(57)【要約】【課題】  露出した引き出し電極、アライメントマークや基板ＩＤマークなどに対して、サンドブラスト処理で損傷を与える虞を防ぐため、これらの部分を感光性レジストによる保護マスクで被覆し、かつ、この保護マスクの下層にあるアライメントマークを検出できるようにする。【解決手段】  広帯域光源３２ａが一体に取り付けられた光照射部３２と、アライメントマーク１８ａからの反射光を撮像する撮像部３５ａと、撮像部３５ａによって撮像された画像を数値データに変換する画像処理部３５ｂを有するアライメントマーク検出装置３１で、感光性レジスト膜２４のパターン形成に用いるフォトマスク２５上に設けた遮光マーク２７と、感光性レジスト膜２４で覆われた背面基板１１上のアライメントマーク１８ａとを、走査駆動される広帯域光源３２ａのアライメント光２８で検出してフォトマスク２５と背面基板１１との位置合わせを行う。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に被加工材料層を形成する工程と、
前記被加工材料層の上にサンドブラスト耐性能を有する感光性レジスト膜を設ける工程と、
広帯域のアライメント光により、前記感光性レジスト膜のパターン形成に用いるフォトマスク上に設けた第１アライメントマークと、前記感光性レジスト膜で被覆された前記基板上の第２アライメントマークとを検出して、前記フォトマスクと前記基板との位置合わせを行う工程と、
前記感光性レジスト膜を、前記フォトマスクを介して露光・現像して、前記基板における表示領域外を被覆する保護マスクを形成する工程と、
前記被加工材料層を、前記保護マスクを介してサンドブラストにより切削する工程と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記被加工材料層は、プラズマディスプレイパネルの表示セルを区画する隔壁を形成する隔壁形成用材料層であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記アライメント光は、白色発光ダイオードから照射することを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
感光性レジスト膜のパターン形成に用いるフォトマスク上に設けた第１アライメントマークと、前記感光性レジスト膜で覆われた基板上の第２アライメントマークとを、走査駆動される広帯域光源のアライメント光で検出して前記フォトマスクと前記基板との位置合わせを行うアライメントマーク検出装置であって、
前記広帯域光源が一体に取り付けられた光照射手段と、
前記第２アライメントマークからの反射光を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段によって撮像された画像を数値データに変換する画像処理手段と、を有することを特徴とするアライメントマーク検出装置。
【請求項５】
前記広帯域光源は、白色発光ダイオードであることを特徴とする請求項４に記載のアライメントマーク検出装置。
【請求項６】
前記光照射手段は、広帯域光源と、フォトリソグラフィの露光に用いる露光光をカットする光学フィルタと、を有することを特徴とする請求項４又は５に記載のアライメントマーク検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びアライメントマーク検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面型表示装置に用いられるディスプレイパネルとして、放電空間を介して対向配置された一対の基板の内面に、それぞれ行電極対と列電極対とが配置され、これらの両電極同士の交点において放電セルが構成されて、各放電セルにおいて放電させることにより表示を行うプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称す）の開発が活発化している。
【０００３】
図１は、面放電方式交流型ＰＤＰの放電セル構造を示す図である。図１に示すように、ＰＤＰでは、透明の前面基板１の内面側には、ＩＴＯ（酸化インジウム）等の透明電極膜から成る透明電極２ａと、導電体（例えば銀）の厚膜パターンから成るバス電極２ｂとでそれぞれに構成される複数の行電極対２（Ｘ，Ｙ）と、これら行電極対２（Ｘ，Ｙ）を被覆する透明の誘電体層３と、誘電体層３を被覆するＭｇＯ（酸化マグネシウム）から成る保護層４と、が設けられている。
【０００４】
一方、放電空間１０を介して対向配置される背面基板１１には、行電極対２（Ｘ，Ｙ）方向に直交して配設され、その交差位置の放電空間１０内に放電セルを構成する導電体（金属）の厚膜パターンから成る列（アドレス）電極１２と、列電極を被覆する白色の列電極保護層１３と、放電空間１０を放電セル毎に区画する白色顔料含有の隔壁１４と、放電空間１０内の隔壁１４内面及び列電極保護層１３表面に形成された蛍光体層１５と、が設けられている。
【０００５】
なお、カラー表示の場合には、蛍光体層１５は図１紙面の奥方向に手前からそれぞれ赤色蛍光体層、緑色蛍光体層、青色蛍光体層が順に配置される。
【０００６】
そして、放電空間１０内には、キセノン（Ｘｅ）とネオン（Ｎｅ）の混合ガスを封入されている。蛍光体層１５は、放電によりキセノンガスから放出される真空紫外線（波長１４７ｎｍ）により励起発光する。
【０００７】
図２は、背面基板１１の全平面図である。図２に示すように、背面基板１１面上には、上記放電セルがマトリックス状に配設された表示領域１６とアドレス引き出し電極部１７が形成されている。そして、背面基板１１の周辺部には、通常その４隅に設けられるアライメントマーク部１８及び基板ＩＤマーク部１９等が形成されている。
【０００８】
ＰＤＰにおいては、導電体の厚膜パターンのバス（アドレス）電極の膜厚は２０μｍ程度であり、絶縁体の厚膜パターンである隔壁１４の膜厚は１５０μｍ〜２００μｍ、誘電体層３、列電極保護層１３は３０μｍ〜５０μｍの絶縁体の厚膜であるために、これらの導電体あるいは絶縁体の厚膜パターンは、通常、スクリーン印刷法により形成される。
【０００９】
しかし、一般にＰＤＰの大型化／高精細化と共にセル構造の微細化は更に進むために、微細化と高精度化の容易なフォトリソグラフィ技術で形成するマスクを用いたエッチング加工による厚膜パターン形成が必須になり、ＰＤＰ製造全般において、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術から成る加工技術が種々に検討／実用化されてきている。
【００１０】
特に、膜厚が１００μｍ以上となる隔壁のような厚膜パターン形成では、リブペーストの５回〜１０回の印刷と乾燥の繰り返し（重ね刷り）となるために、隔壁の断面形状が悪く高精度化が難しくなる。そこで、膜厚が５０μｍ程度の感光性レジスト（膜）をマスクにし、サンドブラスト処理で被加工材料層である隔壁形成用材料層を切削し隔壁パターン形成する加工技術が開発され、現在では広く使用されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１１】
次に、従来技術によるサンドブラスト処理で隔壁パターンを形成する方法の一例を図を用いて説明する。
図３は、図２におけるＡ１−Ａ２線を切断面とする模式的断面図であり、隔壁形成用材料層２０のサンドブラスト処理による隔壁パターン形成の段階を示す。
図２において示した表示領域１６の背面基板１１上には、複数本の列電極１２が配設され、これらは列電極保護層１３と隔壁形成用材料層２０で覆われている。
一方、列電極１２は、アドレス引き出し電極部１７において引き出し電極１２ａになり、列電極保護層１３と隔壁形成用材料層２０から露出する。同様に、列電極１２と同じ導電体（金属）で加工されたアライメントマーク１８ａも露出して形成される。
【００１２】
列電極保護層１３及び隔壁１４は、蛍光体層１５発光のバックになることから白色にしてある。アライメントマーク１８ａ上に上記白色の列電極保護層１３及び隔壁形成用材料層２０が存在すると、その下部のアライメントマーク１８ａの検出ができない。このため、隔壁パターン形成のためのフォトリソグラフィの露光工程で列電極１２とのアライメントができなくなり、引き出し電極１２ａ及びアライメントマーク１８ａ上には、列電極保護層１３及び隔壁形成用材料層２０は形成されない。
【００１３】
また、アライメントマーク１８ａ上に感光性レジストがあると、アライメント時に背面基板１１上部に配置するアライメントマーク１８ａの検出のための装置（アライメントマーク検出装置）からの検出光（アライメント光）の光路が長くなり、アライメント光強度が感光性レジスト膜中で減衰し、アライメントマーク１８ａの検出が難しくなるため、通常、引き出し電極１２ａ及びアライメントマーク１８ａ上には、感光性レジストも形成されない。
【００１４】
上記のような背面基板１１上部の構造において、図３に示すように、フォトリソグラフィ技術で形成したレジストマスク２１をマスクにしたサンドブラスト処理で隔壁形成用材料層２０を選択的に切削し、所定パターンの隔壁１４を形成する。
【００１５】
ここで、サンドブラスト処理は、図中に示すような噴射ガン２２を矢印のように走査し、ガラスビーズなどの研磨材２３を被処理材である隔壁形成用材料層２０に吹き付けて行う。
【特許文献１】特許第３１１０７１９号（図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、従来技術では、厚膜パターンとなる隔壁形成用材料層のサンドブラスト処理は長い処理時間を要している。そこで、隔壁形成のスループットを高めるため、サンドブラスト処理を高速化するべく研磨材の運動エネルギーを高くしていくと、図３に示すような、露出した引き出し電極１２ａ、アライメントマーク１８ａ及び基板ＩＤマーク部１９に設けた基板ＩＤマークなどに損傷を与える虞がある。
【００１７】
本発明が解決しようとする課題には、例えば、露出した引き出し電極、アライメントマークや基板ＩＤマークなどに対して、サンドブラスト処理で損傷を与える虞を防ぐため、これらの部分を感光性レジストによる保護マスクで被覆し、かつ、この保護マスクの下層にあるアライメントマークを検出できるようにすることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法は、基板上に被加工材料層を形成する工程と、前記被加工材料層の上にサンドブラスト耐性能を有する感光性レジスト膜を設ける工程と、広帯域のアライメント光により、前記感光性レジスト膜のパターン形成に用いるフォトマスク上に設けた第１アライメントマークと、前記感光性レジスト膜で被覆された前記基板上の第２アライメントマークとを検出して、前記フォトマスクと前記基板との位置合わせを行う工程と、前記感光性レジスト膜を、前記フォトマスクを介して露光・現像して、前記基板における表示領域外を被覆する保護マスクを形成する工程と、前記被加工材料層を、前記保護マスクを介してサンドブラストにより切削する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１９】
請求項４に記載のアライメントマーク検出装置は、感光性レジスト膜のパターン形成に用いるフォトマスク上に設けた第１アライメントマークと、前記感光性レジスト膜で覆われた基板上の第２アライメントマークとを、走査駆動される広帯域光源のアライメント光で検出して前記フォトマスクと前記基板との位置合わせを行うアライメントマーク検出装置であって、前記広帯域光源が一体に取り付けられた光照射手段と、前記第２アライメントマークからの反射光を撮像する撮像手段と、前記撮像手段によって撮像された画像を数値データに変換する画像処理手段と、を有することを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態に係るＰＤＰの製造方法及びアライメントマーク検出装置について詳細に説明する。まず、実施の形態に係るＰＤＰの製造方法について図４及び図５を用いて説明する。図４及び図５は、図１及び図２で説明したＰＤＰに用いる隔壁パターンの製造工程順の断面図である。
【００２１】
まず、図４（ａ）に示すように、背面基板１１表面に周知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いて列電極１２、引き出し電極１２ａ及び円形状のアライメントマーク１８ａを形成する。
【００２２】
そして、誘電体フィルムの積層、焼成又はガラスペーストの塗布、焼成などにより列電極保護層１３を形成し、次いで、ガラスペーストを厚膜塗布、乾燥して被加工材料層である隔壁形成用材料層２０を形成する。
【００２３】
これらの列電極保護層１３、隔壁形成用材料層２０は、引き出し電極１２ａ及びアライメントマーク１８ａを被覆しないように形成する。隔壁形成用材料層２０はガラスペーストを乾燥させたものであり、その膜厚は１００μｍ〜２００μｍ程度である。
【００２４】
次に、図４（ｂ）に示すように、耐サンドブラスト性のネガ型レジストフィルムを全面に積層して感光性レジスト膜２４を形成する。なお、感光性レジスト膜２４はポジ型を用いても良い。
【００２５】
次に、フォトリソグラフィのアライメント工程で、フォトマスク２５と背面基板１１とのアライメントを行う。このフォトマスク２５には、隔壁パターンに対応した遮光パターン２６が形成され、アライメント用に中抜き同心円刑状の遮光マーク２７が形成されている。
【００２６】
アライメント光２８として後述する広帯域波長の光（広帯域光）をアライメントマーク検出装置から照射し、背面基板１１表面の第２アライメントマークであるアライメントマーク１８ａと、第１アライメントマークである遮光マーク２７と、を検出して、フォトマスク２５と背面基板１１とをアライメントする。
【００２７】
ここで、アライメント光２８が通過する光路中に感光性レジスト膜２４が存在するため、例えばアライメント光２８が赤色光を用いると検出しにくくなる。そこで、広帯域の光、例えば白色光をアライメント光として用いる。
【００２８】
次に、図４（ｃ）に示すように、露光光２９を照射し隔壁パターンの光学像を感光性レジスト膜２４に転写する。ここで、露光光２９の波長はｇ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（４３６ｎｍ）などである。
【００２９】
そして、現像処理を施すことにより、図４（ｄ）に示すように、露光照射を受けない領域の感光性レジスト膜２４が除去され、感光性レジストのパターンであるレジストマスク２１が形成される。同時に、引き出し電極１２ａ、アライメントマーク１８ａ及び基板ＩＤマーク部１９上に保護マスク３０が形成される。
【００３０】
次に、図５に示すように、サンドブラスト処理による隔壁形成用材料層２０のエッチング加工を行う。すなわち、レジストマスク２１をマスクにしたサンドブラスト処理で隔壁形成用材料層２０を選択的に切削し、隔壁パターンの隔壁１４を形成する。
【００３１】
ここで、サンドブラスト処理は、図５に示すような噴射ガン２２を走査しガラスビーズなどの研磨材２３を被処理材である隔壁形成用材料層２０に高速に吹き付けて行う。
【００３２】
本実施の形態では、引き出し電極１２ａ、アライメントマーク１８ａ及び基板ＩＤマーク部１９は、上述のようにして形成した保護マスク３０により、サンドブラスト処理の研磨材２３が直接当たらないように保護される。
【００３３】
これによって、隔壁形成用材料層２０の高速のサンドブラスト処理の切削が可能になり、ＰＤＰの製造工程において隔壁形成の処理時間が大幅に短縮する。
そして、高速のサンドブラスト処理において、引き出し電極１２ａ、アライメントマーク１８ａあるいは基板ＩＤマーク部１９の基板ＩＤマーク等の損傷を防ぐことができる。
【００３４】
本発明の実施の形態に係るアライメントマーク検出装置は、感光性レジスト膜のパターン形成に用いるフォトマスク上に設けた第１アライメントマークと、感光性レジスト膜で覆われた基板上の第２アライメントマークとを、広帯域光源のアライメント光で検出してフォトマスクと基板との位置合わせを行う装置であり、例えば、前述のＰＤＰの製造方法に用いるものである。このアライメントマーク検出装置及びその動作を図６〜図９を用いて説明する。
【００３５】
図６は、図４（ｂ）工程で示した基板とフォトマスクのアライメントでのアライメントマーク検出装置３１の動作を詳細に説明する略断面図である。図６において、フォトマスク２５には、アライメント用に中抜き同心円刑状の遮光マーク２７が形成されている。そして、落射光２８ａと反射光２８ｂからなるアライメント光２８には広帯域光が使用される。
【００３６】
図６（ａ）に示すように、アライメントマーク検出装置３１は、広帯域光の照射が可能な広帯域光源３２ａ、露光波長領域をカットできる光学フィルタ３２ｂ、ハーフミラーを有する顕微鏡部３４、アライメントマーク１８ａおよび遮光マーク２７からの反射光２８ｂで上記マーク間のアライメント状態を認知するアライメント認識部３５等を備えている。ここで、広帯域光源３２ａと光学フィルタ３２ｂが光照射部３２（光照射手段）である。
【００３７】
そして、アライメント認識部３５は、アライメントマーク１８ａ及び遮光マーク２７を撮像する撮像部３５ａ（撮像手段）と、画像処理部３５ｂ（画像処理手段）とを備える。
【００３８】
この撮像部３５ａにより、図６（ｂ）に示すようなアライメントマーク１８ａ及び遮光マーク２７が撮像され、撮像されたマークの画像は画像処理部３５ｂで数値データに変換されマーク間の位置ズレ量などが認識される。
【００３９】
このアライメントマーク検出装置３１に搭載する広帯域光源３２ａとしては、例えば、白色発光ダイオード（白色ＬＥＤ）又は白色有機ＥＬ素子などの広帯域小型固体光源が適している。
【００４０】
このように、広帯域光源３２ａとして広帯域小型固体光源を用いることにより、広帯域光源３２ａを撮像部３５ａに取り付けることができ、アライメントマーク検出装置３１を小型、簡略化することができる。
【００４１】
そして、例えば４隅に形成したアライメントマーク部１８を検出して、フォトマスク２５と背面基板１１とのアライメントを迅速に行うことができるようになる。
【００４２】
また、アライメント光が広帯域光となるために、上述したように感光性レジストで被覆されていてもアライメントマークの検出が容易になる。
【００４３】
これにより、上述したサンドブラスト処理の高速化において、高い耐サンドブラスト性を有する感光性レジストの選択肢が広がるという効果が生じる。
【００４４】
次に、本実施の形態におけるアライメントマーク検出装置３１において、アライメントマーク検出の動作について図６〜図１０を参照して説明する。
図７は、白色ＬＥＤの発光スペクトルである。この白色ＬＥＤは、図７から判るように、４００ｎｍ〜８００ｎｍの広帯域光を有する。
図８は、ネガ型の感光性レジスト膜の光透過特性である。なお、この感光性レジスト膜は高いサンドブラスト耐性を有する樹脂材料をベースレジンにするものが好ましい。
【００４５】
また、図８に示すように、この感光性レジスト膜では波長が４５５ｎｍ〜６００ｎｍ程度の光は膜中を透過する。このような透過特性を有する感光性レジスト膜の感光波長は３５０ｎｍ〜４５０ｎｍである。
【００４６】
そこで、図６に示したアライメントマーク検出装置３１の広帯域光源３２ａに上記白色ＬＥＤを用い、感光性レジスト膜２４として、図８で説明した樹脂材料をベースレジンにしたものを用いた場合には、光学フィルタ３２ｂは、図７中の破線（４９０ｎｍ）以下の波長をカットするものを用いるとよい。
【００４７】
このようにして、図７の特性を有する広帯域のアライメント光は、種々の光透過特性を有する感光性レジストに対して、それぞれ充分に感光性レジスト膜２４を透過し、アライメントマーク１８ａの検出を容易にする。
【００４８】
そして、上述したように感光性レジスト膜の感光波長領域はカットしているために、アライメント光がパターンまで入り異常露光されてしまうのを防止できる。
【００４９】
なお、広帯域光源３２ａを用いないで、例えば図９に示すように、波長ピーク６４０ｎｍ程度の狭帯域光の赤色ＬＥＤ等をアライメント光源に用いると、図８に示した特性を持つ感光性レジスト膜ではアライメント光は透過しないため、アライメントマーク１８ａ検出はできなくなる。
【００５０】
アライメントマーク検出は、図１０に示すように、ＰＤＰの背面基板１１とフォトマスク２５とを近接して重ね合わせ、上述したアライメントマーク検出装置３１が背面基板１１の例えば４隅にある上述した感光性レジスト膜２４下のアライメントマーク１８ａを検出し、背面基板１１とフォトマスク２５とのアライメントを行う。
【００５１】
そして、アライメントマーク検出装置３１は、この４隅のアライメントマーク１８ａの検出からアライメント状態を認識し、全体のアライメントのズレ量が最小になってから、露光光学系３６を通して露光がなされることになる。
【００５２】
なお、アライメントマーク検出装置３１は、背面基板１１の４隅のアライメントマーク１８ａ上にそれぞれ配置される。
【００５３】
本実施の形態におけるＰＤＰ製造装置は、アライメントマーク検出装置３１において、広帯域光源３２ａが一体に取り付けられているために、動作上で高い信頼性を示す。
【００５４】
なお、広帯域光源３２ａとしてハロゲンランプを用いた場合には、ハロゲンランプは比較的大型であり、アライメントマーク検出装置３１に一体に取り付けることができず、アライメントマーク検出装置３１とは切り離して別の所に固定する必要が生じ、ハロゲンランプとアライメントマーク検出装置３１との間を光ファイバ等で接続する必要がある。このように、広帯域光源３２ａがアライメントマーク検出装置３１に一体に取り付けられずに、光ファイバ等で接続すると、撮像部３５ａを含むアライメントマーク検出装置３１の繰り返し移動（アライメント時の位置と露光時の待機位置との間の移動）によって、光ファイバ等が断線する虞があり、装置の信頼性が損なわれてしまう。
【００５５】
上述の実施の形態では、ＰＤＰの隔壁を形成する場合について述べたが、本実発明のＰＤＰの製造方法は、ＰＤＰの製造工程において、隔壁以外のパターンを形成する場合にも適用できる。また、本発明のアライメントマーク検出装置は、ＰＤＰ以外の平面型表示装置やアライメントマークを用いて位置あわせを行う必要がある他の装置の製造工程にも適用できる。
【００５６】
以上、詳述したように、本実施の形態のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、背面基板１１（基板）上に隔壁形成用材料層２０（被加工材料層）を形成する工程と、隔壁形成用材料層２０の上にサンドブラスト耐性能を有する感光性レジスト膜２４を設ける工程と、広帯域のアライメント光２８により、感光性レジスト膜２４のパターン形成に用いるフォトマスク２５上に設けた遮光マーク２７（第１アライメントマーク）と、感光性レジスト膜２４で被覆された背面基板１１上のアライメントマーク１８ａ（第２アライメントマーク）とを検出して、フォトマスク２５と背面基板１１との位置合わせを行う工程と、感光性レジスト膜２４を、フォトマスク２５を介して露光・現像して、背面基板１１における表示領域１６外を被覆する保護マスク３０を形成する工程と、隔壁形成用材料層２０を、保護マスク３０を介してサンドブラストにより切削する工程と、を含むものである。
また、本実施の形態のアライメントマーク検出装置３１は、感光性レジスト膜２４のパターン形成に用いるフォトマスク２５上に設けた遮光マーク２７（第１アライメントマーク）と、感光性レジスト膜２４で覆われた背面基板１１上のアライメントマーク１８ａ（第２アライメントマーク）とを、走査駆動される広帯域光源３２ａのアライメント光２８で検出してフォトマスク２５と背面基板１１との位置合わせを行うアライメントマーク検出装置３１であって、広帯域光源３２ａが一体に取り付けられた光照射部３２と、アライメントマーク１８ａからの反射光を撮像する撮像部３５ａと、撮像部３５ａによって撮像された画像を数値データに変換する画像処理部３５ｂと、を有するものである。
これにより、露出した引き出し電極、アライメントマークや基板ＩＤマークなどがサンドブラストで損傷を与える虞を防ぐため、これらの部分を感光性レジストで被覆するとともに、この感光性レジストの下層にあるアライメントマークを検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】面放電方式交流型ＰＤＰの放電セル構造を示す図である。
【図２】ＰＤＰの背面基板の概略全平面図である
【図３】従来技術によるＰＤＰの隔壁形成を説明するための模式的な断面図である。
【図４】本発明に係る実施の形態を説明するための隔壁形成における工程順の断面図（その１）である。
【図５】本発明に係る実施の形態を説明するための隔壁形成における工程順の断面図（その２）である。
【図６】本発明に係る実施の形態のアライメントマーク検出装置及びアライメント時におけるマーク検出を説明するための概略断面図である。
【図７】本発明に係る実施の形態のアライメントマーク検出に用いるアライメント光波長強度分布図である。
【図８】本発明に係る実施の形態を説明するための感光性レジスト膜の光透過特性の一例を示す図である。
【図９】赤色ＬＥＤの波長強度分布図である。
【図１０】本発明に係る実施の形態のアライメントマーク検出装置の動作を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５８】
１１  背面基板（基板）
１２ａ  引き出し電極
１４  隔壁
１６  表示領域
１８ａ  アライメントマーク
１９  基板ＩＤマーク部
２０  隔壁形成用材料層
２４  感光性レジスト膜
２５  フォトマスク
２７  遮光マーク
２８  アライメント光
３０  保護マスク
３１  アライメントマーク検出装置
３２  光照射部（光照射手段）
３２ａ  広帯域光源
３２ｂ  光学フィルタ
３５ａ  撮像部（撮像手段）
３５ｂ  画像処理部（画像処理手段）
【図１】
2005085690.tif 000003
【図２】
2005085690.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2005085690.tif 000011
【図１０】
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