(57)【要約】【課題】  陽極の劣化を防止して、素子寿命を長寿命化できるようにした有機ＥＬ装置を提供することを目的とする。【解決手段】  基板２上に陽極１１１，正孔注入層１１０ａ、発光層１１０ｂ，陰極１２を順に積層してなる有機ＥＬ装置１において、陽極１１１と正孔注入層１１０ａとの間に、正孔注入層形成材料による上記陽極１１１の腐食を防止するための腐食防止層１１５を設ける。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に陽極，正孔注入層、発光層，陰極を順に積層してなる有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
上記陽極と正孔注入層との間に、該正孔注入層を構成する正孔注入層形成材料による上記陽極の腐食を防止するための腐食防止層が設けられたことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
上記腐食防止層が貴金属を含んで構成されたことを特徴とする、請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
上記腐食防止層の層厚が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
上記腐食防止層が酸化物，窒化物，酸窒化物のいずれかを含んで構成されたことを特徴とする、請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
上記腐食防止層の層厚が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項４記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
上記腐食防止層が正孔輸送性を有する高分子を含んで構成されたことを特徴とする、請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
上記高分子が架橋構造を有することを特徴とする、請求項６記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかの項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置及びこの有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置の分野では、薄型・軽量で視認性のよい有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置という）の研究開発が行なわれている。この有機ＥＬ装置は、発光層を陽極及び陰極によって挟持した発光素子を画像表示領域内に複数配置してなるものであり、これら発光素子の駆動がＴＦＴ等のスイッチング素子によって制御されることで、所望の画像が表示される。
このような有機ＥＬ装置では、表示性能向上のために、発光材料等の面において様々な改良が行なわれている（例えば特許文献１〜５参照）。
【特許文献１】特開２００３−１０９７７２号公報
【特許文献２】特開２００２−１７０６７１号公報
【特許文献３】特開２０００−６８０７３号公報
【特許文献４】特開平１１−１５４５９６号公報
【特許文献５】特開２００２−３４３５６８号公報
【特許文献６】特開２００１−７６８８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、特許文献６で開示されるようなウェットプロセスにより作製された有機ＥＬ装置では、陽極から発光層への正孔注入効率を上げるために、陽極と発光層との間にＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）やＰＡＮＩ（ポリアニリン）等の共役系高分子からなる正孔注入層を設ける場合がある。
しかし、このように正孔注入層を導入したものでは、これを導入しないものに比べて、素子が劣化され易く、寿命の面で課題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、素子の劣化を防止して長寿命化を図ることのできる有機ＥＬ装置、及びこの有機ＥＬ装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者は、このような素子の劣化原因について、正孔注入層内に導入されるドープ材に着目した。つまり、上述の構造では、通常、陽極界面との導通性を高め素子駆動電圧を下げるために、共役系高分子には例えばＰＳＳ（ポリスチレンスルフォン酸）やＣＳＡ（カンファスルフォン酸）等の強酸性のアクセプタ分子をドープする必要がある。このようなドープ材は、上記共役系高分子と共に分散媒中に分散され、陽極上に塗布・焼成されるが、この際、陽極が腐食されると考えられる。
【０００５】
そこで、本発明者は、このような陽極の腐食を防止するために、以下の構成を採用した。すなわち、上記の課題を解決するため、本発明の有機ＥＬ装置は、基板上に陽極，正孔注入層、発光層，陰極を順に積層してなる有機エレクトロルミネッセンス装置であって、上記陽極と正孔注入層との間に、該正孔注入層を構成する正孔注入層形成材料による上記陽極の腐食を防止するための腐食防止層が設けられたことを特徴とする。
本構成によれば、陽極上に腐食防止層が設けられているため、正孔注入層を形成する際に、そのドープ材によって陽極が腐食されることはない。このため、装置の長寿命化を図ることができる。
【０００６】
このような腐食防止性能を有する材料（即ち、腐食防止層の形成材料）としては、例えば、ＡｕやＰｔ等の貴金属、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯｘ等の酸化物、ＳＩＮｘ等の窒化物、ＳｉＯｘＮｙ等の酸窒化物、或いは、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン等の正孔輸送性を有する高分子等を挙げることができる。このような材料が腐食防止層に少なくとも1種類以上含まれることで、上述の効果が得られる。
なお、腐食防止層が貴金属を含む構成である場合には、その層厚は１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることが好ましい。層厚が１００ｎｍよりも厚くなると、正孔注入／輸送性能が損なわれる虞があり、層厚が１０ｎｍよりも薄いと十分な腐食防止性能が得られない。
【０００７】
また、腐食防止層が酸化物，窒化物，酸窒化物のいずれかを含む構成である場合には、その層厚は１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。これらの材料は酸等に対する耐久性が高いため、上述のように腐食防止層を貴金属で構成する場合に比べて、層厚を１ｎｍ程度にまで薄くすることができる。逆に、層厚が厚くなると内部応力によりクラックが生じる虞があるため、許容される最大層厚は上記貴金属の場合に比べて薄く（即ち、３０ｎｍ以下）する必要がある。
また、腐食防止層が正孔輸送性を有する高分子を含む構成である場合、このような高分子は架橋構造を有することが好ましく、これにより、より高い腐食防止性能を発揮することができる。
【０００８】
また、本発明の電子機器は上述の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする。これにより、高輝度で信頼性の高い表示部を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図１〜図１４を参照しながら、本発明の有機ＥＬ装置とその製造方法、並びに電子機器に係る実施の形態を説明する。なお、図１〜図１４において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材に縮尺は実際のものとは異なるように表している。
図１は本実施形態の有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図、図２は本実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す図であり、図２（ａ）は同平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００１０】
この有機ＥＬ装置１は、図１に示すように、複数の走査線１０１、…と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２、…と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３、…とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１と信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。
【００１１】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
更に、画素領域Ａ各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）１２との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。画素電極１１１と陰極１２と機能層１１０により、発光素子が構成されている。
【００１２】
この有機ＥＬ装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、更に機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００１３】
この有機ＥＬ装置１は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、透明な基板２と、この基板２上に形成されマトリックス状に配置された発光素子を備えた発光素子部１１とを具備している。この発光素子は、画素電極１１１と陰極１２と機能層１１０により構成されている。
基板２は、例えば、可視光に対して透明なガラス等により構成され、この基板２の表面は、中央に位置する略矩形状の表示領域２ａと、基板２の周縁に位置して表示領域２ａを囲む非表示領域２ｂとに区画されている。
表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であり、この表示領域２ａの外側に形成される非表示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー表示領域２ｄが形成されている。
【００１４】
また、図２（ｂ）に示すように、発光素子部１１と基板２の間には回路素子部１４が備えられ、この回路素子部１４に前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられている。
また、陰極１２は、その一端が陰極用配線１２ａに接続しており、この陰極用配線１２ａの一端部が基板２の一端部に設けられたフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。この配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ（駆動回路）６に接続されている。
【００１５】
また、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。
また、この表示領域２ａの図２（ａ）中両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域２ｄの下側の回路素子部１４内に設けられている。更に回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。
更に、この表示領域２ａの図２（ａ）中上側には検査回路１０６が配置されている。この検査回路１０６により、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００１６】
また、発光素子部１１上には封止部３が備えられている。この封止部３は、図２（ｂ）に示すように、基板２の周囲に環状に形成された封止樹脂６０３と、この封止樹脂６０３上に設けられた封止缶６０４とから構成されている。封止樹脂６０３は、熱硬化型樹脂あるいは紫外線硬化型樹脂等から構成されたもので、特に、熱硬化型あるいは紫外線硬化型のエポキシ樹脂が好適に用いられる。
封止樹脂６０３は、例えば、液状もしくは粘性のある熱硬化型樹脂あるいは紫外線硬化型樹脂をマイクロディスペンサ等により塗布し、その後、ホットプレート等を用いて加熱あるいは紫外線ランプ等による紫外線照射により硬化させたものである。
【００１７】
封止缶６０４は、ガラス又は金属からなるもので、封止樹脂６０３を介して基板２に接合されており、その内側には表示素子１０を収納する凹部６０４ａが形成されている。この凹部６０４ａには、水、酸素等を吸収するゲッター剤６０５が貼り付けられており、封止缶６０４の内部に侵入した水、あるいは酸素等のガスを吸収できるようになっている。なお、このゲッター剤６０５は省略しても良い。
これら封止樹脂６０３及び封止缶６０４により、基板２と封止缶６０４の間から封止缶６０４内部への水又は酸素の侵入を防き、陰極１２または発光素子部１１内に形成された図示略の発光層の酸化や劣化を防止している。
【００１８】
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１の表示領域について更に詳しく説明する。
図３は、この有機ＥＬ装置１の表示領域を示す拡大断面図であり、この図３には３つの画素領域Ａが図示されている。
この有機ＥＬ表示装置１は、基板２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４、画素電極１１１と陰極１２と機能層１１０とを有する発光素子を備えた発光素子部１１が順次積層されて構成されている。
【００１９】
この有機ＥＬ装置１においては、機能層１１０から基板２側に発した光が、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるとともに、機能層１１０から基板２の反対側に発した光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。
なお、陰極１２に透明な材料を用いることにより、発光する光を陰極１２側から出射させることができる。透明な材料としては、例えば、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等を用いる事ができる。
【００２０】
また、発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された機能層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間に備えられて各機能層１１０を区画するバンク部１１２とを主体として構成され、この機能層１１０上には陰極１２が配置され、これら画素電極１１１、機能層１１０及び陰極１２によって発光素子部１１が構成されている。
ここで、画素電極１１１は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料により形成されたもので、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極１１１の膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度の厚みがよい。
【００２１】
バンク部１１２は、図３に示すように、基板２側に位置する無機物バンク層１１２ａと、この無機物バンク層１１２ａ上に積層されて該無機物バンク層１１２ａより幅の狭い有機物バンク層１１２ｂとにより構成されている。
無機物バンク層１１２ａは、その周縁部が画素電極１１１の周縁部上に乗上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物バンク層１１２ａの周囲とが平面的に重なるように配置された構造となっている。
また、有機物バンク層１１２ｂも同様に、その一部が画素電極１１１の周縁部と平面的に重なるように配置されている。
【００２２】
この無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に更に形成されている。このようにして、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部１１２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが形成されている。
有機物バンク層１１２ｂにも同様に、上部開口部１１２ｄが上記の下部開口部１１２ｃに対応するように形成されている。
この上部開口部１１２ｄは、下部開口部１１２ｃより幅が広く、画素電極１１１より幅が狭くなるように形成されている。
【００２３】
無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の無機材料が好適に用いられる。この無機物バンク層１１２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍが好ましい。
その理由は、膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１１２ａが後述する腐食防止層及び正孔注入／輸送層の合計の厚みより薄くなり、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるからであり、また、膜厚が２００ｎｍを越えると、下部開口部１１２ｃによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなるからである。
【００２４】
有機物バンク層１１２ｂは、耐熱性、耐溶媒性を有する有機材料、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性を有する材料が好適に用いられる。この有機物バンク層１１２ｂの厚みは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度が好ましい。
その理由は、厚みが０．１μｍ未満では、後述する腐食防止層、正孔注入／輸送層及び発光層の合計の厚みより有機物バンク層１１２ｂの厚みが薄くなり、発光層が上部開口部１１２ｄから溢れるおそれがあるからであり、また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上に形成する陰極１２のステップガバレッジを確保できなくなるからである。
なお、有機物バンク層１１２ｂの厚みを２μｍ以上とすれば、駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁性を高めることができるので、より好ましい。
【００２５】
このバンク部１１２には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。
親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面処理されて親液性とされている。
また、撥液性を示す領域は、上部開口部１１２ｄの側面（壁面）及び有機物バンク層１１２ｂの上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭素等を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性処理）されて撥液性とされている。
【００２６】
機能層１１０は、画素電極側から順に積層された正孔注入／輸送層（正孔注入層）１１０ａと発光層１１０ｂとから構成されている。なお、この発光層１１０ｂ上に、他の機能層を更に形成しても良い。例えば、電子注入層や電子輸送層を形成する事も可能である。
正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入し、かつ、この注入された正孔を該正孔注入／輸送層１１０ａ内において輸送する機能を有する。
このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に形成することにより、発光層１１０ｂの発光効率等の素子特性を向上させることができる。
また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入された電子が励起子（exiton）を形成し、この励起子が再結合することにより発光（ＥＬ）が得られる。
【００２７】
正孔注入／輸送層１１０ａの形成材料としては、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）［商品名；バイトロン−ｐ（Bytron-p）：バイエル社製］の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に共役系高分子である３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液を好適に用いることができる。また、ポリアニリン／カンファスルフォン酸（ＰＡＮＩ―ＣＳＡ）の分散液を用いてもよい。本実施形態では、上記形成材料として例えばバイトロン−ｐを用いることとする。
なお、正孔注入／輸送層１１０ａの形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、共役系高分子であるポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えば強酸性の分散媒である前記のポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。
【００２８】
この正孔注入／輸送層１１０ａは、後述のように液滴吐出法により形成されるが、この際、有機物バンク層１１２ｂの上面１１２ｆが撥液性を示すので、吐出された液滴は選択的に画素内にパターニングされる。
【００２９】
画素電極１１１と正孔注入／輸送層１１０ａとの間には、腐食防止層１１５が設けられている。腐食防止層１１５は、正孔注入／輸送層１１０ａの形成材料から陽極である画素電極１１１を保護するためのものである。上述のように、正孔注入／輸送層１１０ａの形成材料は強酸性を示すため、これを直接画素電極１１１上に塗布すると、これによって画素電極１１１が腐食される虞がある。このため、画素電極１１１と正孔注入／輸送層１１０ａとの間に、このような腐食防止層１１５を設けることで、画素電極１１１の腐食を防止し、素子寿命を長寿命化することが可能となる。
【００３０】
この腐食防止層１１５の形成材料としては、例えば、ＡｕやＰｔ等の貴金属、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯｘ等の酸化物、ＳＩＮｘ等の窒化物、ＳｉＯｘＮｙ等の酸窒化物、或いは、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン等の正孔輸送性を有する高分子等を好適に用いることができる。なお、腐食防止層１１５としては、上述の材料が少なくとも１種類以上含まれていればよく、これにより上述の効果が得られる。
【００３１】
この腐食防止層１１５を例えば貴金属とした場合には、その層厚は１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることが好ましい。層厚が１００ｎｍよりも厚くなると、正孔注入／輸送性能が損なわれる虞があり、層厚が１０ｎｍよりも薄いと十分な腐食防止性能が得られない。また、腐食防止層１１５を酸化物，窒化物，酸窒化物とした場合には、その層厚は１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。これらの材料は酸等に対する耐久性が高いため、上述のように腐食防止層を貴金属で構成する場合に比べて、層厚を１ｎｍ程度にまで薄くすることができる。逆に、層厚が厚くなると内部応力によりクラックが生じる虞があるため、許容される最大層厚は上記貴金属の場合に比べて薄く（即ち、３０ｎｍ以下）する必要がある。
【００３２】
また、腐食防止層１１５を正孔輸送性を有する高分子とした場合には、この高分子として架橋構造を有するものを用いることが好ましい。このような架橋構造を備えることで、より高い腐食防止性能を発揮することができる。なお、上述のトリフェニルアミン含有ポリエーテルケトンは、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトンを光架橋することで得られるが、腐食防止層１１５の形成材料としては、このように光架橋するものに限らず、熱架橋するタイプのものであっても構わない。また、腐食防止層１１５が高分子からなるものでは、これが架橋構造を有しない場合には、その層厚は例えば５ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが好ましく、架橋構造を有する場合には、例えば５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３３】
また、発光層１１０ｂを構成する発光材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系等が好適に用いられる。
また、これらの高分子材料に、ペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素等の高分子系材料、あるいは、ルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることができる。
【００３４】
この発光層１１０ｂは、その厚さが５０〜８０ｎｍの範囲とされている。また、発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ1、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ2、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ3の３種類を有し、各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3がストライプ状に配置されている。
【００３５】
陰極１２は、図３〜図５に示すように、実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されており、画素電極１１１と対になって機能層１１０に電流を流す役割を果たす。
この陰極１２は、特にトップエミッション型、あるいは両側から出射するタイプである場合には、透明導電材料によって形成される。透明導電材料としては、バソクプロインとセシウムの共蒸着膜を用い、さらに導電性を付与するためにＩＴＯを積層するといった構造が好適に採用される。なお、バソクプロインとセシウムの共蒸着膜の替わりに、Ｃａを５ｎｍ程度に形成して用いてもよい。
【００３６】
また、ボトムエミッション型である場合には、光透過性を備えた材料を採用する必要はなく、したがってその場合には、Ａｌ等の高導電性の不透明な材料を用いることができる。或いは、Ｃａを厚さ２０ｎｍ程度に形成し、さらにその上にＡｌを厚さ２００ｎｍ程度に形成して積層構造の電極としてもよい。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が小さいものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに電流を注入する役割を果たす。また、この構造では、陰極１２によって、発光層１１０ｂから発した光を基板２側に反射させることで光の取り出し効率を高めることができるため、これを構成する材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）等の光の反射率が高い高反射率材料を好適に用いることができる。この高反射率材料は、Ａｌ膜、Ａｇ膜等の単層の膜の他、ＡｌとＡｇ等、複数の金属膜の積層膜としてもよい。
陰極１２の厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ程度の厚みが好適である。
更に、この膜の上に、ＳｉＯ2、ＳｉＯxＮy等からなる酸素及び水分透過防止用（ガスバリア用）の保護層を設けても良い。
【００３７】
また、発光層の材料によっては効率よく発光させるために、発光層１１０と陰極１２との間にＬｉＦ（フッ化リチウム）等のアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物、キレート錯体、または電子輸送性を有する有機物を用いてもよい。
このＬｉＦ層の厚さは、例えば０．１〜５ｎｍの範囲が好ましく、また、Ｃａ層の厚さは、例えば１〜５０ｎｍの範囲が好ましい。
この発光素子上には封止缶６０４が配置されている。図２（ｂ）に示すように、封止缶６０４は封止樹脂６０３により接着されて有機ＥＬ装置１を形成している。
【００３８】
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を図面を参照して説明する。
本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法は、例えば、(1)バンク部形成工程、(2)プラズマ処理工程、(3)正孔注入／輸送層形成工程、(4)発光層形成工程、(5)陰極形成工程、(6)封止工程の計６工程により構成されている。なお、この製造方法は、本実施形態に限られるものではなく、必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。
【００３９】
(1)バンク部形成工程
バンク部形成工程は、基板２の所定の位置にバンク部１１２を形成する工程である。バンク部１１２は、第１のバンク層として無機物バンク層１１２ａが形成され、第２のバンク層として有機物バンク層１１２ｂが形成された構造である。以下に形成方法について説明する。
【００４０】
(1)-1無機物バンク層１１２ａの形成
まず、図４に示すように、基板２上の所定の位置に無機物バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａが形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ上及び画素電極１１１上である。なお、第２層間絶縁膜１４４ｂは薄膜トランジスタ、走査線、信号線、等が配置された回路素子部１４上に形成されている。
無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の無機物膜を材料として用いることができる。これらの材料は、例えば、ＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。
この無機物バンク層１１２ａの膜厚は５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。
【００４１】
この無機物バンク層１１２ａは、第２層間絶縁膜１４４ｂ上及び画素電極１１１上の全面に無機物膜を形成し、その後、この無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する無機物バンク層１１２ａが形成される。この開口部は、画素電極１１１の電極面１１１ａの形成位置に対応するもので、図４に示すように、下部開口部１１２ｃとして形成される。
このとき、無機物バンク層１１２ａは、その周縁部の一部が画素電極１１１の周縁部の一部と重なるように形成される。図４に示すように、画素電極１１１の周縁部の一部と無機物バンク層１１２ａの周縁部の一部とが重なるように無機物バンク層１１２ａを形成することにより、発光層１１０の発光領域を制御することができる。
【００４２】
(1)-2有機物バンク層１１２ｂの形成
次いで、図５に示すように、無機物バンク層１１２ａ上に、第２のバンク層としての有機物バンク層１１２ｂを形成する。
有機物バンク層１１２ｂは、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機樹脂を材料として用いることができる。
この有機物バンク層１１２ｂは、無機物バンク層１１２ａ上及び画素電極１１１上の全面に有機樹脂膜を形成し、その後、この有機樹脂膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する有機物バンク層１１２ｂが形成される。この開口部は、パターニングする際に、電極面１１１ａ及び下部開口部１１２ｃに対応する位置に上部開口部１１２ｄとして形成される。
【００４３】
このように、有機物バンク層１１２ｂに形成された上部開口部１１２ｄと、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃとを連通させることにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成される。
なお、有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度の厚みが好ましい。有機物バンク層１１２ｂの厚みをこのような範囲に限定した理由は以下の通りである。
【００４４】
すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、有機物バンク層１１２ｂの厚みが、腐食防止層１１５、正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂの合計の厚みより薄くなり、発光層１１０ｂが上部開口部１１２ｄから溢れてしまうおそれがあるからであり、また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、上部開口部１１２ｄにおける陰極１２のステップガバレッジが確保できなくなるからである。
また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上とすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁性を高めることができるので好ましい。
【００４５】
(2)プラズマ処理工程
このプラズマ処理工程は、画素電極１１１の表面を活性化処理すること、更にバンク部１１２の表面を撥液化することを目的として行われる。
【００４６】
(2)-１活性化処理工程
活性化処理工程は、画素電極１１１を構成する材料であるＩＴＯの表面洗浄、更に仕事関数の調整、更には画素電極１１１等の表面の親液化を主な目的として行われる。ここでは、Ｏ2プラズマ処理により、図６に示すように、画素電極１１１の電極面１１１ａ、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの側面ならびに上面１１２ｆが親液処理される。この親液処理により、これらの各面に水酸基を導入することで親液性が付与される。図６では、親液処理された部分を一点鎖線で示している。
【００４７】
(2)-２撥液処理工程
この撥液処理工程は、後述のインクジェット工程（機能層形成工程）において吐出された液滴がバンク表面に掛からないようにするために、バンク表面を撥液化することを目的として行なわれる。
ここでは、撥液化工程として、大気雰囲気中でテトラフルオロメタン（四フッ化メタン：ＣＦ4）を処理ガスとするプラズマ処理を行う。この処理ガスとしては、これ以外の他のフルオロカーボン系のガスを用いることも可能である。
【００４８】
このＣＦ4プラズマ処理により、図７に示すように、上部開口部１１２ｄの側面及び有機物バンク層の上面１１２ｆが撥液処理される。この撥液処理により、これらの各面にフッ素基が導入されて撥液性が付与される。図７では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示している。有機物バンク層１１２ｂを構成するアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機物はプラズマ状態のフルオロカーボンが照射することで容易に撥液化させることができる。また、Ｏ2プラズマにより前処理した方がフッ素化されやすい、という特徴を有しており、本実施形態には特に有効である。
尚、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅもこのＣＦ4プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性に影響を与える事は少ない。図７では、親液性を示す領域を一点鎖線で示している。
【００４９】
(3)正孔注入／輸送層形成工程
次に、正孔注入／輸送層形成工程として、電極（ここでは画素電極１１１）上に正孔注入／輸送層を形成するが、本実施形態では、正孔注入／輸送層の形成材料によって画素電極１１１が腐食されるのを防止するために、まず画素電極１１１上に腐食防止層１１５を形成し、その後、この腐食防止層１１５上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。
【００５０】
(3)-1腐食防止層形成工程
ここでは、まず、図８に示すように、前述した腐食防止層形成材料を画素電極１１１を覆うように成膜する。ここで、腐食防止層形成材料が導電性を有する場合には、腐食防止層１１５の形成方法としては、少なくとも隣接する画素電極１１１にかからないように、上記形成材料を個々の画素電極１１１の上に選択的に形成できる方法を採用する必要がある。例えば、上記腐食防止層形成材料がＡｕやＰｔ等の貴金属である場合には、この金属材料をマスク蒸着（真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等）により形成することが好ましい。或いは、これらの金属材料の微粒子を分散媒中に分散させた液体材料を、後述の液滴吐出装置を介して画素電極上に選択的に配置し、これを乾燥・焼成（焼結）してもよい。
【００５１】
また、上記形成材料が、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯｘ等の酸化物、ＳｉＮｘ等の窒化物、ＳＩＯｘＮｙ等の酸窒化物等の絶縁材料からなる場合には、この形成材料は基板全面に成膜することができる。この成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等のようなドライプロセスの他、一般的なフィルムコーティング方法、例えば、押出コーティング方法、スピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、リバースロールコーティング方法、ロッドコーティング方法、マイクログラビアコーティング方法、ナイフコーティング方法等のウェットプロセスを採用することができる。勿論、上記形成材料をマスク蒸着法やインクジェット法等により画素電極１１１上に選択的に形成することも可能である。
【００５２】
また、上記腐食防止層１１５がトリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン等の正孔輸送性を有する高分子からなる場合には、この高分子材料の導電性に応じて成膜方法を選択する。例えば上記高分子材料の導電性が高い場合には、この高分子の前駆体であるトリフェニルアミン含有ポリエーテルケトンを、例えば、NMP等の分散媒に分散させた溶液を、液滴吐出装置によって画素電極１１１上に選択的に吐出する。そして、この液体材料を乾燥した後、光架橋することで、画素電極１１１上に上述の高分子を形成することができる。一方、上記高分子の導電性が低い場合には、その前駆体の分散液を上述のフィルムコーティング法により基板全面に塗布・乾燥した後、熱架橋すればよい。
【００５３】
なお、腐食防止層１１５の厚みは、これが貴金属からなる場合には、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましく、酸化物，窒化物，酸窒化物からなる場合には、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。また、上記腐食防止層１１５が正孔輸送性の高分子からなる場合には、その厚みは５ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが好ましく、特に、これが架橋構造を有するものであれば、その厚みは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。この理由は前述の通りであるため、ここでは説明を省略する。
【００５４】
(3)-2正孔注入／輸送層形成工程
次に、正孔注入／輸送層形成工程では、液滴吐出としてたとえばインクジェット装置を用いることにより、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物（組成物）を開口部１１２ｃ或いは開口部１１２ｄ内に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、腐食防止層１１５上及び無機物バンク層１１２ａ上に正孔注入/輸送層１１０ａを形成する。なお、正孔注入/輸送層１１０ａが形成された無機物バンク層１１２ａをここでは第１積層部１１２ｅという。
【００５５】
ここで用いる第１組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）等の混合物を極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ｎ−ブチルアルコール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート等のグリコール類等を挙げることができる。
【００５６】
より具体的な第１組成物の組成としては、ＰＥＤＩＴ／ＰＳＳ混合物（ＰＥＤＩＴ／ＰＳＳ＝１：２０）：１２．５２重量％、ＰＳＳ：１．４４重量％、ＩＰＡ：１０重量％、ＮＭＰ：２７．４８重量％、ＤＭＩ：５０重量％のものを例示できる。尚、第１組成物の粘度は２〜２０Ｐｓ程度が好ましく、特に４〜１５ｃＰｓ程度が良い。
上記の第１組成物を用いることにより、吐出ノズルＨ2に詰まりが生じることがなく安定吐出できる。
なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3に対して同じ材料を用いても良く、各発光層毎に変えても良い。
【００５７】
図９に示すように、インクジェットヘッドＨ１の吐出ノズルＨ２から吐出された第１組成物の液滴１１０ｃは、最終的には腐食防止層１１５及び第１積層部１１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填される。仮に、第１組成物の液滴１１０ｃが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第１組成物滴１１０ｃで濡れることがなく、はじかれた第１組成物滴１１０ｃが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【００５８】
電極面１１１ａ上に吐出する第１組成物の全量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。
【００５９】
次いで、図１０に示すような乾燥工程を行う。乾燥工程を行う事により、吐出後の第１組成物を乾燥処理し、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。
乾燥処理を行うと、第１組成物滴１１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。
【００６０】
(4)発光層形成工程
この発光層形成工程は、発光層形成材料吐出工程および乾燥工程により構成される。
まず、発光層形成材料吐出工程を行う。インクジェット法（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出した後に乾燥処理して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
図１１に、インクジェットによる吐出方法の概略を示す。図１１に示すように、インクジェットヘッドＨ5と基体２とを相対的に移動し、インクジェットヘッドに形成された吐出ノズルＨ６から各色（たとえばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する第２組成物が吐出される。
【００６１】
吐出の際には、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ5と基体２とを相対移動させながら、第２組成物が吐出される。吐出ノズルＨ6から吐出される液量は１滴当たりの液量が制御されている。このように液量が制御された液（第２組成物滴１１０ｅ）が吐出ノズルから吐出され、この第２組成物滴１１０ｅを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。
【００６２】
発光層形成材料としては、（ポリ）フルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープすることにより用いることができる。
【００６３】
非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。
このような非極性溶媒を発光層１１０ｂの第２組成物に用いることにより、正孔注入／輸送層１１０ａを再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。
【００６４】
図１１に示すように、吐出された第２組成物１１０ｅは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは第１組成物滴１１０ｅが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第２組成物滴１１０ｅで濡れることがなく、第２組成物滴１１０ｅが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【００６５】
各正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する第２組成物量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする発光層１１０ｂの厚さ、第２組成物中の発光層材料の濃度等により決定される。
【００６６】
次に、第２の組成物を所定の位置に吐出し終わった後、吐出後の第２組成物滴１１０ｅを乾燥処理することにより発光層１１０ｂ３が形成される。すなわち、乾燥により第２組成物に含まれる非極性溶媒が蒸発し、図１２に示すような青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3が形成される。なお、図１２においては青に発光する発光層が１つのみ図示されているが、図１やその他の図より明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成されたものであり、図示しない多数の発光層（青色に対応）が形成されている。
【００６７】
続けて、図１３に示すように、前述した青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3の場合と同様の工程を用い、赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ1を形成し、最後に緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ2を形成する。
なお、発光層１１０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能である。
【００６８】
(5)陰極形成工程
陰極形成工程は、図１４に示すように、発光層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂの全面に陰極１２（対向電極）を形成する。
陰極１２は、Ａｌ等の単層膜としてもよいが、ＥＬ素子を効率よく発光させるために、電子注入層と導電層のような積層構造を採用してもよい。この場合、発光層に近い側にＣａ、Ｂａ等の仕事関数が小さい材料からなる導電層を形成した構成とすることが好ましい。またトップエミッションタイプの場合は、発光層１１０ｂからの光を陰極１２側から取り出すので、陰極１２は透明でなければならない。電子注入層としては、バソクプロイン（ＢＣＰ）とセシウムの共蒸着膜や、光が透過する程度に薄く形成したカルシウム（Ｃａ）やバリウム（Ｂａ）などの低仕事関数金属薄膜を用いることができる。また、発光材料によっては、陰極１２の下方にＬｉＦ等からなる薄層を形成してもよい。導電層としては、ＩＴＯやＩＺＯを用いるのが一般的であるが、ボトムエミッションの場合はアルミなどの金属材料を使用可能である。電子注入層および導電層の成膜方法は、抵抗加熱蒸着法、スパッタ法など、既知の成膜方法から適切な方法を選択すればよい。この陰極１２の厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００〜５００ｎｍ程度がよい。また、陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の保護層を設けても良い。
【００６９】
なお、この陰極１２の形成では、前記正孔注入／輸送層１１０ａや発光層１１０ｂの形成とは異なり、蒸着法やスパッタ法等で行うため、画素領域にのみ選択的に形成材料を配するのでなく、基板のほぼ全面に形成材料が設けられることになる。
【００７０】
(6)封止工程
封止工程は、発光素子が形成された基板２と封止基板３ｂとを封止樹脂３ａにより封止する工程である。例えば、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂からなる封止樹脂３ａを基板２の全面に塗布し、封止樹脂３ａ上に封止用基板３ｂを積層する。この工程により基板２上に封止部３を形成する。
封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
更に、図２に例示した基板５の配線５ａに陰極１２を接続するとともに、駆動ＩＣ６に回路素子部１４の配線を接続することにより、本実施形態の有機ＥＬ装置１が得られる。
【００７１】
本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法によれば、陽極上に腐食防止層が設けられているため、正孔注入層を形成する際に、そのドープ材によって陽極が腐食されることはない。このため、装置の長寿命化を図ることができる。
【００７２】
［電子機器］
以下、上述の有機ＥＬ装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図１５は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１５において、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力部、符号７０２は前記の有機ＥＬ表示装置を用いた表示部、符号７０３は情報処理装置本体を示している。
【００７３】
図１５に示す電子機器は、前記実施形態の有機ＥＬ装置を用いた表示部を備えたものであり、先の実施形態の有機ＥＬ装置の特徴を有するので、高輝度で信頼性の高い電子機器となる。
これらの電子機器を製造するには、上記実施形態と同様にして、図２に示すような駆動ＩＣ６（駆動回路）を備えた有機ＥＬ装置１を構成し、この有機ＥＬ装置１を、携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器に組み込むことにより製造される。
【００７４】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
例えば、上記実施形態では、本発明の有機ＥＬ装置を表示装置とした例を示したが、本発明はそれ以外の用途、例えば、液晶表示装置の光源用の有機ＥＬ装置や、光書き込み型のレーザープリンタ及び光通信に用いる光源等にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。
【図２】同、有機ＥＬ装置を示す図であって、（ａ）は有機ＥＬ表示装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】同、有機ＥＬ装置の要部を示す断面図である。
【図４】同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。
【図５】同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。
【図６】同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。
【図７】同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。
【図８】同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。
【図９】同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。
【図１０】同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。
【図１１】同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。
【図１２】同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。
【図１３】同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。
【図１４】同、有機ＥＬ装置の製造方法を示す過程図である。
【図１５】本発明の電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７６】
１・・・有機エレクトロルミネッセンス装置、２・・・基板、１２・・・陰極、１１０ａ・・・正孔注入／輸送層（正孔注入層）、１１０ｂ・・・発光層、１１０ｃ・・・第1組成物（正孔注入層形成材料）、１１１・・・画素電極（陽極）、１１５・・・腐食防止層、７００・・・電子機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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