(57)【要約】【課題】  マスタディスクの溝部への軟磁性体の万遍ない埋め込みを可能とする磁気転写用マスタディスクの製造方法を提供すること。【解決手段】  磁気転写用マスタディスクの基体であるＳｉ基板１１の主表面上にパターン化された溝を形成し、Ｓｉ基板１１の主表面および溝部表面に導電性薄膜１４を形成する。この導電性薄膜１４を一方電極として電解メッキ法によりＳｉ基板１１の主表面上および溝部内部に軟磁性体のメッキ膜１５を堆積させる。Ｓｉ基板１１に形成した溝部の底面のみならず側壁面にも導電性薄膜１４が形成されているため、電解メッキ工程において溝部の全面に確実に電圧印加され、軟磁性体の溝部内部への確実な埋め込みが行われる。最後に、Ｓｉ基板１１の主表面上に堆積された軟磁性体のみをＣＭＰ法により除去して溝部内部の軟磁性体を残留させる。【選択図】  図１
2005100540.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気転写用マスタディスクの基体の主表面上にパターン化された溝を形成する第１のステップと、
前記基体の主表面および溝部表面に導電性薄膜を形成する第２のステップと、
当該導電性薄膜を一方電極とする電解メッキにより、前記基体の主表面上および溝部内部に軟磁性体を堆積させる第３のステップと、
前記基体の主表面上に堆積された軟磁性体をＣＭＰ法により除去して前記溝部内部にのみ軟磁性体を残留させる第４のステップと、
を備えていることを特徴とする磁気転写用マスタディスクの製造方法。
【請求項２】
磁気転写用マスタディスクの基体の主表面上にパターン化された溝を形成する第１のステップと、
前記基体の主表面および溝部表面に導電性薄膜を形成する第２のステップと、
前記基体の主表面の導電性薄膜をリフトオフにより除去して前記溝部内部にのみ導電性薄膜を残留させる第３のステップと、
当該導電性薄膜を下地とする無電解メッキにより、前記溝部内部に軟磁性体を堆積させる第４のステップと、
を備えていることを特徴とする磁気転写用マスタディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気転写用マスタディスクの製造方法に関し、より詳細には、マスタディスクの溝部へ軟磁性体が万遍なく埋め込まれ、マスタディスク全面に渡って軟磁性層を均一に形成することを可能とする磁気転写用マスタディスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）では、スライダーと呼ばれる機構により磁気ヘッドを浮上させ、回転している磁気記録媒体の表面と磁気ヘッドとの間隔を数１０ｎｍに保った状態でデータの記録・再生が行われている。磁気記録媒体に記録されているビット情報は、媒体の同心円状に配置されたデータトラックに格納されており、磁気ヘッドを磁気記録媒体面上の目的とするデータトラックへと高速で移動・位置決めすることによってデータの記録・再生が行われる。磁気記録媒体面上には、磁気ヘッドとデータトラックとの相対位置を検出するための位置決め信号（サーボ信号）が同心円状に書き込まれており、磁気ヘッドは一定時間間隔毎に磁気記録媒体上での位置を検出している。このようなサーボ信号は、その書き込み信号の中心が媒体の中心（あるいはヘッドの軌道の中心）から偏心しないようにするために、ＨＤＤ装置に磁気記録媒体を組み込んだ後にサーボライターと呼ばれる専用の装置を用いて書き込まれる。
【０００３】
現在のＨＤＤ用磁気記録媒体は、開発レベルの記録密度が１００Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ２に達するとともに、年率６０％で記録容量が増加している。このような大容量化に伴って、磁気ヘッドの媒体上での位置を検出するためのサーボ信号の書込密度、および、サーボ信号の書込時間も年々増加する傾向にあり、サーボ信号の書込時間の増大は、ＨＤＤの生産性低下やコスト増加をもたらす一つの大きな要因になっている。
【０００４】
サーボライターの信号書込みヘッドを用いてサーボ信号を書き込む方式に対して、サーボ信号を磁気的転写により一括して書き込み、サーボ信号の書き込み時間を飛躍的に短縮化しようとする技術開発が行われており、そのためのマスタディスクの製造方法についての報告もなされている（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。
【０００５】
図５はサーボ信号の磁気転写の工程を説明するための図で、図５（ａ）は、初期消磁工程において、図示しない消磁用の永久磁石が図中の矢印のように、媒体５１の表面上を１ｍｍ以下の一定間隔を保ちながら移動する様子を示したものである。媒体５１に設けられている磁性層は、この工程前には一定の方向に磁化された状態には無いが、永久磁石のギャップから漏れた磁界によって図中の矢印で示したように、円周方向に一様に磁化される。また、図５（ｂ）は、マスタディスク位置合わせ工程において、磁気転写用のマスタディスク５２を媒体５１の上に配置させて位置合わせを行なう際の状態を示している。更に、図５（ｃ）は、転写パターン書き込み工程において、マスタディスク５２を媒体５１の表面に密着させ、図示しない磁気転写用の永久磁石を図中の矢印で示した移動路に沿って移動させることによってサーボ信号の磁気転写を行う様子を示している。
【０００６】
図６は、サーボ信号の磁気転写の初期消磁工程と転写パターン書き込み工程における永久磁石と媒体との相互の位置関係を説明するための図で、図６（ａ）は初期消磁工程における位置関係を示しており、図６（ｂ）は転写パターン書き込み工程における位置関係を示している。初期消磁工程においては、図６（ａ）に示すように、基板５１ａ上に磁性層５１ｂを備えている媒体５１の表面上を、消磁用の永久磁石５３が図中の矢印のように移動し、永久磁石５３のギャップから漏れた磁界により、磁性層５１ｂは図中の矢印で示したように円周方向に一様に磁化される。
【０００７】
また、転写パターン書き込み工程においては、図６（ｂ）に示したように、Ｓｉ基板５２ａの片面にＣｏ系の軟磁性層が埋め込まれた軟磁性膜５２ｂを備えるマスタディスク５２の軟磁性膜側の表面と、媒体５１の磁性層側の表面とを密着させて配置し、磁気転写用の永久磁石５３がＳｉ基板５２ａ上を移動するように走査させる。永久磁石５３と磁性層５１ｂとの間には、Ｃｏ系の軟磁性層がパターン状に埋め込まれた軟磁性膜５２ｂが介在しているため、永久磁石５３によってＳｉ基板５２ａ中に形成される磁界は、軟磁性膜５２ｂ中のＣｏ系軟磁性層の無い位置に対応する磁性層５１ｂ中の場所の磁性粒を磁化することができるが、Ｃｏ系軟磁性層が存在する位置に対応する磁性層５１ｂ中の場所では、磁気抵抗の小さい磁気経路となるように軟磁性膜５２ｂ中を通過するために、Ｓｉ基板５２ａから漏れ出す磁界が弱くなり、新たな信号書き込みは行われない。このようなメカニズムによって磁気転写が行われる。なお、図６（ｂ）中において示したように、転写信号書き込みの磁界の向きは消磁磁界とは反対方向である。
【０００８】
図７は、マスタディスクの一般的な作製工程を説明するための図である。 
第１工程は熱酸化膜形成工程（図７（ａ））であり、Ｓｉ基板５２ａの表面を熱酸化処理して膜厚０．２μｍのＳｉＯ２膜７１を形成する。
【０００９】
第２工程はレジスト塗布工程（図７（ｂ））であり、熱酸化処理を施したＳｉ基板５２ａのＳｉＯ２膜７１上にフォトレジスト７２を膜厚０．２μｍで塗布する。後述するように、酸化膜エッチング装置でのエッチングレートは、フォトレジスト：ＳｉＯ２＝１：２であるので、第１工程で形成された膜厚０．２μｍのＳｉＯ２膜をエッチングするためのフォトレジストの膜厚は０．２μｍ程度で十分である。
【００１０】
第３工程は磁気パターンのパターンニング工程（図７（ｃ））であり、Ｓｉ基板５２ａのフォトレジスト面に対して、電子ビーム露光装置などを用いて露光を行い、フォトレジスト７２を所望の磁気パターンに感光させ、フォトレジスト面を現像液に浸して露光部分を除去する。
【００１１】
第４工程はＳｉＯ２膜７１のエッチング工程であり、フォトレジストが除去されて露出されているＳｉＯ２膜を、酸化膜エッチャーでエッチングし、Ｓｉ基板５２ａの表面が暴露された時点でエッチングを停止する。これにより、フォトレジスト７２に形成されたパターンをＳｉＯ２膜７１に転写する。
【００１２】
第５工程はフォトレジストの除去工程（図７（ｅ））であり、残存しているフォトレジスト膜を加熱により灰化・除去し、パターンニングされたＳｉＯ２膜７１のマスクを露出させる。
【００１３】
第６工程はＳｉのエッチング工程（図７（ｆ））であり、ＳｉＯ２膜をマスクとして、Ｓｉのエッチング装置にてＳｉ基板５２ａの表面が露出した部分をエッチングし、所定の深さまでの溝を形成する。
【００１４】
第７工程は軟磁性膜の成膜工程（図７（ｇ））であり、スパッタされた成膜粒子の直進性が高いスパッタ装置を用い、軟磁性膜７３がＳｉ基板５２ａの全面を被覆するように膜形成を行う。これにより、第６工程で形成した溝部には軟磁性体の埋め込みが行われる。
【００１５】
第８工程はＣＭＰによる研磨工程（図７（ｈ））であり、第７工程で形成した軟磁性膜７３にＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）加工を施し、第６工程で形成した溝部以外の部分の軟磁性体を除去する。このようにして、Ｓｉ基板５２ａに設けられた溝部への、軟磁性体の埋め込みが完了する。
【００１６】
この製作工程において、軟磁性膜７３をＳｉＯ２膜７１の表面より十分盛り上がる状態まで成膜した後にＣＭＰにより削り取ることとする理由は、Ｓｉ基板５２ａに設けられた溝部に埋め込まれた軟磁性体の表面とＳｉＯ２膜７１の表面とが同一平面上に位置するようにするためである。
【００１７】
なお、軟磁性膜７３のＣＭＰによる研磨レートは、ＳｉＯ２の研磨レートの約１００倍程度であるので、実質的には、ＳｉＯ２膜７１の表面が露出した段階で残存研磨量は僅かとなり、この段階を見計らってＣＭＰ研磨を停止する。
【００１８】
【特許文献１】特開２００１−０３４９３８号公報
【特許文献２】特開２００３−０２２５２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
上述した従来のマスタディスクの製作方法における問題は、２．５〜３．５インチ径といった大口径のマスタディスクにおいて、その外周部で溝部への軟磁性体の埋め込みが一様でなくなる点である。
【００２０】
図８は、溝部への軟磁性体の埋め込み形状を基板の径方向に調べた結果を説明するための図で、軟磁性体の埋め込みを途中まで行った場合の斜視図（ＳＥＭ像）である。図８（ａ）は基板中心、図８（ｂ）は基板中心から１６．４ｍｍ、そして図８（ｃ）は基板中心から３２．８ｍｍに位置する溝部内部の様子を示している。マスタディスクの基板中心部（図８（ａ））では溝内に均一に軟磁性体が埋め込まれているのに対して、マスタディスクの基板外周部となるにつれて溝内の側壁の影に相当する部分への軟磁性体の埋め込み不足が顕著になることが分かる。これは、基板中心から基板外周部になるにつれて、溝部の側壁とスパッタ粒子の飛来方向との成す角（入射限度角）が次第に大きくなることに起因する。この状態でさらに軟磁性体のスパッタ成膜を継続し、ＳｉＯ２膜の表面を十分に覆うように軟磁性膜を堆積させ、その後、溝部内部以外の軟磁性層をＣＭＰ研磨により除去した。
【００２１】
図９は、基板外周部に位置する溝部近傍の断面形状を示しており、溝部の両側壁側では軟磁性体の埋め込みが不足していることが分かる。このような軟磁性体の埋め込み不良のマスタディスクを用いて磁気転写を行うと、磁気転写後の磁気記録媒体の再生信号にはサブパルスが発生し、磁気転写安定性を損なう結果となってしまう。
【００２２】
図１０は、磁気転写により磁気パターンを形成した磁気記録媒体から得られた再生信号の様子を説明するための図で、図１０（ａ）は正常な再生信号、図１０（ｂ）はサブパルスを含む再生信号である。図１０（ｂ）に示した再生信号中には、正常な再生信号の他に、図中の矢印で示した箇所に本来あるべきではないパルス（サブパルス）の発生が認められている。これは、マスタディスクの溝部への軟磁性体の埋め込みが不良であったことに起因して発生する再生信号である。
【００２３】
このように、高い磁気転写安定性を得るためには、マスタディスク全面において溝部への軟磁性体の埋め込みが均一に実行可能な埋め込み手法が求められる。
【００２４】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、主表面上に凹凸パターンが設けられたマスタディスクの溝部へ軟磁性体が万遍なく埋め込まれ、マスタディスク全面に渡って軟磁性層が均一に形成され、磁気転写後の磁気記録媒体から得られる再生信号中のサプパルスを抑制して、マスタディスクの磁気転写性の安定化を図ることが可能な磁気転写用マスタディスクの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本発明は、このような目的を達成するために、第１の発明は、磁気転写用マスタディスクの基体の主表面上にパターン化された溝を形成する第１のステップと、前記基体の主表面および溝部表面に導電性薄膜を形成する第２のステップと、当該導電性薄膜を一方電極とする電解メッキにより、前記基体の主表面上および溝部内部に軟磁性体を堆積させる第３のステップと、前記基体の主表面上に堆積された軟磁性体をＣＭＰ法により除去して前記溝部内部にのみ軟磁性体を残留させる第４のステップと、を備えていることを特徴とする磁気転写用マスタディスクの製造方法である。
【００２６】
第２の発明は、磁気転写用マスタディスクの基体の主表面上にパターン化された溝を形成する第１のステップと、前記基体の主表面および溝部表面に導電性薄膜を形成する第２のステップと、前記基体の主表面の導電性薄膜をリフトオフにより除去して前記溝部内部にのみ導電性薄膜を残留させる第３のステップと、当該導電性薄膜を下地とする無電解メッキにより、前記溝部内部に軟磁性体を堆積させる第４のステップと、を備えていることを特徴とする磁気転写用マスタディスクの製造方法である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明により、主表面上に凹凸パターンが設けられたマスタディスクの溝部へ軟磁性体が万遍なく埋め込まれ、マスタディスク全面に渡って軟磁性層が均一に形成され、磁気転写後の磁気記録媒体から得られる再生信号中のサプパルスを抑制することが可能となる。これにより、マスタディスクの磁気転写性の安定化を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【実施例１】
【００２９】
図１は、本発明の磁気転写用マスタディスクの製造方法の各工程を説明するための図であり、図７に示した従来の製造方法との相違は、軟磁性膜を電解メッキにより形成した点にある。
【００３０】
第１工程は熱酸化膜形成工程（図１（ａ））であり、Ｓｉ基板１１の表面を熱酸化処理して膜厚０．２μｍのＳｉＯ２膜１２を形成する。
【００３１】
第２工程はレジスト塗布工程（図１（ｂ））であり、熱酸化処理を施したＳｉ基板１１のＳｉＯ２膜１２上にフォトレジスト１３を膜厚０．２μｍで塗布する。上述したように、酸化膜エッチング装置でのエッチングレートは、フォトレジスト：ＳｉＯ２＝１：２であるので、第１工程で形成された膜厚０．２μｍのＳｉＯ２膜をエッチングするためのフォトレジストの膜厚は０．２μｍ程度で十分である。
【００３２】
第３工程は磁気パターンのパターンニング工程（図１（ｃ））であり、Ｓｉ基板１１のフォトレジスト面に対して、電子ビーム露光装置などを用いて露光を行い、フォトレジスト１３を所望の磁気パターンに感光させ、フォトレジスト面を現像液に浸して露光部分を除去する。
【００３３】
第４工程はＳｉＯ２膜１２のエッチング工程であり、フォトレジストが除去されて露出されているＳｉＯ２膜を、酸化膜エッチャーでＣＨＦ３ガスと酸素ガスの混合ガスをエッチングガスとしてエッチングし、Ｓｉ基板１１の表面が暴露された時点でエッチングを停止する。これにより、フォトレジスト１３に形成されたパターンをＳｉＯ２膜１２に転写する。
【００３４】
第５工程はフォトレジストの除去工程（図１（ｅ））であり、残存しているフォトレジスト膜を加熱により灰化・除去し、パターンニングされたＳｉＯ２膜１２のマスクを露出させる。
【００３５】
第６工程はＳｉのエッチング工程（図１（ｆ））であり、ＳｉＯ２膜をマスクとして、Ｓｉのエッチング装置にてＳＦ６ガス雰囲気中でＳｉ基板１１の表面が露出した部分をエッチングし、所定の深さまでの溝を形成する。
【００３６】
第７工程は導電性薄膜の成膜工程（図１（ｇ））であり、導電性薄膜１４をＳｉ基板１１上にスパッタ成膜し、この導電性薄膜を次工程での電解メッキ用の電極とする。なお、図１（ｇ）に示したように、Ｓｉ基板１１に形成した溝部の底面のみならず側壁面にも導電性薄膜が形成されるため、電解メッキ工程において溝部の全面に確実に電圧印加されることとなる。
【００３７】
第８工程は軟磁性膜の成膜工程（図１（ｈ））であり、軟磁性体を溶解させたメッキ溶液に浸漬させてＳｉ基板１１に形成された導電性薄膜１４の電解メッキ用電極に電圧印加し、Ｓｉ基板１１表面と溝部に軟磁性体のメッキ膜１５を形成する。既に説明したように、電解メッキ工程においては溝部の全面に確実に電圧印加されるから、軟磁性体は溝部内部への確実な埋め込みが行われる。このメッキ工程においては、溝部の上面に付着した軟磁性体が溝を塞いでしまう危険性があるため、溝の底面からメッキ膜が形成されるように、メッキ溶液に添加剤を加える必要がある。
【００３８】
第９工程はＣＭＰによる研磨工程（図１（ｉ））であり、第８工程で形成した軟磁性膜１５にＣＭＰ加工を施し、第６工程で形成した溝部以外の部分の軟磁性体を除去する。このようにして、Ｓｉ基板１１に設けられた溝部への、軟磁性体の埋め込みが完了する。
【００３９】
このＣＭＰ研磨工程においては、予めＣＭＰによるＳｉＯ２膜の研磨レートとＣｏ等の磁性膜の研磨レートとを把握しておき、ＳｉＯ２膜上に堆積している軟磁性膜の厚みを基に研磨時間を見積もることが可能であるが、実際には、見積もった研磨時間に若干の余裕をもたせて研磨を行う。研磨初期においては、ＳｉＯ２膜上に堆積している軟磁性膜が削られるが、これらの軟磁性膜が研磨により除去されてＳｉＯ２膜が表面に現れると研磨速度は遅くなる。３μｍ幅のパターンを形成するマスタディスクの製作にＣＭＰ研磨を施した結果、ＳｉＯ２膜の研磨レートは軟磁性膜（Ｃｏ）の研磨レートよりも非常に低いため、研磨された表面位置はＳｉＯ２表面位置とほぼ一致し、この面に対して軟磁性体部の表面が０．０６μｍ程度窪んでいることが確認された。しかし、サーボパターン幅を現状の０．２μｍ相当まで狭くすることにより、軟磁性体部表面の上記窪みは相当軽減され、磁気転写性能の低下は生じないものと考えられる。
【００４０】
図２は、上記第８工程における電解メッキ工程をより具体的に説明するための図で、軟磁性体を溶解させたメッキ溶液１６中にＳｉ基板１１を浸漬させ、マスタディスク（Ｓｉ基板１１）と同サイズの対向電極１７と導電性薄膜１４の電解メッキ用電極とを平行に配置し、この状態で電圧印加し、Ｓｉ基板１１表面と溝部に軟磁性体のメッキ膜を形成する。ここで、メッキ膜の厚みを均一にするためには、対向電極１７と電解メッキ用電極とを正確に平行に配置して、マスタディスクの面内で電界を均一とすることが極めて重要である。なお、この図では導電性薄膜１４の電解メッキ用電極に＋、対向電極１７に−の電圧を印加しているが、印加電圧極性はメッキ溶液１６などの諸条件によって適宜変更し得る。
【００４１】
従来方法のように軟磁性膜をスパッタ成膜すると、例え大口径のターゲットを用いたとしても、ターゲット中心部ほど高く外周部になるにつれて低くなるスパッタ粒子密度分布で放出され、その結果、図８で示したような軟磁性体の埋め込み不良が生じる。これに対して、本発明のように電解メッキにより軟磁性体の埋め込みを行うこととすると、溝部の全面に確実に電圧印加されて溝部内部への確実な軟磁性体の埋め込みが行われる。
【００４２】
このようなメッキ工程においては、基本的には、マスタディスク（Ｓｉ基板１１）の全面に渡って同一電界強度となるようにすれば、メッキ膜の厚みの不均一は発生しないが、外周部には電界が集中し易くその部分におけるメッキ膜の厚みが厚くなり易いという問題がある。
【００４３】
図３は、この問題を回避するために、マスタディスク（Ｓｉ基板１１）の外周側壁面に導電板１８を配置して電解メッキを行う例を説明するための図である。上述したように、外周部においてメッキ膜の厚みが厚くなり易いのは外周部で電界集中が生じ易いことによる。従って、図３に示したように、マスタディスク（Ｓｉ基板１１）の外周側壁面に導電板１８を配置し、かつ、対向電極の外径を導電板１８を含むマスタディスクの外径と同一とすれば、マスタディスクの全領域において一様電界を形成することが可能となり、メッキ膜の厚みの不均一は発生しないこととなる。
【実施例２】
【００４４】
本実施例では、無電解メッキ法により軟磁性膜を形成する。無電解メッキ法は、メッキ液中に含まれる還元剤によって金属イオンを還元析出させる純粋な化学反応に基づいたメッキ方法であるが、金属イオンと還元剤とが共存する限り、析出した金属自身の自己触媒作用によってもメッキ被膜の析出が起こる。
【００４５】
図４は、本実施例の磁気転写用マスタディスクの製造方法の各工程を説明するための図である。第１〜４工程（図４（ａ）〜（ｄ））は、図１に示した実施例１における工程の第１〜４工程と同様であるので繰り返して説明することはしない。
【００４６】
第５工程はＳｉのエッチング工程（図４（ｅ））であり、ＳｉＯ２膜１２をマスクとして、Ｓｉのエッチング装置にてＳＦ６ガス雰囲気中でＳｉ基板１１の表面が露出した部分をエッチングし、所定の深さまでの溝を形成する。
【００４７】
第６工程は導電性薄膜の形成工程（図４（ｅ））であり、Ｓｉ基板１１の表面と溝部の底面および側面に導電性薄膜１４の薄膜をスパッタ成膜する。
【００４８】
第７工程は導電性薄膜のスパッタ工程（図４（ｆ））であり、溝部の側壁から弗酸を浸透させ、リフトオフによりＳｉ基板１１表面に残存しているレジスト１３を剥離し、溝部のみに導電薄膜を残す。
【００４９】
第８工程は無電解メッキ工程（図４（ｇ））であり、軟磁性体が溶解され、かつ、還元剤を含んだメッキ溶液中に、第７工程終了後のＳｉ基板１１を浸漬させ、メッキ液中に溶解されている軟磁性体を溝部の深さに対して十分な厚みとなるまで析出させる。なお、溝部以外に軟磁性体が析出した場合には、溝部以外の部分の軟磁性体をＣＭＰ研磨により除去する。このようにして、Ｓｉ基板１１に設けられた溝部への、軟磁性体の埋め込みが完了する。なお、このメッキ工程においても、溝部の上面に付着した軟磁性体が溝を塞いでしまう危険性があるため、溝の底面からメッキ膜が形成されるように、メッキ溶液に添加剤を加える必要がある。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、高い転写安定性を有する磁気転写用マスタディスクの製造方法の提供を可能とする。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の磁気転写用マスタディスクの製造方法の各工程を説明するための図である。
【図２】電解メッキ工程をより具体的に説明するための図である。
【図３】マスタディスクの外周側壁面に導電板を配置して電解メッキを行う例を説明するための図である。
【図４】実施例２の磁気転写用マスタディスクの製造方法の各工程を説明するための図である。
【図５】サーボ信号の磁気転写の工程を説明するための図で、（ａ）は初期消磁工程、（ｂ）はマスタディスク位置合わせ工程、（ｃ）は転写パターン書き込み工程の図である。
【図６】サーボ信号の磁気転写の初期消磁工程と転写パターン書き込み工程における永久磁石と媒体との相互の位置関係を説明するための図で、（ａ）は初期消磁工程における位置関係を示しており、（ｂ）は転写パターン書き込み工程における位置関係を示している。
【図７】マスタディスクの一般的な作製工程を説明するための図である。
【図８】溝部への軟磁性体の埋め込み形状を基板の径方向に調べた結果を説明するための図で、軟磁性体の埋め込みを途中まで行った場合の斜視図（ＳＥＭ像）である。（ａ）は基板中心、（ｂ）は基板中心から１６．４ｍｍ、（ｃ）は基板中心から３２．８ｍｍに位置する溝部内部の様子を示している。
【図９】基板外周部に位置する溝部近傍の断面形状を示す図である。
【図１０】磁気転写により磁気パターンを形成した磁気記録媒体から得られた再生信号の様子を説明するための図で、（ａ）は正常な再生信号、（ｂ）はサブパルスを含む再生信号である。
【符号の説明】
【００５２】
１１  Ｓｉ基板
１２  ＳｉＯ２膜
１３  フォトレジスト
１４  導電性薄膜
１５  メッキ膜
１６  メッキ溶液
１７  対向電極
１８  導電板
【図１】
2005100540.tif 000003
【図２】
2005100540.tif 000004
【図３】
2005100540.tif 000005
【図４】
2005100540.tif 000006
【図５】
2005100540.tif 000007
【図６】
2005100540.tif 000008
【図７】
2005100540.tif 000009
【図８】
2005100540.tif 000010
【図９】
2005100540.tif 000011
【図１０】
2005100540.tif 000012