(57)【要約】【課題】  小型で部品点数を低減することができる高圧トランスを提供する。【解決手段】  ２個の２次コイル２５，２７を上下２段に積み重ねて、その２個の２次コイル２５，２７を１個の１次コイル２３と同心円上に配置して、この３個のコイルでコイル集合体を構成するとともに、そのコイル集合体の中心軸にコア挿通穴７を設け、内脚磁心３０，３５と外脚磁気３１、３６を有する円盤状コア対２８，２９の前記内脚磁心３０，３５をコア挿通穴７に挿通し、コイル集合体をコア対２８，２９で包み込むとともに、コア対２８，２９で閉磁気回路が形成されていることを特徴とする。【選択図】  図１
2005085940.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２個の２次コイルを上下２段に積み重ねて、その２個の２次コイルを１個の１次コイルと同心円上に配置して、この３個のコイルでコイル集合体を構成するとともに、そのコイル集合体の中心軸にコア挿通穴を設け、内脚磁心と外脚磁心を有する円盤状コア対の前記内脚磁心を前記コイル集合体のコア挿通穴入に挿通し、そのコイル集合体を円盤状コア対で包み込むとともに、そのコア対で閉磁気回路が形成去れていることを特徴とする高圧トランス。
【請求項２】
請求項１記載の高圧トランスにおいて、１次コイル側筒部と第１の２次コイル側筒部とを同心円上に一体に形成した円盤状の第１コイルボビンと、第２の２次コイル側筒部を形成した円盤状の第２コイルボビンとを用い、前記１次コイル側筒部に１次コイルを巻装し、前記第１の２次コイル側筒部と第２の２次コイル側筒部にそれぞれ個別に２次コイルを巻装して、前記第１コイルボビンと第２コイルボビンとを上下２段に同心円上に積み重ねたことを特徴とする高圧トランス。
【請求項３】
請求項１記載の高圧トランスにおいて、前記コア対に突起状の漏洩磁束用磁心を設け、その漏洩磁束用磁心を前記１次コイルと２次コイルの間に挿入配置したことを特徴とする高圧トランス。
【請求項４】
請求項３記載の高圧トランスにおいて、前記コア対で形成される閉磁気回路上に磁気抵抗を調整する磁気抵抗調整手段が設けられていることを特徴とする高圧トランス。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載の高圧トランスを用い、その高圧トランスの入力側１次コイルの両端を１組の駆動制御回路に接続し、当該高圧トランスの出力側の２つの２次コイルの両端を２組の光源用冷陰極管にそれぞれ接続したことを特徴とする点灯回路。
【請求項６】
請求項５記載の点灯回路において、前記冷陰極管が液晶ディスプレイユニット用の光源であることを特徴とする点灯回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大型液晶ディスプレイや大型液晶テレビ等の光源用冷陰極管を点灯するバックライト電源に使用される閉磁気回路のインバータ高圧トランスに係り、特に高出力容量を確保しつつ小型化が図れるトランスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
大型液晶ディスプレイや大型液晶テレビなどの液晶ディスプレイユニットは、その光源に冷陰極管を使用して、点灯用バックライト電源を用いており、液晶パネルや導光板の薄型化を図り、製品の小型化の特長を出そうとしている。
【０００３】
これに対応すべく光源用冷陰極管の点灯用バックライト電源の小型薄型化には、高出力を図りつつインバータ高圧トランスの小型化、複数一体化が必要不可欠である。また大型液晶ディスプレイやテレビの液晶画面は高輝度にする必要があるため、インバータ高圧トランスを少なくとも４個以上搭載して対応している。
【０００４】
しかし電源基板のサイズが限られており、トランス単品の搭載床面積も限られている。これに対応するめ、インバータ高圧トランスの小型化には、巻線部と磁気回路コアの占有面積を小さくする必要がある。
【０００５】
従来のインバータ高圧トランスも面実装構造によって薄型化に対応しており、図１７と図１８に従来のＥＥ型フェライトコアを用いた１出力の面実装構造のトランスを示している。図１７はそのトランスの分解斜視図、図１８はそのトランスの組み立て後の斜視図である。
【０００６】
図中５１は合成樹脂で成形されたコイルボビンで、胴部に１次コイル巻溝５２と２次コイル巻溝５３
を有し、１次コイル巻溝５２に１次コイル５４が巻回され、２次コイル巻溝５３に２次コイル５５が巻回されている。
【０００７】
コイルボビン５１の両側端面にコア挿入口５６が形成され、またコイルボビン５１の両側端部に複数本の端子ピン５７が植設されている。コイルボビン５１の上から絶縁カバー５８が被せられ、コイルボビン５１の両側からＥ型コア５９の内脚磁心６０がそれぞれ挿入されて、図１８に示すようにトランスが組み立てられる。
【０００８】
この種高圧トランスに関しては、例えば下記のような特許文献１〜３を挙げることができる。
【特許文献１】特開２０００−１２４０４５号公報
【特許文献２】特開２００１−１２６９３７号公報
【特許文献３】特開２００２−３６７８３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし従来の構造では、バックライト電源に使用するインバータ高圧トランスの小型化に対応し切れないという問題がある。また従来の１出力のインバータ高圧トランスを少なくとも４個以上搭載すると、電源基板は駆動回路も含めて面積が広くなってしまい、電源基板の小型化を図ることができない。
【００１０】
トランスの小型化にはボビン形状、磁気回路の体積を小さくする必要がある。コアも幅狭、且つ薄くする必要があるが、単に小型化したのではコアの断面積が小さくなって発熱量が増加し、インバータ高圧トランスの性能を満足させることができない。
【００１１】
要するに従来のコイルボビンやフェライトコアを単に小型化形状にしたのでは、高出力で信頼性の高いトランスは得られない。特に大型液晶ディスプレイや大型液晶テレビなどに用いる冷陰極管の点灯時は高電圧が発生するため、絶縁耐圧が確保できる構造で、高圧出力の２次側ショート時の安全性が要求される。
【００１２】
本発明の目的は、このような従来技術の欠点を解消し、小型で絶縁耐圧を確保した、高圧巻線部が周辺回路部品から保護され、１つのトランスで２出力の高電圧を発生させる高圧トランスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するため本発明の第１の手段は、２個の２次コイルを上下２段に積み重ねて、その２個の２次コイルを１個の１次コイルと同心円上に配置して、この３個のコイルでコイル集合体を構成するとともに、そのコイル集合体の中心軸にコア挿通穴を設け、内脚磁心と外脚磁心を有する例えば第１コアと第２コアからなる円盤状コア対の前記内脚磁心を前記コイル集合体のコア挿通穴に挿通し、そのコイル集合体を円盤状コア対で包み込むとともに、そのコア対で閉磁気回路が形成されていることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の第２の手段は前記第１の手段において、１次コイル側筒部と第１の２次コイル側筒部とを同心円上に一体に形成した円盤状の第１コイルボビンと、第２の２次コイル側筒部を形成した円盤状の第２コイルボビンとを用い、前記１次コイル側筒部に１次コイルを巻装し、前記第１の２次コイル側筒部と第２の２次コイル側筒部にそれぞれ個別に２次コイルを巻装し、前記第１コイルボビンと第２コイルボビンとを上下２段に積み重ねたことを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の第３の手段は前記第１の手段において、前記コア対に突起状の漏洩磁束用磁心を設け、その漏洩得磁束用磁心を前記１次コイルと２次コイルの間に挿入配置したことを特徴とするものである。
【００１６】
本発明の第４の手段は前記第３の手段において、前記コア対で形成される閉磁気回路上に磁気抵抗を調整する例えばスペ―サや空隙などの磁気抵抗調整手段を設けたことを特徴とするものである。
【００１７】
本発明の第５の手段は前記第１の手段ないし第４の手段の高圧トランスを用い、その高圧トランスの入力側１次コイルの両端を例えばインダクタンス、抵抗、トランジスタ、コンデンサなどからなる１組の駆動制御回路に接続し、当該高圧トランスの出力側の２つの２次コイル両端を２組の光源用冷陰極管にそれぞれ接続したことを特徴とするものである。
【００１８】
本発明の第６の手段は前記第５の手段において、前記冷陰極管が液晶ディスプレイユニット用の光源であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明では前述のように、１次コイルを２個の２次コイルに対し、共通に使用するように磁気回路を構成し、これら２個の磁気回路を１個のトランスにて構成することで、コイル巻線部，磁気回路の占有面積，回路基板の小型化ができる。また２出力を１駆動回路で構成でき、部品点数の削減が図れる。
【００２０】
さらにトランスの磁気抵抗を調整することが可能な構成であり、冷陰極管の電流制限を行なうバラストコンデンサＣｂが不要となり、起動時だけ高電圧が発生し、定常時の２次側出力電圧はランプ点灯電圧であり絶縁耐圧の安全性が保てるなどの特長を有している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態を図面とともに説明する。図１は本発明の第１実施形態に係る高圧トランスの縦断面図、図２はその高圧トランスの上面図、図３はその高圧トランスに用いる第２コイルボビンの底面図、図４は第１コイルボビンの上面図、図５は第２コイルボビンの縦断面図、図６は第１コイルボビンの縦断面図、図７は第２コアの上面図、図８は第１コアの上面図、図９は第２コアの縦断面図、図１０は第１コアの縦断面図、図１１はその高圧トランスの分解断面図、図１２はその高圧トランスにおける磁気回路の説明図である
コイルボビンは、図４と図６に示す第１コイルボビン１と、図３と図５に示す第２コイルボビン２とから構成され、両者は外径が同寸の円盤状をしており合成樹脂で成形されている。図１に示すように両コイルボビン１，２は、上下２段に積み重ねるようにして高圧トランスに組み込まれる。
【００２２】
第１コイルボビン1は図４と図６に示すように、それの中央部に１次コイル巻溝３を有する１次コイル巻線部４が、その周囲に複数の（本実施形態では３つの）第１の２次コイル巻溝５を同心円状に設けた第１の２次コイル巻線部６が、一体に形成されている。
【００２３】
１次コイル巻線部４の中央部にコア挿通穴７を囲むように１次コイル側筒部８が設けられ、その筒部８の上部に図４に示すように不連続の鍔部９が形成されている。この鍔部９が形成されていないで、一段低くなった筒部８の対称位置には、ピン挿入孔１０ａ、１０ｂが設けられている。
【００２４】
図４に示すように、第１の２次コイル巻線部６にも不連続の鍔部１１を有する第１の２次コイル側筒部１２が同心円状に複数設けられ、その最も内側の筒部１２の対称位置には、２つのピン挿入孔１３ａ，１３ｂが形成されている。また、第１の２次コイル巻線部６の外周部のほぼ対称位置にも、２つのピン挿入孔１４ａ，１４ｂが形成されている。図１と図６に示すように、１次コイル巻線部４（１次コイル側筒部８）の高さは第１の２次コイル巻線部６（第１の２次側筒部１２）の高さの約２倍に設計されている。
【００２５】
図３と図５に示すように第２コイルボビン２は、不連続な鍔部１５を有する第２の２次コイル側筒部１６によって同心円状の第２の２次コイル巻溝１７を有する第２の２次コイル巻線部１８が形成されている。第２コイルボビン２の中央には、第１コイルボビン１の１次コイル巻線部４が挿通する大きさの穴１９が形成されている。図３に示すように、最も内側の筒部１６の対称位置にピン挿入孔２０ａ、２０ｂが、外周部の対称位置にもピン挿入孔２１ａ、２１ｂが、それぞれ設けられている。
【００２６】
図４に示すピン挿入孔１０ａ，１０ｂに１次コイル側端子ピン２１ａ，２１ｂ（図２参照）が、圧入して固定される。そして一方の１次コイル側端子ピン２１ａに１次コイル２３の巻始め端をからげ、１次コイル２３を１次コイル巻線部４に所定ターン数巻き付けて、１次コイル２３の巻き終わり端を他方の端子ピン２１ｂにからげる。
【００２７】
またピン挿入孔１３ａ，１４ａに第１の２次コイル側端子ピン２４ａ，２４ｂ（図１、図２参照）が、圧入して固定される。そして内側の第１の２次コイル側端子ピン２４ａに第１の２次コイル２５の巻始め端をからげ、２次コイル２５を内側の２次コイル巻線部６から外側の２次コイル巻線部６にかけて所定ターン数巻き付けて、２次コイル２５の巻終わり端を外側の２次コイル側端子ピン２４ｂにからげる。
【００２８】
一方、第２コイルボビン２のピン挿入孔２０ｂ，２１ａ（図３参照）に第２の２次コイル側端子ピン２６ａ，２６ｂが、圧入して固定される。そして内側の２次コイル側端子ピン２６ａに第２の２次コイル２７の巻始め端をからげ、２次コイル２７を内側の２次コイル巻線部１８から外側の２次コイル巻線部１８にかけて所定ターン数巻き付けて、２次コイル２７の巻終わり端を外側の２次コイル側端子ピン２６ｂにからげる。
【００２９】
このようにして１次コイル２３ならびに第１の２次コイル２５を巻装した第１コイルボビン１と第２の２次コイル２７を巻装した第２コイルボビン２とを重ね合わせながら、第１コイルボビン１の１次コイル側筒部８を第２コイルボビン２の穴１９に挿入するとともに、第２コイルボビン２から突出している端子ピン２６ａを第１コイルボビン１のピン挿入孔１３ｂに挿入して、第１コイルボビン１と第２個いるボビン２の集合体を構成する。この１個の１次コイル２３と２個の２次コイル２５，２７によってコイル集合体が構成される。
【００３０】
前述のように２次コイル２５、２７を各コイル巻溝５，１７に各々分割して巻線することで、１スリット（1巻溝）当たりの電位差を低く抑えられ絶縁耐圧が向上する。例えば出力電圧１５００Ｖ(ｒ.ｍ.ｓ)を発生するトランスにおいて、２次コイルに細線を２０００ターン巻回したボビンにおいて、分割しない場合は最大１５００Ｖ(ｒ.ｍ.ｓ)の電位差が生じるが、それぞれに４つのコイル巻溝を設け、各巻溝に５００ターンの巻線を行なった場合は、最大３７５Ｖ(ｒ.ｍ.ｓ)の電位差ですみ、電位差が小さくなり、２次側ショート時の安全性が確保できる。
【００３１】
磁気回路は、２つの第1コア２８と第２コア２９で形成される。これらのコア材としては、フェライト，珪素鋼鈑，軟質磁性材料のアモルファス金属，パーマロイ，ナノ結晶軟質磁性材料またはこれらの組み合わせからなる材料が使用可能である。
【００３２】
第１コア２８は図８と図１０に示されているように、ほぼ中央部に設けられた円柱状の内脚磁心３０と、外周部の対称位置に設けられた円弧状の外脚磁心３１と、内脚磁心３０と外脚磁心３１を連結する円盤状のコア底板３２とから構成されている。コア底板３２の内脚磁心３０の周囲には４つのピン挿通孔３３ａ〜３３ｄが設けられ、またコア底板３２の外周部で２次コイル側端子ピン２４ｂ，２６ｂ（図２参照）と対応する位置に切欠部３４が形成されている。
【００３３】
第２コア２９は図７と図９に示されているように、ほぼ中央部に設けられた円柱状の内脚磁心３５と、外周部の対称位置に設けられた円弧状の外脚磁心３６と、内脚磁心３５と外脚磁心３６を連結する円盤状のコア頂板３７とから構成されている。コア頂板３７の内脚磁心３５の周囲には４つのピン挿通孔３８ａ〜３８ｄが設けられ、コア頂板３７の外周部で２次コイル側端子ピン２４ｂ，２６ｂ（図２参照）と対応する位置に切欠部３９が設けられている。
【００３４】
また図１に示すように、コア頂板３７の内面で１次コイル２３と２次コイル２５，２７の隙間に挿入される円筒型突起状の漏洩磁束用磁心４０が一体に形成されている。この漏洩磁束用磁心４０の突出長さは、図１に示すように第１コア２８と第２コア２９を突き合わせた際のコア底板３２とコア頂板３７の間隔の約３／４〜１／４、好ましくは約1／２〜１／４が適当であり、両コア２８，２９を突き合わせることにより、漏洩磁束用磁心４０がコア底板３２側に向いて突出する。
【００３５】
前記内脚磁心３０，３５の外径は、コア挿通穴７の内径よりも若干径小に設計されている。また、外脚磁心３１の内径は第１コイルボビン１の外径よりも若干径大に、外脚磁心３６の内径は第２コイルボビン２の外径よりも若干径大に設計されている。
【００３６】
各々のコア底板３２ならびにコア頂板３７は広い平面を有するため高い放熱効果が得られ、高さ方向を低く抑えつつ良好な動作特性の確保と発熱低減の両立が可能である。
【００３７】
第１コア２８と第２コア２９の突き合わせ面には、予めスペーサー４１（図１１参照）を貼着するか
、あるいは磁心の長さを部分的に短く研磨を施して空隙４２（図１参照）を形成している。
【００３８】
第１コイルボビン１のコア挿通穴７に、コア２８，２９の内脚磁心３０，３５を上下方向から挿入して突き合わせるとともに、コア２８，２９の外脚磁心３１，３６を突き合わせて閉磁気回路を形成する。２つのコア２８，２９は、絶縁性接着剤４３（図１１参照）で固定する。固定手段は、絶縁テープ等で代用してもよい。
【００３９】
第１コア２８を組み込む際図１に示すように、第１の２次コイル側端子ピン２４ａが第１コア２８のピン挿通孔３３ｄに、第２の２次コイル側端子ピン２６ａがピン挿通孔３３ｃに、それぞれ挿入される。また図示していないが、１次コイル側端子ピン２２ａ，２２ｂが第１コア２８のピン挿通孔３３ａ，３３ｂに、それぞれ挿入される。コア２８，２９により１次コイル２３と２次コイル２５，２７（コイル集合体）は包み込まれ、トランスの周辺回路部品などから保護される。
【００４０】
第１コア２８と第２コア２９の外周部で２次コイル側端子ピン２４ｂ，２６ｂと対向する位置に切欠部３４，３９を設けることにより（図２参照）、コア２８，２９と端子ピン２４ｂ，２６ｂの間での放電の発生が防止できる。なお、コア２８，２９と端子ピン２４ｂ，２６ｂの間に絶縁テープなどの絶縁体を介在すれば、切欠部３４、３９は不要となる。
【００４１】
図４に示す第１コイルボビン１のピン挿入孔１４ｂならびに図３に示す第２コイルボビン２のピン挿入孔２１ｂには図２に示すように端子ピン２４ｂ，２６ｂとほぼ同じ長さのコイルをからげない取り付けピン４６，４６がそれぞれ圧入・固定される。従って高圧トランスは、この４本のピン２４ｂ，２６ｂ，４６，４６によって電源回路基板に固定される。
【００４２】
このようにして２出力インバータ高圧トランスが構成される。図１２はその磁気回路の磁路を示す図で、矢印４４は内脚磁心３０，３５から外脚磁心３１，３６を通る主たる磁束を示し、矢印４５は内脚磁心３０，３５から漏洩磁束用磁心４０を通る漏洩磁束を示している。前述のように２つのコア２８，２９の間に空隙４２を形成するか（図１参照）あるいはスペーサ４１を介在し（図１１参照）、かつ漏洩磁束用磁心４０を１次コイル２３と２次コイル２５，２７の間に配置することにより（図１参照）、磁気抵抗が増加する。この磁気抵抗は、コアの断面積，コア磁性材の磁束密度，空隙４２（スペーサ４１）の厚さを選定することにより任意に調整可能である。このように磁気抵抗を調整して、漏洩磁束用磁心４０からの漏れインダクタンスを積極的に利用している。
【００４３】
図１３は、本発明の第２実施形態に係る高圧トランスの断面図で、前記第１実施形態と相違する点は、２次コイル２５，２７の外側に１次コイル２３を配置した点である。
【００４４】
図１４は本発明の第３実施形態に係る自励発振２出力高圧トランスにおけるインバータ回路の一例を示す回路図で、冷陰極管を点灯させるインバータ回路である。前記第１実施形態あるいは第２実施形態で得られた２出力高圧トランスＴの１次側は１回路の１次コイルＮ１１が設けられ、２回路の２次側には２次コイルＮ２１、Ｎ２２が設けられる。更にベースコイルＮ１２が設けられている。
【００４５】
ベースコイルＮ１２の誘起電圧によりスイッチングトランジスタＱ１、Ｑ２が交互にオン、オフを繰り返し、それによって直流入力＋Ｂをスイッチングして二次コイルＮ２１、Ｎ２２に高電圧が誘起し、これにより２つの冷陰極管ＣＦＬが点灯する。
【００４６】
なお、漏洩インダクタンスを利用することで、冷陰極管ＣＦＬの電流制限を行なうバラストコンデンサＣｂは不要となる。起動時だけ高電圧が発生し、定常時の２次側出力電圧はランプ点灯電圧であり絶縁耐圧の安全性が保たれる。
【００４７】
図１５は本発明の第４実施形態に係る他励駆動方式の２出力高圧トランスにおけるインバータ回路の一例を示す回路図で、冷陰極管を点灯させるインバータ回路で、フルブリッジ構成する４つのパワートランジスタの回路である。
【００４８】
図中のｏｕｔＬとｏｕｔＲは、トランスの１次コイルＮ１１を交互に駆動するフルブリッジ出力である。共振サイクルはトランス入力電流Ｉｐｉがゼロを横切った時に始まり、内蔵されている電流ゼロクロスコンバータが反転する。ｏｕｔＬかｏｕｔＲの位相状態によって決まったタイムインターバルＴｏｎでグランドからＶｃｃにスイッチする。この間、タイムインターバルＴｏｎの期間中、入力電流Ｉｐｉは増加し続ける。
【００４９】
タイムインターバルの期間終了後、出力はＶｃｃからグランドに接続され、入力電流Ｉｐｉは減少し、再びゼロ点を交差するのでサイクルが繰り返される。これにより冷陰極管ＣＦＬが点灯する。
【００５０】
なお、漏洩インダクタンスを利用することで、冷陰極管ＣＦＬの電流制限を行なうバラストコンデンサＣｂは不要となる。前述の自励発振方式と同様に、絶縁耐圧の安全性が保たれる。
【００５１】
図１６は本発明の第５実施形態に係る２出力高圧トランスにおけるインバータ回路の一例を示す図であり、２次コイルＮ２１とＮ２２ｎを直列に接続して１出力の構成とし、２倍の出力電圧を発生させるものである。
【００５２】
なお図１４から図１６において、図中の＋Ｂは入力直流電圧、Ｔは高圧トランス、Ｎ１１は１次コイル、Ｎ１２はベースコイル、Ｎ２１，Ｎ２２は２次コイル、Ｑ１，Ｑ２はトランジスタ、Ｒ１，Ｒ２は抵抗、Ｌはインダクタンス、Ｃ は共振コンデンサ、ＣＦＬは冷陰極管、Ｃｂはバラストコンデンサ、ＭＯＳ ＦＥＴはパワートランジスタ、ｏｕｔＬ，ｏｕｔＲはフルブリッジ出力、Ｉｐｉはトランス入力電流、Ｖｃｃは入力電圧、Ｃｐは並列コンデンサ、Ｃsは直列コンデンサ、Ｖ１，Ｖ２は出力電圧である。
【００５３】
前記実施形態では、第１コアと第２コアが共に内脚磁心と外脚磁心を有するＥＥコアを用いた例を示したが、Ｅ型コアとＩ型コアからなるコア対を用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る高圧トランスの縦断面図である。
【図２】その高圧トランスの上面図である。
【図３】第２コイルボビンの底面図である。
【図４】第１コイルボビンの上面図である。
【図５】第２コイルボビンの縦断面図である。
【図６】第1コイルボビンの縦断面図である。
【図７】第2コアの上面図である。
【図８】第1コアの底面図である。
【図９】第2コアの縦断面図である。
【図１０】第1コアの縦断面図である。
【図１１】その高圧トランスの分解縦断面図である。
【図１２】その高圧トランスの磁路を示す図である。
【図１３】本発明の第２実施形態に係る高圧トランスの縦断面図である。
【図１４】本発明の第３実施形態に係る自励発振２出力高圧トランスのインバータ回路の一例を示す回路図である。
【図１５】本発明の第４実施形態に係る他励駆動方式２出力高圧トランスのインバータ回路の一例を示す回路図である。
【図１６】本発明の第５実施形態に係る２出力高圧トランスを１出力にし２倍の出力を取り出した一例を示す回路図である。
【図１７】従来のＥＥ型コアを使用した高圧トランスの分解斜視図である。
【図１８】その高圧トランスの組み立て後の斜視図である。
【符号の説明】
【００５５】
１：第１コイルボビン、２：第２コイルボビン、３：１次コイル巻溝、４：１次コイル巻線部、５：第１の２次コイル巻溝、６：第１の２次コイル巻線部、７：コア挿通穴、８：１次コイル側筒部、９：鍔部、１０ａ，１０ｂ：ピン挿入孔、１１：鍔部、１２：第１の２次コイル側筒部、１３ａ，１３ｂ：ピン挿入孔、１４ａ，１４ｂ：ピン挿入孔、１５：鍔部、１６：第２の２次コイル側筒部、１７：第２の２次コイル側巻溝、１８：第２の２次コイル側巻線部、１９：穴、２０ａ，２０ｂ：ピン挿入孔、２１ａ，２１ｂ:ピン挿入孔、２２ａ，２２ｂ：１次コイル側端子ピン、２３:１次コイル、２４ａ，２４ｂ：第１の２次コイル側端子ピン、２５:第１の２次コイル、２６ａ，２６ｂ：第２の２次コイル側端子ピン、２７：第２の２次コイル、２８:第１コア、２９:第２コア、３０:内脚磁心、３１:外脚磁心、３２:コア底板、３３ａ〜３３ｄ：ピン挿通孔、３４:切欠部、３５:内脚磁心、３６:外脚磁心、３７:コア頂板、３８ａ，３８ｂ:ピン挿通孔、３９:切欠部、４０：漏洩磁束用磁心、４１:スペーサ、４２:空隙、４３:絶縁性接着剤、４４:主たる磁束、４５:漏洩磁束、４６：取り付けピン、＋Ｂ：入力直流電圧、Ｔ：高圧トランス、Ｎ１１：１次コイル、Ｎ１２：ベースコイル、Ｎ２１，Ｎ２２：２次コイル、Ｑ１，Ｑ２：トランジスタ、Ｒ１，Ｒ２：抵抗、Ｌ：インダクタンス、Ｃ：共振コンデンサ、ＣＦＬ：冷陰極管、Ｃｂ：バラストコンデンサ、ＭＯＳ  ＦＥＴ：パワートランジスタ、ｏｕｔＬ，ｏｕｔＲ：フルブリッジ出力、ｌｐｉ：トランス入力電流、Ｖｃｃ：入力電圧、Ｃｐ：並列コンデンサ、Ｃｐ：直列コンデンサ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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