(57)【要約】【課題】  液晶表示装置において、色調が均一である視野角の範囲が広く、ブラウン管並の視野角を実現でき、かつ、画質を向上させる。【解決手段】  一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶層と、前記一対の基板の一方に形成される画素電極と対向電極とを有する液晶表示装置において、前記対向電極は、液晶分子の初期配向方向と平行であり、前記画素電極は、前記液晶分子の初期配向方向とθおよび−θの角度を有する。また、前記画素電極が、傾斜部を有する。さらに、前記画素電極が、コの字型の部分を有する。【選択図】        図２８
2005099881.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、
前記一対の基板間に挟持される液晶層と、
前記一対の基板の一方に形成される画素電極と対向電極とを有する液晶表示装置において、
前記対向電極は、液晶分子の初期配向方向と平行であり、
前記画素電極は、前記液晶分子の初期配向方向とθおよび−θの角度を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記画素電極が、傾斜部を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記画素電極が、コの字型の部分を有することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記液晶分子の初期配向方向が、前記一対の基板で互いに平行であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
一対の基板と、
前記一対の基板間に挟持される液晶層と、
前記一対の基板の一方に形成される画素電極と対向電極とを有する液晶表示装置において、
前記画素電極は、１画素内で前記液晶分子の初期配向方向とθおよび−θの角度を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
前記画素電極の構成が、白色色調の不均一性を１画素内で補償することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記液晶層がホモジニアス配向していることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係わり、特に、横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に代表されるアクティブ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置は薄い、軽量という特徴とブラウン管に匹敵する高画質という点から、ＯＡ機器等の表示端末装置として広く普及し始めている。
このアクティブマトリクス型液晶表示装置の表示方式には、大別して、次の２通りの表示方式が知られている。
１つは、２つの透明電極が形成された一対の基板間に液晶層を封入し、２つの透明電極に駆動電圧を印加することにより、基板界面にほぼ直角な方向の電界により液晶層を駆動し、透明電極を透過し液晶層に入射した光を変調して表示する方式（以下、縦電界方式と称する）であり、現在、普及している製品が全てこの方式を採用している。
しかしながら、前記縦電界方式を採用したアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、視角方向を変化させた際の輝度変化が著しく、特に、中間調表示を行った場合、視角方向により階調レベルが反転してしまう等、実用上問題があった。
【０００３】
また、もう１つは、一対の基板間に液晶層を封入し、同一基板あるいは両基板上に形成された２つの電極に駆動電圧を印加することにより、基板界面にほぼ平行な方向の電界により液晶層を駆動し、２つの電極の隙間から液晶層に入射した光を変調して表示する方式（以下、横電界方式と称する）であるが、この横電界方式を採用したアクティブマトリクス型液晶表示装置は未だ実用化されていない。
しかしながら、この横電界方式を採用したアクティブマトリクス型液晶表示装置は、広視野角、低負荷容量等の特徴を有しており、この横電界方式は、アクティブマトリクス型液晶表示装置に関して有望な技術である。
前記横電界方式を採用したアクティブマトリクス型液晶表示装置の特徴に関しては、特許出願公表平５−５０５２４７号公報、特公昭６３−２１９０７号公報、特開平６−１６０８７８号公報を参照されたい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の横電界方式を採用したアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、駆動電圧及び応答速度の改善のために、平行に配置された画素電極と対向電極とに対し、液晶層の液晶分子をある傾きを持ってホモジニアスに初期配向し、液晶分子を面内で回転させることにより光を変調し、表示を行っている。
これにより、前記縦電界方式を採用したアクティブマトリクス型液晶表示装置と比較して、視野角が著しく広いという特徴を有している。
【０００５】
しかしながら、前記横電界方式を採用したアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、ある方向に視野角を傾けた場合に、均一な色調を実現できず、視野角が狭くなり、ブラウン管（ＣＲＴ）等の自発光表示装置に匹敵する視野角を達成できないという問題点があった。
即ち、液晶分子が回転したときの、その長軸方向に視野角を傾けると、その他の方位に視野角を傾けた場合よりも液晶分子の複屈折異方性が変化しやすく、その方位で、他の方位より階調が反転しやすくかつ色調が変化しやすい。
特に、ノーマリブラックモードで白表示をした場合、白色の色調が、その方位で青色にシフトする。
また、それと９０°の角度をなす液晶分子の短軸方向では、複屈折異方性は変化しないが、視野角の傾きにしたがって光路長が増加することにより、白色の色調が、その方位で黄色にシフトする。
その結果、１部の方位において均一な色調を実現できず、視野角が狭くなり、ブラウン管に匹敵する視野角を達成できないという問題点があった。
【０００６】
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、液晶表示装置において、色調が均一である視野角の範囲が広く、ブラウン管並の視野角を実現でき、かつ、画質を向上させることが可能となる技術を提供することにある。
本発明の前記目的並びにその他の目的及び新規な特徴は、本明細書の記載及び添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明は、一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶層と、前記一対の基板の一方に形成される画素電極と対向電極とを有する液晶表示装置において、前記対向電極は、液晶分子の初期配向方向と平行であり、前記画素電極は、前記液晶分子の初期配向方向とθおよび−θの角度を有することを特徴とする。
また、本発明では、前記画素電極が、傾斜部を有することを特徴とする。
また、本発明では、前記画素電極が、コの字型の部分を有することを特徴とする。
また、本発明では、前記液晶分子の初期配向方向が、前記一対の基板で互いに平行であることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明は、一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶層と、前記一対の基板の一方に形成される画素電極と対向電極とを有する液晶表示装置において、前記画素電極は、１画素内で前記液晶分子の初期配向方向とθおよび−θの角度を有することを特徴とする。
また、本発明では、前記画素電極の構成が、白色色調の不均一性を１画素内で補償することを特徴とする。
また、本発明では、前記液晶層がホモジニアス配向していることを特徴とする。
【０００９】
前記各手段によれば、横電界方式を採用した液晶表示装置において、液晶層の液晶分子を単一方向に初期配向するとともに、各画素毎に、あるいは、１画素内で、液晶層の液晶分子の初期配向方向と、画素電極と対向電極との間の印加電界方向とのなす角度を異ならせて、液晶分子を２方向に駆動するようにしたので、互いに色調のシフトを相殺して、色調の方位による依存性を大幅に低減することが可能となる。
例えば、複屈折性ノーマリブラックモード（電圧無印加時に暗、電圧印加時に明）の場合に、２枚の偏光板の偏光透過軸は直交し（クロスニコル）、それぞれの偏光透過軸と電界によって回転した液晶分子の長軸のなす角が４５°となったとき最大透過率、すなわち白表示を得る。
その状態で、液晶分子の長軸方向の方位（偏光透過軸から４５°の角度）から白表示を見た場合、複屈折異方性の変化し、白色の色調が、その方位で青色にシフトする。
また、それと９０°の角度をなす液晶分子の短軸方向（偏光透過軸から−４５°の角度）では、複屈折異方性は変化しないが、視野角の傾きにしたがって光路長が増加することにより、白色の色調が、その方位で黄色にシフトする。
青色と黄色と色度座標で補色の関係にあり、その２色を混合させると白色になる。
【００１０】
したがって、各画素毎に、あるいは、１画素内で、液晶分子の駆動方向を２方向となし、例えば、白表示を行っている液晶分子の角度が、互いに９０°の角度をなす２方向存在すれば、互いに色調のシフトを相殺して、白色色調の方位による依存性を大幅に低減することが可能となる。
また、同様に、階調反転についても、階調反転しにくい液晶分子の短軸方向と、階調反転しやすい液晶分子の長軸方向との特性が平均され、階調反転に弱い方向での非階調反転視野角を拡大することができる。
それにより、階調の均一性および色調の均一性が全方位で平均化または拡大し、ブラウン管に近い広視野角を実現することが可能である。
【発明の効果】
【００１１】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）本発明によれば、横電界方式を採用した液晶表示装置において、互いに色調のシフトを相殺して、白色色調の方位による依存性を大幅に低減することが可能となる。
さらに、階調反転しにくい液晶分子の短軸方向と、階調反転しやすい液晶分子の長軸方向との特性が平均され、階調反転に弱い方向での非階調反転視野角を拡大することが可能となる。
これにより、全方位における視野角の範囲を向上させ、かつ、階調の均一性および色調の均一性が全方位で平均化または拡大することが可能となる。
（２）本発明によれば、液晶分子の駆動方向を液晶駆動領域内で揃えることにより、駆動電圧を低減し、応答速度を早くすることが可能である。
（３）本発明によれば、液晶層の液晶分子の初期配向方向が、単一方向であるため、製造プロセスを増加させる必要がない。
（４）本発明によれば、極めて広視野角で、色調の視角特性に優れ、ブラウン管並の視野角を実現でき、高コントラスト比を有し、表示品質にも優れた極めて高画質の液晶表示装置を得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
なお、発明の実施の形態（実施例）を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
［発明の実施の形態１］
まず始めに、本発明の実施の形態で構成した横電界方式のアクティブマトリクス方式カラー液晶表示装置の概略を説明する。
《マトリクス部（画素部）の平面構成》
図１は、本発明の一発明の実施の形態（発明の実施の形態１）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
各画素は隣接する２本の走査信号線（ゲート信号線または水平信号線）（ＧＬ）と、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号線または垂直信号線）（ＤＬ）との交差領域内（４本の信号線で囲まれた領域内）に配置されている。
各画素は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）、画素電極（ＳＬ）、対向電極（ＣＬ’）および対向電圧信号線（コモン信号線）（ＣＬ）とを含んでいる。
【００１３】
ここで、走査信号線（ＧＬ）、対向電圧信号線（ＣＬ）は、図１においては左右方向に延在し、上下方向に複数本配置されている。
また、映像信号線（ＤＬ）は、上下方向に延在し、左右方向に複数本配置されている。
また、画素電極（ＳＬ）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（ＳＤ１）と接続され、さらに、対向電極（ＣＬ’）は、対向電圧信号線（ＣＬ）と一体に構成されている。
画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）とは互いに対向し、各画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）との間の電界により液晶層（ＬＣＤ）の光学的な状態を制御し、表示を制御する。
画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）とは櫛歯状に構成され、図１に示すように、画素電極（ＳＬ）は斜め下方向に延びる直線形状、対向電極（ＣＬ’）は、対向電圧信号線（ＣＬ）から上方向に突起した、対向面（画素電極（ＳＬ）と対向する面）が斜め上方向に延びる櫛歯形状をしており、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）の間の領域は１画素内で２分割されている。
【００１４】
《表示マトリクス部（画素部）の断面構成》
図２は、図１に示すａ−ａ’切断線における要部断面を示す断面図、図３は、図１に示す４−４切断線における薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の断面を示す断面図、図４は、図１に示す５−５切断線における蓄積容量（Ｃｓｔｇ）の断面を示す断面図である。
図２〜図４に示すように、液晶層（ＬＣＤ）を基準にして下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）および電極群が形成され、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）側には、カラーフィルタ（ＦＩＬ）、遮光用ブラックマトリクスパターン（ＢＭ）が形成されている。
また、透明ガラス基板（ＳＵＢ１、ＳＵＢ２）のそれぞれの内側（液晶層（ＬＣＤ）側）の表面には、液晶の初期配向を制御する配向膜（ＯＲ１、ＯＲ２）が設けられており、透明ガラス基板（ＳＵＢ１、ＳＵＢ２）のそれぞれの外側の表面には、それぞれ偏光板（ＰＯＬ１、ＰＯＬ２）が設けられている。
【００１５】
以下、より詳細な構成について説明する。
《ＴＦＴ基板》
まず、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側（ＴＦＴ基板）の構成を詳しく説明する。
《薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）》
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、ゲート電極（ＧＴ）に正のバイアスを印加すると、ソース−ドレイン間のチャネル抵抗が小さくなり、バイアスを零にすると、チャネル抵抗は大きくなるように動作する。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、図３に示すように、ゲート電極（ＧＴ）、ゲート絶縁膜（ＧＩ）、ｉ型（真性、ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ、導電型決定不純物がドープされていない）非晶質シリコン（Ｓｉ）からなるｉ型半導体層（ＡＳ）、一対のソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）を有す。
なお、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）は本来その間のバイアス極性によって決まるもので、この液晶表示装置の回路ではその極性は動作中反転するので、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）は動作中入れ替わると理解されたい。
【００１６】
しかし、以下の説明では、便宜上一方をソース電極（ＳＤ１）、他方をドレイン電極（ＳＤ２）と固定して表現する。
なお、本発明の実施の形態では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）として、非晶質（アモルファス）シリコン薄膜トランジスタ素子を用いたが、これに限定されず、ポリシリコン薄膜トランジスタ素子、シリコンウエハ上のＭＯＳ型トランジスタ、有機ＴＦＴ、または、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）ダイオード等の２端子素子（厳密にはアクティブ素子ではないが、本発明ではアクティブ素子とする）を用いることも可能である。
【００１７】
《ゲート電極（ＧＴ）》
ゲート電極（ＧＴ）は、走査信号線（ＧＬ）と連続して形成されており、走査信号線（ＧＬ）の一部の領域がゲート電極（ＧＴ）となるように構成されている。
ゲート電極（ＧＴ）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の能動領域を超える部分であり、ｉ型半導体層（ＡＳ）を完全に覆う（下方からみて）ように、それより大き目に形成されている。
これにより、ゲート電極（ＧＴ）の役割のほかに、ｉ型半導体層（ＡＳ）に外光やバックライト光が当たらないように工夫されている。
本発明の実施の形態では、ゲート電極（ＧＴ）は、単層の導電膜（ｇ１）で形成されており、導電膜（ｇ１）としては、例えば、スパッタリングで形成されたアルミニウム（Ａｌ）系の導電膜が用いられ、その上にはアルミニウム（Ａｌ）の陽極酸化膜（ＡＯＦ）が設けられている。
【００１８】
《走査信号線（ＧＬ）》
走査信号線（ＧＬ）は、導電膜（ｇ１）で構成されており、この走査信号線（ＧＬ）の導電膜（ｇ１）は、ゲート電極（ＧＴ）の導電膜（ｇ１）と同一製造工程で形成され、かつ一体に構成されている。
この走査信号線（ＧＬ）により、外部回路からゲート電圧（ＶG）をゲート電極（ＧＴ）に供給する。
また、走査信号線（ＧＬ）上にもアルミニウム（Ａｌ）の陽極酸化膜（ＡＯＦ）が設けられている。
《対向電極（ＣＬ’）》
対向電極（ＣＬ’）は、ゲート電極（ＧＴ）および走査信号線（ＧＬ）と同層の導電膜（ｇ１）で構成されている。
また、対向電極（ＣＬ’）上にもアルミニウム（Ａｌ）の陽極酸化膜（ＡＯＦ）が設けられている。
対向電極（ＣＬ’）には、対向電圧（Ｖcｏｍ）が印加されるように構成されている。
本発明の実施の形態では、対向電圧（Ｖｃｏｍ）は、映像信号線（ＤＬ）に印加される最小レベルの駆動電圧（ＶDｍｉｎ）と最大レベルの駆動電圧（ＶDｍａｘ）との中間直流電位から、薄膜トランジスタ素子（ＴＦＴ）をオフ状態にするときに発生するフィードスルー電圧（ΔＶｓ分）だけ低い電位に設定されるが、映像信号駆動回路で使用される集積回路の電源電圧を約半分に低減したい場合は、交流電圧を印加すれば良い。
【００１９】
《対向電圧信号線（ＣＬ）》
対向電圧信号線（ＣＬ）は、導電膜（ｇ１）で構成されている。
この対向電圧信号線（ＣＬ）の導電膜（ｇ１）は、ゲート電極（ＧＴ）、走査信号線（ＧＬ）および対向電極（ＣＬ’）の導電膜（ｇ１）と同一製造工程で形成され、かつ対向電極（ＣＬ’）と一体に構成されている。
この対向電圧信号線（ＣＬ）により、外部回路から対向電圧（Ｖｃｏｍ）を対向電極（ＣＬ’）に供給する。
また、対向電圧信号線（ＣＬ）上にもアルミニウム（Ａｌ）の陽極酸化膜（ＡＯＦ）が設けられている。
また、対向電極（ＣＬ’）および対向電圧信号線（ＣＬ）は、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）（カラーフィルタ基板）側に形成してもよい。
【００２０】
《絶縁膜（ＧＩ）》
絶縁膜（ＧＩ）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）において、ゲート電極（ＧＴ）と共に半導体層（ＡＳ）に電界を与えるためのゲート絶縁膜として使用される。
絶縁膜（ＧＩ）は、ゲート電極（ＧＴ）および走査信号線（ＧＬ）の上層に形成されており、絶縁膜（ＧＩ）としては、例えば、プラズマＣＶＤで形成された窒化シリコン膜が選ばれ、１２００〜２７００オングストロームの厚さに（本発明の実施の形態では、２４００オングストローム程度）形成される。
ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、表示マトリクス部（ＡＲ）の全体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子（ＤＴＭ、ＧＴＭ）が露出されるように除去されている。
絶縁膜（ＧＩ）は、走査信号線（ＧＬ）および対向電圧信号線（ＣＬ）と、映像信号線（ＤＬ）との電気的絶縁にも寄与している。
【００２１】
《ｉ型半導体層（ＡＳ）》
ｉ型半導体層（ＡＳ）は、非晶質シリコンで、２００〜２２００オングストロームの厚さに（本発明の実施の形態では、２０００オングストローム程度の膜厚）形成される。
層（ｄ０）は、オーミックコンタクト用のリン（Ｐ）をドープしたＮ（＋）型非晶質シリコン半導体層であり、下側にｉ型半導体層（ＡＳ）が存在し、上側に導電膜（ｄ１、ｄ２）が存在するところのみに残されている。
ｉ型半導体層（ＡＳ）は、走査信号線（ＧＬ）および対向電圧信号線（ＣＬ）と映像信号線（ＤＬ）との交差部（クロスオーバ部）の両者間にも設けられている。
この交差部のｉ型半導体層（ＡＳ）は、交差部における走査信号線（ＧＬ）および対向電圧信号線（ＣＬ）と映像信号線（ＤＬ）との短絡を低減する。
【００２２】
《ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）》
ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）のそれぞれは、Ｎ（＋）型半導体層（ｄ０）に接触する導電膜（ｄ１）とその上に形成された導電膜（ｄ２）とから構成されている。
導電膜（ｄ１）は、スパッタリングで形成したクロム（Ｃｒ）膜を用い、５００〜１０００オングストロームの厚さに（本発明の実施の形態では、６００オングストローム程度）形成される。
クロム（Ｃｒ）膜は、膜厚を厚く形成するとストレスが大きくなるので、２０００オングストローム程度の膜厚を越えない範囲で形成する。
クロム（Ｃｒ）膜は、Ｎ（＋）型半導体層（ｄ０）との接着性を良好にし、アルミニウム（Ａｌ）系の導電膜（ｄ２）におけるアルミニウム（Ａｌ）がＮ（＋）型半導体層（ｄ０）に拡散することを防止する（いわゆるバリア層の）目的で使用される。
導電膜（ｄ１）として、クロム（Ｃｒ）膜の他に、高融点金属（モリブテン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ））膜、高融点金属シリサイド（ＭｏＳｉ２、ＴｉＳｉ２、ＴａＳｉ２、ＷＳｉ２）膜を用いてもよい。
【００２３】
導電膜（ｄ２）としては、アルミニウム（Ａｌ）系の導電膜をスパッタリングで３０００〜５０００オングストロームの厚さに（本発明の実施の形態では、４０００オングストローム程度）形成する。
アルミニウム（Ａｌ）系の導電膜は、クロム（Ｃｒ）膜に比べてストレスが小さく、厚い膜厚に形成することが可能で、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）および映像信号線（ＤＬ）の抵抗値を低減したり、ゲート電極（ＧＴ）やｉ型半導体層（ＡＳ）に起因する段差乗り越えを確実にする（ステップカバーレッジを良くする）働きがある。
また、導電膜（ｄ１）、導電膜（ｄ２）を同じマスクパターンでパターニングした後、同じマスクを用いて、あるいは、導電膜（ｄ１）、導電膜（ｄ２）をマスクとして、Ｎ（＋）型半導体層（ｄ０）が除去される。
つまり、ｉ型半導体層（ＡＳ）上に残っていたＮ（＋）型半導体層（ｄ０）は導電膜（ｄ１）、導電膜（ｄ２）以外の部分がセルフアラインで除去される。
このとき、Ｎ（＋）型半導体層（ｄ０）はその厚さ分は全て除去されるようエッチングされるので、ｉ型半導体層（ＡＳ）も若干その表面部分がエッチングされるが、その程度はエッチング時間で制御すればよい。
【００２４】
《映像信号線（ＤＬ）》
映像信号線（ＤＬ）は、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）と、同じく、導電膜（ｄ１）と、その上に形成された導電膜（ｄ２）とで構成されている。
また、映像信号線（ＤＬ）は、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）と同層に形成され、さらに、映像信号線（ＤＬ）は、ドレイン電極（ＳＤ２）と一体に構成されている。
《画素電極（ＳＬ）》
画素電極（ＳＬ）は、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）と、同じく、導電膜（ｄ１）と、その上に形成された導電膜（ｄ２）とで構成されている。
また、画素電極（ＳＬ）は、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）と同層に形成され、さらに、画素電極（ＳＬ）は、ソース電極（ＳＤ１）と一体に構成されている。
【００２５】
《蓄積容量（Ｃｓｔｇ）》
画素電極（ＳＬ）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と接続される端部と反対側の端部において、対向電圧信号線（ＣＬ）と重なるように構成されている。
この重ね合わせは、図４からも明らかなように、画素電極（ＳＬ）を一方の電極（ＰＬ２）とし、対向電圧信号（ＣＬ）を他方の電極（ＰＬ１）とする蓄積容量（静電容量素子）（Ｃｓｔｇ）を構成する。
この蓄積容量（Ｃｓｔｇ）の誘電体膜は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート絶縁膜として使用される絶縁膜（ＧＩ）および陽極酸化膜（ＡＯＦ）で構成されている。
図１に示すように平面的には蓄積容量（Ｃｓｔｇ）は、対向電圧信号線（ＣＬ）の導電膜（ｇ１）の部分に形成されている。
【００２６】
《保護膜（ＰＳＶ）》
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）上には、保護膜（ＰＳＶ）が設けられている。
保護膜（ＰＳＶ）は、主に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を湿気等から保護するために設けられており、透明性が高く、しかも、耐湿性の良いものを使用する。
保護膜（ＰＳＶ）は、例えば、プラズマＣＶＤ装置で形成した酸化シリコン膜や窒化シリコン膜で形成されており、１μｍ程度の膜厚に形成する。
保護膜（ＰＳＶ）は、表示マトリクス部（ＡＲ）の全体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子（ＤＴＭ、ＧＴＭ）を露出されるように除去されている。
保護膜（ＰＳＶ）とゲート絶縁膜（ＧＩ）の厚さ関係に関しては、前者は保護効果を考え厚くされ、後者はトランジスタの相互コンダクタンス（ｇｍ）を考え薄くされる。
従って、保護効果の高い保護膜（ＰＳＶ）は、周辺部もできるだけ広い範囲に亘って保護するようゲート絶縁膜（ＧＩ）よりも大きく形成されている。
【００２７】
《カラーフィルタ基板》
次に、図１、図２に戻り、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）側（カラーフィルタ基板）の構成を詳しく説明する。
《遮光膜（ＢＭ）》
上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）側には、不要な間隙部（画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）の間以外の隙間）からの透過光が表示面側に出射して、コントラスト比等を低下させないように遮光膜（ＢＭ）（いわゆるブラックマトリクス）が形成される。
遮光膜（ＢＭ）は、外部光またはバックライト光がｉ型半導体層（ＡＳ）に入射しないようにする役割も果たしている。
すなわち、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のｉ型半導体層（ＡＳ）は上下にある遮光膜（ＢＭ）および大き目のゲート電極（ＧＴ）によってサンドイッチにされ、外部の自然光やバックライト光が当たらなくなる。
図１に示す遮光膜（ＢＭ）の閉じた多角形の輪郭線は、その内側が遮光膜（ＢＭ）が形成されない開口を示している。
【００２８】
遮光膜（ＢＭ）は、光に対する遮蔽性を有し、かつ、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）の間の電界に影響を与えないように絶縁性の高い膜で形成されており、本発明の実施の形態では、黒色の顔料をレジスト材に混入し、１．２μｍ程度の厚さに形成している。
遮光膜（ＢＭ）は、各画素の周囲に格子状に形成され、この格子で１画素の有効表示領域が仕切られている。従って、各画素の輪郭が遮光膜（ＢＭ）によってはっきりとする。つまり、遮光膜（ＢＭ）は、ブラックマトリクスとｉ型半導体層（ＡＳ）に対する遮光との２つの機能をもつ。
遮光膜（ＢＭ）は、周辺部にも額縁状に形成され、そのパターンは、ドット状に複数の開口を設けた図１に示すマトリクス部のパターンと連続して形成されている。
周辺部の遮光膜（ＢＭ）は、シール部（ＳＬＰ）の外側に延長され、パソコン等の実装機に起因する反射光等の漏れ光が表示マトリクス部に入り込むのを防いでいる。
他方、この遮光膜（ＢＭ）は上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）の縁よりも約０．３〜１．０ｍｍ程内側に留められ、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）の切断領域を避けて形成されている。
【００２９】
《カラーフィルタ（ＦＩＬ）》
カラーフィルタ（ＦＩＬ）は、画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しでストライプ状に形成され、また、カラーフィルタ（ＦＩＬ）は、遮光膜（ＢＭ）のエッジ部分と重なるように形成されている。
カラーフィルタ（ＦＩＬ）は、次のようにして形成することができる。
まず、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）の表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フォトリソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染色基材を除去する。
この後、染色基材を赤色染料で染め、固着処理を施し、赤色フィルタ（Ｒ）を形成する。
つぎに、同様な工程を施すことによって、緑色フィルタ（Ｇ）、青色フィルタ（Ｂ）を順次形成する。
《オーバーコート膜（ＯＣ）》
オーバーコート膜（ＯＣ）は、カラーフィルタ（ＦＩＬ）から染料が液晶層（ＬＣＤ）へ漏洩するのを防止し、および、カラーフィルタ（ＦＩＬ）、遮光膜（ＢＭ）による段差を平坦化するために設けられている。
オーバーコート膜（ＯＣ）は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂材料で形成されている。
【００３０】
《表示マトリクス部（ＡＲ）周辺の構成》
図５は、上下の透明ガラス基板（ＳＵＢ１、ＳＵＢ２）を含む表示パネル（ＰＮＬ）の表示マトリクス（ＡＲ）部周辺の要部平面を示す図である。
また、図６は、左側に走査回路が接続されるべき外部接続端子（ＧＴＭ）付近の断面を、右側に外部接続端子がないところのシール部付近の断面を示す図である。
このパネルの製造では、小さいサイズであれば、スループット向上のため１枚のガラス基板で複数個分のデバイスを同時に加工してから分割し、また、大きいサイズであれば、製造設備の共用のためどの品種でも標準化された大きさのガラス基板を加工してから、各品種に合ったサイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経てからガラスを切断する。
【００３１】
図５、図６は後者の例を示すもので、図５、図６の両図とも上下透明ガラス基板（ＳＵＢ１、ＳＵＢ２）の切断後を表しており、図５に示すＬＮは両基板の切断前の縁を示す。
いずれの場合も、完成状態では外部接続端子群（Ｔｇ、Ｔｄ）および端子（ＣＴＭ）（添字略）が存在する（図で上辺と左辺の）部分は、それらが露出されるように上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）の大きさが下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）よりも内側に制限されている。
端子群（Ｔｇ、Ｔｄ）は、それぞれ後述する走査回路接続用端子（ＧＴＭ）、映像信号回路接続用端子（ＤＴＭ）とそれらの引出配線部を集積回路チップ（ＣＨＩ）が搭載されたテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）（図１６、図１７）の単位に複数本まとめて名付けたものである。
各群の表示マトリクス部から外部接続端子部に至るまでの引出配線は、両端に近づくにつれ傾斜している。
これは、パッケージ（ＴＣＰ）の配列ピッチ及び各パッケージ（ＴＣＰ）における接続端子ピッチに表示パネル（ＰＮＬ）の端子（ＤＴＭ、ＧＴＭ）を合わせるためである。
また、対向電極端子（ＣＴＭ）は、対向電極（ＣＬ’）に対向電圧（Ｖｃｏｍ）を外部回路から与えるための端子である。
【００３２】
表示マトリクス部の対向電圧信号線（ＣＬ）は、走査回路用端子（ＧＴＭ）の反対側（図では右側）に引き出し、各対向電圧信号線（ＣＬ）を共通バスライン（ＣＢ）（対向電極接続信号線）で一纏めにして、対向電極端子（ＣＴＭ）に接続している。
透明ガラス基板（ＳＵＢ１、ＳＵＢ２）の間にはその縁に沿って、液晶封入口（ＩＮＪ）を除き、液晶層（ＬＣＤ）を封止するようにシールパターン（ＳＬＰ）が設けられる。
シールパターン（ＳＬＰ）は、例えば、エポキシ樹脂から形成される。
配向膜（ＯＲ１、ＯＲ２）の層は、シールパターン（ＳＬＰ）の内側に形成され、また、偏光板（ＰＯＬ１、ＰＯＬ２）は、それぞれ下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）の外側の表面に形成されている。
【００３３】
液晶層（ＬＣＤ）は、液晶分子の向きを設定する下部配向膜（ＯＲ１）と上部配向膜（ＯＲ２）との間でシールパターン（ＳＬＰ）で仕切られた領域に封入される。
下部配向膜（ＯＲ１）は、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側の保護膜（ＰＳＶ）の上部に形成される。
本発明の実施の形態の液晶表示装置では、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）を別個に種々の層を積み重ねて形成した後、シールパターン（ＳＬＰ）を上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）側に形成し、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）と上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）とを重ね合わせ、シールパターン（ＳＬＰ）の開口部（ＩＮＪ）から液晶（ＬＣＤ）を注入し、注入口（ＩＮＪ）をエポキシ樹脂などで封止し、上下基板を切断することによって組み立てられる。
【００３４】
《ゲート端子（ＧＴＭ）部》
図７は、表示マトリクス部（ＡＲ）の走査信号線（ＧＬ）からその外部接続端子であるゲート端子（ＧＴＭ）までの接続構造を示す図であり、図７（Ａ）は、平面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示すＢ−Ｂ切断線における断面図である。
なお、図７は、図５における下方付近に対応し、斜め配線の部分は便宜状一直線状で表した。
図７において、ＡＯはホトレジスト直接描画の境界線、言い換えれば選択的陽極酸化のホトレジストパターンである。
従って、このホトレジストは陽極酸化後除去され、図７に示すパターン（ＡＯ）は完成品としては残らないが、ゲート配線（ＧＬ）には断面図に示すように酸化膜（ＡＯＦ）が選択的に形成されるのでその軌跡が残ることになる。
【００３５】
図７（Ａ）の平面図において、ホトレジストの境界線（ＡＯ）を基準にして左側はレジストで覆い陽極酸化をしない領域、右側はレジストから露出され陽極酸化される領域である。
陽極酸化されたアルミニウム（ＡＬ）系の導電膜（ｇ１）は、表面にアルミニウム酸化膜（Ａｌ２Ｏ３）が形成され下方の導電部は体積が減少する。
勿論、陽極酸化はその導電部が残るように適切な時間、電圧などを設定して行われる。
図７において、アルミニウム（ＡＬ）系の導電膜（ｇ１）は、判り易くするためハッチを施してあるが、陽極化成されない領域は櫛状にパターニングされている。
これは、アルミニウム（Ａｌ）系の導電膜の幅が広いと表面にホイスカが発生するので、１本１本の幅は狭くし、それらを複数本並列に束ねた構成とすることにより、ホイスカの発生を防ぎつつ、断線の確率や導電率の犠牲を最低限に押さえる狙いである。
【００３６】
ゲート端子（ＧＴＭ）は、アルミニウム（Ａｌ）系の導電膜（ｇ１）と、更にその表面を保護し、かつ、ＴＣＰ（Tape Carrier Packege）との接続の信頼性を向上させるための透明導電膜（ｇ２）とで形成されている。
この透明導電膜（ｇ２）は、スパッタリングで形成された透明導電膜（Indium-Tin-Oxide ITO：ネサ膜）からなり、１０００〜２０００オングストロームの厚さに（本発明の実施の形態では、１４００オングストローム程度の膜厚）形成される。
また、アルミニウム（Ａｌ）系の導電膜（ｇ１）上、および、その側面部に形成された導電膜（ｄ１）は、導電膜（ｇ１）と透明導電膜（ｇ２）との接続不良を補うために、導電膜（ｇ１）と透明導電膜（ｇ２）との両方に接続性の良いクロム（Ｃｒ）層（ｄ１）を接続し、接続抵抗の低減を図るためのものであり、導電膜（ｄ２）は導電膜（ｄ１）と同一マスクで形成しているために残っているものである。
【００３７】
図７（Ａ）の平面図において、ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、その境界線（ＡＯ）よりも右側に、保護膜（ＰＳＶ）は、その境界線（ＡＯ）よりも左側に形成されており、左端に位置する端子部（ＧＴＭ）はそれらから露出し外部回路との電気的接触ができるようになっている。
図７では、ゲート線（ＧＬ）とゲート端子の一つの対のみが示されているが、実際はこのような対が上下に複数本並べられて、図５に示す端子群（Ｔｇ）が構成され、ゲート端子の左端は、製造過程では、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）の切断領域を越えて延長され配線（ＳＨｇ）（図示せず）によって短絡される。
製造過程におけるこのような短絡線（ＳＨｇ）は、陽極化成時の給電と、配向膜（ＯＲ１）のラビング時等の静電破壊防止に役立つ。
【００３８】
《ドレイン端子（ＤＴＭ）部》
図８は、表示マトリクス部（ＡＲ）の映像信号線（ＤＬ）からその外部接続端子であるドレイン端子（ＤＴＭ）までの接続を示す図であり、図８（Ａ）はその平面図であり、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）に示すＢ−Ｂ切断線における断面図である。
なお、図８は、図５における右上付近に対応し、図面の向きは便宜上変えてあるが右端方向が下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）の上端部に該当する。
図８において、ＴＳＴｄは検査端子であり、ここには外部回路は接続されないが、プローブ針等を接触できるよう配線部より幅が広げられている。
同様に、ドレイン端子（ＤＴＭ）も外部回路との接続ができるよう配線部より幅が広げられている。
ドレイン端子（ＤＴＭ）は複数本上下方向に並べられ、図５に示す端子群（Ｔｄ）（添字省略）を構成し、さらに、ドレイン端子（ＤＴＭ）は、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）の切断線を越えて延長され、製造過程中は静電破壊防止のためその全てが互いに配線（ＳＨｄ）（図示せず）によって短絡される。
検査端子（ＴＳＴｄ）は、図８に示すように一本置きの映像信号線（ＤＬ）に設けられる。
【００３９】
ドレイン接続端子（ＤＴＭ）は、透明導電膜（ｇ２）の単層で形成されており、ゲート絶縁膜（ＧＩ）を除去した部分で映像信号線（ＤＬ）と接続されている。
ゲート絶縁膜（ＧＩ）の端部上に形成された半導体層（ＡＳ）は、ゲート絶縁膜（ＧＩ）の縁をテーパ状にエッチングするためのものである。
ドレイン接続端子（ＤＴＭ）上では、外部回路との接続を行うため保護膜（ＰＳＶ）は勿論のこと取り除かれている。
表示マトリクス部（ＡＲ）からドレイン端子部（ＤＴＭ）までの引出配線は、映像信号線（ＤＬ）と同じレベルの導電膜（ｄ１、ｄ２）が、保護膜（ＰＳＶ）の途中まで構成されており、保護膜（ＰＳＶ）の中で透明導電膜（ｇ２）と接続されている。
これは、電触し易いアルミニウム（Ａｌ）系の導電膜（ｄ２）を保護膜（ＰＳＶ）やシールパターン（ＳＬＰ）でできるだけ保護する狙いである。
【００４０】
《対向電極端子（ＣＴＭ）》
図９は、対向電圧信号線（ＣＬ）からその外部接続端子である対向電極端子（ＣＴＭ）までの接続を示す図であり、図９（Ａ）は、その平面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）に示すＢ−Ｂ切断線における断面図である。なお、図９は、図５における左上付近に対応する。
各対向電圧信号線（ＣＬ）は、共通バスライン（ＣＢ）で一纏めして対向電極端子（ＣＴＭ）に引き出されている。
共通バスライン（ＣＢ）は、導電膜（ｇ１）の上に導電膜（ｄ１）、導電膜（ｄ２）を積層した構造となっている。
これは、共通バスライン（ＣＢ）の抵抗を低減し、対向電圧が外部回路から各対向電圧信号線（ＣＬ）に十分に供給されるようにするためである。
この構造によれば、特に新たに導電膜を付加することなく、共通バスライン（ＣＢ）の抵抗を下げられるのが特徴である。
【００４１】
共通バスライン（ＣＢ）の導電膜（ｇ１）は、導電 膜（ｄ１）、導電膜（ｄ２）と電気的に接続されるように、陽極参加はされておらず、また、ゲート絶縁膜（ＧＩ）からも露出している。
対向電極端子（ＣＴＭ）は、導電膜（ｇ１）の上に透明導電膜（ｇ２）が積層された構造になっている。
このように、その表面を保護し、また、電食等を防ぐために耐久性のよい透明導電膜（ｇ２）で、導電膜（ｇ１）を覆っている。
【００４２】
《表示装置全体等価回路》
図１０は、表示マトリクス部（ＡＲ）の等価回路とその周辺回路の結線図を示す図である。
なお、図１０は、回路図ではあるが、実際の幾何学的配置に対応して描かれている。
図１０において、ＡＲは、複数の画素を二次元状に配列した表示マトリクス部（マトリクス・アレイ）を示している。
図１０中、ＳＬは画素電極であり、添字Ｇ、ＢおよびＲがそれぞれ緑、青および赤画素に対応して付加されている。
走査信号線（ＧＬ）のｙ０、ｙ１、…、ｙｅｎｄは走査タイミングの順序を示している。
走査信号線（ＧＬ）は垂直走査回路（Ｖ）に接続されており、映像信号線（ＤＬ）は映像信号駆動回路（Ｈ）に接続されている。
回路（ＳＵＰ）は、１つの電圧源から複数の分圧した安定化された電圧源を得るための電源回路やホスト（上位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰極線管）用の情報を（ＴＦＴ）液晶表示装置用の情報に交換する回路を含む回路である。
【００４３】
《駆動方法》
図１１は、本発明の実施の形態の液晶表示装置における駆動時の駆動波形を示す図であり、図１１（ａ）、図１１（ｂ）は、それぞれ、（ｉ−１）番目、（ｉ）番目の走査信号線（ＧＬ）に印加されるゲート電圧（走査信号電圧）（ＶG）を示している。
また、図１１（ｃ）は、映像信号線（ＤＬ）に印加される映像信号電圧（ＶD）を示し、図１１（ｄ）は、対向電極（ＣＬ’）に印加される対向電圧（Ｖｃｏｍ）を示している。
さらに、図１１（ｅ）は、（ｉ）行、（ｊ）列の画素における画素電極（ＳＬ）に印加される画素電極電圧（Ｖｓ）を示し、図１１（ｆ）は、（ｉ）行、（ｊ）列の画素の液晶層（ＬＣＤ）に印加される電圧（ＶLC）を示している。
本発明の実施の形態の液晶表示装置の駆動方法においては、図１１（ｄ）に示すように、対向電極（ＣＬ’）に印加する対向電圧（Ｖｃｏｍ）を、ＶCHとＶCLの２値の交流矩型波にし、それに同期させてゲート電極（ＧＴ）に印加するゲート電圧（ＶG）の非選択電圧を１走査期間ごとに、ＶGLHとＶGLLの２値で変化させる。
【００４４】
この場合に、対向電圧（Ｖｃｏｍ）の振幅値と、ゲート電圧（ＶG）の非選択電圧の振幅値とは同一にする。
映像信号線（ＤＬ）に印加される映像信号電圧（ＶD）は、液晶層（ＬＣＤ）に印加したい電圧から、対向電圧（ＶC）の振幅の１／２を差し引いた電圧（ＶSIG)である。
対向電極（ＣＬ’）に印加する対向電圧（Ｖｃｏｍ）は直流でもよいが、交流化することで映像信号電圧（ＶD）の最大振幅を低減でき、映像信号駆動回路（信号側ドライバ）に耐圧の低いものを用いることが可能になる。
【００４５】
《蓄積容量（Ｃｓｔｇ）の働き》
蓄積容量（Ｃｓｔｇ）は、画素に書き込まれた（薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がオフした後の）映像情報を、長く蓄積するために設ける。
本発明の実施の形態のように、電界を基板面と平行に印加する方式では、電界を基板面に垂直に印加する方式と異なり、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）とで構成される容量（いわゆる液晶容量（Ｃｐｉｘ））がほとんど無いため、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）がないと映像情報を画素に蓄積することができない。
したがって、電界を基板面と平行に印加する方式では、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）は必須の構成要素である。
また、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がスイッチングするとき、画素電極電位（Ｖｓ）に対するゲート電位変化（ΔＶG）の影響を低減するようにも働く。
【００４６】
この様子を式で表すと、次のようになる。
［数１］
ΔＶｓ＝｛Ｃｇｓ／（Ｃｇｓ＋Ｃｓｔｇ＋Ｃｐｉｘ）｝×ΔＶG
ここで、Ｃｇｓは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極（ＧＴ）とソース電極（ＳＤ１）との間に形成される寄生容量、Ｃｐｉｘは画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）との間に形成される容量、ΔＶｓはΔＶGによる画素電極電位の変化分いわゆるフィードスルー電圧を表わす。
この変化分（ΔＶｓ）は、液晶層（ＬＣＤ）に加わる直流成分の原因となるが、蓄積容量容量（Ｃｓｔｇ）を大きくすればする程、その値を小さくすることができる。
液晶層（ＬＣＤ）に印加される直流成分の低減は、液晶層（ＬＣＤ）の寿命を向上し、液晶表示画面の切り替え時に前の画像が残るいわゆる焼き付きを低減することができる。
前述したように、ゲート電極（ＧＴ）は、ｉ型半導体層（ＡＳ）を完全に覆うよう大きくされている分、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）とのオーバラップ面積が増え、従って寄生容量（Ｃｇｓ）が大きくなり、画素電極電位（Ｖｓ）は、ゲート電圧（走査信号電圧）（ＶG）の影響を受け易くなるという逆効果が生じる。
しかし、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）を設けることによりこのデメリットも解消することができる。
【００４７】
《製造方法》
つぎに、前記した液晶表示装置の下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側の製造方法について図１２〜図１４を参照して説明する。
なお、図１２〜図１４において、中央の文字は工程名の略称であり、左側は図３に示す薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）部分、右側は図７に示すゲート端子付近の断面形状でみた加工の流れを示す。
工程Ｂ、工程Ｄを除き、工程Ａ〜工程Ｉは各写真処理に対応して区分けしたもので、各工程のいずれの断面図も写真処理後の加工が終わりフォトレジストを除去した段階を示している。
なお、以下の説明においては、写真処理とは、フォトレジストの塗布からマスクを使用した選択露光を経てそれを現像するまでの一連の作業を示すものとし、繰返しの説明は避ける。
【００４８】
以下区分けした工程に従って、説明する。
（工程Ａ、図１２）
ガラスからなる下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）上に、膜厚が３０００オングストロームのアルミニウム（Ａｌ）−パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）−シリコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）−タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）−チタン（Ｔｉ）−タンタル（Ｔａ）等からなる導電膜（ｇ１）をスパッタリングにより形成する。
写真処理後、リン酸と硝酸と氷酢酸と水との混酸液で導電膜（ｇ１）を選択的にエッチングする。
それによって、ゲート電極（ＧＴ）、走査信号線（ＧＬ）、対向電極（ＣＬ’）、対向電圧信号線（ＣＬ）、電極（ＰＬ１）、ゲート端子（ＧＴＭ）、共通バスライン（ＣＢ）の第１導電膜、対向電極端子（ＣＴＭ）の第１導電膜、ゲート端子（ＧＴＭ）を接続する陽極酸化バスライン（ＳＨｇ）（図示せず）および陽極酸化バスライン（ＳＨｇ）に接続された陽極酸化パッド（図示せず）を形成する。
【００４９】
（工程Ｂ、図１２）
直接描画による陽極酸化マスク（ＡＯ）の形成後、３％酒石酸をアンモニアによりＰＨ６．２５±０．０５に調整した溶液をエチレングリコール液で１：９に稀釈した液からなる陽極酸化液中に下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）を浸漬し、化成電流密度が０．５ｍＡ／ｃｍ２になるように調整する（定電流化成）。
次に、所定膜厚のアルミニウム酸化膜（ＡＯＦ）が得られるのに必要な化成電圧１２５Ｖに達するまで陽極酸化を行う。
その後、この状態で数１０分保持することが望ましい（定電圧化成）。
これは均一なアルミニウム酸化膜（ＡＯＦ）を得る上で大事なことである。
それによって、導電膜（ｇ１）が陽極酸化され、ゲート電極（ＧＴ）、走査信号線（ＧＬ）、対向電極（ＣＬ’）、対向電圧信号線（ＣＬ）および電極（ＰＬ１）上に膜厚が１８００オングストロームの陽極酸化膜（ＡＯＦ）が形成される。
【００５０】
（工程Ｃ、図１２）
膜厚が１４００オングストロームのＩＴＯ膜からなる透明導電膜（ｇ２）をスパッタリングにより形成する。
写真処理後、エッチング液として、塩酸と硝酸との混酸液で透明導電膜（ｇ２）を選択的にエッチングすることにより、ゲート端子（ＧＴＭ）の最上層、ドレイン端子（ＤＴＭ）および対向電極端子（ＣＴＭ）の第２導電膜を形成する。
（工程Ｄ、図１３）
プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒素ガスを導入して、膜厚が２２００オングストロームの窒化シリコン膜（ＳｉＮX）を設け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガスを導入して、膜厚が２０００オングストロームのｉ型非晶質シリコン（Ｓｉ）膜を設けたのち、プラズマＣＶＤ装置に水素ガス、ホスフィンガスを導入して、膜厚が３００オングストロームのＮ（＋）型非晶質シリコン（Ｓｉ）膜を設ける。
【００５１】
（工程Ｅ、図１３）
写真処理後、ドライエッチングガスとして四塩化炭素（ＣＣｌ４）、六弗化硫黄（ＳＦ６）を使用してＮ（＋）型非晶質シリコン（Ｓｉ）膜、ｉ型非晶質シリコン（Ｓｉ）膜を選択的にエッチングすることにより、ｉ型半導体層（ＡＳ）の島を形成する。
（工程Ｆ、図１３）
写真処理後、ドライエッチングガスとして六弗化硫黄（ＳＦ６）を使用して、窒化シリコン膜を選択的にエッチングする。
【００５２】
（工程Ｇ、図１４）
膜厚が６００オングストロームのクロム（Ｃｒ）からなる導電膜（ｄ１）をスパッタリングにより設け、さらに膜厚が４０００オングストロームのアルミニウム（Ａｌ）−タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）−チタン（Ｔｉ）−タンタル（Ｔａ）等からなる導電膜（ｄ２）をスパッタリングにより設ける。
写真処理後、導電膜（ｄ２）を、リン酸と硝酸と氷酢酸と水とからなる混酸液でエッチングし、導電膜（ｄ１）を硝酸第２セリウムアンモン液でエッチングし、映像信号線（ＤＬ）、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）、画素電極（ＳＬ）、電極（ＰＬ２）、共通バスライン（ＣＢ）の第２導電膜、第３導電膜およびドレイン端子（ＤＴＭ）を短絡するバスライン（ＳＨｄ）（図示せず）を形成する。
なお、本発明の実施の形態で用いているレジスト材は、東京応化製半導体用レジストＯＦＰＲ８００（商品名）を用いた。
つぎに、ドライエッチング装置に四塩化炭素（ＣＣｌ４）、六弗化硫黄（ＳＦ６）を導入して、Ｎ（＋）型非晶質シリコン（Ｓｉ）膜をエッチングすることにより、ソースとドレイン間のＮ（＋）型半導体層（ｄ０）を選択的に除去する。
【００５３】
（工程Ｈ、図１４）
プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒素ガスを導入して、膜厚が１μｍの窒化シリコン膜を設ける。
写真処理後、ドライエッチングガスとして六弗化硫黄（ＳＦ６）を使用した写真蝕刻技術で窒化シリコン膜を選択的にエッチングすることによって、保護膜（ＰＳＶ）を形成する。
【００５４】
《表示パネル（ＰＮＬ）と駆動回路基板ＰＣＢ１》
図１５は、図５等に示す表示パネル（ＰＮＬ）に映像信号駆動回路（Ｈ）と垂直走査回路（Ｖ）を接続した状態を示す平面図である。
図１５において、ＣＨＩは表示パネル（ＰＮＬ）を駆動させる駆動ＩＣチップであり、図１５に示す下側の５個は垂直走査回路側の駆動ＩＣチップ、左の１０個は映像信号駆動回路側の駆動ＩＣチップである。
ＴＣＰは図１６、図１７で後述するように駆動用ＩＣチップ（ＣＨＩ）がテープ・オートメイティド・ボンディング法（ＴＡＢ）により実装されたテープキャリアパッケージ、ＰＣＢ１は前記テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）やコンデンサ等が実装された駆動回路基板で、映像信号駆動回路用と走査信号駆動回路用の２つに分割されている。
ＦＧＰはフレームグランドパッドであり、シールドケース（ＳＨＤ）に切り込んで設けられたバネ状の破片が半田付けされる。
ＦＣは下側の駆動回路基板（ＰＣＢ１）と左側の駆動回路基板（ＰＣＢ１）を電気的に接続するフラットケーブルである。
フラットケーブル（ＦＣ）としては、複数のリード線（りん青銅の素材にスズ（Ｓｎ）鍍金を施したもの）をストライプ状のポリエチレン層とポリビニルアルコール層とでサンドイッチして支持したものを使用する。
【００５５】
《ＴＣＰの接続構造》
図１６は、走査信号駆動回路（Ｖ）や映像信号駆動回路（Ｈ）を構成する、集積回路チップ（ＣＨＩ）がフレキシブル配線基板に搭載されたテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）の断面構造を示す断面図であり、図１７は、それを液晶表示パネル（ＰＮＬ）に接続した状態（図１６では、走査信号回路用端子（ＧＴＭ）に接続した状態）を示す要部断面図である。
図１６において、ＴＴＢは集積回路（ＣＨＩ）の入力端子・配線部であり、ＴＴＭは集積回路（ＣＨＩ）の出力端子・配線部であり、端子（ＴＴＢ、ＴＴＭ）は、例えば、銅（Ｃｕ）から成り、それぞれの内側の先端部（通称インナーリード）には、集積回路（ＣＨＩ）のボンディングパッド（ＰＡＤ）がいわゆるフェースダウンボンディング法により接続される。
【００５６】
端子（ＴＴＢ、ＴＴＭ）の外側の先端部（通称アウターリード）には、それぞれ半導体集積回路チップ（ＣＨＩ）の入力及び出力に対応し、半田付け等によりＣＲＴ／ＴＦＴ変換回路・電源回路（ＳＵＰ）、あるいは、異方性導電膜（ＡＣＦ）によって液晶表示パネル（ＰＮＬ）が接続される。
パッケージ（ＴＣＰ）は、その先端部が、パネル（ＰＮＬ）側の接続端子（ＧＴＭ）が露出される保護膜（ＰＳＶ）を覆うようにパネルに接続されており、従って、外部接続端子（ＧＴＭ）（またはＤＴＭ）は、保護膜（ＰＳＶ）かパッケージ（ＴＣＰ）の少なくとも一方で覆われるので電触に対して強くなる。
ＢＦ１はポリイミド等からなるベースフィルムであり、ＳＲＳは半田付けの際半田が余計なところへつかないようにマスクするためのソルダレジスト膜である。
シールパターン（ＳＬＰ）の外側の上下ガラス基板の隙間は洗浄後エポキシ樹脂（ＥＳＬ）等により保護され、パッケージ（ＴＣＰ）と上部基板（ＳＵＢ２）の間には更にシリコーン樹脂（ＳＰＸ）が充填され保護が多重化されている。
【００５７】
《駆動回路基板（ＰＣＢ２）》
駆動回路基板（ＰＣＢ２）は、ＩＣ、コンデンサ、抵抗等の電子部品が搭載されている。
この駆動回路基板（ＰＣＢ２）には、１つの電圧源から複数の分圧した安定化された電圧源を得るための電源回路や、ホスト（上位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰極線管）用の情報を（ＴＦＴ）液晶表示装置用の情報に変換する回路を含む回路（ＳＵＰ）が搭載されている。
ＣＪは外部と接続される図示しないコネクタが接続されるコネクタ接続部である。
駆動回路基板（ＰＣＢ１）と駆動回路基板（ＰＣＢ２）とはフラットケーブル（ＦＣ）により電気的に接続されている。
【００５８】
《液晶表示モジュール（ＭＤＬ）の全体構成》
図１８は、液晶表示モジュール（ＭＤＬ）の各構成部品を示す分解斜視図である。
ＳＨＤは金属板から成る枠状のシールドケース（メタルフレーム）、ＬＣＷは表示窓、ＰＮＬは液晶表示パネル、ＳＰＢは光拡散板、ＬＣＢは導光体、ＲＭは反射板、ＢＬはバックライト蛍光管、ＬＣＡはバックライトケースであり、図に示すような上下の配置関係で各部材が積み重ねられてモジュールＭＤＬが組み立てられる。
モジュール（ＭＤＬ）は、シールドケース（ＳＨＤ）に設けられた爪とフックによって全体が固定されるようになっている。
バックライトケース（ＬＣＡ）は、バックライト蛍光管（ＢＬ）、光拡散板（ＳＰＢ）、導光体（ＬＣＢ）、反射板（ＲＭ）を収納する形状になっており、導光体（ＬＣＢ）の側面に配置されたバックライト蛍光管（ＢＬ）の光を、導光体（ＬＣＢ）、反射板（ＲＭ）、光拡散板（ＳＰＢ）により表示面で一様なバックライトにし、液晶表示パネル（ＰＮＬ）側に出射する。
バックライト蛍光管（ＢＬ）にはインバータ回路基板（ＰＣＢ３）が接続されており、バックライト蛍光管（ＢＬ）の電源となっている。
【００５９】
《液晶層および偏向板》
次に、液晶層、配向膜、偏光板等について説明する。
《液晶層》
液晶層（ＬＣＤ）の液晶材料としては、誘電率異方性（Δε）が正で、その値が１３．２、屈折率異方性（Δｎ）が０．０８１（５８９ｎｍ、２０℃）のネマティック液晶を用いる。
液晶層の厚み（ギャップ）は、３．９μｍとし、リタデーション（Δｎ・ｄ）は０．３１６とする。
このリタデーション（Δｎ・ｄ）の値は、バックライト光の波長特性のほぼ平均の波長の１／２となる様に設定され、バックライト光の波長特性との組み合わせにより、液晶層の透過光が色調が白色（Ｃ光源、色度座標ｘ＝０．３１０１、ｙ＝０．３１６３）となる様に設定する。
偏光板の偏光透過軸と液晶分子の長軸方向のなす角が４５°になるとき最大透過率を得ることができ、可視光の範囲ないで波長依存性がほとんどない透過光を得ることができる。
なお、液晶層の厚み（ギャップ）は、ポリマビーズで制御している。
また、誘電率異方性（Δε）は、その値が大きいほうが、駆動電圧が低減でき、さらに、屈折率異方性（Δｎ）は小さいほうが、液晶層の厚み（ギャップ）を厚くでき、液晶の封入時間が短縮され、かつギャップばらつきを少なくすることができる。
【００６０】
《配向膜》
配向膜（ＯＲ）としては、ポリイミドを用いる。
配向膜の配向（ラビング）方向、即ち、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）は、図１に示すように、上下基板で互いに平行、かつ、映像信号配線（ＤＬ）と平行（あるいは走査信号線（ＧＬ）に垂直）とする。
《偏光板》
図１９は、本発明の実施の形態の液晶表示装置における印加電界方向、偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＯＤ１，ＯＤ２）方向、および、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を示す図である。
図１９に示すように、下側の偏光板（ＰＯＬ１）の偏光透過軸（ＯＤ１）と、上側の偏向板（ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＯＤ２）とは互いに直交し、また、偏光透過軸（ＯＤ１）と偏光透過軸（ＯＤ２）とのいずれか一方は、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）と同一方向にされている。
これにより、本発明の実施の形態では、画素に印加される電圧（画素電極ＳＬと対向電極ＣＬ’の間の電圧）を増加させるに伴い、透過率が上昇するノーマリクローズ特性を得ることができる。
なお、画素に印加される電圧を増加させるに伴い、透過率が減少するノーマリホワイト特性を得るためには、下側の偏光板（ＰＯＬ１）の偏光透過軸（ＯＤ１）と、上側の偏向板（ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＯＤ２）とを、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）と同一方向にすればよい。
【００６１】
図１に示すように、本発明の実施の形態では、画素電極（ＳＬ）および対向電極（ＣＬ’）の対向面（互いに対向電極（ＣＬ’）あるいは画素電極（ＳＬ）と対向する面）を傾斜させ、画素電極（ＳＬ）および対向電極（ＣＬ’）の対向面が、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）に対して、反時計方向にθ（あるいは時計方向に−θ）の傾斜角を持つようにする。
これにより、液晶層（ＬＣＤ）の液晶分子（ＬＣ）の初期配向方向（ＲＤ）と印加電界方向（ＥＤ）とのなす角度を（９０°−θ）とし、１画素内の液晶駆動領域（対向電極（ＣＬ’）と画素電極（ＳＬ）との間の領域）での液晶分子（ＬＣ）駆動方向を図１９（ｄ）のように規定する。
なお、傾斜角θは、１０°ないし２０°が最適である。
本発明の実施の形態の液晶表示装置では、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）との間で基板面にほぼ平行に電界（ＥＤ）を印加し、ねじれのないホモジニアス配向された液晶層（ＬＣＤ）の複屈折性を利用して表示する。
液晶分子（ＬＣ）は基板面でその長軸を回転させるため、パネルを正面から見た場合と斜めから見た場合、さらには階調表示した場合において、液晶分子の見え方の差が小さいため、広い視野角が実現できる。
また、本発明の実施の形態では、液晶分子の駆動方向を液晶駆動領域内で揃えることにより、駆動電圧を低減し、応答速度を早くすることができる。
【００６２】
図２０ないし図２２は、図１に示す画素あるいは類似の画素をマトリクス状に配置する配置例を示す図である。
本発明の実施の形態では、図２０ないし図２２に示す配置例のように、その対向面が、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）に対して、θあるいは−θの傾斜角を持つ対向電極（ＣＬ’）および画素電極（ＳＬ）を有する画素を組み合わせて、マトリクス状に配置することにより、画素間で液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を異ならせることができる。
これにより、本発明の実施の形態では、ホモジニアス配向された液晶層（ＬＣＤ）における統一された駆動方向に起因する白色色調の視角による不均一性を補償し、表示品質を向上させ、高画質の表示画像を得ることが可能となる。
【００６３】
図２０に示す配置例は、映像信号線（ＤＬ）に平行する各画素において、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）に対する、対向電極（ＣＬ’）および画素電極（ＳＬ）の対向面の傾斜角が互いに等しくなるように、その対向面が、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）に対して、同じ傾斜角（θあるいは−θ）を持つ対向電極（ＣＬ’）および画素電極（ＳＬ）を有する画素を、映像信号線（ＤＬ）に平行な方向に配置し、また、その対向面が、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）に対して、θあるいは−θの傾斜角を持つ対向電極（ＣＬ’）および画素電極（ＳＬ）を有する画素を、走査信号線（ＧＬ）に平行な方向に交互に配置した配置例である。
【００６４】
また、図２１に示す配置例は、その対向面が、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）に対して、θあるいは−θの傾斜角を持つ対向電極（ＣＬ’）および画素電極（ＳＬ）を有する画素を、映像信号線（ＤＬ）に平行な方向に交互に配置し、さらに、走査信号線（ＧＬ）に平行する各画素において、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）に対する、対向電極（ＣＬ’）および画素電極（ＳＬ）の対向面の傾斜角が互いに等しくなるように、その対向面が、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）に対して、同じ傾斜角（θあるいは−θ）を持つ対向電極（ＣＬ’）および画素電極（ＳＬ）を有する画素を、走査信号線（ＧＬ）に平行な方向に配置した配置例である。
【００６５】
さらに、図２２に示す配置例は、その対向面が、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）に対して、θあるいは−θの傾斜角を持つ対向電極（ＣＬ’）および画素電極（ＳＬ）を有する画素を、映像信号線（ＤＬ）および走査信号線（ＧＬ）に平行な方向に交互に配置した配置例である。
図２０ないし図２２に示す配置例において、液晶層（ＬＣＤ）の液晶分子（ＬＣ）の駆動方向は、いずれも２方向となるが、図２２に示す配置例では、隣接する各画素において、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向が異なるため、白色色調の視角による不均一性に対する補償効果をさらに向上させることができる。
【００６６】
本発明の実施の形態では、図２３で定義する視角において、全方位に渡りφが５０度までの範囲では完全に白色色調が均一化でき、視角方向に対する均一性を向上できる。
また、非階調反転領域は、特性が平均化されて、全方位で非階調反転領域が平均化され、特定の方位で、特性が落ちるという問題が解決される。
これは、コントラスト比の視角依存性についても同様である。
以上、説明したように、本発明の実施の形態では、色調、階調反転、コントラスト比の視角方向に対する均一性を向上でき、ブラウン管により近い広視野角の液晶表示装置を得ることができる。
【００６７】
［発明の実施の形態２］
図２４は、本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態２）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
図２５は、本発明の実施の形態の液晶表示装置における印加電界方向、偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＯＤ１，ＯＤ２）方向、および、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を示す図である。
なお、本発明の実施の形態は、画素電極（ＳＬ）および対向電極（ＣＬ’）の形状が前記発明の実施の形態１と相違するが、それ以外の構成は前記発明の実施の形態１と同じである。
本発明の実施の形態では、図２４に示すように、画素電極（ＳＬ）は、対向面（対向電極（ＣＬ’）と対向する面）が斜め下方向に延びる略三角形状、また、対向電極（ＣＬ’）は、対向電圧信号線（ＣＬ）から上方向に突起した、対向面（画素電極（ＳＬ）と対向する面）が斜め上方向に延びる櫛歯形状をしており、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）の間の領域は１画素内で２分割されている。
【００６８】
本発明の実施の形態では、配向膜の配向（ラビング）方向、即ち、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）は、図２４に示すように、上下基板で互いに平行、かつ、映像信号線（ＤＬ）と平行（あるいは走査信号線（ＧＬ）に垂直）とする。
また、図２４に示すように、本発明の実施の形態では、画素電極（ＳＬ）および対向電極（ＣＬ’）の対向面（互いに対向電極（ＣＬ’）あるいは画素電極（ＳＬ）と対向する面）を傾斜させ、画素電極（ＳＬ）および対向電極（ＣＬ’）の対向面が、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）に対して、反時計方向にθ、−θ（あるいは時計方向に−θ、θ）の傾斜角を持つようにする。
これにより、液晶層（ＬＣＤ）の液晶分子（ＬＣ）の初期配向方向（ＲＤ）と印加電界方向（ＥＤ）とのなす角度を９０°−θ、９０°＋θとし、１画素内の液晶駆動領域（対向電極（ＣＬ’）と画素電極（ＳＬ）との間の領域）での液晶分子（ＬＣ）駆動方向を図２５（ｂ）のように規定する。
したがって、本発明の実施の形態では、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を、１画素内で２方向とすることができる。
【００６９】
本発明の実施の形態の液晶表示装置においても、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）の間で基板面にほぼ平行に電界（ＥＤ）を印加し、ねじれのないホモジニアス配向された液晶層（ＬＣＤ）の複屈折性を利用して表示する。
液晶分子（ＬＣ）は、基板面でその長軸を回転させるため、パネルを正面から見た場合と斜めから見た場合、さらには階調表示した場合において、液晶分子の見え方の差が小さいため、広い視野角が実現できる。
また、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を液晶駆動領域内で揃えることにより、駆動電圧を低減し、応答速度を早くすることができる。
なお、この時、傾斜度θは１０〜２０°が最適である。
本発明の実施の形態では、１画素内の液晶駆動領域毎に液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を異ならせることができ、ホモジニアス配向された液晶層（ＬＣＤ）における統一された駆動方向に起因する白色色調の視角による不均一性を１画素内で補償し、表示品質を向上させ、高画質の表示画像を得ることが可能となる。
【００７０】
図２６、図２７は、図２４に示す画素あるいは類似の画素をマトリクス状に配置する配置例を示す図である。
図２６に示す配置例は、図２４に示す画素をマトリクス状に配置した配置例であり、また、図２７に示す配置例は、映像信号線（ＤＬ）に平行な方向で、図２４に示す画素、および、図２４に示す画素と対向電極（ＣＬ’）と画素電極（ＳＬ）の形状が対称である画素を交互に並べてマトリクス状に配置した配置例である。
図２６、図２７に示す配置例において、液晶層（ＬＣＤ）の液晶分子（ＬＣ）の駆動方向は、いずれも２方向となるが、図２７に示す配置例では、隣接する各画素において、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向が異なるため、白色色調の視角による不均一性に対する補償効果をさらに向上させることができる。
【００７１】
［発明の実施の形態３］
図２８は、本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態３）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
図２９は、本発明の実施の形態の液晶表示装置における印加電界方向、偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＯＤ１，ＯＤ２）方向、および、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を示す図である。
なお、本発明の実施の形態は、画素電極（ＳＬ）および対向電極（ＣＬ’）の形状が前記発明の実施の形態１と相違するが、それ以外の構成は前記発明の実施の形態１と同じである。
本発明の実施の形態においては、図２８に示すように、画素電極（ＳＬ）は、画素の表示領域内（遮光膜（ＢＭ）の開口領域）の部分が傾斜部とされた上開きのコの字型、また、対向電極（ＣＬ’）は対向電圧信号線（ＣＬ）から上方向に突起した櫛歯形状をしており、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）の間の領域は１画素内で４分割されている。
【００７２】
本発明の実施の形態では、配向膜の配向（ラビング）方向、即ち、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）は、図２８に示すように、上下基板で互いに平行、かつ、映像信号線（ＤＬ）と平行（あるいは走査信号線（ＧＬ）と垂直）とする。
また、対向電極（ＣＬ’）を、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）と平行にし、画素電極（ＳＬ）を傾斜させ、画素電極（ＳＬ）が、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）に対して、反時計方向にθ、−θの傾斜角を持つようにする。
これにより、液晶層（ＬＣＤ）の液晶分子（ＬＣ）の初期配向方向（ＲＤ）と印加電界方向（ＥＤ）とのなす角度を９０°−θ、９０°＋θとし、１画素内の液晶駆動領域（対向電極（ＣＬ’）と画素電極（ＳＬ）との間の領域）で液晶分子（ＬＣ）駆動方向を、図２９（ｂ）のように規定する。
したがって、本発明の実施の形態においても、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を、１画素内で２方向とすることができる。
【００７３】
本発明の実施の形態の液晶表示装置においても、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）との間で基板面にほぼ平行に電界（ＥＤ）が印加され、ねじれのないホモジニアス配向された液晶層（ＬＣＤ）の複屈折性を利用して表示する。
液晶分子（ＬＣ）は基板面でその長軸を回転させるため、パネルを正面から見た場合と斜めから見た場合、さらには階調表示した場合において、液晶分子の見え方の差が小さいため、広い視野角が実現できる。
また、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を液晶駆動領域内で揃えることにより、駆動電圧を低減し、応答速度を早くすることができる。
なお、この時、角度θは１０〜２０°が最適である。
本発明の実施の形態では、１画素内の液晶駆動領域で、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を異ならせることができ、ホモジニアス配向された液晶層（ＬＣＤ）における統一された駆動方向に起因する白色色調の視角による不均一性を１画素内で補償し、表示品質を向上させ、高画質の表示画像を得ることが可能となる。
【００７４】
図３０、図３１は、図２８に示す画素および類似の画素を、マトリクス状に配置する配置例を示す図である。
図３０に示す配置例は、図２８に示す画素をマトリクス状に配置した配置例であり、また、図３１に示す配置例は、映像信号線（ＤＬ）に平行な方向で、図２８に示す画素、および、図２８に示す画素と映像信号線（ＤＬ）方向で対称である画素を、対向電圧信号線（ＣＬ）を２画素で共有しながら交互に並べてマトリクス状に配置した配置例である。
図３０、図３１に示す配置例において、液晶層（ＬＣＤ）の液晶分子（ＬＣ）の駆動方向は、いずれも２方向となるが、図３１に示す配置例では、隣接する各画素において、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向が異なるため、白色色調の視角による不均一性に対する補償効果をさらに向上させることができる。
また、前記発明の実施の形態１、発明の実施の形態２よりも、１画素あたりの表示面積を大きくすることができ、高輝度、低消費電力の表示が可能となる。
【００７５】
［発明の実施の形態４］
図３２は、本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態４）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
図３３は、本発明の実施の形態の液晶表示装置における印加電界方向、偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＯＤ１，ＯＤ２）方向、および、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を示す図である。
なお、本発明の実施の形態は、画素電極（ＳＬ）および対向電極（ＣＬ’）の形状が前記発明の実施の形態１と相違するが、それ以外の構成は前記発明の実施の形態１と同じである。
本発明の実施の形態では、図３２に示すように、画素電極（ＳＬ）は下方向に延びる直線形状、対向電極（ＣＬ’）は対向電圧信号線（ＣＬ）から上方向に突起した、画素の表示領域内の部分が上方向に延びる櫛歯形状をしており、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）の間の領域は１画素内で２分割されている。
また、本発明の実施の形態においては、図３２中のＡ部に示すように、対向電極（ＣＬ’）における画素の表示領域外の部分の、画素電極（ＳＬ）と対向する側が、テーパ状に形成される。
【００７６】
これにより、画素の表示領域外の部分で、対向電極（ＣＬ’）と画素電極（ＳＬ）とが、保護膜（ＰＳＶ）を介して、反時計方向にθ、−θの角度をもって交差されている。
この交差部は、対向電極（ＣＬ’）および画素電極（ＳＬ）との電極間距離が最も短く、最も強い電界が加わるために、液晶層（ＬＣＤ）に電界（ＥＤ）が印加されると、この交差部の液晶層（ＬＣＤ）の液晶分子（ＬＣ）が逸早く駆動し始める。
これにより、画素の表示領域における対向電極（ＣＬ’）と画素電極（ＳＬ）との間の液晶駆動領域内の液晶分子（ＬＣ）は、交差部の液晶分子（ＬＣ）の初期駆動方向の影響を受け、交差部の液晶分子（ＬＣ）と同じ方向に駆動される。
このように、本発明の実施の形態では、前記交差部により、液晶層（ＬＣＤ）の液晶分子（ＬＣ）の初期駆動方向を規定する。
【００７７】
即ち、本発明の実施の形態では、対向電極（ＣＬ’）と画素電極（ＳＬ）との交差角度を反時計方向にθ、−θとし、対向電極（ＣＬ’）と画素電極（ＳＬ）との間での液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を図３３（ｂ）のように規定する。
したがって、本発明の実施の形態においても、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を、１画素内で２方向とすることができる。
なお、角度θは、０°を越え９０°未満であればよいが、３０°〜６０°が最適である。
また、本発明の実施の形態では、配向膜の配向（ラビング）方向、即ち、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）は、図３２に示すように、上下基板で互いに平行、かつ、映像信号線（ＤＬ）と平行（あるいは走査信号線（ＧＬ）と垂直）とする。
【００７８】
本発明の実施の形態の液晶表示装置においても、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）の間で基板面にほぼ平行に電界（ＥＤ）を印加し、ねじれのないホモジニアス配向された液晶層（ＬＣＤ）の複屈折性を利用して表示する。
液晶層（ＬＣＤ）の液晶分子（ＬＣ））は基板面でその長軸を回転させるため、パネルを正面から見た場合と斜めから見た場合、さらには階調表示した場合において、液晶分子の見え方の差が小さいため、広い視野角が実現できる。
また、液晶分子（ＬＣ）の初期駆動方向を規定し、液晶駆動方向を揃えることにより、駆動電圧を低減し、応答速度を早くすることができる。
また、本発明の実施の形態では、１画素内の液晶駆動領域毎に液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を異ならせることができ、ホモジニアス配向された液晶層（ＬＣＤ）における統一された駆動方向に起因する白色色調の視角による不均一性を１画素内で補償し、表示品質を向上させ、高画質の表示画像を得ることが可能となる。
【００７９】
図３４、図３５は、図３２に示す画素あるいは類似の画素をマトリクス状に配置する配置例を示す図である。
図３４に示す配置例は、図３２の画素をマトリクス状に配置した配置例であり、また、図３５に示す配置例は、映像信号線（ＤＬ）に平行な方向で図３２に示す画素、および、図３２に示す画素とは映像信号線（ＤＬ）方向で対称である画素を、対向電圧信号線（ＣＬ）を２画素で共有しながら交互に並べてマトリクス状に配置した配置例である。
図３４、図３５に示す配置例において、液晶層（ＬＣＤ）の液晶分子（ＬＣ）の駆動方向は、いずれも２方向となるが、図３５に示す配置例では、隣接する各画素において、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向が異なるため、白色色調の視角による不均一性に対する補償効果をさらに向上させることができる。
また、本発明の実施の形態では、画素電極（ＳＬ）および対向電極（ＣＬ’）が、配向膜のラビング方向と平行に形成されるため、配向膜をラビング処理する際に、画素の表示領域内の電極脇の部分にバフ布の毛がスムーズに当てることが可能となるので、電極の端面付近でのラビング処理が円滑かつ確実に行われるので、電極脇の部分の液晶層の液晶分子の配向を良好にすることが可能となる。
【００８０】
［発明の実施の形態５］
図３６は、本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態５）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
図３７は、本発明の実施の形態の液晶表示装置における印加電界方向、偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＯＤ１，ＯＤ２）方向、および、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を示す図である。
なお、本発明の実施の形態は、画素電極（ＳＬ）および対向電極（ＣＬ’）の形状が前記発明の実施の形態１と相違するが、それ以外の構成は前記発明の実施の形態１と同じである。
本発明の実施の形態では、図３６に示すように、画素電極（ＳＬ）は、画素の表示領域内の部分が下方向に延びる直線形状、対向電極（ＣＬ’）は対向電圧信号線（ＣＬ）から上方向に突起した櫛歯形状をしており、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）の間の領域は１画素内で２分割されている。
また、本発明の実施の形態では、図３６中のＡ部に示すように、画素電極（ＳＬ）の下側で対向電圧信号線（ＣＬ）に近接する部分が台形形状に形成され、画素の表示領域外の部分で、対向電極（ＣＬ’）と画素電極（ＳＬ）とが、保護膜（ＰＳＶ）を介して、反時計方向にθ、−θの角度をもって交差されている。
本発明の実施の形態においても、前記交差部により、液晶層（ＬＣＤ）の液晶分子（ＬＣ）の初期駆動方向を図３７（ｂ）のように規定する。
【００８１】
即ち、前記発明の実施の形態４では、直線形状の画素電極（ＳＬ）と角度を持った対向電極（ＣＬ’）で液晶分子（ＬＣ）の初期駆動方向を規定し表示を行っているのに対し、本発明の実施の形態では、直線形状の対向電極（ＣＬ’）と角度を持った画素電極（ＳＬ）で、液晶層（ＬＣＤ）の液晶分子（ＬＣ）の初期駆動方向を規定し、表示を行っている。
したがって、本発明の実施の形態においても、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を、１画素内で２方向とすることができる。
なお、角度θは、０°を越え９０°未満であればよいが、３０°〜６０°が最適である。
また、本発明の実施の形態では、配向膜の配向（ラビング）方向、即ち、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）は、図３６に示すように、上下基板で互いに平行、かつ、映像信号線（ＤＬ）と平行（あるいは走査信号線（ＧＬ）と垂直）とする。
【００８２】
図３８、図３９は、図３６に示す画素あるいは類似の画素をマトリクス状に配置する配置例を示す図である。
本発明の実施の形態においても、前記発明の実施の形態３と同様に、ホモジニアス配向された液晶層（ＬＣＤ）における統一された駆動方向に起因する白色色調の視角による不均一性を１画素内で補償し、表示品質を向上させ、高画質の表示画像を得ることが可能となる。
また、本発明の実施の形態においても、配向膜をラビング処理する際に、画素の表示領域内の電極の端面付近でのラビング処理が円滑かつ確実に行われるので、電極脇の部分の液晶層の液晶分子の配向を良好にすることが可能となる。
【００８３】
［発明の実施の形態６］
図４０は、本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態６）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
図４１は、本発明の実施の形態の液晶表示装置における印加電界方向、偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＯＤ１，ＯＤ２）方向、および、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を示す図である。
なお、本発明の実施の形態は、画素電極（ＳＬ）および対向電極（ＣＬ’）の形状が前記発明の実施の形態１と相違するが、それ以外の構成は前記発明の実施の形態１と同じである。
本発明の実施の形態においては、図４０に示すように、画素電極（ＳＬ）は、下開きのコの字型、また、対向電極（ＣＬ’）は対向電圧信号線（ＣＬ）から上方向に突起した櫛歯形状をしており、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）の間の領域は１画素内で４分割されている。
また、本発明の実施の形態では、図４０中のＡ部に示すように、画素電極（ＳＬ）は、対向電極（ＣＬ’）に近接する部分がテーパ形状にされ、画素の表示領域外の部分で、対向電極（ＣＬ’）と画素電極（ＳＬ）とが、保護膜（ＰＳＶ）を介して、反時計方向にθ、−θの角度をもって交差されている。
【００８４】
前記発明の実施の形態４で説明した如く、この交差部は、対向電極（ＣＬ’）および画素電極（ＳＬ）との電極間距離が最も短く、最も強い電界が加わるために、液晶層（ＬＣＤ）に電界（ＥＤ）が印加されると、この交差部の液晶層（ＬＣＤ）の液晶分子（ＬＣ）が逸早く駆動し始め、これにより、画素の表示領域内における画素電極（ＳＬ）と中央の対向電極（ＣＬ’）との間の液晶駆動領域内の液晶分子（ＬＣ）は、交差部（図４０中のＡ部）の液晶分子（ＬＣ）の初期駆動方向の影響を受け、交差部の液晶分子（ＬＣ）と同じ方向に駆動される。
また、本発明の実施の形態においては、図４０中のＢ部に示すように、対向電極（ＣＬ’）における画素の表示領域外の部分の、画素電極（ＳＬ）と近接する側が、画素電極（ＳＬ）と同様にテーパ状にされ、当該テーパ状にされた対向電圧信号線（ＣＬ）と、中央の対向電極（ＣＬ’）とのなす角度は、反時計方向にθ、−θとされている。
【００８５】
さらに、図４０に示すＢ部では、対向電極（ＣＬ’）と画素電極（ＳＬ）との間隔が、画素の表示領域（遮光層（ＢＭ）の開口領域）内における対向電極（ＣＬ’）と画素電極（ＳＬ）との間隔よりも狭くされている。
このように、図４０に示すＢ部では、画素の表示領域内よりも、対向電極（ＣＬ’）と画素電極（ＳＬ）との間隔を狭くし、かつ、電界方向（ＥＤ）と液晶層（ＬＣＤ）の液晶分子（ＬＣ）の初期配向方向とのなす角度を９０−θ、９０＋θとして、図４０に示すＢ部における液晶層（ＬＣＤ）の液晶分子（ＬＣ）の初期駆動方向を規定する。
これにより、画素の表示領域における画素電極（ＳＬ）と両端の対向電極（ＣＬ’）との間の液晶駆動領域内の液晶分子（ＬＣ）は、図４０に示すＢ部の液晶分子（ＬＣ）の初期駆動方向の影響を受け、図４０に示すＢ部の液晶分子（ＬＣ）と同じ方向に駆動される。
したがって、本発明の実施の形態においても、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を、１画素内で、２方向とすることができる。
なお、角度θは、０°を越え９０°未満であればよいが、３０°〜６０°が最適である。
【００８６】
また、本発明の実施の形態では、配向膜の配向（ラビング）方向、即ち、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）は、図４０に示すように、上下基板で互いに平行、かつ、映像信号線（ＤＬ）と平行（あるいは走査信号線（ＧＬ）と垂直）とする。
本発明の実施の形態の液晶表示装置においても、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）の間で基板面にほぼ平行に電界（ＥＤ）を印加し、ねじれのないホモジニアス配向された液晶層（ＬＣＤ）の複屈折性を利用して表示する。
液晶分子（ＬＣ）は基板面でその長軸を回転させるため、パネルを正面から見た場合と斜めから見た場合、さらには階調表示した場合において、液晶分子の見え方の差が小さいため、広い視野角が実現できる。
また、本発明の実施の形態では、１画素内の液晶駆動領域毎に液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を異ならせることができ、ホモジニアス配向された液晶層（ＬＣＤ）における統一された駆動方向に起因する白色色調の視角による不均一性を１画素内で補償し、表示品質を向上させ、高画質の表示画像を得ることが可能となる。
【００８７】
図４２、図４３は、図４０に示す画素あるいは類似の画素をマトリクス状に配置する配置例を示す図である。
図４２に示す配置例は、図４０に示す画素をマトリクス状に配置した配置例であり、また、図４３に示す配置例は、映像信号線（ＤＬ）に平行な方向で、図４０に示す画素、および、図４０に示す画素とは映像信号線（ＤＬ）方向で対称である画素を、対向電圧信号線（ＣＬ）を２画素で共有しながら交互に並べてマトリクス状に配置した配置例である。
図４２、図４３に示す配置例において、液晶層（ＬＣＤ）の液晶分子（ＬＣ）の駆動方向は、いずれも２方向となるが、図４３に示す配置例では、隣接する各画素において、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向が異なるため、白色色調の視角による不均一性に対する補償効果をさらに向上させることができる。
この場合に、図４０に示すＡ部とＢ部の角度θの値を違う値とすることも可能である。
また、本発明の実施の形態においても、配向膜をラビング処理する際に、画素の表示領域内の電極の端面付近でのラビング処理が円滑かつ確実に行われるので、電極脇の部分の液晶層の液晶分子の配向を良好にすることが可能となる。
【００８８】
［発明の実施の形態７］
図４４は、本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態７）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
図４５、図４６は、本発明の実施の形態の液晶表示装置における印加電界方向、偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＯＤ１，ＯＤ２）方向、および、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を示す図である。
なお、本発明の実施の形態は、画素電極（ＳＬ）、対向電極（ＣＬ’）および映像信号線（ＤＬ）の形状が前記発明の実施の形態１と相違するが、それ以外の構成は前記発明の実施の形態１と同じである。
本発明の実施の形態においては、図４４に示すように、画素電極（ＳＬ）は、斜め下方向に延びる直線形状、また、対向電極（ＣＬ’）は対向電圧信号線（ＣＬ）から斜め上方向に突起した櫛歯形状をしており、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）の間の領域は１画素内で２分割されている。
【００８９】
本発明の実施の形態では、配向膜の配向（ラビング）方向、即ち、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）は、図４４に示すように、上下基板で互いに平行、かつ、走査信号線（ＧＬ）と垂直とする。
また、図４４に示すように、対向電極（ＣＬ’）および画素電極（ＳＬ）を平行にし、かつ、対向電極（ＣＬ’）および画素電極（ＳＬ）を傾斜させ、各電極が、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）に対して、反時計方向にθあるいは−θの傾斜角を持つようにする。
また、映像信号線（ＤＬ）を、対向電極（ＣＬ’）および画素電極（ＳＬ）と平行にし、映像信号線（ＤＬ）も、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）に対して、反時計方向にθあるいは−θの傾斜角を持つようにする。
さらに、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）に対して、反時計方向にθあるいは−θの傾斜角を持つ対向電極（ＣＬ’）と画素電極（ＳＬ）とを有する画素および映像信号線（ＤＬ）をジグザグに配置する。
これにより、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）と電界方向（ＥＤ）とのなす角度を９０°−θ、９０°＋θとし、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）との間での液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を図４５（ｂ）、図４６（ｂ）のように規定する。
なお、角度θは１０〜２０°が最適である。
【００９０】
本発明の実施の形態の液晶表示装置においても、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）の間で基板面にほぼ平行に電界（ＥＤ）を印加し、ねじれのないホモジニアス配向された液晶層（ＬＣＤ）の複屈折性を利用して表示する。
液晶分子（ＬＣ）は基板面でその長軸を回転させるため、パネルを正面から見た場合と斜めから見た場合、さらには階調表示した場合において、液晶分子の見え方の差が小さいため、広い視野角が実現できる。
また、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を液晶駆動領域内で揃えることにより、駆動電圧を低減し、応答速度を早くすることができる。
本発明の実施の形態では、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）に対して、反時計方向にθあるいは−θの傾斜角を持つ対向電極（ＣＬ’）と画素電極（ＳＬ）とを有する画素をジグザグに配置するようにしたので、映像信号線（ＤＬ）に沿って連続する画素で、２つの異なる液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を交互に有することとなり、ホモジニアス配向された液晶層（ＬＣＤ）における統一された駆動方向に起因する白色色調の視角による不均一性を補償し、表示品質を向上させ、高画質の表示画像を得ることが可能となる。
【００９１】
［発明の実施の形態８］
図４７は、本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態８）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
図４８は、本発明の実施の形態の液晶表示装置における印加電界方向、偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＯＤ１，ＯＤ２）方向、および、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を示す図である。
なお、本発明の実施の形態は、下記の構成を除いて、前記発明の実施の形態１と同じである。
本発明の実施の形態では、図４８に示すように、液晶層（ＬＣＤ）を基準にして上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）側には、上部配向膜（ＯＲ２）、保護膜（ＰＳＶ１）、対向電圧信号線（ＣＬ）および対向電極（ＣＬ’）、オーバーコート膜（ＯＣ）、および、カラーフィルタ（ＦＩＬ）、遮光用ブラックマトリクスパターン（ＢＭ）が形成されている。
また、蓄積容量（Ｃｓｔｄｇ）は、画素電極（ＳＬ）の他端と、次段の走査信号線（ＧＬ）とを重畳して構成されている。
【００９２】
本発明の実施の形態では、配向膜の配向（ラビング）方向、即ち、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）は、図４７に示すように、上下基板で互いに平行、かつ、対向電極（ＣＬ’）、画素電極（ＳＬ）、および、映像信号線（ＤＬ）と平行（あるいは走査信号線（ＧＬ）に垂直）とする。
また、対向電圧信号線（ＣＬ）および対向電極（ＣＬ’）を、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）に配置し、図４８（ｂ）に示すように、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）との間の電界に極わずか基板に対して傾斜を与える。
ここで、液晶層（ＬＣＤ）の材料やプロセス条件の選定により、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向時にプレチルトを持たせた場合に、各液晶分子（ＬＣ）に画素電極（ＳＬ）に近い部分と対向電極（ＣＬ’）に近い部分が生じ、図４８（Ｃ）に示すように液晶駆動方向が規定される。
【００９３】
本発明の実施の形態の液晶表示装置においても、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）の間で基板面にほぼ平行に電界（ＥＤ）を印加し、ねじれのないホモジニアス配向された液晶層（ＬＣＤ）の複屈折性を利用して表示する。
液晶分子（ＬＣ）は基板面でその長軸を回転させるため、パネルを正面から見た場合と斜めから見た場合、さらには階調表示した場合において、液晶分子の見え方の差が小さいため、広い視野角が実現できる。
また、本発明の実施の形態では、図４８に示すように、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）上に形成されている対向電極（ＣＬ’）と、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）上に形成される画素電極（ＳＬ）とは交互に配置されるために、１画素内の液晶駆動領域（画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）との間の領域）で、電界（ＥＤ）の基板に対する傾斜方向が逆になる。
したがって、本発明の実施の形態では、１画素内で異なる２方向の液晶駆動方向を持つことなり、ホモジニアス配向された液晶層（ＬＣＤ）における統一された駆動方向に起因する白色色調の視角による不均一性を１画素内で補償し、表示品質を向上させ、高画質の表示画像を得ることが可能となる。
【００９４】
図４９は、図４７に示す画素あるいは類似の画素をマトリクス状に配置する配置例を示す図である。
また、本発明の実施の形態においても、配向膜をラビング処理する際に、画素の表示領域内の電極の端面付近でのラビング処理が円滑かつ確実に行われるので、電極脇の部分の液晶層の液晶分子の配向を良好にすることが可能となる。
なお、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）上に形成される対向電極（ＣＬ’）の形状、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）上に形成される画素電極（ＳＬ）の形状、および、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）上に形成される対向電極（ＣＬ’）と下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）上に形成される画素電極（ＳＬ）との相対関係を、前記発明の実施の形態２、４、５と同様にすることにより、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向の規定に有効となり、駆動電圧の低下が見込める。
【００９５】
［発明の実施の形態９］
図５０は、本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態９）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
図５１は、図５０に示すａ−ａ′切断線における画素の断面図である。
本発明の実施の形態は、対向電極（ＣＬ’）が画素電極（ＳＬ）と同層に形成されている以外は、前記発明の実施の形態１と同じである。
図５１に示すように、本発明の実施の形態においては、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）は同層に構成されており、対向電極（ＣＬ’）と対向電圧信号線（ＣＬ）とは、ゲート絶縁膜（ＧＩ）にスルーホール（ＳＨ）を形成し、両者を電気的に接続している。
ここで、対向電圧信号線（ＣＬ）をアルミニウム（Ａｌ）系の導電膜（ｇ１）で形成する場合には、対向電極（ＣＬ’）と対向電圧信号線（ＣＬ）との接続をとるために、対向電圧信号線（ＣＬ）とそれと同一材料、同工程で形成されるものについて陽極酸化は行わない。
なお、この場合に、対向電圧信号線（ＣＬ）、および、それと同一材料、同工程で形成される導電膜としてクロム（Ｃｒ）を用いれば、陽極酸化を行う必要がない。
【００９６】
また、対向電圧信号線（ＣＬ）を画素電極（ＳＬ）と同層に設けることにより、スルーホールを（ＳＨ）構成しないようにすることも可能であり、さらに、画素電極（ＳＬ）を対向電極（ＣＬ’）と同層に同工程で形成してもよい。
本発明の実施の形態の液晶表示装置においても、前記発明の実施の形態１と同様に、その対向面が、液晶層（ＬＣＤ）の初期配向方向（ＲＤ）に対して、θあるいは−θの傾斜角を持つ対向電極（ＣＬ’）および画素電極（ＳＬ）を有する画素を組み合わせて、マトリクス状に配置することにより、ホモジニアス配向された液晶層（ＬＣＤ）における統一された駆動方向に起因する白色色調の視角による不均一性を補償し、表示品質を向上させ、高画質の表示画像を得ることが可能となる。
また、前記発明の実施の形態２ないし発明の実施の形態７においても、対向電極（ＣＬ’）を画素電極（ＳＬ）と同層に形成することが可能であり、それにより、前記各発明の実施の形態と同様な効果を得ることが可能である。
【００９７】
［発明の実施の形態１０］
図５２は、本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態１０）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
本発明の実施の形態は、以下の構成を除いて、前記発明の実施の形態１と同じである。
本発明の実施の形態は、前記発明の実施の形態１に示す液晶表示装置において、隣接する走査信号線（ＧＬ）から対向電極（ＣＬ’）に対向電圧（Ｖｃｏｍ）を供給するようにした発明の実施の形態である。
図５２に示すように、本発明の実施の形態においては、ゲート電極（ＧＴ）、および、対向電極（ＣＬ’）が、走査信号線（ＧＬ）と連続して一体に構成される。
また、映像信号線（ＤＬ）と交差する部分は、映像信号線（ＤＬ）との短絡の確率を小さくするため細くし、また、短絡しても、レーザートリミングで切り離すことができるように二股にされている。
ここで、対向電極（ＣＬ’）は、１つ前のラインの走査信号線（ＧＬ）に接続される。
なお、本発明の実施の形態における画素の断面（図１に示すａ−ａ′切断線における断面）は、図２と同じである。
【００９８】
図５３は、本発明の実施の形態の液晶表示装置における表示マトリクス部（ＡＲ）の等化回路とその周辺回路を示す図である。
図５３も、回路図ではあるが、実際の幾何学的配置に対応して描かれている。
図５３において、ＡＲは、複数の画素を二次元状に配列した表示マトリクス部（マトリクス・アレイ）を示している。
図５３中、ＳＬは画素電極であり、添字Ｇ、ＢおよびＲがそれぞれ緑、青および赤画素に対応して付加されている。
ＧＬは走査信号線であり、ｙ０、…、ｙｅｎｄは走査タイミングの順序を示している。
走査信号線（ＧＬ）は垂直走査回路（Ｖ）に接続されており、映像信号線（ＤＬ）は映像信号駆動回路（Ｈ）に接続されている。
回路（ＳＵＰ）は、１つの電圧源から複数の分圧した安定化された電圧源を得るための電源回路やホスト（上位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰極線管）用の情報を（ＴＦＴ）液晶表示装置用の情報に交換する回路を含む回路である。
【００９９】
図５４は、本発明の実施の形態の液晶表示装置における駆動時の駆動波形を示す図であり、図５４（ａ）、図５４（ｂ）は、それぞれ、（ｉ−１）番目、（ｉ）番目の走査信号線（ＧＬ）に供給されるゲート電圧（走査信号電圧）（ＶG）を示している。
なお、図５４では、（ｉ）は偶数であり、したがって、（ｉ−１）番目の走査信号線（ＧＬ）は奇数番目の走査信号線（ＧＬ）を、（ｉ）番目の走査信号線（ＧＬ）は偶数番目の走査信号線（ＧＬ）をそれぞれ示している。
また、図５４（ｃ）は、映像信号線（ＤＬ）に印加される映像信号電圧（ＶD）を示し、さらに、図５４（ｄ）は、（ｉ）行、（ｊ）列の画素における画素電極（ＳＬ）に印加される画素電極電圧（Ｖｓ）を示し、図５４（ｅ）は、（ｉ）行、（ｊ）列の画素の液晶層（ＬＣＤ）に印加される電圧（ＶLC）を示している。
【０１００】
本発明の実施の形態の液晶表示装置の駆動方法においては、走査信号線（ＧＬ）から対向電極（ＣＬ’）に対向電圧（Ｖｃｏｍ）を印加しなければならないので、走査信号線（ＧＬ）に供給されるゲート電圧（ＶG）の非選択電圧を、各フレーム毎に、ＶGLHとＶGLMの２値の矩形波、あるいは、ＶGLMとＶGLLの２値の矩形波で変化させる。
さらに、隣接する走査信号線（ＧＬ）に供給されるゲート電圧（ＶG）の非選択電圧の変化が同じにならないようにする。
図５４（ａ）、図５４（ｂ）に示す例では、（ｉ−１）番目の走査信号線（ＧＬ）に供給されるゲート電圧（ＶG）の非選択電圧は、奇フレームで、ＶGLM、ＶGLLの２値、偶フレームで、ＶGLH、ＶGLMの２値で変化させ、また、（ｉ）番目の走査信号線（ＧＬ）に供給されるゲート電圧（ＶG）の非選択電圧は、奇フレームで、ＶGLH、ＶGLMの２値、偶フレームで、ＶGLM、ＶGLLの２値で変化させる。
この場合に、ＶGLHとＶGLMの中心電位はＶGL1、ＶGLMとＶGLLの中心電位はＶGL2であり、ＶGLHとＶGLMの振幅値、および、ＶGLMとＶGLLの振幅値は、等しく２ＶBとする。
【０１０１】
本発明の実施の形態の液晶表示装置においても、その対向面が、液晶層（ＬＣＤ）の液晶分子（ＬＣ）の初期配向方向に対して、θあるいは−θの傾斜角を持つ対向電極（ＣＬ’）および画素電極（ＳＬ）を有する画素を組み合わせて、マトリクス状に配置することで、ホモジニアス配向された液晶層（ＬＣＤ）における統一された駆動方向に起因する白色色調の視角による不均一性を補償し、表示品質を向上させ、高画質の表示画像を得ることが可能となる。
また、前記発明の実施の形態２ないし発明の実施の形態７においても、隣接する走査信号線（ＧＬ）から対向電極（ＣＬ’）に対向電圧（Ｖｃｏｍ）を供給することが可能であり、それにより、前記各発明の実施の形態と同様な効果を得ることが可能である。
さらに、本発明の実施の形態の液晶表示装置においては、開口率を向上させることが可能となる。
【０１０２】
［発明の実施の形態１１］
図５５は、本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態１１）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
本発明の実施の形態は、前記発明の実施の形態１０に示す液晶表示装置において、対向電極（ＣＬ’）を画素電極（ＳＬ）と同層に形成した発明の実施の形態である。
図５５に示すように、本発明の実施の形態の液晶表示装置においては、ゲート電極（ＧＴ）が、査信号線（ＧＬ）と連続して一体に構成される。
また、対向電極（ＣＬ’）は、スルホール（ＳＨ）を介して１つ前の走査信号線（ＧＬ）に接続される。
なお、本発明の実施の形態における画素の断面（図５０に示すａ−ａ′切断線における断面）は、図５１と同じである。
この場合に、走査信号線（ＧＬ）をアルミニウム（Ａｌ）系の導電膜（ｇ１）で形成する場合には、対向電極（ＣＬ’）と走査信号線（ＧＬ）との接続をとるために、走査信号線（ＧＬ）とそれと同一材料、同工程で形成されるものについて陽極酸化は行わない。
なお、この場合に、走査信号線（ＧＬ）、および、それと同一材料、同工程で形成される導電膜としてクロム（Ｃｒ）を用いれば、陽極酸化を行う必要がない。
【０１０３】
本発明の実施の形態の液晶表示装置においても、その対向面が、液晶層（ＬＣＤ）の液晶分子（ＬＣ）の初期配向方向に対して、θあるいは−θの傾斜角を持つ対向電極（ＣＬ’）および画素電極（ＳＬ）を有する画素を組み合わせて、ホモジニアス配向された液晶層（ＬＣＤ）における統一された駆動方向に起因する白色色調の視角による不均一性を補償し、表示品質を向上させ、高画質の表示画像を得ることが可能となる。
また、前記発明の実施の形態２ないし発明の実施の形態７においても、隣接する走査信号線（ＧＬ）から対向電極（ＣＬ’）に対向電圧（Ｖｃｏｍ）を供給し、かつ、対向電極（ＣＬ’）を画素電極（ＳＬ）と同層に形成することが可能であり、それにより、前記各発明の実施の形態と同様な効果を得ることが可能である。
さらに、本発明の実施の形態の液晶表示装置においては、開口率を向上させることが可能となる。
【０１０４】
なお、前記各発明の実施の形態においては、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）の間の領域を、１画素内で２または４に分割するようにしたが、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）とを周期的に追加することにより、画素電極（ＳＬ）と対向電極（ＣＬ’）の間の領域を、１画素内で２または４以上に分割することも可能である。
以上、本発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更し得ることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の一発明の実施の形態（発明の実施の形態１）であるアクティブマトリックス型カラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す要部平面図である。
【図２】図１のａ−ａ′切断線における画素の断面図である。
【図３】図１の４−４切断線における薄膜トランジスタ素子（ＴＦＴ）の断面図である。
【図４】図１の５−５切断線における蓄積容量（Ｃstg）の断面図である。
【図５】発明の実施の形態１の液晶表示装置における表示パネル（ＰＮＬ）のマトリクス周辺部の構成を説明するための平面図である。
【図６】発明の実施の形態１の液晶表示装置における左側に走査信号端子、右側に外部接続端子のないパネル縁部分を示す断面図である。
【図７】発明の実施の形態１の液晶表示装置における表示マトリクス部（ＡＲ）の走査信号線（ＧＬ）からその外部接続端子であるゲート端子（ＧＴＭ）までの接続構造を示す図である。
【図８】発明の実施の形態１の液晶表示装置における表示マトリクス部（ＡＲ）の映像信号線（ＤＬ）からその外部接続端子であるドレイン端子（ＤＴＭ）までの接続を示す図である。
【図９】発明の実施の形態１の液晶表示装置における対向電圧信号線（ＣＬ）からその外部接続端子である対向電極端子（ＣＴＭ）までの接続を示す図である。
【図１０】発明の実施の形態１の液晶表示装置における表示マトリクス部（ＡＲ）の等化回路とその周辺回路を示す図である。
【図１１】発明の実施の形態１の液晶表示装置における駆動時の駆動波形を示す図である。
【図１２】発明の実施の形態１の液晶表示装置における透明基板（ＳＵＢ１）側の工程Ａ〜Ｃの製造工程を示す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートである。
【図１３】発明の実施の形態１の液晶表示装置における透明基板（ＳＵＢ１）側の工程Ｄ〜Ｆの製造工程を示す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートである。
【図１４】発明の実施の形態１の液晶表示装置における透明基板（ＳＵＢ１）側の工程Ｇ〜Ｈの製造工程を示す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートである。
【図１５】発明の実施の形態１における液晶表示パネル（ＰＮＬ）に周辺の駆動回路を実装した状態を示す平面図である。
【図１６】発明の実施の形態１の液晶表示装置における駆動回路を構成する集積回路チップ（ＣＨＩ）がフレキシブル配線基板に搭載されたテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）の断面構造を示す断面図である。
【図１７】発明の実施の形態１の液晶表示装置におけるテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）を液晶表示パネル（ＰＮＬ）の走査信号回路用端子（ＧＴＭ）に接続した状態を示す要部断面図である。
【図１８】発明の実施の形態１の液晶表示装置における液晶表示モジュールの分解斜視図である。
【図１９】発明の実施の形態１の液晶表示装置における印加電界方向、偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＯＤ１，ＯＤ２）方向、および、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を示す図である。
【図２０】図１に示す画素あるいは類似の画素をマトリクス状に配置する配置例を示す図である。
【図２１】図１に示す画素あるいは類似の画素をマトリクス状に配置する配置例を示す図である。
【図２２】図１に示す画素あるいは類似の画素をマトリクス状に配置する配置例を示す図である。
【図２３】発明の実施の形態１における視角の定義を示す図である。
【図２４】本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態２）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
【図２５】発明の実施の形態２の液晶表示装置における印加電界方向、偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＯＤ１，ＯＤ２）方向、および、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を示す図である。
【図２６】図２４に示す画素あるいは類似の画素をマトリクス状に配置する配置例を示す図である。
【図２７】図２４に示す画素あるいは類似の画素をマトリクス状に配置する配置例を示す図である。
【図２８】本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態３）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
【図２９】発明の実施の形態３の液晶表示装置における印加電界方向、偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＯＤ１，ＯＤ２）方向、および、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を示す図である。
【図３０】図２８に示す画素および類似の画素をマトリクス状に配置する配置例を示す図である。
【図３１】図２８に示す画素および類似の画素を、マトリクス状に配置する配置例を示す図である。
【図３２】本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態４）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
【図３３】発明の実施の形態４の液晶表示装置における印加電界方向、偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＯＤ１，ＯＤ２）方向、および、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を示す図である。
【図３４】図３２に示す画素あるいは類似の画素をマトリクス状に配置する配置例を示す図である。
【図３５】図３２に示す画素あるいは類似の画素をマトリクス状に配置する配置例を示す図である。
【図３６】本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態５）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
【図３７】発明の実施の形態５の液晶表示装置における印加電界方向、偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＯＤ１，ＯＤ２）方向、および、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を示す図である。
【図３８】図３６に示す画素あるいは類似の画素をマトリクス状に配置する配置例を示す図である。
【図３９】図３６に示す画素あるいは類似の画素をマトリクス状に配置する配置例を示す図である。
【図４０】本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態６）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
【図４１】発明の実施の形態６の液晶表示装置における印加電界方向、偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＯＤ１，ＯＤ２）方向、および、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を示す図である。
【図４２】図４０に示す画素あるいは類似の画素をマトリクス状に配置する配置例を示す図である。
【図４３】図４０に示す画素あるいは類似の画素をマトリクス状に配置する配置例を示す図である。
【図４４】本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態７）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
【図４５】発明の実施の形態７の液晶表示装置における印加電界方向、偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＯＤ１，ＯＤ２）方向、および、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を示す図である。
【図４６】発明の実施の形態７の液晶表示装置における印加電界方向、偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＯＤ１，ＯＤ２）方向、および、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を示す図である。
【図４７】本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態８）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
【図４８】発明の実施の形態８の液晶表示装置における印加電界方向、偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＯＤ１，ＯＤ２）方向、および、液晶分子（ＬＣ）の駆動方向を示す図である。
【図４９】図４７に示す画素をマトリクス状に配置する配置例を示す図である。
【図５０】本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態９）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
【図５１】図５０のａ−ａ′切断線における画素の断面図である。
【図５２】本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態１０）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
【図５３】発明の実施の形態１０の液晶表示装置における表示マトリクス部（ＡＲ）の等化回路とその周辺回路を示す図である。
【図５４】発明の実施の形態１０の液晶表示装置における駆動時の駆動波形を示す図である。
【図５５】本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態１１）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１０６】
ＳＵＢ  透明ガラス基板
ＧＬ  走査信号線
ＤＬ  映像信号線
ＣＬ  対向電圧信号線
ＳＬ  画素電極
ＣＬ’  対向電極
ＧＩ  絶縁膜
ＧＴ  ゲート電極
ＡＳ  ｉ型半導体層
ＳＤ  ソース電極またはドレイン電極
ＯＲ  配向膜
ＯＣ  オーバーコート膜
ＰＯＬ  偏光板
ＰＳＶ  保護膜
ＢＭ  遮光膜
ＦＩＬ  カラーフィルタ
ＬＣＤ  液晶層
ＬＣ  液晶分子
ＴＦＴ  薄膜トランジスタ
ｇ，ｄ  導電膜
Ｃｓｔｇ  蓄積容量
ＡＯＦ  陽極酸化膜
ＡＯ  陽極酸化マスク
ＧＴＭ  ゲート端子
ＤＴＭ  ドレイン端子
ＣＴＭ  対向電極端子
ＣＢ  共通バスライン
ＳＨＤ  シールドケース
ＰＮＬ  液晶表示パネル
ＳＰＢ  光拡散板
ＬＣＢ  導光体
ＢＬ  バックライト蛍光管
ＬＣＡ  バックライトケース
ＲＭ  反射板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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