(57)【要約】【課題】光透過性及び高温保管時の耐変色性に優れた光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその硬化物で封止された光半導体装置を提供すること。【解決手段】１分子内に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂硬化剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、溶融破砕シリカ（Ｄ）を主成分とするエポキシ樹脂組成物であって、フェノール系酸化防止剤（Ｅ）を必須成分として含有し、前記エポキシ樹脂組成物の１ｍｍ厚の硬化物において、７００ｎｍから１０００ｎｍでの光透過率が１５％以上であり、かつ、１２５℃、１０００ｈｒ処理後の７２０ｎｍでの光透過率保持率が５０％以上であることを特徴とする光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【特許請求の範囲】
【請求項１】
１分子内に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂硬化剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、溶融破砕シリカ（Ｄ）を主成分とするエポキシ樹脂組成物であって、フェノール系酸化防止剤（Ｅ）を必須成分として含有し、前記エポキシ樹脂組成物の１ｍｍ厚の硬化物において、７００ｎｍから１０００ｎｍでの光透過率が１５％以上であり、かつ、１２５℃、１０００ｈｒ処理後の７２０ｎｍでの光透過率保持率が５０％以上であることを特徴とする光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
上記フェノール系酸化防止剤（Ｅ）が、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−アミルヒドロキノン、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキノン、４，４’−ブチリデン−ビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス（４−エチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）からなる群より選ばれる少なくとも１つ以上含有する請求項１記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
上記フェノール系酸化防止剤（Ｅ）を、全エポキシ樹脂組成物中に、０．１重量％以上、５重量％以下含有している請求項１及び２記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
上記溶融破砕シリカ（Ｄ）の最大粒径が１２５μｍ以下であって、上記溶融破砕シリカ（Ｄ）を全エポキシ樹脂組成物中に、３０重量％以上、９０重量％以下含有している請求項１、２又は３のいずれかに記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
全エポキシ樹脂組成物中に含まれる鉄分が、１５ｐｐｍ以下である請求項１、２、３又は４のいずれかに記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその硬化物で封止された光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の封止方法としてエポキシ樹脂組成物のトランスファー成形が低コスト、大量生産に適しており、採用されて久しく、信頼性の点でもエポキシ樹脂や硬化剤であるフェノール樹脂の改良により特性の向上が図られてきた。オプトエレクトロニクス関連分野において、無機フィラー充填タイプのエポキシ樹脂組成物は、電気絶縁性、低熱膨張性に優れ、かつ近赤外光を透過するために、高信頼性フォトカプラーに使用されている。
【０００３】
フォトカプラーは受光素子と発光素子とを組合せ、光を用いて信号を伝えるものである。このため、発光側からの光を効率よく受光側に伝えることが重要である。また外部からの光を遮断するため及び耐湿信頼性を付与するために、二重封止構造を有することが特徴である。すなわち、まず、光伝達能を有する一次封止樹脂で光半導体素子を封止し、続いて遮光性のある二次樹脂で封止する。遮光性のある二次樹脂は通常の半導体封止用エポキシ樹脂を用いることが一般的である。
【０００４】
フォトカプラーの効率は、ＣＴＲ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｒａｔｉｏ）で表され、発光側の電流と受光側の起電力の比で求められる。このため、これまでに透明ワックス、フィラー形状等についての検討がなされてきたが、高いＣＴＲ値を得るためには、樹脂組成物の光透過率、特に８５０ｎｍ〜１０００ｎｍ付近の近赤外光での高い光透過率が必要である。
【０００５】
さて、一般にフェノール樹脂を硬化剤に用いる場合、熱による酸化現象が起こり、フォトカプラーに用いる一次封止樹脂は、変色する場合がある。こういった不具合に対し、これまでに、様々な検討がなされてきた。
【０００６】
特許文献１および特許文献２では、特定構造の酸化防止剤を添加された樹脂組成物が記載されている。しかしながら、近年、フォトカプラーはより効率よく光伝達を行うために、低波長域、特に７００ｎｍ〜８００ｎｍの領域の光半導体素子を使用する場合が増えつつある。
【０００７】
本発明者らが、これまで検討がなされている一次封止樹脂を用いてみると、光半導体素子の発熱によって封止樹脂が酸化され、変色し、光伝達能が低下するものであった。さらに、これまでの封止樹脂は低波長域で使用する光半導体素子にあわず、１２０℃から１８０℃といった高温で、１０００時間から１００００時間といった長期高温保管時に、封止樹脂が変色し、信頼性が著しく低いものであった。
【特許文献１】特開平２−８６１４９号公報（全文）
【特許文献２】特開２００１−２３４０７３号公報（全文）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、光透過性に優れ、高温保管時の耐変色性に優れた光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその硬化物で封止された光半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、
［１］１分子内に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂硬化剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、溶融破砕シリカ（Ｄ）を主成分とするエポキシ樹脂組成物であって、フェノール系酸化防止剤（Ｅ）を必須成分として含有し、前記エポキシ樹脂組成物の１ｍｍ厚の硬化物において、７００ｎｍから１０００ｎｍでの光透過率が１５％以上であり、かつ、１２５℃、１０００ｈｒ処理後の７２０ｎｍでの光透過率保持率が５０％以上であることを特徴とする光半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【００１０】
［２］上記フェノール系酸化防止剤（Ｅ）が、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−アミルヒドロキノン、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキノン、４，４’−ブチリデン−ビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス（４−エチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）からなる群より選ばれる少なくとも１つ以上含有する第[１]項記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【００１１】
［３］上記フェノール系酸化防止剤（Ｅ）を、全エポキシ樹脂組成物中に、０．１重量％以上、５重量％以下含有している第[１]及び[２] 項記載の光半導体封止用エポキシ樹脂
組成物、
【００１２】
［４］上記溶融破砕シリカ（Ｄ）の最大粒径が１２５μｍ以下であって、上記溶融破砕シリカ（Ｄ）を全エポキシ樹脂組成物中に、３０重量％以上、９０重量％以下含有している第[１]、[２]又は[３] 項のいずれかに記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【００１３】
［５］全エポキシ樹脂組成物中に含まれる鉄分が、１５ｐｐｍ以下である第[１]、[２]、[３]又は[４]項のいずれかに記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【００１４】
［６］第[１]乃至[５]項のいずれかに記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された光半導体装置、
である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、光透過率に優れ、高温保管時の耐変色性と光透過性に優れており、高い信頼性を有し保存性良好なオプトデバイスを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明者らは、特定の充填材を用いることにより、高い光透過率を得て、さらに、特定の酸化防止剤を添加することにより、高温保管時の樹脂変色と光透過率の低下を抑制し、高温保管特性に優れたエポキシ樹脂組成物が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１７】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、特定の充填材を用いることにより、エポキシ樹脂組成物の硬化物１ｍｍ厚の７００ｎｍから１０００ｎｍにおける光透過率が、１５％以上とすることで、高い透明性を示すものである。
光透過率の測定は、分光光度計等の光透過率を測定できるものであれば何ら制限されるものではない。分光光度計としては、島津自記分光光度計ＵＶ−３１００（積分球設置型）で測定することが簡便で好ましい。測定サンプルは、エポキシ樹脂組成物の硬化物で厚み１ｍｍであればよく、形状に何ら制限されるものではないが、低圧トランスファー成形
機を用いて、成形温度１７５℃、圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で試験片３０ｍｍ×１０ｍｍ×１ｍｍを成形し、アフターキュア−として、１７５℃、４時間処理をして作製すれば簡便でより好ましい。光透過率が、下限値を下回ったエポキシ樹脂組成物を用いて、フォトカプラーパッケージを組み立てた場合、フォトカプラーの光伝達能が低下し、十分なフォトカプラーの光学特性を得ることができず好ましくない。
【００１８】
さらに、本発明では、エポキシ樹脂組成物の硬化物において、１２５℃、１０００時間処理後の７２０ｎｍでの光透過率が、処理前の光透過率に比べて、５０％以上であることが必要である。光透過率保持率が下限値を下回ると、フォトカプラーとしての信頼性が著しく低下し好ましくない。
【００１９】
エポキシ樹脂組成物の硬化物において、高温処理後の光透過率保持率を５０％以上とするには、エポキシ樹脂組成物の配合成分としてフェノール系酸化防止剤（Ｅ）が必須であることを本発明者らは見出した。本発明に用いられるフェノール系酸化防止剤（Ｅ）としては、樹脂の熱による酸化を防ぐものであれば何ら制限されるものではないが、より好ましくは、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−アミルヒドロキノン、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキノン、４，４’−ブチリデン−ビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス（４−エチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）などのフェノール系酸化防止剤が例示することができる。フェノール系酸化防止剤は、１０００時間以上といった長期の信頼性の試験においても酸化防止の機能を発揮し、フォトカプラーの信頼性を著しく向上する。フェノール系酸化防止剤の配合されていないエポキシ樹脂組成物を１２５℃で１０００時間以上処理した場合、樹脂組成物の硬化物の表面が酸化され、元来白色であった硬化物が茶色、こげ茶色、黒色に変色し、光透過率が大きく低下し、フォトカプラーの光伝達能が著しく低下する。フェノール系酸化防止剤の添加量としては、０．１重量％以上、１０重量％以下で配合されていることがより好ましい。さらに０．１重量％以上、５重量％以下であることがより好ましい。０．１重量％を下回ると酸化防止剤の効果を得ることができない場合があり、１０重量％を超えて配合された場合、硬化阻害を招く場合がある。
【００２０】
本発明に用いる、１分子内に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（Ａ）は、１分子内に２個以上のエポキシ基を有していれば、何ら制限されなるものではなく、具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂、水素添加ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等の２個のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレートのなどの多官能複素環式エポキシ樹脂、ポリ（エポキシ化シクロヘキセンオキサイド）などの多官能脂環式エポキシ樹脂等の３個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂などが好ましく挙げられる。これらエポキシ樹脂は、単独もしくは２種以上用いても何ら差し支えない。耐湿信頼性向上のために、本発明に使用されるエポキシ樹脂中に含まれる塩素イオン、ナトリウムイオン、その他フリーのイオンは、極力少ないことが望ましい。
【００２１】
本発明に用いられるフェノール樹脂硬化剤（Ｂ）としては、分子内にフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、フェノールアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する）、ナフトールアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する）等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
又、これらは単独でも２種類以上併用しても良い。耐湿信頼性向上のためには、フェノール樹脂中に含まれる塩素イオン、ナトリウムイオン、その他フリーのイオンは、極力少ないことが望ましい。
【００２２】
全エポキシ樹脂のエポキシ基と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基との当量比としては、好ましくは０．５〜２．０、特に好ましくは０．７〜１．５である。好ましい範囲を外れると、硬化性、耐湿信頼性等が低下する可能性がある。
【００２３】
本発明に用いられる硬化促進剤（Ｃ）としては、通常、エポキシ樹脂のアニオン硬化に用いられるものは、すべて使用可能であるが、前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応を促進するものであれば良く、例示するならば、３級アミン、４級アンモニウム塩、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７などの双環式アミジン類とその誘導体、２−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。又、これらは単独でも２種類以上併用しても良い。硬化性がよく、着色がないものであれば、何ら限定されるものではなく、単独でも２種以上用いても差し支えない。特に１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７などの双環式アミジン類、及びイミダゾール類は、少量の添加量でもエポキシ樹脂に対して高い活性を示すことができ、より好ましい。全エポキシ樹脂組成物の総重量を１００重量部とした時、硬化促進剤の添加量を０．１〜２重量部とするのが好ましい。
【００２４】
本発明に用いられる溶融破砕シリカ（Ｄ）としては、特に制限はないが、一般に封止材料に用いられるものを使用することができる。特に好ましくは、成形時のゲート詰まりの観点から１２５μｍ以下の最大粒径を有するものがよい。溶融破砕シリカの充填量は、全エポキシ樹脂組成物中に、３０重量％以上、９０重量％以下の割合で添加されていることがより好ましい。下限値を下回ると、溶融破砕シリカによる補強効果が十分に得ることが発現せず、かつ吸湿要因である樹脂成分の配合量が多くなるので、エポキシ樹脂組成物の硬化物の吸湿量が増大してしまうため、半田処理時に半導体装置にクラックが発生しやすくなる可能性がある。上限値を超えると、エポキシ樹脂組成物の流動性が低下し、成形時に充填不良やチップシフト、パッドシフト、ワイヤースイープが発生しやすくなる可能性がある。
【００２５】
溶融破砕シリカの粒径測定には、公知の方法を用いればよいが、レーザー光散乱法で粒子の体積粒径分布を測定し、粒子の真密度の値を用いて重量粒径分布に換算する方法を用いるのが好適である。
【００２６】
本発明では、エポキシ樹脂組成物中に含まれる鉄分が、１５ｐｐｍ以下であることがより好ましい。１５ｐｐｍ以上を超える場合、鉄分の影響により光透過率が低下し、フォトカプラーの光伝達能に影響を及ぼす可能性がある。
【００２７】
鉄分の測定は、粉末状にしたエポキシ樹脂組成物を用いて測定すればよい。粉末状にしたエポキシ樹脂組成物を、適量のアセトンに溶解し、希硝酸を加え抽出後に、原子吸光法で測定することが簡便である。
【００２８】
本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、上記成分以外に、必要に応じて、他のエポキシ樹脂、離型剤、カップリング剤、溶融破砕シリカ以外の無機充填材等の当業者にて公知の添加剤、副資材を組み合わせることは何らさしつかえない。
【００２９】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、成分（Ａ）〜（Ｅ）、及びその他の添加剤を、ミキサ
ー等を用いて混合後、加熱ニーダや加熱ロール、押し出し機等を用いて加熱混練し、続いて冷却、粉砕することで得られる。また、成分（Ａ）、（Ｂ）を予め反応釜等で加熱混合し、Ｂステージ状態の樹脂組成物を得た後に、前述工程を経ることでも得られる。
【００３０】
エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、溶融破砕シリカやその他の成分を２軸押し出し機を用いて製造することがより好ましく、さらに、２軸押し出し機のジャケット温度を５０〜１２０℃にして混練し、混練後の混練物をセラミック製のグラニュレーターで粉砕することがより好ましいが、これらの製造方法に限るものではない。
粉砕機であるセラミック製のグラニュレーターは、異方向回転型で、用いる材質としては、ジルコニア、アルミナ等が例示される。グラニュレーターの表面は、平滑、ディンプル加工、スリット加工等が挙げられる。粉砕時の回転数は、グラニュレーターの大きさと２軸押し出し機の吐出量により適宜調整すればよい。このような製造方法により得られた樹脂組成物は、鉄分の混入が少なく、フォトカプラー用の樹脂組成物としてより好ましい。
【００３１】
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いての封止は、一般的な方法でできるが、例えば、トランスファー成形法等により、光半導体素子を封止して、エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された光半導体装置を得ることができる。
【実施例】
【００３２】
以下に、本発明について更に詳細に説明するため実施例を示すが、これらに本発明が限定されるものではない。
（実施例１〜２０、比較例１〜５）
成分（Ａ）〜（Ｅ）及びその他添加剤を、表１、２、３に示した配合割合で混合し、２軸押し出し機を用いて５０〜９０℃で５分間混練し、得られた混練物シートを冷却後グラニュレーターを用いて粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。
【００３３】
評価方法は以下の通りであり、結果は表１、２、３にまとめて示す。
［光透過率の測定］
上記エポキシ樹脂組成物のタブレットを、金型温度１７５℃、注入圧力６．８６ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件でトランスファー成形し、３０×１０×１ｍｍの成形品を得た。この成形品を、積分球を搭載した分光光度計（島津製作所製自記分光光度計ＵＶ−３１００）を用いて、波長７００ｎｍから１０００ｎｍ、厚み１ｍｍの光透過率を測定した。
【００３４】
［光透過率保持率の評価］
上記で得られた成形品を、１２５℃、１０００時間処理を行い、上記と同様に光透過率を測定し、処理前の光透過率に対する処理後の光透過率の比率を求めた。単位は％。
［鉄分の測定］
上記エポキシ樹脂組成物のパウダー状粉末１ｇをアセトン５ｍｌに溶解し、２０ｍｌの２Ｎ−硝酸を加え、抽出後、原子吸光法で鉄分の濃度を測定した。
【００３５】
［流動性の評価］
成形前のエポキシ樹脂組成物を、ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じたスパイラルフロー測定金型を用い、成形温度１７５℃、注入圧力６．８６ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で成形し、充填した長さを測定した。４０ｃｍ以上のものを○、それ以下のものを×として評価した。
【００３６】
［充填性の評価］
上記エポキシ樹脂組成物のタブレットを、表面実装用パッケージ（１２ピンＳＯＰ、４×５ｍｍ、厚み１．２ｍｍ、チップサイズは１．５ｍｍ×２．０ｍｍ、リードフレームは
４２アロイ製、ゲートサイズは、０．５ｍｍ×０．０５ｍｍ）金型を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．８６ＭＰａ、硬化時間１２０秒でトランスファー成形した。成形時にゲート詰まりが無いか、確認し、ゲート詰まりが無い場合を○、ある場合を×として評価した。
【００３７】
尚、表１、表２、表３に記載された配合、商品名、及び各種溶融破砕シリカ等の内容は、下記の通りである。
【００３８】
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂：エポキシ当量２１０、軟化点６２℃
ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂：エポキシ当量２６５、軟化点６０℃、大日本インキ化学工業製ＨＰ−７２００を使用した。
フェノールノボラック樹脂：水酸基当量１０５、軟化点９０℃
フェノールアラルキル樹脂：水酸基当量１７４、軟化点８０℃
１，８−ジアザビシクロ−（５，４，０）−ウンデセン−７
２−メチルイミダゾール
シリカＡ：最大粒径７５μｍ、平均粒径１１μの溶融破砕シリカ
シリカＢ：最大粒径５４μｍ、平均粒径１５μの溶融破砕シリカ
シリカＣ：最大粒径１２５μｍ、平均粒径３３μの溶融破砕シリカ
結晶シリカ：最大粒径３３μｍ、平均粒径１３μの結晶シリカ
２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール
２，５−ジ−ｔｅｒｔ−アミルヒドロキノン
２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキノン
４，４’−ブチリデン−ビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）
２，２’−メチレン−ビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）
２，２’−メチレン−ビス（４−エチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）
４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）
カップリング剤：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
カルナバワックス
【００３９】
【表１】
2005239901.tif 000002
【００４０】
【表２】
2005239901.tif 000003
【００４１】
【表３】
2005239901.tif 000004
【００４２】
表に示された結果から明らかなように、本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、光透過性に優れ、高温保管時の樹脂変色と光透過率の低下を抑制し、高温保管特性に優れていることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、それを用いて光半導体素子を封止して
なる光半導体装置が、光透過率、高温保管時の耐変色性に優れており、高い信頼性を有しフォトカプラ−等のオプトデバイス用に好適に用いることができる。