(57)【要約】【課題】 高密度集積化と熱干渉の影響排除という二つの課題を同時に解決することができる、多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路を提供する。【解決手段】マッハツェンダ干渉計型光回路を１チップ上に複数有する、多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路における各チャンネルのマッハツェンダ干渉計型光回路間に溝７と共に断熱壁８を設ける。これにより、隣接するマッハツェンダ干渉計型光回路から放射される熱を効果的に抑え、熱干渉を抑制することができる。【選択図】  図１  
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの導波路と、２つのアーム導波路とを有し、前記２つのアーム導波路のうち少なくとも１つには、該アーム導波路の温度を調節できる構成を備えており、前記２つの導波路のうちの一の導波路が前記２つのアーム導波路の一端とＹ字型に接続され、前記一の導波路と異なる他の導波路が前記２つのアーム導波路の他端とＹ字型に接続されているマッハツェンダ干渉計型光回路、を複数有し、各マッハツェンダ干渉計型光回路の前記導波路は略並行である多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路において、
第１のマッハツェンダ干渉計型光回路のアーム導波路と前記第１のマッハツェンダ干渉計型光回路に隣接する第２のマッハツェンダ干渉計型光回路のアーム導波路との間に、溝と壁を設けたことを特徴とする、多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路。
【請求項２】
前記第１のマッハツェンダ干渉計型光回路の前記２つのアーム導波路と、前記第２のマッハツェンダ干渉計型光回路の前記２つのアーム導波路は、導波路方向と略垂直方向に並行して配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路。
【請求項３】
前記壁は、その中に導波路を備えることを特徴とする、請求項１に記載の多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路。
【請求項４】
前記壁の中に備えられた前記導波路は、マッハツェンダ干渉計型光回路の導波路に該当する部分であることを特徴とする、請求項２記載の多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路。
【請求項５】
前記溝は、前記第１のマッハツェンダ干渉計型光回路のアーム導波路と前記第２のマッハツェンダ干渉計型光回路のアーム導波路との間に複数存在し、前記壁は前記複数の溝の間に配置されていることを特徴とする、請求項１記載の多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路。
【請求項６】
前記溝には大気圧の空気が入っていることを特徴とする、請求項１記載の多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路。
【請求項７】
前記溝には大気圧の空気よりも熱伝導率の低い気体が入っていることを特徴とする、請求項１記載の多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路。
【請求項８】
２つの導波路と、２つのアーム導波路とを有し、前記２つのアーム導波路のうち少なくとも１つには、該アーム導波路の温度を調節できる構成を備えており、前記２つの導波路のうちの一の導波路が前記２つのアーム導波路の一端とＹ字型に接続され、前記一の導波路と異なる他の導波路が前記２つのアーム導波路の他端とＹ字型に接続されているマッハツェンダ干渉計型光回路、を複数有し、各マッハツェンダ干渉計型光回路の前記導波路は略並行である多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路において、
第１のマッハツェンダ干渉計型光回路、及び前記第１のマッハツェンダ干渉計型光回路に隣接する第２のマッハツェンダ干渉計型光回路、及び、前記第２のマッハツェンダ干渉計型光回路に隣接し前記第１のマッハツェンダ干渉計型光回路とは異なる第３のマッハツェンダ干渉計型光回路、を少なくとも有し、
前記第１のマッハツェンダ干渉計型光回路のアーム導波路と、前記第３のマッハツェンダ干渉計型光回路のアーム導波路との距離が、前記第２のマッハツェンダ干渉計型光回路における２本のアーム導波路間の距離以下であることを特徴とする、多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路。
【請求項９】
前記第１のマッハツェンダ干渉計型光回路及び前記第３のマッハツェンダ干渉計型光回路は、導波路の延びる方向と略垂直方向に並列に配置されており、前記第１のマッハツェンダ干渉計型光回路における導波路と２つのアーム導波路がＹ字型に接続されている分岐点のうち、前記第２のマッハツェンダ干渉計型光回路に近い分岐点及び、前記第３のマッハツェンダ干渉計型光回路における導波路と２つのアーム導波路がＹ字型に接続されている分岐点のうち前記第２のマッハツェンダ干渉計型光回路に近い点の２点を結んだ直線を境として、前記第１及び第３のマッハツェンダ干渉計型光回路のアーム導波路の有る側と前記前記第１及び第３のマッハツェンダ干渉計型光回路のアーム導波路の無い側に分けた場合に、
前記第２のマッハツェンダ干渉計型光回路の導波路からアーム導波路への分岐点のうち前記第１及び第３のマッハツェンダ干渉計型光回路に近い分岐点が、前記第１及び第３のマッハツェンダ干渉計型光回路のアーム導波路の有る側に存在することを特徴とする、請求項７に記載の多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路に関し、特に、熱干渉による影響を抑制する構成を備えることにより、従来技術に比べて小型化、高集積化を実現することができる多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＷＤＭ（Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）通信システムは、一般に、各々異なる波長を有する、複数のチャンネルの光信号をＡＷＧ（Ａｒｒａｙｅｄ  Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ  Ｇｒａｔｉｎｇ）で多重化し、伝送を行うものである。
【０００３】
現在の波長多重通信システムでは伝送容量の増大に伴って、通信に必要なチャンネル数が飛躍的に増大している。それに伴い、伝送後の全てのチャンネルの受信感度を維持するべく、各チャンネルの光信号のレベルを各チャンネル毎にＶＯＡ（Ｖａｒｉａｂｌｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ａｔｔｅｎｕａｔｏｒ）を用いて精確に制御する必要がある．こうした制御を行うことができ、かつシステムの低価格化、小型化を実現するには、制御性の良い光素子を高密度に集積化することが必須となる。かかる目的を実現するＶＯＡとして、ＰＬＣ（Ｐｌａｎａｒ Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｃｉｒｃｕｉｔ)技術を用いて作製した多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路がある。
【０００４】
マッハツェンダ干渉計型光回路とは、光導波路を２本のアーム導波路の一端と接続するようＹ字型に分岐し、その２本のアーム導波路の他端が１本の導波路とＹ字型に接続するような構成となっており、２本のアーム導波路のうち少なくとも１本には、温度調節のためのヒーター等が備えられている。このヒータ等により光の位相を変化させて、適切に光の減衰を行うことができる回路である。
【０００５】
まず、マッハツェンダ干渉計型光回路における、熱光学位相シフタの動作原理について述べる。外部電源によりヒータに電力が供給されると、ヒータが発熱し、光導波路の温度を上昇させる。すると、温度の上昇に伴って光導波路の屈折率が変化し、光導波路の実効長が変化する。この実効長の変化により、入力端から光導波路に入射された光の出力端における位相が変化する。
【０００６】
この熱光学位相シフタをマッハツェンダ干渉計の片側アーム導波路に装荷し、２つのアーム導波路を通った光の位相差を０から伝播させる光の半波長分（π）の間で任意に調整することで、マッハツェンダ干渉計を透過してくる光の強度を任意に減衰させることができる可変光減衰器となる。
【０００７】
このようなマッハツェンダ干渉計を１チップ上に複数個並列する、多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路を構成することによって、入力した光信号を、各チャンネル毎に、適切に減衰を行うことができる。
【０００８】
ただし、隣接するマッハツェンダ干渉計などの影響により、熱光学位相シフタを装荷していない方の導波路の温度が上昇することがある。こうした熱光学位相シフタの制御性の悪化を防ぐことが必須であり、また、所望の減衰量を得るための消費電力を低減することが求められている。
【０００９】
しかし、図９に示すように、こうしたＰＬＣを用いた多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路を作製したとしても、パターンの存在しない余白部分が多くなり、一度の作製プロセスによる素子収量が少量で、素子が高価になるという問題点がある。
【００１０】
さらにアーム導波路に熱光学位相シフタを装荷したマッハツェンダ干渉計型光回路においては、隣接チャンネルとの熱干渉が大きく、チャンネル各個の制御性が劣化してしまうという問題もある。
【００１１】
上記における問題点のうち、特に後者の熱干渉の問題を解決する方法として光減衰部の位置を基板の伝播方向と平行にずらすような配置が考えられる（例えば、特許文献１参照）。しかし、上記の特許文献１に記載した方法は収量が少なくなってしまい、素子サイズはチャンネル数増加に対して小型化できるどころか逆に大型化を招くことが予測され、光素子を高密度に集積化する、という目的を果たすことができるものではない。
【００１２】
また、通常の多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光減衰器では、図９に示すように、干渉計の片側アーム導波路に設けられた熱光学位相シフタでの発熱が隣接する干渉計に影響を及ぼし（熱干渉、または熱クロストーク）、チャンネル各個の制御性悪化や出力光強度の変動を招くという問題が生じる。例えば電圧０Ｖの時に損失が最小となるノーマリーオン型光減衰器では、１０［ｄＢ］減衰動作時に隣接チャンネルから５％程度の熱干渉を受けただけで、つまり、隣接チャンネルのヒータから導波路に流入する熱が、そのヒータが発する熱量の５％程度であっただけで、計算上損失が±２［ｄＢ］程度変動してしまう。偏光による変動が０．５［ｄＢ］以下であるのに比較して、熱干渉による影響は非常に大きな変動量であるため、減衰器として適切に動作させるには、これを防ぐ必要がある。
【００１３】
熱干渉を防ぐため第１に考えられる方法は、熱の干渉量は距離に反比例して小さくなることを考慮して、チャンネル間の距離を広げることである。しかし、５％の熱干渉が生じるチャンネル間距離は約５００［μｍ］と、通常のマッハツェンダ干渉計のアーム間距離を考慮すれば大きな値である。このアーム間距離を熱干渉低減のためにさらに広げると素子が大きくなるため、回路全体の小型化が実現できず、高密度集積化という課題を解決できない。
【００１４】
第２の方法として考えられるのはチャンネル間に熱伝導率の低い材料を置くことである。例えば図１０及び図１１のように、溝を掘って単に空気を層を設けることでも、隣接チャンネルとの距離を変えずに熱干渉を抑制することができる（導波路の周囲に溝を設ける技術については特許文献２を参照）。この方法を用いると、第１の方法と同じ程度の距離であれば熱干渉は１％程度であり、１０［ｄＢ］減衰動作時に損失変動が±０．４［ｄＢ］程度と、偏光による変動と同等程度にまで改善する。しかし偏光による変動と熱干渉による変動は足し合わせが可能な成分であるため、この方法を用いたとしても最大で±１［ｄＢ］程度の変動が生じることになり、依然として問題は残る。また、断熱溝を設けてもある程度以下の距離であれば、輻射により隣のマッハツェンダ干渉計のアーム導波路との間で熱干渉が発生してしまい、各チャンネルの独立性を維持することは困難である。
【００１５】
【特許文献１】特開２００２−１６９１３０号公報
【特許文献２】特開平１−１５８４１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
このように従来においては、光素子の高密度集積化と熱干渉の影響排除という二つの課題を同時に解決することは困難とされてきた。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
そこで本願発明においては、この二つの課題を解決するため、複数個のマッハツェンダ干渉計型光回路を含んだ光素子において以下の手段を用いる。第１の手段は、マッハツェンダ干渉計型光回路のチャンネル間に断熱溝を形成し、かつ、断熱溝中間部に吸熱用の壁を置くことを特徴とする。
【００１８】
また、第２の手段では前記第１の手段における吸熱用の壁の中に導波路が含まれることを特徴とする。
【００１９】
さらに、第３の手段として、マッハツェンダ干渉計型光回路を１チャンネルおきに光導波方向に互い違いにずらすと同時に、その１チャンネルおきの間隔を、通常のマッハツェンダ干渉計の間隔よりも狭めるよう配置することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
第１の手段を用いることにより、熱干渉を偏光による変動に比べて非常に小さく抑えられる。従ってチップのサイズを変更せずとも熱干渉による損失変動は無視できるレベルにまで改善できることが期待される。
【００２１】
また、第２の手段を用いることにより、上記第１の手段における効果に加え、チップの大きさをほとんど変えることなくマッハツェンダ干渉計のチャンネル数をおよそ２倍にすることができ、１チャンネル当たりにかかるチップ作製コストをほぼ半減できる。その一方で、多チャンネルのマッハツェンダ干渉計型光回路が高密度に集積化されることで、構造パラメータ（導波路サイズ、屈折率等）のわずかな偏差による各チャンネルのばらつきが、従来の同チャンネル数素子に比べて実質半分に抑えられ、チップの集積度が向上する。
【００２２】
第３の手段を用いることにより、断熱溝間に吸熱壁が設けられ、熱干渉を大幅に低減することができる。また、マッハツェンダ干渉計型光回路の消光動作時に発生する、散乱光による光クロストーク特性の劣化を防ぐという効果も奏することができる。さらに、チップの大きさは従来技術の大きさと同等としたとき、マッハツェンダ干渉計のチャンネル数は２倍以上になる。
【００２３】
以上の方法を用いることにより、素子の大型化を防ぎつつ、熱干渉も最小限にすることができ、課題の解決を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明を実施する最良の形態としては、マッハツェンダ干渉計型光回路における各アーム導波路間に溝と共に断熱壁を設ける。これにより、効果的に熱放射を抑え、熱干渉を抑制することができる。
【実施例１】
【００２５】
本発明の実施例について、マッハツェンダ干渉計型光回路を並行に並べた間に吸熱壁を設ける例について述べる。
【００２６】
まず、マッハツェンダ干渉計型光回路の構成及び材料について、図１を参照しながら以下において述べる。図１は（ａ）が本実施例におけるマッハツェンダ干渉計型光回路を上から見た図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図である。
【００２７】
本発明におけるマッハツェンダ干渉計型光回路は、基板１の上に、クラッド層１５を設ける。クラッド層１５は後述する下側クラッド層とこの下側クラッド層上に設けられた上側クラッド層を有する。また下側クラッド層上には基板１の表面に平行な方向に延びるコアが設けられており、上側クラッド層はコアを覆うように設けられている。このコア及びコアの周囲のクラッド層１５により光導波路１６が形成されている。この光導波路１６は直線状に形成されていても曲線状に形成されていてもよい。こうして図２を参照の通り、チャンネル間の溝と壁によって、ヒータから生じる熱が他のマッハツェンダ干渉計型光回路に与える影響を抑制することができる。
【００２８】
ここで、実施における一例として具体的な光導波路及び光回路の大きさを示す。基板１は厚さが０．８［ｍｍ］、上側クラッド層及び下側クラッド層の膜厚は夫々１４［μｍ］及び１５［μｍ］程度、コアの長手方向に直交する断面の形状は高さが５．５［μｍ］、幅が５．５［μｍ］の矩形とすることが考えられる。
【００２９】
クラッド層１５の表面には薄膜ヒータ５が設けられている。図３を参照の通り、薄膜ヒータ５は両端部の電極部分５ａと、電極部分５ａ間のヒータ部分５ｂを備えている。なお、図３は（ａ）が本実施例におけるマッハツェンダ干渉計型光回路を上から見た図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図である。
【００３０】
また光導波路１６の両側には、光導波路が延びる方向と並行に延びる溝７が、光導波路１６を挟むように２ヶ所に形成されている。
【００３１】
具体的な形状の一例を挙げると、薄膜ヒータ５の一例は、膜厚０．２［μｍ］のクロムからなる薄膜、電極部分５ａの形状は正方形であり、ヒータ部分５ｂの形状は幅が１０［μｍ］、長さが４［ｍｍ］の細線状であることが考えられる。また、溝７の長手方向の長さは４［ｍｍ］、溝７の幅、即ち光導波路が延びる方向に直交する方向の長さは２５０［μｍ］、溝７の深さは２９［μｍ］、溝７間の距離、即ち光導波路１６のリッジ幅は２５［μｍ］である。
【００３２】
次に本実施例に係るマッハツェンダ干渉計型光回路の製造方法について説明する。先ず図４（ａ）に示すとおり、基板１上に石英を主成分とし、ＢＰＳＧ（ホウ素・リン添加シリカガラス）からなるガラス膜を、ＡＰ−ＣＶＤ（常圧化学気相成膜法）により成膜する。この生成された膜が下側クラッド層２となる。
【００３３】
さらに、例えばゲルマニウム及びリンの混入量が調節されたＧＰＳＧ（ゲルマニウム・リン添加シリカガラス）など、下側クラッド層２よりも屈折率が大きい材料を用いて、下側クラッド層２上に薄膜３ａを形成する。
【００３４】
ここで、具体的な回路の大きさは、基板１が例えば厚さが０．８［ｍｍ］、ガラスの薄膜の厚さは１４［μｍ］程度であることが考えられる。この薄膜３ａはＡＰ−ＣＶＤにより、例えば５．５［μｍ］の厚さに成膜され、このとき、コア３と下側クラッド層２との比屈折率差Δは０．６５％となる。
【００３５】
次に図４（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ及びＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により薄膜３ａがパターニングされ、基板１の表面に平行な方向に延び、この延びた方向に直交するコア３が形成される。次にコア３を埋め込むようにＢＰＳＧ等で形成された上側クラッド層４がＡＰ−ＣＶＤにより形成され、埋め込み型の光導波路を形成する。
【００３６】
具体的な回路の大きさの一例を挙げると、コア３は断面が矩形状で幅が５．５［μｍ］、上側クラッド層４の膜厚は１５［μｍ］である。
【００３７】
次に図４（ｃ）に示すように、上側クラッド層４の表面におけるコア３の直上域に、クロム薄膜等の金属膜６を電子ビーム蒸着法により成膜する。続いてフォトリソグラフィ及びウェットエッチングにより金属膜６を所定の形状にパターニングし、薄膜ヒータ５を形成する。
【００３８】
具体的な例としては、金属膜６の膜厚は０．２［μｍ］である。
【００３９】
次に図４（ｄ）に示すように、上側クラッド層４及び薄膜ヒータ５を覆うようにレジスト６を成膜する。レジスト６にはフォトリソグラフィにより、薄膜ヒータ５の両側に２ヶ所の開口部６ａを形成する。続いてレジスト６をマスクとしてＲＩＥによりエッチングが行われクラッド層１５の薄膜ヒータ５の両脇に相当する領域を選択的に除去し、基板１に達する深さの溝７を形成する。
【００４０】
具体的な例としては、開口部６ａ間の距離は例えば２５［μｍ］である。
【００４１】
図４（ｄ）の溝を形成する段階で、隣接するヒータ５を備えた光導波路との間に設けた断熱溝の中間部にレジストマスクを残し、吸熱壁８を形成する。
【００４２】
壁を設けたことにより、輻射熱が隣接チャンネルに到達せず、断熱壁に吸熱される。壁が無かった場合には熱干渉は１％程度であるのに対し、上記の作成方法によって、これまで述べた具体的数値の例に従って装置を構成した場合、熱干渉は０．２％にまで大幅に低減できる。隣接するマッハツェンダ干渉計のアーム導波路間隔はチップサイズの小型化と熱干渉の低減のトレードオフを考えて、通常３００〜５００［μｍ］程度とすることが望ましい。この場合における吸熱壁８の幅は、例えばリッジ幅と同じ２５［μｍ］程度が具体的な例として考えられ、基本的な導波路配置設計を変えずとも溝の中に十分設置できる大きさであり、集積化にあたっての障壁となるものではない。
【００４３】
なお、特に、各チャンネルの導波路は略並行であることが望ましい。
【００４４】
また、上記の本実施例に加えて、図５のように、回路の表面を容器９で覆って密封し、溝７の内部の圧力を減圧するなどして、溝内の熱伝導率を大気中の空気よりも低くするような構成としてもよい。また減圧する他にも、希ガスや、空気中からヘリウムを除いたものなどの熱伝導率の低い気体を溝の中に充填させるようにしてもよい。
【実施例２】
【００４５】
第２の実施例として、吸熱壁の内部に導波路を設けた例を図６に示す。図６は（ａ）が本実施例におけるマッハツェンダ干渉計型光回路を上から見た図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図である。マッハツェンダ干渉計のアーム導波路等のように、吸熱壁８の内部に導波路１６を設けることで、回路を第１の実施例よりもさらに効率良く集積化することができる。
【００４６】
通常隣接マッハツェンダ干渉計のアーム間距離は３００〜５００［μｍ］であるため、この間に断熱溝を形成すると２５０〜４５０［μｍ］程度の溝幅ができる。この中間部に例えば２５［μｍ］の幅の吸熱壁を作成した場合、その内部中心を導波路が通っていても、隣接する熱光学位相シフタからの輻射熱で位相がわずかに変動するが、その変動がアーム導波路で生じたものでなければ、損失や偏波依存性などには全く問題が生じない。本実施例における、導波路１６を設置する方法は、導波路形成用フォトマスクで吸熱壁部分に導波路パターンを描けば良い。その他の作製方法は、第１の実施例と全く同じ方法を用いる。
【００４７】
本実施例を用いることにより、上述の第１の実施例で述べたような溝のみを設けた場合に比べて、導波路を構成するクラッド層およびコア層を溝形成エッチング時に除去せずに利用するため、光回路設計上において限られた領域を有効に利用することができ、チップの高集積化を図ることができる。
【００４８】
なお、本実施例の場合の熱干渉量については 上述した第１の実施例の場合と構造上なんら変わらないため、実施例１において記載した具体的数値の一例をもって構成した場合には、０．２％という極めて低い値を実現できる。
【実施例３】
【００４９】
第３の実施例として、マッハツェンダ干渉計を互い違いに配置した例を図７に示す。
【００５０】
これは、マッハツェンダ干渉計型光回路を１チャンネルおきに光導波方向に互い違いにずらし、同時に通常のマッハツェンダ干渉計の間隔よりも狭めて配置することで、素子の大型化を防ぎつつも、熱干渉も最小限にするものである。
【００５１】
具体的には、図７に示すように、２つ以上のマッハツェンダ干渉計型光回路を１つおきに光導波方向に互い違いにずらして配置する。こうしてマッハツェンダ干渉計を光導波方向に互い違いに配置し、かつマッハツェンダ干渉計間の水平距離を近づけることでチップの小型化が可能となる。
【００５２】
このように、干渉計の配置を光導波方向に互い違いにずらした場合に、導波路の伸びる方向と略垂直方向に並列に並んだマッハツェンダ干渉計型光回路の一方を奇数番号チャンネル、もう一方を偶数番号チャンネルとする。
【００５３】
この奇数番号チャンネルのマッハツェンダ干渉計が熱干渉に関係する仮想隣接チャンネルと考えると、それらのアーム導波路間に配置した偶数チャンネルの導波路が吸熱壁としての役割も果たすことになる。逆に、偶数番号チャンネルのマッハツェンダ干渉計が熱干渉に関係する仮想隣接チャンネルと考えると、それらのアーム導波路間に配置した奇数チャンネルの導波路が吸熱壁としての役割も果たすことになる。
【００５４】
この導波路を内包した吸熱壁は、第２の実施例における、導波路を内包した吸熱壁を用いる。なお、１つおきにずらす例について述べたが、２つおき、３つおき等、規則性をもってマッハツェンダ干渉計を光導波方向にずらした配置をとることも、本願発明の思想に含まれるものとする。
【００５５】
これにより、熱干渉を抑えつつチップサイズも小型化できる、という効果を奏することができる。
【００５６】
同一のマッハツェンダ干渉計における２つのアーム導波路間の距離をｄ１とし、実際に隣接する偶数または奇数チャンネル間のマッハツェンダ干渉計の距離をｄ２とする。するとｄ１がｄ２以下となるよう構成することで、さらにチップ全体の小型化を図ることができる。  
この、ｄ１は、実施例２における距離と同程度とすることもできる。本実施例によれば、集積率は従来技術の２倍以上となる一方で、熱干渉については十分に防ぐことができる。
【００５７】
上記においては水平距離について述べたが、装置の更なる小型化を図るために、光導波方向についても各チャンネルのアーム導波路について距離を狭めることが望ましい。そのために、図８のように、奇数チャンネルの導波路からアーム導波路への分岐点（図８における、１７ａ、１７ｃ）が偶数チャンネルの同じく分岐点（同１７ｂ、１７ｄ）より、アーム導波路側にあるよう構成することにより、更なる小型化を図ることができる。
【００５８】
以上、本発明における実施例について述べたが、本発明はかかる実施例に限定されるものではなく、適宜変更したものについても含まれるものとする。特に実施例中の数値や材料に関しても実施例に限られるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明実施例１における多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路の構造
【図２】本発明実施例１における多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路の断面図
【図３】本発明実施例１におけるヒータの配置
【図４】多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路の作製プロセス
【図５】本発明実施例１における実施例の応用例
【図６】本発明実施例２における多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路の構造
【図７】本発明実施例３における多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路の構造
【図８】本発明実施例３における多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路の構造
【図９】従来における多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路
【図１０】従来における断熱溝を配置した多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路
【図１１】従来における断熱溝を配置した多チャンネルマッハツェンダ干渉計型光回路の断面図
【符号の説明】
【００６０】
１    基板
２    下側クラッド層
３    コア
４    上側クラッド層
５    薄膜ヒータ
５ａ  電極部分
５ｂ  ヒータ
６    レジスト
７    溝
８    吸熱壁
９    容器
１１  導波路
１２  アーム導波路
１３  空白部分
１４  熱干渉の及ぶ範囲
１５  クラッド層
１６  導波路
１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ  分岐点
１８  熱の流れを表す矢印
【図１】
2005156855.tif 000003
【図２】
2005156855.tif 000004
【図３】
2005156855.tif 000005
【図４】
2005156855.tif 000006
【図５】
2005156855.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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