(57)【要約】【課題】  基材の表面から金属酸化物を除去するための装置とそれを含む方法を提供すること。【解決手段】  一つの特定の態様において、装置は、少なくとも一部分は絶縁材料で構成されるハウジングであり、内容積を有し且つこの内容積と流体を介して連通する少なくとも１つの流体入口を有するハウジングと、このハウジングに接続した導電性ベースであり、そこからターゲット領域内へ伸び出した複数の導電性の先端と、それを貫通し且つ上記内容積と流体を介して連通して還元ガスを含むガス混合物を通過させる複数の孔とを含む導電性のベースとを有する電極アセンブリを含む。【選択図】      図５
2005002468.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の処理表面から金属酸化物を除去する方法であって、
ターゲット領域内にある、基材、電極アセンブリ、及びベース電極を用意し、その際、電極アセンブリは、少なくとも一部分は絶縁材料で構成されるハウジングであって、内容積を有し且つこの内容積と流体を介して連通する少なくとも１つの流体入口を有するハウジングと、このハウジングに接続した導電性ベースであって、そこからターゲット領域内へ伸び出した複数の導電性の先端と、それを貫通し且つ上記内容積と流体を介して連通して還元ガスを含むガス混合物を通過させる複数の孔とを含む導電性ベースとを含むようにし、ベース電極は電極アセンブリ及び基材に近接するようにすること、
上記ガス混合物を当該ターゲット領域を通過させること、
上記電極アセンブリにエネルギーを供給して上記ターゲット領域内で電子を発生させ、その際、電子のうちの少なくとも一部分が上記還元ガスの少なくとも一部分に付着してそれにより負に帯電した還元ガスを生じるようにすること、及び、
上記処理表面をこの負に帯電した還元ガスと接触させて上記基材の処理表面の金属酸化物を還元すること、
を含む、基材処理表面の金属酸化物除去方法。
【請求項２】
前記基材の処理表面に蓄積する電子のうちの少なくとも一部分を除去することを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記除去工程が第１及び第２の電極の極性を変更することを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
極性変更の周波数が０〜１００ｋＨｚの範囲である、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記除去工程が第１の電極、第２の電極及び前記基材に近接した第３の電極を用意することを含み、当該第３の電極が第１及び第２の電極に関し電位的に正のバイアスを有する、請求項２記載の方法。
【請求項６】
前記除去工程が、高純度ガスを中和装置を通過させてイオン化した中性ガスを供給し、そして前記処理表面をこのイオン化した中性ガスと接触させることを含む、請求項２記載の方法。
【請求項７】
前記還元ガスが、Ｈ2、ＣＯ、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＣＦ4、ＳＦ6、ＣＦ2Ｃｌ2、ＨＣｌ、ＢＦ3、ＷＦ6、ＵＦ6、ＳｉＦ3、ＮＦ3、ＣＣｌＦ3、ＨＦ、ＮＨ3、Ｈ2Ｓ、直鎖、枝分かれ又は環式のＣ1〜Ｃ10炭化水素、ギ酸、アルコール、次の式（ＩＩＩ）
【化１】
2005002468.tif 000010
を有する酸性蒸気、次の式（ＩＶ）
【化２】
2005002468.tif 000011
を有する有機の蒸気（式（ＩＩＩ）及び式（ＩＶ）中の置換基Ｒはアルキル基、置換アルキル基、アリール基、又は置換アリール基である）、及びそれらの混合物からなる群より選ばれるガスである、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記還元ガスがＨ2である、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記ガス混合物が０．１〜１００体積％の水素を含む、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記ガス混合物が０．１〜４体積％の水素である、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記ガス混合物がキャリヤガスを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記キャリヤガスが、窒素、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン、ラドン、又はそれらの混合物からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスを含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記キャリヤガスが前記還元ガスの電子親和力より小さい電子親和力を持つ、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記基材が０〜４５０℃の温度範囲にある、請求項１記載の方法。
【請求項１５】
前記基材が１００〜３５０℃の温度範囲にある、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記供給工程でのエネルギーが、電気エネルギー源、電磁エネルギー源、熱エネルギー源、光エネルギー源、又はそれらの組み合わせからなる群より選ばれる少なくとも１つの源である、請求項１記載の方法。
【請求項１７】
前記エネルギーが電気エネルギー源である、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記複数の導電性の先端の末端と前記処理表面との距離が０．１〜３０ｃｍの範囲である、請求項１記載の方法。
【請求項１９】
前記複数の導電性の先端の末端と前記処理表面及び第二の電極との距離が０．５〜５ｃｍの範囲である、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記ベース電極を接地する、請求項１記載の方法。
【請求項２１】
リフローソルダリング、ウェーブソルダリング、ウエハバンピング、金属めっき、ろう付け、溶接、表面クリーニング、薄膜の脱酸素、又はそれらの組み合わせからなる群より選ばれる少なくとも１つのプロセスで当該方法を使用する、請求項１記載の方法。
【請求項２２】
陰極放出、ガス放電、又はそれらの組み合わせからなる群より選ばれる少なくとも１つの方法により前記供給工程において電子を発生させる、請求項１記載の方法。
【請求項２３】
電界放出、熱放出、熱−電界放出、光放出、及び電子ビーム放出からなる群より選ばれる陰極放出法により前記電子を発生させる、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
熱−電界放出により前記電子を発生させる、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
ターゲット領域内にある、複数のはんだバンプを含む基材の表面から金属酸化物を除去するための装置であって、
少なくとも１つのエネルギー源、
還元源を含むガス混合物を含有する少なくとも１つのガス供給源、及び、
当該少なくとも１つのエネルギー源に電気的に連結し且つ当該少なくとも１つのガス供給源と流体を介して連通する放出電極アセンブリであって、少なくとも一部分は絶縁材料で構成されるハウジングであり、内容積を有し且つこの内容積及び当該少なくとも１つのガス供給源と流体を介して連通する少なくとも１つの流体入口を有するハウジングと、このハウジングに接続した導電性ベースであり、そこからターゲット領域内へ伸び出した複数の導電性の先端と、それを貫通し且つ上記内容積と流体を介して連通して上記ガス混合物を通過させる複数の孔とを含む導電性ベースとを含む放出電極アセンブリ、
を含む基材表面の金属酸化物除去装置。
【請求項２６】
前記電極アセンブリ及び前記基材に近接したベース電極を更に含む、請求項２５記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
基材の表面から金属酸化物を除去するためのフラックスレスの方法と装置がここに開示される。より具体的に言えば、特にウエハにバンプを形成する用途向けの、基材表面のはんだのフラックスレスリフローのための方法と装置が開示される。
【背景技術】
【０００２】
ウエハバンピングは、インナーリードボンディング用のチップボンドパッド上に厚い金属バンプを作るのに用いられる方法である。バンプは、一般に、パッド上にはんだを被着させ、次いでリフロー（ここでは第１のリフローと称する）させて合金化を行い、且つはんだバンプの形状をマッシュルーム状から半球状へと変化させることにより作られる。第１のリフローを行ったバンプを備えたチップは、基材上のはんだに濡れることが可能な端子の専有面積に対応するよう「裏返し（フリップ）」され、次いで第２のリフローを受けてはんだ接合部を形成する。これらのはんだ接合部を、ここではインナーリードボンドと称する。ウエハバンピングプロセスでは、普段は高融点はんだ（例えば、＞３００℃）が使用されるが、これは、それが低融点はんだ（例えば、＜２３０℃）を使ってインナーリードボンドを壊すことなくアウターリードボンディングのようなその後の組み立て工程を可能にするからである。
【０００３】
第１のリフロー後のはんだバンプの形状は重要である。例えば、良好な結合とより高い耐疲労性のためには、バンプ高さが高いことが好ましい。更に、形成したバンプは平坦性を確保するため好ましくは実質的に一様であるべきである。バンプ高さが比較的大きい実質的に一様なはんだバンプは、第１のリフローの間の酸化物のないバンプ表面に関連づけて考えられる。現在、はんだバンプを備えるウエハの第１のリフローの際にはんだの酸化物を除去する２つの主要なアプローチがある。一つのアプローチは、４００〜４５０℃のリフロー温度で純粋水素を使用するフラックスレスのはんだ付け（ソルダリング）である。このアプローチの主要な難題は、純粋水素の可燃性の性質であり、これがこのアプローチの応用を大きく制限している。第２のアプローチは、被着したはんだバンプを覆って、又はバンプを形成するためウエハ上に印刷されるはんだペースト混合物中に、有機フラックスを適用し、そしてバンプを、はんだ表面の初期の酸化物をフラックスが効果的に除去するように不活性環境中でリフローさせることである。しかし、このアプローチには欠点がある。フラックスの分解のために、はんだバンプ中に小さな空隙（ボイド）が生じることがある。これらの空隙は、形成したはんだボンドの電気的及び機械的性質を低下させることがあるばかりでなく、はんだバンプを形成したウエハの共通の平坦性を破壊してその後のチップボンディング工程に影響を及ぼすこともある。分解したフラックスの揮発分もリフロー炉を汚染しかねず、これが維持費を上昇させかねない。更に、フラックスの残留物がウエハ上に残ることがよくあり、これが腐食の原因となって組立体の性能を低下させることがある。
【０００４】
上述のリフロープロセスからフラックスの残留物を除去するために、クリーニング剤としてクロロフルオロカーボン類（ＣＦＣ）を使用するポストクリーニングプロセスを採用することができる。しかし、ポストクリーニングは更なる処理工程を追加し、製造処理時間を増加させる。更に、クロロフルオロカーボン類（ＣＦＣ）をクリーニング剤として使用するのは、地球の保護オゾン層に及ぼす潜在的な損害のために禁止される。少量の活性剤を使って残留物を減らすことによるクリーニング不要のフラックスが開発されてはいるが、フラックス残留物の量とフラックスの活性との得失の二律背反の問題がある。そこで、高反応性のＨ2ラジカルを発生させて、表面酸化物を還元するための水素濃度と処理温度の有効範囲を低下させるのを支援するための触媒法が、産業界により求められている。
【０００５】
フラックスレス（乾式）のはんだ付けは、従来技術でいくつかの手法を使用して行われている。一つの手法は、レーザーを利用して金属酸化物をアブレーションし、あるいはそれらの蒸発温度まで加熱することである。このような方法は、一般に、放出された汚染物による再酸化を防ぐため不活性又は還元性雰囲気下で行われる。けれども、酸化物と下地の金属の融点又は沸点が同様であることがあり、下地金属を溶融させあるいは蒸発させるのが望ましくないことがある。従って、そのようなレーザー法は実施するのが困難である。レーザーは一般に、高価であり且つ操作するのに非効率的であって、酸化物層に至る真っ直ぐの透視線を必要とする。これらの因子は、大抵のはんだ付け用途へのレーザー手法の有用性を制限する。
【０００６】
表面酸化物は、高温で反応性ガス（例えばＨ2）に暴露することにより化学的に還元（例えばＨ2Ｏに）することができる。一般には、不活性ガス（例えばＮ2）中に５％以上の還元ガスを含有している混合物が使用される。その後、反応生成物（例えばＨ2Ｏ）が、高温での脱着により表面から放出されて、ガスの流動場でもって運び去られる。典型的な処理温度は３５０℃を超える。けれども、この方法は、高温でもゆっくりで且つ効果のないことがある。
【０００７】
還元プロセスの速度と有効性は、より活性な還元性の種を用いて増大させることができる。そのような活性の種は、通常のプラズマ技術を使って生じさせることができる。可聴、無線、又はマイクロ波周波数のガスプラズマを使って、表面の脱酸素用の反応性ラジカルを生じさせることができる。そのような方法では、高強度の電磁放射線を使ってＨ2、Ｏ2、ＳＦ6、あるいはフッ素含有化合物を含めたその他の種をイオン化し解離させて高反応性のラジカルにする。表面処理は３００℃未満の温度で行うことができる。しかし、プラズマを形成するための最適な条件を得るために、そのような方法は一般に真空条件下で行われる。真空の作業は高価な設備を必要とし、より早い連続のプロセスではなく、ゆっくりしたバッチプロセスとして行わなくてはならない。また、プラズマは、一般に処理室内に広く分散され、特定の基材領域に導くのが困難である。そのため、このプロセスでは反応性の種を効率的に利用することができない。プラズマは、スパッタリング処理を通じて処理室に損傷を及ぼす原因となることもあり、また誘電体表面に空間電荷を蓄積させて、潜在的に微小回路を損傷させることになりかねない。マイクロ波自体も微小回路の損傷を生じさせかねず、また処理中に基材温度を制御するのが困難なこともある。プラズマはまた、潜在的に危険な紫外光を放出することもある。このようなプロセスは、高価な電気設備をも必要とし、かなりの電力を消費して、それらの全体的な原価効率を低下させる。
【０００８】
米国特許第５４０９５４３号明細書には、高温フィラメントを使用して真空条件で分子の水素を熱的に解離させ、反応性の水素種（すなわち原子の水素）を生じさせるための方法が開示されている。この励起された水素が基材表面を化学的に還元する。高温フィラメントの温度は５００℃から２２００℃までの範囲に及ぶことができる。電気的にバイアスをかけられた格子を使用して、高温フィラメントから放出される過剰の自由電子をそらし、あるいは捕捉する。反応性種又は原子の水素は、不活性キャリヤガス中に水素を２〜１００％含む混合物から作られる。
【０００９】
米国特許第６２０３６３７号明細書には、熱陰極からの放電を使って水素を活性化させるための方法が開示されている。熱陰極から放出された電子が気相放電を生じさせ、そしてそれが活性種を発生させる。この放出プロセスは、加熱したフィラメントを収容する別の又は離れたチャンバで行われる。イオンと活性化した中性種が処理室へ流入して、酸化した金属表面を化学的に還元する。ところが、このような熱陰極法は最適な有効性とフィラメント寿命のために真空条件を必要とする。真空操作は高価な設備を必要とし、そしてそれをはんだ付けの移送ベルト装置に組み入れなくてはならず、これにより全体的な原価効率を低下させる。
【００１０】
Ｐｏｔｉｅｒ，  ｅｔ  ａｌ．，  “Ｆｌｕｘｌｅｓｓ  Ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ  Ｕｎｄｅｒ  Ａｃｔｉｖａｔｅｄ  Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ  ａｔ  Ａｍｂｉｅｎｔ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ”，  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，  １９９５，  Ｓａｎ  Ｊｏｓｅ，  ＣＡ、及び米国特許第６１４６５０３号明細書、同第６０８９４４５号明細書、同第６０２１９４０号明細書、同第６００７６３７号明細書、同第５９４１４４８号明細書、同第５８５８３１２号明細書、同第５７２２５８１号明細書には、放電を利用して活性化したＨ2（又はその他の還元ガス、例えばＣＨ4又はＮＨ3など）を製造するための方法が記載されている。還元ガスは一般に、不活性キャリヤガス（Ｎ2）中に「パーセントレベル」で存在する。放電は「数キロボルト」の交流電源を使って生じさせる。離れたチャンバの電極から放出された電子が、帯電した種の実質的にない励起された又は不安定な種を生じさせ、次いでそれを基材へと流れさせる。結果として得られる方法は、はんだ付けしようとする下地金属上の酸化物をほぼ１５０℃の温度で還元する。ところが、そのような離れた放電チャンバはかなりの設備費を必要とし、既存のはんだ付け用移送ベルト装置に改造して組み込むのが容易でない。更に、これらの方法は一般に、はんだの酸化物を除去するよりもはんだ付け前の金属表面を前処理するのに使用される。
【００１１】
米国特許第５４３３８２０号明細書には、高電圧（１〜５０ｋＶ）の電極からの大気圧の放電又はプラズマを使用する表面処理方法が記載されている。電極は、離れたチャンバではなく基材の近くに配置される。電極から放出された自由電子が反応性水素ラジカルを生じさせ、すなわち原子水素を有するプラズマを生じさせ、それらはその後、酸化した基材の上に配置された電気シールドの開口を通過する。電気シールドは、脱酸素を必要とする特定の表面の箇所へ活性水素を集中させる。しかし、そのような電気シールドは、電界を変更しそして正確なプロセス制御を妨げることがある表面電荷を蓄積させかねない。記載された方法は下地金属表面をフラックスで処理するのに使用されるに過ぎない。
【００１２】
【特許文献１】米国特許第５４０９５４３号明細書
【特許文献２】米国特許第６２０３６３７号明細書
【特許文献３】米国特許第６１４６５０３号明細書
【特許文献４】米国特許第６０８９４４５号明細書
【特許文献５】米国特許第６０２１９４０号明細書
【特許文献６】米国特許第６００７６３７号明細書
【特許文献７】米国特許第５９４１４４８号明細書
【特許文献８】米国特許第５８５８３１２号明細書
【特許文献９】米国特許第５７２２５８１号明細書
【特許文献１０】米国特許第５４３３８２０号明細書
【非特許文献１】Ｐｏｔｉｅｒ，  ｅｔ  ａｌ．，  “Ｆｌｕｘｌｅｓｓ  Ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ  Ｕｎｄｅｒ  Ａｃｔｉｖａｔｅｄ  Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ  ａｔ  Ａｍｂｉｅｎｔ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ”，  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，  １９９５，  Ｓａｎ  Ｊｏｓｅ，  ＣＡ
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従って、当該技術においては、はんだバンプを形成したウエハを比較的低温下でフラックスレスのリフロー処理して熱エネルギーを減少させるための経済的で効率的な方法を提供する必要性がある。当該技術においては、真空設備を購入及び維持する出費を回避するためほぼ周囲又は大気圧力条件下でフラックスレスのリフローを行うための方法と装置を提供する更なる必要性がある。その上に、当該技術においては、不燃性ガス環境を使用するフラックスレスのリフロー法を提供する必要性がある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、フラックスを使用することなく基材の表面から金属酸化物を除去するための装置と方法を提供することにより、当該技術の上記の必要性の、全てでなければ一部を、満足させる。具体的には、本発明の一つの側面において、処理しようとする基材の表面から金属酸化物を除去するための方法であって、ターゲット領域内にある、基材、電極アセンブリ、及びベース電極を用意し、その際、電極アセンブリは、少なくとも一部分は絶縁材料で構成されるハウジングであって、内容積を有し且つこの内容積と流体を介して連通する少なくとも１つの流体入口を有するハウジングと、このハウジングに接続した導電性ベースであって、そこからターゲット領域内へ伸び出した複数の導電性の先端と、それを貫通し且つ上記内容積と流体を介して連通して還元ガスを含むガス混合物を通過させる複数の孔とを含む導電性ベースとを含むようにし、ベース電極は電極アセンブリ及び基材に近接するようにすること、上記ガス混合物を上記ターゲット領域を通過させること、上記電極アセンブリにエネルギーを供給して上記ターゲット領域内で電子を発生させ、その際、電子のうちの少なくとも一部分が上記還元ガスの少なくとも一部分に付着してそれにより負の還元ガスを生じるようにすること、及び、当該処理表面をこの負に帯電した還元ガスと接触させて上記基材の処理表面の金属酸化物を還元すること、を含む方法が提供される。
【００１５】
本発明の更にもう一つの側面では、ターゲット領域内にある、複数のはんだバンプを含む基材の表面から金属酸化物を除去するための装置であって、少なくとも１つのエネルギー源、還元源を含むガス混合物を含有する少なくとも１つのガス供給源、当該少なくとも１つのエネルギー源に電気的に連結し且つ当該少なくとも１つのガス供給源と流体を介して連通する放出電極アセンブリであって、少なくとも一部分は絶縁材料で構成されるハウジングであり、内容積を有し且つこの内容積及び当該少なくとも１つのガス供給源と流体を介して連通する少なくとも１つの流体入口を有するハウジングと、このハウジングに接続した導電性ベースであり、そこからターゲット領域内へ伸び出した複数の導電性の先端と、それを貫通し且つ上記内容積と流体を介して連通して上記ガス混合物を通過させる複数の孔とを含む導電性ベースとを含む放出電極アセンブリ、を含む装置が提供される。
【００１６】
本発明のこれら及びこのほかの側面は、以下の詳しい説明から明らかになろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明は、負に帯電したイオンへの暴露により基材表面から金属酸化物を除去するための装置と方法に関する。負に帯電したイオンが反応して表面の金属酸化物を還元する。例えばはんだバンプを有するウエハのリフローに使用するリフロー機などのような、従来のリフロー及びはんだ処理装置を改造することにより、本発明を使用することができる。本発明はまた、基材から表面金属酸化物を除去するのが所望されるその他のプロセス、例えば、金属めっき（すなわち、印刷回路板又は金属表面の一部分をはんだめっきしてそれらを後のはんだ付けをより受けやすいものにすること）、アウターリードボンディングのためのリフロー及びウェーブソルダリング、表面のクリーニング、ろう付け、溶接、及びシリコンウエハの処理中に形成される金属の表面酸化物、例えば酸化銅、の除去などに適用することもできるが、プロセスはそれらには制限されない。本発明の方法と装置を使用する金属酸化物の除去は、上述のプロセスに、あるいは有機フラックスを必要とすることなく酸化物を除去するのが望まれるその他の任意のプロセスに、等しく適用可能である。
【００１８】
ここで使用する「基材」という用語は、一般に、シリコン、二酸化ケイ素で被覆されたシリコン、アルミニウム−アルミニウム酸化物、ヒ化ガリウム、セラミック、石英、銅、ガラス、エポキシ、あるいは電子デバイスで使用するのに適した任意の材料等の材料に関係する。一部の態様では、基材は、上にはんだを配置した電気的に絶縁された又は半導電性の基材である。代表的なはんだ組成物には、フラックスレスのスズ−銀、フラックスレスのスズ−銀−銅、フラックスレスのスズ−鉛、又はフラックスレスのスズ−銅が含まれるが、はんだ組成物はそれらに限定されない。しかし、本発明の方法は、種々様々な基材及び／又ははんだ組成物に対して好適である。特定の好ましい態様では、基材は上に複数のはんだバンプを配置したシリコンウエハである。
【００１９】
理論に束縛されるのを望むわけではないが、例えば直流電源等のエネルギー源が少なくとも２つの電極間に適用されると、２つの電極のうちの、他方の電極及び／又は２つの電極間の気相に対して負の電気バイアスを持つ一方の電極（ここでは「放出電極」と称される）から、電子が発生すると考えられる。発生した電子は、接地されているか又は正の電気バイアスを持つ他方の電極（ここでは「ベース電極」と称される）の方へと、電界に沿って移動（ドリフト）する。表面に複数のはんだバンプを有する基材を、ベース電極と放出電極によって画定される領域（ここでは「ターゲット領域」と称される）内に、はんだバンプのある面又は処理領域を放出電極に対し暴露して、配置する。一部の態様では、基材をベース電極につないでターゲットアセンブリを形成してもよい。還元ガスを含み、随意にキャリヤガスを含むガス混合物を、電極により生じさせた電界を通過させる。電子が移動する間に、電子の付着によって還元ガスの一部が負のイオンを生じさせ、そしてそれらはその後ターゲットアセンブリ、すなわちベース電極及び基材表面へと移動する。こうして、基材表面において、負に帯電したイオンが既存の金属酸化物を通常のフラックスの必要なしに還元することができる。更に、負に帯電したイオンが電界に沿って移動することから、処理しようとする表面への活性種の吸着を促進することができる。
【００２０】
還元ガスが水素を含む態様では、本発明の方法は次のように行われるものと考えられる。
【００２１】
【化１】
2005002468.tif 000003
【００２２】
これらの態様では、ここに開示した方法を使用する金属酸化物の還元の活性化エネルギーは分子の水素を使用する方法よりも低く、これは、電子の付着した原子水素イオンの形成が分子水素の結合の破壊に関連するエネルギーをなくすからである。
【００２３】
一部の態様では、放出電極に電子を発生させるのに十分なエネルギーを電極の少なくとも一方に、例えば放出電極に、供給する。一部の態様においては、エネルギー源は、例えばＡＣ又はＤＣ電源のような、電気エネルギー又は電圧源であることができる。その他のエネルギー源、例えば電磁エネルギー源、熱エネルギー源、あるいは光エネルギー源などを、単独で、又は上述のエネルギー源のいずれかと組み合わせて、使用することもできる。本発明の一部の態様においては、放出電極を第１の電圧レベルに接続し、そしてベース電極を第２の電圧レベルに接続する。電圧レベルの差が電位にバイアスを生じさせる。この電圧レベルの差はゼロでもよく、これは２つの電極のどちらも接地することができることを示す。
【００２４】
電子の付着により負に帯電したイオンを作るためには、大量の電子を発生させる必要がある。これについては、電子は、例えば陰極放出、ガス放電、あるいはそれらの組み合わせといったような、しかしこれらに限定はされない、種々の方法で発生させることができる。これらの電子発生方法のうちでの、方法の選択は主に、発生する電子の効率及びエネルギーレベルに依存する。還元ガスが水素である態様の場合、エネルギーレベルが４ｅＶに近い電子がより好ましい。これらの態様では、そのような低エネルギーレベルの電子を、陰極放出及び／又はガス放電で発生させることができる。発生した電子はその後、放出電極からベース電極の方へ移動することができ、そしてそれが空間電荷を生じさせる。この空間電荷は、水素が少なくとも２つの電極を通過しあるいはターゲット領域内を通過する際に、電子の付着により負に帯電した水素イオンを発生させるための電子源を提供する。
【００２５】
陰極放出による電子の発生を伴う態様の場合、これらの態様は、電界放出（ここでは低温放出と称される）、熱放出（ここでは高温放出と称される）、熱−電界放出、光放出、及び電子又はイオンビーム放出を包含することができる。
【００２６】
電界放出は、放出電極の表面から電子を発生させるためエネルギー障壁を克服するのに十分高い電界を、ベース電極に関し負のバイアスを放出電極にかけて印加することを必要とする。一部の好ましい態様においては、２つの電極間に、０．１〜５０ｋＶの範囲の、又は２〜３０ｋＶの範囲の、ＤＣ電圧を印加する。これらの態様では、電極間の距離は０．１〜３０ｃｍの範囲、又は０．５〜５ｃｍの範囲でよい。
【００２７】
他方で、熱放出は、高温を使って放出電極で電子を活性化して、それらの電子を放出電極の材料中の金属結合から引き離すのを必要とする。一部の好ましい態様では、放出電極の温度は８００〜３５００℃の範囲、又は８００〜１５００℃の範囲でよい。放出電極は、様々な方法で、例えば、電極にＡＣ又はＤＣ電流を流すことにより直接加熱して、あるいはカソード表面を発熱体、赤外線、又はそれらの組み合わせにより加熱される電気的に絶縁した高温表面と接触させるといったような間接加熱により、高温にし及び／又は高温に保持することができるが、その方法はこれらには限定されない。
【００２８】
熱−電界放出は、電子を発生させるために電界放出法と熱放出法を混成したものであって、それでは電界と高温の両方が適用される。従って、熱−電界放出は、純然たる電界放出や純然たる熱放出と比べて同じ量の電子を発生させるのにより小さい電界とより低い電極温度を必要とすることができる。熱−電界放出は、純然たる電界放出で出くわす、例えば放出面の汚染により電子の放出が悪くなりやすい、また放出面の平面性と均一性への制約が大きいといったような問題を最小限にすることができる。更に、熱−電界放出は、熱放出に関連する、例えば放出電極と気相との化学反応の可能性が高いといったような問題を回避することもできる。熱−電界放出を電子の発生のために使用する態様では、放出電極の温度は周囲温度から３５００℃までの範囲、又は１５０〜１５００℃の範囲であることができる。これらの態様では、電圧は０．０１〜３０ｋＶの範囲、又は０．１〜１０ｋＶの範囲であることができる。
【００２９】
一部の好ましい態様では、電子の放出のために熱放出又は熱−電界放出法を使用する。これらの態様では、これらの方法のいずれかで使用する高温の放出電極は、２つの電極により発生する電界を通過させるガス混合物のための熱源の役割を果たすこともでき、そのためその後のリフロー処理工程のためのガスを加熱するのに必要とされる熱エネルギーを減らすことができる。
【００３０】
本発明の一部の態様では、陰極放出法とコロナ放電法の組み合わせにより電子の放出を行う。これらの態様においては、ＤＣ電圧のようなエネルギー源を２つの電極間に適用して、放出電極（低温又は高温の）及び放出電極近くの気相（コロナ放電）の両方から電子を発生させることができる。コロナ放電は、好ましくは、電子の付着により負に帯電したイオンを形成する効率を高めるため及び放出電極の寿命を増すために最小限にされる。
【００３１】
陰極放出のメカニズムを電子放出のために使用する態様では、２つの電極にまたがって印加される電圧は一定でもよくパルス状でもよい。電圧パルスの周波数は０〜１００ｋＨｚの範囲である。図１（ａ）と１（ｂ）は、それぞれ放出電極とベース電極への電圧パルスを説明する図である。これらの態様では、図１（ａ）と１（ｂ）に示したようなパルス状の電圧が、電圧を一定にして電子の発生量を増加させ且つ気相放電する傾向を軽減するのに好ましいものと考えられる。
【００３２】
気相放電による電子の発生を伴う態様の場合、これらの態様は熱放電、光放電を含み、また、グロー放電、アーク放電、スパーク放電、及びコロナ放電を含めた種々のアバランシェ放電を含むことができる。これらの態様では、気相イオン化により電子を発生させる。気相は、還元ガスと不活性ガスを含むガス混合物である。気相イオン化の一部の態様では、２つの電極間に電圧源を印加し、そして２つの電極間のガス混合物中の不活性ガスから電子を発生させ、それらはその後ベース電極のような正にバイアスした電極に向かって移動する。この電子の移動する間に、これらの電子のうちの一部は還元ガス分子に付着して、電子の付着により負に帯電したイオンを形成することができる。そのほかに、不活性ガス中でいくらかの正イオンも作られ、それらはその後放出電極のような負にバイアスした電極に向かって移動して、電極表面で中和される。
【００３３】
先に述べたように、電子は、ベース電極と比べ負のバイアスを有するときに、放出電極から発生させることができる。図２（ａ）〜２（ｉ）を参照すれば、放出電極は様々な幾何学形状、例えば細いワイヤ２（ａ）、鋭くした先端を持つ棒２（ｂ）、鋭くした先端をいくつか持つ棒又は櫛２（ｃ）、スクリーン又はワイヤメッシュ２（ｄ）、ゆったりしたコイル、櫛のアレイ２（ｆ）、細いワイヤ又はフィラメントの束２（ｇ）、表面から突き出した鋭い先端を持つ棒２（ｈ）、又はぎざぎざの表面を持つプレート２（ｉ）などのような幾何学形状を持つことができる。このほかの幾何学形状には、上記の幾何学形状の組み合わせ、例えば表面突起を備えたプレート又は棒、伸び出す先端を備えたプレート又は棒、ワイヤの巻き線又はフィラメントを巻き付けた棒、細いワイヤのコイル、などを含めることができる。導電性ベースから１以上の電極が伸びる態様では、電極は、図２（ｃ）に示した態様のように実質的に平らなベースから出てもよく、凹部内にあってもよく、あるいは、例えばＵ字状又はＶ字の突起のような表面突起物から伸び出してもよい。複数の電極を使用してもよく、それらは平行な一組又は交差するマス目に配列することができる。なお更なる幾何学形状には、複数の電極を車輪のスポークにおけるように放射状に配列する「荷馬車の車輪」の幾何学形状を含めることができる。電界放出を必要とする態様のような、一部の態様においては、図３に示した幾何学形状のような電極表面近くの電界を最大にするため、複数の鋭い先端のような、大きな表面曲率を持つ幾何学形状で製作するのが好ましい。図３に例示したように、電極１は、その表面から放射状に突き出す複数の先端３とともに電極表面の溝内に位置する一連の細いワイヤ２を有する。
【００３４】
図１１（ａ）と１１（ｂ）は、フラックスレスのはんだ付け装置４００内にある電極アセンブリ４１０を図示するものである。一部の態様において、電極アセンブリ４１０は放出電極として働く。フラックスレスのはんだ付け装置４００は、少なくとも１つのエネルギー源と少なくとも１つのガス供給源（図示せず）を更に含む。図１１（ａ）を参照すると、電極アセンブリ４１０は、ハウジング４２０と導電性のベース４３０から構成される。ハウジング４２０は、少なくとも一部は、限定するわけではないが例えばセラミックのような、絶縁材料から構成される。別の態様では、ハウジング４２０は絶縁材料と導電性材料との組み合わせから構成してもよく、あるいは、絶縁材料で少なくとも一部分を被覆した導電性材料から構成される。これらの後者の態様では、ハウジング４２０のうちの導電性ベース４３０と接触しターゲット領域４４０に向き合う部分は絶縁材料から構成される。ハウジング４２０は内容積４２２を有し、また、内容積４２２と流体を介して連通する少なくとも１つの流体入口４２４とガス混合物の流れが電極アセンブリ４１０を通り抜けるのを可能にするためのガス供給源（図示せず）を有する。一部の態様では、４体積％の水素と残部の窒素を含むガス混合物を、少なくとも１つの流体入口を通してハウジング４２０へ導入することができる。図１１（ａ）、１１（ｂ）及び／又は１１（ｃ）では、ハウジング４２０と導電性ベース４３０は円形断面を有するとして描かれている。とは言え、ハウジング４２０と導電性ベース４３０は、限定されるわけでなく例えば正方形、長方形、長円形、又は種々のその他の形状等の、他の様々な断面を有することができる。
【００３５】
導電性ベース４３０は、内容積４２２と流体を介して連通する複数の孔４３２と、それから伸び出す複数の導電性の先端４３４とを有する。導電性ベース４３０は、図示のように、ハウジング４２０の上に配置しても、備え付けても、あるいは内部に存在してもよい。あるいはまた、導電性ベースとハウジングは一体化したユニットであってもよい。一部の態様では、導電性ベース４３０は少なくとも１つのエネルギー源（図示せず）と電気的に接続して、ガス混合物が少なくとも１つの流体入口４２４を通り、内容積４２２を通り抜け、そして孔４３２を通ってターゲット領域４４０へと進む際にそれに付着する電極を生じさせることができる。はんだ付け装置４００は、接地されるベース電極４６０のような１以上の追加の電極を更に含んでもよい。図１１（ａ）と１１（ｂ）に示したもののような一部の態様では、はんだバンプを有する基材４５０をターゲット領域４４０内のベース電極４６０上に配置してもよい。
【００３６】
水と酸素の汚染物は、空気の漏れ又は反応の副生物などの種々の要因の結果として生じることがある。一部の態様では、これらの汚染物はターゲット領域内で最小限にすることが必要なことがある。例えば、一つの態様では、酸素汚染物の量はターゲット領域内において２０ｐｐｍ未満であることが好ましい。ターゲット領域内のこれらの汚染物は、流体入口４２４を通るガスの流量を増加させることにより最小にすることができる。
【００３７】
一部の態様では、複数の導電性の先端４３４を、導電性ベース４３０上の先端の配列が互いに関して例えば三角形、放射状、正方形、十字状等のようなパターンを形成するパターンでもって配列することができる。あるいはまた、導電性の先端の配列はランダムなパターンであってもよい。配列の一つのタイプの例を図１１（ｃ）に示し、この図においてｘ、ｙ及びｚは長さが実質的に同様であり、それにより正三角形を形成している。各導電性の先端の長さ、幾何学形状、及びその他の特性は、互いどうし変えることができる。更に、先端の密度は、装置の生産能力、基材の種類、除去しようとする酸化物の量、追加の電極の数、ガス混合物の流量、少なくとも１つのエネルギー源の種類と量、などの非限定の因子に応じて変化することができる。
【００３８】
放出電極としての役割を果たす電極材料は、好ましくは、比較的小さい電子放出エネルギー又は仕事関数を持つ導電性材料から構成される。好ましくは、この材料はまた、融点が高く、且つ処理条件下での安定性が比較的高い。好適な材料の例には、金属、合金、半導体、そして導電性の基材上に被覆し又は被着させた酸化物が含まれる。更なる例には、タングステン、グラファイト、ニッケルクロム合金等の高温合金、そして導電性基材上に被着されるＢａＯ及びＡｌ2Ｏ3などのような金属酸化物が含まれるが、材料の例はそれらに限定されない。
【００３９】
ベース電極として働く電極は、金属等の導電性材料、又は半導電性材料から構成することができる。金属又は半導電性材料の例には、ここに開示された材料のどれもが含まれる。一つの特定の態様では、ベース電極は基材自体のような半導体から構成することができ、すなわちリフロー処理しようとするウエハがベース電極であることができる。これらの態様では、基材は、例えば接地することによって、第２の又はベース電極として働くことができる。別の態様では、ベース電極は、放出電極のために使用される材料のうちのいずれかのような導電性材料であることができる。ベース電極は、用途に応じ種々様々な幾何学形状を持つことができる。
【００４０】
熱−電界放出を必要とする本発明の一部の態様では、放出電極は図４に示した電極のようなセグメント化したアセンブリを含むことができる。これについては、放出電極の心１０を電気抵抗の高い金属で製作することができる。心１０から複数の先端１１が放射状に突き出す。先端１１は、ここに開示した材料のいずれかのような、電子放出のエネルギー又は仕事関数が比較的小さい導電性材料で製作することができる。心は、ＡＣ又はＤＣ電流（図示せず）を心１０に直接流すことで加熱することができる。熱伝導で、心から先端１１へと熱を移動させる。高温の心１０と複数の先端１１をエンクロージャ１２内に封入し、次にそれをサポートフレームに挿入して、それにより図示のようにセグメント化したアセンブリを形成する。先端１１はエンクロージャ１２の外部に露出される。エンクロージャ１２は絶縁材料で構成される。セグメント化したアセンブリは、運転中の心の熱膨張を可能にする。この構成では、放出電極にベース電極に関し負の電圧バイアスを印加することにより高温の先端１１から電子を発生させることができる。
【００４１】
熱−電界放出を必要とする本発明のもう一つの好ましい態様では、間接加熱で放出電極の温度を上昇させることができる。これは、放出電極の心として加熱カートリッジを使用して行うことができる。加熱カートリッジの表面は、カートリッジ内の発熱体から電気的に絶縁される金属のような、電気伝導性材料から構成することができる。電子の放出を促進するために、複数の分散した放出先端を発熱体の表面に取り付けることができる。カートリッジは、カートリッジ内の発熱体にＡＣ又はＤＣ電流を流すことで加熱することができる。第二の電極に関し負の電圧バイアスをカートリッジの表面に印加することにより、カートリッジの分散した先端から電子を発生させることができる。この構成において電圧バイアスを作るためには、カートリッジを負にバイアスすることができるように第二の電極を接地してもよく、あるいは第二の電極を正にバイアスすることができるようにカートリッジを接地してもよい。態様によっては、２つの電気回路間の可能性のある干渉をなくすために後者の方が好ましいことがあり、例えば一方の回路を発熱体に沿ってＡＣ又はＤＣ電流とすることができ、そしてもう一方の回路をカートリッジの表面と第二の電極との間で高電圧にバイアスすることができる。これらの態様では、高温のカートリッジ電極が、ガス混合物がリフロー処理工程のために必要な温度を得るための熱源として働くこともできる。
【００４２】
先に述べたように、還元ガスを含むガス混合物を少なくとも２つの電極により発生する電界を通過させる。ガス混合物に含まれる還元ガスは、次のカテゴリーのうちの１又は２以上に入れることができる。そのカテゴリーというのは、１）本質的に還元剤のガス、２）金属酸化物との反応により気体の酸化物を生成する活性種を発生させることができるガス、又は３）金属酸化物との反応により液体の、もしくは水性の酸化物を生成する活性種を発生させることができるガス、である。
【００４３】
第一のカテゴリーのガス、すなわち本質的に還元剤のガスには、除去しようとする酸化物に対し熱力学的に還元剤として作用するいずれのガスも含まれる。本質的に還元剤のガスの例には、Ｈ2、ＣＯ、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、ギ酸、例えばメタノール、エタノール等のアルコール、次の式（ＩＩＩ）、
【００４４】
【化２】
2005002468.tif 000004
【００４５】
を有する一部の酸性蒸気、が含まれる。式（ＩＩＩ）において、置換基Ｒは、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、又は置換アリール基でよい。ここで使用される「アルキル」という用語には、好ましくは１〜２０の炭素原子を有する、より好ましくは１〜１０の炭素原子を有する、直鎖、枝分かれ、又は環式のアルキル基が含まれる。これは、例えばハロアルキル、アルカリール、又はアラルキル等のその他の基に含まれるアルキル部分にも当てはまる。「置換アルキル」という用語は、Ｏ、Ｎ、Ｓ又はハロゲン原子などのヘテロ原子、ＯＣＨ3、ＯＲ（Ｒ＝Ｃ1-10アルキル又はＣ6-10アリール）、Ｃ1-10アルキル又はＣ6-10アリール、ＮＯ2、ＳＯ3Ｒ(Ｒ＝Ｃ1-10アルキル又はＣ6-10アリール)、又はＮＲ2（Ｒ＝Ｈ、Ｃ1-10アルキル又はＣ6-10アリール）、を含む置換基を有するアルキル部分に適用される。ここで使用される「ハロゲン」という用語には、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素が含まれる。ここで使用される「アリール」という用語には、芳香族の特性を持つ６〜１２員炭素環が含まれる。ここで使用される「置換アリール」という用語は、Ｏ、Ｎ、Ｓ又はハロゲン原子などのヘテロ原子、ＯＣＨ3、ＯＲ（Ｒ＝Ｃ1-10アルキル又はＣ6-10アリール）、Ｃ1-10アルキル又はＣ6-10アリール、ＮＯ2、ＳＯ3Ｒ(Ｒ＝Ｃ1-10アルキル又はＣ6-10アリール)、又はＮＲ2（Ｒ＝Ｈ、Ｃ1-10アルキル又はＣ6-10アリール）、を含む置換基を有するアリール環が含まれる。一部の好ましい態様では、ガス混合物は水素を含有する。
【００４６】
還元ガスの第２のカテゴリーには、本質的に還元性ではないが、ガス分子への電子の解離性の付着により、例えばＨ、Ｃ、Ｓ、Ｈ’、Ｃ’及びＳ’等の活性種を発生してこの活性種と除去しようとする金属酸化物との反応により気体の酸化物を生成することができる任意のガスが含まれる。このタイプのガスの例には、ＮＨ3、Ｈ2Ｓ、Ｃ1〜Ｃ10の、限定されることなく例えばＣＨ4、Ｃ2Ｈ4等の、炭化水素、式（ＩＩＩ）を有する酸性蒸気、そして次の式（ＩＶ）、
【００４７】
【化３】
2005002468.tif 000005
【００４８】
を有する有機の蒸気、が含まれる。式（ＩＩＩ）と（ＩＶ）において、置換基Ｒはアルキル基、置換アルキル基、アリール基、又は置換アリール基でよい。
【００４９】
第３のカテゴリーの還元ガスには、本質的に還元性ではないが、ガス分子への電子の解離性の付着により、例えばＦ、Ｃｌ、Ｆ’、及びＣｌ’などのような活性種を生成してこの活性種と金属酸化物との反応により液体又は気体の酸化物を生成することができる任意のガスが含まれる。このタイプのガスの例には、フッ素及び塩素含有ガス、例えばＣＦ4、ＳＦ6、ＣＦ2Ｃｌ2、ＨＣｌ、ＢＦ3、ＷＦ6、ＵＦ6、ＳｉＦ3、ＮＦ3、ＣＣｌＦ3、及びＨＦなどが含まれる。
【００５０】
上記のカテゴリーの還元ガスの１種以上を含むのに加えて、ガス混合物は、１種以上のキャリヤガスを更に含有してもよい。キャリヤガスは、例えば、還元ガスを希釈するのに、又は衝突の安定化をもたらすために使用することができる。ガス混合物で使用されるキャリヤガスは、電子親和力がガス混合物中の１種又は２種以上の還元ガスのそれより小さい任意のガスでよい。一部の好ましい態様では、キャリヤガスは不活性ガスである。好適な不活性ガスの例には、Ｎ2、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ、及びＲｎが含まれるが、不活性ガスの例はこれらに限定されない。
【００５１】
一部の好ましい態様では、ガス混合物は、還元ガスとして水素を、そしてキャリヤガスとして、比較的低価格であり排ガスの放出が環境に優しいことから、窒素を含む。これらの態様では、ガス混合物は、０．１〜１００体積％、又は１〜５０体積％、又は０．１〜４体積％の水素を含む。４％より少ない水素の量が好ましく、これはガス混合物を不燃性にする。
【００５２】
一部の態様では、少なくとも２つの電極により発生される電界を周囲温度から４５０℃までの範囲、又は１００〜３５０℃の範囲の温度で、ガス混合物を通過させる。ガス混合物の圧力は、好ましくは周囲大気圧、すなわちプロセスの領域の既存の圧力である。特別な圧力、例えば真空等、を必要としなくてもよい。ガス混合物を昇圧する態様では、圧力は１０〜２０ｐｓｉａ、又は１４〜１６ｐｓｉａの範囲でよい。
【００５３】
酸化物を除去しようとする基材表面は、好ましくは、放出電極とベース電極との間に、該表面を放出電極に向けて位置させる。本発明の一部の好ましい態様においては、基材をベース電極に接続してターゲットアセンブリとし、放出電極に向かい合わせてもよい。これらの態様では、放出電極と基材又はターゲットアセンブリの上面との間隔は０．１〜３０ｃｍ、又は０．５〜５ｃｍの範囲でよい。
【００５４】
図５は、基材がシリコンウエハ２０であるウエハバンピング用途向けに用いられる方法を説明する。図５を参照すれば、第２の電極２４がウエハ２０の上方に位置し、複数のはんだバンプ（図示せず）を含むこのウエハ２０が第１の電極２２の上に配置されてターゲットアセンブリを形成する。複数のはんだバンプを有するウエハ２０の表面の少なくとも一部分は第２の電極２４に暴露される。ウエハ２０は第１の電極２２の上に配置されるとして示されてはいるが、ウエハ２０は電極２２と２４の間のどこにでも配置することができる。パルス状の電圧２５を第１の電極２２と第２の電極２４をまたいで印加して、電界を発生させる。水素と窒素を含有しているガス混合物２６を電界を通過させる。電界内で低エネルギーの電子２８を発生させ、それらは第１の電極２２及びその上に配置したウエハ２０に向かって移動する。更に、ガス混合物２６中の水素のうちの一部が電子の付着により水素イオン３０を形成し、これらも第１の電極２２とその上に配置したウエハ２０に向かって移動する。上にウエハ２０を配置した電極２２に向かっての負に帯電した水素イオン３０及び電子２８の移動は、イオン３０のウエハ２０の表面への吸着を促進し、且つウエハ表面の脱酸素を助長する（ここでは表面脱酸素と呼ばれる）。
【００５５】
基材の導電率に応じ、表面脱酸素からの反応副生物として生じる電子のうちの一部が基材表面に蓄積することがある。更に、自由電子のうちの一部分が、電界に沿って移動するため、基材上に直接吸着することがある。この電子の基材表面への蓄積は、負に帯電したイオンの追加の吸着を妨げることがあり、また表面脱酸素の平衡に不利な影響を及ぼすことがある。表面脱酸素プロセスをより効率的にするためには、基材表面の電子を定期的に除去する必要がある。
【００５６】
基材表面の電子を除去するための一つの方法は、両方の電極の極性を互いに変更することでよい。極性を変更する際に、各電極の電圧レベルは必ずしも同じにならなくてよい。一つの態様では、極性の変更は、図１０（ｂ）に示したそれのように、少なくとも２つの電極間に双方向の電圧パルスを印加することにより行うことができる。図６は、電極が電圧パルスの一方の相で電子を発生させ（すなわち負のバイアス）そして電圧パルスのもう一方の相で電子を回収する（すなわち正のバイアス）ことができる極性変更の例を提示する。図６では、電極１００を電子放出且つ電子回収の両方の電極として使用し、電極１０２をベース電極として使用する。この構成は、表面脱酸素の効率を最大にさせる。複数の鋭い先端１０１を有する電極１００は、ウエハ１０３の上方に位置する。電極１００はＡＣ電源１０４に接続して加熱される。もう一方の電極１０２はウエハ１０３の下に位置する。電極１００と１０２の極性の変更は、例えば、双方向のパルス状ＤＣ電源１０５により行うことができる。双方向電圧パルスの例は図１０ｂでもって示される。電極１００を負にバイアスすると、先端１０１から発生される電子のうちの少なくとも一部分が還元ガスのうちの少なくとも一部分に付着し、そして新しく作られた還元ガスイオンがウエハ１０３の方に向かって移動する。極性を逆にすると、ウエハ１０３の表面から電子が放出され、先端１０１で回収される。図７（ａ）と７（ｂ）は、電圧パルスの各サイクルの間の帯電種の移送を説明するものである。２つの電極の極性を変更する周期は、０〜１００ｋＨｚの範囲にわたることができる。
【００５７】
別の態様では、１以上の追加の電極を使用することにより基材表面の過剰の電子を除去することができる。図８は、ウエハが基材であるそのような例を提示する。図８を参照すると、ウエハ２０を接地したベース電極２０１の上に配置する。２つの電極、すなわちベース電極２０１に関し負の電圧バイアスを有する電極２０２とベース電極２０１に関し正の電圧バイアスを有する電極２０３を、ウエハ表面２００の上方に設置する。この構成では、電子が電極２０２から連続的に発生され、電極２０３で回収される。一つの特定の態様では、電極２０２と電極２０３の極性をベース電極２０１に関し正から負の電圧バイアスへと、またその逆へと、周期的に変更することができる。
【００５８】
更にもう一つの態様では、表面脱酸素後に中和装置を使用して、基材表面から電子又は残留表面電荷を除去することができる。未処理のままにしておくと、残留電荷の汚染は敏感な電子部品に静電放電の損傷を生じさせかねない。これらの態様では、高純度の、例えば窒素等のガスを商業的に入手できる中和装置を通し次いで基材表面を越えて流すことで、ウエハ表面の残留電荷を中和することができる。ガス中に存在する正のイオンが全ての残留電子を中和して、電気的に中性の表面を提供する。好適な電荷中和装置は、例えば、ガス中に等密度の正及び負イオンを生じさせるＫｒ−８５放射線源からなることができる。ガスがウエハを通り越して流れる際に正負のイオンがガス中において生じるとは言え、ガス流の正味の電荷はゼロである。
【００５９】
一部の態様では、基材又はターゲットアセンブリを、放出電極として働く電極に関して移動させることができる。これに関しては、放出電極を固定位置に置いて基材を移動させてもよく、放出電極を移動させて基材を固定の位置に置いてもよく、あるいは放出電極と基材の両方を移動させる。移動は、垂直でも、水平でも、回転式でも、あるいは円弧に沿ってでもよい。これらの態様では、このとき基材表面の局所領域内で表面脱酸素を行ってもよい。
【００６０】
次の図９（ａ）〜９（ｅ）については、基材は、接地されるベース電極上に配置されるシリコンウエハである。複数のはんだバンプ（図示せず）を含むウエハ表面のうちの少なくとも一部分を、放出及び回収の両方の（すなわち極性を、例えば電位的に負から正のバイアスに変更する）電極として働く第二の電極に暴露する。図９（ａ）は、０〜１００ｋＨｚの周波数範囲内で反復して、それにより３０６として示されるイオン領域を生じさせることができる、ベース電極３０４に関し双方向のパルス状の電圧が印加される加熱した直線状の電極３０２の下で回転移動するシリコンウエハ３００を示している。処理チャンバ（図示せず）の外部にあるモーターがウエハを回転させる。このような回転は、半導体の加工ではウエハ表面を有意に汚染することなく頻繁に行われる。汚染は、高い清浄度、回転する原料供給路（フィードスルー）、及び流動パターンの制御、により回避できる。図９（ｂ）は、ベース電極３１４に関し双方向のパルス状電圧が印加されそれにより３１６として示されるイオン領域を生じさせる加熱した直線状の電極３１２の下で直線的に移動するシリコンウエハ３１０を示している。この構成は、例えば印刷回路板をリフロー炉を通して移動させるといったように、管状のバンプ処理炉を通してウエハを移動させるのにコンベヤベルトを使用する用途に適しよう。図９（ｃ）は、一対の加熱した直線状の放出電極３２４と３２６の下で回転移動するシリコンウエハ３２０を示しており、ベース電極３２２は安定した正のバイアスを有し、放出電極３２４と３２６は電子をウエハ表面に向けて発生させ及びそれから回収してそれにより３２８として示されるイオン領域を生じさせることができるよう、ベース電極３２２に関し安定した負のバイアスを有する。処理チャンバ（図示せず）の外部にあるモーターがウエハを回転させる。図９（ｄ）は、電子の放出と回収を別個に行いそれにより３３８として示されるイオン領域を生じさせるためベース電極３３２に関し安定した反対の極性に保持される加熱された一対の直線状の電極３３４と３３６の下で直線的に移動するシリコンウエハ３３０を示している。最後に、図９（ｅ）は、旋回運動するアーム３４６の端部に位置する比較的小さな電極３４４を使用する。電極３４４の極性はベース電極３４２に関し周期的に変更させてそれにより３４８として示されるイオン領域を生じさせる。アームは、回転するウエハ３４０上を、例えば円弧状に、揺れ動き、ウエハ表面全体の完全且つ均一な処理に効果を発揮する。
【００６１】
本発明の方法は、はんだバンプを有するウエハのリフローのほかに、例えば表面クリーニング、金属めっき、ろう付け、溶接、及びアウターリードボンディングのためのリフローとウェーブソルダリングなどのような、マイクロ電子機器製造のいくつかの分野で使用することができる。本発明の方法に好適なリフロー及びウェーブソルダリング装置の例は、本発明の譲受人に譲渡され、参照によりその全体がここに組み入れられる同時係属米国出願第０９／９４９５８０号明細書に提示された図１〜３に示される。一つの特定の態様では、本発明の方法を使用して、シリコンウエハの処理中に形成される金属の表面酸化物、例えば酸化銅などの還元、あるいは薄膜の脱酸素を行うことができる。そのような酸化物は、ウエハ上にマイクロ電子デバイスを作製するのに使用される様々な湿式処理工程、例えば化学機械平坦化などの結果として生成することがある。本発明は、水性の還元剤を使用する必要のない完全に環式の環境に優しいやり方でもって表面酸化物を除去するのを可能にする。更に、本発明は比較的低温で実施されるので、処理中のデバイスのサーマルバジェットに有意の影響を及ぼさない。それに対して、より高い温度は、ドーパント及び酸化物の拡散を引き起こしそれによりデバイス性能を低下させることで、デバイスの収率と信頼性を低下させる傾向がある。本発明の方法は単一のウエハに対して実施することができるので、この方法を他の単一ウエハプロセスと統合して、それにより他の製作工程との適合性をより良好にすることができる。
【００６２】
本発明の方法と装置は、ウエハバンピングと薄膜の脱酸素の用途に特に好適である。ウエハバンピングと薄膜の脱酸素に本発明を使用するのにはたくさんの利便性がある。第一に、アウターリードボンディングのための標準的なリフローソルダリング法と比較して、ウエハバンピング及び薄膜の脱酸素は両方とも単一面の処理である。これに関しては、脱酸素すべき表面より上の空間を１ｃｍ程度と小さくし、それによりイオンの発生と移送の両方について効率的なプロセスにすることができる。第二に、ウエハバンピングにおけるリフローのための処理温度は標準的なリフローソルダリング法のそれよりも著しく高い。このより高い温度は、電子の付着により負に帯電したイオンの形成を促進する。第三に、ウエハバンピングと薄膜の脱酸素のプロセスでは、はんだバンプと薄膜は完全に露出されて、それにより表面の脱酸素の際のいずれの「シャドー」効果も最小限にする。更に、はんだが部品表面を濡らしてその上に広がらなくてはならないほかのはんだ付けプロセスと比べて、ウエハ上の被着はんだバンプは最初のリフローによりはんだボールを形成することが必要なだけである。
【実施例】
【００６３】
以下の例を参照して本発明を更に詳しく説明するが、本発明がそれらに限定されるとは見なされないことを理解すべきである。
【００６４】
（例１）
最初の実験を実験室規模の炉を使用して行った。使用した試料は、炉内に入れてＮ2中に５％のＨ2のガスの流動下に最高２５０℃まで加熱した、接地した銅板（陽極）上のフラックスレスのスズ−鉛はんだプレフォーム（融点１８３℃）であった。試料温度が平衡になったならば、負の電極（陰極）と接地した試料（陽極）との間にＤＣ電圧を印加し、０．３ｍＡの電流で約−２ｋＶまで徐々に増大させた。２つの電極間の距離は約１ｃｍであった。圧力は周囲大気圧であった。はんだは銅表面上で実に非常によく濡れることが分かった。電圧の印加なしでは、純粋なＨ2中でも、銅表面上のフラックスレスはんだの良好な濡れはそのような低温では決して達成することができない。その理由は、スズ系はんだ上のスズ酸化物を純粋Ｈ2が除去するための有効温度は３５０℃より高いからである。従って、この結果は、この電子付着法がＨ2フラックスレスはんだ付けを促進するのに有効であることを確認するものである。
【００６５】
（例２）
いくつかの陰極材料を、例１と同じ設備を使用し電界放出メカニズムを使用する電子の付着に支援される水素フラックスレスはんだ付けについて調べた。調べた結果を表１に示す。
【００６６】
表１から明らかなように、最良の結果はＮｉ／Ｃｒの陰極を使用して得られ、それは最高のフラックス効率をもたらし、その結果湿潤時間が最短になった。このＮｉ／Ｃｒ陰極は、その他の陰極材料と比較して相対的に大量の電子を発生させ、電子の好適なエネルギーレベルを有するものと考えられた。
【００６７】
【表１】
2005002468.tif 000006
【００６８】
（例３）
この例は、熱−電界放出法が電子を発生するのに有効であるのを調べるために行った。表面から突き出した長さ１ｍｍの機械加工した多数の先端を有し、陰極として働く直径３ｍｍのグラファイト棒は、図２（ｉ）に示したのと同様の幾何学形状であった。機械加工した突き出す先端のおのおのの先端角度は２５度であった。５％Ｈ2及び９５％Ｎ2のガス混合物中にて、ＡＣ電源を使用する抵抗加熱によりグラファイト棒を約４００〜５００℃に加熱した。グラファイトの陰極と、それとの間に１．５ｃｍの空隙を有する陽極として働く銅板との間に、５ｋＶのＤＣ電圧源を印加した。グラファイト棒の全部の先端が明るくなり、それによりグラファイト棒上の分散した先端から電子を均一に発生させることができることが示された。グラファイト棒を加熱しなければ、陰極から電子が放出されることはなく、あるいは先端の一つと陽極プレートとの間にアークが生じたであろう。これは、多数の先端を持つ陰極を使用するのと高温との組み合わせ、すなわち熱−電界放出法が、統合された放出系から電子を均一に放出するのに有効であることを実証するものである。
【００６９】
（例４）
この例は、図４に例示した電極のような、機械加工した２つのＡｌ2Ｏ3耐熱プレートの間に水平に把持した直径０．０４インチのニッケル−クロム合金の加熱ワイヤを使用して行った。ニッケル−クロムの加熱ワイヤから直角に突き出した鋭い先端（１２．５度）をワイヤの一方の端部におのおの備えた一組の５本のニッケル−クロム合金の放出ワイヤを、２枚の耐熱プレートの間に垂直に配置した。ニッケル−クロムの加熱ワイヤと先端を、ＡＣ電源を使用して５％Ｈ2及び９５％Ｎ2のガス混合物中で約８７０℃に加熱した。陰極と、陽極として働き２つの電極間に６ｍｍの空隙を有する銅板との間に、２．６ｋＶのＤＣ電圧を印加した。５つの先端の全てが明るくなり、全放出電流は２．４ｍＡに達した。ワイヤを加熱しなければ、陰極から電子が放出されることはなく、あるいは先端の一つと陽極プレートとの間にアークが生じたであろう。例３と同じように、例４は熱に支援される電界放出が均一な電子の放出をもたらすことを実証するものである。更に、放出電極の温度がより高いので、それは所定の電位における電子の放出量も増大させる。
【００７０】
（例５）
この例は、２つの電極間の電圧パルスが陰極の放出に及ぼす効果を実証するために行った。単一先端のニッケル−クロム合金ワイヤを放出電極として使用し、接地した銅プレートをベース電極として働かせた。銅プレートを放出電極の先端の下方３ｍｍのところに配置した。銅プレートの上にスズ／鉛はんだのプレフォームを配置した。ニッケル−クロムワイヤ、プレフォーム、及び銅プレートを、周囲温度の炉内で４％のＨ2及び残りがＮ2のガス混合物中に保持した。２つの電極間に種々の周波数及び大きさの単一方向のパルス状電圧を印加した。これについては、放出電極の電位を接地したベース電極に関し負からゼロに至るまで変化させ、それにより先端電極から電子を発生させた。結果を表２に示す。
【００７１】
表２の結果は、より大きなパルス周波数及び大きさの電圧パルスを印加すると放出電極からより多量の電子が発生することを示している。
【００７２】
【表２】
2005002468.tif 000007
【００７３】
（例６）
この例は、例５と同じ設備を使って２つの電極の極性を変えることによる表面放電を実証するために行った。
【００７４】
合計のパルスの大きさが３．４ｋＶ（例えば＋１．７ｋＶから−１．７ｋＶまで）の双方向電圧パルスを２つの電極間に印加した。双方向電圧パルスの間に、２つの電極の極性を変化させた。言い換えば、放出電極の先端を接地したベース電極に関し正から負の電気バイアスに変更して、それにより電子を先端電極から発生させ、またそれに回収させた。
【００７５】
表３は、極性変更の各周波数ごとのベース電極からの漏れ電流を示している。表３から明らかなように、極性変更の周波数が高くなるほど、銅のベース電極を通過する漏れ電流を観測することによる電荷の蓄積は少なくなる。
【００７６】
【表３】
2005002468.tif 000008
【００７７】
（例７）
この例は、追加の電極を使用することによる遠隔表面放電を実証するために行った。融点が３０５℃の９０Ｐｂ／１０Ｓｎはんだプレフォームを、電気的に絶縁したウエハ上に配置した銅基材の小片上に配置した。接地した銅プレートをウエハの下に配置し、ベース電極として働かせた。一方は負の電圧、そして一方は正の電圧の、単一先端の２本のニッケル−クロムワイヤを、はんだプレフォームを有するベース電極の上方１ｃｍのところに取り付けた。２本の単一先端電極間の距離は１．５ｃｍであった。この集成体を、Ｎ2中に４％のＨ2を含有するガス混合物中で、室温からはんだの融点より高い所定のリフロー温度まで加熱した。リフロー温度が平衡に達したら、２本の単一先端電極に正と負の電圧を印加して電子の付着を開始させ、はんだプレフォームが球状のボールを形成するのに要する時間を記録した。球状の半田ボールの形成は酸化物のないはんだ表面を示すものであった。表４に示したように、表面の脱酸素は、はんだの融点より５〜１５℃だけ高い、３１０〜３３０℃の温度範囲で完全に効果的である。
【００７８】
【表４】
2005002468.tif 000009
【００７９】
（例８）
例１のものと同様の実験設備を使用して、Ｎ2パージをしながら一定の電界のもとで放出先端の寿命を試験した。およそ２．２ｋＶ／ｃｍの一定の電界で１０００時間以上の間０．３ｍＡで先端放出は維持された。この結果は、イオン及び電子の侵食が無視されるため電界放出の先端の性能が長く持続することを確認するものである。
【００８０】
本発明を詳しく、その具体的な例を参照して説明したが、その精神と範囲から逸脱することなしにそれに様々な変更や改変を加えることができることは当業者にとって明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１（ａ）】放出電極及びベース電極への電圧パルスを説明する図である。
【図１（ｂ）】放出電極及びベース電極への電圧パルスを説明する図である。
【図２（ａ）】電子を放出及び／又は回収するのに適した種々の電極形状の模式図である。
【図２（ｂ）】電子を放出及び／又は回収するのに適した種々の電極形状の模式図である。
【図２（ｃ）】電子を放出及び／又は回収するのに適した種々の電極形状の模式図である。
【図２（ｄ）】電子を放出及び／又は回収するのに適した種々の電極形状の模式図である。
【図２（ｅ）】電子を放出及び／又は回収するのに適した種々の電極形状の模式図である。
【図２（ｆ）】電子を放出及び／又は回収するのに適した種々の電極形状の模式図である。
【図２（ｇ）】電子を放出及び／又は回収するのに適した種々の電極形状の模式図である。
【図２（ｈ）】電子を放出及び／又は回収するのに適した種々の電極形状の模式図である。
【図２（ｉ）】電子を放出及び／又は回収するのに適した種々の電極形状の模式図である。
【図３】複数の先端を使用する電子の放出及び／又は回収に適した電極の一つの態様の例を示す図である。
【図４】セグメント化したアセンブリを有する電子の放出及び／又は回収に適した電極の一つの態様の例を示す図である。
【図５】ウエハバンピングの用途における金属酸化物の除去を説明する本発明の一つの態様の例を示す図である。
【図６】ウエハのバンプをリフローする際に電極の極性を変更することにより基材表面の負に帯電したイオンを除去するための本発明の特定の態様を説明する図である。
【図７（ａ）】２つの電極の極性を変更する場合の２つの電極間の帯電した種の移送を説明する図である。
【図７（ｂ）】２つの電極の極性を変更する場合の２つの電極間の帯電した種の移送を説明する図である。
【図８】ベース電極に関し正のバイアスを持つ追加の電極を使用することにより基材の表面の電子を除去するための本発明の特定の態様を説明する図である。
【図９（ａ）】基材に関して移動する少なくとも１つの電極を使用する本発明の特定の態様を説明する図である。
【図９（ｂ）】基材に関して移動する少なくとも１つの電極を使用する本発明の特定の態様を説明する図である。
【図９（ｃ）】基材に関して移動する少なくとも１つの電極を使用する本発明の特定の態様を説明する図である。
【図９（ｄ）】基材に関して移動する少なくとも１つの電極を使用する本発明の特定の態様を説明する図である。
【図９（ｅ）】基材に関して移動する少なくとも１つの電極を使用する本発明の特定の態様を説明する図である。
【図１０（ａ）】一方向電圧パルスを説明する図である。
【図１０（ｂ）】双方向電圧パルスを説明する図である。
【図１１（ａ）】複数の電極を有するアセンブリの１つの態様の分解図である。
【図１１（ｂ）】複数の電極を有するアセンブリの１つの態様の組立等角図である。
【図１１（ｃ）】図１１（ａ）と１１（ｂ）に示した導電性ベースの態様の詳細上面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１    極
２    ワイヤ
３    先端
２０    ウエハ
２２    第１の電極
２４    第２の電極
２５    パルス状電圧
２６    ガス混合物
２８    電子
３０    水素イオン
１００、１０２    電極
１０１    鋭い先端
１０３    ウエハ
１０４    ＡＣ電源
１０５    パルス状ＤＣ電源
４００    フラックスレスはんだ付け装置
４１０    電極アセンブリ
４２０    ハウジング
４２２    内容積
４２４    流体入口
４３０    導電性ベース
４３２    孔
４３４    導電性の先端
４４０    ターゲット領域
４５０    基材
４６０    ベース電極
【図１（ａ）】
2005002468.tif 000012
【図１（ｂ）】
2005002468.tif 000013
【図２（ａ）】
2005002468.tif 000014
【図２（ｂ）】
2005002468.tif 000015
【図２（ｃ）】
2005002468.tif 000016
【図２（ｄ）】
2005002468.tif 000017
【図２（ｅ）】
2005002468.tif 000018
【図２（ｆ）】
2005002468.tif 000019
【図２（ｇ）】
2005002468.tif 000020
【図２（ｈ）】
2005002468.tif 000021
【図２（ｉ）】
2005002468.tif 000022
【図３】
2005002468.tif 000023
【図４】
2005002468.tif 000024
【図５】
2005002468.tif 000025
【図６】
2005002468.tif 000026
【図７（ａ）】
2005002468.tif 000027
【図７（ｂ）】
2005002468.tif 000028
【図８】
2005002468.tif 000029
【図９（ａ）】
2005002468.tif 000030
【図９（ｂ）】
2005002468.tif 000031
【図９（ｃ）】
2005002468.tif 000032
【図９（ｄ）】
2005002468.tif 000033
【図９（ｅ）】
2005002468.tif 000034
【図１０（ａ）】
2005002468.tif 000035
【図１０（ｂ）】
2005002468.tif 000036
【図１１（ａ）】
2005002468.tif 000037
【図１１（ｂ）】
2005002468.tif 000038
【図１１（ｃ）】
2005002468.tif 000039
【外国語明細書】
2005002468000001.pdf