(57)【要約】【課題】  有機ＥＬ表示装置において、ＴＦＴ等の形成領域の配列パターンに依らずに、発光領域を多様なパターンで配置する。【解決手段】  複数の表示画素ＰのＴＦＴ形成領域ＰＴｒが、表示部１０にストライプ配列されて形成されている。これらのＴＦＴ形成領域ＰＴｒ上には、赤色を発光する有機ＥＬ素子１１Ａの発光領域ｒ１、緑色を発光する有機ＥＬ素子１１Ａの発光領域ｇ１、又は青色を発光する有機ＥＬ素子１１Ａの発光領域ｂ１が配置されている。ここで、発光領域ｒ１，ｇ１，ｂ１は、隣接する各ＴＦＴ形成領域ＰＴｒに跨ってデルタ配列されている。【選択図】  図２
2005100724.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の有機ＥＬ素子、各前記有機ＥＬ素子を駆動する駆動用トランジスタ、及び前記有機ＥＬ素子を選択するための画素選択用トランジスタを有し、
前記駆動用トランジスタ及び前記画素選択用トランジスタを形成するトランジスタ形成領域については、ストライプ配列され、
前記有機ＥＬ素子の発光領域については、デルタ配列されたことを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
複数の有機ＥＬ素子、各前記有機ＥＬ素子を駆動する駆動用トランジスタ、及び前記有機ＥＬ素子を選択するための画素選択用トランジスタを有し、
前記駆動用トランジスタ及び前記画素選択用トランジスタを形成するトランジスタ形成領域については、デルタ配列され、
前記有機ＥＬ素子の発光領域については、ストライプ配列されたことを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
複数の有機ＥＬ素子、各前記有機ＥＬ素子を駆動する駆動用トランジスタ、及び前記有機ＥＬ素子を選択するための画素選択用トランジスタを有し、
前記駆動用トランジスタ及び前記画素選択用トランジスタを形成するトランジスタ形成領域については、ストライプ配列され、
前記有機ＥＬ素子の発光領域については、前記トランジスタ形成領域と少なくとも第１の方向でずれた位置にストライプ配列されたことを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
複数の有機ＥＬ素子、各前記有機ＥＬ素子を駆動する駆動用トランジスタ、及び前記有機ＥＬ素子を選択するための画素選択用トランジスタを有し、
前記駆動用トランジスタ及び前記画素選択用トランジスタを形成するトランジスタ形成領域については、デルタ配列され、
前記有機ＥＬ素子の発光領域については、前記トランジスタ形成領域と少なくとも第１の方向でずれた位置にデルタ配列されたことを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記有機ＥＬ素子の発光領域は、互いに等しいピッチで形成されたことを特徴とする請求項１，２，３，４のいずれかに記載のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
少なくとも１つの色に対応する前記有機ＥＬ素子の発光領域は、他の色に対応する発光領域と異なるピッチで形成されたことを特徴とする請求項１，２，３，４のいずれかに記載のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記有機ＥＬ素子の発光領域は、第１の方向もしくは第２の方向に対して９０度回転して形成されたことを特徴とする請求項１，２，３，４のいずれかに記載のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
１つの前記トランジスタ形成領域に対応する前記有機ＥＬ素子が、複数設けられることを特徴とする請求項１，２，３，４のいずれかに記載のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
第１の方向及び第２の方向で隣り合う前記トランジスタ形成領域に形成される前記駆動用トランジスタまたは前記画素選択用トランジスタが、特定箇所に集中して配置されたことを特徴とする請求項１，２，３，４のいずれかに記載のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関し、特に、有機ＥＬ素子の発光領域の配置位置の自由度を高めた有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：以下、「ＥＬ」と略称する）素子を用いた有機ＥＬ表示装置は、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されている。特に有機ＥＬ素子を駆動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と略称する）を備えた有機ＥＬ表示装置が開発されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置には、ボトムエミッション型とトップエミッション型が知られている。以下、ボトムエミッション型有機ＥＬ表示装置について図面を参照して説明する。
【０００４】
図１３に、従来例に係るボトムエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部（不図示）上に設置された表示画素Ｐの等価回路図を示す。なお、表示部上には、この表示画素Ｐが、行及び列のマトリックス状に複数個配置されているが、図１３では、１つの表示画素Ｐのみを示している。
【０００５】
表示画素Ｐには、表示画素Ｐを選択するためのゲート信号Ｇnを供給するゲート信号線Ｌ１と、各表示画素Ｐの表示信号Ｄmを供給するドレイン信号線Ｌ２とが互いに交差している。これらの信号線に囲まれた領域には、自発光素子である有機ＥＬ素子１１Ｂと、この有機ＥＬ素子１１Ｂに電流を供給する駆動用ＴＦＴ６１Ｂ、及び表示画素Ｐを選択するための画素選択用ＴＦＴ７１Ｂが配置されている。
【０００６】
即ち、画素選択用ＴＦＴ７１Ｂのゲートには、ゲート信号線Ｌ１が接続されることによりゲート信号Ｇnが供給され、そのドレイン７１Ｂｄには、ドレイン信号線Ｌ２が接続されることにより表示信号Ｄmが供給されている。また、画素選択用ＴＦＴ７１Ｂのソース７１Ｂｓは、駆動用ＴＦＴ６１Ｂのゲートに接続されている。また、そのドレイン６１Ｂｄは有機ＥＬ素子１１Ｂのアノードである画素電極１２Ｂに接続されている。有機ＥＬ素子１１Ｂのカソード１４Ｂには、電源電圧ＣＶが供給されている。
【０００７】
また、駆動用ＴＦＴ６１Ｂのゲートには、保持容量Ｃｓが接続されている。保持容量Ｃｓは、表示信号Ｄmに応じた電荷を保持することにより、１フィールド期間において表示画素Ｐに供給する表示信号を保持するために設けられている。上述した表示画素Ｐは、次のように動作する。
【０００８】
ゲート信号Ｇnが１水平期間、ハイレベルになると、画素選択用ＴＦＴ７１Ｂがオンする。すると、ドレイン信号線Ｌ２から表示信号Ｄmが画素選択用ＴＦＴ７１Ｂを通して、駆動用ＴＦＴ６１Ｂのゲートに印加される。そして、そのゲートに供給された表示信号Ｄmに応じて、駆動用ＴＦＴ６１Ｂのコンダクタンスが変化し、それに応じた駆動電流が駆動用ＴＦＴ６１Ｂを通して有機ＥＬ素子１１Ｂに供給され、有機ＥＬ素子１１Ｂが点灯する。そのゲートに供給された表示信号Ｄmに応じて、駆動用ＴＦＴ６１Ｂがオフ状態の場合には、駆動用ＴＦＴ６１Ｂには電流が流れないため、有機ＥＬ素子１１Ｂも消灯する。
【０００９】
次に、表示画素Ｐの詳細な構造について、概略の断面図を参照して説明する。図１４は、表示画素Ｐの概略断面図である。なお図１４では、表示部１０にマトリクス状に配置された複数の表示画素Ｐの内の１つを示している。ここで、表示画素Ｐの有機ＥＬ素子１１Ｂはボトムエミッション型有機ＥＬ素子であり、有機ＥＬ素子１１Ｂが発光した光、即ち表示光は、透明ガラス基板４０Ｂを通して外部へ放出される。以下、これらの素子の構造を詳しく説明する。
【００１０】
透明ガラス基板４０Ｂ上に、能動層６２Ｂ、ゲート絶縁膜６３Ｂ、及びゲート電極６４Ｂが順に形成されており、その能動層６２Ｂには、チャネル６２Ｂｃと、このチャネル６２Ｂｃの両側にソース６２Ｂｓ及びドレイン６２Ｂｄが設けられている。
【００１１】
そして、ゲート絶縁膜６３Ｂ及びゲート電極６４Ｂ上の全面に、層間絶縁膜６５Ｂが形成されている。層間絶縁膜６５Ｂのソース６２Ｂｓに対応した位置には、コンタクトホールＣ３が設けられ、これにＢｌ等の金属を充填して、電源線Ｌ３が配置されている。更に全面に、絶縁膜６６Ｂを備えている。その絶縁膜６６Ｂのドレイン６２Ｂｄに対応した位置には、コンタクトホールＣ４が設けられ、これにＡｌ等の金属を充填して、ドレイン６２Ｂｄと有機ＥＬ素子１１Ｂのアノードである画素電極１２Ｂがコンタクトされている。
【００１２】
有機ＥＬ素子１１Ｂは、表示画素Ｐごとに島状に分離形成されており、画素電極１２Ｂ、発光層１３Ｂ、及び発光層１３Ｂからの光を透過せずに反射するカソード１４Ｂが、この順に積層形成された構造を有している。ここで、カソード１４Ｂには、電源電圧ＣＶ（不図示）が供給されている。この有機ＥＬ素子１１Ｂは、画素電極１２Ｂから注入されたホールと、カソード１４Ｂから注入された電子とが発光層１３Ｂの内部で再結合する。この再結合したホールと電子は、発光層１３Ｂを形成する有機分子を励起して励起子を生じさせる。この励起子が放射失活する過程で発光層１３Ｂから光が放たれ、発光層１３Ｂから発光された光は、画素電極１２Ｂを透過して透明ガラス基板４０Ｂから放出される。
【００１３】
次に、複数の表示画素Ｐを構成する駆動用ＴＦＴ、画素選択用ＴＦＴ、及び保持容量Ｃｓが形成可能な領域（以下、「ＴＦＴ形成領域」と略称する）ＰＴｒ、及び有機ＥＬ素子１１Ｂの画素電極１２Ｂの配置例について、表示画素Ｐの平面図を参照して説明する。なお、表示画素Ｐの配置方法には、ストライプ配列及びデルタ配列とがある。ストライプ配列は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）のフルカラー表示に際して、同じ色の表示画素ＰのＴＦＴ形成領域ＰＴｒもしくは画素電極１２Ｂを同一線上に列状に配列するものである。デルタ配列は、異なる色の表示画素ＰのＴＦＴ形成領域ＰＴｒもしくは画素電極１２Ｂを、三角形の各頂点に対応するように配列し、この組を規則的に並置するものである。ストライプ配列及びデルタ配列は、表示装置の種類や表示目的によって使い分けられる。
【００１４】
図１５は、複数の表示画素Ｐがストライプ配列された場合の画素電極の配置例を示す平面図である。複数のＴＦＴ形成領域ＰＴｒは、表示部１０上にストライプ配列されて形成されている。これらのＴＦＴ形成領域ＰＴｒには、赤色（Ｒ）を発光する有機ＥＬ素子の画素電極ｒ２、緑色（Ｇ）を発光する有機ＥＬ素子の画素電極ｇ２、青色（Ｂ）を発光する有機ＥＬ素子の画素電極ｂ２がストライプ配列されている。ここで、各画素電極ｒ２，ｇ２，ｂ２は、各ＴＦＴ形成領域ＰＴｒの領域内に収まるように配置されている。即ち、これらの画素電極ｒ２，ｇ２，ｂ２は、発光層１３Ｂからの光が駆動用ＴＦＴ６１Ｂ等の素子や配線に遮られないように配置されている。
【００１５】
なお、関連する参考技術文献には、例えば以下の特許文献１が挙げられる。
【特許文献１】特開２００２−１７５０２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかし、上述のような発光領域を画素電極ｒ２，ｇ２，ｂ２によって決定するボトムエミッション型有機ＥＬ表示装置では、発光層１３Ｂからの光が透明ガラス基板４０Ｂを通して放出されるため、この光が駆動用ＴＦＴ６１Ｂ等の素子や配線に遮られないように、有機ＥＬ素子１１Ｂの画素電極ｒ２，ｇ２，ｂ２が配置されていた。これにより、発光領域のパターン配置に制限が生じていた。
【００１７】
また、画素電極ｒ２，ｇ２，ｂ２を、開口部を有する絶縁膜で覆って、その開口部によって発光領域を決定する場合においては、上述の理由と同様な理由により、発光領域のパターン配置に制限が生じていた。
【００１８】
そこで、本発明は、発光領域のパターン配置に関する自由度を向上させると共に、発光領域を多様なパターンで配置したトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置は、上述の課題に鑑みて為されたものであり、複数の表示画素のＴＦＴ形成領域を、表示部上にストライプ配列して形成し、有機ＥＬ素子の発光領域を、隣接するＴＦＴ形成領域に跨ってデルタ配列したものである。
【００２０】
また、複数の表示画素のＴＦＴ形成領域を、表示部上にデルタ配列して形成し、有機ＥＬ素子の発光領域を、隣接するＴＦＴ形成領域に跨ってストライプ配列したものである。
【００２１】
また、複数の表示画素のＴＦＴ形成領域を、表示部上にストライプ配列して形成し、有機ＥＬ素子の発光領域を、第１の方向にずらして、隣接するＴＦＴ形成領域に跨ってストライプ配列したものである。
【００２２】
また、複数の表示画素のＴＦＴ形成領域を、表示部上にデルタ配列して形成し、有機ＥＬ素子の発光領域を、第１の方向にずらして、隣接するＴＦＴ形成領域に跨ってデルタ配列したものである。
【００２３】
また、本発明のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子の発光領域を、第１の方向もしくは第２の方向の辺に対して９０度回転させて設置したものである。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、駆動用ＴＦＴ、画素選択用ＴＦＴ、及び保持容量の形成領域の配列パターンに依らずに、発光領域を、多様なパターンで配置した有機ＥＬ表示装置を実現できる。これにより、同一の配列パターンでＴＦＴ等を形成したガラス基板を、多様な有機ＥＬ表示装置に転用することができる。
【００２５】
また、１つの表示画素Ｐの駆動用ＴＦＴ、画素選択用ＴＦＴ、及び保持容量の形成領域ごとに、２つの発光領域を分割形成して発光領域に冗長性を持たせることで、いずれか一方の発光領域が使用不能となった場合においても、発光を継続できる。
【００２６】
また、複数の表示画素の駆動用ＴＦＴ、画素選択用ＴＦＴ、及び保持容量の形成領域を、表示部の特定箇所に集中して設けることで、発光領域の面積を広げることができる。
【００２７】
また、各色に対応する発光領域を、それぞれ異なる面積を有して形成できるため、各色ごとに異なる発光材料（発光層１３Ａを構成する有機材料等）の特性（発光効率、寿命等）の差異による影響（輝度や寿命のばらつき等）を発光領域の面積の調節により、極力少なくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
次に、本発明を実施するための最良の形態（以下、「実施形態」と略称する。）に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の構成を、図面を参照して説明する。
【００２９】
図１は、本発明の実施形態に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示画素Ｐの断面図である。図１では、表示部（不図示）上に行及び列のマトリクス状に複数個配置された表示画素Ｐのうち、１つを示している。なお、表示画素Ｐの等価回路及びその動作は、従来の技術の説明において示したものと同じである（図１３参照）。また、図１は、表示画素Ｐを構成する駆動用ＴＦＴ６１Ａ、画素選択用ＴＦＴ７１Ａ、及び保持容量Ｃｓが形成可能な領域（以下、「ＴＦＴ形成領域」と略称する）ＰＴｒのうち、駆動用ＴＦＴ６１Ａの近傍のみを示すものである。
【００３０】
本実施形態においては、表示画素Ｐの有機ＥＬ素子１１Ａはトップエミッション型有機ＥＬ素子であり、有機ＥＬ素子１１Ａが発生した光、即ち表示光は、ガラス基板４０Ａを通すことなく、ガラス基板４０Ａ上に形成された有機ＥＬ素子１１Ａの透明カソード１４Ａを通して外部へ放出される。以下、これらの素子の構造を詳しく説明する。
【００３１】
図１（ａ）は、２層の平坦化絶縁膜が形成される場合の、本実施形態に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【００３２】
図１（ａ）に示すように、ガラス基板４０Ａ上に、バッファ層ＢＦが形成されている。バッファ層ＢＦ上には、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結晶化してなる能動層６２Ａ、ゲート絶縁膜６３Ａ、及びクロムやモリブデンなどの高融点金属からなるゲート電極６４Ａが順に形成されており、その能動層６２Ａには、チャネル６２Ａｃと、このチャネル６２Ａｃの両側にソース６２Ａｓ及びドレイン６２Ａｄが設けられている。
【００３３】
そして、ゲート絶縁膜６３Ａ及びゲート電極６４Ａ上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮＸ膜及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜６５Ａが形成されている。層間絶縁膜６５Ａのソース６２Ａｓに対応した位置には、コンタクトホールＣ１が設けられ、これにＡｌ等の金属を充填して、正電源電圧ＰＶｄｄが供給される電源線Ｌ３が配置されている。更に全面に、例えば有機樹脂から成り、表面を平坦にする第１の平坦化絶縁膜６６Ａを備えている。その第１の平坦化絶縁膜６６Ａのドレイン６２Ａｄに対応した位置には、コンタクトホールＣ２が設けられ、これにＡｌ等の金属を充填して、ドレイン６２Ａｄと有機ＥＬ素子１１Ａのアノードである画素電極１２Ａがコンタクトされている。ここで、画素電極１２Ａは、光を透過せずに反射するＡｌ等から成る電極である。なお、画素電極１２Ａは透明、又は半透明でもよい。
【００３４】
第１の平坦化絶縁膜６６Ａ上、もしくは第１の平坦化絶縁膜６６Ａ上及び画素電極１２Ａの一部上には、開口部Ｋを有した第２の平坦化絶縁膜６７Ａ（例えば有機樹脂から成る）が形成されている。開口部Ｋに対応する画素電極１２Ａ上には、発光層１３Ａが形成されており、その上には、発光層１３Ａからの光を透過する透明カソード１４Ａが形成されている。透明カソード１４Ａには、電源電圧ＣＶ（不図示）が供給されている。発光層１３Ａから発光された光は、画素電極１２Ａを透過せずに透明カソード１４Ａを透過して放出される。なお、透明カソード１４Ａの代わりに半透明カソードを用いてもよい。
【００３５】
上述した２層の平坦化絶縁膜が形成された場合の実施形態においては、発光領域（発光層１３Ａから発光された光を放出する平面的な領域）の大きさは、第２の平坦化絶縁膜６７Ａの開口部Ｋにより決定される。
【００３６】
なお、上述したトップエミッション型有機ＥＬ表示装置は、２層の平坦化絶縁膜（第１及び第２の平坦化絶縁膜６６Ａ，６７Ａ）を有していたが、本発明のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置は、平坦化絶縁膜が１層のみ形成されたものであってもよい。次に、平坦化絶縁膜が１層のみ形成された場合の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００３７】
図１（ｂ）は、平坦化絶縁膜が１層のみ形成された場合の、本実施形態に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の断面図である。図１（ｂ）では、図１（ａ）に示したものと同じ構成要素については、同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００３８】
図１（ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子１１Ａは、表示画素Ｐごとに島状に分離形成されており、画素電極１２Ａ、発光層１３Ａ、及び発光層１３Ａからの光を透過する透明カソード１４Ａが、この順に積層形成された構造を有している。ここで、透明カソード１４Ａには、電源電圧ＣＶ（不図示）が供給されている。発光層１３Ａから発光された光は、画素電極１２Ａを透過せずに透明カソード１４Ａを透過して放出される。なお、透明カソード１４Ａの代わりに半透明カソードを用いてもよい。
【００３９】
上述した平坦化絶縁膜が１層のみ形成された場合の実施形態においては、発光領域の大きさは、画素電極１２Ａあるいは発光層１３Ａのいずれか小さい方の面積（画素電極１２Ａと発光層１３Ａとの重畳領域の大きさ）によって決定される。
【００４０】
なお、図１に示した各実施形態においては、画素電極１２Ａとそれに対応するＴＦＴ形成領域ＰＴｒが少なくともコンタクトできる領域分は、重畳していることが好ましく、また、各ＴＦＴ形成領域ＰＴｒに設けられるコンタクトホールは、互いに異なる位置に配置されていてもよい。
【００４１】
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置がフルカラー表示に対応する場合は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）をそれぞれ発光する３つの表示画素が１つのカラー画素（不図示）を形成し、光の３原色の原理によりフルカラー表示を行う。上記３色を発光する方法としては複数の手法が存在するが、ここでは、３色発光法を例に挙げる。即ち、３色に対応する各表示画素の各発光層１３Ａには、各色に対応した有機材料が用いられているものとする。
【００４２】
上述した表示画素Ｐの構造により、第２の平坦化絶縁膜６７Ａの開口部Ｋ、もしくは画素電極１２Ａと発光層１３Ａとの重畳領域によって決定される発光領域（以下、「発光領域」略称する）は、ガラス基板４０Ａ上に形成される駆動用ＴＦＴ６１Ａ等の素子や配線の位置に制約を受けることなく配置することができる。従って、発光領域もしくはＴＦＴ形成領域ＰＴｒの配置パターンに関する自由度を向上させることが可能となり、表示部表面からみた場合の発光領域を多様なパターンで形成することができる。
【００４３】
次に、発光領域が、ＴＦＴ形成領域ＰＴｒ上に、様々なパターンにより配置された実施例について、図面を参照して示す。なお、以下では、上述したトップエミッション型有機ＥＬ表示装置が、フルカラー表示に対応するものとして説明する。即ち、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）をそれぞれ発光する３つの表示画素の発光領域が、この組で近接して配置されているものとする。
【実施例】
【００４４】
図２は、第１の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部１０を示す平面図である。複数の表示画素ＰのＴＦＴ形成領域ＰＴｒ、即ち、駆動用ＴＦＴ６１Ａ、画素選択用ＴＦＴ７１Ａ、及び保持容量Ｃｓの形成領域が、矩形状に形成され、表示部１０上にストライプ配列されている。ここで、各表示画素Ｐを構成する有機ＥＬ素子１１Ａの発光領域ｒ１，ｇ１，ｂ１は、互いに等しいピッチで矩形状に形成され、隣接するＴＦＴ形成領域ＰＴｒに跨ってデルタ配列されている。
【００４５】
図３は、第２の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部１０を示す平面図である。複数のＴＦＴ形成領域ＰＴｒが、矩形状に形成され、行方向にずらされて配置され、表示部１０上にデルタ配列されている。ここで、発光領域ｒ１，ｇ１，ｂ１は、互いに等しいピッチで矩形状に形成され、隣接するＴＦＴ形成領域ＰＴｒに跨ってストライプ配列されている。
【００４６】
図４は、第３の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部１０を示す平面図である。複数のＴＦＴ形成領域ＰＴｒが、矩形状に形成され、表示部１０上にストライプ配列されている。ここで、発光領域ｒ１，ｇ１，ｂ１は、矩形状ではあるが互いに異なるピッチで形成され、隣接するＴＦＴ形成領域ＰＴｒに跨って（例えば、マトリクス状に配置された表示画素Ｐの第１の方向（行方向）にずれて）ストライプ配列されている。
【００４７】
図５は、第４の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部１０を示す平面図である。複数のＴＦＴ形成領域ＰＴｒが、矩形状に形成され、行方向にずらされて配置され、表示部１０上にデルタ配列されている。ここで、発光領域ｒ１，ｇ１，ｂ１は、矩形状ではあるが互いに異なるピッチで形成され、隣接するＴＦＴ形成領域ＰＴｒに跨って（例えば、マトリクス状に配置された表示画素Ｐの第１の方向（行方向）にずれて）デルタ配列されている。
【００４８】
図６は、第５の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部１０を示す平面図である。複数のＴＦＴ形成領域ＰＴｒが、矩形状に形成され、表示部１０上にストライプ配列されている。ここで、１つのＴＦＴ形成領域ＰＴｒごとに、複数（例えば２つ）の発光領域ｒ１ａ，ｒ１ｂ，ｇ１ａ，ｇ１ｂ，ｂ１ａ，ｂ１ｂを分割形成してストライプ配列し、発光領域に冗長性を持たせている。ここで、例えば、２つの発光領域ｒ１ａ，ｒ１ｂは島状に分割形成され、駆動用ＴＦＴ６１Ａに共通に接続されている（不図示）。これにより、いずれか一方の発光領域が使用不能となった場合においても、対応する色の発光が確保される。
【００４９】
図７は、第６の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部１０を示す平面図である。複数のＴＦＴ形成領域ＰＴｒが、矩形状に形成され、表示部１０上にストライプ配列されている。ここで、発光領域ｒ１，ｇ１，ｂ１の一部は、他とは異なる形状に形成され、隣接するＴＦＴ形成領域ＰＴｒに跨ってストライプ配列されている。
【００５０】
図８は、第７の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部１０を示す平面図である。複数のＴＦＴ形成領域ＰＴｒが、矩形状に形成され、表示部１０上にデルタ配列されている。ここで、発光領域ｒ１，ｇ１，ｂ１は、矩形以外の形状（円状）に形成され、隣接するＴＦＴ形成領域ＰＴｒに跨ってデルタ配列されている。
【００５１】
図９は、第８の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部１０を示す平面図である。複数のＴＦＴ形成領域ＰＴｒが、矩形状に形成され、表示部１０上にデルタ配列された場合の平面図である。ここで、発光領域ｒ１，ｇ１，ｂ１は、矩形以外の多種の形状に形成され、隣接するＴＦＴ形成領域ＰＴｒに跨ってデルタ配列されている。
【００５２】
図１０は、第９の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部１０を示す平面図である。複数のＴＦＴ形成領域ＰＴｒが、矩形状に形成され、表示部１０上にストライプ配列されている。ここで、発光領域ｒ１，ｇ１，ｂ１は、矩形状に形成され、マトリクス状に配置された表示画素Ｐの第１の方向（行方向）もしくは第２の方向（列方向）の辺に対して９０度回転させて、隣接するＴＦＴ形成領域ＰＴｒに跨ってストライプ配列されている。
【００５３】
図１１は、第１０の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部１０を示す平面図である。複数のＴＦＴ形成領域ＰＴｒ、矩形状に形成され、表示部１０上にデルタ配列されている。ここで、発光領域ｒ１，ｇ１，ｂ１は、矩形状に形成され、マトリクス状に配置された表示画素Ｐの第１の方向（行方向）もしくは第２の方向（列方向）の辺に対して９０度回転させて、隣接するＴＦＴ形成領域ＰＴｒに跨ってデルタ配列されている。
【００５４】
図１０及び図１１のパターン配置によれば、例えば、縦長の表示パネル（不図示）を９０度回転させて横長の表示パネル（不図示）に転用する場合、駆動用ＴＦＴ６１Ａ及び画素選択用ＴＦＴ７１Ａのパターン配置を変えることなく、上記発光領域ｒ１，ｇ１，ｂ１の配置方向を変更するのみで対応できる。これにより、設計変更を最小限にできるという利点がある。
【００５５】
図１２は、第１１の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部１０を示す平面図である。発光領域ｒ１，ｇ１，ｂ１が表示部１０上にストライプ配列されている。ここで、複数の発光領域ｒ１，ｇ１，ｂ１に対応したＴＦＴ形成領域ＰＴｒ（従来例では、マトリクス状に配置される表示画素Ｐの第１の方向（行方向）及び第２の方向（列方向）で隣り合っている）は、表示部１０における有機ＥＬ素子１１Ａの形成領域以外の特定箇所ｓに集中して設置されている。これにより、発光領域の面積を広げることができる。
【００５６】
上述したように、有機ＥＬ素子１１Ａの発光領域ｒ１，ｇ１，ｂ１は、表示画素Ｐ上においてＴＦＴ形成領域ＰＴｒの制約を受けずに、自由度を有して配置可能なため、多様な発光領域の配置パターンを実現することができる。これにより、ＴＦＴ形成領域ＰＴｒが同一のパターン（ストライプ配列もしくはデルタ配列）で配置されたガラス基板４０Ａを用いて、多様な発光領域の配置パターンを実現できる。
【００５７】
また、１つのＴＦＴ形成領域ＰＴｒごとに、２つの発光領域ｒ１ａ，ｒ１ｂ，ｇ１ａ，ｇ１ｂ，ｂ１ａ，ｂ１ｂを分割形成して、発光領域に冗長性を持たせることで、いずれか一方の発光領域が使用不能となった場合においても、対応する色の発光が確保される。
【００５８】
また、複数のＴＦＴ形成領域ＰＴｒを、表示部１０における有機ＥＬ素子１１Ａの形成領域以外の特定箇所ｓに集中して設けることで、発光領域の面積を広げることができる。
【００５９】
また、実施例３乃至４、及び実施例６乃至８においては、各色に対応する発光領域ｒ１，ｇ１，ｂ１を、それぞれ異なる面積を有して形成した。これにより、各色ごとに異なる発光材料（発光層１３Ａを構成する有機材料等）の特性（発光効率、寿命等）の差異による影響（輝度や寿命のばらつき）を、発光領域ｒ１，ｇ１，ｂ１の面積を調節することにより、極力少なく抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施形態に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示画素の断面図である。
【図２】第１の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部を示す平面図である。
【図３】第２の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部を示す平面図である。
【図４】第３の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部を示す平面図である。
【図５】第４の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部を示す平面図である。
【図６】第５の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部を示す平面図である。
【図７】第６の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部を示す平面図である。
【図８】第７の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部を示す平面図である。
【図９】第８の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部を示す平面図である。
【図１０】第９の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部を示す平面図である。
【図１１】第１０の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部を示す平面図である。
【図１２】第１１の実施例に係るトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部を示す平面図である。
【図１３】有機ＥＬ表示装置の表示画素の等価回路図である。
【図１４】従来例に係るボトムエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示画素の概略断面図である。
【図１５】従来例に係るボトムエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示部（ストライプ配列）を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０  表示部
１１Ａ，１１Ｂ  有機ＥＬ素子
４０Ａ  ガラス基板
４０Ｂ  透明ガラス基板
６１Ａ，６１Ｂ  駆動用ＴＦＴ
６６Ａ  第１の平坦化絶縁膜
６７Ａ  第２の平坦化絶縁膜
７１Ａ，７１Ｂ  画素選択用ＴＦＴ
Ｐ  表示画素
Ｋ  開口部
ｒ１，ｇ１，ｂ１  発光領域
ｒ２，ｇ２，ｂ２  画素電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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