(57)【要約】【課題】  仮想電極構造の固体撮像装置において、信号電荷の転送路における電位の不連続部分をなくし、単相駆動の利点を確保する。【解決手段】  第１〜第４転送領域を有する各画素を形成するために、まず、チャネル層上の絶縁層上に、第１転送電極を形成する。次に、第１転送電極をマスクとして不純物をチャネル層に注入後、上から見て第１転送電極との間隔をあけずに、絶縁層上に第２転送電極を形成する。従って、第１転送電極をマスクとした不純物注入では、第４転送領域として形成される領域には、確実に不純物が注入される。この後、例えば、第３転送領域上方にレジストを形成後、第１及び第２転送電極と、レジストとをマスクとして不純物注入を行い、第３及び第４転送領域を電位的に分ける。従って、仮想電極構造の固体撮像装置を、電荷の転送路に電位の不連続部分を生じさせることなく製造できる。【選択図】      図１
2005039149.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面側に互いに隣接して形成された各々の画素が、一端側に隣接する別の前記画素から転送される信号電荷を、他端側に隣接する別の前記画素に転送するフレーム転送型の固体撮像装置であって、
各々の前記画素は、
前記半導体基板上に形成された第１導電型の半導体層であるチャネル層と、
前記チャネル層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上において、前記一端側に形成された第１転送電極と、
前記チャネル層の一部であり、前記第１転送電極に印加される電圧によって電位が変化することにより、前記一端側に隣接する別の前記画素から前記信号電荷が転送される第１転送領域と、
前記半導体基板の厚さ方向に前記表面側から見た場合に前記第１転送電極との間隔があかないように、前記絶縁層上における、前記第１転送電極の前記他端側に形成された第２転送電極と、
前記チャネル層の一部であり、前記第１転送領域よりも前記信号電荷に対する引力が大きく働く電位を有し、前記第２転送電極に印加される電圧によって電位が変化することにより、前記第１転送領域から前記信号電荷が転送される第２転送領域と、
前記チャネル層において、前記第１転送領域及び前記第２転送領域を避けて、前記他端側且つ前記絶縁層側に埋め込まれて形成された第２導電型の不純物拡散領域と、
前記チャネル層において、前記第２転送領域に隣接し、且つ、前記第２導電型の不純物拡散領域下に位置する領域であり、前記第２転送領域から前記信号電荷が転送される第３転送領域と、
前記チャネル層において、前記第３転送領域及び前記信号電荷の転送先の前記画素に隣接し、且つ、前記第２導電型の不純物拡散領域下に位置する領域であり、前記第３転送領域よりも前記信号電荷に対する引力が大きく働く電位を有し、前記第３転送領域から転送される前記信号電荷を、転送先の前記画素に転送する第４転送領域と、
前記第１転送電極及び前記第２転送電極を電気的に接続する配線と
を備えていることを特徴とするフレーム転送型の固体撮像装置。
【請求項２】
請求項１記載のフレーム転送型の固体撮像装置において、
前記第２転送領域は、前記第１転送領域よりも高濃度に第１導電型の不純物を有し、
前記第３転送領域は、前記第１転送領域よりも高濃度に第１導電型の不純物を有し、
前記第４転送領域は、前記第３転送領域よりも高濃度に第１導電型の不純物を有する
ことを特徴とするフレーム転送型の固体撮像装置。
【請求項３】
請求項１記載のフレーム転送型の固体撮像装置において、
前記第１転送領域は、第２導電型の不純物を注入または拡散することにより、前記第２転送領域との電位差が生じるように形成された領域であり、
前記第３転送領域は、第２導電型の不純物を注入することにより、前記第４転送領域との電位差が生じるように形成された領域である
ことを特徴とするフレーム転送型の固体撮像装置
【請求項４】
第１転送電極と、前記第１転送電極の電圧により電位が制御される前段転送領域と、第２転送電極と、前記第２転送電極の電圧により電位が制御される中段転送領域と、前記前段転送領域との間に前記中段転送領域を挟む位置に形成された後段転送領域とを有する画素が、前記前段転送領域に隣接する別の画素から転送される信号電荷を、前記後段転送領域に隣接する別の画素に転送するフレーム転送型の固体撮像装置の製造方法であって、
第１導電型の半導体層であるチャネル層と、前記チャネル層上に形成された絶縁層とを表面側に有する半導体基板の前記絶縁層上に、前記第１転送電極を形成して、前記チャネル層の一部を前記前段転送領域にする工程と、
前記第１転送電極をマスクとして、第１導電型の不純物を前記チャネル層に拡散または注入した後、前記半導体基板の厚さ方向に前記表面側から見た場合に前記第１転送電極との間隔があかないように前記絶縁層上に前記第２転送電極を形成することにより、前記チャネル層の一部を前記中段転送領域にする工程と、
前記第１転送電極及び前記第２転送電極をマスクとして、第２導電型の不純物を拡散または注入することにより、前記チャネル層における前記絶縁層側に第２導電型の不純物拡散領域を形成して、前記チャネル層における、前記中段転送領域に隣接し、且つ、前記第２導電型の不純物拡散領域下に位置する領域を前記後段転送領域にする工程と、
前記後段転送領域では、前記中段転送領域側よりも、前記信号電荷の転送先の画素側において前記信号電荷に対する引力が大きく働く電位を有するように、前記後段転送領域の少なくとも一部に不純物を注入する工程と、
前記第１転送電極及び前記第２転送電極に電気的に接続された配線を形成する工程と
を有することを特徴とするフレーム転送型の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載のフレーム転送型の固体撮像装置の製造方法において、
前記絶縁層上に前記第２転送電極を形成する工程では、前記第１転送電極に接触するように前記第２転送電極を形成する
ことを特徴とするフレーム転送型の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
第１転送電極と、前記第１転送電極の電圧により電位が制御される前段転送領域と、第２転送電極と、前記第２転送電極の電圧により電位が制御される中段転送領域と、前記前段転送領域との間に前記中段転送領域を挟む位置に形成された後段転送領域とを有する画素が、前記前段転送領域に隣接する別の画素から転送される信号電荷を、前記後段転送領域に隣接する別の画素に転送するフレーム転送型の固体撮像装置の製造方法であって、
第１導電型の半導体層であるチャネル層と、前記チャネル層上に形成された絶縁層とを表面側に有する半導体基板の前記絶縁層上に、前記第２転送電極を形成して、前記チャネル層の一部を前記中段転送領域にする工程と、
前記第２転送電極をマスクとして、第２導電型の不純物を前記チャネル層に拡散または注入した後、前記半導体基板の厚さ方向に前記表面側から見た場合に前記第１転送電極との間隔があかないように前記絶縁層上に前記第１転送電極を形成することにより、前記チャネル層の一部を前記前段転送領域にする工程と、
前記第１転送電極及び前記第２転送電極をマスクとして、第２導電型の不純物を拡散または注入することにより、前記チャネル層における前記絶縁層側に第２導電型の不純物拡散領域を形成して、前記チャネル層における、前記中段転送領域に隣接し、且つ、前記第２導電型の不純物拡散領域下に位置する領域を前記後段転送領域にする工程と、
前記後段転送領域では、前記中段転送領域側よりも、前記信号電荷の転送先の画素側において前記信号電荷に対する引力が大きく働く電位を有するように、前記後段転送領域の少なくとも一部に不純物を注入する工程と、
前記第１転送電極及び前記第２転送電極に電気的に接続された配線を形成する工程と
を有することを特徴とするフレーム転送型の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載のフレーム転送型の固体撮像装置の製造方法において、
前記絶縁層上に前記第１転送電極を形成する工程では、前記第２転送電極に接触するように前記第１転送電極を形成する
ことを特徴とするフレーム転送型の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置及びその製造方法に関する。特に本発明は、仮想電極構造を有する単相駆動型固体撮像装置、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電荷結合素子（Charge Coupled Device、以下ＣＣＤという）を利用した固体撮像装置は、いくつかの種類に分類される。これらの中で、仮想電極構造を有する単相駆動型の固体撮像装置が知られている（例えば、非特許文献１参照）。
図７（ａ）は、仮想電極構造の単相駆動型固体撮像装置の一従来例を示す断面模式図であり、図７（ｂ）は、その電位分布を示す説明図である。
【０００３】
図７（ａ）に示すように、単相駆動型固体撮像装置１０は、Ｐ型基板（例えばシリコン基板）１２上に形成されたＮ型チャネル領域１４と、Ｎ型チャネル領域１４上に形成されたゲート絶縁膜１６と、ゲート絶縁膜１６上に形成された転送電極２０と、転送電極２０を覆うように形成された絶縁層２２とを有している。
また、Ｎ型チャネル領域１４には、転送電極２０にゲート絶縁膜１６を介して対向する領域を避けて、アクセプタ型不純物の拡散によるＰ型表面層２４が形成されている。このＰ型表面層２４は、基板電位で固定された固定電極として機能すると共に、埋め込み型フォトダイオードのＰ型領域として機能する。なお、図中の矢印に示すように、１画素の領域は、１つの転送電極２０と、１つのＰ型表面層２４とを有する領域である。
【０００４】
さらに、転送電極２０下のＮ型チャネル領域１４における、同じ画素のＰ型表面層２４側には、ドナー型不純物の拡散によるポテンシャルウェル領域２８が形成されている。また、Ｐ型表面層２４下のＮ型チャネル領域１４における、隣接する画素側には、ドナー型不純物の拡散によるポテンシャルウェル領域３０が形成されている。これにより、１画素は、図７（ｂ）に示すように、ポテンシャルの異なる４つの領域に分けられる。
【０００５】
図７（ｂ）に示すように、これら４つの領域を、クロックドバリア領域（Clocked Barrier、以下ＣＢ領域という）、クロックドウェル領域（Clocked Well、以下ＣＷ領域という）、仮想バリア領域（Virtual Barrier、以下ＶＢ領域という）、仮想ウェル領域（Virtual Well、以下ＶＷ領域という）と定義する。なお、ＣＷ領域はポテンシャルウェル領域２８に対応し、ＶＷ領域はポテンシャルウェル領域３０に対応する。
【０００６】
Ｐ型表面層２４の電位が固定されるため、ＶＢ領域及びＶＷ領域の電位φは、常に一定となる。即ち、ＶＢ領域及びＶＷ領域は、仮想電極領域として機能する。ＣＢ領域及びＣＷ領域の電位φは、外部から転送電極２０に印加される単相クロックφ１により制御される。具体的には、単相クロックφ１が低レベルのとき、各部の電位φは図７（ｂ）の実線で示すようになり、単相クロックφ１が高レベルのとき、各部の電位φは破線で示すようになる。従って、単相クロックφ１を低レベルまたは高レベルに切り替える動作を繰り返すことで、信号電荷（この例では電子）は、図中の矢印で示した方向に転送される。
【０００７】
このような仮想電極構造の単相駆動型固体撮像装置１０は、単相クロックにより動作するので、駆動回路を小型化できるという利点を有している。また、ポリシリコンによる電極配線が１層だけ（この例では転送電極２０）で構成されているので、製造プロセスの歩留まりが高く、微細化が容易であるという利点も有している。
図８は、上述した単相駆動型固体撮像装置１０の製造工程の要部を示す断面模式図である。以下、図８を用いて従来の製造方法を説明する。
【０００８】
まず、Ｐ型基板１２上にＮ型チャネル領域１４を形成し、Ｎ型チャネル領域１４上にゲート絶縁膜１６を形成する。次に、ゲート絶縁膜１６上にレジストによるパターンを形成後、このレジストをマスクとして、１回目のドナー型不純物のイオン注入を行う。図８（ａ）は、イオン注入直後の状態を示している。
次に、レジストを除去後、ポリシリコンの転送電極２０を形成する。図８（ｂ）は、この状態を示している。このとき、除去前のレジストの端部の位置と、転送電極２０の端部の位置とは、図中の破線で示すように、アライメント精度等により若干ずれてしまう。
【０００９】
次に、転送電極２０をマスクとしてアクセプタ型不純物を拡散し、Ｐ型表面層２４を形成する。図８（ｃ）は、この状態を示している。
次に、Ｐ型表面層２４における、同じ画素の転送電極２０側に対するマスクとなるように、ゲート絶縁膜１６上にレジストのパターンを形成する。次に、このレジストと、転送電極２０とをマスクとして、２回目のドナー型不純物のイオン注入を行う。図８（ｄ）は、このイオン注入直後の状態を示している。なお、図８（ｄ）では、２回目のドナー型不純物のイオン注入により注入された不純物は、１回目の注入と区別するため、丸で囲った＋で表記されている。この後、レジスト除去等の工程が行われ、図７（ａ）の構造が形成される。
【００１０】
図８（ａ）、（ｂ）に示したように、除去前のレジストの端部と、転送電極２０の端部とがずれてしまうと、１回目のドナー型不純物のイオン注入において、ＶＷ領域となる領域における隣接する画素側（信号電荷の転送先の画素側）の端部は、注入を受けない。即ち、ＶＷ領域は、本来ドナー型不純物のイオン注入を均一に２回受けるはずなのに、その端部においてイオン注入を１回しか受けない。この結果、図８（ｅ）に示すように、電荷転送路の電位φに不連続部分が生じるので、信号電荷が正常に転送されない、転送効率が悪化する等の問題が生じてしまう。
【００１１】
この問題を解決するために、特許文献１では、１画素内に２つのゲート電極を設けて、一方のゲート電極にはクロック電圧を印加し、他方には直流電圧を印加している。また、特許文献２では、２相駆動や３相駆動を採用している。
【特許文献１】特開平５−３４３４４１号公報  （第４−５項、図１−図７）
【特許文献２】特開平１１−２６６００３号公報  （第５−７項、図１−図８）
【非特許文献１】IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICE, VOL. ED-28, No.5, MAY 1981「Virtual Phase Technology: A New Approach to Fabrication of Large-Area CCD's」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
特許文献１や特許文献２の方法では、電極配線が複数となるため、単相駆動の利点が大きく損なわれてしまう。
本発明の目的は、仮想電極構造の固体撮像装置において、信号電荷の転送路における電位の不連続部分をなくし、単相駆動の利点を確保する技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
以下、本発明の内容を、請求項毎に分けて説明する。
＜請求項１＞
請求項１のフレーム転送型の固体撮像装置は、半導体基板の表面側に互いに隣接して形成された各々の画素が、一端側に隣接する別の画素から転送される信号電荷を、他端側に隣接する別の画素に転送するものである。本請求項の発明は、『各々の画素が、半導体基板上に形成された第１導電型の半導体層であるチャネル層と、チャネル層上に形成された絶縁層と、第１転送電極と、第１転送領域と、第２転送電極と、第２転送領域と、第２導電型の不純物拡散領域と、第３転送領域と、第４転送領域と、第１転送電極及び第２転送電極を電気的に接続する配線とを備えている』ことを特徴とする。
【００１４】
第１転送電極は、絶縁層上において、画素の一端側に形成されている。第１転送領域は、チャネル層の一部であり、第１転送電極に印加される電圧によって電位が変化することにより、一端側に隣接する別の画素から信号電荷が転送される。第２転送電極は、半導体基板の厚さ方向に表面側から見た場合に第１転送電極との間隔があかないように、絶縁層上における、第１転送電極の他端側に形成されている。第２転送領域は、チャネル層の一部であり、第１転送領域よりも信号電荷に対する引力が大きく働く電位を有し、第２転送電極に印加される電圧によって電位が変化する。これにより、第２転送領域には、第１転送領域から信号電荷が転送される。第２導電型の不純物拡散領域は、チャネル層において、第１転送領域及び第２転送領域を避けて、他端側且つ絶縁層側に埋め込まれて形成されている。第３転送領域は、チャネル層において、第２転送領域に隣接し、且つ、第２導電型の不純物拡散領域下に位置する領域である。第３転送領域には、第２転送領域から信号電荷が転送される。第４転送領域は、チャネル層において、第３転送領域及び信号電荷の転送先の画素に隣接し、且つ、第２導電型の不純物拡散領域下に位置する領域であり、第３転送領域よりも信号電荷に対する引力が大きく働く電位を有し、第３転送領域から転送される信号電荷を、転送先の画素に転送する。
【００１５】
＜請求項２＞
請求項２のフレーム転送型の固体撮像装置は、請求項１の発明において、以下の点を特徴とする。第１に、第２転送領域は、第１転送領域よりも高濃度に第１導電型の不純物を有する。第２に、第３転送領域は、第１転送領域よりも高濃度に第１導電型の不純物を有する。第３に、第４転送領域は、第３転送領域よりも高濃度に第１導電型の不純物を有する。
【００１６】
＜請求項３＞
請求項３のフレーム転送型の固体撮像装置は、請求項１の発明において、以下の点を特徴とする。第１に、第１転送領域は、第２導電型の不純物を注入または拡散することにより、第２転送領域との電位差が生じるように形成された領域である。第２に、第３転送領域は、第２導電型の不純物を注入することにより、第４転送領域との電位差が生じるように形成された領域である。
【００１７】
＜請求項４＞
請求項４の発明は、第１転送電極と、第１転送電極の電圧により電位が制御される前段転送領域と、第２転送電極と、第２転送電極の電圧により電位が制御される中段転送領域と、前段転送領域との間に中段転送領域を挟む位置に形成された後段転送領域とを有する画素が、前段転送領域に隣接する別の画素から転送される信号電荷を、後段転送領域に隣接する別の画素に転送するフレーム転送型の固体撮像装置の製造方法である。
【００１８】
請求項４の発明は、以下の工程を有することを特徴とする。１つは、第１導電型の半導体層であるチャネル層と、チャネル層上に形成された絶縁層とを表面側に有する半導体基板の絶縁層上に、第１転送電極を形成して、チャネル層の一部を前段転送領域にする工程である。１つは、第１転送電極をマスクとして、第１導電型の不純物をチャネル層に拡散または注入した後、半導体基板の厚さ方向に表面側から見た場合に第１転送電極との間隔があかないように絶縁層上に第２転送電極を形成することにより、チャネル層の一部を中段転送領域にする工程である。１つは、第１転送電極及び第２転送電極をマスクとして、第２導電型の不純物を拡散または注入することにより、チャネル層における絶縁層側に第２導電型の不純物拡散領域を形成して、チャネル層における、中段転送領域に隣接し、且つ、第２導電型の不純物拡散領域下に位置する領域を後段転送領域にする工程である。１つは、後段転送領域では、中段転送領域側よりも、信号電荷の転送先の画素側において信号電荷に対する引力が大きく働く電位を有するように、後段転送領域の少なくとも一部に不純物を注入する工程である。１つは、第１転送電極及び第２転送電極に電気的に接続された配線を形成する工程である。
【００１９】
＜請求項５＞
請求項５のフレーム転送型の固体撮像装置の製造方法は、請求項４の発明において、『絶縁層上に第２転送電極を形成する工程では、第１転送電極に接触するように第２転送電極を形成する』ことを特徴とする。
＜請求項６＞
請求項６の発明は、第１転送電極と、第１転送電極の電圧により電位が制御される前段転送領域と、第２転送電極と、第２転送電極の電圧により電位が制御される中段転送領域と、前段転送領域との間に中段転送領域を挟む位置に形成された後段転送領域とを有する画素が、前段転送領域に隣接する別の画素から転送される信号電荷を、後段転送領域に隣接する別の画素に転送するフレーム転送型の固体撮像装置の製造方法である。
【００２０】
請求項６の発明は、以下の工程を有することを特徴とする。１つは、第１導電型の半導体層であるチャネル層と、チャネル層上に形成された絶縁層とを表面側に有する半導体基板の絶縁層上に、第２転送電極を形成して、チャネル層の一部を中段転送領域にする工程である。１つは、第２転送電極をマスクとして、第２導電型の不純物をチャネル層に拡散または注入した後、半導体基板の厚さ方向に表面側から見た場合に第１転送電極との間隔があかないように絶縁層上に第１転送電極を形成することにより、チャネル層の一部を前段転送領域にする工程である。１つは、第１転送電極及び第２転送電極をマスクとして、第２導電型の不純物を拡散または注入することにより、チャネル層における絶縁層側に第２導電型の不純物拡散領域を形成して、チャネル層における、中段転送領域に隣接し、且つ、第２導電型の不純物拡散領域下に位置する領域を後段転送領域にする工程である。１つは、後段転送領域では、中段転送領域側よりも、信号電荷の転送先の画素側において信号電荷に対する引力が大きく働く電位を有するように、後段転送領域の少なくとも一部に不純物を注入する工程である。１つは、第１転送電極及び第２転送電極に電気的に接続された配線を形成する工程である。
【００２１】
＜請求項７＞
請求項７のフレーム転送型の固体撮像装置の製造方法は、請求項６の発明において、『絶縁層上に第１転送電極を形成する工程では、第２転送電極に接触するように第１転送電極を形成する』ことを特徴とする。
なお、上記した第１転送領域が前段転送領域に対応する場合があり、第２転送領域が中段転送領域に対応する場合がある。また、第３転送領域及び第４転送領域を合わせた領域が、後段転送領域に対応する場合がある。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の一形態では、第１〜第４転送領域を有する各画素を形成するために、まず、チャネル層上の絶縁層上に、第１転送電極を形成して、チャネル層の一部を第１転送領域にする。次に、第１転送電極をマスクとして不純物をチャネル層に注入後、上から見て第１転送電極との間隔があかないように、絶縁層上に第２転送電極を形成する。これにより、チャネル層の一部を第２転送領域にする。従って、第１転送電極をマスクとした不純物注入では、第４転送領域として形成される領域には、確実に均一に不純物が注入されるので、第４転送領域の端部に不純物が注入されないという従来課題を解消できる。
【００２３】
この後、例えば、第２転送電極との間隔をあけずに第３転送領域上方にレジストを形成後、第１及び第２転送電極と、レジストとをマスクとして不純物注入を行い、第３及び第４転送領域を電位的に分離する。このレジストの位置がずれても、第３及び第４転送領域の境界の位置がずれるだけであり、信号電荷の転送路に電位の不連続部分が生じることはない。従って、フレーム転送型の固体撮像装置を、セルフアラインの拡散工程により、電荷の転送路に電位の不連続部分を生じさせることなく製造できる。このようにして製造された固体撮像装置では、完全な単相駆動を実現でき、信号電荷の転送を良好に行うことができる。
【００２４】
本発明の別の形態では、第１〜第４転送領域を有する各画素を形成するために、まず、チャネル層上の絶縁層上に、第２転送電極を形成して、チャネル層の一部を第２転送領域にする。次に、第２転送電極をマスクとして不純物をチャネル層に注入した後、上から見て第２転送電極との間隔があかないように、絶縁層上に第１転送電極を形成する。これにより、チャネル層の一部を第１転送領域にする。この後、上述と同様に第３及び第４転送領域を形成する。従って、上述と同様の効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。なお、各図において、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
＜第１の実施形態の画素構造＞
図１（ａ）は、第１の実施形態における仮想電極構造の単相駆動型固体撮像装置の断面模式図であり、図１（ｂ）は、その電位分布を示す説明図である。第１の実施形態は、請求項１、請求項２、及び請求項４に対応する。
【００２６】
図１（ａ）に示すように、フレーム転送型の単相駆動型固体撮像装置４０は、Ｐ型基板４２にドナー型不純物を拡散することで形成されたＮ型チャネル領域４４と、Ｎ型チャネル領域４４上に形成されたゲート絶縁膜４６と、ゲート絶縁膜４６上に形成された第１転送電極５０及び第２転送電極５２と、第１転送電極５０及び第２転送電極５２を覆うようにゲート絶縁膜４６上に形成された絶縁層５６とを有している。なお、第１転送電極５０は、ゲート絶縁膜４６上において第２転送電極５２と所定間隔だけ離れて形成されているが、配線により第２転送電極５２と電気的に接続されている。
【００２７】
ここで、本明細書では、『上』、『下』の方向を以下のように定義する。半導体基板の厚さ方向に、表面（おもてめん）から裏面に向かう方向を『下』という。『表面』は、半導体基板の両面の内、電極や絶縁膜等の画素の各部が形成されている側の面であり、『裏面』は、半導体基板の両面の内、画素の各部が形成されていない面をいう。この例では、図１（ａ）に示すように、Ｐ型基板４２における露出している面が裏面である。『上』は、『下』とは反対の方向である。
【００２８】
また、Ｎ型チャネル領域４４には、第１転送電極５０及び第２転送電極５２にゲート絶縁膜４６を介して対向する領域を避けて、アクセプタ型不純物の拡散によるＰ型表面層６０が形成されている。このＰ型表面層６０は、基板電位で固定された固定電極として機能すると共に、埋め込み型フォトダイオードのＰ型領域として機能する。なお、図中の矢印に示すように、１画素の領域は、第１転送電極５０と、第２転送電極５２と、Ｐ型表面層６０とを１つずつ有する領域である。
【００２９】
さらに、Ｎ型チャネル領域４４において第２転送電極５２に対向する領域には、ドナー型不純物の拡散によるポテンシャルウェル領域６４が形成されている。また、Ｐ型表面層６０下のＮ型チャネル領域４４における、隣接する画素側（信号電荷の転送先の画素側）には、ドナー型不純物の拡散によるポテンシャルウェル領域６６が形成されている。これにより、１画素は、図１（ｂ）に示すように、ポテンシャルの異なる４つの領域に分けられる。
【００３０】
図１（ｂ）に示すように、これら４つの領域を、図７の従来例と同様に、ＣＢ領域、ＣＷ領域、ＶＢ領域、ＶＷ領域と定義する。なお、ＣＷ領域はポテンシャルウェル領域６４に対応し、ＶＷ領域はポテンシャルウェル領域６６に対応する。従って、第１の実施形態の単相駆動型固体撮像装置４０と、図７に示した従来例との構造的な主な違いは、第１の実施形態では１画素に転送電極が２つ形成されていることである。
【００３１】
また、第１転送電極５０及び第２転送電極５２は配線により互いに電気的に接続されているので、これら２つは１つの転送電極として機能するため、第１の実施形態の電荷転送動作は、図７の従来例と同様のフレーム転送型である。
即ち、ＶＢ領域及びＶＷ領域は、仮想電極領域として機能し、これらの電位φは常に一定となる。また、ＣＢ領域及びＣＷ領域の電位φは、外部から第１転送電極５０及び第２転送電極５２に共通に印加される単相クロックφ２により制御される。単相クロックφ２が低レベルのとき、各部の電位φは図１（ｂ）の実線で示すようになり、単相クロックφ２が高レベルのとき、各部の電位φは破線で示すようになる。従って、単相クロックφ２を低レベルまたは高レベルに切り替える動作を繰り返すことで、信号電荷は、図中の矢印で示した方向に転送される。
【００３２】
＜第１の実施形態の製造方法＞
図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及び図３（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）は、上述した単相駆動型固体撮像装置４０の製造工程の要部を示す断面模式図を、工程順に示したものである。以下、その製造工程を説明する。
まず、Ｐ型基板４２（例えばシリコン基板）にドナー型不純物（例えばリン）を拡散することで、Ｎ型チャネル領域４４を形成する。次に、熱酸化等により、Ｎ型チャネル領域４４上にゲート絶縁膜４６（例えばシリコン酸化膜）を形成する。この後、ゲート絶縁膜４６上にポリシリコンの第１転送電極５０を形成する。図２（ａ）は、この状態を示している。
【００３３】
次に、第１転送電極５０をマスクとして、ドナー型不純物をイオン注入により拡散する（以下、このイオン注入を、第１のドナー型不純物注入という）。Ｎ型チャネル領域４４における第１転送電極５０下の部分は、このときイオン注入を受けないので、ＣＢ領域となる。図２（ｂ）は、この状態を示している。なお、第１のドナー型不純物注入の注入深さは、後の工程で形成されるＰ型表面層６０の直下にする。
【００３４】
次に、第１転送電極５０を覆うように、絶縁層５６（例えば二酸化珪素）の一部を形成する。次に、この絶縁層５６の一部を覆うように、即ち、Ｐ型基板４２の厚さ方向に上から見た場合に、絶縁層５６の一部を介して第１転送電極５０の端部に重なるように、ポリシリコンの第２転送電極５２を形成する。これにより、第２転送電極５２は、絶縁層５６の一部の厚さだけ、第１転送電極５０と間隔をあけて形成される。図２（ｃ）は、この状態を示している。なお、Ｎ型チャネル領域４４における、第１のドナー型不純物注入を受けた領域において、この第２転送電極５２に対向する領域は、ポテンシャルウェル領域６４（ＣＷ領域）となる。
【００３５】
また、図７の従来例では、１画素のポリシリコン電極は転送電極２０のみであるのに対して、本実施形態では、１画素のポリシリコン電極は第１転送電極５０及び第２転送電極５２の２つである。そして、本実施形態では、これら２つのポリシリコン電極を２工程に分けて形成する。しかし、これによってポリシリコン形成の工程数が１つ増えることはない。なぜなら、通常、固体撮像装置では、水平転送路を形成するために２層のポリシリコンを使用しているからである。
【００３６】
次に、第１転送電極５０及び第２転送電極５２をマスクとして、アクセプタ型不純物（例えばボロン）をイオン注入により拡散して、ゲート絶縁膜４６の直下にＰ型表面層６０を形成する。図３（ｄ）は、この状態を示している。なお、このアクセプタ型不純物の注入により、Ｎ型チャネル領域４４におけるＰ型表面層６０下の領域において、下側のＮ型チャネル領域４４に対して正の電位を有する領域がなくなる場合が考えられる。この『正の電位を有する領域』は、第１のドナー型不純物注入により形成されたものである。この領域がなくなってしまった場合のみ、ドナー型不純物のイオン注入を再度行う（以下、このイオン注入を、第２のドナー型不純物注入という）。これにより、Ｐ型表面層６０下の領域に、下側のＮ型チャネル領域４４よりも電位が高い領域を再形成して、図３（ｄ）の構造を形成する。
【００３７】
次に、ゲート絶縁膜４６上における、Ｐ型表面層６０に対向する領域の第２転送電極５２側に、レジストを形成する。なお、Ｎ型チャネル領域４４において、Ｐ型表面層６０下に隣接し、且つ、このレジストに対向する領域は、ＶＢ領域となる。そして、このレジストと、第１転送電極５０と、第２転送電極５２とをマスクとして、ドナー型不純物のイオン注入を行い、ポテンシャルウェル領域６６（ＶＷ領域）を形成する（以下、このイオン注入を、第３のドナー型不純物注入という）。なお、第３のドナー型不純物注入の注入深さは、第１のドナー型不純物注入の注入深さと同じである。図３（ｅ）は、この状態を示している。
【００３８】
以上の工程により、ＣＢ領域、ＣＷ領域、ＶＢ領域、ＶＷ領域は、セルフアラインで形成される。なお、第３のドナー型不純物注入を行う前に形成したレジストは、第２転送電極５２との間隔が生じないように形成すればよく、高精度のアライメントを必要としない。なぜなら、このレジストの位置がずれても、ＶＢ領域とＶＷ領域との境界の位置がずれるだけであり、ＶＢ領域及びＶＷ領域において電位の不連続部分が生じることはないからである。
【００３９】
次に、ＶＢ領域の上方のレジストを除去してから、第１転送電極５０及び第２転送電極５２を覆うように絶縁層５６を形成する。この後、熱処理によって各層の不純物イオンを活性化する。図３（ｆ）は、この状態を示している。この後さらに、第１転送電極５０及び第２転送電極５２を電気的に接続する配線を形成する等の工程を実施して、図１に示した構造を形成する。以上が第１の実施形態の製造工程の説明である。
【００４０】
＜第１の実施形態の効果＞
ＶＢ領域よりも高濃度にドナー型不純物を有するＶＷ領域を形成するためには、ＶＷ領域に対するドナー型不純物のイオン注入を、ＶＢ領域よりも１回多く行う必要がある。即ち、ＶＷ領域に対しては、少なくとも２回のドナー型不純物のイオン注入（本実施形態では、第１及び第３のドナー型不純物注入）が必要である。そこで、本実施形態では、従来は１つであった転送電極を第１転送電極５０及び第２転送電極５２に分割して、これら２つを別々の工程で形成する。これにより、先に形成した第１転送電極５０をマスクとして、第１のドナー型不純物注入を行うことができる。
【００４１】
第１転送電極５０下の領域は、必ずＣＢ領域として形成され、その端部が隣の画素のＶＷ領域との境界となる。従って、本実施形態における第１転送電極５０をマスクとしたイオン注入では、ＶＷ領域として形成される領域には、確実に均一に不純物イオンが注入される。即ち、１回目のドナー型不純物のイオン注入において、ＶＷ領域における隣の画素側の端部に不純物が注入されないという従来課題を解消できる。
【００４２】
次に、第２転送電極５２を形成し、第２転送電極５２との間隔が生じないようにレジストを形成後、第１転送電極５０と、第２転送電極５２と、レジストとをマスクとして第３のドナー型不純物注入を行い、ＶＷ領域を形成する。このレジストの位置がずれても、ＶＢ領域とＶＷ領域との境界の位置がずれるだけであり、信号電荷の転送路であるＶＢ領域及びＶＷ領域に電位の不連続部分が生じることはない。
【００４３】
従って、仮想電極構造を有する単相駆動型の固体撮像装置を、セルフアラインの拡散工程により、電荷の転送路に電位の不連続部分を生じさせることなく製造できる。このようにして製造された固体撮像装置では、信号電荷の転送を良好に行うことができる。
また、第１の実施形態では、単相駆動を完全な形で実現しているため、駆動回路を小型化できる。さらに、多相駆動の場合よりも転送電極の幅を大きくとれるので、画素を小型化しやすい。なお、２層のポリシリコンの転送電極構造を使用しているが、これら第１転送電極５０及び第２転送電極５２は、電気的に接続されるため、同電位となる。従って、転送電極間の短絡等の不良が生じることはなく、製造の歩留まりの低下が生じることもない。
【００４４】
＜第１の実施形態の補足事項＞
［１］  なお、第１の実施形態では、仮想電極構造を有する単相駆動型固体撮像装置に本発明を適用して、電荷の転送路に電位の不連続部分が生じないようにする例を述べた。本発明は、かかる実施形態に限定されるものではない。例えば、ＣＣＤにおける水平転送部（水平ＣＣＤ）、ＣＣＤメモリ、ＣＣＤdelayライン（遅延素子）等の先入れ先出し方式（ＦＩＦＯ、First in First out）などの転送装置にも、本発明は適用可能である。以上の点は、後述する第２の実施形態に関しても同様である。
【００４５】
［２］  絶縁層５６の一部の厚さだけ、第１転送電極５０と間隔をあけて、第２転送電極５２を形成する例を述べた。本発明は、かかる実施形態に限定されるものではない。第１転送電極５０を覆うように絶縁層５６の一部を形成する工程を省いてもよい。この場合、第２転送電極５２を形成する工程において、先に形成した第１転送電極５０に接触するように形成する。また、単相クロックφ２を印加する配線を形成する工程では、第１転送電極５０及び第２転送電極５２の一方にのみ接続された配線を形成すればよい。この場合の製造方法は、請求項５に対応し、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４６】
［３］  最後に、請求項と本実施形態との対応関係を説明する。なお、以下に示す対応関係は、参考のために示した一解釈であり、本発明を限定するものではない。
『Ｎ型半導体の導電型』及び『Ｐ型半導体の導電型』のうち、一方が請求項記載の『第１導電型』に対応し、他方が請求項記載の『第２導電型』に対応する。本実施形態では、第１導電型がＮ型半導体の導電型である例を説明した。
【００４７】
請求項記載の『半導体基板』は、Ｐ型基板４２に対応する。
請求項記載の『一端側』は、『ＣＢ領域における、信号電荷の転送方向とは反対方向に隣接する画素のＶＷ領域との境界側』に対応する。
請求項記載の『他端側』は、『ＶＷ領域における、信号電荷の転送方向に隣接する画素のＣＢ領域との境界側』に対応する。
【００４８】
請求項記載の『チャネル層』は、Ｎ型チャネル領域４４に対応する。
請求項記載の『絶縁層』は、ゲート絶縁膜４６に対応する。
請求項記載の『第１転送電極』は、第１転送電極５０に対応する。
請求項記載の『第２転送電極』は、第２転送電極５２に対応する。
請求項記載の『第２導電型の不純物拡散領域』は、Ｐ型表面層６０に対応する。
【００４９】
請求項記載の『第１転送領域』、及び『前段転送領域』は、どちらもＣＢ領域に対応する。
請求項記載の『第２転送領域』、及び『中段転送領域』は、どちらもＣＷ領域に対応する。
請求項記載の『第３転送領域』は、ＶＢ領域に対応する。
【００５０】
請求項記載の『第４転送領域』は、ＶＷ領域に対応する。
請求項記載の『後段転送領域』は、ＶＢ領域及びＶＷ領域に対応する。
請求項記載の『第１転送領域よりも前記信号電荷に対する引力が大きく働く電位』は、『第２転送領域であるＣＷ領域が、第１転送領域であるＣＢ領域に対して正の電位を有しており、第１の実施形態での信号電荷が電子であること』に対応する。
【００５１】
請求項記載の『第３転送領域よりも前記信号電荷に対する引力が大きく働く電位』は、『第４転送領域であるＶＷ領域が、第３転送領域であるＶＢ領域に対して正の電位を有しており、第１の実施形態での信号電荷が電子であること』に対応する。
請求項記載の『半導体基板の厚さ方向に前記表面側から見た場合に前記第１転送電極との間隔があかないように』は、『Ｐ型基板４２の厚さ方向に上から見た場合に、絶縁層５６の一部を介して第１転送電極５０の端部に重なるように、第２転送電極５２を形成すること』に対応する。
【００５２】
＜第２の実施形態の画素構造＞
図４（ａ）は、第２の実施形態における仮想電極構造の単相駆動型固体撮像装置の断面模式図であり、図４（ｂ）は、その電位分布を示す説明図である。第２の実施形態は、請求項１、請求項３、及び請求項６に対応する。
図４（ａ）に示すように、フレーム転送型の単相駆動型固体撮像装置７０は、Ｐ型基板７２にドナー型不純物を拡散することで形成されたＮ型チャネル領域７４と、Ｎ型チャネル領域７４上に形成されたゲート絶縁膜７６と、ゲート絶縁膜７６上に形成された第１転送電極８０及び第２転送電極８２と、第１転送電極８０及び第２転送電極８２を覆うようにゲート絶縁膜８６上に形成された絶縁層８６とを有している。なお、第１転送電極８０は、ゲート絶縁膜７６上において第２転送電極８２と所定間隔だけ離れて形成されているが、配線により第２転送電極８２と電気的に接続されている。
【００５３】
また、Ｎ型チャネル領域７４には、第１転送電極８０及び第２転送電極８２にゲート絶縁膜８６を介して対向する領域を避けて、Ｐ型表面層９０が形成されている。このＰ型表面層９０は、基板電位で固定された固定電極として機能すると共に、埋め込み型フォトダイオードのＰ型領域として機能する。なお、図中の矢印に示すように、１画素の領域は、第１転送電極８０と、第２転送電極８２と、Ｐ型表面層９０とを１つずつ有する領域である。
【００５４】
さらに、第１転送電極８０に対向する、ゲート絶縁膜７６下の領域には、アクセプタ型不純物の拡散により、下側のＮ型チャネル領域７４より電位を低くしたポテンシャルバリア領域９４が形成されている。また、Ｐ型表面層９０下のＮ型チャネル領域７４における、第２転送電極８２側には、アクセプタ型不純物の拡散によるポテンシャルバリア領域９６が形成されている。これにより、１画素は、図４（ｂ）に示すように、ポテンシャルの異なる４つの領域に分けられる。
【００５５】
図４（ｂ）に示すように、これら４つの領域を、第１の実施形態と同様に、ＣＢ領域、ＣＷ領域、ＶＢ領域、ＶＷ領域と定義する。従って、第２の実施形態と第１の実施形態との主な違いは、ＣＢ領域〜ＶＷ領域の形成方法のみであり、第２の実施形態の電荷転送動作は、第１の実施形態と同様である。
即ち、ＶＢ領域及びＶＷ領域は、仮想電極領域として機能し、これらの電位φは常に一定となる。また、ＣＢ領域及びＣＷ領域の電位φは、外部から第１転送電極５０及び第２転送電極５２に共通に印加される単相クロックφ３により制御される。単相クロックφ３が低レベルのとき、各部の電位φは図４（ｂ）の実線で示すようになり、単相クロックφ３が高レベルのとき、各部の電位φは破線で示すようになる。
【００５６】
＜第２の実施形態の製造方法＞
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及び図６（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）は、上述した単相駆動型固体撮像装置７０の製造工程の要部を示す断面模式図を、工程順に示したものである。以下、その製造工程を説明する。
まず、Ｐ型基板７２（例えばシリコン基板）にドナー型不純物を拡散することで、Ｎ型チャネル領域７４を形成する。次に、熱酸化等により、Ｎ型チャネル領域４４上にゲート絶縁膜７６（例えばシリコン酸化膜）を形成する。この後、ゲート絶縁膜７６上に、ポリシリコンの第２転送電極８２を形成する。図５（ａ）は、この状態を示している。
【００５７】
次に、第２転送電極８２をマスクとして、ゲート絶縁膜７６直下の領域に、アクセプタ型不純物をイオン注入により拡散する（以下、このイオン注入を、第１のアクセプタ型不純物注入という）。図５（ｂ）は、この状態を示している。なお、Ｎ型チャネル領域７４における第２転送電極８２下の部分は、このときイオン注入を受けないので、ＣＷ領域となる。
【００５８】
次に、第２転送電極８２を覆うように、絶縁層８６の一部を形成する。次に、Ｐ型基板７２の厚さ方向に上から見た場合に、第２転送電極８２の端部に重なるように、ポリシリコンによる第１転送電極８０を形成する。これにより、第１転送電極８０は、絶縁層８６の一部の厚さだけ、第２転送電極８２と間隔をあけて形成される。図５（ｃ）は、この状態を示している。なお、Ｎ型チャネル領域７４における、第１のアクセプタ型不純物注入を受けた領域において、この第１転送電極８０に対向する領域は、ポテンシャルバリア領域９４（ＣＢ領域）となる。
【００５９】
次に、第１転送電極８０及び第２転送電極８２をマスクとして、アクセプタ型不純物をイオン注入により拡散して、ゲート絶縁膜７６直下にＰ型表面層９０を形成する（以下、このイオン注入を、第２のアクセプタ型不純物注入という）。図６（ｄ）は、この状態を示している。
この後、第１転送電極８０及び第２転送電極８２をマスクとして、Ｎ型チャネル領域７４におけるＰ型表面層９０直下の領域に、ドナー型不純物をイオン注入する。これにより、Ｎ型チャネル領域７４におけるＰ型表面層９０下に隣接する領域は、下側よりも電位が高くなる。図６（ｅ）は、この状態を示している。
【００６０】
次に、ゲート絶縁膜７６上における、Ｐ型表面層９０に対向する領域の第１転送電極８０側（隣の画素側）に、レジストを形成する。なお、Ｐ型表面層９０下に隣接するＮ型チャネル領域４４において、このレジストに対向する領域は、ＶＷ領域となる。そして、このレジストと、第１転送電極８０と、第２転送電極８２とをマスクとして、アクセプタ型不純物のイオン注入を行い、ポテンシャルバリア領域９６（ＶＢ領域）を形成する（以下、このイオン注入を、第３のアクセプタ型不純物注入という）。この第３のアクセプタ型不純物注入の注入深さは、Ｐ型表面層９０下へのドナー型不純物の注入深さと、ほぼ同じである。図６（ｆ）は、この状態を示している。
【００６１】
以上の工程により、ＣＢ領域、ＣＷ領域、ＶＢ領域、ＶＷ領域は、セルフアラインで形成される。なお、第３のアクセプタ型不純物注入を行う前に形成したレジストは、第１転送電極８０との間隔が生じないように形成すればよく、高精度のアライメントを必要としない。理由は、第１の実施形態と同様である。次に、このレジストを除去後、第１の実施形態と同様の工程を実施して、図４（ａ）に示した構造を形成する。以上が第２の実施形態の製造工程の説明である。
【００６２】
＜第２の実施形態の効果＞
第２の実施形態では、転送電極を第１転送電極８０及び第２転送電極８２に分割して、第２転送電極８２を先に形成する。これにより、第２転送電極８２下の領域には、後から施されるイオン注入工程において、不純物が注入されることはない。このため、第２転送電極８２下の領域を、ＣＷ領域として確実に形成できる。
【００６３】
次に、第２転送電極８２をマスクとして第１のアクセプタ型不純物注入を行った後、第１転送電極８０を形成する。これにより、第１転送電極８０下の領域には、後から施されるイオン注入工程において、不純物が注入されることはない。このため、第１転送電極８０下のＮ型チャネル領域７４を、下側に対して負の電位を有するＣＢ領域として、確実に形成できる。
【００６４】
この後、ＶＢ領域及びＶＷ領域を形成するために、第１転送電極８０及び第２転送電極８２をマスクとした複数回のイオン注入を行う。そして、ＶＢ領域とＶＷ領域とを電位的に分ける最終的なイオン注入は、ＶＷ領域上方に新たに形成するレジストと、第１転送電極８０と、第２転送電極８２とをマスクとして行われる。このレジストの位置がずれても、ＶＢ領域とＶＷ領域との境界の位置がずれるだけであり、問題はない。従って、仮想電極構造を有する単相駆動型の固体撮像装置を、セルフアラインの拡散工程により、電荷の転送路に電位の不連続部分を生じさせることなく製造できる。この結果、第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６５】
＜第２の実施形態の補足事項＞
［１］  絶縁層８６の一部の厚さだけ、第２転送電極８２と間隔をあけて、第１転送電極８０を形成する例を述べた。本発明は、かかる実施形態に限定されるものではない。第２転送電極８２を覆うように絶縁層８６の一部を形成する工程を省いてもよい。この場合、第１転送電極８０を形成する工程において、先に形成した第２転送電極８２に接触するように形成する。また、単相クロックφ３を印加する配線を形成する工程では、第１転送電極８０及び第２転送電極８２の一方にのみ接続された配線を形成すればよい。この場合の製造方法は、請求項７に対応し、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６６】
［２］  最後に、請求項と第２の実施形態との対応関係を説明する。なお、以下に示す対応関係は、参考のために示した一解釈であり、本発明を限定するものではない。
請求項記載の『チャネル層』は、Ｎ型チャネル領域７４に対応する。
請求項記載の『絶縁層』は、ゲート絶縁膜７６に対応する。
請求項記載の『第２導電型の不純物拡散領域』は、Ｐ型表面層９０に対応する。
【００６７】
請求項記載の『第１転送領域』、及び『前段転送領域』は、どちらもＣＢ領域に対応する。
請求項記載の『第２転送領域』、及び『中段転送領域』は、どちらもＣＷ領域に対応する。
請求項記載の『第３転送領域』は、ＶＢ領域に対応する。
【００６８】
請求項記載の『第４転送領域』は、ＶＷ領域に対応する。
請求項記載の『後段転送領域』は、ＶＢ領域及びＶＷ領域に対応する。
他の対応関係は、第１の実施形態と同様なので、説明を省略する。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
以上詳述したように本発明は、固体撮像装置の分野において多いに利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の第１の実施形態の固体撮像装置の断面模式図、及びそのポテンシャルを示す説明図である。
【図２】第１の実施形態の固体撮像装置の製造工程の前半の要部を示す断面模式図である。
【図３】第１の実施形態の固体撮像装置の製造工程の後半の要部を示す断面模式図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の固体撮像装置の断面模式図、及びそのポテンシャルを示す説明図である。
【図５】第２の実施形態の固体撮像装置の製造工程の前半の要部を示す断面模式図である。
【図６】第２の実施形態の固体撮像装置の製造工程の後半の要部を示す断面模式図である。
【図７】従来の仮想電極構造の固体撮像装置の断面模式図、及びそのポテンシャルを示す説明図である。
【図８】従来の単相駆動型固体撮像装置の製造工程の要部を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０  単相駆動型固体撮像装置
１２  Ｐ型基板
１４  Ｎ型チャネル領域
１６  ゲート絶縁膜
２０  転送電極
２２  絶縁層
２４  Ｐ型表面層
２８  ポテンシャルウェル領域
３０  ポテンシャルウェル領域
４０  単相駆動型固体撮像装置
４２  Ｐ型基板
４４  Ｎ型チャネル領域
４６  ゲート絶縁膜
５０  第１転送電極
５２  第２転送電極
５６  絶縁層
６０  Ｐ型表面層
６４  ポテンシャルウェル領域（ＣＷ領域）
６６  ポテンシャルウェル領域（ＶＷ領域）
７０  単相駆動型固体撮像装置
７２  Ｐ型基板
７４  Ｎ型チャネル領域
７６  ゲート絶縁膜
８０  第１転送電極
８２  第２転送電極
８６  絶縁層
９０  Ｐ型表面層
９４  ポテンシャルバリア領域（ＣＢ領域）
９６  ポテンシャルバリア領域（ＶＢ領域）
ＣＢ  クロックドバリア領域
ＣＷ  クロックドウェル領域
ＶＢ  仮想バリア領域
ＶＷ  仮想ウェル領域
【図１】
2005039149.tif 000003
【図２】
2005039149.tif 000004
【図３】
2005039149.tif 000005
【図４】
2005039149.tif 000006
【図５】
2005039149.tif 000007
【図６】
2005039149.tif 000008
【図７】
2005039149.tif 000009
【図８】
2005039149.tif 000010