(57)【要約】【課題】  明室でのコントラストが向上できるディスプレイフィルター、これを備えたあるディスプレイ装置及びディスプレイフィルターの製造方法を提供する。【解決手段】  フィルターベース２００と、フィルターベース２００の一面に形成され、フィルターベース２００と対向するパネルアセンブリから発生する可視光線を集束する複数のマイクロレンズ２３１で構成された光集束部２３０と、フィルターベース２００内または他面に形成された光触媒を備えた感光性透明樹脂層２２１、及び感光性透明樹脂層２２１の他面側で、光集束部２３０により可視光線が集束される部分を除外した部分に対応する位置に形成されて、外光がパネルアセンブリの内部に流入されることを防止し、パネルアセンブリから発生する電磁波を遮蔽する外光及び電磁波遮蔽パターン２２３を具備した外光及び電磁波遮蔽部２２０と、を備えたディスプレイフィルター。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルターベースと、
前記フィルターベースの一面に形成され、前記フィルターベースと対向するパネルアセンブリから発生する可視光線を集束する複数のマイクロレンズで構成された光集束部と、
前記フィルターベース内または前記フィルターベースの他面に形成された光触媒を備えた感光性透明樹脂層、及び前記感光性透明樹脂層の表面に沿い、かつ、前記光集束部により前記可視光線が集束される部分を除外した部分に対応する位置に形成されて、外光が前記パネルアセンブリの内部に流入されることを防止し、前記パネルアセンブリから発生する電磁波を遮蔽する外光及び電磁波遮蔽パターンを具備した外光及び電磁波遮蔽部と、を備えることを特徴とするディスプレイフィルター。
【請求項２】
前記フィルターベースが単層構造の場合に、
前記外光及び電磁波遮蔽部は、前記フィルターベースの全面に形成された前記感光性透明樹脂層と、前記感光性透明樹脂層の表面に沿って形成された無電解メッキ核パターンと、前記無電解メッキ核パターンの表面に沿って形成された前記外光及び電磁波遮蔽パターンと、を備えることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイフィルター。
【請求項３】
前記フィルターベースが複層構造の場合に、
前記外光及び電磁波遮蔽部は前記フィルターベースの一の層の全面に形成される前記感光性透明樹脂層と、前記感光性透明樹脂層の表面に沿って形成された無電解メッキ核パターンと、前記無電解メッキ核パターンの表面に沿って形成された前記外光及び電磁波遮蔽パターンを備えることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイフィルター。
【請求項４】
前記外光及び電磁波遮蔽パターンは、ストライプ状またはメッシュ状であることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイフィルター。
【請求項５】
前記感光性透明樹脂層は、ネガティブタイプまたはポジティブタイプの光触媒を備えることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイフィルター。
【請求項６】
前記ネガティブタイプの光触媒は、ＴｉＯ2、またはＴｉＯ2前駆体であることを特徴とする請求項５に記載のディスプレイフィルター。
【請求項７】
前記ポジティブタイプの光触媒は、ＳｎＣｌ2であることを特徴とする請求項５に記載のディスプレイフィルター。
【請求項８】
前記無電解メッキ核パターンは、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔまたはそれらの組合わせから形成されることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のディスプレイフィルター。
【請求項９】
前記外光及び電磁波遮蔽パターンは、金属、金属酸化物または金属硫化物であることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイフィルター。
【請求項１０】
前記金属酸化物は、酸化インジウム、酸化クロム、酸化スズ、酸化銀、酸化コバルト、酸化水銀または酸化イリジウムであることを特徴とする請求項９に記載のディスプレイフィルター。
【請求項１１】
前記金属硫化物は、硫化クロム、硫化パラジウム、硫化ニッケル、硫化銅、硫化コバルト、硫化鉄、硫化タンタルまたは硫化チタンであることを特徴とする請求項９に記載のディスプレイフィルター。
【請求項１２】
前記外光及び電磁波遮蔽パターンの表面に沿って金属薄膜パターンをさらに備えることを特徴とする請求項２に記載のディスプレイフィルター。
【請求項１３】
前記金属薄膜パターンは、銅、銀、ニッケル、鉄またはクロムなどの電磁波を遮蔽できる程度の導電性を持つもので形成されることを特徴とする請求項１２に記載のディスプレイフィルター。
【請求項１４】
前記外光及び電磁波遮蔽部は、前記フィルターベースの他面に形成され、前記フィルターベースは、反射防止機能、ネオン光を遮蔽する機能、または近赤外線を遮蔽する機能、またはそれらの組合わせた機能を有していることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイフィルター。
【請求項１５】
前記外光及び電磁波遮蔽部は、前記フィルターベース内に形成され、
前記フィルターベースは、
その表面に沿って前記外光及び電磁波遮蔽部が形成されて、反射防止機能を有する層、ネオン光を遮蔽する機能を有する層、近赤外線を遮蔽する機能を有する層またはこれらの機能を複合的に有する層のうち少なくとも１層を有する透明基板を備えることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイフィルター。
【請求項１６】
前記光集束部は、支持体を媒介として前記フィルターベースと結合することを特徴とする請求項１に記載のディスプレイフィルター。
【請求項１７】
請求項１ないし１６のいずれか１項に記載のディスプレイフィルターを備えることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項１８】
フィルターベースを準備するステップと、
前記フィルターベースの一面に、前記フィルターベースと対向するパネルアセンブリから発生する可視光線を集束する複数のマイクロレンズで構成された光集束部を形成するステップと、
前記フィルターベース内または前記フィルターベースの他面に光触媒を備えた感光性透明樹脂層、及び前記感光性透明樹脂層の表面に沿い、かつ、前記光集束部により前記可視光線が集束される部分を除外した部分に対応する位置に形成されて、外光が前記パネルアセンブリ内部に流入されることを防止し、前記パネルアセンブリから発生する電磁波を遮蔽する外光及び電磁波遮蔽パターンを具備した外光及び電磁波遮蔽部を形成するステップと、を備えることを特徴とするディスプレイフィルターの製造方法。
【請求項１９】
前記フィルターベースが単層構造の場合に、
前記外光及び電磁波遮蔽部を形成するステップは、前記フィルターベースの全面に前記感光性透明樹脂層を形成するステップと、前記感光性透明樹脂層の表面に沿って無電解メッキ核パターンを形成するステップと、前記無電解メッキ核パターンの表面に沿って前記外光及び電磁波遮蔽パターンを形成するステップと、を備えることを特徴とする請求項１８に記載のディスプレイフィルターの製造方法。
【請求項２０】
前記フィルターベースが複層構造の場合に、
前記外光及び電磁波遮蔽部を形成するステップは、前記フィルターベースのある一つの層の全面に前記感光性透明樹脂層を形成するステップと、前記感光性透明樹脂層の表面に沿って無電解メッキ核パターンを形成するステップと、前記無電解メッキ核パターンの表面に沿って前記外光及び電磁波遮蔽パターンを形成するステップと、を備えることを特徴とする請求項１８に記載のディスプレイフィルターの製造方法。
【請求項２１】
前記無電解メッキ核パターンを形成するステップの前に、前記感光性透明樹脂層の表面に沿ってに水溶性ポリマー層を形成するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１９または請求項２０に記載のディスプレイフィルターの製造方法。
【請求項２２】
前記水溶性ポリマー層は、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ゼラチン及びそれらの共重合体から形成された群から少なくとも一つの選択された物質から形成されることを特徴とする請求項２１に記載のディスプレイフィルターの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイ装置のフィルター、これを備えたディスプレイ装置及びディスプレイフィルターの製造方法に係り、より詳細には、明室でのコントラストが向上できるディスプレイフィルター、これを備えたディスプレイ装置及びディスプレイフィルターの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現代社会が高度に情報化するにつれて、光エレクトロニクス関連部品及び機器が顕著に進歩して普及されつつある。そのうち、画像を表示するディスプレイ装置は、テレビ装置用、パソコンのモニタ装置用として多く普及している。また、このようなディスプレイ装置は、大型化と同時に薄型化が進んでいる。
【０００３】
既存のディスプレイ装置を代表するＣＲＴに比べて、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）装置は、大型化及び薄型化を同時に満足できて、次世代ディスプレイ装置として注目されている。このようなＰＤＰ装置は、ガス放電現象を使用して画像を表示するものであり、表示容量、輝度、コントラスト、残像、視野角などの各種表示能力が優秀である。そして、ＰＤＰ装置は、他の表示装置より大型化が容易であり、かつ薄型の発光型表示装置であって、今後高品質デジタルテレビとして最も適した特性を持っていると評価されていて、ＣＲＴを代替できるディスプレイ装置として注目されている。
【０００４】
ＰＤＰ装置は、電極に印加される直流または交流電圧によって電極間のガスで放電が発生し、ここで伴われる紫外線の放射によって、蛍光体を励起させて発光する。しかし、ＰＤＰ装置は、その駆動特性上、電磁波及び近赤外線の放出量が多く、かつ蛍光体の表面反射が高いだけでなく、封入ガスであるヘリウム（Ｈｅ）やキセノン（Ｘｅ）から放出されるオレンジ光により、色純度が陰極線管に到達しないという短所がある。したがって、ＰＤＰ装置で発生する電磁波及び近赤外線は、人体に有害な影響を及ぼし、無線電話機やリモコンなどの精密機器の誤動作を誘発することもある。このようなＰＤＰ装置を使用するためには、ＰＤＰ装置から放出される電磁波及び近赤外線の放出を所定値以下に抑制する必要がある。このために、電磁波及び近赤外線を遮蔽すると同時に、反射光を減少させて色純度を向上させるために、電磁波遮蔽、近赤外線遮蔽、光表面反射防止及び／又は色純度改善などの機能を持つＰＤＰフィルターを採用している。
【０００５】
従来のＰＤＰフィルターの場合、電磁波遮蔽性、赤外線遮断性、透明性、隠蔽性及び良好な接着力を持っている電磁波遮蔽性接着フィルムの形態で、特定条件下で流動性を持つ接着剤層と、開口率が５０％以上になるようにマイクロリソグラフィ方法で幾何学的にパターン化されている伝導性金属物質層と、を持っていることを特徴とする。
【０００６】
しかし、従来のＰＤＰフィルターの場合、明室条件では、外部の光がＰＤＰフィルターを通過してパネルアセンブリ内に流入されることを防止できない。したがって、パネルアセンブリに流入された外部の光が、パネルアセンブリ内の放電セルで発生した光と重畳されて明室コントラストが低下し、結局ＰＤＰ装置の画面表示能力が低下してしまう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする技術的課題は、ディスプレイ装置の明室コントラストを向上させることができるディスプレイフィルターを提供することである。
また、本発明が解決しようとする他の技術的課題は、ディスプレイ装置の電磁波遮蔽機能を向上させることができるディスプレイフィルターを提供することである。
また、本発明が解決しようとするさらに他の技術的課題は、このようなディスプレイフィルターを使用したディスプレイ装置を提供することである。
さらに、本発明が解決しようとするさらに他の技術的課題は、このようなディスプレイフィルターを製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記技術的課題を達成するための本発明の一実施形態によるディスプレイフィルターは、フィルターベースと、前記フィルターベースの一面に形成され、前記フィルターベースと対向するパネルアセンブリから発生する可視光線を集束する複数のマイクロレンズで構成された光集束部と、前記フィルターベース内または前記フィルターベースの他面に形成された光触媒を備えた感光性透明樹脂層、及び前記感光性透明樹脂層の表面に沿い、かつ、前記光集束部により前記可視光線が集束される部分を除外した部分に対応する位置に形成されて、外光が前記パネルアセンブリの内部に流入されることを防止し、前記パネルアセンブリから発生する電磁波を遮蔽する外光及び電磁波遮蔽パターンを具備した外光及び電磁波遮蔽部と、を備える。
【０００９】
前記他の技術的課題を達成するための本発明の一実施形態によるディスプレイ装置は、互いに対向配置されるように結合する透明な前面基板及び背面基板と、前記前面基板と背面基板との間に複数の放電セルを区切るように連続的に介在される隔壁と相互直交するように、前記前面基板及び背面基板にそれぞれ形成されたストライプ状電極を含むパネルアセンブリと、前記パネルアセンブリの前面基板と対向配置されたフィルターベース、前記フィルターベースの一面に形成され、前記フィルターベースと対向するパネルアセンブリから発生する可視光線を集束する複数のマイクロレンズで構成された光集束部と、前記フィルターベース内または前記フィルターベースの他面に形成された光触媒を含む感光性透明樹脂層、及び前記感光性透明樹脂層の表面に沿い、かつ、前記光集束部により前記可視光線が集束される部分を除外した部分に対応する位置に形成されて、外光の前記パネルアセンブリの内部への流入を防止し、前記パネルアセンブリから発生する電磁波を遮蔽する外光及び電磁波遮蔽パターンを具備した外光及び電磁波遮蔽部と、を含むディスプレイフィルターを含む。
【００１０】
前記さらに他の技術的課題を達成するための本発明の一実施形態によるディスプレイフィルターの製造方法は、フィルターベースを準備するステップと、前記フィルターベースの一面に、前記フィルターベースと対向するパネルアセンブリから発生する可視光線を集束する複数のマイクロレンズで構成された光集束部を形成するステップと、前記フィルターベース内または前記フィルターベースの他面に光触媒を備えた感光性透明樹脂層、及び前記感光性透明樹脂層の表面に沿い、かつ、前記光集束部により前記可視光線が集束される部分を除外した部分に対応する位置に形成されて、外光が前記パネルアセンブリ内部に流入されることを防止し、前記パネルアセンブリから発生する電磁波を遮蔽する外光及び電磁波遮蔽パターンを具備した外光及び電磁波遮蔽部を形成するステップと、を備えた。
【００１１】
その他の請求項に記載の発明は発明を実施するための最良の形態及び図面に開示されている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のディスプレイフィルター及びこれを使用したディスプレイ装置によれば、次のような効果が一つあるいはそれ以上ある。
第１に、ディスプレイフィルターに、パネルアセンブリ内部への外光の流入を防止する外光及び電磁波遮蔽部を設置して、明室条件でディスプレイ装置のコントラストを向上させる。
第２に、ディスプレイフィルターに前記のような外光及び電磁波遮蔽部を設置して、明室条件でディスプレイ装置のコントラストを向上させると同時に、電磁波遮蔽機能を向上させる。
第３に、ディスプレイフィルターに複数のマイクロレンズで構成された光集束部を設置して、各放電セルで発生した可視光線を集束して出射させることによって光の損失を減らすことができ、その結果、ディスプレイ装置の輝度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の利点及び特徴、そしてこれを達成する方法は添付された図面に基づいて詳細に後述されている実施形態を参照すれば明確になる。しかし、本発明は以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、この実施形態から外れて多様な形に具現でき、本明細書で説明する実施形態は本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で当業者に発明の範疇を完全に報せるために提供されるものである。一方、明細書全体にわたって同一な参照符号は同一な構成要素を示す。
【００１４】
以下、本発明の実施形態によるディスプレイフィルター、ディスプレイ装置及びディスプレイフィルターの製造方法を、図１ないし図９を参照して説明する。本明細書では、ディスプレイフィルター及びディスプレイ装置の一実施形態として、ＰＤＰフィルター及びＰＤＰ装置を例示して説明するが、本発明はこれに限定されず、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＳＥＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）フィルター及びＦＥＤ、ＳＥＤ装置などに適用可能である。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態によるＰＤＰ装置１００を示す分解斜視図である。
【００１６】
本発明の一実施形態によるＰＤＰ装置１００の構造は、図１に示すように、ケース１１０、ケース１１０の開口部（図１において上部）を覆うカバー１５０、ケース１１０内に収容される駆動回路基板１２０、ガス放電現象が起きる放電セルを備えたパネルアセンブリ１３０及びＰＤＰフィルター１４０で構成される。ＰＤＰフィルター１４０は、透明基板面に導電性に優れた材料で形成された導電層が備えられ、この導電層は、カバー１５０を通じてケース１１０に接地される。すなわち、ＰＤＰ装置１００は、パネルアセンブリ１３０から発生した電磁波がユーザに到達する前に、これを、ＰＤＰフィルター１４０の導電層を通じてカバー１５０及びケース１１０に接地させることである。
【００１７】
以下、電磁波、ネオン光、近赤外線などを遮蔽するＰＤＰフィルター１４０をまず説明し、その後、このようなＰＤＰフィルター１４０及びパネルアセンブリ１３０を備えたＰＤＰ装置１００を説明する。
【００１８】
図２は、本発明の一実施形態によるＰＤＰフィルターを示す断面図である。
【００１９】
図２に示すように、本発明の一実施形態によるＰＤＰフィルター１４０は、フィルターベース２００の一面に光集束部２３０を、他面に外光及び電磁波遮蔽部２２０を備える。未説明符号２４０は、光集束部２３０の支持体である。
【００２０】
光集束部２３０は、ＰＤＰフィルター１４０と対向するパネルアセンブリ１３０（図１参照）から発生する可視光線を集束する。したがって、複数のマイクロレンズ２３１で構成される。
【００２１】
外光及び電磁波遮蔽部２２０は、外光のパネルアセンブリ１３０（図１参照）内部への流入を防止し、パネルアセンブリ１３０（図１参照）から発生する電磁波を遮蔽する。
【００２２】
まず、外光及び電磁波遮蔽部２２０を具体的に説明すれば、外光及び電磁波遮蔽部２２０は、ストライプ状またはメッシュ状で構成される。
【００２３】
外光及び電磁波遮蔽部２２０は、感光性透明樹脂層２２１、前記感光性透明樹脂層２２１の表面（図２において上面）に沿って形成された無電解メッキ核パターン２２２、及び前記無電解メッキ核パターン２２２の表面（図２において上面）に沿って形成された外光及び電磁波遮蔽パターン２２３を備える。
【００２４】
感光性透明樹脂層２２１は、光触媒を備えた高分子から形成される。感光性透明樹脂層２２１に使われる高分子としては、ビニルアルコール系樹脂、アクリル系樹脂、セルロース系樹脂などが適当である。例えば、ビニルアルコール系樹脂としては、エチレン−ビニルアルコール共重合体、酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体などがある。また、アクリル系樹脂としては、ポリアクリルアミド、ポリメチロールアクリルアミドまたはそれらの共重合体などがある。また、セルロース系樹脂としては、ニトロセルロース、アセチルプロピルセルロース、アセチルブチルセルロースなどがある。
【００２５】
また、感光性透明樹脂層２２１に使われる光触媒の種類には、受光側が活性化されて光電子を発生させるネガティブタイプと、受光前には活性化されているが、光により非活性化されるポジティブタイプとがある。ネガティブタイプの光触媒としては、ＴｉＯ2、ＴｉＯ2前駆体などがあり、ポジティブタイプの光触媒としては、ＳｎＣｌ2などがある。このような光触媒を選択する理由については、後述する。
【００２６】
無電解メッキ核パターン２２２は、感光性透明樹脂層２２１中の活性化された電子と反応できる陽イオンを備えた物質を無電解メッキすることによって形成したパターンである。したがって、無電解メッキ核パターン２２２は、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔまたはそれらの組合わせから形成される。
【００２７】
外光及び電磁波遮蔽パターン２２３は、無電解メッキ核パターン２２２の表面に形成され、外光のパネルアセンブリ１３０（図１参照）内部への流入を防止し、パネルアセンブリ１３０（図１参照）から発生する電磁波を遮蔽する。したがって、外光及び電磁波遮蔽パターン２２３は、外光遮蔽及び電磁波遮蔽が同時に可能な物質で形成する。したがって、外光及び電磁波遮蔽パターン２２３は、金属、金属酸化物または金属硫化物から形成できる。前記金属としては、例えば、ニッケル、クロムなどが使用できる。また、金属酸化物としては、例えば、酸化インジウム、酸化クロム、酸化スズ、酸化銀、酸化コバルト、酸化水銀、酸化イリジウムなどが使用できる。さらに、金属硫化物としては、例えば、硫化クロム、硫化パラジウム、硫化ニッケル、硫化銅、硫化コバルト、硫化鉄、硫化タンタル、硫化チタンなどが使用できる。
【００２８】
また、外光及び電磁波遮蔽パターン２２３は、光の反射による視認性阻害と関連して反射率を低める役割を行う。反射率が通常１％ないし５０％以下になるように、外光及び電磁波遮蔽パターン２２３を形成できる。ここで、反射率は、一般的に可視光線領域を持つ波長の光に対する平均的な反射率を意味する。
【００２９】
光集束部２３０は、パネルアセンブリ１３０（図１参照）側の面、すなわち、ＰＤＰフィルター１４０がＰＤＰ装置１００に装着されたときに、ユーザ側と反対側面に形成される。光集束部２３０は、パネルアセンブリ１３０から発生する可視光線を集束する複数のマイクロレンズ２３１をアレイ状（列状や格子状を含む）に配置したものをいう。
【００３０】
ここで、マイクロレンズ２３１は、光を集光できる所定構造を意味する。ＰＤＰフィルター１４０の下部に対向するように位置した放電セル（図示せず）で発生した可視光線が外部に放出される効率を高めるために、各放電セル（図示せず）に相応する位置ごとにマイクロレンズ２３１を配置する。したがって、光集束部２３０は、放電セル（図示せず）から発生する可視光線を集束するので、放電セル（図示せず）から放出されるのと同じ光量を効率的に使用できる。
【００３１】
マイクロレンズの形状は、放電セル（図示せず）から発生する可視光線を効果的に集束するための形状ならば特別に限定されないが、例えば、陽刻形状である。マイクロレンズ２３１は、図２の円で表示された拡大底面斜視図のように、シリンダー型の陽刻形状２３１ａ、凸型（Ｃｏｎｖｅｘ）の陽刻形状２３１ｂ、またはそれらの組合わせから形成された構造（図示せず）を持つことができる。シリンダー型の陽刻形状を持つマイクロレンズ２３１ａは、外光及び電磁波遮蔽パターン２２３がストライプ状である場合に望ましく、凸型の陽刻形状を持つマイクロレンズ２３１ｂは、外光及び電磁波遮蔽パターン２２３がメッシュ状またはストライプ状である場合いずれにも望ましい。一方、マイクロレンズ２３１は、一定の間隔で配列できる。また、光集束部２３０は、例えば、陰刻形状で構成されたマイクロレンズ２３１を具備することもある。
【００３２】
本発明の一実施形態では、光集束部２３０が、フィルターベース２００とその下部に位置するパネルアセンブリ（図示せず）との間に配置されたと図示したが、本発明は、このような位置に限定されず、フィルターベース２００内のいかなる位置にも配置できる。
本発明の一実施形態では、光集束部２３０が、支持体２４０を媒介としてフィルターベース２００と結合されているが、光集束部２３０は、フィルターベース２００の一面に直接接合されることもある。また、支持体２４０と光集束部２３０とは、一体型に形成されることもあり、支持体２４０の厚さは自在に変更できる。
【００３３】
支持体２４０は、光集束部２３０を支持する役割を行うが、これは、紫外線透過性を持つ透明な樹脂フィルムから形成される。例えば、ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙ  Ｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ；ＰＥＴ）、ポリカーボネート（Ｐｏｌｙ  Ｃａｒｂｏｎａｔｅ；ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（Ｐｏｌｙ  Ｖｉｎｙｌ  Ｃａｒｂｏｎａｔｅ；ＰＶＣ）などが使われる。もちろん、支持体２４０として、例えば、ネオン光遮蔽層、近赤外線遮蔽層、反射防止層などを使用することもある。
【００３４】
外光及び電磁波遮蔽部２２０と光集束部２３０の形状及び形成位置は、相互密接な関係を持つ。外光及び電磁波遮蔽部２２０の外光、及び電磁波遮蔽パターン２２３と光集束部２３０との距離によって、光集束部２３０のマイクロレンズ２３１の曲率半径を調節する。そして、可視光線がマイクロレンズ２３１により集束される位置を除外した部分に、外光及び電磁波遮蔽パターン２２３を形成しなければならない。
【００３５】
また、外光及び電磁波遮蔽パターン２２３の面積を調節することによって開口率を調節して、外光の放電セル（図示せず）への流入をさらに効果的に防止できる。外光及び電磁波遮蔽パターン２２３の間隔は、パネルアセンブリ１３０（図１参照）とＰＤＰフィルター１４０との間隔、放電セルの大きさ及び／又はマイクロレンズ２３１の曲率半径及びピッチによって最適化される。
【００３６】
フィルターベース２００は、パネルアセンブリ１３０（図１参照）内で発生する光に対して透明な基板のみで構成できる。もちろん、場合によっては、フィルターベース２００は、透明基板として機能すると同時に、反射防止機能、ネオン光を遮蔽する機能、近赤外線を遮蔽する機能またはそれらの機能を同時に持つことができる。
【００３７】
図３は、本発明の他の実施形態によるＰＤＰフィルターの断面図である。図３に示すように、本発明の他の実施形態によるＰＤＰフィルター１４０は、外光及び電磁波遮蔽部２２０の表面（図３において上面）に金属薄膜パターン４０１をさらに含むという点で、本発明の一実施形態と差がある。
【００３８】
金属薄膜パターン４０１は、さらに効率的な電磁波遮蔽機能を付与するためのものである。したがって、金属薄膜パターン４０１は、十分に電磁波を遮蔽できる程度の導電性を持つ金属ならば特別に限定されず、例えば、銅、銀、ニッケル、鉄、クロムなどが使われる。
【００３９】
また、金属薄膜パターン４０１は、単一成分ではない合金または多層金属薄膜パターンでもよい。また、金属薄膜パターン４０１の厚さは、０．１ないし５０μｍである。金属薄膜パターン４０１の厚さが５０μｍを超える場合にパターンの精密度を低下させ、０．１μｍ未満であれば、電磁波遮蔽効果を得るための最低限の導電性を安定して確保し難い。金属薄膜パターン４０１で使用する金属の種類は、外光及び電磁波遮蔽パターン２２３で使用する金属の種類に関係なく選択できる。
【００４０】
図４は、本発明のさらに他の実施形態によるＰＤＰフィルターの断面図である。図４に示すように、本発明のさらに他の実施形態によるＰＤＰフィルター１４０’は、フィルターベース２００’内に外光及び電磁波遮蔽部２２０が形成されているという点で、本発明の一実施形態と差がある。具体的には、透明基板２１０の表面（図４において上面）にネオン光遮蔽層２５０、近赤外線遮蔽層２６０が積層され、さらに外光及び電磁波遮蔽部２２０が形成された後、反射防止層２７０が積層されて形成される。
【００４１】
また、図５は、フィルターベース２００”内に外光及び電磁波遮蔽部２２０が形成されているＰＤＰフィルターのさらに他の実施形態の断面図である。図５に示すように、本発明のさらに他の実施形態によるＰＤＰフィルター１４０”は、透明基板２１０の表面（図５において上面）に外光及び電磁波遮蔽部２２０が形成され、その表面（図５において上面）にネオン光遮蔽層２５０、近赤外線遮蔽層２６０及び反射防止層２７０が積層されて形成される。
前記のようなネオン光遮蔽層２５０、近赤外線遮蔽層２６０及び反射防止層２７０の積層順序は多様に変形できるが、反射防止層２７０が最も外側（図５において上部）に位置することが望ましい。また、ネオン光遮蔽機能、近赤外線遮蔽機能及び／又は反射防止機能を組合わせた機能を持つ層が積層されることもある。
【００４２】
透明基板２１０は、可視光線透過率が８０％以上である高透明性を持ち、かつ耐熱性及び強度が優秀であれば、その材質が特別に限定されないが、例えば、強化、半強化ガラスまたは石英などの無機化合物、透明な高分子材質から形成できる。透明な高分子材質としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリスルホン（ＰＳ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリスチレン、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリイミド、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などがあるが、これに限定されるものではない。このうち、コスト、耐熱性、透明性の側面で、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を使用できる。この時、透明基板２１０の厚さは、例えば２．０ないし３．５ｍｍである。
【００４３】
ネオン光遮蔽層２５０は、パネルアセンブリ１３０（図１参照）内のプラズマから発生する赤色の可視光線がオレンジ色で現れる傾向、すなわち、オレンジ色を赤色に色補正する役割を行う。パネルアセンブリ１１０内のプラズマから発生する可視光線に対して、近赤外線遮蔽層２６０を経てネオン光遮蔽層２５０で色補正するよりは、ネオン光遮蔽層２５０で先ず色補正することがさらに有利である。したがって、ネオン光遮蔽層２５０を、パネルアセンブリ１３０（図１参照）に近い側に配置することがさらに効率的である。本発明の一実施形態では、近赤外線遮蔽層２６０とネオン光遮蔽層２５０とを分離して説明したが、近赤外線遮蔽機能とネオン光遮蔽機能とをいずれも持っているハイブリッドフィルムを使用することもある。
【００４４】
ネオン光遮蔽層２５０は、ディスプレイの色再現範囲を増加させ、画面の鮮明度を向上させるために不要に放出される５８０ないし６００μｍ領域のオレンジ光を吸収するために、選択吸水性を持つ色素を使用する。このような色素としては、染料あるいは顔料を使用できる。色素の種類は、アントラキノン系、シアニン系、アゾ系、フタロシアニン系、メチン系などのネオン光遮蔽機能を持つ有機色素があるが、本発明は、これに限定されるものではない。色素の種類及び濃度は、色素の吸収波長、吸収係数、ディスプレイで要求される透過特性によって決定されるものであるので、特定数値に限定されて使われない。
【００４５】
近赤外線遮蔽層２６０は、パネルアセンブリ１３０（図１参照）から発生して、無線電話機やリモコンなどの電子機器の誤動作を起こす強力な近赤外線を遮蔽する役割を行う。
【００４６】
反射防止層２７０は、外光の反射を減らして視認性を良くするために形成する。したがって、反射防止層２７０は、主に近赤外線遮蔽層２６０及びネオン光遮蔽層２５０の外側（図５において上部）に形成するが、本発明は、このような積層順序に限定されるものではない。反射防止層２７０は、ＰＤＰフィルター１４０，１４０’，１４０”がＰＤＰ装置１００に装着された時にユーザ側となる面、すなわち、パネルアセンブリ１３０（図１参照）側とは反対側面に形成されることが効率的である。このような反射防止層２７０はもとより、反射防止層２７０を、ＰＤＰフィルター１４０，１４０’，１４０”の主面のうちパネルアセンブリ１３０（図１参照）側となる面にもさらに形成することによって、ＰＤＰフィルター１４０，１４０’，１４０”の外光反射をさらに減らすことができる。また、反射防止層２７０を形成してＰＤＰフィルター１４０，１４０’，１４０”の外光反射を減らすことによって、パネルアセンブリ１３０（図１参照）からの可視光線透過率を向上させることができる。このような反射防止層２７０を形成するために、基材に反射防止機能を持つ膜を塗布、印刷、または従来公知の各種膜形成法により形成できる。また、反射防止機能を持つ膜が形成された透明成形物、または反射防止機能を持つ透明成形物を、任意の透明な粘着剤または接着剤を介在して付着することによって形成できる。
【００４７】
反射防止層２７０として、具体的には、可視領域において屈折率が１．５以下、望ましくは１．４以下で低いフッ素系透明高分子樹脂やフッ化マグネシウム、シリコン系樹脂や酸化ケイ素の薄膜などを例として、１／４波長の光学膜厚さによって単一層として形成したものを使用できる。そして、反射防止層２７０として、屈折率の異なる金属酸化物、フッ化物、硅化物、ホウ化物、炭化物、窒化物、硫化物などの無機化合物またはシリコン系樹脂やアクリル樹脂、フッ素系樹脂などの有機化合物の薄膜を２層以上多層積層したものを使用できる。
【００４８】
反射防止層２７０を単一層として形成すれば製造が容易であるが、多層積層に比べて反射防止能が低い。一方、多層積層したものは、広い波長領域にわたって反射防止能を有する。例えば、多層積層された反射防止層２７０として、ＳｉＯ2のような低屈折率酸化膜と、ＴｉＯ2またはＮｂ2Ｏ5のような高屈折率酸化膜を交互に積層した構造を使用することもある。
【００４９】
図５に示すような本発明のさらに他の実施形態のＰＤＰフィルター１４０”では、外光及び電磁波遮蔽部２２０と光集束部２３０との距離が近づくにつれて、光集束部２３０のマイクロレンズ２３１の曲率半径を小さく調節できる。また、光集束部２３０が、支持体２４０により透明基板２１０に付着されているが、透明基板２１０面に直接光集束部２３０を形成することもある。
【００５０】
以上、図面を参照して本発明の多様な実施形態によるＰＤＰフィルターを説明したが、本発明はこれに限定されず、前述した実施形態の多様な組合わせが可能であり、当業者により他の具体的な形態に変形実施されることができる。
【００５１】
以下、本発明の実施形態によるＰＤＰフィルターを構成する外光及び電磁波遮蔽部２２０を製造する工程を、図２に示すような本発明の他の実施形態によるＰＤＰフィルター１４０を例示して説明する。図６（ａ）〜（ｃ）および図７（ａ）〜（ｃ）は、各ステップ別工程の中間ステップ構造物の断面図である。
【００５２】
まず、感光性透明樹脂層２２１を形成する。
具体的には、図６（ａ）に示すように、フィルターベース２００の全面に感光性透明樹脂層２２１を形成する。
【００５３】
感光性透明樹脂層２２１は、光触媒を備えた高分子から形成された物質で形成する。感光性透明樹脂層２２１に使われる高分子としては、ビニルアルコール系樹脂、アクリル系樹脂、セルロース系樹脂などが適当である。例えば、ビニルアルコール系樹脂としては、エチレン−ビニルアルコール共重合体、酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体などが望ましい。
【００５４】
また、アクリル系樹脂としては、ポリアクリルアミド、ポリメチロールアクリルアミドまたはこのような共重合体などがある。また、セルロース系樹脂としては、ニトロセルロース、アセチルプロピルセルロース、アセチルブチルセルロースなどがある。また、本発明の感光性透明樹脂層２２１に使われる光触媒の種類には、ネガティブタイプまたはポジティブタイプがあるが、ネガティブタイプの光触媒としては、ＴｉＯ2、ＴｉＯ2前駆体などがあり、ポジティブタイプの光触媒としては、ＳｎＣｌ2などがある。
【００５５】
感光性透明樹脂層２２１に、例えば、ＴｉＯ2、ＴｉＯ2前駆体またはＳｎＣｌ2などの光触媒を使用する理由は、後述するように、マスクによる感光性透明樹脂層２２１の特定領域のみの選択的な露光の際に、その特定領域のみに対する光触媒の活性化または非活性化の選択性が非常に優れるためである。したがって、感光性透明樹脂層２２１の特定領域のみに無電核メッキパターンの形成が可能であり、結局所望の領域にのみ外光及び電磁波遮蔽パターンの形成を可能にする。
【００５６】
感光性透明樹脂層２２１に、光触媒として、例えば、ＴｉＯ2前駆体を使用する場合、ＴｉＯ2前駆体をブタノールやプロパノールに適正な割合で希釈して、高分子と混合して使用できる。通常は、２０％以内の範囲で希釈して使用する。光触媒は、汎用で販売される製品を使用することができ、代表的な製品としては、デュポン社のＴｙｚｏｒ（登録商標）がある。
【００５７】
感光性透明樹脂層２２１は、スピンコーティング、ロールコーティング、ディッピングまたはバーコーティングを使用して透明基板２１０の表面に塗布できる。感光性透明樹脂層２２１を塗布する方法の一実施形態として、スピンコーティングによる場合、通常１０００ないし３０００ｒｐｍで回転するスピンコーターで塗布できる。
感光性透明樹脂層２２１の厚さは、ＵＶ照射時間及び光波長によって変わり、各条件で最適化することが重要である。
【００５８】
次いで、水溶性ポリマー層３０１を形成する。
水溶性ポリマー層３０１は、図６（ｂ）に示すように、感光性透明樹脂層２２１の表面（図６（ｂ）における上部）に形成する。水溶性ポリマーとは、水溶液により除去できるフォトレジストを意味する。このような水溶性ポリマーとして、ポリビニルアルコール（Ｐｏｌｙ Ｖｉｎｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ；ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ゼラチン及びそれらの共重合体から形成された群から少なくとも一つを選択して使用できるが、これに限定されるものではない。
【００５９】
光触媒は、後述する露光工程により電子活性化領域または非活性化領域をそのタイプに応じて形成するが、水溶性ポリマーにより、感光性透明樹脂層２２１で光電子がさらに活性化されるため、電子活性化領域または非活性化領域の生成が容易となる。なお、前記のような水溶性ポリマー層の形成ステップは、選択的なステップであって、省略もできる。
【００６０】
次いで、露光工程を実施する。
図６（ｃ）及び図７（ａ）に示すように、外光及び電磁波遮蔽パターン２２３が形成される領域を設定した後、ストライプ状またはメッシュ状の設定箇所に応じて形成されたマスクを通じた紫外線の照射により、水溶性ポリマー層３０１と感光性透明樹脂層２２１との所定領域を露光する。
【００６１】
光触媒としてネガティブタイプを使用した場合には、図６（ｃ）に示すように、パターンを形成しようとする領域を露光（ＥＲ）して、光触媒を活性化させる。光触媒としてポジティブタイプを使用する場合には、図７（ａ）に示すように、パターンを形成しようとする領域以外の領域を露光して、非露光部の光触媒が活性を維持できるようにする。活性化された光触媒は、光電子を形成する。この時、水溶性ポリマー層３０１は、光触媒の活性領域で光電子がさらに活性化され、さらに容易に生成されるように手伝う。この光電子は、基底状態から活性化された状態に遷移されたものであり、他の陽電荷と容易に結合できる状態となる。紫外線照射のために広域波長を持つランプが使われることもあるが、ｉ線でもｇ線などの短波長ランプが主に使われる。
【００６２】
以下では、光触媒としてネガティブタイプを使用して露光工程を実施した場合についてのみ説明する。
【００６３】
次いで、無電解メッキ核パターン２２２を形成する。
露光された感光性透明樹脂層２２１及び水溶性ポリマー層３０１を備えた透明基板２１０を、無電解メッキ容触媒水溶液に浸漬する。無電解メッキ容触媒水溶液は、陽電荷を発生できる金属水溶液であり、前記のような基板を浸漬させれば、紫外線照射によって形成された光電子が無電解メッキ容触媒水溶液内の陽電荷と結合して、還元反応が起きる。そして、還元反応を通じて、感光性透明樹脂層２２１のうち光電子が活性化された領域にのみ陽電荷金属が吸着して、図７（ｂ）に示すように、無電解メッキ核パターン２２２が形成される。この時、水溶性ポリマー層３０１は、無電解メッキ容触媒水溶液中に溶解され除去される。この無電解メッキ容触媒水溶液としては、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔまたはそれらの組合わせを備えた塩化物水溶液が使われる。
【００６４】
このように無電解メッキ容触媒水溶液を備えたものを使用して、無電解メッキ核パターン２２２を形成すれば、感光性透明樹脂層２２１の露光領域に該当する箇所にのみ無電開メッキがなされるために、感光性透明樹脂層２２１の非露光領域では、所望する透明性を十分に確保できる。
【００６５】
次いで、外光及び電磁波遮蔽パターン２２３を形成する。
具体的には、図７（ｃ）に示すように、無電解メッキ核パターン２２２の表面（図７（ｃ）における上面）に、金属または金属硫化物から形成される無電解メッキパターンである外光及び電磁波遮蔽パターン２２３を形成する。外光及び電磁波遮蔽パターン２２３は、蒸着法、スパッタリング法、イオンメッキ法等で形成できるが、電解メッキや無電解メッキでも十分に可能である。
【００６６】
ここで、外光及び電磁波遮蔽パターン２２３は、真空成膜法（蒸着法、スパッタリング法、イオンメッキ法等）によって形成すれば、密着強度及び耐久性が向上するが、工程の単純化のためには無電解メッキ法が最も適しており、一例として無電解メッキ法を採用した。外光及び電磁波遮蔽パターン２２３は、光の反射による視認性の低下を防止することを目的として、反射率を低下させる役割を担うものであり、反射率が通常１％ないし５０％以下になるように形成されることが望ましい。ここで、外光及び電磁波遮蔽パターン２２３の反射率は、一般的に４００ないし６００ｎｍの波長の光に対する平均的な反射率により設定されるが、特に反射率に対する波長の指定がない場合は、５５０ｎｍの波長の光に対する反射率により外光及び電磁波遮蔽パターン２２３を形成してもよい。
【００６７】
最後に、金属薄膜パターン４０１を形成する。
具体的には、図７（ｃ）に示すように、外光及び電磁波遮蔽パターン２２３に対してさらに効率的な電磁波遮蔽機能を付与するために、外光及び電磁波遮蔽パターン２２３表面（図７（ｃ）における上面）に導電性金属薄膜パターン４０１を形成する。
【００６８】
金属薄膜パターン４０１としては、銅、銀、ニッケル、鉄、クロムなど十分に電磁波を遮蔽できる程度の導電性を持つ物質を使用する。また、金属薄膜パターン４０１は、単一成分ではない合金または多層金属薄膜パターンでもよい。金属薄膜パターン４０１の形成方法には、蒸着、スパッタリング、イオンメッキなどの気相から析出させた方法、金属箔を重ねて塗る方法、無電解または電解メッキする方法などがある。
【００６９】
また、金属薄膜パターン４０１の厚さは、０．１ないし５０μｍとすることが望ましい。これは、金属薄膜パターン４０１の厚さが５０μｍを超える場合、パターンの精密度を低下させ、０．１μｍ未満であれば、電磁波遮蔽効果を得るための最低限の導電性を確保し難いためである。なお、金属薄膜パターン４０１で使用する金属の種類は、外光及び電磁波遮蔽パターン２２３で使用する金属の種類に関係なく選択できる。
【００７０】
前記のような工程により製造された外光及び電磁波遮蔽部２２０の感光性透明樹脂層２２１は、フィルターベース２００の全面に形成されたままで維持される。
【００７１】
一方、本発明の実施形態によるＰＤＰフィルター１４０の光集束部２３０は、次のような工程により製造される。まず、支持体２４０の一面に紫外線硬化性樹脂を塗布した後、マイクロレンズ２３１の完成形状に対応する形状が形成されているレンズ成形用ロール（図示せず）間に、この支持体２４０を通過させる。これにより、支持体２４０の一面に塗布された紫外線硬化性樹脂に、レンズ成形用ロール（図示せず）の形状が転写される。その後、この紫外線硬化性樹脂に紫外線を照射して硬化させることで、最終的に紫外線硬化性樹脂は光集束部２３０に成形される。なお、本発明は、前記のような光集束部２３０の成形方法に限定されるものではない。また、このような紫外線硬化性樹脂が、近赤外線遮蔽機能、ネオン光遮蔽機能またはそれらの組合わせ機能を有していれば、光集束部２３０は、付加的にこのような機能を発揮することが可能である。光集束部２３０が形成された支持体２４０をフィルターベース２００に付着することによって、ＰＤＰフィルター１４０の光集束部２３０の形成を完成する。支持体２４０をフィルターベース２００への付着には、透明な粘着剤または接着剤を使用する。具体的な材料として、アクリル系接着剤、シリコン系接着剤、ウレタン系接着剤、ポリビニルブチラル接着剤（ＰＭＢ）、エチレン−アセト酸ビニル系接着剤（ＥＶＡ）、ポリビニルエーテル、飽和無定形ポリエステル、メラミン樹脂などを挙げられる。
【００７２】
以上、本発明の一実施形態によるＰＤＰフィルター１４０を説明した。以下、かかるＰＤＰフィルター１４０を使用したＰＤＰ装置１００を説明する。
【００７３】
図８は、本発明の一実施形態によるＰＤＰ装置１００を示した斜視図である。図９は、図８のＢ−Ｂ’線の断面図である。
【００７４】
図８及び図９に示すように、本発明の一実施形態によるＰＤＰ装置１００は、ＰＤＰフィルター１４０及びパネルアセンブリ１３０を備えている。ＰＤＰフィルター１４０は、前記言及したものと同一であるため、詳細な説明は省略する。以下、パネルアセンブリ１３０について詳細に説明する。
【００７５】
図８に示すように、前面基板７１１の表面（図８において下面）には複数の維持電極７１２がストライプ状に配置されている。各維持電極７１２には、信号遅延を減らすためにバス電極７１３が形成されている。維持電極７１２が配置された面（図８において下面）には、全体を覆うように誘電体層７１４が形成されている。また、誘電体層７１４の表面（図８において下面）には、誘電体保護膜７１５が形成されている。なお、誘電体保護膜７１５は、スパッタリング法などを使用して、例えば、誘電体層７１４の表面をＭｇＯの薄膜で覆うことによって形成できる。
【００７６】
一方、背面基板７２１の前記前面基板７１１と対向する面には、複数のアドレス電極７２２がストライプ状に配置されている。アドレス電極７２２の配置方向は、前面基板７１１と背面基板７２１とを対向配置する時に維持電極７１２と交差する方向である。アドレス電極７２２が配置された面（図８において上面）には、全体を覆うように誘電体層７２３が形成されている。また、誘電体層７２３の表面（図８において上面）には、アドレス電極７２２と平行しつつ前面基板７１１側に向かった複数の隔壁７２４が突設されている。隔壁７２４は、隣接するアドレス電極７２２とアドレス電極７２２との間の領域に配置されている。
【００７７】
隣接する隔壁７２４と隔壁７２４及び誘電体層７２３で形成される溝部分の側面には、蛍光体層７２５が配置されている。蛍光体層７２５は、隔壁７２４で区切られる溝部分ごとに、赤色蛍光体層７２５Ｒ、緑色蛍光体層７２５Ｇ、青色蛍光体層７２５Ｂが配置されている。それら蛍光体層７２５は、スクリーン印刷法、インクジェット法またはフォトレジストフィルム法などの厚膜形成法を使用して形成された蛍光体粒子群から形成される層である。このような蛍光体層７２５の材質としては、例えば、赤色蛍光体として（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕ、緑色蛍光体としてＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、青色蛍光体としてＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕを使用できる。
【００７８】
このような構造を持つ前面基板７１１と背面基板７２１とを対向配置した時に、前記溝部分と誘電体保護膜７１５とで形成される放電セル７２６には放電ガスが封入されている。すなわち、放電セル７２６は、パネルアセンブリ１３０では、前面基板７１１と背面基板７２１間の維持電極７１２とアドレス電極７２２とが交差するそれぞれの部分に形成される。放電ガスとしては、例えば、Ｎｅ−Ｘｅ系ガス、Ｈｅ−Ｘｅ系ガスなどを使用できる。
【００７９】
以上の構造を持つパネルアセンブリ１３０は、基本的に蛍光灯のような発光原理を持ち、放電セル７２６の内部での放電によって放電ガスから放出された紫外線が、蛍光体層７２５を励起発光させて可視光に変換される。
但し、パネルアセンブリ１３０に使用する赤色蛍光体層７２５Ｒ、緑色蛍光体層７２５Ｇ、青色蛍光体層７２５Ｂ（以下「赤色蛍光体層７２５Ｒ、緑色蛍光体層７２５Ｇ、青色蛍光体層７２５Ｂ」を区別しない場合は、単に、「各蛍光体層７２５Ｒ、７２５Ｇ、７２５Ｂ」という）には、それぞれ異なる可視光への変換効率を持つ蛍光体材料が使われている。そのため、パネルアセンブリ１３０で画像を表示する時は、一般的に各蛍光体層７２５Ｒ、７２５Ｇ、７２５Ｂの輝度を調整することによって、色バランスの調整が行われている。具体的には、輝度の最も低い色の蛍光体層を基準として、他の蛍光体層の輝度を色別に指定された割合で低下させている。
【００８０】
このようなパネルアセンブリ１３０の駆動は、アドレス放電のための駆動と維持放電のための駆動とに大別される。アドレス放電は、アドレス電極７２２と一つの維持電極７１２との間で起きる。このアドレス放電時に、壁電荷が形成される。維持放電は、壁電荷が形成された放電セル７２６に位置する二つの維持電極７１２間の電位差によって起きる。この維持放電時に、放電ガスから発生する紫外線により該当放電セル７２６の蛍光体層７２５が励起されて可視光が発散され、この可視光が前面基板７１１を通じて出射されつつ、ユーザの認識できる画像を形成する。
【００８１】
以下、図９を参照して、パネルアセンブリ１３０とＰＤＰフィルター１４０との関係を説明する。
【００８２】
図９に示すように、ＰＤＰフィルター１４０は、パネルアセンブリ１３０の前面基板７１１から離隔されて配置される。
【００８３】
本発明の一実施形態として、ＰＤＰフィルター１４０には、外光のパネルアセンブリ１３０内への流入を防止するために、フィルターベース２００に外光及び電磁波遮蔽パターン２２３を備えた外光及び電磁波遮蔽部２２０が形成されている。外光は、主に外光及び電磁波遮蔽パターン２２３により吸収されるか、または反射されて、外光が前面基板７１１を通過して蛍光体層７２５を励起させることを減らすことができる。したがって、明室条件で、ＰＤＰ装置１００のコントラストを向上させることができる。
【００８４】
また、パネルアセンブリ１３０と対向するＰＤＰフィルター１４０面には光集束部２３０が形成されて、放電セル７２６から発生した可視光線を集束させて外部に出射させることにより、光の損失を減らすことができ、その結果、ＰＤＰ装置１００の輝度を向上させる。
【００８５】
図９に示すように、本発明の一実施形態による光集束部２３０がシリンダー型である場合、光集束部２３０と隔壁７２４とは平行に配置することが望ましい。さらに望ましくは、隔壁７２４に対応する位置にマイクロレンズ２３１の境界部が配置されることが、可視光線の集束において有利である。本発明の一実施形態において、隔壁７２４のピッチＬ１は、光集束部２３０のピッチＬ２の整数倍であることが望ましい。つまり、単位放電セル７２６に対して一つまたは二つ以上のマイクロレンズ２３１が対応することが、可視光線の集束において望ましい。
【００８６】
以上、添付図を参照して本発明の実施の形態を説明したが、 本発明が属する技術分野で当業者ならば本発明がその技術的思想や必須特徴を変更せずとも他の具体的な形に実施されうるということが理解できるであろう。したがって、前述した実施形態はすべての面で例示的なものであって、限定的なものではないと理解せねばならない。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の一実施形態によるＰＤＰ装置を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態によるＰＤＰフィルターを示す断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態によるＰＤＰフィルターを示す断面図である。
【図４】本発明のさらに他の実施形態によるＰＤＰフィルターを示す断面図である。
【図５】本発明のさらに他の実施形態によるＰＤＰフィルターを示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、 本発明の他の実施形態による外光及び電磁波遮蔽部の各ステップ別工程の中間ステップ構造物の断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の他の実施形態による外光及び電磁波遮蔽部の各ステップ別工程の中間ステップ構造物の断面図である。
【図８】本発明の一実施形態によるＰＤＰフィルターを備えたＰＤＰ装置を示す斜視図である。
【図９】図８のＢ−Ｂ’線の断面図である。
【符号の説明】
【００８８】
１００    ＰＤＰ装置
１１０    ケース
１２０    駆動回路基板
１３０    パネルアセンブリ
１４０    ＰＤＰフィルター
１５０    カバー
２００    フィルターベース
２１０    透明基板
２２０    外光及び電磁波遮蔽部
２２１    感光性透明樹脂層
２２２    無電解メッキ核パターン
２２３    外光及び電磁波遮蔽パターン
２３０    光集束部
２３１    マイクロレンズ
２４０    支持体
２５０    ネオン光遮蔽層
２６０    近赤外線遮蔽層
２７０    反射防止層
３０１    水溶性ポリマー層
４０１    金属薄膜パターン
７１１    前面基板
７１２    維持電極
７１３    バス電極
７１４    誘電体層
７１５    誘電体保護膜
７２１    背面基板
７２２    アドレス電極
７２３    誘電体層
７２４    隔壁
７２５    蛍光体層
７２５Ｒ  赤色蛍光体層
７２５Ｇ  緑色蛍光体層
７２５Ｂ  青色蛍光体層
７２６    放電セル
【図１】
2005331950.tif 000003
【図２】
2005331950.tif 000004
【図３】
2005331950.tif 000005
【図４】
2005331950.tif 000006
【図５】
2005331950.tif 000007
【図６】
2005331950.tif 000008
【図７】
2005331950.tif 000009
【図８】
2005331950.tif 000010
【図９】
2005331950.tif 000011