(57)【要約】  【課題】結晶材料における細線の配置を制御しうる新たな技術を確立する。  【解決手段】結晶母体と、この結晶母体とは異なる組成を有する複数の細線と、を含み、上記結晶母体が結晶粒界または異相界面を含み、この結晶粒界または異相界面に沿って所定の方向に上記複数の細線が伸長している結晶材料とする。複数の細線５は、好ましくは、小傾角粒界に所定間隔で存在する転位３に沿って拡散した原子４によって形成される。結晶粒界の転位等を利用して制御すれば、量子効果を期待できる程度に微細なナノ細線の配置を正確に、例えば周期的に規則正しく、制御した結晶材料を提供できる。【選択図】図２ 
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶母体と、前記結晶母体とは異なる組成を有する複数の細線と、を含み、
前記結晶母体が結晶粒界または異相界面を含み、当該結晶粒界または異相界面に沿って前記複数の細線が所定の方向に伸長していることを特徴とする結晶材料。
【請求項２】
前記複数の細線が伸長している結晶粒界を含む請求項１に記載の結晶材料。
【請求項３】
前記結晶粒界が、小傾角粒界、対応粒界、または対応粒界から±１０°以内の角度でずれた粒界である請求項２に記載の結晶材料。
【請求項４】
前記複数の細線の少なくとも一部が、所定の規則性を満たすように配置された請求項１〜３のいずれか１項に記載の結晶材料。
【請求項５】
前記所定の方向に直交する面において、前記複数の細線の間隔が１μｍ以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載の結晶材料。
【請求項６】
前記複数の細線の少なくとも一部が、１の転位が分解した部分転位に沿って伸長している請求項１〜５のいずれか１項に記載の結晶材料。
【請求項７】
前記複数の細線の直径が０．１ｎｍ以上１μｍ以下である請求項１〜６のいずれか１項に記載の結晶材料。
【請求項８】
前記結晶母体よりも前記複数の細線の電気伝導率が高い請求項１〜７のいずれか１項に記載の結晶材料。
【請求項９】
前記複数の細線の電気伝導率が１０-6Ω-1ｃｍ-1以上である請求項８に記載の結晶材料。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の結晶材料を含むナノ細線デバイス。
【請求項１１】
少なくとも２つの結晶を接合して、小傾角粒界、対応粒界、または対応粒界から±１０°以内の角度でずれた粒界である結晶粒界を含む結晶母体を作製する工程と、
前記結晶粒界に前記結晶母体とは異なる材料が接触した状態で加熱することにより、前記結晶母体とは異なる組成を有し、前記結晶粒界に存在する複数の空隙に沿って所定の方向に伸長する複数の細線を形成する工程と、
を含む結晶材料の製造方法。
【請求項１２】
前記結晶粒界が露出した表面に前記材料が接触した状態で加熱する請求項１１に記載の結晶材料の製造方法。
【請求項１３】
前記結晶粒界において対向する面の少なくとも一方に前記材料が存在する状態で加熱する請求項１１に記載の結晶材料の製造方法。
【請求項１４】
前記少なくとも２つの結晶が、接合面の垂直方向に０．０１ｍｍ以上の厚みを有する請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の結晶材料の製造方法。
【請求項１５】
前記少なくとも２つの結晶が、接合面として、Ｒｍａｘが１００ｎｍ以下である面を有する請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の結晶材料の製造方法。
【請求項１６】
結晶粒界を含む結晶母体を作製する工程の後に、前記結晶母体を所定の形状に加工する工程をさらに実施する請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の結晶材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノ細線等の細線を利用する各種デバイスに有用な結晶材料とその製造方法に関し、さらに、この結晶材料を用いたナノ細線デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
転位は原子配列の乱れた線状の格子欠陥である。従来、転位の応用は材料の強度向上等に限られていたが、本発明者らは、特許文献１において、結晶内部の転位を利用した新たなデバイスを提案した。
【０００３】
特許文献１には、単結晶１（図１１（ａ））に所定条件下における塑性変形により高い密度で転位２を導入し（図１１（ｂ））、次いで熱処理により転位２を所定方向に配列させて得た結晶材料（図１１（ｃ））が開示されている。高密度で所定方向に配列した転位をナノホール、ナノ細線等の形成に用いれば、この結晶材料から新たな高機能デバイスを得ることができる。
【０００４】
特許文献１には、ナノ細線を形成するための基礎技術も開示されている。転位周辺では、ひずみ場が存在するために、この影響によって溶質元素の偏析が生じたり（コットレル効果）、拡散速度がバルクよりも速くなったりする（パイプ拡散）。このため、結晶材料の表面から内部に原子を拡散させれば、転位に沿って原子が偏析してナノ細線が形成される。
【０００５】
なお、本明細書において、ナノ細線とは、直径が５０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以下、である細線をいう。
【０００６】
【特許文献１】国際公開０３／０８９６９８号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１が開示する技術によれば、所定方向に配列したナノ細線を含む結晶材料を得ることができる。しかし、特許文献１が開示する技術では、ナノ細線を結晶材料中に規則的に配置し、あるいはナノ細線を結晶材料の所望の位置に形成することが困難である。
【０００８】
そこで、本発明は、結晶材料における細線の配置を制御しうる新たな技術を確立し、これにより、新たな結晶材料とこの材料を用いたデバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
塑性変形により導入した転位を用いたのでは、細線の配置制御には限界がある。本発明者らは、結晶粒界および異相界面に着目し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
本発明の結晶材料は、結晶母体と、この結晶母体とは異なる組成を有する複数の細線と、を含み、上記結晶母体が結晶粒界または異相界面を含み、この結晶粒界または異相界面に沿って所定の方向に上記複数の細線が伸長していることを特徴とする。
【００１１】
本発明は、別の側面から、上記結晶材料を製造するに適した方法として、少なくとも２つの結晶を接合して小傾角粒界、対応粒界、または対応粒界から±１０°以内の角度でずれた粒界である結晶粒界を含む結晶母体を作製する工程と、上記結晶粒界に上記結晶母体とは異なる材料が接触した状態で加熱することにより、上記結晶母体とは異なる組成を有し、上記結晶粒界に存在する複数の空隙に沿って所定の方向に伸長する複数の細線を形成する工程と、を含む結晶材料の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、結晶粒界または異相界面を利用して複数の細線の配置を制御することとした。例えば２つの結晶を接合することにより結晶粒界を所定の位置に形成すれば、その位置に複数の細線を導入できる。小傾角粒界および対応粒界（Σ粒界）に代表されるように、結晶粒界における原子配列は原子レベルの規則性を有することがある。これを利用する本発明の実施形態では、複数の細線を規則的に配置できる。少なくとも本発明の好ましい実施形態では、量子効果をも期待できる程度に微細なナノ細線の配置を正確に制御できる。この優れた制御性は、ナノ細線デバイスの作製に極めて有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。
【００１４】
本発明の結晶材料は、１つの結晶粒界または異相界面に沿って複数の細線が伸長する構造を含んでいればよく、細線が形成されていない結晶粒界等や結晶母体以外の部材を含んでいても構わない。
【００１５】
結晶母体の材料は、特に制限はなく、所望の特性、用途等に応じ、各種セラミックス、半導体、金属から適宜選択すればよい。結晶母体の結晶系についても制限はない。結晶母体は、例えば、アルミナ、ジルコニア、チタン酸バリウム、シリコンカーバイド、チタン酸ストロンチウム、酸化亜鉛、シリコン、ゲルマニウム、窒化ガリウムであってもよい。
【００１６】
細線は、結晶母体とは異なる組成を有する。即ち、細線は、結晶母体と同じ原子を含んでいてもよいが、少なくとも結晶母体とは異なる組成式により表示される。細線は、結晶母体の材料と同様、特に制限されるわけではないが、遷移金属元素、希土類元素を含むとよく、一例を挙げると、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇを含むことが好ましい。ただし、細線は、非金属元素を含んでいてもよく、非金属元素のみから構成されていてもよい。細線は、金属であっても化合物（非化学量論的化合物を含む）であってもよい。
【００１７】
本発明の好ましい一形態では、結晶母体よりも複数の細線の電気伝導度が高く、この局所的な導電性がデバイスに利用される。この場合、複数の細線の電気伝導率は１０-6Ω-1ｃｍ-1以上、特に１０-1Ω-1ｃｍ-1以上であることが好ましい。
【００１８】
本発明における結晶粒界は、小傾角粒界、対応粒界、または対応粒界から±１０°以内の角度でずれた粒界、特に小傾角粒界、が好ましい。小傾角粒界とは、傾角（２θ；図１参照）が１５°以下の粒界である。図１に示すとおり、理想的な状態、あるいはそれに近い小傾角粒界には、転位（刃状転位または刃状成分を含む転位）３が所定の間隔ｄで規則的に配列している。結晶粒界は、対称、非対称のいずれでもよいが、図１に示したように、対称粒界であることが好ましい。
【００１９】
転位３の間隔ｄは傾角２θによって制御できる。傾角２θを大きくすると間隔ｄは小さくなり、傾角２θを小さくすると間隔ｄは大きくなる。
【００２０】
図２に示すように、熱処理等により転位３に沿って原子４を拡散させれば、所定の間隔ｄで細線５を配置できる。
【００２１】
細線５の間隔は、特に制限されないが、細線の高密度化のためには、細線５が伸長する方向に直交する面（例えば結晶材料の表面６）において、１μｍ以下、例えば０．５ｎｍ以上１μｍ以下、さらには１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、特に５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、が好ましい。
【００２２】
細線は、対応粒界（Σ粒界）を利用することによっても規則的に配置できる。対応粒界は、傾角（２θ）が１５°を上回る大傾角粒界に属するが、小傾角粒界と同様、粒界において周期的な規則構造であり、空隙構造を有する構造ユニット原子配列を有する。また、対応粒界から少しずれた角度（ずれが±１０°以内）の粒界であってもよい。この場合は、上記角度のずれを補償するために、ＤＳＣ転位と呼ばれる特殊な転位が形成される。
【００２３】
図１，図２では小傾角粒界を用いる例を示したため、転位（刃状転位または刃状成分を含む転位）に沿った拡散を説明したが、これに限らず、例えば対応粒界に存在する構造ユニット中の空隙構造に沿って原子を拡散させてもよく、対応粒界から少しずれた粒界に存在する構造ユニット中の空隙構造および／またはＤＳＣ転位に沿って原子を拡散させてもよい。これら転位、空隙構造に代表される空隙に沿って原子を拡散させれば、複数の細線を所定の方向に配列させることは可能であり、本明細書では、上記転位、空隙構造を含む用語として「空隙」を用いる。
【００２４】
本発明では、異相界面に複数の細線を導入してもよい。即ち、界面を介して対向する材料が同種ではなく異種であっても構わない。この場合は、ミスフィット転位を利用して細線を形成してもよい。
【００２５】
こうして、粒界における原子配列の規則性を利用すれば、複数の細線の少なくとも一部、好ましくは全部、を、所定の規則性を満たすように配置できる。所定の規則性は、図２に示したような等間隔配置に限らず、配置の繰り返し性が認められればよい。
【００２６】
なお、結晶粒界では１の転位が分解して部分転位が形成されることがある。本発明の結晶材料は、部分転位を含んでいてもよく、複数の細線の少なくとも一部が部分転位に沿って伸長していてもよい。
【００２７】
刃状転位３には、ナノオーダーのホールが存在する。このホールの直径は、刃状転位３のバーガースベクトルにもよるが、数オングストローム程度である。このホールは、ａ）絶対温度で表示した結晶の融点の半分以上の温度で熱処理することにより、またはｂ）例えば溶融ＫＯＨ等の化学腐食液に浸漬して行うエッチングにより、拡大することができる。
【００２８】
細線の直径は、上記のようなホール径の制御により調整することも可能である。細線の直径は、あくまでも例示であるが、例えば０．１ｎｍ以上１μｍ以下、さらには０．２ｎｍ以上５０ｎｍ以下、特に０．５ｎｍ以上５ｎｍ以下、であってもよい。
【００２９】
以上に説明した結晶粒界等の周期構造を利用した実施形態では、細線の間隔は制御可能であり、細線の直径も制御可能である。後述する方法を用いれば結晶粒界を任意の位置に形成することもできる。これを利用すれば、ナノ細線をバルク中の所望の位置に所望の規則性をもって配置することが可能となる。これは、各種ナノ細線デバイスの設計上、極めて大きな意義を有する。本発明は、本発明により提供される結晶材料を含むナノ細線デバイスを包含する。
【００３０】
本発明の結晶材料は、細線の量子効果を利用するデバイスにも有用である。従来の量子細線は、固体表面上に形成されていたため、体積分率が低く、固体表面に接する部分と露出部分とに影響された電子物性を示す。これに対し、本発明の好ましい実施形態では、量子細線が、結晶中に高密度で埋め込まれているため、体積分率が高く、結晶と量子細線との界面が電子物性の発現に寄与する。これを利用すれば、新しい機能を有する量子細線束含有デバイスの実現が期待できる。
【００３１】
以上では、細線の配置制御について説明してきたが、本発明は、ナノホールを導入した結晶材料におけるナノホールの配置制御にも適用が可能である。ナノホールは、分子篩膜等として利用価値が高い。
【００３２】
即ち、本発明は、結晶母体と、この結晶母体内に存在する複数のナノホールと、を含み、上記結晶母体が結晶粒界または異相界面を含み、この結晶粒界または異相界面に沿って複数のナノホールが所定の方向に伸長していることを特徴とする結晶材料、さらには、この結晶材料を含むナノホールデバイス、として実施してもよい。
【００３３】
複数のナノホールを有する上記結晶材料は、少なくとも２つの結晶を接合して、小傾角粒界、対応粒界、または対応粒界から±１０°以内の角度でずれた粒界である結晶粒界を含む結晶母体を作製する工程を含む方法により製造できる。
【００３４】
ナノホールは、既に説明した転位等の空隙を用いればよく、その配置制御も、既に説明した細線の配置制御と同様に行えばよいので説明は省略する。間隔、直径等、細線についての上記記載のすべてはナノホールについても当てはまる。
【００３５】
ナノホールの径は、形成する空隙の種類（転位、構造ユニット中の空隙構造）により異なるため、これを利用して選択してもよいが、上記に例示した転位におけるホール径の制御（ホール径の拡大）を応用して調整してもよい。ナノホールの好ましい径は、透過させる気体分子等により特定されるため、特に限定されないが、例えば０．１ｎｍ以上１μｍ以下である。
【００３６】
本発明を利用してナノホールの配置を制御すれば、ランダムに形成したときと比較して、例えば規則的な透過位置による高い透過性を実現できる。
【００３７】
本発明の製造方法は、小傾角粒界、対応粒界、または対応粒界から±１０°以内の角度でずれた粒界である結晶粒界を含む結晶母体を作製する工程を含む。この工程は、接合の対象とする結晶面を接触させた状態で加熱することにより行うとよい。加熱温度は、結晶の材料にもよるが、例えばアルミナの場合には、４００℃以上融点（約２０８０℃）以下が好適である。加熱の際には、必要に応じ、接合面に圧縮応力を加えてもよい。
【００３８】
この接合工程を良好に行い、転位の配列が制御された理想的な結晶粒界を得るには、いくつかの工夫を講じることが好ましい。例えば、接合の対象とする少なくとも２つの結晶は、接合面の垂直方向に０．０１ｍｍ以上、好ましくは０．１ｍｍ以上、の厚みを有するように準備するとよい。薄すぎると、反り等の結晶の微小な変形が結晶の接合を阻害することがある。微小な結晶材料を要する場合には、後述するように、本発明の製造方法を実施して得た結晶材料を、後工程で切断、研磨等するとよい。
【００３９】
また、接合する結晶面は、小傾角粒界を形成する場合には傾角が１５°以下となるように選択する。平行度は３°以内とすることが好ましい。共通回転軸は低指数方向としたほうがよい。さらに、接合する結晶面は、予め、例えばメカノケミカル研磨により平滑度を高めておくとよい。平滑度は、Ｒｍａｘにより表示して、１００ｎｍ以下、さらには１０ｎｍ以下、特に５ｎｍ以下、が好ましい。
【００４０】
本発明の製造方法は、結晶粒界に結晶母体とは異なる材料が接触した状態で行う加熱工程（拡散工程）をさらに含む。細線を構成する原子を供給する上記材料は、例えば結晶粒界が露出した表面に、公知の薄膜形成法、例えば、スパッタリング法、化学蒸着法等の気相成膜法、メッキ法等の液相成膜法により、薄膜として形成するとよい（図２参照）。しかし、これに限らず、予め形成したバルク材料を用いてもよい。
【００４１】
この拡散工程における加熱温度は、適宜選択すればよいが、例えば４００〜２０００℃が好適である。加熱の際の雰囲気は、特に制限されない。金属を拡散させる場合には、還元性雰囲気または不活性雰囲気が好ましいが、金属の種類によっては大気中等の酸化性雰囲気で加熱してもよい。拡散させる対象は、上記のとおり金属が好ましいがこれに限るわけではない。拡散の形態に制限はなく、原子に限らずイオンとして拡散させてもよい。
【００４２】
本発明の製造方法では、結晶粒界を含む結晶母体を作製する工程の後に、この結晶母体を所定の形状に加工する加工工程をさらに実施してもよい。結晶母体を作製するための接合工程では、接合の対象とする結晶が、特に接合面に垂直な方向については、ある程度の大きさ（厚さ）を有することが望ましいため、接合工程を実施した後に、切断、研磨等により結晶母体の大きさを調整する加工工程を実施するとよい。この加工工程は、上記拡散工程の前に実施しても後に実施してもよい。
【００４３】
以上では、接合工程の後に、例えば結晶粒界が露出した表面に薄膜を形成して細線の材料とする方法を説明したが、これに従わなくても本発明の製造方法は実施できる。例えば、予め、接合する結晶の接合面に所定の元素を配置してから結晶を接合して結晶母体を作製してもよい。この場合、材料の配置は接合工程の前に行われ、結晶粒界において対向する面（接合面）の少なくとも一方に上記材料が存在する状態で加熱が行われる。接合面への材料の配置は、例えば、結晶の接合面に金属等を薄く蒸着して行ってもよく、接合面に所定のイオンを含む溶液を塗布して行ってもよい。本発明の製造方法では、加熱により細線が形成できるように結晶粒界の近傍に細線の材料が配置されていればよく、この状態を、結晶粒界に材料が接触した状態という。
【００４４】
また、以上で説明した方法は、本発明の結晶材料の製造に適した方法であるが、本発明の結晶材料が上記方法により製造したものに限られるわけではない。本発明の結晶材料は、異相界面を利用して製造してもよく、例えば、結晶粒の異常粒成長、再結晶、液相存在下での粒成長を利用することによっても製造できる可能性がある。
【００４５】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本欄における上記説明と同様、以下の実施例も本発明の好ましい実施形態の例示に過ぎない。
【００４６】
まず、図３に示すように、２つのアルミナ単結晶を、［１−１００］軸を共通回転軸、（１１−２０）面を基準面、［０００１］軸の為す角（２θ）が２°となるように配置し、荷重負荷０．２ＭＰａの下、１５００℃で１０時間の拡散接合を行った。単結晶は、接合する方向についての厚みを６ｍｍ、接合面を１２ｍｍ×１５ｍｍとした。接合して得た双結晶の写真を図４として示す。接合付近を光学顕微鏡で観察したところ、ポア等は観察されず、良好な接合状態が得られていた。こうして得た双結晶は、切断、研磨することにより直径３ｍｍ、厚み０．１ｍｍの薄膜とした。
【００４７】
次いで、この薄膜試料の表面に蒸着によりＴｉ膜を形成した。Ｔｉ膜の膜厚は約５０ｎｍとした。引き続き、Ａｒ９５％、Ｈ2５％の還元雰囲気中で１５００℃、８時間の熱処理を行った。
【００４８】
こうして得た結晶材料の結晶粒界周辺を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察した状態を、図５として示す。図５はＴＥＭ明視野像である。図５より、アルミナの小傾角粒界に沿った周期的なコントラストが確認できる。
【００４９】
走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）を用い、Ｘ線エネルギー分散分光法（ＥＤＳ）により、周期的なコントラストが観察される方向に沿って線分析した結果を図６に示す。図６より、周期的なコントラストと同じ間隔でＴｉ元素の存在が確認できる。
【００５０】
以上より、小傾角粒界に存在する転位に沿ってＴｉが強く偏析したことが確認できた。
【００５１】
転位に偏析したＴｉを電子エネルギー損失分光法（ＥＥＬＳ）により分析したところ、そのスペクトルはＴｉ3+のＥＥＬＳスペクトルと一致した。Ｔｉは、Ｔｉ3+として、即ちＴｉＯ2ではなくＴｉ2Ｏ3として、偏析していた。
【００５２】
結晶粒界周辺の導電性を走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）により測定した。測定に用いたＳＰＭおよび測定条件の概略を図７に示す。図示したとおり、印加電圧は２００Ｖとした。結果を図８に示す。絶縁性のアルミナにおいて、転位に偏析したＴｉが周期的に導電性の細線を形成していることが確認できる。解析の結果、細線の電気伝導率は１０-1ｃｍ-1Ω-1程度であった。
【００５３】
さらに、やや倍率を上げてＴＥＭにより観察したところ、暗視野像である図９に示すように、結晶粒界におけるコントラストが詳細には２つに分離していることが確認できた。そこで、高分解能電子顕微鏡（ＨＲＴＥＭ）を用いて構造を解析した。結果を図１０に示す。
【００５４】
このＨＲＴＥＭ像から、対の転位コントラストが、ｂ＝１／３［１０−１０］とｂ＝１／３［０１−１０］のバーガースベクトルを有する２つの部分転位で構成されており、２つ合わせてｂ＝１／３［１１−２０］となることがわかった。１／３［１１−２０］は、結晶粒界の面方向における最小並進ベクトルに一致する。この結果は、傾角を補償するために形成された転位が２つに分解したことを示している。この転位の分解を利用して、細線の間隔を調整することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明によれば、配置を制御しつつ、結晶材料に複数のナノ細線を導入できる。本発明は、高密度で高配向の細線を母材中に制御性よく導入することを可能とするものであり、例えば量子細線を利用するデバイスにおいて有用である。ただし、本発明の利用は量子細線に限らず、単に細線の導通等の利用であってもよいし、細線間の電子波動を利用してもよい。細線が発現する特性が電気的特性に限定されるわけでもない。本発明は、多種多様なデバイスにおいて極めて大きな利用価値を有する。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の結晶材料の一形態に含まれる対称小傾角粒界における転位の配置を例示する図である。
【図２】本発明の結晶材料の一形態を製造するために転位に沿って原子を拡散させる前後の状態を示した断面図である。
【図３】実施例で作製したアルミナ双結晶の結晶軸等を示す斜視図である。
【図４】実施例で作製したアルミナ双結晶の写真である。
【図５】実施例で作製したアルミナ双結晶の小傾角粒界のＴＥＭ明視野像である。
【図６】実施例で作製したアルミナ双結晶の小傾角粒界に沿って測定したＥＤＳスペクトルである。
【図７】実施例で作製したアルミナ双結晶について実施したＳＰＭによる電流値測定の概要を示す図である。
【図８】図７に概要を示した測定により得られた電流値の測定結果である。
【図９】図５よりも高倍率で測定した、実施例で作製したアルミナ双結晶の小傾角粒界のＴＥＭ暗視野像である。
【図１０】実施例で作製したアルミナ双結晶における転位の分解をＨＲＴＥＭにより観察した結果を示す図である。
【図１１】特許文献１が開示する従来の結晶材料とその製造方法を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  単結晶
２，３  転位
４  原子
５  細線
６  結晶材料の表面
【図１】
2005279843.tif 000003
【図２】
2005279843.tif 000004
【図３】
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【図４】
2005279843.tif 000006
【図５】
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【図６】
2005279843.tif 000008
【図７】
2005279843.tif 000009
【図８】
2005279843.tif 000010
【図９】
2005279843.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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