(57)【要約】【課題】  半導体基板の一面に形成されたＡｌ（アルミ）電極に対してはんだ付け用の金属電極を形成してなる半導体装置において、はんだ部材と保護膜とが接触しないようにする。【解決手段】  半導体基板１の一面上にＡｌ電極１１を形成し、Ａｌ電極１１の上に保護膜１２を形成し、保護膜１２に開口部１２ａを形成した後、開口部１２ａから臨むＡｌ電極１１の表面上にはんだ付け用の金属電極１３を形成し、金属電極１３にはんだ部材６０を接合してなる半導体装置において、保護膜１２の開口部１２ａにおける内周端面１２ｂが、はんだリフロー後のはんだ部材６０の形状におけるはんだ接触角θ１の補角θ２よりも小さいテーパ角度θ３を有するテーパ形状となっており、金属電極１３は保護膜１２よりも薄く、金属電極１３の上面は開口部１２ａの中に位置している。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板（１）の一面上にアルミニウムからなるアルミニウム電極（１１）を形成し、前記アルミニウム電極の上に保護膜（１２）を形成し、前記アルミニウム電極の一部が前記保護膜上に臨むように前記保護膜に開口部（１２ａ）を形成した後、前記開口部から臨む前記アルミニウム電極の表面上にはんだ付け用の金属電極（１３）を形成し、前記金属電極にはんだからなるはんだ部材（６０）を接合してなる半導体装置において、
前記保護膜の前記開口部における内周端面（１２ｂ）が、はんだリフロー後の前記はんだ部材の形状におけるはんだ接触角（θ１）の補角（θ２）よりも小さいテーパ角度（θ３）を有するテーパ形状となっており、
前記金属電極は前記保護膜よりも薄いものであり、前記金属電極の上面は前記開口部の中に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板（１）の一面上にアルミニウムからなるアルミニウム電極（１１）を形成し、前記アルミニウム電極の上に保護膜（１２）を形成し、前記アルミニウム電極の一部が前記保護膜上に臨むように前記保護膜に開口部（１２ａ）を形成した後、前記開口部から臨む前記アルミニウム電極の表面上にはんだ付け用の金属電極を形成し、前記金属電極にはんだからなるはんだ部材（６０）を接合してなる半導体装置において、
前記金属電極は前記保護膜よりも厚いものであり、前記金属電極の上面は前記開口部の上方に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記金属電極（１３）は、メッキにより形成された膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記金属電極（１３）は、前記アルミニウム電極（１１）の表面側からニッケルメッキ層（１３ａ）、金メッキ層（１３ｂ）が順次無電解メッキにより形成され積層されてなる膜であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記金属電極（１３）は、鉛フリーはんだを用いてはんだ付けされたものであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記金属電極（１３）は前記鉛フリーはんだを介して金属製のヒートシンク（２０）と接合されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記保護膜（１２）はポリイミド系樹脂からなることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板の一面に形成された保護膜から開口するアルミニウム電極の表面に対してはんだ付け用の金属電極を形成してなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板の一面にアルミニウム電極を形成し、このアルミニウム電極に対してヒートシンク等をはんだ付けするようにした半導体装置が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００３】
このような半導体装置の場合、バンプ電極技術（例えば、特許文献３参照）を応用して、半導体基板の一面上において、アルミニウム電極の上に保護膜を形成し、この保護膜に開口部を形成した後、この開口部から臨むアルミニウム電極の表面上に、はんだ付け用の金属電極をメッキ等により形成することが考えられる。
【特許文献１】特開２００２−１１０８９３号公報
【特許文献２】特開２００３−１１００６４号公報
【特許文献３】特開昭６３−３０５５３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者らは、この種の半導体装置について試作検討を行った。図４は、本発明者らの試作品としての半導体装置の要部を示す概略断面図である。
【０００５】
半導体基板１の一面上にはアルミニウム（以下、Ａｌという）からなるＡｌ電極１１が形成され、Ａｌ電極１１の上にはポリイミド等からなる保護膜１２が形成されている。
【０００６】
この保護膜１２には開口部１２ａが形成されており、この開口部１２ａから臨むＡｌ電極１１の表面上には、はんだ付け用の金属電極１３がメッキ等により形成されている。ここでは、金属電極１３は無電解Ｎｉ／Ａｕメッキにより形成され、下側からＮｉメッキ層１３ａ、金メッキ層１３ｂが積層されたものである。
【０００７】
しかしながら、試作したものにおいては、図４に示すように、保護膜１２の開口部１２ａにおける内周端面１２ｂが垂直に近くなり、図中の破線に示すように、はんだバンプ等のはんだ部材６０を形成した場合、はんだ部材６０が当該内周端面１２ｂに接触してしまう問題が発生した。
【０００８】
はんだ部材６０が内周端面１２ｂに接触すると、はんだ部材６０に応力が加わり、はんだ部材６０の変形が生じ、はんだ部材６０と金属電極１３との密着性に悪影響を及ぼすという問題が生じることが判明した。
【０００９】
本発明は上記問題に鑑み、半導体基板の一面に形成された保護膜から開口するＡｌ電極の表面に対してはんだ付け用の金属電極を形成してなる半導体装置において、はんだ部材と保護膜とが接触しないようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体基板（１）の一面上にＡｌからなるＡｌ電極（１１）を形成し、Ａｌ電極の上に保護膜（１２）を形成し、Ａｌ電極の一部が保護膜上に臨むように保護膜に開口部（１２ａ）を形成した後、開口部から臨むＡｌ電極の表面上にはんだ付け用の金属電極（１３）を形成し、金属電極にはんだからなるはんだ部材（６０）を接合してなる半導体装置において、保護膜の開口部における内周端面（１２ｂ）が、はんだリフロー後のはんだ部材の形状におけるはんだ接触角（θ１）の補角（θ２）よりも小さいテーパ角度（θ３）を有するテーパ形状となっており、金属電極は保護膜よりも薄いものであり、金属電極の上面は開口部の中に位置していることを特徴としている。
【００１１】
本発明では、金属電極（１３）は保護膜（１２）よりも薄く、金属電極（１３）の上面は開口部（１２ａ）の中に位置しているため、はんだ部材（６０）の下部も開口部（１２ａ）の中に位置している。
【００１２】
また、保護膜（１２）の開口部（１２ａ）における内周端面（１２ｂ）が、はんだリフロー後のはんだ部材（６０）の形状におけるはんだ接触角（θ１）の補角（θ２）よりも小さいテーパ角度（θ３）を有するテーパ形状となっている。
【００１３】
そのため、本発明では、開口部（１２ａ）の中にはんだ部材（６０）が位置していても、はんだ部材（６０）と保護膜（１２）とが接触しないようにすることができる。
【００１４】
また、請求項２に記載の発明では、半導体基板（１）の一面上にＡｌからなるＡｌ電極（１１）を形成し、Ａｌ電極の上に保護膜（１２）を形成し、Ａｌ電極の一部が保護膜上に臨むように保護膜に開口部（１２ａ）を形成した後、開口部から臨むＡｌ電極の表面上にはんだ付け用の金属電極を形成し、金属電極にはんだからなるはんだ部材（６０）を接合してなる半導体装置において、金属電極は保護膜よりも厚いものであり、金属電極の上面は開口部の上方に位置していることを特徴としている。
【００１５】
本発明では、金属電極（１３）は保護膜（１２）よりも厚く、金属電極の（１３）上面が開口部（１２ａ）の上方に位置している。それによって、本発明では、そもそも、はんだ部材（６０）の全体が開口部（１２ａ）の上方の外部に位置した形となるため、はんだ部材（６０）と保護膜（１２）とが接触しないようにすることができる。
【００１６】
ここで、請求項３に記載の発明のように、金属電極（１３）は、メッキにより形成された膜にすることができる。
【００１７】
さらに、請求項４に記載の発明のように、メッキ膜としての金属電極（１３）としては、Ａｌ電極（１１）の表面側からニッケルメッキ層（１３ａ）、金メッキ層（１３ｂ）が順次無電解メッキにより形成され積層されてなる膜にすることができる。
【００１８】
また、請求項５に記載の発明では、金属電極（１３）は、鉛フリーはんだを用いてはんだ付けされたものであることを特徴とする。
【００１９】
鉛を含有しない鉛フリーはんだは、環境に優しいが、従来用いられてきた鉛入りのはんだに比べて硬い。そのため、金属電極に加わる応力も大きくなり、従来の半導体装置ではＡｌ電極と金属電極との剥離が生じやすい。そのような鉛フリーはんだを用いた半導体装置において、本発明は有効に作用する。
【００２０】
さらに、請求項６に記載の発明では、金属電極（１３）は鉛フリーはんだを介して金属製のヒートシンク（２０）と接合されていることを特徴とする。
【００２１】
上述したように、本発明者らの検討によれば、金属電極の上にヒートシンクをはんだ付けする場合、Ａｌ電極と金属電極との剥離の問題が顕著になるが、そのようなヒートシンクとはんだ付けされた半導体装置に対して、本発明は有効に作用する。
【００２２】
ここで、請求項７に記載の発明のように、保護膜（１２）としては、ポリイミド系樹脂からなるものを採用することができる。
【００２３】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図１は、本発明の実施形態に係る半導体装置Ｓ１の全体構成を示す概略断面図であり、図２は図１中のエミッタ電極２の近傍部構成の一例を示す拡大断面図である。
【００２５】
図１に示すように、本実施形態では、半導体装置としてＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）が形成された半導体チップ１０を、その両面にはんだ付けされたヒートシンク２０、３０、４０によって挟み込み、さらに、樹脂５０にてモールドした構成のものを採用している。以下、この構成を両面はんだ付けモールド構造ということにする。
【００２６】
半導体チップ１０は、シリコン半導体等の半導体基板１を本体として構成されており、この半導体基板１の厚みは約２５０μｍ以下と薄いものとしている。以下、半導体チップ１０すなわち半導体基板１の外表面のうち、図１中の上面側に相当する素子形成面側の面を表面１ａといい、表面１ａとは反対側の面を裏面１ｂという。
【００２７】
そして、半導体チップ１０の表面１ａにはエミッタ電極２およびゲート電極３が形成されており、裏面１ｂにはコレクタ電極４が形成されている。ここで、
エミッタ電極２には、はんだ部材６０を介して第１のヒートシンク２０が接合されており、さらに、第１のヒートシンク２０の外側には、はんだ部材６０を介して第２のヒートシンク３０が接合されている。
【００２８】
また、ゲート電極３にはボンディングワイヤ７０が接続されており、このボンディングワイヤ７０を介して、ゲート電極３と半導体チップ１０の周辺に設けられた外部接続用のリード８０とが結線され電気的に接続されている。
【００２９】
また、コレクタ電極４は、はんだ部材６０を介して第３のヒートシンク４０と接合されている。ここで、はんだ部材６０としては、鉛フリーはんだが用いられるが、例えば、鉛フリーはんだとしては、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだやＳｎ−Ｎｉ−Ｃｕ系はんだ等を採用することができる。
【００３０】
また、ヒートシンク２０、３０、４０は銅（Ｃｕ）等の熱伝導性に優れた材料からなるものである。ボンディングワイヤ７０は、一般的なＡｌや金（Ａｕ）等からなるワイヤをワイヤボンディング法により形成したものである。
【００３１】
ここで、エミッタ電極２の詳細な構成の一例は図２に示される。図２に示すように、半導体基板１の一面すなわち表面１ａ上に、ＡｌからなるＡｌ電極１１が形成されている。Ａｌ電極１１は蒸着やスパッタ等の物理的気相成長法（ＰＶＤ）により形成されたＡｌの膜であり、例えば膜厚は１μｍ程度とすることができる。
【００３２】
このＡｌ電極１１の上には、電気絶縁性材料からなる保護膜１２が形成されている。この保護膜１２は、例えばポリイミド系樹脂等の電気絶縁性材料を用いたスピンコート法により成膜することができる。ここでは、保護膜１２の厚さは例えば３μｍ程度にすることができる。
【００３３】
また、この保護膜１２には、Ａｌ電極１１の表面が臨むように開口した開口部１２ａが形成されている。この開口部１２ａは、例えばフォトリソグラフ技術を用いたエッチングを行うことにより形成することができる。
【００３４】
そして、開口部１２ａから臨むＡｌ電極１１の表面上には、はんだ付け用の金属電極１３が形成されている。本実施形態では、金属電極１３はメッキにより形成された膜であり、例えば、Ｎｉ／Ａｕの積層メッキ膜、Ｃｕメッキ膜、あるいはＮｉ−Ｆｅ合金のメッキ膜等を採用することができる。なお、金属電極１３はＰＶＤ等にて形成された膜であってもよい。
【００３５】
本例では、金属電極１３は、Ａｌ電極１１の表面側からニッケル（Ｎｉ）メッキ層１３ａ、金（Ａｕ）メッキ層１３ｂが順次無電解メッキにより形成され積層されてなる膜すなわち無電解Ｎｉ／Ａｕメッキ膜としている。
【００３６】
このように、本実施形態では、エミッタ電極２は、Ａｌ電極１１と金属電極１３との積層膜として構成されている。なお、ボンディングワイヤ７０と接続されるゲート電極３も、はんだ付けではないものの電極構成はエミッタ電極２と同様の構成を採用することができる。
【００３７】
このような開口部１２を含むエミッタ電極２の形成方法について述べる。まず、半導体基板１の表面１ａにＰＶＤによりＡｌ電極１１を形成する。このＡｌ電極１１の上に保護膜１２をスピンコート法等を用いて形成し、フォトエッチング等により保護膜１２に開口部１２ａを形成する。
【００３８】
そして、開口部１２ａから臨むＡｌ電極１１の表面上に、メッキやＰＶＤ等により金属膜１３を形成する。本例では、無電解メッキにより金属膜１３として無電解Ｎｉ／Ａｕメッキ膜を形成する。こうして、Ａｌ電極１１および金属電極１３より構成されるエミッタ電極２ができあがる。
【００３９】
ここにおいて、図２に示すエミッタ電極２では、保護膜１２の開口部１２ａにおける内周端面１２ｂが、はんだリフロー後のはんだ部材６０の形状におけるはんだ接触角θ１の補角θ２よりも小さいテーパ角度θ３を有するテーパ形状となっている。例えば、この補角θ２は５０°程度にすることができる。
【００４０】
さらに、この図２に示す例では、金属電極１３は保護膜１２よりも薄く、金属電極１３の上面（本例では、金メッキ層１３ｂの上面）は開口部１２ａ中に位置している。つまり、図２において、金属電極１３の上面は保護膜１２の上面よりも低い位置にあるため、はんだ部材６０の下部も開口部１２ａの中に位置している。
【００４１】
ここで、保護膜１２において上記テーパ形状を有する開口部１２ａを形成するには、上記した保護膜１２のフォトエッチングにおいて、例えば、次のような工程を採用すればよい。
【００４２】
保護膜１２に用いる材料として、非感光性ポリイミドを用いる。工程としては、半導体基板１上に当該ポリイミドをスピンコーティングして塗布する。その後は、通常のベーク温度よりも低温でベークを行うか、またはベークの処理時間を通常よりも短くしてベークを行う。
【００４３】
次に、非感光性ポリイミドのマスクとなるレジスト材を塗布し、露光・現像を行う。こうして、上記テーパ形状を有する開口部１２ａが形成される。
【００４４】
なお、上記図１において、半導体基板１の裏面１ｂに形成され第３のヒートシンク４０とはんだ付けされているコレクタ電極４は、半導体基板１の裏面１ｂの略全面にスパッタ等により形成されている。
【００４５】
例えば、このコレクタ電極４は、半導体基板１の裏面１ｂ側から順次、Ｔｉ（チタン）層、Ｎｉ層、Ａｕ層がスパッタにより積層形成されたＴｉ／Ｎｉ／Ａｕ膜とすることができる。
【００４６】
また、図１において、樹脂５０は第２のヒートシンク３０と第３のヒートシンク４０との間に充填され、当該ヒートシンク３０、４０間に位置する構成部品を封止している。ここで、リード８０については、ボンディングワイヤ７０との接続部が樹脂５０にて封止されている。樹脂５０としてはエポキシ系樹脂等、通常のモールド材料を採用することができる。
【００４７】
このようにして、本実施形態の半導体装置Ｓ１が構成されている。この半導体装置Ｓ１では、半導体チップ１０からの発熱を熱伝導性にも優れたはんだ６０を介して各ヒートシンク２０、３０、４０に伝え、放熱を行うことができるようになっている。つまり、本実施形態では、半導体チップ１０の両面１ａ、１ｂからの放熱が可能となっている。
【００４８】
また、各ヒートシンク２０、３０、４０は半導体チップ１０との電気的な経路となっている。つまり、第１および第２のヒートシンク２０、３０を介して半導体チップ１０のエミッタ電極２の導通が図られ、第３のヒートシンク４０を介して半導体チップ１０のコレクタ電極４の導通が図られるようになっている。
【００４９】
次に、上記構成の半導体装置Ｓ１の組み付け方法について、簡単に述べておく。各電極２、３、４が形成された半導体チップ１０を用意し、当該各電極２〜４の表面にはんだ６０を配設する。
【００５０】
そして、半導体チップ１０に対してはんだ６０を介して第１および第３のヒートシンク２０、４０を接合する。その後、ワイヤボンディングを行って半導体チップ１０のゲート電極３とリード８０とをボンディングワイヤ７０により電気的に接続する。
【００５１】
そして、第１のヒートシンク２０の外側に第２のヒートシンク３０をはんだ６０を介して接合する。続いて、樹脂５０によるモールドを行う。こうして、上記半導体装置Ｓ１が完成する。
【００５２】
ところで、上記図２に示す例では、エミッタ電極２は、保護膜１２の開口部１２ａにおける内周端面１２ｂが、はんだリフロー後のはんだ部材６０の形状におけるはんだ接触角θ１の補角θ２よりも小さいテーパ角度θ３を有するテーパ形状となっており、さらに、金属電極１３は保護膜１２よりも薄く、金属電極１３の上面は開口部１２ａ中に位置している、という独自の構成を採用している。
【００５３】
この図２に示す例では、はんだがリフローの際に表面張力により球形になろうとする性質を持つことに着目している。はんだリフロー後のはんだ部材６０の形状は、はんだリフロー時に液状となったはんだ部材６０の形状をほぼ継承している。
【００５４】
そのため、保護膜１２の開口部１２ａにおける内周端面１２ｂをテーパ面とし、そのテーパ角度θ３を、はんだリフロー時のはんだ部材６０の形状におけるはんだ接触角θ１の補角θ２よりも小さくすることにより、リフロー時において、はんだ部材６０と保護膜１２の開口部１２ａの内周端面１２ｂとが接触しにくく（つまり、干渉しにくく）することができる。
【００５５】
言い換えれば、保護膜１２の開口部１２ａにおける内周端面１２ｂが、はんだ部材６０の濡れ角度に相当する補角θ２よりも小さいテーパ角度θ３を持つテーパ形状となっている。そのため、図２に示す例では、開口部１２ａの中にはんだ部材６０が位置していても、はんだ部材６０と保護膜１２とが接触しないようにすることができる。
【００５６】
また、本実施形態において、はんだ部材６０と保護膜１２とが接触しないようなエミッタ電極２の構成としては、図３のような構成を採用することもできる。図３（ａ）および（ｂ）は、図１中に示されるエミッタ電極２の近傍部構成のもう一つの例を示す拡大断面図である。
【００５７】
図３（ａ）、（ｂ）に示す例では、金属電極１３を保護膜１２よりも厚いものとし、金属電極１３の上面を開口部１２ａの上方に位置させた構成としている。また、ここでは、保護膜１２の開口部１２ａにおける内周端面１２ｂを、垂直もしくは垂直に近いものとしている。
【００５８】
このような構成は、上述した開口部１２を含むエミッタ電極２の形成方法に準じて容易に形成することができる。なお、図３において（ａ）は保護膜１２を例えば３μｍ以上と比較的厚くし、（ｂ）は保護膜１２を例えば２μｍ以下と比較的薄くすることで、本構成を実現している。
【００５９】
これらの例では、金属電極１３は保護膜１２よりも厚く、図３において、金属電極１３上面を、開口部１２ａの上方すなわち保護膜１２の上面よりも、上方に位置させることによって、そもそも、はんだ部材６０全体が開口部１２ａの上方の外部に位置した形となる。
【００６０】
そのため、図３に示す例では、保護膜１２の開口部１２ａにおける内周端面１２ｂが垂直もしくは垂直に近いものであっても、はんだ部材６０と保護膜１２とが接触しないようにすることができる。なお、この図３の例においても、保護膜１２の開口部１２ａにおける内周端面１２ｂを、上記図２に示したようなテーパ形状としてよい。
【００６１】
いずれにせよ、本実施形態では、はんだ付けされるエミッタ電極２の構成を工夫し、はんだ部材６０の根元部が保護膜１２により拘束されない形状とすることで、はんだ部材６０と保護膜１２とが接触しないようにしている。
【００６２】
その結果、本実施形態では、はんだ部材６０に応力が加わり、はんだ部材６０の変形が生じ、はんだ部材６０金属電極１３との密着性に悪影響を及ぼすという問題を防止することができる。
【００６３】
また、本実施形態では、金属電極１３は、鉛フリーはんだからなるはんだ６０を用いてはんだ付けされたものとしている。
【００６４】
鉛を含有しない鉛フリーはんだは、環境に優しいが、従来用いられてきた鉛入りのはんだに比べて硬い。そのため、金属電極に加わる応力も大きくなり、従来の半導体装置ではＡｌ電極と金属電極との剥離が生じやすい。本実施形態では、そのような鉛フリーはんだを用いた本半導体装置Ｓ１において、上記したような密着性向上の効果が有効に発揮される。
【００６５】
また、本実施形態では、金属電極１３は鉛フリーはんだを介して金属製のヒートシンク２０と接合されている。
【００６６】
上述したように、本発明者らの検討によれば、金属電極の上にヒートシンクをはんだ付けする場合、半導体基板を構成するＳｉとヒートシンクを構成するＣｕ等の金属との線膨張係数の差により、高い応力が界面に発生するため、Ａｌ電極と金属電極との剥離の問題が顕著になる。
【００６７】
本実施形態では、そのようなヒートシンク２０とはんだ付けされた半導体装置Ｓ１に対して、上記した密着性向上の効果が有効に発揮される。
【００６８】
また、本実施形態では、半導体基板１の厚さが２５０μｍ以下であることが好ましい。これは、半導体基板１をこの程度に薄くすることにより、応力緩和が可能となり、より高い信頼性が得られるためである。
【００６９】
なお、本発明は、上記した両面はんだ付けモールド構造の半導体装置に限定されるものではなく、半導体基板の一面上にＡｌ電極を形成し、該Ａｌ電極の上に保護膜を形成し、該Ａｌ電極の一部が該保護膜上に臨むように該保護膜に開口部を形成した後、該開口部から臨む該Ａｌ電極の表面上にはんだ付け用の金属電極を形成し、該金属電極にはんだからなるはんだ部材を接合してなる半導体装置ならば、適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の全体構成を示す概略断面図である。
【図２】図１中のエミッタ電極２の近傍部構成の一例を示す拡大断面図である。
【図３】図１中のエミッタ電極２の近傍部構成のもう一つの例を示す拡大断面図である。
【図４】本発明者らの試作品としての半導体装置の要部を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１…半導体基板、１１…Ａｌ電極、１２…保護膜、１２ａ…開口部、
１３…金属電極、１３ａ…ニッケルメッキ層、１３ｂ…金メッキ層、
２０…ヒートシンク、６０…はんだ部材、θ１…はんだ接触角、
θ２…はんだ接触角の補角、θ３…テーパ角度。
【図１】
2005039029.tif 000003
【図２】
2005039029.tif 000004
【図３】
2005039029.tif 000005
【図４】
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