(57)【要約】【課題】  １枚の露光マスクで、露光マスクの設計を変えた場合のパターング後の結果を高い精度で容易に検証可能な露光マスク、およびパターニング特性検証方法を提供すること。【解決手段】  大型基板の状態で凹凸形成層の散乱特性を検証するための露光マスク４００には、近接し合う８つの小領域４１１〜４１８を単位領域４２０とした場合、このような単位領域４２０が複数形成されている。小領域４１１〜４１８の各々には、凹凸形成層の凹部を形成するための正六角形の透光部分４３０が多数、ドット状に形成されているが、小領域４１１〜４１８の各々に形成されている透光部分４３０の平面サイズ、および密度が小領域毎に相違している。【選択図】    図１１
2005156834.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
近接し合う複数の小領域の各々に多数の透光部分あるいは遮光部分がドット状に形成されているとともに、前記複数の小領域を単位領域として当該単位領域が複数形成され、
前記単位領域内では、前記複数の小領域毎に形成されている前記透光部分あるいは前記遮光部分のサイズ、形状、および密度のいずれかが相違していることを特徴とする一括露光用のマスク。
【請求項２】
近接し合う複数の小領域の各々に多数の透光部分あるいは遮光部分がドット状に形成されているとともに、前記複数の小領域毎に形成されている前記透光部分あるいは前記遮光部分のサイズ、形状、および密度のいずれかが相違していることを特徴とするステッパ露光用のマスク。
【請求項３】
請求項１または２に規定するマスクを用いて、大型基板上に塗布された感光性樹脂を露光した後、現像し、しかる後に、前記小領域に対応する領域毎に前記感光性樹脂のパターニング状態を計測して、前記大型基板における前記パターニング状態の基板内ばらつきを検証することを特徴とするパターニング特性検証方法。
【請求項４】
請求項３において、前記感光性樹脂を現像した状態、前記感光性樹脂を現像した後に焼成した状態、あるいは当該感光性樹脂の表面に他の層を形成した状態で、前記基板表面の散乱特性を前記小領域に対応する領域毎に計測して、前記パターニング状態の基板内ばらつきとして、前記大型基板における光散乱特性の基板内ばらつきを検証することを特徴とするパターニング特性検証方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光用のマスク、およびパターニング特性検証方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
代表的な電気光学装置の一つである液晶装置は、薄型、軽量、低消費電力という特長を有していることから、携帯電話機、モバイルコンピュータなどの表示装置として広く用いられている。この種の電気光学装置のうち、反射型の電気光学装置では、外光を利用した反射モードで表示可能なように、一対の基板のうちの一方に光反射層が形成される。また、光反射層で反射された光の方向性が強いと、画像をみる角度で明るさが異なるなどの視野角依存性や背景の映り込みなどが顕著になってしまうため、基板の表面に塗布したアクリル樹脂などの感光性樹脂を選択的に露光した後、現像、焼成して、凸部あるいは凹部を備えた凹凸形成層を光反射層の下層側に形成することにより、光反射層の表面に微小な凹凸を付与し、光散乱性を付与している（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３０２７４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このような電気光学装置において、凹凸形成層に形成した凸部あるいは凹部の密度が小さく、かつ、凸部あるいは凹部の平面サイズが大きい場合には、反射率が高くなる一方、光反射層での散乱角度範囲が広くなる。これに対して、凹凸形成層の凸部あるいは凹部の一方、光反射層での散乱角度範囲が狭くなる。このため、電気光学装置に要求される性能に応じて、凹凸形成層に形成する凸部あるいは凹部の密度や平面サイズが最適に設定される。
【０００４】
一方、電気光学装置を製造する際には、電気光学装置に用いる単品サイズの基板を多数枚取りできる大型基板の状態で凹凸形成層や光反射膜の形成などを行い、大型基板を所定サイズに切断したものが電気光学装置に用いられる。従って、大型基板の状態で凹凸形成層などを形成する際、感光性樹脂の塗布状態、プリベーク状態、露光状態、現像状態、焼成状態が基板内でばらついていると、大型基板のいずれの位置から切り出した基板を用いているかによって、電気装置の反射モードでの表示性能などがばらついてしまう。
【０００５】
そこで、従来は、凹凸形成層に形成する凸部あるいは凹部の密度や平面サイズを種々、変えた露光マスクを製作し、この露光マスクを用いて、大型基板上に凹凸形成層を実際に形成し、基板内における散乱特性のばらつきなどを検証した上で、凹凸形成層の凸部あるいは凹部の密度や平面サイズを決定し、量産化している。
【０００６】
しかしながら、露光マスクは、その製作費用が高いため、従来の方法では、検証にコストが嵩むという問題点がある。また、凹凸形成層に形成する凸部あるいは凹部の密度や平面サイズなどの条件を変えた露光マスクの枚数分だけ、感光性樹脂の塗布、プリベーク、露光、現像、焼成を行うため、検証に多大な手間がかかるとともに、他の条件の変動が検証結果に影響を及ぼすことになるので、検証の精度が低いという問題点もある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、１枚の露光マスクで、露光マスクの設計を変えた場合のパターング後の結果を高い精度で容易に検証可能な露光マスク、およびパターニング特性検証方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明では、近接し合う複数の小領域の各々に多数の透光部分あるいは遮光部分がドット状に形成されているとともに、前記複数の小領域を単位領域として当該単位領域が複数形成された一括露光用のマスクを製作する。また、この露光マスクを製作する際、前記単位領域内では、前記複数の小領域毎に形成されている前記透光部分あるいは前記遮光部分のサイズ、形状、および密度のいずれかを相違させることを特徴とする。
【０００９】
本発明の別の形態では、近接し合う複数の小領域の各々に多数の透光部分あるいは遮光部分がドット状に形成されているステッパ露光用のマスクを製作するとともに、この露光マスクを製作する際、前記複数の小領域毎に形成されている前記透光部分あるいは前記遮光部分のサイズ、形状、および密度のいずれかを相違させることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る露光マスクを用いてパターニング特性を検証するには、当該露光マスクを用いて、大型基板上に塗布された感光性樹脂を露光した後、現像し、しかる後に、前記小領域に対応する領域毎に前記感光性樹脂のパターニング状態を計測し、前記大型基板における前記パターニング状態の基板内ばらつきを検証する。ここで、パターニング状態の基板内ばらつきの検証は、感光性樹脂を露光、現像した後であれば、それに焼成を加えた後の状態、当該感光性樹脂の表面に他の層を形成した状態、さらには、大型基板を所定のサイズに切断した状態のいずれの状態で行ってもよい。
【００１１】
本発明において、パタニーング状態の検証の一形態としては、例えば、前記感光性樹脂を現像した状態、前記感光性樹脂を現像した後に焼成した状態、あるいは当該感光性樹脂の表面に他の層を形成した状態で、前記基板表面の散乱特性を前記小領域に対応する領域毎に計測して、前記パターニング状態の基板内ばらつきとして、前記大型基板における光散乱特性の基板内ばらつきを検証する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、一括露光用のマスクあるいはステッパ露光用のマスクのいずれにおいても、近接し合う複数の小領域の各々に多数の透光部分あるいは遮光部分がドット状に形成されているとともに、前記複数の小領域毎に形成されている前記透光部分あるいは前記遮光部分のサイズ、形状、および密度が相違する。このため、１枚の露光マスクで大型基板全体に塗布した感光性樹脂を露光、現像すると、露光マスクの小領域に対応する領域毎にサイズ、形状、または密度が相違する多数の凸部あるいは凹部を形成できる。従って、露光マスクの小領域に対応する領域毎に感光性樹脂のパターニング状態、例えば、散乱特性を計測すれば、大型基板における基板内ばらつきを検証することができる。それ故、１枚の露光マスクで、露光マスクの設計を変えた場合におけるパターング状態の面内バラツキの結果を高い精度で容易に検証することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【００１４】
（電気光学装置の全体構成）
図１は、本発明の検証方法が利用される対象としての電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図２は、電気光学装置の一構成例を示す分解斜視図である。図３は、図２に示す電気光学装置における画素のレイアウトを示す平面図である。図４は、図２に示す電気光学装置の断面図である。図５は、図３のＡ−Ａ’線に沿って示すＴＦＤ素子の断面図である。
【００１５】
図１に示す電気光学装置１は、ネマチック液晶を用いたアクティブマトリクス型の反射型液晶装置であり、複数本の走査線３１が行（Ｘ）方向に形成され、複数本のデータ線２１が列（Ｙ）方向に形成されている。また、走査線３１とデータ線２１との各交差部分に対応して、多数の画素１１がマトリクス状に形成されている。各画素１１では、ネマチック液晶からなる液晶層１２と、二端子型アクティブ素子たるＴＦＤ素子４０とが直列接続している。ここに示す例では、液晶層１２が走査線３１の側に接続され、ＴＦＤ素子４０がデータ線２１の側に接続されているが、液晶層１２がデータ線２１の側に接続され、ＴＦＤ素子４０が走査線３１の側に接続されている構成であってもよい。いずれの場合も、各走査線３１は、走査線駆動回路３５０によって駆動される一方、各データ線２１は、データ線駆動回路２５０によって駆動される。
【００１６】
図２に示すように、電気光学装置１では、一対の透光性基板を所定の間隙を介して貼り合わされた駆動用液晶セル１０が用いられ、電気光学装置１が全反射型であれば、偏光板２、第１の上側位相差板３、第２の上側位相差板４、および駆動用液晶セル１０がこの順に重ねて配置される。また、電気光学装置１が半透過反射型であれば、偏光板２、第１の上側位相差板３、第２の上側位相差板４、駆動用液晶セル１０、第１の下側位相差板５、第２の下側位相差板６、およびバックライト装置９がこの順に重ねて配置される。
【００１７】
駆動用液晶セル１０において、一方の透光性基板は、アクティブ素子が形成される素子基板２０であり、他方の透光性基板は、素子基板２０に対向する対向基板３０（電気光学装置用基板）である。素子基板２０と対向基板３０とは、スペーサ（図示省略）を含むシール材１４によって一定の間隙を保って接合されるとともに、この間隙に、液晶層１２が封入、保持された構成となっている。
【００１８】
電気光学装置１では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）技術により、素子基板２０の表面に直接、データ線駆動回路２５０を構成する液晶駆動用ＩＣ（ドライバ）が実装され、対向基板３０の表面にも直接、走査線駆動回路３５０を構成する液晶駆動用ＩＣ（ドライバ）が実装されている。なお、ＣＯＧ技術に限られず、それ以外の技術を用いて、ＩＣチップと電気光学装置とが接続された構成としても良い。例えば、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を用いて、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）の上にＩＣチップがボンディングされたＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）を電気光学装置に電気的に接続する構成としても良い。また、ＩＣチップをハード基板にボンディングするＣＯＢ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）技術を用いても良い。
【００１９】
図３および図４に示すように、素子基板２０の内側表面には下地膜２５が形成されているとともに、この下地膜２５の表面には、複数本のデータ線２１と、それらのデータ線２１に接続された複数のＴＦＤ素子４０と、それらのＴＦＤ素子４０と１対１に接続される画素電極２３とが形成されている。画素電極２３は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透光性導電膜から形成されている。各データ線２１は、直線的に延びている一方、ＴＦＤ素子４０および画素電極２３は、ドットマトリクス状に配列されている。画素電極２３などの表面には、ラビング処理が施された配向膜２４が形成されている。この配向膜２４は、一般にポリイミド樹脂等から形成される。
【００２０】
一方、対向基板３０の内側表面には、後述する凹凸形成層５０の上層側に、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金などの単層膜、あるいは複層膜からなる光反射層３３と、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルタ層３４と、オーバーコート層３５と、ＩＴＯなどの透光性導電膜からなる帯状の対向電極３６と、ポリイミド樹脂等から配向膜３７とが形成されている。本形態では、同一色に対応する画素１１がＹ方向に整列したＲＧＢストライプ配列が採用されている。
【００２１】
カラーフィルタ層３４の隙間には、ブラックマトリクス３８が形成されており、カラーフィルタ層３４の隙間からの入射光を遮蔽する構成となっている。オーバーコート層３５は、カラーフィルタ層３４およびブラックマトリクス３８の表面において、カラーフィルタ層３４およびブラックマトリクス３８の平滑性を高めて、対向電極３６の断線を防止する目的などで形成されている。ここで、対向電極３６は、走査線３１として機能し、データ線２１と直交する方向に形成されている。
【００２２】
このように構成した電気光学装置１において、素子基板２０の側から入射した外光は、矢印Ｌ１２で示すように、液晶層１２およびカラーフィルタ層３４を通って光反射層３３で反射し、再び、カラーフィルタ層３４および液晶層１２を通って素子基板２０の側から出射される。その際に、表示光は、各画素１１において液晶層１２によって光変調されて、反射モードでのカラー画像を表示する。
【００２３】
図５に示すように、ＴＦＤ素子４０は、第１のＴＦＤ素子４０ａおよび第２のＴＦＤ素子４０ｂからなり、素子基板２０の表面に形成された絶縁膜２５上において、第１金属膜４２と、この第１金属膜４２の表面に陽極酸化によって形成された絶縁体たる酸化膜４４と、この表面に形成されて相互に離間した第２金属膜４６ａ、４６ｂとから構成されている。また、第２金属膜４６ａは、そのままデータ線２１となる一方、第２金属膜４６ｂは、画素電極２３に接続されている。
【００２４】
第１のＴＦＤ素子４０ａは、データ線２１の側からみると順番に、第２金属膜４６ａ／酸化膜４４／第１金属膜４２となって、金属（導電体）／絶縁体／金属（導電体）のサンドイッチ構造を採るため、正負双方向のダイオードスイッチング特性を有することになる。一方、第２のＴＦＤ素子４０ｂは、データ線２１の側からみると順番に、第１金属膜４２／酸化膜４４／第２金属膜４６ｂとなって、第１のＴＦＤ素子４０ａとは、反対のダイオードスイッチング特性を有することになる。従って、ＴＦＤ素子４０は、２つのダイオードを互いに逆向きに直列接続した形となっているため、１つのダイオードを用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化されることになる。なお、このように非線形特性を厳密に対称化する必要がないのであれば、１つのＴＦＤ素子４０のみを用いても良い。
【００２５】
なお、ＴＦＤ素子４０は、ダイオード素子としての一例であり、他に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）バリスタや、ＭＳＩ（Ｍｅｔａｌ  Ｓｅｍｉ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）などを用いた素子や、これらの素子を単体、または逆向きに直列接続もしくは並列接続したものなどが適用可能である。
【００２６】
（凹凸形成層の構成）
図６は、図２に示す対向基板において、各画素に形成されている光散乱用の凹凸パターンを平面的に示す説明図である。
【００２７】
反射型の電気光学装置１において、図４に示す光反射層３３で反射された光の方向性が強いと、画像をみる角度で明るさが異なるなどの視野角依存性や背景の写り込みなどが顕著に出てしまう。このため、対向基板３０では、光反射層３３の下層側に感光性樹脂からなる凹凸形成層５０が形成され、この凹凸形成層５０によって光反射層３３の表面に光散乱用の微小な凹凸を付してある。凹凸形成層５０は、後述するように、２層あるいは１層からなる感光性樹脂層により形成される。
【００２８】
凹凸形成層５０には多数の凹凸が形成されており、この凹凸が光反射層３３の表面に光散乱用の凹凸パターンとして反映されている。凹凸形成層５０の凹凸は、円形あるいは多角形の平面形状を備えた凸部あるいは凹部から形成されており、以下の説明では、凹凸形成層５０は、円形の穴からなる凹部５７が形成されているものとして説明する。
【００２９】
ここで、凹凸形成層５０では、凹部５７が高い密度で形成されているほど、光反射層３３から光が散乱光として反射されていく方向の角度範囲（散乱角度範囲）が狭く、光反射層３３での視野角が狭い。これに対して、凹凸形成層５０において、凹部５７が低い密度で形成されている場合には、散乱角度範囲が広く、光反射層３３での視野角が広い。従って、凹凸形成層５０については、電気光学装置１に求められる性能に応じて、凹部５７の平面サイズ、形状、密度が最適なものに設定される。
【００３０】
（電気光学装置の製造方法１）
図７を参照して、電気光学装置１の製造工程のうち、対向基板３０に対して凹凸形成層５０を形成する工程を中心に説明する。
【００３１】
図７（Ａ）〜（Ｄ）は、本形態の電気光学装置１に用いた対向基板３０に凹凸形成層５０を形成する工程を模式的に示す工程断面図である。
【００３２】
まず、図７（Ａ）に示すように、ガラス製等の透光性の対向基板３０の表面に感光性樹脂５１を厚めに塗布、プリベークした後、感光性樹脂５１を露光マスク５１０を介して露光する。ここで、感光性樹脂５１としてはネガタイプおよびポジタイプのいずれを用いてもよいが、図７（Ａ）には、感光性樹脂５１としてポジタイプの場合を例示してあり、感光性樹脂５１を除去したい部分に対して、露光マスク５１０の透光部分５１１を介して紫外線が照射される。
【００３３】
次に、露光した感光性樹脂５１を現像して、図７（Ｂ）に示すように、下層側凹凸形成層５１ａを形成する。ここで、図７（Ａ）に示す露光マスク５１０は、図６を参照して説明した凹凸を形成可能なマスクパターンを備えている。
【００３４】
次に、あるいは下層側凹凸形成層５１ａを焼成してそのエッジを除去した後、図７（Ｃ）に示すように、下層側凹凸形成層５１ａの上層側に感光性樹脂５２を塗布した後、硬化させ、図７（Ｄ）に示すように、上層側凹凸形成層５２ａを形成する。このようにして、下層側凹凸形成層５１ａおよび上層側凹凸形成層５２ａからなる２層構造の凹凸形成層５０を形成するが、この凹凸形成層５０では、下層側凹凸形成層５１ａの上層にもう１層、流動性の高い感光性樹脂層からなる上層側凹凸形成層５２ａを塗布、形成したため、エッジのない、なだらかな形状の凹凸を備えた凹凸形成層５０を形成することができる。
【００３５】
しかる後には、成膜工程およびパターニング工程を行って、図４に示すように、光反射層３３を形成した後、フォトリソグラフィ技術、フレキソ印刷あるいはインクジェット法を用いて、ブラックマトリクス３８、および赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルタ層３４を形成する。次に、スピンコート法などによりオーバーコート層３５を形成した後、成膜工程およびパターニング工程を行って、対向電極３６を形成し、しかる後に、フレキソ印刷あるいはスピンコート法を利用して、配向膜３７を形成する。その結果、対向基板３０が完成する。
【００３６】
（電気光学装置の製造方法２）
図８を参照して、本形態の電気光学装置１の製造工程のうち、対向基板３０に対して凹凸形成層５０を形成する別の方法を説明する。ここで説明する製造方法は、一括露光およびステッパ露光のいずれの方法を用いた場合も採用することができる。
【００３７】
図８（Ａ）〜（Ｃ）は、電気光学装置１に用いた対向基板３０に凹凸形成層５０を形成する別の工程を模式的に示す工程断面図である。
【００３８】
まず、図８（Ａ）に示すように、ガラス製等の透光性の対向基板３０の表面に感光性樹脂５３を厚めに塗布、プリベークした後、感光性樹脂５３を露光マスク５３０を介して露光する。ここで、感光性樹脂５３としてはネガタイプおよびポジタイプのいずれを用いてもよいが、図８（Ａ）には、感光性樹脂５３としてポジタイプの場合を例示してあり、感光性樹脂５３を除去したい部分に対して、露光マスク５３０の透光部分５３１を介して紫外線が照射される。
【００３９】
次に、露光した感光性樹脂５３を現像して、図８（Ｂ）に示すように、凹凸形成層５３ａを形成する。ここで、図８（Ａ）に示す露光マスク５１０は、図６を参照して説明した凹凸を形成可能なマスクパターンを備えている。
【００４０】
次に、凹凸形成層５３ａを加熱、溶融させて、図８（Ｃ）に示すように、エッジのない、なだらかな形状の凹凸を備えた凹凸形成層５０とする。
【００４１】
しかる後には、成膜工程およびパターニング工程を行って、図４（Ａ、（Ｂ）に示すように、光反射層３３を形成した後、フォトリソグラフィ技術、フレキソ印刷あるいはインクジェット法を用いて、ブラックマトリクス３８、および赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルタ層３４を形成する。次に、スピンコート法などによりオーバーコート層３５を形成した後、成膜工程およびパターニング工程を行って、対向電極３６を形成し、しかる後に、フレキソ印刷あるいはスピンコート法を利用して、配向膜３７を形成する。その結果、対向基板３０が完成する。
【００４２】
なお、このような１層の感光性樹脂層から凹凸形成層５０を形成する場合、ハーフ露光を利用してもよい。すなわち、感光性樹脂５３を塗布した後、この感光性樹脂５３に対して、露光マスク５３０を介してのハーフ露光、現像、および加熱を行う。この方法では、感光性樹脂５３が厚さ方向の途中位置まで露光するので、現像後、感光性樹脂５３には厚い部分と薄い部分が形成される。従って、加熱処理を施せば、表面に角張った部分がなく、エッジのない、なだらかな凹凸形状を表面に備えた凹凸形成層５０を形成できる。
【００４３】
（感光性樹脂に対するパターニング特性の検証）
図９は、図２に示す対向基板を製造するのに用いる大型基板の説明図である。図１０および図１１は、大型基板の状態で凹凸形成層を形成した場合の拡散特性の基板内ばらつきを検証するのに用いる露光マスクの平面図、およびこの検証用の露光マスクの各小領域を拡大して示す平面図である。図１２および図１３は、図１０および図１１に示す検証用の露光マスクを用いて大型基板に凹凸形成層を形成した状態を示す説明図、およびこの大型基板上における検証用の露光マスクの小領域に対応する各領域の説明図である。
【００４４】
図７および図８などを参照して説明した方法で対向基板３０を量産する際には、図９に示すように、電気光学装置１に用いられる単品サイズの対向基板３０を多数取りできる大型基板３００の状態で、凹凸形成層５０や光反射層３３などといった要素が製造された後、素子基板２０を多数取りできる別の大型基板と貼り合わせて大型パネルとし、その後、一次切断、液晶の注入、二次切断を行って電気光学装置１とする。また、凹凸形成層５０については、電気光学装置１に求められる性能に応じて、凹部５７の平面サイズ、形状、密度が最適なものに設定される。従って、凹部５７の平面サイズや密度などの条件と、それにより形成した凹凸形成層５０の散乱特性の大型基板３００内における基板内ばらつきを検証しておく必要がある。
【００４５】
このような検証を行うにあたって、本形態では、図１０に示す検証用の露光マスク４００を製作する。ここに示す露光マスク４００は、一括露光用のマスクであり、近接し合う８つの小領域４１１〜４１８を単位領域４２０としたとき、このような単位領域４２０が複数、マトリクス状に形成されている。
【００４６】
ここで、８つの小領域４１１〜４１８の各々には、図１１に示すように、凹凸形成層５０の凹部５７を形成するための正六角形の透光部分４３０が多数、ドット状に形成されており、小領域４１１〜４１８の各々に形成されている透光部分４３０の平面サイズ、およびパターン密度は、小領域毎に相違している。
【００４７】
例えば、正六角形の透光部分４３０に対する外接円の直径で透光部分４３０の平面サイズを表し、透光部分の面積が全体に占める割合をパターン密度とすると、小領域４１１〜４１８は、例えば、以下に示す条件
小領域４１１：サイズ＝６μｍ、パターン密度＝５２．９％
小領域４１２：サイズ＝６μｍ、パターン密度＝３１．２％
小領域４１３：サイズ＝７．５μｍ、パターン密度＝５２．９％
小領域４１４：サイズ＝７．５μｍ、パターン密度＝３１．２％
小領域４１５：サイズ＝９μｍ、パターン密度＝５２．９％
小領域４１６：サイズ＝９μｍ、パターン密度＝３１．２％
小領域４１７：サイズ＝１０μｍ、パターン密度＝５２．９％
小領域４１８：サイズ＝１０μｍ、パターン密度＝３１．２％
に設定されている。従って、小領域４１１〜４１８には、透光部分４３０のサイズが４水準、透光部分４３０の面積和が小領域４１１〜４１８の面積に占める割合が２水準の計８水準が割り付けられている。
【００４８】
このような構成の露光マスク４００を用いて、大型基板３００の状態で凹凸形成層５０の散乱特性を検証するには、図７あるいは図８を参照して説明した方法で凹凸形成層５０を形成する。それには、少なくとも大型基板３００上に塗布した感光性樹脂に対して、露光マスク４００を用いての露光、現像を行い、凹凸形成層５０を形成する。その結果、大型基板３００には、図１２に示すように、凹凸形成層５０が形成された領域３２０がマトリクス状に複数、形成される。
【００４９】
ここで、図１３に示すように、各領域３２０において、露光マスク４００の各小領域４１１〜４１８に対応する各領域３１１〜３１８には、小領域４１１〜４１８に形成されている透光部分４２０に対応するサイズ、形状、および密度の円形の凹部５７がドット状に形成される。
【００５０】
従って、この状態で、あるいは凹凸形成層５０に焼成を加えた状態で、さらには、凹凸形成層５０の表面に光反射層３３を形成した状態で、各領域３１１〜３１８毎の反射率（散乱特性）を積分球反射率測定器を用いて大型基板の面内について計測すれば、大型基板３００における各条件毎の基板内ばらつきを検証することができ、その結果、透光部４２０のサイズや密度を変えた場合におけるパターング状態の基板内ばらつきを検証することができる。
【００５１】
（本形態の効果）
以上説明したように、本形態の検証用の露光マスク４００では、近接し合う複数の小領域４１１〜４１８の各々に多数の透光部分４２０が小領域毎にサイズや密度が相違した状態でドット状に形成されている。このため、１枚の露光マスク４００で大型基板３００に塗布した感光性樹脂を露光、現像すると、１枚の大型基板３００上において、露光マスク４００の小領域４１１〜４１８に対応する領域３１１〜３１８毎にサイズや密度が相違する多数の凹部５７がドット状に形成される。従って、１枚の露光マスク４００で、露光マスク４００の設計を変えた場合のパターング後の結果を高い精度で容易に検証することができる。
【００５２】
［その他の実施の形態］
上記形態では、電気光学装置１については反射モードのみで表示を行う全反射型としたが、光反射層３３に光透過窓を形成して、反射モードおよび透過モードのいずれのモードでも表示を行うことができる半透過反射型の電気光学装置１の設計、製造に本発明を適用してもよい。
【００５３】
また、上記形態では、凹凸形成層５０として、円形の凹部５７が形成されている例を説明したが、円形の凸部を備えた凹凸形成層５０を形成する場合には、露光マスク５１０、５３０、３００において、透光部分と遮光部分とを入れ換えればよい。
【００５４】
また、上記形態では、感光性樹脂としてポジタイプを用いたが、ネガタイプの感光性樹脂を用いる場合も、露光マスク５１０、５３０、３００において、透光部分と遮光部分とを入れ換えればよい。
【００５５】
さらに、上記形態では、検証用の露光マスクとして一括露光用のものを説明したが、ステッパ露光を行うの検証に本発明を適用してもよい。この場合に、図１１に示すものを露光マスクとし、この露光マスクを用いて図１２に示す大型基板３００上の各領域にステッパ露光すればよい。
【００５６】
なお、上記形態では、アクティブ素子としてＴＦＤ素子４０を用いた例であったが、アクティブ素子としてＴＦＴを用いた電気光学装置、さらにはパッシブマトリクス型の電気光学装置の設計、製造に本発明を適用してよい。さらに、エレクトロルミネッセンス表示装置や、プラズマディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイなどといった電子放出素子を用いた表示装置等々の電気光学装置の設計、製造に本発明を適用してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明では、一括露光用のマスクあるいはステッパ露光用のマスクのいずれにおいても、近接し合う複数の小領域の各々に多数の透光部分あるいは遮光部分がドット状に形成されているとともに、前記複数の小領域毎に形成されている前記透光部分あるいは前記遮光部分のサイズ、形状、および密度が相違する。このため、１枚の露光マスクで大型基板全体に塗布した感光性樹脂を露光、現像すると、露光マスクの小領域に対応する領域毎にサイズ、形状、または密度が相違する多数の凸部あるいは凹部を形成できる。従って、露光マスクの小領域に対応する領域毎に感光性樹脂のパターニング状態、例えば、散乱特性を計測すれば、大型基板における基板内ばらつきを検証することができる。それ故、１枚の露光マスクで、露光マスクの設計を変えた場合のパターング後の結果を高い精度で容易に検証することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】電気光学装置の一構成例を示す分解斜視図である。
【図３】図２に示す電気光学装置における画素のレイアウトを示す平面図である。
【図４】図２に示す電気光学装置の断面図である。
【図５】図３のＡ−Ａ’線に沿って示すＴＦＤ素子の断面図である。
【図６】図２に示す対向基板において、各画素に形成されている光散乱用の凹凸パターンを平面的に示す説明図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｄ）は、電気光学装置に用いた対向基板に凹凸形成層を形成する工程を示す工程断面図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｃ）は、電気光学装置に用いた対向基板に凹凸形成層を形成する別の工程を示す工程断面図である。
【図９】図２に示す対向基板を製造するのに用いる大型基板の説明図である。
【図１０】大型基板の状態で凹凸形成層を形成した場合の拡散特性の基板内ばらつきを検証するのに用いる露光マスクの平面図である。
【図１１】図１０に示す検証用の露光マスクの各小領域を拡大して示す平面図である。
【図１２】図１０および図１１に示す検証用の露光マスクを用いて大型基板に凹凸形成層を形成した状態を示す説明図である。
【図１３】図１２に示す大型基板上における検証用の露光マスクの小領域に対応する各領域の説明図である。
【符号の説明】
【００５９】
１  電気光学装置、１０  駆動用液晶セル、１１  画素、１２  液晶層、２０  素子基板、２３  画素電極、３０  対向基板（電気光学装置用基板）、３３  光反射層、３４  カラーフィルタ層、３６  対向電極、４０  ＴＦＤ素子（アクティブ素子）、５０  凹凸形成層、５７  凹部、３００  大型基板、３１１〜３１８  大型基板上における検証用の露光マスクの小領域に対応する領域、３２０  大型基板上における検証用の露光マスクの単位領域に対応する領域、４００  検証用の露光マスク、４１１〜４１８  検証用の露光マスクの小領域、４２０  検証用の露光マスクの単位領域、４３０  検証用の露光マスクの透光部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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