(57)【要約】【課題】有効出力信号をより大きく確保して、種々の環境の中でより信頼性の高い回転情報を検出することのできる回転検出装置を提供する。【解決手段】回転検出装置は、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４を備えるセンサチップ１とその周囲を囲繞する態様で配設されて磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４にバイアス磁界を付与するバイアス磁石３とが一体に樹脂モールドされている。そして、山部２１と谷部２２とが交互に設けられたロータ２０がセンサチップ１の近傍にて回転するときにバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の抵抗値として感知してロータ２０の回転態様を検出する。このような回転検出装置に、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４にバイアス磁界を付与するバイアス磁石３をさらに囲む態様で磁性体からなる板材５を設ける。【選択図】      図１
2005331295.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗素子を備えるセンサチップと該センサチップの周囲を囲繞する態様で配設されて前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石とが一体に樹脂モールドされてなり、山部と谷部とが交互に設けられたロータが前記センサチップの近傍にて回転するときに前記バイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値として感知して前記ロータの回転態様を検出する回転検出装置において、
前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石の少なくとも前記ロータの回転方向に対応する両側方をさらに囲む態様で磁性体からなる板材が設けられてなる
ことを特徴とする回転検出装置。
【請求項２】
前記磁性体からなる板材は、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石の周囲を囲繞する筒状に設けられてなる
請求項１に記載の回転検出装置。
【請求項３】
前記磁性体からなる板材は、前記磁気抵抗素子の先端位置と同等の位置まで延設されてなる
請求項１または２に記載の回転検出装置。
【請求項４】
請求項３に記載の回転検出装置において、
前記磁性体からなる板材は、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石の先方の一部を覆う態様でテーパ状に縮径された傘部をさらに有してなる
ことを特徴とする回転検出装置。
【請求項５】
前記磁性体からなる板材が、鉄系の金属板からなる
請求項１〜４のいずれか一項に記載の回転検出装置。
【請求項６】
前記磁性体からなる板材は、前記磁気抵抗素子を備えるセンサチップ、および前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石と共々、一体にモールドされてなる
請求項１〜５のいずれか一項に記載の回転検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、車両における車速検出やエンジン回転検出、さらには一般機械における各種被検出回転体の回転検出に用いられる回転検出装置に関し、特に磁気抵抗素子の抵抗値変化を利用して回転検出をする回転検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気抵抗素子の抵抗値変化を利用して回転検出を行うこの種の回転検出装置として、例えば特許文献１に記載されている装置が知られている。図７に、この特許文献１に記載されている装置も含めて、例えばエンジンの回転検出用として従来一般に採用されている回転検出装置の断面構造を示す。
【０００３】
図７に示されるように、この装置は、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４を備えるセンサチップ７１がその処理回路とともに集積回路化され、被検出回転体であるロータ２０に対向するように配設されている。ここで、センサチップ７１は、樹脂等からなるモールド材７２にモールドされた状態で、その電源端子Ｔ１、出力端子Ｔ２およびＧＮＤ（接地）端子といった各端子が引き出される構造となっている。また、センサチップ７１の周囲には、これを囲繞するように、上記磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４にバイアス磁界を付与するためのバイアス磁石７３が配設されており、これらがさらにモールド材７４にて一体にモールドされている。
【０００４】
一方、上記センサチップ７１と対向するロータ２０には、その外周に歯車状に山部２１と谷部２２とが交互に設けられている。ここで、ロータ２０が回転すると、これら山部２１と谷部２２とがセンサチップ７１近傍を通過し、バイアス磁石７３に接近する。そして、バイアス磁石７３から発生される磁気ベクトルは、ロータ２０の回転と協動して、山部２１に引きずられるかたちで変化し、ロータ２０の回転方向に振れる。このように、ロータ２０が回転し、センサチップ７１近傍を通過する歯の位置が山部２１から谷部２２へ、また谷部２２から山部２１へと変化することにともなって、磁気ベクトルの振れ角が変化する。そして、このような磁気ベクトルの変化が上記磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の抵抗値の変化としてセンサチップ７１にて感知されることで、山部２１と谷部２２との位置情報が検出される。
【０００５】
なお、この図７においては、上記ロータ２０として、エンジンの出力軸であるクランク軸に装着されているものを想定しており、この回転検出装置自体は、同エンジンのシリンダブロック１１に対し、О（オー）リング１２によりそのシール性を維持した状態で、ボルト１３によって固定されている。
【０００６】
次に、上記センサチップ７１の電気的な構成、主に信号処理回路の構成について、図８に示す等価回路を併せ参照して説明する。
図８に示すように、この回転検出装置は、センサチップ７１の先端側に２つの磁気抵抗素子ブリッジ１６、１７を備えている。これら磁気抵抗素子ブリッジ１６、１７は、バイアス磁界の磁気的中心を対称軸として線対称に配置され、かつそれぞれが２つの磁気抵抗素子ＭＲＥ１、ＭＲＥ２あるいは磁気抵抗素子ＭＲＥ３、ＭＲＥ４が直列接続されたハーフブリッジとして構成されている。また、これら直列接続された２つの磁気抵抗素子、すなわち磁気抵抗素子ＭＲＥ１、ＭＲＥ２および磁気抵抗素子ＭＲＥ３、ＭＲＥ４は、バイアス磁界の磁気的中心に対して「４５度」および「−４５度」の角度をなすように、すなわち互いに直交するハの字状になるように配置されている。そして、磁気抵抗素子ＭＲＥ１、ＭＲＥ２の中点電位Ｖａが磁気抵抗素子ブリッジ１６の出力となり、磁気抵抗素子ＭＲＥ３、ＭＲＥ４の中点電位Ｖｂが磁気抵抗素子ブリッジ１７の出力となる。これら２つの出力は、それぞれ差動増幅器１４に入力され、上記中点電位Ｖａ、Ｖｂの差動出力がさらに比較器１５に入力される。この比較器１５は、所定の閾値電圧Ｖｔｈに基づいて上記差動出力の２値化処理を行う部分であり、この２値化された信号（パルス信号）が出力端子Ｔ２から出力される。そして、この出力される２値化信号（パルス信号）の２値化周期（パルス周期）が、上記ロータ２０の山部２１と谷部２２との通過周期、すなわちロータ２０の回転速度に対応したものとなる。
【特許文献１】特開平６−１７４４９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記従来の回転検出装置では、ロータ２０の歯形状が異なる場合に、ロータ２０の歯と磁気抵抗素子ブリッジ１６、１７との距離であるエアギャップに応じて、ロータ２０の山部２１と谷部２２とを検出することのできる有効出力信号が変化する。換言すれば、同従来の回転検出装置では、ロータ２０の歯形状によって、上記差動出力の振幅が変化し、精度よく回転情報を検出することのできるエアギャップの範囲も自ずと制限されている。ちなみに、上記有効出力信号とは、上記２値化処理に際してある閾値電圧を設定したときにロータ２０の山部２１と谷部２２とを識別検出するために有効な差動出力波形の振幅のことであり、この値が大きいほど、上記エアギャップの範囲に対する余裕度が向上することになる。また、このような有効出力信号は通常、その環境温度にも依存し、上記信号を処理する回路の電気的な特性上、この環境温度が高温になるほど、同有効出力信号も小さくなる傾向にある。このため近年は、高温、広エアギャップに耐え得る仕様の回転検出装置の開発が望まれているが、上記従来の回転検出装置は、このような要求に対して未だ改良の余地を残すものとなっている。
【０００８】
加えて、上記回転検出装置自身、先の図７に示されるように、エンジンのシリンダブロック１１等を形成する周囲の磁性体やモータ等から発生される外乱磁界、電磁波等の影響を受けやすい環境におかれている。したがって、上記有効出力信号を大きく確保することの難しい上記従来の回転検出装置では、相対的にこれら外乱磁界等から受ける磁気的影響も無視できなくなり、信頼性の低下が避けられない。
【０００９】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、有効出力信号をより大きく確保して、種々の環境の中でより信頼性の高い回転情報を検出することのできる回転検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
こうした目的を達成するため、請求項１に記載の回転検出装置では、磁気抵抗素子を備えるセンサチップと該センサチップの周囲を囲繞する態様で配設されて前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石とが一体に樹脂モールドされてなり、山部と谷部とが交互に設けられたロータが前記センサチップの近傍にて回転するときに前記バイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値として感知して前記ロータの回転態様を検出する回転検出装置として、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石の少なくとも前記ロータの回転方向に対応する両側方をさらに囲む態様で磁性体からなる板材を設けるようにした。
【００１１】
回転検出装置としてのこのような構造によれば、磁気抵抗素子がロータの特に谷部と対向するときの磁気ベクトルの変化が上記磁性体からなる板材により助長されて、同磁気ベクトルの振れ角そのものが増大されるようになる。このため、その信号処理回路として例えば図８に例示した回路を用いる場合であれ、磁気抵抗素子の抵抗値変化に基づいて生成される差動出力波形の振幅、すなわち有効出力信号は自ずと拡大されるようになる。すなわち、ロータの山部に対応する出力信号レベルと谷部に対応する出力信号レベルとの差が拡大されるようになる。そして、こうして谷部と山部とに各々対応する出力信号レベルの差が大きくなることにより、温度やエアギャップに対する余裕度も高く確保され、より信頼性の高い回転情報の検出が可能となる。また、上記磁性体からなる板材によって磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石の少なくとも前記ロータの回転方向に対応する両側方が囲まれることで、前述した外乱磁界等による影響も好適に抑制されるようになる。
【００１２】
また特に、この磁性体からなる板材を、請求項２に記載の発明によるように、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石の周囲を囲繞する態様で筒状に設けることにより、前述した周囲の磁性体による外乱磁界や電磁波等の外乱要因をより的確に遮蔽することが可能となり、それら外乱要因による影響をさらに低減することができるようになる。
【００１３】
また、これら請求項１または２に記載の構成においては、請求項３に記載の発明によるように、前記磁性体からなる板材が前記磁気抵抗素子の先端位置と同等の位置まで延設される構造とすることで、検出素子である磁気抵抗素子に及ぶ上記外乱要因の影響を最大限に抑制することができるようになる。
【００１４】
また、上記請求項３に記載の構造に関しては、請求項４に記載の発明によるように、前記磁性体からなる板材に、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石の先方の一部を覆う態様でテーパ状に縮径された傘部をさらに設ける構造とすることもできる。
【００１５】
回転検出装置としてのこのような構造によれば、例えば上記傘部がバイアス磁石の上記ロータ回転方向に対応する両側方をさらに囲む部分から延設される場合、その長さあるいはテーパ角を通じて、磁気抵抗素子がロータの特に谷部と対向するときの磁気ベクトルの変化に対する助長量を調整することができるようになる。また、上記傘部がバイアス磁石の周囲を囲繞する筒状部分から延設される場合には、上述した外乱要因の遮蔽効果をさらに高めることができるようにもなる。なお、上記磁性体からなる板材には、そもそもその形状や配設位置に高い自由度があることから、前記磁気抵抗素子あるいはセンサチップそのものの配設位置についてもその自由度が高められ、ひいては当該回転検出装置自体のレイアウト性も向上されるようになる。
【００１６】
また、それぞれ上述した磁性体からなる板材についてはこれを、請求項５に記載の発明によるように、鉄系の金属板により形成することが有効である。このような材料は入手も容易であり、コスト面からもその実用性は高い。
【００１７】
さらに、これら請求項１〜５のいずれかに記載の構造において、請求項６に記載の発明によるように、前記磁性体からなる板材を、前記磁気抵抗素子を備えるセンサチップ、および前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石と共々、一体にモールドする構造とすれば、新たな部品の追加や複雑な製造工程を経ることなく、上述の構造を好適に実現することができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、この発明にかかる回転検出装置の一実施の形態について、図１および図２を参照して詳細に説明する。
なお、これら図１および図２に示されるように、この実施の形態にかかる回転検出装置も、基本的には先の図７に示されるような態様で、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４を備えるセンサチップ１がこれにバイアス磁界を付与するバイアス磁石３と一体にモールドされるとともに、被検出回転体であるロータ２０に対向するように配設される。また、このセンサチップ１は、その内部に先の図８に示されるような信号処理回路を有して集積回路化されており、その電気的な構成も、基本的には同図８に例示した従来の構成に準じたものとなっている。このため、同信号処理回路に関するここでの重複する説明は割愛する。
【００１９】
まず図１は、この実施の形態の回転検出装置についてその一部断面構造をロータ２０とともに模式的に示したものであり、この装置も、先の図７と同様、例えばエンジンの回転検出に用いられるものを想定している。
【００２０】
また、図２（ａ）は、この回転検出装置をロータ２０側から見た平面構造を模式的に示すものであり、図２（ｂ）には、これに対応する断面構造を併せて示している。
この実施の形態の回転検出装置は上述のように、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４を備えるセンサチップ１がその処理回路とともに集積回路化され、被検出回転体であるロータ２０に対向するように配設されている。そして、センサチップ１は、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）樹脂、エポキシ系樹脂等の樹脂からなるモールド材２にモールドされた状態で、その電源端子Ｔ１、出力端子Ｔ２およびＧＮＤ（接地）端子といった各端子が引き出される構造となっている。また、このセンサチップ１の周囲には、これを囲繞するように、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４にバイアス磁界を付与するためのバイアス磁石３が配設されている。このバイアス磁石３は、図２（ａ）に示されるように、貫通孔が設けられた中空形状をなしており、このバイアス磁石３に設けられた貫通孔に上記モールド材２によりモールドされたセンサチップ１が挿入されて接着剤等により一体に固定されている。なおこのとき、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に付与されるバイアス磁界の感度を向上させるために、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４とバイアス磁石３とは、中空構造による磁気ベクトルの乱れが生じない領域において最も近づくように位置決めされる。また、センサチップ１は、そのロータ２０に対向する側の先端位置が、バイアス磁石３のロータ２０に対向する側の先端位置よりもロータ２０に近接するように配設される。
【００２１】
そして、この実施の形態では、このバイアス磁石３の周囲を囲繞するように、例えば中空形状の磁性体からなる板材５が設けられている。なお、この板材５には、例えば鉄などの強磁性体が用いられる。また、この磁性体からなる板材５は、ロータ２０に対向する側の先端位置が、センサチップ１の先端位置と同等の位置となるように、すなわちバイアス磁石３よりもロータ２０側に延設されるように配設されている。そしてこの板材５は、センサチップ１、モールド材２およびバイアス磁石３とともにモールド材４によりさらに一体にモールドされている。なお、このモールド材４には、上記モールド材２と同様の材料であるＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）樹脂やエポキシ系樹脂等が用いられる。
【００２２】
一方、上記センサチップ１と対向するロータ２０には、その外周に歯車状に山部２１と谷部２２とが交互に設けられている。そして、このロータ２０は、図２（ａ）に示す補助線（中心線）Ｗに沿うように回転し、上記山部２１と谷部２２とが同じく補助線Ｗに沿うようにセンサチップ１近傍を通過して交互にバイアス磁石３に接近する。そして、バイアス磁石３から発生される磁気ベクトルは、ロータ２０の回転と協動して、山部２１に引きずられるかたちで変化し、ロータ２０の回転方向に振れる。このような磁気ベクトルの振れ角の変化が上記磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の抵抗値の変化としてセンサチップ１にて感知されることで、山部２１と谷部２２との位置情報が検出される。
【００２３】
次に、上記構造を有するこの実施の形態にかかる回転検出装置において、上記センサチップ１の近傍を、ロータ２０の山部２１および谷部２２が通過するときの磁気ベクトルの振れ角の変化について、図３を参照しながら説明する。なお、図３は、この実施の形態にかかる回転検出装置について、その一部斜視断面構造とともに、センサチップ１の近傍における磁気ベクトルの変化態様をロータ２０との関係のもとに示した模式図である。このうち、特に図３（ａ）は、ロータ２０の谷部２２との関係を、また図３（ｂ）は、ロータ２０の山部２１との関係をそれぞれ示している。またこの図３では、便宜上、上記モールド材２および４についてはその図示を割愛している。
【００２４】
まず、図３（ａ）では、ロータ２０の谷部２２がセンサチップ１に対向する場合について、上記磁性体からなる板材５のない従来の回転検出装置において生じる磁界の磁力線を参考のために破線にて示している。この破線のように、従来の装置では、その磁力線がバイアス磁石３からロータ２０の谷部２２に向かって、閉ループを描くように形成される。そして、このときにセンサチップ１の近傍にて生じる磁気ベクトルは、この磁力線に沿うように、矢印Ｈｃとして示される態様となる。これに対して、この実施の形態にかかる回転検出装置では、センサチップ１を囲繞するように上記磁性体からなる板材５が設けられていることにより、磁力線、あるいはセンサチップ１の近傍にて生じる磁気ベクトルはこの板材５に引き寄せられ、同図３（ａ）に矢印Ｈａとして示される態様となる。すなわち、この実施の形態にかかる回転検出装置では、ロータ２０の谷部２２が対向する場合にセンサチップ１の近傍に生じる磁気ベクトルは、その振れ角自体が増大されるようになる。
【００２５】
一方、図３（ｂ）に示されるように、ロータ２０の山部２１がセンサチップ１の近傍を通過する場合には、センサチップ１の近傍にて生じる磁気ベクトルは、矢印Ｈｂとして示されるように、センサチップ１から山部２１に向かってまっすぐに延びるかたちとなる。そして、このとき生じる磁気ベクトルは、上記磁性体からなる板材５のない従来の回転検出装置において生じる磁気ベクトルとその方向はほとんど同等のものとなる。
【００２６】
このように、センサチップ１の近傍にて生じる磁気ベクトルは、ロータ２０の谷部２２および山部２１の通過により変化する。そして、この実施の形態の回転検出装置において、こうした磁気ベクトルの振れ角の変化は、上記矢印Ｈａ（図３（ａ））と上記矢印Ｈｂ（図３（ｂ））との差で表されることとなり、従来の回転検出装置において上記矢印Ｈｃ（図３（ａ））と上記矢印Ｈｂ（図３（ｂ））との差で表される磁気ベクトルの振れ角の変化よりも大きくなる。
【００２７】
また、図３（ａ）および（ｂ）のいずれの場合においても、図３（ｂ）に矢印Ｂとして示すように、同回転検出装置の周囲には、例えば鋳鉄などの磁性体からなるエンジン部品やモータなどにより生じる外乱磁界が存在している。この点、この実施の形態では、センサチップ１の周囲に磁性体からなる板材５を配設するようにしたことで、このような外乱磁界が遮蔽されることともなるため、これらの外乱磁界の影響を受けることなく磁気ベクトルの振れ角の変化が検出されるようにもなる。
【００２８】
図４は、ロータ２０の回転にともない、センサチップ１に対向する山部２１と谷部２２との位置変化に対応して生じる前述した差動出力波形についてその変化態様を示したものである。この差動出力は、先の図３に示した磁気ベクトルの振れ角の変化に対応して得られる出力であり、この波形の振幅によってロータ２０の山部２１と谷部２２との識別がおこなわれる。なお、この図４において、区間ａおよびｃは、センサチップ１がロータ２０の山部２１に対向しているときの波形、区間ｂは、同センサチップ１がロータ２０の谷部２２に対向しているときの波形をそれぞれ示している。そして、この実施の形態にかかる回転検出装置を通じて得られる差動出力波形についてはこれを実線で示すとともに、谷部２２と山部２１との出力差、すなわち振幅を幅Ａ１として表している。また、同図４には、従来の回転検出装置を通じて得られる差動出力波形についても参考のために破線で示している。ちなみにこのときの振幅は幅Ａ２として表されるようになる。
【００２９】
この図４から明らかなように、この実施の形態にかかる回転検出装置では、ロータ２０の谷部２２に対向している区間ｂにおいて上記差動出力の振幅が従来の装置の振幅よりも大きくなり、「幅Ａ１＞幅Ａ２」となる。そして、このように差動出力波形の振幅が大きくなることにより、上記山部２１および谷部２２を識別検出することのできる有効出力信号が拡大されることとなり、ひいては温度やエアギャップ等の範囲に対する余裕度が向上されるようになる。
【００３０】
以上説明したように、この実施の形態にかかる回転検出装置によれば、以下に列記するような効果が得られるようになる。
（１）磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４にバイアス磁界を付与するバイアス磁石３の周囲を囲繞するように磁性体からなる板材５を配設するようにした。このような構造により、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４がロータ２０の特に谷部２２と対向するときの磁気ベクトルの変化が上記磁性体からなる板材５により助長されて、同磁気ベクトルの振れ角そのものが増大されるようになる。このため、同磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の抵抗値変化に基づいて生成される差動出力波形の振幅、すなわち有効出力信号が自ずと拡大されるようになる。すなわち、ロータ２０の山部２１に対応する出力信号レベルと谷部２２に対応する出力信号レベルとの差が拡大され、ひいては温度やエアギャップに対する余裕度も高く確保され、より信頼性の高い回転情報の検出が可能となる。
【００３１】
（２）また、上記磁性体からなる板材５を、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４にバイアス磁界を付与する磁石３の周囲を囲繞する態様で筒状に設けるようにした。これにより、周囲の磁性体による外乱磁界や電磁波等の外乱要因を的確に遮蔽することが可能となり、それら外乱要因による影響を低減することができるようになる。
【００３２】
（３）さらに、上記磁性体からなる板材５が磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の先端位置と同等の位置まで延設されるようにした。このため、検出素子である磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に及ぶ上記外乱要因の影響を最大限に抑制することができるようにもなる。
【００３３】
（４）上記磁性体からなる板材５については、これを、鉄系の金属板により形成することとした。このような材料は入手も容易であり、コスト面からもその実用性は高い。
（５）さらに、上記磁性体からなる板材５を、上記磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４を備えるセンサチップ１、および磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４にバイアス磁界を付与する磁石３と共々、一体にモールドするような構造とした。これにより、新たに部品の追加や複雑な製造工程を経ることなく、上述の構造を好適に実現することができるようになる。
【００３４】
なお、上記実施の形態の回転検出装置は、以下の態様で、一部変形して実施することもできる。
（第１変形例）
上記実施の形態では、磁性体からなる板材として、図２（ａ）および（ｂ）に例示した筒状の板材５を用いることとしたが、これに代え、これら図２（ａ）および図２（ｂ）に対応する図として、図５（ａ）および（ｂ）に例示するように筒の先端に傘部を備える板材３５を用いることもできる。
【００３５】
特に、図５（ｂ）により詳細に示されるように、この変形例における磁性体からなる板材３５は、そのロータ２０側の端部がバイアス磁石３の先方の一部を覆うようにテーパ形状に縮径された傘部３５ａを有している。このように、磁性体からなる板材３５がテーパ形状の傘部３５ａを有して形成されることで、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４がロータ２０の谷部２２と対向するときの磁気ベクトルの振れ角のさらなる増大を図ることも可能となる。また、この傘部３５ａのテーパ形状や長さにより、その磁気ベクトルの振れ角を増大する際の助長量についてこれを調整することも可能になる。また、この傘部３５ａは、バイアス磁石３の周囲を囲繞する筒状の部分から延設されるような形状に配設されており、センサチップ１の先端よりもさらにロータ２０側に近接するように配設されている。これにより、周囲の磁性体等による外乱要因の遮蔽効果をさらに高めることができるようにもなる。
【００３６】
以上のように、このような第１変形例によっても、上記実施の形態の上記（１）〜（５）と同等もしくはそれに準じた効果が得られるとともに、さらに、以下のような効果が得られるようにもなる。
【００３７】
（６）磁性体からなる板材３５に、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４にバイアス磁界を付与する磁石３の先方の一部を覆う態様でテーパ状に縮径された傘部３５ａをさらに設けるような構造とした。これにより、上記傘部３５ａがバイアス磁石３の周囲を囲繞する部分から延設される場合には、その長さあるいはテーパ角を通じて、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４がロータ２０の特に谷部２２と対向するときの磁気ベクトルの変化に対する助長量を調整することができるようになる。また、併せて、外乱要因の遮蔽効果をさらに高めることができるようにもなる。なお、上記磁性体からなる板材３５には、その形状や配設位置に高い自由度があることから、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４あるいはセンサチップ１の配設位置についてもその自由度が高められ、ひいては回転検出装置自体のレイアウト性も向上されるようにもなる。
【００３８】
（第２変形例）
同様に、上記実施の形態では、磁性体からなる板材として、図２（ａ）および（ｂ）に例示した筒状の板材５を用いることとしたが、これに代え、同じく図２（ａ）および（ｂ）に対応する図として、図６（ａ）および（ｂ）に例示するように、ロータ２０の回転方向に沿った一部のみを囲むような板材４５を用いることもできる。
【００３９】
特に、図６（ａ）に、この変形例における回転検出装置のロータ２０側から見た平面構造を示すように、この変形例における板材４５は、上記実施の形態における筒状の板材５の一部のみを用いるように形成されている。すなわち、このように磁性体からなる板材４５がバイアス磁石３の少なくともロータ２０の回転方向となる補助線Ｗに対応する両側方のみを囲むように配設されていたとしても、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４がロータ２０の谷部２２に対向するときの磁気ベクトルの変化は確実に助長されるようになる。
【００４０】
以上のように、このような第２変形例によっても、上記実施の形態の上記（１）〜（５）と同等もしくはそれに準じた効果が得られるとともに、さらに以下のような効果が得られるようにもなる。
【００４１】
（７）磁性体からなる板材４５によって磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４にバイアス磁界を付与する磁石３の少なくとも前記ロータ２０の回転方向に対応する両側方が囲まれる構造とした。このような構造によっても、前述した外乱磁界等による影響を好適に抑制することができるようになる。
【００４２】
なお、上記第２変形例においても、上記第１変形例で示されるように上記板材４５に傘部を備える構造を適用することができ、上記（６）と同等もしくはそれに準じた効果が得られるようにもなる。
【００４３】
（その他の実施の形態）
その他、この発明にかかる回転検出装置は、上記実施の形態やその変形例として示した構造に限らず、これを適宜変更した、以下に例示する態様にて実施することもできる。
【００４４】
・上記実施の形態やその変形例に用いる磁性体からなる板材（５、３５、４５）には、鉄系の金属に限らず任意の強磁性体材料を採用することもできる。
・上記実施の形態やその変形例においては、磁性体からなる板材（５、３５、４５）の先端が、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４を備えるセンサチップ１の先端と、同等の位置まで延設されるようにしたが、これら磁性体からなる板材（５、３５、４５）の配設位置はこれに限られない。磁性体からなる板材（５、３５、４５）の先端はセンサチップ１よりもさらにロータ２０側に延設されるようにしてもよい。
【００４５】
・また、上記実施の形態やその変形例においては、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４を備えるセンサチップ１の先端が、バイアス磁石３の先端よりも、ロータ２０側に近接するように配設することとしたが、これら先端位置を同等の位置に位置決めしてもよいし、バイアス磁石３がロータ２０側により近接するようにしてもよい。これら磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４、センサチップ１、バイアス磁石３および磁性体からなる板材（５、３５，４５）のロータ２０に対向する側の先端位置の配置については、磁気ベクトルの振れ角の増大効果と外乱遮蔽効果とを合わせて実現できる構造であれば、そのレイアウトは任意に変更可能である。
【００４６】
・上記実施の形態やその変形例では、磁性体からなる板材（５、３５、４５）がセンサチップ１およびバイアス磁石３とともに一体にモールドされる構造ととしたが、これら板材（５、３５、４５）はバイアス磁石３を囲むように配設されるものであれば、その配設方法はこれに限られない。
【００４７】
・上記実施の形態においては、中空形状のバイアス磁石３を用いることとしたが、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４にバイアス磁界を付与し得る磁石であれば、材質や形状はこれに限られない。
【００４８】
・上記実施の形態において、回転検出するための磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の電気的な接続方法やこれらの配置方法をはじめとするセンサチップ１の構造は任意である。また、上記実施の形態にかかる構造の回転検出装置は、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４を用いて磁気ベクトルの振れ角の変化を検出することにより、被回転検出体の回転情報を検出する任意の回転検出装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】この発明にかかる回転検出装置の一実施の形態についてその一部断面構造を、被回転検出体との関係も含めてその概要を模式的に示す断面図。
【図２】（ａ）は同実施の形態の回転検出装置をロータ側から見た平面構造を示す平面図。（ｂ）は同回転検出装置の断面構造を一部拡大して示す断面図。
【図３】（ａ）は同実施の形態の回転検出装置について、ロータの谷部と対向する場合に生じる磁気ベクトルの態様を模式的に示す一部断面斜視図。（ｂ）は同回転検出装置について、ロータの山部と対向する場合に生じる磁気ベクトルの態様を模式的に示す一部断面斜視図。
【図４】同実施の形態の回転検出装置を通じて得られる差動出力波形とロータの回転位置との関係を示すタイムチャート。
【図５】（ａ）は同実施の形態の回転検出装置の第１変形例について図２（ａ）に対応する平面構造を示す平面図。（ｂ）は同回転検出装置の第１変形例について図２（ｂ）に対応する断面構造を示す要部断面図。
【図６】（ａ）は同実施の形態の回転検出装置の第２変形例について図２（ａ）に対応する平面構造を示す平面図。（ｂ）は同回転検出装置の第２変形例について図２（ｂ）に対応する断面構造を示す要部断面図。
【図７】従来の回転検出装置の一例についてその一部断面構造を、被回転検出体との関係も含めてその概要を模式的に示す断面図。
【図８】回転検出装置を構成するセンサチップ内部の一般的な等価回路を示す回路図。
【符号の説明】
【００５０】
１、７１…センサチップ、２、４、７２、７４…モールド材、３、７３…バイアス磁石、５、３５、４５…磁性体からなる板材、１１…シリンダブロック、１２…Ｏリング、１３…ボルト、１４…差動増幅器、１５…比較器、１６、１７…磁気抵抗素子ブリッジ、２０…ロータ、２１…山部、２２…谷部、３５ａ…傘部、Ｔ１…電源端子、Ｔ２…出力端子、Ｔ３…ＧＮＤ（接地）端子、ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４…磁気抵抗素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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