(57)【要約】【課題】  優れた平坦性と比抵抗の均一性を有する透明導電膜を備えてなる透明電極用基板を安定して形成できる透明電極用基板の製造装置を提供する。【解決手段】  本発明に係る透明電極用基板の製造装置１は、基板１１の被成膜表面１１ａ上に透明導電膜１２を設けてなる透明電極用基板１０をスプレー熱分解法を用いて製造する装置であって、透明導電膜１２の原料溶液を基板１１に向けてスプレー状に噴射する吐出手段３０と、基板１１を載置するとともに、基板１１の被成膜表面の温度を制御する温度調整機構２１と基板１１を吸着する保持機構２２を有する支持手段２０とを、具備している。【選択図】      図１
2005085700.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の被成膜表面上に透明導電膜を設けてなる透明電極用基板をスプレー熱分解法を用いて製造する装置であって、
前記透明導電膜の原料溶液を前記基板に向けてスプレー状に噴射する吐出手段と、
前記基板を載置するとともに、前記基板の被成膜表面の温度を制御する温度調整機構と前記基板を吸着する保持機構を有する支持手段とを、
具備したことを特徴とする透明電極用基板の製造装置。
【請求項２】
前記保持機構は、前記支持手段に外付けされた排気部と、該排気部に一端が連通し他端が前記基板の裏面に当接する位置に開口をなす空洞部からなることを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜の製造装置。
【請求項３】
前記開口は、円形をなし、その口径が０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜の製造装置。
【請求項４】
前記開口は、前記支持部に等間隔で設けられていることを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜の製造装置。
【請求項５】
前記吐出手段を構成する吐出口の中心と前記基板の被成膜表面の中心とを結ぶ直線を回転軸として、前記支持手段を自転させる回転手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スプレー熱分解(Spray Pyrolysis Deposition;SPD)法により、透明電極用基板を構成する透明導電膜を基板上に形成するために用いられる製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子や太陽電池等に利用される透明電極用基板としては、ガラス板等からなる透明な基板の表面上に、導電性を備えた透明な薄膜（以下、透明導電膜という）を、例えば５０〜１０００ｎｍ程度の厚さで設けたものが広く使用されている。このような透明導電膜の例としては、酸化インジウムに数％のスズを添加してなる薄膜；インジウム・スズ・オキサイド膜［以下、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜という］や、酸化スズに数％のフッ素を添加してなる薄膜；フッ素ドープ酸化スズ膜［以下、ＦＴＯ（Fluorine-doped-Tin-Oxide）膜という］が挙げられる。
【０００３】
上記ＩＴＯ膜では、３価のインジウム（Ｉｎ３＋）席に置換した４価のスズ（Ｓｎ４＋）がキャリア電子を発生するため、ＩＴＯ膜は電気をよく通す性質を備えている。また、ＩＴＯ膜は、エネルギー・ギャップが紫外域に対応するため可視光をほとんど吸収しないので、太陽光を構成する可視光スペクトルの大部分を透過させる能力も備えている。
【０００４】
従来、このような優れた導電性と透過性とを併せ持つＩＴＯ膜に代表される透明導電膜は、減圧雰囲気を要する真空成膜法、例えばスパッタ法や蒸着法、ＣＶＤ法等に代表される方法によって形成されている。
【０００５】
上記方法によれば、透明性に優れ、かつ高い導電性を備えた膜が得られる反面、減圧雰囲気で薄膜形成を行う装置は、導入コストが高く、その後の運転コストも高くなる傾向が強く、さらには広い面積に渡って均一な厚さの膜を形成しにくいという課題があった。
【０００６】
近年、減圧雰囲気が不要で、装置構成が簡易なことから、製造コストを安く抑えることが可能な成膜法として、スプレー熱分解法が注目されている。スプレー熱分解法とは、霧吹きの原理に基づき原料溶液を加熱された基板に向けて噴霧すると、溶媒の蒸発と溶質の変化が生じて薄膜形成が進行する技術である。出発原料には金属無機塩の水またはアルコール溶液、あるいは有機金属化合物や有機酸塩の有機溶剤系溶液が用いられる。基板温度は出発原料、原料溶液によって異なるが、２５０〜７００℃の範囲で設定される。
【０００７】
しかしながら、このスプレー熱分解法を用いた透明導電膜の作製には、次のような問題があった。
（１）スプレーを用いて原料溶液を、２５０〜７００℃の範囲で加熱した基板に吹き付けるため、厚みの薄い基板を用いた場合、基板が歪む傾向があった。
（２）また、スプレーを用いて原料溶液を、上記のような高温に加熱した基板に吹き付けることから、基板上で原料溶液が瞬時に蒸発し、空気中に飛散し易いので、基板の被成膜面の温度を一定に保つことが難しかった。
（３）スプレーで吹き付けるため、基板上に付着した膜は、膜厚分布が大きくなり易い。例えば、基板中央部において膜が厚くなり、基板周辺部では膜が薄くなる傾向があった。
【０００８】
上記（１）の歪みは、透明導電膜上に光電変換層を設けてなる光電変換素子において光学設計を難しくする要因となり、上記（２）の温度変動や上記（３）の膜厚分布は、成膜するバッチ毎に、あるいは大面積に成膜した際には局所的に、透明導電膜のもつ比抵抗の増大や比抵抗のバラツキを発生させる要因となっていた。特に、後者の理由は、透明導電膜を構成する結晶粒子の成長にバラツキが生じた結果、透明導電膜の性状が変動するためではないかと、本発明者らは考えている。
【０００９】
このような透明導電膜を基板上に設けてなる透明電極用基板を用いて、例えば色素増感太陽電池を構成する場合には、この透明電極用基板を構成する透明導電膜上に、光電変換層として機能する酸化チタンなどの酸化物半導体の微粉末からなるペーストを塗布し、次いで焼成することにより、多孔質の酸化物半導体膜を形成する。
【００１０】
しかしながら、透明導電膜を構成する結晶粒子の成長のバラツキは、当然にその表面性状のバラツキも招くことになる。その結果、例えば太陽光の入射により光電変換層で生じた電子あるいはホールが透明導電膜側へ伝導するのを阻害する要因となってしまい、ひいては得られた色素増感太陽電池の光電変換効率の低下を引き起こしてしまう恐れがあった。これは、太陽電池等における初期特性の不安定性や長期信頼性の低下に繋がるので、その対応策の開発が期待されていた。
【００１１】
このような透明電極用基板に関する先行技術文献としては、以下に挙げるものが知られている。
【特許文献１】特開平１０−５３４１８号公報
【特許文献２】特開２０００−２１２５１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、比抵抗が低く、かつ、そのバラツキの小さな透明導電膜を基板上に安定して形成できる透明電極用基板の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る透明電極用基板の製造装置は、基板の被成膜表面上に透明導電膜を設けてなる透明電極用基板をスプレー熱分解法を用いて形成する装置であって、前記透明導電膜の原料溶液を前記基板に向けてスプレー状に噴射する吐出手段と、前記基板を載置するとともに、前記基板の被成膜表面温度を制御する温度調整機構と前記基板を吸着する保持機構とを内蔵する支持手段とを、具備したことを特徴としている。
【００１４】
かかる構成によると、支持手段は基板を載置しながら、内蔵する温度調整機構を用いることにより、基板の被成膜表面を透明導電膜の形成に好適な温度まで加熱し、次にその温度を保持しながら所定の膜厚からなる透明導電膜を形成した後、基板温度を室温付近まで冷却するように制御できる。
【００１５】
また、前記支持手段は基板を吸着する保持機構を設けてあるので、温度調整機構により基板の温度が変化した場合でも、基板に反りが生じて被成膜表面内に温度ムラが発生することなく、基板の被成膜表面が常に吐出手段を臨む方向に保持される。その結果、被成膜表面に形成される透明導電膜は、形成時間に依存せず、ほぼ同じ成膜環境が維持された状態で堆積が進むことになる。ゆえに、透明導電膜を構成する結晶粒子の成長にバラツキが生じにくくなり、得られる薄膜の均質化が図られるので、比抵抗が低く、かつ、そのバラツキの小さな透明導電膜の形成が可能となる。
【００１６】
上記保持機構は、排気部、及び、該排気部から前記基板の裏面に当接する位置に配される開口を備えた空洞部からなる構成が好ましい。排気部として気体を吸引可能なポンプを設け、空洞部を排気すると、この空洞部の開口が基板の裏面に当接する位置に配されているので、基板の裏面は開口から吸引された状態になる。このような開口を複数個設けることにより、基板の裏面はその面内の多数点において支持手段に吸着されることになる。従って、上述したように、加熱された状況における基板に発生する反りが抑制され、かつ、基板の被成膜表面内に生じる温度ムラを大幅に低減できる。
【００１７】
前記開口としては、直径が１０ｍｍ以下の円形が好ましい。開口をこれより大きくすると、基板を保持する力は増大するが、基板の裏面を吸着した影響により基板の被成膜表面の温度が低下する恐れがあり芳しくない。逆に、ｄが０．１ｍｍより小さいと吸引が困難となり基板の吸着効果が極めて小さくなる。よって、開口の直径は０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下が好ましい。また、開口の形状は吸引に支障がなければ如何なる形状でも構わないが、円形とすれば基板の裏面が開口から吸引を受ける度合いを面内方向に均一とすることが可能なので、吸着により基板の裏面に働く力の均衡が図れる。このような作用・効果は、前記開口の面積でいうと、０．００５ｍｍ２以上４００ｍｍ２以下の範囲で確認された。この構成によれば、例えば１０ｃｍ角のガラス基板を用いた場合、基板の被成膜表面内に生じる温度ムラを±１０％以内に抑えることができる。
【００１８】
前記開口は前記支持手段に等間隔で設けられる形態が望ましい。基板の裏面に対して開口を等間隔で設けることにより、個々の開口から吸引された際に基板の裏面が受ける影響を、裏面内において周期的に管理することが可能となる。これにより、吸着箇所の偏在に伴い、基板の裏面に対して偏った力が加わるのを抑制できるので、基板の反り発生を一段と低減できる。
【００１９】
前記吐出手段を構成する吐出口の中心と前記基板の被成膜表面の中心とを結ぶ直線を回転軸として、前記支持手段を自転させる回転手段を備える構成とすることにより、吐出口から噴霧された原料溶液が、基板の被成膜表面に対して偏りなく、面内均一に降り注ぐ状態が得られるので、膜厚分布の小さな透明導電膜の形成が可能となるとともに、この自転は基板に発生する歪みを大幅に低減する。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように、本発明に係る透明電極用基板の製造装置は、基板の温度調整機構と保持機構を併設したことにより、基板の被成膜表面は温度ムラと反りが発生しにくくなる。したがって、このような基板の被成膜表面上に形成される透明導電膜はその結晶粒子の成長が面内で均質化が図られ、その結果、比抵抗が低く、かつ、そのバラツキの小さな透明導電膜の形成を可能とする。ゆえに、本発明は、優れた平坦性と比抵抗の均一性を有する透明導電膜を備えてなる透明電極用基板を安定して形成できる透明電極用基板の製造装置の提供を可能とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、実施の形態に基づいて本発明を詳しく説明する。
図１は、本発明に係る透明電極用基板の製造装置の一例を示す模式的な断面図であり、基板１１の被成膜表面１１ａ上に透明導電膜１２を設けてなる透明電極用基板１０をスプレー熱分解法を用いて形成する装置１である。
【００２２】
この装置１は、透明導電膜１２の原料溶液を基板１１に向けてスプレー状に噴射する吐出手段３０と、基板１１を載置するとともに、基板１１の温度を制御する、すなわち加熱・保持・冷却機能を備えた温度調整機構２１と、基板１１の横ズレや波打あるいは反りを防ぐため基板１１を吸着する保持機構２２を有する支持手段２０とを具備している。
【００２３】
例えば、透明導電膜１２の原料溶液はその供給系３２を通して吐出手段３０へ導入され、吐出手段３０の内部で所定の圧力に調整された後、基板１１の被成膜面１１ａに向けて吐出口３１から噴射（噴霧）される。ここで、放射状空間４１は、吐出口３１から基板１１に向けて噴霧された状態を表している。
【００２４】
保持機構２２は、支持手段２０に外付けされた排気部２３と、この排気部に一端が連通し他端が基板１１の裏面に当接する位置に開口２５をなす空洞部２４から構成されており、排気部２３が空洞部２４を吸引することにより、基板１１の裏面を支持手段２０の開口２５を設けた面に吸着する。これにより、基板１１の裏面は常に、支持手段２０の開口２５を設けた面に沿って、その平坦性を維持したまま温度調整機構２１により熱処理が行われる。ゆえに、熱的な影響により、基板１１がその面内方向に横ズレしたり、波打ち状態になったり、あるいは反りが発生するという不具合が解消されるので、基板１１のサイズや材料に依存せず、平坦性の高い透明導電膜１２を安定して作製できる。
【００２５】
図２は、図１の製造装置を構成する支持手段の模式的な断面図であり、特に開口の大きさと開口間の距離とを説明する図である。図２において、ｄは円形からなる開口２５の口径を、ｔは隣り合う位置にある開口２５間の距離を表している。
開口２５の形状は吸引に支障がなければ如何なる形状でも構わないが、開口２５を円形とすれば、基板１１の裏面が開口２５から吸引された際に、基板１１の裏面がその影響を受ける度合いを面内方向に均一にできる。その結果、吸着された際に、開口２５から基板１１の裏面に働く力は均衡がとれる状態が保たれるので、開口２５の形状は円形が好ましい。
【００２６】
開口２５の口径ｄは大きければ大きいほど基板１１を保持する力は増大するが、口径があまりにも大きすぎると、基板１１の裏面を吸着した影響により基板１１の被成膜面１１ａの温度が低下する恐れがある。具体的には、ｄが１０ｍｍを越えると基板１１の裏面を吸引する面積が大きくなり、熱処理された基板１１の温度に影響を与えるので芳しくない。一方、ｄが０．１ｍｍより小さいと吸引が困難となり、基板を吸着する効果が殆ど期待できない。したがって、開口２５の口径ｄは０．１ｍｍ以上１０ｍｍの範囲が好ましい。
【００２７】
また、上記開口２５を支持手段２０に等間隔で設けると、基板の裏面に対して開口が等間隔で存在することになる。開口２５をこのように配置すると、個々の開口２５から吸引された際に基板１１の裏面が受ける影響を、裏面内において周期的に管理できる。すなわち、基板１１の裏面に対して開口２５が均等に離れて配置されているので、吸着箇所が偏在することが無いので、基板１１の裏面に対して偏った力が加わることが殆ど無くなるので、基板１１における横ズレや波打ち、反りの発生を一段と低減できる。
【００２８】
図３は、本発明に係る透明電極用基板の製造装置の他の一例を示す模式的な断面図であり、支持手段を自転させる回転手段を設けた場合である。
図３は、吐出手段３０を構成する吐出口３１の中心と基板１１の被成膜面の中心とを結ぶ直線（一点鎖線Ａ）を回転軸として、支持手段２０を例えば図中のα方向に自転させる回転手段６０を備えた状態を表している。この回転手段６０を用いて支持手段２０を回転させると、吐出口３１から噴霧された原料溶液が、基板１１の被成膜面１１ａに対して偏りなく、面内均一に降り注ぐ状態で成膜が行われる。ゆえに、吐出口３１から噴出された原料溶液が基板１１の被成膜面へ到達する量や分布が局所的に偏る現象が解消されるので、基板１１の被成膜面に形成される膜の厚さの均一化をより一層改善する。また、基板を載せた支持手段の自転は、基板に発生する歪みを抑えることから、平坦性に優れた透明電極用基板の製造に寄与する。
【００２９】
以上説明したように、本発明は、比抵抗が低く、かつ、そのバラツキの小さな透明導電膜を基板上に安定して形成できる透明電極用基板の製造装置をもたらす。
【実施例】
【００３０】
本例では、本発明に係る透明電極用基板の製造装置を用い、透明導電膜としてＦＴＯ膜を形成した場合について詳述する。
ＦＴＯ膜作製用の原料溶液としては、塩化スズ五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ、Ｆｗ：３５０．６０）４．２０６ｇをエタノール６０ｍｌに溶解させ、さらにフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ、 Ｆｗ：３７．０４）３．５５２ｇを飽和水溶液にしたものを加えて超音波洗浄器に約２０分かけて完全に溶解させたものを用いた。
【００３１】
（実施例１）
図１に示す基板の温度調整機構と前記基板の保持機構とを内蔵する支持手段を備えた透明電極用基板の製造装置を用いて、透明導電膜としてＦＴＯ膜を基板上に形成した（以下、試料Ａと呼ぶ）。
基板１１としては、ソーダライムガラス（１０ｃｍ角、板厚１．１ｍｍ）を用い、この基板１１を温度調整機構２１で加熱し、４００℃に被成膜表面の温度を保持した基板１１上に、吐出口３１から原料溶液を基板１１の被成膜面１１ａに向けて噴霧することにより成膜を行った。ＦＴＯ膜（膜厚８００ｎｍ）を形成した後、温度調整機構２１で基板１１を室温付近まで冷却した。
【００３２】
本例では、真空ポンプからなる排気部２３を用い、支持手段２０の空洞部２４から空気を排出することにより、基板１１の裏面を支持手段２０の開口２５を設けた面に吸着しながら、上述した一連のプロセスを行った。その際、開口２５としては直径ｄが１ｍｍの円形をなすものを用い、開口同士の間隔ｔが１０ｍｍとなるように均等に配置した。表１に他の設定条件も含めて纏めて示す。
【００３３】
【表１】
2005085700.tif 000003
【００３４】
（比較例１）
基板１１の裏面を支持手段２０の開口２５を設けた面に吸着しなかった点の他は実施例１と同様として、ＦＴＯ膜を基板上に形成した（以下、試料Ｂと呼ぶ）。
【００３５】
表２は、上述した実施例１および比較例１において作製された各ＦＴＯ膜の評価結果である。ここで、抵抗値［Ω／□］とは得られたＦＴＯ膜のシート抵抗の平均であり、括弧内の数値はそのバラツキを表す。成膜温度［℃］とは、ＦＴＯ膜を形成する際の基板の被成膜表面の平均温度であり、括弧内の数値はそのバラツキを表す。歪みとは、成膜前後における基板の歪み量の差分を表す。
【００３６】
【表２】
2005085700.tif 000004
【００３７】
表２から、以下の点が明らかとなった。
（１ａ）支持手段にｄ＝１ｍｍという小さな開口を等間隔に設け、この開口を通じて基板の裏面を吸引し、裏面を支持手段に吸着させた状態でＦＴＯ膜を形成すると、試料Ｂに比べて試料ＡのＦＴＯ膜は抵抗値の平均が２［Ω／□］減少するとともに、そのバラツキを１／４以下に抑えることができる。
（１ｂ）成膜温度の平均は変わらないが、そのバラツキは試料Ａの方が試料Ｂに比べて半減する。
（１ｃ）試料Ｂに比べて試料Ａの歪みは１／１０以下に抑えられる。
【００３８】
以上の結果より、等間隔に小さな開口を設け、この開口を通じて基板の裏面を吸引し、裏面を支持手段に吸着させた状態でＦＴＯ膜を形成すると、抵抗値が低く、面内の抵抗値分布も極めて小さいＦＴＯ膜が得られ、その際、基板の歪みが殆ど発生しないことが分かった。
【００３９】
（実施例２）
開口２５の直径ｄを０．０５ｍｍ〜１５ｍｍの範囲で変えた支持手段２０を用いた他は実施例１と同様として、ＦＴＯ膜を基板上に形成した（以下、直径ｄを０．０５ｍｍ、０．１ｍｍ、１ｍｍ、５ｍｍ、１０ｍｍ、１５ｍｍとした場合の試料をそれぞれ、試料Ｃ１〜Ｃ６と呼ぶ）。なお、試料Ｃ３は上記実施例１で作製した試料Ａに相当する。
表３は、本例において作製された各ＦＴＯ膜の評価結果である。表３における抵抗値［Ω／□］、成膜温度［℃］および歪みは、表２と同じ評価項目を表す。
【００４０】
【表３】
2005085700.tif 000005
【００４１】
表３から、以下の点が明らかとなった。
（２ａ）支持手段に設ける開口の直径ｄを０．０５ｍｍとすると、基板を吸着する効果は殆ど発揮されず、開口を設けなかった比較例１とほぼ同じ結果、すなわち抵抗値は減少せず、基板に大きな歪みが発生する。
（２ｂ）支持手段に設ける開口の直径ｄを１５ｍｍとすると、基板は確実に吸着されるが、その吸引効果が高すぎて、成膜温度のバラツキが大きくなり、その結果、抵抗値のバラツキを大幅に増大させてしまう。
（２ｃ）支持手段に設ける開口の直径ｄを０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下とした場合は、実施例１の結果とほぼ同等の効果が得られる。すなわち、ＦＴＯ膜は抵抗値の平均が２［Ω／□］減少するとともに、そのバラツキが半減以下となり、成膜温度のバラツキも小さい。そして、基板の歪みは１／５以下に抑えされる。
【００４２】
以上の結果より、支持手段に等間隔に開口を設け、この開口を通じて基板の裏面を吸引し、裏面を支持手段に吸着させた状態でＦＴＯ膜を形成する場合には、開口の直径ｄを０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下とすればよいことが分かった。
【００４３】
（比較例２）
開口同士の間隔ｔが均等とならないように、間隔ｔが２ｍｍ〜２０ｍｍの範囲には収まるが不均一に開口が配された状態の支持手段２０を用いた他は実施例１と同様として、ＦＴＯ膜を基板上に形成した（以下、試料Ｄと呼ぶ）。
表４は、本例において作製された各ＦＴＯ膜の評価結果である。表３における抵抗値［Ω／□］、成膜温度［℃］および歪みは、表２と同じ評価項目を表す。なお、比較のために実施例１（試料名Ａ）と比較例１（試料名Ｂ）の結果も併せて掲載した。
【００４４】
【表４】
2005085700.tif 000006
【００４５】
表４から、以下の点が明らかとなった。
（３ａ）支持手段に設ける開口の間隔ｔを不均一にすると、基板を吸着する効果は殆ど発揮されない。抵抗値の平均は減少するが、その他は開口を設けなかった比較例１とほぼ同じ結果、すなわち抵抗値のバラツキは減少せず、成膜温度のバラツキも大きく、基板に大きな歪みが発生する。
以上の結果より、支持手段に同じ直径ｄを有する開口を設けても、この開口の間隔ｔを不均一にすると、成膜温度のバラツキは改善されないので、基板に大きな歪みが発生することから、支持手段に開口を設ける際はその間隔を均一にすることが必要であることが分かった。
【００４６】
（実施例３）
図３に示す回転手段６０を用いて、吐出手段３０を構成する吐出口３１の中心と基板１１の被成膜面の中心とを結ぶ直線（一点鎖線Ａ）を回転軸として、基板１１を載置した支持手段２０を図中のα方向に１回転／分の速度で自転させながらＦＴＯ膜を形成した（以下、本例で作製した試料を試料Ｅと呼ぶ）。他の点は、実施例１と同様にした。
表５は、本例において作製されたＦＴＯ膜の評価結果である。表５における抵抗値［Ω／□］、成膜温度［℃］および歪みは、表２と同じ評価項目を表す。なお、比較のために実施例１（試料名Ａ）の結果も併せて掲載した。
【００４７】
【表５】
2005085700.tif 000007
【００４８】
表５から、以下の点が明らかとなった。
（４ａ）基板を載せた支持手段を自転させると、基板を吸着する効果がより向上し、抵抗値のバラツキが一段と減少し、成膜温度のバラツキも小さくなる。また、基板に生じる歪みもより一層低減する。
以上の結果より、基板を支持手段に吸着させながら、成膜時に基板を載せた支持手段を自転させることにより、抵抗値が低く、そのバラツキも極めて小さなＦＴＯ膜が得られる。これに加えて、基板の歪みを０．１ｍｍより低く抑えられることから、低抵抗でかつ平坦性に優れた透明電極用基板が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明によれば、優れた平坦性と比抵抗の均一性を有する透明導電膜を備えてなる透明電極用基板を安定して形成できる透明電極用基板の製造装置を提供することができる。本発明に係る製造装置は、デバイスの大面積化や製造コストの削減が強く求められている液晶表示素子や太陽電池に代表される光電変換素子などにおいて、透明電極として機能する透明導電膜の作製に貢献するものである。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明に係る透明電極用基板の製造装置の一例を示す断面図である。
【図２】図１の製造装置を構成する支持手段において開口の大きさと開口間の距離との関係を説明する図である。
【図３】本発明に係る透明電極用基板の製造装置の他の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  製造装置、１０  透明電極用基板、１１  基板、１２  透明導電膜、２０  支持手段、２１  温度調整機構、２２  保持機構、２３  排気部、２４  空洞部、２５  開口、３０  吐出手段、３１  吐出口、３２  供給系、４１  放射状空間、６０  回転手段。
【図１】
2005085700.tif 000008
【図２】
2005085700.tif 000009
【図３】
2005085700.tif 000010