(57)【要約】【課題】  表面粗さが小さく低コストな磁気記録媒体用基板及びこの磁気記録媒体用基板を含む磁気記録媒体及びこれらの製造方法を提供する。【解決手段】  磁気記録媒体用基板１０は、片面がベース面１２Ａとされた主基板１２と、該主基板１２のベース面１２Ａ上にバイアススパッタリング法等のバイアスパワーを印加する成膜手法により形成された副基板１４と、を有してなる構成とし、副基板１４の表面粗さを、主基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さくした。【選択図】      図１
2005085339.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも片面がベース面とされた主基板と、該主基板の前記ベース面上に形成された副基板と、を有してなり、該副基板の表面粗さが、前記主基板のベース面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体用基板。
【請求項２】
請求項１において、
前記副基板の表面の中心線平均粗さが１ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体用基板。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記副基板の材料は、二酸化ケイ素、ケイ素、ダイヤモンドライクカーボン、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化クロム、炭化物、窒化物、ＩＴＯのいずれかを含む材料であることを特徴とする磁気記録媒体用基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記主基板の材料は、ガラス、アルミナ、ケイ素、グラシーカーボン及び樹脂のいずれかを含む材料であることを特徴とする磁気記録媒体用基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の磁気記録媒体用基板の副基板上に、直接的又は間接的に記録層が形成されたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
少なくとも片面がベース面とされた主基板にバイアスパワーを印加しつつ前記ベース面上に非磁性材料を成膜して副基板を形成し、表面粗さが前記主基板のベース面の表面粗さよりも小さい磁気記録媒体用基板を得ることを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項７】
少なくとも片面がベース面とされた主基板にバイアスパワーを印加しつつ前記ベース面上に非磁性材料を成膜して副基板を形成し、該副基板の表面をドライエッチングで加工して、表面粗さが前記主基板のベース面の表面粗さよりも小さい磁気記録媒体用基板を得ることを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記副基板の材料として、二酸化ケイ素、ケイ素、ダイヤモンドライクカーボン、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化クロム、炭化物、窒化物、ＩＴＯのいずれかを含む材料を用いることを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれかにおいて、
前記主基板の材料として、ガラス、アルミナ、ケイ素、グラシーカーボン及び樹脂のいずれかを含む材料を用いることを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項１０】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面をドライエッチングを用いて平坦化することを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項６乃至１０のいずれかにおいて、
中心線平均粗さが１ｎｍ以下となるように表面を仕上げるようにしたことを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項６乃至１１のいずれかに記載の磁気記録媒体用基板の製造方法により製造した磁気記録媒体用基板上に、直接的又は間接的に記録層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク等の磁気記録媒体用基板、磁気記録媒体及びこれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体は、記録・読取精度を高めるため、表面粗さを極力小さくすることが重要である。例えば、ハードディスクの場合、浮上式ヘッドが主流となっており、良好な記録・読取精度を得るためには、表面粗さを極力小さくし、浮上式ヘッドと磁気記録媒体のギャップを微小範囲内に保持することが重要である。
【０００３】
従来、ハードディスク等の磁気記録媒体の製造工程では、基板の両面又は片面をベース面として該ベース面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法等で研磨して平坦に仕上げ、この基板のベース面上に記録層、保護層等をスパッタリング法等で積層することにより、磁気記録媒体全体としての表面粗さを極力小さく抑制している（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−３１４４７１号公報
【特許文献２】特開平９−２３１５６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の基板の平坦化は、所望の表面粗さを得るために基板のベース面を繰り返し複数回研磨する必要があり、生産効率が低いという問題があった。
【０００６】
又、ＣＭＰ法を用いる場合、基板のベース面を複数回繰り返し研磨する毎にスラリーを除去するための洗浄を行う必要があり、生産効率を大幅に低下させる要因となっていた。
【０００７】
又、従来の基板は生産効率が低いため、磁気記録媒体のコストのうち、基板のコストの比率が高かった。
【０００８】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、表面粗さが小さく低コストな磁気記録媒体用基板及びこの磁気記録媒体用基板を含む磁気記録媒体及びこれらの製造方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、磁気記録媒体用基板が、主基板のベース面上に副基板を形成してなる構成とし、該副基板の表面粗さを、主基板のベース面の表面粗さよりも小さく仕上げることで、表面粗さが小さい低コストな磁気記録媒体用基板を実現したものである。
【００１０】
例えば、バイアススパッタリング法等、主基板にバイアスパワーを印加しつつ非磁性材料を成膜する成膜手法を用いて主基板のベース面上に副基板を形成することで、（副基板の）表面粗さが小さい磁気記録媒体用基板を効率良く、低コストで製造することができる。即ち、バイアスパワーを印加する成膜手法は、成膜作用と、バイアスパワーで付勢されるガス等が、形成された膜の一部をエッチングするエッチング作用と、が同時に進行し、成膜作用がエッチング作用を上回ることで成膜が進行するが、エッチング作用は、膜の突出した部位を他の部位よりも選択的に早く除去する傾向があるので、このエッチング作用により膜の表面の凹凸を抑制し、表面粗さが小さい副基板を成膜することができる。又、主基板のベース面上に主基板よりも加工が容易な材料で副基板を形成し、副基板を例えば、イオンビームエッチング等のドライエッチングで平坦化することで、表面粗さが小さい磁気記録媒体用基板を効率良く、低コストで確実に製造することができる。
【００１１】
又、本発明は、磁気記録媒体用基板のベース面を例えば、イオンビームエッチング等のドライエッチングで平坦化することで表面粗さが小さい低コストな磁気記録媒体用基板を実現したものである。即ち、ドライエッチングも、バイアスパワーを印加する成膜手法のエッチング作用と同様に、膜の突出した部位を他の部位よりも選択的に早く除去する傾向があるので、副基板の表面を平坦化することができる。又、ＣＭＰ法のようなウェットプロセスによらず、ドライエッチングというドライプロセスを用いることで、洗浄等が不要となるので表面粗さが小さい磁気記録媒体用基板を効率良く、低コストで製造することができる。
【００１２】
即ち、次のような本発明により、上記課題の解決を図ったものである。
【００１３】
（１）少なくとも片面がベース面とされた主基板と、該主基板の前記ベース面上に形成された副基板と、を有してなり、該副基板の表面粗さが、前記主基板のベース面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体用基板。
【００１４】
（２）前記副基板の表面の中心線平均粗さが１ｎｍ以下であることを特徴とする前記（１）の磁気記録媒体用基板。
【００１５】
（３）前記副基板の材料は、二酸化ケイ素、ケイ素、ダイヤモンドライクカーボン、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化クロム、炭化物、窒化物、ＩＴＯのいずれかを含む材料であることを特徴とする前記（１）又は（２）の磁気記録媒体用基板。
【００１６】
（４）前記主基板の材料は、ガラス、アルミナ、ケイ素、グラシーカーボン及び樹脂のいずれかを含む材料であることを特徴とする前記（１）乃至（３）のいずれかの磁気記録媒体用基板。
【００１７】
（５）前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の磁気記録媒体用基板の副基板上に、直接的又は間接的に記録層が形成されたことを特徴とする磁気記録媒体。
【００１８】
（６）少なくとも片面がベース面とされた主基板にバイアスパワーを印加しつつ前記ベース面上に非磁性材料を成膜して副基板を形成し、表面粗さが前記主基板のベース面の表面粗さよりも小さい磁気記録媒体用基板を得ることを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【００１９】
（７）少なくとも片面がベース面とされた主基板にバイアスパワーを印加しつつ前記ベース面上に非磁性材料を成膜して副基板を形成し、該副基板の表面をドライエッチングで加工して、表面粗さが前記主基板のベース面の表面粗さよりも小さい磁気記録媒体用基板を得ることを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【００２０】
（８）前記副基板の材料として、二酸化ケイ素、ケイ素、ダイヤモンドライクカーボン、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化クロム、炭化物、窒化物、ＩＴＯのいずれかを含む材料を用いることを特徴とする前記（６）又は（７）の磁気記録媒体用基板の製造方法。
【００２１】
（９）前記主基板の材料として、ガラス、アルミナ、ケイ素のいずれかを含む材料を用いることを特徴とする前記（６）乃至（８）のいずれかの磁気記録媒体用基板の製造方法。
【００２２】
（１０）少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面をドライエッチングを用いて平坦化することを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【００２３】
（１１）中心線平均粗さが１ｎｍ以下となるように表面を仕上げるようにしたことを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【００２４】
（１２）前記（６）乃至（１１）のいずれかに記載の磁気記録媒体用基板の製造方法により製造した磁気記録媒体用基板の前記副基板上に、直接的又は間接的に記録層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２５】
尚、本出願において「ダイヤモンドライクカーボン（以下、「ＤＬＣ」という）」という用語は、炭素を主成分とし、アモルファス構造であって、ビッカース硬度測定で２００〜８０００ｋｇｆ／ｍｍ2程度の硬さを示す材料という意義で用いることとする。
【００２６】
又、本出願において「ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）」という用語は、Ｉｎ２Ｏ３（酸化インジウム）を主成分とし、例えば５〜１０重量％程度の少量のＳｎＯ（酸化錫）が添加された材料の総称という意義で用いることとする。
【００２７】
又、本出願において、「イオンビームエッチング」という用語は、例えばイオンミリング等の、イオン化したガスを被加工体に照射して除去する加工方法の総称という意義で用いることとし、イオンビームを絞って照射する加工方法に限定しない。
【００２８】
更に、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔ  Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、表面粗さが小さい磁気記録媒体用基板を効率良く、低コストで製造することができる。従って、この磁気記録媒体用基板上に記録層等を形成することで、表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く、低コストで製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００３１】
図１に示されるように、本実施形態に係る磁気記録媒体用基板１０は、片面がベース面１２Ａとされた主基板１２と、該主基板１２のベース面１２Ａ上に形成された副基板１４と、を有してなり、副基板１４の表面粗さが、主基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さいことを特徴としている。
【００３２】
主基板１２は、厚さが約０．２〜１ｍｍで、材料はガラスとされている。
【００３３】
副基板１４は、厚さが約３０〜２００ｎｍで、材料は、ＳｉＯ２（二酸化ケイ素）、Ｓｉ（ケイ素）、ＤＬＣ、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）、ＣｒＯ（一酸化クロム）、Ｃｒ２Ｏ３（三酸化二クロム）、ＣｒＯ３（三酸化クロム）、炭化物、窒化物、ＩＴＯのいずれかを含む非磁性の材料とされている。炭化物としては具体的にはＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＴｉＣ（炭化チタン）、Ｃｒ３Ｃ２（二炭化三クロム）、Ｂ４Ｃ（炭化四ホウ素）、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ等を用いることができる。又、窒化物としては具体的にはＴｉＮ（窒化チタン）、Ｓｉ２Ｎ３（三窒化二ケイ素）、ｈＢＮ（六方最密構造の窒化ホウ素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）等を用いることができる。
【００３４】
副基板１４は、表面の中心線平均粗さが、１ｎｍ以下とされている。
【００３５】
次に、図２のフローチャートを参照しつつ、磁気記録媒体用基板１０の製造方法について説明する。
【００３６】
まず、主基板１２を成形する（Ｓ１０２）。具体的には、ガラスを加熱して溶融状態とし、プレス成形により板状に成形する。これにより、図３に示されるような、ベース面１２Ａの中心線平均粗さが約１０〜２０ｎｍの主基板１２が得られる。
【００３７】
次に、バイアススパッタリング法により主基板１２にバイアスパワー印加しつつ主基板１２のベース面１２Ａ上にＳｉＯ２、Ｓｉ、ＤＬＣ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｃｒ3Ｃ3、Ｃｒ３Ｏ２、炭化物、窒化物、ＩＴＯのいずれかを含む非磁性材料を成膜して副基板１４を形成する（Ｓ１０４）。
【００３８】
この際、スパッタリングによる非磁性材料の成膜作用と、バイアスパワーで付勢されるスパッタリングガスが既に成膜された非磁性材料の一部をエッチングするエッチング作用と、が同時に進行し、成膜作用がエッチング作用を上回ることで成膜が進行する。スパッタリングによる成膜作用は、主基板１２のベース面１２Ａの表面形状に倣って非磁性材料を成膜する傾向があるが、エッチング作用は、膜の突出した部位を他の部位よりも選択的に早く除去する傾向があるので、このエッチング作用により副基板１４は表面の凹凸が抑制されて成膜される。これにより、副基板１４は表面の中心線平均粗さが主基板１２のベース面１２Ａの中心線平均粗さよりも小さい、約０．５〜２ｎｍになり、前記図１に示されるような、磁気記録媒体用基板１０が完成する。
【００３９】
このように、本実施形態に係る磁気記録媒体用基板１０は、従来のような基板の研磨によらず、主基板１２に副基板１４をバイアススパッタリング法で成膜することで、表面粗さが小さく抑制され、生産効率が良く、低コストである。
【００４０】
例えば、主基板１２の材料として、形状の安定性に優れたガラス等の材料を用い、副基板１４の材料として、バイアススパッタリングによる成膜がガラス等よりも容易なＳｉＯ２等の材料を用いることで、表面粗さが小さく、形状安定性に優れ、低コストな磁気記録媒体用基板を実現することができる。
【００４１】
このような、表面粗さが小さく低コストな磁気記録媒体用基板１０上に記録層等を形成することにより、表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く、低コストで製造することができる。
【００４２】
尚、本第１実施形態において、バイアススパッタリング法を用いて主基板１２に副基板１４を成膜しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、被加工体の方向にバイアスパワーを印加しつつ主基板１２の表面に副基板１４を成膜できれば成膜手法は特に限定されず、例えばバイアスパワーを印加するＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＩＢＤ（Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の他の成膜手法を用いて副基板１４を成膜・形成してもよい。
【００４３】
次に本発明の第２実施形態について説明する。
【００４４】
本第２実施形態は、図４のフローチャートに示されるように、前記第１実施形態における副基板成膜工程（Ｓ１０４）の後に、副基板１４の表面をイオンビームエッチングで加工して、更に平坦化する副基板平坦化工程（Ｓ２０２）を設けたことを特徴としており、前記第１実施形態に係る磁気記録媒体用基板１０よりも表面粗さが小さい、図５に示されるような磁気記録媒体用基板２０を得るようにしたものである。他の構成については、前記第１実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００４５】
具体的には、バイアススパッタリング等により成膜された副基板１４の表面に対して傾斜した方向からＡｒ（アルゴン）等のイオンビームを照射して、副基板１４の表面を除去しつつ平坦化する。この際、イオンビームの入射角は−１０〜１５°の範囲とすることが好ましい。尚、副基板成膜工程（Ｓ１０４）で良好な平坦性が得られていれば、Ａｒイオンの入射角は３０〜９０°の範囲としてもよい。このようにすることで、加工速度が速くなり、生産効率を高めることができる。ここで「入射角」とは、副基板１４の表面に対する入射角度であって、被加工体の表面とイオンビームの中心軸とが形成する角度という意義で用いることとする。例えば、イオンビームの中心軸が副基板１４の表面と平行である場合、入射角は０°であり、イオンビームが副基板１４の表面に対して垂直に入射する場合、入射角は＋９０°である。
【００４６】
イオンビームエッチングは、表面の突出した部位を他の部位よりも選択的に早く除去する傾向があるので、副基板１４は表面が更に平坦化されて中心線平均粗さは、約０．１〜１ｎｍになり、前記図５に示されるような、磁気記録媒体用基板１０が完成する。
【００４７】
このように、バイアススパッタリング法で成膜した副基板１４の表面をイオンビームエッチング法で更に平坦化することで、表面粗さを一層小さく抑制することができる。
【００４８】
本第２実施形態では、副基板１４の材料として、バイアススパッタリングによる成膜、イオンビームエッチングによる平坦化加工がガラス等よりも容易なＳｉＯ２等の材料を用いることが好ましい。
【００４９】
尚、本第２実施形態では、イオンビームエッチングを用いて副基板１４の表面を平坦化しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば反応性イオンエッチングや反応性イオンビームエッチング等の他のドライエッチングの手法を用いて副基板１４の表面を平坦化してもよい。
【００５０】
又、前記第１及び第２実施形態は、磁気記録媒体用基板１０が、主基板１２のベース面１２Ａ上に副基板１４を形成した二層構成であるが、本発明はこれに限定されるものではなく、三層以上の構成の磁気記録媒体用基板としてもよい。例えば、主基板上にまず、バイアススパッタリング等のバイアスパワーを印加する成膜手法に好適な材料の第１の副基板を形成し、該第１の副基板上に更に、イオンビームエッチング等のドライエッチングの加工に好適な材料の第２の副基板を形成してもよい。
【００５１】
次に本発明の第３実施形態について説明する。
【００５２】
本第３実施形態は、前記第１実施形態が、磁気記録媒体用基板１０を、主基板１２のベース面１２Ａ上に副基板１４を形成した二層構成としているのに対し、図６のフローチャートに示されるように、基板をプレス成形し（Ｓ３０２）、該基板のベース面（前記図３参照）を直接イオンビームエッチングで平坦化して（Ｓ３０４）、表面粗さが小さい単層の磁気記録媒体用基板を製造するようにしたものである。本第３実施形態は、ドライプロセス（イオンビームエッチング）で磁気記録媒体用基板を平坦化しているので、従来のＣＭＰ法のようなウェットプロセスを用いる製造方法に対し、磁気記録媒体用基板を効率良く、低コストで製造することができる。又、副基板の成膜が不要であるので、この点でも生産効率を高めることができる。
【００５３】
尚、本第３実施形態では、イオンビームエッチングを用いて主基板１２のベース面１２Ａを平坦化しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば反応性イオンエッチングや反応性イオンビームエッチング等の他のドライエッチングの手法を用いて主基板１２のベース面１２Ａを平坦化してもよい。
【００５４】
以上説明した第１〜第３実施形態のうち、いずれの製造方法を採用するかは、主基板、副基板の材料、要求される磁気記録媒体用基板の表面粗さ等に応じて適宜選択すればよい。
【００５５】
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
【００５６】
本第４実施形態は、図７に示されるような磁気記録媒体４０に係るものであり、この磁気記録媒体４０は、前記第２実施形態に係る磁気記録媒体用基板２０の副基板１４上に、記録層４２等が形成されたことを特徴としている。他の構成については従来の磁気記録媒体と同様であるので説明を省略することとする。
【００５７】
磁気記録媒体４０は、磁気記録媒体用基板２０の副基板１４上に配向層４１、記録層４２、保護層４４、潤滑層４６がこの順で形成された構成とされている。
【００５８】
配向層４１は、材料がＣｒ（クロム）、非磁性のＣｏＣｒ（コバルト−クロム）合金、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）、Ｔｉ（チタン）等で、厚さは５〜３０ｎｍである。
【００５９】
記録層４２は、材料がＣｏＣｒ合金で、厚さが５〜３０ｎｍである。
【００６０】
保護層４４は、材料が前述のＤＬＣと呼称される硬質炭素膜で、厚さが１〜５ｎｍである。
【００６１】
潤滑層４６は、材料がＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）で、厚さが１〜２ｎｍである。
【００６２】
この磁気記録媒体４０は、図８のフローチャートに示されるように、磁気記録媒体用基板２０の副基板１４上にスパッタリング法により、配向層４１、記録層４２を形成し（Ｓ４０２）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により保護層４４を形成し（Ｓ４０４）、更に、ディッピング法により潤滑層４６を形成する（Ｓ４０６）ことにより得られる。
【００６３】
磁気記録媒体用基板２０の副基板１４の表面粗さが小さいので、配向層４１、記録層４２、保護層４４、潤滑層４６の表面粗さも小さく抑制される。
【００６４】
このように、生産効率が良く、低コストな磁気記録媒体用基板２０を用いることで、表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く低コストで製造することができる。
【００６５】
次に、本発明の第５実施形態について説明する。
【００６６】
本第５実施形態は、図９に示されるような磁気記録媒体５０に係るものであり、この磁気記録媒体５０は、前記第４実施形態に係る磁気記録媒体４０に対し、磁気記録媒体用基板２０の副基板１４上に、下地層５２、軟磁性層５４、配向層５６が形成され、これらの層を介して記録層２２が間接的に形成された垂直記録型である。他の構成については前記第４実施形態と同様であるので、図７及び図８と同じ符号を付することとして説明を省略することとする。
【００６７】
下地層５２は、材料がＴａ（タンタル）、Ｃｒ又はＣｒ合金で、厚さが３０〜２００ｎｍである。
【００６８】
軟磁性層５４は、材料がＦｅ（鉄）合金又はＣｏ（コバルト）合金で、厚さが５０〜３００ｎｍである。
【００６９】
配向層５６は、材料がＣｒ、非磁性のＣｏＣｒ合金、ＭｇＯ、Ｔｉ等で、厚さが３〜３０ｎｍである。
【００７０】
この磁気記録媒体５０は、磁気記録媒体用基板１０の副基板１４上にスパッタリング法により、下地層５２、軟磁性層５４、配向層５６を形成し、更に、記録層４２、保護層４４、潤滑層４６を前記第４実施形態と同様の手法で形成することにより得られる。
【００７１】
磁気記録媒体５０も、前記第４実施形態に係る磁気記録媒体４０と同様に、生産効率が良く、低コストな磁気記録媒体用基板２０を用いることで、表面粗さを小さく抑制しつつ効率良く低コストで製造することが可能である。
【００７２】
次に、本発明の第６実施形態について説明する。
【００７３】
本第６実施形態は、図１０に示されるような磁気記録媒体６０に係るものであり、この磁気記録媒体６０は、前記第５実施形態に係る磁気記録媒体５０に対し、記録層６２が多数の記録要素６２Ａに分割され、記録要素６２Ａの間の凹部に非磁性材６４が充填されたディスクリートタイプである。尚、記録要素６２Ａの間の凹部の側面及び底面には隔膜６６が形成されている。他の構成については前記第５実施形態と同様であるので、図９と同じ符号を付することとして説明を省略することとする。
【００７４】
非磁性材６４は、材料がＳｉＯ２（二酸化ケイ素）等である。又、隔膜６６は、材料が前述のＤＬＣと呼称される硬質炭素膜である。
【００７５】
この磁気記録媒体６０は、磁気記録媒体用基板２０の副基板１４上にスパッタリング法等により、下地層５２、軟磁性層５４、配向層５６、連続記録層（図示省略）、及び複数のマスク層（図示省略）、レジスト層（図示省略）等を形成し、リソグラフィ、ドライエッチングの手法を用いて連続記録層を多数の記録要素６２Ａに分割して記録層６２を形成してから、ＣＶＤ法等により隔膜６６を形成し、バイアススパッタリング法等により非磁性材６４を記録要素６２Ａの間の凹部に充填し、イオンビームエッチング等により平坦化してから、保護層４４、潤滑層４６を形成することにより得られる。
【００７６】
尚、本発明の理解に特に必要とは思われないため、連続記録層を分割加工するためのマスク層、レジスト層の材料、リソグラフィ、ドライエッチング等の手法等については説明を省略する。
【００７７】
磁気記録媒体６０も、生産効率が良く、低コストな磁気記録媒体用基板２０を用いることで、表面粗さを小さく抑制しつつ効率良く低コストで製造することが可能である。
【００７８】
尚、前記第４〜第６実施形態は、前記第２実施形態に係る磁気記録媒体用基板２０に記録層等を形成したものであるが、前記第１実施形態、第３実施形態により得られる磁気記録媒体用基板に記録層等を形成する場合も、前記第４〜第６実施形態と同様に、表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く低コストで製造することができる。
【００７９】
又、前記第１〜第３実施形態は、主基板１２の片面がベース面１２Ａとされ、前記第４〜第６実施形態は、磁気記録媒体用基板２０の片面に記録層等を形成しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、主基板の両面をベース面として、主基板の両面にバイアススパッタリング法等のバイアスパワーを印加する成膜手法により副基板を形成し、磁気記録媒体用基板の両面に記録層等を形成すれば、両面の表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く低コストで製造することができる。副基板の表面は更にイオンビームエッチング等のドライエッチングで平坦化してもよい。
【００８０】
又、主基板の両面のベース面を直接イオンビームエッチング等のドライエッチングで平坦化し、磁気記録媒体用基板の両面に記録層等を形成してもよい。又、主基板の一方のベース面にバイアススパッタリング法等のバイアスパワーを印加する成膜手法により副基板を形成し、他方のベース面をイオンビームエッチング等のドライエッチングで平坦化してもよい。
【００８１】
又、前記第４〜第６実施形態は、前記第１〜第３実施形態に係る磁気記録媒体用基板を利用した磁気記録媒体の一部の例を示したものであり、前記第１〜第３実施形態に係る磁気記録媒体用基板を用いれば、表面粗さを抑制しつつ効率良く低コストで、他の種々の構成の磁気記録媒体も製造することができる。
【００８２】
又、前記第１〜第６実施形態において、主基板１２の材料はガラスであるが、本発明はこれに限定されるものではなく、主基板の材料としてＡｌ２Ｏ３（アルミナ）、Ｓｉ（ケイ素）、グラシーカーボン、樹脂等を含む非磁性材料を用いてもよい。又、副基板１４の材料として、ＳｉＯ２（二酸化ケイ素）、Ｓｉ、ＤＬＣ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｃｒ3Ｃ3、Ｃｒ３Ｏ２、炭化物、窒化物、ＩＴＯが例示されているが、他の非磁性材料を用いてもよい。尚、副基板１４の材料としては、バイアスパワーを印加する成膜手法、ドライエッチングによる加工に適した材料を用いることが好ましい。
【００８３】
又、前記第４〜第６実施形態において、記録層４２（６２）の材料はＣｏＣｒ合金であるが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、鉄属元素（Ｃｏ、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ）を含む他の合金、これらの積層体等の他の材料の記録層で構成される磁気記録媒体の製造のためにも本発明を適用可能である。
【００８４】
又、前記第５及び第６実施形態において、記録層４２（６２）の下に下地層５２、軟磁性層５４、配向層５６が形成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、記録層４２（６２）の下の層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば、下地層１４、軟磁性層１６、配向層１８のうち一又は二の層を省略してもよい。又、各層が複数の層で構成されていてもよい。
【００８５】
又、前記第６実施形態において、磁気記録媒体６０は記録要素６２Ａがトラックの径方向に微細な間隔で並設した垂直記録型のディスクリートタイプの磁気記録媒体であるが、本発明はこれに限定されるものではなく、記録要素がトラックの周方向（セクタの方向）に微細な間隔で並設された磁気ディスク、トラックの径方向及び周方向の両方向に微細な間隔で並設された磁気ディスク、記録要素が螺旋形状をなす磁気ディスクの製造についても本発明は当然適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録ディスクに対しても本発明は適用可能である。
【実施例１】
【００８６】
前記第１実施形態のとおり、磁気記録媒体用基板１０を作製した。具体的には、まず、直径が約２１．６ｍｍ、厚さが約０．３８ｍｍで内径が約６．０ｍｍの中心孔を有するガラス製の主基板１２をプレス成形した。この主基板１２のベース面１２ＡをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像したところ図１１に示されるような画像が得られた。図１１に基づいて、主基板１２のベース面１２Ａの表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約１２．３７ｎｍだった。
【００８７】
次に、バイアススパッタリング法により、主基板１２のベース面１２Ａ上に、副基板１４を約５００ｎｍの厚さで成膜した。
【００８８】
バイアススパッタリングにはＡｒガスを用い、バイアススパッタリング条件を以下のように設定した。
【００８９】
Ａｒガス流量    ：１００ｓｃｃｍ
ガス圧          ：１．０Ｐａ
投入電力        ：５００Ｗ
基板バイアス電圧：２５０Ｗ
【００９０】
この副基板１４の表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像したところ図１２に示されるような画像が得られた。図１２に基づいて、副基板１４の表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約０．８３ｎｍだった。即ち、主基板１２のベース面１２Ａの表面粗さに対して、副基板１４の表面粗さが大幅に低減されていることが確認された。
【実施例２】
【００９１】
前記第２実施形態のとおり、磁気記録媒体用基板２０を作製した。具体的には、まず、上記実施例１で得られた磁気記録媒体用基板１０の副基板１４の表面をイオンビームエッチングで平坦化した。イオンビームエッチングにはＡｒガスを用い、イオンビームエッチング条件は以下のように設定し、磁気記録媒体用基板２０を回転させながら加工した。
【００９２】
Ａｒガス流量      ：１１ｓｃｃｍ
ガス圧            ：０．０５Ｐａ
ビーム電圧        ：５００Ｖ
ビーム電流        ：５００ｍＡ
サプレッサー電圧  ：４００Ｗ
イオンビーム入射角：３°
【００９３】
このようにして得られた磁気記録媒体用基板２０の副基板１４の表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像したところ図１３に示されるような画像が得られた。図１３に基づいて、副基板１４の表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約０．５９ｎｍだった。即ち、実施例１よりも、副基板１４の表面粗さが更に低減されていることが確認された。
【実施例３】
【００９４】
前記第３実施形態のとおり、磁気記録媒体用基板を作製した。具体的には、まず、上記実施例１で得られた主基板１２のベース面１２Ａをイオンビームエッチングで平坦化した。イオンビームエッチングには実施例２と同様にＡｒガスを用い、イオンビームエッチング条件も実施例２と同様とした。
【００９５】
このようにして得られた磁気記録媒体用基板の表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像したところ図１４に示されるような画像が得られた。図１４に基づいて、表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約０．７１ｎｍだった。即ち、主基板１２のベース面１２Ａの表面粗さがイオンビームエッチングにより大幅に低減されていることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００９６】
本発明は、表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く、低コストで製造するために利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る磁気記録媒体用基板の構造を模式的に示す側断面図
【図２】同磁気記録媒体用基板の製造方法の概略を示すフローチャート
【図３】同磁気記録媒体用基板の主基板のプレス成形後の形状を模式的に示す側断面図
【図４】本発明の第２実施形態に係る磁気記録媒体用基板の製造方法の概略を示すフローチャート
【図５】同磁気記録媒体用基板の製造方法の構造を模式的に示す側断面図
【図６】本発明の第３実施形態に係る磁気記録媒体用基板の製造方法の概略を示すフローチャート
【図７】本発明の第４実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図８】同磁気記録媒体の製造方法の概略を示すフローチャート
【図９】本発明の第５実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図１０】本発明の第６実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図１１】本発明の実施例１に係るプレス成形後の主基板のベース面を拡大して示すＡＦＭ画像
【図１２】同実施例１に係る副基板の表面を拡大して示すＡＦＭ画像
【図１３】本発明の実施例２に係るイオンビームエッチング後の副基板の表面を拡大して示すＡＦＭ画像
【図１４】本発明の実施例３に係るイオンビームエッチング後の基板の表面を拡大して示すＡＦＭ画像
【符号の説明】
【００９８】
１０、２０…磁気記録媒体用基板
１２…主基板
１２Ａ…ベース面
１４…副基板
４０、５０、６０…磁気記録媒体
４１、５６…配向層
４２、６２…記録層
４４…保護層
４６…潤滑層
５２…下地層
５４…軟磁性層
６２Ａ…記録要素
６４…非磁性体
６６…隔膜
Ｓ１０２…主基板成形工程
Ｓ１０４…副基板成膜工程
Ｓ２０２…副基板平坦化工程
Ｓ３０２…基板成形工程
Ｓ３０４…基板平坦化工程
Ｓ４０２…配向層、記録層形成工程
Ｓ４０４…保護層形成工程
Ｓ４０６…潤滑層形成工程
【図１】
2005085339.tif 000003
【図２】
2005085339.tif 000004
【図３】
2005085339.tif 000005
【図４】
2005085339.tif 000006
【図５】
2005085339.tif 000007
【図６】
2005085339.tif 000008
【図７】
2005085339.tif 000009
【図８】
2005085339.tif 000010
【図９】
2005085339.tif 000011
【図１０】
2005085339.tif 000012
【図１１】
2005085339.tif 000013
【図１２】
2005085339.tif 000014
【図１３】
2005085339.tif 000015
【図１４】
2005085339.tif 000016
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月27日(2004.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
少なくとも片面がベース面とされた主基板の前記ベース面上に非磁性材料を成膜して副基板を形成し、該副基板の表面をドライエッチングで加工して、表面粗さが前記主基板のベース面の表面粗さよりも小さい磁気記録媒体用基板を得ることを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
又、本発明は、磁気記録媒体用基板のベース面を例えば、イオンビームエッチング等のドライエッチングで平坦化することで表面粗さが小さい低コストな磁気記録媒体用基板を実現したものである。即ち、ドライエッチングも、バイアスパワーを印加する成膜手法のエッチング作用と同様に、膜の突出した部位を他の部位よりも選択的に早く除去する傾向があるので、基板の表面を平坦化することができる。又、ＣＭＰ法のようなウェットプロセスによらず、ドライエッチングというドライプロセスを用いることで、洗浄等が不要となるので表面粗さが小さい磁気記録媒体用基板を効率良く、低コストで製造することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（７）少なくとも片面がベース面とされた主基板の前記ベース面上に非磁性材料を成膜して副基板を形成し、該副基板の表面をドライエッチングで加工して、表面粗さが前記主基板のベース面の表面粗さよりも小さい磁気記録媒体用基板を得ることを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
更に、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
このように、副基板１４の表面をイオンビームエッチング法で平坦化することで、表面粗さを小さく抑制することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
又、前記第１〜第３実施形態は、主基板１２の片面がベース面１２Ａとされ、前記第４〜第６実施形態は、磁気記録媒体用基板２０の片面に記録層等を形成しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、主基板の両面をベース面として、主基板の両面にバイアススパッタリング法等のバイアスパワーを印加する成膜手法により副基板を形成し、磁気記録媒体用基板の両面に記録層等を形成すれば、両面の表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く低コストで製造することができる。副基板の表面はイオンビームエッチング等のドライエッチングで平坦化してもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
Ａｒガス流量    ：１００ｓｃｃｍ
ガス圧          ：１．０Ｐａ
投入電力        ：５００Ｗ
基板バイアス電力：２５０Ｗ
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
Ａｒガス流量      ：１１ｓｃｃｍ
ガス圧            ：０．０５Ｐａ
ビーム電圧        ：５００Ｖ
ビーム電流        ：５００ｍＡ
サプレッサー電圧  ：４００Ｖ
イオンビーム入射角：３°
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2005085339.tif 000017
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2005085339.tif 000018
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2005085339.tif 000019