(57)【要約】【課題】パターン揺らぎを小さくし得るマスク形成方法を提供する。【解決手段】磁性層１３を覆うようにしてアモルファス構造を有するマスク形成用機能層１４を形成し、マスク形成用機能層１４を覆うようにしてマスク形成用機能層１５を形成した後に所定の処理によってマスク形成用機能層１５に凹凸パターンを形成することによってマスク形成用機能層１４の上にマスクＭ１を形成し、マスクＭ１を用いてマスク形成用機能層１４をドライエッチングしてマスク形成用機能層１４に凹凸パターンＰ３を形成することによって磁性層１３の上にマスクＭ２を形成する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング対象体を覆うようにしてアモルファス構造を有するＡマスク形成用機能層を形成し、当該Ａマスク形成用機能層を覆うようにしてＢマスク形成用機能層を形成した後に所定の処理によって当該Ｂマスク形成用機能層に凹凸パターンを形成することによって当該Ａマスク形成用機能層の上にＢマスクを形成し、当該Ｂマスクを用いて前記Ａマスク形成用機能層をドライエッチングして当該Ａマスク形成用機能層に凹凸パターンを形成することによって前記エッチング対象体の上にＡマスクを形成するマスク形成方法。
【請求項２】
前記Ａマスク形成用機能層を反応性イオンエッチング法でドライエッチングする請求項１記載のマスク形成方法。
【請求項３】
ケイ素、炭素、ゲルマニウムおよびホウ素のうちの少なくとも１つを含む材料を用いて前記Ａマスク形成用機能層を形成する請求項１または２記載のマスク形成方法。
【請求項４】
エッチング対象体を覆うようにして形成されているアモルファス構造を有するマスク形成用機能層。
【請求項５】
請求項１から３のいずれかに記載のマスク形成方法によって前記エッチング対象体の上に形成した前記Ａマスクを用いて当該エッチング対象体をドライエッチングするドライエッチング方法。
【請求項６】
請求項５記載のドライエッチング方法によって前記エッチング対象体としての情報記録媒体用磁性層をドライエッチングして情報記録媒体を製造する情報記録媒体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチング対象体をドライエッチングする際に用いるマスクを形成するマスク形成方法、そのマスク形成方法に従って形成したマスクを用いてエッチング対象体をドライエッチングするドライエッチング方法、および、そのドライエッチング方法によって情報記録媒体を製造する情報記録媒体製造方法、並びに、エッチング対象体を覆うようにして形成されたマスク形成用機能層に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種のマスク形成方法によってマスクを形成して情報記録媒体を製造する製造方法として、出願人は、特願２００３−０５８３８２に磁性材のドライエッチング方法を提案している。具体的には、出願人が提案しているこのドライエッチング方法では、まず、同出願の図２に示すように、Ｓｉ（シリコン）基板１２の上に、下地配向層１４、磁性薄膜層１６、第１のマスク層１８、第２のマスク層２０、レジスト層２２をこの順で形成して被加工体１０を製作する。この場合、下地配向層１４は、Ｃｒ（クロム）、Ｃｒ合金、ＣｏＯ（酸化コバルト）またはＭｇＯ（酸化マグネシウム）、ＮｉＯ（酸化ニッケル）等を用いてスパッタリング法によって厚み３０〜３００ｎｍ程度に形成し、磁性薄膜層１６は、Ｃｏ（コバルト）合金を用いてスパッタリング法によって厚み１０〜３０ｎｍ程度に形成する。また、第１のマスク層１８は、Ｔａ（タンタル）を用いてスパッタリング法によって厚み１０〜５０ｎｍ程度に形成し、第２のマスク層２０は、Ｎｉ（ニッケル）を用いてスパッタリング法によって厚み１０〜３０ｎｍ程度に形成する。さらに、レジスト層２２は、ポジ型レジストを用いてスピンコート法によって３０〜３００ｎｍ程度に形成する。
【０００３】
次に、電子線露光装置を用いて被加工体１０のレジスト層２２を露光処理した後に現像処理することにより、同出願の図４に示すように、第２のマスク層２０の上に凹凸パターンを形成する。次いで、この凹凸パターンが形成されたレジスト層２２をマスクとして用いて第２のマスク層２０をＡｒ（アルゴン）ガスによってイオンビームエッチングすることにより、同出願の図５に示すように、第１のマスク層１８の上に凹凸パターンを形成する。続いて、この凹凸パターンが形成された第２のマスク層２０をマスクとして用いて第１のマスク層１８をＣＦ４ガスまたはＳＦ６ガスによって反応性イオンエッチングすることにより、同出願の図６に示すように、磁性薄膜層１６の上に凹凸パターンを形成する。次に、この凹凸パターンが形成された第１のマスク層１８をマスクとして用いて磁性薄膜層１６をＣＯガスおよびＮＨ３ガスの混合ガスによって反応性イオンエッチングすることにより、同出願の図７に示すように、下地配向層１４の上に凹凸パターンを形成する。次いで、ＣＦ４ガスまたはＳＦ６ガスを用いて、同出願の図８に示すように、凹凸パターンにおける凸パターンの上に残留している第１のマスク層１８をエッチングして除去する。これにより、被加工体１０における磁性薄膜層１６の微細加工が完了して磁気記録媒体が完成する。
【先行出願１】
【０００４】
特願２００３−０５８３８２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、出願人が提案しているドライエッチング方法には、以下の改善すべき課題がある。すなわち、出願人が提案しているドライエッチング方法では、凹凸パターンが形成された第２のマスク層２０（マスク形成用機能層）をマスクとして用いて第１のマスク層１８（マスク形成用機能層）を反応性イオンエッチングすることにより、磁性薄膜層１６をドライエッチングする際に用いるマスク（凹凸パターン）を形成している。この場合、Ｔａを用いてスパッタリング法によって第１のマスク層１８を形成した際には、一般的には、大小様々な大きさの結晶粒を有する第１のマスク層１８が磁性薄膜層１６の上に形成される。また、凹凸パターンが形成された第２のマスク層２０をマスクとして用いてこの第１のマスク層１８を反応性イオンエッチングしたときには、上記の結晶粒を消失の単位（「消失単位」ともいう）として第１のマスク層１８がエッチングされる。したがって、第１のマスク層１８に対して凹凸パターンを形成しようとする際に、反応性イオンエッチング時に各結晶粒を消失単位としてエッチングすることに起因して、磁性薄膜層１６上に形成される凹凸パターンに、結晶粒の大きさで凸パターンの幅方向にぎざぎざとなるパターン揺らぎが生じる。また、形成された凹凸パターンにパターン揺らぎが生じた第１のマスク層１８をマスクとして用いて磁性薄膜層１６を反応性イオンエッチングしたときには、図１３に示すように、磁性薄膜層１６に形成される凹凸パターンにもパターン揺らぎが生じる。なお、同図は、磁性薄膜層１６の凹凸パターン（一例として、凸パターンの幅：凹パターンの幅が４：１）を撮像した図面代用写真であって、凸パターンの輪郭部分が白色で示されている。
【０００６】
この場合、このドライエッチング方法によって、例えばディスクリートトラック型の磁気記録媒体を製造したときには、データ記録用トラックの形成ピッチによっては、上記したパターン揺らぎの存在に起因して記録データの正常な記録および再生が困難となるおそれがある。具体的には、発明者が開発中のディスクリートトラック型の磁気記録媒体では、その記録密度の向上を図るために、各データ記録用トラック間の非磁性部（磁性薄膜層１６に形成された凹凸パターンにおける凹部）の幅が２００ｎｍ以下の範囲内となっている。これに対して、上記の結晶粒の大きさが２５ｎｍ〜３５ｎｍと比較的大きく、この結晶粒の存在に起因して生じるパターン揺らぎにおける揺らぎ量（揺らぎの幅）は２５ｎｍ〜３５ｎｍとなる。したがって、一例として１００ｎｍの非磁性部の幅に対して１／３〜１／４の大きさの凹凸（パターン揺らぎ）が存在することとなり、データ記録用トラックに対する正常な記録および再生が困難となるおそれがある。このため、このパターン揺らぎが小さい凹凸パターンを磁性薄膜層１６上に形成する手段の実現が望まれている。なお、このパターン揺らぎについては、反応性イオンエッチング時のみならず、その他の各種エッチング方法（例えば、イオンビームエッチング）によるエッチング時にも同様にして発生する。
【０００７】
本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、パターン揺らぎを小さくし得るマスク形成方法、ドライエッチング方法および情報記録媒体製造方法、並びに、所望形状の凹凸パターンを形成可能なマスクを形成し得るマスク形成用機能層を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成すべく本発明に係るマスク形成方法は、エッチング対象体を覆うようにしてアモルファス構造を有するＡマスク形成用機能層を形成し、当該Ａマスク形成用機能層を覆うようにしてＢマスク形成用機能層を形成した後に所定の処理によって当該Ｂマスク形成用機能層に凹凸パターンを形成することによって当該Ａマスク形成用機能層の上にＢマスクを形成し、当該Ｂマスクを用いて前記Ａマスク形成用機能層をドライエッチングして当該Ａマスク形成用機能層に凹凸パターンを形成することによって前記エッチング対象体の上にＡマスクを形成する。
【０００９】
この場合、前記Ａマスク形成用機能層を反応性イオンエッチング法でドライエッチングするのが好ましい。
【００１０】
また、ケイ素、炭素、ゲルマニウムおよびホウ素のうちの少なくとも１つを含む材料を用いて前記Ａマスク形成用機能層を形成するのが好ましい。
【００１１】
また、本発明に係るマスク形成用機能層は、アモルファス構造を有し、かつ、エッチング対象体を覆うようにして形成されている。
【００１２】
また、本発明に係るドライエッチング方法は、上記のマスク形成方法によって前記エッチング対象体の上に形成した前記Ａマスクを用いて当該エッチング対象体をドライエッチングする。
【００１３】
また、本発明に係る情報記録媒体製造方法は、上記のドライエッチング方法によって前記エッチング対象体としての情報記録媒体用磁性層をドライエッチングして情報記録媒体を製造する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係るマスク形成方法によれば、エッチング対象体を覆うようにしてアモルファス構造を有するＡマスク形成用機能層を形成し、このＡマスク形成用機能層をＢマスクを用いてドライエッチングして凹凸パターンを形成することにより、Ａマスク形成用機能層に対するドライエッチング時に結晶粒を消失単位としてエッチングされる事態を回避できる結果、Ａマスク（凹凸パターン）に生じるパターン揺らぎを極めて僅かに抑えることができる。したがって、このＡマスクを用いてエッチング対象体をドライエッチングすることにより、所望形状（パターン）の凹凸パターンを形成することができるため、例えば、記録データの正常な記録および再生が可能な情報記録媒体を製造することができる。
【００１５】
また、本発明に係るマスク形成方法によれば、反応性イオンエッチング法でＡマスク形成用機能層をドライエッチングすることにより、Ｂマスク形成用機能層を形成する材料と、エッチング時に使用する反応性ガスとの組み合わせを適宜選択することでＡマスク形成用機能層に対する選択比を大きくすることができる結果、Ａマスク形成用機能層を正確かつ容易にドライエッチングすることができる。
【００１６】
さらに、本発明に係るマスク形成方法によれば、ケイ素、炭素、ゲルマニウムおよびホウ素のうちの少なくとも１つを含む材料を用いてＡマスク形成用機能層を形成することにより、アモルファス構造を有するＡマスク形成用機能層を確実かつ容易に形成することができる。
【００１７】
また、本発明に係るマスク形成用機能層によれば、このマスク形成用機能層がアモルファス構造を有しているため、ドライエッチングによってマスクを形成する際に結晶粒を消失単位としてエッチングされる事態を回避することができる結果、パターン揺らぎを極めて僅かに抑えることができる。したがって、このマスク形成用機能層に形成したマスクを用いてエッチング対象体をドライエッチングすることにより、所望形状（パターン）の凹凸パターンを形成することができるため、例えば、記録データの正常な記録および再生が可能な情報記録媒体を製造することができる。
【００１８】
さらに、本発明に係るドライエッチング方法によれば、上記のマスク形成方法によって形成したマスクを用いてエッチング対象体をドライエッチングすることにより、所望形状（パターン）の凹凸パターンを形成することができる。
【００１９】
また、本発明に係る情報記録媒体製造方法によれば、上記のドライエッチング方法によってエッチング対象体としての情報記録媒体用磁性層をドライエッチングすることにより、所望形状（パターン）の凹凸パターンを形成することができる結果、記録データの正常な記録および再生が可能な情報記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照して、本発明に係るマスク形成方法、ドライエッチング方法、情報記録媒体製造方法およびマスク形成用機能層の最良の形態について説明する。
【００２１】
最初に、磁気記録媒体製造装置１の構成について、図面を参照して説明する。
【００２２】
図１に示す磁気記録媒体製造装置１は、本発明に係る情報記録媒体製造方法に従って磁気記録媒体２０（図２参照）を製造可能に構成された装置であって、スパッタ装置２、塗布装置３、描画装置（電子線リソグラフィ装置）４、現像装置５およびエッチング装置６を備えて構成されている。この場合、磁気記録媒体２０は、本発明に係る情報記録媒体の一例であって、図２に示すように、ガラス基材１１の上に軟磁性層１２および磁性層１３（本発明におけるエッチング対象体としての情報記録媒体用磁性層）が積層されている。この磁気記録媒体２０は、いわゆるディスクリートトラック型の磁気記録媒体であって、磁性層１３に形成された凹凸パターンＰ４の凸部（凸パターン）がデータ記録用トラックとして機能する。また、この磁気記録媒体２０では、隣り合う凸部の間に形成される凹部が両凸部間における磁気的な影響を排除することで、両凸部に対する磁気的信号の正常な記録および両凸部からの磁気的信号の正常な再生が可能となっている。
【００２３】
一方、スパッタ装置２は、磁気記録媒体２０の製造に際して、図３に示す記録媒体製造用中間体（以下、「中間体」ともいう）１０を製作する。具体的には、スパッタ装置２は、ガラス基材１１の上にスパッタリング法によって軟磁性層１２、磁性層１３およびマスク形成用機能層１４をこの順で形成することによって中間体１０を製作する。塗布装置３は、図６に示すように、スパッタ装置２によって製作された中間体１０におけるマスク形成用機能層１４の上にスピンコート法によってマスク形成用機能層１５を形成する。描画装置４は、図７に示すように、塗布装置３によって形成されたマスク形成用機能層１５に電子ビームＥＢを照射することによってマスク形成用機能層１５に露光パターンＰ１を描画する。現像装置５は、描画装置４による露光パターンＰ１の描画が完了したマスク形成用機能層１５に対して現像処理を実行することにより、図８に示すように、マスク形成用機能層１５における電子ビームＥＢの照射部位を除去して凹凸パターンＰ２（マスクＭ１）を形成する。エッチング装置６は、図９に示すように、現像装置５によって形成されたマスクＭ１を用いてマスク形成用機能層１４をドライエッチングすることによって凹凸パターンＰ３（マスクＭ２）を形成する。また、エッチング装置６は、形成したマスクＭ２を用いて磁性層１３をドライエッチングする（本発明におけるドライエッチング方法の一例）ことによって、図１０に示すように、凹凸パターンＰ４を形成する。さらに、エッチング装置６は、磁性層１３上に残留したマスク形成用機能層１４をドライエッチングすることによって除去する。
【００２４】
次に、磁気記録媒体製造装置１を用いてマスクＭ２を形成する方法、およびそのマスクＭ２を用いてドライエッチングすることで磁気記録媒体２０を製造する方法について、図面を参照して説明する。
【００２５】
最初に、磁気記録媒体２０を形成するための中間体１０を製作する。具体的には、図４に示すように、この磁気記録媒体製造装置１では、まず、スパッタ装置２がガラス基材１１の上に例えばＣｏＺｒＮｂをＤＣマグネトロンスパッタ法によってスパッタリングすることにより、厚み２００ｎｍ程度の軟磁性層１２を形成する。次に、図５に示すように、スパッタ装置２は、軟磁性層１２の上に例えばＣｏＣｒ合金をＤＣマグネトロンスパッタ法によってスパッタリングすることにより、厚み２５ｎｍ程度の磁性層１３を形成する。次いで、図３に示すように、スパッタ装置２は、磁性層１３の上に例えばＴａＳｉ合金（Ｔａ：８０ａｔ％、Ｓｉ：２０ａｔ％）をＤＣマグネトロンスパッタ法によってスパッタリングすることにより、厚み２５ｎｍ程度のマスク形成用機能層１４（本発明におけるＡマスク形成用機能層）を形成する。
【００２６】
この場合、この種のマスク形成用機能層を形成する際には、エッチング対象体およびエッチングに使用する反応性ガスの種類に応じてエッチング対象体に対する選択比を考慮して、タンタル（Ｔａ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）およびニオブ（Ｎｂ）などをマスク形成用機能層を形成するための材料（以下、「マスク材料」ともいう）として用いるのが一般的であるが、これらのマスク材料を用いたときには、一般的な成膜条件でマスク形成用機能層を形成した際に結晶構造を有するマスク形成用機能層が形成される。しかし、これらのマスク材料に、ケイ素（Ｓｉ）、炭素（Ｃ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）およびホウ素（Ｂ）のうちの少なくとも１つを添加した（含ませた）マスク材料を用いることによって、一般的な成膜条件でマスク形成用機能層を形成した場合であってもアモルファス構造を有するマスク形成用機能層を容易に形成することが可能となる。したがって、この例では、タンタルにケイ素を含ませたＴａＳｉ合金をマスク材料として用いてＤＣマグネトロンスパッタ法によってスパッタリングすることにより、アモルファス構造を有するマスク形成用機能層１４を磁性層１３の上に形成する。以上により、磁気記録媒体２０を製造するための中間体１０が完成する。
【００２７】
次に、図６に示すように、塗布装置３が、中間体１０のマスク形成用機能層１４を覆うようにしてポジ型の電子線レジスト（ＥＢレジスト）をスピンコート法によって塗布することにより、厚み１３０ｎｍ程度のマスク形成用機能層１５（本発明におけるＢマスク形成用機能層）を形成する。次いで、図７に示すように、描画装置４が、マスク形成用機能層１５に電子ビームＥＢを照射してマスク形成用機能層１５に露光パターンＰ１を描画する。続いて、現像装置５が、露光パターンＰ１の描画が完了したマスク形成用機能層１５に対する現像処理を実行することにより、図８に示すように、描画装置４によって電子ビームＥＢが照射された部位を除去する。これにより、マスク形成用機能層１４の上に凹凸パターンＰ２（マスクＭ１：本発明におけるＢマスク）が形成される。この場合、描画装置４による露光パターンＰ１の描画と、現像装置５による現像処理とが本発明における「所定の処理」に相当する。なお、マスクＭ１の形成方法（本発明における「所定の処理」）については、描画装置４による露光パターンＰ１の描画および現像装置５による現像処理による方法に限定されず、例えば、塗布装置３によって塗布されたマスク形成用機能層１５に凹凸パターンＰ２と相補的形状（凹凸が逆に形成された形状）のモールド（スタンパー）を押し付けてモールドの凹凸パターンをマスク形成用機能層１５に転写して凹凸パターンＰ２を形成するという、いわゆるインプリント法によって形成することもできる。
【００２８】
次いで、エッチング装置６が、マスクＭ１を用いてフッ素系ガス（ＳＦ６ガス）を反応性ガスとしてマスク形成用機能層１４を反応性イオンエッチング（リアクティブイオンエッチング）する。この際には、一例として、エッチング装置６のソースパワーを１０００Ｗとし、バイアスパワーを１５０Ｗとする。これにより、図９に示すように、磁性層１３の上に凹凸パターンＰ３（マスクＭ２：本発明におけるＡマスク）が形成される。この場合、この磁気記録媒体製造装置１によるマスクＭ２の形成方法では、前述したように、スパッタ装置２がＴａＳｉ合金を用いてＤＣマグネトロンスパッタ法によってマスク形成用機能層１４を形成している。このため、マスク形成用機能層１４がアモルファス構造となる結果、エッチング装置６によるマスク形成用機能層１４の反応性イオンエッチングに際して、大きな消失単位でのマスク形成用機能層１４の消失が回避されて、マスクＭ１の凹凸パターンの形状が殆ど崩れることなく（パターン揺らぎが極く小さな状態で）所望形状の凹凸パターンＰ３（マスクＭ２）が形成される。
【００２９】
続いて、エッチング装置６は、本発明におけるエッチング対象体としての磁性層１３をマスクＭ２を用いてカルボニル系ガス（ＮＨ３ガスが添加されたＣＯガス）を反応性ガスとして反応性イオンエッチングする。この際には、一例として、ソースパワーを１０００Wとし、バイアスパワーを２５０Ｗとする。なお、この例では、磁性層１３に対する選択比（磁性層１３に対するエッチングレートをマスク形成用機能層１４に対するエッチングレートで除した値）が６６．７となる。これにより、図１０に示すように、軟磁性層１２の上に所望の深さの凹部を有する凹凸パターンＰ４が形成される。この後、エッチング装置６は、磁性層１３上に残留しているマスク形成用機能層１４をフッ素系ガス（ＳＦ６ガス）を用いて反応性イオンエッチングして除去する。この際には、一例として、ソースパワーを１０００Ｗとし、バイアスパワーを５０Ｗとする。これにより、図２に示すように、磁気記録媒体２０が完成する。この磁気記録媒体２０では、前述したように、パターン揺らぎが極く小さいマスクＭ２を用いて磁性層１３をエッチングして製造されているため、図１２に示すように、軟磁性層１２上に形成された凹凸パターンＰ４の凹部の幅に対するパターン揺らぎが極く小さくなっている。なお、同図は、凹凸パターンＰ４（一例として、凸パターンの幅：凹パターンの幅が２：１程度）を撮像した図面代用写真であって、凸パターンの輪郭部分が白色で示されている。具体的には、マスクＭ２（凹凸パターンＰ３）における凹部の幅Ｗ（図９参照）が一例として、１００ｎｍ（すなわち、磁気記録媒体２０の凹凸パターンＰ４における凹部の幅が１００ｎｍ）であるのに対し、マスクＭ２に生じるパターン揺らぎの揺らぎ量が５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内となっている。したがって、マスク形成用機能層１４を反応性イオンエッチングする際に生じる凹凸（パターン揺らぎ）が凹部の幅Ｗに対して１／１０〜１／２０程度と極く小さくなっている。したがって、記録データの正常な記録および再生が可能なディスクリートトラック型の磁気記録媒体２０が実現される。
【００３０】
このように、上記のマスクＭ２の形成方法によれば、磁性層１３を覆うようにしてアモルファス構造を有するマスク形成用機能層１４を形成し、このマスク形成用機能層１４をマスクＭ１を用いてドライエッチングして凹凸パターンＰ３を形成することにより、マスク形成用機能層１４に対するドライエッチング時に結晶粒を消失単位としてエッチングされる事態を回避できる結果、マスクＭ２に生じるパターン揺らぎを極めて僅かに抑えることができる。したがって、このマスクＭ２を用いて磁性層１３をドライエッチングすることにより、所望形状（パターン）の凹凸パターンＰ４を形成することができるため、記録データの正常な記録および再生が可能な磁気記録媒体２０を製造することができる。
【００３１】
また、上記のマスクＭ２の形成方法によれば、反応性イオンエッチング法でマスク形成用機能層１４をドライエッチングして凹凸パターンＰ３を形成することにより、マスク形成用機能層１５を形成する材料と、エッチング時に使用する反応性ガスとの組み合わせを適宜選択することでマスク形成用機能層１４に対する選択比を大きくすることができる結果、マスク形成用機能層１４を正確かつ容易にドライエッチングすることができる。
【００３２】
さらに、上記のマスクＭ２の形成方法によれば、ケイ素、炭素、ゲルマニウムおよびホウ素のうちの少なくとも１つを含む材料（この例では、ＴａＳｉ合金）を用いてマスク形成用機能層１４を形成することにより、アモルファス構造を有するマスク形成用機能層１４を確実かつ容易に形成することができる。また、エッチング対象体に対してマスク形成用機能層１４に用いる材料を適宜選択することにより（この例では、ＴａＳｉ合金）、フッ素系ガスによって確実かつ容易にエッチング可能なマスク形成用機能層１４を形成することができる。さらに、カルボニル系ガスによって磁性層１３をドライエッチングする際のマスクとして十分な選択比を有するマスクＭ２を形成することができる。
【００３３】
また、上記のマスク形成用機能層１４によれば、このマスク形成用機能層１４がアモルファス構造を有しているため、ドライエッチングによってマスクＭ２を形成する際に結晶粒を消失単位としてエッチングされる事態を回避することができる結果、パターン揺らぎを極めて僅かに抑えることができる。したがって、このマスク形成用機能層１４に形成したマスクＭ２を用いて磁性層１３をドライエッチングすることにより、所望形状（パターン）の凹凸パターンＰ４を形成することができるため、記録データの正常な記録および再生が可能な磁気記録媒体２０を製造することができる。
【００３４】
さらに、上記のドライエッチング方法（マスクＭ２を用いた磁性層１３のドライエッチング）によれば、上記のマスクＭ２を用いてエッチング対象体（この例では磁性層１３）をドライエッチングすることにより、所望形状（パターン）の凹凸パターンＰ４を形成することができる。
【００３５】
また、上記の磁気記録媒体２０の製造方法によれば、エッチング対象体としての磁性層１３の上にマスクＭ２を形成して磁性層１３をドライエッチングすることにより、所望形状（パターン）の凹凸パターンＰ４を形成することができる結果、記録データの正常な記録および再生が可能な磁気記録媒体２０を提供することができる。
【００３６】
なお、本発明は、上記の方法および構成に限定されない。例えば、上記の例では、ＴａＳｉ合金をマスク材料として用いてマスク形成用機能層１４を形成したが、本発明はこれに限定されず、タンタルに炭素、ゲルマニウムおよびホウ素のうちの少なくとも１つを添加した（含ませた）マスク材料や、ニッケル、チタンおよびニオブなどにケイ素、炭素、ゲルマニウムおよびホウ素のうちの少なくとも１つを添加した（含ませた）マスク材料を用いてマスク形成用機能層１４を形成することができる。これにより、タンタル、ニッケル、チタンおよびニオブなどを単体でマスク材料として用いるマスク形成方法とは異なり、アモルファス構造を有するマスク形成用機能層を容易に形成することができる。また、ケイ素、炭素、ゲルマニウムおよびホウ素などをマスク材料として単体で用いてマスク形成用機能層１４を形成することもできる。さらに、ケイ素、炭素、ゲルマニウムおよびホウ素などのうちの２つ以上を含んだマスク材料を用いてマスク形成用機能層１４を形成することもできる。これらのマスク材料については、エッチング対象体およびエッチングに使用する反応性ガスの種類に応じてエッチング対象体に対する選択比が大きくなるものを適宜選択するのが好ましい。
【００３７】
また、上記の例では、磁性層１３に形成した凹凸パターンＰ４における凹部によってデータ記録用トラック（凹凸パターンＰ４における凸部）を磁気的に分離した磁気記録媒体２０について説明したが、本発明における情報記録媒体の構成はこれに限定されず、例えば、図１１に示す磁気記録媒体２０Ａのように、磁気記録媒体２０における凹凸パターンＰ４の凹部を非磁性体１６で埋めてデータ記録用トラックを磁気的に分離する構成を採用することができる。また、上記の例では、磁気記録媒体２０を製造するためのマスクＭ２の形成方法について説明したが、例えば、情報記録媒体に対する記録データの記録および再生を実行するための記録ヘッドや再生ヘッドなどの製造に際して、それらを製造するための中間体をエッチング対象体として本発明を適用することができる。さらに、磁気記録媒体およびその中間体については、ガラス基材１１と軟磁性層１２との間に下地層を形成した構成や、軟磁性層１２と磁性層１３との間に配向層を形成した構成を採用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】磁気記録媒体製造装置１の構成を示すブロック図である。
【図２】磁気記録媒体２０の断面図である。
【図３】中間体１０の断面図である。
【図４】ガラス基材１１の上に軟磁性層１２を形成した状態の断面図である。
【図５】軟磁性層１２の上に磁性層１３を形成した状態の断面図である。
【図６】マスク形成用機能層１４の上にマスク形成用機能層１５を形成した状態の断面図である。
【図７】マスク形成用機能層１５に電子ビームＥＢを照射して露光パターンＰ１を描画した状態の断面図である。
【図８】図７に示す状態のマスク形成用機能層１５を現像処理して凹凸パターンＰ２（マスクＭ１）を形成した状態の断面図である。
【図９】マスクＭ１を用いてマスク形成用機能層１４をドライエッチングして凹凸パターンＰ３（マスクＭ２）を形成した状態の断面図である。
【図１０】マスクＭ２を用いて磁性層１３をドライエッチングして凹凸パターンＰ４を形成した状態の断面図である。
【図１１】磁気記録媒体２０Ａの断面図である。
【図１２】磁気記録媒体２０の表面を撮像した図面代用写真である。
【図１３】出願人が提案しているドライエッチング方法によってエッチングした磁気記録媒体の表面を撮像した図面代用写真である。
【符号の説明】
【００３９】
１  磁気記録媒体製造装置
２  スパッタ装置
３  塗布装置
４  描画装置
５  現像装置
６  エッチング装置
１０  記録媒体製造用中間体
１１  ガラス基材
１２  軟磁性層
１３  磁性層
１４，１５  マスク形成用機能層
１６  非磁性体
２０，２０Ａ  磁気記録媒体
ＥＢ  電子ビーム
Ｍ１，Ｍ２  マスク
Ｐ１  露光パターン
Ｐ２〜Ｐ４  凹凸パターン
Ｗ  幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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