(57)【要約】【課題】  プラズマ発生用電極に高周波を印可して、プラズマを発生させ、シリコンウエハを処理するに当たって、プラズマの密度分布を一定に保つことによってシリコンウエハを均一に処理できると共に、ハロゲン系腐食性ガスに対する耐久性の大きいプラズマ発生装置用電極埋設部材を提供すること。【解決手段】  セラミック基板中にプラズマ発生用電極を配設してなる電極埋設部材において、前記電極は、少なくともウエハ保持側の表面がＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に規定された面粗度Raで0.05〜10μｍの粗さを有することを特徴とするプラズマ発生装置用電極埋設部材。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板中にプラズマ発生用電極を配設してなる電極埋設部材において、前記電極は、少なくともウエハ保持側の表面がＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に規定された面粗度Raで0.05〜10μmの範囲の粗さを有することを特徴とするプラズマ発生装置用電極埋設部材。
【請求項２】
前記電極は、導電性炭化物セラミックスもしくは導電性窒化物セラミックスにて形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ発生装置用電極埋設部材。
【請求項３】
セラミック基板中にプラズマ発生用電極を配設してなる電極埋設部材において、前記電極は、少なくともウエハ保持側の表面に、規則的に配列させた突起を設けたことを特徴とするプラズマ発生装置用電極埋設部材。
【請求項４】
前記突起は、100μm〜200μmの高さにしたことを特徴とする請求項３に記載のプラズマ発生装置用電極埋設部材。
【請求項５】
前記電極は、導電性炭化物セラミックスもしくは導電性窒化物セラミックスにて形成されていることを特徴とする請求項３、４のいずれか１項に記載のプラズマ発生装置用電極埋設部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置などの分野において、プラズマ発生雰囲気下でシリコンウエハなどを処理するために用いられるプラズマ発生装置用電極埋設部材に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、エッチング装置や化学的気相成長装置等の半導体製造装置には、ステンレス製ヒータや赤外線を利用した間接加熱方式のヒータが配設されている。しかしながら、半導体製造装置の場合、デポジション用ガスやエッチング用ガス、クリーニング用ガスとして反応性の高いフッ素系、塩素系のハロゲン系腐食ガスが使用されているため、ステンレス鋼やインコネル等の金属からなるヒータが、これらの腐食性ガスと反応し、装置内にパーティクルを発生するという問題があった。こうした問題を解決するために、従来、ヒータの抵抗発熱体はセラミック基板中に埋設することとしている。
【０００３】
また、こうした半導体製造装置では、多くの場合、シリコンウエハ等に所定の処理を加えているが、そのとき、該装置内には前記ハロゲン系腐食性ガスを導入すると共にプラズマを発生させている。そのため、この装置内に設置する部材としては、耐プラズマ性と同時にハロゲン系腐食性ガスに対して耐食性および耐久性に優れているものが求められる。例えば、従来のプラズマ発生装置では、セラミック基板中にプラズマ発生用電極やヒータ電極が埋設されており、そのセラミック基板としては、ハロゲン系腐食性ガスおよびプラズマに対する耐食性および耐久性に優れた窒化アルミニウムを用いることとしている（特許文献１）。そして、こうしたセラミック基板中に埋設されるプラズマ発生用電極としては、特許文献２によると、モリブデン(Mo)あるいはタングステン(Ｗ)からなる金網状電極が用いられている。
【特許文献１】特開2002-329774号公報
【特許文献２】特許3359582号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のモリブデン(Mo)あるいはタングステン(Ｗ)からなる金網状電極をプラズマ発生用電極とするものでは、電極とシリコンウエハ保持側の面（以下、「加工面」という。）との距離が場所によって異なるという問題がある。即ち、金網状電極は、金属製の線材を編み上げることによって形成されるため、線材が交差する部分とそれ以外の部分では、電極表面からセラミック基板のシリコンウエハ加工面までの距離が違ったものになる。例えば、こうした電極に高周波を印加してプラズマを発生させて、シリコンウエハを処理するとき、プラズマ状態になった反応ガスの陽イオンがセラミック基板中のプラズマ発生用電極方向に向ってくる際、プラズマは雷と同様に距離が最も近い場所にめがけて移動するため、金網状電極の線材が交差してシリコンウエハ加工面までの距離が最も短いところに集中してしまう。このような小さな凹凸の存在による上記現象によって、プラズマ発生密度が一定でなくなるため、シリコンウエハの均一処理が困難になるのである。
【０００５】
さらに、従来、プラズマ発生用電極部材を形成する場合、グリーンシート上に炭化タングステン(ＷＣ)のペーストを印刷するか、炭化タングステングリーンシートの打ち抜きパターンにて、プラズマ発生用電極とする導体ペースト層を形成し、スルーホールとなる部分に導体ペーストを充填して導体ペースト充填層を形成している。次いで、これらの処理が行なわれたグリーンシートを積層してホットプレスによって焼成する。この時、端子となる導体ペースト充填層がプラズマ発生用電極を変形させてしまい、結果的にその部分が大きな凹凸形状をもつ突起となってしまう。したがって、シリコンウエハ加工面までの距離が最も短い前記突起部のところに陽イオンプラズマが集中し、この現象によって、プラズマの密度が一定でなくなるため、シリコンウエハの均一処理が困難になるという問題を抱えていた。
【０００６】
本発明の目的は、プラズマ発生用電極に高周波を印可して、プラズマを発生させ、シリコンウエハを処理するに当たって、プラズマの発生分布（密度）を一定に保つことによってシリコンウエハを均一に処理できるようにすると共に、ハロゲン系腐食性ガスに対する耐久性の大きいプラズマ発生装置用電極埋設部材を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
従来技術が抱えている上述した課題の解決について鋭意研究した結果、発明者らは、以下に述べる要旨構成の本発明を開発するに到った。
即ち、発明者らは、セラミック基板中にプラズマ発生用電極を配設してなる電極埋設部材において、前記電極は、少なくともウエハ保持側の表面がJIS Ｂ 0601に規定された面粗度Raで0.05〜10μmの範囲の粗さを有することを特徴とするプラズマ発生装置用電極埋設部材を提案する。
【０００８】
なお、前記プラズマ発生用電極は、導電性炭化物セラミックスもしくは導電性窒化物セラミックスにて形成することが好ましい。
【０００９】
さらに、発明者らは、セラミック基板中にプラズマ発生用電極を配設してなる電極埋設部材において、前記電極は、少なくともウエハ保持側の表面に、規則的に配列させた突起を設けたことを特徴とするプラズマ発生装置用電極埋設部材をも提案する。
【００１０】
なお、前記突起は、100μm〜200μmの高さにしたこと、前記電極は、導電性炭化物セラミックスもしくは導電性窒化物セラミックスにて形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係るプラズマ発生装置用電極埋設部材によれば、該基板中に埋設した電極によるプラズマの発生分布（プラズマ密度）を均一にかつ安定して発生させることができると同時に、ハロゲン系腐食性ガスに対する耐久性に優れ、そうした品質を長期間安定した状態に維持できるプラズマ発生装置用電極埋設部材を安価に提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
上述したように、ハロゲン系腐食性ガスおよびプラズマ発生雰囲気下で使用される電極埋設部材としては、その中に埋設されるプラズマ発生用電極に、金網状電極が採用されていたが、線材を編み上げて形成する場合、線材が交差する部分と交差しない部分とで、電極表面とシリコンウエハ処理面との距離が異なる（小さな凹凸）ことによってプラズマ発生分布が不均一になる。また、セラミックグリーンシートに電極を印刷して積層し、ホットプレスで焼成するとき、端子接続部で電極の変形が発生し、部分的に電極表面とシリコンウエハ処理面との距離が異なる（大きな凹凸）ことになることによって、プラズマ発生分布が不均一になるという問題があった。
【００１３】
この点に関し、発明者らの研究によると、前者（小さな凹凸）に対する対策としては、前記プラズマ発生用電極の表面を粗面化することが有効であることを突き止めた。即ち、電極表面の面粗度をRaで0.05〜10μmの範囲に、好ましくは3〜10μmの範囲に形成することである。さらに好ましくは、3〜5μmの範囲に形成することである。一方、後者（大きな凹凸）に対する対策としては、前記プラズマ発生用電極のウエハ加工面に高さ100μm〜200μmの突起を規則的に配置することによって、シリコンウエハ表面上のプラズマ発生分布（密度）を均一に保つようにした。
【００１４】
一般に、プラズマ発生装置は、シリコンウエハ等に処理を加える際に、プラズマ発生用電極とウエハ加工部材の上方に別に設置されたもう一方のプラズマ発生用電極との間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ成膜あるいはエッチング用ガスを供給することによってシリコンウエハ等に所定の処理を加えている。このとき、セラミック基板中に埋設されたプラズマ発生用電極側がマイナス極となるため、一対のプラズマ発生用電極の間でプラズマ状態に解離した陽イオンがセラミック基板中に埋設されたプラズマ発生用電極側に向って移動する。このとき、プラズマ状態の陽イオンは雷と同じ性質を有するため、避雷針効果によって最も距離が近い電極に集中する性質を示す。
したがって、部材内に埋設したプラズマ発生用電極とは別に、該電極のウエハ加工面の上方に設置されたもう一方のプラズマ発生用電極との間を一定にすれば、プラズマの局部的な集中を回避することが可能となる。なお、上述の避雷針効果については、平均的には約10μｍを超える距離差の時に起こる現象である。
【００１５】
そこで、本発明では、前記プラズマ発生用電極の表面に設ける粗化面は、その面粗度を、JIS-B 0601に規定されている面粗度Raで0.05〜10μmの範囲、好ましくは3〜10μm、さらに好ましくは3〜5μｍの範囲に形成することにした。また、このことに代えて本発明では、電極ウエハ加工面に、意図的に100μm〜200μm程度の高さとなる大きな突起を板面全体に規則的かつ均一な配列で設けることにした。このように、電極表面に粗面化処理を施したり、意図的に突起を設けることによって、プラズマの極端な避雷針効果を制御することができるようになる。
なお、突起についての考え方であるが、これを上記の範囲の高さとし、しかも板面全体に規則的かつ均一な配列とすることにより、上記避雷針効果を積極的に利用することによって、散発的な前記避雷針効果を目立たなくすることで、プラズマの発生分布を逆に均一化するというものである。
【００１６】
本発明では、プラズマ発生用電極の表面を、平均粗さ（Ra）表示で10μｍ程度以下の粗さに制御する。表面粗化方法としては、例えば、400メッシュ、線径0.018（mm）、400メッシュ、線径0.023（mm）、350メッシュ、線径0.025（mm）、325メッシュ、線径0.028（mm）、300メッシュ、線径0.030（mm）、270メッシュ、線径0.035（mm）のステンレス・スクリーンによるスクリーン印刷法によって、導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷する方法が挙げられている。上記のメッシュおよび線径によって形成されるマスクを使用しスクリーン印刷すると、導電ペースト印刷後に、印刷表面にメッシュの痕が残る。この痕は、積層、ホットプレス法による焼結後に、0.05〜10μmの範囲の凹凸を形成するのである。
【００１７】
また、その表面に規則的に並んだ高さ100〜200μｍの大きな突起１２ｂについては、厚さ150〜250μｍのセラミックグリーンシートにパンチングによって直径3.3mmの孔を形成し、この孔にプラズマ発生用電極と同じ組成のセラミックペーストを充填し、積層体を形成する時に、プラズマ発生用電極用グリーンシートの上に積層して、焼成することによって、プラズマ発生用電極表面に高さ100〜200μｍ、直径3mmの突起を形成する。
【００１８】
ところで、ハロゲン系腐食性ガスおよびプラズマ発生雰囲気下で使用される従来の電極埋設部材、たとえば、Ｃ含有窒化アルミニウムをセラミック基板とする部材では、含有Ｃと、セラミック基板内埋設電極、例えばプラズマ発生用電極の構成材料であるMoやＷとが反応を起こし、高温に曝されると炭化物を生成し、その結果として、部材としての体積抵抗率を上昇させて、プラズマ密度が不均一になる。この点に関し、本発明では、プラズマ発生用電極を構成する物質として、導電性セラミックスを採用する。このように、導電性セラミックスを基板材料にすると、上記体積抵抗率の上昇を抑えることができるようになる。
【００１９】
即ち、導電性セラミックスというのは、カーボン（Ｃ）との反応性が低く、そのため、焼成時や500℃以上（プラズマＣＶＤ膜形成の温度）で長時間使用しても、電極成分とセラミック基板に含まれるＣとが反応せず、抵抗値の経時変化がほとんど起らないからである。なかでも、導電性炭化物セラミックスは、予め炭化物となっているためにＣとは反応せず、抵抗値の経時変化も全くないため、プラズマ密度を長時間にわたって安定かつ均一に維持できるという特徴がある。
【００２０】
なお、前記電極として、従来のようにMoやＷなどの金属を使用した場合には、温度の上昇とともに、その金属の格子振動が急速に激しくなるため、電子の自由運動が妨げられるようになる。その結果として、体積抵抗率の上昇を招き、電圧が一定の場合には、電流流量が低下し、温度上昇が困難になるという問題が生じる。
これに対し、導電性セラミックス、特に導電性炭化物セラミックスの場合には、高温になるほど体積抵抗率が低下するため、高温において大電流を投入することができるようになり、プラズマを発生させやすくする。従って、導電性炭化物セラミックスは、200℃以上という高温にて使用するプラズマ発生用電極として有利である。
【００２１】
上記導電性セラミックスは、粒子の粒径が、0.1〜10μｍのものが好適である。この理由は、0.1μｍ未満だと酸化されやすくなるからである。一方、10μｍを超えると、焼結しにくくなり、抵抗値が大きくなる。なお、この粒径の定義は、上述したとおり、任意の二次元断面視で最小短径と最大長径の範囲を定めるものである。
【００２２】
以上のことから、本発明では、絶縁性窒化物セラミック基板中に、導電性炭化物セラミックスにて作成したプラズマ発生電極を埋設することが好ましい。基板として用いる絶縁性窒化物セラミックスは、耐熱性や機械的特性に優れるとともに、ハロゲン系腐食性ガスおよびプラズマに対する耐食性および耐久性に優れるとともに、熱伝導率も高く、温度追従性もまた優れている。しかも、この絶縁性窒化物セラミックスというのは、埋設する導電性セラミック電極と熱膨張係数が近似しているため、熱衝撃によるクラックの発生が起らない。また、この絶縁性窒化物セラミックスは、高温での体積抵抗率の方が、絶縁性炭化物セラミックスの高温での体積抵抗率より高いために、電気的な短絡を起こすことがなく大電流を流すことができ、プラズマを均一に発生させることができる。この意味において、本発明では、絶縁性窒化物セラミック基板に対して、導電性炭化物セラミックスをプラズマ発生用電極の素材として用いることが好ましい。
【００２３】
本発明において、前記窒化物セラミック基板中にはまた、前記プラズマ発生用電極と共に、ヒータ電極を埋設して併用してもよい。その理由は、その電極が腐食性のプラズマガス雰囲気に曝されるのを防止できるとともに、セラミック基板内部にある方が温度制御を迅速に行うことができるからである。
【００２４】
本発明において用いられる前記プラズマ発生用電極には、炭化タングステン（タングステンカーバイト）の粒子を焼成してなる焼結体を用いることが望ましい。原料である炭化タングステン粒子の大きさは、任意の二次元断面視、例えばセラミック基板の厚さ方向の断面視で、粒子径が、１μｍ〜10μｍの範囲内のもの（最小短径：１μｍ、最大長径：10μｍ）が望ましい。その理由は、粒子径が１μm未満の大きさでは、反応性が高く酸化しやすいため、使用中にセラミック基板中の酸素と反応して抵抗値が高くなる、一方、粒子径が10μm以上では焼結性が低下し、やはり抵抗値が高く、電極内での電流密度にばらつきが発生して均一なプラズマを発生させることができないからである。
【００２５】
本発明では、セラミック基板の厚さは、５mm〜20 mm程度とすることが望ましい。この理由は５mm未満だと、セラミック基板の強度自体が低下するため破損しやすくなる。一方、20 mmを超えると、セラミック基板中の温度応答性が悪くなるため、温度制御できなくなる。
【００２６】
以下、本発明の実施形態について図面に基づき詳しく説明する。
図１は、本発明に係るプラズマ発生装置用電極埋設部材の一例を示す部分断面図である。この図に示すように、本発明に適合する形態をもつプラズマ発生装置の電極埋設部材１０は、主として、セラミック基板１１と、この基板１１中に埋設されているプラズマ発生用電極１１２とからなるものである。
そして、この部材には、必要に応じてさらに、前記基板の底面（ウエハ処理面とは反対側の面）１１ｂに、セラミック製の端子保護筒１７が接合され、一方、前記セラミック基板１１の上面（加工面）１１ａは、表ウエハを支持するための複数の凸部１１ｃが形成され、さらにセラミック基板１１の内部には、ヒータ電極１２が埋設され、そしてこのヒータ電極１２の端部には、スルーホール１３およびこのスルーホール１３を基板底面１１ｂに露出させるための袋孔などを形成することが好ましい。
【００２７】
なお、前記プラズマ発生用電極１１２の端部の直下にもまた別のスルーホール１１３およびこのスルーホール１１３を基板底面１１ｂに露出させるため袋孔などが形成される。これらのスルーホール１３、１１３は、ロウ材層（図示せず）を介して外部端子２３と接続される。
ここで、前記スルーホールとは、プラズマ発生用電極やヒータ電極、静電電極等と、外部端子とを電気的に接続するため用いられる孔内壁部に導体が形成された孔をいう。
【００２８】
図１に示すプラズマ発生装置１０では、セラミック基板１１の内部に埋設されたヒータ電極１２は、基板の中心付近から外周方向へ同心円状に連続配設された回路例を示しており、ヒータ電極１２の端部は、セラミック基板１１の中心付近に形成されている例が示してある。
【００２９】
上述したプラズマ発生装置用電極埋設部材を半導体製造装置中で使用する場合、セラミック基板１１は通常、底板を備えた支持容器内に、端子保護筒１７とは反対側の面が上記底板に密着するように固定される。これにより、端子保護筒１７の内側と外側とは気密状態で隔離され、たとえセラミック基板１１の周囲が反応性ガスやハロゲンガス等の腐食性ガス雰囲気に曝された場合であっても、該端子保護筒１７の内部に収納された外部端子２３等は、上記腐食性ガスと直接触れても、腐食するようなことはない。しかも、この端子保護筒１７は、セラミック基板１１をしっかりと支持する働きをも発揮するので、セラミック基板１１が高温に加熱された場合でも、自重によって反るようなことはない。その結果、半導体ウエハ等の被加熱物の破損を防止できるとともに、被加熱物を均一な温度になるように加熱することができる。
【００３０】
また、前記測温素子１８０に接続されているリード線２６も、端子保護筒１７の内部に収納されることが望ましい。もし、このリード線２６を端子保護筒１の外に設ける場合、反応性ガスやハロゲンガス等による腐食を防ぐ上で碍子等により保護することが望ましい。
【００３１】
本発明において、前記プラズマ発生用電極１１２の一の構造としては、単層の場合はウエハ加工面側が、図３（ａ）に示すような複数層の場合は、少なくても最上層のウエハ加工面側が、上述したように小さな凹凸である粗面１１２ａになっている。さらに、本発明において、前記プラズマ発生用電極１１２の他の構造としては、単層の場合はウエハ加工面側が、図３（ｂ）に示すような複数層の場合は、少なくても最上層のウエハ加工面側が、上述したような大きな凹凸からなる突起１１２ｂが形成されている。そして、この電極１１２の素材は、導電性セラミックスにて構成されることが望ましい。その導電性セラミックスとしては、例えば、使用時の焼成によって金属が炭化したものではなく、電極材料として、既にタングステン炭化物、モリブデン炭化物となったものが用いられる。これらの導電性セラミックスは、単独で用いてもよくまた、２種以上を混合したものでもよい。なかでも炭化タングステンはより好適である。
【００３２】
上記導電性セラミックスからなるプラズマ発生用電極１１２の層の配置としては、上述した粗化面１１２の粗さ頂部は、その突起頂部からの距離にして5μｍ〜300μm程度とすることが望ましい。本発明において、この電極層の厚みの測定値は、プラズマ発生用電極が埋設されるセラミック基板１１を、ウエハ加工面に対して垂直な方向に切断し、その時に観察されるプラズマ発生用電極とセラミック基板との境界と境界の距離を、場所によってばらつきが生じるのを防ぐため、任意の１０個所を測定し、その平均値を用いる。この厚さが、5μm未満だと、電極層の厚みのバラツキの程度が大きく影響されるため、抵抗値のバラツキが大きく、プラズマ分布が一定にならないため、ウエハ表面に形成される気相成長面の厚みバラツキが大きくなる。一方、300μｍを超えると、高温時に、クラックが発生してしまう。
【００３３】
上記プラズマ発生用電極の層を形成する方法としては、導体グリーンシートか導体ペーストを用いることが好ましい。導体グリーンシートの場合、導体グリーンシートをパターンに打ち抜いた後、セラミック基板となる絶縁性グリーンシートの上に積層し、焼成して形成することが望ましい。その導体グリーンシートとは、導電性セラミック粒子を含有したものであり、その他に各種の樹脂や溶剤、増粘剤等を含有するものであってもよい。
【００３４】
上記グリーンシートに使用される樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が使用でき、上記溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコールなどが使用でき、また、上記増粘剤としては、例えば、セルロースなどが使用できるが、これらの例示のものだけに限られるものではない。
【００３５】
また、上記導電性セラミックスからなるプラズマ発生用電極の層を形成する際に、導体ペーストを採用する場合、絶縁性セラミックグリーンシート上に、スクリーン印刷法を利用して、導体ペースト層を形成し、その後さらに、印刷していない他のセラミックグリーンシートを積層し、焼成することにより、セラミック基板の内部にプラズマ発生用電極層が埋設されたものとすることができる。
【００３６】
上記導電性セラミックペーストは、スクリーン印刷法を利用するため、導電性セラミック粒子以外に、各種の樹脂や溶剤、増粘剤等を含有しているものが望ましい。樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが用いられ、溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコールなどが用いられ、そして、増粘剤としては、例えば、セルロースなどが用いられるが、これらのものだけに限られるものではない。
【００３７】
本発明の電極埋設部材において、前記セラミック基板１１には、プラズマ発生用電極１１２に加えてさらに、静電電極を形成してもよく、この場合、上記のプラズマ発生装置は、加熱手段を備えた静電チャックとして機能する。
【００３８】
本発明の電極埋設部材において、セラミック基板１１を構成するセラミック材料（なお、炭化ケイ素は、純度が高い場合には、絶縁性を示し、一方、純度が低い場合には、カーボンの導電性により導電化を示す。そのため、上記セラミック基板として用いるときは純度の高い炭化ケイ素を使用することが望ましい）としては、例えば、窒化物セラミックス、炭化物セラミックス、酸化物セラミックスなどの使用が可能である。上記窒化物セラミックスの例としては、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等が挙げられる。上記炭化物セラミックスの例としては、例えば、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン等が挙げられる。また、上記酸化物セラミックスの例としては、例えば、アルミナ、シリカ、コージェライト、ムライト、ジルコニア、ベリリア等を用いることができる。これらのセラミック材料は、単独で用いてもよく、また２種以上を混合したものでもよい。
【００３９】
これらのなかでは、窒化物セラミックスや炭化物セラミックスの使用が望ましい。その理由は、窒化物セラミックスや炭化物セラミックスは、熱膨張係数が金属より小さく、また機械的な強度が金属に比べて格段に高いので、セラミック基板の厚さを薄くしても加熱により反ったり歪んだりしないという特性を持ち、そのため、セラミック基板を薄くて軽いものとすることができるからである。また、上記セラミック基板は熱伝導率が高いので、これを薄くすると、電圧、電流量を変えてヒータ電極の温度を変化させた場合に、基板表面温度がヒータ電極の温度変化に迅速に追従し、温度制御が容易になる。基板には、窒化物セラミックスを用いることがより好ましい。その理由は、窒化物セラミックスは、耐熱性や機械的特性に優れるとともに、熱伝導率も高いからであり、とくに、窒化アルミニウムがよい。それは、窒化アルミニウムは、常温で熱伝導率が180 Ｗ／ｍ・Ｋと高く、セラミック基板の温度追従性が最も優れているからである。
【００４０】
上記セラミック基板は、焼結助剤を含有したものを用いることが好ましい。この焼結助剤としては、例えば、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、希土類酸化物等を用いる。これらのなかでは、CaＯ、Ｙ２Ｏ３、Na２Ｏ、Li２Ｏ、Rb２Ｏの使用が望ましい。
【００４１】
上記セラミック基板は、また、カーボンを200 ppm以上含有するものが望ましい。その理由は、このようなセラミック基板では、サーモビュアによる明度（N）の測定を通じて、表面温度の正確な測定が可能になるからである。ここで、明度のＮは、理想的な黒の明度を０とし、理想的な白の明度を１０とし、これらの黒の明度と白の明度との間で、その色の明るさの知覚が等歩度となるように各色を１０分割し、Ｎ０〜Ｎ１０の記号で表示したものである。
【００４２】
前記セラミック基板１１は、また、気孔率が５％以下のものを用いることが望ましい。その理由は、高温での熱伝導率の低下、反りの発生を抑制することができるからである。上記気孔率はアルキメデス法により測定することができる。
【００４３】
図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明のプラズマ発生装置用電極埋設部材に埋設されるプラズマ発生用電極の形状を示す平面図である、図２（ａ）は円状プレーン型のプラズマ発生用電極の例、図２（ｂ）、図２（ｃ）に示すものは、円形プレーン型のものに円形や方形の開口１１２ｈを規則的に穿孔してなるメッシュ状のパターンをもつプラズマ発生用電極の例である。
【００４４】
なお、図２（ｂ）、（ｃ）に示すプラズマ発生装置用電極１１２は、多数の開口１１２ｈを有する板状体からなる面状の電極層であり、粗面１１２ａ、突起１１２ｂの他、多数の開口１１２ｈを有するため、これらが相乗的に作用し合って、セラミック粒子がセラミックグリーンシートの積層時に流動し、セラミックスの接合力が向上し強度が向上する。また、セラミック基板１１とプラズマ発生用電極１１２との熱膨張係数の差によって、接触部付近では応力が発生し、セラミック基板１１が破損する可能性があるが、開口１１２ｈを有する場合、応力が分散されるため、上記の危険性が回避される点で有用である。
【００４５】
図２（ｃ）に示すプラズマ発生装置用電極は、網状のメッシュとしたものであって、開口率は4〜40％程度に調整されている。そして、その表面は、スクリーン印刷法によって、平均表面粗さ（Ra）8μｍ程度の粗面とするか、場合によっては突起１１２ｂを形成してもよい。
【００４６】
図３は、セラミック基板１１中にプラズマ発生装置用電極１１２の複数を積層して多層状に埋設したものである。一般に、プラズマ発生用電極に高周波を印加すると、電極の層厚が薄いと高周波が流れにくく、とくに、一層からなる場合、電極と給電端子との接合部に熱が集中して、大きな熱応力が発生する。そのために、セラミック基板に破損を引き起こす可能性があるので、２層以上の多層状とすることによって、このような問題を回避することができる点で有利である。
【００４７】
図４は、円状の前記プラズマ発生用電極１１２等を複数に分割した形態を示す断面図である。
【００４８】
なお、セラミック基板の内部に、ヒータ電極を埋設する場合のその埋設位置は、基板底面から厚さ方向60％までの位置に、少なくとも１層を埋設することが望ましい。その理由は、熱が加熱面まで伝搬する間によく拡散し、加熱面での温度分布を均一にしやすいからである。
【００４９】
上記プラズマ発生用電極１１２およびヒータ電極１１３には、導電性セラミックス製パッド（スルーホール）が接続され、そのパッドにはさらに金属製（Ｗ，Mo）の外部端子受けが接続される。なお、この外部端子受けには、セラミック製パッドと接する外周部にネジが設けてあり、そのネジを介して外部端子受けとセラミックスとが接合固定される。その外部端子受けにもまた、ネジが形成されていて、このネジに給電端子であるNi電極に螺合される。
そして、上記セラミック基板１１には、その底面に、加熱面に向けて穿設された有底孔を設け、その有底孔内には熱電対等の測温素子を取付けることが望ましい。この測温素子によりヒータ電極の温度を測定し、そのデータをもとに電圧、電流量を変えて、温度を制御することができる。
【００５０】
また、本発明において、セラミック基板の中央から離れた部分には、図１に示すように、リフターピン（図示せず）を挿通するための貫通孔１５が設けられていることが望ましい。このリフターピンは、その上に半導体ウエハ等の被加熱物を載置して上下させることができるようになっており、これにより、上記半導体ウエハを搬送機（図示せず）に渡したり、搬送機から半導体ウエハを受け取ったりするものである。
【００５１】
なお、上記セラミック基板のウエハ加工面側の表面には、該ウエハを支持するための複数個の突起（但し、これは電極に設けた前記突起１１２ｂとは異なるものである）１１ｃがエンボス加工によって設けてあると共に、その突起１１ｃ表面はブラスト加工によって粗面化したものを用いてもよい。なお、この基板上に形成された突起１１ｃを介して半導体ウエハを該基板の加工面上に支持することにより、ウエハ等を該加工面から10〜300 μｍ離間させた状態に保持することができる。
【００５２】
上記端子保護筒１７は略筒状であるが、筒の壁面に垂直な断面における外壁の輪郭形状としては、例えば、円形、楕円形、多角形等の形状をのものが好ましい。通常、セラミック基板が円板形状であることから、セラミック体の断面における外壁の輪郭形状は、円形であることが望ましい。
【００５３】
以下、本発明に係るプラズマ発生装置用電極埋設部材を製造する方法につき、プラズマ発生装置１０、とくに電極埋設部材の部分を中心とする製造方法の一例を示す図５に基づき説明する。
【００５４】
（１）グリーンシートの作製工程
まず、セラミック粉末をバインダ、溶剤等と混合してペーストを調製し、これをドクターブレード法でシート状に成形してグリーンシート１１０を作製する。上記セラミック粉末としては、窒化アルミニウム等を使用することができ、必要に応じて、イットリア等の焼結助剤、Ｎａ、Ｃａを含む化合物等を加えてもよい。上記バインダとしては、アクリル系バインダ、エチルセルロース、ブチルセロソルブおよびポリビニルアルコールからなる群より選択される少なくとも１種であることが望ましい。上記溶媒としては、α−テルピネオールおよび／またはグリコールが望ましい。
【００５５】
グリーンシート１１０の厚さは、好ましくは0.1〜2.0 mm程度のものとし、所定のグリーンシート１１０にヒータ電極およびプラズマ発生用電極と接続するためのスルーホールとなる部分を形成するか、予めグリーンシート積層体を作製し、焼成した後に貫通孔や有底孔を形成してもよい。
【００５６】
（２）グリーンシート上に炭化タングステンペーストを印刷する工程
グリーンシート１１０上に炭化タングステン(ＷＣ)のペーストを印刷または、炭化タングステングリーンシートをパターンで打ち抜いてプラズマ発生用電極１１２となる導体ペースト層１２２を形成し、スルーホールとなる部分に導体ペーストを充填して導体ペースト充填層１３３を形成する。そして、炭化タングステン(ＷＣ)グリーンシートを打ち抜いて形成したヒータ電極（炭化ＷＣ発熱体パターン層）１２を前記グリーンシート１１０で挟み、ヒータ電極１２となる炭化タングステン(ＷＣ)ヒータ電極パターン層１２０を、その端部とスルーホールとなる部分に充填した導体ペースト充填層１３０とが重なるように印刷形成し、その上に、導体ペーストを印刷して高周波電極１１２となる導体ペースト層１２２を形成し、さらにスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填して導体ペースト充填層１３３を形成する。
このとき、ヒータ電極１２となる導体ペースト層１２０は、その端部とスルーホールとなる部分に充填した導体ペースト充填層１３０とが重なるように印刷し、また、プラズマ発生用電極１１２となる導体ペースト層１２２は、その端部とスルーホールとなる部分に充填した導体ペースト充填層１３３とが重なるように印刷する。これらの導体ペーストとしては、金属粒子または導電性セラミック粒子が含まれたものを用いることが好ましい。
【００５７】
上記金属粒子としては、炭化タングステン粒子、炭化モリブデン粒子等が好ましく、それらは平均粒径が、0.1〜10μｍのものが好ましい。その理由は、粒径が0.1μｍ未満であるか、10μｍを超えると、導体ペーストを印刷し難いからである。
【００５８】
このような導体ペーストとしては、例えば、金属粒子または導電性セラミック粒子８５〜８７重量部；アクリル系、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニルアルコールからなる群より選択される少なくとも１種のバインダ1.5〜10重量部；α−テルピネオールおよび／またはグリコールからなる溶媒1.5〜10重量部を混合した組成物（ペースト）等を用いることができる。なお、スルーホールとなる部分に充填した導体ペースト充填層１３０、１３３に使用する導体ペーストと、導体ペースト層１２０、１２２に使用する導体ペーストとは、同じ組成であってもよく、また異なる組成のものを用いてもよい。
【００５９】
次に、プラズマ発生用電極の粗面化の工程について説明する。プラズマ発生用電極の表面をRa：0.05〜10μmの範囲に粗面化する場合、400メッシュ、線径0.018（mm）、400メッシュ、線径0.023（mm）、350メッシュ、線径0.025（mm）、325メッシュ、線径0.028（mm）、300メッシュ、線径0.030（mm）、270メッシュ、線径0.035（mm）、200メッシュ、線径0.040（mm）、120メッシュ、線径0.080（mm）などのステンレススクリーンを用いるスクリーン印刷法によって、導電性ペーストをセラミックグリーンシート上に印刷する方法が挙げられる。上記のメッシュおよび線径によって形成されるマスクを使用しスクリーン印刷すると、導電ペースト印刷後に、印刷表面にメッシュの痕が残る。この痕は、積層、ホットプレス法による焼結後に、0.05〜10μmの範囲の凹凸となる。また、大きな突起１１２ｂを形成するために、厚さ150〜250μｍのセラミックグリーンシートにパンチングによって直径3.3mmの孔を形成し、この孔にプラズマ発生用電極と同じ組成のセラミックペーストを充填し、積層体を形成する時に、プラズマ発生用電極用グリーンシートの上に積層し、焼成することによって、プラズマ発生用電極表面に高さ100〜200μｍ、直径3mmの突起を形成するのである。
【００６０】
（３）グリーンシートの積層工程
面粗さが10μｍ以下のプラズマ発生用電極を埋設する積層工程は、プラズマ発生用電極１１２となる導電ペースト層１２２をスクリーン印刷したグリーンシート１１０の上に、電極パターン層を形成していないグリーンシート１１０を図示例では２層積層し、一方、そのグリーンシート１１０の下には、接続導体１１３となる導体ペースト充填層１３３のみを形成したグリーンシート１１０を図示例では２層重ね合わせる。
そして、このグリーンシート１１０の下にはさらに、ヒータ電極１２用パターン層１２０を形成したグリーンシート１１０を重ね合わせ、さらにその下に、好ましくは筒状体である導体ペースト充填層１３０を形成したグリーンシート１１０を積層し、さらにその下に何の加工もしていないグリーンシート１１０を積層する（図５（ａ））。
【００６１】
また、大きな突起を有するプラズマ発生用電極を埋設する積層工程は、プラズマ発生用電極１１２となる導電ペースト層１２２を形成したグリーンシート１１０上に、厚さ１５０〜２５０μｍで直径3.3mmの孔に突起用導電ペーストが充填されるセラミックグリーンシート１１０を積層し、その下には、導電ペースト充填層１３３のみを形成したグリーンシート１１０を重ね合わせる。
そして、このグリーンシート１１０の下にはさらに、ヒータ電極１２用パターン層１２０を形成したグリーンシート１１０を重ね合わせ、さらにその下に、好ましくは筒状体である導体ペースト充填層１３０を形成したグリーンシート１１０を積層し、さらにその下に何の加工もしていないグリーンシート１１０を積層する（図５（ａ）’）。
【００６２】
上記の例において、導体ペースト層１２０を形成したグリーンシート１１０の上側に積層するグリーンシート１１０の数を、下側に積層するグリーンシート１１０の数よりも多くして、製造する電極の形成位置を底面側の方向に偏芯させてもよい。具体的には、上側のグリーンシート１１０の積層数は、２０〜５０枚程度とし、下側のグリーンシート１１０の積層数は１０〜５０枚程度とすることが望ましい。
【００６３】
（４）グリーンシート積層体の焼成工程
次に、グリーンシート積層体の加圧、加熱を行い、グリーンシート１１０および内部のプラズマ発生用電極とヒータ電極となる導体ペースト層１２０、１２２等を焼成し、セラミック基板１１、抵抗発熱体であるヒータ電極１２、プラズマ発生用電極１１２およびスルーホール１３、１１３等を製造する（図５（ｂ））。
上記焼成のための加熱温度の望ましい下限は1000 ℃、望ましい上限は2100 ℃である。加熱は、不活性ガス雰囲気中または真空中で行う。上記不活性ガスとしては、例えば、アルゴン、窒素等を使用することができる。加圧の圧力の望ましい下限は10ＭＰａ、望ましい上限は20ＭＰａである。
【００６４】
半導体ウエハ等の被加熱物を運搬するためのリフターピンを挿入する貫通孔となる部分は、グリーンシート１１０を積層し、焼成後に形成する。形成は、ドリル加工によって行われる。次いで、セラミック基板１１の底面１１ｂに、ドリル加工により袋孔１９を形成する。
【００６５】
（５）略筒状の端子保護筒の製造工程
窒化アルミニウム粉末等のセラミック粉末を、略筒状の成形型に入れて成形し、必要に応じて切断加工を施した後、これを加熱温度1000〜2100 ℃、常圧で焼結することにより、略筒状のセラミック体１７を製造する。このとき、製造する略筒状のセラミック体は、略円筒状であることが望ましい。上記焼結のための加熱は、不活性ガス雰囲気中または真空中で行う。上記不活性ガスとしては、例えば、アルゴン、窒素等を使用することができる。次いで、セラミック体１７の端面を研磨して平坦化する。
【００６６】
（６）セラミック基板とセラミック体との接合工程
セラミック基板１１の底面中央付近に前記端子保護筒１７の端面を接触させた状態で、セラミック基板１１と端子保護筒１７とを加熱して、これらを接合する。このとき、セラミック体１７の内径の内側にセラミック基板１１内のスルーホール１３、１１３が収まるようにして、セラミック体１７をセラミック基板１１の底面に接合する（図５（ｃ））。
【００６７】
セラミック基板１１および端子保護筒１７を接合する方法としては、例えば、セラミック基板１１内部の焼結助剤の濃度と端子保護筒１７の内部の焼結助剤の濃度とが異なるように焼結助剤を含有させ、両者を接合位置で接触させた後、加熱することにより接合する方法は、セラミック基板１１と端子保護筒１７との接合強度が優れることから好ましい方法と言える。この場合、焼結助剤の濃度の高い部材から濃度の低い部材の方に焼結助剤が移動するとともに、界面を横切るように粒子が成長し、しっかりとした接合面が形成される。
【００６８】
また、セラミック基板１１と端子保護筒体１７とを接合するその他の方法としては、例えば、
ａ．セラミック基板１１および端子保護筒１７の接合面に、これらを構成するセラミック材料の焼結助剤を含有する溶液を塗布して焼成する方法（拡散接合）、
ｂ．セラミック基板１１および端子保護筒１７の接合面に、これらを構成するセラミックと主成分が同じセラミックペーストを塗布したのち焼成する方法、
ｃ．金ろう、銀ろう等を用いてろう付けする方法、
ｄ．酸化物系ガラス等の接着剤を用いて接合する方法、
等が挙げられる。
【００６９】
（７）外部端子等の取り付け
前記端子保護筒１７の内側に形成した袋孔１９に、ろう材１９ｃを介してタングステンネジ付きピン１９ａをねじ込み、そしてろう材付きのNi棒１９ｂをタングステンネジ付ピンにねじ込む（図６）、その後、900〜1100 ℃に加熱することが好ましい。
【００７０】
さらに、測温素子としての熱電対２６等をセラミック基板１１の底面に形成した有底孔１４内に挿入し、本発明の電極埋設部材１０の製造を終了する。
【実施例】
【００７１】
（実施例１）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径1.1μｍ）100重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3:イットリア、平均粒径0.4μｍ）４重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ0.47 mmのグリーンシートを作製した。
（２）次に、このグリーンシートを80 ℃で５時間乾燥させた後、スルーホールとなる部分等をパンチングにより成形した。
（３）平均粒径１μｍの炭化タングステン（アライドマテリアル製ＷＣ−１０）粒子10000重量部、アクリル系バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５）1509重量部、可塑剤（黒金化成製 ＤＯＡ）175重量部、１−ブタノール560重量部、エタノール432重量部を混合し、ドクターブレード法にて厚さ65μm±５μmの炭化タングステングリーンシートを製造した。これを空気中25 ℃で48時間乾燥させて厚さ55μm±5μmのグリーンシートとし、このグリーンシートを打ち抜き加工して、ヒータ電極用炭化タングステンのパターンシートを形成した。
（４）平均粒径３μｍの炭化タングステン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α―テルピネオール溶媒3.7重量部、および分散剤0.2重量部を混合してプラズマ発生用電極用導体ペーストを調整した。さらに、外部端子を接続するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。
（５）上記（１）の処理の終わったグリーンシート上に、上述した導体ペーストを、400メッシュ、線径0.018mmのマスクを使用しスクリーン印刷し、空気中25℃で８時間以上乾燥させる。
（６）上記処理の終わった（１）〜（５）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。
（７）上記処理の終わった（１）〜（６）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。
（８）次に、得られた積層体を窒素ガス中、600 ℃で5時間脱脂し、1840℃、圧力15 MPaで６時間ホットプレスし、厚さ18 mmのセラミックス板状体を得た。これを330 mmの円盤状に切り出し、内部に厚さ25μm、幅10 mmのヒータ電極を有するとともに、プラズマ発生用電極の表面を2μｍの面粗度にスルーホールを有するセラミック板状体とした。
（９）そして、得られたセラミックス板状体の表面にドリル加工で測温素子を挿通するための有底孔およびニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔を形成した。
（１０）（１）〜（９）の工程により製造された電極埋設部材、即ちセラミックヒータのウエハ処理面の粗度をRaが0.5μmになるようにブラスト加工を行った。
（１１）（１）〜（９）の工程により製造されたセラミックヒータに、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径0.6μｍ）を乾式ラバープレス法により円筒型に成形して、酸化雰囲気、600 ℃、５時間の条件で脱脂した後、窒素ガス中、1860 ℃、６時間の条件で焼成してなる窒化アルミニウム製の柱状体（外径80 mm、内径70 mm、長さ190 mm）を窒素ガス中、1850 ℃で加熱して接合した。
（１２）前記セグメント１ｎにドリル加工を施して、シリコンウエハのリフターピンを挿通させる貫通孔、熱伝対を埋め込むための有底孔（直径：1.7 mm、深さ：10 mm）を形成した。
【００７２】
（実施例２）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径1.1μｍ）100重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3:イットリア、平均粒径0.4μｍ）４重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ0.47 mmのグリーンシートを作製した。
（２）次に、このグリーンシートを80 ℃で５時間乾燥させた後、スルーホールとなる部分等をパンチングにより成形した。
（３）平均粒径１μｍの炭化タングステン（アライドマテリアル製ＷＣ−１０）粒子10000重量部、アクリル系バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５）1509重量部、可塑剤（黒金化成製 ＤＯＡ）175重量部、１−ブタノール560重量部、エタノール432重量部を混合し、ドクターブレード法にて厚さ65μm±５μmの炭化タングステングリーンシートを製造した。これを空気中25 ℃で48時間乾燥させて厚さ55μm±5μmのグリーンシートとし、このグリーンシートを打ち抜き加工して、ヒータ電極用炭化タングステンのパターンシートを形成した。
（４）平均粒径３μｍの炭化タングステン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α―テルピネオール溶媒3.7重量部、および分散剤0.2重量部を混合してプラズマ発生用電極用導体ペーストを調整した。さらに、外部端子を接続するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。
（５）上記（１）の処理の終わったグリーンシート上に、上述した導体ペーストを、350メッシュ、線径0.025mmのマスクを使用しスクリーン印刷し、空気中25℃で８時間以上乾燥させる。
（６）上記処理の終わった（１）〜（５）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。
（７）上記処理の終わった（１）〜（６）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。
（８）次に、得られた積層体を窒素ガス中、600 ℃で5時間脱脂し、1840℃、圧力15 MPaで６時間ホットプレスし、厚さ18 mmのセラミックス板状体を得た。これを330 mmの円盤状に切り出し、内部に厚さ25μm、幅10 mmのヒータ電極を有するとともに、プラズマ発生用電極の表面を2μｍの面粗度にスルーホールを有するセラミック板状体とした。
（９）そして、得られたセラミックス板状体の表面にドリル加工で測温素子を挿通するための有底孔およびニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔を形成した。
（１０）（１）〜（９）の工程により製造された電極埋設部材、即ちセラミックヒータのウエハ処理面の粗度をRaが0.5μmになるようにブラスト加工を行った。
（１１）（１）〜（９）の工程により製造されたセラミックヒータに、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径0.6μｍ）を乾式ラバープレス法により円筒型に成形して、酸化雰囲気、600 ℃、５時間の条件で脱脂した後、窒素ガス中、1860 ℃、６時間の条件で焼成してなる窒化アルミニウム製の柱状体（外径80 mm、内径70 mm、長さ190 mm）を窒素ガス中、1850 ℃で加熱して接合した。
（１２）前記セグメント１ｎにドリル加工を施して、シリコンウエハのリフターピンを挿通させる貫通孔、熱伝対を埋め込むための有底孔（直径：1.7 mm、深さ：10 mm）を形成した。
【００７３】
（実施例３）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径1.1μｍ）100重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3:イットリア、平均粒径0.4μｍ）４重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ0.47 mmのグリーンシートを作製した。
（２）次に、このグリーンシートを80 ℃で５時間乾燥させた後、スルーホールとなる部分等をパンチングにより成形した。
（３）平均粒径１μｍの炭化タングステン（アライドマテリアル製ＷＣ−１０）粒子10000重量部、アクリル系バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５）1509重量部、可塑剤（黒金化成製 ＤＯＡ）175重量部、１−ブタノール560重量部、エタノール432重量部を混合し、ドクターブレード法にて厚さ65μm±５μmの炭化タングステングリーンシートを製造した。これを空気中25 ℃で48時間乾燥させて厚さ55μm±5μmのグリーンシートとし、このグリーンシートを打ち抜き加工して、ヒータ電極用炭化タングステンのパターンシートを形成した。
（４）平均粒径３μｍの炭化タングステン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α―テルピネオール溶媒3.7重量部、および分散剤0.2重量部を混合してプラズマ発生用電極用導体ペーストを調整した。さらに、外部端子を接続するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。
（５）上記（１）の処理の終わったグリーンシート上に、上述した導体ペーストを、400メッシュ、線径0.023mmのマスクを使用しスクリーン印刷し、空気中25℃で８時間以上乾燥させる。
（６）上記処理の終わった（１）〜（５）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。
（７）上記処理の終わった（１）〜（６）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。
（８）次に、得られた積層体を窒素ガス中、600 ℃で5時間脱脂し、1840℃、圧力15 MPaで６時間ホットプレスし、厚さ18 mmのセラミックス板状体を得た。これを330 mmの円盤状に切り出し、内部に厚さ25μm、幅10 mmのヒータ電極を有するとともに、プラズマ発生用電極の表面を2μｍの面粗度にスルーホールを有するセラミック板状体とした。
（９）そして、得られたセラミックス板状体の表面にドリル加工で測温素子を挿通するための有底孔およびニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔を形成した。
（１０）（１）〜（９）の工程により製造された電極埋設部材、即ちセラミックヒータのウエハ処理面の粗度をRaが0.5μmになるようにブラスト加工を行った。
（１１）（１）〜（９）の工程により製造されたセラミックヒータに、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径0.6μｍ）を乾式ラバープレス法により円筒型に成形して、酸化雰囲気、600 ℃、５時間の条件で脱脂した後、窒素ガス中、1860 ℃、６時間の条件で焼成してなる窒化アルミニウム製の柱状体（外径80 mm、内径70 mm、長さ190 mm）を窒素ガス中、1850 ℃で加熱して接合した。
（１２）前記セグメント１ｎにドリル加工を施して、シリコンウエハのリフターピンを挿通させる貫通孔、熱伝対を埋め込むための有底孔（直径：1.7 mm、深さ：10 mm）を形成した。
【００７４】
（実施例４）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径1.1μｍ）100重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3:イットリア、平均粒径0.4μｍ）４重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ0.47 mmのグリーンシートを作製した。
（２）次に、このグリーンシートを80 ℃で５時間乾燥させた後、スルーホールとなる部分等をパンチングにより成形した。
（３）平均粒径１μｍの炭化タングステン（アライドマテリアル製ＷＣ−１０）粒子10000重量部、アクリル系バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５）1509重量部、可塑剤（黒金化成製 ＤＯＡ）175重量部、１−ブタノール560重量部、エタノール432重量部を混合し、ドクターブレード法にて厚さ65μm±５μmの炭化タングステングリーンシートを製造した。これを空気中25 ℃で48時間乾燥させて厚さ55μm±5μmのグリーンシートとし、このグリーンシートを打ち抜き加工して、ヒータ電極用炭化タングステンのパターンシートを形成した。
（４）平均粒径３μｍの炭化タングステン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α―テルピネオール溶媒3.7重量部、および分散剤0.2重量部を混合してプラズマ発生用電極用導体ペーストを調整した。さらに、外部端子を接続するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。
（５）上記（１）の処理の終わったグリーンシート上に、上述した導体ペーストを、325メッシュ、線径0.028mmのマスクを使用しスクリーン印刷し、空気中25℃で８時間以上乾燥させる。
（６）上記処理の終わった（１）〜（５）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。
（７）上記処理の終わった（１）〜（６）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。
（８）次に、得られた積層体を窒素ガス中、600 ℃で5時間脱脂し、1840℃、圧力15 MPaで６時間ホットプレスし、厚さ18 mmのセラミックス板状体を得た。これを330 mmの円盤状に切り出し、内部に厚さ25μm、幅10 mmのヒータ電極を有するとともに、プラズマ発生用電極の表面を2μｍの面粗度にスルーホールを有するセラミック板状体とした。
（９）そして、得られたセラミックス板状体の表面にドリル加工で測温素子を挿通するための有底孔およびニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔を形成した。
（１０）（１）〜（９）の工程により製造された電極埋設部材、即ちセラミックヒータのウエハ処理面の粗度をRaが0.5μmになるようにブラスト加工を行った。
（１１）（１）〜（９）の工程により製造されたセラミックヒータに、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径0.6μｍ）を乾式ラバープレス法により円筒型に成形して、酸化雰囲気、600 ℃、５時間の条件で脱脂した後、窒素ガス中、1860 ℃、６時間の条件で焼成してなる窒化アルミニウム製の柱状体（外径80 mm、内径70 mm、長さ190 mm）を窒素ガス中、1850 ℃で加熱して接合した。
（１２）前記セグメント１ｎにドリル加工を施して、シリコンウエハのリフターピンを挿通させる貫通孔、熱伝対を埋め込むための有底孔（直径：1.7 mm、深さ：10 mm）を形成した。
【００７５】
（実施例５）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径1.1μｍ）100重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3:イットリア、平均粒径0.4μｍ）４重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ0.47 mmのグリーンシートを作製した。
（２）次に、このグリーンシートを80 ℃で５時間乾燥させた後、スルーホールとなる部分等をパンチングにより成形した。
（３）平均粒径１μｍの炭化タングステン（アライドマテリアル製ＷＣ−１０）粒子10000重量部、アクリル系バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５）1509重量部、可塑剤（黒金化成製 ＤＯＡ）175重量部、１−ブタノール560重量部、エタノール432重量部を混合し、ドクターブレード法にて厚さ65μm±５μmの炭化タングステングリーンシートを製造した。これを空気中25 ℃で48時間乾燥させて厚さ55μm±5μmのグリーンシートとし、このグリーンシートを打ち抜き加工して、ヒータ電極用炭化タングステンのパターンシートを形成した。
（４）平均粒径３μｍの炭化タングステン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α―テルピネオール溶媒3.7重量部、および分散剤0.2重量部を混合してプラズマ発生用電極用導体ペーストを調整した。さらに、外部端子を接続するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。
（５）上記（１）の処理の終わったグリーンシート上に、上述した導体ペーストを、300メッシュ、線径0.030mmのマスクを使用しスクリーン印刷し、空気中25℃で８時間以上乾燥させる。
（６）上記処理の終わった（１）〜（５）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。
（７）上記処理の終わった（１）〜（６）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。
（８）次に、得られた積層体を窒素ガス中、600 ℃で5時間脱脂し、1840℃、圧力15 MPaで６時間ホットプレスし、厚さ18 mmのセラミックス板状体を得た。これを330 mmの円盤状に切り出し、内部に厚さ25μm、幅10 mmのヒータ電極を有するとともに、プラズマ発生用電極の表面を2μｍの面粗度にスルーホールを有するセラミック板状体とした。
（９）そして、得られたセラミックス板状体の表面にドリル加工で測温素子を挿通するための有底孔およびニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔を形成した。
（１０）（１）〜（９）の工程により製造された電極埋設部材、即ちセラミックヒータのウエハ処理面の粗度をRaが0.5μmになるようにブラスト加工を行った。
（１１）（１）〜（９）の工程により製造されたセラミックヒータに、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径0.6μｍ）を乾式ラバープレス法により円筒型に成形して、酸化雰囲気、600 ℃、５時間の条件で脱脂した後、窒素ガス中、1860 ℃、６時間の条件で焼成してなる窒化アルミニウム製の柱状体（外径80 mm、内径70 mm、長さ190 mm）を窒素ガス中、1850 ℃で加熱して接合した。
（１２）前記セグメント１ｎにドリル加工を施して、シリコンウエハのリフターピンを挿通させる貫通孔、熱伝対を埋め込むための有底孔（直径：1.7 mm、深さ：10 mm）を形成した。
【００７６】
（実施例６）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径1.1μｍ）100重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3:イットリア、平均粒径0.4μｍ）４重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ0.47 mmのグリーンシートを作製した。
（２）次に、このグリーンシートを80 ℃で５時間乾燥させた後、スルーホールとなる部分等をパンチングにより成形した。
（３）平均粒径１μｍの炭化タングステン（アライドマテリアル製ＷＣ−１０）粒子10000重量部、アクリル系バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５）1509重量部、可塑剤（黒金化成製 ＤＯＡ）175重量部、１−ブタノール560重量部、エタノール432重量部を混合し、ドクターブレード法にて厚さ65μm±５μmの炭化タングステングリーンシートを製造した。これを空気中25 ℃で48時間乾燥させて厚さ55μm±5μmのグリーンシートとし、このグリーンシートを打ち抜き加工して、ヒータ電極用炭化タングステンのパターンシートを形成した。
（４）平均粒径３μｍの炭化タングステン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α―テルピネオール溶媒3.7重量部、および分散剤0.2重量部を混合してプラズマ発生用電極用導体ペーストを調整した。さらに、外部端子を接続するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。
（５）上記（１）の処理の終わったグリーンシート上に、上述した導体ペーストを、270メッシュ、線径0.035mmのマスクを使用しスクリーン印刷し、空気中25℃で８時間以上乾燥させる。
（６）上記処理の終わった（１）〜（５）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。
（７）上記処理の終わった（１）〜（６）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。
（８）次に、得られた積層体を窒素ガス中、600 ℃で5時間脱脂し、1840℃、圧力15 MPaで６時間ホットプレスし、厚さ18 mmのセラミックス板状体を得た。これを330 mmの円盤状に切り出し、内部に厚さ25μm、幅10 mmのヒータ電極を有するとともに、プラズマ発生用電極の表面を2μｍの面粗度にスルーホールを有するセラミック板状体とした。
（９）そして、得られたセラミックス板状体の表面にドリル加工で測温素子を挿通するための有底孔およびニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔を形成した。
（１０）（１）〜（９）の工程により製造された電極埋設部材、即ちセラミックヒータのウエハ処理面の粗度をRaが0.5μmになるようにブラスト加工を行った。
（１１）（１）〜（９）の工程により製造されたセラミックヒータに、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径0.6μｍ）を乾式ラバープレス法により円筒型に成形して、酸化雰囲気、600 ℃、５時間の条件で脱脂した後、窒素ガス中、1860 ℃、６時間の条件で焼成してなる窒化アルミニウム製の柱状体（外径80 mm、内径70 mm、長さ190 mm）を窒素ガス中、1850 ℃で加熱して接合した。
（１２）前記セグメント１ｎにドリル加工を施して、シリコンウエハのリフターピンを挿通させる貫通孔、熱伝対を埋め込むための有底孔（直径：1.7 mm、深さ：10 mm）を形成した。
【００７７】
（実施例７）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径1.1μｍ）100重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3:イットリア、平均粒径0.4μｍ）４重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ0.47 mmのグリーンシートを作製した。
（２）次に、このグリーンシートを80 ℃で５時間乾燥させた後、直径3mmスルーホールとなる部分等を10個パンチングにより成形した。
（３）平均粒径１μｍの炭化タングステン（アライドマテリアル製ＷＣ−１０）粒子10000重量部、アクリル系バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５）1509重量部、可塑剤（黒金化成製 ＤＯＡ）175重量部、１−ブタノール560重量部、エタノール432重量部を混合し、ドクターブレード法にて厚さ65μm±５μmの炭化タングステングリーンシートを製造した。これを空気中25 ℃で48時間乾燥させて厚さ55μm±5μmのグリーンシートとし、このグリーンシートを打ち抜き加工して、ヒータ電極用炭化タングステンのパターンシートを形成した。
（４）平均粒径３μｍの炭化タングステン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α―テルピネオール溶媒3.7重量部、および分散剤0.2重量部を混合してプラズマ発生用電極用導体ペーストを調整した。さらに、外部端子を接続するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。
（５）上記（１）の処理の終わったグリーンシート上に、上述した導体ペーストを、200メッシュ、線径0.040mmのマスクを使用しスクリーン印刷し、空気中25℃で８時間以上乾燥させる。
（６）上記処理の終わった（１）〜（５）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。
（７）上記処理の終わった（１）〜（６）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。
（８）次に、得られた積層体を窒素ガス中、600 ℃で5時間脱脂し、1840℃、圧力15 MPaで６時間ホットプレスし、厚さ18 mmのセラミックス板状体を得た。これを330 mmの円盤状に切り出し、内部に厚さ25μm、幅10 mmのヒータ電極を有するとともに、プラズマ発生用電極の表面を10μｍの面粗度にスルーホールを有するセラミック板状体とした。
（９）そして、得られたセラミック板状体の表面にドリル加工で測温素子を挿通するための有底孔およびニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔を形成した。
（１０）（１）〜（９）の工程により製造された電極埋設部材、即ちセラミックヒータのウエハ処理面の粗度をRaが0.5μmになるようにブラスト加工を行った。
（１１）（１）〜（９）の工程により製造されたセラミックヒータに、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径0.6μｍ）を乾式ラバープレス法により円筒型に成形して、酸化雰囲気、600 ℃、５時間の条件で脱脂した後、窒素ガス中、1860 ℃、６時間の条件で焼成してなる窒化アルミニウム製の柱状体（外径80 mm、内径70 mm、長さ190 mm）を窒素ガス中、1850 ℃で加熱して接合した。
（１２）前記セグメント１ｎにドリル加工を施して、シリコンウエハのリフターピンを挿通させる貫通孔、熱伝対を埋め込むための有底孔（直径：1.7 mm、深さ：10 mm）を形成した。
（１３）ニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔に、Au−Niろう材を附着したタングステンピンを固定用孔に固定し、先端にAu−Niろう材を附着させたニッケル棒をねじ込み、窒素雰囲気、1030 ℃で28分の条件でニッケル棒のろう付けした。
【００７８】
（実施例８）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径1.1μｍ）100重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3:イットリア、平均粒径0.4μｍ）４重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ0.47 mmおよび0.15mmのグリーンシートを作製した。
（２）次に、このグリーンシートを80 ℃で５時間乾燥させた後、外部端子形成のために、厚さ0.47mmのグリーンシートに、直径３ｍｍの円形スルーホール１０個をパンチングにより成形した。
（３）さらに、80 ℃で５時間乾燥させた厚さ150μｍのグリーンシートを、電極表面形成のために、直径3.3ｍｍの円形スルーホール５０個をパンチングにより成形した。
（４）平均粒径１μｍの炭化タングステン（アライドマテリアル製ＷＣ−１０）粒子10000重量部、アクリル系バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５）1509重量部、可塑剤（黒金化成製 ＤＯＡ）175重量部、１−ブタノール560重量部、エタノール432重量部を混合し、ドクターブレード法にて厚さ65μm±５μmの炭化タングステングリーンシートを製造した。これを空気中25 ℃で48時間乾燥させて厚さ55μm±5μmのグリーンシートとし、このグリーンシートを打ち抜き加工して、ヒータ電極用炭化タングステンのパターンシートを形成した。
（５）平均粒径３μｍの炭化タングステン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α―テルピネオール溶媒3.7重量部、および分散剤0.2重量部を混合してプラズマ発生用電極用導体ペーストを調整した。さらに、外部端子を接続するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。さらに、プラズマ発生用電極の表面に突起を形成するために設けられるスルーホール内に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。
（６）上記（１）の処理の終わったグリーンシート上に、上述した導体ペーストをスクリーン印刷し、空気中25 ℃で８時間以上乾燥させる。
（７）上記処理の終わった（１）〜（６）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。こうして、プラズマ発生用電極の表面に150μｍの突起が形成されるとともに、電極表面は、Ra：150μｍ程度の表面粗度となった。
（８）次に、得られた積層体を窒素ガス中、600 ℃で5時間脱脂し、1840℃、圧力15 MPaで６時間ホットプレスし、厚さ18 mmのセラミック板状体を得た。これを330 mmの円盤状に切り出し、内部に厚さ25μm、幅10 mmのヒータ電極を有するとともに、プラズマ発生用電極表面に100μｍの突起が形成されるととともに、スルーホールを有するセラミック板状体とした。
（９）次に、前記セラミックス板状体の表面にドリル加工で測温素子を挿通するための有底孔およびニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔を形成した。
（１０）（１）〜（９）の工程により製造された電極埋設部材のウエハ処理面に粗度（Ra）が0.5μmになるようにブラスト加工を行った。
（１１）（１）〜（９）の工程により製造されたセラミックヒータに、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径0.6μｍ）を乾式ラバープレス法により円筒型に成形して、酸化雰囲気、600 ℃、５時間の条件で脱脂した後、窒素ガス中、1860 ℃、６時間の条件で焼成してなる窒化アルミニウム製の柱状体（外径80 mm、内径70 mm、長さ190 mm）を窒素ガス中、1850 ℃で加熱して接合した。
（１２）前記セグメント１ｎにドリル加工を施して、シリコンウエハのリフターピンを挿通させる貫通孔、熱伝対を埋め込むための有底孔（直径：1.7 mm、深さ：10 mm）を形成した。
（１３）ニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔に、Au−Niろう材を附着したタングステンピンを固定用孔に固定し、先端にAu−Niろう材を附着させたニッケル棒をねじ込み、窒素雰囲気、1030 ℃で28分の条件でニッケル棒のろう付けした。
【００７９】
（実施例９）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径1.1μｍ）100重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3:イットリア、平均粒径0.4μｍ）４重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ0.47 mmおよび0.17mmのグリーンシートを作製した。
（２）次に、このグリーンシートを80 ℃で５時間乾燥させた後、外部端子形成のために、直径３ｍｍの円形スルーホール１０個をパンチングにより成形した。
（３）さらに、80 ℃で５時間乾燥させた厚さ170μｍのグリーンシートを、電極表面形成のために、直径3.3ｍｍの円形スルーホール５０個をパンチングにより成形した。
（４）平均粒径１μｍの炭化タングステン（アライドマテリアル製ＷＣ−１０）粒子10000重量部、アクリル系バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５）1509重量部、可塑剤（黒金化成製 ＤＯＡ）175重量部、１−ブタノール560重量部、エタノール432重量部を混合し、ドクターブレード法にて厚さ65μm±５μmの炭化タングステングリーンシートを製造した。これを空気中25 ℃で48時間乾燥させて厚さ55μm±5μmのグリーンシートとし、このグリーンシートを打ち抜き加工して、ヒータ電極用炭化タングステンのパターンシートを形成した
（５）平均粒径３μｍの炭化モリブデン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α―テルピネオール溶媒3.7重量部、および分散剤0.2重量部を混合してプラズマ発生用電極用導体ペーストを調整した。さらに、プラズマ発生用電極の表面に突起を形成するために設けられるスルーホール内に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。
（６）上記（１）の処理の終わったグリーンシート上に、上述した導体ペーストをスクリーン印刷し、空気中25 ℃で８時間以上乾燥させる。
（７）上記処理の終わった（１）〜（６）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。こうして、プラズマ発生用電極の表面に170μｍの突起が形成されるとともに、電極表面は、Ra：150μｍ程度の表面粗度となった。
（８）次に、得られた積層体を窒素ガス中、600 ℃で5時間脱脂し、1840℃、圧力15 MPaで６時間ホットプレスし、厚さ18 mmのセラミック板状体を得た。これを330 mmの円盤状に切り出し、内部に厚さ25μm、幅10 mmのヒータ電極を有するとともに、プラズマ発生用電極表面に120μｍの突起が形成されるととともに、スルーホールを有するセラミック板状体とした。
（９）そして、得られたセラミックス板状体の表面にドリル加工で測温素子を挿通するための有底孔およびニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔を形成した。
（１０）（１）〜（９）の工程により製造された電極埋設部材、即ちセラミックヒータのウエハ処理面の粗度をRaが0.5μmになるようにブラスト加工を行った。
（１１）（１）〜（９）の工程により製造されたセラミックヒータに、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径0.6μｍ）を乾式ラバープレス法により円筒型に成形して、酸化雰囲気、600 ℃、５時間の条件で脱脂した後、窒素ガス中、1860 ℃、６時間の条件で焼成してなる窒化アルミニウム製の柱状体（外径80 mm、内径70 mm、長さ190 mm）を窒素ガス中、1850 ℃で加熱して接合した。
（１２）前記セグメント１ｎにドリル加工を施して、シリコンウエハのリフターピンを挿通させる貫通孔、熱伝対を埋め込むための有底孔（直径：1.7 mm、深さ：10 mm）を形成した。
（１３）ニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔に、Au−Niろう材を附着したタングステンピンを固定用孔に固定し、先端にAu−Niろう材を附着させたニッケル棒をねじ込み、窒素雰囲気、1030 ℃で28分の条件でニッケル棒のろう付けした。
【００８０】
（実施例１０）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径1.1μｍ）100重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3:イットリア、平均粒径0.4μｍ）４重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ0.47 mmおよび0.20mmのグリーンシートを作製した。
（２）次に、このグリーンシートを80 ℃で５時間乾燥させた後、外部端子形成のために、直径３ｍｍの円形スルーホール１０個をパンチングにより成形した。
（３）さらに、80 ℃で５時間乾燥させた厚さ200μｍのグリーンシートを、電極表面形成のために、直径3.3ｍｍの円形スルーホール５０個をパンチングにより成形した。
（４）平均粒径１μｍの炭化タングステン（アライドマテリアル製ＷＣ−１０）粒子10000重量部、アクリル系バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５）1509重量部、可塑剤（黒金化成製 ＤＯＡ）175重量部、１−ブタノール560重量部、エタノール432重量部を混合し、ドクターブレード法にて厚さ65μm±５μmの炭化タングステングリーンシートを製造した。これを空気中25 ℃で48時間乾燥させて厚さ55μm±5μmのグリーンシートとし、このグリーンシートを打ち抜き加工して、ヒータ電極用炭化タングステンのパターンシートを形成した。
（５）平均粒径３μｍの炭化タングステン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α―テルピネオール溶媒3.7重量部、および分散剤0.2重量部を混合してプラズマ発生用電極用導体ペーストを調整した。さらに、外部端子を接続するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。さらに、プラズマ発生用電極の表面に突起を形成するために設けられるスルーホール内に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。
（６）上記（１）の処理の終わったグリーンシート上に、上述した導体ペーストをスクリーン印刷し、空気中25 ℃で８時間以上乾燥させる。
（７）上記処理の終わった（１）〜（６）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。こうして、プラズマ発生用電極の表面に200μｍの突起が形成されるとともに、電極表面は、Ra：150μｍ程度の表面粗度となった。
（８）次に、得られた積層体を窒素ガス中、600 ℃で5時間脱脂し、1840℃、圧力15 MPaで６時間ホットプレスし、厚さ18 mmのセラミック板状体を得た。これを330 mmの円盤状に切り出し、内部に厚さ25μm、幅10 mmのヒータ電極を有するとともに、プラズマ発生用電極表面に150μｍの突起が形成されるととともに、スルーホールを有するセラミック板状体とした。
（９）そして、得られたセラミックス板状体の表面にドリル加工で測温素子を挿通するための有底孔およびニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔を形成した。
（１０）（１）〜（９）の工程により製造された電極埋設部材、即ちセラミックヒータのウエハ処理面の粗度をRaが0.5μmになるようにブラスト加工を行った。
（１１）（１）〜（９）の工程により製造されたセラミックヒータに、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径0.6μｍ）を乾式ラバープレス法により円筒型に成形して、酸化雰囲気、600 ℃、５時間の条件で脱脂した後、窒素ガス中、1860 ℃、６時間の条件で焼成してなる窒化アルミニウム製の柱状体（外径80 mm、内径70 mm、長さ190 mm）を窒素ガス中、1850 ℃で加熱して接合した。
（１２）前記セグメント１ｎにドリル加工を施して、シリコンウエハのリフターピンを挿通させる貫通孔、熱伝対を埋め込むための有底孔（直径：1.7 mm、深さ：10 mm）を形成した。
（１３）ニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔に、Au−Niろう材を附着したタングステンピンを固定用孔に固定し、先端にAu−Niろう材を附着させたニッケル棒をねじ込み、窒素雰囲気、1030 ℃で28分の条件でニッケル棒のろう付けした。
【００８１】
（実施例１１）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径1.1μｍ）100重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3:イットリア、平均粒径0.4μｍ）４重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ0.47 mmおよび0.22mmのグリーンシートを作製した。
（２）次に、このグリーンシートを80 ℃で５時間乾燥させた後、外部端子形成のために、直径３ｍｍの円形スルーホール１０個をパンチングにより成形した。
（３）さらに、80 ℃で５時間乾燥させた厚さ220μｍのグリーンシートを、電極表面形成のために、直径3.3ｍｍの円形スルーホール５０個をパンチングにより成形した。
（４）平均粒径１μｍの炭化タングステン（アライドマテリアル製ＷＣ−１０）粒子10000重量部、アクリル系バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５）1509重量部、可塑剤（黒金化成製 ＤＯＡ）175重量部、１−ブタノール560重量部、エタノール432重量部を混合し、ドクターブレード法にて厚さ65μm±５μmの炭化タングステングリーンシートを製造した。これを空気中25 ℃で48時間乾燥させて厚さ55μm±5μmのグリーンシートとし、このグリーンシートを打ち抜き加工して、ヒータ電極用炭化タングステンのパターンシートを形成した。
（５）平均粒径３μｍの窒化チタン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α―テルピネオール溶媒3.7重量部、および分散剤0.2重量部を混合してプラズマ発生用電極用導体ペーストを調整した。さらに、外部端子を接続するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。
さらに、プラズマ発生用電極の表面に突起を形成するために設けられるスルーホール内に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。
（６）上記（１）の処理の終わったグリーンシート上に、上述した導体ペーストをスクリーン印刷し、空気中25 ℃で８時間以上乾燥させる。
（７）上記処理の終わった（１）〜（６）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。こうして、プラズマ発生用電極の表面に220μｍの突起が形成されるとともに、電極表面は、Ra：150μｍ程度の表面粗度となった。
（８）次に、得られた積層体を窒素ガス中、600 ℃で5時間脱脂し、1840℃、圧力15 MPaで６時間ホットプレスし、厚さ18 mmのセラミック板状体を得た。これを330 mmの円盤状に切り出し、内部に厚さ25μm、幅10 mmのヒータ電極を有するとともに、プラズマ発生用電極表面に180μｍの突起が形成されるととともに、スルーホールを有するセラミック板状体とした。
（９）そして、得られたセラミックス板状体の表面にドリル加工で測温素子を挿通するための有底孔およびニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔を形成した。
（１０）（１）〜（９）の工程により製造された電極埋設部材、即ちセラミックヒータのウエハ処理面の粗度をRaが0.5μmになるようにブラスト加工を行った。
（１１）（１）〜（９）の工程により製造されたセラミックヒータに、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径0.6μｍ）を乾式ラバープレス法により円筒型に成形して、酸化雰囲気、600 ℃、５時間の条件で脱脂した後、窒素ガス中、1860 ℃、６時間の条件で焼成してなる窒化アルミニウム製の柱状体（外径80 mm、内径70 mm、長さ190 mm）を窒素ガス中、1850 ℃で加熱して接合した。
（１２）前記セグメント１ｎにドリル加工を施して、シリコンウエハのリフターピンを挿通させる貫通孔、熱伝対を埋め込むための有底孔（直径：1.7 mm、深さ：10 mm）を形成した。
（１３）ニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔に、Au−Niろう材を附着したタングステンピンを固定用孔に固定し、先端にAu−Niろう材を附着させたニッケル棒をねじ込み、窒素雰囲気、1030 ℃で28分の条件でニッケル棒のろう付けした。
【００８２】
（実施例１２）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径1.1μｍ）100重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3:イットリア、平均粒径0.4μｍ）４重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ0.47 mmおよび0.25mmのグリーンシートを作製した。
（２）次に、このグリーンシートを80 ℃で５時間乾燥させた後、外部端子形成のために、直径３ｍｍの円形スルーホール１０個をパンチングにより成形した。
（３）さらに、80 ℃で５時間乾燥させた厚さ250μｍのグリーンシートを、電極表面形成のために、直径3.3ｍｍの円形スルーホール５０個をパンチングにより成形した。
（４）平均粒径１μｍの炭化タングステン（アライドマテリアル製ＷＣ−１０）粒子10000重量部、アクリル系バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５）1509重量部、可塑剤（黒金化成製 ＤＯＡ）175重量部、１−ブタノール560重量部、エタノール432重量部を混合し、ドクターブレード法にて厚さ65μm±５μmの炭化タングステングリーンシートを製造した。これを空気中25 ℃で48時間乾燥させて厚さ55μm±5μmのグリーンシートとし、このグリーンシートを打ち抜き加工して、ヒータ電極用炭化タングステンのパターンシートを形成した。
（５）平均粒径３μｍの炭化タングステン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α―テルピネオール溶媒3.7重量部、および分散剤0.2重量部を混合してプラズマ発生用電極用導体ペーストを調整した。さらに、外部端子を接続するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。さらに、プラズマ発生用電極の表面に突起を形成するために設けられるスルーホール内に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。
（６）上記（１）の処理の終わったグリーンシート上に、上述した導体ペーストをスクリーン印刷し、空気中25 ℃で８時間以上乾燥させる。
（７）上記処理の終わった（１）〜（６）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。こうして、プラズマ発生用電極の表面に200μｍの突起が形成されるとともに、電極表面は、Ra：150μｍ程度の表面粗度となった。
（８）次に、得られた積層体を窒素ガス中、600 ℃で5時間脱脂し、1840℃、圧力15 MPaで６時間ホットプレスし、厚さ18 mmのセラミック板状体を得た。これを330 mmの円盤状に切り出し、内部に厚さ25μm、幅10 mmのヒータ電極を有するとともに、プラズマ発生用電極表面に200μｍの突起が形成されるととともに、スルーホールを有するセラミック板状体とした。
（９）そして、得られたセラミックス板状体の表面にドリル加工で測温素子を挿通するための有底孔およびニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔を形成した。
（１０）（１）〜（９）の工程により製造された電極埋設部材、即ちセラミックヒータのウエハ処理面の粗度をRaが0.5μmになるようにブラスト加工を行った。
（１１）（１）〜（９）の工程により製造されたセラミックヒータに、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径0.6μｍ）を乾式ラバープレス法により円筒型に成形して、酸化雰囲気、600 ℃、５時間の条件で脱脂した後、窒素ガス中、1860 ℃、６時間の条件で焼成してなる窒化アルミニウム製の柱状体（外径80 mm、内径70 mm、長さ190 mm）を窒素ガス中、1850 ℃で加熱して接合した。
（１２）前記セグメント１ｎにドリル加工を施して、シリコンウエハのリフターピンを挿通させる貫通孔、熱伝対を埋め込むための有底孔（直径：1.7 mm、深さ：10 mm）を形成した。
（１３）ニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔に、Au−Niろう材を附着したタングステンピンを固定用孔に固定し、先端にAu−Niろう材を附着させたニッケル棒をねじ込み、窒素雰囲気、1030 ℃で28分の条件でニッケル棒のろう付けした。
【００８３】
（比較例１）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径1.1μｍ）100重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3:イットリア、平均粒径0.4μｍ）４重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ0.47 mmおよび0.15mmのグリーンシートを作製した。
（２）次に、このグリーンシートを80 ℃で５時間乾燥させた後、外部端子形成のために、厚さ0.47mmのグリーンシートに、直径３ｍｍの円形スルーホール１０個をパンチングにより成形した。
（３）さらに、80 ℃で５時間乾燥させた厚さ150μｍのグリーンシートを、電極表面形成のために、直径3.3ｍｍの円形スルーホール５０個をパンチングにより成形した。
（４）平均粒径１μｍの炭化タングステン（アライドマテリアル製ＷＣ−１０）粒子10000重量部、アクリル系バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５）1509重量部、可塑剤（黒金化成製 ＤＯＡ）175重量部、１−ブタノール560重量部、エタノール432重量部を混合し、ドクターブレード法にて厚さ65μm±５μmの炭化タングステングリーンシートを製造した。これを空気中25 ℃で48時間乾燥させて厚さ55μm±5μmのグリーンシートとし、このグリーンシートを打ち抜き加工して、ヒータ電極用炭化タングステンのパターンシートを形成した。
（５）平均粒径３μｍの炭化タングステン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α―テルピネオール溶媒3.7重量部、および分散剤0.2重量部を混合してプラズマ発生用電極用導体ペーストを調整した。さらに、外部端子を接続するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。さらに、プラズマ発生用電極の表面に突起を形成するために設けられるスルーホール内に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。
このことによって、電極表面は、Ra：150μｍ程度の表面粗度となった。
（６）上記（１）の処理の終わったグリーンシート上に、上述した導体ペーストをスクリーン印刷し、空気中25 ℃で８時間以上乾燥させる。
（７）上記処理の終わった（１）〜（６）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。こうして、プラズマ発生用電極の表面に150μｍの突起が形成されるとともに、電極表面はRa：150μｍ程度の表面粗度となった。
（８）次に、得られた積層体を窒素ガス中、600 ℃で5時間脱脂し、1840℃、圧力15 MPaで６時間ホットプレスし、厚さ18 mmのセラミック板状体を得た。これを330 mmの円盤状に切り出し、内部に厚さ25μm、幅10 mmのヒータ電極を有するとともに、プラズマ発生用電極表面に100μｍの突起が形成されるととともに、スルーホールを有するセラミック板状体とした。
（９）次に、前記セラミックス板状体の表面にドリル加工で測温素子を挿通するための有底孔およびニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔を形成した。
（１０）（１）〜（９）の工程により製造された電極埋設部材のウエハ処理面に粗度（Ra）が0.5μmになるようにブラスト加工を行った。
（１１）（１）〜（９）の工程により製造されたセラミックヒータに、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径0.6μｍ）を乾式ラバープレス法により円筒型に成形して、酸化雰囲気、600 ℃、５時間の条件で脱脂した後、窒素ガス中、1860 ℃、６時間の条件で焼成してなる窒化アルミニウム製の柱状体（外径80 mm、内径70 mm、長さ190 mm）を窒素ガス中、1850 ℃で加熱して接合した。
（１２）前記セグメント１ｎにドリル加工を施して、シリコンウエハのリフターピンを挿通させる貫通孔、熱伝対を埋め込むための有底孔（直径：1.7 mm、深さ：10 mm）を形成した。
（１３）ニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔に、Au−Niろう材を附着したタングステンピンを固定用孔に固定し、先端にAu−Niろう材を附着させたニッケル棒をねじ込み、窒素雰囲気、1030 ℃で28分の条件でニッケル棒のろう付けした。
【００８４】
（比較例２）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径1.1μｍ）100重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3:イットリア、平均粒径0.4μｍ）４重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ0.47 mmのグリーンシートを作製した。
（２）次に、このグリーンシートを80 ℃で５時間乾燥させた後、スルーホールとなる部分等をパンチングにより成形した。
（３）平均粒径１μｍの炭化タングステン（アライドマテリアル製ＷＣ−１０）粒子10000重量部、アクリル系バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５）1509重量部、可塑剤（黒金化成製 ＤＯＡ）175重量部、１−ブタノール560重量部、エタノール432重量部を混合し、ドクターブレード法にて厚さ65μm±５μmの炭化タングステングリーンシートを製造した。これを空気中25 ℃で48時間乾燥させて厚さ55μm±5μmのグリーンシートとし、このグリーンシートを打ち抜き加工して、ヒータ電極用炭化タングステンのパターンシートを形成した。
（４）平均粒径３μｍの炭化タングステン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α―テルピネオール溶媒3.7重量部、および分散剤0.2重量部を混合してプラズマ発生用電極用導体ペーストを調整した。さらに、外部端子を接続するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。
（５）上記（１）の処理の終わったグリーンシート上に、上述した導体ペーストを、120メッシュ、線径0.080mmのマスクを使用しスクリーン印刷し、空気中25℃で８時間以上乾燥させる。
（６）上記処理の終わった（１）〜（５）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。
（７）上記処理の終わった（１）〜（６）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。
（８）次に、得られた積層体を窒素ガス中、600 ℃で5時間脱脂し、1840℃、圧力15 MPaで６時間ホットプレスし、厚さ18 mmのセラミックス板状体を得た。これを330 mmの円盤状に切り出し、内部に厚さ25μm、幅10 mmのヒータ電極を有するとともに、プラズマ発生用電極の表面を20μｍの面粗度にスルーホールを有するセラミック板状体とした。
（９）そして、得られたセラミックス板状体の表面にドリル加工で測温素子を挿通するための有底孔およびニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔を形成した。
（１０）（１）〜（９）の工程により製造された電極埋設部材、即ちセラミックヒータのウエハ処理面の粗度をRaが0.5μmになるようにブラスト加工を行った。
（１１）（１）〜（９）の工程により製造されたセラミックヒータに、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径0.6μｍ）を乾式ラバープレス法により円筒型に成形して、酸化雰囲気、600 ℃、５時間の条件で脱脂した後、窒素ガス中、1860 ℃、６時間の条件で焼成してなる窒化アルミニウム製の柱状体（外径80 mm、内径70 mm、長さ190 mm）を窒素ガス中、1850 ℃で加熱して接合した。
（１２）前記セグメント１ｎにドリル加工を施して、シリコンウエハのリフターピンを挿通させる貫通孔、熱伝対を埋め込むための有底孔（直径：1.7 mm、深さ：10 mm）を形成した。
【００８５】
（比較例３）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径1.1μｍ）100重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3:イットリア、平均粒径0.4μｍ）４重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ0.47 mmおよび0.10mmのグリーンシートを作製した。
（２）次に、このグリーンシートを80 ℃で５時間乾燥させた後、外部端子形成のために、直径３ｍｍの円形スルーホール１０個をパンチングにより成形した。
（３）さらに、80 ℃で５時間乾燥させた厚さ100μｍのグリーンシートを、電極表面形成のために、直径3.3ｍｍの円形スルーホール５０個をパンチングにより成形した。
（４）平均粒径１μｍの炭化タングステン（アライドマテリアル製ＷＣ−１０）粒子10000重量部、アクリル系バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５）1509重量部、可塑剤（黒金化成製 ＤＯＡ）175重量部、１−ブタノール560重量部、エタノール432重量部を混合し、ドクターブレード法にて厚さ65μm±５μmの炭化タングステングリーンシートを製造した。これを空気中25 ℃で48時間乾燥させて厚さ55μm±5μmのグリーンシートとし、このグリーンシートを打ち抜き加工して、ヒータ電極用炭化タングステンのパターンシートを形成した。
（５）平均粒径３μｍの炭化タングステン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α―テルピネオール溶媒3.7重量部、および分散剤0.2重量部を混合してプラズマ発生用電極用導体ペーストを調整した。さらに、外部端子を接続するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。さらに、プラズマ発生用電極の表面の突起を形成するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。
（６）上記（１）の処理の終わったグリーンシート上に、上述した導体ペーストをスクリーン印刷し、空気中25 ℃で８時間以上乾燥させる。
（７）上記処理の終わった（１）〜（６）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。こうして、プラズマ発生用電極の表面に100μｍの突起が形成されるとともに、電極表面は、Ra：150μｍ程度の表面粗度となった。
（８）次に、得られた積層体を窒素ガス中、600 ℃で5時間脱脂し、1840℃、圧力15 MPaで６時間ホットプレスし、厚さ18 mmのセラミック板状体を得た。これを330 mmの円盤状に切り出し、内部に厚さ25μm、幅10 mmのヒータ電極を有するとともに、プラズマ発生用電極表面に80μｍの突起が形成されるととともに、スルーホールを有するセラミック板状体とした。
（９）そして、得られたセラミックス板状体の表面にドリル加工で測温素子を挿通するための有底孔およびニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔を形成した。
（１０）（１）〜（９）の工程により製造された電極埋設部材、即ちセラミックヒータのウエハ処理面の粗度をRaが0.5μmになるようにブラスト加工を行った。
（１１）（１）〜（９）の工程により製造されたセラミックヒータに、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径0.6μｍ）を乾式ラバープレス法により円筒型に成形して、酸化雰囲気、600 ℃、５時間の条件で脱脂した後、窒素ガス中、1860 ℃、６時間の条件で焼成してなる窒化アルミニウム製の柱状体（外径80 mm、内径70 mm、長さ190 mm）を窒素ガス中、1850 ℃で加熱して接合した。
（１２）前記セグメント１ｎにドリル加工を施して、シリコンウエハのリフターピンを挿通させる貫通孔、熱伝対を埋め込むための有底孔（直径：1.7 mm、深さ：10 mm）を形成した。
（１３）ニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔に、Au−Niろう材を附着したタングステンピンを固定用孔に固定し、先端にAu−Niろう材を附着させたニッケル棒をねじ込み、窒素雰囲気、1030 ℃で28分の条件でニッケル棒のろう付けした。
【００８６】
（比較例４）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径1.1μｍ）100重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3:イットリア、平均粒径0.4μｍ）４重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ0.47 mmおよび0.27mmのグリーンシートを作製した。
（２）次に、このグリーンシートを80 ℃で５時間乾燥させた後、外部端子形成のために、直径３ｍｍの円形スルーホール１０個をパンチングにより成形した。
（３）さらに、80 ℃で５時間乾燥させた厚さ270μｍのグリーンシートを、電極表面形成のために、直径3.3ｍｍの円形スルーホール５０個をパンチングにより成形した。
（４）平均粒径１μｍの炭化タングステン（アライドマテリアル製ＷＣ−１０）粒子10000重量部、アクリル系バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５）1509重量部、可塑剤（黒金化成製 ＤＯＡ）175重量部、１−ブタノール560重量部、エタノール432重量部を混合し、ドクターブレード法にて厚さ65μm±５μmの炭化タングステングリーンシートを製造した。これを空気中25 ℃で48時間乾燥させて厚さ55μm±5μmのグリーンシートとし、このグリーンシートを打ち抜き加工して、ヒータ電極用炭化タングステンのパターンシートを形成した。
（５）平均粒径３μｍの窒化チタン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α―テルピネオール溶媒3.7重量部、および分散剤0.2重量部を混合してプラズマ発生用電極用導体ペーストを調整した。さらに、外部端子を接続するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。さらに、プラズマ発生用電極の表面の突起を形成するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。
（６）上記（１）の処理の終わったグリーンシート上に、上述した導体ペーストをスクリーン印刷し、空気中25 ℃で８時間以上乾燥させる。
（７）上記処理の終わった（１）〜（６）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。こうして、プラズマ発生用電極の表面に270μｍの突起が形成されるとともに、電極表面は、Ra：150μｍ程度の表面粗度となった。
（８）次に、得られた積層体を窒素ガス中、600 ℃で5時間脱脂し、1840℃、圧力15 MPaで６時間ホットプレスし、厚さ18 mmのセラミック板状体を得た。これを330 mmの円盤状に切り出し、内部に厚さ25μm、幅10 mmのヒータ電極を有するとともに、プラズマ発生用電極表面に220μｍの突起が形成されるととともに、スルーホールを有するセラミック板状体とした。
（９）そして、得られたセラミックス板状体の表面にドリル加工で測温素子を挿通するための有底孔およびニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔を形成した。
（１０）（１）〜（９）の工程により製造された電極埋設部材、即ちセラミックヒータのウエハ処理面の粗度をRaが0.5μmになるようにブラスト加工を行った。
（１１）（１）〜（９）の工程により製造されたセラミックヒータに、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径0.6μｍ）を乾式ラバープレス法により円筒型に成形して、酸化雰囲気、600 ℃、５時間の条件で脱脂した後、窒素ガス中、1860 ℃、６時間の条件で焼成してなる窒化アルミニウム製の柱状体（外径80 mm、内径70 mm、長さ190 mm）を窒素ガス中、1850 ℃で加熱して接合した。
（１２）前記セグメント１ｎにドリル加工を施して、シリコンウエハのリフターピンを挿通させる貫通孔、熱伝対を埋め込むための有底孔（直径：1.7 mm、深さ：10 mm）を形成した。
（１３）ニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔に、Au−Niろう材を附着したタングステンピンを固定用孔に固定し、先端にAu−Niろう材を附着させたニッケル棒をねじ込み、窒素雰囲気、1030 ℃で28分の条件でニッケル棒のろう付けした。
【００８７】
（比較例５）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径1.1μｍ）100重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3:イットリア、平均粒径0.4μｍ）４重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ0.47 mmおよび0.30mmのグリーンシートを作製した。
（２）次に、このグリーンシートを80 ℃で５時間乾燥させた後、外部端子形成のために、直径３ｍｍの円形スルーホール１０個をパンチングにより成形した。
（３）さらに、80 ℃で５時間乾燥させた厚さ300μｍのグリーンシートを、電極表面形成のために、直径3.3ｍｍの円形スルーホール５０個をパンチングにより成形した。
（４）平均粒径１μｍの炭化タングステン（アライドマテリアル製ＷＣ−１０）粒子10000重量部、アクリル系バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５）1509重量部、可塑剤（黒金化成製 ＤＯＡ）175重量部、１−ブタノール560重量部、エタノール432重量部を混合し、ドクターブレード法にて厚さ65μm±５μmの炭化タングステングリーンシートを製造した。これを空気中25 ℃で48時間乾燥させて厚さ55μm±5μmのグリーンシートとし、このグリーンシートを打ち抜き加工して、ヒータ電極用炭化タングステンのパターンシートを形成した。
（５）平均粒径３μｍの炭化タングステン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α―テルピネオール溶媒3.7重量部、および分散剤0.2重量部を混合してプラズマ発生用電極用導体ペーストを調整した。さらに、外部端子を接続するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。さらに、プラズマ発生用電極の表面の突起を形成するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。
（６）上記（１）の処理の終わったグリーンシート上に、上述した導体ペーストをスクリーン印刷し、空気中25 ℃で８時間以上乾燥させる。
（７）上記処理の終わった（１）〜（６）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。こうして、プラズマ発生用電極の表面に300μｍの突起が形成されるとともに、電極表面は、Ra：150μｍ程度の表面粗度となった。
（８）次に、得られた積層体を窒素ガス中、600 ℃で5時間脱脂し、1840℃、圧力15 MPaで６時間ホットプレスし、厚さ18 mmのセラミック板状体を得た。これを330 mmの円盤状に切り出し、内部に厚さ25μm、幅10 mmのヒータ電極を有するとともに、プラズマ発生用電極表面に250μｍの突起が形成されるととともに、スルーホールを有するセラミック板状体とした。
（９）そして、得られたセラミックス板状体の表面にドリル加工で測温素子を挿通するための有底孔およびニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔を形成した。
（１０）（１）〜（９）の工程により製造された電極埋設部材、即ちセラミックヒータのウエハ処理面の粗度をRaが0.5μmになるようにブラスト加工を行った。
（１１）（１）〜（９）の工程により製造されたセラミックヒータに、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径0.6μｍ）を乾式ラバープレス法により円筒型に成形して、酸化雰囲気、600 ℃、５時間の条件で脱脂した後、窒素ガス中、1860 ℃、６時間の条件で焼成してなる窒化アルミニウム製の柱状体（外径80 mm、内径70 mm、長さ190 mm）を窒素ガス中、1850 ℃で加熱して接合した。
（１２）前記セグメント１ｎにドリル加工を施して、シリコンウエハのリフターピンを挿通させる貫通孔、熱伝対を埋め込むための有底孔（直径：1.7 mm、深さ：10 mm）を形成した。
（１３）ニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔に、Au−Niろう材を附着したタングステンピンを固定用孔に固定し、先端にAu−Niろう材を附着させたニッケル棒をねじ込み、窒素雰囲気、1030 ℃で28分の条件でニッケル棒のろう付けした。
【００８８】
（比較例６）
（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径1.1μｍ）100重量部、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3:イットリア、平均粒径0.4μｍ）４重量部、アクリルバインダ11.5重量部、分散剤0.5重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール53重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚さ0.47 mmおよび0.35mmのグリーンシートを作製した。
（２）次に、このグリーンシートを80 ℃で５時間乾燥させた後、外部端子形成のために、直径３ｍｍの円形スルーホール１０個をパンチングにより成形した。
（３）さらに、80 ℃で５時間乾燥させた厚さ350μｍのグリーンシートを、電極表面形成のために、直径3.3ｍｍの円形スルーホール５０個をパンチングにより成形した。
（４）平均粒径１μｍの炭化タングステン（アライドマテリアル製ＷＣ−１０）粒子10000重量部、アクリル系バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５）1509重量部、可塑剤（黒金化成製 ＤＯＡ）175重量部、１−ブタノール560重量部、エタノール432重量部を混合し、ドクターブレード法にて厚さ65μm±５μmの炭化タングステングリーンシートを製造した。これを空気中25 ℃で48時間乾燥させて厚さ55μm±5μmのグリーンシートとし、このグリーンシートを打ち抜き加工して、ヒータ電極用炭化タングステンのパターンシートを形成した。
（５）平均粒径３μｍの炭化モリブデン粒子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α―テルピネオール溶媒3.7重量部、および分散剤0.2重量部を混合してプラズマ発生用電極用導体ペーストを調整した。さらに、外部端子を接続するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。さらに、プラズマ発生用電極の表面の突起を形成するためのスルーホールとなる部分に導体ペーストを充填し、充填層を形成した。
（６）上記（１）の処理の終わったグリーンシート上に、上述した導体ペーストをスクリーン印刷し、空気中25 ℃で８時間以上乾燥させる。
（７）上記処理の終わった（１）〜（６）のグリーンシートと炭化タングステンのパターンシートを積層し、130 ℃、８ MPaの圧力で圧着して積層体を形成した。こうして、プラズマ発生用電極の表面に350μｍの突起が形成されるとともに、電極表面は、Ra：150μｍ程度の表面粗度となった。
（８）次に、得られた積層体を窒素ガス中、600 ℃で5時間脱脂し、1840℃、圧力15 MPaで６時間ホットプレスし、厚さ18 mmのセラミック板状体を得た。これを330 mmの円盤状に切り出し、内部に厚さ25μm、幅10 mmのヒータ電極を有するとともに、プラズマ発生用電極表面に300μｍの突起が形成されるととともに、スルーホールを有するセラミック板状体とした。
（９）そして、得られたセラミックス板状体の表面にドリル加工で測温素子を挿通するための有底孔およびニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔を形成した。
（１０）（１）〜（９）の工程により製造された電極埋設部材、即ちセラミックヒータのウエハ処理面の粗度をRaが0.5μmになるようにブラスト加工を行った。
（１１）（１）〜（９）の工程により製造されたセラミックヒータに、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径0.6μｍ）を乾式ラバープレス法により円筒型に成形して、酸化雰囲気、600 ℃、５時間の条件で脱脂した後、窒素ガス中、1860 ℃、６時間の条件で焼成してなる窒化アルミニウム製の柱状体（外径80 mm、内径70 mm、長さ190 mm）を窒素ガス中、1850 ℃で加熱して接合した。
（１２）前記セグメント１ｎにドリル加工を施して、シリコンウエハのリフターピンを挿通させる貫通孔、熱伝対を埋め込むための有底孔（直径：1.7 mm、深さ：10 mm）を形成した。
（１３）ニッケル製の電極棒を固定するための側面にネジの溝が形成される固定用孔に、Au−Niろう材を附着したタングステンピンを固定用孔に固定し、先端にAu−Niろう材を附着させたニッケル棒をねじ込み、窒素雰囲気、1030 ℃で28分の条件でニッケル棒のろう付けした。
【００８９】
実施例および比較例の考察
表１は、プラズマ発生用電極の面粗度Raおよびプラズマ発生電極の表面に設けた突起高さとプラズマの分布との関係を示したものである。試験結果は、プラズマ発生用電極の面粗度Raが0.05〜10μｍの範囲内のものと、プラズマ発生用電極の表面に100〜200μｍの高さの突起を設けたものでは、プラズマが均一に分布していることが明らかとなった。この事実は、プラズマ発生用電極の面粗度Raが0.05〜10μｍの範囲内のものでは、プラズマ状態にあるイオンが避雷針効果による影響を全く受けないことによって生じた結果であり、プラズマ発生用電極の表面に100〜200μｍの高さの突起を設けたものでは、プラズマ状態にあるイオンが避雷針効果による影響をプラズマ発生用部材表面に均一に受けたことによって生じた結果であることを示唆するものである。
【００９０】
【表１】
2005228834.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明は、半導体製造装置などの分野において、プラズマ発生雰囲気下でシリコンウエハなどを処理するために用いられるプラズマ発生装置用電極埋設部材に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明のプラズマ発生装置用電極埋設部材の部分断面図である。
【図２】プラズマ発生用電極の一例を模式的に示す平面図である。
【図３】プラズマ発生用電極を基板内に多層に埋設した例を示す断面図である。
【図４】プラズマ発生用電極の他の例を模式的に示す平面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のプラズマ発生装置用電極埋設部材の製造方法の一例を示す断面図である。
【図６】外部端子取り付け部の拡大断面図である。
【符号の説明】
【００９３】
１０、３０、４０  電極埋設部材
１１、３１、４１  セラミック基板
１１ａ  加熱面
１１ｂ  底面
１１ｃ  エンボス
１２、３２、４２  ヒータ電極
１３、５３  スルーホール
１４  有底孔
１５  貫通孔
１７  端子保護筒
１９  袋孔
２３  外部端子
２４  導電線
２６  リード線
１１０  グリーンシート
１２０  モータ電極パターン層
１３０  導電ペースト充填層
１８０  側温素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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