(57)【要約】【課題】  基板を現像処理した後に水洗する基板処理において、水洗に使用される純水の量を低減させることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】  基板Ｗの表面に形成された露光後のレジスト膜を現像液により現像処理する現像処理部１０と、現像処理後の基板を水洗する水洗処理部１２とを備え、水洗処理部のスプレイノズル２８へ供給される洗浄水３８を貯留する貯水槽４０にガス供給用配管８２を連通接続し、貯水槽内へ炭酸ガスを供給して洗浄水中に二酸化炭素を溶解させ、二酸化炭素が溶解した水をスプレイノズルへ供給する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に形成された露光後のレジスト膜を現像処理した後に基板を水洗する基板処理方法において、
二酸化炭素を溶解させた水を使用して現像処理後の基板を水洗することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
基板の表面に形成された露光後のレジスト膜を現像処理した後に基板を水洗する基板処理方法において、
基板の表面にレジスト膜を形成する前に基板の洗浄に使用された水を、現像処理後の基板を水洗するのに再使用することを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
基板の表面にレジスト膜を形成する前に基板の洗浄に使用された水に二酸化炭素を溶解させて、その二酸化炭素が溶解した水を現像処理後の基板の水洗に再使用する請求項２記載の基板処理方法。
【請求項４】
基板を、その搬送方向と直交する方向において水平面に対し傾斜させて搬送しつつ水洗する請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項５】
基板の表面に形成された露光後のレジスト膜を現像液により現像処理する現像処理部と、
基板の表面へ洗浄水を吐出する吐出ノズル、この吐出ノズルへ洗浄水を供給するための配管、洗浄水を貯留する貯水槽、および、この貯水槽から前記配管を通って前記吐出ノズルへ洗浄水を送給する送液手段を有し、前記現像処理部で現像処理された後の基板を水洗する水洗処理部と、
を備えた基板処理装置において、
前記貯水槽内に貯留された洗浄水もしくは前記配管内を流れる洗浄水に二酸化炭素を溶解させるガス溶解手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
基板の表面に形成された露光後のレジスト膜を現像液により現像処理する現像処理部と、
基板の表面へ洗浄水を吐出する吐出ノズル、この吐出ノズルへ洗浄水を供給するための配管、および、この配管を通って前記吐出ノズルへ洗浄水を供給する洗浄水供給手段を有し、前記現像処理部で現像処理された後の基板を水洗する水洗処理部と、
を備えた基板処理装置において、
前記洗浄水供給手段が、
基板の表面にレジスト膜を形成する前に基板を洗浄する基板洗浄部から排出される、基板の洗浄に使用された水を回収する回収槽と、
この回収槽と前記配管とを直接に流路接続し、または、前記配管が流路接続され洗浄水を貯留する貯水槽を設けてその貯水槽と前記回収槽とを流路接続する連絡用配管と、
この連絡用配管および前記配管を通って前記吐出ノズルへ洗浄水を送給する送液手段と、
を備えて構成されたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
前記洗浄水供給手段の前記回収槽内に貯留された洗浄水、もしくは、前記連絡用配管もしくは前記配管内を流れる洗浄水、または、前記貯水槽内に貯留された洗浄水に二酸化炭素を溶解させるガス溶解手段を備えた請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記水洗処理部が、基板を、その搬送方向と直交する方向において水平面に対し傾斜させて搬送する搬送手段を備えた請求項５ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置（ＬＣＤ）用ガラス基板、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）用ガラス基板、プリント基板等の各種基板を現像処理した後に水洗する基板処理方法および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示装置などの製造プロセスにおいて、半導体ウエハやガラス基板等の基板の表面に形成された露光後のレジスト膜に現像液を供給して現像処理した後には、純水を使用して基板を水洗し、基板上の現像液を純水により置換して現像反応を停止させるようにする（例えば、特許文献１参照。）。このような処理を行うのに使用される基板処理装置の概略構成の１例を、図４に模式的正面図として示す。
【０００３】
図４に示した基板処理装置には、現像処理部１０に隣接して第１水洗処理部１２が設けられ、さらに第１水洗処理部１２に隣接して第２水洗処理部１４が設けられている。現像処理部１０は、処理チャンバ１６を備え、処理チャンバ１６の内部には、基板Ｗを支持して水平方向へ搬送するローラコンベア１８が配設されている。基板Ｗは、ローラコンベア１８により水平姿勢に支持されて搬送される。この基板Ｗは、露光後の基板であって、その表面には露光済みのレジスト膜が被着形成されている。処理チャンバ１６の入口付近には、基板搬送路の直上位置に、下端面にスリット状吐出口が形設された吐出ノズル２０が配設されている。吐出ノズル２０には、図示していないが、現像液供給配管が連通して接続されており、現像液タンクに貯留された現像液が現像液供給配管を通って吐出ノズル２０へ供給される。そして、基板Ｗが処理チャンバ１６内に搬入されてきて吐出ノズル２０の直下を通過するときに、吐出ノズル２０のスリット状吐出口から現像液が吐出されて、基板Ｗの表面全体に現像液が盛られ、基板Ｗがローラコンベア１８によって水平方向へ搬送される過程で現像反応が進行するようになっている。
【０００４】
第１水洗処理部１２は、処理チャンバ２２を備え、処理チャンバ２２の内部には、基板Ｗを水平姿勢に支持して水平方向へ搬送するローラコンベア２４が配設されている。処理チャンバ２２の入口付近には、基板Ｗの上面へカーテン状に洗浄水を吐出する入口ノズル２６が配設されている。また、基板搬送路の上方には、基板搬送路に沿ってスプレイノズル２８が連設されている。入口ノズル２６およびスプレイノズル２８は、洗浄水供給配管３０にそれぞれ流路接続されている。洗浄水供給配管３０は、ポンプ３２の吐出口側に流路接続されており、洗浄水供給配管３０にフィルタ３４が介挿されている。ポンプ３２の吸込口側は、配管３６を介して、洗浄水３８が貯留された貯水槽４０の底部付近に流路接続されている。また、処理チャンバ２２の底部には、排水口４２が形設されており、排水口４２に排水用配管４４が連通して接続されている。
【０００５】
また、第２水洗処理部１４は、処理チャンバ４６を備え、処理チャンバ４６の内部には、基板Ｗを水平姿勢に支持して水平方向へ搬送するローラコンベア４８が配設されている。また、処理チャンバ４６の内部には、基板搬送路の上方に上流側スプレイノズル５０および下流側スプレイノズル５２がそれぞれ基板搬送路に沿って連設されている。上流側スプレイノズル５０は、洗浄水供給配管５４に流路接続されている。洗浄水供給配管５４は、ポンプ５６の吐出口側に流路接続されており、洗浄水供給配管５４にフィルタ５８が介挿されている。ポンプ５６の吸込口側は、配管６０を介して、洗浄水６２が貯留された貯水槽６４の底部付近に流路接続されている。一方、下流側スプレイノズル５２は、純水供給源（図示せず）に流路接続された純水供給配管６６に接続されている。また、処理チャンバ４６の底部は、隔壁６８によって上流側区画と下流側区画とに仕切られている。そして、隔壁６８より上流側の底部に第１排水口７０が形設されており、第１排水口７０に第１回収用配管７２が連通して接続され、この第１回収用配管７２が第１水洗処理部１２の貯水槽４０に流路接続されている。一方、処理チャンバ４６の、隔壁６８より下流側の底部には、第２排水口７４が形設されており、第２排水口７４に第２回収用配管７６が連通して接続され、この第２回収用配管７６が貯水槽６４に流路接続されている。
【０００６】
以上のような構成を備えた基板処理装置では、第２水洗処理部１４の下流側スプレイノズル５２へ純水（直水）が供給され、下流側スプレイノズル５２から基板Ｗ上へ吐出されて基板Ｗの水洗に使用された水が、処理チャンバ４６の下流側底部に設けられた第２排水口７４を通り第２回収用配管７６内を流れて貯水槽６４内に流入し回収される。貯水槽６４に回収された水は、洗浄水６２として再使用されるため第２水洗処理部１４の上流側スプレイノズル５０へ供給される。さらに、上流側スプレイノズル５０から基板Ｗ上へ吐出されて基板Ｗの水洗に使用された水は、処理チャンバ４６の上流側底部に設けられた第１排水口７０を通り第１回収用配管７２内を流れて、第１水洗処理部１２の貯水槽４０内に流入し回収される。貯水槽４０に回収された水は、再び洗浄水３８として再使用されるため第１水洗処理部１２の入口ノズル２６およびスプレイノズル２８へそれぞれ供給される。そして、入口ノズル２６およびスプレイノズル２８から基板Ｗ上へそれぞれ吐出されて、現像処理部１０で現像処理された直後の基板Ｗの水洗に使用された水は、処理チャンバ２２の底部に設けられた排水口４２を通り排水用配管４４を通って排出される。
【特許文献１】特開平１１−２７４２６５号公報（第７−８頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
半導体ウエハやＬＣＤ用、ＰＤＰ用のガラス基板などは、近年、大型化する傾向にあり、このような基板の大型化に伴い、現像工程後の水洗工程において基板上の現像液を一瞬で純水に置換することが困難となってきた。基板上の現像液が短時間の内に全て純水に置換されないと、基板の一部で現像反応の停止が遅れて、現像むらを生じたり、レジスト膜におけるパターン線幅の均一性が損なわれたりする。このような不都合を避けるため、基板上の現像液を出来るだけ短時間で純水に置換しようとすると、上記したように純水を再使用しながら段階的に水洗を行うようにしていても、多量の純水（直水）が必要になってくる。なお、上記した装置において、第１処理部１２で基板の水洗に使用された水を排水しないで再使用すると、純水の使用量は少なくなるが、フィルタ３４が直ぐに詰まってしまう、といった問題が発生することとなる。
【０００８】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、基板を現像処理した後に水洗する基板処理において、水洗に使用される純水の量を低減させることができる基板処理方法を提供すること、ならびに、その方法を好適に実施することができる基板処理装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に係る発明は、基板の表面に形成された露光後のレジスト膜を現像処理した後に基板を水洗する基板処理方法において、二酸化炭素を溶解させた水を使用して現像処理後の基板を水洗することを特徴とする。
【００１０】
請求項２に係る発明は、基板の表面に形成された露光後のレジスト膜を現像処理した後に基板を水洗する基板処理方法において、基板の表面にレジスト膜を形成する前に基板の洗浄に使用された水を、現像処理後の基板を水洗するのに再使用することを特徴とする。
【００１１】
請求項３に係る発明は、請求項２記載の基板処理方法において、基板の表面にレジスト膜を形成する前に基板の洗浄に使用された水に二酸化炭素を溶解させて、その二酸化炭素が溶解した水を現像処理後の基板の水洗に再使用することを特徴とする。
【００１２】
請求項４に係る発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理方法において、基板を、その搬送方向と直交する方向において水平面に対し傾斜させて搬送しつつ水洗することを特徴とする。
【００１３】
請求項５に係る発明は、基板の表面に形成された露光後のレジスト膜を現像液により現像処理する現像処理部と、基板の表面へ洗浄水を吐出する吐出ノズル、この吐出ノズルへ洗浄水を供給するための配管、洗浄水を貯留する貯水槽、および、この貯水槽から前記配管を通って前記吐出ノズルへ洗浄水を送給する送液手段を有し、前記現像処理部で現像処理された後の基板を水洗する水洗処理部と、を備えた基板処理装置において、前記貯水槽内に貯留された洗浄水もしくは前記配管内を流れる洗浄水に二酸化炭素を溶解させるガス溶解手段を備えたことを特徴とする。
【００１４】
請求項６に係る発明は、基板の表面に形成された露光後のレジスト膜を現像液により現像処理する現像処理部と、基板の表面へ洗浄水を吐出する吐出ノズル、この吐出ノズルへ洗浄水を供給するための配管、および、この配管を通って前記吐出ノズルへ洗浄水を供給する洗浄水供給手段を有し、前記現像処理部で現像処理された後の基板を水洗する水洗処理部と、を備えた基板処理装置において、前記洗浄水供給手段が、基板の表面にレジスト膜を形成する前に基板を洗浄する基板洗浄部から排出される、基板の洗浄に使用された水を回収する回収槽と、この回収槽と前記配管とを直接に流路接続し、または、前記配管が流路接続され洗浄水を貯留する貯水槽を設けてその貯水槽と前記回収槽とを流路接続する連絡用配管と、この連絡用配管および前記配管を通って前記吐出ノズルへ洗浄水を送給する送液手段と、を備えて構成されたことを特徴とする。
【００１５】
請求項７に係る発明は、請求項６記載の基板処理装置において、前記洗浄水供給手段の前記回収槽内に貯留された洗浄水、もしくは、前記連絡用配管もしくは前記配管内を流れる洗浄水、または、前記貯水槽内に貯留された洗浄水に二酸化炭素を溶解させるガス溶解手段を備えたことを特徴とする。
【００１６】
請求項８に係る発明は、請求項５ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、前記水洗処理部が、基板を、その搬送方向と直交する方向において水平面に対し傾斜させて搬送する搬送手段を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１に係る発明の基板処理方法によると、二酸化炭素が溶解して弱酸性となった水が現像処理後の基板上に供給されることにより、通常は強アルカリ性である現像液が速やかに中和されて、短時間の内に基板の全面で現像反応が停止する。したがって、基板上の現像液を短時間で純水に置換するために多量の純水を使用する、といった必要が無くなるので、水洗に使用される純水の量を低減させることができる。そして、現像むらの発生が防止され、レジスト膜におけるパターン線幅の均一性が確保される。また、二酸化炭素が溶解した水によって現像液が中和されることにより、レジスト膜が現像されて一部露出したアルミニウム等の金属配線が強アルカリによって腐食されあるいは溶解する、といったことが防止される。さらに、二酸化炭素が溶解した排水は、放置しておくだけで自然に脱気するので、特別な排液処理を行う必要も無い。
【００１８】
請求項２に係る発明の基板処理方法によると、レジスト塗布工程前に基板を洗浄するのに使用された水が、現像処理後の基板の水洗に再使用されるので、現像処理後の基板の水洗に使用される純水（直水）の量を増やさなくても、基板上の現像液を短時間で純水に置換するために多量の水を使用することができる。したがって、現像処理後の基板の水洗に使用される純水の量を低減させることができるとともに、現像むらの発生が防止され、レジスト膜におけるパターン線幅の均一性が確保される。また、基板の水洗に使用された水を排水しないで再使用する、といったことを行わなくても、多量の水を使用することができるので、フィルタの詰まりなどの問題が発生することはない。
【００１９】
請求項３に係る発明の基板処理方法では、現像処理後の基板の水洗に使用される純水の量をより低減させることができる。
【００２０】
請求項４に係る発明の基板処理方法では、基板上から現像液が速やかに流れ落ち、また、基板の上面に供給された洗浄水も速やかに流れ落ちて、基板上の現像液と純水とがより速やかに置換されるので、金属配線の腐食や現像むらをより確実に抑制することができる。
【００２１】
請求項５に係る発明の基板処理装置を使用すると、ガス溶解手段により、貯水槽内に貯留された洗浄水もしくは配管内を流れる洗浄水に二酸化炭素が溶解させられ、二酸化炭素が溶解した洗浄水が吐出ノズルへ供給されて、その洗浄水が吐出ノズルから基板の表面へ吐出され、基板の水洗が行われるので、請求項１に係る発明の方法による上記効果が奏される。
【００２２】
請求項６に係る発明の基板処理装置を使用すると、基板の表面にレジスト膜を形成する前に基板の洗浄に使用された水が回収されて、その回収された水が基板の水洗用の洗浄水として吐出ノズルへ供給されるので、請求項２に係る発明の方法による上記効果が奏される。
【００２３】
請求項７に係る発明の基板処理装置では、ガス溶解手段により、洗浄水供給手段の回収槽内に貯留された洗浄水、もしくは、連絡用配管もしくは配管内を流れる洗浄水、または、貯水槽内に貯留された洗浄水に二酸化炭素が溶解させられ、二酸化炭素が溶解した洗浄水が吐出ノズルへ供給されて、その洗浄水が吐出ノズルから基板の表面へ吐出され、基板の水洗が行われるので、現像処理後の基板の水洗に使用される純水の量をより低減させることができる。
【００２４】
請求項８に係る発明の基板処理装置では、基板が傾斜姿勢で搬送されながら水洗されることにより、基板上から現像液が速やかに流れ落ち、また、基板の上面に供給された洗浄水も速やかに流れ落ちて、基板上の現像液と純水とがより速やかに置換され、このため、金属配線の腐食や現像むらをより確実に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１ないし図３を参照しながら、この発明を実施するための形態について説明する。
【００２６】
図１は、第１の発明の実施形態を示し、基板処理装置の概略構成の一部を示す模式的正面図である。この基板処理装置は、現像処理部１０、第１水洗処理部１２および第２水洗処理部１４を連設して構成されていて、装置の基本構成は、図４に示した上述の基板処理装置と同様である。したがって、装置を構成する共通の構成要素には、図４で使用した符号と同一符号を付して、それらについての説明を省略する。なお、図１では、第２水洗処理部１４の構成の図示を省略しているが、第２水洗処理部１４は、図４に示した装置と同様の構成を有している。
【００２７】
この基板処理装置は、第１水洗処理部１２の貯水槽４０に貯留された洗浄水３８中にバブリングによって二酸化炭素を溶解させる手段を備えている。すなわち、貯水槽４０の底部付近にガス供給口７８が形設され、そのガス供給口７８に、ガスボンベ等の炭酸ガス供給源（図示せず）に流路接続され開閉弁８０が介挿されたガス供給用配管８２が連通接続されている。そして、第２水洗処理部１４の処理チャンバ４６の第１排水口７０から排出され第１回収用配管７２を通して第１水洗処理部１２の貯水槽４０内に回収されて貯留された洗浄水３８中へガス供給口７８から炭酸ガスを吹き込んで、貯水槽４０内の洗浄水３８中に二酸化炭素を溶解させるようになっている。二酸化炭素が溶解した洗浄水３８は、貯水槽４０内から洗浄水供給配管３０を通って入口ノズル２６およびスプレイノズル２８へそれぞれ供給される。そして、二酸化炭素が溶解した洗浄水３８が入口ノズル２６およびスプレイノズル２８から基板Ｗ上へそれぞれ吐出されて、現像処理部１０で現像処理された直後の基板Ｗの水洗に使用される。なお、入口ノズル２６およびスプレイノズル２８へ供給される洗浄水３８中に二酸化炭素を溶解させる手段は、貯水槽４０内の洗浄水３８中に炭酸ガスをバブリングするものに限らず、どのようなものであってもよく、例えば、洗浄水供給配管３０の途中にガス溶解モジュールを介挿し、ガス溶解モジュールにガス供給用配管を接続して、洗浄水供給配管３０内を流れる洗浄水中に二酸化炭素を溶解させるような構成のものであってもよい。
【００２８】
この基板処理装置では、貯水槽４０内の洗浄水３８中に二酸化炭素が溶解させられることにより、洗浄水が弱酸性となり、弱酸性となった洗浄水が現像処理後の基板Ｗ上に供給される。このため、強アルカリ性である現像液が速やかに中和され、短時間の内に基板Ｗの全面で現像反応が停止することとなる。この後は、第１水洗処理部１２のスプレイノズル２８および第２水洗処理部１４のスプレイノズル５０、５２からそれぞれ吐出される洗浄水により、中和された現像液を基板Ｗ上から洗い流すようにする。したがって、基板上の現像液を短時間で純水に置換するために多量の洗浄水を使用する、といった必要が無くなり、純水の使用量を低減させることができる。また、入口ノズル２６およびスプレイノズル２８から基板Ｗ上へ吐出されて基板Ｗの水洗に使用された二酸化炭素を含む水は、処理チャンバ２２の底部の排水口４２から排水用配管４４を通って排出されるが、二酸化炭素が溶解した排水は、放置しておくだけで自然に脱気するので、特別な排液処理を行う必要は無い。
【００２９】
次に、図２は、第２の発明の実施形態を示し、基板処理装置の全体構成を示す概略平面図である。この基板処理装置は、コータ・デベロッパと呼ばれる装置であり、基板の表面にフォトレジスト液を塗布して基板表面にレジスト膜を形成する塗布工程、基板表面に形成されたレジスト膜に所定パターンを焼き付ける露光工程、および、露光後の基板上のレジスト膜を現像する現像工程の一連のプロセスを、基板を搬送しつつ連続して行う装置である。装置についての詳しい説明は、ここでは省略し、各構成ユニットについて簡単に説明するだけに止める。
【００３０】
インデクサ部８４は、カセット（図示せず）から処理前の基板を取り出して処理部へ基板を送り出し、処理部から処理済みの基板を受け取ってカセットに基板を収納する部分である。ＵＶオゾン洗浄部８６は、基板へ紫外線を照射して基板表面の有機汚染物を酸化分解する部分であり、洗浄ユニット８８は、ロールブラシによるスクラブ洗浄、超音波スプレイ洗浄、高圧ジェットスプレイ洗浄等により塗布工程前の基板を、純水を使用して洗浄する部分であり、乾燥部９０は、洗浄後の基板を乾燥処理する部分である。脱水ベークユニット９２は、レジスト塗布の前処理として、加熱により基板から水分を取り除き、基板とレジスト膜との密着性向上を図るために基板を加熱しながら基板へＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）を塗布する部分である。レジスト塗布ユニット９４は、スピンコータにより基板の表面にフォトレジスト液を塗布して基板表面にレジスト膜を形成する部分であり、プリベークユニット９６は、基板の表面に形成されたレジスト膜中からの溶剤の蒸発除去と基板へのレジスト膜の密着性強化を目的として基板を加熱処理する部分である。露光機９８は、基板上のレジスト膜を所定パターンで露光処理する部分であり、インターフェース部１００は、露光機９８への基板の搬入および露光機からの基板の搬出の際に必要に応じて基板を一時的に保管する部分である。現像処理部１０２は、ローラ搬送式パドル現像、静止型パドル現像、パドル・スプレイ現像等により、露光後の基板に現像液を供給してレジスト膜を現像処理する部分であり、第１水洗処理部１０４および第２水洗処理部１０６は、現像処理後の基板を水洗処理する部分であり、乾燥部１０８は、水洗処理後の基板を乾燥処理する部分である。現像処理部１０２、第１水洗処理部１０４および第２水洗処理部１０６は、図４に示した装置の現像処理部１０、第１水洗処理部１２および第２水洗処理部１４にそれぞれ相当する処理を行うものである。また、ポストベークユニット１１０は、基板上のレジスト膜中や膜表面に残留した現像液やリンス液（純水）の蒸発除去とレジスト膜の硬化および基板との密着性強化を目的として基板を加熱処理する部分であり、コンベアユニット１１２は、ローラコンベア等によって基板の搬送を行うためのものである。
【００３１】
上記した構成において、この基板処理装置には、純水を使用して塗布工程前の基板の洗浄が行われる洗浄ユニット８８から排出される水を、現像処理後の基板を水洗処理する第１水洗処理部１０４での洗浄水として再使用することができるように、洗浄ユニット８８と第１水洗処理部１０４とが連絡用配管１１４によって流路的に連絡されている。装置の一部の構成を模式的に示す図３により、もう少し詳しく説明すると、洗浄ユニット８８の処理チャンバ１１６の底部に排水口１１８が形設されており、排水口１１８に回収用配管１２０が連通接続されている。また、処理チャンバ１１６に回収槽１２２が併設されており、回収用配管１２０の先端口が回収槽１２２内に配置されている。そして、洗浄ユニット８８において、純水供給配管１２４を通してスプレイノズル１２６へ供給されスプレイノズル１２６から噴出して基板Ｗの洗浄に使用された純水が、処理チャンバ１１６の内底部に流下し、処理チャンバ１１６の排水口１１８から回収用配管１２０を通って回収槽１２２内に回収されるようになっている。また、回収槽１２２の底部付近に連絡用配管１１４が連通接続されており、連絡用配管１１４の先端部が、第１水洗処理部１０４（１２）の貯水槽４０に流路接続された第１回収用配管７２に連通接続されている。連絡用配管１１４には、ポンプ１２８およびフィルタ１３０がそれぞれ介挿されている。そして、回収槽１２２内に回収された水１３２が、連絡用配管１１４を通して第１水洗処理部１０４（１２）の貯水槽４０へ送給され、洗浄水３８として再使用されるようになっている。
【００３２】
なお、連絡用配管１１４の先端部は、第１水洗処理部１０４（１２）の貯水槽４０内に配置するようにしてもよいし、また、洗浄水供給配管３０の途中に直接に流路接続するようにしてもよい。
【００３３】
図２および図３に示した構成を有する基板処理装置では、洗浄ユニット８８においてレジスト塗布工程前に基板Ｗを洗浄するのに使用された純水が、第１水洗処理部１０４において現像処理後の基板Ｗの水洗に再使用されるので、現像処理後の基板Ｗの水洗に使用される純水（直水）の量を増やさなくても、基板Ｗ上の現像液を短時間で純水に置換するために多量の水を使用することができる。したがって、現像処理後の基板の水洗に使用される純水の量を低減させることができる。
【００３４】
また、図２および図３に示した基板処理装置において、洗浄ユニット８８で回収槽１２２内に回収され第１水洗処理部１０４（１２）で再使用される洗浄水に二酸化炭素を溶解させるガス溶解手段を設け、二酸化炭素が溶解した洗浄水を使用して基板Ｗの水洗処理を行うようにしてもよい。例えば、図３中に二点鎖線で示すように、第１水洗処理部１２の洗浄水供給配管３０の途中にガス溶解モジュール１３４を介挿し、ガス溶解モジュール１３４に、ガスボンベ等の炭酸ガス供給源（図示せず）に流路接続され開閉弁１３６が介挿されたガス供給用配管１３８を接続して、洗浄水供給配管３０内を流れる洗浄水中に二酸化炭素を溶解させるようにする。あるいは、図１に示した装置と同様に、第１水洗処理部１２の貯水槽４０内に貯留された洗浄水３８中に炭酸ガスをバブリングして洗浄水３８に二酸化炭素を溶解させるようにしてもよい。また、洗浄ユニット８８の回収槽１２２内に回収された水１３２中に炭酸ガスをバブリングして二酸化炭素を溶解させるようにしてもよいし、さらには、洗浄ユニット８８と第１水洗処理部１０４とを流路連絡する連絡用配管１１４の途中にガス溶解モジュールを介挿し、ガス溶解モジュールへ炭酸ガスを供給して、連絡用配管１１４内を流れる水中に二酸化炭素を溶解させるようにしてもよい。このような構成とすることにより、図１に示した装置による上記効果がさらに得られ、現像処理後の基板の水洗に使用される純水の量をより低減させることができる。
【００３５】
また、上記した第１および第２の発明の各実施形態の装置では、第１水洗処理部１２、１０４や第２水洗処理部１４、１０６において、基板Ｗは水平姿勢で水洗されていたが、基板を水平姿勢ではなく若干傾斜した姿勢とすることにより、基板上に残る現像液と純水とがより速やかに置換され、金属配線の腐食や処理むらがより確実に抑制される。例えば、現像処理部１０の出口側のローラコンベア１８を、搬送方向左右のいずれかに（搬送方向と直交する方向において水平面に対し）所定角度、例えば５°傾斜させることができる構造とし、第１水洗処理部１２、１０４や第２水洗処理部１４、１０６のローラコンベア２４、４６は、それと同じ所定角度だけ傾斜させて設ければよい。この構成によれば、基板は、現像処理部１０の出口側まで搬送されたところで、ローラコンベア１８を傾斜させることで傾斜姿勢とされる。これにより基板上の現像液が流れ落ち、基板上での残留量が極めて少なくなる。そして、基板は、その傾斜姿勢のままで第１水洗処理部１２、１０４に搬送され、そこで上面に洗浄水が供給される。このとき供給された洗浄水も、基板の傾斜のために速やかに流れ落ち、基板上にわずかに残った現像液を速やかに置換し洗い流す。これによって基板上に残る現像液と純水とがより速やかに置換され、金属配線の腐食や処理むらがより確実に抑制される。特に洗浄水に二酸化炭素を溶解させたものを使用することで、洗浄水による現像液の中和効果と相俟って、金属配線の腐食や処理むらの抑制に極めて効果的である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】第１の発明の実施形態を示し、基板処理装置の概略構成の一部を示す模式的正面図である。
【図２】第２の発明の実施形態を示し、基板処理装置の全体構成を示す概略平面図である。
【図３】図２に示した基板処理装置の一部の構成を示す模式的正面図である。
【図４】基板を現像処理した後に水洗する従来の基板処理装置の概略構成の１例を示す模式的正面図である。
【符号の説明】
【００３７】
Ｗ  基板
１０、１０２  現像処理部
１２、１０４  第１水洗処理部
１４、１０６  第２水洗処理部
１６  現像処理部の処理チャンバ
１８、２４、４８  ローラコンベア
２０  現像液の吐出ノズル
２２  第１水洗処理部の処理チャンバ
２６  入口ノズル
２８、５０、５２、１２６  スプレイノズル
３０、５４  洗浄水供給配管
３２、５６、１２８  ポンプ
３４、５８、１３０  フィルタ
３８、６２  洗浄水
４０、６４  貯水槽
４２、７０、７４、１１８  排水口
４４  排水用配管
４６  第２水洗処理部の処理チャンバ
６６、１２４  純水供給配管
７２、７６、１２０  回収用配管
７８  ガス供給口
８２、１３８  ガス供給用配管
８８  洗浄ユニット
１１４  連絡用配管
１１６  洗浄ユニットの処理チャンバ
１２２  回収槽
１３２  回収された水
１３４  ガス溶解モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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