(57)【要約】【課題】  比較的高速で成膜できるようにすると共にプラズマやその輻射熱によるダメージ及び残留応力の少ない良質なスパッタリング膜を得ることを目的とする。【解決手段】  真空槽１０内に、スパッタリング膜を付ける基板１と、この基板１に対し垂直方向で且つ互いに対向して第１及び第２のターゲット４１及び４２を配するようした第１及び第２のカソード１０１及び１０２とを有するスパッタリング装置において、この第１のターゲット４１の裏面側にこの第１のターゲット４１の表面の中央部より外周部に磁力線が向かう閉じたトンネル状の湾曲磁界８を発生する第１の湾曲磁界発生手段６ａ，６ｂを設けると共に、この第２のターゲット４２の裏面側にこの第２のターゲット４２の表面の外周部より中央部に磁力線が向かう閉じたトンネル状の湾曲磁界８を発生する第２の湾曲磁界発生手段６ｃ，６ｄを設けたものである。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽内に、スパッタリング膜を付ける基板と、前記基板に対し垂直方向で且つ互いに対向して第１及び第２のターゲットを配するようした第１及び第２のカソードとを有するスパッタリング装置において、
前記第１のターゲットの裏面側に前記第１のターゲットの表面の中央部より外周部に磁力線が向かう閉じたトンネル状の湾曲磁界を発生する第１の湾曲磁界発生手段を設けると共に
前記第２のターゲットの裏面側に前記第２のターゲットの表面の外周部より中央部に磁力線が向かう閉じたトンネル状の湾曲磁界を発生する第２の湾曲磁界発生手段を設けたことを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
請求項１記載のスパッタリング装置において、
前記基板を前記第１及び第２のターゲットの上側に配したことを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項３】
請求項１記載のスパッタリング装置において、
前記第１及び第２のターゲットの表面よりの湾曲磁界以外の漏れ磁力線が前記第１及び第２のターゲット間を往復するようにしたことを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項４】
請求項１記載のスパッタリング装置において、
前記第１及び第２のターゲット間に高周波交流電源を供給するようにしたことを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項５】
真空槽内に、スパッタリング膜を付ける基板と、前記基板に対し夫々傾斜して対向する第１及び第２のターゲットを配するようした第１及び第２のカソードとを有するスパッタリング装置において、
前記第１のターゲットの裏面側に前記第１のターゲットの表面の中央部より外周部に磁力線が向かう閉じたトンネル状の湾曲磁界を発生する第１の湾曲磁界発生手段を設けると共に
前記第２のターゲットの裏面側に前記第２のターゲットの表面の外周部より中央部に磁力線が向かう閉じたトンネル状の湾曲磁界を発生する第２の湾曲磁界発生手段を設けたことを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項６】
真空槽内に、スパッタリング膜を付ける基板と、前記基板に対し垂直方向で且つ互いに対向して第１及び第２のターゲットを配するようした第１及び第２のカソードとを複数組有するスパッタリング装置において、
前記第１のターゲットの裏面側に前記第１のターゲットの表面の中央部より外周部に磁力線が向かう閉じたトンネル状の湾曲磁界を発生する第１の湾曲磁界発生手段を設けると共に
前記第２のターゲットの裏面側に前記第２のターゲットの表面の外周部より中央部に磁力線が向かう閉じたトンネル状の湾曲磁界を発生する第２の湾曲磁界発生手段を設けたことを特徴とするスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気記録、半導体、電子部品、光学部品等の分野で、薄膜を形成するのに用いられるスパッタリング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、磁気記録、半導体、電子部品、光学部品等の分野で、薄膜を形成するのにスパッタリング装置が使用されている。近年、高記録密度化、集積度向上、薄膜化等の向上に伴い、膜そのものの長期的な応力、安定性、緻密性、ダメージ及び欠損のない良質な膜が要求されている。
【０００３】
基板とスパッタリングされた膜とに生じる応力はスパッタリング時の基板と膜との温度や、プラズマにさらされているプラズマの強さ、時間等に依存する。
【０００４】
特に基板が薄いプラスチックの場合、例えば磁気テープ等では膜とフィルムとの間に残留応力が残るとこのフィルムがカールして、記録、再生時に磁気ヘッドとの接触の不具合や磁気テープの走行上の問題をおこしたり、記録後に経時的に伸縮すると再生時に記録トラックを外れてしまい、データを読み取れなくなってしまう不都合を生じる。
【０００５】
また、微細配線、半導体回路、電子デバイス等で長期的に寸法安定性が要求される製品では、回路の断線や短絡、デバイス性能の劣化といった品質上の不都合を生じる。
【０００６】
従来のプレーナーマグネトロン方式によるスパッタリング装置は、閉じたトンネル状の湾曲磁界をターゲット表面に形成する。この磁場によりターゲット表面からでた電子に、電界に対して直交した磁場成分によってこの電子に回転運動を与え、ターゲット表面でサイクロイド運動をさせてガス分子との衝突確率を上げるためと、湾曲磁界が電子を湾曲中心に押し戻す作用によりターゲット表面に強いプラズマを作ることができる（特許文献１参照）。
【０００７】
また、一般的には基板に対して正面にターゲットを配置するため、成膜速度は早いものの、基板や生成中の膜はプラズマの輻射熱の影響を直接うけ、またこの場合高エネルギーを持ったイオンがターゲットをたたいて、その分子を飛び出させるので、基板がターゲットの正面にあると、その分子の、基板や成膜中への入射エネルギーが大きく、応力の小さい膜、ダメージ及び欠損の少ない膜が必要なプロセスには不都合であった。
【０００８】
更に従来のプレーナーマグネトロン方式のスパッタリング装置では、ターゲットの中央から外周へ閉じたトンネル状の湾曲磁界が形成されているが、その磁力線の一部は閉じずに真空槽内に広がり基板まで達する。よってこの磁力線に沿って電子が回転運動するため、イオンが発生し、基板の付近でも強いプラズマが到達する。
【０００９】
この基板がプラズマにさらされたときは、スパッタリング膜はプラズマ即ちイオンにより損傷をうけながら成長していくため欠陥の多い膜となる。
【００１０】
またターゲット中央から外周へ閉じたトンネル状の湾曲磁界を形成する場合、ターゲット中央部分と、外周部分には必ずターゲットに対して垂直な磁場が発生し、この部分は電子、イオン密度が低く、このターゲットにおけるスパッタリング速度よりも成膜速度が大きいため、このターゲット表面に膜が積層し、その膜が剥がれてダスト発生の原因になり、その膜に絶縁性があるとチャージアップして異常放電の原因となって、製品の歩留り低下を招いていた。
【００１１】
そこで、従来対向ターゲットスパッタ方式のスパッタリング装置が提案されている（特許文献１、特許文献２）。
この対向ターゲットスパッタ方式のスパッタリング装置は、プラズマを直接基板に当てないという点で膜質の向上、膜応力の低減という意味では画期的なものであった。
【００１２】
しかも、一般のプレーナーマグネトロン方式のスパッタリング装置のように、膜が積層する非エロージョン部分が少なく、ターゲットの利用率も高い。特にターゲット材が磁性材の場合には、磁界をターゲット表面に出すには有効であった。
【特許文献１】特開平６−１７２４８号公報
【特許文献２】特開平５−１８２９１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
然しながら、この従来の対向ターゲットスパッタ方式のスパッタリング装置においては、対向するターゲットの間でプラズマの閉じ込めは出来ているが、実際にイオンが加速され分子をたたき出すのは、ターゲットの表面のごく近傍にできるイオンシースといわれる電界の強い部分の２〜３ｍｍ程度の範囲であり、そこでのプラズマの密度はさほどあがらず、また、ターゲットが基板側に向いていないこともあり、そのままでは通常のプレーナーマグネトロン方式に比べ、半分以下の成膜速度で、工業上、生産性よく、高速で成膜するにはまだ不十分であった。
【００１４】
また、この対向ターゲットスパッタ方式のスパッタリング装置で成膜速度を上げるため、投入電力を増やしていくと、中心部にプラズマが集中する傾向があり、特に大面積に成膜したいときに、ターゲットを矩形にして長尺化すると顕著で、膜厚分布の悪化とターゲット侵食の不均一とが問題であった。
【００１５】
本発明は斯る点に鑑み、比較的高速で成膜できるようにすると共にプラズマやその輻射熱によるダメージ及び残留応力の少ない良質なスパッタリング膜を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明スパッタリング装置は真空槽内に、スパッタリング膜を付ける基板と、この基板に対し垂直方向で且つ互いに対向して第１及び第２のターゲットを配するようした第１及び第２のカソードとを有するスパッタリング装置において、この第１のターゲットの裏面側にこの第１のターゲットの表面の中央部より外周部に磁力線が向かう閉じたトンネル状の湾曲磁界を発生する第１の湾曲磁界発生手段を設けると共にこの第２のターゲットの裏面側にこの第２のターゲットの表面の外周部より中央部に磁力線が向かう閉じたトンネル状の湾曲磁界を発生する第２の湾曲磁界発生手段を設けたものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、カソード（ターゲット）から基板に達する漏れ磁界が少ないためプラズマやその輻射熱による基板及び膜へのダメージが少なく、緻密で欠陥の少ない膜を得ることができる。
【００１８】
また本発明によれば、ターゲット表面に閉じたトンネル状の湾曲磁界を形成しているので、プレーナーマグネトロン方式のスパッタリング装置並みの成膜速度を達成すると共に、この湾曲磁界を形成しない外周部の垂直磁場部分でも、その磁力線は２つのターゲット間でつながれているので、電子、イオンが往復し、ターゲット表面に膜が積層される部分が少なく、ダストの発生や、異常放電の発生が少ないため、良質な膜が生成でき、製品歩留りが良くなる。
【００１９】
また、本発明によれば、成膜中はプラズマからの直接輻射熱が少なく、なおかつ、基板や膜へプラズマが直接接触しないため、成膜後の膜の残留応力が少ない。このため、フィルム状の基板や微細配線等の部品へのスパッタリング膜の形成に好都合である。
【００２０】
また、本発明によれば従来の対向ターゲットスパッタ方式のスパッタリング装置に比べ、大電流を流すことができ、大面積に高速でスパッタリング膜を形成できる。
【００２１】
また、本発明によれば、ターゲットが侵食しても磁場に変化が少ないために、膜厚分布の変化が少ない利益がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図１、図２を参照して本発明スパッタリング装置の実施の形態の例につき説明する。
【００２３】
図１において、１０は真空槽を示し、この真空槽１０は排気装置１３により１×１０Ｐａ〜１×１０-4Ｐａ程度に真空引きされる如くなされている。この真空度は、それぞれのプロセスにより最適な真空度とする。
【００２４】
この真空槽１０の上側の中央部に基板ホルダー２を固定して設け、この基板ホルダー２の下側に、スパッタリング膜をつけたい基板１を保持する如くする。この基板ホルダー２の基板１の保持方法としては、成膜しなくともよい部分に爪状のものを引っ掛けたり、マグネットによるホルダーを設けたり、静電気力で吸着したりする方法がある。
【００２５】
この基板ホルダー２には、基板１の温度を所定温度に制御する基板温度制御媒体３を流す如く構成されており、この基板１を最適な温度に保つことができるようになされている。
【００２６】
この真空槽１０内の左側壁及び右側壁に夫々互に対向してスパッタリングカソード１０１及び１０２を設ける。この２つのスパッタリングカソード１０１及び１０２は基板１に対して略垂直で且つ互に対向すると共にこの基板１は、この２つのスパッタリングカソード１０１，１０２の上側に配置する如くする。
【００２７】
この基板１をこの２つのスパッタリングカソード１０１，１０２の上側にすると共にこの基板１に対しスパッタリングカソード１０１，１０２を略垂直に配置したときには、ダストが発生した場合、基板１への付着や異常放電の発生等の基板１へのダストの影響が少なくなる。
【００２８】
このスパッタリングカソード１０１及び１０２としては有底の略円筒状のシールド板１６内に有底の円筒状のカソード１９を絶縁碍子１７を介して固定すると共にこのカソード１９の開口側に円盤状のバッキングプレート５を固定し、またこのカソード１９内のバッキングプレート５の裏側に磁気回路６を設けたものである。
【００２９】
この場合本例においてはこのスパッタリングカソード１０１及び１０２を真空槽１０内において、スパッタリングカソード１０１及び１０２のバッキングプレート５の表面側が互に対向する如く配置する。
【００３０】
このスパッタリングカソード１０１及び１０２のバッキングプレート５の表面に夫々スパッタリングするターゲット４１及び４２を夫々固定する。このスパッタリングカソード１０１及び１０２のバッキングプレート５へのターゲット４１及び４２の固定はインジウム等の低融点金属でボンディングする如くする。
【００３１】
本例においては、このターゲット４１の裏側即ちバッキングプレート５の裏側に設ける磁気回路６は、このターゲット４１の中央部に対向して配されるセンター磁石６ａとこのターゲット４１の外周部に対向して配されるリング状磁石６ｂと円盤状のヨーク１８とより成り、このセンター磁石６ａのＮ極がバッキングプレート５に当接し、このセンター磁石６ａのＳ極がヨーク１８に当接し、リング状磁石６ｂのＮ極がヨーク１８に当接し、このリング状磁石６ｂのＳ極がバッキングプレート５に当接する如くする。
【００３２】
この場合、この磁気回路６はターゲット４１の表面の中央部から外周部に向かって磁力線を発生し、このターゲット４１の表面に閉じたトンネル状の湾曲磁界８を形成する。
【００３３】
また本例においては、このターゲット４２の裏側即ちバッキングプレート５の裏側に設ける磁気回路６は、このターゲット４２の中央部に対向して配されるセンター磁石６ｃとこのターゲット４２の外周部に対向して配されるリング状磁石６ｄと円盤状ヨーク１８とより成り、センター磁石６ｃのＳ極がバッキングプレート５に当接し、このセンター磁石６ｃのＮ極がヨーク１８に当接し、リング状磁石６ｄのＳ極がヨーク１８に当接し、このリング状磁石６ｄのＮ極がバッキングプレート５に当接する如くする。
【００３４】
この場合、この磁気回路６はターゲット４２の表面の外周部から中央部に向かって磁力線を発生し、このターゲット４２の表面に閉じたトンネル状の湾曲磁界８を形成する。
【００３５】
このセンター磁石６ａ，６ｃ、リング状磁石６ｂ，６ｄは永久磁石でも電磁石でも良い。
【００３６】
また、このバッキングプレート５にはターゲット４１，４２を冷却するターゲット冷却媒体７を流す如く構成されている。
【００３７】
また、このスパッタリングカソード１０１及び１０２の夫々のバッキングプレート５には直流スパッタ電源１５よりの直流電圧を供給するか又は１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ程度のパルス電源や高周波スパッタ電源１４を供給する如くする。本例では所望するスパッタリング膜によって、これらの電源１４，１５とこの真空槽１０に導入されるガスの種類とが使い分けされる。
【００３８】
例えばターゲット材と同じ金属膜を成膜するときはＡｒガスを導入し、直流スパッタ電源１５を使用して放電をする。また酸化膜、窒化膜等電気抵抗が高い膜を成膜するときにはＡｒガスに加え、酸素、窒素ガスを添加して反応させ、パルス電源、高周波スパッタ電源１４を使用する。またターゲット４１，４２が絶縁材の場合も高周波スパッタ電源１４により負バイアスを発生させてスパッタリングを行う。
【００３９】
図１において、１１はガスノズルを示し、１２は多種の製造用ガスの供給を自動的に行うマスフローコントローラである。またこの図１例では、真空槽１０を接地し、この真空槽１０をアノードとする。
【００４０】
本例によればターゲット４１及び４２の表面に閉じたトンネル状の湾曲磁界８を形成しているので、従来のプレーナーマグネトロン方式のスパッタリング装置と同様にプラズマを閉じ込め成膜速度を向上させることができる。
【００４１】
更に本例においては、対向するターゲット４１及び４２の裏側に配した磁気回路６による閉じたトンネル状の湾曲磁界８を形成する磁力線の方向が相反するように磁極Ｎ．Ｓを配した、即ち、ターゲット４１の中央部に対応する部分に磁極Ｎを配し、このターゲット４１の外周部に対応する部分に磁極Ｓを配すると共にターゲット４２の中央部に対応する部分に磁極Ｓを配し、このターゲット４２の外周部に対応する部分に磁極Ｎを配した。
【００４２】
こうすることによって、図２に示す如く、湾曲磁界８以外の漏れた磁力線がこの２つのターゲット４１及び４２間を往復する磁力線９となり、この漏れた磁力線が基板１に向かうものを極めて少なくでき、電子はこの磁力線に沿って回転運動し、プラズマを発生させるので、結果的に基板１の近傍にはプラズマは極めて少なく抑えられ、この２つのターゲット４１及び４２間に閉じ込めることになる。
【００４３】
以上述べた如く、本例によれば、スパッタリングカソード１０１及び１０２のターゲット４１及び４２から基板に達する漏れ磁界が少ないためプラズマやその輻射熱による基板１及び膜へのダメージが少なく、緻密で欠陥の少ない膜を得ることができる。
【００４４】
また本例によれば、ターゲット表面に閉じたトンネル状の湾曲磁界８を形成しているので、プレーナーマグネトロン方式のスパッタリング装置並みの成膜速度を達成すると共に、この湾曲磁界８を形成しない外周部の垂直磁場部分でも、その磁力線９は２つのターゲット４１及び４２間でつながれているので、電子、イオンが往復し、ターゲット４１，４２表面に膜が積層される部分が少なく、ダストの発生や、異常放電の発生が少ないため、良質な膜が生成でき、製品歩留りが良くなる。
【００４５】
また、本例によれば、成膜中はプラズマからの直接輻射熱が少なく、なおかつ、基板１や膜へプラズマが直接接触しないため、成膜後の膜の残留応力が少ない。このため、フィルム状の基板１や微細配線等の部品へのスパッタリング膜の形成に好都合である。
【００４６】
また、本例によれば従来の対向ターゲットスパッタ方式のスパッタ装置に比べ、大電流を流すことができ、大面積に高速でスパッタリング膜を形成できる。
【００４７】
また、本例によれば、ターゲット４１，４２が侵食しても磁場に変化が少ないために、膜厚分布の変化が少ない利益がある。
【００４８】
また、図３、図４、図５及び図６は夫々本発明を実施するための最良の形態の他の例を示し、この図３、図４、図５及び図６につき説明するに、図１に対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００４９】
図３例は、図１例においてスパッタリングカソード１０１及び１０２の夫々のバッキングプレート５即ちターゲット４１及び４２間に１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚのパルス電源、高周波電源の交流電源２０を供給するようにしたものである。この図３例はその他は図１例と同様に構成したものである。
【００５０】
この図３例は２つのターゲット４１及び４２に１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの交流電圧を交互に印加することにより、ターゲット表面でのチャージアップが取り除かれ、酸化膜、窒化膜でも高速に、異常放電が少なく成膜できる。
【００５１】
この場合にも、基板１への磁界漏れが少ないため、電圧の極性が変わる瞬間にターゲット４１，４２から飛び出す電子による基板１の衝撃や、プラズマによる損傷がないため良質な成膜ができる。また、この図３例においても図１例同様の作用効果が得られることは容易に理解できよう。
【００５２】
図４例は図１例よりも更に成膜速度を上げるようにしたものであり、この図４例は、図１例において、真空槽１０内のスパッタリングカソード１０１及び１０２間の下側に横に並べて２個のスパッタリングカソード１０３及び１０４を設ける。
【００５３】
このスパッタリングカソード１０３及び１０４のバッキングプレート５の表面にターゲット４３及び４４を夫々固定する。このスパッタリングカソード１０３及び１０４のバッキングプレート５へのターゲット４３及び４４の固定はインジウム等の低融点金属でボンディングする。
【００５４】
このスパッタリングカソード１０１に隣接するスパッタリングカソード１０３はスパッタリングカソード１０２と同様に構成され、このターゲット４３の裏側即ちバッキングプレート５の裏側に設ける磁気回路６は、このターゲット４３の中央部に対向して配されるセンター磁石６ｃとこのターゲット４３の外周部に対向して配されるリング状磁石６ｄと円盤状のヨーク１８とより成り、このセンター磁石６ｃのＳ極がバッキングプレート５に当接し、このセンター磁石６ｃのＮ極がヨーク１８に当接し、リング状磁石６ｄのＳ極がヨーク１８に当接し、このリング状磁石６ｄのＮ極がバッキングプレート５に当接する如くする。
【００５５】
この場合、この磁気回路６はターゲット４３の表面の外周部から中央部に向かって磁力線を発生し、このターゲット４３の表面に閉じたトンネル状の湾曲磁界８を形成する。
【００５６】
またこのスパッタリングカソード１０２に隣接するスパッタリングカソード１０４はスパッタリングカソード１０１と同様に構成され、このターゲット４４の裏側即ちバッキングプレート５の裏側に設ける磁気回路６は、このターゲット４４の中央部に対向して配されるセンター磁石６ａとこのターゲット４４の外周部に対向して配されるリング状磁石６ｂと円盤状ヨーク１８とより成り、センター磁石６ａのＮ極がバッキングプレート５に当接し、このセンター磁石６ａのＳ極がヨーク１８に当接し、リング状磁石６ｂのＮ極がヨーク１８に当接し、このリング状磁石６ｂのＳ極がバッキングプレート５に当接する如くする。
【００５７】
この場合、この磁気回路６はターゲット４４の表面の中央部から外周部に向かって磁力線を発生し、このターゲット４４の表面に閉じたトンネル状の湾曲磁界８を形成する。
【００５８】
この場合、漏れ磁力線９，９ａは対向するあるいは隣接するターゲット４１，４２，４３，４４間を往復することになり漏れ磁界は極力少なくなり、図１例同様の作用効果が得られると共に基板１は下側からもスパッタリングされるので更に成膜速度が高速化される。
【００５９】
またこの場合において、ターゲット材と同じ金属膜を成膜するときはＡｒガスを導入し、直流電源１５を使用して放電する。また酸化膜、窒化膜等電気抵抗が高い膜を成膜するときにはＡｒガスに加え酸素、窒素ガスを添加して反応させ、パルス電源、高周波電源１４を使用する。この場合異常放電時の成膜停止の影響を少なくする上でスパッタリングカソード１０１，１０２，１０３及び１０４に対し、夫々電源１４，１５を設けるようにしても良い。
【００６０】
また酸化膜、窒化膜等を高速で成膜したいときにはスパッタリングカソード１０１とスパッタリングカソード１０３と間及びスパッタリングカソード１０２とスパッタリングカソード１０４と間に夫々交流電源２０を供給し、１０〜１００ｋＨｚの電圧を交互にかけるようにする。
【００６１】
図５例は図１例の基板１に対し垂直なスパッタリングカソード１０１及び１０２のターゲット４１及び４２を基板１に向かって傾斜するようにしたものである。その他は図１同様に構成する。
【００６２】
この図５例においても図１例と同様の作用効果が得られるが、この図５例はターゲット４１及び４２が基板１の方向を向いているのでそれだけ成膜速度を高速とすることができる。
【００６３】
従って、この図５例は成膜する製品が膜質よりも成膜速度を重視する場合に使用して好適である。
【００６４】
図６例は１つの真空槽１０内に図１例に示す如きスパッタリング装置を複数組例えば２組設けるようにした例を示す。
【００６５】
図６例においては、真空槽１０を横方向において２等分した夫々の上側の中央部に夫々基板ホルダー２ａ及び２ｂを固定して設け、この基板ホルダー２ａ及び２ｂの夫々の下側にスパッタリング膜をつけたい基板１ａ及び１ｂを保持する如くする。
【００６６】
この真空槽１０内の左側壁及び右側壁に夫々互に対向する如くスパッタリングカソード１０１ａ及び１０２ｂを設け、この真空槽１０の横方向において２等分位置にスパッタリングカソード１０１ａに対向してスパッタリングカソード１０２ａを設けると共にスパッタリングカソード１０２ｂと対向し、スパッタリングカソード１０２ａと背中合せにスパッタリングカソード１０１ｂを設ける如くする。
【００６７】
このスパッタリングカソード１０１ａ及び１０２ａとスパッタリングカソード１０１ｂ及び１０２ｂとは夫々基板１ａと１ｂとに対して夫々略垂直で且つ基板１ａ及び１ｂが夫々スパッタリングカソード１０１ａ，１０２ａ及び１０１ｂ，１０２ｂの上側に配置する如くする。
【００６８】
このスパッタリングカソード１０１ａは上述スパッタリングカソード１０１と同様に構成すると共にスパッタリングカソード１０２ｂは上述スパッタリングカソード１０２と同様に構成する。
【００６９】
本例においては、スパッタリングカソード１０２ａ及び１０１ｂを図６に示す如く構成する。即ち円筒状のシールド板１６ａ内に円筒状のカソード１９ａを絶縁碍子１７を介して固定すると共にこのカソード１９ａの一方及び他方の開口に夫々円盤状のスパッタリングカソード１０２ａ及び１０１ｂのバッキングプレート５ａ及び５ｂを固定し、また、このバッキングプレート５ａ及び５ｂ間に磁気回路６を設ける如くする。
【００７０】
この場合本例においてはスパッタリングカソード１０１ａ及び１０２ａのバッキングプレート５及び５ａの表面側が互に対向する如くすると共にスパッタリングカソード１０１ｂ及び１０２ｂのバッキングプレート５ｂ及び５の表面側が互に対向する如く配置する。
【００７１】
このスパッタリングカソード１０１ａ，１０２ａ，１０１ｂ及び１０２ｂの夫々のバッキングプレート５，５ａ，５ｂ及び５の表面に夫々スパッタリングするターゲット４１ａ，４２ａ，４１ｂ及び４２ｂを夫々固定する。
【００７２】
本例においてはスパッタリングカソード１０２ａのターゲット４２ａの裏側即ちバッキングプレート５ａの裏側及びスパッタリングカソード１０１ｂのターゲット４１ｂの裏側即ちバッキングプレート５ｂの裏側に設ける磁気回路６は、このターゲット４２ａ及び４１ｂの夫々の中央部に対向して配されるセンター磁石６ｅとこのターゲット４２ａ及び４１ｂの夫々の外周部に対向して配されるリング状磁石６ｆとより成り、このセンター磁石６ｅのＳ極がバッキングプレート５ａに当接し、このセンター磁石６ｅのＮ極がバッキングプレート５ｂに当接し、リング状磁石６ｆのＳ極がバッキングプレート５ｂに当接し、このリング状磁石６ｆのＮ極がバッキングプレート５ａに当接する如くする。
【００７３】
この場合、この磁気回路６はターゲット４２ａの表面の外周部から中央部に向かって磁力線を発生し、このターゲット４２ａの表面に閉じたトンネル状の湾曲磁界８を形成すると共にターゲット４１ｂの表面の中央部から外周部に向かって磁力線を発生し、このターゲット４１ｂの表面に閉じたトンネル状の湾曲磁界８を形成する。
【００７４】
また、このバッキングプレート５ａ，５ｂにもターゲット４２ａ，４１ｂを冷却するターゲット冷却媒体７を流す如く構成する。このスパッタリングカソード１０１ａ，１０２ａ，１０１ｂ及び１０２ｂのバッキングプレート５，５ａ，５ｂ及び５に直流スパッタ電源を供給する。その他は図１と同様に構成する。
【００７５】
斯る、図６に示す如きスパッタリング装置においては、図１同様の作用効果が得られると共に２つのスパッタリング膜の製品を同時に形成することができる。また図６のスパッタリングカソード１０２ａ，１０１ｂの如く構成することにより複数のスパッタリング膜の製品を得るスパッタリング装置を小型化することができる。
【００７６】
また、上述例では円形の基板１に円形のターゲット４１，４２を用いた例につき述べたが、図７に示す如くスパッタリング膜を形成する基板１が薄い帯状の場合は、真空槽１０内に設ける基板ホルダー２を、図７に示す如く温度がコントロールされたロールとし、この薄い帯状の基板１をこの基板ホルダーとしてのロール２に巻き付けながら成膜する如くする。
【００７７】
この場合、真空槽１０内に設けるターゲット４を図７に示す如く長方形として図１同様のスパッタリングカソードを設ける如くする。その他は図１同様に構成する。
【００７８】
この図７例においても図１例同様の作用効果が得られることは容易に理解できよう。
【００７９】
尚、本発明は上述例に限ることなく本発明の要旨を逸脱することなく、その他種々の構成が採り得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明スパッタリング装置を実施するための最良の形態の例の構成を示す断面図である。
【図２】図１の説明に供する要部の線図である。
【図３】本発明の他の例の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の他の例の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の他の例の構成を示す断面図である。
【図６】本発明の他の例の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の他の例の要部を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８１】
１‥‥基板、２‥‥基板ホルダー、４，４１，４１ａ，４１ｂ，４２，４２ａ，４２ｂ，４３，４４‥‥ターゲット、５，５ａ，５ｂ‥‥バッキングプレート、６ａ，６ｃ，６ｅ‥‥センター磁石、６ｂ，６ｄ，６ｆ‥‥リング状磁石、８‥‥湾曲磁界、９‥‥往復磁力線、１０‥‥真空槽、１１‥‥ガスノズル、１３‥‥排気装置、１４‥‥高周波スパッタ電源、１５‥‥直流スパッタ電源、１０１，１０１ａ，１０１ｂ，１０２，１０２ａ，１０２ｂ，１０３，１０４‥‥スパッタリングカソード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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