(57)【要約】【課題】本発明は、コモンモードチョークコイルやトランス等の主要部品として用いられるコイル部品の製造方法に関し、インピーダンス特性の劣化が少なく信頼性の高い小型・低背のコイル部品の製造方法を提供することにある【解決手段】磁性基板３上に絶縁膜９ａを形成し、絶縁膜９ａに開口部１５、１７を形成する。絶縁膜９ａ上にリード端子部２１を形成すると共に、開口部１５、１７上に平坦化膜２９を形成する。絶縁膜９ｂを形成し、絶縁膜９ｂの開口部１５、１７を開口する。コイル導体１１を絶縁膜９ｂ上に形成すると共に、平坦化膜２９上に平坦化膜３１を形成する。コイル導体１１上に絶縁膜を介してさらにコイル導体を形成した後に平坦化膜２９、３１を除去する。【選択図】図３
2005085800.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に所定の開口部を形成し、
前記開口部に平坦化膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電性材料からなるコイル導体を形成し、
前記コイル導体上にさらに絶縁膜を形成し、
前記平坦化膜を除去すること
を特徴とするコイル部品の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のコイル部品の製造方法において、
前記平坦化膜は、前記導電性材料を用いて前記コイル導体の形成と同時に形成すること
を特徴とするコイル部品の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載のコイル部品の製造方法において、
前記平坦化膜は、前記コイル導体の形成の前に形成すること
を特徴とするコイル部品の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載のコイル部品の製造方法において、
前記平坦化膜上に、前記導電性材料を用いて前記コイル導体の形成と同時にさらに平坦化膜を形成すること
を特徴とするコイル部品の製造方法。
【請求項５】
第１の磁性基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜に所定の開口部を形成し、
全面に第１の金属層を形成してパターニングし、前記第１の絶縁膜上に第１のリード端子部を形成すると共に、前記開口部上に第１の平坦化膜を形成し、
全面に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜の前記開口部を開口し、
全面に第２の金属層を形成してパターニングし、前記開口部が内周側に位置するようにスパイラル状に第１のコイル導体を前記第２の絶縁膜上に形成すると共に、前記第１の平坦化膜上に第２の平坦化膜を形成し、
全面に第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜の前記開口部を開口し、
全面に第３の金属層を形成してパターニングし、前記開口部が内周側に位置するようにスパイラル状に第２のコイル導体を前記第３の絶縁膜上に形成し、
全面に第４の絶縁膜を形成し、
前記第４の絶縁膜の前記開口部を開口し、
全面に第４の金属層を形成してパターニングし、前記第４の絶縁膜上に第２のリード端子部を形成し、
全面に第５の絶縁膜を形成し、
前記第５の絶縁膜の前記開口部を開口し、
前記第１及び第２の平坦化膜を除去し、
少なくとも前記開口部を埋め込む磁性層を形成し、
前記磁性層上に第２の磁性基板を固着すること
を特徴とするコイル部品の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載のコイル部品の製造方法において、
前記第１乃至第４の金属層は同一の金属材料が用いられること
を特徴とするコイル部品の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載のコイル部品の製造方法において、
前記金属材料は、銅であること
を特徴とするコイル部品の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のコイル部品の製造方法において、
前記コイル導体はフレームメッキ法で形成すること
を特徴とするコイル部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コモンモードチョークコイルやトランスの主要部品等として用いられるコイル部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータや携帯電話機等の電子機器の小型化に伴い、電子機器の内部回路に実装されるコイルやコンデンサ等の電子部品には小型化及び部品厚の薄型化（低背化）が求められている。
【０００３】
しかしながら、フェライトコアに銅線等を巻回した巻線型のコイルは構造上の制約から小型化が困難であるという問題を有している。そこで、小型化、低背化の可能なチップ型のコイル部品の研究開発が進められている。チップ型のコイル部品として、フェライト等の磁性体シート表面にコイル導体パターンを形成して当該磁性シートを積層した積層型のコイル部品や、薄膜形成技術を用いて絶縁膜と金属薄膜のコイル導体とを交互に形成した薄膜型のコイル部品が知られている。
【０００４】
薄膜型のコイル部品として、コモンモードチョークコイルが知られている。コモンモードチョークコイルは、対向配置された２枚のフェライト基板（磁性基板）間に形成された絶縁層中に、スパイラル状に形成された２個のコイル導体を絶縁膜を介して対向して埋め込んだ構成を有している。スパイラル状のコイル導体の内周側及び外周側には開口部が形成されている。開口部には絶縁性材料に磁粉を混合した磁性材の磁性層が形成されている。コイル導体に通電することにより、コイル導体の中心軸を含む断面において閉磁路が形成される。
【０００５】
従来のコモンモードチョークコイルの製造方法について図８乃至図１０を用いて説明する。図８乃至図１０は、コモンモードチョークコイルの製造工程断面図である。まず、図８（ａ）に示すように、磁性基板５３上に絶縁膜５９ａを形成し、絶縁膜５９ａをパターニングして開口部６５、６７を開口する。次に、図８（ｂ）に示すように、絶縁膜５９ａ上の例えば開口部６５近傍にリード端子部７１を形成する。次に、図８（ｃ）に示すように、全面に絶縁膜５９ｂを形成し、絶縁膜５９ｂをパターニングしてリード端子部７１を露出させたコンタクトホール７５を形成すると共に開口部６５、６７上を開口する。
【０００６】
次に、図８（ｄ）に示すように、フレームメッキ法を用いてスパイラル状にパターニングされたコイル導体６１を絶縁膜５９ｂ上に形成する。コイル導体６１の一端部はコンタクトホール７５内に露出しているリード端子部７１上に形成される。これにより、コイル導体６１及びリード端子部７１が電気的に接続される。
【０００７】
次に、図９（ａ）に示すように、全面に絶縁膜５９ｃを形成し、絶縁膜５９ｃをパターニングして開口部６５、６７上を開口する。次に、図９（ｂ）に示すように、フレームメッキ法を用いて、スパイラル状にパターニングされたコイル導体６３を絶縁膜５９ｃ上に形成する。
【０００８】
次に、図９（ｃ）に示すように、全面に絶縁膜５９ｄを形成し、絶縁膜５９ｄをパターニングしてコイル導体６３の一端部を露出させたコンタクトホール７７を形成すると共に開口部６５、６７上を開口する。
【０００９】
次に、絶縁膜５９ｄ上にリード端子部７３を形成する。リード端子部７３の一端部は、図９（ｄ）に示すように、コンタクトホール７７内に露出しているコイル導体６３の一端部上に形成する。これにより、コイル導体６３とリード端子部７３とが電気的に接続される。
【００１０】
次に、図１０（ａ）に示すように、全面に絶縁膜５９ｅを形成し、絶縁膜５９ｅをパターニングして開口部６５、６７上を開口する。次に、図１０（ｂ）に示すように、絶縁樹脂にフェライトの磁粉を混入した複合フェライトを開口部６５、６７に埋め込んだ磁性層６８を形成する。次に、開口部６５、６７の磁性層６８上及び絶縁膜５９ｅ上に接着剤を塗布して接着層６９を形成する。次いで、磁性基板５５を接着層６９に固着して、コモンモードチョークコイルが完成する。
【００１１】
【特許文献１】特開平１１−５４３２６号公報
【特許文献２】特開２００３−１３３１３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、コイル導体６１、６３の相互間の磁気結合を大きくすると共に、コモンインピーダンスを増加させてインピーダンス特性を向上させるためには、コイル導体６１、６３間の絶縁膜５９ｃの膜厚を均一に且つ平坦にする必要がある。さらに、コイル導体６１、６３の膜厚を均一にして、電流の流れる方向に直交するコイル導体６１、６３の断面形状を場所によらずほぼ同一にする必要がある。
【００１３】
ところが、各絶縁膜５９ａ〜５９ｅは、全面に例えばポリイミド樹脂を塗布して、開口部６５、６７上が開口されるようにパターニングして形成されている。開口部６５、６７内に塗布されたポリイミド樹脂は各絶縁膜５９ａ〜５９ｅの形成毎に除去され、常に開口部６５、６７内には磁性基板５３が露出している。このため、絶縁膜上面と開口部６５、６７に露出する磁性基板５３表面との間には、大きな段差が生じている。当該段差の影響で、図９（ｂ）に示すように、開口部６５、６７近傍の絶縁膜５９ｃの膜厚が減少して、開口部６５、６７近傍とそれ以外の領域での絶縁膜５９ｃの膜厚が異なってしまい、これによりコイル導体６１、６３の間隔が不均一になる問題が生じる。
【００１４】
さらに、コイル導体６３は膜厚の不均一な絶縁膜５９ｃ上に形成されることになるので、図９（ｂ）に示すように、開口部６５、６７近傍とそれ以外の領域でのコイル導体６３の断面形状も不均一になってしまう。また、コイル導体６３形成用のレジストフレームのパターニングにおいても、開口部６５、６７近傍とそれ以外の領域でのレジストフレームの高さが不均一になってしまい、低い高さに形成されたレジストフレームの上面にメッキ膜が溢れ出してコイル導体６３の断面形状が不均一になってしまう可能性がある。さらに、コイル導体６３の断面形状の不均一で、コイル導体６３の抵抗値が局所的に異なってしまう問題も有している。
【００１５】
このように、絶縁膜５９ｃの膜厚が不均一になると、コイル導体６１、６３の相互間の磁気結合が小さくなり、コモンインピーダンスが低下してインピーダンス特性が劣化してしまう。さらに、絶縁膜５９ｃの膜厚の不均一とコイル導体６３の断面形状の不均一により、高いインピーダンスを有するコモンモードチョークコイルの製造が困難となってしまう。
【００１６】
本発明の目的は、インピーダンス特性に優れる小型・低背のコイル部品を製造できるコイル部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的は、磁性基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜に所定の開口部を形成し、前記開口部に平坦化膜を形成し、前記絶縁膜上に導電性材料からなるコイル導体を形成し、前記コイル導体上にさらに絶縁膜を形成し、前記平坦化膜を除去することを特徴とするコイル部品の製造方法によって達成される。
【００１８】
上記本発明のコイル部品の製造方法において、前記平坦化膜は、前記導電性材料を用いて前記コイル導体の形成と同時に形成することを特徴とする。
【００１９】
上記本発明のコイル部品の製造方法において、前記平坦化膜は、前記コイル導体の形成の前に形成することを特徴とする。
【００２０】
上記本発明のコイル部品の製造方法において、前記平坦化膜上に、前記導電性材料を用いて前記コイル導体の形成と同時にさらに平坦化膜を形成することを特徴とする。
【００２１】
また、上記目的は、第１の磁性基板上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜に所定の開口部を形成し、全面に第１の金属層を形成してパターニングし、前記第１の絶縁膜上に第１のリード端子部を形成すると共に、前記開口部上に第１の平坦化膜を形成し、全面に第２の絶縁膜を形成し、前記第２の絶縁膜の前記開口部を開口し、全面に第２の金属層を形成してパターニングし、前記開口部が内周側に位置するようにスパイラル状に第１のコイル導体を前記第２の絶縁膜上に形成すると共に、前記第１の平坦化膜上に第２の平坦化膜を形成し、全面に第３の絶縁膜を形成し、前記第３の絶縁膜の前記開口部を開口し、全面に第３の金属層を形成してパターニングし、前記開口部が内周側に位置するようにスパイラル状に第２のコイル導体を前記第３の絶縁膜上に形成し、全面に第４の絶縁膜を形成し、前記第４の絶縁膜の前記開口部を開口し、全面に第４の金属層を形成してパターニングし、前記第４の絶縁膜上に第２のリード端子部を形成し、全面に第５の絶縁膜を形成し、前記第５の絶縁膜の前記開口部を開口し、前記第１及び第２の平坦化膜を除去し、少なくとも前記開口部を埋め込む磁性層を形成し、前記磁性層上に第２の磁性基板を固着することを特徴とするコイル部品の製造方法によって達成される。
【００２２】
上記本発明のコイル部品の製造方法において、前記第１乃至第４の金属層は同一の金属材料が用いられることを特徴とする。また、前記金属材料は、銅であることを特徴とする。
【００２３】
上記本発明のコイル部品の製造方法において、前記コイル導体はフレームメッキ法で形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、インピーダンス特性に優れる小型・低背のコイル部品を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の一実施の形態によるコイル部品及びその製造方法について図１乃至図７を用いて説明する。本実施の形態では、コイル部品として、平衡伝送方式における電磁妨害の原因となるコモンモード電流を抑制するコモンモードチョークコイルを例にとって説明する。まず、コモンモードチョークコイル１の構成を図１及び図２を用いて説明する。図１は、コモンモードチョークコイル１を図２（ａ）、（ｂ）の仮想線Ａ−Ａで切断した断面を示している。図２（ａ）は、コモンモードチョークコイル１のコイル導体１１を含む平面形状を示している。図２（ｂ）は、コイル導体１３を含む平面形状を示している。
【００２６】
図１に示すように、本実施の形態のコモンモードチョークコイル１は、フェライトで形成された磁性基板３上に絶縁膜９ａ、リード端子部２１、絶縁膜９ｂ、導電性材料で形成されたコイル導体１１、絶縁膜９ｃ、導電性材料で形成されたコイル導体１３、絶縁膜９ｄ、リード端子部２３及び絶縁膜９ｅがこの順に積層された構成を有している。コイル導体１１とコイル導体１３とは、絶縁膜９ｃを挟んで対面している。また、コイル導体１１、１３は、絶縁膜９ａ〜９ｅからなる絶縁層９中に埋め込まれている。絶縁層９の絶縁膜９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ、９ｅは、それぞれポリイミド樹脂で形成され、後述する製造方法によりほぼ均一で平坦な膜厚に形成されている。コイル導体１１、１３の内周側には絶縁層９を除去して開口部１５が形成されている。コイル導体１１、１３の外周側には絶縁層９を除去して開口部１７が形成されている。
【００２７】
また、開口部１５、１７を埋め込んで磁性層１８が形成されている。磁性層１８は、ポリイミド樹脂にフェライトの磁粉を混入した複合フェライトで形成されている。さらに、磁性層１８及び絶縁膜９ｅ上には接着層１９が形成され、フェライトで形成された磁性基板５が接着されている。
【００２８】
図２（ａ）に示すように、コイル導体１１は、絶縁膜９ｂ上でスパイラル状に形成されている。コイル導体１１は、絶縁膜９ｂに形成されたコンタクトホール２５を介して、絶縁膜９ｂ下層に形成された図中破線で示すリード端子部２１の一端子に接続されている。リード端子部２１の他端子は、コモンモードチョークコイル１の側面に形成された電極端子（不図示）に接続されている。
【００２９】
図２（ｂ）に示すように、絶縁膜９ｄ上にはリード端子部２３が形成されている。また、絶縁層９ｄ下層には、コイル導体１１とほぼ同形状のスパイラル状の図中破線で示すコイル導体１３が形成されている。コイル導体１３は、絶縁膜９ｄに形成されたコンタクトホール２７を介して、リード端子部２３の一端子に接続されている。リード端子部２３の他端子は、コモンモードチョークコイル１の側面に形成された他の電極端子（不図示）に接続されている。
【００３０】
次に、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の動作について説明する。コイル導体１１、１３に通電することにより、図１に示すように、コイル導体１１、１３の中心軸を含む断面において、磁性基板３、開口部１５の磁性層１８、接着層１９、磁性基板５、接着層１９、開口部１７の磁性層１８をこの順（又は逆順）に通る磁路Ｍが形成される。接着層１３は非磁性であるが数μｍ程度の薄膜なので、この部分で磁力線の漏洩は殆ど発生せず、磁路Ｍはほぼ閉磁路と看做すことができる。従って、コモンモードチョークコイル１は良好な磁気結合度及びインピーダンス特性を有する。
【００３１】
次に、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法について図３乃至図７を用いて説明する。図３、図６、図７は、コモンモードチョークコイル１を図２（ａ）、（ｂ）の仮想線Ａ−Ａで切断した断面を示している。なお、図１、図２に示したコモンモードチョークコイル１の構成要素と同一の作用・機能を奏する構成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。
【００３２】
まず、図３（ａ）に示すように、フェライトで形成された磁性基板（第１の磁性基板）３上にポリイミド樹脂を塗布して厚さ７〜８μｍの絶縁膜（第１の絶縁膜）９ａを形成し、絶縁膜９ａをパターニングして開口部１５、１７を形成する。次に、図３（ｂ）に示すように、全面にＣｕ（銅）等の第１の金属層（不図示）を形成してパターニングし、一端子が開口部１５近傍に位置し、他端子が磁性基板３周囲に位置する厚さ５μｍのリード端子部（第１のリード端子部）２１を形成する（図２（ａ）参照）。同時に第１の金属層をパターニングして、開口部１５、１７に厚さ５μｍの平坦化膜（第１の平坦化膜）２９を形成する。平坦化膜２９により絶縁膜９ａと開口部１５、１７との段差が減少するので、この後の工程で形成される絶縁膜９ｂの膜厚を極めて均一且つ平坦にすることができる。
【００３３】
次に、図３（ｃ）に示すように、全面にポリイミド樹脂を塗布して厚さ７〜８μｍの絶縁膜（第２の絶縁膜）９ｂを形成し、絶縁膜９ｂをパターニングしてリード端子部２１の一端子を露出させるコンタクトホール２５と開口部１５、１７の平坦化膜２９上を露出させた開口とを形成する。
【００３４】
次に、図３（ｄ）に示すように、全面にＣｕ層等の第２の金属層（不図示）を形成し、スパイラル状にパターニングして厚さ５μｍのコイル導体（第１のコイル導体）１１を絶縁膜９ｂ上に形成すると共に、開口部１５、１７に形成された平坦化膜２９上に平坦化膜（第２の平坦化膜）３１を形成する。コイル導体１１の一端子はコンタクトホール２５に露出しているリード端子部２１の一端子上に形成する。これにより、コイル導体１１及びリード端子部２１が電気的に接続される。一方、他端子は絶縁膜９ｂを介してリード端子部２１の他端子に対向する磁性基板３周囲に形成する（図２（ａ）参照）。
【００３５】
コイル導体１１及び平坦化膜３１はフレームメッキ法を用いて形成される。フレームメッキ法について図４及び図５を用いて説明する。フレームメッキ法は、レジスト層をパターニングして形成した型（フレーム）を用いてメッキ膜を形成する方法である。図４及び図５は、コイル導体１１及び平坦化膜３１の製造工程を示しており、図３（ｄ）の左側の開口部１７の中央部から開口部１５の中央部間を図示している。図３（ａ）〜（ｃ）の製造工程を経て、磁性基板３上には絶縁膜９ａ、リード端子部２１及び絶縁膜９ｂがこの順に形成されている。さらに、開口部１５、１７上には平坦化膜２９が形成されている。図４（ａ）に示すように、全面にスパッタリング法や蒸着法を用いて電極膜３３を成膜する。電極膜３３の下層に絶縁膜９ｂ及び平坦化膜２９との密着性を高めるための、例えばＣｒ（クロム）膜やＴｉ（チタン）膜等で接着層を形成してもよい。電極膜３３は、導電性のある材料であれば問題ないが、できればメッキされる金属材料と同一材料を用いることが望ましい。
【００３６】
次に、図４（ｂ）に示すように、全面にレジストを塗布してレジスト層３５を形成し、必要に応じてレジスト層３５のプリベーク処理を行う。次いで、コイル導体１１及び平坦化膜３１のパターンが描画されたマスク３７を介して露光光を照射して、レジスト層３５を露光する。
【００３７】
次に、必要に応じて熱処理後、アルカリ現像液で現像する。アルカリ現像液としては、例えば、所定濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）が用いられる。次に、現像工程から引き続いて洗浄工程に移る。レジスト層３５中の現像液を洗浄液で洗浄し、レジスト層３５の現像溶解反応を停止させて、図４（ｃ）に示すように、所定形状にパターニングされたレジストフレーム３９が形成される。洗浄液としては、例えば純水が用いられる。
【００３８】
洗浄が終了すると、洗浄液を振り切って乾燥させる。必要であれば磁性基板３を加熱して洗浄液を乾燥させてもよい。次に、図５（ａ）に示すように、磁性基板３をメッキ槽中のメッキ液に浸漬して、レジストフレーム３９を型にしてメッキ処理を行い、レジストフレーム３９間にメッキ膜４１を形成する。次いで、図５（ｂ）に示すように、必要に応じて水洗し乾燥させてからレジストフレーム３９を有機溶剤を用いて絶縁膜９ｂから剥離する。次いで、図５（ｃ）に示すように、メッキ膜４１をマスクにして電極膜３３をドライエッチング（イオンミリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等）やウエットエッチングにより除去する。こうして、コイル導体１１及び平坦化膜３１が形成される。平坦化膜２９、３１により絶縁膜９ｂと開口部１５、１７との段差が減少するので、この後の工程で形成される絶縁膜９ｃの膜厚を極めて均一且つ平坦にすることができる。
【００３９】
フレームメッキ法によりコイル導体１１及び平坦化膜３１が形成されたら、次に、図６（ａ）に示すように、全面にポリイミド樹脂を塗布して絶縁膜（第３の絶縁膜）９ｃを形成し、絶縁膜９ｃをパターニングして開口部１５、１７上部の平坦化膜３１が露出する開口を形成する。次に、図６（ｂ）に示すように、Ｃｕ層等の第３の金属層（不図示）を形成してからフレームメッキ法を用いて、スパイラル状にパターニングした厚さ５μｍのコイル導体（第２のコイル導体）１３を絶縁膜９ｃ上に形成する。コイル導体１３の一端子は開口部１５近傍に形成され、他端子はコイル導体１１の他端子と絶縁膜９ｃを介して隣り合う磁性基板３周囲に形成される。コイル導体１３は、図４及び図５を用いて説明したコイル導体１１及び平坦化膜３１の製造方法と同様のフレームメッキ法で形成されているのでその説明は省略する。
【００４０】
次に、図６（ｃ）に示すように、全面にポリイミド樹脂を塗布して厚さ７〜８μｍの絶縁膜（第４の絶縁膜）９ｄを形成し、絶縁膜９ｄをパターニングしてコイル導体１３の一端子を露出させたコンタクトホール２７と開口部１５、１７の平坦化膜３１上を露出させた開口とを形成する。
【００４１】
次に、図６（ｄ）に示すように、全面にＣｕ層等の第４の金属層（不図示）を形成してパターニングし、厚さ５μｍのリード端子部（第２のリード端子部）２３を形成する。リード端子部２３の一端子はコンタクトホール２７に露出しているコイル導体１３の一端子上に形成する。これにより、コイル導体１３とリード端子部２３とは電気的に接続される。一方、他端子は絶縁膜９ｄを介してコイル導体１３の他端子に対向して磁性基板３周囲に形成する（図２（ｂ）参照）。
【００４２】
次に、図７（ａ）に示すように、全面にポリイミド樹脂を塗布して厚さ７〜８μｍの絶縁膜（第５の絶縁膜）９ｅを形成し、絶縁膜９ｅをパターニングして開口部１５、１７が露出する開口を形成する。次いで、平坦化膜２９、３１を湿式エッチングにより除去する。
【００４３】
次に、図７（ｂ）に示すように、ポリイミド樹脂にフェライトの磁粉を混入した複合フェライトを開口部１５、１７に埋め込んだ磁性層１８を形成する。次に、開口部１５、１７の磁性層１８上及び絶縁膜９ｅ上に接着剤を塗布して接着層１９を形成する。次いで、磁性基板（第２の磁性基板）５を接着層１９に固着する。
【００４４】
次に、図示はしないが、コモンモードチョークコイル１の側面に配置されているリード端子部２１、２３の他端子及びコイル導体１１、１３の他端子の形成位置に、磁性基板３の基板面にほぼ直角で且つ磁性基板３、５間を横切ってＮｉ（ニッケル）の電極膜（不図示）をスパッタリング法で形成する。次いで、バレルメッキで電極膜の表面にＳｎ（錫）、Ｎｉ、Ｃｕ（銅）の合金導電材料を成膜し、Ｎｉ／Ｓｎの２層構造の電極端子（不図示）を形成してコモンモードチョークコイル１の製造が終了する。
【００４５】
以上説明したように、本実施の形態のコモンモードチョークコイル１の製造方法では、開口部１５、１７に平坦化膜２９、３１が積層して形成されるので、絶縁膜９ｂのコイル導体１１形成面と開口部１５、１７との段差を減少させることができる。これにより、絶縁膜９ｂ上と開口部１５、１７に露出する平坦化膜３１上とに形成される絶縁膜９ｃの厚さばらつきが低減されて、絶縁膜９ｃは極めて均一な膜厚に形成される。また、絶縁層９ｃの膜厚を薄くしても十分に平坦な膜にすることができる。コイル導体１３は、絶縁膜９ｂからの膜厚が均一で十分に平坦な絶縁膜９ｃ上に形成されるので、厚さばらつきと、パターニングのばらつきが小さいレジスト層を用いることができるため、コイル導体１１、１３の間隔をほぼ一定にでき、コイル導体１１、１３を絶縁膜９ｃを介して十分近接させて対面させること、および、アスペクト比を大きくすることができるようになる。従って、コイル導体１１、１３間の磁気結合を安定させて、良好な磁気結合度を有しインピーダンス特性が一層向上したコモンモードチョークコイル１を実現できる。
【００４６】
また、コイル導体１３を形成する際に、図４及び図５に示すレジストフレーム３９間に形成されるメッキ膜４１のメッキ分布が改善されてメッキ膜４１の膜厚がほぼ均一となり、電流の流れる方向に直交するコイル導体１３の断面形状がほぼ一定になるので、コイル導体１３の抵抗値を安定させることができる。またさらに、絶縁膜９ｃの膜厚の均一化及び膜平坦化、及びコイル導体１３の断面形状の均一化の実現により、高いインピーダンスを有するコモンモードチョークコイル１が安定して製造できるようになる。さらに、平坦化膜２９、３１を除去する工程を追加するだけでよいので、製造工程の増加を殆ど生じさせずに低コストでコモンモードチョークコイル１を製造できる。
【００４７】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
上記実施の形態では、フレームメッキ法を用いてコイル導体１１、１３及び平坦化膜３１を形成しているが、本発明はこれに限られない。例えば、フレームメッキ法に代えて、スパッタリングや物理蒸着法等を用いて、コイル導体１１、１３及び平坦化膜３１を形成してももちろんよい。
【００４８】
また、上記実施の形態では、開口部１５、１７に平坦化膜２９、３１を積層しているが、本発明はこれに限られない。例えば、平坦化膜２９又は平坦化膜３１のいずれか一方のみを開口部１５、１７に形成してももちろんよい。この場合でも、絶縁層９ｂのコイル導体１１形成面と開口部１５、１７との段差がある程度緩和されるので、絶縁膜９ｃの厚さばらつきを抑制できる。また、１層にすることにより平坦化膜の除去工程の時間を短縮できる。
【００４９】
また、コイル導体１３を形成する際に、開口部１５、１７の平坦化膜２９、３１にさらに平坦化膜を積層してももちろんよい。この場合、絶縁膜９ｄの膜厚を均一に且つ膜を平坦に形成できるので、コイル導体１３とリード端子部２３との層間ショートを確実に防止することができる。
【００５０】
また、上記実施の形態では、コイル部品としてコモンモードチョークコイル１を例に説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、複数のコモンモードチョークコイルがアレイ状に形成されているコモンモードチョークコイルアレイの製造に本発明を用いてももちろんよい。この場合、個々のコモンモードチョークコイルは良好な磁気結合度及びインピーダンス特性を有し、さらに、複数のコモンモードチョークコイル間の特性ばらつきを抑えることができるので、高性能なコモンモードチョークコイルアレイを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施の形態によるコモンモードチョークコイル１を図２（ａ）、（ｂ）の仮想線Ａ−Ａで切断した断面を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態によるコモンモードチョークコイル１のコイル導体１１、１３を示す図である。図２（ａ）は、コイル導体１１を含む平面形状を示し、図２（ｂ）は、コイル導体１３を含む平面形状を示している。
【図３】本発明の一実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態によるコモンモードチョークコイル１のコイル導体１１及び平坦化膜３１の製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態によるコモンモードチョークコイル１のコイル導体１１及び平坦化膜３１の製造工程を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造工程を示す断面図である。
【図８】従来のコモンモードチョークコイルの製造工程を示す断面図である。
【図９】従来のコモンモードチョークコイルの製造工程を示す断面図である。
【図１０】従来のコモンモードチョークコイルの製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  コモンモードチョークコイル
３、５、５３、５５  磁性基板
９  絶縁層
９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ、９ｅ、５９ａ、５９ｂ、５９ｃ、５９ｄ、５９ｅ  絶縁膜
１１、１３、６１、６３  コイル導体
１５、１７、６５、６７  開口部
１８、６８  磁性層
１９、６９  接着層
２１、２３、７１、７３  リード端子部
２５、２７、７５、７７  コンタクトホール
２９、３１  平坦化膜
３３  電極膜
３５  レジスト層
３７  マスク
３９  レジストフレーム
４１  メッキ膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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