(57)【要約】【課題】  元基板に対する切断の適否を判定するためのマークを付しても、元基板を切断する際に発生する静電気が配線や電気素子に入り込むことのない電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器を提供すること。【解決手段】  電気光学装置の素子基板２０を元基板２００から切り出す際の良否を判定することを目的に、ＴＦＤ素子の第１金属層のＴａを形成する際、１次切断予定線Ｌ１１、２次切断予定線Ｌ１２の交差部分８０に対して、１次切断予定線Ｌ１の近傍でこの切断予定線と平行に延びた第１の線状マーク８１と、２次切断予定線Ｌ１２の近傍でこの切断予定線と平行に延びた第２の線状マーク８２と、１次切断予定線Ｌ１１上に沿って延びた第３の線状マーク８３と、２次切断予定線Ｌ１２上に沿って延びた第４の線状マーク８４とを形成しておく。【選択図】    図９
2005099311.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の元基板の表面に成膜工程およびパターニング工程により少なくとも配線を形成した後、前記元基板を切断してなる電気光学装置用基板の製造方法において、
前記元基板上で互い直交する２方向をＸ方向およびＹ方向としたとき、Ｘ方向に延びる前記元基板に対する第１の切断予定線と、Ｙ方向に延びる前記元基板に対する第２の切断予定線との交差部分には、導電膜によって、前記第１の切断予定線の近傍で当該第１の切断予定線と平行に延びた第１の線状マークと、前記第２の切断予定線の近傍で当該第２の切断予定線と平行に延びた第２の線状マークと、前記第１の切断予定線上に沿って延びた第３の線状マークと、前記第２の切断予定線上に沿って延びた第４の線状マークとを形成しておくことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記元基板を前記第１の切断予定線および前記第２切断予定線に沿って切断して前記電気光学装置用基板を切り出した後、前記第１、第２、第３、および第４の線状マークの残り具合に基づいて前記元基板に対する切断の適否を判定することを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記第１、第２、第３、および第４の線状マークは、いずれも前記配線を構成する導電膜と同時形成されていることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記第１の線状マークと前記第２の線状マークは、前記交差部分に近い方の端部同士が繋がっていることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記第１の線状マークと前記第２の線状マークは、前記交差部分に近い方の端部同士が離間していることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし３のいずれかに規定する製造方法で製造されたことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項７】
絶縁性基板の表面に薄膜パターンによって少なくとも配線が形成された電気光学装置用基板において、
前記絶縁性基板上で直交する２方向をＸ方向およびＹ方向としたとき、前記絶縁性基板の表面には、Ｘ方向に延びた第１の基板縁とＹ方向に延びた第２の基板縁とが形成する角部分に、導電膜によって、前記第１の基板縁近傍で当該第１の基板縁に平行に延びた第１の線状マークと、前記第２の基板縁近傍で当該第２の基板縁に平行に延びた第２の線状マークとが形成されていることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項８】
請求項７において、前記第１、第２、第３、および第４の線状マークは、いずれも前記配線を構成する導電膜と同一の材料からなることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項９】
請求項７または８において、前記第１の線状マークと前記第２の線状マークは、前記角部分に近い方の端部同士が繋がっていることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項１０】
請求項７または８において、前記第１の線状マークと前記第２の線状マークは、前記角部分に近い方の端部同士が離間していることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項１１】
請求項６ないし１０のいずれかに規定する電気光学装置用基板によって電気光学物質が保持されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１において、前記電気光学装置用基板は、該電気光学装置用基板と対向配置された別の基板との間に前記電気光学物質としての液晶を保持していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１１において、前記電気光学装置用基板は、エレクトロルミネッセンス素子を構成する有機エレクトロルミネッセンス材料を保持していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項６ないし１３のいずれかに規定する電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線や電気素子を形成した元基板を切断して電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、この電気光学装置用基板を用いた電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、切断工程の適否の判定技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部として、液晶装置などといった電気光学装置が広く用いられている。このような液晶装置のうち、画素スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリックス方式の液晶装置では、画素毎に画素スイッチング用の非線形素子としてのＴＦＤ素子、および画素電極が絶縁基板上に形成された素子基板（電気光学装置用基板）と、対向電極が形成された対向基板との間に液晶を充填しておき、各画素毎に液晶に印加される電界を制御して、液晶の配向を制御し、所定の画像情報を表示する。
【０００３】
このような基板を製造するには、一般に、大型の元基板の状態で各種配線など形成しておき、しかる後に、元基板を切断して所定サイズの基板を得る。ここで、元基板に対する切断の適否を判定するために、元基板の切断予定線付近には丸や矢印といったマークを付しておくことが一般的である（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−２３１０８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電気光学装置に用いる基板の場合、画像表示領域を広く確保し、かつ、表示に直接、寄与しない額縁領域と称せられる外周領域を狭くしてあるため、切断線の近傍に配線や電気素子が位置している。それ故、電気光学装置に用いる基板を元基板から切り出す際に静電気が配線や電気素子が形成されている側に入り込んで、配線や電気素子が損傷しやすいという問題点がある。しかるに上記特許文献に開示のマークは、丸や矢印といった、比較的面積をとってしまう形態であるため、マークを導電膜で形成した場合、切断時に、このマークを介して、配線や電気素子に静電気が入り込みやすいという問題点がある。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、元基板に対する切断の適否を判定するためのマークを付しても、元基板を切断する際に発生する静電気が配線や電気素子に入り込むことのない電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、この電気光学装置用基板を用いた電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、絶縁性の元基板の表面に成膜工程およびパターニング工程により少なくとも配線を形成した後、前記元基板を切断してなる電気光学装置用基板の製造方法において、前記元基板上で互い直交する２方向をＸ方向およびＹ方向としたとき、Ｘ方向に延びる前記元基板に対する第１の切断予定線と、Ｙ方向に延びる前記元基板に対する第２の切断予定線との交差部分には、導電膜によって、前記第１の切断予定線の近傍で当該第１の切断予定線と平行に延びた第１の線状マークと、前記第２の切断予定線の近傍で当該第２の切断予定線と平行に延びた第２の線状マークと、前記第１の切断予定線上に沿って延びた第３の線状マークと、前記第２の切断予定線上に沿って延びた第４の線状マークとを形成しておくことを特徴とする。
【０００７】
本発明において、前記元基板を前記第１の切断予定線および前記第２切断予定線に沿って切断して前記電気光学装置用基板を切り出した後、前記第１、第２、第３、および第４の線状マークの残り具合に基づいて前記元基板に対する切断の適否を判定する。
【０００８】
本発明において、前記第１、第２、第３、および第４の線状マークは、前記配線を構成する導電膜と同時形成されていることが好ましい。このように構成すると、マークを形成することを目的に新たな工程を追加する必要がない。
【０００９】
本発明において、前記第１の線状マークと前記第２の線状マークは、前記交差部分に近い方の端部同士が繋がっている構成、および前記交差部分に近い方の端部同士が離間している構成を採用することができる。
【００１０】
本発明では、絶縁性基板の表面に薄膜パターンによって少なくとも配線が形成された電気光学装置用基板において、前記絶縁性基板上で直交する２方向をＸ方向およびＹ方向としたとき、前記絶縁性基板の表面には、Ｘ方向に延びた第１の基板縁とＹ方向に延びた第２の基板縁とが形成する角部分に、導電膜によって、前記第１の基板縁近傍で当該第１の基板縁に平行に延びた第１の線状マークと、前記第２の基板縁近傍で当該第２の基板縁に平行に延びた第２の線状マークとが形成されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明において、前記第１、第２、第３、および第４の線状マークは、いずれも前記配線を構成する導電膜と同一の材料からなることが好ましい。
【００１２】
本発明において、前記第１の線状マークと前記第２の線状マークは、前記角部分に近い方の端部同士が繋がっている構成、および前記角部分に近い方の端部同士が離間している構成のいずれを採用してもよい。
【００１３】
本発明において、前記電気光学装置用基板は、液晶装置に用いることができる。この場合、前記電気光学装置用基板は、該電気光学装置用基板と対向配置された別の基板との間に前記電気光学物質としての液晶を保持する。
【００１４】
ここで、前記電気光学装置用基板は、エレクトロルミネッセンス表示装置に用いることができる。この場合、前記電気光学装置用基板は、エレクトロルミネッセンス素子を構成する有機エレクトロルミネッセンス材料を保持する。
【００１５】
本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった電子機器に用いられる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明では、元基板の第１の切断予定線と第２の切断予定線との交差部分に形成されているマークは、線状であるため、電気光学装置用基板において、配線や電気素子が形成されている領域から最も距離を隔てた形態になっている。このため、マークを導電膜によって形成した場合でも、元基板を切断する際に発生する静電気がマークを介して配線や電気素子に入り込むことがない。それ故、電気光学装置用基板の歩留まりや信頼性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下に実施形態を説明するにあたっては、各種の電気光学装置用基板のうち、画素スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置に用いられる素子基板を例に説明する。
【００１８】
［電気光学装置の全体構成］
図１は、本発明が適用される電気光学装置（液晶装置）の電気的構成を示すブロック図である。図２および図３はそれぞれ、電気光学装置の構成を示す斜視図、および断面図である。
【００１９】
図１に示すように、本形態の電気光学装置１００では、複数本の走査線５１行（Ｘ）方向に延在して形成され、また、複数本のデータ線５２が列（Ｙ）方向に延在して形成されている。また、画素部１００ａにおいて、走査線５１とデータ線５２との各交差点に対応する位置に画素５３が形成され、これら画素５３は、マトリクス状に配置されている。各画素５３では、液晶層５４と二端子型アクティブ素子たるＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ／薄膜ダイオード）素子５６とが直列接続しており、図１に示す例では、液晶層５４が走査線５１の側に、ＴＦＤ素子５６がデータ線５２の側にそれぞれ接続されている。なお、液晶層５４がデータ線５２の側に、ＴＦＤ素子５６が走査線５１の側にそれぞれ接続されることもある。また、各走査線５１は、走査線駆動回路５７によって駆動される一方、各データ線５２は、データ線駆動回路５８によって駆動される構成となっている。
【００２０】
このような電気光学装置１００は、例えば、図２に示すように構成される。ここで、対向配置された一対の基板のうち、一方の基板は、前記のＴＦＤ素子や画素電極が形成される素子基板２０（電気光学装置用基板）であり、他方の基板は、対向基板３０である。
【００２１】
これらの基板のうち、素子基板２０の内側表面には、図３に示すように、複数本のデータ線５２と、それらのデータ線５２に接続される複数のＴＦＤ素子５６と、それらのＴＦＤ素子５６と１対１に接続される画素電極２３とが形成されている。データ線５２は、図３において紙面に対して垂直方向に延在して形成される一方、ＴＦＤ素子５６および画素電極２３は、ドットマトリクス状に配列している。そして、画素電極２３などの表面には、一軸配向処理、例えばラビング処理が施された配向膜２４が形成されている。
【００２２】
一方、対向基板３０の内側表面には、カラーフィルタ３８が形成されており、「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」の３色の着色層を構成している。なお、これら３色の着色層の隙間には、ブラックマトリクス３９が形成されて、着色層の隙間からの入射光を遮蔽する構成となっている。カラーフィルタ３８およびブラックマトリクス３９の表面にはオーバーコート層３７が形成され、さらにその表面には、走査線５１として機能する対向電極３１が、データ線５２と直交する方向に形成されている。なお、オーバーコート層３７は、カラーフィルタ３８およびブラックマトリクス３９の平滑性を高めて、対向電極３１の断線を防止する目的などのために設けられる。さらに、対向電極３１の表面には、ラビング処理が施された配向膜３４が形成されている。なお、配向膜２４、３４は、一般にポリイミド等から形成される。
【００２３】
素子基板２０と対向基板３０とは、スペーサ（図示省略）を含むシール材１０４によって一定の間隙を保って接合され、この間隙に、液晶１０５が封入された構成となっている。また、素子基板２０の外側表面には、配向膜２４へのラビング方向に対応した光軸を有する偏光板２１７が貼着され、対向基板３０の外側表面には、配向膜３４へのラビング方向に対応した光軸を有する偏光板３１７が貼着されている。
【００２４】
なお、本形態の電気光学装置１００は、図２に示すように、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）技術が適用されて、素子基板２０の表面に直接、液晶駆動用ＩＣチップ２５０が実装されている。この結果、液晶駆動用ＩＣ２５０の各出力端子が、データ線５２のそれぞれに接続されている。同様に、対向基板３０の表面にも直接、液晶駆動用ＩＣチップ３５０が実装されて、液晶駆動用ＩＣチップ３５０の各出力端子が、走査線５１たる対向電極３１のそれぞれに接続されている。
【００２５】
なお、ＣＯＧ技術に限られず、それ以外の技術を用いて、ＩＣチップと液晶装置とが接続された構成としても良い。例えば、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を用いて、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）の上にＩＣチップがボンディングされたＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）を電気光学装置に電気的に接続する構成としても良い。また、ＩＣチップをハード基板にボンディングするＣＯＢ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）技術を用いても良い。
【００２６】
［画素の構成］
図４は、電気光学装置において、ＴＦＤ素子を含む数画素分のレイアウトを示す平面図であり、図５は、各画素に形成されたＴＦＤ素子の説明図である。
【００２７】
図４および図５において、ＴＦＤ素子５６は、第１のＴＦＤ素子５６ａおよび第２のＴＦＤ素子５６ｂからなり、素子基板２０の表面に形成された下地層２０１上において、第１金属膜２２２と、この第１金属膜２２２の表面に陽極酸化によって形成された酸化膜からなる絶縁層２２４と、この表面に形成されて相互に離間した第２金属膜２２６ａ、２２６ｂとから構成されている。また、第２金属膜２２６ａは、そのままデータ線５２となる一方、第２金属膜２２６ｂは、画素電極２３に接続されている。なお、データ線５２は、第１金属膜２２２と同時形成された第１金属層２２３を有している。
【００２８】
下地層２０１は、例えば、厚さが５０〜２００ｎｍ程度の酸化レンタル（Ｔａ２Ｏ５）によって構成されている。第１金属層２２２は、例えば、厚さが１００〜５００ｎｍ程度タンタル単体膜、タンタル合金膜等によって形成され、絶縁層２２４は、陽極酸化法によって第１金属層２２２の表面を酸化することによって形成された厚さが１０〜３５ｎｍの酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）である。第２金属層２２６ａ、２２６ｂは、例えばクロム（Ｃｒ）等といった金属膜によって５０〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されている。
【００２９】
ここで、第１のＴＦＤ素子５６ａは、データ線５２の側からみると順番に、第２金属膜２２６ａ／絶縁層２２４／第１金属膜２２２となって、金属（導電体）／絶縁体／金属（導電体）のサンドイッチ構造を採るため、正負双方向のダイオードスイッチング特性を有することになる。一方、第２のＴＦＤ素子５６ｂは、データ線５２の側からみると順番に、第１金属膜２２２／絶縁層２２４／第２金属膜２２６ｂとなって、第１のＴＦＤ素子５６ａとは、反対のダイオードスイッチング特性を有することになる。従って、ＴＦＤ素子５６は、２つのダイオードを互いに逆向きに直列接続した形となっているため、１つのダイオードを用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化されることになる。なお、このように非線形特性を厳密に対称化する必要がないのであれば、１つのＴＦＤ素子のみを用いても良い。
【００３０】
画素電極２３は、透過型として用いられる場合には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの導電性の透明膜から形成される一方、反射型として用いられる場合には、アルミニウムや銀などの反射率の大きな反射性金属膜から形成される。なお、画素電極２３は、反射型であってもＩＴＯなどの透明性金属から形成される場合もある。この場合には、反射層としての反射性金属が形成された後、絶縁層を介して透明な画素電極２３が形成される。一方、半透過反射型として用いられる場合には、反射層を極く薄く形成して半透過反射膜とするか、あるいは、スリットが設けられる構成となる。素子基板２０自体は、例えば、石英やガラスなどの絶縁性を有するものが用いられる。なお、透過型として用いる場合には、透明であることも素子基板２０の要件となるが、反射型として用いる場合には、透明であることが要件にならない。また、図５において、素子基板２０の表面に下地層２０１が設けられる理由は、熱処理により、第１金属膜２２２、２２３が下地から剥離しないようにするとともに、第１金属膜２２２、２２３に不純物が拡散しないようにするためである。したがって、これが問題とならない場合には、下地層２０１は省略可能である。
【００３１】
［電気光学装置の製造方法］
図６は、本形態の電気光学装置１００の製造方法の一例を示す工程図である。図７は、電気光学装置を構成する素子基板を製造するのに用いた元基板を模式的に示す斜視図である。図８は、素子基板形成工程を示す工程断面図である。
【００３２】
本形態において、電気光学装置１００を製造するにあたっては、図６に示す能動素子形成工程Ｐ１〜シール材印刷工程Ｐ５からなる素子基板形成工程と、カラーフィルタ形成工程Ｐ６〜ラビング処理工程Ｐ１０からなる対向基板形成工程とは別々に行われる。また、これらの工程は、素子基板２０および対向基板３０を多数取りできる大型の元基板の状態で行われる。
【００３３】
素子基板形成工程（能動素子形成工程Ｐ１〜シール材印刷工程Ｐ５）においては、図７に示すような大面積の元基板２００を準備する。この元基板２００は、例えば、ガラス等といった透光性の絶縁基板によって形成されている。ここで、元基板２００は、後々、一点鎖線で示す仮想の１次切断予定線Ｌ１１（Ｘ方向に延びる第１の切断予定線）、および二点鎖線で示す仮想の二次切断予定線Ｌ１２（Ｙ方向に延びる第２の切断予定線）に沿って切断されて素子基板２０が複数個取りされ、その周辺領域２０９は廃棄される。
【００３４】
本形態では、元基板２００に対して、まず、能動素子形成工程Ｐ１を行うことにより、電気光学装置複数個分のデータ線５２およびＴＦＤ素子５６を形成する。図７では、便宜上、元基板２００から素子基板２０を８枚分、形成する様子を示してあるが、実際の工程では、より多数の素子基板２０が元基板２００から製造される。
【００３５】
まず、能動素子形成工程Ｐ１は、例えば、図８に示す下地層形成工程（ａ）において、元基板２００の表面にタンタル酸化物、例えば、Ｔａ2Ｏ5を一様な厚さに成膜して下地層２０１を形成する。
【００３６】
次に、第１金属層形成工程（ｂ）において、例えば、Ｔａをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらにフォトリソグラフィ技術を用いてデータ線５２の第１金属層２２３、およびＴＦＤ素子５６の第１金属層２２２を同時にパターニング形成する。このとき、データ線５２の第１層と第１金属層２２２とはブリッジ部（図示せず）で繋がっている。また、この工程で、後述するマークも形成する。
【００３７】
次に、絶縁層形成工程（ｃ）においては、複数枚の元基板２００を電解液に浸漬した状態で陽極酸化を行う。その際、データ線５２の第１金属層２２３を介して第１金属層２２２に給電され、それらの表面には、絶縁層２２４として作用する陽極酸化膜が形成される。
【００３８】
次に、アニール工程（ｄ）においては、複数枚の元基板２００を加熱する。その結果、絶縁層２２４内の転位や空孔などの欠陥密度が低減されるので、ＴＦＤ素子５６のＩ／Ｖ値を高くすることができる。
【００３９】
次に、第２金属層形成工程（ｅ）において、Ｃｒをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、データ線５２の最上層、第１ＴＦＤ素子５６ａの第２金属層２２６ａ、および第２ＴＦＤ素子５６ｂの第２金属層２２６ｂを形成する。以上により、能動素子であるＴＦＤ素子５６が元基板２００の表面に素子基板２０の枚数分だけ形成される。
【００４０】
次に、ブリッジ部除去及び下地層除去工程（ｆ）においては、例えば、ドライエッチングによりブリッジ部を元基板２００から除去する。これにより、第１ＴＦＤ素子５６ａおよび第２ＴＦＤ素子５６ｂの第１金属層２２２および絶縁層２２４が、データ線５２から島状に分断される。なお、この工程では、ブリッジ部の他に、後述する給電パターンのうち、元基板２００を切断予定線Ｌ１１、Ｌ１２に沿って切断した際に各素子基板２０に残ってしまう不要な部分についても除去する。また、画素電極２３に相当する領域の下地層２０１除去して元基板２００を露出させる。
【００４１】
次に、図６の画素電極形成工程Ｐ２が行われる。具体的には、電極形成工程（ｇ）において、画素電極２３を形成するためのＩＴＯをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらに、フォトリソグラフィ技術により、１画素分の大きさに相当する所定形状の画素電極２３をその一部が第２金属層２２６ｂに重なるように形成する。これらの一連の工程により、図４および図５に示すＴＦＤ素子５６および画素電極２３が形成される。
【００４２】
しかる後には、図６の配向膜工程Ｐ３において、元基板２００の表面にポリイミド、ポリビニルアルコール等を一様な厚さに形成することによって配向膜２４を形成した後、ラビング処理工程Ｐ４において、配向膜２４に対してラビング処理その他の配向処理を行う。
【００４３】
次に、シール材印刷工程Ｐ５において、図２に示すように、ディスペンサーやスクリーン印刷等によってシール材１０４を環状に塗布する。なお、シール材１０４の一部分には、液晶注入口（図示せず）を形成しておく。
【００４４】
以上の素子基板形成工程とは別に、対向基板形成工程（カラーフィルタ形成工程Ｐ６〜ラビング処理工程Ｐ１０）を行う。それには、まず、素子基板２０と同様、ガラス基板等といった透光性材料によって形成された大面積の大型基板を用意した後、カラーフィルタ形成工程Ｐ６において、元基板の表面上に対向基板３０の枚数分、ブラックマトリクス３９、およびカラーフィルタ３８を形成する。
【００４５】
次に、平坦化層形成工程Ｐ７において、カラーフィルタ３８の上に平坦化層３７を一様な厚さに形成して表面を平坦化する。
【００４６】
次に、対向電極形成工程Ｐ８において、ＩＴＯ膜等によりストライプ状の対向電極３１、すなわち、走査線５１を形成する。
【００４７】
次に、配向膜形成工程Ｐ９において、走査線５１等の上にポリイミド等によって一様な厚さの配向膜３４を形成した後、ラビング処理工程Ｐ１０において、配向膜３４に対してラビング処理等といった配向処理を施す。これにより対向基板側の元基板が完成する。
【００４８】
その後、素子基板形成用の元基板２００と対向基板形成用の元基板とを位置合わせた上でシール材１０４を間に挟んで、元基板同士を貼り合わせ（貼り合わせ工程Ｐ１１）、さらに紫外線硬化その他の方法でシール材１０４を硬化させる（シール材硬化工程Ｐ１２）。これにより、液晶装置複数個分を含んでいる空のパネル構造体が形成される。その後、空のパネル構造体に対して、図７を参照して説明した第１の切断予定線Ｌ１１に沿って切断溝を形成し、さらに切断溝を基準にパネル構造体を短冊状のパネル構造体に切断する（１次切断工程Ｐ１３）。この短冊状のパネル構造体において、元基板に対する切断個所では、シール材１０４の途切れ部分からなる液晶注入口が外部に開口しているので、露出した液晶注入口からパネル構造体の内側に液晶を減圧注入した後（液晶注入工程Ｐ１４）、各液晶注入口に対して樹脂等の封止材を塗布して、各液晶注入口を封止する（注入口封止工程Ｐ１５）。なお、この工程により、パネル構造体に液晶が付着するので、液晶を注入し終えたパネル構造体は洗浄処理を受ける（洗浄工程Ｐ１６）。その後、パネル構造体に対しては、図７を参照して説明した第２の切断予定線Ｌ１２に沿って切断溝を形成した後、この切断溝に沿って短冊状のパネル構造体において元基板を切断することにより、複数個の電気光学装置１００が切り出される（２次切断工程Ｐ１７）。しかる後に、電気光学装置１００に液晶駆動用ＩＣ２５０、３５０などを実装し、電気光学装置１００が完成する（実装工程Ｐ１８）。
【００４９】
［切断適否確認用のマークの詳細説明］
このように構成した電気光学装置１００を製造する際、元基板２００の切断の良否を判定することを目的に、本形態では、第１金属層形成工程（ｂ）において、Ｔａによって、データ線５２の第１金属層２２３、およびＴＦＤ素子５６の第１金属層２２２を形成する際、Ｘ方向に延びる元基板２００に対する１次切断予定線Ｌ１１と、Ｙ方向に延びる元基板２００に対する２次切断予定線Ｌ１２との交差部分８０に対して、１次切断予定線Ｌ１の近傍でこの切断予定線と平行に延びた第１の線状マーク８１と、２次切断予定線Ｌ１２の近傍でこの切断予定線と平行に延びた第２の線状マーク８２と、１次切断予定線Ｌ１１上に沿って延びた第３の線状マーク８３と、２次切断予定線Ｌ１２上に沿って延びた第４の線状マーク８４とを形成しておく。ここで、第１の線状マーク８１と第２の線状マーク８２は、交差部分８０に近い方の端部同士が繋がっている。
【００５０】
また、第１金属層形成工程（ｂ）において、Ｔａによって、データ線５２の第１金属層２２３、およびＴＦＤ素子５６の第１金属層２２２を形成する際、素子基板２０を形成するための元基板２００と、対向基板を形成するための元基板とを貼り合わす際の位置合わせマーク８９も交差部分８０の近傍に形成しておく。
【００５１】
そして、１次切断工程Ｐ１３、あるいは２次切断工程Ｐ１７を行った後、線状マーク８１〜８４をブレイク確認マーク（チップコーナーマーク）として線状マーク８１〜８４の残り具合により、元基板２００に対する切断の適否を判定する。例えば、一方に偏って切断が行われた場合、第３の線状マーク８３や第４の線状マーク８４が一方の素子基板２０に残ってしまう。また、場合によっては、第１の線状マーク８１や第２の線状マーク８２が一方の素子基板２０で欠けてしまう。従って、１次切断工程Ｐ１３、あるいは２次切断工程Ｐ１７を行った後、線状マーク８１〜８４の残り具合を確認すれば、元基板２００に対する切断の適否を確実に判定することができる。従って、正常に切断された素子基板２０では、Ｘ方向に延びた第１の基板縁２０５とＹ方向に延びた第２の基板縁２０６とが形成する角部分８８には、少なくとも、第１の基板縁２０５近傍に第１の基板縁２０５に平行に延びた第１の線状マーク８１が残り、第２の基板縁２０６近傍には第２の基板縁２０６に平行に延びた第２の線状マーク８２が残っていることになる。
【００５２】
ここで、線状マーク８１〜８４は、線状であり、１次切断予定線Ｌ１１および２次切断予定線Ｌ１２の近傍に、極めて狭い面積しか占めていない。このため、第３および第４の線状マーク８３、８４だけでなく、第１および第２の線状マーク８１、８２も、データ線５２やＴＦＤ素子５６が形成されている画素部１００ａから離れている。また、第３および第４の線状マーク８３、８４だけでなく、第１および第２の線状マーク８１、８２も、位置合わせマーク８９から離れている。
【００５３】
このため、他の工程をそのまま利用して、線状マーク８１〜８４を導電膜（Ｔａ）から構成した場合でも、元基板２００を１次切断予定線Ｌ１１および２次切断予定線Ｌ１２傍に沿って切断する際に発生した静電気は、線状マーク８１〜８４を介して、画素部１００ａに入り込むことがない。それ故、線状マーク８１〜８４を形成することを目的に新たな工程を追加せずに、データ線５２やＴＦＤ素子５６を構成する導電膜の形成工程をそのまま利用して、線状マーク８１〜８４を形成した場合でも、電気光学装置１００ａ（素子基板２０）の歩留まりや信頼性を向上することができる。
【００５４】
［その他の実施の形態］
なお、上記形態では、第１の線状マーク８１と第２の線状マーク８２は、交差部分８０に近い方の端部同士が繋がっていたが、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第１の線状マーク８１と第２の線状マーク８２は、交差部分８０に近い方の端部同士が離間している構成を採用してもよい。
【００５５】
また、上記形態は、ＴＦＤを非線形素子として用いたアクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用した例であるが、以下に示す電気光学装置でも、絶縁性の元基板の表面に成膜工程およびパターニング工程により配線および電気素子を形成した後、元基板を切断して素子基板を形成するので、本発明を適用すれば、歩留まりおよび信頼性を向上することができる。また、本発明は、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などの各種の電気光学装置に用いる素子基板にも適用できる。
【００５６】
図１１は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図１２は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。
【００５７】
図１１に示すように、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１００ｂでは、マトリクス状に形成された複数の画素の各々に、画素電極１０９ｂを制御するための画素スイッチング用のＴＦＴ１３０ｂが形成されており、画像信号を供給するデータ線１０６ｂが当該ＴＦＴ１３０ｂのソースに電気的に接続されている。データ線１０６ｂに書き込む画像信号は、データ線駆動回路１０２ｂから供給される。また、ＴＦＴ１３０ｂのゲートには走査線１３１ｂが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１３１ｂにパルス的に走査信号が走査線駆動回路１０３ｂから供給される。画素電極１０９ｂは、ＴＦＴ１３０ｂのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ１３０ｂを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線１０６ｂから供給される画像信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１０９ｂを介して液晶に書き込まれた所定レベルのサブ画像信号は、対向基板（図省略）に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００５８】
ここで、保持されたサブ画像信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極１０９ｂと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１７０ｂ（キャパシタ）を付加することがある。この蓄積容量１７０ｂによって、画素電極１０９ｂの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、蓄積容量１７０ｂを形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線１３２ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線１３１ｂとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
【００５９】
図１２に示すように、電荷注入型有機薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置１００ｐは、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、またはＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの発光素子をＴＦＴで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。
【００６０】
ここに示す電気光学装置１００ｐでは、複数の走査線１０３ｐと、この走査線１０３ｐの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線１０６ｐと、これらのデータ線１０６ｐに並列する複数の共通給電線１２３ｐと、データ線１０６ｐと走査線１０３ｐとの交差点に対応する画素１１５ｐとが構成されている。データ線１０６ｐに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０１ｐが構成されている。走査線１０３ｐに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路１０４ｐが構成されている。
【００６１】
また、画素１１５ｐの各々には、走査線１０３ｐを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ１３１ｐと、この第１のＴＦＴ１３１ｐを介してデータ線１０６ｐから供給される画像信号を保持する保持容量１３３ｐと、この保持容量１３３ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ１３２ｐと、第２のＴＦＴ１３２ｐを介して共通給電線１２３ｐに電気的に接続したときに共通給電線１２３ｐから駆動電流が流れ込む発光素子１４０ｐとが構成されている。
【００６２】
ここで、発光素子１４０ｐは、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機エレクトロルミネッセンス材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極は、データ線１０６ｐなどを跨いで複数の画素１１５ｐにわたって形成されている。
【００６３】
（電子機器の実施形態）
図１３は、本発明に係る電気光学装置が搭載される電子機器の一例を示す携帯電話機の説明図である。
【００６４】
図１３に示すように、携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、本発明を適用した電気光学装置１００などを有している。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明では、元基板の第１の切断予定線と第２の切断予定線との交差部分に形成されているマークは、線状であるため、素子基板において、配線や電気素子が形成されている領域から最も距離を隔てた形態になっている。このため、マークを導電膜によって形成した場合でも、元基板を切断する際に発生する静電気がマークを介して配線や電気素子に入り込むことがない。それ故、素子基板の歩留まりや信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明が適用される電気光学装置（液晶装置）の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】電気光学装置の構成を示す斜視図である。
【図３】電気光学装置の構成を示す断面図である。
【図４】電気光学装置において、ＴＦＤ素子を含む数画素分のレイアウトを示す平面図である。
【図５】電気光学装置において、各画素に形成されたＴＦＤ素子の説明図である。
【図６】本発明を適用した電気光学装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図７】本発明を適用した電気光学装置を構成する素子基板を製造するのに用いた元基板を模式的に示す斜視図である。
【図８】本発明を適用した電気光学装置の製造工程のうち、素子基板形成工程を示す工程断面図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置に用いる素子基板を形成するための元基板に付したマークと切断予定線の位置関係を示す説明図、および切断予定線の交差部分を拡大して示す説明図である。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置に用いる素子基板を形成するための元基板に付した別のマークと切断予定線の位置関係を示す説明図、および切断予定線の交差部分を拡大して示す説明図である。
【図１１】画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図１２】電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス素子を備えたアクティブマトリクス型表示装置のブロック図である。
【図１３】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一実施形態としての携帯電話機の説明図である。
【符号の説明】
【００６７】
２０  素子基板（電気光学装置用基板）、２３  画素電極、３０  対向基板、５１  走査線、５２  データ線、５３  画素、５６、５６ａ、５６ｂ  ＴＦＤ素子、８０  交差部分、８１  第１の線状マーク、８２  第２の線状マーク、８３  第３の線状マーク、８４  第４の線状マーク、８８  角部分、８９  位置合わせマーク、１００  電気光学装置、１００ａ  画素部、２００  元基板、２０５、２０６  基板縁、２２２、２２３  第１金属膜、Ｌ１１、Ｌ２１  １次切断予定線
【図１】
2005099311.tif 000003
【図２】
2005099311.tif 000004
【図３】
2005099311.tif 000005
【図４】
2005099311.tif 000006
【図５】
2005099311.tif 000007
【図６】
2005099311.tif 000008
【図７】
2005099311.tif 000009
【図８】
2005099311.tif 000010
【図９】
2005099311.tif 000011
【図１０】
2005099311.tif 000012
【図１１】
2005099311.tif 000013
【図１２】
2005099311.tif 000014
【図１３】
2005099311.tif 000015