(57)【要約】【課題】  磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向の幅が膜厚方向において均一であるトリム構造を備えた磁気記録ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  互いに同等のエッチング速度を示す材料をそれぞれ用いて下部磁極１０、記録ギャップ層２０、シード層３０および上部磁極４０を形成する。上部磁極４０をマスクとして用いて、第１の入射角度でイオンビームを照射する第１のＩＢＥによってシード層３０を選択的に除去したのち、上部磁極４０をマスクとして用いて、第１の入射角度よりも低い第２の入射角度でイオンビームを照射する第２のＩＢＥによって記録ギャップ層を選択的に除去し、さらに、第１の入射角度でイオンビームを照射する第３のＩＢＥによってトリム構造の幅を確定する。これにより、膜厚方向における上部から下部に至るまで、より高精度に均一化された幅Ｗ３を有するトリム構造を形成することができる。【選択図】  図６
2005228447.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体への情報記録を行うための磁気記録ヘッドを製造する方法であって、
基体上に下部磁極を形成する第１工程と、
前記下部磁極の上に記録ギャップ層を形成する第２工程と、
前記記録ギャップ層の上にシード層を形成する第３工程と、
前記シード層の上に、前記シード層を利用しためっき処理により、上部磁極を選択的に形成する第４工程と、
前記上部磁極をマスクとして利用したイオンビームエッチングによって前記記録ギャップ層、シード層および下部磁極をトリミングし、少なくとも前記磁気記録媒体と対向する記録媒体対向面において、前記磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向の幅が膜厚方向において均一であるトリム構造を形成する第５工程と
を含み、
前記第１ないし第４工程において、互いに同等のエッチング速度を示す材料をそれぞれ用いる
ことを特徴とする磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項２】
コバルトニッケル鉄合金（ＣｏＮｉＦｅ）を用いて前記下部磁極を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項３】
クロム（Ｃｒ）を４０％含有するニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）を用いて、前記記録ギャップ層を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項４】
５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚をなすように前記記録ギャップ層を形成する
ことを特徴とする請求項３に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項５】
ニッケル鉄クロム合金（ＮｉＦｅＣｒ）を用いて５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚をなすように前記記録ギャップ層を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項６】
ルテニウム（Ｒｕ）を用いて５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚をなすように前記記録ギャップ層を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項７】
コバルト鉄窒化物（ＣｏＦｅＮ）を用いて１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚をなすように前記シード層を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項８】
コバルト鉄ニッケル合金（ＣｏＦｅＮｉ）を用いて、３．５μｍ以上４．０μｍ以下の膜厚をなすと共に０．２０μｍ以上０．６０μｍ以下の幅をなすように前記上部磁極を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記第５工程では、電圧値を７００Ｖとし、かつ、電流値を８００ｍＡとすることにより発生するアルゴンイオンビームを用いる
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記第５工程では、
第１の入射角度でイオンビームを照射する第１のイオンビームエッチングにより、前記上部磁極によって覆われた領域を除く領域において、前記シード層を膜厚方向に全て除去したのち、
前記第１の入射角度よりも低い第２の入射角度でイオンビームを照射する第２のイオンビームエッチングにより、前記上部磁極によって覆われた領域を除く領域において、前記記録ギャップ層を膜厚方向に全て除去すると共に前記下部磁極を膜厚方向に一部除去し、
さらに、前記第１の入射角度でイオンビームを照射する第３のイオンビームエッチングにより、前記トリム構造の、前記記録トラック幅に対応する方向の幅を確定する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
磁気記録媒体への情報記録を行うための磁気記録ヘッドであって、
積層面内の一部に突出した台座部分を有する下部磁極と、前記台座部分の上に形成された記録ギャップ層と、この記録ギャップ層の上に形成されたシード層と、このシード層の上に形成された上部磁極とを備え、
前記下部磁極、記録ギャップ層、シード層および上部磁極は、互いに同等のイオンビームエッチング速度を示す材料によりそれぞれ構成され、
前記台座部分、記録ギャップ層、シード層および上部磁極は、前記磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向の幅が膜厚方向において均一であるトリム構造を構成している
ことを特徴とする磁気記録ヘッド。
【請求項１２】
前記記録ギャップ層は、クロム（Ｃｒ）を４０％含有するニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）を含む
ことを特徴とする請求項１１に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項１３】
前記記録ギャップ層は、ルテニウム（Ｒｕ）を含み、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚を有する
ことを特徴とする請求項１１に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項１４】
前記記録ギャップ層は、ニッケル鉄クロム合金（ＮｉＦｅＣｒ）を含み、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚を有する
ことを特徴とする請求項１１に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項１５】
前記上部磁極は、コバルトニッケル鉄合金（ＣｏＮｉＦｅ）を含み、３．５μｍ以上４．０μｍ以下の膜厚を有する
ことを特徴とする請求項１１に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項１６】
前記トリム構造の、前記記録トラック幅に対応する方向の幅は、０．２０μｍ以上０．６０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１１に記載の磁気記録ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に磁気情報の書込を行う磁気記録ヘッドおよびその製造方法に関し、特に、より狭小な記録トラック幅を有する磁気記録媒体への書込に対応した磁気記録ヘッドおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録ヘッドは、磁気テープや磁気ディスクなどの磁気記録媒体に、磁気的にコード化された情報を書き込む際に使用されるものである。このような磁気記録ヘッドは、磁気記録媒体と対向するエアベアリング面（以下、ＡＢＳという。）に露出する側において、記録ギャップ層によって隔てられた２つの磁極を有している。この２つの磁極は、おおよそ馬蹄形をなしており、ＡＢＳから遠い側において互いに接続されている。これら２つの磁極の間に導電コイルが設けられている。導電コイルは、通電すると記録ギャップ層を横切るように２つの磁極間に磁界を発生させるものである。この磁界が回転動作中の磁気記録媒体における小さな磁気領域をコード化して磁気情報を書き込むようになっている。
【０００３】
技術環境における近年の急激な変化に伴い、磁気記録媒体に書き込まれる磁気情報の面内記録密度の向上に関し、継続的な改善が求められている。この面内記録密度は、磁気記録媒体の径方向における１ｍｍあたりの記録トラック数および記録トラックに沿った接線方向における１ｍｍあたりの磁束反転数によって決まるものである。近年、非常に高感度な磁気再生ヘッドが開発されていることから、誘導磁界を用いた情報記録技術の発展によって、面内記録密度をさらに向上させる方法が注目されている。
【０００４】
この磁気記録技術の向上を図るには、いくつかの手法がある。そのうちの１つは、トラック幅の狭小化であり、これによって、１ｍｍあたりのトラック数を増加させることができる。この場合、記録ギャップ層を含む磁気記録ヘッド（のトリム構造の幅）が可能な限り小さいことが要求される。加えて、記録ギャップ層の幅を超えて広がる漏れ磁界を最小限に抑制し、選択した記録トラックから外れた部分に書込がなされないようにする必要がある。このような漏れ磁界の最小化は、記録ギャップ層が対称性を有する磁極間に設けられることが不可欠である。このように狭小かつ、対称性を有する磁極および記録ギャップ層を形成する方法の１つは、初めに比較的幅広の形状をなすようにそれらを形成したのち、イオンビームエッチング（Ion Beam Etching；ＩＢＥ）やミリングプロセスに代表されるエッチングプロセスにより所望の幅となるようにトリミングする方法である。このような、従来の上部磁極のトリミング方法に関しては、例えば、特許文献１に開示されている。図７から図１３を参照し、以下、簡潔に説明する。
【０００５】
図７から図１３は、従来の磁気記録ヘッドを製造する工程の一部を表すものであり、ＡＢＳ側から眺めた断面図である。まず、図７に示したように、下部磁極１１０の上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を用いて記録ギャップ層１２０を形成する。次いで、図８に示したように、シード層１３０を形成する。このシード層１３０は、上部磁極（後述）となるめっき膜を形成するための下地膜（電極膜）として機能するものである。続いて、図９に示したように、シード層１３０を電極として利用しためっき処理により、シード層１３０の上に上部磁極１４０を形成する。上部磁極１４０は、当業者によく知られた一般的な方法で均一な幅を有するように形成される。こののち、図１０に示したように、めっき下地膜としてのシード層１３０がＩＢＥ処理により選択的に除去される。この際、上部磁極１４０をマスクとして用い、図１０に示したように比較的低い入射角度（すなわち、成膜面と直交する方向に近い入射角度）でイオンビームを照射することで、シード層パターン１３０Ａが残る。同時に、記録ギャップ層１２０の膜厚方向における一部も除去される。さらに、図１１に示したように、化学的なウェットエッチングなどにより記録ギャップ層１２０を選択的に除去して記録ギャップ層パターン１２０Ａが残るようにする。この際、記録ギャップ層パターン１２０Ａの幅をシード層パターン１３０Ａの幅よりも狭くし、アンダーカットを形成する。
【０００６】
このようなアンダーカットを形成する理由は、記録ギャップ層１２０（記録ギャップ層パターン１２０Ａ）を構成する材料がシード層パターン１３０Ａなどよりも高い耐エッチング性を有しているからである。すなわち、エッチングの進行が比較的遅い記録ギャップ層１２０の一部分を予め除去し、アンダーカットを形成しておくことで、周囲との最終的な寸法のバランスを図るようにしている。
【０００７】
アンダーカットを形成したのち、図１２に示したように、上部磁極１４０をマスクとして利用して下部磁極１１０を選択的にエッチングすることにより、上部磁極１４０に覆われた台座部分１１０Ａを形成する。この際、図１０で示した入射角度と等しい入射角度でイオンビームを照射する。最後に、図１３に示したように、矢印の方向に比較的高い入射角度（成膜面に近い角度）でイオンビームを照射することにより、所望の幅Ｗ１を有する磁極パターン１４０Ａおよびシード層パターン１３０Ｂを得る。
【０００８】
上記の磁気記録ヘッドの製造方法に関連するものとして、Tao等による特許文献２に開示された磁極のトリミング方法がある。具体的には、磁極の上面に、窒化物を形成することのできる遷移金属（例えば、モリブデン［Ｍｏ］、ニオブ［Ｎｂ］、タンタル［Ｔａ］、チタン［Ｔｉ］およびタングステン［Ｗ］など）からなるマスクを形成したのち、窒素イオンの強力なビームを用いて、磁極の両側の非保護領域を除去することにより所望の磁極パターンを得る方法である。また、Feng等は、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）からなる記録ギャップ層を有する磁極パターンの構成を開示している（特許文献３参照。）。ここでは、異方性ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）が適用され、上部磁極に対する記録ギャップ層のエッチング選択比が２：１であると共に、上部磁極に対する下部磁極のエッチング選択比が１：１となっている。また、Armstrong等は、磁極部分のトリミング方法について開示している（特許文献４参照。）。具体的には、電気めっきを用い、ニッケル、燐を含む材料からなる記録ギャップ層を、正確な厚さとなるようにフォトレジスト層のパターン形状に合わせて形成する方法である。この方法によれば、正確な寸法の記録ギャップ層が得られるので、イオンミリングなどによりエッチング加工する別の工程を設ける必要がない。さらに、Wu等は、磁極部分のトリミング方法について開示している（特許文献５参照。）。具体的には、保護層および記録ギャップ層の上に、適切な幅の範囲内で広がる端部を有する上部磁極を形成する方法である。その端部は、上部磁極に覆われた記録ギャップ層およびシールド層をトリミングするためのＩＢＥミリングガイドとして機能する。
【特許文献１】米国特許第６２４３９３９号明細書
【特許文献２】米国特許第５８７４０１０号明細書
【特許文献３】米国特許第５８７８４８１号明細書
【特許文献４】米国特許第５９０１４３２号明細書
【特許文献５】米国特許第６１４１１８３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、図７から図１３に示した従来のエッチングプロセスでは、時間を浪費するばかりか、トリム構造の幅を均一に形成することが困難である。すなわち、図１３に示したように、磁極パターン１４０Ａおよびシード層パターン１３０Ｂがなす幅Ｗ１と、台座部分１１０Ａがなす幅Ｗ２とが一致せず、トリム構造の端面に段差を発生させてしまう可能性が高い。このような段差は、アンダーカット処理によって記録ギャップ層パターン１２０Ａの端面が斜面をなしていることに起因するものである。すなわち、記録ギャップ層パターン１２０Ａが、ＩＢＥを行う際に台座部分１１０Ａを保護する保護膜として機能するからである。より具体的には、記録ギャップ層パターン１２０Ａにおける幅の広い下側部分が、比較的高い入射角度のイオンビームを照射するＩＢＥを行う際のエッチングマスクとして機能し、台座部分１１０Ａが幅方向に削られるのを妨害するからである。
【００１０】
このようなトリム構造の幅の不均一化は、磁気記録媒体に記録する際、書込対象とする記録トラックに隣接したトラックの磁気記録情報を誤って消去してしまうなど、記録特性上の不都合を招く要因となりうる。ところが、アンダーカットの形状を正確に制御することは事実上困難であるので、トリム構造の幅を均一にするためには後工程において別途、その幅の補正を行う必要があり、製造工程全体として煩雑なものとなる。なお、上記した従来技術の引用例（特許文献１〜５）は、図１３に示したトリム構造の幅における不均一性に関連する問題を扱うものではない。
【００１１】
本発明はかかる問題に鑑みてなされたもので、その目的は、磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向の幅が膜厚方向において均一であるトリム構造を備えた磁気記録ヘッドおよびそのような磁気記録ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法は、磁気記録媒体への情報記録を行うための磁気記録ヘッドを製造する方法であって、基体上に下部磁極を形成する第１工程と、この下部磁極の上に記録ギャップ層を形成する第２工程と、この記録ギャップ層の上にシード層を形成する第３工程と、このシード層の上に、シード層を利用しためっき処理により上部磁極を選択的に形成する第４工程と、この上部磁極をマスクとして利用したイオンビームエッチングによって記録ギャップ層、シード層および下部磁極をトリミングし、少なくとも磁気記録媒体と対向する記録媒体対向面において、磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向の幅が膜厚方向において均一であるトリム構造を形成する第５工程とを含むものである。上記の第１ないし第４工程において、互いに同等のエッチング速度を示す材料をそれぞれ用いることとする。
【００１３】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法では、互いに同等のエッチング速度を示す材料をそれぞれ用いて下部磁極、記録ギャップ層、シード層および上部磁極を形成するようにしたので、第５工程において、膜厚方向において、より高精度に均一化された幅を有するトリム構造が形成される。
【００１４】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法では、コバルトニッケル鉄合金（ＣｏＮｉＦｅ）を用いて下部磁極を形成することが望ましい。
【００１５】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法では、クロム（Ｃｒ）を４０％含有するニッケ  ルクロム合金（ＮｉＣｒ）を用いて、記録ギャップ層を形成することが望ましく、その場合には、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚をなすようにすることが望ましい。また、ニッケル鉄クロム合金（ＮｉＦｅＣｒ）を用いて５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚をなすように記録ギャップ層を形成することもできる。さらに、ルテニウム（Ｒｕ）を用いて５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚をなすように記録ギャップ層を形成するようにしてもよい。
【００１６】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法では、コバルト鉄窒化物（ＣｏＦｅＮ）を用いて１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚をなすようにシード層を形成することが望ましい。
【００１７】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法では、コバルト鉄ニッケル合金（ＣｏＦｅＮｉ）を用いて３．５μｍ以上４．０μｍ以下の膜厚をなすと共に０．２０μｍ以上０．６０μｍ以下の幅をなすように上部磁極を形成することが望ましい。ここで、「幅」とは、磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向の幅を意味する。
【００１８】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法では、第５工程において、電圧値を７００Ｖとし、かつ、電流値を８００ｍＡとすることにより発生するアルゴンイオンビームを用いることが望ましい。さらに、第５工程では、第１の入射角度でイオンビームを照射する第１のイオンビームエッチングにより、上部磁極によって覆われた領域を除く領域において、シード層を膜厚方向に全て除去したのち、第１の入射角度よりも低い第２の入射角度でイオンビームを照射する第２のイオンビームエッチングにより、上部磁極によって覆われた領域を除く領域において、記録ギャップ層を膜厚方向に全て除去すると共に下部磁極を膜厚方向に一部除去し、さらに、第１の入射角度でイオンビームを照射する第３のイオンビームエッチングにより、トリム構造の、記録トラック幅に対応する方向の幅を確定することが望ましい。ここで、「第１の入射角度よりも低い第２の入射角度」とは、第１の入射角度よりも第２の入射角度のほうが、成膜面により近い角度（成膜面と垂直な方向からより傾いた方向に対応する角度）であることを意味する。
【００１９】
本発明に係る磁気記録ヘッドは、磁気記録媒体への情報記録を行うための磁気記録ヘッドであって、積層面内の一部に突出した台座部分を有する下部磁極と、台座部分の上に形成された記録ギャップ層と、この記録ギャップ層の上に形成されたシード層と、このシード層の上に形成された上部磁極とを備えており、下部磁極、記録ギャップ層、シード層および上部磁極が、互いに同等のイオンビームエッチング速度を示す材料によりそれぞれ構成されている。さらに、台座部分、記録ギャップ層、シード層および上部磁極がトリム構造を構成しており、このトリム構造における磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向の幅が膜厚方向において均一となっている。
【００２０】
本発明に係る磁気記録ヘッドでは、下部磁極、記録ギャップ層、シード層および上部磁極が互いに同等のイオンビームエッチング速度を有する材料によりそれぞれ構成されるので、膜厚方向において、より高精度に均一化された幅を有するトリム構造となっている。
【００２１】
本発明に係る磁気記録ヘッドでは、記録ギャップ層が、クロム（Ｃｒ）を４０％含有するニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）を含んで構成されていることが望ましい。また、記録ギャップ層は、ルテニウム（Ｒｕ）を含んで構成され、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚を有するようにしてもよい。さらに、記録ギャップ層は、ニッケル鉄クロム合金（ＮｉＦｅＣｒ）を含んで構成され、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚を有するようにしてもよい。
【００２２】
本発明に係る磁気記録ヘッドでは、上部磁極が、コバルトニッケル鉄合金（ＣｏＮｉＦｅ）を含み、３．５μｍ以上４．０μｍ以下の膜厚を有することが望ましい。
【００２３】
本発明に係る磁気記録ヘッドでは、上記のトリム構造における記録トラック幅に対応する方向の幅は、０．２０μｍ以上０．６０μｍ以下であることが望ましい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係る磁気記録ヘッドおよびその製造方法では、互いに同等のエッチング速度を示す材料をそれぞれ用いて下部磁極、記録ギャップ層、シード層および上部磁極を構成するようにしたので、膜厚方向において、より高精度に均一化された幅を有するトリム構造を得ることができる。このため、極めて狭小化した記録トラック幅を有する磁気記録媒体に記録する場合であっても、書込対象とする記録トラックに隣接した記録トラックの磁気記録情報を誤って消去してしまうなどの記録特性上の不都合を招くことなく、正確な記録動作を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２６】
図１〜図６は、本発明の一実施の形態に係る磁気記録ヘッドの製造方法における各製造工程を表すものである。これら図１〜図６は、いずれも、磁気記録ヘッドの、磁気記録媒体と対向する面であるエアベアリング面（以下、ＡＢＳという。）と平行な断面に相当するものである。これら図１〜図６において、Ｘ方向を「幅方向」と呼び、Ｙ方向を「膜厚方向」と呼ぶ。「幅方向」は、磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向である。さらに、Ｘ方向の寸法を「幅」といい、Ｙ方向の寸法を「膜厚」または「高さ」という。なお、本発明の一実施の形態に係る磁気記録ヘッドは本実施の形態に係る磁気記録ヘッドの製造方法によって具現化されるので、以下、併せて説明する。
【００２７】
本実施の形態に係る製造方法では、まず、図１に示したように、例えば、図示しない基体上に、例えばコバルト鉄ニッケル合金（ＣｏＦｅＮｉ）などの磁性材料を用いて下部磁極１０を形成する（第１工程）。次に、この下部磁極１０の上に記録ギャップ層２０を形成する（第２工程）。ここでは、例えば４０ａｔ％（原子パーセント）のクロム（Ｃｒ）を含有するニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）などの、非磁性であると共に十分な耐腐食性を有する材料を用いて記録ギャップ層２０を形成する。この場合、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚とすることが望ましい。記録ギャップ層２０は、上記のＮｉＣｒのほかに、ニッケル鉄クロム合金（ＮｉＦｅＣｒ）あるいはルテニウム（Ｒｕ）を用いて形成することもできる。
【００２８】
続いて、図２に示したように、記録ギャップ層２０の上に、例えば、コバルト鉄窒化物（ＣｏＦｅＮ）を用いてシード層３０を形成する（第３工程）。ここでは、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚をなすようにシード層３０を形成することが望ましい。
【００２９】
次に、図３に示したように、シード層３０の上に、このシード層３０をめっき下地膜として利用しためっき処理により、ＣｏＦｅＮｉからなる上部磁極４０を選択的に形成する（第４工程）。この場合、上部磁極部分４０が、３．５μｍ以上４．０μｍ以下の膜厚と０．２０μｍ以上０．６０μｍ以下の幅とをなすように形成することが望ましい。
【００３０】
上部磁極４０を選択的に形成したのち、この上部磁極４０をマスクとして利用した第１のイオンビームエッチング（ＩＢＥ；Ion Beam Etching）により選択的にシード層３０を除去する。この際、イオンビームを、（成膜面と直交する方向［Ｙ方向］を０°として）例えば３０°〜４０°の入射角度（第１の入射角度）で照射することが望ましい。これにより、上部磁極４０によって覆われていない領域のシード層３０は膜厚方向に全て除去され、上部磁極４０に覆われた領域のシード層３０のみ残留するので、シード層パターン３０Ａが形成される。なお、この際、記録ギャップ層２０も、膜厚方向の一部が除去される。
【００３１】
こののち、図５に示したように、第２のＩＢＥを施すことにより、下部磁極１０および記録ギャップ層２０を選択的に除去する。この際、イオンビームを、第１の入射角度よりも低い第２の入射角度（成膜面と直交する方向［Ｙ方向］により近い角度）で照射することが望ましい。これにより、上部磁極４０によって覆われた領域を除く領域において、記録ギャップ層２０を膜厚方向に全て除去したうえ、下部磁極１０を膜厚方向に一部除去して台座部分１０Ａを形成することができる。この結果、上部磁極４０の下に隠れた台座部分１０Ａと、シード層パターン３０Ａと、これら台座部分１０Ａとシード層パターン３０Ａとの間に残された記録ギャップ層パターン２０Ａとを含むトリム構造を形成することができる。ここで、上記の下部磁極１０（台座部分１０Ａ）、記録ギャップ層２０（記録ギャップ層パターン２０Ａ）、シード層３０（シード層パターン３０Ａ）および上部磁極４０を構成する各材料は、イオンビームに対して、互いにほぼ同等のエッチング速度を示すものである。このため、台座部分１０Ａと、記録ギャップ層パターン２０Ａと、シード層パターン３０Ａと、上部磁極４０とにおける各々の幅は、互いにほぼ均一とすることができる。
【００３２】
この第２のＩＢＥにおいて、例えば、台座部分１０ＡをＣｏＮｉＦｅにより構成すると共に記録ギャップ層２０をＮｉＣｒにより構成したときには、第２の入射角度を３０°，６０°，６５°とすると、台座部分１０Ａに対する記録ギャップ層２０Ａのエッチング速度比（エッチング選択比）は、それぞれ１．０７１，１．１８，１．０５２となる。また、台座部分１０ＡをＣｏＮｉＦｅにより構成すると共に記録ギャップ層２０をルテニウム（Ｒｕ）により構成したときには、第２の入射角度を３０°，６０°，６５°とすると、台座部分１０Ａに対する記録ギャップ層２０Ａのエッチング速度比は、それぞれ１．０１８，０．９２５，０．８５２となる。なお、上記は、電圧値を７００Ｖとし、かつ、電流値を８００ｍＡとすることにより発生するアルゴンイオンビームを用いてＩＢＥをおこなった場合の数値実施例である。
【００３３】
さらに、図６に示したように、トリム構造を、最終的に必要な所定の幅Ｗ３となるようにトリミングする。具体的には、図中の矢印で示したような第１の角度で第３のイオンビームエッチングを施すことにより、例えば０．１μｍ以上０．４μｍ以下の範囲内の幅Ｗ３となるようにトリミングをおこなう。これにより、読出対象とする磁気記録媒体の記録トラック幅に対応した幅Ｗ３をなすトリム構造が得られる。以上説明した第１から第３のイオンビームエッチングが本発明の「第５工程」に対応する一具体例である。
【００３４】
こののち、下部磁極１０および上部磁極４０に書込磁界を誘導するための薄膜コイル（図示せず）を形成し、全体を覆うように、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）からなる保護層（図示せず）を形成する。さらに、機械加工によりエアベアリング面を形成するなど、所定の工程を経ることによって磁気記録ヘッドが完成する。
【００３５】
以上、説明したように、本実施の形態によれば、互いに同等のエッチング速度を示す材料をそれぞれ用いて下部磁極１０、記録ギャップ層２０、シード層３０および上部磁極４０を形成すると共に、上部磁極４０をマスクとして用いて、第１の入射角度でイオンビームを照射する第１のＩＢＥによってシード層３０を選択的に除去したのち、上部磁極４０をマスクとして用いて、第１の入射角度よりも低い第２の入射角度でイオンビームを照射する第２のＩＢＥによって記録ギャップ層を選択的に除去し、さらに、第１の入射角度でイオンビームを照射する第３のＩＢＥによりトリム構造における均一な幅Ｗ３を確定するようにしたので、膜厚方向における上部から下部に至るまで、より高精度に均一化された幅Ｗ３を有するトリム構造を形成することができる。
【００３６】
例えば図１３に示した従来の磁気記録ヘッドのように、記録ギャップ層パターン１２０Ａが酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）など耐エッチング性の高い材料により構成される場合には、下部および上部磁極１１０，１４０と比較するとイオンビームに対するエッチング速度の差が大きいので、ウェットエッチングなどにより予めアンダーカット処理を施す必要がある。ところが、このアンダーカットによる除去量を高精度に制御することは困難であり、記録ギャップ層パターン１２０Ａの幅方向の端面は傾斜をなすことが多い。このため結果的に幅の不均一なトリム構造となってしまう。これに対し本実施の形態の製造方法によれば、トリム構造を構成する各層の材料が互いにほぼ同一のエッチング速度を有するので、アンダーカット処理を施す必要もなく、ＩＢＥにより、膜厚方向において均一な幅のトリム構造を比較的容易に得ることができる。
【００３７】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。すなわち当技術分野を熟知した当業者であれば理解できるように、上記実施の形態は本願発明の一具体例であり、本願発明は、上記の内容に限定されるものではない。製造方法、構造および寸法などの修正および変更は、本発明と一致する限り、好ましい具体例に対応して行われる。
【００３８】
本実施の形態では、磁気記録媒体への情報記録処理を行う磁気記録ヘッドについてのみ説明するようにしたが、例えば、上記の磁気記録媒体からの情報再生処理をおこなう再生ヘッドと一体に構成された複合型の磁気記録再生ヘッドとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の一実施の形態に係る磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】従来の磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０…下部磁極、１０Ａ…台座部分、２０…記録ギャップ層、２０Ａ…記録ギャップ層パターン、３０…シード層、３０Ａ…シード層パターン、４０…上部磁極。
【図１】
2005228447.tif 000003
【図２】
2005228447.tif 000004
【図３】
2005228447.tif 000005
【図４】
2005228447.tif 000006
【図５】
2005228447.tif 000007
【図６】
2005228447.tif 000008
【図７】
2005228447.tif 000009
【図８】
2005228447.tif 000010
【図９】
2005228447.tif 000011
【図１０】
2005228447.tif 000012
【図１１】
2005228447.tif 000013
【図１２】
2005228447.tif 000014
【図１３】
2005228447.tif 000015