(57)【要約】【課題】外部電極上にめっき処理を行ったときに付着するめっき液の影響を少なくすることができるチップ型電子部品の製造方法を得る。【解決手段】誘電体セラミック層１４と内部電極層１６とを積層した電子部品素体１２を準備し、その両端面に外部電極１８を形成して、積層セラミックコンデンサ１０を作製する。外部電極１８上に、電解めっき法によって、Ｎｉめっき被膜およびＳｎめっき被膜を形成する。積層セラミックコンデンサ１０を１．３３ｋＰａ以下の減圧下におき、純水を用いて超音波洗浄を行う。【選択図】      図１
2005044875.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部電極が形成された電子部品素体を準備する工程、
前記外部電極に電解めっきによってめっき被膜を形成する工程、
前記めっき被膜を形成した前記電子部品素体を減圧下におく工程、および
前記電子部品素体を洗浄する工程を含む、チップ型電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記減圧度は１．３３ｋＰａ以下である、請求項１に記載のチップ型電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記電子部品素体を洗浄する工程は、純水中に前記電子部品素体を浸漬して超音波を印加することにより行われる、請求項１または請求項２に記載のチップ型電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、チップ型電子部品の製造方法に関し、特にたとえばめっき被膜が形成された外部電極を有するチップ型電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１は、チップ型電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサを示す図解図である。積層セラミックコンデンサ１０は、電子部品素体１２を含む。電子部品素体１２は、誘電体セラミック層１４と内部電極層１６とが交互に積層された構成を有する。隣接する内部電極層１６は、それぞれ電子部品素体１２の対向端面に引き出される。内部電極層１６が引き出された電子部品素体１２の端面には、たとえばＣｕ電極材料を焼き付けることによって、外部電極１８が形成される。したがって、これらの外部電極１８には、それぞれ隣接する内部電極層１６が接続され、２つの外部電極１８間に静電容量が形成される。
【０００３】
外部電極１８上には、たとえばＮｉめっき被膜が形成され、その上にＳｎめっき被膜が形成される。これらのめっき被膜は、電解めっき法などによって形成される。ここで、Ｎｉめっき被膜は、積層セラミックコンデンサ１０を回路基板などに半田付けする際に、外部電極の半田食われを防止するために形成される。また、Ｓｎめっき被膜は、回路基板などに積層セラミックコンデンサ１０を実装するときに、半田付け性を良好にするために形成される。
【０００４】
なお、外部電極１８の焼き付け時に、外部電極１８内にポアが発生することが避けられないため、めっき処理をしたのちに、めっき液が外部電極１８に付着していると、めっき液が外部電極１８内のポアに入り込む場合がある。ポアの内部に入っためっき液が電子部品素体１２側に侵入していくと、絶縁抵抗が劣化したり、内部電極層１６が酸化して構造欠陥などが発生する。また、積層セラミックコンデンサ１０を回路基板などに半田付けする際に、半田の熱によって外部電極に入り込んだめっき液が沸騰し、半田が周囲に飛び散る場合がある。そのため、めっき処理後に、純水中で超音波を印加しながら洗浄を行うことにより、めっき液の除去を行うことが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−３０２８９４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、純水中において超音波を印加しながら洗浄を行っても、洗浄液がポア部まで到達せず、チップ型電子部品の外部電極から十分にめっき液を除去することができない場合があり、特性の劣化、構造欠陥および回路基板への実装時のトラブルなどの発生を防止することができない。
【０００７】
それゆえに、この発明の主たる目的は、外部電極上にめっき処理を行ったときに付着するめっき液の影響を少なくすることができるチップ型電子部品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、外部電極が形成された電子部品素体を準備する工程と、外部電極に電解めっきによってめっき被膜を形成する工程と、めっき被膜を形成した電子部品素体を減圧下におく工程と、電子部品素体を洗浄する工程とを含む、チップ型電子部品の製造方法である。
このようなチップ型電子部品の製造方法において、減圧度は１．３３ｋＰａ以下とすることが好ましい。
また、電子部品素体を洗浄する工程は、純水中に電子部品素体を浸漬して超音波を印加することにより行われることが好ましい。
【０００９】
電子部品を減圧下において洗浄することにより、外部電極に付着しためっき液が外側に引き出されて洗浄される。
このような作用は、１．３３ｋＰａ以下の減圧度において、顕著に現れる。
また、洗浄方法としては、純水を用いた超音波洗浄により、効果的にめっき液を除去することができる。
【００１０】
この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【００１１】
【発明の実施の形態】
チップ型電子部品の一例として、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について説明する。積層セラミックコンデンサ１０を作製するために、電子部品素体１２が準備される。電子部品素体１２は、複数の内部電極材料層が形成された誘電体セラミックグリーンシートを積層圧着し、得られたマザー積層体を切断して焼成することにより形成される。焼成して得られた電子部品素体１２は、誘電体セラミック層１４と内部電極層１６とが積層された構成を有するものである。焼成後の電子部品素体１２の対向端面に内部電極層１６が露出していない場合には、バレル研磨などによって、隣接する内部電極層１６が交互に電子部品素体１２の対向端面に露出させられる。
【００１２】
内部電極層１６が露出した電子部品素体１２の対向端面には、Ｃｕ電極ペーストなどが塗布されて焼き付けられ、外部電極１８が形成される。この外部電極１８上に、電解めっき法により、Ｎｉめっき被膜およびＳｎめっき被膜が順次形成される。これらのめっき被膜が形成されたのち、電子部品素体１２が１．３３ｋＰａ以下の減圧下におかれる。そして、純水中に電子部品素体１２を浸漬して超音波を印加することにより洗浄を行い、積層セラミックコンデンサ１０が作製される。
【００１３】
このように、外部電極１８にＮｉめっき被膜やＳｎめっき被膜を形成することにより、半田食われを防いだり、半田付け性を良好にすることができるが、電解めっきを行う際に、外部電極１８にめっき液が付着することを防止することができない。しかしながら、減圧下においた後、純水を用いた超音波洗浄を行うことにより、外部電極１８内のポアに入り込んだめっき液が外側に引き出されて洗浄され、外部電極１８からめっき液を除去することができる。したがって、外部電極１８に付着しためっき液が電子部品素体１２内に侵入するのを防止することができる。
【００１４】
このように、外部電極１８からめっき液が除去された積層セラミックコンデンサ１０では、めっき液が電子部品素体１２内に侵入することが防止され、めっき液による絶縁劣化や内部電極層１６の酸化などを防止することができる。また、積層セラミックコンデンサ１０を回路基板に実装する際に、半田の熱によるめっき液の沸騰がなくなり、周囲に半田が飛び散ることもなくなる。
【００１５】
【実施例】
誘電体セラミック層と内部電極層とが積層された電子部品素体に外部電極を焼き付け、その上に、電解めっき法によってＮｉめっき被膜およびＳｎめっき被膜を順次形成して、積層セラミックコンデンサを作製した。得られた積層セラミックコンデンサについて、Ｓｎめっき処理後１時間以内に超音波洗浄を行った。超音波洗浄は、積層セラミックコンデンサを減圧下に１分間放置し、純水を入れた超音波洗浄機により行った。ここで、超音波の発振周波数は４０ｋＨｚであり、洗浄時間は１０分および２０分とした。
【００１６】
めっき液の除去効果を調べるために、Ｓｎめっきに含有する硫酸イオンの定量分析で確認した。試料としては、減圧下においた後、洗浄を行った積層セラミックコンデンサを用い、比較例として、洗浄していない積層セラミックコンデンサおよび減圧下におかずに洗浄を行った積層セラミックコンデンサを用いた。これらの積層セラミックコンデンサの外部電極について、残留硫酸イオンを測定し、その結果を表１に示した。
【００１７】
【表１】
2005044875.tif 000003
【００１８】
表１からわかるように、洗浄を行っていない積層セラミックコンデンサに比べて洗浄を行った積層セラミックコンデンサのほうが、残留硫酸イオンが少なくなっている。また、洗浄を行った積層セラミックコンデンサについては、１．３３ｋＰａ以下の減圧下においた後、超音波洗浄をすることにより、洗浄していない積層セラミックコンデンサに比べて、残留硫酸イオンが１／６以下に減少している。
【００１９】
さらに、品質に対する効果を調べるために、各条件について２００００個ずつ、構造欠陥不良率（ｐｐｍ）を調査し、その結果を表２に示した。測定方法としては、構造欠陥検出のために超音波探傷機を用いて選別を行った。
【００２０】
【表２】
2005044875.tif 000004
【００２１】
表２からわかるように、洗浄していない積層セラミックコンデンサに比べて、常圧で洗浄を行った積層セラミックコンデンサでは、構造欠陥不良率が減少しており、減圧下においた後、洗浄を行った積層セラミックコンデンサでは、さらに構造欠陥不良率が大きく減少している。
【００２２】
また、積層セラミックコンデンサの信頼性を調べるために、定格の２倍の電圧を印加し、絶縁抵抗劣化数を調査して、その結果を表３に示した。
【００２３】
【表３】
2005044875.tif 000005
【００２４】
表３からわかるように、洗浄していない積層セラミックコンデンサや常圧下においた後、洗浄を行った積層セラミックコンデンサでは、絶縁抵抗が劣化した積層セラミックコンデンサがあった。それに対して、減圧下においた後、洗浄を行った積層セラミックコンデンサでは、絶縁抵抗劣化は発生しなかった。このように、減圧下においた後、超音波洗浄を行うことにより、積層セラミックコンデンサの信頼性を高くすることができることがわかる。
【００２５】
さらに、品質に対する効果を調べるために、定格の２倍の電圧を印加し、温度７０℃、湿度９５％の条件で耐湿負荷試験を行い、絶縁抵抗劣化数を調査して、その結果を表４に示した。
【００２６】
【表４】
2005044875.tif 000006
【００２７】
表４からわかるように、耐湿負荷試験においては、減圧下においた後、洗浄を行った積層セラミックコンデンサにおいて、絶縁抵抗が劣化した積層セラミックコンデンサがあった。しかしながら、１．３３ｋＰａ以下にしたものについては、絶縁抵抗劣化は発生しなかった。このように、１．３３ｋＰａ以下の減圧下においた後、超音波洗浄を行うことにより、積層セラミックコンデンサの信頼性をさらに高くすることができることがわかる。
【００２８】
このように、１．３３ｋＰａ以下の減圧下においた後、純水を用いて超音波洗浄を行うことにより、外部電極に侵入しためっき液が除去され、構造欠陥不良のに発生率が低く、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００２９】
この発明のチップ型電子部品の製造方法は、積層セラミックコンデンサの製造のみでなく、めっき被膜が形成される外部電極を有する全てのチップ型電子部品の製造に適用することができる。
【００３０】
【発明の効果】この発明によれば、めっき処理時に外部電極中に侵入しためっき液が、減圧下において洗浄することによって十分に除去される。したがって、めっき液の侵入によるチップ型電子部品の特性劣化を防止することができる。また、チップ型電子部品を回路基板などに実装する際に、半田の熱によるめっき液の沸騰を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の製造方法が適用されるチップ型電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサを示す図解図である。
【符号の説明】
１０  積層セラミックコンデンサ
１２  電子部品素体
１４  誘電体セラミック層
１６  内部電極層
１８  外部電極
【図１】
2005044875.tif 000007