(57)【要約】【課題】  製造コストの増加と生産性の低下を回避して制御素子の静電破壊を防止する表示装置および電子機器を提供する。【解決手段】  表示領域１２の最外周部左側に併設される赤色用画素２０Ｒ内で、制御素子形成領域２２Ｒを、第１赤色用電源線ＶＲ１の配設される分だけ表示領域１２の左側辺から行方向中心側に偏倚して形成する。さらに、表示領域１２の最外周部上側に併設される各画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ内で、制御素子形成領域２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを、発光素子形成領域２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの形成される分だけ表示領域１２の上側辺から列方向中心側に偏倚して形成する。【選択図】      図２
2005331569.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素形成領域中の制御素子形成領域に形成された制御素子と前記画素形成領域中の発光素子形成領域に形成された発光素子を有した画素が、基板上の表示領域にマトリックス状に配置された表示装置において、
前記表示領域の最外周部に形成された各画素の前記制御素子形成領域の各々を、前記表示領域の中心側に偏倚させて形成したことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
画素形成領域中の制御素子形成領域に形成された制御素子と前記画素形成領域中の発光素子形成領域に形成された発光素子を有した画素が、基板上の表示領域にマトリックス状に配置されるとともに、マトリックス状に配置された各画素であってその一方向に併設された各画素について、それら各画素が形成される画素形成領域を通りそれら各画素に駆動電源を供給する電源線が併設された数だけ形成された表示装置において、
前記表示領域の前記一方向に沿う一外側辺に形成された各画素の画素形成領域を通る前記電源線を、前記制御素子形成領域より外側に形成したことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
画素形成領域中の制御素子形成領域に形成された制御素子と前記画素形成領域中の発光素子形成領域に形成された発光素子を有した画素が、基板上の表示領域にマトリックス状に配置されるとともに、マトリックス状に配置された各画素であってその一方向に併設された各画素について、それら各画素が形成される画素形成領域を通りそれら各画素に駆動電源を供給する電源線が併設された数だけ形成された表示装置において、
前記表示領域の前記一方向に沿って相対向する外側辺に形成された各画素の画素形成領域を通る前記電源線を、前記制御素子形成領域より外側に形成したことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
画素形成領域中の制御素子形成領域に形成された制御素子と前記画素形成領域中の発光素子形成領域に形成された発光素子を有した画素が、基板上の表示領域にマトリックス状に配置された表示装置において、
前記表示領域の一外側辺に形成された各画素の前記制御素子形成領域を、発光素子形成領域より前記表示領域の中心側に形成したことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
画素形成領域中の制御素子形成領域に形成された制御素子と前記画素形成領域中の発光素子形成領域に形成された発光素子を有した画素が、基板上の表示領域にマトリックス状に配置された表示装置において、
前記表示領域の相対向する外側辺に形成された各画素の前記制御素子形成領域を、発光素子形成領域より前記表示領域の中心側に形成したことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の表示装置において、
前記画素は、赤色の光を出射する赤色用画素と緑色の光を出射する緑色用画素と青色の光を出射する青色用画素である
ことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載の表示装置において、
前記発光素子は、有機材料で構成させた有機ＥＬ素子である
ことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つに記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置には、表示基板上に複数の走査線と複数の信号線とを形成して、それらの交差部に対応する位置に発光素子としての有機ＥＬ素子を含む画素を配置形成した有機ＥＬ表示装置が知られている。その画素には、有機ＥＬ素子を駆動させるためのスイッチング素子や駆動用素子等の制御素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が備えられている。こうして形成される画素は、表示基板上でマトリクス状に配置され、画像を表示する表示領域を形成している。
【０００３】
その画素に備えられるＴＦＴは、一般に、薄膜で形成されるゲート絶縁層を備えた素子であるため、電気的耐圧が低い。そのため、静電気等の外部電荷によってそのスイッチング動作に障害を来す虞がある。すなわち、表示領域の近傍に過度な静電気、例えば表示装置の製造工程で蓄積される表示基板外周部の静電気が存在すると、その静電気の電荷が表示領域の内側に侵入する。表示領域内に侵入する静電気の電荷は、ゲート絶縁層の電気的特性をシフトさせてＴＦＴのスイッチング特性を劣化させる。これにより、その画素における発光動作の誤動作や表示画面上の点欠陥を生じる問題となる。
【０００４】
こうした、ＴＦＴ（画素）の静電破壊は、静電気の電荷が侵入し易い領域ほど、すなわち表示領域の外周に近いＴＦＴ（画素）ほど顕著になる。そこで、従来より、こうした表示装置では、表示領域の外周に近いＴＦＴに対してその静電破壊を解消する提案がなされている（例えば、特許文献１）。特許文献１に記載される表示装置は、表示領域と、その表示領域の外周にあって静電気の電荷を表示基板の外方に放出するダミー領域とを備えている。このダミー領域には、表示領域に配置されるスイッチング素子よりも静電破壊の耐性が低いスイッチング素子（ダミー素子）が配置されている。このダミー素子は、静電気によって、その静電気の電荷を表示基板の外方に放出可能に静電破壊される。そのため、静電気によってダミー素子が優先的に破壊されると、静電気の電荷は、表示領域に侵入することなく表示基板の外方に放出される。これにより、表示領域に配置されるスイッチング素子が静電気から保護されるようになっている。
【特許文献１】特開平８−１９４２３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載するダミー素子を表示装置に形成すると以下の問題を生じることになる。すなわち、表示領域の外周にダミー素子やそのダミー素子を駆動する駆動回路等を追加するため、表示領域以外の領域（非表示領域）を拡大させることになる。従って、非表示領域に対する製造原料および製造工程の増加等を強いられるようになり、ひいては、表示装置およびその表示装置を備える電子機器の製造コストの増加とその生産性の低下を招く問題となる。
【０００６】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、製造コストの増加と生産性の低下を回避して制御素子の静電破壊を防止する表示装置および電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の表示装置は、画素形成領域中の制御素子形成領域に形成された制御素子と前記
画素形成領域中の発光素子形成領域に形成された発光素子を有した画素が、基板上の表示領域にマトリックス状に配置された表示装置において、前記表示領域の最外周部に形成された各画素の前記制御素子形成領域の各々を、前記表示領域の中心側に偏倚させて形成した。
【０００８】
本発明の表示装置によれば、表示領域の最外周に形成された各画素で、制御素子形成領域が表示領域の中心側に偏倚して配置形成されるようになる。従って、表示領域の外縁と制御素子との距離を拡大することができ、制御素子への静電気の電荷の侵入を低減することができる。その結果、表示装置およびその表示装置を備える電子機器に対して、その製造コストの増加と生産性の低下を回避して制御素子の静電破壊を防止することができる。さらに、例えば、複数の基板に対してそれぞれ側辺を研磨し、その側辺を互いに接着して１つの大型表示装置を形成する場合、その研磨によって発生する静電気の静電破壊を回避することができるため、より大型の表示領域を備える表示装置を形成することができる。
【０００９】
本発明の表示装置は、画素形成領域中の制御素子形成領域に形成された制御素子と前記画素形成領域中の発光素子形成領域に形成された発光素子を有した画素が、基板上の表示領域にマトリックス状に配置されるとともに、マトリックス状に配置された各画素であってその一方向に併設された各画素について、それら各画素が形成される画素形成領域を通りそれら各画素に駆動電源を供給する電源線が併設された数だけ形成された表示装置において、前記表示領域の前記一方向に沿う一外側辺に形成された各画素の画素形成領域を通る前記電源線を、前記制御素子形成領域より外側に形成した。
【００１０】
本発明の表示装置によれば、表示領域の一外側辺に形成された各画素の各画素形成領域を通る電源線が、それら各画素の各制御素子形成領域よりも外側に形成されるようになる。従って、電源線が形成される分だけ、各制御素子が一外側辺よりも離間して形成され、その制御素子への静電気の電荷の侵入を低減することができる。その結果、例えば研磨した一外側辺を互いに接着して１つの表示装置を形成する場合、その研磨によって発生する静電気に対し、静電破壊を回避した表示装置を提供することができる。そのため、表示装置およびその表示装置を備える電子機器に対して、その製造コストの増加と生産性の低下を回避して制御素子の静電破壊を防止することができる。
【００１１】
本発明の表示装置は、画素形成領域中の制御素子形成領域に形成された制御素子と前記画素形成領域中の発光素子形成領域に形成された発光素子を有した画素が、基板上の表示領域にマトリックス状に配置されるとともに、マトリックス状に配置された各画素であってその一方向に併設された各画素について、それら各画素が形成される画素形成領域を通りそれら各画素に駆動電源を供給する電源線が併設された数だけ形成された表示装置において、前記表示領域の前記一方向に沿って相対向する外側辺に形成された各画素の画素形成領域を通る前記電源線を、前記制御素子形成領域より外側に形成した。
【００１２】
本発明の表示装置によれば、表示領域の相対向する外側辺に形成された各画素の各画素形成領域を通る電源線が、それら各画素の各制御素子形成領域よりも外側に形成されるようになる。従って、電源線が形成される分だけ、各制御素子が両外側辺よりも離間して形成され、それら制御素子への静電気の電荷の侵入を低減することができる。その結果、表示装置およびその表示装置を備える電子機器に対して、その製造コストの増加と生産性の低下を回避して、相対向する外側辺の各画素に形成される制御素子の静電破壊を防止することができる。さらに、例えば、複数の基板に対して相対向する側辺の一方を研磨し、その側辺を互いに接着して１つの大型表示装置を形成する場合、その研磨によって発生する静電気の静電破壊を回避することができ、より大型の表示装置を形成することができる。この際、前記相対向する側辺の他方が大型表示装置の最外周に位置するため、形成された大型表示装置においても、前記相対向する側辺の他方で静電破壊を回避することができる
。
【００１３】
本発明の表示装置は、画素形成領域中の制御素子形成領域に形成された制御素子と前記画素形成領域中の発光素子形成領域に形成された発光素子を有した画素が、基板上の表示領域にマトリックス状に配置された表示装置において、前記表示領域の一外側辺に形成された各画素の前記制御素子形成領域を、発光素子形成領域より前記表示領域の中心側に形成した。
【００１４】
本発明の表示装置によれば、表示領域の一外側辺に形成される各画素の制御素子形成領域が、それぞれ発光素子形成領域よりも中心側に形成されるようになる。従って、発光素子形成領域が形成される分だけ、制御素子が一外側辺よりも離間して形成され、その制御素子への静電気の電荷の侵入を低減することができる。その結果、例えば研磨した一外側辺を互いに接着して１つの表示装置を形成する場合、その研磨によって発生する静電気に対し、静電破壊を回避した表示装置を提供することができる。そのため、表示装置およびその表示装置を備える電子機器に対して、その製造コストの増加と生産性の低下を回避して制御素子の静電破壊を防止することができる。
【００１５】
本発明の表示装置は、画素形成領域中の制御素子形成領域に形成された制御素子と前記画素形成領域中の発光素子形成領域に形成された発光素子を有した画素が、基板上の表示領域にマトリックス状に配置された表示装置において、前記表示領域の相対向する外側辺に形成された各画素の前記制御素子形成領域を、発光素子形成領域より前記表示領域の中心側に形成した。
【００１６】
本発明の表示装置によれば、表示領域の相対向する外側辺に形成される各画素の制御素子形成領域が、それぞれ発光素子形成領域よりも中心側に形成されるようになる。従って、発光素子形成領域が形成される分だけ、制御素子が両外側辺よりも離間して形成され、その制御素子への静電気の電荷の侵入を低減することができる。その結果、表示装置およびその表示装置を備える電子機器に対して、その製造コストの増加と生産性の低下を回避して、相対向する外側辺の各画素に形成される制御素子の静電破壊を防止することができる。さらに、例えば、複数の基板に対して相対向する側辺の一方を研磨し、その側辺を互いに接着して１つの大型表示装置を形成する場合、その研磨によって発生する静電気の静電破壊を回避することができ、より大型の表示装置を形成することができる。この際、前記相対向する側辺の他方が大型表示装置の最外周に位置するため、形成された大型表示装置においても、前記相対向する側辺の他方で静電破壊を回避することができる。
【００１７】
この表示装置は、上記表示装置において、前記画素が、赤色の光を出射する赤色用画素と緑色の光を出射する緑色用画素と青色の光を出射する青色用画素である。
この表示装置によれば、フルカラー表示可能な表示装置に対して、その画素の制御素子の静電破壊を防止することができる。
【００１８】
この表示装置は、上記表示装置において、前記発光素子が、有機材料で構成させた有機ＥＬ素子である。
この表示装置によれば、有機ＥＬ素子を備えた表示装置に対して、その画素の制御素子の静電破壊を防止することができる。
【００１９】
本発明の電子機器は、上記表示装置を備えたことを要旨とする。
本発明の電子機器によれば、電子機器の製造コストの増加と生産性の低下を回避して、その表示装置に備えられる制御素子の静電破壊を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（第１実施形態）
以下、本発明の表示装置を有機ＥＬ表示装置に具体化した第１実施形態を図１〜図３に従って説明する。図１は、有機ＥＬ表示装置の電気的構成を示す概略的な回路図である。
【００２１】
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１０は透明基板１１を備えている。透明基板１１は、ガラス等で形成される基板である。その透明基板１１には、図１に示すように、表示部となる表示領域１２、走査線駆動回路１３、信号線駆動回路１４および共通電源線１５が形成されている。なお、本実施形態では、走査線駆動回路１３および信号線駆動回路１４を透明基板１１上に形成した周辺駆動回路内蔵型の表示装置として具体化したが、これらを透明基板１１外部に配設する電子部品によって構成する有機ＥＬ表示装置であっても良く、その配設位置については特に限定しない。
【００２２】
表示領域１２は、図１に示すように、透明基板１１上に形成される四角形状の領域であって、画像が表示される。
その表示領域１２内には、図１において左右方向（行方向）に沿って延びる複数の走査線Ｙ１〜Ｙｎ（ｎは整数）が形成されている。走査線Ｙ１〜Ｙｎは、図１に示すように、表示領域１２の上端から第１走査線Ｙ１、第２走査線Ｙ２・・・第ｎ走査線Ｙｎの順序で形成されている。その走査線Ｙ１〜Ｙｎは、図１に示すように、走査線駆動回路１３に接続されている。走査線駆動回路１３は、図示しない外部装置から供給される走査制御信号に基づいて、走査線Ｙ１〜Ｙｎの中から１本の走査線を選択駆動し、その走査線に走査信号を入力する。
【００２３】
また、表示領域１２内には、図１において上下方向（列方向）に沿って延びる複数の赤色用信号線ＸＲ１〜ＸＲｍ（ｍは整数）、緑色用信号線ＸＧ１〜ＸＧｍ（ｍは整数）および青色用信号線ＸＢ１〜ＸＢｍ（ｍは整数）が形成されている。これら信号線ＸＲ１〜ＸＲｍ，ＸＧ１〜ＸＧｍ，ＸＢ１〜ＸＢｍは、図１に示すように、表示領域１２の左側から第１赤色用信号線ＸＲ１、第１緑色用信号線ＸＧ１、第１青色用信号線ＸＢ１、・・・、第ｍ赤色用信号線ＸＲｍ、第ｍ緑色用信号線ＸＧｍ、第ｍ青色用信号線ＸＢｍの順序で形成されている。これら信号線ＸＲ１〜ＸＲｍ，ＸＧ１〜ＸＧｍ，ＸＢ１〜ＸＢｍは、図１に示すように、信号線駆動回路１４に接続されている。信号線駆動回路１４は、図示しない外部装置から供給される表示データに基づいて各色用のデータ信号を生成し、その生成した各色用のデータ信号をそれぞれ対応する信号線ＸＲ１〜ＸＲｍ，ＸＧ１〜ＸＧｍ，ＸＢ１〜ＸＢｍに出力する。
【００２４】
さらに、表示領域１２内にあって信号線ＸＲ１〜ＸＲｍ，ＸＧ１〜ＸＧｍ，ＸＢ１〜ＸＢｍの左側には、図１に示すように、それぞれ赤色用電源線ＶＲ１〜ＶＲｍ（ｍは整数）、緑色用電源線ＶＧ１〜ＶＧｍ（ｍは整数）および青色用電源線ＶＢ１〜ＶＢｍ（ｍは整数）が形成されている。これら電源線ＶＲ１〜ＶＲｍ，ＶＧ１〜ＶＧｍ，ＶＢ１〜ＶＢｍは、表示領域１２の左側辺から第１赤色用電源線ＶＲ１、第１緑色用電源線ＶＧ１、第１青色用電源線ＶＢ１・・・第ｍ赤色用電源線ＶＲｍ、第ｍ緑色用電源線ＶＧｍ、第ｍ青色用電源線ＶＢｍ（ｍは整数）の順序で形成されている。これら電源線ＶＲ１〜ＶＲｍ，ＶＧ１〜ＶＧｍ，ＶＢ１〜ＶＢｍは、それぞれ共通電源線１５に接続されている。共通電源線１５は、表示領域１２の下端にあって第ｎ走査線Ｙｎと平行に形成されている。共通電源線１５は、図示しない電源電圧生成回路が生成する駆動電源Ｖｏをそれぞれ電源線ＶＲ１〜ＶＲｍ，ＶＧ１〜ＶＧｍ，ＶＢ１〜ＶＢｍに供給する。なお、これら電源線ＶＲ１〜ＶＲｍ，ＶＧ１〜ＶＧｍ，ＶＢ１〜ＶＢｍの線幅は、それぞれ対応する信号線ＸＲ１〜ＸＲｍ，ＸＧ１〜ＸＧｍ，ＸＢ１〜ＸＢｍの線幅よりも長く形成されている。
【００２５】
また、表示領域１２には、走査線Ｙ１〜Ｙｎと信号線ＸＲ１〜ＸＲｍ，ＸＧ１〜ＸＧｍ，ＸＢ１〜ＸＢｍ（電源線ＶＲ１〜ＶＲｍ，ＶＧ１〜ＶＧｍ，ＶＢ１〜ＶＢｍ）とが交差
する位置に、図１に示すように、四角形状の画素形成領域１６がマトリックス状に形成される。このマトリックス状に形成された各画素形成領域１６に画素が形成される。従って、表示領域１２の最外周左側に併設されるｎ個の画素形成領域１６には、対応する第１赤色用信号線ＸＲ１および第１赤色用電源線ＶＲ１が通る。さらに、表示領域１２の最外周上側に併設されるｍ×３個の画素形成領域１６には、対応する第１走査線Ｙ１が通る。
【００２６】
そして、後述するように、各画素形成領域１６は、発光素子形成領域と制御素子形成領域が区画形成されている。発光素子形成領域は、発光素子としての有機ＥＬ素子が形成される領域である。制御素子形成領域は、前記有機ＥＬ素子を発光させるための各種薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成される領域である。
【００２７】
次に、上記画素形成領域１６内に形成される画素について説明する。図２は、透明基板１１上に形成される各画像形成領域中の制御素子形成領域と発光素子形成領域の配置を示す要部概略配置図である。なお、図２では、表示領域１２の最外周辺に対する画素形成領域中の各種素子形成領域の位置関係を示すため、走査線駆動回路１３および信号線駆動回路１４を説明の便宜上省略している。
【００２８】
図２に示すように、各画素形成領域１６内には、信号線ＸＲ１〜ＸＲｍ，ＸＧ１〜ＸＧｍ，ＸＢ１〜ＸＢｍの各色に相対してそれぞれ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが形成されている。すなわち、表示領域１２の最外周左側に併設されるｎ個の画素形成領域１６には、それぞれ赤色用画素２０Ｒが形成されている。また、表示領域１２の最外周上側に併設されるｍ×３個の画素形成領域１６には、各色に相対してそれぞれ赤色用画素２０Ｒ，緑色用画素２０Ｇ，青色用画素２０Ｂが形成されている。
【００２９】
画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ（画素形成領域１６）には、図２に示すように、各色に相対してそれぞれ発光素子形成領域２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂと制御素子形成領域２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂとがそれぞれ設けられている。すなわち、赤色用画素２０Ｒ（画素形成領域１６）には、赤色用発光素子形成領域２１Ｒと赤色用制御素子形成領域２２Ｒが設けられている。同様に、緑色用画素２０Ｇには、緑色用発光素子形成領域２１Ｇと緑色用制御素子形成領域２２Ｇが設けられ、青色用画素２０Ｂには、青色用発光素子形成領域２１Ｂと青色用制御素子形成領域２２Ｂが設けられている。
【００３０】
発光素子形成領域２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、図２に示すように、略四角形状の領域である。その発光素子形成領域２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、図２に示すように、各画素形成領域１６内で、その上側（表示領域１２の上側）に偏倚して設けられている。そして、表示領域１２の最外周部上側に併設される画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂでは、表示領域１２の上側辺に対して、図２に示すように、発光素子形成領域２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂがそれぞれ最も近接するように配置される。
【００３１】
制御素子形成領域２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、図２に示すように、四角形状の領域である。その制御素子形成領域２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、図２に示すように、各画素形成領域１６内で、それぞれ発光素子形成領域２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂと電源線ＶＲ１〜ＶＲｍ，ＶＧ１〜ＶＧｍ，ＶＢ１〜ＶＢｍとに囲まれる位置に設けられている。すなわち、制御素子形成領域２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、電源線ＶＲ１〜ＶＲｍ，ＶＧ１〜ＶＧｍ，ＶＢ１〜ＶＢｍが配設されることによって、各画素形成領域１６の右側（表示領域１２の右側）に偏倚して配設される。さらに、制御素子形成領域２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、発光素子形成領域２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが形成されることによって、各画素形成領域１６の下側（表示領域１２の下側）に偏倚して配設される。
【００３２】
そして、表示領域１２の最外周部左側に併設される赤色用画素２０Ｒでは、図２に示す
ように、制御素子形成領域２２Ｒは、第１赤色用電源線ＶＲ１が配設されている分だけ表示領域１２の左側辺から行方向中心側に離間する。さらに、表示領域１２の最外周部上側に併設される画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂでは、図２に示すように、制御素子形成領域２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、発光素子形成領域２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが形成されている分だけ表示領域１２の上側辺から列方向中心側に離間する。
【００３３】
上記発光素子形成領域２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂには、発光素子としての有機ＥＬ素子２３（図１および図３参照）が形成されている。有機ＥＬ素子２３は、駆動電流を印加することによって、それぞれ各色の画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂに対応する色の光を出射する素子である。有機ＥＬ素子２３は、透明基板１１側から順に、それぞれ図示しない陽極、発光層、陰極を積層することにより形成されている。陽極は、透明性を有する材料として、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）から形成されている。発光層は周知の有機材料から形成されている。陰極は、アルミニウム等の金属材料から形成されている。なお、図１では画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの電気的概略構成を示す。
【００３４】
次に、上記制御素子形成領域２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ内に形成される制御素子について説明する。図３は、赤色用画素２０Ｒ内にある各種素子の配置を示す配置図である。なお、図３では、表示領域１２の左上端に形成される赤色用画素２０Ｒを記載しているが、他の赤色用画素２０Ｒ、並びに緑色用画素２０Ｇ、青色用画素２０Ｂにおいても図３に示す各種素子の配置と同じ配置で構成されている。
【００３５】
制御素子形成領域２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂには、スイッチングトランジスタＴｓおよび駆動用トランジスタＴｄが形成されている（図１および図３参照）。スイッチングトランジスタＴｓおよび駆動用トランジスタＴｄは、薄膜トランジスタ（以下単に、ＴＦＴという。）である。そして、これらスイッチングトランジスタＴｓと駆動用トランジスタＴｄとによって制御素子が構成されている。
【００３６】
図３に示すように、スイッチングトランジスタＴｓは、赤色用制御素子形成領域２２Ｒの下側辺と右側辺とに沿うように形成されている。駆動用トランジスタＴｄは、図３に示すように、赤色用制御素子形成領域２２Ｒの上側辺と左側辺に沿うように形成されている。なお、緑色用制御素子形成領域２２Ｇおよび青色用制御素子形成領域２２Ｂにおいても同様に、スイッチングトランジスタＴｓおよび駆動用トランジスタＴｄが、それぞれ制御素子形成領域２２Ｇ，２２Ｂの四方外側辺に位置決めされて形成されるものとする。
【００３７】
そのため、図３に示すように、画素２０Ｒ（画素２０Ｇ，２０Ｂ）の制御素子は、画素形成領域１６の右側に偏倚して形成される。詳述すると、画素形成領域１６の左側辺と駆動用トランジスタＴｄとの距離（左側偏倚量Ｗ１）が、第１赤色用電源線ＶＲ１（電源線ＶＲ１〜ＶＲｍ，ＶＧ１〜ＶＧｍ，ＶＢ１〜ＶＢｍ）の配設される分だけ、画素形成領域１６の右側辺とスイッチングトランジスタＴｓとの距離（右側偏倚量Ｗ２）よりも大きくなる。さらに、図３に示すように、画素２０Ｒ（画素２０Ｇ，２０Ｂ）の制御素子は、画素形成領域１６の下側に偏倚して配置される。詳述すると、図３に示すように、画素形成領域１６の上側辺と駆動用トランジスタＴｄとの距離（上側偏倚量Ｈ１）が、赤色用発光素子形成領域２１Ｒ（発光素子形成領域２１Ｇ，２１Ｂ）の形成される分だけ、画素形成領域１６の下側辺とスイッチングトランジスタＴｓとの距離（下側偏倚量Ｈ２）よりも大きくなる。
【００３８】
従って、表示領域１２の最外周部左側に併設される赤色用画素２０Ｒの制御素子では、左側偏倚量Ｗ１が右側偏倚量Ｗ２よりも大きくなる分だけ、表示領域１２の左側辺から侵入する静電気の電荷は低減する。さらに、表示領域１２の最外周部上側に併設される画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの制御素子では、上側偏倚量Ｈ１が下側偏倚量Ｈ２よりも大きく
なる分だけ、表示領域１２の上側辺から侵入する静電気の電荷は低減する。
【００３９】
そのスイッチングトランジスタＴｓのゲートは、図１および図３に示すように、走査線Ｙ１〜Ｙｎの相対する１本に接続されている。また、スイッチングトランジスタＴｓのソースとドレインは、それぞれ駆動用トランジスタＴｄのゲートと信号線ＸＲ１〜ＸＲｍ，ＸＧ１〜ＸＧｍ，ＸＢ１〜ＸＢｍの相対する１本に接続されている。駆動用トランジスタＴｄのソースとドレインは、電源線ＶＲ１〜ＶＲｍ，ＶＧ１〜ＶＧｍ，ＶＢ１〜ＶＢｍの相対する１本と有機ＥＬ素子２３の透明画素電極に接続されている。その駆動用トランジスタＴｄのゲート・ソース間には、保持キャパシタＣｓが接続されている。
【００４０】
次に、上記のように構成される有機ＥＬ表示装置１０の動作について説明する。
走査線駆動回路１３が、走査線Ｙ１〜Ｙｎを線順次走査に基づき１本ずつ順次選択すると、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０ＢのスイッチングトランジスタＴｓが順次、選択期間中だけオン状態になる。スイッチングトランジスタＴｓがオン状態になると、信号線駆動回路１４から出力される各色のデータ信号が、信号線ＸＲ１〜ＸＲｍ，ＸＧ１〜ＸＧｍ，ＸＢ１〜ＸＢｍおよびスイッチングトランジスタＴｓを介して、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂへ一斉に供給される。画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂに各色のデータ信号が供給されると、各保持キャパシタＣｓは、それぞれデータ信号に相対する電荷を蓄積する。
【００４１】
そして、スイッチングトランジスタＴｓがオフ状態になると、保持キャパシタＣｓに蓄積される電荷に相対した駆動電流が、駆動用トランジスタＴｄを介して有機ＥＬ素子２３に供給される。有機ＥＬ素子２３に駆動電流が供給されると、有機ＥＬ素子２３はその駆動電流に即した輝度で発光する。これにより、有機ＥＬ素子２３の発光する光が透明基板１１側の外方に向かって出射され、データ信号に基づく画像が有機ＥＬ表示装置１０（表示領域１２）上に表示される。
【００４２】
なお、これら電源線ＶＲ１〜ＶＲｍ，ＶＧ１〜ＶＧｍ，ＶＢ１〜ＶＢｍは、それぞれ共通電源線１５に接続されており、共通電源線１５は、駆動電源Ｖｏをそれぞれ電源線ＶＲ１〜ＶＲｍ，ＶＧ１〜ＶＧｍ，ＶＢ１〜ＶＢｍに供給するように記載したが、発光色毎駆動電源および共通電源線を設けてもよい。ただし、電源線ＶＲ１〜ＶＲｍ，ＶＧ１〜ＶＧｍ，ＶＢ１〜ＶＢｍに対して共通の共通電源線１５にて表示領域１２の最外周部を構成することにより、同電位の配線で静電気を遮蔽でき好ましい。
【００４３】
従って、上記実施形態によれば以下のような効果を得ることができる。
（１）上記実施形態では、表示領域１２の最外周部左側に併設される赤色用画素２０Ｒに対して、第１赤色用電源線ＶＲ１を各制御素子（スイッチングトランジスタＴｓと駆動用トランジスタＴｄ）、すなわち、制御素子形成領域よりも左側に配設させた。従って、第１赤色用電源線ＶＲ１が形成される分だけ、各制御素子を表示領域１２の左側辺から離間して形成することができる。その結果、表示領域１２の最外周左側に併設される各制御素子に対して、静電気の電荷の侵入を低減することができる。ひいては、最外周部左側に併設される赤色用制御素子形成領域２２Ｒの配置を変更するだけで静電気の電荷の侵入を低減することができ、有機ＥＬ表示装置１０の製造コストの増加と生産性の低下を回避して制御素子の静電破壊を防止することができる。
【００４４】
（２）また、表示領域１２の最外周部左側近傍に形成される緑色用画素２０Ｇおよび青色用画素２０Ｂに対して、赤色用画素２０Ｒと同じく、第１緑色用電源線ＶＧ１および第１青色用電源線ＶＢ１をそれぞれ制御素子よりも左側に配設させた。従って、表示領域１２の最外周左側近傍に併設される制御素子に対して、その静電破壊を確実に防止することができる。
【００４５】
（３）上記実施形態では、表示領域１２の最外周部上側に併設される画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂに対して、各有機ＥＬ素子２３（発光素子形成領域）を各制御素子よりも上側に形成させた。従って、有機ＥＬ素子２３が形成される分だけ、制御素子（スイッチングトランジスタＴｓと駆動用トランジスタＴｄ）を表示領域１２の上側辺から離間して形成することができる。その結果、表示領域１２の最外周上側に併設される制御素子に対して、静電気の電荷の侵入を低減することができる。ひいては、最外周上側に併設される制御素子形成領域２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの配置を変更するだけで静電気の電荷の侵入を低減することができ、有機ＥＬ表示装置１０の製造コストの増加と生産性の低下を回避して制御素子の静電破壊を防止することができる。
【００４６】
（４）上記実施形態では、画素形成領域１６に、それぞれ赤色用画素２０Ｒ、緑色用画素２０Ｇ並びに青色用画素２０Ｂを形成させた。従って、有機ＥＬ表示装置１０にフルカラー表示をさせることができ、その制御素子（スイッチングトランジスタＴｓと駆動用トランジスタＴｄ）の静電破壊を防止することができる。
【００４７】
（５）上記実施形態では、有機ＥＬ素子２３を備えた有機ＥＬ表示装置１０に対して、その画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの制御素子（スイッチングトランジスタＴｓと駆動用トランジスタＴｄ）の静電破壊を防止することができる。
（第２実施形態）
以下、本発明の表示装置を有機ＥＬ表示装置に具体化した第２実施形態を図４に従って説明する。第２実施形態は、第１実施形態に示す表示領域１２に対して、右半分の画素形成領域について、その画素形成領域中の各素子形成領域の配置を変更したものである。そのため、以下ではその変更点について詳細に説明する。
【００４８】
図４は、透明基板１１上に形成される各画素形成領域１６中の各素子形成領域の配置を示す要部概略配置図。なお、図４では、表示領域１２の最外周辺に対する画素形成領域中の各素子形成領域の位置関係を示すため、走査線駆動回路１３および信号線駆動回路１４を説明の便宜上省略している。
【００４９】
図４に示すように、表示領域１２の行方向略中央には、列方向に沿った列反転領域Ａが設けられている。そして、列反転領域Ａを境に、その右側半分の画素形成領域についてその各素子形成領域の配置を第１実施形態と異なる配置にしている。
【００５０】
本実施形態では、列反転領域Ａを境に右側半分の各画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを形成する画素形成領域１６を通る信号線と電源線との配置を、左側半分の各画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの信号線と電源線の配置と、左右反対に配置している。
【００５１】
つまり、右側半分の各画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂの画素形成領域１６において、線幅の短い信号線は、発光素子形成領域４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂおよび制御素子形成領域４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂの左側に配設される。各画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂの画素形成領域１６において、線幅の長い電源線は、発光素子形成領域４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂおよび制御素子形成領域４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂの右側に配設される。
【００５２】
また、前記実施形態と同様に、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂの各色に相対して設けられる発光素子形成領域４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂは、図４に示すように、画素形成領域１６の上側（表示領域１２の上側）に偏倚して設けられている。
【００５３】
さらに、前記実施形態と同様に、画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂの各色に相対して設けられる制御素子形成領域４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂは、図４に示すように、発光素子形成領域４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂが形成される分だけ、画素形成領域１６の下側（表示領域１２の
下側）に偏倚して配設されている。さらにまた、制御素子形成領域４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂは、画素形成領域１６内の右側に電源線ＶＲｍ，ＶＧｍ，ＶＢｍが配設される分だけ、画素形成領域１６の左側（表示領域１２の左側）に偏倚して配設される。
【００５４】
従って、上記実施形態によれば第１実施形態に加え以下のような効果を得ることができる。すなわち、表示領域１２の最外周部右側に形成される青色用画素４０Ｂに対して、第ｍ青色用電源線ＶＢｍを制御素子よりも右側に配設させた。これにより、第ｍ青色用電源線ＶＢｍが配設される分だけ、制御素子を表示領域１２の右側辺よりも離間して形成することができる。その結果、表示領域１２の最外周右側に併設される制御素子に対して、静電気の電荷の侵入を低減することができる。ひいては、最外周部右側に併設される青色用制御素子形成領域４２Ｂの配置を変更するだけで静電気の電荷の侵入を低減することができ、有機ＥＬ表示装置１０の製造コストの増加と生産性の低下を回避して制御素子の静電破壊を防止することができる。
【００５５】
また、表示領域１２の最外周部右側近傍に形成される緑色用画素４０Ｇおよび赤色用画素４０Ｒに対して、青色用画素４０Ｂと同じく、第ｍ緑色用電源線ＶＧｍおよび第ｍ赤色用電源線ＶＲｍをそれぞれ制御素子よりも右側に配設させた。従って、表示領域１２の最外周右側近傍に併設される制御素子に対して、その静電破壊を確実に防止することができる。
【００５６】
さらに、赤色用画素４０Ｒと青色用画素２０Ｂとが相対向する領域として列反転領域Ａを設けた。この列反転領域Ａには、有機ＥＬ素子の陰極を接地するコンタクト配線を形成することができる。その結果、コンタクト配線の形成領域を別途設ける場合に比べ、その形成領域分だけ透明基板１１上に表示領域１２を拡大形成することができる。
【００５７】
なお、図４に示すように、上記実施形態では列反転領域Ａを表示領域１２の行方向略中央に形成したが、これを変更して、列反転領域Ａを表示領域１２の左側近傍、或いは右側近傍に形成する構成としてもよい。さらには、表示領域１２の最外周部左右上側を形成する画素形成領域１６の制御素子のみが、表示領域１２の最外周部左右上側から離間する側に偏倚して配設される構成にしてもよい。また、赤色用画素４０Ｒおよび緑色用画素４０Ｇをそれぞれ赤色用画素２０Ｒおよび緑色用画素２０Ｇと同じ制御素子の配置構成に変更して、青色用画素２０Ｂ，４０Ｂの制御素子のみが、列反転領域Ａを境にその配置構成を反転させるようにしてもよい。
（第３実施形態）
以下、本発明の表示装置を有機ＥＬ表示装置に具体化した第３実施形態を図５に従って説明する。第３実施形態は、第２実施形態に示す表示領域１２に対して、下側半分の画素形成領域について、その画素形成領域中の各素子形成領域の配置を変更したものである。そのため、以下ではその変更点について詳細に説明する。
【００５８】
図５は、透明基板１１上に形成される各種素子形成領域の配置を示す要部概略配置図。なお、図５では、表示領域１２の最外周辺に対する各種素子形成領域の位置関係を示すため、走査線駆動回路１３および信号線駆動回路１４を説明の便宜上省略している。
【００５９】
図５に示すように、表示領域１２の下側半分の各画素５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ，６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂが形成される画素形成領域１６について、その各素子形成領域の配置を第２実施形態と異なる配置形成にしている。
【００６０】
本実施形態では、画素５０Ｒ〜６０Ｂの画素形成領域１６中の発光素子形成領域５１Ｒ〜６１Ｂは同画素形成領域１６の下側（外部接続部３０側）に偏倚して設けられている。そして、画素５０Ｒ〜６０Ｂの画素形成領域１６中の制御素子形成領域５２Ｒ〜６２Ｂは
、図５に示すように、それぞれ発光素子形成領域５１Ｒ〜６１Ｂの上側（表示領域１２の上側）に偏倚して配設されている。
【００６１】
従って、上記実施形態によれば第２実施形態に加え以下のような効果を得ることができる。すなわち、表示領域１２の最外周部四辺に形成される画素に対して、各制御素子を表示領域１２の中心側に偏倚するように配置させた。これにより、第１赤色用電源線ＶＲ１および第ｍ赤色用電源線ＶＲｍ、ならびに発光素子形成領域５１Ｒ〜６１Ｂが形成される分だけ、制御素子を表示領域１２の最外周四辺から離間して形成することができる。その結果、表示領域１２の最外周四辺に併設される制御素子に対して、静電気の電荷の侵入を低減することができる。ひいては、最外周四辺に併設される制御素子の形成領域を中心側に偏倚するだけで静電気の電荷の侵入を低減することができ、有機ＥＬ表示装置１０の製造コストの増加と生産性の低下を回避して制御素子の静電破壊を防止することができる。
【００６２】
なお、上記実施形態において、画素５０Ｒ〜６０Ｂが画素２０Ｒ〜４０Ｂと相対向する位置は、表示領域１２の列方向中央であってもよく、或いは表示領域１２の上側近傍や下側近傍であってもよい。さらには、表示領域１２の最外周部四辺を形成する画素形成領域１６の制御素子のみが、表示領域１２の中心側に偏倚して配設される構成にしてもよい。また、赤色用画素５０Ｒおよび緑色用画素５０Ｇをそれぞれ赤色用画素６０Ｒおよび緑色用画素６０Ｇと同じ制御素子の配置構成に変更して、青色用画素５０Ｂ，６０Ｂの制御素子のみが、列反転領域Ａを境にその配置構成を反転させるようにしてもよい。
（第４実施形態）
以下、本発明の表示装置を有機ＥＬ表示装置に具体化した第４実施形態を図６および図７に従って説明する。第４実施形態は、第３実施形態の透明基板１１を複数枚貼り合わせて１つの有機ＥＬ表示装置１０を形成したものである。そのため、以下ではその変更点について詳細に説明する。
【００６３】
図６は、有機ＥＬ表示装置１０に備えられる透明基板の配置を示す配置図である。図７は、有機ＥＬ表示装置１０に備えられる透明基板の表示領域において、各画素形成領域中の各素子形成領域の配置を示す配置図である。なお、図７では各種素子形成領域の配置を示すため、走査線駆動回路１３および信号線駆動回路１４を説明の便宜上省略している。
【００６４】
図６に示すように、有機ＥＬ表示装置１０には、４枚の透明基板１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄが備えられている。その透明基板１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄは、それぞれ列方向接合部６５ａおよび行方向接合部６５ｂで接合され、大型基板６５ｃを形成している。
【００６５】
透明基板１１ａは、図６に示されるように、大型基板６５ｃの左下部を形成している。その透明基板１１ａ上には、図７に示すように、第３実施形態と同じ各素子形成領域の配置からなる表示領域１２ａを備えている。その透明基板１１ａ外縁であって列方向接合部６５ａおよび行方向接合部６５ｂと相対する外側辺、すなわち透明基板１１ａの図７における上側辺および右側辺は、各画素形成領域１６近傍まで研磨されている。
【００６６】
また、なお、透明基板１１ｂ，１１ｃ，１１ｄも透明基板１１ａと同じく、第３実施形態と同じ各素子形成領域の配置からなる表示領域１２ａを備えている。従って、透明基板１１ｂ，１１ｃ，１１ｄの基板外縁であって列方向接合部６５ａおよび行方向接合部６５ｂに相対する外側辺が、透明基板１１ａと同様に研磨されている。
【００６７】
従って、上記構成による有機ＥＬ表示装置１０では、以下のような効果を得ることができる。すなわち、透明基板１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄの研磨される外側辺に対して、各制御素子は、その外側辺から離間する方向に偏倚して配置される。例えば、透明基板
１１ａの場合、研磨される外側辺と相対する表示領域１２ａの最外周上側および最外周右側では、各制御素子（スイッチングトランジスタＴｓと駆動用トランジスタＴｄ）が、それぞれ表示領域１２ａの下側および左側に偏倚して配置される。そのため、各制御素子は、研磨される外側辺から偏倚して離間する分だけ、研磨する際に発生する静電気の電荷の侵入を低減することができる。その結果、制御素子の配置を変更するだけで静電気の電荷の侵入を低減することができる。ひいては、大型の有機ＥＬ表示装置１０に対しても、その製造コストの増加と生産性の低下を回避して、制御素子の静電破壊を防止することができる。
【００６８】
（第５実施形態）
以下、本発明の電子機器をパーソナルコンピュータに具体化した第５実施形態を図８に従って説明する。図８は、パーソナルコンピュータを示す概略斜視図である。
【００６９】
パーソナルコンピュータ７０は、図８に示すように、モバイル型のパーソナルコンピュータであって、キーボード７１を備えた本体部７２と、有機ＥＬ表示装置１０を用いた表示ユニット７３とを備えている。
【００７０】
パーソナルコンピュータ７０によれば、その製造コストの増加と生産性の低下を回避して制御素子の静電破壊の防止を実現することができる。
なお、本発明は以下のように変更して具体化することもできる。
【００７１】
・上記実施例では、表示装置を有機ＥＬ表示装置１０として具体化したが、本発明は、有機ＥＬ素子２３以外の発光素子を用いた表示装置や電子装置にも適用可能である。例えば、駆動電流に応じて発光の階調が調整可能な他の種類の発光素子（ＬＥＤやＦＥＤ等）、或いは液晶を備える表示装置にも適用することができる。
【００７２】
・上記実施形態では、２つのＴＦＴからなる画素によって具体化したが、例えば３つのＴＦＴを用いて構成してもよく、その電気的構成は、ＴＦＴや信号線、さらには有機ＥＬ素子や電源線の数量に限定されない。
【００７３】
・上記実施形態では、画素に形成される有機ＥＬ素子と各種配線とが、行方向に沿って電源線、有機ＥＬ素子、信号線の順序で配置されるように構成した。これを変更し、例えば信号線、電源線、有機ＥＬ素子の順序で構成してもよく、制御素子が表示領域の中心方向に偏倚する構成であればよい。
【００７４】
・第５実施形態は、図８に示すようなパーソナルコンピュータ７０に限らず、携帯電話、デジタルカメラ等の各種の電子機器に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】第１実施形態の有機ＥＬ表示装置の電気的構成を示す概略的な回路図。
【図２】同じく、表示領域にある各種素子形成領域の配置を示す配置図。
【図３】同じく、画素にある各種素子形成領域の配置を示す配置図。
【図４】第２実施形態の表示領域にある各種素子形成領域の配置を示す配置図。
【図５】第３実施形態の表示領域にある各種素子形成領域の配置を示す配置図。
【図６】第４実施形態の表示装置にある各表示領域の配置を示す配置図。
【図７】第４実施形態の表示領域にあるにある各種素子形成領域の配置を示す配置図。
【図８】第５実施形態の電子機器を示す斜視図。
【符号の説明】
【００７６】
１０…表示装置としての有機ＥＬ表示装置、１１…透明基板、１２…表示領域、１６…画素形成領域、２０Ｒ，４０Ｒ，５０Ｒ，６０Ｒ…赤色用画素、２０Ｇ，４０Ｇ，５０Ｇ，６０Ｇ…緑色用画素、２０Ｂ，４０Ｂ，５０Ｂ，６０Ｂ…青色用画素、２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ…発光素子形成領域、２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ…制御素子形成領域、２３…発光素子としての有機ＥＬ素子、７０…電子機器としてのパーソナルコンピュータ、Ｔｓ…制御素子を構成するスイッチングトランジスタ、Ｔｄ…制御素子を構成する駆動用トランジスタ、ＶＲ１，ＶＧ１，ＶＢ１，ＶＲｍ，ＶＧｍ，ＶＢｍ…電源線。
【図１】
2005331569.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005331569.tif 000009
【図８】
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