(57)【要約】【課題】  ＲＦ信号が測定値に影響しないような高周波回路の特性測定方法を提供する。【解決手段】  ＲＦ測定用プローブヘッド３０，３２による高周波回路の特性測定に先立って、誘電体基板１２上に配設された一つの特性インピーダンスを有して延在した信号用線路１４と、この信号用線路１４の第１の端部１４ａに近接し、所定の間隔を設けてその一端が配設された第１ＧＮＤパッド１４と、信号用線路の第２の端部に近接し、所定の間隔を設けてその一端が配設された第２ＧＮＤパッド２４と、第１ＧＮＤパッド１４と第２ＧＮＤパッド２４とを接続する導電体としてスルーホール電極１８とバイアホール２０と裏面金属層２２とを備えた校正用パターン１０を使用して、ＲＦ測定用プローブヘッド３０，３２の校正を行う。【選択図】        図３
2005331298.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板上に、一つの特性インピーダンスを有して延在し第１，第２の端部を有した信号用線路と、この信号用線路の上記第１の端部に近接し、所定の間隔を設けてその一端が配設された第１の定電位用線路と、上記信号用線路の上記第２の端部に近接し、所定の間隔を設けてその一端が配設された第２の定電位用線路と、上記第１の定電位用線路と上記第２の定電位用線路とを電気的もしくは高周波的に接続する導電体とを備えた校正用パターンを準備する工程と、
信号用端子と定電位用端子の配列が同じである第１、第２の特性測定用プローブヘッドを用い、被測定回路の測定に先立って、第１の測定用プローブヘッドの信号用端子と定電位用端子とをそれぞれ対応する上記校正用パターンの信号用線路の第１の端部と第１の定電位用線路の一端に接触させ、第２の特性測定用プローブヘッドの信号用端子と定電位用端子とをそれぞれ対応する上記校正用パターンの信号用線路の第２の端部と第２の定電位用線路の一端に接触させ、校正を行う工程と、を含む高周波回路の特性測定方法。
【請求項２】
基板と、
この基板上に、一つの特性インピーダンスを有して延在し第１，第２の端部を有した信号用線路と、
この信号用線路の上記第１の端部に近接し、所定の間隔を設けてその一端が配設された第１の定電位用線路と、
上記信号用線路の上記第２の端部に近接し、所定の間隔を設けてその一端が配設された第２の定電位用線路と、
上記第１の定電位用線路と上記第２の定電位用線路とを電気的もしくは高周波的に接続する導電体と、
を備えた校正用パターン。
【請求項３】
第１、第２の定電位用線路の一端が、信号用線路の延長方向に配設されたことを特徴とする請求項２記載の校正用パターン。
【請求項４】
第１、第２の定電位用線路の一端が信号用線路の側部に沿って配設され、上記信号用線路を介して互いに対向したことを特徴とする請求項２記載の校正用パターン。
【請求項５】
第１の定電位用線路の一端と信号用線路を介して正面に対向する一端を有し、第１、第２の定電位用線路の他端が電気的もしくは高周波的に接続された電導体に他端が電気的もしくは高周波的に接続された第３の定電位用線路がさらに配設されたことを特徴とする請求項４記載の校正用パターン。
【請求項６】
第２の定電位用線路の一端と信号用線路を介して正面に対向する一端を有し、第１、第２の定電位用線路の他端が電気的もしくは高周波的に接続された電導体に他端が電気的もしくは高周波的に接続された第４の定電位用線路がさらに配設されたことを特徴とする請求項５記載の校正用パターン。
【請求項７】
請求項２ないし６のいずれか１項に記載の校正用パターンと、
この校正用パターンが取り替え可能に装着される凹部が表面に配設された誘電体基板と、
を備えた校正用治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高周波回路のＲＦ測定方法及び校正用パターンならびに校正用治具に関するもので、特に移動体通信、光通信、衛星通信などのマイクロ波帯、ミリ波帯の通信機器に用いられる高周波回路のＲＦ測定方法及び校正用パターンならびに校正用治具に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、マイクロ波帯、ミリ波帯において使用される通信機器はますます小形化され、これに伴って高周波回路装置もさらに小形化が要求されるとともに、この高周波回路装置に使用される高周波回路についても適正な品質が要求される。高周波回路の品質を的確に評価するためには、高周波回路のＲＦ測定を精度の高い測定方法により行う必要があり、ＲＦ測定の基準を設定するための正確な校正方法が求められるようになってきた。
高周波回路のＲＦ測定はオンウエハで行われ、通常このオンウエハＲＦ測定は信号端子とＧＮＤ端子を有するＲＦ測定用プローブヘッドを２つ対向させて使用するので、ＲＦ測定用プローブヘッドの校正用パターンも使用するＲＦ測定用プローブヘッドに対応した校正用パターンが必要になる。
【０００３】
ＲＦ測定用プローブヘッドは、通常３種類のプローブヘッドがある。第１は接触子が３本ある形式であり、一つの信号端子とこの信号端子の両側にそれぞれ一つのＧＮＤ端子を設けたもので、たとえばＧＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドと名づける。
第２は接触子が２本ある形式で、一つの信号端子と一つのＧＮＤ端子とを有し、ＲＦ測定用プローブヘッド側から接触子を見て信号端子が左側に、ＧＮＤ端子が右側に配列されたもので、たとえばＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドと名づける。
第３はやはり接触子が２本ある形式であるが、第２のＳＧタイプＲＦ測定用プローブヘッドにおける信号端子とＧＮＤ端子の配置が左右交替した形式のものであり、ＲＦ測定用プローブヘッド本体側から見てＧＮＤ端子が左側に信号端子が右側に配列されたもので、たとえばＧＳタイプのＲＦ測定用プローブヘッドと名づける。
【０００４】
高周波回路のＲＦ測定に際して、測定用プローブヘッドは二つ対向させて使用するので、このような二つの測定用プローブヘッドに対応した校正用パターンが必要になる。
第１の形式のＧＳＧタイプＲＦ測定用プローブヘッドを二つ対向させて使用する場合の構成パターンとしては、所定の特性インピーダンスを有する一本の信号用線路と、この信号用線路の両側に添って設けた２本のＧＮＤ用線路を設けた校正用パターンを使用することにより２つのＧＳＧタイプＲＦ測定用プローブヘッドの校正が可能となる。
また、第２の形式のＳＧタイプＲＦ測定用プローブヘッドと第３の形式のＧＳタイプＲＦ測定用プローブヘッドを使用する場合、ＳＧタイプＲＦ測定用プローブヘッドとＧＳタイプＲＦ測定用プローブヘッドとを対向させると、信号端子同士、ＧＮＤ端子がそれぞれ対向することになり、所定の特性インピーダンスを有する一本の信号用線路と、この信号用線路の片側に添って設けた２本のＧＮＤ用線路を設けた校正用パターンを使用することにより、同じ信号用線路を共に接触でき、同時に同じＧＮＤ用線路を共に接触させることができるので、２つのＲＦ測定用プローブヘッドの校正が可能となる。
【０００５】
しかしながら、第２の形式のＳＧタイプＲＦ測定用プローブヘッド同士、あるいは第３の形式のＧＳタイプＲＦ測定用プローブヘッド同士を使用する場合には、ＳＧタイプＲＦ測定用プローブヘッドあるいはＧＳタイプＲＦ測定用プローブヘッド同士を対向させ、それぞれの信号端子を校正用パターンの信号用線路に接触させると、２つのＲＦ測定用プローブヘッドのＧＮＤ端子が信号用線路の左右に配置されることになり、ＧＮＤ用線路が信号用線路の左右に配設することが必要になる。
ただし第１の形式のＧＳＧタイプＲＦ測定用プローブヘッドの校正に用いた校正用パターン、すなわち信号用線路の両側に添って設けた２本のＧＮＤ用線路を設けた校正用パターンを、単に使用すると、ＧＮＤ用線路が分離しているので、校正を行うことができない。このため例えば、２本のＧＮＤ用線路の一端を互いに接続して信号用線路を囲むか、あるいは２本のＧＮＤ用線路の両端を互いに接続して信号用線路周囲を全く囲むかしたパターンを用いると、校正に際して、少なくとも一方のＲＦ測定用プローブヘッドの信号端子が校正用パターンのＧＮＤ用線路の上を越えるように配置されることになる。
【０００６】
なお公知技術して、半導体集積回路装置の特性検査に際しての寄生インダクタンスを抑制し、高周波の特性検査を可能にするためにＩＣチップの表面に入力信号電極および出力信号電極と、入力接地電極および出力接地電極がそれぞれ対をなして配設され、これらの入力接地電極および出力接地電極はＩＣチップの厚さ方向に開設した貫通孔内に設けた導電体を介してチップの裏面に設けた裏面電極にそれぞれ電気的に接続し、この裏面電極を介して相互に電気接続し接地の共通化を図っている例が開示されている（例えば、特許文献１、段落番号［０００５］〜［０００６］、図１及び図２参照）。
また他の公知技術として、マイクロ波やミリ波の高周波回路において方形オープンスタブ構造では、オープンスタブ開放端よりλ／４長の位置で電圧振幅が零となり、高周波的なグランド形成されることが開示されている（例えば、特許文献２、段落番号［０００６］、図５参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開平５−１５２３９５号公報
【特許文献２】特開２０００−１０１３０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のようにＲＦ測定用プローブヘッドの信号端子が校正用パターンのＧＮＤ用線路の上を越えるように配置されると、ＲＦ信号が測定値に影響し、信号周波数の増加に伴って測定値が大きく偏倚する。例えば特性インピーダンスが５０Ωのスルーパターンを測定したときの入力側反射特性を見ると、周波数の増加に伴いインピーダンスが５０Ωから大きく偏倚する。
しかしながら従来は、異なる種類の測定用プローブヘッドを用いて行ったＲＦ測定、例えばＳＧタイプＲＦ測定用プローブヘッドとＧＳタイプＲＦ測定用プローブヘッドを使用してＲＦ測定が実施できる高周波回路が使用されていたが、最近の高周波回路の小型化と高性能化を行うためには回路配置の自由度を高めることが必要になり、接触子の配列が異なる種類の測定用プローブヘッドを用いた回路の特性測定では、ＲＦ測定が実施できなくなる場合も発生し、ＳＧタイプＲＦ測定用プローブヘッド同士、あるいは第３の形式のＧＳタイプＲＦ測定用プローブヘッド同士用いて、ＲＦ測定を行う必要が生じてきた。
【０００９】
このため上述したようにＳＧタイプＲＦ測定用プローブヘッド同士、あるいは第３の形式のＧＳタイプＲＦ測定用プローブヘッド同士用いた場合、従来の校正パターンではＲＦ測定用プローブヘッドの正確な校正ができないという問題点が新たに発生してきた。
この発明は上記の問題点を解決するためになされたもので、第１の目的はＲＦ信号の測定に際して、ＲＦ信号が測定値に影響しないような高周波回路の特性測定方法を提供することであり、第２の目的はＲＦ信号の測定に際して、ＲＦ信号が測定値に影響しないような校正用パターンを提供することであり、第３の目的はＲＦ信号の測定に際して、ＲＦ信号が測定値に影響しないような校正用パターンを簡単に取り替え可能とした校正用治具を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明に係る高周波回路の特性測定方法は、基板と、この基板上に、一つの特性インピーダンスを有して延在し第１，第２の端部を有した信号用線路と、この信号用線路の第１の端部に近接し、所定の間隔を設けてその一端が配設された第１の定電位用線路と、信号用線路の第２の端部に近接し、所定の間隔を設けてその一端が配設された第２の定電位用線路と、第１の定電位用線路と第２の定電位用線路とを電気的もしくは高周波的に接続する導電体とを備えた校正用パターンを準備する工程と、信号用端子と定電位用端子の配列が同じである第１、第２の特性測定用プローブヘッドを用い、被測定回路の測定に先立って、第１の測定用プローブヘッドの信号用端子と定電位用端子とをそれぞれ対応する校正用パターンの信号用線路の第１の端部と第１の定電位用線路の一端に接触させ、第２の特性測定用プローブヘッドの信号用端子と定電位用端子とをそれぞれ対応する校正用パターンの信号用線路の第２の端部と第２の定電位用線路の一端に接触させ、校正を行う工程と、を含むものである。
【００１１】
また、この発明に係る校正用パターンは、基板と、この基板上に、一つの特性インピーダンスを有して延在し第１，第２の端部を有した信号用線路と、この信号用線路の第１の端部に近接し、所定の間隔を設けてその一端が配設された第１の定電位用線路と、信号用線路の第２の端部に近接し、所定の間隔を設けてその一端が配設された第２の定電位用線路と、第１の定電位用線路と第２の定電位用線路とを電気的もしくは高周波的に接続する電導体と、を備えたものである。
【００１２】
また、この発明に係る校正用治具は、請求項２ないし６のいずれか１項に記載の校正用パターンと、この校正用パターンが取り替え可能に装着される凹部が表面に配設された誘電体基板と、を備えたものである。
【発明の効果】
【００１３】
この発明に係る高周波回路の特性測定方法においては、第１、第２の特性測定用プローブヘッドの信号用端子のいずれもが、校正用パターンの定電位用線路を越えて配設されないので、第１、第２の特性測定用プローブヘッドの信号用端子のいずれにもＲＦ信号の影響が及ばないので、正確な校正ができ、高周波回路の特性測定が正確に行われる。延いては高周波回路の選定を精度よく行うことができ、高周波回路装置の歩留まりを向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
実施の形態１．
図１はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。図２は図１のＩＩ−ＩＩ断面におけるＲＦ測定用校正パターンの断面図である。なお各図において同じ符号は同一のものか相当のものであることを示す。
図１及び図２において、この実施の形態１の一例であるＲＦ測定用校正パターン１０が示されている。
ＲＦ測定用校正パターン１０は基板としての誘電体基板１２が使用されている。誘電体基板１２の表面上に特定の特性インピーダンス例えば５０Ωを有する信号用線路１４が配設され、この信号用線路１４は一直線状で両端を有し、金属層１４１の表面に金メッキ層１４２が配設されている。この信号用線路１４の両端を例えば、第１の端部１４ａ、第２の端部１４ｂとする。
信号用線路１４の第１の端部１４ａと所定の間隔を設けて第１の定電位用線路としての第１ＧＮＤパッド１６が設けられている。第１ＧＮＤパッド１６は、信号用線路１４の長手方向の延長線上に先端部を有し、信号用線路１４と電気的に分離されている。この第１ＧＮＤパッド１６のもう一方の端部はスルーホール電極１８と接続されている。
【００１５】
第１ＧＮＤパッド１６はこのスルーホール電極１８と誘電体基板１２の厚み方向に穿孔された貫通孔に導電体を埋め込んだバイアホール２０とを介して、誘電体基板１２の裏面に配設された裏面金属層２２に接続されている。第１ＧＮＤパッド１６は金属層１６１の表面に金メッキ層１６２が配設された構成である。この実施の形態では第１ＧＮＤパッド１６に接続されたスルーホール電極１８は第１ＧＮＤパッド１６と同じ金属層１６１で形成されている。
また信号用線路１４の第２の端部１４ｂと所定の間隔を設けて第２の定電位用線路としての第２ＧＮＤパッド２４が設けられている。第２ＧＮＤパッド２４は、信号用線路１４の長手方向の延長線上に先端部を有し、信号用線路１４と電気的に分離されている。この第２ＧＮＤパッド２４のもう一方の端部はスルーホール電極１８と接続されている。
第２ＧＮＤパッド２４はこのスルーホール電極１８と誘電体基板１２の厚み方向に穿孔された貫通孔に導電体を埋め込んだバイアホール２０とを介して、誘電体基板１２の裏面に配設された裏面金属層２２に接続されている。第２ＧＮＤパッド２４は金属層２４１の表面に金メッキ層２４２が配設された構成である。この実施の形態１では第２ＧＮＤパッド２４に接続されたスルーホール電極１８は第２ＧＮＤパッド２４と同じ金属層２４１で形成されている。
【００１６】
従って、第１ＧＮＤパッド１６と第２ＧＮＤパッド２４はスルーホール電極１８とバイアホール２０と裏面金属層２２とを導電体とし、この導電体を介して電気的に接続されている。なおここでは第１ＧＮＤパッド１６と第２ＧＮＤパッド２４として、接地しているようになっているが、スルーホール電極１８とバイアホール２０と裏面金属層２２とにより電気的に導通しておれば必ずしも接地していなくても良い。
図３はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンとＲＦ測定用プローブヘッドとの接触を示す模式図である。
図３において、通常の測定状態と同様にＲＦ測定用プローブヘッド３０とＲＦ測定用プローブヘッド３２とが互いに対向して配置されている。そしてこの２つのＲＦ測定用プローブヘッド３０とＲＦ測定用プローブヘッド３２は、この実施の形態１の説明においては例えばともにＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドとしている。
校正の際には、ＲＦ測定用プローブヘッド３０の信号端子３０１（図中Ｓと記載）が信号用線路１４と接触し、ＧＮＤ端子３０２（図中Ｇと記載）が第１ＧＮＤパッド１６と接触している。またＲＦ測定用プローブヘッド３２の信号端子３２１（図中Ｓと記載）が信号用線路１４と接触し、ＧＮＤ端子３２２（図中Ｇと記載）が第２ＧＮＤパッド２４と接触している。
このＲＦ測定用校正パターン１０を用いて校正を行う場合には、信号端子３０１と信号端子３２１のいずれもが、ＧＮＤ用線路の上を越していない。このためにＲＦ信号が測定値に影響せず、信号周波数の増加に伴って測定値が大きく偏倚することもない。従って精度よくＲＦ測定用プローブヘッド３０とＲＦ測定用プローブヘッド３２の校正を行うことができる。
【００１７】
次にＲＦ測定用プローブヘッドの校正方法について説明する。
図４はこの発明に係る高周波回路の測定系を説明するブロック図である。図５及び図６はこの発明に係る高周波回路の測定系の零補正を行う方法を説明するブロック図である。
この零補正方法は、例えば高周波回路の雑音測定や入出力測定を行う際に実施される。
図４において示されるようにこの高周波回路の測定系は次のようである。
信号源３６からの信号は入力回路３８を介して被測定回路４０に入力される。信号入力は信号源３６と入力回路３８の間に配設された第１パワメータ３７により計測される。また被測定回路４０への信号入力は、図３に示されたと同様のＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッド３２を介して行われる。
被測定回路４０からの出力は、例えば図３に示されたと同様のＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッド３０を介して出力回路４６に伝播され、信号出力は第２パワメータ４８により計測される。
【００１８】
図４に示された高周波回路の測定系の零補正の方法について説明する。
（１）まず、図５において、第１パワメータ３７を介して信号源３６と入力回路３８とを接続し、さらに被測定回路４０のＲＦ入力側端面に第２パワメータ４８を接続する。この状態で被測定回路４０のＲＦ入力側端面電力と信号源３６端面の出力電力とを一致するように、第１パワメータ３７に補正値を入力する。
この補正値は測定系の入力側回路の通過損失に相当し、この補正を行うことにより、信号源３６の出力部分の第１パワメータ３７で得られる電力値と被測定回路４０のＲＦ入力側端面の電力とが等しくなる。
（２）次に、図６において示されるように、図４において示される高周波回路の測定系における被測定回路４０に替えてＲＦ測定用校正パターン１０を導入し、測定系の出力側回路の通過損失の補正を行う。
すなわち、図６に示される測定系において、ＲＦ測定用校正パターン１０の信号用線路１４と第２ＧＮＤパッド２４に被測定回路４０のＲＦ入力側端面となるＳＧタイプＲＦ測定用プローブヘッド３２の信号端子３２１とＧＮＤ端子３２２をそれぞれ対応させて接触させ、ＲＦ測定用校正パターン１０の信号用線路１４と第１ＧＮＤパッド１６に出力側のＲＦ測定用プローブヘッド３０の信号端子３０１とＧＮＤ端子３０２をそれぞれ対応させて接触させる。この接触状態は先の図３に示された接触状態と同じである。
この状態で、第２パワメータ４８で得られる値が第１パワメータ３７で得られる値と一致するように第２パワメータ４８に補正値を入力する。この補正値が測定系の出力側回路の通過損失に相当する。
【００１９】
このように入力側回路の通過損失及び出力側回路の通過損失の補正を行った後、被測定回路の雑音測定や入出力測定を行う。
この校正の際、ＲＦ測定用校正パターン１０を用いて校正を行っているから、信号端子３０１と信号端子３２１のいずれもが、ＧＮＤ用線路の上を越していない。このためにＲＦ信号が測定値に影響せず、信号周波数の増加に伴って測定値が大きく偏倚することもない。従って精度よくＲＦ測定用プローブヘッド３０とＲＦ測定用プローブヘッド３２の校正を行うことができる。
【００２０】
また校正の一例としてＳパラメータ測定する際の校正方法を説明する
図７はこの発明に係る高周波回路のＳパラメータ測定を行う際の測定系を示す模式図である。図８、図９、図１０，及び図１１はこの発明に係る高周波回路のＳパラメータ測定を行う際の校正方法を示す模式図である。ここでは一例としてＳＯＬＴ法を用いた場合について説明する。
図７において、ネットワークアナライザ（ＮＷＡ）５０に例えば同軸ケーブル５２を介して、ＲＦ測定用プローブヘッド３０とＲＦ測定用プローブヘッド３２が接続され、このＲＦ測定用プローブヘッド３０とＲＦ測定用プローブヘッド３２を高周波回路の被測定回路４０に接触することにより、Ｓパラメータ測定が行われる。この時、同軸ケーブル５２とＲＦ測定用プローブヘッド３０、および同軸ケーブル５２とＲＦ測定用プローブヘッド３２の補正値を求めることが必要になる。
【００２１】
次にＳパラメータ測定の際の校正方法について説明する。
（１）図８を参照して、ＲＦ測定用プローブヘッド３０およびＲＦ測定用プローブヘッド３２を回路の特性インピーダンス、例えば５０Ωの抵抗パターン５４に接続し、ネットワークアナライザ５０の校正のための測定を行う。
（２）図９を参照して、ＲＦ測定用プローブヘッド３０およびＲＦ測定用プローブヘッド３２を開放状態にして、ネットワークアナライザ５０の校正のための測定を行う。
（３）図１０を参照して、ＲＦ測定用プローブヘッド３０およびＲＦ測定用プローブヘッド３２を短絡パターン５６に接続し、ネットワークアナライザ５０の校正のための測定を行う。
（４）図１１を参照して、ＲＦ測定用プローブヘッド３０およびＲＦ測定用プローブヘッド３２をＲＦ測定用校正パターン１０に接続し、ネットワークアナライザ５０の校正のための測定を行う。
【００２２】
すなわち、ＲＦ測定用校正パターン１０の信号用線路１４と第２ＧＮＤパッド２４にＲＦ測定用プローブヘッド３２の信号端子３２１とＧＮＤ端子３２２をそれぞれ対応させて接触させ、ＲＦ測定用校正パターン１０の信号用線路１４と第１ＧＮＤパッド１６にＲＦ測定用プローブヘッド３０の信号端子３０１とＧＮＤ端子３０２をそれぞれ対応させて接触させる。この接触状態は先の図３に示された接触状態と同じである。この状態で、ネットワークアナライザ５０の校正のための測定を行う。
この時ＲＦ測定用校正パターン１０の特性インピーダンスは抵抗パターン５４と同じでなければならない。
測定（１）〜（４）の結果を用いて、各Ｓパラメータの補正を行う計算をする。
この後、校正した状態の同軸ケーブル５２とＲＦ測定用プローブヘッド３０、および同軸ケーブル５２とＲＦ測定用プローブヘッド３２を用いて、被測定回路４０のＳパラメータ測定が行われる。
この校正においても、ＲＦ測定用校正パターン１０を用いて校正を行っているから、信号端子３０１と信号端子３２１のいずれもが、ＧＮＤ用線路の上を越していない。このためにＲＦ信号が測定値に影響せず、信号周波数の増加に伴って測定値が大きく偏倚することもない。従って精度よくＲＦ測定用プローブヘッド３０とＲＦ測定用プローブヘッド３２と同軸ケーブル５２との校正を行うことができる。
【００２３】
変形例１．
図１２はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの断面図である。
図１２に示されたＲＦ測定用校正パターン５８に対応する平面図は実施の形態１のＲＦ測定用校正パターン１０の平面図である図１と同じである。そして図１２に示されたＲＦ測定用校正パターン５８の断面位置も図１のＩＩ−ＩＩ断面に相当する位置である。
ＲＦ測定用校正パターン５８は、ＲＦ測定用校正パターン１０の裏面金属層２２を覆って誘電体層６０がさらに配設されたものである。
ＲＦ測定用プローブヘッド３０とＲＦ測定用プローブヘッド３２とが互いに対向して測定を行う場合に、このＲＦ測定用校正パターン５８を用いて校正を行うと、ＲＦ測定用校正パターン１０と同様に、信号端子３０１と信号端子３２１のいずれもが、ＧＮＤ用線路の上を越していない。このためにＲＦ信号が測定値に影響せず、信号周波数の増加に伴って測定値が大きく偏倚することもない。従って精度よくＲＦ測定用プローブヘッド３０とＲＦ測定用プローブヘッド３２の校正を行うことができる。さらに裏面金属層２２が定電位、例えばＧＮＤ電位とされた場合においても、裏面金属層２２が誘電体層６０の覆われているためにＲＦ測定用校正パターン５８が配設される場所の状態に関係なく、ＲＦ測定用プローブヘッド３０とＲＦ測定用プローブヘッド３２の校正を安定に実施することができる。
【００２４】
変形例２．
図１３はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。図１４は図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ断面におけるＲＦ測定用校正パターンの断面図である。
図１３および図１４に示されたＲＦ測定用校正パターン６２においては、裏面金属層６４が誘電体基板１２の側面を経由して誘電体基板１２の表面まで延長され、第１ＧＮＤパッド１６および第２ＧＮＤパッド２４それぞれの、信号用線路１４に近接していない側の端部と電気的に接続された構成になっている。従って実施の形態１に配設されたスルーホール電極１８とバイアホール２０とが配設されていない。
すなわち第１ＧＮＤパッド１６および第２ＧＮＤパッド２４の、信号用線路１４に近接していない側の端部が互いに直接接続され電気的に導通されている。
この構成のＲＦ測定用校正パターン６２においては、ＲＦ測定用校正パターン１０の効果に加えて、誘電体基板１２の側面部分に配設された面積を大きくすることが可能であるので、第１ＧＮＤパッド１６および第２ＧＮＤパッド２４のＧＮＤを共通化したときに発生する寄生インダクタンス成分を小さくすることができる。
【００２５】
変形例３．
図１５はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。図１６は図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ断面におけるＲＦ測定用校正パターンの断面図である。
図１５および図１６に示されたＲＦ測定用校正パターン６６においては、第１ＧＮＤパッド１６および第２ＧＮＤパッド２４それぞれの、信号用線路１４に近接していない側の端部に導電体としてのオープンスタブ６８が接続された構成である。
オープンスタブ６８の大きさを、測定する信号周波数の波長の１／４にすることにより、第１ＧＮＤパッド１６と第２ＧＮＤパッド２４とは、オープンスタブ６８を介して、高周波的に接続されることになる。このためＲＦ測定用校正パターン６６においては、実施の形態１のＲＦ測定用校正パターン１０が有する効果に加えて、ＲＦ測定用校正パターン１０におけるバイアホール２０や裏面金属層２２、あるいは変形例２のＲＦ測定用校正パターン６２における誘電体基板１２の側面を経由して誘電体基板１２の表面まで延長された裏面金属層６４が不要となり、ＲＦ測定用校正パターンの製作が容易となる。
【００２６】
変形例４．
図１７はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。図１８は図１７のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ断面におけるＲＦ測定用校正パターンの断面図である。
図１７および図１８に示されたＲＦ測定用校正パターン７０においては、第１ＧＮＤパッド１６および第２ＧＮＤパッド２４それぞれの、信号用線路１４の第１の端部１４ａ及び第２の端部１４ｂに近接していない側の端部を、ＧＮＤパッドの延長部７２を介して誘電体基板１２表面上でＳ字状に相互に接続するとともに、この延長部７２と交叉する信号用線路１４は、その一部にエアブリッジ１４ｃを形成し、このエアブリッジ１４ｃによりＧＮＤパッドの延長部７２を跨ぐ構成としたものである。
このＲＦ測定用校正パターン７０においては、実施の形態１のＲＦ測定用校正パターン１０が有する効果に加えて、バイアホール２０や裏面金属層２２、あるいは変形例２のＲＦ測定用校正パターン６２における誘電体基板１２の側面を経由して誘電体基板１２の表面まで延長された裏面金属層６４が不要となり、ＲＦ測定用校正パターンの製作が容易となる。なお信号用線路１４のエアブリッジ１４ｃの部分では特性インピーダンスがエアブリッジ１４ｃでない部分と異なる場合があり、エアブリッジ１４ｃの部分の特性インピーダンスがエアブリッジ１４ｃで無い部分と整合するように、エアブリッジ１４ｃの幅を決めねばならない場合がある。
【００２７】
変形例５．
図１９はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。図２０は図１９のＸＸ−ＸＸ断面におけるＲＦ測定用校正パターンの断面図である。
図１９および図２０に示されたＲＦ測定用校正パターン７４においては、第１ＧＮＤパッド１６および第２ＧＮＤパッド２４それぞれの、信号用線路１４に近接していない側の端部を、延長部７２を介して誘電体基板１２表面上でＳ字状に相互に接続するとともに、この延長部７２の一部にエアブリッジ７２ａを形成し、このエアブリッジ７２ａにより信号用線路１４を跨ぐ構成としたものである。
この構成のＲＦ測定用校正パターン７４は変形例４のＲＦ測定用校正パターン７と同様の効果を有する。
信号用線路１４がエアブリッジ７２ａの下にある部分の特性インピーダンスが他の部分の特性インピーダンスと整合しない場合があるので、これ考慮して線路の幅を変える必要の生じることがある。
【００２８】
変形例６．
図２１はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
図２１に示されたＲＦ測定用校正パターン７６においては、信号用線路１４の第１の端部１４ａと所定の間隔を設けて第１ＧＮＤパッド１６が設けられているが、ＲＦ測定用校正パターン１０と異なるところは、第１ＧＮＤパッド１６は、信号用線路１４に沿って信号用線路１４に対向する先端部を有し、信号用線路１４と電気的に分離されている。この第１ＧＮＤパッド１６のもう一方の端部は信号用線路１４から離れる方向に延長されスルーホール電極１８と接続されている。
また信号用線路１４の第２の端部１４ｂと所定の間隔を設けての第２ＧＮＤパッド２４が設けられているが、この第２ＧＮＤパッド２４も、信号用線路１４に沿って信号用線路１４に対向する先端部を有し、信号用線路１４と電気的に分離されている。この第２ＧＮＤパッド２４のもう一方の端部は信号用線路１４から離れる方向に延長されスルーホール電極１８と接続されている。
この第１ＧＮＤパッド１６と第２ＧＮＤパッド２４とは正面ではないが、信号用線路１４を介して互いに対向して配設されている。
第１ＧＮＤパッド１６と第２ＧＮＤパッド２４は、スルーホール電極１８とバイアホール２０と裏面金属層２２とを介して電気的に接続されている。
なおＲＦ測定用校正パターン７６のＸＸＩ−ＸＸＩ断面の断面図は、図２に相当する。
また変形例１のＲＦ測定用校正パターン５８のようにＲＦ測定用校正パターン７６においても裏面金属層２２を覆って誘電体層６０がさらに配設された構成としてもよい。
【００２９】
図２２はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンとＲＦ測定用プローブヘッドとの接触を示す模式図である。
図２２において、ＲＦ測定用校正パターン１０の場合と同様に、ＲＦ測定用プローブヘッド３０とＲＦ測定用プローブヘッド３２とが互いに対向して配置されている。そしてこの２つのＲＦ測定用プローブヘッド３０とＲＦ測定用プローブヘッド３２は、例えばともにＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドの場合である。
このＲＦ測定用校正パターン１０を用いて校正を行う場合には、信号端子３０１と信号端子３２１のいずれもが、ＧＮＤ用線路の上を越していない。このためにＲＦ信号が測定値に影響せず、信号周波数の増加に伴って測定値が大きく偏倚することもない。従って精度よくＲＦ測定用プローブヘッド３０とＲＦ測定用プローブヘッド３２の校正を行うことができる。
さらに、ＲＦ測定用プローブヘッド３０の信号端子３０１とＲＦ測定用プローブヘッド３２の信号端子３２１とが信号用線路１４の長手方向の距離を介して横方向に互いに近接して対向するので、クロストークが減少し、精度よく校正を行うことができる。
【００３０】
変形例７．
図２３はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
図２３に示されたＲＦ測定用校正パターン７８は、図１３及び図１４に示された変形例２のＲＦ測定用校正パターン６２と基本的に同じ構成であり、ＲＦ測定用校正パターン６２と相異する点は、ＲＦ測定用校正パターン６２の第１ＧＮＤパッド１６および第２ＧＮＤパッド２４が、信号用線路１４の長手方向の延長線上に先端部を有しているのに対して、ＲＦ測定用校正パターン７８では第１ＧＮＤパッド１６および第２ＧＮＤパッド２４は、その先端部が信号用線路１４に沿って配設され、第１ＧＮＤパッド１６および第２ＧＮＤパッド２４側面が裏面金属層６４に接触している点である。
ＲＦ測定用校正パターン７８の他の構成はＲＦ測定用校正パターン６２と同じである。
なおＲＦ測定用校正パターン７８のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ断面の断面図は、図１４に相当する。
従って、ＲＦ測定用校正パターン７８においては、ＲＦ測定用校正パターン６２の効果に加えて、ＲＦ測定用プローブヘッド３０の信号端子３０１とＲＦ測定用プローブヘッド３２の信号端子３２１とが信号用線路１４の長手方向の距離を介して横方向に互いに近接して対向するので、クロストークが減少し、精度よく校正を行うことができる。
【００３１】
変形例８．
図２４はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
図２４に示されたＲＦ測定用校正パターン８０は、図１５及び図１６に示された変形例３のＲＦ測定用校正パターン６６と基本的に同じ構成であり、ＲＦ測定用校正パターン６６と相異する点は、ＲＦ測定用校正パターン６６の第１ＧＮＤパッド１６および第２ＧＮＤパッド２４が、信号用線路１４の長手方向の延長線上に先端部を有しているのに対して、ＲＦ測定用校正パターン８０では第１ＧＮＤパッド１６および第２ＧＮＤパッド２４は、その先端部が信号用線路１４に沿って配設されている点である。
ＲＦ測定用校正パターン８０の他の構成はＲＦ測定用校正パターン６６と同じである。
なおＲＦ測定用校正パターン８０のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ断面の断面図は、図１６に相当する。
従って、ＲＦ測定用校正パターン８０においては、ＲＦ測定用校正パターン６６の効果に加えて、ＲＦ測定用プローブヘッド３０の信号端子３０１とＲＦ測定用プローブヘッド３２の信号端子３２１とが信号用線路１４の長手方向の距離を介して横方向に互いに近接して対向するので、クロストークが減少し、精度よく校正を行うことができる。
【００３２】
変形例９．
図２５はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
図２６は図２５のＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ断面におけるＲＦ測定用校正パターンの断面図である。
図２５に示されたＲＦ測定用校正パターン８２は、図１７に示された変形例４のＲＦ測定用校正パターン７０と基本的に同じ構成であり、ＲＦ測定用校正パターン７０と相異する点は、ＲＦ測定用校正パターン７０の第１ＧＮＤパッド１６および第２ＧＮＤパッド２４が、信号用線路１４の長手方向の延長線上に先端部を有しているのに対して、ＲＦ測定用校正パターン８２では第１ＧＮＤパッド１６および第２ＧＮＤパッド２４が信号用線路１４に沿って配設され、その先端部がそれぞれ信号用線路１４の第１の端部１４ａ、第２の端部１４ｂに並べて配設されている点である。
ＲＦ測定用校正パターン８２の他の構成はＲＦ測定用校正パターン７０と同じである。
従って、ＲＦ測定用校正パターン８２においては、ＲＦ測定用校正パターン７０の効果に加えて、ＲＦ測定用プローブヘッド３０の信号端子３０１とＲＦ測定用プローブヘッド３２の信号端子３２１とが信号用線路１４の長手方向の距離を介して横方向に互いに近接して対向するので、クロストークが減少し、精度よく校正を行うことができる。
【００３３】
変形例１０．
図２７はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
図２７に示されたＲＦ測定用校正パターン８４は、図１９および図２０に示された変形例５のＲＦ測定用校正パターン７４と基本的に同じ構成であり、ＲＦ測定用校正パターン７４と相異する点は、ＲＦ測定用校正パターン６６の第１ＧＮＤパッド１６および第２ＧＮＤパッド２４が、信号用線路１４の長手方向の延長線上に先端部を有しているのに対して、ＲＦ測定用校正パターン８４では第１ＧＮＤパッド１６および第２ＧＮＤパッド２４が信号用線路１４に沿って配設され、その先端部がそれぞれ信号用線路１４の第１の端部１４ａ、第２の端部１４ｂに並べて配設されている点である。
ＲＦ測定用校正パターン８４の他の構成はＲＦ測定用校正パターン７４と同じである。
なおＲＦ測定用校正パターン８４のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ断面の断面図は、図２０に相当する。
従って、ＲＦ測定用校正パターン８４においては、ＲＦ測定用校正パターン７４の効果に加えて、ＲＦ測定用プローブヘッド３０の信号端子３０１とＲＦ測定用プローブヘッド３２の信号端子３２１とが信号用線路１４の長手方向の距離を介して横方向に互いに近接して対向するので、クロストークが減少し、精度よく校正を行うことができる。
【００３４】
以上のように、この実施の形態１に係るＲＦ測定用校正パターンでは、誘電体基板と、この誘電体基板上に、一つの特性インピーダンス例えば５０Ωを有して延在し第１，第２の端部を有した信号用線路と、この信号用線路の第１の端部に近接し、所定の間隔を設けてその一端が配設された第１ＧＮＤパッドと、信号用線路の第２の端部に近接し、所定の間隔を設けてその一端が配設された第２ＧＮＤパッドと、第１ＧＮＤパッドと第２ＧＮＤパッドとを電気的に接続するスルーホール電極とバイアホールと裏面金属層、あるいは誘電体基板の側面を経由して誘電体基板の表面まで延長され裏面金属層、あるいは第１ＧＮＤパッドと第２ＧＮＤパッドとを高周波的に接続するオープンスタブを備えたもので、ＳＧタイプＲＦ測定用プローブヘッド同士あるいはＧＳタイプＲＦ測定用プローブヘッド同士を対向させ、それぞれの信号端子を校正用パターンの信号用線路に接触させて使用しても、ＲＦ測定用プローブヘッドの信号端子のいずれもが、ＧＮＤ用線路の上を越していない。このためにＲＦ信号が測定値に影響せず、信号周波数の増加に伴って測定値が大きく偏倚することもない。従って精度よくＲＦ測定用プローブヘッドの校正を行うことができる。
またこの実施の形態１に係るＲＦ測定用校正パターンを用いて校正を行う高周波回路の特性測定方法においては、第１、第２の特性測定用プローブヘッドの信号用端子のいずれにもＲＦ信号の影響が及ばないので、正確な校正ができ、高周波回路の特性測定が正確に行われる。延いては高周波回路の選定を精度よく行うことができ、高周波回路装置の歩留まりを向上することができる。
なお以上の説明においては、ＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドを用いる場合について説明したが、信号用線路の中心軸に対して鏡像関係になるように第１ＧＮＤパッドおよび第２ＧＮＤパッドを配置すれば、ＧＳタイプのＲＦ測定用プローブヘッドを用いる場合に対しても適用できる。
【００３５】
実施の形態２．
図２８はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
図２８に示されたＲＦ測定用校正パターン８６は、図２１に示された実施の形態１の変形例６のＲＦ測定用校正パターン７６と基本的に同じ構成であり、ＲＦ測定用校正パターン７６と相異する点は、信号用線路１４の第１の端部１４ａにおいて信号用線路１４を介してＲＦ測定用校正パターン７６の第１ＧＮＤパッド１６と正面において対向し、信号用線路１４と電気的に分離された、第３の定電位用線路としての第３ＧＮＤパッド８８がさらに配設されたことである。
第３ＧＮＤパッド８８は、信号用線路１４に沿って配設された先端部を有し、この先端部は信号用線路１４を介して第１ＧＮＤパッド１６の先端部と正面に対向し、この第３ＧＮＤパッド８８のもう一方の端部は信号用線路１４から離れる方向に延長され、スルーホール電極１８と接続されている。
第３ＧＮＤパッド８８はスルーホール電極１８とバイアホール２０とを介して裏面金属層２２に電気的に接続されている。従って第３ＧＮＤパッド８８は第１ＧＮＤパッド１６および第２ＧＮＤパッド２４と電気的に接続されている。
第３ＧＮＤパッド８８の構成は第１ＧＮＤパッド１６と同じであり、金属層の表面に金メッキ層が配設された構成である。この実施の形態では第３ＧＮＤパッド８８に接続されたスルーホール電極１８は第３ＧＮＤパッド８８と同じ金属層で形成されている。
【００３６】
なお図２８のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ断面における断面図は、図２に相当する。
この実施の形態２では、ＲＦ測定用校正パターン８６は、信号用線路１４の第２の端部１４ｂにおいてＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドが接触し、信号用線路１４の第１の端部１４ａにおいてＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドに加えてＧＳＧタイプもしくはＧＳタイプのＲＦ測定用プローブヘッドが接触可能となる。
そして、ＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッド同士を用いた場合、あるいは信号用線路の中心軸に対して鏡像関係になるように第２ＧＮＤパッド２４を配置すればＧＳタイプのＲＦ測定用プローブヘッド同士を用いた場合、さらにＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドに対向してＧＳタイプのＲＦ測定用プローブヘッドまたはＧＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドを用いた場合の高周波回路の特性測定の校正の際に、このＲＦ測定用校正パターン８６を用いて校正を行えば、実施の形態１で述べたと同様に、信号端子のいずれもが、ＧＮＤ用線路の上を越していない。このためにＲＦ信号が測定値に影響せず、信号周波数の増加に伴って測定値が大きく偏倚することもない。従って精度よくＲＦ測定用プローブヘッドの校正を行うことができる。
【００３７】
変形例１１．
図２９はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
図２９に示されたＲＦ測定用校正パターン９０は、実施の形態２の変形例であるが図２３に示された実施の形態１の変形例７のＲＦ測定用校正パターン７８と基本的に同じ構成である。ＲＦ測定用校正パターン９０がＲＦ測定用校正パターン７８と相異する点は、信号用線路１４を介してＲＦ測定用校正パターン７８の第１ＧＮＤパッド１６と対向し、信号用線路１４と電気的に分離された第３ＧＮＤパッド８８が配設されたことである。この第３ＧＮＤパッド８８は、その先端部が信号用線路１４に沿って配設され、第３ＧＮＤパッド８８の側面が第１ＧＮＤパッド１６と同様に裏面金属層６４に接触している。これにより第１ＧＮＤパッド１６、第２ＧＮＤパッド２４及び第３ＧＮＤパッド８８が電気的に接続されている。
なお図２９のＸＸＩＸ−ＸＸＩＸ断面における断面図は、図１４に相当する。
従って、ＲＦ測定用校正パターン９０は、ＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッド同士を用いた場合、あるいは信号用線路の中心軸に対して鏡像関係になるように第２ＧＮＤパッド２４を配置すればＧＳタイプのＲＦ測定用プローブヘッド同士を用いた場合、さらにＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドに対向してＧＳタイプのＲＦ測定用プローブヘッドまたはＧＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドを用いた場合の高周波回路の特性測定の校正の際に適用することができ、実施の形態１の変形例７と同様の効果を有する。
【００３８】
変形例１２．
図３０はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
図３０に示されたＲＦ測定用校正パターン９２は、実施の形態２の変形例であるが図２４に示された実施の形態１の変形例８のＲＦ測定用校正パターン８０と基本的に同じ構成である。ＲＦ測定用校正パターン９２がＲＦ測定用校正パターン８０と相異する点は、ＲＦ測定用校正パターン８０の第１ＧＮＤパッド１６と信号用線路１４を介して対向し、信号用線路１４と電気的に分離された第３ＧＮＤパッド８８がさらに配設されたことである。この第３ＧＮＤパッド８８は、その先端部が信号用線路１４に沿って配設され、第３ＧＮＤパッド８８の信号用線路１４に近接していない側の端部にオープンスタブ６８が接続された構成である。
オープンスタブ６８その大きさを、測定する信号周波数の波長の１／４にすることにより、オープンスタブ６８を介して第１ＧＮＤパッド１６、第２ＧＮＤパッド２４、および第３ＧＮＤパッド８８が高周波的に接続されている。
なお図３０のＸＸＸ−ＸＸＸ断面における断面図は、図１６に相当する。
従って、ＲＦ測定用校正パターン９２は、ＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッド同士を用いた場合、あるいは信号用線路の中心軸に対して鏡像関係になるように第２ＧＮＤパッド２４を配置すれば、ＧＳタイプのＲＦ測定用プローブヘッド同士を用いた場合、さらにＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドに対向してＧＳタイプのＲＦ測定用プローブヘッドあるいはＧＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドを用いた場合の高周波回路の特性測定の校正の際に適用することができ、実施の形態１の変形例８と同様の効果を有する。
【００３９】
変形例１３．
図３１はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
図３１に示されたＲＦ測定用校正パターン９４は、実施の形態２の変形例であるが図２５および図２６に示された実施の形態１の変形例９のＲＦ測定用校正パターン８２と基本的に同じ構成である。ＲＦ測定用校正パターン９４がＲＦ測定用校正パターン８２と相異する点は、信号用線路１４を介してＲＦ測定用校正パターン８２の第１ＧＮＤパッド１６と対向し、信号用線路１４と電気的に分離された第３ＧＮＤパッド８８がさらに配設されたことである。この第３ＧＮＤパッド８８は信号用線路１４に沿って配設され、その先端部が信号用線路１４の第１の端部１４ａに並べて配設されるとともに、第３ＧＮＤパッド８８は延長部７２を介して誘電体基板表面上で第１ＧＮＤパッド１６および第２ＧＮＤパッド２４と接続されている点である。
なお図３１のＸＸＸＩ−ＸＸＸＩ断面における断面図は、図２６に相当する。
従って、ＲＦ測定用校正パターン９４は、ＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッド同士を用いた場合、あるいは信号用線路の中心軸に対して鏡像関係になるように第２ＧＮＤパッド２４を配置すれば、ＧＳタイプのＲＦ測定用プローブヘッド同士を用いた場合、さらにＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドに対向してＧＳタイプのＲＦ測定用プローブヘッドあるいはＧＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドを用いた場合の高周波回路の特性測定の校正の際に適用することができ、実施の形態１の変形例９と同様の効果を有する。
【００４０】
変形例１４．
図３２はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
図３２に示されたＲＦ測定用校正パターン９６は、実施の形態２の変形例であるが図２７に示された実施の形態１の変形例１０のＲＦ測定用校正パターン８４と基本的に同じ構成である。ＲＦ測定用校正パターン９６がＲＦ測定用校正パターン８４と相異する点は、信号用線路１４を介してＲＦ測定用校正パターン８４の第１ＧＮＤパッド１６と対向し、信号用線路１４と電気的に分離された第３ＧＮＤパッド８８がさらに配設されたことである。この第３ＧＮＤパッド８８は信号用線路１４に沿って配設され、その先端部が信号用線路１４の第１の端部１４ａに並べて配設されるとともに、第３ＧＮＤパッド８８は延長部７２を介して誘電体基板表面上で第１ＧＮＤパッド１６および第２ＧＮＤパッド２４と接続されている点である。
なお図３２のＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ断面における断面図は、図２０に相当する。
従って、ＲＦ測定用校正パターン９６は、ＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッド同士を用いた場合、あるいは信号用線路の中心軸に対して鏡像関係になるように第２ＧＮＤパッド２４を配置すれば、ＧＳタイプのＲＦ測定用プローブヘッド同士を用いた場合、さらにＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドに対向してＧＳタイプのＲＦ測定用プローブヘッドあるいはＧＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドを用いた場合の高周波回路の特性測定の校正の際に適用することができ、実施の形態１の変形例１０と同様の効果を有する。
【００４１】
以上のように、この実施の形態２に係るＲＦ測定用校正パターンでは、誘電体基板と、この誘電体基板上に、一つの特性インピーダンス例えば５０Ωを有して延在し第１，第２の端部を有した信号用線路と、この信号用線路の第１の端部に近接し、所定の間隔を設けてその一端が配設された第１ＧＮＤパッドと、信号用線路の第２の端部に近接し、所定の間隔を設けてその一端が配設された第２ＧＮＤパッドと、第１ＧＮＤパッドに信号用線路を介して正面に対向した第３ＧＮＤパッドと、第１ＧＮＤパッドと第２ＧＮＤパッドと第３ＧＮＤパッドとを電気的に接続するスルーホール電極とバイアホールと裏面金属層、あるいは誘電体基板の側面を経由して誘電体基板の表面まで延長され裏面金属層、あるいは第１ＧＮＤパッドと第２ＧＮＤパッドと第３ＧＮＤパッドとを高周波的に接続するオープンスタブを備えたもので、ＳＧタイプＲＦ測定用プローブヘッド同士あるいはＧＳタイプＲＦ測定用プローブヘッド同士、あるいはＳＧタイプＲＦ測定用プローブヘッドにＧＳタイプ測定用プローブヘッドまたはＧＳＧタイプＲＦ測定用プローブヘッドを対向させ、それぞれの信号端子を校正用パターンの信号用線路に接触させて使用しても、ＲＦ測定用プローブヘッドの信号端子のいずれもが、ＧＮＤ用線路の上を越していない。このためにＲＦ信号が測定値に影響せず、信号周波数の増加に伴って測定値が大きく偏倚することもない。従って精度よくＲＦ測定用プローブヘッドの校正を行うことができる。
【００４２】
またこの実施の形態２に係るＲＦ測定用校正パターンを用いて校正を行う高周波回路の特性測定方法においては、第１、第２の特性測定用プローブヘッドの信号用端子のいずれにもＲＦ信号の影響が及ばないので、正確な校正ができ、高周波回路の特性測定が正確に行われる。延いては高周波回路の選定を精度よく行うことができ、高周波回路装置の歩留まりを向上することができる。
【００４３】
実施の形態３．
図３３はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
図３３に示されたＲＦ測定用校正パターン９８は、実施の形態２のＲＦ測定用校正パターン８６にさらに、信号用線路１４を介して第２ＧＮＤパッド２４と対向し、信号用線路１４と電気的に分離された、第４の定電位用線路としての第４ＧＮＤパッド１００が配設されたものである。
第４ＧＮＤパッド１００は、信号用線路１４の第２の端部１４ｂにおいて信号用線路１４に沿って配設された先端部を有し、この先端部は信号用線路１４を介して第２ＧＮＤパッド２４の先端部と正面に対向し、この第４ＧＮＤパッド１００のもう一方の端部は信号用線路１４から離れる方向に延長され、スルーホール電極１８と接続されている。
第４ＧＮＤパッド１００はスルーホール電極１８とバイアホール２０とを介して裏面金属層２２に電気的に接続されている。従って第４ＧＮＤパッド１００は第１ＧＮＤパッド１６、第２ＧＮＤパッド２４および第３ＧＮＤパッド８８と電気的に接続されている。
第４ＧＮＤパッド１００の構成は第１ＧＮＤパッド１６と同じであり、金属層の表面に金メッキ層が配設された構成である。この実施の形態では第４ＧＮＤパッド１００に接続されたスルーホール電極１８は第４ＧＮＤパッド１００と同じ金属層で形成されている。
【００４４】
なお図３３のＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ断面における断面図は、図２に相当する。
この実施の形態３に係るＲＦ測定用校正パターン１００は、信号用線路１４の第１の端部１４ａ、および第２の端部１４ｂのいずれにおいても、すべてのタイプすなわちＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッド、ＧＳタイプのＲＦ測定用プローブヘッドおよびＧＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドが接触可能となる。
そして、いずれのタイプのＲＦ測定用プローブヘッドを用いた場合の高周波回路の特性測定の校正の際においても、このＲＦ測定用校正パターン１００を用いて校正を行うことができる。このＲＦ測定用校正パターン１００を用いて校正を行うときに、実施の形態１で述べたのと同様に、すべてのタイプのＲＦ測定用プローブヘッドの信号端子のいずれもが、ＲＦ測定用校正パターン１００のＧＮＤ用線路の上を越していない。このためにＲＦ信号が測定値に影響せず、信号周波数の増加に伴って測定値が大きく偏倚することもない。従って精度よくＲＦ測定用プローブヘッドの校正を行うことができる。
【００４５】
変形例１５．
図３４はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
図３４に示されたＲＦ測定用校正パターン１０２は、実施の形態３の変形例であるが図２９に示された実施の形態２の変形例１１のＲＦ測定用校正パターン９０にさらに、信号用線路１４を介して第２ＧＮＤパッド２４と対向し信号用線路１４と電気的に分離された、第４ＧＮＤパッド１００が配設されたものである。この第４ＧＮＤパッド１００は、その先端部が信号用線路１４に沿って配設され、第４ＧＮＤパッド１００の側面が第１ＧＮＤパッド１６と同様に裏面金属層６４に接触している。従って第１ＧＮＤパッド１６、第２ＧＮＤパッド２４、第３ＧＮＤパッド８８及び第４ＧＮＤパッド１００が電気的に接続されている。
なお図３４のＸＸＸＩＶ−ＸＸＸＩＶ断面における断面図は、図１４に相当する。
この変形例１５に係るＲＦ測定用校正パターン１０２は、信号用線路１４の第１の端部１４ａ、および第２の端部１４ｂのいずれにおいても、すべてのタイプすなわちＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッド、ＧＳタイプのＲＦ測定用プローブヘッドおよびＧＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドが接触可能となる。
そして、ＲＦ測定用校正パターン１０２は、いずれのタイプのＲＦ測定用プローブヘッドを用いた場合の高周波回路の特性測定の校正の際においてもＲＦ測定用プローブヘッドの校正が可能となり、実施の形態２の変形例１１と同様の効果を有する。
【００４６】
変形例１６．
図３５はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
図３５に示されたＲＦ測定用校正パターン１０４は、実施の形態３の変形例であるが図３０に示された実施の形態２の変形例１２のＲＦ測定用校正パターン９２にさらに、第２ＧＮＤパッド２４と信号用線路１４を介して対向し信号用線路１４と電気的に分離された、第４ＧＮＤパッド１００が配設されたものである。この第４ＧＮＤパッド１００は、その先端部が信号用線路１４に沿って配設され、第４ＧＮＤパッド１００の信号用線路１４に近接していない側の端部にオープンスタブ６８が接続された構成である。従って第１ＧＮＤパッド１６、第２ＧＮＤパッド２４、第３ＧＮＤパッド８８及び第４ＧＮＤパッド１００が高周波的に接続されている。
なお図３５のＸＸＸＶ−ＸＸＸＶ断面における断面図は、図１６に相当する。
この変形例１６に係るＲＦ測定用校正パターン１０４は、信号用線路１４の第１の端部１４ａ、および第２の端部１４ｂのいずれにおいても、すべてのタイプすなわちＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッド、ＧＳタイプのＲＦ測定用プローブヘッドおよびＧＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドが接触可能となる。
そして、ＲＦ測定用校正パターン１０４は、いずれのタイプのＲＦ測定用プローブヘッドを用いた場合の高周波回路の特性測定の校正の際においてもＲＦ測定用プローブヘッドの校正が可能となり、実施の形態２の変形例１２と同様の効果を有する。
【００４７】
変形例１７．
図３６はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
図３６に示されたＲＦ測定用校正パターン１０６は、実施の形態３の変形例であるが、図３１に示された実施の形態２の変形例１３のＲＦ測定用校正パターン９４にさらに、信号用線路１４を介して第２ＧＮＤパッド２４と対向し信号用線路１４と電気的に分離された、第４ＧＮＤパッド１００が配設されたものである。この第４ＧＮＤパッド１００は、信号用線路１４に沿って配設され、その先端部が信号用線路１４の第２の端部１４ｂに並べて配設されるとともに、第４ＧＮＤパッド１００はＧＮＤパッドの延長部７２を介して誘電体基板表面上で第１ＧＮＤパッド１６、第２ＧＮＤパッド２４および第３ＧＮＤパッド８８と接続されている。
なお図３６のＸＸＸＶＩ−ＸＸＸＶＩ断面における断面図は、図２６に相当する。
この変形例１７に係るＲＦ測定用校正パターン１０６は、信号用線路１４の第１の端部１４ａ、および第２の端部１４ｂのいずれにおいても、すべてのタイプすなわちＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッド、ＧＳタイプのＲＦ測定用プローブヘッドおよびＧＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドが接触可能となる。
そして、ＲＦ測定用校正パターン１０６は、いずれのタイプのＲＦ測定用プローブヘッドを用いた場合の高周波回路の特性測定の校正の際においてもＲＦ測定用プローブヘッドの校正が可能となり、実施の形態２の変形例１３と同様の効果を有する。
【００４８】
変形例１８．
図３７はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
図３７に示されたＲＦ測定用校正パターン１０８は、実施の形態３の変形例であるが、図３２に示された実施の形態２の変形例１４のＲＦ測定用校正パターン９６にさらに、信号用線路１４を介して第２ＧＮＤパッド２４と対向し信号用線路１４と電気的に分離された、第４ＧＮＤパッド１００が配設されたものである。この第４ＧＮＤパッド１００は、信号用線路１４に沿って配設され、その先端部が信号用線路１４の第２の端部１４ｂに並べて配設されるとともに、第４ＧＮＤパッド１００はＧＮＤパッドの延長部７２を介して誘電体基板表面上で第１ＧＮＤパッド１６、第２ＧＮＤパッド２４および第３ＧＮＤパッド８８と接続されている。
なお図３７のＸＸＸＶＩＩ−ＸＸＸＶＩＩ断面における断面図は、図２０に相当する。
この変形例１８に係るＲＦ測定用校正パターン１０８は、信号用線路１４の第１の端部１４ａ、および第２の端部１４ｂのいずれにおいても、すべてのタイプすなわちＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッド、ＧＳタイプのＲＦ測定用プローブヘッドおよびＧＳＧタイプのＲＦ測定用プローブヘッドが接触可能となる。
そして、ＲＦ測定用校正パターン１０６は、いずれのタイプのＲＦ測定用プローブヘッドを用いた場合の高周波回路の特性測定の校正の際においてもＲＦ測定用プローブヘッドの校正が可能となり、実施の形態２の変形例１４と同様の効果を有する。
【００４９】
以上のように、この実施の形態３に係るＲＦ測定用校正パターンでは、誘電体基板と、この誘電体基板上に、一つの特性インピーダンス例えば５０Ωを有して延在し第１，第２の端部を有した信号用線路と、この信号用線路の第１の端部に近接し、所定の間隔を設けてその一端が配設された第１ＧＮＤパッドと、信号用線路の第２の端部に近接し、所定の間隔を設けてその一端が配設された第２ＧＮＤパッドと、第１ＧＮＤパッドに信号用線路を介して正面に対向した第３ＧＮＤパッドと、第２ＧＮＤパッドに信号用線路を介して正面に対向した第４ＧＮＤパッドと、第１ＧＮＤパッドと第２ＧＮＤパッドと第３ＧＮＤパッドと第４ＧＮＤパッドとを電気的に接続するスルーホール電極とバイアホールと裏面金属層、あるいは誘電体基板の側面を経由して誘電体基板の表面まで延長され裏面金属層、あるいは第１ＧＮＤパッドと第２ＧＮＤパッドと第３ＧＮＤパッドと第４ＧＮＤパッドとを高周波的に接続するオープンスタブを備えたもので、ＳＧタイプＲＦ測定用プローブヘッド、ＧＳタイプＲＦ測定用プローブヘッドおよびＧＳＧタイプＲＦ測定用プローブヘッドのすべての組合せのＲＦ測定用プローブヘッドを対向させ、それぞれの信号端子を校正用パターンの信号用線路に接触させて使用しても、ＲＦ測定用プローブヘッドの信号端子のいずれもが、ＧＮＤ用線路の上を越していない。このためにＲＦ信号が測定値に影響せず、信号周波数の増加に伴って測定値が大きく偏倚することもない。従って精度よくＲＦ測定用プローブヘッドの校正を行うことができる。
またこの実施の形態３に係るＲＦ測定用校正パターンを用いて校正を行う高周波回路の特性測定方法においては、すべてのタイプの組合せの第１、第２の特性測定用プローブヘッドの信号用端子のいずれにもＲＦ信号の影響が及ばないので、正確な校正ができ、高周波回路の特性測定が正確に行われる。延いては高周波回路の選定を精度よく行うことができ、高周波回路装置の歩留まりを向上することができる。
【００５０】
実施の形態４．
図３８はこの発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正治具の平面図である。図３９は図３８のＸＸＸＩＸ−ＸＸＸＩＸ断面におけるＲＦ測定用校正治具の断面図である。
図３８および図３９において、ＲＦ測定用校正治具１１０は、一例として図１３及び図１４に示された実施の形態１の変形例２のＲＦ測定用校正パターン６２を用いた場合であるが、先に述べた実施の形態１，実施の形態２、及び実施の形態３のすべてのＲＦ測定用校正パターンを用いることができる。
ＲＦ測定用校正治具１１０の誘電体基板１１２はＲＦ測定用校正パターン６２を配設する凹部１１２ａが配設されている。この凹部１１２ａは長さの異なる複数のＲＦ測定用校正パターンを入れ替え可能に形成されている。このため必要とする所定の周波数の校正を一つの治具で行うことができる。
以上のようにこの実施の形態に係るＲＦ測定用校正治具は、このため必要とする所定の周波数の校正を一つの治具で行うことができる。延いては高周波回路の選定を精度よく簡単に行うことができ、簡単な工程で高周波回路装置の歩留まりを向上することができる。
なお以上において説明したＲＦ測定用校正パターンは誘電体基板を用いたものであるが、誘電体基板ではなくウエハ上に信号用線路および各ＧＮＮパッドを形成し他場合においても同様の効果を奏する。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
以上のように、この発明に係る高周波回路の特性測定方法は、移動体通信、光通信、衛星通信などのマイクロ波帯、ミリ波帯の通信機器に用いられる高周波回路のＲＦ測定方法に適している。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ断面におけるＲＦ測定用校正パターンの断面図である。
【図３】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンとＲＦ測定用プローブヘッドとの接触を示す模式図である。
【図４】この発明に係る高周波回路の測定系を説明するブロック図である。
【図５】この発明に係る高周波回路の測定系の零補正を行う方法を説明するブロック図である。
【図６】この発明に係る高周波回路の測定系の零補正を行う方法を説明するブロック図である。
【図７】この発明に係る高周波回路のＳパラメータ測定を行う際の測定系を示す模式図である。
【図８】この発明に係る高周波回路のＳパラメータ測定を行う際の校正方法を示す模式図である。
【図９】この発明に係る高周波回路のＳパラメータ測定を行う際の校正方法を示す模式図である。
【図１０】この発明に係る高周波回路のＳパラメータ測定を行う際の校正方法を示す模式図である。
【図１１】この発明に係る高周波回路のＳパラメータ測定を行う際の校正方法を示す模式図である。
【図１２】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの断面図である。
【図１３】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図１４】図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ断面におけるＲＦ測定用校正パターンの断面図である。
【図１５】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図１６】図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ断面におけるＲＦ測定用校正パターンの断面図である。
【図１７】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図１８】図１７のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ断面におけるＲＦ測定用校正パターンの断面図である。
【図１９】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図２０】図１９のＸＸ−ＸＸ断面におけるＲＦ測定用校正パターンの断面図である。
【図２１】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図２２】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンとＲＦ測定用プローブヘッドとの接触を示す模式図である。
【図２３】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図２４】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図２５】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図２６】図２５のＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ断面におけるＲＦ測定用校正パターンの断面図である。
【図２７】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図２８】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図２９】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図３０】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図３１】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図３２】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図３３】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図３４】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図３５】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図３６】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図３７】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正パターンの平面図である。
【図３８】この発明の一実施の形態に係るＲＦ測定用校正治具の平面図である。
【図３９】図３８のＸＸＸＩＸ−ＸＸＸＩＸ断面におけるＲＦ測定用校正治具の断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１２  誘電体基板、    １４  信号用線路、    １６  第１ＧＮＤパッド、    ２４  第２ＧＮＤパッド、    １８  スルーホール電極、    ２０  バイアホール、    ２２  裏面金属層、    ８８  第３ＧＮＤパッド、    １００  第４ＧＮＤパッド、    １１０  ＲＦ測定用校正治具。
【図１】
2005331298.tif 000003
【図２】
2005331298.tif 000004
【図３】
2005331298.tif 000005
【図４】
2005331298.tif 000006
【図５】
2005331298.tif 000007
【図６】
2005331298.tif 000008
【図７】
2005331298.tif 000009
【図８】
2005331298.tif 000010
【図９】
2005331298.tif 000011
【図１０】
2005331298.tif 000012
【図１１】
2005331298.tif 000013
【図１２】
2005331298.tif 000014
【図１３】
2005331298.tif 000015
【図１４】
2005331298.tif 000016
【図１５】
2005331298.tif 000017
【図１６】
2005331298.tif 000018
【図１７】
2005331298.tif 000019
【図１８】
2005331298.tif 000020
【図１９】
2005331298.tif 000021
【図２０】
2005331298.tif 000022
【図２１】
2005331298.tif 000023
【図２２】
2005331298.tif 000024
【図２３】
2005331298.tif 000025
【図２４】
2005331298.tif 000026
【図２５】
2005331298.tif 000027
【図２６】
2005331298.tif 000028
【図２７】
2005331298.tif 000029
【図２８】
2005331298.tif 000030
【図２９】
2005331298.tif 000031
【図３０】
2005331298.tif 000032
【図３１】
2005331298.tif 000033
【図３２】
2005331298.tif 000034
【図３３】
2005331298.tif 000035
【図３４】
2005331298.tif 000036
【図３５】
2005331298.tif 000037
【図３６】
2005331298.tif 000038
【図３７】
2005331298.tif 000039
【図３８】
2005331298.tif 000040
【図３９】
2005331298.tif 000041