(57)【要約】【課題】基板に対する良好な密着性と低抵抗を有する電気配線を備えた配線基板と、電気配線被形成物に対して良好な密着性で、かつ、簡便に電気配線を形成できる電気配線の形成方法を提供する。【解決手段】配線基板を、コバルト含有量が０．１〜２０重量％の範囲内である無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜からなる第１層と、無電解銅めっき膜からなる第２層とを、この順に基板側から積層した積層構造である電気配線を有するものとし、電気配線は、電極配線パターン形状にコバルト含有量が０．１〜２０重量％の範囲内である無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜を第１層として形成する工程と、この無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜に密着増強のための熱処理を施す工程と、上記の無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜上に無電解銅めっき膜を第２層として形成する工程と、を有するものとした。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に所望の電気配線を有する配線基板において、
電気配線は、コバルト含有量が０．１〜２０重量％の範囲内である無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜からなる第１層と、無電解銅めっき膜からなる第２層とを、この順に基板側から積層した積層構造であることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
第２層である前記無電解銅めっき膜は、厚みが０．１〜２．０μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
第２層である前記無電解銅めっき膜上に、無電解ニッケルめっき膜を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記無電解ニッケルめっき膜上に、置換金めっき膜を有することを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
第２層である前記無電解銅めっき膜上に、置換スズめっき膜を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板。
【請求項６】
第２層である前記無電解銅めっき膜上に、置換銀めっき膜を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板。
【請求項７】
無電解めっき法による電気配線の形成方法において、
電気配線被形成物上に、コバルト含有量が０．１〜２０重量％の範囲内である無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜を電極配線パターン形状に第１層として形成する工程と、
該無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜に密着増強のための熱処理を施す工程と、
前記無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜上に無電解銅めっき膜を第２層として形成する工程と、を有することを特徴とする電気配線の形成方法。
【請求項８】
前記熱処理は、１５０〜２９０℃、２０〜５０分間の範囲で行われることを特徴とする請求項７に記載の電気配線の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板と電気配線の形成方法に係り、特に各種フラットディスプレイ、各種電気回路基板等に使用される配線基板と、この配線基板の電気配線形成等に利用できる電気配線の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（ＬＣＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）、エレクトロクロミック表示装置（ＥＣＤ）、エレクトロルミネッセント表示装置（ＦＬＤ）等のフラットディスプレイは、通常、液晶や放電ガス等の表示材料が一対のガラス基板間に保持され、この表示材料に電圧を印加する構成となっている。この際、少なくとも一方の基板には導電材料で電気配線が形成されている。近年、フラットディスプレイの大型化に伴い、製造工程で使用されるガラス基板は年々大きくなり、１辺の長さが１ｍ程度、面積が１ｍ2程度の大面積基板上に電気配線を形成することが要求されている。従来、電気配線は、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の真空成膜法によりガラス基板の全面にＴａ、Ａｌ、Ｍｏ等の金属薄膜を形成し、この上にエッチングレジストを設け、不用部位をエッチング除去して形成されていた。
【０００３】
しかし、従来の大面積基板上への電気配線形成では、金属薄膜の膜厚、膜質を均一にすることが困難であり、また、真空成膜装置の大型化に莫大な設備投資が必要になり、製造コストの増大を来すという問題があった。さらに、真空成膜装置の大型化は、真空ポンプの駆動、基板加熱、プラズマ発生等に多大の電力を必要とし、この面からも製造コストの増大を来すとともに、このような消費エネルギーの増大は地球温暖化防止のための二酸化炭素排出削減という環境的な課題に逆行するものであった。
このような問題を解消するために、湿式成膜法を用いた電気配線の形成方法が提案されている。例えば、特許文献１では、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等からなる透明電極を下地膜に使用し、この下地膜上に銅、ニッケル等の金属膜をめっき法により成膜する方法が開示されている。この電気配線形成方法では、金属膜の形成に真空成膜装置を使用しないため、上記のような問題が解消される。
【０００４】
また、上記の湿式成膜法では、ＩＴＯ等の下地膜の形成は、依然としてスパッタリング法や蒸着法等の真空成膜法を使用するものであったが、特許文献２に開示されるように、下地膜となるＩＴＯ等の薄膜も湿式成膜法で形成する方法が見出され、全てを湿式成膜工程で行う電気配線の形成方法が提案されている。
【０００５】
一方、真空成膜法による電気配線形成は、フラットディスプレイ以外にもＬＳＩの製造に幅広く用いられている。従来、ＬＳＩは数ミリ角の１個のチップに機能を集約し、そのチップから外部配線を金属製の導通フレームや樹脂基板に形成していたが、近年、複数のチップを組み合わせたＭＣＭ（Multi Tip Module）や、ＳＩＰ（System In Package）が登場し始めている。このようなＬＳＩの高機能化に伴って動作時の発熱も増加し、ＭＣＭやＳＩＰ用の基板として、熱膨張係数がＬＳＩチップよりも大きな樹脂系基板に代えて、ＬＳＩチップと同等の熱膨張係数をもつシリコン系基板が好適に使用されるようになっている。そして、近年、ＬＳＩの製造方法にも、無電解ニッケルめっきによる第１層と、無電解銅めっきによる第２層を積層した多層構造の配線形成が取り入れられている。
【特許文献１】特開平４−２３２９２２号公報
【特許文献２】特開２００１−３２０８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、無電解ニッケルめっきを第１層とした多層構造の膜を形成する際に、直接第２層の無電解銅めっきを施した場合、ニッケルの無電解銅めっきに対する触媒活性が十分でなく、めっきの析出が起こり難いという問題があった。また、水洗条件によっては、無電解ニッケルめっき膜が水中で酸化されて不活性な状態になる可能性があり、工業的に量産する際の歩留り低下の原因となっていた。
さらに、無電解ニッケルめっき直後では、無電解ニッケルめっき膜とＩＴＯやガラス基板との密着性が低く、無電解銅めっき処理中に、ＩＴＯやガラス基板と無電解ニッケルめっき膜間で剥離が生じてしまう場合がある。この剥離防止のために、無電解ニッケルめっき後に１５０〜２５０℃で３０〜６０分間程度の熱処理を行って、無電解ニッケルめっき膜とＩＴＯやガラス基板との密着性を向上させる必要がある。しかし、この熱処理は、同時に無電解ニッケルめっき膜の酸化と、それによる無電解銅めっき反応の触媒能劣化を来たすという問題があった。
【０００７】
上記の熱処理を真空炉や窒素置換炉、還元ガス雰囲気下で熱処理を行う還元炉等で行うことにより、無電解ニッケルめっき膜の酸化や、無電解銅めっき反応の触媒能劣化を防止することができる。しかし、これらの炉はいずれも製造コストの増大をもたらし、また、熱処理前後の水洗工程での無電解ニッケルめっき膜の酸化防止には効果のないものであった。
また、無電解ニッケルめっき膜の無電解銅めっき反応に対する反応活性を高める方法として、金やパラジウムを無電解ニッケルめっき膜上に置換析出させる方法があるが、このような貴金属の使用は、製造コストの大幅な増大を来すという問題があった。
本発明は上述のような実情に鑑みてなされたものであり、基板に対する良好な密着性と低抵抗を有する電気配線を備えた配線基板と、電気配線被形成物に対して良好な密着性で、かつ、簡便に電気配線を形成できる電気配線の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的を達成するために、本発明は、基板上に所望の電気配線を有する配線基板において、電気配線は、コバルト含有量が０．１〜２０重量％の範囲内である無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜からなる第１層と、無電解銅めっき膜からなる第２層とを、この順に基板側から積層した積層構造であるような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記無電解銅めっき膜は、厚みが０．１〜２．０μｍの範囲内であるような構成とした。
本発明の好ましい態様として、第２層である前記無電解銅めっき膜上に、無電解ニッケルめっき膜を有するような構成、さらに、前記無電解ニッケルめっき膜上に、置換金めっき膜を有するような構成とした。
【０００９】
本発明の好ましい態様として、第２層である前記無電解銅めっき膜上に、置換スズめっき膜を有するような構成とした。
本発明の好ましい態様として、第２層である前記無電解銅めっき膜上に、置換銀めっき膜を有するような構成とした。
本発明は、無電解めっき法による電気配線の形成方法において、電気配線被形成物上に、コバルト含有量が０．１〜２０重量％の範囲内である無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜を電極配線パターン形状に第１層として形成する工程と、該無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜に密着増強のための熱処理を施す工程と、前記無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜上に無電解銅めっき膜を第２層として形成する工程と、を有するような構成とした。
本発明の好ましい態様として、前記熱処理は、１５０〜２９０℃、２０〜５０分間の範囲で行われるような構成とした。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板上の積層構造の電気配線を構成する第１層が、コバルト含有量０．１〜２０重量％の範囲内である無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜であるため、基板との密着性が極めて高く、また、第２層が無電解銅めっき膜であるため、電気配線の電気抵抗は充分に低いものとなる。
また、本発明では、電気配線被形成物上に第１層として、コバルト含有量が０．１〜２０重量％の範囲内である無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜を形成するので、後工程で施される密着増強のための熱処理や、水洗工程においても、第１層の酸化が防止され、無電解銅めっき反応を起こすのに十分な触媒活性を第１層が発現し、この第１層上に無電解銅めっき膜を第２層として良好な状態で形成可能となり、積層構造の電気配線を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に、本発明の最適な実施形態について説明する。
［配線基板］
まず、本発明の配線基板について説明する。
図１は、本発明の配線基板の構成例を説明するための断面図である。図１において、配線基板１は、所望のパターンで電気配線３を基板２の一方の面に備えるものである。電気配線３は、基板２側から、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜４からなる第１層と、無電解銅めっき膜５からなる第２層とを積層した積層構造を有するものである。
【００１２】
第１層である無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜４は、コバルト含有量が０．１〜２０重量％、好ましくは０．５〜１０重量％の範囲内である薄膜であり、基板２に対して高い密着強度を示すものである。コバルト含有量が０．１重量％未満であると、第２層である無電解銅めっき膜５の形成が困難となり好ましくない。また、コバルト含有量が２０重量％を超えると、基板２との密着強度が不十分であり、基板２から電気配線３が剥離、脱落することがあり好ましくない。このような無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜４は、厚みが０．１〜２．０μｍ、好ましくは０．２〜０．５μｍ程度が望ましい。
また、電気配線を構成する第２層の無電解銅めっき層５は、厚みが０．１〜２．０μｍ、好ましくは０．２〜０．５μｍ程度が望ましい。
【００１３】
上記のような本発明の配線基板１は、第１層が基板２との密着性が極めて高いとともに、無電解銅めっき反応への触媒活性を有する無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜４であり、第２層が無電解銅めっき膜５であるため、電気配線３の電気抵抗は充分に低いものとなり、かつ、基板２に対する電気配線３の密着性が良好なものとなる。
配線基板を構成する基板２としては、例えば、シリコン基板、ガラス基板、樹脂基板や、これらの基板上に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透明導電膜をパターニングした基板等であってよく、その厚みは配線基板１の用途に応じて適宜設定することができる。
【００１４】
本発明の配線基板は、上述の実施形態に限定されるものではなく、例えば、第２層である無電解銅めっき膜５上に更に他の層を備えた多層構造であってもよい。このような例として、無電解銅めっき膜５の酸化防止を目的として無電解ニッケルめっき膜を備えることができる。この無電解ニッケルめっき膜は、厚みが０．１〜０．２μｍ程度とすることができる。さらに、上記の無電解ニッケルめっき膜上に、はんだ濡れ性改善を目的として置換金めっき膜を０．０３〜０．０５μｍ程度の厚みで設けてもよい。また、無電解銅めっき膜５の酸化防止と、はんだ濡れ性改善とを目的として、置換スズめっき膜を０．１〜１．０μｍ程度の厚みで設けてもよく、あるいは、置換銀めっき膜を０．１〜０．２μｍ程度の厚みで設けてもよい。
上述のような本発明の配線基板は、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）、エレクトロクロミック表示装置（ＥＣＤ）、エレクトロルミネッセント表示装置（ＦＬＤ）等のフラットディスプレイ、各種の電気回路基板に使用することができる。
【００１５】
［電気配線の形成方法］
次に、本発明の電気配線の形成方法について説明する。
本発明の電気配線の形成方法は無電解めっき法を利用したものであり、図２は、本発明の一例を示す工程図である。
【００１６】
図２において、まず、電気配線被形成物１１上に電極配線パターン形状に無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜１４′を第１層として形成する（図２（Ａ））。この無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜１４′の形成は、還元剤として、次亜リン酸、次亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸ニッケル等を用いて行うことができる。また、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜１４′を所望のパターンとするためには、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜１４′上にレジストを逆パターン状に形成し、剥離液、例えば、ニッケルめっき膜用の剥離液（メルテックス（株）製  メルストリップＭＮ−９５８等）を用いて、露出している無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜１４′を溶解・除去した後、レジストを剥離する方法が挙げられる。
【００１７】
形成する無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜１４′におけるコバルト含有量は、０．１〜２０重量％、好ましくは０．５〜１０重量％の範囲内とし、厚みは、０．１〜２．０μｍ、好ましくは０．２〜０．５μｍの範囲とすることができる。コバルト含有量が０．１重量％未満であると、次の工程での熱処理において、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜１４′の酸化が生じ、無電解銅めっき反応の触媒能が低下するので好ましくない。また、コバルト含有量が２０重量％を超えると、電気配線被形成物１１基板２との密着強度が不十分であり、後述する無電解銅めっき処理中に無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜１４に膨れが生じることがあり好ましくない。
【００１８】
尚、電気配線被形成物１１としては、シリコン基板、ガラス基板、樹脂基板や、これらの基板上にＩＴＯ等の透明導電膜をパターニングした基板等であってよく、電気配線を形成した電気配線被形成物１１の用途に応じて適宜決定することができる。
次の工程として、上記の無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜１４′に、電気配線被形成物１１に対する密着性を向上させるための熱処理を施して、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜１４とする（図２（Ｂ））。この熱処理により得られた無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜１４は、めっき反応中に被膜に共析した水素が除去され、電気配線被形成物１１に対する密着性が高いものとなる。熱処理は、例えば、１５０〜２９０℃、２０〜５０分間の範囲で行うことができ、この熱処理において、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜１４′は含有するコバルトの作用によりニッケルの酸化が防止される。
【００１９】
次いで、上記の無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜１４上に無電解銅めっき膜１５を第２層として形成して、積層構造の電気配線１３とする（図２（Ｃ））。この無電解銅めっき膜１５の形成は、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜１４のニッケルを触媒として使用し、還元剤として、次亜リン酸、次亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸ニッケル等を用いて行うことができる。上述のように、熱処理工程において、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜１４′の酸化が防止されるため、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜１４は充分な触媒能を有する。無電解銅めっき層１５の厚みは、０．１〜２．０μｍ、好ましくは０．２〜０．５μｍの範囲とすることができる。
このような本発明の電気配線の形成方法は、液晶表示装置（ＬＣＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）、エレクトロクロミック表示装置（ＥＣＤ）、エレクトロルミネッセント表示装置（ＦＬＤ）等のフラットディスプレイや各種電気回路基板の電気配線形成に用いることができる。
【実施例】
【００２０】
次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
液晶表示装置用ソーダガラス基板に以下に示す前処理を施した。
＜脱脂処理＞
メルテックス（株）製メルクリーナーＩＴＯ−１７０を純水に１５ｇ／Ｌ含有させた脱脂液（液温６０℃）に１０分間浸漬した。尚、超音波洗浄を併用した。
＜脱脂処理＞
上記の脱脂処理後、水洗したガラス基板を、水酸化カリウムを純水に７５ｇ／Ｌ含有させた脱脂液（液温６０℃）に１０分間浸漬した。この場合も超音波洗浄を併用した。
【００２１】
＜エッチング処理＞
メルテックス（株）製メルプレートＩＴＯ−コンディショナー４８０Ａを２０ｇ／Ｌ、メルテックス（株）製メルプレートＩＴＯ−コンディショナー４８０Ｂを２００ｍＬ／Ｌ、それぞれ純水に含有させたエッチング液（液温２５℃）に、上記の脱脂処理を施し水洗したガラス基板を１０分間浸漬した。
＜コンディショニング処理＞
メルテックス（株）製メルプレート  コンディショナー１１０１を純水に１０ｍＬ／Ｌ含有させた液（液温２５℃）に、上記のエッチング処理を施し水洗したガラス基板を５分間浸漬した。
【００２２】
＜触媒付与＞
メルテックス（株）製メルプレート  アクチベーター７３３１を３０ｍＬ／Ｌ、０．１モル／Ｌ水酸化カリウム溶液を１．５ｍＬ／Ｌ、それぞれ純水に含有させた触媒付与液（液温２５℃、ｐＨ６．０）に、上記のコンディショニング処理を施し水洗したガラス基板を５分間浸漬した。
＜ポストアクチベーター処理＞
メルテックス（株）製メルプレートＰＡ７３４０を１０ｍＬ／Ｌ純水に含有させた溶液（液温２５℃）に、上記の触媒付与を施し水洗したガラス基板を５分間浸漬した。
【００２３】
上述のような前処理を施したガラス基板を、下記組成の無電解ニッケルめっき液（液温７０℃、ｐＨ４．５）に５分間浸漬して、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜（厚み０．３μｍ）を形成した。
（無電解ニッケルめっき液の組成）
・硫酸ニッケル                              …    ０．１モル／Ｌ
・硫酸コバルト                              …    ０．１モル／Ｌ
・次亜リン酸ナトリウム                      …    ０．３モル／Ｌ
・リンゴ酸                                  …    ０．１モル／Ｌ
・コハク酸                                  …    ０．１モル／Ｌ
・鉛                                        …    ０．５ｍｇ／Ｌ
・チオ硫酸ナトリウム                        …        １ｍｇ／Ｌ
【００２４】
上記の無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜の組成を誘導結合プラズマ発光分光分析装置（ＩＣＰ−ＡＥＳ）により分析した結果、コバルト含有率が０．８重量％、リン含有率が１０．５重量％であった。
次に、ガラス基板上の無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜に対して、２６０℃、３０分間の熱処理を施した。この熱処理の前後の無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜について、下記条件でクロスカット後のテープ剥離試験を行った。その結果、熱処理前は、めっき膜が全て剥離したが、熱処理後は、めっき膜の剥離が認められず、熱処理によりガラス基板に対する高い密着性が無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜に付与されたことが確認された。
（クロスカット後のテープ剥離試験の条件）
ＪＩＳ  Ｋ  ５４００に従い、すきま間隔を２ｍｍとし、碁盤目状の切り傷をつけ
（ます目の数：２５）、碁盤目テープ法（８．５．２）にて評価した。
【００２５】
次いで、熱処理後の無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜を、無電解銅めっき液（メルテックス（株）製メルプレートＣＵ−５１００、液温５０℃）に浸漬（１０分間）して、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜上に無電解銅めっき膜（厚み０．３μｍ）を形成した。
上述のように形成した２層構造の金属膜の比抵抗を四探針式抵抗率計（三菱化学（株）製  ＭＣＰ−Ｔ３５０）により測定した結果、２．７μΩｃｍであり、抵抗が極めて低いことが確認された。また、上記の無電解銅めっき工程において、ガラス基板からの無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜の剥離はみられなかった。
【００２６】
［実施例２］
実施例１において使用した無電解ニッケルめっき液の硫酸コバルトを０．２モル／Ｌとした組成の無電解ニッケルめっき液を使用した他は、実施例１と同様にして、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜の形成までを行った。この無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜の組成を実施例１と同様にして分析した結果、コバルト含有率が２．５重量％、リン含有率が１０．８重量％であった。
次に、実施例１と同様の条件で無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜に熱処理を施し、その後、実施例１と同様の条件で無電解銅めっきを行った。
上述のように形成した２層構造の金属膜の比抵抗を実施例１と同様に測定した結果、２．５μΩｃｍであり、抵抗が極めて低いことが確認された。また、上記の無電解銅めっき工程において、ガラス基板からの無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜の剥離はみられなかった。
【００２７】
［実施例３］
実施例１において使用した無電解ニッケルめっき液の硫酸コバルトを０．３モル／Ｌ、浴ｐＨを６．５とした組成の無電解ニッケルめっき液を使用した他は、実施例１と同様にして、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜の形成までを行った。この無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜の組成を実施例１と同様にして分析した結果、コバルト含有率が２０重量％、リン含有率が８．５重量％であった。
次に、実施例１と同様の条件で無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜に熱処理を施し、その後、実施例１と同様の条件で無電解銅めっきを行った。
上述のように形成した２層構造の金属膜の比抵抗を実施例１と同様に測定した結果、２．５μΩｃｍであり、抵抗が極めて低いことが確認された。また、上記の無電解銅めっき工程において、ガラス基板からの無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜の剥離はみられなかった。
【００２８】
［比較例１］
実施例１において使用した無電解ニッケルめっき液の組成から硫酸コバルトを除いた組成の無電解ニッケルめっき液を使用した他は、実施例１と同様にして、無電解ニッケル−リンめっき膜の形成までを行った。この無電解ニッケル−リンめっき膜の組成を実施例１と同様に分析した結果、リン含有率が８．０重量％であった。
次に、実施例１と同様の条件で無電解ニッケル−リンめっき膜に熱処理を施し、その後、実施例１と同様の条件で無電解銅めっきを行った。しかし、無電解ニッケル−リンめっき膜上では無電解銅めっき反応が始まらず、無電解銅めっき膜を成膜することができなかった。
【００２９】
［比較例２］
実施例１において使用した無電解ニッケルめっき液の硫酸コバルトを０．００３モル／Ｌとした組成の無電解ニッケルめっき液を使用した他は、実施例１と同様にして、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜の形成までを行った。この無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜の組成を実施例１と同様にして分析した結果、コバルト含有率が０．０５重量％、リン含有率が１０．４重量％であった。
次に、実施例１と同様の条件で無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜に熱処理を施し、その後、実施例１と同様の条件で無電解銅めっきを行った。しかし、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜上では無電解銅めっき反応が始まらず、無電解銅めっき膜を成膜することができなかった。
【００３０】
［比較例３］
実施例１において使用した無電解ニッケルめっき液の硫酸コバルトを０．３モル／Ｌ、浴ｐＨを７．０とした組成の無電解ニッケルめっき液を使用した他は、実施例１と同様にして、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜の形成までを行った。この無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜の組成を実施例１と同様にして分析した結果、コバルト含有率が２５重量％、リン含有率が８．２重量％であった。
次に、実施例１と同様の条件で無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜に熱処理を施し、その後、実施例１と同様の条件で無電解銅めっきを行った。しかし、無電解銅めっき工程において、ガラス基板からの無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜の剥離が発生し、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜上に無電解銅めっき膜を成膜することができなかった。
【００３１】
［比較例４］
実施例１と同様にして、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜の形成までを行った。
次に、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜に熱処理を施すことなく、実施例１と同様の条件で無電解銅めっきを行った。しかし、無電解銅めっき工程において、ガラス基板からの無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜の剥離が発生し、無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜上に無電解銅めっき膜を成膜することができなかった。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
種々のフラットディスプレイ、各種の電気回路基板、電子機器等の製造に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の配線基板の構成例を説明するための断面図である。
【図２】本発明の電気配線の形成方法の一例を示す工程図である。
【符号の説明】
【００３４】
１…配線基板
２…基板
３…電気配線
４…無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜（第１層）
５…無電解銅めっき膜（第２層）
１１…電気配線被形成物
１３…電気配線
１４…無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜（第１層）
１４′…熱処理前の無電解ニッケル−コバルト−リンめっき膜
１５…無電解銅めっき膜（第２層）
【図１】
2005179695.tif 000003
【図２】
2005179695.tif 000004