(57)【要約】【課題】  基板上に光導波路を効率よく製造でき、光の伝送ロスが少ない光導波路構造付きデバイスの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】    光が伝搬するコア部と、上部クラッド部及び下部クラッド部を備え且つ該コア部を取り囲むクラッド部と、を有する光導波路構造を基板上に備える光導波路構造付きデバイスの製造方法において、上記基板上に下部クラッド部用未硬化フィルムを圧着する未硬化下部クラッド部形成工程と、該下部クラッド部用未硬化フィルムを硬化して下部クラッド部を得る下部クラッド部形成工程と、上記コア部を形成するコア部形成工程と、上部クラッド部を形成する上部クラッド部形成工程と、を備えることを特徴とする光導波路構造付きデバイスの製造方法。【選択図】      図３
2005331759.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光が伝搬するコア部と、上部クラッド部及び下部クラッド部を備え且つ該コア部を取り囲むクラッド部と、を有する光導波路構造を基板上に備える光導波路構造付きデバイスの製造方法において、
上記基板上に下部クラッド部用未硬化フィルムを圧着する未硬化下部クラッド部形成工程と、
該下部クラッド部用未硬化フィルムを硬化して下部クラッド部を得る下部クラッド部形成工程と、
上記コア部を形成するコア部形成工程と、
上部クラッド部を形成する上部クラッド部形成工程と、
を備えることを特徴とする光導波路構造付きデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記基板は配線基板であることを特徴とする請求項１に記載の光導波路構造付きデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記基板には他の部品が搭載されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光導波路構造付きデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記基板はキャビティ部を備えることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の光導波路構造付きデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路構造付きデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報処理分野及び情報通信分野の進歩により、扱われるデータ量等が増加しており、今後も益々大きくなることが予測される。また、これに伴う通信速度の高速化も求められている。このため、電気信号に比べて処理速度が大きい光信号を用いた情報処理及び情報通信への移行が望まれている。特に近年は、光通信ケーブルに代表される伝達距離の長い信号伝達経路及びこれに付随する専用デバイスだけでなく、汎用電子機器内の基板及び電子部品等の接続等の短い信号伝達経路に関しても、電気伝送媒体から光伝送媒体への移行が検討されている。
【０００３】
短い信号伝送を光通信により行う技術として、基板上に光導波路を形成し、信号のやりとりを行う技術が知られている。通常、光導波路は、光の伝播するコア部と、このコア部に光を閉じ込めるクラッド部を備える。ここで、基板上に光導波路を作製する手法としてはスピンコート法を用いて、基板上に下部クラッド部、コア部、上部クラッド部を順次形成する方法が一般的である。（例えば、特許文献１参照）しかし、スピンコート法では、液状の光重合性組成物を直接塗布する為、光導波路形成後に他部品を実装するか、或いは、他部品が実装された基板上に他部品に溶液がかからない様配慮して、光導波路を形成する必要があった。よって、光導波路及び他部品の形成位置が著しく制限される上、効率のよい製造方法ではなかった。また、スピンコート法では、下部クラッド部となる光重合性組成物の硬化前が液状である為、基板の凹凸が光導波路形状に影響し、光の伝送ロスが発生していた。図１０にその一例のコア部を含む断面図を示す。この光導波路構造付きデバイス１９０では、基板１３０上に光導波路１１０が形成されている。基板１３０は配線１０９を表面に備える配線基板である。そして、光導波路１１０は、下部クラッド部１２１、コア部１０４、上部クラッド部１２２となる未硬化樹脂をスピンコートにより順次塗布し、硬化することにより形成されている。ところが、スピンコートによる未硬化樹脂の塗布により、配線１０９上部の下部クラッド部の盛り上がり１０１が発生し、コア形状が正確に形成されず、ひいては光の伝送ロスの原因となる。
【０００４】
一方、予め転写シート上に作製された光導波路を基板上に転写する方法も開発されている。（例えば、特許文献２参照）しかし、別体で光導波路を作製した後、基板上に転写するため、工数がかかり、効率のよい光導波路の製造方法ではなかった。また、下部クラッド部、コア部、上部クラッド部が形成された状態で転写する為、転写の際の剥がれ、コア形状の変形等により光の伝送ロスが発生していた。図１１にその一例のコア部を含む断面図を示す。光導波路構造付きデバイス２９０を製造する際の、基板２３０上に光導波路２１０を転写により形成する製造工程である。基板２３０は配線２０９を表面に備える配線基板である。また剥離シート２０７上に、下部クラッド部２２１、コア部２０４、上部クラッド部２２２を有する光導波路２１０が形成されている。そして、基板２３０上に光導波路２１０を図１１の矢印方向に転写した後、剥離シート２０７を剥離することにより光導波路構造付きデバイスが作成される。ところが、配線２０９上部においては光導波路の変形２０１が発生する。また、転写時に隙間２０２等が発生する可能性がある。これらにより、コア形状が正確に形成されず、ひいては光の伝送ロスの原因となる。
【０００５】
【特許文献１】特開平９−２３６７３１号公報
【特許文献２】特開２００２−２８９９１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記観点に鑑みてなされたものであり、基板上に光導波路を効率よく製造でき、光の伝送ロスが少ない光導波路構造付きデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するための、本発明の光導波路構造付きデバイスの製造方法は、
光が伝搬するコア部と、上部クラッド部及び下部クラッド部を備え且つ該コア部を取り囲むクラッド部と、を有する光導波路構造を基板上に備える光導波路構造付きデバイスの製造方法において、
上記基板上に下部クラッド部用未硬化フィルムを圧着する未硬化下部クラッド部形成工程と、
該下部クラッド部用未硬化フィルムを硬化して下部クラッド部を得る下部クラッド部形成工程と、
上記コア部を形成するコア部形成工程と、
上部クラッド部を形成する上部クラッド部形成工程と、
を備えることを特徴とする。
上記本発明の方法によれば、基板上に、従来のように液状の光重合性組成物を直接塗布する必要がなく、かつ工数もかからない為、光導波路を効率よく製造することができる。更には、正確なパターン（略一定の厚み）を有するコア部を形成することができ、伝送ロスの少ない光導波路を容易に形成することができる。
【０００８】
未硬化フィルムとは、室温２０℃にて流動性がなく且つ光重合性組成物からなる材料のことをいい、粘度が１０Ｐａ.Ｓ以上のものをいう。乾燥工程を得た後であってもなくてもよい。さらに、実質的に固体で流動性が無く、且つ表面粘着性を有しておらず且つ光重合性組成物からなるものであるとよい。「実質的に固体で流動性が無い」とは、溶媒成分（製造上、除去することが不可避的なものを除く。）を含んでおらず、付与された成形状態を維持できるものを意味する。また、「表面粘着性を有していない」とは、室温にて、フィルム体の表面を触手した際に、ベトツキ感を有していないことを意味する。具体的には、室温（約２５℃）にて、フィルム体の表面（支持体が形成されていない側）に１ｃｍ幅のＰＥＴフィルム（厚さ３８μｍ）を貼り付け、このＰＥＴフィルムを９０度方向に５０ｍｍ／分の速さで引き剥がした際の引き剥がし強度が０．３ｋＮ／ｍ以下であるものとすることができる。
【０００９】
未硬化下部クラッド部形成工程において、剥離可能な支持体上に形成された下部クラッド部用未硬化フィルムを基板に圧着した後、支持体を剥離することにより、未硬化下部クラッド部を形成することができる。上記圧着する方法としては、ラミネート法、プレス法等を採用することができる。ラミネート法とは、支持体の一方側から他方側へロールを転がしてフィルムを圧着していく方法である。この方法を用いた場合には、空気を押し出しながら圧着できるため、泡の巻き込みを減らすことができる。特にラミネート法は、効率よく未硬化フィルムを圧着することが可能である。また基板と下部クラッド部用未硬化フィルムの間に隙間が生じず、漏れ光の少ない光導波路の形成が可能である。一方、プレス法とは、貼り付けるフィルム全体にわたり、例えば、ゴム板や金属板等を用いて、フィルム全体を同時に圧着する方法である。この方法を用いた場合には、フィルム全体を一度に圧着できるため全体の均一性を保つことができる。また、後述する光路変換部が形成されている時等に、光路変換部の位置ずれを押さえて、正確に光導波路を形成することが可能である。
【００１０】
圧着の際には、未硬化フィルムを安定化させるために、加熱や加圧をしてもよい。尚、加熱、加圧等の各条件は、適宜調整できる。例えば、温度２０〜１３０℃の条件で加熱して圧着することができる。また、０．１〜２．４ＭＰａの条件で加圧することにより、より未硬化フィルムを正確に形成することが可能である。圧着の際に、気泡を巻き込まないように周りの環境を減圧下で行うことも可能である。減圧下での保持により配設する場合には、例えば、圧力０〜５００ｍｍＨｇ、減圧時間１秒〜１０分等の条件により行うことができる。
【００１１】
未硬化下部クラッド部形成工程において、光硬化、熱硬化、光硬化と熱硬化の併用等により、下部クラッド部用未硬化フィルムを硬化する硬化方法を採用できる。光硬化のみで完全に硬化される場合は光硬化のみで下部クラッド部を得ることができる。光硬化のみでは完全に硬化されない（いわゆる半硬化）状態の下部クラッド部とした後に、後述するコア部、上部クラッド部を形成することも可能である。光硬化の後に熱硬化による本硬化工程を実施して、完全に硬化された下部クラッド部を得ることもできる。ここで「硬化して」とは、半硬化状態にすることも、完全に硬化することも含むものとする。
【００１２】
コア部形成工程では、前記下部クラッド部上にコア部を形成する。まず、前記下部クラッド部上に未硬化のコア部用材料を形成する。その後、未硬化のコア部用材料を構成する光重合性組成物を、硬化（重合）してコア部を形成する。硬化において、どのような方法を採用してもよいが、通常フォトリソグラフィ法より所定の部位が選択的に硬化し、所定形状にパターニングされたコア部を形成する。上記「フォトリソグラフィ法」とは、所定の光を用いて所望のコア部パターンを露光し、未硬化のコア部の所望部分を硬化させ、その後、上記光が照射されずに硬化されなかった部分を除去する工程を備える方法をいう。具体的にこの工程を説明すると、所定のパターンが形成されたフォトマスクを介して所定の光を照射し、フォトマスクのパターンを通して光が照射された箇所のみを硬化させる。その後、硬化していない部分を、現像剤を用いて除去することにより、下部クラッド部上に所定形状にパターニングされたコア部が形成される。
【００１３】
コア部用材料としてはコア部用未硬化フィルムを用いて、未硬化下部クラッド部形成工程と同様に圧着により形成することが好ましい。予め作製したフィルムから材料樹脂が染み出すことなく、所定の位置に貼り付けることができるため、厚みを一定にできる。この際、コア部用未硬化フィルムにおいて、前述した引き剥がし強度が、０．３ｋＮ／ｍ以下である場合、光導波路のコア部をフォトリソグラフィ法により形成する際、正確なパターンを有するコア部を形成することができる。この引き剥がし強度は、０．２ｋＮ／ｍ以下であることがより好ましく、０．１ｋＮ／ｍ以下であることが更に好ましい。このように、溶剤を含んでおらず実質的に固体で流動性の無いコア部用未硬化フィルムを用いてコア部を形成すると、従来のようにコア部の形状が崩れたりせず、長尺方向（光の伝搬方向）に対して垂直な断面の形状が略長方形又は略正方形である正確なパターンを有するコア部を形成することができる。また、このコア部用未硬化フィルムは表面粘着性を有していないため、光を照射する際には、フォトマスクをフィルム体上に直接配置することができる。この場合、より正確なパターンを有するコア部を形成することができるため好ましい。
【００１４】
未硬化のコア部用材料をコア部とする為の、硬化方法は、未硬化下部クラッド部形成工程における硬化方法と同様の方法を採用することができる。
【００１５】
上部クラッド部形成工程では、前記コア部上にコア部を形成する。まず、コア部及び下部クラッド部の各表面に未硬化の上部クラッド部用材料を形成する。未硬化の上部クラッド部用材料としては上部クラッド部用未硬化フィルムを用いて、未硬化下部クラッド部形成工程と同様に圧着により形成することが好ましい。その後、未硬化下部クラッド部形成工程における硬化方法と同様の方法により、上部クラッド部を形成する。この他に、コア部側面を覆う中間クラッド部を形成し、中間クラッド部とコア部上面に上部クラッド部を形成することも可能である。この場合、コア部を取り囲むクラッド部は下部クラッド部、中間クラッド部、上部クラッド部から構成される。
【００１６】
下部クラッド部、コア部、上部クラッド部少なくともいずれかが、完全に硬化されたものでない（いわゆる半硬化）場合は、上部クラッド部形成工程の後に本硬化する本硬化工程を備えることが好ましい。光導波路を基板上に形成した後、他部品を実装する場合は、熱により光導波路が変形してしまう恐れがある。特に光導波路上に発光素子、受光素子等を実装する場合には、実装時の熱により光導波路が変形し、光軸ズレ等の原因となる。よって、他部品を実装する前に本硬化工程により、完全に硬化された光導波路を形成することにより、光の伝送ロスの少ない光導波路とすることが可能である。
また、下部クラッド部、コア部、上部クラッド部全てを完全に硬化した状態にせず（いわゆる半硬化）でも、光導波路として光を伝播することは可能である。この場合、一括して本硬化を行う本硬化工程（一括硬化工程）を備えることができる。この場合、本硬化（通常熱硬化）が一度のみでよく効率のよい製造方法とすることができる。
【００１７】
基板は光導波路が形成されるものであれば特に限定されない。基板を構成する材料としては、有機系材料、無機系材料及びこれら両方を用いた複合材料等が挙げられる。光導波路を形成して光電気複合基板とするために、基板は配線基板とすることが好ましい。この場合、配線（導体部）は内部導体として内層に形成されていてもよく、表層に形成されていてもよい。配線層と絶縁層が交互に形成された多層配線基板とすることも可能である。配線（導体部）により基板表面の平坦度が保たれない場合でも、本発明の製造方法によれば、下部クラッド部用未硬化フィルムを圧着することにより、下部クラッド上面は平坦化され、コア部の形成は十分な平坦度をもった下部クラッド上に形成することが可能となる。これは光の伝送ロスの低減に効果的である。
【００１８】
更に、本発明の光導波路構造付きデバイスの製造方法では、上記工程以外にも、発光素子及び受光素子等の光学部品、各種電子部品などの他の部品を搭載する工程、更には、前記導体部を配設する工程を備えることができる。
【００１９】
基板上に他の部品が搭載されていると、光導波路構造付きデバイスの高機能化の観点から好ましい。かかる基板上でも、本発明の製造方法により、効率よく光導波路を基板上に形成することができる。
また基板がキャビティ部を備えていると、光導波路構造付きデバイスの低背化の観点から好ましい。かかる基板上でも、本発明の製造方法により、効率よく光導波路を基板上に形成することができる。
【００２０】
上記発光素子としては、例えば、面発光レーザー（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ；ＶＣＳＥＬ）、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ；ＬＥＤ）、及び、半導体レーザダイオード（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ  ；ＬＤ）等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
また、上記受光素子としては、例えば、ｐｉｎフォトダイオード（ｐｉｎ  Ｐｈｏｔｏ  Ｄｉｏｄｅ；ｐｉｎ  ＰＤ）及びアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。尚、上記発光素子と上記受光素子とは一体化されたものであってもよい。
更に、電子部品としては、ドライバＩＣ、ＭＰＵ、各種能動部品（集積回路素子及びトランジスタ等）、受動部品（コンデンサ、キャパシタ及びインダクタ等）、変換部品（フィルタ及びトランス等）及び接続部品等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
これらの光学部品及び電子部品の搭載方法等は特に限定されず、ワイヤボンディング及び／又はフリップチップボンディング等によるものとすることができる。
【００２１】
本光導波路構造付きデバイスは、更に導体部を備えることができる。特に上記発光素子及び上記受光素子等の光学素子を備える場合は、導体部を備えることが好ましい。導体部を備えることにより光学素子は、他の電子部品と電気的に接続でき、光導波路、光学素子及び電子部品等を一体物として扱えるようになる。また、本光導波路構造付きデバイス内に導体部を備えることにより、光学素子と電子部品との接続距離等を短く抑えることができ、応答性を向上させることができる。更に、光導波路構造付きデバイス自体の小型化にも寄与することとなる。本製造方法によると、導体部を避けて、効率よく光導波路を作成することも可能である。或いは、導体部上に光の伝送ロスなく光導波路を作成することも可能である。
【００２２】
光導波路構造付きデバイスとして光路変換が必要な場合は、光路変換部を備えることが好ましい。上記「光路変換部」は、上記基板上に形成されており且つコア部内を伝搬する光を反射する部分である。この光路変換部を有することにより、漏光を防止しつつ、光路を効率よく変換することできる。この光路変換部は、光導波路構造付きデバイス中に１つのみ配置されていてもよいし、２つ以上配置されていてもよい。尚、「基板上」とは、基板上方という意味であり、光路変換部は、基板表面に配置されていてもよいし、下部クラッド部表面に配置されていてもよい。
【００２３】
光路変換部形成工程としては、パッド部に金属の塊状物を押しつけた後、型押し治具を用いてこの金属の塊状物を所定形状に成形して得ることができる。また、この光路変換部は、予め所定形状に成形された光路変換部品を所定の位置に配設して形成することもできる。この光路変換部品の製造方法は特に限定されないが、例えば、剥離可能な基板等の表面に光路変換部を形成した後、基板を剥離することで得ることができる。更には、一般の金属加工の方法、例えば鋳造・鍛造等により作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
［１］光導波路構造付きデバイス１００
図１は、本発明の光導波路構造付きデバイスの一例の断面を模式的に示す図である。また、図２は、図１におけるＡ−Ａ断面を模式的に示す図である。この光導波路構造付きデバイスは、基板（多層セラミック配線基板）３、下部クラッド部２１、コア部１、上部クラッド部２２、光路変換部４１及び４２を備える。
【００２５】
コア部１は、光路変換部４１及び４２により光路変換されている。また、コア部１はエポキシ系樹脂から構成されている。一方、上部クラッド部２２及び下部クラッド部２１はコア部１よりも屈折率が小さいエポキシ系樹脂から構成されている。
【００２６】
基板（多層セラミック配線基板）３は、図示しない内部導体（配線パターン及び層間接続のためのビアホール並びにスルーホール等）とアルミナ基焼結材とを有し、これらの導体部はアルミナ基焼結材により絶縁されている。この基板３の一面側には下部クラッド部２１等が設けられ、他面側には複数の接続端子（導体部８２）が設けられている。この導体部８２は、光導波路構造付きデバイス１００を図示しないプリント配線板等に搭載するための接続端子であり、金、銀、銅、ハンダ、アルミニウム、ニッケル及びこれらの合金等からなる。
【００２７】
また、光路変換部として、金からなり、互いに向き合う約４５゜の傾斜面を有する三角柱形状の光路変換部４１及び４２とを備える。これら光路変換部４１及び４２は、基板３の一面に配置されている。また、この光路変換部４１及び４２の最上部は、コア部１の上面と同一平面となるように、又はコア部１の上面から突出するように形成されている。
【００２８】
［２］光導波路構造付きデバイス２００
図３は、本発明の光導波路構造付きデバイスの一例の断面（後述する図４のＢ−Ｂ断面）を模式的に示す図である。この光導波路構造付きデバイス２００は、光導波路構造付きデバイス１００の上部クラッド部２２上に、導体部として、発光素子６１及び受光素子６２とを図示しない電気回路へ接続するための導体部８１を備える。この導体部８１は金、銀、銅、ハンダ、アルミニウム、ニッケル及びこれらの合金等からなる。
【００２９】
更に、光学素子として、発光素子６１であるＶＣＳＥＬと、受光素子６２であるフォトダイオードとを備える。発光素子６１は紫外線、近赤外線等の所定の光を発することができ、受光素子６２はこれらの光を検知できるものである。また、発光素子６１は発光部を備え、この発光部を下方に向けて搭載されている。一方、受光素子６２は受光部を備え、この受光部を下方に向けて搭載されている。各光学素子は、上部クラッド部２２の表面に形成された導体部８１を介して接合されている。
これらの各光学素子は、図示しない外部回路からの電気信号を受けて発光素子６１で光信号へ変換され、発光素子６１から光信号として発せられた光はコア部１内を透過して受光素子６２で受光される。受光素子６２で受光された光信号は受光素子６２により電気信号へ変換され、図示しない外部回路へと伝達されることとなる。
【００３０】
図４は、光導波路構造付きデバイス２００を基板上面方向から表した模式図である。基板３には、光導波路２９（光導波路構造）が形成されていない基板上に、キャビティ部５６が形成されており、キャビティ部５６内部にはドライバＩＣ５１が搭載されている。また基板３上には、演算処理用のＭＰＵ５２が搭載されており、基板上の配線５４によりドライバＩＣ５１と接続されている。ドライバＩＣ５１は、基板上の配線５３（内部導体でも構わない）により光導波路内のビア導体（図示せず）、光導波路上の導体部８１等を介して、発光素子６１に接続されている。これにより、ドライバＩＣ５１は発光素子６１の光信号を制御している。ドライバＩＣ５１、ＭＰＵ５２は公知のワイヤボンディング、フリップチップボンディングにより実装されている。
【００３１】
［３］光導波路構造付きデバイスの製造方法１（逐次硬化による製造方法）
上記［１］で説明した本光導波路構造付きデバイス１００の一例の製造方法を以下に説明する。尚、以下の製造方法の説明においては便宜上、各部は製造後における光導波路構造付きデバイスの符号を用いて説明する。
（１）基板３
基板３として、予め焼結された多層セラミック配線基板を用意した。多層セラミック配線基板の構成については上記の通りである。基板３上面には、ドライバＩＣ５１を搭載する為のキャビティ部５６が予め形成されている。またドライバＩＣとＭＰＵ５２、ドライバＩＣと光学素子を接続する為の、配線５３、５４等が予め基板上に形成されている。そして、周知の方法により、ドライバＩＣ５１、ＭＰＵ５２を基板の所望の位置に搭載した。
【００３２】
（２）光路変換部用パッド等の形成（図５における工程１）
基板３の一面に、ドライフィルム（メッキレジスト）を付け、露光、現像によりパッドを形成する以外の所をドライフィルムで保護した後、金メッキを行い、最後にドライフィルム（メッキレジスト）を剥離することにより、光路変換部用パッド４１１及び４２１、並びに、位置決め基準パッド９１、配線（導体部）９３を形成した。尚、位置決め基準パッド９１と、配線（導体部）９３と、光路変換部を形成するための光路変換部用パッド４１１及び４２１となる金からなる薄膜が、剥離シートの表面に剥離可能に保持された転写フィルムを用意し、この転写フィルムを多層セラミック配線基板の表面に転写して形成することも可能である。
【００３３】
（３）未硬化下部クラッド部形成工程（図５の工程２）
エポキシ系化合物［脂環式エポキシ系化合物（ダイセル化学工業株式会社製、品名「ＥＨＰＥ３１５０」）９９．５質量％及び重合開始剤（酸発生剤、旭電化工業株式会社製、品名「ＳＰ１７２」）０．５質量％］を含む硬化性組成物（クラッド部形成用組成物）と、溶剤（メチルエチルケトン）とを混合し、溶解させて混合溶液（固形分；７８％）を調製し、その後、得られた混合溶液を剥離シート（ＰＥＴ製フィルム、厚さ；３８μｍ）上にキャスティング法（ギャップ；１３０μｍ）により塗工し、次いで、加熱乾燥（条件；１２０℃×３０分間）を行い、溶剤を除去することにより得られたクラッド部形成用未硬化フィルム（下部クラッド部形成用未硬化フィルム及び上部クラッド部形成用未硬化フィルム）を用意した。
この下部クラッド部形成用未硬化フィルムを、上記（２）までに得られた積層体上に載置し、下部クラッド部形成用未硬化フィルムのみを温度４０〜５０℃、圧力０．５ＭＰａの条件で圧着し、温度１２０℃×３０分間の条件で乾燥した。
【００３４】
（４）光路変換部品埋入工程（図５の工程３）
まずワイヤボンディング装置に設けられたキャピラリ内に金ワイヤを供給し、この金ワイヤの先端部を塊状にした。そして、光路変換部形成用基板の上に、金属の塊状物を配置した後、型押し治具を用いてこの金属の塊状物を所定形状に成形して光路変換部品とした。その後、映像手段を用いて位置決め基準９１の座標に基づき、光路変換部用パッド４１１及び４２１上に正確に配置されるように位置決めしながら、光路変換部品を未硬化下部クラッド部２０上に載置した。その後、温度１２０℃に加熱することにより樹脂が軟化し、光路変換部品が自重で未硬化下部クラッドに沈み込むことを利用し、光路変換部品を未硬化下部クラッド部内に埋入させた。
【００３５】
（５）未硬化下部クラッド部の硬化（図５の工程４、図６の工程４）
上記（４）までに得られた積層体に、露光（露光量；２０００ｍＪ／ｃｍ２、光源；紫外線ランプ、露光時間；約７分間）した。次いで、ポストベイクとして１２０℃で３０分間の加熱を行い、更に、本硬化として１５０℃で１時間の加熱を行って硬化させ、下部クラッド部２１を形成し、基板３と、下部クラッド部２１と、光路変換部４１及び４２とを備える積層体とした。
【００３６】
（６）コア部形成工程（図６の工程５）
エポキシ系化合物［芳香族エポキシ系化合物（ジャパンエポキシレジン株式会社製、品名「エピコート１００１」）４４．５質量％、脂環式エポキシ系化合物（ダイセル化学工業株式会社製、品名「ＥＨＰＥ３１５０」）５５．０質量％］及び重合開始剤（酸発生剤、旭電化工業株式会社製、品名「ＳＰ１７２」）０．５質量％を含む硬化性組成物と、溶剤（メチルエチルケトン）とを混合し、溶解させて混合溶液（固形分；７８％）を調製し、その後、得られた混合溶液を支持体（ＰＥＴ製フィルム、厚さ；３８μｍ）上にキャスティング法（ギャップ；１３０μｍ）により塗工し、次いで、加熱乾燥（条件；１２０℃×３０分間）を行い溶剤を除去することにより得られたコア部形成用未硬化フィルムを用意した。
このコア部形成用未硬化フィルムを、上記（５）までに得られた積層体の下部クラッド部２１及び光路変換部４１、４２上に載置し、温度４０〜５０℃、圧力０．５ＭＰａの条件でコア部形成用未硬化フィルムのみを下部クラッド部２１上に圧着し、温度５０℃×３０分間の条件で乾燥して未硬化コア部１０を形成した。
次いで、得られた未硬化コア部上に、所定パターン（線幅；約５０μｍ）が形成されたフォトマスクを配置し、露光（露光量；５００ｍＪ／ｃｍ２、光源；紫外線ランプ、露光時間；約２分間）を行い、温度１２０℃×３０分間の条件でポストベイクした。次いで、２−メトキシエタノールを用いて現像（３０秒）し、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）にて洗浄し、未硬化コア部をパターニングすると同時に硬化してコア部１を形成した。その後、本硬化１５０℃×１時間の加熱を行い完全に硬化させた。
【００３７】
（７）上部クラッド部形成工程（図６の工程６）
上記（３）で用いたものと同じクラッド部形成用未硬化フィルム（上部クラッド部形成用未硬化フィルム）を用意した。
その後、この上部クラッド部形成用未硬化フィルムを、上記（６）までに得られた積層体のコア部１上及び下部クラッド部２１上に載置し、クラッド部形成用未硬化フィルムのみを温度４０〜５０℃、圧力０．５ＭＰａの条件で圧着し、温度５０℃×３０分間の条件で乾燥した。
次いで、得られた積層体に、露光（露光量；２０００ｍＪ／ｃｍ２、光源；紫外線ランプ、露光時間；約７分間）した。次いで、ポストベイクとして１２０℃で３０分間加熱し、更に、本硬化として１５０℃で１時間加熱を行って硬化させ、上部クラッド部２２を形成した。その後、本硬化１５０℃×１時間の加熱を行い完全に硬化させ、本発明の光導波路構造付きデバイス１００を得た。
【００３８】
［４］光導波路構造付きデバイス１００の製造方法２（一括硬化工程を用いる製造方法）
上記［１］で説明した本光導波路構造付きデバイス１００の一例の製造方法を以下に説明する。尚、以下の製造方法の説明においては便宜上、各部は製造後における光導波路構造付きデバイスの符号を用いて説明する。
（１）光路変換部品埋入工程等（図７における工程１〜工程３）
上記［３］（１）〜（４）と同様にして、未硬化下部クラッド部２０内に光路変換部４１及び４２を形成した。
【００３９】
（２）未硬化下部クラッド部半硬化工程（図７の工程７、図８の工程７）
上記（１）までに得られた積層体に、露光（露光量；２０００ｍＪ／ｃｍ２、光源；紫外線ランプ、露光時間；約７分間）ポストベイクとして１２０℃で３０分間加熱して硬化させ、未硬化下部クラッド部２０を半硬化させて半硬化下部クラッド部２１を形成した。
【００４０】
（３）コア部形成工程（図８の工程５）
上記［３］（６）と同様にして、半硬化下部クラッド部上にコア部１を形成した。
【００４１】
（４）未硬化上部クラッド部形成工程（図８の工程８）
上記［３］（３）で用いたものと同じ上部クラッド部形成用未硬化フィルム（上部クラッド部形成用未硬化フィルム）を用意し、同様に、このクラッド部形成用未硬化フィルムをコア部１上及び下部クラッド部２１上に載置し、上部クラッド部形成用未硬化フィルムのみを温度４０〜５０℃、圧力０．５ＭＰａの条件で圧着し、温度１２０℃×３０分間の条件で乾燥した。
【００４２】
（５）一括硬化工程（図８の工程９）
上記（４）までに得られた積層体に、露光（露光量；２０００ｍＪ／ｃｍ２、光源；紫外線ランプ、露光時間；約７分間）した。次いで、ポストベイクとして１２０℃で３０分間加熱し、更に、本硬化として１５０℃で１時間加熱して、半硬化下部クラッド部２１、コア部１及び未硬化上部クラッド部２３の各々を更に硬化させて、本発明の光導波路構造付きデバイス１００を得た。
【００４３】
［５］光導波路構造付きデバイス２００の製造方法
上記に説明した本光導波路構造付きデバイス２００の一例の製造方法を以下に説明する。尚、以下の製造方法の説明においては便宜上、各部は製造後における光導波路構造付きデバイスの符号を用いて説明する。
（１）導体部８１及び位置決め基準パッド９２の形成（図９の工程１０）
上記［３］及び［４］で得られた光導波路構造付きデバイス１００の上部クラッド部２２表面に、ドライフィルム（メッキレジスト）を付け、露光、現像によりパッドを形成する以外の所をドライフィルムで保護した後、金メッキを行い、最後にドライフィルム（メッキレジスト）を剥離することにより、導体部８１及び位置決め基準パッド９２を形成した。尚、導体部８１及び位置決め基準パッド９２となる金からなる薄膜が、剥離シートの表面に剥離可能に保持された転写フィルムを用意し、その後、上記と同様に映像手段を用いて位置決め基準９１に基づいて決定された位置に、この転写フィルムを上部クラッド部２２の表面に転写し形成することも可能である。
【００４４】
（２）発光素子６１及び受光素子６２の搭載（図９の工程１１）
前記に同様の映像手段を用い位置決め基準９２に基づき、導体部８１上であって目的とする位置に正確に発光素子６１を載置し、予め発光素子６１の一面に設けられたハンダにより導体部８１と接続した。同様に位置決め基準９２に基づき、受光素子６２を載置し、同様にハンダにより接続し、本発明の光導波路構造付きデバイス２００を得た。尚、得られたコア部１と各クラッド部２１、２２との屈折率差（コア部−クラッド部）は８５０ｎｍの近赤外光に対し１．９％、５８９ｎｍのＮａ−Ｄ線に対し２．０％であった。
【００４５】
以上本発明の実施例について説明してきたが、本発明はこうした実施例に何ら限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲内において種々なる態様で実施可能である。例えば、図８の工程９における一括硬化工程におけるコア部が完全に硬化していない半硬化コア部であってもよい。図８の工程９における一括硬化工程の前に、［４］（２）の未硬化下部クラッド部半硬化工程と同様の工程により、未硬化上部クラッド部を半硬化上部クラッド部としておいてもよい。
【００４６】
未硬化フィルムを構成する「光重合性組成物」は、紫外線、赤外線、近赤外線等の所定の光の照射により重合（「重合」には「共重合」及び「単独重合」を含む。以下同様。）されて（「更に重合が進行されて」を含む意味である。）硬化され光硬化樹脂となり、クラッド部、コア部となる組成物である。本発明でいう光硬化樹脂は、熱硬化性重合体（「重合体」には「共重合体」及び「単独重合体」を含む。以下同様。）並びに熱可塑性重合体等を含むものである。また、樹脂中の三次元構造の有無等も限定されない。
この光重合性組成物に含有される成分は、光重合性化合物と重合開始剤とを含有する。
上記「光重合性化合物」としては、例えば、エポキシ系化合物、アクリル系化合物、フッ素系化合物、イミド系化合物、ビスマレイミド系化合物、フェニレン系化合物、フェニレンエーテル系化合物、フェノール系化合物、シリコーン系化合物、ウレタン系化合物、エステル系化合物、フェノキシ系化合物及びオレフィン系化合物等が挙げられる。これらの化合物は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのなかでも、アクリル系化合物、エポキシ系化合物が好ましい。光重合性組成物がエポキシ系化合物を含む場合には、耐熱性、絶縁性、耐薬品性及び耐水性により優れた光導波路が得られ、アクリル系化合物を含む場合には、感光性、透明性により優れた光導波路が得られるからである。
【００４７】
また、これらの光重合性化合物のなかでも、常温で固体のものを主成分として使用することにより未硬化フィルムを容易に得ることができる。この際、所望の特性に応じて各種市販材料等の配合が調整される。
【００４８】
上記「重合開始剤」としては、例えば、酸発生剤、ラジカル発生剤等が挙げられる。これらの重合開始剤は、光重合性化合物の種類等に応じて、適宜選択される。
また、上記光重合性化合物がエポキシ系化合物の場合には、重合開始剤として酸発生剤を用いることが好ましい。
また、上記光重合性化合物がアクリル系化合物の場合には、重合開始剤としてラジカル発生剤を用いることが好ましい。
【００４９】
上記光重合性化合物と、上記重合開始剤との質量比（光重合性化合物／重合開始剤）は特に限定されないが、１００／０．０５〜１００／１０であることが好ましく、より好ましくは１００／０．１〜１００／５、更に好ましくは１００／０．２〜１００／４である。この質量比が１００／０．０５〜１００／１０である場合には、重合反応が十分に進行することにより耐熱性、絶縁性、耐薬品性及び耐水性により優れた光導波路が得られる。
【００５０】
また、上記光重合性組成物には、硬化させる際に照射する光の種類に応じて、光増感剤を含有させることができる。光増感剤は、照射する光に対して増感作用を有し、重合開始剤を補助できるものである。この光増感剤は、重合開始剤等のみでは照射される光に対する十分な感光性が得られ難い場合に効果的である。更には、光による硬化後に、最終的に熱硬化させるために、熱重合開始剤を含有させることでもきる。
【００５１】
「光硬化樹脂」としては、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド系樹脂、ビスマレイミド系樹脂、ポリフェニレン系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、フェノキシ系樹脂及びポリオレフィン系樹脂等が挙げられる。また、これらの各樹脂の備える水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ及びＢｒ等）に置換された各ハロゲン化樹脂、これらの樹脂の備える少なくとも一部の水素原子が重水素原子に置換された各重水素化樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は１種のみが用いられていてもよく、２種以上が併用されていてもよい。これらのなかでも、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。コア部がエポキシ系樹脂からなる場合は、耐熱性、絶縁性、耐薬品性及び耐水性に特に優れた光導波路構造付きデバイスとなる。また、コア部がアクリル系樹脂からなる場合は、感光性、透明性に特に優れた光導波路構造付きデバイスとなる。
【００５２】
上記未硬化フィルムの製造方法は特に限定されないが、例えば、上記光重合性組成物と溶剤とを混合して溶解させ、混合溶液を調製し、その後、得られた混合溶液を上記支持体上に塗工し、次いで、乾燥して溶剤を除去することにより製造することができる。
未硬化フィルムの厚さは特に限定されないが、１５０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２０〜８０μｍ、更に好ましくは４０〜６０μｍである。特に、マルチモード光ファイバの径にあわせて５０μｍ程度に調整することが多い。
【００５３】
上記溶剤は特に限定されない。例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトン等のケトン系溶剤、メタノール、エタノール、ｎ−ブタノール等のアルコール系溶剤、キシレン、トルエン、ベンゼン等の芳香族系溶剤、ヘキサン、ペンタン等の脂肪族炭化水素系溶剤、フェノール、クレゾール等のフェノール系溶剤、ジエチルエーテル、メトキシトルエン等のエーテル系溶剤などが挙げられる。
この溶剤の配合量は特に限定されないが、光重合性組成物と溶剤との合計を１００質量％とした場合に、４０〜９０質量％であることが好ましく、より好ましくは６０〜８５質量％である。
【００５４】
混合液を支持体上に塗工する方法は特に限定されないが、キャスティング法を用いることが好ましい。この場合、原料ロスが少なく、生産性を向上させることができる。
【００５５】
溶剤を除去するための乾燥手段は特に限定されず、例えば、加熱乾燥、減圧乾燥等が挙げられる。尚、各乾燥条件は、含有される成分に応じて適宜調整される。
【００５６】
コア部の形態は特に限定されないが、通常、光の入出力を行うことができる端面を有する。この端面の数は特に限定されないが、通常、２つ以上であり、少なくとも１つは入光面として、少なくとも他の１つは出光面として用いることができる。３つ以上の端面を有する場合には、２つ以上の入光面及び／又は出光面を有するコア部とすることができる。
また、平面形状は特に限定されず、直線状であってもよく、曲線状であってもよく、屈曲部を有してもよく、枝分かれを有してもよい。更に、端部近傍では端面に向かって広がるラッパ形状等とすることもできる。このうち、屈曲部とは、光路が曲がる部分を意味する。屈曲部を有することにより、最適な光路を得ることができ、通信効率を向上させること及び小型化すること等ができる。この屈曲部は、一連のコア部に１ヶ所のみを有してもよく、２ヶ所以上を有してもよい。尚、コア部が屈曲部を有する場合には、通常、後述する光路変換部が用いられる。
更に、コア部の長尺方向（光の伝搬する方向）に対して垂直な断面の形状は特に限定されない。特に本光導波路構造付きデバイスでは、正確なパターンを有するコア部を形成することができ、このコア部の形状を、略長方形又は略正方形とすることができる。
【００５７】
コア部の屈折率は、コア部を構成する樹脂の種類及びその種類の数に関わらず、コア部の全体が略均一な屈折率であってもよいし、異なる部分を有していてもよい。尚、コア部が屈折率の異なる部分を有するとは、例えば、コア部の中心部の屈折率が最大となっており、クラッド部に近づくに従い屈折率が小さくなっている場合等である。また、屈折率は、異種の樹脂間で異なることもあれば同じであることもあり、更には同じ単量体に由来する樹脂であってもその重合度により変化する。このため、均一な屈折率の部分及び屈折率の異なる部分は、各々同種の樹脂から得てもよく、異種の樹脂から得てもよい。
【００５８】
コア部の光に対する透過特性は特に限定されず、例えば、赤外線（近赤外線を含む）、可視光線及び紫外線等、どのような光が透過できるものであってもよい。
【００５９】
上述したとおり「クラッド部」は、コア部を取り囲む部分であり、また、コア部との界面においてコア部内を伝搬する光を反射できる部分である。例えば、クラッド部は、コア部に比べて屈折率を小さく（通常、０．２％以上）することで、この作用を得ることができる。
このクラッド部を構成する材料は特に限定されない。このクラッド部には無機系材料を用いてもよいが、加工が容易であり、硬化されてコア部を構成する光重合性組成物と熱膨張率の合わせこみがより容易であること等から有機系材料を用いることが好ましい。有機系材料としては、前記光硬化樹脂として挙げた各樹脂を用いることができる。但し、コア部とクラッド部とは、同じ樹脂からなっていてもよいし、異なる樹脂からなっていてもよい。
【００６０】
上記光路変換部の構成及び形状等は特に限定されない。例えば、傾斜された反射面を設ける（例えば、Ｖ字溝、Ｖ字凸部、台形溝及び台形凸部等の一面を利用する）ことにより構成できる。この反射面は、１つの光路変換部内に１つのみを備えてもよく、２つ以上を備えてもよい。また、この反射面は、光を反射できる面であればどのような材料から形成されてもよいが、例えば、金属等の反射率の高い材料で形成することが好ましく、なかでも、金、銀、銅、ロジウム及びニッケル等が好ましい。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００６１】
光路変換部の形成方法は特に限定されず、例えば、クラッド部の形成前に、ワイヤボンディング装置に設けられたキャピラリ内に金属ワイヤを供給し、この金属ワイヤの先端部を塊状にした後、押し治具を押し当てて成型し、所定形状の光路変換部を形成することができる。更には、クラッド部を形成した後に、クラッド部に切欠きを設け、この切欠き内に金属等からなる層を形成したり、切欠き内に反射層を設けた後になんらかの材料を用いて充填したりすること等により得ることができる。
【００６２】
導体部の種類は特に限定されず、例えば、通常配線、スルーホール導体、ビア導体、抵抗として機能する配線パターン、インダクタとして機能する配線パターン、キャパシタとして機能する配線パターン及びランド等が挙げられる。これらの導体部の配設場所は特に限定されないが、クラッド内、クラッド部表面及び後述する基板部内等に配設することができる。更に、導体部を構成する材料も特に限定されず、例えば、金、銀、銅、白金、ニッケル、クロム、チタン、アルミニウム、タングステン及びモリブデン等を用いることができる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
導体部の形成方法は特に限定されないが、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、蒸着法（ＣＶＤ法及びＰＶＤ法等を含む）、気相成長法及びめっき法等と、フォトリソグラフィ法等のパターニング法とを併用して得ることができる。
【００６３】
基板を構成する材料は特に限定されず、有機系材料、無機系材料及びこれら両方を用いた複合材料等が挙げられる。
有機系材料は特に限定されず、例えば、エポキシ系樹脂、ＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂、キシレン系樹脂、熱硬化性ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）系樹脂、ＬＣＰ（液晶ポリマー）、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）及びポリノルボルネン等を挙げることができる。これらの有機系材料は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。また、基板部に、例えば、強度を向上させる等の目的で各種ゴム等を併用することもできる。
更に、有機系材料を用いる場合には、基板部の内部に芯材としてガラスクロス、ガラス不織布、樹脂（ポリアミド等）クロス、樹脂（ポリアミド等）不織布、樹脂（ポリアミド等）フィルム、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等で形成された３次元網目構造を有するフッ素樹脂系芯材及び金属箔等を用いてもよい。
【００６４】
無機系材料も特に限定されず、例えば、アルミナ、石英、チタニア、ジルコニア、ガーナイト、チタン酸塩（チタン酸マグネシウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等）、ムライト、コーディエライト、フォルステライト、ワラストナイト、アノーサイト、エンスタタイト、ジオプサイト、アーケルマナイト、ゲーレナイト及びスピネル等のセラミックス系材料が挙げられる。更に、結晶性又は非結晶性のガラス系材料が挙げられる。ガラス系材料を構成する成分としては、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂ、Ｐｂ及びＺｎ等が挙げられる。具体的には、アルミノケイ酸系ガラス及びアルミノホウケイ酸系ガラス等が挙げられる。これらのセラミック系材料及びガラス系材料は単独で用いてもよく、併用してもよい。併用する場合には、セラミックス系材料をフィラー等としてガラス系材料中に含有させることができる。これらの無機系材料は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００６５】
未硬化材料の塗工方法は特に限定されず、例えば、ドクターブレード法、スプレー法、カーテンコート法及びロールコート法等の各種印刷法を用いて形成位置へ直接的に形成することもできる。
【００６６】
未硬化フィルムを圧着する際には、圧着した後支持体を剥離して、フィルム体をラミネートしてもよいし、予め支持体を剥離しておいたフィルム体を下部クラッド部上にラミネートしてもよい。なかでも、操作性の観点から配置した後に、支持体を剥離してフィルム体をラミネートすることが好ましい。「支持体」は、フィルム体から剥離可能なものであれば特に限定されない。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・ビニルアルコール共重合体等の樹脂フィルムや樹脂シートなどが挙げられる。また、支持体の形状は特に限定されず、用途に応じて所定の形状とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明の光導波路構造付きデバイスの製造方法は、光通信分野、電気電子分野等において広く利用できる。例えば、光導波路、光分岐結合器、光合分波器、光アイソレーター、光ファイバーアンプ、配線基板、ＩＣパッケージ等として利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の光導波路構造付きデバイスの一例の模式的な断面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ断面を模式的に示す説明図である。
【図３】図４におけるＢ−Ｂ断面を模式的に示す説明図である。
【図４】本発明の光導波路構造付きデバイスの他例の模式的な断面図である。
【図５】光導波路構造付きデバイスの製造方法の一例を説明する説明図である。
【図６】光導波路構造付きデバイスの製造方法の一例を説明する説明図であって、図５に続く工程を説明する説明図である。
【図７】光導波路構造付きデバイスの製造方法の他例を説明する説明図である。
【図８】光導波路構造付きデバイスの製造方法の他例を説明する説明図であって、図７に続く工程を説明する説明図である。
【図９】本光導波路構造付きデバイスの製造方法の一例を説明する説明図である。
【図１０】従来例の本光導波路構造付きデバイスを説明する説明図である。
【図１１】他の従来例の本光導波路構造付きデバイスを説明する説明図である。
【符号の説明】
【００６９】
１００、２００；光導波路構造付きデバイス、１；コア部、１０；コア部形成用未硬化フィルム、１１；未硬化コア部、２０；下部クラッド部用未硬化フィルム（未硬化下部クラッド部）、２１；下部クラッド部、２２；上部クラッド部、２３；上部クラッド部用未硬化フィルム（未硬化上部クラッド部）、３；基板、４１、４２；光路変換部、４１１、４２１；光路変換部用パッド、５１；支持体、５２；表面保護フィルム、６１；発光素子、６２；受光素子、７；フォトマスク、８１、８２；導体部、９１、９２；位置決め基準、９３；配線（導体部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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