(57)【要約】【課題】複数の層を成膜する場合であっても、所望する特性を有した層形成が可能な高性能の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法を提供すること。【解決手段】基体２を収容する真空容器１と、該真空容器１内に原料ガスを供給するガス供給手段７と、該ガス供給手段７より供給される原料ガスに接触するように配置された複数個の発熱体４と、を備え、前記ガス供給手段からの原料ガスを前記発熱体４の発する熱によって分解し、該分解された原料ガス成分を基体２上に堆積させて成膜を行う発熱体ＣＶＤ装置において、前記複数個の発熱体４を、前記ガス供給手段７より供給される第１原料ガスを熱分解するための第１発熱体４ａと、前記ガス供給手段７より供給される第２原料ガスを熱分解するための第２発熱体４ｂと、で少なくとも構成する。【選択図】図１
2005179768.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体を収容する真空容器と、該真空容器内に原料ガスを供給するガス供給手段と、該ガス供給手段より供給される原料ガスに接触するように配置された複数個の発熱体と、を備え、前記ガス供給手段からの原料ガスを前記発熱体の発する熱によって分解し、該分解された原料ガス成分を基体上に堆積させて成膜を行う発熱体ＣＶＤ装置において、
前記複数個の発熱体は、前記ガス供給手段より供給される第１原料ガスを熱分解するための第１発熱体と、前記ガス供給手段より供給される第２原料ガスを熱分解するための第２発熱体と、から少なくとも成っていることを特徴とする発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記第１原料ガス及び第２原料ガスはいずれか一方ずつ真空容器内に供給されることを特徴とする請求項１に記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記第１発熱体よりも前記第２発熱体の方が、発熱温度が高いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記第１発熱体及び第２発熱体が互いに隣接するように設けられ、該第１発熱体及び第２発熱体間に、両発熱体同士の表面が直接対向しないように遮蔽部材を介在させたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記遮蔽部材が成膜中に回転することを特徴とする請求項４に記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項６】
前記遮蔽部材の回転軸が遮蔽部材の長手方向に略平行であることを特徴とする請求項５に記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項７】
基体及び第１発熱体、第２発熱体を収容する真空容器内に第１原料ガスを供給するとともに、該第１原料ガスを前記第１発熱体の発する熱によって分解し、その分解成分を基体上に堆積させて第１層を形成する第１の工程と、
前記第１原料ガスに代わって前記真空容器内に第２原料ガスを供給するとともに、該第２原料ガスを前記第２発熱体の発する熱によって分解し、その分解成分を堆積させて第２層を形成する第２の工程と、を備えたことを特徴とする発熱体ＣＶＤ法による成膜方法。
【請求項８】
前記第１発熱体よりも前記第２発熱体の方が、発熱温度が高いことを特徴とする請求項７に記載の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法。
【請求項９】
前記第１原料ガスの供給中断後、第２原料ガスの供給開始前の間に、前記第２発熱体を、第１層の構成材料の蒸気圧温度以上、発熱体の構成材料の蒸気圧温度以下で発熱させることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法。
【請求項１０】
前記第１発熱体及び第２発熱体が互いに隣接するように設けられ、該第１発熱体及び第２発熱体間に、両発熱体同士の表面が直接対向しないように遮蔽部材を介在させたことを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれかに記載の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法。
【請求項１１】
前記第１層はａ−Ｓｉ系、第２層はａ−ＳｉＣ系の材料を主成分とすることを特徴とする請求項７乃至請求項１０のいずれかに記載の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法。
【請求項１２】
前記遮蔽部材が成膜中に回転することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法。
【請求項１３】
前記遮蔽部材の回転軸が遮蔽部材の長手方向に略平行であることを特徴とする請求項１０乃至請求項１２のいずれかに記載の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原料ガスを発熱体の発する熱で分解することにより、分解成分を堆積させて成膜を行う発熱体ＣＶＤ装置及び発熱体ＣＶＤ法による成膜方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種半導体デバイスの成膜には、ＣＶＤ法が多く用いられている。ＣＶＤ法にはプラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、発熱体ＣＶＤ法がある。このうち、発熱体ＣＶＤ法は原料ガスを発熱体の熱によって分解し、これを基体上に成膜するという成膜方法であり、熱ＣＶＤ法に比べて成膜中の基体の温度を低くできるため、基体材料の使用範囲を広くすることができる上に、プラズマＣＶＤ法のように基体上の膜がプラズマによってダメージを受けることもないことから、種々の基体上に良質の膜を得ることができる成膜方法として注目されている。
【０００３】
かかる従来の発熱体ＣＶＤ装置は、例えば図１５に示す如く、基体２２及び基体保持手段２３を収容する真空容器２１と、該真空容器２１内に原料ガスを供給するガス供給手段２７と、該ガス供給手段２７より供給される原料ガスに接触するように真空容器２１内に配置された発熱体２４と、を備えた構造のものが知られている。
【０００４】
この発熱体ＣＶＤ装置を用いて、例えば、基体上にａ−Ｓｉ層とａ−ＳｉＣ層とを順次積層させる場合、下記の工程を経て成膜される。
【０００５】
（１）真空ポンプを用いて真空容器２１内を真空状態に保持した状態で、ａ−Ｓｉ層を形成するための第１原料ガスを、ガス供給手段２７を用いて真空容器２１内に供給するとともに、該供給された第１原料ガスを発熱体２４に接触させつつ発熱体２４を１２００℃〜２５００℃で加熱し、その熱によって第１原料ガスを分解し、該分解によって生成されたＳｉを基体２２上に堆積させることにより、基体２２上にａ−Ｓｉ層を堆積させる。なお、第１原料ガスとしては、例えばＳｉＨ４が使用され、その希釈ガスとしてＨ２が使用される。また、ＳｉＨ４とＨ２との混合比はガスタンクの減圧弁やマスフローコントローラーなどを用いて調整される。
【０００６】
（２）次に、第１原料ガスの供給を一旦中断し、ａ−ＳｉＣ層を形成するための第２原料ガスを真空容器２１内に供給するための準備をする。第２原料ガスは、ＳｉＨ４とＣ２Ｈ２とが混合されたガスが好適に使用され、また希釈ガスとしてＨ２が使用される。ガスの混合比は、ガスタンクの減圧弁やマスフローコントローラーなどを用いて調整される。
【０００７】
（３）最後に、真空ポンプを用いて真空容器２１内を真空状態に保持した状態で、上述の第２原料ガスを、ガス供給手段２７を用いて真空容器２１内に供給するとともに、該供給された第１原料ガスを発熱体２４に接触させつつ発熱体２４を１２００℃〜２５００℃で加熱し、その熱によって第２原料ガスを分解し、該分解によって生成されたＳｉＣをａ−Ｓｉ層上に堆積させることにより、ａ−ＳｉＣ層を形成する。
【特許文献１】特許第３１４５５３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上述の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法においては、第１原料ガスの分解、並びに、第２原料ガスの分解には同じ発熱体２４を用いるのが一般的であった。
【０００９】
しかしながら、第１原料ガスを分解する際に、第１原料ガスの分解成分は発熱体２４の表面に付着することが多いことから、第２原料ガスを分解する際に、第１原料ガスの分解に用いた発熱体２４と同じ発熱体２４を用いると、発熱体２４の表面に付着した第１原料ガスの分解成分が、第２層であるａ−ＳｉＣ層内に取り込まれてしまい、その結果、所望の特性を有したａ−ＳｉＣ層を得ることが困難となる課題があった。
【００１０】
このような課題は、発熱体の発熱温度が第１層の形成時よりも第２層の形成時の方が高い場合、第２層の形成時に発熱体２４の発する熱によって発熱体表面の付着物が層中に取り込まれやすいため、特に発生しやすい。
【００１１】
本発明は上記課題に鑑み案出されたものであり、その目的は複数の層を成膜する場合であっても、所望する特性を有した層形成が可能な高性能の発熱体ＣＶＤ装置、並びに、発熱体ＣＶＤ法による成膜方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の発熱体ＣＶＤ装置は、基体を収容する真空容器と、該真空容器内に原料ガスを供給するガス供給手段と、該ガス供給手段より供給される原料ガスに接触するように配置された複数個の発熱体と、を備え、前記ガス供給手段からの原料ガスを前記発熱体の発する熱によって分解し、該分解された原料ガス成分を基体上に堆積させて成膜を行う発熱体ＣＶＤ装置において、前記複数個の発熱体は、前記ガス供給手段より供給される第１原料ガスを熱分解するための第１発熱体と、前記ガス供給手段より供給される第２原料ガスを熱分解するための第２発熱体と、から少なくとも成っていることを特徴とする。
【００１３】
また本発明の発熱体ＣＶＤ装置は、上述の発熱体ＣＶＤ装置において、前記第１原料ガス及び第２原料ガスはいずれか一方ずつ真空容器内に供給されることを特徴とする。
【００１４】
更に本発明の発熱体ＣＶＤ装置は、上述の発熱体ＣＶＤ装置において、前記第１発熱体よりも前記第２発熱体の方が、発熱温度が高いことを特徴とする。
【００１５】
また更に本発明の発熱体ＣＶＤ装置は、上述の発熱体ＣＶＤ装置において、前記第１発熱体及び第２発熱体が互いに隣接するように設けられ、該第１発熱体及び第２発熱体間に、両発熱体同士の表面が直接対向しないように遮蔽部材を介在させたことを特徴とする。
【００１６】
また本発明の発熱体ＣＶＤ装置は、前記遮蔽部材が成膜に回転することを特徴とする。
【００１７】
更に本発明の発熱体ＣＶＤ装置は、前記遮蔽部材の回転軸が遮蔽部材の長手方向に略平行であることを特徴とする。
【００１８】
一方、本発明の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法は、基体及び第１発熱体、第２発熱体を収容する真空容器内に第１原料ガスを供給するとともに、該第１原料ガスを前記第１発熱体の発する熱によって分解し、その分解成分を基体上に堆積させて第１層を形成する第１の工程と、前記第１原料ガスに代わって前記真空容器内に第２原料ガスを供給するとともに、該第２原料ガスを前記第２発熱体の発する熱によって分解し、その分解成分を堆積させて第２層を形成する第２の工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１９】
また本発明の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法は、上述の成膜方法において、前記第１発熱体よりも前記第２発熱体の方が、発熱温度が高いことを特徴とする。
【００２０】
更に本発明の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法は、上述の成膜方法において、前記第１原料ガスの供給中断後、第２原料ガスの供給開始前の間に、前記第２発熱体を、第１層の構成材料の蒸気圧温度以上、発熱体の構成材料の蒸気圧温度以下で発熱させることを特徴とする。
【００２１】
また更に本発明の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法は、上述の成膜方法において、前記第１発熱体及び第２発熱体が互いに隣接するように設けられ、該第１発熱体及び第２発熱体間に、両発熱体同士の表面が直接対向しないように遮蔽部材を介在させたことを特徴とする。
【００２２】
更にまた本発明の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法は、上述の成膜方法において、前記第１層はａ−Ｓｉ系、第２層はａ−ＳｉＣ系の材料を主成分とすることを特徴とする。
【００２３】
また本発明の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法は、前記遮蔽部材が成膜中に回転することを特徴とする。
【００２４】
更に本発明の発熱体ＣＶＤ法による成膜方法は、前記遮蔽部材の回転軸が遮蔽部材の長手方向に略平行であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、第１原料ガスを分解して第１層を形成し、次いで、第２原料ガスを分解して第２層を形成する場合に、原料ガスを分解するための発熱体を複数個設けるようにしたことから、該発熱体を、第１原料ガスを熱分解するための第１発熱体と、第１原料ガスとは異なる種類の第２原料ガスを熱分解するための第２発熱体に分けることができる。従って、第１原料ガスの分解時に第１発熱体の表面に付着した第１原料ガスの分解成分が、第２原料ガスの分解時に、第２原料ガスを分解して形成される層中に取り込まれることが良好に抑制され、所望の特性を有した層を得ることが容易になる。なお、本発明は前記第１層及び第２層を同一の基体上に順次積層する場合のみならず、それぞれ別の基体上に成膜する場合にも適用可能である。
【００２６】
また本発明によれば、第１原料ガスの供給中断後、第２原料ガスの供給開始前に、第２発熱体を第１層の構成材料の蒸気圧温度以上、第２発熱体の構成材料の蒸気圧温度以下で発熱させるようにしたことから、第１原料ガスの分解成分が第２発熱体の表面に付着した場合、第２発熱体の熱によって第１原料ガスの分解成分を第２発熱体の表面より良好に取り除くことができる。従って、第２原料ガスの分解時に、第１原料ガスの分解成分が第２層中に取り込まれることが更に抑制される。
【００２７】
さらに本発明によれば、互いに隣接するように前記第１発熱体及び第２発熱体を設けるとともに、該第１発熱体及び第２発熱体間に、両発熱体同士の表面が直接対向しないように遮蔽部材を介在させたことから、第１原料ガスを分解する際に、第１発熱体の熱によって分解された成分が第２発熱体の表面に付着することが良好に防止され、これによっても第２原料ガスの分解時に第１原料ガスの分解成分が第２層中に取り込まれることをより一層抑制可能である。
【００２８】
また更に本発明によれば、第１発熱体と第２発熱体との間に介在される遮蔽部材を、成膜中に回転させることにより、遮蔽部材によって遮蔽されたガスの分解成分が遮蔽部材の表面に均一に付着・堆積することとなり、遮蔽部材と堆積物との密着性を良好とすることができる。従って、遮蔽部材によって遮蔽されたガスの分解成分の堆積物が遮蔽部材より剥離することが抑制され、前記堆積物が成膜中に基体上に付着することが良好に防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００３０】
（第１実施形態）
図１は第１実施形態にかかる発熱体ＣＶＤ装置内の側面図、図２は図１の発熱体ＣＶＤ装置内の上面図であり、同図に示す発熱体ＣＶＤ装置は、大略的に、基体２を収容する真空容器１と、該真空容器１内に原料ガスを供給するガス供給手段７と、該ガス供給手段７より供給される原料ガスに接触するように配置された発熱体４と、を備えた構造を有している。
【００３１】
真空容器１は、その内部に基体２や基体支持体３、発熱体４、ガス供給手段７、を収容すべく中空状態に形成されており、基体２の出し入れができるように容器の一部、例えば上蓋が開閉可能に形成される。また真空容器１はガス供給手段７によって導入された原料ガスを排気する際に用いられるガス排気口６を有している。
【００３２】
真空容器１内に収容される基体２としては、円筒状もしくは平板状のものなど、種々の形状のものが使用可能であり（図１では円筒状）、円筒状基体を用いる場合、その内部に円筒状を成す基体支持体を挿入することで真空容器１内にセットされる。また平板状基体を用いる場合、複数個の基体２を略円筒状あるいは多面体状になるように基体支持体上に配置することで真空容器１内にセットされる。
【００３３】
基体２の材質としては、導電性、または絶縁性、あるいは絶縁性基体の表面に導電層を形成したものが使用される。導電性基体としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）、ステンレススチール（ＳＵＳ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）等の金属またはこれらの合金が挙げられる。絶縁性基体としては、ホウ珪酸ガラスやソーダガラス、パイレックスガラス等のガラスやセラミックス、石英、サファイアなどの無機絶縁物、あるいはフッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリアミド、ビニロン、エポキシ、マイラー等の合成樹脂絶縁物が挙げられる。また絶縁性基体上に導電層を形成する場合、導電層の材料としてはＩＴＯ（インジウム、錫、酸化物）や酸化錫、酸化鉛、酸化インジウム、ヨウ化銅やＡｌ、Ｎｉ、金（Ａｕ）等が挙げられ、かかる導電層は従来周知の薄膜形成技術、例えば、真空蒸着法、活性反応蒸着法、イオンプレーティング法、ＲＦスパッタリング法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、ＤＣマグネトロンスパッタリング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スプレー法、塗布法、浸漬法などで形成される。なお、基体２をＡｌにより円筒状に形成する場合、従来周知の押出加工法を採用することにより製作される。
【００３４】
また上述の基体２を支持する基体支持体３は、円筒状基体を支持する場合には外形が円筒状に形成され、平板状基体を支持する場合には外形が平板状もしくは多角柱状に形成される（図１では円筒状）。この基体支持体３は、成膜時、回転モーター等の動力によって中心軸を中心に基体２と共に回転させることが好ましく、これによって発熱体４によって分解された原料ガスの分解成分を基体表面の全体にわたり被着させることができ、略一様な膜厚分布を得ることができる。なお、基体支持体３の回転速度としては、１ｒｐｍ〜１０ｒｐｍが好ましい。基体支持体３は、その端部に設けられる回転モーターなどの回転手段１８の動力を利用して回転される。
【００３５】
また基体支持体３は、その内部に加熱手段や冷却手段、温度検出手段を有しており、温度検出手段で基体支持体３の温度を検出するとともに、該検出した温度をモニタリングしながら、図示しない温度調節器を用いて加熱手段と冷却手段を制御することによって、基体温度を所望の温度に維持している。なお、成膜中の基体温度はａ−Ｓｉ系、あるいはａ−ＳｉＣ系の材料を堆積させる場合、１００〜５００℃、好適には２００〜３５０℃の一定温度に制御される。また加熱手段としては、ニクロム線やシーズヒーター、カートリッジヒーターなどの電気的なものや、油などの熱媒体が使用され、冷却手段としては空気や窒素ガス等の気体や水、油などからなる冷却媒体が使用され、これらが基体支持体３の内部を循環するように流動させることが好ましい。温度検出手段としては、サーミスタや熱電対などが用いられる。
【００３６】
一方、真空容器１の内部には、上述の基体２に対して略平行に配される発熱体４が複数個配設され、これら発熱体４はガス供給手段７から供給される原料ガスに接触するように配設されている。
【００３７】
この発熱体４は、ガス供給手段７から供給される第１原料ガスを熱分解するための第１発熱体４ａと、第１原料ガスと異なる第２原料ガスを分解するための第２発熱体４ｂとで構成されている。
【００３８】
第１発熱体４ａ及び第２発熱体４ｂは、各々抵抗材料から成っており、両端に接続される電極５を介して電力が供給されると、ジュール発熱を起こし、対応する原料ガスを分解するのに必要な温度（例えば１２００℃〜２５００℃）となる。
【００３９】
このように、ガス供給手段７によって複数種の原料ガス（第１原料ガスや第２原料ガス）が真空容器内に供給され、各原料ガス毎に熱分解される場合、第１原料ガスを熱分解する発熱体４と、第２原料ガスを熱分解する発熱体４とを分けるようにしたことから、第１原料ガスを分解して第１層を形成する際に第１発熱体の表面に付着した第１原料ガスの分解成分が、第２原料ガスを分解して第２層を形成する際に、該第２層中に取り込まれることが良好に抑制される。従って、所望の特性を有した第２層を得ることが容易になる。
【００４０】
なお、発熱体４の抵抗材料としては、原料ガスと触媒反応あるいは熱分解反応を起こして、その反応生成物を堆積種とし、且つ発熱体自身が昇華や蒸発により堆積される膜中に混入しにくいものが用いられ、例えば、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、Ｔｉ、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、コバルト（Ｃｏ）、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎやそれらの合金などが好適に使用される。発熱体４の抵抗材料は比較的融点が大きいことが好ましく、例えば融点が２６００℃〜３４００℃の抵抗材料が好ましい。
【００４１】
また発熱体４の抵抗材料は、第１発熱体４ａと第２発熱体４ｂとで同じであっても良いし、異なっていても良いが、第１発熱体４ａと第２発熱体４ｂとで発熱温度が異なる場合、発熱温度が高い発熱体は、発熱温度が低い発熱体よりも融点の高い抵抗材料で形成しておくことが好ましい。
【００４２】
発熱体４の形状としては、本実施形態のような線状や、あるいは、図３、図４に示すように、円筒状基体２よりもひと周り大きな径を有する筒状が挙げられる。線状に成す場合、上述の電気抵抗材料で製作されたワイヤやフィラメント、リボン等を１本単体で構成したり、複数本を束ねて構成したりすることが考えられる。また筒状を成す場合、上述の抵抗材料で製作されたワイヤやフィラメント、リボン等を格子状、網目状に組み合わせて筒状としたり、筒状板体に円形や三角形、正方形、長方形、菱形、六角形など種々の形状の通気孔をパンチングや電気鋳造法などを用いて多数設けたりしたものなどが考えられる。
【００４３】
発熱体４の配設位置は、発熱体４の発熱によって生成された堆積種（分解成分）を基体に向けて効率的に輸送するため、あるいは、発熱体４からの輻射熱による基体や膜への損傷を防止するため、基体２に対して３〜１００ｍｍ、好適には５〜５０ｍｍ、更に好適には１０〜４０ｍｍの間隔を空けた箇所に設定される。また発熱体４が筒状を成す場合、基体２と発熱体４が略等しい距離の間隔を空けるように両者の中心軸が略一致するように配置される。
【００４４】
また発熱体４の両端には電極５が接続されている。この電極５は、外部からの電源電力を発熱体４に供給するための給電配線として機能するものであり、例えばＡｌやＣｕ、Ａｕ、Ａｇなどの金属材料により形成される。このような電極５と発熱体４との電気的接続は、例えば、両者を、圧着端子を介して接続することが考えられる。
【００４５】
一方、原料ガスを真空容器１内に供給するガス供給手段７は、供給される第１原料ガス、あるいは第２原料ガスが発熱体４の表面に接触するように配置されており、例えば、発熱体４が基体２とガス供給手段７との間に位置するように配置される。
【００４６】
ガス供給手段７は、中空構造を有する筐体に多数のガス吹き出し孔８を形成した構造を有しており、その一部が図示しないガス導入管を介して複数のガスタンクに接続されている。これらのガスタンクにはＳｉＨ４やＨ２、Ｃ２Ｈ２など各種のガスが貯蔵されており、これらのガスタンクの減圧弁やマスフローコントローラーなどを用いることでガス供給手段７に導入されるガス成分が調整される。そして、ガス供給手段７に導入された原料ガスは、ガス吹き出し孔８を介して真空容器１内に供給され、該供給された原料ガスが発熱体４に接触する。原料ガスの発熱体４に対する接触を容易にするためには、ガス吹き出し孔８は筐体の発熱体側表面に設けることが好ましい。なお、ガス吹き出し孔８の形状としては、円形や三角形、正方形、長方形、菱形、六角形、スリット形状など、種々の形状が考えられる。
【００４７】
ガス供給手段７の筐体は、筒状や線状（長尺状）など種々の形状が考えられ、真空容器１と別体としても良いし、少なくとも一部一体化させても良いが、一体化させた方が装置の部品点数を少なくすることができるため、発熱体ＣＶＤ装置の構成を簡素化できる点でメリットがある。ガス供給手段７の筐体と真空容器１とを別体化する場合、真空容器１の内壁と、該内壁よりも内側に内周面を設け、該内周面と内壁とで筐体を構成するようにしても良いし、ガス供給手段７の筐体を真空容器１の内壁に嵌め合わせるようにしても良く、前者の例として図４のガス供給手段７が考えられる。なお、ガス供給手段７を線状（長尺状）とする場合、例として図１のガス供給手段７が考えられ、この場合、原料ガスを効率的に発熱体４に接触させるため、発熱体４を線状にすることが好ましい。
【００４８】
このようなガス供給手段７より供給される原料ガスは、成膜対象が電子写真用感光体に使用されるａ−Ｓｉ系の膜である場合、ＳｉとＨとからなる化合物やシリコンと水素以外のハロゲン元素とからなる化合物、例えば、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＳｉＦ４、ＳｉＣｌ４、ＳｉＣｌ２Ｈ２等が用いられ、これらの原料ガスが本実施形態における第１原料ガスとなる。
【００４９】
また第１原料ガスとともに供給される希釈用ガスとしては、Ｈ２、Ｎ２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ等が用いられる。原料ガスとともに供給される価電子制御ガス（膜中の価電子数を制御するガス）には、Ｐ型不純物として元素周期律表第III族Ｂの元素（Ｂ，Ａｌ，Ｇａなど）を含む化合物、例えばＢ２Ｈ６．Ｂ（ＣＨ３）３、Ａｌ（ＣＨ３）３，Ａｌ（Ｃ２Ｈ５）３、Ｇａ（ＣＨ３）３などが用いられる。Ｎ型不純物としては元素周期律表第Ｖ族Ｂの元素（Ｐ，Ａｓ，Ｓｂなど）を含む化合物、例えばＰＨ３、Ｐ２Ｈ４、ＡｓＨ３、ＳｂＨ３などが用いられる。またバンドギャップ調整用ガスとしては、バンドギャップを拡大する元素であるＣ、Ｎ、Ｏを含む化合物、例えばＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ３Ｈ８、Ｎ２、ＮＨ３、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２等やバンドギャップを狭める元素であるＧｅ，Ｓｎを含む化合物、例えばＧｅＨ４、ＳｎＨ４、Ｓｎ（ＣＨ３）３等が用いられる。
【００５０】
また成膜対象が電子写真用感光体に使用されるａ−ＳｉＣ系の膜である場合、原料ガスとしてはａ−Ｓｉ系の膜を形成するのと同様のガスに加え、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ３Ｈ８、ＣＯ、ＣＯ２など、Ｃを含んだ化合物が使用され、これらの化合物を含んだ原料ガスが本実施形態における第２原料ガスとなる。
【００５１】
第２原料ガスとともに供給される希釈ガスとしては、ａ−Ｓｉ系の膜と同様のガスが用いられる。またバンドギャップ調整用ガスとしては、バンドギャップを拡大する元素であるＣ、Ｎ、Ｏを含む化合物、例えばＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ３Ｈ８、Ｎ２、ＮＨ３、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２等が用いられる。
【００５２】
なお、上述した原料ガスや価電子制御ガス、バンドギャップ調整用ガスの流量やこれらのガスの混合比は、減圧弁やマスフローコントローラー等を用いることにより所望の値に調整される。また成膜時のガス圧力は、供給された原料ガスが発熱体の熱によって効率的に分解されるとともに、反応生成物同士の２次反応を抑制するために、０．１〜３００Ｐａ，好適には２〜６Ｐａに設定される。なお、良質の膜を得る為には、成膜開始に先立って、基体２がセットされた真空容器１内を一旦１×１０−２Ｐａ程度まで高真空に排気することで真空容器１内の水分や残留ガスを除去しておくことが好ましい。
【００５３】
かくして上述の発熱体ＣＶＤ装置は、ガス供給手段７から真空容器１内に供給される原料ガスを発熱体４に接触させつつ発熱体４を発熱させるとともに、その熱によって原料ガスを分解し、該分解された原料ガス成分を基体２上に堆積させることによって成膜を行うことにより発熱体ＣＶＤ装置として機能する。
【００５４】
次に、第１実施形態における発熱体ＣＶＤ法による成膜方法を、上述の発熱体ＣＶＤ装置を用いて円筒状基体上に第１層であるａ−Ｓｉ層及び第２層であるａ−ＳｉＣ層を順次積層する場合を例に説明する。
【００５５】
工程（１）：真空ポンプを用いてガス排気口６から真空容器１内のガスを排気して真空容器１内を真空状態に保持した状態で、ａ−Ｓｉ層を形成するための第１原料ガスや希釈ガス等を、ガス供給手段７を用いて真空容器１内に供給するとともに、該供給された第１原料ガスを第１発熱体４ａに接触させつつ第１発熱体４ａを高温で加熱し、その熱によって第１原料ガスを分解し、該分解によって生成されたＳｉを基体２上に堆積させることにより、基体２上にａ−Ｓｉ層を堆積させる。
【００５６】
第１原料ガスとしては例えばＳｉＨ４が、希釈ガスとしてはＨ２が用いられる。また、ＳｉＨ４とＨ２との混合比は、上述した如く、ガスタンクの減圧弁やマスフローコントローラーなどを用いて調整される。また価電子制御ガスやバンドギャップ調整ガスなどを混入しても良い。
【００５７】
また第１発熱体４ａの発熱温度としては、１２００℃〜２５００℃の範囲に設定することが好ましい。
【００５８】
工程（２）：次に、第１原料ガスなどの供給を一旦中断し、ａ−ＳｉＣ層を形成するための第２原料ガスや希釈ガスなどを真空容器１内に供給するための準備をする。
【００５９】
第２原料ガスは、ＳｉＨ４とＣ２Ｈ２とを所定の混合比で混合したものが使用される。また希釈ガスとしてはＨ２が使用される。これらに上述の価電子制御ガスやバンドギャップ調整ガスを所定量混合しても良い。またガスの混合比は、第１原料ガスと同様にガスタンクの減圧弁やマスフローコントローラーなどを用いて調整される。
【００６０】
工程（３）：最後に、真空ポンプを用いて真空容器１内を真空状態に保持した状態で、上述の第２原料ガスや希釈ガスなどを、ガス供給手段７を用いて真空容器１内に供給するとともに、該供給された第２原料ガスを第２発熱体４ｂに接触させつつ第２発熱体４ｂを加熱し、その熱によって第２原料ガスを分解し、その分解成分であるＳｉＣをａ−Ｓｉ層上に堆積させることにより、ａ−ＳｉＣ層を形成する。
【００６１】
このように、第１層であるａ−Ｓｉ層と、第２層であるａ−ＳｉＣ層とを異なる発熱体４ａ、４ｂを用いてそれぞれ成膜するようにしたことから、第１原料ガスの分解時に第１発熱体４ａの表面に付着したとしても、第２原料ガスの分解時に第１発熱体４ａを発熱させる必要がなくなり、第１原料ガスの分解成分が第２原料ガスの分解時にａ−ＳｉＣ層中に取り込まれることが良好に抑制される。従って、所望の特性を有した層を得ることが容易になる。
【００６２】
（第２実施形態）
本発明の第２の実施形態について図５および図６を用いて詳細に説明する。図５は本発明の第２実施形態にかかる発熱体ＣＶＤ装置内の側面図、図６は図５の発熱体ＣＶＤ装置内の上面図である。なお、第１実施形態と同様の構成については同一の参照符を付している。
【００６３】
本実施形態が第１実施形態と異なる点は、第１発熱体４ａ及び第２発熱体４ｂの表面が対向するように設けられている場合、図５，６に示すように、第１発熱体及び第２発熱体間に両発熱体同士の表面が直接対向しないように遮蔽部材９を介在させたことである。
【００６４】
この場合、第１原料ガスを分解する際に、第１発熱体４ａの熱によって分解された成分が第２発熱体４ｂの表面に付着することが良好に防止され、第２原料ガスの分解時に、第１原料ガスの分解成分が第２層中に取り込まれることが更に抑制される。
【００６５】
遮蔽部材９としては、第１発熱体４ａや第２発熱体４ｂからの輻射熱に耐えうる材料であれば、金属材料、無機絶縁材料、有機絶縁材料等、種々の材料を広範囲に選択することができる。例えば、金属材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、ステンレススチール（ＳＵＳ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）等が挙げられる。無機絶縁材料としては、ホウ珪酸ガラス、ソーダガラス、パイレックスガラス等のガラスや、アルミナ、ジルコニア等のセラミックス、石英、サファイア等が挙げられる。有機絶縁材料としては、フッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリアミド、ビニロン、エポキシ、マイラー等が挙げられる。
【００６６】
この遮蔽部材９の形状は、円柱状、多角柱状、平面状など種々の形状が考えられるが、発熱体４の形状に応じて適した形状にすることが好ましい。例えば、本実施形態においては発熱体４が線状であるため、遮蔽部材９も円柱状、多角柱状などの線状に形成することが好ましいが、例えば図３や図４に示すように発熱体４が円筒状である場合、遮蔽部材９を図７，８に示すように円筒状に成すことが好ましい。なお、遮蔽部材９を円筒状に成す場合、遮蔽部材９によってガスが第２発熱体４ｂや基体２に接触しなくなるのを防止すると同時に、第１発熱体４ａ及び第２発熱体４ｂの表面同士の対向を防止するため、第１発熱体４ａに設けられた通気孔の位置に対応するように遮蔽部材９に通気孔を設ける。
【００６７】
また遮蔽部材９の形状は、発熱体４の熱を良好に遮断するため、第１発熱体４ａや第２発熱体４ｂよりも一回り大きな形状、すなわち、発熱体４よりも幅広で、且つ長いものが好ましい。
【００６８】
遮蔽部材９の配設位置は、先に述べたように、第１発熱体４ａと第２発熱体４ｂの間に配設されるが、基体２への成膜の妨げにならないようにすべく、発熱体４と基体２との間に遮蔽部材９が介在されないようにすることが好ましい。
【００６９】
尚、遮蔽部材９は、金属材料から成る場合、従来周知の引抜き法、あるいは押出し法により所定形状に製作される。またセラミックスから成る場合、アルミナやジルコニアなどのセラミック原料にＹ２Ｏ３などの焼結助剤を所定量添加・混合し、中和共沈または加水分解などの方法により反応・固溶させ、しかる後、得られた原料を押出成形やプレス成形、射出成形などにより所定形状に成形し、しかる後、これを高温で焼成することにより形成される。
【００７０】
第２の実施形態における発熱体ＣＶＤ法を用いた成膜方法は、基本的に第１実施形態における成膜方法と同様である。
【００７１】
（第３実施形態）
本発明の第３の実施形態について図９及び図１０を用いて詳細に説明する。図９は本発明の第３実施形態にかかる発熱体ＣＶＤ装置内の側面図、図１０は図９の発熱体ＣＶＤ装置内の上面図である。なお、第２実施形態と同様の構成については同一の参照符を付している。
【００７２】
本実施形態が第２実施形態と異なる点は、遮蔽部材９を、成膜中に所定の回転軸を中心に回転させるようにしたことである。
【００７３】
このため、遮蔽部材９によって遮蔽されたガスの分解成分が遮蔽部材９の表面に均一に付着・堆積することとなり、遮蔽部材９と堆積物との密着性を良好とすることができる。従って、遮蔽部材９によって遮蔽されたガスの分解成分の堆積物が遮蔽部材９より剥離することが抑制され、前記堆積物が成膜中に基体２上に付着することが良好に防止される。遮蔽部材９の回転軸は、その長手方向に略平行とすることが好ましい。また、遮蔽部材９が図９に示すように線状である場合、その長手方向に略平行で、且つ遮蔽部材９を通過する軸を中心に回転させることが好ましい。また遮蔽部材９が図７や図８に示すような円筒状である場合、その円筒の中心軸を回転軸として遮蔽部材９を回転させることが好ましい。遮蔽部材９の回転速度は１ｒｐｍ〜１０ｒｐｍに設定することが好ましい。
【００７４】
遮蔽部材９の回転は、その端部に別途、回転モーター等の回転手段１９を設け、該回転手段１９の動力を利用して行ってもよいし（図９参照）、あるいは、基体支持体３を回転させる回転手段１８の動力をギアなどによって遮蔽部材９に伝達させて行っても良い。
【００７５】
また遮蔽部材９の回転方向は、基体２の回転方向と反対にしても良いし、一致させても良い。
【００７６】
第３実施形態における発熱体ＣＶＤ法による成膜方法は、遮蔽部材９を成膜中に回転させる点以外は第１実施形態における成膜方法と基本的に同様であるが、遮蔽部材９は成膜中、連続的に回転させても良いし、間欠的に回転させても良い。また遮蔽部材９は成膜中以外においても回転させるようにしても良い。
【００７７】
なお、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更・改良が可能である。例えば上述の第１〜第３実施形態においては、ａ−Ｓｉ層とａ−ＳｉＣ層とを順次積層する場合について説明したが、少しでも異なる組成を有する複数の層を成膜する場合であれば、あらゆる場合に適用可能であることはいうまでもない。
【００７８】
また上述の第１〜第３実施形態においては、発熱体４を２個設けるようにしたが、３個以上であっても適用可能であるし、これらの発熱体４を３グループ以上（すなわち第３発熱体、第４発熱体を設ける）に分けるようにしても良い。また各グループ毎の発熱体４（例えば第１発熱体４ａや第２発熱体４ｂ）が複数本ずつあっても構わない。
【００７９】
更に上述の第１〜第３実施形態においては、主として基体支持体３、基体２ともに円筒状の場合について説明したが、基体支持体３、基体２ともに平板状の場合にも適用可能であり、この場合、例えば、図１１のように発熱体ＣＶＤ装置を構成する。かかる装置においては、複数個の発熱体４を、例えば紙面と垂直な方向に配列する。
【００８０】
また更に上述の第１〜第３実施形態においては、第１層及び第２層を単一の基体２に積層する場合について説明したが、第１層と第２層とを異なる基体上に成膜する場合についても適用可能である。例えば、第１層を第１発熱体４ａの熱を利用して基体上に形成した後、該基体を別の基体に入れ替え、該入れ替えられた基体上に第２層を第２発熱体４ｂの熱を利用して形成するようにしても良く、この場合であっても、第２層の形成時に、第１原料ガスの分解成分が第２層中に取り込まれることが良好に抑制される。
【００８１】
更にまた上述の第１〜第３実施形態の工程（２）において、第１原料ガスの供給中断から第２原料ガスの供給開始までの間に、第２発熱体４ｂを高温で発熱させるようにしても良い。この場合、第１原料ガスを分解する際に、第１発熱体４ａの熱によって分解された成分が第２発熱体４ｂの表面に付着したとしても、第１原料ガスの分解成分が蒸発して外部へ排気されるため、第１原料ガスの残留成分を第２発熱体４ｂの表面より良好に取り除くことができ、第２層の成膜中に第１原料ガスの分解成分が第２層中に取り込まれることがより一層抑制される。なお、第２発熱体４ｂの熱によって蒸発させた第１原料ガスの分解成分は、真空ポンプの吸引により真空容器内に設けられたガス排気口６から排気される。
【００８２】
第１原料ガスの供給中断から第２原料ガスの供給開始までの間における第２発熱体４ｂの発熱温度は、第２発熱体４ｂの表面に付着した第１原料ガスの分解成分を良好に取り除くために、第１層の構成材料の蒸気圧温度以上とすることが好ましい。また発熱によって第２発熱体４ｂが急激に劣化することを防止すべく、発熱温度を第２発熱体４ｂの蒸気圧温度以下とすることが好ましい。例えば、本実施形態の場合、第１層の構成材料がＳｉであるので、第２発熱体４ｂの発熱温度の下限値はＳｉの蒸気圧温度以上、すなわち、１３００℃以上に設定することが好ましい。また第２発熱体４ｂがタンタルからなる場合、第２発熱体４ｂの発熱温度の上限値は、タンタルの蒸気圧温度以下、すなわち、３２５０℃以下に設定することが好ましい。
【００８３】
また第１原料ガスの供給中断から第２原料ガスの供給開始までの間における第２発熱体４ｂの発熱は、連続的であっても良いし、間欠的であっても良いが、第２発熱体４ｂの表面に付着した第１原料ガスの分解成分を良好に取り除くためには、第２発熱体４ｂを第１原料ガスの供給中断から第２原料ガスの供給開始までの間中、連続的に発熱させ続けることが好ましい。また第２発熱体４ｂの総発熱時間は、発熱が連続的、間欠的にかかわらず、好適には１０分以上、より好適には２０分以上である。
【実施例】
【００８４】
（第１実施例）
次に上述した作用効果を具体的な実施例で確かめる。この第１実施例は本発明の範囲を限定するものではない。この実施例は、図１２に示すようなＡｌ基体１０の上面にキャリア注入阻止層１１、光導電層１２、表面保護層１３からなる感光層を有するａ−Ｓｉ感光体１４を、本発明の発熱体ＣＶＤ装置（実施例１〜３）と、従来の発熱体ＣＶＤ装置（比較例１）を用いてそれぞれ作製し、作製したａ−Ｓｉ感光体の感光層の帯電特性を評価するというものである。
【００８５】
帯電特性の評価は、作製したａ−Ｓｉ感光体１４の周囲に、感光体１４の表面を帯電させるコロナ帯電器１５と、感光体１４の表面電位を測定する表面電位測定器１６と、感光体１４の表面を除電する除電手段としてのイレースＬＥＤ１７とを、図１３に示すように配置させ、コロナ帯電器１５によって感光体１４に与える表面電荷量Ｑ（μＣ／ｃｍ２）を段階的に上昇させた場合における感光体１４の表面電位を測定し、該測定値によって帯電能力を調べることにより行われる。感光体１４の帯電能力を測定する際の感光体１４の周速度は０．０９４ｍ／ｓｅｃ、イレースＬＥＤ１７の波長は６５０ｎｍ、光量は４．０μＪ／ｃｍ２にそれぞれ設定した。表面電位の測定は各表面電荷量Ｑについて感光体の２回転目で行った。
【００８６】
なお、実施例・比較例で用いた発熱体ＣＶＤ装置としては、実施例１・実施例３では図１の構成に相当する装置、実施例２では図５の構成に相当する装置、比較例１では図１５の構成に相当する装置をそれぞれ用いた。実施例１〜３では、第１発熱体でキャリア注入阻止層１１及び光導電層１２を、第２発熱体で表面保護層１３を形成するようにしている点で共通しているものの、実施例２では光導電層１２を形成した後、第２発熱体を２２００℃の温度で２０分間連続的に発熱させ、しかる後、第２発熱体を用いて表面保護層１３を形成した点で実施例１や実施例３と相違している。比較例１では一本の発熱体でキャリア注入阻止層１１、光導電層１２、表面保護層１３を形成した。
【００８７】
また実施例・比較例に用いられた発熱体ＣＶＤ装置においては、径が０．５ｍｍで純度９９．９％のタンタルワイヤー１本を用いて発熱体を線状に構成した。また基体の加熱手段にはカートリッジヒーターを用いた。実施例３で用いた発熱体ＣＶＤ装置では、ステンレススチールからなる円柱状の遮光部材を用いた。
【００８８】
ａ−Ｓｉ感光体１４の作製は、上述の発熱体ＣＶＤ装置の真空容器内に表面を鏡面仕上げした直径３０ｍｍ、長さ２５４ｍｍの円筒状Ａｌ基体を１本セットし、成膜前に基体温度を２５０℃に保持しながら真空容器内の真空度を１×１０−２Ｐａに設定し、次に表１の条件のもとで基体１０上にキャリア注入阻止層１１、光導電層１２、表面保護層１３を順次積層することにより行った。
【表１】
2005179768.tif 000003
【００８９】
以上の実施結果を図１４に示す。同図は実施例１〜３、比較例１で作製したａ−Ｓｉ感光体の表面電荷量と表面電位との関係を示す線図であり、同図の横軸はコロナ帯電によって感光体に与えた表面電荷量Ｑ（μＣ／ｃｍ２）を表し、縦軸は感光体の表面電位（Ｖ）を表す。図１４より明らかなように、比較例１に比べて実施例１〜３は同じ表面電荷量に対してより高い表面電位を示しており、高い帯電能力が得られた。また遮蔽部材を発熱体間に介在させた実施例２、並びに、光導電層１２の形成後で表面保護層３の形成前に他方の発熱体を発熱させた実施例３は実施例１よりも若干高い帯電能力が得られた。これは、実施例２では遮蔽部材の介在によって光導電層１２の原料ガスの分解成分が第２発熱体の表面に付着することが抑制されることにより、上記分解成分が表面保護層１３内に混入することを実施例１よりも良好に防止できたことが原因と考えられる。また実施例３では、光導電層１２の形成後に第２発熱体を発熱させることにより第２発熱体の表面に付着した光導電層１２の原料ガスの分解成分が取り除かれ、上記分解成分が表面保護層１３に混入することを実施例１よりも良好に防止できたことが原因と考えられる。
【００９０】
（第２実施例）
第２実施例では、遮蔽部材の回転による作用効果を確かめる。この第２実施例は本発明の範囲を限定するものではない。この実施例は、図１２に示すａ−Ｓｉ感光体を、図５に示す本発明の発熱体ＣＶＤ装置（実施例４）、図９に示す本発明の発熱体ＣＶＤ装置（実施例５、６）を用いてそれぞれ作製し、作製したａ−Ｓｉ感光体を京セラミタ製レーザープリンタ（ＥＣＯＳＹＳ ＦＳ−３８００）に搭載して画像出力を行い、画像の黒点数を評価するというものである。
【００９１】
画像の黒点数の評価は、実施例４〜６のいずれにおいても、上記レーザープリンタを用いてＡ４用紙に白ベタ印刷を行い、得られた画像から感光体表面に存在する直径０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ未満の黒点の数量と、直径０．２ｍｍ以上の黒点の数量とをそれぞれ測定する作業を１０回行い、これらの平均黒点数を算出することにより行った。
【００９２】
なお、画像の黒点は、遮蔽部材から剥離した堆積物が基体に付着することによって、その部分に成膜欠陥が生じた場合に発生するものであり、例えば黒点数が大きい場合は、基体上に付着する堆積物が多く、黒点数が小さい場合は、基体上に付着する堆積物が少ないことを意味する。
【００９３】
また実施例４〜６のいずれにおいても、第１発熱体でキャリア注入阻止層１１及び光導電層１２を、第２発熱体で表面保護層１３を形成するようにした。実施例２のような空焼きは行っていない。
【００９４】
実施例４〜６に用いられた発熱体ＣＶＤ装置においては、径が０．５ｍｍで純度９９．９％のタンタルワイヤー１本を用いて発熱体を線状に構成し、基体の加熱手段にはカートリッジヒーターを用いた。また遮光部材としてはステンレススチールからなる円柱状のものを使用し、実施例５〜６では遮光部材の回転速度を１ｒｐｍ、１０ｒｐｍにそれぞれ設定した。
【００９５】
ａ−Ｓｉ感光体１４の作製は、上述の発熱体ＣＶＤ装置の真空容器内に表面を鏡面仕上げした直径３０ｍｍ、長さ２５４ｍｍの円筒状Ａｌ基体を１本セットし、成膜前に基体温度を２５０℃に保持しながら真空容器内の真空度を１×１０−２Ｐａに設定し、次に表１の条件のもとで基体１０上にキャリア注入阻止層１１、光導電層１２、表面保護層１３を順次積層することにより行った。
【００９６】
以上の実施結果を表２に示す。
【表２】
2005179768.tif 000004
【００９７】
表２によれば、平均黒点数は実施例４に比べて実施例５、６の方が少なく、良好な結果が得られている。これは実施例５、６では遮蔽部材の回転によって遮蔽部材に付着したガス分解成分が遮蔽部材の表面に均一な厚みで堆積されているため、該堆積物と遮蔽部材との密着性が良好となり、遮蔽部材の表面より堆積物が剥離することが抑制されたためであると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる発熱体ＣＶＤ装置の側面図である。
【図２】図１の発熱体ＣＶＤ装置の上面図である。
【図３】図１の発熱体ＣＶＤ装置の変形例の側面図である。
【図４】図１の発熱体ＣＶＤ装置の変形例の上面図である。
【図５】本発明の第２実施形態にかかる発熱体ＣＶＤ装置の側面図である。
【図６】図５の発熱体ＣＶＤ装置の上面図である。
【図７】図５の発熱体ＣＶＤ装置の変形例の側面図である。
【図８】図５の発熱体ＣＶＤ装置の変形例の上面図である。
【図９】本発明の第３実施形態にかかる発熱体ＣＶＤ装置の側面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態にかかる発熱体ＣＶＤ装置の上面図である。
【図１１】図１の発熱体ＣＶＤ装置の第２の変形例の側面図である。
【図１２】実施例、比較例において作製したａ−Ｓｉ感光体の断面図である。
【図１３】実施例、比較例において帯電能力を測定する方法を説明するための図である。
【図１４】実施例、比較例において作製したａ−Ｓｉ感光体の表面電荷量と表面電位との関係を示す線図である。
【図１５】従来の発熱体ＣＶＤ装置の側面図である。
【符号の説明】
【００９９】
１・・・真空容器
２・・・基体
３・・・基体支持体
４・・・発熱体
４ａ・・・第１発熱体
４ｂ・・・第２発熱体
５・・・電極
６・・・ガス排気口
７・・・ガス供給手段
８・・・ガス吹き出し孔
９・・・遮蔽部材
１０・・・Ａｌ基体
１１・・・キャリア注入阻止層
１２・・・光導電層
１３・・・表面保護層
１４・・・感光体
１５・・・コロナ帯電器
１６・・・表面電位測定器
１７・・・イレースＬＥＤ
１８，１９・・・回転手段
【図１】
2005179768.tif 000005
【図２】
2005179768.tif 000006
【図３】
2005179768.tif 000007
【図４】
2005179768.tif 000008
【図５】
2005179768.tif 000009
【図６】
2005179768.tif 000010
【図７】
2005179768.tif 000011
【図８】
2005179768.tif 000012
【図９】
2005179768.tif 000013
【図１０】
2005179768.tif 000014
【図１１】
2005179768.tif 000015
【図１２】
2005179768.tif 000016
【図１３】
2005179768.tif 000017
【図１４】
2005179768.tif 000018
【図１５】
2005179768.tif 000019