(57)【要約】【課題】電極等との反応性が小さく、かつ透明性が向上した電極被覆ガラス層を形成し得る電極被覆用透明誘電体材料、およびこれを用いたガラスペースト、グリーンシート、プラズマディスプレイの製造方法を提供する。【解決手段】（ａ）ガラス転移点が４００℃以上、かつ軟化点が５００℃以下であり、Ｉｎ2Ｏ3およびＳｎＯ2の少なくともいずれかを含有するガラス粉末９９．５〜９９．９５質量％、および（ｂ）融点またはガラス転移点が７００℃以上であり、質量平均粒径が０．０５〜９μｍである酸化物粉末０．０５〜０．５質量％から実質的になる電極被覆用ガラス粉末組成物。また、該電極被覆用ガラス粉末組成物を含むガラスペーストおよびグリーンシート。さらに、該電極被覆用ガラス粉末組成物を焼成して、前面基板のガラス基板上の透明電極を被覆する工程を含むプラズマディスプレイパネルの製造方法。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ガラス転移点が４００℃以上、かつ軟化点が５００℃以下であり、Ｉｎ2Ｏ3およびＳｎＯ2の少なくともいずれかを含有するガラス粉末９９．５〜９９．９５質量％、および
（ｂ）融点またはガラス転移点が７００℃以上であり、質量平均粒径が０．０５〜９μｍである酸化物粉末０．０５〜０．５質量％、
から実質的になることを特徴とする電極被覆用ガラス粉末組成物。
【請求項２】
酸化物粉末が、α−アルミナ粉末であることを特徴とする請求項１に記載の電極被覆用ガラス粉末組成物。
【請求項３】
酸化物粉末の質量平均粒径が０．１〜５μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の電極被覆用ガラス粉末組成物。
【請求項４】
ガラス粉末が、下記酸化物基準の質量百分率表示で、実質的に、ＰｂＯ＋Ｂｉ2Ｏ3：３０〜７０％、Ｂ2Ｏ3＋ＺｎＯ：１０〜４５％、ＳｉＯ2＋Ａｌ2Ｏ3：１〜２５％、ＣｕＯ：０〜１％、Ｉｎ2Ｏ3：１〜３％、ＳｎＯ2：０〜５％、ＣｅＯ2：０〜５％からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電極被覆用ガラス粉末組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の電極被覆用ガラス粉末組成物、有機バインダ、および有機溶剤を含有することを特徴とするガラスペースト。
【請求項６】
請求項５に記載のガラスペーストを支持フィルム上に塗布後、乾燥して得られるグリーンシート。
【請求項７】
前面基板を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、該前面基板のガラス基板上の透明電極を、請求項１〜４のいずれかに記載の電極被覆用ガラス粉末組成物を焼成して被覆する工程を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極、特にＩＴＯ（スズがドープされた酸化インジウム）または酸化スズ等の透明電極を絶縁被覆するのに適した電極被覆用ガラス粉末組成物、およびそれを用いたガラスペースト、グリーンシート、並びにプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄型の平板型カラー表示装置が注目を集めている。このような表示装置においては、画像を形成する画素における表示状態を制御するために各画素に電極を形成しなければならない。画像の質の低下を防ぐために、前記電極として透明電極が用いられている。透明電極としては、ガラス基板上に形成されたＩＴＯまたは酸化スズの薄膜が多く用いられている。ここでいう酸化スズは、フッ素、アンチモン、等がドープされた酸化スズを含む。
【０００３】
前記表示装置の表示面として使用されるガラス基板の表面に形成される透明電極は、精細な画像を実現するために細い線状に加工される。そして各画素を独自に制御するためには、このような微細に加工された透明電極相互の絶縁性を確保する必要がある。しかし、ガラス基板の表面に水分が存在する場合やガラス基板中にアルカリ成分が存在する場合、このガラス基板の表面を介して若干の電流が流れることがある。このような電流を防止するには、透明電極間に絶縁層を形成することが有効である。また、透明電極間に形成される絶縁層による画像の質の低下を防ぐためには、この絶縁層は透明であることが好ましい。このような絶縁層を形成する絶縁材料としては種々のものが知られているが、なかでも、透明であり信頼性の高い絶縁材料であるガラス材料が広く用いられている。
【０００４】
最近大型平面カラーディスプレイ装置として期待されているプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという。）においては、典型的には、表示面として使用される前面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画形成されており、該セル中でプラズマ放電を発生させることにより画像が形成される。前記前面基板の表面には透明電極が形成されており、この透明電極をプラズマから保護するために、プラズマ耐久性に優れたガラスにより前記透明電極を被覆することが必須である。
【０００５】
このような電極被覆に用いられるガラスは、通常はガラス粉末にして使用される。たとえば、前記ガラス粉末に必要に応じてフィラー等を添加後ペースト化し、このようにして得られたガラスペーストを、透明電極が形成されているガラス基板に塗布、焼成することによって前記透明電極を被覆する。
【０００６】
また、ＰＤＰの前面基板において、ＩＴＯまたは酸化スズ等の透明電極のみでは電気抵抗が高すぎる場合、これら透明電極上にＡｇ、Ａｌ、三層構造のＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ等の金属層（以下、この金属層を金属電極という。）を形成する場合がある。この場合、前記ガラスペーストは金属電極上にも塗布、焼成される。
【０００７】
このような電極被覆用ガラスには、電気絶縁性の他に、電極（透明電極、金属電極等）、ガラス基板等との反応性が小さいこと、焼成して得られる電極被覆ガラス層の透明性が高いこと、等が求められており、種々のガラスが従来より提案されている。たとえば、特許文献１（特開平１０−３１６４５１号公報）には、ＩＴＯからなる透明電極とその電極被覆ガラス層との反応を抑制するためにＩｎ2Ｏ3が添加された電極被覆用ガラスが開示されている。また、特許文献２（特開２００２−１４５６３７号公報）には、同様の目的の特定組成の電極被覆用ガラスが開示されている。
【特許文献１】特開平１０−３１６４５１号公報
【特許文献２】特開２００２−１４５６３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＰＤＰの画質向上への要求は、近年さらに高まっており、それに伴い、電極被覆ガラス層と電極、ガラス基板等との反応性、および、電極被覆ガラス層の透明性に関する要求は、より厳しくなり、さらなる改善が求められている。
本発明は、これらの要求に応えることを目的とするものであり、特に、電極やガラス基板、特にＰＤＰの電極やガラス基板との反応性が抑制され、しかも透明性が向上した電極被覆ガラス層を形成し得る電極被覆用ガラス粉末組成物を提供することを目的とする。
本発明のさらなる目的は、上記電極被覆用ガラス粉末組成物を用いてＰＤＰを製造する方法を提供することにある。また、本発明は、上記電極被覆用ガラス粉末組成物を用いたガラスペースト、グリーンシートを提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、下記構成の電極被覆用ガラス粉末組成物、プラズマディスプレイパネルの製造方法、さらにはガラスペーストおよびグリーンシートが提供される。
１．（ａ）ガラス転移点が４００℃以上、かつ軟化点が５００℃以下であり、Ｉｎ2Ｏ3およびＳｎＯ2の少なくともいずれかを含有するガラス粉末９９．５〜９９．９５質量％、および
（ｂ）融点またはガラス転移点が７００℃以上であり、質量平均粒径が０．０５〜９μｍである酸化物粉末０．０５〜０．５質量％、
から実質的になることを特徴とする電極被覆用ガラス粉末組成物。
２．酸化物粉末が、α−アルミナ粉末であることを特徴とする上記１に記載の電極被覆用ガラス粉末組成物。
３．酸化物粉末の質量平均粒径が０．１〜５μｍであることを特徴とする上記１または２に記載の電極被覆用ガラス粉末組成物。
４．ガラス粉末が、下記酸化物基準の質量百分率表示で、実質的に、ＰｂＯ＋Ｂｉ2Ｏ3：３０〜７０％、Ｂ2Ｏ3＋ＺｎＯ：１０〜４５％、ＳｉＯ2＋Ａｌ2Ｏ3：１〜２５％、ＣｕＯ：０〜１％、Ｉｎ2Ｏ3：１〜３％、ＳｎＯ2：０〜５％、ＣｅＯ2：０〜５％からなることを特徴とする上記１〜３のいずれかに記載の電極被覆用ガラス粉末組成物。
５．上記１〜４のいずれかに記載の電極被覆用ガラス粉末組成物、有機バインダ、および有機溶剤を含有することを特徴とするガラスペースト。
６．上記５に記載のガラスペーストを支持フィルム上に塗布後、乾燥して得られるグリーンシート。
７．前面基板を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、該前面基板のガラス基板上の透明電極を、上記１〜４のいずれかに記載の電極被覆用ガラス粉末組成物を焼成して被覆する工程を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の電極被覆用ガラス粉末組成物から、ガラス基板上の透明電極を被覆するガラス被覆層の透明性を改善でき、ＰＤＰの画質向上が可能となるとともに、透明電極、ガラス基板等との反応性が抑制され、例えば透明電極の電気抵抗の上昇を防止することができる。また、ガラス被覆層中の炭素含有不純物残存量が減少しＰＤＰにおける輝度低下が起りにくくなる。
さらに、本発明の製造方法により得られるＰＤＰは、前面基板の透過率が高く、画質が優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
〔電極被覆用ガラス粉末組成物〕
本発明の電極被覆用ガラス粉末組成物（以下、ガラス粉末組成物という）は、（ａ）ガラス転移点が４００℃以上、かつ軟化点が５００℃以下であり、Ｉｎ2Ｏ3およびＳｎＯ2の少なくともいずれかを含有するガラス粉末９９．５〜９９．９５質量％、および（ｂ）融点またはガラス転移点が７００℃以上の酸化物粉末を０．０５〜０．５質量％から実質的になる。ここで、「実質的になる」とは、ガラス粉末組成物の９５質量％以上、好ましくは９９質量％以上、より好ましくは９９．５質量％以上を上記（ａ）成分と（ｂ）成分が占めることを意味する。
【００１２】
本発明のガラス粉末組成物は、たとえば、印刷性を付与するための有機ビヒクル等を用いてガラスペーストとされ、これを、ガラス基板上に形成された電極上に塗布、焼成して電極を被覆する層が形成される。ここでいう有機ビヒクルは、エチルセルロース等の有機バインダをα−テルピネオール等の有機溶剤に溶解したものである。本発明のガラス粉末組成物は、ＰＤＰの前面基板の透明電極の被覆に好適に使用され、上記焼成温度は典型的には５８０〜６００℃である。
【００１３】
本発明のガラス粉末組成物はガラスペーストとしてのみ使用されるものではなく、たとえばグリーンシートとしても使用される。この場合、本発明のガラス粉末組成物は、樹脂と混練され、得られた混練物はポリエチレンフィルム等の支持フィルムの上に塗布されてグリーンシートとされ、該グリーンシートはガラス基板上に形成された電極上に転写後、焼成され、電極を被覆することができる。
【００１４】
（ガラス粉末）
本発明のガラス粉末組成物を構成する（ａ）成分であるガラス粉末について説明する。
ガラス粉末の平均粒径は０．１μｍ以上であることが、本発明のガラス粉末組成物を含むガラスペーストまたはグリーンシートを焼成して得られる電極被覆ガラス層中の気泡を少なくし、該ガラス層の透明性を維持する観点、さらには粉末状にするために要する時間を考慮すると、好ましい。より好ましくは０．５μｍ以上である。また、前記平均粒径は１０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３μｍ以上である。
【００１５】
また、ガラス粉末の最大粒径は３５μｍ以下であることが好ましい。ＰＤＰにおける前記電極被覆ガラス層の厚さは通常４０μｍ以下であるが、前記最大粒径が３５μｍ超ではこの電極被覆ガラス層の表面に凹凸が発生しＰＤＰの画像がゆがむおそれがある。前記最大粒径は、より好ましくは２０μｍ以下である。
【００１６】
本発明のガラス粉末を加圧成形したものを５８０℃に５時間保持したときにその表面に結晶が析出していないものであることが好ましい。結晶が析出するものであると、電極被覆ガラス層の透明性が低下するおそれがある。なお、前記結晶が析出しているか否かは光学顕微鏡によって調べることができる。
【００１７】
本発明のガラス粉末のガラス転移点Ｔｇは、４００℃以上、好ましくは４０５℃以上である。４００℃未満ではＰＤＰの前面基板と背面基板を対向させてシールする工程において酸化マグネシウム層にクラックが発生するおそれがある。なお、シールする工程の典型的な温度は４１０℃であり、酸化マグネシウム層は電極被覆ガラス層上に形成されている。ガラス転移点Ｔｇは４３０℃以上であることが好ましい。
また、本発明のガラス粉末の軟化点ＴSは、５００℃以下、好ましくは４９５℃以下、特に好ましくは４９０℃以下である。５００℃超では焼成時に充分流動しなくなるおそれがある、または焼成時に発生した気泡が浮上脱泡しにくくなるおそれがある。軟化点ＴSは４５０℃以上であることが好ましい。
【００１８】
本発明のガラス粉末の５０〜３５０℃における平均線膨張係数αは、ガラス基板との膨張特性マッチングを取るために、７５×１０-7〜８５×１０-7／℃の範囲にあることが好ましく、より好ましくは７７×１０-7〜８３×１０-7／℃の範囲である。
【００１９】
本発明のガラス粉末は、Ｉｎ2Ｏ3および／またはＳｎＯ2を含有する。透明電極がＩＴＯの場合にはＩｎ2Ｏ3を含有することが好ましい。この場合、ガラス粉末中にＩｎ2Ｏ3が含まれると、本発明のガラス粉末組成物を含むガラスペーストまたはグリーンシートを焼成して得られる電極被覆ガラス層中で、Ｉｎを含む結晶が透明電極を被覆するように析出し、この析出結晶によりガラス粉末組成物と透明電極との反応が抑えられ、透明電極の劣化が抑制される。さらに、本発明のガラス粉末組成物においてガラス粉末と共に用いられる酸化物粉末（典型的にはα−アルミナ粉末）は上記Ｉｎを含む結晶の析出を助長する。特に、析出結晶の組成がホウ酸インジウムの場合には、ＩＴＯ透明電極の劣化抑制が顕著である。なお、従来の場合においては、酸化インジウム結晶が主たる析出結晶であった。
【００２０】
本発明のガラス粉末の組成は、各成分を酸化物に換算した質量百分率表示で、下記の割合から実質的になることが好ましい。
ＰｂＯ＋Ｂｉ2Ｏ3：３０〜７０％、Ｂ2Ｏ3＋ＺｎＯ：１０〜４５％、ＳｉＯ2＋Ａｌ2Ｏ3：１〜２５％、ＣｕＯ：０〜１％、Ｉｎ2Ｏ3：１〜３％、ＳｎＯ2：０〜５％、ＣｅＯ2：０〜５％。
上記組成割合を満たし、ＰｂＯが３１〜６９％、Ｂ2Ｏ3が１０〜３０％、ＺｎＯが０〜３０％、ＳｉＯ2が０〜５％、Ａｌ2Ｏ3が０〜１０％であることがより好ましい。さらに、ＰｂＯが４４〜６８％、Ｂ2Ｏ3が１４〜２８％、ＺｎＯが４〜２３％、Ａｌ2Ｏ3が０〜８％、ＣｕＯが０．１〜０．５％であることが特に好ましい。
ここで、たとえば「ＳｎＯ2：０〜５％」とは、ＳｎＯ2は必須ではないが５％まで含有してもよい、との意である。
【００２１】
本発明のガラス粉末は、実質的に上記成分からなるが、その他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有してもよい。なお、前記「その他の成分」の含有量の合計は、好ましくは２０％以下、より好ましくは１０％以下である。
前記「その他の成分」として、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｌａ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｆ等が例示される。
【００２２】
（酸化物粉末）
本発明の電極被覆用ガラス粉末組成物を構成する前記（ｂ）成分である酸化物粉末（以下、「セラミックス粉末」という）について説明する。
【００２３】
セラミックス粉末は、ガラス粉末組成物中に少量存在させることにより、前記した透明電極成分を含有する結晶が、ガラス粉末組成物を含むガラスペーストまたはグリーンシートを焼成して形成された電極被覆ガラス層の透明電極との界面部分において該透明電極を覆うように生成することを助長し、電極と該ガラス層との好ましくない反応を抑制し、電極の劣化を防止する。さらには、焼成中、気泡の発生を低減し、該ガラス層の透明性を向上するように作用する。
セラミックス粉末は、０．０５〜０．５質量％用いられ、好ましくはガラス粉末９９．６５〜９９．９質量％に対して、０．１〜０．３５質量％用いられる。セラミックス粉末の使用量が０．０５質量％未満であると、上記の効果が十分発現せず、０．５質量％を越えるとガラス粉末組成物を含むガラスペーストまたはグリーンシートを焼成して形成された電極被覆ガラス層の透明性が低下する。
【００２４】
本発明に用いられるセラミック粉末の融点またはガラス転移点は７００℃以上である。セラミックス粉末の融点またはガラス転移点が７００℃未満では、焼成時に融解、溶融または軟化するおそれがある。当該酸化物の融点またはガラス転移点は、好ましくは１０００℃以上、より好ましくは１７５０℃以上である。
また、セラミックス粉末の平均粒径は０．０５〜９μｍである。平均粒径が０．０５μｍ未満では、焼成時にガラスと反応しやすくなり、結晶析出促進効果が不充分になるおそれがある。９μｍ超では、比表面積が小さくなりやはり上記効果が不充分になるおそれがある、またはガラスの軟化流動性が低下し透明性が低下するおそれがある。平均粒径は、０．１〜５μｍが好ましく、より好ましくは０．５〜３μｍである。
【００２５】
本発明で用いられるセラミックス粉末としては、α−アルミナ粉末（融点２０５４℃）、ムライト粉末（融点１８５０℃）、ジルコニア粉末（融点２７１５℃）、ジルコン粉末（融点２５５０℃）、シリカ粉末（ガラス転移点１０８４℃）が好ましい。これらは、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。なかでも、α−アルミナ粉末が特に好ましい。
【００２６】
〔ＰＤＰ〕
本発明のＰＤＰは、上記した電極被覆用ガラス粉末組成物を有機ビヒクル等を用いてペースト状またはシート状となし、前面基板のガラス基板上に形成された透明電極上に、塗布または貼り付け、焼成して電極被覆ガラス層が形成されている。
【００２７】
前面基板に用いられるガラス基板の厚さは通常２．８ｍｍであり、このガラス基板自体の標準Ｃ光源を用いた可視光透過率（以下、単に可視光透過率という。）は典型的には９０％である。
【００２８】
また、透明電極は、たとえば幅０．５ｍｍの帯状であり、それぞれの帯状電極が互いに平行となるように形成される。各帯状電極中心線間の距離は、たとえば０．８３〜１．０ｍｍである。
【００２９】
本発明のＰＤＰの前面基板については、可視光透過率は８０％以上であることが好ましい。８０％未満ではＰＤＰの画質が低下するおそれがある。より好ましくは８２％以上である。
【００３０】
本発明のＰＤＰは、たとえば交流方式のものであれば次のようにして製造される。
図１に示すように、ガラス基板１ａの表面にパターニングされた透明電極２およびバス線（図示せず）を形成したのち、本発明のガラス粉末組成物を塗布・焼成して電極被覆ガラス層３を形成し、最後に保護膜として酸化マグネシウム層（図示せず）を形成し、前面基板１０とする。一方、ガラス基板１ｂの上には、パターニングされたアドレス用電極５を形成したのち、ストライプ状に隔壁６を形成し、さらに蛍光体層４を印刷・焼成して背面基板２０とする。
【００３１】
前面基板１０と背面基板２０の周縁にシール材（図示せず）をディスペンサで塗布し、透明電極２とアドレス用電極５が対向するように組み立てた後、焼成してＰＤＰとする。そしてＰＤＰ内部を排気して、放電空間７にＮｅやＨｅ−Ｘｅなどの放電ガスを封入する。
なお、上記の例は交流方式のものであるが、本発明は直流方式のものにも適用できる。
【実施例】
【００３２】
以下、実施例に基づいて、本発明を具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されて解釈されない。
【００３３】
下記表１のＰｂＯからＩｎ2Ｏ3までの欄に質量百分率で示す組成となるように、原料を調合して混合し、１０００〜１３００℃の電気炉中で白金ルツボを用いて１時間熔融し、薄板状ガラスに成形した後、粉砕し、ガラス粉末ａ〜ｅ（平均粒径１μｍ、最大粒径２０μｍ以下）を得た。これらのガラスの５０〜３５０℃における平均線膨張係数は、８０〜８３×１０-7／℃であった。また、これらのガラス粉末のガラス転移点と軟化点を下記方法により測定し、表１に記載した。
このガラス粉末とセラミックス粉末を下記表２〜４に記載の比率で、混合し、例１〜例１５の誘電体材料粉末（電極被覆用ガラス粉末組成物）を得た。ここで、例１〜５、例８、例１０、例１１は本発明、例６、例７、例９、例１２〜１５は比較例である。
（ガラス転移点および軟化点の測定法）
示差熱分析により、アルミナ粉末を標準物質として、昇温速度１０℃／分で室温から８００℃まで測定した。
【００３４】
これら電極被覆用ガラス粉末組成物１００ｇを有機ビヒクル２５ｇと混練し、ガラスペーストを作製した。前記有機ビヒクルは、α−テルピネオールまたはジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートにエチルセルロースを質量百分率で１０％溶解したものである。
次に、大きさ５０ｍｍ×７５ｍｍ、厚さ２．８ｍｍで、片面にＩＴＯからなる透明電極とＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒからなる金属電極がパターニングされたガラス基板を用意した。該ガラス基板は、質量百分率表示の組成がＳｉＯ2：５８％、Ａｌ2Ｏ3：７％、ＭｇＯ：２％、ＣａＯ：５％、ＳｒＯ：７％、ＢａＯ：８％、ＺｒＯ：３％、Ｎａ2Ｏ：４％、Ｋ2Ｏ：６％であるガラスＡ（５０〜３５０℃における平均線膨張係数：８７×１０-7／℃）からなる。このガラス基板の電極を有する面の全面に前記ガラスペーストを均一に塗布後、１２０℃で乾燥した。このガラス基板を昇温速度１０℃／分で６００℃になるまで加熱し、さらにその温度に４５分保持して焼成した。ＩＴＯ透明電極および金属電極を被覆する電極被覆ガラス層の厚みは３０μｍであった。
前記焼成後のガラス基板のＩＴＯ透明電極が形成されていない部分、ＩＴＯ透明電極部分、金属電極縁部分について、光学顕微鏡によって、電極被覆ガラス層中の気泡の残存状況を観察した。結果を表２〜４の「ガラス基板上」、「透明電極上」、「金属電極縁」の欄にそれぞれ結果を示す。
○は残存気泡量がゼロまたは少、×は残存気泡量が多、△はその中間であり、○であることが望ましい。
【００３５】
さらに、ＩＴＯ透明電極の電極被覆透明ガラス層による侵食状況を光学顕微鏡によって観察した。結果を表２〜４の「透明電極侵食」の欄に示す。
○は侵食が認められないまたはわずかに認められる、×は侵食が顕著、△はその中間であり、○であることが望ましい。
【００３６】
また、前記ガラスＡからなる大きさ５０ｍｍ×７５ｍｍ、厚さ２．８ｍｍの、ＩＴＯ透明電極がベタ状に形成されたガラス基板を用意し、その上の長辺方向の両端の１２．５ｍｍを残した５０ｍｍ×５０ｍｍの部分に、前述と同様にして厚さ３０μｍの電極被覆ガラス層をベタ状に形成した。この両端の電極被覆ガラス層が形成されていない部分に電圧を印加し、電気抵抗（単位；Ω／ｃｍ2）を測定した。電極印加部分の距離は５３ｍｍであった。結果を表２〜４に示す。
電気抵抗は２００Ω／ｃｍ2以下であることが望ましく、より好ましくは１５０Ω／ｃｍ2以下、最も好ましくは１００Ω／ｃｍ2以下である。
【００３７】
例１〜６については、電極被覆ガラス層について、Ｘ線回折測定によりホウ酸インジウム結晶と酸化インジウム結晶の結晶析出の有無を調べた。結果を表２および表３に示した。
【００３８】
【表１】
2005053746.tif 000002
【００３９】
【表２】
2005053746.tif 000003
【００４０】
【表３】
2005053746.tif 000004
【００４１】
【表４】
2005053746.tif 000005
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明により製造し得るＰＤＰを示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１ａ：ガラス基板
１ｂ：ガラス基板
２  ：透明電極
３  ：電極被覆ガラス層
４  ：蛍光体層
５  ：アドレス用電極
６  ：隔壁
７  ：放電空間
１０  ：前面基板
２０  ：背面基板
【図１】
2005053746.tif 000006