(57)【要約】【課題】  簡便に正確且つ自由度が高い設計を行うことができる光導波路構造体及びその製造方法並びに光導波路デバイスを提供する。【解決手段】  本構造体の製造方法は、下部クラッド部２１となる未硬化下部クラッド部２１"を形成する未硬化下部クラッド部形成工程と、光路変換部４１及び４２となる光路変換部品４１及び４２の一部を未硬化下部クラッド部２１"内に埋入する光路変換部品埋入工程と、を備える。本構造体１００は、下部クラッド部２１と、下部クラッド部２１上に配置されており且つ光を伝搬するコア部１と、コア部１上に配置された上部クラッド部２２と、一部が下部クラッド２１内に配置されており且つコア部１を伝搬する光の光路を変換する光路変換部４１及び４２と、を備える。本デバイス２００は、本構造体１００と、光学素子６１及び６２を備える。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部クラッド部と、該下部クラッド部上に配置されており且つ光を伝搬するコア部と、該コア部上に配置された上部クラッド部と、一部が該下部クラッド内に配置されており且つ該コア部を伝搬する光の光路を変換する光路変換部と、を備える光導波路構造体の製造方法において、
上記下部クラッド部となる未硬化下部クラッド部を形成する未硬化下部クラッド部形成工程と、
上記光路変換部となる光路変換部品の一部を該未硬化下部クラッド部内に埋入する光路変換部品埋入工程と、を備えることを特徴とする光導波路構造体の製造方法。
【請求項２】
上記光導波路構造体は、更に、上記下部クラッド部下に基部を備え、
上記未硬化下部クラッド部形成工程において、上記未硬化下部クラッド部は上記基部上に形成する請求項１に記載の光導波路構造体の製造方法。
【請求項３】
上記未硬化下部クラッド部は、下部クラッド部形成用未硬化フィルムを上記基部に圧着して形成する請求項２に記載の光導波路構造体の製造方法。
【請求項４】
更に、上記光路変換部品埋入工程の後に上記未硬化下部クラッド部を半硬化させて半硬化下部クラッド部を形成する未硬化下部クラッド部半硬化工程と、
上記半硬化下部クラッド部上に上記コア部を形成するコア部形成工程と、
該コア部形成工程の後に上記上部クラッド部となる未硬化上部クラッド部を該コア部上に形成する未硬化上部クラッド部形成工程と、
該未硬化上部クラッド部形成工程の後に該半硬化下部クラッド部、該コア部及び該未硬化上部クラッド部を備える積層体を一括硬化する一括硬化工程と、を備える請求項１乃至３のうちのいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。
【請求項５】
上記半硬化下部クラッド部上に、上記コア部となるコア部形成用未硬化フィルムを配設するコア部形成用未硬化フィルム配設工程を備える請求項４に記載の光導波路構造体の製造方法。
【請求項６】
更に、上記光路変換部品埋入工程の後に該未硬化下部クラッド部を硬化させて下部クラッドを得る未硬化下部クラッド部硬化工程と、
未硬化下部クラッド部硬化工程の後に上記コア部を形成するコア部形成工程と、
該コア部形成工程の後に上記上部クラッド部を形成する上部クラッド部形成工程と、を備える請求項１乃至３のうちのいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。
【請求項７】
上記コア部形成工程において上記下部クラッド部上に、上記コア部となるコア部形成用未硬化フィルムを配設するコア部形成用未硬化フィルム配設工程を備える請求項６に記載の光導波路構造体の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちのいずれかに記載の製造方法により得られたことを特徴とする光導波路構造体。
【請求項９】
請求項８に記載の光導波路構造体と、該光導波路構造体の外表面又は内部に光学素子を備えることを特徴とする光導波路デバイス。
【請求項１０】
剥離可能な剥離シートと、該剥離シート上に配置された下部クラッド部と、該下部クラッド部上に配置されており且つ光を伝搬するコア部と、該コア部上に配置された上部クラッド部と、一部が該下部クラッド部内に配置されており且つ該コア部を伝搬する光の光路を変換する光路変換部と、を備えることを特徴とする光導波路構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路構造体及びその製造方法並びに光導波路デバイスに関する。更に詳しくは、漏光及び散乱損失が抑制された光路変換部を備える光導波路構造体及びその製造方法並びに光導波路デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
情報処理分野及び情報通信分野等において、扱われるデータ量等が増加しており、今後益々大きくなることが予測され、これに伴う通信速度の高速化が求められている。このため、電気信号に比べて処理速度が大きい光信号を用いた処理への移行が望まれている。特に近年は、光通信ケーブルに代表される伝達距離の長い信号伝達経路及びこれに付随する専用デバイスだけでなく、汎用電子機器内の基板及び電子部品等の接続等の短い信号伝達経路に関しても、電気伝送媒体から光伝送媒体への移行が検討されている。この新たな情報処理及び情報通信においては、加工性、可とう性等の材料特性及びコスト的な面等に優れるため有機系材料から形成される光導波路構造体及びこれを用いた光導波路デバイスが注目されている。
【０００３】
通常、光導波路構造体では、光の伝搬するコア部と、このコア部に光を閉じこめるクラッド部と、光路変換部を備える。このうち、光路変換部は伝搬する光の光路を変換する部分であり、その精度により光伝搬の損失及び精度等が大きく左右される重要な部分である。この光路変換部の形成方法としては、ダイシングによりコア部の一部を切り欠くことにより光路変換部を形成する方法（特許文献１参照）、コア部の光学的出射口の光軸上にミラーを載置する方法（特許文献２）、光路変換部を所望の位置に載置した後、スピンコート法を用いてコア部内に埋め込む方法（下記特許文献３及び４参照）等が知られている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−３００９６１号公報
【特許文献２】特開２００２−０８２２４４号公報
【特許文献３】特開２００３−５０３２９号公報（第７頁、第７図など）
【特許文献４】特開２００２−１０７５６１号公報（第４頁、第３図など）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１の方法は、光路変換部材等の他部材を使用しないために簡便である。しかし、所望の光路変換部の一ヶ所だけをコア部にダイシング形成するようなことは困難である。即ち、通常、コア部を備える基板を一直線に横切るようにダイシングせざるを得ず、光路変換部の形成位置の自由度が大きく制限される。このため、上記のような従来の電気回路に変わる高密度化・高集積化を達することが困難である。
また、上記特許文献２の方法では、ミラーを所望の位置に配置することができ、光路変換部の形成位置の自由度が高いという面において優れている。しかし、光学的出射口とミラーとの間に隙間があるために漏光がある。特に光路変換部数が増えると損失は無視できないものとなる場合もある。
更に、上記特許文献３及び４の方法では、スピンコート法を用いるために光路変換部上にコア部等が盛り上がって形成される。このため、研磨工程を備える必要がある。しかし、有機系材料を研磨することは難しく、また、研磨前には硬化させる必要があり、逐次硬化工程を要する等の工程の自由が制限されることとなる。更に、光路変換部近傍のコア部形状の制御が難しいという問題がある。即ち、例えば、特許文献３では、スピンコート法により形成された下部クラッド部が光路変換部をほぼ覆ってしまい、この下部クラッド部上にコア部を形成しても意図する方向へ光路変換することが困難となるなどの問題を生じる場合がある。
【０００６】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、光路変換部の形成位置等の設計自由度が高く、漏光を防止でき且つ正確な光路変換ができ、更にはスピンコート法を用いることによる不具合を生じず、簡便に正確且つ自由度が高い設計を行うことができる光導波路構造体及びその製造方法並びに光導波路デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、従来の製造方法である、基部上に形成された又は基部上に配置された光路変換部を備える積層体表面に未硬化下部クラッド部をスピンコート形成する工程を含む方法で形成された導波路構造体では、漏光が認められることを知見した。そして、この漏光を防止する方法について検討を行った。その結果、未硬化下部クラッド部を粘度の低い液状材料を用いて塗布形成する場合に、光路変換部が既に基部上に形成されているために、光路変換部の表面にこれらの液状材料が付着又は堆積され、その後のコア部形成の際にその形状及び位置等を所望のものとすることが阻害される場合があることを知見した。本発明は、これらの知見に基づきなされたものである。
【０００８】
即ち、本発明は以下の通りである。
（１）下部クラッド部と、該下部クラッド部上に配置されており且つ光を伝搬するコア部と、該コア部上に配置された上部クラッド部と、一部が該下部クラッド内に配置されており且つ該コア部を伝搬する光の光路を変換する光路変換部と、を備える光導波路構造体の製造方法において、
上記下部クラッド部となる未硬化下部クラッド部を形成する未硬化下部クラッド部形成工程と、
上記光路変換部となる光路変換部品の一部を該未硬化下部クラッド部内に埋入する光路変換部品埋入工程と、を備えることを特徴とする光導波路構造体の製造方法。
（２）上記光導波路構造体は、更に、上記下部クラッド部下に基部を備え、
上記未硬化下部クラッド部形成工程において、上記未硬化下部クラッド部は上記基部上に形成する上記（１）に記載の光導波路構造体の製造方法。
（３）上記未硬化下部クラッド部は、下部クラッド部形成用未硬化フィルムを上記基部に圧着して形成する上記（２）に記載の光導波路構造体の製造方法。
（４）更に、上記光路変換部品埋入工程の後に上記未硬化下部クラッド部を半硬化させて半硬化下部クラッド部を形成する未硬化下部クラッド部半硬化工程と、
上記半硬化下部クラッド部上に上記コア部を形成するコア部形成工程と、
該コア部形成工程の後に上記上部クラッド部となる未硬化上部クラッド部を該コア部上に形成する未硬化上部クラッド部形成工程と、
該未硬化上部クラッド部形成工程の後に該半硬化下部クラッド部、該コア部及び該未硬化上部クラッド部を備える積層体を一括硬化する一括硬化工程と、を備える上記（１）乃至（３）のうちのいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。
（５）上記半硬化下部クラッド部上に、上記コア部となるコア部形成用未硬化フィルムを配設するコア部形成用未硬化フィルム配設工程を備える上記（４）に記載の光導波路構造体の製造方法。
（６）更に、上記光路変換部品埋入工程の後に該未硬化下部クラッド部を硬化させて下部クラッドを得る未硬化下部クラッド部硬化工程と、
未硬化下部クラッド部硬化工程の後に上記コア部を形成するコア部形成工程と、
該コア部形成工程の後に上記上部クラッド部を形成する上部クラッド部形成工程と、を備える上記（１）乃至（３）のうちのいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。
（７）上記コア部形成工程において上記下部クラッド部上に、上記コア部となるコア部形成用未硬化フィルムを配設するコア部形成用未硬化フィルム配設工程を備える（６）に記載の光導波路構造体の製造方法。
（８）上記（１）乃至（７）のうちのいずれかに記載の製造方法により得られたことを特徴とする光導波路構造体。
（９）上記（８）に記載の光導波路構造体と、該光導波路構造体の外表面又は内部に光学素子を備えることを特徴とする光導波路デバイス。
（１０）剥離可能な剥離シートと、該剥離シート上に配置された下部クラッド部と、該下部クラッド部上に配置されており且つ光を伝搬するコア部と、該コア部上に配置された上部クラッド部と、一部が該下部クラッド部内に配置されており且つ該コア部を伝搬する光の光路を変換する光路変換部と、を備えることを特徴とする光導波路構造体。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の光導波路構造体の製造方法によれば、光路変換部品上に下部クラッド部が付着することによるコア部形成阻害を生じず、簡便に自由度が高い設計を正確に行うことができる。従って、効率よく製造でき汎用性及び量産性に優れる。得られる光導波路構造体においては漏光が防止され、正確且つ高効率の光路変換を行うことができる。
基部を備える光導波路構造体を、未硬化下部クラッド部を基部上に形成して得る場合は、基部を備える上記効果を有する光導波路構造体を簡便に得ることができる。
基部除去工程を備える場合は、基部を有さない上記効果を有する光導波路構造体を簡便に得ることができ、得られる光導波路構造体は光導波路デバイスの製造部品等として利用できる。
下部クラッド部形成用未硬化フィルムを基部に圧着形成する場合は、作業効率に優れ、より簡便に自由度が高い設計を正確に行うことができる。従って、汎用性及び量産性にも優れる。
未硬化下部クラッド部半硬化工程とコア部形成工程と未硬化上部クラッド部形成工程と一括硬化工程とを備える場合は、工程数少なく作業効率よく簡便に上記効果を有する光導波路構造体を得ることができる。従って、汎用性及び量産性にも優れる。
未硬化下部クラッド部半硬化工程、コア部形成工程、未硬化上部クラッド部形成工程及び一括硬化工程に加えてコア部形成用未硬化フィルム配設工程を備える場合は、作業効率に優れ、より簡便に自由度が高い設計を正確に行うことができる。従って、汎用性及び量産性にも優れる。
未硬化下部クラッド部硬化工程とコア部形成工程と上部クラッド部形成工程とを備える場合は、コア部パターンをより正確且つ簡便に形成できる。
未硬化下部クラッド部硬化工程、コア部形成工程及び上部クラッド部形成工程に加えてコア部形成用未硬化フィルム配設工程を備える場合は、作業効率に優れ、より簡便に自由度が高い設計を正確に行うことができる。従って、汎用性及び量産性にも優れる。
本第１観点に係る光導波路構造体によれば、漏光が防止され、正確且つ高効率の光路変換を行うことができる。
本発明の光導波路デバイスによれば、漏光が防止され、正確且つ高効率の光路変換を行うことができる。
本第２観点に係る光導波路構造体によれば、剥離シートを容易に剥離することができ、製造用部品等として用いることで簡便に汎用性及び量産性に優れた光導波路デバイスを得ることができる。更には、本発明の製造方法を用いることで漏光が防止され、正確且つ高効率の光路変換を行うことができる構造体となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明を詳しく説明する。
［１］光導波路構造体
本第１観点に係る光導波路構造体は、本発明の製造方法により得られたことを特徴とする。即ち、本第１観点に係る光導波路構造体は、下部クラッド部と、該下部クラッド部上に配置されており且つ光を伝搬するコア部と、該コア部上に配置された上部クラッド部と、一部が該下部クラッド内に配置されており且つ該コア部を伝搬する光の光路を変換する光路変換部と、を備える。
【００１１】
上記「下部クラッド部」及び上記「上部クラッド部」は、各々クラッド部を構成する部分である。クラッド部はコア部を取り囲む部分であり、コア部との界面においてコア部内を伝搬する光を反射できる部分である。例えば、クラッド部は、コア部に比べて屈折率を小さく（通常、０．２％以上）することで、この作用を得ることができる。下部クラッド部と上部クラッド部とは同じ屈折率でもよく、異なるものでもよい。
【００１２】
また、下部クラッド部は、コア部又は未硬化コア部が形成される前に既に形成されているクラッド部、又は、コア部又は未硬化コア部が形成される前に既に形成されている未硬化クラッド部を硬化して得られたクラッド部である。一方、上部クラッド部は、コア部又は未硬化コア部が形成されるのと同時に形成されたクラッド部、コア部又は未硬化コア部が形成されるのと同時に形成された未硬化クラッド部を硬化して得られたクラッド部、コア部又は未硬化コア部が形成された後に形成されたクラッド部、又は、コア部又は未硬化コア部が形成された後に形成された未硬化クラッド部を硬化して得られたクラッド部である。
従って、例えば、後述するコア部の下端面（下部クラッド部に面する側の一面）より下方に配置された部分を下部クラッド部とし、コア部の上記下端面より上方に配置された部分を上部クラッド部とすることができる。
【００１３】
また、これらの下部クラッド部及び上部クラッド部の各々は、所定の部分ごとに段階的に形成されたものであってもよい。
即ち、例えば、上部クラッド部は、各コアパターン間を埋める中間クラッド部と、コア部の上端面より上方に配置された最上部クラッド部と、に分割形成されてもよい。
【００１４】
クラッド部を構成する材料は特に限定されない。また、下部クラッド部及び上部クラッドとは同じ材料からなるものであってもよく、異なる材料からなるものであってもよい。更に、例えば、上部クラッド部が上記のように中間クラッドと最上部クラッド部とから構成される際には、これらは同じ材料からなるものであってもよく、異なる材料からなるものであってもよい。更に、後述するコア部とクラッド部とは、同じ材料からなってもよく、異なる材料からなってもよい。
【００１５】
これらのクラッド部を構成する材料は特に限定されないが、通常、有機系材料である。有機系材料としては、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイミド系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、フェノキシ系樹脂及びポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、これらの各樹脂の備える水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された各ハロゲン化樹脂（Ｆ、Ｃｌ及びＢｒの少なくとも１種による置換が好ましく、Ｆによる置換が特に好ましい）、これらの樹脂の備える少なくとも一部の水素原子が重水素原子に置換された各重水素化樹脂等を用いることができる。これらのなかでも、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ハロゲン化アクリル系樹脂、ハロゲン化エポキシ系樹脂、重水素化アクリル系樹脂、及び、重水素化エポキシ系樹脂が好ましい。更にこれらのなかでも、フッ素化アクリル系樹脂、フッ素化エポキシ系樹脂、重水素化アクリル系樹脂、及び、重水素化エポキシ系樹脂がより好ましい。これらの樹脂は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
また、下部クラッド部及び上部クラッド部の形状（断面形状等）などは特に限定されない。
【００１６】
上記「コア部」は、光が伝搬する部分である。コア部を構成する材料は特に限定されず、無機系材料を用いてもよいが、加工が容易であり、可とう性に優れることから有機系材料を用いることが好ましい。有機系材料としては、通常、光を用いて硬化された硬化樹脂から形成される。この硬化樹脂としては、前記クラッド部を構成する有機系樹脂として挙げた各種樹脂を用いることができる。これらのなかでも、エポキシ系樹脂及びアクリル系樹脂が好ましい。コア部がエポキシ系樹脂からなる場合は、耐熱性、絶縁性、耐薬品性及び耐水性に特に優れた光導波路デバイスとなる。また、コア部がアクリル系樹脂からなる場合は、感光性、透明性に特に優れる。これらの樹脂は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００１７】
コア部の平面形状は特に限定されず、直線状であってもよいし、曲線状であってもよい。更には、枝分かれを有していてもよい。また、断面形状（光の伝搬方向に対する断面）も特に限定されず、四角形（正方形及び矩形など）及び円形等とすることができる。また、四角形以外の他の多角形とすることもでき、楕円形等のように完全な円形ではない断面形状であってもよい。
【００１８】
コア部の屈折率は、コア部を構成する樹脂の種類及びその種類の数に関わらず、コア部の全体が略均一な屈折率であってもよいし、異なる部分を有していてもよい。尚、コア部が屈折率の異なる部分を有するとは、例えば、コア部の中心部の屈折率が最大となっており、クラッド部に近づくに従い屈折率が小さくなっている場合等である。また、屈折率は、異種の樹脂間で異なることもあれば同じであることもあり、更には同じ単量体に由来する樹脂であってもその重合度により変化する。このため、均一な屈折率の部分及び屈折率の異なる部分は、各々同種の樹脂から得てもよく、異種の樹脂から得てもよい。
【００１９】
コア部の光に対する透過特性は特に限定されず、例えば、赤外線（近赤外線を含む）、可視光線及び紫外線等、どのような光が透過できるものであってもよい。なかでも、特に近赤外線（０．７〜２５μｍ）が透過できるものであることが好ましく、更には近赤外線（０．７〜２μｍ）の透過に適したものであることがより好ましい。
【００２０】
上記「光路変換部」は、一部が下部クラッド内に配置されており且つコア部を伝搬する光の光路を変換する部分である。この光路変換部は光路変換部品からなり、光路変換部品は光導波路構造体内に１つのみ配置されていてもよいし、２つ以上配置されていてもよい。また、上記「一部が下部クラッド内に配置されている」とは、図４及び５に示すように、後述する基部を有する場合には、光路変換部品の一部が下部クラッド内に配置され且つ基部表面に配置されていてもよいし（図４参照）、光路変換部品の一部が下部クラッド内に配置され且つ基部に接することなく基部上方に配置されていてもよい（図５参照）。これらのうちでは、光路変換部の位置精度を制御し易いため、基部表面に配置されていていることが好ましい。
【００２１】
この光路変換部となる光路変換部品の形状は、光路を変換することができる限り特に限定されない。この形状としては、例えば、傾斜された反射面を備える三角柱や四角柱等の多角柱などが挙げられる。１つの光路変換部が有する反射面の数は、１つであってもよいし、２つ以上であってもよい。反射面を２つ以上有する光路変換部品を用いる場合には、複数の反射面を活用することにより、より高密度化及び高集積化することができる。また、光路変換部品による光路変換の方向は限定されず、例えば、コア内における光路変換でもよく、コア外への光路変換でもよい。
【００２２】
また、光路変換部品は、上記反射面を備えていればどのような材料から形成されてもよい。即ち、例えば、少なくとも反射面が金属等の反射率の高い材料で形成されていることが好ましい。なかでも、金、銀、銅、ロジウム及びニッケル等が好ましい。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。また、上記金属のみからなるものであってもよく、反射面のみが上記金属からなるものであってもよい。反射面のみが上記金属からなる場合は他部は、上記金属を除く他の無機系材料からなってもよく、有機系材料からなってもよい。
光路変換部品を形成方法は限定されない。即ち、例えば、光路変換部品が金属からなる場合には、除去可能な基板等の表面にキャピラリ等から金属塊状物を供給し、型押し治具等を用いて押圧して所定形状に成形し、次いで基板を剥離することで光路変換部品を得ることができる。
【００２３】
また、本第１観点に係る光導波路構造体では、この光路変換部の最上部が、上記コア部の上面と同一平面となるように、又はコア部の上面から突出するように形成されていることが好ましい。この場合、例えば、コア部内を伝搬する光が光路変換部の反射面に対して裏側に回り込むことによる漏光及び散乱損失の発生が十分に抑制された光導波路構造体となる。
【００２４】
本第１観点に係る導波路構造体は、下部クラッド部、コア部、上部クラッド部及び光路変換部以外にも他部を備えることができる。他部としては、基部が挙げられる。
この基部は、下部クラッド部下に備えられた部分であり、一体的に形成されており使用時においても基部を備えて使用されるものでもよく、基部を除く他の部分から除去可能に形成されていてもよい。この除去可能とは、基部が剥離シートであるために剥離することで除去できる場合、基部がエッチング可能な材料であるためにエッチングにより除去できる場合等が挙げられる。
【００２５】
この基部を構成する材料は特に限定されず、有機系材料、無機系材料及びこれら両方を用いた複合材料等が挙げられる。
有機系材料は特に限定されず、例えば、エポキシ系樹脂、ＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂、キシレン系樹脂、熱硬化性ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）系樹脂、ＬＣＰ（液晶ポリマー）、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）及びポリノルボルネン等を挙げることができる。これらの有機系材料は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。また、基部に、例えば、強度を向上させる等の目的で各種ゴム等を併用することもできる。
更に、有機系材料を用いる場合には、基部の内部に芯材としてガラスクロス、ガラス不織布、樹脂（ポリアミド等）クロス、樹脂（ポリアミド等）不織布、樹脂（ポリアミド等）フィルム、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等で形成された３次元網目構造を有するフッ素樹脂系芯材及び金属箔等を用いてもよい。
【００２６】
無機系材料も特に限定されず、例えば、アルミナ、石英、チタニア、ジルコニア、ガーナイト、チタン酸塩（チタン酸マグネシウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等）、ムライト、コーディエライト、フォルステライト、ワラストナイト、アノーサイト、エンスタタイト、ジオプサイト、アーケルマナイト、ゲーレナイト及びスピネル等のセラミックス系材料が挙げられる。更に、結晶性又は非結晶性のガラス系材料が挙げられる。ガラス系材料を構成する成分としては、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂ、Ｐｂ及びＺｎ等が挙げられる。具体的には、アルミノケイ酸系ガラス及びアルミノホウケイ酸系ガラス等が挙げられる。これらのセラミック系材料及びガラス系材料は単独で用いてもよく、併用してもよい。併用する場合には、セラミックス系材料をフィラー等としてガラス系材料中に含有させることができる。これらの無機系材料は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２７】
特に剥離可能な剥離シートを用いる場合、この剥離シートは有機系材料かることが好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・ビニルアルコール共重合体等の樹脂フィルムや樹脂シートなどが挙げられる。
【００２８】
更に、本第１観点に係る光導波路構造体は、導体部を備えることができる。導体部は、電気導電性を有する部分であり、通常、パターニングされている。この導体部を有することで、光信号と電気信号との両方を扱うことができる。また、後述するように光導波路デバイスにおいては更に光学素子を備えることで、光信号と電気信号との変換を行うことができる。また、本光導波路構造体内に導体部を備えることにより、光学素子と電子部品との接続距離等を短く抑えることができ、応答性を向上させることができる。更に、本光導波路構造体を用いた光導波路デバイス自体の小型化にも寄与することとなる。
【００２９】
この導体部の種類は特に限定されず、例えば、通常配線、スルーホール導体、ビア導体、抵抗として機能する配線パターン、インダクタとして機能する配線パターン、キャパシタとして機能する配線パターン及びランド等が挙げられる。これらの導体部の配設場所は特に限定されないが、クラッド内、クラッド部表面及び基部内等に配設することができる。更に、導体部を構成する材料も特に限定されず、例えば、金、銀、銅、白金、ニッケル、クロム、チタン、アルミニウム、タングステン及びモリブデン等を用いることができる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
導体部の形成方法は特に限定されないが、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、蒸着法（ＣＶＤ法及びＰＶＤ法等を含む）、気相成長法及びめっき法等と、フォトリソグラフィ法等のパターニング法とを併用して得ることができる。
【００３０】
一方、本第２観点に係る光導波路構造体は、剥離可能な剥離シートと、該剥離シート上に配置された下部クラッド部と、該下部クラッド部上に配置されており且つ光を伝搬するコア部と、該コア部上に配置された上部クラッド部と、一部が該下部クラッド部内に配置されており且つ該コア部を伝搬する光の光路を変換する光路変換部と、を備えることを特徴とする。
即ち、前記本第１観点に係る導波路構造体のうち、前記剥離シートを基部として備えるものと同じ構成を有するものである。但し、本第２観点に係る導波路構造体は、本発明の製造方法により得られたものであるか否かは限定されないものである。
【００３１】
［２］光導波路デバイス
本発明の光導波路デバイスは、本第１観点に係る光導波路構造体と、該光導波路構造体の外表面又は内部に光学素子を備えることを特徴とする。
上記「光学素子」は、光信号を発信及び／又は受信できる素子であり、通常、電気的に作動されるものである。この光学素子は、発光素子であってもよく、受光素子であってもよく、これらの複合素子であってもよい。また、これらの発光素子は、１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
発光素子は、光信号を発信できる素子である。この光学素子としては、例えば、面発光レーザー（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ；ＶＣＳＥＬ）、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ；ＬＥＤ）、及び、半導体レーザダイオード（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ  ；ＬＤ）等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
また、受光素子は、光信号を受信できる素子である。この受光素子としては、例えば、ｐｉｎフォトダイオード（ｐｉｎ  Ｐｈｏｔｏ  Ｄｉｏｄｅ；ｐｉｎ  ＰＤ）及びアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
更に、複合素子とは、これらが一体化された素子である。
【００３２】
本発明の光導波路デバイスには、上記光学素子以外にも他の部品等を備えることができる。他の部品等としては、電子部品が挙げられる。電子部品は少なくとも電気的に稼働される部品である。この電子部品としては、各種能動部品（集積回路素子及びトランジスタ等）、受動部品（コンデンサ、キャパシタ及びインダクタ等）、変換部品（フィルタ及びトランス等）及び接続部品等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
これらの光学素子及び電子部品の搭載方法等は特に限定されず、ワイヤボンディング及び／又はフリップチップボンディング等によるものとすることができる。
【００３３】
［３］光導波路構造体の製造方法
本発明の光導波路構造体の製造方法は、上記下部クラッド部となる未硬化下部クラッド部を形成する未硬化下部クラッド部形成工程と、上記光路変換部となる光路変換部品の一部を該未硬化下部クラッド部内に埋入する光路変換部品埋入工程と、を備えることを特徴とする。
【００３４】
（１）未硬化下部クラッド部の形成
上記「未硬化下部クラッド部形成工程」は、下部クラッド部となる未硬化下部クラッド部を形成する工程である。
上記「未硬化下部クラッド部」は、硬化されて下部クラッド部となる部分である。この未硬化とは、重合が完了したものではないことを表す。即ち、未硬化の状態とは、固体状であってもよく、液体状であってもよい。また、粘性の有無等も特に限定されない。但し、後述する光路変換部品を埋入させることができる程度に軟らかいものである。この未硬化の状態とは、例えば、アセトンのような有機溶媒に溶解する状態である。また、未硬化下部クラッド部の形状等は特に限定されないが、通常、層状に形成される。更に、その厚さも特に限定されないが、通常、３００μｍ以下である。
【００３５】
この未硬化層を構成する材料は特に限定されないが、通常、硬化性組成物である。硬化性組成物は、硬化されて前述のクラッド部を構成する硬化性化合物と、光重合開始剤及び／又は熱硬化開始剤とを含有する。
【００３６】
このうち硬化性化合物としては、例えば、エポキシ系化合物、アクリル系化合物、フッ素系化合物、イミド系化合物、ビスマレイミド系化合物、フェニレン系化合物、フェニレンエーテル系化合物、フェノール系化合物、シリコーン系化合物、ウレタン系化合物、エステル系化合物、フェノキシ系化合物及びオレフィン系化合物等が挙げられる。これらの化合物は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのなかでも、アクリル系化合物、エポキシ系化合物を含むことが好ましい。この硬化性組成物がエポキシ系化合物を含む場合には、耐熱性、絶縁性、耐薬品性及び耐水性により優れ、アクリル系化合物を含む場合には、感光性、透明性により優れる。
【００３７】
上記エポキシ系化合物は、エポキシ基を有することにより重合できる化合物をいう。このエポキシ化合物は特に限定されず、例えば、オリゴマーでもよく、モノマーでもよく、これらの混合物であってもよい。また、モノマー（オリゴマーにおいてはオリゴマー化前のモノマーも）及びオリゴマーは、二官能性でも、多官能性でもよく、これらの混合物であってもよい。更に、これらのモノマー及びオリゴマーとして、一部又は全部の水素原子が重水素原子に置換された重水素化物を用いることができる。また、一部又は全部の水素原子がハロゲン原子に置換されたハロゲン化物を用いることができる。更に、分子内にシリコーン鎖を有してもよく、有さなくてもよい。
具体的にいうと、二官能性エポキシ化合物としては、グリシジルエーテル型、グリシジルアミン型、グリシジルエステル型及び脂環型（シクロヘキセンオキシド構造を持つエポキシ化合物等）等が挙げられる。このうちグリシジルエーテル型としては、各種ビスフェノール型、ビフェニル型、ナフタレン型及びフルオレン型等が挙げられる。これらのうちビスフェノール型としては、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、水添ビスフェノール型及びビスフェノールＡＦ型、ビスフェノールＳ型、等が挙げられる。また、グリシジルアミン型としては、ヒダントイン型、アニリン型及びトルイジン型等が挙げられる。
一方、多官能性エポキシ化合物としては、グリシジルエーテル型及びグリシジルアミン型等が挙げられる。このうちグリシジルエーテル型としては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、ジフェニルプロパン型、トリスヒドロキシフェニルメタン型及びテトラフェニロールエタン型等が挙げられる。また、グリシジルアミン型としては、アミノフェノール型、テトラグリシジルジアミニジフェニルメタン型、トリグリシジルイソシアヌレート型及び１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン型等が挙げられる。
これらのグリシジルエーテル型の各エポキシ化合物には、１価脂肪族アルコール、多価脂肪族アルコール、１価芳香族アルコール及び多価芳香族アルコール、１価フェノール及び多価フェノールから誘導されたグリシジルエーテル型エポキシ化合物が含まれる。各芳香族アルコールを構成する芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環及びアントラセン環等が挙げられる。
これらの各エポキシ化合物の一部又は全部の水素原子が重水素原子及び／又はハロゲン原子に置換された化合物が挙げられる。
【００３８】
上記アクリル系化合物としては、例えば、１価から多価（メタ）アクリレートモノマー及びオリゴマー、アルコールをアクリル酸もしくはメタクリル酸等の不飽和結合を持つカルボン酸でエステル化した化合物及びこれらの誘導体等が挙げられる。更には、エポキシ性オリゴマーの有する一部又は全部のエポキシ基に、これらのアクリル系化合物を付加した化合物（例えば、エポキシアクリレート等）が挙げられる。
【００３９】
また、光重合開始剤としては、例えば、光酸発生剤、光ラジカル発生剤等が挙げられる。これらの光重合開始剤は、硬化性化合物の種類等に応じて、適宜選択される。
光酸発生剤は、光の照射及び／又は後述する光増感剤への光の照射に伴って酸を発生させることができる化合物をいう。この光酸発生剤としては、イオン性酸発生剤及び非イオン性酸発生剤が挙げられる。イオン性酸発生剤としては、ルイス酸発生剤（アリールジアゾニウム塩等の各種ジアゾニウム塩）、ブレンステッド酸発生剤｛各種オニウム塩（ジアリールヨードニウム塩等のヨードニウム塩、ジアリールスルホニウム塩等のスルホニウム塩、ジアリールセレノニウム塩等のセレノニウム塩、ジアルキルフェナシルスルホニウム塩等のスルホニウム塩など）｝等が挙げられる。また、非イオン性酸発生剤としては、スルホン酸発生剤（スルホン酸エステルなど）、カルボン酸発生剤（カルボン酸エステルなど）、アミド誘導体等が挙げられる。これらの酸発生剤は、１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。尚、上記硬化性化合物がエポキシ系化合物を含む場合には、光重合開始剤として少なくとも光酸発生剤を用いることが好ましい。
【００４０】
上記光ラジカル発生剤は、光の照射によりラジカルを発生できる化合物及び／又は後述する光増感剤への光の照射に起因してラジカルを発生できる化合物をいう。この光ラジカル発生剤は特に限定されないが、例えば、有機ホウ素系錯体、カルボニル化合物、有機過酸化物、アゾ化合物、ｓ−トリアジン系化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物及びチタノセン化合物等が挙げられる。これらのなかでも、特に、有機ホウ素系錯体、カルボニル化合物及び有機過酸化物が好ましい。このラジカル発生剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。尚、上記硬化性化合物がアクリル系化合物を含む場合には、光重合開始剤として少なくとも光ラジカル発生剤を用いることが好ましい。
【００４１】
上記硬化性化合物と、上記光重合開始剤との質量比（硬化性化合物／光重合開始剤）は特に限定されないが、１００／０．０５〜１００／１０であることが好ましく、より好ましくは１００／０．１〜１００／５、更に好ましくは１００／０．２〜１００／４である。この質量比が１００／０．０５〜１００／１０である場合には、重合反応が十分に進行することにより耐熱性、絶縁性、耐薬品性及び耐水性により優れた下部クラッド部が得られる。
【００４２】
更に、熱硬化開始剤としては、例えば、熱酸発生剤、熱ラジカル発生剤等が挙げられる。これらの熱硬化開始剤は、硬化性化合物の種類等に応じて、適宜選択される。この熱硬化開始剤は、特に光重合開始剤と併用することで、硬化を完全なものにすることができる。
上記熱酸発生剤としては、芳香族スルホニウム塩系化合物（対アニオンとしては、例えば、ＳｂＦ６−及びＰＦ６−等）、チオフェン系化合物塩（対アニオンとしては、例えば、ＳｂＦ６−及びＰＦ６−等）、ピリジン系化合物、可溶性有機酸（例えば、トリフルオロ酢酸及びパラトルエンスルホン酸等）、及び、ルイス酸（例えば、三フッ化ホウ素モノエチルアミン、三フッ化ホウ素ベンジルアミン、四フッ化ホウ素酸塩等）などが挙げられる。具体的には、三新化学株式会社製のＳＩ−１００Ｌ、ＳＩ−８０Ｌ、ＳＩ−６０Ｌ、ＳＩ−１１０Ｌ及びＳＩ−１８０Ｌ等、旭電化株式会社製のアデカオプトンＣＰ−６６及びＣＰ−７７、日本曹達株式会社製のＣＩ−２６３９及びＣＩ−２６２４、住友精化株式会社製のＢＳＰ（２−トリブロモメチルスルホニルピリジン）、ＢＭＰＳ（α，α，α−トリブロモメチルフェニルスルホン）等が挙げられる。尚、上記硬化性化合物がエポキシ系化合物を含む場合には、熱硬化開始剤として少なくとも熱酸発生剤を用いることが好ましい。
また、上記熱ラジカル発生剤としては、各種有機過酸化物（過酸化ベンゾイル等）等が挙げられる。尚、上記硬化性化合物がアクリル系化合物を含む場合には、熱硬化開始剤として少なくとも熱ラジカル発生剤を用いることが好ましい。
【００４３】
上記硬化性化合物と、上記熱硬化開始剤との質量比（硬化性化合物／熱硬化開始剤）は特に限定されないが、１００／０．０５〜１００／１０であることが好ましく、より好ましくは１００／０．１〜１００／５、更に好ましくは１００／０．２〜１００／４である。この質量比が１００／０．０５〜１００／１０である場合には、加熱による重合反応が十分に進行することにより、より硬化状態が均一なコア部となる。
【００４４】
また、上記硬化性組成物には、硬化させる際に照射する光の種類に応じて、光増感剤を含有させることができる。光増感剤は、照射する光に対して増感作用を有し、光重合開始剤を補助できるものである。この光増感剤は、光重合開始剤等のみでは照射される光に対する十分な感光性が得られ難い場合に効果的である。
【００４５】
また、この未硬化下部クラッド部の形成方法は特に限定されない。例えば、予め形成されたフィルム状の未硬化下部クラッド部を用いて形成することができる（以下、「間接形成」ともいう）。即ち、剥離シート等の表面に形成された未硬化層を剥離シートから剥離し、この未硬化層を所定の部位（基部を備える場合には基部等の表面に）に配置して得ることができる。ここでいうフィルム状とは、実質的に流動性のないものである。「実質的に流動性が無い」とは、付与された成形状態を維持できるものを意味し、具体的には、このコア部形成用未硬化フィルムの温度２０℃での粘度が、１０Ｐａ・ｓ以上（より好ましくは５０Ｐａ・ｓ以上、更に好ましくは２００Ｐａ・ｓ以上）であるものが好ましい。この範囲であればフィルムとして用いる際の作業性に優れる。
【００４６】
また、ドクターブレード法、スピンコート法、スプレー法、カーテンコート法及びロールコート法等の各種印刷法を用いて前記硬化性組成物からなる層を形成して得ることができる（以下、単に「直接形成」ともいう）。
これら間接形成する方法と直接形成する方法とでは、間接形成する方法が好ましい。作業性及び歩留まりがよく、量産性に優れるからである。
【００４７】
上記のうちの間接形成する方法を用いる場合、未硬化下部クラッド部となる下部クラッド部形成用未硬化フィルムを用いる場合には、この下部クラッド部形成用未硬化フィルムを所望の位置に圧着して未硬化下部クラッド部を得ることができる。この圧着の際の圧着条件は適宜調整することができ、特に限定されないが、例えば、温度２０〜１３０℃において加圧して行うことが好ましい。この際の温度は４０〜１００℃であることがより好ましく、更に好ましくは５０〜８０℃である。上記加圧の際の圧力は、０．１〜２．４ＭＰａであることが好ましく、より好ましくは０．３〜１．０ＭＰａ、更に好ましくは０．４〜０．８ＭＰａである。また、加圧時間は、３〜１２０秒であることが好ましく、より好ましくは５〜８０秒、更に好ましくは１０〜４０秒である。また、圧着させる際には、フィルムを予め加熱しておいてもよい。
【００４８】
更に、この圧着は、ラミネート法を用いてもよく、プレス法を用いてよい。ラミネート法とは、フィルム上を一方側から他方側へロールを転がして圧着する方法である。このラミネート法を用いた場合には、空気を押し出しながら圧着できるため、泡の巻き込みを減らすことができる。一方、プレス法とは、貼り付けるフィルム全体（少なくとも貼り付けるフィルム全体であり、例えば、基部全体であってもよい）を、例えば、ゴム板や金属板などを用いて圧着する方法である。フィルム全体を同時に加圧できるため均一性に優れる。
【００４９】
また、未硬化下部クラッド部の形成場所は特に限定されない。例えば、基部上に未硬化下部クラッド部を形成することができる。即ち、基部を備える光導波路構造体（下部クラッド部下に基部を備える光導波路構造体）を得ようとする場合、未硬化下部クラッド部形成工程において、未硬化下部クラッド部は基部上に形成することができる。また、基部を備えない光導波路構造体を得ようとする場合においても、未硬化下部クラッド部形成工程において、未硬化下部クラッド部は基部上に形成し、その後、この基部を除去する基部除去工程を備えることで基部を備えない光導波路構造体を得ることができる。基部を除去する方法は特に限定されず、例えば、剥離及びエッチング等の方法を用いることができる。
また、基部を用いない場合であって、光導波路構造が積層されて配置された光導波路構造体を得る場合には、他の光導波路構造上に未硬化下部クラッド部を形成することができる。
【００５０】
この未硬化下部クラッド部形成工程の後に、後述する光路変換部品埋入工程を行う。但し、未硬化下部クラッド部形成工程と光路変換部品埋入工程との間には他の工程を備えてもよい。即ち、例えば、未硬化下部クラッド部がスピンコート法により形成されている場合、通常、形成後の未硬化下部クラッド部が液状のままである。このため硬化をある程度進行させて、光路変換部品が自重により未硬化下部クラッド部内に沈み込まないようにする工程を備えることができる。この工程を備えることにより、光路変換部品を一時的に未硬化下部クラッド部（又は半硬化下部クラッド部）上に載置でき、光路変換部品の位置合わせを行うことができる。更に、未硬化下部クラッド部が上記のようなものである場合には、光路変換部品を未硬化下部クラッド部上に位置合わせをして一時的に載置する光路変換部品載置工程を備えることができる。
【００５１】
（２）光路変換部品の埋入
上記「光路変換部品埋入工程」は、前記未硬化下部クラッド部形成工程の後に行う工程であり、光路変換部となる光路変換部品の一部を未硬化下部クラッド部内に埋入する工程である。
上記「埋入」は、光路変換部品の一部のみを下部クラッド部内に埋入することである、また、埋入により光路変換部品は未硬化下部クラッド部の積層された下層（例えば、基部又は他の層）表面まで埋入されてもよく、未硬化下部クラッド部内に浮いた状態に埋入されてもよい。
【００５２】
また、埋入する方法は特に限定されない。即ち、例えば、加圧してもよく、加熱してもよい。更に、加圧と加熱との両方を行ってもよい。また、未硬化下部クラッド部の状態によってはこれらの操作を行うことなく、光路変化部品の自重のみにより自然に未硬化下部クラッド部に沈み込ませてもよい。例えば、未硬化下部クラッド部をスピンコート法により形成した場合には光路変換部品は自重のみにより未硬化下部クラッド部内に沈み込ませることができる。
【００５３】
上記加圧とは、通常、光路変換部品に対して圧力を課すことであり、その圧力は特に限定されないが、例えば、２．４ＭＰａ以下（特に１．０ＭＰａ以下、更には０．０１〜０．５ＭＰａ）の圧力で押圧して行うことができる。
また、上記加熱とは、通常、少なくとも未硬化下部クラッドが加熱されるように加熱することであり、例えば、雰囲気温度を上昇させることで間接的に未硬化下部クラッド部の温度を上昇させてもよい。加熱することにより未硬化下部クラッド部の粘度が低下するためである。この加熱する際の温度は特に限定されないが、例えば、未硬化下部クラッド部の温度を３０〜１２０℃（更には４０〜８０℃、特に４０〜６０℃）にすることができる。この加熱の際には、加熱のみにより光路変換部品を沈み込ませてもよいが、上記加圧条件により同時に加圧を行ってもよい。
【００５４】
本発明では、光路変化部を未硬化下部クラッド部が形成された後に形成するという特徴を有する。より正確に光路変換でき、漏光及び散乱損失が防止された光導波路構造体を得ることができる。
即ち、光路変換部上に未硬化下部クラッド部が不必要に付着又は堆積される従来の方法で生じる不具合を防止できる。従って、光路変換部表面への未硬化下部クラッド部材料の不必要な付着又は堆積による反射面角度のずれ、この反射角度のずれに伴う漏光、及び、光信号の散乱損失等を極めて効果的に防止できる。また、この不必要な付着又は堆積を有したまま、その後にコア部形成を行うと、光路変換部の最上部よりも更に上側にまでコア部が形成され易く、コア部が光路変化部にまたがるような形態となる場合がある。このため、コア部内を伝搬する光は、光路変換部の後方にも伝搬して漏光を生じることとなる。しかし、本発明のように、光路変化部を後形成すると、上記の不必要な付着又は堆積を防止できるために、光路変換部品の最上部がコア部の上面と同一平面となるように、又は、光路変換部の最上部がコア部の上面から突出するように形成し易く、漏光及び散乱損失の発生を防止された光導波路構造体を得ることができる。更に、コア部内に光路変換部を形成できるため、従来の形態のようなコア部の出射口と光路変換部との間に隙間を生じない。このため散乱損失を極めて効果的に防止できる。
【００５５】
この光路変換部品埋入工程の後の工程は特に限定されず、上記未硬化下部クラッド部は、光路変換部品埋入工程の後に硬化させて下部クラッド部として次工程へ進んでもよく、半硬化させて半硬化下部クラッド部として次工程へ進んでもよい。
【００５６】
（３）コア部及び上部クラッド部の形成
本発明の製造方法では、未硬化下部クラッド部形成工程及び光路変換部品埋入工程以外に、コア部を形成するための工程及び上部クラッド部を形成するための工程を備える。コア部及び上部クラッド部を形成するための工程は特に限定されない。
即ち、例えば、予め形成されたコア部と上部クラッド部とを備えるフィルム体を貼り付けて形成することもできるが、通常、未硬化コア部と未硬化上部クラッド部を積層して形成される。この場合、未硬化コア部を形成する際には、未硬化下部クラッド部は未硬化の状態のままであってもよく、未硬化の状態よりも硬化が進行された半硬化の状態であってもよく、硬化されて下部クラッド部となっていてもよい。同様に、未硬化上部クラッド部を形成する際には、未硬化コア部は未硬化の状態のままであってもよく、半硬化の状態であってもよく、硬化されてコア部となっていてもよい。
【００５７】
ここでいう未硬化の状態とは、重合が完了したものではないことを表し、固体状であってもよく、液体状であってもよい。また、粘性の有無等も特に限定されない。例えばアセトンのような有機溶媒に可溶な状態である。
また、半硬化の状態とは、重合が完了したものではないことを表すが、固体状であり液体状でない。例えば、アセトンのような有機溶媒を含んだ布で拭いた場合に、わずかに傷が付く程度の状態である。
更に、硬化された状態とは、所望の重合が完了した状態であることを表し、固体状であり液体状でない。例えば、アセトンのような有機溶媒に不溶で、このような有機溶媒を含んだ布で拭いた場合にも傷が付かない状態である。
【００５８】
更に、これら以外のコア部及び上部クラッド部を形成するための工程についても特に限定されないが、（ｉ）未硬化下部クラッド部を半硬化させて半硬化下部クラッド部とし、その後、半硬化下部クラッド部上にコア部を形成し、次いで、コア部上に未硬化上部クラッド部を形成し、全体を一括硬化する方法、又は、（ｉｉ）未硬化下部クラッド部を硬化させて下部クラッドとし、その後、下部クラッド部上にコア部を形成し、次いで、コア部上に上部クラッド部を形成する方法、が好ましい。
【００５９】
即ち、上記（ｉ）の方法は、未硬化下部クラッド部形成工程及び光路変換部品埋入工程に加えて、
更に、光路変換部品埋入工程の後に未硬化下部クラッド部を硬化させて下部クラッドを得る未硬化下部クラッド部硬化工程と、
未硬化下部クラッド部硬化工程の後にコア部を形成するコア部形成工程と、
コア部形成工程の後に上部クラッド部を形成する上部クラッド部形成工程と、を備える光導波路構造体の製造方法である。
この（ｉ）の方法では、更に、コア部形成工程において下部クラッド部上に、コア部となるコア部形成用未硬化フィルムを配設するコア部形成用未硬化フィルム配設工程を備えることができる。
【００６０】
この（ｉ）の方法における、上記「未硬化下部クラッド部硬化工程」とは、光路変換部品埋入工程の後に未硬化下部クラッド部を硬化させて下部クラッドを得る工程である。
また、上記「コア部形成工程」は、未硬化下部クラッド部硬化工程の後にコア部を形成する工程である。即ち、下部クラッド部上に形成する工程である。この工程では、コア部となる未硬化コア部をフィルム形成するコア部形成用未硬化フィルム配設工程を備えることができる。
更に、上記「上部クラッド部形成工程」は、コア部形成工程の後に上部クラッド部を形成する工程である。即ち、コア部上に形成する工程である。
【００６１】
上記（ｉ）の方法における上記「コア部形成工程」は、コア部を形成する工程である。この工程では、通常、未硬化コア部形成工程と、この未硬化コア部をパターニングし、硬化させてコア部とするパターン化工程とを備える。
このうち未硬化コア部形成工程において、未硬化コア部を構成する材料は特に限定されないが、前記未硬化下部クラッド部として用いることができる硬化性組成物をそのまま適用できる。但し、この未硬化コア部を構成する材料は、通常、光重合を利用してパターニングされるため、光重合に適した各種成分を含有する。即ち、少なくとも光重合開始剤が含有され、更には、光増感剤等を含有できる。
【００６２】
また、未硬化コア部を形成方法は特に限定されない。即ち、予め形成されたフィルム状の未硬化コア部を用いて形成することができる（以下、「間接形成」ともいう）。即ち、剥離シート等の表面に形成された未硬化層を剥離シートから剥離し、この未硬化層を所定の部位に配置して得ることができる。ここでいうフィルム状とは前記未硬化下部クラッド部における「フィルム状」をそのまま適用できる。
また、ドクターブレード法、スピンコート法、スプレー法、カーテンコート法及びロールコート法等の各種印刷法を用いて未硬化コア部となる硬化性組成物からなる層を形成して得ることができる（以下、単に「直接形成」ともいう）。
これらのなかでは、間接形成することが好ましい。作業性及び歩留まりがよく、量産性に優れるからである。
【００６３】
上記のうちの間接形成する方法を用いる場合、未硬化コア部となるコア部形成用未硬化フィルムを用いることができる。このフィルムを配設するコア部形成用未硬化フィルム配設工程でのコア部形成用未硬化フィルムの配設方法は特に限定されないが、通常、圧着して配設する。この圧着の際の圧着条件は適宜調整することができ、特に限定されないが、前記下部クラッド部形成用未硬化フィルムにおけると圧着条件をそのまま適用できる。また、同様にラミネート法を用いてもよく、プレス法を用いてよい。
【００６４】
このコア部形成用未硬化フィルム配設工程においては、前記光路変換部の最上部がコア部形成用未硬化フィルムの上面と同一平面となるように、又は光路変換部の最上部がコア部形成用未硬化フィルムの上面から突出するように配設することが好ましい。これにより漏光及び散乱損失の発生が十分に抑制された光導波路構造体が得られる。
【００６５】
また、下部クラッド部上に配設されたコア部形成用未硬化フィルム（即ち、未硬化コア部）は、通常、前記のようにパターニング工程によりパターニングされる。
パターニングの方法は特に限定されず、例えば、（１）未硬化層に所定の光を用いたフォトリソグラフィ法による方法、（２）未硬化層の表面側から、所定の光を発することが可能な発光素子等の発光手段を用いて所定の光を照射し、未硬化層の光が照射及び透過された部位を選択的に硬化させる方法（自己形成法）、（３）光レーザーを照射してパターニングする方法（レーザー描画法）、等により行うことができる。これらのなかでは、フォトリソグラフィ法を用いることが好ましい。フォトリソグラフィ法は、従来より感光性樹脂を使用したソルダーレジストのパターニング等のように使用されている方法であるため、市販の装置を流用でき、安価に生産できるからである。
【００６６】
このフォトリソグラフィ法とは、所定の光（例えば、紫外線、赤外線及び近赤外線等）を用いて所望のパターンを未硬化層に露光して硬化性組成物の所望部分を光硬化させ、その後、光が照射されずに未硬化のままである部分を除去する工程を含む方法をいう。パターニングについて、具体的に説明すると、所定のパターンが形成されたフォトマスクを介して光を未硬化コア部に照射し、フォトマスクのパターンを通して光が照射された箇所のみを硬化させる。その後、硬化していない部分を、現像剤を用いて除去して行うことができる。尚、露光の際には、マスクを未硬化層に密着させて露光を行う密着露光法を用いてもよく、マスクを未硬化層に密着させずに露光を行う投影露光法を用いてもよいが、未硬化コア部表面が、室温において表面に１ｃｍ幅のポリエチレンテレフタレートフィルムを貼り付け、このポリエチレンテレフタレートフィルムを９０度方向に５０ｍｍ／分で引き剥がした際の引き剥がし強度が０．３ｋＮ／ｍ以下である場合には密着露光法を用いることが好ましい。
【００６７】
尚、このコア部形成工程では、本発明の全ての工程を終了した後におけるコア部の硬化度を既に、このコア部形成工程直後に備えていてもよいが、備えていなくてもよい。通常、更に後工程において、他の層等の形成のために光照射及び／又は加熱が行われ、結果としてこの工程で形成されたコア部の硬化度は更に向上されることが多いからである。また、更に最終工程として後述する一括硬化工程を備えることができる。
【００６８】
上記「上部クラッド部形成工程」は、上記コア部及び上記下部クラッド部上に上部クラッド部が形成する工程である。
この上部クラッド部を製造する方法は特に限定されないが、通常、未硬化上部クラッド部を形成する未硬化上部クラッド部形成工程と、この未硬化上部クラッド部を硬化する未硬化上部クラッド部硬化工程とを備える。
このうち、未硬化上部クラッド部の形成は、前記未硬化下部クラッド部を形成する方法と同様に、未硬化上部クラッド部を間接形成してもよく、直接形成してもよい。これらうちでは間接形成する方法が好ましい。作業性及び歩留まりがよく、量産性に優れるからである。この間接形成する場合には圧着によって行うことが好ましく、その条件は前記未硬化下部クラッド部におけると圧着条件をそのまま適用できる。更に、ラミネート法を用いてもよく、プレス法を用いてよいことも同様である。また、未硬化上部クラッド部を構成する材料は特に限定されないが、前記未硬化下部クラッド部における材料をそのまま適用できる。
【００６９】
更に、未硬化上部クラッド部硬化工程は、前記未硬化下部クラッド部硬化工程と同様に行うことができる。
尚、この上部クラッド部形成工程では、本発明の全ての工程を終了した後における上部クラッド部の硬化度を既に、この上部クラッド部形成工程直後に備えていてもよいが、備えていなくてもよい。即ち、最終工程として後述する一括硬化工程を更に備えることができるからである。
【００７０】
一方、上記（ｉｉ）の方法は、未硬化下部クラッド部形成工程及び光路変換部品埋入工程に加えて、
更に、光路変換部品埋入工程の後に未硬化下部クラッド部を半硬化させて半硬化下部クラッド部を形成する未硬化下部クラッド部半硬化工程と、
半硬化下部クラッド部上にコア部を形成するコア部形成工程と、
コア部形成工程の後に上部クラッド部となる未硬化上部クラッド部をコア部上に形成する未硬化上部クラッド部形成工程と、
未硬化上部クラッド部形成工程の後に半硬化下部クラッド部、コア部及び未硬化上部クラッド部を備える積層体を一括硬化する一括硬化工程と、を備える光導波路構造体の製造方法である。
この（ｉｉ）の方法では、更に、未硬化コア部形成工程において未硬化下部クラッド上に、コア部となるコア部形成用未硬化フィルムを配設するコア部形成用未硬化フィルム配設工程を備えることができる。
【００７１】
この（ｉｉ）の方法における、上記「未硬化下部クラッド部半硬化工程」とは、光路変換部品埋入工程の後に未硬化下部クラッド部を半硬化させて半硬化下部クラッドを得る工程である。未硬化下部クラッド部上に対して後工程のコア部形成工程を行ってもよいが、半硬化工程を設けることで、後の工程でクラッドが変形することを防ぐことができ平坦性を保つことができるため好ましい。
【００７２】
上記「コア部形成工程」は、半硬化下部クラッド部上にコア部を形成する工程である。このコア部形成工程は、下部クラッド部上にコア部を形成するのに対して、半硬化下部クラッド部上に形成する点において異なる。この他のことについては、前記コア部形成工程をそのまま適用できる。
【００７３】
上記「未硬化上部クラッド部形成工程」は、コア部形成工程の後に上部クラッド部となる未硬化上部クラッド部をコア部上に形成する工程である。この工程は、前記（ｉ）の方法における上部クラッド部形成工程において、未硬化上部クラッド部を硬化する未硬化上部クラッド部硬化工程を行わないものである。この工程において形成する未硬化上部クラッド部については、前記（ｉ）の方法におけるものをそのまま適用できる。
【００７４】
上記「一括硬化工程」は、未硬化上部クラッド部形成工程の後に半硬化下部クラッド部、コア部及び未硬化上部クラッド部を備える積層体を一括硬化する工程である。
この一括硬化工程を備えることにより、硬化性組成物からなる各部（即ち、少なくとも半硬化下部クラッド部、コア部及び未硬化上部クラッド部）の重合反応が十分に進行し、硬化状態がより均一な積層体とすることができ、得られる光導波路構造体の信頼性を向上させることができる。更に、この一括硬化工程を備えることにより、本発明の光導波路構造体を用いて光導波路デバイスを製造する際の部品搭載工程等におけるハンダ付け等の熱履歴による光導波路構造への影響（散乱損失の増加等）を抑制することができる。
【００７５】
この一括硬化工程における、加熱条件は特に限定されないが、例えば、加熱温度は７０〜２４０℃（好ましくは１００〜２００℃、より好ましくは１２０〜１８０℃）とすることができる。また、加熱時間は１０〜１８０分（好ましくは２０〜１２０分、より好ましくは２０〜９０分）とすることができる。更に、加熱手段も特に限定されないが、例えば、恒温槽及び送風乾燥機等を用いることができる。
【実施例】
【００７６】
以下、実施例及び図により本発明を具体的に説明する。
［１］光導波路構造体
図１は、本発明の光導波路構造体の一例の断面を模式的に示す図である。また、図２は、図１におけるＡ−Ａ断面を模式的に示す図である。この光導波路構造体１００は、基部（多層セラミック配線基板）３、下部クラッド部２１、コア部１、上部クラッド部２２、光路変換部４１及び４２を備える。
【００７７】
コア部１は、光路変換部４１及び４２により光路変換されている。また、コア部１はエポキシ系樹脂から構成されている。一方、上部クラッド部２２及び下部クラッド部２１はコア部１よりも屈折率が小さいエポキシ系樹脂から構成されている。
【００７８】
基部（多層セラミック配線基板）３は、内部に図示しない導体部（配線パターン及び層間接続のためのビアホール並びにスルーホール等）とアルミナ基焼結材とを有し、これらの導体部はアルミナ基焼結材により絶縁されている。この基部３の一面側には下部クラッド部２１等が設けられ、他面側には複数の接続端子（導体部８２）が設けられている。この導体部８２は、光導波路構造体１００を図示しないプリント配線板等に搭載するための接続端子であり、金、銀、銅、ハンダ、アルミニウム、ニッケル及びこれらの合金等からなる。
【００７９】
また、光路変換部として、金からなり、互いに向き合う約４５゜の傾斜面を有する三角柱形状の光路変換部４１及び４２とを備える。これら光路変換部４１及び４２は、基部３の一面に配置されている。また、この光路変換部４１及び４２の最上部は、コア部１の上面と同一平面となるように、又はコア部１の上面から突出するように形成されている。
【００８０】
［２］光導波路デバイス
図３は、本発明の光導波路デバイスの一例の断面を模式的に示す図である。この光導波路デバイス２００は、上記［１］において説明した光導波路構造体１００を備える。この光導波路構造体１００の上部クラッド部２２上に、導体部として、発光素子６１及び受光素子６２とを図示しない電気回路へ接続するための導体部８１を備える。この導体部８１は金、銀、銅、ハンダ、アルミニウム、ニッケル及びこれらの合金等からなる。
【００８１】
更に、光学素子として、発光素子６１であるＶＣＳＥＬと、受光素子６２であるフォトダイオードとを備える。発光素子６１は紫外線、近赤外線等の所定の光を発することができ、受光素子６２はこれらの光を検知できるものである。また、発光素子６１は発光部を備え、この発光部を下方に向けて搭載されている。一方、受光素子６２は受光部を備え、この受光部を下方に向けて搭載されている。各光学素子は、上部クラッド部２２の表面に形成された導体部８１を介して接合されている。
これらの各光学素子は、図示しない外部回路からの電気信号を受けて発光素子６１で光信号へ変換され、発光素子６１から光信号として発せられた光はコア部１内を透過して受光素子６２で受光される。受光素子６２で受光された光信号は受光素子６２により電気信号へ変換され、図示しない外部回路へと伝達されることとなる。
【００８２】
［３］光導波路構造体の製造方法１（逐次硬化による製造方法）
上記［１］で説明した本光導波路構造体の一例の製造方法を以下に説明する。
（１）基部３
基部３として、予め焼結された多層セラミック配線基板を用意した。多層セラミック配線基板の構成については上記［１］における通りである。
【００８３】
（２）光路変換部用パッド等の形成（図６における工程１）
基部３の一面に、ドライフィルム（メッキレジスト）を付け、露光、現像によりパッドを形成する以外の所をドライフィルムで保護した後、金メッキを行い、最後にドライフィルム（メッキレジスト）を剥離することにより、光路変換部用パッド４１１及び４２１、並びに、位置決め基準パッド９１を形成した。尚、位置決め基準パッド９１と、光路変換部を形成するための光路変換部用パッド４１１及び４２１となる金からなる薄膜が、剥離シートの表面に剥離可能に保持された転写フィルムを用意し、この転写フィルムを多層セラミック配線基板の表面に転写して形成することも可能である。
【００８４】
（３）未硬化下部クラッド部形成工程（図６の工程２）
エポキシ系化合物［脂環式エポキシ系化合物（ダイセル化学工業株式会社製、品名「ＥＨＰＥ３１５０」）９９．５質量％及び重合開始剤（酸発生剤、旭電化工業株式会社製、品名「ＳＰ１７２」）０．５質量％］を含む硬化性組成物（クラッド部形成用組成物）と、溶剤（メチルエチルケトン）とを混合し、溶解させて混合溶液（固形分；７８％）を調製し、その後、得られた混合溶液を剥離シート（ＰＥＴ製フィルム、厚さ；３８μｍ）上にキャスティング法（ギャップ；１３０μｍ）により塗工し、次いで、加熱乾燥（条件；１２０℃×３０分間）を行い、溶剤を除去することにより得られたクラッド部形成用未硬化フィルム（下部クラッド部形成用未硬化フィルム）を用意した。
このクラッド部形成用未硬化フィルムを、上記（２）までに得られた積層体上に載置し、クラッド部形成用未硬化フィルムのみを温度４０〜５０℃、圧力０．５ＭＰａの条件で圧着した。次いで、温度１２０℃×３０分間の条件で乾燥し、未硬化下部クラッド部２１"を形成した。
【００８５】
（４）光路変換部品埋入工程（図６の工程３）
予め形成された光路変換部品４１及び４２を、映像手段を用いて位置決め基準９１の座標に基づき、光路変換部用パッド４１１及び４２１上方に正確に配置されるように位置決めし、未硬化下部クラッド部２１"上に載置した。その後、温度１２０℃に加熱することにより樹脂が軟化し、光路変換部品が自重で未硬化下部クラッドに沈み込むことを利用し、光路変換部品を未硬化下部クラッド部内に埋入させた。
【００８６】
（５）未硬化下部クラッド部の硬化（図６の工程４、図７の工程４）
上記（４）までに得られた積層体に、露光（露光量；２０００ｍＪ／ｃｍ２、光源；紫外線ランプ、露光時間；約７分間）した。次いで、ポストベイクとして１２０℃で３０分間の加熱を行い、更に、本硬化として１５０℃で１時間の加熱を行って硬化させ、下部クラッド部２１を形成し、基部３と、下部クラッド部２１と、光路変換部４１及び４２とを備える積層体とした。
【００８７】
（６）コア部形成工程（図７の工程５）
エポキシ系化合物［芳香族エポキシ系化合物（ジャパンエポキシレジン株式会社製、品名「エピコート１００１」）４４．５質量％、脂環式エポキシ系化合物（ダイセル化学工業株式会社製、品名「ＥＨＰＥ３１５０」）５５．０質量％］及び重合開始剤（酸発生剤、旭電化工業株式会社製、品名「ＳＰ１７２」）０．５質量％を含む硬化性組成物と、溶剤（メチルエチルケトン）とを混合し、溶解させて混合溶液（固形分；７８％）を調製し、その後、得られた混合溶液を支持体（ＰＥＴ製フィルム、厚さ；３８μｍ）上にキャスティング法（ギャップ；１３０μｍ）により塗工し、次いで、加熱乾燥（条件；１２０℃×３０分間）を行い、溶剤を除去することにより得られたコア部形成用未硬化フィルムを用意した。
このコア部形成用未硬化フィルムを、上記（５）までに得られた積層体の下部クラッド部２１及び光路変換部４１、４２上に載置し、温度４０〜５０℃、圧力０．５ＭＰａの条件でコア部形成用未硬化フィルムのみを下部クラッド部２１上に圧着し、温度１２０℃×３０分間の条件で乾燥して未硬化コア部１"を形成した。
次いで、得られた未硬化コア部上に、所定パターン（線幅；約５０μｍ）が形成されたフォトマスクを配置し、露光（露光量；５００ｍＪ／ｃｍ２、光源；紫外線ランプ、露光時間；約２分間）を行い、温度１２０℃×３０分間の条件でポストベイクした。次いで、２−メトキシエタノールを用いて現像（３０秒）し、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）にて洗浄し、未硬化コア部をパターニングすると同時に半硬化させた。その後、１５０℃で１時間加熱を行い本硬化させてコア部１を形成した。
【００８８】
（７）上部クラッド部形成工程（図７の工程６）
上記（３）で用いたものと同じクラッド部形成用未硬化フィルム（上部クラッド部形成用未硬化フィルム）を用意した。
その後、このクラッド部形成用未硬化フィルムを、上記（６）までに得られた積層体のコア部１上及び下部クラッド部２１上に載置し、クラッド部形成用未硬化フィルムのみを温度４０〜５０℃、圧力０．５ＭＰａの条件で圧着した。次いで、温度１２０℃×３０分間の条件で乾燥し、未硬化上部クラッド部（図示せず）を形成した。
次いで、得られた積層体に、露光（露光量；２０００ｍＪ／ｃｍ２、光源；紫外線ランプ、露光時間；約７分間）した。次いで、ポストベイクとして１２０℃で３０分間加熱し、更に、本硬化として１５０℃で１時間加熱を行って硬化させ、上部クラッド部２２を形成して、本発明の光導波路構造体１００を得た。
【００８９】
［４］光導波路構造体の製造方法２（一括硬化工程を用いる製造方法）
上記［１］で説明した本光導波路構造体の一例の製造方法を以下に説明する。
（１）光路変換部品埋入工程等（図８における工程１〜工程３）
上記［３］（１）〜（４）と同様にして、未硬化下部クラッド部２１"内に光路変換部４１及び４２を形成した。
【００９０】
（２）未硬化下部クラッド部半硬化工程（図８の工程７、図９の工程７）
上記（１）までに得られた積層体に、露光（露光量；２０００ｍＪ／ｃｍ２、光源；紫外線ランプ、露光時間；約７分間）した。次いで、ポストベイクとして１２０℃で３０分間加熱して硬化させ、未硬化下部クラッド部２１"を半硬化させて半硬化下部クラッド部２１’を形成した。
【００９１】
（３）コア部形成工程（図９の工程５）
上記［３］（６）と同様にして、半硬化下部クラッド部２１’上にコア部１を形成した。
【００９２】
（４）未硬化上部クラッド部形成工程（図９の工程８）
上記［３］（３）で用いたものと同じクラッド部形成用未硬化フィルム（上部クラッド部形成用未硬化フィルム）を用意し、同様に、このクラッド部形成用未硬化フィルムをコア部１上及び半硬化下部クラッド部２１’上に載置し、クラッド部形成用未硬化フィルムのみを温度４０〜５０℃、圧力０．５ＭＰａの条件で圧着した。次いで、温度１２０℃×３０分間の条件で乾燥し、未硬化上部クラッド部２２"を形成した。
【００９３】
（５）一括硬化工程（図９の工程９）
上記（４）までに得られた積層体に、露光（露光量；２０００ｍＪ／ｃｍ２、光源；紫外線ランプ、露光時間；約７分間）した。次いで、ポストベイクとして１２０℃で３０分間加熱し、更に、本硬化として１５０℃で１時間加熱して、半硬化下部クラッド部２１’、コア部１及び未硬化上部クラッド部２２"の各々を更に硬化させて、下部クラッド部２１、コア部１及び上部クラッド部２２の各々を有する本発明の光導波路構造体１００を得た。
【００９４】
［５］光導波路デバイスの製造方法
上記［２］で説明した本光導波路デバイスの一例の製造方法を以下に説明する。
（１）導体部８１及び位置決め基準パッド９２の形成（図１０の工程１０）
上記［３］及び［４］で得られた光導波路構造体１００の上部クラッド部２２表面に、ドライフィルム（メッキレジスト）を付け、露光、現像によりパッドを形成する以外の表面をドライフィルムで保護した後、金メッキを行い、最後にドライフィルム（メッキレジスト）を剥離することにより、導体部８１及び位置決め基準パッド９２を形成した。尚、導体部８１及び位置決め基準パッド９２となる金からなる薄膜が、剥離シートの表面に剥離可能に保持された転写フィルムを用意し、その後、上記と同様に映像手段を用いて位置決め基準９１に基づいて決定された位置に、この転写フィルムを上部クラッド部２２の表面に転写し形成することも可能である。
【００９５】
（２）発光素子６１及び受光素子６２の搭載（図１０の工程１１）
前記に同様の映像手段を用い位置決め基準９２に基づき、導体部８１上であって目的とする位置に正確に発光素子６１を載置し、予め発光素子６１の一面に設けられたハンダにより導体部８１と接続した。同様に位置決め基準９２に基づき、受光素子６２を載置し、同様にハンダにより接続し、本発明の光導波路デバイス２００を得た。尚、得られたコア部１と各クラッド部２１、２２との屈折率差（コア部−クラッド部）は８５０ｎｍの近赤外光に対し１．９％、５８９ｎｍのＮａ−Ｄ線に対し２．０％であった。
【産業上の利用可能性】
【００９６】
本発明の光導波路構造体及びその製造方法並びに光導波路デバイスは、光通信分野、電気電子分野等において広く利用できる。例えば、光導波路、光分岐結合器、光合分波器、光アイソレーター、光ファイバーアンプ、配線基板、ＩＣパッケージ等として利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の光導波路構造体の一例の模式的な断面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ断面を模式的に示す説明図である。
【図３】本発明の光導波路デバイスの一例の模式的な断面図である。
【図４】光路変換部の配置例を模式的に示す説明図である。
【図５】光路変換部の他の配置例を模式的に示す説明図である。
【図６】本光導波路構造体の製造方法の一例を説明する説明図である。
【図７】本光導波路構造体の製造方法の一例を説明する説明図であって、図６に続く工程を説明する説明図である。
【図８】本光導波路構造体の製造方法の他例を説明する説明図である。
【図９】本光導波路構造体の製造方法の他例を説明する説明図であって、図８に続く工程を説明する説明図である。
【図１０】本光導波路デバイスの製造方法の一例を説明する説明図である。
【符号の説明】
【００９８】
２００；光導波路デバイス、１００；光導波路構造体、１"；未硬化コア部、１；コア部、２１"；未硬化下部クラッド部、２１’；半硬化下部クラッド部、２１；下部クラッド部、２２"；未硬化上部クラッド部、２２；上部クラッド部、３；基部、４、４１、４２；光路変換部、４１１、４２１；光路変換部用パッド、５１；支持体、５２；表面保護フィルム、６１；発光素子、６２；受光素子、７；フォトマスク、８１、８２；導体部、９１、９２；位置決め基準。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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