(57)【要約】【課題】  装置の小型化及び簡略化を図り、かつ、処理効率及び処理性能の向上を図れるようにすること。【解決手段】  気体によって基板Ｇを浮上する浮上ステージ２２と、基板Ｇの表面に処理液を帯状に供給するレジスト供給ノズル２３と、レジスト供給ノズルを昇降するノズル昇降機構９０と、基板の両側端を着脱可能に吸引保持すると共に、基板の浮上高さに応じて変位可能な基板保持手段２４と、浮上ステージの両側に平行に配置されるガイドレール２５に沿って基板保持手段に連結されたスライダ２６を移動するリニアモータ２７と、処理直前の基板とレジスト供給ノズルとの間隔を検出する光センサ５０と、予め測定された基板の浮上高さの情報に基づいて基板保持手段の保持高さを補正して基板の水平姿勢を制御し、光センサからの検出信号に基づいてレジスト供給ノズルを昇降して、基板とレジスト供給ノズルとの距離を所定の間隔に制御するＣＰＵ７０とを設ける。【選択図】    図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
気体の噴射により浮上ステージ上に浮上される被処理基板の両端部を基板保持手段によって保持した状態で、上記被処理基板を搬送しつつ処理液供給手段から供給される処理液を被処理基板の表面に帯状に供給して処理を施す浮上式基板搬送処理方法であって、
予め、上記浮上ステージ上に浮上される上記被処理基板の浮上高さを測定して記憶し、
上記測定値に基づいて上記基板保持手段の保持高さを補正して、上記被処理基板を水平姿勢に制御し、
上記被処理基板の搬送を上記処理液供給手段の手前で停止して、被処理基板と処理液供給手段との間隔を検出し、
上記検出された情報に基づいて上記処理液供給手段を昇降して、上記被処理基板と処理液供給手段との距離を所定の間隔に制御し、
その後、上記被処理基板を搬送しつつ上記処理液供給手段から供給される処理液を被処理基板の表面に帯状に供給して処理を施す、ことを特徴とする浮上式基板搬送処理方法。
【請求項２】
気体の噴射により浮上ステージ上に浮上される被処理基板の両端部を基板保持手段によって保持した状態で、上記被処理基板を搬送しつつ処理液供給手段から供給される処理液を被処理基板の表面に帯状に供給して処理を施す浮上式基板搬送処理方法であって、
上記被処理基板の搬送を上記処理液供給手段の手前で停止して、被処理基板の下面高さと、被処理基板と処理液供給手段との間隔を検出し、
上記検出された高さ検出情報に基づいて上記基板保持手段の保持高さを補正して、上記被処理基板を水平姿勢に制御すると共に、検出された間隔検出情報に基づいて、上記処理液供給手段を昇降して、上記被処理基板と処理液供給手段との距離を所定の間隔に制御し、
その後、上記被処理基板を搬送しつつ上記処理液供給手段から供給される処理液を被処理基板の表面に帯状に供給して処理を施す、ことを特徴とする浮上式基板搬送処理方法。
【請求項３】
請求項２記載の浮上式基板搬送処理方法において、
上記被処理基板の下面高さの検出を、被処理基板の幅方向の中央部で行うようにした、ことを特徴とする浮上式基板搬送処理方法。
【請求項４】
気体の噴射により浮上ステージ上に浮上される被処理基板の両端部を基板保持手段によって保持した状態で、上記被処理基板を搬送しつつ処理液供給手段から供給される処理液を被処理基板の表面に帯状に供給して処理を施す浮上式基板搬送処理方法であって、
上記被処理基板の搬送を上記処理液供給手段の手前で停止して、被処理基板の上面高さと、被処理基板と処理液供給手段との間隔を検出し、
上記検出された高さ検出情報に基づいて上記基板保持手段の保持高さを補正して、上記被処理基板を水平姿勢に制御すると共に、検出された間隔検出情報に基づいて、上記処理液供給手段を昇降して、上記被処理基板と処理液供給手段との距離を所定の間隔に制御し、
その後、上記被処理基板を搬送しつつ上記処理液供給手段から供給される処理液を被処理基板の表面に帯状に供給して処理を施す、ことを特徴とする浮上式基板搬送処理方法。
【請求項５】
請求項４記載の浮上式基板搬送処理方法において、
上記被処理基板の上面高さの検出を、被処理基板の幅方向の両端部及び中央部の３箇所で行い、上記被処理基板と処理液供給手段との間隔の検出を、被処理基板の幅方向の両端部及び中央部のうちの少なくとも中央部で行うようにした、ことを特徴とする浮上式基板搬送処理方法。
【請求項６】
請求項１、２又は４に記載の浮上式基板搬送処理方法において、
上記基板保持手段による被処理基板の保持を、浮上ステージにおける気体の吸引により被処理基板が浮上ステージ上に載置固定された状態で行うようにした、ことを特徴とする浮上式基板搬送処理方法。
【請求項７】
表面から気体を噴射又は噴射及び吸引して被処理基板を異なる高さに浮上する浮上ステージと、
上記浮上ステージの上方に配置され、上記被処理基板の表面に処理液を帯状に供給する処理液供給手段と、
上記処理液供給手段を昇降移動する昇降機構と、
上記被処理基板の両側端をそれぞれ着脱可能に吸引保持すると共に、被処理基板の浮上高さに応じて変位可能な基板保持手段と、
上記浮上ステージの両側に互いに平行に配置されるガイドレールに沿って上記基板保持手段に連結されたスライダを移動する移動機構と、
処理直前の上記被処理基板と上記処理液供給手段との間隔を検出する間隔検出手段と、
予め測定された上記被処理基板の浮上高さの情報に基づいて上記基板保持手段の保持高さを補正して被処理基板の水平姿勢を制御し、かつ、上記間隔検出手段からの検出信号に基づいて上記昇降機構により上記処理液供給手段を昇降して、被処理基板と処理液供給手段との距離を所定の間隔に制御する制御手段と、
を具備することを特徴とする浮上式基板搬送処理装置。
【請求項８】
表面から気体を噴射又は噴射及び吸引して被処理基板を異なる高さに浮上する浮上ステージと、
上記浮上ステージの上方に配置され、上記被処理基板の表面に処理液を帯状に供給する処理液供給手段と、
上記処理液供給手段を昇降移動する昇降機構と、
上記被処理基板の両側端をそれぞれ着脱可能に吸引保持すると共に、被処理基板の浮上高さに応じて変位可能な基板保持手段と、
上記浮上ステージの両側に互いに平行に配置されるガイドレールに沿って上記基板保持手段に連結されたスライダを移動する移動機構と、
処理直前の上記被処理基板の高さを検出する高さ検出手段と、
処理直前の上記被処理基板と上記処理液供給手段との間隔を検出する間隔検出手段と、
上記高さ検出手段からの検出信号に基づいて上記基板保持手段の保持高さを補正して被処理基板の水平姿勢を制御し、かつ、上記間隔検出手段からの検出信号に基づいて上記昇降機構により上記処理液供給手段を昇降して、被処理基板と処理液供給手段との距離を所定の間隔に制御する制御手段と、
を具備することを特徴とする浮上式基板搬送処理装置。
【請求項９】
請求項８記載の浮上式基板搬送処理装置において、
上記高さ検出手段は、被処理基板の幅方向の中央部の下面高さを検出する光センサである、ことを特徴とする浮上式基板搬送処理装置。
【請求項１０】
請求項８記載の浮上式基板搬送処理装置において、
上記高さ検出手段と間隔検出手段を、被処理基板の幅方向の両端部及び中央部の上面高さ並びに被処理基板と処理液供給手段との間隔を検出する３つの光センサによって形成し、この際、上記間隔検出手段を、両端部及び中央部のうちの少なくとも中央部の光センサによって形成してなる、ことを特徴とする浮上式基板搬送処理装置。
【請求項１１】
請求項７又は８記載の浮上式基板搬送処理装置において、
上記浮上ステージは、気体を噴射又は吸引する多数の小孔を設けた搬入領域を具備し、
上記搬入領域における上記気体の噴射、吸引用の小孔に連通する気体通路を、切換手段を介して気体供給源又は吸引手段に切換可能に接続してなる、ことを特徴とする浮上式基板搬送処理装置。
【請求項１２】
請求項７又は８記載の浮上式基板搬送処理装置において、
上記基板保持手段は、被処理基板の側端下面に吸着可能な吸着部材と、この吸着部材を垂直方向に補正移動すべく電圧の印加によって伸縮する圧電素子とを具備する、ことを特徴とする浮上式基板搬送処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えばＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板に処理液例えばレジスト液を供給して処理を施す浮上式基板搬送処理方法及びその装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板としてのＬＣＤ用ガラス基板等（以下に基板という）にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮小してレジスト膜に転写し、これを現像処理し、その後、基板からレジスト膜を除去する一連の処理が施されている。
【０００３】
例えば、レジスト膜の形成方法として、溶剤に感光性樹脂を溶解してなるレジスト液を帯状に吐出するレジスト供給ノズルと、矩形状の基板とを、レジストの吐出方向と直交する方向に相対的に平行移動させて塗布処理する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
この方法によれば、基板の一辺から他辺に渡ってレジスト液を帯状に吐出（供給）するため、矩形状の基板の全面に平均してレジスト膜を形成することができる。
【特許文献１】特開平１０−１５６２５５号公報（特許請求の範囲、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特開平１０−１５６２５５号公報に記載の技術においては、基板の上方に架設配置されるレジスト供給ノズル又は基板を水平姿勢に保持するステージの少なくとも一方を移動する構造であるため、特に、近年の基板の大型化に伴って装置が大型かつ複雑になると共に、重量の嵩むレジスト供給ノズルやステージの移動に多大なエネルギを要するという問題があった。また、重量の嵩むレジスト供給ノズルやステージを処理後に元の位置に復帰移動し、再び移動して処理を施すため、処理効率の低下を招くという問題もあった。
【０００６】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、装置の小型化及び簡略化を図り、かつ、処理効率及び処理性能の向上を図れるようにした浮上式基板搬送処理方法及びその装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、この発明の浮上式基板搬送処理方法は、気体の噴射により浮上ステージ上に浮上される被処理基板の両端部を基板保持手段によって保持した状態で、上記被処理基板を搬送しつつ処理液供給手段から供給される処理液を被処理基板の表面に帯状に供給して処理を施す浮上式基板搬送処理方法を前提とし、請求項１記載の浮上式基板搬送処理方法は、予め、上記浮上ステージ上に浮上される上記被処理基板の浮上高さを測定して記憶し、  上記測定値に基づいて上記基板保持手段の保持高さを補正して、上記被処理基板を水平姿勢に制御し、  上記被処理基板の搬送を上記処理液供給手段の手前で停止して、被処理基板と処理液供給手段との間隔を検出し、  上記検出された情報に基づいて上記処理液供給手段を昇降して、上記被処理基板と処理液供給手段との距離を所定の間隔に制御し、  その後、上記被処理基板を搬送しつつ上記処理液供給手段から供給される処理液を被処理基板の表面に帯状に供給して処理を施す、ことを特徴とする。
【０００８】
請求項２記載の発明は、上記被処理基板の搬送を上記処理液供給手段の手前で停止して、被処理基板の下面高さと、被処理基板と処理液供給手段との間隔を検出し、  上記検出された高さ検出情報に基づいて上記基板保持手段の保持高さを補正して、上記被処理基板を水平姿勢に制御すると共に、検出された間隔検出情報に基づいて、上記処理液供給手段を昇降して、上記被処理基板と処理液供給手段との距離を所定の間隔に制御し、  その後、上記被処理基板を搬送しつつ上記処理液供給手段から供給される処理液を被処理基板の表面に帯状に供給して処理を施す、ことを特徴とする。この場合、上記被処理基板の下面高さの検出を、被処理基板の幅方向の中央部で行うようにする方が好ましい（請求項３）。
【０００９】
また、請求項４記載の発明は、上記被処理基板の搬送を上記処理液供給手段の手前で停止して、被処理基板の上面高さと、被処理基板と処理液供給手段との間隔を検出し、  上記検出された高さ検出情報に基づいて上記基板保持手段の保持高さを補正して、上記被処理基板を水平姿勢に制御すると共に、検出された間隔検出情報に基づいて、上記処理液供給手段を昇降して、上記被処理基板と処理液供給手段との距離を所定の間隔に制御し、  その後、上記被処理基板を搬送しつつ上記処理液供給手段から供給される処理液を被処理基板の表面に帯状に供給して処理を施す、ことを特徴とする。この場合、上記被処理基板の上面高さの検出を、被処理基板の幅方向の両端部及び中央部の３箇所で行い、上記被処理基板と処理液供給手段との間隔の検出を、被処理基板の幅方向の両端部及び中央部のうちの少なくとも中央部で行うようにしてもよい（請求項５）。
【００１０】
また、請求項６記載の発明は、請求項１、２又は４に記載の浮上式基板搬送処理方法において、  上記基板保持手段による被処理基板の保持を、浮上ステージにおける気体の吸引により被処理基板が浮上ステージ上に載置固定された状態で行うようにした、ことを特徴とする。
【００１１】
請求項７記載の浮上式基板搬送処理装置は、請求項１記載の浮上式基板搬送処理方法を具現化するもので、  表面から気体を噴射又は噴射及び吸引して被処理基板を異なる高さに浮上する浮上ステージと、  上記浮上ステージの上方に配置され、上記被処理基板の表面に処理液を帯状に供給する処理液供給手段と、  上記処理液供給手段を昇降移動する昇降機構と、  上記被処理基板の両側端をそれぞれ着脱可能に吸引保持すると共に、被処理基板の浮上高さに応じて変位可能な基板保持手段と、  上記浮上ステージの両側に互いに平行に配置されるガイドレールに沿って上記基板保持手段に連結されたスライダを移動する移動機構と、  処理直前の上記被処理基板と上記処理液供給手段との間隔を検出する間隔検出手段と、  予め測定された上記被処理基板の浮上高さの情報に基づいて上記基板保持手段の保持高さを補正して被処理基板の水平姿勢を制御し、かつ、上記間隔検出手段からの検出信号に基づいて上記昇降機構により上記処理液供給手段を昇降して、被処理基板と処理液供給手段との距離を所定の間隔に制御する制御手段と、を具備することを特徴とする。
【００１２】
また、請求項８記載の浮上式基板搬送処理装置は、請求項２又は４記載の浮上式基板搬送処理方法を具現化するもので、  表面から気体を噴射又は噴射及び吸引して被処理基板を異なる高さに浮上する浮上ステージと、  上記浮上ステージの上方に配置され、上記被処理基板の表面に処理液を帯状に供給する処理液供給手段と、  上記処理液供給手段を昇降移動する昇降機構と、  上記被処理基板の両側端をそれぞれ着脱可能に吸引保持すると共に、被処理基板の浮上高さに応じて変位可能な基板保持手段と、  上記浮上ステージの両側に互いに平行に配置されるガイドレールに沿って上記基板保持手段に連結されたスライダを移動する移動機構と、  処理直前の上記被処理基板の高さを検出する高さ検出手段と、  処理直前の上記被処理基板と上記処理液供給手段との間隔を検出する間隔検出手段と、  上記高さ検出手段からの検出信号に基づいて上記基板保持手段の保持高さを補正して被処理基板の水平姿勢を制御し、かつ、上記間隔検出手段からの検出信号に基づいて上記昇降機構により上記処理液供給手段を昇降して、被処理基板と処理液供給手段との距離を所定の間隔に制御する制御手段と、を具備することを特徴とする。この場合、上記検出手段を、被処理基板の幅方向の中央部の下面高さを検出する光センサによって形成してもよい（請求項９）。あるいは、上記高さ検出手段と間隔検出手段を、被処理基板の幅方向の両端部及び中央部の上面高さ並びに被処理基板と処理液供給手段との間隔を検出する３つの光センサによって形成し、この際、上記間隔検出手段を、両端部及び中央部のうちの少なくとも中央部の光センサによって形成することができる（請求項１０）。
【００１３】
また、請求項１１記載の浮上式基板搬送処理装置は、請求項６記載の浮上式基板搬送処理方法を具現化するもので、上記浮上ステージは、気体を噴射又は吸引する多数の小孔を設けた搬入領域を具備し、  上記搬入領域における上記気体の噴射、吸引用の小孔に連通する気体通路を、切換手段を介して気体供給源又は吸引手段に切換可能に接続してなる、ことを特徴とする。
【００１４】
請求項７又は８記載の浮上式基板搬送処理装置において、  上記基板保持手段は、上記被処理基板の両側端をそれぞれ着脱可能に吸引保持すると共に、被処理基板の浮上高さに応じて変位可能なものであれば任意な構造でよく、例えば、被処理基板の側端下面に吸着可能な吸着部材と、この吸着部材を垂直方向に補正移動すべく電圧の印加によって伸縮する圧電素子とを具備する構造とする方が好ましい（請求項１２）。この場合、上記圧電素子に、例えばピエゾアクチュエータやボイスコイル等を使用することができる。
【００１５】
請求項１，７記載の発明によれば、予め、上記浮上ステージ上に浮上される上記被処理基板の浮上高さを測定して記憶し、記憶された測定値に基づいて基板保持手段の保持高さを補正して、被処理基板を水平姿勢に制御し、被処理基板の搬送を処理液供給手段の手前で停止して、被処理基板と処理液供給手段との間隔を検出し、検出された情報に基づいて処理液供給手段を昇降して、被処理基板と処理液供給手段との距離を所定の間隔に制御し、その後、被処理基板を搬送しつつ処理液供給手段から供給される処理液を被処理基板の表面に帯状に供給して処理を施すことができる。
【００１６】
請求項２，４，８記載の発明によれば、被処理基板の搬送を処理液供給手段の手前で停止して、被処理基板の下面又は上面の高さと、被処理基板と処理液供給手段との間隔を検出し、検出された高さ検出情報に基づいて基板保持手段の保持高さを補正して、被処理基板を水平姿勢に制御すると共に、検出された間隔検出情報に基づいて処理液供給手段を昇降して、被処理基板と処理液供給手段との距離を所定の間隔に制御し、その後、被処理基板を搬送しつつ処理液供給手段から供給される処理液を被処理基板の表面に帯状に供給して処理を施すことができる。
【００１７】
請求項６，１１記載の発明によれば、被処理基板を基板保持手段によって保持する際に、浮上ステージにおいて、気体を吸引して被処理基板を浮上ステージ上に載置固定して、被処理基板の両端部を基板保持手段によって保持することができる。
【００１８】
請求項１２記載の発明によれば、基板保持手段が、被処理基板の側端下面に吸着可能な吸着部材と、この吸着部材を垂直方向に補正移動すべく電圧の印加によって伸縮する圧電素子とを具備することで、予め測定された被処理基板の浮上高さの測定情報や、検出手段によって検出された情報に基づく電圧の印加によって吸着部材を介して被処理基板の保持高さを補正することができる。
【発明の効果】
【００１９】
（１）請求項１，７記載の発明によれば、浮上ステージ上に搬入される被処理基板の両端部を基板保持手段によって保持した状態で搬送するので、装置の小型化及び簡略化が図れる。また、予め測定された被処理基板の浮上高さに基づいて基板保持手段の保持高さを補正して、被処理基板を水平姿勢に制御することができ、この状態で、被処理基板と処理液供給手段との間隔を検出し、検出された間隔検出情報に基づいて処理液供給手段を昇降して、被処理基板と処理液供給手段との距離を所定の間隔に制御した後、被処理基板を搬送しつつ処理液供給手段から供給される処理液を被処理基板の表面に帯状に供給して処理を施すので、被処理基板の表面に形成される処理液の液膜を均一にすることができ、処理効率及び処理性能の向上を図ることができる。
【００２０】
（２）請求項２〜５，８〜１０記載の発明によれば、浮上ステージ上に搬入される被処理基板の両端部を基板保持手段によって保持した状態で搬送するので、装置の小型化及び簡略化が図れる。また、被処理基板の搬送を上記処理液供給手段の手前で停止して、被処理基板の下面又は上面の高さと、被処理基板と処理液供給手段との間隔を検出し、検出された高さ検出情報に基づいて基板保持手段の保持高さを補正して、被処理基板を水平姿勢に制御すると共に、検出された間隔検出情報に基づいて処理液供給手段を昇降して、被処理基板と処理液供給手段との距離を所定の間隔に制御した後、被処理基板を搬送しつつ処理液供給手段から供給される処理液を被処理基板の表面に帯状に供給して処理を施すので、被処理基板の表面に形成される処理液の液膜を均一にすることができ、処理効率及び処理性能の向上を図ることができる。
【００２１】
（３）請求項６，１１記載の発明によれば、気体を吸引して被処理基板を浮上ステージ上に載置固定して、被処理基板の両端部を基板保持手段によって保持するので、上記（１），（２）に加えて、更に被処理基板の保持を確実かつ正確にすることができると共に、被処理基板の浮上高さに応じた補正を正確にすることができ、処理の均一化を図ることができる。
【００２２】
（４）請求項１２記載の発明によれば、検出手段によって検出された情報に基づく電圧の印加によって吸着部材を介して被処理基板の保持高さを補正することができるので、上記（１）〜（３）に加えて、更に被処理基板と処理液供給手段との間隔の補正制御を正確にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る浮上式基板搬送処理装置をＬＣＤ用ガラス基板のレジスト塗布現像処理装置におけるレジスト塗布処理装置に適用した場合について説明する。
【００２４】
上記レジスト塗布現像処理装置は、図１に示すように、複数の被処理基板であるＬＣＤ用ガラス基板Ｇ（以下に基板Ｇという）を収容するカセットＣを載置する搬入出部１と、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを具備しており、処理部２の両端にそれぞれ搬入出部１及びインターフェイス部３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布現像処理装置の長手方向をＸ方向、平面視においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。
【００２５】
上記搬入出部１は、カセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬入出を行うための搬送機構５を備えており、この搬入出部１において外部に対するカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構５は搬送アーム５ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路６上を移動可能であり、搬送アーム５ａによりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬入出が行われるように構成されている。
【００２６】
上記処理部２は、基本的にＸ方向に伸びる基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ、Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿って搬入出部１側からインターフェイス部３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１、第１の熱的処理ユニットセクション１６、レジスト処理ユニット１３及び第２の熱的処理ユニットセクション１７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイス部３側から搬入出部１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション１７、現像処理ユニット（ＤＥＶ）１４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）１５及び第３の熱的処理ユニット１８が配列されている。なお、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１２が設けられている。この場合、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１２はスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するために設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）１５は現像の脱色処理を行うために設けられる。
【００２７】
なお、第１の熱的処理ユニットセクション１６は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット１３側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２の間に第１の搬送機構３３が設けられている。
【００２８】
また、第２の熱的処理ユニットセクション１７は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット１３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット１４側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５の間に第２の搬送機構３６が設けられている。
【００２９】
また、第３の熱的処理ユニットセクション１８は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）１４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８の間に第３の搬送機構３９が設けられている。
【００３０】
なお、インターフェイス部３には、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１と、周辺露光装置（ＥＥ）とタイトラ（ＴＩＴＬＥＲ）を積層して設けた外部装置ブロック４２と、バッファーステージ（ＢＵＦ）４３及び第４の搬送機構４４が配設されている。
【００３１】
このように構成されるインターフェイス部３において、第２の搬送機構３６によって搬送される基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１へ搬送され、第４の搬送機構４４によって外部装置ブロック４２の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて、周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで、第４の搬送機構４４により露光装置４に搬送されて、基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によっては、バッファーステージ（ＢＵＦ）４３に基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。そして、露光終了後、基板Ｇは第４の搬送機構４４により外部装置ブロック４２のタイトラ（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて、基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１に載置され、再び処理部２に搬送されるように構成されている。
【００３２】
上記レジスト処理ユニット１３は、この発明に係る浮上式基板搬送処理装置を適用したレジスト塗布処理装置２０と、このレジスト塗布処理装置２０によって基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧容器（図示せず）内で減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２１とを具備している。
【００３３】
次に、この発明に係る浮上式基板搬送処理装置を適用したレジスト塗布処理装置２０について説明する。
【００３４】
＜第１実施形態＞
図２は、上記レジスト塗布処理装置２０の第１実施形態の要部を示す概略斜視図、図３は、レジスト塗布処理装置２０により基板Ｇにレジスト液を供給（吐出）する状態を示す基板Ｇの移動方向に沿う概略断面図、図４は、基板Ｇの移動方向と直交する方向に沿う概略断面図である。
【００３５】
上記レジスト塗布処理装置２０は、表面から気体を噴射又は噴射及び吸引して基板Ｇを異なる高さに浮上する浮上ステージ２２と、この浮上ステージ２２の上方に配置され、基板Ｇの表面に処理液であるレジスト液Ｒを帯状に供給する処理液供給手段であるレジスト供給ノズル２３と、このレジスト供給ノズル２３を着脱及び調整可能に保持するノズル保持体９０と、このノズル保持体９０を昇降するノズル昇降機構１００と、基板Ｇの両側端をそれぞれ着脱可能に吸引保持すると共に、基板Ｇの浮上高さに応じて変位可能な基板保持手段２４と、浮上ステージ２２の両側に互いに平行に配置されるガイドレール２５に沿って基板保持手段２４に連結されたスライダ２６を移動する移動機構２７と、処理直前の基板Ｇとレジスト供給ノズル２３との間隔を検出する検出手段５０と、基板保持手段２４の保持高さの補正制御及び基板Ｇとレジスト供給ノズル２３との間隔（隙間）を所定の間隔Ｓに制御する制御手段７０とで主に構成されている。
【００３６】
上記浮上ステージ２２は、図２及び図３に示すように、図示しない搬送アームによって搬送される基板Ｇを受け取る搬入領域２２ａと、レジスト供給ノズル２３と基板Ｇとの隙間Ｓを一定の距離例えば１００〜１５０μｍに維持する塗布領域２２ｂと、基板Ｇを受け渡す搬出領域２２ｃとが設けられている。
【００３７】
この場合、搬入領域２２ａにおいては、浮上ステージ２２の表面に設けられた多数の小孔２９ａから気体例えば空気が噴射されて基板Ｇが約１００〜１５０μｍの高さの位置に浮上されるか、あるいは、小孔２９ａから空気が吸引されることによって基板Ｇが浮上ステージ２２上に載置されるようになっている。この場合、搬入領域２２ａにおいては、図６に示すように、浮上ステージ２２に設けられた多数の噴射、吸引用の小孔２９ａに連通する気体通路２２ｆを、切換手段である切換弁８０を介して気体供給源例えばコンプレッサ８１又は吸引手段例えば真空ポンプ８２に切換可能に接続されている。
【００３８】
また、搬出領域２２ｃにおいては、浮上ステージ２２の表面に設けられた多数の小孔２９ｂから気体例えば空気が噴射されて基板Ｇが約１００〜１５０μｍの高さの位置に浮上されるようになっている。また、搬出領域２２ｃにおいては、図示しない搬送アームに基板Ｇを受け渡す昇降可能な複数例えば４本のリフトピン２８が設けられている。
【００３９】
また、塗布領域２２ｂにおいては、浮上ステージ２２の表面に多数の噴射孔２９ｃと吸引孔２９ｄが例えば千鳥状に設けられており、噴射孔２９ｃから気体すなわち空気を噴射すると共に、吸引孔２９ｄから吸引することによって基板Ｇが約５０μｍの高さの位置に浮上されている。
【００４０】
なお、搬入領域２２ａと塗布領域２２ｂとの間、及び塗布領域２２ｂと搬出領域２２ｃとの間には、それぞれ両者間の高さのギャップを繋げる繋ぎ領域２２ｄ，２２ｅが設けられている。これら繋ぎ領域２２ｄ，２２ｅにおいては、多数の噴射孔２９ｃと吸引孔２９ｄとが設けられており、気体である空気の噴射量及び吸引量を調整することによって基板Ｇを徐々に下降又は上昇するように構成されている。
【００４１】
上記レジスト供給ノズル２３は、浮上ステージ２２の上方を跨ぐ門形状のノズル保持体９０に着脱及び調整可能に固定されている。この場合、ノズル保持体９０には、ブロック状の取付片９１が水平方向に突出しており、この取付片９１の下端平坦面にレジスト供給ノズル２３の上端平坦面が当接された状態でボルト９２を締結することによってレジスト供給ノズル２３が固定されている。また、レジスト供給ノズル２３は、図示しないレジストタンクに接続される供給管２３ａによって供給されるレジスト液Ｒを貯留するノズル本体２３ｂと、このノズル本体２３ｂの下端から下方に向って狭小テーパ状に垂下するノズルヘッド２３ｃとで構成されており、ノズルヘッド２３ｃに設けられたスリット２３ｄから基板Ｇの表面にレジスト液Ｒが帯状に供給（吐出）されるように構成されている。
【００４２】
上記のように構成されるレジスト供給ノズル２３におけるノズル本体２３ｂの基板Ｇの搬送側面における基板Ｇの幅方向の両端部と中央部に対応する３箇所に間隔検出手段である間隔検出用光センサ５０（以下に間隔検出センサ５０という）が装着されている。この場合、間隔検出センサ５０は、図５に示すように、例えば、一側方に配置される発光素子５１と、上方に配置される受光素子５２と、発光素子５１から発光されたビームを垂直下に反射し、直下に置かれた基板Ｇからの反射ビームを透過するハーフミラ５３とを具備する反射型光センサによって形成されている。
【００４３】
このように構成される間隔検出センサ５０によって、この間隔検出センサ５０と基板Ｇの表面との距離Ｄが測定（検出）されると共に、この距離Ｄからノズルヘッド２３ｃの高さ寸法Ｄ0を引いた寸法すなわち基板Ｇとレジスト供給ノズル２３との距離（間隔）Ｓ0が測定（検出）される。そして、この間隔検出情報（検出信号）が制御手段例えば中央演算処理装置（ＣＰＵ）７０（以下にＣＰＵ７０という）に伝達され、この検出情報とＣＰＵ７０に予め記憶された情報とに基づく制御信号が昇降機構１００に伝達されて、ノズル保持体９０が昇降移動される。これにより、基板Ｇとレジスト供給ノズル２３との距離が所定の間隔Ｓ（１００〜１５０μｍ）に制御される。
【００４４】
上記説明では、間隔検出センサ５０がレジスト供給ノズル２３に装着される場合について説明したが、間隔検出センサ５０をノズル保持体９０に装着してもよい。
【００４５】
なお、装置のセットアップ時に予め、浮上ステージ２２の塗布領域２２ｂにおける基板Ｇの浮上高さ（基板下面高さ）を実測して、この測定情報をＣＰＵ７０に記憶しておく。このとき、基板Ｇは拘束されない状態で浮上高さが実測される。この測定情報に基づいてＣＰＵ７０からの制御信号が基板保持手段２４に伝達されることにより、基板保持手段２４の基板保持高さが補正されて、基板Ｇの水平姿勢が制御されるようになっている。
【００４６】
上記基板保持手段２４は、基板Ｇの両側端下面をそれぞれ着脱可能に吸引保持する吸着部材すなわち吸着パッド６０と、吸着パッド６０と図示しない真空装置とを接続するバキューム管６１と、吸着パッド６０の下端に垂下された筒状脚部６２を垂直方向に摺動可能に支持する支持筒体６３と、この支持筒体６３内に配設されて電圧の印加によって伸縮して吸着パッド６０を補正移動する圧電素子６４とを具備している。この場合、圧電素子６４は、例えば複数の素子を重ね合わせたピエゾスタックに電圧を印加して伸縮させるピエゾアクチュエータによって形成されている。なお、ピエゾアクチュエータに代えてボイスコイルを用いてもよい。なお、支持筒体６３は、後述するスライダ２６から水平方向に突出する取り付けブラケット６５上に載置固定されている。
【００４７】
この場合、上記吸着パッド６０は、例えば、合成ゴム製のパッド本体６０ａの上面に複数の長孔状の吸引孔６０ｂを設けてなる。なお、吸引孔６０ｂを長孔に変えて小孔としてもよい。また、パッド本体６０ａ内に設けられた室（図示せず）に接続するバキューム管６１は、複数の通路（図示せず）を有する合成ゴム製の帯状のチューブによって形成されている。このように形成されるバキューム管６１は、図５に示すように、移動機構２７を構成するスライダ２６の上部にヒンジ６６を介して垂直方向に揺動可能に枢着されている。このように構成することにより、吸着パッド６０の変位に追従してバキューム管６１も変位可能となる。なお、各吸着パッド６０に接続するバキューム管６１は、共通の主バキューム管（図示せず）を介して真空装置に接続されている。
【００４８】
上記移動機構２７は、浮上ステージ２２の両側に互いに平行に配置されるガイドレール２５に摺動自在に装着されるスライダ２６を移動するリニアモータによって形成されている。
【００４９】
次に、上記のように構成されるレジスト塗布処理装置２０の動作態様について、図６、図７及び図８を参照して説明する。まず、予め、基板下面の浮上高さを実測して、ＣＰＵ７０に記憶しておく（ステップ７−１）。次に、熱的処理ユニット（ＴＢ）３１によって熱処理された基板Ｇが図示しない搬送アームによって浮上ステージ２２の搬入領域２２ａ上に搬入されると、搬入領域２２ａに設けられた小孔２９ａから噴射される空気によって基板Ｇが浮上され、その後、搬送アームは浮上ステージ２２上から外方へ退避する。基板Ｇを受け取った後、切換弁８０が切り換わって気体通路２２ｆが真空ポンプ８２側に切り換わると、小孔２９ａから空気が吸引されて、基板Ｇが浮上ステージ２２上に載置固定される（ステップ７−２）。この状態で、真空装置が作動して吸着パッド６０によって基板Ｇが吸着保持される。吸着パッド６０によって基板Ｇが吸着保持された後、切換弁８０が再び切り換わって気体通路２２ｆがコンプレッサ８１側に接続されると、小孔２９ａから空気が噴射され、この搬入領域２２ａの表面から噴出する空気によって基板Ｇは約１００〜１５０μｍの高さの位置に浮上される。このとき、ＣＰＵ７０からの制御信号が基板保持手段２４に伝達されて、基板保持手段２４の圧電素子６４に電圧が印加され、圧電素子６４の伸縮によって予め実測された測定情報に基づいて吸着パッド６０が補正移動され、基板Ｇが水平姿勢に制御される（ステップ７−３）。
【００５０】
次いで、リニアモータ２７（移動機構）が駆動して基板Ｇが塗布領域２２ｂに搬送され、レジスト供給ノズル２３の手前で停止する（図８（ａ）参照）。この塗布領域２２ｂにおいては、浮上ステージ２２の表面から空気の噴出と吸引とのバランスによって基板Ｇは約５０μｍの高さの位置に浮上されている。この状態で、間隔検出センサ５０によって間隔検出センサ５０と基板Ｇとの距離Ｄ、すなわち基板Ｇとレジスト供給ノズル２３との距離すなわち間隔Ｓ0が測定（検出）される（ステップ７−４、図８（ａ）参照）。検出された情報（検出信号）はＣＰＵ７０に伝達され、ＣＰＵ７０からの制御信号に基づいてノズル昇降機構１００が駆動してレジスト供給ノズル２３が昇降移動される。これにより、基板Ｇとレジスト供給ノズル２３との距離が所定の間隔Ｓ（１００〜１５０μｍ）に制御される（ステップ７−５、図８（ｂ）参照）。
【００５１】
その後、リニアモータ２７（移動機構）が駆動して基板Ｇが搬送され、基板Ｇを搬送しつつレジスト供給ノズル２３からレジスト液Ｒを帯状に供給（吐出）することによって、基板Ｇの表面にレジスト膜が均一に形成される（ステップ７−６、図８（ｃ）参照）。
【００５２】
なお、レジスト供給ノズル２３を昇降移動して基板Ｇとレジスト供給ノズル２３との距離が所定の間隔Ｓ（１００〜１５０μｍ）に制御した後、以下のようにしてレジスト供給ノズル２３からレジスト液を供給（吐出）するようにしてもよい。すなわち、まず、基板Ｇの先端部をレジスト供給ノズル２３の直下位置に移動して停止し、この状態で、レジスト供給ノズル２３を下降させてレジスト液Ｒを少量供給（吐出）して基板Ｇの表面に線状にレジスト液を付着させ、その後、レジスト供給ノズル２３を所定の位置に上昇させてから、基板Ｇを搬送しつつレジスト供給ノズル２３からレジスト液Ｒを帯状に供給（吐出）するようにしてもよい。このようにすることにより、基板Ｇへのレジスト液の濡れ性を良好にすることができ、レジスト膜のエッジ部の膜厚を均一にすることができる。
【００５３】
レジスト膜が形成された基板Ｇは搬出領域２２ｃに移動されると、基板Ｇは搬出領域２２ｃの表面から噴出する空気によって約１００〜１５０μｍの高さの位置に浮上され、この状態で、真空装置を停止して基板Ｇの吸着保持が解かれる。すると、リフトピン２８が上昇して基板Ｇを上方の受渡し位置へ移動する。この状態で、図示しない搬送アームが基板Ｇを受け取って基板Ｇを次工程の減圧乾燥装置（ＶＤ）２１へ搬送する。
【００５４】
＜第２実施形態＞
図９は、レジスト塗布処理装置の第２実施形態を示す概略断面図、図１０は、第２実施形態の要部を示す概略断面図である。
【００５５】
第２実施形態は、１枚毎に基板Ｇの下面高さを検出し、その検出信号（検出情報）に基づいて基板Ｇを水平姿勢に制御した後、第１実施形態と同様に、間隔検出センサ５０によって基板Ｇとレジスト供給ノズル２３との間隔を検出し、その間隔検出信号に基づいて基板Ｇとレジスト供給ノズル２３との距離を所定の間隔Ｓに制御するようにした場合である。
【００５６】
第２実施形態のレジスト塗布処理装置２０Ａにおいては、浮上ステージ２２の塗布領域２２ｂに、基板Ｇの下面高さを検出する下面高さ検出手段である下面高さ検出用光センサ５０Ａ(以下に下面高さ検出センサ５０Ａという)が設けられている。
【００５７】
上記下面高さ検出センサ５０Ａは、図９及び図１０に示すように、浮上ステージ２２の下部に配設されており、浮上ステージ２２に設けられた透孔２２ｇを介して基板Ｇの幅方向の中央部下面の高さ、例えば基準面となる浮上ステージ２２の上面から基板Ｇの下面までの高さＨ1を検出している。検出された下面高さ検出情報はＣＰＵ７０に伝達され、ＣＰＵ７０からの制御信号が基板保持手段２４に伝達されて、吸着パッド６０の保持高さが制御される。ここで、基板Ｇの幅方向の中央部下面の高さＨ1を検出する理由は、基板Ｇの幅は例えば１．８ｍと大きく、しかも基板Ｇの厚みは例えば０．７ｍｍと薄いため、基板Ｇの前端中央付近はほぼ浮上力のみの影響で高さが決まるので、この高さに吸着パッド６０の保持高さを制御して合わせることにより、基板Ｇの水平姿勢を容易に維持することができるからである。
【００５８】
なお、下面高さ検出センサ５０Ａは、図１０に示すように、一側方に配置される発光素子５１と、下方に配置される受光素子５２と、発光素子５１から発光されたビームを垂直上方に反射し、直上に位置する基板Ｇからの反射ビームを透過するハーフミラ５３とを具備する反射型光センサによって形成されている。
【００５９】
また、第２実施形態においては、間隔検出手段は、基板Ｇの幅方向の中央部とレジスト供給ノズル２３との間隔Ｓ0を測定（検出）する１つの間隔検出センサ５０によって形成されている。
【００６０】
なお、第２実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。
【００６１】
次に、第２実施形態のレジスト塗布処理装置２０Ａの動作態様について、図９、図１０及び図１１を参照して説明する。まず、熱的処理ユニット（ＴＢ）３１によって熱処理された基板Ｇが図示しない搬送アームによって浮上ステージ２２の搬入領域２２ａ上に搬入されると、搬入領域２２ａに設けられた小孔２９ａから噴射される空気によって基板Ｇが浮上され、その後、搬送アームは浮上ステージ２２上から外方へ退避する。基板Ｇを受け取った後、切換弁８０が切り換わって気体通路２２ｆが真空ポンプ８２側に切り換わると、小孔２９ａから空気が吸引されて、基板Ｇが浮上ステージ２２上に載置固定される（ステップ１１−１）。この状態で、真空装置が作動して吸着パッド６０によって基板Ｇが吸着保持される（ステップ１１−２）。吸着パッド６０によって基板Ｇが吸着保持された後、切換弁８０が再び切り換わって気体通路２２ｆがコンプレッサ８１側に接続されると、小孔２９ａから空気が噴射され、この搬入領域２２ａの表面から噴出する空気によって基板Ｇは約１００〜１５０μｍの高さの位置に浮上される。
【００６２】
次いで、リニアモータ２７（移動機構）が駆動して基板Ｇが塗布領域２２ｂに搬送され、レジスト供給ノズル２３の手前で停止する。この状態で、下面高さ検出センサ５０Ａによって基板Ｇの幅方向の中央部下面の高さＨ1が測定（検出）されると共に、間隔検出センサ５０によって基板Ｇとレジスト供給ノズル２３との間隔Ｓ0が測定（検出）される（ステップ１１−３）。このとき、ＣＰＵ７０からの制御信号が基板保持手段２４に伝達されて、基板保持手段２４の圧電素子６４に電圧が印加され、圧電素子６４の伸縮によって予め実測された測定情報に基づいて吸着パッド６０が補正移動され、基板Ｇが水平姿勢に制御される（ステップ１１−４）。また、この状態で、間隔検出センサ５０によって検出された間隔検出信号はＣＰＵ７０に伝達され、ＣＰＵ７０からの制御信号に基づいてノズル昇降機構１００が駆動してレジスト供給ノズル２３が昇降移動される。これにより、基板Ｇとレジスト供給ノズル２３との距離が所定の間隔Ｓ（１００〜１５０μｍ）に制御される（ステップ１１−５）。
【００６３】
その後、リニアモータ２７（移動機構）が駆動して基板Ｇが搬送され、基板Ｇを搬送しつつレジスト供給ノズル２３からレジスト液Ｒを帯状に供給（吐出）することによって、基板Ｇの表面にレジスト膜が均一に形成される（ステップ１１−６）。
【００６４】
レジスト膜が形成された基板Ｇは搬出領域２２ｃに移動されると、基板Ｇは搬出領域２２ｃの表面から噴出する空気によって約１００〜１５０μｍの高さの位置に浮上され、この状態で、真空装置を停止して基板Ｇの吸着保持が解かれる。すると、リフトピン２８が上昇して基板Ｇを上方の受渡し位置へ移動する。この状態で、図示しない搬送アームが基板Ｇを受け取って基板Ｇを次工程の減圧乾燥装置（ＶＤ）２１へ搬送する。
【００６５】
＜第３実施形態＞
図１２は、レジスト塗布処理装置の第３実施形態を示す概略断面図、図１３は、第３実施形態の要部を示す概略断面図である。
【００６６】
第３実施形態は、１枚毎に基板Ｇの上面高さを検出し、その検出信号（検出情報）に基づいて基板Ｇを水平姿勢に制御した後、第１及び第２実施形態と同様に、間隔検出センサ５０によって基板Ｇとレジスト供給ノズル２３との間隔を検出し、その間隔検出信号に基づいて基板Ｇとレジスト供給ノズル２３との距離を所定の間隔Ｓに制御するようにした場合である。
【００６７】
第３実施形態のレジスト塗布処理装置２０Ｂにおいては、レジスト供給ノズル２３におけるノズル本体２３ｂの基板Ｇの搬送側面における基板Ｇの幅方向の両端部と中央部に対応する３箇所に上面高さ検出手段である上面高さ検出用光センサ５０Ｂ（以下に上面高さ検出センサ５０Ｂという）が装着されている。また、上面高さ検出センサ５０Ｂのうちの少なくとも中央部に位置するセンサによって間隔検出手段である間隔検出用光センサ５０（間隔検出センサ）が兼用されている。ここでは、間隔検出センサ５０が１つの場合を示す。
【００６８】
この場合、この光センサ５０Ｂ（５０）は、図１３に示すように、例えば、一側方に配置される発光素子５１と、上方に配置される受光素子５２と、発光素子５１から発光されたビームを垂直下に反射し、直下に置かれた基板Ｇからの反射ビームを透過するハーフミラ５３とを具備する反射型光センサによって形成されている。
【００６９】
上記上面高さ検出センサ５０Ｂは、図１２及び図１３に示すように、レジスト供給ノズル２３に装着されており、基板Ｇの幅方向の両端部及び中央部下面の高さ、例えば基準面となる浮上ステージ２２の上面から基板Ｇの上面までの高さＨ2を検出している。検出された上面高さ検出情報はＣＰＵ７０に伝達され、ＣＰＵ７０からの制御信号が基板保持手段２４に伝達されて、吸着パッド６０の保持高さが制御される。この際、基板Ｇの厚み（例えば０．７ｍｍ）が加味された制御信号が、基板保持手段２４に伝達され、基板Ｇの両端部を中央部上面の高さＨ2と同じ高さとなるように吸着パッド６０を制御する。その理由は、上述したように、基板Ｇの幅は例えば１．８ｍと大きく、しかも基板Ｇの厚みは例えば０．７ｍｍと薄いため、基板Ｇの前端中央付近はほぼ浮上力のみの影響で高さが決まるので、この高さに吸着パッド６０の保持高さを制御して合わせることにより、基板Ｇの水平姿勢を容易に維持することができるからである。
【００７０】
なお、第３実施形態において、その他の部分は第１、第２実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。
【００７１】
次に、第３実施形態のレジスト塗布処理装置２０Ｂの動作態様について、図１２、図１３及び図１４を参照して説明する。まず、熱的処理ユニット（ＴＢ）３１によって熱処理された基板Ｇが図示しない搬送アームによって浮上ステージ２２の搬入領域２２ａ上に搬入されると、搬入領域２２ａに設けられた小孔２９ａから噴射される空気によって基板Ｇが浮上され、その後、搬送アームは浮上ステージ２２上から外方へ退避する。基板Ｇを受け取った後、切換弁８０が切り換わって気体通路２２ｆが真空ポンプ８２側に切り換わると、小孔２９ａから空気が吸引されて、基板Ｇが浮上ステージ２２上に載置固定される（ステップ１４−１）。この状態で、真空装置が作動して吸着パッド６０によって基板Ｇが吸着保持される（ステップ１４−２）。吸着パッド６０によって基板Ｇが吸着保持された後、切換弁８０が再び切り換わって気体通路２２ｆがコンプレッサ８１側に接続されると、小孔２９ａから空気が噴射され、この搬入領域２２ａの表面から噴出する空気によって基板Ｇは約１００〜１５０μｍの高さの位置に浮上される。
【００７２】
次いで、リニアモータ２７（移動機構）が駆動して基板Ｇが塗布領域２２ｂに搬送され、レジスト供給ノズル２３の手前で停止する。この状態で、上面高さ検出センサ５０Ｂによって基板Ｇの幅方向の両端部及び中央部の上面の高さＨ2が測定（検出）されると共に、間隔検出センサ５０によって基板Ｇとレジスト供給ノズル２３との間隔Ｓ0が測定（検出）される（ステップ１４−３）。このとき、ＣＰＵ７０からの制御信号が基板保持手段２４に伝達されて、基板保持手段２４の圧電素子６４に電圧が印加され、圧電素子６４の伸縮によって予め実測された測定情報に基づいて吸着パッド６０が補正移動され、基板Ｇが水平姿勢に制御される(ステップ１４−４)。また、この状態で、間隔検出センサ５０によって検出された間隔検出信号はＣＰＵ７０に伝達され、ＣＰＵ７０からの制御信号に基づいてノズル昇降機構１００が駆動してレジスト供給ノズル２３が昇降移動される。これにより、基板Ｇとレジスト供給ノズル２３との距離が所定の間隔Ｓ（１００〜１５０μｍ）に制御される（ステップ１４−５）。
【００７３】
その後、リニアモータ２７（移動機構）が駆動して基板Ｇが搬送され、基板Ｇを搬送しつつレジスト供給ノズル２３からレジスト液Ｒを帯状に供給（吐出）することによって、基板Ｇの表面にレジスト膜が均一に形成される（ステップ１４−６）。
【００７４】
レジスト膜が形成された基板Ｇは搬出領域２２ｃに移動されると、基板Ｇは搬出領域２２ｃの表面から噴出する空気によって約１００〜１５０μｍの高さの位置に浮上され、この状態で、真空装置を停止して基板Ｇの吸着保持が解かれる。すると、リフトピン２８が上昇して基板Ｇを上方の受渡し位置へ移動する。この状態で、図示しない搬送アームが基板Ｇを受け取って基板Ｇを次工程の減圧乾燥装置（ＶＤ）２１へ搬送する。
【００７５】
＜その他の実施形態＞
上記実施形態では、基板保持部材２４を吸着パッド６０によって形成する場合について説明したが、吸着パッド６０に代えて図１５に示すような静電パッド６０Ａを使用することも可能である。この静電パッド６０Ａは、内部に設けた金属電極６０ｄに電圧を印加し、基板Ｇと静電パッド６０Ａの表面に正・負の電荷を発生させ、この間に働くジャンセン・ラーベック力によって基板Ｇを吸着保持するものである。なお、図１５では、単極型の静電パッド６０Ａについて説明したが、静電パッドの内部に複数(例えば２個)の電極６０ｄを設けて、これら電極６０ｄ間に電位差を与えて基板Ｇを吸着保持する双極型静電パッドを使用することも可能である。
【００７６】
また、上記実施形態では、この発明に係る浮上式基板搬送処理装置をレジスト塗布処理装置に適用した場合について説明したが、レジスト塗布処理装置以外の装置、例えば現像処理装置にも適用できることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】この発明に係る浮上式基板搬送処理装置を適用したＬＣＤ用ガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す概略平面図である。
【図２】上記浮上式基板搬送処理装置を適用したレジスト塗布処理装置の第１実施形態を示す概略斜視図である。
【図３】上記レジスト塗布処理装置の基板の移動方向に沿う概略断面図である。
【図４】上記レジスト塗布処理装置の基板の移動方向と直交する方向に沿う概略断面図である。
【図５】この発明における間隔検出手段と基板保持手段と制御手段を示す概略断面図である。
【図６】この発明における浮上ステージの搬入領域における空気噴射状態を示す概略断面図（ａ）及び空気吸引による基板の載置状態を示す概略断面図（ｂ）である。
【図７】第１実施形態の動作を示すフローチャートである。
【図８】この発明における基板の処理手順を示す概略断面図である。
【図９】レジスト塗布処理装置の第２実施形態を示す基板の移動方向と直交する方向に沿う概略断面図である。
【図１０】第２実施形態の要部である下面高さ検出手段と基板保持手段と制御手段を示す概略断面図である。
【図１１】第２実施形態の動作を示すフローチャートである。
【図１２】レジスト塗布処理装置の第３実施形態を示す基板の移動方向と直交する方向に沿う概略断面図である。
【図１３】第３実施形態の要部である上面高さ検出手段と基板保持手段と制御手段を示す概略断面図である。
【図１４】第３実施形態の動作を示すフローチャートである。
【図１５】この発明における基板保持手段の別の形態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００７８】
Ｇ  ＬＣＤ用ガラス基板（被処理基板）
２２  浮上ステージ
２２ａ  搬送領域
２２ｆ  気体通路
２３  レジスト供給ノズル（処理液供給手段）
２４  基板保持手段
２５  ガイドレール
２６  スライダ
２７  リニアモータ（移動機構）
２９ａ  噴射、吸引用小孔
５０  間隔検出用光センサ（間隔検出手段）
５０Ａ  下面高さ検出用光センサ（高さ検出手段）
５０Ｂ  上面高さ検出用光センサ（高さ検出手段）
６０  吸着パッド
６０Ａ  静電パッド
６４  圧電素子
７０  ＣＰＵ（制御手段）
８０  切換弁（切換手段）
８１  コンプレッサ（気体供給源）
８２  真空ポンプ（吸引手段）
１００  ノズル昇降機構
【図１】
2005228881.tif 000003
【図２】
2005228881.tif 000004
【図３】
2005228881.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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