(57)【要約】【課題】面積の大きな部位を有する配線層を最外層に備えながらも、高い信頼性を有する多層配線基板を提供する。【解決手段】コア基板上に電気絶縁層を介して複数の配線層を備え、最外層の配線層は幅が１５０μｍ以上である部位を有する多層配線基板の上記最外層の配線層が設けられている電気絶縁層を、ヤング率が０．１〜２．５ＧＰａの範囲内であるものとした。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板と、該コア基板上に電気絶縁層を介して複数の配線層を備える多層配線基板において、
最外層の配線層は幅が１５０μｍ以上である部位を有し、該配線層が設けられている電気絶縁層はヤング率が０．１〜２．５ＧＰａの範囲内であることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
最外層の配線層を除く配線層の線幅は１５０μｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
最外層の配線層を除く配線層のうち少なくとも１層はグランド層であり、該グランド層はメッシュパターンの配線であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記メッシュパターンの配線は、線幅が５〜１０μｍの範囲であり、開口面積率が２０〜５０％の範囲であることを特徴とする請求項３に記載の多層配線基板。
【請求項５】
最外層の配線層が設けられている電気絶縁層は、フルオレン骨格を有するエポキシ−アクリレート樹脂、ポリイミド樹脂の少なくとも１種からなることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項６】
最外層の配線層が設けられている電気絶縁層を除く電気絶縁層は、ベンゾシクロブテン樹脂からなることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記コア基板は、ＸＹ方向の熱膨張係数が２〜２０ｐｐｍの範囲内であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項８】
前記コア基板は、シリコン、セラミック、ガラス、ガラス−エポキシ複合材料の少なくとも１種からなることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線基板に係り、特にランド部のような面積の大きな部位を有する配線を最外層に備える多層配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】特開平９−３０６９９１号公報
近年、半導体素子は、ますます高集積化、高性能化の一途をたどってきており、その端子数の増加も著しい。例えば、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）のような表面実装パッケージでは、外部端子ピッチを狭めることにより、パッケージサイズを大きくすることなく多端子化に対応してきた。しかし、外部端子の狭ピッチ化に伴い、外部端子自体の幅が細くなって強度が低下するため、フォーミング等の後工程における外部端子のスキュー対応や、平坦性維持が難しくなり、実装に際しては、半導体パッケージの搭載精度の維持が難しくなるという問題があった。すなわち、ＱＦＰでも、更なる多端子化への対応は困難となっている。
【０００３】
これに対応するために、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）に代表される多層樹脂プリント基板をインターポーザとするパッケージが開発されてきた。このＢＧＡは、通常、両面基板の片面に半導体チップを搭載し、他方の面に球状の半田ボールを外部端子として備え、半導体チップの端子と外部端子（半田ボール）との導通をとったものであり、実装性の向上を図ったパッケージである。
【０００４】
また、最近では、パッケージを持たないチップ（ベアチップ）を直接に多層配線基板上に実装するベアチップ実装法が提案されている。ベアチップ実装法では、予め多層配線基板上に形成された配線の接続パッド部に、ボンディング・ワイヤ、ハンダや金属球等からなるバンプ、異方性導電膜、導電性接着剤、光収縮性樹脂等の接続手段を用いて半導体デバイス・チップが実装される。チップがパッケージに封入されていない分、多層配線基板上の配線とチップとの間の接続経路を単純化かつ短縮することができ、また実装密度が向上できる分、他チップとの間の距離も短縮することができる。したがって、小型軽量化はもちろん、信号処理の高速化も期待することができる。
上述のような従来の多層配線基板は、コア基板の両面に電気絶縁層を介して配線層が積層され、最外層の配線層には、半導体チップを搭載するためのランド部、あるいは、半田ボールを配設するためのランド部が設けられている（特許文献１）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような多層配線基板の電気絶縁層には、電送特性が良好で、ビア用の孔部形成性が良好な材料が使用されるが、ランド部等の面積の大きな配線部位が存在する箇所では、配線と電気絶縁層との物性の相違から、熱応力が加わると電気絶縁層にクラック等が発生し易く、導電材料のマイグレーション等が発生して信頼性が低下するという問題があった。最外層のランド部の面積を小さくすることにより、上記のような問題は避けることができるが、配設できる半田ボールも小さいものとなり、プリント基板上への多層配線基板の搭載に支障が生じるという問題があった。
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであり、ランド部のような面積の大きな部位を有する配線を最外層に備えながらも、高い信頼性を有する多層配線基板を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明は、コア基板と、該コア基板上に電気絶縁層を介して複数の配線層を備える多層配線基板において、最外層の配線層は幅が１５０μｍ以上である部位を有し、該配線層が設けられている電気絶縁層はヤング率が０．１〜２．５ＧＰａの範囲内であるような構成とした。
また、本発明の好ましい態様として、最外層の配線層を除く配線層の線幅は１５０μｍ未満であるような構成とした。
また、本発明の好ましい態様として、最外層の配線層を除く配線層のうち少なくとも１層はグランド層であり、該グランド層はメッシュパターンの配線であるような構成とし、前記メッシュパターンの配線は、線幅が５〜１０μｍの範囲であり、開口面積率が２０〜５０％の範囲であるような構成とした。
【０００７】
また、本発明の好ましい態様として、最外層の配線層が設けられている電気絶縁層は、フルオレン骨格を有するエポキシ−アクリレート樹脂、ポリイミド樹脂の少なくとも１種からなるような構成とした。
また、本発明の好ましい態様として、最外層の配線層が設けられている電気絶縁層を除く電気絶縁層は、ベンゾシクロブテン樹脂からなるような構成とした。
また、本発明の好ましい態様として、前記コア基板は、ＸＹ方向の熱膨張係数が２〜２０ｐｐｍの範囲内であるような構成とした。
また、本発明の好ましい態様として、前記コア基板は、シリコン、セラミック、ガラス、ガラス−エポキシ複合材料の少なくとも１種からなるような構成とした。
上記のような本発明では、最外層の配線層が設けられている電気絶縁層は、配線層の幅が１５０μｍ以上である部位との間に生じる応力を吸収する作用をなす。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の多層配線基板の一実施形態を示す部分縦断面図である。図１において、本発明の多層配線基板１１は、コア基板１２と、このコア基板１２の一方の面１２ａ上に電気絶縁層を介して形成された配線層とを備えている。
【０００９】
多層配線基板１１を構成するコア基板１２は、コア材１２′に複数のスルーホール１３が形成されたものであり、各スルーホール１３には導電材料１４が充填され、この導電材料１４によりスルーホール１３を介した表面１２ａと裏面１２ｂの導通がなされている。コア基板１２は、その厚みが５０〜３００μｍ、好ましくは１００〜３００μｍの範囲内であり、コア基板１２の厚みが５０μｍ未満であると、支持基板としての強度が不十分であり、３００μｍを超えると、半導体装置の薄型化に支障を来たすことになり好ましくない。
【００１０】
上記のコア基板１２は、ＸＹ方向（コア基板１２の表面１２ａ（あるいは裏面１２ｂ）に平行な平面）の熱膨張係数が２〜２０ｐｐｍ、好ましくは３〜１７ｐｐｍの範囲内であることが望ましい。このようなコア基板１２は、例えば、シリコン、セラミック、ガラス、ガラス−エポキシ複合材料等のコア材１２′を用いて作製することができる。尚、本発明では、熱膨張係数はＴＭＡ（サーマルメカニカルアナリシス）法により測定するものとする。
スルーホール１３は、内径が略同一であるストレート形状、一端の開口径が他端の開口径よりも大きいテーパー形状、中央部の内径が両端の開口径と異なる形状等、いずれであってもよい。スルーホールの開口径は、５〜３００μｍの範囲内で設定することが好ましい。図示例では、コア基板１２の表面１２ａ側のスルーホール１３の開口径が大きいテーパー形状となっている。
【００１１】
コア基板１２の各スルーホール１３に充填された導電材料１４としては、例えば、銅粒子、銀粒子等の導電性粒子を含有した公知の導電性ペーストを用いることができる。尚、スルーホール１３の内壁面は、例えば、フッ酸でエッチング処理を施することにより、その表面粗さＲｍａｘを５μｍ以下としてもよい。また、スルーホール１３の内壁面、コア材１２′の表面に、必要に応じて二酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素等の電気絶縁膜を形成してもよい。
【００１２】
多層配線基板１１を構成する配線層は、図示例では３層であり、コア基板１２の表面１２ａ上に電気絶縁層１５ａを介しビア部１７ａにて所定のスルーホール１３の導電材料１４に接続されるように形成された１層目の配線層１６ａと、この１層目の配線層１６ａ上に電気絶縁層１５ｂを介しビア部１７ｂにて所定の１層目配線層１６ａに接続されるように形成された２層目の配線層１６ｂと、この２層目の配線層１６ｂ上に電気絶縁層１８を介しビア部１７ｃにて所定の２層目配線層１６ｂに接続されるように形成された３層目の配線層１６ｃとからなる。
【００１３】
本発明では、最外層である３層目の配線層１６ｃには、幅が１５０μｍ以上である部位、例えば、半導体チップを搭載するためのランド部、あるいは、半田ボールを配設するためのランド部が設けられている。そして、３層の電気絶縁層１５ａ，１５ｂ，１８のうち、最外層である３層目の配線層１６ｃが設けられている電気絶縁層１８を、ヤング率が０．１〜２．５ＧＰａ、好ましくは、１〜２．５ＧＰａの範囲内にあるものとする。このような電気絶縁層１８は、最外層に位置する３層目の配線層１６ｃの幅が１５０μｍ以上の部位において配線層１６ｃと電気絶縁層１８との間に生じる応力を吸収、緩和することができる。これにより、電気絶縁層１８にクラックが発生することが防止され、導電材料のマイグレーション等の発生が防止され信頼性の高い多層配線基板が可能となる。また、例えば、半田ボール配設用のランド部を大きく設計することができ、プリント基板上への多層配線基板の搭載をより容易、確実に行うことができる。
【００１４】
尚、本発明における上記のヤング率は、銅板上に電気絶縁層１８と同じ条件で電気絶縁層を形成し、その後、銅板をエッチングで除去して得た電気絶縁膜（被試験体）について、引張り試験器（テンシロン）を用いて測定（１０ｍｍ／分の引張り速度で歪を加える）するものである。
【００１５】
上記のような電気絶縁層１８は、フルオレン骨格を有するエポキシ−アクリレート樹脂、ポリイミド樹脂等の少なくとも１種を用いて形成することができる。この電気絶縁層１８の厚みは、３〜３０μｍ程度の範囲で適宜設定することができ、厚みが３μｍ未満であると、十分な応力緩和作用を発現することができず、３０μｍを超えると、パターン形成が困難となり好ましくない。
電気絶縁層１５ａ，１５ｂは、信号減衰が生じ難く良好な電送特性を有し、ビア部用の孔部形成性が良好な材料を用いて形成することができ、例えば、ベンゾシクロブテン等を挙げることができる。この電気絶縁層１５ａ，１５ｂの厚みは、３〜２０μｍ程度の範囲で適宜設定することができる。
【００１６】
尚、１層目の配線層１６ａと２層目の配線層１６ｂは、線幅を１５０μｍ未満とすることが好ましい。また、１層目の配線層１６ａと２層目の配線層１６ｂのいずれかがグランド層である場合、このグランド層はメッシュパターンであることが好ましい。メッシュパターンは、例えば、線幅が５〜１０μｍの範囲、開口面積率が２０〜５０％の範囲であってよく、線交叉角度は直角でもよく、また、斜め交叉であってもよい。これにより、電気絶縁層１５ａ，１５ｂにクラックが発生することが防止される。
上記の配線層１６ａ，１６ｂ，１６ｃの材質、および、ビア部１７ａ，１７ｂ，１７ｃの材質は、銅、銀、金、クロム等の導電材料とすることができる。
【００１７】
上述の実施形態では、コア基板１２の各スルーホール１３に導電材料１４が充填されて表面１２ａと裏面１２ｂの導通がなされているが、スルーホール１３の内壁に導電薄膜を形成することにより表面１２ａと裏面１２ｂの導通をとってもよい。この場合、絶縁層は二酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素等の電気絶縁膜とすることができ、導電薄膜は銅、クロム、チタン、ニッケル等の下地導電薄膜と、下地導電薄膜上に積層された銅、銀、金、ニッケル等の導電材料からなる薄膜とすることができる。尚、このような構成で表面１２ａと裏面１２ｂの導通をとった場合、スルーホール内には、導電性ペースト、絶縁性ペースト等の任意の充填材料を選択することができる。
【００１８】
また、上述の実施形態では、コア基板１２の一方の面１２ａに配線層１６ａ，１６ｂ，１６ｃが電気絶縁層１５ａ，１５ｂ，１８を介して形成されているが、本発明ではコア基板の両面に配線層が形成されたものであってもよい。コア基板の両面に配線層を形成する場合、少なくとも一方の面の最外層の配線層は幅が１５０μｍ以上である部位を有するものであり、この配線層が設けられている電気絶縁層は、ヤング率が０．１〜２．５ＧＰａの範囲内にあるものとする。尚、コア基板に形成する配線層の積層数には制限はない。
更に、本発明の多層配線基板は、最上層の配線層を被覆するように最表面に電気絶縁層が設けられたものであってもよい。この場合の電気絶縁層は、上述の実施形態における電気絶縁層１８と同様の材質とすることができる。
【００１９】
次に、本発明の多層配線基板の製造例を図面を参照しながら説明する。
図２は、図１に示される本発明の多層配線基板の製造例を示す工程図である。まず、コア基板用のコア材１２′の一方の面１２ａにマスクパターンを形成し、このマスクパターンを形成した面１２′ａから、コア材１２′に所定の深さで微細孔１３′を穿設し、その後、マスクパターンを除去する（図２（Ａ））。微細孔１３′の穿設は、プラズマを利用したドライエッチング法であるＩＣＰ−ＲＩＥ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ  −  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）、サンドブラスト法、レーザー等により行うことができる。形成する微細孔１３′の深さは、後述するコア材１２′の研磨により最終的に設定されるコア基板１２の厚みを考慮して決定することができる。
【００２０】
次に、コア材１２′の他方の面１２′ｂを研磨して所定の厚みとし、上記の微細孔１３′を露出させることによりスルーホール１３を形成する（図２（Ｂ））。コア材１２′の研磨は、グラインダー、ポリッシュ、ＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシュ）等により行うことができる。研磨後のコア材１２′の厚みは、コア基板１２の厚みを考慮して設定することができ、例えば、５０〜３００μｍの範囲内で適宜設定することができる。
【００２１】
尚、スルーホール１３を形成したコア材１２′の両面、および、スルーホール１３の内壁面に絶縁層を形成する場合、コア材１２′の材質がシリコンであれば、熱酸化によりコア材１２′の表面に二酸化珪素膜を絶縁層として形成することができる。また、塗布方法によりスピンオングラス、ベンゾシクロブテン樹脂、カルド樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁膜をコア材１２′の表面に形成することができる。さらに、プラズマＣＶＤ法等の真空成膜法を用いてコア材１２′の表面に二酸化珪素膜、窒化珪素、酸窒化珪素等の絶縁層を形成することができる。また、スルーホール１３の内壁面は、例えば、フッ酸でエッチング処理を施することにより、その表面粗さＲｍａｘを５μｍ以下としてもよい。
【００２２】
次に、スルーホール１３内に導電材料１４を充填して表裏の導通をとりコア基板１２とする（図２（Ｃ））。導電材料１４としては、銅粒子、銀粒子等を分散含有する導電性ペーストを用いることができる。スルーホール１３内への導電材料１４の充填は、スクリーン印刷等により行うことができる。
【００２３】
次に、コア基板１２の表面１２ａ側に電気絶縁層を介して配線層を形成することにより、多層配線基板１を得る（図２（Ｄ））。この配線層の形成は、例えば、コア基板１２の表面１２ａ上に電気絶縁層１５ａを形成し、炭酸ガスレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー等を用いてコア基板１２の導電材料１４の所望箇所が露出するように小径の穴部を電気絶縁層１５ａの所定位置に形成する。そして、洗浄後、穴部内および電気絶縁層１５ａ上に無電解めっきにより給電層を形成し、この給電層上にドライフィルムレジストをラミネートして所望のパターン露光、現像を行うことによりレジストパターンを形成する。その後、このレジストパターンをマスクとして、上記の穴部を含む露出部に電解めっきにより導電材料を析出させてビア部１７ａと１層目の配線１６ａを形成し、レジストパターンと露出している給電層を除去する。２層目、３層目の配線層１６ｂ、１６ｃも、電気絶縁層１５ｂ，１８を用いて上記の操作を繰り返すことにより形成する。但し、３層目（最外層）の配線層１６ｃを形成するための電気絶縁層１８は、ヤング率が０．１〜２．５ＧＰａの範囲内にあるものとする。
【００２４】
尚、スルーホール１３の他の形成方法として、まず、コア材１２′の両面を研磨して所定の厚みとし、その後、コア材１２′の一方の面にマスクパターンを形成し、このマスクパターンを介して貫通孔を形成するスルーホール１３とする方法を用いてもよい。また、コア材１２′の両面を研磨して所定の厚みとした後、コア材１２′の両面にマスクパターンを形成し、コア材１２′の両面から微細孔を穿設してスルーホール１３を形成してもよい。
【００２５】
また、上述の例では、コア材１２′のスルーホール１３に導電材料１４が充填されてコア基板１２の表面１２ａと裏面１２ｂの導通がなされているが、スルーホール１３の内壁に導電薄膜を形成することにより表面１２ａと裏面１２ｂの導通をとってもよい。この場合、例えば、スルーホール１３の内壁面に絶縁層、下地導電薄膜、導電薄膜をこの順に積層してスルーホール１３を介した表裏の導通をとり、その後、スルーホール１３内に導電性ペースト、絶縁性ペースト等の任意の充填材料を充填することができる。絶縁層は、二酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素等の電気絶縁膜とすることができ、下地導電薄膜は銅、クロム、チタン、ニッケル等の導電材料からなるものとし、導電薄膜は下地導電薄膜上に電解めっきにより形成された銅、銀、金、ニッケル等の導電材料からなる薄膜とすることができる。
【００２６】
【実施例】
次に、具体的実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
コア材として、厚み６２５μｍのシリコンウエハを準備し、このコア材の一方の面に感光性ドライフィルムレジスト（旭化成（株）製ＡＰＲ）をラミネートし、スルーホール形成用のフォトマスクを介して露光し、その後、現像することによりマスクパターンを形成した。上記のシリコンウエハのＸＹ方向（シリコンウエハの表面に平行な平面）の熱膨張係数は、３ｐｐｍであった。また、マスクパターンは、直径が１００μｍである円形開口が３００μｍピッチで形成されたものであった。
【００２７】
次に、このマスクパターンをマスクとしてサンドブラストによりコア材に微細孔を穿設した。この微細孔は、開口径が１０５μｍ、深さが１５０μｍ、底部の内径が３０μｍであり、テーパー形状の内壁面を有するものであった。
次に、アセトンを用いてマスクパターンをコア材から除去した。その後、コア材の他方の面をバックグラインダーにより研磨してコア材の厚みを１４０μｍにするとともに、このコア材の研磨面に微細孔を開口径３０μｍで露出させてスルーホールを形成した。その後、スルーホールの内壁面を洗浄し、チッピング部除去のために、フッ酸でエッチング処理を施した。この処理後のスルーホール内壁面の表面粗さＲｍａｘは５μｍ以下であった。
【００２８】
次いで、スルーホールが形成されたコア材に熱酸化処理（１０５０℃、２０分間）を施して、コア材の表面（スルーホール内壁面を含む）に二酸化珪素からなる絶縁膜を形成した。その後、コア材の一方の面（スルーホールの開口径が３０μｍである面）に、クロム−銅の順にスパッタリング法により下地導電膜を０．２μｍの厚みで形成し、この下地導電膜上に電解銅めっきを行い導電層（厚み３０μｍ）を形成した。このように形成した導電層によって、開口径３０μｍのスルーホールの開口部は塞がれた状態となった。
【００２９】
次いで、銅粒子を分散含有する導電性ペーストを、コア材の他方の面（スルーホールの開口径が１０５μｍである面）からスクリーン印刷によりスルーホール内に充填し、硬化処理（１７０℃、２０分間）を施した。その後、コア材の一方の面に存在する上記の下地導電膜および導電層と、コア材の他方の面に硬化突出した導電性ペーストとを、不二越機械工業（株）製ＭＣＰ１５０Ｘを用いて研磨して、スルーホール内に充填された導電性ペーストの表面とコア材の表面とが同一面となるようにしてコア基板を得た。このコア基板は、一方の開口径が１０５μｍ、他方の開口径が３０μｍであるテーパー形状のスルーホールを最小ピッチ３００μｍで備え、かつ、導電性ペーストにより表裏の導通がなされたものとなった。尚、コア材の一方の面に存在する上記の下地導電膜および導電層の研磨除去の代わりに、エッチングによる除去を行ってもよい。
【００３０】
次に、コア基板上にベンゾシクロブテン樹脂組成物（ダウ・ケミカル社製シクロテン４０２４）をスピンコーターにより塗布、乾燥して厚み７μｍの電気絶縁層を形成した。この電気絶縁層のヤング率を引張り試験器（テンシロン）により測定した結果、２．９ＧＰａであった。尚、ヤング率は、銅板上に上記の電気絶縁層と同じ条件で塗布、乾燥して厚み７μｍの電気絶縁層を形成し、その後、銅板をエッチングで除去して得た電気絶縁膜（被試験体）について、引張り試験器（テンシロン）を用いて測定した。この測定では、１０ｍｍ／分の引張り速度で歪を加えた。
【００３１】
次に、ドライエッチングにより、コア基板のスルーホールに充填された導電性ペーストの所望箇所が露出するように小径の穴部を電気絶縁層の所定位置に形成した。そして、洗浄後、穴部内および電気絶縁層上にスパッタリング法によりクロムと銅からなる導電層を形成し、この導電層上に液状レジスト（東京応化工業（株）製ＬＡ−９００）を塗布した。次いで、１層目の配線層形成用のフォトマスクを介し露光、現像して配線層形成用のレジストパターンを形成した。このレジストパターンをマスクとして電解銅めっきを行い、その後、レジストパターンと露出している導電層を除去した。これにより、電気絶縁層を介して１層目の配線層をコア基板上に形成した。この１層目の配線層の最大線幅は１４０μｍであった。
【００３２】
次いで、１層目の配線層を覆うように電気絶縁層上にベンゾシクロブテン樹脂組成物（ダウ・ケミカル社製シクロテン４０２４）をスピンコーターにより塗布、乾燥して厚み７μｍの電気絶縁層を形成した。次に、露光、現像して１層目配線層の所望箇所が露出するように小径の穴部を電気絶縁層の所定位置に形成した。その後、２層目の配線層形成用のフォトマスクを使用して、上記の１層目配線層の形成と同様の操作を行い、電気絶縁層を介して２層目の配線層を１層目配線層上に形成した。この２層目の配線層の最大線幅は１４０μｍであった。
【００３３】
次いで、２層目の配線層を覆うように電気絶縁層上に新日鉄化学（株）製エポキシアクリレート樹脂Ｘ−２０５をスピンコーターにより塗布、乾燥して厚み７μｍの電気絶縁層を形成した。この電気絶縁層のヤング率を引張り試験器（テンシロン）により測定した結果、２．５ＧＰａであった。尚、ヤング率は、銅板上に上記の電気絶縁層と同じ条件で塗布、乾燥して厚み７μｍの電気絶縁層を形成し、その後、銅板をエッチングで除去して得た電気絶縁膜（被試験体）について、引張り試験器（テンシロン）を用いて測定した。この測定では、１０ｍｍ／分の引張り速度で歪を加えた。
【００３４】
次に、露光、現像して２層目配線層の所望箇所が露出するように小径の穴部を電気絶縁層の所定位置に形成した。その後、３層目の配線層形成用のフォトマスクを使用し、上記の１層目配線層の形成と同様の操作を行い、電気絶縁層を介して３層目の配線層を２層目配線層上に形成した。この３層目の配線層は、幅が２５０μｍであるランド部を有するものであった。
これにより、多層配線基板（実施例１）を得た。
【００３５】
［実施例２］
３層目（最外層）の配線層を形成するための電気絶縁層として、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂（新日鉄化学（株）製エポキシアクリレート樹脂ＰＤＦ１００）を使用した他は、実施例１と同様にして、多層配線基板（実施例２）を得た。上記の電気絶縁層のヤング率を引張り試験器（テンシロン）により測定した結果、２．１ＧＰａであった。尚、ヤング率は、銅板上に上記の電気絶縁層と同じ条件で塗布、乾燥して厚み７μｍの電気絶縁層を形成し、その後、銅板をエッチングで除去して得た電気絶縁膜（被試験体）について、引張り試験器（テンシロン）を用いて測定した。この測定では、１０ｍｍ／分の引張り速度で歪を加えた。
【００３６】
［比較例］
３層目（最外層）の配線層を形成するための電気絶縁層として、１層目、２層目の配線層形成に使用したのと同じ電気絶縁層を使用した他は、実施例１と同様にして、多層配線基板（比較例）を得た。
【００３７】
［評価］
上述のように作製した３種の多層配線基板（実施例１〜２、比較例）について、下記の条件でヒートサイクル試験を行い、電気絶縁層へのクラック発生の有無を観察した。その結果、本発明の多層配線基板（実施例１〜２）は電気絶縁層にクラック発生がみとめられず良好であった。
しかし、比較の多層配線基板は、３層目（最外層）の配線層が設けられた電気絶縁層にクラックが発生し、実用に供し得ないものであった。
（ヒートサイクル試験）
プレコンディションは、ＪＥＤＥＣ  ＪＥＳＤ２２−Ａ１１３−Ｂに従い、８５℃、８５％で１６８時間吸湿した。ヒートサイクル試験は、ＪＥＤＥＣ  ＪＥＳＤ２２−Ａ１０４−Ｂに従い、コンディションＢで１０００サイクル行った。
【００３８】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば最外層の配線層が設けられている電気絶縁層は、ヤング率が０．１〜２．５ＧＰａの範囲内であるため、最外層に位置する配線層の幅が１５０μｍ以上の部位において配線層との間に生じる応力を、上記の電気絶縁層が吸収、緩和することができ、この電気絶縁層にクラックが発生することが防止され、これにより、導電材料のマイグレーション等の発生が防止され信頼性の高い多層配線基板が可能となり、また、例えば、半田ボール配設用のランド部を大きく設計することができ、プリント基板上への多層配線基板の搭載をより容易、確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板の一実施形態を示す部分縦断面図である。
【図２】本発明の多層配線基板の製造の一例を示す工程図である。
【符号の説明】
１１…多層配線基板
１２…コア基板
１２′…コア材
１３…スルーホール
１４…導電材料
１５ａ，１５ｂ…電気絶縁層
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ…配線層
１７ａ，１７ｂ，１７ｃ…ビア部
１８…電気絶縁層
【図１】
2005044922.tif 000003
【図２】
2005044922.tif 000004