(57)【要約】【課題】  電子タグ用インレットのアンテナのパターンを精度よく、かつ安価に形成できる技術を提供する。【解決手段】  グラビア印刷法によって形成されたレジスト膜をマスクとして絶縁フィルム１上のＡｌ箔をケミカルエッチングしてスリットパターン５Ａを形成した後、後の工程でチップが搭載される領域のＡｌ箔をダイシングブレードを用いて切削することによって幅がスリットパターン５Ａの幅より狭い幅を有するスリットパターン５Ｂを形成することによってアンテナ３を形成する。【選択図】  図１１
2005301738.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルムの主面に形成された導体膜からなるアンテナと、前記アンテナの一部に形成され、一端が前記アンテナの外縁に延在し、第１パターンおよび前記第１パターンより狭い幅を有する第２パターンから形成されたスリットと、複数のバンプ電極を介して前記アンテナに電気的に接続された半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂とを備えた電子タグ用インレットの製造方法であって、
（ａ）前記絶縁フィルムおよび前記半導体チップを用意する工程、
（ｂ）前記絶縁フィルムの前記主面に前記導体膜を形成する工程、
（ｃ）前記導体膜に前記第１パターンを形成する工程、
（ｄ）ダイシングブレードもしくはレーザーを用いて前記導体膜を加工することにより、前記第２パターンを形成する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後、前記複数のバンプ電極を、前記導体膜の主面におけるそれぞれのバンプ電極の対応する位置に接続し、前記半導体チップと前記導体膜とを電気的に接続する工程、
（ｆ）前記半導体チップを前記樹脂によって封止する工程、
（ｇ）前記（ａ）〜（ｆ）工程後、前記導体膜および前記絶縁フィルムを切断領域にて切断し、前記アンテナを形成する工程、
を含むことを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記スリットの幅は、前記第２パターンが形成された位置において前記半導体チップが跨ぐことができる長さで形成されることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記第２パターンの幅は、１５０μｍ以下であることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記第１パターンは、
（ｃ１）前記第１パターンに対応する凸パターンとそれ以外の凹パターンが形成されたグラビア版を用いたグラビア印刷法により、前記導体膜の前記主面上に前記凹パターンに対応した形状のマスキングパターンを形成し、前記マスキングパターンをマスクとして前記導体膜をエッチングする工程、
によって形成することを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記（ｄ）工程は、前記（ｃ）工程に含まれ、
前記第１パターンおよび前記第２パターンは、前記レーザーによる加工によって一括して形成することを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記絶縁フィルムは、ポリエチレンナフタレートまたはポリエチレンテレフタレートを主成分とすることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記導体膜は、アルミニウムを主成分とすることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項８】
導体膜からなるアンテナと、前記アンテナの一部に形成され、一端が前記アンテナの外縁に延在し、第１パターンおよび前記第１パターンより狭い幅を有する第２パターンから形成されたスリットと、複数のバンプ電極を介して前記アンテナに電気的に接続された半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂とを備えた電子タグ用インレットの製造方法であって、
（ａ）前記導体膜からなる第１フィルムを用意する工程、
（ｂ）前記第１フィルムに前記第１パターンを形成する工程、
（ｃ）前記複数のバンプ電極を、前記第１フィルムの主面におけるそれぞれのバンプ電極の対応する位置に接続し、前記半導体チップと前記導体膜とを電気的に接続する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後、前記半導体チップを前記樹脂によって封止する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後、ダイシングブレードもしくはレーザーを用いて前記第１フィルムを裏面から加工することにより、前記第２パターンを形成する工程、
（ｆ）前記（ａ）〜（ｅ）工程後、前記第１フィルムを切断領域にて切断し、前記アンテナを形成する工程、
を含むことを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記スリットの幅は、前記第２パターンが形成された位置において前記半導体チップが跨ぐことができる長さで形成されることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記第２パターンの幅は、１５０μｍ以下であることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項１１】
請求項８記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記第１パターンは、
（ｃ１）前記第１パターンに対応する凸パターンとそれ以外の凹パターンが形成されたグラビア版を用いたグラビア印刷法により、前記第１フィルムの前記主面上に前記凹パターンに対応した形状のマスキングパターンを形成し、前記マスキングパターンをマスクとして前記第１フィルムをエッチングする工程、
もしくは、
（ｃ２）前記第１フィルムの前記第１パターンに対応する位置をパンチによって打ち抜く工程、
のいずれか一方によって形成することを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項１２】
請求項８記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記（ｂ）工程は、前記（ｅ）工程に含まれ、
前記第１パターンおよび前記第２パターンは、前記レーザーによる加工によって一括して形成することを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項１３】
請求項８記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記第１フィルムは、アルミニウムを主成分とすることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項１４】
導体膜からなるアンテナと、前記アンテナの一部に形成され、一端が前記アンテナの外縁に延在するスリットと、複数のバンプ電極を介して前記アンテナに電気的に接続された半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂とを備えた電子タグ用インレットの製造方法であって、
（ａ）前記導体膜からなる第１フィルムを用意する工程、
（ｂ）前記第１フィルムの主面に前記導体膜と異なるエッチング選択比を有する第１皮膜を形成し、前記第１フィルムの裏面に前記スリットに対応する形状の開口部を有する前記第１皮膜を形成する工程、
（ｃ）前記複数のバンプ電極を、前記第１フィルムの主面におけるそれぞれのバンプ電極の対応する位置に接続し、前記半導体チップと前記導体膜とを電気的に接続する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後、前記半導体チップを前記樹脂によって封止する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後、前記第１フィルムの裏面の前記第１皮膜をマスクとし、前記第１フィルムの主面の前記第１皮膜をエッチングストッパとして前記第１フィルムをエッチングし、前記スリットを形成する工程、
（ｆ）前記（ａ）〜（ｅ）工程後、前記第１フィルムを切断領域にて切断し、前記アンテナを形成する工程、
を含むことを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記スリットの幅は、前記半導体チップ下において前記半導体チップが跨ぐことができる長さで形成されることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記スリットの幅は、前記半導体チップ下において１５０μｍ以下であることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項１７】
請求項１４記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）前記スリットに対応する凸パターンとそれ以外の凹パターンが形成されたグラビア版を用いたグラビア印刷法により、前記第１フィルムの前記裏面上に前記凹パターンに対応した形状の前記第１皮膜を形成する工程、
を含むことを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項１８】
請求項１４記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記第１フィルムは、アルミニウムを主成分とすることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項１９】
絶縁フィルムの主面に形成された導体膜からなるアンテナと、前記アンテナの一部に形成され、一端が前記アンテナの外縁に延在するスリットと、複数のバンプ電極を介して前記アンテナに電気的に接続された半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂とを備えた電子タグ用インレットの製造方法であって、
（ａ）前記絶縁フィルムおよび前記半導体チップを用意する工程、
（ｂ）前記絶縁フィルムの前記主面に前記導体膜を形成する工程、
（ｃ）前記導体膜の主面に、前記スリットに対応する形状の開口部を有し前記導体膜と異なるエッチング選択比を有する第１皮膜を形成する工程、
（ｄ）前記第１皮膜をマスクとして前記導体膜をエッチングし、前記スリットを形成する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後、前記複数のバンプ電極を、前記導体膜の主面におけるそれぞれのバンプ電極の対応する位置に接続し、前記半導体チップと前記導体膜とを電気的に接続する工程、
（ｆ）前記半導体チップを前記樹脂によって封止する工程、
（ｇ）前記（ａ）〜（ｆ）工程後、前記導体膜および前記絶縁フィルムを切断領域にて切断し、前記アンテナを形成する工程、
を含むことを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記スリットの幅は、前記半導体チップ下において前記半導体チップが跨ぐことができる長さで形成されることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項２１】
請求項１９記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記スリットの幅は、前記半導体チップ下において１５０μｍ以下であることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項２２】
請求項１９記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）前記スリットに対応する凸パターンとそれ以外の凹パターンが形成されたグラビア版を用いたグラビア印刷法により、前記導体膜の前記主面上に前記凹パターンに対応した形状の前記第１皮膜を形成する工程、
を含むことを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項２３】
請求項１９記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記絶縁フィルムは、ポリエチレンナフタレートまたはポリエチレンテレフタレートを主成分とすることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【請求項２４】
請求項１９記載の電子タグ用インレットの製造方法において、
前記導体膜は、アルミニウムを主成分とすることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非接触型電子タグ用インレットの製造技術に関し、特に、アンテナのパターニング工程に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、樹脂フィルムからなる基材に接着したアルミニウム箔上に回路パターンのレジストパターンをグラビア印刷し、そのレジストパターンをマスクとしてアルミニウム箔をエッチングすることにより回路パターンを形成することにより、回路パターンを安価に形成することのできる技術がある（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、基材上に導体インキを用いて細線配線部を含む回路パターンの形成をグラビア印刷法により行う場合において、印刷版の形成をダイレクト印刷方式により行い、かつ細線配線部のパターンをドクターの方向に対して垂直方向または斜め方向に面付けした刷版を形成し、この版を用いて被加工材上に細線配線部を含む回路パターンのレジストパターンをグラビア印刷することにより、細線配線部を含む回路パターンを安価に形成することのできる技術がある（たとえば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００２−７９９０号公報
【特許文献２】特開２００３−３７３４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
非接触型の電子タグは、半導体チップ内のメモリ回路に所望のデータを記憶させ、マイクロ波を使ってこのデータを読み取るようにしたタグであり、リードフレームで構成したアンテナに半導体チップを実装した構造を有している。
【０００５】
電子タグは、半導体チップ内のメモリ回路にデータを記憶させるため、バーコードを利用したタグなどに比べて大容量のデータを記憶できる利点がある。また、メモリ回路に記憶させたデータは、バーコードに記憶させたデータに比べて不正な改竄が困難であるという利点もある。
【０００６】
しかしながら、この種の電子タグは、バーコードを利用したタグなどに比べて構造が複雑であることから、その製造コストが高く、これが電子タグの普及を妨げる一因となっている。本発明者らは、特にアンテナの製造工程に着目し、検討を進めている。本発明者らが検討したアンテナの製造工程の一例では、ポリイミド樹脂の基材に接着剤にて貼付された銅箔をフォトリソグラフィ技術によってパターニングされたレジスト膜をマスクとしてケミカルエッチング（ウエットエッチング）することでアンテナのパターンを形成している。この技術は、ポリイミド樹脂および銅の材料コストが高く、レジスト膜のパターニングに要するＴＡＴ（Turn Around Time）が長くなってしまうことから加工コストが高いという問題がある。
【０００７】
そこで、本発明者らは、基材としてＰＥＮ（polyethylene naphthalate）もしくはＰＥＴ（polyethylene terephthalate）を用い、この基材にアルミニウム箔を接着剤により貼付し、そのアルミニウム箔上にグラビア印刷法によってアンテナのパターンと同じ平面形状のレジスト膜のパターンを転写し、そのレジスト膜をマスクとしてケミカルエッチングすることでアンテナのパターンを形成する技術について検討した。この技術によれば、ＰＥＮおよびＰＥＴはポリイミド樹脂に比べて安価であり、アルミニウム箔は銅箔より安価であることから、材料コストの低減が期待できる。また、グラビア印刷法は、フォトリソグラフィ技術に比較して、露光工程および現像工程などが省略できることから短いＴＡＴでレジスト膜のパターンを転写でき、加工コストの低減が期待できる。しかしながら、グラビア印刷法を用いた場合には、フォトリソグラフィ技術に比べて形成されるパターンが粗くなってしまうことから、パターン間の溝が埋まってしまったり広がり過ぎたりしてしまう問題を本発明者らは見出した。
【０００８】
本発明の目的は、電子タグ用インレットのアンテナのパターンを精度よく、かつ安価に形成できる技術を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１１】
本発明は、絶縁フィルムの主面に形成された導体膜からなるアンテナと、前記アンテナの一部に形成され、一端が前記アンテナの外縁に延在し、第１パターンおよび前記第１パターンより狭い幅を有する第２パターンから形成されたスリットと、複数のバンプ電極を介して前記アンテナに電気的に接続された半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂とを備えた電子タグ用インレットの製造方法であり、
（ａ）前記絶縁フィルムおよび前記半導体チップを用意する工程、
（ｂ）前記絶縁フィルムの前記主面に前記導体膜を形成する工程、
（ｃ）前記導体膜に前記第１パターンを形成する工程、
（ｄ）ダイシングブレードもしくはレーザーを用いて前記導体膜を加工することにより、前記第２パターンを形成する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後、前記複数のバンプ電極を、前記導体膜の主面におけるそれぞれのバンプ電極の対応する位置に接続し、前記半導体チップと前記導体膜とを電気的に接続する工程、
（ｆ）前記半導体チップを前記樹脂によって封止する工程、
（ｇ）前記（ａ）〜（ｆ）工程後、前記導体膜および前記絶縁フィルムを切断領域にて切断し、前記アンテナを形成する工程、
を含むものである。
【００１２】
また、本発明は、導体膜からなるアンテナと、前記アンテナの一部に形成され、一端が前記アンテナの外縁に延在し、第１パターンおよび前記第１パターンより狭い幅を有する第２パターンから形成されたスリットと、複数のバンプ電極を介して前記アンテナに電気的に接続された半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂とを備えた電子タグ用インレットの製造方法であり、
（ａ）前記導体膜からなる第１フィルムを用意する工程、
（ｂ）前記第１フィルムに前記第１パターンを形成する工程、
（ｃ）前記複数のバンプ電極を、前記第１フィルムの主面におけるそれぞれのバンプ電極の対応する位置に接続し、前記半導体チップと前記導体膜とを電気的に接続する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後、前記半導体チップを前記樹脂によって封止する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後、ダイシングブレードもしくはレーザーを用いて前記第１フィルムを裏面から加工することにより、前記第２パターンを形成する工程、
（ｆ）前記（ａ）〜（ｅ）工程後、前記第１フィルムを切断領域にて切断し、前記アンテナを形成する工程、
を含むものである。
【発明の効果】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１４】
すなわち、電子タグ用インレットのアンテナのパターンを精度よく、かつ安価に形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１６】
（実施の形態１）
本実施の形態１の電子タグ用インレット（以下、単にインレットと記す）は、マイクロ波受信用のアンテナを備えた非接触型電子タグの主要部を構成するものである。
【００１７】
図１は本実施の形態１のインレットの製造に用いる絶縁フィルム１を示す平面図であり、図２は図１の一部を拡大して示す平面図である。また、図３は、図２中のＡで示す領域（アンテナ３のほぼ中央部）における断面を図示したものである。
【００１８】
図１および図２に示すように、絶縁フィルム１は、リール２に巻き取られた状態で本実施の形態１のインレットの製造工程に搬入される。この絶縁フィルム１の一面には、予め多数のアンテナ３が所定の間隔で形成されている。本実施の形態において、絶縁フィルム１は、たとえばＰＥＮまたはＰＥＴから形成されており、アンテナ３は、たとえばＡｌ（アルミニウム）膜（導体膜）から形成されている。またアンテナ３は、たとえばウレタン系樹脂からなる接着剤ＳＣＺによって絶縁フィルム１に貼付されている。このように、絶縁フィルム１の材料としてＰＥＮまたはＰＥＴを用い、アンテナ３の材料としてＡｌを用いることにより、たとえば絶縁フィルム１の材料としてポリイミド樹脂を用い、アンテナ３の材料としてＣｕ（銅）を用いた場合に比べてインレットの材料コストを低減することができる。
【００１９】
上記絶縁フィルム１は、フィルムキャリアテープの規格に沿ったもので、たとえば幅４８ｍｍ程度または７０ｍｍ程度、厚さ５０μｍ程度で形成されており、両側部には絶縁フィルム１を搬送するためのスプロケットホール４が所定の間隔で形成されている。このスプロケットホール４は、たとえば絶縁フィルム１の一部をパンチで打ち抜くことによって形成することができる。
【００２０】
上記アンテナ３の長辺方向の長さは、たとえば５１ｍｍ程度であり、周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を効率よく受信できるように最適化されている。また、アンテナ３の幅は１．５ｍｍ程度であり、インレットの小型化と強度の確保とが両立できるように最適化されている。
【００２１】
次に、上記アンテナ３を形成する工程について、図４〜図１２を用いて説明する。
【００２２】
図４および図５は、それぞれ図２中のＡで示す領域（アンテナ３のほぼ中央部）の斜視図および平面図である。まず、図４および図５に示すように、絶縁フィルム１の一面に厚さ１８μｍ程度のＡｌ箔３Ａを接着剤ＳＣＺによって接着する。続いて、そのＡｌ箔を選択的にケミカルエッチングし、スリットパターン（第１パターン）５Ａを形成する。本実施の形態１においては、このケミカルエッチング時のマスクとなるレジスト膜のパターンは、図６に示すようなグラビア印刷機を用いたグラビア印刷法によって形成する。このグラビア印刷機は、表面にレジスト膜のパターンに対応する凹凸が形成されたグラビア版１１、絶縁フィルム１のＡｌ箔が接着された一面をグラビア版１１の表面に押さえ付ける押さえロール１２、レジスト樹脂液１３を保持するレジスト樹脂液槽１４、およびドクター（ドクターブレード）１５などから形成されている。グラビア版１１は、たとえばＦｅ（鉄）またはＡｌからなる材料の表面にＣｕ（銅）のめっきを施した状態でその表面に凹状の加工を施し、さらにＣｒ（クロム）のめっきを施すことで形成されている。ドクター１５は、薄い鋼鉄から形成された刃である。グラビア版１１が回転することにより、レジスト樹脂液１３がグラビア版１１の表面に付着し、その表面の凹部を埋め込む。次いで、ドクター１５がグラビア版１１の表面を擦り、グラビア版１１の表面の余分なレジスト樹脂液１３を掻き落とし、その凹部にレジスト樹脂液１３を残す。さらにグラビア版１１が回転し、押さえロール１２よって押さえ付けられた絶縁フィルム１とグラビア版１１の表面の凹部に残っているレジスト樹脂液１３が接することにより、その凹部に残っているレジスト樹脂液１３が絶縁フィルム１へ転移される。この転移されたレジスト樹脂液１３が上記ケミカルエッチング時のマスクとなるレジスト膜となる。
【００２３】
このようなグラビア印刷機を用いてレジスト膜のパターンを形成することにより、たとえばフォトリソグラフィ技術を用いたパターニングによってレジスト膜のパターンを形成する場合に比べると露光工程および現像工程などが省略できる。それにより、フォトリソグラフィ技術を用いた場合に比べると短いＴＡＴでレジスト膜のパターンを絶縁フィルム１へ転写することが可能となり、加工コストを低減できる。
【００２４】
次に、図７〜図９に示すように、後の工程で半導体チップ（以下、単にチップと記す）が搭載される領域のＡｌ箔３ＡをダイシングブレードＤＢを用いて切削する。なお、図９は、図８中のＢ−Ｂ線に沿った断面を示したものである。これにより、図１０〜図１２に示すように、幅Ｗ１がスリットパターン５Ａの幅より狭く、最大で１５０μｍ以下となるスリットパターン（第２パターン）５Ｂを形成し、スリットパターン５Ａ、５Ｂからなるスリットが完成される。また、このスリットを形成することにより、アンテナ３が形成される。スリットパターン５Ｂは、接着剤ＳＣＺおよび絶縁フィルム１まで達する深さで形成してもよいが、絶縁フィルム１を貫かないようにする。それにより、絶縁フィルムの機械的強度を維持することができる。また、このスリットパターン５Ａ、５Ｂからなるスリットは、その一端がアンテナ３の外縁に達する。
【００２５】
ところで、グラビア印刷法を用いてパターニングされたレジスト膜をマスクとし、ケミカルエッチングによりスリットパターン５Ｂも形成した場合には、フォトリソグラフィ技術に比べて形成されるレジスト膜のパターンが粗くなってしまうことから、スリットがスリットパターン５Ｂ内で途切れてしまったり、逆にスリットパターン５Ｂの幅Ｗ１が広くなりすぎたりしてしまうことが懸念される。一方、本実施の形態１によれば、スリットパターン５Ｂの幅Ｗ１が所望の寸法となるような厚さを有するダイシングブレードＤＢを選択することにより、スリットパターン５Ｂの幅Ｗ１の寸法を確実に制御することができる。たとえば、スリットパターン５Ｂの幅Ｗ１を３０μｍ程度まで小さくすることもできる。すなわち、本実施の形態１によれば、スリットがスリットパターン５Ｂ内で途切れてしまったり、スリットパターン５Ｂの幅Ｗ１が広くなりすぎたりしてしまう不具合を確実に防ぐことが可能となる。
【００２６】
また、ダイシングブレードＤＢを用いて上記スリットを形成する場合には、スリットにおける屈曲部のパターンはダイシングブレードＤＢでは形成し難くなる。そこで、本実施の形態１のように、ケミカルエッチングによるスリットパターン５Ａの形成と、ダイシングブレードＤＢによる最小幅のスリットパターン５Ｂの形成とを組み合わせることにより、スリットを容易かつ加工精度良く形成することが可能となる。
【００２７】
上記のような手段によってアンテナ３を形成した後、図１３に示すようなチップＣＨＰを用意する。チップＣＨＰは、厚さ＝０．１５ｍｍ程度の単結晶シリコン基板からなり、その主面には、後述するような整流・送信、クロック抽出、セレクタ、カウンタ、ＲＯＭなどからなる回路が形成されている。ＲＯＭは、１２８ビットの記憶容量を有しており、バーコードなどの記憶媒体に比べて大容量のデータを記憶することができる。また、ＲＯＭに記憶させたデータは、バーコードに記憶させたデータに比べて不正な改竄が困難であるという利点がある。
【００２８】
上記回路が形成されたチップＣＨＰの主面上には、たとえばＡｕ（金）からなる４個のバンプ電極ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４が形成されている。これら４個のバンプ電極ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４は、図１３の二点鎖線で示す一対の仮想的な対角線上に位置し、かつこれらの対角線の交点（チップＣＨＩＰの主面の中心）からの距離がほぼ等しくなるようにレイアウトされている。このようなレイアウトとすることにより、チップＣＨＰのアンテナ３への接続時の加重に対してバランスを取りやすくすることができる。これらのバンプ電極ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４は、たとえば周知の電解めっき法を用いて形成されたもので、その高さは、たとえば１５μｍ程度である。また、隣接するバンプ電極（同一対角線上での隣接は除く）間の距離Ｗ２は、たとえば２００μｍである。このようなチップＣＨＰを後の工程で上記スリットパターン５Ｂを含むアンテナ３上に実装した時に、バンプ電極ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４がスリットパターン５Ｂ内へ落下しないようにするために、本実施の形態１においては、バンプ電極ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４の接続位置の合わせ余裕を絶縁フィルム１（アンテナ３）上における各方向で２５μｍ程度とすることを例示できる。
【００２９】
次に、図１４〜図１６に示すように、アンテナ３に形成されたスリットの中で最も幅が狭くなるスリットパターン５Ｂを跨ぐようにチップＣＨＰをアンテナ３に実装する。チップＣＨＰをアンテナ３に実装するには、図１７に示すように、ボンディングステージ２１と超音波ボンディングツール２２とを備えたボンダ２３にリール２を装着し、ボンディングステージ２１の上面に沿って絶縁フィルム１を移動させながら、アンテナ３にチップＣＨＰを接続する。ここで、図１８および図１９は、図１３に示したバンプ電極ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４およびその近傍の断面図である。バンプ電極ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４のうち、たとえばバンプ電極ＢＭＰ１は、後述する回路の入力端子を構成し、バンプ電極ＢＭＰ２は、ＧＮＤ端子を構成している。また、残り２個のバンプ電極ＢＭＰ３、ＢＭＰ４は、上記回路には続されていないダミーのバンプを構成している。図１８に示すように、回路の入力端子を構成するバンプ電極ＢＭＰ１は、チップＣＨＰの主面を覆うパッシベーション膜２５とポリイミド樹脂膜２６とをエッチングして露出させた最上層メタル配線２７の上に形成されている。また、バンプ電極ＢＭＰ１と最上層メタル配線２７との間には、両者の密着力を高めるためのバリアメタル膜２８が形成されている。パッシベーション膜２５は、たとえば酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層膜で構成され、最上層メタル配線２７は、たとえばＡｌ合金膜で構成されている。また、バリアメタル膜２８は、たとえばＡｌ合金膜に対する密着力が高いＴｉ膜と、バンプ電極ＢＭＰ１に対する密着力が高いＰｄ（パラジウム）膜との積層膜で構成されている。図示は省略するが、回路のＧＮＤ端子を構成するバンプ電極ＢＭＰ２と最上層メタル配線２７との接続部も、上記と同様の構成になっている。一方、図１９に示すように、ダミーのバンプを構成するバンプ電極ＢＭＰ３（およびＢＭＰ４）は、上記最上層メタル配線２７と同一配線層に形成されたメタル層２９に接続されているが、このメタル層２９は、前記回路に接続されていない。
【００３０】
アンテナ３にチップＣＨＰを接続するには、図２０（図１７の要部拡大図）に示すように、１００℃程度に加熱したボンディングステージ２１上にアンテナ３を設置し、超音波ボンディングツール２２の先端にチップＣＨＰを搭載する。次いで、チップＣＨＰとアンテナ３とを位置決めした後、チップＣＨＰをアンテナ３の上面に押し当て、バンプ電極（ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４）とアンテナ３とを接触させる。この時、超音波ボンディングツール２２に所定の荷重および超音波を０．３秒程度印加することにより、アンテナ３とバンプ電極（ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４）とが界面で金属間結合し、バンプ電極（ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４）とアンテナ３とが接着する。
【００３１】
ここで、図２１は、チップＣＨＰ（図１３参照）に形成された回路のブロック図である。前述したように、チップＣＨＰの主面には、整流・送信、クロック抽出、セレクタ、カウンタ、ＲＯＭなどからなる回路が形成されている。本実施の形態１のインレットは、絶縁フィルム１の一面に形成したアンテナ３の一部に、その一端がアンテナ３の外縁に達するスリット５を設け、このスリット５によって２分割されたアンテナ３の一方にチップＣＨＰの入力端子（バンプ電極ＢＭＰ１）を接続し、他方にチップＣＨＰのＧＮＤ端子（バンプ電極ＢＭＰ２）を接続する。この構成により、アンテナ３の実効的な長さを長くすることができるので、必要なアンテナ長を確保しつつ、インレットの小型化を図ることができる。
【００３２】
次に、ボンディングステージ２１の上に新たなチップＣＨＰを搭載し、続いて絶縁フィルム１をアンテナ３の１ピッチ分だけ移動させた後、上記と同様の操作を行うことによって、このチップＣＨＰをアンテナ３に接続する。以後、上記と同様の操作を繰り返すことによって、絶縁フィルム１に形成された全てのアンテナ３にチップＣＨＰを接続する。チップＣＨＰとアンテナ３の接続作業が完了した絶縁フィルム１は、リール２に巻き取られた状態で次の樹脂封止工程に搬送される。
【００３３】
次に、図２２〜図２４に示すように、チップＣＨＰの下面と絶縁フィルム１（およびアンテナ３）との隙間にディスペンサ３０などを使ってアンダーフィル樹脂３１を充填した後、このアンダーフィル樹脂３１を加熱炉内で硬化させる。アンダーフィル樹脂３１を加熱炉内で硬化させる際は、まずアンダーフィル樹脂３１を半硬化させて絶縁フィルム１をリール２に巻き取り、次に、このリール２を加熱炉内に搬入してアンダーフィル樹脂３１を完全硬化する。また、アンダーフィル樹脂３１を半硬化させた後、絶縁フィルム１をリール２に巻き取る工程に先立ち、アンテナ３とチップＣＨＰとの接続の良否を判定する検査を行ってもよい。絶縁フィルム１に形成された多数のアンテナ３は、互いに電気的に分離された状態になっているので、個々のアンテナ３とチップＣＨＰの導通試験は、容易に実施することができる。その後、図２５に示すように、絶縁フィルム１の一面（アンテナ３が形成された面）にカバーフィルム３２をラミネートすることにより、本実施の形態１のインレット３３の製造工程が完了する。
【００３４】
上記のようにして製造されたインレット３３は、図２６に示すように、リール２に巻き取られた状態で梱包され、顧客先に出荷される。
【００３５】
上記インレット３３を購入した顧客は、絶縁フィルム１を切断領域で切断することによって、図２７に示すような個片化されたインレット３３を得た後、このインレット３３と他の部材とを組み合わせて電子タグを作製する。たとえば図２８は、インレット３３の裏面に両面接着テープなどを貼り付けて電子タグを作製し、これを伝票３４などの物品の表面に貼り付けた例を示している。
【００３６】
（実施の形態２）
次に、本実施の形態２のインレットの製造工程について図２９および図３０を用いて説明する。
【００３７】
本実施の形態２のインレットの製造工程は、スリットパターン５Ｂ（図７〜図１２参照）を形成する工程以外は前記実施の形態１とほぼ同様である。
【００３８】
本実施の形態２においては、前記実施の形態１と同様の工程でスリットパターン５Ａまで形成した後、レーザー照射器ＬＩによるレーザー光ＬＢの照射によってスリットパターン５Ｂが形成される領域のＡｌ箔３Ａを除去し、スリットパターン５Ｂを形成する。前記実施の形態１と同様に、本実施の形態２においてもスリットパターン５Ｂは、接着剤ＳＣＺおよび絶縁フィルム１まで達する深さで形成してもよいが、絶縁フィルム１を貫かないようにする。
【００３９】
上記の本実施の形態２のように、レーザー光ＬＢの照射によってスリットパターン５Ｂを形成する場合には、前記実施の形態１で説明したようなダイシングブレードＤＢを用いてＡｌ箔３Ａを切削することによってスリットパターン５Ｂを形成する場合に比べて、スリットパターン５Ｂの幅Ｗ１を小さくすることができ、その幅Ｗ１を１０μｍ程度まで小さくすることができる。すなわち、アンテナ３上に実装するチップＣＨＰ（図１４〜図１６参照）の小型化が進んだ場合でも、チップＣＨＰがスリットパターン５Ｂを跨ぐように実装することが可能となる。
【００４０】
また、レーザー光ＬＢの照射によってスリットパターン５Ｂを形成する場合には、レーザー照射器ＬＩによってレーザー光ＬＢを照射する工程をインラインに組み込み、インレットの製造工程を一貫化することが用意となる。そのため、前記実施の形態１に比べて短いＴＡＴでインレットを製造することが可能となる。また、スリットパターン５Ａについてもレーザー光ＬＢの照射によって形成してもよく、その場合にはスリットパターン５Ａ、５Ｂを一括して形成することが可能となるので、さらに短いＴＡＴでインレットを製造することが可能となる。
【００４１】
このような本実施の形態２によっても、前記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００４２】
（実施の形態３）
次に、本実施の形態３のインレットの製造工程について図３１〜図４４を用いて説明する。
【００４３】
図３１は本実施の形態３のインレットの製造に用いるＡｌ箔（第１フィルム）３Ａを示す平面図であり、図３２は図３１の一部を拡大して示す平面図である。また、図３３は、図３２中のＣ−Ｃ線における断面を図示したものである。
【００４４】
図３１に示すように、本実施の形態３では、前記実施の形態１で用いた絶縁フィルムを省略している。すなわち、厚さ２０μｍ程度のＡｌ箔３Ａのみがリール２に巻き取られた状態で本実施の形態３のインレットの製造工程に搬入される。図３２に示すように、Ａｌ箔３２には、後の工程で切断して個々のアンテナへ分割するための切断領域３Ｃが設けられている。本実施の形態３において、この切断領域３Ｃの幅Ｗ３は、０．７ｍｍ程度とすることを例示できる。
【００４５】
このようなＡｌ箔３Ａを用いてアンテナを形成するには、まず、図３４〜図３６に示すように、前記実施の形態１で示したスリットパターン５Ａと同様のスリットパターン５Ａを形成する。なお、図３４は、スリットパターン５Ａ形成時のＡｌ箔３Ａを示す平面図であり、図３５は図３４の一部を拡大して示す平面図である。また、図３６は、図３５中のＤ−Ｄ線における断面を図示したものである。本実施の形態３においても、スリットパターン５Ａは、グラビア印刷法によって形成されたレジスト膜のパターンをマスクとしたケミカルエッチングによって形成することができる。また、本実施の形態３においては、そのようなケミカルエッチングの代わりに、パンチでＡｌ箔３Ａを打ち抜くことによってスリットパターン５Ａを形成してもよい。
【００４６】
次に、図３７〜図３９に示すように、Ａｌ箔３Ａの主面にチップＣＨＰを実装する。なお、図３９は、図３８中のＢ−Ｂ線に沿った断面を示したものである。チップＣＨＰは、前記実施の形態１において図１４〜図２０を用いて説明した工程と同様に工程によってＡｌ箔３Ａの主面に実装することができる。この時、チップＣＨＰが実装される位置は、各アンテナ形成領域において、２つのスリットパターン５Ａの間とし、チップＣＨＰがスリットパターン５Ａを跨がないようにする。
【００４７】
次に、図４０に示すように、チップＣＨＰの下面とＡｌ箔３Ａの主面との隙間にディスペンサ３０などを使ってアンダーフィル樹脂３１を充填した後、このアンダーフィル樹脂３１を加熱炉内で硬化させる。
【００４８】
次に、図４１に示すように、バンプ電極ＢＭＰ１とバンプ電極ＢＭＰ２との間（バンプ電極ＢＭＰ３とバンプ電極ＢＭＰ４との間）のＡｌ箔３Ａの裏面をダイシングブレードＤＢで切削する。この時、カメラＣＭＲによってチップＣＨＰの実装位置を確認することでＡｌ箔３Ａの位置決めをすることによって、Ａｌ箔３Ａの裏面からでもダイシングブレードＤＢによって正確な切削位置で切削することができる。これにより、図４２に示すように、前記実施の形態１におけるスリットパターン５Ｂ（図１０〜図１２参照）と同様のスリットパターン５Ｂを形成することができる。本実施の形態３において、チップＣＨＰの実装前にこのスリットパターン５Ｂを形成すると、Ａｌ箔３Ａの機械的強度が低下してしまい、チップＣＨＰの実装時にＡｌ箔３Ａが変形してしまったり、バンプ電極ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４とＡｌ箔３Ａとの接続強度が低下してしまったりする不具合の発生が懸念される。そのため、前述のように、スリットパターン５Ｂは、チップＣＨＰの実装後に形成することが好ましい。
【００４９】
次に、Ａｌ箔３Ａの主面（チップＣＨＰが実装された面）にカバーフィルムをラミネートした後、図４３に示すように、Ａｌ箔３Ａはリール２に巻き取られた状態で梱包され、顧客先に出荷される。顧客は、Ａｌ箔３Ａを切断領域３Ｃで切断することによって、図４４に示すような個片化されたインレット３３を得ることができる。また、Ａｌ箔３Ａを切断することによってアンテナ３が完成する。
【００５０】
上記のような本実施の形態３によれば、前記実施の形態１で用いたような絶縁テープ１（図３参照）および接着剤ＳＣＺ（図３参照）を省略することができる。それにより、本実施の形態３のインレットの製造コストを低減することが可能となる。
【００５１】
このような本実施の形態３によっても、前記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００５２】
（実施の形態４）
次に、本実施の形態４のインレットの製造工程について図４５を用いて説明する。
【００５３】
本実施の形態４のインレットの製造工程は、スリットパターン５Ｂ（図４１および図４２参照）を形成する工程以外は前記実施の形態３とほぼ同様である。
【００５４】
本実施の形態４においては、レーザー照射器ＬＩによるレーザー光ＬＢの照射によってスリットパターン５Ｂが形成される領域のＡｌ箔３Ａを裏面から除去し、スリットパターン５Ｂを形成する。
【００５５】
上記の本実施の形態２のように、レーザー光ＬＢの照射によってスリットパターン５Ｂを形成する場合には、前記実施の形態３で説明したようなダイシングブレードＤＢを用いてＡｌ箔３Ａを切削することによってスリットパターン５Ｂを形成する場合に比べて、スリットパターン５Ｂの幅を小さくすることができ、その幅を１０μｍ程度まで小さくすることができる。すなわち、アンテナ３上に実装するチップＣＨＰの小型化が進んだ場合でも、チップＣＨＰがスリットパターン５Ｂを跨ぐように実装することが可能となる。
【００５６】
また、レーザー光ＬＢの照射によってスリットパターン５Ｂを形成する場合には、レーザー照射器ＬＩによってレーザー光ＬＢを照射する工程をインラインに組み込み、インレットの製造工程を一貫化することが用意となる。そのため、前記実施の形態３に比べて短いＴＡＴでインレットを製造することが可能となる。また、スリットパターン５Ａについてもレーザー光ＬＢの照射によって形成してもよく、その場合にはスリットパターン５Ａ、５Ｂを一括して形成することが可能となるので、さらに短いＴＡＴでインレットを製造することが可能となる。
【００５７】
このような本実施の形態４によっても、前記実施の形態３と同様の効果を得ることができる。
【００５８】
（実施の形態５）
次に、本実施の形態５のインレットの製造工程について図４６〜図５１を用いて説明する。
【００５９】
本実施の形態５においても、前記実施の形態３と同様のＡｌ箔３Ａを用いてアンテナを形成する。まず、図４６および図４７に示すように、Ａｌ箔３Ａの表面（主面および裏面）に膜厚１μｍ〜２μｍ程度のレジスト材料からなり、Ａｌ箔３Ａの裏面において溝４１を有する樹脂皮膜（第１皮膜）４２を成膜する。なお、図４７は、図４６中のＥ−Ｅ線に沿った断面を示したものである。溝４１の中途部上には、後の工程でチップＣＨＰが実装される領域Ｆが設けられている。溝４１の幅は、この領域Ｆと重複する部分において最も狭くなっている。この溝４１下のＡｌ箔３Ａに後の工程でスリットが形成され、そのスリットを跨ぐようにチップが実装されることから、溝４１の幅を領域Ｆと重複する部分において最も狭くすることにより、領域Ｆの拡大を防ぐことが可能となり、領域Ｆに実装されるチップＣＨＰの大型化を防ぐことが可能となる。
【００６０】
上記樹脂皮膜４２は、たとえば前記実施の形態１において図６を用いて説明したグラビア印刷機を用いて形成することができる。また、本実施の形態５では、グラビア版１１の表面の凹凸部を図４８および図４９に示すような設計ルールで形成する。なお、図４８および図４９は、グラビア版１１の表面の要部を示す説明図であり、１つの溝４１に対応する凸部４３を示したものである。
【００６１】
図４８および図４９に示すように、凸部４３の表面は、溝４１の平面形状を鏡映した形状となっている。また、凸部４３は、領域４３Ａ（図４８および図４９中で着色を施して図示）、４３Ｂ（図４８および図４９中で斜線のハッチングを施して図示）、４３Ｃ（図４８および図４９中で着色を施して図示）、４３Ｄ（図４８および図４９中で斜線のハッチングを施して図示）から形成されており、それぞれの領域は重複する部分を含んでいる。領域４３Ｃのうち、領域４３Ｂ、４３Ｄと重複していない部分の形状は、前述した溝４１のうちの領域Ｆと重複する部分の平面形状と対応しており、凸部４３の幅（領域４３Ｃの幅ＷＣ）は、この部分で最小となっている。このような凸部４３は、周囲を凹部４４で取り囲まれており、凸部４３の一端を含んでいる領域４３Ｃ、４３Ｄは、グラビア版１１の回転方向Ｃとは反対向き（グラビア版１１から見たドクター１５（図６参照）の相対的な進行方向）に延在し、その端部が後の工程で形成されるアンテナ３の外縁に対応する位置Ｄを超えて延在している。また、領域４３Ａはグラビア版１１の回転方向Ｃと交差する方向に延在し、領域４３Ｂは複数箇所（図４８および図４９中では３箇所）の屈曲部を有している。
【００６２】
上記のように凸部４３における最小の幅ＷＣを有する領域４３Ｃの延在方向をグラビア版１１の回転方向Ｃとほぼ平行とすることにより、ドクター１５がグラビア版１１の表面の余分な樹脂液（硬化することによって上記樹脂皮膜４２となる）を掻き落とす際に、凸部４３における最も幅の狭い領域４３Ｃにおいても表面に樹脂液が残ってしまうことを良好に防ぐことができる。すなわち、Ａｌ箔３Ａの裏面においては、所望の寸法の溝５を有する樹脂皮膜４２を加工精度よく形成することができる。
【００６３】
また、本実施の形態５においては、上記領域４３Ｂにおける屈曲部の内周の曲率半径を外周の曲率半径より大きくする。すなわち、図４８に示すように、Ｒ４を内周の曲率半径としＲ５を外周の曲率半径とする屈曲部においてはＲ４がＲ５より大きくなるようにし、Ｒ１を内周の曲率半径としＲ３を外周の曲率半径とする屈曲部においてはＲ１がＲ３より大きくなるようにし、Ｒ１を内周の曲率半径としＲ２を外周の曲率半径とする屈曲部においてはＲ１がＲ２より大きくなるようにするものである。それにより、ドクター１５がグラビア版１１の表面の余分な樹脂液を掻き落とす際に、ドクター１５とグラビア版１１の接触部における凸部４３の形状の変化を緩やかにすることができ、Ｒ４では樹脂液の滲みを極力抑えることができ、かつＲ５との間隔が広いため、滲み出しによりＲ４とＲ５とで樹脂液が繋がってしまう現象を防ぐことができる。また、Ｒ３とＲ２とで樹脂液の滲み出しが発生しても、Ｒ１と間隔が広いため、樹脂液が繋がってしまう現象を防ぐことができる。すなわち、Ａｌ箔３Ａの裏面においては、所望の寸法の溝５を有する樹脂皮膜４２を加工精度よく形成することができる。
【００６４】
また、本実施の形態においては、凸部４３の一端が達する位置Ｄにて領域４３Ｄの幅ＷＤが領域４３Ｃの幅ＷＣよりも大きくなるように、領域４３Ｄの外縁を位置Ｄに向かって順テーパー状となるように形成している。ここで、溝４１において領域４３Ｄに対応する領域は、チップＣＨＰが実装される領域Ｆとは重複していない。そのため、領域４３Ｄの幅を領域４３Ｃの幅ＷＣよりも大きくしておくことにより、上部にチップＣＨＰが配置されない領域において溝４１の幅を広く確保できるので、樹脂皮膜４１がＡｌ箔３Ａの裏面に形成された際に溝５が途中で塞がってしまう可能性を低くすることができる。さらに、領域４３Ｄの外縁を位置Ｄに向かって順テーパー状となるように形成することにより、領域４３Ｄでは屈曲部を無くすことができるので、領域４３Ｄの外縁において樹脂液の滲み出しを防ぐことができ、余分な樹脂液が凸部４３の表面に残ってしまうことを防ぐことができる。
【００６５】
また、本実施の形態５においては、領域４３Ｃの延在方向における中心線ＣＬと、グラビア版１１から見たドクター１５の相対的な進行方向Ｅとが、ほぼ平行になる場合について説明したが、溝４１の形状を良好とし、溝４１が途切れてしまう問題を回避するためには、中心線ＣＬと、ドクター１５の進行方向Ｅとの間の角度のずれ（角θ）が最大でも１５°以内となるようにするのが好ましい。また、レジストパターン形状の寸法誤差を考慮した場合には、前記角度のずれを７°以内とすることにより、溝４１の途切れる問題をより確実に防ぐことができる。
【００６６】
次に、図５０に示すように、Ａｌ箔３Ａの主面にチップＣＨＰを実装する。チップＣＨＰは、前記実施の形態１において図１４〜図２０を用いて説明した工程と同様に工程によってＡｌ箔３Ａの主面に実装することができる。この時、バンプ電極ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４とＡｌ箔３Ａとの間には樹脂皮膜４２が介在するが、前述したようにこの樹脂皮膜４２は膜厚１μｍ〜２μｍ程度であることから、チップＣＨＰの実装時に加えられるの常温下での超音波振動で破くことができる。そのため、チップＣＨＰの実装後においては、バンプ電極ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４とＡｌ箔３Ａとを電気的に接続することができる。また、樹脂皮膜４２は、チップＣＨＰの実装時の超音波振動で破くことができるので、電極ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４下の樹脂皮膜４２を除去する工程を省略することができる。それにより、本実施の形態５のインレットを短いＴＡＴで製造することが可能となる。また、電極ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４下の樹脂皮膜４２を除去する工程を省略することができることから、本実施の形態５のインレットの製造コストを低減することができる。
【００６７】
続いて、チップＣＨＰの下面とＡｌ箔３Ａの主面との隙間にディスペンサ３０（図２４参照）などを使ってアンダーフィル樹脂３１を充填した後、このアンダーフィル樹脂３１を加熱炉内で硬化させる。
【００６８】
次に、図５１に示すように、樹脂皮膜４２をマスクとしてＡｌ箔３Ａをケミカルエッチングすることにより、溝４１とほぼ同じ平面形状を有するスリット５Ｃを形成し、アンテナ３が完成する。この時、Ａｌ箔３Ａの主面側の樹脂皮膜４２がエッチングストッパとなるので、エッチング液によってチップＣＨＰが汚染されてしまうことを防ぐことができる。
【００６９】
次に、Ａｌ箔３Ａの主面（チップＣＨＰが実装された面）にカバーフィルムをラミネートした後、前記実施の形態３において図４３および図４４を用いて説明した工程を経て本実施の形態５のインレットを製造する。
【００７０】
上記の本実施の形態５によれば、樹脂皮膜４２を除去する必要がないので、樹脂皮膜４２を除去する際に用いる剥離液によってアンテナ３を形成するＡｌ箔３Ａが浸食されてしまう不具合を防ぐことができる。それにより、スリット５Ｃの幅が広がってしまうことを防ぐことが可能となる。
【００７１】
（実施の形態６）
次に、本実施の形態６のインレットの製造工程について図５２〜図５５を用いて説明する。
【００７２】
図５２に示すように、本実施の形態６においては、前記実施の形態１と同様に絶縁フィルム１を用い、まず、その絶縁フィルム１の一面（主面）にＡｌ箔３Ａを接着剤ＳＣＺによって接着する。続いて、Ａｌ箔３Ａ上に溝４１を有する樹脂皮膜４２を成膜する。この樹脂皮膜４２は、前記実施の形態５において示した樹脂皮膜４２と同様のものであり、溝４１についても前記実施の形態５において示した溝４１と同様の平面形状を有するものである。本実施の形態６においても、樹脂皮膜４２は、たとえば前記実施の形態１において図６を用いて説明したグラビア印刷機を用いて形成することができ、グラビア版１１の表面の凹凸部、グラビア版１１の回転方向C,およびグラビア版１１から見たドクター１５の相対的な進行方向についても前記実施の形態５で図４８および図４９に示したな設計ルールで形成されたものである。
【００７３】
次に、図５３に示すように、樹脂皮膜４２をマスクとしてＡｌ箔３Ａをケミカルエッチングすることにより、溝４１とほぼ同じ平面形状を有するスリット５Ｃを形成し、アンテナ３が完成する。
【００７４】
次に、図５４に示すように、Ａｌ箔３Ａの主面にチップＣＨＰを実装する。チップＣＨＰは、前記実施の形態１において図１４〜図２０を用いて説明した工程と同様に工程によってＡｌ箔３Ａの主面に実装することができる。この時、前記実施の形態５と同様にバンプ電極ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４とＡｌ箔３Ａとの間には樹脂皮膜４２が介在するが、前述したようにこの樹脂皮膜４２は膜厚１μｍ〜２μｍ程度であることから、チップＣＨＰの実装時に加えられるの常温下での超音波振動で破くことができる。すなわち、チップの実装時に、バンプ電極ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４に超音波振動および圧力が加えられることによって、バンプ電極ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４が樹脂皮膜４２を貫く。そのため、チップＣＨＰの実装後においては、バンプ電極ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４とＡｌ箔３Ａとを電気的に接続することができる。
【００７５】
続いて、チップＣＨＰの下面とＡｌ箔３Ａの主面との隙間にディスペンサ３０（図２４参照）などを使ってアンダーフィル樹脂３１を充填した後、このアンダーフィル樹脂３１を加熱炉内で硬化させる。この時の熱により、アンテナ３を形成するＡｌ原子とバンプ電極ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４を形成するＡｕ原子とが相互に拡散するので、アンテナ３とバンプ電極ＢＭＰ１〜ＢＭＰ４との接合をより強固にすることができる。
【００７６】
次に、Ａｌ箔３Ａの主面（チップＣＨＰが実装された面）にカバーフィルムをラミネートした後、前記実施の形態３において図４３および図４４を用いて説明した工程を経て本実施の形態６のインレットを製造する。
【００７７】
上記のような本実施の形態６によっても、前記実施の形態５と同様の効果を得ることができる。
【００７８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００７９】
前記実施の形態では、絶縁フィルムの材質としてＰＥＴまたはＰＥＮを選択し、アンテナの材質としてＡｌを選択した場合について説明したが、たとえば絶縁フィルムの材質としてポリイミド樹脂を選択し、アンテナの材質としてＣｕ（銅）を選択するように、他の材質を選択してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明の電子タグ用インレットの製造方法は、たとえば電子タグ用インレットにおけるアンテナの製造工程に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の実施の形態１である電子タグ用インレットの製造に用いる長尺の絶縁フィルムの一部を示す平面図である。
【図２】図１に示す絶縁フィルムの一部を拡大して示す平面図である。
【図３】図１および図２に示す絶縁フィルムの一部を示す要部断面図である。
【図４】図１および図２に示す絶縁フィルムの一部を示す要部斜視図である。
【図５】図１および図２に示す絶縁フィルムの一部を示す要部平面図である。
【図６】本発明の実施の形態１である電子タグ用インレットの製造に用いるグラビア印刷機の説明図である。
【図７】本発明の実施の形態１である電子タグ用インレットの製造工程中の要部斜視図である。
【図８】本発明の実施の形態１である電子タグ用インレットの製造工程中の要部平面図である。
【図９】本発明の実施の形態１である電子タグ用インレットの製造工程中の要部断面図である。
【図１０】図７に続く電子タグ用インレットの製造工程中の要部斜視図である。
【図１１】図８に続く電子タグ用インレットの製造工程中の要部平面図である。
【図１２】図９に続く電子タグ用インレットの製造工程中の要部断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態１である電子タグ用インレットに実装される半導体チップの平面図である。
【図１４】本発明の実施の形態１である電子タグ用インレットの製造工程中の要部斜視図である。
【図１５】本発明の実施の形態１である電子タグ用インレットの製造工程中の要部平面図である。
【図１６】本発明の実施の形態１である電子タグ用インレットの製造工程中の要部断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態１である電子タグ用インレットの製造工程の一部（半導体チップとアンテナの接続工程）を示すボンダの概略図である。
【図１８】図１３に示す半導体チップの主面に形成されたバンプ電極およびその近傍の断面図である。
【図１９】図１３に示す半導体チップの主面に形成されたダミーバンプ電極およびその近傍の断面図である。
【図２０】図１７に示すボンダの要部を拡大して示す概略図である。
【図２１】図１３に示す半導体チップの主面に形成された回路のブロック図である。
【図２２】図１４に続く電子タグ用インレットの製造工程中の要部斜視図である。
【図２３】図１５に続く電子タグ用インレットの製造工程中の要部平面図である。
【図２４】図１６に続く電子タグ用インレットの製造工程中の要部断面図である。
【図２５】本発明の実施の形態１である電子タグ用インレットを示す側面図である。
【図２６】本発明の実施の形態１である電子タグ用インレットの製造に用いる絶縁フィルムをリールに巻き取った状態を示す側面図である。
【図２７】本発明の実施の形態１である電子タグ用インレットを示す平面図（表面側）である。
【図２８】本発明の実施の形態１である電子タグ用インレットを用いた電子タグの使用方法を示す説明図である。
【図２９】本発明の実施の形態２である電子タグ用インレットの製造方法を説明する要部平面図である。
【図３０】本発明の実施の形態２である電子タグ用インレットの製造方法を説明する要部断面図である。
【図３１】本発明の実施の形態３である電子タグ用インレットの製造に用いる長尺のＡｌ箔の一部を示す平面図である。
【図３２】図３１に示すＡｌ箔の一部を拡大して示す平面図である。
【図３３】図３１および図３２に示すＡｌ箔の一部を示す要部断面図である。
【図３４】本発明の実施の形態３である電子タグ用インレットの製造工程中のＡｌ箔の一部を示す平面図である。
【図３５】図３４に示すＡｌ箔の一部を拡大して示す平面図である。
【図３６】図３４および図３５に示すＡｌ箔の一部を示す要部断面図である。
【図３７】図３４に続く電子タグ用インレットの製造工程中のＡｌ箔の一部を示す平面図である。
【図３８】図３５に続く電子タグ用インレットの製造工程中のＡｌ箔の一部を示す平面図である。
【図３９】本発明の実施の形態３である電子タグ用インレットの製造工程中の要部断面図である。
【図４０】本発明の実施の形態３である電子タグ用インレットの製造工程中の要部断面図である。
【図４１】図４０に続く電子タグ用インレットの製造工程中の要部断面図である。
【図４２】図４１に続く電子タグ用インレットの製造工程中の要部断面図である。
【図４３】本発明の実施の形態３である電子タグ用インレットの製造に用いるＡｌ箔をリールに巻き取った状態を示す側面図である。
【図４４】本発明の実施の形態３である電子タグ用インレットを示す平面図（表面側）である。
【図４５】本発明の実施の形態４である電子タグ用インレットの製造方法を説明する要部断面図である。
【図４６】本発明の実施の形態５である電子タグ用インレットの製造方法を説明する要部平面図である。
【図４７】本発明の実施の形態５である電子タグ用インレットの製造方法を説明する要部断面図である。
【図４８】本発明の実施の形態５で用いるグラビア印刷機に含まれるグラビア版の表面の要部を示す説明図である。
【図４９】本発明の実施の形態５で用いるグラビア印刷機に含まれるグラビア版の表面の要部を示す説明図である。
【図５０】本発明の実施の形態５である電子タグ用インレットの製造工程中の要部断面図である。
【図５１】図５０に続く電子タグ用インレットの製造工程中の要部断面図である。
【図５２】本発明の実施の形態６である電子タグ用インレットの製造方法を説明する要部断面図である。
【図５３】図５２に続く電子タグ用インレットの製造工程中の要部断面図である。
【図５４】図５３に続く電子タグ用インレットの製造工程中の要部断面図である。
【図５５】図５４に続く電子タグ用インレットの製造工程中の要部断面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１  絶縁フィルム
２  リール
３  アンテナ
３Ａ  Ａｌ箔（第１フィルム）
３Ｃ  切断領域
４  スプロケットホール
５Ａ  スリットパターン（第１パターン）
５Ｂ  スリットパターン（第２パターン）
５Ｃ  スリット
１１  グラビア版
１２  押さえロール
１３  レジスト樹脂液
１４  レジスト樹脂液槽
１５  ドクター（ドクターブレード）
２１  ボンディングステージ
２２  超音波ボンディングツール
２３  ボンダ
２５  パッシベーション膜
２６  ポリイミド樹脂膜
２７  最上層メタル配線
２８  バリアメタル膜
２９  メタル層
３０  ディスペンサ
３１  アンダーフィル樹脂
３２  カバーフィルム
３３  インレット
３４  伝票
４１  溝
４２  樹脂皮膜（第１皮膜）
４３  凸部
４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃ、４３Ｄ  領域
４４  凹部
ＣＨＰ  チップ
ＣＭＲ  カメラ
ＤＢ  ダイシングブレード
Ｆ  領域
ＬＢ  レーザー光
ＬＩ  レーザー照射器
ＳＣＺ  接着剤
【図１】
2005301738.tif 000003
【図２】
2005301738.tif 000004
【図３】
2005301738.tif 000005
【図４】
2005301738.tif 000006
【図５】
2005301738.tif 000007
【図６】
2005301738.tif 000008
【図７】
2005301738.tif 000009
【図８】
2005301738.tif 000010
【図９】
2005301738.tif 000011
【図１０】
2005301738.tif 000012
【図１１】
2005301738.tif 000013
【図１２】
2005301738.tif 000014
【図１３】
2005301738.tif 000015
【図１４】
2005301738.tif 000016
【図１５】
2005301738.tif 000017
【図１６】
2005301738.tif 000018
【図１７】
2005301738.tif 000019
【図１８】
2005301738.tif 000020
【図１９】
2005301738.tif 000021
【図２０】
2005301738.tif 000022
【図２１】
2005301738.tif 000023
【図２２】
2005301738.tif 000024
【図２３】
2005301738.tif 000025
【図２４】
2005301738.tif 000026
【図２５】
2005301738.tif 000027
【図２６】
2005301738.tif 000028
【図２７】
2005301738.tif 000029
【図２８】
2005301738.tif 000030
【図２９】
2005301738.tif 000031
【図３０】
2005301738.tif 000032
【図３１】
2005301738.tif 000033
【図３２】
2005301738.tif 000034
【図３３】
2005301738.tif 000035
【図３４】
2005301738.tif 000036
【図３５】
2005301738.tif 000037
【図３６】
2005301738.tif 000038
【図３７】
2005301738.tif 000039
【図３８】
2005301738.tif 000040
【図３９】
2005301738.tif 000041
【図４０】
2005301738.tif 000042
【図４１】
2005301738.tif 000043
【図４２】
2005301738.tif 000044
【図４３】
2005301738.tif 000045
【図４４】
2005301738.tif 000046
【図４５】
2005301738.tif 000047
【図４６】
2005301738.tif 000048
【図４７】
2005301738.tif 000049
【図４８】
2005301738.tif 000050
【図４９】
2005301738.tif 000051
【図５０】
2005301738.tif 000052
【図５１】
2005301738.tif 000053
【図５２】
2005301738.tif 000054
【図５３】
2005301738.tif 000055
【図５４】
2005301738.tif 000056
【図５５】
2005301738.tif 000057