(57)【要約】【課題】  解像性の向上、ＬＥＲの低減、及びディフェクトの低減を実現できるポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】（Ａ）（ａ１）下記一般式（１）で表される（α−メチル）ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位と、（ａ２）下記一般式（２）（ａ１）で表される構成単位とを有する樹脂成分を含むポジ型レジスト組成物であって、前記（Ａ）成分の２．３８質量％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）水溶液に対する溶解速度が１００〜１０００Å／ｓｅｃであることを特徴とするポジ型レジスト組成物及びこれを用いたレジストパターン形成方法。【化１】2005099683.tif 000027【化２】2005099683.tif 000028（一般式（１）、（２）中、Ｒは水素原子またはメチル基を表す。）【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）（ａ１）下記一般式（１）で表される（α−メチル）ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位と、（ａ２）下記一般式（２）で表される構成単位とを有する樹脂成分を含むポジ型レジスト組成物であって、
前記（Ａ）成分の２．３８質量％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）水溶液に対する溶解速度が１００〜１０００Å／ｓｅｃであることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
2005099683.tif 000021
（式中、Ｒは水素原子またはメチル基を表す。）
【化２】
2005099683.tif 000022
（式中、Ｒは水素原子またはメチル基を表す。）
【請求項２】
前記（Ａ）成分、（Ｂ）露光により酸を発生する酸発生剤成分、（Ｃ）少なくとも一つの酸解離性溶解抑制基を有し、前記（Ｂ）成分から発生した酸の作用により該溶解抑制基が解離し有機カルボン酸を発生し得る化合物を含んでなる請求項１記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項３】
前記（Ｃ）成分が、質量平均分子量１００〜１５００の範囲の化合物である請求項２に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】
前記（Ｃ）成分が、置換または未置換のベンゼン核を１〜６個有しかつ少なくとも一つの酸解離性溶解抑制基を有する化合物である請求項２または３に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】
前記（Ｃ）成分が、下記一般式（ｉ）で表される化合物の少なくとも一つの水酸基またはカルボキシル基の水素原子を酸解離溶解抑制基で置換した化合物である請求項４に記載のポジ型レジスト組成物。
【化３】
2005099683.tif 000023
［式中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立して水素原子、直鎖状、分岐状または環状の炭素数６以下のアルキル基、低級アルコキシ基、水酸基、カルボキシル基、カルボキシル基含有アルキル基であり、そのうち少なくとも一つは水酸基又はカルボキシル基であり、Ｘはそれぞれ独立して単結合、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｒ5）（Ｒ6）−のいずれかであり、Ｒ5は水素原子または低級アルキル基であり、
Ｒ6は水素原子、低級アルキル基、カルボキシル基、カルボキシル基含有アルキル基または次の一般式（ｉｉ）で表されるアリール基であり（なお、式（ｉｉ）中のＲ1〜Ｒ4は前記定義に同じである）、ｒは０〜２であり、ｑは０または１であり、ｑが０のとき括弧内の基は水素原子である。］
【化４】
2005099683.tif 000024
【請求項６】
前記（Ｃ）成分が、下記一般式（１Ａ）で表される化合物であることを特徴とする請求項５に記載のポジ型レジスト組成物。
【化５】
2005099683.tif 000025
（式中、Ｒ’は酸解離性溶解抑制基であり、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ独立して水素原子又は低級アルキル基である。）
【請求項７】
前記（Ｃ）成分が、下記一般式（２Ａ）で表される化合物であることを特徴とする請求項６に記載のポジ型レジスト組成物。
【化６】
2005099683.tif 000026
（式中、Ｒ’は酸解離性溶解抑制基である。）
【請求項８】
前記酸解離性溶解抑制基が、第３級アルコキシカルボニル基、第３級アルコキシカルボニルアルキル基、第３級アルキル基、環状エーテル基、アルコキシアルキル基および１−アルキルシクロアルキル基から選択される少なくとも１種である請求項４〜７のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項９】
前記酸解離性溶解抑制基が、ｔｅｒｔ―ブチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ―ブチルオキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、テトラヒドロピラニル基、エトキシエチル基、１−メチルシクロヘキシル基および１−エチルシクロヘキシル基から選択される少なくとも１種である請求項８に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１０】
前記酸解離性溶解抑制基がｔｅｒｔ―ブチルオキシカルボニルメチル基である請求項９に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１１】
前記（Ａ）成分において、前記構成単位（ａ１）の割合は４０〜９５モル％であり、前記構成単位（ａ２）の割合は５〜６０モル％である請求項１〜１０のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１２】
（Ｄ）含窒素有機化合物を含有することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物を用いることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポジ型ホトレジスト組成物及びこれを用いたレジストパターンの形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の集積度はますます高まっている。
これまで、半導体素子の集積度の向上に寄与する化学増幅型のレジストについては多数の提案がなされている。
特公平２−２７６６０号公報（特許文献１）には、ＫｒＦエキシマレーザー光に対する透明性の高いポリヒドロキシスチレンの水酸基の水素をｔ−ｂｏｃ（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）基のような酸解離性のアルカリ溶解抑制基により置換した基材樹脂と酸発生剤を主成分とした２成分系のレジストが記載されている。
該公報に提案されたレジストにおけるレジストパターン形成の原理の概要は、次のとおりである。
基材樹脂はｔ−ｂｏｃ基を有していることにより、そのアルカリ溶解性がｔ−ｂｏｃ基を有さないポリヒドロキシスチレンに比べ低くなっている。そして、そのような樹脂を酸発生剤と混合し、選択的に露光すると露光部では酸発生剤から発生した酸の作用によりｔ−ｂｏｃ基が解離し、ポリヒドロキシスチレンが生成し、アルカリ可溶性となる。
【０００３】
また、（１）特開平４−２８７０４４号公報（特許文献２）、（２）特開平５−４０３４２号公報（特許文献３）、（３）特開平５−３１３３７２号公報（特許文献４）、および（４）特開平６−１３０６７０号公報（特許文献５）、（５）特開２００１−１４２２１７号公報（特許文献６）には、基材樹脂成分に（α）ノボラック樹脂を用い、これに（β）酸発生剤と（γ）酸の作用により酸解離性溶解抑制基が解離し有機カルボン酸を発生し得る化合物（カルボキシル基を酸解離性溶解抑制基で置換した化合物）とを配合した３成分系の化学増幅型レジスト組成物が提案されている。
【特許文献１】特公平２−２７６６０号公報
【特許文献２】特開平４−２８７０４４号公報
【特許文献３】特開平５−４０３４２号公報
【特許文献４】特開平５−３１３３７２号公報
【特許文献５】特開平６−１３０６７０号公報
【特許文献６】特開２００１−１４２２１７号公報
【特許文献７】特開平１０−２６８５０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前記特許文献１に記載の技術では、選択露光時の基材樹脂のアルカリ溶解性は、露光によりｔ−ｂｏｃ基が解離してポリヒドロキシスチレンが本来有するアルカリ溶解性を取り戻すというもので、それ以上のアルカリ溶解性は得られない。よって、解像性等の点で不充分である。
【０００５】
前記（１）〜（５）［特許文献（２）〜（６）］に記載の３成分系レジストにおいては、露光により生じた酸の作用により（γ）成分からカルボン酸が生成し、このカルボン酸の存在により、（α）成分の本来有するアルカリ溶解性以上のアルカリ溶解性が得られる。従って、露光部と未露光部コントラストに優れるという効果を有しているが、レジスト膜厚が薄膜でないと透明性が悪く、解像性において不十分である。  
また、近年の半導体素子の高集積化に伴い、レジストパターンには、ＫｒＦエキシマレーザー等の短波長の光源を用いた場合にターゲットにされる微細なパターンを解像できる解像性のみならず、ＬＥＲ（ラインエッジラフネス）やディフェクトの低減も求められる様になっている。
特許文献７には、ヒドロキシスチレン単位とシクロヘキサノール単位を有する樹脂をエーテル基で架橋化させた樹脂を用いたレジスト材料が提案されているが、ディフェクトの問題があり、不十分である。
なお、ＬＥＲとは、ライン側壁の不均一な凹凸のことである。ディフェクトとは、例えばＫＬＡテンコール社の表面欠陥観察装置（商品名「ＫＬＡ」）により、現像後のレジストパターンの真上から観察した際に検知されるスカムやレジストパターンの不具合全般のことである。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、解像性の向上、ＬＥＲの低減、及びディフェクトの低減を実現できるポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明のポジ型レジスト組成物は、（Ａ）（ａ１）下記一般式（１）で表される（α−メチル）ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位と、（ａ２）下記一般式（２）（ａ１）で表される構成単位とを有する樹脂成分を含むポジ型レジスト組成物であって、前記（Ａ）成分の２．３８質量％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）水溶液に対する溶解速度が１００〜１０００Å／ｓｅｃであることを特徴とするポジ型レジスト組成物である。
【化１】
2005099683.tif 000002
（式中、Ｒは水素原子またはメチル基を表す。）
【化２】
2005099683.tif 000003
（式中、Ｒは水素原子またはメチル基を表す。）
本発明のレジストパターン形成方法は、ポジ型レジスト組成物を用いることを特徴とする。
【０００８】
なお、本願の特許請求の範囲及び明細書において、「（α−メチル）ヒドロキシスチレン」は、α−メチルヒドロキシスチレンと、ヒドロキシスチレンの一方または両方を示す。
「（α−メチル）ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位」は、前記一般式（１）から明らかであるが、（α−メチル）ヒドロキシスチレンのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「構成単位」とは、重合体を構成するモノマー単位を意味する。
また、「質量平均分子量」は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算の質量平均分子量である。
「ディフェクト」は、例えばＫＬＡテンコール社の表面欠陥観察装置（商品名「ＫＬＡ」）により、現像後のレジストパターンの真上から観察した際に検知されるスカムやレジストパターンの不具合全般のことである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明においては、解像性の向上、ＬＥＲの低減、及びディフェクトの低減を実現できるポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
［ポジ型レジスト組成物］
（Ａ）（ａ１）前記一般式（１）で表される（α−メチル）ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位と、（ａ２）前記一般式（２）で表される構成単位とを有する樹脂成分
【００１１】
本発明のポジ型レジスト組成物においては、（Ａ）成分を用いることにより、解像性の向上、ＬＥＲの低減、及びディフェクトの低減を実現できる。
【００１２】
構成単位（ａ１）
前記一般式（１）において、ヒドロキシ基の結合位置はオルト位、メタ位、パラ位のいずれでもよく、特に限定しないがパラ位が好ましい。
Ｒは水素原子またはメチル基を表し、いずれでもよいが、好ましくは水素原子である。
構成単位（ａ１）の割合は、（Ａ）成分中、４０〜９５モル％、好ましくは５０〜９０モル％、さらに好ましくは５０〜８０モル％、最も好ましくは５５〜６５モル％であることが望ましい。この範囲とすることにより、溶解速度の調整が容易となる。また、構成単位（ａ２）との相乗効果を発揮させるために有効である。
【００１３】
構成単位（ａ２）
前記一般式（２）において、ヒドロキシ基の結合位置はオルト位、メタ位、パラ位のいずれでもよく特に限定しないが、パラ位が好ましい。
Ｒは水素原子またはメチル基を表し、いずれでもよいが、好ましくは水素原子である。
構成単位（ａ２）の割合は、（Ａ）成分中、５〜６０モル％、好ましくは１０〜５０モル％、さらに好ましくは２０〜５０モル％、最も好ましくは３５〜４５モル％であることが望ましい。この範囲とすることにより、溶解速度の調整が容易となる。また、構成単位（ａ１）との相乗効果を発揮させるために有効である。また、５モル％以上とすることによりパターンの形成が可能となる。６０モル％以下とすることにより、露光部の溶解性を増大させ、感度を向上させることができる。なお、構成単位（ａ１）からなる樹脂(ポリヒドロキシスチレン)を用いて下記（Ｂ）成分、（Ｃ）成分とともにレジスト組成物としても、例えばＬ＆Ｓ（ラインアンドスペース）＝３００ｎｍ：３００ｎｍ以下の微細なパターンを形成することは困難である。また、本発明における（Ａ）成分を後述するポリヒドロキシスチレンから水添（水素添加）処理して、製造する場合は、構成単位（ａ２）の割合は、その水添率と同意である。
【００１４】
溶解速度
（Ａ）成分は、２．３８質量％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）水溶液に対する溶解速度が１００〜１０００Å／ｓｅｃ、好ましくは１５０〜９００      Å／ｓｅｃである。
１０００Å／ｓｅｃ以下という小さな溶解速度を有することにより、解像性が向上する。これは、前記（Ｃ）成分の酸解離性溶解抑制基が解離したことによる溶解性の変化により、アルカリ現像液に溶解性する露光部と、アルカリ現像液に溶解しない未露光部との界面のコントラストが大きくすることができるからであると推測される。また、ＬＥＲの低減とディフェクトの低減の効果が得られる。  
また、１００Å／ｓｅｃ以上とすることにより、有機溶剤に溶解し、レジストとすることができる。
なお、従来、用いられてきたポリヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子をｔｅｒｔ-ブチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、アセタール基等の酸解離性溶解抑制基で保護した樹脂は、極力アルカリ現像液に溶けにくく設計してあり、溶解速度は約５Å／ｓｅｃ程度であり、このような樹脂では、本発明の目的は達成されない。
【００１５】
溶解速度の値は、具体的には次のようにして求めた値である。
まず、シリコンウェーハ上に（Ａ）成分を有機溶剤に溶解した溶液を塗布し、加熱処理によって有機溶剤を除去［プリベーク（ＰＢ）］することにより、樹脂被膜を形成する。有機溶剤は後述する様なポジ型レジスト組成物に用いられる公知のものの中から適宜選択する。また、（Ａ）成分の濃度もポジ型レジスト組成物中の濃度と同様とすることができるが、例えば２０質量％とされる。
次に該樹脂被膜の膜厚を測定した後、このウェーハを、２３℃、２．３８質量％のＴＭＡＨ水溶液に浸す。そして、樹脂膜が完全に溶解する時間を測定し、これより単位時間当りの樹脂被膜の膜減り量（Å／ｓｅｃ）を求める。
このようにして求めた樹脂被膜の膜減り量が（Ａ）成分の溶解速度である。
【００１６】
（Ａ）成分は、例えば公知の方法で構成単位（ａ１）を誘導するモノマー（ヒドロキシスチレンモノマー）を重合させてポリヒドロキシスチレン樹脂を得た後、水素添加処理を行うことによって得ることができる。水素添加処理を行うことによって前記構成単位（ａ１）の一部が構成単位（ａ２）に変化する。
この水素添加処理の条件を変更することによって、（Ａ）成分中の構成単位（ａ１）の割合と構成単位（ａ２）の割合（水素添加率）を調整することができる。
水素添加処理は、工業的にもよく用いられている方法である。例えばニッケル触媒等を用い、１００〜２００℃の温度条件で行われる。水素添加率はＧＰＣ(ゲルパーミュエーションクロマトグラフィ)により確認することができる。水素添加率は、温度、圧力等の条件によって変化するので、所望の構成単位（ａ１）、（ａ２）の割合が得られる様に、適宜条件を選択すればよい。
【００１７】
なお、（Ａ）成分は、上記溶解速度の数値範囲を満足することができるのであれば、前記構成単位（ａ１）、（ａ２）の他に、共重合可能な他の構成単位を含んでいてもよいが、（Ａ）成分中、構成単位（ａ１）、（ａ２）の合計が８０モル％以上であることが好ましく、好ましくは９０モル％以上、最も好ましくは１００モル％である。
【００１８】
本発明における（Ａ）成分の特定溶解速度とするには、構成単位（ａ１）と構成単位（ａ２）の割合が重要であるが、さらに質量平均分子量（Ｍｗ）や分散度［Ｍｗ／Ｍｎ］の値も加味した方が望ましい。（Ａ）成分の質量平均分子量は、３０００〜２５０００、さらに、５０００〜２００００、最も好ましくは７０００〜１５０００の範囲内であることが好ましい。分散度は２.５以下、好ましくは２.０以下、さらに好ましくは１．５以下、最も好ましくは１.２以下であり、小さい方が好ましい。このような質量平均分子量と分散度を有することにより、構成単位（ａ２）の割合が多くなっても、アルカリ現像液に不溶な生成物が少なく、解像性に優れ、ＬＥＲ、ディフェクト抑制に優れ好ましい。分散度が広い樹脂では、低分子量体が優先的に水素添加処理され、結果、構成単位（ａ２）の割合が多い低分子量体が生成し、これらがアルカリ現像液に不溶となり、弊害を引き起こすおそれがあるからである。
（Ａ）成分は１種または２種以上組み合わせ用いることができる。
ポジ型レジスト組成物中の（Ａ）成分の割合は目的とするレジスト膜厚によって適宜調製すればよいが、一般には、固形分濃度で８〜２５質量％、より好ましくは１０〜２０質量％とされる。
なお、ポジ型レジスト組成物には、（Ａ）成分の他に、ポリヒドロキシスチレン樹脂、（メタ）アクリル樹脂等、ポジ型レジスト組成物に用い得る他の樹脂を適宜配合することもできるが、ポジ型レジスト組成物に含まれる樹脂成分中、（Ａ）成分が８０質量％以上、好ましくは９０質量％以上、最も好ましくは１００質量％であることが望ましい。
【００１９】
本発明のポジ型レジスト組成物は、前記（Ａ）成分と、（Ｂ）露光により酸を発生する酸発生剤成分、（Ｃ）少なくとも一つの酸解離性溶解抑制基を有し、前記（Ｂ）成分から発生した酸の作用により該溶解抑制基が解離し有機カルボン酸を発生し得る化合物を含んでなることが好ましい。
【００２０】
（Ｂ）露光により酸を発生する酸発生剤成分
（Ｂ）成分は、いわゆる酸発生剤である。酸発生剤は、これまでヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩、オキシムスルホネート類、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ニトロベンジルスルホネート類、イミノスルホネート類、ジスルホン類など多種のものが知られているので、このような公知の酸発生剤から特に限定せずに用いることができる。特に本発明においては、下記で説明する（Ｃ）成分を良好に酸で解離させるために、発生する酸の強度が強いフッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩が好ましい。
このようなオニウム塩としては、そのカチオンとしてはメチル基、エチル基、プロピル、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチルのような低級アルキル基またはメトキシ基、エトキシ基のような低級アルコキシ基で置換されていてもよいし、置換されなくてもよいジフェニルヨードニウムまたはトリフェニルスルホニウム、ジ低級アルキルモノフェニルスルホニウム、低級アルキルシクロヘキシル２−オキソシクロヘキシルスルホニウムなどが挙げられる。
アニオンはアルキル基の水素原子の一部または全部がフッ素化されたフルオロアルキルスルホン酸イオンである。炭素数が長くなるほど、またフッ素化率（アルキル基中のフッ素原子の割合）が小さくなるほどスルホン酸としての強度が落ちることから、炭素数１〜１０のアルキル基の水素原子の全部がフッ素化されたフッ素化アルキルスルホン酸が好ましい。
このようなオニウム塩は、次の一般式（III）、（IV）、（Ｖ）および（VI）で表される。
【００２１】
【化３】
2005099683.tif 000004
【００２２】
【化４】
2005099683.tif 000005
【００２３】
【化５】
2005099683.tif 000006
【００２４】
【化６】
2005099683.tif 000007
【００２５】
（式中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8およびＲ9はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜２のアルコキシ基であり、Ｒ10は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｘ-はフルオロアルキルスルホン酸イオンである。）具体的には、
・ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、
・ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、
・トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、
・トリ（４−メチルフェニル）スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、
・トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、
・ジメチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート
・メチルシクロヘキシル２−オキソシクロヘキシルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。
これらのうち一般式（III）と（IV）で表されるヨードニウムまたはスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネートが好ましい。これらは１種または２種以上同時に用いてもよい。
（Ｂ）成分の配合量は（Ａ）成分１００質量部に対し０．５〜２０質量部、好ましくは１〜１５質量部である。この範囲では、像形成が可能であり、また均一なレジスト溶液が形成されやすい。
【００２６】
（Ｃ）少なくとも一つの酸解離性溶解抑制基を有し（Ｂ）成分から発生した酸の作用により該溶解抑制基が解離し有機カルボン酸を発生し得る化合物
（Ｃ）成分は、上記（１）〜（４）の先行技術や特開平６−２８７１６３号公報、特開平７−２８５９１８号公報、特開平８−１９３０５２号公報、特開平８−１９３０５４号、特開平８−１９３０５５号公報、特開平８−２４５５１５号公報および特開平９−７７７２０号公報などこれまで多数提案されており、これらを使用することについては特に限定されるものではない。
酸解離性溶解抑制基はこれまで化学増幅型のポジレジストにおいて知られているものから任意に選択できるが、フェノール性水酸基を酸解離性溶解抑制基で保護する場合と、カルボキシル基を酸解離性溶解抑制基で保護する場合と２つに分けられる。
具体的には、このような酸解離性溶解抑制基としては、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−アミルオキシカルボニル基のような第３級アルキルオキシカルボニル基；ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニルエチル基のような第３級アルキルオキシカルボニルアルキル基；ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基などの第３級アルキル基；テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基などの環状エーテル基；エトキシエチル基、メトキシプロピル基などのアルコキシアルキル基；１−メチルシクロヘキシル基、１−エチルシクロアルキル基などの１−低級アルキルモノシクロアルキル基、１−メチルアダマンチル基、１−エチルアダマンチル基などの１−低級アルキルポリシクロアルキル基などの１−アルキルシクロアルキル基が好ましいものとして挙げられる。
中でも、ｔｅｒｔ―ブチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ―ブチルオキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、テトラヒドロピラニル基、エトキシエチル基、１−メチルシクロヘキシル基および１−エチルシクロヘキシル基が好ましい。
フェノール性水酸基の酸解離性溶解抑制基としては、上記した酸解離性溶解抑制基のうち、１−アルキルシクロアルキル基を除いたものが挙げられる。カルボキシル基の酸解離性溶解抑制基としては、上記した酸解離性溶解抑制基の内第３級アルキルオキシカルボニル基を除いたものが挙げられる。
但し、（Ｃ）成分は、（Ｂ）成分から発生した酸の作用により該溶解抑制基が解離し有機カルボン酸を発生し得ることが必要であることから、カルボキシル基を持たないフェノール性化合物からそのフェノール性水酸基を上記溶解抑制基で保護して（Ｃ）成分とする場合、フェノール性水酸基の少なくとも一つは第３級アルキルオキシカルボニルアルキル基のようなカルボン酸発生基を用いること必要である。
また、少なくとも一つのカルボキシル基を有する化合物からそのカルボキシル基を上記溶解抑制基で保護して（Ｃ）成分とする場合、上記溶解抑制基から任意に選択可能である。
【００２７】
より好ましい（Ｃ）成分は、高解像性、良好なレジストパターン形状を安価に得られることから、
（ｃ−１）質量平均分子量が１００〜１５００の化合物であることが好ましい。
【００２８】
（ｃ−１）成分としては、好ましいものとして、（ｃ−１−１）少なくとも一つの酸解離性溶解抑制基を有するコール酸、デオキシコール酸、ウルソコール酸およびリトコール酸などの胆汁酸エステルまたは（ｃ−１−２）置換または未置換のベンゼン核を１〜６個［より好ましくは２〜４個］有しかつ少なくとも一つの酸解離性溶解抑制基を有し（Ｂ）成分から発生した酸の作用により該溶解抑制基が解離し有機カルボン酸を発生し得る化合物が挙げられる。後者の化合物は、次の(i)、(ii)および(iii)に分けることができる。
(i)ビスフェノールＡ、トリスフェノール類のようなフェノール性化合物とブロモ酢酸ｔｅｒｔ−ブチルアセテートのようなハロゲン化脂肪酸の第３級アルキルエステルとをアルカリ触媒存在下脱ハロゲン化水素反応させることにより、フェノール性水酸基の水素原子を第３級アルキルオキシカルボニルアルキル基で置換した化合物。なお、水酸基を複数個有する場合、第３級アルキルオキシカルボニルアルキル基以外の他の酸解離性溶解抑制基で置換されていてもよい。
(ii)ビフェニルジカルボン酸、ナフタレンジカルボン酸、ベンゾフェノンジカルボン酸のようなカルボキシル基含有化合物を酸解離性溶解抑制基で置換した化合物。
(iii)４，４’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン酸のようなカルボキシル基と水酸基をともに有する化合物のカルボキシル基または水酸基を前記酸解離性溶解抑制基で置換した化合物。なお、この場合異種の酸解離性溶解抑制基で置換されていてもよい。
【００２９】
(i)におけるフェノール性化合物は、上記の非化学増幅型のポジレジストにおける該スルホン酸エステルに用いるフェノール性化合物として、また該ポジレジストに配合する感度向上剤として既に多数のものが知られており、そのようなものから任意に用いることができる。例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタン、２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（２’，３’，４’−トリヒドロキシフェニル）プロパン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、フェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールまたはキシレノールなどのフェノール類のホルマリン縮合物の２、３、４核体などが挙げられる。
(ii)におけるカルボキシル基含有化合物としては、既に公知のカルボン酸化合物から任意に用いることができる。例えば、シクロヘキサンカルボン酸、安息香酸、サリチル酸、ビフェニルポリカルボン酸、ナフタレン（ジ）カルボン酸、ナフタレントリ酢酸、ベンゾイル安息香酸、アントラセンカルボン酸、ベンゾフェノンジカルボン酸、１−ナフチル酢酸、下記式で表される化合物、
【００３０】
【化７】
2005099683.tif 000008
【００３１】
などが挙げられる。
(iii)におけるカルボキシル基と水酸基をともに有する化合物としては、公知の化合物から任意に用いることができる。例えば、２，２’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン酸、４，４’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン酸、などが挙げられる。
【００３２】
さらに好ましい（ｃ−１−２）としては、下記一般式（ｉ）で表される化合物の少なくとも一つの水酸基またはカルボキシル基の水素原子を酸解離溶解抑制基で置換した化合物が挙げられる。
これらの（ｃ−１−２）は、ポジ型レジスト組成物を高コントラストにし、レジストパターン形状および解像性を一層向上させるので好ましい。
【００３３】
【化８】
2005099683.tif 000009
［式中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立して水素原子、直鎖状、分岐状または環状の炭素数６以下のアルキル基、低級アルコキシ基、水酸基、カルボキシル基、カルボキシル基含有アルキル基であり、そのうち少なくとも一つは水酸基又はカルボキシル基であり、Ｘはそれぞれ独立して単結合、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｒ5）（Ｒ6）−のいずれかであり、Ｒ5は水素原子または低級アルキル基であり、
Ｒ6は水素原子、低級アルキル基、カルボキシル基、カルボキシル基含有アルキル基または次の一般式（ｉｉ）で表されるアリール基であり（なお、式（ｉｉ）中のＲ1〜Ｒ4は前記定義に同じである）、ｒは０〜２であり、ｑは０または１であり、ｑが０のとき括弧内の基は水素原子である。］
【化９】
2005099683.tif 000010
【００３４】
さらには、下記一般式（Ｉ）で表される化合物の少なくとも一つの水酸基またはカルボキシル基の水素原子を酸解離性溶解抑制基で置換した化合物が好ましい。
【００３５】
【化１０】
2005099683.tif 000011
【００３６】
［式中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立して水素原子、直鎖状、分岐状または環状の炭素数６以下のアルキル基、低級アルコキシ基、水酸基、カルボキシル基、カルボキシル基含有アルキル基であり、そのうち少なくとも一つは水酸基又はカルボキシル基であり、Ｘは単結合、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｒ5）（Ｒ6）−のいずれかであり、Ｒ5は水素原子または低級アルキル基であり、Ｒ6は水素原子、低級アルキル基、カルボキシル基、カルボキシル基含有アルキル基または次の一般式（II）で表されるアリール基であり（式（II）中のＲ1〜Ｒ4は前記定義に同じである）、ｑは０または１であり、ｑが０のとき括弧内の基は水素原子である。］
【００３７】
【化１１】
2005099683.tif 000012
【００３８】
上記Ｒ1〜Ｒ6における直鎖状、分岐状または環状の炭素数６以下のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
低級アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などが挙げられる。
低級アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などが挙げられる。カルボキシル基含有アルキル基とは、カルボキシル基が炭素数１−１０のアルキレン基に結合したものであり、該アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、直鎖状または分岐状のプロピレン基、ブチレン基、へキシレン基、ヘプチレン基、ノニレン基などが挙げられる。
【００３９】
本発明における後者の（ｃ−１−２）成分を具体的に挙げると次のような化合物が挙げられる。
【００４０】
【化１２】
2005099683.tif 000013
【００４１】
【化１３】
2005099683.tif 000014
【００４２】
【化１４】
2005099683.tif 000015
【００４３】
【化１５】
2005099683.tif 000016
【００４４】
また、前記（ｃ−１−２）の中では、下記
【００４５】
【化１６】
2005099683.tif 000017
（式中、Ｒ’は酸解離性溶解抑制基であり、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ独立して水素原子又は低級アルキル基である。）
が好ましく、さらには下記（２Ａ）及び（１Ｂ）で表されるものが好ましい。
【００４６】
【化１７】
2005099683.tif 000018
（式中、Ｒ’は酸解離性溶解抑制基である。）
【００４７】
【化１８】
2005099683.tif 000019
（式中、Ｒ’は酸解離性溶解抑制基である。）
【００４８】
前記一般式（１Ａ）において、Ｒ７、Ｒ８の低級アルキル基は、直鎖又は分岐鎖状であって、好ましくは炭素数１〜５、特に好ましくはメチル基である。
前記一般式（１Ａ）、（２Ａ）、（１Ｂ）において、Ｒ’としては、上記の酸解離性溶解抑制基を挙げることができ、例えば第３級アルコキシカルボニル基、第３級アルコキシカルボニルアルキル基、第３級アルキル基、環状エーテル基、アルコキシアルキル基および１−アルキルシクロアルキル基から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
また、酸解離性溶解抑制基が、ｔｅｒｔ―ブチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ―ブチルオキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、テトラヒドロピラニル基、エトキシエチル基、１−メチルシクロヘキシル基および１−エチルシクロヘキシル基から選択される少なくとも１種であると好ましい。
また、酸解離性溶解抑制基がｔｅｒｔ―ブチルオキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、テトラヒドロピラニル基、エトキシエチル基、１−メチルシクロヘキシル基および１−エチルシクロヘキシル基から選択される少なくとも１種（特にはｔｅｒｔ―ブチルオキシカルボニルメチル基）であると好ましい。
中でも第３級アルコキシカルボニルアルキル基が好ましく、その中ではtert−ブチルオキシカルボニルメチル基好ましい。
前記一般式（２Ａ）、（１Ｂ）のうちでは、一般式（２Ａ）で表されるものが好ましい。
前記一般式（２Ａ）において、Ｒ’がtert−ブチルオキシカルボニルメチル基のものを、以下「ＤＩ」と呼ぶ。
【００４９】
（Ｃ）成分の配合割合は、（Ａ）成分１００質量部に対し、１〜５０質量部、好ましくは５〜４０質量部である。本発明においては、（Ａ）成分として例示した様な、酸解離性溶解抑制基を有さず、特定の溶解速度を有する樹脂と（Ｃ）成分の組み合わせが、ディフェクトの抑制、ＬＥＲの低減に効果的である。
【００５０】
本発明におけるポジ型レジスト組成物には、必要に応じて各種添加剤を配合することができる。添加剤としては、例えば公知のtime delay(露光後引き置き経時安定性)を向上させるための（Ｄ）含窒素有機化合物や、（Ｅ）感度低下や基板依存性を改善するための有機カルボン酸もしくはリンのオキソ酸またはその誘導体等が挙げられる。
【００５１】
（Ｄ）成分、（Ｅ）成分
（Ｄ）成分としては、アミンが好ましく、第２級または第３級の脂肪族低級アミンが好ましい。
例えば、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリイソプロパノールアミン、イソプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリエタノールアミン、ジプロパノールアミン、トリプロパノールアミン等が挙げられる。中でも好ましいのは第３級脂肪族低級アミンである。
（Ｅ）成分について、有機カルボン酸としては、飽和または不飽和脂肪族カルボン酸、脂環式カルボン酸、芳香族カルボン酸等の有機カルボン酸を挙げることができるが、とくに限定されるものではない。
飽和脂肪族カルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸等の１価または多価カルボン酸が挙げられる。
不飽和脂肪族カルボン酸としては、アクリル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、３−ブテン酸、メタクリル酸、４−ペンテン酸、プロピオル酸、２−ブチン酸、マレイン酸、フマル酸、アセチレンカルボン酸等が挙げられる。脂環式カルボン酸としては、１，１−シクロヘキサンジカルボン酸、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シクロヘキサンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、１，１−シクロヘキシルジ酢酸等が挙げられる。
芳香族カルボン酸としては、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒドロキシ安息香酸、２−ヒドロキシ−３−ニトロ安息香酸、フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸等の水酸基、ニトロ基、カルボキシル基等の置換基を有する芳香族カルボン酸が挙げられる。
リンのオキソ酸若しくはその誘導体としては、具体的はリン酸、亜リン酸、リン酸ジｎ−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸または亜リン酸あるいはそれらのエステルのような誘導体、ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸ジｎ−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸およびそれらのエステルのような誘導体、ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸およびそれらのエステルのような誘導体が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【００５２】
（Ｄ）成分の配合割合は、（Ａ）成分１００質量部に対し、０．０１〜５．０質量部、好ましくは０．０５〜３．０質量部がよい。この範囲であると、レジストパターン形状および感度が向上し好ましい。
（Ｅ）有機カルボン酸もしくは燐のオキソ酸又はその誘導体の配合割合は、（Ａ）成分１００質量部に対し、０．０１〜５．０質量部、好ましくは０．０５〜３．０質量部がよい。この範囲であると、解像性および感度が向上し好ましい。
【００５３】
また本発明におけるポジ型レジスト組成物には、さらに必要に応じて、相容性のある添加物、例えばハレーション防止剤や界面活性剤等を適宜配合することができる。
【００５４】
本発明におけるポジ型レジスト組成物は、上記した各成分を適当な溶剤に溶解して溶液の形で用いるのが好ましい。
このような溶剤の例としては、従来のポジ型ホトレジスト組成物に用いられる溶剤を挙げることができ、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、あるいはこれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテル等の多価アルコール類およびその誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；および乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類を挙げることができる。
これらは単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。
【００５５】
［レジストパターンの形成方法］
本発明のレジストパターン形成方法は例えば以下の様にして行うことができる。
すなわち、まずシリコンウェーハのような基板上に、上記ポジ型レジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、８０〜１５０℃の温度条件下、プレベーク（ＰＢ）を４０〜１２０秒間、好ましくは６０〜９０秒間施し、これに例えばＫｒＦ露光装置などにより、ＫｒＦエキシマレーザー光を所望のマスクパターンを介して選択的に露光した後、８０〜１５０℃の温度条件下、ＰＥＢ（露光後加熱）を４０〜１２０秒間、好ましくは６０〜９０秒間施す。次いでこれをアルカリ現像液、例えば０．１〜１０質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像処理する。このようにして、マスクパターンに忠実なレジストパターンを得ることができる。
なお、基板とレジスト組成物の塗布層との間には、有機系または無機系の反射防止膜を設けることもできる。
露光に用いる波長は、特に限定されず、ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザー、ＥＵＶ（極紫外線）、ＶＵＶ（真空紫外線）、ＥＢ（電子線）、Ｘ線、軟Ｘ線などの放射線を用いて行うことができる。特に、本発明にかかるポジ型レジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザーに対して有効である。
【００５６】
本発明のポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターンの形成方法においては、良好な解像性が得られる。例えばＫｒＦエキシマレーザー等の短波長の光源を使用した場合に要求される微細なパターンを解像できる。さらに具体的には、例えばＬ＆Ｓ（ラインアンドスペース）パターンの場合、好ましくは幅３００ｎｍ以下、さらに好ましくは幅２００ｎｍ程度のパターンの解像が可能となる。さらに、パターンのＬＥＲの低減、及びディフェクトの低減を実現できる。よって、微細なパターンの不具合が解消され、高集積化において非常に有利である。また、露光マージンも良好である。
良好な解像性が得られる理由は定かではないが、溶解速度が小さいことにより、（Ｃ）成分によって付与される未露光部分の溶解性と、露光部分の溶解性の差が大きくなることが要因の一つではないかと推測される。また、構成単位（ａ２）がアルコール性水酸基を有することにより、露光部がアルカリ現像液になじみやすく、溶けやすくなると推測される。この点も、溶解性のコントラストの向上による解像性の向上に寄与しているのではないかと推測される。また、構成単位（ａ２）はベンゼン環を有しないので、（Ａ）成分のＫｒＦエキシマレーザー等に対する透明性を向上させることができると推測される。この点も、解像性の向上の一因ではないかと考えられる。
また、ＬＥＲやディフェクトの低減については、上述の様に露光部のアルカリ現像液への溶解性が高いことに加えて、（Ａ）成分は、酸解離性溶解抑制基で保護したものではないため、アルカリ現像液で現像した後、純水等でリンスする際にｐＨショックが生じにくいことが要因の一つなのではないかと推測される。
【実施例１】
【００５７】
（実施例）
表１に示す材料を混合し、ポジ型レジスト組成物を製造した。
【００５８】
【表１】
2005099683.tif 000020
※略語
ＤＭＡｃ：ジメチルアセトアミド
ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
ＥＬ：乳酸エチル
ＤＩ：一般式（２Ａ）においてＲ’がｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニルメチル基であるである化合物。
＊１：質量平均分子量＝12,000、分散度=1.1のポリヒドロキシスチレンの３６モル％に該当するヒドロキシスチレン単位の水酸基の水素を、エトキシエチル基で置換した樹脂
＊ ２：質量平均分子量＝12,000、分散度=1.1のポリヒドロキシスチレンの３９モル％に該当するヒドロキシスチレン単位の水酸基の水素を、tert-ブトキシカルボニル基で置換した樹脂
＊ ３：一般式（１）、（２）において、Ｒが水素原子であり、水酸基がパラ位に結合しているもの
【００５９】
また、（Ａ）成分中の構成単位（ａ１）、（ａ２）の割合（水素添加率）はＧＰＣによって２４８ｎｍにおける波長で確認した。
【００６０】
シリコン基板の上に、当該ポジ型レジスト組成物を塗布し、下記の条件でレジスト被膜を形成し、ＫｒＦエキシマレーザーを用いて選択的に露光し、Ｌ＆Ｓ（ラインアンドスペース）＝１：１のパターンを、ライン幅３００ｎｍ以下の範囲（３００ｎｍ、２５０ｎｍ、２４０ｎｍ、２３０ｎｍ、２２０ｎｍ、２１０ｎｍまで）の場合について、それぞれ形成した。
レジスト膜厚：4200Å
PB/PEB=110℃（時間６０sec）／130℃（時間６０sec）
露光条件：0.50NA/0.75Sigma
なお、ポジ型レジスト組成物の溶解速度 を測定したところ、５Å/secであった。
【００６１】
パターンを走査型電子顕微鏡で観察したところ、ライン幅２１０ｎｍまで解像した。
また、パターンの側壁のＬＥＲは観察されなかった。また、ディフェクトは        ０個であり、生じていなかった。
なお、Eth［Ｌ＆Ｓ＝３００ｎｍ：３００ｎｍの露光部分が、現像により基板が見える状態となる最低露光量］を求めたところ、７ｍＪであった。
また、EOP ［Ｌ＆Ｓ＝３００ｎｍ：３００ｎｍの、Ｌ＆Ｓの比率が１：１となるときの最適露光量］を求めたところ、１６ｍＪであった。
EthとEOPとの差（実施例では９ｍＪ）が大きい程、露光マージンが大きいことを示す。
【００６２】
（比較例１）
表１に示す材料を混合し、ポジ型レジスト組成物を製造した。
露光条件のうち、下記の点を変更した以外は実施例と同様にして評価を行った。
PB/PEB=90℃（時間９０sec）／110℃（時間９０sec）
【００６３】
ポジ型レジスト組成物の溶解速度 は５Å/secと同様であった。
パターンを走査型電子顕微鏡で観察したところ、ライン幅２３０ｎｍまでしか解像しなかった。また、パターンの側壁のＬＥＲが観察された。また、ディフェクトは６０個であった。
Ethは７ｍＪであった。EOP １４ｍＪであった。EthとEOPとの差は７ｍＪであり、実施例よりも小さい値となった。
【００６４】
（比較例２）
実施例1で用いた質量平均分子量、分散度が同等のポリヒドロキシスチレンの溶解速度は１００００Å/secであり、当該ポリヒドロキシスチレンを用いて酸発生剤とＤＩの３成分系のレジストとしても微細なパターンは解像しなかった。
【００６５】
上記実施例、比較例の結果より、本発明のポジ型ホトレジスト組成物を用いることにより、高解像性、ＬＥＲの低減、及びディフェクトの低減を実現できることが確認された。また、さらに良好な露光マージンが得られることがわかった。