(57)【要約】【課題】比較的小さい磁化反転磁界で記録を可能とするとともに、高い熱的安定性を有し、メモリー情報を長期間安定的に保持しておくことができる新規な磁気記録媒体及びその作製方法を提供する。【解決手段】磁気記録媒体における記録磁性層の、飽和磁化Ｍｓを３００ｅｍｕ／ｃｃ〜８００ｅｍｕ／ｃｃとし、Ｅ＝（Ｋ１−２πＭｓ２）ｓｉｎ２θ＋Ｋ２ｓｉｎ４θ（θ：磁化と磁化容易軸とのなす角度）で表される垂直磁気異方性エネルギーにおける磁気異方性定数Ｋ１及びＫ２を、５×１０３Ｍｓ≦Ｋ１≦１５×１０３Ｍｓ及び０．２≦Ｋ２／Ｋ１なる関係を満足するようにする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
飽和磁化Ｍｓが３００ｅｍｕ／ｃｃ〜８００ｅｍｕ／ｃｃであって、Ｅ＝（Ｋ１−２πＭｓ２）ｓｉｎ２θ＋Ｋ２ｓｉｎ４θ（θ：磁化と磁化容易軸とのなす角度）で表される垂直磁気異方性エネルギーにおける磁気異方性定数Ｋ１及びＫ２が、５×１０３Ｍｓ≦Ｋ１≦１５×１０３Ｍｓ及び０．２≦Ｋ２／Ｋ１なる関係を満足する記録磁性層を具えることを特徴とする、磁気記録媒体。
【請求項２】
前記記録磁性層において、前記磁気異方性定数Ｋｌ及びＫ２は、５×１０３Ｍｓ≦Ｋ１≦１５×１０３Ｍｓ及び０．４≦Ｋ２／Ｋ１なる関係を満足することを特徴とする、請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記記録磁性層の厚さが５０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記記録磁性層の厚さが２ｎｍ〜２０ｎｍであることを特徴とする、請求項３に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記記録磁性層はコバルト基合金薄膜からなることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記コバルト基合金薄膜は、ＣｏＣｒ、ＣｏＭｏ及びＣｏＷの少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項５に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記コバルト基合金薄膜は、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＮｉの少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項５又は６に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記記録磁性層はグラニュラー薄膜からなることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
前記グラニュラー薄膜は、コバルト基合金粒を含むことを特徴とする、請求項８に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記コバルト基合金粒は、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＮｉの少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項８又は９に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記記録磁性層の下方において、軟磁性下地層を具えることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一に記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】
前記軟磁性下地層の厚さが１０ｎｍ〜５００ｎｍであることを特徴とする、請求項１１に記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】
前記軟磁性下地層と前記記録磁性層との間に、配向制御用シード層を具えることを特徴とする、請求項１１又は１２に記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】
前記配向制御用シード層の厚さが５ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１３に記載の磁気記録媒体。
【請求項１５】
前記配向制御用シード層は、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔａ及びＷの少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項１３又は１４に記載の磁気記録媒体。
【請求項１６】
前記配向制御用シード層は、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅの少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項１３又は１４に記載の磁気記録媒体。
【請求項１７】
面記録密度が、１平方インチ当り４００ギガビット以上であることを特徴とする、請求項１〜１６のいずれか一に記載の磁気記録媒体。
【請求項１８】
軟磁性下地層を形成する工程と、
前記軟磁性下地層の上方に、飽和磁化Ｍｓが３００ｅｍｕ／ｃｃ〜８００ｅｍｕ／ｃｃであって、Ｅ＝（Ｋ１−２πＭｓ２）ｓｉｎ２θ＋Ｋ２ｓｉｎ４θ（θ：磁化と磁化容易軸とのなす角度）で表される垂直磁気異方性エネルギーにおける磁気異方性定数Ｋ１及びＫ２が、５×１０３Ｍｓ≦Ｋ１≦１５×１０３Ｍｓ及び０．２≦Ｋ２／Ｋ１なる関係を満足する記録磁性層を形成する工程と、
を具えることを特徴とする、磁気記録媒体の作製方法。
【請求項１９】
前記軟磁性下地層の厚さを１０ｎｍ〜５００ｎｍにすることを特徴とする、請求項１８に記載の磁気記録媒体の作製方法。
【請求項２０】
前記記録磁性層の厚さを５０ｎｍ以下とすることを特徴とする、請求項１８又は１９に記載の磁気記録媒体の作製方法。
【請求項２１】
前記記録磁性層の厚さを２ｎｍ〜２０ｎｍとすることを特徴とする、請求項２０に記載の磁気記録媒体の作製方法。
【請求項２２】
前記軟磁性下地層と前記記録磁性層との間に、配向制御用シード層を形成する工程を具えることを特徴とする、請求項１８〜２１のいずれか一に記載の磁気記録媒体の作製方法。
【請求項２３】
前記配向制御用シード層の厚さを５ｎｍ以下にすることを特徴とする、請求項２２に記載の磁気記録媒体の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスクや磁気テープなどの磁気記録媒体及びその作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報社会の発展に伴い、高密度記録技術の開発が切望されている。特に、ビット単価が安く、不揮発かつ大容量記録が可能な磁気記録においては、高密度記録の可能な磁気記録媒体の開発が強く要求され、種々の研究開発によりここ数年で著しい高密度化が実現された。しかし、将来的に更なる進化が期待される情報化社会において、例えば十年、二十年先の市場要求に対応できる技術的見通しは殆ど得られていない。
【０００３】
この技術的行き詰まりの最も大きな原因の一つに、現行磁気記録媒体が抱える以下のような原理的問題がある。現行の磁気記録媒体用薄膜は、ＣｏＣｒＰｔを主体とする合金薄膜であり、この薄膜を構成する個々の微粒子内では磁気相分離によりＣｏリッチ強磁性領域の中心部を非磁性Ｃｒリッチの殻が取り囲む構造をとっている。この構造は、強磁性粒子間の磁気的結合を低減させ、その結果優れたＳ／Ｎの実現を可能にしている。
【０００４】
しかしながら、記録密度の飛躍的増加に伴い、Ｓ／Ｎ確保のために個々の磁性粒子の体積を一層低減することが強く求められるようになった。このような構成粒子のサイズ低減は、以下に述べる磁化の熱擾乱（記録状態の不安定化）という実用上深刻な問題を引き起こす。
【０００５】
磁気記録媒体を構成する磁性粒子が有する磁気異方性エネルギーをＫ，粒子体積をＶとすると、それらの積ＫＶが磁化の安定性の指標となる。熱エネルギーはｋＴ（ｋ：ボルツマン定数，Ｔ：温度）と表されるから、この量がＫＶに比べ無視できなくなると、熱擾乱が顕著となり、磁化状態（メモリー情報）の消失につながる。
【０００６】
上述したように、高密度記録媒体では、Ｓ／Ｎの面から磁化単位Ｖの微小化が求められ、熱安定性の面からはＫＶの増加が求められる。このような観点から、これら相反する要求を如何にして両立させるかが現在の磁気記録技術に課せられた大きな問題である。単純に考えれば、低いＶを保ちながら高い磁気異方性エネルギー材料を有する材料をことが有効と考えられる。
【０００７】
例えば、永久磁石材料であるＳｍ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂなどの希土類化合物やＣｕＡｕ型構造のＦｅＰｔ、ＣｏＰｔなどの規則合金は、Ｋ〜１０８ｅｒｇ／ｃｃ程度の高い磁気異方性エネルギーを有し、その値は現行のＣｏＣｒＰｔ合金の値（Ｋ〜１０６ｅｒｇ／ｃｃ）に比べ二桁程度も高い。そのため粒子サイズの低減と熱安定性の確保を両立できる可能性があり、このような背景から記録材料への適用が活発に研究されている。
【０００８】
一方で、上述したような高磁気異方性エネルギーの材料を用いて磁気記録媒体を作製した場合に、磁気ヘッドを用いた磁気記録が実現できるか否かを考慮する必要がある。記録層を構成する磁性粒子の磁化を高速で反転させる〈記録する〉のに必要な磁界（磁化反転磁界）はおよそＨｒ≒２Ｋ／Ｍｓである。したがって、上述した高磁気異方性エネルギー材料から記録層を構成し、熱安定性のために異方性エネルギーＫをむやみに増大すると、記録のために要する磁化反転磁界が著しく増大し、記録を行うことができなくなる。
【０００９】
したがって、現状においては、記録が可能な範囲の磁気異方性を有し、メモリー情報を熱安定的に長期間保持することのできる磁気記録媒体を得ることができでいる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、比較的小さい磁化反転磁界で記録を可能とするとともに、高い熱的安定性を有し、メモリー情報を長期間安定的に保持しておくことができる新規な磁気記録媒体及びその作製方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく、本発明は、
飽和磁化Ｍｓが３００ｅｍｕ／ｃｃ〜８００ｅｍｕ／ｃｃであって、Ｅ＝（Ｋ１−２πＭｓ２）ｓｉｎ２θ＋Ｋ２ｓｉｎ４θ（θ：磁化と磁化容易軸とのなす角度）で表される垂直磁気異方性エネルギーにおける磁気異方性定数Ｋ１及びＫ２が、５×１０３Ｍｓ≦Ｋ１≦１５×１０３Ｍｓ及び０．２≦Ｋ２／Ｋ１なる関係を満足する記録磁性層を具えることを特徴とする、磁気記録媒体に関する。
【００１２】
本発明者らは、上記目的を達成すべく、実験面及び理論面から種々の検討を実施した。その結果、磁気記録媒体を構成する記録磁性層において、その飽和磁化Ｍｓを３００ｅｍｕ／ｃｃ〜８００ｅｍｕ／ｃｃとし、Ｅ＝（Ｋ１−２πＭｓ２）ｓｉｎ２θ＋Ｋ２ｓｉｎ４θ（θ：磁化と磁化容易軸とのなす角度）で表される垂直磁気異方性エネルギーにおける磁気異方性定数Ｋ１及びＫ２が、５×１０３Ｍｓ≦Ｋ１≦１５×１０３Ｍｓ及び０．２≦Ｋ２／Ｋ１なる関係を満足するようにすることにより、比較的小さい磁化反転磁界で記録を行うことができ、かつ熱的安定性を十分に確保するに足る大きな磁気異方性を有することを見出した。
【００１３】
飽和磁化Ｍｓ＜３００ｅｍｕ／ｃｃでは、熱的安定性を確保するための磁気異方性（定数）に対し、飽和磁化Ｍｓが小さいために、磁化反転磁界Ｈｒ≒２Ｋ／Ｍｓが過大になって、通常の磁気ヘッド（飽和磁束密度Ｂｓ〜２Ｔ）で確実に記録を行うことが困難となる。また、飽和磁化Ｍｓ＞８００ｅｍｕ／ｃｃでは、垂直記録を行う場合の反磁場が大きくなり過ぎて、確実に記録を行うことが困難となる。したがって、本発明においては、３００ｅｍｕ／ｃｃ＜Ｍｓ＜８００ｅｍｕ／ｃｃとすることにおり、確実に記録を行うことができるようになる。また、飽和磁化Ｍｓが前述した範囲外であると熱的安定性にもある程度の影響を及ぼし、メモリー情報を長期に亘って保持することができなくなる
【００１４】
また、異方性定数Ｋ１＜５×１０３Ｍｓでは、異方性エネルギーが小さくなり過ぎて熱的安定性を確保することができず、異方性定数Ｋ１＞１５×１０３Ｍｓでは、磁化反転磁界Ｈｒ≒２Ｋ／Ｍｓが過大となって、記録動作が困難になる。したがって、５×１０３Ｍｓ≦Ｋ１≦１５×１０３Ｍｓを満足することが必要となる。
【００１５】
しかしながら、上述した第１次の磁気異方性定数Ｋ１に比較して、第２次の磁気異方性定数Ｋ２が磁化の熱的ゆらぎに大きく寄与するので、上述した第１次の磁気異方性定数Ｋ１に対する関係式が満足されたのみでは、十分な熱的安定性を実現することができず、さらなる熱的安定性向上のためには、０．２≦Ｋ２／Ｋ１なる関係を満足することが必要である。すなわち、記録のための磁化反転磁界Ｈｒに関連して、第１次の磁気異方性定数Ｋ１を小さくした場合においても、第２次の磁気異方性定数Ｋ２をある程度大きくして前記関係式を満足するようにすれば、前記磁気記録媒体に対して十分な熱的安定性を付与することができる。
【００１６】
このように本発明においては、磁気記録媒体の十分な熱的安定性を確保するために、２つの磁気異方性定数Ｋ１及びＫ２が同時に上述した関係を満足することが必要である。
【００１７】
磁性材料を構成する電子のエネルギーから見れば、異方性エネルギーは極めて小さいために、上述した２つの磁気異方性定数が上述した関係式を満足させるための理論的な指針は存在しない。しかしながら、本発明者らは、磁性材料の組成及び構造を広範に変化させてそれらの挙動を実験により丹念に調べていくことにより、前記磁性材料における価電子数と結晶格子とが磁気異方性定数Ｋ１及びＫ２に重大な影響を及ぼすことを見出し、以下に詳述するように、磁気記録媒体を構成する材料組成は層構成などを適宜制御することによって、上述した関係式を満足するようにしている。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を発明の実施の形態に即して詳細に説明する。
図１は、本発明の磁気記録媒体の好ましい態様の一例を示す構成図である。図１に示す磁気記録媒体１０においては、基板１１上に、軟磁性下地層１２、配向制御用シード層１３、記録磁性層１４及び保護潤滑層１５が順次に形成されている。
【００１９】
基板１１は、強化ガラス、非晶質メッキ層を有するアルミニウム基板、又はポリカーボネート基板などの樹脂基板を使用することができる。
【００２０】
軟磁性下地層１２は、パーマロイ、センダスト、ＣｏあるいはＦｅ基微結晶合金、ＣｏあるいはＦｅ基非晶質合金などの材料から構成することができる。また、磁性層／磁性層あるいは磁性層／非磁性層などの多層膜構造体から構成することができる。また、その厚さは１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。このような軟磁性下地層１２を設けることによって、記録磁性層１４の結晶格子などが所望の状態となると考えられ、記録磁性層１４の、磁気異方性定数Ｋ１及びＫ２に関する上述した関係式を簡易に実現できるようになる。但し、本発明において、軟磁性下地層１２は必須の構成要素ではない。
【００２１】
なお、軟磁性下地層１２は、ＣＶＤやスパッタリング法、メッキ法など公知の成膜手法を用いて形成することができる。また、基板１１上に非磁性及び磁性のシード層を形成した後、このシード層を介して形成することもできる。
【００２２】
配向制御用シード層１３は、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔａ及びＷなどの金属や、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅなどの共有結合性物質から構成することができる。また、その厚さは５ｎｍ以下とすることが好ましい。このような配向制御用シード層１３を設けることにより、記録磁性層１４の成長初期からの結晶配向性を改善することができるとともに、記録磁性層１４の結晶格子などが所望の状態となると考えられ、記録磁性層１４の、磁気異方性定数Ｋ１及びＫ２に関する上述した関係式を簡易に実現できるようになる。但し、本発明において、配向制御用シード層１３は必須の構成要素ではない。
【００２３】
なお、配向制御用シード層１３も、ＣＶＤやスパッタリング法など公知の成膜手法を用いて形成することができる。
【００２４】
記録磁性層１４は、上述したように、飽和磁化Ｍｓが３００ｅｍｕ／ｃｃ〜８００ｅｍｕ／ｃｃであって、Ｅ＝（Ｋ１−２πＭｓ２）ｓｉｎ２θ＋Ｋ２ｓｉｎ４θ（θ：磁化と磁化容易軸とのなす角度）で表される垂直磁気異方性エネルギーにおける磁気異方性定数Ｋ１及びＫ２が、５×１０３Ｍｓ≦Ｋ１≦１５×１０３Ｍｓ及び０．２≦Ｋ２／Ｋ１、好ましくは０．４≦Ｋ２／Ｋ１なる関係を満足することが要求される。
【００２５】
このような要件を満足すべく、記録磁性層１４はコバルト基合金薄膜から構成することができる。前記コバルト基合金薄膜としては、ＣｏＣｒ、ＣｏＭｏ及びＣｏＷの少なくとも一つから構成されることが好ましい。また、前記コバルト基合金薄膜は、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＮｉの少なくとも一つを含むことができる。
【００２６】
また、記録磁性層１４はグラニュラー薄膜から構成することができる。前記グラニュラー薄膜はコバルト基合金粒を含むことが好ましい。また、前記コバルト基合金粒は、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＮｉの少なくとも一つを含むことができる。なお、前記グラニュラー薄膜の母材は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３及びＺｒＯ２などから構成することができる。
【００２７】
記録磁性層１４を上述した材料から構成することにより、その価電子数や結晶格子が所望の値になると考えられ、上述した関係式を簡易に実現できるようになる。
【００２８】
なお、記録磁性層１４の厚さは５０ｎｍ以下であることが好ましく、さらには２ｎｍ〜２０ｎｍであることが好ましい。
【００２９】
また、記録磁性層１４をグラニュラー薄膜から構成する場合、前述したコバルト基合金粒に代えて、Ｓｍ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂなどの希土類化合物やＣｕＡｕ型構造のＦｅＰｔ、ＣｏＰｔなどの規則合金の微粒子を用いることもできる。
【００３０】
前記コバルト基合金薄膜は、上述したように、ＣＶＤやスパッタリング法など公知の成膜手法を用いて形成することができる。また、前記グラニュラー薄膜は、母材となるＳｉＯ２などの材料と、コバルト基合金などの磁性材料とを、スパッッタリングなどの手法を用いて同時に堆積させるようにすることによって形成することができる。
【００３１】
潤滑層１５は記録再生の際の磁気ヘッドの摩擦を抑制するために設けらえれているものであり、例えば非晶質カーボンなどから厚さ数ｎｍに形成することができる。なお、必要に応じて、フルオロカーボン系の潤滑層を追加することもできる。
【００３２】
図１に示す磁気記録媒体１０では、その最小磁化単位を１０３ｎｍ３以下にまで極小化することができ、１平方インチ当り２００ギガビット以上、特には４００ギガビット以上の記録密度を実現することができる。
【００３３】
【実施例】
（実施例）
直径２インチの強化ガラス基板上に、軟磁性下地層として膜厚１８０ｎｍのＣｏＮｂＺｒ膜を直流マグネトロンスパッタにより室温で形成した。次いで、前記ＣｏＮｂＺｒ膜上に、配向制御用シード層として膜厚５ｎｍの非磁性シード層を積層した。非磁性シード層としてはＲｕ、Ｐｄ、Ｐｔなどの材料を用いた。次いで、基板温度Ｔｓを２０℃〜１５０℃の範囲で変化させるとともに、記録磁性層として厚さ１５ｎｍのグラニュラー薄膜を形成した。
【００３４】
前記グラニュラー薄膜は、［Ｃｏ１−（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）ＣｒＸＰｔＹＩｒＺ］合金（０≦Ｘ≦２０，０≦Ｙ≦３０，０≦Ｚ≦１５）とＳｉＯ２とを同時に堆積して形成した。なお、前記グラニュラー薄膜中におけるＳｉＯ２の体積充填率は３０〜５０％の範囲で変化させた。
【００３５】
次いで、前記グラニュラー薄膜上に、厚さ３ｎｍの非晶質カーボン層を形成し、次いで平均膜厚１ｎｍのフルオロカーボン系潤滑層をディップ塗布して潤滑層を形成した。
【００３６】
このようにして得た磁気記録媒体に対して記録再生操作を行い、ＳＮ比、重ね書きＳＮ、及び出力劣化率の評価を実施した。記録再生実験に用いた磁気ヘッドは、シールドギャップに磁気抵抗効果素子を埋め込んだ単磁極型ヘッドである。記録トラック幅は８０ｎｍ、再生トラック幅は６５ｎｍ、主磁極の飽和磁束密度は２．４Ｔである。また磁気ヘッド浮上量は記録磁性層表面を基準にして１０ｎｍとした。
【００３７】
ＳＮ比は、トラック密度２．８×１０５トラック／インチ、線密度１４×１０５ビット／インチの記録条件で評価した。これはおよそ４００ギガビット／（インチ）２の面記録密度に相当する。また、重ね書きＳＮ比は、線密度１４×１０５ビット／インチの２ｆパターン上に１．７×１０５ビット／インチの１ｆパターンを記録することによって評価した。さらに、出力劣化率は、室温での放置時間に対する信号の減衰を追った。十分な熱的安定性を有し、長期に亘ってメモリー情報を保持するためには、出力劣化率を０．６％／ｄｅｃａｄｅ以内に抑える必要がある。
【００３８】
また、前記磁気記録媒体の記録磁性層である前記グラニュラー薄膜の飽和磁化Ｍｓは試料振動型磁力計で計測し、磁気異方性定数Ｋ１及びＫ２は磁気光学効果を一般化した用いたＳｕｃｋｓｍｉｔｈ−Ｔｈｏｍｐｓｏｎ法［Ｓ．Ｏｋａｍｏｔｏ  ｅｔ  ａｌ．  Ｊｏｕｍａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，９０巻，８号，４０８５頁，２００１年］により決定した。
【００３９】
さらに、結晶学的配向性の評価にはＣｕ−Ｋα線によるＸ線回折装置を用い、粒子サイズは電界放射型走査電子顕微鏡と透過電子頃微鏡により測定した。今回作製した全試料について、その粒径分布はほぼ次の対数正規分布に従うことがわかった。
【００４０】
【数１】
2005044415.tif 000003
ここでβｖが分布の広がり、Ｄ０が中心粒子直径である。
【００４１】
対数正規分布へのフイッティングから求めたＤ０を用いて粒子体積Ｖを計算した結果、本実施例で準備した全試料の粒子体積Ｖは６００ｎｍ３〜８００ｎｍ３の範囲に入ることが確認された。評価結果及び計測結果を表１におけるＮｏ．１〜９に示す。
【００４２】
（比較例１）
上記実施例において、前記グラニュラー薄膜中のＳｉＯ２の体積充填率を３０％未満とした。この場合、飽和磁化Ｍｓは８００ｅｍｕ／ｃｃよりも大きくなった。この場合においても、ＳＮ比や粒子サイズなどを実施例同様にして評価及び計測した。評価結果及び計測結果を表１のＮｏ．１０及び１１として示す。
【００４３】
（比較例２）
上記実施例において、前記グラニュラー薄膜中のＳｉＯ２の体積充填率を６０％以上とした。この場合、飽和磁化Ｍｓは３００ｅｍｕ／ｃｃよりも小さくなった。この場合においても、ＳＮ比や粒子サイズなどを実施例同様にして評価及び計測した。評価結果及び計測結果を表１のＮｏ．１２及び１３として示す。
【００４４】
（比較例３）
上記実施例において、記録磁性層のＰｔの含有率をゼロとすることにより異方性定数Ｋ１を低下させた。評価結果及び計測結果を表１のＮｏ．１４として示す。
【００４５】
（比較例４）
上記実施例において、記録磁性層のＩｒ含有率をゼロとすることにより異方性定数Ｋ２を低下させ、Ｋ２／Ｋ１＜０．２とした。評価結果及び計測結果を表１のＮｏ．１５及び１６として示す。
【００４６】
【表１】
2005044415.tif 000004
【００４７】
表１から明らかなように、本発明の要件を満足する記録磁性層としてのグラニュラー薄膜を有する実施例の磁気記録媒体においては、良好なＳＮ比及び重書ＳＮ比を呈するとともに、十分に低い出力劣化率であることが分かる。したがって、極めて良好な高記録密度記録を実現できるとともに、高い熱的安定性に起因してメモリー情報を長期に亘って保持できることが分かる。
【００４８】
一方、比較例１〜４で得た磁気記録媒体においては、実施例で得た磁気記録媒体と比較して、ＳＮ比及び重書ＳＮ比が低下するとともに、出力劣化率が増大していることが分かる。したがって、高密度記録に劣るとともに、低い熱的安定性に起因してメモリーの長期保存に適していないことが分かる。
【００４９】
以上、具体例を示しながら発明の実施の形態に則して本発明を説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない範囲において、あらゆる変形や変更が可能である。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、比較的小さい磁化反転磁界で記録を可能とするとともに、高い熱的安定性を有し、メモリー情報を長期間安定的に保持しておくことができる新規な磁気記録媒体及びその作製方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の好ましい態様の一例を示す構成図である。
【符号の説明】
１０  磁気記録媒体
１１  基板
１２  軟磁性下地層
１３  配向制御用シード層
１４  記録磁性層
１５  潤滑層
【図１】
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