(57)【要約】【課題】 エアギャップ型ＦＢＡＲを製造する方法およびこの方法で製造されたＦＢＡＲ、これを用いたフィルタおよびデュープレクサを提供する。【解決手段】本発明に係るエアギャップ型ＦＢＡＲは、上面の所定領域に空洞部を有する第１の基板と、第１の基板の上部に積層された誘電膜と、第１の基板および誘電膜の間に形成される第１のエアギャップと、誘電膜層の上部に下部電極・圧電層・上部電極で形成される積層共振部と、下面の所定領域に空洞部を有し、前記第１の基板と接合される第２の基板と、積層共振部および第２の基板の間に形成される第２のエアギャップを備え、誘電膜としては、液晶高分子（ＬＣＰ）で形成された所定の厚さを有する薄膜フィルムが使用される。【選択図】   図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面の所定領域に空洞部を有する第１の基板と、
前記第１の基板の空洞部に第１のエアギャップを形成するため前記第１の基板の上部に積層された誘電膜と、
前記誘電膜の上部に下部電極・圧電層・上部電極で形成される積層共振部と、
下面の所定領域に空洞部を有し、前記第１の基板と接合される第２の基板と、
を備えることを特徴とするエアギャップ型ＦＢＡＲ。
【請求項２】
前記誘電膜としては、液晶高分子（ＬＣＰ）で形成された所定の厚さを有する薄膜フィルムを用いることを特徴とする請求項１に記載のエアギャップ型ＦＢＡＲ。
【請求項３】
前記誘電膜は、液晶高分子（ＬＣＰ）で形成された薄膜フィルムを所定の厚さにエッチングして形成することを特徴とする請求項１に記載のエアギャップ型ＦＢＡＲ。
【請求項４】
前記誘電膜は、液晶高分子（ＬＣＰ）で形成された薄膜フィルムを前記第１のエアギャップに対応する所定領域のみを局部的に所定の厚さにエッチングして形成することを特徴とする請求項１に記載のエアギャップ型ＦＢＡＲ。
【請求項５】
上面の所定領域に空洞部を有する第１の基板上に誘電膜を積層して第１のエアギャップを形成するステップと、
前記誘電膜の上部表面に積層共振部を形成するステップと、
前記第１の基板および下面の所定領域に空洞部を有する第２の基板を接合して第２のエアギャップを形成するステップと、
を含むことを特徴とするエアギャップ型ＦＢＡＲの製造方法。
【請求項６】
前記積層共振部を形成するステップは、
前記第１の基板の空洞部に対応する前記下部電極の上部表面に圧電層を蒸着するステップと、
前記圧電層の上部表面および前記下部電極が蒸着されない誘電膜の所定領域の上部表面に上部電極を蒸着するステップと、
を含むことを特徴とする請求項５に記載のエアギャップ型ＦＢＡＲの製造方法。
【請求項７】
前記第１のエアギャップを形成するステップにおいて、前記誘電膜としては、液晶高分子（ＬＣＰ）で形成された所定の厚さを有する薄膜フィルムを用いることを特徴とする請求項５に記載のエアギャップ型ＦＢＡＲの製造方法。
【請求項８】
第１の共振周波数を有する複数のＦＢＡＲが直列連結されて形成される第１の共振部と、
第２の共振周波数を有し、前記第１の共振部の複数のＦＢＡＲと並列連結される複数のＦＢＡＲで形成される第２の共振部と、
前記第２の共振部をなす複数のＦＢＡＲにそれぞれ直列連結された複数のインダクタをと、を備え、
前記第１および第２の共振部を構成するそれぞれのＦＢＡＲは、
上面に複数の空洞部を有する第１の基板の上部に第１のエアギャップを形成するため前記第１の基板の上部に積層された誘電膜と、
前記誘電膜の上部に下部電極・圧電層・上部電極で形成された積層共振部と、
を備えることを特徴とするエアギャップ型ＦＢＡＲフィルタ。
【請求項９】
前記誘電膜としては、液晶高分子（ＬＣＰ）で形成された所定の厚さを有する薄膜フィルムを用いることを特徴とする請求項８に記載のエアギャップ型ＦＢＡＲフィルタ。
【請求項１０】
アンテナを介して送信端子に入力される信号を送信するための第１のＦＢＡＲフィルタと、
前記アンテナを介して受信される信号が受信端子に入力されるようにする第２のＦＢＡＲフィルタと、
前記アンテナと前記第２のフィルタとの間に形成され、送受信される信号の位相を変化させ、前記第１のフィルタと前記第２のフィルタにおける信号干渉を防止する位相変化部と、を備え、
前記第１および第２のフィルタは、
それぞれ互いに異なる所定の共振周波数を有する第１および第２の共振部を有し、前記第１および第２の共振部に形成される複数のＦＢＡＲのそれぞれは、上面に複数の空洞部を有する第１の基板の上部に第１のエアギャップを形成するため前記第１の基板の上部に積層された誘電膜と、
前記誘電膜の上部に下部電極・圧電層・上部電極で形成された積層共振部と、
を備えることを特徴とするエアギャップ型ＦＢＡＲデュープレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）帯域の通信のためのフィルタ、デュープレクサなどに使用可能なＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）に関し、より詳しくは、液晶高分子（ＬＣＰ）薄膜フィルムを用いることで、より工程が簡単であり、安定したエアギャップ（Ａｉｒ−Ｇａｐ）型ＦＢＡＲおよびその製造方法、並びにこれを用いたフィルタおよびデュープレクサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、無線移動通信技術は、目覚しく発展している。かかる移動通信技術では、限定された周波数帯域で効率良く情報を伝達することができる種々のＲＦ部品が必要となる。特に、ＲＦ部品のうちフィルタは、移動通信技術に使用される核心部品の一つであって、無数の空中波のうちから使用者が希望する信号を選択するか、転送しようとする信号をフィルタリングすることで高品質の通信を行うことが可能となる。
【０００３】
現在、無線通信用ＲＦフィルタの代表的なものとしては、誘電体フィルタとＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ）フィルタが挙げられる。誘電体フィルタは、高誘電率、低挿入損失、高温での安定性、耐振動・耐衝撃に強いという長所を有する。しかし、誘電体フィルタは、最近の技術発展動向である、小型化およびＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ＩＣ）化には限界がある。また、ＳＡＷフィルタは、誘電体フィルタに比べて小型でありながら信号処理が容易で、回路が単純であると共に、半導体工程を用いることで大量生産が可能であるという利点を有する。また、ＳＡＷフィルタは、誘電体フィルタに比べて通過帯域内のサイドリジェクション（Ｓｉｄｅ Ｒｅｊｅｃｔｉｏｎ）が高いため高品位の情報やり取りが行える長所がある。しかし、ＳＡＷフィルタ工程には、紫外線（ＵＶ）を用いて露光を行う工程が含まれているため、ＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）線幅が０．５μｍ程度が限界であるという短所を有する。従って、ＳＡＷフィルタを用いて超高周波（５ＧＨｚ以上）帯域をカバーすることができないという問題点があり、根本的に半導体基板におけるＭＭＩＣ構造と単一チップ上で構成されることはできないという問題点がある。
【０００４】
前述のような限界および問題点を克服するため、既存の半導体（Ｓｉ、ＧａＡｓ）基板に他の能動素子と共に集積され、周波数制御回路を完全にＭＭＩＣ化することができるＦＢＡＲが提案されている。
【０００５】
ＦＢＡＲは、薄膜素子であって、低価格でかつ小型であると共に、高品質（Ｈｉｇｈ Ｑ）係数の特性が実現可能であるため、種々の周波数帯域（９００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚ）の無線通信機器、軍用レーダーなどに使用可能である。また、誘電体フィルタおよび集中定数（ＬＣ）フィルタより数百分の１の大きさに小型化が可能で、ＳＡＷフィルタより挿入損失が非常に小さいという特性を有する。従って、ＦＢＡＲは、安定性が高く、高品質係数が求められるＭＭＩＣに適用することができる。
【０００６】
ＦＢＡＲは、上部電極・圧電体・下部電極のようなサンドイッチ構造を用いた半導体工程で作られ、圧電現象を発生させ、一定の周波数帯域で共振を発生し、この共振で実体波を用いて実体波の周波数と入力された電気信号の周波数とが等しくなると、共振現象が起こる。かかる共振現象を用いた共振器を電気的カップリングを現象化してＦＢＡＲフィルタを製作し、さらには、ＦＢＡＲフィルタを用いたデュープレクサが実現可能である。
【０００７】
なお、ＦＢＡＲ構造は、さまざまな形態で研究が行われてきている。メンブレン型ＦＢＡＲは、基板上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を蒸着し、その反対面を異方性エッチング（Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｅｔｃｈｉｎｇ）で形成された空洞部を介してメンブレン層を形成する。また、シリコン酸化膜の上部に下部電極を形成し、この下部電極層の上部に圧電物質をＲＦマグネトロンスパッタリング法で蒸着して圧電層を形成し、圧電層の上部に上部電極を形成している。
【０００８】
かかるメンブレン型ＦＢＡＲは、キャビティにより、基板誘電損失が少なく、電力損失が少ないという長所を有する。しかし、メンブレン型ＦＢＡＲは、シリコン基板の方向性により、素子が占める面積が大きく、後続のパッケージング工程において構造的な安定性が低いため、破損による歩留まり低下の問題点がある。従って、最近、メンブレンによる損失を減らすため、素子製造工程を単純化するため、エアギャップ型とブラッグ反射（Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）型のＦＢＡＲが登場している。
【０００９】
ブラッグ反射型ＦＢＡＲは、基板上に弾性インピーダンスの差が大きな物質を一層おきに蒸着して反射層を構成し、下部電極、圧電層および上部電極を順に積層した構造であって、圧電層を通過した弾性波エネルギーが基板方向に伝達されずに反射層で全て反射され、効率的な共振が発生されるようにしたものである。かかるブラッグ反射型ＦＢＡＲは、構造的に堅固であり、反りによるストレスがないが、全反射のための厚さが正確な４層以上の反射層形成が困難であり、製作のための時間や費用が多くかかるという短所がある。
【００１０】
なお、反射層の代わりにエアギャップを用いて基板と共振部とを隔離させる構造を有する従来のエアギャップ型ＦＢＡＲは、図１に示されたように、シリコン基板１００の表面を異方性エッチングして犠牲層を形成し、ＣＭＰで表面研磨を施した後、絶縁層１２０、下部電極１３３、圧電層１３５および上部電極１３７を順に蒸着し、ビアホールを介して犠牲層１１０を除去、エアギャップ１４０を形成することで、ＦＢＡＲを実現している。
【００１１】
しかし、前述のような従来のＦＢＡＲの製作は、ＣＭＰ工程が必要となるため、工程が複雑化し、単価がアップする要因となり、犠牲層を除去してエアギャップを形成するためウェットエッチングを用いているが、この場合、エッチング液の除去が難しく、エッチング液の完全な除去ができなければ、残存のエッチング液により、素子が弱くなり、共振周波数の変化が誘発される問題点があった。なお、ドライエッチングを行う場合でも、既存のプラズマドライエッチングを行う時、プラズマ状態のイオン、分子などが素子に与える物理的な衝撃および高熱による劣化などの問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、簡単でかつ堅固なＦＢＡＲを実現することにある。また、本発明の他の目的は、前述の方式によるエアギャップ型ＦＢＡＲを用いてフィルタおよびデュープレクサを実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前述の目的を達成するための本発明のエアギャップ型ＦＢＡＲは、上面の所定領域に空洞部を有する第１の基板と、前記第１の基板の空洞部に第１のエアギャップを形成するため前記第１の基板の上部に積層された誘電膜と、前記誘電膜の上部に下部電極・圧電層・上部電極で形成される積層共振部と、下面の所定領域に空洞部を有し、前記第１の基板と接合される第２の基板とを備える。このように、エアギャップ型ＦＢＡＲを製造するにあたって、空洞部を有するシリコン基板上に誘電膜を積層し、ＣＭＰ工程および犠牲層を除去する工程を行うことなくエアギャップを形成することで、既存のドライエッチング工程による素子への衝撃を減らし、工程ステップおよび工程誤差を減らすことにより、簡単でかつ堅固なＦＢＡＲを実現することができる。
【００１４】
前記誘電膜は、液晶高分子（ＬＣＰ）で形成された所定の厚さを有する薄膜フィルムを用いるか、液晶高分子（ＬＣＰ）で形成された薄膜フィルムを所定の厚さにエッチングして形成することができる。また、前記誘電膜は、液晶高分子（ＬＣＰ）で形成された薄膜フィルムを前記第１のエアギャップに対応する所定の領域のみを局部的に所定の厚さにエッチングして形成することができる。
【００１５】
本発明に係るエアギャップ型ＦＢＡＲの製造方法は、上面の所定領域に空洞部を有する第１の基板上に誘電膜を積層して第１のエアギャップを形成するステップと、前記誘電膜の上部表面に積層共振部を形成するステップと、前記第１の基板および下面の所定領域に空洞部を有する第２の基板を接合して第２のエアギャップを形成するステップとを含む。
【００１６】
前記積層共振部を形成するステップは、前記誘電膜の上部表面の所定領域に下部電極を蒸着するステップと、前記第１の基板の空洞部に対応する前記下部電極の上部表面に圧電層を蒸着するステップと、前記圧電層の上部表面および前記下部電極が蒸着されない誘電膜の所定領域の上部表面に上部電極を蒸着するステップとを含む。
【００１７】
好ましくは、前記第１のエアギャップを形成するステップにおいて、前記誘電膜としては、液晶高分子（ＬＣＰ）で形成された所定の厚さを有する薄膜フィルムを用いる。
【００１８】
本発明に係るエアギャップ型ＦＢＡＲフィルタは、第１の共振周波数を有する複数のＦＢＡＲが直列連結されて形成される第１の共振部と、第２の共振周波数を有し、前記第１の共振部の複数のＦＢＡＲと並列連結される複数のＦＢＡＲで形成される第２の共振部と、前記第２の共振部をなす複数のＦＢＡＲにそれぞれ直列連結された複数のインダクタをとを備え、前記第１および第２の共振部を構成するそれぞれのＦＢＡＲは、上面に複数の空洞部を有する第１の基板の上部に積層された誘電膜と、前記第１の基板および前記誘電膜の間に形成される第１のエアギャップと、前記誘電膜の上部に下部電極・圧電層・上部電極で形成された積層共振部とを備える。
【００１９】
前記誘電膜としては、液晶高分子（ＬＣＰ）で形成された所定の厚さを有する薄膜フィルムを用いる。
【００２０】
本発明に係るエアギャップ型ＦＢＡＲデュープレクサは、アンテナを介して送信端子に入力される信号を送信するための第１のＦＢＡＲフィルタと、前記アンテナを介して受信される信号が受信端子に入力されるようにする第２のＦＢＡＲフィルタと、前記アンテナと前記第２のフィルタとの間に形成され、送受信される信号の位相を変化させ、前記第１のフィルタと前記第２のフィルタにおける信号干渉を防止する位相変化部とを備え、前記第１および第２のフィルタは、それぞれ互いに異なる所定の共振周波数を有する第１および第２の共振部を有し、前記第１および第２の共振部に形成される複数のＦＢＡＲのそれぞれは、上面に複数の空洞部を有する第１の基板の上部に積層された誘電膜と、前記第１の基板および前記誘電膜層の間に形成される第１のエアギャップと、前記誘電膜の上部に下部電極・圧電層・上部電極で形成された積層共振部とを備える。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によるエアギャップ型ＦＢＡＲは、空洞部を有するシリコン基板上に液晶高分子（ＬＣＰ）薄膜フィルムを積層し、ＣＭＰ工程および犠牲層を除去する工程を行うことなく簡単にエアギャップを形成することで、工程ステップおよび工程誤差を減らすことができ、既存のＦＢＡＲ製造工程に比べて製作が簡便で、製作にかかる時間が短縮され、向上した共振特性を有する長所がある。また、本発明により作られたエアギャップ型ＦＢＡＲを用いることで、工程がより簡便で、より向上したＦＢＡＲフィルタおよびデュープレクサを実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付の図面に基づいて本発明のＦＢＡＲおよびその製造工程について詳述する。
【実施例】
【００２３】
図２は、本発明に係るエアギャップ型ＦＢＡＲの製作工程を段階別に示す断面図である。本発明に係るエアギャップ型ＦＢＡＲは、第１の基板２００、第２のエアギャップ２１０、誘電膜２２０、積層共振部２３０、第２の基板２４０、第２のエアギャップ２５０で構成される。
【００２４】
先ず、空洞部を有する第１の基板２００は、シリコン基板上面の所定領域、即ち、積層共振部２３０に対応する領域を２〜３μｍの深さに異方性エッチングして形成することができる（図２（ａ））
第１のエアギャップ２１０は、第１の基板２００上に所定厚さの誘電膜２００を積層して形成されるが、この誘電膜は、積層共振部２３０を支持し、絶縁層としての役割をし、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）のようなポリマーからなる薄膜を用いる（図２（ｂ））。この場合、ＬＣＰ薄膜を約１μｍの厚さに研磨して使用するか、最初から約１μｍ厚さのフィルムを用いることもできる。また、５μｍのＬＣＰ薄膜フィルムを第１の基板に積層した後、５〜１０μｍの厚さにＰＲを蒸着し、第１のエアギャップに対応する部分を約１μｍの厚さにエッチングして使用することもできる（図２（ｃ））。本発明では、前記ＰＲが蒸着されない誘電膜をドライエッチング方法でエッチングする。
【００２５】
積層共振部２３０は、誘電膜２２０上に形成されるが、第１のエアギャップに対応する個所を含む一定の領域に下部電極２３３、圧電層２３５、上部電極２３７が順に蒸着され、形成される（図２（ｄ））。２つの電極の間に外部から信号が印加されると、２つの電極の間に入力伝達された電気的エネルギーの一部が圧電効果による機械的エネルギーに変換し、これを再び電気的エネルギーに変化する過程で圧電層２３５の厚さによる固有振動の周波数に対して共振するようになる。なお、ＬＣＰ薄膜フィルムの厚さを異にすることで、互いに異なる共振周波数を得ることもできる。
【００２６】
下部電極２３３を蒸着する場合、誘電膜２２０の一端において共振が直接的に発生する積層共振部２３０の下に第１のエアギャップ２１０が位置すれば、基板の隔離がなされ、共振効率が良くなるため、下部電極２３３は、第１のエアギャップ２１０の上層まで覆うようにパターニングされる必要がある。下部電極としては、金属のような通常の電導物質を使用するが、好ましくは、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）およびモリブデン（Ｍｏ）の群から１つを選択することができる。
【００２７】
次のステップでは、前記下部電極２３３および前記誘電膜１３０の一定領域上に圧電層２３５を蒸着させる。通常の圧電物質としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）を使用するが、これに限定されるのではない。蒸着方法は、ＲＦマグネトロンスパッタリング法およびエバポレーション（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）法などのいずれか１つを用いることができる。前記圧電層２３５は、下部電極２３３上に蒸着された後、下部電極２３３と同様に、下部にエアギャップ２１０が位置する部分の上層を覆うようにパターニングされる必要がある。
【００２８】
次のステップでは、前記圧電層２３５および誘電膜２２０上に上部電極２３７を蒸着させる。前記上部電極２３７は、前記下部電極２３３と同じ物質、同じ蒸着方法、およびパターニング方法を使用することもできる。
【００２９】
次に、所定の領域に空洞部を有する第２の基板２４０を積層共振部が形成された第１の基板２００と接合した後、外部信号との連結のための複数のビアを形成する（図２（ｅ））。
【００３０】
このように、エアギャップ型ＦＢＡＲを製造するにあたって、空洞部を有するシリコン基板上に液晶高分子（ＬＣＰ）薄膜フィルムを積層し、ＣＭＰ工程および犠牲層を除去する工程を行うことなくエアギャップを形成することで、既存のドライエッチング工程による素子への衝撃を減らし、工程ステップおよび工程誤差を減らすことにより、簡単でかつ堅固なＦＢＡＲを実現することができる。
【００３１】
前述のように作られたエアギャップ型ＦＢＡＲを用いて直列ＦＢＡＲおよび並列ＦＢＡＲを梯子状に回路化してＦＢＡＲフィルタを実現することができる。回路を構成するそれぞれのＦＢＡＲの共振特性によってフィルタの通過帯域が決定される。
【００３２】
ＦＢＡＲフィルタは、第１の共振周波数を有する複数のＦＢＡＲで形成される第１の共振部、第２の共振周波数を有し、第１の共振部の複数のＦＢＡＲと並列連結される複数のＦＢＡＲで形成される第２の共振部および第２の共振部をなす複数のＦＢＡＲにそれぞれ直列連結された複数のインダクタで構成される。
【００３３】
図３は、本発明に係るエアギャップ型ＦＢＡＲフィルタの第１の共振部３Ａおよび第２の共振部３Ｂを示す断面図である。本フィルタは、複数の空洞部を有する基板３００上にＬＣＰ薄膜フィルム３２０を積層して第１のエアギャップ３１０ａ、３１０ｂを形成し、誘電膜３２０上部に下部電極３３３・圧電層３３５ａ、３３５ｂ・上部電極３３７ａ、３３７ｂを順に蒸着して積層共振部を形成した後、空洞部を有する第２の基板３６０を第１の基板の上部に接合させ、外部信号との連結のためのビア３６０ａ、３６０ｂを形成することで、実現される。
【００３４】
図４は、本発明に係るエアギャップ型ＦＢＡＲデュープレクサの簡略な構造図を示すものである。図面において、４５０ｂに連結される１つのアンテナを介して送受信される信号を適切に分岐させるＦＢＡＲデュープレクサの基本構造は、大別して、送信端フィルタ４１０、受信端フィルタ４２０および位相変化部４３０からなる。送信端フィルタ４１０および受信端フィルタ４２０は、それぞれ送受信しようとする周波数のみを通過させるバンドパスフィルタである。かかる送受信端フィルタ４１０、４２０を介して送受信される信号の周波数は、その差が微々たるものであるが、相互間の干渉に敏感に反応するようになるところ、送受信端フィルタ４１０、４２０を隔離させて相互間の干渉を防止する位相変化部４３０が必要となる。位相変化部４３０は、通常、キャパシタおよびインダクタを用いて位相シフトを行うことで、送受信信号の位相差が９０度を有するようにして相互間の干渉を防止する。
【００３５】
以上、図面を参照して本発明の好適な実施例を説明してきたが、本発明の保護範囲は、前述の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、ＲＦ帯域の通信を行うためのフィルタ、デュープレクサなどに適用される。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】従来のエアギャップ型ＦＢＡＲの製作過程を段階別に示す工程図である。
【図２】本発明の一実施例に係るエアギャップ型ＦＢＡＲの製作過程を段階別に示す工程図である。
【図３】本発明に係るエアギャップ型ＦＢＡＲを用いたフィルタを示す構造図である。
【図４】本発明に係るエアギャップ型ＦＢＡＲを用いたデュープレクサの概略的な構造を示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
２００    第１の基板
２１０    第１のエアギャップ
２２０    誘電膜
２３０    積層共振部
２３３    下部電極
２３５    圧電層
２３７    上部電極
２４０    第２の基板
２５０    第２のエアギャップ
３１０ａ、３１０ｂ    第１のエアギャップ
３２０    誘電膜
３３３    下部電極
３３５ａ、３３５ｂ    圧電層
３３７ａ、３３７ｂ    上部電極
４１０    送信端フィルタ
４２０    受信端フィルタ
４３０    位相変化部
【図１】
2005117665.tif 000003
【図２】
2005117665.tif 000004
【図３】
2005117665.tif 000005
【図４】
2005117665.tif 000006