(57)【要約】【課題】  三枚のプレートを積層接合して構成される静電駆動式のインクジェットヘッドを、リードタイムが短く、少ない工数で製造可能な方法を提案すること。【解決手段】  ノズルプレート２と、キャビティプレート３とガラスプレート４が積層接合された構造のインクジェットヘッド１の製造方法では、陽極接合工程における温度プロファイルを接着接合工程に適した温度プロファイルに設定することにより、ノズルプレート２とキャビティプレート３を低融点ガラスを用いて接合する接着接合工程と、キャビティプレート３とガラスプレート４を陽極接合により接合する陽極接合工程とを並行して行う。これらの工程を別個に行う場合に比べて、リードタイムを大幅に短縮でき、加工費も削減できる。【選択図】  図６
2005074835.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された第１の半導体基板、第２の半導体基板およびガラス基板を有し、前記第１の半導体基板にはインクノズルが形成され、前記第１および第２の半導体基板の間には前記インクノズルに連通しているインク圧力室が形成され、前記ガラス基板には各インク圧力室の底面部分に対して一定のギャップで対峙している個別電極が形成されているインクジェットヘッドの製造方法において、
前記第１および第２の半導体基板を低融点ガラスを用いて接合する接着接合工程と、
前記第２の半導体基板と前記ガラス基板を接合する陽極接合工程とを含み、
前記陽極接合工程における温度プロファイルを前記接着接合工程に適した温度プロファイルに設定し、
前記陽極接合工程および前記接着接合工程を並行して行うインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記接着接合工程に先立って、前記第１の半導体基板における前記第２の半導体基板の接着面、および／または、前記第２の半導体基板における前記第１の半導体基板の接着面に、低融点ガラス膜を転写あるいはスクリーン印刷する低融点ガラス膜積層工程を含むインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第２の半導体基板の各インク圧力室における前記底面部分と前記ガラス基板の前記個別電極が形成されている部分との間に形成されている各隙間部分の外部連通口を低融点ガラスを用いて封止する第１の封止工程を含み、
当該第１の封止工程は、前記接着接合工程の後、あるいは、当該接着接合工程と並行して行うインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の封止工程の後に、各隙間部分を相互に連通している連通部分の外部開放口から疎水化処理用のガスを注入して、前記インク圧力室の底面部分の表面あるいは前記個別電極の表面に疎水膜を形成する疎水化処理工程と、
前記疎水化処理用のガスを注入した後に、前記外部開放口を封止する第２の封止工程とを含むインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項５】
請求項１において、
前記第１および第２の半導体基板、並びに前記ガラス基板を製作する基板製作工程と、
前記ガラス基板と前記第２の半導体基板を位置合わせして積層する第１の積層工程と、
前記第１の半導体基板と、前記ガラス基板に積層された前記第２の半導体基板とを、低融点ガラス膜を介して位置合わせして積層する第２の積層工程と、
積層状態の前記第１の半導体基板、前記第２の半導体基板および前記ガラス基板を、陽極接合装置内において所定の加圧状態に保持し、前記陽極接合工程および前記接着接合工程を並行して行う基板接合工程と、
前記第２の半導体基板の各インク圧力室における前記底面部分と、前記ガラス基板の前記個別電極が形成されている部分との間に形成されている各隙間部分の外部連通口に、低融点ガラスを塗布する低融点ガラス塗布工程と、
塗布された前記低融点ガラスを加熱して前記外部連通口を封止する第１の封止工程と、
前記の各隙間部分を相互に連通している連通部分の外部開放口から疎水化処理用のガスを注入して、前記インク圧力室の底面部分の表面あるいは前記個別電極の表面に疎水膜を形成する疎水化処理工程と、
前記外部開放口を接着剤により封止する第２の封止工程と、
を含むインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２の積層工程に先立って、前記第１の半導体基板における前記第２の半導体基板の接着面に、前記低融点ガラス膜を転写あるいはスクリーン印刷する低融点ガラス積層工程を含むインクジェットヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対向電極間に電圧を印加することにより発生する静電気力を利用してインク液滴を吐出させる静電駆動式のインクジェットヘッドの製造方法に関するものである。さらに詳しくは、インクノズルが形成された第１の半導体基板と、インク液滴を吐出させるための圧力を発生するインク圧力室用のキャビティが形成された第２の半導体基板と、インク圧力室の底面部分に対峙している個別電極が形成されたガラス基板を積層接着した構造のインクジェットヘッドを短いリードタイムで廉価に製造するのに適したインクジェットヘッドの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
対向電極間に発生する静電気力を利用してインク液滴を吐出する静電駆動式のインクジェトヘッドは、例えば、下記の特許文献１、２に開示されているように、シリコン製のノズルプレートと、同じくシリコン製のキャビティプレートと、ガラスプレートとが積層接着された構造とされている。ノズルプレートにはインクノズルが形成されており、キャビティプレートにはインクノズルに連通しているインク圧力室形成用のキャビティなどが形成されており、ガラスプレートには、インク圧力室の底面部分に対して一定のギャップで対峙している個別電極が形成されている。インク圧力室の底面部分は面外方向に振動可能な振動板として機能し、当該振動板と個別電極の間に電圧を印加すると、これらの間に発生する静電吸引力によって振動板が個別電極側に変位し、電圧の印加を止めると当該振動板が元の位置に弾性復帰する。かかる振動板の変位によりインク圧力室の容積が変動して、インクノズルからインク液滴を吐出させる吐出圧力が発生する。
【０００３】
かかる三枚のプレートが積層接着された構造のインクジェットヘッドは、一般に、キャビティプレートとガラスプレートを陽極接合し、しかる後に、キャビティプレートにノズルプレートをエポキシ系接着剤などを用いて接着接合することにより製造される。
【０００４】
ここで、かかる構造のインクジェットヘッドでは、振動板に対峙している個別電極はガラスプレート表面に形成した凹部の底面に形成されており、凹部は個別電極を外部に引き出すためにガラスプレートの端面まで延びている。したがって、キャビティプレートにガラスプレートを陽極接合した状態では、当該凹部によって、外部に連通した隙間部分が形成され、その外部連通口から個別電極のリード端子が引き出された状態になる。下記の特許文献３には、この外部連通口の封止剤として一般的に使用されているエポキシ系接着剤の代わりに、低融点ガラスを用いる方法が開示されている。
【特許文献１】特開平５−５０６０１号公報
【特許文献２】特開平６−７０８８２号公報
【特許文献３】特開平１０−２６４３８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のインクジェットヘッドの製造方法では、陽極接合および接着接合の各工程、並びに外部連通口を封鎖する封鎖工程を順番に行っている。従って、製造工程のリードタイムを短縮するためには、各工程の所要時間を短くする必要がある。しかし、各工程の時間短縮化には限度があるので、リードタイムの大幅な短縮化を図ることが困難である。
【０００６】
本発明の課題は、インクジェットヘッドの陽極接合工程から接着接合工程までのリードタイムを大幅に短縮可能なインクジェットヘッドの製造方法を提案することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明は、積層された第１の半導体基板、第２の半導体基板およびガラス基板を有し、前記第１の半導体基板にはインクノズルが形成され、前記第１および第２の半導体基板の間には前記インクノズルに連通しているインク圧力室が形成され、前記ガラス基板には各インク圧力室の底面部分に対して一定のギャップで対峙している個別電極が形成されているインクジェットヘッドの製造方法において：前記第１および第２の半導体基板を低融点ガラスを用いて接合する接着接合工程と；前記第２の半導体基板と前記ガラス基板を接合する陽極接合工程とを含み；前記陽極接合工程における温度プロファイルを前記接着接合工程に適した温度プロファイルに設定し；前記陽極接合工程および前記接着接合工程を並行して行うことを特徴としている。
【０００８】
本発明は、低融点ガラスを用いて第１および第２の半導体基板を接着接合する際に、陽極接合工程において接合対象の第２の半導体基板とガラス基板を加熱するための温度プロファイルを利用可能なことに着目してなされたものであり、陽極接合工程における温度フロファイルに僅かに変更を加えることにより、陽極接合工程と接着接合工程を並行して行うようにしている。双方の工程を並行して行うことにより、これらを別個の工程として行っていた従来の製造方法に比べて、陽極接合工程から接着接合工程までのリードタイムを大幅に短縮できる。また、この結果、工数が実質的に減るので加工費を削減できるという効果も得られる。さらには、エポキシ系接着剤に比べて、低融点ガラスによる接合部分は耐インク性に優れているので、ヘッド寿命が延びるという効果も得られる。
【０００９】
ここで、低融点ガラスを用いて第１および第２の半導体基板を接着接合するためには、前記接着接合工程に先立って、前記第１の半導体基板における前記第２の半導体基板の接着面、および／または、前記第２の半導体基板における前記第１の半導体基板の接着面に、低融点ガラス膜を転写あるいはスクリーン印刷すればよい。
【００１０】
次に、前記第２の半導体基板の各インク圧力室における前記底面部分と、前記ガラス基板の前記個別電極が形成されている部分との間に形成されている各隙間部分の外部連通口を低融点ガラスを用いて封止する場合には、当該第１の封止工程を、前記接着接合工程の後に行えばよい。この封止工程も前記接着接合工程と並行して行えば、リードタイムをさらに短縮でき、また、工数もさらに削減できる。
【００１１】
ここで、インク圧力室の底面部分と個別電極の間に繰り返し電圧を印加してインクジェットヘッドを駆動している間にこれらの表面に水分が付着すると、付着した水分の極性分子の帯電によって静電吸引あるいは反発特性が低下するなどの弊害が発生する。この弊害を回避するためには、インク圧力室の底面部分あるいは個別電極の表面に疎水化処理を施せばよい。疎水化処理は、前記第１の封止工程の後に、各隙間部分を相互に連通している連通部分の外部開放口から疎水化処理用のガスを注入して、前記インク圧力室の底面部分の表面あるいは前記個別電極の表面に疎水膜を形成することにより行うことができる。この場合、ガスを注入後に前記外部開放口をエポキシ系接着剤などを用いて封止すればよい。
【００１２】
次に、本発明による典型的な製造方法は：前記第１および第２の半導体基板、並びに前記ガラス基板を製作する基板製作工程と；前記ガラス基板と前記第２の半導体基板を位置合わせして積層する第１の積層工程と；前記第１の半導体基板と、前記ガラス基板に積層された前記第２の半導体基板とを、低融点ガラス膜を介して位置合わせして積層する第２の積層工程と；積層状態の前記第１の半導体基板、前記第２の半導体基板および前記ガラス基板を、陽極接合装置内において所定の加圧状態に保持し、前記陽極接合工程および前記接着接合工程を並行して行う基板接合工程と；前記第２の半導体基板の各インク圧力室における前記底面部分と前記ガラス基板の前記個別電極が形成されている部分との間に形成されている各隙間部分の外部連通口に、低融点ガラスを塗布する低融点ガラス塗布工程と；塗布された前記低融点ガラスを加熱して前記外部連通口を封止する第１の封止工程と；前記の各隙間部分を相互に連通している連通部分の外部開放口から疎水化処理用のガスを注入して、前記インク圧力室の底面部分の表面あるいは前記個別電極の表面に疎水膜を形成する疎水化処理工程と；前記外部開放口を接着剤を用いて封止する第２の封止工程とを含むことを特徴としている。
【００１３】
この場合、前記第２の積層工程に先立って、前記第１の半導体基板における前記第２の半導体基板の接着面に、前記低融点ガラス膜を転写あるいはスクリーン印刷する低融点ガラス積層工程を実施すればよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のインクジェットヘッドの製造方法では、第２の半導体基板とガラス基板を陽極接合する際の温度プロファイルを、低融点ガラスを用いて第１および第２の半導体基板を接着接合する場合の温度プロファイルに適したものとなるように設定し、陽極接合工程と接着接合工程を同一の温度プロファイルにより並行して実施するようにしている。従って、これらの各工程を順次に行っている従来の製造方法に比べて、陽極接合工程の開始から接着接合工程の終了までのリードタイムを大幅に短縮化できる。この結果、工数を削減できるので、加工費も削減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、図面を参照して、本発明を適用可能なインクジェットヘッドの例および、本発明を適用したインクジェットヘッドの製造方法を説明する。
【００１６】
（インクジェットヘッド）
図１ないし４を参照して、製造対象の静電駆動式のインクジェットヘッドの構造を説明する。図１は本例のインクジェットヘッドの分解斜視図であり、図２は組み立てられたインクジェットヘッドの断面構成図（図３のＩＩ−ＩＩ線断面）であり、図３はその平面図であり、図４はその部分断面図（図３のＩＶ−ＩＶ線断面）である。
【００１７】
これらの図に示すように、インクジェットヘッド１は、基板の上面に形成したインクノズルからインク液滴を吐出するフェイスインクジェットタイプのものである。このインクジェットヘッド１は、キャビティプレート３を挟み、上側にノズルプレート２、下側にガラスプレート４がそれぞれ積層された３層構造となっている。
【００１８】
キャビティプレート３は、例えばシリコン基板であり、プレートの表面には底面部分が振動板５として機能するインク室６を構成することになる凹部７と、凹部７の後方に設けられたインク供給口８を形成することになる細溝９と、各々のインク室６にインクを供給するためのインクリザーバ１０を構成することになる凹部１１とがエッチングによって形成されている。
【００１９】
キャビティプレート３の上側に接合されるノズルプレート２は、例えば、キャビティプレート３と同様にシリコン基板から形成されている。ノズルプレート２において、インク室６の上面を規定している部分には各インク室６に連通する複数のインクノズル２１が形成されている。
【００２０】
ノズルプレート２をキャビティプレート３に接合することにより、上記の凹部７、１１および細溝９が塞がれて、インク室６、インク供給口８、インクリザーバ１０がそれぞれ区画形成される。インクリザーバ１０の底面を規定する部分にはインクリザーバ１０にインクを供給するための孔１２ａが設けられており、基板接合後、後述するガラスプレート４に設けられた孔１２ｂと共にインク供給孔１２を形成する。インク供給孔１２には、不図示の接続チューブを介して不図示のインクタンクが接続される。インク供給孔１２から供給されたインクは、各インク供給口８を経由して独立した各インク室６に供給される。
【００２１】
ここで、一時的に各インク室内の圧力を上昇させて、対応するインクノズルからインク滴を吐出させるための静電アクチュエータが、各インク室６にそれぞれ設けられている。各静電アクチュエータは微小なギャップをもって対向配置された第１および第２の電極部材を有している。本例では、第１の電極部材は、後述するように、ガラスプレート４の凹部１６に形成されたＩＴＯ膜であり、第２の電極部材はインク室６の底に形成された変形可能な振動板５である。
【００２２】
次に、キャビティプレート３の下側に接合されるガラスプレート４は、シリコンと熱膨張率が近いホウ珪酸ガラスプレートである。このガラスプレート４において、それぞれの振動板５に対向する部位にはギャップ１５を構成することになる凹部１６が形成されている。この凹部１６の底面には、振動板に対向する個別電極（第１の電極部材）１７が形成されている。個別電極１７は、ＩＴＯからなるセグメント電極部１８と端子部１９を有している。
【００２３】
ガラスプレート４をキャビティプレート３に接合することにより、各インク室６の底面を規定している振動板５と個別電極１７のセグメント電極部１８は、非常に狭いギャップを隔てて対峙する。これらの間の空間（隙間部分）１５の外部連通口１５ａは、キャビティプレート３とガラスプレート４の間に配置した低融点ガラスからなる封止材２０によって気密封止される。
【００２４】
振動板５は薄肉とされており、面外方向、すなわち、図２において上下方向に弾性変形可能となっている。この振動板５は、各インク室側の共通電極として機能する。この共通電極（第２の電極部材）としての振動板５の底面５１には、ＨＭＤＳを用いて形成された疎水膜２２が形成されている。この振動板５に対向する個別電極１７のセグメント電極部１８の表面にも、ＨＭＤＳを用いて形成した疎水膜２３が形成されている。
【００２５】
次に、振動板５と個別電極１７の間には電圧印加装置２５が接続されている。電圧印加装置２５の一方の出力は各個別電極１７の端子部１９に接続され、他方の出力はキャビティプレート３に形成された共通電極端子２６に接続されている。キャビティプレート３自体は導電性を持つので、この共通電極端子２６から振動板（共通電極）５に電圧を供給することができる。
【００２６】
なお、より低い電気抵抗で振動板５に電圧を供給する必要がある場合には、例えば、キャビティプレート３の一方の面に金等の導電性材料の薄膜を蒸着やスパッタリングで形成すればよい。本例では、キャビティプレート３とガラスプレート４との接続に陽極接合を用いているので、キャビティプレート３の流路形成面側に導電膜を形成してある。
【００２７】
この構成のインクジェットヘッド１においては、電圧印加装置２５からの駆動電圧が対向電極間に印加されると、対向電極間に充電された電荷によるクーロン力が発生し、振動板５はセグメント電極部１８の側に撓み、インク室５の容積が拡大する。次に、電圧印加装置２５からの駆動電圧を解除して対向電極間の電荷を放電すると、振動板５はその弾性復帰力によって復帰し、インク室６の容積が急激に縮小する。この時発生する内圧変動により、インク室６に貯留されたインクの一部が、インク室６に連通しているインクノズル２１から記録紙に向かって吐出する。
【００２８】
（製造方法）
次にインクジェットヘッド１の製造方法を説明する。図５はインクジェットヘッド１の製造工程の一例を示す概略フローチャートである。まず、インクジェットヘッド１を構成しているノズルプレート２、キャビティプレート３およびガラスプレート４をそれぞれ製作する（基板製作工程ＳＴ１、ＳＴ２、ＳＴ３）。次に、ガラスプレート４とキャビティプレート３を位置合わせして積層し、その状態に保持する（第１の積層工程ＳＴ４）。一方、ノズルプレート２におけるキャビティプレート３との接合面２ａに、低融点ガラス膜３１をスクリーン印刷により形成する（低融点ガラス積層工程ＳＴ５）。スクリーン印刷の代わりに、転写により低融点ガラス膜を接合面２ａに形成してもよい。低融点ガラス膜としては融点が３００〜６００℃と低いものを用いればよい。この後は、低融点ガラス膜３１を挟み、ノズルプレート２をキャビティプレート３に位置合わせして積層して、三枚のプレート２、３、４を積層状態に保持する（第２の積層工程ＳＴ６）。
【００２９】
しかる後に、一般的に使用されている陽極接合装置内に積層状態のプレート２、３、４を配置し、加圧用治具によりこれらを所定の加圧状態に保持する。この状態で、陽極接合装置内に設置した三枚のプレート２、３、４を窒素雰囲気などの不活性ガス雰囲気中において、予め定めた温度プロファイルにしたがって加熱して、陽極接合工程と接着接合工程を並行して実施する（接合工程ＳＴ７）。この結果、ノズルプレート２とキャビティプレート３が低融点ガラスによって接着接合され、キャビティプレート３とガラスプレート４が陽極接合された状態の積層接合体４０が得られる。
【００３０】
この後は、キャビティプレート３とガラスプレート４の間に形成された各空間（隙間部分）１５に疎水化処理を施す（疎水化処理工程ＳＴ８）。例えば、所定濃度の疎水化処理用のＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラン）ガスを拡散により充分に各空間１５に入り込むまで維持する。この結果、共通電極である振動板５の底面およびＩＴＯ製のセグメント電極部１８の表面にＨＭＤＳからなる疎水膜２２、２３が形成される。
【００３１】
次に、処理槽から積層接合体４０を取り出さずに、不図示のディスペンサなどを用いて、積層接合体４０における各空間（隙間部分）１５の外部連通口１５ａに低融点ガラス４１を塗布して、各外部連通口１５ａを封鎖する（低融点ガラス塗布工程ＳＴ９）。そして、所定の温度プロファイルに従って塗布した低融点ガラス４１を加熱して、各外部連通口１５ａを気密封止する（封止工程ＳＴ１０）。この後に、積層接合体４０に所定の処理を施すことにより、インクジェットヘッド１が得られる。
【００３２】
上記の接合工程ＳＴ７についてさらに詳しく説明する。図６（ａ）はこの接合工程ＳＴ７において用いる温度プロファイルの一例を示すグラフであり、図６（ｂ）は当該工程における各経過時間における状態を示す説明図である。これらを参照して説明すると、接合工程ＳＴ７では、処理開始時点Ｔ１から時点Ｔ２（５分後）までの間に内部温度を常温（２５℃）から１２０℃まで上げ、この状態を時点Ｔ３（１５分後）まで保持して、低融点ガラス内の溶剤を気化させて乾燥させる。
【００３３】
次に、時点Ｔ１〜Ｔ２までの温度勾配よりも小さな温度勾配で、時点Ｔ３から時点Ｔ４（３５分後）まで内部温度を１２０℃から３２０℃に高める。さらに、時点Ｔ３からＴ４までの温度勾配よりも小さな温度勾配で、時点Ｔ４から時点Ｔ５（４２．５分後）まで内部温度を３２０℃から３５０℃まで高める。３５０℃の状態を時点Ｔ６（４７．５分後）まで保持する。この時点Ｔ５からＴ６の間において、積層体に陽極接合電圧を印加する。この結果、キャビティプレート３とガラスプレート４が陽極接合される。
【００３４】
この後は、時点Ｔ４からＴ５までの温度勾配よりも僅かに小さな温度勾配で、時点Ｔ６から時点Ｔ７（５５分後）まで内部温度を３５０℃から３８０℃まで高め、この温度状態を時点Ｔ８（６５分後）まで保持する。このようにして時点Ｔ３から時点Ｔ８まで内部温度を上昇させることにより、ノズルプレート２とキャビティプレート３の間に挟まれている低融点ガラス膜３１が加熱されて、そこに含まれているバインダが分解して仮焼成状態になる。この後は、それまでよりも大きな温度勾配で、時点Ｔ８から時点Ｔ９（６７分後）まで、内部温度を３８０℃から４５０℃まで高め、この温度状態を時点Ｔ１０（７７分後）まで保持する。しかる後に、時点Ｔ１０から時点Ｔ１１（１０５分後）までの間に、一定の温度勾配で内部温度を常温（２５℃）に戻す。仮焼成状態の低融点ガラス膜３１は時点Ｔ９からＴ１０までの間の４５０℃の高温に晒されて完全に焼成し、常温まで冷却される間に、ノズルプレート２とキャビティプレート３の間を完全に封着した状態を形成する。
【００３５】
ここで、図７（ａ）、（ｂ）は、一般的に採用されているキャビティプレート３とガラスプレート４の陽極接合時の温度プロファイルを示すグラフおよび、経過時間と温度の関係を示す一覧表である。陽極接合の場合の温度プロファイルでは、陽極接合装置の内部温度を、常温から陽極接合電圧の印加温度である３５０℃まで一定の温度勾配で上昇させ、３５０℃に保持し、しかる後に、一定の温度勾配で内部温度を下降させるようにしている。本例では、図６および図７の温度プロファイルを比較すると分かるように、陽極接合時の温度プロファイルを、低融点ガラスによるノズルプレート２およびキャビティプレート３の接着接合に適したものとなるように修正を加えてある。従って、本例においては、単一の接合工程において、陽極接合工程と低融点ガラスを用いた接着接合工程とを並行して実施することができる。この結果、陽極接合工程が終了した後に、接着接合工程を別途行っていた従来のインクジェットヘッドの製造方法に比べて、単一の工程において双方の工程を実施できるので、三枚のプレート２、３、４を接合するためのリードタイムを大幅に短縮できる。
【００３６】
（封止構造の別の例）
ここで、インクジェットヘッド１における各振動板５と個別電極１８の間の空間（隙間部分）１５の封止構造としては図８に示す構造のものが知られている。すなわち、列状に配列された複数の空間（隙間部分）１５には、これらを相互に連通している連通路５１が形成されている。この連通路１５はガラスプレート４の表面に凹部を形成し、キャビティプレート３とガラスプレート４を接合することにより形成される。この連通路５１の端は外部開放口５２となっている。この場合には、各空間１５の外部開放口１５ａを前述のように低融点ガラスからなる封止材２０で気密封止した後に、ＨＭＤＳなどの疎水化処理用のガスを外部開放口５２から連通路５１を経由させて各空間（隙間部分）１５内に充填することにより、各振動板６の底面およびセグメント電極１８の表面に疎水膜２２、２３（図４参照）を形成することができる。
【００３７】
この場合には、先に説明した図５各工程ＳＴ１〜ＳＴ７を実施して三枚のプレート２、３、４を接合して積層体を構成した後に、各空間１５の外部連通口１５ａに低融点ガラスを塗布して加熱することにより当該外部連通口を気密封止する第１の封止工程を実施し、しかる後に、疎水化処理工程を実施すればよい。この疎水化処理工程では、外部開放口５２から連通路５１を経由して各空間１５内にＨＭＤＳなどのガスを充填して、振動板５の底面およびセグメント電極１８の表面に疎水膜２２、２３を形成する。この後に、連通路５１の外部開放口５２をエポキシ系接着剤を用いて気密封止する工程（第２の封止工程）を実施すればよい。
【００３８】
（その他の実施の形態）
上記の例では、ノズルプレート２とキャビティプレート３を接着接合するための低融点ガラス膜をノズルプレート２の側にのみ積層している。この代わりに、キャビティプレート３におけるノズルプレート２との接合面にも低融点ガラス膜を積層して、双方のプレート２、３を接着接合してもよい。
【００３９】
また、接合工程では、温度プロファイルにおける温度上昇時の時点Ｔ５から時点Ｔ６までの間において陽極接合電圧を印加している。この代わりに、温度下降時において、陽極接合に適した温度状態を所定期間に渡り保持し、この期間において陽極接合電圧を印加えて、陽極接合工程を実施するようにしてもよい。
【００４０】
さらに、図８に示す封止構造の場合には、各空間１５の外部連通口１５ａを封鎖する工程（第１の封止工程）を接合工程（陽極接合工程、接着接合工程）の後に実施している。この代わりに、接合工程に先立って、各空間１５の外部連通口１５ａに低融点ガラスをディスペンサなどにより塗布し、しかる後に接合工程を実施してもよい。このようにすれば、接合工程における接着接合工程と同時に外部連通口１５ａの気密封止（第１の封止工程）を実施することができる。よって、製造工程のリードタイムをさらに短縮化できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明を適用可能なインクジェットヘッドの分解斜視図である。
【図２】図１のインクジェットヘッドの断面構成図である。
【図３】図１のインクジェットヘッドの平面構成図である。
【図４】図１のインクジェットヘッドの部分断面図である。
【図５】インクジェットヘッドの製造方法の概略フローチャートである。
【図６】（ａ）は図５の接合工程における温度プロファイルを示すグラフであり、（ｂ）はその各時点での状態を示す説明図である。
【図７】（ａ）は従来の陽極接合における温度プロファイルの例を示すグラフであり、（ｂ）はその経過時間と温度の関係を説明図である。
【図８】図１のインクジェットヘッドにおける封止構造の別の構成例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  インクジェットヘッド、２  ノズルプレート（第１の半導体基板）、３  キャビティプレート（第２の半導体基板）、４  ガラスプレート（ガラス基板）、５  振動板、１５  空間（隙間部分）、１５ａ  外部連通口、１７  個別電極、２２、２３  疎水膜、３１  低融点ガラス膜、４０  積層接合体、４１  低融点ガラス、５１  連通路、５２  外部開放口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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