(57)【要約】【課題】シールド処理によらずに金属酸化物粉体成形焼成物の導電膜にニッケルメッキを施す。【解決手段】金属酸化物粉体成形焼成物上の導電膜にニッケルメッキを施すに際し、メッキ液の主成分として選定されたニッケル塩の濃度を７０〜２００ｇ／Ｌ、メッキ液のｐＨを５．４〜６．６、メッキ液の温度を６０℃±５℃に保ち、通電電流３Ａ〜５Ａで２時間以内に金属酸化物粉体成形焼成物の素体に直接メッキを施す。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッキ条件調整処理を有し、金属酸化物粉体成形焼成物の素体表面に表面保護層や絶縁コートを設けることなく、金属酸化物粉体成形焼成物上の導電膜にニッケルメッキを施す方法であって、
メッキ条件調整処理は、メッキ液のニッケル塩濃度と、メッキ液のｐＨと、温度とを調整して金属酸化物粉体成形焼成物の素体にエッチングを生じさせず、且つ該素体にメッキを付着させない処理であることを特徴とする金属酸化物粉体成形焼成物上の導電膜にニッケルメッキを施す方法。
【請求項２】
メッキ条件調整処理は、メッキ液の主成分として選定されたニッケル塩の濃度を７０〜２００ｇ／Ｌ、メッキ液のｐＨを５．４〜６．６、メッキ液の温度を６０℃±５℃に保ち、素体の抵抗値に応じて通電電流を３Ａ〜５Ａの範囲内で調整し、２時間以内で導電膜に直接メッキを施す処理であることを特徴とする請求項１に記載の金属酸化物粉体成形焼成物上の導電膜にニッケルメッキを施す方法。
【請求項３】
スルファミン酸浴を浴種とする金属酸化物粉体成形焼成物上の導電膜用ニッケルメッキ液組成物であって、メッキ処理時の通電電流３Ａ〜５Ａ、通電時間２時間以内、メッキ処理時の温度は６０℃±５℃、ニッケル塩濃度を安定に保持することを条件として、
７０〜２００ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケルを主体とし、ｐＨは５．４〜６．６に調整されていることを特徴とする金属酸化物粉体成形焼成物上の導電膜用ニッケルメッキ液組成物。
【請求項４】
陽極溶解剤と、ｐＨ調整剤と、ｐＨ緩衝剤とを選択的に含み、
陽極溶解剤は、メッキ液のニッケル塩濃度の変動を補償するものであり、
ｐＨ調整剤は、メッキ液のｐＨを５．４〜６．６に調整するものであり、
ｐＨ緩衝剤は、金属酸化物粉体成形焼成物上のメッキ付着部分を中和するものであることを特徴とする請求項３に記載の金属酸化物粉体成形焼成物上の導電膜用ニッケルメッキ液組成物。
【請求項５】
ｐＨ緩衝剤として１〜１０ｇ／Ｌのほう酸を、陽極溶解剤として１０ｇ／Ｌ以下の臭化ニッケルを、ｐＨ調整剤として１〜３ｇ／Ｌの炭酸ニッケルを含むものであることを特徴とする請求項４に記載の金属酸化物粉体成形焼成物上の導電膜用ニッケルメッキ液組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属酸化物粉体成形焼成物上の導電膜にニッケルメッキを施す方法と、導電膜用ニッケルメッキ液組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
金属酸化物粉体成形焼成物、例えばセラミックチップは、サーミスタ、バリスタなどの電子部品に広く用いられている。セラミックチップを電子部品に組み立てるには、その両端外表面の一定領域に電極が形成される。セラミックチップに電極を形成する方法として、例えば、特許文献１には、従来例として次のような方法が紹介されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平８−３３０１１６号公報
【０００４】
特許文献１に記載されたサーミスタ等の電子部品の従来の電極形成方法は以下の通りである。すなわち、コンデンサ、サーミスタなどのチップ部品素子（セラミックチップ）の両端面にＡｇあるいはＡｇ−Ｐｄペーストを塗布して乾燥した後、所定の温度で焼付して下地電極を形成し、次に電解メッキ浴中でＮｉ電極、次にＳｎ又は半田電極からなる上部電極を形成するというのである。しかしながら上記方法によるときには、その製造方法は煩雑でコストも高くなることから、特許文献１に記載された発明は、チップ部品素子の表面に焼き付けた銅電極よりなる下地電極を形成し、この下地電極上に半田付け用のフラックスとして溶剤を塗布し、この溶剤を介して粉末状半田を下地電極上に付着させた後、加熱して上部電極を形成する方法を提供することを目的として電解メッキ工程を不要とする成形方法を提案している。
【０００５】
コンデンサ、サーミスタなどのチップ部品素子に電極を形成する場合には、通常は電解メッキによって形成するのが一般的であり、セラミックチップにニッケルメッキを施す必要性は、電子部品に半田付けが必要であるのと同程度に必要な条件であるとされている。
【０００６】
通常、セラミックチップの電極形成部分に通常の手法を用いてメッキを施すときには、電極形成部分以外のセラミックチップの素体表面にメッキ金属が付着すること（素体へのメッキ付着）、さらに素体表面にメッキ金属が付着するだけでなく、電極から素体上に伸びてメッキ膜が形成されること（素体へのメッキ伸び）、あるいはセラミックチップの素体が侵食される（素体エッチング）という現象が生じることがある。電極以外の部分にメッキを付着させず、また、セラミック素体にエッチングを生じさせないために、従来はセラミックチップの表面に表面保護層や絶縁コートを形成することで対応していた。特許文献２には、セラミックチップの表面の全面にわたり、耐メッキ性の無機物層を設ける例が記載されている。
【０００７】
【特許文献２】特開平５−２５１２１０号公報
【０００８】
特許文献２には、セラミックチップを無機物層にて被覆する方法（シールド処理）として、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法のような物理蒸着法（ＰＶＤ法）又は化学蒸着法（ＣＶＤ）が紹介されている。
【０００９】
また、素体へのメッキ付着は、ニッケルメッキを施す際のメッキ浴の管理などメッキ条件によっても左右されるが、ニッケルメッキを施す際のメッキ浴の管理などメッキ条件がさほど厳密でなくても、メッキ被り（素体へのメッキ付着）が起こり難いことが望ましいには違いない（特許文献３参照）。
【００１０】
【特許文献３】特開平１１−３３５８９０
【００１１】
しかし、特許文献３においては、メッキ条件の管理のみによる方法では不安定であり、確実性に欠け、品質の低下を招いていたとして、メッキ条件の管理では解決できないことを明らかにし，結局その解決手段として、最上層と最下層の電気絶縁層をメッキ被りの起こり難いセラミック素材によって積層チップ構造を構成したというのである。結局は、この方法も特許文献２に記載された方法と基本的には同じである。ところが、特許文献３に記載の発明に用いられるシールド処理によるときには、メッキ被りの起こり難いセラミックス素材から形成された電気絶縁層をチップの上下面に積層するのみであるため、チップの上下面のメッキ被りはなくなるとしても、チップの側面でのメッキ被りの発生は避けられない。
【００１２】
いずれにしても、メッキ条件の管理のみでは、メッキ被りは防止できないとし、その解決方法は、実質的に特許文献２に記載されたようなシールド処理によらざるを得ないと考えられているのである。これらの例のように素体へのメッキ付着（メッキ被り）に関しては、幾つかの文献中に取り上げられているのであるが、素体エッチングの問題については従来はあまり考察されたことがなかったようである。特許文献を調査したが、メッキ処理による素体エッチングの問題に触れた先行例は見出すことができなかった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
このように、セラミックチップに電気メッキを施すには、必ずその表面を保護層、絶縁層にて被覆処理するシールド処理が必要であるとされていたのであるが、そもそも表面保護層や絶縁コートによる表面処理でセラミックチップの表面を完全にシールドすることは難しく、このため、メッキ処理に際し、セラミックチップの素体がメッキ液中に浸されることによって、素体エッチング、素体へのメッキ付着などの不具合の発生はどうしても避けることができない。
【００１４】
次に電気部品の製造コストの面を考えると、メッキの際にシールド処理を行なうことによって工数が増える。ところで、メッキ処理は、サーミスタ等の電子部品の場合、３〜５Ａの通電電流で約２時間をかけて行なわれるのが通例である。これが、もしシールド処理を行なうことなくメッキすることができれば、工数を減らす上では確かに有利ではあるが、電気部品の製造コストの削減は、メッキ処理に要する電力、工数、資材を含めて総合的に考えなければならならない問題である。
【００１５】
たとえ、メッキの際に、シールド処理が不要であっても、例えば電力消費が大きく、また、シールド処理に替わる他の複雑な工程が必要であったとすれば、当然ながらその方法は、必ずしも有利な方法であるとはいえない。これは、単に電極を形成する場合に限らず、セラミックチップの素体に導電膜を形成する場合にもそのままあてはまる。
【００１６】
本発明の目的は、シールド処理によらずにメッキ条件を調整するのみで、通常のメッキ処理によって、金属酸化物粉体成形焼成物の電極を含む導電膜にニッケルメッキを施す方法と、この方法に用いる導電膜用ニッケルメッキ液組成物を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明による金属酸化物粉体成形焼成物上の導電膜にニッケルメッキを施す方法においては、メッキ条件調整処理を有し、金属酸化物粉体成形焼成物の素体表面に表面保護層や絶縁コートを設けることなく、金属酸化物粉体成形焼成物上の導電膜にニッケルメッキを施す方法であって、
メッキ条件調整処理は、メッキ液のニッケル塩濃度と、メッキ液のｐＨと、温度とを調整して金属酸化物粉体成形焼成物の素体にエッチングを生じさせず、且つ該素体にメッキを付着させない処理である。
【００１８】
また、メッキ条件調整処理は、メッキ液の主成分として選定されたニッケル塩の濃度を７０〜２００ｇ／Ｌ（リットル、以下同じ）、メッキ液のｐＨを５．４〜６．６、メッキ液の温度を６０℃±５℃に保ち、通電電流３Ａ〜５Ａで２時間以内に導電膜に直接メッキを施す処理である。
【００１９】
また、本発明による導電膜用ニッケルメッキ液組成物においては、スルファミン酸浴を浴種とする金属酸化物粉体成形焼成物上の導電膜用ニッケルメッキ液組成物であって、メッキ処理時の通電電流３Ａ〜５Ａ、通電時間２時間以内、メッキ処理時の温度は６０℃±５℃、ニッケル塩濃度を安定に保持することを条件として、
７０〜２００ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケルを主体とし、ｐＨは５．４〜６．６に調整されているものである。
【００２０】
また、陽極溶解剤と、ｐＨ調整剤と、ｐＨ緩衝剤とを選択的に含み、
陽極溶解剤は、メッキ液のニッケル塩濃度の変動を補償するものであり、
ｐＨ調整剤は、メッキ液のｐＨを５．４〜６．６に調整するものであり、
ｐＨ緩衝剤は、金属酸化物粉体成形焼成物上のメッキ付着部分を中和するものである。
【００２１】
また、ｐＨ緩衝剤として１〜１０ｇ／Ｌのほう酸を、陽極溶解剤として１０ｇ／Ｌ以下の臭化ニッケルを、ｐＨ調整剤として１〜３ｇ／Ｌの炭酸ニッケルを含むものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に本発明をセラミックチップ上の端子電極の形成に適用したときの実施の形態を説明する。
【００２３】
本発明による金属酸化物粉体成形焼成物上の導電膜にニッケルメッキを施す方法においては、サーミスタ、バリスタなどの電気部品に加工するセラミックチップの電極形成部分のメッキ処理に際し、セラミックチップの素体表面に表面保護層や絶縁コートを設けることなく、セラミックチップの基体の一部に付された電極の導電膜にニッケルメッキを施すものである。本発明によるメッキ処理は、メッキ液のニッケル塩濃度と、メッキ液のｐＨと、温度とを調整することによって実現される。すなわち、ニッケル塩濃度を低く抑え、その濃度を安定に保ち、ｐＨを酸性領域でできるだけ高く（中性側に値を近づけて）設定し、しかも一定温度の下で、電極面へのメッキの付着速度を遅らせることである。これらの条件が適正に選ばれたときに素体のエッチングや、素体へのメッキ付着、メッキ伸びがなく、端子電極に限って良好にメッキが施される。
【００２４】
本発明において、セラミックチップに対する電極形成は、以下の手順で行なわれる。すなわち、セラミックチップのグリーンシートを所定の大きさのチップに裁断する。次にそのチップを焼成後、バレル研磨し、その端子電極形成部分に電極液（Ａｇ）を塗布し、電極の焼付けを行なった後、表面保護層や絶縁コートを形成することなく、直ちにメッキ処理を行なう。メッキ処理は、通常はＮｉメッキとＳｎメッキとの２段階メッキが行なわれるが、本発明においては、Ｎｉメッキ処理を問題にしている。
【００２５】
メッキ条件調整処理は、基本的にメッキ液の主成分として選定されたニッケル塩の濃度を薄く、メッキ液のｐＨを５．４〜６．６に調整し、温度を６０℃±５℃の範囲に調整する処理であるが、その処理には以下に述べるニッケルメッキ液組成物が用いられる。本発明において、メッキ浴のニッケル塩には、ニッケル塩濃度７０〜２００ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケルを用いる。この濃度は、一般の金属にＮｉメッキを行なう場合に用いられるスルファミン酸ニッケルのニッケル塩濃度４００〜４５０ｇ／Ｌの半分以下である。
【００２６】
本発明によるセラミックチップ上の端子電極用ニッケルメッキ液組成物は、スルファミン酸浴を浴種とし、ニッケル塩としてスルファミン酸ニッケルを主体として選定されたニッケル浴を形成するものであり、メッキ液のニッケル塩濃度の変動を補償するため、陽極溶解剤を含み、メッキ浴のｐＨを５．４〜６．６の範囲に安定に保持するため、ｐＨ調整剤を含み、メッキ付着部分を中和するためにｐＨ緩衝剤を含んでいる。
【００２７】
ｐＨ緩衝剤は、ほう酸であり、１〜１０ｇ／Ｌを添加する。ｐＨ調整剤は、炭酸ニッケルであり、１〜３ｇ／Ｌを添加する。陽極溶解剤は、臭化ニッケルであり、メッキ液の温浴中に１０ｇ／Ｌ以下を添加する。一般にニッケル塩にスルファミン酸ニッケルを選定するのは、水に対する溶解度が大きく、高濃度浴が使用できること、塩からの析出物は残留応力が小さいため、主成分として最適であると判断されているからである。
【００２８】
セラミックチップの素体表面にメッキ金属を付着させないためには、前述のように、金属メッキに比べてニッケル塩濃度を低く抑えることのほか、ｐＨ緩衝剤であるほう酸の添加量を可能な限り抑え、メッキ浴の温度を金属メッキの際のメッキ浴の温度（５０℃）よりも高くし、メッキ処理での電流、通電時間を適正に管理してＮｉの成長を遅延させると効果があることが分かった。
【００２９】
もし、金属メッキと同様にニッケル塩濃度４００〜４５０ｇ／Ｌの単位でセラミックチップのメッキ液としてスルファミン酸ニッケルを使用したときには、ニッケル塩濃度が高く、また、ｐＨの数値が低い（酸性度が高い）ので、素子形状を維持できない程度にセラミックチップ素体のエッチングが進行し、素子特性の抵抗値が著しく変化してしまうという不都合が生じる。
【００３０】
また、ニッケル塩濃度が高いと、電気メッキのニッケル膜の成長速度が速く、目的とする領域以外にも着層されてしまうため、金属メッキと同じ条件で使用することはできない。このため、本発明においては、スルファミン酸ニッケルの濃度を７０〜２００ｇ／Ｌの範囲に特定してセラミックチップのエッチング防止の基本組成として有効な範囲であることが確認できた。
【００３１】
臭化ニッケルは、陽極溶解剤としてメッキ液のニッケル塩濃度の変動を防止するために添加される。その添加量は、一般に金属メッキの場合に５〜７０ｇ／Ｌとされているのに対し、本発明においては、１０ｇ／Ｌ以下の添加でスルファミン酸の濃度管理が可能である。
【００３２】
ところで、セラミックチップの素体にメッキ液が付着すると、セラミックチップは局部的に酸性となり、その部分に「焼け焦げ」が生ずるが、ｐＨ緩衝剤として１〜１０ｇ／Ｌの範囲で適量のほう酸を添加するとこのような不具合を防止できる。メッキ浴のｐＨについては、一般の金属メッキでは、ｐＨは、通常４程度に調整されるが、セラミックチップに対してｐＨを４にすると、素体に「エッチング」が生じてしまうため、これを防ぐには、本発明においては５．４以上に調整し、その上限を６．６以内に抑えることが安全である。
【００３３】
メッキ浴の温度を６０±５℃の範囲に調整することによって、セラミックチップの素体に対するメッキ付着を防止できる。温浴が４０℃より低いとメッキ金属の延びが速く、逆に温度が高いとメッキ付着が起こる。さらに温浴の温度が高く、例えば７０℃になると、スルファミン酸ニッケルが硫化してメッキ不能となる。
メッキ条件が以上述べたように適正に調整されていると、セラミックチップの抵抗値にもよるが、通電電流３Ａ〜５Ａ、通電時間２時間以内で、セラミックチップ素体に素体エッチングを生じさせず、素体にメッキを付着させずに端子電極面にのみ均一にＮｉメッキ膜を付着させることができる。
【００３４】
表１に、本発明によるメッキ液の組成と、メッキ液の作成条件をあわせて示す。
【００３５】
【表１】
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【００３６】
本発明において重要な点は、メッキ処理中は、メッキ液のニッケル塩濃度を７０〜２００ｇ／Ｌの範囲で、メッキ液のｐＨを常に５．４〜６．６の範囲に安定に維持することである。陽極溶解剤、ｐＨ調整剤、ｐＨ緩衝剤の添加は、メッキ液のニッケル塩濃度、ｐＨを上記範囲に保たせるために添加するのであって、陽極溶解剤、ｐＨ調整剤、ｐＨ緩衝剤の添加量を表１に規定する範囲に調整することが重要ということではない。例えば、ニッケル塩の濃度が７０〜２００ｇ／Ｌの範囲内で高濃度のときには、ｐＨ緩衝剤として添加されるほう酸の量は少なくてよいが、逆にニッケル塩の濃度が低濃度のときに、メッキの精度を上げるには、ほう酸を１０ｇ／Ｌの範囲内で多量に添加しなければならない。以上実施形態においては、セラミックチップのＡｇ端子電極にＮｉメッキを行なう例について説明したが、本発明は端子電極に限らず、セラミックチップを含む金属酸化物粉体成形焼成物の一部に付された導電膜上にＮｉメッキを施す場合に広く適用できるのは言うまでもない。
【００３７】
（実施例）以下に本発明の実施例を示す。
内部電極が付された２以上のグリーンシートを積層し、積層を圧縮して個々のチップに裁断後、焼成されたセラミックチップの両端部分の一定範囲にわたって外部電極形成用の端子電極ペースト（Ａｇ）を塗布し、その後、電極ペーストを焼きつけた。外部端子電極の焼付け温度はおよそ６００℃〜８５０℃である。次にメッキ処理を行なった。メッキ処理には、開放型特殊バレルを用い、これを回転させながら、メッキ槽内のＮｉメッキ液にセラミックチップと、通電用メディアとを投入し、メッキ液のニッケル塩濃度を一定に保ち、メッキ条件の安定化を図った。以下に、それぞれのメッキ処理条件に対するメッキの付着状況についての結果を示す。
【００３８】
＜実施例１＞
○セラミックチップの材料
ＭｎＣｏ系セラミック、抵抗値２．７ｋΩ、比抵抗値、３００Ω・ｃｍ
○メッキ液配合
スルファミン酸ニッケル    １５０ｇ／Ｌ
ほう酸                        ２ｇ／Ｌ
臭化ニッケル              ２．０ｇ／Ｌ
炭酸ニッケル              １．５ｇ／Ｌ
ｐＨ                          ５．６
温度                          ６０℃
電流、通電時間        ５Ａ×１．５Ｈ
実施例１によるメッキの付着状況を図１に示す。図１（ａ）は、メッキ処理後のセラミックチップの外観を示す写真である。図１（ｂ）はメッキ前のセラミックチップの拡大写真（×１００）であり、図１（ｃ）は、メッキ処理後の拡大写真（×１００）を示している。図１（ａ）では、幾つかのセラミックチップが撮影されているが、いずれも電極と素体面とか明瞭に区別でき、その内の一つの拡大写真である図１（ｂ）と、図１（ｃ）とを比較しても分かるようにメッキの前後においてチップ表面の違いは殆ど認められない。図１（ｄ）は、メッキ後のチップの長さ方向の断面の拡大写真（×１５０）、図１（ｅ）は、端子電極と、素体との境界部分を示す図１（ｄ）のさらに拡大写真（×１０００）、図１（ｆ）は、メッキ後のチップの幅方向の拡大写真（×２００）、図１（ｇ）は、同じくメッキ後のチップの端子電極と、素体との角部分の拡大写真（×１０００）である。いずれも、端子電極にのみメッキが付着し、素体面へのメッキの付着や素体エッチングはまったく認められなかった。実施例１に示すニッケルメッキ処理はメッキ条件調整処理が適正に実行されたものであることがわかる。
【００３９】
＜実施例２＞
実施例２は、セラミックチップの材料にＭｎＣｏＣｕ系セラミック（比抵抗値７Ω・ｃｍ）を用い、スルファミン酸ニッケルを、それぞれ７０ｇ／Ｌ（下限値）、２００ｇ／Ｌ（上限値）、ほう酸を１０ｇ／Ｌ、通電電流３Ａ、通電時間１．５Ｈに設定し、他の配合および条件は実施例１と同じ条件でメッキ処理を施した。結果を図２に示す。図２（ａ）は下限値に設定された場合、図２（ｃ）は上限値に設定された場合である。スルファミン酸ニッケルの配合量が下限値７０ｇ／Ｌあるいは、上限値２００ｇ／Ｌのいずれであっても、全体としては、素体エッチング、素体へのメッキの付着は問題にはならないが、その拡大写真（倍率２００倍）の下限値の写真図２（ｂ）、上限値の写真図２（ｄ）でみれば、試料の中には、スルファミン酸ニッケルの配合量が下限のものでは、問題がなかったが、上限のものでは、電極面から素体へのメッキの伸びがわずかに生じていることが認められる。
【００４０】
＜実施例３＞
実施例３は、セラミックチップの材料にＭｎＣｏＣｕ系セラミック（比抵抗値３５Ω・ｃｍ）を用い、スルファミン酸ニッケルを、その上限値２００ｇ／Ｌを越えて添加し、通電電流３Ａ、通電時間１．５Ｈに設定し、他の配合および条件は実施例１と同じ条件でメッキ処理を施した例である。結果を図３に示す。図３（ａ）に示すチップの外観をみて明らかの通り、素体の全面にわたってＮｉメッキが付着しているものがあることが分かる。拡大写真では、素体へのメッキの付着（図３（ｂ））、電極から素体へのメッキの伸び（図３（ｃ））がはっきりと観察される。
【００４１】
＜実施例４＞
実施例４は、セラミックチップの材料にＭｎＣｏＣｕ系セラミック（比抵抗値７Ω・ｃｍ）を用い、ほう酸の添加量をそれぞれ０ｇ／Ｌ、２ｇ／Ｌ、１０ｇ／Ｌ、通電電流３Ａ、通電時間１．５Ｈに設定し、他は実施例１と同じ条件でメッキ処理を行なった例である。結果を図４に示す。ほう酸を添加しない例（図４（ａ）、その拡大写真図４（ｂ））では、素体の１部に焼け焦げが生じた。また、ほう酸の添加量１０ｇ／Ｌ（図４（ｅ）、その拡大写真図４（ｆ））では、素体にＮｉが付着することが認められた。ちなみにスルファミン酸ニッケルの添加量７０ｇ／Ｌでは、ほう酸の添加量が１０ｇ／Ｌであっても異常が生じないことが確認された。ほう酸の添加量２ｇ／Ｌ（図４（ｃ）、その拡大写真図４（ｄ））では何ら異常は生じていない。
【００４２】
＜実施例５＞
実施例５は、セラミックチップの材料がＭｎＣｏＣｕ系セラミック（比抵抗値７Ω・ｃｍ）を用い、臭化Ｎｉをそれぞれ１ｇ／Ｌ、５ｇ／Ｌ、１０ｇ／Ｌ、通電電流３Ａ、通電時間１．５Ｈに設定し、他は実施例１と同じ条件でメッキ処理を行なった例である。結果を図５に示す。
図５（ａ）は、臭化Ｎｉの添加量１ｇ／Ｌの場合、図５（ｂ）はその拡大写真、
図５（ｃ）は、臭化Ｎｉの添加量５ｇ／Ｌの場合、図５（ｄ）はその拡大写真、
図５（ｅ）は臭化Ｎｉの添加量１０ｇ／Ｌの場合、図５（ｆ）はその拡大写真、
結果的に、この例では、臭化Ｎｉの添加量の違いによって、素体への影響はほとんど見られなかった。
【００４３】
＜実施例６＞
実施例６は、セラミックチップの材料がＭｎＣｏＣｕ系セラミック（比抵抗値７Ω・ｃｍ）を用い、メッキ浴の温度をそれぞれ４０℃、５０℃、５５℃、６０℃、６５℃、通電電流３Ａ、通電時間１．５Ｈに設定し、他は実施例１と同じ条件でメッキ処理を行なった例である。結果を図６−１、６−２に示す。図６−１（ａ）〜（ｅ）は、順に４０℃、５０℃、５５℃、６０℃、６５℃のときのチップの外観の写真、図６−２（ａ）〜（ｅ）は、順に４０℃、５０℃、５５℃、６０℃、６５℃のときのチップの拡大写真である。図に明らかな通り、５０℃以下では、素体へのメッキ付着および電極面から素体へのメッキの伸びが認められたが、６０℃±５℃の範囲では、異常は認められなかった。
【００４４】
＜実施例７＞
実施例７は、セラミックチップの材料にＭｎＣｏＣｕ系セラミック（比抵抗値７Ωｃｍ）を用い、メッキ浴のｐＨをそれぞれ、６．６、５．６、５．２、４．８、通電電流３Ａ、通電時間１．５Ｈに設定し、他は実施例１と同じ条件でメッキ処理を行なった例である。結果を図７に示す。（ａ）〜（ｄ）は、順にｐＨが６．６、５．６、５．２、４．８に設定されたときのチップの拡大写真である。図に明らかな通り、ｐＨが６．６と、５．６では、チップの素体面にメッキが付着することはなかったが、ｐＨ５．２、ｐＨ４．８では素体の全面に渡って分散してメッキの付着が認められた。
【００４５】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、セラミックチップの表面一部に付されたＡｇ電極その他の導電性膜にメッキ処理を行なうに際し、セラミックチップ表面を被覆する絶縁層、あるいは表面保護層がなくても、セラミックチップ素体にエッチングが生ぜず、またには素体へのメッキ付着、導電膜から素体へのメッキの伸びがないため、メッキ処理に先立つセラミックチップのシールド処理が不要になり、特別の処理工程を必要とせず、従来と同等の電力消費、処理時間でメッキを行なうことができ、したがって、金属酸化物粉体成形焼成物に対するメッキの処理コストを従来法に比べて大幅に削減できる。本発明は、サーミスタ、バリスタ、コンデンサをはじめ、セラミックチップを用いて製造する電気部品の製造工程を簡略化でき、あわせてエッチング、メッキ付着の問題を解消して製品の品質向上に大きく寄与できる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の結果を示す写真である。
【図２】実施例２の結果を示す写真である。
【図３】実施例３の結果を示す写真である。
【図４】実施例４の結果を示す写真である。
【図５】実施例５の結果を示す写真である。
【図６−１】実施例６の結果を示す写真である。
【図６−２】実施例６の結果を示す拡大写真である。
【図７】実施例７の結果を示す写真である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６−１】
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【図６−２】
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【図７】
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