(57)【要約】【課題】高温の薬液を用いても、薬液による基板処理の低下を防止できる超音波処理装置を実現すること。【解決手段】超音波処理装置は、基板２０を処理するための処理液の供給口３および吐出口４を有する処理液流路５を備えたノズル部１と、処理液流路５を囲むように設けられ、冷却液６が流れる冷却液流路７と、ノズル部１の内部に設けられ、処理液に振動を与えるための超音波振動子２とを備えている。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための処理液の供給口および吐出口を有する処理液流路を備えたノズル部と、
前記処理液流路を囲むように設けられ、冷却液が流れる冷却液流路と、
前記ノズル部の内部に設けられ、前記処理液に振動を与えるための超音波振動子と
を具備してなることを特徴とする超音波処理装置。
【請求項２】
前記冷却液流路は、前記処理液流路を囲むように設けられ、前記超音波振動子は、前記吐出口を基準にして前記冷却液流路よりも上に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の超音波印加装置。
【請求項３】
前記吐出口側の前記ノズル部の面は、前記基板で反射した超音波を分散する形状を有することを特徴とする請求項１または２に記載の超音波処理装置。
【請求項４】
前記吐出口側の前記ノズル部の面には、凹部または凸部が設けられていることを特徴とする請求項３に記載の超音波処理装置。
【請求項５】
前記冷却液流路の内面は、前記基板で反射した超音波を分散する形状を有することを特徴とする請求項１または２に記載の超音波処理装置。
【請求項６】
前記冷却液流路の内面には、凹部または凸部が設けられていることを特徴とする請求項５に記載の超音波処理装置。
【請求項７】
前記供給口の数が複数、前記吐出口の数が一つであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の超音波処理装置。
【請求項８】
前記供給口および前記吐出口の数がそれぞれ一つであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の超音波処理装置。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の超音波処理装置を基板の上方に設置する工程と、
前記超音波処理装置の供給口に処理液を供給し、前記超音波処理装置の吐出口から前記処理液を前記基板上に吐出し、かつ、前記超音波処理装置の超音波振動子により、前記基板上に吐出された前記処理液に振動を与える工程とを有し、
前記処理液を前記基板上に吐出し、かつ、前記処理液に前記振動を与える工程は、前記超音波処理装置と前記基板との相対位置を変えながら行われることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
前記処理液は、高温の化学薬液であることを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記処理液は、過酸化水素水と硫酸との混合液であることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
請求項８に記載の超音波処理装置を、第１の処理液が液盛りされた基板の上方に設置する工程と、
前記超音波処理装置の供給口に第２の処理液を供給し、前記超音波処理装置の吐出口から前記第２の処理液を前記第１の処理液上に吐出し、前記基板上に前記第１の処理液と前記第２の処理液との混合液を形成し、かつ、前記超音波処理装置の超音波振動子により、前記混合液に振動を与える工程とを有し、
前記基板上に前記混合液を形成し、かつ、前記混合液に振動を与える工程は、前記超音波処理装置と前記基板との相対位置を変えて、複数回行われることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】
前記混合液は、高温の化学薬液であることを特徴とする請求項１２に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記混合液は、過酸化水素水と硫酸との混合液であることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記基板は、フォトマスクであることを特徴とする請求項９ないし１４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記供給口に純水を供給し、前記基板上の前記処理液を前記純水によりすすぎ流す工程をさらに備えていることを特徴とする請求項９ないし１５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、超音波が印加された薬液により基板処理を行うための超音波処理装置および該超音波処理装置を用いた基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１５に、従来の超音波処理装置の要部を模式図を示す（特許文献１）。図１５において、８０は基板、８１はノズル部、８２は振動板、８３は超音波振動子、８４は高周波電源に繋がった同軸ケーブル、８５は薬液供給口、８６は薬液の流路、８７は薬液流出口、８８は薬液を示している。
【０００３】
ノズル部８１および振動板８２は一体形成されている。ノズル部８１および振動板８２の材料は石英である。超音波振動子８３は図示しない接着剤で振動板８２上に固定されている。
【０００４】
薬液８８は薬液供給口８５からノズル部８１内に供給される。ノズル部８１内に供給された薬液８８には、超音波振動子８３で発生した超音波による振動が与えられる。振動が与えられた薬液８８は、薬液流出口８７から基板８０上に吐出される。
【０００５】
ところで、この種の従来の超音波処理装置には、以下の問題ある。
【０００６】
薬液８８が高温を発する化学薬液の場合、化学薬液の高熱によって、振動板８２が加熱される。振動板８２が加熱されると、振動板８２の熱によって、超音波振動子８３も加熱され、超音波振動子８３の温度が上昇する。
【０００７】
このような超音波振動子８３の温度上昇によって、超音波振動子８３には劣化や破損が生じる。超音波振動子８３の劣化や破損は、超音波による振動作用の低下や消滅を招く。その結果、薬液８８による基板処理を十分に行えなくなるという問題が生じる。例えば、薬液による基板の洗浄処理の場合、有機物等の被洗浄物を効率よく除去することができなくなる。
【０００８】
さらに、化学薬液の高熱によって、接着剤が劣化し、振動板８２と超音波振動子８３との密着性が低下する。超音波振動子８３で発生した振動（超音波）は、振動板８２を介して、薬液８８に伝わる。
【０００９】
したがって、振動板８２と超音波振動子８３との密着性が低下すると、薬液８８に振動を十分に与えることができなくなる。その結果、薬液８８による基板処理を十分に行えなくなるという問題が生じる。
【００１０】
また、振動板８２の表面はフラットであるため、基板８０上で反射した超音波は、振動板８２中に効率的に伝わる。その結果、基板８０上で反射した超音波によって、超音波振動子８３が劣化したり、破損する恐れがある。その結果、薬液８８による基板処理を十分に行えなくなるという問題が生じる。
【００１１】
【特許文献１】
特開２００１−２７６７６３号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
上述の如く、従来の超音波処理装置は、高温の薬液を用いると、超音波振動子の劣化や破損が生じ、その結果として、薬液による基板処理を十分に行えなくなるという問題がある。
【００１３】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、高温の薬液を用いても、薬液による基板処理の低下を防止できる超音波処理装置および基板処理方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１５】
すなわち、上記目的を達成するために、本発明に係る超音波処理装置は、基板を処理するための処理液の供給口および吐出口を有する処理液流路を備えたノズル部と、前記処理液流路を囲むように設けられ、冷却液が流れる冷却液流路と、前記ノズル部の内部に設けられ、前記処理液に振動を与えるための超音波振動子とを具備してなることを特徴とする。
【００１６】
本発明に係る基板処理方法は、本発明に係る超音波処理装置を基板の上方に設置する工程と、前記超音波処理装置の供給口に処理液を供給し、前記超音波処理装置の吐出口から前記処理液を前記基板上に吐出し、かつ、前記超音波処理装置の超音波振動子により、前記基板上に吐出された前記処理液に振動を与える工程とを有し、前記処理液を前記基板上に吐出し、かつ、前記処理液に前記振動を与える工程は、前記超音波処理装置と前記基板との相対位置を変えて、複数回行われることを特徴とする。
【００１７】
本発明に係る他の基板処理方法は、本発明に係る超音波処理装置（処理液流路の供給口および吐出口の数がそれぞれ一つのもの）を、第１の処理液が液盛りされた基板の上方に設置する工程と、前記超音波処理装置の供給口に第２の処理液を供給し、前記超音波処理装置の吐出口から前記第２の処理液を前記第１の処理液上に吐出し、前記基板上に前記第１の処理液と前記第２の処理液との混合液を形成し、かつ、前記超音波処理装置の超音波振動子により、前記混合液に振動を与える工程とを有し、前記基板上に前記混合液を形成し、かつ、前記混合液に振動を与える工程は、前記超音波処理装置と前記基板との相対位置を変えて、複数回行われることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【００１９】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る超音波処理装置を示す模式図である。
本実施形態の超音波処理装置は、大きく分けて、円筒状のノズル部（ユニット）１と、ノズル部１の内部に設けられ、冷却水等の冷却液６が流れる冷却液流路７と、処理液に振動を与えるための超音波振動子２とから構成されている。
【００２０】
ノズル部１の材料には、化学薬液に対して耐性があり、しかも、熱に対して耐性のある材料が使用されている。本実施形態では、このような材料として、石英が使用されている。
【００２１】
ノズル部１は、基板を処理するための処理液の供給口３および吐出口４を有する処理液流路５を備えている。
【００２２】
冷却液流路７は、図２の平面図に示すように、リング状の形状を有し、処理液流路５を囲むように設けられている。ノズル部１中に占める冷却液流路７の体積は比較的大きく、冷却液流路７は多くの冷却液６を充填することができる一種の容器を構成している。これにより、冷却液流路７内に冷却液６を流すことにより得られる冷却能力は高いものとなる。
【００２３】
冷却液流路７には、冷却液６を導入するための導入口８および冷却液６を排出するための排出口９が設けられている。導入口８および排出口９は、直線上に並ぶように配置されているが、導入口８と排出口９との配置関係は、例えば図３に示すような配置位置でも構わない。すなわち、導入口８と排出口９とが互いに近接した配置位置でも構わない。このような配置関係にすることにより、冷却液流路７中での冷却液６の循環を、よりスムーズに行うことが可能となる。
【００２４】
本実施形態では、処理液流路５は、ノズル部１の上面から下面を通る直線上に配置されているが、処理液流路５の配置は上記例に限定されるものではない。例えば、図４に示すように、ノズル部１の側面から中央を通って下面に向かう、複数の直線からなる折線上に配置されていても構わない。すなわち、処理液流路５は、基板に処理液を吐出できる構成であれば、特に限定されるものではない。
【００２５】
排気口９から排気された冷却液６は、再冷却等の所定の処理を経て再利用される場合もあるし、あるいは、そのまま廃棄される場合もある。冷却液６が冷却水の場合、通常、再利用されない。
【００２６】
ノズル部１の外部には高周波電源１０が設けられている。高周波電源１０は、同軸ケーブル１１を介して、超音波振動子２に接続されている。超音波振動子２は、高周波電源１０により、例えば、６００ｋＨｚ，３００Ｗ程度の電力が印加される。
【００２７】
超音波振動子２は、冷却液流路７よりも供給口３側に近い位置に設けられている。より詳細には、超音波振動子２は、冷却液流路７の上方の空洞区画領域１２内に設けられている。同軸ケーブル１１は空洞区画領域１２の上面（密閉蓋）を貫通して超音波振動子２に接続されている。超音波振動子２は空洞区画領域１２内に設けられているので、超音波振動子２は、処理液、冷却液６およびノズル部１の外部雰囲気から保護される。
【００２８】
超音波振動子２は、空洞区画領域１２の底面上に図示しない接着剤により固定されている。空洞区画領域１２の底面は、図１５の従来の超音波処理装置の振動板８２に相当する。
【００２９】
超音波振動子２を保護するために、図５に示すように、超音波振動子２を空洞区画領域１２内に傾けて配置しても構わない。図５では、超音波振動子２は、空洞区画領域１２の傾いた底面上に設けられ、その結果として、超音波振動子２は空洞区画領域１２内に傾いて配置される。超音波振動子２の傾き角度θは、０°＜θ＜１０°の範囲内に設定され、代表的には、θ＝７°である。
【００３０】
超音波振動子２は、その下にある冷却液流路７中に冷却液６が流されることにで冷却される。このように超音波振動子２が冷却されることで、処理液として、高熱を発する化学薬液を使用しても、超音波振動子２の温度上昇は抑制される。
【００３１】
超音波振動子２の温度上昇が抑制されることで、超音波による振動作用の低下の原因となる、超音波振動子２の劣化や破損は防止される。したがって、本実施形態によれば、高熱を発する化学薬液を使用しても、該化学薬液による基板処理を十分に行えるようになる。
【００３２】
吐出口４側のノズル部１の面（以下、ノズル底面という。）１３は、超音波振動子２で発生し、基板上で反射した超音波を分散する形状を有している。図１には、複数の凹凸部を有する底面１３が示され、さらに分散された超音波が矢印で示されている。また、ノズル底面１３の複数の凹凸部は、超音波振動子２で発生した超音波を処理液に効果的に伝達する役割も有する。
【００３３】
ノズル底面１３の形状は、上記形状に限定されるものではなく、例えば、図６に示すような形状も使用可能である。図６においても、分散された超音波は矢印で示されている。
【００３４】
このように、基板上で反射した超音波は、ノズル底面１３で分散されるので、空洞区画領域１２の底面中に伝わる、基板上で反射した超音波は、十分に低減される。そのため、超音波振動子２で発生される超音波の出力を高くしても、基板上で反射した超音波による超音波振動子２の劣化や破損は防止される。したがって、本実施形態によれば、超音波振動子２の出力を高くすることで、処理液による基板処理を効果的に行えるようになる。なお、超音波の出力が低くても構わない場合は、ノズル底面１３の形状はフラットでも構わない。
【００３５】
次に、本実施形態の超音波処理装置を用いた基板処理方法について説明する。本実施形態では、基板がフォトマスク、基板処理がフォトマスクの洗浄として説明する。
【００３６】
まず、図７に示すように、フォトマスク（基板）２０の上方にノズル部１を設置する。ノズル部１とフォトマスク２０との間の距離は、例えば、０．５−５ｍｍの範囲に設定される。ノズル部１をフォトマスク２０の上方に設置するための装置は後で説明する。
【００３７】
次に、冷却液６として冷却水を導入口８から冷却液流路７内に導入し、冷却液流路７内を冷却水で満たし、さらに、冷却液流路７内に導入された冷却水を排出口９から排出する。このような冷却水の導入と排出を継続して行うことにより、冷却液流路７内に冷却水を環流させ、冷却作用を得る。
【００３８】
次に、供給口３に薬液導入管３０を装着する。薬液導入管３０は、第１および第２の導入口３１，３２を有する。
【００３９】
次に、第１の導入口３１から過酸化水素水４０を薬液導入管３０内に導入し、第２の導入口から濃硫酸４１を薬液導入管３０内に導入する。その結果、薬液導入管３０内で、過酸化水素水４０と濃硫酸４１との混合液４２が形成される。本実施形態では、混合液４２は洗浄液として使用される。
【００４０】
過酸化水素水４０と濃硫酸４１とが混合される部分の薬液導入管３０、処理液流路５およびノズル底面１３は、石英で形成されている。さらに、処理液流路５およびノズル底面１３は、冷却液流路７内に冷却液６が流れていることにより、冷却される。
【００４１】
そのため、過酸化水素水４０と濃硫酸４１とが混合して反応する際に、高温の熱が発生しても、装置の安全性は確保され、また、装置の動作上の問題も起こらない。
【００４２】
次に、高周波電源１０により、６００ｋＨｚ，３００Ｗ程度の高周波電力を超音波振動子２に印加した状態で、フォトマスク２０上をノズル部１で走査する。
【００４３】
その結果、処理液流路５の吐出口から基板２０上に吐出された混合液４２により、フォトマスク２０の表面は混合液４２により洗浄される。フォトマスク２０上をノズル部１で走査するための装置は後で説明する。超音波振動子２に高周波電源を印加するタイミングはもっと前であっても構わない。
【００４４】
本実施形態の場合、過酸化水素水４０と濃硫酸４１との混合液４２といった、化学的に非常に活性ではあるが、発熱をする薬液を使用しても、超音波振動子２の劣化や破損を防止できるので、混合液４２に超音波による振動を効果的に与えることが可能となる。さらに、フォトマスク２０で反射した超音波による、超音波振動子２の劣化や破損も防止できる。そのため、超音波振動子２により発生した超音波による振動作用は、混合液４２に効果的に与えられる。これにより、フォトマスク２０上の硬化した有機物までもが容易に除去される。
【００４５】
その後、図８に示すように、過酸化水素水４０および濃硫酸４１の代わりに、純水４３を第１および第２の導入口３１，３２から薬液導入管３０内に導入し、処理液流路５の吐出口から吐出された純水４３により、フォトマスク２０上の混合液４２をすすぎ流す。
【００４６】
このとき、処理液流路５内の混合液４２等の装置内の混合液４２もすすぎ流される。これにより、装置内に残留した混合液４２が析出するなどの問題を防止することができる。
【００４７】
混合液４２をすすぎ流す工程では、冷却液６を冷却液流路７内に流す必要はない。また、純水４３に超音波を印加する必要は必ずしも無いが、混合液４２を効果的にすすぎ流すためには、純水４３に超音波を印加した方が好ましい。
【００４８】
図９に、ノズル部１をフォトマスク２０の上方に設置し、さらに、フォトマスク２０上をノズル部１で走査するための装置５０の模式図を示す。
【００４９】
装置５０はアーム５１を備えている。アーム５１の先端部には、リング状の固定部材５２が設けられている。固定部材５２の側面にはネジ５３が設けられている。固定部材５２内にノズル部１を通し、ノズル部１の周囲を固定部材５２で囲み、さらにネジ５３を締めることで、ノズル部１はアーム５１の先端部に固定される。
【００５０】
アーム５１の軸５４は、図示しない周知の上下駆動機構により、上下方向に移動できるようになっている。さらに、アーム５１の軸５４は、図示しない周知の図示しない回転機構により、時計方向および半時計方向に回転できるようになっている。
【００５１】
ノズル部１をフォトマスク２０の上方に設置するには、フォトマスク２０の上方にノズル部１が来るまで、アーム５１の軸５４を回転させる。また、アーム５１の軸５４を上下方向に移動させることにより、フォトマスク２０とノズル部１との間の距離を所望の値に設定できる。
【００５２】
基板２０は、回転可能な載置台６０上に載置されている。したがって、フォトマスク２０上をノズル部１で走査するためには、図１０の平面図に示すように、載置台６０を回転させながら、アーム５１を所定の回転角だけ時計方向および半時計方向に交互に回転させる。
【００５３】
なお、装置５０は、冷却液６の供給源、過酸化水素水４０の供給源、濃硫酸４１の供給源も備えている。
【００５４】
ここでは、基板処理方法として、基板をフォトマスク、処理液を薬液とするフォトマスクの洗浄方法について説明したが、本実施形態は、他の基板処理方法にも適用可能である。
【００５５】
具体的には、基板をレジスト、処理液を現像液とするレジストの現像処理方法に適用することもできる。さらに、基板を絶縁膜、半導体膜または金属膜が形成された半導体基板、処理液をエッチング液とする絶縁膜、半導体膜または金属膜洗浄のエッチング方法にも適用することができる。
【００５６】
（第２の実施形態）
図１１は、本発明の第２の実施形態に係る超音波処理装置を示す模式図である。なお、以下の図において、既出の図と同一符号は、同一部分を示し、詳細な説明は省略する。
【００５７】
本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、冷却液流路７の内壁上面および下面が、基板上で反射した超音波を分散する形状を有していることにある。具体的には、冷却液流路７の内壁上面および下面は、それぞれ、複数の鋸状の凹凸部を有している。
【００５８】
本実施形態の超音波処理装置を用いた基板処理方法は第１の実施形態のそれと同じであり、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００５９】
なお、冷却液流路７の内壁上面および下面の一方のみが、複数の鋸状の凹凸部を有していても構わない。
【００６０】
（第３の実施形態）
図１２は、本発明の第３の実施形態に係る超音波処理装置を示す模式図である。
【００６１】
本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、冷却液流路７の内壁上面および下面が、基板上で反射した超音波を分散する形状を有していることにある。具体的には、冷却液流路７の内壁上面および下面は、それぞれ、一つの凹部を有している。内壁上面には下に凹の凹部、内壁下面には上に凹の凹部が設けられている
本実施形態の超音波処理装置を用いた基板処理方法は第１の実施形態のそれと同じであり、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００６２】
なお、冷却液流路７の内壁上面および下面の一方のみが、一つの凹部を有していても構わない。
【００６３】
（第４の実施形態）
図１３は、本発明の第４の実施形態に係る超音波処理装置を示す模式図である。
【００６４】
本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、二つの処理液流路５１  および５２  を備えていることにある。したがって、本実施形態によれば、薬液導入管３０が不要になる。
【００６５】
導入口３１  および３２  から、それぞれ、過酸化水素水４０および濃硫酸４１を処理液流路５１  および５２  内に導入することにより、第１の実施形態と同様の基板処理方法を実施することができ、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００６６】
本実施形態の超音波処理装置は、第１の実施形態の超音波処理装置の処理液流路５を、処理液流路５１  および５２  を置き換えたものであるが、第２または第３の実施形態の超音波処理装置の処理液流路５を、処理液流路５１  および５２  を置き換えたものも使用可能であり、第２または第３の実施形態と同様の効果が得られる。
【００６７】
（第５の実施形態）
図１４は、本発明の第５の実施形態に係る基板処理方法を示す模式図である。
【００６８】
本実施形態では、第１の実施形態の超音波処理装置を使用した場合について説明するが、第２または第３の実施形態の超音波処理装置を使用することも可能である。
【００６９】
本実施形態が第１−第４の実施形態と異なる点は、ノズル部１の外部で、過酸化水素水４０と濃硫酸４１とを混合することにある。
【００７０】
具体的には、まず、過酸化水素水４０が液盛りされたフォトマスク（基板）２０の上方に、ノズル部１を設置する。
【００７１】
次に、第１の実施形態と同様に、冷却液６として冷却水を導入口８から冷却液流路７内に導入し、冷却液流路７内に導入された冷却水を排出口９から排出し、冷却作用を得る。
【００７２】
次に、超音波振動子２に高周波電源が印加された状態で、供給口３から濃硫酸３２を処理液流路５内に導入し、さらに、フォトマスク２０上をノズル部１で走査する。
【００７３】
その結果、処理液流路５の吐出口４から、フォトマスク２０上に液盛りされた過酸化水素水４０上に、濃硫酸４１が吐出し、フォトマスク２０上で、過酸化水素水４０と濃硫酸４１との混合液４２が形成される。この混合液４２によりフォトマスク２０は洗浄される。その後、第１の実施形態と同様に、純水によるすすぎ洗いが行われる。
【００７４】
本実施形態でも第１の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本実施形態の場合、混合液４２は処理液流路５の外部で形成されるため、処理液流路５は基本的には混合液４２により加熱されない。したがって、本実施形態によれば、より加熱の影響を受け難い、超音波印加装置および基板処理方法を実現できるようになる。
【００７５】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【００７６】
【発明の効果】
以上詳説したように本発明によれば、高温の薬液を用いても、薬液による基板処理の低下を防止できる超音波処理方法および基板処理方法を提供することにある。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態の超音波処理装置を示す模式図。
【図２】実施形態の超音波処理装置の冷却液流路を示す平面図。
【図３】実施形態の超音波処理装置の冷却液流路の変形例を示す平面図。
【図４】実施形態の超音波処理装置の処理液流路の変形例を示す模式図。
【図５】実施形態の超音波処理装置の超音波振動子の配置の変形例を示す断面図。
【図６】実施形態の超音波処理装置のノズル底面の形状の変形例を示す断面図。
【図７】実施形態の基板処理方法を説明するための模式図。
【図８】図７に続く同実施形態の基板処理方法を説明するための模式図。
【図９】実施形態の基板処理方法に使用する装置を示す模式図。
【図１０】フォトマスク上を超音波処理装置で走査する方法を説明するための平面図
【図１１】第２の実施形態の超音波処理装置を示す模式図。
【図１２】第３の実施形態の超音波処理装置を示す模式図。
【図１３】第４の実施形態の超音波処理装置を示す模式図。
【図１４】第５の実施形態の超音波処理装置を示す模式図。
【図１５】従来の超音波処理装置の要部を示す模式図。
【符号の説明】
１…ノズル部、２…超音波振動子、３…供給口、４…吐出口、５…処理液流路、６…冷却液、７…冷却液流路、８…導入口、９…排出口、１０…高周波電源、１１…同軸ケーブル、１２…空洞区画領域、１３…ノズル底面、２０…フォトマスク（基板）、３０…薬液導入管、３１…第１の導入口、３２…第２の導入口、４０…過酸化水素水、４１…濃硫酸、４２…混合液、４３…純水、５０…装置、５１…アーム、５２…固定部材、５３…ネジ、６０…載置台、８０…基板、８１…ノズル部、８２…振動板、８３…超音波振動子、８４…同軸ケーブル、８５…薬液供給口、８６…薬液の流路、８７…薬液流出口、８８…薬液。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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