(57)【要約】【課題】  ＧＨｚ帯において高い比誘電率εrおよび高いＱ値を兼備する誘電体磁器組成物を提供する。【解決手段】  Ｍ元素としてＺｒ，Ｙ，Ｍｎ，Ｙｂ，Ｃｏ，Ｓｃ，Ｓｎ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂｉ，Ｗのうちの少なくとも１種以上を含む誘電体磁器組成物であって、（ＢａxＳｒyＣａ1-x-y）k（ＭzＴｉ1-z）Ｏ3で表される式中、ｘ，ｙ，ｚおよびｋがモル比で０．０２≦ｘ≦０．１８、０．０５≦ｙ≦０．２５、０．００＜ｚ≦０．１５、０．９５≦ｋ≦１．０５とするようにした。Ｚｒ等のＭ元素を誘電体磁器組成物中に所定量含有させることで、ＧＨｚ帯において高い比誘電率εrおよび高いＱ値を兼備することができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍ元素として、Ｚｒ，Ｙ，Ｍｎ，Ｙｂ，Ｃｏ，Ｓｃ，Ｓｎ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂｉ，Ｗのうちの少なくとも１種以上を含む誘電体磁器組成物であって、
（ＢａxＳｒyＣａ1-x-y）k（ＭzＴｉ1-z）Ｏ3で表される式中、
ｘ，ｙ，ｚおよびｋがモル比で、
０．０２≦ｘ≦０．１８、
０．０５≦ｙ≦０．２５、
０．００＜ｚ≦０．１５、
０．９５≦ｋ≦１．０５、
であることを特徴とする誘電体磁器組成物。
【請求項２】
ｚが０．１０未満であることを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項３】
前記（ＢａxＳｒyＣａ1-x-y）k（ＭzＴｉ1-z）Ｏ3の重量１００に対して、３．０ｗｔ％未満（但し、０を含まず）のＳｉＯ2が含有されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項４】
測定周波数２ＧＨｚにおける比誘電率が２５０以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項５】
ＧＨｚ帯におけるＱｆ（ＱｆはＱ値と周波数ｆの積）が６０００以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【請求項６】
立方晶、正方晶および斜方晶のうち少なくともいずれかの結晶構造を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波用の共振器、フィルタ、積層コンデンサ等に好適な誘電体磁器組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
誘電体磁器組成物は共振器やフィルタ、積層コンデンサ等の材料として広く用いられている。共振器等に用いられる誘電体磁器組成物としては、誘電特性、具体的には比誘電率εrが高くかつ誘電損失が小さいものが望ましい。このため、高い誘電特性を示す誘電体磁器組成物を得るための検討が種々行われている。
例えば、特許文献１では、少なくともチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタン酸バリウムを含有する誘電体組成物であって、少なくともこれら３つの組成モル比について、チタン酸カルシウムの組成モル比（Ｐ）が０．５〜０．８５、チタン酸ストロンチウムの組成モル比（Ｑ）が０．０５〜０．４、チタン酸バリウムの組成モル比（Ｒ）が０．１〜０．２、但しＰ＋Ｑ＋Ｒ＝１であることを特徴とする誘電体組成物が提案されている。
また、特許文献２には組成式（ＮｄxＳｒ1-x）2/(x+2)ＴｉＯ3（式中、ｘは０．０５≦ｘ≦０．９を満たす値を表す）で示される組成を有することを特徴とする誘電体磁器組成物が提案されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２６４７２９号公報（特許請求の範囲、実施例）
【特許文献２】特開平９−７１４５８号公報（特許請求の範囲、実施例）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した特許文献１に記載の誘電体磁器組成物は、周波数１ｋＨｚにおける比誘電率εrが１８０〜４６０かつ誘電損失が０．０３〜０．６４％という特性を示す。
しかしながら、近年、使用周波数帯は高周波側にシフトしており、より高周波側、つまりギガヘルツ帯（以下、「ＧＨｚ帯」という）において高い比誘電率εrおよび低い誘電損失を示す誘電体磁器組成物が望まれている。そして特許文献１にて提案されているように、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタン酸バリウムの組成モル比（Ｐ）を０．５〜０．８５、チタン酸ストロンチウムの組成モル比（Ｑ）が０．０５〜０．４、チタン酸バリウムの組成モル比（Ｒ）が０．１〜０．２、但しＰ＋Ｑ＋Ｒ＝１とすることのみでは、ＧＨｚ帯において高い誘電体特性を示す誘電体磁器組成物を得ることができない。
一方、特許文献２の実施例には、ＧＨｚ帯において２５０という高い比誘電率εrを示す試料が記載されている。ところが、この試料のＱ値（ここで、Ｑはｔａｎδの逆数であり、Ｑ＝１／ｔａｎδ（ｔａｎδは誘電正接））は測定周波数３ＧＨｚで１３００に留まる。つまり、特許文献２では高い比誘電率εrおよび高いＱ値を兼備するに至っていない。
本発明は、このような技術的課題に基づいてなされたもので、ＧＨｚ帯において高い比誘電率εrおよび高いＱ値を兼備する誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
かかる目的のもと、本発明は、Ｍ元素としてＺｒ，Ｙ，Ｍｎ，Ｙｂ，Ｃｏ，Ｓｃ，Ｓｎ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂｉ，Ｗのうちの少なくとも１種以上を含む誘電体磁器組成物であって、（ＢａxＳｒyＣａ1-x-y）k（ＭzＴｉ1-z）Ｏ3で表される式中、ｘ，ｙ，ｚおよびｋがモル比で０．０２≦ｘ≦０．１８、０．０５≦ｙ≦０．２５、０．００＜ｚ≦０．１５、０．９５≦ｋ≦１．０５であることを特徴とする誘電体磁器組成物を提供する。Ｚｒ等のＭ元素を誘電体磁器組成物中に所定量含有させることで、ＧＨｚ帯において高い比誘電率εrおよび高いＱ値を兼備することができる。また共振器等に用いられる誘電体磁器組成物としては温度特性に優れたものが望ましいが、Ｚｒ等のＭ元素の含有は温度特性を劣化させることはない。
Ｍ元素の割合を示すｚの望ましい範囲は０．１０未満である。なお、Ｍ元素は粒内及び／または粒界に存在する。
本発明における誘電体磁器組成物において、（ＢａxＳｒyＣａ1-x-y）k（ＭzＴｉ1-z）Ｏ3の重量１００に対して、３．０ｗｔ％未満（但し、０を含まず）の範囲内でＳｉＯ2を含有することが望ましい。ＳｉＯ2を３．０ｗｔ％未満の範囲内で添加することで、比誘電率εrおよびＱ値がさらに向上する。
本発明における誘電体磁器組成物は、測定周波数２ＧＨｚにおける比誘電率εrが２５０以上という優れた特性を示す。
また本発明における誘電体磁器組成物によれば、ＧＨｚ帯におけるＱｆ（ＱｆはＱ値と周波数ｆの積）が６０００以上、さらには６２００以上という特性を得ることができる。ここで、本発明においてＱは品質係数であり、誘電正接tanδの逆数（Ｑ＝１／tanδ）である。
以上の本発明における誘電体磁器組成物は立方晶、正方晶および斜方晶のうち少なくともいずれかの結晶構造を含む。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、ＧＨｚ帯において高い比誘電率εrおよび高いＱ値を兼備する誘電体磁器組成物を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の誘電体磁器組成物を詳細に説明する。
本発明の誘電体磁器組成物は、Ｍ元素としてＺｒ，Ｙ，Ｍｎ，Ｙｂ，Ｃｏ，Ｓｃ，Ｓｎ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂｉ，Ｗのうちの少なくとも１種以上を含み、かつ以下の式（１）に示す組成を有する。
【０００８】
（ＢａxＳｒyＣａ1-x-y）k（ＭzＴｉ1-z）Ｏ3・・・式（１）
式（１）中、
ｘ，ｙ，ｚおよびｋがモル比で、
０．０２≦ｘ≦０．１８、
０．０５≦ｙ≦０．２５、
０．００＜ｚ≦０．１５、
０．９５≦ｋ≦１．０５である。
【０００９】
はじめに、式（１）中におけるｘ，ｙ，ｚおよびｋの限定理由を説明する。
Ｂａの割合を示すｘは０．０２≦ｘ≦０．１８の範囲とする。ｘが０．０２未満になると誘電率εが低下する。一方、ｘが０．１８を超えるとＧＨｚ帯におけるＱｆが低下する。
ｘの望ましい範囲は０．０５≦ｘ≦０．１５、ｘのより望ましい範囲は０．０８≦ｘ≦０．１２である。
【００１０】
Ｓｒの割合を示すｙは０．０５≦ｙ≦０．２５の範囲とする。ｙが０．０５未満になると誘電率εおよびＧＨｚ帯におけるＱｆが低下する。一方、ｙが０．２５を超えるとＧＨｚ帯におけるＱｆが低下する。
ｙの望ましい範囲は０．１０≦ｙ≦０．２５、ｙのより望ましい範囲は０．１２≦ｙ≦０．２０である。
【００１１】
ｋは０．９５≦ｋ≦１．０５の範囲とする。ｋが０．９５未満になると比誘電率εrが２５０未満となり、ＧＨｚ帯におけるＱｆも６０００未満となる。一方、ｋが１．０５を超えると、比誘電率εrおよびＧＨｚ帯におけるＱｆがともに低下するとともに、焼成密度も低下する。
ｋの望ましい範囲は０．９６≦ｋ≦１．０１、ｋのより望ましい範囲は０．９９≦ｋ≦１．００である。
【００１２】
Ｍ元素の割合を示すｚは０．００＜ｚ≦０．１５の範囲とする。所定量のＭ元素を組成中に含有することで誘電特性および温度特性を向上させることができる。但し、ｚが０．１５を超えると、誘電特性および温度特性が低下してしまう。なお、後述する実施例で示すように、本発明において温度特性の良否は共振周波数の温度係数τf25-85を指標として判断する。
ｚの望ましい範囲は０．００＜ｚ≦０．１０、ｚのより望ましい範囲は０．００２≦ｚ≦０．０８、ｚのさらに望ましい範囲は０．００２≦ｚ≦０．０７５、ｚのより一層望ましい範囲は０．００５≦ｚ≦０．０５である。
ここで、Ｍ元素としては、Ｚｒ，Ｙ，Ｍｎ，Ｙｂ，Ｃｏ，Ｓｃ，Ｓｎ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，ＢｉおよびＷのうち１種以上が選択されるが、各元素についての望ましい含有量は後述する。
【００１３】
上述した組成を有する本発明の誘電体磁器組成物において、副成分としてさらにＳｉＯ2を含有させることが望ましい。ＳｉＯ2を含有させる場合には、その含有量を（ＢａxＳｒyＣａ1-x-y）k（ＭzＴｉ1-z）Ｏ3の重量１００に対し３．０ｗｔ％未満（但し、０を含まず）とする。
ＳｉＯ2を３．０ｗｔ％未満の範囲内で含有させることで、比誘電率εrおよびＧＨｚ帯におけるＱｆが向上する。但し、ＳｉＯ2量が３．０ｗｔ％以上になると、ＳｉＯ2を含有しない場合よりも比誘電率εrおよびＧＨｚ帯におけるＱｆが低下してしまう。
ＳｉＯ2の望ましい含有量ｂは０．０２≦ｂ≦２．８０（ｗｔ％）、ｂのより望ましい範囲は０．０５≦ｂ≦２．５０（ｗｔ％）である。
【００１４】
以上、本発明の誘電体磁器組成物における組成の限定理由を説明した。次に、本発明の誘電体磁器組成物における必須元素であるＭ元素について述べる。
Ｍ元素としては、Ｚｒ，Ｙ，Ｍｎ，Ｙｂ，Ｃｏ，Ｓｃ，Ｓｎ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，ＢｉおよびＷのうち少なくとも１種以上が選択される。これらのＭ元素を組成中に所定量含有することで、温度特性を劣化させることなく比誘電率εrおよびＱｆを向上させることができる。具体的には、ｘ，ｙ，ｋの値を上述した範囲内とするとともに、Ｍ元素の割合を示すｚの値を０．１５以下（但し、０は含まず）とすることで、測定周波数２ＧＨｚにおける比誘電率εrを２５０以上とし、かつＧＨｚ帯におけるＱｆを６０００以上、さらには６２００以上とすることができる。また、Ｍ元素を含有しない場合には共振周波数の温度係数τf25-85の絶対値（以下、「τf」という）が１２００ｐｐｍ／℃以上の値を示すが、組成中に所定量のＭ元素を含有させることでτfを１０００ｐｐｍ／℃以下とすることができる。
【００１５】
Ｍ元素としてはＺｒ，Ｍｎ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａが望ましく、Ｚｒ，Ｍｎ，Ｎｂ，Ｔａが特に望ましい。Ｍ元素としてＺｒ，Ｍｎ，Ｎｂ，Ｔａのうちいずれかを選択した場合には、測定周波数２ＧＨｚにおける比誘電率εrを２６０以上とし、かつＧＨｚ帯におけるＱｆを６３００以上とすることもできる。
【００１６】
以上詳述したように、本発明の誘電体磁器組成物は、ＧＨｚ帯における比誘電率εrが２５０以上、Ｑｆが６０００以上およびτfの絶対値が１０００ｐｐｍ／℃以下という特性を兼備することができる。さらに、上述した組成を適宜選択することにより、ＧＨｚ帯における比誘電率εrを２６０以上、Ｑｆを６２００以上、さらにτfの絶対値を９５０ｐｐｍ／℃以下とすることもできる。
これらの特性に加えて、本発明の誘電体磁器組成物は、２０℃における比抵抗ρをρ＞１０13Ωｃｍ、かつ焼成密度を４．５ｇ／ｃｍ3以上とすることもできる。本発明における誘電体磁器組成物は立方晶、正方晶および斜方晶のうち少なくともいずれかの結晶構造を含む。
【００１７】
次に、本発明による誘電体磁器組成物にとって好適な製造方法を説明する。
＜原料粉末、秤量＞
主成分の原料として、酸化物または加熱により酸化物となる化合物の粉末を用いる。具体的にはＢａＣＯ3粉末，ＳｒＣＯ3粉末，ＣａＣＯ3粉末，ＴｉＯ2粉末、さらにＭ元素を含む化合物の粉末（例えばＺｒＯ2粉末、ＭｎＣＯ3粉末等）を用いることができる。原料粉末を式（１）の組成となるように、それぞれ秤量する。そして、秤量された各主成分の原料粉末の総重量に対して、副成分としてＳｉＯ2粉末を３．０ｗｔ％未満の範囲で添加する。各原料粉末の平均粒径は０．１〜３．０μｍの範囲で適宜選択すればよい。
なお、上述した原料粉末に限らず、２種以上の金属を含む複合酸化物の粉末を原料粉末としてもよい。
【００１８】
＜仮焼＞
原料粉末を例えばボールミルにより湿式混合した後、９００〜１３００℃の範囲内で所定時間保持する仮焼を行う。このときの雰囲気はＮ2または大気とすればよい。仮焼の保持時間は０．５〜５．０時間の範囲で適宜選択すればよい。仮焼後、仮焼体を例えば平均粒径０．５〜２．０μｍ程度まで粉砕する。
なお、主成分の原料粉末（ＢａＣＯ3粉末，ＳｒＣＯ3粉末，ＣａＣＯ3粉末，ＴｉＯ2粉末、Ｍ元素を含む化合物の粉末）と副成分の原料粉末（ＳｉＯ2粉末）を混合した後に、両者をともに仮焼に供する場合について示したが、副成分の原料粉末を添加するタイミングは上述したものに限定されるものではない。例えば、まず主成分の粉末のみを秤量、混合、仮焼および粉砕する。そして、仮焼粉砕後に得られた主成分の粉末に、副成分の原料粉末を所定量添加し混合するようにしてもよい。
【００１９】
＜造粒・成形＞
粉砕粉末は、後の成形工程を円滑に実行するために顆粒に造粒される。この際、粉砕粉末に適当なバインダ、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を少量添加することが望ましい。得られる顆粒の粒径は８０〜２００μｍ程度とすることが望ましい。
造粒粉末を２００〜３００ＭＰａの圧力で加圧成形し、所望の形状の成形体を得る。
【００２０】
＜焼成＞
成形時に添加したバインダを除去した後、１２５０〜１４３０℃の範囲内で所定時間成形体を加熱保持し焼結体を得る。このときの雰囲気はＮ2または大気とすればよい。加熱保持時間は２〜６時間の範囲で適宜選択すればよい。本発明の誘電体磁器組成物の効果を十分引き出すには、１３００〜１４５０℃の範囲で焼成することが望ましい。本発明による誘電体磁器組成物は４．４ｇ／ｃｍ3以上、さらには４．５ｇ／ｃｍ3以上の焼成密度を得ることができる。
【００２１】
以上の工程を経ることで、本発明における誘電体磁器組成物を得ることができる。本発明における誘電体磁器組成物は、２ＧＨｚにおける比誘電率εrが２５０〜３００、Ｑｆが６０００〜７０００および共振周波数の温度係数τf25-85の絶対値が１０００ｐｐｍ／℃以下、２０℃における比抵抗ρがρ＞１０13Ωｃｍ、かつ焼成密度を４．５ｇ／ｃｍ3以上という特性を備える。こうした優れた特性を備えた本発明における誘電体磁器組成物は、高周波用、特にマイクロ波用の共振器、フィルタ、積層コンデンサ等の材料として好適である。
【実施例１】
【００２２】
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
実施例１ではＭ元素としてＺｒを選択し、以下の条件で誘電体磁器組成物を作製し、その特性を評価した。
【００２３】
原料粉末として、ＢａＣＯ3粉末、ＳｒＣＯ3粉末、ＣａＣＯ3粉末、ＴｉＯ2粉末、ＺｒＯ2粉末およびＳｉＯ2粉末を準備した。なお、各原料粉末の平均粒径は０．１〜１．０μｍである。
まず、上述した式（１）において、ｘ，ｙ，ｚおよびｋがモル比でそれぞれ表１〜５の値となるように秤量し、次いでＳｉＯ2がｗｔ％で表１〜５の値となるように秤量した後、ボールミルを用いて湿式混合を１６時間行った。得られたスラリーを十分に乾燥させた後、大気中、１１００℃で２時間保持する仮焼を行い、仮焼体を得た。仮焼体が平均粒径１．０μｍになるまでボールミルにより微粉砕した後、微粉砕粉末を乾燥させた。次いで、バインダとしてＰＶＡ（ポリビニルアルコール）を適量加えて造粒し、成形を行った後、１４００℃で４時間焼成し、直径１０ｍｍ、厚さ５ｍｍの誘電体磁器組成物を得た。
【００２４】
得られた誘電体磁器組成物を用いて、誘電特性、比抵抗および焼成密度を測定した。その結果を表１〜５に併せて示す。また、比較例として、本発明の組成範囲外の組成を有する誘電体磁器組成物を上述した条件と同様の条件で作製した。それらの比較例の誘電体磁器組成物の特性も、表１〜５に併せて示す。
なお、誘電体磁器組成物は、表１〜５に示した各試料についてそれぞれ５個ずつ作製し、それらの試料について各特性をそれぞれ測定し、平均値を算出した（表１〜５中の各特性の値は、算出された平均値である）。
【００２５】
＜比誘電率εr、Ｑ値、共振周波数＞
比誘電率εr、Ｑ値、共振周波数は、Hakki−Coleman 法により測定した。比誘電率εr測定の際には、ネットワークアナライザー（ヒューレッドパッカード社製８５１０Ｃ）の一方のプローブより高周波を発振して周波数特性を測定し、得られたＴＥ０１δモードの共振周波数ピークと試料の寸法より比誘電率εrを求めた。なお、測定周波数は２ＧＨｚとした。
＜比抵抗＞
２０℃で１００Ｖの直流電圧を４０秒間印加して絶縁抵抗を測定し比抵抗を求めた。
【００２６】
はじめに、表１を用いてｘの変動に伴う特性の変動を確認する。
【００２７】
【表１】
2005179110.tif 000002
【００２８】
表１から、ｘが変動することで、比誘電率εrおよびＱｆがそれぞれ変動することがわかる。そして、ｘが０．００と本発明の範囲より少ない場合（試料Ｎｏ．１、４、９）には比誘電率εrが低い。また、ｘが０．２０と本発明の範囲より多い場合（試料Ｎｏ．３、８、１１）にはＱｆが２０００未満と低い。
一方、ｘが０．０２〜０．１８である試料Ｎｏ．２、５、６、７、１０は、２５０以上の比誘電率εrおよび６０００以上のＱｆを示す。よって、本発明においてｘは、モル比で０．０２≦ｘ≦０．１８とする。望ましいｘの値は０．０５≦ｘ≦０．１５、さらに望ましいｘの値は０．０８≦ｘ≦０．１２である。
【００２９】
次に、表２を用いてｙの変動に伴う特性の変動を確認する。
【００３０】
【表２】
2005179110.tif 000003
【００３１】
表２中、ｙが０．１０〜０．２０である試料Ｎｏ．２、６、１０は、２５０以上の比誘電率εrおよび６２００以上のＱｆを示す。ところが、ｙの増加に伴い、Ｑｆは徐々に低下し、ｙが０．２０（試料Ｎｏ．１０）を超えて０．３０（試料Ｎｏ．１３）になると、Ｑｆが５０００を下回る。よって、本発明においてｙは、モル比で０．０５≦ｙ≦０．２５とする。望ましいｙの値は０．１０≦ｙ≦０．２５、さらに望ましいｙの値は０．１２≦ｙ≦０．２０である。なお、ｙを含有しない試料Ｎｏ．１２については共振周波数ピークが得られなかっため、比誘電率εrおよびＱｆを測定することができなかった。
【００３２】
次に、表３を用いてｚの変動に伴う特性の変動を確認する。
【００３３】
【表３】
2005179110.tif 000004
【００３４】
表３の試料Ｎｏ．１４と試料Ｎｏ．１５との比較により、Ｍ元素を組成中にわずかに含有させることで、比誘電率εrおよびＱｆがともに向上することがわかる。そして、ｚが本発明の範囲内である試料Ｎｏ．１５（ｚ：０．００５）、試料Ｎｏ．２（ｚ：０．０１０）、試料Ｎｏ．１６（ｚ：０．０７５）によれば、２５０以上の比誘電率εrおよび６０００以上のＱｆを兼備することができる。よって、本発明においてｚは、モル比で０．００＜ｚ≦０．１５とする。
試料Ｎｏ．１５（ｚ：０．００５）、試料Ｎｏ．２（ｚ：０．０１０）、試料Ｎｏ．１６（ｚ：０．０７５）の中では、試料Ｎｏ．２（ｚ：０．０１０）が最も高い誘電特性を示すことから、望ましいｚの値は０．００２≦ｚ≦０．０８、さらに望ましいｚの値は０．００５≦ｚ≦０．０５である。
なお、ｚが０．２００である試料Ｎｏ．１７については共振周波数ピークが得られなかっため、比誘電率εrおよびＱｆを測定することができなかった。
【００３５】
次に、表４を用いてｋの変動に伴う特性の変動を確認する。
【００３６】
【表４】
2005179110.tif 000005
【００３７】
表４から、ｋが変動することで、比誘電率εr、Ｑｆおよび焼成密度それぞれ変動することがわかる。ｋが０．９４と本発明の範囲より少ない場合（試料Ｎｏ．１８）には比誘電率εrおよびＱｆがともに低いレベルに留まるが、ｋが０．９５（試料Ｎｏ．１９）になると２５０以上の比誘電率εrおよび６０００以上のＱｆを兼備することができる。ｋが０．９７〜１．０５と本発明の範囲内である試料Ｎｏ．１９〜２３も、２５０以上の比誘電率εrおよび６０００以上のＱｆを兼備することができる。但し、ｋが１．０６（試料Ｎｏ．２４）と本発明の範囲より多くなると、比誘電率εrおよびＱｆが再び低下し不十分な値となる。よって、本発明においてｋは、モル比で０．９５≦ｋ≦１．０５とする。ｋが本発明の範囲内である試料Ｎｏ．１９〜２３、試料Ｎｏ．２の中では、試料Ｎｏ．２（ｋ：０．９９）および試料Ｎｏ．２１（ｋ：１．０２）が高い誘電特性を示すことから、望ましいｋの値は０．９６≦ｋ≦１．０１、さらに望ましいｋの値は０．９９≦ｋ≦１．００である。
【００３８】
次に、表５を用いて望ましいＳｉＯ2量を検討する。
【００３９】
【表５】
2005179110.tif 000006
【００４０】
表５から、ＳｉＯ2量の変動に伴い、比誘電率εr、Ｑｆおよび焼成密度が変動することがわかる。
ＳｉＯ2を組成中に含有しない場合（試料Ｎｏ．２５）およびＳｉＯ2の含有量が３．００ｗｔ％と本発明の範囲より多い場合（試料Ｎｏ．３０）には、比誘電率εrおよびＱｆが低いレベルにある。  よって、本発明においてはＳｉＯ2量は３．００ｗｔ％未満（但し、０を含まず）とする。望ましいＳｉＯ2量は０．０２〜２．８０（ｗｔ％）、さらに望ましいＳｉＯ2量は０．０５〜２．５０（ｗｔ％）である。
【実施例２】
【００４１】
以上の実施例１では、Ｍ元素としてＺｒを選択した。実施例２では、Ｍ元素として、Ｙ，Ｍｎ，Ｙｂ，Ｃｏ，Ｓｃ，Ｓｎ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂｉ，Ｗをそれぞれ選択した例を示す。
表６〜９に示す条件で、Ｍ元素（Ｙ，Ｍｎ，Ｙｂ，Ｃｏ，Ｓｃ，Ｓｎ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂｉ，Ｗ）を含有させた以外は、実施例１と同様の手順で誘電体磁器組成物を作製した。そして、実施例１と同様の条件で比誘電率εr、Ｑｆ、比抵抗および焼成密度を測定した。また、以下の条件で共振周波数の温度係数τfも測定した。測定結果を表６〜９に示す。
【００４２】
＜共振周波数の温度係数τf＞
２０℃および８５℃における共振周波数を測定し、共振周波数の温度係数τf(20-85)を求めた。なお、表６〜９に示したτf(20-85)の値は、共振周波数の温度係数τf(20-85)の絶対値である。また、以下では「共振周波数の温度係数τf(20-85)」を単にτfという。
【００４３】
【表６】
2005179110.tif 000007
【００４４】
【表７】
2005179110.tif 000008
【００４５】
【表８】
2005179110.tif 000009
【００４６】
【表９】
2005179110.tif 000010
【００４７】
表６〜９に示すように、Ｍ元素としてＹ，Ｍｎ，Ｙｂ，Ｃｏ，Ｓｃ，Ｓｎ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂｉ，Ｗを選択した場合にも、比誘電率εrを２５０以上、Ｑｆを６０００以上、２０℃における比抵抗ρをρ＞１０13Ωｃｍ、かつ焼成密度を４．５ｇ／ｃｍ3以上という特性を備えることができた。
ここで、温度特性の欄に着目すると、Ｍ元素を含有しない試料Ｎｏ．１４はτfが１２２０ｐｐｍ／℃と高い。これに対し、所定量のＭ元素を含有する本発明の試料によれば、τfを１０００ｐｐｍ／℃以下、さらには９５０ｐｐｍ／℃以下とすることができる。
また、表９には実施例１で作製した試料Ｎｏ．１５、２、１６の温度特性も併せて示した。組成中にＭ元素を含有しない試料Ｎｏ．１４と、試料Ｎｏ．１５、２、１６との比較から、Ｍ元素としてＺｒを選択した場合にも、誘電特性の向上とともに温度特性の向上が期待できることが確認できた。