(57)【要約】      （修正有）【課題】  試料の測定対象パターンが、単位のパターンを繰り返して配したパターンの一部である場合にも、一意的に測定する二次電子像のパターン位置を特定し、精度的にも問題なく測長できる電子ビームを用いる測長方法及び測長装置を提供する。【解決手段】  位置特定用パターンとのパターンマッチング度合を評価するパターンマッチング処理を、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域全体について行い、そのパターンマッチング度合の評価の点数ＰＭ（ｉ）と、位置評価の点数ＰＬ（ｉ）を加味して、総合的に点数評価する総合評価をして、各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）の総合評価の点数ＴＥ（ｉ）により、選別された各候補パターンの中から、１つを、前記位置特定用パターンに対応する二次電子像のパターンとして選択し、該二次電子像のパターンの位置を基にして、測長する二次電子像のパターンの位置を決めて、測長する。【選択図】  図１
2005331495.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）から測長すべき箇所を特定して測長を行う、電子ビームを用いる測長方法であって、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）を表示する表示領域内の絵柄の一部を表す、ＣＡＤデータ上の、二次電子像の測長すべき位置を特定するための所定サイズ領域の位置特定用パターン（テンプレートパターン）と、前記表示領域全体に対応する画像データ内の、前記所定サイズ領域と同じサイズ領域の各二次電子像パターンとの、パターンマッチング度合を点数評価する、パターンマッチング処理を、前記二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域全体について行い、得られた各二次電子像パターンの、パターンマッチング度合の点数評価の結果から、マッチング程度の良いものから順に、複数Ｎ個だけ、選別し、選別された各二次電子像パターンを、前記位置特定用パターンに対応する二次電子像のパターンの候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）とし、更に、選別された各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）について、表示領域の中心からの距離（位置ズレ量）ＤＬｉに対応して、点数評価する位置評価をし、選別された各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）について、そのパターンマッチング度合の評価の点数ＰＭ（ｉ）と、位置評価の点数ＰＬ（ｉ）を加味して、総合的に点数評価する総合評価をして、各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）の総合評価の点数ＴＥ（ｉ）により、選別された各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）の中から、１つを、前記位置特定用パターンに対応する二次電子像のパターンとして選択し、該二次電子像のパターンの位置を基にして、測長する二次電子像の位置を決めて、これを測長すべき二次電子像のパターンの測長位置として、測長するものであることを特徴とする電子ビームを用いる測長方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電子ビームを用いる測長方法であって、位置特定用パターンとして、本来測長すべき箇所を含むものを用いることを特徴とする電子ビームを用いる測長方法。    
【請求項３】
請求項１ないし２のいずれか１項に記載の電子ビームを用いる測長方法であって、パターンマッチング処理は、順に、二次電子像の表示領域全体に対して、表示の単位領域である各ピクセル毎、位置特定用パターン（テンプレートパターン）と、前記各ピクセルをその所定位置（例えばセンター位置）として、位置特定用パターンと同サイズの前記二次電子像の領域のパターンである、ピクセル対応パターンとについて、パターンのマッチング度合を評価する処理を、全表示領域全体について行い、各ピクセル毎に、その対応するピクセル対応パターンのパターンマッチング度合のデータであるパターンマッチング度を得るものであることを特徴とする電子ビームを用いる測長方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電子ビームを用いる測長方法であって、パターンマッチング度合の評価は、ＣＡＤデータ上の位置特定用パターンの複数の所定の領域における、各ピクセル毎の輝度の差の分布状態から点数付けして決めるものであることを特徴とする電子ビームを用いる測長方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子ビームを用いる測長方法であって、位置評価は、パターンマッチング処理により選択された各二次電子像パターンの領域中心位置の、二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域の中心位置からの距離に基づき、該距離が大きければ小さく、小さければ大きくなるように、重み付けして点数評価するものであることを特徴とする電子ビームを用いる測長方法。
【請求項６】
請求項５記載の電子ビームを用いる測長方法であって、前記位置評価における重みづけは、二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域における表示位置誤差（ｘ、ｙ）の確率密度関数ｆ（ｘ、ｙ）に基づいて算出するものであることを特徴とする電子ビームを用いる測長方法。
【請求項７】
請求項６記載の電子ビームを用いる測長方法であって、予め、表示位置誤差（ｘ、ｙ）を繰り返し測定して、Ｍ個の表示位置誤差誤差データ、（ｘ１、ｙ１）、（ｘ２、ｙ２）、・・・・・・（ｘＭ、ｙＭ）を求めておき、前記Ｍ個の表示位置誤差データから平均ベクトルμと共分散行列Σを算出し、これらより、下記（１）式で表される正規分布の式を求めて、これを前記確率密度関数として用いることを特徴とする
電子ビームを用いる測長方法。
【数１】
2005331495.tif 000006
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電子ビームを用いる測長方法であって、二次電子像の表示領域のパターンは、単位のパターンが繰り返して形成されるパターンであることを特徴とする電子ビームを用いる測長方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電子ビームを用いる測長方法であって、試料はフォトマスクであることを特徴とする電子ビームを用いる測長方法。
【請求項１０】
電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域内のパターンの測長を行う電子ビームを用いる測長装置であって、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域全体の画像を画像データとして記憶しておく、表示パターンデータ記憶手段と、前記表示領域内の絵柄の一部を表す、ＣＡＤデータ上の、二次電子像の測長すべき位置を特定するための所定サイズ領域の位置特定用パターン（テンプレートパターン）のデータを、記憶しておく、位置特定用パターンデータ記憶手段と、位置特定用パターン（テンプレートパターン）と、前記表示領域全体に対応する画像データ内の、前記所定サイズ領域と同じサイズ領域の各二次電子像パターンとの、パターンマッチング度合を点数評価する、パターンマッチング処理を行うための、パターンマッチング処理手段と、パターンマッチング処理手段の処理結果に基づき、許容できる所定のマッチング程度より良い二次電子像パターンを、マッチング程度の良いものから順に、複数Ｎ個だけ、候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）として選別する、候補パターン選択手段と、候補パターン選択手段により選別された各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）について、画像データの中心からの距離（位置ズレ量）ＤＬｉに対応して、点数評価する位置評価手段と、各選別された各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）について、そのパターンマッチング度合の評価の点数ＰＭ（ｉ）と、位置評価の点数ＰＬ（ｉ）を加味して、総合的に点数評価する総合評価手段とを、を備えたもので、各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）の総合評価の点数ＴＥ（ｉ）により、選別された各候補パターンの中から、１つを、前記位置特定用パターンに対応する二次電子像のパターンとして選択し、該二次電子像のパターンの位置を基にして、測長する二次電子像のパターンの位置を決めて、測長するものであることを特徴とする電子ビームを用いる測長装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電子ビームを用いる測長装置であって、位置特定用パターンとして、本来測長すべき箇所を含むものを用いることを特徴とする電子ビームを用いる測長装置。
【請求項１２】
請求項１０ないし１１のいずれか１項に記載の電子ビームを用いる測長装置であって、パターンマッチング処理手段は、順に、二次電子像の表示領域全体に対して、表示の単位領域である各ピクセル毎、位置特定用パターンと、前記各ピクセルをその所定位置（例えばセンター位置）として、位置特定用パターンと同サイズの前記二次電子像の領域のパターンである、ピクセル対応パターンとについて、パターンのマッチング度合を評価する処理を、全表示領域全体について行い、各ピクセル毎に、その対応するピクセル対応パターンのパターンマッチング度合のデータであるパターンマッチング度を得るものであることを特徴とする電子ビームを用いる測長装置。
【請求項１３】
請求項１０ないし１２のいずれか１項に記載の電子ビームを用いる測長装置であって、パターンマッチング度合の評価は、ＣＡＤデータ上の位置特定用パターンの複数の所定の領域における、各ピクセル毎の輝度の差の分布状態から決めるものであることを特徴とする電子ビームを用いる測長装置。
【請求項１４】
請求項１０ないし１３のいずれか１項に記載の電子ビームを用いる測長装置であって、位置評価は、パターンマッチング処理により選択された各二次電子像パターンの領域中心位置の、二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域の中心位置からの距離に基づき、該距離が大きければ大きく、小さければ小さくなるように、重み付けして点数評価するものであることを特徴とする電子ビームを用いる測長装置。
【請求項１５】
請求項１０ないし１４のいずれか１項に記載の電子ビームを用いる測長装置であって、二次電子像の表示領域のパターンは、単位のパターンが繰り返して形成されるパターンであることを特徴とする電子ビームを用いる測長装置。
【請求項１６】
請求項１０ないし１５のいずれか１項に記載の電子ビームを用いる測長装置であって、試料はフォトマスクであることを特徴とする電子ビームを用いる測長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビーム測長方法および電子ビーム測長装置に関し、特に、フォトマスクにおける、単位のパターンが繰り返して形成されているパターンにおいても、測長すべき二次電子像のパターンの位置を一意的に特定し、精度的にも問題なく測長できる、電子ビームを用いる測長方法および電子ビームを用いる測長装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）を得て、パターン幅を測定する電子ビーム測長装置では、レチクル等のフォトマスクのパターン幅の測長を行う場合、フォトマスクの表面上を電子ビームで走査して測長すべき配線パターン位置付近の二次電子像を得るが、この二次電子像はディスプレイにグレースケールの画像として表示される。
そして、ディスプレイに表示された二次電子像上で作業者（オペレータ）が目視にて測長すべき位置を指定している。
あるいはまた、設計上のＣＡＤデータの、所定サイズ領域の特徴的なパターンをテンプレートパターンとして登録し、このテンプレートパターンと、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）のディスプレイ表示領域の中の、前記テンプレートパターンと同じサイズ領域の二次電子パターンとのパターンマッチングを行い、マッチングする二次電子像（ＳＥＭ像）の二次電子パターン領域を抽出し、そこからの相対位置で測長すべき位置を特定している。
【０００３】
しかし、二次電子像上での測長すべき位置のオペレータによる指定、パターンマッチングによる特定は、次のような理由により容易ではない。
半導体集積回路の大規模化、高集積化に伴い、二次電子像の視野が相対的に極めて狭くなり、かつ試料が搭載されるステージの位置決め誤差が、配線ピッチに対し相対的に大きくなってきている。
そのため測長点の座標データに基づきステージ移動させても、その測長点がディスプレイに表示された二次電子像の中心に表示されるとは限らない。
むしろ、画像上の中心から外れた場所に、ずれてしまうことが多い。
そのずれ誤差を補償するために、オペレータは特徴的なパターンを目印とし、そこから目的の測長点を二次電子像上で探すことになる。
【０００４】
前述のパターンマッチングを行う方法の場合、実際に測長をする時には、高い倍率で精密な測長を行うことが求められるが、高倍率で測長を行うには、ディスプレイに表示される範囲は狭くなり、高倍で特徴的なパターンをディスプレイに高倍で表示させると、パターンマッチングにて特定される目印となる特徴的なパターンは、測長すべきパターン位置からは、二次電子像上で遠くにありすぎて、測長すべきパターンが表示されないということが起こり、実用的ではない。
そのため、まずは比較的近傍に特徴的なパターンが含まれる程度の視野が確保できる低倍率にて、特徴的なパターンの位置を特定し、次に、そこから目的となる測長点の位置に移動するというプロセスを経てから、その測長点位置を中心に高倍率に切り替え、実際の測長を行っている。
しかし、実際にはステージ精度やレチクルのチャージアップの影響で、高倍率切り替え後に位置ずれが生じ、測長位置が、二次電子像の視野の中心に来るとは限らない。
このため、測長位置が画面の中央にあるものとして自動的に測定対象の輪郭部を抽出する場合には、測長する処理の範囲からはみ出してしまうことがある。
そうなると測長は失敗するため、この位置ずれを、オペレータが二次電子像を見ながらステージ位置を補正するか、この高倍率二次電子像において再びパターンマッチングを行い、低倍のときと同様に改めて測長位置を特定する、といった方法が必要となる。
【０００５】
尚、特開平５−１０１１６６号公報（特許文献１）には、所定サイズ領域のパターン（テンプレートパターン）と、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）のディスプレイ表示領域の中の、前記テンプレートパターンと同じサイズ領域のパターンとのパターンマッチングを行い、マッチング度合の最も良い二次電子像（ＳＥＭ像）のパターン領域を抽出し、これに基づいて測長すべき位置と特定する方法が開示されている。
しかし、この方法においては、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域内のパターンの絵柄が単位のパターンを繰り返した、例えば、ラインアンドスペースのような絵柄である場合には、測長すべき二次電子像のパターン領域の位置を正確に特定することができなく、これが問題となっていた。
例えばラインアンドスペースパターンやコンタクトホールの繰り返しのような、繰り返しパターンの場合、繰り返しパターン周期の整数倍だけ離れた別のパターンにマッチングしてしまい、結果として実際に測長すべきパターンから数ピッチ離れた別のパターンを測長してしまうことがある。
【特許文献１】特開平５−１０１１６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）の、測長すべき二次電子パターンを特定する方法には、種々問題があり、この対応が求められていた。
本発明は、これに対応するもので、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）の所定のパターンについて測長する電子ビーム測長方法で、測長すべき二次電子像のパターンを含む設計上の絵柄の一部を表す、ＣＡＤデータ上の、テンプレートパターンを用いて、試料の測定対象とするパターンが、単位のパターンを繰り返して配したパターンの一部である場合にも、一意的に測定する二次電子像のパターン位置を特定し、精度的にも問題なく測長できる電子ビーム測長方法を提供しようとするものである。
同時に、そのような測定を実施することができる電子ビーム測長装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電子ビームを用いる測長方法は、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）から測長すべき箇所を特定して測長を行う、電子ビームを用いる測長方法であって、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）を表示する表示領域内の絵柄の一部を表す、ＣＡＤデータ上の、二次電子像の測長すべき位置を特定するための所定サイズ領域の位置特定用パターン（テンプレートパターン）と、前記表示領域全体に対応する画像データ内の、前記所定サイズ領域と同じサイズ領域の各二次電子像パターンとの、パターンマッチング度合を点数評価する、パターンマッチング処理を、前記二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域全体について行い、得られた各二次電子像パターンの、パターンマッチング度合の点数評価の結果から、マッチング程度の良いものから順に、複数個Ｎ個だけ、選別し、選別された各二次電子像パターンを、前記位置特定用パターンに対応する二次電子像のパターンの候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）とし、更に、選別された各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）について、表示領域の中心からの距離（位置ズレ量）ＤＬｉに対応して、点数評価する位置評価をし、選別された各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）について、そのパターンマッチング度合の評価の点数ＰＭ（ｉ）と、位置評価の点数ＰＬ（ｉ）を加味して、総合的に点数評価する総合評価をして、各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）の総合評価の点数ＴＥ（ｉ）により、選別された各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）の中から、１つを、前記位置特定用パターンに対応する二次電子像のパターンとして選択し、該二次電子像のパターンの位置を基にして、測長する二次電子像の位置を決めて、これを測長すべき二次電子像のパターンの測長位置として、測長するものであることを特徴とするものである。
そして、上記の電子ビームを用いる測長方法であって、位置特定用パターンとして、本来測長すべき箇所を含むものを用いることを特徴とするものである。
そしてまた、上記請のいずれかの電子ビームを用いる測長方法であって、パターンマッチング処理は、順に、二次電子像の表示領域全体に対して、表示の単位領域である各ピクセル毎、位置特定用パターン（テンプレートパターン）と、前記各ピクセルをその所定位置（例えばセンター位置）として、位置特定用パターンと同サイズの前記二次電子像の領域のパターンである、ピクセル対応パターンとについて、パターンのマッチング度合を評価する処理を、全表示領域全体について行い、各ピクセル毎に、その対応するピクセル対応パターンのパターンマッチング度合のデータであるパターンマッチング度を得るものであることを特徴とするものである。
また、上記のいずれかに記載の電子ビームを用いる測長方法であって、パターンマッチング度合の評価は、ＣＡＤデータ上の位置特定用パターンの複数の所定の領域における、各ピクセル毎の輝度の差の分布状態から点数付けして決めるものであることを特徴とするものである。
また、上記のいずれかの電子ビームを用いる測長方法であって、位置評価は、パターンマッチング処理により選択された各二次電子像パターンの領域中心位置の、二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域の中心位置からの距離に基づき、該距離が大きければ小さく、小さければ大きくなるように、重み付けして点数評価するものであることを特徴とするものである。
なお、上記の電子ビームを用いる測長方法であって、前記位置評価における重みづけは、二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域における表示位置誤差（ｘ、ｙ）の確率密度関数ｆ（ｘ、ｙ）に基づいて算出するものであることを特徴とするものであり、予め、表示位置誤差（ｘ、ｙ）を繰り返し測定して、Ｍ個の表示位置誤差誤差データ、（ｘ１、ｙ１）、（ｘ２、ｙ２）、・・・・・・（ｘＭ、ｙＭ）を求めておき、前記Ｍ個の表示位置誤差データから平均ベクトルμと共分散行列Σを算出し、これらより、下記（１）式で表される正規分布の式を求めて、これを前記確率密度関数として用いることを特徴とするものである。
【数２】
2005331495.tif 000003
また、上記のいずれかの電子ビームを用いる測長方法であって、二次電子像の表示領域のパターンは、単位のパターンが繰り返して形成されるパターンであることを特徴とするものである。
また、上記のいずれかの電子ビームを用いる測長方法であって、試料はフォトマスクであることを特徴とするものである。
尚、単位のパターンとは、繰り返し配列されるパタンの単位をいい、例えば、ラインパタンやコンタクトパタンを繰り返して配列したパターンが挙げられる。
【０００８】
表示領域の中心からの距離（位置ズレ量）に対応して、点数評価する位置評価としては、例えば、画像中心からの距離を、最大で１となるように正規化してＬで表現し、画像中心からの距離により定まる位置評価の点数ＰＬを、α、βを定数として、
ＰＬ＝(1 - (1 - α) * Ｌ［β］）
と重み付けして表現することもできる。
尚、ここではＬ［β］は、Ｌのβ乗を意味し、αは０〜１の間の値である。
そして、各二次電子パターンＰＴ（ｉ）の総合評価の点数ＴＥ（ｉ）を、パターンマッチング度合の評価点数ＰＭ（ｉ）と位置評価の点数ＰＬ（ｉ）を用いて、例えば、
ＴＥ（ｉ）＝ＰＭ（ｉ）＊ＰＬ（ｉ）
として、表現して総合評価する。
【０００９】
本発明の電子ビーム測長装置は、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域内のパターンの測長を行う電子ビームを用いる測長装置であって、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域全体の画像を画像データとして記憶しておく、表示パターンデータ記憶手段と、前記表示領域内の絵柄の一部を表す、ＣＡＤデータ上の、二次電子像の測長すべき位置を特定するための所定サイズ領域の位置特定用パターン（テンプレートパターン）のデータを、記憶しておく、位置特定用パターンデータ記憶手段と、位置特定用パターン（テンプレートパターン）と、前記表示領域全体に対応する画像データ内の、前記所定サイズ領域と同じサイズ領域の各二次電子像パターンとの、パターンマッチング度合を点数評価する、パターンマッチング処理を行うための、パターンマッチング処理手段と、パターンマッチング処理手段の処理結果に基づき、許容できる所定のマッチング程度より良い二次電子像パターンを、マッチング程度の良いものから順に、複数Ｎ個だけ、候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）として選別する、候補パターン選択手段と、候補パターン選択手段により選別された各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）について、画像データの中心からの距離（位置ズレ量）ＤＬｉに対応して、点数評価する位置評価手段と、各選別された各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）について、そのパターンマッチング度合の評価の点数ＰＭ（ｉ）と、位置評価の点数ＰＬ（ｉ）を加味して、総合的に点数評価する総合評価手段とを、備えたもので、各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）の総合評価の点数ＴＥ（ｉ）により、選別された各候補パターンの中から、１つを、前記位置特定用パターンに対応する二次電子像のパターンとして選択し、該二次電子像のパターンの位置を基にして、測長する二次電子像のパターンの位置を決めて、測長するものであることを特徴とするものである。
そして、上記の電子ビームを用いる測長装置であって、位置特定用パターンとして、本来測長すべき箇所を含むものを用いることを特徴とするものである。
そしてまた、上記のいずれかの電子ビームを用いる測長装置であって、パターンマッチング処理手段は、順に、二次電子像の表示領域全体に対して、表示の単位領域である各ピクセル毎、位置特定用パターンと、前記各ピクセルをその所定位置（例えばセンター位置）として、位置特定用パターンと同サイズの前記二次電子像の領域のパターンである、ピクセル対応パターンとについて、パターンのマッチング度合を評価する処理を、全表示領域全体について行い、各ピクセル毎に、その対応するピクセル対応パターンのパターンマッチング度合のデータであるパターンマッチング度を得るものであることを特徴とするものである。
また、上記のいずれかの電子ビームを用いる測長装置であって、パターンマッチング度合の評価は、ＣＡＤデータ上の位置特定用パターンの複数の所定の領域における、各ピクセル毎の輝度の差の分布状態から決めるものであることを特徴とするものである。
また、上記のいずれかの電子ビームを用いる測長装置であって、位置評価は、パターンマッチング処理により選択された各二次電子像パターンの領域中心位置の、二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域の中心位置からの距離に基づき、該距離が大きければ大きく、小さければ小さくなるように、重み付けして点数評価するものであることを特徴とするものである。
また、上請のいずれかの電子ビームを用いる測長装置であって、二次電子像の表示領域のパターンは、単位のパターンが繰り返して形成されるパターンであることを特徴とするものである。
また、上記のいずれかの電子ビームを用いる測長装置であって、試料はフォトマスクであることを特徴とするものである。
【００１０】
（作用）
本発明の電子ビーム測長装置は、このような構成にすることにより、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）の所定のパターンについて測長する電子ビーム測長方法で、測長すべき二次電子像のパターンが、どのようなパターンであっても、特に、試料の測定対象とするパターンが、単位のパターンを繰り返して配したパターンの一部である場合にも、一意的に測定する二次電子像のパターン位置を特定し、精度的にも問題なく測長できる電子ビーム測長方法の提供を可能としている。
これにより、本来測長すべきパターンを高い確率で、一意的に特定して、測長できるものとしている。
測長の精度を上げるために、できるだけ高倍率で測長を行うが、本発明の電子ビーム測長方法においては、特に高倍率の二次電子像を対象とした場合には、低倍率時と高倍率時との画像中心位置のずれに起因する不具合を解消することができる。
高倍率で二次電子像にてパターンマッチングを行う場合、本来測長すべきパターンの近傍に、単位のパターンを繰り返して配したパターンの一部のパターン等、特徴的なパターンがないことが多々あり、本発明の電子ビーム測長方法を、高倍率で二次電子像に対して行う場合には、特に有効である。
尚、高倍率の二次電子像上でのパターンマッチングは、基本的には、低倍率時と高倍率時との画像中心位置のずれに起因する不具合を解消するために行うものであり、現状の電子ビーム測長装置では、例えば、８８００倍の低倍率時と５００００の高倍率時との画像中心位置のずれは多くて１μｍである。
また、測長すべき二次電子像のパターンが、試料の測定対象とするパターンが、単位のパターンを繰り返して配したパターンの一部である場合には、実用的には、多くの場合、高倍率における、二次電子像内の繰り返しのパターンのうち一番画像中心に近いものが、測長すべきパターンとなっている。
【００１１】
具体的には、パターンマッチング処理により選別された各二次電子像パターンを、それぞれ、前記位置特定用パターンに対応する二次電子像のパターンの候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）とし、更に、選別された各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）について、表示領域の中心からの距離（位置ズレ量）ＤＬｉに対応して、点数評価する位置評価をし、選別された各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）について、そのパターンマッチング度合の評価の点数ＰＭ（ｉ）と、位置評価の点数ＰＬ（ｉ）を加味して、総合的に点数評価する総合評価をして、各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）の総合評価の点数ＴＥ（ｉ）により、選別された各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）の中から、１つを、前記位置特定用パターンに対応する二次電子像のパターンとして選択し、該二次電子像のパターンの位置を基にして、測長する二次電子像の位置を決めて、これを測長すべき二次電子像のパターンの測長位置として、測長するものであることにより、これを達成している。
即ち、極めてパターンマッチング度合の良い候補パターンが複数ある場合においても、パターンマッチング情報に画像中心からの距離情報も加味して総合評価することにより、測長の精度を確保して、且つ、一意的に測定位置を特定できるものとしている。
更に言うと、試料の測定対象とするパターンが、単位のパターンを繰り返して配したパターンの一部である場合、もともと画像中心近傍に測長すべきパターンがあるのに、パターンマッチングによりそれから数ピッチ離れた同じ形状のパターンを測長してしまうということを回避し、一意的に測定する二次電子像のパターン位置を特定し、測長の精度を確保して、測長できる電子ビーム測長方法の提供を可能としている。
尚、位置特定用パターン（テンプレートパターン）として、本来測長すべき箇所を含むものを用いる場合には、位置特定用パターンに対応する二次電子像のパターンとして選択された二次電子像のパターンに、測定すべき箇所が含まれる。
【００１２】
パターンマッチング処理としては、順に、二次電子像の表示領域全体に対して、表示の単位領域である各ピクセル毎、位置特定用パターン（テンプレートパターン）と、前記各ピクセルをその所定位置（例えばセンター位置）として、位置特定用パターンと同サイズの前記二次電子像の領域のパターンである、ピクセル対応パターンとについて、パターンのマッチング度合を評価する処理を、全表示領域全体について行い、各ピクセル毎に、その対応するピクセル対応パターンのパターンマッチング度合のデータであるパターンマッチング度を得るものが挙げられ、更には、パターンマッチング度合の評価は、ＣＡＤデータ上の位置特定用パターンの複数の所定の領域における、各ピクセル毎の輝度の差の分布状態から点数付けして決めるものが挙げられるが、パターンマッチング処理方法、評価方法としては、特に、これらに限定はされない。
位置特定用パターン（テンプレートパターン）に特徴的な絵柄がある場合には、その特徴を利用してパターンマッチングを行っても良い。
【００１３】
位置評価としては、パターンマッチング処理により選択された各二次電子像パターンの領域中心位置の、二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域の中心位置からの距離に基づき、
該距離が大きければ小さく、小さければ大きくなるように、重み付けして点数評価するものが挙げられ、例えば、先にも述べたように、画像中心からの距離を、最大で１となるように正規化してＬで表現し、画像中心からの距離により定まる位置評価の点数ＰＬを、α、βを定数として、
ＰＬ＝(1 - (1 - α) * Ｌ［β］）
と重み付けして表現することもできる。
尚、ここではＬ［β］は、Ｌのβ乗を意味し、αは０〜１の間の値である。
そして、各二次電子パターンＰＴ（ｉ）の総合評価の点数ＴＥ（ｉ）を、パタンマッチング度合の評価点数ＰＭ（ｉ）と位置評価の点数ＰＬ（ｉ）を用いて、例えば、
ＴＥ（ｉ）＝ＰＭ（ｉ）＊ＰＬ（ｉ）
として、表現して総合評価することができる。
測長対象の試料としては、フォトマスクが挙げられるが、これに限定されない。
【００１４】
また、位置評価における重みづけを、二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域における表示位置誤差（ｘ、ｙ）の確率密度関数ｆ（ｘ、ｙ）に基づいて算出して行っても良い。
この場合（０、０）は本来あるべき表示位置で、（ｘ、ｙ）は表示位置誤差を表し、確率密度関数ｆ（ｘ、ｙ）は、（ｘ、ｙ）の起きる確率密度を表す２変数ｘ、ｙの関数である。
ここでは、ｘ−ｙ平面上の任意の領域Ｓに対し、誤差の値がＳの中に落ちる確率Ｐ（Ｓ）は、下記（２）式によって算出できる。
【数３】
2005331495.tif 000004
表示位置誤差の原因としては、試料のＳＥＭ像を表示する際の、試料を載置するステージの位置誤差（試料の固定に起因するズレも含む）や温度変化等が挙げられる。
例えば、予め、表示位置誤差（ｘ、ｙ）を繰り返し測定して、求めておき、求められた表示位置誤差データから平均ベクトルμと共分散行列Σを算出し、これらより、ｘ、ｙを変数とする正規分布の式を求めて、これを前記確率密度関数として用いても良い。
このような場合、前記確率密度関数ｆ（ｘ、ｙ）は正規分布にしたがうと仮定するのは自然なことであり、この仮定の下ではｆ（ｘ、ｙ）は、平均ベクトルμと共分散行列Σによって決まる関数である。
先にも述べたように、共分散行列は、表示位置誤差を繰り返し測定して得られた表示位置誤差データから算出することができ、実験的にｆ（ｘ、ｙ）を得ることができる。
【００１５】
尚、勿論、上記本発明の電子ビーム測長方法においては、パターンマッチング度合の点数評価、位置評価の点数評価の重み付けを変更可能にしても良い。
最適な重み付け係数や評価関数を用いれば、画像中心付近にある、位置特定用パターン（テンプレートパターン）と似ているが正しくないパターンは選択されずに、それより画像中心からは多少遠い正しいパターンが選択されるようになる。
例えば、図４では、パターンＰ１ａ〜Ｐ１ｅが候補パターンとして選択された場合、Ｐ１ａ〜Ｐ１ｅのパタンマッチング度合には殆ど差が無いが、Ｐ１ｃが位置評価の点数は最も大きく、各候補パタンＰ１ａ〜Ｐ１ｅ、それぞれの総合評価の点数ＴＥ１ａ〜ＴＥ１ｅから、パターンＰ１ｃが選ばれる。
また例えば、図５では、パターンＰ２ａ〜Ｐ２ｅが候補パターンとして選択された場合、Ｐ２ａが最もパタンマッチング度合が最も良く、Ｐ２ｃが位置評価の点数は最も大きいが、各候補パタンＰ２ａ〜Ｐ２ｅ、それぞれの総合評価の点数ＴＥ２ａ〜ＴＥ２ｅから、パターンＰ２ａが選ばれる。
【００１６】
本発明の電子ビーム測長装置は、このような構成にすることにより、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）の所定のパターンについて測長する電子ビーム測長方法で、測長すべき二次電子像のパターンが、どのようなパターンであっても、特に、試料の測定対象とするパターンが、単位のパターンを繰り返して配したパターンの一部である場合にも、一意的に測定する二次電子像のパターン位置を正確に特定し、精度的にも問題なく測長できる電子ビーム測長装置の提供を可能としている。
勿論、上記本発明の電子ビーム測長装置において、パターンマッチング処理手段のパターンマッチング度合の点数評価や、位置評価手段の点数評価の重み付けを変更可能にしても良く、最適な重み付け係数や評価関数を用いれば、画像中心付近にある、位置特定用パターン（テンプレートパターン）と似ているが正しくないパターンは選択されずに、それより画像中心からは多少遠い正しいパターンが選択されるようになる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明は、このように、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）の所定のパターンについて測長する電子ビーム測長方法で、測長すべき二次電子像のパターンが、どのようなパターンであっても、特に、試料の測定対象とするパターンが、単位のパターンを繰り返して配したパターンの一部である場合にも、一意的に測定する二次電子像のパターン位置を特定し、精度的にも問題なく測長できる電子ビーム測長方法、および電子ビーム測長装置の提供を可能とした。
これにより、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）の所定のパターンについて測長する電子ビーム測長方法において、高倍率で、本来測長すべきパターンを高い確率で一意的に特定し、精度的にも問題なく測長できるものとした。
本発明は、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）の画像中心に重きを置くもので、繰り返しパターン部においてもパターンマッチングによる位置決めにより、本来測長すべき箇所を高い確率で一意的に特定して測長できるものとした。
これによりまた、オペレータの介在なしで無人測定をすることが可能となり、その費用面の効果は多大なものがある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の実施の形態例を挙げ、図に基づいて説明する
図１は本発明の電子ビーム測長方法の実施の形態の１例の処理フローを示した概略フロー図で、図２は本発明の電子ビーム測長装置の実施の形態の１例の各部とデータないし処理の流れを示した概略構成図で、図３はパターンマッチング処理を説明するための図である。
図１において、Ｓ１１〜Ｓ２３は処理ステップを示している。
図２中、１１０は電子ビーム装置、１２０は表示装置、１３１は表示パターンデータ記憶手段、１３２は位置特定用パターンデータ記憶手段、１３３はパターンマッチング処理手段、１３４は候補パターン選択手段、１３５は位置評価手段、１３６は総合評価手段、１４１は設計データ（ＣＡＤデータ）、１４２は画像データ、１４３は位置特定パターンデータ、１４４は測長する二次電子像パターンである。
【００１９】
本発明の電子ビーム測長方法の実施の形態の１例を、図１を基に、図２、図３を参照にしながら説明する。
本例の電子ビーム測長方法は、図２に示す各部（電子ビーム装置１１０、表示装置１２０、表示パターンデータ記憶手段１３１、位置特定用パターンデータ記憶手段１３２、パターンマッチング処理手段１３３、候補パターン選択手段１３４、位置評価手段１３５、総合評価手段１３６）を備えた電子ビーム測長装置を用い、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）から測長すべき箇所を特定して、測長を行う電子ビーム測長方法で、フォトマスクを試料とし、ラインアンドスペースパターンを測定対象のパターンとしてその所定部の寸法測定を、高倍率で行うものである。
先ず、図２に示す電子ビームを試料上に走査する電子ビーム装置１１０から、二次電子像を表示する表示装置１２０を介して、あるいは、表示装置１２０を介さずに、表示領域全体に対応する画像データ（図２の１４２に相当）を取得し、表示パターンデータ記憶手段１３１に記憶しておく。（Ｓ１１〜Ｓ１２）
電子ビームを試料上に走査した際の、各位置における二次電子の強度をＡ／Ｄ変換して、その位置における強度をデジタル量として表し、デジタル化された二次電子の強度データと位置データと合わせて画像データとして利用する。
一方、電子ビーム装置１１０において電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）を表示する表示装置１２０の表示領域内の絵柄の一部を表す、設計データ（ＣＡＤデータ）１４１上の、測長すべき二次電子像のパターンの位置を特定するための所定サイズ領域の位置特定用パターンデータ（ここでは、これを単に、位置特定用パターンあるいはテンプレートパターンとも言う）１４３を、位置特定用パターンデータ記憶手段１３２に記憶しておく。（Ｓ１３）
そして、位置特定用パターンデータ記憶手段１３２に記憶されている位置特定用パターンデータ１４３と、前記表示領域全体に対応する画像データ１４２内の、位置特定用パターンデータと同じサイズ領域の各二次電子像パターンとの、パターンマッチング度合を点数評価する、パターンマッチング処理を、パターンマッチング処理手段１３３において、前記二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域全体について行う。（Ｓ１４）  
本例は、位置特定用パターン（テンプレートパターン）に二次電子像の測長すべき箇所が含まれている場合とする。
【００２０】
パターンマッチング処理は、例えば、図３に示すように、順に、二次電子像の表示領域全体の画像データに対して、表示の単位領域である各ピクセルＰＸ（ｉ、ｊ）毎、位置特定用パターン（テンプレートパターン）と、前記各ピクセルＰＸ（ｉ、ｊ）をそのセンター位置として、位置特定用パターンと同サイズの前記二次電子像の領域のパターンである、ピクセル対応パターンＰＴ（ｉ、ｊ）とについて、パターンのマッチング度合を評価する処理を、全表示領域全体について行い、即ち、ＰＸ（１、１）〜ＰＸ（ｎ１、ｎ２）までの各ピクセル毎に、その対応するピクセル対応パターンＰＴ（ｉ、ｊ）のパターンマッチング度合のデータであるパターンマッチング度を点数ＴＭ（ｉ、ｊ）として得るものである。（Ｓ１５）
パターンマッチング度合の評価方法としては、例えば、位置特定用パターンと各ピクセル対応パターンＰＴ（ｉ、ｊ）とのパターンマッチングを、ピクセル毎に比較し、各ピクセル毎の輝度の差の分布状態から点数付けして決める方法が挙げられるが、このような方法に限定はされない。
【００２１】
次いで、得られた各二次電子像パターン（図３のピクセル対応パターンＰＴ（ｉ、ｊ））の、パターンマッチング度合の点数評価の結果から、許容できる所定のマッチング程度より良い二次電子像パターンを、マッチング程度の良いものから順に、所定数以内（Ｎ個）だけ選別し、選別された各二次電子像パターンを、測長すべき二次電子像のパターンの候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）とする。（Ｓ１６〜Ｓ１７）
この処理は、図２に示す候補パターン選択手段１３４にて行う。
各補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）のパターンマッチング度合の評価点数を、それぞれ、ＰＭｉ（ｉ＝１〜Ｎ）とする。
更に、選別された各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）について、表示領域の中心からの距離（位置ズレ量）ＤＬｉに対応して、点数評価する位置評価をする。（Ｓ１８〜Ｓ１９）
この処理は、図２に示す位置評価手段１３５にて行う。
各補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）の位置評価の評価点数を、それぞれ、ＰＬｉ（ｉ＝１〜Ｎ）とする。
表示領域の中心からの距離（位置ズレ量）に対応して、点数評価する位置評価方法としては、例えば、画像中心からの距離を、最大で１となるように正規化してＬで表現し、画像中心からの距離により定まる位置評価の点数ＰＬを、α、βを定数として、
ＰＬ＝(1 - (1 - α) * Ｌ［β］）
と重み付けして表現する方法を採ることもできる。
尚、ここではＬ［β］は、Ｌのβ乗を意味し、αは０〜１の間の値である。
【００２２】
また、位置評価における重みづけを、二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域における表示位置誤差（ｘ、ｙ）の確率密度関数ｆ（ｘ、ｙ）に基づいて算出して行っても良い。
例えば、予め、表示位置誤差（ｘ、ｙ）を繰り返し測定して、Ｍ個の表示位置誤差誤差データ、（ｘ１、ｙ１）、（ｘ２、ｙ２）、・・・・・・（ｘＭ、ｙＭ）を求めておき、前記Ｍ個の表示位置誤差データから平均ベクトルμと共分散行列Σを算出し、これらより、下記（１）式で表される正規分布の式を求めて、これを前記確率密度関数として用いても良い。
【数４】
2005331495.tif 000005
（１）式に示す確率密度関数においては、確率密度の同じｘ−ｙ位置を線（以下、等密度線と言う）で結び示すと、図６に示すように、等密度線は、一般的には、楕円で表される。
尚、図６において、（０、０）は本来あるべき表示位置で、（ｘ、ｙ）は表示位置誤差を示す。
表示位置誤差の原因としては、試料のＳＥＭ像を表示する際の、試料を載置するステージの位置誤差（試料の固定に起因するズレも含む）や温度変化等が挙げられる。
【００２３】
次いで、各選別された各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）について、そのパターンマッチング度合の評価の点数ＰＭ（ｉ）と、位置評価の点数ＰＬ（ｉ）を加味して、総合的に点数評価する総合評価をして、各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）の総合評価の点数ＴＥ（ｉ）により、選別された各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）の中から、１つを、前記位置特定用パターンに対応する二次電子像のパターンとして選択する。（Ｓ２０〜Ｓ２２）
この処理は、図２に示す総合評価手段１３６にて行う。
先にも述べたように、本例は、位置特定用パターン（テンプレートパターン）に二次電子像の測長すべき箇所が含まれている場合で、選択された二次電子像のパターンの所定位置にて、測長する。（Ｓ２３）
これを以って、測長すべき二次電子像のパターンの測長とする。
総合評価方法としては、各二次電子パターンＰＴ（ｉ）の総合評価の点数ＴＥ（ｉ）を、パターンマッチング度合の評価点数ＰＭ（ｉ）と位置評価の点数ＰＬ（ｉ）を用いて、例えば、
ＴＥ（ｉ）＝ＰＭ（ｉ）＊ＰＬ（ｉ）
として、表現して総合評価する。
このようにして、本例の電子ビーム測長方法が行われる。
【００２４】
先にも述べた通り、本例は、位置特定用パターン（テンプレートパターン）に二次電子像の測長すべき箇所が含まれている場合で、選択された二次電子像のパターンの所定位置にて測長するが、発明の電子ビーム測長方法の別の形態例としては、本例において、位置特定用パターン（テンプレートパターン）に二次電子像の測長すべき箇所が含まれていない形態も挙げられる。
【００２５】
次に、本発明の電子ビーム測長装置の実施の形態の１例を図２に基づいて簡単に説明しておく。
本例の電子ビーム測長装置は、図２に示すように、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域内のパターンの測長を行う電子ビームによる測長装置で、電子ビームを試料上に走査して二次電子像の信号を得るための電子ビーム装置１１０と、得られた二次電子像の信号を画像として表示するための表示装置１２０と、表示装置１２０に表示された画像の測長すべき位置を特定するための演算処理部とを有し、該演算処理部にて特定された位置にて測長を行うものである。
そして、演算処理部は、電子ビームを試料上に走査して得られる二次電子像（ＳＥＭ像）の表示領域全体の画像を画像データ１４２として記憶しておく、表示パターンデータ記憶手段１３１と、表示装置１２０に表示された画像の一部を表す、設計データ（ＣＡＤデータ）上の、二次電子像の測長すべき箇所を特定するための所定サイズ領域の位置特定用パターンのデータ１４３を、記憶しておく、位置特定用パターンデータ記憶手段１３２と、位置特定用パターンデータ記憶手段１３２に記憶されている位置特定用パターンデータ１４３と、表示装置１２０に表示された表示領域全体に対応する画像データ１４２内の、位置特定用パターンデータと同じサイズ領域の各二次電子像パターンとの、パターンマッチング度合を点数評価する、パターンマッチング処理を行うための、パターンマッチング処理手段１３３と、パターンマッチング処理手段１３３の処理結果に基づき、許容できる所定のマッチング程度より良い二次電子像パターンを、マッチング程度の良いものから順に、所定数以内（Ｎ個）だけ、候補パターンとして選別する、候補パターン選択手段１３４と、候補パターン選択手段１３４により選別された各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）について、画像データの中心からの距離（位置ズレ量）ＤＬｉに対応して、点数評価する位置評価手段１３５と、各選別された各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）について、そのパターンマッチング度合の評価の点数ＰＭ（ｉ）と、位置評価の点数ＰＬ（ｉ）を加味して、総合的に点数評価する総合評価手段１３６とを、を備えたもので、各候補パターンＰＴｉ（ｉ＝１〜Ｎ）の総合評価の点数ＴＥ（ｉ）により、選別された各候補パターンの中から、１つを、前記位置特定用パターンに対応する二次電子像のパターンとして選択し、該二次電子像のパターンの位置を基にして、測長する二次電子像のパターンの位置を決めを行うものである。
【００２６】
先にも述べた通り、図１に示す電子ビーム測長方法は、本例の電子ビーム測長装置を用いるもので、本例の電子ビーム測長装置の各部の処理、全体の処理については、先に述べた、電子ビーム測長方法の処理例の説明を以ってここでは説明を省略する。
尚、本例の電子ビーム測長装置においては、電子ビーム装置１１０から得た試料各位置における二次電子信号を輝度信号としてデジタル化して得て、これを表示パターンデータ記憶手段１３１に記憶させるとともに、表示装置１２０に出力表示するものである。
本例の電子ビーム測長装置においては、表示パターンデータ記憶手段１３１は、表示装置１２０を介して電子ビーム装置１１０から画像データを得ることができるし、また、表示装置１２０を介さずに、電子ビーム装置１１０から画像データを得ることができるものである。
そして、本例の電子ビーム測長装置においては、表示パターンデータ記憶手段１３１の画像データ１４２を、表示装置１２０にて表示することができる。
上記本例は、１例でこれに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の電子ビーム測長方法の実施の形態の１例の処理フローを示した概略フロー図である。
【図２】本発明の電子ビーム測長装置の実施の形態の１例の各部とデータないし処理の流れを示した概略構成図である。
【図３】パターンマッチング処理を説明するための図である。
【図４】候補パターンの中から１つのパターンを選択するための図である。
【図５】候補パターンの中から１つのパターンを選択するための図である。
【図６】（１）式に示す確率密度関数についてｘ−ｙ面上にその等密度線を示した図である。
【符号の説明】
【００２８】
１１０                電子ビーム装置
１２０                表示装置
１３１                表示パターンデータ記憶手段
１３２                位置特定用パターンデータ記憶手段
１３３                パターンマッチング処理手段
１３４                候補パターン選択手段
１３５                位置評価手段
１３６                総合評価手段
１４１                設計データ（ＣＡＤデータ）
１４２                画像データ
１４３                位置特定パターンデータ
１４４                測長する二次電子像パターン
【図１】
2005331495.tif 000007
【図２】
2005331495.tif 000008
【図３】
2005331495.tif 000009
【図４】
2005331495.tif 000010
【図５】
2005331495.tif 000011
【図６】
2005331495.tif 000012