(57)【要約】【課題】各種膜特性（特に膜表面モフォロジー）に優れる透明導電膜、かかる透明導電膜を形成し得る透明導電膜の形成方法、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の透明導電膜は、無機酸化物を主とする導電性粒子８１ａで構成された多孔質膜８１と、多孔質膜８１が有する空隙８１ｂを埋め、かつ、その表面の凹凸が緩和または消失するように供給された導電性物質８２とを有する。多孔質膜８１の表面粗さＲａをＡ［ｎｍ］とし、透明導電膜８の表面粗さＲａをＢ［ｎｍ］としたとき、Ｂ／Ａが０．８以下なる関係を満足するのが好ましい。具体的には、透明導電膜８１の表面粗さＲａは、０．１〜２０ｎｍであるのが好ましい。【選択図】図２
2005100941.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機酸化物を主とする導電性粒子で構成された多孔質膜と、
該多孔質膜が有する空隙を埋め、かつ、その表面の凹凸が緩和または消失するように供給された導電性物質とを有することを特徴とする透明導電膜。
【請求項２】
前記多孔質膜の表面粗さＲａをＡ［ｎｍ］とし、前記透明導電膜の表面粗さＲａをＢ［ｎｍ］としたとき、Ｂ／Ａが０．８以下なる関係を満足する請求項１に記載の透明導電膜。
【請求項３】
前記透明導電膜の表面粗さＲａは、０．１〜２０ｎｍである請求項２に記載の透明導電膜。
【請求項４】
前記導電性粒子の平均粒径は、２〜２０００ｎｍである請求項１ないし３のいずれかに記載の透明導電膜。
【請求項５】
前記導電性物質は、無機酸化物を主とするものである請求項１ないし４のいずれかに記載の透明導電膜。
【請求項６】
前記導電性粒子の主材料である無機酸化物と、前記導電性物質の主材料である無機酸化物とは、同種のものである請求項５に記載の透明導電膜。
【請求項７】
前記透明導電膜は、その比抵抗率が１×１０−２Ω・ｃｍ以下である請求項１ないし６のいずれかに記載の透明導電膜。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の透明導電膜を形成する透明導電膜の形成方法であって、
前記多孔質膜の空隙を埋め、かつ、前記多孔質膜の表面を覆うように、前記導電性物質となる導電性物質前駆体と液体とを含む液状材料を供給する第１の工程と、
前記導電性物質前駆体を導電性物質に変化させる第２の工程とを有することを特徴とする透明導電膜の形成方法。
【請求項９】
前記第１の工程において、前記液状材料の前記多孔質膜への供給は、塗布法により行われる請求項８に記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項１０】
前記導電性物質前駆体は、加熱により前記導電性物質へ変化するものである請求項８または９に記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項１１】
前記第２の工程に先立って、前記液状材料に含まれる前記液体の少なくとも一部を除去する液体除去工程を有する請求項８ないし１０のいずれかに記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項１２】
前記第１の工程に先立って、無機酸化物を主とする導電性粒子を含む液状材料を用いて、前記多孔質膜を形成する多孔質膜形成工程を有する請求項８ないし１１のいずれかに記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項１３】
前記多孔質膜形成工程に先立って、形成すべき前記透明導電膜の形状に対応するパターンの開口部を有するマスクを形成するマスク形成工程を有する請求項１２に記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項１４】
前記マスクは、その少なくとも表面が撥液性を有するものである請求項１３に記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項１５】
前記マスクを用いて、少なくとも前記多孔質膜形成工程と前記第１の工程とが行われる請求項１３または１４に記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項１６】
前記第２の工程の後、前記マスクを除去するマスク除去工程を有する請求項１３ないし１５のいずれかに記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項１７】
請求項１ないし７のいずれかに記載の透明導電膜を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１８】
請求項８ないし１６のいずれかに記載の透明導電膜の形成方法により得られた透明導電膜を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１９】
請求項１７または１８に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電膜、透明導電膜の形成方法、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば液晶画像表示装置では、液晶を駆動する画素電極および走査電極として透明導電膜が設けられている。
この透明導電膜の形成方法としては、酸化インジウムや酸化錫等の光透過性を有する導電性材料を、例えば蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等によって基板上に被着する乾式プロセスがある。しかし、これらの方法は、大がかりな装置が必要であり、また成膜に要する消費エネルギーが大きく、高コストになる等の問題がある。
これに対して、酸化インジウムや酸化錫等よりなる導電性粒子を水系の分散媒に分散された塗液を、基板上に塗布した後、熱処理することにより、透明導電膜を形成する湿式プロセスは、簡易な設備で透明導電膜を形成することができ、実用性の高い方法として期待される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ところが、この湿式プロセスで形成される透明導電膜１１０は、図１０に示すように、導電性粒子１２０同士の接触が点接触であるとともに、導電性粒子１２０同士の接触に不十分な部分が生じてしまい、この部分に大きな空隙１３０が形成される。
このため、湿式プロセスで形成される透明導電膜１１０は、乾式プロセスにより形成された透明導電膜に比べて、膜表面モフォロジーが悪く、透明導電膜と接触する他の層（部材）との密着性が低いこと、膜強度が低いことや、抵抗値が高いこと等の問題がある。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２９０６３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、各種膜特性（特に膜表面モフォロジー）に優れる透明導電膜、かかる透明導電膜を形成し得る透明導電膜の形成方法、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の透明導電膜は、無機酸化物を主とする導電性粒子で構成された多孔質膜と、
該多孔質膜が有する空隙を埋め、かつ、その表面の凹凸が緩和または消失するように供給された導電性物質とを有することを特徴とする。
これにより、各種膜特性（特に膜表面モフォロジー）に優れるものとなる。
【０００７】
本発明の透明導電膜では、前記多孔質膜の表面粗さＲａをＡ［ｎｍ］とし、前記透明導電膜の表面粗さＲａをＢ［ｎｍ］としたとき、Ｂ／Ａが０．８以下なる関係を満足することが好ましい。
これにより、透明導電膜の表面はより平坦となり、透明導電膜上に設けられる層（部材）との密着性をより向上させることができる。
本発明の透明導電膜では、前記透明導電膜の表面粗さＲａは、０．１〜２０ｎｍであることが好ましい。
透明導電膜の表面粗さＲａを小さくすることにより、透明導電膜上に設けられる層（部材）との密着性の向上が顕著に発揮される。
【０００８】
本発明の透明導電膜では、前記導電性粒子の平均粒径は、２〜２０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、多孔質膜形成用材料の取り扱いが容易となるとともに、形成された透明導電膜を、より導電性、膜強度および密着性に優れたものとすることができる。
本発明の透明導電膜では、前記導電性物質は、無機酸化物を主とするものであることが好ましい。
無機酸化物を主材料とする導電性物質は、特に高い導電性と透明性とを有する。
【０００９】
本発明の透明導電膜では、前記導電性粒子の主材料である無機酸化物と、前記導電性物質の主材料である無機酸化物とは、同種のものであることが好ましい。
これにより、導電性粒子（多孔質膜）と導電性物質との密着性が向上し、形成された透明導電膜は、より導電性および膜強度が優れたものとなる。
本発明の透明導電膜は、その比抵抗率が１×１０−２Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。
これにより、電子デバイスを構築した際に、かかる電子デバイスをより応答速度の速いものとすることができる。
【００１０】
本発明の透明導電膜の形成方法は、本発明の透明導電膜を形成する透明導電膜の形成方法であって、
前記多孔質膜の空隙を埋め、かつ、前記多孔質膜の表面を覆うように、前記導電性物質となる導電性物質前駆体と液体とを含む液状材料を供給する第１の工程と、
前記導電性物質前駆体を導電性物質に変化させる第２の工程とを有することを特徴とする。
これにより、各種膜特性（特に膜表面モフォロジー）に優れる透明導電膜が得られる。
【００１１】
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記第１の工程において、前記液状材料の前記多孔質膜への供給は、塗布法により行われることが好ましい。
塗布法によれば、容易かつ確実に、多孔質膜の空隙を塞ぐように、液状材料を供給することができる。
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記導電性物質前駆体は、加熱により前記導電性物質へ変化するものであることが好ましい。
加熱により導電性物質に変化する導電性物質前駆体を用いることにより、大掛かりな設備を必要とせず、比較的容易に、導電性物質を得ること、すなわち、透明導電膜を形成することができる。
【００１２】
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記第２の工程に先立って、前記液状材料に含まれる前記液体の少なくとも一部を除去する液体除去工程を有することが好ましい。
これにより、導電性物質前駆体の導電性物質への変化を、より確実かつ迅速に進行させることができる。
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記第１の工程に先立って、無機酸化物を主とする導電性粒子を含む液状材料を用いて、前記多孔質膜を形成する多孔質膜形成工程を有することが好ましい。
かかる方法によれば、比較的容易に多孔質膜を形成することができる。
【００１３】
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記多孔質膜形成工程に先立って、形成すべき前記透明導電膜の形状に対応するパターンの開口部を有するマスクを形成するマスク形成工程を有することが好ましい。
これにより、寸法精度の高い透明導電膜が得られる。
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記マスクは、その少なくとも表面が撥液性を有するものであることが好ましい。
これにより、マスクの開口部内面よりマスクの表面に対する、透明導電膜形成用の液状材料の濡れ性を低下させることができる。この濡れ性の違いにより、液状材料を無駄なく開口部内に供給することができ、より寸法精度の高い透明導電膜を形成することができる。また、液状材料がマスクの表面に付着するのを防止することができるため、マスクを除去する場合には、これをより容易かつ確実に行うことができる。
【００１４】
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記マスクを用いて、少なくとも前記多孔質膜形成工程と前記第１の工程とが行われることが好ましい。
これにより、十分に寸法精度の高い透明導電膜が得られる。
本発明の透明導電膜の形成方法では、前記第２の工程の後、前記マスクを除去するマスク除去工程を有することが好ましい。
これにより、より寸法精度の高い透明導電膜が得られる。
【００１５】
本発明の電子デバイスは、本発明の透明導電膜を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子デバイスは、本発明の透明導電膜の形成方法により得られた透明導電膜を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の透明導電膜、透明導電膜の形成方法、電子デバイスおよび電子機器の好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
なお、以下では、本発明の電子デバイスを、アクティブマトリックス駆動方式の透過型液晶表示装置に適用した場合を一例として説明する。
【００１７】
＜透過型液晶表示装置の構成＞
図１は、本発明の電子デバイスを透過型液晶表示装置に適用した場合の実施形態を示す分解斜視図である。
なお、図１では、図が煩雑となるのを避けるため一部の部材を省略している。また、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００１８】
図１に示す透過型液晶表示装置１（以下、単に「液晶表示装置１」と言う。）は、液晶パネル（表示パネル）２と、バックライト（光源）６とを有している。
この液晶表示装置１は、バックライト６からの光を液晶パネル２に透過させることにより画像（情報）を表示し得るものである。
液晶パネル２は、互いに対向して配置された第１の基板２２と第２の基板２３とを有し、これらの第１の基板２２と第２の基板２３との間には、表示領域を囲むようにしてシール材（図示せず）が設けられている。
【００１９】
そして、これらの第１の基板２２、第２の基板２３およびシール材により画成される空間には、電気光学物質である液晶が収納され、液晶層（中間層）２４が形成されている。すなわち、第１の基板２２と第２の基板２３との間に、液晶層２４が介挿されている。
なお、図示は省略したが、液晶層２４の上面および下面には、それぞれ、例えばポリイミド等で構成される配向膜が設けられている。これらの配向膜により液晶層２４を構成する液晶分子の配向性（配向方向）が規制されている。
【００２０】
第１の基板２２および第２の基板２３は、それぞれ、例えば、各種ガラス材料、各種樹脂材料等で構成されている。
第１の基板２２は、その上面（液晶層２４側の面）２２１に、マトリックス状（行列状）に配置された複数の画素電極２２３と、Ｘ方向に延在する信号電極２２４とが設けられ、１列分の画素電極２２３の各々が１本の信号電極２２４に、それぞれ、ＴＦＤ素子（スイッチング素子）２２２を介して接続されている。
画素電極２２３は、透明性（光透過性）を有する透明導電膜（本発明の透明導電膜）により構成されている。この透明導電膜は、後述する本発明の透明導電膜の形成方法により形成される。
【００２１】
ＴＦＤ素子２２２は、信号電極２２４から引き出された引き出し部２２８上に、絶縁膜を介して金属層２２９が積層されて構成され、金属層２２９が画素電極２２３に接続されている。なお、このＴＦＤ素子２２２は、金属／絶縁体／金属のサンドイッチ構造を採るため、正負双方向のダイオードスイッチング特性を有することになる。
なお、スイッチング素子には、ＴＦＤ素子２２２に代わり、ＴＦＴ素子を用いることもでき、この場合、スイッチング素子は、正負双方向のトランジスタスイッチング特性を有することになる。
また、第１の基板２２の下面には、偏光板２２５が設けられている。
【００２２】
一方、第２の基板２３は、その下面（液晶層２４側の面）２３１に、複数の帯状をなす走査電極２３２が設けられている。これらの走査電極２３２は、信号電極２２４とほぼ直交するＹ方向に沿って、互いに所定間隔をおいてほぼ平行に配置され、かつ、画素電極２２３の対向電極となるように配列されている。
画素電極２２３と走査電極２３２とが重なる部分（この近傍の部分も含む）が１画素を構成し、これらの電極間で充放電を行うことにより、各画素毎に、液晶層２４の液晶が駆動、すなわち、液晶の配向状態が変化する。
【００２３】
走査電極２３２も、前記画素電極２２３と同様に、透明性（光透過性）を有する透明導電膜（本発明の透明導電膜）により構成されている。この透明導電膜も、後述する本発明の透明導電膜の形成方法により形成される。
走査電極２３２および画素電極２２３を構成する透明導電膜は、構成材料の種類等によっても若干異なるが、その比抵抗率が１×１０−２Ω・ｃｍ以下であるのが好ましく、７×１０−３Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。透明導電膜の比抵抗率を前記範囲とすることにより、液晶表示装置１をより応答速度の速いものとすることができる。
【００２４】
各走査電極２３２の下面には、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の有色層（カラーフィルター）２３３が設けられ、これらの各有色層２３３がブラックマトリックス２３４によって仕切られている。
ブラックマトリックス２３４は、遮光機能を有し、例えば、クロム、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、亜鉛、チタンのような金属、カーボン等を分散した樹脂等で構成されている。
【００２５】
また、第２の基板２３の上面には、前記偏光板２２５とは偏光軸が異なる偏光板２３５が設けられている。
このような構成の液晶パネル２では、バックライト６から発せられた光は、偏光板２２５で偏光された後、第１の基板２２および各画素電極２２３を介して、液晶層２４に入射する。液晶層２４に入射した光は、各画素毎に配向状態が制御された液晶により強度変調される。強度変調された各光は、有色層２３３、走査電極２３２および第２の基板２３を通過した後、偏光板２３５で偏光され、外部に出射する。これにより、液晶表示装置１では、第２の基板２３の液晶層２４と反対側から、例えば、文字、数字、図形等のカラー画像（動画および静止画の双方を含む）を視認することができる。
【００２６】
＜透明導電膜＞
次に、本発明の透明導電膜について説明する。
図２は、本発明の透明導電膜の縦断面を示す模式図である。
なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図２に示す透明導電膜８は、前述したような画素電極２２３および走査電極２３２を構成するものであり、無機酸化物を主（主材料）とする導電性粒子８１ａで構成された多孔質膜８１と、この多孔質膜８１が有する空隙８１ｂを埋め、かつ、その表面を覆うように供給された導電性物質８２とを有している。これにより、透明導電膜８は、高い導電性を有するとともに、膜強度も優れたものとなる。
【００２７】
また、かかる観点からは、多孔質膜８１において、導電性粒子８１ａ同士は、より接触面積が大きくなるように、すなわち、高密度となっている（緻密化している）ことが好ましい。
特に、本発明では、導電性物質８２は、多孔質膜８１の表面の凹凸を緩和または消失させる程度に供給されている。これにより、透明導電膜８上に設けられる層（部材）との密着性を向上させることができる。
【００２８】
例えば、前述したような液晶表示装置１に適用した場合には、配向膜（図示せず）との密着性を向上させることができ、その結果、液晶表示装置１において、表示性能の向上を図ることができる。
ここで、多孔質膜８１の表面の凹凸を緩和または消失させる程度とは、例えば、多孔質膜８１と透明導電膜８との表面粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に規定）の関係で表すことができる。
【００２９】
すなわち、多孔質膜８１の表面粗さＲａをＡ［ｎｍ］とし、透明導電膜８の表面粗さＲａをＢ［ｎｍ］としたとき、Ｂ／Ａが０．８以下なる関係を満足するのが好ましく、０．５以下なる関係を満足するのがより好ましく、０．３以下なる関係を満足するのがさらに好ましい。かかる関係を満足することにより、透明導電膜８の表面はより平坦となり、透明導電膜８上に設けられる層（部材）との密着性をより向上させることができる。
【００３０】
換言すれば、導電性物質８２が、多孔質膜８１の表面粗さＲａを、好ましくは２０％以上（より好ましくは５０％以上、さらに好ましくは７０％以上）低下するよう供給される。
具体的には、透明導電膜８の表面粗さＲａは、０．１〜２０ｎｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｎｍ程度であるのがより好ましい。このように透明導電膜８の表面粗さＲａを小さくすることにより、前記効果がより顕著に発揮される。
【００３１】
さて、導電性粒子８１ａの主材料（主成分）である無機酸化物としては、導電性を有するものであれば、いかなるものも使用可能であるが、比較的高い透明性（光透過性）を有するものが好ましい。
かかる無機酸化物としては、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等を含む酸化物が挙げられる。
【００３２】
これらの中でも、無機酸化物としては、特に、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｅのうちの少なくとも１種を含有する酸化インジウム、Ｆ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種を含有する酸化スズ、Ａｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎ、Ｙ、Ｓｃ、Ｆ、Ｖ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆのうちの少なくとも１種を含有する酸化亜鉛が好ましい。これらの無機酸化物を主材料とする導電性粒子８１ａは、特に高い導電性と透明性とを有するものとなる。
【００３３】
また、以上のような導電性粒子８１ａは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いるようにしてもよい。
なお、導電性粒子８１ａとして、Ｓｎを含有する酸化インジウム（ＩＴＯ）を主材料とする粒子を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。
【００３４】
このような導電性粒子の形状は、例えば、球状、針状、葉状等のいかなるものであってもよい。
球状の導電性粒子８１ａを用いる場合、その平均粒径は、２〜２０００ｎｍであるのが好ましく、５〜１０００ｎｍであるのがより好ましく、１０〜５００ｎｍであるのがさらに好ましい。導電性粒子８１ａの平均粒径が小さ過ぎると、導電性粒子８１ａの多孔質膜形成用材料中での分散性が低下し、多孔質膜形成用材料の調製や基材上への塗布（供給）が困難になるおそれがある。一方、導電性粒子８１ａの平均粒径が大き過ぎると、形成された透明導電膜８において、導電性粒子８１ａ同士（多孔質膜８１）の空隙８１ｂが大きくなり、その結果、膜強度が低下するおそれがある。
なお、他の形状の導電性粒子８１ａを用いる場合、これらの導電性粒子８１ａは、その最大長さの平均値が前記平均粒径の範囲となるようにするのが好ましい。
【００３５】
また、導電性粒子８１ａは、それらをより確実に緻密化（密着）させる観点からは、単一の形状のものを用いるのが好ましいが、２種以上の異なる形状のものを組み合わせて用いるようにしてもよい。
また、導電性物質８２も、導電性を有するいかなるものも使用可能であり、前記導電性粒子８１ａで挙げた無機酸化物の他、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体のような導電性高分子材料等を用いることもできる。
【００３６】
これらの中でも、導電性物質８２としては、Ｓｎを含有する酸化インジウム（ＩＴＯ）、Ｓｂを含有する酸化スズ（ＡＴＯ）、Ｆを含有する酸化スズ（ＦＴＯ）、および、Ａｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎ、Ｙ、Ｓｃ、Ｆ、Ｖ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆのうちの少なくとも１種を含有する酸化亜鉛のうちの１種または２種以上を主材料とするものが好ましい。これらの無機酸化物を主材料とする導電性物質８２は、特に高い導電性と透明性とを有する。
【００３７】
特に、導電性物質８２の主材料として無機酸化物を用いる場合、この無機酸化物は、導電性粒子８１ａの主材料である無機酸化物と同種のものとするものが好ましい。例えば、導電性粒子８１ａがＩＴＯを主材料として構成される場合、導電性物質８２も、ＩＴＯを主材料とするものを用いるのが好ましい。これにより、導電性粒子８１ａ（多孔質膜８１）と導電性物質８２との密着性が向上し、形成された透明導電膜８は、より導電性および膜強度が優れたものとなる。
なお、この場合、導電性粒子８１ａの主材料である無機酸化物と、導電性物質８２の主材料である無機酸化物とは、それらの組成が若干異なるものであってもよく、同一であってもよい。
【００３８】
このような導電性物質８２は、多孔質膜８１に対して、導電性物質前駆体として供給した後、かかる導電性物質前駆体を変化させて得られた導電性物質を主とするものが好ましい。このようにして導電性物質８２を多孔質膜８１に供給することにより、多孔質膜８１の空隙８１ｂをより確実に塞ぐことができるとともに、形成された透明導電膜８の表面の凹凸をより小さくすることができる。
これにより、透明導電膜８の導電性、膜強度および密着性をより向上させることができる。
【００３９】
また、導電性物質前駆体の導電性物質への変化は、例えば、加熱、紫外線照射等のいずれの方法により生じるものであってもよいが、特に、加熱により生じるものが好ましい。加熱により導電性物質に変化する導電性物質前駆体を用いることにより、大掛かりな設備を必要とせず、比較的容易に、導電性物質８２を得ること、すなわち、透明導電膜８を形成することができる。
以上のようなことを考慮した場合、導電性物質８２としては、無機酸化物前駆体を加熱により変化させ得られた無機酸化物（導電性酸化物）を主とするものが特に好ましい。
【００４０】
このような無機酸化物前駆体としては、各前記元素（原子）のアルコキシドや塩、または、これらの誘導体や錯体等が挙げられる。
アルコキシドとしては、例えば、メトキシド、エトキシド、プロポキシド、イソプロポキシド、ブトキシド等が挙げられる。塩としては、例えば、ハロゲン化物、蟻酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
【００４１】
また、誘導体としては、例えば、水和物、中和または加水分解により得られる水酸化物等が挙げられる。錯体としては、例えば、α−またはβ−ジケトン類、α−またはβ−ケト酸類、α−またはβ−ケト酸エステル類、アミノアルコール類等とのキレート化合物が挙げられる。
【００４２】
これらの無機酸化物前駆体は、目的とする無機酸化物の種類等に応じて、１種または２種以上を適宜組み合わせて用いるようにすればよい。
なお、無機酸化物（金属酸化物）前駆体として、インジウム化合物と有機スズ化合物とを組み合わせて用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。
【００４３】
また、無機酸化物前駆体として、例えば、アルコキシドや塩を用いる場合には、無機酸化物前駆体の無機酸化物への変化（変換）を促進する酸触媒、塩基触媒等を添加するのが好ましい。
酸触媒としては、例えば、塩酸、硝酸、ホウ酸、ホウフッ化水素酸等の無機酸や、酢酸、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の有機酸等が挙げられる。
【００４４】
＜透明導電膜の形成方法＞
次に、本発明の透明導電膜の形成方法について説明する。
図３は、本発明の透明導電膜の形成方法を説明するための模式図である。なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
また、以下の説明では、導電性物質として、その前駆体を加熱により変化させて得られるものを用いる場合を一例に説明する。
図３に示す透明導電膜の形成方法は、［１］多孔質膜の形成工程と、［２］液状材料の供給工程と、［３］液体除去工程と、［４］導電性物質前駆体の熱処理工程とを有している。以下、これらの工程について、順次説明する。
【００４５】
［１］多孔質膜の形成工程
まず、基板（平板状の基材）７を用意し、多孔質膜８１を形成する（図２（ａ）参照）。この基板７の構成材料、形状、寸法等は、特に限定されない。
本発明の透明導電膜の形成方法を、前述したような液晶表示装置１の画素電極２２３、信号電極２２４の形成に適用する場合には、基板７は、第１の基板２２および第２の基板２３で挙げたものが使用される。
【００４６】
ここで、多孔質膜形成用材料および後述する液状材料８２ａを調製する液体として、例えば、水、アルコール類、グリコール類等を用いる場合、基板７の透明導電膜８を形成する領域には、親水化処理（親液化処理）を施すのが好ましい。これにより、多孔質膜形成用材料および液状材料８２ａに対する濡れ性が高くなり、均一な厚さの透明導電膜８を形成することができる。
親水化処理としては、例えばプラズマ処理、グロー放電、コロナ放電、紫外線照射等の物理活性化処理の他、界面活性剤、水溶性シリコン、ヒドロキシプロピルセルロース、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の付与（塗布）等により行うことができる。
【００４７】
次に、導電性粒子８１ａを液体（分散媒）に分散させた多孔質膜形成用材料を、基板７上に、例えば、塗布法により供給した後、乾燥、熱処理（焼成）等して、多孔質膜８１を形成する。
かかる方法によれば、比較的容易に多孔質膜８１を形成することができる。
なお、多孔質膜形成用材料中における導電性粒子８１ａの含有量は、１〜９０ｗｔ％程度であるのが好ましく、５〜３０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。導電性粒子８１ａの含有量が少な過ぎると、形成された透明導電膜８において十分な導電性が得られないおそれがある。一方、導電性粒子８１ａの含有量が多過ぎると、導電性粒子８１ａの多孔質膜形成用材料中での分散性が低下し、多孔質膜形成用材料の調製や基板７上への供給が困難になるおそれがある。
なお、多孔質膜８１の平均厚さは、目的とする透明導電膜８の厚さに応じて適宜設定される。
【００４８】
［２］液状材料の供給工程（第１の工程）
次に、多孔質膜８１に、例えば無機酸化物前駆体等の導電性物質前駆体と、液体（溶媒または分散媒）とを含む液状材料８２ａを供給する（図３（ｂ）参照）。
この液状材料８２ａに用いる液体としては、例えば、水、メタノール、エタノール、ｎ−またはｉ−プロパノール、ｎ−、ｓ−またはｔ−ブタノールのような単価アルコール類、エチレングリコール、トリメチレングリコールのようなグリコール類（多価アルコール類）、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、アセチルアセトン、イソホロンのようなケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルのようなエステル類、メトキシエタノール、エトキシエタノールのようなエーテルアルコール類、ジオキサン、テトラヒドロフランのようなエーテル類、酸アミド類、芳香族炭化水素類等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、この液体としては、水、アルコール類、グリコール類、ケトン類を用いるのが好ましい。これらの液体を用いることにより、液状材料８２ａ中で導電性物質前駆体を良好に溶解または分散させることができ、多孔質膜８１への液状材料８２ａの供給を容易かつ確実に行うことができる。
【００４９】
多孔質膜８１へ液状材料８２ａを供給する方法としては、特に限定されず、例えば、ディップコート法、スピンコート法、スリットコート法、キャップコート法、ディスペンサー法、スプレーコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、ＬＳＭＣＤ法等の各種塗布法を用いるのが好適である。
塗布法によれば、容易かつ確実に、多孔質膜８１の空隙８１ｂを塞ぐように、液状材料８２ａを供給することができる。
【００５０】
［３］液体除去工程（液状材料の乾燥工程）
次に、液状材料８２ａ中の液体の一部または全部を除去（脱分散媒）する（図３（ｃ）参照）。これにより、導電性物質前駆体の導電性物質８２への変化を、より確実かつ迅速に進行させることができる。
この液体の除去は、例えば、室温での放置または加熱により行うことができる。
【００５１】
液体を除去する際の温度は、液体の種類等に応じて適宜設定され、特に限定されないが、２０〜３００℃程度であるのが好ましく、５０〜２００℃程度であるのがより好ましい。
また、液体を除去する際の時間も、特に限定されず、温度を前記範囲とする場合、１０秒〜６０分程度であるのが好ましく、５〜1０分程度であるのがより好ましい。
また、液体を除去する際の雰囲気は、酸化性雰囲気、非酸化性雰囲気、還元性雰囲気のいずれであってもよい。
【００５２】
［４］導電性物質前駆体の熱処理工程（第２の工程）
次に、導電性物質前駆体に熱処理を施す。これにより、導電性物質前駆体を導電性物質８２に変化させて、本発明の透明導電膜８が得られる（図３（ｄ）参照）。
例えば、導電性物質前駆体として、金属アルコキシドを用いた場合には、加熱により金属アルコキシドが加水分解し、アルコールと金属の水酸化物が生成する。さらに、この金属水酸化物に縮合反応が生じることにより、金属酸化物が生成する。
【００５３】
この熱処理の温度（加熱温度）は、特に限定されないが、１５０〜５００℃程度であるのが好ましく、２００〜４００℃程度であるのがより好ましい。加熱温度が低過ぎると、導電性物質前駆体の導電性物質への変化が十分に進行しないおそれがある。一方、熱処理の温度を前記上限値を超えて高くしても、それ以上の効果が見込めない。
また、熱処理の時間（加熱時間）も、特に限定されず、加熱温度を前記範囲とする場合、１分〜２４時間程度であるのが好ましく、１０〜３００分程度であるのがより好ましい。前記範囲の加熱時間で、導電性物質前駆体の導電性物質への変化を十分に進行させることができる。
【００５４】
また、この熱処理における雰囲気は、酸化性雰囲気、非酸化性雰囲気、還元性雰囲気のいずれであってもよい。
なお、熱処理は、複数回に繰り返し行ってもよく、この場合、各熱処理における熱処理条件は、同一であっても異なっていてもよい。
また、透明導電膜８の表面の凹凸が所望の状態となるまで、前記工程［２］〜［４］を繰り返し行うようにしてもよい。
【００５５】
次に、本発明の透明導電膜の形成方法を用いて、所定のパターンの透明導電膜を形成する場合について説明する。
図４は、所定のパターンの透明導電膜を形成する方法を説明するためのフロー図、図５および図６は、それぞれ、所定のパターンの透明導電膜を形成する方法を説明するための模式図である。なお、以下の説明では、図５および図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００５６】
以下、図４〜図６に示す透明導電膜の形成方法について、図３に示す透明導電膜の形成方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態の透明導電膜の形成方法では、形成すべき透明導電膜８の形状に対応したパターンの開口部を有するレジスト層（マスク）を用いて、この開口部内に透明導電膜８を形成する。
図４〜図６に示す透明導電膜の形成方法は、［Ｓ１］レジスト層の形成工程と、［Ｓ２］レジスト層の硬化処理工程と、［Ｓ３］レジスト層の撥液処理工程と、［Ｓ４］多孔質膜の形成工程と、［Ｓ５］液状材料の供給工程と、［Ｓ６］液体除去工程と、［Ｓ７］導電性物質前駆体の熱処理工程と、［Ｓ８］レジスト層の除去工程とを有している。以下、これらの工程について、順次説明する。
【００５７】
［Ｓ１］レジスト層の形成工程（マスク形成工程）
まず、基板（平板状の基材）７を用意し、形成すべき透明導電膜８の形状に対応したパターンの開口部１１を有するレジスト層（マスク）１０を形成する（図５（ａ）参照）。
これは、基板７上にレジスト材料を供給（塗布）した後、露光・現像してパターニングすることにより得ることができる。
【００５８】
用いるレジスト材料は、光照射部分が硬化するネガタイプ、光照射部分が溶解するポジタイプのいずれであってもよい。
ネガタイプのレジスト材料としては、例えば、ポリケイ皮酸ビニル、ポリビニルアジドベンザジル、アクリルアミド、ポリイミド、ノボラック樹脂を主成分とするもの（例えば、酸発生剤や架橋剤を含有するノボラック樹脂のような化学増幅型樹脂）等が挙げられ、一方、ポジタイプのレジスト材料としては、例えば、ｏ−キノンジアジドノボラック樹脂、ポリイミド等が挙げられる。
【００５９】
また、照射する光としては、例えば、紫外線（ｇ線、ｉ線）、電子線等が挙げられる。
レジスト材料の供給方法としては、特に限定されず、例えば、ディップコート法、スピンコート法、スリットコート法、キャップコート法、ディスペンサー法、スプレーコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、ＬＳＭＣＤ法等の各種塗布法を用いるのが好適である。
なお、ネガ型のレジスト材料を各種印刷法により、形成すべきレジスト層１０に対応する形状となるように、基板７上に選択的に供給することにより、前記現像工程を省略することができる。
【００６０】
［Ｓ２］レジスト層の硬化処理工程
次に、レジスト層１０に対して硬化処理を施す。これにより、レジスト層１０の少なくとも表面を硬化させる（図５（ｂ）参照）。
レジスト層１０の表面を硬化させることにより、レジスト層１０の耐熱性や耐薬品性を向上させることができ、後の［Ｓ４］以降の工程において、レジスト層１０が変質・劣化するのを好適に防止することができる。その結果、所望の形状の透明導電膜８を寸法精度よく形成することができる。
【００６１】
この硬化処理の方法としては、例えば、加熱、紫外線の照射、赤外線の照射、電子線の照射、超音波の付与、高周波の付与等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、硬化処理の際の雰囲気は、例えば、真空状態（または減圧状態）のような非酸化性雰囲気、大気中のような酸化性雰囲気、窒素雰囲気のような還元性雰囲気、アルゴン雰囲気、ネオン雰囲気のような不活性ガス雰囲気等のいずれであってもよい。
【００６２】
硬化処理の具体的な方法を示すと、レジスト層１０が形成された基板７を、真空状態において、所定の温度に加熱しつつ紫外線を照射する。真空状態におくことにより、レジスト層１０中の水分が効率よく除去されるとともに、紫外線の照射によりレジスト材料の架橋反応が促進する。その結果、レジスト層１０の耐熱性や耐薬品性が向上する。
さらに、この後、レジスト層１０を所定の温度以上に加熱するようにしてもよい。これにより、レジスト層１０の耐熱性や耐薬品性をさらに向上させる効果や、レジスト層１０中からガスが放出されるのを防止する効果等を得ることができる。このため、後の工程［Ｓ４］以降の工程において、レジスト層１０が変質・劣化するのをより確実に防止することができる。
【００６３】
［Ｓ３］レジスト層の撥液処理工程
次に、レジスト層１０の表面に撥液処理を施す。これにより、開口部１１で露出する基板７の表面よりレジスト層１０の表面に対する、後の工程［Ｓ４］および工程［Ｓ５］で用いる液状材料（多孔質膜形成用材料、液状材料８２ａ）の濡れ性を低下させる。
この濡れ性の違いにより、前記液状材料を無駄なく開口部１１内に供給することができ、より寸法精度の高い透明導電膜８を形成することができる。また、前記液状材料がレジスト層１０の表面に付着するのを防止することができるため、後の工程［Ｓ８］においてレジスト層１０の除去をより容易かつ確実に行うことができる。
【００６４】
この撥液処理の方法としては、例えば、Ｉ：レジスト層１０の表面にフッ素原子を導入する方法、II：レジスト層１０の表面を撥液性を示す官能基を有するカップリング剤で処理する方法、III：レジスト層１０の表面に撥液性材料を付与（塗布）する方法等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
具体的には、Ｉの方法は、プラズマ等の活性状態としたフッ素系ガス（例えばフッ素、フッ化炭素等）に、レジスト層１０を曝すことにより行うことができる。IIおよびIIIの方法は、それぞれ、カップリング剤または撥液性材料を溶媒に溶解して調製した液状材料を、レジスト層１０の表面に塗布することにより行うことができる。
【００６５】
IIの方法においてカップリング剤には、官能基として、例えば、フルオロアルキル基、アルキル基、ビニル基等を有するものが好適に使用される。なお、カップリング剤の種類としては、シラン系、アルミニウム系、ジルコニウム系等のいずれもが使用可能である。また、カップリング剤は、１種を単独で使用してもよく、複数種を併用してもよい。
また、IIIの方法において撥液性材料には、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、パーフルオロエチレン−プロペン共重合体（ＦＥＰ）、エチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６６】
［Ｓ４］多孔質膜の形成工程（多孔質膜形成工程）
前記工程［１］と同様の工程を行う（図５（ｃ）参照）。
なお、このとき、レジスト層１０の表面には、硬化処理が施されているため、溶媒の接触によるレジスト層１０の変質・劣化を好適に防止することができる。また、レジスト層１０の表面には、撥液処理が施されているため、多孔質膜形成用材料は、無駄なくかつ確実に開口部１１内に供給される。
【００６７】
［Ｓ５］液状材料の供給工程（第１の工程）
前記工程［２］と同様の工程を行う（図６（ｄ）参照）。
なお、このとき、レジスト層１０の表面には、硬化処理が施されているため、溶媒の接触によるレジスト層１０の変質・劣化を好適に防止することができる。また、レジスト層１０の表面には、撥液処理が施されているため、液状材料８２ａは、無駄なくかつ確実に開口部１１内に供給される。
【００６８】
［Ｓ６］液体除去工程
前記工程［３］と同様の工程を行う（図６（ｅ）参照）。
［Ｓ７］導電性物質前駆体の熱処理工程（第２の工程）
前記工程［４］と同様の工程を行う（図６（ｆ）参照）。
なお、このとき、レジスト層１０の表面には、硬化処理が施されているため、熱処理によるレジスト層１０の変質・劣化を好適に防止することができる。
【００６９】
［Ｓ８］レジスト層の除去工程（マスク除去工程）
次に、レジスト層１０を除去する。これにより、目的とする形状の透明導電膜８が得られる（図６（ｇ）参照）。
このレジスト層１０の除去方法としては、例えば、大気圧下（または真空中）における酸素プラズマ処理（アッシング処理）、レジスト剥離液による剥離処理、有機溶剤（例えば濃硫酸等）やオゾン水による分解処理等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７０】
以上のように、本実施形態では、レジスト層１０を用いて透明導電膜８を形成するため、寸法精度の高い透明導電膜８が得られる。かかる透明導電膜８は、より特性に優れたものとなる。
また、かかる方法によれば、製造設備の簡素化、製造工程、製造コストおよび製造時間の削減に寄与する。
【００７１】
なお、本実施形態では、マスクをレジスト材料（有機材料）で構成する場合について説明したが、その他、マスクは、例えば、Ａｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔまたはこれらを含む合金のような金属、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコンのようなシリコン、窒化シリコン等の無機材料で構成することもできる。
この場合、前記工程［Ｓ２］および［Ｓ３］のいずれか一方および双方は、省略することもできる。
【００７２】
また、レジスト層（マスク）は、例えば、前記工程［Ｓ７］に先立って除去するようにしてもよい。なお、レジスト層は、少なくとも工程［Ｓ３］および工程［Ｓ４］において用いるようにするのが好ましく、工程［Ｓ７］（第２の工程）の終了後に除去するのがより好ましい。これにより、より寸法精度の高い透明導電膜８が得られる。
また、マスクは、必要に応じて除去することなく、電子デバイスの構成部材（構成部品として、そのまま使用してもよい。
【００７３】
以上説明したように、本発明の透明導電膜の形成方法では、湿式プロセスによって透明導電膜８を形成するので、簡易な設備および工程により低コストで透明導電膜８を形成することができる。
したがって、このような透明導電膜の形成方法を用いて、図１に示す液晶表示装置１の画素電極２２３および走査電極２３２を形成することにより、液晶の駆動性能、耐久性等の各種特性に優れた液晶表示装置１を、低コストで製造することができる。
【００７４】
なお、前記実施形態では、本発明の電子デバイスを、アクティブマトリックス駆動方式の透過型液晶表示装置に適用した場合を代表に説明したが、本発明の電子デバイスは、パッシブマトリックス駆動方式の透過型液晶表示装置に適用することができるのはもちろんのこと、反射型液晶表示装置や、電気光学物質として有機または無機ＥＬ材料を用いたＥＬ表示装置、電気光学物質として電気泳動粒子を用いた電気泳動表示装置に適用することもできる。
【００７５】
＜電子機器＞
本発明の電子デバイスは、各種電子機器の表示部に用いることができる。
図７は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００においては、表示ユニット１１０６が前述の液晶表示装置（電気光学装置）１を備えている。
【００７６】
図８は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、前述の液晶表示装置（電気光学装置）１を表示部に備えている。
【００７７】
図９は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００７８】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、前述の液晶表示装置１が表示部に設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
【００７９】
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が液晶表示装置１に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【００８０】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００８１】
なお、本発明の電子機器は、図７のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図８の携帯電話機、図９のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【００８２】
以上、本発明の透明導電膜、透明導電膜の形成方法、電子デバイスおよび電子機器を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、本発明の透明導電膜の形成方法では、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。
また、前記実施形態では、導電性物質として、その前駆体を加熱により変化させて得られるものを用いる場合を一例に説明したが、本発明では、導電性物質として、その前駆体を他の方法により変化させて得られるものを用いるようにしてもよい。
【００８３】
また、例えば、導電性物質として導電性高分子材料等を用いる場合には、透明導電膜の形成に際して、導電性高分子材料を適当な溶媒に溶解し、多孔質膜に供給するようにしてもよい。
さらに、本発明の電子デバイスおよび電子機器では、各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
【実施例】
【００８４】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
Ａ．透明導電膜
以下のようにして、実施例Ａ１〜Ａ３および比較例Ａ１〜Ａ３において、それぞれ、透明導電膜をガラス基板上に１０個ずつ形成した。
（実施例Ａ１）
＜１−１＞  ガラス基板を用意し、このガラス基板の透明導電膜を形成する領域に、大気圧プラズマにより発生させた活性酸素による親水化処理を施した。
なお、この親水化処理の条件は、ＲＦ  Ｐｏｗｅｒ：３００Ｗ、Ｈｅ流量：１０ＳＬＭ、Ｏ２流量：８０ｓｃｃｍとした。
【００８５】
＜１−２＞  次に、ＩＴＯ粒子（平均粒径：２０ｎｍ）の含有量が１０ｗｔ％となるように、エタノールに分散させて、多孔質電膜形成材料を調製した。
なお、ＩＴＯ粒子は、インジウム／スズ（原子比）＝９２．５／７．５のものを用いた。
＜１−３＞  次に、この多孔質膜形成用材料を、スピンコート法により、ガラス基板上に塗布して被膜を形成した。
なお、ガラス基板の回転数は、２０００ｒｐｍとし、回転時間は、２０秒で行った。
【００８６】
＜１−４＞  次に、得られた被膜を、大気（酸化性雰囲気）中、温度１５０℃×時間５分で、ホットプレートにて乾燥した。
＜１−５＞  次に、乾燥後の被膜を、窒素雰囲気（非酸化性雰囲気）中、温度４００℃×時間１０分で熱処理した。これにより、多孔質膜を得た。
なお、得られた多孔質膜の平均厚さは、約８０ｎｍ、表面粗さＲａ（Ａ）は、１５ｎｍであった。
【００８７】
＜１−６＞  次に、塩化インジウムおよび塩化スズを、それぞれ、エタノールに溶解して、液状材料を調製した。
なお、塩化インジウムおよび塩化スズの混合比は、インジウム／スズ（原子比）＝９２．５／７．５とした。
＜１−７＞  次に、この液状材料を、スピンコート法により、多孔質膜に塗布した。
なお、ガラス基板の回転数は、２０００ｒｐｍとし、回転時間は、２０秒で行った。
【００８８】
＜１−８＞  次に、大気（酸化性雰囲気）中、温度１５０℃×時間５分で、ホットプレートにて、液状材料中のエタノールを除去（乾燥）した。
＜１−９＞  次に、窒素雰囲気（非酸化性雰囲気）中、温度４００℃×時間１０分で熱処理を施した。これにより、塩化インジウムと塩化スズとを反応させ、ＩＴＯ（導電性物質）に変化させた。これにより、透明導電膜を得た。
なお、得られた透明導電膜の平均厚さは、約１００ｎｍ、表面粗さＲａ（Ｂ）は、２ｎｍ（Ｂ／Ａ＝０．１３）であった。
【００８９】
（実施例Ａ２）
＜２−１＞  ガラス基板を用意し、このガラス基板の透明導電膜を形成する領域に、大気圧プラズマにより発生させた活性酸素による親水化処理を施した。
なお、この親水化処理の条件は、ＲＦ  Ｐｏｗｅｒ：３００Ｗ、Ｈｅ流量：１０ＳＬＭ、Ｏ２流量：８０ｓｃｃｍとした。
【００９０】
＜２−２＞  次に、ＡＴＯ粒子（平均粒径：１２０ｎｍ）の含有量が５ｗｔ％となるように、エタノールに分散させて、多孔質電膜形成材料を調製した。
なお、ＡＴＯ粒子は、スズ／アンチモン（原子比）＝８０／２０のものを用いた。
＜２−３＞  次に、この多孔質膜形成用材料を、スピンコート法により、ガラス基板上に塗布して被膜を形成した。
なお、ガラス基板の回転数は、２０００ｒｐｍとし、回転時間は、２０秒で行った。
【００９１】
＜２−４＞  次に、得られた被膜を、大気（酸化性雰囲気）中、温度１５０℃×時間５分で、ホットプレートにて乾燥した。
＜２−５＞  次に、乾燥後の被膜を、窒素雰囲気（非酸化性雰囲気）中、温度４００℃×時間１０分で熱処理した。これにより、多孔質膜を得た。
なお、得られた多孔質膜の平均厚さは、約１４０ｎｍ、表面粗さＲａ（Ａ）は、３０ｎｍであった。
【００９２】
＜２−６＞  次に、ジ−ｎ−ブチルスズ−ジ−アセテート（有機スズ化合物）および塩化アンチモンを、それぞれ、エタノールに溶解して、液状材料を調製した。
なお、有機スズ化合物および塩化アンチモンの混合比は、スズ／アンチモン（原子比）＝８０／２０とした。
＜２−７＞  次に、この液状材料を、スピンコート法により、多孔質膜に塗布した。
なお、ガラス基板の回転数は、２０００ｒｐｍとし、回転時間は、２０秒で行った。
【００９３】
＜２−８＞  次に、大気（酸化性雰囲気）中、温度１５０℃×時間５分で、ホットプレートにて、液状材料中のエタノールを除去（乾燥）した。
＜２−９＞  次に、窒素雰囲気（非酸化性雰囲気）中、温度４００℃×時間１０分で熱処理を施した。これにより、有機スズ化合物と塩化アンチモンとを反応させ、ＡＴＯ（導電性物質）に変化させた。これにより、透明導電膜を得た。
なお、得られた透明導電膜の平均厚さは、約１５０ｎｍ、表面粗さＲａ（Ｂ）は、６ｎｍ（Ｂ／Ａ＝０．２）であった。
【００９４】
（実施例Ａ３）
＜３−１＞  ガラス基板を用意し、このガラス基板の透明導電膜を形成する領域に、大気圧プラズマにより発生させた活性酸素による親水化処理を施した。
なお、この親水化処理の条件は、ＲＦ  Ｐｏｗｅｒ：３００Ｗ、Ｈｅ流量：１０ＳＬＭ、Ｏ２流量：８０ｓｃｃｍとした。
【００９５】
＜３−２＞  次に、ＦＴＯ粒子（平均粒径：１５０ｎｍ）の含有量が１０ｗｔ％となるように、エタノールに分散させて、多孔質電膜形成材料を調製した。
なお、ＦＴＯ粒子は、スズ／フッ素（原子比）＝４０／６０のものを用いた。
＜３−３＞  次に、この多孔質膜形成用材料を、スピンコート法により、ガラス基板上に塗布して被膜を形成した。
なお、ガラス基板の回転数は、２０００ｒｐｍとし、回転時間は、２０秒で行った。
＜３−４＞  次に、得られた被膜を、大気（酸化性雰囲気）中、温度１５０℃×時間５分で、ホットプレートにて乾燥した。
【００９６】
＜３−５＞  次に、乾燥後の被膜を、窒素雰囲気（非酸化性雰囲気）中、温度４００℃×時間１０分で熱処理した。これにより、多孔質膜を得た。
なお、得られた多孔質膜の平均厚さは、約１２０ｎｍ、表面粗さＲａ（Ａ）は、４０ｎｍであった。
＜３−６＞  次に、ジ−ｎ−ブチルスズ−ジ−アセテート（有機スズ化合物）およびフッ化アンモニウムを、それぞれ、エタノール水溶液に溶解して、液状材料を調製した。
なお、有機スズ化合物およびフッ化アンモニウムの混合比は、スズ／フッ素（原子比）＝４０／６０とした。
【００９７】
＜３−７＞  次に、この液状材料を、スピンコート法により、多孔質膜に塗布した。
なお、ガラス基板の回転数は、２０００ｒｐｍとし、回転時間は、２０秒で行った。
＜３−８＞  次に、大気（酸化性雰囲気）中、温度１５０℃×時間５分で、ホットプレートにて、液状材料中のエタノール水溶液を除去（乾燥）した。
＜３−９＞  次に、窒素雰囲気（非酸化性雰囲気）中、温度４００℃×時間１０分で熱処理を施した。これにより、有機スズ化合物とフッ化アンモニウムとを反応させ、ＦＴＯ（導電性物質）に変化させた。これにより、透明導電膜を得た。
なお、得られた透明導電膜の平均厚さは、約１４０ｎｍ、表面粗さＲａ（Ｂ）は、８ｎｍ（Ｂ／Ａ＝０．２）であった。
【００９８】
（比較例Ａ１）
前記実施例Ａ１と同様にして、ＩＴＯ粒子で多孔質膜を構成し、これを透明導電膜とした。
なお、得られた多孔質膜の平均厚さは、約８０ｎｍ、表面粗さＲａは、１５ｎｍであった。
【００９９】
（比較例Ａ２）
前記実施例Ａ２と同様にして、ＡＴＯ粒子で多孔質膜を構成し、これを透明導電膜とした。
なお、得られた多孔質膜の平均厚さは、約１４０ｎｍ、表面粗さＲａは、３０ｎｍであった。
【０１００】
（比較例Ａ３）
前記実施例Ａ３と同様にして、ＦＴＯ粒子で多孔質膜を構成し、これを透明導電膜とした。
なお、得られた多孔質膜の平均厚さは、約１２０ｎｍ、表面粗さＲａは、４０ｎｍであった。
【０１０１】
［評価１］
各実施例および各比較例で形成した透明導電膜について、それぞれ、比抵抗率、波長５５０ｎｍの光の透過率を測定し、それぞれ、１０個の平均値を求めた。
その結果を表１に示す。
【０１０２】
【表１】
2005100941.tif 000003
【０１０３】
表１に示すように、各実施例の透明導電膜は、対応する各比較例に対して、比抵抗率が低く、導電性に優れるものであった。
［評価２］
各実施例および各比較例で形成した透明導電膜上に、それぞれ、６０ｎｍのポリイミド膜を形成した後、このポリイミド膜に対して、ラビング装置を用いてラビング処理を施した。
【０１０４】
なお、ラビング処理の条件は、押込み量：０．４ｍｍ、回転数：６００ｒｐｍ、送り込み速度：１ｍ／ｍｉｎとした。
そして、目視にてポリイミド膜と透明導電膜との剥離の有無を観察した結果、各実施例で形成された透明導電膜では、いずれも、ポリイミド膜の剥離部分が観察されなかったのに対し、各比較例で形成された透明導電膜では、いずれも、ポリイミド膜の剥離部分の存在が確認された。
この結果は、各実施例で形成された透明導電膜の表面が十分に平坦であり、その結果、ポリイミド膜との密着性が向上したことを示すものと推察される。
【０１０５】
Ｂ．液晶表示装置
次に、所定パターンの透明導電膜（画素電極２２３、信号電極２２４、引き出し部２２８、走査電極２３２）を、前記実施例Ａ１〜Ａ３および比較例Ａ１〜Ａ３と同様にして形成して、それぞれ、図１に示すような液晶表示装置（実施例Ｂ１〜Ｂ３および比較例Ｂ１〜Ｂ３）を製造した。
【０１０６】
（実施例Ｂ１）
［Ｉ］  ガラス基板を用意し、このガラス基板の透明導電膜を形成する面に、大気圧プラズマにより発生させた活性酸素による親水化（親液化）処理を施した。
なお、この親水化処理の条件は、ＲＦ  Ｐｏｗｅｒ：３００Ｗ、Ｈｅ流量：１０ＳＬＭ、Ｏ２流量：８０ｓｃｃｍとした。
【０１０７】
［II］  次に、ガラス基板の透明導電膜を形成する面に、ネガ型のレジスト材料（東京応化工業株式会社製、「ＴＥＬＲ−Ｎ１０１ＰＭ」）を、スピンコート法により塗布した。
なお、ガラス基板の回転数は、２０００ｒｐｍとし、回転時間は、２０秒とした。
次いで、形成すべき透明導電膜の形状に対応した開口部を有するフォトマスクを介して、ｉ線（波長：３６５ｎｍ、強度：１２０ｍＪ／ｃｍ２）を照射した後、ＮＭＤ−Ｗ（現像液）により現像した。これにより、レジスト層を得た。
なお、露光時間（ｉ線の照射時間）は、２０秒とし、現像時間は、９０秒とした。
【０１０８】
［III］  次に、真空状態（減圧状態）で、レジスト層を加熱しつつ表面に紫外線（波長：２５４ｎｍ）を照射した。
なお、真空度は、３Ｔｏｒｒとし、レジスト層の加熱温度は、１００℃とし、紫外線の照射時間は、２分とした。
［IV］  次に、レジスト層の表面に、大気圧プラズマにより発生させた活性フッ素による撥液化処理を３秒間施した。
なお、この撥液化処理の条件は、ＲＦ  Ｐｏｗｅｒ：３００Ｗ、Ｈｅ流量：１０ＳＬＭ、ＣＦ３流量：１００ｓｃｃｍとした。
［Ｖ］  次に、前記工程＜１−２＞〜工程＜１−９＞と同様の工程を行った。
［VI］  次に、酸素プラズマ処理および有機剥離液によりレジスト層を除去した。これにより、透明導電膜を得た。
【０１０９】
（実施例Ｂ２）
前記工程［Ｖ］において、前記工程＜２−２＞〜工程＜２−９＞と同様の工程を行って、透明導電膜を形成した。
（実施例Ｂ３）
前記工程［Ｖ］において、前記工程＜３−２＞〜工程＜３−９＞と同様の工程を行って、透明導電膜を形成した。
【０１１０】
（比較例Ｂ１）
前記工程［Ｖ］において、前記実施例Ｂ１と同様にして、ＩＴＯ粒子で多孔質膜を構成し、これを透明導電膜とした。
（比較例Ｂ２）
前記工程［Ｖ］において、前記実施例Ｂ２と同様にして、ＡＴＯ粒子で多孔質膜を構成し、これを透明導電膜とした。
【０１１１】
（比較例Ｂ３）
前記工程［Ｖ］において、前記実施例Ｂ３と同様にして、ＦＴＯ粒子で多孔質膜を構成し、これを透明導電膜とした。
透明導電膜を、前記実施例Ａ１〜Ａ３と同様にして形成した液晶表示装置（実施例Ｂ１〜Ｂ３）は、いずれも、応答速度が速く、色ムラ等の発生も認められなかった。
【０１１２】
これに対し、透明導電膜を、前記比較例Ａ１〜Ａ３と同様にして形成した液晶表示装置（比較例Ｂ１〜Ｂ３）は、いずれも、透明導電膜の比抵抗率が１×１０−２Ω・ｃｍを上回って高く、このため、液晶素子特有のＣＲ時定数が増加、画像信号に対する反応時間が長いもの（低応答速度）であった。また、色ムラの発生も生じた。
さらに、このような現象は、経時的に顕著となった。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明の電子デバイスを透過型液晶表示装置に適用した場合の実施形態を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の透明導電膜の縦断面を示す模式図である。
【図３】本発明の透明導電膜の形成方法を説明するための模式図である。
【図４】所定のパターンの透明導電膜を形成する方法を説明するためのフロー図である。
【図５】図４に示す透明導電膜の形成方法を説明するための模式図である。
【図６】図４に示す透明導電膜の形成方法を説明するための模式図である。
【図７】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図８】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図９】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１０】従来の方法によって形成された透明導電膜を示す模式図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１‥‥液晶表示装置  ２‥‥液晶パネル  ２２‥‥第１の基板  ２２１‥‥上面  ２２２‥‥ＴＦＤ素子  ２２３‥‥画素電極  ２２４‥‥信号電極  ２２５‥‥偏光板  ２２８‥‥引き出し部  ２２９‥‥金属層  ２３‥‥第２の基板  ２３１‥‥下面  ２３２‥‥走査電極  ２３３‥‥有色層  ２３４‥‥ブラックマトリックス  ２３５‥‥偏光板  ２４‥‥液晶層  ６‥‥バックライト  ７‥‥基板  ８‥‥透明導電膜  ８１‥‥多孔質膜  ８１ａ‥‥導電性粒子  ８１ｂ‥‥空隙  ８２‥‥導電性物質  ８２ａ‥‥液状材料  ９‥‥導電性粒子  １０‥‥レジスト層  １１‥‥開口部  １１００‥‥パーソナルコンピュータ  １１０２‥‥キーボード  １１０４‥‥本体部  １１０６‥‥表示ユニット  １２００‥‥携帯電話機  １２０２‥‥操作ボタン  １２０４‥‥受話口  １２０６‥‥送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥回路基板  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ  １１０‥‥透明導電膜  １２０‥‥導電性粒子  １３０‥‥空隙
【図１】
2005100941.tif 000004
【図２】
2005100941.tif 000005
【図３】
2005100941.tif 000006
【図４】
2005100941.tif 000007
【図５】
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【図６】
2005100941.tif 000009
【図７】
2005100941.tif 000010
【図８】
2005100941.tif 000011
【図９】
2005100941.tif 000012
【図１０】
2005100941.tif 000013