(57)【要約】【課題】発光輝度、発光効率、寿命特性に優れた有機エレクトロルミネッセンス材料の精製方法、その精製方法を用いて精製した有機エレクトロルミネッセンス材料、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置を工業規模で提供すること。【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス材料を、超臨界または亜臨界状態の溶媒に溶解または接触する工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス材料の精製方法。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネッセンス材料を、超臨界または亜臨界状態の溶媒に溶解または接触する工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス材料の精製方法。
【請求項２】
有機エレクトロルミネッセンス材料を、超臨界または亜臨界状態の溶媒中に注入し、クロマトグラフ法を用いて不純物を除去することを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス材料の精製方法。
【請求項３】
有機エレクトロルミネッセンス材料を、超臨界または亜臨界状態の溶媒を用いて抽出することを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス材料の精製方法。
【請求項４】
有機エレクトロルミネッセンス材料を、超臨界または亜臨界状態の溶媒を用いて晶析することを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス材料の精製方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項記載の精製方法で精製することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス材料。
【請求項６】
基板上に、１層以上の発光層及び有機化合物層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機化合物層の少なくとも１層に請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス材料を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
少なくとも１層の発光層に請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス材料を含有することを特徴とする請求項６記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
少なくとも１層の発光層に燐光性化合物を含有することを特徴とする請求項６または７記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項６〜８のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いることを特徴とする照明装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス材料の精製方法、その精製方法を用いて精製した有機エレクトロルミネッセンス材料、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子（以下、無機ＥＬ素子ともいう）や有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）が挙げられる。
【０００３】
無機ＥＬ素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。一方、有機ＥＬ素子は、発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、更に、自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。
【０００４】
しかしながら、今後の実用化に向けた有機ＥＬ素子には、更なる低消費電力で効率よく高輝度に発光し、かつ発光が長時間持続する有機ＥＬ素子の開発が望まれている。
【０００５】
上記のような有機ＥＬ素子の公知技術としては、例えば、スチルベン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体またはトリススチリルアリーレン誘導体に、微量の蛍光体をドープし、発光輝度の向上、素子の長寿命化を達成しているもの（例えば、特許文献１参照）、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をドープした有機発光層を有する素子（例えば、特許文献２参照）、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素をドープした有機発光層を有する素子（例えば、特許文献３参照）等があり、いずれの技術も、蛍光量子収率の高い蛍光体をドープすることによって、従来の有機ＥＬ素子に比べて発光輝度を向上させている。
【０００６】
更に、近年、より発光効率の高い励起三重項からの燐光発光を用いる有機ＥＬ素子が報告がされて以来（例えば、非特許文献１参照）、室温で燐光を示す材料の研究が活発になってきている（例えば、特許文献４及び非特許文献２参照）。Ｃ．Ａｄａｃｈｉ等が報告しているように（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９０，５０４８（２００１））６０ｌｍ／Ｗにも達する視感度効率を出すまでに及び、このような有機ＥＬ素子はディスプレイのみならず、照明への応用が期待される。
【０００７】
上記有機ＥＬ素子においては先に記したように、低消費電力で効率よく高輝度に発光し、かつ発光が長時間持続する有機ＥＬ素子が切望されている。このような有機ＥＬ素子を実現するために特許第３２９０４３２号、同第３３５７８５７号、特開２００２−３７３７８５号、同２００２−３７３７８６号では有機物層中の不純物量についての検討がなされているが、その達成手段については特許第３２９０４３２号、特開２００２−３７３７８５号においては昇華精製法あるいは再沈法が記載されているものの、その詳細についての言及はない。この他にも特開２００１−２１４１５９号にも不純物についての記載はあるが、達成手段についての詳細な検討はなされていないのが現状である。更に付け加えるならば、上記参考文献における精製方法は一般に実験室で行われている手法であり、真空系あるいは有機溶媒を大量に消費する系で行われており、工業生産規模で行うことは困難であり、工業生産的見地から、環境負荷が小さく、大量の材料を迅速かつ高純度で得る方法を提供することが切望されていた。
【０００８】
【特許文献１】
特許第３，０９３，７９６号明細書
【０００９】
【特許文献２】
特開昭６３−２６４６９２号公報
【００１０】
【特許文献３】
特開平３−２５５１９０号公報
【００１１】
【特許文献４】
米国特許第６，０９７，１４７号明細書
【００１２】
【非特許文献１】
Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ  ｅｔ  ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、３９５巻、１５１〜１５４頁（１９９８年）
【００１３】
【非特許文献２】
Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ  ｅｔ  ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、４０３巻、１７号、７５０〜７５３頁（２０００年）
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、発光輝度、発光効率、寿命特性に優れた有機エレクトロルミネッセンス材料の精製方法、その精製方法を用いて精製した有機エレクトロルミネッセンス材料、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置を工業規模で提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は下記構成により達成された。
【００１６】
１．有機エレクトロルミネッセンス材料を、超臨界または亜臨界状態の溶媒に溶解または接触する工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス材料の精製方法。
【００１７】
２．有機エレクトロルミネッセンス材料を、超臨界または亜臨界状態の溶媒中に注入し、クロマトグラフ法を用いて不純物を除去することを特徴とする前記１記載の有機エレクトロルミネッセンス材料の精製方法。
【００１８】
３．有機エレクトロルミネッセンス材料を、超臨界または亜臨界状態の溶媒を用いて抽出することを特徴とする前記１記載の有機エレクトロルミネッセンス材料の精製方法。
【００１９】
４．有機エレクトロルミネッセンス材料を、超臨界または亜臨界状態の溶媒を用いて晶析することを特徴とする前記１記載の有機エレクトロルミネッセンス材料の精製方法。
【００２０】
５．前記１〜４のいずれか１項記載の精製方法で精製することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス材料。
【００２１】
６．基板上に、１層以上の発光層及び有機化合物層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機化合物層の少なくとも１層に前記５記載の有機エレクトロルミネッセンス材料を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２２】
７．少なくとも１層の発光層に前記５記載の有機エレクトロルミネッセンス材料を含有することを特徴とする前記６記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２３】
８．少なくとも１層の発光層に燐光性化合物を含有することを特徴とする前記６または７記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２４】
９．前記６〜８のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いることを特徴とする表示装置。
【００２５】
１０．前記６〜８のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いることを特徴とする照明装置。
【００２６】
本発明者は上記課題を解決すべく、鋭意検討を行った結果、有機エレクトロルミネッセンス材料を超臨界または亜臨界状態の溶媒を用いて精製することにより上記課題が達成されることを見いだした。
【００２７】
本発明においては、これら有機エレクトロルミネッセンス材料（以下、有機ＥＬ材料ともいう）の精製工程において、有機ＥＬ材料を超臨界または亜臨界状態（以下、超臨界状態等ともいう）の溶媒中に溶解する工程あるいは超臨界状態等の溶媒に接触させる工程を含む。超臨界状態等の溶媒中で精製することにより、驚くべきことに高輝度で、長寿命であり、他の精製法では見られない優れた特性を示す有機ＥＬ材料を提供することができる。
【００２８】
本発明において有機ＥＬ材料とは、後述する陽極と陰極間に形成される有機エレクトロルミネッセンス層（以下、有機ＥＬ層ともいう）に用いることが可能な化合物をいう。また、これら陽極、陰極、有機ＥＬ材料を用いた有機ＥＬ層からなる発光素子を有機ＥＬ素子と呼ぶ。
【００２９】
〔超臨界状態〕
超臨界状態または亜臨界状態について説明する。物質は、温度、圧力（あるいは体積）等の環境条件の変化により気体、液体、固体の三つの状態の間を移り変わるが、これは分子間力と運動エネルギーとのバランスで決定される。横軸に温度を、縦軸に圧力をとって気液固三態の移り変わりを表したものを状態図（相図）というが、その中で気体、液体、固体の三相が共存し、平衡にある点を三重点という。三重点より温度が高い場合は、液体とその蒸気が平衡になる。この時の圧力は飽和蒸気圧であり、蒸発曲線（蒸気圧線）で表される。この曲線で表される圧力よりも低い圧力では液体は全部気化し、またこれよりも高い圧力を加えれば蒸気は全部液化する。圧力を一定にして温度も変化させてもこの曲線を越えると液体が蒸気に、また蒸気が液体になる。この蒸発曲線には、高温、高圧側に終点があり、これを臨界点（ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｐｏｉｎｔ）と呼ぶ。臨界点は物質を特徴づける重要な点であり、液体と蒸気との区別がつかなくなる状態で、気液の境界面も消失する。
【００３０】
臨界点より高温の状態では、気液共存状態を生じることなく液体と気体の間を移り変わることができる。臨界温度以上でかつ臨界圧力以上の状態にある流体を超臨界流体といい、超臨界流体を与える温度・圧力領域を超臨界領域という。超臨界流体は高い運動エネルギーを有する高密度流体と理解でき、溶質を溶解するという点では液体的な挙動を、密度の可変性という点では気体的な特徴を示す。超臨界流体の溶媒特性はいろいろあるが、低粘性で高拡散性であり固体材料への浸透性が優れていることが重要な特性である。
【００３１】
超臨界状態は、例えば、二酸化炭素であれば、臨界温度（以下、Ｔｃともいう）３１℃、臨界圧力（以下、Ｐｃともいう）は７．３８×１０６Ｐａ、プロパン（Ｔｃ＝９６．７℃、Ｐｃ＝４３．４×１０５Ｐａ）、エチレン（Ｔｃ＝９．９℃、Ｐｃ＝５２．２×１０５Ｐａ）等、この領域以上では流体は拡散係数が大きくかつ粘性が小さくなり物質移動、濃度平衡への到達が早く、かつ液体のように密度が高いため、効率のよい分離が可能となる。しかも二酸化炭素のような常圧、常温で気体となる物質を用いることにより回収が迅速になる。また、液体溶媒を用いる精製法で不可避の微量の溶媒の残留に起因する種々の障害はない。また、亜臨界状態とは、温度または圧力の何れか一方がＴｃ及びＰｃを越えた状態にある流体をいう。
【００３２】
超臨界状態にある溶媒としては、二酸化炭素、一酸化二窒素、アンモニア、水、メタノール、エタノール、２−プロパノール、エタン、プロパン、ブタン、ヘキサン、ペンタン等が好ましく用いられるが、この中でも二酸化炭素を好ましく用いることができる。超臨界溶媒は一種類を単独で用いることも可能であるし、極性を調整するためのいわゆるモディファイヤ、エントレーナと呼ばれる物質を添加することも可能である。エントレーナとしては、例えば、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、塩化メチル、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、アセトアルデヒドジエチルアセタール等のアセタール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸等のカルボン酸系溶媒、アセトニトリル、ピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の窒素化合物系溶媒、二硫化炭素、ジメチルスルホキシド等の硫黄化合物系溶媒、更に水、硝酸、硫酸等が挙げられる。
【００３３】
超臨界流体、亜臨界流体の使用温度は、基本的に有機ＥＬ材料が溶解する温度以上であれば特に限定はないが、温度が低過ぎると有機ＥＬ材料の超臨界流体、亜臨界流体中への溶解性が乏しくなる場合があり、また温度が高過ぎると有機ＥＬ材料が分解する場合があるため、使用温度範囲は２０〜６００℃とするのが好ましい。
【００３４】
超臨界流体、亜臨界流体の使用圧力は、基本的に用いる物質の臨界圧力以上であれば特に限定はないが、圧力が低過ぎると有機ＥＬ材料の超臨界流体、亜臨界流体中への溶解性が乏しくなる場合があり、また圧力が高過ぎると製造装置の耐久性、操作時の安全性等の面で問題が生じる場合があるため、使用圧力は１〜１００ＭＰａとするのが好ましい。
【００３５】
超臨界流体、亜臨界流体を使用する装置は、有機ＥＬ材料が超臨界流体または亜臨界流体と接触して超臨界流体または亜臨界流体中へ溶解する機能を有する装置であればなんら限定されることはなく、例えば、超臨界流体または亜臨界流体を閉鎖系で使用するバッチ方式、超臨界流体または亜臨界流体を循環させて使用する流通方式、バッチ方式と流通方式とを組み合わせた複合方式等の使用が可能である。
【００３６】
〔精製方法〕
超臨界状態の溶媒を用いる精製方法としては、充填カラム、オープンカラム、キャピラリカラムを用いたクロマトグラフ、抽出、晶析を好ましく用いることができる。
【００３７】
（クロマトグラフ法）
充填カラムを用いた精製方法では、図１のように超臨界流体１１、ポンプ１２、必要に応じてモディファイヤ１３、分離する有機ＥＬ材料を注入するインジェクタ１４、そして分離用のカラム１５、更に必要であれば検出器１７、そして圧力調整弁１８からなる装置を用いればよい。カラム１５はカラムオーブン１６内で温度調整される。充填剤としては従来のクロマトグラフ法に用いられているシリカ、あるいは表面修飾したシリカ等適宜選択できる。
【００３８】
（抽出法）
抽出を用いた精製方法では、図２のように被精製物を充填した抽出管２３に超臨界溶媒を通過させる方法等を好ましく挙げることができる。
【００３９】
（晶析法）
晶析を用いた精製方法では、超臨界溶媒の圧力、温度を変化させる方法、溶媒を混入させて溶解度を変化させる方法等を好ましく挙げることができる。
【００４０】
図３に超臨界流体、亜臨界流体を用いて有機ＥＬ材料の精製を行う精製装置の構成例を示す。有機ＥＬ材料の結晶析出を溶媒との混合により行う場合は、図３において、超臨界流体または亜臨界流体として用いる溶媒が入ったタンク３１から溶媒をポンプ３２で送液し、目的とする温度、圧力で超臨界流体または亜臨界流体とする。容器３３にあらかじめ入れておいた有機ＥＬ材料が超臨界流体または亜臨界流体に溶解し、フィルター３４を通り抜けて出てきたところで溶媒と混合３５し、結晶を析出させる。得られた有機ＥＬ材料の結晶は、背圧弁３６を経て採取３７される。３８は圧力計、３９は予熱部、４０は保温部である。また、有機ＥＬ材料の結晶析出を温度変化により行う場合は、図３において、フィルター３４と背圧弁３６とを結ぶ工程間に温度制御部を設置し、有機ＥＬ材料が溶解した超臨界流体または亜臨界流体を温度制御部により温度変化させて、結晶を析出させる。
【００４１】
〔有機ＥＬ素子〕
上記方法にて精製した有機ＥＬ材料を用いた有機ＥＬ素子の詳細を以下に記す。
【００４２】
前述のように本発明の有機ＥＬ素子は、基板上に、陽極と陰極、これらの電極間に１層以上の有機化合物層（有機ＥＬ層）を挾持した構造を有している。
【００４３】
（基板）
用いることができる基板としては、特に限定されないが、ガラス基板とプラスチック基板とが挙げられ、本発明においてはいずれを用いてもよい。なお、基板としては、基板側からの酸素や水の侵入を阻止するため、ＪＩＳ  Ｚ−０２０８に準拠した試験において、その厚さが１μｍ以上で水蒸気透過率が１ｇ／ｍ２・１ａｔｍ・２４ｈｒ（２５℃）以下であるものが望ましい。
【００４４】
ガラス基板としては、具体的には、例えば無アルカリガラス、低アルカリガラス、ソーダライムガラス等が挙げられる。これらのうち、水分の吸着が少ない点からは無アルカリガラスが好ましいが、充分に乾燥を行えばこれらのいずれを用いてもよい。
【００４５】
プラスチック基板は、可撓性が高く、軽量で割れにくいこと、有機ＥＬ素子のさらなる薄型化を可能にできること等の理由で近年注目されているが、通常生産されているプラスチック基板は水分の透過性が比較的高く、内部に水分を含有している。従って、このようなプラスチック基板を用いる際には、樹脂基材上に水蒸気を封止する膜（以下、水蒸気封止膜という）を設けたものが好ましい。
【００４６】
水蒸気封止膜を構成する材料としては、金属酸化物、金属酸窒化物または金属窒化物が挙げられる。金属酸化物、金属酸窒化物または金属窒化物としては酸化珪素、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、酸化アルミニウム等の金属酸化物、窒化珪素等の金属窒化物、酸窒化珪素、酸窒化チタン等の金属酸窒化物等が挙げられる。
【００４７】
前記樹脂基材としては、特に限定はなく、具体的には、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン類、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルまたはポリアリレート類、有機無機ハイブリッド樹脂等を挙げることができる。有機無機ハイブリッド樹脂としては、有機樹脂とゾルゲル反応によって得られる無機高分子（例えばシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア等）を組み合わせて得られるものが挙げられる。これらのうちでは、特にアートン（ＪＳＲ（株）製）あるいはアペル（三井化学（株）製）といったノルボルネン（またはシクロオレフィン系）樹脂が好ましい。
【００４８】
前記樹脂基材に、水蒸気封止膜を設ける方法は、特に限定されず、いかなる方法でもよいが、具体的には、例えばゾルゲル法、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ法（化学的気相堆積）等が挙げられる。これらのうち、緻密な膜を形成できる点から、大気圧あるいは大気圧近傍でのプラズマＣＶＤ処理による方法が好ましい。
【００４９】
〔陽極、有機化合物層（有機ＥＬ層）、陰極〕
（陽極）
有機ＥＬ素子の陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、金属の電気伝導性化合物あるいはこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。ここで、「金属の電気伝導性化合物」とは、金属と他の物質との化合物のうち電気伝導性を有するものをいい、具体的には、例えば、金属の酸化物、ハロゲン化物等であって電気伝導性を有するものをいう。
【００５０】
このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。上記陽極は、これらの電極物質からなる薄膜を、蒸着やスパッタリング等の公知の方法により、前記基板上に形成させることで作製することができる。
【００５１】
また、この薄膜にフォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、また、パターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
【００５２】
陽極から発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましい。また、陽極としてのシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。さらに陽極の膜厚は、構成する材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【００５３】
（有機ＥＬ層）
有機化合物層（有機ＥＬ層）には少なくとも発光層が含まれるが、発光層とは広義には、陰極と陽極とからなる電極に電流を流した際に発光する層のことを指し、具体的には、陰極と陽極とからなる電極に電流を流した際に発光する有機化合物を含有する層を指す。
【００５４】
本発明に用いられる有機ＥＬ素子は、必要に応じ、発光層の他に、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層及び電子輸送層を有していてもよく、これらの層が陰極と陽極とで狭持された構造をとる。
【００５５】
具体的には、
（ｉ）陽極／発光層／陰極
（ｉｉ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（ｉｉｉ）陽極／発光層／電子注入層／陰極
（ｉｖ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
（ｖ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ｖｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
等の構造が挙げられる。
【００５６】
さらに、電子注入層と陰極との間に、陰極バッファー層（例えば、フッ化リチウム等）を挿入してもよく、陽極と正孔注入層との間に、陽極バッファー層（例えば、銅フタロシアニン等）を挿入してもよい。
【００５７】
（発光層）
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。発光層は単一の組成を持つ層であってもよいし、同一または異なる組成をもつ複数の層からなる積層構造であってもよい。
【００５８】
この発光層自体に、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層及び電子輸送層等の機能を付与してもよい。すなわち、発光層に（１）電界印加時に、陽極または正孔注入層により正孔を注入することができ、かつ陰極または電子注入層より電子を注入することができる注入機能、（２）注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる輸送機能、（３）電子と正孔の再結合の場を発光層内部に提供し、これを発光につなげる発光機能のうちの少なくとも１つの機能を付与してもよい。なお、発光層は、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また、正孔と電子の移動度で表される輸送機能に大小があってもよいが、少なくともどちらか一方の電荷を移動させる機能を有するものが好ましい。
【００５９】
この発光層に用いられる発光材料の種類については、特に制限はなく、従来、有機ＥＬ素子における発光材料として公知のものを用いることができる。このような発光材料は、主に有機化合物であり、所望の色調により、例えば、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．１２５巻１７〜２６頁に記載の化合物が挙げられる。また、発光材料はｐ−ポリフェニレンビニレンやポリフルオレンのような高分子材料でもよく、さらに前記発光材料を側鎖に導入した高分子材料や前記発光材料を高分子の主鎖とした高分子材料を使用してもよい。なお、上述したように、発光材料は、発光性能の他に、正孔注入機能や電子注入機能を併せ持っていてもよいため、後述する正孔注入材料や電子注入材料のほとんどが発光材料としても使用できる。
【００６０】
有機ＥＬ素子を構成する層において、その層が２種以上の有機化合物で構成されるとき、主成分をホスト、その他の成分をドーパントといい、本特許の発光層においてホストとドーパントを併用する場合、主成分であるホスト化合物に対する発光層のドーパント（以下発光ドーパントともいう）の混合比は好ましくは質量で０．１〜３０質量％未満である。
【００６１】
発光層に用いるドーパントは、大きく分けて、蛍光を発光する蛍光性ドーパントと燐光を発光する燐光性ドーパントの２種類がある。
【００６２】
蛍光性ドーパントの代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体、その他公知の蛍光性化合物等が挙げられる。
【００６３】
本発明においては、少なくとも１層の発光層が燐光性化合物を含有するのが好ましい。
【００６４】
本発明において燐光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、燐光量子収率が２５℃において０．００１以上の化合物である。燐光量子収率は好ましくは０．０１以上、さらに好ましくは０．１以上である。上記燐光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光ＩＩの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いられる燐光性化合物は、任意の溶媒の何れかにおいて上記燐光量子収率が達成されればよい。
【００６５】
燐光性ドーパントは燐光性化合物であり、その代表例としては、好ましくは元素の周期律表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくは、イリジウム化合物、オスミウム化合物、ロジウム化合物、パラジウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）であり、中でも好ましくはイリジウム化合物、ロジウム化合物、白金化合物であり、最も好ましくはイリジウム化合物である。
【００６６】
ドーパントの例としては、以下の文献または特許公報に記載されている化合物である。Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２３巻４３０４〜４３１２頁、ＷＯ  ００／７０６５５、同０１／９３６４２、同０２／０２７１４、同０２／１５６４５、同０２／４４１８９、同０２／０８１４８８、特開２００２−２８０１７８、同２００１−１８１６１６、同２００２−２８０１７９、同２００１−１８１６１７、同２００２−２８０１８０、同２００１−２４７８５９、同２００２−２９９０６０、同２００１−３１３１７８、同２００２−３０２６７１、同２００１−３４５１８３、同２００２−３２４６７９、同２００２−３３２２９１、同２００２−５０４８４、同２００２−３３２２９２、同２００２−８３６８４、特表２００２−５４０５７２、特開２００２−１１７９７８、同２００２−３３８５８８、同２００２−１７０６８４、同２００２−３５２９６０、同２００２−５０４８３、同２００２−１００４７６、同２００２−１７３６７４、同２００２−３５９０８２、同２００２−１７５８８４、同２００２−３６３５５２、同２００２−１８４５８２、同２００３−７４６９、特表２００２−５２５８０８、特開２００３−７４７１、特表２００２−５２５８３３、特開２００３−３１３６６、同２００２−２２６４９５、同２００２−２３４８９４、同２００２−２３５０７６、同２００２−２４１７５１、同２００１−３１９７７９、同２００１−３１９７８０、同２００２−６２８２４、同２００２−１００４７４、同２００２−２０３６７９、同２００２−３４３５７２、同２００２−２０３６７８等。
【００６７】
これらの燐光性ドーパントは、超臨界または亜臨界状態の溶媒に溶解または接触する工程を含む精製方法により精製されるのが好ましい。超臨界または亜臨界状態の溶媒に溶解または接触する工程を含む精製方法としては、好ましくは超臨界または亜臨界状態の溶媒中に注入し、クロマトグラフ法を用いて不純物を除去する精製方法、超臨界または亜臨界状態の溶媒を用いて抽出する精製方法あるいは超臨界または亜臨界状態の溶媒を用いて晶析する精製方法が挙げられる。
【００６８】
以下に燐光性ドーパントの具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【００６９】
【化１】
2005002257.tif 000002
【００７０】
【化２】
2005002257.tif 000003
【００７１】
【化３】
2005002257.tif 000004
【００７２】
発光ドーパントは１種のみを用いてもよいし、複数種類を用いてもよく、これらドーパントからの発光を同時に取り出すことにより、複数の発光極大波長を持つ発光素子を構成することもできる。また、例えば燐光性ドーパントと、蛍光性ドーパントの両方が加えられていてもよい。複数の発光層を積層して有機ＥＬ素子を構成する場合、それぞれの層に含有される発光ドーパントは同じであっても異なっていても、単一種類であっても複数種類であってもよい。
【００７３】
さらには、前記発光ドーパントを高分子鎖に導入した、または前記発光ドーパントを高分子の主鎖とした高分子材料を使用してもよい。
【００７４】
上記ホスト化合物としては、例えばカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族ボラン誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するものが挙げられ、後述の電子輸送材料及び正孔輸送材料もその相応しい一例として挙げられる。青色または白色の発光素子、表示装置及び照明装置に適用する場合には、ホスト化合物の蛍光極大波長が４１５ｎｍ以下であることが好ましく、燐光性ドーパントを用いる場合、ホスト化合物の燐光の０−０バンドが４５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。発光ホストとしては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。
【００７５】
発光ホストの具体例としては、例えば以下の文献に記載されている化合物が好適である。
【００７６】
特開２００１−２５７０７６、同２００２−３０８８５５、同２００１−３１３１７９、同２００２−３１９４９１、同２００１−３５７９７７、同２００２−３３４７８６、同２００２−８８６０、同２００２−３３４７８７、同２００２−１５８７１、同２００２−３３４７８８、同２００２−４３０５６、同２００２−３３４７８９、同２００２−７５６４５、同２００２−３３８５７９、同２００２−１０５４４５、同２００２−３４３５６８、同２００２−１４１１７３、同２００２−３５２９５７、同２００２−２０３６８３、同２００２−３６３２２７、同２００２−２３１４５３、同２００３−３１６５、同２００２−２３４８８８、同２００３−２７０４８、同２００２−２５５９３４、同２００２−２６０８６１、同２００２−２８０１８３、同２００２−２９９０６０、同２００２−３０２５１６、同２００２−３０５０８３、同２００２−３０５０８４、同２００２−３０８８３７等。
【００７７】
これらのホスト化合物は、超臨界または亜臨界状態の溶媒に溶解または接触する工程を含む精製方法により精製されるのが好ましい。超臨界または亜臨界状態の溶媒に溶解または接触する工程を含む精製方法としては、好ましくは超臨界または亜臨界状態の溶媒中に注入し、クロマトグラフ法を用いて不純物を除去する精製方法、超臨界または亜臨界状態の溶媒を用いて抽出する精製方法あるいは超臨界または亜臨界状態の溶媒を用いて晶析する精製方法が挙げられる。
【００７８】
発光ドーパントはホスト化合物を含有する層全体に分散されていてもよいし、部分的に分散されていてもよい。発光層にはさらに別の機能を有する化合物が加えられていてもよい。
【００７９】
上記の材料を用いて、例えば蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット転写法、印刷法等の公知の方法により薄膜化することにより、発光層を形成することができるが、形成された発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで、分子堆積膜とは、上記化合物の気相状態から沈着され形成された薄膜や、該化合物の溶融状態または液相状態から固体化され形成された膜のことである。通常、この分子堆積膜とＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは、凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区別することができる。
【００８０】
この分子堆積膜からなる発光層は、具体的には、例えば、特開昭５７−５１７８１号公報に記載されているように、樹脂等の結着材とともに上記発光材料を溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化して形成することができる。このようにして形成された発光層の膜厚については、特に制限はなく、状況に応じて適宜選択することができるが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲である。
【００８１】
（正孔注入層及び正孔輸送層）
正孔注入層に用いられる正孔注入材料は、正孔の注入、電子の障壁性のいずれかを有するものである。また、正孔輸送層に用いられる正孔輸送材料は、電子の障壁性を有するとともに正孔を発光層まで輸送する働きを有するものである。従って、本発明においては、正孔輸送層は正孔注入層に含まれる。これら正孔注入材料及び正孔輸送材料は、有機物、無機物のいずれであってもよい。具体的には、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、ポルフィリン化合物、チオフェンオリゴマー等の導電性高分子オリゴマーが挙げられる。これらのうちでは、アリールアミン誘導体及びポルフィリン化合物が好ましい。アリールアミン誘導体の中では、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物が好ましく、芳香族第三級アミン化合物がより好ましい。
【００８２】
上記芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）ビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（以下、α−ＮＰＤと略す。）、特開平４−３０８６８８号に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料として使用することができる。
【００８３】
また、本発明においては正孔輸送層の正孔輸送材料は４１５ｎｍ以下に蛍光極大波長を有することが好ましい。すなわち、正孔輸送材料は、正孔輸送能を有しつつかつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇである化合物が好ましい。
【００８４】
正孔注入層及び正孔輸送層は、上記正孔注入材料及び正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法、転写法、印刷法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。
【００８５】
正孔注入層及び正孔輸送層の膜厚については、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度である。なお、上記正孔注入層及び正孔輸送層は、それぞれ上記材料の１種または２種以上からなる１層構造であってもよく、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。また、正孔注入層と正孔輸送層を両方設ける場合には、上記の材料のうち、通常、異なる材料を用いるが、同一の材料を用いてもよい。
【００８６】
（電子注入層及び電子輸送層）
電子注入層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。この電子注入層に用いられる材料（以下、電子注入材料ともいう）の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。
【００８７】
また、特開昭５９−１９４３９３号公報に記載されている一連の電子伝達性化合物は、該公報では発光層を形成する材料として開示されているが、本発明者らが検討の結果、電子注入材料として用いうることが分かった。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子注入材料として用いることができる。
【００８８】
また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３と略す。）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も電子注入材料として用いることができる。
【００８９】
その他、メタルフリーやメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも電子注入材料として好ましく用いることができる。また、正孔注入層と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子注入材料として用いることができる。
【００９０】
電子輸送層に用いられる好ましい化合物は、４１５ｎｍ以下に蛍光極大波長を有することが好ましい。すなわち、電子輸送層に用いられる化合物は、電子輸送能を有しつつかつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇである化合物が好ましい。
【００９１】
この電子注入層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法、転写法、印刷法等の公知の薄膜化法により成膜して形成することができる。電子注入層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲で選ばれる。この電子注入層は、これらの電子注入材料の１種または２種以上からなる１層構造であってもよいし、あるいは同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
【００９２】
なお、本明細書においては、前記電子注入層のうち、発光層と比較してイオン化エネルギーが大きい場合には、特に電子輸送層と呼ぶこととする。従って、本明細書においては、電子輸送層は電子注入層に含まれる。
【００９３】
上記電子輸送層は、正孔阻止層（ホールブロック層）とも呼ばれ、その例としては、例えば、ＷＯ  ００／７０６５５号公報、特開２００１−３１３１７８号公報、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日  エヌ・ティー・エス社発行）」の第２３７頁等に記載されているものが挙げられる。特に発光層にオルトメタル錯体系ドーパントを用いるいわゆる「リン光発光素子」においては、前記（ｖ）及び（ｖｉ）のように電子輸送層（正孔阻止層）を有する構成を採ることが好ましい。
【００９４】
（バッファー層）
さらに、陽極と発光層または正孔注入層の間、及び、陰極と発光層または電子注入層との間にはバッファー層（電極界面層）を存在させてもよい。バッファー層とは、駆動電圧低下や発光効率向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日  エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（第１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、陽極バッファー層と陰極バッファー層とがある。
【００９５】
陽極バッファー層は、特開平９−４５４７９号、同９−２６００６２号、同８−２８８０６９号等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
【００９６】
陰極バッファー層は、特開平６−３２５８７１号、同９−１７５７４号、同１０−７４５８６号等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
【００９７】
上記バッファー層はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は０．１〜１００ｎｍの範囲が好ましい。さらに、上記基本構成層の他に、必要に応じてその他の機能を有する層を適宜積層してもよい。
【００９８】
（陰極）
上述のように有機ＥＬ素子の陰極としては、一般に仕事関数の小さい（４ｅＶ未満）金属（以下、電子注入性金属と称する）、合金、金属の電気伝導性化合物あるいはこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。
【００９９】
このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、インジウム、希土類金属、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が挙げられる。
【０１００】
本発明においては、上記に列挙したものを陰極の電極物質として用いてもよいが、本発明の効果をより有効に発揮させる点からは、陰極は第１３族金属元素を含有してなることが好ましい。すなわち本発明では、後述するように陰極の表面をプラズマ状態の酸素ガスで酸化して、陰極表面に酸化皮膜を形成することにより、それ以上の陰極の酸化を防止し、陰極の耐久性を向上させることができる。
【０１０１】
従って、陰極の電極物質としては、陰極に要求される好ましい電子注入性を有する金属であって、緻密な酸化皮膜を形成しうる金属であることが好ましい。
【０１０２】
前記第１３族金属元素を含有してなる陰極の電極物質としては、具体的には、例えば、アルミニウム、インジウム、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が挙げられる。なお、上記混合物の各成分の混合比率は、有機ＥＬ素子の陰極として従来公知の比率を採用することができるが、特にこれに限定されない。上記陰極は、上記の電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、前記有機化合物層（有機ＥＬ層）上に薄膜形成することにより、作製することができる。
【０１０３】
また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光光を透過させるために、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方を透明または半透明にすると、発光効率が向上して好ましい。
【０１０４】
本発明の有機ＥＬ材料を用いて作製した有機ＥＬ素子からなる表示装置を作製する好適な例を説明する。
【０１０５】
〔有機ＥＬ素子の作製方法〕
本発明の有機ＥＬ素子の作製方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極からなる有機ＥＬ素子の作製法について説明する。
【０１０６】
まず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層の有機化合物薄膜を形成させる。
【０１０７】
これらの有機化合物薄膜の薄膜化の方法としては、前記の如くスピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法またはスピンコート法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０同、真空度１０−６〜１０−２Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚０．１ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。
【０１０８】
これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機ＥＬ素子が得られる。この有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施してもかまわない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
【０１０９】
〔表示装置〕
本発明の有機ＥＬ素子を用いる多色表示装置は、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、他層は共通であるので、シャドーマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。
【０１１０】
発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシャドーマスクを用いたパターニングが好ましい。
【０１１１】
また作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
【０１１２】
このようにして得られた多色表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
【０１１３】
本発明の多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレー、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレーにおいて、青、赤、緑発光の３種の有機ＥＬ素子を用いることにより、フルカラーの表示が可能となる。
【０１１４】
表示デバイス、ディスプレーとしてはテレビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリックス（パッシブマトリックス）方式でもアクティブマトリックス方式でもどちらでもよい。
【０１１５】
発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではない。
【０１１６】
また、本発明に係る有機ＥＬ素子に共振器構造を持たせた有機ＥＬ素子として用いてもよい。
【０１１７】
このような共振器構造を有した有機ＥＬ素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより、上記用途に使用してもよい。
【０１１８】
本発明の有機ＥＬ素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を２種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
【０１１９】
本発明の有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を図面に基づいて以下に説明する。
【０１２０】
図４は、有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機ＥＬ素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。ディスプレイ４１は、複数の画素を有する表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う制御部Ｂ等からなる。制御部Ｂは、表示部Ａと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。
【０１２１】
図５は、表示部Ａの模式図である。表示部Ａは基板上に、複数の走査線５５及びデータ線５６を含む配線部と、複数の画素５３等とを有する。表示部Ａの主要な部材の説明を以下に行う。
【０１２２】
図５においては、画素５３の発光した光が、白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。配線部の走査線５５及び複数のデータ線５６は、それぞれ導電材料からなり、走査線５５とデータ線５６は格子状に直交して、直交する位置で画素５３に接続している（詳細は図示せず）。画素５３は、走査線５５から走査信号が印加されると、データ線５６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
【０１２３】
次に、画素の発光プロセスを説明する。図６は、画素の模式図である。画素は、有機ＥＬ素子６０、スイッチングトランジスタ６１、駆動トランジスタ６２、コンデンサ６３等を備えている。複数の画素に有機ＥＬ素子６０として、赤色、緑色、青色発光の有機ＥＬ素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。
【０１２４】
図６において、制御部Ｂ（図６には図示せず、図４に示す）からデータ線５６を介してスイッチングトランジスタ６１のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線５５を介してスイッチングトランジスタ６１のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ６１の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ６３と駆動トランジスタ６２のゲートに伝達される。
【０１２５】
画像データ信号の伝達により、コンデンサ６３が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ６２の駆動がオンする。駆動トランジスタ６２は、ドレインが電源ライン６７に接続され、ソースが有機ＥＬ素子６０の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン６７から有機ＥＬ素子６０に電流が供給される。
【０１２６】
制御部Ｂの順次走査により走査信号が次の走査線５５に移ると、スイッチングトランジスタ６１の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ６１の駆動がオフしてもコンデンサ６３は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ６２の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機ＥＬ素子６０の発光が継続する。順次走査により、次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ６２が駆動して有機ＥＬ素子６０が発光する。すなわち、有機ＥＬ素子６０の発光は、複数の画素それぞれの有機ＥＬ素子６０に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ６１と駆動トランジスタ６２を設けて、複数の画素５３（図６には図示せず、図５に示す）それぞれの有機ＥＬ素子６０の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
【０１２７】
ここで、有機ＥＬ素子６０の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、２値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。
【０１２８】
また、コンデンサ６３の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
【０１２９】
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。
【０１３０】
図７は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図７において、複数の走査線５５と複数の画像データ線５６が画素５３を挟んで対向して格子状に設けられている。順次走査により走査線５５の走査信号が印加されたとき、印加された走査線５５に接続している画素５３が画像データ信号に応じて発光する。パッシブマトリクス方式では画素５３にアクティブ素子が無く、製造コストの低減を図ることができる。
【０１３１】
【実施例】
以下、実施例によって本発明を詳しく説明するが、本発明の実施様態はこれに限定されるものではない。
【０１３２】
実施例１
３００ｍｌの三つ口フラスコに１−ヨードナフタレン（東京化成社製）２．０ｇ、Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン（広島和光純薬社製）１．０ｇ、無水炭酸カリウム３ｇ及び銅粉１．０ｇを加え、２００ｍｌのジメチルスルホキシドに溶解し２００℃で８時間攪拌して反応させた。反応終了後、反応液を濾過し、母液を塩化メチレンで抽出した。そして、ロータリーエバポレーターで溶媒を留去し、残渣をシリカゲル（広島和光純薬社製）を充填したカラムクロマトでトルエンを展開溶媒として精製し、淡黄色粉末（α−ＮＰＤの粗製品）０．３ｇを得た。
【０１３３】
（試料１０１の作製）
日本分光社製超臨界流体クロマトグラフィーシステムを用いて以下の条件にてα−ＮＰＤを分取した。
【０１３４】
超臨界ＣＯ２送液ポンプ：ＳＣＦ−Ｇｅｔ
全自動圧力調整弁：ＳＦＣ−Ｂｐｇ
カラムオーブン：ＧＣ−３５３Ｂ
インジェクタ：７１２５ｉ
カラム：Ｃ１８−Ｓｉｌｉｃａ、３μｍ、４．６×２５０ｍｍ
移動層：二酸化炭素
移動層流量：３ｍｌ／ｍｉｎ
圧力：１８ＭＰａ
温度：４０℃
検出：紫外検出器（２１０ｎｍ）
上記条件によって１００ｍｇのα−ＮＰＤを得た。このα−ＮＰＤを試料１０１とする。
【０１３５】
（試料１０２の作製）
日本分光社製超臨界抽出装置を用い、以下の条件でα−ＮＰＤを超臨界抽出した。
【０１３６】
超臨界ＣＯ２送液ポンプ：ＳＣＦ−Ｇｅｔ
全自動圧力調整弁：ＳＦＣ−Ｂｐｇ
抽出槽：ＣＯ−１５６０
抽出溶媒：二酸化炭素（３ｍｌ／ｍｉｎ）
温度：８０℃
圧力：２５ＭＰａ
抽出管容量：１ｍｌ
抽出時間：３０分
上記条件にて１００ｍｇのα−ＮＰＤを得た。これを試料１０２とする。
【０１３７】
（試料１０３の作製）
以下の日本分光社製超臨界晶析装置、操業条件を用いてα−ＮＰＤを超臨界晶析した。
【０１３８】
超臨界ＣＯ２送液ポンプ：ＳＣＦ−Ｇｅｔ
全自動圧力調整弁：ＳＦＣ−Ｂｐｇ
試薬溶液送液ポンプ：ＰＵ−１５８０
高温槽：ＣＯ１５６０
α−ＮＰＤを流量：３ｍｌ／ｍｉｎ、圧力１８ＭＰａ、４０℃の超臨界状態中にある二酸化炭素中に溶解し、晶析容器に導入した。別途ポンプから晶析容器にトルエン０．２ｍｌ／ｍｉｎを混入させたところα−ＮＰＤが析出した。このα−ＮＰＤを試料１０３とする。
【０１３９】
（試料１０４の作製）
α−ＮＰＤをアルバック理工社製有機色素精製装置ＴＲＳ−１を用い、ボート温度３２０℃、１０−３Ｐａの条件で２回昇華精製し、１００ｍｇのα−ＮＰＤを得た。これを試料１０４とする。
【０１４０】
（試料１０５の作製）
α−ＮＰＤを再度トルエンに溶解し、シリカゲルを充填したオープンカラムに通し、精製した。これを試料１０５とする。
【０１４１】
（試料１０６の作製）
分取液体クロマトグラフを用いて以下の条件でα−ＮＰＤを精製した。
【０１４２】
送液ポンプ：日立社製、Ｌ−６２００インテリジェントＨＰＬＣポンプ
検出器：日立社製、Ｌ−４２５０ＵＶ／ＶＩＳディテクター
カラム温度：４０℃
流速：１．５ｍｌ／ｍｉｎ
溶離液：シクロヘキサン（関東化学、ＨＰＬＣグレード）／トルエン（関東化学、特級）＝８５体積％／１５体積％
カラム：ＧＬサイエンス社製、イナートシルＰＲＥＰ−ＳＩＬ（２００ｍｍ×２５０ｍｍ）
検出波長：３１０ｎｍ
保持時間１０分に溶離する成分を分取した。これを試料１０６とする。
【０１４３】
〔有機ＥＬ素子の作製〕
陽極としてガラス上にＩＴＯを１５０ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製：ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をｉｓｏ−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
【０１４４】
この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、５つのタンタル製抵抗加熱ボートに、上記作製した試料１０１、ＣＢＰ、Ｉｒ−１、ＢＣＰ、Ａｌｑ３をそれぞれ入れ、真空蒸着装置（第１真空槽）に取付けた。
【０１４５】
さらにタンタル製抵抗加熱ボートにフッ化リチウムを、タングステン製抵抗加熱ボートにアルミニウムをそれぞれ入れ、真空蒸着装置の第２真空槽に取り付けた。
【０１４６】
まず、第１真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、試料１０１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒で透明支持基板に膜厚２５ｎｍの厚さになるように蒸着し、正孔注入／輸送層を設けた。さらに、ＣＢＰの入った前記加熱ボートとＩｒ−１の入ったボートをそれぞれ独立に通電して、発光ホストであるＣＢＰと発光ドーパントであるＩｒ−１の蒸着速度が１００：７になるように調節し、膜厚３０ｎｍの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。
【０１４７】
ついで、ＢＣＰの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒で厚さ１０ｎｍの電子輸送層を設けた。更に、Ａｌｑ３の入った前記加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒で膜厚４０ｎｍの電子注入層を設けた。
【０１４８】
次に、前記の如く電子注入層まで製膜した素子を真空のまま第２真空槽に移した後、電子注入層の上にステンレス鋼製の長方形穴あきマスクが配置されるように装置外部からリモートコントロールして設置した。
【０１４９】
第２真空槽を２×１０−４Ｐａまで減圧した後、フッ化リチウム入りのボートに通電して蒸着速度０．０１〜０．０２ｎｍ／秒で膜厚０．５ｎｍの陰極バッファー層を設け、次いでアルミニウムの入ったボートに通電して蒸着速度１〜２ｎｍ／秒で膜厚１５０ｎｍの陰極をつけた。さらにこの有機ＥＬ素子を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスで置換したグローブボックス）へ移し、図８に示したような封止構造にして、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１を作製した。以下、試料１０１に代えて試料１０２〜１０６を用いて、同様にしてＯＬＥＤ１−２〜１−６を作製した。
【０１５０】
【化４】
2005002257.tif 000005
【０１５１】
（有機ＥＬ素子の評価）
作製した有機ＥＬ素子について、下記のようにして発光輝度、発光効率及び半減時間を測定した。評価の結果を表１に示す。
【０１５２】
（発光輝度、発光効率）
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１〜１−６に発光色は緑色であった。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１は初期駆動電圧２．８Ｖで電流が流れ始めた。
【０１５３】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１〜１−６に２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で１０Ｖ直流電圧を印加した時の発光輝度（ｃｄ／ｍ２）、発光効率（ｌｍ／Ｗ）を測定した。
【０１５４】
発光輝度、発光効率は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１を１００とした相対値で表した。発光輝度についてはＣＳ−１０００（ミノルタ製）を用いて測定した。
【０１５５】
（半減時間）
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１〜１−６の各々を２．５ｍＡ／ｃｍ２の一定電流で駆動したときに初期輝度が元の半分に低下するのに要した時間である半減時間を指標として耐久性を評価した。また、半減時間は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１を１００とした時の相対値で表した。
【０１５６】
【表１】
2005002257.tif 000006
【０１５７】
表１より本発明の精製方法で精製した有機ＥＬ材料を含む層を有する有機ＥＬ素子は、発光輝度、発光効率及び半減時間が比較例よりも上回っており好ましいことが分かった。
【０１５８】
なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−４において、ＣＢＰ及びＩｒ−１を超臨界クロマトグラフィーにて精製した試料を用いて作製したＯＬＥＤ１−７、ＣＢＰ及びＩｒ−１を超臨界抽出した試料を用いて作製したＯＬＥＤ１−８、ＣＢＰ及びＩｒ−１を超臨界晶析にて精製した試料を用いて作製したＯＬＥＤ１−９は、いずれも発光輝度、発光効率及び半減時間がＯＬＥＤ１−４に対し上回っていた。
【０１５９】
実施例２
実施例１の試料１０２と同様の装置により、２−（４′−ビフェニル）−５−（４″−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）１，３，４−オキサジアゾールを超臨界抽出し精製した。
【０１６０】
〔有機ＥＬ素子の作製〕
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１５０ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製：ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行なった。
【０１６１】
この透明支持基板上にＰＥＤＯＴ／ＰＥＳＳ溶液（ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスルフォン酸ドープ体：ｂａｙｔｒｏｎ（バイエル社製））を膜厚約１００ｎｍでスピンコートした後、真空加熱乾燥した。この上にポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール：東京化成社製）１０ｇ、Ｉｒ−１を２５０ｍｇ、フッ化カルシウム１ｍｇ、先に超臨界抽出し精製した２−（４′−ビフェニル）−５−（４″−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）１，３，４−オキサジアゾール５ｍｇをクロロホルム１５００ｍｌに溶解し、その溶液をスピンコートすることで膜厚１５０ｎｍの発光層を得た。
【０１６２】
この基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、フッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成した。この有機ＥＬ素子をＯＬＥＤ２−１とする。
【０１６３】
超臨界処理を行わなかった２−（４′−ビフェニル）−５−（４″−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）１，３，４−オキサジアゾールを用いて同様にして、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２−２を作製した。
【０１６４】
作製した有機ＥＬ素子について、実施例１と同様にして発光輝度、発光効率及び半減時間を測定した。評価の結果を表２に示す。
【０１６５】
【表２】
2005002257.tif 000007
【０１６６】
表２より本発明の精製方法で精製した有機ＥＬ材料を含む層を有する有機ＥＬ素子は、発光輝度、発光効率及び半減時間が改善されていることが分かる。
【０１６７】
実施例３
〔フルカラー表示装置の作製〕
実施例１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１の作製において、Ｉｒ−１（発光ドーパント）の代わりに、Ｉｒ−１２、Ｉｒ−６を各々用いた以外は同様にして、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３−１（青色発光）、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３−２（赤色発光）を作製した。
【０１６８】
実施例１で作製した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１（緑色発光）、上記作製した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３−１、３−２を同一基板上に並置し、図４に示すような形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製し、図５には、作製したフルカラー表示装置の表示部Ａの模式図のみを示した。
【０１６９】
即ち、同一基板上に、複数の走査線５５及びデータ線５６を含む配線部と、並置した複数の画素５３（発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等）とを有し、配線部の走査線５５及び複数のデータ線５６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５５とデータ線５６は格子状に直交して、直交する位置で画素５３に接続している（詳細は図示せず）。前記複数の画素５３は、図４に示すような、それぞれの発光色に対応した有機ＥＬ素子６０、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ６１と駆動トランジスタ６２が設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線５５から走査信号が印加されると、データ線５６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。このように各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
【０１７０】
フルカラー表示装置を駆動することにより、輝度が高く、高耐久性（半減時間が長い）を示し、且つ、鮮明なフルカラー動画表示が得られることが分かった。
【０１７１】
実施例４
〔照明装置の作製〕
陽極としてガラス上にＩＴＯを１５０ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製：ＮＡ−４５）の電極を２０ｍｍ×２０ｍｍにパターニングし、その上に実施例１と同様に正孔注入／輸送層として試料１０１の入った加熱ボートに通電して２５ｎｍの厚さで成膜し、さらに、ＣＢＰの入った加熱ボートとＩｒ−６の入ったボート及びＩｒ−１２の入ったボートをそれぞれ独立に通電して発光ホストであるＣＢＰと発光ドーパントであるＩｒ−６及びＩｒ−１２の蒸着速度が１００：１：４になるように調節し膜厚３０ｎｍの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。
【０１７２】
ついで、ＢＣＰを１０ｎｍ製膜して電子輸送層を設けた。更に、Ａｌｑ３を４０ｎｍで製膜し電子注入層を設けた。
【０１７３】
次に、実施例１と同様に、電子注入層の上にステンレス鋼製の透明電極とほぼ同じ形状の正方形穴あきマスクを設置し、陰極バッファー層としてフッ化リチウム０．５ｎｍ及び陰極としてアルミニウム１５０ｎｍを蒸着成膜した。この有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ４−１を実施例１と同様な方法及び同様な構造の封止缶を具備させ平面ランプを作製した。
【０１７４】
このＯＬＥＤ４−１を有する平面ランプに通電したところ、ほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。試料１０１に代えて試料１０２、１０３を用いてＯＬＥＤ４−２、４−３を作製し、通電したところいずれもほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。
【０１７５】
図９に平面ランプの平面図（Ａ）及び側面図（Ｂ）を示す。
【０１７６】
【発明の効果】
本発明により、発光輝度、発光効率、寿命特性に優れた有機エレクトロルミネッセンス材料の精製方法、その精製方法を用いて精製した有機エレクトロルミネッセンス材料、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置を工業規模で提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】充填カラムを用いた精製装置の概略図である。
【図２】抽出を用いた精製装置の模式図である。
【図３】晶析を用いた精製装置の模式図である。
【図４】有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。
【図５】表示部Ａの模式図である。
【図６】画素の模式図である。
【図７】パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。
【図８】封止構造の有機ＥＬ素子の側面図である。
【図９】平面ランプの平面図（Ａ）及び側面図（Ｂ）である。
【符号の説明】
１１、２１  超臨界流体
１２  ポンプ
１３  モディファイヤ
１４  インジェクタ
１５  カラム
１６  カラムオーブン
１７  検出器
１８  圧力調整弁
２２  弁
２３  抽出管
２４  採取ビン
３１  タンク
３２  ポンプ
３３  容器
３４  フィルター
３５  混合
３６  背圧弁
３７  採取
３８  圧力計
３９  予熱部
４０  保温部
４１  ディスプレイ
５３  画素
５５  走査線
５６  データ線
６０  有機ＥＬ素子
６１  スイッチングトランジスタ
６２  駆動トランジスタ
６３  コンデンサ
６７  電源ライン
７１  透明電極付きガラス基板
７２  有機ＥＬ層
７３  陰極
７４  ガラス製封止缶
７５  酸化バリウム（捕水剤）
７６  窒素ガス
７７  紫外線硬化型接着剤
Ａ  表示部
Ｂ  制御部
【図１】
2005002257.tif 000008
【図２】
2005002257.tif 000009
【図３】
2005002257.tif 000010
【図４】
2005002257.tif 000011
【図５】
2005002257.tif 000012
【図６】
2005002257.tif 000013
【図７】
2005002257.tif 000014
【図８】
2005002257.tif 000015
【図９】
2005002257.tif 000016