(57)【要約】【課題】コンタクトホールを形成した際に生じる不要な絶縁膜のみを除去する工程を省略し、工程を簡素化することができる透明電極膜の形成方法を提供する。【解決手段】下地材料５１の上に絶縁膜４２を形成する絶縁膜形成ステップと、絶縁膜４２にコンタクトホール５４を形成するコンタクトホール形成ステップと、コンタクトホール５４を形成した際にコンタクトホール５４内の下地材料５１上に形成される不要な絶縁膜９９を溶解可能なフッ素を含有する溶剤であって、透明導電膜１１の前駆体物質を含む液体９７を、不要な絶縁膜９９を覆うように透明導電膜を１１形成すべき部分に塗布する塗布ステップと、透明導電膜１１の前駆体物質によって溶解した不要な絶縁膜９９の成分を揮発させるアニールステップとを有する。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有する下地材料の上層に透明導電膜を形成する透明導電膜の形成方法であって、
前記下地材料の上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップと、
前記絶縁膜にコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成ステップと、
前記コンタクトホールを形成した際に前記コンタクトホール内の前記下地材料上に形成される不要な絶縁膜を溶解可能なフッ素を含有する溶剤であって、前記透明導電膜の前駆体物質を含む液体を、前記不要な絶縁膜を覆うように前記透明導電膜を形成すべき部分に塗布する塗布ステップと、
前記透明導電膜の前駆体物質によって溶解した前記不要な絶縁膜の成分を揮発させるアニールステップと
を有することを特徴とする透明導電膜の形成方法。
【請求項２】
前記溶媒が有機溶媒であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項３】
前記溶媒がアセチルアセトンであり、前記溶媒の溶質が、インジウムアセチルアセナート、ジプティンジアセテート及びフッ素を含有することを特徴とする請求項２に記載の透明電極膜の形成方法。
【請求項４】
前記溶媒が無機溶媒であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項５】
前記溶媒が水であり、前記溶媒の溶質が、塩化インジウム、塩化錫及びフッ素を含有することを特徴とする請求項４に記載の透明電極膜の形成方法。
【請求項６】
前記溶媒の溶質がフッ化インジウムを含有することを特徴とする請求項３又は請求項５のいずれかに記載の透明導電膜の形成方法。
【請求項７】
前記アニールステップでは、重水銀ランプを用いてアニールを行うことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の透明導電膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電性を有する下地材料の上層に透明導電膜を形成する透明導電膜の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、透明導電膜の形成の際においては、まず、透明基板上に配線を形成し、その配線上に層間膜を形成している。この層間膜には、例えばドライエッチングを用いてコンタクトホールが形成される。このような層間膜のコンタクトホール内の下地材料上には、例えばドライエッチングの際に生ずるダメージ層及び／又は自然酸化膜のような不要な絶縁膜が形成されることが知られている。
【０００３】
このような不要な絶縁膜は、絶縁性を有することから、このまま透明導電膜の形成を進めると、透明導電膜の電気特性に影響が生じてしまう。このため、従来、このような不要な絶縁膜を除去することが試みられている（例えば特許文献１参照）。この従来技術では、層間膜へのコンタクトホールの形成後、例えばアルミニウムでなる下地材料としてのゲート電極の表面に形成された不要な絶縁膜を、ウェットエッチング処理で除去している。
【０００４】
【特許文献１】
特開平９−１８６１０１号公報（第２図）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このような従来技術では、ゲート電極へのコンタクトホール形成後に、上記不要な絶縁膜のみをウェットエッチングで除去する工程を、透明導電膜の形成工程とは別に設ける必要があり、工程の簡素化を図ることができない問題点があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解消して、コンタクトホールを形成した際に生じる不要な絶縁膜のみを除去する工程を省略し、工程を簡素化することができる透明電極膜の形成方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述の目的は、第１の発明によれば、導電性を有する下地材料の上層に透明導電膜を形成する透明導電膜の形成方法であって、前記下地材料の上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップと、前記絶縁膜にコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成ステップと、前記コンタクトホールを形成した際に前記コンタクトホール内の前記下地材料上に形成される不要な絶縁膜を溶解可能なフッ素を含有する溶剤であって、前記透明導電膜の前駆体物質を含む液体を、前記不要な絶縁膜を覆うように前記透明導電膜を形成すべき部分に塗布する塗布ステップと、前記透明導電膜の前駆体物質によって溶解した前記不要な絶縁膜の成分を揮発させるアニールステップとを有することを特徴とする透明導電膜の形成方法により、達成される。
上記構成によれば、下地材料上の絶縁膜にコンタクトホールを形成した際に生ずる不要な絶縁膜に対して透明導電膜の前駆体物質を含む液体が塗布されると、その透明導電膜の前駆体物質が不要な絶縁膜を溶解し、透明導電膜の前駆体物質を含む液体に溶け出す。このような状態において透明導電膜の前駆体物質を含む液体に対して揮発処理を行うと、透明導電膜の前駆体物質中に溶解した不要な絶縁膜の成分が揮発する。従って、この透明電極膜の形成方法によれば、不要な絶縁膜のみを除去する工程を省略し、工程を簡素化することができる。
また、副次的効果ではあるが、本発明の実施形態によれば、下地材料と透明導電膜とのコンタクト抵抗を引き下げることもできる。
【０００８】
第２の発明は、第１の発明の構成において、前記溶媒が有機溶媒であることを特徴とすることを特徴とする。
第３の発明は、第２の発明の構成において、前記溶媒がアセチルアセトンであり、前記溶媒の溶質が、インジウムアセチルアセナート、ジプティンジアセテート及びフッ素を含有することを特徴とする。
【０００９】
第４の発明は、第１の発明の構成において、前記溶媒が無機溶媒であることを特徴とする。
第５の発明は、第４の発明の構成において、前記溶媒が水であり、前記溶媒の溶質が、塩化インジウム、塩化錫及びフッ素を含有することを特徴とする。
第６の発明は、第３の発明又は第５の発明のいずれかの構成において、前記溶媒の溶質がフッ化インジウムを含有することを特徴とする。
【００１０】
第７の発明は、第１の発明ないし第６の発明のいずれかの構成において、前記アニールステップでは、重水銀ランプを用いてアニールを行うことを特徴とする。
上記構成によれば、透明導電膜と下地材料とのコンタクト抵抗を引き下げることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、透明導電膜１１を含む液晶表示素子１００の構成例を示す断面図である。尚、図１においては、コンタクトホール５４に透明導電膜１１を形成する部分を拡大して図示しており、その他の部分を省略して図示している。また、この液晶表示素子１００では、バックライトの図示を省略している。
【００１２】
液晶表示素子１００は、本発明の好ましい実施形態としての透明導電膜の形成方法によって形成された透明導電膜１１を含んだ構成となっている。この液晶表示素子１００は、入射光が入射する側の反対側である表示面側から、透明基板１、配線５１（ゲート電極）、層間膜５１（ゲート絶縁膜）、透明導電膜１１、コンタクトホール５４、保護絶縁膜４１、配硬膜１２、液晶５０、配向膜２２、共通電極２１及び対向基板２を備えている。
【００１３】
図１において液晶表示素子１００は、透明基板１と、これに対向するように形成された透明な対向基板２とを備えている。透明基板１は、例えば石英基板や無アルカリガラスを材質とし、対向基板２は、例えばガラス基板である。
この液晶表示素子１００には、例えばマトリクス状に複数の透明導電膜１１（画素電極）が設けられており、図示の上側には、ラビング等の所定の配向処理が施された配向膜２２が、その全面に渡って設けられている。この透明導電膜１１は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜などの透明導電性薄膜である。また、配向膜１２は、例えばポリイミド薄膜などの有機薄膜である。
【００１４】
他方、対向基板２には、その全面に渡って共通電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。共通電極２１は、例えばＩＴＯ膜などの透明導電性薄膜である。また、配向膜２２は、ポリイミド薄膜などの有機薄膜である。
【００１５】
透明基板１は、複数の透明導電膜１１に各々隣接する位置に、複数の透明導電膜１１を各々スイッチング制御する図示しないＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が設けられている。このＴＦＴはスイッチング素子としての機能を有する。対向基板２には、さらにブラックマトリクスが、例えば図示しないＴＦＴに対向する所定領域に設けられている。
【００１６】
配向膜１２と透明導電膜１１の間には、保護絶縁膜４１が設けられている。保護絶縁膜４１は、図示しないＴＦＴを構成するｐ−Ｓｉ層を、図示しない遮光層から絶縁するために設けられている。さらに、保護絶縁膜４１は、透明基板１の全面に形成されることにより、図示しないＴＦＴのための下地膜としての機能を有する。すなわち、保護絶縁膜４１は、透明基板１の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で図示しないＴＦＴの特性の劣化を防止する機能を有する。
【００１７】
保護絶縁膜４１の下側には、絶縁性を有する層間膜４２（ゲート絶縁層）に沿って透明導電膜１１が形成されている。層間膜４２は、例えばＳｉＯ２を材質として含んでいる。この透明導電膜１１は、コンタクトホール５４によって配線５１（ゲート電極）に電気的に接続されている。つまり、このコンタクトホール５４は、階層の異なる透明導電膜１１と配線５１とを電気的に接続している。この配線５１は、例えばポリシリコンを材質としている。
【００１８】
コンタクトホール５４は、図示のように層間膜４２に形成された孔であり、エッチング等により形成された際に透明基板１上に、エッチング等によるダメージ層や自然酸化膜のような不要な絶縁膜が形成されてしまうのが一般的である。本実施形態においては、後述するように透明導電膜１１を形成する際に、同時にこれら不要な絶縁膜を除去するようにしている。また、上記配線５１の下側には、透明基板１が設けられている。
【００１９】
液晶表示素子１００は以上のような構成であり、次に上記図１を参照しつつ、透明導電膜１１の形成方法の手順の一例について説明する。
図２は、透明導電膜１１の形成方法を含む液晶表示素子１００の製造方法の手順の一例を示すフローチャートであり、図３〜図５は、それぞれ図２に示す透明導電膜１１を含む液晶表示素子１００を製造する様子の一例を示す断面図である。尚、図３〜図５においては断面構成を簡素化して図示しており、図２と共に、主として透明導電膜１１の形成に関する部分を中心として説明する。
【００２０】
まず、図３（Ａ）に示すように石英基板、ハードガラス等の透明基板１（ＴＦＴアレイ基板）を用意する。次にステップＳＴ２では、この透明基板１の全面に、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｕｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｏｎ）法等によりＷなどの高融点金属の金属シリサイド等からなる遮光層を透明基板１の全面に形成する。その後、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程により、これらの基板全面に形成された遮光層を、上記ＴＦＴを形成する予定の領域のみを残して、図示しない遮光層を形成する。
【００２１】
次に図２のステップＳＴ１では、図３（Ｂ）に示すように透明基板１上に、配線５１（ゲート電極）を形成する。次に図２のステップＳＴ２では、図３（Ｃ）に示すようにこの配線５１の上に、絶縁性を有する層間膜４２を成膜する。次にステップＳＴ３では、図４（Ａ）に示すように層間膜４２にコンタクトホール５４を形成する。
【００２２】
具体的には、このコンタクトホール５４は、例えば反応性エッチング或いは反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングを用いて形成される。層間膜４２を貫通して配線５１が露出するようにコンタクトホール５４が形成されると、このコンタクトホール５４内の配線５１には、エッチングの際に配線５１がダメージを受けたことによるダメージ層及び／又は自然に酸化することによる自然酸化膜である不要な絶縁層９９が形成されてしまうのが一般的である。
【００２３】
次に図２のステップＳＴ４では、図４（Ｂ）に示すようにコンタクトホール５４を含む層間膜４２上に透明導電膜１１のプリカーサを含む液体９７を塗布する。この透明導電膜１１のプリカーサを含む液体９７は、層間膜４２にコンタクトホール５４を形成した際に、コンタクトホール５４内の配線５１上に形成される不要な絶縁層９９を、溶解可能なフッ素を含有する溶剤である。
【００２４】
ここで、透明導電膜１１のプリカーサとは、透明導電膜１１となるべき前駆体物質を意味している。この透明導電膜１１のプリカーサを含む液体９７は、例えば有機溶媒或いは無機溶媒を採用することができる。
この透明導電膜１１のプリカーサを含む液体９７としては、有機溶媒であれば、例えばアセチルアセトンを採用することができる。また、溶質としては、例えばインジウムアセチルアセトナート、ジブチルティンジアセテート及び／又はアルコキシド類等の有機金属化合物を採用することができる。
【００２５】
また、この透明導電膜１１のプリカーサを含む液体９７としては、無機溶媒であれば、例えば水を採用することができる。また、溶質としては、例えばこの無機溶媒に添加する溶媒としては、例えば塩化物、硝酸塩等の無機塩、ＩｎＣｌ３・４Ｈ２Ｏ及び／又はＳｎＣｌ２・２Ｈ２Ｏを採用することができる。
これら有機溶媒或いは無機溶媒の溶質に添加する添加溶質としては、例えばＩｎＦ３を挙げることができる。また、これら有機溶媒或いは無機溶媒に添加する溶媒としては、例えばＨＦ或いはＮＨ４Ｆを挙げることができる。
【００２６】
次に図２のステップＳＴ５では、透明導電膜１１のプリカーサを含む液体９７が、不要な絶縁層９９を、図４（Ｃ）に示すように溶解する。不要な絶縁層９９が溶解するのは、透明導電膜１１のプリカーサを含む液体９７がフッ素を含んでおり、不要な絶縁膜９９が、フッ素に反応して透明導電膜１１のプリカーサを含む液体９７中に溶解するためである。
【００２７】
このように透明導電膜１１のプリカーサを含む液体９７を用いて不要な絶縁層９９を溶解させると、従来とは異なり、わざわざ不要な絶縁層９９を除去するために不要な絶縁層９９のライトエッチングを行う、ライトエッチング工程を省略することができる。
【００２８】
次に図２のステップＳＴ６では、透明導電膜１１のプリカーサを含む液体９７に対して、例えば重水銀ランプを用いてアニールを行うアニール処理が施され、図５に示すようにコンタクトホール５４や配線５１上に透明導電膜１１が形成される。ここで、本実施形態において、従来の形成方法に必要であったライトエッチング工程が不要であるのは、アニール処理を行った際に不要な絶縁層９９の成分が気化してしまうためである。
【００２９】
ここで、透明導電膜１１のプリカーサを含む液体９７に対してアニール処理を行う代わりに、例えば紫外線（ＵＶ：Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ  ｒａｙｓ）を照射しても良いことはいうまでもない。
次に図１に示すように、透明導電膜１１上には保護絶縁膜４１が形成される。保護絶縁膜４１上には、配向膜１２、液晶５０、配向膜２２、配向膜２２、共通電極２１及び対向基板２が形成され、液晶表示素子１００が完成する。
【００３０】
図６は、様々な条件の下で透明導電膜１１を形成した場合の電気特性等の一例を示す図である。
この図６では、透明導電膜１１のプリカーサを含む液体９７の溶媒及び、溶媒に添加する添加溶媒並びに、溶質及び、溶質に添加する添加溶質を例示し、さらにライトエッチングを行うか否か、アニール温度の設定、ＵＶによるアニール処理を行うか否かに応じて、コンタクト抵抗や比抵抗のような電気特性の一例を図示している。
【００３１】
まず、溶媒としては、有機物である例えばアセチルアセトン及び、無機物である例えば水を例示している。
溶媒が有機物である上段では、例えば、溶媒としてアセチルアセトンを、添加溶媒としてＨＦを０．０１％添加する場合、ＮＨ４Ｆを０．０１％添加する場合及び全く添加しない場合を例示している。また、Ｉｎ溶質としてインジウムアセチルアセトナートを、Ｓｎ溶質としてジブチルティンジアセテートを７．５ｍｏｌ％添加する場合を例示している。また、添加溶質としてＩｎＦ３、ＳｎＦ４を溶質に１％添加する場合或いは溶質を添加しない場合を例示している。
【００３２】
図６の上段では、ライトエッチングを行う場合及び行わない場合を例示している。また、図６の上段では、例えば２００℃でアニール処理を行う場合及び例えば４００℃でアニール処理を行う場合を例示している。また、図６では、紫外線（ＵＶ：Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ  ｒａｙｓ）を用いてアニール処理する場合及び処理しない場合を例示している。ここで、比抵抗とは、液体成膜としての透明導電膜１１の抵抗値を表している。
【００３３】
一方、溶媒が無機物である下段では、例えば、溶媒として水を、添加溶媒としてＨＦを０．０１％添加する場合、ＮＨ４Ｆを０．０１％添加する場合及び全く添加しない場合を例示している。また、Ｉｎ溶質としてＩｎＣＬ３・４Ｈ２Ｏを、Ｓｎ溶質としてジブチルティンジアセテートを７．５ｍｏｌ％添加する場合を例示している。また、添加溶質としてＩｎＦ３或いはＳｎＦ４を溶質に１％添加する場合或いは溶質を添加しない場合を例示している。
【００３４】
サンプルＡ１及びサンプルＡ２はそれぞれ比較対象の例示であり、サンプルＢ１及びサンプルＢ２はそれぞれ従来例である。
まず、溶媒が有機物であるサンプルＡ１〜サンプルＨ１について検証する。
サンプルＢ１では、アニール温度を４００℃としてライトエッチングを行ってから透明導電膜１１を形成すると、比抵抗が８×１０−４であり、コンタクト抵抗が４ＭΩ・ｃｍ２である。これに対して、ライトエッチングを行わないサンプルＡ１では、比抵抗は従来と同様であるが、コンタクト抵抗が∞Ω・ｃｍ２と、上記不要な絶縁層９９が残っていることから当然に、比較例であるサンプルＢ１よりも大きな値となる。
【００３５】
例えば溶媒に添加溶媒ＨＦを０．０１％加えたサンプルＣ１では、添加溶質を同様に無しとし、ライトエッチング及びＵＶアニールのいずれも行わないと、比抵抗が３×１０−４となり、比較例であるサンプルＡ１よりも引き下げることができる。この場合、コンタクト抵抗は、例えば７００ＫΩ・ｃｍ２となっている。
【００３６】
次にサンプルＤ１では、添加溶媒を無しとし、添加溶質をＩｎＦ３とすると、比抵抗は、例えば３×１０−４と、さらに引き下げることができる。この場合、コンタクト抵抗は、例えば５００ＫΩ・ｃｍ２と、さらに小さくすることができる。次にサンプルＥ１では、例えば２００℃と低い温度でアニールを行うと共にＵＶアニールを行うと、比抵抗が２．５×１０−４となり、コンタクト抵抗が６５０ＫΩ・ｃｍ２と、アニール処理温度を引き下げてもコンタクト抵抗を下げることができる。尚、このＵＶアニールでは、例えば重水素ランプを用いており、例えば１１０ｎｍ〜１６０ｎｍの波長の重水素ランプ光の照射を行っている。
【００３７】
次にサンプルＦ１では、ＵＶアニールを無しとすると、比抵抗が∞となり、コンタクト抵抗を測定することができない状態となる。次にサンプルＧ１では、添加溶質をＳｎＦ４とし、アニール処理温度を４００℃とすると、比抵抗が例えば２×１０−４となり、コンタクト抵抗が７５０ＫΩとなる。次にサンプルＨ１では、添加溶媒として、例えばＮＨ４Ｆを０．０１％添加し、添加溶質を無しとすると、比抵抗が例えば３×１０−４となり、コンタクト抵抗が例えば７００ＫΩとなる。
このような検証結果によれば、例えば２００℃と低い温度でアニール処理を行うと共に、ＵＶアニールを行うサンプルＥ１が、コンタクト抵抗を下げることができる点において最も好適である。
【００３８】
次に溶媒が有機物であるサンプルＡ２〜サンプルＨ２について検証する。
サンプルＢ２では、アニール温度を３６５℃としてライトエッチングを行ってから透明導電膜１１を形成すると、比抵抗が６×１０−４Ωであり、コンタクト抵抗が４ＭΩ・ｃｍ２である。これに対して、ライトエッチングを行わないサンプルＡ２では、比抵抗は従来と同様であるが、コンタクト抵抗が∞Ω・ｃｍ２と、上記不要な絶縁層９９が残っていることから当然に、比較例であるサンプルＢ２よりも大きな値となる。
【００３９】
例えば溶媒に添加溶媒ＨＦを０．０１％加えたサンプルＣ２では、添加溶質を同様に無しとし、ライトエッチング及びＵＶアニールのいずれも行わないと、比抵抗が２×１０−４となり、比較例であるサンプルＡ１よりも引き下げることができる。この場合、コンタクト抵抗は、例えば７００ＫΩ・ｃｍ２となっている。
【００４０】
次にサンプルＤ２では、添加溶媒を無しとし、添加溶質をＩｎＦ３とすると、比抵抗は、例えば１．５×１０−４と、さらに引き下げることができる。この場合、コンタクト抵抗は、例えば５００ＫΩ・ｃｍ２と、さらに小さくすることができる。次にサンプルＥ２では、例えば２００℃と低い温度でアニールを行うと共にＵＶアニールを行うと、比抵抗が２×１０−４となり、コンタクト抵抗が６５０ＫΩ・ｃｍ２と、アニール処理温度を引き下げてもコンタクト抵抗を下げることができる。尚、このＵＶアニールでは、例えば重水素ランプを用いており、例えば１１０ｎｍ〜１６０ｎｍの波長の重水素ランプ光の照射を行っている。
【００４１】
次にサンプルＦ２では、ＵＶアニールを無しとすると、比抵抗が∞Ωとなり、コンタクト抵抗を測定することができない状態となる。次にサンプルＧ２では、添加溶質をＳｎＦ４とし、アニール処理温度を３６５℃とすると、比抵抗が例えば１．５×１０−４となり、コンタクト抵抗が７５０ＫΩとなる。次にサンプルＨ２では、添加溶媒として、例えばＮＨ４Ｆを０．０１％添加し、添加溶質を無しとすると、比抵抗が例えば２×１０−４となり、コンタクト抵抗が例えば７００ＫΩとなる。
このような検証結果によれば、例えば２００℃と低い温度でアニール処理を行うと共に、ＵＶアニールを行うサンプルＥ２が、コンタクト抵抗を下げることができる点において最も好適である。
【００４２】
本発明の好ましい実施形態によれば、配線５１上の層間膜４２にコンタクトホール５４を形成した際に生ずる不要な絶縁膜９９に対して透明導電膜１１のプリカーサを含む液体９７が塗布されると、その透明導電膜１１のプリカーサが不要な絶縁膜９９を溶解し、透明導電膜１１のプリカーサを含む液体９７に溶け出す。
【００４３】
このような状態において透明導電膜１１のプリカーサを含む液体９７に対して揮発処理を行うと、透明導電膜１１のプリカーサ中に溶解した不要な絶縁膜９９の成分が揮発する。従って、この透明電極膜１１の形成方法によれば、アニール工程がライトエッチング工程を兼ねることで、不要な絶縁膜９９のみを除去する工程を省略し、工程を簡素化することができる。
【００４４】
本発明の実施形態によれば、また、透明導電膜１１のプリカーサを含む液体９７に、添加溶質として、例えばフッ化インジウムを３％添加することにより、コンタクト抵抗を例えば２ＭΩから１００ＫΩまで引き下げることもできる。つまり、副次的効果ではあるが、本発明の実施形態によれば、下地材料である配線５１と透明導電膜１１とのコンタクト抵抗を引き下げることもできる。
【００４５】
本発明は、上記実施の形態に限定されず、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことができる。例えば上記実施形態の各構成は、その一部を省略したり、上記とは異なるように任意に組み合わせることができる。
上記実施形態では、例えば液晶表示素子の透明導電膜の形成方法を例示しているが、これに限られず、上記実施形態は、不要な絶縁膜を除去しつつ導電膜を形成する場合にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】透明導電膜を含む液晶表示素子の構成例を示す断面図。
【図２】透明導電膜の形成方法を含む液晶表示素子の製造方法の手順の一例を示すフローチャート。
【図３】液晶表示素子を製造する様子の一例を示す断面図。
【図４】液晶表示素子を製造する様子の一例を示す断面図。
【図５】液晶表示素子を製造する様子の一例を示す断面図。
【図６】透明導電膜を形成した場合の電気特性等の一例を示す図。
【符号の説明】
１・・・透明基板、４２・・・層間膜（絶縁膜）、５１・・・配線（下地材料）、５４・・・コンタクトホール、９７・・・透明導電膜のプリカーサを含む液体（透明導電膜の前駆体物質を含む液体）、９９・・・不要な絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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