(57)【要約】【課題】下側階調反転を最少化し、優れた視認性を実現する。【解決手段】薄膜トランジスタ表示板すなわち下側表示板は、絶縁基板上に形成されているゲート線１２１と、ゲート線と絶縁されて交差しているデータ線１７１と、ゲート線とデータ線が交差して画定する画素領域毎に形成されている第１画素電極１９０ａと、ゲート線、データ線及び第１画素電極にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極が各々接続されている薄膜トランジスタと、画素領域毎に形成され、ドレイン電極に接続されている第１画素電極、ドレイン電極に接続された結合電極を通じて第１画素電極と容量性結合している第２画素電極１９０ｂを含む。これにより、第２画素電極領域の透過率が向上されるので、下側階調反転を最少化できる広視野角液晶表示装置を得ることができる。【選択図】図１
2005301226.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板、
前記絶縁基板上に形成されゲート電極を有するゲート線、
前記ゲート線を覆うゲート絶縁膜、
前記ゲート絶縁膜上部に形成されている半導体層、
前記半導体層上部に形成されているソース電極を有するデータ線、
前記半導体層上部に形成され、前記ゲート電極を中心に前記ソース電極と対向するドレイン電極、
前記ドレイン電極と接続されている結合電極、
前記ドレイン電極及び結合電極と接続されている第１画素電極、及び
前記結合電極と重なって前記第１画素電極に容量性結合している第２画素電極
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２】
前記結合電極は、前記ゲート線または前記ドレイン電極と同一層に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３】
前記結合電極は、前記ドレイン電極からのびていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項４】
前記結合電極と重なる維持電極線をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項５】
前記データ線及び前記ドレイン電極と、前記第１及び第２画素電極の間に形成されている保護膜をさらに含み、
前記結合電極は、前記保護膜に形成されている接触孔を通じて前記第１画素電極と接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項６】
前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と重なる部分を除くその他の部分が、前記データ線と同一パターンを有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項７】
請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板、
前記薄膜トランジスタ表示板と対向し、前記第１及び第２画素電極と対向する共通電極を有する対向表示板、及び
前記二つの表示板の間に充填された液晶物質層
を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
前記液晶表示装置は、捩じれネマチック方式であることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及びこれに使用する表示板に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、一般に、共通電極及びカラーフィルタなどが形成されている上部表示板と、薄膜トランジスタ及び画素電極などが形成されている下部表示板の間に液晶物質を注入し、画素電極と共通電極に互いに異なる電圧を印加することで電界を形成して液晶分子の配列を変更し、これによって、光の透過率を調節することによって画像を表示する装置である。
このような液晶表示装置のうち、二つの基板に電極が各々形成され、電極に印加される電圧をスイッチングする薄膜トランジスタを有している液晶表示装置が現在の主流であり、薄膜トランジスタは、二つの基板のうちの一方に形成されるのが一般的である。
【０００３】
この時、誘電率異方性が正の捩じれたネマチック液晶を利用する捩じれネマチック（twisted nematic：ＴＮ）方式の液晶表示装置は、電場を印加しないときに、二つの基板間に充填されている液晶層の液晶分子が、二つの基板に平行で且つ一定のピッチで螺旋状に捩れており、液晶分子の長軸の配列方位が連続的に変化する捩じれ構造である。二つの基板に形成された電極間に電場を形成したときには、液晶分子の長軸の配列方位が一定に電場の方向と平行に配列され、二つの基板に対して垂直な構造を有する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このように液晶物質を使用する液晶表示装置では、液晶物質が有する屈折率異方性の特徴によって、液晶パネルを見る角度による色の変化及びコントラストの変化などが大きいので、視野角が狭く、階調反転が生ずる問題点がある。
特に、正面のガンマ曲線と側面のガンマ曲線が一致しない下側ガンマ曲線の歪曲現象が生じ、視認性が劣化する。例えば、下側に向かうほど全体的に画面が明るく見え、色は白色側に移動する傾向があり、更に歪みが大きくなると、明るい階調間の間隔差がなくなり画像がくずれてしまうこともある。ところが、近来、液晶表示装置がマルチメディア用として使用されるようになり、画像や動画などを表示することが増加し、視認性改良の重要性が高まっている。
本発明の目的は、下側階調反転を最少化し、優れた視認性の多重ドメイン液晶表示装置を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような課題を解決するために本発明では、画素電極を二つに分けてサブ画素電極と、二つのサブ画素電極に互いに異なる電位を印加する。
詳細には、本発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板は、絶縁基板、絶縁基板上に形成されゲート電極を有するゲート線、ゲート線を覆うゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上部に形成されている半導体層、半導体層上部に形成されているソース電極を有するデータ線、半導体層上部に形成され、ゲート電極を中心にドレイン電極と対向するドレイン電極、ドレイン電極と接続されている結合電極、ドレイン電極及び結合電極と接続されている第１画素電極及び結合電極と重なって第１画素電極に容量性結合している第２画素電極を含む。
【０００６】
結合電極は、ゲート線またはドレイン電極と同一層に形成されることができ、結合電極は、ドレイン電極からのびているのが好ましい。
このような薄膜トランジスタ表示板は、結合電極と重なる維持（保持）電極線をさらに含むのが好ましく、データ線及びドレイン電極と、第１及び第２画素電極の間に形成されている保護膜をさらに含むのが好ましく、結合電極は、保護膜に形成されている接触孔を通じて第１画素電極と接続されている。
一方、半導体層は、ソース電極及びドレイン電極と重なっている部分を除くその他の部分は、データ線と同一のパターンを有することができる。
本発明の実施例による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板、薄膜トランジスタ表示板と対向し、第１及び第２画素電極と対向する共通電極を有する対向表示板、及び二つの表示板の間に充填されている液晶物質層を含む。
このような液晶表示装置は、捩じれネマチック方式であるのが好ましい。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、液晶表示装置の下側の階調反転を最少化することができるので、側面視認性を向上させ、視野角を拡張することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例に対して、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な図面符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【０００９】
図面を参照して、本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造について説明する。
図１は本発明の一実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図２及び図３は、図１に示す薄膜トランジスタ表示板を含む液晶表示装置のII-II´線及びIII-III´-III"線による断面図であり、図４は図１の薄膜トランジスタ表示板を含む液晶表示装置の回路図である。
本発明の実施例による液晶表示装置は、下部表示板（薄膜トランジスタ表示板）とこれと対向している上部表示板（対向表示板）、及び下部表示板と上部表示板の間に注入され、二つの表示板に対して実質的に平行であり、下部表示板から上部表示板にわたって順次に捩じれて配向されている、捩じれネマチック（twisted nematic）方式の液晶分子を含む液晶層からなる。
【００１０】
下部表示板は以下のような構成を有する。
図１〜図３に示すように、ガラスなどの透明な絶縁物質からなる絶縁基板１１０上に、ITO（indium tin oxide）やIZO（indium zinc oxide）などの透明な導電物質からなる第１及び第２画素電極１９０a、１９０bが形成されている。このうち第１画素電極１９０aは、薄膜トランジスタに接続されデータ線１７１を通じて伝達される画像信号電圧の印加を受け、第２画素電極１９０bは、第１画素電極１９０aと直接接続されている結合電極１７６と重なり、第１画素電極１９０aと電磁気的に結合（容量性結合）している。この時、薄膜トランジスタは、走査信号を伝達するゲート線１２１と、画像信号を伝達するデータ線１７１に各々接続され、走査信号に従って第１画素電極１９０aに印加される画像信号をオン、オフする。第１画素電極１９０a及び第２画素電極１９０bは、切開部１９１を通じて分離されており、切開部１９１の数及び形状によって第１及び第２画素電極１９０a、１９０bの数及び形状は多様に変化できる。なお、絶縁基板１１０の下面には下部偏光板１２が付着されている。ここで、第１及び第２画素電極１９０a、１９０bは、反射型液晶表示装置の場合、透明な物質で形成されないこともあり、このときには、下部偏光板１２も不要である。
【００１１】
次に、上部表示板の構成について説明する。
ガラスなどの透明な絶縁物質からなる絶縁基板２１０の下面に画素間で発生する光漏れを防止するためのブラックマトリックス２２０と、それぞれの画素に配置されている赤、緑、青のカラーフィルタ２３０及びITOまたはIZOなどの透明な導電物質からなる共通電極２７０が形成されている。ブラックマトリックス２２０は、画素領域の周囲部のみならず、第１及び第２画素電極１９０a、１９０bの切開部１９１と重なる部分にも形成できるが、これは、切開部１９１によって発生する光漏れを防ぐためである。
【００１２】
次に、液晶表示装置に関してより詳細に説明する。
下部の絶縁基板１１０上に主に横方向にのびている複数のゲート線１２１と維持（保持）電極線１３１が形成されている。
ゲート線１２１は、複数の部分が下方に拡張されゲート電極１２４を形成し、一端部１２９は、外部回路との接続のために広く拡張されている。
各維持電極線１３１は、そこからのびた複数組の維持電極１３３a、１３３bを含む。一組の維持電極１３３a、１３３bは、縦方向にのびて画素の周縁に配設されている。この時、一組の維持電極１３３a、１３３bは互いに接続され、各維持電極線１３１は２つ以上の横線で形成することもできる。
【００１３】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、Al、Al合金、Ag、Ag合金、Cr、Ti、Ta、Moなどの金属などで形成される。図２に示すように、本実施例のゲート電極１２４（したがって、及びゲート線１２１）及び維持電極線１３１は単一層に形成されているが、物理化学的な特性が優れたCr、Mo、Ti、Taなどの金属層と、低い比抵抗のAl系列またはAg系列の金属層を含む二重層構造に構成することもできる。この他にも、種々の金属や導電体でゲート線１２１及び維持電極線１３１を形成できる。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、側面が傾斜され、水平面に対する傾斜角は３０〜８０°であるのが好ましい。
ゲート線１２１と維持電極線１３１の上には、窒化ケイ素（SiNx）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００１４】
ゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１を始めとする複数の薄膜トランジスタのドレイン電極１７５及び複数の結合電極１７６が形成されている。各データ線１７１は、主に縦方向にのびており、各ドレイン電極１７５に向けて複数の分岐を出して薄膜トランジスタのソース電極１７３を形成する。結合電極１７６は、ドレイン電極１７５と接続され、画素の周縁に配置され縦方向にのびた縦部１７７と、画素の中央を横切り縦部１７７を接続する横部１７８を含む。この時、結合電極１７６の縦部１７７は、下部の維持電極１３３a、１３３bと重なって保持容量（ストレージキャパシタ）を形成する。
データ線１７１、ドレイン電極１７５及び結合電極１７６も、ゲート線１２１と同様に、クロム及びアルミニウムなどの物質で形成され、単一層構造または多重層構造であることができる。
【００１５】
データ線１７１及びドレイン電極１７５の下には、データ線１７１に沿って主に縦に長くのびた複数の線状半導体１５１が形成されている。非晶質シリコンなどからなる各線状半導体１５１は、各ゲート電極１２４、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５に向けて分岐を出して薄膜トランジスタのチャネル１５４を形成する。
半導体１５１とデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間には、両者間の接触抵抗を減らすための複数のオーミック接触部材１６１が形成されている。オーミック接触部材１６１は、シリサイドやn型不純物が高濃度にドーピングされた非晶質シリコンなどで形成される。
【００１６】
データ線１７１及びドレイン電極１７５の上には、窒化ケイ素などの無機絶縁物や樹脂などの有機絶縁物からなる保護膜１８０が形成されている。
保護膜１８０には、ドレイン電極１７５の少なくとも一部とデータ線１７１の端部１７９を各々露出する複数の接触孔１８１、１８３が具備され、ゲート線１２１の端部１２９と維持電極線１３１の一部を各々露出する複数の接触孔１８１、１８４がゲート絶縁膜１４０と保護膜１８０を貫通している。
保護膜１８０上には、複数の画素電極１９０a、１９０bを始めとして複数の接触補助部材９５、９７及び複数の維持電極線接続橋（ブリッジ）８４が形成されている。画素電極１９０a、１９０b、接触補助部材８１、８２及び接続橋８４は、ITO（indium tin oxide）やIZO（indium zinc oxide）などのような透明導電体やアルミニウム（Al）のような光反射特性が優れた不透明導電体などで形成される。
【００１７】
画素電極１９０a、１９０bは、第１画素電極１９０aと第２画素電極１９０bに分類され、第１画素電極１９０aは接触孔１８５を通じてドレイン電極１７５と接続され、第２画素電極１９０bはドレイン電極１７５と接続されている結合電極１７６と重畳している。第２画素電極１９０bは、結合電極１７６を介して第１画素電極１９０aに電磁気的に結合（容量性結合）している。
なお、保護膜１８０上には、ゲート線１２１を隔ててその両側に位置する二つの維持電極線１３１を接続する維持配線接続橋８４が形成されている。維持配線接続橋８は、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０を貫通する接触孔１８４を通じて維持電極１３３b及び維持電極線１３１に接触している。維持配線接続橋８４は、下部基板１１０上の維持電極線１３１の全体を電気的に接続する役割をする。このような維持電極線１３１は、必要な場合、ゲート線１２１やデータ線１７１の欠陥修理に用いることができる。
【００１８】
接触補助部材８１、８２は、各々接触孔１８１、１８２を通じてゲート線の端部１２９とデータ線の端部１７９に接続されている。
上部の絶縁基板２１０には、図２とは上下関係が逆であるが、製造工程に従って説明すれば、光漏れを防止するためのブラックマトリックス２２０が形成されている。ブラックマトリックス２２０上に、赤、緑、青のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０の上には、ITOまたはIZOなどの透明な導電体で形成されている共通電極２７０が形成されている。
以上のような構造の薄膜トランジスタ表示板とカラーフィルタ表示板を整列して結合し、その間に液晶物質を注入して液晶分子を捩じれた水平配向すれば、本発明の一実施例による捩じれたネマチック方式の液晶表示装置の基本構造が完成する。
【００１９】
このような構造の液晶表示装置において、第１画素電極１９０aは、薄膜トランジスタを通じて画像信号電圧の印加を受けることに対し、第２画素電極１９０bは、結合電極１７６との容量性結合によって電圧が変動するので、第２画素電極１９０bの電圧は、第１画素電極１９０bの電圧に比べて絶対値が常に低くなる。このように、一つの画素領域内に電圧が異なる二つの画素電極を配置すれば、二つの画素電極が互いに補償してガンマ曲線の歪曲を減らすことができ、これを通じて、階調反転の発生を最少に抑えることができる。これに関して、後に詳細に説明する。
【００２０】
以下、第１画素電極１９０aの電圧が第２画素電極１９０bの電圧よりも低く維持される理由について、図４を参照して説明する。
図４で、Clcaは、第１画素電極１９０aと共通電極２７０の間で形成される液晶容量を示し、Cstは、第１及び第２画素電極１９０a、１９０bと維持電極線１３１の間で形成される保持容量を示す。Clcbは、第２画素電極１９０bと共通電極２７０の間で形成される液晶容量を示し、Ccpは、結合電極１７６を通じて第１画素電極１９０aと第２画素電極１９０bの間で形成される結合容量を示し、Qは、薄膜トランジスタを示す。
【００２１】
共通電極２７０電圧に対する第１画素電極１９０aの電圧をVaとし、第２画素電極１９０bの電圧をVbとすれば、電圧分配法則に基づいて、
Va=Vb×[Ccp/（Ccp+Clcb）]
であり、Ccp/（Ccp+Clcb）は常に１より小さいので、VbはVaよりも常に小さい。
一方、Ccpを調節することによってVaに対するVbの比率を調整できる。Ccpの調節は、結合電極１７６と第２画素電極１９０bの重畳面積及び距離を調整することで可能である。重畳面積は、結合電極１７６の幅を変化させることによって容易に調整でき、距離は、結合電極１７６の形成位置を変化させることによって調整できる。即ち、本発明の実施例では、結合電極１７６をデータ線１７１と同じ層に形成したが、ゲート線１２１と同じ層に形成することによって、結合電極１７６と第２画素電極１９０bの間の距離を増加させることができる。
【００２２】
本発明の実施例において、薄膜トランジスタ表示板（下部表示板）は別の形状であることができ、一つの実施例を、図面を参照して詳細に説明する。
図５は本発明の他の実施例による液晶表示装置用の薄膜トランジスタ表示板の構造を示す配置図であり、図６及び図７は、図５の薄膜トランジスタ表示板を含む液晶表示装置のVI-VI´線及びVII-VII´-VII"線による断面図である。
【００２３】
図６及び図７のように、本実施例による液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板の層状構造は、図１〜図３に示される液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板の層状構造とほぼ同一である。即ち、基板１１０上に複数のゲート電極１２４を含む複数のゲート線１２１が形成され、その上にゲート絶縁膜１４０、複数の突出部１５４を含む複数の線状半導体１５１、複数の突出部１６３を各々含む複数の線状オーミック接触部材１６１及び複数の島状オーミック接触部材１６５が順次に形成されている。オーミック接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０の上には、複数のソース電極１７３を含む複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５、複数の結合電極１７６が形成され、その上に保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０及び/またはゲート絶縁膜１４０には、複数の接触孔１８２が形成されている。
【００２４】
半導体１５１は、薄膜トランジスタが位置する突出部１５４を除いて、データ線１７１、ドレイン電極１７５及びその下部のオーミック接触部材１６１、１６５と実質的に同一な平面形状である。詳細には、線状半導体１５１は、データ線１７１及びドレイン電極１７５と、その下部のオーミック接触部材１６１、１６５の下に存在する部分の他にも、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間に、これらで覆われずに露出された部分を有している。
このような本発明の他の実施例による液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板は、製造工程において、データ線１７１と半導体１５１を位置によって部分的に異なる厚さを有する感光膜パターンを用いるフォトエッチング工程で共にパターニングして形成したものである。
【００２５】
次に、前述したように、本発明の実施例による効果について詳細に説明する。
図８は本発明の一実験例による液晶表示装置において、画素電圧による透過率を示したグラフである。より詳細には、図８は、図１〜図３に示したような構成を有する液晶表示装置を作製して第１画素電極にデータ電圧Vaを印加し、それによる第２画素電極に印加された画素電圧Vbを測定し、前記画素電圧Va、Vbによる透過率（T）を測定したグラフであり、このような液晶表示装置は、電圧を印加しない状態で明るい色を表示するノーマリーホワイトモードである。ここで、第１画素電極１９０aの長辺の幅aは１２７μmであり、第１画素電極１９０aと結合電極１７６と重なる幅bは５μmであり、第２画素電極１９０bの長辺の幅cは１２７．５μmであり、第２画素電極１９０bと結合電極１７６が重なる幅dは１０μmであり、結合電極１７６と重ならない第２画素電極１９０b断面の幅eに設計した。
【００２６】
図８に示すように、第１画素電極１９０aが位置する副（サブ）画素領域に比べて、第２画素電極１９０bが位置する副画素領域での電圧に対する透過率のグラフが右側に移動したことが分かる。なお、任意のデータ電圧を印加したとき、第２画素電極１９０bが位置する部画素領域において、第１画素電極１９０aが位置する部画素領域に比べて透過率が高かった。これで、第２画素電極１９０bには、第１画素電極１９０aに印加されたデータ電圧よりも低い電圧が伝達されることが分かる。
【００２７】
図９及び図１０は、液晶表示装置において、８階調電圧に対する視野角による透過率を示すグラフであり、図９は画素電極を分割しない一般の捩じれネマチック方式の液晶表示装置を利用して８階調に対する視野角による透過率を示すものであり、図１０は図８に示した本発明の実験例を通じて作製した液晶表示装置を利用して８階調に対する視野角による透過率を示すものである。マイナス符号は下側の視野角であり、プラス符号（省略）は上側の視野角を示す。
図９に示すように、一般の液晶表示装置では、−６０〜−８０°で下側の視野角における階調反転が著しく発生するが、図１０に示すように、本発明の実施例により、画素電極を分割して互いに異なる電圧が印加される液晶表示装置では、下側の視野角における階調反転がほとんど生じなかった。
【００２８】
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、本発明の特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属するものである。特に、画素電極と共通電極に形成する切開部の配置は多様な変形があり得る。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施例による液晶表示装置用の薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図２】図１に示す薄膜トランジスタ表示板を含む液晶表示装置のII-II´線による断面図である。
【図３】図１に示す薄膜トランジスタ表示板を含む液晶表示装置のIII-III´線による断面図である。
【図４】図１の薄膜トランジスタ表示板を含む液晶表示装置の回路図である。
【図５】本発明の他の実施例による液晶表示装置用の薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図６】図５に示す薄膜トランジスタ表示板を含む液晶表示装置のVI-VI´線による断面図である。
【図７】図５に示す薄膜トランジスタ表示板を含む液晶表示装置のVII-VII´線による断面図である。
【図８】本発明の一実験例による液晶表示装置における画素電圧による透過率を示したグラフである。
【図９】汎用の液晶表示装置を用いた実験例における、８階調電圧に対する視野角による透過率を示したグラフである。
【図１０】本発明液晶表示装置を用いた実験例における、８階調電圧に対する視野角による透過率を示したグラフである。
【符号の説明】
【００３０】
１２１  ゲート線
１２３  ゲート電極、
１３３a、１３３b  維持電極
１３１  維持電極線
１７６  結合電極  
１７１  データ線
１７３  ソース電極
１７５  ドレイン電極
１９０a、１９０b  画素電極
１９１  切開部
１５１、１５４  非晶質シリコン層
２７０  対向電極
【図１】
2005301226.tif 000003
【図２】
2005301226.tif 000004
【図３】
2005301226.tif 000005
【図４】
2005301226.tif 000006
【図５】
2005301226.tif 000007
【図６】
2005301226.tif 000008
【図７】
2005301226.tif 000009
【図８】
2005301226.tif 000010
【図９】
2005301226.tif 000011
【図１０】
2005301226.tif 000012