(57)【要約】【課題】  光エネルギー密度の高くなる再集光位置をレンズの外に存在させながら、より少ないレンズ枚数、より小規模な構成で、露光装置の高ＮＡ化を実現させる目的で、レーザー光源と複数光源形成手段と再結像光学系を有する。【解決手段】  照明光学系において、入射光側から順に正のパワーを持つ第１のレンズ群と、正のパワーを持つ第１のレンズ群と、負のパワーを持つ第２のレンズ群と、正のパワーを持つ第３のレンズ群を備え、更に前記第２のレンズ群の光出射側に凹レンズを配置させ、前記第１のレンズ群の光入射側に凸レンズを配置させることにより、軸外光束の主光線が光軸と交わる交点位置を、前記第２のレンズ群と前記第３のレンズ群の間に存在させている。【選択図】  図１
2005106897.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光を発生する光源と、該レーザー光の照射により複数の光源を形成する複数光源形成手段と、その後方に物平面を像平面に結像させる再結像光学系を有する照明光学系において、
前記再結像光学系を軸外光束の主光線が像空間でほぼ平行となる射出テレセントリックな光学系とし、光入射側から順に正のパワーを持つ第１のレンズ群と、負のパワーを持つ第２のレンズ群と、正のパワーを持つ第３のレンズ群を有する。更に前記第２のレンズ群の光出射側に凹レンズを配置させ、前記第３のレンズ群の光入射側に凸レンズを配置させることにより、軸外光束の主光線が光軸と交わる交点位置を、前記第２のレンズ群と前記第３のレンズ群の間に存在させていることを特徴とする照明装置またはそれを用いた投影露光装置。
【請求項２】
前記第２のレンズ群の焦点距離をｆ２、前記第３のレンズ群をｆ３とした時に、
０．５  ≦  ｜ｆ２／ｆ３｜  ≦  １．５
の条件を満足していることを特徴とする請求項１に記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置。
【請求項３】
前記第３のレンズ群と前記像平面の間に光路折り曲げ部を有し、該光路折り曲げ部と前記像平面の間に正のパワーを持つ第４のレンズ群を有する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置。
【請求項４】
前記第２のレンズ群を１枚の凹レンズ、前記第３のレンズ群を２枚以下の凸レンズで構成している、
ことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置。
【請求項５】
前記複数光源形成手段を光軸に垂直な面内において直交する二軸の少なくとも一方向に正のパワーを持つ複数の光学要素の集合体で構成し、
前記複数光源形成手段と前記再結像光学系との間に、前記物平面に照射光を導くリレー光学系を有する、
ことを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置。
【請求項６】
前記再結像光学系において、物平面から像平面までの光軸に沿った距離である物像間距離をＴ、物平面からの入射瞳位置までの距離である入射瞳距離をＰとした時に、
１５  ≦  Ｐ／Ｔ  ≦  ２．６
の条件を満足していることを特徴とする請求項５に記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置。
【請求項７】
前記第１のレンズ群を４枚以下のレンズで構成し、前記第１のレンズ群において光入射側より順に凹レンズと３枚以下の凸レンズを配置させている、
ことを特徴とする請求項６に記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置。
【請求項８】
前記第３のレンズ群と前記光路折り曲げ部との間には、レンズが無いことを特徴とする請求項６または７に記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置。
【請求項９】
前記第３のレンズ群には少なくとも１つの非球面を有することを特徴とする請求項６から８の何れかに記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置。
【請求項１０】
前記第４のレンズ群を３枚のレンズで構成し、前記第４のレンズ群において光入射側より順に凸レンズ、凹レンズ、凸レンズを配置させている、
ことを特徴とする請求項６から９の何れかに記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置。
【請求項１１】
前記再結像光学系において、
物平面に対する像平面における結像倍率の絶対値をＢＭとした時、
１．３  ≦ＢＭ  ≦  ２．５
の条件を満足している、
ことを特徴とする請求項６から１０の何れかに記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置。
【請求項１２】
前記照明装置と、前記再結像光学系からの照射光により照射された回路パターンの像を感光性基盤上に結像させる投影光学系を備え、該投影光学系の結像側の開口数をＮＡＷとした時、
０．７  ≦  ＮＡＷ  ≦  ０．９５
の条件を満足していることを特徴とする請求項１１に記載の投影露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照明装置およびそれを用いた投影露光装置に関し、特に複数光源形成手段からの照射光を像平面に照射させる再結像結像光学系を用いる照明装置およびそれを用いて半導体素子を製造する投影露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＳＩあるいは超ＬＳＩなどの極微細パターンから形成される半導体素子の製造工程において、レチクルに描かれた回路パターンを、感光剤が塗布された基板上に縮小投影して、焼付け形成する縮小投影露光装置が使用されている。半導体素子の実装密度の向上に伴い、パターンのよりいっそうの微細化が要求され、レジストプロセスの発展と共に露光装置に対しても、微細化への対応が望まれている。
【０００３】
その対応方法の一手段として、投影露光装置の投影光学系の開口数（ＮＡ）において、既に相当の高ＮＡ化されている投影光学系に対して、近年は更なる高ＮＡ化が望まれている。
【０００４】
更なる高ＮＡ化においては、性能向上を計りながら構造的制約条件や光学材料径の制約条件を満足させるには、投影光学系の光学設計がより難易度が高くなるばかりでなく、照明光学系においては、ハエの目レンズの後方にマスク照射を照射するリレー光学系と再結像光学系（マスク結像光学系）を配置させて、レチクルに照射光を導く光学系の光学設計においても、同様に難易度が高まってきており、提案がなされている（例えば、特許文献１〜３参照）。
【特許文献１】特開平０９−１９２７０号公報
【特許文献２】特開平１１−３２９９６３号公報
【特許文献３】特開２００２−５５２７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、半導体素子を製造する投影露光装置のように、高エネルギーなレーザー光を光源として用いる装置の光学系においては、この光源の再集光位置は光エネルギー密度が高くなる。この再集光位置がレンズ内にあると、レンズの材料として使用する光学材料の内部透過率の劣化や、レンズ表面に施した反射防止膜の劣化の原因となる。その結果、照明光学系の局部的な照度劣化による照度むらや、全面的な照度劣化による露光装置のスループット低下や、あるいは有効光源歪みの発生による焼付け線幅が不均一になる、という問題を生じさせる。
【０００６】
本発明の目的は、以上の問題を未然に防止させるために、光エネルギー密度の高くなる再集光位置をレンズの外に存在させながら、より少ないレンズ枚数、より小規模な構成として、構造的制約条件や光学材料径の制約条件を満足させることにより、更なる高ＮＡ化を実現させる照明装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前述した本発明の目的を再結像光学系の前半で達成させるために、本特許請求範囲のうち請求項１に係る発明では、照明装置およびそれを用いた投影露光装置の、レーザー光を発生する光源と、複数の光源を形成する複数光源形成手段と、その後方に物平面を像平面に結像させる再結像光学系を有する照明光学系において、前記再結像光学系を軸外光束の主光線が像空間でほぼ平行となる射出テレセントリックな光学系とし、入射光側から順に正のパワーを持つ第１のレンズ群と、負のパワーを持つ第２のレンズ群と、正のパワーを持つ第３のレンズ群を有する。更に前記第２のレンズ群の光出射側に凹レンズを配置させ、前記第３のレンズ群の光入射側に凸レンズを配置させることにより、軸外光束の主光線が光軸と交わる交点位置を、前記第２のレンズ群と前記第３のレンズ群の間に存在させていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の目的を再結像光学系の前半でより確実に達成させるために、本特許請求範囲のうち請求項２に係る発明では、請求項１に記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置において、前記第２のレンズ群の焦点距離をｆ２、前記第３のレンズ群をｆ３とした時に、
０．５  ≦  ｜ｆ２／ｆ３｜  ≦  １．５  の条件を満足していることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の目的を再結像光学系の後半で達成させるために、本特許請求範囲のうち請求項３に係る発明では、請求項１または２に記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置において、前記第３のレンズ群と前記像平面の間に光路折り曲げ部を有し、該光路折り曲げ部と前記像平面の間に正のパワーを持つ第４のレンズ群を有することを特徴とする。
【００１０】
そして、本発明の最終目的を再結像光学系の前半で達成させるために、本特許請求範囲のうち請求項４に係る発明では、請求項１から３の何れかに記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置において、前記第２のレンズ群を１枚の凹レンズ、前記第３のレンズ群を２枚以下の凸レンズという、少ないレンズ構成に出来ることを特徴とする。
【００１１】
そして、本発明の目的を達成させる再結像光学系は、本特許請求範囲のうち請求項５に係る発明では、請求項１から４の何れかに記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置において、前記複数光源形成手段を光軸に垂直な面内において直交する二軸の少なくとも一方向に正のパワーを持つ複数の光学要素の集合体で構成し、前記複数光源形成手段と前記再結像光学系との間に、前記物平面に照射光を導くリレー光学系を有することを特徴とする。
【００１２】
次に、本発明の目的を達成させる再結像光学系は、射出テレセントリックな光学系にするために、本特許請求範囲のうち請求項６に係る発明に示すように、請求項５に記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置において、前記再結像光学系において、物平面から像平面までの光軸に沿った距離である物像間距離をＴ、物平面から入射瞳位置までの距離である入射瞳距離をＰとした時に、
０．１５  ≦  Ｐ／Ｔ  ≦  ２．６  の条件を満足していることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の最終目的を達成させる再結像光学系の前半において達成させるために、本特許請求範囲のうち請求項７に係る発明では、請求項６に記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置において、前記第１のレンズ群を４枚以下のレンズで構成し、前記第１のレンズ群において光入射側より順に第２の凹レンズと３枚以下の凸レンズを配置して、最小限のレンズ構成で特に球面収差の補正が出来ることを特徴とする。
【００１４】
そして、本発明の最終目的を達成させる再結像光学系は、本特許請求範囲のうち請求項８に係る発明に示すように、請求項６または７に記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置において、前記第３のレンズ群と前記光路折り曲げ部との間に、レンズを配置させなくても所望の性能を得ることを可能にすることを特徴とする。
【００１５】
更に、本発明の目的を達成させる再結像光学系は、最小限のレンズ構成で特に球面収差を補正し、より良好な射出テレセントリック光学系にするために、本特許請求範囲のうち請求項９に係る発明では、請求項６から８の何れかに記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置において、前記第３のレンズ群には少なくとも１つの非球面を有することを特徴とする。
【００１６】
次に、本発明の最終目的を再結像光学系の後半において達成させるために、本特許請求範囲のうち請求項１０に係る発明では、請求項６から９の何れかに記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置において、前記第４のレンズ群を３枚のレンズ群で構成し、前記第４のレンズ群において光入射側より順に凸レンズ、凹レンズ、凸レンズを配置させることで、ディストーションを良好に補正しながら、射出テレセントリックな光学系にすることが可能なことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の最終目的を達成させる再結像光学系は、本特許請求範囲のうち請求項１１に係る発明に示すように、請求項６から１０の何れかに記載の照明装置またはそれを用いた投影露光装置において、前記再結像光学系の物平面に対する像平面における結像倍率の絶対値をＢＭとした時、
１．３  ≦ＢＭ  ≦  ２．５  の条件を満足することにより、投影光学系が更に高ＮＡ化しても、マスク結像光学系の直前に配置されるマスク照射光学系を、光学材料において製作可能な大きさで、かつ収差補正の容易な光学系にすることが出来ることを特徴とする。
【００１８】
最後に、本発明の最終目的を達成させる再結像光学系は、本特許請求範囲のうち請求項１２に係る発明に示すように、請求項１１に記載の投影露光装置において、前記照明装置と、前記再結像からの照射光により照射された回路パターンの像を感光性基盤上に結像させる投影光学系を備え、該投影光学系の結像側の開口数をＮＡＷとした時、０．７  ≦  ＮＡＷ  ≦  ０．９５  の条件を満足している時に、本発明の効果を最大限に発揮することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明した本発明による再結像光学系に関する技術を、投影露光装置に用いられる照明光学系におけるマスク結像光学系に適用すれば、以下に述べる二つの効果を同時に実現させることが出来る。
【００２０】
第一の効果としては、再集光位置すなわち光エネルギー密度が高くなる位置を、光学部材内に存在させることことが無い。これによって、レンズの材料として使用する光学材料の内部透過率の劣化や、レンズ表面に施した反射防止膜の劣化を未然に防止することが出来る。その結果、照明光学系の照度劣化による露光装置のスループットを向上させる効果がある。
【００２１】
そして、第二の効果としては、より簡素な光学系により前記第一の効果を発揮させることが出来る。その結果、従来並のコストおよび装置の規模を維持しながら、投影光学系の開口数ＮＡにおいて、より高ＮＡ化を実現できる。その結果、半導体素子の製造工程において、より微細な回路パターンを焼き付けることが出来るという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（実施例１）
本発明に実施例について、図１と図２に示す図を用いて説明する。本実施例は図１に示すように、ハエの目レンズ１とレチクル２との間に、マスク面３を照射するリレー光学系４と、マスク面３からの照射光をレチクル２上のパターン面を照射する再結像光学系を配置させた例であり、マスク面３とレチクル２上のパターン面が結像関係にある。
【００２３】
従って、ハエの目レンズ１の直後にある集光光を光源とする照射光が再結像光学系に入射した後に再度集光する位置が、光エネルギー密度の最も高くなる二次光源再集光位置で、この二次光源再集光位置をレンズ内に存在させない再結像光学系とする例である。本実施例の再結像光学系の結像倍率は、
−１．６倍の例である。
【００２４】
本実施例におけるリレー光学系４と再結像光学系を図１に示す。リレー光学系４は複数のレンズ群で構成され、平行光束が入射した時にマスク面３の近傍において集光する光学系で、その射出瞳位置は後方に配置される再結像光学系の入射瞳位置と一致させている。
【００２５】
そして、本実施例の再結像光学系は入射光側から順に、第１のレンズ群と第２のレンズ群と第３のレンズ群そして第４のレンズ群で構成している。第１のレンズ群は、直後のレンズを防塵するためのカバーガラスＣＧ１と、全光学系を最小限のレンズで構成し、諸収差のうち特に球面収差を補正するために凹レンズＧ１と３枚の凸レンズＧ２、Ｇ３、Ｇ４で構成している。その後方に１枚の凹レンズＧ５のみからなる第２のレンズ群と、１枚の凸レンズＧ６のみからなる第３のレンズ群と、凸レンズＧ７と凹レンズＧ８と凸レンズＧ９からなる第４のレンズ群を配置させている。更に第３のレンズ群と第４のレンズ群の間に光軸５を直角に折り曲げるための、光路折り曲げ部６を設けている。なお、レチクル２の直前にも第１のレンズ群と同様に、防塵のためのレチクルカバーガラスＣＧ３を配置させている。
【００２６】
また本実施例は、最小限のレンズ構成で二次光源最集光位置を光学材料の外に存在させながら、諸収差のうち特に球面収差を良好に補正し、出射主光線の平行度即ち射出テレセン度を良好なレベルに維持するために、第２のレンズ群を構成する１枚の凸レンズＧ６の光射出側を非球面としている。
【００２７】
図１に示すような光学系においては、ハエの目レンズ１の直後にある集光光を光源とする照射光が、再度集光する二次光源再集光位置がある。この二次光源再集光位置の光軸に垂直な断面近傍が光エネルギー密度の最も高い領域となる。そこで、第２のレンズ群Ｇ５と第３のレンズ群Ｇ６の間に、軸外光束の主光線７と光軸５との交点位置８が位置するように、第１のレンズ群のパワーおよび第１のレンズ群と第２のレンズ群との間の主点間隔を決定すれば、軸外光束の主光線７と光軸５との交点位置８と二次光源再集光位置をほぼ一致させることが出来る。
【００２８】
そうすれば、凹レンズＧ５と凸レンズＧ６の間に、光エネルギー密度の最も高い領域存在させることが出来る。即ち、エネルギー密度の最も高くなる照射領域をレンズ内に存在させることが無い。
【００２９】
また、第４のレンズ群としてトリプレット構成の光学系を配置させている。即ち入射光側より凸レンズＧ７と凹レンズＧ８そして凸レンズＧ９を配置させることにより、歪曲収差およびレチクル２への軸外光束における主光線の光軸に対する平行度、即ち射出テレセン度を良好なレベルに維持させることが出来る。
【００３０】
図２は、本実施例に用いた再結像光学系において、入射ＮＡを０．３８、レチクル側最大像高を５７ｍｍとした時の、メリジオナル方向の横収差とサジタル方向の横収差そして歪曲収差および射出テレセン度を示す図である。実用上許容範囲内の横収差に抑えながら、歪曲収差と射出テレセン度を良好に補正している。
【００３１】
別表１に本施例に用いた再結像光学系における諸元の値を示す。表１において、ｆ１は第１のレンズ群の焦点距離、ｆ２は第２のレンズ群の焦点距離、ｆ３は第３のレンズ群の焦点距離、ｆ４は第４のレンズ群の焦点距離をそれぞれ示している。また、Ｔは再結像光学系のマスク面３からレチクル２上のパターン面までの物像間距離で、Ｐはマスク面３からの再結像光学系の入射瞳位置までの距離を意味する入射瞳距離である。
【００３２】
本実施例で説明した再結像光学系においては、｜ｆ２／ｆ３｜＝１．１０  となる。本発明の目的である光学部材の中に集光位置を入れず、かつ物像間距離を短くさせるためには、第２のレンズ群の焦点距離ｆ２と第３のレンズ群の焦点距離ｆ３について、０．５  ≦  ｜ｆ２／ｆ３｜  ≦  １．５  の条件を満足しているのが好ましい。
【００３３】
また、本実施例で説明した再結像光学系においては、Ｐ／Ｔ＝０．４２  となる。射出テレセン度を良好に補正するためには、物像間距離Ｔと入射瞳距離Ｐとについて、０．１５  ≦  Ｐ／Ｔ  ≦  ２．６  の条件を満足しているのが好ましい。
【００３４】
そして、Ｈは軸外光束の主光線７と光軸５との交点位置８を示すもので、最も近いレンズ面である凸レンズＧ６の光入射側の面である第１３面からの距離を示している。また、レンズデータ表において、ｒは各面の曲率半径（単位：ｍｍ）、ｄは各面間隔（単位：ｍｍ）、ｎは入射光（波長０．１９３μｍ）に対する媒質の屈折率をそれぞれ示し、ｋは図１に示す再結像光学系のレンズ番号に一致する。
【００３５】
なお、表１に示す非球面に関する諸係数は、非球面の任意の点における光軸に垂直な方向の高さをｈ、光軸に沿った方向の距離をｘ、頂点の曲率半径をｒ、曲面係数をＫとし、非球面係数をＡからＦのアルファベットとした時、以下の（１）式で表される。
【００３６】
ｘ  ＝  ｈ２／ｒ／［１＋｛１−（１＋Ｋ）（ｈ／ｒ）２｝１／２］＋Ａｈ４＋Ｂｈ６＋Ｃｈ８＋Ｄｈ１０＋Ｅｈ１２＋Ｆｈ１４    ・・・・・・（１）
以上に説明したように、本実施例は凹レンズと凸レンズの間に軸外光束の主光線と光軸との交点を位置させることにより、少ないレンズ枚数の光学系を採用していながら、再集光位置を光学部材内に存在させること無く、実用上許容範囲内の横収差に抑えて、歪曲収差と射出テレセン度を良好に補正し、実用上許容範囲内の性能を得られる再結像光学系とすることが出来る。
【００３７】
本実施例で説明した再結像光学系は、たとえば図３に示すようなステップ・アンド・スキャン方式を採用した投影露光装置のマスク結像光学系として適用することが出来る。発振波長１９３ｎｍのエキシマレーザー１１から射出した照射光は、ビーム整形光学系１２を介して所望のビーム形状に整形された後、リレー光学系１３により断面形状が六角形の柱状ガラス１４に入射する。
【００３８】
柱状ガラス１４は、ガラス内面による多重反射により、一つの光源から複数の光源を形成している。この柱状ガラス１４からの照射光がσ連続可変光学系１５によりハエの目レンズ１に照射される。ハエの目レンズ１からの照射光は、リレー光学系４によりマスク面３に照射される。マスク面３からの照射光はマスク結像光学系により、レチクル２の回路パターン面を照射する。レチクル２の回路パターンは、投影光学系１９により感光材料が塗布されたウエハ２０の基盤面上に縮小投影される。
【００３９】
本実施例で説明した再結像光学系は、図３に示すような構成の投影露光装置において、第１集光光学系１６とミラー１７と第２集光光学系１８で構成されるマスク結像光学系に置き換えて適用することが出来る。
【００４０】
図３におけるマスク結像光学系は、カバーガラスＣＧ１およびＧ１からＧ５のレンズ群からなる第１集光光学系１６と、レチクル２およびウエハ２０のスキャン方向と光軸２１を含む断面内で光軸２１を直角に折り曲げるミラー１７と、凸レンズＧ７と凹レンズＧ８と凸レンズＧ９のトリプレット構成の光学系およびカバーガラスＣＧ２からなる第２集光光学系で構成されている。
【００４１】
本実施例の再結像光学系の入射ＮＡが０．３８で結像倍率が−１．６なので、レチクル面対ウエハ基盤面間の結像倍率が−０．２５、ウエハ側の結像開口数ＮＡが０．９５となる投影光学系を用いることが出来る。ウエハ側の結像開口数ＮＡがこの値を超えると、ウエハ側にある光学系のレンズ各面における光線の入射角または射出角が大きくなる。従って、レンズ各面に反射防止膜を施した時に、反射率の悪化および偏光成分の非対称等を発生させる原因となり、ウエハ基盤面上の回路パターン焼付け線幅のばらつきという問題を引き起こす。
【００４２】
以上の事情から、投影光学系の結像側における開口数ＮＡｗは、０．９５以下であることが望ましい。そして、図３に示すようなマスク結像光学系に、本発明の再結像光学系を適用すると、投影光学系の開口数ＮＡＷが０．７以上の時に、本発明の目的をより効果的に発揮する。従って、投影光学系の結像側における開口数ＮＡｗは、０．７  ≦  ＮＡＷ  ≦  ０．９５  の条件を満足しているのが好ましい。
【００４３】
また、本実施例の再結像光学系の結像倍率は−１．６であるが、この絶対値が１．３を下回ると、マスク装置の大型化はマスキング精度の劣化を引き起こすので好ましくない。また、この結像倍率の絶対値が２．５を越えると、リレー光学系４の大型化や光学性能の劣化を引き起こす原因となる。従って、この結像倍率の絶対値ＢＭは、１．３  ≦ＢＭ  ≦  ２．５  の条件を満足しているのが好ましい。
【００４４】
このような構成の再結像光学系をマスク結像光学系として照明装置に適用することにより、光エネルギー密度の高くなる再集光位置を光学材料内に存在させること無く、より少ないレンズ枚数、より小規模な構成で、構造的制約条件や光学材料径の制約条件を満足させて、投影光学系の更なる高ＮＡ化を実現させる照明装置および投影露光装置を提供することが出来る。
【００４５】
本実施例に用いた再結像光学系における諸元
【００４６】
【表１】
2005106897.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明に係る実施例の説明図である。
【図２】本発明に係る実施例に用いた再結像光学系の収差図である。
【図３】投影露光装置におけるマスク結像光学系として、本発明に係る実施例に用いた再結像光学系を適用した場合の概略図。
【符号の説明】
【００４８】
１  ハエの目レンズ
２  レチクル
３  マスク面
４、１３  リレー光学系
５  光軸
６  光路折り曲げ部
７  軸外光束の主光線
８  軸外光束の主光線と光軸の交点位置
１１  エキシマレーザー
１２  ビーム整形光学系
１４  柱状ガラス
１５  σ連続可変光学系
１６  第１集光光学系
１７  ミラー
１８  第２集光光学系
１９  投影光学系
２０  ウエハ
２１  光軸
【図１】
2005106897.tif 000004
【図２】
2005106897.tif 000005
【図３】
2005106897.tif 000006