次に、回路基板５０の両面にエポキシ系の樹脂からなる樹脂シートを真空加圧加熱ラミネータにてラミネートして、４０μｍ厚の絶縁樹脂層７３を形成した（図１０（ｇ）参照）。
次に、絶縁樹脂層７３表面を３μｍ程研磨処理し、突起状の導体６３の上部が一部露出した突起状の導体６３ａ及び絶縁層７３ａを形成した（図８（ｈ）参照）。
【００６８】
次に、絶縁樹脂層７３ａ表面にめっき触媒核付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地層（特に、図示せず）を形成し、厚さ１２μｍのドライフィルムフォトレジストをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像を行って、レジストパターン３５を形成した（図１０（ｉ）参照）。
【００６９】
次に、レジストパターン３５をマスクにして電解銅めっきを行い、マスクされていない
めっき下地層上に導体層を形成し、レジストパターン３５を専用の剥離液で剥離処理し、レジストパターン３５の下部にあっためっき下地層を過硫酸アンモニウム水溶液によるソフトエッチングで除去して配線層４５を形成し、絶縁基材１１の両面に絶縁層７３ａを介して配線層４２ａ及び配線層４５が形成され、配線層４１ａと配線層４５とはビア６３ａで電気的に接続された４層の多層回路板３００を得た（図１０（ｊ）参照）。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の請求項１に係る多層回路板の構成を模式的に示す部分断面図である。
【図２】本発明の請求項２に係る多層回路板の構成を模式的に示す部分断面図である。
【図３】本発明の請求項３に係る多層回路板の構成を模式的に示す部分断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、ランド上の突起状の導体形成例を模式的に示した説明図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の請求項４に係る多層回路板の製造方法における製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図６】（ｆ）〜（ｉ）は、本発明の請求項４に係る多層回路板の製造方法における製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の請求項５に係る多層回路板の製造方法における製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図８】（ｆ）〜（ｊ）は、本発明の請求項５に係る多層回路板の製造方法における製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の請求項６に係る多層回路板の製造方法における製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ’）及び（ｂ’）は、配線層及びランド部の模式平面図である。
【図１０】（ｆ）〜（ｊ）は、本発明の請求項６に係る多層回路板の製造方法における製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｅ）は、従来の多層回路板の製造方法における製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図１２】（ｆ）〜（ｊ）は、従来の多層回路板の製造方法における製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１１……絶縁基材
２０、３０、４０、５０、６０、７０……回路基板
２１……薄膜導体層
３１、３２、３３、３４ａ、３４ｂ……レジストパターン
４１、４２……導体層
４１ａ、４２ａ、４３、４５、４６……配線層
４２ｂ……リング状ランド
５１、５２……樹脂シート
５１ａ、５２ａ、５４、５６、５８、７１、７２、７３、７４……絶縁樹脂層
５３、５５、５７、５９……開孔部
５５ａ……導体層上の窪み
５７ａ……導体層の開孔部
６１……円錐台形状の導体
６２、６３、６４……突起状の導体
６１ａ、６２ａ、６３ａ、６４ａ……ビア
７１ａ、７２ａ、７３ａ、７４ａ……絶縁層
１００、２００、３００、５００……多層回路基板
【図１】
2005085921.tif 000003
【図２】
2005085921.tif 000004
【図３】
2005085921.tif 000005
【図４】
2005085921.tif 000006
【図５】
2005085921.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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